(57)【要約】  ワイドギャップ型半導体装置は、第１導電型半導体層３２と、前記第１導電型半導体層３２上に設けられた内周側第２導電型領域４１，４２と、第１電極１０と、前記第１導電型半導体層３２上であって前記第１電極１０に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層５１，５２，５３と、前記内周側第２導電型領域４１，４２の外周側に設けられた外周側第２導電型領域２０と、を有している。前記内周側第２導電型領域４１，４２の端部と前記外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域４１，４２から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイドギャップ型半導体装置において、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっていることを特徴とするワイドギャップ型半導体装置。
【請求項２】
前記外周側第２導電型領域は、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部から、前記ワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項３】
前記内周側第２導電型領域は、高濃度内周側第２導電型領域と、前記高濃度内周側第２導電型領域よりも第２導電型不純物濃度が低い低濃度内周側第２導電型領域とを有し、
前記外周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度は、前記低濃度内周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項４】
前記高濃度内周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度は、前記外周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度と等しくなっていることを特徴とする請求項３に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記第１導電型半導体層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第２絶縁層とを有し、
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の内周側端部まで延びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項６】
前記第２絶縁層が窒化膜であることを特徴とする請求項５に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項７】
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の幅方向の中心部まで延びていることを特徴とする請求項５又は６のいずれかに記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層をさらに有し、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層よりも外周側に延びるとともに、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びていないことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項９】
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項１０】
前記外周側第２導電型領域よりも外周側に設けられ、前記第１導電型半導体層とショットキー接合を形成する第２電極をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイドギャップ型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、様々な利点があることから炭化ケイ素半導体装置等のワイドギャップ型半導体装置が注目を集めている。しかしながら、このようなワイドギャップ型半導体装置において、アクティブ領域に形成される電極又は配線からワイドギャップ型半導体装置の端部までの距離が短くなった場合では、サージ電圧のような負電圧がワイドギャップ型半導体装置の表面側の電極に印加されると、電極とワイドギャップ型半導体装置の端部との間において放電が起こるという問題がある（特開２００９−２３１３２１号公報）。【０００３】
これを防止するために、ワイドギャップ型半導体装置の第１導電型半導体層の表面を絶縁層（絶縁膜を含む）によって完全に覆うことが考えられるが、このような態様でも十分に放電を抑制することができなかった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明はこのような観点からなされたものであり、放電を十分に抑制できるワイドギャップ型半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置は、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっている。【０００６】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記外周側第２導電型領域は、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部から、前記ワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されてもよい。【０００７】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記内周側第２導電型領域は、高濃度内周側第２導電型領域と、前記高濃度内周側第２導電型領域よりも第２導電型不純物濃度が低い低濃度内周側第２導電型領域とを有し、
