(57)【要約】      （修正有）【課題】回転の磁気検出に際するジッターを改善することができる磁気速度センサーデバイス、磁気速度センサー及び磁気抵抗デバイスを提供する。【解決手段】磁気抵抗デバイスは、複数の磁気抵抗検出素子２０２を含む。複数の磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれは、自由層２２２及び基準層２２０を含む。自由層２２２は、２以上の縦横比を有する丸みを帯びた凸形輪郭を有する。【選択図】図２Ｂ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
複数のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含む磁気速度センサーデバイスであって、
前記磁気抵抗検出素子は、電気的に接続されて速度検出機構を形成し、
前記複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは、自由層及び基準層を含み、
各磁気抵抗検出素子の前記自由層は、２以上の縦横比を有し、
各磁気抵抗検出素子の前記自由層は、丸みを帯びた凸形輪郭を有する
磁気速度センサーデバイス。
【請求項２】
前記複数の磁気抵抗検出素子が不飽和領域において作動する、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項３】
前記自由層の形状が対称長軸及び対称短軸を含み、前記基準層の基準磁化が前記対称短軸の方向である、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項４】
前記自由層が楕円形を有する、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項５】
さらに前記複数の磁気抵抗検出素子から検出信号を取り出し、かつ、信号処理素子に前記検出信号を供給する信号タップを含み、前記信号処理素子が閾値通過に基づいてパルスを発生するように構成される、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項６】
各パルスが磁界ベクトルの回転に基づく角変化を示す、請求項５に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項７】
前記デバイスがホイートストンブリッジを含み、前記ホイートストンブリッジの各抵抗器が１００個以上の磁気抵抗検出素子を含む、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項８】
前記デバイスがホイートストンブリッジを含み、前記ホイートストンブリッジの各抵抗器が１０００個以上の磁気抵抗検出素子を含む、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項９】
前記複数の磁気抵抗検出素子が、各磁気抵抗検出素子に電流を注入し、かつ、各磁気抵抗検出素子から電流を取り出す電気接続構造を含む、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項１０】
前記複数の磁気抵抗検出素子の自由層の対称軸が同一方向を向いている、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項１１】
前記複数の磁気抵抗検出素子の自由層の対称軸が相異なる方向を向いている、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項１２】
各磁気抵抗検出素子の前記自由層が６以上の縦横比を有する、請求項１に記載の磁気速度センサーデバイス。
【請求項１３】
電気的に接続されて検出機構を形成する複数のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含む磁気速度センサーであって、
前記複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは、自由層及び基準層を含み、
前記複数の磁気抵抗検出素子は、１００個以上の磁気抵抗検出素子を含む
磁気速度センサー。
【請求項１４】
前記磁気速度センサーが、磁界ベクトルの回転を検出し、かつ、パルスを出力するように構成される、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項１５】
前記磁気速度センサーが前記磁気抵抗検出素子が不飽和領域で作動する、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項１６】
各磁気抵抗検出素子の前記自由層の輪郭が２以上の縦横比を有する丸みを帯びた凸形形状を有する、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項１７】
前記自由層が対称長軸及び対称短軸を含み、前記基準層により与えられる基準磁化が前記対称短軸の方向である、請求項１６に記載の磁気速度センサー。
【請求項１８】
前記自由層が楕円形を有する、請求項１６に記載の磁気速度センサー。
【請求項１９】
さらに前記検出機構から検出信号を取り出し、かつ、前記検出信号を信号処理素子に供給する信号タップを含み、前記信号処理素子が閾値通過に基づいてパルスを発生するように構成される、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項２０】
磁気速度センサーがホイートストンブリッジを含み、前記ホイートストンブリッジの各抵抗器が少なくとも１０００個超の磁気抵抗検出素子を含む、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項２１】
前記複数の磁気抵抗検出素子が、磁気抵抗検出素子に電流を注入し、かつ、前記磁気抵抗検出素子から電流を取り出す細長い電気接続構造を含む、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項２２】
接続構造が前記自由層の対称短軸に垂直に配置される、請求項１３に記載の磁気速度センサー。
【請求項２３】
複数の磁気抵抗素子と；
前記複数の磁気抵抗素子のそれぞれの磁気抵抗素子を電気的に接続する接続構造と
を含み、前記接続構造は垂直延長部を含み、それぞれの垂直延長部はそれぞれの磁気抵抗素子に接触面に沿って接触し、前記垂直延長部は横方向に前記接触面に沿って前記磁気抵抗素子を超えて伸びる
