(57)【要約】  基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または所定元素と炭素との化学結合と、所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する工程と、基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する工程と、を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、基板上に膜を形成する工程を有し、膜を形成する工程では、窒素と水素との化学結合を含む物質の基板に対する供給を不実施とする。
2017149604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または前記所定元素と炭素との化学結合と、前記所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する工程と、
前記基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する工程と、
を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記膜を形成する工程では、窒素と水素との化学結合を含む物質の前記基板に対する供給を不実施とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記膜を形成する工程は、前記擬似触媒が前記第１原料に含まれる水素を引き抜く条件下で行われる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記擬似触媒は、前記膜を形成する工程における反応系において、ルイス酸として作用する物質を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記擬似触媒は、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記擬似触媒は第１３族元素としてボロンまたはアルミニウムを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１原料は、前記膜を形成する工程における反応系において、ルイス塩基として作用する物質を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１原料は、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アルキレン基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１つを含み、
前記擬似触媒は、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１つを含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記膜を形成する工程では、前記基板の温度を１５０℃以上４００℃以下とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記膜を形成する工程では、前記基板が存在する空間の圧力を１Ｐａ以上６００Ｐａ以下とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記膜を形成する工程は、さらに、前記第１原料とは分子構造が異なり、前記所定元素と水素との化学結合を含み窒素と水素との化学結合非含有の第２原料を供給する工程を、前記第１原料を供給する工程および前記擬似触媒を供給する工程と少なくとも一定期間オーバーラップさせて行う工程を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第２原料は一般式ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ｎは１または２以上の整数）で表される物質である請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記所定元素は半金属元素または金属元素を含む請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
基板を収容する処理室と、
前記処理室内の基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または前記所定元素と炭素との化学結合と、前記所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する第１原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する擬似触媒供給系と、
前記処理室内において、基板に対して前記第１原料を供給する処理と、前記基板に対して前記擬似触媒を供給する処理と、を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、前記基板上に膜を形成する処理を行わせ、前記膜を形成する処理では、窒素と水素との化学結合を含む物質の前記基板に対する供給を不実施とするように、前記第１原料供給系および前記擬似触媒供給系を制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項１４】
基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または前記所定元素と炭素との化学結合と、前記所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する手順と、
前記基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する手順と、
を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、前記基板上に膜を形成する手順をコンピュータによって基板処理装置に実行させ、
前記膜を形成する手順では、窒素と水素との化学結合を含む物質の前記基板に対する供給を不実施とするプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、基板処理装置、および記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理が行われることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８６２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、基板上に形成される膜の組成比の制御性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
基板に対して、所定元素と窒素との化学結合または前記所定元素と炭素との化学結合と、前記所定元素と水素との化学結合と、を含み、窒素と水素との化学結合非含有の第１原料を供給する工程と、
前記基板に対して、第１３族元素を含み窒素と水素との化学結合非含有の擬似触媒を供給する工程と、
を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、前記基板上に膜を形成する工程を有し、
前記膜を形成する工程では、窒素と水素との化学結合を含む物質の前記基板に対する供給を不実施とする技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、基板上に形成される膜の組成比の制御性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図２】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の一部の概略構成図であり、処理炉の一部を図１のＡ−Ａ線断面図で示す図である。
【図３】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図であり、コントローラの制御系をブロック図で示す図である。
【図４】（ａ）は本発明の一実施形態の成膜シーケンスを示す図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の一実施形態の成膜シーケンスの変形例を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、ＴＳＡ，ＴＥＢ，ＤＳの化学構造式を示す図である。
【図６】成膜レートの評価結果を示す図である。
【図７】成膜レートの他の評価結果を示す図である。
【図８】（ａ）は成膜時の処理条件を示す図であり、（ｂ）は形成された膜の組成を示す図である。
【図９】本発明の他の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であって処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図１０】本発明の他の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の概略構成図であって処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
＜本発明の一実施形態＞
以下、本発明の一実施形態について図１〜図３を参照しながら説明する。
【０００９】
（１）基板処理装置の構成
図１に示すように、処理炉２０２は加熱機構（温度調整部）としてのヒータ２０７を有する。ヒータ２０７は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ２０７は、ガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【００１０】
ヒータ２０７の内側には、ヒータ２０７と同心円状に反応管２０３が配設されている。反応管２０３は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０３の下方には、反応管２０３と同心円状に、マニホールド（インレットフランジ）２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス（ＳＵＳ）等の金属からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９の上端部は、反応管２０３の下端部に係合しており、反応管２０３を支持するように構成されている。マニホールド２０９と反応管２０３との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。反応管２０３は、ヒータ２０７と同様に垂直に据え付けられている。主に、反応管２０３とマニホールド２０９とにより処理容器（反応容器）が構成される。処理容器の筒中空部には処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、複数枚の基板としてのウエハ２００を収容可能に構成されている。
【００１１】
