(57)【要約】Ｂａｎｄ８およびＢａｎｄ３を同時に用いて通信するキャリアアグリゲーション方式が適用されるフロントエンドモジュール（１）であって、アンテナ素子（２）と複数の信号経路との接続を切り替えるアンテナスイッチモジュール（２１）と、Ｂａｎｄ８の信号経路（３１Ｌ）に接続された第１回路（５１Ｌ）と、Ｂａｎｄ３の信号経路（３１Ｈ）に接続され、第１回路（５１Ｌ）と電磁界結合する第２回路（５１Ｈ）とを備え、信号経路（３１Ｌ）からアンテナスイッチモジュール（２１）を経由して信号経路（３１Ｈ）へ伝搬するＢａｎｄ３の周波数成分を有する信号と、第１回路（５１Ｌ）および第２回路（５１Ｈ）を経由して信号経路（３１Ｌ）から信号経路（３１Ｈ）へ伝搬するＢａｎｄ３の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にある。
2017006866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の周波数帯域から選択された第１周波数帯域と、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域と周波数が異なる第２周波数帯域とを同時に用いて通信するキャリアアグリゲーション方式が適用されるフロントエンドモジュールであって、
送信波を予め増幅する送信処理回路または受信波を信号処理する受信処理回路とアンテナ素子とを接続し、前記複数の周波数帯域のうち対応する周波数帯域の信号の伝搬に用いられる複数の信号経路と、
前記アンテナ素子と前記複数の信号経路のうちの少なくとも２つの信号経路とを同時接続させることにより、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路との接続を切り替えるアンテナスイッチモジュールと、
前記第１周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第１信号経路に接続された第１回路と、
前記第２周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第２信号経路に接続され、前記第１回路と電磁界結合する第２回路とを備え、
前記第１信号経路から前記アンテナスイッチモジュールを経由して前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記第１回路および前記第２回路を経由して前記第１信号経路から前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にある
フロントエンドモジュール。
【請求項２】
前記第１周波数帯域は、低周波数帯域群に属しており、
前記第２周波数帯域は、前記低周波数帯域群よりも高周波側に割り当てられた高周波数帯域群に属しており、
前記第１周波数帯域の信号の高調波の周波数は、前記第２周波数帯域に含まれる
請求項１に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項３】
前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、
前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、いずれも、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板上に実装されたチップインダクタである
請求項１または２に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項４】
前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、
前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子の一方は、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板上に実装されたチップインダクタであり、
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子の他方は、前記モジュール基板に内蔵されている
請求項１または２に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項５】
前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、
前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、
前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、いずれも、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板に内蔵されている
請求項１または２に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項６】
さらに、
前記第１信号経路または前記第２信号経路に接続された、高周波信号の位相を調整することが可能な位相調整回路を備える
請求項１〜５のいずれか１項に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項７】
前記第１回路および前記第２回路の一方は、インダクタンス素子を有し、
前記第１回路および前記第２回路の他方は、前記インダクタンス素子と電磁界結合する配線を有する
請求項１または２に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項８】
前記フロントエンドモジュールは、
前記第１周波数帯域、前記第２周波数帯域、および、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と周波数が異なる第３周波数帯域のうち、前記第１周波数帯域と前記第２周波数帯域とを同時に用いて通信し、
前記第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第３信号経路は、分岐ノードにおいて第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第４信号経路と第５信号経路とに分岐されており、
さらに、
前記第３信号経路の前記分岐ノードよりも上り方向に接続された第３回路と、
前記第４信号経路に接続された第４回路と、
前記第５信号経路に接続された第５回路とを備え、
前記第３回路、前記第４回路、および前記第５回路のうちの２つの回路は電磁界結合しており、
前記第４信号経路から前記分岐ノードを経由して前記第５信号経路へ伝搬する第５周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記２つの回路を経由して前記第４信号経路から前記第５信号経路へ伝搬する前記第５周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にある
請求項１に記載のフロントエンドモジュール。
【請求項９】
前記フロントエンドモジュールは、
前記第１周波数帯域と、前記第２周波数帯域と、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と周波数が異なる第３周波数帯域とを同時に用いて通信し、
前記アンテナスイッチモジュールは、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路のうちの３つの信号経路とを同時接続させることにより、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路との接続を切り替え、
さらに、
前記第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第３信号経路に接続された第３回路と、
前記第１信号経路と前記第１回路との接続点、または、前記第２信号経路と前記第２回路との接続点よりも下り方向に配置された第４回路とを備え、
前記第１回路または前記第２回路、前記第３回路、および前記第４回路のうちの２つの回路は電磁界結合しており、
前記第３信号経路から前記アンテナスイッチモジュールを経由して前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記２つの回路を経由して前記第３信号経路から前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にある
請求項１に記載のフロントエンドモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を処理するフロントエンドモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話には、１つの端末で複数の周波数および無線方式に対応することが要求されている（マルチバンド化およびマルチモード化）。マルチバンド化およびマルチモード化に対応するフロントエンドモジュールには、複数の送受信信号を品質劣化させずに高速処理することが求められている。【０００３】
特許文献１には、高周波信号の伝搬に用いられる２経路間のアイソレーション特性が改善されたスイッチングデバイスおよびモジュールが開示されている。より具体的には、２経路のうち１経路が信号伝搬経路として選択される構成において、２つの入出力端子間を遅延線によって接続することにより、一方の経路から他方の経路へ漏洩した信号を相殺している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−９６６７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来のスイッチングデバイスは、常に２つの信号経路のうちから１つの信号経路を選択して信号伝搬させるシステムに適用されるものである。【０００６】
これに対して、異なる周波数帯域の信号を同時に伝搬させる、いわゆるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）方式を適用するシステムでは、複数の周波数帯域の信号を同時に伝搬させる。ＣＡ動作する複数の周波数帯域の信号の伝搬に用いられる複数の信号経路間のアイソレーション特性を所望の性能に確保するには、上記従来のスイッチングデバイスの構成では不十分である。【０００７】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、キャリアアグリゲーション方式において、複数の周波数帯域間で良好なアイソレーション特性を確保できるフロントエンドモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るフロントエンドモジュールは、複数の周波数帯域から選択された第１周波数帯域と、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域と周波数が異なる第２周波数帯域とを同時に用いて通信するキャリアアグリゲーション方式が適用されるフロントエンドモジュールであって、送信波を予め増幅する送信処理回路または受信波を信号処理する受信処理回路とアンテナ素子とを接続し、前記複数の周波数帯域のうち対応する周波数帯域の信号の伝搬に用いられる複数の信号経路と、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路のうちの少なくとも２つの信号経路とを同時接続させることにより、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路との接続を切り替えるアンテナスイッチモジュールと、前記第１周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第１信号経路に接続された第１回路と、前記第２周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第２信号経路に接続され、前記第１回路と電磁界結合する第２回路とを備え、前記第１信号経路から前記アンテナスイッチモジュールを経由して前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記第１回路および前記第２回路を経由して前記第１信号経路から前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にある。【０００９】
