【事件の表示】
　特許第５９８１７２６号発明「発光素子」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９８１７２６号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−７〕について訂正することを認める。
　特許第５９８１７２６号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５９８１７２６号の請求項１−７に係る特許（以下「本件特許」という。）についての特許出願は，特願２０１２−２９０２９号として平成２４年２月１４日（優先権　平成２３年２月１６日）に特許出願され，平成２８年８月５日に特許権の設定の登録がされたものである。
　本件特許について，平成２８年８月３１日に特許掲載公報が発行されたところ，発行の日から６月以内である平成２９年２月２８日に，特許異議申立人　浜俊彦から特許異議の申立てがされた（異議２０１７−７００２０３号）。
　その後の手続の概要は，以下のとおりである。
平成２９年　４月２７日付け：取消理由通知書
平成２９年　７月　６日付け：訂正請求書
（以下，この訂正請求書による訂正の請求を「本件訂正請求」という。）
平成２９年　７月　６日付け：意見書（特許権者）
平成２９年　８月１８日付け：意見書（特許異議申立人）
　
第２　本件訂正請求について
　１　訂正の趣旨及び訂正事項
　(1) 訂正の趣旨
　本件訂正請求の趣旨は，特許第５９８１７２６号の特許請求の範囲を，本訂正請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項１から７について訂正することを求める，というものである。
　
　(2) 訂正事項
　本件訂正請求において特許権者が求める訂正事項は，以下のものである。なお，下線は訂正箇所を示す。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，
「　一対の電極間に，ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し，
　前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発する発光素子。」とあるのを，
「　一対の電極間に，ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し，
　前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発
し，
　前記ホスト材料がＢＡｌｑであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｐｙ）
３
である組み合わせ，
　前記ホスト材料がＢｅｂｑ
２
であり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｈｑ）
２
ａｃａｃである組み合わせ，
　前記ホスト材料が化合物６であり，前記ゲスト材料がＦＩｒｐｉｃである組み合わせ，
【化１】
　及び，前記ホスト材料がＰＶＫ−ＰＢＤであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ＤＰＰＦ）
３
である組み合わせ，
　を除く
　
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項６に，
「　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において，
　前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と，前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内である発光素子。」とあるのを，
「　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において，
　前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と，前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内であ
り，
　前記ホスト材料の三重項励起エネルギーの準位は，前記ゲスト材料の三重項励起エネルギーの準位よりも高い
　
　２　訂正の適否
　以下，本件訂正前の請求項１に係る発明を「訂正前発明１」といい，他の請求項及び訂正後についても同様とする。
　(1) 特許法１２０条の５第４項について
　本件訂正請求は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である〔請求項１−請求項７〕ごとにされたものである。
　したがって，本件訂正請求は，特許法１２０条の５第４項の規定に適合する。
　
　(2) 訂正事項１について
　訂正事項１による訂正により，訂正前発明１から，[A]前記ホスト材料がＢＡｌｑであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｐｙ）３である組み合わせの発明，[B]前記ホスト材料がＢｅｂｑ２であり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃである組み合わせの発明，[C]前記ホスト材料が化合物６（前記１(2)ア）であり，前記ゲスト材料がＦＩｒｐｉｃである組み合わせの発明，及び，[D]前記ホスト材料がＰＶＫ−ＰＢＤであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ＤＰＰＦ）３である組み合わせの発明，の４つの発明が除かれた。
　訂正事項１による訂正は，訂正前発明１に含まれていた発明の一部（上記[A]−[D]の組み合わせの発明）を除いて訂正後発明１とする訂正であるから，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる，「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項１による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更する訂正ではない。
　
　次に，訂正事項１による訂正は，発明の一部を除く訂正にすぎず，訂正前発明１に対して何らかの構成を加えたり，除いたりする訂正ではない（発明を構成する事項においては，訂正前後で変わりがない。）。そうしてみると，訂正事項１による訂正は，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者によって，明細書，特許請求の範囲及び図面の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，訂正事項１による訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてした訂正である。また，請求項１の訂正にともない連動して訂正されることになる，請求項２−請求項７との関係においても，同様である。
