【事件の表示】
　特許第５８０８５１３号発明「スパッタリングターゲット材」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８０８５１３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜１９〕について訂正することを認める。
　特許第５８０８５１３号の請求項１〜１８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８０８５１３号の請求項１〜１９に係る特許についての出願は、２０１５年４月２日（優先権主張２０１４年５月８日、日本国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２７年９月１８日にその特許権の設定登録がされ、その後、請求項１〜１８に係る特許に対して、特許異議申立人佐藤勝彦により特許異議の申立てがなされたものであり、その後の手続は以下のとおりである。
　　平成２８年　６月３０日　取消理由通知
　　平成２８年　８月２３日　特許権者：意見書、訂正請求書
　　平成２８年　８月２６日　手続補正指令
　　平成２８年　９月２０日　特許権者：手続補正書
　　平成２８年　９月２８日　訂正拒絶理由
　　平成２８年１０月２５日　特許権者：意見書、手続補正書
　　平成２８年１１月　１日　訂正請求があった旨の通知
　　平成２８年１２月　８日　特許異議申立人：意見書
　　平成２９年　１月２７日　審尋
　　平成２９年　２月２８日　特許権者：回答書
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のとおりである。
（１）請求項１に記載された
「銅系金属相と酸化物相との混合組織を有し、
酸素含有量が５原子％〜３０原子％で、相対密度が８５％以上であり、
バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下であるスパッタリングターゲット材。」
を
「銅系金属相と酸化物相との混合組織を有し、
酸素含有量が５原子％〜３０原子％で、
スパッタリングターゲット材の重量（ｇ）をその体積（ｃｍ３）で除し、下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率として算出される相対密度が８５％以上であり、
バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下であり、
銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍであるスパッタリングターゲット材。
　【数１】
（式中、Ｃ（Ｃｕ）、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれスパッタリングターゲット材中の銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）であり、ρ（Ｃｕ）、ρ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれ銅または銅合金の密度、酸化物の密度である。銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）は、実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する。）」
に訂正する（以下、「訂正事項１」という）。
（２）請求項８に記載された
「銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍであり、酸化物相の平均粒径が０．０５μｍ〜７．０μｍである請求項１〜請求項７いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。」
を
「酸化物相の平均粒径が０．０５μｍ〜７．０μｍである請求項１〜請求項７いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。」
に訂正する（以下、「訂正事項２」という）。
２　訂正要件の判断
（１）訂正事項１について
　ア　訂正事項１における「相対密度」に関する訂正は、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「本件特許明細書」という。）の発明の詳細な説明の「相対密度：スパッタリングターゲット材の重量（ｇ）をその体積（ｃｍ３）で除し、下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率を算出して、相対密度（％）とした。
【数１】
　式中、Ｃ（Ｃｕ）、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれスパッタリングターゲット材中の銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）を示しており、ρ（Ｃｕ）、ρ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれ銅または銅合金の密度、酸化物の密度を示している。銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）は、実測された焼結体中の酸素が、全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出した。」（段落【００３２】〜【００３４】）との記載に基づき、「相対密度」の定義を明確にするものであるから、当該訂正は「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、本件特許明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、新規事項の追加に該当しない。