磁気抵抗デバイス。
【請求項２４】
前記それぞれの垂直延長部が前記それぞれの磁気抵抗素子を超えて、
前記磁気抵抗素子の幅方向、
前記磁気抵抗素子の長さ方向、及び
前記磁気抵抗素子の長さ及び幅方向
を含む群から選択される１つ以上の方向に伸びる、請求項２３に記載の磁気抵抗デバイス。
【請求項２５】
前記垂直延長部が前記１つ以上の方向において、接触領域の前記１つ以上の方向の長さの少なくとも１．２倍伸びる、請求項２４に記載の磁気抵抗デバイス。
【請求項２６】
前記垂直延長部がテーパー側壁を有する、請求項２３に記載の磁気抵抗デバイス。
【請求項２７】
前記接続構造が構造化金属層及び金属充填ビアを含み、前記構造化金属層及び前記金属充填ビアはＣＭＯＳ金属スタック中に配置される、請求項２３に記載の磁気抵抗デバイス。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書において記述される実施形態は、磁気抵抗デバイス、特にスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を使用する磁気センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気センサーは、多数の応用において、たとえば、速度検出のために使用されている。速度センサーは、軸の周りの素子の回転を検知し、センサーの回転速度を示す信号を出力することができるセンサーを含む。磁気速度センサーは、素子の回転により引き起こされる磁界の変化を利用して回転速度を検出する。磁気速度センサーは、多数に応用において、たとえば車輪、カムシャフト、クランクシャフト又はトランスミッションの回転速度を検出するために使用することができる。一般的に、磁極ホイール又は強磁性歯車などの磁気エンコーダは、回転軸に搭載されて軸の回転に基づく磁界変動を引き起こす。一部の応用では、バイアス磁石をセンサー近傍に設けてバイアス磁界を発生させる。
【考案の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
一実施形態によると、磁気速度センサーは、複数のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含み、磁気抵抗検出素子は、電気的に接続されて検出機構を形成する。複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは、少なくとも自由層及び基準システムを有し、各磁気抵抗検出素子の自由層は、丸みを帯びた連続凸形形状及び２以上の縦横比を有する。
【０００４】
さらに別の実施形態によると、磁気速度センサーは、電気的に接続されて検出機構を形成する少なくとも１００個のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含み、複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは、自由層及び基準層を含む。
【０００５】
さらに別の実施形態によると、磁気速度センサーは、電気的に接続されて検出機構を形成する複数の磁気抵抗検出素子を含み、複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは、自由層及び基準システムを含み、複数の磁気抵抗検出素子は、１００個以上の磁気抵抗検出素子を含む。
【０００６】
さらに別の実施形態によると、方法は、軸の周りの回転を磁気速度センサーにより検出するステップを含む。この磁気速度センサーは、検出機構を形成する複数のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含む。複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは自由層及び基準層を含む。この検出機構はブリッジ回路を含み、このブリッジ回路の各抵抗器は少なくとも１００個超の磁気抵抗検出素子を含む。
【０００７】
さらに別の実施形態によると、磁気抵抗デバイスは、複数の磁気抵抗検出素子及びこれらの複数の磁気抵抗素子のそれぞれの磁気抵抗検出素子を電気的に接続する結合構造を含む。この結合構造は垂直延長部を含み、それぞれの垂直延長部はそれぞれの磁気抵抗素子に接触面に沿って接触し、この垂直延長部は横方向に接触面に沿って磁気抵抗素子を超えて伸びる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】一実施形態による回路を示す。
【図１Ｂ】回転素子を含む回転検出システムの概略図を示す。
【図２Ａ】磁気抵抗検出素子の配置の上面概略図を示す。
【図２Ｂ】磁気抵抗検出素子の断面概略図を示す。
【図２Ｃ】種々の自由層形状の上面図を示す。
【図２Ｄ】種々の自由層形状の上面図を示す。
【図２Ｅ】磁気抵抗検出素子の個数に依存するジッターを示すグラフを示す。
【図２Ｆ】磁気抵抗検出素子の個数に依存するジッターを示すグラフを示す。
【図３Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図３Ｂ】例示構造の断面図を示す。
【図４Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図４Ｂ】例示構造の断面図を示す。
【図５Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図５Ｂ】例示構造の断面図を示す。
【図６Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図６Ｂ】例示構造の断面図を示す。
【図７Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図７Ｂ】例示構造の断面図を示す。
【図８】例示構造の断面図を示す。
【図９Ａ】例示構造の上面図を示す。
【図９Ｂ】例示構造の上面図を示す。
【図９Ｃ】例示構造の上面図を示す。
【図９Ｄ】例示構造の上面図を示す。
【考案を実施するための形態】
【０００９】
以下の詳細な記述は、本考案の例示実施形態について説明する。この説明は、限定的な趣旨を有するものではなく、もっぱら本考案の実施形態の一般的原理を示すために行われるものであり、一方で保護の範囲は添付の請求項のみにより決定される。
【００１０】
本明細書において記述される種々の例示実施形態の特徴は、特に別段の指示がない限り、相互に組み合わせることができることを理解されたい。
