(57)【要約】      （修正有）【課題】ウェハーが有する半導体集積回路に対する電気特性の測定や劣化試験の測定に用いられる測定プローブモジュールを提供する。【解決手段】測定プローブモジュールは、回路基板１、インタポーザ２及びプローブセット３を含む。インタポーザは回路基板にカップリング接続されている。インタポーザは複数の貫通孔２０を有する。プローブセットはインタポーザにカップリング接続されている。プローブセットは複数のプローブ３１を含む。各プローブの第１端３１１は各貫通孔を介して回路基板にそれぞれ電気的に接続される。各プローブの第２端３１２は被測定物にそれぞれ接触するためのものである。インタポーザ及び被測定物は同じ材料特性を有する。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板にカップリング接続され、複数の貫通孔を有するインタポーザと、
前記インタポーザにカップリング接続され、複数のプローブを含むプローブセットと、
を含み、
各前記プローブの第１端は各前記貫通孔を介して前記回路基板にそれぞれ電気的に接続され、各前記プローブの第２端は被測定物にそれぞれ接触するためのものであり、
前記インタポーザ及び前記被測定物は同じ材料特性を有し、
前記プローブの前記第１端の外径は前記プローブの前記第２端の外径よりも大きく、
複数の前記貫通孔の数量と複数の前記プローブの数量は同じであることを特徴とする測定プローブモジュール。
【請求項２】
前記プローブセットは片持ち型プローブを含むことを特徴とする請求項１に記載の測定プローブモジュール。
【請求項３】
前記プローブセットは垂直型プローブを含むことを特徴とする請求項１に記載の測定プローブモジュール。
【請求項４】
前記材料特性は、硬度、伸度、導電性又は熱膨張係数を含むことを特徴とする請求項１に記載の測定プローブモジュール。
【請求項５】
前記インタポーザの組成材料は、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、酸化亜鉛、窒化ガリウム又はヒ化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１に記載の測定プローブモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、プローブカード測定装置に関し、特に測定プローブモジュールに関する。
【０００２】
特に、本考案は、半導体集積回路を有するウェハーに対して異なる温度状態でプローブ測定を行うように、ウェハーが有する半導体集積回路に対する電気特性の測定や劣化試験での測定に用いられる測定プローブモジュールを提供することに着目している。
【背景技術】
【０００３】
従来、プローブカード装置（プローブカード測定装置とも称する）といった精密な設備でウェハーを測定する際に、通常、例えば湿度、圧力、温度などの周囲環境の条件による影響を考慮しなければならない。例を挙げて説明すると、従来のプローブカード装置は、異なる温度条件（高温、低温、室温）を考慮して各温度条件に応じて異なるプローブカード装置をそれぞれ使用するため、測定コストが高くなってしまう。
【０００４】
しかしながら、それにしても、温度条件が悪くなると、従来のプローブカード装置は、その内部構成の部品が熱膨張や冷収縮することでプローブ測定位置がずれてしまう恐れがある。特に、一般的にプローブカード装置はエポキシガラス基板から形成され、且つエポキシガラス基板の熱膨張係数とウェハーの熱膨張係数は異なるため、たとえ室温でプローブカード装置及びウェハーの両方の位置を調整したとしても、温度が変わると、両方の位置にずれが生ずる恐れがある。
【０００５】
そのため、如何にして構成設計の改良により上記の問題点を克服するかが当業者にとって解決しようとする重要な課題となっている。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００６】
本考案が解決しようとする課題は、従来技術の不足を克服することができる測定プローブモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本考案に係る測定プローブモジュールは、回路基板、インタポーザ（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）及びプローブセットを含む。インタポーザは回路基板にカップリング接続されている。インタポーザは複数の貫通孔を有する。プローブセットはインタポーザにカップリング接続される。プローブセットは複数のプローブを含む。各プローブの第１端は各貫通孔を介して回路基板にそれぞれ電気的に接続される。各プローブの第２端は、被測定物にそれぞれ接触することができるようにインタポーザの下面から露出する。インタポーザ及び被測定物は同じ材料特性を有する。プローブの第１端の外径はプローブの第２端の外径よりも大きい。複数の貫通孔の数量と複数のプローブの数量は同じである。
