(57)【要約】      （修正有）【課題】円形基板をフォークにより保持し、処理ユニットに搬送する前に基板の基準位置となる基板の切欠きを検出し、且つ切り欠きの位置を所望の角度の位置に変更した後に基板を受け渡すことができる基板搬送装置を提供する。【解決手段】昇降回転部９９で吸着したウェハＷを回転させて周縁部に設けられる切欠き部を検出部５で検出させ、検出した位置から所定の角度が設定された位置で回転を停止させた後にフォーク３Ａまたは３Ｂ上にウェハＷを保持させ、ウェハＷを処理するための処理部に切り欠き部の位置を変更したウェハＷをフォーク３Ａまたは３Ｂから受け渡すことにする。【選択図】図９
0003200927.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基台と、
前記基台から進退自在に設けられ、円形の基板の裏面を保持爪により保持する保持部と、
前記基台に前記保持部が後退し基板を保持した状態の基板の裏面に吸着して前記保持爪よりも高い位置で前記基板を回転自在且つ昇降自在に構成された昇降回転部と、
前記保持部が後退し基板を保持した状態、または、前記回転昇降部が前記基板を吸着保持した状態でいるときに、前記基板の周縁部の端面を検出する検出部と、
前記昇降回転部で吸着した基板を回転させて前記周縁部に設けられる切欠き部を前記検出部で検出させ、検出した位置から所定の角度が設定された位置で前記回転を停止させた後に前記保持部上に前記基板を保持させ、前記基板を処理するための処理部に前記切り欠き部の位置を変更した前記基板を前記保持部から受け渡すように構成した制御部と、
を有することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記昇降回転部は、回転位置を検出するためのエンコーダを有していることを特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記保持部で前記基板の切欠き部が検出されなかった場合に、前記昇降回転部を上昇させ前記基板を吸着し基板を回転させて前記保持部で前記切欠き部が検出される位置で回転を停止し、次いで前記保持部上に前記基板を保持させるように構成したことを特徴とする請求項１または２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記制御部は、基板の切欠き部を所定の角度の位置に設定して前記処理部に受け渡し、処理後の前記基板を前記処理部から受け取り、処理後に前記検出部で検出した前記切欠き部の位置と処理前に設定した切欠き部の位置とを比較するように構成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記検出部は、前記保持部が進退する方向の中心線上の位置において、前記基台に設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記検出部は、前記保持部に保持された基板の前端部側及び／または後端部側を検出する位置に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記検出部は、撮像手段であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板搬送装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、例えば円形の半導体ウェハや円形のガラス基板といった基板の処理装置に使用されて基板を搬送する基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや画像処理センサ製造用のガラス基板の製造プロセスにおいては、装置内に基板（以下「ウェハ」ともいう。）に対してプロセス処理を行う処理ユニットを複数個設け、これら処理ユニットに基板搬送装置により基板を順次搬送することによって、所定の処理が行われている。基板搬送装置は、例えば、基板を保持するフォークが基台に沿って進退自在に設けられると共に、基板が鉛直軸周りに回転自在、昇降自在に構成されている。
【０００３】
処理ユニットでは、プロセス処理を行う中で様々な要因によるプロセストラブルが発生することがある。例えば、処理液を基板表面へ成膜した後の加熱処理ユニットでは加熱斑による乾燥膜厚の片上がりが発生することもある。また、露光処理後の加熱処理における加熱斑の影響によるパターン形成寸法のばらつきも発生する。
【０００４】
このような場合には、基板を処理ユニットに搬入する際に先に搬入する基板の向きを所定方向に揃えて処理を行うことで異常が発生した場合の発生傾向を分析及び特定して原因の究明を早くすることが知られている。
【０００５】
この様なことから基板搬送装置には、処理ユニットからフォークが受け取った基板の保持位置を変更してから別の処理ユニットに受け渡すための機構が設けられているものがある（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