【００１１】
種々の図において、同一又は同様の実体、モジュール、デバイス等には、同じ参照番号を割り当てる。例示実施形態について、添付図面を参照しつつ、これからより詳しく記述する。しかし、実施形態は、多くの種々の形態で具体化することができ、本明細書において記述される実施形態に限定されるものとして解釈するべきではない。これらの例示実施形態は、むしろ、本開示を完璧かつ完全にするために提供され、その範囲を当業者に十分に伝えるであろう。図面において、層の厚さ及び領域は、分かりやすくするために誇張されている。
【００１２】
記述された実施形態において、実施形態を分かりやすくするために、素子、デバイス、特徴等の種々の詳細図又は概略図が示され、かつ、説明されている。かかる図は、原寸に比例していない場合があることを理解されたい。さらに、かかる実施形態は、同一縮尺の１つ以上の図に含まれるすべての特徴、素子等を示さない場合がある。すなわち、一部の特徴、素子等が誇張して示され得るため、同じ図において一部の特徴、素子等が他の特徴、素子等に比して拡大又は縮小されたスケールで示される。
【００１３】
ある構成要素が他の構成要素に対して、「上に」、「間に」、「接続されて」、「電気的に接続されて」、又は「結合されて」いるとして言及される場合、それは、他の構成要素に対して直接に、上に、間に、接続されて、電気的に接続されて、又は結合されているか、又は介在構成要素が存在し得ることを理解されたい。対照的に、ある構成要素が他の構成要素に対して、「直接上に」、「直接接続されて」、「電気的に直接接続されて」、又は「直接結合されて」いるとして言及される場合、介在構成要素は存在しない。本明細書において使用される場合、「及び／又は」は、関連記載項目の１つ以上のありとあらゆる組み合わせを含む。
【００１４】
「真下に」、「下に」、「より下にある」、「上に」、「より上にある」などの空間的相対関係を示す表現は、本明細書においては、図面において示される１つの構成要素及び／又は特徴のもう１つの構成要素及び／又は特徴又は他の構成要素及び／又は特徴に対する関係を記述する説明を容易にするために使用される。空間的相対関係を示す表現は、図中に描かれる向きのほかに、使用中又は作動中のデバイスの種々の向きを含むことを意図していることを理解されたい。
【００１５】
以下において記述する実施形態は、磁気抵抗センサー及び磁気抵抗速度センサーの新しい構想を対象としている。記述される実施形態は、たとえば、回転の磁気検出に際するジッター改善を可能にする。
【００１６】
図１Ａは、２つの交差結合ハーフブリッジからなるホイートストンブリッジ回路を形成する抵抗器１０２による磁気抵抗速度センサーのセンサー構成１００を示す。このホイートストンブリッジは、第１ノード１０４において第１電位φ１（たとえば地気電位）に、また、第２ノード１０６において第２電位φ２（たとえば正電源電位）に接続されている。検出信号は、第１ハーフブリッジを形成する２つの抵抗器間に設けられている信号タップノード１０８及び第２ハーフブリッジを形成する２つの抵抗器間に設けられている信号タップノード１１０において取り出される。２つの検出信号は、次に、信号処理素子のアナログ回路において差分信号として処理するか又はデジタル信号に変換して信号処理素子のデジタル回路において処理することができる。この回路は、センサー構成１００に組み込むことも又は別個とすることもできる。実施形態によっては、検出された信号は、外部マイクロコントローラなどの外部処理装置に転送される。
【００１７】
図１Ｂは、センサー構成１００を含む例示システムを示す。このシステムは、軸の周りで回転する回転部及び回転部に取り付けられて軸の周りの回転に依存する磁気変動を与えるエンコーダホイール１３０を有する。図１Ｂに示すシステムでは、エンコーダホイールは、黒色で示した複数の磁北極素子及び白色で示した複数の磁南極素子を含む。センサー構成１００とエンコーダホイールの間に間隙距離１３２が置かれる。
【００１８】
センサー構成１００は、回転に対し接線方向、たとえば図１Ｂに示すｘ方向の磁界成分の変動により抵抗器１０２の抵抗値が変化するように配置することができる。しかし、他の実施形態では、センサーは、他の方向、たとえば、回転軸（ｙ軸）の方向の１つ以上の磁界成分を検出することもできることを理解されたい。信号処理素子は、取り出された信号の閾値通過に基づいてパルスを発生するように構成することができる。各パルスは、次に磁界ベクトルの回転に基づく角変化を示すことができる。
【００１９】
図１Ａに示した抵抗器１０２のそれぞれは、複数の電気的に接続された磁気抵抗検出素子を含み、これらはスピンバルブ型とすることができる。図２は、抵抗器１０２の１つを形成する磁気抵抗検出素子２０２の例示実施形態を示す。図２Ａは、検出素子の配列として配置された磁気抵抗検出素子２０２の上面図を示す。図２Ａは、行及び列による検出素子の直線配列を示している。この配列の各行において、隣接磁気抵抗検出素子２０２同士は、接続構造２０４により直列に接続されている。接続構造２０４は、導電材料から形成されている。接続構造２０４は、その両端の領域において磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれと接触しており、電流を磁気抵抗検出素子２０２に注入する。磁気抵抗検出素子２０２の抵抗は、検出された磁界に基づいて変化する。したがって、磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれを流れる電流は、検出された磁界に依存する２つの電流注入領域間の電圧低下を与える。行の端部に接続構造２０６が設けられており、行端の磁気抵抗検出素子を隣接行の磁気抵抗検出素子に接続する。１つの実施形態では、接続構造２０４及び２０６は、金属から形成される。
【００２０】
それぞれの抵抗器１０２を形成する磁気抵抗検出素子２０２は、スピンバルブ型ＧＭＲ（巨大磁気抵抗）検出素子、スピンバルブ型ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗）検出素子又はその他のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含み得る。図２Ｂは、例示スピンバルブ型磁気抵抗検出素子の主表面に垂直な断面カットを示す。スピンバルブ型磁気抵抗検出素子２０２は、少なくとも基準層２２０及び自由層２２２を含んでいる。これらは、非磁性層２２４により垂直（ｚ軸）方向に分離されている。
【００２１】
