【事件の表示】
　特許第５７４１２２０号発明「ガスバリアフィルムの製造方法及び製造装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７４１２２０号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−３〕，〔４−６〕について訂正することを認める。
　特許第５７４１２２０号の請求項１ないし６に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　特許第５７４１２２０号の請求項１−６に係る特許についての出願は、平成２３年　５月３０日に特許出願され、平成２７年　５月１５日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人　小柳　恵子 により特許異議の申立てがなされ、平成２８年　３月３１日付けで取消理由が通知され、同年　６月　６日に訂正請求がされると共に意見書が提出され、同年　７月１５日に特許異議申立人から意見書が提出されたものである。
第２　訂正の適否についての判断  
１　訂正の内容  
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下の（１）−（４）のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「該装置内の成膜圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とし」と記載されているのを、「該装置内に酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とし」に訂正する。
（２）訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項２に「前記デュアルターゲットには、交流波形又はパルス波形の電圧を印加する、」と記載されているのを、「前記デュアルターゲットには、交流波形又はパルス波形の電圧を印加し、前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい、」に訂正する。
  
（３）訂正事項３ 
　特許請求の範囲の請求項４に「前記基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とする圧力制御装置」と記載されているのを、「酸素を含んだガスを流して前記基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とする圧力制御装置」に訂正する。
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項５に「前記スパッタリング電源は、前記デュアルターゲットに交流波形又はパルス波形の電圧を印加する、」と記載されているのを、「前記スパッタリング電源は、前記デュアルターゲットに交流波形又はパルス波形の電圧を印加し、前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい、」に訂正する。
２ 訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否 
（１）訂正事項１
　訂正事項１は、訂正前の「装置内の成膜圧力」を、「装置内に酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力」と特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、特許明細書の【００４３】，【００８１】，【００８４】，【００８７】などの記載に照らせば、上記訂正事項１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。さらに、訂正事項１は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
（２）訂正事項２ 
　訂正事項２は、訂正前に特定されていなかったデュアルターゲットの大きさについて、「デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい」と直列的に付加して特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、特許明細書の【００７３】などの記載に照らせば、上記訂正事項２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。さらに、訂正事項２は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
（３）訂正事項３
　訂正事項３は、 訂正前の「前記基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するときの圧力」を、「酸素を含んだガスを流して酸化珪素膜を成膜するときの圧力」と特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項１と同様の理由により、上記訂正事項３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。さらに、訂正事項３は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（４）訂正事項４
　訂正事項４は、訂正事項２と同様に、「デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい」と直列的に付加して特定するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　また、訂正事項２と同様な理由により、上記訂正事項４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。さらに、訂正事項４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
（５）一群の請求項について
　訂正事項１，２は、一群の請求項１−３，及び訂正事項３，４は、一群の請求項４−６に対して請求されたものである。
３　むすび  
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−３〕，〔４−６〕について訂正を認める。  
第３　特許異議の申立てについて  
１　本件発明  
　本件訂正請求による訂正後の請求項１−６に係る発明（以下、項番に従って「本件発明１」−「本件発明６」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１−６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。　  
「【請求項１】
　長尺の基材フィルムに対向配置させた１組又は２組以上のデュアルターゲットを備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置を用い、該装置内に酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とし、前記デュアルターゲットを構成する各ターゲットの法線方向の磁束密度を前記基材フィルムの幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上として、前記基材フィルムを移動させながら該基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜することを特徴とするガスバリアフィルムの製造方法。
