【事件の表示】
　特許第５８３４４９２号発明「超純水製造装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８３４４９２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−４〕について訂正することを認める。
　特許第５８３４４９２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
　特許第５８３４４９２号の請求項４に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１．手続の経緯
　特許第５８３４４９２号は、平成２３年５月２５日に出願された特願２０１１−１１７１４２号について、平成２７年１１月１３日に設定登録がされ、その後、その請求項１−４に係る特許に対し、特許異議申立人　三田　翔により特許異議の申立てがなされ、平成２８年９月１６日付けで本件特許の請求項１−４に係る特許に対する取消理由が通知され、平成２８年１１月１５日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正の請求がなされ、平成２８年１２月２８日付けで特許異議申立人より意見書の提出がなされ、平成２９年３月２日付けで本件特許の請求項１−３に係る特許に対する取消理由が通知され、平成２９年４月１４日付けで特許権者より意見書の提出及び訂正の請求がなされ、平成２９年６月９日付けで特許異議申立人より意見書の提出がなされたものである。
第２．訂正の請求
１．訂正の内容
　平成２９年４月１４日付け訂正請求書による訂正（以下「本件訂正」という。）の内容は、次の訂正事項１−４よりなる。
（平成２８年１１月１５日付けの訂正請求は、みなし取下げとなった。）
（ア）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「該一次純水システムに設置された逆浸透膜分離装置が高圧型逆浸透膜分離装置であって、」と記載されているのを「該一次純水システム
は、高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されており
膜面有効圧力が１．５〜３ＭＰａであり、
（イ）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項４を削除する。
（ウ）訂正事項３
　明細書の【００１１】に「該一次純水システムに設置された逆浸透膜分離装置が高圧型逆浸透膜分離装置であって、」と記載されているのを「該一次純水システム
は、高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されており
膜面有効圧力が１．５〜３ＭＰａであり、
（エ）訂正事項４
　明細書の【００１４】を削除する。
２．訂正の適否
（ア）訂正事項１について
　訂正事項１は、請求項１において、訂正前に特定されていない一次純水システムの「装置構成」を「高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されて」いることを特定し、高圧型逆浸透膜分離装置の「膜面有効圧力」を「１．５〜３ＭＰａ」に限定するものだから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、当該訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　さらに、当該訂正事項１において限定した事項は、願書に添付した図面の図１及び特許請求の範囲の請求項４の記載に基づくものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
（イ）訂正事項２について
　訂正事項２は、特許請求の範囲の請求項４を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、当該訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
（ウ）訂正事項３について
　訂正事項３は、上記訂正事項１に係る訂正に伴って、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るための訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに相当する。
　したがって、当該訂正事項３は、訂正事項１同様、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
（エ）訂正事項４について
　訂正事項４は、上記訂正事項２に係る訂正に伴って、特許請求の範囲の記載と明細書の記載との整合を図るために、該当段落を削除する訂正であるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものに相当する。
　そして、当該訂正事項４は、訂正事項２同様、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
３．一群の請求項について
　訂正事項１、２に係る訂正前の請求項１−４について、請求項２−４は請求項１を引用しているものであって、請求項１に連動して訂正されるものである。
　したがって、訂正前の請求項１−４に対応する訂正後の請求項１−４（ただし、請求項４は削除）は、特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
　そして、訂正事項３，４に係る明細書の訂正は、これら一群の請求項の全てについて請求するものである。
４．むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とし、同条第４項及び第９項の規定によって準用する第１２６条第４項乃至第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−４〕について訂正を認める。
