(57)【要約】      （修正有）【課題】排気ガスを除去するための装置を提供する。【解決手段】装置は、基板処理ツール内で一つ又は複数の基板を支持するためのキャリアであって、第１排気出口を有する、キャリアと、排気アセンブリであって、キャリアの第１排気出口からプロセス排気を受け入れるためにキャリアに近接して配置される第１入口、洗浄ガスを受け入れるための第２入口、及びプロセス排気及び洗浄ガスを除去するための出口を含む排気アセンブリとを含むことができる。【選択図】図６Ａ
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
第１排気出口を有する、基板処理ツール内で一つ又は複数の基板を支持するためのキャリアと、
排気アセンブリであって、
前記キャリアの前記第１排気出口からプロセス排気を受け入れるために前記キャリアに近接して配置される第１入口、
洗浄ガスを受け入れるための第２入口、及び
前記プロセス排気及び前記洗浄ガスを除去するための出口を備える排気アセンブリと
を備える装置。
【請求項２】
前記キャリアが、前記排気アセンブリに取り外し可能に連結される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記キャリアが、「Ｖ」字を形成するように互いに向き合う角度付き支持体のペアを備え、前記第１排気出口が、前記「Ｖ」字の底部に近接して前記角度付き支持体の間に配置されるスロットである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記排気アセンブリ上で洗浄ガスを受け入れるための前記第１入口が、前記排気アセンブリの底面上に配置される、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記キャリアが、
互いに連結される基板支持プレートのペアであって、基板処理用ガスの排気を容易にするために前記連結された支持プレートの底部分に沿って排気スロットを形成する、基板支持プレートのペア、及び
上面に形成される第１凹部を有する搬送ベースであって、前記第１凹部の内部に第１排気チャネルが形成される、搬送ベースを備え、
前記基板支持プレートのペアが前記第１凹部内に配置され、前記搬送ベースの前記第１排気チャネルが、前記基板支持プレートのペアの間に形成される前記排気スロットに流体連結される、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項６】
前記搬送ベースの前記第１排気チャネルが、前記第１排気チャネルの長さに沿って形成され、且つ前記第１排気チャネルの外縁に近接する複数の排気口を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記複数の排気口が前記搬送ベースの底面上に形成される第２排気チャネルに流体連結され、前記第２排気チャネルが前記第１排気出口に流体連結される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記排気アセンブリが前記第２入口に連結される第１洗浄ガス導管を含み、前記搬送ベースが前記排気アセンブリの前記第１洗浄ガス導管に流体連結される第２洗浄ガス導管を含み、且つ前記搬送ベースの前記第２洗浄ガス導管が前記搬送ベースの前記第１排気チャネルに流体連結される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記搬送ベースの前記第２洗浄ガス導管が、複数の洗浄ガス供給スロットを介して、前記搬送ベースの前記第１排気チャネルに流体連結される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記洗浄ガスが一つ又は複数の塩素含有ガスである、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記キャリアが、処理チャンバの壁に近接するパージガス導管を含み、且つ前記処理チャンバ内へ注入されたパージガスを排気するように構成される、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記パージガス導管が前記キャリアの前記第１排気出口に流体連結される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記排気アセンブリが、処理チャンバの壁に近接して注入されたパージガスを排気するように構成されるパージガス導管を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記搬送ベースが前記排気アセンブリに移動可能に連結され、前記搬送ベースの底面の少なくとも一部が、前記排気アセンブリの上面に沿った前記搬送ベースの動きを容易にするために、ニッケル合金系潤滑剤でコーティングされる、請求項５に記載の装置。
【請求項１５】
前記排気アセンブリが、上面において形成される凹部を有するベースプレート、及び前記ベースプレートの前記凹部の内部に配置される、カバープレート、バッフルプレート、デフレクタプレート、又は排気プレートのうちの少なくとも１つを備える、請求項１から４に記載の装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案の実施形態は、概して半導体処理装置に関し、より具体的には、高効率単結晶エピタキシャル膜堆積装置などの太陽電池製造用の装置及び技法における使用のための基板キャリア及びガス排気に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファス及び多結晶太陽電池は、光をエネルギーに変換する効率性に限度がある。単結晶高移動度材料（ｓｉｎｇｌｅ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｈｉｇｈ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ）は、遥かに高い効率をもつことができるが、通常、遥かにより高価である。従来の装置は、極端な必要条件を有し且つかかるコストが非常に高い半導体用途のために設計されている。しかしながら、これらのシステムすべては、コストが高く、高いスループットオートメーションが可能ではない。
【０００３】
高スループットの光起電力用途のために非常に低コストのエピタキシャル堆積を達成するためには、考案者たちは、すべてを単純に大型化するよりは、急進的な変化が必要であると考えている。例えば、バッチリアクタは、材料、消耗品、及びオートメーション課題のコストが高く、スループットが限られていることを考案者たちは認めている。水素、窒素、水、及び前駆体の非常に高い流量もさらに必要とされる。さらに、厚膜を成長させるときに大量の有害な副生成物が生成される。
【０００４】
エピタキシャルプロセスのために連続リアクタが何度も試されてきたが、生産に相応しかったことはなく、優れた前駆体用途を達成したこともない。貧相な膜品質及び過剰メンテナンスが主な問題である。
【０００５】
一方で、単一ウエハリアクタは、前駆体及び電力（電気）の利用が非常に非効率であり、ウエハあたりのスループットがより低い。それに加えて、単一ウエハリアクタは、複雑な基板リフト／回転機構を必要とする。それゆえ、単一ウエハリアクタは、非常に高い品質、低い金属汚染レベル、及び優れた厚さの均一性と抵抗性を有することができるが、これらの結果を得るためのウエハあたりのコストは非常に高い。
【０００６】
したがって、考案者は、高い前駆体の利用度、単純なオートメーション、低コスト、及び高いスループット及びプロセス品質を有する比較的単純なリアクタの設計のうちの幾つか又はすべてを提供することができる基板処理ツールの実施形態を提供した。
【考案の概要】
【０００７】
本明細書では排気ガスを除去するための装置が提供される。幾つかの実施形態では、装置は、基板処理ツール内で一つ又は複数の基板を支持するためのキャリアであって、第１排気出口を有する、キャリアと、キャリアの第１排気出口からプロセス排気を受け入れるためにキャリアに近接して配置される第１入口、洗浄ガスを受け入れるための第２入口、及びプロセス排気及び洗浄ガスを除去するための出口を含む排気アセンブリとを含むことができる。
【０００８】
本考案の他の実施形態及びさらなる実施形態については、以下に記載する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
上記で簡単に要約し、以下でより詳細に論じる本考案の実施形態は、添付の図面に示す本考案の例示的な実施形態を参照することによって理解することができる。しかしながら、本考案は他の等しく有効な実施形態も許容しうるため、添付の図面は本考案の典型的な実施形態のみを示しており、したがって本考案の範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