　
　(3) 訂正事項２について
　訂正事項２による訂正は，願書に添付した明細書の【００２３】の記載に基づいて，訂正前発明６のホスト材料及びゲスト材料を，「前記ホスト材料の三重項励起エネルギーの準位は，前記ゲスト材料の三重項励起エネルギーの準位よりも高い」という要件を満たすものに限定する訂正である。また，請求項６の訂正にともない連動して訂正されることになる，請求項７との関係においても，同様である。
　したがって，訂正事項２による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書１号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正に該当する。また，訂正事項２による訂正は，願書に添付した願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載された事項の範囲内においてした訂正であり，かつ，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　(4) 特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条４項について
　本件訂正請求において特許権者が求める訂正事項には，願書に添付した明細書又は図面の訂正が含まれない。
　したがって，本件訂正請求による訂正が，特許法１２０条の５第９項で準用する同法１２６条４項の規定に違反することにはならない。
　
　(5) 小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法１２０条の５第２項ただし書の規定に適合するとともに，同法同条９項において準用する同法１２６条４項−６項の規定にも適合する。また，本件訂正請求は，同法１２０条の５第４項の規定にも適合する。
　
第３　本件特許発明及び取消理由の概要
　１　本件特許発明について
　前記「第２」のとおり，本件訂正請求による訂正は，認められることとなった。
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項１−請求項７に係る発明は，本件訂正請求による訂正後の特許請求の範囲の請求項１−請求項７に記載された事項により特定されるとおりの，以下のものである（以下「本件特許発明１」などという。）。
「【請求項１】
　一対の電極間に，ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し，
　前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発し，
　前記ホスト材料がＢＡｌｑであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｐｙ）３である組み合わせ，
　前記ホスト材料がＢｅｂｑ２であり，前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃである組み合わせ，
　前記ホスト材料が化合物６であり，前記ゲスト材料がＦＩｒｐｉｃである組み合わせ，
【化１】
　及び，前記ホスト材料がＰＶＫ−ＰＢＤであり，前記ゲスト材料がＩｒ（ＤＰＰＦ）３である組み合わせ，
　を除く発光素子。
　
【請求項２】
　請求項１において，
　前記吸収帯が，三重項ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収を含む発光素子。
　
【請求項３】
　請求項１又は請求項２において，
　前記発光スペクトルが，蛍光スペクトルである発光素子。
　
【請求項４】
　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において，
　前記ゲスト材料は，有機金属錯体である発光素子。
　
【請求項５】
　請求項４において，
　前記ゲスト材料は，イリジウム錯体である発光素子。
　
【請求項６】
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において，
　前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と，前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内であり，
　前記ホスト材料の三重項励起エネルギーの準位は，前記ゲスト材料の三重項励起エネルギーの準位よりも高い発光素子。
　
【請求項７】
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項において，
　前記吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のモル吸光係数が，５０００Ｍ−１・ｃｍ−１以上である発光素子。」
　
　２　取消理由の概要
　平成２９年４月２７日付けで特許権者に通知した，本件訂正請求による訂正前の本件特許に対する取消理由は，概略，[A]本件特許の請求項１−７に係る発明は，その優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に日本国内又は外国において，頒布された刊行物又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である甲１，甲３，甲４又は甲６に記載された発明であるから，特許法２９条１項３号に該当し，特許を受けることができない，あるいは，[B]本件特許の請求項１−７に係る発明は，その優先日前に日本国内又は外国において，頒布された刊行物又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった引用文献である甲１，甲３，甲４又は甲６に記載された発明に基づいて，その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，同法同条２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　ここで，甲１，甲３，甲４及び甲６は，以下のとおりである。
甲１：H.Yersin編，「Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials」，WILEY-VCH Verlag GmbH Co.，２００８年，１−９７頁，２８３−３０９頁
甲３：Woo Sik Jeon他，「Ideal host and guest system in phosphorescent OLEDs」，Organic Electronics，２００９年，２４０−２４６頁
甲４：Shi-Jian Su他，「RGB Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes by Using Host Materials with Heterocyclic Cores: Effect of Nitrogen Atom Orientations」，Chemistry of Materials，２０１０年１２月２９日，２７４−２８４頁