特許文献１には、基板を搬送ロボットのアーム（フォーク）で保持し搬送を行う機構を有したフラットパネルディスプレーの製造装置において、装置内の複数のユニットで異なる矩形基板を受け渡すときの向きを長辺と短辺とを切替えるための基板回転機構とアーム（フォーク）の保持状態を所定の位置で固定させる調整手段が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−４８３４７号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、上記した基板を搬送する基板搬送装置においては、矩形基板における向きの変更であり半導体製造に用いられる円形基板に適用するには次のような問題を解決しなければならない。
【０００９】
特許文献１に開示される例は、基板の裏面を吸着保持して回転させる機構を備える点では同じであるが、基板が矩形形状のため基板を９０度回転させるだけを目的としている。
【００１０】
特許文献１の構成では、半導体製造向けの円形の基板（ウェハ）については記載がない。また、特許文献１では、ウェハの回転を９０度以外に変更する記載と理由がない。ウェハの受け渡しフォークがウェハを受け取りした後の位置からウェハを回転させて任意の所望の角度の回転をさせて位置変更させる記載がない。このため、処理ユニット毎にウェハに所望の角度を指定してウェハの受け渡しを行ない、プロセス処理をさせる要求に答えることが出来ない。
【００１１】
本考案は上記の点に鑑みてなされたものであり、円形基板をフォークにより保持し、処理ユニットに搬送する前に基板の基準位置となる基板の切欠き部を検出し、且つ切り欠き部の位置を所望の角度の位置に変更した後に基板を受け渡すことができる基板搬送装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本考案の基板搬送装置は、基台と、前記基台から進退自在に設けられ、円形の基板の裏面を保持爪により保持する保持部と、前記基台に前記保持部が後退し基板を保持した状態の基板の裏面に吸着して前記保持爪よりも高い位置で前記基板を回転自在且つ昇降自在に構成された昇降回転部と、前記保持部が後退し基板を保持した状態、または、前記回転昇降部が前記基板を吸着保持した状態でいるときに、前記基板の周縁部の端面を検出する検出部と、前記昇降回転部で吸着した基板を回転させて前記周縁部に設けられる切欠き部を前記検出部で検出させ、検出した位置から所定の角度が設定された位置で前記回転を停止させた後に前記保持部上に前記基板を保持させ、前記基板を処理するための処理部に前記切り欠き部の位置を変更した前記基板を前記保持部から受け渡すように構成した制御部とを有することを特徴とする。
【００１３】
本考案のこのような構成によれば、円形の基板の周縁部に設けられる切欠き部を検出する検出部を設けて、基板を吸着して水平方向に回転させながら切欠き部の位置を検出して基準位置とすることが出来る。この基準位置から基板を所定の角度になるように回転をさせて切欠き部を所定の角度の位置にして保持部に保持させることが出来る。よって、この切欠き部の角度を維持したまま処理部に搬入することが出来る。
【００１４】
上記課題を解決するため、本考案の基板搬送装置は、回転位置を検出するためのエンコーダを有している。また、前記制御部は、前記保持部で前記基板の切欠き部が検出されなかった場合に、前記昇降回転部を上昇させ前記基板を吸着し基板を回転させて前記保持部で前記切欠き部が検出される位置で回転を停止し、次いで前記保持部上に前記基板を保持させるように構成したことを特徴とする。
【００１５】
本考案のこのような構成によれば、昇降回転部には回転角度を知るためにエンコーダを備えており、切欠き部を検出した位置から任意の位置に切欠き部を回転させて止めることができる。
【００１６】
本考案のこのような構成によれば、基台側に設けられる検出部の位置が処理部に受け渡しをする場合に切欠き部を基準位置とすることで、処理部で処理された基板に位置ずれが生じていなかったかを判断できる。このときに位置ずれが生じていた場合は、切欠き部の位置を再度認識させてから次の工程の処理に搬送を行う。
【００１７】
上記課題を解決するため、本考案の基板搬送装置の前記制御部は、基板の切欠き部を所定の角度の位置に設定して前記処理部に受け渡し、処理後の前記基板を前記処理部から受け取り、処理後に前記検出部で検出した前記切欠き部の位置と処理前に設定した切欠き部の位置とを比較するように構成したことを特徴とする。
【００１８】
本考案のこのような構成によれば、処理前後の基板の位置状態を比較することで処理部に受け渡し後の基板の状態の変化を知ることが出来るので、処理部のメンテナンス情報として使用することが出来る。
【００１９】
上記課題を解決するため、本考案の基板搬送装置の前記検出部は、前記保持部が進退する方向の中心線上の位置において、前記基台に設けられている。また、前記検出部は、前記保持部に保持された基板の前端部側及び／または後端部側を検出する位置に設けられている。この検出部は撮像手段であることを特徴とする。
【００２０】
本考案のこのような構成によれば、処理部に対して保持部が搬入出する進退方向の基台に検出部を設けることで、基板を処理部から受け取りしたと同時に基板の位置を検出することが出来る。検出部は保持部の進行方向側に収納方向の２箇所に設けることも出来るし片方側にのみ設けても良い。
