【事件の表示】
　特許第６０３１２９２号発明「プローブカードへの基板当接方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６０３１２９２号の請求項１ないし８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第６０３１２９２号の請求項１ないし８に係る特許についての出願は，平成２４年７月３１日に特許出願され，平成２８年１０月２８日にその特許権の設定登録がされ，その後，その特許に対し，特許異議申立人佐藤桂子により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件特許発明
　特許第６０３１２９２号の請求項１ないし８の特許に係る発明は，それぞれ，その特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定される，次のとおりのものである。
「【請求項１】
　基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する基板検査装置のプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接方法において，
　板状部材に載置された基板を前記板状部材とともに，前記プローブカードに向かって移動させて前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後，前記基板を前記板状部材とともに，さらに前記プローブカードに向かって所定量移動させる当接工程と，
　前記基板が前記板状部材とともにさらに前記プローブカードに向かって前記所定量移動した後に前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する保持工程と，を有し，
　前記保持工程における前記空間の減圧圧力は，前記基板及び前記板状部材の自重と，前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力との合計に耐えうる当接力が得られる圧力に調整されることを特徴とするプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明１」という。）
「【請求項２】
　前記基板を，前記板状部材を介してチャック部材に載置して前記プローカードと対向する位置まで搬送する搬送工程と，
　前記保持工程後，前記チャック部材を前記板状部材から切り離す脱離工程と，をさらに有することを特徴とする請求項１記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明２」という。）
「【請求項３】
　前記当接工程における所定量は，１０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明３」という。）
「【請求項４】
　前記保持工程において，前記空間の圧力を段階的に減圧することを特徴とする請求項３記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明４」という。）
「【請求項５】
　前記板状部材の周囲には，該板状部材と前記プローブカードとの間の空間をシールするシール部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明５」という。）
「【請求項６】
　前記脱離工程後のチャック部材は，前記プローブカードとは別のプローブカードに対応する位置まで移動して前記基板とは別の基板に形成された半導体デバイスの電気的特性の検査に用いられることを特徴とする請求項２記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明６」という。）
「【請求項７】
　前記保持工程において，前記チャック部材の上面と前記プローブカードの取り付け面又は前記チャック部材の上面と前記プローブカードの下面との間の距離を検出する距離検出センサの検出値に基づいて前記空間内の圧力を調整することを特徴とする請求項２又は６記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下，「本件特許発明７」という。）
「【請求項８】
　前記脱離工程後，前記空間を更に減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接圧力を高くする減圧工程を有することを特徴とする請求項２，６及び７のいずれか１項に記載のプローブカードへの基板当接方法。」（以下「本件特許発明８」という。）
第３　申立理由の概要
　特許異議申立人佐藤桂子は，主たる証拠として国際公開２０１２／０２６０３６号（以下，「甲第１号証」という。）を，及び，従たる証拠として，特開２０１１−９１２６２号公報（以下，「甲第２号証」という。），特開平８−５６６６号公報（以下，「甲第３号証」という。），特開平７−７４２１９号公報（以下，「甲第４号証」という。），特開２００９−２７６２１５号公報（以下，「甲第５号証」という。）を提出し，本件特許の請求項１ないし８に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものであるから，請求項１ないし８に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