甲６：Xiong Gong他，「Phosphorescence from iridium complexes doped into polymer blends」，Journal of Applied Physics，２００４年２月１日，９４８−９５３頁
　
第４　甲号証の記載
　１　甲１について
　(1) 甲１の記載
　甲１には，以下の事項が記載されている。
　ア　２８３頁のタイトル
「Energy-Transfer Processes between Phosphorescent Guest and Fluorescent Host Molecules in Phosphorescent OLEDs」
（参考訳：燐光ＯＬＥＤにおける燐光ゲストと蛍光ホスト分子間のエネルギー移動過程）
　
　イ　２８４頁３３−４０行
「Electronic Structure and Energy Transfer in Guest-Host Systems
At first, electronic structure and energy transfer in guest-host systems in phosphorescent OLEDs are described. Figure 8.1 shows the energy-level scheme of singlet excited states(S1), triplet excited states(T1), and singlet ground states(S0) and the energy-transfer and light-emission processes in guest-host systems of the emitting layer in phosphorescent OLEDs. In phosphorescent OLEDs, energy transfers from host donors to guest acceptors by Foerster and/or Dexter mechanisms[9,10] are utilized to tune color and improve emission efficiency.」
(当合議体注：「Foerster」に関して，オー・ウムラウトの代用表記として「oe」を使用する（以下同様。）。また，Figure 8.1は，以下の図である。)
（参考訳：ゲスト−ホスト系における電子構造とエネルギー移動
始めに，燐光ＯＬＥＤ中のゲスト−ホスト系における電子構造とエネルギー移動について述べる。図８．１は，一重項励起状態（Ｓ１），三重項励起状態（Ｔ１）及び一重項基底状態（Ｓ０）のエネルギーレベル図，並びに，燐光ＯＬＥＤ中の発光層のゲスト−ホスト系における発光過程を表している。燐光ＯＬＥＤにおいては，ホストドナーからゲストアクセプターへのフェルスター及び／又はデクスター機構によるエネルギー移動は，色の調整及び発光効率の向上に利用される。）
　
　ウ　３０２頁下から２行−３０３頁９行
「As shown in the gray-shaded area in Fig.8.17(b), the spectral overlap between the fluorescence band of the 1LC states in BAlq and the absorption band of the 3MLCT states in Ir(ppy)3 is much larger than that between the phosphorescence band of the 3MLCT states in Ir(ppy)3 and the absorption band of the 1LC states in BAlq. This indicates that the S1 in BAlq energetically transfers to the T1 in Ir(ppy)3 through Foerster energy transfer. In contrast, Foerster transfer from the T1 in Ir(ppy)3 to the S1 in BAlq seems to be extremely inefficient. Furthermore, the small spectral overlap between the fluorescence band of the 1LC states in BAlq and the absorption band of the 1MLCT states in Ir(ppy)3 suggests that Foerster transfer from the S1 in Alq3 to the S1 in Ir(ppy)3 occurs only weakly.」
（当合議体注：「Alq3」は「BAlq」の誤記である。また，Fig.8.17(b)は，以下の図である。）
（参考訳：図８．１７（ｂ）の灰色の領域に示されるとおり，ＢＡｌｑの 1ＬＣ状態の蛍光帯域と，Ｉｒ（ｐｐｙ）３の 3ＭＬＣＴ状態の吸収帯域とのスペクトルの重なりは，Ｉｒ（ｐｐｙ）３の 3ＭＬＣＴ状態の燐光帯域とＢＡｌｑの 1ＬＣ状態の吸収帯域とのスペクトルの重なりに比べて，非常に大きい。このことは，フェルスター機構によってＢＡｌｑのＳ１からＩｒ（ｐｐｙ）３のＴ１にエネルギー移動が生じることを示している。これに対して，Ｉｒ（ｐｐｙ）３のＴ１からＢＡｌｑのＳ１へのフェルスター機構によるエネルギー移動は極端に非効率的である。さらに，ＢＡｌｑの 1ＬＣ状態の蛍光帯域とＩｒ（ｐｐｙ）３の 1ＭＬＣＴ状態の吸収帯域とのスペクトルの僅かな重なりは，ＢＡｌｑのＳ１からＩｒ（ｐｐｙ）３のＳ１へのフェルスター機構によるエネルギー移動がごく僅かしか発生しないことを示唆している。）
　
　エ　３０２頁のFig8.17(b)の説明
「Absorption and photoluminescence spectra of neat BAlq(solid lines) and neat Ir(ppy)3(broken lines) thin films at 295K.」
（参考訳：ＢＡｌｑ（実線）のみからなる薄膜，及びＩｒ（ｐｐｙ）３（破線）のみからなる薄膜の，２９５Ｋにおける吸収スペクトル及び蛍光スペクトル。）
　
　(2) 甲１記載技術
　前記(1)の記載からみて，甲１には，次の知見（以下「甲１記載技術」という。）が記載されている。
「　ＢＡｌｑの 1ＬＣ状態の蛍光帯域と，Ｉｒ（ｐｐｙ）３の 3ＭＬＣＴ状態の吸収帯域とのスペクトルの重なりは，Ｉｒ（ｐｐｙ）３の 3ＭＬＣＴ状態の燐光帯域とＢＡｌｑの 1ＬＣ状態の吸収帯域とのスペクトルの重なりに比べて，非常に大きいので，
　フェルスター機構によってＢＡｌｑのＳ１からＩｒ（ｐｐｙ）３のＴ１にエネルギー移動が生じる。」
　
　２　甲３について
　(1) 甲３の記載
　甲３には，以下の事項が記載されている。
　ア　２４０頁タイトル
「Ideal host and guest system in phosphorescent OLEDs」
