(57)【要約】  巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイル（Ｌ１）と、第１コイル（Ｌ１）の巻回軸方向から視て第１コイル（Ｌ１）とほぼ重なるように配置された（引き回された）第２コイル（Ｌ２）と、を有し、第２コイル（Ｌ２）は巻回軸方向に互いに隣接する第１部位（Ｌ２ａ）および第２部位（Ｌ２ｂ）を備え、第１部位（Ｌ２ａ）および第２部位（Ｌ２ｂ）は、流れる電流の方向が互いに逆方向となるように延伸し（折り返されていて）、第１部位（Ｌ２ａ）と第２部位（Ｌ２ｂ）との間にコイル開口が生じている。この構造により、少なくとも２つのコイルの独立性を高めて、Ｑ値などのコイル特性の低下を抑える。
2017026266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイルと、
前記第１コイルの巻回軸方向から視て前記第１コイルとほぼ重なるように配置された第２コイルと、
を有し、
前記第２コイルは前記巻回軸方向に互いに隣接する第１部位および第２部位を備え、
前記第１部位および前記第２部位は、流れる電流の方向が互いに逆方向となるように延伸し、前記第１部位と前記第２部位との間にコイル開口が生じていることを特徴とする、コイルデバイス。
【請求項２】
第１端子および第２端子を備え、
前記第２コイルの第１端は前記第１コイルの第２端に接続され、
前記第１コイルの第１端は前記第１端子に接続され、
前記第２コイルの第２端は前記第２端子に接続される、
請求項１に記載のコイルデバイス。
【請求項３】
第１端子、第２端子および第３端子を備え、
前記第１コイルは、トランスの一次コイル部および二次コイル部を構成し、
前記一次コイル部の第１端は前記第１端子に接続され、
前記一次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、
前記二次コイル部の第１端は前記第２コイルの第１端に接続され、
前記二次コイル部の第２端は前記第３端子に接続された、
請求項１に記載のコイルデバイス。
【請求項４】
第１端子、第２端子および第３端子を備え、
前記第１コイルは、トランスの一次コイル部および二次コイル部を構成し、
前記一次コイル部の第１端は前記第１端子に接続され、
前記一次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、
前記二次コイル部の第１端は前記第２端子に接続され、
前記二次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、
前記第２コイルの第１端は前記第２端子に接続され、
前記第２コイルの第２端は前記第１端子に接続された、
請求項１に記載のコイルデバイス。
【請求項５】
第４端子を更に備え、
前記第１コイルの第２端は前記第４端子に接続される、請求項２に記載のコイルデバイス。
【請求項６】
複数の基材層を積層してなる積層体を備え、
前記第１コイルおよび前記第２コイルは前記積層体内に、前記積層の方向に重ねて配置される、請求項１から５のいずれかに記載のコイルデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタンス素子、インピーダンス変換回路、電圧変換回路等に用いられるコイルデバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インピーダンス変換回路や電圧変換回路などとして、各種電子回路にトランスが用いられる。回路基板に実装される小型の電子部品としてのトランスは、しばしば、複数の基材層を積層してなる多層基板にコイルを内蔵した表面実装部品として構成される（例えば特許文献１参照）。【０００３】
近年、携帯電話端末に代表される携帯電子機器には、小型・薄型化が求められ、また、高機能化にともなう部品点数の増加による高密度実装化も求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５５０５５８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
コイルを内蔵する多層基板に、例えば整合用のインダクタンス素子、共振回路用のインダクタンス素子等を付加するため、トランス用コイル（「トランスコイル」）以外に他のコイルを追加することが考えられる。【０００６】
しかし、トランスコイルを内蔵した多層基板に他のコイルをさらに内蔵しようとすると、トランスコイルと他のコイルとが不要結合する場合がある。不要結合しないようにするためには、トランスコイルと他のコイルとを離して多層基板内に配置することが考えられるが、多層基板が大型化してしまうという課題がある。また、トランスコイルと他のコイルの磁束の向きが揃わないように配置したり、トランスコイルと他のコイルとの間にシールド用部材を設けたりすることも考えられるが、コイルのＱ値が低下してしまうという課題がある。【０００７】
上述の課題はトランスコイルと他のコイルとを備える装置に限らず、機能の異なる少なくとも２つのコイルを備えるコイルデバイスに共通の課題である。【０００８】
