(57)【要約】発光装置（１００）は、発光素子（４１）と、表面に発光素子（４１）が配置されるサブマウント基板（４４）と、サブマウント基板（４４）の表面の裏側面に配置される裏面電極（４６ｐ及び４６ｎ）とを備えるサブマウント（４０）と、裏面電極（４６ｐ及び４６ｎ）に半田（６０）を介して接合される配線電極（７１）を含む表面金属パターン（７０）を備え、サブマウント（４０）が配置されるメインマウント（５０）とを備え、表面金属パターン（７０）は、平面視においてサブマウント（４０）が配置される配置領域（７０ｄ）から離間した位置にスリット（１１、１２及び２０）を有する。
2017026093.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
表面に前記発光素子が配置されるサブマウント基板と前記サブマウント基板の前記表面に対して裏側の裏面に配置される裏面電極とを備えるサブマウントと、
前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を含む表面金属パターンを備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、
前記表面金属パターンは、平面視において前記サブマウントが配置される配置領域から離間した位置にスリットを有する
発光装置。
【請求項２】
前記スリットは、前記配置領域を構成する第一の辺及び前記第一の辺の延長線と、前記第一の辺に対向する前記表面金属パターンの外周を構成する第二の辺との間において、前記第一の辺と平行に配置される領域を有する
請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記スリットは、前記配置領域の対向する二つの角部を結ぶ直線上に配置されている
請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記スリットは、屈曲部を有する
請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記表面金属パターンは、複数の前記スリットを有し、
前記配置領域の中心線を軸として前記表面金属パターンにおいて対称な位置に配置されている
請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半田の厚さは、２０μｍ以上１５０μｍ以下である
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記半田は、一断面において前記半田の幅の２０％以下の長さのクラックを有する
請求項１〜６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記表面金属パターンは表面放熱パッドを含み、
前記サブマウントは前記裏面電極と隣接する裏面放熱パッドを有し、
前記表面放熱パッドと前記裏面放熱パッドとは半田を介して接合されている
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記表面金属パターンは、二つの前記配線電極を含み、
前記表面放熱パッドは二つの前記配線電極の間に配置されている
請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記裏面電極は、二つのメインマウント接合部と前記二つのメインマウント接合部を接続する第一接続部を有し、
前記第一接続部の幅は前記二つのメインマウント接合部の各々の幅よりも小さい
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記二つのメインマウント接合部と前記第一接続部とは、前記二つのメインマウント接合部及び前記第一接続部の各々の一辺が一直線上に配置される
請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記配線電極は樹脂で被覆され、前記配線電極が前記樹脂に設けられた開口部から露出する電極パッドを有し、
前記電極パッドは二つのサブマウント接合部と前記二つのサブマウント接合部を接続する第二接続部で形成されており、前記第二接続部の幅は前記二つのサブマウント接合部の各々の幅よりも小さい
請求項１〜５、１０、１１のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記二つのサブマウント接合部と前記第二接続部とは、前記二つのサブマウント接合部と前記第二接続部の各々の一辺が一直線上に配置される
請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
裏面電極を備えるサブマウントと、
前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、
前記裏面電極は、二つのメインマウント接合部と前記二つのメインマウント接合部を接続する第一接続部で形成されており、前記第一接続部の幅は前記二つのメインマウント接合部の各々の幅よりも小さい
半田接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、発光装置及び半田接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの発熱する発光素子が実装された発光装置が知られている（例えば、特許文献１など参照）。このような発光装置は、特に高出力タイプの発光素子を用いる発光装置においては、一般に、発光素子と、発光素子が載せられるサブマウントと、サブマウントが載せられる金属製のメインマウントとを備える。なお、以下では、発光素子とサブマウントとが組み合わさったものをパッケージと呼び、当該パッケージとメインマウントとが組み合わさったものを発光装置又はモジュールと呼ぶ。【０００３】
ＬＥＤは２端子の発光素子であるので、サブマウントの発光素子が載せられた表面に対して裏側の裏面には一般に二つの裏面電極が形成されることになる。またメインマウントの表面（つまり、上面）にも裏面電極とほぼ同じ形状の二つの電極パッドが形成されている。サブマウントに形成された二つの裏面電極は、それぞれ、メインマウントに形成された二つの電極パッドに、例えば、半田を用いて接続される。【０００４】
発光素子のうち特に高出力タイプのものを使用する際には、効率的に放熱を行う必要がある。サブマウントに形成された裏面電極とメインマウントに形成された電極パッドとを介して発光素子で発生した熱の一部をメインマウント側に放熱させることはできるが、発光素子の温度上昇に起因して電気的特性が悪化する可能性がある。そこで、サブマウントにおいて、表面に配置された発光素子の真裏側近辺に電気的接続のない裏面放熱パッドを設ける対策が知られている。この場合、メインマウント基板の、裏面放熱パッドに対向する位置に放熱パターンが形成されることにより、発光素子で発生した熱をメインマウント基板側に効果的に伝達させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１３４３９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の対策によって、発光素子からメインマウントまでの熱抵抗を低減することができるが、サブマウントとメインマウントとの間における熱膨張係数差が大きい場合には、熱サイクル試験において、歪起因の損傷が発生する可能性があることが知られている。【０００７】
また、サブマウントの裏面電極と、メインマウントの電極パッドとを、半田リフロープロセスで接続する場合に、メインマウントに対してサブマウントが傾斜した状態で固定されることがある。【０００８】
そこで、本開示は、熱サイクルにおける歪耐性が向上された発光装置を提供することを目的とする。また、本開示は、サブマウント及びメインマウントと、それらを接続する半田と備える半田接合体であって、メインマウントに対するサブマウントの傾斜を抑制できる半田接合体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示に係る発光装置の一態様は、発光素子と、表面に前記発光素子が配置されるサブマウント基板と前記サブマウント基板の前記表面に対して裏側の裏面に配置される裏面電極とを備えるサブマウントと、前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を含む表面金属パターンを備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、前記表面金属パターンは、平面視において前記サブマウントが配置される配置領域から離間した位置にスリットを有する。【００１０】
また、本開示に係る半田接合体の一態様は、裏面電極を備えるサブマウントと、前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、前記裏面電極は、二つのメインマウント接合部と前記二つのメインマウント接合部を接続する第一接続部で形成されており、前記第一接続部の幅は前記二つのメインマウント接合部の各々の幅よりも小さい。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によれば、熱サイクルにおける歪耐性が向上された発光装置を提供できる。また、本開示によれば、サブマウント及びメインマウントと、それらを接続する半田と備える半田接合体であって、メインマウントに対するサブマウントの傾斜を抑制できる半田接合体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、実施例１に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、実施例１に係る発光装置のサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、実施例１に係る発光装置のサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図３】図３は、実施例１に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、実施例１に係る表面金属パターンの第一の他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、実施例１に係る表面金属パターンの第二の他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、実施例１に係る表面金属パターンの第三の他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、実施例２に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、実施例２に係る発光装置の構成を示す他の断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、実施例２に係る発光装置のサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、実施例２に係る発光装置のサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図７】図７は、実施例２に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、実施例２に係る発光装置のサブマウントの裏面側を示す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、従来の発光装置の温度サイクル試験後の半田及びその周辺領域の断面ＳＥＭ写真である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、実施例２の発光装置の温度サイクル試験後の半田及びその周辺領域の断面ＳＥＭ写真である。
【図９Ａ】図９Ａは、実施例２に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、実施例２に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、実施例３に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、実施例３に係る発光装置におけるサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、実施例３に係る発光装置におけるサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図１２】図１２は、実施例３に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図１３Ａ】図１３Ａは、実施例３に係る発光装置のサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、実施例３に係る発光装置のサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図１４】図１４は、実施例３に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図１５Ａ】図１５Ａは、実施例４に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１６Ａ】図１６Ａは、実施例４に係る発光装置におけるサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ｂは、実施例４に係る発光装置におけるサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図１７】図１７は、実施例４に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、実施例４に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、実施例４に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｃは、実施例４に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウントを示す上面図である。
【図１９Ａ】図１９Ａは、実施例５に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ｂは、実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図１９Ｃ】図１９Ｃは、実施例５に係る発光装置の構成を示す他の断面図である。
【図２０Ａ】図２０Ａは、実施例５に係る発光装置におけるサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ｂは、実施例５に係る発光装置におけるサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図２１】図２１は、実施例５に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、実施例５に係る発光装置のサブマウントの他の例の上面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、実施例５に係る発光装置のサブマウントの他の例の底面図である。
【図２３】図２３は、実施例５に係る発光装置のメインマウントの他の例の上面図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、実施例６に係る発光装置の構成を示す上面図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、実施例６に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２５Ａ】図２５Ａは、実施例６に係る発光装置におけるサブマウントの表面の構成を示す上面図である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、実施例６に係る発光装置におけるサブマウントの裏面の構成を示す底面図である。
【図２６】図２６は、実施例６に係る発光装置のメインマウントの上面図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、変形例に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２８】図２８は、実施の形態に係る発光装置の製造工程を示す概略図である。
【図２９】図２９は、実施の形態に係る表面金属パターンの例を示す平面図である。
【図３０】図３０は、実施の形態に係る表面金属パターンの他の例を示す平面図である。
【図３１】図３１は、実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンの例を示す平面図である。
【図３２】図３２は、実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンの他の例を示す平面図である。
【図３３】図３３は、実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンのさらに他の例を示す平面図である。
【図３４】図３４は、実施の形態に係る凹部を有する裏面電極に対応し、熱歪の影響を緩和するためのスリットを有する表面金属パターンの形状の例を示す上面図である。
【図３５】図３５は、実施の形態に係る凹部を有する裏面電極に対応し、熱歪の影響を緩和するためのスリットを有する表面金属パターンの形状の他の例を示す上面図である。
【図３６Ａ】図３６Ａは、従来の発光装置の製造工程を示す概略図である。