基準層２２０は、層のスタックを含む基準システム（図２Ｂには示されていない）の一部とすることができる。一部の実施形態では、基準システムは、基準層２２０、ピン止め層及び自然反強磁性層を含み得る。自由層２２２は、層のスタックを含む自由層システム（図２Ｂには示されていない）の一部とすることができる。一部の実施形態では、自由層システムは、自由層２２２及びキャップ層を含む。一部の実施形態では、自由層システムは、自由層及びシード層を含む。磁気抵抗検出素子２０２は、前処理されたウエハー上に層のスタックを形成し、次にこのウエハーのスタックを別々の素子群（複数の検出素子を形成する）に構造化する（たとえば、エッチングプロセスにより）ことにより製造することができる。別の実施形態では、種々の製造プロセスを用いて磁気抵抗検出素子２０２を製造することができる。ある実施形態では、積層を金属スタック上に形成することができる。この場合、後述するように、金属スタックの構造化金属層及び金属スタック中に作成された金属充填ビアにより、磁気抵抗検出素子２０２のための相互接続機能が与えられる。
【００２２】
スピンバルブ型ＧＭＲ検出素子では、非磁性層２２４は、導電性とすることができる。スピンバルブ型ＴＭＲ検出素子では、非磁性層は、電気絶縁材料から形成することができる。
【００２３】
基準層２２０は、固定基準方向に永久基準磁化されているが、自由層２２２の磁化は、外部磁界に応じて自由に回転することができる。外部磁界ベクトルの方向が変化した場合、自由層２２２の磁化は変化するが、基準磁化はその方向を維持する。磁気抵抗検出素子２０２の抵抗は、一般的に基準磁化と自由層の磁化間の角度に依存する。注意するべきことは、他の実施形態では抵抗器を他の材料から形成し得ること、又は磁気応答磁気抵抗検出素子２０２の他の配置を設け得ることである。
【００２４】
速度検出応用において、たとえば図１Ｂに示したエンコーダホイールにより与えられる外部磁界は、一般的に弱い磁界である。速度検出応用では、自由層の磁化は、したがって、一般的に、磁化が完全飽和しない領域にある。磁気速度センサーが不飽和領域において作動している場合、自由層の磁区は、以下において説明するように、外部磁界と異なる方向に磁化されるであろう。
【００２５】
理想的には、センサー素子の磁化は、印可外部磁界に自由に従う。これは、非パターン化等方性磁気フィルムの場合には当てはまる。しかし、狭い縞状構造の場合には、自由層内の磁気双極子に素子の縁に沿って整列する傾向があり、それが縞沿い磁化の優先方向に通じ、形状異方性を引き起こす。この形状異方性は、一般的にセンサー出力に安定化効果を及ぼす一方、端部磁化の反転、すなわち、磁性半空間の変化に通ずる外部磁界が印可された場合に、問題が生ずる。かかる場合、センサーは、誤りのある信号又は不正確な信号を引き起こす可能性を有する階段状変化を示す。これは、図１Ｂに示すような磁極ホイール応用又は磁化ベクトルがセンサー平面において回転するその他の応用で発生することがある。縞幅沿いの磁化の振幅が十分に大きい場合、それは、磁性半空間の前記変化を引き起こすことがある。非整列磁区の方向の急激な回転は、磁気抵抗検出素子の抵抗の非連続的かつ予測不能な跳躍を引き起こすことがある。検出信号におけるかかる非連続的抵抗変動は、速度検出の正確度を低減する信号中のジッターと見なされる。
【００２６】
一部の実施形態では、検出信号は、速度センサーにおいて処理され、検出信号が閾値を超えたときにパルスを発生及び出力させる。検出信号の上記ジッターを考慮すると、回転を示すためにセンサーにより出力されるパルスは、ジッターも含んでいる。たとえば、間接タイヤ空気圧監視のためのホイール速度センサーの回転速度センサー信号を使用する応用など、高い正確度を要する応用においては、性能上の理由から信号中の低ジッターが望ましい。
【００２７】
また、磁気抵抗ホイール速度センサーの場合、センサーが低ジッターで回転を検知することができる一般的搭載位置が存在するであろう。しかし、在来の狭い縞状構造では、これらの構造が理想的位置から離れた場所に置かれた場合には、相当なジッターが発生するであろう。
【００２８】
本明細書において記述される実施形態は、ＧＭＲ速度センサーデバイスの磁性半空間間の切り換えプロセスを改善し、したがってジッターを低減し、かつ、位置公差を拡大することができる構想を提案する。
【００２９】
第１の態様において、本明細書の実施形態は、ジッターを低減する自由層の特定の形状を提案する。スピンバルブ型磁気抵抗検出素子の設計において、種々の要因を考慮する必要がある。たとえば円形など１の縦横比を有する自由層の対称形状は、センサーの無ジッター作動をもたらすであろうが（縦横比は、縦方向最大長の横方向最大幅に対する比である）、背景磁界を抑止する理由のために、１の縦横比をもたらす形状異方性は効率的ではない。
【００３０】
本明細書における実施形態は、丸みを帯びた少なくとも２の縦横比を有する完全凸形形状の自由層を提案する。この自由層の輪郭は、たとえば、少なくとも２の縦横比及び鋭い角を有さない閉ざされた境界曲線を有する完全凸形外形を含み得る。その例は、少なくとも２の縦横比（長径の短径に対する比）を有する楕円を含むがそれに限られない。
【００３１】
第２の態様では、スピンバルブ型磁気抵抗速度センサーにおいて経験されるジッターに対して、実施形態において各ホイートストン抵抗に、速度検出の応用に適合させた多数の磁気抵抗検出素子２０２を設けることにより対処する。これらの多数の磁気抵抗検出素子２０２は、ジッター効果を統計的に平均化するように構成される。一部の実施形態では、磁気抵抗検出素子２０２は、直列に接続されてホイートストン抵抗を形成することができる。磁気抵抗検出素子２０２は、並列接続及び並列接続と直列接続の両方により抵抗器を形成することもできる。一部の実施形態では、第１グループの磁気抵抗検出素子２０２が互いに並列に接続され、また、第２グループの磁気抵抗検出素子２０２が互いに並列に接続される。第１グループ及び第２グループは、直列に接続されてホイートストン抵抗を形成する。
【００３２】
実施形態によってはこれらの態様の一方のみ使用するが、本明細書において記述される実施形態では２つの態様の組み合わせに取り組み、スピンバルブ型磁気抵抗速度センサーにおいて経験されるジッターに対し、実施形態において各ホイートストン抵抗１０２に多数の磁気抵抗検出素子２０２及び磁気抵抗検出素子２０２の特定の形状の自由層２２２を設けることにより対処する。
【００３３】
