【事件の表示】
　特許第５８２６４３５号発明「銅粉」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８２６４３５号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８２６４３５号（請求項の数５）に係る特許（以下、「本件特許」という。）についての出願（特願２０１５−５１５０６６号）は、２０１５年　１月２１日（優先権主張　２０１４年　２月１４日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２７年１０月２３日にその特許権の設定の登録がなされ、その後、本件特許に対し、平成２８年　５月３０日に特許異議申立人　藤江　桂子（以下、「申立人１」という。）より特許異議の申立てがなされ、同年　６月　２日に特許異議申立人　村野　親（以下、「申立人２」という。）より特許異議の申立てがなされ、同年１０月２１日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である同年１２月２２日に意見書が提出されたものである。
第２　本件発明
　特許第５８２６４３５号の請求項１〜５に係る発明（以下「本件発明１〜５」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍであり、且つ、当該Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）であり、且つ、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）であることを特徴とする銅粉。
　【請求項２】
　レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍであり、且つ、当該Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）であり、且つ、体積累積粒径Ｄ１０が０．０８μｍ〜０．３０μｍであることを特徴とする銅粉。
　【請求項３】
　レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍであり、且つ、当該Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）であり、且つ、前記Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）が１．０〜７．０であることを特徴とする銅粉。
　【請求項４】
　レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ９０が０．３５μｍ〜１２．０μｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の銅粉。
　【請求項５】
　銅粉を構成する銅粉粒子の５０個数％以上が球状若しくは略球状であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の銅粉。」
第３　申立理由の概要
（ア）
　申立人１は、以下の申立理由１−１〜１−６によって請求項１〜５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
申立理由１−１
　本件発明１は、甲第１−１号証〜甲第１−２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由１−２
　本件発明２は、甲第１−２号証〜甲第１−４号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由１−３
　本件発明３は、甲第１−２号証〜甲第１−４号証に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由１−４
　本件発明４は、甲第１−２号証〜甲第１−４号証に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由１−５
　本件発明５は、甲第１−１号証〜甲第１−２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
申立理由１−６
　本件発明５は、甲第１−２号証〜甲第１−４号証に記載された発明、及び周知技術に基づいて当業者が容易になし得た発明であるから、その特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものである。
［申立人１が提出した証拠方法］
甲第１−１号証：特開平１１−１５２５０６号公報
甲第１−２号証：特開２００１−８９８０３号公報
甲第１−３号証：特開２０１０−１８８８０号公報
甲第１−４号証：特開２００７−８４９０６号公報
甲第１−５号証：特開２００５−１５４８６１号公報
甲第１−６号証：特開２００５−１３３１１９号公報
甲第１−７号証：特開２０１０−１４４１９７号公報
甲第１−８号証：特開２０１２−２３３２２２号公報
（イ）
　申立人２は、以下の申立理由２−１〜２−７によって請求項１〜５に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
申立理由２−１
　発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１〜５の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、その特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである（当審注：当該申立理由において、申立人２は甲第２−１５号証〜甲第２−２３号証を引用している。）。
申立理由２−２
　本件発明１は、甲第２−１号証に記載された発明であるか、甲第２−１号証〜甲第２−６号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
申立理由２−３
　本件発明２は、甲第２−１号証に記載された発明であるか、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−８号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明２に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
申立理由２−４
　本件発明３は、甲第２−１号証に記載された発明であるか、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明３に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
申立理由２−５
　本件発明４は、甲第２−１号証に記載された発明であるか、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明４に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
申立理由２−６
　本件発明５は、甲第２−１号証に記載された発明であるか、甲第２−１号証〜甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明５に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものであるか、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
申立理由２−７
　本件発明１〜５は、甲第２−８号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−９号証〜甲第２−１４号証に記載された発明、甲第２−２１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本件発明１〜５に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
［申立人２が提出した証拠方法］
甲第２−１号証　：特開２０１２−１６２８０７号公報
甲第２−２号証　：特開２００４−１２４２５７号公報
甲第２−３号証　：特開平３−１００１０９号公報
甲第２−４号証　：特開昭６２−９９４０６号公報
甲第２−５号証　：特開２００１−２２０６０７号公報
甲第２−６号証　：特開２００９−７９２６９号公報
甲第２−７号証　：特開２０１２−９２４３２号公報
甲第２−８号証　：特開２０１０−１８８８０号公報
　　　　　　　　　（甲第１−３号証と同一の文献）
甲第２−９号証　：特開２００８−５０６６１号公報
甲第２−１０号証：特開平２−５７６２３号公報
甲第２−１１号証：特許第４８６８７１６号公報
甲第２−１２号証：特開２００１−８９８０３号公報
　　　　　　　　　（甲第１−２号証と同一の文献）
甲第２−１３号証：特開２００５−１５４８６１号公報
　　　　　　　　　（甲第１−５号証と同一の文献）
甲第２−１４号証：特開２００５−１３３１１９号公報
　　　　　　　　　（甲第１−６号証と同一の文献）
甲第２−１５号証：「熱プラズマによるナノ粒子の合成」
　　　　　　　　　Ｊ．Ｐｌａｓｍａ　Ｆｕｓｉｏｎ　Ｒｅｓ．
　　　　　　　　　Ｖｏｌ．８２，Ｎｏ．８（２００６）４８４−４８７
甲第２−１６号証：「ＣＶＤ，粒子合成への応用」
　　　　　　　　　Ｊ．Ｐｌａｓｍａ　Ｆｕｓｉｏｎ　Ｒｅｓ．
　　　　　　　　　Ｖｏｌ．８５，Ｎｏ．２（２００９）８３−８７
甲第２−１７号証：「熱プラズマによるナノ粒子合成〜合金と金属間化合物
　　　　　　　　　を中心として〜」
　　　　　　　　　表面技術　Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．１１，２００８，
　　　　　　　　　ｐ．７１８〜７２３
甲第２−１８号証：「プラズマを用いた材料プロセッシングの開発」
