(57)【要約】  外部量子効率に優れる発光素子等を提供する。  陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の発光層と、陽極及び陰極の間に設けられた第２の発光層とを有し、第２の発光層が、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、該高分子化合物の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する、発光素子。2017146083.tif 000186［式中、ａ1、ａ2及びａ3は、０以上５以下の整数を表す。環Ｓ1は、芳香族炭化水素環等を表す。ＲA1は、アルキル基等を表す。ＡｒA１は、アリーレン基等を表す。ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4は、アリーレン基等を表す。ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、アリール基等を表す。］
2017146083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の発光層と、
前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第２の発光層とを有し、
前記第２の発光層が、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、前記高分子化合物の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する、発光素子。
【化１】
2017146083.tif 000169
［式中、
ａ1、ａ2及びａ3は、それぞれ独立に、０以上５以下の整数を表す。ａ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｓ1は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA1以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲA1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA１は、アリーレン基、又は、２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲA4、ＲA5及びＲA6が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記式（１）で表される構成単位が、式（１ａ）で表される構成単位である、請求項１に記載の発光素子。
【化２】
2017146083.tif 000170
［式中、
ａ1、ａ2、ａ3、ＡｒA2、ＡｒA3、ＡｒA4、環Ｓ1、ＲA1、ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、前記と同じ意味を表す。
環Ｓ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA2以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ＲA2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項３】
前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は前記高分子化合物の架橋体が、更に燐光発光性構成単位を含む、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第２の発光層が、更に燐光発光性化合物を含有する、請求項１又は２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の発光層が、燐光発光性化合物を含有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第１の発光層が、式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【化３】
2017146083.tif 000171
［式中、
ＡｒH1及びＡｒH2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎH1及びｎH2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎH2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎH3は、０〜１０の整数を表す。
ＬH1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲH11）2］ｎH11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎH11は、１以上１０以下の整数を表す。ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲH11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬH2は、−Ｎ（−ＬH21−ＲH21）−で表される基を表す。ＬH2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＬH21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲH21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項７】
式（１）で表される構成単位と燐光発光性構成単位とを含む高分子化合物。
【化４】
2017146083.tif 000172
［式中、
ａ1、ａ2及びａ3は、それぞれ独立に、０以上５以下の整数を表す。ａ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｓ1は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA1以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲA1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA１は、アリーレン基、又は、２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲA4、ＲA5及びＲA6が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【請求項８】
前記式（１）で表される構成単位が、式（１ａ）で表される構成単位である、請求項７に記載の高分子化合物。
【化５】
2017146083.tif 000173
［式中、
ａ1、ａ2、ａ3、ＡｒA2、ＡｒA3、ＡｒA4、環Ｓ1、ＲA1、ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、前記と同じ意味を表す。
環Ｓ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA2以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ＲA2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項９】
前記燐光発光性構成単位が、式（１Ｇ）、式（２Ｇ）、式（３Ｇ）又は式（４Ｇ）で表される構成単位である、請求項７又は８に記載の高分子化合物。
【化６】
2017146083.tif 000174
［式中、
Ｍ1Gは、燐光発光性化合物から１個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ1は、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（ＲA）−で表される基、−Ｃ（ＲB）2−で表される基、−Ｃ（ＲB）＝Ｃ（ＲB）−で表される基、−Ｃ≡Ｃ−で表される基、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲBは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎa1は０〜１０の整数を表す。］
【化７】
2017146083.tif 000175
［式中、
Ｍ1Gは、前記と同じ意味を有する。
Ｌ2及びＬ3は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（ＲA）−で表される基、−Ｃ（ＲB）2−で表される基、−Ｃ（ＲB）＝Ｃ（ＲB）−で表される基、−Ｃ≡Ｃ−で表される基、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲA及びＲBは、前記と同じ意味を有する。
ｎb1及びｎc1は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。複数存在するｎb1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1Mは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【化８】
2017146083.tif 000176
［式中、
Ｍ2Gは、燐光発光性化合物から２個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ2及びｎb1は、前記と同じ意味を有する。］
【化９】
2017146083.tif 000177
［式中、
Ｍ3Gは、燐光発光性化合物から３個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ2及びｎb1は、前記と同じ意味を有する。］
【請求項１０】
前記燐光発光性化合物が、式（２）で表される化合物である、請求項９に記載の高分子化合物。
【化１０】
2017146083.tif 000178
［式中、
Ｍ2は、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ3は１以上の整数を表し、ｎ4は０以上の整数を表し、ｎ3＋ｎ4は２又は３である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ3＋ｎ4は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ3＋ｎ4は２である。
Ｅ３及びＥ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ３及びＥ４の少なくとも一方は炭素原子である。
環Ｌ1は、芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ1が有していてもよい置換基と環Ｌ2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ3−Ｇ2−Ａ4は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ2は、単結合、又は、Ａ3及びＡ4とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ3−Ｇ2−Ａ4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項１１】
前記環Ｌ1が、ピリジン環、ピリミジン環、イソキノリン環又はキノリン環であり、かつ、前記環Ｌ2が、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環である、請求項１０に記載の高分子化合物。
【請求項１２】
前記式（２）で表される燐光発光性化合物が、式（２−Ｂ１）、式（２−Ｂ２）、式（２−Ｂ３）、式（２−Ｂ４）又は式（２−Ｂ５）で表される燐光発光性化合物である、請求項１１に記載の発光素子。
【化１１】
2017146083.tif 000179
［式中、
Ｍ2、ｎ3、ｎ4及びＡ3−Ｇ2−Ａ4は、前記と同じ意味を表す。
ｎ11及びｎ12は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、ｎ11＋ｎ12は２又は３である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ11＋ｎ12は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ11＋ｎ12は２である。
Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B、Ｒ14B、Ｒ15B、Ｒ16B、Ｒ17B、Ｒ18B、Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B、Ｒ14B、Ｒ15B、Ｒ16B、Ｒ17B、Ｒ18B、Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ11BとＲ12B、Ｒ12BとＲ13B、Ｒ13BとＲ14B、Ｒ13BとＲ15B、Ｒ15BとＲ16B、Ｒ16BとＲ17B、Ｒ17BとＲ18B、Ｒ18BとＲ21B、Ｒ11BとＲ21B、Ｒ21BとＲ22B、Ｒ22BとＲ23B、及び、Ｒ23BとＲ24Bは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
【請求項１３】
前記Ｒ11B、前記Ｒ12B、前記Ｒ13B、前記Ｒ14B、前記Ｒ21B、前記Ｒ22B、前記Ｒ23B及び前記Ｒ24Bのうちの少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、請求項１２に記載の高分子化合物。
【化１２】
2017146083.tif 000180
［式中、
ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【化１３】
2017146083.tif 000181
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ＧDA、ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3及びＴDAは、前記と同じ意味を表す。
ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6及びｍDA7は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。
ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【化１４】
2017146083.tif 000182
［式中、
ｍDA1、ＡｒDA1及びＴDAは、前記と同じ意味を有する。］
【請求項１４】
前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む、請求項７〜１３のいずれか一項に記載の高分子化合物。
（架橋基Ａ群）
【化１５】
2017146083.tif 000183
［式中、
ＲXLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎXLは、０〜５の整数を表す。ＲXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
【請求項１５】
前記架橋構成単位が、式（３）又は式（４）で表される構成単位である、請求項１４に記載の高分子化合物。
【化１６】
2017146083.tif 000184
［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。
Ａｒ1は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬAは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬAが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【化１７】
2017146083.tif 000185
［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ3は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素基と複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ2及びＡｒ4は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接又は酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
ＫAは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＫAが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発光素子及び該発光素子に用いる高分子化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子は、ディスプレイ及び照明の用途に使用することが可能であり、研究開発が盛んに行われている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層等を有している。
特許文献１及び２には、例えば、下記式で表されるアリールアミン構成単位を含む高分子化合物を含有する発光層の上に、燐光発光性化合物を含む発光層を積層した発光素子が記載されている。【０００３】
【化１】
2017146083.tif 000003
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１４／０１７５４１５号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１５／１６３１７４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１及び２に記載された発光素子は、外部量子効率が必ずしも十分ではない。
そこで、本発明は、外部量子効率に優れる発光素子を提供することを目的とする。本発明はまた、外部量子効率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、以下の［１］〜［１５］を提供する。【０００７】
［１］陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第１の発光層と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた第２の発光層とを有し、
前記第２の発光層が、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、前記高分子化合物の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有する、発光素子。
【化２】
2017146083.tif 000004
［式中、
ａ1、ａ2及びａ3は、それぞれ独立に、０以上５以下の整数を表す。ａ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｓ1は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA1以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲA1は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA１は、アリーレン基、又は、２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲA4、ＲA5及びＲA6が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
［２］前記式（１）で表される構成単位が、式（１ａ）で表される構成単位である、［１］に記載の発光素子。
【化３】
2017146083.tif 000005
［式中、
ａ1、ａ2、ａ3、ＡｒA2、ＡｒA3、ＡｒA4、環Ｓ1、ＲA1、ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、前記と同じ意味を表す。
環Ｓ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環はＲA2以外の置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ＲA2は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［３］前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は前記高分子化合物の架橋体が、更に燐光発光性構成単位を含む、［１］又は［２］に記載の発光素子。
［４］前記第２の発光層が、更に燐光発光性化合物を含有する、［１］又は［２］に記載の発光素子。
［５］前記第１の発光層が、燐光発光性化合物を含有する、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。
［６］前記第１の発光層が、式（Ｈ−１）で表される化合物を更に含有する、［１］〜［５］のいずれかに記載の発光素子。
【化４】
2017146083.tif 000006
［式中、
ＡｒH1及びＡｒH2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎH1及びｎH2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎH2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎH3は、０〜１０の整数を表す。
ＬH1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲH11）2］ｎH11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎH11は、１以上１０以下の整数を表す。ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲH11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬH2は、−Ｎ（−ＬH21−ＲH21）−で表される基を表す。ＬH2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＬH21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲH21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［７］上記式（１）で表される構成単位と燐光発光性構成単位とを含む高分子化合物。
［８］前記式（１）で表される構成単位が、上記式（１ａ）で表される構成単位である、［７］に記載の高分子化合物。
［９］前記燐光発光性構成単位が、式（１Ｇ）、式（２Ｇ）、式（３Ｇ）又は式（４Ｇ）で表される構成単位である、［７］又は［８］に記載の高分子化合物。
【化５】
2017146083.tif 000007
［式中、
Ｍ1Gは、燐光発光性化合物から１個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ1は、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（ＲA）−で表される基、−Ｃ（ＲB）2−で表される基、−Ｃ（ＲB）＝Ｃ（ＲB）−で表される基、−Ｃ≡Ｃ−で表される基、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲBは、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎa1は０〜１０の整数を表す。］
【化６】
2017146083.tif 000008
［式中、
Ｍ1Gは、前記と同じ意味を有する。
Ｌ2及びＬ3は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、−Ｎ（ＲA）−で表される基、−Ｃ（ＲB）2−で表される基、−Ｃ（ＲB）＝Ｃ（ＲB）−で表される基、−Ｃ≡Ｃ−で表される基、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲA及びＲBは、前記と同じ意味を有する。
ｎb1及びｎc1は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。複数存在するｎb1は、同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ1Mは、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【化７】
2017146083.tif 000009
［式中、
Ｍ2Gは、燐光発光性化合物から２個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ2及びｎb1は、前記と同じ意味を有する。］
【化８】
2017146083.tif 000010
［式中、
Ｍ3Gは、燐光発光性化合物から３個の水素原子を取り除いてなる基を表す。
Ｌ2及びｎb1は、前記と同じ意味を有する。］
［１０］前記燐光発光性化合物が、式（２）で表される化合物である、［９］に記載の高分子化合物。
【化９】
2017146083.tif 000011
［式中、
Ｍ2は、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ3は１以上の整数を表し、ｎ4は０以上の整数を表し、ｎ3＋ｎ4は２又は３である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ3＋ｎ4は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ3＋ｎ4は２である。
Ｅ３及びＥ４は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ３及びＥ４の少なくとも一方は炭素原子である。
環Ｌ1は、芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｌ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｌ1が有していてもよい置換基と環Ｌ2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ3−Ｇ2−Ａ4は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ3及びＡ4は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ2は、単結合、又は、Ａ3及びＡ4とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ3−Ｇ2−Ａ4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
［１１］前記環Ｌ1が、ピリジン環、ピリミジン環、イソキノリン環又はキノリン環であり、かつ、前記環Ｌ2が、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環である、［１０］に記載の高分子化合物。
［１２］前記式（２）で表される燐光発光性化合物が、式（２−Ｂ１）、式（２−Ｂ２）、式（２−Ｂ３）、式（２−Ｂ４）又は式（２−Ｂ５）で表される燐光発光性化合物である、［１１］に記載の発光素子。
【化１０】
2017146083.tif 000012
［式中、
Ｍ2、ｎ3、ｎ4及びＡ3−Ｇ2−Ａ4は、前記と同じ意味を表す。
ｎ11及びｎ12は、それぞれ独立に、１以上の整数を表し、ｎ11＋ｎ12は２又は３である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ11＋ｎ12は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ11＋ｎ12は２である。
Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B、Ｒ14B、Ｒ15B、Ｒ16B、Ｒ17B、Ｒ18B、Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B、Ｒ14B、Ｒ15B、Ｒ16B、Ｒ17B、Ｒ18B、Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ11BとＲ12B、Ｒ12BとＲ13B、Ｒ13BとＲ14B、Ｒ13BとＲ15B、Ｒ15BとＲ16B、Ｒ16BとＲ17B、Ｒ17BとＲ18B、Ｒ18BとＲ21B、Ｒ11BとＲ21B、Ｒ21BとＲ22B、Ｒ22BとＲ23B、及び、Ｒ23BとＲ24Bは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
［１３］前記Ｒ11B、前記Ｒ12B、前記Ｒ13B、前記Ｒ14B、前記Ｒ21B、前記Ｒ22B、前記Ｒ23B及び前記Ｒ24Bのうちの少なくとも１つが、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基である、［１２］に記載の高分子化合物。
【化１１】
2017146083.tif 000013
［式中、
ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【化１２】
2017146083.tif 000014
［式中、
ｍDA1、ｍDA2、ｍDA3、ＧDA、ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3及びＴDAは、前記と同じ意味を表す。
ｍDA4、ｍDA5、ｍDA6及びｍDA7は、それぞれ独立に、０〜１０の整数を表す。
ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【化１３】
2017146083.tif 000015
［式中、
ｍDA1、ＡｒDA1及びＴDAは、前記と同じ意味を有する。］
［１４］前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含む、［７］〜［１３］のいずれかに記載の高分子化合物。
（架橋基Ａ群）
【化１４】
2017146083.tif 000016
［式中、
ＲXLは、メチレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、ｎXLは、０〜５の整数を表す。ＲXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎXLが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋基は置換基を有していてもよい。］
［１５］前記架橋構成単位が、式（３）又は式（４）で表される構成単位である、［１４］に記載の高分子化合物。
【化１５】
2017146083.tif 000017
［式中、
ｎＡは０〜５の整数を表し、ｎは１又は２を表す。
Ａｒ1は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＬAは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬAが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘは、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ｎＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【化１６】
2017146083.tif 000018
［式中、
ｍＡは０〜５の整数を表し、ｍは１〜４の整数を表し、ｃは０又は１を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ａｒ3は、芳香族炭化水素基、複素環基、又は、芳香族炭化水素基と複素環基とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ2及びＡｒ4は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、該基が結合している窒素原子に結合している該基以外の基と、直接又は酸素原子若しくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
ＫAは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’’−で表される基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＫAが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｘ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、前記架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
【発明の効果】
【０００８】
本発明の実施形態によれば、外部量子効率に優れる発光素子を提供することができる。また、本発明の実施形態によれば、外部量子収率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１０】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１１】
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
【００１２】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１３】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。
【００１４】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×103〜１×108である重合体を意味する。
【００１５】
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
【００１６】
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は外部量子効率が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【００１７】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×104以下の化合物を意味する。
【００１８】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
【００１９】
「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００２０】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２１】