【考案の効果】
【００２１】
本考案によれば、基板を搬送する基板搬送装置おいて、基板の周縁部に切欠きがある基板をフォークにより保持し、搬送するときに基板の位置を所望の設定位置に変更して処理ユニットに受け渡すことが出来る。また、処理後の基板を受け取り処理後の基板位置のずれ量を知ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。
【図３】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。
【図４】実施の形態に係るレジストパターン形成装置の第３のブロックの構成を示す斜視図である。
【図５】本考案の実施の形態に係る搬送アームを示す斜視図である。
【図６】本考案の実施の形態に係る搬送アームを示す平面図及び側面図である。
【図７】本考案の実施の形態に係る搬送アームのフォークを拡大して示す平面図である。
【図８】本考案の実施の形態に係る搬送アームの基台の構成を示す平面図及び側面図である。
【図９】本考案の実施の形態に係る搬送アームとチャックの構成を示す側面図である。
【図１０】本考案の実施の形態に係る搬送アームとウェハのノッチ位置を示す側面図である。
【図１１】本考案の実施の形態に係る制御を説明するフローチャートである。
【考案を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本考案に係る基板搬送装置を備えた基板処理装置を、塗布現像装置に適用した場合を例にして説明する。先ず、図１から図４を参照し、本考案の実施の形態に係る基板処理装置である、塗布現像装置に露光装置を接続したレジストパターン形成装置について、図面を参照しながら簡単に説明する。
【００２４】
図１は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す平面図である。図２は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す概略斜視図である。図３は、本実施の形態に係るレジストパターン形成装置の構成を示す側面図である。図４は、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を示す斜視図である。
【００２５】
レジストパターン形成装置は、図１及び図２に示すように、キャリアブロックＳ１、処理ブロックＳ２、インターフェイスブロックＳ３を有する。また、レジストパターン形成装置のインターフェイスブロックＳ３側に、露光装置Ｓ４が設けられている。処理ブロックＳ２は、キャリアブロックＳ１に隣接するように設けられている。インターフェイスブロックＳ３は、処理ブロックＳ２のキャリアブロックＳ１側と反対側に、処理ブロックＳ２に隣接するように設けられている。露光装置Ｓ４は、インターフェイスブロックＳ３の処理ブロックＳ２側と反対側に、インターフェイスブロックＳ３に隣接するように設けられている。
【００２６】
キャリアブロックＳ１は、キャリア２０、載置台２１及び受け渡し手段Ｃを有する。キャリア２０は、載置台２１上に載置されている。受け渡し手段Ｃは、キャリア２０からウェハＷを取り出し、処理ブロックＳ２に受け渡すとともに、処理ブロックＳ２において処理された処理済みのウェハＷを受け取り、キャリア２０に戻すためのものである。
【００２７】
処理ブロックＳ２は、図１及び図２に示すように、棚ユニットＵ１、棚ユニットＵ２、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を有する。第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、現像処理を行うためのものである。第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２は、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、レジスト液の塗布処理を行うためのものである。第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うためのものである。
【００２８】
棚ユニットＵ１は、各種のモジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ１は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ１、ＴＲＳ１、ＣＰＬ１１、ＣＰＬ２、ＢＦ２、ＣＰＬ３、ＢＦ３、ＣＰＬ４、ＴＲＳ４を有する。また、図１に示すように、棚ユニットＵ１の近傍には、昇降自在な受け渡しアームＤが設けられている。棚ユニットＵ１の各処理モジュール同士の間では、受け渡しアームＤによりウェハＷが搬送される。
【００２９】
棚ユニットＵ２は、各種の処理モジュールが積層されて構成されている。棚ユニットＵ２は、図３に示すように、例えば下から順に積層された、受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ６、ＣＰＬ１２を有する。
【００３０】
