【事件の表示】
　特許第５７３０４８４号発明「厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７３０４８４号の特許請求の範囲を，平成２８年５月１６日付け訂正請求書に添付され平成２８年７月１１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１〜９〕，〔１０〜２０〕，〔２１〜２５〕及び〔２６〜３０〕について訂正することを認める。
　特許第５７３０４８４号の請求項１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０に係る特許を維持する。
　特許第５７３０４８４号の請求項８，２４，２９に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５７３０４８４号の請求項１ないし３０に係る特許についての出願は，平成２０年１月２５日に特許出願され，平成２７年４月１７日にその特許権の設定登録がされ，その後，平成２７年１２月７日に，その特許について，特許異議申立人　星　正美　により特許異議の申立てがなされ，平成２８年２月９日付けで取消理由が通知され，その指定期間内である同年５月１６日に意見書の提出及び訂正の請求があり，同年６月１４日付けで訂正拒絶理由が通知され，その指定期間内である同年７月１１日に意見書の提出及び手続補正書並びに訂正特許請求の範囲の提出があったものである。
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成２８年７月１１日付け手続補正書により補正された，平成２８年５月１６日付け訂正請求書（以下「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は以下のアないしチのとおりである。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正する），同請求項１に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」（３箇所）と記載されているのをいずれも，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正する），同請求項１に「当該少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正する），請求項２に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２の記載を引用する請求項３〜７及び９も同様に訂正する），請求項３に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項３の記載を引用する請求項４〜７及び９も同様に訂正する），請求項４に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項４の記載を引用する請求項５〜７及び９も同様に訂正する），請求項５に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項５の記載を引用する請求項６〜７及び９も同様に訂正する），請求項６に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」２箇所）と記載されているのをいずれも，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項６の記載を引用する請求項７及び９も同様に訂正する），同請求項６に「該少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項６の記載を引用する請求項７及び９も同様に訂正する），請求項７に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項７の記載を引用する請求項９も同様に訂正する），同請求項７に「該少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項７の記載を引用する請求項９も同様に訂正する），請求項９に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正する。
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「貫通転移密度」（２箇所）と記載されているのをいずれも，「貫通転位密度」に訂正する（請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正する）。
　ウ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項８を削除する。
　エ　訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項９に「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」と記載されているのを，「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」に訂正する。
　オ　訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１０に「貫通転移密度」（２箇所）と記載されているのをいずれも，「貫通転位密度」に訂正する（請求項１０の記載を引用する請求項１１〜２０も同様に訂正する）。
　カ　訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１６に「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より大きい」と記載されているのを，「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい」に訂正する（請求項１６の記載を引用する請求項１７〜２０も同様に訂正する）。
 