第４　甲第１号証ないし甲第５号証について
　１　甲第１号証
（１）甲第１号証の記載事項  （当審注。下線は当審において付加した。以下，同じ。）
　ア「［0001］本発明は，
半導体ウェハに形成された集積回路素子等の被試験電子部品（以下，ＤＵＴ（Device　Under　Test）とも称する。）を，プローブカードを用いて試験する半導体ウェハの試験方法
半導体ウェハ試験装置
　イ「［0006］上記の構造では，
チャックを介して半導体ウェハをプローブカードに押し付けるため，当該チャックやプローブカードの剛性を高めておく必要があり，高コスト化を招来するという問題がある。半導体ウェハに形成された全てのＤＵＴにプローブカードを同時に接触させる一括コンタクト方式を採用する場合には，この問題は特に顕著である
［0007］
本発明が解決しようとする課題は，低コスト化を図ることが可能な半導体ウェハの試験方法，半導体ウェハ搬送装置，及び半導体ウェハ試験装置を提供することである
　ウ「［0056］
半導体ウェハをプローブカードに下方から単に押し付ける従来の押圧方式のウェハプローバでは，チャックやステージ，プローブカードのスティフナの剛性を高めておく必要がある。これに対し，本実施形態では，減圧によって半導体ウェハ１００とプローブカード２１とを電気的に接触させるので，従来の押圧式のプローバのチャックと比較して，チャック３３，ステージ３２，或いはプローブカード２１のスティフナの剛性を低くすることができ，半導体ウェハ試験装置１の低コスト化を図ることができる。
　エ「［0060］本実施形態における半導体ウェハ試験装置１Ｂは，図８に示すように，テストヘッド１０と，インタフェース組立体２０と，ウェハプローバ３０Ｂと，を備えている。テストヘッド１０及びインタフェース組立体２０の構成は，第１実施形態と同様であるので，同一の符号を付して説明を省略する。
［0061］本実施形態におけるウェハプローバ３０Ｂは，（１）チャック３３に代えてウェハトレイ５０がステージ６０に取り付けられており，（２）ウェハトレイ５０を着脱可能に保持する先端保持部６１がステージ６０に設けられており，さらに（３）ウェハトレイ５０と当接するメカニカルストッパ７０を備えている点で，第１実施形態と相違する。
［0062］本実施形態における
ウェハトレイ５０は，第１実施形態で説明したチャック３３と類似の構成
半導体ウェハ１００が載置される平坦な上面５０１を持つ略円板状の部材
［0063］このウェハトレイ５０の上面５０１には，半導体ウェハ１００よりも小径の３つの環状溝５０２が同心円状に形成されている。これらの環状溝５０２は，ウェハトレイ５０内に形成された吸着用通路５０３に連通している。この吸着用通路５０３は，吸着ポート５０４を介して第１の真空ポンプ（不図示）に接続されている。
［0064］従って，ウェハトレイ５０の上面５０１に半導体ウェハ１００を載置した状態で第１の真空ポンプによって吸引を行うと，環状溝５０２内に発生した負圧によって半導体ウェハ１００がウェハトレイ５０に吸着保持される。なお，環状溝５０２の形状や数は特に限定されない。
［0065］さらに，本実施形態では，ウェハトレイ５０内に減圧用通路５０５が形成されている。この減圧用通路５０５は，上面５０１において最外側の環状溝５０２のさらに外側に位置する吸引孔５０６で開口している。この減圧用通路５０５は，減圧ポート５０７を介して，第２の真空ポンプ（不図示）に接続されている。本実施形態における第２の真空ポンプが，本発明における減圧手段の一例に相当する。
［0066］また，
ウェハトレイ５０の上面５０１の外周部近傍には，環状のシール部材５１が設けられている。このシール部材５１の具体例としては，例えばシリコーンゴムからなるパッキン等を例示することができる。ウェハトレイ５０がプローブカード２１に押し付けられると，このシール部材５１によって，ウェハトレイ５０の上面５０１とプローブカード２１との間に密閉空間５３（図１５参照）が形成されるようになっている。
［0067］さらに，ウェハトレイ５０内には，上述のチャック３３と同様に，冷却用通路５０８が形成されていると共にヒータ５２及び温度センサ（不図示）が埋設されており，半導体ウェハ１００の温度調節を行うことが可能となっている。
［0068］以上に説明した
ウェハトレイ５０は，ステージ６０によって着脱可能に保持されて移動することが可能となっている。
　オ　「［0074］
メカニカルストッパ７０は，図１２に示すように，モータ７１，ボールねじ機構７２，及び当接部材７３を備えている。なお，本実施形態におけるメカニカルストッパ７０が，本発明における当接手段の一例に相当する