ここで図２Ｃ及び２Ｄを参照して、２を超える縦横比を有する完全凸形形状の磁気抵抗検出素子２０２の実施形態について説明する。実施形態において、凸型形状は、たとえば楕円形の場合のように、長対称軸及び短対称軸を有する対称性を有し得る。
【００３４】
図２Ｃは、４：１の縦横比（長軸対短軸）の実施形態を示し、図２Ｄは、８：１の縦横比の実施形態を示している。図２Ｃ及び２Ｄの実施形態は、凸形形状の一例として楕円形を示している。他の実施形態では、凸型形状は楕円形以外とすることができる。実施形態では、凸型形状は、連続するなだらかな境界を有する丸みを帯びた凸型形状であり、すなわち、この凸面形状の境界には角がない。
【００３５】
これら複数の磁気抵抗検出素子２０２は、１つの実施形態では各ホイートストン抵抗１０２あたり少なくとも１０００個の磁気抵抗検出素子２０２を含むことができる。これらの検出素子は、直列、並列、直列接続と並列接続の組み合わせで接続することができ、また、１つの抵抗器内で種々の形状を有することができる。別の実施形態では、各ホイートストン抵抗１０２は、少なくとも５００個の磁気抵抗検出素子２０２を含むことができる。別の実施形態では、各ホイートストン抵抗１０２は、少なくとも１００個の磁気抵抗検出素子２０２を含むことができる。
【００３６】
図２Ｅ及び２Ｆは、６の縦横比を有する楕円形のシミュレーション結果を示している。図２Ｅ及び２Ｆは、磁気抵抗検出素子の個数の関数としてジッターを示している。横座標は、磁気抵抗検出素子の個数を１／ｓｑｒｔ（Ｎ）の関数で表している。ここでＮは、磁気抵抗検出素子２０２の個数である。縦軸は、正規化目盛り（Ｎ＝１に正規化）でジッターを表している。図２Ｆは、図２Ｅの点線部分を大きな目盛りで示している。図２Ｅ及び２Ｆから分かるように、ジッターは、１の横軸の値に対して（Ｎ＝１に等しい、すなわち、１個の磁気抵抗検出素子）正規化されたジッター値が１となるように、正規化されている。磁気抵抗検出素子２０２の個数が４００を超えると、ジッターは０．０５未満の値に大幅に減少し（すなわち、１個の磁気抵抗検出素子の場合に存在するジッターの５％）、また、磁気抵抗検出素子２０２の個数が１０００以上になると、ジッターは０．０１以下の値に大幅に減少する（すなわち、１個の磁気抵抗検出素子の場合に存在するジッターの１％）。上記から明らかになることは、低ジッターを必要とする速度検出応用の場合に、抵抗器あたり多数の磁気抵抗検出素子２０２を使用してジッター要求条件を満たし、かつ、センサー搭載の機械的公差を増大し得ることである。
【００３７】
以下において、抵抗器を形成するために磁気抵抗検出素子２０２を接続する種々の実施形態についてより詳しく説明する。より明瞭かつ見やすくするために、以下の実施形態は、磁気抵抗検出素子２０２の一部のみを示すこととする。磁気抵抗検出素子２０２は、たとえば、図２において点線の矩形内に示した２個の磁気抵抗検出素子２０２に対応する。
【００３８】
図３Ａ及び３Ｂは、磁気抵抗検出素子２０２とオーバーラップする接続構造２０４経由で磁気抵抗検出素子２０２が接続される実施形態を示している。図３Ａは、磁気抵抗検出素子２０２の主表面に平行な上面を示し、また、図３Ｂは、磁気抵抗検出素子２０２の主表面に垂直であり、かつ、その主軸（ｘ軸）沿いの断面図を示している。図から分かるように、接続構造２０４は、２個の隣接磁気抵抗検出素子２０２間に伸びている。接続構造２０４は、それぞれの磁気抵抗検出素子２０２と各側端領域で接触し、それにより磁気抵抗検出素子２０２が周縁部２０２Ａ及びそれぞれの磁気抵抗検出素子２０２の上面部２０２Ｂにおいて接触される。接続構造２０４は、それぞれの磁気抵抗検出素子２０２の上面部２０２Ｂと、たとえば、磁気抵抗検出素子２０２の全面積の１５％以下の面積において接触可能である。接続構造２０４と磁気抵抗検出素子２０２間の接触面は、平坦かつ連続とすることができる。一部の実施形態では、接続構造２０４は、垂直方向（ｚ軸）に伸びて磁気抵抗検出素子２０２の垂直延長部を２倍まで増やすことができる。一部の実施形態では、接続構造２０４は、垂直方向に伸びて磁気抵抗検出素子２０２の垂直延長を２倍超増やすことができる。
【００３９】
図３Ａ及び３Ｂの実施形態では、磁気抵抗検出素子２０２の底部は、接続構造２０４と接触していない。接続構造２０４の底部は、磁気抵抗検出素子２０２の底部と同一平面に置くことができる。図３Ａ及び３Ｂでは、接続構造２０４の形状は矩形であるが、別の実施形態では他の形状の接続構造２０４を使用することができる。注意するべきことは、接続構造２０６が接続構造２０４について上述した方法と同じ方法により形成できることである。
【００４０】
図４Ａ及び４Ｂは、接続構造２０４が磁気抵抗検出素子２０２と磁気抵抗検出素子２０２の底部で接触するように配置される実施形態を示している。
【００４１】
図４Ｂから分かるように、接続構造２０４は、垂直方向に関して磁気抵抗検出素子２０２の下に配置され、それにより接触面はそれぞれの磁気抵抗検出素子２０２の底部２０２Ｃと接続構造２０４の上部間にのみ設けられるようになっている。図４Ａ及び４Ｂの実施形態では、それぞれの磁気抵抗検出素子２０２の底部２０２Ｃと接続構造２０４の上部は、同一平面上にある。図４Ａ及び４Ｂから分かるように、接続構造２０４は、横方向に磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びる。
【００４２】
接続構造２０４が磁気抵抗検出素子２０２と磁気抵抗検出素子２０２の底部で接触する別の実施形態を図５Ａ及び５Ｂに示す。接続構造２０４は、接続構造２０４の上面から磁気抵抗検出素子２０２の底部まで伸びて接触を確保するビアなどの垂直延長部２０４Ａを備えている。言い換えると、垂直延長部２０４Ａは、磁気抵抗検出素子２０２と下のレベルに横たわっている接続構造２０４間の接続を構築する。垂直延長部２０４Ａは、図５Ａ及び５Ｂに示すように、磁気抵抗検出素子２０２が磁気抵抗検出素子２０２の小さな領域のみで接触することを可能にし得る。後述する別の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、接触面において横方向に磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びることができる。垂直延長部２０４Ａは、電流を磁気抵抗検出素子２０２に注入するために、磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれとそれぞれの両端領域において接触し得る。一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれと、それぞれの磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれの境界端からそれぞれわずかな距離の点において、接触し得る。