第３．本件発明
　上記「第２．」のとおり、本件訂正請求による訂正が認められるから、本件特許の請求項１−３に係る発明（以下、請求項の項番にしたがって、「本件発明１」などといい、全体をまとめて「本件発明」という。）は、平成２９年４月１４日付け訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１−３に記載された事項により特定される、以下のものである。
　「【請求項１】
　一次純水システムと、該一次純水システムの処理水を処理するサブシステムとを備え、少なくとも該一次純水システムに逆浸透膜分離装置が設けられている超純水製造装置において、該一次純水システムは、高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されており、前記高圧型逆浸透膜分離装置は、標準運転圧力におけるＮａＣｌ除去率９９．５％（ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ）以上の特性を有し、膜面有効圧力が１．５〜３ＭＰａであり、且つ単段にて設置されていることを特徴とする超純水製造装置。
　【請求項２】
　請求項１において、前記高圧型逆浸透膜分離装置は、標準運転圧力５．５２ＭＰａ以上、標準運転圧力における純水フラックス０．５ｍ３／ｍ２・Ｄ以上の特性を有することを特徴とする超純水製造装置。
 【請求項３】
　請求項１又は２において、原水を処理する前処理システムを有し、該前処理システムの処理水が前記一次純水システム及びサブシステムで順次処理される超純水製造装置であって、前記高圧型逆浸透膜分離装置への給水のＴＤＳが１５００ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする超純水製造装置。」
第４．取消理由についての当審の判断
１．取消理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記甲第１−１０号証（以下、「甲１」、「甲２」等という。）を提出し、本件訂正前の請求項１−４に係る特許は、特許法第１１３条第２号又は第４号に該当し、取り消すべきものである旨、主張している。
　これに対し、当審にて本件訂正前の請求項１−４に係る特許に対して平成２８年９月１６日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は、次のとおりである。
１）本件訂正前の請求項１−４に係る発明は、本件特許の出願前に発行された下記甲５に記載された発明、甲３の記載事項および甲２、９に記載された技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
甲１：特開平１１−１６５１７０号公報
甲２：ＪＩＳ　Ｋ３８０５−１９９０、平成２年１月１日制定
甲３：特開２００６−２６４８４号公報
甲４：現場で役立つ膜ろ過技術、株式会社工業調査会、２００６年７月１０日発行
甲５：特開２００３−２６６０９７号公報
甲６：実開昭６３−１３０１９６号公報
甲７：特開２００９−１６０５００号公報
甲８：膜処理による水処理技術の新展開、株式会社シーエムシー出版、２００４、９月３０日発行
甲９：超純水の科学、株式会社リアライズ社、平成２年９月１１日発行
甲１０：日東電工ＳＷＣ４＋のスペックシート
２．引用例の記載事項及び引用発明
（１）甲５の記載事項
　甲５（特開２００３−２６６０９７号公報）には、「超純水製造装置」（発明の名称）について、次の記載がある。
（ア）「【請求項１】　前処理システムと、該前処理システムによって処理された前処理水を処理して一次純水とする一次純水システムと、一次純水を処理するサブシステムとを有する超純水製造装置において、
該一次純水システムが、逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置、紫外線酸化装置、及び非再生型イオン交換装置の順で接続された構成とされていることを特徴とする超純水製造装置。」
（イ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体、液晶、製薬、食品、電力等の分野の各種産業、民生用又は研究設備で利用される超純水を製造する超純水製造装置に係る。特に、シリカ、ホウ素、ＴＯＣなどの弱電解物質において高い水質を要求される超純水製造装置の一次純水システムの改良に関する。」
（ウ）「【０００２】
【従来の技術】従来、半導体等の分野で用いられている超純水は、前処理システム、前処理水を処理する一次純水システム及び一次純水を処理するサブシステムで構成される超純水製造装置で、原水（工業用水、市水、井水等）を処理することにより製造されている。」
（エ）「【０００４】逆浸透（ＲＯ）膜分離装置、脱ガス装置及び再生型イオン交換装置（混床式又は４床５塔式など）を備える一次純水系システムでは、原水中のイオンや有機成分の除去を行う。なお、ＲＯ膜分離装置では、塩類を除去すると共に、イオン性、コロイド性のＴＯＣを除去する。イオン交換装置では、塩類を除去すると共にイオン交換樹脂によって吸着又はイオン交換されるＴＯＣ成分の除去を行う。脱ガス装置では無機系炭素（ＩＣ）、溶存酸素の除去を行う。」
（オ）「【００１４】一方、半導体分野で使用される超純水の要求水質は最も厳しく、特にシリカ、ホウ素、ＴＯＣは現在の分析のレベルの下限値以下まで要求される。」
（カ）「【００２５】図１（ａ），（ｂ）に示す超純水製造装置は、前処理システム１、一次純水システム２及びサブシステム３で構成される。図１（ａ）の超純水製造装置の一次純水システム２は、脱ガス装置２１、ＲＯ膜分離装置２２、電気脱イオン装置２３、ＵＶ酸化装置２４及び非再生型イオン交換装置２５がこの順で接続されて構成されている。図１（ｂ）の超純水製造装置の一次純水システム２は、ＲＯ膜分離装置２２、脱ガス装置２１、電気脱イオン装置２３、ＵＶ酸化装置２４及び非再生型イオン交換装置２５がこの順で接続されて構成されている。」