［0075］モータ７１は，例えば，サーボモータ又はパルスモータから構成されており，ストロークを数値管理することが可能となっている。ボールねじ機構７２は，モータ７１の駆動軸に連結されており，モータ７１が発生した回転駆動力をＺ方向沿った直線駆動力に変換する。当接部材７３は，ボールねじ機構に取り付けられており，ボールねじ機構７２によって変換されたモータ７１の駆動力によって，Ｚ軸方向に移動することが可能となっている。
［0076］なお，モータ７１及びボールねじ機構７２に代えて，圧電素子（ピエゾ素子）を用いてもよい。
［0077］このメカニカルストッパ７０は，ウェハプローバ３０のヘッドプレート３１において，プローブカード２１が挿入される開口３１ａに周囲に取り付けられており，通常はモータ７１が停止しており，当接部材７３がウェハトレイ５０の外周部に当接してストッパとして機能する。そして，後述するように，例えば
半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２との電気的接触をトリガとして，モータ７１が駆動して当接部材７３が所定量（例えば１００μｍ程度）後退するようになっている
　カ「［0081］次に，以上に説明した半導体ウェハ試験装置１Ｂによる半導体ウェハ１００の試験方法について，図１４及び図１５を参照しながら説明する。図１４は本実施形態における半導体ウェハの試験方法を示すフローチャート，図１５は図１４のステップＳ２２〜Ｓ２４を示す拡大断面図である。
［0082］
先ず，図１４のステップＳ２１において，ウェハプローバ３０Ｂのステージ６０が，半導体ウェハ１００を保持しているウェハトレイ５０を，プローブカード２１に対向する位置に移動させる。次いで，ウェハトレイ５０のシール部材５１がプローブカード２１のカード基板２１１に密着するまで，ステージ６０がウェハトレイ５０を上昇させる。シール部材５１がプローブカード２１に密着してプローブカード２１とウェハトレイ５０との間に密閉空間５３が形成されるまでウェハトレイ５０を上昇させたら，ステージ６０は停止する。
［0083］
次いで，図１４のステップＳ２２において，図１５に示すように，第２の真空ポンプを作動させて密閉空間５３内を減圧する。
［0084］
この際，同図に示すように，密閉空間５３内の減圧に伴って生じる吸着力Ｆ
Ｐ
　が，プローブカード２１が有する全てのプローブ針２１２に必要な押圧力Ｆ
Ｎ
（例えば２００〜３００[kgf]（１．９６×１０
３
[N]〜２．９４×１０
３
[N]）程度）よりも若干強く（Ｆ
Ｐ
＞Ｆ
Ｎ
）なるように，第２の真空ポンプを制御する。
［0085］
この減圧に伴って，半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが接触すると，例えば，テストヘッド１０が半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２との電気的な接触を検出する（ステップＳ２３）
［0086］なお，本実施形態では，半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが接触したら，ステージ６０は，他の作業（他のウェハトレイ５０の移動やアライメント等）を行うために，ウェハトレイ５０から離れて下降する。
［0087］次いで，図１４のステップＳ２４において，この検出をトリガとして，図１５に示すように，メカニカルストッパ７０のモータ７１を駆動させて，当接部材７３を所定量（例えば１００μｍ）後退させる。
［0088］この際，上述のように，
減圧による吸着力Ｆ
Ｐ
が，プローブ針２１２の必要押圧力Ｆ
Ｎ
よりも若干強くなっているので（Ｆ
Ｐ
＞Ｆ
Ｎ
），当接部材７３の後退に伴ってウェハトレイ５０がプローブカード２１にさらに接近する。この接近によって，プローブカード２１のプローブ針２１２が半導体ウェハ１００の電極１１０に食い込むので，プローブ針２１２と電極１１０とが確実に接触する
［0089］次いで，図１４のステップＳ２５において，テストヘッド１０がインタフェース組立体２０を介して半導体ウェハ１００のＤＵＴに対して試験信号を入出力することで，ＤＵＴの試験が実行される。
［0090］以上のように，本実施形態では，減圧によって半導体ウェハ１００とプローブカード２１とを電気的に接触させるので，ウェハトレイ５０，ステージ６０，或いはプローブカード２１のスティフナの剛性を低くすることができ，半導体ウェハ試験装置１Ｂの低コスト化を図ることができる。」
（２）甲第１号証に記載された発明
　
　以上の前記アないしカの記載及び図面を総合すると，甲第１号証には，次の発明（以下，「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「半導体ウェハ１００に形成された集積回路素子等の被試験電子部品を試験する半導体ウェハ試験装置のプローブカード２１に前記半導体ウェハ１００を当接するプローブカード２１への半導体ウェハ当接方法において，
