(57)【要約】      （修正有）【課題】加工機の加工位置を正確に定位するマークを備えたＥＵＶポッドを提供する。【解決手段】マークを備えたＥＵＶポッド（ＥＵＶ  Ｐｏｄ）であって、ポッド体、少なくとも１個のマーク２０を備える。少なくとも１個のマーク２０はポッド体に設置する。加工機の少なくとも１個のセンサーを利用し、少なくとも１個のマーク２０を識別する。マーク２０を備えたＥＵＶポッドは、少なくとも１個のマーク２０の設置を通して、少なくとも１個のセンサーに識別されるポッド体の少なくとも１個のエリアの表面ラフ度を改変する。少なくとも１個のセンサーにより光線をポッド体へと発し、ポッド体は光線を少なくとも１個のセンサーへと反射し、少なくとも１個のセンサーは、ポッド体が反射する光線を受け取り、反射後の光線が生じる電圧が、マーク２０の反射範囲内に位置するか否かを判断し、少なくとも１個のセンサーが少なくとも１個のマーク２０に対応しているかどうかを確認する。【選択図】図１Ｂ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
マークを備えたＥＵＶポッドであって、ポッド体、少なくとも１個のマークを備え、
前記少なくとも１個のマークは、前記ポッド体に設置し、
前記ポッド体は、加工機に入れ、前記加工機の少なくとも１個のセンサーは、前記少なくとも１個のマークを識別することを特徴とするマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項２】
前記少なくとも１個のマークは、前記加工機の少なくとも１個のセンサーに対応するポッド体の少なくとも１個のエリアに設置することを特徴とする請求項１に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項３】
前記少なくとも１個のマークは、レーザーエッチングの方式で、前記ポッド体に形成され、
前記少なくとも１個のマークは、表面ラフ度を備えることを特徴とする請求項１に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項４】
前記少なくとも１個のマークの表面ラフ度は、０ｕｍ〜２．００ｕｍの間であることを特徴とする請求項３に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項５】
前記加工機の少なくとも１個のセンサーは光線を発し、
前記光線は、前記少なくとも１個のマークへと照射され、
前記少なくとも１個のマークは、前記光線を反射し、
前記少なくとも１個のマークが反射後の光線が生じる電圧値は、前記少なくとも１個のマークの表面ラフ度に基づくことを特徴とする請求項４に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項６】
前記少なくとも1個のマークが反射後の光線が生じる電圧値は、４．８０Ｖ〜５．２０Ｖであることを特徴とする請求項５に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【請求項７】
前記少なくとも１個のマークが反射後の光線が生じる電圧値は、３−ｓｉｇｍａ等級規範下の標準偏差において、０．１以内にフローティングコントロールされることを特徴とする請求項５に記載のマークを備えたＥＵＶポッド。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、ポッドに関し、マークを備えたＥＵＶポッド（ＥＵＶ  Ｐｏｄ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
テクノロジーの革新に従い、半導体技術も日々進歩しているが、中でも「ウエハ」は、半導体製造における最も重要な材料の一つである。
ウエハ製造の最も主要な原料は、二酸化シリコンである。
ウエハは、沈積、エッチング、加温、フォトレジスト処理、コーティング、リソグラフィーなどの製造プロセスを経て、必要なサイズに応じて、一枚のウエハは数十から数百個ものＩＣ回路に加工される。
異なる回路、及び電子部品を備えるウエハを製造するためには、さらに、フォトマスクにより、予め企画と設計を行う必要がある。
【０００３】
上述のように、フォトマスクは、ウエハ製造のモールドである。
ＩＣ回路を製造する際には、先ず、ウエハのＩＣ回路設計に応じて、フォトマスクの製造を行う。
その際には、必要とする回路設計に基づき、対応するフォトマスクを設計する。