【００１０】
【図１】図１は、本考案の幾つかの実施形態による、指標付きのインライン基板処理ツールを示す。
【図２】図２は、本考案の幾つかの実施形態による、基板処理ツールのモジュールの断面図である。
【図３】図３は、本考案の幾つかの実施形態による、基板処理ツールのモジュールを示す。
【図４】図４は、本考案の幾つかの実施形態による、ガス入口の概略上面図である。
【図５】図５は、本考案の幾つかの実施形態による、基板処理ツールにおいて使用する基板キャリアを示す。
【図６Ａ】図６Ａは、本考案の幾つかの実施形態による、基板処理ツールにおいて使用するための基板キャリア及び排気システムの概略端面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、本考案の幾つかの実施形態による、基板キャリアの搬送プレートの概略上面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、本考案の幾つかの実施形態による、基板キャリアの搬送プレート及びベースプレートの等角図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、本考案の幾つかの実施形態による、基板キャリアの搬送プレート及びベースプレートの等角図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本考案の幾つかの実施形態による、基板処理ツールにおいて使用するための基板キャリア及び排気システムの概略端面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本考案の幾つかの実施形態による、搬送プレートの等角図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本考案の幾つかの実施形態による、カバープレートの等角図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本考案の幾つかの実施形態による、バッフルプレートの等角下面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、本考案の幾つかの実施形態による、デフレクタプレートの等角図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、本考案の幾つかの実施形態による、排気ベースの等角図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、本考案の幾つかの実施形態による、ベースプレートの等角図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、本考案の幾つかの実施形態による、排気ベースの等角断面端面図である。
【００１１】
理解を容易にするため、可能な場合には、上記の図に共通する同一の要素を示すのに同一の参照番号を使用した。これらの図は、縮尺どおりには描かれておらず、分かりやすくするために簡略化されていることがある。１つの実施形態の要素及び特徴は、さらなる記述がなくても、他の実施形態内に有益に組み込むことができることが予期される。
【考案を実施するための形態】
【００１２】
エピタキシャルシリコン堆積用の高容量且つ低コストのシステムの実施形態が本明細書で提供される。範囲を限定しないが、考案者は、考案の基板処理システムが太陽電池製造用途のために特に有利でありうると考える。
【００１３】
考案のシステムは、マルチステップ基板処理（ｍｕｌｔｉ−ｓｔｅｐ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）を実行するために利用される従来の基板処理ツールに比べて、有利には、対費用効果が高くシンプルな製造可能性、及びエネルギーとコストの効率がよい使用法を提供することができる。
【００１４】
例えば、基本設計構成要素は、低コストを維持するために標準的な形態で容易に入手可能な材料を使用することによって製造を簡略化し且つコストを抑えるために、フラットプレートに基づく。信頼性の高いリニアランプを使用することができる。特定のランプは、特定の用途のために最適化することができる。ランプは、エピタキシャル堆積リアクタにおいて通常使用される種類のものであることができる。システムの内部の流れ場をさらにそれぞれの特定用途のために最適化し、廃棄物を最小限にすることができる。この設計によってパージガスの所要量が最小限となり、前駆体の利用度が最大限となる。洗浄ガスを排気システムに加え、堆積された材料を排気チャネルから除去することを容易にすることができる。ロード及びアンロードのオートメーションもさらにインライン処理を促進するために分離することができる。複雑なオートメーションはオフラインで取り扱うことができる。基板は、システムの最大限の柔軟性のためにキャリア上（サセプタ）に予めロードされ、それにより他のステップへの統合が容易となる。このシステムは、システム構成の柔軟性をもたらす。例えば、多層構造又はより高いスループットのために、複数の堆積チャンバ（又はステーション）を組み込むことができる。
【００１５】
エピタキシャルシリコン堆積用の高容量且つ低コストのシステムの実施形態は、スタンドアローン基板処理ツール、クラスタ基板処理ツール、又は指標付きのインライン基板処理ツールを使用して実行することができる。図１は、本考案の幾つかの実施形態による、指標付きのインライン基板処理ツール１００を示す。指標付きのインライン基板処理ツール１００は、所望の半導体用途のために基板上で任意の処理を実行するように概して構成されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、指標付きのインライン基板処理ツール１００は、例えば、エピタキシャル堆積処理などの一つ又は複数の堆積処理を実行するように構成されることができる。
【００１６】
指標付きのインライン基板処理ツール１００は、直線的な配置で共に連結される複数のモジュール１１２（図示されている第１モジュール１０２Ａ、第２モジュール１０２Ｂ、第３モジュール１０２Ｃ、第４モジュール１０２Ｄ、第５モジュール１０２Ｅ、第６モジュール１０２Ｆ、及び第７モジュール１０２Ｇ）を概して備える。矢印１２２で示されるように、基板は指標付きのインライン基板処理ツール１００を通って移動することできる。幾つかの実施形態では、一つ又は複数の基板が指標付きのインライン基板処理ツール１００を通って動くことを容易にするために、一つ又は複数の基板は、例えば、図５から図８に関連して以下で説明される基板キャリア５０２、６０２、及び７０２などの基板キャリア上に配置されることができる。
【００１７】
複数のモジュール１１２はそれぞれ、所望の処理の一部を実行するために個別に構成されることができる。所望の処理の一部だけを実行するために各モジュールを利用することによって、複数のモジュール１１２のうちの各モジュールは、その処理の一部に関連して、特異的に構成され及び／又は最も効率的な態様で動作するように最適化されてもよく、それにより、指標付きのインライン基板処理ツール１００は、マルチステップ処理を実行するために従来使用されてきたツールに比べて、より効率的になる。
【００１８】
加えて、各モジュールで所望の処理の一部を実行することによって、各モジュールに提供される処理資源（例えば電力、プロセスガス、又は同等物）が、モジュールが完了するように構成される処理の一部を完了するのに必要とされるだけの処理資源の量によって決定されてもよく、それにより、考案の指標付きのインライン基板処理ツール１００は、マルチステップ処理を実行するために従来使用されてきたツールに比べて、より効率的になる。
【００１９】
さらに、個別のモジュールは、有利には、一つ又は複数の基板上に異なるドーパント、例えば、１０ミクロンのｐ＋＋ドーパント、１０ミクロンのｐ＋ドーパント、１０ミクロンのｎドーパントの層を堆積することを可能にする。その一方で、従来の単一チャンバでは、異なるドーパントの堆積は、互いに干渉するために禁止されている。加えて、エピタキシャル層が別々のチャンバで蓄積されるインライン直線状堆積が、１つのモジュールから次のモジュールへの移送段階の間にエッチング効果をもたらすモジュール間のパージガスの使用（以下で説明）のため、キャリアの上で基板からのエピタキシャルシリコン（Ｓｉ）の過成長又はブリッジングを防ぐことを助ける。
【００２０】