　略円板上のウェハトレイ５０に保持された半導体ウェハ１００を，前記プローブカード２１に対向する位置に移動させ，ウェハトレイ５０を上昇させ，シール部材５１がプローブカード２１のカード基板２１１に密着して，プローブカード２１とウェハトレイ５０との間に密閉空間５３を形成し，当該密閉空間５３を減圧し，この減圧に伴って，半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２とを電気的に接触させ，当接部材７３を所定量後退させることによって，ウェハトレイ５０が半導体ウェハ１００とともに，さらにプローブカード２１に向かって所定量移動させ，前記半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２との電気的な当接状態を確実にする，半導体ウェハ当接方法。」
　２　甲第２号証
（１）甲第２号証の記載事項
　ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
半導体ウエハ上に形成された複数の半導体装置（チップまたはダイ）の電気的な検査を行うプローバおよびプローブ検査方法
　イ「【００２４】
　本発明は，
１枚ずつプローブ検査する場合に，ウエハチャックのＺ軸に大きな圧力を印加すること無しに，ウエハ上の全チップの同時プローブ検査が可能なプローバおよびプローブ検査方法の実現を目的とする
　ウ「【００３８】
　図４に示すように，第１実施形態のプローバは可撓性プローブカードを装着可能に構成されている。可撓性プローブカード５０は，フレキシブル基板５１と，剛性を有するリング状部材５２と，バンプ状のプローブ群５３と，コンタクト電極群５４と，を備え，図２および図３を参照して説明したのと類似の構成を有する。可撓性プローブカード５０は，プローブカード保持部２３に装着可能であり，テスタのコンタクトリング３２の端子３４が，コンタクト電極群５４に接触される。図４では，リング状部材５２をプローブカード保持部２３に載置するように示しているが，可撓性プローブカードのプローブカード保持部２３への取り付け方法は，各種の変形例が可能である。
【００３９】
　プローバのウエハチャック１６には，シーリング機構が設けられる。シーリング機構は，ウエハチャック１６に沿って移動可能なリング状移動部材５６と，リング状移動部材５６の上に設けられた弾性を有するリング状シール部材５７と，を備える。第１実施形態のプローバは，さらに，空圧源６１と，電空レギュレータ６２と，センサ６３と，を備える。リング状移動部材５６に設けられた流路口は，電空レギュレータ６２に接続されている。リング状シール部材５７がフレキシブル基板５１に接触してフレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間に形成されるシールされた内部空間は，空圧源６１および電空レギュレータ６２により内部の圧力が変化可能，特に減圧状態および加圧状態にすることが可能なように構成されている。センサ６３は，この内部空間の圧力を検出し，所定の値になっているか確認する。
【００４０】
　可撓性プローブカードは，プローブカード保持部２３にあらかじめ装着されている。リング状移動部材５６を下方に移動した状態で，
ウエハＷがウエハチャック１６上にロードされ，真空吸着により固定される。前述のアライメント・針合わせ動作が行われ，ウエハＷの電極パッドとプローブ群５３との位置関係が検出される。検出した位置関係に基づいて，対応する電極パッドがプローブの直下に位置するように，ウエハチャック１６を移動し，図４の（Ａ）に示す状態になる。
【００４１】
　
この状態で，ウエハチャック１６が上昇すると，対応する電極パッドがプローブに接触するので，これを電気的に検出して，ウエハチャック１６の上昇を停止する。次に，リング状移動部材５６を上昇すると，リング状シール部材５７がフレキシブル基板５１に接触し，フレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間にシールされた内部空間が形成される。そして電空レギュレータ６２を動作させ，内部空間の圧力を低下させると，フレキシブル基板５１には大気圧と減圧された内部空間の圧力の差圧が印加される。これにより，フレキシブル基板５１はウエハＷに押し付けられ，フレキシブル基板５１のバンプ状プローブが電極パッドに押し当てられる。この時，フレキシブル基板５１はリング状シール部材５７にも押し付けられ，リング状シール部材５７が変形して内部空間の密閉度はさらに向上する。
【００４２】
　バンプ状のプローブは，独立した突起が電極パッドに対応して配置されており，ウエハＷに押し当てられた状態でも，隣接するプローブとの間は空間が形成される。このため，大気圧と内部空間の圧力差は，フレキシブル基板５１の全面で一様に働くので，プローブは均一な接触圧で対応する電極パッドに接触する。」
　エ「【００４９】
　図７は，第１実施形態のプローバを使用してウエハテストシステムにおける検査動作を示すフローチャートである。この検査動作は，可撓性プローブカード５０があらかじめ装着されている状態で行う。非可撓性プローブカードを装着した場合は従来例と同じなので説明は省略する。また，図８は，この動作に伴うウエハチャックと可撓性プローブカード５０の部分の状態の変化を示す図である。以下，図７および図８を参照して，第１実施形態のプローバを使用した検査動作を説明する。