「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２２】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２３】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００２４】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジニル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００２５】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
【００２６】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。
【００２７】
「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２８】
「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２９】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３０】
【化１７】
2017146083.tif 000019
【００３１】
【化１８】
2017146083.tif 000020
【００３２】
【化１９】
2017146083.tif 000021
【００３３】
【化２０】
2017146083.tif 000022
［式中、Ｒ及びＲaは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲaは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒa同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【００３４】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３５】
【化２１】
2017146083.tif 000023
【００３６】
【化２２】
2017146083.tif 000024
【００３７】
【化２３】
2017146083.tif 000025
【００３８】
【化２４】
2017146083.tif 000026
【００３９】
【化２５】
2017146083.tif 000027
【００４０】
【化２６】
2017146083.tif 000028
【００４１】
【化２７】
2017146083.tif 000029
［式中、Ｒ及びＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００４２】
「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、上記架橋基Ａ群の式(XL-1)〜(XL-21)で表される架橋基である。
【００４３】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００４４】
「デンドロン」とは、原子又は環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（即ち、デンドリマー構造）を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物（以下、「デンドリマー」と言う。）としては、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の構造が挙げられる。
【００４５】
デンドロンとしては、式（Ｄ−Ａ）で表される基又は式（Ｄ−Ｂ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ）で表される基がより好ましい。
【００４６】
次に、式（Ｄ−Ａ）で表される基、式（Ｄ−Ｂ）で表される基及び式（Ｄ−Ｃ）で表される基について説明する。
【００４７】
ｍDA1〜ｍDA7は、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは２以下の整数であり、更に好ましくは０又は１である。ｍDA2〜ｍDA7が、同一の整数であることが好ましく、ｍDA1〜ｍDA7が、同一の整数であることがより好ましい。
【００４８】
ＧDAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、より好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-14)で表される基であり、更に好ましくは式(GDA-11)又は(GDA-14)で表される基であり、特に好ましくは式(GDA-11)で表される基である。
【００４９】
【化２８】
2017146083.tif 000030
［式中、
＊は、式(D-A)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA1、式(D-B)におけるＡｒDA2、又は、式(D-B)におけるＡｒDA3との結合を表す。
＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA2、式(D-B)におけるＡｒDA4、又は、式(D-B)におけるＡｒDA6との結合を表す。
＊＊＊は、式(D-A)におけるＡｒDA3、式(D-B)におけるＡｒDA3、式(D-B)におけるＡｒDA5、又は、式(D-B)におけるＡｒDA7との結合を表す。
ＲDAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲDAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００５０】
ＲDAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００５１】
ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3、ＡｒDA4、ＡｒDA5、ＡｒDA6及びＡｒDA7は、好ましくは、フェニレン基、フルオレンジイル基又はカルバゾールジイル基であり、より好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１１）、式（ＡＡ−３３）又は式（ＡＡ−３４）で表される基であり、更に好ましくは式(ArDA-1)〜式(ArDA-5)で表される基である。
【００５２】
【化２９】
2017146083.tif 000031
［式中、
ＲDAは前記と同じ意味を表す。
ＲDBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲDBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００５３】
ＲDBは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００５４】
ＴDAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基であり、より好ましくは式(TDA-1)で表される基である。
【００５５】
【化３０】
2017146083.tif 000032
［式中、ＲDA及びＲDBは、前記と同じ意味を表す。］
【００５６】
式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A4)で表される基であり、より好ましくは式(D-A1)又は式(D-A3)で表される基である。
【００５７】
【化３１】
2017146083.tif 000033
［式中、
Ｒp1、Ｒp2、Ｒp3及びＲp4は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒp1、Ｒp2及びＲp4が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表し、ｎｐ４は０〜４の整数を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【００５８】
式(D-B)で表される基は、好ましくは式(D-B1)〜(D-B3)で表される基であり、より好ましくは式(D-B1)で表される基である。
【００５９】
【化３２】
2017146083.tif 000034
［式中、
Ｒp1、Ｒp2及びＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒp1及びＲp2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ｎｐ１は０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。ｎｐ１及びｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【００６０】
式(D-C)で表される基は、好ましくは式(D-C1)〜(D-C4)で表される基であり、より好ましくは式(D-C1)で表される基である。
【００６１】
【化３３】
2017146083.tif 000035
［式中、
Ｒp4、Ｒp5及びＲp6は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はフッ素原子を表す。Ｒp4、Ｒp5及びＲp6が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ４は、０〜４の整数を表し、ｎｐ５は０〜５の整数を表し、ｎｐ６は０〜５の整数を表す。］
【００６２】
ｎｐ１は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。ｎｐ４は、好ましくは０〜２の整数である。ｎｐ５は、好ましくは１〜３の整数である。ｎｐ６は、好ましくは０〜２の整数である。
【００６３】
Ｒp1、Ｒp2、Ｒp3、Ｒp4、Ｒp5及びＲp6は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ−オクチル基又はシクロへキシルオキシ基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基である。
【００６４】
式(D-A)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ａ−１）〜（Ｄ−Ａ−１２）で表される基が挙げられる。
【００６５】
【化３４】
2017146083.tif 000036
【００６６】
【化３５】
2017146083.tif 000037
［式中、ＲDは、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、シクロヘキシル基、メトキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又はシクロへキシルオキシ基を表す。ＲDが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００６７】
式(D-B)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｂ−１）〜（Ｄ−Ｂ−４）で表される基が挙げられる。
【００６８】
【化３６】
2017146083.tif 000038
［式中、ＲDは前記と同じ意味を表す。］
【００６９】
式(D-C)で表される基としては、例えば、式（Ｄ−Ｃ−１）〜（Ｄ−Ｃ−１３）で表される基が挙げられる。
【００７０】
【化３７】
2017146083.tif 000039
【００７１】
【化３８】
2017146083.tif 000040
［式中、ＲDは前記と同じ意味を表す。］
【００７２】
ＲDはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基又はｔｅｒｔ−オクチル基であることが好ましい。
【００７３】
＜発光素子＞
次に、本発明の一実施形態に係る発光素子について説明する。
本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極及び陰極の間に設けられた第１の発光層と、陽極及び陰極の間に設けられた第２の発光層とを有する発光素子であって、第２の発光層が、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、前記高分子化合物の架橋体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する、発光素子である。
【００７４】
［第１の発光層］
次に、本実施形態に係る発光素子が有する第１の発光層について、説明する。
第１の発光層は、発光材料を含有する層である。
【００７５】
・発光材料
発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、低分子化合物が好ましく、これらの化合物は架橋基を有していてもよい。
【００７６】
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金、パラジウム、ロジウム又はユーロピウムを中心金属とする燐光発光性化合物が挙げられる。
【００７７】
発光材料は、燐光発光性化合物を含むことが好ましい。
【００７８】
第１の発光層は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率が優れるので、好ましくは２種以上の燐光発光性化合物を含む。
【００７９】
・燐光発光性化合物
燐光発光性化合物は、燐光発光性を有する化合物である。燐光発光性化合物としては、室温（例えば、２５℃）で高い発光量子収率を有するものを好適に用いることができる。
【００８０】
燐光発光性化合物としては、例えば、前記式（２）で表される燐光発光性化合物、及び、下記式で表される金属錯体が挙げられ、好ましくは、前記式（２）で表される燐光発光性化合物である。
【００８１】
【化３９】
2017146083.tif 000041
【００８２】
第１の発光層に含まれる燐光発光性化合物は、前記式（２）で表される燐光発光性化合物であることが好ましく、中でも、第１の発光層に含まれる燐光発光性化合物の少なくとも１種として式（５）で表される燐光発光性化合物が含まれることが好ましい。
【００８３】
【化４０】
2017146083.tif 000042
［式中、
Ｍ1は、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ1は１以上の整数を表し、ｎ2は０以上の整数を表し、ｎ1＋ｎ2は２又は３である。Ｍ1がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ1＋ｎ2は３であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ1＋ｎ2は２である。
Ｅ1及びＥ2は、それぞれ独立に、炭素原子又は窒素原子を表す。但し、Ｅ1及びＥ2の少なくとも一方は炭素原子である。
環Ｒ1は、５員の芳香族複素環を表し、この環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ1が有していてもよい置換基と環Ｒ2が有していてもよい置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ａ1−Ｇ1−Ａ2は、アニオン性の２座配位子を表す。Ａ1及びＡ2は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。Ｇ1は、単結合、又は、Ａ1及びＡ2とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ1−Ｇ1−Ａ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【００８４】
式（５）中、Ｍ1はイリジウム原子又は白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。
【００８５】
式（５）中、Ｅ1及びＥ2は、炭素原子であることが好ましい。
【００８６】
式（５）中、環Ｒ1は、１つ以上３つ以下の窒素原子を構成原子として有する５員環の芳香族複素環であることが好ましく、イミダゾール環、トリアゾール環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００８７】
式（５）中、環Ｒ2は、６員環の芳香族炭化水素環、又は、５員環若しくは６員環の芳香族複素環であることが好ましく、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
【００８８】
環Ｒ1及び環Ｒ2が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子又はデンドロンが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、ハロゲン原子又はデンドロンがより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【００８９】
式（５）中、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。但し、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ1でその数を定義されている配位子とは異なる。
【００９０】
【化４１】
2017146083.tif 000043
【００９１】
【化４２】
2017146083.tif 000044
［式中、＊は、Ｍ1と結合する部位を示す。］
【００９２】
式（５）で表される燐光発光性化合物は、式（５−Ａ１）〜式（５−Ａ４）で表される燐光発光性化合物であることが好ましい。
【００９３】
【化４３】
2017146083.tif 000045
［式中、
Ｍ1、ｎ1、ｎ2及びＡ1−Ｇ1−Ａ2は、前記と同じ意味を表す。
Ｒ11A、Ｒ12A、Ｒ13A、Ｒ21A、Ｒ22A、Ｒ23A及びＲ24Aは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、置換アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ11A、Ｒ12A、Ｒ13A、Ｒ21A、Ｒ22A、Ｒ23A及びＲ24Aが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ11AとＲ12A、Ｒ12AとＲ13A、Ｒ11AとＲ21A、Ｒ21AとＲ22A、Ｒ22AとＲ23A、及び、Ｒ23AとＲ24Aは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
【００９４】
Ｒ11A、Ｒ12A、Ｒ13A、Ｒ21A、Ｒ22A、Ｒ23A及びＲ24Aは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましい。
【００９５】
Ｒ11A、Ｒ12A、Ｒ13A、Ｒ21A、Ｒ22A、Ｒ23A及びＲ24Aがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である場合、発光素子の外部量子効率がより優れるので、デンドロンであることが好ましい。デンドロンの好ましい態様としては、式（Ｄ−Ａ）、式（Ｄ−Ｂ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基が好ましく、式（Ｄ−Ａ）又は式（Ｄ−Ｃ）で表される基がより好ましい。
【００９６】
式（５−Ａ１）〜式（５−Ａ４）で表される燐光発光性化合物としては、例えば、下記式で表される燐光発光性化合物が挙げられる。
【００９７】
【化４４】
2017146083.tif 000046
【００９８】
【化４５】
2017146083.tif 000047
【００９９】
第１の発光層は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率が優れるので、式（５）で表される燐光発光性化合物に加えて、後述の式（２−Ｂ１）〜（２−Ｂ５）で表される燐光発光性化合物を含有することが好ましい。
【０１００】
第１の発光層の形成に用いられる燐光発光性化合物は、例えば、特表２００４−５３０２５４号公報、特開２００８−１７９６１７号公報、特開２０１１−１０５７０１号公報、特表２００７−５０４２７２号公報、特開２０１３−１４７４４９号公報、特開２０１３−１４７４５０号公報に記載されている方法に従って合成することができる。
【０１０１】
・ホスト材料
本実施形態に係る発光素子の外部量子効率が優れるので、第１の発光層は、燐光発光性化合物と、正孔注入性、正孔輸送性、電子注入性及び電子輸送性のうちの少なくとも１つの機能を有するホスト材料とを含有することが好ましい。ホスト材料は、１種単独であっても、２種以上であってもよい。
【０１０２】
第１の発光層が燐光発光性化合物とホスト材料とを含有する場合、燐光発光性化合物の総含有量は、燐光発光性化合物とホスト材料との合計１００質量部に対して、通常、０．１〜５０質量部であり、好ましくは５〜４０質量部である。
【０１０３】
ホスト材料の有する最低励起三重項状態（Ｔ1）は、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率が優れるので、第１の発光層の形成に用いられる燐光発光性化合物の有するＴ1と同等のエネルギー準位、又は、より高いエネルギー準位であることが好ましい。
【０１０４】
ホスト材料としては、本実施形態に係る発光素子を溶液塗布プロセスで作製できるので、第１の発光層の形成に用いられる燐光発光性化合物を溶解することが可能な溶媒に対して溶解性を示すものであることが好ましい。
【０１０５】
ホスト材料は、低分子化合物（以下、「低分子ホスト」と言う。）と高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）とに分類されるが、低分子ホストが好ましい。
【０１０６】
低分子ホストは、好ましくは、前記式（Ｈ−１）で表される化合物である。
【０１０７】
ＡｒH1及びＡｒH2は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、前記式（ＴＤＡ−１）又は（ＴＤＡ−３）で表される基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１０８】
ＡｒH1及びＡｒH2が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基又はシクロアルキル基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１０９】
ｎH1は、好ましくは１である。ｎH2は、好ましくは０である。
ｎH3は、好ましくは１〜３の整数であり、より好ましくは１である。
ｎH11は、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。
【０１１０】
ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子又はアルキル基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１１１】
ＬH1は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。
ＬH1は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることがより好ましい。
ＬH1が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１１２】
ＬH21は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
ＬH21で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、ＬH1で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。
【０１１３】
ＲH21は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい
ＲH21で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、ＡｒH1及びＡｒH2で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。
ＲH21が有していてもよい置換基の定義及び例は、ＡｒH1及びＡｒH2が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。
【０１１４】
式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０１１５】
【化４６】
2017146083.tif 000048
［式中、ＡｒH1、ＡｒH2、ｎH3及びＬH1は、前記と同じ意味を表す。］
【０１１６】
式（Ｈ−１）で表される化合物としては、例えば、式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１１８）で表される化合物が挙げられる。
【０１１７】
【化４７】
2017146083.tif 000049
【０１１８】
【化４８】
2017146083.tif 000050
【０１１９】
【化４９】
2017146083.tif 000051
【０１２０】
【化５０】
2017146083.tif 000052
【０１２１】
高分子ホストは、好ましくは、式(Ｙ)で表される構成単位を含む高分子化合物である。
【０１２２】
【化５１】
2017146083.tif 000053
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１２３】
ＡｒY1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)又は式(A-20)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２４】
ＡｒY1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)又は式(AA-34)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２５】
ＡｒY1で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒY1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０１２６】
「アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２７】
【化５２】
2017146083.tif 000054
［式中、ＲXXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１２８】
ＲXXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１２９】
ＡｒY1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１３０】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられる。
【０１３１】
【化５３】
2017146083.tif 000055
［式中、ＲY1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲY1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１３２】
ＲY1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３３】
【化５４】
2017146083.tif 000056
［式中、
ＲY1は前記と同じ意味を表す。
ＸY1は、−Ｃ(ＲY2)2−、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−又は−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基を表す。ＲY2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY2は、同一でも異なっていてもよく、ＲY2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１３４】
ＲY2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３５】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３６】
【化５５】
2017146083.tif 000057
【０１３７】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基若しくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基若しくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３８】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の４個のＲY2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１３９】
【化５６】
2017146083.tif 000058
［式中、ＲY2は前記と同じ意味を表す。］
【０１４０】
【化５７】
2017146083.tif 000059
［式中、ＲY1及びＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０１４１】
【化５８】
2017146083.tif 000060
【０１４２】
【化５９】
2017146083.tif 000061
［式中、
ＲY1は前記と同じ意味を表す。
ＲY3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１４３】
ＲY3は、好ましくは好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１４４】
【化６０】
2017146083.tif 000062
［式中、
ＲY1は前記を同じ意味を表す。
ＲY4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０１４５】
ＲY4は、好ましくは好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１４６】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-207)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【０１４７】
【化６１】
2017146083.tif 000063
【０１４８】
【化６２】
2017146083.tif 000064
【０１４９】
【化６３】
2017146083.tif 000065
【０１５０】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1がアリーレン基である構成単位は、外部量子効率が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。
【０１５１】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1が２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の実施形態の発光素子の電荷輸送性が優れるので、高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは３〜20モル％である。
【０１５２】
式(Ｙ)で表される構成単位は、高分子ホスト中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０１５３】
高分子ホストは、正孔輸送性が優れるので、更に、下記式(Ｘ)で表される構成単位を含むことが好ましい。
【０１５４】
【化６４】
2017146083.tif 000066
［式中、
ａX1及びａX2は、それぞれ独立に、０〜２の整数を表す。
ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、アリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１５５】
ａX1は、外部量子効率が優れるので、好ましくは０又は１である。
ａX2は、外部量子効率が優れるので、好ましくは０である。
【０１５６】
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１５７】
ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX1及びＡｒX3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１５８】
ＡｒX2及びＡｒX4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒX2及びＡｒX4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
ＡｒX2及びＡｒX4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
ＡｒX2及びＡｒX4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒY1で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
ＡｒX2及びＡｒX4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０１５９】
ＡｒX1〜ＡｒX4及びＲX1〜ＲX3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０１６０】
式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位である。
【０１６１】
【化６５】
2017146083.tif 000067
【０１６２】
【化６６】
2017146083.tif 000068
［式中、ＲX4及びＲX5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲX4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲX5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲX5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０１６３】
式(Ｘ)で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、高分子ホストに含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。
【０１６４】
式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられる。
【０１６５】
【化６７】
2017146083.tif 000069
【０１６６】
【化６８】
2017146083.tif 000070
【０１６７】
高分子ホストにおいて、式(Ｘ)で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０１６８】
高分子ホストとしては、例えば、表１の高分子化合物(P-1)〜(P-6)が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式(Ｙ)で表される構成単位、式(Ｘ)で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０１６９】
