(57)【要約】      （修正有）【課題】ディップ槽中の薄膜化処理液によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、基板上面のレジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量分布を最小限に抑えることにより、レジスト層の薄膜化処理量が不均一になる問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供する。【解決手段】薄膜化処理ユニット１１が、基板３下面のレジスト層に薄膜化処理液を付与するためのディップ槽２を有し、基板３上面のレジスト層に薄膜化処理液をロール塗工で付与するための塗工ロール８が設置されている。【選択図】図２
0003201110.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
薄膜化処理液によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、
該薄膜化処理ユニットが、基板下面のレジスト層に薄膜化処理液を付与するためのディップ槽を有し、
基板上面のレジスト層に薄膜化処理液をロール塗工で付与するための塗工ロールが設置されていることを特徴とするレジスト層の薄膜化装置。
【請求項２】
複数の塗工ロールが設置されていて、該塗工ロール同士の間隔Ｗが、塗工ロールの半径ｒに対して、２ｒ＜Ｗ≦２πｒである請求項１記載のレジスト層の薄膜化装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、レジスト層の薄膜化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気及び電子部品の小型化、軽量化、多機能化に伴い、回路形成用のドライフィルムレジスト（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ  ｒｅｓｉｓｔ）、ソルダーレジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）をはじめとする感光性樹脂（感光性材料）には、プリント配線板（ｐｒｉｎｔｅｄ  ｗｉｒｉｎｇ  ｂｏａｒｄ、ＰＷＢ）の高密度化に対応するために、高解像度が要求されている。これらの感光性樹脂による画像形成は、感光性樹脂を露光後、現像することによって行われる。
【０００３】
プリント配線板の小型化、高機能化に対応するため、感光性樹脂が薄膜化される傾向がある。感光性樹脂には、液を塗布して使用するタイプのもの（液状レジスト、ｌｉｑｕｉｄ  ｒｅｓｉｓｔ）とドライフィルムタイプのもの（ドライフィルムレジスト）がある。最近では１５μｍ以下の厚みのドライフィルムレジストが開発され、製品化も進んでいる。しかし、このような薄いドライフィルムレジストでは、従来の厚さのレジストに比べて、密着性及び凹凸への追従性が不十分となり、剥がれやボイド（ｖｏｉｄ）などが発生する問題があった。
【０００４】
また、ドライフィルムにて高解像度化を達成する方法としては、露光前に、感光性樹脂に備えられた支持フィルムを剥離し、支持フィルムを介さずに露光する方法がある。この場合、感光性樹脂にフォトツール（ｐｈｏｔｏ  ｔｏｏｌ、フォトマスク（ｐｈｏｔｏ  ｍａｓｋ））を直接密着させる場合もある。しかしながら、感光性樹脂は、通常ある程度の粘着性を有しているため、フォトツールを感光性樹脂に直接密着させて露光を行う場合、密着させたフォトツールの除去が困難となる。また、感光性樹脂によりフォトツールが汚染されたり、支持フィルムを剥離することにより感光性樹脂が大気中の酸素に曝されたりして、光感度が低下しやすくなる。
【０００５】
上述の点を改善するために、厚い感光性樹脂を使用しながら、高解像度が達成できる種々の手段が提案されている。例えば、サブトラクティブ（ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法によって導電パターンを作製する方法において、絶縁層の片面又は両面に金属層が設けられてなる積層基板上にドライフィルムレジストを貼り付けてレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次に、回路パターンの露光工程、現像工程、エッチング工程を行うことを特徴とする導電パターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ソルダーレジストパターンを形成する方法において、導電性パターンを有する回路基板上にソルダーレジストからなるレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次にパターン露光工程を行い、再度レジスト層の薄膜化工程を行うことを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献２及び３参照）。
【０００６】
また、特許文献４には、レジスト層が形成された基板を高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）してレジスト層の成分のミセル（ｍｉｃｅｌｌｅ）を一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理ユニット、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理ユニット、表面を水で洗浄する水洗処理ユニット、水洗水を除去する乾燥処理ユニットの四つの処理ユニットを少なくとも含むレジスト層の薄膜化装置が開示されている。
【０００７】
特許文献４で開示されている薄膜化装置の一部について、図４に示した概略断面図を用いて説明する。薄膜化処理ユニット１１では、投入口７からレジスト層が形成された基板３が投入される。基板３は、ディップ槽の入口ロール対（「入口ロール対」と略記する場合がある）４からディップ槽２中へと搬送され、薄膜化処理液１に浸漬した状態でディップ槽２内を搬送され、レジスト層の薄膜化処理が行われる。その後に、基板３は、ミセル除去処理ユニット１２に搬送される。ミセル除去処理ユニット１２では、ミセル除去処理ユニットの搬送ロール２９によって搬送されてきた基板３に対し、ミセル除去液供給管２０を通じてミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２が供給される。基板３のレジスト層は、薄膜化処理ユニット１１内部のディップ槽２において、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１によって、レジスト層成分のミセルが薄膜化処理液１に対して一旦不溶化されている。その後、ミセル除去液スプレー２２によってミセルが除去されることで、レジスト層が薄膜化される。