【００５０】
　ステップ１０１では，
ウエハチャック１６上に検査するウエハをロードし固定する。
【００５１】
　ステップ１０２では，
アライメントおよび針合わせ処理を行い，ウエハの電極パッドとプローブとの位置関係を検出し，検出した位置関係に基づいて，電極パッドが対応するプローブの下に位置するようにウエハチャック１６を移動する。
　ステップ１０３では，
ウエハチャック１６を上昇して，電極パッドをプローブに接触（コンタクト）させる。
　ステップ１０４では，
シリンダを動作させてシーリング機構を上昇させ，内部空間をシール（密閉）する。
　ステップ１０５では，
密閉された内部空間を減圧する。この時，例えば，最初は緩やかな減圧速度で減圧し，フレキシブル基板５１にある程度以上圧力がかかった状態で高い減圧速度にして所定の圧力まで減圧する。
【００５２】
　ステップ１０６では，テスタからウエハＷの各チップに電源およびテスト信号を供給し，チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査を行う。
【００５３】
　ステップ１０７では，密閉された内部空間の減圧を解除，具体的には内部空間に大気圧を導入する。なお，この時に，大気圧を導入するだけではフレキシブル基板５１からウエハＷを離す時の抵抗が大きい場合があるので，内部空間に大気圧より若干高い圧力を導入するようにしてもよい。
【００５４】
　ステップ１０８では，シリンダを動作させてシーリング機構を降下させ，内部空間を開放する。（図８の（Ｄ））
　ステップ１０９では，ウエハチャック１６を降下する。（図８の（Ｅ））
　ステップ１１０では，検査済ウエハＷの固定を解除し，ウエハチャック１６から検査済ウエハＷをアンロードする。」
（２）甲第２号証に記載された発明
　以上の前記アないしエの記載及び図面を総合すると，甲第２号証には，次の発明（以下，「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「ウエハチャック１６が上昇し，対応する電極パッドがプローブに接触し，フレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間にシールされた内部空間を形成し，内部空間の圧力を低下させ，フレキシブル基板５１はウエハＷに押し付けられ，フレキシブル基板５１のバンプ状プローブが電極パッドに押し当てられるウエハＷのプローブへのウエハ当接方法。」
　３　甲第３号証
（１）甲第３号証の記載事項
　ア「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体ウェハ上に形成された複数の集積回路をウェハ状態で同時に検査する装置及び方法に関する。」
　イ「【００５１】
　図１（ａ）は本発明の第１実施例に係る半導体ウェハ収納器の平面図であり，図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線の断面図である。図１（ａ），（ｂ）において，７は半導体ウェハ８を保持するセラミックからなる保持板，２０は保持板７に形成され，外部から半導体ウェハ８を吸引して保持板７に密着させるための吸引孔，９はポリイミドからなるプローブシート，１０はプローブシート９を固定するセラミックリング，１１は厚さ０．５ｍｍ程度の異方性導電ゴムであって，該異方性導電ゴム１１は主面と垂直な方向にのみ導通する。また，図１（ａ），（ｂ）において，１２はセラミックからなる配線基板，１３はセラミックリング９と配線基板１２とを固定する固定ねじ，１４はプローブシート９上に形成されたプローブ端子としてのバンプである。
　【００５２】
　バンプ１４は，Ｎｉからなり，高さ２０μｍ程度の半球状に形成され，Ｎｉの表面は厚さ１μｍのＡｕにより覆われており，半導体ウェハ８の検査用の集積回路端子（図示せず）に接続される。バンプ１４は異方性導電ゴム１１を介して配線基板１２内に形成された配線１５に接続されており，配線１５は外部コネクタ１７に接続されている。１６は配線基板１２と保持板７とによって半導体ウェハ８及びプローブシート９を挟持する固定ねじであり，該固定ねじ１６と異方性導電ゴム１１とによって，バンプ１４は半導体ウェハ８の集積回路端子に確実に接触され，バンプ１４と集積回路端子との接触抵抗を下げることができる。」
　ウ「【００７２】
　図６（ａ）は本発明の第６実施例に係る半導体ウェハ収納器の平面図であり，図６（ｂ）は図６（ａ）におけるVI−VI線の断面図である。
　【００７３】
　第６実施例が第１実施例と異なるのは，第１実施例においては，固定ねじ１６によって配線基板１２と保持板７とを接近させたが，第６実施例においては，配線基板１２と保持板７との間に密封空間を形成し，該密封空間を減圧することによって配線基板１２と保持板７とを接近させる点である。すなわち，保持板７の周縁部の上に，加圧されると弾性的に大きく収縮するリング状のシリコンゴム等よりなるシール材３３を配置して，配線基板１２と保持板７との間に密封空間を形成し，保持板７に設けられた開閉弁３６により開閉される吸引孔３８から前記密封空間を減圧するものである。