　キ　訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１７に「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍ，未満のＲＭＳ表面粗さ，約０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び約１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」と記載されているのを，「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して０．５ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗さ，０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」に訂正する（請求項１７の記載を引用する請求項１８〜２０も同様に訂正する）。
　ク　訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１８に「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しい」と記載されているのを，「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度に等しい」に訂正する（請求項１８の記載を引用する請求項１９及び２０も同様に訂正する）。
　ケ　訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項２１に「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３及び２５も同様に訂正する），同請求項２１に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」（３箇所）と記載されているのをいずれも，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３及び２５も同様に訂正する），同請求項２１に「当該少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３及び２５も同様に訂正する），請求項２２に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２２の記載を引用する請求項２３及び２５も同様に訂正する），請求項２３に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２３の記載を引用する請求項２５も同様に訂正する），請求項２５に「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正する。
　コ　訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項２１に「貫通転移密度」（２箇所）と記載されているのをいずれも，「貫通転位密度」に訂正する（請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３，及び２５も同様に訂正する）。
　サ　訂正事項１４
　特許請求の範囲の請求項２４を削除する。
　シ　訂正事項１５
　特許請求の範囲の請求項２５に「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２４のいずれか一項に記載のデバイス」と記載されているのを，「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２３のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正する。
　ス　訂正事項１６
　特許請求の範囲の請求項２６に「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた複数の擬似格子整合型の膜であって，前記複数の擬似格子整合型の膜の各々が，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む，複数の擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜の各々が，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む，複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する），同請求項２６に「前記複数の擬似格子整合型の膜」（３箇所）と記載されているのをいずれも，「前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する），同請求項２６に「当該複数の擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「当該複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する），請求項２７に「前記複数の擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２７を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する），請求項２８に「前記複数の擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し（請求項２８を引用する請求項３０も同様に訂正する），請求項３０に　「前記複数の擬似格子整合型の膜」と記載されているのを，「前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正する。
　セ　訂正事項１７
　特許請求の範囲の請求項２６に「貫通転移密度」（２箇所）と記載されているのをいずれも，「貫通転位密度」に訂正する（訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する）。
　ソ　訂正事項１８
　特許請求の範囲の請求項２７に「請求項２８に記載のデバイス」と記載されているのを，「請求項２６に記載のデバイス」に訂正する（請求項２７の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正する）。
　タ　訂正事項２０
　特許請求の範囲の請求項２９を削除する。
　チ　訂正事項２１
　特許請求の範囲の請求項３０に「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６からう２９のいずれか一項に記載のデバイス」と記載されているのを，「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否，一群の請求項，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　ア　訂正事項１
　訂正事項１は，訂正前の請求項１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１の余の部分及び請求項２〜７及び９における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１は，「エピタキシヤル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，訂正事項１は，訂正前の請求項１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１の余の部分及び請求項２〜７及び９における引用箇所を訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００１５は「一態様では，半導体基板２００は，ＡｌＮを含むか又は本質的にＡｌＮからなっている。半導体基板２００の上面２１０が，その上に１つ以上のエピタキシャル層を堆積させる前に，（例えば化学機械研磨による）平坦化又は洗浄の少なくとも１つによってエピタキシャル成長のために準備（処理）される。次に，半導体基板２００上に，歪みエピタキシャル層２２０を，例えば有機金属気相エピタキシーによって，その予測臨界厚みを超える厚みにまで堆積させる。」と記載している。よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１は，訂正前の請求項１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１の余の部分及び請求項２〜７及び９における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１は，「エピタキシャル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。よって，訂正事項１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　イ　訂正事項２
　訂正事項２は，訂正前の請求項１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正するものである。訂正事項２は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項２は，訂正前の請求項１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００２６は，「貫通転位密度」という語を記載している。よって，訂正事項２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項２は，訂正前の請求項１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１の記載を引用する請求項２〜７及び９も同様に訂正するものである。訂正事項２は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ウ　訂正事項４
　訂正事項４は，訂正前の請求項８を削除するものであるから，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項４は，訂正前の請求項８を削除するものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項４は，訂正前の請求項８を削除するものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　エ　訂正事項５
　訂正事項５は，訂正前の請求項９に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」に訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項５は，訂正前の請求項９に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した特許請求の範囲の請求項９は「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。」と記載している。よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項５は，訂正前の請求項９に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造」に訂正するものである。訂正事項５は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，発明の課題や解決手段を実質的に変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しない。よって，訂正事項５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　オ　訂正事項６
　訂正事項６は，訂正前の請求項１０に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１０の記載を引用する請求項１１〜２０も同様に訂正するものである。訂正事項６は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項６は，訂正前の請求項１０に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１０の記載を引用する請求項１１〜２０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００２６は，「貫通転位密度」という語を記載している。よって，訂正事項６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項６は，訂正前の請求項１０に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも，「貫通転位密度」に訂正し，請求項１０の記載を引用する請求項１１〜２０も同様に訂正するものである。訂正事項６は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　カ　訂正事項８
　訂正事項８は，訂正前の請求項１６に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より大きい」を，「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい」に訂正し，請求項１６の記載を引用する請求項１７〜２０も同様に訂正するものである。これらの訂正はいずれも，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤訳の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項８は，訂正前の請求項１６に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より大きい」を，「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい」に訂正し，請求項１６の記載を引用する請求項１７〜２０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，国際出願日における国際出願（ＰＣＴ／ＵＳ２００８／００１００３）の請求の範囲の請求項１７は，“１７．　Ｔｈｅ　ｍｅｔｈｏｄ　ｏｆ　ｃｌａｉｍ　１６，　ｗｈｅｒｅｉｎ　ａｎｉｎｉｔｉａｌ　ｆｌｏｗ　ｒａｔｅ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｇａｌｌｉｕｍ　ｄｕｒｉｎｇ　ｔｈｅ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｔｒａｉｎｅｄ　ｌａｙｅｒ　ｉｓ　ｌｏｗｅｒ　ｔｈａｎ　ａ　ｆｉｎａｌ　ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｇａｌｌｉｕｍ　ｆｌｏｗ　ｒａｔｅ．”（日本語訳：「前記歪み層の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい，請求項１６に記載の方法。」）と記載している。よって，訂正事項８は，特許法第１８４条の１９の規定により読替えて特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項８は，訂正前の請求項１６に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より大きい」を，「前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい」に訂正し，請求項１６の記載を引用する請求項１７〜２０も同様に訂正するものである。訂正事項８は，錯誤による明らかな誤訳を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項８は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　キ　訂正事項９
　訂正事項９は，訂正前の請求項１７に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍ，未満のＲＭＳ表面粗さ，約０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び約１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」を，「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して０．５ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗さ，０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」に訂正し，請求項１７の記載を引用する請求項１８〜２０も同様に訂正するものである。訂正事項９のうち，「約」（３箇所）の削除は，発明の明確化を図るためのものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。訂正事項９のうち，「，」（句読点）の削除は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項９は，訂正前の請求項１７に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍ，未満のＲＭＳ表面粗さ，約０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び約１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」を，「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して０．５ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗さ，０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」に訂正し，請求項１７の記載を引用する請求項１８〜２０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落０００９は「窒化アルミニウム単結晶基板は，１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍより小さいＲＭＳ表面粗さを有し，約０．３°〜４°の表面配向のずれ（ｍｉｓｉｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ），及び約１０４ｃｍ−２より小さい貫通転位密度を有していてよい。」と記載している。よって，訂正事項９は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項９は，訂正前の請求項１７に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して約０．５ｎｍ，未満のＲＭＳ表面粗さ，約０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び約１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」を，「前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して０．５ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗さ，０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する」に訂正し，請求項１７の記載を引用する請求項１８〜２０も同様に訂正するものである。訂正事項９のうち，「約」（３箇所）の削除は，発明の明確化を図るためのものであり，「，」（句読点）の削除は，単純な誤記の訂正であり，これらの訂正はいずれも，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項９は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ク　訂正事項１０
　訂正事項１０は，訂正前の請求項１８に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しい」を「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度に等しい」に訂正し，請求項１８の記載を引用する請求項１９及び２０も同様に訂正するものである。訂正事項１０は，訂正前の請求項１０から「ほぼ」を削除することで発明の明確化を図るためのものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，訂正事項１０は，訂正前の請求項１８に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しい」を「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度に等しい」に訂正し，請求項１８の記載を引用する請求項１９及び２０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落０００９は「歪み層の貫通転位密度は，窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しくなっていてよい。」と記載している。よって，訂正事項１０は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１０は，訂正前の請求項１８に記載されていた「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度にほぼ等しい」を「前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度に等しい」に訂正し，請求項１８の記載を引用する請求項１９及び２０も同様に訂正するものである。訂正事項１０は，訂正前の請求項１０から「ほぼ」を削除することで発明の明確化を図るためのものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項１０は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ケ　訂正事項１１
　訂正事項１１は，訂正前の請求項２１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項２１の余りの部分及び請求項２２，２３及び２５における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１１は，「エピタキシャル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，訂正事項１１は，訂正前の請求項２１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項２１の余の部分及び請求項２２，２３及び２５における引用箇所を訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００１５は「一態様では，半導体基板２００は，ＡｌＮを含むか又は本質的にＡｌＮからなっている。半導体基板２００の上面２１０が，その上に１つ以上のエピタキシャル層を堆積させる前に，（例えば化学機械研磨による）平坦化又は洗浄の少なくとも１つによってエピタキシャル成長のために準備（処理）される。次に，半導体基板２００上に，歪みエピタキシャル層２２０を，例えば有機金属気相エピタキシーによって，その予測臨界厚みを超える厚みにまで堆積させる。」と記載している。よって，訂正事項１１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１１は，訂正前の請求項２１に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも１つの擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項２１の余の部分及び請求項２２，２３及び２５における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１１は，「エピタキシャル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。よって，訂正事項１１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　コ　訂正事項１２
　訂正事項１２は，訂正前の請求項２１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３，及び２５も同様に訂正するものである。訂正事項１２は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項１２は，訂正前の請求項２１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３，及び２５も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００２６は，「貫通転位密度」という語を記載している。よって，訂正事項１２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１２は，訂正前の請求項２１に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，請求項２１の記載を引用する請求項２２，２３，及び２５も同様に訂正するものである。訂正事項１２は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項１２は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　サ　訂正事項１４
　訂正事項１４は，訂正前の請求項２４を削除するものであるから，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項１４は，訂正前の請求項２４を削除するものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１４は，訂正前の請求項８を削除するものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　シ　訂正事項１５
　訂正事項１５は，訂正前の請求項２５に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２４のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２３のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項１５は，訂正前の請求項２５に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２４のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２３のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した特許請求の範囲の請求項２５は「前記少なくとも１つの擬似格子整合型の膜上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２４のいずれか一項に記載のデバイス。」と記載している。よって，訂正事項１５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１５は，訂正前の請求項２５に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２４のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２３のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものである。訂正事項１５は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，発明の課題や解決手段を実質的に変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しない。よって，訂正事項１５は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　ス　訂正事項１６
　訂正事項１６は，訂正前の請求項２６に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた複数の擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１６の余の部分，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１６は，「エピタキシャル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして，訂正事項１６は，訂正前の請求項２６に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた複数の擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１６の余の部分，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０における引用箇所を訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００１５は「一態様では，半導体基板２００は，ＡｌＮを含むか又は本質的にＡｌＮからなっている。半導体基板２００の上面２１０が，その上に１つ以上のエピタキシャル層を堆積させる前に，（例えば化学機械研磨による）平坦化又は洗浄の少なくとも１つによってエピタキシャル成長のために準備（処理）される。次に，半導体基板２００上に，歪みエピタキシャル層２２０を，例えば有機金属気相エピタキシーによって，その予測臨界厚みを超える厚みにまで堆積させる。」と記載している。よって，訂正事項１６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１６は，訂正前の請求項２６に記載されていた「前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた複数の擬似格子整合型の膜」を「前記窒化アルミニウム単結晶基板上の複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜」に訂正し，これに合わせて，同請求項１６の余の部分，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０における引用箇所を訂正するものである。訂正事項１６は，「エピタキシャル成長させた」という経時的な要素を，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているにすぎない記載に訂正することで発明の明確化を図るものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではない。よって，訂正事項１６は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　セ　訂正事項１７
　訂正事項１７は，訂正前の請求項２６に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正事項１７は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項１７は，訂正前の請求項２６に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落００２６は，「貫通転位密度」という語を記載している。よって，訂正事項１７は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１７は，訂正前の請求項２６に記載されていた「貫通転移密度」（２箇所）をいずれも「貫通転位密度」に訂正し，訂正事項１８に係る訂正により請求項２６の記載を引用することになる請求項２７，並びに請求項２６の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正事項１７は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項１７は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　ソ　訂正事項１８
　訂正事項１８は，訂正前の請求項２７に記載されていた「請求項２８に記載のデバイス」を「請求項２６に記載のデバイス」に訂正し，請求項２７の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正事項１８は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　そして，訂正事項１８は，訂正前の請求項２７に記載されていた「請求項２８に記載のデバイス」を「請求項２６に記載のデバイス」に訂正し，請求項２７の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した明細書の段落０００９は，「本発明の態様は，以下の１つ以上の特徴を含み得る。歪み層を堆積させる前に，バッファ層を基板上に形成することができ，またバッファ層と歪み層との間に傾斜層を形成することができる。」と記載している。よって，訂正事項１８は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項１８は，訂正前の請求項２７に記載されていた「請求項２８に記載のデバイス」を「請求項２６に記載のデバイス」に訂正し，請求項２７の記載を引用する請求項２８及び３０も同様に訂正するものである。訂正事項１８は，錯誤による明らかな誤記を訂正するものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。よって，訂正事項１８は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　タ　訂正事項２０
　訂正事項２０は，訂正前の請求項２９を削除するものであるから，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項２０は，訂正前の請求項２９を削除するものであるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項２０は，訂正前の請求項２９を削除するものであるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　チ　訂正事項２１
　訂正事項２１は，訂正前の請求項３０に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６からう２９のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものである。
　また，訂正事項２１のうち，「う」の削除は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものであり，訂正事項２１のうち「２９」から「２８」への訂正は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして，訂正事項２１は，訂正前の請求項３０に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６からう２９のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものである。訂正の根拠として，願書に添付した特許請求の範囲の請求項３０は「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６からう２９のいずれか一項に記載のデバイス」と記載しており，記載中の「う」が誤記であることは明らかである。よって，訂正事項２１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　さらに，訂正事項２１は，訂正前の請求項３０に記載されていた「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６からう２９のいずれか一項に記載のデバイス」を「緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のデバイス」に訂正するものである。訂正事項２１は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり，発明の課題や解決手段を実質的に変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しない。よって，訂正事項２１は，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
　そして，これら訂正は一群の請求項ごとに請求されたものである。
（３）むすび
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項〔１〜９〕，〔１０〜２０〕，〔２１〜２５〕及び〔２６〜３０〕について，本件訂正請求による訂正を認める。
３　特許異議の申立てについて
（１）本件発明
本件訂正請求により訂正された訂正請求項１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０に係る発明（以下「本件発明１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　窒化アルミニウム単結晶基板，及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシヤル膜
を備え，
　（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが，当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回り，（ｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである，半導体ヘテロ構造。
【請求項２】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間にバッファ層をさらに備えている，請求項１に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項３】
　前記バッファ層と前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間に傾斜層をさらに備えている，請求項２に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項４】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが，前記予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る，請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項５】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が実質的にＩｎ不含である，請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項６】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に対して平行な歪みが，該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜と同じ組成を有する歪みのない合金の平行格子パラメータと前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の下に設けられた緩和プラットフォームの平行格子パラメータとの差の８０％より大きい，請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項７】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，ＡｌｘＧａ１−ｘＮを含み，該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが２００ｎｍより大きく，ｘが０．６５未満である，請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項８】（削除）
　　　　　
【請求項９】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体ヘテロ構造。
【請求項１０】
　半導体ヘテロ構造を形成する方法であって，
　窒化アルミニウム単結晶基板を設け，
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上に，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む擬似格子整合型の膜をエピタキシャル堆積させることを含み，
　（ｉ）前記擬似格子整合型の膜の厚みが，当該擬似格子整合型の膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論によって計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回り，（ｉｉ）前記擬似格子整合型の膜が，１０，０００ ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記擬似格子整合型膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである，方法。
【請求項１１】
　前記擬似格子整合型の膜を堆積させる前に，前記窒化アルミニウム単結晶基板上にバッファ層を形成することをさらに含む，請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
　前記バッファ層と前記擬似格子整合型の膜との間に傾斜層を形成することをさらに含む，請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
　前記擬似格子整合型の膜の厚みが，前記予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る，請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
　前記擬似格子整合型の膜が実質的Ｉｎ不含である，請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
　前記擬似格子整合型の膜がＡｌＧａＮを含み，前記擬似格子整合型の膜をエピタキシャル堆積させることが，トリメチルアルミニウム及びトリメチルガリウムを反応器内に導入することを含む，請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
　前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より小さい，請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板が，１０μｍ×１０μｍの面積に対して０.５ｎｍ未満のＲＭＳ表面粗さ，０．３°〜４°の表面の配向ずれ，及び１０４ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する，請求項１０から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
　前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度に等しい，請求項１０から１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
　前記擬似格子整合型の膜上に，緩和されたキャップ層を形成することをさらに含み，前記擬似格子整合型の膜が，前記緩和されたキャップ層を形成した後，歪みを維持している，請求項１０から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
　前記擬似格子整合型の膜は，１１００°Ｃより高い温度から１３００°Ｃまでの範囲の成長温度で堆積される，請求項１０から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
　電界効果トランジスタ，発光ダイオード及び半導体レーザからなる群から選択されたデバイスであって，　
　前記デバイスが，歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み，該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が，
　窒化アルミニウム単結晶基板，及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜
を含み，　　　　　　　　　　
　（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが，当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回り，（ｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０,０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである，デバイス。
【請求項２２】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間にバッファ層をさらに備えている，請求項２１に記載のデバイス。
【請求項２３】
　前記バッファ層と前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間に傾斜層をさらに備えている，請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】（削除）
　　　　　
【請求項２５】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２１から２３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２６】
　電界効果トランジスタ，発光ダイオード及び半導体レーザからなる群から選択されるデバイスであって，
　前記デバイスが，歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み，該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が，
　窒化アルミニウム単結晶基板，及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上の複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜の各々が，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む，複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜
を含み，
　（ｉ）前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜の全厚みが，当該複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回り，（ｉｉ）前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである，デバイス。
【請求項２７】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間にバッファ層をさらに備えている，請求項２６に記載のデバイス。
　　　　　　　
【請求項２８】
　前記バッファ層と前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜との間に傾斜層をさらに備えている，請求項２７記載のデバイス。
【請求項２９】（削除）
【請求項３０】
　前記複数の擬似格子整合型のエピタキシャル膜上に設けられた緩和されたキャップ層をさらに含む，請求項２６から２８のいずれか一項に記載のデバイス。」
（２）取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜３０に係る特許に対して平成２８年２月９日付けで特許権者に通知した取消理由は，要旨次のとおりである。
１　本件特許は，明細書，特許請求の範囲及び図面の記載が下記の点で不備のため，特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号，第２号に規定する要件を満たしていない。
  
