【事件の表示】
　特許第５８１８１２５号発明「測定方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８１８１２５号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正することを認める。
　特許第５８１８１２５号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８１８１２５号の請求項１〜５に係る特許についての出願は、平成２２年１月１５日に特許出願され、平成２７年１０月９日に特許の設定登録がされ、その後、その本件特許の請求項１〜５に係る特許に対し、特許異議申立人　大塚電子株式会社により特許異議の申立てがされ、平成２８年７月２８日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である同年９月２７日付けで意見書の提出及び訂正の請求がされ、同年１１月１１日付けで特許異議申立人　大塚電子株式会社から意見書が提出され、同年１２月６日付けで取消理由（決定の予告）がされ、その指定期間内である平成２９年２月７日付けで意見書の提出及び訂正の請求がされ、同年３月２４日付けで特許異議申立人　大塚電子株式会社から意見書が提出されたものである。
第２　訂正請求について（下線部は訂正箇所を示す。）
１　本件訂正請求の内容
　特許権者は、以下の訂正事項１〜３により特定されるとおり請求項１〜５からなる一群の請求項に係る訂正を請求する。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「表面改質処理された後の対象物に紫外線を照射するステップと、
前記対象物の前記表面改質処理により生じた物質に起因する蛍光を検出するステップと、
検出された蛍光の強度から前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を出力するステップとを備える、測定方法。」とあるのを、「
対象物を順次搬送するステップと、
　
上記対象物に対してプラズマ処理又はコロナ処理を用いて表面改質処理を行うステップと、
　表面改質処理された後の対象物に紫外線を照射するステップと、
　前記対象物の前記表面改質処理により生じた物質に起因する蛍光を検出するステップと、
検出された蛍光の強度から前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を出力するステップと
、
　
予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
　
上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップとを備え、
　
前記紫外線を発生させるためのUV発生素子又は紫外線ランプと、前記対象物との間にダイクロイックミラーが配設されており、前記紫外線をその伝搬方向を維持したまま前記ダイクロイックミラーを透過させた後に前記対象物に照射させている一方、前記対象物で生じ且つダイクロイックミラーに入射した前記蛍光の伝搬方向を前記ダイクロイックミラーによって変更し、前記紫外線と前記蛍光とを分離する
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３において、「前記対象物に対して前記表面改質処理を行うステップをさらに備え、」という構成要件を削除する。
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項５において、「前記対象物を順次搬送するステップをさらに備え、」という構成要件を削除する。
　
２　新規事項の有無、訂正の目的の適否、一群の請求項及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）請求項１について
　上記訂正事項１を便宜上以下のように、訂正事項１−１〜訂正事項１−５と分割して検討する。
ア　訂正事項１−１：「
対象物を順次搬送するステップと、
イ　訂正事項１−２：「
上記対象物に対してプラズマ処理又はコロナ処理を用いて表面改質処理を行うステップと、
ウ　訂正事項１−３：「
、予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
エ　訂正事項１−４：「
上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップと
オ　訂正事項１−５：「
、前記紫外線を発生させるためのUV発生素子又は紫外線ランプと、前記対象物との間にダイクロイックミラーが配設されており、前記紫外線をその伝搬方向を維持したまま前記ダイクロイックミラーを透過させた後に前記対象物に照射させている一方、前記対象物で生じ且つダイクロイックミラーに入射した前記蛍光の伝搬方向を前記ダイクロイックミラーによって変更し、前記紫外線と前記蛍光とを分離す