【００４３】
図６Ａ及び６Ｂを参照すると、磁気抵抗検出素子２０２のそれぞれの対が接続構造２０４により並列接続されている実施形態が示されている。図６Ａ及び６Ｂから分かるように、接続構造２０４のそれぞれの各端において、図５Ａ及び５Ｂにおいて記述された垂直延長部２０４Ａが２個配置されている。それぞれの端部において、垂直延長部２０４Ａの最初の１つがこの対の第１の磁気抵抗検出素子２０２の底部と接触し、また、垂直延長部２０４Ａの次の１つがこの対の第２の磁気抵抗検出素子２０２の底部と接触して、それにより磁気抵抗検出素子２０２の対が並列に接続される。
【００４４】
図７Ａ及び７Ｂは、隣接磁気抵抗検出素子２０２が互いに傾けられて、たとえば、２個の隣接磁気抵抗検出素子２０２が平行でないそれぞれの楕円の長軸を有するように配置されている実施形態を示す。図７Ａ及び７Ｂから分かるように、磁気抵抗検出素子の対は、図６Ａ及び６Ｂと同様に並列に接続される。図６Ａ及び６Ｂとは異なり、磁気抵抗検出素子のそれぞれの隣接対は、相異なる方向に傾けられる。図７Ａから分かるように、磁気抵抗検出素子の第１の対は反時計方向に傾けられるが、第２の対は時計方向に傾けられる。一部の実施形態では、これを繰り返して反時計方向の対の傾きに次の対の時計方向の傾きを続けることができる。この傾きは、図３Ａ、３Ｂ、４Ａ、４Ｂ又は５Ａ、５Ｂと同様の単一接続検出構造についても与えることができることを理解されたい。
【００４５】
図８は、磁気抵抗検出素子２０２がＣＭＯＳロジックに組み込まれる実施形態を示す。図８に示されている実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、チップ金属スタックの電気的遮蔽相互接続層３００一つ以上の中に垂直に伸びる金属充填ビアである。底部において、それぞれの垂直延長部２０４Ａは、接続構造２０４に接触する。頂部において、それぞれの垂直延長部２０４Ａは、接触面３０６の接触域３０６Ａにおいて磁気抵抗検出素子２０２に接触する。接触面３０６中の領域（その中において、それぞれの垂直延長部２０４Ａとそれぞれの磁気抵抗検出素子２０２の両方が形成され、したがって相互に接触する）がそれぞれの接触域３０６Ａを画定する。実施形態では、垂直延長部は、図８に示すように磁気抵抗検出素子２０２に直接接触するビアにより形成される。しかし、一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、ビア及びビア直上の追加導電性横方向延長部（ビアと磁気抵抗検出素子２０２の間に挟まれる）により形成され得る。
【００４６】
チップ金属スタックは、少なくとも電気的遮蔽相互接続層３００及び少なくとも１個の金属層３０２（２つの相互接続層３００の間に設けられる）を含む。相互接続層３００は、一般的に酸化ケイ素又は低誘電率材料などの誘電体から形成される。金属層３０２は、一般的に構造化された銅板又はアルミニウム板（構造化金属部間に隔離材料が配置される）などの構造化金属板から形成される。
【００４７】
図９Ａ〜９Ｃを参照すると、それぞれの磁気抵抗検出素子２０２と接触する垂直延長部２０４Ａが少なくとも１つの横方向に磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びる別の実施形態が示されている。換言すると、垂直延長部２０４Ａは、接触面において磁気抵抗検出素子２０２を少なくとも１つの横方向に突き出す。実施形態では、横方向は、磁気抵抗検出素子２０２の幅方向（長さ方向に垂直な方向）とすることができる。一部の実施形態では、横方向は、磁気抵抗検出素子の長さ方向とすることができる。一部の実施形態では、垂直延長部は、磁気抵抗検出素子２０２を磁気抵抗検出素子２０２の幅方向と長さ方向の両方に突き出すことができる。一部の実施形態では、垂直延長部は、磁気抵抗検出素子２０２を磁気抵抗検出素子２０２の幅方向又は長さ方向のいずれか一方のみに突き出すことができる。
【００４８】
垂直延長部２０４Ａは磁気抵抗検出素子２０２を突き出すため、接触面沿いの垂直延長部２０４Ａを通過する切り口の面積は、磁気抵抗検出素子と垂直延長部間の接触の面積より大きい。一部の実施形態では、接触面沿いの垂直延長部２０４Ａの面積は、接触面積の少なくとも２倍である。別の実施形態では、接触面沿いの垂直延長部２０４Ａの面積は、接触面積の少なくとも１．５倍である。一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、横方向に、接触面のこれらの方向への長さの少なくとも１．１倍伸びる。
【００４９】
一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、横方向に、接触面のこれらの方向への長さの少なくとも１．２倍伸びる。
【００５０】
一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、横方向に、接触面のこれらの方向への長さの２倍以下まで伸びる。
【００５１】
一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、横方向に、接触面のこれらの方向への長さの３倍以下まで伸びる。
【００５２】
上述の値は、以下において述べるように、より安定した相互接続をもたらす。
【００５３】
磁気抵抗検出素子を突き出すことにより、ＸＭＲラインエッジから垂直延長構造へのオーバーラップが画定される。この構造は、安定度のより高い相互接続性能を保証する。実現可能な構造の最小寸法は、一般的に、製造工程機能、たとえば、露光整列の正確度により限定される。磁気抵抗検出素子２０２の幅が小さく、すでにこの限界に近い場合、磁気抵抗検出素子２０２内の垂直延長部２０４Ａの規定位置を守り得ない場合がある。しかし、前述したように、磁気抵抗検出素子２０２の小さい幅は、高い縦横比を得るために望ましい。限定される正確度のために、場合によっては、磁気抵抗検出素子２０２の領域内に垂直延長部２０４Ａを配置することさえ保証されないことがある。不確定かつ変動する接触位置は、磁気抵抗検出素子２０２に流入する電流が一様でないこと、さらにはその欠如さえもたらす。
【００５４】