【０００８】
図４に示したレジスト層の薄膜化装置では、基板３がディップ槽２中の薄膜化処理液１に浸漬した状態で搬送される。図５は、レジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽の入口ロール対４又はディップ層の出口ロール対（「出口ロール対」と略記する場合がある）５の拡大概略断面図である。入口ロール対４又は出口ロール対５を基板３が通過する際、基板３の厚み分だけ、入口ロール対４又は出口ロール対５の上側ロールが持ち上げられて、上側ロールと下側ロールとの間に隙間２４ができる。そして、この隙間２４を通じて、薄膜化処理液１がディップ槽２外へ流出し、ディップ槽２内の薄膜化処理液面が低下する場合がある。基板３の厚みが大きい場合には、隙間２４も大きくなるため、流出する薄膜化処理液１の量が増える傾向があり、薄膜化処理液面もより低下する傾向にある。
【０００９】
この薄膜化処理液面の低下による問題点について、詳細に説明する。基板３が投入されていない状態では、ディップ槽の入口ロール対４とディップ槽の出口ロール対５からオーバーフロー（ｏｖｅｒｆｌｏｗ）する薄膜化処理液１の量は少なく、ディップ槽２内の薄膜化処理液面を高い位置で維持することが可能である（図６）。ディップ槽２内の薄膜化処理液面の位置は、入口ロール対４、出口ロール対５及びディップ槽内の搬送ロール対２８における上側のロールが濡れる程度であればよく、高くても低くても構わないが、基板３がディップ槽２中に搬送されている間、この位置は変わらず維持されることが好ましい。
【００１０】
レジスト層が形成された基板３が、入口ロール対４を通って、薄膜化処理液１が入ったディップ槽２中に搬送されると、入口ロール対４の上側ロールが持ち上げられて、上側ロールと下側ロールとの間にできた隙間２４から薄膜化処理液１がディップ槽２外へ流出し、薄膜化処理液面が低下する（図７）。ディップ槽２内の薄膜化処理液面の低下は、ディップ槽２外への流出量とディップ槽２への循環供給量によって決まり、前者の方が多い場合は、薄膜化処理液面が基板３の搬送とともに徐々に低下する（図８）。図７及び図８における薄膜化処理液面は、図６における薄膜化処理液面よりも低いが、基板３上面のレジスト層表面よりも上にあるため、基板３は薄膜化処理液１によって完全に浸漬された状態である。しかし、基板３上面のレジスト層表面にある薄膜化処理液１の液膜は徐々に薄くなる。レジスト層表面が疎水性である場合、該液膜とレジスト層表面との親和性が低くなって、レジスト層表面で薄膜化処理液１が流動し、薄膜化処理液１の被覆量が不均一になる場合がある。薄膜化処理液１の被覆量が多いと、レジスト層の成分のミセル化速度は速くなり、反対に、薄膜化処理液１の被覆量が少ないと、ミセル化速度は遅くなる。そのため、薄膜化処理液１の被覆量が不均一であると、薄膜化されるレジスト層の厚みが不均一になる場合があった。
【００１１】
さらに、搬送方向に対して、入口ロール対４から出口ロール対５までの長さが、基板３の寸法よりも短い場合、入口ロール対４と出口ロール対５の両方において、上側ロールが持ち上げられ、上側ロールと下側ロールとの間にできた隙間２４から同時に薄膜化処理液１が流出し、ディップ槽２内の薄膜化処理液面が更に低下する（図９）。図９では、基板３上面のレジスト層表面において、薄膜化処理液１が搬送の途中でなくなる。つまり、基板３の搬送方向に対し、後端に近づくほど、基板３上面のレジスト層表面における薄膜化処理液１の被覆量が少なくなり、薄膜化されるレジスト層の厚みが少なくなる場合があった。
【００１２】
このように、薄膜化されるレジスト層の厚みが不均一になって、薄膜化後のレジスト層に厚みの薄い部分があると、サブトラクティブ法における導電パターン形成では回路の断線の原因となり、ソルダーレジストのパターン形成では耐候性低下の原因となり、どちらも生産における歩留まりの低下につながるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【特許文献２】特開２０１１−１９２６９２号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／０４３２０１号パンフレット
【特許文献４】特開２０１２−２７２９９号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【００１４】
本考案の課題は、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターン形成用のレジスト層の薄膜化装置において、基板上面のレジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量が不均一になる問題を最小限に抑えることにより、薄膜化されるレジスト層の厚みを均一にすることができるレジスト層の薄膜化装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本考案者らは、下記考案によって、これらの課題を解決できることを見出した。
【００１６】
（１）薄膜化処理液によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、
該薄膜化処理ユニットが、基板下面のレジスト層に薄膜化処理液を付与するためのディップ槽を有し、
基板上面のレジスト層に薄膜化処理液をロール塗工（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）で付与するための塗工ロール（ｃｏａｔｉｎｇ  ｒｏｌｌ）が設置されていることを特徴とするレジスト層の薄膜化装置。
（２）複数の塗工ロールが設置されていて、該塗工ロール同士の間隔Ｗが、塗工ロールの半径ｒに対して、２ｒ＜Ｗ≦２πｒである（１）記載のレジスト層の薄膜化装置。
【考案の効果】
【００１７】
本考案によれば、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターン形成用のレジスト層の薄膜化装置において、基板上面のレジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量が不均一になる問題を最小限に抑えることにより、薄膜化されるレジスト層の厚みを均一にすることができるレジスト層の薄膜化装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本考案のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽のロール配置を示す拡大概略断面図である。