　イ　訂正事項１における「銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍである」との訂正は、請求項１に係る発明のスパッタリングターゲット材の「銅系金属相」に関して、その平均粒径を特定するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。そして、当該訂正に関連する記載として、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、「本発明に係るスパッタリングターゲット材は、銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍ・・・であることが好ましい。」（段落【００１４】）と記載されているから、当該訂正は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、新規事項の追加に該当しない。
　ウ　訂正事項１は、「相対密度」を明瞭とし、「銅系金属相」の平均粒径を限定するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（２）訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正事項１において、請求項１に「銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍである」ことが特定されたことにより、該請求項１を引用する請求項８において、重複する発明特定事項を削除するものであるから、「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（３）一群の請求項について
　訂正事項１は、訂正前の請求項１を訂正するものであり、訂正前の請求項２〜１９は、請求項１を引用するため、請求項１〜１９は一群の請求項である。
　よって、本件訂正請求は、一群の請求項１〜１９について請求されたものである。
（４）独立特許要件
　本件訂正請求は、訂正後の請求項１〜１９に関連するところ、請求項１〜１８は特許異議の申立てがなされたので、独立特許要件の規定は適用されない。
　また、特許異議の申立てがなされていない請求項１９に係る発明は、請求項１に係る発明の製造方法に相当するものであり、後述する「第３　特許異議の申立てについて」において、請求項１に係る発明について検討したと同様に、その特許を取り消すべき理由がないから、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号までに掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第７項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜１９〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
（１）本件訂正請求により訂正された請求項１〜１９に係る発明（以下「本件発明１」〜「本件発明１９」といい、まとめて「本件発明」ということもある。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された次の事項により特定されるものである。
「【請求項１】
銅系金属相と酸化物相との混合組織を有し、
酸素含有量が５原子％〜３０原子％で、
スパッタリングターゲット材の重量（ｇ）をその体積（ｃｍ３）で除し、下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率として算出される相対密度が８５％以上であり、
バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下であり、
銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍであるスパッタリングターゲット材。
　【数１】
（式中、Ｃ（Ｃｕ）、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれスパッタリングターゲット材中の銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）であり、ρ（Ｃｕ）、ρ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれ銅または銅合金の密度、酸化物の密度である。銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）は、実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する。）
【請求項２】
銅系金属相が銅相、またはニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む銅合金相である請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項３】
銅系金属相が銅−ニッケル合金相または銅−チタン合金相である請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項４】
酸化物相が酸化銅相または銅合金酸化物相である請求項１〜請求項３いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項５】
銅合金酸化物相が、ニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む請求項１〜請求項４いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項６】