（参考訳：燐光ＯＬＥＤにおける理想的なホスト−ゲスト系）
　
　イ　２４４頁のFig.6.及び説明文
（説明文の参考訳：Ｂｅｂｑ２：Ｉｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃ系における，フェルスター及びデクスターエネルギー移動機構。）
　
　ウ　２４４頁のFig.7.及び説明文
（説明文の参考訳：図７　Ｂｅｂｑ２からの蛍光スペクトルとＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃの吸収スペクトルの重なり。）
　
　エ　２４４頁左欄２１−２５行
「Overlapping of the host emission and dopant absorption spectra substantiates the hypothesis of efficient Foerster energy transfer from the host singlet to the guest emitting triplet states via two channels(Fig.7).」
（参考訳：ホストの発光スペクトルとドーパントの吸収スペクトルの重なりは，２つのルートを経由する，ホストの一重項状態からゲストの発光三重項状態への効率的なフェルスター機構によるエネルギー移動の仮説を実証している（図７）。）
　
　(2) 甲３発明
　前記(1)の記載からみて，甲３には，次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されている。
「　ホストがＢｅｂｑ２，ゲストがＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃである，
　燐光ＯＬＥＤにおけるホスト−ゲスト系。」
　
　３　甲４について
　(1) 甲４の記載
　甲４には，以下の事項が記載されている。
　ア　２７４頁のタイトル
「RGB Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes by Using Host Materials with Heterocyclic Cores: Effect of Nitrogen Atom Orientations」
（参考訳：ヘテロ環核を有するホスト物質を用いた，ＲＧＢ燐光発光有機発光ダイオード：窒素原子配向の影響）
　
　イ　２７６頁左欄１３−１８行
「2,2'-Bis(m-di-p-tolylaminophenyl)-1,1'-biphenyl(3DTAPBP)(30 nm), Firpic(11 wt%):1-7(10nm), and 3,5,3',5'-tetra(m-pyrid-3-yl)phenyl-(1,1')-biphenyl(TmPyPBP)33(40nm) were successively deposited as the HTL, EML, and ETL, respectively, for the blue phosphorescent OLEDs.」
（参考訳：2,2'-ビス(m-(ジ-p-トリルアミノ)フェニル)-1,1'-ビフェニル（３ＤＴＡＰＢＰ）層が３０ｎｍ，ＦＩｒｐｉｃ（１１重量％）及び化合物１−７の共蒸着層が１０ｎｍ，並びに，3,5,3'5'-テトラ(m-ピリジ-3-イル)フェニル-(1,1')ビフェニル（ＴｍＰｙＰＢＰ）層が４０ｎｍ，それぞれ正孔輸送層，発光層及び電子輸送層として，青色燐光ＯＬＥＤのために連続して蒸着された。）
　
　ウ　２７６頁のScheme 1.
（参考訳：図式１　ホスト材料１−７ａの合成経路）
（当合議体注：化合物６は，１−７の化合物の中央の複素環を６のものに替えた物質，すなわち「9-[3-[6-(3-カルバゾール-9-イルフェニル)ピリミジン-4-イル]フェニル]カルバゾール」である。）
　
　エ　２７７頁のFigure 1.
　
　オ　２７７頁左欄１１−１３行
「PL spectrum of 1 peaks at 352, 378, and 400nm. In contrast, PL spectra of 2-7 are structureless and peak at 387, 401, 381, 426, 439, and 421nm, respectively.」
（参考訳：化合物１の蛍光スペクトルは３５２，３７８及び４００ｎｍにピークを有する。これに対して，化合物２−７の蛍光スペクトルには構造がみられず，それぞれ３８７，４０１，３８１，４２６，４３９及び４２１ｎｍにピークを有する。）
　
　(2) 甲４発明
　前記(1)の記載からみて，また，甲４の化合物６の蛍光スペクトルが少なくとも４００−５００ｎｍの範囲に拡がること（Figure 1.）を考慮すると，甲４には，次の発明（以下「甲４発明」という。）が記載されている。
「　ＦＩｒｐｉｃ（１１重量％）及び以下の化合物６の共蒸着層からなる発光層を有する青色燐光ＯＬＥＤであって，
　化合物６の蛍光スペクトルは，少なくとも４００−５００ｎｍの範囲に拡がり，そのピークは４３９ｎｍである，
　青色燐光ＯＬＥＤ。
化合物６：
」
　
　４　甲６について
　(1) 甲６の記載
　甲６には，以下の事項が記載されている。
　ア　９４８頁のタイトル
「Phosphorescence from iridium complexes doped into polymer blends」
（参考訳：ポリマー混合物中にドープされたイリジウム錯体からの燐光）
　
　イ　９４９頁右欄２１−２２行
「The device configuration is (ITO)/PEDOT:PSS/PVK-PBD:Ir(DPPF)3/Ca/Ag.」
（参考訳：素子の構成は，（ＩＴＯ）／ＰＥＤＯＴ及びＰＳＳ／ＰＶＫ−ＰＢＤ及びＩｒ（ＤＰＰＦ）３／Ｃａ／Ａｇである。）
　
　ウ　９５０頁のFIG.4.(a)
　
　エ　９５０頁のFIG.4.(a)の説明
「Absorption and PL spectra of Ir(DPPF)3 and PVK-PBD(40wt%)films」
（参考訳：Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３及びＰＶＫ−ＰＢＤ（４０重量％）フィルムの吸収スペクトル及び蛍光スペクトル）
　
　(2) 甲６発明
　前記(1)の記載からみて，甲６には，次の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されている。
「　ＰＶＫ−ＰＢＤ及びＩｒ（ＤＰＰＦ）３からなる発光層を有し，
　Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３及びＰＶＫ−ＰＢＤ（４０重量％）フィルムの吸収スペクトル及び蛍光スペクトルがFIG.4.(a)のものである，
　素子。
FIG.4.(a)：
」
　
第５　当合議体の判断
　１　甲１について
　(1) 対比
　甲１の２８３頁のタイトル（前記「第４」１(1)ア）からみて，甲１記載技術は，ＢＡｌｑ及びＩｒ（ｐｐｙ）３を，それぞれ燐光ＯＬＥＤにおけるホスト及びゲストとして使用することを前提として得られた知見である。