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・理由１（特許法第３６条第４項第１号） 
・請求項１，６，８，１０，２１，２６，２９，及び，これらの請求項を引用する請求項
  
・理由１（特許法第３６条第６項第１号） 
・請求項１，６，８，１０，１６，２１，２６，２９，及び，これらの請求項を引用する請求項
  
・理由１（特許法第３６条第６項第２号） 
・請求項１，３，１２，１７，１８，２１，２３，２４，２６，２８，及び，これらの請求項を引用する請求項
  
・備考 
（１）特許法第３６条第６項第２号 
（１．１）本件特許発明１，本件特許発明２１，２６について 
　本件特許発明１は，半導体ヘテロ構造という「物」の発明であり，また本件特許発明２１，２６はデバイスという「物」の発明であるが，「エピタキシャル成長させた」との記載は，製造に関して経時的な要素の記載がある場合に該当するため，当該請求項にはその物の製造方法が記載されているといえる。
　ここで，物の発明に係る請求項にその物の製造方法が記載されている場合において，当該請求項の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう「発明が明確であること」という要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情（「不可能・非実際的事情」）が存在するときに限られると解するのが相当である（最判平成２７年６月５日平成２４年（受）第１２０４号，同２６５８号）。
　しかしながら，不可能・非実際的事情が存在することについて，明細書等に記載がなく，また，本件特許権者も本件の審査過程において何ら主張・立証していないため，その存在を認める理由は見いだせない。
　したがって，これら請求項１，２１，２６，及び，これらの請求項を引用する請求項に係る発明は明確でない。
  
（１．２）本件特許発明３，１２，２３，２８について 
　本件特許発明３，１２，２３，２８では，バッファ層と擬似格子整合膜との間に「傾斜層」を有することが規定されている。
　しかし，「傾斜層」の意味するところが明確でない。
　すなわち，「傾斜層」が，「擬似格子整合型の膜」とは異なる，別箇独立の構成層であるのか，「擬似格子整合型の膜」の一部であるのか不明瞭である。
  
（１．３）本件特許発明１７，本件特許発明１８について
　本件特許発明１７には「約」，本件特許発明１８には「ほぼ」という表現が使用されており，発明の範囲が不明確となっている。
  