【図３６Ｂ】図３６Ｂは、不良品の発光装置の断面ＳＥＭ像の一例を示す図である。
【図３７Ａ】図３７Ａは、従来技術のサブマウントにおける裏面放熱パッドの形状の一例を示す底面図である。
【図３７Ｂ】図３７Ｂは、図３７Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図３７Ｃ】図３７Ｃは、従来技術のカバー樹脂の形状の一例を示す上面図である。
【図３８Ａ】図３８Ａは、図３７Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図３８Ｂ】図３８Ｂは、図３７Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の他の一例を示す上面図である。
【図３９Ａ】図３９Ａは、従来技術のサブマウントにおける裏面放熱パッドの形状の一例を示す底面図である。
【図３９Ｂ】図３９Ｂは、図３９Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４０Ａ】図４０Ａは、図３９Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４０Ｂ】図４０Ｂは、図３９Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４１Ａ】図４１Ａは、従来技術のサブマウントにおける裏面放熱パッドの形状の一例を示す底面図である。
【図４１Ｂ】図４１Ｂは、図４１Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４２】図４２は、図４１Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４３Ａ】図４３Ａは、本実施の形態に係るサブマウントにおける裏面電極の形状の一例を示す底面図である。
【図４３Ｂ】図４３Ｂは、本実施の形態に係る凹部を有する裏面電極に対応する表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【図４４】図４４は、本実施の形態に係る凹部を有する裏面電極に対応する表面金属パターンの形状の他の一例を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
（本開示の基礎となった知見）
まず、本開示の基礎となった知見について説明する。発光素子が載せられたサブマウントと、サブマウントが載せられた金属製のメインマウントとを備える発光装置において、サブマウントは、メインマウントの配線電極と接続される電極を有する。サブマウントにおいて、当該電極が発光装置とともに、サブマウントの表面（つまり、上面）にある場合と、当該電極がサブマウントの表面の裏側に位置する裏面（つまり、底面）にある場合とがある。以下では、当該電極がサブマウントの裏面にある場合について図面を用いて説明する。
【００１４】
図３６Ａは、従来の発光装置９００の製造工程を示す概略図である。図３６Ａの底面図（ａ）は、サブマウント９４０の裏面（底面）を示す。ここで、サブマウント９４０上に形成される発光素子等は省略している。図３６Ａの上面図（ｂ）は、メインマウント９５０の上面を示す。図３６Ａの断面図（ｃ）は、メインマウント９５０にサブマウント９４０を配置した状態におけるそれらのメインマウント９５０の上面に対して垂直方向の断面を示す。図３６Ａの断面図（ｄ）は、リフロー工程後の良品の発光装置９００の断面を示す。図３６Ａの断面図（ｅ）は、リフロー工程後の不良品の発光装置９００ａの断面を示す。
【００１５】
図３６Ａの底面図（ａ）に示されるようにサブマウント９４０を構成するサブマウント基板４４の裏面には裏面電極９４６が二つ形成される。またメインマウント９５０を構成するメインマウント基板５３の表面には図３６Ａの上面図（ｂ）に示されるように裏面電極９４６とほぼ同じ形状の電極パッド９７０ｐが形成されている。ここで、電極パッド９７０ｐは、カバー樹脂５１で覆われた表面金属パターン９７０のうち、カバー樹脂５１から露出する領域である。サブマウント９４０の裏面電極９４６とメインマウント９５０の電極パッド９７０ｐをほぼ同じ形状にするのは、リフロー炉を用いた半田接続を行う場合に半田６０の溶融時の表面張力を利用して、サブマウント９４０がメインマウント９５０の所定位置からずれることがないようにするためである。このような電極構造はセルフアライメント構造と呼ばれている。
【００１６】
また、上述したように２端子の発光素子であるＬＥＤのうち高出力タイプのものは効率的に放熱を行う必要がある。サブマウント９４０の裏面電極９４６とメインマウント９５０の電極パッド９７０ｐとを介して発光素子で発生した熱の一部をメインマウント９５０側に放熱させることはできるが、発光素子の温度上昇に起因して電気的特性が悪化する可能性がある。そこで、サブマウント９４０において発光素子の真裏側近辺に電気的接続のない裏面放熱パッドを設ける対策が知られている。図３７Ａ、図３９Ａ、図４１Ａにその代表的な構成を示す。
【００１７】
図３７Ａは、従来技術のサブマウント９４１における裏面放熱パッド９４６ｈの形状の一例を示す底面図である。図３７Ｂは、図３７Ａに示されるサブマウント９４１が配置されるメインマウントに形成される表面金属パターン９７１ａの形状の一例を示す上面図である。図３７Ｃは、従来技術のカバー樹脂９５１の形状の一例を示す上面図である。図３８Ａ、及び図３８Ｂは、それぞれ図３７Ａに示されるサブマウント９４１が配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【００１８】
図３９Ａは、従来技術のサブマウント９４２における裏面放熱パッド９４６ｈの形状の一例を示す底面図である。図３９Ｂ、図４０Ａ及び図４０Ｂは、それぞれ図３９Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【００１９】
図４１Ａは、従来技術のサブマウント９４２における裏面放熱パッド９４６ｈの形状の一例を示す底面図である。図４１Ｂ及び図４２は、それぞれ図４１Ａに示されるサブマウントが配置されるメインマウントに形成される表面金属パターンの形状の一例を示す上面図である。
【００２０】
図３７Ａに示されるサブマウント９４１は、サブマウント基板４４の裏面に、図３６Ａの底面図（ａ）に示されるような二つの長方形の裏面電極９４６を単純に二つの裏面放熱パッド９４６ｈと二つの裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎとに二分割した電極を有する。
【００２１】
これにより、メインマウントの電極パッドにセルフアライメント構造を設けたときに、セルフアライメントの効果が対称性を有するため、サブマウント９４１の軸ずれを抑制することができる。
【００２２】
図３９Ａに示されるサブマウント９４２は、サブマウント基板４４の裏面に、図３７Ａに示される二つの裏面放熱パッド９４６ｈを一体化したような形状を有する一つの裏面放熱パッド９４６ｈを有する。図３９Ａに示されるサブマウント９４２のパッド構成においては、セルフアライメントの効果は図３７Ａに示されるサブマウント９４１のパッド構成より低下するが、裏面放熱パッド９４６ｈが一体化されているために放熱性は向上する。
【００２３】
図４１Ａに示されるサブマウント９４３においては、サブマウント９４３の表面の中央に配置された発光素子の真裏に裏面放熱パッド９４６ｈが配置され、熱源である発光素子からできるだけ離れた場所に裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎが配置されている。
【００２４】
ここで、図３６Ａを用いて、サブマウント９４０をメインマウント９５０に実装する工程について説明する。図３６Ａの底面図（ａ）及び上面図（ｂ）に示されるような、長方形の裏面電極９４６と電極パッド９７０ｐとを用いたセルフアライメント構造を採用した場合、次のようにサブマウント９４０とメインマウント９５０とが半田接続される。
【００２５】
メインマウント９５０の電極パッド９７０ｐ上に半田６０を形成した後、図３６Ａの断面図（ｃ）に示されるようにサブマウント９４０の裏面電極９４６を半田６０上に配置し、リフロー炉に入れて溶融させることにより、サブマウント９４０とメインマウント９５０との接続を行う。サブマウント９４０とメインマウント９５０とが接続されることにより、図３６Ａの断面図（ｄ）に示されるような良品の発光装置９００、又は、例えば断面図（ｅ）に示されるような不良品の発光装置９００ａが得られる。
【００２６】
良品の発光装置９００においては、断面図（ｄ）に示されるとおり、サブマウント９４０はメインマウント９５０に対して水平状態に保たれる。一方、不良品の発光装置９００ａにおいては、断面図（ｅ）に示されるように、サブマウント９４０がメインマウント９５０に対して傾いてしまうという問題がある。このような問題は、サブマウント９４０とメインマウント９５０との接続前の半田６０の状態、及び、リフロー炉の環境の揺らぎに起因する。不良品の発光装置９００ａの断面ＳＥＭ像の一例を図３６Ｂに示す。図３６Ｂに示されるように、サブマウント９４０がメインマウント９５０において、右上がりに傾いた状態で接続されている。
【００２７】
ここまでの説明は、サブマウント裏面に２電極のみがある場合であるが、例えば、図３７Ａ、図３９Ａ及び図４１Ａに示されるような裏面放熱パッド９４６ｈを設けた場合、メインマウントの表面金属パターンには、裏面電極及び放熱パッドとほぼ同じ形状を有する電極パッド及び表面放熱パッドがそれぞれ形成される構成となる。サブマウントのメインマウントへのセルフアライメントの観点においては、裏面電極及び放熱パッドと電極パッド及び表面放熱パッドとは、互いに同一形状であることがもっとも望ましい。よって、表面金属パターン内の電極パッドは、カバー樹脂の開口部の外側、すなわちカバー樹脂に覆われた領域の表面金属パターンとの連続性が少ないほど良いと考えられる。一方、発光素子からの放熱の観点においては、表面金属パターン内の電極パッドは、カバー樹脂の開口部の外側の配線電極との連続性が多いほど良いと考えられる。そのトレードオフを解決するために、電極パッドを含む配線電極のうち、カバー樹脂から露出する部分の形状にはいくつものパターンが考えられる。
【００２８】
図３７Ａに示されるサブマウント９４１の裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎ、並びに、裏面放熱パッド９４６ｈに対しては、従来は図３７Ｂ、図３８Ａ及び図３８Ｂに示されるようなメインマウントの表面金属パターン９７１ａ、９７１ｂ及び９７１ｃ上に、図３７Ｃに示されるような開口部を設けたカバー樹脂９５１を形成することが考えられる。カバー樹脂９５１から露出する四つの電極パッド９７１ｐは、それぞれサブマウント９４１の裏面電極９４６ｐ、９４６ｎ、及び、裏面放熱パッド９４６ｈとほぼ同じ形状に形成される。
【００２９】
同様に、図３９Ａのサブマウント９４２の裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎ、並びに、裏面放熱パッド９４６ｈに対しては、従来は図３９Ｂ、図４０Ａ及び図４０Ｂに示されるようなメインマウントの表面金属パターン９７２ａ、９７２ｂ及び９７２ｃ上に、開口部を設けたカバー樹脂９５１（図３７Ｃ参照）を形成することが考えられる。カバー樹脂９５１から露出する電極パッド９７２ｐ及び表面放熱パッド９７２ｓは、それぞれサブマウント９４２の裏面電極９４６ｐ、９４６ｎ、及び、裏面放熱パッド９４６ｈとほぼ同じ形状に形成される。
【００３０】
同様に、図４１Ａのサブマウント９４３の裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎ、並びに、裏面放熱パッド９４６ｈに対しては、従来は図４１Ｂ、図４２に示すようなメインマウントの表面金属パターン９７３ａ及び９７３ｂ上に、開口部を設けたカバー樹脂９５１（図３７Ｃ参照）を形成することが考えられる。カバー樹脂９５１から露出する電極パッド９７３ｐ及び表面放熱パッド９７３ｓは、それぞれサブマウント９４３の裏面電極９４６ｐ（又は裏面電極９４６ｎ）、及び、裏面放熱パッド９４６ｈとほぼ同じ形状に形成される。
【００３１】
これらの電極構造はいずれもセルフアライメントと熱抵抗低減とを両立させるためのものではあるが、耐環境試験である熱サイクル試験を行った場合には、いずれの構成においても半田にクラックが発生するという問題を発明者らは見出した。なお、熱サイクル試験として、非通電状態で−４０℃から１２５℃までの温度変化を１０００サイクル繰り返す試験を行った。
【００３２】
そこで、本開示は、熱サイクルにおける歪耐性が向上された発光装置を提供することを目的とする。また、本開示は、サブマウント及びメインマウントと、それらを接続する半田と備える半田接合体であって、メインマウントに対するサブマウントの傾きを抑制できる半田接合体を提供することを目的とする。
【００３３】
この目的を達成するために、本開示に係る発光装置の一態様は、発光素子と、表面に前記発光素子が配置されるサブマウント基板と、前記サブマウント基板の前記表面に対して裏側の裏面に配置される裏面電極とを備えるサブマウントと、前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を含む表面金属パターンを備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、前記表面金属パターンは、平面視において前記サブマウントが配置される配置領域から離間した位置にスリットを有する。
【００３４】
このように、表面金属パターンが配置領域の外側にスリットを有することにより、半田に対する熱歪の影響が緩和される。さらに、表面金属パターンにおける配置領域とその外側の領域とが、スリット以外の部分において繋がっているため、表面金属パターンの熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００３５】
また、発光装置の一態様において、前記スリットは、前記配置領域を構成する第一の辺及び前記第一の辺の延長線と、前記第一の辺に対向する前記表面金属パターンの外周を構成する第二の辺との間において、前記第一の辺と平行に配置される領域を有してもよい。
【００３６】
これにより、半田に対して、第一の辺及び第二の辺に垂直な方向に加わる応力を低減することができる。
【００３７】
また、発光装置の一態様において、前記スリットは、前記配置領域の対向する二つの角部を結ぶ直線上に配置されていてもよい。
【００３８】
また、発光装置の一態様において、前記スリットは、屈曲部を有してもよい。
【００３９】
このように、スリットが屈曲部を有するため、スリットが相異なる方向に延びる部分を有する。したがって、半田に対して相異なる方向に加わる応力を低減することができる。
【００４０】
また、発光装置の一態様において、前記表面金属パターンは、複数の前記スリットを有し、前記配置領域の中心線を軸として前記表面金属パターンにおいて対称な位置に配置されていてもよい。
【００４１】
これにより、半田に加わる応力も中心軸を軸として左右対称に低減されるため、半田に局所的に応力が加わることが抑制される。したがって、半田が損傷することを抑制できる。
【００４２】
また、発光装置の一態様において、半田の厚さは、２０μｍ以上１５０μｍ以下であってもよい。
【００４３】
これにより、半田の厚さが不十分であることに起因する表面金属パターンと裏面電極との間の接触不良を低減し、かつ、半田の厚さが過大であることに起因してサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００４４】
また、発光装置の一態様において、前記半田は、一断面において前記半田の幅の２０％以下の長さのクラックを有してもよい。
【００４５】
このように、クラックが半田の幅の２０％以下であれば、クラックに起因する半田の抵抗増加を抑制できる。
【００４６】
また、発光装置の一態様において、前記表面金属パターンは表面放熱パッドを含み、前記サブマウントは前記裏面電極と隣接する裏面放熱パッドを有し、前記表面放熱パッドと前記裏面放熱パッドとは半田を介して接合されていてもよい。
【００４７】
このように、半田を介して接合された表面放熱パッド及び裏面放熱パッドを備えることにより、サブマウントからメインマウントへの熱伝達を促すことができる。
【００４８】
また、発光装置の一態様において、前記表面金属パターンは、二つの前記配線電極を含み、前記表面放熱パッドは二つの前記配線電極の間に配置されていてもよい。
【００４９】
また、発光装置の一態様において、前記裏面電極は、二つのメインマウント接合部と前記二つのメインマウント接合部を接続する第一接続部を有し、前記第一接続部の幅は前記二つのメインマウント接合部の各々の幅よりも小さくてもよい。
【００５０】
これにより、一方のメインマウント接合部から他方のメインマウント接合部に、半田が流れ込むことを抑制できるため、二つのメインマウント接合部間における半田の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田を介してメインマウント接合部に接合されたサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００５１】
また、発光装置の一態様において、前記二つのメインマウント接合部と前記第一接続部とは、前記二つのメインマウント接合部及び前記第一接続部の各々の一辺が一直線上に配置されてもよい。
【００５２】
これにより、裏面電極の長辺の中央部分に凹部（くびれ）が形成される。したがって、裏面電極に配置された半田が一方のメインマウント接合部から他方のメインマウント接合部に流れ込むことを抑制できる。このため、二つのメインマウント接合部間における半田の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田を介してメインマウントに接合されたサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００５３】