なお、図３において、ＣＰＬが付されている受け渡しモジュールは、温調用の冷却モジュールを兼ねており、ＢＦが付されている受け渡しモジュールは、複数枚のウェハＷを載置可能なバッファモジュールを兼ねている。
【００３１】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、図１及び図３に示すように、現像モジュール２２、搬送アームＡ１及びシャトルアームＥを有する。現像モジュール２２は、１つの第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１内に、上下２段に積層されている。搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送するためのものである。すなわち、搬送アームＡ１は、２段の現像モジュール２２にウェハＷを搬送する搬送アームが共通化されているものである。シャトルアームＥは、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ１１から棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２にウェハＷを直接搬送するためのものである。
【００３２】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４は、各々塗布モジュール、加熱・冷却系の処理モジュール群、及び搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４を有する。処理モジュール群は、塗布モジュールにおいて行われる処理の前処理及び後処理を行うためのものである。搬送アームＡ２、Ａ３、Ａ４は、塗布モジュールと処理モジュール群との間に設けられており、塗布モジュール及び処理モジュール群の各処理モジュールの間でウェハＷの受け渡しを行う。
【００３３】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２から第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の各ブロックは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４における薬液が反射防止膜用の薬液であり、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３における薬液がレジスト液であることを除き、同様の構成を有する。
【００３４】
なお、搬送アームＡ１〜Ａ４は、本考案における基板搬送装置に相当するものであり、搬送アームＡ１〜Ａ４の構成については、後述する。また、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦも、本考案における基板搬送装置に相当するものである。以下では、基板搬送装置として、搬送アームＡ１〜Ａ４、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦを代表し、搬送アームＡ１〜Ａ４について説明するものとする。また、図１に示すように、搬送アームＡ１には、後述する検出部５を支持する支持部材５３が設けられている。また、図１に示すように、受け渡し手段Ｃ、受け渡しアームＤ、及び後述するインターフェイスアームＦにも、後述する検出部５を支持する支持部材５３が設けられていてもよい。
【００３５】
ここで、図４を参照し、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、及び第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を代表し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の構成を説明する。
【００３６】
第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３は、塗布モジュール２３、棚ユニットＵ３及び搬送アームＡ３を有する。棚ユニットＵ３は、加熱モジュール、冷却モジュール等の熱処理モジュール群を構成するように積層された、複数の処理モジュールを有する。棚ユニットＵ３は、塗布モジュール２３と対向するように配列されている。搬送アームＡ３は、塗布モジュール２３と棚ユニットＵ３との間に設けられている。図４中２４は、各処理モジュールと搬送アームＡ３との間でウェハＷの受け渡しを行うための搬送口である。
【００３７】
インターフェイスブロックＳ３は、図１に示すように、インターフェイスアームＦを有する。インターフェイスアームＦは、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ２の近傍に設けられている。棚ユニットＵ２の各処理モジュール同士の間及び露光装置Ｓ４との間では、インターフェイスアームＦによりウェハＷが搬送される。
【００３８】