【図２】本考案のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽のロール配置を示す拡大概略断面図である。
【図３】本考案のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽のロール配置を示す拡大概略断面図である。
【図４】従来技術によるレジスト層の薄膜化装置の一部を示す概略断面図である。
【図５】レジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽の入口ロール対又は出口ロール対の拡大概略断面図である。
【図６】従来技術のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽内の薄膜化処理液面変化を示す概略断面図である。
【図７】従来技術のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽内の薄膜化処理液面変化を示す概略断面図である。
【図８】従来技術のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽内の薄膜化処理液面変化を示す概略断面図である。
【図９】従来技術のレジスト層の薄膜化装置において、ディップ槽内の薄膜化処理液面変化を示す概略断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１９】
＜薄膜化工程＞
本考案に係わる薄膜化処理液によるレジスト層の薄膜化工程とは、薄膜化処理液によってレジスト層成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、ミセル除去処理で除去しきれなかったレジスト層表面のミセルや残存している薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含むこともできる。
【００２０】
＜薄膜化処理＞
レジスト層の薄膜化処理は、レジスト層を薄膜化処理液に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）させることによって行われる。基板両面のレジスト層が浸漬されることが好ましいが、基板の搬送途中で薄膜化処理液面が低下すると、基板上面のレジスト層まで浸漬されなくなる場合がある。よって、基板上面のレジスト層の薄膜化処理は、薄膜化処理液に浸漬させる以外に薄膜化処理液をロール塗工することによっても行われる。浸漬処理は、薄膜化処理液中に気泡が発生しにくく、ロール塗工はレジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量を均一に保つことができる。
【００２１】
本考案において、基板に形成されたレジスト層の厚みとレジスト層が薄膜化される量で、薄膜化された後のレジスト層の厚みが決定される。また、本考案では、０．０１〜５００μｍの範囲でレジスト層の薄膜化量を自由に調整することができる。
【００２２】
＜レジスト＞
レジストとしては、アルカリ現像型レジストが使用できる。また、液状レジストであってもよく、ドライフィルムレジストであってもよく、高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって薄膜化でき、かつ、薄膜化処理液よりも低濃度のアルカリ水溶液である現像液によって現像できるレジストであればいかなるものでも使用できる。アルカリ現像型レジストは光架橋性樹脂成分を含む。光架橋性樹脂成分は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤等を含有してなる。また、エポキシ樹脂、熱硬化剤、無機フィラー等を含有させてもよい。
【００２３】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル（ａｃｒｙｌｉｃ）系樹脂、メタクリル（ｍｅｔｈａｃｒｙｌｉｃ）系樹脂、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）系樹脂、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）系樹脂、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）系樹脂、ポリアミドエポキシ（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ  ｅｐｏｘｙ）系樹脂、アルキド（ａｌｋｙｄ）系樹脂、フェノール（ｐｈｅｎｏｌ）系樹脂の有機高分子が挙げられる。アルカリ可溶性樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体（重合性単量体）を重合（ラジカル重合等）して得られたものであることが好ましい。これらのアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で用いても、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
エチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン誘導体、アクリルアミド（ａｃｒｙｌａｍｉｄｅ）、アクリロニトリル（ａｃｒｙｌｏｎｉｔｒｉｌｅ）、ビニルアルコール（ｖｉｎｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）のエステル類、（メタ）アクリル酸（（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌｉｃ  ａｃｉｄ）、（メタ）アクリル酸エステル（（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌｉｃ  ｅｓｔｅｒ、（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ）等の（メタ）アクリル酸系単量体、マレイン酸（ｍａｌｅｉｃ  ａｃｉｄ）系単量体、フマル酸（ｆｕｍａｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ケイ皮酸（ｃｉｎｎａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、α−シアノケイ皮酸（α−ｃｙａｎｏｃｉｎｎａｍｉｃ  ａｃｉｄ）、イタコン酸（ｉｔａｃｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、クロトン酸（ｃｒｏｔｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、プロピオール酸（ｐｒｏｐｉｏｌｉｃ  ａｃｉｄ）等が挙げられる。