前記外周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度は、前記低濃度内周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度よりも高くなってもよい。【０００８】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記高濃度内周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度は、前記外周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度と等しくなってもよい。【０００９】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第１導電型半導体層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第２絶縁層とを有し、
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の内周側端部まで延びてもよい。【００１０】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記第２絶縁層が窒化膜であってもよい。【００１１】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の幅方向の中心部まで延びてもよい。【００１２】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層をさらに有し、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層よりも外周側に延びるとともに、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びていなくてもよい。【００１３】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置において、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなってもよい。【００１４】
本発明によるワイドギャップ型半導体装置は、
前記外周側第２導電型領域よりも外周側に設けられ、前記第１導電型半導体層とショットキー接合を形成する第２電極をさらに備えてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、内周側第２導電型領域の外周側に外周側第２導電型領域が設けられ、内周側第２導電型領域の端部と外周側第２導電型領域の端部との間の距離が空乏層幅より大きくなっている。本発明のような外周側第２導電型領域を用いることで、外周側第２導電型領域から外周側に空乏層を広げることができ、その結果、第１電極とワイドギャップ型半導体装置の端部近辺との間で放電が発生することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態による炭化ケイ素半導体装置における層構成の概略を示した縦断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態の変形例１による炭化ケイ素半導体装置における層構成の概略を示した縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態による炭化ケイ素半導体装置の上方平面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態の変形例２による炭化ケイ素半導体装置の上方平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態による炭化ケイ素半導体装置の製造方法を説明するための縦断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態による炭化ケイ素半導体装置における層構成の概略を示した縦断面図である。
【図７】図７（ａ）は反転層を説明するための図であり、図７（ｂ）は本発明の第２の実施の形態による第２電極の効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
第１の実施の形態
《構成》
本実施の形態では、ワイドギャップ型半導体装置の一例として炭化ケイ素半導体装置を用いて説明するが、これに限られることはなく、例えば窒化ガリウム、酸化ガリウムといった他のワイドギャップ型半導体装置にも本発明を用いることができる。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態の炭化ケイ素半導体装置は、第１導電型半導体基板３１と、第１導電型半導体基板３１上に設けられ、第１導電型半導体基板３１よりも第１導電型不純物濃度の低い第１導電型半導体層３２と、第１導電型半導体層３２上に設けられた内周側第２導電型領域４１，４２と、を有している。
【００１９】
図１に示すように、本実施の形態の内周側第２導電型領域４１，４２は、高濃度内周側第２導電型領域４１と、高濃度内周側第２導電型領域４１よりも第２導電型不純物濃度が低い低濃度内周側第２導電型領域４２とを有してもよい。
【００２０】
本実施の形態では、以下、「第１導電型」としてｎ型を用いて説明し、「第２導電型」としてｐ型を用いて説明する。但し、このような態様に限られることはなく、「第１導電型」としてｐ型を用い、「第２導電型」としてｎ型を用いてもよい。なお、本実施の形態において、第１導電型半導体基板３１は、その上方側の面が一方の主面となり下方側の面が他方の主面となっている。
【００２１】
図１の左右方向において、高濃度内周側第２導電型領域４１は低濃度内周側第２導電型領域４２よりも第１電極１０側（内周側）に位置しており、高濃度内周側第２導電型領域４１を取り囲むようにして低濃度内周側第２導電型領域４２が設けられてもよい。また、低濃度内周側第２導電型領域４２の深さは高濃度内周側第２導電型領域４１の深さよりも深くなってもよい。低濃度内周側第２導電型領域４２の幅は高濃度内周側第２導電型領域４１の幅よりも広くなってもよい。