（１．４）本件特許発明２４について 
　本件特許発明２４はデバイスの電極構造に関し，少なくとも１つの互いに入り込むコンタクトを含む発光ダイオードである，と規定している。
　ここで，「少なくとも１つ」とあることから，コンタクトが１つの場合を包含する規定である。しかし，１つのコンタクトが「互いに」入り込むということは文理上有り得ない。したがって，本件特許発明２４は技術的な誤りを含む。
　よって，本件特許には特許法第３６条第６項第２号に違反する不備がある。 
  
（２）特許法第３６条第４項第１号および同条第６項第１号
（２．１）本件特許発明１，１０，２１，２６の実施可能要件，サポート要件
ア　本件特許の独立請求項である請求項１，１０，２１，２６，及び，これらの請求項を引用する請求項は，いずれも特定の要件を満足する「半導体ヘテロ構造」又は「歪みヘテロ構造」（以下，まとめて「半導体ヘテロ構造等」という。）に関する規定を含む。
　これら請求項における「半導体ヘテロ構造等」の規定に関して表現上の微差はあるが，下記のようにまとめられる。 
　すなわち，本件特許における半導体ヘテロ構造等とは，
 (ｉ）ＡｌＮ単結晶基板上にエピタキシャル成長させた「擬似格子整合型の膜」（但し，「擬似格子整合型」という用語は，本件特許明細書の【００１４】の「また，『擬似格子整合型』という用語は，ここでは，下層の基板の格子パラメータの少なくとも約８０％にまで歪まされた（つまり，その固有の格子パラメータに対し約２０％未満で緩和されている）エピタキシャル層を指すものとして用いられる。」との記載から，「下層の基板の格子パラメータの少なくとも約８０％にまで歪まされた（つまり，その固有の格子パラメータに対し約２０％未満で緩和されている）エピタキシャル層」という技術的意義を有する用語として定義されているものと認められる。）を含み，当該少なくとも１つの「擬似格子整合型の膜」の厚みが，当該少なくとも１つの擬似格子整合型の膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｓｓ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍（または１０倍）で上回り，
（ｉｉ）「擬似格子整合型の膜」が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び
（ｉｉｉ）「擬似格子整合型の膜」の平均の貫通転位密度が，ＡｌＮ単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである，半導体ヘテロ構造等である。
　そして，上記半導体ヘテロ構造等は，独立請求項に共通する要件であり，本件特許発明の中核ともいうべき発明特定事項である。実際，本件特許の審査中では半導体ヘテロ構造等を規定する要件（ｉ)〜（ｉｉｉ）に基づいて特許性が主張されている。したがって，本発明が実施可能なように記載されているというためには，上記要件（ｉ）〜（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等が製造可能な程度に明細書に製法等が記載されている必要がある。
　すなわち，本件特許発明に係る「半導体ヘテロ構造等」は，「擬似格子整合型の膜」の厚み，「擬似格子整合型の膜」の平均貫通転位密度および，「擬似格子整合型の膜」の平均貫通転位密度とＡｌＮ単結晶基板の平均貫通転位密度との比が，いずれも特定の範囲内にあることをによって定義されているので，前記「半導体ヘテロ構造等」が実施可能な程度に記載されているというためには，前記「擬似格子整合型の膜」の厚み，「擬似格子整合型の膜」の平均貫通転位密度，および，「擬似格子整合型の膜」の平均貫通転位密度とＡｌＮ単結晶基板の平均貫通転位密度との比の３つのパラメータが前記特定の範囲内である「半導体ヘテロ構造等」を，当業者が過度の試行錯誤なく作製できるように，十分かつ明確な記載が発明の詳細な説明においてなされていることが必要である。
  
イ　そこで，本件特許明細書の記載について検討する。
（ア）本件特許明細書【００２２】には，本件特許発明の製造例として，ＡｌＮ基板として転位密度５×１０３ｃｍ−２のｃ面ＡｌＮ基板を用いたこと，０．６μｍ厚みのエピタキシャル層を成長したこと，及び，エピタキシャル層の貫通転位密度が０．８〜３×１０５ｃｍ−２（すなわち，８００００〜３０００００ｃｍ−２）であったことが記載されているが，上記製造例で製造された半導体ヘテロ構造等は，上記の要件（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足しない。 
　また，本件特許明細書【００３０】〜【００３５】には，ＰＵＶＬＥＤの製造例として，基板として転位密度２×１０３ｃｍ−２のＡｌＮ基板を用いたこと，ＡｌＧａＮのエピタキシャル層を成長したこと，及び，エピタキシャル層の貫通転位密度が１０５ｃｍ−２であったことが記載されているが，上記製造例で製造された半導体ヘテロ構造等も，上記の要件(ｉｉ）および（ｉｉｉ)を満足しない。
　そして，本件特許明細書の他の製造例の記載を見ても，要件（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等に関する記載はない。たとえば【００２４】には，転位密度５×１０３ｃｍ−２のｃ面ＡｌＮ基板を用いてＡｌＧａＮのエピタキシャル成長を行ったことが記載されているが，エピタキシャル層の貫通転位密度に関する記載はないので，当該半導体ヘテロ構造等が要件（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足するか否か確認できない。
　そうすると，本件特許明細書には，本件特許発明における上記「半導体ヘテロ構造等」を製造するための実施例が記載されているとは認められない。
  
（イ）　さらに，本件特許明細書の実施例以外の記載を見ても，要件（ｉ），（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等を製造できる程度に記載されているとは到底認められない。
　すなわち，要件（ｉｉ）については，明細書【００１４】において「本発明者は，このＡｌ濃度の層を１マイクロメートル（μｍ）を上回る厚みにまで成長させ，しかも極めて高品質で鏡面のように滑らかな擬似格子整合型の歪み層を得ることができた。ここで用いる限り，「高品質」という用語は，約１０６ｃｍ−２以下の貫通転位密度を有するエピタキシャル層を指す。特定の態様では，高品質層は，約１０４ｃｍ−２以下又はさらには約１０２ｃｍ−２以下もの貫通転位密度を有する。」との記載はあるが，エピタキシャル層の貫通転位密度を１０４ｃｍ−２以下とするための具体的手段についての記載はなく，「特定の態様」についての記載もない。
　また，要件（ｉｉｉ）については，明細書【００２６】に「別の態様では，エピタキシャル層２２０の貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度の約１０倍以下の大きさである場合がある。」との記載がある程度であり，その具体的達成手段については何らの記載もなく，「別の態様」についての記載もない。
  
ウ　ところで，本件特許明細書の【００１８】には，「基板，例えば特定のＡｌＮ基板上に，低い貫通転位密度（「ＴＤＤ」）で，ＩＩＩ族窒化物の極めて大きな歪みを有する合金を成長させることができる能力は，（ｉ）基板結晶品質，（ｉｉ）表面処理，(ｉｉｉ)基板表面の結晶配向，（ｉｖ）合金濃度，（ｖ）成長中の基板温度及びＶ−ＩＩＩ比を含む成長条件，並びに／又は（ｖｉ）合金濃度の傾斜率に依存することが分かった。」との記載がされている。 
　してみれば，上記要件（ｉ），（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等を製造，すなわち，特定のＡｌＮ基板上に，低い貫通転位密度（「ＴＤＤ」）で，ＩＩＩ族窒化物の極めて大きな歪みを有する合金を成長させるためには，少なくとも上記（ｉ）ないし（ｖ）の成長条件について最適化（好適化）することが必要とされるものと理解される。
　しかしながら，上記イより，本件特許明細書には，本件特許発明における，上記要件（ｉ），（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等を製造することができる，具体的な成長条件が一例も例示されていない。
　そうすると，当業者が本件特許発明を実施するためには，上記（ｉ）ないし（ｖ）の成長条件のそれぞれについて，上記要件（ｉ），（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等を製造することができる値を見出すための試行錯誤が必要となるところ，技術常識を勘案しても，上記要件（ｉ），（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を満足する半導体ヘテロ構造等を製造することができる具体的な成長条件が一例も例示されていない本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載からは，過度の試行錯誤を要することなく当業者が本件特許発明を実施することができるとは認めることができない。
  