銅合金酸化物相が、銅−ニッケル合金酸化物相または銅−チタン合金酸化物相である請求項１〜請求項４いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項７】
ニッケル含有量が６１．０原子％以下であり、チタン含有量が７．５０原子％以下である請求項２〜請求項６いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項８】
酸化物相の平均粒径が０．０５μｍ〜７．０μｍである請求項１〜請求項７いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項９】
スパッタリングターゲット材の断面観察において、６０μｍ×６０μｍの範囲における銅系金属相の面積比が０．３２以上である請求項１〜請求項８いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１０】
直流電源による放電に用いる請求項１〜請求項９いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１１】
黒化層を形成するために用いる請求項１〜請求項１０いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、
　銅粉および／または銅合金粉、もしくは銅粉および銅合金を形成するための銅以外の金属粉と、酸化物粉とを混合する工程と、
　真空雰囲気下で、銅または銅合金の融点よりも４５０℃〜２００℃低い温度範囲内の焼結温度で焼結する工程を含むスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１３】
銅合金粉がニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む請求項１２に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１４】
銅合金粉が銅−ニッケル合金粉、または銅−チタン合金粉である請求項１２または請求項１３に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１５】
銅合金を形成するための銅以外の金属粉がニッケル粉、チタン粉のうち少なくとも一つを含む請求項１２に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１６】
酸化物粉が酸化銅粉、または銅合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１７】
酸化物粉がニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む銅合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１８】
酸化物粉が銅−ニッケル合金酸化物粉または銅−チタン合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１９】
焼結は通電焼結法による請求項１２〜請求項１８いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。」
２　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜１８に係る特許に対して平成２８年６月３０日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由１（特許法第３６条第６項第２号）
　請求項１に記載された「相対密度」は明確でないため、請求項１〜１８に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してなされたものである。
（２）取消理由２（特許法第２９条第１項第３号及び第２項）
・刊行物１：特開２０１０−２４８６２７号公報（甲第１号証） 
・刊行物２：特開２００８−２７７６８５号公報（甲第２号証） 
・刊行物３：特開２０００−３１３９０５号公報（甲第３号証）
　請求項１、２、４に係る発明は、刊行物３の記載を参酌すれば、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。また、請求項１０に係る発明は、刊行物１に記載された発明及び刊行物２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　また、請求項１、２、４、１０に係る発明は、刊行物１及び３の記載を参酌すれば、刊行物２に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許法第２９条第１項の規定により特許を受けることができないものである。また、請求項１、２、４、１０、１２、１６に係る発明は、刊行物２に記載された発明及び刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
３　取消理由に対する当審の判断
（１）取消理由１（特許法第３６条第６項第２号）
ア　訂正後の請求項１には、「相対密度が８５％以上」との発明特定事項を含む「スパッタリングターゲット材」の発明が記載されている。
　そして、「相対密度」といった特性を用いて物を特定しようとする発明が明確であるためには、当該特性の定義及び試験・測定方法が、ＪＩＳ等の標準的なものにより定められたものであること、当該技術分野において当業者に慣用されているものであること、慣用されていないにしても当業者が当該特性の定義及び試験・測定方法を理解することができること、あるいは、発明の詳細な説明に当該特性の定義及び試験・測定方法が明確に記載されていることのいずれかが必要といえる。