【表１】
2017146083.tif 000071
［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を示す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100であり、かつ、100≧ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ≧70である。］
【０１７０】
高分子ホストは、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよいが、複数種の原料モノマーを共重合してなる共重合体であることが好ましい。
【０１７１】
高分子ホストは、ケミカルレビュー(Chem. Rev.)，第109巻，897-1091頁(2009年)等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Suzuki反応、Yamamoto反応、Buchwald反応、Stille反応、Negishi反応及びKumada反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
【０１７２】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。
遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。
【０１７３】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０１７４】
・その他の材料
第１の発光層は、少なくとも１種の発光材料と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有することが好ましい。
【０１７５】
第１の発光層において、発光材料の含有量は、第１の発光層中の発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料の合計100重量部に対して、通常、0.1〜100重量部である。
【０１７６】
第１の発光層は、発光材料を含むインク（以下、「第１の発光層の形成に用いられるインク」ともいう。）を用いて、スピンコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、ダイコート法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法により形成することができる。
【０１７７】
第１の発光層の形成に用いられるインクの粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりを防止するために、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。
【０１７８】
インクに含まれる溶媒は、インク中の固形分を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。溶媒としては、例えば、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、n-ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ヘキサン、n-オクタン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１７９】
第１発光層の形成に用いられるインクにおいて、溶媒の配合量は、発光材料100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部である。
【０１８０】
正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、高分子化合物が好ましく、架橋基を有する高分子化合物がより好ましい。
【０１８１】
低分子化合物としては、例えば、トリフェニルアミン及びその誘導体、Ｎ，Ｎ’−ジ−１−ナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、並びに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）ベンジジン等の芳香族アミン化合物が挙げられる。
【０１８２】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられる。
【０１８３】
第１の発光層が正孔輸送材料を含有する場合、正孔輸送材料の含有量は、第１の発光層中の発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料の合計100重量部に対して、通常、0.1〜99重量部であり、好ましくは0.1〜50重量部であり、より好ましくは0.5〜10重量部である。
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１８４】
電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
【０１８５】
低分子化合物としては、例えば、8-ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレン、及び、ジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
【０１８６】
高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、及び、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
【０１８７】
第１の発光層が電子輸送材料を含有する場合、電子輸送材料の含有量は、第１の発光層中の発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料の合計100重量部に対して、通常、0.1〜99重量部であり、好ましくは0.1〜50重量部であり、より好ましくは0.5〜10重量部である。
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１８８】
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料及び電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
【０１８９】
低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
【０１９０】
高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリン、及び、ポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
【０１９１】
第１の発光層が正孔注入材料及び電子注入材料を含有する場合、正孔注入材料及び電子注入材料の含有量は、第１の発光層中の発光材料、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料及び電子注入材料の合計100重量部に対して、通常、0.1〜30重量部であり、好ましくは0.1〜10重量部であり、より好ましくは0.1〜1重量部である。
正孔注入材料及び電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１９２】
正孔注入材料又は電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×10-5S/cm〜１×103S/cmである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
【０１９３】
ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
ドープするイオンは、一種のみでも二種以上でもよい。
【０１９４】
酸化防止剤は、発光及び電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
【０１９５】
第１の発光層が酸化防止剤を含有する場合、酸化防止剤の含有量は、発光材料100重量部に対して、通常、0.001〜10重量部である。
酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０１９６】
第１の発光層の形成に用いられるインクは、その他の成分を含んでいてよい。
【０１９７】
［第２の発光層］
第２の発光層は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の架橋体からなる群より選択される少なくとも１種を含有する層である。
【０１９８】
・式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物
【０１９９】
【化６９】
2017146083.tif 000072
【０２００】
ａ1、ａ2及びａ3は、外部量子効率が優れるので、好ましくは０又は１であり、より好ましくはａ1が１であり、ａ2及びａ3が０である組み合わせ、ａ2が１であり、ａ1及びａ3が０である組み合わせ、又は、ａ1、ａ2及びａ3が０である組み合わせである。
【０２０１】
環Ｓ1で表される芳香族炭化水素環は、環を構成する炭素原子数が、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１４である。
環Ｓ1で表される芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ナフタセン環、フルオレン環、ピレン環、ペリレン環、又はクリセン環が挙げられ、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環又はフルオレン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
【０２０２】
環Ｓ1で表される芳香族複素環は、環を構成する炭素原子数が、通常２〜６０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１２である。
環Ｓ1で表される芳香族複素環としては、例えば、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、アザナフタレン環、ジアザナフタレン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾシロール環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、アクリジン環、ジヒドロアクリジン環、フラン環、チオフェン環、アゾール環、ジアゾール環又はトリアゾール環が挙げられ、ピリジン環、トリアジン環、カルバゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、フラン環、チオフェン環又はアゾール環が好ましい。
【０２０３】
ＲA1は、外部量子効率がより優れるので、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＲA1で表されるアルキル基としては、本発明の実施形態の発光素子に好適に用いられる高分子化合物の溶解性が優れ発光素子の作製が容易になるので、炭素原子数が１〜１２のアルキル基が好ましく、炭素原子数２〜１２のアルキル基がより好ましく、炭素原子数６〜１２のアルキル基が更に好ましい。
ＲA1で表されるアルキル基としては、本発明の実施形態の発光素子に好適に用いられる高分子化合物の合成が容易になるので、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基がより好ましい。
【０２０４】
ＡｒA1で表される単環若しくは縮環のアリーレン基は、好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）、式（Ａ−１９）、又は、式（Ａ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−３）であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA1で表される２価の複素環基は、好ましくは式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）、式（Ｂ−１０）〜式（Ｂ−１５）、又は、式（Ｂ−２４）〜式（Ｂ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA1は、外部量子効率がより優れるので、好ましくはアリーレン基である。
【０２０５】
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4で表されるアリーレン基は、好ましくは式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）、式（Ａ−１９）、又は、式（Ａ−２０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4で表される２価の複素環基は、好ましくは式（Ｂ−１）〜式（Ｂ−４）、式（Ｂ−１０）〜式（Ｂ−１５）、又は、式（Ｂ−２４）〜式（Ｂ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
ＡｒA2、ＡｒA3及びＡｒA4で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、ＡｒY1で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例示と同じである。
【０２０６】
ＡｒA2は、外部量子効率が優れるので、より好ましくはアリーレン基であり、更に好ましくは式（Ａ−７）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒA3及びＡｒA4は、外部量子効率が優れるので、より好ましくはアリーレン基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２０７】
ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6で表される１価の複素環基としては、前記１価の複素環基の説明で挙げた基に加えて、ジヒドロカルバゾリル基、テトラヒドロカルバゾリル基、ヘキサヒドロカルバゾリル基が挙げられる。
【０２０８】
ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6は、アリール基ＣＣ群から選ばれる基、又は、１価の複素環基ＤＤ群から選ばれる基が好ましく、式（ＣＣ−１）、式（ＣＣ−６）、又は式（ＤＤ−１４）で表される基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよく、ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【０２０９】
（アリール基ＣＣ群）
【０２１０】
【化７０】
2017146083.tif 000073
【０２１１】
（１価の複素環基ＤＤ群）
【０２１２】
【化７１】
2017146083.tif 000074
［式中、Ｒ及びＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【０２１３】
ＡｒA1、ＡｒA2、ＡｒA3、ＡｒA4、ＲA3、ＲA4、ＲA5及びＲA6で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２１４】
式（１）で表される構成単位の含有量は、高分子化合物に含まれる構成単位の合計含有量に対して、通常、０．１モル％〜１００モル％であり、正孔輸送性が優れるので、１０モル％〜９０モル％であることが好ましく、３０モル％〜５０モル％であることがより好ましく、４０モル％〜５０モル％であることが更に好ましい。
【０２１５】
式（１）で表される構成単位としては、例えば、式（１’−１）〜（１’−１８）で表される構成単位が挙げられる。
【０２１６】
【化７２】
2017146083.tif 000075
【０２１７】
【化７３】
2017146083.tif 000076
【０２１８】
【化７４】
2017146083.tif 000077
【０２１９】
第２の発光層において、式（１）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２２０】
式（１）で表される構成単位は、外部量子効率がより優れるので、式（１ａ）で表される構成単位であることが好ましい。
【０２２１】
【化７５】
2017146083.tif 000078
【０２２２】
環Ｓ2で表される芳香族炭化水素環は、環を構成する炭素原子数が、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１４である。環Ｓ２で表される芳香族炭化水素環の例示、好ましい範囲は、環Ｓ１で表される芳香族炭化水素環の例示、好ましい範囲と同じである。
環Ｓ2で表される芳香族複素環は、環を構成する炭素原子数が、通常２〜６０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１２である。環Ｓ2で表される芳香族複素環の例示、好ましい範囲は、環Ｓ１で表される芳香族複素環の例示、好ましい範囲と同じである。
【０２２３】
ＲA2で表される基、原子の好ましい範囲は、ＲA1で表される基、原子の好ましい範囲と同じである。
【０２２４】
式（１ａ）で表される構成単位としては、例えば、式（１Ｙ−１）〜式（１Ｙ−１３）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（１Ｙ−１）〜式（１Ｙ−３）、式（１Ｙ−６）、式（１Ｙ−７）、式（１Ｙ−９）、式（１Ｙ−１０）又は式（１Ｙ−１３）で表される構成単位である。
【０２２５】
【化７６】
2017146083.tif 000079
【０２２６】
【化７７】
2017146083.tif 000080
【０２２７】
【化７８】
2017146083.tif 000081
［式中、Ｒ、ＲA1及びＲA2は、前記と同じ意味を表す。］
【０２２８】
式（１）で表される構成単位としては、例えば、式（１−１）〜（１−１８）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（１−１）〜（１−６）、式（１−１０）、式（１−１１）、式（１−１３）、式（１−１７）又は式（１−１８）で表される構成単位である。
【０２２９】
【化７９】
2017146083.tif 000082
【０２３０】
【化８０】
2017146083.tif 000083
【０２３１】
【化８１】
2017146083.tif 000084
【０２３２】
前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、更に燐光発光性構成単位（特には、前記式（２）で表される燐光発光性化合物から水素原子を取り除いてなる基）を含む高分子化合物であることが好ましく、更に、式（１Ｇ）、式（２Ｇ）、式（３Ｇ）、及び、式（４Ｇ）で表される構成単位から選ばれる少なくとも１種の燐光発光性構成単位を含むことがより好ましい。
【０２３３】
【化８２】
2017146083.tif 000085
【０２３４】
ＲAは、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、アリール基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３５】
Ｌ1は、−Ｃ（ＲB）2−で表される基又はアリーレン基であることが好ましく、式（Ａ−１）又は式（Ａ−２）で表される基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３６】
ＲBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３７】
ＲA、ＲB及びＬ1が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子が好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２３８】
ｎa1は、好ましくは０〜２の整数であり、より好ましくは０である。
【０２３９】
Ｍ1Gは、式（ＧＭ−１）で表される基であることが好ましい。
【０２４０】
【化８３】
2017146083.tif 000086
［式中、
Ｍは、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子又は白金原子を表す。
ｎ１１１は１又は２を表す。ｎ１１２は０又は１を表す。但し、ｎ１１１＋ｎ１１２は１又は２である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ１１１＋ｎ１１２は２であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ１１１＋ｎ１１２は１である。
Ｅ３及びＥ４は、前記と同じ意味を表す。
環Ｒ1G及び環Ｒ1G1は、それぞれ独立に、芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。環Ｒ1Gが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
環Ｒ2G及び環Ｒ2G1は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。環Ｒ2Gが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ2Gが６員の芳香族複素環である場合、Ｅ4は炭素原子である。
環Ｒ1G1及び環Ｒ2G1の一方は、結合手を有する。
Ａ３−Ｇ２−Ａ４は、前記と同じ意味を表す。］
【０２４１】
Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ112は０又は１であり、０であることがより好ましい。
Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合の場合、ｎ112は０である。
【０２４２】
環Ｒ1Gは、１つ以上４つ以下の窒素原子を構成原子として有する芳香族複素環であることが好ましく、ピリジン環、ピリミジン環、キノリン環又はイソキノリン環であることが更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
【０２４３】
環Ｒ2Gは、芳香族炭化水素環であることが好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環又はフルオレン環であることがより好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
【０２４４】
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、又はデンドロンが好ましく、アルキル基、アリール基又はデンドロンがより好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２４５】
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gからなる群から選ばれる少なくとも１つの環がデンドロンを有することがより好ましい。
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gからなる群から選ばれる少なくとも１つの環が有するデンドロンの個数は、好ましくは１〜３個であり、より好ましくは１個である。
【０２４６】
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gからなる群から選ばれる少なくとも１つの環が有するデンドロンが、式（Ｄ−Ａ）又は（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、かつ、ｍDA1が１〜１０の整数である場合、環Ｒ1G及び／又は環Ｒ2Gに結合するＡｒDA1は、式（ＡｒＤＡ−１）で表される基であることが好ましい。
【０２４７】
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gのうち、少なくとも１つの環が有するデンドロンが、式（Ｄ−Ａ）又は（Ｄ−Ｂ）で表される基であり、且つ、ｍDA1が０である場合、環Ｒ1G及び／又は環Ｒ2Gに結合するＧDAは、式（ＧＤＡ−１１）、式（ＧＤＡ−１２）、式（ＧＤＡ−１４）又は式（ＧＤＡ−１５）で表される基であることが好ましく、式（ＧＤＡ−１１）又は式（ＧＤＡ−１４）で表される基であることがより好ましい。
【０２４８】
環Ｒ1G及び環Ｒ2Gのうち、少なくとも１つの環が有するデンドロンとしては、式（Ｄ−Ａ１）、式（Ｄ−Ａ３）、式（Ｄ−Ｂ１）又は式（Ｄ−Ｂ３）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）又は式（Ｄ−Ａ３）で表される基であることがより好ましい。
【０２４９】
式（ＧＭ−１）において、添え字ｎ111でその数を定義されている配位子（環Ｒ1G−環Ｒ2Gで表される配位子）の少なくとも１つは、式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であることが好ましい。式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子としては、ＲG1とＲG2、ＲG2とＲG3、及び、ＲG3とＲG4、のいずれもが結合して環を形成していないもの、或いは、ＲG3とＲG4が結合して芳香環を形成しているものが好ましい。
【０２５０】
【化８４】
2017146083.tif 000087
［式中、
ＲG1〜ＲG8は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基又はデンドロンを表すか、ＲG1とＲG2が結合、ＲG2とＲG3が結合、又は、ＲG3とＲG4が結合して芳香環を形成してもよく、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲG1とＲG2、ＲG2とＲG3、ＲG3とＲG4、ＲG4とＲG5、ＲG5とＲG6、ＲG6とＲG7、及び、ＲG7とＲG8は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２５１】
ＲG1、ＲG4、ＲG5及びＲG8は、水素原子、アルキル基又はアリール基であることが好ましく、水素原子であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５２】
ＲG2、ＲG3、ＲG6及びＲG7は、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はデンドロンであることがより好ましく、水素原子又はデンドロンであることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５３】
ＲG1〜ＲG8の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基又はデンドロンであることが好ましく、ＲG2、ＲG3、ＲG6及びＲG7の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基又はデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５４】
式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子がデンドロンを有する場合、ＲG2、ＲG3、ＲG6及びＲG7の少なくとも１つがデンドロンであることが好ましく、ＲG2及びＲG6の少なくとも１つがデンドロンであることがより好ましい。
【０２５５】
式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子がアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基を有する場合、ＲG2及びＲG6の少なくとも１つがアルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はアリールオキシ基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５６】
式（ＧＭ−１）において、式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子が複数存在する場合、複数存在するＲG1〜ＲG8は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。
【０２５７】
式（ＧＭ−１）において、環Ｒ1G1−環Ｒ2G1で表される配位子は、式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であることが好ましい。式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子としては、ＲG1とＲG2、ＲG2とＲG3、及び、ＲG3とＲG4、のいずれもが結合して環を形成していないもの、或いは、ＲG3とＲG4が結合して芳香環を形成しているものが好ましい。
【０２５８】
環Ｒ1G1−環Ｒ2G1で表される配位子が式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子である場合、ＲG2、ＲG3、ＲG6又はＲG7が結合手であることが好ましく、ＲG6が結合手であることがより好ましい。
【０２５９】
Ａ3−Ｇ2−Ａ4の例示及び好ましい態様としては、後述する式（２）で表される燐光発光性化合物におけるＡ3−Ｇ2−Ａ4の例示及び好ましい態様と同じものが挙げられる。
【０２６０】
【化８５】
2017146083.tif 000088
【０２６１】
Ｌ2は、−Ｃ（ＲB）2−で表される基、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましく、式（Ａ−１）又は式（Ａ−２）で表される基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２６２】
Ｌ3は、−Ｃ（ＲB）2−で表される基又はアリーレン基であることが好ましく、式（Ａ−１）又は式（Ａ−２）で表される基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２６３】
ｎb1及びｎc1は、通常０〜１０の整数であり、好ましくは０である。
【０２６４】
Ａｒ1Mは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ジヒドロフェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環、トリアジン環、カルバゾール環、フェノキサジン環又はフェノチアジン環から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子３個を除いた基であることが好ましく、ベンゼン環から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子３個を除いた基であることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２６５】
Ｌ2、Ｌ3及びＡｒ1Mが有していてもよい置換基は、前述の環Ｒ1G及び環Ｒ2Gが有していてもよい置換基と同様である。
【０２６６】
【化８６】
2017146083.tif 000089
【０２６７】
Ｍ2Gは、式（ＧＭ−２）又は式（ＧＭ−３）で表される基であることが好ましい。
【０２６８】
【化８７】
2017146083.tif 000090
［式中、
Ｍ、Ｅ３、Ｅ4、環Ｒ1G、環Ｒ2G、Ａ３−Ｇ２−Ａ４、環Ｒ1G1、環Ｒ2G1、ｎ１１１及びｎ１１２は、前記と同じ意味を表す。
ｎ113及びｎ114は、それぞれ独立に、０又は１を表す。但し、ｎ113＋ｎ114は０又は１である。Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ113＋ｎ114は１であり、Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ113＋ｎ114は０である。
環Ｒ1G2は、芳香族複素環を表し、該環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。
環Ｒ2G2は、芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を表し、該環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。但し、環Ｒ2G2が６員の芳香族複素環である場合、Ｅ4は炭素原子である。
但し、環Ｒ1G2及び環Ｒ2G2の一方は２つの結合手を有するか、又は、環Ｒ1G2及び環Ｒ2G2は、それぞれ、結合手を１つずつ有する。］
【０２６９】
Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ114は０であることが好ましい。
【０２７０】
環Ｒ1G2が結合手を有さない場合、環Ｒ1G2の定義は、環Ｒ1Gの定義と同様である。
環Ｒ1G2が結合手を有する場合、環Ｒ1G2の結合手を除いた環部分の定義は、環Ｒ1Gの定義と同様である。
環Ｒ2G2が結合手を有さない場合、環Ｒ2G2の定義は、環Ｒ2Gの定義と同様である。
環Ｒ2G2が結合手を有する場合、環Ｒ2G2の結合手を除いた環部分の定義は、環Ｒ2Gの定義と同様である。
環Ｒ1G2及び環Ｒ2G2が有していてもよい置換基は、環Ｒ1G及び環Ｒ2Gが有していてもよい置換基と同様である。
環Ｒ1G2及び環Ｒ2G2は、それぞれ、結合手を１つずつ有することが好ましい。
【０２７１】
環Ｒ1G2−環Ｒ2G2で表される配位子は、式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であることが好ましい。
【０２７２】
式（ＧＭ−２）において、環Ｒ1G1−環Ｒ2G1で表される配位子は、式（ＧＭ−１）において、環Ｒ1G1−環Ｒ2G1で表される配位子と同様のものが好ましい。
式（ＧＭ−３）において、環Ｒ1G２−環Ｒ2G２で表される配位子は、式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であることが好ましい。式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子としては、ＲG2及びＲG6、ＲG2及びＲG7、ＲG3及びＲG6、又は、ＲG3及びＲG7が結合手であることが好ましい。
【０２７３】
環Ｒ1G2−環Ｒ2G2で表される配位子が式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であり、かつ、ＲG3とＲG4が結合して芳香環を形成している場合、ＲG2及びＲG6、又は、ＲG2及びＲG7が結合手であることが好ましい。
【０２７４】
環Ｒ1G2−環Ｒ2G2で表される配位子が式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であり、かつ、ＲG2とＲG3が結合して芳香環を形成している場合、ＲG2とＲG3が結合して形成している芳香環が有する炭素−水素結合、ＲG6及びＲG7のうちの２つが結合手であることが好ましい。
【０２７５】
環Ｒ1G2−環Ｒ2G2で表される配位子が式（ＧＭ−Ｌ１）で表される配位子であり、かつ、ＲG1とＲG2が結合して芳香環を形成している場合、ＲG6及びＲG3、又は、ＲG7及びＲG3が結合手であることが好ましい。
【０２７６】