（キ）「【００２７】脱ガス装置２１は、被処理水中の溶存酸素（ＤＯ）及び炭酸ガス（ＣＯ２）を除去するために設置される。ＤＯが電気脱イオン装置２３に流入すると、イオン交換部材が劣化する。また、ＣＯ２が存在すると、電気脱イオン装置２３における脱イオン効率が低下する。このため、脱ガス装置２１により、被処理水中のＤＯ及びＣＯ２を予め除去しておく。電気脱イオン装置２３におけるイオン交換部材の劣化防止及び脱イオン効率の向上のためには、脱ガス装置２１の処理水のＤＯ濃度が１ｐｐｍ未満、ＣＯ２濃度が１．０ｐｐｍ未満となるように除去することが好ましい。脱ガス装置としては、膜脱気装置、真空脱気装置、窒素脱気装置等を用いることができる。」
（ク）「【００２８】ＲＯ膜分離装置２２は、被処理水中の塩類、シリカ、ホウ素、ＴＯＣ、微粒子等を分離除去するために設置される。ＲＯ膜分離装置２２によるこれらの不純物の除去率には限界があり、一般的な市水、工水を原水として処理した場合、ＲＯ膜分離装置２２の処理水の比抵抗値は約０．５ＭΩ・ｃｍ、シリカ濃度は約５００ｐｐｂ、ホウ素濃度は約１０ｐｐｂ、ＴＯＣ濃度は約１００ｐｐｂであるため、要求水質を満たすためには、後段に電気脱イオン装置２３等が更に必要となる。」
（ケ）「【００２９】ＲＯ膜分離装置２２のＲＯ膜としては、ＮａＣｌ除去率９８％以上を有する膜であれば特に限定するものではないが、ポリアミド膜が好ましい。
【００３０】前述の如く、ＲＯ膜分離装置を直列に多段に設けると、後段の電気脱イオン装置の負荷は低減するが、装置の構成の複雑化、高圧ポンプ容量の増大を招くため、本発明ではＲＯ膜分離装置を１段で構成する。」
（コ）「【００３９】本発明では、ＲＯ膜分離装置を一段とするため、ＴＯＣをより高度に除去するために、有機物分解装置としてのＵＶ酸化装置２４と、ＵＶ酸化装置２４での分解により生成した有機酸等のイオン状物質を除去するための非再生型イオン交換装置２５を設ける。」
（サ）「【００４３】なお、以下の実施例及び比較例で用いた各装置の仕様は次の通りである。
　　活性炭装置：栗田工業（株）製「クリコールＫＷ１０−３０」
　　　　　　　　　通水ＳＶ；２０／ｈｒ
　　ＲＯ膜分離装置：栗田工業（株）製「膜エースＫＮ２００」
　　脱ガス装置：脱気膜モジュール；大日本インキ化学工業（株）製
　　電気脱イオン装置：栗田工業（株）製
　　　　　　　　　　　　処理量；１００Ｌ／ｈｒ
　　低圧ＵＶ酸化装置：（株）日本フォトサイエンス社製
　　　　　　　　　　　　ＵＬ−ＵＶｏｘランプ「ＡＺ２６」１本
　　非再生型イオン交換装置：栗田工業（株）製「ＤＺ−５０」」
（２）引用発明の認定
　記載事項（ア）（カ）によれば、甲５には、前処理システムと、前処理システムによって処理された前処理水を処理して一次純水とする一次純水システムと、一次純水を処理するサブシステムとを備え、一次純水システムが、逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置、紫外線酸化装置、及び非再生型イオン交換装置の順で接続されている超純水製造装置が記載されている。
　記載事項（ケ）によれば、甲５には、一次純水システムの逆浸透膜分離装置（ＲＯ膜分離装置）は１段で構成され、逆浸透膜分離装置（ＲＯ膜分離装置）のＲＯ膜は、ＮａＣｌ除去率９８％以上であることが記載されている。
　したがって、甲５には、
　「前処理システムによって処理された前処理水を処理して一次純水とする一次純水システムと、該一次純水システムで処理された一次純水を処理するサブシステムとを備え、該一次純水システムが逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置、紫外線酸化装置、及び非再生型イオン交換装置の順で接続されている超純水製造装置において、該一次純水システムに設置された逆浸透膜分離装置が、ＮａＣｌ除去率９８％以上の特性を有し、且つ１段にて設置されている超純水製造装置。」（以下「引用発明１」という）が記載されていると認められる。
３．本件発明１と引用発明１との対比・判断
（１）対比
　本件発明１と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「一次純水」、「１段」は、本件発明１の「一次純水システムの処理水」、「単段」に相当する。
　したがって、本件発明１と引用発明１とは、
　「一次純水システムと、該一次純水システムの処理水を処理するサブシステムとを備え、少なくとも該一次純水システムに逆浸透膜分離装置が設けられている超純水製造装置において、該一次純水システムに設置された逆浸透膜分離装置が単段にて設置されていることを特徴とする超純水製造装置。」である点で一致し、下記（相違点１）、（相違点２）で相違する。
（相違点１）
　本件発明１では、「一次純水システム」が「高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されて」いるのに対し、引用発明１では、「一次純水システム」が「逆浸透膜分離装置、電気脱イオン装置及び脱ガス装置を備え、かつ逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置の順で接続されて」いる点。
（相違点２）
　本件発明１では、「ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ」の評価条件で「ＮａＣｌ除去率」が「９９．５％以上」の「高圧型」の逆浸透膜分離装置が一次純水システムに設置され、該逆浸透膜分離装置の膜面有効圧力が「１．５〜３ＭＰａ」に特定されているであるのに対し、引用発明１では、一次純水システムに設置される逆浸透膜分離装置のＮａＣｌ除去率は、「９８％以上」であって、「ＮａＣｌ除去率」の評価条件は不明であり、該逆浸透膜分離装置が「高圧型」であるかや、膜面有効圧力も不明である点。
