【事件の表示】
　特許第５８１５３２９号発明「弾性波デバイス」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８１５３２９号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正後の請求項３、４、６、７、８、９について訂正することを認める。
　特許第５８１５３２９号の請求項３、４、６、７、８、９に係る特許を維持する。
【理　由】
　
第１．手続の経緯
　特許第５８１５３２９号の請求項３、４、６、７、８及び９に係る特許についての出願は、平成２３年８月２２日に特許出願され、平成２７年１０月２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人尾田久敏及び特許異議申立人河原田隆により特許異議の申立てがされ、平成２８年７月２７日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年９月７日に意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して特許異議申立人河原田隆から平成２８年１２月２日付けで意見書が提出されたものである。
第２．訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正の請求（以下単に「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は以下のとおりである。
　ア　特許請求の範囲の請求項３に「前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス」とあるのを「前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備する
共振子を備える
　イ　特許請求の範囲の請求項４に「前記圧電膜は無添加の窒化アルミニウムからなり、前記圧電膜の残留応力は引張応力であることを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイス」とあるのを「
基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し、
　ウ　特許請求の範囲の請求項６に「前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性波デバイス」とあるのを「前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする
請求項１、２、４および５の
　エ　特許請求の範囲の請求項６に「前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の弾性波デバイス」とあるうち、請求項３の記載を引用するものを、請求項３を引用しない請求項とし、「
基板と、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し、前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする弾性波デバイス。
　オ　特許請求の範囲の請求項７に「前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス」とあるうち、請求項６の一部を分離した請求項８を引用する請求項とし、「
前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイス。
２．訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記「ア」の訂正事項について
　「弾性波デバイス」が具備する、「基板」と、「下部電極」と、「圧電膜」と、「上部電極」が、「弾性波デバイス」の構成要素である「共振子」が備えるものであることを明らかにすることで、「弾性波デバイス」の構成を限定するものであるから、該訂正事項は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、また実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　また、特許明細書の【００５２】に「実施例１又は実施例２は、共振子を備えるフィルタ及びデュプレクサ、並びにフィルタ及びデュプレクサ等を含むモジュール等の弾性波デバイスにも適用可能である。」と記載され、【０００２】に「圧電薄膜共振子はＢＡＷを利用するデバイスであり、ＦＢＡＲ（Film Bulk Acoustic Resonator）、ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator）等のタイプがある。」と記載されるように、実施例１及び実施例２におけるＦＢＡＲは、圧電薄膜共振子であるから、「共振子を備える弾性波デバイス」は、特許明細書に記載された事項である。
　上記「イ」の訂正事項について
　訂正前の請求項４の記載が、訂正前の請求項３の記載を引用する記載であったものを、請求項３の記載を引用しないものとすることを目的とするものである。
　単なる記載の変更であるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　また、特許明細書に記載された事項である。
　上記「ウ」の訂正事項について
　訂正前の請求項６の記載は、訂正前の請求項１から５いずれか一項の記載を引用する記載であったものを、請求項１、２、４、５いずれか一項の記載を引用する記載とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　実質的な内容の変更を行うものでないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　また、特許明細書に記載された事項である。
　上記「エ」の訂正事項について
　訂正前の請求項６の記載が、訂正前の請求項１から５いずれか一項の記載を引用する記載であったものを、請求項３の記載を引用する記載とするものとし、さらに請求項３の記載を引用しないものとしたものである。
　実質的な内容の変更を行うものでないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　また、特許明細書に記載された事項である。
　上記「オ」の訂正事項について
　訂正前の請求項７の記載が、訂正前の請求項１から５いずれか一項の記載を引用する請求項６を引用する記載であったものを、請求項３の記載を引用する請求項８を引用する記載とするものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　実質的な内容の変更を行うものでないから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　また、特許明細書に記載された事項である。
　そして、これら訂正は一群の請求項に対して請求されたものである。
３．小括
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第６項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第７項までの規定に適合するので、請求項３、４、６、７、８及び９について訂正を認める。
第３．特許異議の申立てについて
１．本件特許発明
　上記「第２．訂正の適否についての判断」のとおり、本件訂正請求による訂正は認められるものである。
　本件訂正請求により訂正された請求項３、４、６、７、８及び９に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明３、４、６、７、８及び９」という。）は、その特許請求の範囲の請求項３、４、６、７、８及び９に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項３】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備する共振子を備える　ことを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項４】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し、