処理室２０１内には、ノズル２４９ａ，２４９ｂが、マニホールド２０９の側壁を貫通するように設けられている。ノズル２４９ａ，２４９ｂには、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂが、それぞれ接続されている。ガス供給管２３２ａには、ガス供給管２３２ｃが接続されている。
【００１２】
ガス供給管２３２ａ〜２３２ｃには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１ａ〜２４１ｃおよび開閉弁であるバルブ２４３ａ〜２４３ｃがそれぞれ設けられている。ガス供給管２３２ａ，２３２ｂのバルブ２４３ａ，２４３ｂよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管２３２ｄ，２３２ｅがそれぞれ接続されている。ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅには、上流方向から順に、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅおよびバルブ２４３ｄ，２４３ｅがそれぞれ設けられている。
【００１３】
ガス供給管２３２ａ，２３２ｂの先端部には、ノズル２４９ａ，２４９ｂがそれぞれ接続されている。ノズル２４９ａ，２４９ｂは、図２に示すように、反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における平面視において円環状の空間に、反応管２０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の積載方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９ａ，２４９ｂは、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うようにそれぞれ設けられている。ノズル２４９ａ，２４９ｂはＬ字型のロングノズルとしてそれぞれ構成されている。ノズル２４９ａ，２４９ｂの側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０ａ，２５０ｂがそれぞれ設けられている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、反応管２０３の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０ａ，２５０ｂは、反応管２０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００１４】
このように、本実施形態では、反応管２０３の側壁の内壁と、反応管２０３内に配列された複数枚のウエハ２００の端部（周縁部）と、で定義される平面視において円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内に配置したノズル２４９ａ，２４９ｂを経由してガスを搬送している。そして、ノズル２４９ａ，２４９ｂにそれぞれ開口されたガス供給孔２５０ａ，２５０ｂから、ウエハ２００の近傍で初めて反応管２０３内にガスを噴出させている。そして、反応管２０３内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち、水平方向としている。このような構成とすることで、各ウエハ２００に均一にガスを供給することが可能となる。ウエハ２００の表面上を流れたガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、このガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。
【００１５】
ガス供給管２３２ａからは、所定元素（主元素）としてのシリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）との化学結合（Ｓｉ−Ｎ結合）またはＳｉと炭素（Ｃ）との化学結合（Ｓｉ−Ｃ結合）と、Ｓｉと水素（Ｈ）との化学結合（Ｓｉ−Ｈ結合）と、を含み、ＮとＨとの化学結合（Ｎ−Ｈ結合）非含有の第１原料が、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。第１原料としては、例えば、トリシリルアミン（Ｎ（ＳｉＨ３）３、略称：ＴＳＡ）ガスを用いることができる。図５（ａ）に化学構造式を示すように、ＴＳＡは、Ｓｉ−Ｎ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む物質であり、１分子中に３つのＳｉ−Ｎ結合と、９つのＳｉ−Ｈ結合を含んでいる。なお、ＴＳＡにおける１つのＮ（中心元素）には３つのＳｉが結合している。ＴＳＡは、後述する成膜処理において、Ｓｉソースとしても作用し、Ｎソースとしても作用する。
【００１６】
ガス供給管２３２ｂからは、第１３族（ＩＩＩ族）元素としてのボロン（Ｂ）を含みＮ−Ｈ結合非含有の擬似触媒が、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂ、ノズル２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。ここでいう「触媒」とは、化学反応の前後でそれ自身は変化しないが、反応の速度を変化させる物質のことである。これに対し、本実施形態の反応系における擬似触媒は、後述するように、反応の速度等を変化させるが、それ自身の少なくとも一部は化学反応の前後で変化する。すなわち、本実施形態の反応系における擬似触媒は、触媒的な作用をするが、厳密には「触媒」ではない。本明細書では、このように、触媒のように作用するが、それ自身の少なくとも一部は化学反応の前後で変化する物質のことを、「擬似触媒」と呼んでいる。擬似触媒としては、例えば、トリエチルボラン（Ｂ（Ｃ２Ｈ５）３、略称：ＴＥＢ）ガスを用いることができる。図５（ｂ）に化学構造式を示すように、ＴＥＢは、Ｂ−Ｃ結合、Ｃ−Ｈ結合、およびＣ−Ｃ結合を含む物質であり、１分子中に３つのＢ−Ｃ結合と、１５のＣ−Ｈ結合と、３つのＣ−Ｃ結合を含んでいる。なお、ＴＥＢにおける１つのＢ（中心元素）には３つのＣが結合している。ＴＥＢは、後述する成膜処理において、触媒として作用するだけでなく、Ｂソースとしても作用し、Ｃソースとしても作用する。
【００１７】
ガス供給管２３２ｃからは、第１原料とは分子構造（化学構造）が異なり、Ｓｉ−Ｈ結合を含みＮ−Ｈ結合非含有の第２原料が、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃ、ガス供給管２３２ａ、ノズル２４９ａを介して処理室２０１内へ供給される。第２原料としては、例えば、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６、略称：ＤＳ）ガスを用いることができる。図５（ｃ）に化学構造式を示すように、ＤＳは、Ｓｉ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｓｉ結合を含む物質であり、後述する成膜処理において、Ｓｉソースとして作用する。
【００１８】
ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅからは、不活性ガスとして、例えば、窒素（Ｎ２）ガスが、それぞれＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅ、バルブ２４３ｄ，２４３ｅ、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ノズル２４９ａ，２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給される。
【００１９】
主に、ガス供給管２３２ａ、ＭＦＣ２４１ａ、バルブ２４３ａにより、第１原料供給系が構成される。また、主に、ガス供給管２３２ｃ、ＭＦＣ２４１ｃ、バルブ２４３ｃにより、第２原料供給系が構成される。また、主に、ガス供給管２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ｂ、バルブ２４３ｂにより、擬似触媒供給系が構成される。また、主に、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅ、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅ、バルブ２４３ｄ，２４３ｅにより、不活性ガス供給系が構成される。
【００２０】
上述の各種供給系のうち、いずれか、或いは、全ての供給系は、バルブ２４３ａ〜２４３ｅやＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｅ等が集積されてなる集積型供給システム２４８として構成されていてもよい。集積型供給システム２４８は、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｅのそれぞれに対して接続され、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｅ内への各種ガスの供給動作、すなわち、バルブ２４３ａ〜２４３ｅの開閉動作やＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｅによる流量調整動作等が、後述するコントローラ１２１によって制御されるように構成されている。集積型供給システム２４８は、一体型、或いは、分割型の集積ユニットとして構成されており、ガス供給管２３２ａ〜２３２ｅ等に対して集積ユニット単位で着脱を行うことができ、供給システムのメンテナンス、交換、増設等を、集積ユニット単位で行うことが可能なように構成されている。
【００２１】
反応管２０３には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４４を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されている。ＡＰＣバルブ２４４は、真空ポンプ２４６を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２０１内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ２４６を作動させた状態で、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２０１内の圧力を調整することができるように構成されている。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４４、圧力センサ２４５により、排気系が構成される。真空ポンプ２４６を排気系に含めて考えてもよい。