（２）判断 
　まず、（相違点１）について検討する。
　引用発明１は、一次純水システムが、逆浸透膜分離装置、脱ガス装置、電気脱イオン装置の順で接続されているものであり、この順序について、記載事項（キ）によれば、甲５には、「ＤＯが電気脱イオン装置２３に流入すると、イオン交換部材が劣化する。また、ＣＯ２が存在すると、電気脱イオン装置２３における脱イオン効率が低下する。このため、脱ガス装置２１により、被処理水中のＤＯ及びＣＯ２を予め除去しておく。」ことが記載されている。
　したがって、申立人が主張するように、一次純水システムの配置順として、逆浸透膜分離装置、イオン交換装置、脱気装置の順序が周知であったとしても、また、甲３，２，９の記載事項を考慮しても、甲５に記載された引用発明１の一次純水システムにおいて、電気脱イオン装置と脱ガス装置の順序を逆にすることには阻害要因がある。
　よって、（相違点２）について判断するまでもなく、本件発明１は、甲５に記載された発明、甲３の記載事項および甲２、９に記載された技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
４．本件発明２，３について
　本件発明２，３は、本件発明１を引用し、本件発明１をさらに限定する発明であるから、引用発明１、甲３の記載事項および甲２、９に記載された技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
第５．取消理由において採用しなかった特許異議申立理由について
　特許異議申立人は、「第４」で検討した取消理由１）に加え、下記申立理由２）、３）により、本件特許の請求項１−４に係る特許は、特許法第１１３条第２号及び第４号に該当し、取り消すべきものである旨、主張しているので、以下検討する。
申立理由２）本件特許の請求項１−４に係る発明は、本件特許の出願前に発行された下記甲１に記載された発明および技術常識に基づいて、若しくは、甲１に記載された発明、甲３の記載事項および技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
申立理由３）本件特許は、特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
１．申立理由２）について
（１）甲１の記載事項
　甲１（特開平１１−１６５１７０号公報）には、「超純水の製造方法」（発明の名称）について、次の記載がある。
（シ）「【請求項１】前処理した原水を、逆浸透膜モジュ−ルを備えた一次純水システムで純水に仕上げ、上記とは別箇の逆浸透膜モジュ−ル及び該逆浸透膜モジュ−ルの透過側に紫外線照射装置またはイオン交換装置の少なくとも何れかを備えたサブシステムで上記純水を超純水に精製する方法において、サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルに、阻止性能が一次純水システムの逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能よりも高いものを使用することを特徴とする超純水の製造方法。」
（ス）「【０００５】本発明の目的は、・・・超純水の製造方法において、有機物を効果的に除去してＴＯＣを低減し、その結果・・・経済的なシステムを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る超純水の製造方法は、前処理した原水を、逆浸透膜モジュ−ルを備えた一次純水システムで純水に仕上げ、上記とは別箇の逆浸透膜モジュ−ル及び該逆浸透膜モジュ−ルの透過側に紫外線照射装置またはイオン交換装置の少なくとも何れかを備えたサブシステムで上記純水を超純水に精製する方法において、サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルに、阻止性能が一次純水システムの逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能よりも高いものを使用することを特徴とする構成であり、逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能を１ｐｐｍ以下のイソプロピルアルコ−ルを含む液を評価液として求めた阻止率で評価することが適切である。」
（セ）「【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、前処理システム、一次純水システム及びサブシステムを順次に経て超純水を製造する場合に実施される。・・・
【０００８】上記前処理システム及び一次純水システムにおける逆浸透膜モジュ−ルには、評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９％以下といった通常の逆浸透膜モジュ−ルを使用しているので、充分に高い透過流束を保証しつつ、無機イオン、有機物及びその他の微粒子を除去してグレ−ドを高めていくことができる。この場合、有機物中の低分子量成分は逆浸透膜モジュ−ルをリ−クし、一次純水タンク内の純水のＴＯＣ値は、数１０ｐｐｂ程度となる。而るに、本発明においては、サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルに上記前処理システムや一次純水システムの逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能よりも高い阻止性能の逆浸透膜モジュ−ルを使用しているから、サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルの透過側のＴＯＣを従来よりも充分に低くできる。具体的には、ＴＯＣが２０ｐｐｂの一次純水を、評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９％の全芳香族ポリアミド複合膜の逆浸透膜モジュ−ルで処理する従来例の場合、その透過側のＴＯＣは８．０ｐｐｂであったが、評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９．５％の架橋全芳香族ポリアミド複合膜の逆浸透膜モジュ−ルで処理する本発明の場合、その透過側のＴＯＣは４．９ｐｐｂであった。従って、本発明によれば、サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルの透過側のＴＯＣを軽減でき、その結果逆浸透膜モジュ−ルの下流に設置された低圧ＵＶランプの本数を低減でき、イオン交換樹脂の交換頻度を長くできる。」