　前記圧電膜は無添加の窒化アルミニウムからなり、
　前記圧電膜の残留応力は引張応力であることを特徴とする弾性波デバイス。」
「【請求項６】
　前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする請求項１、２、４、５いずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項７】
　前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し、
　前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項９】
　前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイス。」
２．取消理由の概要
　訂正前の請求項３に係る特許に対して平成２８年７月２７日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
１．本件特許の下記の請求項に係る発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　請求項３について、
　特許第５８１５３２９号の請求項３に係る発明（以下「本件特許３」という。）は、その特許請求の範囲の請求項３に記載された事項により特定されるとおりのものである。
（１）甲３号証の記載
　特許異議申立人河原田隆による甲第３号証である、国立研究開発法人　産業技術総合研究所「高い圧電性を示す複合窒化物圧電体薄膜を作製−高温環境下での振動・圧力センサーへの応用へ−」2008年11月21日掲載　URL:http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20081121/pr20081121.html（下線は当審が付与。）には、下記の記載がある。
「研究の内容
　耐熱性が高く、高い圧電性を示す圧電体を見出すために、一般的によく知られた複合酸化物の圧電体ではなく、これまで圧電体としてはほとんど研究されてこなかった複合窒化物の探索を行った。圧電性は低いが、高い耐熱性を示す窒化アルミニウム(AlN)にさまざまな元素を置換固溶させた薄膜を作製して、圧電性の向上を図った。複合窒化物は二元同時反応性スパッタリング法を用いて、アルミニウムと置換元素を同時にスパッタリングし、窒素と反応させることによって作製した。」
「複合窒化物の結晶構造を調べた結果、図3に示すように、Sc濃度が高くなるとともに結晶のa軸は長くなり、逆にc軸は短くなることがわかった。その他の弾性率の測定などから、この複合窒化物は、主に次の二つの要因によって圧電性が向上したものと考えられる。一つは、アルミニウムが電気陰性度の低いScに置換されることによって、電子の偏りが大きくなるためである。もう一つは、Scの置換量が増加するに連れて複合窒化物の弾性率が低下し、変形しやすくなるためであると考えられる。
　この複合窒化物薄膜は、圧電性や耐熱性に優れているばかりでなく、鉛などの有害な元素を全く含んでいないため、環境にもやさしい圧電体であり、また薄膜として作製できるため、既存の半導体製造プロセスが利用でき、量産性にも優れていることから、新しいセンサーやアクチュエーターなどのデバイス用薄膜として有利である。」
　また、図３は下記のとおり。
図３　スカンジウムアルミニウム窒化物薄膜の格子定数のスカンジウム濃度依存性
　そして、図３によれば、
Sc濃度が40％を越える領域では、ｃ軸の格子定数が0.495nm未満となることが理解できる。
　したがって、甲３号証には以下の発明が記載されている。
「デバイス用薄膜として有利である圧電体である、窒化アルミニウムにScを置換固溶させた複合窒化物薄膜において、
　Sc濃度が高くなるとともにc軸は短くなり、Scの置換量が40％を越える領域では、ｃ軸の格子定数が0.495nm未満になる。」（以下「甲３発明」という。）
（２）本件特許３と甲３発明の比較
　甲３発明の「窒化アルミニウムにScを置換固溶させた複合窒化物薄膜」は、「圧電体」であるから、「窒化アルミニウムからなる圧電膜」である。
　そして、甲３発明の「複合窒化物薄膜」において、Sc置換量が40％を越える領域では、ｃ軸の格子定数が0.495nm未満になることが記載されているから、本件特許３の「ｃ軸方向の格子定数が0.495nmより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜」が記載されているといえる。
　したがって、本件特許３と甲３発明は、
「ｃ軸方向の格子定数が0.495nmより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜」
　である点で一致し、下記の点で相違する。
　本件特許３は、「基板と、前記基板上に設けられた下部電極」を有し、圧電膜が「下部電極上に設けられ」ており、「圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、」を具備する弾性波デバイスであるのに対し、甲３発明は、どのようなデバイス構造であるか明記が無く、「弾性波デバイス」であるかどうかも明記が無い点。
（３）相違点の検討
　圧電膜を用いたデバイスとして、「基板と、前記基板上に設けられた下部電極」を有し、圧電膜が「下部電極上に設けられ」ており、「圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極」を具備する「弾性波デバイス」は一般的なデバイスにすぎない。
　したがって、甲３発明に基づいて本件特許３は、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
（４）まとめ
　上記のように、本件特許３は、甲３発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
３．甲号証の記載
（１）特許異議申立人尾田久敏による甲第１号証（特開２００３−１９８３１９号公報）
　実施例１〜１４と比較例１〜４として、上記表２の条件によりＡｌＮ薄膜を形成して表３に示すＦＢＡＲの特性を得たことが記載され、格子定数ｃ軸長の最小値は、実施例３と実施例８の０．４９７６ｎｍであることが記載されている。
（２）特許異議申立人尾田久敏による甲第２号証（PHYSICAL REVIEW B Vol.59 No.8(15 Feb.1999) p5521-5535,C.Stampfl and C.G.Van de Walle,Density-functional calculations for III-V nitrides using the local-density approximation and the generalized gradient approximation）
　参考文献を含む様々な試料のＡｌＮの基底状態構造を様々な方法で計算した結果が表５であることが記載されている。
（３）特許異議申立人尾田久敏による甲第３号証（特開２００６−２７０５０６号公報。下線は当審が付与。）
「【０００１】
　本発明は、圧電共振素子およびその製造方法に関し、特に、
圧電体層が示す電気音響効果を利用した薄膜バルク音響共振器（Thin Film Bulk Acoustic Resonator、以下ＦＢＡＲと記す）
に関する。
「【００１７】
　上述したような課題を解決するために、
本発明における圧電共振素子は、
圧電体層の内部応力が−３００ＭＰａ以上９０ＭＰａ以下であることを特徴としている。
【００１８】