これによれば、第１周波数帯域および第２周波数帯域の信号がＣＡ動作する場合、例えば、アンテナスイッチモジュールを経由して第１信号経路から第２信号経路へ伝搬する第１周波数帯域の基本波または高調波成分と、第１回路および第２回路を経由して第１信号経路から第２信号経路へ伝搬する第１周波数帯域の基本波または高調波成分との位相がずれるので、互いに打ち消しあうことが可能となる。また、第１回路と第２回路との電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュールを経由せずに第１信号経路と第２信号経路との間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。【００１０】
また、前記第１周波数帯域は、低周波数帯域群に属しており、前記第２周波数帯域は、前記低周波数帯域群よりも高周波側に割り当てられた高周波数帯域群に属しており、前記第１周波数帯域の信号の高調波の周波数は、前記第２周波数帯域に含まれてもよい。【００１１】
ＣＡ動作において、特に、低周波数帯域群の送信信号の高調波成分の周波数が、高周波数帯域群の受信帯域の周波数と略等しくなる場合が想定される。この場合には、上記送信信号と上記受信信号とが同時に送受信されているので、上記高調波成分がアンテナスイッチモジュールを経由して第１信号経路から第２信号経路へそのまま伝搬すると、高周波数帯域群において受信感度の著しい低下が発生してしまう。【００１２】
本構成によれば、上記電磁界結合度を調整することにより、上記高調波成分の振幅および位相を容易に調整できる。よって、高周波数帯域群の受信帯域における受信感度の劣化を抑制することが可能となる。【００１３】
また、前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、いずれも、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板上に実装されたチップインダクタであってもよい。【００１４】
これにより、第１回路および第２回路を構成するチップインダクタの、モジュール基板上の配置位置を調整することにより、アンテナスイッチモジュールを経由せずに第１信号経路と第２信号経路との間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。例えば、電磁界結合する２つのチップインダクタ間の距離を調整することで、上記信号の振幅および位相を容易に調整できる。【００１５】
また、前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子の一方は、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板上に実装されたチップインダクタであり、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子の他方は、前記モジュール基板に内蔵されていてもよい。【００１６】
これにより、第１回路および第２回路を構成するインダクタ素子の他方がモジュール基板内に内蔵されるので、モジュール基板上の回路部品の実装点数を低減でき、他の回路部品の配置レイアウトの自由度が向上する。また、第１インダクタンス素子と第２インダクタンス素子とを、モジュール基板の法線方向に近接配置できるので、電磁界結合度をより高めることが可能となる。また、一般的に、基板内蔵型インダクタに比べて、チップインダクタの方が大きなインダクタンス値を確保できる。よって、インピーダンス整合をとるにあたり、周波数帯域に応じてチップインダクタおよび基板内蔵型インダクタを使い分けることが可能となる。【００１７】
また、前記第１回路は、第１インダクタンス素子を有し、前記第２回路は、前記第１インダクタンス素子と電磁界結合する第２インダクタンス素子を有し、前記第１インダクタンス素子および前記第２インダクタンス素子は、いずれも、前記アンテナスイッチモジュールが搭載されたモジュール基板に内蔵されていてもよい。【００１８】
これにより、第１回路および第２回路を構成するインダクタ素子の双方がモジュール基板内に内蔵されるので、モジュール基板上の回路部品の実装点数を低減でき、他の回路部品の配置レイアウトの自由度が向上する。【００１９】
また、さらに、前記第１信号経路または前記第２信号経路に接続された、高周波信号の位相を調整することが可能な位相調整回路を備えてもよい。【００２０】
これにより、アンテナスイッチモジュールを経由せずに第１信号経路と第２信号経路との間を伝搬する信号の位相を、より高精度かつ広範囲に調整できる。【００２１】
また、前記第１回路および前記第２回路の一方は、インダクタンス素子を有し、前記第１回路および前記第２回路の他方は、前記インダクタンス素子と電磁界結合する配線を有してもよい。【００２２】
これにより、マイクロストリップ線路に例示される配線とインダクタンス素子との電磁界結合により、第１回路および第２回路を経由して第１信号経路から第２信号経路へ伝搬する第１周波数帯域の基本波または高調波成分を生成することが可能となる。また、上記配線とインダクタ素子との結合箇所を調整することで、電磁界結合する信号の振幅および位相を変化させることが可能となる。【００２３】
また、前記フロントエンドモジュールは、前記第１周波数帯域、前記第２周波数帯域、および、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と周波数が異なる第３周波数帯域のうち、前記第１周波数帯域と前記第２周波数帯域とを同時に用いて通信し、前記第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第３信号経路は、分岐ノードにおいて第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第４信号経路と第５信号経路とに分岐されており、さらに、前記第３信号経路の前記分岐ノードよりも上り方向に接続された第３回路と、前記第４信号経路に接続された第４回路と、前記第５信号経路に接続された第５回路とを備え、前記第３回路、前記第４回路、および前記第５回路のうちの２つの回路は電磁界結合しており、前記第４信号経路から前記分岐ノードを経由して前記第５信号経路へ伝搬する前記第５周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記２つの回路を経由して前記第４信号経路から前記第５信号経路へ伝搬する前記第５周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にあってもよい。【００２４】
これにより、第３信号経路から分岐した第４信号経路と第５信号経路との間で、第３回路、第４回路、および第５回路のうちの２つの回路が電磁界結合するので、第４信号経路から上記ノードを経由して第５信号経路へ伝搬する第５周波数帯域の周波数成分を有する信号と、上記２つの回路を経由して第４信号経路から第５信号経路へ伝搬する第５周波数帯域の周波数成分を有する信号とを、互いに打ち消しあうことが可能となる。【００２５】
また、前記フロントエンドモジュールは、前記第１周波数帯域と、前記第２周波数帯域と、前記複数の周波数帯域から選択された、前記第１周波数帯域および前記第２周波数帯域と周波数が異なる第３周波数帯域とを同時に用いて通信し、前記アンテナスイッチモジュールは、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路のうちの３つの信号経路とを同時接続させることにより、前記アンテナ素子と前記複数の信号経路との接続を切り替え、さらに、前記第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる第３信号経路に接続された第３回路と、前記第１信号経路と前記第１回路との接続点、または、前記第２信号経路と前記第２回路との接続点よりも下り方向に配置された第４回路とを備え、前記第１回路または前記第２回路、前記第３回路、および前記第４回路のうちの２つの回路は電磁界結合しており、前記第３信号経路から前記アンテナスイッチモジュールを経由して前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号と、前記２つの回路を経由して前記第３信号経路から前記第２信号経路へ伝搬する前記第２周波数帯域の周波数成分を有する信号とは、位相がずれている関係にあってもよい。【００２６】
これにより、第１信号経路から第２信号経路へ伝搬する第２周波数帯域の周波数成分を有する信号を抑制するだけでなく、第３信号経路から第２信号経路へ伝搬する第２周波数帯域の周波数成分を有する信号を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係るフロントエンドモジュールによれば、キャリアアグリゲーション方式において、複数の周波数帯域間で良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【図２】図２は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュールの実装レイアウトを表す平面概略図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュールのアイソレーション特性を表すグラフである。
【図４】図４は、比較例に係るフロントエンドモジュールのアイソレーション特性を表すグラフである。
【図５】図５は、実施の形態１の変形例１に係るフロントエンドモジュールの実装レイアウトを表す平面概略図である。
【図６】図６は、実施の形態１の変形例２に係るフロントエンドモジュールの実装レイアウトを表す平面概略図である。
【図７】図７は、実施の形態２に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【図８】図８は、実施の形態２に係るフロントエンドモジュールの実装レイアウトを表す平面概略図である。
【図９】図９は、実施の形態３に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【図１０】図１０は、実施の形態３の変形例に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【図１１】図１１は、実施の形態４に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【図１２】図１２は、実施の形態５に係るフロントエンドモジュールの回路構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。
【００３０】
（実施の形態１）
［１．１  フロントエンドモジュールの構成］
