(57)【要約】      （修正有）【課題】処理チャンバ内でプラズマ洗浄することのできる基板キャリアを提供する。【解決手段】フレーム本体３０２の基板ロード側３１２は、プラズマ源及びガス送出管から離れて対向している。フレーム本体３０２は、内部に長方形の内側開口部３０４のフレームを構成する４つの部分を有する。フレーム本体３０２は、基板ロード側３１２に形成された段差３０８を有する。段差３０８は、内側開口部３０４から垂直壁部３０６まで延びている。複数の接触パッドを、段差３０８上のフレーム本体３０２に取り付けることができる。接触パッドは、ポリテトラフルオロエチレンで形成することができる。垂直壁部３０６は、基板よりも大きなサイズを有する長方形形状を形成し、内側開口部３０４は、基板よりも小さなサイズであり、これによって基板の外縁部は、段差３０８上の複数の接触パッド上に載置される。【選択図】図３Ａ
0003199312.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
フレーム本体を内部に受け入れ支持するように構成されたフレーム本体であって、基板をフレーム本体に固定するための複数のクランプを含むフレーム本体と、
フレーム本体に取り付けられたレールであって、上部レールが着磁可能材料を含み、フレーム本体及びレールの外面はプラズマ適合性材料を含む基板キャリア。
【請求項２】
フレーム本体は、上部、下部、及び内部に長方形の内側開口部のフレームを構成する２つの側部を含み、フレーム本体は、片面に段差が形成されている請求項１記載の基板キャリア。
【請求項３】
段差上に配置され、運転中に基板に接触する複数の接触パッドを含む請求項２記載の基板キャリア。
【請求項４】
フレーム本体上に配置された複数のクランプを含み、複数のクランプの各々は、段差に対して基板にバイアスを掛けるように配置されている請求項２記載の基板キャリア。
【請求項５】
フレーム本体の上部にレールを結合する複数のコネクタを含む請求項２記載の基板キャリア。
【請求項６】
フレーム本体は、プラズマ適合性材料のコーティングを含む請求項１記載の基板キャリア。
【請求項７】
レールの着磁可能材料は、プラズマ適合性材料内に封入されている請求項１記載の基板キャリア。
【請求項８】
プラズマ適合性材料は、アルミニウム、セラミックス、又はテフロン（商標名）を含む請求項１記載の基板キャリア。
【請求項９】
フレーム本体の下部に取り付けられた下縁部を含み、下縁部は、基板キャリアを移動させるための駆動機構と相互作用するように成形されている請求項２記載の基板キャリア。
【請求項１０】
大面積基板を処理するための装置であって、
内部容積を画定するチャンバ本体と、
内部容積を第１処理領域と第２処理領域に分割する内部容積の中央領域近傍に配置されたプラズマ源と、
基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第１処理領域の下部に配置された第１リニアローラトラックと、
第１リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第１磁気レールと、
第１処理領域内に移動自在に配置され、第１リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する第１バッキングプレートと、
基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第２処理領域の下部に配置された第２リニアローラトラックと、
第２リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第２磁気レールと、
第２処理領域内に移動自在に配置され、第２リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する第２バッキングプレートを含む装置。
【請求項１１】
第１及び第２リニアローラトラックの各々は、アルミニウム、セラミックス、又はテフロン（商標名）のコーティングを含む複数のローラを含む請求項１０記載の装置。
【請求項１２】
バッキングプレートの各々は、アルミニウム、セラミックス、又はテフロン（商標名）のコーティングを含む請求項１０記載の装置。
【請求項１３】
大面積基板を処理するシステムレイアウトであって、
第１ロードロックチャンバと、
第２ロードロックチャンバと、
第１ロードロックチャンバに移動自在に取り付けられた第１ロード／アンロードキャリッジと、
第２ロードロックチャンバに移動自在に取り付けられた第２ロード／アンロードキャリッジと、
第１及び第２ロードロックチャンバに結合されたデュアル処理チャンバであって、デュアル処理チャンバは、
内部容積を画定するチャンバ本体と、
内部容積を第１処理領域と第２処理領域に分割する内部容積の中央領域近傍に配置されたプラズマ源と、
基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第１処理領域の下部に配置された第１リニアローラトラックと、
第１リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第１磁気レールと、
第１処理領域内に移動自在に配置され、第１リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する第１バッキングプレートと、
基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第２処理領域の下部に配置された第２リニアローラトラックと、
第２リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第２磁気レールと、
第２処理領域内に移動自在に配置され、第２リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する第２バッキングプレートを含むデュアル処理チャンバを含み、
第１ロードロックチャンバは、デュアル処理チャンバの第１リニアローラトラックに基板キャリアをロード及びアンロードするように構成されており、第２ロードロックチャンバは、デュアル処理チャンバの第２リニアローラトラックに基板キャリアをロード及びアンロードするように構成されているシステムレイアウト。
【請求項１４】
１以上の大面積基板を鉛直方向の姿勢で処理するように構成された処理チャンバ内で基板無しの基板キャリアを受け取る工程と、
基板キャリアと処理チャンバの内面とを洗浄するために処理チャンバ内に洗浄プラズマを発生させる工程を含むプラズマ洗浄方法。
【請求項１５】
基板キャリアは、プラズマ適合性材料のコーティングを含む請求項１４記載の方法。
【考案の詳細な説明】