　ここで、本発明では、圧縮応力をマイナス（−）で示し、引張り応力をプラス（＋）で示すこととする。このような圧電共振素子によれば、圧電体層における内部応力の範囲を−３００ＭＰａ以上９０ＭＰａ以下に規定することで、内部応力による圧電体層のクラックが防止される。」
「【００２７】
　ここで、
本発明の特徴的な構成として、圧電体層１４は、内部応力が−３００Ｐａ以上９０Ｐａ以下となるように形成されている。
圧縮応力をマイナス（−）で示し、引張り応力をプラス（＋）で示すが、
圧電体層１４に圧縮応力を内在させる方が好ましい。
「【００３５】
　次いで、図２（ｃ）に示すように、例えばＤＣパルススパッタリング法により、下部電極１３を覆う状態で、基板１１の全域に、例えば
ＡｌＮを１．２μｍの膜厚で堆積することで、圧電体層１４を形成する。この際、成膜条件は、処理雰囲気の圧力を約０．２７Ｐａ、アルゴンガスと窒素ガスの流量比１：７、スパッタパワーを５ｋＷ〜１０ｋＷ、基板バイアス電圧３２Ｖ〜４０Ｖに調整する。
処理雰囲気の圧力とスパッタパワーとを上記範囲内とすることで、圧電体層１４の内部応力を−３００Ｐａ以上９０ＭＰａ以下とすることができる。
　と記載されるように、ＦＢＡＲの圧電体層として、内部応力が圧縮応力３００ＭＰａから引張り応力９０ＭＰａとなるようにすることが記載され、圧縮応力を内在させる方が望ましく、ＡｌＮを用いた場合、処理雰囲気を０．２７Ｐａ、アルゴンガスと窒素ガスの流量比を１：７、スパッタパワーをとスパッタパワー５ｋＷ〜１０ｋＷ、基板バイアス電圧３２Ｖ〜４０Ｖに調整することで制御することが可能であることが記載されている。
（４）特許異議申立人尾田久敏による甲第４号証（特開２００９−２３１８５８号公報。下線は当審が付与。）
「【００１９】
　以上説明したように、
本発明によれば、歪み印加層の上にこれより小さい格子定数の振動部形成層を結晶成長した後、振動部形成層に振動部を形成するようにしたので、機械共振器の共振周波数をより高くし、加えて、Ｑ値をより高くできるようになるという優れた効果が得られる。
「【００２１】
　まず、図１（ａ）に示すように、
ＧａＡｓの結晶からなる基板１０１の上に、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓからなる膜厚３μｍのバッファ層１０２が形成され、バッファ層１０２の上にＩｎ0.1Ａｌ0.9Ａｓからなる膜厚２μｍの歪み印加層１０３が形成され、歪み印加層１０３の上にＧａＡｓからなる膜厚２００ｎｍの振動部形成層１０４が形成された状態とする。
「【００２４】
　なお、
振動部形成層１０４は、歪み印加層１０３との格子不整合による引っ張り歪みが残留する状態に形成されていることが重要である。
　と記載されるように、ＧａＡｓの結晶基板の上にＩｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓからなるバッファ層を形成し、バッファ層の上にＩｎ0.1Ｇａ0.9Ａｓからなる歪み印加層を形成し、歪み印加層の上にＧａＡｓからなる振動部形成層を形成する構成として、振動部形成層が引っ張り歪みが残留する状態に形成することで、共振周波数をより高くし、Ｑ値をより高くできる微小機械共振器が記載されている。
（５）特許異議申立人尾田久敏による甲第５号証（特開２００３−５１７３２号公報。下線は当審が付与。）
「【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の圧電共振子は、上下一対の対向電極間に少なくとも圧電膜を含む１層ないし複数層の内側薄膜が介装され、上側電極の上面か下側電極の下面の少なくとも一方に１層ないし複数層の外側薄膜が存在し、前記各薄膜により共振部位を構成するとともに、前記各薄膜は、少なくとも一つは正の共振周波数温度係数、少なくとも一つは負の共振周波数温度係数を有するとともに、ｎ倍波(ただし、ｎは２以上の整数)の節が少なくとも前記外側薄膜に存在するような膜厚比に設定されていることを特徴とする。
【００１２】本発明によると、ｎ倍波で励振される膜厚比に設定されているから、それら各膜における膜厚比が変動しても、共振周波数の温度変化が少ない領域を使うことができることにより、温度変化に対しての共振応答が安定するものとなる。また、両圧電膜の間に中間膜が設けられているから、前記領域において、中間膜の膜厚設定でその共振周波数温度係数をほぼゼロに設定することができる。」
「【００２８】図１を参照して、
本実施の形態の圧電共振子１０においては、
基板１２の上面に
下層膜１４が形成され、
【００２９】
この下層膜１４の上面には、積層体１８が形成されている。
【００３０】
積層体１８は、下層膜１４と共に共振部位２０を構成するものであり、上下一対の電極２２，２４間に内側薄膜として少なくとも下側圧電膜２６、中間膜２８、上側圧電膜３０がこの順序で積層されて構成されている。
「【００３３】
共振部位２０はまた、下層膜１４、下側と上側の圧電膜２６，３０および中間膜２８それぞれの共振周波数温度係数の符号が正負に組み合わせられており、かつ、中間膜２８の膜厚設定により当該圧電共振子１０全体の共振周波数温度係数をゼロ近傍に調整ないしは調整可能とされている。
　と記載されるように、基板の上面に下層膜が形成され、下層膜の上面に上下一対の電極間に下側圧電膜、中間膜、上側圧電膜の順序で積層されて構成されている積層体が形成され、下層膜、志賀田和圧電膜、中間膜、上側宛得電膜それぞれの共振周波数温度係数の符号が正負に組み合わせられており、中間膜の膜圧設定により圧電共振子全体の共振周波数温度係数をゼロ近傍に調整可能とされている圧電共振子が記載されている。
（６）特許異議申立人河原田隆による甲第１号証（Journal of Applied Physics Vol.89 No.11(Jun.2001) p6389-6395,Marc-Alexandre Dubois and Paul Muralt,Stress and piezoelectric properties of aluminum nitride thin films deposited onto metal electrodes by pulsed direct current reactive sputtering。下線は当審が付与。）
「
Surface acoustic wave technology was for many years the strongest driving force for the research on AlN thin films.
（仮訳：
　
表面弾性波技術は長年にわたるＡｌＮ薄膜の研究における大きな原動力となった。
「However, besides SAW and optoelectronic applications, 
there are new potential applications such as 
thin film bulk acoustic wave resonators
（仮訳：
　しかしながら、ＳＡＷおよび光電子用途のほかに、圧電薄膜が金属電極のような多結晶表面に成長する必要のある微小電気機械システムや
薄膜バルク弾性波共振器などといった新しい潜在的な用途がある。
「The purpose of the present investigation is 
to discuss to which extent the internal stress and the piezoelectric properties of AlN thin films are influenced by the processing conditions or by the substrate nature.
（仮訳：
　本研究の目的は、
ＡｌＮ薄膜の圧電特性や内部応力がどの程度、正常条件や基板の性質に影響されるのかを調べることである。
「It was observed that 
the piezoelectric d33,f coefficient is very much influenced by both the electrode material and the processing conditions.