回路の設計が複雑で精密になれば、数層に達するフォトマスクを応用することもある。
【０００４】
フォトマスクの企画を利用し、ウエハ上の回路を設計するためには、リソグラフィー技術を応用しなければならない。
リソグラフィー技術は、露光原理を利用する。
光線がフォトマスクを通過し、シリコンウエハへと投影されると、露光して、特定のパターンをウエハ上に表示する。
さらに、この種の方式を利用することで、ポッドは、リソグラフィー技術を経た後でも、洗浄後に繰り返し使用することができる。
【０００５】
ポッドはおおよそ、前開式ポッドと上開式ポッドの２種のタイプに分類される。
ポッドは、開いて使用する際に方向性を備える。
そのため、リソグラフィー装置にポッドをセットする際には、ポッドの設置方向に注意しなければならない。
さもなくば、ポッドがリソグラフィー装置に進入しても、開けないという状況が発生してしまう。
また、一部の位置が偏移すれば、ポッドを開くことはできても、リソグラフィープロセスの進行時に、露光位置が偏移してしまう。
【０００６】
上述の状況の発生を防止するため、従来のリソグラフィー装置には、定位機構を設置する。
それは、ポッド本体の機構設計により、ポッド本体の機構設計に対して、対応する構造を設計するものである。
これにより、ポッドは、リソグラフィー装置において、固定方向においてのみ設置される。
【０００７】
さらに、センサーデバイスを利用し、ポッドの設置位置を感知し、ポッドを設置した位置が正確に対応しているかを確認する。
従来の方式は、センサーによりポッドの存在を感知し、信号を発信する。
バーコードスキャナーは、センサーより該信号を受信し、該ポッドの識別コードを読み取る。
しかし、従来の技術においては、センサーの利用時に、ポッド表面が平滑平面であるため、センサーの探知が不安定になり、ポッドの位置が、正確であるかどうかを正確に判断することができない。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】
本考案の第一の目的は、少なくとも１個のマークを備え、該少なくとも１個のマークの反射光が生じる電圧値に基づき、該少なくとも１個のマークが加工機の少なくとも１個のセンサーに対応するか否かを判断し、ＥＵＶポッドを加工機の加工位置に正確に定位することができるマークを備えたＥＵＶポッドを提供することにある。
【０００９】
本考案の第二の目的は、レーザーエッチングの方式で少なくとも１個のマークをポッド体に形成し、これにより加工機の少なくとも１個のセンサーに対応するＥＵＶポッドの少なくとも１個のエリアの表面のラフ度を改変し、少なくとも１個のマークに反射された後の光線の反射光が生じる電圧値を一定範囲内に維持し、後日の加工機における定位の便を図るマークを備えたＥＵＶポッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本考案によるマークを備えたＥＵＶポッドは、ポッド体、少なくとも１個のマークを備える。
少なくとも１個のマークは、ポッド体に設置する。
ポッド体を加工機に入れ、加工機は、少なくとも１個のマークを識別する。
少なくとも１個のマークは、レーザーエッチングの方式を利用し形成され、少なくとも１個のマークは表面ラフ度を備える。
【考案の効果】
【００１１】
本考案は、従来の技術の欠点を解決するため、マークを備えたＥＵＶポッドを提供する。
それは、レーザーエッチングの方式で、少なくとも１個のマークを製造する。
該少なくとも１個のマークの反射光が生じる電圧値を確認することで、該少なくとも１個のマークの位置が、該加工機上に対応するか否かを判断する。
これにより、加工機は、該ポッドが加工位置にあるかどうかを正確に識別することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の模式図である。
【図１Ｂ】本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の底面視図である。
【図１Ｃ】本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の前視図である。
【図１Ｄ】本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の後視図である。
【図１Ｅ】本考案第一実施形態による加工機の使用模式図である。
【図１Ｆ】本考案第一実施形態の原理を示すデータ模式図である。
【図１Ｇ】本考案第一実施形態の原理を示すデータ模式図である。
【考案を実施するための形態】