【考案の背景】
【０００１】
（考案の分野）
本考案の実施形態は、概して、大面積基板を処理するための装置及び方法に関する。特に、本考案の実施形態は、大面積基板処理チャンバ内で基板キャリア及びコンポーネントを洗浄（クリーニング）するための装置及び方法に関する。
【０００２】
（関連技術の説明）
フラットパネルディスプレイ及び太陽電池パネルの製造は、通常、大面積基板上に薄膜を堆積させることを含む。薄膜は、化学前駆体が処理チャンバに導入され、所定の化合物又は材料を形成するように化学的に反応させ、処理チャンバ内に配置された基板上に堆積させる化学気相蒸着処理によって堆積させることができる。基板キャリアは、処理中に大面積基板を支持し、処理チャンバの内外に大面積基板を搬送する際に、時々使用される。堆積処理中、化学前駆体は、大面積基板に加えて、基板キャリア及びチャンバコンポーネント上で、反応して薄膜を形成する可能性がある。基板キャリア及びチャンバコンポーネント上での薄膜形成は、粒子汚染を引き起こす可能性がある。粒子汚染は、プラズマでチャンバコンポーネントを洗浄することによって低減させることができる。大面積基板を支持してハンドリングするための大面積基板及びチャンバコンポーネント用の従来の基板キャリアは、通常、大面積基板を支持するための構造的強度を得るために、ステンレス鋼で形成される。しかしながら、ステンレス鋼は、洗浄プラズマに対して適合性がない。その結果、大面積基板用の従来の基板キャリア及び処理チャンバは、チャンバを開放して手作業で洗浄を行う必要があり、長期のシステムのダウンタイムを生じる可能性がある。従って、大面積基板を処理するための基板キャリア及びチャンバコンポーネントの洗浄に対するニーズがある。
【考案の概要】
【０００３】
本考案の実施形態は、洗浄プラズマに適合性のあるチャンバコンポーネントを有する縦型処理システムに関する。本考案の実施形態はまた、プラズマ洗浄することができる基板キャリアに関する。
【０００４】
本考案の一実施形態は、基板キャリアを提供する。基板キャリアは、フレーム本体を内部に受け入れ支持するように構成されたフレーム本体を含む。フレーム本体は、基板をフレーム本体に固定するための複数のクランプを含む。基板キャリアはまた、フレーム本体に取り付けられた上部レールを含む。上部レールは着磁可能材料を含み、フレーム本体及び上部レールの外面は、洗浄プラズマに適合性がある。
【０００５】
本考案の別の一実施形態は、大面積基板を処理するための装置を提供する。本装置は、内部容積を画定するチャンバ本体と、内部容積を第１処理領域と第２処理領域に分割する内部容積の中央領域近傍に配置されたプラズマ源を含む。本装置はまた、基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第１処理領域の下部に配置された第１リニアローラトラックと、第１リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第１磁気レールと、第１処理領域内に移動自在に配置された第１バッキングプレートを含む。第１バッキングプレートは、第１リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する。本装置はまた、基板キャリアを鉛直方向の姿勢で支持し搬送するための第２処理領域の下部に配置された第２リニアローラトラックと、第２リニアローラトラック上に鉛直方向の姿勢で支持された基板キャリアを案内するための第１処理領域の上部に配置された第２磁気レールと、第２処理領域内に移動自在に配置された第２バッキングプレートを含む。第２バッキングプレートは、第２リニアローラトラック上の基板キャリアに取り付けられるように構成され、これによって基板キャリアの裏面を封止する。
【０００６】
本考案の別の一実施形態は、大面積基板を処理するシステムレイアウトを提供する。システムレイアウトは、前の実施形態で開示されたような大面積基板を処理するための装置と、第１ロードロックチャンバと、第２ロードチャンバと、第１ロードロックチャンバに移動自在に取り付けられた第１ロード／アンロードキャリッジと、第２ロードチャンバに移動自在に取り付けられた第２ロード／アンロードキャリッジを含む。第１ロードロックチャンバは、装置の第１リニアローラトラックに基板キャリアをロード及びアンロードするように構成され、第２ロードロックチャンバは、装置の第２リニアローラトラックに基板キャリアをロード及びアンロードするように構成されている。
【０００７】
本考案の別の一実施形態は、キャリアをプラズマ洗浄するための方法を提供する。本方法は、１以上の大面積基板を鉛直方向の姿勢で処理するように構成された処理チャンバ内で基板無しの基板キャリアを受け取る工程と、基板キャリアと処理チャンバの内面とを洗浄するために処理チャンバ内に洗浄プラズマを発生させる工程を含む。本考案の一実施形態によると、堆積中に基板の裏側を覆うように構成されたバッキングプレートの表面もまた、処理チャンバの内面と共にプラズマ洗浄することができる。バッキングプレートは、プラズマ洗浄中に基板キャリアから離間させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本考案の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本考案のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本考案の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本考案は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】本考案の一実施形態に係るシステムレイアウトの平面図である。
【図２】本考案の一実施形態に係る化学気相蒸着チャンバの断面図である。
【図３Ａ】〜
【図３Ｆ】本考案の一実施形態に係る基板キャリアの概略図である。
【０００９】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示される要素を具体的な説明なしに他の実施形態に有益に組み込んでもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１０】
本考案の実施形態は、処理チャンバ内で基板キャリア及びコンポーネントを洗浄するための装置及び方法に関する。特に、本考案の実施形態は、プラズマ洗浄に適合性のあるチャンバコンポーネントを有する処理チャンバに関する。本考案の実施形態はまた、基板無しのプラズマ洗浄に適合性のある基板キャリアに関する。本考案の実施形態に係る処理チャンバは、洗浄プラズマに適合性のある材料によって封入された、コーティングされた、又は作られたコンポーネントを含むことができる。本考案の実施形態に係る基板キャリアは、洗浄プラズマに適合性のある材料によって形成されるか、又はコーティングされることができる。本考案の実施形態によると、プラズマ洗浄は、１以上の基板キャリアを有する処理チャンバ内で基板の存在無しに実行され、これによって１以上の基板キャリア及びチャンバコンポーネントを洗浄することができる。