【００２２】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９の下方には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６７が設置されている。回転機構２６７の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６７は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管２０３の外部に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。また、マニホールド２０９の下方には、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を降下させている間、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシャッタ２１９ｓが設けられている。シャッタ２１９ｓは、例えばＳＵＳ等の金属からなり、円盤状に形成されている。シャッタ２１９ｓの上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｃが設けられている。シャッタ２１９ｓの開閉動作（昇降動作や回動動作等）は、シャッタ開閉機構１１５ｓにより制御される。
【００２３】
基板支持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハ２００を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる断熱板２１８が多段に支持されている。この構成により、ヒータ２０７からの熱がシールキャップ２１９側に伝わりにくくなっている。断熱板２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。
【００２４】
反応管２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、ノズル２４９ａ，２４９ｂと同様にＬ字型に構成されており、反応管２０３の内壁に沿って設けられている。
【００２５】
図３に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、タッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。
【００２６】
記憶装置１２１ｃは、フラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する成膜処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する成膜処理における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、プロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単に、レシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００２７】
Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｅ、バルブ２４３ａ〜２４３ｅ、圧力センサ２４５、ＡＰＣバルブ２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、ヒータ２０７、回転機構２６７、ボートエレベータ１１５、シャッタ開閉機構１１５ｓ等に接続されている。
【００２８】
ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ２４１ａ〜２４１ｅによる各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３ａ〜２４３ｅの開閉動作、ＡＰＣバルブ２４４の開閉動作および圧力センサ２４５に基づくＡＰＣバルブ２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくヒータ２０７の温度調整動作、回転機構２６７によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ１１５によるボート２１７の昇降動作、シャッタ開閉機構１１５ｓによるシャッタ２１９ｓの開閉動作等を制御するように構成されている。
【００２９】
コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００３０】
（２）成膜処理
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成するシーケンス例について、図４（ａ）を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。
【００３１】
図４（ａ）に示す成膜シーケンスは、
基板としてのウエハ２００に対して第１原料としてのＴＳＡガスを供給するステップと、
ウエハ２００に対して擬似触媒としてのＴＥＢガスを供給するステップと、
を少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うことで、ウエハ２００上に、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎを含む膜として、Ｂ，Ｃ，Ｎがドープされたシリコン膜（Ｓｉ膜）を形成する成膜ステップを有し、
成膜ステップでは、Ｎ−Ｈ結合を含む物質の供給を不実施とする。
【００３２】
本明細書では、Ｂ，Ｃ，ＮがドープされたＳｉ膜を、便宜上、シリコン硼炭窒化膜（ＳｉＢＣＮ膜）、或いは、単にＳｉ膜とも称する。また、本明細書では、図４（ａ）に示す成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともあり、記号［ａ］を用いて示すこともある。以下の変形例の説明においても、同様の表記を用いることとする。
【００３３】
ＴＳＡ＋ＴＥＢ  ⇒  Ｓｉ  ・・・［ａ］
【００３４】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
【００３５】
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面に対して所定のガスを直接供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面上に所定の層（または膜）を直接形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。
【００３６】
本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００３７】
（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、シャッタ開閉機構１１５ｓによりシャッタ２１９ｓが移動させられて、マニホールド２０９の下端開口が開放される（シャッタオープン）。その後、図１に示すように、複数枚のウエハ２００を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内へ搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９は、Ｏリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００３８】
（圧力・温度調整ステップ）
処理室２０１内、すなわち、ウエハ２００が存在する空間が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４４がフィードバック制御される。真空ポンプ２４６は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。また、処理室２０１内のウエハ２００が所望の成膜温度となるようにヒータ２０７によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０７への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ２０７による処理室２０１内の加熱は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。また、回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転を開始する。回転機構２６７によるボート２１７およびウエハ２００の回転は、少なくともウエハ２００に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
【００３９】
（成膜ステップ）
このステップでは、処理室２０１内のウエハ２００に対し、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給する。すなわち、ＴＳＡガスの供給期間とＴＥＢガスの供給期間とをオーバーラップさせる。
【００４０】
具体的には、バルブ２４３ａ，２４３ｂを開き、ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ内へＴＳＡガス、ＴＥＢガスをそれぞれ流す。ＴＳＡガス、ＴＥＢガスは、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂによりそれぞれ流量調整され、ノズル２４９ａ，２４９ｂを介して処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。このとき、ウエハ２００に対してＴＳＡガスとＴＥＢガスとが一緒すなわち同時に供給される。このとき同時にバルブ２４３ｄ，２４３ｅを開き、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅ内へＮ２ガスを流すようにしてもよい。Ｎ２ガスは、ＭＦＣ２４１ｄ，２４１ｅにより流量調整され、ＴＳＡガスやＴＥＢガスと一緒に処理室２０１内へ供給され、排気管２３１から排気される。
【００４１】
このとき、ウエハ２００の温度（成膜温度）を、例えば１５０〜４００℃、好ましくは２５０〜３５０℃の範囲内の所定の温度とする。また、処理室２０１内の圧力（成膜圧力）を、例えば１〜６００Ｐａ、好ましくは５〜３０Ｐａの範囲内の所定の圧力とする。なお、上述の温度帯は、処理室２０１内に少なくともＴＳＡが単独で存在した場合にＴＳＡが熱分解（自己分解）しない温度であり、また、処理室２０１内にＴＳＡおよびＴＥＢのそれぞれが単独で存在した場合にいずれの物質も熱分解しない温度（１５０〜３２５℃）を含んでいる。なお、上述の温度帯は、後述する変形例において使用するＤＳが単独で存在した場合にＤＳが熱分解しない温度でもある。
【００４２】
成膜温度が１５０℃未満（或いは成膜圧力が１Ｐａ未満）となると、後述するウエハ２００上への成膜反応が進行しにくくなり、実用的な成膜速度が得られず、生産性が低下する場合がある。また、未結合手（ダングリングボンド）を多量に含む品質の悪い膜がウエハ２００上に形成される場合がある。成膜温度を１５０℃以上（或いは成膜圧力を１Ｐａ以上）とすることで、ウエハ２００上への成膜反応を進行させ、実用的な成膜速度が得られるようになる。また、ウエハ２００上に形成される膜中に含まれる未結合手を減少させ、この膜の膜質を向上させることが可能となる。成膜温度を２５０℃以上（或いは成膜圧力を５Ｐａ以上）とすることで、ウエハ２００上への成膜反応をより促進させ、成膜速度をより高めることが可能となる。また、ウエハ２００上に形成される膜中に含まれる未結合手をより減少させ、この膜の膜質をより向上させることが可能となる。