【００２２】
炭化ケイ素半導体装置は、一部が内周側第２導電型領域４１，４２上に位置し、残部が第１導電型半導体層３２上に位置する第１電極１０を有している。第１電極１０は第１導電型半導体層３２とショットキー接合を形成してもよい。本実施の形態では、この第１電極１０の周縁部下方に内周側第２導電型領域４１，４２が位置しており、この内周側第２導電型領域４１，４２は電界を緩和する機能を有している。炭化ケイ素半導体装置は、第１導電型半導体層３２上であって第１電極１０に隣接して設けられ、炭化ケイ素半導体装置の端部（図１の右端）まで延びた絶縁層５１，５２，５３と、内周側第２導電型領域４１，４２の外周側に設けられた外周側第２導電型領域２０と、を有している。
【００２３】
外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度（ｐ型不純物濃度）は、低濃度内周側第２導電型領域４２の第２導電型不純物濃度（ｐ型不純物濃度）よりも高くなってもよい。一例として、外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度は、１×１０１８〜１×１０２３となってもよく、より具体的には１×１０１９〜１×１０２３となってもよい。
【００２４】
本実施の形態において「炭化ケイ素半導体装置の端部」とは炭化ケイ素半導体装置の端面近辺領域のことを意味している。この端面近辺領域の表面が絶縁層５１，５２，５３で覆われていない状態で負の高電圧を印加すると、第１電極１０から放出された電子が、この端面近辺領域に落雷しやすくなる。すなわち、「放電」が起こりやすくなる。
【００２５】
本実施の形態では、内周側第２導電型領域４１，４２の端部と、外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離Ｘは、内周側第２導電型領域４１，４２から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっている。内周側第２導電型領域４１，４２から外周側に広がる理論的な空乏層幅としては、例えば、
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を挙げることができる。距離Ｘを理論的な空乏層幅よりも大きくする場合には、距離Ｘを上記（式１）で得られる値の１．５倍〜２倍以上の大きさとしてもよい。なお、（式１）において、εｓは半導体の誘電率であり、Ｖｂｉは内蔵電位であり、Ｎｄはドナー濃度である。
【００２６】
より具体的には、本実施の形態の上記距離Ｘは、低濃度内周側第２導電型領域４２の端部（図１における低濃度内周側第２導電型領域４２の右端）と、外周側第２導電型領域２０の端部（図１における当該接触面の左端）との間の距離を意味している。
【００２７】
内周側第２導電型領域４１，４２の端部と外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離Ｘは、内周側第２導電型領域４１，４２の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域２０から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなっていてもよい。外周側第２導電型領域２０から内周側に広がる理論的な空乏層幅は、上記（式１）において、ドナー濃度として外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度を入れることで算出できる。
【００２８】
外周側第２導電型領域２０は、炭化ケイ素半導体装置の端部から、炭化ケイ素半導体装置を切断して製造する際（具体的にはダイシングする際）に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されてもよい。ダメージを受けている距離は一例としては３０μｍ〜６０μｍであるので、この態様を採用する場合には、外周側第２導電型領域２０は、炭化ケイ素半導体装置の端部から図１の左右方向で３０μｍ〜６０μｍ以上の距離が離されて設けられることになる。
【００２９】
高濃度内周側第２導電型領域４１における第２導電型不純物濃度（ｐ型不純物濃度）は、外周側第２導電型領域２０における第２導電型不純物濃度（ｐ型不純物濃度）と等しくなってもよい。
【００３０】
本実施の形態の絶縁層５１，５２，５３は、図１に示すように、第１導電型半導体層３２、内周側第２導電型領域４１，４２及び外周側第２導電型領域２０上に設けられた第１絶縁層５１と、第１絶縁層５１上に設けられた第２絶縁層５２とを有してもよい。第２絶縁層５２の下方に、外周側第２導電型領域２０が設けられてもよい。
【００３１】
また、第２絶縁層５２上に第３絶縁層５３が設けられてもよい。この第３絶縁層５３は、第２絶縁層５２よりも外周側（端部側）に延びるとともに、炭化ケイ素半導体装置の端部まで延びていなくてもよい。
【００３２】
一例としては、第１絶縁層５１としてはＰＳＧ（Phosphorus Silicon Glass）及びＳｉＯ２を含むものを用いることができ、第２絶縁層５２としては窒化膜（例えばＳｉＮを含むもの。）を用いることができ、第３絶縁層５３としてはポリイミド、例えば高耐熱ポリイミドを含むものを用いることができる。なお、第１絶縁層５１の厚みは例えば１〜２μｍ程である。
【００３３】
第２絶縁層５２は、内周側第２導電型領域４１，４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の内周側端部まで延びていてもよい。また、この態様の一例としては、第２絶縁層５２は、内周側第２導電型領域４１，４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の中心部まで延びていてもよい。より具体的には、第２絶縁層５２は、低濃度内周側第２導電型領域４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の中心部まで延びていてもよい。また、第２絶縁層５２は、内周側第２導電型領域４１，４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の外周側の端部まで延びていてもよい。