【００１１】
図１は、本考案の一実施形態に係るシステムレイアウト１００の平面図である。システムレイアウト１００は、大面積基板を実質的に鉛直方向に位置決めしながら、大面積基板を処理するように構成されている。システムレイアウト１００は、約９万平方ミリメートルより大きい表面積を有する基板を処理する大きさにすることができる。
【００１２】
システムレイアウト１００は、２つのローダ／アンローダキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂと、２つのロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂと、１つの処理チャンバ１０６を含む。システムレイアウト１００は、大面積基板上に化学気相蒸着を行うように構成されている。ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、処理チャンバ１０６内の真空環境と、大気環境内に配置されるローダ／アンローダキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂとの間で基板を交換するために使用される。
【００１３】
処理チャンバ１０６は、処理チャンバ１０６の内部容積を２つの対称的な処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに分割する、処理チャンバ１０６の中央付近に配置されたプラズマ源１１２を含む。処理チャンバ１０６は、処理容積１１４Ａ、１１４Ｂの各々で、１つの基板を受け取り、１つの基板を処理することで、同時に２つの基板を処理するように構成されている。ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、それぞれスリットバルブドア１１０Ａ、１１０Ｂを介してデュアル処理チャンバ１０６に結合されている。各ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、対応する処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに基板をロード及びアンロードするように構成されている。ローダ／アンローダキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂが、処理チャンバ１０６の反対側でロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂの隣に移動自在に配置されている。
【００１４】
ローダ／アンローダキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂは、鉛直方向の姿勢で基板を支持し、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂの内外へ移動させるためのリニアローラトラック１１６Ａ、１１６Ｂを含む。各ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、各々が１つの基板を上で支持し移動させるように構成された２組のリニアローラトラック１１８Ａ、１２０Ａ、１１８Ｂ、１２０Ｂを含む。２組のリニアローラトラック１１８Ａ、１１８Ｂは、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂが、搬入される基板及び搬出される基板を同時に収容することを可能にする。処理チャンバ１０６は、各処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内にリニアローラトラック１２２Ａ、１２２Ｂを含む。リニアローラトラック１２２Ａ、１２２Ｂは、矢印１２４Ａ、１２４Ｂによってマークされた方向に沿って、処理中に被処理基板とプラズマ源１１２の間の距離を調整し、ロード・アンロード時にリニアトラック１１８Ａ、１２０Ａ、１１８Ｂ、１２０Ｂと整列する。
【００１５】
図２は、本考案の一実施形態に係る処理チャンバ１０６の断面図である。処理チャンバ１０６は、プラズマ強化化学蒸着など、プラズマを用いて大面積基板を処理するように構成されている。
【００１６】
処理チャンバ１０６は、チャンバ上部２０２と、チャンバ底部２０４と、内部容積１１４を取り囲むチャンバ側壁２０６を含む。チャンバ側壁２０６は、チャンバのメンテナンス時における便利な除去と処理チャンバ１０６の開放のためにフレーム（図示せず）に着脱自在に取り付けることができる。チャンバ上部２０２と、チャンバ底部２０４と、チャンバ側壁２０６（１つのみ図示される）は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある内面を有することができる。チャンバ上部２０２と、チャンバ底部２０４と、チャンバ側壁２０６は、アルミニウムから形成することができる。あるいはまた、チャンバ上部２０２と、チャンバ底部２０４と、チャンバ側壁２０６は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム）のコーティングを内面に有することができる。一実施形態では、チャンバ上部２０２と、チャンバ底部２０４と、チャンバ側壁２０６は、９６％よりも高い純度を有する高純度アルミニウムでコーティングすることができる。
【００１７】
プラズマ源１１２は、処理チャンバ１０６の中央平面２１８に沿って、チャンバ上部２０２及びチャンバ底部２０４に結合されている。プラズマ源１１２は、チャンバ上部２０２及びチャンバ底部２０４を貫通して内部容積１１４内に鉛直方向に配置された複数のパイプ２１０を含む。複数のパイプ２１０は、刺激性のガスの通過を可能にするように穿孔が貫通して形成された固体セラミックスから形成することができる。複数のアンテナ２０８は、互いに平行に、かつ中央平面２１８の長さに沿って均等に分布させることができる。アンテナ２０８は、各多孔質パイプ２１０の内部容積２１１内に配置される。複数の端部カバー２１２が、処理チャンバ１０６の外部でパイプ２１０に結合され、これによって内部容積２１１を封止する。ガス源２１４は、内部容積２１１に励起ガスを供給するために、端部カバー２１２を介して接続することができる。各アンテナ２０８は、プラズマ発生用電源２１６に結合することができる。電源２１６は、高周波（ＲＦ）電源、超短波（ＶＨＦ）電源、極超短波（ＵＨＦ）電源、又はアンテナへのマイクロ波電力であることができる。