キャリアブロックＳ１からのウェハＷは、棚ユニットＵ１の一つの受け渡しモジュール、例えば第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２に対応する受け渡しモジュールＣＰＬ２に、受け渡し手段Ｃにより、順次搬送される。受け渡しモジュールＣＰＬ２に搬送されたウェハＷは、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２の搬送アームＡ２に受け渡され、搬送アームＡ２を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。
【００３９】
反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ２、受け渡しアームＤ、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＣＰＬ３を介し、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の搬送アームＡ３に受け渡される。そして、ウェハＷは、搬送アームＡ３を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷにレジスト膜が形成される。
【００４０】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＢＦ３に受け渡される。
【００４１】
なお、レジスト膜が形成されたウェハＷは、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４において更に反射防止膜が形成される場合もある。この場合は、ウェハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ４を介し、第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４の搬送アームＡ４に受け渡され、搬送アームＡ４を介して各処理モジュール（塗布モジュール及び加熱・冷却系の処理モジュール群の各処理モジュール）に搬送され、各処理モジュールで処理が行われる。これにより、ウェハＷに反射防止膜が形成される。そして、反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４を介し、棚ユニットＵ１の受け渡しモジュールＴＲＳ４に受け渡される。
【００４２】
レジスト膜が形成されたウェハＷ又はレジスト膜の上に更に反射防止膜が形成されたウェハＷは、受け渡しアームＤ、受け渡しモジュールＢＦ３、ＴＲＳ４を介して受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡される。受け渡しモジュールＣＰＬ１１に受け渡されたウェハＷは、シャトルアームＥにより棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＣＰＬ１２に直接搬送された後、インターフェイスブロックＳ３のインターフェイスアームＦに受け渡される。
【００４３】
インターフェイスアームＦに受け渡されたウェハＷは、露光装置Ｓ４に搬送され、所定の露光処理が行われる。所定の露光処理が行われたウェハＷは、インターフェイスアームＦを介し、棚ユニットＵ２の受け渡しモジュールＴＲＳ６に載置され、処理ブロックＳ２に戻される。処理ブロックＳ２に戻されたウェハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１において現像処理が行われる。現像処理が行われたウェハＷは、搬送アームＡ１、棚ユニットＵ１のいずれかの受け渡しモジュール、受け渡し手段Ｃを介し、キャリア２０に戻される。
【００４４】
次に、図４から図６を参照し、本考案における基板搬送装置である搬送アームＡ１〜Ａ４について説明する。搬送アームＡ１〜Ａ４は同様に構成されているので、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３に設けられた搬送アームＡ３を代表して説明する。図５は、搬送アームＡ３を示す斜視図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、搬送アームＡ３を示す平面図及び側面図である。図４から図６に示すように、搬送アームＡ３は、２枚のフォーク３（３Ａ、３Ｂ）、基台３１、回転機構３２、進退機構３３Ａ、３３Ｂ、昇降台３４、検出部５を有する。
【００４５】
この図６（ａ）及び図６（ｂ）には、請求の範囲に係わる昇降回転部については図示はされておらず搬送アームＡ１〜Ａ４の基本的な構造を説明し、本考案に係わる昇降回転部の説明は後述する図８で行なうものとする。
【００４６】
２枚のフォーク３Ａ、３Ｂは、上下に重なるように設けられている。基台３１は、回転機構３２により、鉛直軸周りに回転自在に設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂは、各々、その基端側がそれぞれ進退機構３３Ａ、３３Ｂに支持されており、進退機構３３Ａ、３３Ｂにより、基台３１から進退自在に設けられている。なお、フォーク３（３Ａ、３Ｂ）は、本考案における保持部に相当する。
【００４７】