エ　したがって，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は，（ｉｉ)「擬似格子整合型の膜」が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）「擬似格子整合型の膜」の平均の貫通転位密度が，ＡｌＮ単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである半導体ヘテロ構造等を得ることができる程度に明確かつ十分なものとは認められないから，本件特許明細書には，本件特許発明が実施可能なように記載されているということはできない。
  
オ　加えて，上記イより，本件特許請求の範囲に記載された発明は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明であるということもできない。
  
カ　よって，本件特許は，実施可能要件およびサポート要件を満足せず，特許法第３６条第４項第１号および同条第６項第１号に違反する不備がある。
  
（２．２）本件特許発明６の実施可能要件，サポート要件 
　本件特許発明６では，擬似格子整合型の膜に対して平行な歪みが，該擬似格子整合型の膜と同じ組成を有する歪みのない合金の平行格子パラメータと前記擬似格子整合型の膜の下に設けられた緩和プラットフォームの平行格子パラメータとの差の８０％より大きい，と定義している。
　しかし，本件特許明細書【００２２】に記載の具体例では，「平行な歪み（つまり，基板の平面での歪み）は，０．８％よりわずかに大きく，」「界面に対して平行な歪みは，ほぼ１％であることが測定され」との記載があり，８０％より大きいという範囲とはまったく整合しない。
　また，本件特許明細書【００３０】〜【００３５】に記載の具体例では，平行格子パラメータについて何ら具体的な記載がない。
　本件明細書の記載からは，本件特許発明６に係るパラメータ値の差を制御する手段も不明であり，また当該パラメータ値の差を８０％以上と定義することは，本件特許明細書の記載を超える。
　よって，本件特許発明６は，実施可能要件およびサポート要件を満足せず，特許法第３６条第４項第１号および同条第６項第１号に違反する不備がある。
  
（２．３）本件特許発明８の実施可能要件，サポート要件
　本件特許発明８では，「擬似格子整合型の膜」の厚みが１μｍより大きい，と定義している。
　しかし，本件特許明細書【００２２】に記載の具体例における「擬似格子整合型の膜」の厚みは０．６μｍである。
　また，本件特許明細書【００３０】〜【００３５】に記載の具体例では，各構成層の厚みを範囲を用いて記載されているが，「擬似格子整合型の膜」に相当する層の合計厚は最大でも０．５７μｍである。
　本件明細書の記載からは，「擬似格子整合型の膜」の厚みを１μｍ以上とする手段も不明であり，また「擬似格子整合型の膜」の厚みを１μｍ以上と定義することは，本件特許明細書の具体例によりサポートされる範囲を超える。
　よって，本件特許発明８は，実施可能要件およびサポート要件を満足せず，特許法第３６条第４項第１号および同条第６項第１号に違反する不備がある。
  
（２．４）本件特許発明２９の実施可能要件，サポート要件
　特許発明２９に関する本件明細書の記載は【００１１】における「複数の歪み層の各層の，窒化アルミニウム単結晶基板の表面に対して平行な格子パラメータは，窒化アルミニウム単結晶基板の格子パラメータとは０．２％未満で異なる。」との記載のみである。この記載からは，特許発明２９で規定される状態を達成するための手段を理解できない。また，明細書の記載は，単に特許請求の範囲の繰り返しであって，何ら具体的に説明されていない。したがって，特許発明２９は実施可能要件およびサポート要件を満足せず，特許法第３６条第４項第１号および同条第６項第１号に違反する不備がある。
  