また、発光装置の一態様において、前記配線電極は樹脂で被覆され、前記配線電極が前記樹脂に設けられた開口部から露出する電極パッドを有し、前記電極パッドは二つのサブマウント接合部と前記二つのサブマウント接合部を接続する第二接続部で形成されており、前記第二接続部の幅は前記二つのサブマウント接合部の各々の幅よりも小さくてもよい。
【００５４】
これにより、半田が一方のサブマウント接合部から他方のサブマウント接合部に流れ込むことを抑制できるため、二つのサブマウント接合部間における半田の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田を介してサブマウント接合部に接合されたサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００５５】
また、発光装置の一態様において、前記二つのサブマウント接合部と前記第二接続部とは、前記二つのサブマウント接合部と前記第二接続部の各々の一辺が一直線上に配置される。
【００５６】
これにより、電極パッドの長辺の中央部分に凹部（くびれ）が形成される。したがって、電極パッドに配置された半田が一方のサブマウント接合部から他方のサブマウント接合部に流れ込むことを抑制できる。このため、二つのメインマウント接合部間における半田の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田を介してメインマウントに接合されたサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００５７】
また、本開示の半田接合体の一態様は、裏面電極を備えるサブマウントと、前記裏面電極に半田を介して接合される配線電極を備え、前記サブマウントが配置されるメインマウントとを備え、前記裏面電極は、二つのメインマウント接合部と前記二つのメインマウント接合部を接続する第一接続部で形成されており、前記第一接続部の幅は前記二つのメインマウント接合部の各々の幅よりも小さい。
【００５８】
これにより、半田が一方のメインマウント接合部から他方のメインマウント接合部に流れ込むことを抑制できるため、二つのメインマウント接合部間における半田の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田によってメインマウントに接合されたサブマウントがメインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【００５９】
以下、本開示の実施の形態について、以下に図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、工程（ステップ）及び工程の順序等は、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００６０】
また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。また、「上方」及び「下方」という用語は、２つの構成要素が互いに間隔をあけて配置されて２つの構成要素の間に別の構成要素が存在する場合のみならず、２つの構成要素が互いに密着して配置されて２つの構成要素が接する場合にも適用される。
【００６１】
（実施の形態）
まず、実施の形態に係る発光装置及び半田接合体の基本構成、並びに、それらの製造工程について図面を用いて説明する。
【００６２】
図２８は、本実施の形態に係る発光装置１００の製造工程を示す概略図である。図２８の底面図（ａ）は、サブマウント４０の裏面（底面）を示し、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの形状を示す。ここで、サブマウント上に配置される発光素子は省略している。図２８の上面図（ｂ）は、メインマウント５０の上面を示す。図２８の断面図（ｃ）は、メインマウント５０にサブマウント４０を配置した状態におけるそれらのメインマウントの上面に対して垂直方向の断面を示す。図２８の断面図（ｄ１）は、リフロー工程後の発光装置１００の断面を示す。図２８の平面図（ｄ２）は、リフロー工程後の発光装置１００の電極パッド７０ｐ上における半田６０の形状を示す。図２８の断面図（ｅ１）は、リフロー工程後の発光装置１００ａの断面を示す。図２８の平面図（ｅ２）は、リフロー工程後の発光装置１００ａの電極パッド７０ｐ上における半田６０の形状を示す。
【００６３】
図２８の底面図（ａ）及び上面図（ｂ）に示されるように、本実施の形態に係るサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎ、並びに、メインマウント５０の電極パッド７０ｐは、それぞれ長方形の長辺部分に凹部４６ｗ及び７０ｗ（くびれ）を有する。ここで、サブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎはメインマウント５０の電極パッドと半田接続される二つのメインマウント接合部４６ａとこの二つのメインマウント接合部４６ａを接続する第一接続部４６ｂとで形成される。第一接続部４６ｂの幅が二つのメインマウント接合部４６ａの各々の幅よりも小さいことから、二つのメインマウント接合部４６ａと第一接続部４６ｂの各々の１辺は一直線上に配置されることにより、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長辺の中央部分に凹部４６ｗ（くびれ）が形成されることになる。なお、ここで、幅とは、二つのメインマウント接合部４６ａの配列方向に交差する方向の寸法を意味する。本実施の形態では、二つの裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向（二つのメインマウント接合部４６ａの配列方向に）の間に長さがＬ１の凹部４６ｗが形成される。二つの裏面電極４６ｐ及び４６ｎは各々の直線部分が対向して配置されている。言い換えると裏面電極４６ｐ及び４６ｎの凹部４６ｗはサブマウント４０の底面視において、サブマウント４０の外周に対向している。
【００６４】
なお、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの寸法は、例えば、長手方向において１．９ｍｍ程度、長手方向に垂直な方向において０．６ｍｍ程度である。また、凹部４６ｗの長さ（Ｌ１）は、０．３ｍｍ程度、凹部４６ｗの幅（裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向に垂直な方向の寸法）は、０．３ｍｍ程度である。つまり、第一接続部４６ｂの寸法は０．３ｍｍ角程度である。また、メインマウント接合部４６ａの寸法は、図２８の横方向において、６．５ｍｍ程度、縦方向において、６．０ｍｍ程度である。第一接続部４６ｂの幅（裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向に垂直な方向の寸法）は、メインマウント接合部４６ａの幅の２０％以上８０％以下であればよく、４０％以上６０％以下であることが好ましい。
【００６５】
ここで、メインマウント５０の電極パッド７０ｐは、メインマウント基板５３上に形成された表面金属パターン７０を構成する二つの配線電極７１をカバー樹脂５１で覆うことによって形成されている。配線電極７１のうち、カバー樹脂５１の開口部内に露出している領域を電極パッド７０ｐと呼んでいる。ここで、メインマウント５０の電極パッド７０ｐはサブマウント４０と半田接続される二つのサブマウント接合部７５ａと、この二つのサブマウント接合部７５ａを接続する第二接続部７５ｂとで形成される。第二接続部７５ｂの幅が二つのサブマウント接合部７５ａの各々の幅よりも小さいことから、二つのサブマウント接合部７５ａと第二接続部７５ｂの各々の１辺は一直線上に配置されることにより、長辺の中央部分に凹部７０ｗが形成されることになる。なお、ここで、幅とは、二つのサブマウント接合部７５ａの配列方向に交差する方向の寸法を意味する。本実施の形態では、二つの電極パッド７０ｐの長手方向（二つのサブマウント接合部７５ａの配列方向に）における長さがＬ１の凹部７０ｗが形成される。二つの電極パッド７０ｐは各々の直線部分が対向して配置されている。言い換えると、メインマウント５０の上面視において、電極パッド７０ｐの凹部７０ｗはメインマウント５０の外周に対向している。半田接続するメインマウント接合部４６ａ及びサブマウント接合部７５ａはほぼ同じ形状であり、これらを含む裏面電極４６ｐ及び４６ｎ、並びに、電極パッド７０ｐもほぼ同じ形状である。
【００６６】
メインマウント５０の電極パッド７０ｐのサブマウント接合部７５ａ上に半田６０などが形成され、図２８の断面図（ｃ）に示されるようにサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎのメインマウント接合部４６ａを半田６０上に配置し、リフロー炉に入れて半田６０を溶融させることによりサブマウント４０とメインマウント５０とを接続する。なお、ここで、半田６０は、金属製の接合部材であって、使用時に溶融及び固化させる接合部材であれば、特に限定されない。
【００６７】
接続後の発光装置の一例として発光装置１００の模式断面図を図２８の断面図（ｄ１）に示し、電極パッド７０ｐの平面図を図２８の平面図（ｄ２）に示す。半田６０は、溶融後は主にカバー樹脂５１の開口部内のうち、電極パッド７０ｐのサブマウント接合部７５ａの領域で広がるが、平面図（ｄ２）に示される例においては、二つの半田６０は繋がっていない。この場合は二つの半田６０の量を揃えることにより均等な二点支持となるため、電極パッド７０ｐの長辺方向に対するサブマウント４０の傾きは発生しにくい。
【００６８】
また、接続後の発光装置の他の一例として発光装置１００ａの模式断面図を図２８の断面図（ｅ１）に示し、電極パッド７０ｐの平面図を図２８の平面図（ｅ２）に示す。発光装置１００ａは、電極パッド７０ｐに配置された二つの半田６０の各々が、溶融後に電極パッド７０ｐのサブマウント接合部７５ａから第二接続部７５ｂまで広がり、電極パッド７０ｐ内で一つに繋がった例である。この場合、半田６０は電極パッド７０ｐ内で繋がって一体化しているものの、第二接続部７５ｂの幅が狭いために、二つのサブマウント接合部７５ａ間の半田６０の流動は抑えられ、結果として電極パッド７０ｐの長辺方向に対するサブマウント４０の傾きは発生しにくい。
【００６９】
ここで、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの凹部４６ｗは、サブマウント４０の底面視においてサブマウント４０の外周に対向するように外向きに形成した。一方、凹部４６ｗ同士が対向するように内向きに形成すると、サブマウント４０の表面に配置された発光素子の直下に凹部４６ｗが配置されることにより、発光素子の直下の部分の裏面電極４６ｐ及び４６ｎの面積が減るので放熱性の観点から好ましくない。また、最適な凹部４６ｗ（くびれ）の形状は、裏面電極４６ｐ及び４６ｎのサイズ、半田６０の種類、半田６０の量、リフロー条件などによって異なる。凹部４６ｗの図２８における左右方向における位置（つまり、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向における位置）は、当該方向における対称性が失われないように、中央部であってもよい。
【００７０】
続いて、本実施の形態に係るメインマウント５０の表面金属パターンについて図面を用いて説明する。
【００７１】
図２９は、本実施の形態に係る表面金属パターンの例を示す平面図である。図２９には、図３７Ｂに示される電極パッド９７１ｐの構造を含む六つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｆ）が示されている。図３０は、本実施の形態に係る表面金属パターンの他の例を示す平面図である。図３０には、図３８Ａに示される電極パッド９７１ｐの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）が示されている。
【００７２】
図２９の平面図（ａ）は、上述の図３７Ｂに示される電極パッド９７１ｐの構造を含む、本実施の形態に係るメインマウント５０の表面金属パターン７ａを示す。図３７Ｂにおいて表面金属パターン９７１ａは、間隙を介して配列された二つの配線電極９７１ｅのみで構成され、外側の破線で囲った領域はサブマウント４０の配置領域９７１ｄに相当し、内側の破線で囲った領域は半田部に対応する四つの電極パッド９７１ｐの領域に相当する。また、例えば、左上の電極パッド９７１ｐの領域Ａでは、左方向と上方向とにおいてカバー樹脂９５１で被覆されている開口部外側の配線電極９７１ｅの領域と繋がっており、右上角、左上角及び左下角にそれぞれ短くスリット８１、８２及び８３が形成されている。なお、表面金属パターン９７１ａでは、さらに、電極パッド９７１ｐの領域Ａ及び領域Ｃと、電極パッド９７１ｐの領域Ｂ及び領域Ｄとの間にスリット８７が形成されている。また、領域Ａ以外の領域Ｂ〜Ｄも同様にカバー樹脂９５１で被覆されている開口部外側の配線電極９７１ｅの領域と繋がっている。ここで、サブマウント４０をメインマウント５０に配置した状態で平面視してサブマウント４０と重なるメインマウント５０の領域を配置領域９７１ｄ（図３７Ｂの破線枠部）とすると、この配置領域９７１ｄに配置されるスリットはセルフアライメント用のスリット８１〜８３、８７である。本実施の形態では二つの配線電極９７１ｅを含む表面金属パターン９７１ａにおいて、サブマウント４０を配置する領域（配置領域）の外側にスリットが形成されている。
【００７３】
ここで、セルフアライメント用スリットに関しては、配置領域９７１ｄ付近において図３７Ｂの左上の電極パッド９７１ｐの領域Ａと配置領域９７１ｄ外側の表面金属パターン９７１ａとが繋がっている連続部分の長さ、言い換えると、配置領域９７１ｄの外周域においてスリット８２とスリット８３との間の縦方向距離（図３７Ｂの縦方向における距離）が、電極パッドの１辺すなわち領域Ａの縦方向長さの６０−９０％の長さであるときに、セルフアライメントの効果及び十分な放熱性能が得られた。
【００７４】
図２９の平面図（ａ）に示される表面金属パターン７ａでは、電極パッド７０ｐの領域Ａにおいて、配置領域７０ｄ外の配線電極７０ｅと繋がっている部分（スリットによって途切れていない連続部分）は左方向と上方向であり、配置領域７０ｄの外側において、それらの合成方向である左上方向に第一スリット１０が形成されている。つまり、表面金属パターン７ａは、平面視においてサブマウント４０が配置される配置領域７０ｄから離間した位置に第一スリット１０を有する。この第一スリット１０は、サブマウント４０の外枠を構成する二辺の各々に対して平行な二つの直線部を有し、それら二つの直線部の端部が接続されたＬ字状の形状を有する。また、第一スリット１０は、配置領域７０ｄを構成する第一の辺である長辺及び第一の辺の延長線と、第一の辺に対向する表面金属パターンの外周を構成する第二の辺との間において、第一の辺と平行に配置される領域を有する。また、第一スリット１０は、配置領域７０ｄを構成する第三の辺である短辺及び第三の辺の延長線と、第三の辺に対向する表面金属パターンの外周を構成する第四の辺との間において、第三の辺と平行に配置される領域を有する。また、第一スリット１０は、二つの直線部の接続部である屈曲部を有する。この第一スリット１０は配置領域７０ｄの対向する二つの角部を結ぶ直線上に配置されている（図２９の二点鎖線参照）。また、第一スリット１０は、配置領域７０ｄの角部と表面金属パターン７ａの外周を構成する角部とを結ぶ直線（図２９の平面図（ａ）の二点鎖線）上に配置されていてもよい。さらに、第一スリット１０の屈曲部が、配置領域７０ｄの対向する二つの角部を結ぶ直線（図２９の平面図（ａ）の二点鎖線）上に配置されていてもよい。
【００７５】
また、配置領域７０ｄに対して右上、右下、左下の部分にも同様のＬ字状の第一スリット１０が形成されている。第一スリット１０により、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響が緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄの外側の表面金属パターン７ａとが繋がっているため、表面金属パターンの熱抵抗の悪化（増大）が抑えられるという効果がある。
【００７６】
また、これらの第一スリット１０は、配置領域７０ｄの中心軸（図２９の平面図（ａ）の一点鎖線）を軸として、表面金属パターン７ａにおいて対称な位置に配置されている。これにより、半田に加わる応力も中心軸を軸として左右対称に低減されるため、半田に局所的に応力が加わることが抑制される。したがって、半田が損傷することを抑制できる。
【００７７】
第一スリット１０の形状はＬ字状に限定されず、例えば、斜め方向の直線、又は、１／４円弧状などの曲線で構成されていてもよい。
【００７８】
また、第一スリットは、配置領域７０ｄを構成する第一の辺及び第一の辺の延長線と、第一の辺に対向する表面金属パターン７ａの外周を構成する第二の辺との間において、第一の辺と平行に配置される領域を有する。これにより、半田に対して、第一の辺及び第二の辺に垂直な方向に加わる応力を低減することができる。
【００７９】
また、第一スリット１０は、屈曲部を有するため、第一スリット１０が相異なる方向に延びる部分を有する。したがって、半田に対して相異なる方向に加わる応力を低減することができる。
【００８０】