図１は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１の回路構成図である。同図には、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１と、アンテナ素子２とが示されている。フロントエンドモジュール１およびアンテナ素子２は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンドに配置される。
【００３１】
フロントエンドモジュール１は、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚ、受信帯域：１８０５−１８８０ＭＨｚ）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈと、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（送信帯域：８８０−９１５ＭＨｚ、受信帯域：９２５−９６０ＭＨｚ）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌと、第１回路５１Ｌと、第２回路５１Ｈと、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌとを有している。
【００３２】
フロントエンドモジュール１は、マルチモード／マルチバンドに対応すべく、複数の周波数帯域により無線信号を送受信するための信号経路が複数設けられた、マルチキャリア用送受信装置である。本実施の形態では、複数の周波数帯域として、３Ｇ／４Ｇ対応のＬＴＥ規格Ｂａｎｄ３およびＢａｎｄ８が設けられている。Ｂａｎｄ３およびＢａｎｄ８を搬送波とする信号は、周波数分割複信（ＦＤＤ）方式により、それぞれ信号経路３１Ｈおよび３１Ｌを伝搬する。
【００３３】
なお、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１は、Ｂａｎｄ３およびＢａｎｄ８だけでなく、その他の周波数帯域の信号を伝搬する信号経路を有していてもよく、また、ＦＤＤ方式だけでなく、ＴＤＤ方式に適用される周波数帯域の信号を伝搬する信号経路を有していてもよい。
【００３４】
信号経路３１Ｈおよび３１Ｌは、ＦＤＤ方式により信号処理されるため、信号経路３１Ｈおよび３１Ｌ上には、それぞれ、同時送受信を可能とするためのデュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌが配置されている。なお、ＴＤＤ方式により信号処理される信号経路の場合には、デュプレクサは配置されない場合がある。
【００３５】
信号経路３１Ｈおよび３１Ｌの送信経路（Ｔｘ）は、それぞれ、送信端子６１１Ｈおよび６１１Ｌを介して、送信波を予め増幅する送信処理回路（図示せず）と接続されている。また、信号経路３１Ｈおよび３１Ｌの受信経路（Ｒｘ）は、それぞれ、受信端子６１２Ｈおよび６１２Ｌを介して、ローノイズアンプなどの受信処理回路（図示せず）に接続されている。
【００３６】
ここで、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１は、通信品質の向上を目的として、異なる周波数帯域を同時に使用する、いわゆるキャリアアグリゲーション方式（ＣＡ）が採用される。つまり、高周波数帯域群に属する周波数帯域のうち選択された第２周波数帯域と、低周波数帯域群に属する周波数帯域のうち選択された第１周波数帯域とを同時に搬送波として用いて通信を行う。より具体的には、本実施の形態では、高周波数帯域群に属するＢａｎｄ３と低周波数帯域群に属するＢａｎｄ８とを同時使用する。
【００３７】
ダイプレクサ１１は、アンテナ素子２から入力された無線信号を、低周波数帯域群（ローバンド部１０Ｌ：例えば、７００ＭＨｚ−１ＧＨｚ）または高周波数帯域群（ハイバンド部１０Ｈ：例えば、１．７ＧＨｚ−２．２ＧＨｚ）に分岐してアンテナスイッチモジュール２１へ出力する。また、ダイプレクサ１１は、アンテナスイッチモジュール２１を介して各信号経路から入力された送信信号を、アンテナ素子２へ出力する。
【００３８】
アンテナスイッチモジュール２１は、アンテナ素子２と上記複数の信号経路のうちの少なくとも２つの信号経路とを接続させることにより、アンテナ素子２と複数の信号経路との接続を切り替える。より具体的には、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波スイッチ２１Ｈおよび２１Ｌを備える。高周波スイッチ２１Ｈは、ダイプレクサ１１に接続された高周波側入力端子１２１Ｈと、ハイバンド部１０Ｈの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。高周波側入力端子１２１Ｈは、Ｂａｎｄ３の信号経路３１Ｈを含むハイバンド部１０Ｈの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。一方、高周波スイッチ２１Ｌは、ダイプレクサ１１に接続された低周波側入力端子１２１Ｌと、ローバンド部１０Ｌの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。低周波側入力端子１２１Ｌは、Ｂａｎｄ８の信号経路３１Ｌを含むローバンド部１０Ｌの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。つまり、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波数帯域群および低周波数帯域群に対応して、２つの１入力多出力型の高周波スイッチを有しており、ハイバンド部１０ＨのＢａｎｄ３の信号経路３１Ｈとローバンド部１０ＬのＢａｎｄ８の信号経路３１Ｌとを同時接続することが可能である。
【００３９】
第１回路５１Ｌは、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）に接続されている。また、第２回路５１Ｈは、Ｂａｎｄ３（第２周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）に接続されている。ここで、第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとは、電磁界結合している。
【００４０】
第１回路５１Ｌは、例えば、インダクタ１５１Ｌ（第１インダクタンス素子）を有する。インダクタ１５１Ｌの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｌおよび接地端子に接続されている。
【００４１】
第２回路５１Ｈは、例えば、インダクタ１５１Ｈ（第２インダクタンス素子）を有する。インダクタ１５１Ｈの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｈおよび接地端子に接続されている。
【００４２】
ここで、本実施の形態において、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の送信信号（送信帯域：８８０−９１５ＭＨｚ）の２次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ３（第２周波数帯域）の受信帯域（１８０５−１８８０ＭＨｚ）に含まれる。つまり、第１周波数帯域の送信信号の高調波の周波数は、第２周波数帯域に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｌを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびダイプレクサ１１を経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する（経路Ａ）可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ８とＢａｎｄ３とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ３の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【００４３】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１は、信号経路３１Ｌおよび３１Ｈに、互いに電磁界結合する第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈが接続されている。
【００４４】
ここで、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈは、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈを経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｂ）Ｂａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ）上記２次高調波成分を相殺する機能を有している。より具体的には、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置される。
【００４５】
上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【００４６】
［１．２  回路部品の配置レイアウト］
図２は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１の実装レイアウトを表す平面概略図である。同図に示すように、フロントエンドモジュール１は、モジュール基板１００の実装面上に、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌと、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌとが実装されている。なお、実装された上記回路部品同士を接続する配線については、表示を省略している。
【００４７】
モジュール基板１００は、多層基板または単層基板のいずれであってもよく、材料としては、セラミックまたは樹脂が用いられる。
【００４８】
アンテナスイッチモジュール２１は、それぞれ１チップで構成された高周波スイッチ２１Ｈおよび２１Ｌが、１パッケージ化された回路部品である。
【００４９】
ダイプレクサ１１、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌは、それぞれ、パッケージ化された回路部品である。なお、高周波スイッチ２１Ｈおよび２１Ｌ、ダイプレクサ１１、ならびに、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌは、それぞれ、パッケージ化されていないダイであって、例えば、キャビティー構造を有するモジュール基板１００に直接実装される形態であってもよい。
【００５０】
インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌは、それぞれ、チップ状のインダクタンス素子である。
【００５１】
なお、本実施の形態では、上記回路部品は同一実装面上に配置されているが、背向する表面および裏面に分散して配置されていてもよい。また、上記回路部品は、１枚のモジュール基板１００に配置されていなくてもよく、複数の基板に分散して配置されてもよい。
【００５２】
図２に示されたフロントエンドモジュール１の実装レイアウトは、図１に示された回路構成図における回路部品の接続関係を反映している。つまり、図２に示された実装レイアウトは、原則として、各回路部品間を接続する配線が最小となるようなレイアウトとなっている。ここで、チップ状のインダクタ１５１Ｈとインダクタ１５１Ｌとの電磁界結合度は、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌの間隔ＧＬに強く依存する。