指標付きのインライン基板処理ツール１００の例示的な構成において、幾つかの実施形態では、第１モジュール１０２Ａは、例えば、基板及び／又は基板キャリアから不純物を除去するために、並びに／或いは堆積のために基板を適切な雰囲気内に導入するために、パージガスを供給するように構成されることができる。第２モジュール１０２Ｂは、堆積を実行するのに適切な温度まで基板の温度を上昇させるために予熱又は温度ランプ（ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｒａｍｐ）を実行するように構成されることができる。第３モジュール１０２Ｃは、材料の堆積に先立って基板から揮発性不純物を除去するためにベークを実行するように構成されることができる。第４モジュール１０２Ｄは、所望の材料を基板上に堆積するように構成されることができる。第５モジュール１０２Ｅは、例えばアニール処理などの堆積後処理を実行するように構成されることができる。第６モジュール１０２Ｆは、基板を冷却するように構成されることができる。第７モジュール１０２Ｇは、例えば、指標付きのインライン基板処理ツール１００から除去することに先立って、基板及び／又は基板キャリアから処理残留物を除去するために、パージガスを供給するように構成されることができる。特定の処理が必要とされない実施形態では、その処理の一部のために構成されるモジュールが除外されてもよい。例えば、堆積後にアニールが必要とされない場合、アニールのために構成されるモジュール（例えば、以上の例示的実施形態における第５モジュール１０２Ｅ）は、除外されてもよく、又は異なる所望の処理のために構成されるモジュールと交換されてもよい。
【００２１】
基板処理ツール１００の幾つかの実施形態は、モジュール１０２Ａ〜１０２Ｇを通して、当接基板キャリアを連続的に移送することができるインライン「押圧機構」（図示せず）又は他の機構を含む。例えば、指標付きの搬送は、キャリアモジュールをインラインリアクタを通して前に駆動するために、空気圧プランジャ型押圧機構を使用することができる。
【００２２】
複数のモジュールのうちの幾つか又はすべてが、指標付きのインライン基板処理ツール１００における他のモジュールに関連して、隔離された処理容積を維持することを容易にするために、例えばバリア１１８によって、隣接するモジュールから隔離又は遮蔽されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、バリア１１８は、例えば空気又は不活性ガスなどのガスカーテンであることができ、複数のモジュールを互いから隔離又は実質的に隔離するために、隣接するモジュール間に設けられる。幾つかの実施形態では、ガスカーテンは、各モジュール又は所望のモジュール（堆積モジュール又はドーピングモジュールなど）の４つの垂直壁すべてに沿って設け、モジュール又はキャリアの所望されない位置における望まれないクロス汚染又は堆積を制限することができる。このような隔離によって、炭素又は湿気などの汚染物質が反応ゾーン／基板に達することがさらに防止される。
【００２３】
幾つかの実施形態では、バリア１１８は、ゲート又はドアであってもよく、基板キャリアが１つのモジュールから次のモジュールへと動くことを可能にするために開くことができ、且つモジュールを隔離するために閉じることができる。幾つかの実施形態では、指標付きのインライン基板処理ツール１００は、ガスカーテンとゲートの両方を含み、例えば、幾つかのモジュールを分離するためにガスカーテンを使用し、他のモジュールを分離するためにゲートを使用し、及び／又は幾つかのモジュールを分離するためにガスカーテンとゲートを使用することができる。一旦押圧機構が基板キャリアを各チャンバ内の所望の位置に送ると、ドア／ゲートアセンブリ（及びチャンバライナ要素）は、基板キャリアの周囲に密封を形成し、各チャンバの内部に閉鎖領域を形成する。ドア機構が開く又は閉じるにつれて、各ドアとそれに隣接するキャリアとの間にガス流（すなわち、ガスパージ又はガスカーテン）が供給され、チャンバ間のクロス汚染が防止される。供給されたガス流は、処理ツール１００の底部に配置される一つ又は複数の排気口によって受け入れられる。
【００２４】
幾つかの実施形態では、ガスカーテンの位置に応じて、窒素、水素、又はアルゴンガスが使用され、パージガスカーテンによって隔離がもたらされる。例えば、より高温の処理領域内のガスカーテンは、アルゴン又は水素ガスを使用して形成されるであろう。より高温の処理領域から離れた、ゲートの近くのより低温の領域内のガスカーテンは、操作のコストを最小限にするために窒素であってもよい。窒素ガスカーテンは、各モジュールの低温で不活性なセクションでしか使用することができない。
【００２５】
幾つかの実施形態では、ロードモジュール１０４は、指標付きのインライン基板処理ツール１００の第１端部１１４に配置されることができ、アンロードモジュール１０６は、指標付きのインライン基板処理ツール１００の第２端部１１６に配置されることができる。ロードモジュール１０４及びアンロードモジュール１０６が存在しているとき、ロードモジュール１０４及びアンロードモジュール１０６はそれぞれ、基板を指標付きのインライン基板処理ツール１００に供給すること及び基板を指標付きのインライン基板処理ツール１００から取り除くことを容易にすることができる。幾つかの実施形態では、ロードモジュール１０４及びアンロードモジュール１０６は、真空ポンプダウン機能及び大気圧に戻す機能を提供し、基板を指標付きのインライン基板処理ツール１００の外部の大気条件から（真空圧力を含むことができる）指標付きのインライン基板処理ツール１００の内部の条件へ移送することを容易にすることができる。幾つかの実施形態では、一つ又は複数の基板キャリア移送ロボット（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｒｏｂｏｔｓ）は、基板キャリアを、ロードモジュール１０４から供給する及びアンロードモジュール１０６から取り除くために利用し、それにより、指標付きのインライン基板処理ツール１００への基板キャリアの自動ローディング及び指標付きのインライン基板処理ツール１００からの基板キャリアの自動アンローディングを提供することができる。
【００２６】
幾つかの実施形態では、トラック１２０を指標付きのインライン基板処理ツール１００の軸方向長さに沿って設け、基板キャリアを指標付きのインライン基板処理ツール１００を通して導くことを容易にすることができる。トラック１２０は、指標付きのインライン基板処理ツール１００が取り付けられる施設の床又は他のベース面に沿って設けられることができる。このような実施形態では、各モジュールは、トラック１２０がモジュールの露出底部分に沿って位置決めされるように組み立てられるように構成してもよく、それにより基板キャリアをトラック１２０に沿って且つ各々のモジュールを通して動かすことが容易になる。代替的に、トラック１２０は、一旦モジュールが線形配列で組み立てられたら、モジュールの底面に取り付けることができる。代替的に、トラック１２０の一部は、すべてのモジュールが線形配列に組み立てられた後にトラック１２０が完全に形成されるように、個々のモジュールの底面に取り付けることができる。幾つかの実施形態では、トラック１２０は、ホイール、ボールベアリング、又は他の種類のローラを含み、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦運動を容易にすることができる。幾つかの実施形態では、トラック１２０は、図２に関連して以下に記載されるように、低摩擦材料で製造又はコーティングし、トラック１２０に沿った基板キャリアの低摩擦運動を容易にすることができる。
【００２７】
幾つかの実施形態では、洗浄モジュール１１０は、ロードモジュール１０４とアンロードモジュール１０６の間に配置されることができる。洗浄モジュール１１０が存在しているとき、洗浄モジュール１１０は、基板キャリアを洗浄及び／又は準備し、別の一つ又は複数の基板を（戻り通路の矢印１０８によって示されるように）指標付きのインライン基板処理ツール１００を通る後続走行のために受け容れることができる。したがって、基板キャリアは複数回再利用することができる。
【００２８】
図２は、モジュール１０２Ｄなどのモジュールの例示的構成の断面図を示し、モジュールは、以上で説明される複数のモジュール１１２のうちの一つ又は複数のモジュールとして、及び幾つかの実施形態では、基板上に材料を堆積するように構成されるモジュールとして使用することができる。特定のモジュール（１０２Ｅ）に関しては以下で概して説明されているが、堆積処理用に特に必要とされる構成要素及び／又は構成のみを例外として、以下の説明はすべてのモジュールに概して適用される。
【００２９】