【００１８】
励起ガス（例えば、Ａｒ、Ｘｅ及び／又はＫｒ）は、アンテナ２０８に印加される電力によってプラズマが生成される内部容積２１１にガス源２１４から供給することができる。その後、プラズマ中のラジカル種が、多孔質パイプ２１０を通って処理用の処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内へと拡散する。
【００１９】
処理ガス源２２０から１以上の処理ガスを送出するために、複数のガス送出管２２２が処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内に配置されている。複数のガス送出管２２２は、処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内で中央平面２１８に平行な２つの平面内で均等に分布させることができる。処理ガス源２２０は、窒化ケイ素の堆積のために、様々な処理ガス（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、及びＮＨ３）を供給することができる。処理ガス源２２０は、プラズマ洗浄用にＮＦ３を供給することもできる。ガス送出管２２２は、ガス分配長２２２Ａに沿って複数の孔が分布したアルミニウム又はセラミックスから形成することができ、これによって処理ガスが処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに入ることを可能にし、プラズマ源１１２からの拡散されたプラズマと反応する。プラズマ源１１２のパイプ２１０は、ガス送出管２２２のガス分配長２２２Ａよりも長くてもよい。ガス分配長２２２Ａは、一般的に基板２３０の長さよりも長い。パイプ２１０の長さ、ガス分配長２２２Ａ、及び基板２３０の長さの間の違いは、粒子性能の改善を提供し、またガスの利用効率を高める。
【００２０】
処理チャンバ１０６は、処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内にそれぞれ配置された２つの基板支持アセンブリ２２４を含む。各基板支持アセンブリ２２４は、処理容積１１４Ａ又は１１４Ｂの下部に配置された複数のローラ２２６を含む。複数のローラ２２６は、リニアローラトラック１２２Ａ、１２２Ｂを形成するように直線状に配置される。各基板支持アセンブリ２２４は、処理容積１１４Ａ又は１１４Ｂの上部に配置された磁気レール２３２も含む。磁気レール２３２及び複数のローラ２２６は、鉛直方向の姿勢で基板キャリア２２８を支持及び搬送するために整列される。基板キャリア２２８は、基板２３０を固定し支持するように構成される。
【００２１】
各ローラ２２６は、基板キャリア２２８の下縁部２４２を受け入れるための溝２４０を含むことができる。基板キャリアの２２８の下縁部２４２は、ローラ２２６に接触する。各ローラ２２６は、シャフト２４６に結合される。シャフト２４６はチャンバ壁２０６を貫通して延び、チャンバ壁２０６の外側に配置された駆動機構２４８に接続されている。駆動機構２４８は、シャフト２４６及びローラ２２６を回転させるように構成され、これによって処理チャンバ１０６の内外に基板キャリア２２８を移動させる。駆動機構２４８はまた、内部容積１１４の中に更にシャフト２４６を拡張させたり、内部容積１１４からシャフト２４６を引っ込めることができ、これによってローラ２２６は横方向に一緒に移動する。ローラ２２６の横方向の動きは、ロード・アンロード時に、リニアトラック１０８Ａ／１０８Ｂ又は１１０Ａ／１１０Ｂとローラを整列させるために使用することができる。ローラ２２６の横方向の動きはまた、処理中に、基板２３０とプラズマ源１１２との間の距離を調整するためにも使用される。
【００２２】
磁気レール２３２は、基板キャリア２２８の上部レール２４４を受け入れるための下向きの溝２３８を含む。磁気レール２３２は、プラズマ適合性材料２３６中に封入された１以上の磁石２３４によって形成することができる。１以上の磁石２３４は、永久磁石であることができる。プラズマ適合性材料２３６は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に耐えることができる。プラズマ適合性材料２３６は、プラズマの種類に応じて異なる材料から選択することができる。ＮＦ３プラズマを用いる場合には、プラズマ適合性材料２３６は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））であることができる。プラズマ適合性材料２３６は、基板キャリア２２８を受け入れるための溝２３８を形成するように成形される。あるいはまた、磁石２３４は、トレンチ２３８を形成し、プラズマ適合性材料（例えば、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム）））でコーティングすることができる。磁気レール２３２は、１以上のシャフト２５０に取り付けられている。シャフト２５０は、チャンバ壁２０６を貫通して延び、駆動機構２４８に接続する。駆動機構２４８は、シャフト２４６に同期してシャフト２５０を拡張及び後退させることができ、これによって磁気レール２３２とローラ２２６は同一平面内に留まる。基板キャリア２２８の上部レール２４４は、着磁可能な材料を含み、これによって上部レール２４４は、上部レール２４４と磁石２３４との間の反発力によって、磁気レール２３２に接触することなく、磁気レール２３２内に保持される。基板キャリア２２８は、上部レール２４４がトレンチ２３８内をスライドしながら、磁気レール２３２に対して移動する。
【００２３】
ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０もまた、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある外面を有する。ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【００２４】
処理チャンバ１０６はまた、処理中に裏面２３０Ａ上に望ましくない堆積を防止するために、基板２３０の裏面２３０Ａを覆うように構成されたバッキングプレートアセンブリ２５２を含む。バッキングプレートアセンブリ２５２は、平板２５４を実質的に鉛直な位置に支持する１以上のビーム２５６に結合された平板２５４を含む。平板２５４は、被処理基板２３０よりも僅かに大きなサイズであり、これによって基板２３０の裏面２３０Ａを完全に覆うことができる。１以上のビーム２５６は、チャンバ壁２０６を貫通して延び、駆動機構２５８に接続する。駆動機構２５８は、１以上のビーム２５６を拡張及び後退させることによって、平板２５４を横方向に移動する。横方向の移動は、平面プレート２５４が、運転中に移動して基板キャリア２２８に付着し、ロード・アンロード時に基板キャリア２２８から離れて移動することを可能にする。