ア　訂正事項１−１については、特許明細書に「【０１４５】 ・・・対象物ＯＢＪは、・・・紙面右方向から左方向へ順次搬送される。」と記載されており、新規事項ではなく、発明特定事項を直列的に加える訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
イ　訂正事項１−２については、特許明細書に「【０１４３】  ［Ｆ．適用例］  ・・・表面改質処理（プラズマ処理やコロナ処理）での各種条件を動的に調整するようにしてもよい。」と記載されており、新規事項ではなく、発明特定事項を直列的に加える訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
ウ　訂正事項１−３については、特許明細書に「【０１５７】 たとえば、過去の５回分のぬれ性を示す値の平均値が所定のしきい値より小さければ、すなわち、算出された接触角の値が所定値より大きければ、ぬれ性が悪化していると判断し、・・・」と記載されており、新規事項ではなく、発明特定事項を直列的に加える訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
エ　訂正事項１−４については、特許明細書に「【０１５６】  そして、ステップＳ３０８において、取得した表面改質プロセスの傾向に基づいて、調整すべきパラメータの種類および／またはパラメータの変更量を決定する。たとえば、図２０に示すような表面改質処理としてプラズマ処理を採用する場合には、（ａ）対象物ＯＢＪの搬送速度（すなわち、処理時間）、（ｂ）気体混合比、（ｃ）気体流量、（ｄ）高周波電源の電源電圧、（ｅ）高周波電源の周波数などが調整対象のパラメータとなる。また、表面改質処理としてコロナ処理を採用する場合には、（ｆ）コロナ処理の時間、（ｇ）コロナ発生の電圧値、（ｈ）対象物の搬送速度などが調整対象のパラメータとなる。」と記載され、「【０１５８】 そして、ステップＳ３１０において、決定したパラメータを決定した変更量だけ変更する。その後、ステップＳ３００における処理が繰返される。」と記載されており、新規事項ではなく、発明特定事項を直列的に加える訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
オ　訂正事項１−５については、特許明細書に「【００５４】・・・照射測定ヘッド部１０４は、紫外線を発生するためのＵＶ発光素子２２と、ダイクロイックミラー２４と、集光レンズ３８と、対象物ＯＢＪからの蛍光を検出するためのフォトダイオード２８とを含む。」と記載され、「【００５５】・・・ＵＶ発光素子２２に代えて、紫外線ランプなどを用いてもよい。」と記載され、「【００６０】・・・照射測定ヘッド部１０４においては、ダイクロイックミラー２４が対象物ＯＢＪから受けた蛍光の伝搬方向を変更することで、同一の光軸Ａｘ１上を伝搬する励起用の紫外線と検出対象の蛍光とを分離することができる。そのため、対象物ＯＢＪから発生する微弱な蛍光であっても、確実に検出できる。」と記載されており、新規事項ではなく、発明特定事項を直列的に加える訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とする。
カ　請求項１の小括　
　訂正事項１は、上記ア〜オで検討したとおり、新規事項ではなく、特許請求の範囲の減縮を目的とするからし、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）請求項３について
　訂正事項２は、訂正事項１−２において、請求項１に「上記対象物に対してプラズマ処理又はコロナ処理を用いて表面改質処理を行うステップと、」を付加したことに伴い、構成要件が重複することを回避するための訂正であって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、新規事項ではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）請求項５について
　訂正事項３は、訂正事項１−１において、請求項１に「対象物を順次搬送するステップと、」を付加したことに伴い、構成要件が重複することを回避するための訂正であって、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、新規事項ではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）一群の請求項について
　訂正事項１は，訂正前の請求項１を訂正するものであるが、訂正前の請求項１を訂正前の請求項２〜５が引用しているから、訂正前の請求項１〜５は一群の請求項である。
　したがって、訂正事項１〜３は一群の請求項に対する訂正である。
（５）小括
　したがって、上記訂正請求による訂正事項１〜３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号又は第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項で準用する同法第１２６条第５項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正を認める。