（ソ）「【０００９】本発明において、逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能は、有機物の低分子量成分に対する通過阻止性を問題にしており、混入されている有機物としては、イソプロピルアルコ−ルが一般的であってその混入量が１ｐｐｍ以下であるから、イソプロピルアルコ−ルの含有量が１ｐｐｍ以下の水溶液を評価液とする阻止率で逆浸透膜モジュ−ルの阻止性能を評価することが適切である。・・・」
（タ）「【００１０】
【実施例】〔実施例１〕一次純水システムの逆浸透膜モジュ−ルに１００ｐｐｂイソプロピルアルコ−ル水溶液、圧力１５ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が８８％（３．５％ＮａＣｌ水溶液、圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９％）の全芳香族ポリアミド複合半透膜の逆浸透膜モジュ−ルを用い、サブシステムの逆浸透モジュ−ルに１００ｐｐｂイソプロピルアルコ−ル水溶液、圧力１５ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９３％の全芳香族ポリアミド複合半透膜の逆浸透膜モジュ−ルを用いた。サブシステムの逆浸透膜モジュ−ルの透過側には低圧ＵＶランプとイオン交換装置を設置した。サブシステムは回収率９０％で運転した。このシステムの一次純水のＴＯＣは２０ｐｐｂであり、逆浸透膜モジュ−ルの透過水出口のＴＯＣは４．１ｐｐｂであった。また、これを低圧ＵＶランプ及びイオン交換樹脂で処理した最終的な処理水のＴＯＣは０．６ｐｐｂであり、２５６Ｍｂｉｔでの要求水質とされている１．０ｐｐｂ以下を満足した。」
（チ）「【００１１】〔実施例２〕実施例１に対し、サブシステムの逆浸透モジュ−ルに３．５％ＮａＣｌ水溶液、圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９．５％の全芳香族ポリアミド複合半透膜の逆浸透膜モジュ−ルを用いた。他は実施例１に同じとした。このシステムの一次純水のＴＯＣは２０ｐｐｂであり、逆浸透膜モジュ−ルの透過水出口でのＴＯＣは４．９ｐｐｂであった。また、これを低圧ＵＶランプ及びイオン交換樹脂で処理した最終的な処理水のＴＯＣは０．７ｐｐｂであり、２５６Ｍｂｉｔでの要求水質とされている１．０ｐｐｂ以下を満足した。」
（２）引用発明の認定
　記載事項（シ）−（チ）によれば、甲１には、
「前処理システムによって処理された前処理水を処理して一次純水とする一次純水システムと、該一次純水システムで処理された一次純水を処理するサブシステムとを備え、該一次純水システムの逆浸透膜モジュールは、評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９％、評価液１００ｐｐｂイソプロピルアルコール水溶液、評価圧力１５ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が８８％であり、サブシステムの逆浸透膜モジュールは一次純水システムの逆浸透膜モジュールより阻止性能が高く、評価液１００ｐｐｂイソプロピルアルコール水溶液、評価圧力１５ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９３％、又は、評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９．５％である、超純水を製造するシステム。」（以下「引用発明２」という）が記載されていると認められる。
（３）本件発明１と引用発明２との対比
　本件発明１と引用発明２とを対比すると、
「一次純水システムと、該一次純水システムの処理水を処理するサブシステムとを備え、少なくとも該一次純水システムに逆浸透膜分離装置が設けられている超純水製造装置。」である点で一致し、下記（相違点１）、（相違点２）で相違する。
（相違点１）
　本件発明１では、「一次純水システム」が「高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されて」いるのに対し、引用発明２では、「一次純水システム」が逆浸透膜分離モジュールを含むことしか記載されていない点。
（相違点２）
　本件発明１では、「ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ」の評価条件で「ＮａＣｌ除去率」が「９９．５％以上」の「高圧型」の逆浸透膜分離装置が一次純水システムに設置され、該逆浸透膜分離装置の膜面有効圧力が「１．５〜３ＭＰａ」に特定されているものであるのに対し、引用発明２では、一次純水システムに設置される逆浸透膜分離装置のＮａＣｌ除去率は、「３．５％ＮａＣｌ水溶液」（３５０００ｍｇ／Ｌ　ＮａＣｌ水溶液）で、「９９％」であって、該逆浸透膜分離装置が「高圧型」であるかや、膜面有効圧力も不明である点。
（４）判断
　事案に鑑み、まず（相違点２）について検討する。