さらに、図２９の平面図（ａ）の隣り合う二つ第一スリット１０の間において、表面金属パターンが繋がっている部分（連続部分）の外側に第二スリットをもう一段設けてもよい。このような第二スリットについて図２９の平面図（ｂ）を用いて説明する。図２９の平面図（ｂ）に示される表面金属パターン７ｂにおいては、隣り合う二つの第一スリット１０の間における配線電極７０ｅの連続部分は、配置領域７０ｄに対して上下方向及び左右方向にある。図２９の平面図（ｂ）に示される例では、配線電極７０ｅにおけるそれらの連続部分の外側（配置領域７０ｄから遠い側）にさらに第二スリット２１及び２２が形成されている。
【００８１】
第二スリット２１及び２２により、半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、配置領域７０ｄと配置領域７０ｄ外側の配線電極７０ｅとが繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００８２】
また、第一スリット１０、並びに、第二スリット２１及び２２の最適な位置、形状及びサイズは、電極パッド７０ｐのサイズ、半田の種類、半田の量、リフロー条件などによって異なる。
【００８３】
図２９の平面図（ｂ）に示される第二スリット２１は、二つの第二スリット２１が各々隣り合う電極パッド７０ｐの領域Ａ及びＢの連続部分、並びに、領域Ｃ及びＤの連続部分に起因する熱歪を抑制するためのスリットである。第二スリット２１は、配置領域７０ｄから水平方向（図２９の左右方向）に外側に、連続部分の長さ（スリット８２とスリット８３との間の縦方向距離の２倍）の約８０−２００％の距離だけ離れた位置に配置され、第二スリット２１の縦方向の長さが、連続部分の長さ（上記縦方向距離の２倍）に対して約８０−２００％の長さである場合に熱歪抑制効果が見られた。
【００８４】
図２９の平面図（ｃ）は、図３７Ｂに示される電極パッド９７１ｐの構造を含む、別のメインマウント５０の表面金属パターン７ｃを示す。図２９の平面図（ｃ）に示される表面金属パターン７ｃでは、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外の配線電極７０ｅと繋がっている部分（連続部分）は上下方向及び左右方向であり、その連続部分の外側に直線状の第一スリット１１及び１２が形成されている。第一スリット１１及び１２はメインマウント５０の上面視において、サブマウント４０の外枠、つまり、配置領域７０ｄの各辺に平行に配置されている。第一スリット１１及び１２により、配置領域７０ｄの半田部に対する熱歪の影響が緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターンとが繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００８５】
さらに、この図２９の平面図（ｃ）に示される第一スリット１１と第一スリット１２との間において、表面金属パターン７ｃが繋がっている部分（連続部分）の外側に第二スリット２０をもう一段設けてもよい。図２９の平面図（ｄ）に示されるように、図２９の平面図（ｃ）に示される表面金属パターン７ｃにおける第一スリット１１と第一スリット１２との間の連続部分は、配置領域７０ｄの左上、右上、右下及び左下の各角部に対して、それぞれ左上、右上、右下及び左下の向きにある。そこで、図２９の平面図（ｄ）に示される表面金属パターン７ｄでは、その連続部分の外側にさらに第二スリット２０が形成されている。表面金属パターン７ｄにおける第二スリット２０は配置領域７０ｄの外縁を構成する隣り合う二辺の各々に対して平行な二つの直線部を有し、それら二つの直線部の端部が接続されたＬ字状の形状を有する。第二スリット２０は配置領域７０ｄの対向する二つの角部を結ぶ直線上に配置されている。また、第二スリット２０は、配置領域７０ｄの角部と表面金属パターン７ｄの外周を構成する角部とを結ぶ直線上に配置されていてもよい。この第二スリット２０により、半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、配置領域７０ｄの電極パッドと配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７ｄとが繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００８６】
第二スリット２０の形状はＬ字状に限定されず、例えば、斜め方向の直線、又は、１／４円弧状などの曲線で構成されていてもよい。
【００８７】
図２９の平面図（ｅ）は、図３７Ｂに示される電極パッド９７１ｐ構造を含む、さらに別のメインマウント５０の表面金属パターン７ｅを示す。図２９の平面図（ｅ）に示される表面金属パターン７ｅにおいては、電極パッド７０ｐが、配置領域７０ｄ外の配線電極７０ｅと繋がっている部分（連続部分）は上下方向及び左右方向であり、その連続部分の外側に直線状の第一スリット１１ｅ及び１２が、それぞれ配置領域７０ｄの外縁を構成する隣り合う二辺に対して平行に配置されている。このうち、配置領域７０ｄの長辺側に配置された第一スリットによる熱抵抗を抑制することによって、図面の左右方向への熱拡散を向上させるために、配置領域７０ｄの長辺側には、長手方向に分断された二つの第一スリット１１ｅが形成されている。言い換えると第一スリットを分断することにより電極パッド７０ｐと配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７ｅとの連続部分を設けている。第一スリット１１ｅにより、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響が緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７ｅと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００８８】
図２９の平面図（ｅ）に示される第一スリット１１ｅは、四つの第一スリット１１ｅが各々隣り合う電極パッド７０ｐの領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの連続部分に起因する熱歪を抑制するためのものである。例えば、配置領域７０ｄ付近において電極パッド７０ｐの領域Ａと配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７ｅとが繋がっている連続部分の長さ（言い換えると、スリット８２とスリット８３との間の縦方向距離）を基準とすると、第一スリット１１ｅは、配置領域７０ｄから水平方向（図２９の左右方向）に外側に、連続部分の長さの約８０−２００％の距離だけ離れた位置に配置され、第一スリット１１ｅの縦方向の長さが、連続部分の長さに対して約８０−２００％の長さである場合に熱歪抑制効果が見られた。
【００８９】
さらに、同様の考え方に基づき、図２９の平面図（ｅ）の表面金属パターン７ｅの第一スリット１１ｅと第一スリット１２との間において表面金属パターン７ｅが繋がっている部分（連続部分）の外側に第二スリット２０ｆと、二つの第一スリット１１ｅの間において表面金属パターン７ｅが繋がっている部分の外側に第二スリット２１ｆとをもう一段設けた表面金属パターン７ｆが図２９の平面図（ｆ）に示されている。平面図（ｆ）に示される第二スリット２０ｆは、配置領域７０ｄの外縁を構成する二辺に対して傾斜した直線状の形状を有する。このような第二スリット２０ｆによっても、図２９の平面図（ｄ）に示される第二スリット２０と同様の効果を得られる。
【００９０】
また、表面金属パターン７ｆの配置領域７０ｄの短辺側においては、熱歪を抑制する為に配置された第一スリット１２では熱抵抗が増加してしまう。長手方向に分断された二つの第一スリット１２ｆとすることにより、スリットで無い部分を通して放熱が行われるので、熱抵抗が改善される。
【００９１】
図３０の平面図（ａ）は、図３８Ａに示される電極パッド９７１ｐ構造を含む、本実施の形態に係るメインマウントの表面金属パターン７ｇを示す。図３８Ａに示される表面金属パターン９７１ｂは二つの配線電極９７１ｅのみで構成され、破線で囲った領域で示す半田部に対応する四つの電極パッド９７１ｐの領域の内、例えば、左上の電極パッド９７１ｐの領域Ａでは、カバー樹脂９５１で被覆されている開口部外側の配線電極９７１ｅの領域と、左方向のみで繋がっており、上方及び左上角にスリット８４が、左下角に短いスリット８３が形成されている。これらのスリットは配置領域９７１ｄ（図３８Ａの破線枠部）に配置されたセルフアライメント用のスリットである。
【００９２】
図３０の平面図（ａ）に示される表面金属パターン７ｇでは、電極パッド７０ｐの領域Ａにおいて、配置領域７０ｄ外側の配線電極７０ｅと繋がっている部分（連続部分）は左方向のみであり、この外側に直線状の第一スリット１１ｅが形成されている。第一スリット１１ｅは配置領域７０ｄの外縁を構成する長辺に対して平行に配置されている。さらに、電極パッド７０ｐの領域Ｂ、領域Ｃ及び領域Ｄに対しても同様の位置に第一スリット１１ｅが形成されている。第一スリット１１ｅにより、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響が緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターンと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００９３】
さらに、この図３０の平面図（ａ）に示される表面金属パターン７ｇの第一スリット１１ｅとセルフアライメント用のスリット８４との間において、表面金属パターン７ｇが繋がっている部分（連続部分）の外側に第二スリット２２ｈをもう一段設けたものが図３０の平面図（ｂ）に示される表面金属パターン７ｈである。表面金属パターン７ｇの第一スリット１１ｅとセルフアライメント用のスリット８４との間の連続部分は図面上の上下方向に延びており、表面金属パターン７ｈにおいては、その連続部分の外側にさらに第二スリット２２ｈが形成されている。
【００９４】
第二スリット２２ｈにより、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターンとが繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００９５】
図３０の平面図（ｃ）は、図３８Ｂに示される電極パッド９７１ｐの構造を含む、本実施の形態に係るメインマウント５０の表面金属パターン７ｉを示す。図３８Ｂに示される表面金属パターン９７１ｃは二つの配線電極９７１ｅのみで構成され、破線で囲った領域で示す半田部に対応する四つの電極パッド９７１ｐの領域の内、例えば、左上の電極パッド９７１ｐの領域Ａでは、カバー樹脂９５１で被覆されている開口部外側の配線電極９７１ｅの領域と、上方向でのみで繋がっており、左側及び左上角にスリット８５が、右上角に短いスリット８１が形成されている。これらのスリットは配置領域９７１ｄに配置されたセルフアライメント用のスリットである。
【００９６】
図３０の平面図（ｃ）に示される表面金属パターン７ｉでは、電極パッド７０ｐの領域Ａにおいて、配置領域７０ｄ外側の配線電極７０ｅと繋がっている部分（連続部分）は上方向のみであり、その外側に直線状の第一スリット１２が形成されている。第一スリット１２は配置領域７０ｄの外縁を構成する短辺に対して平行に配置されている。さらに、電極パッド７０ｐの領域Ｂ、領域Ｃ及び領域Ｄに対しても同様の位置に第一スリット１２が形成されている。第一スリット１２により、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響が緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７ｉと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００９７】
さらに、この図３０の平面図（ｃ）に示される表面金属パターン７ｉの第一スリット１２とセルフアライメント用のスリット８５との間において、表面金属パターン７ｉが繋がっている部分（連続部分）の外側に第二スリット２１ｊをもう一段設けたものが図３０の平面図（ｄ）に示される表面金属パターン７ｊである。表面金属パターン７ｉの第一スリット１２とセルフアライメント用のスリット８５との間の連続部分は図面上の左右方向であり、表面金属パターン７ｊにおいては、その連続部分の外側にさらに第二スリット２１ｊが形成されている。
【００９８】
これらのスリットにより、電極パッド７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターンと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【００９９】
続いて、電極パッド及び表面放熱パッドの構造を備える表面金属パターンについて図面を用いて説明する。
【０１００】
図３１は、本実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンの例を示す平面図である。図３１には、図３９Ｂに示される電極パッド９７２ｐ及び表面放熱パッド９７２ｓの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）が示されている。図３２は、本実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンの他の例を示す平面図である。図３２には、図４０Ａ及び図４０Ｂに示される電極パッド９７２ｐ及び表面放熱パッド９７２ｓの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）が示されている。図３３は、本実施の形態に係る表面放熱パッドを有する表面金属パターンのさらに他の例を示す平面図である。図３３には、図４１Ｂに示される電極パッド９７３ｐ及び表面放熱パッド９７３ｓの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）と、図４２に示される電極パッド９７３ｐ及び表面放熱パッド９７３ｓの構造を含む二つの表面金属パターンを示す平面図（ｅ）及び平面図（ｆ）とが示されている。
【０１０１】
図３９Ｂ、図４０Ａ及び図４０Ｂに示される表面金属パターンは、図３９Ａに示される裏面電極と裏面放熱パッドとを備えたサブマウントに対応するメインマウントの電極パッド９７２ｐを含む表面金属パターンを示す。図３９Ｂ、図４０Ａ及び図４０Ｂにおいて表面金属パターンは二つの配線電極９７２ｅと１つの表面放熱パターン９７２ｈとを備え、並べて配置された二つの配線電極９７２ｅに対向する位置に一つの表面放熱パターン９７２ｈが配置されている。破線で囲った領域で示す３つの半田部に対応する二つの電極パッド９７２ｐ及び１つの表面放熱パッド９７２ｓと、サブマウントの二つの裏面電極９４６ｐ、９４６ｎ及び１つの裏面放熱パッド９４６ｈとが各々半田接続される。尚、表面放熱パターン９７２ｈの内、カバー樹脂の開口部から露出する領域を表面放熱パッド９７２ｓとする。
【０１０２】
図３１及び図３２にそれぞれ示される二つの配線電極１７０ｅ及び一つの表面放熱パターン１７０ｈからなる表面金属パターン１７ａ〜１７ｈについても、上述した図２９及び図３０の第一スリット及び第二スリットの配置と同様の考え方で、セルフアライメント用のスリットの配置に対応した、第一スリット及び第二スリットが形成されている。すなわち、セルフアライメント用のスリット間の電極パッド１７０ｐ及び表面放熱パッド１７０ｓと配置領域１７０ｄの外側の表面金属パターンの連続部分の外側に第一スリットが形成され、第一スリット間の表面金属パターンの連続部分の外側、又は、第一スリットとセルフアライメント用のスリットとの間の表面金属パターンの連続部分の外側に第二スリットが形成される。
【０１０３】
図４１Ｂ及び図４２は、図４１Ａに示す裏面電極９４６ｐ及び９４６ｎと裏面放熱パッド９４６ｈを備えたサブマウント９４３に対応するメインマウントの電極パッド９７３ｐを含む表面金属パターンを示す。図４１Ｂに示される表面金属パターン９７３ａは、二つの配線電極９７３ｅに挟まれた１つの表面放熱パターン９７３ｈを備える。図４２に示される表面金属パターン９７３ｂは、Ｈ字状の１つの表面放熱パターン９７３ｈと、Ｈ字形状の二つの凹部に各々配置された二つの配線電極９７３ｅとで構成される。表面金属パターン９７３ａ及び９７３ｂとも破線で囲った領域で示す３つの半田部に対応する二つの電極パッド９７３ｐ及び１つの表面放熱パッド９７３ｓと、サブマウント９４３の二つの裏面電極９４６ｐ、９４６ｎ及び１つの裏面放熱パッド９４６ｈとが各々半田接続される。
【０１０４】
図３３の平面図（ａ）〜平面図（ｆ）にそれぞれ示される配線電極２７０ｅ及び表面放熱パターン２７０ｈからなる表面金属パターン２７ａ〜２７ｆにおいても、上述した図２９及び図３０に示される各表面金属パターンの第一スリット及び第二スリットの配置と同様の考え方で、セルフアライメント用のスリット８６などの配置に対応した、第一スリット及び第二スリットが配置されている。すなわち、セルフアライメント用のスリット間の電極パッド２７０ｐ及び表面放熱パッド２７０ｓと配置領域２７０ｄ外側の表面金属パターンの連続部分の外側に第一スリットが形成され、第一スリット間の表面金属パターンの連続部分の外側、又は、第一スリットとセルフアライメント用のスリットとの間の表面金属パターンの連続部分の外側に第二スリットが形成される。これらスリットにより、電極パッド２７０ｐ及び表面放熱パッド２７０ｓに接合される半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、電極パッド２７０ｐが配置領域２７０ｄ外側の表面金属パターンと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【０１０５】
次に、上述した凹部４６ｗを有する裏面電極４６ｐ及び４６ｎを備えるサブマウント４０（図２８参照）と、当該サブマウント４０に対応するメインマウントの表面金属パターンについて図面を用いて説明する。