【００５３】
［１．３  実施の形態に係るフロントエンドモジュールのアイソレーション特性］
図３は、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１のアイソレーション特性を表すグラフである。より具体的には、図３には、間隔ＧＬを変化させた場合の、Ｂａｎｄ８送信経路（Ｔｘ）−Ｂａｎｄ３受信経路（Ｒｘ）間のアイソレーション（Ｓ２１）を表している。なお、この場合、インダクタ１５１Ｈのインダクタンス値を３．０ｎＨとし、インダクタ１５１Ｌのインダクタンス値を７．５ｎＨとしている。
【００５４】
図３のグラフに示すように、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌが配置されていない場合（図中、インダクタなしと表記）と比較して、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌが配置された場合（図中、ＧＬ＝２５０μｍ、２００μｍ、１５０μｍと表記）の方が、Ｂａｎｄ３の受信帯域（１８０５−１８８０ＭＨｚ）において、アイソレーション（Ｓ２１）が改善されている。
【００５５】
また、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌが配置された場合において、間隔ＧＬが小さい方が、アイソレーション（Ｓ２１）がより改善される。これは、上記インダクタンス値が選択されたインダクタ１５１Ｈ（３．０ｎＨ）およびインダクタ１５１Ｌ（７．５ｎＨ）の組み合わせにおいて、間隔ＧＬが小さいほど、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌの電磁界結合度が強くなるためと解される。言い換えると、図１の経路Ａを通過するＢａｎｄ８の送信波の２倍高調波成分と、図１の経路Ｂを通過するＢａｎｄ８の送信波の２倍高調波成分との振幅が揃い、かつ、位相が反転関係となる方向へ進行することによるものと解される。
【００５６】
図３のグラフにおいて、間隔ＧＬを１５０μｍとした場合には、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌが配置されていない場合と比較して、Ｂａｎｄ３の受信帯域（１８０５−１８８０ＭＨｚ）において１５ｄＢ−３０ｄＢ程度のアイソレーションの改善が達成されている。
【００５７】
［１．４  比較例に係るフロントエンドモジュールのアイソレーション特性］
図４は、比較例に係るフロントエンドモジュールのアイソレーション特性を表すグラフである。より具体的には、同じ周波数帯域（Ｂａｎｄ５）内の送信経路（Ｔｘ）と受信経路（Ｒｘ）との間のアイソレーション（Ｓ２１）を表している。なお、本比較例では、Ｂａｎｄ５の送信経路（Ｔｘ）に送信帯域通過フィルタが配置され、同じくＢａｎｄ５の受信経路（Ｒｘ）に受信帯域通過フィルタが配置された構成において、送信帯域通過フィルタ内に設けられたインダクタと、Ｂａｎｄ５の送信経路と受信経路とが合流した経路（送信帯域通過フィルタおよび受信帯域通過フィルタのアンテナ側の経路）上にシャント接続されたインダクタとが電磁界結合している。
【００５８】
上記構成により、図４のグラフに示すように、同一周波数帯域内において電磁界結合している場合（図中、アイソレーション対策ありと表記）には、上記電磁界結合していない場合（図中、アイソレーション対策なしと表記）と比較して、Ｂａｎｄ５の受信帯域（８６９−８９４ＭＨｚ）において７ｄＢ程度のアイソレーションの改善が達成されている。
【００５９】
これは、上記電磁界結合を経由して送信経路（Ｔｘ）から受信経路（Ｒｘ）へ伝搬するＢａｎｄ５の送信信号が、上記電磁界結合を経由せずに送信経路（Ｔｘ）から受信経路（Ｒｘ）へ伝搬するＢａｎｄ５の送信信号を相殺する機能を有していることによるものと解される。
【００６０】
比較例１に係るフロントエンドモジュールの構成は、実施の形態に係るフロントエンドモジュール１の構成と比較して、以下の点で異なる。
（１）１つの周波数帯域（Ｂａｎｄ５）において同時送受信する点
（２）受信信号の周波数と受信経路に流入する送信信号の周波数とは、同じ周波数帯域（Ｂａｎｄ５）に属するが異なる点
【００６１】
本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１の構成によれば、ＣＡ動作する低周波数帯域群に属する送信波の高調波の周波数と、低周波数帯域群と異なる周波数帯域である高周波数帯域群に属する受信波の基本周波数とが略一致するにもかかわらず、比較例１によるアイソレーション特性（７ｄＢ）よりも優れたアイソレーション特性（１５−３０ｄＢ）を有することが可能となる。
【００６２】
本実施の形態では、ＣＡ動作する信号経路のそれぞれに接続された２つのインダクタの間隔を調整することにより、異なる周波数帯域の伝搬に用いられる信号経路間であっても高アイソレーション特性を実現することが可能となる。つまり、２つのインダクタの距離を調整することにより、異なる周波数帯域の伝搬に用いられる信号経路間であっても、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに２つのインダクタ間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。
【００６３】
なお、チップ状のインダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌの間に、樹脂などを充填してもよい。これによっても、電磁界結合度をさらに調整することが可能となる。
【００６４】
［１．５  変形例１に係る回路部品の配置レイアウト］
図５は、実施の形態１の変形例１に係るフロントエンドモジュール１Ａの実装レイアウトを表す平面概略図である。同図に示すように、フロントエンドモジュール１Ａは、モジュール基板１００の実装面上に、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌと、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌとが実装されている。なお、実装された上記回路部品同士を接続する配線については、表示を省略している。
【００６５】
本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ａの配置レイアウトは、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１の配置レイアウトと比較して、２つのインダクタの一方が、モジュール基板１００に内蔵されたインダクタ素子である点のみが異なる。以下、本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ａについて、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
【００６６】
インダクタ１５１Ｈは、モジュール基板１００に内蔵された第２インダクタンス素子であり、例えば、モジュール基板１００内に積層されたコイルパターンにより構成されている。
【００６７】
インダクタ１５１Ｌは、モジュール基板１００上に実装されたチップ状の第１インダクタンス素子である。
【００６８】
これにより、第２回路を構成するインダクタ１５１Ｈがモジュール基板１００内に内蔵されるので、モジュール基板１００上の回路部品の実装点数を低減でき、他の回路部品の配置レイアウトの自由度が向上する。
【００６９】
ここで、チップ状のインダクタ１５１Ｈとインダクタ１５１Ｌとの電磁界結合度は、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌの距離に強く依存するが、インダクタ１５１Ｌとインダクタ１５１Ｈとを、モジュール基板１００の法線方向に近接配置できるので、電磁界結合度を高めることが可能となる。
【００７０】
なお、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌの形態は、逆であってもよい。つまり、インダクタ１５１Ｈがモジュール基板１００上に実装されたチップ状の第２インダクタンス素子であって、インダクタ１５１Ｌがモジュール基板１００に内蔵された第１インダクタンス素子であってもよい。
【００７１】
ただし、一般的に、基板内蔵型のインダクタンス素子に比べて、チップ状のインダクタンス素子の方が大きなインダクタンス値を確保できる。この観点からインダクタンス素子により構成される第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈの複素インピーダンス（ｊωＬ）の整合を考慮した場合、低周波数帯域群に属する信号経路に接続されるインダクタ１５１Ｌを、相対的に大きなインダクタンス値を確保できるチップ状のインダクタンス素子で構成し、高周波数帯域群に属する信号経路に接続されるインダクタ１５１Ｈを、相対的に小さなインダクタンス値を確保できる基板内蔵型のインダクタンス素子で構成することが好ましい。つまり、インピーダンス整合をとるにあたり、周波数帯域に応じてチップ状のインダクタンス素子および基板内蔵型のインダクタンス素子を使い分けることが可能となる。
【００７２】
［１．６  変形例２に係る回路部品の配置レイアウト］
図６は、実施の形態１の変形例２に係るフロントエンドモジュール１Ｂの実装レイアウトを表す平面概略図である。同図に示すように、フロントエンドモジュール１Ｂは、モジュール基板１００の実装面上に、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌと、インダクタ１５１Ｈおよび１５１Ｌとが実装されている。なお、実装された上記回路部品同士を接続する配線については、表示を省略している。
【００７３】
本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ｂの配置レイアウトは、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１の配置レイアウトと比較して、２つのインダクタの双方が、モジュール基板１００に内蔵されたインダクタ素子である点のみが異なる。以下、本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ｂについて、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
【００７４】
インダクタ１５１Ｈは、モジュール基板１００に内蔵された第２インダクタンス素子であり、例えば、モジュール基板１００内に積層されたコイルパターンにより構成されている。
【００７５】
インダクタ１５１Ｌは、モジュール基板１００に内蔵された第１インダクタンス素子であり、例えば、モジュール基板１００内に積層されたコイルパターンにより構成されている。
【００７６】
これにより、第１回路および第２回路を構成するインダクタ素子の双方がモジュール基板１００内に内蔵されるので、モジュール基板１００上の回路部品の実装点数を低減でき、他の回路部品の配置レイアウトの自由度が向上する。
【００７７】
（実施の形態２）
［２．１  フロントエンドモジュールの構成］
図７は、実施の形態２に係るフロントエンドモジュール１Ｃの回路構成図である。同図には、実施の形態２に係るフロントエンドモジュール１Ｃと、アンテナ素子２とが示されている。本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｃは、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１と比較して、第１回路５１Ｌの回路構成のみが構成として異なる。以下、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｃについて、実施の形態１に係るフロントエンドモジュール１と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