第３　本件特許発明について
　上記「第２　訂正請求について」で述べたとおり、本件訂正は認められることとなったから、請求項１〜５に係る発明(以下、それぞれの発明を「本件特許発明１」などという。)は、次の事項により特定される発明であると認める。
【請求項１】
　
対象物を順次搬送するステップと、
　
上記対象物に対してプラズマ処理又はコロナ処理を用いて表面改質処理を行うステップと、
　表面改質処理された後の対象物に紫外線を照射するステップと、
　前記対象物の前記表面改質処理により生じた物質に起因する蛍光を検出するステップと、
検出された蛍光の強度から前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を出力するステップと
、
　
予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
　
上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップとを備え、
　
前記紫外線を発生させるためのUV発生素子又は紫外線ランプと、前記対象物との間にダイクロイックミラーが配設されており、前記紫外線をその伝搬方向を維持したまま前記ダイクロイックミラーを透過させた後に前記対象物に照射させている一方、前記対象物で生じ且つダイクロイックミラーに入射した前記蛍光の伝搬方向を前記ダイクロイックミラーによって変更し、前記紫外線と前記蛍光とを分離する
【請求項２】
　前記出力するステップは、
　　予め前記対象物の種類の別に取得された対応関係に従って、検出された蛍光の強度に対応する接触角を算出するステップと、
　　算出された接触角を出力するステップとを含む、請求項１に記載の測定方法。
【請求項３】
　　前記出力するステップは、
　　前記表面改質処理を行う前において前記対象物で生じる蛍光を検出した結果と、前記表面改質処理を行った後において前記対象物で生じる蛍光を検出した結果との差に基づいて、前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を算出するステップを含む、請求項１または２に記載の測定方法。
【請求項４】
　前記表面改質処理は、前記対象物の表面に、カルボキシル基およびカルボニル基の少なくとも一方を生じる処理を含む、請求項３に記載の測定方法。
【請求項５】
　前記対象物の搬送経路の上流側で前記表面改質処理がなされた後に、前記対象物の搬送経路の下流側で前記紫外線を照射するステップおよび前記蛍光を検出するステップが実行される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の測定方法。
第４　特許異議申立、取消理由（決定の予告）及び証拠方法について
　
１　特許異議申立人の提出した証拠方法
　特許異議申立人は、以下の証拠方法を提出した(以下、甲第Ｎ号証を「甲Ｎ」と呼び、平成２８年１１月１１日付けで特許異議申立人　大塚電子株式会社から提出された１回目の意見書の参考資料Ｎを「参１−Ｎ」と呼び、平成２９年３月２４日付けで特許異議申立人　大塚電子株式会社から提出された２回目の意見書の参考資料Ｎを「参２−Ｎ」と呼ぶ）。その証拠の中で「取消理由」で用いた証拠には、引用文献Ｎを「取引Ｎ」と呼び、「取消理由（決定の予告）」（以下、「予告」と呼ぶ。）で用いた証拠には、引用文献Ｎを「引Ｎ」と呼び、併記した。
甲１（取引１）（引１）：八木誠人 他，高分子材料の放電プラズマ表面改質におけるフォトルミネセンスによるその場検出への応用，電気学会論文集Ａ，２０００年，Vol.120 No.11，pp.994-999 、写し
甲２（取引２）（引２）：Jun Li et al.，Chemical Modification of a Poly(ethylene terephthalate) Surface by the Selective Alkylation of Acid Salts，Macromol.Chem.Phys.，２００２年，Vol.203 No.17，pp.2470-2474 、写し及び訳文
甲３：新高分子実験学　第１０巻　高分子の物性（３）−表面・界面と膜・輸送−，１９９５年３月発行，pp.3-34、写し
甲４：Journal of Polymer Science,１９７９年，Vol.17 ，pp.957-976 、写し及び抄訳
甲５：Journal of Applied Polymer Science,１９９９年，Vol.72，pp.1327-1333 、写し及び抄訳
甲６：Surface and Coatings Technology,２００８年，Vol.202，pp.4218-4226 、写し及び抄訳
参１−１（引３）：特開２０００−２０６４１２号公報
参１−２（引４）：特開２００９−０７４９２７号公報
参１−３（引５）：特開２００９−２８８０８７号公報
参２−１：特開２００８−０７１６８４号公報