進退機構３３Ａ、３３Ｂは、基台３１内部に設けられた駆動機構である、基台３１内部に図示しないモータＭに、タイミングベルト等の伝達機構を用いて連結されており、基台３１から進退自在に設けられたフォーク３Ａ、３Ｂを進退駆動する。伝達機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。
【００４８】
昇降台３４は、図４に示すように、回転機構３２の下方側に設けられている。昇降台３４は、上下方向（図４中Ｚ軸方向）に直線状に延びる図示しないＺ軸ガイドレールに沿って、昇降機構により昇降自在に設けられている。昇降機構としては、ボールネジ機構やタイミングベルトを用いた機構等、周知の構成を用いることができる。この例ではＺ軸ガイドレール及び昇降機構は夫々カバー体３５により覆われており、例えば上部側において接続されて一体となっている。またカバー体３５は、Ｙ軸方向に直線状に伸びるＹ軸ガイドレール３６に沿って摺動移動するように構成されている。
【００４９】
次に、図５から図７を参照し、フォーク３、検出部５について説明する。図７は、フォーク３Ａを拡大して示す平面図である。図７では、図示を容易にするため、フォーク３Ａに対し、保持爪４（４Ａ〜４Ｄ）を少し拡大して示している。検出部５の検出データは図示しない制御部６に送信される。
【００５０】
図５から図７に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂは、円弧状に形成され、搬送するウェハＷの周囲を囲むように設けられている。また、フォーク３Ａ、３Ｂには、各々保持爪４が形成されている。保持爪４は、フォーク３Ａ、３Ｂの内縁から各々内側に突出するとともに、内縁に沿って互いに間隔を隔てて設けられており、ウェハＷの周縁部が載置されることによってウェハＷを保持するものである。保持爪４は、３個以上が設けられる。図５及び図６に示す例では、ウェハＷの周縁部の４箇所を保持するために、４個の保持爪４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが設けられている。
【００５１】
検出部５は、図５と図６に示すように、フォーク３Ａ、３Ｂが進退する方向の中心線上の位置でウェハＷに設けられる切欠き部ＷＮを検出するようにウェハＷに対して上方位置に設けられている。例えば、検出部５は、フォーク３Ａ、３Ｂが進退する際に干渉しない前方の上方位置に設けるために基台３１から延設する支持部材５３の先端に取り付けられている。この検出部５は、それぞれのフォーク３Ａ、３ＢがウェハＷを保持した状態で後退しているときに、フォーク３Ａ、３Ｂの保持しているウェハＷの周縁部の位置を検出することができる。
【００５２】
図８に示される請求の範囲の記載に係わる昇降回転部は、ウェハＷを吸着して保持し回転自在なチャック１００とこのチャック１００を所定の位置に昇降させる昇降機構１０３を有するものである。具体的には、フォーク３Ａ、３Ｂの進退機構３３Ａ、３３Ｂの設けられる基台３１の内部にチャック１００を垂直方向に上下させる昇降機構１０３とチャック１００はブラケット１０２によって接続されている。昇降機構１０３は、例えば昇降用のモータＭ１によって昇降される。請求の範囲の記載では、これらを回転昇降部９９と記載する。
【００５３】
チャック１００は、吸着面に吸引孔１００ａが設けられチャック１００の回転軸１０１の内部の流路が吸引配管１０４と接続されており、図示しないバルブの開閉動作でチャック１００の吸着動作が行われる。チャック１００は回転軸１０１に設けられたチャック回転モータＭ２によって所定の回転数で回転される。チャック回転モータＭ２には、エンコーダＥＮが備えられ回転角度を検出することが出来る。
【００５４】
基台３１におけるチャック１００の配置は、フォーク３Ａまたはフォーク３Ｂを引いた位置（フォークの収納位置）でフォーク３Ａまたはフォーク３Ｂに保持されたウェハＷの略中心となる位置に設けられる。この位置でチャック１００を上昇させてウェハＷの略中心位置の吸着保持がなされる。
【００５５】
図９（ａ）、図９（ｂ）にチャック１００によるウェハＷの吸着状態を示す。図９（ａ）は、フォーク３Ｂに保持されたウェハＷをフォーク３Ｂの上面とフォーク３Ａの下面に干渉しない位置においてチャック１００により吸着保持している図である。図９（ｂ）も同様にフォーク３Ａに保持されたウェハＷをフォーク３Ａの上面と検出部５と干渉しない位置においてチャック１００により吸着保持している図である。
【００５６】
図９（ａ）、図９（ｂ）に示されるチャック１００の位置にて吸着保持されたウェハＷを回転させてノッチＷＮを検出部５により検出する。先ず、フォーク３Ａまたはフォーク３ＢがウェハＷを各種の処理モジュールから受け取りしたときに図１０（ａ）の位置でノッチWNが検出されるか否かを判定する。この位置がウェハＷの受け渡しを行なうときのウェハＷの基準位置となる０度となる。よって、図１０（ａ）の位置にノッチＷＮが存在しない場合はチャック１００を昇降機構１０３にて上昇させて吸着保持する。次にチャック１００を例えば６０ｒｐｍで回転させることでノッチＷＮの位置を検出部５で検出して基準位置となる０度で回転を停止させる。次いでチャック１００を下降させてフォーク３Ａまたはフォーク３ＢにウェハＷを再度保持させる。このときの動作の処理に検出部５とエンコーダＥＮの両方の信号を利用することが出来る。