（仮訳
　これは、
圧電定数d33,fが非常に電極材料及び製造条件の両方によって影響されることを示している。
　と記載されるように、弾性表面波技術はＡｌＮ薄膜の研究における大きな原動力であり、薄膜バルク弾性波共振器といった用途があり、ＡｌＮ薄膜の圧電定数はｐ＝４ｍＴｏｒｒでＡｒ／Ｎ2が５／２０より多い場合、Ｐｔ電極とＴｉ電極ではＳｔｒｅｓｓがプラスであることが記載されている。
（７）特許異議申立人河原田隆による甲第２号証（特開２００９−１０９２６号公報。下線は当審が付与。）
「【００５５】
　〔実施形態１〕
　本発明に係る圧電体薄膜の一実施形態について、実施形態１として、図１および２を参照して以下に説明する。」
「【００５７】
　また、本明細書等における
「原子％」とは、
スカンジウム原子数とアルミニウム原子数との総量を１００原子％としたときのスカンジウム原子の数またはアルミニウム原子の数を表す。
スカンジウムの原子％を、窒化アルミニウムに対するスカンジウムの含有率として以下に説明する。
【００５８】
　本実施の形態に係るスカンジウムを含有した窒化アルミニウム薄膜（以下、Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜とも称する）は、一般式を用いて、ＳｃｘＡｌ１−ｘＮ（式中、ｘはスカンジウムの含有率（濃度）を示し、０．００５〜０．５の範囲である）と表すこともできる。例えば、スカンジウムの含有率が１０原子％である窒化アルミニウム薄膜の場合には、Ｓｃ０．１Ａｌ０．９Ｎと表す。
【００５９】
　（圧電応答性を向上するスカンジウムの含有率）
　図１に示すように、Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜に含有されるスカンジウムの含有率を変化させることによって、Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性（圧電性）を向上することができる。図１は、スカンジウムの含有率とＳｃ含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性との関係を示す図である。図１に示すように、スカンジウムの含有率が０％である場合に比べて、スカンジウムをわずかでも含有する場合は圧電応答性が向上している。具体的には、
スカンジウムの含有率を０．５〜３５原子％または４０〜５０原子％の範囲内とすることによって、Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜の圧電応答性を向上することができる。
「【００６２】
　（圧電応答性をさらに向上させるスカンジウムの含有率）
　
圧電応答性のさらなる向上の観点によれば、スカンジウムの含有率は、４０〜５０原子％の範囲内であることが好ましい。
「【００６５】
　（圧電体薄膜１の構成）
　ここで、本発明に係る圧電体薄膜の一例について、図２を参照してより具体的に説明する。
圧電体薄膜１は、
スカンジウムの原子数とアルミニウムの原子数との総量を１００原子％としたとき、０．５〜〜５０原子％の範囲内のスカンジウムを含有している。
「【０１０２】
　〔実施形態４〕
　本発明に係る圧電体薄膜を備えている圧電体薄膜共振子の一実施形態について、実施形態４として以下に説明する。本発明に係る圧電体薄膜を備えた圧電体薄膜共振子の具体的な用途は、特に限定されるものではない。本実施形態では、
Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜３を備えている圧電体薄膜１を、ＲＦ−ＭＥＭＳデバイスの一つであるＦＢＡＲフィルタに利用した場合を例に挙げて説明する。
本実施形態では圧電体薄膜１を用いたＦＢＡＲフィルタについて説明している
【０１０３】
　本実施形態に係るＦＢＡＲフィルタ１０（圧電体薄膜共振子）について、図９を参照して以下に説明する。
【０１０４】
　（ＦＢＡＲフィルタ１０の構成）
　
ＦＢＡＲフィルタ１０は、
基板１１、および基板１１上に形成された圧電積層構造体１２を備えている。
「【０１０８】
　（圧電積層構造体１２の構成）
　
圧電積層構造体１２は、下部電極１３および上部電極１５と、下部電極１３と上部電極１５とに挟まれた圧電体薄膜１４とからなる。
【０１０９】
　（下部電極１３および上部電極１５）
　下部電極１３および上部電極１５は、圧電体薄膜１４に交流電界を加えるための電極である。下部電極１３および上部電極１５の材質としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金とチタンとの積層膜（Ｐｔ／Ｔｉ）、および金とクロムとの積層膜（Ａｕ／Ｃｒ）などを用いることができる。これらの中でも、散弾性損失が少ないモリブデンを用いることが好ましい。
【０１１０】
　また、下部電極１３および上部電極１５の厚みは、５０〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。下部電極１３および上部電極１５の厚みを上記範囲内とすることによって、損失を小さくできることができる。下部電極１３および上部電極１５の形成方法としては、従来公知の方法を用いることができる。例えば、スパッタ法または蒸着法などを用いることができる。
【０１１１】
　（圧電体薄膜１）
　
圧電体薄膜１については、実施形態１
において詳述した
【０１１２】
　（付記事項）
　なお、
ＦＢＡＲフィルタ１０は、基板１１と下部電極１３との間に下地膜を備えていてもよい。
　の記載があるから、スカンジウムの原子数とアルミニウムの原子数との総量を１００原子％としたとき、０．５〜〜５０原子％の範囲内のスカンジウムを含有し、圧電応答性のさらなる向上の観点によれば、スカンジウムの含有率は、４０〜５０原子％の範囲内であることが好ましく、Ｓｃ含有窒化アルミニウム薄膜を基板上に備えた圧電体薄膜を備えた圧電体薄膜共振子として、スパッタ法を用いて形成された下部電極と上部電極とに挟まれた圧電体薄膜とからなる圧電積層構造体が基板上に形成され、基板と下部電極との間に酸化シリコンを主成分とする誘電体膜を用いる下地膜を備えたＦＢＡＲフィルタが記載されている。
（８）特許異議申立人河原田隆による甲第３号証（国立研究開発法人　産業技術総合研究所「高い圧電性を示す複合窒化物圧電体薄膜を作製−高温環境下での振動・圧力センサーへの応用へ−」2008年11月21日掲載　URL:http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2008/pr20081121/pr20081121.html）
「２．取消理由の概要」の「（１）甲３号証の記載」に記載されたとおりである。
（９）特許異議申立人河原田隆による甲第４号証（特開２００３−３７４６９号公報。下線は当審が付与。）
「【００２８】本実施の形態においては、
圧電体薄膜としてＡｌＮ薄膜を用いた圧電薄膜振動子について説明する。
【００２９】図１は、圧電薄膜振動子の構造の断面図である。図１において、１１は（１００）シリコン（Ｓｉ）基板、１２及び１３はＳｉ基板１１の両面に形成されたシリコン窒化膜からなる絶縁層、１４はＳｉ基板１１に形成された空隙領域、１５は金（Ａｕ）薄膜からなる下部電極、１６はＡｌＮからなる圧電体薄膜、１７はＡｕ薄膜からなる上部電極、１８はＡｌＮ薄膜からなる調整層である。」
「【００３３】次に、以上のように構成された圧電薄膜振動子の製造方法及び周波数調整方法について、図２を用いて具体的に説明する。まず、
Ｓｉ基板１１の両面に、
絶縁層１２及び１３を形成する。
圧電体薄膜を堆積する位置のＳｉ基板１１の上面部を異方性エッチングすることにより、空隙領域１４を形成する
。
次に、蒸着法等で下部電極１５
を選択的に形成し、その上に、圧電体薄膜１６として
ＡｌＮ薄膜を形成し、さらにその圧電体薄膜１６上に、上部電極１７としてＡｕ薄膜を
形成する。
さらに、調整層１８’としてＡｌＮ薄膜を
形成する
。その後調整層１８’として形成された層の厚みを、圧電薄膜振動子の共振周波数を調整するべく、適切な厚み寸法になるように余分な部分を除去して完成された調整層１８とすることにより
、圧電薄膜振動子が製造される。
「【００３５】次に、本発明の圧電薄膜振動子の周波数調整方法について述べる。
共振周波数の調整は、上記調整層１８’にパルスレーザ等を照射して
除去する。
「【００３８】
上記実施例によれば、圧電体薄膜１６及び上部電極１７の構造を変化させることなく、共振周波数の調整が可能となる。
「【００４０】以上述べてきたように、本実施の形態の圧電薄膜振動子の周波数調整方法により、共振周波数を正確に合わせ込むことができた。この方法を用いれば、真空装置を必要とすることも無いため、製造工程の簡略化と低コスト化を図ることができる。また、電子機器における使用状態と同じ条件で、大気中で連続的に共振周波数の調整を行うことができ、１パルスでの除去量も少ないため微調整が可能であり、極めて正確に共振周波数を合わせ込むことができる。したがって、以上により得られた圧電薄膜振動子により、従来にない高周波用フィルタの実現が可能となる。また、本実施の形態で得られた
共振周波数調整された圧電薄膜振動子は、圧電フィルタ、表面波フィルタ、圧電センサ、アクチュエータ等の各種圧電デバイスへの応用を図ることができる。