【００２５】
光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ（ｂｉｓｐｈｅｎｏｌ  Ａ）系（メタ）アクリレート（（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ）化合物；グリシジル（Ｇｌｙｃｉｄｙｌ）基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン（ｕｒｅｔｈａｎｅ）結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート（γ−ｃｈｌｏｒｏ−β−ｈｙｄｒｏｘｙｐｒｏｐｙｌ−β′−（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙｅｔｈｙｌ−ｏ−ｐｈｔｈａｌａｔｅ）、β−ヒドロキシアルキル−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フタレート（β−ｈｙｄｒｏｘｙａｌｋｙｌ−β′−（ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌｏｙｌｏｘｙａｌｋｙｌ−ｏ−ｐｈｔｈａｌａｔｅ）等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル（ａｌｋｙｌ  （ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ）；ノニルフェノキシポリエチレンオキシ（メタ）アクリレート（ｎｏｎｙｌｐｈｅｎｏｘｙ  ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｏｘｙ  （ｍｅｔｈ）ａｃｒｙｌａｔｅ）等のＥＯ、ＰＯ変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、ＥＯ及びＰＯは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、ＰＯ変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２６】
光重合開始剤としては、芳香族ケトン類、キノン類、ベンゾイン（ｂｅｎｚｏｉｎ）化合物、２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体（２，４，５−ｔｒｉａｒｙｌ  ｉｍｉｄａｚｏｌｅ  ｄｉｍｅｒ）、アクリジン（ａｃｒｉｄｉｎｅ）誘導体、Ｎ−フェニルグリシン（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｇｌｙｃｉｎｅ）誘導体、クマリン（ｃｏｕｍａｒｉｎ）系化合物等が挙げられる。上記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対称な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントン（ｄｉｅｔｈｙｌｔｈｉｏｘａｎｔｏｎｅ）とジメチルアミノ安息香酸（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｂｅｎｚｏｉｃ  ａｃｉｄ）の組み合わせのように、チオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｏｎｅ）系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２７】
エポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる場合がある。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸とエポキシを反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型ソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。また、無機フィラーを使用する場合もあり、例えば、タルク、硫酸バリウム、シリカ等が挙げられる。
【００２８】
基板の表面にレジスト層を形成する方法は、いかなる方法でもよいが、例えば、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法、ロールコート（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、浸漬（ｄｉｐ）法、カーテンコート（ｃｕｒｔａｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、バーコート（ｂａｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、エアナイフ（ａｉｒ  ｋｎｉｆｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、ホットメルト（ｈｏｔ−ｍｅｌｔ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、グラビアコート（ｇｒａｖｕｒｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、刷毛塗り（ｂｒｕｓｈ  ｃｏａｔｉｎｇ）法、オフセット印刷（ｏｆｆｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）法が挙げられる。ドライフィルムレジストの場合は、ラミネート（ｌａｍｉｎａｔｉｎｇ）法が好適に用いられる。
【００２９】
＜基板＞
基板としては、プリント配線板用基板、リードフレーム（ｌｅａｄ  ｆｒａｍｅ）用基板；プリント配線板用基板やリードフレーム用基板を加工して得られる回路基板が挙げられる。
【００３０】
プリント配線板用基板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。
【００３１】
フレキシブル基板の絶縁層の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属層が設けられて積層基板となっており、可撓性が大きい。絶縁層の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）、ポリフェニレンサルファイド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁層上に金属層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に樹脂液を塗布するキャスト（ｃａｓｔｉｎｇ）法、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）や蒸着（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属層を形成するスパッタリング／メッキ（ｐｌａｔｉｎｇ）法、熱プレス（ｈｏｔ  ｐｒｅｓｓｉｎｇ）で貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