　甲３の【００４２】〜【００４３】には、実施例１の複合逆浸透膜として、「操作圧力５．５ＭＰａ」で、本件発明１の「ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ」に対応する「塩化ナトリウム３．２重量％」を含有する水溶液を用いて行った評価試験で、「ＮａＣｌの阻止率」が「９９．９％」であり、「操作圧力１．５ＭＰａ」でおこなった評価試験で、「ＩＰＡ阻止率」が「９９．５％」である複合逆浸透膜が記載されている。
　しかしながら、記載事項（セ）によれば、引用発明２の一次純水システムでは、「評価液３．５％ＮａＣｌ水溶液、評価圧力５６ｋｇｆ／ｃｍ２での阻止率が９９％以下」の「通常の逆浸透膜モジュ−ル」を用いることにより、「無機イオン、有機物及びその他の微粒子を除去してグレ−ドを高め」ることによって、「充分に高い透過流束を保証」するものであるといえる。
　したがって、引用発明２において、甲３に記載されるようなＮａＣｌの阻止率が９９％を超える高圧型の分離装置を使用し、かつ、通常より低圧で使用する動機付けがない。
　よって、（相違点１）について判断するまでもなく、本件発明１及び、本件発明１を引用する本件発明２、３は、甲１に記載された発明および技術常識から、若しくは、甲１に記載された発明、甲３の記載事項および技術常識から、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものでない。
２．申立理由３）について
　本件明細書の段落【０００８】−【００１０】、【００２２】等の記載によれば、本件発明の課題は、「有機物濃度」を低減して「１段ＲＯ膜処理のみで従来の２段ＲＯと同等の処理水水質・処理水量を得ること」を可能とすることにより、「逆浸透膜分離装置の設置数が少ない超純水製造装置を提供する」ことであるといえる。
　そして、段落【００２２】に記載されているように、「高圧型逆浸透膜分離装置」が、「従来の超純水製造装置の一次純水システムに用いられている低圧又は超低圧型逆浸透膜」に比べて「膜表面のスキン層が緻密」で、「単位操作圧力当りの膜透過水量は低いものの有機物除去率は極端に高い」ものであることから、本件発明１では、「一次純水システムに設置された逆浸透膜分離装置」を、「標準運転圧力におけるＮａＣｌ除去率９９．５％（ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ）以上」の、「高圧型逆浸透膜分離装置」とし、且つ「単段にて設置」することにより、上記課題を解決しているものであるといえる。
　ここで、特許異議申立人は、甲９の３．３（２）（２７０頁）の第３行−第４行には、「有機物の除去率は、たとえ塩化ナトリウムの除去率が同じであっても異なる場合があり、膜材質や膜の緻密性に由来するものが大きいと考えられる。」という技術常識が記載されており、また甲３の段落【００５０】【表１】には、ＮａＣｌ阻止率：９９．９％、ＩＰＡ阻止率９９．５％である実施例５及びＮａＣｌ阻止率：９９．７％、ＩＰＡ阻止率９６．４％である比較例３が示され、塩化ナトリウムの阻止率の差が０．２％の範囲であるにもかかわらず、ＩＰＡ阻止率が３．１％もの広範囲に分布した高圧型逆浸透膜の例が記載されており、また、甲４の表４．２にも、ＮａＣｌの阻止率差が０．２％（９９．７％、９９．５％）で、ＩＰＡ阻止率差が２％（９４％、９６％）である低圧型逆浸透膜の例（ＥＳ−２０とＥＳ−１０）が記載されていることから、本件発明１において、「高圧型逆浸透膜分離装置」の特性を、「標準運転圧力におけるＮａＣｌ除去率」で特定するだけでは、「有機物濃度」を低減し、「１段ＲＯ膜処理のみで従来の２段ＲＯと同等の処理水水質・処理水量を得ること」が可能となるとはいえないから、本件発明１には、発明の課題を解決するための手段が反映されておらず、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えて、特許請求するものであると主張している。
　しかしながら、甲３、甲４の記載から、高圧型のＩＰＡ除去率９９．５〜９６．４％が低圧型の９４〜９６％よりも大きいことは明らかであるから、段落【００２２】の記載事項は裏付けられている。
　よって、本件特許は、請求項１及び請求項１を引用する請求項２、３の記載が、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないとはいえない。
第６．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１−３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１−３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　さらに、請求項４は削除されたため、本件特許の請求項４に対する特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年７月１９日（２０１７．７．１９）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
超純水製造装置
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は超純水製造装置に係り、特に逆浸透膜分離装置（ＲＯ装置）を有する一次純水システムを備えた超純水製造装置に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来、半導体洗浄用水として用いられている超純水は、図２に示すように前処理システム１、一次純水システム２、サブシステム（二次純水システム）３から構成される超純水製造装置で、原水（工業用水、市水、井水、半導体工場から排出される使用済み超純水（以下「回収水」と称す。）等）を処理することにより製造される。図２において各システムの役割は次の通りである。
　【０００３】
　凝集、加圧浮上（沈殿）、濾過（膜濾過）装置などよりなる前処理システム１では、原水中の懸濁物質やコロイド物質の除去を行う。また、この過程では高分子系有機物、疎水性有機物などの除去も可能である。