（２．５）本件特許発明１６のサポート要件 
　本件特許発明１６は，擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が，トリメチルガリウムの最終流量より大きいと規定している。
　すなわち，ＴＭＧ初期流量＞ＴＭＧ最終流量であると規定している。
　一方，擬似格子整合膜（歪み層）の堆積におけるＴＭＧ流量に関する唯一の記載は明細書【０００９】における「歪み層の堆積中のトリメチルガリウムの初期流量は，トリメチルガリウムの最終流量よりも小さくてよい。」との記載があるのみである。
　すなわち，ＴＭＧ初期流量＜ＴＭＧ最終流量であると開示している。
　したがって，本件特許発明１６は，本件特許明細書に開示されたものではない。
　よって，本件特許は，特許法第３６条第６項第１号に違反する不備がある。
（３）判断
　ア　特許法第３６条第６項第２号について
（ア）本件特許発明１，２１，２６の明確性要件
　請求項１，２１，２６に記載された「エピタキシャル膜」のうち「エピタキシャル」の部分は，製造方法の記載ではなく，単に状態を示すことにより構造又は特性を特定しているに過ぎない要素だと理解されるので，請求項１，２１，２６及びこれらを引用する請求項に係る特許発明は明確である。
（イ）本件特許発明３，１２，２３，２８の明確性要件
　特許明細書の発明の詳細な説明の【０００９】には，以下の記載がある。
・「本発明の態様は，以下の１つ以上の特徴を含み得る。歪み層を堆積させる前に，バッファ層を基板上に形成することができ，またバッファ層と歪み層との間に傾斜層を形成することができる。歪み層はＡｌＧａＮを含むことができ，歪み層を堆積させることは，トリメチルアルミニウム及びトリメチルガリウムを反応器内に導入することを含み得る。」
　そして，前記記載の「歪み層」，「傾斜層」が，本件特許発明３，１２，２３，２８に係る発明の「少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」（「擬似格子整合型の膜」），「傾斜層」に該当することは明らかである。
　そうすると，本件特許発明３，１２，２３，２８において，「傾斜層」が，「少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜」（「擬似格子整合型の膜」）とは異なる，独立した層であることは，発明の詳細な説明を参酌することで明確といえる。
（ウ）本件特許発明１７，１８の明確性要件
　請求項１７及び請求項１８の記載は，「約」及び「ほぼ」という表現を含まないから，不明確な点はない。
（エ）本件特許発明２４の明確性要件
　請求項２４は削除されたので，記載不備の問題は解消した
　イ　特許法第３６条第４項第１号および第６項第１号について
（ア）本件特許発明１，１０，２１，２６の実施可能要件，サポート要件
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。
（本ａ）「【０００４】
　擬似格子整合型層は，少なくとも２つの理由から有用である。第１の理由は，エピタキシャル層を低転位基板上で成長させた場合，擬似格子整合型エピタキシャル層も極めて低い転位密度で，多くの場合には基板と同じ転位密度で成長することができることである。」
（本ｂ）「【００１４】
　製造技術
　Matthews-Blakeslee理論に基づいて計算された予測臨界厚みを，ｃ面ＡｌＮ基板上に成長させたＡｌｘＧａ１−ｘＮ層中のＡｌ濃度の関数として，図１に示す。図１には，緩和なしで得られたＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の擬似格子整合型の歪みも示す。予想に反して，予測臨界厚みよりずっと大きな厚みを有する擬似格子整合型層を成長させることができることが見出された。例えば，図１に示すように，ｘ＝０．６でのＡｌｘＧａ１−ｘＮ層の臨界厚みは，約４０ナノメートル（ｎｍ）である。さらに，本発明者は，このＡｌ濃度の層を１マイクロメートル（μｍ）を上回る厚みにまで成長させ，しかも極めて高品質で鏡面のように滑らかな擬似格子整合型の歪み層を得ることができた。ここで用いる限り，「高品質」という用語は，約１０６ｃｍ−２以下の貫通転位密度を有するエピタキシャル層を指す。特定の態様では，高品質層は，約１０４ｃｍ−２以下又はさらには約１０２ｃｍ−２以下もの貫通転位密度を有する。また，「擬似格子整合型」という用語は，ここでは，下層の基板の格子パラメータの少なくとも約８０％にまで歪まされた（つまり，その固有の格子パラメータに対し約２０％未満で緩和されている）エピタキシャル層を指すものとして用いられる。いくつかの態様では，擬似格子整合型層は，下層の基板の格子パラメータに対しほぼ完全に歪まされていてよい。『鏡面のように滑らかな』という用語は，５μｍ×５μｍの面積における約５ｎｍ未満の層二乗平均平方根での（「ＲＭＳ」）表面粗さ（原子間力顕微鏡によって測定）を指す。好ましい態様では，ＲＭＳ表面粗さは，５μｍ×５μｍの面積において約１ｎｍ未満である。」
（本ｃ）「【００１８】
　基板，例えば特定のＡｌＮ基板上に，低い貫通転位密度（「ＴＤＤ」）で，ＩＩＩ族窒化物の極めて大きな歪みを有する合金を成長させることができる能力は，（ｉ）基板結晶品質，（ｉｉ）表面処理，（ｉｉｉ）基板表面の結晶配向，（ｉｖ）合金濃度，（ｖ）成長中の基板温度及びＶ−ＩＩＩ比を含む成長条件，並びに／又は（ｖｉ）合金濃度の傾斜率に依存することが分かった。エピタキシャル層２２０の緩和は，エピタキシャル成長の際に低い表面粗さを維持することによって最小限化又は排除することができる。層表面の粗面化又はアイランド（island）の形成は，層の不都合な緩和を招き得る。表面に伝搬した基板中の欠陥又は不適切な表面洗浄によって生じ得る半導体基板２００の表面での欠陥も，エピタキシャル層２２０の粗面化を引き起こし得る。粗面化が生じると，歪みの緩和が，エピタキシャル表面上のテラス及びアイランドの側壁で生じる。このテラスやアイランドが融合すると，融合境界で，不都合な高い貫通転位密度が形成されてしまう。
【００１９】
　エピタキシャル堆積中にステップフロー成長（step flow growth）を維持することによって，緩和の防止を助成され，ステップフロー成長のための適切な条件は，半導体基板２００の基板配向に依存する。基板が極めて軸上近くで配向している（つまり，基板の表面法線が，主たる結晶軸に極めて近似に整列している）場合，基板の表面にわたってのステップの密度は低い。よって，成長するエピタキシャル層にステップのエッジに組み込まれる，つまり，ステップフロー成長が維持されるためには，到来するＡｌ，Ｇａ又はＩｎ原子が，比較的大きな距離で拡散し易くなっていなければならない。よって，ステップフロー成長は，（ｉ）成長種の到来原子の長距離拡散を増大させること及び／又は（ｉｉ）ステップのエッジに到達するのに必要とされる拡散距離を減少させること（つまり，表面におけるステップの密度を増大させること）によって維持することができる。上記長距離拡散は，より高温（つまり，約１１００℃まで）で又はＩｎ不含の場合には高いＡｌ含量（例えば，約５０％より大きなＡｌ含量）で，成長温度を約１１００℃〜約１３００℃より大きな範囲まで増大させてエピタキシャル成長を行うことによって増大させることができる。いくつかの態様では，例えば，５０％より大きなＡｌ濃度に対し，長距離拡散は，エピタキシャル反応器内で，窒素種（つまりＶ族種）のＩＩＩ族種と比較した比率を減少させることによって，増大させることもできる。一態様では，成長種の長距離拡散を増大させるために有利なＶ−ＩＩＩ比率は，約１，０００未満であり，約１０未満であってもよい。半導体基板２００上でのステップのエッジの密度も，主たる結晶軸と基板の表面法線との間での配向のずれを大きくすることによって，増大させることができる（それにより，ステップに到達するのに必要な所要拡散距離が低減する）。一態様では，半導体基板２００の配向のずれは約１°である。
【００２０】
　歪み緩和に対するキネティックバリア（動力学的バリア，kinetic barriers）も，厚い擬似格子整合型のエピタキシャル層を生成するために，有利に利用することができる。ＡｌＮ，ＧａＮ及びＩｎＮの任意の合金（ＧａＮ又はＩｎＮの含量がゼロではない）は，下層のＡｌＮ基板よりも大きな緩和格子パラメータを有するので，これらのエピタキシャル膜は，典型的には，クラッキングによって緩和することはない。緩和は，ＡｌＮ基板とエピタキシャル合金層との間の界面に平行に走るミスフィット転位の形成によって起こり得る。このようなミスフィット転位は，半導体基板２００からエピタキシャル層２２０へ伝搬する既存の貫通転位の運動によって，又は表面から若しくは基板２００の表面上のいくつかの巨視的な欠陥から形成される新しい転位ループによって起こり得る。よって，半導体基板２００中の欠陥源の排除によって，緩和に対するキネティックバリアが生成し，厚い擬似格子整合型のエピタキシャル層２２０の製造が簡単になる。一態様で，半導体基板２００は，約１０６ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する。別の態様で，半導体基板２００は，約１０ｃｍ−２未満又はさらに約１０２ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する。半導体基板２００は，約１００ｃｍ−２未満の粒子表面欠陥密度を有していてもよい。このような最適化された半導体基板の利用によって，緩和機構としての既存の転位の滑り及び表面欠陥での転核生成が最小限化又は排除される。残りの緩和機構は，転位ループの表面核生成であるが，これは，厚い擬似格子整合型エピタキシャル層の製造を容易にするには十分に高い歪みエネルギーでしか起こらない。したがって，その予測臨界厚みより少なくとも約５倍大きい厚みを有する厚い歪みエピタキシャル層２２０の製造は，容易である。さらに，Ｉｎには，転位の運動及びそれと同時に起こる緩和を妨げる追加的な効果があるので，Ｉｎを含む歪みエピタキシャル層２２０は，その予測臨界厚みより大きな擬似格子整合型厚みを少なくとも約１０倍で達成することができる。
【００２１】
　加えて，極めて大きな歪み合金の厚いエピタキシャル層の製造では，半導体基板２００の特定の結晶配向が，特に好ましい。特に，Liuらは，ＧａＮ及びその合金のウルツ鉱型結晶構造の主たる滑りシステムが＜１１．２＞｛００．２｝であることを指摘している。（参照によりその開示全体がここに援用される，R. Liu, J. Mei, S. Srinivasan, H. Omiya, F.A. Ponce, D. Cherns, Y. Narukawa and T. Mukai，「Misfit Dislocation Generation in InGaN Epilayers on Free-Standing GaN」，Jap. J. Appl. Physics 45, L549 (2006)を参照。）この滑りシステムは，良好に配向されたｃ面基板（つまり，表面法線が結晶のｃ軸と整合している基板）において活性ではなく，それというのは，格子不整合歪みは，この面に沿って転位が移動するいかなる歪み緩和も起こさないからである。この現象は，ｃ面基板に対する許容可能なミスカット（miscut）を限定し，その上の極めて大きな歪み及び／又は厚い擬似格子整合型エピタキシャル層を可能にする。しかし，上述のように，有限の表面の配向のずれによってステップフロー成長が簡単になる。よって，一態様では，半導体基板２００の配向のずれは，０°より大きく，約４°未満である。」