【０１０６】
図４３Ａは、本実施の形態に係るサブマウント９４４における裏面電極４６ｐ及び４６ｎの形状の一例を示す底面図である。図４３Ｂは、本実施の形態に係る凹部４６ｗを有する裏面電極４６ｐ及び４６ｎに対応する表面金属パターン９７４ａの形状の一例を示す上面図である。図４４は、本実施の形態に係る凹部４６ｗを有する裏面電極４６ｐ及び４６ｎに対応する表面金属パターン９７４ｂの形状の他の一例を示す上面図である。
【０１０７】
図４３Ａに示される裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、図２８の底面図（ａ）に示される裏面電極４６ｐ及び４６ｎと同様の形状を有する。裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、それぞれ長方形の長辺部分に凹部４６ｗを有し、裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、凹部４６ｗが形成されていない側の長辺同士が対向するように（つまり、凹部４６ｗが外側に位置するように）配置されている。
【０１０８】
図４３Ｂに示されるメインマウントの表面金属パターン９７４ａは、サブマウントの裏面電極４６ｐ及び４６ｎの凹部４６ｗに対応する位置にセルフアライメント用のスリット８０を有する二つの配線電極９７４ｅを備える。表面金属パターン９７４ａにおいては、スリット８０と、図３７Ｃに示されるようなカバー樹脂９５１とによって、電極パッド９７４ｐの領域が決定される。これらの裏面電極４６ｐ及び４６ｎ並びに表面金属パターン９７４ａを用いることにより、図２８を用いて説明したとおり、サブマウント９４４が、メインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【０１０９】
図４４に示されるメインマウントの表面金属パターン９７４ｂは、セルフアライメント用のスリット８１、８２及び８３を有する二つの配線電極９７４ｅを備える。スリット８１は、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向端部に対応する位置であって、表面金属パターンの中心軸付近に形成された直線状のスリットである。スリット８２は、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの外側の角部に対応する位置に形成されたＬ字状のスリットである。スリット８３は、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの凹部４６ｗに対応する位置に形成されたＴ字状のスリットである。表面金属パターン９７４ｂにおいては、これらのスリットとカバー樹脂９５１とによって、電極パッド９７４ｐの領域が決定される。これらの裏面電極４６ｐ及び４６ｎ並びに表面金属パターン９７４ｂを用いることにより、図２８を用いて説明したとおり、サブマウント９４４が、メインマウントに対して傾斜することを抑制できる。
【０１１０】
続いて、図４３Ｂ及び図４４に示される電極パッド９７４ｐの構造を含み、さらに半田部における熱歪の影響を緩和できる表面金属パターンについて図面を用いて説明する。
【０１１１】
図３４は、本実施の形態に係る凹部４６ｗを有する裏面電極４６ｐ及び４６ｎに対応し、熱歪の影響を緩和するためのスリットを有する表面金属パターンの形状の例を示す上面図である。図３４には、図４３Ｂに示される電極パッド９７４ｐの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）が示されている。図３５は、本実施の形態に係る凹部４６ｗを有する裏面電極４６ｐ及び４６ｎに対応し、熱歪の影響を緩和するためのスリットを有する表面金属パターンの形状の他の例を示す上面図である。図３５には、図４４に示される電極パッド９７４ｐの構造を含む四つの表面金属パターンを示す平面図（ａ）〜平面図（ｄ）が示されている。
【０１１２】
図３４及び図３５に示される二つの配線電極３７０ｅからなる表面金属パターン３７ａ〜３７ｈについても、上述した図２９及び図３０に示される各表面金属パターンの第一スリット及び第二スリットの配置と同様の考え方でセルフアライメント用のスリットの配置に対応した、第一スリット及び第二スリットが配置されている。すなわち、セルフアライメント用のスリット間の電極パッド３７０ｐと配置領域３７０ｄ外側の表面金属パターンの連続部分の外側に第一スリットが形成され、第一スリット間の表面金属パターンの連続部分の外側、又は第一スリットとセルフアライメント用のスリットとの間の表面金属パターンの連続部分の外側に第二スリットが形成される。これらのスリットにより、電極パッド３７０ｐに接合される半田部に対する熱歪の影響がさらに緩和されるとともに、電極パッド３７０ｐが配置領域３７０ｄ外側の表面金属パターンと繋がっていることにより熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【０１１３】
（実施例１）
実施例１に係る発光装置について図面を用いて説明する。
【０１１４】
図１Ａは、本実施例に係る発光装置１００の構成を示す上面図である。なお、図１Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極７１で構成される表面金属パターン７０の輪郭が破線で示されている。図１Ｂは、本実施例に係る発光装置１００の構成を示す断面図である。図１Ｂにおいては、図１ＡのＩＢ−ＩＢ断面が示される。図２Ａは、本実施例に係る発光装置１００のサブマウント４０の表面の構成を示す上面図である。図２Ｂは、本実施例に係る発光装置１００のサブマウント４０の裏面の構成を示す底面図である。図３は、本実施例に係る発光装置１００のメインマウント５０の上面図である。図３においては、表面金属パターン７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント５０の上面図が示されている。
【０１１５】
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、本実施例に係る発光装置１００は、発光素子４１を搭載したサブマウント４０を含むパッケージ３０とメインマウント５０とを備える。
【０１１６】
パッケージ３０は、図１Ｂに示されるように、発光素子４１と、表面に発光素子４１が配置されるサブマウント４０と、発光素子４１からの出射光の波長を変換する蛍光体板４８と、発光素子４１及び蛍光体板４８の周りに設けられた側面反射樹脂４２とを備える。サブマウント４０は、表面に発光素子４１が配置される絶縁性のサブマウント基板４４と、サブマウント基板４４の表面に対して裏側の裏面に配置される裏面電極４６ｐ及び４６ｎと、サブマウント基板４４の表面に配置され、発光素子４１が接続される二つの表面電極４３と、サブマウント基板４４を貫通し二つの表面電極４３と裏面電極４６ｐ、４６ｎのそれぞれとを接続するビア配線４５とを備える。本実施の形態では、サブマウント基板４４の表面電極４３にはバンプを介して発光素子４１がフリップチップ接続されている。本実施例では、発光素子４１の上面（図１Ｂの上側面）には蛍光体板４８が配置される。また、発光素子４１から出射された青色光と、当該青色光が蛍光体板４８で波長変換された黄色光とが混ざり合う。これにより発光装置１００から白色光が出射される。側面反射樹脂４２は、発光素子４１の側面に出射される光を発光素子４１側に反射する。つまり、側面反射樹脂４２は、発光素子４１の側面から出射される光を発光素子４１側に返す役割を有する。
【０１１７】
本実施例に係るサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、図２Ｂに示されるような形状を有する。つまり、図２８の底面図（ａ）に示される裏面電極４６ｐ及び４６ｎと同様に、裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、それぞれ、二つのメインマウント接合部４６ａと、二つのメインマウント接合部４６ａを接続する第一接続部４６ｂとを有する。第一接続部４６ｂの幅は、二つのメインマウント接合部４６ａの各々の幅よりも小さい。なお、ここで、幅とは、裏面電極４６ｐ及び４６ｎが形成された面内における、裏面電極４６ｐ及び４６ｎの長手方向（つまり、二つのメインマウント接合部４６ａの配列方向）に対して、垂直な方向における寸法を意味する。また、二つのメインマウント接合部４６ａと第一接続部４６ｂとは、二つのメインマウント接合部４６ａ及び第一接続部４６ｂの各々の一辺が一直線上に配置される。これにより、本実施例では、裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、長方形の長辺部分に凹部４６ｗを有する。凹部４６ｗはサブマウント４０の外周側に配置されている。
【０１１８】
メインマウント５０は、図１Ｂに示されるように、サブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎに半田６０を介して接合される配線電極７１を含む表面金属パターン７０を備え、サブマウント４０が配置される。メインマウント５０は、メインマウント基板５３と、メインマウント基板５３の上方に配置される絶縁層５２とを備える。表面金属パターン７０は、絶縁層５２の上方に配置される。また、メインマウント５０は、絶縁層５２の上方に配置され、表面金属パターン７０の一部を覆うカバー樹脂５１を備える。カバー樹脂５１により、表面金属パターン７０のうち、他の導電性部材と絶縁すべき部分が覆われる。具体的には、カバー樹脂５１のうち、サブマウント４０のメインマウント接合部４６ａと接続する表面金属パターン７０の領域上の部分には開口部が設けてあり、開口部から露出する配線電極７１の領域を電極パッド７０ｐと呼ぶ。電極パッド７０ｐはサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎと半田６０で接合されている。また、表面金属パターン７０は、平面視においてサブマウント４０が配置される配置領域７０ｄを有する。
【０１１９】
以上のように、本実施例に係る発光装置１００が備える半田接合体は、裏面電極４６ｐ及び４６ｎを備えるサブマウント４０と、裏面電極４６ｐ及び４６ｎに半田６０を介して接合される配線電極７１を備え、サブマウント４０が配置されるメインマウント５０とを備える。裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、二つのメインマウント接合部４６ａと二つのメインマウント接合部４６ａを接続する第一接続部４６ｂで形成されており、第一接続部４６ｂの幅は二つのメインマウント接合部４６ａの各々の幅よりも小さい。これにより、半田６０が一方のメインマウント接合部から他方のメインマウント接合部に流れ込むことを抑制できるため、二つのメインマウント接合部４６ａ間における半田６０の量の不均衡の発生を抑制できる。したがって、半田６０によってメインマウント５０に接合されたサブマウント４０がメインマウント５０に対して傾斜することを抑制できる。
【０１２０】
以下、発光装置１００の製造方法及び各構成要素の詳細構成について説明する。
【０１２１】
［サブマウント準備工程］
パッケージ３０を準備するに際して、まず、サブマウント基板４４の表面と裏面とに所定の導電パターンが形成され、それらの間がビア配線４５で接続されている実装基板（サブマウント４０）を準備した。
【０１２２】
本実施例では、サブマウント基板４４として、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する焼成ＡｌＮ基板を用い、サブマウント基板４４にビアホールを形成した後、メッキ法などでビア内に導電物質を充填することにより導電性のビア配線４５を形成した。
【０１２３】
サブマウント基板４４の表面には、フリップチップ型の発光素子４１の正負電極をボンディングする予定場所と、導電性のビア配線４５とを、電気的に接続するＡｕからなる表面電極４３を形成した。
【０１２４】
サブマウント基板４４の裏面には、ビア配線４５と電気的に接続された裏面電極４６ｐ及び４６ｎを形成した。
【０１２５】
ビア配線４５、裏面電極４６ｐ及び４６ｎは、例えば、メッキ、スクリーンプリンテイング、又は、インクジェットプリンティングなどの公知の多様な方式により形成可能である。
【０１２６】
次に、サブマウント４０に保護素子をフリップチップ方式で金属バンプを用いて圧縮加熱接続した（図示せず）。保護素子は、過度な電圧が発光素子４１に印加されないようにするための素子である。本実施例では、保護素子として、ツェナーダイオード（ＺＤ）を発光素子４１に並列に接続している。本実施例では、保護素子としてツェナーダイオードを用いたが、保護素子はツェナーダイオードに限定されない。保護素子として、例えば、ダイオード、バリスタ、コンデンサ、又は、抵抗などを用いることもできる。
【０１２７】
［ＬＥＤチップ実装工程］
本実施例では、サブマウント４０に実装する発光素子４１として、ＧａＮ基板上に窒化物化合物半導体を形成した青色ＬＥＤチップを用いた。サブマウント４０の表面電極４３に金属バンプを複数のせ、成長基板側を上にしてフリップチップ方式で発光素子４１を乗せて圧縮加熱接続した。
【０１２８】
ここで、発光素子４１は、成長基板と半導体層とを備え、ｎ側電極とｐ側電極が同じ側に形成されている。成長基板は、半導体層を保持する役目を負う。また、成長基板の半導体層が積層された面とは反対側となる面が光出射する発光面として機能する。成長基板の材質としては、絶縁性のサファイアやＧａＮ、ＳｉＣ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮなどを採用することができる。
【０１２９】
成長基板の裏面（サブマウント基板４４に実装した状態における天面（図１Ｂの上側の面））は、エッチング加工、ブラスト加工、レーザー又はダイシングブレードによる加工などによって形成された微小な凹凸を有する粗面とされる。これにより、成長基板の裏面はマイクロテクスチャ構造を有するため、成長基板の裏面における出射光の反射が低減される。なお、成長基板がＧａＮより低屈折率であるサファイア等を基材とする場合には、裏面を平坦面としてもよい。
【０１３０】
また、本実施例では、発光素子４１のサブマウント４０への接続方法（実装方法）としてフェイスダウン型のフリップチップ実装を用いる例を示したが、発光素子４１のサブマウント４０への接続方法はこれに限定されない。発光素子４１表面の２電極をサブマウント４０の表面電極４３にワイヤボンドするフェイスアップ型の接続方法を用いても良い。
【０１３１】
［メインマウント準備工程］
本実施例では、Ａｌからなるメインマウント基板５３上に絶縁層５２を形成し、その上に、図３に示す表面金属パターン７０をＣｕで形成した。ここでは表面金属パターン７０は二つの配線電極７１から構成される。表面金属パターン７０は、メッキ、スクリーンプリンテイング又はインクジェットプリンティングなどの公知の多様な方式により形成可能である。
【０１３２】
サブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎと相対する表面金属パターン７０の電極パッド７０ｐ領域を囲むように、表面金属パターン７０上にカバー樹脂５１を配置した。つまり、絶縁層５２上の電極パッド７０ｐ領域を除く領域をカバー樹脂５１で覆うことにより、半田６０が、電極パッド７０ｐ領域の外部に流出することを抑制し、かつ、表面金属パターン７０を保護した。なお、本実施例では、裏面電極４６ｐ及び４６ｎと電極パッド７０ｐとはほぼ同じ形状で形成された。
【０１３３】
［半田による接合工程］
次に、メインマウント５０の電極パッド７０ｐ（カバー樹脂５１の開口部から露出する配線電極７１）上に半田を形成した。本実施例では、電極パッド７０ｐのサブマウント接合領域４箇所に半田６０を形成した。半田６０は、例えば、ＳｎＡｇＣｕ系、ＳｎＡｇＢｉＩｎ系、Ｐｂ系などを用いることができる。半田６０の形成は、図２８の上面図（ｂ）に示される半田６０の領域に対応する開口部を有するメタルマスクを用いてクリーム半田を電極パッド７０ｐに塗布し、メタルマスクを取り外して、所定の形状の半田のみを残す方法を用いて行った。
【０１３４】
その後、サブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎがメインマウント５０の電極パッド７０ｐに塗布した半田６０の領域に重なるように配置して、押圧することにより仮止めした。その後、両者をリフロー炉に入れ、半田６０の溶融を行った。半田６０が溶融することにより、サブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎとメインマウント５０の電極パッド７０ｐとが電気的、機械的に接続された。すなわちサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎとメインマウント接合部４６ａと、メインマウント５０の配線電極７１のサブマウント接合部７５ａとを半田６０によって接合する。
【０１３５】
半田６０の量が適切な場合、図２８の断面図（ｄ１）及び平面図（ｄ２）に示されるように、電極パッド７０ｐ内で二つの領域に配置された半田６０は繋がらなかった。言い換えると半田６０は電極パッド７０ｐのサブマウント接合部７５ａに留まり、第二接続部７５ｂには広がらなかった。半田６０の量が若干多い場合は、溶融した半田６０が電極パッド７０ｐのサブマウント接合部７５ａから第二接続部７５ｂに広がることによって電極パッド７０ｐ内で一つに繋がり、図２８の断面図（ｅ１）及び図２８の平面図（ｅ２）に示すような形状になった。いずれの場合も発光素子を搭載したサブマウントのメインマウントに対する傾斜はほとんど見られなかった。