　　　　　　　　　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ
　　　　　　　　　Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｊａｐａｎ
　　　　　　　　　１３，１１８−１２５（２００６）
甲第２−１９号証：「熱プラズマによるナノ粒子の合成とその機能発現」
　　　　　　　　　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｓｏｃｉｅｔｙ　ｏｆ
　　　　　　　　　Ｐｏｗｄｅｒ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　Ｊａｐａｎ
　　　　　　　　　Ｖｏｌ．４８　Ｎｏ．９　ＰＰ６３２〜６４０
　　　　　　　　　２０１１年
甲第２−２０号証：「熱プラズマを用いる材料プロセッシング〜非平衡プラ
　　　　　　　　　ズマとの違い〜」
　　　　　　　　　表面技術　Ｖｏｌ．６０，Ｎｏ．６，２００９，
　　　　　　　　　ｐ．３６５〜３７０
甲第２−２１号証：「プラズマプロセスによるナノ粒子合成と応用」
　　　　　　　　　Ｅａｒｏｚｏｒｕ　ｋｅｎｋｙｕ　，２９（２），
　　　　　　　　　９８−１０３（２０１４）
甲第２−２２号証：「熱プラズマプロセシング」
　　　　　　　　　真空ジャーナル　２００４年３月　９３号，ｐ．３〜９
甲第２−２３号証：「高周波熱プラズマによる球状銅系サブミクロン粒子の
　　　　　　　　　作製」
　　　　　　　　　粉末および粉末冶金　第５４巻第１号　ｐ３９−４３
　　　　　　　　　２００７年１月
甲第２−２４号証：特許第５８２６４３５号公報（本件特許公報）
第４　取消理由について
第４−１　取消理由の概要
　本件発明１〜５のそれぞれに対して、平成２８年１０月２１日付けで当審より通知した取消理由の概要は、次のとおりのものである。
取消理由（申立理由２−１に基づく取消理由）
　本件特許の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１〜５のそれぞれについて、申立人２による特許異議申立書における、「４．申立ての理由」の「４−５．理由１により本件特許発明が特許を受けることができないことについて」（第１０７頁下から第２行目〜第１２６頁下から第２行目）に記載された理由により、当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、その特許は、特許法第３６条第４項第１号の規定に違反してなされたものである。
第４−２　甲号証に記載された事項
（ア）甲第２−１５号証の記載
（アａ）
「原料粒子がＲＦプラズマの温度分布や流線に与える影響をＦｉｇ．１［９］に示す。」（ｐ４８５左欄下から第１０〜１１行）
（アｂ）
「プラズマによって蒸発した原料の気体は下流に輸送され，ここでは温度が急激に減少するため，原料の飽和蒸気圧も急激に降下する。それによって原料の蒸気は過飽和に達し，均一核生成が起きる。」（ｐ４８５右欄下から第３〜６行）
（アｃ）
「ＲＦプラズマにモリブデン粒子とシリコン粒子を供給し，下流でナノ粒子が生成する領域におけるモリブデンとシリコンのそれぞれの蒸気消費率と温度の軸方向分布をＦｉｇ．２に示す。」（ｐ４８６左欄第２０〜２３行）
（アｄ）
「プラズマの高温領域で原料は原子あるいはイオンにまで分解され，境界層での急冷過程による非平衡反応が材料の特性を決定する。」（ｐ４８６左欄最下行〜同頁右欄第２行）
（イ）甲第２−１６号証の記載
（イａ）
「大気圧で発生する熱プラズマが本質的に非平衡プラズマと異なる点は，高温から一挙に常温までの冷却過程をプロセスとして活用できることである。熱プラズマを反応場として材料合成に用いる場合には，プラズマが有する１万度以上の高温を利用して原料を蒸発させ，目的物質を得るための各種の反応を起こさせるが，このときにプラズマの流れの状態による加熱や冷却過程が重要な役割を果たしている。」（ｐ８３左欄下から第２行〜同頁右欄上から第６行）
（イｂ）
「高周波熱プラズマを発生するための基本的な周波数は数ＭＨｚであるが，このコイル電流をミリ秒オーダの周期で振幅変調すると，熱プラズマの特徴である高温反応場と，低温場の遷移過程含んだ新しい反応場を意図的に繰り返すことができる。」（ｐ８５右欄第１４〜１８行）
（ウ）甲第２−１７号証の記載
（ウａ）
「熱プラズマを用いるナノ粒子合成のプロセシングでは，２つのプロセスを制御することが重要である。つまり，１０，０００℃程度のプラズマの高温領域における原料の蒸発プロセスと，下流の低温領域で１０００℃程度まで急冷することによって起きる均一核生成プロセスである。ナノ粒子合成プロセスは，図１１）にその概念図を示すように，急冷過程においてマイクロ秒オーダーで起こる核生成や凝縮，クラスター間の凝集が重要であり，このプロセスを制御することが熱プラズマプロセシングの利点を活かすことになる。ナノ粒子の組成や結晶系を制御するのは，気相から凝縮相へ相変化する均一核生成と不均一凝縮の段階であり，最終的な生成物の特性を決めるのに重要なプロセスである。」（ｐ７１８左欄第２〜１３行）
（ウｂ）
「
」（図１）
（ウｃ）
「特にプラズマジェットは流速が速いので，高温領域中での原料の滞留時間が短いことが欠点である。」（ｐ７１８右欄第１０〜１１行）
（ウｄ）
「２．熱プラズマを利用したナノ粒子合成方法の特徴
２．１　直流アークを利用したナノ粒子合成
　水素アークを用いるナノ粒子合成法は活性プラズマ−溶融金属反応法２）と呼ばれ，…（略）…陽極上にナノ粒子の原料となる金属塊を置き，プラズマ中で解離した水素が溶融金属中に溶け込むことにより，金属の蒸発が促進される作用を利用している。…（略）…このようなアークの高温によって陽極上の原料を蒸発させることにより，ナノ粒子を合成できる。
…（略）…
２．２　高周波プラズマを利用したナノ粒子合成
　ＲＦ熱プラズマを用いるナノ粒子製造方法は，高温のプラズマ中に原料を吹き込み，プラズマの高温領域における１０ｍｓ程度の滞留時間内で原料を蒸発させ，下流の低温領域で凝集相としてナノ粒子を合成する方法である。」（ｐ７１８右欄第１５行〜ｐ７１９左欄第１５行）
（ウｅ）
「熱プラズマを利用したナノ粒子の合成方法には，制御性があまり良くないという欠点があり，工業的な応用は進んでいない。これは直流アークによる金属の蒸発機構が解明されていないだけではなく，蒸発した成分が低温領域で均一核生成や不均一凝縮によってナノ粒子を生成するプロセスや，ナノ粒子同士の凝縮プロセスなどを定量的に捉えることが困難であることが理由である。」（ｐ７２１左欄第３３〜３９行）
（エ）甲第２−１８号証の記載
（エａ）
「熱プラズマを反応場として材料合成に用いる場合には，プラズマが有する１００００℃以上の高温を利用して原料を蒸発あるいは反応させるが，このときにプラズマの流れの状態による加熱や冷却過程が重要な役割を果たしている。」（ｐ１１８右欄第１５〜１９行）
（エｂ）
「プラズマジェットは陽極部と陰極部の間で発生したアークをノズルから噴出させ，ノズル出口近傍に存在する１２０００Ｋ以上の高温領域を材料プロセッシングに用いる。移送式アークのようにトーチ外部に陽極が存在しないので，プラズマ中に粉体等を供給するようなプロセスとして利用される。プラズマジェットの温度や速度には半径方向および軸方向に急激な勾配が存在しているので，プラズマジェット内で均質な化学反応を進行させることは本質的に困難である。
…（略）…
　原料として粉体を用いる場合には，プロセスの制御性から考えると，高温領域が小さく，流速が速いプラズマジェットは材料プロセッシングには適していないと考えられる。」（ｐ１１９右欄第５〜２４行）
（エｃ）
「４　ナノ粒子合成
…（略）…
４・１　直流アークによるナノ粒子合成
　アークを用いるナノ粒子製造方法には，活性プラズマ−溶融金属反応法がある。これは，陽極上にナノ粒子の原料となる金属塊を置き，プラズマアーク中で原子状に解離した活性種により溶融金属からナノ粒子を合成する方法である。
…（略）…
４・２　ＲＦ熱プラズマによるナノ粒子合成
　ＲＦ熱プラズマを用いてナノ粒子を合成するには，粉体原料を供給してプラズマ中で蒸発させ，その蒸気を気相中で単に冷却凝縮する方法，及びプラズマで得られる高温蒸気の冷却過程において化学反応を起こさせる方法がある。」（ｐ１２１右欄第１０行〜ｐ１２３左欄第６行）
（オ）甲第２−１９号証の記載
（オａ）
「２．１　直流放電アークによるナノ粒子合成
　直流放電アークを用いるナノ粒子合成法の代表例として，活性プラズマ−溶融金属反応法３）がある。活性プラズマ−溶融金属反応法は，Ｆｉｇ．１に示すように，陽極上にナノ粒子の原料となる金属塊を置き，アーク中で原子状に解離した活性種によって溶融金属からナノ粒子を合成する方法である。」（ｐ６３３左欄第１８〜２４行）
（オｂ）
「２．２　高周波熱プラズマによるナノ粒子合成
　高周波（ＲＦ）熱プラズマを用いるナノ粒子合成方法は，高温のプラズマ中に原料を吹き込み，プラズマの高温領域における１０ｍｓ程度の滞留時間内で原料を蒸発させ，原料の蒸気は対流や拡散によって熱プラズマの領域を抜け，急激な温度降下に伴い過飽和状態に達し，ナノ粒子へと変換される。」（ｐ６３４左欄第１８〜２４行）
（オｃ）
「熱プラズマを用いると数〜数十ナノメートルの粒子が生成されやすく，１００ｎｍを越えるような粒子は生成しにくいが，プラズマガス組成，粉体供給量，雰囲気圧力の制御に加えて，Ｃｕが低融点金属であるため粒成長しやすいことを利用して，１００ｎｍ以上のＣｕナノ粒子が大量に生成されている５１）。」（ｐ６３８左欄第７〜１２行）
（カ）甲第２−２０号証の記載
（カａ）
「しかしＤＣアークには，数ｋＨｚでアークが変動しているという本質的な欠点がある。この変動は電極上の陰極点や陽極点の周期的な変動に起因しており，ＤＣアークでは避けることができないものである５）。この変動によって，ＤＣアーク中に供給した原料はその飛行中にＤＣアークの高温領域だけではなく，低温領域も通過することになる。これは処理物質の加熱履歴が均一にならないことを意味している。