【００４３】
成膜温度が４００℃を超える（或いは成膜圧力が６００Ｐａを超える）と、ＴＥＢが熱分解しやすくなり、ＴＥＢの触媒作用を利用した成膜処理を進行させることが困難となる場合がある。成膜温度を４００℃以下（或いは成膜圧力を６００Ｐａ以下）とすることで、ＴＥＢの熱分解を抑制し、ＴＥＢの触媒作用を利用した成膜処理を進行させることが可能となる。成膜温度を３５０℃以下（或いは成膜圧力を３０Ｐａ以下）とすることで、ＴＥＢの熱分解をより確実に抑制し、ＴＥＢの触媒作用を利用した成膜処理をより確実に進行させることが可能となる。
【００４４】
ＴＳＡガスの供給流量は、例えば１〜２０００ｓｃｃｍ、好ましくは５０〜２００ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量とする。ＴＥＢガスの供給流量は、例えば１〜１０００ｓｃｃｍ、好ましくは２５〜１００ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量とする。Ｎ２ガスを流す場合、Ｎ２ガスの供給流量は、例えば１〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の所定の流量とする。これらのガスの供給流量は、それぞれ、ウエハ２００上に形成しようとする膜の組成に応じて適宜決定することができる。
【００４５】
これらの条件下でウエハ２００に対してＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給することにより、これらのガスを、処理室２０１内で適正に反応させることが可能となる。そして、ＴＥＢの有する触媒作用により、ＴＳＡの一部を分解させること、すなわち、ＴＳＡにおけるＳｉ−Ｈ結合の少なくとも一部を切断し、ＴＳＡからＨを引き抜くことが可能となる。Ｈが引き抜かれることにより未結合手を有することとなったＴＳＡのＳｉは、ウエハ２００上に速やかに吸着し、堆積する。その結果、ウエハ２００上へのＳｉ膜の成膜反応が、実用的な成膜レート、例えば５Å／ｍｉｎ以上、好ましくは１０Å／ｍｉｎ以上のレートで進行することとなる。
【００４６】
ＴＥＢが触媒として作用するのは、以下の理由によるものと考えられる。すなわち、ＴＥＢは、低エネルギーの空軌道を有する化学種であり、本実施形態の反応系において、ルイス酸、すなわち、電子対受容体として作用する。これに対し、ＴＳＡは、本実施形態の反応系において、ルイス塩基、すなわち、電子対供与体として作用する。ルイス酸としてのＴＥＢが、ルイス塩基としてのＴＳＡに作用することで、ＴＳＡからプロトン（Ｈ＋）が引き抜かれ、上述の成膜処理が進行するのである。但し、ＴＥＢは、ＴＳＡが有する化学結合のうち、Ｓｉ−Ｎ結合ではなく、主にＳｉ−Ｈ結合に対して作用する。そのため、上述の成膜反応の過程において、ＴＳＡにおけるＳｉ−Ｎ結合の少なくとも一部は、切断されることなく保持（維持）される。その結果、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に、Ｎが、Ｓｉ−Ｎ結合を保持した状態でそのまま取り込まれることとなる。
【００４７】
また、上述の反応の過程において、ＴＥＢの少なくとも一部は、ＴＳＡと反応とすることで分解することとなる。その結果、ＴＥＢに含まれていたＢやＣの少なくとも一部は、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に取り込まれることとなる。
【００４８】
上述の成膜反応を所定時間進行させることで、ウエハ２００上に、Ｂ，Ｃ，Ｎを含む所定膜厚のＳｉ膜を形成することが可能となる。なお、本実施形態の成膜ステップを実施する際は、例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガス等のＮ−Ｈ結合を含む物質の供給を不実施とする。これにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜は、Ｎ−Ｈ結合を殆ど含まない膜となる。
【００４９】
後述するように、本実施形態で形成されるＳｉ膜は、その組成を制御することで、サイドウォールスペーサ（ＳＷＳ）用の膜として用いることもでき、また、ダブルパターニング（ＤＰ）プロセスにおけるシリコンコア、すなわち、ハードマスク（シリコンハードマスク）用の膜として用いることもできる。ウエハ２００上に形成するＳｉ膜をＳＷＳとして利用する場合は、成膜ステップの実施時間を適正に調整し、その膜厚を例えば５０〜１００Å（５〜１０ｎｍ）とするのが好ましい。また、ウエハ２００上に形成するＳｉ膜をハードマスクとして利用する場合は、成膜ステップの実施時間を適正に調整し、その膜厚を例えば２００〜３００Å（２０〜３０ｎｍ）とするのが好ましい。
【００５０】
第１原料としては、Ｎ（ＳｉＸ３）３の構造式で表される物質（シリルアミン）を用いることができる。ここでいうＸとは、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくなくとも１つの官能基（置換基）のことである。但し、上述の構造式に含まれる９つのＸのうち少なくとも１つは水素である必要がある。ここでいうハロゲノ基とは、１価の官能基として働くハロゲン原子のことであり、クロロ基（−Ｃｌ）、フルオロ基（−Ｆ）、ブロモ基（−Ｂｒ）、ヨード基（−Ｉ）等のことである。また、ここでいうアルキル基とは、鎖状飽和炭化水素（アルカン）からＨが１つ取り除かれてなり、−ＣｎＨ２ｎ＋１の構造式で表される１価の官能基のことである。アルキル基としては、メチル基（−ＣＨ３）、エチル基（−Ｃ２Ｈ５）、プロピル基（−Ｃ３Ｈ７）、イソプロピル基（−ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ３）、ブチル基（−Ｃ４Ｈ９）、イソブチル基（−ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）２）等が挙げられる。また、ここでいうアミノ基とは、−ＮＲ１Ｒ２の構造式（Ｒ１，Ｒ２はそれぞれアルキル基）で表される１価の官能基のことであり、−ＮＨ２、−ＮＨＲ等のＮ−Ｈ結合を含むアミノ基を意味しない。また、ここでいうアルコキシ基とは、アルキル基（Ｒ）が酸素原子（Ｏ）と結合してなり、−ＯＲの構造式で表される１価の官能基のことである。ヒドロキシ基とは、−ＯＨの構造式で表される１価の官能基のことである。これらの官能基を有するシリルアミンとしては、ＴＳＡの他、例えば、Ｎ（ＳｉＨ２（ＮＲ１Ｒ２））３、Ｎ（ＳｉＨ（ＮＲ１Ｒ２）２）３、Ｎ（Ｓｉ（ＮＲ１Ｒ２）３）３が挙げられる。
【００５１】
また、第１原料としては、シリルアミンの他、ＳｉｎＣｍＨ２ｎ＋２ｍ＋２（ｎ，ｍは１以上の整数）の組成式で表される物質、すなわち、不飽和結合を有さない有機シランを用いることもできる。このような有機シランとしては、モノメチルシラン（ＳｉＣＨ６）、モノエチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、ジメチルシラン（ＳｉＣ２Ｈ８）、１，２−ジシラプロパン（Ｓｉ２ＣＨ８）、１，３−ジシラプロパン（Ｓｉ２ＣＨ８）、トリメチルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、モノプロピルシラン（ＳｉＣ３Ｈ１０）、１，２−ジシラブタン（Ｓｉ２Ｃ２Ｈ１０）、１，３−ジシラブタン（Ｓｉ２Ｃ２Ｈ１０）、１，４−ジシラブタン（Ｓｉ２Ｃ２Ｈ１０）、２，３−ジシラブタン（Ｓｉ２Ｃ２Ｈ１０）、２，４−ジシラペンタン（Ｓｉ２Ｃ３Ｈ１２）、１，３，５−トリシラペンタン（Ｓｉ３Ｃ２Ｈ１２）等の物質、すなわち、アルキル基やアルキレン基を含むシランを用いることができる。アルキレン基とは、アルカンからＨが２つ取り除かれてなり、−ＣｎＨ２ｎ＋２−の構造式で表される２価の官能基のことである。アルキレン基としては、メチレン基（−ＣＨ２−）、エチレン基（−Ｃ２Ｈ４−）、プロピレン基（−Ｃ３Ｈ６−）、ブチレン基（−Ｃ４Ｈ８−）等が挙げられる。
【００５２】
また、第１原料としては、ＳｉｎＣｍＨ２ｎ＋２ｍ（ｎは１以上の整数、ｍは２以上の整数）の組成式で表される物質、すなわち、ビニル基（−ＣＨ＝ＣＨ２）やアリル基（−ＣＨ２ＣＨ＝ＣＨ２）を含み不飽和結合を有する有機シランや、環状構造（シクロ構造）を有する有機シランを用いることもできる。このような有機シランとしては、ビニルシラン（ＳｉＣ２Ｈ６）、メチルビニルシラン（ＳｉＣ３Ｈ６）、アリルシラン（ＳｉＣ３Ｈ６）、シラシクロブタン（ＳｉＣ３Ｈ６）、１，３−ジシラシクロブタン（Ｓｉ２Ｃ２Ｈ６）等の物質を用いることができる。これらの物質は、少なくともＳｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含む物質であり、Ｃ−Ｈ結合やＣ−Ｃ結合を含むものもある。
【００５３】
なお、第１原料として、アルキル基を含むシリルアミン、すなわち、Ｓｉソース、Ｎソースとして作用するだけでなく、Ｃソースとしても作用する物質を用いることで、第１原料としてＴＳＡを用いる場合よりも、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＣ濃度を増加させる方向に制御することが可能となる。
【００５４】
また、第１原料として、アミノ基を含むシリルアミン、すなわち、ＴＳＡよりもＳｉ−Ｎ結合を多く含む物質を用いることで、第１原料としてＴＳＡを用いる場合よりも、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に含まれるＳｉ−Ｎ結合の量を増やし、この膜のＮ濃度を増加させる方向に制御することが可能となる。
【００５５】
また、第１原料として、アルコキシ基を含むシリルアミン、すなわち、Ｓｉソース、Ｎソースとして作用するだけでなく、Ｃソース、Ｏソースとしても作用する物質を用いることで、第１原料としてＴＳＡを用いる場合よりもウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＣ濃度を増加させる方向に制御することが可能となり、また、この膜にＯを微量添加させることも可能となる。
【００５６】
また、第１原料として、ヒドロキシ基を含むシリルアミン、すなわち、Ｓｉソース、Ｎソースとして作用するだけでなく、Ｏソースとしても作用する物質を用いることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に、Ｏを微量添加させることも可能となる。
【００５７】
また、第１原料として、Ｓｉ−Ｃ結合およびＳｉ−Ｈ結合を含み、Ｓｉ−Ｎ結合非含有の有機シランを用いることで、すなわち、Ｓｉソースとしては作用するものの、Ｎソースとしては作用しない物質を用いることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中へのＮの添加を回避することも可能となる。すなわち、ウエハ２００上にＮ非含有のＢ、ＣがドープされたＳｉ膜を形成することが可能となる。本明細書では、Ｂ、ＣがドープされたＳｉ膜を、便宜上、シリコン硼炭化膜（ＳｉＢＣ膜）、或いは、単にＳｉ膜とも称する。