【００３４】
端面近辺領域の表面上に位置する第１絶縁層５１は放電を抑制するために、半導体装置端部まで達している方がよい。この場合には、ダイシング分割前においては、第１絶縁層５１は隣接するワイドギャップ型半導体装置（素子）の端部に達することになる。なお、第１絶縁層５１は第１電極１０と炭化ケイ素半導体装置の端部との間で放電が発生しない程度まで延びていれば足りる。このため、わずかに第１絶縁層５１が設けられていない領域が炭化ケイ素半導体装置の端面近辺に存在してもよい。
【００３５】
第３絶縁層５３は第１絶縁層５１の端面（図１の右端面）まで延びている必要はない（ワイドギャップ型半導体装置の端部上には設けられていなくてもよい。）。一例として第３絶縁層５３がワイドギャップ型半導体装置の端部まで達する設計で、かつ粘性の大きいポリイミド樹脂を用いる場合、ダイシング分割の際、装置をチョコ停止させる原因となる。このため、生産性を考慮すると第３絶縁層５３はワイドギャップ型半導体装置の端部まで達していない方がよい場合もある。この点、第３絶縁層５３に適用する材質や、ダイシング分割の方法によって適宜選択できる。
【００３６】
一例ではあるが、第１導電型半導体基板３１の第１導電型不純物濃度（例えば窒素濃度）は５×１０１７ｃｍ−３〜５×１０１９となり、第１導電型半導体層３２の第１導電型不純物濃度は１×１０１５〜１×１０１８ｃｍ−３となってもよい。また、第１導電型半導体基板３１は例えば３０μ〜４００μｍの厚さとなり、第１導電型半導体層３２は例えば３μｍ〜２０μｍの厚さとなってもよい。また、第１電極１０は、複数種類の金属を用いた積層構造となっていてもよく、例えば０．５μｍの厚さであるチタンと、当該チタンの上に設けられた例えば３μｍの厚さのアルミニウムとを有してもよい。また、アルミニウムの上にニッケルを設けてもよい。
【００３７】
本実施の形態の第１電極１０と第１導電型半導体層３２とはショットキー接合を形成している。しかしながら、これに限られることはなく、変形例としては、第１電極１０’と第１導電型半導体層３２又は内周側第２導電型領域４１，４２とがオーミック接合を形成してもよい。図２に示す態様では、高濃度内周側第２導電型領域４１が第１電極１０’の下方に位置しており、高濃度内周側第２導電型領域４１と第１電極１０’とがオーミック接合を形成している。また、図４に示すように、第１導電型半導体層３２内に島領域を形成するようにして島状ｐ型領域５９が形成されてもよく、このｐ型領域と第１電極１０とはオーミック接合を形成し、第１導電型半導体層３２と第１電極１０とはショットキー接合を形成するようになっていてもよい。
【００３８】
本実施の形態では、第１電極１０の一部又は全体を連続的又は断続的に取り囲むようにして、１つの外周側第２導電型領域２０が設けられてもよい（図３参照）。つまり、本実施の形態では複数の外周側第２導電型領域２０が設けられてはおらず、１つの外周側第２導電型領域２０だけが設けられてもよい。もちろん、複数の外周側第２導電型領域２０が設けられてもよく、複数の外周側第２導電型領域２０が設けられる場合には、一の外周側第２導電型領域２０の一部又は全体を別の外周側第２導電型領域２０が連続的又は断続的に取り囲むようにして設けられてもよい。また、複数の外周側第２導電型領域２０は中心部から等間隔に設けられてもよいし、徐々に間隔が狭まるようにして設けられてもよいし、徐々に間隔が広がるようにして設けられてもよい。
【００３９】
第１電極１０の一部を外周側第２導電型領域２０が取り囲む場合には、第１電極１０の外周には外周側第２導電型領域２０によって取り囲まれない部分が発生する。他方、第１電極１０の全部を外周側第２導電型領域２０が取り囲む場合には、第１電極１０の全てが外周側第２導電型領域２０によって連続的に取り囲まれることになる。本実施の形態において、第１電極１０の全てを外周側第２導電型領域２０が連続的に取り囲むというのは、図３に示すように、平面図において（図１の上方から見た場合において）、第１電極１０の全てを外周側第２導電型領域２０が連続的に取り囲んでいることを意味する。図３では、説明の便宜上、第１電極１０、外周側第２導電型領域２０及び第１絶縁層５１だけを示しており、第２絶縁層５２、第３絶縁層５３、内周側第２導電型領域４１，４２等は示していない。なお、図３では、外周側第２導電型領域２０が中抜きの略矩形状となり、略矩形状の第１電極１０を取り囲んでいるが、これに限られることはなく、外周側第２導電型領域２０は例えば中抜きの略円形状となって、第１電極１０を取り囲んでもよい。
【００４０】
本実施の形態の炭化ケイ素半導体装置は、第１導電型半導体基板３１の裏面側（図１の下方側）に、裏面側電極である裏面電極８０を有してもよい。この裏面電極８０は、例えば第１導電型半導体基板３１とオーミック接合を形成している。裏面電極８０は例えばニッケルの単層構造となってもよいし、ニッケルとチタンを含む多層構造からなってもよい。
【００４１】
≪製造方法≫
次に、上述した構成からなる炭化ケイ素半導体装置の製造方法の概略を説明する。ここでは第１電極１０が第１導電型半導体層３２とショットキー接合を形成する態様について説明するが、あくまでも一例であることには留意が必要である。なお、「製造方法」で説明するあらゆる態様を上記「構成」で採用することができ、逆に、上記「構成」のあらゆる態様を「製造方法」で採用することができる。
【００４２】
まず、高濃度の第１導電型半導体基板３１を準備する（図５（ａ）参照）。
【００４３】
次に、高濃度の第１導電型半導体基板３１上に、エピタキシャル成長によって低濃度の第１導電型半導体層３２を形成する（図５（ａ）参照）。
【００４４】