　そこで，本件特許発明１と甲１記載技術を対比すると，甲１記載技術の「Ｉｒ（ｐｐｙ）３」と本件特許発明１の「ゲスト材料」は，「ゲスト材料」である点で共通する。また，甲１記載技術の「ＢＡｌｑ」と本件特許発明１の「ホスト材料」は，「ホスト材料」である点で共通する。また，燐光ＯＬＥＤは，本件特許発明１の「発光素子」に含まれる。
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲１記載技術は，「発光素子のゲスト材料及びホスト材料」の構成において一致する。
　
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲１記載技術は，以下の点で相違するか，一応相違する。
（相違点１）
　本件特許発明１は，請求項１に記載された事項により特定される，物の発明（発光素子）であるのに対して，甲１記載技術は，ＢＡｌｑをホスト材料，Ｉｒ（ｐｐｙ）３をゲスト材料とした場合に関する技術的な知見である点。
　
（相違点２）
　ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせについて，本件特許発明１からは，ホスト材料がＢＡｌｑであり，ゲスト材料がＩｒ（ｐｐｙ）３である組み合わせが除かれているのに対して，甲１記載技術のホスト材料及びゲスト材料の組み合わせは，この除かれた組み合わせである点。
　
　(3) 判断
（２９条１項３号について）
　本件特許発明１と甲１記載技術は，少なくとも前記相違点２において相違する。したがって，本件特許発明１は，甲１に記載された発明ということができない。
　
（２９条２項について）
　本件特許発明１と甲１記載技術は，前記相違点２において相違する。
　したがって，甲１記載技術に基づいて，本件特許発明１の構成に到るためには，甲１記載技術におけるホスト材料（ＢＡｌｑ）とゲスト材料（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）の組み合わせを，他の組み合わせに変える必要がある。
　ところで，甲１記載技術は，「ホストドナーからゲストアクセプターへのフェルスター及び／又はデクスター機構によるエネルギー移動は，色の調整及び発光効率の向上に利用される」（前記１(1)イ）という技術常識に基づいた知見である。
　そうしてみると，甲１記載技術に接した当業者ならば，「ホストドナーからゲストアクセプターへのフェルスター及び／又はデクスター機構によるエネルギー移動」を考慮して，ホスト材料とゲスト材料の組み合わせを設計するといえる。
　ここで，フェルスター機構（双極子−双極子相互作用）及びデクスター機構（電子交換相互作用）は，当業者における技術常識であり，例えば，甲２（時任他，「有機ＥＬディスプレイ」，株式会社オーム社，平成１６年８月２０日，表紙，６６−９９頁，奥付）には，以下の記載がある。
　ア　７０頁１−１５行
「励起状態の分子Ｈ＊と基底状態の分子Ｇとの間の励起エネルギー移動が双極子−双極子相互作用によって生じる場合を図４．１に示す。このときの速度定数はフェルスターによって定式化され，以下のように表される。
　ここで，νは振動数，ｆ'Ｈ（ν）はホスト分子の発光スペクトルで，規格化されている。εＧ（ν）はゲスト分子の吸収スペクトルで，単位はモル吸光係数，Ｎはアヴォガドロ数，ｎは媒体の屈折率，τ０はホスト分子の自然放射寿命，Ｒはホスト−ゲスト分子間の距離である。Ｋ２はホストの遷移双極子モーメント・ゲストの遷移双極子モーメントの配向を表す係数で，０〜４のあいだの値を取る。ランダムは以降の場合にはＫ２＝２／３である。式（４．６）から明らかなように，大きな速度定数を得るためには以下の条件が満たされることが好ましい。
[1] ホストの発光スペクトルとゲスト分子の吸収スペクトルの重なりが大きい。
[2] ゲスト分子の吸光係数が大きい。
[3] ホスト−ゲスト分子間距離が短い。」
（当合議体注：丸数字の１，２及び３を，それぞれ，[1]，[2]及び[3]で代用表記した。また，図４．１は以下の図である。）
　
　イ　７１頁２−１１行
「　電子交換相互作用によるエネルギー移動の過程を図４．２に示した。ここでは三重項−三重項エネルギー移動の場合を示している。電子交換相互作用を介したエネルギー移動の速度定数はデクスターによって定式化され，以下のように表される。
　ここで，Ｋはエネルギーの次元をもつ定数，Ｒは分子間距離，Ｌは実効分子半径である。また，発光スペクトルと吸収スペクトルはともに規格化されている。したがって，双極子−双極子相互作用の場合とは違って速度定数はゲストの吸収係数に無関係になる。ただし，ここでも発光スペクトルと吸収スペクトルの重なりが大きい方がエネルギー移動の速度は大きくなる。」
（当合議体注：図４．２は以下の図である。）
　
　ウ　７１頁下から４行−７２頁１行
「　以上の理論的な背景に基づき，エネルギー移動を効率的に起こすために必要な材料設計上のガイドラインをまとめてみる。フェルスター機構とデクスター機構の両方の機構に重要な要件は，エネルギードナーであるホスト材料の発光スペクトルとアクセプタである蛍光色素の吸収スペクトルの重なりが大きいことである。」
（当合議体注：甲２は，アクセプタが蛍光色素である場合を論じたものであるが，このガイドラインが燐光ＯＬＥＤにおいても妥当することは，式（４．６）及び式（４．１０）からみて明らかである。）
　
　甲２にも記載があるとおり，技術常識によると，ホスト材料からゲスト材料へのフェルスター及び／又はデクスター機構によるエネルギー移動を効率的に起こすために重要な要件は，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくすることである。
　そうしてみると，甲１記載技術において，ホスト材料とゲスト材料の組み合わせを他の組み合わせに変えようとする当業者は，[A]ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくすることを考慮して，ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択することはあるとしても，[B]ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なることを考慮して，ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択することはないというべきである。
　本件特許発明１と甲１記載技術は，ホスト材料及びゲスト材料を選択するに際しての指針が異なるから，たとえ当業者であっても，本件特許発明１の「前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり」という構成を具備するホスト材料及びゲスト材料の組み合わせに到るということはできない。
　