本発明の目的は、大型化を抑え、少なくとも２つのコイルの独立性を高めて、Ｑ値などのコイル特性の低下を抑えたコイルデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のコイルデバイスは次のように構成される。【００１０】
（１）巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイルと、前記第１コイルの巻回軸方向から視て前記第１コイルとほぼ重なるように配置された（引き回された）第２コイルとを有し、
前記第２コイルは前記巻回軸方向に互いに隣接する第１部位および第２部位を備え、
前記第１部位および前記第２部位は、流れる電流の方向が互いに逆方向となるように延伸し（折り返されていて）、前記第１部位と前記第２部位との間にコイル開口が生じていることを特徴とする。【００１１】
上記構成により、第１コイルのコイル開口が第２コイルで遮られず、第１コイルのＱ値の低下は抑えられる。また、第２コイルのコイル開口と第１コイルのコイル開口とはほぼ直交するので、第１コイルと第２コイルは独立したコイルとして用いることができる。【００１２】
（２）上記（１）において、第１端子および第２端子を備え、前記第２コイルの第１端は前記第１コイルの第２端に接続され、前記第１コイルの第１端は前記第１端子に接続され、前記第２コイルの第２端は前記第２端子に接続される構成であることが好ましい。これにより、直列接続された第１コイルと第２コイルとを含み、２つの端子を備えたコイルデバイスとして用いることができる。【００１３】
（３）上記（１）において、  第１端子、第２端子および第３端子を備え、前記第１コイルは、トランスの一次コイル部および二次コイル部を構成し、前記一次コイル部の第１端は前記第１端子に接続され、前記一次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、前記二次コイル部の第１端は前記第２コイルの第１端に接続され、前記二次コイル部の第２端は前記第３端子に接続された構成であることが好ましい。これにより、第１コイルでトランスが構成され、トランスの二次コイル部に、トランスとは磁気的には不要結合しない独立した第２コイルが直列接続されたコイルデバイスとして用いることができる。【００１４】
（４）上記（１）において、第１端子、第２端子および第３端子を備え、前記第１コイルは、トランスの一次コイル部および二次コイル部を構成し、前記一次コイル部の第１端は前記第１端子に接続され、前記一次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、前記二次コイル部の第１端は前記第２端子に接続され、前記二次コイル部の第２端は前記第３端子に接続され、前記第２コイルの第１端は前記第２端子に接続され、前記第２コイルの第２端は前記第１端子に接続された、構成であることが好ましい。これにより、第１端子−第３端子間に一次コイル、第２端子−第３端子間に二次コイルが接続されたトランスと、第１端子−第２端子間に接続された第２コイルとを備えるコイルデバイスとして用いることができる。【００１５】
（５）上記（２）において、第４端子を更に備え、前記第１コイルの第２端は前記第４端子に接続される構成であることが好ましい。これにより、第１端子−第４端子間に接続された第１コイルと、第２端子−第４端子間に接続された第２コイルを含むコイルデバイスとして用いることができる。【００１６】
（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、複数の基材層を積層してなる積層体を備え、前記第１コイルおよび前記第２コイルは前記積層体内に、前記積層の方向に重ねて配置される構成であることが好ましい。これにより、第１コイルが構成される複数の基材層と第２コイルが構成される複数の基材層とを積層するだけで、第１コイルと第２コイルが積層体に配置されるので、回路基板等へ実装する際の占有面積に小さなコイルデバイスが得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、大型化を抑え、少なくとも２つのコイルの独立性を高めて、Ｑ値などのコイル特性の低下を抑えたコイルデバイスが得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は第１の実施形態に係るコイルデバイス１０１の斜視図である。
【図２】図２はコイルデバイス１０１の各基材層に形成された導体パターンを示す分解平面図である。
【図３】図３はコイルデバイス１０１の各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。
【図４】図４はコイルデバイス１０１の回路図である。
【図５】図５は第２の実施形態に係るコイルデバイス１０２の各基材層に形成された導体パターンを示す分解平面図である。