【０１３６】
ここで、半田６０の厚さは７０μｍとしたが、２０μｍ以上１５０μｍ以下の場合に良好な半田接合特性が得られた。半田６０の厚さが２０μｍより薄い場合は接触不良が発生する場合が見られ、１５０μｍ以上では半田６０が接続領域の外部にはみ出したり、サブマウント４０の傾斜が発生する場合が見られた。
【０１３７】
また、本実施例では、図３に示されるように、セルフアライメント用のスリット８０に加えて、第一スリット１１０と第二スリット１２１及び１２２とを有する二つの配線電極７１を備える表面金属パターン７０を用いた。これにより、図３４の平面図（ｂ）の表面金属パターン３７ｂと同様に、電極パッド７０ｐに接合される半田６０に対する熱歪の影響が緩和される。さらに、電極パッド７０ｐが配置領域７０ｄ外側の表面金属パターン７０と繋がっていることにより表面金属パターン７０における熱抵抗の悪化が抑えられるという効果がある。
【０１３８】
なお、本実施例では、第一スリット１１０並びに第二スリット１２１及び１２２の幅は、０．３ｍｍ程度である。また、第一スリット１１０と第二スリット１２１及び１２２との間の距離は、１．０ｍｍ程度である。
【０１３９】
また、各スリットと配置領域７０ｄとの位置関係について説明する。第一スリット１１０と配置領域７０ｄとの間の距離は、１．０ｍｍ程度である。また、第二スリット１２１及び１２２と配置領域７０ｄとの間の距離は、ともに、２．３ｍｍ程度である。また、図３に示される四つの第一スリット１１０のうち、図３の上側の二つにおいて、配置領域７０ｄの上端より下側に位置する部分である重複部分の長さは、０．２ｍｍ程度である。同様に、図３に示される四つの第一スリット１１０のうち、図３の下側の二つにおいて、配置領域７０ｄの下端より上側に位置する部分である重複部分の長さは、０．２ｍｍ程度である。また、図３に示される四つの第一スリット１１０のうち、図３の右側の二つにおいて、配置領域７０ｄの右端より左側に位置する部分である重複部分の長さは、０．２ｍｍ程度である。同様に、図３に示される四つの第一スリット１１０のうち、図３の左側の二つにおいて、配置領域７０ｄの左端より右側に位置する部分である重複部分の長さは、０．２ｍｍ程度である。
【０１４０】
なお、上記各スリットの寸法は一例である。第一スリット１１０及び第二スリット１２１及び１２２の幅は、例えば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、第一スリット１１０と第二スリット１２１及び１２２との間隔は、例えば、０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下であればよい。また、第一スリット１１０と配置領域７０ｄとの間の距離は、例えば、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であればよく、第二スリット１２１及び１２２と配置領域７０ｄとの間の距離は、例えば、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であればよい。また、上記重複部分の長さは、０．２ｍｍに限定されず、たとえば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。
【０１４１】
また、図３に示されるセルフアライメント用のスリット８０の寸法は、０．３ｍｍ角程度であるが、これに限定されず、一辺が０．２ｍｍ以上１ｍｍ以下の方形であればよい。また、スリット８０と、配線電極７１の内側端部との間の距離は、０．３ｍｍ程度であるが、これに限定されず、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。
【０１４２】
［実施例１の変形例］
本実施例では、図３に示されるメインマウント５０の表面金属パターン７０を用いたが、表面金属パターン７０とセルフアライメント用のスリットのパターンが異なる表面金属パターンを用いてもよい。
【０１４３】
図４Ａ〜図４Ｃは、それぞれ本実施例に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウント５０ａ〜５０ｃを示す上面図である。図４Ａに示されるメインマウント５０ａは、二つの配線電極７１ａを有する表面金属パターン７０ａを備える。図４Ｂに示されるメインマウント５０ｂは、二つの配線電極７１ｂを有する表面金属パターン７０ｂを備える。図４Ｃに示されるメインマウント５０ｃは、二つの配線電極７１ｃを有する表面金属パターン７０ｃを備える。
【０１４４】
図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃにそれぞれ示される表面金属パターン７０ａ、７０ｂ及び７０ｃを用いる場合においても表面金属パターン７０を用いる場合と同様の効果が見られた。
【０１４５】
なお、図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃに示される各セルフアライメント用のスリットの寸法などは適宜決定されればよい。例えば、図４Ａに示されるセルフアライメント用のスリット８１、８２及び８３の幅は、それぞれ０．３ｍｍ程度であるが、これに限定されず、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、スリット８１の一方の配線電極７１ａにおける長さ（図４Ａの横方向の長さ）は、０．１ｍｍ程度であるが、これに限定されず、０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下であればよい。また、スリット８２の縦方向及び横方向の寸法は、ともに、０．４ｍｍ程度であるが、これに限定されず、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、スリット８３の縦方向及び横方向の寸法は、それぞれ、０．７ｍｍ程度及び０．６ｍｍ程度であるが、これに限定されず、それぞれ、例えば０．５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、及び、０．４ｍｍ以上０．８ｍｍ以下、であればよい。また、スリット８１とスリット８２との間の距離は、０．４ｍｍ程度であるが、これに限定されず、例えば、０．２ｍｍ以上０．６ｍｍ以下であればよい。また、スリット８２とスリット８３との間の距離は、０．５ｍｍ程度であるが、これに限定されず、例えば、０．３ｍｍ以上０．７ｍｍ以下であればよい。また、スリット８３と、配線電極７１ａの内側端部との間の距離は、０．３ｍｍ程度であるが、これに限定されず、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。
【０１４６】
また、スリット８１、８２及び８３は、サブマウント４０の配置領域の端縁とおおよそ重なる位置に配置される。
【０１４７】
（実施例２）
実施例２に係る発光装置について説明する。実施例２に係る発光装置は、主に、サブマウントの裏面に、裏面電極に加えて、さらに裏面放熱パッドを備える点、及び、メインマウントが、当該裏面放熱パッドに接合される表面放熱パターンを備える点において、実施例１に係る発光装置１００と相違する。以下、本実施例に係る発光装置について、発光装置１００との相違点を中心に図面を用いて説明する。
【０１４８】
図５Ａは、本実施例に係る発光装置２００の構成を示す上面図である。なお、図５Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極２７１及び一つの表面放熱パターン２７２で構成される表面金属パターン２７０の輪郭が破線で示されている。図５Ｂは、本実施例に係る発光装置２００の構成を示す断面図である。図５Ｂにおいては、図５ＡのＶＢ−ＶＢ断面が示される。図５Ｃは、本実施例に係る発光装置２００の構成を示す他の断面図である。図５Ｃにおいては、図５ＡのＶＣ−ＶＣ断面が示される。図６Ａは、本実施例に係る発光装置２００のサブマウント２４０の表面の構成を示す上面図である。図６Ｂは、本実施例に係る発光装置２００のサブマウント２４０の裏面の構成を示す底面図である。図７は、本実施例に係る発光装置２００のメインマウント２５０の上面図である。図７においては、表面金属パターン２７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント２５０の上面図が示されている。
【０１４９】
図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃに示されるように、本実施例に係る発光装置２００は、発光素子４１を搭載したサブマウント２４０を含むパッケージ２３０とメインマウント２５０とを備える。
【０１５０】
パッケージ２３０は、図５Ｃに示されるように、発光素子４１と、表面に発光素子４１が配置されるサブマウント２４０と、発光素子４１からの出射光の波長を変換する蛍光体板４８と、発光素子４１と蛍光体板４８の周りに側面反射樹脂４２を備える。サブマウント２４０は、絶縁性のサブマウント基板４４の表面に配置される表面電極４３と、ビア配線４５を介して表面電極４３と電気的に繋がった裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎとを備える。また、本実施例では、図５Ｂ及び図６Ｂに示されるように、サブマウント２４０は、並べて配置された裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎと対向する位置に配置された二つの裏面放熱パッド２４６ｈを備える。裏面放熱パッド２４６ｈは、図５Ｂに示されるように、サブマウント基板４４の発光素子４１が配置位置の真裏側近辺に配置されている。裏面放熱パッド２４６ｈは、発光素子４１と電気的接続はなく、発光素子４１で発生した熱をメインマウント２５０に放散する機能を有する。
【０１５１】
本実施例に係るサブマウント２４０の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎ、並びに、二つの裏面放熱パッド２４６ｈは、図６Ｂに示されるような形状を有する。つまり、図７に示される電極パッド２７０ｐ及び後述する表面放熱パッド２７０ｓに対応する形状を有する。
【０１５２】
メインマウント基板５３上には、絶縁層５２を介して図７に示される表面金属パターン２７０が配置されている。また、メインマウント２５０は、絶縁層５２の上方に配置され、表面金属パターン２７０の一部を覆うカバー樹脂５１を備える。カバー樹脂５１により、表面金属パターン２７０のうち、他の導電性部材と絶縁すべき部分が覆われる。具体的には、カバー樹脂５１のうち、サブマウント２４０と接続する表面金属パターン２７０の領域上の部分には開口部が設けてあり、開口部から電極パッド２７０ｐと表面放熱パッド２７０ｓが露出している。
【０１５３】
電極パッド２７０ｐはサブマウント２４０の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎと半田６０で接合されており、表面放熱パッド２７０ｓはサブマウント２４０の裏面放熱パッド２４６ｈと半田で接合されている。また、表面金属パターン２７０は、平面視においてサブマウント２４０が配置される配置領域２７０ｄを有する。
【０１５４】
サブマウント２４０にはサブマウント基板４４を貫通するビア配線４５があり、表面電極４３と裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎとを繋いでいる。サブマウント２４０の表面電極４３にはバンプを介して発光素子４１がフリップチップ接続されている。発光素子４１の上面には蛍光体板４８が配置される。本実施例においても実施例１と同様に、発光素子４１から出射された青色光と、当該青色光が蛍光体板４８で波長変換された黄色光とが混ざり合う。これにより発光装置２００から白色光が出射される。発光素子４１と蛍光体板４８の周りには側面反射樹脂４２が形成されている。側面反射樹脂４２は、発光素子４１の側面に出射される光を発光素子４１側に反射する。つまり、側面反射樹脂４２は、発光素子４１の側面から出射される光を発光素子４１側に返す役割を有する。
【０１５５】
以下、発光装置２００の製造方法及び各構成要素の詳細構成について説明する。
【０１５６】
［サブマウント準備］
パッケージ２３０を準備するに際して、まず、サブマウント基板４４の表面と裏面とに所定の導電パターンが形成され、それらの間がビア配線４５で接続されている実装基板（サブマウント２４０）を準備した。
【０１５７】
本実施例では、サブマウント基板４４として、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍの寸法を有する焼成ＡｌＮ基板を用い、サブマウント基板４４にビアホールを形成した後、メッキ法などでビア内に導電物質を充填することにより導電性のビア配線４５を形成した。
【０１５８】
本実施例では、サブマウント基板４４の表面には、フリップチップ型の発光素子４１の正負電極をボンディングする予定場所と、導電性のビア配線４５とを、電気的に接続する厚さ３μｍ程度のＡｕを含む多層膜からなる表面電極４３を形成した。
【０１５９】
サブマウント基板４４の裏面には、裏面放熱パッド２４６ｈと、導電性のビア配線４５と電気的に接続した裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎを形成した。
【０１６０】
ビア配線４５、裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎ、並びに、裏面放熱パッド２４６ｈは、例えば、メッキ、スクリーンプリンテイング又はインクジェットプリンティングなどの公知の多様な方式により形成可能である。
【０１６１】
次にサブマウント２４０に保護素子をフリップチップ方式で金属バンプを用いて圧縮加熱接続した（図示せず）。保護素子は、過度な電圧が発光素子４１に印加されないようにするためのものである。ここでは、保護素子として、ツェナーダイオードを発光素子に並列に接続している。本実施の形態では、保護素子としてツェナーダイオードを用いたが、保護素子として、例えば、ダイオードやバリスタ、コンデンサ、又は、抵抗などを用いることもできる。
【０１６２】
［ＬＥＤチップ実装工程］
本実施例では、サブマウント２４０に実装する発光素子４１として、ＧａＮ基板上に窒化物化合物半導体を形成した青色ＬＥＤチップを用いた。サブマウント２４０の表面電極４３に金属バンプを複数のせ、成長基板側を上にしてフリップチップ方式で発光素子４１を乗せて圧縮加熱接続した。
【０１６３】
ここで、発光素子４１は、実施例１で用いた発光素子と同じものを用い、サブマウント基板４４への接続は、フェイスダウン型のフリップチップ実装を用いる例を示したが、発光素子４１のサブマウント２４０への接続方法はこれに限定されない。発光素子４１表面の２電極をサブマウント２４０の表面電極４３にワイヤボンドするフェイスアップ型の接続方法を用いても良い。
【０１６４】
［メインマウント準備工程］
本実施例では、縦横の寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍで、１ｍｍ厚のＡｌ基板からなるメインマウント基板５３上に絶縁層５２を形成し、その上に図７に示される表面金属パターン２７０としてＣｕを３５μｍ厚で形成した。ここで、Ｃｕの膜厚は３５μｍとしたが、２０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であればよい。ここでは表面金属パターン２７０は、隣り合う二つの配線電極２７１と、二つの配線電極２７１と対向する１つの表面放熱パターン２７２から構成される。表面金属パターン２７０は、例えば、メッキ、スクリーンプリンテイング又はインクジェットプリンティングなどの公知の多様な方式により形成可能である。
【０１６５】
図７に示されるように、表面金属パターン２７０は、実施例１に係る表面金属パターン７０と同様に、第一スリット２１０及び第二スリット２２１及び２２２を有する。本実施例に係る表面金属パターン２７０は、図３１の平面図（ｂ）に示される表面金属パターン１７ｂと同様の構成を有する。
【０１６６】
配線電極２７１の上はサブマウント２４０の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎ並びに裏面放熱パッド２４６ｈと相対する電極パッド２７０ｐ領域及び表面放熱パッド２７０ｓ領域を囲むように、表面金属パターン２７０上にカバー樹脂５１を配置した。つまり、絶縁層５２上の電極パッド２７０ｐ領域及び表面放熱パッド２７０ｓ領域を除く領域をカバー樹脂５１で覆うことにより、半田６０が、電極パッド２７０ｐ領域及び表面放熱パッド２７０ｓの外部に流出することを抑制し、かつ、表面金属パターン２７０を保護した。本実施例では、裏面電極２４６ｐ、２４６ｎ及び裏面放熱パッド２４６ｈは、それぞれ、二つの電極パッド２７０ｐ及び表面放熱パッド２７０ｓはほぼ同じ形状で形成された。
【０１６７】
次に、メインマウント２５０の電極パッド２７０ｐ（カバー樹脂５１の開口部から露出する配線電極２７１）上、及び表面放熱パッド２７０ｓ（カバー樹脂５１の開口部から露出する表面放熱パターン２７２）上に半田６０を形成した。半田６０の形成は、図２８の上面図（ｂ）に示される半田６０の領域に対応する開口部を有するメタルマスクを用いてクリーム半田を塗布し、メタルマスクを取り外して、所定の形状のみを残す方法を用いて行った。
【０１６８】
その後、サブマウント２４０の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎ、並びに、裏面放熱パッド２４６ｈがメインマウント２５０の電極パッド２７０ｐに塗布した半田６０の領域に重なるように配置して、押圧することにより仮止めした。その後、両者をリフロー炉に入れ、半田６０の溶融を行った。
【０１６９】