　なお，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくなるようにホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択したからといって，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なるとは限らない（重なるか否かは，ホスト材料とゲスト材料の組み合わせに依存する。）。
　例えば，本件特許の参考文献として挙げられた特開２０１０−２２２３３１号公報（以下「参考例」という。）には，以下のとおり記載されている。
「【００２４】
　図２に２，７−ジフルオロカルバゾールと無置換カルバゾールの発光スペクトルを示す。図２に示されるように，２，７−ジフルオロカルバゾールでは，無置換カルバゾールと比較して，発光波長が短波長シフトする。したがって，ポリ（ビニル−２，７−ジフルオロカルバゾール）の発光スペクトルとＦＩｒｐｉｃの吸収スペクトルとの重なりが大きく，ホスト材料から発光ドーパントへのエネルギー移動効率がよいため，発光効率が高くなる。」
（当合議体注：図２は以下の図である。）
　また，甲５（Andreas F. Rausch他，「Matrix Effects on the Triplet State of the OLED Emitter Ir(4,6-dFppy)2(pic)(FIrpic): Investigations by High-Resolution Optical Spectroscopy」，Inorganic Chemistry，２００９年，１９２８−１９３７頁）のFigure 1.（１９２９頁）からは，ＦＩｒｐｉｃの吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯は，４５０ｎｍ近傍にあることが看取される。
（当合議体注：Figure 1.は以下の図である。）
　すなわち，この例では，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくなるようにホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択したにもかかわらず，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とは重ならない。
　
　(4) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲１に記載された発明ということができない。また，本件特許発明１は，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　(5) 本件特許発明２−本件特許発明７について
　本件特許発明２−本件特許発明７は，いずれも，前記相違点２に係る本件特許発明１の構成を具備する。したがって，前記(3)と同じ理由により，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲１に記載された発明ということができない。また，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲１に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　２　甲３について
　(1) 対比
　本件特許発明１と甲３発明を対比すると，甲３発明の「ホスト」及び「ゲスト」は，それぞれ本件特許発明１の「ホスト材料」及び「ゲスト材料」に相当する。また，甲３発明の「燐光ＯＬＥＤ」と本件特許発明１の「発光素子」は，「発光素子」の点で共通する。
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲３発明は，「発光素子のゲスト材料及びホスト材料」の構成において一致する。
　
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲３発明は，以下の点で相違するか，一応相違する。
（相違点１）
　本件特許発明１は，請求項１に記載された事項により特定される，物の発明（発光素子）であるのに対して，甲３発明は，Ｂｅｂｑ２をホスト材料，Ｉｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃをゲスト材料としたホスト−ゲスト系である点。
　
（相違点２）
　ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせについて，本件特許発明１からは，ホスト材料がＢｅｂｑ２であり，ゲスト材料がＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃである組み合わせが除かれているのに対して，甲３発明のホスト材料及びゲスト材料の組み合わせは，この除かれた組み合わせである点。
　
　(3) 判断
（２９条１項３号について）
　本件特許発明１と甲３発明は，少なくとも前記相違点２において相違する。したがって，本件特許発明１は，甲３に記載された発明ということができない。
　
（２９条２項について）
　本件特許発明１と甲３発明は，前記相違点２において相違する。
　したがって，甲３発明に基づいて，本件特許発明１の構成に到るためには，甲３発明におけるホスト材料（Ｂｅｂｑ２）とゲスト材料（Ｉｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃ）の組み合わせを，他の組み合わせに変える必要がある。
　ここで，甲３発明は，「燐光ＯＬＥＤにおける理想的なホスト−ゲスト系」（前記「第４」２(1)ア）を，「Ｂｅｂｑ２：Ｉｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃ系における，フェルスター及びデクスターエネルギー移動機構」（前記「第４」２(1)イ）を考慮して，創意工夫してなる発明である。
　そうしてみると，甲３発明において，そのホスト材料（Ｂｅｂｑ２）とゲスト材料（Ｉｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃ）の組み合わせを，他の組み合わせに変えることは予定されていないというべきである。
　仮に，甲３発明のホスト材料とゲスト材料の組み合わせを変えようとする当業者がいたとしても，その当業者が指針とする技術常識は，フェルスター機構及びデクスター機構である。したがって，前記１(3)で述べたのと同様の理由により，甲３発明に基づいて本件特許発明１の構成に到るということはできない。
　
　(4) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲３に記載された発明ということができない。また，本件特許発明１は，甲３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　(5) 本件特許発明２−本件特許発明７について