【００５８】
このように、第１原料としては、Ｓｉ−Ｎ結合またはＳｉ−Ｃ結合と、Ｓｉ−Ｈ結合と、を含み、Ｎ−Ｈ結合非含有の物質を用いる限り、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アルキレン基、アミノ基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、ビニル基およびアリル基からなる群より選択される少なくとも１つを含む物質や、これらの構造異性体や誘導体を好適に用いることができる。第１原料の種類を適正に選択することにより、ウエハ２００上に形成される膜の組成や物性を、広範囲かつ緻密に制御することが可能となる。
【００５９】
擬似触媒としては、ＢＸ３の構造式で表される物質（ホウ素化合物）を好適に用いることができる。ここでいうＸとは、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１つの官能基のことである。これらの官能基を有するボロン化合物としては、ＴＥＢの他、例えば、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のボラン（水素化ホウ素）や、トリクロロボラン（ＢＣｌ３）、トリフルオロボラン（ＢＦ３）、トリブロモボラン（ＢＢｒ３）、トリヨードボラン（ＢＩ３）等のハロボランや、トリメチルボラン（Ｂ（ＣＨ３）３）、トリエチルボラン（Ｂ（Ｃ２Ｈ５）３）、トリイソプロピルボラン（Ｂ（Ｃ３Ｈ７）３、トリブチルボラン（Ｂ（Ｃ４Ｈ９）３）等のアルキルボランや、トリスジメチルアミノボラン（Ｂ［Ｎ（ＣＨ３）２］３）、トリスジエチルアミノボラン（Ｂ［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］３）、トリスジプロピルアミノボラン（Ｂ［Ｎ（Ｃ３Ｈ７）２］３）、トリスジブチルアミノボラン（Ｂ［Ｎ（Ｃ４Ｈ９）２］３）等のアミノボランや、ホウ酸トリメチル（Ｂ（ＯＣＨ３）３）、ホウ酸トリエチル（Ｂ（ＯＣ２Ｈ５）３）、ホウ酸トリプロピル（Ｂ（ＯＣ３Ｈ７）３）、ホウ酸トリブチル（Ｂ（ＯＣ４Ｈ９）３）、ホウ酸（Ｂ（ＯＨ）３）等のホウ酸化合物が挙げられる。
【００６０】
なお、擬似触媒として、Ｃ非含有の水素化ホウ素やハロボラン、すなわち、Ｂソースとして作用するものの、Ｃソースとしては作用しない物質を用いることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中へのＣの添加を回避することが可能となる。すなわち、ウエハ２００上にＣ非含有のＢ，ＮがドープされたＳｉ膜を形成することが可能となる。本明細書では、Ｂ，ＮがドープされたＳｉ膜を、便宜上、シリコン硼窒化膜（ＳｉＢＮ膜）、或いは、単にＳｉ膜とも称する。
【００６１】
また、擬似触媒として、ＴＥＢよりもＣ含有量（１分子中に含まれるＣ原子の数）の多いアルキルボランを用いることで、擬似触媒としてＴＥＢを用いる場合よりも、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＣ濃度を増加させることが可能となる。また、擬似触媒として、ＴＥＢよりもＣ含有量の少ないアルキルボランを用いることで、擬似触媒としてＴＥＢを用いる場合よりも、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＣ濃度を低下させる方向に制御することが可能となる。
【００６２】
また、擬似触媒として、アミノボラン、すなわち、Ｂソース、Ｃソースとして作用するだけでなく、Ｎソースとしても作用する物質を用いることで、擬似触媒としてＴＥＢを用いる場合よりも、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＮ濃度を増加させる方向に制御することが可能となる。
【００６３】
また、擬似触媒として、上述のホウ素化合物の他、Ａｌ（ＣＨ３）３、Ａｌ（Ｃ２Ｈ５）３、Ａｌ（Ｃ３Ｈ７）３等の構造式で表されるアルキル基を含むアルミニウム化合物や、ＡｌＣｌ３等の構造式で表されるハロゲノ基を含むアルミニウム化合物を用いることもできる。これらの物質は、第１３族元素としてのアルミニウム（Ａｌ）を含むＮ−Ｈ結合非含有の物質である。擬似触媒として、アルキル基を含むアルミニウム化合物を用いることで、ウエハ２００上に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｃ，Ｎを含む膜、すなわち、Ａｌ，Ｃ，ＮがドープされたＳｉ膜（ＳｉＡｌＣＮ膜）を形成することができる。また、擬似触媒として、アルキル基非含有のアルミニウム化合物を用いることで、ウエハ２００上に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｎを含む膜、すなわち、Ａｌ，ＮがドープされたＳｉ膜（ＳｉＡｌＮ膜）を形成することができる。
【００６４】
このように、擬似触媒としては、第１３族元素を含みＮ−Ｈ結合非含有の物質を用いる限り、水素、ハロゲノ基、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基およびヒドロキシ基からなる群より選択される少なくとも１つを含む物質や、これらの構造異性体や誘導体を好適に用いることができる。擬似触媒の種類を適正に選択することにより、ウエハ２００上に形成される膜の組成や物性を、広範囲かつ緻密に制御することが可能となる。
【００６５】
不活性ガスとしては、Ｎ２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。
【００６６】
（アフターパージステップ・大気圧復帰ステップ）
成膜ステップが終了し、ウエハ２００上に所望組成の膜が形成されたら、バルブ２４３ａ，２４３ｂを閉じ、処理室２０１内へのＴＳＡガス、ＴＥＢガスの供給をそれぞれ停止する。また、ガス供給管２３２ｄ，２３２ｅのそれぞれからＮ２ガスを処理室２０１内へ供給し、排気管２３１から排気する。Ｎ２ガスはパージガスとして作用する。これにより、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内に残留するガスや反応副生成物が処理室２０１内から除去される（アフターパージ）。その後、処理室２０１内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００６７】
（ボートアンロード及びウエハディスチャージ）
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降され、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に支持された状態でマニホールド２０９の下端から反応管２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。ボートアンロードの後は、シャッタ２１９ｓが移動させられ、マニホールド２０９の下端開口がＯリング２２０ｃを介してシャッタ２１９ｓによりシールされる（シャッタクローズ）。処理済のウエハ２００は、反応管２０３の外部に搬出された後、ボート２１７より取り出されることとなる（ウエハディスチャージ）。
【００６８】
（３）本実施形態による効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【００６９】
（ａ）成膜ステップでは、ウエハ２００に対し、ルイス塩基として作用するＴＳＡガスと、ルイス酸として作用するＴＥＢガスとを、同時に供給することにより、ＴＥＢを触媒として作用させることができる。この触媒作用により、ウエハ２００上への成膜処理を、上述した低温の条件下で、実用的なレートにて進行させることが可能となる。低温の条件下で成膜処理を行うことで、ウエハ２００が受ける熱ダメージを低減させ、熱履歴を良好に制御することが可能となる。
【００７０】
（ｂ）第１原料として、ＴＳＡのようなＳｉ−Ｎ結合を含み、Ｎ−Ｈ結合非含有の物質を用いることにより、ウエハ２００上に形成される膜中へのＮの添加を、Ｎ−Ｈ結合の形態ではなく、Ｓｉ−Ｎ結合の形態で行うことが可能となる。また、成膜ステップでは、ＮＨ３ガス等のＮ−Ｈ結合を含む物質のウエハ２００に対する供給を不実施としていることから、ウエハ２００上に形成される膜中へのＮ−Ｈ結合の添加を、より確実に抑制することも可能となる。
【００７１】
これらにより、ウエハ２００上に形成される膜を、酸化耐性（アッシング耐性）の高い膜とすることが可能となる。というのも、発明者等の鋭意研究によれば、Ｓｉ−Ｎ結合の状態で膜中に取り込まれたＮは膜の酸化を抑制する保護（ガード）要素として作用するのに対し、Ｎ−Ｈ結合の状態で膜中に取り込まれたＮは膜の酸化を誘発する場合があることが分かっている。本実施形態により形成される膜（Ｓｉ−Ｎ結合を多く含み、Ｎ−Ｈ結合を殆ど含まない膜）は、ＮソースとしてＮＨ３ガスを用いて形成された膜（Ｎ−Ｈ結合を多く含み、Ｓｉ−Ｎ結合を殆ど含まない膜）と比較して、たとえ膜のＮ濃度が同程度であったとしても、高いアッシング耐性を示すことを確認済みである。
【００７２】
（ｃ）第１原料として、ＴＳＡのようなＳｉ−Ｎ結合を含む物質を用いることにより、ウエハ２００上に、良質なＳｉ−Ｎ結合を含むＳｉ膜を、低温で形成することが可能となる。これにより、低温で、アッシング耐性が良好な膜を形成することができ、この膜を、例えば、ハードマスクの用途として好適な犠牲膜（加工膜）や、ＳＷＳの用途として好適な低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）として用いることが可能となる。
【００７３】
なお、第１原料としてＴＳＡよりもＮ含有量（１分子中に含まれるＮ原子の数）の多い物質を用いることで、Ｓｉ膜中へのＮの添加量をさらに増やすことが可能となる。このように、図４（ａ）に示す成膜シーケンスでは、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に含まれるＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの量に対するＮの量の比率（Ｎ／ＳｉＢＣＮ比率）を、例えば、第１原料の種類を適正に選択することにより制御することが可能である。Ｓｉ膜中へのＮの添加量を増加させ、Ｎ/ＳｉＢＣＮ比率を高めることで、Ｓｉ膜のアッシング耐性を向上させることが可能となり、また、消衰係数（減衰係数）を低下させることが可能となる。なお、消衰係数とは、光が物質（Ｓｉ膜）中を進む際にＳｉ膜による吸収を受けて光の強度が減衰する度合いを示す係数のことであり、この値が増加するほど減衰が大きくなることを意味する。成膜工程の後に行われるフォトリソグラフィ工程において、合わせマークの確認等を確実に行うには、Ｓｉ膜の消衰係数は低い方が望ましい。なお、図４（ａ）に示す成膜シーケンスにおいて、成膜温度や成膜圧力を変更しても、上述のＮ／ＳｉＢＣＮ比率を変化させることは困難である。
【００７４】