図２を参照すると、幾つかの実施形態では、モジュール１０２Ｄはエンクロージャ２０２を概して備える。エンクロージャ２０２は、半導体処理に適した任意の材料、例えばアルミニウム、ステンレス鋼などの金属から製造されてもよい。エンクロージャ２０２は、所与のサイズの一つ又は複数の基板を運ぶと同時に所望の流量及びプロファイルを促進するように構成される基板キャリア（例えば、以下で説明される基板キャリア５０２など）を収容するのに適切な任意の寸法を有することができる。例えば、幾つかの実施形態では、エンクロージャは、約２４インチ又は約３６インチの高さと長さ、及び約６インチの深さを有することができる。
【００３０】
幾つかの実施形態では、エンクロージャ２０２は、複数のプレートを共に連結してエンクロージャ２０２を形成することによって組み立てることができる。各エンクロージャ２０２は、処理のうちの所望の部分を実行することができる特定のモジュール（例えばモジュール１０２Ｄ）を形成するように構成されることができる。エンクロージャ２０２をこのような態様で組み立てることによって、エンクロージャ２０２を、単純でコスト効率の高いプロセスを介して、複数の用途のために複数量作成することができる。
【００３１】
エンクロージャの下面２０６は、基板キャリアを支持し、且つ基板キャリアがモジュール１０２Ｄを通って複数のモジュールのうちの隣接するモジュールへ直線状に移動するための通路を提供する。幾つかの実施形態では、下面２０６はトラック１２０として構成されることができる。幾つかの実施形態では、下面２０６は、下面２０６に連結されるトラック１２０、又はその一部を有することができる。幾つかの実施形態では、下面２０６又はトラック１２０は、コーティング、例えばニッケル合金（ＮｉＡｌ）含有コーティングなどの乾式潤滑剤を備え、モジュール１０２Ｄを通る基板キャリアの動きを容易にすることができる。代替的に、又は組み合わせによって、幾つかの実施形態では、複数のローラ（２２８において破線で示される）を下面２０６の上に配置し、モジュール１０２Ｄを通る基板キャリアの動きを容易にすることができる。このような実施形態では、複数のローラ２２８は、例えば石英（ＳｉＯ２）など、処理環境に対して非反応性の任意の材料から製造することができる。
【００３２】
幾つかの実施形態では、バリア２１９は、（例えば、図１で示されるようにバリア１１８を形成するために）エンクロージャ２０２の第１端部２１６及び／又は第２端部２１８に近接して配置されることができる。バリア２１９が存在しているとき、バリア２１９は、モジュール間のクロス汚染又は環境の混合を防ぐために、複数のモジュールのうちの各モジュールを隣接するモジュールから隔離する。幾つかの実施形態では、バリア２１９は、モジュール１０２Ｄの上に配置されるガス入口（例えばガス入口２０８など）によって供給される、例えばパージガスなどのガスの流れであることができる。代替的に、又は組み合わせによって、幾つかの実施形態では、バリア２１９は移動可能なゲートであることができる。ゲートは、例えば、シーケンスのうちの堆積の部分の間、特定の処理のために追加的な隔離をもたらす。
【００３３】
幾つかの実施形態では、ゲートは、例えばアルミニウム、研磨したステンレス鋼などの金属から製造されてもよい。他の実施形態では、処理システムのより高温の領域におけるゲートは、高温に耐えるために石英からつくることができる。
【００３４】
幾つかの実施形態では、モジュール１０２Ｄは、図２で示されるように例えばエンクロージャ２０２の側面２２０に配置されるウインドウ２１４など、エンクロージャの一つ又は複数の側面に配置される一つ又は複数のウインドウを備えることができる。ウインドウ２１４が存在しているとき、ウインドウ２１４は、輻射熱が、例えば、エンクロージャ２０２の内部の反対側のウインドウ２１４の側面に配置される輻射熱ランプから、エンクロージャ２０２内へ提供されることを可能にする。ウインドウ２１４は、エンクロージャ２０２の内部の処理環境に曝露されたときに劣化に耐える一方で、ウインドウ２１４を通して輻射熱が通ることを可能にするのに適切な任意の材料から製造されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、ウインドウ２１４は石英（ＳｉＯ２）から製造してもよい。    
【００３５】
幾つかの実施形態では、モジュール１０２Ｄは、エンクロージャ２０２の上部２３０に近接して配置されるガス入口２０８を含み、一つ又は複数のガスを、エンクロージャ２０２内に形成される貫通孔２３１を介して、エンクロージャ２０２内へ供給することができる。ガス入口２０８は、所望のプロセスガス流をエンクロージャ２０２に供給するために適切な任意の態様で構成されることができる。ガス注入を２つの基板キャリアの間に提供し、２つの基板キャリアの間の反応ゾーンにおけるプロセスガス、及び／又は基板キャリアとモジュール壁の間のパージガスを収容することができる。
【００３６】
例えば、図４を参照すると、幾つかの実施形態では、ガス入口２０８は、複数のガスオリフィス４１０を有するガス供給プレート４０２を備えることができる。ガスオリフィス４１０は、エンクロージャ２０２内へプロセスガスの所望の流れを供給するように構成されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、ガスオリフィス４１０は、図４で示されるように、複数の内側ガス孔４０８及び複数の外側ガス孔４０６を備えることができる。このような実施形態では、内側ガス孔４０８は、エンクロージャ２０２の中央領域へプロセスガスの高速ジェット流を提供し、処理を容易にすることができる。幾つかの実施形態では、外側ガス孔４０６は、基板キャリア内に配置される基板の上にプロセスガスのより低い速度の層流を提供することができる。
【００３７】
図２に戻ると、幾つかの実施形態では、モジュール１０２Ｄは、ガス入口２０８（例えば底部２０４）の反対側のエンクロージャ２０２の一部に連結される排気２２１を備え、エンクロージャ２０２の底部２０４内で形成される通路２３３を介して、エンクロージャ２０２からガスが除去されることを容易にすることができる。
【００３８】
図３を参照すると、幾つかの実施形態では、モジュール１０２Ｄは、エンクロージャ２０２の側面３０６、３０８に連結される一つ又は複数の加熱ランプ（図示の２つの加熱ランプ３０２、３０４）を含むことができる。加熱ランプ３０２、３０４は、ウインドウ２１４を介してエンクロージャ２０２内へ輻射熱を供給する。加熱ランプ３０２、３０４は、モジュール１０２Ｄの内部で処理うちの所望の部分を実行するために、エンクロージャ内へ十分な輻射熱を供給するのに適切な任意の種類のランプであることができる。例えば、幾つかの実施形態では、加熱ランプ３０２、３０４は、約０．９ミクロンの波長又は幾つかの実施形態では約２ミクロンの波長で、輻射熱を供給することができるリニアランプ又はゾーンで分けられたリニアランプであることができる。所望の用途に基づいて、様々なモジュールでランプに使用される波長を選択することができる。例えば、所望のフィラメント温度を提供するように、波長を選択することができる。低波長の電球は、より安価であり、使用する電力がより少なく、且つ予熱に使用することができる。波長がより長い電球は、高出力を提供し、例えば堆積処理用により高い処理温度を提供することを容易にする。
【００３９】
幾つかの実施形態では、赤外線（ＩＲ）ランプは、一つ又は複数のゾーンにおいて提供され、基板キャリアに対して、及び最終的には基板に対して、熱エネルギーを提供することができる。ウインドウなど、堆積が所望されないチャンバの部分は、ＩＲ光エネルギーを吸収せず且つ加熱されない材料で製造することができる。このような熱管理は堆積を所望の領域に実質的に収める。例えば、モジュールの側面の上部から底部までの横帯におけるＩＲランプの一つ又は複数のゾーンによって、垂直温度勾配の制御が容易となり、堆積又は他の処理の逓減効果又は他の垂直不均一性が補償される。幾つかの実施形態では、温度は、徐々に調整できると同時にゾーン間で調節することもできる。図４に関連して以上で説明されたガス注入調整に加えて、この種類の粒状温度制御（ｇｒａｎｕｌａｒ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ）、又はその組み合わせは、基板の上部から底部まで、並びに横方向に端から端まで（例えば、堆積された膜の厚み或いはドーパント濃度及び／又は深みの均一性）の基板処理結果の制御を容易にすることができる。
【００４０】