完成した発光装置２００に対して、非通電状態で−４０℃から１２５℃までの温度変化を１０００回実施する温度サイクル試験を行った。当該試験結果について図面を用いて説明する。
【０１７０】
図８Ａは、本実施例に係る発光装置２００のサブマウント２４０の裏面側を示す図である。図８Ｂ及び図８Ｃは、それぞれ従来の発光装置及び本実施例の発光装置２００の温度サイクル試験後の半田６０及びその周辺領域の断面ＳＥＭ写真である。図８Ｂ及び図８Ｃには、図８ＡのＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面が示されている。なお、従来の発光装置として、図７に示される第一スリット２１０並びに第二スリット２２１及び２２２が形成されていない点以外は、実施例に係る発光装置２００と同じ構成を有する発光装置を用いた。
【０１７１】
図８Ｂに示されるように、従来の発光装置では図８Ｂにおける配線電極の上面に平行な方向（図８Ｂの横方向）において、半田６０の全領域に対して５０％程度の長さにわたってクラック６１が形成されており、半田６０部分において２００ｍΩ程度の抵抗変化（抵抗増大）があった。これに対して本実施例に係る発光装置２００では、図８Ｃに示されるように、最大でも半田６０の全領域に対して２０％程度のクラック６２が形成されるにとどまり、半田６０部分における抵抗変化（抵抗増大）を２０ｍΩ程度に抑制できた。
【０１７２】
なお、図８Ｂ及び図８Ｃの上側の暗色のサブマウントにおける不連続な部分は、ビア配線４５である。また、図８Ｃの半田６０部分の右寄りに見られる黒色部は、ＳＥＭ写真撮影において写ったノイズであり、クラックなどの半田６０の品質劣化を示していない。
【０１７３】
［実施例２の変形例］
本実施例では、図７に示されるメインマウント２５０の表面金属パターン２７０を用いたが、表面金属パターン２７０とセルフアライメント用のスリットのパターンが異なる表面金属パターンを用いてもよい。
【０１７４】
図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ本実施例に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウント２５０ａ及び２５０ｂを示す上面図である。図９Ａに示されるメインマウント２５０ａは、二つの配線電極２７１ａ及び一つの表面放熱パターン２７２ａを有する表面金属パターン２７０ａを備える。図９Ｂに示されるメインマウント２５０ｂは、二つの配線電極２７１ｂ及び一つの表面放熱パターン２７２ｂを有する表面金属パターン２７０ｂを備える。
【０１７５】
図９Ａ及び図９Ｂにそれぞれ示される表面金属パターン２７０ａ及び２７０ｂを用いる場合においても表面金属パターン２７０を用いる場合と同様の効果が見られた。
【０１７６】
（実施例３）
実施例３に係る発光装置について説明する。本実施例に係る発光装置は、主に、サブマウントの裏面電極及び裏面放熱パッドの形状及び配置、並びに、メインマウントの表面金属パターンにおける配線電極及び表面放熱パッドの形状及び配置において、実施例２に係る発光装置２００と相違する。以下、本実施例に係る発光装置について、発光装置２００との相違点を中心に図面を用いて説明する。
【０１７７】
図１０Ａは、本実施例に係る発光装置３００の構成を示す上面図である。なお、図１０Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極３７１及び一つの表面放熱パターン３７２で構成される表面金属パターン３７０の輪郭が破線で示されている。図１０Ｂは、本実施例に係る発光装置３００の構成を示す断面図である。図１０Ｂにおいては、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ断面が示される。図１１Ａは、本実施例に係る発光装置３００におけるサブマウント３４０の表面の構成を示す上面図である。図１１Ｂは、本実施例に係る発光装置３００におけるサブマウント３４０の裏面の構成を示す底面図である。図１２は、本実施例に係る発光装置３００のメインマウント３５０の上面図である。図１２においては、表面金属パターン３７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント３５０の上面図が示されている。
【０１７８】
本実施例では、図１０Ｂに示されるように、サブマウント３４０は、絶縁性のサブマウント基板４４の表面に配置される表面電極３４３と、ビア配線４５を介して表面電極３４３と電気的に繋がった裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎと、裏面放熱パッド３４６ｈとを備える。図１１Ｂに示されるように、サブマウント３４０の裏面の真ん中に裏面放熱パッド３４６ｈがあり、その両側に裏面放熱パッド３４６ｈを挟むように裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎがある。
【０１７９】
図１０Ｂに示されるように、発光装置３００は、サブマウント３４０を含むパッケージ３３０と、メインマウント３５０とを備える。メインマウント基板５３上に絶縁層５２を介して図１２に示される表面金属パターン３７０（つまり、配線電極３７１及び表面放熱パターン）が配置されている。また、メインマウント３５０は、絶縁層５２の上方に配置され、表面金属パターン３７０の一部を覆うカバー樹脂５１を備える。カバー樹脂５１により、表面金属パターン３７０のうち、他の導電性部材と絶縁すべき部分が覆われる。具体的には、カバー樹脂５１のうち、サブマウント３４０と接続する表面金属パターン３７０の領域上の部分には開口部が設けてあり、開口部から電極パッド３７０ｐと表面放熱パッド３７０ｓが露出している。
【０１８０】
電極パッド３７０ｐはサブマウント３４０の裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎと半田６０で接合されており、表面放熱パッド３７０ｓはサブマウント３４０の裏面放熱パッド３４６ｈと半田６０で接合されている。裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎ、裏面放熱パッド３４６ｈ以外のサブマウント３４０の構成は実施例２と同様である。
【０１８１】
［メインマウント準備工程］
本実施例において、表面金属パターン３７０の形状以外は実施例２に係るメインマウント２５０と同様にメインマウント３５０を形成し、半田６０によりサブマウント３４０と接合した。
【０１８２】
図１２に示されるように、表面金属パターン３７０は、第一スリット３１０及び第二スリット３２１及び３２２を有する。本実施例に係る表面金属パターン３７０は、図３３の平面図（ｆ）に示される表面金属パターン２７ｂと同様の構成を有する。
【０１８３】
本実施例の係る発光装置３００において、実施例２と同様に温度サイクル試験をした結果、実施例３の方が従来の発光装置に比べて半田６０におけるクラックの発生が抑えられた。
【０１８４】
なお、本実施例では、第一スリット３１０並びに第二スリット３２１及び３２２の幅は、０．３ｍｍ程度である。
【０１８５】
また、各スリットと配置領域３７０ｄとの位置関係について説明する。第一スリット３１０と配置領域３７０ｄとの間の距離は、１．０ｍｍ程度である。また、第二スリット１２１と配置領域３７０ｄとの間の距離は、２．３ｍｍ程度である。また、第二スリット１２２と配置領域３７０ｄとの間の距離は、１．０ｍｍ程度である。
【０１８６】
なお、上記各スリットの寸法は一例である。第一スリット３１０及び第二スリット３２１及び３２２の幅は、例えば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、第一スリット３１０と配置領域３７０ｄとの間の距離は、例えば、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であればよく、第二スリット３２１と配置領域３７０ｄとの間の距離は、例えば、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であればよく、第二スリット３２２と配置領域３７０ｄとの間の距離は、例えば、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であればよい。
【０１８７】
また、図１２に示される配線電極３７１と表面放熱パターン３７２との間の間隙は、セルフアライメント用のスリットとして機能する。当該間隙の幅は、本実施例では０．３ｍｍ程度であるが、これに限定されず、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、電極パッド３７０ｐの幅（図１２の横方向の寸法）は、０．３ｍｍ程度であるが、これに限定されず、例えば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。
【０１８８】
［実施例３の変形例］
また、本実施例に係るサブマウント及びメインマウントの構成は、図１０Ａ〜図１２に示される構成に限定されない。例えば、図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるようなサブマウント３４０ａ、及び、図１４に示されるようなメインマウント３５０ａを用いてもよい。      
【０１８９】
図１３Ａは、本実施例に係る発光装置のサブマウント３４０ａの表面の構成を示す上面図である。図１３Ｂは、本実施例に係る発光装置のサブマウント３４０ａの裏面の構成を示す底面図である。図１４は、本実施例に係る発光装置のメインマウント３５０ａの上面図である。図１４においては、表面金属パターン３７０ａの構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント３５０の上面図が示されている。
【０１９０】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示されるサブマウント３４０ａにおいては、真ん中に配置された裏面電極３４６ｎが裏面放熱パッドとしても機能する。また、サブマウント３４０ａは、図１３Ｂに示されるように裏面に裏面アライメントパッド３４６ａを備える。図１３Ｂに示される例では、裏面電極３４６ｎの両側に裏面電極３４６ｐ及び裏面アライメントパッド３４６ａが配置されている。裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎが表面電極３４３とビア配線によって接続される。
【０１９１】
図１４に示される表面金属パターン３７０ａは、配線電極３７１及び３７３と、表面アライメントパッド３７４を備える。配線電極３７３は、発光素子４１への電力供給のために用いられる配線として機能し、かつ、表面放熱パターンとしても機能する。表面アライメントパッド３７４は、サブマウント３４０ａの裏面アライメントパッド３４６ａに対応する位置に配置されるアライメント用のパッドである。以上の構成により、表面金属パターン３７０ａには、裏面電極３４６ｐ及び３４６ｎに、それぞれ対応する電極パッド３７０ｐ及び３７３ｎが形成される。
【０１９２】
図１３Ａ及び図１３Ｂに示される裏面放熱パッドと裏面電極とを兼用したパターンである裏面電極３４６ｎを用いる場合についても、図１４に示されるメインマウント３５０ａの表面金属パターン３７０ａを用いることにより、図１０Ａ〜図１２に示される発光装置３００と同様に半田６０におけるクラックを低減する効果が見られた。
【０１９３】
（実施例４）
実施例４に係る発光装置について説明する。本実施例に係る発光装置は、主に、表面金属パターンの第一スリット及び第二スリットの構成において、実施例１に係る発光装置１００と相違する。以下、本実施例に係る発光装置について、発光装置１００との相違点を中心に図面を用いて説明する。
【０１９４】
図１５Ａは、本実施例に係る発光装置４００の構成を示す上面図である。なお、図１５Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極４７１で構成される表面金属パターン４７０の輪郭が破線で示されている。図１５Ｂは、本実施例に係る発光装置４００の構成を示す断面図である。図１５Ｂにおいては、図１５ＡのＸＶＢ−ＸＶＢ断面が示される。図１６Ａは、本実施例に係る発光装置４００におけるサブマウント４０の表面の構成を示す上面図である。図１６Ｂは、本実施例に係る発光装置４００におけるサブマウント４０の裏面の構成を示す底面図である。図１７は、本実施例に係る発光装置４００のメインマウント４５０の上面図である。図１７においては、表面金属パターン４７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント４５０の上面図が示されている。
【０１９５】
図１６Ａ及び図１６Ｂに示されるように、本実施例に係るサブマウント４０は、実施例１に係るサブマウント４０と同様の構成を有する。また、本実施例に係るパッケージ３０も、実施例１に係るパッケージ３０と同様の構成を有する。
【０１９６】
図１５Ｂに示されるように、メインマウント基板５３上に絶縁層５２を介して図１７に示される表面金属パターン４７０が配置されている。また、メインマウント４５０は、絶縁層５２の上方に配置され、表面金属パターン４７０の一部を覆うカバー樹脂５１を備える。カバー樹脂５１により、表面金属パターン４７０のうち、他の導電性部材と絶縁すべき部分が覆われる。具体的には、カバー樹脂５１のうち、サブマウント４０と接続する表面金属パターン４７０の領域上の部分には開口部が設けてあり、開口部から電極パッド４７０ｐが露出している。
【０１９７】
電極パッド４７０ｐはサブマウント４０の裏面電極４６ｐ及び４６ｎと半田６０で接合されている。
【０１９８】
［メインマウント準備工程］
表面金属パターン４７０の形状以外は実施例１におけるメインマウント準備工程と同様にメインマウント４５０を形成し、半田６０によりサブマウント４０と接合した。
【０１９９】
図１７に示されるように、二つの配線電極４７１からなる表面金属パターン４７０は、第一スリット４１１及び４１２、並びに、第二スリット４２０を有する。本実施例に係る表面金属パターン４７０は、図３４の平面図（ｄ）に示される表面金属パターン３７ｄと同様の構成を有する。図１７に示される第一スリット４１１は、さらに、長手方向に二つ配列されている。これにより、配列された二つの第一スリット４１１の間において、配置領域４７０ｄと表面金属パターン４７０の外部の領域とが連続する部分を形成することができるため、表面金属パターンにおける熱抵抗の悪化をさらに抑制できる。
【０２００】
実施例１と同様に温度サイクル試験をした結果、実施例４に係る発光装置４００の方が従来の発光装置に比べて半田６０におけるクラックの発生が抑えられた。
【０２０１】
なお、本実施例では、第一スリット４１１及び４１２並びに第二スリット４２０の幅は、０．３ｍｍ程度である。また、第一スリット４１１及び４１２と第二スリット４２０との間の距離は、１．０ｍｍ程度である。
【０２０２】
また、各スリットと配置領域４７０ｄとの位置関係について説明する。第一スリット４１１と配置領域４７０ｄとの間の距離は、１．０ｍｍ程度である。また、第一スリット４１２と配置領域４７０ｄとの間の距離は、１．０ｍｍ程度である。また、第二スリット４２０と配置領域４７０ｄとの間の距離は、２．３ｍｍ程度である。
【０２０３】
なお、上記各スリットの寸法は一例である。第一スリット４１１及び４１２並びに第二スリット４２０の幅は、例えば、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であればよい。また、第一スリット４１１及び４１２と配置領域４７０ｄとの間の距離は、例えば、０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であればよく、第二スリット４２０と配置領域４７０ｄとの間の距離は、例えば、１．５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であればよい。
【０２０４】
［実施例４の変形例］
本実施例では、図１７に示されるメインマウント４５０の表面金属パターン４７０を用いたが、表面金属パターン４７０とセルフアライメント用のスリットのパターンが異なる表面金属パターンを用いてもよい。
【０２０５】
図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃは、それぞれ本実施例に係る表面金属パターンの他の例を備えるメインマウント４５０ａ、４５０ｂ及び４５０ｃを示す上面図である。図１８Ａに示されるメインマウント４５０ａは、セルフアライメント用のスリット８１〜８３を有する二つの配線電極４７１ａからなる表面金属パターン４７０ａを備える。図１８Ｂに示されるメインマウント４５０ｂは、セルフアライメント用のスリット８３及び８４を有する二つの配線電極４７１ｂからなる表面金属パターン４７０ｂを備える。図１８Ｃに示されるメインマウント４５０ｃは、セルフアライメント用のスリット８１及び８５を有する二つの配線電極４７１ｃからなる表面金属パターン４７０ｃを備える。
【０２０６】
図１８Ａ、図１８Ｂ及び図１８Ｃにそれぞれ示される表面金属パターン４７０ａ、４７０ｂ及び４７０ｃを用いる場合においても表面金属パターン４７０を用いる場合と同様の効果が見られた。
【０２０７】
（実施例５）
実施例５に係る発光装置について説明する。本実施例に係る発光装置は、主に、表面金属パターンの第一スリット及び第二スリットの構成において、実施例２に係る発光装置２００と相違する。以下、本実施例に係る発光装置について、発光装置２００との相違点を中心に図面を用いて説明する。
【０２０８】