　電極での変動が顕著に現れるプロセッシングとして，ワイヤアーク溶射がある。ワイヤアーク溶射は電極そのものを高温のアークで溶融させ，高速のガスでそれらを吹き飛ばすことによって溶射皮膜を形成する。」（ｐ３６６左欄下から第２行〜右欄上から第９行）
（カｂ）
「２．１　非移行式アーク
　ＤＣアークの発生方式には非移行式と移行式がある。…（略）…プラズマジェットのような非移行式で得られる熱効率は３０％程度と低いが，移行式アークのようにトーチ外部に陽極が存在しないので，処理する物質の制限がないことから，多くの材料プロセシングで利用されている。
　プラズマ溶射は非移行式アークを用いる材料プロセッシングの代表である。…（略）…プラズマジェットの乱流構造は図４７）に示すように特有の構造を有し，ノズル出口において，プラズマジェットが周囲からの低温の空気を渦状に巻き込む。」（ｐ３６６右欄下から第６行〜ｐ３６７左欄上から第１２行）
（キ）甲第２−２１号証の記載
（キａ）
「この熱プラズマの発生方式は，直流アーク放電型，高周波誘導結合（Ｒａｄｉｏ−Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ：以下ＲＦと略）型，両者を併せたハイブリッド型などに分類され，それぞれ長短所があるが，本稿では筆者らが検討しているＲＦ熱プラズマ法を利用したナノ粒子の作製及び応用について紹介する。」（ｐ９８右欄第１〜６行）
（キｂ）
「２．　ＲＦ熱プラズマの特徴
　ＲＦ熱プラズマ装置の概略図およびプラズマトーチ部の概略図をＦｉｇ．１（ａ），（ｂ）に示す。装置は高周波電源，トーチ，チャンバーおよび製品回収フィルターから構成されている。トーチ部はおもに，水冷構造の石英管，原料を供給するプローブおよび高周波電流が流れるコイルから構成されており，コイルに高周波電流を印加すると，高周波誘導により内部のＡｒガスが放電・加熱され熱プラズマが発生する。…（略）…ナノ粒子は，原料を高温のプラズマ内で完全に蒸発させた後に，下流の低温領域で蒸気を急冷・凝縮することで得られるが，このようにＲＦ熱プラズマ法ではさまざまな雰囲気の超高温反応場を利用することができるため，さまざまなナノ粒子を得ることが可能である。」（ｐ９８右欄第７行〜ｐ９９左欄第１０行）
（キｃ）
「
」（Ｆｉｇ．１）
（キｄ）
「Ｚｒを添加した場合には粒子径が小さくなり結晶化が促進されているが，これは原料蒸気の冷却過程で，沸点が高く核生成速度の速いＺｒが存在すると液滴の蒸気圧が低下し，より高温から凝縮相を形成するために，液滴状態（液滴が固化する融点まで）の時間が長くなり，結晶化が進行したと考えられる。凝縮過程を考慮するとプラズマ法では，一段階で結晶性の高いナノ粒子を得ることも可能であり，通常結晶化を進行させるために後処理工程で必要な焼成などのプロセスを省略できる。」（ｐ１００左欄第１２〜２１行）
（キｅ）
「また微細化により表面積が増加すると，場合によっては回収時に急激に酸化（発火）することがある。」（ｐ１００左欄第３０〜３１行）
（ク）甲第２−２２号証の記載
（クａ）
「粉体、液体、気体に関する処理量で各々１Ｋｇ／ｈ，１０Ｋｇ／ｈ，１００Ｋｇ／ｈ程度で経済性を有し且つ産業に有益な応用分野があれば１００ｋＷレベルのプラズマ出力の熱プラズマシステムの適用が可能であり、既存技術を基に熱プラズマシステムを開発・完備することは可能であると言える。」（ｐ３右欄第９〜１４行）
（クｂ）
「（１）プラズマ溶射
…（略）…注意すべきは直流放電特性によりｍｓオーダーの周期的変動が必ず生ずることである。問題はこの時間スケールが注入粒子の加熱・溶融に要する時間と同程度であることで、たとえ粉末注入に関わる分布を制御できたとしても直流プラズマトーチにより加熱履歴を制御することは何らかの緩和過程を付加しない限り本質的に困難であり、減圧直流プラズマ溶射はその流れにあることを留意しておく必要がある。」（ｐ４左欄下から第８行〜ｐ５左欄最下行）
（ケ）甲第２−２３号証の記載
（ケａ）
「高周波熱プラズマによる球状銅系サブミクロン粒子の作製」（表題）
（ケｂ）
「２　実験方法
　プラズマ粉末処理装置はプラズマトーチ（ＭＯＤＥＬ　ＰＬ−５０，ＴＥＫＮＡ　Ｐｌａｓｍａ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｉｎｃ．），２ＭＨｚ高周波電源（日本高周波），水冷構造反応容器とステンレス製フィルタで構成されている４）。Ａｒ−Ｈ２プラズマを高周波電源に接続されたトーチ内に発生した。高純度Ａｒを誘導コイルに垂直方向からセントラルガスとして供給し，Ａｒ−Ｈ２混合ガスをシースガスとしてセントラルガスの周囲に供給した。原料粉末として銅粉末（電解銅粉、平均粒径４０μｍ、三井金属鉱業）をキャリアガスと共にトーチ上部から粉体導入ノズルを通してプラズマ中に注入した。Ｃｕ微粉末作製時のプラズマ発生条件，原料粉末供給条件をＴａｂｌｅ１（ａ）に示す。」（ｐ４０左欄第８〜１９行）
（ケｃ）
「Ｔａｂｌｅ　１　Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ
　」（ｐ４０左下）
第４−３　当審の判断
（ア）本件発明１について
　申立人２は、特許異議申立書において、本件発明１を下記１Ａ〜１Ｄに分節する。
・分節１Ａ
　レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍであり、
・分節１Ｂ
　且つ、当該Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）であり、
・分節１Ｃ
　且つ、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）である
・分節１Ｄ
　ことを特徴とする銅粉。
　そして、甲第２−１５号証〜甲第２−２３号証を提示しつつ、以下のとおり主張する（下線部は当審にて付与した。以下同様。）。
（ア１）
「しかしながら、本件特許発明では、その製造方法の中に、プラズマによって達成される高温の温度条件及びその温度条件下で材料が滞在する時間、冷却時の温度条件及び高温から低温に冷却するまでの時間等の記載が一切ない。」（第１１５頁第３〜５行）
（ア２）
「本件特許発明の明細書には、原料、プラズマ出力（Ａ）、Ａｒ流量（Ｂ）、Ｎ２流量（Ｃ）、プラズマフレームのフレームアスペクト比について記載されているものの、
使用する装置が明らかでないばかりでなく、得られる銅粉の『特性（例えば、粒度分布、結晶子径）』に影響する『均一にプラズマアークへ原料を供給する方法、プラズマアークへの原料の供給量、プラズマアークの温度、プラズマ装置のチャンバー内の雰囲気圧力、冷却の条件等』について記載されておらず
　また、本件特許発明の明細書には、『このようにして得られた銅粉は、回収ポットに蓄積され、作製バッチを緩やかに大気開放した後、銅粉（サンプル）を回収した。』と記載されているものの、得られる銅粉の酸素量に影響する『銅粉の回収時の大気暴露の方法』についての条件が明確に記載されておらず、これら条件が周知な事項である理由もない。」（第１２２頁第１１〜２２行）
（イ）
　ここで、本件特許明細書の発明の詳細な説明をみると、以下の記載がある。
（イ１）
「【発明を実施するための形態】
…（略）…
【００１８】
＜本銅粉＞
　本実施形態に係る銅粉（以下、「本銅粉」と称する）は、
レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍ
　【００１９】
（Ｄ５０）
　
本銅粉のＤ５０、すなわちレーザー回折散乱式粒度分布測定法により測定して得られる体積基準粒度分布によるＤ５０は、上述のように０．２０μｍ〜０．７０μｍであるのが好ましい。
…（略）…
　【００２４】
（結晶子径）
　
本銅粉の結晶子径に関しては、前記Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）であるのが好ましい。
…（略）…
　【００２６】
　
本銅粉の粒度及び結晶子径を上記のように調製するには、後述するように、直流熱プラズマ（「ＤＣプラズマ」と称する）装置を使用して原料銅粉を加熱噴射する際、プラズマガスとして、アルゴンと窒素の混合ガスを使用すると共に、プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように調整する方法を採用すればよい。
…（略）…
　【００２７】
（酸素量）
　
本銅粉に関しては、比表面積（ＳＳＡ）に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ
２
）であるのが好ましい。
…（略）…
　【００２８】
　
本銅粉に関して、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合を上記範囲に調整するには、上述のように、ＤＣプラズマ装置を使用して原料銅粉を加熱噴射する際、プラズマガスとして、アルゴンと窒素の混合ガスを使用すると共に、プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように調整するようにすればよい。
（イ２）
「【００３５】
＜製法＞
　次に、本銅粉の好ましい製造方法について説明する。
　【００３６】
　
本銅粉は、ＤＣプラズマ装置を使用して原料銅粉を加熱噴射する際、プラズマガスとして、アルゴンと窒素の混合ガスを使用すると共に、プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように調整することで、製造することができる。
　【００３７】
　ここで、
プラズマフレームが層流状態であるか否かは、プラズマフレームを、フレーム幅が最も太く観察される側面から観察した際に、フレーム幅に対するフレーム長さの縦横比（以下、フレームアスペクト比）が３以上であるか否かによって判断することができ、フレームアスペクト比が３以上であれば層流状態、３未満であれば乱流状態と判断することができる。
…（略）…
【００３９】
　
ＤＣプラズマ装置としては、例えば図１に示すように、粉末供給装置２、チャンバー３、ＤＣプラズマトーチ４、回収ポット５、粉末供給ノズル６、ガス供給装置７及び圧力調整装置８を備えたプラズマ装置１を挙げることができる。