　の記載があるから、上面部に空隙領域が形成された基板の両面に絶縁層を形成し、上面の絶縁層に下部電極を形成し、その上に圧電体薄膜としてＡｌＮ薄膜を形成し、その上に上部電極を形成し、さらに調整層としてＡｌＮ薄膜を形成した圧電薄膜振動子の調整層にパルスレーザを照射して除去することで共振周波数を合わせ込むことができ、圧電フィルタ、表面波フィルタ、圧電センサ、アクチュエータへの応用を図ることができることが記載されている。
４．判断
（１）取消理由通知に記載した取消理由について
（１−１）．特許法第２９条第２項について
　本件特許発明３と甲３発明を対比すると、
「ｃ軸方向の格子定数が0.495nmより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜」
　である点で一致し、下記の点で相違する。
　本件特許３は、「基板と、前記基板上に設けられた下部電極」を有し、圧電膜が「下部電極上に設けられ」ており、「圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、」を具備する共振子を備える弾性波デバイスであるのに対し、甲３発明は、どのようなデバイス構造であるか明記が無く、「共振子を備える弾性波デバイス」であるかどうかも明記が無い点。
　特許異議申立人河原田隆による甲第３号証は、「センサーやアクチュエーター」などのデバイス用薄膜について記載されており、「共振子を備える弾性波デバイス」へ用いることは記載されていない。
　したがって、本件特許発明３は特許異議申立人河原田隆による甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた、とすることはできない。
（１−２）．特許異議申立人河原田隆の意見について
（１−２−１）申立人の主張に対する意見について
　特許異議申立人河原田隆は、甲３発明の圧電体薄膜を弾性波デバイスの共振子に容易に適用できる旨主張しているが、特許異議申立人河原田隆の甲第２号証に記載される圧電体薄膜は、０．５〜３５原子％または４０〜５０原子％の範囲を使用する圧電体薄膜であるから、甲３発明の圧電体薄膜と異なる薄膜について、異なる領域を使用した弾性波デバイスに用いることが記載されているに過ぎない。
　したがって、甲３発明の圧電体薄膜が弾性波デバイスの共振子に容易に適用できるとすることはできない。
　特許異議申立人河原田隆の甲第４号証は、共振周波数調整された圧電薄膜振動子が圧電フィルタ、表面波フィルタ、圧電センサ、アクチュエータ等の各種圧電デバイスへの応用を図ることができることが記載されているだけであって、甲３発明の圧電膜を用いた「センサーやアクチュエーター」が、圧電薄膜振動子を備えていることは記載されていない。
（１−２−２）その他の取消理由について
ア．本件特許発明３について
（ア）新規性欠如について
　特許異議申立人河原田隆は、特許異議申立の理由では、甲第１号証に基づいた新規性欠如を主張しているだけであって、甲第３号証に基づいた新規性欠如の主張はしていないから、特許異議申立の理由にない新たな主張であって採用できない。
（イ）甲第２号証を主引用例とする進歩性欠如について
　特許異議申立人河原田隆は、甲第２号証及び甲第３号証に記載された発明に基づいて、その出願前に当業者が容易に想到し得たものといえる旨主張している。
　一般に、薄膜Ａと薄膜Ｂが同じ条件で作成された等の特別な事情がない限り、薄膜Ａの測定結果に基づいて、薄膜Ａとは異なる薄膜である薄膜Ｂの測定結果を推測することはできない。
　ここで、甲第２号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数がどのような値であるのかは記載されていない。
　また、甲第２号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜と甲第３号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜は異なる薄膜であって、甲第２号証の薄膜の作成条件も、甲第３号証の薄膜の作成条件も記載されておらず、同じ条件で作成された膜について測定した結果であるとはいえない。
　そうすると、甲第３号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数の測定結果に基づいて、甲第２号証のスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数を推測することはできない。。
　したがって、甲第２号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数がどのような値であるのか容易に想到しうることとはいえない。
（ウ）特許法第３６条第６項第１号違反について
　特許異議申立人河原田隆は、当業者が本件特許明細書の記載内容及び出願時の技術常識を考慮しても、実施例の内容を特許請求の範囲の全範囲に拡張ないし一般化できるものではない旨主張している。
　特許明細書【０００６】に「本発明は上記課題に鑑み、大きな電気機械結合定数を有する弾性波デバイスを提供することを目的とする。」と記載されるように、本件特許は、「大きな電気機械結合係数」を有する弾性波デバイスを提供することが目的である。
　一方、【００３９】に「大きな電気機械結合定数ｋ３３２を得るためには、格子定数の比ｃ／ａがバルク値である１．６より小さくてもよいし、格子定数ｃがバルク値である０．４９８ｎｍより小さくてもよい。また、例えばｃ／ａは１．５、１．４、又は１．３のそれぞれより小さくすることができる。格子定数ｃは例えば０．４９５ｎｍ、０．４９ｎｍ、又は０．４８５ｎｍのそれぞれより小さくすることができる。」と記載されるように、電気機械結合定数を大きくするのは格子定数ｃがバルク値である０．４９８ｎｍよりも小さくなることが必要であることが記載されているから、少なくとも０．４９８ｎｍを臨界値として、０．４９８ｎｍよりも小さい場合に特性の良い弾性波デバイスを得ることができることが明記されている。
　そして、さらに、０．４９８ｎｍよりも小さい０．４９５ｎｍを臨界値としても良いことが記載されているから、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい場合の全ての領域で「大きな電気機械結合定数」を有する弾性波デバイスを提供することが可能であることは特許明細書に記載されている。
イ．本件特許発明４及び本件特許発明８について
　新規性及び進歩性についての具体的な取消理由は記載されていない。
　特許法第３６条第６項第１号違反については、「ア．本件特許発明３について」の「（ウ）特許法第３６条第６項第１号違反について」に記載したとおりである。
（１−２−３）まとめ
　したがって、特許異議申立人河原田隆の主張は、いずれも理由がない。
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（２−１）特許異議申立人尾田久敏の主張する特許異議申立理由について
ア．特許法第２９条第１項第３号について
（ア）本件特許発明３について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３は、甲第１号証に記載された発明である旨主張している。
　「３．甲号証の記載」の「（１）特許異議申立人尾田久敏による甲第１号証」に記載されるように、「特許異議申立人尾田久敏による甲第１号証」は、格子定数ｃ軸長の最小値は、実施例３と実施例８の０．４９７６ｎｍであって、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」ではないことは明らかである。
　特許異議申立人尾田久敏は、甲第２号証に記載されるような他の測定・計算方法によれば、ｃ軸方向の格子定数は０．４９５ｎｍ未満である旨主張しているが、測定方法が異なったところで、「測定結果」は同じであるから、甲第１号証の実施例について、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍ未満にならないことは明らかである。
　さらに、甲第２号証に記載される測定・計算方法は、そもそも甲第１号証の実施例とは異なる試料についての測定・計算結果であるから、甲第２号証に記載される測定・計算方法を用いた場合に、甲第１号証に記載される実施例のｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さくなるとはいえない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３は、甲第３号証に記載された発明である旨主張している。
　「３．甲号証の記載」の「（３）特許異議申立人尾田久敏による甲第３号証」に記載されるように、「特許異議申立人尾田久敏による甲第３号証」には、ＦＢＡＲの圧電体層として、内部応力が圧縮応力３００ＭＰａから引張り応力９０ＭＰａとなるようにし、圧縮応力を内在させる方が望ましいことが記載されているものの、甲第３号証の圧電体層のｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいことは記載されていない。
　特許異議申立人尾田久敏は、本願明細書の記載を考慮すれば、３００ＭＰａの引張応力を付与することとｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいことは同じ意味である旨主張している。
　しかし、甲第３号証に記載される圧電体層は、処理雰囲気が０．２７Ｐａ、アルゴンガスと窒素ガスの流量比を１：７で作成されるのに対し、本件発明の詳細な説明には、