図１９Ａは、本実施例に係る発光装置５００の構成を示す上面図である。なお、図１９Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極５７１及び一つの表面放熱パターン５７２で構成される表面金属パターン５７０の輪郭が破線で示されている。図１９Ｂは、本実施例に係る発光装置５００の構成を示す断面図である。図１９Ｂにおいては、図１９ＡのＸＩＸＢ−ＸＩＸＢ断面が示される。図１９Ｃは、本実施例に係る発光装置５００の構成を示す他の断面図である。図１９Ｃにおいては、図１９ＡのＸＩＸＣ−ＸＩＸＣ断面が示される。図２０Ａは、本実施例に係る発光装置５００におけるサブマウント２４０の表面の構成を示す上面図である。図２０Ｂは、本実施例に係る発光装置５００におけるサブマウント２４０の裏面の構成を示す底面図である。図２１は、本実施例に係る発光装置５００のメインマウント５５０の上面図である。図２１においては、表面金属パターン５７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント５５０の上面図が示されている。
【０２０９】
図２０Ｂに示されるようにサブマウント２４０の裏面には、図２０Ｂの上側に二つの裏面放熱パッド２４６ｈが形成され、下側に二つの裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎが形成されている。
【０２１０】
図１９Ａ及び図１９Ｂに示されるように、裏面放熱パッド２４６ｈ及び表面放熱パターン５７２は発光素子４１の電極に電気的には接続されていない。
【０２１１】
メインマウント基板５３上には、絶縁層５２を介して図２１に示される表面金属パターン５７０が配置されている。また、メインマウント５５０は、実施例２と同様にカバー樹脂５１を備える。カバー樹脂５１のうち、サブマウント２４０と接続する表面金属パターン５７０の領域上の部分には開口部が設けてあり、開口部から電極パッド５７０ｐと表面放熱パッド５７０ｓが露出している。
【０２１２】
電極パッド５７０ｐはサブマウント２４０の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎと半田６０で接合されており、表面放熱パッド５７０ｓはサブマウント２４０の裏面放熱パッド２４６ｈと半田６０で接合されている。また、表面金属パターン５７２は、平面視においてサブマウント２４０が配置される配置領域５７０ｄを有する。本実施例に係るサブマウント２４０の構成は実施例２に係るサブマウント２４０と同様である。また、本実施例に係るパッケージ２３０の構成も実施例２に係るサブマウント２４０と同様である。
【０２１３】
［メインマウント準備］
表面金属パターン５７０の形状以外は実施例２と同様にメインマウント５５０を形成し、半田６０によりサブマウント２４０と接合した。実施例２と同様に温度サイクル試験をした結果、実施例５の方が従来の発光装置に比べて半田６０におけるクラックの発生が抑えられた。
【０２１４】
図２１に示されるように、表面金属パターン５７０は、第一スリット５１１及び５１２、並びに、第二スリット５２０を有する。本実施例に係る表面金属パターン５７０は、図３１の平面図（ｄ）に示される表面金属パターン１７ｄと同様の構成を有する。
【０２１５】
［実施例５の変形例］
また、本実施例に係るサブマウント及びメインマウントの構成は、図１９Ａ〜図２１に示される構成に限定されない。例えば、図２２Ａ、図２２Ｂに示されるサブマウント２４０ａ及び図２３に示されるようなメインマウント５５０ａを用いてもよい。図２２Ａ及び図２２Ｂは、それぞれ本実施例に係る発光装置のサブマウントの他の例の上面図及び底面図である。図２３は、本実施例に係る発光装置のメインマウントの他の例の上面図である。図２３においては、二つの配線電極５７１及び一つの表面放熱パターン５７２ａからなる表面金属パターン５７０ａの構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント５５０ａの上面図が示されている。
【０２１６】
図２２Ｂに示されるサブマウント２４０ａは、二つの裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎに対向する一つの裏面放熱パッド２４６ｈを備える。
【０２１７】
図２３に示される表面放熱パターン５７０ａは、長手方向に配列された二つの第一スリット５１２ａを有する。
【０２１８】
図２２Ａ及び図２２Ｂに示されるサブマウント、並びに、図２３に示される表面金属パターン５７０ａを用いる場合についても、発光装置５００において半田６０におけるクラックを低減するのと同様の効果が見られた。
【０２１９】
（実施例６）
実施例６に係る発光装置について説明する。本実施例に係る発光装置は、主に、サブマウント上に複数の発光素子４１を備える点において、実施例１に係る発光装置１００と相違する。以下、本実施例に係る発光装置について、発光装置１００との相違点を中心に図面を用いて説明する。
【０２２０】
図２４Ａは、本実施例に係る発光装置６００の構成を示す上面図である。なお、図２４Ａにおいては、参考のため、二つの配線電極で構成される表面金属パターン７０の輪郭が破線で示されている。図２４Ｂは、本実施例に係る発光装置６００の構成を示す断面図である。図２４Ｂにおいては、図２４ＡのＸＸＩＶＢ−ＸＸＩＶＢ断面が示される。図２５Ａは、本実施例に係る発光装置６００におけるサブマウント６４０の表面の構成を示す上面図である。図２５Ｂは、本実施例に係る発光装置６００におけるサブマウント６４０の裏面の構成を示す底面図である。図２６は、本実施例に係る発光装置６００のメインマウント５０の上面図である。図２６においては、表面金属パターン７０の構成を示すために、カバー樹脂５１が除去された状態のメインマウント５０の上面図が示されている。
【０２２１】
図２４Ａに示されるように、本実施例に係るサブマウント６４０上には、二つの蛍光体板４８を備える。また、図２４Ｂには示されるように、二つの蛍光体板４８の各々のサブマウント基板４４側には、発光素子４１が配置されている。つまり、本実施例に係るパッケージ６３０は、一つのサブマウント６４０と、サブマウント６４０上に配置された二つの発光素子４１を備える。本実施例に係る発光装置６００においては、実施例１及び実施例４と同じ形状の裏面電極２４６ｐ及び２４６ｎ（凹状）を備えたサブマウント４０と、実施例１と同様の配線電極７１を形成したメインマウント５０とを半田接合した。これにより、発光装置６００において、サブマウント６４０のメインマウント５０に対する傾きが低減され、半田６０におけるクラックの低減効果が見られた。
【０２２２】
（変形例など）
以上、本開示に係る発光装置及び半田接合体について、実施の形態及び変形例に基づいて説明したが、本開示は、上記の実施の形態及び変形例に限定されるものではない。
【０２２３】
また、ここではフェイスダウン型のフリップチップ実装の発光素子で説明したが、発光素子の構成はこれに限定されない。例えば、発光素子の接続においてフェイスアップ型の接続を用いてもよい。
【０２２４】
図２７Ａ及び図２７Ｂは、それぞれ変形例に係る発光装置７００及び７００ａの構成を示す断面図である。
【０２２５】
図２７Ａに示される発光装置７００は、サブマウント７４０及び発光素子７４１を含むパッケージ７３０と、メインマウント７５０とを備える。図２７Ａに示されるように、発光素子７４１の一方の端子をワイヤボンドによってサブマウント７４０の表面電極７４３に接続してもよい。また、メインマウント７５０は、上記各実施例と同様の表面金属パターン７７０を備える。なお、サブマウント７４０は、発光素子７４１をワイヤボンドによって接続するための表面電極７４３と、それに対応するビア配線７４５及び裏面電極７４６とを備える。
【０２２６】
図２７Ｂに示される発光装置７００ａは、サブマウント７４０ａ及び発光素子７４１ａとを含むパッケージ７３０ａと、メインマウント７５０ａとを備える。図２７Ｂに示されるように、発光素子７４１ａの二つの端子をワイヤボンドによってサブマウント７４０ａの表面電極７４３ａに接続してもよい。また、メインマウント７５０ａは、上記各実施例と同様の表面金属パターン７７０ａを備える。なお、サブマウント７４０ａは、発光素子７４１ａをワイヤボンドによって接続するための表面電極７４３ａと、それに対応するビア配線７４５ａ及び裏面電極７４６ａとを備える。
【０２２７】
図２７Ａ及び図２７Ｂに示される発光装置７００及び７００ａにおいても、上記各実施例に係る発光装置と同様の効果が得られる。
【０２２８】
その他、各実施の形態及び各変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態及び変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０２２９】
本開示は、例えば、高出力タイプの発光素子を用いた発光装置に適用できる。
【符号の説明】
【０２３０】
７ａ、７ｂ、７ｃ、７ｄ、７ｅ、７ｆ、７ｇ、７ｈ、７ｉ、７ｊ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ、１７ｄ、１７ｅ、１７ｆ、１７ｇ、１７ｈ、２７ａ、２７ｂ、２７ｃ、２７ｄ、２７ｅ、２７ｆ、３７ａ、３７ｂ、３７ｃ、３７ｄ、３７ｅ、３７ｆ、３７ｇ、３７ｈ、７０、７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、２７０、２７０ａ、２７０ｂ、３７０、３７０ａ、４７０、４７０ａ、４７０ｂ、４７０ｃ、５７０、５７０ａ、７７０、７７０ａ、９７０、９７１ａ、９７１ｂ、９７１ｃ、９７２ａ、９７２ｂ、９７２ｃ、９７３ａ、９７３ｂ、９７４ａ、９７４ｂ  表面金属パターン
１０、１１、１１ｅ、１２、１２ｆ、１１０、２１０、３１０、４１１、４１２、５１１、５１２、５１２ａ  第一スリット
２０、２０ｆ、２１、２１ｆ、２１ｊ、２２、２２ｈ、１２１、１２２、２２１、２２２、３２１、３２２、４２０、５２０  第二スリット
３０、２３０、３３０、６３０、７３０、７３０ａ  パッケージ
４０、２４０、２４０ａ、３４０、３４０ａ、６４０、７４０、７４０ａ、９４０、９４１、９４２、９４３、９４４  サブマウント
４１、７４１、７４１ａ  発光素子
４２  側面反射樹脂
４３、３４３、７４３、７４３ａ  表面電極
４４  サブマウント基板
４５、７４５、７４５ａ  ビア配線
４６ａ  メインマウント接合部
４６ｂ  第一接続部
４６ｎ、４６ｐ、２４６ｎ、２４６ｐ、３４６ｎ、３４６ｐ、７４６、７４６ａ、９４６、９４６ｎ、９４６ｐ  裏面電極
４６ｗ、７０ｗ  凹部
４８  蛍光体板
５０、５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、２５０、２５０ａ、２５０ｂ、３５０、３５０ａ、４５０、４５０ａ、４５０ｂ、４５０ｃ、５５０、５５０ａ、７５０、７５０ａ、９５０  メインマウント
５１、９５１  カバー樹脂
５２  絶縁層
５３  メインマウント基板
６０  半田
６１、６２  クラック
７０ｄ、１７０ｄ、２７０ｄ、３７０ｄ、４７０ｄ、５７０ｄ、９７１ｄ  配置領域
７０ｅ、７１、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、１７０ｅ、２７０ｅ、２７１、２７１ａ、２７１ｂ、３７０ｅ、３７１、３７３、４７１、４７１ａ、４７１ｂ、４７１ｃ、５７１、９７１ｅ、９７２ｅ、９７３ｅ、９７４ｅ  配線電極
７０ｆ  配置領域外側の表面金属パターン
７０ｐ、１７０ｐ、２７０ｐ、３７０ｐ、３７３ｎ、４７０ｐ、５７０ｐ、９７０ｐ、９７１ｐ、９７２ｐ、９７３ｐ、９７４ｐ  電極パッド
７５ａ  サブマウント接合部
７５ｂ  第二接続部
８０、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７  スリット
１００、１００ａ、２００、３００、４００、５００、６００、７００、７００ａ、９００、９００ａ  発光装置
１７０ｈ、２７０ｈ、２７２、２７２ａ、２７２ｂ、３７２、５７２、５７２ａ、９７２ｈ、９７３ｈ  表面放熱パターン
１７０ｓ、２７０ｓ、３７０ｓ、５７０ｓ、９７２ｓ、９７３ｓ  表面放熱パッド
２４６ｈ、３４６ｈ、９４６ｈ  裏面放熱パッド
３４６ａ  裏面アライメントパッド
３７４  表面アライメントパッド
【図１Ａ】
2017026093.tif 000003
【図１Ｂ】
2017026093.tif 000004
【図２Ａ】
2017026093.tif 000005
【図２Ｂ】
2017026093.tif 000006
【図３】
2017026093.tif 000007
【図４Ａ】
2017026093.tif 000008
【図４Ｂ】
2017026093.tif 000009
【図４Ｃ】
2017026093.tif 000010
【図５Ａ】
2017026093.tif 000011
【図５Ｂ】
2017026093.tif 000012
【図５Ｃ】
2017026093.tif 000013
【図６Ａ】
2017026093.tif 000014
【図６Ｂ】
2017026093.tif 000015
【図７】
2017026093.tif 000016
【図８Ａ】
2017026093.tif 000017
【図８Ｂ】
2017026093.tif 000018
【図８Ｃ】
2017026093.tif 000019
【図９Ａ】
2017026093.tif 000020
【図９Ｂ】
2017026093.tif 000021
【図１０Ａ】
2017026093.tif 000022
【図１０Ｂ】
2017026093.tif 000023
【図１１Ａ】
2017026093.tif 000024
【図１１Ｂ】
2017026093.tif 000025
【図１２】
2017026093.tif 000026
【図１３Ａ】
2017026093.tif 000027
【図１３Ｂ】
2017026093.tif 000028
【図１４】
2017026093.tif 000029
【図１５Ａ】
2017026093.tif 000030
【図１５Ｂ】
2017026093.tif 000031
【図１６Ａ】
2017026093.tif 000032
【図１６Ｂ】
2017026093.tif 000033
【図１７】
2017026093.tif 000034
【図１８Ａ】
2017026093.tif 000035
【図１８Ｂ】
2017026093.tif 000036
【図１８Ｃ】
2017026093.tif 000037
【図１９Ａ】
2017026093.tif 000038
【図１９Ｂ】
2017026093.tif 000039
【図１９Ｃ】
2017026093.tif 000040
【図２０Ａ】
2017026093.tif 000041
【図２０Ｂ】
2017026093.tif 000042
【図２１】
2017026093.tif 000043
【図２２Ａ】
2017026093.tif 000044
【図２２Ｂ】
2017026093.tif 000045
【図２３】
2017026093.tif 000046
【図２４Ａ】
2017026093.tif 000047
【図２４Ｂ】
2017026093.tif 000048
【図２５Ａ】
2017026093.tif 000049
【図２５Ｂ】
2017026093.tif 000050
【図２６】
2017026093.tif 000051
【図２７Ａ】
2017026093.tif 000052
【図２７Ｂ】
2017026093.tif 000053
【図２８】
2017026093.tif 000054
【図２９】
2017026093.tif 000055
【図３０】
2017026093.tif 000056
【図３１】
2017026093.tif 000057
【図３２】
2017026093.tif 000058
【図３３】
2017026093.tif 000059
【図３４】
2017026093.tif 000060
【図３５】
2017026093.tif 000061
【図３６Ａ】
2017026093.tif 000062
【図３６Ｂ】
2017026093.tif 000063
【図３７Ａ】
2017026093.tif 000064
【図３７Ｂ】
2017026093.tif 000065
【図３７Ｃ】
2017026093.tif 000066
【図３８Ａ】
2017026093.tif 000067
【図３８Ｂ】
2017026093.tif 000068
【図３９Ａ】
2017026093.tif 000069
【図３９Ｂ】
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【図４０Ａ】
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【図４０Ｂ】
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【図４１Ａ】
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【図４１Ｂ】
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【図４２】
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【図４３Ａ】
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【図４３Ｂ】
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【図４４】
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【国際調査報告】
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