【００１３】
本考案の一実施形態によるマークを備えたＥＵＶポッドを図面に基づいて説明する。
本考案は、従来の技術において、リソグラフィープロセス時に、リソグラフィー機の少なくとも１個のセンサーを利用し、ポッドに対して定位感知を行う際に、ポッドの表面が平滑平面であるため、ポッドの反射光が不安定となり、少なくとも１個のセンサーが、ポッドの位置を正確に判断することができず、リソグラフィー機の加工位置にポッドを正確に定位できないという状況を解決することができる。
【００１４】
本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の模式図、本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の底面視図、本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の前視図、本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド構造の後視図、本考案第一実施形態による加工機の使用模式図、本考案第一実施形態の原理を示すデータ模式図、本考案第一実施形態の原理を示すデータ模式図である図１Ａ〜１Ｇに示すように、本考案第一実施形態によるＥＵＶポッド１は、ポッド体１０、少なくとも１個のマーク２０を備える。
【００１５】
少なくとも１個のマーク２０は、ポッド体１０に設置する。
ポッド体１０は、加工機３０（リソグラフィー機など）に入れる。
加工機３０の少なくとも１個のセンサー３１０は、少なくとも１個のマーク２０を識別することができる。
【００１６】
本実施形態の少なくとも１個のマーク２０は、ポッド体１０の底面２、前側面３、後側面４に設置する。
図１Ｂに示すように、本実施形態のポッド体１０の底面２は、Ｕ字形状の凹槽１１０を備える。
少なくとも１個のマーク２０は、Ｕ字形状の凹槽１１０の両側位置に設置し、それはマーク２０Ａ、マーク２０Ｂである。
或いは、少なくとも１個のマーク２０は、Ｕ字形状の凹槽１１０に囲まれた中心に設置され、それはマーク２０Ｃである。
また、ポッド体１０の上表面左右両側には、外へと平行に延伸する突出部１３０をそれぞれ備える。
２個の突出部１３０の下方表面には、マーク２０Ｄ、マーク２０Ｅをそれぞれ設置する。
【００１７】
図１Ｃ、１Ｄに示すように、本実施形態のポッド体１０の前側面３と後側面４構造において、前側面３の中心位置には、マーク２０Ｆを設置し、後側面４中心位置には、マーク２０Ｇを設置する。
ポッド体１０の底面２、前側面３、後側面４が、加工機３０に設置されると、少なくとも１個のセンサー３１０により、少なくとも１個のエリア３２０と、識別される。
本実施形態の少なくとも１個のマーク２０は、レーザーエッチングの方式で、加工機３０の少なくとも１個のセンサー３１０に対応するポッド体１０の少なくとも１個のエリア３２０に形成される。
さらに、それは表面ラフ度を備える。
少なくとも１個のマーク２０の表面ラフ度を一定の範囲内にコントロールするため、光線が少なくとも１個のマーク２０に反射された後に生じる反射光の電圧を、一定の範囲内にコントロールすることができる。
【００１８】
本考案の少なくとも１個のマーク２０を設置する位置は、加工機３０の少なくとも１個のセンサー３１０に対応するだけでよく、上記した位置に限定するものではなく、少なくとも１個のマーク２０の形状と様式を限定するものでもない。
【００１９】
図１Ｅに示すように、本実施形態のＥＵＶポッド１にリソグラフィー工程を施す際には、本実施形態のＥＵＶポッド１のポッド体１０をリソグラフィー機（加工機３０）の加工位置内に入れる。
リソグラフィー機は、少なくとも１個のセンサー３１０を備える。
少なくとも１個のセンサー３１０は、光線を発し、ポッド体１０に照射する。
ポッド体１０が、リソグラフィー機（加工機３０）の加工位置に、既に正確に置かれていれば、少なくとも１個のセンサー３１０が発する光線は、対応するマーク２０をダイレクトに照射し、マーク２０は、光線を反射する。
少なくとも１個のセンサー３１０は、反射後の光線を受け取り、反射後の光線は、オプトエレクトロニクス原理により電圧値を生じる。
これにより、反射後の光線が生じる電圧値が、マーク２０の反射範囲内に位置するかどうかを判断する。
これにより、マーク２０が少なくとも１個のセンサー３１０に既に対応しているかどうかを確認することができ、ポッド体１０がリソグラフィー機（加工機３０）の加工位置に既に位置するかどうかを確認することができる。