【０００８】
好ましくは、プローブセットは片持ち型プローブを含む。
【０００９】
好ましくは、プローブセットは垂直型プローブを含む。
【００１０】
好ましくは、材料特性は、硬度、伸度、導電性又は熱膨張係数を含む。
【００１１】
好ましくは、インタポーザの組成材料は、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、酸化亜鉛、窒化ガリウム又はヒ化ガリウムを含む。
【考案の効果】
【００１２】
本考案に係る測定プローブモジュールによれば、「インタポーザ及び被測定物は同じ材料特性を有する」という技術的特徴で、インタポーザと被測定物が同じ熱膨張率と冷収縮率を有することによって、プローブが被測定物における被測定位置に接触する精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本考案に係る測定プローブモジュールの第１の実施例の模式図である。
【図２】本考案に係る測定プローブモジュールの第２の実施例の模式図である。
【考案を実施するための形態】
【００１４】
上述した内容は、本考案に係る測定プローブモジュールの具体的な実施形態を理解しやすいように、本考案の複数の特徴及び好ましい態様を上位的な概念で説明した。当業者は、本考案が開示する概念及び特定の具体的な実施例に基づいて、本考案が開示する各部品を本考案が開示する内容を実現することができる他の部品に変更したり置換したりすることができる。本考案に係る測定プローブモジュールの特徴及び技術内容がより一層分かるように、以下本考案に係る測定プローブモジュールに関する詳細な説明と添付図面を参照する。しかしながら、提供される添付図面は参考と説明のために提供するものに過ぎず、本考案の実用新案登録請求を制限するためのものではない。
【００１５】
下記より、具体的な実施例で、本考案に係る測定プローブモジュールが開示する実施形態を説明する。当業者は本明細書の開示内容により本考案に係る測定プローブモジュールのメリット及び効果を理解し得る。本考案に係る測定プローブモジュールは他の異なる実施形態により実行又は応用できる。本明細書における各細節も様々な観点又は応用に基づいて、本考案に係る測定プローブモジュールの精神を逸脱しない限りに、均等の変形と変更を行うことができる。また、本考案に係る測定プローブモジュールの図面は簡単で模式的に説明するためのものであり、実際的な寸法を示すものではない。以下の実施形態において、さらに本考案に係る測定プローブモジュールの技術事項を説明するが、開示された内容は本考案に係る測定プローブモジュールを限定するものではない。
【００１６】
なお、本明細書において「第１」、「第２」等の用語で各種の部品を説明することはあるが、これらの部品はこれらの用語によって制限されるものではない。これらの用語は、主として一つの部品と別の部品を区別するためのものであることが理解されたい。また、本明細書に用いられる「又は」という用語は、実際の状況に応じて、関連する項目中の何れか一つ又は複数の組合せを含み得る。
【００１７】
＜第１の実施例＞
先ず、図１に示すように、本考案の第１の実施例は測定プローブモジュールＺ１を提供する。測定プローブモジュールＺ１は、回路基板１、インタポーザ（Ｉｎｔｅｒｐｏｓｅｒ）２及びプローブセット３を含む。インタポーザ２は回路基板１にカップリング接続されている。インタポーザ２は複数の貫通孔２０を有する。プローブセット３はインタポーザ２にカップリング接続されている。プローブセット３は複数のプローブ３１を含む。各プローブ３１の第１端３１１は各貫通孔２０を介して回路基板１にそれぞれ電気的に接続される。各プローブ３１の第２端３１２は被測定物４にそれぞれ接触することができるようにインタポーザ２の下面から露出する（即ち、各プローブ３１の第２端３１２は被測定物４にそれぞれ接触するためのものである）。インタポーザ２及び被測定物４は同じ材料特性を有する。材料特性は、硬度、伸度、導電性又は熱膨張係数を含んでもよいが、これに限定されていない。
【００１８】