【００７８】
第１回路５１Ｌは、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）に接続されている。また、第２回路５１Ｈは、Ｂａｎｄ３（第２周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）に接続されている。ここで、第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとは、電磁界結合している。
【００７９】
第１回路５１Ｌは、マイクロストリップ線路に例示される配線１８１Ｌを有する。配線１８１Ｌは、信号経路３１Ｌの一部として挿入されている。
【００８０】
第２回路５１Ｈは、例えば、インダクタ１５１Ｈ（インダクタンス素子）を有する。インダクタ１５１Ｈの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｈおよび接地端子に接続されている。
【００８１】
配線１８１Ｌとインダクタ１５１Ｈとは電磁界結合している。
【００８２】
なお、インダクタ１７１Ｌは、インピーダンス整合用のインダクタンス素子であり、本発明に必須の構成要素ではない。
【００８３】
本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｃは、信号経路３１Ｌおよび３１Ｈに、互いに電磁界結合する第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈが接続されている。
【００８４】
ここで、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈは、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈを経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｃ）Ｂａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ）上記２次高調波成分を相殺する機能を有している。より具体的には、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｃを伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるように配線１８１Ｌおよびインダクタ１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｃを伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転となる方向へ進行するよう配線１８１Ｌおよびインダクタ１５１Ｈの位置が最適化される。
【００８５】
上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【００８６】
なお、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈの回路構成は、逆であってもよい。つまり、第１回路５１Ｌがインダクタ素子を有し、第２回路５１Ｈが配線を有してもよい。
【００８７】
また、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈの双方が、互いに電磁界結合する配線を有していてもよい。
【００８８】
［２．２  回路部品の配置レイアウト］
図８、実施の形態２に係るフロントエンドモジュール１Ｃの実装レイアウトを表す平面概略図である。同図に示すように、フロントエンドモジュール１Ｃは、モジュール基板１００の実装面上に、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、デュプレクサ４１Ｈおよび４１Ｌと、インダクタ１５１Ｈおよび１７１Ｌと、配線１８１Ｌとが実装されている。なお、実装された上記回路部品同士を接続する配線については、表示を省略している。
【００８９】
インダクタ１５１Ｈは、モジュール基板１００に内蔵された第２インダクタンス素子であり、例えば、モジュール基板１００内に積層されたコイルパターンにより構成されている。
【００９０】
配線１８１Ｌは、モジュール基板１００に形成された高周波伝送線路であり、例えば、モジュール基板１００上に形成されたマイクロストリップ線路により構成されている。
【００９１】
インダクタ１７１Ｌは、モジュール基板１００上に実装されたチップ状のインピーダンス整合用のインダクタンス素子である。
【００９２】
ここで、インダクタ１５１Ｈと配線１８１Ｌとの電磁界結合度は、インダクタ１５１Ｈと配線１８１Ｌとの配置関係に強く依存する。
【００９３】
これにより、配線１８１Ｌとインダクタ１５１Ｈとの電磁界結合により、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈを経由してＢａｎｄ８の信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬するＢａｎｄ８の２次高調波成分を生成することが可能となる。
【００９４】
よって、上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。また、配線１８１Ｌとインダクタ１５１Ｈとの電磁界結合箇所を調整することで、電磁界結合する信号の振幅および位相を変化させることが可能となる。つまり、経路Ｂを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分を打ち消しあうことが可能となる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【００９５】
なお、インダクタ１５１Ｈは、チップ状のインダクタンス素子であってもよい。
【００９６】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１および２で挙げた、ＣＡ動作する第１の周波数帯域および第２の周波数帯域のアイソレーション特性を向上させる構成に、上記２つの周波数帯域とはＣＡ動作しない第３の周波数帯域内でのアイソレーション特性を向上させる構成が付加されたフロントエンドモジュール１Ｄについて説明する。
【００９７】
図９は、実施の形態３に係るフロントエンドモジュール１Ｄの回路構成図である。同図には、実施の形態３に係るフロントエンドモジュール１Ｄと、アンテナ素子２とが示されている。フロントエンドモジュール１Ｄおよびアンテナ素子２は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンドに配置される。
【００９８】
フロントエンドモジュール１Ｄは、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３（第２の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（第１の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）と、ハイバンド部１０Ｈに属する周波数帯域（第３の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３２Ｈ（第３信号経路）と、インダクタ１５１Ｌ、１５１Ｈ、１７２Ｈ、１７３Ｈおよび１７４Ｈと、デュプレクサ４１Ｌ、４１Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈとを有している。また、信号経路３２Ｈは、分岐ノードにおいて第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる信号経路３２１Ｈ（第４信号経路）と３２２Ｈ（第５信号経路）とに分岐されている。
【００９９】
アンテナスイッチモジュール２１は、高周波スイッチ２１Ｈおよび２１Ｌを備える。高周波スイッチ２１Ｈは、ダイプレクサ１１に接続された高周波側入力端子と、ハイバンド部１０Ｈの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。高周波側入力端子は、Ｂａｎｄ３の信号経路３１Ｈおよび信号経路３２Ｈを含むハイバンド部１０Ｈの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。一方、高周波スイッチ２１Ｌは、ダイプレクサ１１に接続された低周波側入力端子と、ローバンド部１０Ｌの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。低周波側入力端子は、Ｂａｎｄ８の信号経路３１Ｌを含むローバンド部１０Ｌの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。つまり、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波数帯域群および低周波数帯域群に対応して、２つの１入力多出力型の高周波スイッチを構成しており、ハイバンド部１０ＨのＢａｎｄ３の信号経路３１Ｈまたは３２Ｈとローバンド部１０ＬのＢａｎｄ８の信号経路３１Ｌとを同時接続する。
【０１００】
インダクタ１５１Ｌは、第１回路を構成し、信号経路３１Ｌに並列接続されている。インダクタ１５１Ｈは、第２回路を構成し、信号経路３１Ｈに並列接続されている。インダクタ１７２Ｈは、第３回路を構成し、信号経路３２Ｈに並列接続されている。インダクタ１７３Ｈは、第４回路を構成し、信号経路３２１Ｈに直列接続されている。インダクタ１７４Ｈは、第５回路を構成し、信号経路３２２Ｈに直列接続されている。
【０１０１】
デュプレクサ４１Ｌは、送信端子６１１Ｌおよび受信端子６１２Ｌと信号経路３１Ｌとの間に配置されている。デュプレクサ４１Ｈは、送信端子６１１Ｈおよび受信端子６１２Ｈと信号経路３１Ｈとの間に配置されている。デュプレクサ４２１Ｈは、送信端子６２１Ｈおよび受信端子６２２Ｈと信号経路３２１Ｈとの間に配置されている。デュプレクサ４２２Ｈは、送信端子６３１Ｈおよび受信端子６３２Ｈと信号経路３２２Ｈとの間に配置されている。なお、デュプレクサ４２１Ｈおよび４２２Ｈは、第３の周波数帯域におけるクワッドプレクサを構成している。
【０１０２】
ここで、第１回路と第２回路とは、電磁界結合している。
【０１０３】
本実施の形態において、Ｂａｎｄ８の２次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ３の受信帯域に含まれる。つまり、第１周波数帯域の送信信号の高調波の周波数は、第２周波数帯域に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｌを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびダイプレクサ１１を経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ８とＢａｎｄ３とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ３の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１０４】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｄは、信号経路３１Ｌおよび３１Ｈに、互いに電磁界結合する第１回路および第２回路が接続されている。
【０１０５】