参２−２：特開２００２−３５６７８０号公報
参２−３：特開２００３−１８３８３６号公報
参２−４：特開２００４−１０７６９０号公報
参２−５：特開２００７−２５６００２号公報
参２−６：特開２００４−１３４１５４号公報
参２−７：特開２００９−０６９２４２号公報
参２−８：特開２００９−２１４３３２号公報
２　特許異議申立理由、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）
　特許異議申立理由には（異議）と、「取消理由」で用いた理由には（取消）と、「取消理由」（決定の予告）で用いた理由には（予告）とそれぞれ併記した。
　
（１）特許異議申立理由１（特許法第３６条第６項第２号違反：申立書４〜８頁「・特許法第３６条第２号」の各項、申立書４４頁「（５）むすび　ア」の項）
ア　請求項１、３について
　請求項１の「ぬれ性を示す値」の外縁が不明確である。
　したがって、本件特許発明１、３は不明確である。（異議）
イ　請求項２について
　請求項２の「予め前記対象物の種類の別に取得された対応関係」とは、対象物の種類が複数の場合のみを含むのか、１つの場合まで含むのかが不明確である。
　したがって、本件特許発明２は不明確である。（異議）
ウ　請求項４、５について
　請求項４は請求項３を引用している。
  請求項５は請求項１ないし３の何れかを引用している。
　したがって、本件特許発明４、５は不明確である。（異議）
（２）特許異議申立理由２、及び、取消理由（特許法第２９条第１項第３号：申立書４４〜４５頁「（５）むすび　イ」の項）
ア　請求項１について
　本件特許発明１は、甲１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）（取消）
　本件特許発明１は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）（取消）
イ　請求項２について
　本件特許発明２は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）
　
ウ　請求項３について
　本件特許発明３は、甲１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）（取消）
　本件特許発明３は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）
エ　請求項４について
　本件特許発明４は、甲１発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）（取消）
　本件特許発明４は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（取消）
オ　請求項５について
　本件特許発明５は、甲２発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定に該当し、特許を受けることができないものである。（異議）
（３）特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）（特許法第２９条第２項違反：申立書４５頁「（５）むすび　ウ」の項）
ア　請求項１について
　本件特許発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
イ　請求項２について
　本件特許発明２は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　本件特許発明２は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　
ウ　請求項３について
　本件特許発明３は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　本件特許発明３は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
エ　請求項４について
　本件特許発明４は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　本件特許発明４は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（取消）（予告)
オ　請求項５について
　本件特許発明５は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告)
　本件特許発明５は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。（異議）（取消）（予告）
　
第５　特許法第３６条第６項第２号に関する特許異議申立理由１についての判断
１　本件特許発明１、３について
　「ぬれ性」の概念は明らかであり、一般的な技術用語として理解できる。そして、「ぬれ性を示す値」は測定方法で異なるが、用いる測定方法に応じて理解できるので、「ぬれ性を示す値」は概念として明確である。