【００２５】
平板２５４及び１以上のビーム２５６は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある外面を有する。平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【００２６】
図３Ａ〜３Ｆは、本考案の一実施形態に係る基板キャリア２２８の模式図である。基板キャリア２２８は、処理中に大面積基板２３０を搬送し、支持するように構成されている。基板キャリア２２８は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある外面を有し、これによって基板キャリア２２８は、上に基板をロードすることなくプラズマを用いて洗浄することができる。プラズマ洗浄は、処理中に基板キャリア上に形成された任意の望ましくない堆積を除去し、望ましくない堆積によって引き起こされる粒子汚染を低減することができる。更に、基板キャリア２２８は、プラズマによって洗浄することができるので、従来の大面積基板の処理において実施されるようなシャドウフレームを使用して基板キャリア２２８を覆う必要がない。
【００２７】
図３Ａは、フレーム本体３０２の基板ロード側３１２を示す基板キャリア２２８の概略図である。運転中、基板ロード側３１２は、処理環境（例えば、プラズマ源及びガス送出管）から離れて対向している。フレーム本体３０２は、内部に長方形の内側開口部３０４のフレームを構成する４つの部分を有する。フレーム本体３０２は、基板ロード側３１２に形成された段差３０８を有する。段差３０８は、内側開口部３０４から垂直壁部３０６まで延びている。複数の接触パッド３３６を、段差３０８上のフレーム本体３０２に取り付けることができる。接触パッド３３６は、テフロン（商標名）で形成することができる。垂直壁部３０６は、基板よりも大きなサイズを有する長方形形状を形成し、内側開口部３０４は、基板よりも小さなサイズであり、これによって基板の外縁部は、段差３０８上の複数の接触パッド３３６上に載置される。内側開口部３０４は、フレーム本体３０２が、基板の外縁部を覆いながら、基板の処理領域を露出する窓を提供する。複数のクランプ３１６は、基板ロード側３１２のフレーム本体３０２の周囲に分布している。複数のクランプ３１６は、段差３０８に対して基板にバイアスを掛けるように構成され、これによって基板キャリア２２８内に基板を固定する。
【００２８】
上部レール２４４は、複数のコネクタ３１４を介してフレーム本体３０２の上部３０２Ａに取り付けられている。上部レール２４４は、着磁可能な材料を含み、これによって基板キャリア２２８は、磁気レールによって案内可能となる。
【００２９】
下縁部２４２は、フレーム本体３０２の下側部分３０２Ｂに結合される。下縁部２４２は、処理チャンバ１０６、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ、及びロード／アンロードキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂ内で駆動ローラに接触するように構成されている。
【００３０】
基板キャリア２２８は、基板ロード側３１２のフレーム本体３０２の外縁部に取り付けられたシール構造３３０を更に含む。シール構造３３０は、垂直壁部３０６を取り囲む。運転中、バッキングプレート（例えば、平面状のバッキングプレート２５４）は、シール構造３３０と接触し、基板キャリア２２８内に固定された基板の裏面にシールを形成し、これによって処理用化学薬品が基板の裏面に接触するのを防止することができる。
【００３１】
図３Ｂは、基板キャリア２２８の概略断面側面図である。図３Ｂに示されるように、上部レール２４４は、プラズマ適合性材料３３４内に封入された着磁可能なコア３３２を含むことができる。プラズマ適合性材料３３４は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））を含むことができる。図３Ｃは、フレーム本体３０２の処理側３１０を示す模式図である。処理側３１０は、処理環境（例えば、プラズマ源及びガス送出管）に対向している。処理側３１０は、基板のフレームを構成し、これによって内側開口部３０４内の領域のみを露出させる。フレーム本体３０２は、基板の外縁部が処理されるのを防止するシャドウフレームとして機能させることができる。
【００３２】
フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性をもつ外面を有する。フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを内面に有することができる。例えば、フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【００３３】
図３Ｄは、クランプ３１６のうちの１つを示す基板キャリア２２８の部分図である。図３Ｅは、基板２３０を基板キャリアに固定するクランプ３１６を示す基板キャリア２２８の部分断面図である。複数のクランプ３１６の各々は、フレーム本体３０２の基板ロード側３１２に形成された凹部３１８内に配置されている。クランプ３１６は、旋回軸３２２に対して旋回可能なクランプ本体３２０を含む。クランプ本体３２０は、旋回軸３２２の両側に、接触端３２４と自由端３２６を有する。クランプ３１６はまた、フレーム本体３０２に向けてクランプ本体３２０の接触端３２４にバイアスを掛けるばね３２８を含む。ばね３２８は、接触端３２４に圧力を提供し、これによって基板２３０をフレーム本体３０２に対して押す。接触パッド３２５は、基板２３０に接触するための接触端３２４上に取り付けることができる。接触パッド３２５は、テフロン（商標名）で形成することができる。
【００３４】
図３Ｅは、基板ロード／アンロード位置にクランプ３１６を示す基板キャリア２２８の部分断面図である。基板をロード又はアンロードするために、例えば、押しピンによって、クランプ本体３２０の自由端３２６に外力Ｆを印加することができる。クランプ本体３２０は、旋回軸３２２の周りに旋回し、接触端３２４は、基板２３０から回転して離れる。その後、基板２３０は、基板キャリア２２８から解放することができ、新たな基板をロードすることができる。
【００３５】
クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性をもつ外面を有することができる。クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム、テフロン（商標名）、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム、セラミックス、又はテフロン（商標名）でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【００３６】
ばね３２８もまた、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性をもつ材料で形成されている。例えば、ばね３２８は、超合金（例えば、ハステロイ（商標名））から形成することができる。
【００３７】
運転時には、被処理基板２３０は、ロード／アンロードキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂのリニアローラトラック１１６Ａ、１１６Ｂ上の基板キャリア２２８内へロードすることができる。基板２３０は、全てのクランプ３１６が図３Ｆに示されるロード／アンロード位置に押されながら、基板搬送ロボットによって基板キャリア２２８の段差３０８上に配置された基板キャリア２２８内へロードすることができる。クランプ本体３２０がネイティブな位置に解放されると、基板２３０は、基板キャリア２２８内に固定される。
【００３８】
その後、ロード／アンロードキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂは、リニアローラトラック１１６Ａ、１１６Ｂをロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ内のリニアローラトラック１２０Ａ、１２０Ｂと整列させるように移動する。リニアローラトラック１１８Ａ、１１８Ｂは、空いている。その後、基板キャリア２２８は、スリットバルブドア１０８Ａ、１０８Ｂを通って、リニアローラトラック１２０Ａ、１２０Ｂ上を、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂへとそれぞれ移動する。その後、スリットバルブドア１０８Ａ、１０８Ｂは閉じられ、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、処理チャンバ１０６の真空度まで排気（ポンプダウン）される。
【００３９】
その後、スリットバルブドア１１０Ａ、１１０Ｂが開く。処理チャンバ内のローラ２２６は、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ内の空いているリニアローラトラック１１８Ａ、１１８Ｂのうちの１つと整列される。その後、ローラ２２６は、すでに処理された基板を処理チャンバ１０６からロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂへと運ぶ。
【００４０】
その後、処理チャンバ１０６内のローラ２２６は、各リニアローラトラック１２０Ａ、１２０Ｂが基板キャリア２２８内に固定された基板２３０を有するロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ内のリニアローラトラック１２０Ａ、１２０Ｂのうちの１つと整列される。その後、基板キャリア２２８内に固定された２つの基板２３０は、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ内のローラ及び処理チャンバ１０６内のローラ２２６によって運ばれ、処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに入る。基板キャリア２２８の下縁部２４２は、ローラ２２６上に載置され、基板キャリア２２８の上部レール２４４は、磁気レール２３２の所定の位置に保持される。その後、シャフト２４６、２５０は、プラズマ源１１２に向かって移動し、これによって基板２３０を処理位置に位置決めする。その後、１以上のビーム２５６が、チャンバ壁２０６を通って中に延び、これによってバッキングプレート２５４を基板キャリア２２８に取り付け、基板２３０の裏側２３０Ａを覆う。
【００４１】
励起ガス（例えば、Ａｒ、Ｘe及び／又はＫｒ）が、アンテナ２８に印加される電力によってプラズマが生成されたパイプ２１０の内部容積２１１へガス供給源２１４から供給される。その後、プラズマ中のラジカル種は、パイプ２１０を通って処理のための処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内へと拡散する。１以上の処理ガス（例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６及びＮＨ３）は、ガス送出管２２２を介して処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに供給され、プラズマと反応して、これによって薄膜層（例えば、窒化ケイ素膜）を基板２３０上に堆積させる。
【００４２】
処理が完了すると、１以上のビーム２５６が後退し、これによって基板キャリア２２８からバッキングプレート２５４を分離する。その後、ローラ２２６が後退し、アンロードのためのロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂ内の空いたリニアローラトラック１１８Ａ、１１８Ｂのうちの１つと基板キャリア２２８を整列させる。
【００４３】
基板が処理チャンバ１０６内で処理されている間、スリットバルブドア１１０Ａ、１１０Ｂは閉じている。その後、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂは、大気圧に加圧する。スリットバルブドア１０８Ａ、１０８Ｂが開き、これによって処理された基板と共に基板キャリア２２８をロード／アンロードキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂへとアンロードする。ロード／アンロードキャリッジ１０２Ａ、１０２Ｂ内では、処理された基板は、基板キャリア２２８から除去され、システムレイアウト１００を出ることができる。
【００４４】
本考案の実施形態によると、その後、基板キャリア２２８は、中にロードされる基板無しに、ロードロックチャンバ１０４Ａ、１０４Ｂを介して、処理チャンバ１０６に送り戻すことができる。空の基板キャリア２２８は、処理チャンバ１０６内の処理位置にローラ２２６によって位置決めすることができる。プラズマがアンテナ２０８に印加される電力によって生成されるパイプ２１０の内部容積２１１に、励起ガス（例えば、Ａｒ、Ｘｅ及び／又はＫｒ）がガス源２１４から供給される。その後、プラズマ中のラジカル種は、パイプ２１０を通って、処理のための処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内へと拡散する。洗浄剤（例えば、ＮＦ３）が、ガス送出管２２２を通して処理容積１１４Ａ、１１４Ｂに供給され、プラズマと反応し、これによって処理チャンバ１０６及び基板キャリア２２８の露出面を洗浄する。