　【００７４】
　第６実施例において，配線基板１２，保持板７及びシール材３３により囲まれる空間部を真空ポンプを用いて例えば２００Ｔｏｒｒ以下に減圧する。半導体ウェハ８のサイズを例えば６インチとすると，大気圧は約７６０Ｔｏｒｒであるので，大気と密封空間との圧力差により半導体ウェハ８上には少なくとも１３０ｋｇ以上の荷重が加わる。シール材３３はシリコンゴム等よりなり収縮性が高いので，１３０ｋｇ以上の荷重の大部分はプローブシート９を介してバンプ１４に均一に加わる。半導体ウェハ８上の集積回路端子の材料が例えばＡｌとすると１バンプ当り約１０ｇの荷重によって０．５Ω以下で安定したバンプ１４と集積回路端子間の接触抵抗を得ることができるので，１００００箇所以上のバンプ１４と集積回路端子との間の確実な接触が可能になる。前記の減圧状態を保持することにより，低抵抗で多数のバンプ１４と集積回路端子との間の電気的接続が確保された半導体ウェハ収納器を構成できるので，バンプ１４と集積回路端子との間の接触不良がなくなると共に半導体ウェハ８上の全集積回路に均質な入力波形を供給できるので，検査精度の向上を図ることができる。
　【００７５】
　尚，第６実施例に代えて，
配線基板１２を半導体ウェハ８及びシール材３３の上に配置した後，配線基板１２又は保持板７を両者が互いに接近するように押圧してバンプ１４と集積回路端子とを接触させておいてから，配線基板１２，保持板７及びシール材３３により形成される密封空間を減圧してもよい
（２）甲第３号証に記載された発明
　以上の前記アないしウの記載を総合すると，甲第３号証には，次の発明（以下，「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「プローブシート９上に形成されたプローブ端子としてのバンプ１４と集積回路端子とを接触させておいてから，配線基板１２，保持板７及びシール材３３により形成される密封空間を減圧する，プローブシート９上に形成されたプローブ端子としてのバンプ１４に対する半導体ウェハの半導体ウェハ当接方法。」
　４　甲第４号証
（１）甲第４号証の記載事項
　ア「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は，例えば半導体チップが形成された半導体ウェハ，多数の半導体チップが配列されるマルチチップモジュールの基板などの半導体集積回路装置の検査を行う際に，被検査物としての半導体集積回路装置の測定部位と外部の試験装置の電気信号とを接続するプローブ基板，およびその製造方法，並びにプローブ基板が組み込まれ，この
プローブ基板を被検査物の所定の位置に当接させることによって検査を可能にするプローブ装置
　イ「【００１０】
　さらに，
プローブカード４００を用いて検査を行なう際に，オーバードライブと称して，探針４０２とパッドＰｄとの間の接触抵抗を低減させるために，外力により一旦探針４０２を押圧して，探針４０２の先端部をパッドＰｄにくい込ませる作業が行われる
（２）甲第４号証に記載された発明
　以上の（ア），（イ）の記載を総合すると，甲第４号証には，次の発明（以下，「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。
「プローブカード４００を用いて検査を行なう際に，オーバードライブと称して，探針４０２とパッドＰｄとの間の接触抵抗を低減させるために，外力により一旦探針４０２を押圧して，探針４０２の先端部をパッドＰｄにくい込ませる基板当接方法。」
　５　甲第５号証
（１）甲第５号証の記載事項
　ア「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
半導体ウエハ等の被検査体の電気的特性検査を行うプローブ装置
載置台上の被検査体とプローブカードのプローブを予め設定された所定のオーバードライブ量で電気的に接触させることができるプローブ装置
　イ「【００２６】
第１の実施形態
　本実施形態のプローブ装置１０は，例えば図１の（ａ），（ｂ）に示すように，被検査体（例えば，半導体ウエハ）Ｗを載置するＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台１１と，載置台１１をＸ，Ｙ及びＺ方向へ移動させる駆動機構１２と，載置台１１の上方に配置され且つ上記被検査体の電極と接触する複数のプローブ１３Ａを有するプローブカード１３と，プローブカード１３の固定機構１４を支持する支持体（ヘッドプレート）１５と，載置台１１を含む各種の機器を制御する制御装置１６と，を備え，
プローブカード１３に接続リング１７を介して所定の荷重でテストヘッド１８を電気的に接続させた状態で載置台１１をオーバードライブさせて半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａを電気的に接触させ，テスタ２０からの信号に基づいて半導体ウエハＷの電気的特性検査を行う
（２）甲第５号証に記載された発明
　以上の（ア），（イ）の記載を総合すると，甲第５号証には，次の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。