次に、低濃度内周側第２導電型領域４２及び高濃度内周側第２導電型領域４１を含む内周側第２導電型領域４１，４２と外周側第２導電型領域２０を形成する（図５（ｂ）参照）。このように内周側第２導電型領域４１，４２及び外周側第２導電型領域２０を形成し活性化する際には、周知の方法を用いることができる。一例としては、以下に述べるような方法を用いることができる。まず、内周側第２導電型領域４１，４２及び外周側第２導電型領域２０に対応する部分に開口を有するマスクを形成する。その後、当該マスクを介して、第１導電型半導体層３２の所定部位にｐ型不純物イオン（例えば、アルミニウムイオン）を、多段階に分けて、比較的高エネルギー量でかつ比較的少量打ち込む。その後、マスクを除去する。次に、高濃度内周側第２導電型領域４１及び外周側第２導電型領域２０に対応する部分に開口を有するマスクを形成する。その後、当該マスクを介して第１導電型半導体層３２の所定部位にｐ型不純物イオン（例えば、アルミニウムイオン）を、多段階に分けて、比較的低エネルギー量でかつ多量打ち込む。その後、マスクを除去する。そして、例えば１６００℃以上の温度に加熱することでｐ型不純物を活性化させる。
【００４５】
次に、第１導電型半導体層３２及び内周側第２導電型領域４１，４２上に第１絶縁層５１を設ける。その後で、第１絶縁層５１のうち、一部が第２導電型領域４１，４２上に位置し残部が第１導電型半導体層３２上に位置する位置に第１電極１０用開口部を形成する（図５（ｂ）参照）。なお、このように第１電極１０用開口部５１を形成する際には、例えば緩衝フッ酸を用いることができる。
【００４６】
次に、第１電極１０用開口部５１ａ内に第１電極１０を設ける（図５（ｃ）参照）。このように第１電極１０を設ける際にも、周知の方法を用いることができる。一例を挙げると、チタン、ニッケル及び／又はアルミニウム等を含む電極が、例えば蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布・コーティング法、電気メッキ法等によって設けられる。この際、第１電極１０は、その周縁部に段形状部１１を有するようにして形成される。
【００４７】
次に、第１絶縁層５１上に第２絶縁層５２が設けられる（図５（ｄ）参照）。その後で、第１電極１０の段形状部１１の一部（周縁部）及び第２絶縁層５２の全部を覆うようにして第３絶縁層５３が設けられる。
【００４８】
第１導電型半導体基板３１の下面（裏面）には裏面電極８０が形成される（図５（ｄ）参照）。この際にも周知の方法を用いて裏面電極８０を形成することができ、例えば、ニッケル及び／又はチタン等を含む金属が、例えば蒸着、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布・コーティング法、電気メッキ法等によって設けられる。
【００４９】
第１電極１０は第１導電型半導体層３２とショットキー接合を形成するように、前述した工程内の適宜のタイミングかつ所定の温度（例えば５００℃）で加熱処理が行われる。また、第１導電型半導体基板３１の下面（裏面）と裏面電極８０とがオーミック接合を形成するように、前述した工程内の適宜のタイミングかつ所定の温度（例えば１０００℃以上）で加熱処理が行われる。
【００５０】
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果のうち、まだ説明していないものについて説明する。なお、「作用・効果」で説明するあらゆる態様を、上記「構成」で採用することができる。
【００５１】
本実施の形態によれば、内周側第２導電型領域４１，４２の外周側に外周側第２導電型領域２０が設けられ、内周側第２導電型領域４１，４２の端部と外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離が空乏層幅より大きくなっている。このため、一般的なガードリングとは異なる効果を得ることができる。具体的には、本発明のような外周側第２導電型領域２０を用いることで、外周側第２導電型領域２０から外周側に空乏層を広げることができ、その結果、第１電極１０とワイドギャップ型半導体装置の端部近辺との間で放電が発生することを防止できる。
【００５２】
なお仮に外周側第２導電型領域２０をガードリングとして機能させるのであれば、空乏層を繋げてアノード電位を徐々に小さくすることによって電界を緩和するために、内周側第２導電型領域４１，４２の端部と外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離Ｘは空乏層幅以下となるようにして設計される。しかしながら、本実施の形態の外周側第２導電型領域２０は、空乏層を繋げることを目的とはしていない。
【００５３】
製造誤差やその他の要因も鑑みると、上記距離Ｘを
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で得られる値の１．５倍〜２倍以上の大きさとしてもよい。このような態様を採用することで、予期せず空乏層が繋がってしまうということを防止することができる。例えば、定格電圧１２００Ｖの炭化ケイ素ショットキーバリアダイオードの場合、Ｎｄが０．８×１０１６ｃｍ−３だとして、定格電圧１２００Ｖを印加する場合は、距離Ｘは最低でも１２．９μｍは必要である。このような場合には、予期せず空乏層が繋がってしまうということを防止する観点から、距離Ｘを１８μｍ〜２５μｍ（一例としては２０μｍ）程度に設計することが考えられる。
【００５４】
また、本実施の形態によれば、図１に示すように絶縁層５１，５２，５３が炭化ケイ素半導体装置の端部まで延びていることから第１電極１０と炭化ケイ素半導体装置の端部との間で放電が発生することを防止できる。
【００５５】
また、外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度が低濃度内周側第２導電型領域４２の第２導電型不純物濃度よりも高い態様を採用した場合には、（逆バイアス時に）外周側第２導電型領域２０から幅の広い空乏層を発生させることができる。このため、第１電極１０とワイドギャップ型半導体装置の端部近辺との間で放電が発生することをより確実に防止できる。なお、外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度が低い場合には、外周側第２導電型領域２０内に広がる空乏層によって外周側第２導電型領域２０自身が空乏化してしまうことが起こりうる。このように外周側第２導電型領域２０自身が空乏化してしまうと、それ以上には外周側第２導電型領域２０の外周及び内周側には空乏層が広がらない。他方、外周側第２導電型領域２０の第２導電型不純物濃度が高い場合には、外周側第２導電型領域２０自身が空乏化してしまうことが起こりにくい。このため、外周側第２導電型領域２０の外周及び内周側に広い空乏層を形成できる。この観点からすると、第２導電型不純物濃度は、１×１０１８〜１×１０２３であることが好ましく、１×１０１９〜１×１０２３であることがより好ましい。