垂直延長部２０４Ａが磁気抵抗検出素子２０２を少なくとも１つの横方向に突き出すことにより、磁気抵抗検出素子相互接続におけるより広い接触面積、したがってより低い接触抵抗を達成することができる。したがって、オーバーラップ許容誤差に対するより高い構造安定性が得られる。オーバーラップが十分に大きい場合には、露光整列の正確度のために垂直延長部２０４Ａの中心位置が若干変動した場合にさえ、接触面積は一定のままとなる。垂直延長部２０４Ａの直径寸法は、したがって、あまり重要でないパラメータとなる。ボイド生成に備える大きめの寸法も、たとえばテーパー側壁又は頂部拡幅などにより実現することができる。
【００５５】
図９Ａ〜９Ｃでは、磁気抵抗検出素子２０２は、その下の接続構造２０４及び接続構造の垂直延長部２０４Ａが見えるように、半透明で示されている。図９Ａは、第１実施形態の垂直突起を示している。この場合、磁気抵抗検出素子２０２は、磁気抵抗検出素子２０２とオーバーラップする垂直延長部２０４Ａ経由で接続されている。したがって、垂直延長部２０４Ａは、横方向に磁気抵抗検出素子を超えて伸びる。一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、ｘ方向に垂直延長部２０４Ａの両側面において磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びる。図９Ａから分かるように、横方向オーバーラップは、２つの電流注入領域間に存在する主電流方向に垂直な方向に確保される。一般的に、主電流方向は、磁気抵抗検出素子２０２の長さ方向に対応する。しかし、他の実施形態は、若干異なる方向を含み得る。
【００５６】
図９Ａにおいて、磁気抵抗検出素子２０２は、数行に配置されている。同一行内において、磁気抵抗検出素子２０２は、並列に接続される。同一行内の磁気抵抗検出素子２０２は、磁気抵抗検出素子２０２に電流を注入する垂直延長部２０４Ａ又は磁気抵抗検出素子２０２から電流を引き出す垂直延長部２０４Ａを有する同一の接続構造２０４のみに接触する。
【００５７】
これに反して、図９Ｂは、行の磁気抵抗検出素子２０２が隣接行の磁気抵抗検出素子２０２と連結される配置の実施形態を示している。１つの行の磁気抵抗検出素子２０２は、中間のスペースとともに配置され、隣接行の磁気抵抗検出素子２０２がこのスペースに伸び得るようになっている。したがって、第１行及び最終行を除き、１行の磁気抵抗検出素子２０２は、隣接行の磁気抵抗検出素子２０２と連結されるように配置される。上で説明したように、第１垂直延長部２０４Ａは第１端で磁気抵抗検出素子２０２と接触し、また、第２垂直延長部は第１端と反対側の磁気抵抗検出素子の第２端で磁気抵抗検出素子と接触する。図９Ｂにおいてさらに注意するべきことは、第１端（たとえば低い方の端）の検出構造に接触する垂直延長部２０４Ａは接続構造２０４の第１行に接続されるのに対し、第２端（たとえば高い方の端）の検出構造に接触する垂直延長部２０４Ａは接続構造２０４の隣接第２行に接続されることである。さらに、１つの隣接行（たとえば下の）において、第２端においてこの行の磁気抵抗検出素子２０２に接触する垂直延長部２０４Ａは、接続構造２０４の第１行にも接触する。１つの別の隣接行（たとえば上）において、第１端においてこの行のそれぞれの磁気抵抗検出素子２０２に接触する垂直延長部２０４Ａは、接続構造２０４の第２行にも接触する。
【００５８】
図９Ｂから分かるように、中心間距離の最も短い磁気抵抗検出素子２０２は、接続構造２０４に平行な行ではなく、対角線４０２Ａ及び４０２Ｂ上の行に配置される。
【００５９】
一部の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、直方体又は円筒の形状を有し得る。他の実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、テーパー側壁を有し得る。かかる実施形態では、垂直延長部２０４Ａは、錐台形状又は四角錐台形状を有し得る。
【００６０】
図９Ａ及び９Ｂは楕円形の磁気抵抗検出素子２０２を示しているが、磁気抵抗検出素子２０２は、その他の形状、たとえば、図９Ｃに示す矩形とすることができることを理解されたい。
【００６１】
図９Ｃから分かるように、矩形磁気抵抗検出素子２０２は、ここでも行として配置されている。各磁気抵抗検出素子２０２は、長さ（矩形の長辺の距離）及び幅（矩形の短辺の距離）を有する。垂直延長部２０４Ａは、磁気抵抗検出素子２０２とその両端で接触している。図９Ｃから分かるように、それぞれの垂直延長部２０４Ａが長さ方向に片側において磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びている。さらに、同一垂直延長部２０４Ａが幅方向（図９Ｃにおけるｘ方向）に両側において磁気抵抗検出素子２０２を超えて伸びる。磁気抵抗検出素子の配置は、図９Ｂと同様であり、１行内の磁気抵抗検出素子２０２はすべて電気的に並列に接続されている。
【００６２】
図９Ｄは、図９Ａに示された実施形態の変形を示している。図９Ａと異なり、図９Ｄの垂直延長部２０４Ａは、行の複数の検出素子２０２を超えて伸びてこれら複数の検出素子２０２の共通並列接続を形成している。
【００６３】
一部の実施形態では、１個以上の磁気抵抗検出素子２０２を設置し、垂直延長部２０４Ａ及び接続構造２０４により短絡する。かかる磁気抵抗検出素子により検出機能は与えられないが、それは、各磁気抵抗検出素子２０２のために磁気抵抗検出素子２０２の同一環境を用意するのに役立つ可能性がある。それは、各検出素子が周囲の検出素子により、それらが機能を果たしているか否かに関係なく、同様に影響を受けることを保証する。
【００６４】
これまでに記述された実施形態と同様に、これらの磁気抵抗検出素子２０２は、直列、並列又は並列と直列の両方により接続して抵抗器を形成することができる。
【００６５】
さらに、図８及び９Ａ〜Ｄに関連して記述された実施形態のいずれも、前出図１〜７Ｂに関する実施形態について記述された特徴と組み合わせることができる。たとえば、図８及び９Ａ〜Ｄの実施形態は、多数の検出素子、たとえば、１００個以上、５００個以上又は１０００個以上を備えることができる。さらに、図８及び９Ａ〜Ｄの実施形態は、磁気抵抗センサーデバイス以外のデバイスにも適用することができる。
【００６６】
前記の記述において、実施形態は本明細書において提示及び記述され、本明細書において開示された教示の当業者による実行を可能にしている。その他の実施形態を利用し、かつ、それから導くことにより、本開示の範囲を逸脱することなく、構造的及び論理的な置換及び変更が可能であろう。