　【０００４】
　逆浸透膜分離（ＲＯ）装置、脱気装置及びイオン交換装置（混床式又は４床５塔式など）を備える一次純水システム２では、原水中のイオンや有機成分の除去を行う。なお、逆浸透膜分離装置では、塩類を除去すると共に、イオン性、コロイド性のＴＯＣを除去する。イオン交換装置では、塩類を除去すると共にイオン交換樹脂によって吸着又はイオン交換されるＴＯＣ成分の除去を行う。脱気装置では無機系炭素（ＩＣ）、溶存酸素（ＤＯ）の除去を行う。
　【０００５】
　低圧紫外線酸化装置、イオン交換純水装置及び限外濾過膜分離装置を備えるサブシステム３では、一次純水システム２で得られた純水の純度をより一層高めて超純水にする。なお、低圧紫外線酸化装置では、低圧紫外線ランプより出される波長１８５ｎｍの紫外線によりＴＯＣを有機酸、さらにはＣＯ２まで分解する。分解により生成した有機物及びＣＯ２は後段のイオン交換樹脂で除去される。限外濾過膜分離装置では、微粒子が除去され、イオン交換樹脂の流出粒子も除去される。
　【０００６】
　なお、図２では、一次純水システムの逆浸透膜分離装置が前段側と最後段部とに配置されているが、直列に２段に設置することもある。また、図２では、前処理システムが１系統のみ設置されているが、市水、工水等を処理する前処理システムと、半導体製造工程排水などの希薄系排水を処理する希薄系排水回収システムとを並列設置することもある。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００７】
　【特許文献１】特許３４６８７８４号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００８】
　従来、超純水製造システムにおいては有機物濃度低減目的からＲＯ分離装置を直列で２段通水する２段ＲＯ方式が一次純水あるいは排水回収システムにおいて主として採用されている。ＲＯ膜種としては処理対象となる原水が工業用水、水道水、井戸水あるいは塩類負荷の低い希薄系排水であることから、標準運転圧力０．７５ＭＰａ、純水フラックス２５ｍ３／ｍ２・Ｄ／本（８インチ）以上である超低圧ＲＯ膜、あるいは標準運転圧力１．４７ＭＰａ、純水フラックス２５ｍ３／ｍ２・Ｄ／本（８インチ）以上である低圧ＲＯ膜を用いるのが一般的であった。
　【０００９】
　しかしながら、このように逆浸透膜分離装置を２段に設置すると、設置スペースが増大すると共に、装置運転管理が煩雑化する。即ち、半導体製造工場の超純水製造プラントでは、規模にもよるが、一次純水システムの第１段目の逆浸透膜分離装置として例えば４〜４０個を並列設置し、第２段目にこれと同程度の逆浸透膜分離装置を並列設置しており、逆浸透膜分離装置の設置数が極めて多いものとなっており、逆浸透膜分離装置の設備コスト及びランニングコストが嵩むと共に、設置面積も大きいものとなっている。
　【００１０】
　本発明は、上記従来の問題点を解決し、逆浸透膜分離装置の設置数が少ない超純水製造装置を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【００１１】
　本発明（請求項１）の超純水製造装置は、一次純水システムと、該一次純水システムの処理水を処理するサブシステムとを備え、少なくとも該一次純水システムに逆浸透膜分離装置が設けられている超純水製造装置において、該一次純水システム
は、高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されており
膜面有効圧力が１．５〜３ＭＰａであり、
　【００１２】
　請求項２の超純水製造装置は、請求項１において、前記高圧型逆浸透膜分離装置は、標準運転圧力５．５２ＭＰａ以上、標準運転圧力における純水フラックス０．５ｍ３／ｍ２・Ｄ以上の特性を有することを特徴とするものである。
　【００１３】
　請求項３の超純水製造装置は、請求項１又は２において、原水を処理する前処理システムを有し、該前処理システムの処理水が前記一次純水システム及びサブシステムで順次処理される超純水製造装置であって、前記高圧型逆浸透膜分離装置への給水のＴＤＳ（全溶解性物質）が１５００ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とするものである。
　【００１４】
（削除）
　【発明の効果】
　【００１５】
　高圧型逆浸透膜分離装置は、従来、海水淡水化プラントに用いられているものであり、塩分濃度の高い海水を逆浸透膜処理するために膜面有効圧力（１次側圧力と２次側圧力との差）を５．５２ＭＰａ程度の高圧として使用される。
　【００１６】
　本発明では、この高圧型逆浸透膜分離装置を超純水製造装置の一次純水システムに単段（１段）に設置する。一般に、海水淡水化用逆浸透膜は、脱塩や有機物除去に寄与するスキン層の分子構造が緻密であるため、有機物除去率が高い。海水淡水化においては、原水の塩類濃度が高く、これに伴い浸透圧が高くなるため、透過水量を確保するには、膜面有効圧力が５．５ＭＰａ以上となる。一方、電子産業分野における一般的なＲＯ膜に適用する原水の塩類濃度は低く、ＴＤＳ（全溶解性物質）が１５００ｍｇ／Ｌ以下である。このような原水においては、浸透圧が低く、膜面有効圧力わずか２〜３ＭＰａ程度で十分な透過水量を得、かつ上述のごとく透過水の水質は、従来の逆浸透膜（超低圧ＲＯ膜、低圧ＲＯ膜）に比べ格段と向上する。
　【００１７】
　このように一次純水システムに高圧型逆浸透膜分離装置を単段設置することにより、逆浸透膜分離装置の設置数が従来の２段設置の場合に比べて半分となり、逆浸透膜分離装置の設置スペースが半減すると共に、設備コスト、運転管理コストもほぼ半減する。
　【図面の簡単な説明】
　【００１８】
　【図１】本発明の超純水製造装置の実施の形態の一例を示す系統図である。
　【図２】従来の超純水製造装置を示す系統図である。
　【発明を実施するための形態】
　【００１９】
　以下に、本発明の超純水製造装置の実施の形態を詳細に説明する。