（ｄ）成膜ステップにおいて、ＴＳＡガスの供給流量を増やしたり、処理室２０１内におけるＴＳＡガスの分圧や濃度を上昇させたり、第1原料としてＴＳＡよりもＳｉ含有量の多い物質を用いたりすることで、Ｓｉ膜中に含まれるＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの量に対するＳｉの量の比率（Ｓｉ／ＳｉＢＣＮ比率）、すなわち、Ｓｉの含有比率を高めることが可能となる。これにより、Ｓｉ膜のアッシング耐性を高めることが可能となり、また、Ｓｉ膜のフッ化水素（ＨＦ）等に対する耐性、すなわち、エッチング耐性を高めることが可能となる。これにより、この膜を、ハードマスクの用途として好適な犠牲膜として用いることが可能となる。このように、図４（ａ）に示す成膜シーケンスでは、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＳｉ／ＳｉＢＣＮ比率を、例えば、第１原料の供給流量（擬似触媒に対する第１原料の供給流量の比率）や第１原料の種類を適正に選択することにより制御することが可能である。なお、図４（ａ）に示す成膜シーケンスにおいて、成膜温度や成膜圧力を変更しても、上述のＳｉ／ＳｉＢＣＮ比率を変化させることは困難である。
【００７５】
（ｅ）擬似触媒として、ＴＥＢのようなＢ，Ｃを含む物質を用いることにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中に、ＢやＣを添加することが可能となる。
【００７６】
なお、成膜ステップにおいて、ＴＥＢガスの供給流量を増やしたり、処理室２０１内におけるＴＥＢガスの分圧や濃度を上昇させたり、擬似触媒としてＴＥＢよりもＣ含有量の多い物質を用いたりすることで、Ｓｉ膜中へのＢやＣの添加量を増やすことが可能となる。Ｓｉ膜中へのＢやＣの添加量を増加させ、Ｓｉ膜中に含まれるＳｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの量に対するＢ，Ｃの量の比率（Ｂ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率）を高めることで、エッチング耐性を向上させることが可能となり、また、消衰係数を低下させることが可能となる。これにより、この膜を、例えばＳＷＳの用途として好適なＬｏｗ−ｋ膜として用いることが可能となる。
【００７７】
また、成膜ステップにおけるＴＥＢガスの供給流量を減らしたり、処理室２０１内におけるＴＥＢガスの分圧や濃度を下げたり、擬似触媒としてＴＥＢよりもＣの含有量の少ない物質を用いたりすることで、Ｓｉ膜中へのＢやＣの添加量を減らすことが可能となる。Ｓｉ膜中のＢ，Ｃの含有量を減少させることで、Ｓｉ膜のアッシング耐性を向上させることが可能となる。
【００７８】
このように、図４（ａ）に示す成膜シーケンスでは、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を、例えば、擬似触媒の供給流量（第１原料に対する擬似触媒の供給流量の比率）や、擬似触媒の種類を適正に選択することにより制御することが可能である。なお、図４（ａ）に示す成膜シーケンスにおいて、成膜温度や成膜圧力を変更しても、上述のＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を変化させることは困難である。
【００７９】
（ｆ）擬似触媒として、ＴＥＢのようなＣｌ等のハロゲン元素非含有のガスを用いることにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中へのＣｌ等の不純物の混入を回避することが可能となる。これにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜を、アッシング耐性が高く、また、エッチング耐性の高い良質な膜とすることが可能となる。
【００８０】
（ｇ）擬似触媒として、ＴＥＢのようなＣｌ等のハロゲン元素非含有のガスを用いることにより、ウエハ２００上に形成される膜の成膜レートを高めることが可能となる。というのも、擬似触媒としてＢＣｌ３ガス等を用いると、成膜途中の膜がＢＣｌ３によりエッチングされ、成膜レートが低下する場合がある。擬似触媒としてＴＥＢガスを用いれば、このような現象を回避できる。
【００８１】
（ｈ）ＴＳＡガスとＴＥＢガスとの２種類のガスを用いることで、Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ｎの４元素を含む膜を形成することが可能となる。すなわち、成膜の際に、Ｓｉソース、Ｂソース、Ｃソース、Ｎソースの４つのソースを別々に供給する必要がない。そのため、成膜処理の所要時間を短縮させ、生産性を向上させることが可能となる。また、成膜に必要なガスの種類を少なくすることで、ガス供給系の構成を簡素化させ、装置コスト等を低減させることが可能となる。
【００８２】
（ｉ）上述の効果は、第１原料として、Ｓｉ−Ｎ結合またはＳｉ−Ｃ結合と、Ｓｉ−Ｈ結合と、を含み、Ｎ−Ｈ結合非含有の物質を用いる限り、ＴＳＡ以外の物質を用いる場合であっても同様に得ることができる。また、上述の効果は、擬似触媒として、第１３族元素を含みＮ−Ｈ結合非含有の物質を用いる限り、ＴＥＢ以外の物質を用いる場合であっても同様に得ることができる。
【００８３】
（４）変形例
本実施形態における成膜ステップは、以下に示す変形例のように変更することができる。
【００８４】
（変形例１）
図４（ｂ）や、以下に記号［ｂ］を用いて示す成膜シーケンスのように、成膜ステップでは、ＴＥＢガスの供給期間中に、ＴＳＡガスの供給を間欠的に所定回数（ｎ回）行うようにしてもよい。
【００８５】
ＴＳＡ×ｎ＋ＴＥＢ  ⇒  Ｓｉ  ・・・［ｂ］
【００８６】
本変形例においても、図４（ａ）に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。また、本変形例によれば、ウエハ２００に対するＴＳＡガスのトータルでの供給量（暴露量）を減少させ、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を大きくすることが可能となる。結果として、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のエッチング耐性を高める方向に制御したり、消衰係数を低下させる方向に制御したりすることが可能となる。
【００８７】
（変形例２）
図４（ｃ）や、以下に記号［ｃ］を用いて示す成膜シーケンスのように、成膜ステップでは、ＴＳＡガスの供給期間中に、ＴＥＢガスの供給を間欠的に所定回数（ｎ回）行うようにしてもよい。
【００８８】
ＴＳＡ＋ＴＥＢ×ｎ  ⇒  Ｓｉ  ・・・［ｃ］
【００８９】
本変形例においても、図４（ａ）に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。また、本変形例によれば、ウエハ２００に対するＴＥＢガスのトータルでの供給量（暴露量）を減少させ、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を小さくすることが可能となる。結果として、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のアッシング耐性を向上させる方向に制御することが可能となる。
【００９０】
（変形例３）
図４（ｄ）や、以下に記号［ｄ］を用いて示す成膜シーケンスのように、成膜ステップは、さらに、ＤＳガスを供給するステップを、ＴＳＡガスを供給するステップおよびＴＥＢガスを供給するステップと少なくとも一定期間オーバーラップさせて行うステップを含んでいてもよい。ＤＳガスの供給流量や供給時間は、ＴＳＡガスの供給流量や供給時間と同様に設定することができる。なお、図４（ｄ）や記号［ｄ］に示す成膜シーケンスは、成膜ステップの実施期間中、ＴＳＡガス、ＤＳガス、ＴＥＢガスを同時かつ連続的に供給する場合を示している。
【００９１】
ＴＳＡ＋ＤＳ＋ＴＥＢ  ⇒  Ｓｉ  ・・・［ｄ］
【００９２】
本変形例においても、図４（ａ）に示す成膜シーケンスと同様の効果が得られる。
【００９３】
また、本変形例によれば、Ｓｉ−Ｈ結合を含みルイス塩基として作用するＤＳガスと、ルイス酸として作用するＴＥＢガスとを、同時に供給することで、ＴＥＢの触媒作用によるＤＳからのＨの引き抜き、すなわち、ＤＳの分解を促進させることが可能となる。結果として、ＤＳに含まれるＳｉを、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜中へ効率的に添加することが可能となる。すなわち、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＳｉ含有比率（Ｓｉ／ＳｉＢＣＮ比率）を高めることが可能となる。これにより、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜のアッシング耐性を向上させる方向に、また、エッチング耐性を向上させる方向に制御することが可能となる。
【００９４】
また、本変形例によれば、ＤＳガスの供給流量や供給時間を調整することで、図４（ａ）に示す成膜シーケンスよりも、Ｎ／ＳｉＢＣＮ比率やＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を広範囲にわたり自在に制御することが可能となる。
【００９５】
例えば、ＤＳガスの供給流量に対するＴＳＡガスの供給流量の比率（ＴＳＡ／ＤＳ）を大きくすることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＮ／ＳｉＢＣＮ比率を増加させる方向に制御することが可能となる。また、上述のＴＳＡ／ＤＳを小さくすることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＮ／ＳｉＢＣＮ比率を減少させる方向に制御することが可能となる。
【００９６】
また例えば、ＤＳガスの供給流量に対するＴＥＢガスの供給流量の比率（ＴＥＢ／ＤＳ）を大きくすることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を増加させる方向に制御することが可能となる。また、上述のＴＥＢ／ＤＳを小さくすることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＢ，Ｃ／ＳｉＢＣＮ比率を減少させる方向に制御することが可能となる。
【００９７】
第２原料としては、ＤＳの他、ＳｉＨ４、Ｓｉ３Ｈ８、Ｓｉ４Ｈ１０等の物質、すなわち、一般式ＳｉｎＨ２ｎ＋２（ｎは１または２以上の整数）で表される水素化ケイ素を用いることができる。第２原料としてＤＳよりも高次の水素化ケイ素を用いることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜におけるＳｉ含有比率（Ｓｉ／ＳｉＢＣＮ比率）を高めることが可能となる。また、Ｓｉ−Ｈ結合を有する限りはＴＥＢによる触媒作用が得られることから、第２原料として、ＳｉＨ３Ｃｌ、ＳｉＨ２Ｃｌ２等の化学式で表されるハロゲノ基を含むシラン（ハロシラン）を用いることもできる。また、ＳｉＨ［Ｎ（ＣＨ３）２］３、ＳｉＨ２［Ｎ（Ｃ２Ｈ５）２］２等の化学式で表されるアミノ基（−ＮＲ１Ｒ２）を含むケイ素化合物、すなわち、Ｓｉ−Ｈ結合およびＳｉ−Ｎ結合を含みＮ−Ｈ結合非含有のアミノシランを用いることもできる。第２原料としてこのようなアミノシランを用いることで、ウエハ２００上に形成されるＳｉ膜に含まれるＳｉ−Ｎ結合の量を増やし、この膜のＮ濃度を増加させる方向に制御することが可能となる。