式（３Ｇ）において、Ｌ2、及びｎb1の好ましい範囲は、式（２Ｇ）におけるＬ2、及びｎb1と同じである。また、Ａ３−Ｇ２−Ａ４の例示及び好ましい態様としては、後述する式（２）で表される燐光発光性化合物におけるＡ3−Ｇ2−Ａ4の例示及び好ましい態様と同じものが挙げられる。
【０２７７】
【化８８】
2017146083.tif 000091
【０２７８】
Ｍ3Gは、式（ＧＭ−４）で表される基であることが好ましい。
【０２７９】
【化８９】
2017146083.tif 000092
［式中、
Ｍ、Ｅ4、環Ｒ1G1、環Ｒ2G1、環Ｒ1G2及び環Ｒ2G2は、前記と同じ意味を表す。
ｎ115は０又は１を表す。ｎ116は１又は３を表す。但し、Ｍがロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ115は０であり、且つ、ｎ116は３である。Ｍがパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ115は１であり、かつ、ｎ116は１である。］
【０２８０】
式（４Ｇ）において、Ｌ2、及びｎb1の好ましい範囲は、式（２Ｇ）におけるＬ2、及びｎb1と同じである。
【０２８１】
前記燐光発光性化合物は、前記式（２）で表される燐光発光性化合物であることが好ましい。
【０２８２】
Ｍ2は、本実施形態に係る組成物を含有する発光素子の外部量子効率がより優れるので、イリジウム原子であることが好ましい。
Ｍ2がロジウム原子又はイリジウム原子の場合、ｎ3は２又は３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
Ｍ2がパラジウム原子又は白金原子の場合、ｎ3は２であることが好ましい。
【０２８３】
Ｅ３及びＥ４は、炭素原子であることが好ましい。
環Ｌ1の好ましい範囲は、環Ｒ1Gの好ましい範囲と同様である。
【０２８４】
環Ｌ2は、６員の芳香族炭化水素環又は６員の芳香族複素環であることが好ましく、６員の芳香族炭化水素環であることがより好ましい。但し、環Ｌ2が６員の芳香族複素環である場合、Ｅ4は炭素原子である。
環Ｌ2としては、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環であることが好ましく、ベンゼン環であることがより好ましい。
【０２８５】
環Ｌ1が他の置換基を複数有する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
環Ｌ2が他の置換基を複数有する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
【０２８６】
環Ｌ1における他の置換基と、環Ｌ2における他の置換基とは、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
【０２８７】
Ａ3−Ｇ2−Ａ4で表されるアニオン性の２座配位子としては、Ａ1−Ｇ1−Ａ2で表されるアニオン性の２座配位子と同様のものが例示される。但し、Ａ3−Ｇ2−Ａ4で表されるアニオン性の２座配位子は、添え字ｎ3でその数を定義されている配位子とは異なる。
【０２８８】
式（２）で表される燐光発光性化合物は、外部量子効率がより優れるので、環Ｌ1がピリジン環、ピリミジン環、イソキノリン環又はキノリン環であり、かつ、環Ｌ2が、ベンゼン環、ピリジン環又はピリミジン環であることが好ましい。
【０２８９】
本実施形態に係る組成物を含有する発光素子の外部量子効率が更に優れるので、式（２）で表される燐光発光性化合物は、式（２−Ｂ１）〜式（２−Ｂ５）で表される燐光発光性化合物であることが好ましい。
【０２９０】
【化９０】
2017146083.tif 000093
【０２９１】
Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B、Ｒ14B、Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bからなる群から選ばれる少なくとも１つは、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基で表される基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B及びＲ14Bは、水素原子、アルキル基又はアリール基であることが好ましい。
【０２９２】
Ｒ11B、Ｒ12B、Ｒ13B及びＲ14Bの少なくとも一つがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基である場合、Ｒ13Bがアリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましい。これらの基は、発光素子の外部量子効率がより優れるので、デンドロンであることが好ましい。デンドロンの例示及び好ましい態様としては、式（５−Ａ）で表される燐光発光性化合物におけるデンドロンの例示及び好ましい態様と同じものが挙げられる。
【０２９３】
Ｒ21B、Ｒ22B、Ｒ23B及びＲ24Bは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はアリール基であることがより好ましい。
Ｒ15B、Ｒ16B、Ｒ17B及びＲ18Bは、水素原子であることが好ましい。
【０２９４】
式（２）で表される燐光発光性化合物としては、例えば、下記式で表される燐光発光性化合物が挙げられる。
【０２９５】
【化９１】
2017146083.tif 000094
【０２９６】
【化９２】
2017146083.tif 000095
【０２９７】
【化９３】
2017146083.tif 000096
【０２９８】
【化９４】
2017146083.tif 000097
【０２９９】
【化９５】
2017146083.tif 000098
【０３００】
【化９６】
2017146083.tif 000099
【０３０１】
【化９７】
2017146083.tif 000100
【０３０２】
【化９８】
2017146083.tif 000101
【０３０３】
【化９９】
2017146083.tif 000102
【０３０４】
式（１Ｇ）で表される構成単位としては、例えば、式（１Ｇ−１）〜式（１Ｇ−１２）で表される構成単位が挙げられる。
【０３０５】
【化１００】
2017146083.tif 000103
【０３０６】
【化１０１】
2017146083.tif 000104
【０３０７】
【化１０２】
2017146083.tif 000105
［式中、Ｄｅは、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、式（Ｄ−Ａ）で表される基又は式（Ｄ−Ｂ）で表される基を表す。］
【０３０８】
式（２Ｇ）で表される構成単位としては、例えば、式（２Ｇ−１）〜（２Ｇ−１２）で表される構成単位が挙げられる。
【０３０９】
【化１０３】
2017146083.tif 000106
【０３１０】
【化１０４】
2017146083.tif 000107
【０３１１】
【化１０５】
2017146083.tif 000108
［式中、Ｄｅは、前記と同じ意味を有する。］
【０３１２】
式（３Ｇ）で表される構成単位としては、例えば、式（３Ｇ−１）〜（３Ｇ−２０）で表される構成単位が挙げられる。
【０３１３】
【化１０６】
2017146083.tif 000109
【０３１４】
【化１０７】
2017146083.tif 000110
【０３１５】
【化１０８】
2017146083.tif 000111
【０３１６】
【化１０９】
2017146083.tif 000112
【０３１７】
【化１１０】
2017146083.tif 000113
［式中、Ｄｅは、前記と同じ意味を有する。］
【０３１８】
式（４Ｇ）で表される構成単位としては、式（４Ｇ−１）〜（４Ｇ−７）で表される構成単位が挙げられる。
【０３１９】
【化１１１】
2017146083.tif 000114
【０３２０】
【化１１２】
2017146083.tif 000115
［式中、Ｄｅは、前記と同じ意味を有する。］
【０３２１】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、外部量子効率がより優れるので、該高分子化合物が含有する構成単位の合計量１００モルに対して、燐光発光性構成単位を０．０１モル〜３０モルであることが好ましい。
【０３２２】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物としては、外部量子効率がより優れるので、可視域で燐光発光することが好ましく、発光ピーク波長が５７０〜７００ｎｍであることがより好ましい。
【０３２３】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、第１の発光層に含有される発光材料のうち最も長波長側に発光ピークを有する発光材料に対して、１〜２００ｎｍ長波長側に発光ピーク波長を有することが好ましく、５０〜１６０ｎｍ長波長側に発光ピーク波長を有することがより好ましい。
【０３２４】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、燐光発光性構成単位を１種のみ含んでいても、２種以上含んでいてもよい。
【０３２５】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、外部量子効率がより優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１種の架橋基を有する架橋構成単位を含むことが好ましい。
【０３２６】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物に含まれる架橋構成単位としては、式（３）又は式（４）で表される構成単位が好ましい。
【０３２７】
【化１１３】
2017146083.tif 000116
【０３２８】
式（３）中、ｎＡは、外部量子効率が優れるので、好ましくは１又は２である。
式（３）中、ｎは、外部量子効率が優れるので、好ましくは２である。
式（３）中、Ａｒ1は、外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
【０３２９】
Ａｒ1で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
Ａｒ1で表される芳香族炭化水素基のアリーレン部分としては、好ましくは、式（Ａ−１）〜（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）、又は、式（Ａ−９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３３０】
Ａｒ1で表される２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは４〜１８である。
Ａｒ1で表される２価の複素環基としては、好ましくは、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−３４）で表される基である。
【０３３１】
式（３）中、ＬAで表されるアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは好ましくは１〜１０である。ＬAで表されるシクロアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜２０である。
アルキレン基及びシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
【０３３２】
ＬAで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、フェニレン基又はフルオレンジイル基が好ましい。
【０３３３】
ＬAは、前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、本発明の実施形態の高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは、アリーレン基又はアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３３４】
Ｘで表される架橋基としては、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−３）、式（ＸＬ−７）〜式（ＸＬ−１０）、式（ＸＬ−１６）、式（ＸＬ−１７）又は式（ＸＬ−２０）で表される架橋基であり、より好ましくは、式（ＸＬ−１）、式（ＸＬ−１７）又は式（ＸＬ−２０）で表される架橋基である。
【０３３５】
式（３）で表される構成単位は、前記式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の架橋性が優れるので、該高分子化合物に含まれる構成単位の合計量１００モルに対して、好ましくは０．５〜９０モルであり、より好ましくは５〜６０モルである。
【０３３６】
式（３）で表される構成単位は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物において、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０３３７】
【化１１４】
2017146083.tif 000117
【０３３８】
式（４）中、ｍＡは、外部量子効率が優れるので、好ましくは０である。
式（４）中、ｍは、外部量子効率が優れるので、好ましくは０である。
式（４）中、ｃは、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易となり、かつ、外部量子効率が優れるので、好ましくは０である。
式（４）中、Ａｒ3は、外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
【０３３９】
Ａｒ3で表される芳香族炭化水素基の定義や例は、式（Ｘ）におけるＡｒX2で表されるアリーレン基の定義や例からｍ個の水素原子を取り除いてなる基と同じである。
Ａｒ3で表される複素環基の定義や例は、式（Ｘ）におけるＡｒX2で表される２価の複素環基の定義や例からｍ個の水素原子を取り除いてなる基と同じである。
Ａｒ3で表される芳香族炭化水素基と複素環基とが直接結合した基の定義や例は、式（Ｘ）におけるＡｒX2で表されるアリーレン基と２価の複素環基とが直接結合した２価の基の定義や例からｍ個の水素原子を取り除いてなる基と同じである。
【０３４０】
式（４）中、Ａｒ2及びＡｒ4は、外部量子効率が優れるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
Ａｒ2及びＡｒ4で表されるアリーレン基の定義や例は、式（Ｘ）におけるＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基の定義や例と同じである。
Ａｒ2及びＡｒ4で表される２価の複素環基の定義や例は、式（Ｘ）におけるＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基の定義や例と同じである。
【０３４１】
式（４）中、ＫAで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例は、それぞれ、ＬAで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の定義や例と同じである。
式（４）中、ＫAは、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、フェニレン基又はメチレン基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３４２】
Ｘ’で表される架橋基の定義や例は、Ｘで表される架橋基の定義や例と同じである。
【０３４３】
式（４）で表される構成単位は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の正孔輸送性が優れ、かつ、架橋性が優れるので、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量１００モルに対して、好ましくは０．５〜８０モルであり、より好ましくは３〜４０モルであり、更に好ましくは５〜２０モルある。
【０３４４】
式（４）で表される構成単位は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物において、１種のみ含まれていても２種以上含まれていてもよい。
【０３４５】
式（３）で表される構成単位としては、例えば、式（３−１）〜式（３−３０）で表される構成単位が挙げられ、式（４）で表される構成単位としては、例えば、式（４−１）〜式（４−９）で表される構成単位が挙げられる。
【０３４６】
【化１１５】
2017146083.tif 000118
【０３４７】
【化１１６】
2017146083.tif 000119
【０３４８】
【化１１７】
2017146083.tif 000120
【０３４９】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、更に、式（Ｙ）で表される構成単位、その他の構成単位を含んでいてもよい。その他の構成単位は、式（Ｘ）で表される構成単位であってもよい。
【０３５０】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物としては、例えば、高分子化合物PP-1〜PP-8が挙げられる。
【０３５１】
【表２】
2017146083.tif 000121
［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ及びｔは、各構成単位のモル比率を表す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝100である。その他の構成単位とは、式（１）、式（１Ｇ）〜式（４Ｇ）、式（３）、式（４）、式（Ｘ）及び式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
【０３５２】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物としては、本実施形態に係る発光素子の外部量子効率がより優れるので、高分子化合物PPP-1〜PPP-8が好ましい。
【０３５３】
【表３】
2017146083.tif 000122
［表中、ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｗ及びｘは、各構成単位のモル比率を表す。ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＋ｘ＝100である。その他の構成単位とは、式（１）、式（１Ｘ）、式（１Ｚ）、式（５）、式（５’）及び式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。］
【０３５４】
式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の架橋体は、上述した式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の架橋基を、後述の架橋条件で処理することにより得られるものである。
【０３５５】
・その他の材料
第２の発光層は、少なくとも１種の発光材料と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有することが好ましい。また、第２の発光層は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物、及び、前記高分子化合物の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種のほか、燐光発光性化合物（特には、式（２）で表される燐光発光性化合物）を含有していてもよい。
第２の発光層が含有し得る、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料及び酸化防止剤からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料の例示、好ましい範囲、含有量等は、第１の発光層と同様である。
【０３５６】
第２の発光層は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物を含むインク（以下、「第２の発光層の形成に用いられるインク」ともいう。）を用いて、スピンコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、ダイコート法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法により形成することができる。
【０３５７】
第２の発光層の形成に用いられるインクの粘度の好ましい範囲は、第１の発光層の形成に用いられるインクの粘度の好ましい範囲と同じである。第２の発光層の形成に用いられるインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲は、第１の発光層の形成に用いられるインクに含有される溶媒の例及び好ましい範囲と同じである。
【０３５８】
＜高分子化合物の製造方法＞
次に、本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の式（１）で表される構成単位と燐光発光性構成単位とを含む高分子化合物は、例えば、以下の式（Ｍ−１）で表される化合物と、式（Ｍ−１Ｇ）で表される化合物とを縮合重合させることにより製造することができる。本明細書において、本発明の高分子化合物の製造に使用される化合物を総称して、「原料モノマー」ということがある。
本発明の実施形態の高分子化合物が、その他の構成単位を含んでいてもよく、その場合の原料モノマーとしては、以下の式（Ｍ−１Ｘ）、式（Ｍ−１Ｚ）、式（Ｍ−５）、式（Ｍ−５’）又は式（Ｍ−Ｙ）で表される化合物が例示される。
【０３５９】
【化１１８】
2017146083.tif 000123
【０３６０】
【化１１９】
2017146083.tif 000124
［式中、
ａ1、ａ2、ａ3、ＡｒA3、ＡｒA4、ＡｒA5、環Ｓ1、ＲA1、ＲA3、ＲA4、ＲA5、ＲA6、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ａｒ1M、Ｍ1G、Ｍ2G、Ｍ3G、ｎa1、ｎb1及びｎc1は、前記と同じ意味を表す。
ＺC1〜ＺC10は、それぞれ独立に、置換基Ａ群及び置換基Ｂ群からなる群から選ばれる基を表す。］
【０３６１】
例えば、ＺC1及びＺC2が置換基Ａ群から選ばれる基である場合、ＺC3〜ＺC10は、置換基Ｂ群から選ばれる基を選択する。
例えば、ＺC1及びＺC2が置換基Ｂ群から選ばれる基である場合、ＺC3〜ＺC10は置換基Ａ群から選ばれる基を選択する。
【０３６２】
＜置換基Ａ群＞
塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、−Ｏ−Ｓ(＝Ｏ)2ＲC1（式中、ＲC1は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基。
【０３６３】
＜置換基Ｂ群＞
−Ｂ(ＯＲC2)2（式中、ＲC2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲC2は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合する酸素原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基；
−ＢＦ3Ｑ'（式中、Ｑ'は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ又はＣｓを表す。）で表される基；
−ＭｇＹ'（式中、Ｙ'は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；
−ＺｎＹ''（式中、Ｙ''は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。）で表される基；及び、
−Ｓｎ(ＲC3)3（式中、ＲC3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲC3は同一でも異なっていてもよく、互いに連結して、それぞれが結合するスズ原子とともに環構造を形成していてもよい。）で表される基。
【０３６４】
−Ｂ(ＯＲC2)2で表される基としては、下記式で表される基が例示される。
【０３６５】
【化１２０】
2017146083.tif 000125
【０３６６】
置換基Ａ群から選ばれる基を有する化合物と置換基Ｂ群から選ばれる基を有する化合物とは、公知のカップリング反応により縮合重合して、置換基Ａ群から選ばれる基及び置換基Ｂ群から選ばれる基と結合する炭素原子同士が結合する。そのため、置換基Ａ群から選ばれる基を２個有する化合物と、置換基Ｂ群から選ばれる基を２個有する化合物を公知のカップリング反応に供すれば、縮合重合により、これらの化合物の縮合重合体を得ることができる。
【０３６７】
縮合重合は、通常、触媒、塩基及び溶媒の存在下で行われるが、必要に応じて、相間移動触媒を共存させて行ってもよい。
【０３６８】
触媒としては、例えば、ジクロロビス(トリフェニルホスフィン)パラジウム、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム、パラジウム[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[トリス(ジベンジリデンアセトン)]ジパラジウム、パラジウムアセテート等のパラジウム錯体、ニッケル[テトラキス(トリフェニルホスフィン)]、[1,3-ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン]ジクロロニッケル、[ビス(1,4-シクロオクタジエン)]ニッケル等のニッケル錯体等の遷移金属錯体；これらの遷移金属錯体が、更にトリフェニルホスフィン、トリ-o-トリルホスフィン、トリ-tert-ブチルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジフェニルホスフィノプロパン、ビピリジル等の配位子を有する錯体が挙げられる。触媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３６９】
触媒の使用量は、原料モノマーのモル数の合計に対する遷移金属の量として、通常、0.00001〜３モル当量である。
【０３７０】
塩基及び相間移動触媒としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、リン酸三カリウム等の無機塩基；フッ化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の有機塩基；塩化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム等の相間移動触媒が挙げられる。塩基及び相間移動触媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３７１】
塩基及び相間移動触媒の使用量は、それぞれ、原料モノマーの合計モル数に対して、通常0.001〜100モル当量である。
【０３７２】
溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、1,4-ジオキサン、ジメトキシエタン、N,N-ジメチルアセトアミド、N,N-ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３７３】
溶媒の使用量は、通常、原料モノマーの合計100重量部に対して、10〜100000重量部である。
【０３７４】
縮合重合の反応温度は、通常-100〜200℃である。縮合重合の反応時間は、通常１時間以上である。
【０３７５】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独、又は組み合わせて行う。高分子化合物の純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０３７６】
式（Ｍ−１）で表される化合物の一実施形態である式（１ｍ−１）で表される化合物は、例えば、下記式で表される方法で合成することができる。
【０３７７】
【化１２１】
2017146083.tif 000126
［式中、ＲA1は、前記と同じ意味を表す。ＡｒA11は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＡｒA11は、臭素原子又は前記−Ｂ(ＯＲC2)2で表される基と結合を形成する原子の隣の原子の少なくとも１つが、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を置換基として有し、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。］
【０３７８】
まず、式（１ｍ−６）で表される化合物と、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドとを、パラジウム触媒を用いて反応させることにより、式（１ｍ−５）で表される化合物に誘導する。次に、式（１ｍ−５）で表される化合物と、式（１ｍ−４）で表される化合物とを、ブッフバルト・ハートウィッグ反応させることにより、式（１ｍ−３）で表される化合物を合成する。次に、式（１ｍ−３）で表される化合物と、臭素化剤とを反応させることにより、式（１ｍ−２）で表される化合物を合成する。次に、式（１ｍ−２）で表される化合物と、ビスピナコラートジボロンとを、パラジウム触媒を用いて反応させることにより、式（１ｍ−１）で表される化合物を合成することができる。
【０３７９】
式（Ｍ−１）で表される化合物の一実施形態である式（２ｍ−１）で表される化合物は、例えば、下記で表される方法で合成することができる。
【０３８０】
【化１２２】
2017146083.tif 000127
［式中、
ＡｒA12は、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、ＡｒA12は、臭素原子又は前記−Ｂ(ＯＲC2)2で表される基と結合を形成する原子の隣の原子の少なくとも１つが、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を置換基として有し、これらの置換基は更に置換基を有していてもよい。
ＡｒA2は、前記と同じ意味を表す。ＲA11は、前記ＲA1と同じ意味を表す。］
【０３８１】
まず、式（２ｍ−８）で表される化合物と、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドとを、パラジウム触媒を用いて反応させることによりにより、式（２ｍ−７）で表される化合物に誘導する。次に、式（２ｍ−７）で表される化合物と、式（２ｍ−６）で表される化合物とを、ブッフバルト・ハートウィッグ反応させることにより、式（２ｍ−５）で表される化合物を合成する。次に、式（２ｍ−５）で表される化合物と、式（２ｍ−４）で表される化合物とを、ブッフバルト・ハートウィッグ反応させることにより、式（２ｍ−３）で表される化合物を合成する。次に、式（２ｍ−３）で表される化合物と、臭素化剤とを反応させることにより、式（２ｍ−２）で表される化合物を合成する。次に、式（２ｍ−２）で表される化合物と、ビスピナコラートジボロンとを、パラジウム触媒を用いて反応させることにより、式（２ｍ−１）で表される化合物を合成することができる。
【０３８２】
＜発光素子の層構成＞
本実施形態に係る発光素子は、陽極と、陰極と、それらの間に設けられた第１の発光層及び第２の発光層とを有する。本実施形態に係る発光素子は、その他の層を有していてもよい。
【０３８３】
本実施形態に係る発光素子において、第１の発光層と第２の発光層とは、外部量子効率がより優れるので、隣接していることが好ましい。
また、第２の発光層は、外部量子効率がより優れるので、陽極及び第１の発光層の間に設けられた層であることが好ましい。
【０３８４】
本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陽極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、外部量子効率がより優れるので、陽極と第２の発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。また、第２の発光層が陽極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、外部量子効率がより優れるので、陰極と第１の発光層との間に、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。
【０３８５】
本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陰極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、外部量子効率がより優れるので、陽極と第１の発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。また、第２の発光層が陰極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、外部量子効率がより優れるので、陰極と第２の発光層との間に、電子注入層及び電子輸送層からなる群から選ばれる少なくとも１つの層を更に有することが好ましい。
【０３８６】
本実施形態に係る発光素子において、陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び陰極は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層及び陰極が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【０３８７】
陽極、正孔注入層、正孔輸送層、第１の発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層及び陰極の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは５ｎｍ〜１５０ｎｍである。
【０３８８】
本実施形態に係る発光素子の具体的な層構成としては、例えば、下記（Ｄ１）〜（Ｄ１８）で表される層構成が挙げられる。本実施形態に係る発光素子は、通常、基板を有するが、基板上に陽極から積層されていてもよく、基板上に陰極から積層されていてもよい。
【０３８９】
（Ｄ１）陽極／第２の発光層／第１の発光層／陰極
（Ｄ２）陽極／第１の発光層／第２の発光層／陰極
（Ｄ３）陽極／正孔注入層／第２の発光層／第１の発光層／陰極
（Ｄ４）陽極／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／陰極
（Ｄ５）陽極／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／陰極
（Ｄ６）陽極／第２の発光層／第１の発光層／電子注入層／陰極
（Ｄ７）陽極／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ８）陽極／正孔注入層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／陰極
（Ｄ９）陽極／正孔注入層／第２の発光層／第１の発光層／電子注入層／陰極
（Ｄ１０）陽極／正孔注入層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１１）陽極／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／陰極
（Ｄ１２）陽極／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／電子注入層／陰極