【図６】図６はコイルデバイス１０２の回路図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は第３の実施形態に係るコイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂの各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。
【図８】図８はコイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂの回路図である。
【図９】図９は第４の実施形態に係るコイルデバイス１０４の各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。
【図１０】図１０はコイルデバイス１０４の回路図である。
【図１１】図１１は第５の実施形態に係るコイルデバイス１０５の各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００２０】
《第１の実施形態》
第１の実施形態では、トランスを構成する第１コイルと、このトランスの二次コイルに直列接続された第２コイルとを備えるコイルデバイス１０１について示す。このコイルデバイス１０１は、例えばインダクタンス素子、インピーダンス変換回路、電圧変換回路等に用いられる。
【００２１】
図１は第１の実施形態に係るコイルデバイス１０１の斜視図である。図２は各基材層に形成された導体パターンを示す分解平面図であり、図３は各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。但し、図３においては、導体パターンが形成されている基材層は除き、且つ積層方向に引き延ばして（誇張して）図示している。また、図３において最上層の導体パターンは図示を省略している。図４はコイルデバイス１０１の回路図である。
【００２２】
図４に示すように、第１コイルＬ１は、トランスＴの一次コイル部Ｌ１１および二次コイル部Ｌ１２を構成し、一次コイル部Ｌ１１の第１端Ｅ１１ａは第１端子Ｐ１に接続され、一次コイル部Ｌ１１の第２端Ｅ１１ｂは第３端子Ｐｇに接続され、二次コイル部Ｌ１２の第１端Ｅ１２ａは第２コイルＬ２の第１端Ｅ２ａに接続され、二次コイル部Ｌ１２の第２端Ｅ１２ｂは第３端子Ｐｇに接続される。第２コイルＬ２の第２端Ｅ２ｂは第２端子Ｐ２に接続される。
【００２３】
コイルデバイス１０１は、複数の基材層を積層してなる積層体を備え、この積層体内に第１コイルおよび第２コイルが、基材層の積層方向に重ねて配置され。直方体状の積層体の外面には、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、第３端子Ｐｇ、実装用空き端子Ｐｎがそれぞれ形成されている。第３端子Ｐｇは例えばグランド端子、第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２は入出力端子として用いられる。
【００２４】
図２に示すように、基材層Ｓ１〜Ｓ１１の上面にそれぞれ導体パターンが形成されている。図２において基材層Ｓ１（Ｂ）は基材層Ｓ１の裏面である。図２において層間接続導体（ビア導体）を破線で表している。基材層Ｓ１〜Ｓ４に形成される導体パターンＬ１１ａ，Ｌ１１ｂ，Ｌ１１ｃ，Ｌ１１ｄおよび複数の層間接続導体によって、約３．７５ターンの一次コイル部Ｌ１１が形成される。また、基材層Ｓ８〜Ｓ５に形成される導体パターンＬ１２ａ，Ｌ１２ｂ，Ｌ１２ｃ，Ｌ１２ｄおよび複数の層間接続導体によって、ほぼ３．７５ターンの二次コイル部Ｌ１２が形成される。一次コイル部Ｌ１１の導体パターンＬ１１ａ〜Ｌ１１ｄおよび二次コイル部Ｌ１２の導体パターンＬ１２ａ〜Ｌ１２ｄは１つの矩形状の経路に沿って周回し、一次コイル部Ｌ１１と二次コイル部Ｌ１２とは巻回軸が一致している。この一次コイル部Ｌ１１はトランスのＴの一次コイルとして作用し、二次コイル部Ｌ１２はトランスＴの二次コイルとして作用する。
【００２５】
基材層Ｓ９，Ｓ１０には、導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂがそれぞれ形成されている。導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂおよび層間接続導体によって第２コイルＬ２が構成される。導体パターンＬ２ａは第２コイルＬ２の第１部位であり、導体パターンＬ２ｂは第２コイルＬ２の第２部位である。
【００２６】
第２コイルＬ２は、第１コイルＬ１の巻回軸方向から視て第１コイルＬ１とほぼ重なるように配置されている（引き回されている）。したがって、第１コイルＬ１のコイル開口は第２コイルＬ２で遮られず、そのため、第１コイルのＱ値の低下は抑えられる。
【００２７】
第１部位（Ｌ２ａ）および第２部位（Ｌ２ｂ）は、流れる電流の方向が互いに逆方向となるように延伸している（折り返されている）。そのため、第１部位（Ｌ２ａ）と第２部位（Ｌ２ｂ）との間に生じる隙間が第２コイルＬ２のコイル開口である。図３の磁束φ２は、この第２コイルＬ２のコイル開口を通る磁束を表している。一方、第１コイルＬ１のコイル開口は上記巻回軸ＡＸ方向に開いている。したがって、第１コイルＬ１のコイル開口を通る磁束φ１と、第２コイルＬ２のコイル開口を通る磁束φ２とは直交関係にあり、互いに殆ど磁界結合しない。すなわち、第１コイルＬ１は、第２コイルＬ２の開口を遮らない。そのため、第２コイルのＱ値の低下も抑えられる。