「【００３６】
　図６（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法を用いて、圧電薄膜１４を形成する。圧電薄膜１４は、膜厚が例えば４００ｎｍ、ｃ軸を主軸とするＡｌＮからなる。スパッタリング法は、例えば約０．３Ｐａの圧力下、アルゴン／窒素（Ａｒ／Ｎ２）混合ガス雰囲気中において行う。Ａｒ／Ｎ２混合ガス中のＡｒ流量比を増加させることにより圧電薄膜１４の応力は引張応力となり、Ａｒ流量比を減少させることにより圧電薄膜１４の応力は圧縮応力となる。実施例１ではＡｒ流量比を例えばＡｒ流量／（Ａｒ流量＋Ｎ２流量）＝０．２５に増加させることで、圧電薄膜１４の応力を引張応力とする。なお、Ａｒ流量比は装置に応じて変更してもよい。」
　と記載されるように明らかに圧力とアルゴンガスと窒素ガスの流量比が異なる条件で作成しているから、甲第３号証に記載される圧電体層のｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいとはいえない。
　さらに、甲第３号証に記載される圧電体層はＡｒ流量／（Ａｒ流量＋Ｎ２流量）＝０．１２５で作成されているが、本件発明によれば、「Ａｒ流量比を減少させることにより圧電薄膜１４の応力は圧縮応力となる」から、甲第３号証に記載される圧電体層は、「圧縮応力」で作成されているといえ、これは甲第３号証に記載される「圧縮応力を内在させる方が望ましい」ことと一致する。
　上記は、甲第３号証に記載される圧電体層が本件発明とは明らかに異なる条件で作成された圧電体層であることを示しているといえる。
　なお、甲第３号証に記載される圧電体層は「圧縮応力３００ＭＰａから引張り応力９０ＭＰａ」であって、かつ「圧縮応力を内在させる方が望ましい」のであるから、「圧縮応力」が望ましく、また記載される範囲の引張応力は３００ＭＰａでなく９０ＭＰａであるから、異議申立人の主張する「３００ＭＰａの引張応力を付与することとｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいことは同じ」が、仮に正しいとしても、そもそも甲第３号証に「３００ＭＰａの引張応力を付与すること」が記載されていない。
　上記によれば、本件特許発明３が、甲第３号証に記載された発明であるとはいえない。
（イ）本件特許発明４について
　特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明４は、甲第３号証に記載された発明である旨主張している。
　本件特許発明４は、本件特許発明３を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明３と同様の理由により、本件特許発明４が甲第３号証に記載された発明であるとはいえない。
イ．特許法第２９条第２項について
（ア）本件特許発明３について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、本件特許発明３は、ｃ軸方向の格子定数は実質的なものではないから、甲第１号証に記載された発明から容易である旨主張している。
　本件特許発明３は弾性波デバイスとして「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜をその構成要件としている。
　そして、本願特許明細書の【００３９】に「大きな電気機械結合定数ｋ３３２を得るためには、格子定数の比ｃ／ａがバルク値である１．６より小さくてもよいし、格子定数ｃがバルク値である０．４９８ｎｍより小さくてもよい。また、例えばｃ／ａは１．５、１．４、又は１．３のそれぞれより小さくすることができる。格子定数ｃは例えば０．４９５ｎｍ、０．４９ｎｍ、又は０．４８５ｎｍのそれぞれより小さくすることができる。」と記載され、【０００２】に「圧電膜の電気機械結合定数が大きくなることで、弾性波デバイスの周波数特性が改善し、また広帯域化も可能となる。」と記載されるように、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を用いることで、弾性波デバイスの周波数特性を改善し、広帯域化を可能とするものである。
　一方、特許異議申立人尾田久敏は、「実質的なものではない」とする根拠については何も主張していない。
　したがって、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を「実質的なものではない」とする根拠は無く、容易に発明をすることができた、とすることはできない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、甲第３号証には、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５より小さいこと、及び振動周波数の特性が記載されていることからみて振動子に用いられることが予定されていることは明らかであるから、甲第２号証に記載された圧電膜を甲第１号証、甲第３号証〜甲第５号証に記載の、基板、下部電極、上部電極を備える弾性波デバイスに適用することは当業者であれば当然に考慮することであるから、甲第２号証及び周知技術に基づき進歩性を有しない旨主張している。
　しかし、甲第２号証には、ウルツ鉱型ＡｌＮの格子定数を理論上の格子定数で計算し、比較のために様々な試料の実験値と共に記載しているが、単にウルツ鉱型ＡｌＮの格子定数の計算値の確からしさを記載しているに過ぎず、振動子に用いられることは何も記載されていない。
　一方、本件特許発明３は、弾性波デバイスの圧電膜として「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を用いることで、弾性波デバイスの周波数特性を改善させるものであるから、単に「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」が記載されているからといって、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を用いた弾性波デバイスを容易に発明することができたとすることはできない。
（iii）特許異議申立人尾田久敏は、本件特許発明３は、ｃ軸方向の格子定数は実質的なものではないから、甲第３号証に記載された発明から容易である旨主張している。
　上記（ｉ）に記載したとおり、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を「実質的なものではない」とする根拠は無く、容易に発明をすることができた、とすることはできない。
（イ）本件特許発明４について
　特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明４は、甲第１号証及び甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
「（ア）本件特許発明３について」に記載したように、甲第１号証は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」ではないことは明らかであり、また甲第３号証、甲第４号証にも「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を用いた弾性波デバイスは記載されていないから、甲第１号証及び甲第３号証、甲第４号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（ウ）本件特許発明６について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３を引用する訂正前の本件特許発明６は、甲第１号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明６は、本件特許発明３を引用しないものとする訂正を行ったから、異議申立の理由は存在しない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３を引用する訂正前の本件特許発明６は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
「（ア）本件特許発明３について」の（ii）及び（iii）に記載したように、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜を用いることは、甲第３号証には記載されていない。
　また、甲第５号証にも、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」は記載されていない。
　したがって、本件特許発明６は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（エ）本件特許発明７について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明６を引用する訂正前の本件特許発明７は、甲第１号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明７は、本件特許発明６を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明６と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明６を引用する訂正前の本件特許発明７は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明７は、本件特許発明６を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明６と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