【００３２】
リジッド基板としては、紙基材又はガラス基材にエポキシ樹脂又はフェノール樹脂等を浸漬させた絶縁性基板を重ねて絶縁層とし、その片面もしくは両面に金属箔を載置し、加熱及び加圧により積層し、金属層が設けられた積層基板が挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント配線板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント配線板用基板の例は、「プリント回路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、１９８７年刊、日刊工業新聞社発刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット（Ｓｃａｒｌｅｔｔ）編、１９９２年刊、（株）近代化学社発刊）に記載されている。
【００３３】
リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
【００３４】
回路基板とは、絶縁性基板上に半導体チップ等の電子部品を接続するための接続パッドが形成された基板である。接続パッドは銅等の金属からなる。また、回路基板には、導体配線が形成されていてもよい。回路基板を作製する方法は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、アディティブ（ａｄｄｉｔｉｖｅ）法が挙げられる。サブトラクティブ法では、例えば、上記のプリント配線板用基板にエッチングレジストパターンを形成し、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程を実施して回路基板が作製される。
【００３５】
＜薄膜化装置＞
本考案の薄膜化装置は、薄膜化処理液１によってレジスト層成分をミセル化させる薄膜化処理ユニット１１を備えてなるレジスト層の薄膜化装置である。図１〜３は、薄膜化処理ユニット内のディップ槽２のロール配置を示す拡大概略断面図である。薄膜化処理ユニット１１は、基板３下面のレジスト層に薄膜化処理液１を付与するためのディップ槽２を有し、基板３上面のレジスト層に薄膜化処理液１又は２７をロール塗工で付与するための塗工ロール８が設置されている。
【００３６】
薄膜化処理ユニット１１では、投入口７から投入されたレジスト層が形成された基板３が、ディップ槽の入口ロール対４によって、薄膜化処理液１が入ったディップ槽２中に搬送され、ディップ槽２の出口ロール対５を通過する。この間に、基板３上のレジスト層成分は薄膜化処理液１によってミセル化され、このミセルが薄膜化処理液１に対して不溶化される。
【００３７】
図１のように、基板３が投入されていない状態では、ディップ槽２の入口ロール対４と出口ロール対５からオーバーフローする薄膜化処理液１の量は少なく、ディップ槽２内の薄膜化処理液面を高い位置で維持することが可能である。ディップ槽２内の薄膜化処理液面は、ディップ槽２の塗工ロール８が濡れる程度であればよく、基板３がディップ槽２中に搬送されている間、薄膜化処理液面は変わらず維持されることが好ましい。なお、入口ロール対４及び出口ロール対５の上側ロールは、塗工ロール８として機能する。
【００３８】
図２では、レジスト層が形成された基板３がディップ槽の入口ロール対４によって、薄膜化処理液１が入ったディップ槽２中に搬送され、入口ロール対４の上側ロールが持ち上げられてできた隙間２４から薄膜化処理液１がディップ槽２外へ流出している。基板３の厚みが大きいほど、ディップ槽２外への薄膜化処理液１の流出量は多くなり、その流出量がディップ槽２への循環供給量を上回ると、薄膜化処理液面は徐々に低下する。薄膜化処理液面が基板３の搬送ラインよりも上であれば、塗工ロール８は薄膜化処理液１で濡れた状態となり、基板３上面のレジスト層に薄膜化処理液１を転写塗工させながら付与することができる。
【００３９】
図３では、ディップ槽の塗工ロール８に、薄膜化処理液供給管２５から薄膜化処理液用ノズル２６を通じて薄膜化処理液２７を直接供給する。ディップ槽２の薄膜化処理液面が徐々に低下し、薄膜化処理液面が基板３の搬送ラインより下になった場合でも、直接供給された薄膜化処理液２７によって塗工ロール８は濡れた状態にあるため、基板３上面のレジスト層に薄膜化処理液２７を転写塗工させながら付与することができる。
【００４０】
ディップ槽の塗工ロール８について説明する。基板３がディップ槽２中に搬送されている間、レジスト層表面は薄膜化処理液の液膜によって被覆されていることが好ましい。
ディップ槽内に溜まった薄膜化処理液１又は薄膜化処理液用ノズル２６から直接供給された薄膜化処理液２７で濡れた塗工ロール８が基板３上面のレジスト層表面と接触することで、薄膜化処理液の液膜を形成し、該液膜の厚みを均一に揃えることができる。特に、レジスト層表面が疎水性になっている場合、該液膜とレジスト層表面との親和性が低くなって、レジスト層表面で薄膜化処理液が流動し、薄膜化処理液の被覆量が不均一になる場合があるが、塗工ロール８との接触によって薄膜化処理液の流動が抑えられ、レジスト層表面の被覆量を均一に保つことができる。
【００４１】
ここで、薄膜化処理液１及び２７によるレジスト層成分のミセル化速度について説明する。基板３がディップ槽２中に搬送されている間、薄膜化処理液１に浸漬された状態の基板下面のレジスト層と、薄膜化処理液の液膜で被覆された状態の基板上面のレジスト層とを比較すると、後者の方がミセル化速度は遅くなる。さらに、薄膜化処理液の液膜の厚みによってミセル化速度は異なり、液膜がより薄い方がミセル化速度は遅くなる。つまり、塗工ロール８により、薄膜化処理液の液膜の厚みを均一に揃えることによって、基板３の面内におけるレジスト層成分のミセル化速度の速度差が最小限になり、薄膜化処理量が均一になる。
【００４２】
塗工ロール８は、レジスト層表面に密着することが重要である。そのため、塗工ロール８としては、表面に凹凸のないストレートタイプのものが好適に用いられる。塗工ロール８の種類としては、ゴムロール、スポンジロール、金属ロール、樹脂ロール等が挙げられる。その中でも、優れたゴム弾性（シール性、回復性）を有し、比重が小さく、軽量であり、低硬度から中硬度であり、レジスト層への接触による衝撃が少なく、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液への耐薬品性にも優れたオレフィン系熱可塑性エラストマーのロールが好ましい。オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、サーモラン（ＴＨＥＲＭＯＲＵＮ、登録商標）が挙げられる。