（Ｄ１３）陽極／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／陰極
（Ｄ１５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／陰極
（Ｄ１６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層／第１の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１７）陽極／正孔注入層／第１の発光層／第２の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１８）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第１の発光層／第２の発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
【０３９０】
上記の（Ｄ１）〜（Ｄ１８）中、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを意味する。具体的には、「第２の発光層／第１の発光層」とは、第２の発光層と第１の発光層とが隣接して積層していることを意味する。
【０３９１】
本実施形態に係る発光素子は、複数の発光層の間に非発光性の中間層を有していてもよく、中間層が電荷発生層であるマルチフォトンユニット構成であってもよい。この場合、電荷発生層としては、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＢ６、ＲｕＯ２等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３等の２層膜、ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２／ＴｉＮ／ＴｉＯ２、ＴｉＯ２／ＺｒＮ／ＴｉＯ２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、金属ポルフィリン、無金属ポルフィリン等の導電性有機化合物層等が挙げられる。
【０３９２】
本実施形態に係る発光素子は、電極と他の層との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を設けてもよい。また、本実施形態に係る発光素子では、界面の密着性向上や隣接する２層の成分混合の防止等のために、正孔輸送層、電子輸送層、第１の発光層又は第２の発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番及び数、並びに各層の厚さは、外部量子効率や素子寿命を勘案して調整すればよい。
【０３９３】
・基板
本実施形態に係る発光素子は、陽極の発光層側とは反対側、又は陰極の発光層側とは反対側に、基板を有していてもよい。基板は、電極を形成し、有機層（例えば、第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層、電子注入層等）を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン等の基板、及びこれらを積層した基板が用いられる。
【０３９４】
・電子輸送層
電子輸送層は、電子輸送材料を含有する層である。電子輸送材料としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物（以下、「電子輸送層の高分子化合物」ともいう。）が好ましい。
【０３９５】
【化１２３】
2017146083.tif 000128
［式中、
ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
ＡｒE1は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基はＲE1以外の置換基を有していてもよい。
ＲE1は、式（ＥＳ−１）で表される基を表す。ＲE1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０３９６】
−ＲE3−｛（ＱE1）nE3−ＹE1（ＭE1）aE1（ＺE1）bE1｝mE1      （ＥＳ−１）
［式中、
ｎＥ３は０以上の整数を表し、ａＥ１は１以上の整数を表し、ｂＥ１は０以上の整数を表し、ｍＥ１は１以上の整数を表す。ｎＥ３、ａＥ１及びｂＥ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、ＲE3が単結合である場合、ｍＥ１は１である。また、ａＥ１及びｂＥ１は、式（ＥＳ−１）で表される基の電荷が０となるように選択される。
ＲE3は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−ＲE3’を表し（ＲE3’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＱE1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＱE1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＹE1は、−ＣＯ2-、−ＳＯ3-、−ＳＯ2-又は−ＰＯ32-を表す。ＹE1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＭE1は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン又はアンモニウムカチオンを表し、このアンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。ＭE1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＺE1は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（ＲE4）4-、ＲE4ＳＯ3-、ＲE4ＣＯＯ-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＨＳＯ4-、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、Ｈ2ＰＯ4-、ＢＦ4-又はＰＦ6-を表す。ＲE4は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＺE1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０３９７】
ｎＥ１は、通常１〜４の整数であり、好ましくは１又は２である。
【０３９８】
ＡｒE1で表される芳香族炭化水素基又は複素環基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基又は２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ１個を除いた基が好ましく、ＲE1以外の置換基を有していてもよい。
【０３９９】
ＡｒE1が有していてもよいＲE1以外の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、カルボキシル基及び式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。
【０４００】
−Ｏ−（Ｃn’Ｈ2n’Ｏ）nx−Ｃm’Ｈ2m’+1    （ＥＳ−３）
［式中、ｎ’、ｍ’及びｎｘは、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。］
【０４０１】
ｎＥ３は、好ましくは０〜２の整数である。
ａＥ１は、好ましくは１又は２である。
ｂＥ１は、好ましくは０又は１である。
ｍＥ１は、好ましくは１である。
【０４０２】
ＲE3が−Ｏ−ＲE3’の場合、式（ＥＳ−１）で表される基は、下記式で表される基である。
−Ｏ−ＲE3’−｛（ＱE1）nE3−ＹE1（ＭE1）aE1（ＺE1）bE1｝mE1
【０４０３】
ＲE3としては、芳香族炭化水素基が好ましい。
ＲE3が有していてもよい置換基としては、式（ＥＳ−３）で表される基が好ましい。
ＱE1としては、アルキレン基又は酸素原子が好ましい。
ＹE1としては、−ＣＯ2-が好ましい。
ＭE1で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｒｂ+、Ｃｓ+が挙げられる。
ＭE1で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｂｅ2+、Ｍｇ2+、Ｃａ2+、Ｓｒ2+、Ｂａ2+が挙げられる。
ＭE1としては、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンが好ましい。
ＺE1としては、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（ＲE4）4-、ＲE4ＳＯ3-、ＲE4ＣＯＯ-又はＮＯ3-が好ましい。ＲE4としては、アルキル基が好ましい。
【０４０４】
式（ＥＳ−１）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【０４０５】
【化１２４】
2017146083.tif 000129
【０４０６】
【化１２５】
2017146083.tif 000130
［式中、Ｍ+は、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｃｓ+又はＮ（ＣＨ3）4+を表す。Ｍ+が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０４０７】
【化１２６】
2017146083.tif 000131
［式中、
ｎＥ２は、１以上の整数を表す。
ＡｒE2は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基はＲE2以外の置換基を有していてもよい。
ＲE2は、式（ＥＳ−２）で表される基を表す。ＲE2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０４０８】
−ＲE5−｛（ＱE2）nE4−ＹE2（ＭE2）aE2（ＺE2）bE2｝mE2    （ＥＳ−２）
［式中、
ｎＥ４は０以上の整数を表し、ａＥ２は１以上の整数を表し、ｂＥ２は０以上の整数を表し、ｍＥ２は１以上の整数を表す。ｎＥ４、ａＥ２及びｂＥ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、ＲE5が単結合である場合、ｍＥ２は１である。また、ａＥ２及びｂＥ２は、式（ＥＳ−２）で表される基の電荷が０となるように選択される。
ＲE5は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−ＲE5’を表し（ＲE5’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＱE2は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＱE2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＹE2は、−Ｃ+ＲE62、−Ｎ+ＲE63、−Ｐ+ＲE63、−Ｓ+ＲE62又は−Ｉ+ＲE62を表す。ＲE6は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲE6は、同一でも異なっていてもよい。ＹE2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＭE2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（ＲE7）4-、ＲE7ＳＯ3-、ＲE7ＣＯＯ-、ＢＦ4-、ＳｂＣｌ6-又はＳｂＦ6-を表す。ＲE7は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＭE2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＺE2は、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンを表す。ＺE2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０４０９】
ＲE5が−Ｏ−ＲE5’の場合、式（ＥＳ−２）で表される基は、下記式で表される基であることが好ましい。
−Ｏ−ＲE5’−｛（ＱE1）nE3−ＹE1（ＭE1）aE1（ＺE1）bE1｝mE1
【０４１０】
式（ＥＳ−２）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【０４１１】
【化１２７】
2017146083.tif 000132
【０４１２】
【化１２８】
2017146083.tif 000133
［式中、Ｘ-は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4-、ＣＨ3ＣＯＯ-又はＣＦ3ＳＯ3-を表す。Ｘ-が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０４１３】
式（ＥＴ−１）及び式（ＥＴ−２）で表される構成単位としては、例えば、下記式（ＥＴ−３１）〜式（ＥＴ−３８）で表される構成単位が挙げられる。
【０４１４】
【化１２９】
2017146083.tif 000134
【０４１５】
【化１３０】
2017146083.tif 000135
【０４１６】
【化１３１】
2017146083.tif 000136
【０４１７】
電子輸送層の高分子化合物は、例えば、特開２００９−２３９２７９号公報、特開２０１２−０３３８４５号公報、特開２０１２−２１６８２１号公報、特開２０１２−２１６８２２号公報、特開２０１２−２１６８１５号公報に記載の方法に従って合成することができる。
【０４１８】
上記電子輸送層の高分子化合物を溶液からの成膜に用いる溶媒は、水、アルコール、フッ素化アルコール、エーテル、エステル、ニトリル化合物、ニトロ化合物、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、チオール、スルフィド、スルホキシド、チオケトン、アミド、カルボン酸が挙げられ、水、メタノール、エタノール、２−プロパノール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、アセトニトリル、１，２−エタンジオール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、酢酸、ニトロベンゼン、ニトロメタン、１，２−ジクロロエタン、ジクロロメタン、クロロベンゼン、ブロモベンゼン、１，４−ジオキサン、炭酸プロピレン、ピリジン、及び、二硫化炭素、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、１，１，１−トリフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロブタノール、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−ブタノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ−２−ペンタノール、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−１−ヘキサノール、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロヘプタノールが好ましい。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０４１９】
・正孔注入層及び電子注入層
正孔注入層は、正孔注入材料を含有する層である。正孔注入材料としては、例えば、第１の発光層の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。正孔注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
【０４２０】
電子注入層は、電子注入材料を含有する層である。電子注入材料としては、例えば、第１の発光層の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。電子注入材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
【０４２１】
・正孔輸送層
正孔輸送層は、正孔輸送材料を含有する層である。正孔輸送材料としては、例えば、第１の発光層の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。正孔輸送材料は、１種単独で含有されていても、２種以上が含有されていてもよい。
【０４２２】
・電極
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
【０４２３】
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
【０４２４】
本実施形態に係る発光素子において、陽極及び陰極の少なくとも一方は、通常、透明又は半透明であるが、陽極が透明又は半透明であることが好ましい。
【０４２５】
陽極及び陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及びラミネート法が挙げられる。
【０４２６】
［発光素子の製造方法］
本実施形態に係る発光素子において、第１の発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
【０４２７】
第１の発光層は第１の発光層の形成に用いられるインクを用いて、第２の発光層は第２の発光層の形成に用いられるインクを用いて、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層及び電子注入層は、上述した正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料及び電子注入材料をそれぞれ含有するインクを用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法に代表される塗布法により形成することができる。
【０４２８】
本実施形態に係る発光素子は、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。
【０４２９】
本実施形態に係る発光素子の第１の発光層、第２の発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層及び電子輸送層の各層の形成に用いる材料は、発光素子の作製において、各々、正孔注入層、正孔輸送層、第２の発光層、第１の発光層、電子輸送層及び電子注入層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することが回避されることが好ましい。材料の溶解を回避する方法としては、ｉ）架橋基を有する材料を用いる方法、又は、ｉｉ）隣接する層の溶解性に差を設ける方法が好ましい。上記ｉ）の方法では、架橋基を有する材料を用いて層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【０４３０】
架橋基の架橋方法としては、例えば、加熱又は光照射することにより架橋する方法が挙げられる。
架橋させるための加熱の温度は、通常、２５〜３００℃であり、好ましくは５０〜２５０℃であり、より好ましくは１５０〜２００℃である。
架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
【０４３１】
第２の発光層を塗布法により形成する場合、インクを用いることが好ましい。第２の発光層が含有する式（１）で表される構成単位を含有する高分子化合物が架橋基を有する架橋構成単位を含む高分子化合物である場合、第２の発光層を形成後、加熱又は光照射することで、第２の発光層に含有される高分子化合物を架橋させることができる。高分子化合物が架橋された状態で、第２の発光層に含有されている場合、第２の発光層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、該第２の有機層は、発光素子の積層化に好適である。
【０４３２】
本実施形態に係る発光素子は、第２の発光層に含有される高分子化合物が架橋体であることが好ましい。
【０４３３】
上記（ｉｉ）の方法では、隣接する層に対して溶解性の低い溶液を用いることで各層を形成する方法が挙げられる。
【０４３４】
第１の発光層又は第２の発光層の上に、溶解性の差を利用して電子輸送層を積層する場合に用いる溶媒としては、前記電子輸送層の高分子化合物の溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものが挙げられる。
【０４３５】
本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陽極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、本実施形態に係る発光素子は、例えば、基板上に陽極を形成し、必要に応じて陽極上に正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成し、陽極上、正孔注入層上又は正孔輸送層上に第２の発光層を形成し、第２の発光層上に第１の発光層を形成し、必要に応じて第１の発光層上に電子輸送層及び／又は電子注入層を形成し、第１の発光層上、電子輸送層上又は電子注入層上に陰極を形成することにより、製造することができる。
また、本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陽極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、本実施形態に係る発光素子は、例えば、基板上に陰極を形成し、必要に応じて陰極上に電子注入層及び／又は電子輸送層を形成し、陰極上、電子注入層上又は電子輸送層上に第１の発光層を形成し、第１の発光層上に第２の発光層を形成し、必要に応じて第２の発光層上に正孔輸送層及び／又は正孔注入層を形成し、第２の発光層上、正孔輸送層上又は正孔注入層上に陽極を形成することにより、製造することができる。
【０４３６】
本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陰極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、本実施形態に係る発光素子は、例えば、基板上に陽極を形成し、必要に応じて陽極上に正孔注入層及び／又は正孔輸送層を形成し、陽極上、正孔注入層上又は正孔輸送層上に第１の発光層を形成し、第１の発光層上に第２の発光層を形成し、必要に応じて第２の発光層上に電子輸送層及び／又は電子注入層を形成し、第２の発光層上、電子輸送層上又は電子注入層上に陰極を形成することにより、製造することができる。
また、本実施形態に係る発光素子において、第２の発光層が陰極及び第１の発光層の間に設けられた層である場合、本実施形態に係る発光素子は、例えば、基板上に陰極を形成し、必要に応じて陰極上に電子注入層及び／又は電子輸送層を形成し、陰極上、電子注入層上又は電子輸送層上に第２の発光層を形成し、第２の発光層上に第１の発光層を形成し、必要に応じて第１の発光層上に正孔輸送層及び／又は正孔注入層を形成し、第１の発光層上、正孔輸送層上又は正孔注入層上に陽極を形成することにより、製造することができる。
【０４３７】
・用途
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極若しくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、及び、表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０４３８】
以下、実施例によって本発明の実施形態を詳細に説明するが、本発明の実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。【０４３９】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及びポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、次のとおりである。
測定する高分子化合物を０．０５質量％の濃度でＴＨＦ（テトラヒドロフラン）に溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてＴＨＦを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。【０４４０】
ＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ  ２  ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。【０４４１】
ＴＬＣ−ＭＳは、下記の方法で測定した。
測定試料をトルエン、テトラヒドロフラン又はクロロホルムのいずれかの溶媒に任意の濃度で溶解させ、ＤＡＲＴ用ＴＬＣプレート（テクノアプリケーションズ社製、商品名：ＹＳＫ５−１００）上に塗布し、ＴＬＣ−ＭＳ（日本電子社製、商品名：ＪＭＳ−Ｔ１００ＴＤ（Ｔｈｅ  ＡｃｃｕＴＯＦ  ＴＬＣ））を用いて測定した。測定時のヘリウムガス温度は、２００〜４００℃の範囲で調節した。【０４４２】
ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ3）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００又はＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。【０４４３】
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ  ＬＣ  ＯＤＳ  ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。【０４４４】
化合物の純度の指標として、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＧＣ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名：Ａｇｉｌｅｎｔ７８２０）での値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＧＣに１〜１０μＬ注入した。キャリヤーガスとしてはヘリウムガスを用い、１．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムオーブンは５０℃〜３００℃まで変化させながら用いた。ヒーター温度は注入口２８０℃、検出器３２０℃とした。カラムは、ＳＧＥ製ＢＰＸ−５（３０ｍ×０．２５ｍｍ×０．２５μｍ）を用いた。【０４４５】
＜合成例１＞  化合物４の合成【０４４６】
【化１３２】
2017146083.tif 000137
【０４４７】
（化合物２の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１（１９９．０ｇ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（１５．４ｇ）及びシクロペンチルメチルエーテル（１４６０ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、メチルマグネシウムブロマイドエーテル溶液（３ｍｏｌ／Ｌ、２９２ｍＬ）を１時間かけて加えた。得られた反応液を４０℃まで昇温し、４０℃で４時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、塩酸水溶液（１ｍｏｌ／Ｌ、２００ｍＬ）を加えた。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体に、トルエン及び活性炭を加え、３０分間攪拌した。得られたトルエン溶液を、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、イソプロパノールを用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物２（８１ｇ、白色固体）を得た。化合物２のＨＰＬＣ面積百分率値は９７．２％であった。この操作を繰り返し行うことによって、化合物２の必要量を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ］+２０８．【０４４８】
（化合物３の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物２（９６ｇ）及びジクロロメタン（１２００ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却した。その後、そこへ、臭素（７４ｇ）を２時間かけて滴下し、反応容器を氷浴を用いて冷却しながら３時間撹拌した。その後、１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液（１５０ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体に、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、１時間撹拌した。得られた溶液を、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、トルエン及びイソプロパノールの混合溶液を用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物３（８３ｇ、白色固体）を得た。化合物３のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，  ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ］+２８６．【０４４９】
（化合物４の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物３（８３．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（２．６ｇ）、（２−ビフェニル）ジシクロヘキシルホスフィン（２．４ｇ）及びテトラヒドロフラン（８００ｍＬ）を加え、攪拌した。その後、そこへ、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドテトラヒドロフラン溶液（１．３ｍｏｌ／ｍＬ、３３４ｍＬ）を３０分間かけて加えた。得られた反応液を６５℃に昇温させた後、６５℃で４時間攪拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却し、塩酸水溶液（２ｍｏｌ／Ｌ、８００ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却しながら１．５時間撹拌した。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（６ｍｏｌ／Ｌ、６００ｍＬ）を加えることで中和した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、ヘキサンを加え、１時間懸濁撹拌した後、ろ過し、黄色固体を得た。得られた黄色固体をヘキサンを用いて懸濁撹拌した後、ろ過した。得られた残渣を、ヘキサン及びトルエンの混合溶液を用いて再結晶する操作を繰り返した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物４（４０ｇ、淡黄色固体）を得た。化合物４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．１％であった。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3、３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１．４３（６Ｈ，ｓ），２．４０（３Ｈ，ｓ），３．７２（２Ｈ，ｓ），６．６４（１Ｈ，ｄｄ），６．７４３（１Ｈ，ｄ），７．０９（１Ｈ，ｄ），７．１７（１Ｈ，ｄ），７．４６（２Ｈ，ｄ）．【０４５０】
＜合成例２＞  化合物７の合成【０４５１】
【化１３３】
2017146083.tif 000138
【０４５２】
（化合物６の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物４（３４．０ｇ）、化合物５（８０．８ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．４ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（０．９ｇ）及びトルエン（６８０ｍＬ）を加え、５０℃に昇温し、５０℃で攪拌した。その後、そこへ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（４３．９ｇ）を加え、１１０℃に昇温させた後、１１０℃で４時間攪拌した。その後、そこへ、トルエンを加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を、イオン交換水、１５重量％の食塩水で順次洗浄した。得られた洗浄液を分液した後、得られた有機層を減圧濃縮することにより粗生成物を得た。得られた粗組成物に、ヘキサン及び活性炭を加え、１時間撹拌した。得られた溶液を、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製することにより、化合物６（２２ｇ、無色油状物）を得た。化合物６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］+５４４．【０４５３】
（化合物７の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物６（２２ｇ）及びクロロホルム（３６０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却した。その後、そこへ、Ｎ―ブロモスクシイミド（８４ｇ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却しながら６時間撹拌した。その後、１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液（５０ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体に、ヘキサン及び活性炭を加え、１時間撹拌した。得られた溶液を、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製し、アセトンを用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物７（１２ｇ、白色固体）を得た。化合物７のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことによって、化合物７の必要量を得た。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］+７００．【０４５４】
＜合成例３＞  化合物８の合成【０４５５】
【化１３４】
2017146083.tif 000139
【０４５６】