（オ）本件特許発明８について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３を引用する訂正前の本件特許発明６は、甲第１号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
「（ア）本件特許発明３について」に記載したように、甲第１号証は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」ではなく、また甲第５号証にも「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」を用いた弾性波デバイスは記載されていないから、甲第１号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明３を引用する訂正前の本件特許発明６は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
「（ア）本件特許発明３について」の（ii）及び（iii）に記載したように、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜を用いることは、甲第３号証には記載されていない。
　また、甲第５号証にも、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」は記載されていない。
　したがって、本件特許発明８は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（カ）本件特許発明９について
（ｉ）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明６を引用する訂正前の本件特許発明７は、甲第１号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明９は、本件特許発明８を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明８と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
（ii）特許異議申立人尾田久敏は、訂正前の本件特許発明６を引用する訂正前の本件特許発明７は、甲第３号証及び甲第５号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明９は、本件特許発明８を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明８と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
ウ．特許法第３６条第６項第１号及び第２号及び同法第３６条第４項第１号について
（ア）特許異議申立人尾田久敏は、測定又は計算方法が定義されていないから、本件特許発明３、４、６、７は明確でない旨主張している。
　そもそも、「測定方法」は、物理量を測定するにあたり、簡便性や誤差の大きさを考慮して様々な測定方法が存在するのであって、「物理量」は測定方法によらず、そのものの特性として存在する値である。
　そして、本件特許発明３の「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい」のは、窒化アルミニウムの特性を示すものであって、「０．４９５ｎｍ」という値は明確である。
　特許異議申立人尾田久敏は、平成１６年（行ケ）第２９０号判決を用いて計算方法が定義されておらず、発明の詳細な説明に開示されていない場合、明確性及び実施可能要件に違反すると主張しているが、該判決は「平均粒径」という用語には「個数平均径」「長さ平均径」「体積平均径」といった複数の種類があって、「平均粒径」という用語だけでは明確でない場合の判示であって、本件特許発明３の「ｃ軸方向の格子定数」は、その用語として明確であるから、本件と事案を異にするものであって、採用できない。
（イ）特許異議申立人尾田久敏は、本件発明の詳細な説明には、本件特許発明３が当業者が実施できる程度に記載されていない旨主張している。
　特許異議申立人尾田久敏は、図２に記載されるｃ／ａ変化率に対する圧電定数及び電気機械結合係数の変化率は計算により求められたものであって、実際には図２のような結合係数は得られないから、当業者が実施できる程度に明確に記載されていない旨主張しているが、「計算」は実際の現象をモデル化したものであるから、「計算結果」は、近似や誤差により実際の現象と完全に同じではないものの、許容範囲であることが技術常識である。
　そして、「計算」が実際の現象と異なっているという具体的な主張も無いから、机上の計算であるからといって、当業者が実施できる程度に記載されていないとはいえない。
　また、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍを実現するための解決手段が記載されていない旨主張しているが、図２に圧電定数の変化率とｃ／ａの変化率の関係が記載され、【００３９】に格子定数ｃのバルク値が０．４９８ｎｍでありｃ／ａのバルク値が１．６であることが記載されているから、０．４９５ｎｍを実現するためのｃ／ａの値をどの程度とするかは当業者であれば理解できることが明らかであるから、解決手段が記載されていないとはいえない。
（２−２）特許異議申立人河原田隆の主張する特許異議申立理由について
ア．特許法第２９条第１項第３号について
（ア）本件特許発明３について
　特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明３は、甲第１号証に記載された発明とは実質的に同一である旨主張している。
　「３．甲号証の記載」の「（６）特許異議申立人河原田隆による甲第１号証」に記載したように、甲第１号証には、「弾性表面波技術はＡｌＮ薄膜の研究における大きな原動力であり、圧電薄膜は、薄膜バルク弾性波共振器といった用途があり、「ＡｌＮ薄膜の圧電定数はｐ＝４ｍＴｏｒｒでＡｒ／Ｎ2が５／２０より多い場合、Ｐｔ電極とＴｉ電極ではＳｔｒｅｓｓがプラスであること」が記載されているだけであって、ＡｌＮ薄膜が弾性波デバイスという用途があることは記載されているものの、「下部電極と、圧電膜と、上部電極と、を具備する振動子を備える弾性波デバイス」は記載されていない。
　さらに圧電膜についても、ＡｌＮ薄膜が、「ｐ＝４ｍＴｏｒｒでＡｒ／Ｎ2が５／２０より多い場合」にＳｔｒｅｓｓがプラスとなることは記載されているが、ｃ軸方向の格子定数が０．４９８ｎｍより小さいことも記載されていない。
　なお、特許異議申立人河原田隆は、本件特許の発明の詳細な説明の記載を根拠として、甲第１号証に記載された発明のＡｌＮのｃ軸方向の格子定数は０．４９５ｎｍより小さいと主張しているが、甲第１号証に記載された薄膜は圧力４ｍＴｏｒｒ、すなわち０．５３Ｐａであるのに対し、本件発明の詳細な説明では【００３６】に記載されるように０．３Ｐａの圧力下で形成しており、甲第１号証と本件発明の薄膜の生成条件は明らかに異なる。
　一般に、薄膜Ａと薄膜Ｂが同じ条件で作成された等の特別な事情がない限り、薄膜Ａの測定結果に基づいて、薄膜Ａとは異なる薄膜である薄膜Ｂの測定結果を推測することはできないから、甲第１号証に記載された発明のＡｌＮのｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいともいえない。
　上記によれば、本件特許発明３は、甲第１号証に記載された発明とは実質的に同一であるとはいえない。
（イ）本件特許発明４について
　特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明４は、甲第１号証に記載された発明とは実質的に同一である旨主張している。
「（ア）本件特許発明３について」に記載したように、甲第１号証に記載されたＡｌＮは、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」ではないから、本件特許発明４は、甲第１号証に記載された発明とは実質的に同一であるとはいえない。
イ．特許法第２９条第２項について
（ア）本件特許発明３について
　特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明３は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
「（１−１−２）．特許異議申立人の意見について」の「イ．その他の取消理由について」の「（イ）甲第２号証を主引用例とする、本件特許発明３の進歩性欠如について」に記載したとおりである。
（イ）本件特許発明４について
　特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明４は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張しているものの、具体的な理由については何も記載されていない。