具体的に言えば、本実施例の測定プローブモジュールＺ１は片持ち型プローブモジュールである（即ち、プローブセット３は片持ち型プローブを含む）。インタポーザ２の組成材料は、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、酸化亜鉛、窒化ガリウム又はヒ化ガリウムを含む。例を挙げて説明すると、被測定物４は材料が窒化珪素材料である測定すべきウェハーである場合、インタポーザ２の材料も測定すべきウェハーの材料と同じ窒化珪素材料であってもよい。プローブセット３の複数のプローブ３１は測定すべきウェハーの材料特性と同じ材料特性を有するインタポーザ２に直接に設けられているため、測定すべきウェハー及びインタポーザ２は同じ熱膨張率と冷収縮率を有する。そのため、測定すべきウェハーの被測定位置が熱膨張や冷収縮することによるずれ量は、複数のプローブ３１のプローブ測定位置が熱膨張や冷収縮することによるずれ量と同じとなる。これにより、測定プローブモジュールＺ１のプローブ３１のプローブ測定位置の精度を向上させることができる。なお、本考案に係る測定プローブモジュールＺ１は上記の実施例に限定されていない。
【００１９】
＜第２の実施例＞
図２に示すように、本考案の第２の実施例は測定プローブモジュールＺ２を提供する。測定プローブモジュールＺ２は、回路基板１、インタポーザ２及びプローブセット３を含む。回路基板１はプリント回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）であってもよい。インタポーザ２は回路基板１にカップリング接続されている。インタポーザ２は複数の貫通孔２０を有する。プローブセット３はインタポーザ２にカップリング接続されている。プローブセット３は複数のプローブ３１を含む。各プローブ３１の第１端３１１は各貫通孔２０を介して回路基板１にそれぞれ電気的に接続される。各プローブ３１の第２端３１２は被測定物４にそれぞれ接触するようにインタポーザ２の下面から露出する（即ち、各プローブ３１の第２端３１２は被測定物４にそれぞれ接触するためのものである）。インタポーザ２及び被測定物４は同じ材料特性を有する。材料特性は、硬度、伸度、導電性又は熱膨張係数を含んでもよいが、これに限定されていない。各プローブ３１の第１端３１１の外径は各プローブ３１の第２端３１２の外径よりも大きい。複数の貫通孔２０の数量と複数のプローブ３１の数量は同じである。
【００２０】
具体的に言えば、本実施例の測定プローブモジュールＺ２は垂直型プローブモジュールである（即ち、プローブセット３は垂直型プローブを含む）。インタポーザ２の組成材料は、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素、酸化亜鉛、窒化ガリウム又はヒ化ガリウムを含む。例を挙げて説明すると、被測定物４は材料が窒化珪素材料である測定すべきウェハーである場合、インタポーザ２の材料も測定すべきウェハーの材料と同じ窒化珪素材料であってもよい。プローブセット３の複数のプローブ３１は測定すべきウェハーの材料特性と同じ材料特性を有するインタポーザ２に直接に設けられているため、測定すべきウェハー及びインタポーザ２は同じ熱膨張率と冷収縮率を有する。そのため、測定すべきウェハーの被測定位置が熱膨張や冷収縮することによるずれ量は、複数のプローブ３１のプローブ測定位置が熱膨張や冷収縮することによるずれ量と同じとなる。これにより、測定プローブモジュールＺ２のプローブ３１のプローブ測定位置の精度を向上させることができる。なお、本考案に係る測定プローブモジュールＺ２は上記の実施例に限定されていない。
【００２１】
本考案に係る測定プローブモジュールＺ１、Ｚ２によれば、「インタポーザ２及び被測定物４は同じ材料特性を有する」という技術的特徴で、異なる温度においても依然としてインタポーザ２及び被測定物４が同じ熱膨張率と冷収縮率を有することによって、プローブ３１が被測定物４における被測定位置に接触する精度を向上させることができる。
【００２２】
更に、本考案に係る測定プローブモジュールＺ１、Ｚ２は片持ち型プローブや垂直型プローブを使用することができるが、プローブの設置形態についてはこれに限定されていない。
【００２３】
以上に開示された内容は本考案に係る測定プローブモジュールの好ましい実施形態に過ぎず、本考案の実用新案登録請求を制限するものではない。そのため、本考案の明細書及び添付図面の内容に基づき為された等価の技術変形は、全て本考案の実用新案登録請求の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００２４】
１  回路基板
２  インタポーザ
２０  貫通孔
３  プローブセット
３１  プローブ
３１１  第１端
３１２  第２端
４  被測定物
Ｚ１、Ｚ２  測定プローブモジュール
【図１】
0003233937.tif 000003
【図２】
0003233937.tif 000004