図５は、本明細書で説明される本考案の実施形態で使用することができる基板キャリア５０２の少なくとも１つの例示的な実施形態を示す。基板キャリア５０２は、指標付きのインライン基板処理ツール１００を通して又はクラスタ基板処理ツール（図示せず）に対して、２つ以上の基板を支持し、２つ以上の基板を運ぶことができる。幾つかの実施形態では、基板キャリア５０２は、ベース５１２、及び対向する基板支持体のペア５０８、５１０を概して含むことができる。一つ又は複数の基板（図５で示される基板５０４、５０６）は、処理のために基板支持体５０８、５１０それぞれに配置されることができる。幾つかの実施形態では、基板支持体５０８、５１０は、２つの基板が互いに向き合ってその間に反応ゾーンが画定されるように、基板キャリア５０２上に固定され、且つ互いに対して鋭角に保持されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、基板支持体５０８、５１０は、垂直方向から約２度と１０度の間の角度で保持される。
【００４１】
ベース５１２は、処理の間に基板支持体５０８、５１０を支持するのに適切な任意の材料、例えばグラファイトなどから製造することができる。幾つかの実施形態では、第１スロット５２６及び第２スロット５２８をベース５１２内に形成し、基板支持体５０８、５１０を第１スロット５２６及び第２スロット５２８の内部に少なくとも部分的に配置することを可能にし、基板支持体５０８、５１０を処理のために望まれる位置に保つことができる。幾つかの実施形態では、基板支持体５０８、５１０は、基板支持面が概して互いに向き合って「Ｖ」字形状に配置されるように、概して僅かに外側に角度が付いている。幾つかの実施形態では、ベース５１２は、絶縁材料から製造され、温度管理のために、透明な石英又は不透明な石英、或いは透明な石英と不透明な石英の組み合わせであることができる。
【００４２】
チャネル５１４は、ベース５１２の底面５２７に配置され、開口５１８は、ベース５１２の上面５２９からチャネル５１４へ、ベース５１２を貫通して配置され、一つ又は複数のガスがベース５１２を通って流れるための通路を形成する。例えば、基板キャリア５０２が上述のモジュール１０２Ｄなどのモジュールに配置されるとき、開口５１８及びチャネル５１４は、ガス入口（例えば上述のガス入口２０８）からモジュールの排気（例えば上述のモジュール１０２Ｄの排気２２１）までのガスの流れを促進する。キャリッジは石英から製造されてもよく、石英又は石英の下に配置される金属ベースに排気及び洗浄チャネルが機械加工される。バッフルは、ベース５１２を通して流れを均一化することを容易にするために提供されることができる。
【００４３】
幾つかの実施形態では、ベース５１２は、ベース５１２の内部に配置され、且つチャネル５１４を囲む導管５１６を含むことができる。導管５１６は、導管５１６をチャネル５１４に流体連結するための、導管５１６の長さに沿って形成される一つ又は複数の開口を有し、導管５１６からチャネル５１４へガスが流れることを可能にすることができる。幾つかの実施形態では、基板キャリア５０２がモジュール内に配置される間、洗浄ガスが導管５１６及びチャネル５１４に供給され、チャネル５１４から堆積された材料を除去することを容易にすることができる。排気の内部に処理副生成物が堆積されることを防ぐために洗浄ガスを一つ又は複数の排気に近接するように供給することができ、それにより、洗浄／保守に必要なダウンタイムが減少する。洗浄ガスは、モジュールから特定の材料を除去するのに適切な任意のガスであってもよい。例えば、幾つかの実施形態では、洗浄ガスは、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素ガス（Ｃｌ２）などのもう一つの塩素含有ガスを含むことができる。代替的に、幾つかの実施形態では、不活性ガスが導管５１６及びチャネル５１４に供給され、チャネル及びチャネルの表面を通って流れる排気ガスの間にバリアを形成することによってチャネル５１４上に材料が堆積されることを最小限にすることができる。
【００４４】
基板支持体５０８、５１０は、処理の間に基板５０４、５０６を支持するのに適切な任意の材料から製造することができる。例えば、幾つかの実施形態では、基板支持体５０８、５１０は、グラファイトから製造することができる。このような実施形態では、グラファイトは、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）でコーティングし、劣化に対する耐性を提供する及び／又は基板の汚染を最小限にすることができる。
【００４５】
対向する基板支持体５０８、５１０は、ベース５１２から上方へ且つ外側へ延在する、それぞれの基板支持面５２０、５２２を備える。したがって、基板５０４、５０６が基板支持体５０８、５１０の上に配置されるとき、基板５０４、５０６それぞれの上面５０５、５０７が互いに向き合う。処理の間に基板５０４、５０６を互いに向き合わせることにより、有利には、基板間に放射状空隙（例えば基板支持体５０８、５１０の間の領域５２４）がつくられ、それにより、基板５０４、５０６の両方に均等で釣り合いがとれた熱の量が供給され、したがって、基板５０４、５０６の間の処理の均一性が促進される。
【００４６】
幾つかの実施形態では、堆積の間にプロセスガスが基板支持体５０８、５１０の間の領域５２４に供給される一方で、基板支持体５０８、５１０の裏面５３０、５３２に近接して配置される熱源（例えば上述の加熱ランプ３０２、３０４）が基板５０４、５０６に熱を供給する。基板支持体５０８、５１０の間の領域５２４にプロセスガスが供給されることにより、有利には、モジュールの内側の構成要素がプロセスガスに曝されることが減少し、したがって、プロセスガスを熱源と基板支持体との間に供給する従来の処理システムに比べて、モジュールの内部のコールドスポット（例えばモジュールの壁、ウインドウ、又はその同等物など）上に材料が堆積されることが減少する。それに加えて、基板支持体５０８、５１０の裏面５３０、５３２を介して基板５０４、５０６を加熱することによって、モジュールの内部の任意の不純物が、基板５０４、５０６ではなく、基板支持体５０８、５１０の裏面５３０、５３２上に堆積し、それにより、有利には、基板５０４、５０６の上の材料の堆積が、高純度且つ少ない粒子数を有することを可能にすると考案者は認めている。
【００４７】
上記の図面で説明されているように、指標付きのインライン基板処理ツール１００の操作において、基板キャリア５０２内に配置される基板の第１セット（例えば基板５０４、５０６）を有する基板キャリア５０２は、第１のモジュール（例えば第１モジュール１０２Ａ）に提供される。第１のモジュールの第１側面及び／又は第２側面の上のバリア（例えばバリア１１８又はバリア２１９）が存在しているとき、これらのバリアは、第１のモジュールの隔離を容易にするために閉じられるか、又はオンにされることができる。次いで、処理のうちの第１部（例えば堆積処理のパージ工程）が、基板の第１セット上で実行されることができる。処理のうちの第１部が完了した後、第２の基板キャリア内に配置される基板の第２セットを有する第２の基板キャリアが第１のモジュールに提供される。第２の基板キャリアが第１のモジュールに提供されるにつれて、第２の基板キャリアが第１のキャリアを第２のモジュール（例えば第２モジュール１０２Ｂ）へと押し出す。次いで、処理のうちの第２部が第２のモジュール内の基板の第１セット上で実行される間に、処理のうちの第１部が第１のモジュール内の基板の第２セット上で実行される。後続の基板キャリアが追加されることが繰り返され、各基板キャリアが固定位置（すなわち、所望のモジュール内の）に提供され、それゆえ基板キャリアの機械的な指標付けが提供される。処理が完成するにつれて、基板キャリアは、アンロードモジュール（例えばアンロードモジュール１０６）を介して、指標付きのインライン基板処理ツール１００から取り除かれることができる。
【００４８】
図６Ａは、本明細書に記載される本考案の実施形態で使用されうる排気システム６００の少なくとも１つの例示的な実施形態を示す。図６Ａでは、移動可能な基板キャリア６０２を、ベースプレート６５０（例えば図１に関連して以上で説明されるトラック１２０）上に移動可能に配置し、一つ又は複数の基板の、図１で説明される指標付きのインライン基板処理ツール１００を通る動き、或いはスタンドアローン基板処理ツール、インライン基板処理ツール、又はクラスタ基板処理ツールを出たり入ったりする動きを容易にすることができる。幾つかの実施形態では、ベースプレート６５０の上面６５２は、コーティング、例えば、乾式潤滑剤並びに／或いはニッケル合金（ＮｉＡｌ）含有コーティング又は乾式潤滑剤などの耐摩耗強化材料を備え、基板キャリアの、処理ツールを通る動き、又は処理ツールを出たり入ったりする動きを容易にすることができる。代替的に、又は組み合わせによって、幾つかの実施形態では、複数のローラ、ホイール、低接触領域軸受面／特徴（ｌｏｗ  ｃｏｎｔａｃｔ  ａｒｅａ  ｂｅａｒｉｎｇ  ｓｕｒｆａｃｅｓ／ｆｅａｔｕｒｅｓ）が、基板キャリア６０２とベースプレート６５０の間に配置され、基板キャリアの、処理ツールを通る動き、又は処理ツールを出たり入ったりする動きを容易にすることができる。