　なお、本件特許発明４は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜をその構成要件としているが、「（１−１−２）．特許異議申立人の意見について」の「イ．その他の取消理由について」の「（イ）甲第２号証を主引用例とする、本件特許発明３の進歩性欠如について」に記載したように、甲第２号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数がどのような値であるのか容易に想到しうることとはいえない。
　したがって、本件特許発明４は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（ウ）本件特許発明６について
（ｉ）特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明６は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明６は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜をその構成要件としているが、「ア．特許法第２９条第１項第３号について」の「（ア）本件特許発明３について」に記載したように、甲第１号証に記載された発明のＡｌＮのｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいとはいえない。
　また、甲第２号証にも「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜は記載されていない。
　したがって、本件特許発明６は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（ii）特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明６は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明６は、本件特許発明４を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明４と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
（エ）本件特許発明７について
　本件特許発明７は、本件特許発明６を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明６と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
（オ）本件特許発明８について
（ｉ）特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明６は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明８は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜をその構成要件としているが、「ア．特許法第２９条第１項第３号について」の「（ア）本件特許発明３について」に記載したように、甲第１号証に記載された発明のＡｌＮのｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さいとはいえない。
　また、甲第２号証にも「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜は記載されていない。
　したがって、本件特許発明８は、甲第１号証および甲第２号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（ii）特許異議申立人河原田隆は、訂正前の本件特許発明８は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができた旨主張している。
　本件特許発明８は、「ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウム」からなる圧電膜をその構成要件としているが、「（１−１−２）．特許異議申立人の意見について」の「イ．その他の取消理由について」の「（イ）甲第２号証を主引用例とする、本件特許発明３の進歩性欠如について」に記載したように、甲第２号証に記載されるスカンジウムアルミニウム窒化物薄膜のｃ軸方向の格子定数がどのような値であるのか容易に想到しうることとはいえない。
　したがって、本件特許発明８は、甲第２号証および甲第３号証に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたとはいえない。
（カ）本件特許発明９について
　本件特許発明９は、本件特許発明８を引用して記載されている発明であるから、本件特許発明８と同様の理由により、異議申立の理由は存在しない。
ウ．特許法第３６条第６項第１号について
「（１−１−２）．特許異議申立人の意見について」の「イ．その他の取消理由について」の「（ウ）特許法第３６条第６項第１号違反について」に記載したとおりである。
エ．その他の主張について
　特許異議申立人河原田隆は、甲第１号証の窒化アルミニウムの格子定数ｃが０．４９５ｎｍより小さくなっていないならば、本件特許明細書の発明の詳細な説明は当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえない旨主張している。
　しかし、「ア．特許法第２９条第１項第３号について」に記載したように、甲第１号証の窒化アルミニウムの製造条件と本件特許発明の製造条件は異なるために、甲第１号証の窒化アルミニウムの格子定数ｃが０．４９５ｎｍより小さくなっているとはいえないことを理由として、本件特許明細書の発明の詳細な説明は当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものとはいえない、とすることはできないから、特許異議申立人河原田隆の主張は採用できない。
（３）小括
　取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件特許発明３、４、６、７、８、９に係る特許を取り消すことはできない。
第４．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項３、４、６、７、８及び９に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項３、４、６、７、８及び９に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年１月２０日（２０１７．１．２０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ａ軸方向の格子定数とｃ軸方向の格子定数との比が１．６より小さく、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの少なくとも１つが添加された窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
　【請求項２】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９８ｎｍより小さく、チタン、ジルコニウム及びハフニウムの少なくとも１つが添加された窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
　【請求項３】
　基板と、
　前記基板上に設けられた下部電極と、
　前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備する
共振子を備える
　【請求項４】
　
基板と、
　
前記基板上に設けられた下部電極と、
　
前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　
前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し
　前記圧電膜は無添加の窒化アルミニウムからなり、
　前記圧電膜の残留応力は引張応力であることを特徴とする
弾性波デバイス
　【請求項５】
　前記チタン、ジルコニウム及びハフニウムの少なくとも１つの元素は前記窒化アルミニウムのアルミニウムサイトに配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の弾性波デバイス。
　【請求項６】
　前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする
請求項１、２、４および５の
　【請求項７】
　前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
　【請求項８】
　
基板と、
　
前記基板上に設けられた下部電極と、
　
前記下部電極上に設けられ、ｃ軸方向の格子定数が０．４９５ｎｍより小さい窒化アルミニウムからなる圧電膜と、
　
前記圧電膜上に設けられ、前記圧電膜を挟んで前記下部電極と対向する上部電極と、を具備し
　
前記圧電膜には温度補償膜が挿入されていることを特徴とする弾性波デバイス。
　【請求項９】
　
前記温度補償膜は酸化シリコンを含むことを特徴とする請求項８記載の弾性波デバイス。