【００９８】
（変形例４）
以下に記号［ｅ］を用いて示す成膜シーケンスのように、ウエハ２００に対してＴＳＡガスを供給するステップ１と、ウエハ２００に対してＴＥＢガスを供給するステップ２と、を交互に所定回数（ｎ回）行うようにしてもよい。この場合、ステップ１，２のそれぞれにおいて、処理室２０１内から残留ガス等を除去する残留ガス除去ステップを不実施とする。これにより、処理室２０１内でＴＳＡガスとＴＥＢガスとを混合させ、ＴＥＢの触媒作用を利用した成膜処理を進行させることが可能となる。本変形例によれば、ウエハ２００上に形成するＳｉ膜の段差被覆性、膜厚制御性等を、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給する場合に比べ、それぞれ向上させることが可能となる。
【００９９】
（ＴＳＡ→ＴＥＢ）×ｎ  ⇒  Ｓｉ        ・・・［ｅ］
【０１００】
（変形例５）
記号［ａ］〜［ｅ］に示す成膜シーケンスは、以下のように、間に処理室２０１内のパージを挟んで、もしくは、間に処理室２０１内のパージを挟むことなく、繰り返したり、組み合わせたりすることが可能である。なお、複数の成膜シーケンスを組み合わせる場合は、その実施順序を入れ替えるなど任意に変更することも可能である。また、以下に示す他に、３種以上の成膜シーケンスを任意に組み合わせて用いることも可能である。
【０１０１】
［ａ］×ｎ  ⇒  Ｓｉ
［ｂ］×ｎ  ⇒  Ｓｉ
［ｃ］×ｎ  ⇒  Ｓｉ
［ｄ］×ｎ  ⇒  Ｓｉ
［ｅ］×ｎ  ⇒  Ｓｉ
【０１０２】
（［ａ］→［ｂ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ａ］→［ｃ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ａ］→［ｄ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ａ］→［ｅ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｂ］→［ｃ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｂ］→［ｄ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｂ］→［ｅ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｃ］→［ｄ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｃ］→［ｅ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
（［ｄ］→［ｅ］）×ｎ  ⇒  Ｓｉ
【０１０３】
（変形例６）
記号［ａ］〜［ｅ］に示す成膜シーケンスでは、処理室２０１内にＴＳＡガスやＴＥＢガス等を供給する際、ＡＰＣバルブ２４４の開度をごく小さく設定するか、全閉（フルクローズ）とし、排気系を実質的に閉塞することにより、これらのガスを処理室２０１内に実質的に封じ込めた状態を所定時間維持するようにしてもよい。これにより、ＴＥＢによる触媒作用を発揮させるのに必要な反応時間を充分に確保し、上述の成膜処理を確実に進行させることが可能となる。なお、ＡＰＣバルブ２４４の開度をごく小さく設定する場合、処理室２０１内へのＴＳＡガスやＴＥＢガスの供給流量が処理室２０１からのＴＳＡガスやＴＥＢガスの排気流量を上回るようにするのが好ましい。また、処理室２０１内へガスを封じ込めた状態を所定時間維持する際、排気系を実質的に閉塞した状態で、処理室２０１内へ所定量のガスを供給した後、処理室２０１内へのガス供給を停止し、その状態を所定時間維持するようにすることで、ガスの使用量を削減し、ガスコストを低減させることが可能となる。
【０１０４】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。但し、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１０５】
基板処理に用いられるレシピ（処理手順や処理条件等が記載されたプログラム）は、処理内容（形成する膜の膜種、組成比、膜質、膜厚、処理手順、処理条件等）に応じて個別に用意し、電気通信回線や外部記憶装置１２３を介して記憶装置１２１ｃ内に格納しておくことが好ましい。そして、基板処理を開始する際、ＣＰＵ１２１ａが、記憶装置１２１ｃ内に格納された複数のレシピの中から、処理内容に応じて適正なレシピを適宜選択することが好ましい。これにより、１台の基板処理装置で様々な膜種、組成比、膜質、膜厚の膜を、再現性よく形成することができるようになる。また、オペレータの負担（処理手順や処理条件等の入力負担等）を低減でき、操作ミスを回避しつつ、基板処理を迅速に開始できるようになる。
【０１０６】
上述のレシピは、新たに作成する場合に限らず、例えば、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを変更することで用意してもよい。レシピを変更する場合は、変更後のレシピを、電気通信回線や当該レシピを記録した記録媒体を介して、基板処理装置にインストールしてもよい。また、既存の基板処理装置が備える入出力装置１２２を操作し、基板処理装置に既にインストールされていた既存のレシピを直接変更するようにしてもよい。
【０１０７】
上述の実施形態では、一度に複数枚の基板を処理するバッチ式の基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、例えば、一度に１枚または数枚の基板を処理する枚葉式の基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。また、上述の実施形態では、ホットウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する例について説明した。本発明は上述の実施形態に限定されず、コールドウォール型の処理炉を有する基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、好適に適用できる。
【０１０８】
例えば、図９に示す処理炉３０２を備えた基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、本発明は好適に適用できる。処理炉３０２は、処理室３０１を形成する処理容器３０３と、処理室３０１内へガスをシャワー状に供給するガス供給部としてのシャワーヘッド３０３ｓと、１枚または数枚のウエハ２００を水平姿勢で支持する支持台３１７と、支持台３１７を下方から支持する回転軸３５５と、支持台３１７に設けられたヒータ３０７と、を備えている。シャワーヘッド３０３ｓのインレット（ガス導入口）には、ガス供給ポート３３２ａ，３３２ｂが接続されている。ガス供給ポート３３２ａには、上述の実施形態の第１、第２原料供給系と同様の供給系が接続されている。ガス供給ポート３３２ｂには、上述の実施形態の擬似触媒供給系と同様の供給系が接続されている。シャワーヘッド３０３ｓのアウトレット（ガス排出口）には、処理室３０１内へガスをシャワー状に供給するガス分散板が設けられている。シャワーヘッド３０３ｓは、処理室３０１内へ搬入されたウエハ２００の表面と対向（対面）する位置に設けられている。処理容器３０３には、処理室３０１内を排気する排気ポート３３１が設けられている。排気ポート３３１には、上述の実施形態の排気系と同様の排気系が接続されている。
【０１０９】
また例えば、図１０に示す処理炉４０２を備えた基板処理装置を用いて膜を形成する場合にも、本発明は好適に適用できる。処理炉４０２は、処理室４０１を形成する処理容器４０３と、１枚または数枚のウエハ２００を水平姿勢で支持する支持台４１７と、支持台４１７を下方から支持する回転軸４５５と、処理容器４０３内のウエハ２００に向けて光照射を行うランプヒータ４０７と、ランプヒータ４０７の光を透過させる石英窓４０３ｗと、を備えている。処理容器４０３には、ガス供給ポート４３２ａ，４３２ｂが接続されている。ガス供給ポート４３２ａには、上述の実施形態の第１、第２原料供給系と同様の供給系が接続されている。ガス供給ポート４３２ｂには、上述の実施形態の擬似触媒供給系と同様の供給系が接続されている。ガス供給ポート４３２ａ，４３２ｂは、処理室４０１内へ搬入されたウエハ２００の端部の側方、すなわち、処理室４０１内へ搬入されたウエハ２００の表面と対向しない位置にそれぞれ設けられている。処理容器４０３には、処理室４０１内を排気する排気ポート４３１が設けられている。排気ポート４３１には、上述の実施形態の排気系と同様の排気系が接続されている。
【０１１０】
これらの基板処理装置を用いる場合においても、上述の実施形態や変形例と同様な処理手順、処理条件にて成膜処理を行うことができ、上述の実施形態や変形例と同様の効果が得られる。
【０１１１】
上述の実施形態や変形例では、基板上に主元素としてＳｉを含む膜を形成する例について説明したが、本発明はこのような態様に限定されない。すなわち、本発明は、Ｓｉの他、ゲルマニウム（Ｇｅ）、Ｂ等の半金属元素を主元素として含む膜を基板上に形成する場合にも、好適に適用することができる。また、本発明は、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、イットリウム（Ｙ）、Ｌａ（ランタン）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属元素を主元素として含む膜を基板上に形成する場合にも、好適に適用することができる。
【０１１２】
また、上述の実施形態や変形例等は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理手順、処理条件は、例えば、上述の実施形態の処理手順、処理条件と同様とすることができる。
【実施例】
【０１１３】
（実施例１）
上述の実施形態における基板処理装置を用い、成膜評価Ａ１〜Ａ３をそれぞれ実施した。成膜評価Ａ１では、図４（ａ）に示す成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜温度３００℃、３２５℃、３５０℃の各条件下でそれぞれ実施した。成膜評価Ａ２では、ウエハに対してＴＥＢガスを単体で供給する成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜温度３２５℃、３５０℃、３７５℃、４００℃の各条件下でそれぞれ実施した。成膜評価Ａ３では、ウエハに対してＴＳＡガスを単体で供給する成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜温度５００℃、５２５℃の各条件下でそれぞれ実施した。他の処理条件は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件であって、成膜評価Ａ１〜Ａ３で共通の条件とした。【０１１４】