【００４３】
塗工ロール８は、１本でもその効果はあるが、複数のロールで連続的に塗工することで更に大きな効果が得られる。具体的には、塗工ロール８による塗工の回数が多くなるほど、レジスト層上の薄膜化処理液の液膜の厚みの均一性が高くなる。また、レジスト層表面が疎水性になって薄膜化処理液が流動しやすい場合でも、塗工ロール８による塗工の回数を多くすることで流動が起こる時間を短縮し、薄膜化処理液の被覆量が不均一になる問題を最小限にすることができる。さらに、基板３の厚みが大きく、ディップ槽２中の薄膜化処理液面が基板３の搬送ラインよりも下になった場合でも、薄膜化処理液で濡れた状態の塗工ロール８が連続的に配置されていれば、基板３上面のレジスト層表面に薄膜化処理液を常に供給することができる。塗工ロール８の数は、薄膜化処理量に応じて適宜調整されるものであり、図１〜３に示される本数に限定されるものではない。
【００４４】
搬送ロール９（ディップ槽の入口ロール対４の下側ロール、ディップ槽の出口ロール対５の下側ロールを含む）、薄膜化処理ユニット１１とミセル除去処理ユニット１２との間の境界部の搬送ロール対６における搬送ロールは、基板３を搬送することができることに加え、レジスト層表面に密着することが好ましい。搬送ロール９及び搬送ロール対６には、塗工ロール８と同じ種類、機能、物性のものが好適に用いられる。特に、ディップ槽の出口ロール対５は、ディップ槽２における薄膜化処理液の液面維持及びレジスト層表面に被覆された薄膜化処理液の液膜を掻き落とす液切りのために用いられる。また、境界部の搬送ロール対６は、ミセル除去処理ユニット１２への薄膜化処理液の持ち込みと薄膜化処理ユニット１１へのミセル除去液１０の逆流を抑制するために用いられる。搬送ロールの設置位置及び本数は、基板３を搬送することができれば、特に図１〜３に示される設置位置及び本数に限定されるものではない。
【００４５】
図１〜３のレジスト層の薄膜化装置のように、ディップ槽の塗工ロール８同士の間隔Ｗが塗工ロールの半径ｒに対して、２ｒ＜Ｗ≦２πｒであることが好ましい。間隔Ｗが半径ｒの２倍以下（Ｗ≦２ｒ）の場合、ストレートタイプの液切りロール対同士が接触して、ロールの材質によっては、ロールの摩耗が著しく発生する場合がある。一方、間隔Ｗがロールの円周２πｒより大きい（２πｒ＜Ｗ）場合、レジスト層の表層において、薄膜化処理液の液膜の流動が起こりやすくなり、被覆量を均一とすることが困難になる場合がある。また、ディップ槽の薄膜化処理液面が低下して、塗工ロール８に供給される薄膜化処理液量が少なくなると、基板３上面のレジスト層に対し薄膜化処理液の転写不良が起こる場合がある。なお、ディップ槽の塗工ロール８の半径ｒは、好ましくは、全て同じ値である。
【００４６】
薄膜化処理液１は、薄膜化処理液貯蔵タンク１３中の薄膜化処理液吸込口１４から薄膜化処理液供給用ポンプ（図示せず）によって吸い込まれ、薄膜化処理液供給管１５を経てディップ槽２に供給される。ディップ槽２に供給された薄膜化処理液１は、オーバーフロー又は流出し、薄膜化処理液回収管１６を通って薄膜化処理液貯蔵タンク１３に回収される。このようにして、薄膜化処理液１は、ディップ槽２と薄膜化処理液貯蔵タンク１３との間を循環する。薄膜化処理液ドレン管１７からは、余剰分の薄膜化処理液１が排出される。
【００４７】
薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液に用いられるアルカリ性化合物としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、ナトリウム（Ｎａ）又はカリウム（Ｋ）等のアルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物；モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎ）、ジエタノールアミン（ｄｉｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎ）、トリエタノールアミン（ｔｒｉｅｔｈａｎｏｌａｍｉｎ）、メチルアミン（ｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ジメチルアミン（ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、エチルアミン（ｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、ジエチルアミン（ｄｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、トリエチルアミン（ｔｒｉｅｔｈｙｌａｍｉｎｅ）、シクロヘキシルアミン（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌａｍｉｎｅ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（２−ｈｙｄｒｏｘｙｅｔｈｙｌｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ、コリン、Ｃｈｏｌｉｎｅ）等の有機アルカリ性化合物が挙げられる。これらのアルカリ性化合物は、単独で用いてもよいし、混合物としても使用できる。薄膜化処理液の媒体である水には、水道水、工業用水、純水等を用いることができるが、特に純水を使用することが好ましい。
【００４８】
薄膜化処理液におけるアルカリ性化合物の含有量は、０．１質量％以上５０質量％以下で使用できる。また、レジスト層表面をより均一に薄膜化するために、薄膜化処理液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）等のアルカリ土類金属硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。
【００４９】