　そこで検討すると、請求項１には、「相対密度」に関して、「スパッタリングターゲット材の重量（ｇ）をその体積（ｃｍ３）で除し、下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率として算出される相対密度」であって、理論密度の理論式が、
「【数１】
（式中、Ｃ（Ｃｕ）、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれスパッタリングターゲット材中の銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）であり、ρ（Ｃｕ）、ρ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれ銅または銅合金の密度、酸化物の密度である。銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）は、実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する。）」であることが記載されている。
　また、焼結体中の酸素量の測定に関して、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００３１】には、「焼結体の表面を機械加工により削り、得られた切粉から酸素窒素分析装置（ＥＭＧＡ−５５０／（株）堀場製作所製）を用いて、酸素含有量を測定した。」と記載されている。
　さらに、本件特許明細書の発明の詳細な説明の段落【００４２】に「図２に実施例４のスパッタリングターゲット材の断面を観察した結果を示す。図２の黒色に見える部分が銅とニッケルとの合金相（銅系金属相）であり、それ以外の部分が酸化物相である。この酸化物相には、ＥＤＳスペクトルとＥＢＳＤパターンの結果より、酸化ニッケル相も含まれていると判明した。」と記載されているように、銅合金酸化物相の組成は、ＥＤＳスペクトルとＥＢＳＤパターンから同定することが記載されている。
　そうしてみると、請求項１に記載された「相対密度」は、「下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率として算出される相対密度」であるところ、この「理論密度」に関して、スパッタリングターゲット中の金属が銅のみである場合の「理論密度」は、酸素窒素分析装置を用いて実測された焼結体中の酸素が、全て酸化銅（Ｉ）を形成するものとして、銅相の含有量であるＣ（Ｃｕ）と酸化銅（Ｉ）相の含有量であるＣ（Ｃｕ２Ｏ）が算出されると共に、銅の密度ρ（Ｃｕ）と酸化銅（Ｉ）の密度ρ（Ｃｕ２Ｏ）を用いて、上記理論式によって算出されることが、本件特許明細書の記載から明らかである。
　また、スパッタリングターゲット中の金属が銅合金である場合の「理論密度」は、ＥＤＳスペクトルとＥＢＳＤパターンから同定された銅合金酸化物相の組成を用いて、さらに、酸素窒素分析装置を用いて実測された焼結体中の酸素が、全て前記銅合金酸化物を形成するものとして、銅合金酸化物相の含有量であるＣ（Ｃｕ２Ｏ）が算出され、さらに、銅合金の原料の残部が銅合金相を形成するものとして、銅合金相の含有量であるＣ（Ｃｕ）及び銅合金相の組成が算出されると共に、それぞれの組成に応じた銅合金の密度ρ（Ｃｕ）と銅合金酸化物の密度ρ（Ｃｕ２Ｏ）を用いて、上記理論式によって理論密度ρが算出されることが、本件特許明細書の記載から明らかである。
　したがって、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、当該特性の定義及び試験・測定方法が明確に記載されているから、「相対密度が８５％以上」との発明特定事項を含む本件発明１は明確である。
　本件発明１を引用する本件発明２〜１８についても同様に明確である。
　以上のとおり、本件発明１〜１８は、明確であるから、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしている。
イ　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は、実施例４及び５は、ニッケル粉と酸化銅（ＩＩ）粉を原料としていることから、「実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する」との記載の意味が不明であるし、実施例４及び５にはニッケルが含まれていることから、「銅合金酸化物」には、銅−ニッケル合金の酸化物が含まれていると考えられるが、（数１）には銅合金酸化物を表す項は含まれていないため、「理論密度」が不明確である旨を主張している（意見書第２頁第１６行〜第４頁第１５行）。
　しかしながら、上記アで検討したとおり、銅系金属相が銅合金である場合に、「実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する」との記載は、実測された焼結体中の酸素が全て銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出することを示していることは明らかであるし、また、【数１】の理論式の付記によれば、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）及びρ（Ｃｕ２Ｏ）は、それぞれ、銅合金酸化物の含有量及び密度も示していることが明らかであるから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
（２）無効理由２（特許法第２９条第１項第３号及び第２項）
ア　刊行物に記載された発明
（ア）刊行物１（特開２０１０−２４８６２７号公報）
　刊行物１には、以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審が付した。以下、同様。）
　「【００１６】