これにより、第１回路および第２回路は、第１回路および第２回路を経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｂ）Ｂａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ）上記２次高調波成分を打ち消す機能を有している。より具体的には、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置される。
【０１０６】
上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１０７】
さらに、第３回路、第４回路、および第５回路のうちの２つの回路は電磁界結合している。
【０１０８】
ここで、信号経路３２１Ｈを伝搬する送信信号が、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由して信号経路３２２Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する可能性がある。この場合には、信号経路３２２Ｈを伝搬する受信信号の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１０９】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｄは、信号経路３２Ｈ、３２１Ｈおよび３２２Ｈに、それぞれ、第３回路、第４回路および第５回路が接続されている。
【０１１０】
これにより、第３回路、第４回路および第５回路のうち２つの回路の電磁界結合度を調整することにより、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由せずに信号経路３２１Ｈと信号経路３２２Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由せずに信号経路３２１Ｈから信号経路３２２Ｈへ伝搬する（経路Ｄ）送信信号成分が、上記接続点を経由して信号経路３２１Ｈから信号経路３２２Ｈへ伝搬する（経路Ｃ）送信信号成分を打ち消すことが可能となる。
【０１１１】
よって、ＣＡ動作する複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保できるとともに、同一の周波数帯域内での送受信信号のアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１１２】
なお、本実施の形態では、第３の周波数帯域はハイバンド部１０Ｈに属している例を挙げたが、第３の周波数帯域はローバンド部１０Ｌに属していてもよい。
【０１１３】
図１０は、実施の形態３の変形例に係るフロントエンドモジュール１Ｅの回路構成図である。
【０１１４】
本変形例では第１の周波数帯域および第２の周波数帯域とはＣＡ動作しない第３の周波数帯域内でのアイソレーション特性を向上させる構成が、実施の形態３に係るフロントエンドモジュール１Ｄと異なる。以下、本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ｅについて、実施の形態３に係るフロントエンドモジュール１Ｄと同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
【０１１５】
フロントエンドモジュール１Ｅは、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３（第２の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（第１の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）と、ハイバンド部１０Ｈに属する周波数帯域（第３の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３２Ｈ（第３信号経路）と、インダクタ１５１Ｌ、１５１Ｈ、１７２Ｈ、１７３Ｈ、１７４Ｈ、１７７Ｈおよび１７８Ｈと、デュプレクサ４１Ｌ、４１Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈとを有している。また、信号経路３２Ｈは、分岐ノードにおいて第３周波数帯域の信号の伝搬に用いられる信号経路３２１Ｈ（第４信号経路）と３２２Ｈ（第５信号経路）とに分岐されている。
【０１１６】
インダクタ１５１Ｌは、第１回路を構成し、信号経路３１Ｌに並列接続されている。インダクタ１５１Ｈは、第２回路を構成し、信号経路３１Ｈに並列接続されている。インダクタ１７２Ｈは、第３回路を構成し、信号経路３２Ｈに並列接続されている。インダクタ１７３Ｈは、第４回路を構成し、信号経路３２１Ｈの送信経路に直列接続されている。インダクタ１７４Ｈは、第５回路を構成し、信号経路３２２Ｈの受信経路に直列接続されている。さらに、インダクタ１７７Ｈは、第４回路を構成し、信号経路３２１Ｈの送受信経路に直列接続されている。インダクタ１７８Ｈは、第５回路を構成し、信号経路３２２Ｈの送受信経路に直列接続されている。
【０１１７】
ここで、第１回路と第２回路とは、電磁界結合している。
【０１１８】
上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１１９】
さらに、インダクタ１７７Ｈ（第４回路）とインダクタ１７４Ｈ（第５回路）とは電磁界結合している、および、インダクタ１７３Ｈ（第４回路）とインダクタ１７８Ｈ（第５回路）とは電磁界結合している、の少なくともいずれかが成立している。
【０１２０】
ここで、信号経路３２１Ｈを伝搬する送信信号が、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由して信号経路３２２Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する可能性がある。この場合には、信号経路３２２Ｈを伝搬する受信信号の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１２１】
しかしながら、本変形例に係るフロントエンドモジュール１Ｅは、信号経路３２１Ｈおよび３２２Ｈに、それぞれ、第４回路および第５回路が接続されている。
【０１２２】
これにより、第４回路および第５回路の電磁界結合度を調整することにより、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由せずに信号経路３２１Ｈと信号経路３２２Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、信号経路３２Ｈ、４２１Ｈおよび４２２Ｈの接続点（上記分岐点）を経由せずに信号経路３２１Ｈから信号経路３２２Ｈへ伝搬する（経路Ｄ）送信信号成分が、上記接続点を経由して信号経路３２１Ｈから信号経路３２２Ｈへ伝搬する（経路Ｃ）送信信号成分を打ち消すことが可能となる。
【０１２３】
よって、ＣＡ動作する複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保できるとともに、同一の周波数帯域内での送受信信号のアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１２４】
なお、本変形例では、第３の周波数帯域はハイバンド部１０Ｈに属している例を挙げたが、第３の周波数帯域はローバンド部１０Ｌに属していてもよい。
【０１２５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態１および２で挙げた、ＣＡ動作する第１の周波数帯域および第２の周波数帯域に加え、さらに、第１の周波数帯域および第２の周波数帯域とＣＡ動作する第３の周波数帯域の間のアイソレーション特性を向上させる構成を有するフロントエンドモジュール１Ｆについて説明する。
【０１２６】
図１１は、実施の形態４に係るフロントエンドモジュール１Ｆの回路構成図である。同図には、実施の形態４に係るフロントエンドモジュール１Ｆと、アンテナ素子２とが示されている。フロントエンドモジュール１Ｆおよびアンテナ素子２は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンドに配置される。
【０１２７】
フロントエンドモジュール１Ｆは、ダイプレクサ１１と、アンテナスイッチモジュール２１と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３（第２の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（第１の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）と、ハイバンド部１０Ｈに属する周波数帯域（第３の周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３３Ｈ（第３信号経路）と、インダクタ１５１Ｌ、１５１Ｈ、１７５Ｈおよび１７６Ｈと、デュプレクサ４１Ｌ、４１Ｈおよび４２Ｈとを有している。
【０１２８】
アンテナスイッチモジュール２１は、高周波スイッチ２１Ｌおよび２２Ｈを備える。高周波スイッチ２２Ｈは、いわゆるダイレクトマッピング対応のスイッチであり、ダイプレクサ１１に接続された高周波側入力端子と、ハイバンド部１０Ｈの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。高周波側入力端子は、Ｂａｎｄ３の信号経路３１Ｈおよび信号経路３３Ｈを含むハイバンド部１０Ｈの信号経路のうちの２つと接続される。一方、高周波スイッチ２１Ｌは、ダイプレクサ１１に接続された低周波側入力端子と、ローバンド部１０Ｌの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。低周波側入力端子は、Ｂａｎｄ８の信号経路３１Ｌを含むローバンド部１０Ｌの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。つまり、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波数帯域群に対応した２パスオン型の高周波スイッチ２２Ｈと、低周波数帯域群に対応した１パスオン型の高周波スイッチ２１Ｌとで構成されている。この構成により、ハイバンド部１０ＨのＢａｎｄ３の信号経路３１Ｈと、ハイバンド部１０Ｈの信号経路３３Ｈと、ローバンド部１０ＬのＢａｎｄ８の信号経路３１Ｌとを同時接続する。
【０１２９】
インダクタ１５１Ｌは、第１回路を構成し、信号経路３１Ｌに並列接続されている。インダクタ１５１Ｈは、第２回路を構成し、信号経路３１Ｈに並列接続されている。インダクタ１７６Ｈは、第３回路を構成し、信号経路３３Ｈの送信信号経路に直列接続されている。インダクタ１７５Ｈは、第４回路を構成し、信号経路３１Ｈと第２回路との接続点よりも下り方向の受信信号経路に直列接続されている。
【０１３０】
デュプレクサ４１Ｌは、送信端子６１１Ｌおよび受信端子６１２Ｌと信号経路３１Ｌとの間に配置されている。デュプレクサ４１Ｈは、送信端子６１１Ｈおよび受信端子６１２Ｈと信号経路３１Ｈとの間に配置されている。デュプレクサ４２Ｈは、送信端子６４１Ｈおよび受信端子６４２Ｈと信号経路３３Ｈとの間に配置されている。
【０１３１】
ここで、第１回路と第２回路とは、電磁界結合している。
【０１３２】