（本ｄ）「【００２２】
　１つの工程で，低転位密度（ほぼ５×１０３ｃｍ−２）の大きなｃ面ＡｌＮ基板を，'６６０号出願明細書に記載のように，準備した。この基板のミスカットは，約１°であった。ｃ面ＡｌＮ基板のＡｌ極性表面，つまり（０００１）面を，参照によりそのその開示全体がここに援用される米国特許第７，０３７，８３８号明細書（「'８３８号特許明細書」）に記載のように，準備した。基板をAixtron model 200／4 RF-S有機金属気相エピタキシー（「ＯＭＶＰＥ」）反応器内に導入した後，水素及びアンモニアガス混合物の流れ下で，基板を１１００℃まで加熱した。続いて，トリメチルアルミニウム（「ＴＭＡ」）を導入し，厚み０．３μｍＡｌＮバッファ層を，基板上に，０．６μｍ／時のおおよその成長速度で成長させた。続いて，傾斜層ＡｌｘＧａ１−ｘＮを，ＴＭＧガス流の量を上昇させ，ＴＭＡガス流の量を低下させてトリメチルガリウム（「ＴＭＧ」）を切り換えることによって成長させ，それにより，１５分の間隔にわたり目標のＡｌ％に達し，線形的に傾斜（勾配）する合金が約０．１μｍが成長した。この遷移層の後，ＴＭＡ及びＴＭＧ流を一定に維持し，６３％Ａｌ濃度及び約０．６μｍ厚みの最終層を，１．０μｍ／時のおおよその成長速度で成長させた。成長の間，チャンバ圧力は，上限２５〜１００ｍｂａｒまでに維持した。Ｖ−ＩＩＩ比率は，成長連続工程中では５００〜２，０００に維持した。層が予測臨界厚みを１桁より大きな度合いで上回っていても，平行な歪み（つまり，基板の平面での歪み）は，０．８％よりわずかに大きく，擬似格子整合型成長を示すと測定された。ＡｌｘＧａ１−ｘＮ層に対する，（００．２）及び（１０．２）反射についての複結晶ωロッキング曲線幅（Philip X'Pertシステムにより測定）は，それぞれ５０秒角及び６０秒角であった。界面に対して平行な歪みは，ほぼ１％であることが測定され，エピタキシャル層は，下層のＡｌＮ基板に対して擬似格子整合型であった。ＡｌｘＧａ１−ｘＮエピタキシャル層における貫通転位密度を決定するために，エッチピット密度が溶融ＫＯＨのエッチングを利用して測定される。測定された密度は，０．８〜３×１０５ｃｍ−２の範囲であった。」
（本ｅ）「【００２４】
　別の工程では，約５×１０３ｃｍ−２の転位密度を有する大きなｃ面ＡｌＮ基板を，第'６６０号出願明細書に記載のように準備した。ｃ面ＡｌＮ基板のＡｌ極性表面（約１．５°で不整合）を，第'８３８号特許明細書に記載のように処理した。基板をVeeco D180 ＯＭＶＰＥ反応器内に導入した後，基板を，水素及びアンモニアガス混合物の流れ下で，約１１００℃に加熱した。さらに，ＴＭＡを導入し，厚み０．４μｍのＡｌＮバッファ層を０．４μｍ／時のおおよその成長速度で基板が成長した。次に，傾斜層ＡｌｘＧａ１−ｘＮを，ＴＭＡガス流を維持しながらＴＭＧ流の量を上昇させながらＴＭＧを切り換え導入することによって成長させ，それにより，６分の間隔にわたり目標のＡｌ％に達し，線形的に傾斜した合金約０．０５μｍを成長させた。この遷移層の後，ＴＭＡ及びＴＭＧ流を一定に維持し，〜５８％のＡｌ濃度及び約０．５μｍの厚みを有する最終層を，０．８μｍ／時のおおよその成長速度で成長させた。成長の間，チャンバ圧力を，約２０Ｔｏｒｒに維持した。Ｖ−ＩＩＩ比率は，成長連続工程の間，９００〜３，２００に維持した。層が予測臨界厚みを１桁を超える大きさで上回っていても，平行な歪みは，１．０％よりわずかに大きく，擬似格子整合型成長であったことがが測定された。」
（本ｆ）「【００２６】
　擬似格子整合型エピタキシャル層２２０は，格子緩和をほとんど受けていないか全く受けていないので，その層における貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度にほぼ等しくなり得る。例えば，第'６６０号出願明細書に記載の技術によて成長させたＡｌＮブールから得た基板は，極めて低い転位密度，つまり１０，０００ｃｍ−２未満，典型的には約１，０００ｃｍ−２未満，特定の態様では，５００ｃｍ−２未満，さらには１００ｃｍ−２未満の転位密度を有していてよく，これは，その上に成長させた擬似格子整合型エピタキシャル層によって『受け継がれる』。別の態様では，エピタキシャル層２００の貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度よりも約１０倍を超える度合いで大きくなっていてよい。このような低い貫通転位密度によって，高い効率の紫外発光ダイオード（「ＵＶＬＥＤ」）及び半導体レーザ（「ＬＤ」），並びに電子デバイス，例えば高周波数（例えば，＞２ＧＨｚ），高出力動作用のトランジスタの製造が可能となる。」
　すなわち，上記摘記（本ｄ），（本ｅ）から，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「窒化アルミニウム単結晶基板，及び　前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，Ａ１Ｎ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜を備え，（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが，当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回る，半導体ヘテロ構造。」を製造する方法が，具体的に記載されていると認められる。
　そして，前記摘記（本ｄ），（本ｅ）に記載された方法によって製造された半導体ヘテロ構造は，「（ｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである」という条件は満たさないが，上記摘記（本ｂ）には，「さらに，本発明者は，このＡｌ濃度の層を１マイクロメートル（μｍ）を上回る厚みにまで成長させ，しかも極めて高品質で鏡面のように滑らかな擬似格子整合型の歪み層を得ることができた。ここで用いる限り，「高品質」という用語は，約１０６ｃｍ−２以下の貫通転位密度を有するエピタキシャル層を指す。特定の態様では，高品質層は，約１０４ｃｍ−２以下又はさらには約１０２ｃｍ−２以下もの貫通転位密度を有する。」と記載されており，上記摘記（本ｆ）には，「擬似格子整合型エピタキシャル層２２０は，格子緩和をほとんど受けていないか全く受けていないので，その層における貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度にほぼ等しくなり得る。例えば，第'６６０号出願明細書に記載の技術によて成長させたＡｌＮブールから得た基板は，極めて低い転位密度，つまり１０，０００ｃｍ−２未満，典型的には約１，０００ｃｍ−２未満，特定の態様では，５００ｃｍ−２未満，さらには１００ｃｍ−２未満の転位密度を有していてよく，これは，その上に成長させた擬似格子整合型エピタキシャル層によって『受け継がれる』。別の態様では，エピタキシャル層２００の貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度よりも約１０倍を超える度合いで大きくなっていてよい。」と記載されていることから，上記摘記（本ｄ），（本ｅ）と，上記摘記（本ｂ），（本ｆ）の記載を併せて検討すると，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「窒化アルミニウム単結晶基板，及び　前記窒化アルミニウム単結晶基板上の少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜であって，ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜を備え，（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の厚みが，当該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に関する，Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論により計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回る，半導体ヘテロ構造。」において，「（ｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである」発明が開示されているものと理解することができる。
　さらに，本件特許明細書の発明の詳細な説明の上記摘記（本ａ）には，「エピタキシャル層を低転位基板上で成長させた場合，擬似格子整合型エピタキシャル層も極めて低い転位密度で，多くの場合には基板と同じ転位密度で成長することができること」が，また，上記摘記（本ｃ）には，「エピタキシャル層２２０の緩和は，エピタキシャル成長の際に低い表面粗さを維持することによって最小限化又は排除することができる。層表面の粗面化又はアイランド（island）の形成は，層の不都合な緩和を招き得る。表面に伝搬した基板中の欠陥又は不適切な表面洗浄によって生じ得る半導体基板２００の表面での欠陥も，エピタキシャル層２２０の粗面化を引き起こし得る。粗面化が生じると，歪みの緩和が，エピタキシャル表面上のテラス及びアイランドの側壁で生じる。このテラスやアイランドが融合すると，融合境界で，不都合な高い貫通転位密度が形成されてしまう。」，「ステップフロー成長は，（ｉ）成長種の到来原子の長距離拡散を増大させること及び／又は（ｉｉ）ステップのエッジに到達するのに必要とされる拡散距離を減少させること（つまり，表面におけるステップの密度を増大させること）によって維持することができる。上記長距離拡散は，より高温（つまり，約１１００℃まで）で又はＩｎ不含の場合には高いＡｌ含量（例えば，約５０％より大きなＡｌ含量）で，成長温度を約１１００℃〜約１３００℃より大きな範囲まで増大させてエピタキシャル成長を行うことによって増大させることができる。」，「いくつかの態様では，例えば，５０％より大きなＡｌ濃度に対し，長距離拡散は，エピタキシャル反応器内で，窒素種（つまりＶ族種）のＩＩＩ族種と比較した比率を減少させることによって，増大させることもできる。一態様では，成長種の長距離拡散を増大させるために有利なＶ−ＩＩＩ比率は，約１，０００未満であり，約１０未満であってもよい。」，「半導体基板２００上でのステップのエッジの密度も，主たる結晶軸と基板の表面法線との間での配向のずれを大きくすることによって，増大させることができる（それにより，ステップに到達するのに必要な所要拡散距離が低減する）。一態様では，半導体基板２００の配向のずれは約１°である。」，及び，「別の態様で，半導体基板２００は，約１０ｃｍ−２未満又はさらに約１０２ｃｍ−２未満の貫通転位密度を有する。半導体基板２００は，約１００ｃｍ−２未満の粒子表面欠陥密度を有していてもよい。このような最適化された半導体基板の利用によって，緩和機構としての既存の転位の滑り及び表面欠陥での転核生成が最小限化又は排除される。」等の，擬似格子整合型のエピタキシャル膜の平均の貫通転位密度の増加を抑制する種々の方法が，さらに，上記摘記（本ｆ）には，「擬似格子整合型エピタキシャル層２２０は，格子緩和をほとんど受けていないか全く受けていないので，その層における貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度にほぼ等しくなり得る。例えば，第'６６０号出願明細書に記載の技術によて成長させたＡｌＮブールから得た基板は，極めて低い転位密度，つまり１０，０００ｃｍ−２未満，典型的には約１，０００ｃｍ−２未満，特定の態様では，５００ｃｍ−２未満，さらには１００ｃｍ−２未満の転位密度を有していてよく，これは，その上に成長させた擬似格子整合型エピタキシャル層によって『受け継がれる』。別の態様では，エピタキシャル層２００の貫通転位密度は，半導体基板２００の貫通転位密度よりも約１０倍を超える度合いで大きくなっていてよい」ことが開示されている。