　「プローブカード１３に接続リング１７を介して所定の荷重でテストヘッド１８を電気的に接続させた状態で載置台１１をオーバードライブさせて半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａを電気的に接触させる半導体ウエハ当接方法。」
第５　判断
　１　本件特許発明１について
（１）対比
　ア　本件特許発明１と甲１発明との対比
（ア）甲１発明の「半導体ウェハ１００」，「集積回路素子等の被試験電子部品」，「半導体ウェハ試験装置」，「プローブ針」は，本件特許発明１の「基板」，「半導体デバイス」，「基板検査装置」，「プローブ」に相当する。
（イ）甲１発明の「ウェハトレイ５０」は，略円板上であり，半導体ウェハを保持することから，本件特許発明１の「板状部材」に相当する。
（ウ）甲１発明の「ウェハトレイ５０に保持された半導体ウェハ１００を，ウェハトレイ５０とともに，前記プローブカード２１に対向する位置に移動させ」ることは，前記（ア），（イ）を考慮すると，本件特許発明１の「板状部材に載置された基板を前記板状部材とともに，前記プローブカードに向かって移動させ」ることに相当する。
（エ）甲１発明の「ウェハトレイ５０を上昇させ，シール部材５１がプローブカード２１のカード基板２１１に密着して，プローブカード２１とウェハトレイとの間に密閉空間５３を形成し，次いで，密閉空間５３を減圧」することは，「ウェハトレイ５０を上昇させ，シール部材５１がプローブカード２１に密着して」形成した「密閉空間５３」が，本件特許発明１の「前記プローブカードと前記板状部材との間の空間」に相当するので，前記（ア），（イ）を考慮すると，下記相違点（１）を除いて，本件特許発明１の「前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧」する点で共通する。
（オ）甲１発明の「半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２が電気的に接触」は，「半導体ウェハ１００に形成された電極１１０」が「半導体デバイスの複数の電極」を意味し，「プローブカード２１と接触する」部位は、「プローブカード２１のプローブ針」であるから，前記（ア）を考慮すると，本件特許発明１の「半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接」という点で一致する。
（カ）甲１発明の「当接部材７３を所定量後退させることによって，半導体ウエハをウェハトレイ５０とともに，さらにプローブカード２１に向かって所定量移動させ」ることは，当接部材７３を所定量後退させることによって，半導体ウェハを保持したウェハトレイ５０がプローブカードに所定量接近することから，前記（ア），（イ）を考慮すると，下記相違点（１）を除いて，本件特許発明１の「前記基板を前記板状部材とともに，さらに前記プローブカードに向かって所定量移動させる」という点で共通する。
　
　イ　本件特許発明１と甲１発明との一致点及び相違点
　以上から，本件特許発明１と甲１発明との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
（一致点）
　「基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する基板検査装置のプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接方法において，
　板状部材に載置された基板を前記板状部材とともに，前記プローブカードに向かって移動させ，下記の（ｉ）ないし（ｉｉｉ）点を含むプローブカードへの基板当接方法。
　（ｉ）前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接する点。
　（ｉｉ）前記基板を前記板状部材とともに，さらに前記プローブカードに向かって所定量移動させる点。
　（ｉｉｉ）前記プローブカードと前記板状部材との密閉空間を減圧する点。」
　
（相違点）
　相違点（１）
　本件特許発明１は，前記（ｉ）ないし（ｉｉｉ）の各点は，その順序通りに行われ（ｉ）及び（ｉｉ）は当接工程の一部，及び（ｉｉｉ）は保持工程であるのに対して，甲１発明は，（ｉｉｉ），（ｉ），（ｉｉ）の順序で行われる点。
　相違点（２）
　本件特許発明１は，前記保持工程における前記空間の減圧圧力は，前記基板及び前記板状部材の自重と，前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力との合計に耐えうる当接力が得られる圧力に調整されることを特徴とするのに対して，甲１発明は，接触工程の一部として明記される減圧工程における減圧圧力に関して，密閉空間５３内の減圧に伴って生じる吸着力ＦＰが，プローブカード２１が有する全てのプローブ針２１２に必要な押圧力ＦＮ（例えば２００〜３００[kgf]（１．９６×１０３[N]〜２．９４×１０３[N]）程度）よりも若干強く（ＦＰ＞ＦＮ）なるように減圧圧力を調整する点。