　ターゲットの製造方法については種々あるが、一般にターゲットに要求される高純度、均一組織、高密度を達成できるものであれば良い。特に、組織の均一性の点から粉末冶金法が適しており、例えば、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）やホットプレスによる焼結が適用できる。なお、
スパッタリングターゲットとして安定して使用可能な相対密度９８％以上を得る
　「【００１９】
　・・・また、使用するＣｕ粉末としては、加熱処理による酸素導入において酸素量の制御がしやすいため、粒度分布（ｄ５０）が５０〜１５０μｍのものを用いるのが好ましい。
　また、添加元素の粉末としては、Ｃｕ中に均一に分散させるためにはＣｕ粉末と同程度の粒度分布の粉末を用いることが好ましく、粒度分布（ｄ５０）が５〜２００μｍのものを用いるのが好ましい。」
　「【実施例１】
【００２１】
　純度９９．９％、酸素含有量５２０質量ｐｐｍ、粒度分布（ｄ５０）が
１００μｍのＣｕ粉末を、体積百分率で酸素濃度１９％の酸素含有雰囲気中（大気中）で、表１に示す各加熱温度、加熱時間で加熱処理した粉末を作製した。
添加元素粉末として、Ｓｉ粉末（ｄ５０＝１１０μｍ）、Ｔｉ粉末（ｄ５０＝３４μｍ）、Ｍｏ粉末（ｄ５０＝１００μｍ）、Ｎｉ粉末（平均粒径ｄ５０＝８８μｍ）、Ｂ粉末（ｄ５０＝２１μｍ）を準備した。上記で得られた酸素導入したＣｕ粉末および添加元素粉末を、表２に示す割合で混合して、軟鋼製の加圧容器に充填した後、温度９５０℃、圧力１２０ＭＰａ、１時間の条件で熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）による加圧焼結を施して酸素含有Ｃｕ合金焼結体を作製した。
・・・
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
　次に、
上記で作製した試料１〜１２のスパッタリングターゲット
【００２７】
　次に、上記で形成した酸素含有Ｃｕ合金薄膜およびＣｕ薄膜に関して以下の評価を行った。
（１）比抵抗測定
・・・結果を表３に示す。
（２）密着性試験
・・・結果を表３に示す。
【００２８】
【表３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記【実施例１】の記載事項によれば、刊行物１には、「試料Ｎｏ．７」に注目すると、Ｂ０．５原子％、Ｎｉ０．５原子％、酸素７．４原子％、残部Ｃｕの「ターゲット組成」からなる「スパッタリングターゲット」であり、「粒度分布（ｄ５０）が１００μｍ」の「酸素導入したＣｕ粉末」と「Ｎｉ粉末（平均粒径ｄ５０＝８８μｍ）」と「Ｂ粉末（ｄ５０＝２１μｍ）」を「混合」して「熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）による加圧焼結を施し」た「酸素含有Ｃｕ合金焼結体」からなる「スパッタリングターゲット」が記載されているといえる。また、【００１６】の上記記載事項によれば、上記「スパッタリングターゲット」は、「相対密度９８％以上」といえる。
　これら記載を本件発明１の記載ぶりに則して整理すると、刊行物１には、
「酸素導入したＣｕ粉末（平均粒径ｄ５０＝１００μｍ）とＮｉ粉末（ｄ５０＝８８μｍ）とＢ粉末（ｄ５０＝２１μｍ）を混合して熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）による加圧焼結を施した酸素含有Ｃｕ合金焼結体からなり、Ｂ０．５原子％、Ｎｉ０．５原子％、酸素７．４原子％、残部Ｃｕのターゲット組成からなり、相対密度が９８％以上であるスパッタリングターゲット」の発明（以下、「刊行物１発明」という。）が記載されているといえる。
（イ）刊行物２（特開２００８−２７７６８５号公報）
　刊行物２には、以下の事項が記載されている。
　「【００１１】
　純度：９９．９９質量％の
純Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃｏ粉末、Ｚｎ粉末およびＣｕＯ粉末を用意し、これら原料粉末を表１〜２に示される配合割合で配合し、ボールミルで混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を温度：７００℃、圧力：４０トンに保持することによりホットプレスし、得られたホットプレス体を機械加工して直径：１５２ｍｍ、厚さ：１２ｍｍの寸法を有し表１〜２に示される成分組成を有する本発明銅合金スパッタリングターゲット
を作製した。
　「【００１３】
　・・・
本発明ターゲット１〜２４
　
電源：直流方式
　スパッタパワー：６００Ｗ、
　到達真空度：４×１０−５Ｐａ、
　雰囲気ガス組成：Ａｒ、
　Ａｒガス圧：０．６７Ｐａ、
　ガラス基板加熱温度：１５０℃、
の条件で１分間成膜し
　ウ　「【００１６】
【表２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　上記記載事項によれば、刊行物２には、「ターゲット２４」に注目すると、酸素６．０原子％、Ｎｉ０．５原子％、Ｃｏ０．８原子％、Ｚｎ１．５原子％、残部Ｃｕ及び不可避不純物の「ターゲット成分組成」からなる「銅合金スパッタリングターゲット」であって、「純Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃｏ粉末、Ｚｎ粉末およびＣｕＯ粉末」を「配合」した「混合粉末」を「温度：７００℃、圧力：４０トン」で「ホットプレス」して作製された「銅合金スパッタリングターゲット」が記載されているといえる。
　これら記載を本件発明１の記載ぶりに則して整理すると、刊行物２には、
「純Ｃｕ粉末、Ｎｉ粉末、Ｃｏ粉末、Ｚｎ粉末およびＣｕＯ粉末を配合した混合粉末をホットプレスして作製された銅合金スパッタリングターゲットからなり、酸素６．０原子％、Ｎｉ０．５原子％、Ｃｏ０．８原子％、Ｚｎ１．５原子％、残部Ｃｕ及び不可避不純物のターゲット成分組成からなる銅合金スパッタリングターゲット」の発明（以下、「刊行物２発明」という。）が記載されているといえる。