本実施の形態において、Ｂａｎｄ８の２次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ３の受信帯域に含まれる。つまり、第１周波数帯域の送信信号の高調波の周波数は、第２周波数帯域に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｌを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびダイプレクサ１１を経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ８とＢａｎｄ３とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ３の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１３３】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｆは、信号経路３１Ｌおよび３１Ｈに、互いに電磁界結合する第１回路および第２回路が接続されている。
【０１３４】
これにより、第１回路および第２回路は、第１回路および第２回路を経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｂ）Ｂａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ）上記２次高調波成分を打ち消す機能を有している。より具体的には、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａを伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂを伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置される。
【０１３５】
上記のように第１回路５１Ｌと第２回路５１Ｈとの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌと信号経路３１Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１３６】
さらに、第２回路、第３回路、および第４回路のうちの２つの回路は電磁界結合している。
【０１３７】
ここで、信号経路３３Ｈを伝搬する送信信号または高調波成分が、高周波スイッチ２２Ｈを経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する可能性がある。この場合には、信号経路３１Ｈを伝搬する受信信号の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１３８】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｆは、信号経路３１Ｈおよび３３Ｈに、第２回路、第３回路および第４回路が接続されている。
【０１３９】
これにより、第２回路、第３回路および第４回路のうち２つの回路の電磁界結合度を調整することにより、高周波スイッチ２２Ｈを経由せずに信号経路３１Ｈと信号経路３３Ｈとの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、高周波スイッチ２２Ｈを経由せずに信号経路３３Ｈから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｄ）送信信号または高調波成分が、高周波スイッチ２２Ｈを経由して信号経路３３Ｈから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｃ）送信信号または高調波成分を打ち消すことが可能となる。
【０１４０】
これにより、ＣＡ動作する第１信号経路から第２信号経路へ伝搬するノイズ成分を抑制するだけでなく、ＣＡ動作する第３信号経路から第２信号経路へ伝搬するノイズ成分を抑制することが可能となる。
【０１４１】
よって、ダイレクトマッピング対応のスイッチを有するシステムにおいて、ＣＡ動作する複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保できる。
【０１４２】
なお、本実施の形態では、第３の周波数帯域はハイバンド部１０Ｈに属している例を挙げたが、第３の周波数帯域はローバンド部１０Ｌに属していてもよい。
【０１４３】
（実施の形態５）
実施の形態１〜４では、低周波数帯域群（ローバンド部）および高周波数帯域群（ハイバンド群）の２周波数帯域群でＣＡ動作が可能なフロントエンドモジュールを説明したが、本実施の形態では、低周波数帯域群（ローバンド部）、高周波数帯域群（ハイバンド群）、および中周波数帯域群（ミドルバンド群）の３周波数帯域群でＣＡ動作が可能なフロントエンドモジュールを説明する。
【０１４４】
図１２は、実施の形態５に係るフロントエンドモジュール１Ｇの回路構成図である。同図には、実施の形態５に係るフロントエンドモジュール１Ｇと、アンテナ素子２とが示されている。フロントエンドモジュール１Ｇおよびアンテナ素子２は、例えば、マルチモード／マルチバンド対応の携帯電話のフロントエンドに配置される。
【０１４５】
フロントエンドモジュール１Ｇは、トリプレクサ１２と、アンテナスイッチモジュール２１と、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ３（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚ、受信帯域：１８０５−１８８０ＭＨｚ）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｍと、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ８（送信帯域：８８０−９１５ＭＨｚ、受信帯域：９２５−９６０ＭＨｚ）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌと、ＬＴＥ規格のＢａｎｄ４２（送受信帯域：３４００−３６００ＭＨｚ）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈと、第１回路５１Ｌと、第２回路５１Ｈと、第６回路５１Ｍと、デュプレクサ４１Ｈ、４１Ｌおよび４１Ｍとを有している。
【０１４６】
フロントエンドモジュール１Ｇは、マルチモード／マルチバンドに対応すべく、複数の周波数帯域により無線信号を送受信するための信号経路が複数設けられた、マルチキャリア用送受信装置である。本実施の形態では、複数の周波数帯域として、３Ｇ／４Ｇ対応のＬＴＥ規格Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ８およびＢａｎｄ４２が設けられている。Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ８およびＢａｎｄ４２を搬送波とする信号は、周波数分割複信（ＦＤＤ）方式により、それぞれ信号経路３１Ｈおよび３１Ｌを伝搬する。
【０１４７】
なお、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｇは、Ｂａｎｄ３、Ｂａｎｄ８およびＢａｎｄ４２だけでなく、その他の周波数帯域の信号を伝搬する信号経路を有していてもよく、また、ＦＤＤ方式だけでなく、ＴＤＤ方式に適用される周波数帯域の信号を伝搬する信号経路を有していてもよい。
【０１４８】
信号経路３１Ｈ、３１Ｌおよび３１Ｍは、ＦＤＤ方式により信号処理されるため、信号経路３１Ｈ、３１Ｌおよび３１Ｍ上には、それぞれ、同時送受信を可能とするためのデュプレクサ４１Ｈ、４１Ｌおよび４１Ｍが配置されている。なお、ＴＤＤ方式により信号処理される信号経路の場合には、デュプレクサは配置されない場合がある。
【０１４９】
信号経路３１Ｈ、３１Ｌおよび３１Ｍの送信経路（Ｔｘ）は、それぞれ、送信端子６１１Ｈ、６１１Ｌおよび６１１Ｍを介して、送信波を予め増幅する送信処理回路（図示せず）と接続されている。また、信号経路３１Ｈ、３１Ｌおよび３１Ｍの受信経路（Ｒｘ）は、それぞれ、受信端子６１２Ｈ、６１２Ｌおよび６１２Ｍを介して、ローノイズアンプなどの受信処理回路（図示せず）に接続されている。
【０１５０】
ここで、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｇは、通信品質の向上を目的として、異なる周波数帯域を同時に使用する、いわゆるキャリアアグリゲーション方式（ＣＡ）が採用される。つまり、高周波数帯域群（ハイバンド部）に属する周波数帯域のうち選択された第２周波数帯域と、低周波数帯域群（ローバンド部）に属する周波数帯域のうち選択された第１周波数帯域と、中周波数帯域群（ミドルバンド部）に属する周波数帯域のうち選択された周波数帯域とを同時に搬送波として用いて通信を行う。より具体的には、本実施の形態では、高周波数帯域群に属するＢａｎｄ４２と低周波数帯域群に属するＢａｎｄ８と中周波数帯域群に属するＢａｎｄ３とを同時使用する。
【０１５１】
トリプレクサ１１は、アンテナ素子２から入力された無線信号を、低周波数帯域群（ローバンド部１０Ｌ：例えば、７００ＭＨｚ−１ＧＨｚなど）、中周波数帯域群（ミドルバンド部１０Ｍ：例えば、１ＧＨｚ−３ＧＨｚ、１．５ＧＨｚ−２．２ＧＨｚ、または１．５ＧＨｚ−２．７ＧＨｚなど）または高周波数帯域群（ハイバンド部１０Ｈ：例えば、２．３ＧＨｚ−、または３ＧＨｚ−など）に分岐してアンテナスイッチモジュール２１へ出力する。また、トリプレクサ１２は、アンテナスイッチモジュール２１を介して各信号経路から入力された送信信号を、アンテナ素子２へ出力する。
【０１５２】
アンテナスイッチモジュール２１は、アンテナ素子２と上記複数の信号経路のうちの少なくとも２つの信号経路とを接続させることにより、アンテナ素子２と複数の信号経路との接続を切り替える。より具体的には、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波スイッチ２１Ｈ、２１Ｌおよび２１Ｍを備える。高周波スイッチ２１Ｈは、トリプレクサ１２に接続された高周波側入力端子１２１Ｈと、ハイバンド部１０Ｈの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。高周波側入力端子１２１Ｈは、Ｂａｎｄ４２の信号経路３１Ｈを含むハイバンド部１０Ｈの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。また、高周波スイッチ２１Ｌは、トリダイプレクサ１２に接続された低周波側入力端子１２１Ｌと、ローバンド部１０Ｌの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。低周波側入力端子１２１Ｌは、Ｂａｎｄ８の信号経路３１Ｌを含むローバンド部１０Ｌの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。また、高周波スイッチ２１Ｍは、トリダイプレクサ１２に接続された中周波側入力端子１２１Ｍと、ミドルバンド部１０Ｍの複数の信号経路のそれぞれに接続された複数の出力端子とを備える。中周波側入力端子１２１Ｍは、Ｂａｎｄ３の信号経路３１Ｍを含むミドルバンド部１０Ｍの信号経路のうちの１つと排他的に接続される。
【０１５３】
つまり、アンテナスイッチモジュール２１は、高周波数帯域群、低周波数帯域群および中周波数帯域群に対応して、３つの１入力多出力型の高周波スイッチを有しており、ハイバンド部１０ＨのＢａｎｄ４２の信号経路３１Ｈとローバンド部１０ＬのＢａｎｄ８の信号経路３１Ｌとミドルバンド部１０ＭのＢａｎｄ３の信号経路３１Ｍとを同時接続することが可能である。
【０１５４】
第１回路５１Ｌは、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｌ（第１信号経路）に接続されている。また、第２回路５１Ｈは、Ｂａｎｄ４２（第２周波数帯域）の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｈ（第２信号経路）に接続されている。また、第６回路５１Ｍは、Ｂａｎｄ３の信号の伝搬に用いられる信号経路３１Ｍに接続されている。ここで、第１回路５１Ｌ、第２回路５１Ｈおよび第６回路のうち、少なくとも２つは、電磁界結合している。