【００２８】
また、導体パターンＬ１２ａとＬ２ａについては磁束の向きが逆であり、導体パターンＬ１２ａとＬ２ｂについては磁束の向きが同じであるため、全体で見た時に導体パターンＬ１２ａと導体パターン（Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ）との磁界結合は弱い。
【００２９】
また、第１コイルの導体パターンのうち第２コイルに隣接する導体パターンＬ１２ａと、第２コイルの導体パターンのうち第１コイルに隣接する導体パターンＬ２ａとの関係についても、流れる電流の方向が互いに逆方向になるように延伸している（折り返されている）。したがって、導体パターンＬ１２ａと導体パターンＬ２ａとの電界結合は弱い。
【００３０】
以上に述べた作用により、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは磁気的にも電気的にも実質的に独立したコイルとして作用する。
【００３１】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、トランスを構成する第１コイルと、このトランスの一次コイルと二次コイルとの間に接続された第２コイルと、を備えるコイルデバイスについて示す。
【００３２】
図５は第２の実施形態に係るコイルデバイス１０２の各基材層に形成された導体パターンを示す分解平面図である。外観は第１の実施形態で図１に示したものと同じである。図６はコイルデバイス１０２の回路図である。
【００３３】
図６に示すように、第１コイルＬ１は、トランスＴの一次コイル部Ｌ１１および二次コイル部Ｌ１２を構成し、一次コイル部Ｌ１１の第１端Ｅ１１ａは第１端子Ｐ１に接続され、一次コイル部Ｌ１１の第２端Ｅ１１ｂは第３端子Ｐｇに接続され、二次コイル部Ｌ１２の第１端Ｅ１２ａは第２コイルＬ２の第１端Ｅ２ａに接続され、二次コイル部Ｌ１２の第２端Ｅ１２ｂは第３端子Ｐｇに接続される。第２コイルＬ２の第２端Ｅ２ｂは第１端子Ｐ１に接続される。
【００３４】
図５に示すように、基材層Ｓ１〜Ｓ１２の上面にそれぞれ導体パターンが形成されている。図５において基材層Ｓ１（Ｂ）は基材層Ｓ１の裏面である。図５において層間接続導体（ビア導体）を破線で表している。基材層Ｓ１〜Ｓ４に形成される導体パターンＬ１１ａ，Ｌ１１ｂ，Ｌ１１ｃ，Ｌ１１ｄおよび複数の層間接続導体によって、約３．７５ターンの一次コイル部Ｌ１１が形成される。また、基材層Ｓ８〜Ｓ５に形成される導体パターンＬ１２ａ，Ｌ１２ｂ，Ｌ１２ｃ，Ｌ１２ｄおよび複数の層間接続導体によって、ほぼ３．７５ターンの二次コイル部Ｌ１２が形成される。一次コイル部Ｌ１１の導体パターンＬ１１ａ〜Ｌ１１ｄおよび二次コイル部Ｌ１２の導体パターンＬ１２ａ〜Ｌ１２ｄは１つの矩形状の経路に沿って周回し、一次コイル部Ｌ１１と二次コイル部Ｌ１２とは巻回軸が一致している。この一次コイル部Ｌ１１はトランスのＴの一次コイルとして作用し、二次コイル部Ｌ１２はトランスＴの二次コイルとして作用する。
【００３５】
基材層Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１１には、導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃがそれぞれ形成されている。導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃおよび層間接続導体によって第２コイルＬ２が構成される。導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｃは第２コイルＬ２の第１部位であり、導体パターンＬ２ｂは第２コイルＬ２の第２部位である。
【００３６】
第１の実施形態のコイルデバイス１０１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが近接しているにも拘わらず、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２のＱ値の低下は抑えられる。また、第１の実施形態のコイルデバイス１０１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは磁気的にも電気的にも実質的に独立したコイルとして作用する。
【００３７】
本実施形態によれば、相対的に高い周波数帯の信号は、図６に示したトランスＴでインピーダンス変換され、相対的に低い周波数帯の信号は第２コイルＬ２をバイパスして通過する。
【００３８】
なお、第２コイルＬ２と第１コイルＬ１との結合係数を極力小さくするためには、第２コイルＬ２を構成する導体パターンの数（導体パターン形成層数）が偶数であることが好ましいが、本実施形態の図５に示したように、奇数（導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃの３つ）であってもよい。