　したがって、本件特許発明１、３は明確である。
２　本件特許発明２について
　「予め前記対象物の種類の別に取得された対応関係」はそのまま技術的概念が理解できるから概念として明確である。
　したがって、本件特許発明２は明確である。
３　本件特許発明４、５について
　本件特許発明４、５は、引用している本件特許発明１〜３が明確であるから明確である。
４　小括
　以上のとおりであるから、特許異議申立書に記載された特許異議申立理由１によっては、本件請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
第６　特許法第２９条に関する取消理由（決定の予告）、取消理由、及び特許異議申立理由２、３についての判断
１　甲号証の記載
（１）甲１記載の事項
　
　本願の優先権主張日前に頒布された甲１には、次の事項が記載されている。
　
ア　「高分子材料の放電プラズマ表面改質におけるフォトルミネセンスによるその場検出への応用」（論文タイトル） 
  
 イ　「プラズマ反応を応用した技術が、工業上あるいは環境対策上様々な分野で利用されている。プラズマ中に置かれた高分子材料表面では、材料表面でスパッタエッチングなどの物理反応あるいは極性基の形成や架橋反応による不飽和結合の形成などの化学反応が生じる。このような反応を利用して、高分子材料の表面に親水性を付与したり、濡れ性や接着性を向上させることができる。しかし気体プラズマを用いた表面改質には未だ科学的に解明されていない部分が多い。」（第９９４頁左欄第３行〜第１０行） 
  
 ウ　「一方、表面改質の研究において、表面に存在する組成や化学結合状態の変化と種類を把握する必要がある。とりわけ極性基の種類と量を検出することは、表面の状態を制御するのに有効である。つまり材料の表面数原子層に導入された極性基をその場で検出することが簡便にできれば有益である。改質された表面の組成や化学結合を調べる手法としては分光学的手法による解析が一般的で、XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)、FT-IR (FourierTransform Infrared Spectroscopy)、SIMS (Secondary Ion-Mass Spectroscopy) などが利用されている。しかしこれら分析方法では、その場での検出方法として以下の点から困難あるいは大掛かりな装置となることが多い。XPSやSIMSは数nm程度の極表面を分析する方法として適しているが、荷電粒子を信号として捉えること、動作気圧条件が低いことから、放電処理中に分析することは困難である。」（第９９４頁右欄第４行〜第９９５頁左欄第２行） 
  
 エ　「そこで、高分子材料のフォトルミネセンスに着目した。フォトルミネセンスは種々の光刺激によっておきる物質の蛍光現象であり、光エネルギーによって励起された電子が脱励起する際に光エネルギーを放つものである。一般的には蛍光体と呼ばれる物質にフォトルミネセンスが認められる。高分子材料においてもフォトルミネセンスが観測され、表面改質によって極性基が導入されることにより蛍光スペクトルが変化することが考えられる。そこで著者らは、フォトルミネセンスが高分子材料を放電で処理する際のその場検出に適用できるかを検討する。中でも高分子材料のフォトルミネセンスが、放電プラズマで処理される時に導入される極性基の種類を反映するか否かを確認し、フォトルミネセンスをその場検出法に用いる可能性を検討する。」（第９９５頁左欄第６行〜第１９行） 
  
 オ　「上述した表面改質において高分子材料表面を活性化する際、水酸基やカルボニル基など酸素を含む極性基が表面に導入されている。そこでフォトルミネセンスが観測される材料において、処理で表面の組成や結合が変化することにより、それに伴う電子状態の変化から蛍光スペクトルにも変化が現れることが期待できる。フォトルミネセンスはその場で検出することも可能であり、FT-IR法に比べれば極表面の状態に敏感であると考えられる。しかし紫外光もバルク内まで侵入してしまう。そこでフォトルミネセンスをその場検出に適用することを検討する為には、蛍光スペクトルの変化を捉え、その変化が表面に導入された極性基に対応していることを確認する必要がある。具体的には、蛍光スペクトルの変化とXPSによる分析結果とを比較し、検出対象とする極性基の処理時間に対する表面状態の変化を対応させる。」（第９９５頁左欄第３１行〜右欄第１３行） 
  
 カ　「実験では高分子フィルムの表面処理を行い、処理後に紫外光を照射したときの蛍光を観測し、さらにXPSを用いて表面分析を行う。試料にはポリスチレンPS(図1)を用いた。ポリスチレンはフォトルミネセンスが強く観測され、中でもその構造が炭素と水素だけで構成されるため、XPSによる分析において導入された新しい結合の検出が容易であると考えた。特に過去の経験で、処理により多くの酸素を含む結合が導入されることから、酸素含有の結合を検出する上で有効と判断した。」（第９９５頁右欄第１４行〜第２３行） 
  