（ウ）刊行物３（特開２０００−３１３９０５号公報）
　刊行物３には、以下の事項が記載されている。
　「【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、等方加圧焼結体にあり、好ましくは第一酸化銅（Ｃｕ２Ｏ）を５〜８０体積％含み、残部が銅（Ｃｕ）と不可避的不純物からなり、前記Ｃｕ２Ｏ相及びＣｕ相が分散した組織を有し、室温から３００℃における熱膨張係数が５×１０-6〜１７×１０-6／℃、熱伝導率が３０〜３７５Ｗ／ｍ・Ｋであり、また導電率が１０〜８５％ＩＡＣＳであることを特徴とする銅複合材料にある。
　「【００３３】原料粉の混合は、Ｖミキサー，ポットミルあるいはメカニカルアロイング等によって行われるが、原料粉末の粒径は混合時やＨＩＰ焼結後のＣｕ２Ｏの分散性に影響を及ぼすので、Ｃｕ粉末は１００μｍ以下、Ｃｕ２Ｏ及びＣｕＯ粉末の粒径は１０μｍ以下、特に１〜２μｍが好ましい。」
　「【００３８】本発明において、・・・焼結後のＣｕ２Ｏ粒子は不規則な形状であるが、焼結前の粒子が連なっているので、より高倍率で見ることにより、焼結前の粒子径を見ることができる。Ｃｕ２Ｏ相は１０μｍ以下が好ましい。」
　「【００４２】
【発明の実施の形態】（実施例１）原料粉として、７５μｍ以下の電解Ｃｕ粉末と純度３Ｎ，粒径１〜２μｍのＣｕ２Ｏ粉末を用いた。Ｃｕ粉末とＣｕ２Ｏ粉末を表２（当審注：「表１」の誤記と認められる。）に示す比率で１５０ｇ調合した後、スチールボールを入れた乾式のポットミル中で１０時間以上混合した。混合粉末を直径３０ｍｍ，高さ５０ｍｍの鉄製容器に注入し、４００℃で真空脱気・溶接密封後に、ＨＩＰ焼結した。なお、ＨＩＰは加圧力を１０００気圧とし、Ｃｕ２Ｏ含有量に応じて８００℃〜１０００℃の間で変化させ、各温度で３時間保持した。その後、組織観察，密度、熱膨張係数，熱伝導率、導電率及びヴィッカース硬さの測定に供した。熱膨張係数は室温から３００℃の温度範囲でＴＭＡ（Thermal Mechanical Analysis）装置を用いて行い、熱伝導率はレーザーフラッシュ法、導電率はシグマテスターを用い測定した。その結果を表１に併記した。・・・」
　「【００４６】
【表１】
【００４７】また、密度はいずれの焼結体とも理論密度の９５％以上であり、常圧焼結の場合に比べて高密度が得られた。特に、ＨＩＰの効果はＣｕ２Ｏ量が多いほど顕著であった。」
「【００５４】図２にミクロ組織（２００倍）を示す。写真から明らかなように、実施例１の図１に比べて、Ｃｕ２Ｏは微細であり、粒径１０μｍ以下のＣｕ２Ｏが均一分散している。・・・」
　上記段落【００１２】、【００３３】、【００４２】、【００４６】、【００４７】の記載事項によれば、刊行物３には、Ｃｕ２Ｏを５〜８０体積％含み、残部がＣｕと不可避的不純物からなり、前記Ｃｕ２Ｏ相及びＣｕ相が分散した組織を有し、導電率が１０〜８５％ＩＡＣＳである銅複合材料に関して、原料粉末として、粒径１００μｍ以下のＣｕ粉末を用いることは記載されている。
イ　本件発明１について
　本件発明１と刊行物１発明あるいは刊行物２発明を対比すると、本件発明１が「銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍである」との事項を有している点で相違する。
　ここで、特許異議申立人は、刊行物１の「添加元素の粉末としては、Ｃｕ中に均一に分散させるためにはＣｕ粉末と同程度の粒度分布の粉末を用いることが好ましく、粒度分布（ｄ５０）が５〜２００μｍのものを用いるのが好ましい。」（段落【００１９】）との記載を根拠として、間接的にＣｕ粉末の粒度分布（ｄ５０）が５〜２００μｍであることが記載されているから、本件発明１は刊行物１に記載された発明であると主張し、また、刊行物３の「Ｃｕ２Ｏ相は１０μｍ以下が好ましい。」（段落【００３８】）及び「図２にミクロ組織（２００倍）を示す。写真から明らかなように、実施例１の図１に比べて、Ｃｕ２Ｏは微細であり、粒径１０μｍ以下のＣｕ２Ｏが均一分散している。」（段落【００５４】）との記載を根拠にして、刊行物１発明において、Ｃｕ粉末を同程度の粒径とすることに困難性はないから、本件発明１は、刊行物１及び３に記載された発明から当業者が容易になし得たものであると主張している（意見書第４頁第１６行〜第６頁第１５行）。
　しかしながら、刊行物１には、「使用するＣｕ粉末としては、加熱処理による酸素導入において酸素量の制御がしやすいため、粒度分布（ｄ５０）が５０〜１５０μｍのものを用いるのが好ましい。」（段落【００１９】）と記載されていることから、添加元素の粉末の粒度分布（ｄ５０）を参酌しても、間接的にＣｕ粉末の粒度分布（ｄ５０）を５〜１０μｍとすることが記載されているとはいえない。
　また、刊行物１に記載された添加元素の粉末の粒度分布や、刊行物３のＣｕ２Ｏの粒径を参酌したとしても、刊行物１発明及び刊行物２発明において、Ｃｕ相の平均粒径を０．５〜１０．０μｍとすることが当業者にとって容易になし得るものともいえない。
　さらに、本件発明１は、銅系金属相の平均粒径を０．５μｍ〜１０．０μｍとすることで、スパッタリングターゲット材を製造する際の焼結を完全とし、スパッタリングターゲット材の酸素含有量の変動を抑え、銅系合金相のネットワークによる導電経路を形成やすくして、スパッタリング中の異常放電を抑制する効果を奏する（本件特許明細書段落【００１４】）ものである。
　そうしてみると、本件発明１は、刊行物１発明、刊行物２発明、及び、刊行物３に記載された事項から当業者が容易に発明することができたものでない。
ウ　本件発明２、４、１０、１２、１６について
　本件発明２、４、１０、１２、１６は、本件発明１をさらに限定するものであるから、上記イで検討したと同様に、刊行物１発明であるとも、刊行物２発明であるともいえないし、刊行物１発明、刊行物２発明、及び、刊行物３に記載された事項から当業者が容易に発明することができたものでない。