薄膜化処理液のアルカリ性化合物としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物；ＴＭＡＨ、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物を好ましく使用することができる。これらのアルカリ性化合物は、単独で用いてもよいし、混合物としても使用できる。また、アルカリ性化合物の含有量が５〜２５質量％であるアルカリ水溶液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。アルカリ性化合物の含有量が５質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、アルカリ性化合物の析出が起こりやすくなる場合があり、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は７〜１７質量％がより好ましく、８〜１３質量％が更に好ましい。薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。
【００５０】
薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液の温度は、１５〜３５℃が好ましく、更に好ましくは２０〜３０℃である。温度が低すぎると、レジスト層へのアルカリ性化合物の浸透速度が遅くなる場合があり、所望の厚みを薄膜化するのに長時間を要する。一方、温度が高すぎると、レジスト層へのアルカリ性化合物の浸透と同時に溶解拡散が進行することにより、面内で膜厚ムラが発生しやすくなる場合がある。
【００５１】
ミセル除去処理ユニット１２では、薄膜化処理ユニット１１においてレジスト層が薄膜化処理液に対して不溶化された基板３が、搬送ロール２９によって搬送される。搬送されている基板３に対して、ミセル除去液スプレー２２によってミセル除去液１０が供給され、光架橋性樹脂成分のミセルが一挙に溶解除去される。
【００５２】
ミセル除去液１０は、ミセル除去液貯蔵タンク１８中のミセル除去液吸込口１９からミセル除去液１０をミセル除去液供給用ポンプ（図示せず）で吸い込み、ミセル除去液供給管２０を経てミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２として噴射される。ミセル除去液スプレー２２は、基板３から流下した後、ミセル除去液貯蔵タンク１８に回収される。このようにして、ミセル除去液１０はミセル除去処理ユニット１２内を循環する。ミセル除去液ドレン管２３からは、余剰分のミセル除去液１０が排出される。
【００５３】
ミセル除去液１０としては、水を用いることもできるが、薄膜化処理液よりも希薄なアルカリ性化合物を含有するｐＨ５〜１０の水溶液を用いることが好ましい。ミセル除去液１０によって、薄膜化処理液で不溶化されたレジスト層の成分のミセルが再分散されて除去される。ミセル除去液１０に使用される水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができるが、特に純水を使用することが好ましい。ミセル除去液１０のｐＨが５未満の場合、レジスト層の成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化後のレジスト層表面に付着する場合がある。一方、ミセル除去液１０のｐＨが１０を超えた場合、レジスト層が過度に溶解拡散し、薄膜化されるレジスト層の厚みが不均一になり、処理ムラができる場合がある。また、ミセル除去液１０は、硫酸、リン酸、塩酸などを用いて、ｐＨを調整することができる。
【００５４】
ミセル除去処理におけるミセル除去液スプレー２２の条件（温度、スプレー圧、供給流量）は、薄膜化処理されるレジスト層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａである。ミセル除去液１０の供給流量は、レジスト層１ｃｍ２当たり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが更に好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のレジスト層表面にミセル成分を残すことなく、略均一にミセルを溶解除去しやすい。レジスト層１ｃｍ２当たりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、ミセルの溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、ミセルの溶解除去に与える効果が変わらなくなることがある。スプレーの噴射方向は、レジスト層表面に効率よく液流れを作るために、レジスト層表面に垂直な方向に対して、傾いた方向とするのがよい。
【実施例】
【００５５】
以下実施例によって本考案を更に詳しく説明するが、本考案はこの実施例に限定されるものではない。
【００５６】
（実施例１）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み２．０ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００５７】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２があるレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００５８】
薄膜化処理ユニットのディップ槽には入口ロール対４（半径ｒ：２０ｍｍ）と出口ロール対５（半径ｒ：２０ｍｍ）の間に７本の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が設置されており、各ロール同士の間隔Ｗがすべて４５ｍｍであるレジスト層の薄膜化装置によって、レジスト層を薄膜化した（ディップ槽全長３６０ｍｍ）。また、ディップ槽の搬送ロール９（半径ｒ：２０ｍｍ）は、塗工ロール８と対になるように対向して設置されている。薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、ディップ槽２における接液処理時間が２０秒となるように薄膜化処理を行った。その後、ディップ槽の出口ロール対５から境界部の搬送ロール対６を通過し、ミセル除去処理ユニット１２において、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。
【００５９】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値１１．０μｍ、最小値９．０μｍ、平均厚み１０．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００６０】
（実施例２）
ディップ槽の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が５本で、各ロール同士の間隔Ｗがすべて６０ｍｍであること以外は、実施例１と同じ方法で、レジスト層を薄膜化した。