【００６７】
この詳細な記述は、したがって、限定的な趣旨を有するものとして解釈するべきではなく、種々の実施形態の範囲は、添付の請求項に加えて、かかる請求項のあらゆる均等物のみにより定義される。
【００６８】
本考案の主題のかかる実施形態について、本明細書において個別にかつ／又はまとめて、用語「考案」により言及されるであろうが、これは単に便宜上であり、複数の考案概念が実際に開示されている場合に、この応用の範囲を単一の考案又は考案概念に自発的に限定することを意図するものではない。したがって、本明細書において特定の実施形態が提示及び記述されているが、同一目的を達成するために計算される構成は、示された特定の実施形態の代わりとなり得ることを理解されたい。本開示は、種々の実施形態のありとあらゆる適合形態又は変形形態を包含することを意図している。上述の実施形態の組み合わせ及び本明細書において具体的に記述されていないその他の実施形態は、当業者にとって上記記述の考察により明らかとなるであろう。
【００６９】
さらに注意するべきは、特定の実体と組み合わされて記述された実施形態は、これらの実体における実装形態であるほか、上述の実体の１つ以上の下位実体又は下位区分における１つ以上の実装形態も含み得ることである。たとえば、本明細書において記述された特定の実施形態は、別の実施形態において示されていない特徴又はプロセスステップの形成について記述する。かかる特徴は他の実施形態においても形成され得るか、又はかかるプロセスステップが他の実施形態にも適用されることがあることを理解されたい。ただし、それが本明細書において明確に除外されているか、又は技術的に不可能である場合を除く。
【００７０】
本明細書の一部を形成している添付図面は、限定のためではなく、実例として、主題が実行される特定の実施形態を示す。
【００７１】
上記の詳細な記述において、開示を効率化するために種々の特徴が単一の実施形態にまとめられていることが分かる。この開示方法は、特許請求された実施形態が各請求項において明示的に記載されているものより多くの特徴を必要とするという趣旨を表すものとして解釈するべきではない。むしろ、以下の請求項が示しているように、本考案の主題は、単一開示実施形態のすべての特徴の一部の中に存在する。したがって、以下の請求項は、各請求項がそれ自体で個別実施形態として成り立ち得る場合、本明細書により詳細説明に組み込まれる。各請求項は個別実施形態としてそれ自体で成り立つことがあるが、他方（従属請求項は請求項において１つ以上の他の請求項との特定の組み合わせを参照できるが）、他の実施形態も従属請求項と相互の従属請求項の主題との組み合わせを包含する場合があることに注意するべきである。かかる組み合わせは、特定の組み合わせが意図されない旨の提示がない限り、本明細書において提案される。さらに、他の独立請求項の請求項の特徴も、その請求項が独立請求項に直接従属しない場合においても含めることを意図する。
【００７２】
さらに、この詳細な記述では、１つ以上の記述される特徴、素子等を特に断りのない限り逆の方法又は置換された方法によっても含めることも意図する。
【００７３】
さらに注意するべきことは、本明細書又は請求項において開示された方法がこれらの方法のそれぞれのステップのそれぞれを実行するための手段を有するデバイスにより実現できることである。
【００７４】
さらに、当然のことながら、明細書又は請求項において開示された複数のステップ又は機能の開示は、特定の順序に従うべきものとして解釈してはならない。したがって、複数のステップ又は機能の開示は、かかるステップ又は機能が技術的理由により交換不能でない限り、これらを特定の順序に限定しない。
【００７５】
さらに、一部の実施形態では、単一のステップが複数のサブステップを含むか又は複数のサブステップに分割されることがある。かかるサブステップは、明示的に除かれない限り、この単一ステップの開示に含まれ、かつ、その開示の一部であり得る。
【００７６】
また、本明細書で開示された方法の開示は、以下に記載する態様を含む。
検出機構を形成する複数のスピンバルブ型磁気抵抗検出素子を含む磁気速度センサーにより軸の周りの回転を検出するステップを含む方法であって、
前記複数の磁気抵抗検出素子のそれぞれは自由層及び基準層を含み、
前記検出機構はブリッジ回路を含み、
前記ブリッジ回路の各抵抗器は少なくとも１００個超の磁気抵抗検出素子を含む
方法。
【符号の説明】
【００７７】
１００  センサー構成
１０２  抵抗器
１０４  第１ノード
１０６  第２ノード
１０８  信号タップノード
１１０  信号タップノード
１３０  エンコーダホイール
１３２  間隙距離
２０２  磁気抵抗検出素子
２０２Ａ  周縁部
２０２Ｂ  上面部
２０２Ｃ  底部
２０４  接続構造
２０４Ａ  垂直延長部
２０６  接続構造
２２０  基準層
２２２  自由層
２２４  非磁性層
３００  相互接続層
３０２  金属層
３０６  接触面
３０６Ａ  接触域
４０２Ａ  対角線
【図１Ａ】
0003201754.tif 000003
【図１Ｂ】
0003201754.tif 000004
【図２Ａ】
0003201754.tif 000005
【図２Ｂ】
0003201754.tif 000006
【図２Ｃ】
0003201754.tif 000007
【図２Ｄ】
0003201754.tif 000008
【図２Ｅ】
0003201754.tif 000009
【図２Ｆ】
0003201754.tif 000010
【図３Ａ】
0003201754.tif 000011
【図３Ｂ】
0003201754.tif 000012
【図４Ａ】
0003201754.tif 000013
【図４Ｂ】
0003201754.tif 000014
【図５Ａ】
0003201754.tif 000015
【図５Ｂ】
0003201754.tif 000016
【図６Ａ】
0003201754.tif 000017
【図６Ｂ】
0003201754.tif 000018
【図７Ａ】
0003201754.tif 000019
【図７Ｂ】
0003201754.tif 000020
【図８】
0003201754.tif 000021
【図９Ａ】
0003201754.tif 000022
【図９Ｂ】
0003201754.tif 000023
【図９Ｃ】
0003201754.tif 000024
【図９Ｄ】
0003201754.tif 000025