【００４９】
幾つかの実施形態では、移動可能な基板キャリア６０２は、主に垂直方向で互いに向き合う基板支持プレート６０４のペアを含むことができる。基板支持プレート６０４は、直接（例えば締め具を使用して又はポストを介して共に固定されて）共に連結されるか、又は移動可能な基板キャリア６０２に連結される。幾つかの実施形態では、各基板支持プレート６０４は、基板支持プレート６０４の低部分から上方へ且つ外側へ延在する基板支持面６０６を含み、基板支持プレート６０４が移動可能な基板キャリア６０２の上に取り付けられるとき、基板支持面６０６は、図６Ａに示されるように「Ｖ」型パターンを形成する。基板支持面６０６は、その上に堆積されたときに一つ又は複数の基板を支持する一つ又は複数のポケットを含む。したがって、基板が基板支持面６０６上に堆積されるとき、基板それぞれに対して処理される上面は、互いに向き合う。処理の間に基板を互いに向き合わせることにより、有利には、基板間に放射状空隙（例えば基板支持体６０６間の領域６０８）がつくられ、それにより、基板に均等で釣り合いがとれた熱の量が供給され、したがって、基板間の処理の均一性が促進される。幾つかの実施形態では、基板支持面６０６は、垂直方向から約２度と１０度の間の角度で保持される。幾つかの実施形態では、支持プレート６０４が共に連結されるとき、支持プレート６０４の側面は実質的に密封を形成し、プロセスガスが支持プレート６０４の側面から逃げることを抑える。それに加えて、支持プレート６０４が共に配置されるとき、支持プレート６０４の底部に沿って底部排気スロット６２０が形成され、基板処理用ガスの排気が容易となる。
【００５０】
幾つかの実施形態では、図５の基板キャリア５０２に関連して説明されるように、プロセスガスが基板支持面６０６間の領域６０８に供給される一方で、基板支持面６０６の裏面６１０に近接して配置される熱源（例えば上述の加熱ランプ３０２、３０４）が基板支持面６０６上に配置される基板に熱を供給する。
【００５１】
移動可能な基板キャリア６０２は搬送ベース６１２を含む。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４は、搬送ベース６１２におけるポケット６１４の上面６１２上に配置される。基板支持プレート６０４は、例えば、締め具を使用して又は搬送ベース６１２上に配置される支持ポストを使用して、搬送ベース６１２上に拘束されることができる。幾つかの実施形態では、スペーサ６１８は、基板支持プレート６０４と共に使用され、基板支持プレート６０４を搬送ベースポケット６１４の内側端面６１６の内部に固定することを助けることができる。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４が搬送ベースポケット６１４上に十分に拘束されている場合、追加の締め具は必要とされないことがある。幾つかの実施形態では、スペーサ６１８は、放射を遮断し且つ絶縁を提供するために、不透明石英から製造することができる。他の実施形態では、透明石英は、放射を吸収することなく絶縁するために使用されることができる。
【００５２】
搬送ベース６１２は、一つ又は複数の排気口並びに数多くの排気チャネル及び導管を含み、一つ又は複数の異なる種類のガスの排気を容易にする。幾つかの実施形態では、第１ガスチャネル６２２が、搬送ベース６１２の中央線に沿って搬送ベース６１２の上面に形成され、基板支持プレート６０４間に形成される底部排気スロット６２０に流体連結されることができる。第１ガスチャネル６２２は、基板が基板支持プレート上に配置されたときに基板を処理するために（例えばガス入口２０８を介して）基板支持プレート６０６間に注入されたプロセスガスから、底部排気スロット６２０を介して、排気ガスを受け入れる。底部排気スロット６２０を介して受け入れられた排気ガスは、第１ガスチャネル６２２に沿って移動し、第１ガスチャネル６２２の長さに沿って形成される一つ又は複数の開口６２４を使用して第１ガスチャネル６２２から流出することができる。一つ又は複数の開口６２４はそれぞれ、搬送ベース６１２の中央線に沿って搬送ベース６１２の底面上に形成される第２排気チャネル６２６に流体連結される。したがって、一つ又は複数の開口６２４は、第１ガスチャネル６２２を第２ガスチャネル６２６に流体連結される。
【００５３】
幾つかの実施形態では、搬送ベース６１２は、搬送ベース６１２の長さに沿って形成され、且つ基板支持プレート６０４の両側で搬送ベース６１２の外側端面６３０に近接して配置される一つ又は複数のパージガス排気導管６２８を含む。パージガス排気導管６２８は、ガス入口２０８を介して注入されるパージガスを受け入れ且つ排気し、上述のパージガスカーテンを形成する。一つ又は複数のパージガス排気導管６２８はそれぞれ、搬送ベース６１２の底面上に形成され、且つ第２ガスチャネル６２６に流体連結される底部ポケット６３２に流体連結される。したがって、一つ又は複数のパージガス排気導管６２８は、第２ガスチャネル６２６に流体連結される。
【００５４】
幾つかの実施形態では、ベースプレート６５０は、ベースプレート６５０の中央線に沿ってベースプレート６５０の上面に形成される中央ガスチャネル６５６を含む。中央ガスチャネル６５６は、ベースプレート６５０の上面からベースプレート６５０の底面６６８へと延在する一つ又は複数の排気導管６５８に流体連結される。中央ガスチャネル６５６は、排気ガスを受け入れるために搬送ベース６１２上の第２ガスチャネル６２６と流体連結する。排気導管６５８は、システム６００から排気ガスを受け入れるポート６６２に流体連結される。
【００５５】
幾つかの実施形態では、基板キャリア６０２が処理ツールに配置される間、洗浄ガスを排気システムに供給し、排気システムから堆積された材料を除去することを容易にすることができる。特に図６の実施形態に関連して、一つ又は複数の洗浄ガスは、洗浄ガス供給ポート６６４によって、ベースプレート６５０内に形成される一つ又は複数の洗浄ガス供給導管６６６に供給されることができる。洗浄ガスは排気の内部に処理副生成物が堆積されることを防ぎ、それにより、洗浄／保守に必要なダウンタイムが減少する。洗浄ガスは、モジュールから特定の材料を除去するのに適切な任意のガス、又はモジュール構成要素上の堆積を防ぐのに適切な任意のガスであってもよい。例えば、幾つかの実施形態では、洗浄ガスは、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素ガス（Ｃｌ２）などの一つ又は複数の塩素含有ガスを含むことができる。代替的に、幾つかの実施形態では、不活性ガスが洗浄ガス供給導管６６６に供給され、導管及び導管の表面を通って流れる排気ガスの間にバリアを形成することによって上述の任意のガス導管（例えば、導管、スロット、開口、及びチャネル）に材料が堆積されることを最小限にすることができる。
【００５６】
基板キャリア６０２がベースプレート６５０上の位置へと移動するとき、洗浄ガス供給導管６６６は、搬送ベース６１２内に形成される一つ又は複数の洗浄ガス供給導管６７０と実質的に位置合わせされる。洗浄ガス供給導管６７０は、入口６７４を介して、洗浄ガス供給チャネル６７６に流体連結される。洗浄ガス供給チャネル６７６は、洗浄ガスを、搬送ベース６１２の上部に形成される洗浄ガス供給スロット６７２（ビア）に供給する。洗浄ガス供給スロット６７２は、搬送プレート６１２の上部の第１ガスチャネルに流体連結される。したがって、洗浄ガスは、上述のプロセスガスと同じ通路を介して（例えば、開口６２４、第２ガスチャネル６２６、中央ガスチャネル６５６、排気導管６５８、及び排気ポート６６２を介して）排気される。幾つかの実施形態では、洗浄ガス供給ポート６６４によって供給される洗浄ガスは、ガス入口２０８によって供給されるプロセスガス排気と混合する。他の実施形態では、上述の排気導管を洗浄するために、洗浄ガスのみが供給される。
【００５７】
幾つかの実施形態では、中央ガスチャネル６５６は、不透明石英材料から製造されるライナ６６０を含むことができる。幾つかの実施形態では、ベースプレート６５０は、熱の除去を促進するために一つ又は複数の冷却チャネル６５４を含むことができる。一つ又は複数のチャネルは、冷却サプライ（図示せず）に流体連結されることができる。
【００５８】
上述の排気システム６００の構成要素は、基板処理を支持するのに適切な任意の材料から製造されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４又は支持面６０６は、グラファイトから製造することができる。このような実施形態では、グラファイトは、例えば炭化ケイ素（ＳｉＣ）でコーティングし、劣化に対する耐性を提供する及び／又は基板の汚染を最小限にすることができる。幾つかの実施形態では、様々な処理に必要とされる加熱プロファイル又は堆積プロファイルに基づいて、上述の任意の構成要素は、所望されるとおり、透明又は不透明の石英から製造されることができる。