　この装置においては、原料粉末は、粉末供給装置２から粉末供給ノズル６を通してＤＣプラズマトーチ４内部を通ることになる。プラズマトーチ４には、ガス供給装置７よりアルゴンと窒素の混合ガスが供給されプラズマフレームが発生することになる。
　また、ＤＣプラズマトーチ４で発生させたプラズマフレーム内で、原料粉末はガス化され、チャンバー３に放出された後、冷却され微粉末となって回収ポット５内に蓄積回収される。
　チャンバー３の内部は、圧力調整装置８によって粉末供給ノズル６よりも相対的に陰圧が保持されるように制御され、プラズマフレームを安定して発生する構造をとっている。
…（略）…
【００４１】
　
ＤＣプラズマ装置を使用して原料銅粉を加熱噴射する際、プラズマガスとして、アルゴンと窒素の混合ガスを使用すると共に、プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように調整するのが好ましい
このように調整すれば、投入した原料銅粉は、プラズマ炎中で瞬時に蒸発気化し、プラズマフレーム内で十分なエネルギーを供給することができるため、プラズマ尾炎部に向って核形成、凝集及び凝縮が生じて微粒子、中でもサブミクロンオーダーの微粒子を形成することができる。
　【００４２】
　上述のように、
プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように、プラズマ出力とガス流量を調整することが好ましい。
直流熱プラズマ装置のプラズマ出力は２ｋＷ〜３０ｋＷであるのが好ましく、
プラズマガスのガス流量は、上述の観点から、０．１Ｌ／ｍｉｎ〜２０Ｌ／ｍｉｎであるのが好ましく
　【００４３】
　さらには、
プラズマフレームを層流状態に安定的に保つには、上述のプラズマ出力、ガス流量の範囲を保ち、かつプラズマ出力（Ａ）に対する、Ａｒガス流量（Ｂ）とＮ
２
ガス流量（Ｃ）の和の比、計算式（Ｂ＋Ｃ）／Ａで算出した値（単位：Ｌ／（ｍｉｎ・ｋＷ））が、０．５０以上２．００以下とするのがより好ましい。
　かかる加点から、（Ｂ＋Ｃ）／Ａが、０．７０以上或いは１．７０以下となるように調整するのが特に好ましく、その中でも０．７５以上或いは１．５０以下となるように調整するのがさらに好ましい。
　【００４４】
　
熱プラズマを発生させる動作ガスとしてのプラズマガスは、上述のようにアルゴンと窒素の混合ガスを使用するのが好ましい
　ここで、アルゴンガスと窒素ガスとを混合したガスを使用すると、窒素（２原子分子）ガスにより、より大きな振動エネルギー（熱エネルギー）を銅粉粒子に付与することができ、凝集状態を均一にできるため、粒度分布がよりシャープなナノ微粒子を得ることができる。
　但し、窒素の含有量が多すぎるとプラズマフレームが減退してしまい、粒度分布のシャープな粉体を得られない。
　かかる観点から、
プラズマガスにおけるアルゴンと窒素の割合は流量比で９９：１〜１０：９０であるのが好ましく
（イ３）
「【実施例】
　【００５１】
　以下、本発明を下記実施例及び比較例に基づいてさらに詳述する。
　【００５２】
＜実施例１＞
　本実施例では、
ＤＣプラズマ微粉製造装置を用いて下記に従い銅粉を製造した。
　原料粉末供給口から、原料粉として
銅粉（粒径１０μｍ、球状粒子）
１０ｇ／分の原料供給量
Ａｒ流量１３．０Ｌ／分及びＮ
２
流量０．７Ｌ／分をプラズマガスとしてプラズマフレーム（言い換えればプラズマ炎）の内部に供給した。
Ａｒ流量（Ｂ）とＮ
２
流量（Ｃ）との比は９５：５
プラズマ出力は１０．０ｋＷ
プラズマ出力（Ａ）、Ａｒ流量（Ｂ）及びＮ
２
流量を調整して、（Ｂ＋Ｃ）／Ａ＝１．３７（Ｌ／（ｍｉｎ・ｋＷ））
　このようにして得られた銅粉は、回収ポットに蓄積され、作製バッチを緩やかに大気開放した後、銅粉（サンプル）を回収した。
　【００５３】
　上記製造方法において、生成されたプラズマフレーム（言い換えればプラズマ炎）に関し、フレーム幅が最も太く観察される側面から該プラズマフレームを写真撮影し、二値化して、フレーム幅に対するフレーム長さの縦横比（フレームアスペクト比）を測定した（後述する実施例・比較例も同様。その結果、
生成されたプラズマフレームのフレームアスペクト比が４であり、層流であることが確認された
…（略）…
　【００７８】
　　【表１】
　【００７９】
　　【表２】
　【００８０】
　　【表３】
」
（ウ）
　上記（イ１）〜（イ３）の記載から、以下の（ウ１）〜（ウ６）に示すとおりのことがわかる。
（ウ１）
　上記分節１Ａ〜１Ｄのそれぞれにおける特定を満足する銅粉は、「ＤＣプラズマ装置を使用して原料銅粉を加熱噴射する際、プラズマガスとして、アルゴンと窒素の混合ガスを使用すると共に、プラズマフレームが層流状態で太く長くなるように調整する」（【００２８】）ことで製造できること、
（ウ２）
　上記（ウ１）における「プラズマフレーム」が「層流状態」か否かは、「フレーム幅に対するフレーム長さの縦横比（以下、フレームアスペクト比）」が「３以上」（【００３７】）か否かで判断できること、
（ウ３）
　上記（ウ１）で使用する「ＤＣプラズマ装置」は「粉末供給装置２、チャンバー３、ＤＣプラズマトーチ４、回収ポット５、粉末供給ノズル６、ガス供給装置７及び圧力調整装置８を備えたプラズマ装置１」（【００３９】）であること、
（ウ４）
　上記（ウ１）で使用する「原料銅粉の粒度（Ｄ５０）」を「３．０μｍ〜３０μｍ」（【００４０】）とすること、
（ウ５）
　上記（ウ１）における「プラズマフレーム」を「層流状態」で「太く長く」「安定的に保つ」には、「直流熱プラズマ装置のプラズマ出力」を「２ｋＷ〜３０ｋＷ」、「プラズマガスのガス流量」を「０．１Ｌ／ｍｉｎ〜２０Ｌ／ｍｉｎ」（【００４２】）、「プラズマ出力（Ａ）に対する、Ａｒガス流量（Ｂ）とＮ２ガス流量（Ｃ）の和の比、計算式（Ｂ＋Ｃ）／Ａで算出した値（単位：Ｌ／（ｍｉｎ・ｋＷ））」を「０．５０以上２．００以下」（【００４３】）とすること、
（ウ６）
　上記（ウ１）〜（ウ６）のそれぞれに記載された各規定を満足する条件にて銅粉を製造した実施例１〜８において、分節１Ａ〜１Ｄのそれぞれにおける特定を満足する銅粉が得られていること（【００５１】〜【００８０】）。
（エ）
　そうすると、上記（イ１）〜（イ３）の記載を参考にすれば、当業者に過度な試行錯誤を強いることなく、本件発明１に係る銅粉を製造することができるといえる。
（オ）
　ここで、本件発明１に係る微粉の製造方法は、上記（イ）（イ２）の【００３９】及び【００４１】の記載からみて、ＤＣプラズマ装置を使用し、ＤＣプラズマトーチでプラズマフレームを発生させ、ＤＣプラズマトーチ内部を通ってプラズマフレーム内に供給された原料銅粉を、プラズマフレーム内で蒸発気化、核生成、凝集、凝縮せしめてナノ粒子を合成する方法（以下、「本件方法」という。）であることがわかる。
（カ）
　これに対して、例えば甲第２−２１号証には「ＲＦ熱プラズマ法」と称するナノ粒子の製造方法が記載されており、上記第４−２（キ）の（キｂ）〜（キｃ）の記載からみて、当該「ＲＦ熱プラズマ法」は、トーチ部のコイルに高周波電流を印加してコイル内部のガスを熱プラズマ化し、この熱プラズマにプローブを通して原料を供給してプラズマ内で完全に蒸発させ、下流の低温領域で原料蒸気を急冷・凝縮せしめてナノ粒子を合成する方法であることがわかる。
（キ）
　また、例えば甲第２−１９号証には「活性プラズマ−溶融金属反応法」と称するナノ粒子の製造方法が記載されており、上記第４−２（ウ）の（ウａ）、（ウｂ）、及び（ウｄ）の記載からみて、当該「活性プラズマ−溶融金属反応法」は、陽極上にナノ粒子の原料となる金属塊を置き、アークの高温によって陽極上の原料を蒸発させることで生じた金属蒸気をアークの外で凝縮、凝集せしめてナノ粒子を合成する方法であることがわかる。
（ク）
　そして、甲第２−１５号証（上記第４−２（ア）の（アａ）参照）、甲第２−１６号証（上記第４−２（イ）の（イｂ）参照）、甲第２−２１号証（上記（第４−２（キ）の（キａ）参照）、甲第２−２３号証（上記第４−２（ケ）の（ケａ）〜（ケｂ）参照）は、上記「ＲＦ熱プラズマ法」に係る微粉の製造方法が記載されているものの、本件方法に係る微粉の製造方法は記載されていない。
　また、甲第２−１７号証（上記第４−２（ウ）の（ウｄ）参照）、甲第２−１８号証（上記第４−２（エ）の（エｂ）、（エｃ）参照）、及び、甲第２−１９号証（上記第４−２（オ）の（オａ）、（オｂ）参照）は、上記「ＲＦ熱プラズマ法」、及び上記「活性プラズマ−溶融金属反応法」に係る微粉の製造方法が記載されているものの、本件方法に係る微粉の製造方法は記載されていない。
　そして、甲第２−２０号証（上記第４−２（カ）の（カａ）〜（カｂ）参照）、甲第２−２２号証（上記第４−２（ク）の（クａ）〜（クｂ）参照）は、それぞれ「溶射」技術に係るものであって、本件方法に係る微粉の製造方法は記載されていない。
（ケ）
　そうすると、甲第２−１５号証〜甲第２−２３号証を提示しつつ「本件特許発明の明細書（発明の詳細な説明）からでは、本件特許発明の請求項１における各分節を満たす銅粉を製造する条件が記載されていない。」とする請求人２の主張は、本件方法と互いに相違している微粉の製造方法における知見に基づくものであり、採用できない。
（コ）
　してみると、発明の詳細な説明が、本件発明１の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでない、とはいえない。
　また、本件発明２〜５のそれぞれについても、同様である。
第４−４　まとめ
　以上のとおりであるから、本件特許１〜５は、それぞれ特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるとはいえない。
第５　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
第５−１　甲号証に記載された事項
第５−１−１　申立人１が提出した証拠方法について
（ア）甲第１−１号証の記載
　甲第１−１号証には、次の記載がある。