 キ　「フォトルミネセンスの観測は、処理された試料に励起光を照射し、その時の試料の蛍光スペクトルを観測する。光学系の配置を図3に示す。光源から試料、試料から分光器の入射スリットまでの距離は、それぞれ5.0cmと7.0cmである。光源の反射光が直接測定されないように、光源からの光は試料に対して垂直になるように照射した。」（第９９６頁左欄第６行〜第１２行） 
  
 ク　「励起光として低圧水銀ランプ(浜松フォトニクス社製L937-02)にバンドパスフィルタ(中心波長250±2nm、半値幅10±2nm、ピーク波長透過率12%、CORION社製)を通すことにより、水銀光の254nmの線スペクトルを照射することにした。」（第９９６頁左欄第１７行〜第２１行） 
  
 ケ　「試料からの蛍光は、分光器を通して光電子増倍管(浜松フォトニクス社製R585)で受光し、フォトンカウンティング法により計測した。蛍光強度の単位は[cps](count/sec)である。」（第９９６頁右欄第２行〜第４行） 
  
 コ　「ポリスチレンに254nmの紫外光を照射したときのフォトルミネセンスの蛍光スペクトルを図5(a)に示す。」（第９９６頁右欄第２７行〜第２９行） 
  
 サ　「図5(a)には、処理後のスペクトルを重ねて示してある。2つのスペクトルを比較すると、320nm付近のピーク位置は一致するが、処理後には400nm付近に肩が現れている。そこで処理後のスペクトルから処理前のスペクトルの形を変えずに、ピーク強度を一致させた曲線との差を求めたものを、同図(b)に示す。これは、XPS分析より、処理による変化は化学結合の導入が主であることから、ベンゼン環に由来する電子準位が化学結合の生成により、わずかに変化し、320nm付近のピークが減少した分400nm付近のスペクトルを生じたものと判断したためである。 
 　新しく現れたスペクトルの面積の変化を、処理時間に対して示したのが図6である。ここの縦軸で示す「蛍光強度」は、新しく現れたスペクトルにおける発光強度を波長に対して積分した面積であるが、波長を走査させて測定しているので、ここでは単位を[count]と表記する。この強度は全体の蛍光スペクトルの面積に対して5%程度である。 
 　処理によって新しく現れたスペクトルの蛍光強度は20分程度までの増加後、長時間までゆっくりと増加しているのが分かる。処理を開始した後急激に増加して飽和の傾向を示すのは、表面処理などの極性基導入における飽和傾向と同様である。」（第９９６頁右欄第３４行〜第９９７頁左欄第７行） 
  
 シ　「以上より、フォトルミネセンスが放電プラズマで処理された高分子材料に導入される極性基のその場検出法としての有効性が示されたと考える。」（第９９９頁左欄第２９行〜第３１行） 
（２）甲２〜甲６記載の事項
　甲２には「プラズマ処理、放射線処理、グラフと重合などの高分子材料表面の改質」に関する技術事項が記載されている。
　甲３、４には、「ＸＰＳ検出強度が表面の極性基の量に相当する」技術事項が記載されている。
  甲２、５、６には、「接触角がぬれ性を示す代表的な指標である」技術事項が記載されている。
（３）参１−１〜参１−３記載の事項
　参１−１には「顕微鏡」に関する技術事項が記載されている。
　参１−２には「紫外線照射装置およびそれを備える紫外線照射システム」に関する技術事項が記載されている。
　参１−３には「創薬スクリーニング装置」に関する技術事項が記載されている。
（４）参２−１〜参２−８記載の事項
　参２−１には「ワーク処理装置」に関する技術事項が記載されている。
　参２−２には「常圧プラズマ処理法における膜厚制御方法」に関する技術事項が記載されている。
　参２−３には「大気圧プラズマ放電薄膜形成方法、光学フィルム、反射防止フィルム及び画像表示素子」に関する技術事項が記載されている。
　参２−４には「光学薄膜の形成方法、反射防止フィルムの製造方法及び反射防止フィルム」に関する技術事項が記載されている。
　参２−５には「フィルム状基板用の放射温度計と表面温度測定方法、並びに成膜装置及び成膜方法」に関する技術事項が記載されている。
　参２−６には「有機ＥＬ素子の製造方法及び製造装置」に関する技術事項が記載されている。
　参２−７には「グリッド偏光フィルムの製造方法」に関する技術事項が記載されている。
　参２−８には「樹脂シートの製造方法および樹脂シートの製造装置」に関する技術事項が記載されている。
２　甲１記載の発明
（１）上記（１）ア〜セの記載事項を含む甲１の記載を総合すると、上記甲１には、次の発明が記載されていると認められる。
「高分子材料の放電プラズマ表面改質におけるフォトルミネセンスによるその場検出法であって、 
 　プラズマ中に置かれた高分子材料表面で、スパッタエッチングなどの物理反応あるいは極性基の形成や架橋反応による不飽和結合の形成などの化学反応を生じ、このような反応を利用して、高分子材料の表面に親水性を付与したり、濡れ性や接着性を向上させる、プラズマを用いた表面改質の処理を行い、上述した表面改質において高分子材料表面を活性化する際、水酸基やカルボニル基など酸素を含む極性基が表面に導入され、 