そして、成膜評価Ａ１〜Ａ３における成膜レートをそれぞれ評価した。図６は、成膜レートの評価結果を示す図である。図６の横軸は成膜温度を、縦軸は成膜レート（Å／ｍｉｎ）をそれぞれ示している。図６の◆、■、▲は成膜評価Ａ１〜Ａ３をそれぞれ示している。図６によれば、成膜評価Ａ１では、成膜温度を３００℃とした場合には実用的な成膜レートが得られにくいものの、成膜温度を３２５℃以上とすることで実用的な成膜レートが得られることが分かる。また、成膜評価Ａ２では、成膜温度を３５０℃以下とした場合には実用的な成膜レートが得られにくいものの、成膜温度を３７５℃以上とすることで実用的な成膜レートが得られることが分かる。また、成膜評価Ａ３では、成膜温度を５００℃以下とした場合には実用的な成膜レートが得られにくいものの、成膜温度を５２５℃以上とすることで実用的な成膜レートが得られることが分かる。【０１１５】
このように、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給することにより、これらのガスをそれぞれ単独で供給する場合よりも、成膜温度を低下させることが可能となる。また、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給することにより、これらのガスをそれぞれ単独で供給する場合には成膜処理を進行させることが不可能な低温領域において、実用的な成膜レートで成膜処理を進行させることも可能となる。これは、ＴＳＡガスと一緒にＴＥＢガスを供給することにより、ＴＳＡを活性化させるために必要となるエネルギー（活性化エネルギー）の量が低下し、ＴＳＡが活性化しやすくなったためと考えられる。なお、発明者等は、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給する場合、処理室内の圧力（処理室内におけるＴＳＡガスやＴＥＢガスの分圧等）を適正に調整することにより、３００℃以下のさらなる低温領域、例えば２５０℃以下の温度条件下においても、実用的な成膜レートで成膜処理を進行させることが可能となることを確認している。【０１１６】
（実施例２）
上述の実施形態における基板処理装置を用い、成膜評価Ｂ１〜Ｂ３をそれぞれ実施した。成膜評価Ｂ１では、図４（ａ）に示す成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜温度３５０℃、処理室内におけるＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧３Ｐａの条件下で実施した。成膜評価Ｂ２では、成膜評価Ｂ１と同様の成膜処理を、成膜温度３２５℃、処理室内におけるＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧３Ｐａ、９Ｐａ、３０Ｐａの各条件下でそれぞれ実施した。成膜評価Ｂ３では、成膜評価Ｂ１と同様の成膜処理を、成膜温度３００℃、処理室内におけるＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧３Ｐａ、９Ｐａ、３０Ｐａの各条件下でそれぞれ実施した。他の処理条件は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件であって、成膜評価Ｂ１〜Ｂ３で共通の条件とした。【０１１７】
そして、成膜評価Ｂ１〜Ｂ３における成膜レートをそれぞれ評価した。図７は、成膜レートの評価結果を示す図である。図７の横軸はＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧（Ｐａ）を、縦軸は成膜レート（Å／ｍｉｎ）をそれぞれ示している。図７の◆、■、▲は成膜評価Ｂ１〜Ｂ３をそれぞれ示している。図７によれば、成膜温度を高くするほど、また、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を大きくするほど、成膜レートが上昇することが分かる。また、成膜評価Ｂ１では、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を３Ｐａとした場合であっても実用的な成膜レートが得られることが分かる。また、成膜評価Ｂ２では、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を３Ｐａとした場合には実用的な成膜レートが得られにくいものの、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を９Ｐａに高めることで実用的な成膜レートが得られることが分かる。また、成膜評価Ｂ３では、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を９Ｐａ以下とした場合には実用的な成膜レートが得られにくいものの、ＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を３０Ｐａに高めることで実用的な成膜レートが得られることが分かる。【０１１８】
このように、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給し、処理室内におけるＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を適正に調整することにより、３５０℃以下の低温領域、例えば３２５℃、３００℃の温度条件下において、実用的な成膜レートで成膜処理を進行させることが可能となる。なお、発明者等は、処理室内におけるＴＳＡガスとＴＥＢガスの合計分圧を適正に調整することにより、３００℃以下のさらなる低温領域、例えば２５０℃以下の温度条件下においても、実用的な成膜レートで成膜処理を進行させることが可能となることを確認している。【０１１９】
（実施例３）
上述の実施形態における基板処理装置を用い、成膜評価Ｃ１〜Ｃ８をそれぞれ実施した。成膜評価Ｃ１〜Ｃ４では図４（ａ）に示す成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜評価Ｃ５〜Ｃ７では図４（ｄ）に示す成膜シーケンスによる成膜処理を、成膜評価Ｃ８ではウエハに対してＴＳＡガス、ＴＥＢガス、ＮＨ３ガスを同時に供給する成膜シーケンスによる成膜処理をそれぞれ実施した。成膜評価Ｃ１〜Ｃ８における成膜温度（℃）、成膜圧力（Ｐａ）、ＴＳＡガス、ＤＳガス、ＴＥＢガス、ＮＨ３ガスの各供給流量（ｓｃｃｍ）は、図８（ａ）に示す処理条件範囲内の条件とした。他の処理条件は、上述の実施形態に記載の条件範囲内の条件であって、成膜評価Ｃ１〜Ｃ８で共通の条件とした。【０１２０】
そして、成膜評価Ｃ１〜Ｃ８で形成されたそれぞれの膜（以下、それぞれ膜Ｃ１〜Ｃ８と称する）の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）により測定した。その結果を図８（ｂ）に示す。図８（ｂ）の横軸は膜Ｃ１〜Ｃ８を、縦軸はこれらの膜中に含まれる各元素（Ｓｉ，Ｂ，Ｎ，Ｃ等）の割合（ａｔ％）をそれぞれ示している。【０１２１】
図８（ｂ）によれば、膜Ｃ１〜Ｃ３の組成はほぼ同一であることが分かる。すなわち、ＴＳＡガス、ＴＥＢガスの供給流量を同程度とした場合、成膜温度や成膜圧力などの処理条件を異ならせても、膜の組成は殆ど変化しないことが分かる。【０１２２】
また、膜Ｃ４のＳｉ濃度は、膜Ｃ１〜Ｃ３のＳｉ濃度よりも高いことが分かる。すなわち、ＴＥＢガスの供給流量に対するＴＳＡガスの供給流量の割合を増やすことで、ウエハ上に形成される膜のＳｉ濃度を増加させる方向に制御できることが分かる。【０１２３】
これらのことから、膜の組成は、成膜温度や成膜圧力ではなく、ＴＳＡガス、ＴＥＢガスの供給流量によって主に決定されることが分かる。【０１２４】
また、膜Ｃ５〜Ｃ７のＳｉ濃度は、膜Ｃ１〜Ｃ４のＳｉ濃度よりも高いことが分かる。このことから、原料としてＴＳＡガスとＤＳガスとの両方のガスを用いることにより、すなわち、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給する際、これらのガスにさらにＤＳガスを添加することにより、ウエハ上に形成される膜のＳｉ濃度を高める方向に制御できることが分かる。また、膜Ｃ６，Ｃ７のＳｉ濃度は、膜Ｃ５のＳｉ濃度よりも高いことが分かる。このことから、原料としてＴＳＡガスとＤＳガスとを用いる際、ＤＳガスの供給流量を増やすことで、すなわち、ＴＳＡガスとＴＥＢガスとを同時に供給する際、これらのガスにさらにＤＳガスを添加し、その供給流量を増やすことにより、ウエハ上に形成される膜のＳｉ濃度を高める方向に制御できることが分かる。【０１２５】
また、膜Ｃ８にはＯが１５ａｔ％以上取り込まれており、Ｓｉ濃度が低下していることが分かる。これは、膜Ｃ８には、ＮＨ３ガスに含まれるＮ−Ｈ結合が取り込まれており、これにより、膜Ｃ８の酸化耐性が低下したためと考えられる。すなわち、成膜処理後のウエハが大気中に搬出された際、膜Ｃ８が酸化されたためと考えられる。【０１２６】
なお、膜Ｃ１〜Ｃ８は、いずれも、Ｎ非含有のＳｉ膜、例えば、ウエハに対してＢＣｌ３とＳｉＨ４とを同時に供給する成膜シーケンスを行うことで形成されるＳｉ膜よりも、消衰係数の低い膜となることを確認している。【０１２７】
このように、ＴＳＡガス、ＴＥＢガスの供給流量を適正に調整したり、これらのガスにさらにＤＳガスを添加したり、さらにＤＳガスの供給流量を適正に調整することにより、ウエハ上に形成されるＳｉ膜をＳｉリッチ化させたり、膜のＢ濃度やＣ濃度を適正に低下させたり、膜のＮ濃度を適正に高めたりすることが可能となる。また、上述したようにＳｉ膜の組成は成膜温度や成膜圧力による影響を受けにくいことから、これらの条件を広範囲に（自由に）設定することが可能となり、結果として、膜組成や膜厚のウエハ間均一性、ウエハ面内均一性を向上させることが容易となる。
【符号の説明】
【０１２８】
１２１    コントローラ（制御部）
２００    ウエハ（基板）
２０１    処理室
２０２    処理炉
２０３    反応管
２０７    ヒータ
２３１    排気管
２３２ａ〜２３２ｅ    ガス供給管
【図１】
2017149604.tif 000003
【図２】
2017149604.tif 000004
【図３】
2017149604.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2017149604.tif 000009
【図８】
2017149604.tif 000010
【図９】
2017149604.tif 000011
【図１０】
2017149604.tif 000012
【国際調査報告】
2017149604.tif 000013
2017149604.tif 000014
2017149604.tif 000015
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