（１−１ａ）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路の形成や集電用電極として使用される微細な銅粉の製造方法に関する。」
（１−１ｂ）
「【０００２】
【従来の技術】電子回路の形成や集電用電極として使用される銅粉は、粒径の揃った微粒子であり、凝集体を含まないこと、単分散性がよいこと、耐酸化性が優れていることが必要とされている。」
（１−１ｃ）
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる従来の事情に鑑み、ヒドラジンのような有害な還元剤や、アスコルビン酸のような高価な還元剤を使用することなく、粒径が微細且つ均一であり、耐酸化性及び球形性に優れた銅粉を、簡単且つ安価に製造する方法を提供することを目的とする。」
（１−１ｄ）
「【００２３】
【実施例】実施例１
　６．６ｋｇのトリエチレングリコール（沸点２８５℃）に、０．３３ｋｇの酸化銅粉（酸化銅中の酸素量０．０６６ｋｇ）と、０．７９ｋｇのブドウ糖（酸化銅中の酸素量に対して重量比で１２倍）を添加し、撹拌しながら２００℃に加熱して１２０分間保持した。得られた銅粉を遠心分離し、洗浄乾燥した。」
（１−１ｅ）
「【００２４】得られた銅粉は、マイクロトラック法により粒度分布を測定したところ累積頻度５０％に相当する粒径が０．６μｍであり、単分散性の良好な銅粉であった。また、ＳＥＭ観察の結果、この銅粉の粒子形状はほぼ球形であった。更に、この銅粉を大気中で１ケ月間放置した後、酸化の程度を調べるために銅粉中の酸素を分析したところ、０．６重量％であった。この酸素量は銅粉製造直後の０．３重量％よりも若干上昇しているが、従来に比べ十分な耐酸化性を有する銅粉であることが分かった。」
（イ）甲第１−３号証の記載
　甲第１−３号証には、次の記載がある。
（１−３ａ）
「【請求項１０】
レーザー回折式粒度分布測定装置によって測定された５０％粒径（Ｄ５０）が０．１〜０．５μｍ、検出の最大粒径（Ｄｍａｘ）が１．５μｍ以下であり、１０〜１００００ｐｐｍのＡｇおよびＰｄの少なくとも一方を含むことを特徴とする、導電性ペースト用銅粉。」
（１−３ｂ）
「【請求項１２】
ＳＥＭによって観測された銅粒子の中で単一の略球状の銅粒子の個数の割合が９０％以上であることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の導電性ペースト用銅粉。」
（１−３ｃ）
「【０００１】
　本発明は、導電性ペースト用銅粉およびその製造方法に関し、特に、積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタなどの積層セラミック電子部品の内部電極や、小型積層セラミックコンデンサや積層セラミックインダクタなどの外部電極を形成するための導電性ペーストに使用する銅粉およびその製造方法に関する。」
（１−３ｄ）
「【００１６】
　したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、単分散した微粒子で、粒度分布がシャープで、粗粒を含まず、形状が真球に近いなどの特性を有する銅微粒子であり、電気的特性への悪影響を回避しながら、電極の薄膜化を可能にする導電性ペースト用銅粉およびそのような導電性ペースト用銅粉を安定して製造することができる方法を提供することを目的とする。」
（１−３ｅ）
「【００１９】
　また、本発明による導電性ペースト用銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置によって測定された５０％粒径（Ｄ５０）が０．１〜０．５μｍ、検出の最大粒径（Ｄｍａｘ）が１．５μｍ以下であり、１０〜１００００ｐｐｍのＡｇおよびＰｄの少なくとも一方を含むことを特徴とする。この導電性ペースト用銅粉において、ＳＥＭによって観測された銅単体粒子の平均粒径（単体粒子径）に対する、レーザー回折式粒度分布測定装置によって観測された凝集粒子の５０％粒径（凝集粒子径）の比（二次粒子径／一次粒子径）が２．０以下であるのが好ましい。また、ＳＥＭによって観測された銅粒子の中で単一の略球状の銅粒子の個数の割合が９０％以上であるのが好ましい。さらに、導電性ペースト用銅粉の表面にＡｌ、Ｂａ、ＴｉおよびＳｉからなる群から選ばれる一種以上を含む化合物を被着させてもよく、導電性ペースト用銅粉の表面をＡｌ、Ｂａ、ＴｉおよびＳｉからなる群から選ばれる一種以上を含む化合物で被覆してもよい。」
（１−３ｆ）
「【００４８】
　また、本発明による導電性ペースト用銅粉の製造方法の実施の形態によって製造した導電性ペースト用銅粉は、レーザー回折式粒度分布測定装置によって測定された５０％粒径（Ｄ５０）が０．１〜０．５μｍ、検出の最大粒径（Ｄｍａｘ）が１．５μｍ以下であり、１０〜１００００ｐｐｍのＡｇおよびＰｄの少なくとも一方を含む。レーザー回折式粒度分布測定装置によって測定された５０％粒径（Ｄ５０）が０．１〜０．５μｍであれば、積層セラミックコンデンサなどの高容量化や小型化のために必要な内部電極の薄層化（近年では層の厚さ１．５μｍ以下）を実現することができる。また、検出の最大粒径（Ｄｍａｘ）が１．５μｍ以下であれば、内部電極と誘電体セラミックグリーンシートを積層させた際に、内部電極の薄層における粗粒の存在により誘電体層を突き破って絶縁不良を引き起こすおそれがない。さらに、１０〜１００００ｐｐｍのＡｇおよびＰｄの少なくとも一方を含むのは、上記の粒径の銅微粒子を得るために必要な反応促進剤に含まれるためである。１０ｐｐｍ未満では、上記の粒径の銅微粒子を得る上で困難になり、１００００ｐｐｍより多いと、コスト高になり、品質に悪影響を及ぼす可能性がある。」
（１−３ｇ）
「【００８６】
［実施例２３］
　実施例１６で得られた銅粒子１０ｇとイソプロピルアルコール１００ｇとを２００ｍＬビーカー中で十分に攪拌して混合した溶液に、テトラエトキシシラン（コルコート株式会社製のエチルシリケート２８）０．６２ｇを添加して、５分間攪拌した後、２８％アンモニア水（和光純薬工業株式会社製）１．３ｇを４５分間で添加した。アンモニア水の添加が終了した後、さらに１時間攪拌し、ろ過、乾燥して、誘電体に使用される金属化合物としてＳｉ化合物が被着した銅粉（またはてＳｉ化合物で被覆された銅粉）を得た。」
（１−３ｈ）
「【表１】
」
（ウ）甲第１−４号証の記載
　甲第１−４号証には、次の記載がある。
（１−４ａ）
「【請求項２】
50％径が0.1〜5μm、球形度が0.6〜0.9、5％径と95％径間における粒度分布の広がり相対値を表す粒度幅指数が1以下、単位表面積当りの酸素量を表す比酸素量が0.5〜7mg/m2、単位表面積当りの水分量を表す比水分量が1mg/m2以下であるCu系金属粉末。」
（１−４ｂ）
「【０００１】
　本発明は、回路設計用や電子材料用の導電ペースト、マイクロMIM、微細な形状を有する部品の造形用及びダイヤモンド工具用バインダー等に用いられるAg系（Ag又はAgベース合金）の金属粉末及びCu系（Cu又はCuベース合金）の金属粉末並びにその製造方法に関するものである。」
（１−４ｃ）
「【００４１】
　前記各金属粉末の5％径、50％径及び95％径は日機装株式会社製のマイクロトラックを使用してレーザー回折散乱法(体積％)を採用して測定した。また、比表面積はBET法による測定結果を採用した。球形度は50％径から計算できる真球の比表面積とBET法による比表面積との比により算出した。粒度幅指数はlog(95％径)−log(5％径)により算出した。例えば、実施例１では、粒度幅指数＝log(0.78)−log(0.13)=−0.108−(−0.886)=0.778となり、粒度幅指数が小さいほど粒度の広がりが小さいこと、即ち、粒度幅が狭いことを示す。また、酸素量は高温でＣと反応することで発生したCOガスの赤外線検出法に従って測定した。水分量はカールフィッシャー法により測定した数値によった。なお、分級は粉末毎に目標に応じた分級機で粉末毎に行った。」
（１−４ｄ）
「【表３】
」
第５−１−２　申立人２が提出した証拠方法について
（ア）甲第２−１号証の記載
　甲第２−１号証には、次の記載がある。
（２−１ａ）
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、銅微粒子及びその製造方法に関し、特に積層セラミックスコンデンサーの電極や、プリント配線基板の回路等を製造する際に好適に用いられる銅微粒子及びその製造方法に関する。」
（２−１ｂ）
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
　従来技術では微細な金属銅粒子が得られるものの、金属銅の一次粒子が単分散ではなく著しく凝集した状態で生成したり、二次粒子の形状が粒塊状で、大きさも形状も不揃いになったりするため、流動性組成物への分散性が十分でなく、回路、電極等を形成した際に充填性が悪く、欠陥が生じ易いという問題があり、積層セラミックスコンデンサーの内部電極の薄層化や、プリント配線板の回路の極細化にも対応でき難い。このため、金属銅微粒子としては、微細であるにもかかわらず、凝集粒子がほとんどなく、粒子形状が整い、分散性に優れた銅微粒子が要望されている。
　また、金属銅微粒子を製造する際に、保護コロイドを分散安定化剤として用いると、銅微粒子表面に保護コロイドが被着または吸着し、銅微粒子を凝集させずに単分散の状態で得られ易いが、保護コロイドの存在により、生成した銅微粒子が高度に分散しているため、凝集剤を添加したとしても、原料の銅化合物、還元剤の残分、保護コロイドのほかｐＨ調整剤などの添加剤に由来する陰イオンや陽イオンが多量に存在する媒液から銅微粒子を固液分離し難く、大量生産に不向きな限外濾過を行わなければならないという問題もある。」
（２−１ｃ）