【００３９】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２を備え、この第１端子Ｐ１と第２端子Ｐ２との間に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との直列接続回路が設けられたコイルデバイスについて示す。
【００４０】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）は第３の実施形態に係るコイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂの各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。但し、図７（Ａ）、図７（Ｂ）においては、導体パターンが形成されている基材層は除いて図示している。また、図７（Ａ）、図７（Ｂ）においては、各導体パターンの線幅を細く表している。図８はコイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂの回路図である。
【００４１】
図８に示すように、第２コイルＬ２の第１端Ｅ２ａは第１コイルＬ１の第２端Ｅ１ｂに接続され、第１コイルＬ１の第１端Ｅ１ａは第１端子Ｐ１に接続され、第２コイルＬ２の第２端Ｅ２ｂは第２端子Ｐ２に接続される。
【００４２】
コイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂは、複数の基材層を積層してなる積層体を備え、この積層体内に第１コイルＬ１および第２コイルＬ２が、基材層の積層方向に重ねて配置され、積層体の外面に第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２がそれぞれ形成されている。
【００４３】
導体パターンＬ１１ａ〜Ｌ１１ｈおよびそれらを接続する複数の層間接続導体によって、約７．５ターンの第１コイルＬ１が形成される。また、導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂおよびそれらを接続する層間接続導体によって第２コイルＬ２が構成される。導体パターンＬ２ａは第２コイルＬ２の第１部位であり、導体パターンＬ２ｂは第２コイルＬ２の第２部位である。
【００４４】
コイルデバイス１０３Ａとコイルデバイス１０３Ｂとは、第２コイルＬ２の平面視でのパターンが異なる。コイルデバイス１０３Ａでは、第２コイルＬ２の第１部位Ｌ２ａおよび第２部位Ｌ２ｂに、Ｘ方向に延伸する２辺、Ｙ方向に延伸する２辺をそれぞれ有する。これに対し、コイルデバイス１０３Ｂでは、第２コイルＬ２の第１部位Ｌ２ａおよび第２部位Ｌ２ｂに、Ｘ方向に延伸する１辺、Ｙ方向に延伸する２辺をそれぞれ有する。
【００４５】
図７（Ａ）に示すように、第２コイルＬ２のコイル開口を通る磁束φ２ｙ１，φ２ｙ２の方向は互いに逆であるので、磁束φ２ｙ１，φ２ｙ２はある程度相殺される。そのため、第２コイルの第１部位Ｌ２ａおよび第２部位Ｌ２ｂの全経路長が長い割には高いインダクタンスを得にくい。
【００４６】
図７（Ｂ）のコイルデバイス１０３Ｂでは、長手方向であるＸ方向に延伸する辺は１辺であるので、上記相殺は無い。なお、第２コイルＬ２のコイル開口を通る磁束φ２ｘ１，φ２ｘ２の方向は互いに逆であるが、Ｙ方向に延伸する２つの辺は比較的離れているので、磁束φ２ｘ１，φ２ｘ２の相殺は少ない。したがって、コイルデバイス１０３Ｂにおいては、第１部位Ｌ２ａおよび第２部位Ｌ２ｂの全経路長が短い割には高いインダクタンスが得られる。
【００４７】
本実施形態によれば、第１の実施形態のコイルデバイス１０１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とが近接しているにも拘わらず、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２のＱ値の低下は抑えられる。また、第１の実施形態のコイルデバイス１０１と同様に、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは磁気的にも電気的にも実質的に独立したコイルとして作用する。
【００４８】
本実施形態のコイルデバイス１０３Ａ，１０３Ｂは、第１コイルＬ１による磁束φ１の方向と第２コイルＬ２による磁束φ２（φ２ｘ１，φ２ｘ２，φ２ｙ１，φ２ｙ２）の方向とが異なる（直交している）ので、２方向の指向性を有するアンテナとして用いることができる。例えば、ＮＦＣ（Near Field Communication）用のＨＦ帯アンテナとして用いることができる。
【００４９】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２および第４端子Ｐｃを備え、第１端子Ｐ１と第４端子Ｐｃとの間に、第１コイルＬ１が設けられ、第２端子Ｐ２と第４端子Ｐｃとの間に、第２コイルＬ２が設けられたコイルデバイスについて示す。