エ　まとめ
　本件発明１、２、４、１０、１２、１６に係る発明は、刊行物１及び刊行物２に記載された発明といえないから、特許法第２９条第１項第３号に該当しない。
　また、本件発明１、２、４、１０、１２、１６に係る発明は、刊行物１〜３に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものでないから、特許法第２９条第２項の規定を違反しているといえない。
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由
（１）特許法第３６条第６項第２号
ア　特許異議申立人は、訂正前の請求項１に記載された「混合組織」という用語の意味が明確でないし、「バルク抵抗値」の測定温度が特定されていないため、「バルク抵抗値」という用語も明確でないから、請求項１〜１８の記載は特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に違反している旨を主張している（特許異議申立書第９頁第１９行〜第１０頁第２４行）。
　しかしながら、「混合組織」は、「混じりあっている組織」を意味することは明らかであるから、当該用語の意味は明確である。
　また、「バルク抵抗値」の測定方法に関して、発明の詳細な説明の段落【００３５】には、「バルク抵抗値：低抵抗率計（ロレスタ−ＨＰ／（株）三菱化学アナリテック製）と四探針プローブを用いて、加工後のスパッタリングターゲット材の体積抵抗値を測定した。」と記載され、当該測定が室温で行われることは技術常識である（必要であれば、特開２００９−１３２９９８号公報の段落【００３７】、特開２００５−７２１５１号公報の段落【００７２】参照）から、「バルク抵抗値」という用語も明確である。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
（２）特許法第３６条第６項第１号
ア　特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明に具体的に記載された、低いバルク抵抗値を実現できる混合組織は、銅系金属相によるネットワークが形成された場合のみであり、その他の形態については全く記載されていないから、本件発明１〜１８は、発明の詳細な説明に記載されていない発明を包含するため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反している旨を主張している（特許異議申立書第１０頁第２５行〜第１１頁第１６行）。
　また、特許異議申立人は、本件発明１〜１８は、酸化物相の種類や金属相と酸化物の割合を特定することなく、酸素含有量だけを特定しているため、例えば、酸化銅（Ｉ）を使用した酸素含有量が３０原子％の材料も含み得るが、発明の詳細な説明には、酸化銅（Ｉ）を使用した酸素含有量が３０原子％の材料が、「直流電源による放電が可能となる、銅または銅合金と酸化物を含有するスパッタリングターゲット材を提供する」（段落【０００８】）との課題を解決できることは記載されていないため、本件発明１〜１８は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反している旨を主張している（特許異議申立書第１１頁第１７行〜第１２頁第４行）。
　しかしながら、「直流電源による放電が可能となる、銅または銅合金と酸化物を含有するスパッタリングターゲット材を提供する」（段落【０００８】）との課題は、本件特許明細書の段落【００１０】及び【００１３】の記載からみて、本件発明１で特定する、「酸素含有量が５原子％〜３０原子％」であり、「バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下」である「銅系金属相と酸化物相との混合組織」を有することによって達成されるものと認められる。
　そうしてみると、本件発明１〜１８において、具体的な混合組織が特定されていないとしても、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反しているとまではいえないし、また、本件発明１〜１８において、酸化物相の種類や金属相と酸化物の割合を特定することなく、「酸素含有量が５原子％〜３０原子％」を特定されているとしても、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反しているとまではいえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
イ　特許異議申立人は、本件特許明細書の発明の詳細な説明には、通電焼結法によって本件発明のスパッタリングターゲットを製造することが具体的に記載されているのみであり、通電焼結法以外の製造方法が記載されていないため、通電焼結法以外の製造方法を含み得る本件発明１２〜１８は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反している旨を主張している（特許異議申立書第１１頁第１７行〜第１２頁第４行）。
　しかしながら、刊行物３の実施例３に、Ｃｕ粉末とＣｕ２Ｏ粉末の混合粉末をＨＩＰ焼結した密度９５％以上の焼結体の導電率が１４％ＩＡＣＳ（体積抵抗率は約１２×１０−６Ωｃｍ）であることが記載されているように、通電焼結法以外の製造方法でも、バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下の銅系金属相と酸化物相からなる焼結体を製造できることは、本件特許に係る出願時の技術常識であるから、本件発明１２〜１８が通電焼結法以外の製造方法を含んでいるとしても、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に違反しているとまではいえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜１８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年３月１３日（２０１７．３．１３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