「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明者らは、これらの問題点を解決すべく原料の銅化合物や保護コロイド等の添加剤を中心に鋭意研究を重ねた結果、前記の特許文献２、３のように原料の銅化合物として１価の銅酸化物を用いたり、２価の銅酸化物から還元によって１価の銅酸化物を生成した後に１価の銅酸化物を再度還元する２段階の反応で金属銅微粒子を生成すると、１価の銅酸化物が非常に還元され易いので還元反応が非常に速く進行すること、しかも、銅酸化物と錯体を形成して還元剤との反応速度を制御する錯化剤を用いても反応速度の制御が困難であること、このため、反応液中に多量の金属銅の微結晶が不均一な濃度分布で生成するので、粒子成長も不均一になり、銅微粒子の形状が不揃いになったり、凝集粒子の生成を抑制できなくなること、しかも、生成した銅微粒子の表面に被着または吸着して銅微粒子の凝集を抑制する保護コロイドが存在しても凝集粒子の生成を抑制できないことを見出した。一方、２価の銅酸化物は１価の銅酸化物に比べて還元速度が遅く、しかも、反応液に錯化剤を添加すると少量の金属銅の微結晶が生成し、この微結晶が核となって、還元反応の進行に従って均一に粒子成長すること、さらに、保護コロイドを添加すると微細で、凝集粒子をほとんど含まない単分散の、しかも粒子形状の整った銅微粒子が得られることを見出し、本発明を完成した。
　次に、本発明者らは、保護コロイドの存在下で金属銅微粒子を生成させた後、反応液に保護コロイド除去剤を添加すると銅微粒子を凝集させることができ、通常の手段でも銅微粒子を濾過できることを見出し、本発明を完成した。」
（２−１ｄ）
「【発明の効果】
【０００９】
　本発明の方法により得られる銅微粒子は、微細で、凝集粒子をほとんど含まず、粒子形状が整っており、分散性に優れている。このものは、電子機器の電極材料等として有用であり、この銅微粒子を流動性組成物にして、例えば、積層セラミックスコンデンサーの内部電極、プリント配線基板の回路、その他の電極等に用いると、薄膜で高密度の電極等が得られる。
　しかも、保護コロイド除去剤を用いると濾過漏れも少なく、銅微粒子の収率が向上し、濾過・洗浄時間を短縮できる。」
（２−１ｅ）
「【発明を実施するための形態】
【００１１】
　本発明は銅微粒子の製造方法であって、錯化剤及び保護コロイドの存在下で、銅の原子価が２価の銅酸化物と還元剤とを媒液中で混合し、還元して金属銅微粒子を生成させる。本発明においては、原料として２価の銅酸化物を用いることが重要であって、亜酸化銅（酸化第一銅）の１価の銅酸化物は使用しない。しかも、２価の銅酸化物から１価の銅酸化物を生成しない条件で還元して１段階の反応で金属微粒子を生成するのが好ましい。本発明の「２価の銅酸化物」は、銅の原子価が２価（Ｃｕ２＋）であり、酸化第二銅、水酸化第二銅及びこれらの混合物を包含する。２価の銅酸化物は、その他の金属、金属化合物や非金属化合物などの不純物を適宜含んでいても良いが、１価の銅酸化物は不可避の量以外は実質的に含有しないものが好ましい。また、２価の銅酸化物として酸化第二銅に帰属するＸ線回折ピークを有するものが好ましく用いられ、酸化第二銅の（１１０）面のＸ線回折ピークから下式１を用いて算出した平均結晶子径が２０〜５００ｎｍの範囲にあるものを用いるのがより好ましく、５０〜２００ｎｍの範囲が更に好ましい。２価の銅酸化物の平均結晶子径が少なくとも前記の範囲であれば所望の金属銅微粒子が生成できるが、前記の範囲より小さいと、粒子径が小さく結晶性も低いので、酸化第二銅の溶解速度が速くなり、多量の錯化剤を用いないと、還元反応速度が制御し難くなるため好ましくなく、一方、前記の範囲より大きいと、粒子径が大きく結晶性が良好となり、溶解速度が遅くなって、還元反応時間を長くしないと、銅微粒子中に未反応の酸化第二銅が残存し易くなるため好ましくない。２価の銅酸化物の製造方法には制限はなく、例えば、電解法、化成法、加熱酸化法、熱分解法、間接湿式法等で工業的に製造されたものを用いることができる。
式１：ＤＨＫＬ＝Ｋ＊λ／βｃｏｓθ
ＤＨＫＬ　：平均結晶子径（Å）
λ　　　：Ｘ線の波長
β　　　：回折ピークの半価幅
θ　　　：Ｂｒａｇｇ’ｓ角
Ｋ　　　：定数（＝０．９）」
（２−１ｆ）
「【００２３】
　次に、本発明は金属銅微粒子であって、少なくとも金属銅を含有した金属質を有するものであり、用途に差し支えない程度に銅微粒子の表面やその内部に不純物、銅酸化物や酸化安定化剤等を含んでいても良い。本発明の金属銅微粒子は微細で、凝集粒子をほとんど含まず、粒子形状が整っている。これらの指標として、電子顕微鏡法による平均粒子径（累積５０％径）、すなわち平均一次粒子径を（Ｄ）、動的光散乱法による平均粒子径（累積５０％径）、すなわち平均二次粒子径を（ｄ）で表した際に、（Ｄ）が０．００５〜２．０μｍの範囲にあり、（ｄ）が０．００５〜２．０μｍの範囲にあり、且つ、ｄ／Ｄが０．７〜２の範囲にある。（Ｄ）、（ｄ）が前記範囲の微細なものであり、ｄ／Ｄが前記範囲の非常に１に近似していることから凝集の程度が低いので、流動性組成物への分散性が優れており、このような金属銅微粒子は前記の製造方法によって得られる。尚、ｄ／Ｄは、通常は１以上の値をとるが、（Ｄ）、（ｄ）の測定方法がそれぞれ異なるため、ｄ／Ｄが１より小さくなる場合もある。本発明の金属銅微粒子の形状は、電子顕微鏡により観察することができ、多面体構造の整った粒子形状を有している。」
（２−１ｇ）
「【００３１】
１．銅微粒子の調製と評価
【００３２】
実施例１〜１６
　平均結晶子径が９０．２ｎｍの工業用酸化第二銅（Ｎ−１２０：エヌシーテック社製）２４ｇ、保護コロイドとしてゼラチン９．６ｇを３００ミリリットルの純水に添加、混合し、１５％のアンモニア水を用いて混合液のｐＨを１１に調整した後、２０分かけて室温から９０℃まで昇温した。昇温後、撹拌しながら、錯化剤（用いた錯化剤の種類及び添加量を表１に示す）の溶液と、８０％のヒドラジン一水和物２８ｇとを１５０ミリリットルの純水に混合した液を添加し、１時間かけて酸化第二銅と反応させ、銅微粒子を生成させた。その後、濾液比導電率が１００μＳ／ｃｍ以下になるまで濾過洗浄し、窒素ガスの雰囲気下で６０℃の温度で１０時間かけて乾燥し、本発明の銅微粒子を得た。それぞれを試料Ａ〜Ｐとする。」
（２−１ｈ）
「【００４３】
評価１：平均粒子径の測定
　実施例１〜２８、比較例１〜４で得られた試料Ａ〜Ｖ、ａ〜ｉの平均一次粒子径（Ｄ）を電子顕微鏡法により測定し、平均二次粒子径（ｄ）を動的光散乱式粒度分布測定装置（マイクロトラックＵＰＡ型：日機装社製）を用いて測定した。平均二次粒子径（ｄ）の測定には、試料を超音波分散機を用いて水中に十分に分散させ、レーザーの信号強度が０．６〜０．８になるように濃度調整した水系スラリーを用いた。結果を表２に示す。本発明より得られた銅微粒子は、平均粒子径（Ｄ）が、すなわち、一次粒子径が微細であることが判る。また、平均粒子径（ｄ）、すなわち、二次粒子径も微細であり、同じにｄ／Ｄが１に近似しており、ほとんど凝集粒子を含まないことが判る。
【００４４】
【表２】
」
（２−１ｉ）
「【００４６】
評価３：酸化第一銅生成の確認
　実施例１４において、還元剤を添加してから２５分後、３５分後、５５分後に還元反応途中の媒液を分取し、蒸発乾固した。これらを試料ｊ〜ｌとする。試料ｊ〜ｌ及び出発物質として用いた酸化第二銅（Ｎ−１２０）のＸ線回折を測定し比較した。結果を図１０に示す。試料ｊ〜ｌには、酸化第一銅に由来するピークが認められず、酸化第二銅から酸化第一銅を経由せず金属銅に還元されたことが判る。尚、他の実施例についても同様の評価を行ったところ、還元反応中に酸化第一銅が生成していないことが確認された。また、比較例３において、得られた中間生成物を含む媒液を濾別、乾燥し、この乾燥物（試料ｍ）のＸ線回折を測定した。その結果を図１１に示す。中間生成物が酸化第一銅であることが判る。」
（２−１ｊ）
「【００５０】
実施例２９、比較例４、５
　実施例１１、比較例１、３で得られた銅微粒子（試料Ｋ、Ｔ、Ｖ）を、表４に示す処方で、３本ロール（ロール径６５ｍｍΦ）を用い、３パス（ロールクリアランス：１パス目３０μｍ、２及び３パス目１μｍ）して混練して、本発明及び比較対象の銅ペーストを得た。それぞれを試料ｎ〜ｐとする。
…（略）…
【００５３】
評価６：導電性の評価
　実施例２９、比較例４、５の銅ペースト（試料ｎ〜ｐ）を、４ミルアプリケーターを用い、アルミニウム板上に塗布し、８０℃の温度で２時間予備乾燥した。その後、窒素雰囲気中（窒素流量：５００ｃｃ／分）で３００℃の温度で１時間焼き付けて塗膜化し、更に、濃度２％の水素雰囲気下で５００℃の温度で１時間焼成し還元した。得られた塗膜を空冷した後、塗膜の体積抵抗率を、ロレスタ−ＧＰ型低抵抗率計（三菱化学社製）を用いて測定した。その結果を表５に示す。体積抵抗率が小さい程導電性が高いことを表すことから、本発明の銅微粒子を配合した銅ペーストは導電性が高いことが判る。
【００５４】
【表５】
」
（２−１ｋ）
「【産業上の利用可能性】
【００５６】
　本発明の銅微粒子は、電子機器の電極材料等として有用であり、特に銅ペースト・塗料・インキ等の流動性組成物にして用いると、積層セラミックスコンデンサーの内部電極、プリント配線基板の回路、その他の電極等に有用である。」
（２−１ｌ）
「 【図７】
」
（２−１ｍ）
「【図１０】
」
（イ）甲第２−８号証（甲第１−３号証と同一の文献）の記載
　上記第５−１−１の（イ）を参照されたい。
第５−２　当審の判断
第５−２−１　申立理由１−１〜１−６について
（ア）申立理由１−１、１−５について
　申立人１は、特許異議申立書において、
「一方、甲２には、…（略）…結晶子の大きさが２４３Åである球状の金属銅粉末を、７００℃で３時間の熱処理を行い、…（略）…結晶子の大きさが７９０Åである球状の金属銅粉末を得たことが開示されている。
　ここで、…（略）…甲５及び甲６には、…（略）…湿式製造法で製造した金属粉は、…（略）…その結晶子径が一般的に３５ｎｍ以下であって比較的小さく、焼成時の耐酸化性及び耐熱収縮性に劣ることが開示されている…（略）…。そして、耐酸化性及び耐熱収縮性を改善することのできるレベルに結晶子径を大きくしようとするには、銅粉を加熱して、粉粒の内部のグレインサイズを成長させることが必要であることが開示されている…（略）…。
　このように、導電性ペースト用銅粉においては、耐酸化性及び耐熱収縮性を改善するために、熱処理を施すことによって結晶子径を大きくすることは、本件特許発明の出願時において、当業者に周知の事項である。