【００４５】
典型的な洗浄処理では、基板キャリア２２８は、基板２３０を載置することなく、処理チャンバ１０６内にロードされる。基板キャリア２２８は、処理位置までプラズマ源１１２に向かって移動することができる。バッキングプレート２５４は、基板キャリア２２８に接触することなく、プラズマ源１１２に向かって移動することができ、これによってバッキングプレート２５４は、基板キャリア２２８の裏面を塞ぐことなく、洗浄プラズマに曝露させることができる。
【００４６】
その後、処理チャンバ１０６は、プラズマ点火の準備のためにパージされる。例えば、パージを達成するために、アルゴンを約５秒間、約５ＳＬＭで処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内に流入させることができる。
【００４７】
その後、励起ガス（例えば、アルゴン）を使用して、処理チャンバ１０６内でプラズマが点火される。アルゴンは、少なくとも８秒間、約１ＳＬＭ〜約１０ＳＬＭの流量でガス源２１４から処理チャンバ１０６へと流され、同時に、マイクロ波電力がアンテナ２０８に印加され、これによって処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内でアルゴンのプラズマを点火することができる。
【００４８】
プラズマが処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内で正常に点火された後、アルゴンの流れを維持したまま、洗浄ガス（例えば、ＮＦ３）の流れを開始することができる。流量が安定するまで、ＮＦ３の流れは徐々に増加させてもよい。
【００４９】
ＮＦ３の流れが安定したら、アルゴンの流れを止めて、フルパワーのプラズマ洗浄を開始することができる。処理容積１１４Ａ、１１４Ｂ内の温度は、プラズマ洗浄の間、約１００℃に維持することができる。チャンバ圧力は、約２０Ｔｏｒｒ〜約３０Ｔｏｒｒとすることができる。ＮＦ３の流量は、約２０ＳＬＭ〜約３０ＳＬＭとすることができる。プラズマ洗浄の持続時間は、様々な要因（例えば、処理チャンバ１０６のサイズ、エッチングされる所望の量、洗浄ガスの流量、及びチャンバ圧力）に依存する。
【００５０】
上記は本考案の実施形態を対象としているが、本考案の他の及び更なる実施形態は本考案の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の実用新案登録請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
0003199312.tif 000003
【図２】
0003199312.tif 000004
【図３Ａ】
0003199312.tif 000005
【図３Ｂ】
0003199312.tif 000006
【図３Ｃ】
0003199312.tif 000007
【図３Ｄ】
0003199312.tif 000008
【図３Ｅ】
0003199312.tif 000009
【図３Ｆ】
0003199312.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成27年6月11日(2015.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
フレーム本体を内部に受け入れ支持するように構成されたフレーム本体であって、基板をフレーム本体に固定するための複数のクランプを含むフレーム本体と、
フレーム本体に取り付けられたレールであって、上部レールが着磁可能材料を含み、フレーム本体及びレールの外面はプラズマ適合性材料を含む基板キャリア。
【請求項２】
フレーム本体は、上部、下部、及び内部に長方形の内側開口部のフレームを構成する２つの側部を含み、フレーム本体は、片面に段差が形成されている請求項１記載の基板キャリア。
【請求項３】
段差上に配置され、運転中に基板に接触する複数の接触パッドを含む請求項２記載の基板キャリア。
【請求項４】
フレーム本体上に配置された複数のクランプを含み、複数のクランプの各々は、段差に対して基板にバイアスを掛けるように配置されている請求項２記載の基板キャリア。
【請求項５】
フレーム本体の上部にレールを結合する複数のコネクタを含む請求項２記載の基板キャリア。
【請求項６】
フレーム本体は、プラズマ適合性材料のコーティングを含む請求項１記載の基板キャリア。
【請求項７】
レールの着磁可能材料は、プラズマ適合性材料内に封入されている請求項１記載の基板キャリア。
【請求項８】
プラズマ適合性材料は、アルミニウム、セラミックス、又はポリテトラフルオロエチレンを含む請求項１記載の基板キャリア。
【請求項９】
フレーム本体の下部に取り付けられた下縁部を含み、下縁部は、基板キャリアを移動させるための駆動機構と相互作用するように成形されている請求項２記載の基板キャリア。
【請求項１０】
下縁部は、複数のローラと相互作用するように成形されている請求項９記載の基板キャリア。
【請求項１１】
下端部は、アルミニウム、セラミックス、又はポリテトラフルオロエチレンを含むコーティングを含む請求項９記載の基板キャリア。
【請求項１２】
プラズマ適合性材料は、９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウムを含む請求項１記載の基板キャリア。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