【００５９】
幾つかの実施形態では、洗浄ガス供給ポート６６４は、洗浄ガスを排気システム６００に供給するために一つ又は複数の質量流量コントローラ６８０に連結されることができる。質量流量コントローラ６８０は、供給される一つ又は複数の洗浄ガスの量と濃度を制御するためにコントローラ６８２に連結されることができる。コントローラ６８２は、中央処理装置（ＣＰＵ）６８４、メモリ６８６、及び支持回路６８８を含む。コントローラ６８２は、様々な基板処理ツール又はその構成要素を制御するために産業用の設定で使用できる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つとすることができる。コントローラ６８２のメモリ又はコンピュータ可読媒体６８６は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、フロッピーディスク、ハードディスク、光記憶媒体（例えば、コンパクトディスク若しくはデジタルビデオディスク）、フラッシュドライバ、又はローカル若しくは遠隔の任意の他の形態のデジタルストレージなど、容易に入手可能なメモリのうちの一つ又は複数とすることができる。支持回路６８８は、従来の方式でプロセッサを支持するためにＣＰＵ６８４に連結される。これらの回路は、キャッシュ、電源、クロック回路、入出力回路、及びサブシステムなどを含む。本明細書に記載する本考案の方法は、本明細書に記載するように排気システム６００の動作を制御するために実行する又は呼び出すことができるソフトウェアルーチンとして、メモリ６８６内に記憶することができる。ソフトウェアルーチンは、ＣＰＵ６８４によって制御されるハードウェアから遠隔に位置する第２のＣＰＵ（図示せず）によって記憶及び／又は実行することもできる。    
【００６０】
図６Ｂは、ポケット６１４、第１ガスチャネル６２２、開口６２４、パージガス排気導管６２８、洗浄ガス供給スロット６７２、及び入口６７４を含む、搬送ベース６１２の概略上面図を示す。図６Ｃ及び図６Ｄは、搬送プレート６１２及びベースプレート６５０の等角図である。図６Ｃ及び図６Ｄでは、基板キャリア６０２をベースプレート６５０上に保持することを助ける基板キャリアガイド６９０がさらに示される。
【００６１】
図７Ａは、本明細書に記載される本考案の実施形態で使用されうる排気システム７００の別の例示的な実施形態を示す。図５及び図６Ａから図６Ｄの実施形態に関連して記載される幾つかの特徴／構成要素は、以下に記載される特徴と併せて、又はその代わりとして使用することができる。
【００６２】
図７Ａでは、移動可能な基板キャリア７０２を、ベースプレート７５０（例えば図１に関連して以上で説明されるトラック１２０）上に移動可能に配置し、一つ又は複数の基板の、図１で説明される指標付きのインライン基板処理ツール１００を通る動き、或いはスタンドアローン基板処理ツール又はクラスタ基板処理ツールを出たり入ったりする動きを容易にすることができる。幾つかの実施形態では、基板キャリア７０２は、低接触領域軸受面／特徴７１０上で滑動することによって、ベースプレート７５０に沿って移動することができる。幾つかの実施形態では、特徴７１０及び／又はベースプレート７５０の上面７５２は、例えば、基板キャリア７０２が処理ツールを通る動き又は処理ツールを出たり入ったりする動きを容易にするため、上述の任意の類似するコーティングなどのコーティングを備えることができる。
【００６３】
幾つかの実施形態では、移動可能な基板キャリア７０２は、図６Ａに関連して以上で説明されように、基板支持プレート６０４のペアを含むことができる。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４は、搬送ベース７１２上に配置され、且つ搬送ベース７１２によって支持される。複数の支持体７０４を設け、基板支持プレート６０４を搬送ベース７１２の上に持ち上げることができ、それにより、以下に記載の中央排気スロット７２２を介して排気されるようにモジュールに供給されるパージガスのためのチャネルが設けられる。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４は、締め具又は他の適切な手段によって搬送ベース７１２に連結されることができる。幾つかの実施形態では、支持体７０４は、締め具が必要とされないように、ベース内のスロットに適合されることができる。支持体７０４は、必要とされる熱的連結（ｔｈｅｒｍａｌ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）に応じて、基板支持プレート６０４と同じ材料又は代替の材料のどちらか一方から製造されることができる。
【００６４】
搬送ベース７１２は、一つ又は複数の異なる種類のガスの排気を容易にするために、中央排気スロット７２２を含む。中央排気スロット７２２は、搬送ベース７１２の上面を搬送ベース７１２の底面に流体連結する。幾つかの実施形態では、中央排気スロット７２２は、図７Ｂの等角図で示されるように搬送ベース７１２の中央線に沿って形成される。中央排気スロット７２２は、基板支持プレート６０４間に形成される底部排気スロット６２０に流体連結される。中央排気スロット７２２は、基板が基板支持プレート上に配置されたときに基板を処理するために（例えばガス入口２０８を介して）基板支持プレート６０６間に注入されたプロセスガスから、底部排気スロット６２０を介して、排気ガスを受け入れる。底部排気スロット６２０を介して中央排気スロット７２２によって受け入れられた排気ガスは、中央排気スロット７２２を通って排気アセンブリ７１６に移動することができる。幾つかの実施形態では、ベースプレート７５０は、熱の除去を促進するために一つ又は複数の冷却チャネル７５４を含むことができる。一つ又は複数のチャネルは、冷却サプライ（図示せず）に流体連結されることができる。
【００６５】
幾つかの実施形態では、排気アセンブリは、カバープレート７３０、バッフルプレート７３２、デフレクタプレート７３４、排気ベース７３６、及びベースプレート７５０のうちの一つ又は複数を含むことができる。カバープレート７３０、バッフルプレート７３２、デフレクタプレート７３４、及び排気ベース７３６は、ベースプレート７５０に形成されるポケット内に配置されることができる。
【００６６】
幾つかの実施形態では、カバープレート７３０は、搬送ベース７１２の中央部分の直接下に配置されることができる。カバープレート７３０は、搬送ベース７１２の中央排気スロット７２２と実質的に位置合わせされる中央排気スロット７２６を含むことができる。カバープレート７３０は、排気の流れを均等に分配し、流れのチャネリングを最小限にする。カバープレート７３０は、排気からの粒子が基板支持体間の領域に逆流し、基板に達する可能性を減らすことができる。図７Ｃは、中央排気スロット７２６を示すカバープレートの等角図である。幾つかの実施形態では、カバープレート７３０の底面は、排気ベース７３６の上面によって排気アセンブリ７１６において支持されることができる。幾つかの実施形態では、カバープレート７３０の底面は、カバープレート７３０を固定することを助けるためにステップフィーチャ（ｓｔｅｐ  ｆｅａｔｕｒｅ）７４０をさらに含むことができる。
【００６７】
幾つかの実施形態では、バッフルプレート７３２は、搬送ベース７１２の直接下に配置されるか、又はカバープレート７３０が存在するとき、カバープレート７３０の下に配置されることができる。バッフルプレートは、複数の排気孔７２４を含むことができ、複数の排気孔７２４は、バッフルプレート７３２の本体を通って延在し、且つ排気スロット７２２及び７２６のうちの一つ又は複数から受け入れられた排気ガスをより均一に排気アセンブリ７１６の下部分に通すように構成される。幾つかの実施形態では、バッフルプレートの底面は、より均一な排気の流れを供給するために、支持リッジ７３８によって分離される一つ又は複数の凹部７４２を含むことができる。図７Ｄは、排気孔７２４及び支持リッジ７３８によって分離された一つ又は複数の凹部７４２を示すバッフルプレートの等角下面図である。幾つかの実施形態では、バッフルプレート７３２の底面は、デフレクタプレート７３４の上面によって排気アセンブリ７１６において支持されることができる。幾つかの実施形態では、カバープレート７３０の底面は、さらにステップフィーチャ７４０を含むことができる。
【００６８】