（化合物８−ａの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、４−ブロモ−４’，４’’−ジメチルトリフェニルアミン（１４．０ｇ）、３，３’−ジメチルジフェニルアミン（７．２ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．３ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（０．２ｇ）及びトルエン（１４３ｍＬ）を加え、５０℃で攪拌した。その後、そこへ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（１０．５ｇ）を加え、８０℃で４時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水（１００ｍＬ）で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。その後、そこへ、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより白色固体を得た。得られた白色固体を、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶する操作を繰り返した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物８−a（１２．０ｇ、白色固体）を得た。化合物８−ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：2.26(12H,s), 6.57-7.23(20H,br).【０４５７】
（化合物８の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物８−ａ（１１．６ｇ）及びクロロホルム（１９８ｍＬ）を加え、−１０℃まで冷却した。その後、そこへ、Ｎ−ブロモスクシイミド（８．８ｇ）を加え、−１０℃で８時間撹拌した。その後、そこへ、１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液を加え、攪拌した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮することにより白色固体を得た。その後、そこへ、ヘキサン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた固体をアセトンを用いて再結晶し、次いで、トルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶した。その後、そこへ、ヘキサン及び活性白土を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。更に、得られた固体をトルエン及びメタノールの混合溶媒を用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物８（１０．０ｇ、白色固体）を得た。化合物８のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
LC-MS(APCI, positive)：[M+H]+.625
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：2.29(s,12H), 6.75(s,2H), 6.91-7.05(br,14H), 7.35(d,2H).【０４５８】
＜合成例４＞  化合物１１の合成【０４５９】
【化１３５】
2017146083.tif 000140
【０４６０】
（化合物９の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、３−ブロモヘキシルトルエン（４５．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．６６ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（１．０４ｇ）及びテトラヒドロフラン（１８０ｍＬ）を加え、室温で攪拌した。その後、そこへ、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドテトラヒドロフラン溶液（１．３ｍoｌ/ｍＬ、１７９ｍＬ）を滴下した後、６５℃で３時間攪拌した。反応容器を氷浴で冷却した後、塩酸水溶液（２Ｍ、４６７ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴で冷却しながら、３０分間撹拌し、ヘプタンを加えた後、有機層を分離した。得られた水層をヘプタンで洗浄し、水酸化ナトリウム水溶液（１０％、３８１ｍＬ）を加え、中和した。得られた反応液にヘプタンを加え、得られた有機層を水で洗浄することで得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン及び酢酸エチル）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物９（３７．０ｇ、赤色オイル）を得た。化合物９のＨＰＬＣ面積百分率値は９９.０%であった。【０４６１】
（化合物１０の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、３−ブロモヘキシルベンゼン（２５．０ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（０．６３２ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．１６ｇ）、化合物９（２０．２ｇ）及びトルエン（５００ｍＬ）を加え、攪拌した。その後、そこへ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（１９．９ｇ）を加え、６０℃で２時間攪拌した。その後、反応容器を冷却し、水とヘキサンを加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１０（３１．９ｇ、油状物）を得た。化合物１０のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．９％であった。【０４６２】
（化合物１１の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、反応容器全体を遮光し、化合物１０（３０．５ｇ）及びN,N-ジメチルホルムアミド（１８３ｍＬ）を加え、０℃まで冷却した。その後、そこへ、Ｎ-ブロモスクシンイミド（３２．２ｇ）及びN,N-ジメチルホルムアミド（９２ｍＬ）を滴下し、室温で撹拌した。その後、そこへ、水及びヘプタンを加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１１（１８．４ｇ、油状物）を得た。化合物１１のＨＰＬＣ面積百分率値は９８．５％であった。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm): 0.89 (t, 6H), 1.28-1.64 (m, 16H), 2.65 (t, 4H), 5.58 (s, 1H), 6.73 (q, 2H), 6.75 (s, 2H), 7.37 (d, 2H).【０４６３】
＜合成例５＞  化合物１４の合成【０４６４】
【化１３６】
2017146083.tif 000141
【０４６５】
（化合物１３の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、米国特許出願公開第２０１５／０５３９４４号明細書記載の合成方法に従って合成した化合物１２（２０．２ｇ）、１，４−ジヨードベンゼン（９９．３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム錯体（１．６４ｇ）及びトルエン（４０４ｍＬ）を加え、次いで、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（３１．８ｇ）を加え、９０℃で６時間攪拌した。得られた反応液を冷却し、トルエンを加えた後、シリカゲルとセライトを含むろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られた固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ヘプタン）で精製し、５０℃で減圧乾燥させた。得られた固体を、トルエン及びイソプロピルアルコールの混合溶媒を用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１３（１４．５ｇ、白色固体）を得た。化合物１３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。この操作を繰り返すことによって、化合物１３の必要量を確保した。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］+４０４
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm): 1.10 (s, 3H), 1.18 (s, 3H), 1.30-1.70 (m, 7H), 1.87-1.94 (m, 1H), 6.52 (d, 1H), 6.75 (t, 1H), 6.97-7.07 (m, 4H), 7.65 (d, 2H).【０４６６】
（化合物１４の合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、ヨウ化銅（Ｉ）（２．６０ｇ）、トランス−１，２−シクロヘキサンジアミン（３．１２ｇ）及びキシレン（１３５ｍＬ）を加え、次いで、化合物１１（１６．９ｇ）、化合物１３（１７．２ｇ）、キシレン（３４ｍＬ）及びナトリウム−ｔｅｒｔ−ペントキシド（１１．３ｇ）を加え、９０℃で７時間攪拌した。得られた反応液を冷却し、ヘプタンを加えた後、シリカゲルとセライトを含むろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより油状物を得た。得られた油状物をヘプタンに溶解させ、活性炭（２．６ｇ）を加えて攪拌した後、セライトをプレコートしたろ過器によりろ過し、得られたろ液を濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶媒：ヘプタン）及びオクタデシルシリル基で修飾したシリカゲルカラム（展開溶媒  酢酸エチル／アセトニトリル）のそれぞれを用いて精製した。その後、減圧乾燥させることにより、化合物１４（１２．７ｇ、油状物）を得た。化合物１４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．３％であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｈ］+７６９
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm): 0.89 (t, 6H), 1.01(s, 3H), 1.19 (s, 3H), 1.28-1.94 (m, 23H), 2.35 (s, 1H), 2.61 (t, 4H), 6.50 (d, 1H) , 6.70-7.25 (m, 11H) , 7.37 (d, 2H).【０４６７】
＜合成例６＞  化合物１５の合成【０４６８】
【化１３７】
2017146083.tif 000142
【０４６９】
（化合物１５−ａの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、４−ブロモトルエン（３１．５ｇ）、３−エチルカルバゾール（３０．０ｇ）、キシレン（１２００ｍＬ）、酢酸カリウム（１．０ｇ）及びトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（２．９ｇ）を加え、攪拌した。その後、そこへ、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（４４．３ｇ）を加え、１３０℃で１３時間攪拌した。その後、反応容器を氷浴を用いて冷却し、イオン交換水（２００ｍＬ）を加えて洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過した。得られたろ液を濃縮した後、ヘキサン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮した後、ヘキサン及び活性白土を加え、室温で３０分間撹拌した後、シリカゲル及びセライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１５−ａ（４３．０ｇ、油状物）を得た。化合物１５−ａのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：1.32(3H,t), 2.48(3H,s), 2.85(2H,q), 7.25-7.41(9H,m), 7.95(1H, s), 8.12(d, 1H).【０４７０】
（化合物１５−ｂの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物１５−ａ（４２．０ｇ）及びクロロホルム（３３０ｍＬ）を加え、−１０℃に冷却した。その後、そこへ、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド（５７．４ｇ）を加え、−１０℃で１０時間撹拌した。その後、そこへ、１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液を加え、攪拌した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮することにより白色固体を得た。その後、そこへ、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより固体を得た。得られたこの固体にをヘキサンを加え、で懸濁撹拌した後、ろ濾過した。更に得られた固体を、トルエン、メタノール及びエタノールの混合溶媒を用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１５−ｂ（３５．０ｇ、白色固体）を得た。化合物１５−ｂのＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：1.34(3H,t), 2.48(3H,s), 2.83(2H,q), 7.20(1H,d), 7.28(2H,s),7.39(4H,s), 7.44(dd,1H), 7.89(s,1H), 8.22(d, 1H).【０４７１】
（化合物１５−ｃの合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物１５−ｂ（３４．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（０．９ｇ）、(2-ビフェニル)ジシクロヘキシルホスフィン（０．８ｇ）及びテトラヒドロフラン（１３６ｍＬ）を加え、室温で攪拌した。その後、そこへ、リチウムビス（トリメチルシリル）アミドテトラヒドロフラン溶液（１．３ｍoｌ/ｍＬ、１０８ｍＬ）を１時間かけて滴下した後、６５℃で４時間攪拌した。反応容器を氷浴を用いて冷却した後、塩酸水溶液（２Ｍ、２４０ｍＬ）を加え、反応容器を氷浴を用いて冷却しながら、３０分間撹拌したところ、固体が析出した。析出した固体をろ過し、得られた残渣を、トルエン及びヘキサンの混合溶媒に溶解させた。その後、そこへ、水酸化ナトリウム水溶液（２Ｍ、２００ｍＬ）を加え、中和した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び酢酸エチルの今後溶媒）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１５−ｃ（１９．０ｇ、赤色固体）を得た。化合物１５−ｃのＨＰＬＣ面積百分率値は９９.５%以上であった。この操作を繰り返すことによって、化合物１５−ｃの必要量を確保した。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：1.33(t,3H),2.46(s,3H),2.81(q,2H),6.81(dd,1H),7.18(s,1H),7.21(s,1H),7.25-7.43(m,6H),7.84(s,1H).【０４７２】
（化合物１５−ｄの合成）
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物１５−ｃ（２９．０ｇ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（１．８ｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィンテトラフルオロボレート塩（１．１ｇ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（１６．８ｇ）及びトルエン（４１０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。その後、そこへ、トルエン（１１５ｍＬ）に溶解させた３−ブロモエチルベンゼン（３９．３ｇ）１時間かけて滴下し、１１０℃で４時間攪拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、イオン交換水（４００ｍＬ）加えた。セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を分液した。得られた有機層をイオン交換水で洗浄し、得られた洗浄液を分液した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することにより、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びトルエンの混合溶媒）で精製し、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１５−ｄ（３６．０ｇ、白色固体）を得た。化合物１５−ｄのＨＰＬＣ面積百分率値は９９.５%以上であった。
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：1.17(6H,t), 1.30(3H,t), 2.47(3H,s), 2.53 (4H,q), 2.79(2H,q), 6.79-7.45(16H,m), 7.45(1H,s), 7.81(1H,s).【０４７３】
（化合物１５の合成）
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物１５−ｄ（１５．０ｇ）及びジクロロメタン（２５５ｍＬ）を加え、−１０℃に冷却した。その後、そこへ、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド（２３．０ｇ）を加え、−１０℃から−２０で撹拌した。その後、そこへ、１０重量％亜硫酸ナトリウム水溶液を加え、攪拌した。得られた反応液を分液し、得られた有機層をイオン交換水で洗浄した。得られた洗浄液を分液し、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、得られたろ液を濃縮した。その後、そこへ、ヘキサン、トルエン及び活性炭を加え、室温で３０分間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することにより白色固体を得た。得られた白色固体を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及び及び酢酸エチルの混合溶媒）で精製し、プロピオニトリル、トルエン及びアセトニトリルを用いて複数回再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物１５（１１．３ｇ、白色固体）を得た。化合物１５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
LC-MS(APCI,positive)：[M+H]+ 665.
1H-NMR(CDCl3, 300MHz) δ(ppm)：1.14(6H,t), 1.30(3H,t), 2.48(3H,s), 2.63 (4H,q), 2.79(2H,q), 6.76(2H,dd), 6.96(2H,s), 7.13(1H,d), 7.21-7.47(9H,m), 7.82(1H,s), 7.86(1H,s).【０４７４】
＜合成例７＞  化合物ＣＭ１〜化合物ＣＭ２４の合成
化合物ＣＭ１〜ＣＭ１１、化合物ＣＭ１３、化合物ＣＭ１７〜化合物ＣＭ２０、化合物ＣＭ２２、ＣＭ２３及び化合物ＣＭ２４は、下記文献に記載された方法に従って合成し、化合物ＣＭ２１は下記文献に記載された方法に準じて合成し、９９．５％以上のＨＰＬＣ面積百分率値を示したものを用いた。
なお、化合物ＣＭ１２は、上記で合成した化合物７と同一であり、化合物ＣＭ１４は、上記で合成した化合物８と同一であり、化合物ＣＭ１５は、上記で合成した化合物１４と同一であり、化合物ＣＭ１６は、上記で合成した化合物１５と同一である。【０４７５】
化合物ＣＭ１：特開２０１１−１７４０６２号公報
化合物ＣＭ２：国際公開第２０１３／１９１０８８号
化合物ＣＭ３：特開２０１０−２１５８８６号公報
化合物ＣＭ４：国際公開第２０１５／００８８５１号
化合物ＣＭ５：特開２００８−１０６２４１号公報
化合物ＣＭ６及びＣＭ９：米国特許出願公開第２０１４／０１７５４１５号明細書
化合物ＣＭ７：特開２０１０−１８９６３０号公報
化合物ＣＭ８：国際公開第２０１５／００８８５１号
化合物ＣＭ１０及びＣＭ１１：特開２００９／１５７４２４号公報
化合物ＣＭ１３：国際公開第２０１４／１５７０１６号
化合物ＣＭ１７：国際公開第２０１３／１４６８０６号
化合物ＣＭ１８：国際公開第２０１５／１５９９３２号
化合物ＣＭ１９：米国特許出願公開第２０１４／０１５１６５９号明細書
化合物ＣＭ２０：国際公開第２００９／１３１２５５号
化合物ＣＭ２１：特開２０１４−２２４１０１号公報及び国際公開第２００９／１３１２５５号
化合物ＣＭ２２：特開２０１３−１４７５５１号公報
化合物ＣＭ２３：国際公開第２０１５／００８８５１号
化合物ＣＭ２４：特開２０１５−１７４８２４号公報【０４７６】
【化１３８】
2017146083.tif 000143
【０４７７】
【化１３９】
2017146083.tif 000144
【０４７８】
【化１４０】
2017146083.tif 000145
【０４７９】
【化１４１】
2017146083.tif 000146
【０４８０】
【化１４２】
2017146083.tif 000147
【０４８１】
【化１４３】
2017146083.tif 000148
【０４８２】
【化１４４】
2017146083.tif 000149
【０４８３】
＜合成例８＞  化合物ＣＭ２５の合成【０４８４】
【化１４５】
2017146083.tif 000150
【０４８５】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、国際公開第２０１６／００５７５０号に記載の方法で合成した化合物ＣＭ２５−ｓｔｇ０（８．０ｇ）、ビスピナコラートジボロン（７．５ｇ）、酢酸カリウム（７．０ｇ）、[１，１’―ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加体（０．６ｇ）及びジメトキシエタン（８０ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた混合物を８０℃で４時間撹拌し、室温まで冷却した後、ヘキサン（１６０ｍＬ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮した後、トルエン及び活性炭を加え、室温で１時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮した後、酢酸エチルを加え、シリカゲルを敷いたろ過器でろ過し、得られたシリカゲルを酢酸エチルで洗浄した。得られた洗浄液を濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びアセトニトリルを用いて再結晶した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２５（７．８ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：［Ｍ＋Ｋ］＋  ８０１．５．
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３, ３００ＭＨｚ） δ(ｐｐｍ)：０．９５（１８Ｈ, ｓ）, １．３１（２４Ｈ, ｓ）, １．５４（２Ｈ, ｄｄ）, １．７３（２Ｈ, ｄ）, ２．６７（２Ｈ，ｄ），３．２５（２Ｈ，ｍ），６．８４−６．８８（４Ｈ，ｄ），７．０８（２Ｈ，ｄ），  ７．０８（２Ｈ，ｄ），７．７４−７．８１（６Ｈ，ｍ）．【０４８６】
＜合成例９＞  化合物ＣＭ２６の合成【０４８７】
【化１４６】
2017146083.tif 000151
【０４８８】
シールド管に、ジシクロペンタジエン（４０ｇ）及び７−ブロモヘプタ−１−エン（１０７ｇ）を加え、封管した後、２００℃で７２時間撹拌した。この操作を９回繰り返し、１０回の操作で得られた溶液を合一した。合一した溶液を６回蒸留した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ１（１９３ｇ）を得た。化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ１のＧＣ（ガスクロマトグラフィー）面積百分率値は９４．０％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，４００ＭＨｚ） δ(ｐｐｍ)：０．４７−０．５１ (ｍ, １Ｈ), １．０６−１．１０ (ｍ, ２Ｈ), １．２１−１．２３ (ｍ, １Ｈ), １．２８−１．４２ (ｍ, ５Ｈ), １．８２−１．８９ (ｍ, ３Ｈ), １．９１−２．０２ (ｍ, １Ｈ), ２．７５−２．７６ (ｍ, ２Ｈ), ３．４０−３．４３ (ｍ, ２Ｈ), ５．９１−５．９３ (ｍ, １Ｈ), ６．１１−６．１３ (ｍ, １Ｈ)．【０４８９】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、２，７−ジブロモフルオレン（６０．０ｇ）及びテトラヒドロフラン（１０８０ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（６２．５ｇ）を加え、０℃に冷却した後、テトラヒドロフラン（８０ｍＬ）に溶解させた化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ１（９９．３ｇ）を滴下した。得られた混合物を室温で６時間撹拌した後、セライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたセライトをテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）で洗浄した。得られた洗浄液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン）で精製した後、再結晶（酢酸エチル及びメタノールの混合溶媒）を繰り返し行うことで、化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ２（５８ｇ）を得た。化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．４％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ４００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ)： ０．４２（ｄ, ２Ｈ）， ０．５６−０．６８ (ｍ, ４Ｈ), ０．８８−０．９２(ｍ, ４Ｈ), １．０４−１．０９１(ｍ, ８Ｈ), １．１６−１．１９(ｍ, ２Ｈ), １．３５(ｄ, ２Ｈ), １．７４−１．８０(ｍ, ２Ｈ), １．８５−１．９４(ｍ, ６Ｈ), ２．６８−２．７２(ｍ, ４Ｈ), ５．８５(ｔ, ２Ｈ), ６．０８(ｔ, ２Ｈ), ７．４６−７．４９(ｍ, ４Ｈ), ７．５３−７．５５(ｍ, ２Ｈ)．【０４９０】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２６−ｓｔｇ２（２２.０ｇ）及びテトラヒドロフラン（２２０ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた混合物を−７８℃に冷却した後、ｓｅｃ‐ブチルリチウム（１．３Ｍシクロヘキサン溶液、１１７ｍＬ）を１．５時間かけて滴下した。その後、そこへ、２−イソプロポキシ−４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン（３５ｍＬ）を加え、室温で１６時間撹拌した。得られた反応液を−３０℃に冷却した後、塩化水素溶液（２Ｍエーテル溶液、７３ｍＬ）を加えた。得られた反応液をセライトを敷いたろ過器でろ過し、得られたセライトをトルエン（２００ｍＬ）で洗浄した。
上記の一連の操作と同様の操作を繰り返した後、得られた洗浄液を合一し、アセトニトリル中で懸濁撹拌した後、ろ過することで固体を得た。得られた固体を再結晶（トルエン及びアセトニトリルの混合溶媒）する操作を繰り返すことで、化合物ＣＭ２６（２６．５ｇ）を得た。化合物ＣＭ２６のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．２％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ４００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．３６−０．４０ (ｍ, ２Ｈ), ０．５１−０．５５(ｍ, ４Ｈ), ０．８５−０．８７(ｍ, ４Ｈ), ０．８５−０．９９(m, １０Ｈ), １．１３−１．１６(ｍ, ２Ｈ), １．３１−１．３４(m, ２Ｈ), １．４０(s, ２４Ｈ), １．７０−１．８１(m, ２Ｈ), １．９８−２．０４(ｍ, ４Ｈ), ２．６４−２．６８(m, ４Ｈ), ５．８１(dd, ２Ｈ), ６．０４(dd, ２Ｈ), ７．７２−７．７６(m, ４Ｈ), ７．８２(d, ２Ｈ).【０４９１】
＜合成例１０＞  化合物ＣＭ２７の合成【０４９２】
【化１４７】
2017146083.tif 000152
【０４９３】
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、国際公開第２０１６／００５７５０号に記載の方法で合成した化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ０（２５．１ｇ）及びテトラヒドロフラン（９５ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた混合物を−７０℃まで冷却した後、ｓｅｃ−ブチルリチウム（１Ｍシクロヘキサン溶液、９６ｍＬ）を滴下し、２時間撹拌した。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（２４ｍＬ）に溶解させたフルオレノン（１１．８ｇ）を１時間かけて滴下し、２時間撹拌した。その後、そこへ、メタノール（１２ｍＬ）を加え、室温で撹拌した。その後、そこへ、イオン交換水（５９ｍＬ）及びトルエン（８３ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた溶液を分液し、得られた有機層にイオン交換水（５９ｍＬ）を加え、洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮することで油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びクロロホルムの混合溶媒）で精製した後、ヘキサンで懸濁撹拌し、ろ過した。得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ１（２０．１ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ１のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝３９３［Ｍ＋Ｋ］＋【０４９４】
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ１（１８．９ｇ）、トルエン（１８９ｍＬ）及びトリエチルシラン（２４．８ｇ）を加え、撹拌した。得られた混合物を６０℃に加熱した後、メタンスルホン酸（２０．５ｇ）を１時間かけて滴下し、２．５時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、トルエン（１８９ｍＬ）及びイオン交換水（１８９ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた溶液を分液し、得られた有機層に５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液（９５ｍＬ）を加え、洗浄した。得られた有機層にイオン交換水（９５ｍＬ）を加え、洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を再結晶（ヘキサン）した後、５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ２（１５．９ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ２のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ)：０．９７（９Ｈ，ｓ）, １．５１−１．５７（ｍ,２Ｈ）, １．７４（１Ｈ，ｄｄ）, ２．６７（１Ｈ，ｄｄ）， ３．２５（１Ｈ，ｄｄ）, ３．４５−３．５０（１Ｈ，ｍ）, ６．６７（１Ｈ，ｓ）， ６．９７（２Ｈ，ｑ）, ７．２２−７．３８（６Ｈ，ｍ）， ７．７８（２Ｈ，ｄ）.【０４９５】
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ２（１３．８ｇ）、６０重量％水素化ナトリウム（１．８ｇ）及びテトラヒドロフラン（７４ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、ジメチルホルムアミド（３７ｍＬ）を１０分間かけて滴下し、得られた混合物を０℃に冷却した。その後、そこへ、ブロモクロロヘキサン（２２．５ｇ）を４０分間かけて滴下し、０℃で２．５時間撹拌した後、室温で撹拌した。その後、そこへ、ヘプタン（１１０ｍＬ）及びイオン交換水（５５ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた溶液を分液し、得られた有機層にイオン交換水（５５ｍＬ）を加えて洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮しすることで、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びクロロホルムの混合溶媒）で精製した後、エタノール及びメタノールの混合溶媒で懸濁撹拌し、ろ過した。得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ３（１６．９ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ３のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ３００ＭＨｚ） δ(ｐｐｍ)：０．６７−０．７４４（２Ｈ，ｍ）, ０．９４（９Ｈ，ｓ），１．１４−１．２６（４Ｈ，ｍ），１．４７−１．６１（３Ｈ，ｍ），１．６８（１Ｈ，ｄｄ），２．３９−２．４２（２Ｈ，ｍ），２．６５（１Ｈ，ｄ），３．２３（１Ｈ，ｄｄ），３．８３−３．４４（３Ｈ，ｍ），６．８３（１Ｈ，ｓ），６．８７（１Ｈ，ｄ），６．９９（１Ｈ，ｄ），７．１９−７．２５（４Ｈ，ｍ），７．３２（２Ｈ，ｔ），７．７２（２Ｈ，ｄ）．【０４９６】