【００６１】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値１１．０μｍ、最小値８．５μｍ、平均厚み９．５μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００６２】
（実施例３）
ディップ槽の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が４本で、各ロール同士の間隔Ｗがすべて７２ｍｍであること以外は、実施例１と同じ方法で、レジスト層を薄膜化した。
【００６３】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値は１１．５μｍ、最小値は８．０μｍ、平均厚み９．５μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００６４】
（実施例４）
ディップ槽の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が３本で、各ロール同士の間隔Ｗがすべて９０ｍｍであること以外は、実施例１と同じ方法で、レジスト層を薄膜化した。
【００６５】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値は１１．５μｍ、最小値は７．５μｍ、平均厚み９．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００６６】
（実施例５）
ディップ槽の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が２本で、各ロール同士の間隔Ｗがすべて１２０ｍｍであること以外は、実施例１と同じ方法で、レジスト層を薄膜化した。
【００６７】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値は１１．５μｍ、最小値は７．０μｍ、平均厚み９．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００６８】
（実施例６）
ディップ槽の塗工ロール８（半径ｒ：２０ｍｍ）が１本で、各ロール同士の間隔Ｗがすべて１８０ｍｍであること以外は、実施例１と同じ方法で、レジスト層を薄膜化した。
【００６９】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値は１２．０μｍ、最小値は６．５μｍ、平均厚み８．５μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラはなく、平滑な面であることが確認された。
【００７０】
実施例１〜６を比較すると、ディップ槽の塗工ロール８同士の間隔Ｗが、塗工ロールの半径ｒに対して、２ｒ＜Ｗ≦２πｒである実施例１〜５では、レジスト層の薄膜化処理量がより均一であることがわかる。
【００７１】
（比較例１）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み２．０ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００７２】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２があるレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００７３】
薄膜化処理ユニットのディップ槽には入口ロール対４（半径ｒ：２０ｍｍ）と出口ロール対５（半径ｒ：２０ｍｍ）の間に塗工ロール８が１本もないレジスト層の薄膜化装置によって、レジスト層を薄膜化した（ディップ槽全長３６０ｍｍ）。ここで、ディップ槽の搬送ロール９（半径ｒ：２０ｍｍ）は、ロール同士の間隔４５ｍｍで設置されている。薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、ディップ槽２における接液処理時間が２０秒となるように薄膜化処理を行った。その後、ディップ槽の出口ロール対５から境界部の搬送ロール対６を通過し、ミセル除去処理ユニット１２において、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。
【００７４】
水洗処理及び乾燥処理の後に、薄膜化されたレジスト層の厚みを１０点測定したところ、最大値は１３．０μｍ、最小値は５．５μｍ、平均厚み８．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、レジスト層表面の薄膜化処理液の被覆量が不均一になったことが原因と思われる処理ムラが発生していた。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本考案のレジスト層の薄膜化装置は、プリント配線板やリードフレームにおける回路基板の作製、フリップチップ接続用の接続パッドを備えたパッケージ基板の作製において、レジストパターンを形成させる用途に適用できる。
【符号の説明】
【００７６】
１  薄膜化処理液（ディップ槽）
２  ディップ槽
３  基板
４  ディップ槽の入口ロール対
５  ディップ槽の出口ロール対
６  境界部の搬送ロール対
７  投入口
８  ディップ槽の塗工ロール
９  ディップ槽の搬送ロール
１０  ミセル除去液
１１  薄膜化処理ユニット
１２  ミセル除去処理ユニット
１３  薄膜化処理液貯蔵タンク
１４  薄膜化処理液吸込口
１５  薄膜化処理液供給管（ディップ槽）
１６  薄膜化処理液回収管
１７  薄膜化処理液ドレン管
１８  ミセル除去液貯蔵タンク
１９  ミセル除去液吸込口
２０  ミセル除去液供給管
２１  ミセル除去液用ノズル
２２  ミセル除去液スプレー
２３  ミセル除去液ドレン管
２４  隙間
２５  薄膜化処理液供給管（塗工ロール供給用）
２６  薄膜化処理液用ノズル（塗工ロール供給用）
２７  薄膜化処理液（塗工ロール供給用）
２８  ディップ槽内の搬送ロール対
２９  ミセル除去ユニット内の搬送ロール
ｒ  ディップ槽の塗工ロールの半径
Ｗ  ディップ槽の塗工ロール同士の間隔
【図１】
0003201110.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
0003201110.tif 000007
【図６】
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【図７】
0003201110.tif 000009
【図８】
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【図９】
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