　上述したように、甲５及び甲６には、湿式法で得られた銅粉は、その結晶子径が一般的に３５ｎｍ以下であることが開示されており…（略）…、このことからすると、甲１に記載されている銅粉も３５ｎｍ以下の結晶子径を有しているものであると言える。
　そして、耐酸化性及び耐熱収縮性を改善するために熱処理を施して結晶子径を大きくすることは周知の事項であるから、甲１に記載の銅粉を、甲２に記載の方法に基づいて、耐酸化性及び耐熱収縮性に優れた結晶子径の大きさとすることは、当業者であれば容易に想到することができることである。」（第２５頁第５行〜第２６頁第５行）と主張する。
　しかし、本件発明１と、甲第１−１号証に記載された発明とを対比すると、当該甲第１−１号証においては銅粉の「結晶子径」について記載されていないから、本件発明１の「Ｄ５０に対する結晶子径の比率（結晶子径／Ｄ５０）が０．１５〜０．６０（μｍ／μｍ）」であるとの発明特定事項（以下、「発明特定事項Ａ」という。）が記載されているとはいえない。
　そして、本件発明１のように、「結晶子径／Ｄ５０」が０．１５〜０．６０という範囲内になるよう結晶子径を制御することで、「粒子形状を略球状に保」ちつつ「圧粉抵抗をより一層低くする」（本件特許明細書【００２４】を参照。）という本件発明の課題を解決することについても、甲第１−１号証、甲第１−２号証、周知技術を開示する甲第１−５号証、甲第１−６号証、及び甲第１−３号証、甲第１−４号証、甲第１−７号証のいずれにおいても、記載も示唆もされていない。
　したがって、本件発明１は、甲第１−１号証に記載された発明、及び、甲第１−２号証〜甲第１−７号証に記載された事項から、当業者が容易になし得たものとはいえない。
　また、請求項１を引用する本件発明５についても同様である。
（イ）申立理由１−２〜１−４、１−６について
　本件発明２と、甲第１−３号証に記載された発明とを対比すると、甲第１−３号証においては、銅粉の「結晶子径」について記載されていないから、発明特定事項Ａが記載されているとはいえない。
　そうすると、上記（ア）に示したのと同様の理由で、本件発明２は、それぞれ甲第１−３号証に記載された発明、及び、甲第１−１号証〜甲第１−２号証、甲第１−４号証〜甲第１−７号証に記載された事項から、当業者が容易になし得たものとはいえない。
　また、請求項２を引用する本件発明３〜５のそれぞれについても同様である。
　さらに、本件発明２と、甲第１−４号証に記載された発明とを対比すると、甲第１−４号証においては、銅粉の「結晶子径」について記載されていないから、発明特定事項Ａが記載されているとはいえない。
　そうすると、上記（ア）に示したのと同様の理由で、本件発明２は、それぞれ甲第１−４号証に記載された発明、及び、甲第１−１号証〜甲第１−３号証、甲第１−５号証〜甲第１−７号証に記載された事項から、当業者が容易になし得たものとはいえない。
　また、請求項２を引用する本件発明３〜５のそれぞれについても同様である。
第５−２−２　申立理由２−２〜２−７について
（ア）申立理由２−２について
ａ．
　まず、本件発明１が、甲第２−１号証に記載された発明であるか否かについて検討する。
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−１−１−３．文節１Ｃ」において、
「…甲第１号証には、比表面積（ＳＳＡ）に対する酸素量（Ｏ量）の割合について、直接記載されてはいない。
　しかし、甲第１号証には、下記の記載がある。
『【００５３】
評価６：導電性の評価
　実施例２９、比較例４、５の銅ペースト（試料ｎ〜ｐ）を、４ミルアプリケーターを用い、アルミニウム板上に塗布し、８０℃の温度で２時間予備乾燥した。その後、窒素雰囲気中（窒素流量：５００ｃｃ／分）で３００℃の温度で１時間焼き付けて塗膜化し、更に、濃度２％の水素雰囲気下で５００℃の温度で１時間焼成し還元した。得られた塗膜を空冷した後、塗膜の体積抵抗率を、ロレスタ−ＧＰ型低抵抗率計（三菱化学社製）を用いて測定した。その結果を表５に示す。
体積抵抗率が小さい程導電性が高いことを表すことから、本発明の銅微粒子を配合した銅ペーストは導電性が高いことが判る。
【００５４】
【表５】
　つまり、甲第１号証には、実施例２８の銅粉を含む導電性ペーストと同様に、実施例１４の銅粉を含む導電性ペーストにより形成した塗膜の体積抵抗率は、３．９×１０−６Ω・ｃｍ程度に低くなることが示されている。
　このことからすると、実施例１４の銅粉は、粉体抵抗も低く優れているため、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）の範囲である蓋然性が極めて高い。
　よって、甲第１号証には、実質的に、実施例１４の銅粉として、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）の範囲である銅粉が記載されているといえる。」（第１３７頁第６行〜第１３８頁第９行）と主張する。
ｂ．
　ここで、上記第５−１−２の（３）（２−１ｊ）（特に【００５３】を参照。）から、【表５】及び申立人２の上記主張における「実施例２８」は「実施例２９」の誤記と認められるので、以下そのように読み替えて検討する。
ｃ．
　上記第５−１−２の（３）（２−１ｊ）（特に【００５０】を参照。）から、「実施例２９」の銅ペーストは、「実施例１１」の銅微粒子を使用したものであることがわかる。
　すると、「実施例２９」の銅ペーストは、「実施例１４」の銅微粒子を使用したものではないから、「甲第１号証には、実施例２８の銅粉を含む導電性ペーストと同様に、実施例１４の銅粉を含む導電性ペーストにより形成した塗膜の体積抵抗率は、３．９×１０−６Ω・ｃｍ程度に低くなることが示されている。」とはいえない。
ｄ．
　さらに、申立人２は「実施例１４の銅粉は、粉体抵抗も低く優れている」ことから、実施例１４の銅粉における「比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）の範囲である蓋然性が極めて高い」と主張するにとどまり、上記「比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合」が「０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）」であることを、何等立証していない。
ｅ．
　したがって、申立人２の上記主張は採用できない。
ｆ．
　次に、本件発明１が、甲第２−１号証〜甲第２−６号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明になし得た発明であるか否かについて検討する。
ｇ．
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−１−２．相違点１」において、
「以上説明したように、本件特許発明の請求項１と甲第１号証との相違点１である『分節１Ｃ．且つ、比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合が０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）である』については、甲第２号証〜甲第６号証によれば、甲第２号証〜甲第６号証に記載されている事項であると共に、周知技術であるともいえる。
　よって、本件特許発明の請求項１は、甲第１号証記載の発明に、甲第２号証〜甲第６号証のいずれかの発明を組み合わせることにより容易到達し、かつその組み合わせが容易であるといえる。
　また、本件特許発明の請求項１は、第１号証記載の発明に周知技術を組み合わせたものであり、組み合わせは容易であるといえる。」（第１４５頁下から第３行〜第１４６頁第７行）
と主張する。
ｈ．
　しかし、仮に、銅粉における「比表面積に対する酸素量（Ｏ量）の割合」を「０．１０〜０．４０（ｗｔ％・ｇ／ｍ２）」とすることが甲第２−２号証〜甲第２−６号証に記載されている事項や周知技術であるとしても、申立人２は、甲第２−１号証記載の発明に甲第２−２号証〜甲第２−６号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる理由について何等説明しておらず、また、甲第２−１号証記載の発明において甲第２−２号証〜甲第２−６号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる動機付けがあるともいえないから、申立人２の上記主張は採用できない。
ｉ．
　したがって、本件発明１は、甲第２−１号証に記載された発明であるとはいえず、甲第２−１号証〜甲第２−６号証に記載された発明、及び周知技術に基づき当業者が容易になし得るものであるとはいえない。
（イ）申立理由２−３について
ａ．
　まず、本件発明２が、甲第２−１号証に記載された発明であるか否かについて検討する。
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−２−１−３．文節２Ｃ」において、
「…甲第１号証には、体積累積粒径Ｄ１０について、直接記載されてはいない。
　しかし、甲第１号証には、下記の記載がある。
…（略）…
　よって、甲第１号証には、実施例１４の銅粉として、『レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２〜０．２５μｍ程度の銅粉』が記載されているといえる。
　さらに、甲第１号証の実施例１４の銅粉は、均一に粒子成長し、微細で、凝集粒子をほとんど含まない単分散（平均二次粒子径０．２１μｍ／平均一次粒子径０．２μｍの値が１に近似）の、しかも粒子形状の整った、極めて粒度分布がシャープな銅粉であるから、…（略）…体積累積粒径Ｄ１０が０．０８μｍ以上である蓋然性が極めて高い。そして、甲第１号証の実施例１４の銅粉の体積累積粒径Ｄ１０は、体積累積粒径Ｄ５０『０．２〜０．２５μｍ程度』よりも小さい粒径となる。