【００５６】
なお、外周側第２導電型領域２０自身が空乏化しないようにするためには、外周側第２導電型領域２０の幅Ｌ（図１参照）が、以下の数式を満たせばよい。なお、２倍されているのは、外周側第２導電型領域の両方向から空乏層が内部に広がるためである。外周側第２導電型領域２０の幅Ｌが大きくなることはあまり好ましくないことから、外周側第２導電型領域２０の幅Ｌを小さくするためには外周側第２導電型領域２０における第２導電型不純物の濃度Ｎｄを高くする必要がある。
2017149743.tif 000005
【００５７】
絶縁層５１，５２，５３と炭化ケイ素からなる第１導電型半導体層３２との間の界面には、界面準位が存在している。特に、絶縁層５１，５２，５３と炭化ケイ素との間の界面における界面準位密度は絶縁層５１，５２，５３とケイ素（Ｓｉ）との間の界面と比較して大きくなっている。絶縁層５１，５２，５３と炭化ケイ素からなる第１導電型半導体層３２との間の界面に存在するこの界面準位によって電子がトラップされることになるが、捕えられた電子のうち、深い界面準位にある電子は時定数が大きく脱出できないので、実質的には負の固定電荷として振る舞う（図７（ａ）参照）。特に、炭化ケイ素はケイ素よりもバンドギャップが大きいため、固定電荷は−１×１０１１〜−１×１０１３とケイ素の場合と比較して大きくなってしまう。このため、絶縁層５１，５２，５３の直下に位置する第１導電型半導体層３２は、トラップされた電子によってバンドが持ち上がり、第２導電型化する（この第２導電型化した領域を「反転層」という。）。このような炭化ケイ素半導体装置における現象は、炭化ケイ素以外の窒化ガリウム（ＧａＮ）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）といったワイドギャップ型半導体でも生じうる。
【００５８】
そして、本願の発明者らの研究によって、当該第２絶縁層５２が内周側第２導電型領域４１，４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の内周側端部まで延びている場合には、反転層が外周側第２導電型領域２０まで形成できることを確認できた。この結果、この反転層によって外周側第２導電型領域２０の電位は内周側第２導電型領域４１，４２とほぼ同じ値になり、外周側第２導電型領域２０から空乏層を十分に広げることができる。このため、第１電極１０と炭化ケイ素半導体装置の端部との間で放電が発生することをより確実に防止できる。
【００５９】
反転層が形成される効果は、第２絶縁層５２が窒化膜である場合に顕著に示されることも確認でき、特にＳｉＮである場合により顕著に示されることを確認できた。このため、第２絶縁層５２は窒化膜（特にＳｉＮ）であることが非常に有益である。さらに、第２絶縁層５２が少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の中心部まで延びている場合に、この効果を十分に得ることも確認できたので、第２絶縁層５２は、内周側第２導電型領域４１，４２の上方のいずれかの位置から少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の中心部まで延びていることが有益である。なお、第２絶縁層５２が少なくとも外周側第２導電型領域２０の幅方向の外周側の端部まで延びている場合には、より十分な効果を得ることができた。
【００６０】
外周側第２導電型領域２０が設けられること及び／又は（窒化膜である）第２絶縁層５２が端部まで延びないことで、反転層がワイドギャップ型半導体装置の端部まで形成されることを防止できる。この結果、反転層によって漏れ電流が発生することを防止できる。
【００６１】
外周側第２導電型領域２０がワイドギャップ型半導体装置の端部からワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されている態様を採用した場合には、外周側第２導電型領域２０から広がる空乏層がこのようなダメージに触れてしまうことを防止できる。空乏層には電界が発生しているので、空乏層がこのようなダメージに触れてしまうと漏れ電流が発生してしまうためである。この観点からは、外周側第２導電型領域２０は、ワイドギャップ型半導体装置の端部からワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離（３０μｍ〜６０μｍ以上）と、外周側第２導電型領域２０から外周側に広がる空乏層幅との「和」よりも離れて配置されている方が有益である。
【００６２】
また、内周側第２導電型領域４１，４２の端部と外周側第２導電型領域２０の端部との間の距離Ｘは、内周側第２導電型領域４１，４２の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域２０から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなる態様を採用した場合には、内周側第２導電型領域４１，４２の端部から外周側に広がる空乏層と、外周側第２導電型領域２０から内周側に広がる空乏層とが重ならないようにでき、互いに両者の影響を受けることを防止できる。このため、一例としては、耐圧のための内周側第２導電型領域４１，４２に関する設計内容を他の半導体装置を設計する際に用いることができるし、放電防止のための外周側第２導電型領域２０に関する設計内容を他の半導体装置を設計する際に用いることができる。この結果、既に取得したデータに汎用性を持たせることもできる。また、内周側第２導電型領域４１，４２を含む第一部品と、外周側第２導電型領域２０を含む第二部品とを別々に製造し、これらを適宜組み合わせることで半導体装置を製造することもできる。
【００６３】