　
　してみれば，上記（本ｄ），（本ｅ）に記載された方法の製造条件を，上記（本ａ），（本ｃ），（本ｆ）に開示された上記の技術的知見に基づいて実験等によって変更して，「（ｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜が，１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し，及び（ｉｉｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の前記平均の貫通転位密度が，前記窒化アルミニウム単結晶基板の平均の貫通転位密度の１０倍以下の大きさである」という条件を満たす半導体ヘテロ構造を製造することは，当業者が過度の試行錯誤を要することなく実施することができると認められる。
　
　したがって，発明の詳細な説明には，特許を受けようとする発明が記載されており，かつ，発明の詳細な説明の記載は当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであると認められるから，記載不備はない。
（イ）本件特許発明６の実施可能要件，サポート要件
　請求項６の「前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜に対して平行な歪みが，該少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜と同じ組成を有する歪みのない合金の平行格子パラメータと前記少なくとも１つの擬似格子整合型のエピタキシャル膜の下に設けられた緩和プラットフォームの平行格子パラメータとの差の８０％より大きい」との記載は，特許明細書の発明の詳細な説明の【００１４】の「また，「擬似格子整合型」という用語は，ここでは，下層の基板の格子パラメータの少なくとも約８０％にまで歪まされた（つまり，その固有の格子パラメータに対し約２０％未満で緩和されている）エピタキシャル層を指すものとして用いられる。」，及び，【００２３】の「同様の工程が利用されて，Ａｌ濃度５０％のＡｌｘＧａ１−ｘＮ合金の厚み０．６μｍのエピタキシャル層を成長させた。この場合，界面に平行な歪みは，〜１％にとどまり，これは完全な擬似格子整合型の歪みの約８０％であった。」との記載から，サポートされており，また，実施可能であると理解される。
　したがって，請求項６に係る発明は，発明の詳細な説明に記載されたものであり，発明の詳細な説明は，請求項６に係る発明を当業者が実施できる程度に明確且つ十分に記載している。
（ウ）本件特許発明８の実施可能要件，サポート要件
　請求項８は削除されたので，記載不備の問題は解消した。
（エ）本件特許発明２９の実施可能要件，サポート要件
　請求項２９は削除されたので，記載不備の問題は解消した。
（オ）本件特許発明１６のサポート要件
　本件特許発明１６は，特許明細書の発明の詳細な説明の【０００９】の記載によってサポートされている。したがって，記載不備はない。
　エ　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由によっては，本件請求項１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０に係る特許を取り消すことはできない。
　そして，他に本件請求項１〜７，９〜２３，２５〜２８，３０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また，請求項８，２４，２９に係る特許は，訂正により，削除されたため，本件特許の請求項８，２４，２９に対して，特許異議申立人　星　正美　がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１０月１４日（２０１６．１０．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　窒化アルミニウム単結晶基板、及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上
の
エピタキシャル
エピタキシャル
を備え、
　（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
位
位
　【請求項２】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項３】
　前記バッファ層と前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項４】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項５】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項６】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
　【請求項７】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
エピタキシャル
　【請求項８】
（削除）
　【請求項９】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
７
　【請求項１０】
　半導体ヘテロ構造を形成する方法であって、
　窒化アルミニウム単結晶基板を設け、
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上に、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＮ又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも１つを含む擬似格子整合型の膜をエピタキシャル堆積させることを含み、
　（ｉ）前記擬似格子整合型の膜の厚みが、当該擬似格子整合型の膜に関する、Ｍａｔｔｈｅｗｓ−Ｂｌａｋｅｓｌｅｅ理論によって計算される予測臨界厚みを少なくとも５倍で上回り、（ｉｉ）前記擬似格子整合型の膜が、１０，０００ｃｍ−２未満の平均の貫通転位密度を有し、及び（ｉｉｉ）前記擬似格子整合型の膜の前記平均の貫通転
位
位
　【請求項１１】
　前記擬似格子整合型の膜を堆積させる前に、前記窒化アルミニウム単結晶基板上にバッファ層を形成することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
　【請求項１２】
　前記バッファ層と前記擬似格子整合型の膜との間に傾斜層を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
　【請求項１３】
　前記擬似格子整合型の膜の厚みが、前記予測臨界厚みを少なくとも１０倍で上回る、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１４】
　前記擬似格子整合型の膜が実質的Ｉｎ不含である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１５】
　前記擬似格子整合型の膜がＡｌＧａＮを含み、前記擬似格子整合型の膜をエピタキシャル堆積させることが、トリメチルアルミニウム及びトリメチルガリウムを反応器内に導入することを含む、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項１６】
　前記擬似格子整合型の膜の堆積の際のトリメチルガリウムの初期流量が、トリメチルガリウムの最終流量より
小さ
　【請求項１７】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板が、１０μｍ×１０μｍの面積に対し
て０
ｍ未
、０
び１
　【請求項１８】
　前記擬似格子整合型の膜の貫通転位密度が、前記窒化アルミニウム単結晶基板の貫通転位密度
に等
　【請求項１９】
　前記擬似格子整合型の膜上に、緩和されたキャップ層を形成することをさらに含み、前記擬似格子整合型の膜が、前記緩和されたキャップ層を形成した後、歪みを維持している、請求項１０から１８のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項２０】
　前記擬似格子整合型の膜は、１１００℃より高い温度から１３００℃までの範囲の成長温度で堆積される、請求項１０から１９のいずれか一項に記載の方法。
　【請求項２１】
　電界効果トランジスタ、発光ダイオード及び半導体レーザからなる群から選択されたデバイスであって、
　前記デバイスが、歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み、該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が、
　窒化アルミニウム単結晶基板、及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上
の
エピタキシャル
エピタキシャル
を含み、
　（ｉ）前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
位
位
　【請求項２２】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項２３】
　前記バッファ層と前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項２４】
（削除）
　【請求項２５】
　前記少なくとも１つの擬似格子整合型の
エピタキシャル
２３
　【請求項２６】
　電界効果トランジスタ、発光ダイオード及び半導体レーザからなる群から選択されるデバイスであって、
　前記デバイスが、歪みヘテロ構造の少なくとも一部を含み、該歪みヘテロ構造の少なくとも一部が、
　窒化アルミニウム単結晶基板、及び
　前記窒化アルミニウム単結晶基板上
の
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
を含み、
　（ｉ）前記複数の擬似格子整合型の
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
エピタキシャル
位
位
　【請求項２７】
　前記窒化アルミニウム単結晶基板と前記複数の擬似格子整合型の
エピタキシャル
２６
　【請求項２８】
　前記バッファ層と前記複数の擬似格子整合型の
エピタキシャル
　【請求項２９】
（削除）
　【請求項３０】
　前記複数の擬似格子整合型の
エピタキシャル
ら２８