　本件特許発明２−本件特許発明７は，いずれも，前記相違点２に係る本件特許発明１の構成を具備する。したがって，前記(3)と同じ理由により，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲３に記載された発明ということができない。また，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲３に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　３　甲４について
　(1) 対比
　本件特許発明１と甲４発明を対比する。
　ア　発光層，発光素子
　甲４発明は，「ＦＩｒｐｉｃ（１１重量％）及び以下の化合物６の共蒸着層からなる発光層を有する青色燐光ＯＬＥＤ」である。
化合物６：
　したがって，甲４発明が，陰極及び陽極としての「一対の電極」を具備することは，技術的にみて明らかである。また，甲４発明の「ＦＩｒｐｉｃ」，「化合物６」及び「青色燐光ＯＬＥＤ」が，それぞれ本件特許発明１の「ゲスト材料」，「ホスト材料」及び「発光素子」に相当することも，技術的にみて明らかである。
　
　イ　スペクトルの重なり
　甲４発明において，「化合物６の蛍光スペクトルは，少なくとも４００−５００ｎｍの範囲に拡がり，そのピークは４３９ｎｍである」。また，「ＦＩｒｐｉｃ」の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯は，４５０ｎｍ近傍にある（前記１(3)）。
　したがって，甲４発明は，本件特許発明１の，「前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり」という構成を具備する。また，「前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重な」るからには，「前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発」することとなる。
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲４発明は，次の構成において一致する。
「　一対の電極間に，ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し，
　前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発する，
　発光素子。」
　
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲４発明は，以下の点で相違する。
（相違点１）
　ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせについて，本件特許発明１からは，ホスト材料が化合物６であり，ゲスト材料がＦＩｒｐｉｃである組み合わせが除かれているのに対して，甲４発明のホスト材料及びゲスト材料の組み合わせは，この除かれた組み合わせである点。
　
　(3) 判断
（２９条１項３号について）
　本件特許発明１と甲４発明は，少なくとも前記相違点１において相違する。したがって，本件特許発明１は，甲４に記載された発明ということができない。
　
（２９条２項について）
　本件特許発明１と甲４発明は，前記相違点１において相違する。
　したがって，甲４発明に基づいて，本件特許発明１の構成に到るためには，甲４発明におけるホスト材料（化合物６）とゲスト材料（ＦＩｒｐｉｃ）の組み合わせを，他の組み合わせに変える必要がある。
　しかしながら，甲４には，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なることを考慮して，ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択することは開示されていない。
　そうしてみると，仮に，甲４発明のホスト材料とゲスト材料の組み合わせを変えようとする当業者がいたとしても，本件特許発明１の構成に到るということはできない。
　
　(4) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲４に記載された発明ということができない。また，本件特許発明１は，甲４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　(5) 本件特許発明２−本件特許発明７について
　本件特許発明２−本件特許発明７は，いずれも，前記相違点１に係る本件特許発明１の構成を具備する。したがって，前記(3)と同じ理由により，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲４に記載された発明ということができない。また，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲４に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　４　甲６について
　(1) 対比
　本件特許発明１と甲６発明を対比する。
　ア　発光層，発光素子
　甲６発明は，「ＰＶＫ−ＰＢＤ及びＩｒ（ＤＰＰＦ）３からなる発光層を有する素子」である。
　
　したがって，甲６発明が，陰極及び陽極としての「一対の電極」を具備することは，技術的にみて明らかである。また，甲６発明の「Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３」，「ＰＶＫ−ＰＢＤ」及び「素子」が，それぞれ本件特許発明１の「ゲスト材料」，「ホスト材料」及び「発光素子」に相当することも，技術的にみて明らかである。
　
　イ　スペクトルの重なり
　甲６発明の「ＰＶＫ−ＰＢＤ」の発光スペクトルと，「Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３」の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とは，重なっている。
　したがって，甲６発明は，本件特許発明１の，「前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり」という構成を具備する。そして，「Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３」が燐光発光材料であることは技術常識であるから，「前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発」することとなる。
　
　(2) 一致点及び相違点
　ア　一致点
　本件特許発明１と甲６発明は，次の構成において一致する。
「　一対の電極間に，ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し，
　前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発する，
　発光素子。」
　
　イ　相違点
　本件特許発明１と甲６発明は，以下の点で相違する。
（相違点１）
　ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせについて，本件特許発明１からは，ホスト材料がＰＶＫ−ＰＢＤであり，ゲスト材料がＩｒ（ＤＰＰＦ）３である組み合わせが除かれているのに対して，甲６発明のホスト材料及びゲスト材料の組み合わせは，この除かれた組み合わせである点。