　よって、甲第１号証には、実施例１４の銅粉として、『レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ１０が０．０８μｍ〜０．２５μｍ程度の銅粉』が記載されているといえる。」（第１５２頁第２行〜第１５４頁第１６行）と主張する。
ｂ．
　しかし、申立人２は「実施例１４の銅粉は、均一に粒子成長し、微細で、凝集粒子をほとんど含まない単分散（平均二次粒子径０．２１μｍ／平均一次粒子径０．２μｍの値が１に近似）の、しかも粒子形状の整った、極めて粒度分布がシャープな銅粉である」ことから、実施例１４の銅粉における「体積累積粒径Ｄ１０が０．０８μｍ以上である蓋然性が極めて高い」と主張するにとどまり、上記「Ｄ１０」が「０．０８μｍ」以上であることを、何等立証していない。
ｃ．
　したがって、申立人２の上記主張は採用できない。
ｄ．
　次に、本件発明２が、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−８号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明になし得た発明であるか否かについて検討する。
ｅ．
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−２−２．相違点２」において、
「以上説明したように、本件特許発明の請求項２の『分節２Ｃ．且つ、体積累積粒径Ｄ１０が０．０８μｍ〜０．３０μｍである』については、甲第６号証〜甲第８号証によれば、甲第６号証〜甲第８号証に記載されている事項であると共に、周知技術であるともいえる。
　よって、本件特許発明の請求項２は、甲第１号証記載の発明に、甲第６号証〜甲第８号証のいずれかの発明を組み合わせることにより容易到達し、かつその組み合わせが容易であるといえる。
　また、本件特許発明の請求項２は、第１号証記載の発明に周知技術を組み合わせたものであり、組み合わせは容易であるといえる。」（第１５９頁第１〜９行）と主張する。
ｆ．
　しかし、仮に、銅粉における「Ｄ１０」を「０．０８μｍ〜０．３０μｍ」とすることが甲第２−６号証〜甲第２−８号証に記載されている事項や周知技術であるとしても、申立人２は、甲第２−１号証記載の発明に甲第２−３号証、甲第２−６号証〜甲第２−８号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる理由について何等説明しておらず、また、甲第２−１号証記載の発明において、甲第２−６号証〜甲第２−８号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる動機付けがあるともいえないから、申立人２の上記主張は採用できない。
ｇ．
　したがって、本件発明２は、甲第２−１号証に記載された発明であるとはいえず、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−８号証に記載された発明、及び周知技術に基づき当業者が容易になし得るものであるとはいえない。
（ウ）申立理由２−４について
ａ．
　まず、本件発明３が、甲第２−１号証に記載された発明であるか否かについて検討する。
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−３−１−３．文節３Ｃ」において、
「…甲第１号証には、体積累積粒径Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）について、直接記載されてはいない。
　しかし、甲第１号証には、下記の記載がある。
…（略）…
　以上の記載から、甲第１号証には、次のことが記載されているといえる。
　１）甲第１号証の実施例１４の銅粉は、均一に粒子成長し、微細で、凝集粒子をほとんど含まない単分散（平均二次粒子径０．２１μｍ／平均一次粒子径０．２μｍの値が１に近似）の、しかも粒子形状の整った、極めて粒度分布がシャープな銅粉である。
　そのため、甲第１号証の実施例１４の銅粉の『レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）』は、１．０〜７．０の範囲内である蓋然性が極めて高い。
　よって、甲第１号証には、実施例１４の銅粉として、『レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）が１．０〜７．０の銅粉』が記載されているといえる。」（第１６４頁第２１行〜第１６６頁第１６行）と主張する。
ｂ．
　しかし、申立人２は「実施例１４の銅粉は、均一に粒子成長し、微細で、凝集粒子をほとんど含まない単分散（平均二次粒子径０．２１μｍ／平均一次粒子径０．２μｍの値が１に近似）の、しかも粒子形状の整った、極めて粒度分布がシャープな銅粉である」ことから、実施例１４の銅粉における「『レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）』は、１．０〜７．０の範囲内である蓋然性が極めて高い」と主張するにとどまり、上記「（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０」が「１．０〜７．０」であることを、何等立証していない。
ｃ．
　したがって、申立人２の上記主張は採用できない。
ｄ．
　次に、本件発明３が、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明になし得た発明であるか否かについて検討する。
ｅ．
　申立人２は特許異議申立書の「４−６−３−２．相違点３」において、
「以上説明したように、本件特許発明の請求項３の『且つ、前記Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０によって表される式（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０（単位：μｍ／μｍ）が１．０〜７．０である』については、甲第６号証〜甲第８号証によれば、甲第６号証〜甲第８号証に記載されている事項であると共に、周知技術であるともいえる。
　よって、本件特許発明の請求項３は、甲第１号証記載の発明に、甲第６号証〜甲第８号証のいずれかの発明を組み合わせることにより容易到達し、かつその組み合わせが容易であるといえる。
　また、本件特許発明の請求項３は、第１号証記載の発明に周知技術を組み合わせたものであり、組み合わせは容易であるといえる。」（第１７１頁下から第１２〜５行）と主張する。
ｆ．
　しかし、仮に、「（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０」が「１．０〜７．０」を満たす銅粉が甲第２−６号証〜甲第２−８号証に記載されている事項や周知技術であるとしても、申立人２は、甲第２−１号証記載の発明に甲第２−３号証、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる理由について何等説明しておらず、また、甲第２−１号証記載の発明において、甲第２−３号証、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証のそれぞれに記載された技術を組み合わせる動機付けがあるともいえないから、申立人２の上記主張は採用できない。
ｇ．
　したがって、本件発明３は、甲第２−１号証に記載された発明であるとはいえず、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基づき当業者が容易になし得るものであるとはいえない。
（エ）申立理由２−５について
　本件発明４は、本件発明１〜３のそれぞれを引用するものであるから、上記（ア）〜（ウ）のそれぞれに示したのと同様の理由で、甲第２−１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２−１号証に記載された発明、甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基づき当業者が容易になし得るものであるとはいえない。
（オ）申立理由２−６について
　本件発明５は本件発明１〜４のそれぞれを引用するものであるから、上記（ア）〜（エ）のそれぞれに示したのと同様の理由で、甲第２−１号証に記載された発明であるとはいえず、また、甲第２−１号証〜甲第２−３号証に記載された発明、甲第２−６号証〜甲第２−１１号証に記載された発明、及び周知技術に基づき当業者が容易になし得るものであるとはいえない。
（カ）申立理由２−７について
　甲第２−８号証は甲第１−３号証と同一の文献であり、甲第２−１２号証は甲第１−２号証と同一の文献であり、甲第２−１３号証は甲第１−５号証と同一の文献であり、甲第２−１４号証は甲第１−６号証と同一の文献であるから、上記第５−２−１（ア）で検討したように、本件発明１のように、「結晶子径／Ｄ５０」が０．１５〜０．６０という範囲内になるよう結晶子径を制御することで、「粒子形状を略球状に保」ちつつ「圧粉抵抗をより一層低くする」という本件発明の課題を解決することについては、甲第２−３号証、甲第２−８号証〜甲第２−１４号証、及び、甲第２−２１号証のいずれにおいても、記載も示唆もされていない。
　そうすると、上記第５−２−１（ア）において示したのと同様の理由で、本件発明１は、甲第２−８号証に記載された発明、甲第２−３号証の記載、甲第２−９号証〜甲第２−１４号証の記載、及び、甲第２−２１号証の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　また、本件発明２〜５は、本件発明１と同様に、銅粉の「レーザー回折散乱式粒度分布測定装置によって測定される体積累積粒径Ｄ５０が０．２０μｍ〜０．７０μｍ」であることを発明特定事項として含むものであるから、上記と同じ理由により、これらの発明は、甲第２−８号証に記載された発明、甲第２−３号証の記載、甲第２−９号証〜甲第２−１４号証の記載、及び、甲第２−２１号証の記載に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年３月２２日（２０１７．３．２２）