 　処理された試料に励起光を照射し、その時の試料の蛍光スペクトルを観測し、放電プラズマで処理される時に導入される極性基の種類を反映するか否かを確認するものであり、 
 　フォトルミネセンスの観測のための光学系は、バンドパスフィルタを通すことにより254nmの線スペクトルを照射する励起光としての低圧水銀ランプと、試料からの蛍光を分光器を通して計測する光電子増倍管であり、254nmの紫外光を照射したときのフォトルミネセンスの蛍光スペクトルを観測するものであり、 
 　処理後のスペクトルから処理前のスペクトルの形を変えずに、ピーク強度を一致させた曲線との差を求め、処理による変化は化学結合の導入が主であることから、320nm付近のピークが減少した分400nm付近のスペクトルを生じたものと判断し、新しく現れたスペクトルの面積の変化を、処理時間に対して示し、処理によって新しく現れたスペクトルの蛍光強度は20分程度までの増加後、長時間までゆっくりと増加し、処理を開始した後急激に増加して飽和の傾向を示すのは、表面処理などの極性基導入における飽和傾向と同様である、 
 　その場検出法。」
（以下、「甲１発明」という。）
　
３　本件特許発明１との対比・判断
（１）対比
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明が少なくとも「予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
　上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップと」を備えていない点（以下、「相違点」という。）で相違する。
（２）判断
　「予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
　上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップと」は甲２〜甲６、参１−１〜参１−３、参２−１〜参２−８のいずれにも記載されていないし、示唆もされていない、また、周知の技術であるともいえない。
　そうすると、本件特許発明１は、甲１発明から当業者が容易に想到するものとはいえない。
（３）本件特許発明１と甲２発明との対比・判断
　本件特許発明１と甲２発明とを対比すると、上記「（１）対比」に記載した「相違点」で少なくとも相違し、その判断は上記「（２）判断」で示したとおりである。
　そうすると、本件特許発明１は、甲２発明から当業者が容易に想到するものとはいえない。
（４）本件特許発明１の小括
　以上のとおりであるから、本件特許発明１は、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　したがって、本件特許発明１は、甲１発明であるともいえないし、甲２発明であるともいえないことは明らかである。
　よって、特許法第２９条第１項第３号に関する特許異議申立理由２、及び、取消理由によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、特許法第２９条第２項に関する特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）によっては、本件請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
４　本件特許発明２〜５について
　本件特許発明２〜５は、本件特許発明１を限定した発明である。
　そうすると、本件特許発明１が、甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえないのであるから、本件特許発明２〜５も甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないし、本件特許発明１は、甲２発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともいえない。
　したがって、本件特許発明２〜５は、甲１発明であるともいえないし、甲２発明であるともいえないことは明らかである。
（１）本件特許発明２について
　よって、特許法第２９条第１項第３号に関する特許異議申立理由２によっては、本件請求項２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、特許法第２９条第２項に関する特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）によっては、本件請求項２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
（２）本件特許発明３について