【００２０】
ポッド体１０がリソグラフィー機（加工機３０）の加工位置に正確に置かれていなければ、少なくとも１個のセンサー３１０が発する光線は、対応するマーク２０をダイレクトに照射することはできず、ポッド体１０を照射する。
マーク２０を未設置のポッド体１０は、該光線を反射し、少なくとも１個のセンサー３１０は、ポッド体１０が反射する光線に基づき、それが生じる電圧が、マーク２０の反射範囲内に位置していないことを判断する。
この時、少なくとも１個のセンサー３１０は、マーク２０に対応しておらず、すなわちポッド体１０は、リソグラフィー機（加工機３０）の加工位置上に正確に設置されていない。
リソグラフィー機（加工機３０）は、警告信号を発し、使用者にポッド体１０を置き直すよう知らせる。
【００２１】
図１Ｆに示すように、本実施形態の少なくとも１個のマーク２０は、少なくとも１個のセンサー３１０により識別されるポッド体１０の少なくとも１個のエリア３２０の表面ラフ度を改変することができる。
少なくとも１個のマーク２０の表面ラフ度を利用し、反射光が生じる電圧強度に影響を及ぼす。
その表面ラフ度が高くなればなるほど、反射率が低くなる。
例えば、ラフ度が１．１９ｕｍである時の反射光が生じる電圧は５．０４Ｖである。
本実施形態では、マーク２０の表面ラフ度は好ましくは、０ｕｍ〜２．００ｕｍの間で、それが対応する反射光が生じる電圧は、４．８Ｖ〜５．２Ｖの間である。
表面ラフ度と対応する反射光が生じる電圧は反比例する。
但し、本考案は、その表面ラフ度を限定するものではなく、表面ラフ度の大きさは、使用者の必要に応じて設定し、その反射光が生じる電圧も、表面ラフ度の大きさに従い変化する。
【００２２】
図１Ｇは、マーク２０Ａを例とするデータを示す。
表面ラフ度に上記した調整を行った後、繰り返し実験（一点は一回の実験結果を表わす）を行った。
マーク２０Ａが光線を反射して生じる電圧の平均値は、５．００Ｖ〜５．１０Ｖの間で、それは３−ｓｉｇｍａ等級規範下の標準偏差において、０．１以内にフローティングコントロールされる。
【００２３】
本実施形態は、マークを備えたＥＵＶポッドを提供し、加工機３０の少なくとも１個のセンサー３１０を利用し、少なくとも１個のマーク２０を識別する。
これにより、少なくとも１個のセンサー３１０は、それが少なくとも１個のマーク２０であるか否かを正確に識別することができる。
しかも、少なくとも１個のマーク２０の絶対位置を確認し、加工機３０の加工位置に、正確に対応させることができる。
これにより、ポッド体１０は、加工機３０の加工位置に設置される。
【００２４】
上記を総合すると、本考案は、少なくとも１個のマークを設置する絶対位置を利用し、ポッド体を加工機の正確な加工位置に設置するよう制限し、誤りがないことを確認後、加工機の加工プロセスを始めることができる。
ポッド体上には、レーザーエッチングの方式で、少なくとも１個のマークを形成し、少なくとも１個のマークは表面ラフ度を備える。
使用者の必要に応じて、レーザーエッチング方式を利用して、表面ラフ度を制御でき、これによりポッド体の反射光が生じる電圧値に影響を与え、光線をポッド体上の少なくとも１個のマークに照射させ、戻ってきた反射光が生じる電圧値の標準偏差を利用し、一定範囲内に制御することができる。
反対に、光線が少なくとも１個のマークに正確に対応して照射されない場合には、戻ってきた反射光が生じる電圧値の標準偏差を、所定の数値範囲内に、安定的に位置させることはできない。
【００２５】
上述の実施形態の説明を総合すると、本考案の操作、使用、及び本考案が生じる効果を充分理解することができる。しかし、以上に述べた実施形態は単に本考案の好ましい実施形態であり、これによって本考案の実用新案登録請求の範囲を限定することではない。即ち本考案の実用新案登録請求の範囲及び説明書の内容に基づいて、同等効果を有する簡単な変化及び修飾は、全て、本考案の範囲内に属するものとする。
【符号の説明】
【００２６】
１  ＥＵＶポッド
２  底面
３  前側面
４  後側面
１０  ポッド体
１１０  凹槽
２０  マーク
２０Ａ  マーク
２０Ｂ  マーク
２０Ｃ  マーク
２０Ｄ  マーク
２０Ｅ  マーク
２０Ｆ  マーク
２０Ｇ  マーク
３０  加工機
３１０  センサー
３２０  エリア
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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