　【００２０】
　本発明においては、図１に示すように、原水を好ましくは前処理システム、一次純水システム及びサブシステムで順次処理して超純水を製造するに当たり、一次純水システムに逆浸透膜分離装置（ＲＯ装置）として高圧型逆浸透膜分離装置を単段にて設置する。
　【００２１】
　高圧型逆浸透膜分離装置は、従来、海水淡水化に用いられている逆浸透膜分離装置であり、標準運転圧力５．５２ＭＰａ以上であり、標準運転圧力において、純水フラックス０．５ｍ３／ｍ２・Ｄ以上、ＮａＣｌ除去率９９．５％（ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ）以上の特性を有する。このＮａＣｌ除去率は、ＮａＣｌ濃度３２０００ｍｇ／ＬのＮａＣｌ水溶液に対する２５℃における除去率である。なお、逆浸透膜のカタログ（技術資料を含む）には、膜メーカーよりスペック表示がなされており、高圧型であるか低圧型又は超低圧型であるかはカタログ値として判別できる。
　【００２２】
　この高圧型逆浸透膜は、従来の超純水製造装置の一次純水システムに用いられている低圧又は超低圧型逆浸透膜に比べて膜表面のスキン層が緻密となっている。そのため、高圧型逆浸透膜は低圧型又は超低圧型逆浸透膜に比べて単位操作圧力当りの膜透過水量は低いものの有機物除去率は極端に高い。ＴＤＳ（全溶解性物質）１５００ｍｇ／Ｌ以下の塩類濃度の給水を逆浸透膜処理する場合においては、回収率９０％時の運転条件下で逆浸透膜にかかる浸透圧は最大１．０ＭＰａ程度である。従って、ＴＤＳ１５００ｍｇ／Ｌ以下の給水の処理に高圧型逆浸透膜分離装置を用いた場合、好ましくは１．５〜３ＭＰａ、特に好ましくは２〜３ＭＰａ程度の膜面有効圧力（１次側と２次側との圧力差）で、低圧型又は超低圧型逆浸透膜と同程度の水量を確保することが可能となる。その結果、１段ＲＯ膜処理のみで従来の２段ＲＯと同等の処理水水質・処理水量を得ることが可能となり、それに伴い膜本数、ベッセル、配管が削減でき低コスト、省スペース化が可能となる。
　【００２３】
　逆浸透膜の膜形状は、特に限定されるものではなく、例えばスパイラル型、中空子型等、４インチＲＯ膜、８インチＲＯ膜、１６インチＲＯ膜などのいずれでもよい。
　【００２４】
　なお、図１では、原水を前処理システムで処理して一次純水システムに供給しているが、この前処理システムと並列に希薄系排水処理システム（図示略）を設置し、この希薄系排水処理システムの処理水も一次純水システムに供給するようにしてもよい。この場合、図１のフローにおいて、一次純水システムの前段にタンクを設置し、このタンクに前処理システムからの処理水と希薄系排水の処理水とを流入させるのが好ましい。
　【実施例】
　【００２５】
＜実験例１＞
　電子デバイス工場排水（電気伝導率１００ｍＳ／ｍ、ＴＤＳ６００ｍｇ／Ｌ、ＴＯＣ１０ｍｇ／Ｌ）を１段のみ設置された高圧型逆浸透膜分離装置（ＲＯ膜はＳＷＣ４＋：日東電工製。運転圧力５．５２ＭＰａにおけるフラックス２４．６ｍ３／ｍ２・Ｄ、ＮａＣｌ除去率９９．８％（ＮａＣｌ３２０００ｍｇ／Ｌ））に回収率７３％の条件で通水した。その結果、透過水のＴＯＣは０．８５ｍｇ／Ｌとなった。膜面有効圧力は２．０ＭＰａであった。
　【００２６】
＜実験例２＞
　実験例１と同じ電子デバイス工場排水を、超低圧ＲＯ膜（ＥＳ−２０：日東電工製）を充填した２段ＲＯ装置に前段ＲＯ回収率７５％、後段ＲＯ回収率９０％、全体水回収率７３％の条件（後段ＲＯ濃縮水は前段ＲＯ給水に合流）で通水した。その結果、第１段目ＲＯ透過水のＴＯＣ濃度は１．３５ｍｇ／Ｌ、第２段目ＲＯ透過水のＴＯＣ濃度は０．９ｍｇ／Ｌとなった。膜面有効圧力は１段目０．５ＭＰａ、２段目０．７５ＭＰａであった。
　【００２７】
　この実験例１，２より、高圧型逆浸透膜分離装置単段通水と超低圧型逆浸透膜分離装置の２段通水とで、同等の水質の透過水が得られることが認められた。また、実験例２において、第１段目ＲＯ透過水のＴＯＣ濃度は１．３５ｍｇ／Ｌと高く、超低圧型逆浸透膜分離装置の単段設置ではＴＯＣ及びＴＤＳの除去が高圧型逆浸透膜分離装置よりも低いことが認められた。
　【００２８】
　そこで、上記高圧型逆浸透膜分離装置を用い、図２に示す既存のフローの超純水製造装置の一次純水システムを図１のように高圧型逆浸透膜分離装置単独設置とし、膜面有効圧力を２．０ＭＰａとして運転したところ、従前（２段ＲＯ。１段目の膜面有効圧力０．５ＭＰａ、２段目の膜面有効圧力０．７５ＭＰａ）と同様の水質の超純水がほぼ同生産水量にて製造されることが認められた。
　【符号の説明】
　【００２９】
　１　前処理システム
　２　一次純水システム
　３　サブシステム
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　一次純水システムと、該一次純水システムの処理水を処理するサブシステムとを備え、少なくとも該一次純水システムに逆浸透膜分離装置が設けられている超純水製造装置において、該一次純水システム
は、高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置を備え、かつ高圧型逆浸透膜分離装置、イオン交換装置及び脱気装置がこの順番で配置されており
膜面有効圧力が１．５〜３ＭＰａであり、
　【請求項２】
　請求項１において、前記高圧型逆浸透膜分離装置は、標準運転圧力５．５２ＭＰａ以上、標準運転圧力における純水フラックス０．５ｍ３／ｍ２・Ｄ以上の特性を有することを特徴とする超純水製造装置。
　【請求項３】
　請求項１又は２において、原水を処理する前処理システムを有し、該前処理システムの処理水が前記一次純水システム及びサブシステムで順次処理される超純水製造装置であって、前記高圧型逆浸透膜分離装置への給水のＴＤＳが１５００ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする超純水製造装置。
　【請求項４】
（削除）