【０１５５】
第１回路５１Ｌは、例えば、インダクタ１５１Ｌ（第１インダクタンス素子）を有する。インダクタ１５１Ｌの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｌおよび接地端子に接続されている。
【０１５６】
第２回路５１Ｈは、例えば、インダクタ１５１Ｈ（第２インダクタンス素子）を有する。インダクタ１５１Ｈの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｈおよび接地端子に接続されている。
【０１５７】
第６回路５１Ｍは、例えば、インダクタ１５１Ｍを有する。インダクタ１５１Ｍの両端子は、それぞれ、信号経路３１Ｍおよび接地端子に接続されている。
【０１５８】
ここで、本実施の形態において、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の送信信号（送信帯域：８８０−９１５ＭＨｚ）の２次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ３（第２周波数帯域）の受信帯域（１８０５−１８８０ＭＨｚ）に含まれる。つまり、第１周波数帯域の送信信号の高調波の周波数は、第２周波数帯域に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｌを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびトリプレクサ１２を経由して信号経路３１Ｍの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する（経路Ａ２）可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ８とＢａｎｄ３とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ３の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１５９】
また、Ｂａｎｄ８（第１周波数帯域）の送信信号（送信帯域：８８０−９１５ＭＨｚ）の４次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ４２の受信帯域（３４００−３６００ＭＨｚ）に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｌを伝搬するＢａｎｄ８の送信信号の４次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびトリプレクサ１２を経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する（経路Ａ１）可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ８とＢａｎｄ４２とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ４２の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１６０】
また、Ｂａｎｄ３の送信信号（送信帯域：１７１０−１７８５ＭＨｚＭＨｚ）の２次高調波成分の周波数は、Ｂａｎｄ４２の受信帯域（３４００−３６００ＭＨｚ）に含まれる。この周波数関係により、送信処理回路から信号経路３１Ｍを伝搬するＢａｎｄ３の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュールおよびトリプレクサ１２を経由して信号経路３１Ｈの受信経路（Ｒｘ）へと伝搬する（経路Ａ３）可能性がある。この場合には、Ｂｎａｄ３とＢａｎｄ４２とがＣＡ動作している状態において、Ｂａｎｄ４２の受信感度が劣化してしまう可能性がある。
【０１６１】
しかしながら、本実施の形態に係るフロントエンドモジュール１Ｇは、信号経路３１Ｌ、３１Ｈおよび３１Ｍに、互いに電磁界結合する第１回路５１Ｌ、第２回路５１Ｈおよび第６回路５１Ｍが接続されている。
【０１６２】
ここで、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈは、第１回路５１Ｌおよび第２回路５１Ｈを経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｂ１）Ｂａｎｄ８の送信信号の４次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ１）上記４次高調波成分を相殺する機能を有している。より具体的には、経路Ａ１を伝搬する上記４次高調波成分と経路Ｂ１を伝搬する上記４次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａ１を伝搬する上記４次高調波成分と経路Ｂ１を伝搬する上記４次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｈが配置される。
【０１６３】
また、第１回路５１Ｌおよび第６回路５１Ｍは、第１回路５１Ｌおよび第６回路５１Ｍを経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｍへ伝搬する（経路Ｂ２）Ｂａｎｄ８の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｌから信号経路３１Ｍへ伝搬する（経路Ａ２）上記２次高調波成分を相殺する機能を有している。より具体的には、経路Ａ２を伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂ２を伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｍが配置されている。より好ましくは、経路Ａ２を伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂ２を伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｌおよび１５１Ｍが配置される。
【０１６４】
また、第６回路５１Ｍおよび第２回路５１Ｈは、第６回路５１Ｍおよび第２回路５１Ｈを経由して（アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに）信号経路３１Ｍから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ｂ３）Ｂａｎｄ３の送信信号の２次高調波成分が、アンテナスイッチモジュール２１を経由して信号経路３１Ｍから信号経路３１Ｈへ伝搬する（経路Ａ３）上記２次高調波成分を相殺する機能を有している。より具体的には、経路Ａ３を伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂ３を伝搬する上記２次高調波成分との信号位相がずれるようにインダクタ１５１Ｍおよび１５１Ｈが配置されている。より好ましくは、経路Ａ３を伝搬する上記２次高調波成分と経路Ｂ３を伝搬する上記２次高調波成分との信号振幅が等しく、かつ、位相反転する関係となるようインダクタ１５１Ｍおよび１５１Ｈが配置される。
【０１６５】
上記のように第１回路５１Ｌ、第２回路５１Ｈおよび第６回路５１Ｍの電磁界結合度を調整することにより、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌ、信号経路３１Ｈおよび信号経路３１Ｍの間を伝搬する信号の振幅および位相を容易に調整できる。よって、ＣＡ方式において、複数の周波数帯域間での良好なアイソレーション特性を確保することが可能となる。
【０１６６】
（その他の実施の形態など）
以上、本発明の実施の形態に係るフロントエンドモジュールついて、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本発明のフロントエンドモジュールは、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示のフロントエンドモジュールを内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
【０１６７】
例えば、上記実施の形態１〜５およびその変形例では、高周波数帯域群に属する周波数帯域のうち選択された第２周波数帯域としてＢａｎｄ３を、また、低周波数帯域群に属する周波数帯域のうち選択された第１周波数帯域としてＢａｎｄ８を適用したが、本発明に係るフロントエンドモジュールでは、Ｂａｎｄ３およびＢａｎｄ８の組み合わせに限定されない。第１周波数帯域および第２周波数帯域に適用される各バンドは、第１周波数帯域の信号の高調波の周波数が第２周波数帯域に含まれる関係であれば、任意である。
【０１６８】
なお、実施の形態１〜５に係るフロントエンドモジュールは、さらに、信号経路３１Ｌ（第１信号経路）、信号経路３１Ｈ（第２信号経路）または信号経路３１Ｍに接続された、高周波信号の位相を調整することが可能な位相調整回路を備えても良い。この位相調整回路は、互いに電磁界結合する第１回路〜第６回路とは異なるものであり、他の回路と電磁界結合していなくてもよい。
【０１６９】
これにより、位相調整回路が第１回路、第２回路および第６回路が有する高周波信号の位相調整機能を補強するので、アンテナスイッチモジュール２１を経由せずに信号経路３１Ｌ、３１Ｈおよび３１Ｍの間を伝搬する信号の位相を、より高精度かつ広範囲に調整できる。
【０１７０】
また、上記実施の形態および変形例に係るフロントエンドモジュールにおいて、図面に開示された各回路素子および信号経路を接続する経路の間に別の高周波回路素子および配線などが挿入されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明は、キャリアアグリゲーション方式を採用するマルチバンド／マルチモード対応のフロントエンドモジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１７２】
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、１Ｇ    フロントエンドモジュール
２    アンテナ素子
１０Ｈ    ハイバンド部
１０Ｌ    ローバンド部
１０Ｍ    ミドルバンド部
１１    ダイプレクサ
１２    トリプレクサ
２１    アンテナスイッチモジュール
２１Ｈ、２１Ｌ、２１Ｍ、２２Ｈ    高周波スイッチ
３１Ｈ、３１Ｌ、３１Ｍ、３２Ｈ、３３Ｈ、３２１Ｈ、３２２Ｈ    信号経路
４１Ｈ、４１Ｌ、４１Ｍ、４２Ｈ、４２１Ｈ、４２２Ｈ    デュプレクサ
５１Ｈ    第２回路
５１Ｌ    第１回路
５１Ｍ    第６回路
１００    モジュール基板
１２１Ｈ    高周波側入力端子
１２１Ｌ    低周波側入力端子
１２１Ｍ    中周波側入力端子
１５１Ｈ、１５１Ｌ、１５１Ｍ、１７１Ｌ、１７２Ｈ、１７３Ｈ、１７４Ｈ、１７５Ｈ、１７６Ｈ、１７７Ｈ、１７８Ｈ    インダクタ
１８１Ｌ    配線
６１１Ｈ、６１１Ｌ、６１１Ｍ、６２１Ｈ、６３１Ｈ、６４１Ｈ    送信端子
６１２Ｈ、６１２Ｌ、６１２Ｍ、６２２Ｈ、６３２Ｈ、６４２Ｈ    受信端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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