　
　(3) 判断
（２９条１項３号について）
　本件特許発明１と甲６発明は，少なくとも前記相違点１において相違する。したがって，本件特許発明１は，甲６に記載された発明ということができない。
　
（２９条２項について）
　本件特許発明１と甲６発明は，前記相違点１において相違する。
　したがって，甲６発明に基づいて，本件特許発明１の構成に到るためには，甲６発明におけるホスト材料（ＰＶＫ−ＰＢＤ）とゲスト材料（Ｉｒ（ＤＰＰＦ）３）の組み合わせを，他の組み合わせに変える必要がある。
　しかしながら，甲６には，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なることを考慮して，ホスト材料及びゲスト材料の組み合わせを選択することは開示されていない。
　そうしてみると，仮に，甲６発明のホスト材料とゲスト材料の組み合わせを変えようとする当業者がいたとしても，本件特許発明１の構成に到るということはできない。
　
　(4) 小括
　以上のとおりであるから，本件特許発明１は，甲６に記載された発明ということができない。また，本件特許発明１は，甲６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
　(5) 本件特許発明２−本件特許発明７について
　本件特許発明２−本件特許発明７は，いずれも，前記相違点１に係る本件特許発明１の構成を具備する。したがって，前記(3)と同じ理由により，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲６に記載された発明ということができない。また，本件特許発明２−本件特許発明７は，甲６に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるということもできない。
　
第６　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は，概略，[A]ホスト材料のＳ１準位からゲスト材料のＳ１準位又はＴ１準位へのフェルスター機構によるエネルギー移動，及び，ホスト材料のＴ１準位からゲスト材料のＴ１準位へのデクスター機構によるエネルギー移動が，当業者における技術常識であること，[B]甲３に，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりにより，ホスト材料のＳ１準位からゲスト材料のＴ１準位への効率的なエネルギー移動が起こることが記載されていること，及び，[C]甲３に，ホスト材料の発光スペクトルと，ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯が重なっている様子が図示されていることを指摘して，本件特許発明１は，甲３に記載された事項を何ら創意なく特許出願化したものに該当すると主張している（平成２９年８月１８日付け意見書の１頁下から５行−４頁１２行）。
　確かに，燐光発光ＯＬＥＤにおける発光が，ホスト材料のＳ１準位からゲスト材料のＳ１準位又はＴ１準位へのフェルスター機構によるエネルギー移動，及び，ホスト材料のＴ１準位からゲスト材料のＴ１準位へのデクスター機構によるエネルギー移動によって生じることは，技術常識である。また，ホスト材料からゲスト材料へのフェルスター及び／又はデクスター機構によるエネルギー移動を効率的に起こすためには，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくすれば良いことも技術常識である。
　しかしながら，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルの重なりを大きくすることと，ホスト材料の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とを重ねることとは，同一の技術事項ではない。
　特許異議申立人が主張する理由によっては，本件特許発明１の「前記ホスト材料の発光スペクトルと，前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり，前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで，燐光を発」するという技術思想には到らない。
　
第７　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立人が申し立てた特許異議申立の理由によっては，本件特許１−本件特許７を取り消すことはできない。
　また，他に本件特許１−本件特許７を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年９月１４日（２０１７．９．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　一対の電極間に、ゲスト材料及びホスト材料を含む発光層を有し、
　前記ホスト材料の発光スペクトルと、前記ゲスト材料の吸収スペクトルにおいて最も長波長側の吸収帯とが重なり、前記ホスト材料の励起エネルギーが前記ゲスト材料の励起エネルギーに変換されることで、燐光を発
し、
　
前記ホスト材料がＢＡｌｑであり、前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｐｙ）３である組み合わせ、
　
前記ホスト材料がＢｅｂｑ２であり、前記ゲスト材料がＩｒ（ｐｈｑ）２ａｃａｃである組み合わせ、
　
前記ホスト材料が化合物６であり、前記ゲスト材料がＦＩｒｐｉｃである組み合わせ、
　【化１】
　
及び、前記ホスト材料がＰＶＫ−ＰＢＤであり、前記ゲスト材料がＩｒ（ＤＰＰＦ）３である組み合わせ、
　
を除く
　【請求項２】
　請求項１において、
　前記吸収帯が、三重項ＭＬＣＴ遷移に由来する吸収を含む発光素子。
　【請求項３】
　請求項１又は請求項２において、
　前記発光スペクトルが、蛍光スペクトルである発光素子。
　【請求項４】
　請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
　前記ゲスト材料は、有機金属錯体である発光素子。
　【請求項５】
　請求項４において、
　前記ゲスト材料は、イリジウム錯体である発光素子。
　【請求項６】
　請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
　前記発光スペクトルのピークのエネルギー値と、前記吸収スペクトルの最も低エネルギー側の吸収帯のピークのエネルギー値との差が０．３ｅＶ以内であ
り、
　
前記ホスト材料の三重項励起エネルギーの準位は、前記ゲスト材料の三重項励起エネルギーの準位よりも高い
　【請求項７】
　請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
　前記吸収スペクトルの最も長波長側の吸収帯のモル吸光係数が、５０００Ｍ−１・ｃｍ−１以上である発光素子。