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ３（１５．７ｇ）、ヨウ化ナトリウム（４２．０ｇ）及びアセトン（１２６ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた混合物を５５℃で４１時間撹拌した後、室温に冷却した。その後、そこへ、トルエン（１２６ｍＬ）及びイオン交換水（６３ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた溶液を分液し、得られた有機層にイオン交換水（６３ｍＬ）を加えて洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた後、ろ過し、濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、アセトニトリルで再結晶し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ４（１９．２ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ４のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝５８７［Ｍ＋Ｋ］＋【０４９７】
反応容器内を窒素ガス雰囲気とした後、６０重量％水素化ナトリウム（０．８ｇ）、テトラヒドロフラン（５６ｍＬ）及びジメチルホルムアミド（５６ｍＬ）を加え、０℃に冷却した後、撹拌した。その後、そこへ、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ４（１６．１ｇ）を加えた。その後、そこへ、テトラヒドロフラン（５６ｍＬ）に溶解させた化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ５ｂ（１４．０ｇ、特表２０１４−５０６６０９号公報記載の方法で合成）を１時間かけて滴下し、３時間撹拌した。得られた反応液を、１０℃で１２時間撹拌した。その後、そこへ、トルエン（１４０ｍＬ）及びイオン交換水（１４０ｍＬ）を加え、撹拌した。得られた溶液を分液し、得られた有機層にイオン交換水（１４０ｍＬ）を加えて洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、シリカゲル（２６ｇ）及びセライト（１４ｇ）を敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することで、油状物を得た。得られた油状物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン及びクロロホルムの混合溶媒）で精製する操作を複数回行った後、ヘキサンで懸濁撹拌し、ろ過した。得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ５（２２．３ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ５のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１０２５［Ｍ＋Ｋ］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ３００ＭＨｚ） δ(ｐｐｍ)：０．５１−０．５７（４Ｈ，ｍ), ０．８５（６Ｈ，ｔ）, ０．９４（１２Ｈ，ｓ）, １．２４（１２Ｈ，ｓ），１．４７−１．５２（６Ｈ，ｍ）, １．６９（１Ｈ，ｄｄ）, ２．２２−２．３３（４Ｈ，ｍ）， ２．４５（４Ｈ，ｔ）, ２．６５（１Ｈ，ｄ），３．２３（１Ｈ，ｄｄ）, ３．９３−３．４３（１Ｈ，ｍ）, ６．６４（２Ｈ，ｓ），６．８０（２Ｈ，ｄ）, ６．８５（１Ｈ，ｄ）， ６．９６（１Ｈ，ｄ）, ７．１４−７．２３（６Ｈ，ｍ）， ７．２７（２Ｈ,ｔ）, ７．４２（２Ｈ，ｄ），７．５２（２Ｈ，ｄ），７．７０（２Ｈ,ｄ）.【０４９８】
反応容器内をアルゴンガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ５（２２．０ｇ）、ビスピナコラートジボロン（１４．１ｇ）、酢酸カリウム（１３．１ｇ）及びジメトキシエタン（２２０ｍＬ）を加え、撹拌した。その後、そこへ、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加体（０．７ｇ）を加え、９０℃で１５時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、トルエン（２２０ｍＬ）及びセライト（１１ｇ）を加え、セライトを敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮した後、ヘキサンで懸濁撹拌し、ろ過した。得られた固体にトルエン（２１８ｍＬ）及び活性炭（１４ｇ）を加え、１時間撹拌した後、シリカゲル（２８ｇ）及びセライト（８４ｇ）を敷いたろ過器でろ過した。得られたろ液を濃縮することで、固体を得た。得られた固体を、トルエン及びヘキサンの混合溶媒で再結晶し、得られた固体を５０℃で減圧乾燥させることにより、化合物ＣＭ２７（１８．６ｇ、白色固体）を得た。化合物ＣＭ２７のＨＰＬＣ面積百分率値は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ＥＳＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）：ｍ／ｚ＝１１０１［Ｍ＋ＮＨ４］＋
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３， ３００ＭＨｚ） δ(ppm)：０．４８−０．５７（４Ｈ，ｍ）, ０．８６（６Ｈ，ｔ）, ０．９３（９Ｈ，ｓ）, １．２３（１０Ｈ，ｓ）, １．３１（２４Ｈ, ｓ），１．４６−１．５３（９Ｈ，ｍ）, １．７０（１Ｈ，ｄｄ）, ２．２７−２．４３（１０Ｈ，ｍ）, ２．６４（１Ｈ，ｄ）, ３．２２（１Ｈ，ｄｄ）, ３．４２（１Ｈ，ｍ），６．７０（２Ｈ，ｓ）, ６．７５（２Ｈ，ｄ）, ６．８３（１Ｈ，ｄ）, ６．９４（１Ｈ，ｄ）, ７．１２−７．３０（６Ｈ，ｍ）, ７．５６（２Ｈ，ｓ）, ７．６７−７．７９（６Ｈ，ｍ）.【０４９９】
＜合成例１１＞  化合物ＣＭ２８の合成【０５００】
【化１４８】
2017146083.tif 000153
【０５０１】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ０（６４．６ｇ）及びテトラヒドロフラン（６１５ｍｌ）を加え、−７０℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｍ、２１８ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、フルオレノン（４２．１ｇ）を数回に分けて加えた後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（４０ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、室温まで昇温した。その後、減圧濃縮して溶媒を留去し、トルエン及び水を加えた。その後、水層を分離し、得られた有機層をさらに水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒  ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、無色油状物として化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ１を７１ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ１のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．５％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ１の必要量を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：２．４３（１Ｈ，ｓ），３．０７−３．１３（４Ｈ，ｍ），６．９５（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ，Ｓ），７．１８−７．２８（３Ｈ，ｍ），７．２８−７．４０（４Ｈ，ｍ），７．６６（２Ｈ，ｓ）．【０５０２】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ１（７２．３ｇ）、トルエン（７２３ｍｌ）及びトリエチルシラン（１１８．０ｇ）を加え、７０℃に昇温した。そこへ、メタンスルホン酸（９７．７ｇ）を１．５時間かけて滴下した後、７０℃で０．５時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（１Ｌ）及び水（１Ｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を、水、５重量％炭酸水素ナトリウム水、水の順番で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた粗生成物をトルエン及びエタノールの混合溶液で再結晶することで、白色固体として化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ２を５１．８ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ２のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ２の必要量を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：３．０３−３．１４（４Ｈ，ｍ），４．９９（１Ｈ，ｓ），６．６８（１Ｈ，ｓ），６．９２−７．０１（２Ｈ，ｍ），７．２０−７．２８（２Ｈ，ｍ），７．２９−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．７８（２Ｈ，ｄ）．【０５０３】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（１０．９ｇ）、テトラヒドロフラン（２６８ｍｌ）及び１−ブロモ−６−クロロへキサン（１９８．３ｇ）を加えた。その後、フラスコ全体を遮光し、０〜５℃に冷却した。そこへ、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ２（６７．０ｇ）及びテトラヒドロフラン（３３０ｍｌ）の混合液を２．５時間かけて加えた後、５０℃まで昇温し、５０℃で６時間撹拌した。そこへ、ヘプタン（５３６ｍｌ）及び水（２６８ｍｌ）を加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過して、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をイソプロパノールで再結晶した後、得られた結晶をトルエン及びヘプタンの混合液に溶解させ、活性炭（９．６ｇ）を加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をトルエン及びヘプタンの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ３を８１．０ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ３のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ３の必要量を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．７１−０．８３（２Ｈ，ｍ），１．２７（４Ｈ，ｔ），１．５８−１．６８（２Ｈ，ｍ），２．４９−２．５４（２Ｈ，ｍ），３．０８−３．１９（４Ｈ，ｍ），３．４９（２Ｈ，ｔ），６．８９（１Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ，ｄ），７．２５−７．４４（６Ｈ，ｍ），７．８３（２Ｈ，ｄ）．【０５０４】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ３（１２４．４ｇ）、ヨウ化ナトリウム（３８５．５ｇ）及びアセトン（７８６ｍｌ）を加えた後、還流温度まで昇温し、還流温度で３４時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、得られた混合液にヘプタン、トルエン及び水を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、ヘプタン及びイソプロパノールの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ４を１４３ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ４のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．７１−０．８３（２Ｈ，ｍ），１．２０−１．３６（４Ｈ，ｍ），１．６０−１．７０（２Ｈ，ｍ），２．４８−２．５４（２Ｈ，ｍ），３．１３−３．１８（６Ｈ，ｍ），６．８９（１Ｈ，ｓ），６．９４（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ，ｄ），７．２５−７．４４（６Ｈ，ｍ），７．８３（２Ｈ，ｄ）．【０５０５】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（１．０ｇ）、テトラヒドロフラン（４２．５ｍｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（４２．５ｍｌ）及び化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ４（１０．８ｇ）を加えた。
その後、フラスコ全体を遮光し、０〜５℃に冷却した。そこへ、特表２０１４−５０６６０９号公報記載の合成法に従い合成した化合物ＣＭ２７−ｓｔｇ５ｂ（１０．６ｇ）及びテトラヒドロフラン（４２．５ｍｌ）の混合液を１時間かけて加えた後、０〜５℃で４時間撹拌した。
得られた反応混合物を室温まで昇温した後、トルエン（１０６ｍｌ）及び水（１０６ｍｌ）を加え、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸ナトリウムを加えた。得られた混合液を、シリカゲルを敷き詰めたろ過器でろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、酢酸エチル及びアセトニトリルの混合液で再結晶する操作を繰り返すことで、白色固体として化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ５を１４．３ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ５のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。
ＬＣ−ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：９５５（［Ｍ＋Ｋ］＋）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．５６−０．６５（４Ｈ，ｍ），０．９０−１．３２（２２Ｈ，ｍ），１．５４−１．５８（４Ｈ，ｍ），２．３４−２．４２（４Ｈ，ｍ），２．５２（４Ｈ，ｔ），３．１２（４Ｈ，ｄ），６．７４（２Ｈ，ｓ），６．８５（１Ｈ，ｓ），６．９２（２Ｈ，ｄ），７．００−７．０５（１Ｈ，ｍ），７．１９（２Ｈ，ｄ），７．２６−７．４１（６Ｈ，ｍ），７．５３（２Ｈ，ｄ），７．６５（２Ｈ，ｄ），７．８０（２Ｈ，ｄ）．【０５０６】
撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物ＣＭ２８−ｓｔｇ５（１４．３ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリドジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ２Ｃｌ２、０．５１ｇ）、ビスピナコラートジボロン（９．５ｇ）、酢酸カリウム（９．３ｇ）及び１，２−ジメトキシエタン（１４３ｍｌ）を加え、還流温度まで昇温した後、還流温度で１２時間撹拌した。得られた反応混合物を室温まで冷却した後、トルエン（１４３ｍｌ）を加え、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物を、トルエン（１７３ｍｌ）及びヘプタン（１７３ｍｌ）の混合液に溶解させた後、活性炭（４．６ｇ）を加え、シリカゲル及びセライトを敷き詰めたろ過器でろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して、得られた残渣を、酢酸エチル及びアセトニトリルの混合液で再結晶する操作を繰り返すことで、白色固体として化合物ＣＭ２８を１１．２ｇ得た。得られた化合物ＣＭ２８のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％であった。
ＬＣ−ＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：１０３１（［Ｍ＋ＮＨ４］＋）
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ） δ（ｐｐｍ）：０．５０−０．６８（４Ｈ，ｍ），０．９０−１．００（１０Ｈ，ｍ），１．３１−１．５８（４０Ｈ，ｍ），２．３４−２．５３（８Ｈ，ｍ），３．１２（４Ｈ，ｓ），６．７６（２Ｈ，ｓ），６．８３（１Ｈ，ｓ），６．９０（２Ｈ，ｄ），６．９８−７．０４（１Ｈ，ｍ），７．１７（２Ｈ，ｄ），７．２７（２Ｈ，ｔ），７．３７（２Ｈ，ｔ），７．５５（２Ｈ，ｓ），７．７７−７．８３（６Ｈ，ｍ）．【０５０７】
＜合成例１２＞  化合物ＣＭ２９及び化合物ＣＭ３０の合成
化合物ＣＭ２９及び化合物ＣＭ３０は、下記文献に記載された方法に従って合成し、９９．５％以上のＨＰＬＣ面積百分率値を示したものを用いた。【０５０８】
化合物ＣＭ２９：特開２０１１−１０５７０１号公報
化合物ＣＭ３０：特開２００８−１７９６１７号公報【０５０９】
【化１４９】
2017146083.tif 000154
【０５１０】
＜実施例１＞  高分子化合物Ｐ１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ７（１．００４１２ｇ）、化合物ＣＭ５（０．２１４１ｇ）、化合物ＣＭ１２（１．１０８７ｇ）、化合物ＣＭ１０（０．０８４７ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（３．６０ｍｇ）及びトルエン（３２ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。
（工程２）反応液に、１６重量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（２１．２ｇ）を滴下し、７時間還流させた。
（工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（９８．７ｍｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．７９ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。
（工程４）その後、冷却後、得られた反応液を、１０重量％塩酸水溶液で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１を１．３０ｇ得た。高分子化合物Ｐ１のポリスチレン換算の数平均分子量は３．９×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．３×１０5であった。【０５１１】
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１０から誘導される構成単位とが、５０：１０：３９．４：１．２のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５１２】
＜実施例２＞  高分子化合物Ｐ２の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．２６５５ｇ）、化合物ＣＭ２（０．６００９ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１６７５ｇ）、化合物ＣＭ１２（０．９９１９ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１６６９ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）及びトルエン（３１ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。
（工程２）反応液に、１６重量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（２０．７ｇ）を滴下し、６時間還流させた。
（工程３）反応後、そこに、フェニルボロン酸（７３．２ｍｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。
（工程４）その後、冷却後、得られた反応液を、１０重量％塩酸水溶液で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通すことにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌した後、得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ２を１．２７ｇ得た。高分子化合物Ｐ２のポリスチレン換算の数平均分子量は４．７×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．６×１０5であった。【０５１３】
高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５１４】
＜実施例３＞  高分子化合物Ｐ３の合成
実施例２における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．１７７５ｇ）、化合物ＣＭ２（０．４００６ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１１１６ｇ）、化合物ＣＭ１３（１．２１４６ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１１１３ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．６４ｍｇ）及びトルエン（３２ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。」、（工程２）を、「反応液に、１６重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（２１．３ｇ）を滴下し、８時間還流させた。」、（工程３）を、「反応後、そこに、フェニルボロン酸（４８．８ｍｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（０．８８ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。」とする以外は、実施例２と同様にすることで、高分子化合物Ｐ３を１．３４ｇ得た。高分子化合物Ｐ３のＭｎは３．６×１０4であり、Ｍｗは１．３×１０5であった。【０５１５】
高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５１６】
＜実施例４＞  高分子化合物Ｐ４の合成
実施例２における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．２５９４ｇ）、化合物ＣＭ２（０．６００９ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１６７５ｇ）、化合物ＣＭ１４（０．８８５１ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１６６９ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）及びトルエン（２９ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。」、（工程２）を、「反応液に、１６重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１９．２ｇ）を滴下し、４時間還流させた。」とする以外は、実施例２と同様にすることで、高分子化合物Ｐ４を１．２０ｇ得た。高分子化合物Ｐ４のＭｎは５．３×１０4であり、Ｍｗは４．１×１０5であった。【０５１７】
高分子化合物Ｐ４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１４から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５１８】
＜実施例５＞  高分子化合物Ｐ５の合成
実施例２における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．２２５２ｇ）、化合物ＣＭ２（０．５００７ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１３９６ｇ）、化合物ＣＭ１５（１．０２０２ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１３９１ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（３．３０ｍｇ）及びトルエン（２９ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。」、
（工程２）を、「反応液に、１６重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（１８．３ｇ）を滴下し、８時間還流させた。」，（工程３）を、「反応後、そこに、フェニルボロン酸（６１．０ｍｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．１０ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。」とする以外は、実施例２と同様にすることで、高分子化合物Ｐ５を１．１１ｇ得た。高分子化合物Ｐ５のＭｎは３．１×１０4であり、Ｍｗは９．２×１０4であった。【０５１９】
高分子化合物Ｐ５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５２０】
＜実施例６＞  高分子化合物Ｐ６の合成
実施例２における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．２５９３ｇ）、化合物ＣＭ２（０．６００９ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１６７６ｇ）、化合物ＣＭ１６（０．９４３８ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１６６９ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．３２ｍｇ）及びトルエン（３０ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。」、（工程２）を、「反応液に、１６重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（２０．０ｇ）を滴下し、４時間還流させた。」とする以外は、実施例２と同様にすることで、高分子化合物Ｐ６を１．２２ｇ得た。高分子化合物Ｐ６のＭｎは６．５×１０4であり、Ｍｗは４．９×１０5であった。【０５２１】
高分子化合物Ｐ６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１６から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５２２】
＜合成例１３＞  高分子化合物Ｐ７の合成
高分子化合物Ｐ７は、化合物ＣＭ７、化合物ＣＭ５、化合物ＣＭ１７、化合物ＣＭ１０を用いて、国際公開第００／００５３６５６号記載の方法に準じてSuzukiカップリング反応により合成した。高分子化合物Ｐ７のポリスチレン換算の数平均分子量は３.５×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１.４×１０5であった。【０５２３】
高分子化合物Ｐ７は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１０から誘導される構成単位とが、５０：１０：３９．４：１．２のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５２４】
＜合成例１４＞  高分子化合物Ｐ８の合成
実施例２における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１（０．１９８９ｇ）、化合物ＣＭ２（０．４６０７ｇ）、化合物ＣＭ３（０．１２８４ｇ）、化合物ＣＭ１７（１．１９２７ｇ）、化合物ＣＭ１１（０．１２８０ｇ）、ジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．０１ｍｇ）及びトルエン（３２ｍＬ）を加え、９０℃に加熱した。」、
（工程２）を、「反応液に、１６重量％水酸化テトラブチルアンモニウム水溶液（２１．５ｇ）を滴下し、４時間還流させた。」、（工程３）を、「反応後、そこに、フェニルボロン酸（５６．１ｍｇ）及びジクロロビス（トリス−ｏ‐メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（１．０１ｍｇ）を加え、１４．５時間還流させた。」とする以外は、実施例２と同様にすることで、高分子化合物８を１．３５ｇ得た。高分子化合物８のＭｎは４．７×１０4であり、Ｍｗは３．２×１０5であった。【０５２５】
高分子化合物８は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５２６】
＜合成例１５＞  高分子化合物Ｐ９の合成
高分子化合物Ｐ９は、化合物Ｍ１、化合物ＣＭ６、化合物ＣＭ９を用いて、国際公開第００／００５３６５６号記載の方法に準じてSuzukiカップリング反応により合成した。化合物Ｍ１は、東京化成工業株式会社より購入したものを、再結晶により精製した後に用いた。【０５２７】
【化１５０】
2017146083.tif 000155
【０５２８】
高分子化合物Ｐ９のポリスチレン換算の数平均分子量は１．２×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．８×１０5であった。【０５２９】
高分子化合物Ｐ９は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物Ｍ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ６から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ９から誘導される構成単位とが、１６：５０：３４のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５３０】
＜合成例１６＞  高分子化合物Ｐ１０の合成
高分子化合物Ｐ１０は、化合物ＣＭ７、化合物ＣＭ４、化合物ＣＭ８を用いて、国際公開第２０１５／００８８５１号記載の方法に従ってSuzukiカップリング反応により合成した。高分子化合物Ｐ１０のポリスチレン換算の数平均分子量は８．８×１０4であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．１×１０5であった。【０５３１】
高分子化合物Ｐ１０は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ４から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ８から誘導される構成単位とが、５０：２６：２４のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５３２】
＜合成例１７＞  高分子化合物Ｐ１２の合成
(工程１)反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ１８（９．２３ｇ）、化合物ＣＭ７（４．５８ｇ）、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム（８．６ｍｇ）及びトルエン（１７５ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。
(工程２)その後、そこに、１２重量％炭酸ナトリウム水溶液（４０．３ｍＬ）を滴下し、２９時間還流させた。
(工程３)その後、そこに、フェニルボロン酸（０．４７ｇ）及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム（８．７ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。
(工程４)その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、メタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をろ取し、メタノール、水で洗浄後、乾燥させることにより得た固体をクロロホルムに溶解させ、予めクロロホルムを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１１（７．１５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１１のＭｎは３．２×１０4、Mwは６．０×１０4であった。【０５３３】
高分子化合物Ｐ１１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５３４】
(工程５)反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｐ１１（３．１ｇ）、テトラヒドロフラン（１３０ｍＬ）、メタノール（６６ｍＬ）、水酸化セシウム一水和物（２．１ｇ）及び水（１２．５ｍＬ）を加え、６０℃で３時間撹拌した。
(工程６)その後、そこに、メタノール（２２０ｍＬ）を加え、２時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した後、イソプロピルアルコールに滴下し、攪拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ１２（３．５ｇ）を得た。高分子化合物Ｐ１２の1H-NMR解析により、高分子化合物Ｐ１１中のエチルエステル部位のシグナルが消失し、反応が完結したことを確認した。【０５３５】
高分子化合物Ｐ１２は、高分子化合物Ｐ１１の仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式で表される構成単位と、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５３６】