銅系金属相と酸化物相との混合組織を有し、
酸素含有量が５原子％〜３０原子％で、
スパッタリングターゲット材の重量（ｇ）をその体積（ｃｍ３）で除し，下記理論式（数１）に基づく理論密度ρ（ｇ／ｃｍ３）に対する百分率として算出される相対密度
バルク抵抗値が１．０×１０−２Ωｃｍ以下であり、
銅系金属相の平均粒径が０．５μｍ〜１０．０μｍであるスパッタリングターゲット材。
　【数１】
（式中、Ｃ（Ｃｕ）、Ｃ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれスパッタリングターゲット材中の銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）であり、ρ（Ｃｕ）、ρ（Ｃｕ２Ｏ）はそれぞれ銅または銅合金の密度、酸化物の密度である。銅系金属相と酸化物相との含有量（重量％）は、実測された焼結体中の酸素が全て酸化銅（Ｉ）または銅合金酸化物を形成するものと仮定して算出する。）
　【請求項２】
銅系金属相が銅相、またはニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む銅合金相である請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項３】
銅系金属相が銅−ニッケル合金相または銅−チタン合金相である請求項１に記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項４】
酸化物相が酸化銅相または銅合金酸化物相である請求項１〜請求項３いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項５】
銅合金酸化物相が、ニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む請求項１〜請求項４いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項６】
銅合金酸化物相が、銅−ニッケル合金酸化物相または銅−チタン合金酸化物相である請求項１〜請求項４いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項７】
ニッケル含有量が６１．０原子％以下であり、チタン含有量が７．５０原子％以下である請求項２〜請求項６いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項８】
酸化物相の平均粒径が０．０５μｍ〜７．０μｍである請求項１〜請求項７いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項９】
スパッタリングターゲット材の断面観察において、６０μｍ×６０μｍの範囲における銅系金属相の面積比が０．３２以上である請求項１〜請求項８いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項１０】
直流電源による放電に用いる請求項１〜請求項９いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項１１】
黒化層を形成するために用いる請求項１〜請求項１０いずれかに記載のスパッタリングターゲット材。
　【請求項１２】
請求項１〜請求項１１いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法であって、
　銅粉および／または銅合金粉、もしくは銅粉および銅合金を形成するための銅以外の金属粉と、酸化物粉とを混合する工程と、
　真空雰囲気下で、銅または銅合金の融点よりも４５０℃〜２００℃低い温度範囲内の焼結温度で焼結する工程を含むスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１３】
銅合金粉がニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む請求項１２に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１４】
銅合金粉が銅−ニッケル合金粉、または銅−チタン合金粉である請求項１２または請求項１３に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１５】
銅合金を形成するための銅以外の金属粉がニッケル粉、チタン粉のうち少なくとも一つを含む請求項１２に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１６】
酸化物粉が酸化銅粉、または銅合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１７】
酸化物粉がニッケル、チタンのうち少なくとも一つを含む銅合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１８】
酸化物粉が銅−ニッケル合金酸化物粉または銅−チタン合金酸化物粉である請求項１２〜請求項１５いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
　【請求項１９】
焼結は通電焼結法による請求項１２〜請求項１８いずれかに記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。