　よって、特許法第２９条第１項第３号に関する特許異議申立理由２、及び、取消理由によっては、本件請求項３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、特許法第２９条第２項に関する特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）によっては、本件請求項３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
（３）本件特許発明４について
　よって、特許法第２９条第１項第３号に関する特許異議申立理由２、及び、取消理由によっては、本件請求項４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、特許法第２９条第２項に関する特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）によっては、本件請求項４に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
（４）本件特許発明５について
　よって、特許法第２９条第１項第３号に関する特許異議申立理由２によっては、本件請求項５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、特許法第２９条第２項に関する特許異議申立理由３、取消理由、及び、取消理由（決定の予告）によっては、本件請求項５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
第７　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由、取消理由通知に記載した取消理由、及び特許異議申立書に記載された特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　また、他に本件請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年５月１９日（２０１７．５．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　
対象物を順次搬送するステップと、
　
上記対象物に対してプラズマ処理又はコロナ処理を用いて表面改質処理を行うステップと、
　表面改質処理された後の対象物に紫外線を照射するステップと、
　前記対象物の前記表面改質処理により生じた物質に起因する蛍光を検出するステップと、
　検出された蛍光の強度から前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を出力するステップと
、
　
予め定められた規定数の対象物のぬれ性を示す値の平均値と所定のしきい値とを比較し、対象物に対する表面改質の度合いが過剰であるか又は表面改質の度合いが不足しているかという対象物の表面改質プロセスでの変動の傾向を取得するステップと、
　
上記取得した表面改質プロセスの変動の傾向に基づいて、上記表面改質処理が上記プラズマ処理である場合には、上記対象物の処理時間、気体混合比、気体流量、高周波電源の電源電圧及び高周波電源の周波数からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記表面改質処理が上記コロナ処理である場合には、コロナ処理の時間、コロナ発生の電圧値及び上記対象物の搬送速度からなる調整対象のパラメータの中から調整対象となるパラメータを決定し、上記決定したパラメータを決定した変更量だけ変更して上記表面改質プロセスで生じる変動を抑制するように調整するステップとを備え、
　
前記紫外線を発生させるためのＵＶ発生素子又は紫外線ランプと、前記対象物との間にダイクロイックミラーが配設されており、前記紫外線をその伝搬方向を維持したまま前記ダイクロイックミラーを透過させた後に前記対象物に照射させている一方、前記対象物で生じ且つダイクロイックミラーに入射した前記蛍光の伝搬方向を前記ダイクロイックミラーによって変更し、前記紫外線と前記蛍光とを分離する
　【請求項２】
　前記出力するステップは、
　予め前記対象物の種類の別に取得された対応関係に従って、検出された蛍光の強度に対応する接触角を算出するステップと、
　算出された接触角を出力するステップとを含む、請求項１に記載の測定方法。
　【請求項３】
　前記出力するステップは、
　前記表面改質処理を行う前において前記対象物で生じる蛍光を検出した結果と、前記表面改質処理を行った後において前記対象物で生じる蛍光を検出した結果との差に基づいて、前記対象物の表面におけるぬれ性を示す値を算出するステップを含む、請求項１または２に記載の測定方法。
　【請求項４】
　前記表面改質処理は、前記対象物の表面に、カルボキシル基およびカルボニル基の少なくとも一方を生じる処理を含む、請求項３に記載の測定方法。
　【請求項５】
　前記対象物の搬送経路の上流側で前記表面改質処理がなされた後に、前記対象物の搬送経路の下流側で前記紫外線を照射するステップおよび前記蛍光を検出するステップが実行される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の測定方法。