【化１５１】
2017146083.tif 000156
【０５３７】
＜実施例７＞  高分子化合物Ｐ１３の合成
単量体として化合物ＣＭ２７、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１２及び化合物ＣＭ１１を用いて、実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１３を１．４６ｇ得た。高分子化合物Ｐ１３のポリスチレン換算の数平均分子量は５.１×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．３×１０５であった。【０５３８】
高分子化合物Ｐ１３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、４０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５３９】
＜実施例８＞  高分子化合物Ｐ１４の合成
単量体として化合物ＣＭ１、化合物ＣＭ２５、化合物ＣＭ２６、化合物ＣＭ１２、化合物ＣＭ１１を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１４を１．１１ｇ得た。高分子化合物Ｐ１４のポリスチレン換算の数平均分子量は５．５×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４．９×１０５であった。【０５４０】
高分子化合物Ｐ１４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２６から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５４１】
＜実施例９＞  高分子化合物Ｐ１５の合成
単量体として化合物ＣＭ２８、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１２、化合物ＣＭ２９を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１５を１．０９ｇ得た。高分子化合物Ｐ１５のポリスチレン換算の数平均分子量は４．３×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．５×１０５であった。【０５４２】
高分子化合物Ｐ１５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２９から誘導される構成単位とが、４０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５４３】
＜実施例１０＞  高分子化合物Ｐ１６の合成
単量体として化合物ＣＭ２８、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１２、化合物ＣＭ１１を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１６を５．２ｇ得た。高分子化合物Ｐ１６のポリスチレン換算の数平均分子量は５．３×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０５であった。【０５４４】
高分子化合物Ｐ１６は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、４０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５４５】
＜合成例１８＞  高分子化合物Ｐ１７の合成
単量体として化合物ＣＭ２８、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１２を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１７を１．２２ｇ得た。高分子化合物Ｐ１７のポリスチレン換算の数平均分子量は６．７×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４．４×１０５であった。【０５４６】
高分子化合物Ｐ１７は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１２から誘導される構成単位とが、４０：１０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５４７】
＜合成例１９＞  高分子化合物Ｐ１８の合成
単量体として化合物ＣＭ２７、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１７、化合物ＣＭ１１を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１８を１．４８ｇ得た。高分子化合物Ｐ１８のポリスチレン換算の数平均分子量は４．４×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は２．８×１０５であった。【０５４８】
高分子化合物Ｐ１８は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、４０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５４９】
＜合成例２０＞  高分子化合物Ｐ１９の合成
単量体として化合物ＣＭ１、化合物ＣＭ２５、化合物ＣＭ２６、化合物ＣＭ１７、化合物ＣＭ１１を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ１９を６３．８ｇ得た。高分子化合物Ｐ１９のポリスチレン換算の数平均分子量は５．１×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４．０×１０５であった。【０５５０】
高分子化合物Ｐ１９は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２６から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、１０：３０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５５１】
＜合成例２１＞  高分子化合物Ｐ２０の合成
単量体として化合物ＣＭ２８、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１７、化合物ＣＭ２９を用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ２０を１．４０ｇ得た。高分子化合物Ｐ２０のポリスチレン換算の数平均分子量は４．０×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．４×１０５であった。【０５５２】
高分子化合物Ｐ２０は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２９から誘導される構成単位とが、４０：１０：４７：３のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５５３】
＜合成例２２＞  高分子化合物Ｐ２１の合成
単量体として化合物ＣＭ２８、化合物ＣＭ３、化合物ＣＭ１７用いて実施例１に準じて、高分子化合物Ｐ２１を２．５６ｇ得た。高分子化合物Ｐ２１のポリスチレン換算の数平均分子量は４．５×１０４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は３．１×１０５であった。【０５５４】
高分子化合物Ｐ２１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ２８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１７から誘導される構成単位とが、４０：１０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０５５５】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０５５６】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０５５７】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、高分子化合物Ｐ９、化合物ＣＭ１９及び化合物ＣＭ２０（高分子化合物Ｐ９／化合物ＣＭ１９／化合物ＣＭ２０＝５９質量％／４０質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０５５８】
（陰極の形成）
第１の発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。【０５５９】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．１％であった。結果を表４に示す。【０５６０】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製及び評価
実施例Ｄ１の（第１の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ９、化合物ＣＭ１９及び化合物ＣＭ２０の比率が、高分子化合物Ｐ９／化合物ＣＭ１９／化合物ＣＭ２０＝６４質量％／３５質量％／１質量％である組成物を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．８％であった。結果を表４に示す。【０５６１】
＜実施例Ｄ３＞  発光素子Ｄ３の作製及び評価
実施例Ｄ１の（第１の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ９の代わりに高分子化合物Ｐ１０を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．４％であった。結果を表４に示す。【０５６２】
＜実施例Ｄ４＞  発光素子Ｄ４の作製及び評価
実施例Ｄ２の（第１の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ９の代わりに高分子化合物Ｐ１０を用いた以外は、実施例Ｄ２と同様にして、発光素子Ｄ４を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．５％であった。結果を表４に示す。【０５６３】
＜実施例Ｄ５＞  発光素子Ｄ５の作製及び評価
実施例Ｄ１の（第１の発光層の形成）において、化合物ＣＭ１９の代わりに化合物ＣＭ２２を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．３％であった。結果を表４に示す。【０５６４】
＜比較例ＣＤ１＞  発光素子ＣＤ１の作製及び評価
実施例Ｄ１の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ７を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１３．３％であった。結果を表４に示す。【０５６５】
＜比較例ＣＤ２＞  発光素子ＣＤ２の作製及び評価
実施例Ｄ２の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ７を用いた以外は、実施例Ｄ２と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１３．９％であった。結果を表４に示す。【０５６６】
【表４】
2017146083.tif 000157
【０５６７】
＜実施例Ｄ６＞  発光素子Ｄ６の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０５６８】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０５６９】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、以下の化合物ＨＭ−１、化合物ＣＭ２２及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２２／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。化合物ＨＭ−１は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入したものを用いた。【０５７０】
【化１５２】
2017146083.tif 000158
【０５７１】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０５７２】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ６を作製した。【０５７３】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１８．４％であった。結果を表５に示す。【０５７４】
＜実施例Ｄ７＞  発光素子Ｄ７の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ２を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子Ｄ７を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１８．８％であった。結果を表５に示す。【０５７５】
＜実施例Ｄ８＞  発光素子Ｄ８の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ３を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子Ｄ８を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．７％であった。結果を表５に示す。【０５７６】
＜実施例Ｄ９＞  発光素子Ｄ９の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ４を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子Ｄ９を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１４．５％であった。結果を表５に示す。【０５７７】
＜実施例Ｄ１０＞  発光素子Ｄ１０の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ５を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子Ｄ１０を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１７．３％であった。結果を表５に示す。【０５７８】
＜実施例Ｄ１１＞  発光素子Ｄ１１の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ６を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．１％であった。結果を表５に示す。【０５７９】
＜比較例ＣＤ３＞  発光素子ＣＤ３の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ７を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１３．４％であった。結果を表５に示す。【０５８０】
＜比較例ＣＤ４＞  発光素子ＣＤ４の作製及び評価
実施例Ｄ６の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ８を用いた以外は、実施例Ｄ６と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１０．４％であった。結果を表５に示す。【０５８１】
【表５】
2017146083.tif 000159
【０５８２】
＜実施例Ｄ１２＞  発光素子Ｄ１２の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０５８３】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０５８４】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、以下の化合物ＨＭ−２、化合物ＣＭ２２及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−２／化合物ＣＭ２２／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。化合物ＨＭ−２は、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入したものを用いた。【０５８５】
【化１５３】
2017146083.tif 000160
【０５８６】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０５８７】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１２を作製した。【０５８８】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は９．８８％であった。結果を表６に示す。【０５８９】
＜比較例ＣＤ５＞  発光素子ＣＤ５の作製及び評価
実施例Ｄ１２の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ２に代えて、高分子化合物Ｐ８を用いた以外は、実施例Ｄ１２と同様にして、発光素子ＣＤ５を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は２．４５％であった。結果を表６に示す。【０５９０】
【表６】
2017146083.tif 000161
【０５９１】
＜実施例Ｄ１３＞  発光素子Ｄ１３の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０５９２】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０５９３】
（第１の発光層の形成）
クロロベンゼンに、化合物ＨＭ−１、ＦＩｒｐｉｃ及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／ＦＩｒｐｉｃ／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。ＦＩｒｐｉｃは、Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社より購入したものを用いた。【０５９４】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０５９５】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１３を作製した。【０５９６】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１３．５％であった。結果を表７に示す。【０５９７】
＜比較例ＣＤ６＞  発光素子ＣＤ６の作製及び評価
実施例Ｄ１３の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ７を用いた以外は、実施例Ｄ１３と同様にして、発光素子ＣＤ６を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は７．０２％であった。結果を表７に示す。【０５９８】
【表７】
2017146083.tif 000162
【０５９９】
＜実施例Ｄ１４＞  発光素子Ｄ１４の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６００】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６０１】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、以下の化合物ＨＭ−１、化合物ＣＭ２３及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２３／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６０２】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６０３】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１４を作製した。【０６０４】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．７％であった。結果を表８に示す。【０６０５】
＜比較例ＣＤ７＞  発光素子ＣＤ７の作製及び評価
実施例Ｄ１４の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１に代えて、高分子化合物Ｐ２を用いた以外は、実施例Ｄ１４と同様にして、発光素子ＣＤ７を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１３．３％であった。結果を表８に示す。【０６０６】
【表８】
2017146083.tif 000163
【０６０７】
＜実施例Ｄ１５＞  発光素子Ｄ１５の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６０８】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ２を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６０９】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、以下の化合物ＨＭ−１、化合物ＣＭ２４及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２４／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６１０】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６１１】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１５を作製した。【０６１２】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．２％であった。結果を表９に示す。【０６１３】
＜実施例Ｄ１６＞  発光素子Ｄ１６の作製及び評価
実施例Ｄ１５の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ２に代えて、高分子化合物Ｐ３を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１６を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１９．８％であった。結果を表９に示す。【０６１４】
＜実施例Ｄ１７＞  発光素子Ｄ１７の作製及び評価
実施例Ｄ１５の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ２に代えて、高分子化合物Ｐ４を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１７を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．８％であった。結果を表９に示す。【０６１５】
＜比較例ＣＤ８＞  発光素子ＣＤ８の作製及び評価
実施例Ｄ１５の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ２に代えて、高分子化合物Ｐ８を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子ＣＤ８を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．０％であった。結果を表９に示す。【０６１６】
【表９】
2017146083.tif 000164
【０６１７】
＜実施例Ｄ１８＞  発光素子Ｄ１８の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６１８】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１３を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６１９】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１、化合物ＣＭ２２及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２２／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６２０】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６２１】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１８を作製した。【０６２２】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１５．６％であった。結果を表１０に示す。【０６２３】
＜実施例Ｄ１９＞  発光素子Ｄ１９の作製及び評価
実施例Ｄ１８の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１３に代えて、高分子化合物Ｐ１４を用いた以外は、実施例Ｄ１８と同様にして、発光素子Ｄ１９を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．１％であった。結果を表１０に示す。【０６２４】
＜比較例ＣＤ９＞  発光素子ＣＤ９の作製及び評価
実施例Ｄ１８の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１３に代えて、高分子化合物Ｐ１８を用いた以外は、実施例Ｄ１８と同様にして、発光素子ＣＤ９を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は９．９％であった。結果を表１０に示す。【０６２５】
＜比較例ＣＤ１０＞  発光素子ＣＤ１０の作製及び評価
実施例Ｄ１８の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１３に代えて、高分子化合物Ｐ１９を用いた以外は、実施例Ｄ１８と同様にして、発光素子ＣＤ１０を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は９．９％であった。結果を表１０に示す。【０６２６】
【表１０】
2017146083.tif 000165
【０６２７】
＜実施例Ｄ２０＞  発光素子Ｄ２０の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６２８】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１５を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６２９】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１、化合物ＣＭ２２及び化合物ＣＭ２１（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２２／化合物ＣＭ２１＝７４質量％／２５質量％／１質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６３０】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６３１】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ２０を作製した。【０６３２】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ２０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１６．６％であった。結果を表１１に示す。【０６３３】
＜比較例ＣＤ１１＞  発光素子ＣＤ１１の作製及び評価
実施例Ｄ１８の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１５に代えて、高分子化合物Ｐ２０を用いた以外は、実施例Ｄ２０と同様にして、発光素子ＣＤ１１を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１１．４％であった。結果を表１１に示す。【０６３４】
【表１１】
2017146083.tif 000166
【０６３５】
＜実施例Ｄ２１＞  発光素子Ｄ２１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６３６】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１６を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６３７】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１及び化合物ＣＭ２２（化合物ＨＭ−１／化合物ＣＭ２２＝７５質量％／２５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６３８】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６３９】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ２１を作製した。【０６４０】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ２１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１８．６％であった。結果を表１２に示す。【０６４１】
＜実施例Ｄ２２＞  発光素子Ｄ２２の作製及び評価
実施例Ｄ２１の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１６に代えて、高分子化合物Ｐ１７及び化合物ＣＭ３０（高分子化合物Ｐ１７／化合物ＣＭ３０＝９０質量％／１０質量％）用いた以外は、実施例Ｄ２１と同様にして、発光素子Ｄ２２を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は１０．１％であった。結果を表１２に示す。【０６４２】
＜比較例ＣＤ１２＞  発光素子ＣＤ１２の作製及び評価
実施例Ｄ２１の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１６に代えて、高分子化合物Ｐ２１及び化合物ＣＭ３０（高分子化合物Ｐ２１／化合物ＣＭ３０＝９０質量％／１０質量％）用いた以外は、実施例Ｄ２１と同様にして、発光素子ＣＤ１２を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は７．３％であった。結果を表１２に示す。【０６４３】
【表１２】
2017146083.tif 000167
【０６４４】
＜実施例Ｄ２３＞  発光素子Ｄ２３の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、正孔注入材料であるＮＤ−３２０２（日産化学工業株式会社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、ホットプレート上で５０℃、３分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレート上で２３０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０６４５】
（第２の発光層の形成）
キシレンに、高分子化合物Ｐ１６を０．７質量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより第２の発光層を形成した。【０６４６】
（第１の発光層の形成）
トルエンに、化合物ＨＭ−１及びＦＩｒｐｉｃ（化合物ＨＭ−１／ＦＩｒｐｉｃ＝７５質量％／２５質量％）を２質量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、第２の発光層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより第１の発光層を形成した。【０６４７】
（電子輸送層の形成）
２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物Ｐ１２を０．２５質量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、第１の発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱させることにより電子輸送層を形成した。【０６４８】
（陰極の形成）
電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約４ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ２３を作製した。【０６４９】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ２３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は９．５％であった。結果を表１３に示す。【０６５０】
＜実施例Ｄ２４＞  発光素子Ｄ２４の作製及び評価
実施例Ｄ２１の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１６に代えて、高分子化合物Ｐ１７及び化合物ＣＭ３０（高分子化合物Ｐ１７／化合物ＣＭ３０＝９０質量％／１０質量％）用いた以外は、実施例Ｄ２３と同様にして、発光素子Ｄ２４を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は５．９％であった。結果を表１３に示す。【０６５１】
＜比較例ＣＤ１３＞  発光素子ＣＤ１３の作製及び評価
実施例Ｄ２３の（第２の発光層の形成）において、高分子化合物Ｐ１６に代えて、高分子化合物Ｐ２１及び化合物ＣＭ３０（高分子化合物Ｐ２１／化合物ＣＭ３０＝９０質量％／１０質量％）用いた以外は、実施例Ｄ２３と同様にして、発光素子ＣＤ１３を作製し、電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率は２．４％であった。結果を表１３に示す。【０６５２】
【表１３】
2017146083.tif 000168
【産業上の利用可能性】
【０６５３】
本発明の実施形態によれば、外部量子効率に優れる発光素子を提供することができる。また、本発明の実施形態によれば、外部量子収率に優れる発光素子の製造に有用な高分子化合物を提供することができる。
【国際調査報告】
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2017146083.tif 000189
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