【００５０】
図９は第４の実施形態に係るコイルデバイス１０４の各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。但し、図９においては、導体パターンが形成されている基材層は除いて図示している。また、図９においては、各導体パターンの線幅を細く表している。図１０はコイルデバイス１０４の回路図である。
【００５１】
図１０に示すように、第２コイルＬ２の第１端Ｅ２ａは第１コイルＬ１の第２端Ｅ１ｂに接続され、第１コイルＬ１の第１端Ｅ１ａは第１端子Ｐ１に接続され、第２コイルＬ２の第２端Ｅ２ｂは第２端子Ｐ２に接続される。また、第１コイルＬ１の第２端Ｅ１ｂは第４端子Ｐｃに接続される。
【００５２】
コイルデバイス１０４は、複数の基材層を積層してなる積層体を備え、この積層体内に第１コイルＬ１および第２コイルＬ２が、基材層の積層方向に重ねて配置され、積層体の外面に第１端子Ｐ１、第２端子Ｐ２、第４端子Ｐｃがそれぞれ形成されている。
【００５３】
導体パターンＬ１１ａ〜Ｌ１１ｈおよびそれらを接続する複数の層間接続導体によって、約７．５ターンの第１コイルＬ１が形成される。また、導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂおよびそれらを接続する層間接続導体によって第２コイルＬ２が構成される。導体パターンＬ２ａは第２コイルＬ２の第１部位であり、導体パターンＬ２ｂは第２コイルＬ２の第２部位である。第３の実施形態のコイルデバイス１０３Ａとは、第４端子Ｐｃを備える点で異なる。
【００５４】
本実施形態によれば、電気的、磁気的に独立した第１コイルＬ１および第２コイルＬ２を、例えば第４端子Ｐｃを共通端子として用いることができる。
【００５５】
《第５の実施形態》
第５の実施形態では、第２コイルを構成する導体パターンの層数が３層以上である例について示す。
【００５６】
図１１は第５の実施形態に係るコイルデバイス１０５の各基材層に形成された導体パターンの斜視図である。但し、図１１においては、導体パターンが形成されている基材層は除いて図示している。また、図１１においては、各導体パターンの線幅を細く表している。
【００５７】
コイルデバイス１０５は、複数の基材層を積層してなる積層体を備え、この積層体内に第１コイルＬ１および第２コイルＬ２が、基材層の積層方向に重ねて配置され、積層体の外面に第１端子Ｐ１および第２端子Ｐ２が形成されている。
【００５８】
第３の実施形態で図７（Ａ）に示したコイルデバイス１０３Ａとは異なり、導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ，Ｌ２ｄが順に積層配置されている。これら導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ，Ｌ２ｄおよびそれらを接続する層間接続導体によって第２コイルＬ２が構成される。導体パターンＬ２ａ，Ｌ２ｃは第２コイルＬ２の第１部位であり、導体パターンＬ２ｂ，Ｌ２ｄは第２コイルＬ２の第２部位である。
【００５９】
本実施形態のように、複数の第１部位および複数の第２部位を有する第２コイルＬ２を設けても、第１コイルＬ１および第２コイルＬ２のＱ値の低下は抑えられる。また、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは磁気的にも電気的にも実質的に独立したコイルとして作用する。
【００６０】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。例えば、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。例えば、図２等に示した実施形態では、異なる基材層に形成された導体パターンを、基材層を貫通する層間接続導体によって接続する例を示したが、層間接続導体は、積層体の端面に形成されてもよい。
【符号の説明】
【００６１】
Ｅ１１ａ…一次コイル部の第１端
Ｅ１１ｂ…一次コイル部の第２端
Ｅ１２ａ…二次コイル部の第１端
Ｅ１２ｂ…二次コイル部の第２端
Ｅ１ａ…第１コイルの第１端
Ｅ１ｂ…第１コイルの第２端
Ｅ２ａ…第２コイルの第１端
Ｅ２ｂ…第２コイルの第２端
Ｌ１…第１コイル
Ｌ１１…一次コイル部
Ｌ１１ａ，Ｌ１１ｂ，Ｌ１１ｃ，Ｌ１１ｄ…導体パターン
Ｌ１２…二次コイル部
Ｌ１２ａ，Ｌ１２ｂ，Ｌ１２ｃ，Ｌ１２ｄ…導体パターン
Ｌ２…第２コイル
Ｌ２ａ，Ｌ２ｃ…第１部位の導体パターン
Ｌ２ｂ，Ｌ２ｄ…第２部位の導体パターン
Ｐ１…第１端子
Ｐ２…第２端子
Ｐｇ…第３端子
Ｐｃ…第４端子
Ｐｎ…空き端子
Ｓ１〜Ｓ１２…基材層
Ｔ…トランス
１０１，１０２…コイルデバイス
１０３Ａ，１０３Ｂ…コイルデバイス
１０４，１０５…コイルデバイス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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