磁気レール２３２は、基板キャリア２２８の上部レール２４４を受け入れるための下向きの溝２３８を含む。磁気レール２３２は、プラズマ適合性材料２３６中に封入された１以上の磁石２３４によって形成することができる。１以上の磁石２３４は、永久磁石であることができる。プラズマ適合性材料２３６は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に耐えることができる。プラズマ適合性材料２３６は、プラズマの種類に応じて異なる材料から選択することができる。ＮＦ３プラズマを用いる場合には、プラズマ適合性材料２３６は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））であることができる。プラズマ適合性材料２３６は、基板キャリア２２８を受け入れるための溝２３８を形成するように成形される。あるいはまた、磁石２３４は、トレンチ２３８を形成し、プラズマ適合性材料（例えば、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム）））でコーティングすることができる。磁気レール２３２は、１以上のシャフト２５０に取り付けられている。シャフト２５０は、チャンバ壁２０６を貫通して延び、駆動機構２４８に接続する。駆動機構２４８は、シャフト２４６に同期してシャフト２５０を拡張及び後退させることができ、これによって磁気レール２３２とローラ２２６は同一平面内に留まる。基板キャリア２２８の上部レール２４４は、着磁可能な材料を含み、これによって上部レール２４４は、上部レール２４４と磁石２３４との間の反発力によって、磁気レール２３２に接触することなく、磁気レール２３２内に保持される。基板キャリア２２８は、上部レール２４４がトレンチ２３８内をスライドしながら、磁気レール２３２に対して移動する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０もまた、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある外面を有する。ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、ローラ２２６、シャフト２４６、及びシャフト２５０は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
平板２５４及び１以上のビーム２５６は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性のある外面を有する。平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、平面板２５４及び１以上のビーム２５６は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図３Ａは、フレーム本体３０２の基板ロード側３１２を示す基板キャリア２２８の概略図である。運転中、基板ロード側３１２は、処理環境（例えば、プラズマ源及びガス送出管）から離れて対向している。フレーム本体３０２は、内部に長方形の内側開口部３０４のフレームを構成する４つの部分を有する。フレーム本体３０２は、基板ロード側３１２に形成された段差３０８を有する。段差３０８は、内側開口部３０４から垂直壁部３０６まで延びている。複数の接触パッド３３６を、段差３０８上のフレーム本体３０２に取り付けることができる。接触パッド３３６は、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））で形成することができる。垂直壁部３０６は、基板よりも大きなサイズを有する長方形形状を形成し、内側開口部３０４は、基板よりも小さなサイズであり、これによって基板の外縁部は、段差３０８上の複数の接触パッド３３６上に載置される。内側開口部３０４は、フレーム本体３０２が、基板の外縁部を覆いながら、基板の処理領域を露出する窓を提供する。複数のクランプ３１６は、基板ロード側３１２のフレーム本体３０２の周囲に分布している。複数のクランプ３１６は、段差３０８に対して基板にバイアスを掛けるように構成され、これによって基板キャリア２２８内に基板を固定する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図３Ｂは、基板キャリア２２８の概略断面側面図である。図３Ｂに示されるように、上部レール２４４は、プラズマ適合性材料３３４内に封入された着磁可能なコア３３２を含むことができる。プラズマ適合性材料３３４は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））を含むことができる。図３Ｃは、フレーム本体３０２の処理側３１０を示す模式図である。処理側３１０は、処理環境（例えば、プラズマ源及びガス送出管）に対向している。処理側３１０は、基板のフレームを構成し、これによって内側開口部３０４内の領域のみを露出させる。フレーム本体３０２は、基板の外縁部が処理されるのを防止するシャドウフレームとして機能させることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性をもつ外面を有する。フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを内面に有することができる。例えば、フレーム本体３０２、コネクタ３１４、及び下縁部２４２は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図３Ｄは、クランプ３１６のうちの１つを示す基板キャリア２２８の部分図である。図３Ｅは、基板２３０を基板キャリアに固定するクランプ３１６を示す基板キャリア２２８の部分断面図である。複数のクランプ３１６の各々は、フレーム本体３０２の基板ロード側３１２に形成された凹部３１８内に配置されている。クランプ３１６は、旋回軸３２２に対して旋回可能なクランプ本体３２０を含む。クランプ本体３２０は、旋回軸３２２の両側に、接触端３２４と自由端３２６を有する。クランプ３１６はまた、フレーム本体３０２に向けてクランプ本体３２０の接触端３２４にバイアスを掛けるばね３２８を含む。ばね３２８は、接触端３２４に圧力を提供し、これによって基板２３０をフレーム本体３０２に対して押す。接触パッド３２５は、基板２３０に接触するための接触端３２４上に取り付けることができる。接触パッド３２５は、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））で形成することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、洗浄プラズマ（例えば、ＮＦ３プラズマ）に適合性をもつ外面を有することができる。クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム又はセラミックスから形成することができる。あるいはまた、クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム、ポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））、又はセラミックス（例えば、高純度酸化アルミニウム（例えば、約９６％よりも高い純度を有する酸化アルミニウム））のコーティングを含むことができる。例えば、クランプ本体３２０及び旋回軸３２２は、アルミニウム、セラミックス、又はポリテトラフルオロエチレン（テフロン（登録商標））でコーティングされたステンレス鋼から形成することができる。