特に、ガードリングが複数設けられている態様では耐圧を実現するための設計が煩雑になっていることから、当該ガードリングが外周側第２導電型領域２０による影響を受けることになると、設計をし直すことは非常に手間がかかってしまう。このため、外周側第２導電型領域２０の端部とガードリング等の耐圧構造との間の距離（図１の左右方向における距離）は、外周側第２導電型領域２０の端部から内周側に広がる空乏層と耐圧構造から外周側に広がる空乏層とが重ならないようになっていることが有益である。
【００６４】
高濃度内周側第２導電型領域４１における第２導電型不純物濃度が、外周側第２導電型領域２０における第２導電型不純物濃度と等しくなっている態様を採用した場合には、高濃度内周側第２導電型領域４１と外周側第２導電型領域２０とを同じ手法で製造できるので、製造工程を簡略化することができ、製造コストを下げることができる。
【００６５】
本実施の形態の外周側第２導電型領域２０が第１電極１０を取り囲むようにして設けられた場合には（図３参照）、上方から見たときに空乏層を万遍なく広げることができる点で有益である。なお、外周側第２導電型領域２０が１つだけ設けられるような場合であっても、第１電極１０からワイドギャップ半導体装置（素子）の端部への放電を抑止する効果として十分なものを得ることを期待できることには留意が必要である。
【００６６】
また、状況によっては、外周側第２導電型領域２０は、第１電極１０を取り囲むようにして断続的に設けられてもよいし、第１電極１０の一部のみを取り囲むようにして設けられてもよい。
【００６７】
第２の実施の形態
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。
【００６８】
第２の実施の形態では、図６に示されるように外周側第２導電型領域２０よりも外周側（端部側）に、第１導電型半導体層３２とショットキー接合を形成する第２電極９０が設けられている。
【００６９】
第２の実施の形態において、その他の構成は、第１の実施の形態と略同一の態様となっている。
【００７０】
本実施の形態でも、第１の実施の形態と同様の効果を奏することができる。より具体的には、第１の実施の形態で達成できた効果に加え、以下に示すような効果も得ることができる。
【００７１】
本実施の形態では、外周側第２導電型領域２０とワイドギャップ型半導体装置の端部との間に第２電極９０が設けられ、当該第２電極９０と第１導電型半導体層３２とがショットキー接合を形成している。このため、当該位置において電子がトラップされずバンドが持ち上がらず、外周側第２導電型領域２０を通過した「反転層」が第２電極９０の外周側に形成されることを防止できる（図７（ｂ）参照）。その結果、反転層によって漏れ電流が発生することをより確実に防止できる。
【００７２】
また、図６に示すように第３絶縁層５３を設けることで、第１電極１０と第２電極９０との間の放電を抑制することができる。
【００７３】
上述した各実施の形態の記載、変形例の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載又は図面の開示によって特許請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。
【符号の説明】
【００７４】
１０        第１電極
２０        外周側第２導電型領域
３２        第１導電型半導体層
４１        高濃度内周側第２導電型領域（内周側第２導電型領域）
４２        低濃度内周側第２導電型領域（内周側第２導電型領域）
５１        第１絶縁層（絶縁層）
５２        第２絶縁層（絶縁層）
５３        第３絶縁層（絶縁層）
９０        第２電極
【図１】
2017149743.tif 000006
【図２】
2017149743.tif 000007
【図３】
2017149743.tif 000008
【図４】
2017149743.tif 000009
【図５】
2017149743.tif 000010
【図６】
2017149743.tif 000011
【図７】
2017149743.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成28年9月5日(2016.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイドギャップ型半導体装置において、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなり、
前記絶縁層は、前記第１導電型半導体層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第２絶縁層とを有し、
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の内周側端部まで延びているが、端部まで延びておらず、
前記第２絶縁層が窒化膜であることを特徴とするワイドギャップ型半導体装置。
【請求項２】
前記外周側第２導電型領域は、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部から、前記ワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項３】
前記内周側第２導電型領域は、高濃度内周側第２導電型領域と、前記高濃度内周側第２導電型領域よりも第２導電型不純物濃度が低い低濃度内周側第２導電型領域とを有し、
前記外周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度は、前記低濃度内周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項４】
前記高濃度内周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度は、前記外周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度と等しくなっていることを特徴とする請求項３に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項５】
（削除）
【請求項６】
（削除）
【請求項７】