イ　判断
（ア）異議申立人の主張
　異議申立人は，相違点（１）について，甲２発明及び甲３発明において，（ｉ）の次に（ｉｉｉ）を行う工程が示されていること，（ｉｉ）については，甲４発明及び甲５発明に（ｉｉ）の工程が（ｉ）に付随して行われることが周知技術として記載されていることを理由に，甲１発明において，甲２発明又は甲３発明，及び周知技術である甲４発明又は甲５発明を採用する事は，当業者が容易に想到し得た，と主張する。
（イ）まず，相違点（１）について検討する。
　異議申立人の主張が正当と認められるためには，甲１発明において甲２発明又は甲３発明を採用し得ることが必要で有り，その前提として，甲１発明において，甲２発明または甲３発明を採用する際の阻害要因がないことが必要となる。そこで，当該阻害要因の有無について，特に，甲１発明における（ｉ），（ｉｉｉ）の工程の順序の技術的根拠について検討する。
　前記第４の１（１）イには，甲１発明の目的として，従来の半導体ウェハ試験装置においては，「チャックを介して半導体ウェハをプローブカードに押し付けるため，当該チャックやプローブカードの剛性を高めておく必要があり，高コスト化を招来するという問題がある。半導体ウェハに形成された全てのＤＵＴにプローブカードを同時に接触させる一括コンタクト方式を採用する場合には，この問題は特に顕著である。」という課題を示し，この課題に対処して「低コスト化を図ることが可能な半導体ウェハの試験方法，半導体ウェハ搬送装置，及び半導体ウェハ試験装置を提供すること」をその目的としている。
　そして，甲１発明は，この目的を達成するための解決手段として，半導体ウェハをプローブカードに押し付けることなく，減圧によって半導体ウェハとプローブカードとを電気的に接触させる解決手段を提示し，その結果，チャックやステージ等の半導体ウェハ試験装置の構成部品を剛性の低い材料で提供できるという有利な効果を奏している。
　とすると，甲１発明にとって，減圧によって半導体ウェハとプローブカードとを電気的に接触させるという工程，換言すれば前記（ｉｉｉ）の次に（ｉ）を行う工程は，目的達成のために不可欠な技術的事項であり，当該技術的事項を変更することは，甲１発明の目的達成を不可能にする変更を意味し，甲１発明として受入れられない技術的事項として阻害要因と認められる。
　ここで，甲２発明は，前記第４の２（２）に記載されているように「ウエハチャック１６が上昇し，対応する電極パッドがプローブに接触し，フレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間にシールされた内部空間を形成し，内部空間の圧力を低下させ，フレキシブル基板５１はウエハＷに押し付けられ，フレキシブル基板５１のバンプ状プローブが電極パッドに押し当てられるウエハＷのプローブへのウエハ当接方法。」であるから，前記（ｉ），（ｉｉｉ）の工程順である技術的事項であり，同様に，甲３発明は，前記第４の３（２）に記載されているように「プローブシート９上に形成されたプローブ端子としてのバンプ１４と集積回路端子とを接触させておいてから，配線基板１２，保持板７及びシール材３３により形成される密封空間を減圧する，プローブシート９上に形成されたプローブ端子としてのバンプ１４に対する半導体ウェハの半導体ウエハ当接方法。」であるから前記（ｉ），（ｉｉｉ）の工程順である技術的事項であり，いずれも甲１発明にとって不可欠な工程の変更を求める技術的事項と認められる。
　したがって，甲１発明において，甲１発明にとって不可欠な工程の変更となる甲２発明または甲３発明に開示された技術的事項を採用する出願人の主張は，甲１発明において阻害要因となる技術的事項を採用する主張であり，認められない。
　よって，他の相違点について検討するまでもなく，本件特許発明１は，甲１発明ないし甲５発明の記載に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（２）本件特許発明２ないし本件特許発明８について
　本件特許発明２ないし本件特許発明８は，いずれも本件特許発明１を引用しているから、本件特許発明２ないし本件特許発明８は，本件特許発明１を更に減縮したものである。
　したがって，上記の本件特許発明１についての判断と同様の理由により，本件特許発明２ないし本件特許発明８は，甲第１号証ないし甲第５号証の記載から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（３）小括
　以上のとおり，本件特許発明１ないし本件特許発明８は，甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
第６　むすび
　したがって，特許異議申立ての理由及び証拠によっては，本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すことはできない。　
　また，他に本件請求項１ないし８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年７月１８日（２０１７．７．１８）