幾つかの実施形態では、デフレクタプレート７３４は、バッフルプレート７３２の排気孔７２４と排気ポート７６２の間に、バッフルプレート７３２の直接下に配置されることができる。デフレクタプレート７３４は、操作の間にモジュールからより均一な排気を供給するために、排気アセンブリの圧力勾配をさらに分散させる。デフレクタプレート７３４は、デフレクタプレート７３４の端面に近接して配置され、且つデフレクタプレート７３４の長さに沿って形成される複数の排気スロット７４４を含むことができる。排気スロット７４４は、排気ベース７３６の底部分内に形成されるガスチャネル７４８に排気ガスを提供する。図７Ｅは、排気スロット７４４を示すデフレクタプレート７３４の等角図である。幾つかの実施形態では、デフレクタプレート７３４の底面は、排気ベース７３６上に形成されるステップフィーチャ７４６によって、排気アセンブリ７１６において支持されることができる。
【００６９】
幾つかの実施形態では、排気ベース７３６は、ベースプレート７５０の凹部７５８内に配置されることができる。幾つかの実施形態では、排気ベース７３６は、ベースプレート７５０内の一つ又は複数の排気導管７５６と位置合わせされる一つ又は複数の排気導管７６０を含むことができる。排気ガスは、次いで排気ポート７６２を介して排気アセンブリ７１６から離れることができる。図７Ｆ及び図７Ｇは、排気ベース７３６及びベースプレート７５０の等角図であり、それぞれ排気導管７６０及びベースプレート７５０の凹部７５８を示す。
【００７０】
図６Ａに関連して以上で説明された実施形態に類似して、幾つかの実施形態では、洗浄ガスが排気システムに供給され、排気システムから堆積された材料を除去することを容易にすることができる。特に図７Ａの実施形態に関連して、且つ図７Ｆ及び図７Ｈで排気ベース７３６の等角図でより明白に示されるように、一つ又は複数の洗浄ガスは、洗浄ガス供給ポート７６４によって、排気ベース７３６内に形成される一つ又は複数の洗浄ガス供給導管７８０に供給されることができる。洗浄ガス供給導管７８０を排気ベース７３６の両側に形成し、洗浄ガスを排気システム７００により均一に分散することができる。洗浄ガスは、モジュールから特定の材料を除去するのに適切な任意のガスであってもよい。例えば、幾つかの実施形態では、洗浄ガスは、塩化水素（ＨＣｌ）、塩素ガス（Ｃｌ２）などのもう一つの塩素含有ガスを含むことができる。代替的に、幾つかの実施形態では、不活性ガスが洗浄ガス供給導管７８０に供給され、導管及び導管の表面を通って流れる排気ガスの間にバリアを形成することによって上述の任意のガス導管（例えば、導管、スロット、開口、及びチャネル）に材料が堆積されることを最小限にすることができる。
【００７１】
図７Ｈで示されるように、洗浄ガス供給導管７８０は、導管７７８に流体連結され、次いで洗浄ガス導管７７６に流体連結される。図７Ａ及び図７Ｆで示されるように、洗浄ガス導管７７６は、導管７７６の長さに沿って配置される複数の供給入口７８２を含み、洗浄ガスをバッフルプレート７３２の上の領域に供給することができる。したがって、洗浄ガスは、上述のプロセスガスと同じ通路を介して（例えば、開口７２４、排気スロット７４４、排気導管７６０及び７５６、並びに排気ポート７６２を介して）排気される。
【００７２】
幾つかの実施形態では、搬送ベース７１２は、搬送ベース７１２の長さに沿って形成され、且つ基板支持プレート６０４の両側で搬送ベース７１２の外側端面に近接して配置される一つ又は複数のパージガス排気導管７２８を含む。パージガス排気導管７２８は、ガス入口２０８を介して注入されるパージガスを受け入れ且つ排気し、上述のパージガスカーテンを形成する。一つ又は複数のパージガス排気導管７２８はそれぞれ、排気孔７２４、排気スロット７４４、排気導管７６０及び７５６、並びに排気ポート７６２のうちの一つ又は複数を介して、排気ポート７６２に流体連結される。他の実施形態では、パージガス排気導管７２８は、回復及び再循環（図示せず）のために、各ゲートモジュールドア／ゲートに近くに位置する別の「清浄な」排気にベントする。
【００７３】
上述の排気システム７００の構成要素は、基板処理を支持するのに適切な任意の材料から製造されることができる。例えば、幾つかの実施形態では、様々な処理に必要とされる加熱プロファイル又は堆積プロファイルに基づいて、上述の任意の構成要素は、所望されるとおり、ＳｉＣ被覆グラファイト、透明（例えば透き通った）又は不透明（例えばくすんだ）の石英であってもよい。高温基板処理チャンバにおける使用に適切な乾式潤滑剤でコーティングされたステンレス鋼は、他の構成要素用に使用することができる。
【００７４】
幾つかの実施形態では、洗浄ガス供給ポート７６４は、洗浄ガスを排気システム７００に供給するために一つ又は複数の質量流量コントローラ（図６Ａに関連して説明される質量流量コントローラ６８０）に連結されることができる。質量流量コントローラは、供給される一つ又は複数の洗浄ガスの量と濃度を制御するためにコントローラ（例えば図６Ａに関連して説明されるコントローラ６８２）に連結されることができる。
【００７５】
上記は本考案の実施形態を対象とするが、本考案の基本的な範囲から逸脱することなく、本考案の他のさらなる実施形態を考案することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図６Ｄ】
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【図７】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【手続補正書】
【提出日】平成27年5月11日(2015.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
移動可能な基板キャリア６０２は搬送ベース６１２を含む。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４は、搬送ベース６１２におけるポケット６１４の上面６１５上に配置される。基板支持プレート６０４は、例えば、締め具を使用して又は搬送ベース６１２上に配置される支持ポストを使用して、搬送ベース６１２上に拘束されることができる。幾つかの実施形態では、スペーサ６１８は、基板支持プレート６０４と共に使用され、基板支持プレート６０４を搬送ベースポケット６１４の内側端面６１６の内部に固定することを助けることができる。幾つかの実施形態では、基板支持プレート６０４が搬送ベースポケット６１４上に十分に拘束されている場合、追加の締め具は必要とされないことがある。幾つかの実施形態では、スペーサ６１８は、放射を遮断し且つ絶縁を提供するために、不透明石英から製造することができる。他の実施形態では、透明石英は、放射を吸収することなく絶縁するために使用されることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
搬送ベース６１２は、一つ又は複数の排気口並びに数多くの排気チャネル及び導管を含み、一つ又は複数の異なる種類のガスの排気を容易にする。幾つかの実施形態では、第１ガスチャネル６２２が、搬送ベース６１２の中央線に沿って搬送ベース６１２の上面に形成され、基板支持プレート６０４間に形成される底部排気スロット６２０に流体連結されることができる。第１ガスチャネル６２２は、基板が基板支持プレート上に配置されたときに基板を処理するために（例えばガス入口２０８を介して）基板支持プレート６０６間に注入されたプロセスガスから、底部排気スロット６２０を介して、排気ガスを受け入れる。底部排気スロット６２０を介して受け入れられた排気ガスは、第１ガスチャネル６２２に沿って移動し、第１ガスチャネル６２２の長さに沿って形成される一つ又は複数の開口６２４を使用して第１ガスチャネル６２２から流出することができる。一つ又は複数の開口６２４はそれぞれ、搬送ベース６１２の中央線に沿って搬送ベース６１２の底面上に形成される第２ガスチャネル６２６に流体連結される。したがって、一つ又は複数の開口６２４は、第１ガスチャネル６２２を第２ガスチャネル６２６に流体連結される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６Ａ】
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【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ】
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【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｈ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｈ】
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