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の幅方向の中心部まで延びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層は、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層をさらに有し、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層よりも外周側に延びるとともに、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びていないことを特徴とする請求項１乃至４及び７のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項９】
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１乃至４、７及び８のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項１０】
ワイドギャップ型半導体装置において、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
前記外周側第２導電型領域よりも外周側に設けられ、前記第１導電型半導体層とショットキー接合を形成する第２電極と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっていることを特徴とするワイドギャップ型半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成28年12月6日(2016.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイドギャップ型半導体装置において、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなり、
前記絶縁層は、前記第１導電型半導体層上に設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた第２絶縁層とを有し、
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の内周側端部まで延びているが、端部まで延びておらず、
前記第２絶縁層が窒化膜であることを特徴とするワイドギャップ型半導体装置。
【請求項２】
前記外周側第２導電型領域は、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部から、前記ワイドギャップ型半導体装置を切断して製造する際に入るダメージを受けない距離だけ離れて配置されていることを特徴とする請求項１に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項３】
前記内周側第２導電型領域は、高濃度内周側第２導電型領域と、前記高濃度内周側第２導電型領域よりも第２導電型不純物濃度が低い低濃度内周側第２導電型領域とを有し、
前記外周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度は、前記低濃度内周側第２導電型領域の第２導電型不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項４】
前記高濃度内周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度は、前記外周側第２導電型領域における第２導電型不純物濃度と等しくなっていることを特徴とする請求項３に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項５】
前記第２絶縁層は、前記内周側第２導電型領域の上方のいずれかの位置から少なくとも前記外周側第２導電型領域の幅方向の中心部まで延びていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁層は、前記第２絶縁層上に設けられた第３絶縁層をさらに有し、
前記第３絶縁層は、前記第２絶縁層よりも外周側に延びるとともに、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びていないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項７】
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域の端部から外周側に広がる空乏層幅と、外周側第２導電型領域から内周側に広がる空乏層幅との和よりも大きくなっていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のワイドギャップ型半導体装置。
【請求項８】
ワイドギャップ型半導体装置において、
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた内周側第２導電型領域と、
一部が前記内周側第２導電型領域上に位置し、残部が前記第１導電型半導体層上に位置する第１電極と、
前記第１導電型半導体層上であって前記第１電極に隣接して設けられ、前記ワイドギャップ型半導体装置の端部まで延びた絶縁層と、
前記第１導電型半導体層上であって、前記内周側第２導電型領域の外周側に設けられた外周側第２導電型領域と、
前記外周側第２導電型領域よりも外周側に設けられ、前記第１導電型半導体層とショットキー接合を形成する第２電極と、
を備え、
前記内周側第２導電型領域の端部と前記外周側第２導電型領域の端部との間の距離は、前記内周側第２導電型領域から外周側に広がる空乏層幅より大きくなっていることを特徴とするワイドギャップ型半導体装置。                        
【国際調査報告】
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2017149743.tif 000014
2017149743.tif 000015
2017149743.tif 000016