【００５７】
図１０（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）はノッチＷＮの位置を例えば基準位置からみて９０度、１８０度、２７０度と所望の位置にしてフォーク３Ａに再保持させた図である。この場合にも前述と同様に先ずは検出部５でノッチＷＮを検出して、その時点のエンコーダＥＮの信号を読み込み記憶する。次いで、所定角度に相当するチャック回転モータＭ２へのモータ駆動パルス信号を記憶された値から演算することで任意の角度にノッチＷＮを位置させることが出来る。
【００５８】
図１１に一連のフローチャートでその制御によるフォーク３Ａの一例の動きを示す。基台３１からフォーク３Ａ（保持部）を前進させて処理モジュール（処理部）からウェハＷを受け取り（Ｓ１）、その後、フォーク３Ａを後退させて収納位置まで戻す（Ｓ２）。次に、受け取ったウェハＷの位置状態を確認するために検出部５でノッチＷＮが検出されるかを判定する（Ｓ３）。このときにノッチＷＮが検出された場合には、次の搬送先の処理モジュール（処理部）にウェハＷを搬入するときのノッチＷＮの角度の予め設定がなされているか否かが判定される（Ｓ４）。設定がされていない場合はそのままフォーク３Ａに保持された状態から次の処理モジュールに移動してフォーク３Ａを前進させてウェハＷを処理モジュールに受け渡す（Ｓ５）。この場合には、次の処理モジュールにウェハＷを搬入するときのノッチＷＮの角度が予め設定されていないために、前の処理モジュールから受け取ったウェハＷをそのまま回転させずに（ノッチＷＮの位置を変更せずに）次の処理モジュールへと受け渡す。
【００５９】
上記（Ｓ３）でノッチＷＮが検出されなかった場合には、昇降機構１０３によってチャック１００を上昇させてウェハＷを吸着保持させる（Ｓ６）。次に、昇降機構１０３によってウェハＷをフォーク３Ａの保持爪４よりも高い位置まで上昇させ（Ｓ７）、チャック回転モータＭ２によってウェハＷを回転させ、検出部５でノッチＷＮを検出した時にウェハＷの回転を停止する（Ｓ８）。次に、昇降機構１０３によってウェハＷを下降させ（Ｓ９）、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪４で保持させる（Ｓ１０）。これにより、前の処理モジュールから受け取った際にノッチＷＮの位置が不明であっても、ウェハＷのノッチＷＮの位置を所定位置（基準位置）に設定することができる。
【００６０】
また、上記（Ｓ４）で次の処理モジュールへのウェハＷの角度（ノッチＷＮの位置）の設定がされている場合には、昇降機構１０３によってチャック１００を上昇させてウェハＷを吸着保持させる（Ｓ１１）。次に、昇降機構１０３によってウェハＷをフォーク３Ａの保持爪４よりも高い位置まで上昇させ（Ｓ１２）、チャック回転モータＭ２によってウェハＷを回転させ、検出部５にてノッチＮＷを検出させた位置からエンコーダＥＮのパルス値と回転モータＭ２の移動量との関係からノッチＷＮが設定された角度になる位置でウェハＷの回転を停止する（Ｓ１３）。次に、昇降機構１０３によってウェハＷを下降させ（Ｓ１４）、ウェハＷをフォーク３Ａの保持爪４で保持させる（Ｓ１５）。これにより、前の処理モジュールから受け取ったウェハＷを予め設定されたウェハＷの角度（ノッチＷＮの位置）にウェハＷを回転させてから（ノッチＷＮの位置を変更してから）次の処理モジュールへと受け渡すことができる。
【００６１】
この様な一連の動作を行うことで処理モジュールから受取ったウェハＷのノッチＷＮの位置が不明でも次の搬送先に搬入するノッチＷＮを所望の向き合わせた後に受け渡すことが出来る。また、エンコーダＥＮの信号から受取ったウェハＷが基準位置から何度の角度ずれを生じているのかも特定されるので、処理モジュールの受け渡しにおいて処理前後での基板の位置ずれの判定も出来る。これにより図示しない制御部で処理モジュールの異常の判定を行いアラーム情報の出力することも出来る。さらに、複数の処理モジュールに対して個別にノッチＷＮを設定して受け渡しを行なうことも出来る。
【００６２】
これによりノッチＷＮを予め決めて処理モジュールでプロセス処理をすることで、同じプロセスを行う複数の処理モジュールの処理の違いを判断し易くなりトラブル対応が迅速に解決できる。また、ウェハＷの裏面を支持するフォーク３Ａ、３Ｂの基板支持部の位置をウェハＷの位置を変更することで一致させることも出来る。検出部５は支持部５３の先端方向でなくフォーク３Ａ、３Ｂを収納した側のウェハＷの後方を検出するように設けられても良く、支持部５３に対してウェハＷの直径端の両側に設けても良い。
【符号の説明】
【００６３】
Ｗ  ウェハ
Ｍ２  チャック回転モータ
ＥＮ  エンコーダ
３Ａ、３Ｂ  フォーク（保持部）
３１  基台
５  検出部
５３  支持部
１００  チャック
１０３  昇降機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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