【請求項２】
　前記デュアルターゲットには、交流波形又はパルス波形の電圧を印加し、
　前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい、請求項１に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
【請求項３】
  前記デュアルターゲットが２組以上配置されている、請求項１又は２に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
【請求項４】
　デュアルターゲット方式の反応性マグネトロンスパッタリング装置を用い、
  前記装置が、
  長尺の基材フィルムを送ると共に該基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するための成膜ドラムと、
  前記成膜ドラムに対向配置させた１組又は２組以上のデュアルターゲット、該デュアルターゲットの法線方向の磁束密度を前記成膜ドラムの幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上とするマグネトロン磁石、及び該デュアルターゲットに接続されて該デュアルターゲットからスパッタ原子を放出させるためのスパッタリング電源を備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置と、
　酸素を含んだガスを流して前記基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とする圧力制御装置と、を備えたことを特徴とするガスバリアフィルムの製造装置。
【請求項５】
  前記スパッタリング電源は、前記デュアルターゲットに交流波形又はパルス波形の電圧を印加し、
　前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい、請求項４に記載のガスバリアフィルムの製造装置。
【請求項６】
　前記反応性マグネトロンスパッタリング装置は、前記デュアルターゲットを２組以上備える、請求項４又は５に記載のガスバリアフィルムの製造装置。」
２　取消理由の概要 　 
　訂正前の請求項１−６に係る特許に対して、平成２８年　３月３１日付けで特許権者に通知した取消理由は、要旨次のとおりである。  
　請求項１−６に係る発明は、下記の甲第１−７号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、その発明に係る特許は取り消すべきものである。（以下、「取消理由」という）。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
    　　　　　　　　　　　　　　記　　　　　　　　　　　　　　　　
　・甲第１号証：特開２００６−２４９４７３号公報　 
　・甲第２号証：特開平６−１９２８１９号公報 
　・甲第３号証：特開２００７−３０８７２８号公報 
　・甲第４号証：特開２０００−２８０３９５号公報 
　・甲第５号証：特開２００７−１６８１４５号公報 
　・甲第６号証：特開２００２−２９３９７１号公報 
　・甲第７号証：特開２００６−２８９６２７号公報 
３　各甲号証の記載事項
（１）甲第１号証
　甲第１号証には、【０００１】，【０００８】−【００１２】，【００１６】，【００３１】，【００３２】，【００３８】，【００４５】，【００６４】，【００８４】，【００８５】，及び図面などの記載からみて、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「長尺の高分子フィルム基板に対向するように配置された一対のターゲットを複数組合せて備えた反応性ガスを導入するマグネトロンスパッタリング装置を用い、該装置内にＡｒガスと酸素を導入するときの成膜圧力を制御し、前記一対のターゲット表面の磁場強度を調整して、前記高分子フィルム基板を搬送させながら該高分子フィルム基板上に酸化硅素（ＳｉＯ２）膜を成膜する、ガスバリアフィルムの製造方法。」
　そして、甲第１号証には、成膜圧力及び磁場強度に関して、次の事項が記載されている。
１ａ「【００４５】
  さらに、各ターゲットの近傍に真空計を配置して、より好適な成膜圧力の制御を可能にしている。・・・」
１ｂ「【００６４】
  ・・・
　カソード４２はマグネトロンスパッタリングを行うカソードであり、磁石を内蔵している。また、カソード４２は、この磁石をターゲットに対して接離する移動手段を有しており、この磁石の移動により、ターゲット表面の磁場強度を調整することができる。これにより、局所的なエロージョンの進行を抑え、エロージョンの進行に起因する膜厚や膜質のムラ、ターゲット寿命の低減、ターゲット利用効率の低下等を防ぐことができる。
 　・・・　」　
１ｃ「【００８４】
［実施例２］
  ターゲットとして金属硅素を用いて、成膜条件を下記とした以外は、前記実施例１と全く同様にして、酸化硅素（ＳｉＯ２）膜を成膜した。・・・　　・・・
  成膜圧力；  ０．１Ｐａ（１００％Ａｒガス導入）
  ・・・
  酸素導入量調整；  放電電圧が、常に５００Ｖとなるように、第１カソード４２ａおよび第２カソード４２ｂの酸素導入量を制御した
【００８５】
  得られた酸化硅素膜について
　・・・　
　さらに、モコン法によって、４０℃、９０％Ｒｈでの水蒸気透過度を測定したところ、０．１ｇ／ｍ２・ｄａｙと、良好なガスバリア性が確認された。」
（２）甲第２号証
　甲第２号証には、次の事項が記載されている。
２ａ「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は・・・その目的とするところは、透明高分子フィルム基板とその上に形成された酸化珪素薄膜を有するガスバリアー性高分子フィルムであって、ガスバリアー性に優れ、かつ該基板と該薄膜との付着力が良好なガスバリアー性高分子フィルム、およびその製造方法を提供することにある。」　
２ｂ「【０００９】本発明のガスバリアー性高分子フィルムの製造方法は、高分子フィルム基板上に、高周波マグネトロンスパッタリング法によってＳｉＯx（１．３≦ｘ≦１．８）でなる酸化珪素薄膜を形成する工程を包含するガスバリアー性高分子フィルムの製造方法であって、該高周波マグネトロンスパッタリング法におけるアルゴンガス圧が０．５〜５ｍＴｏｒｒ、カソード磁束密度が２００〜４００ガウス・・・の条件で行い、そのことにより上記目的が達成される。」
２ｃ「【００１７】カソード磁束密度、すなわちターゲット表面における磁束密度は２００〜４００ガウスとする。上記磁束密度が２００ガウス未満であると安定したマグネトロン放電を行うことができず、そのため酸化珪素が高分子フィルム基板上に堆積する速度が遅くなる。上記磁束密度が４００ガウスを越えると得られる酸化珪素薄膜の高分子フィルム基板に対する十分な付着力が得られない。
【００１８】放電ガスとしては、アルゴンガスが使用され、アルゴンガス圧は０．５〜５ｍＴｏｒｒとする。アルゴンガス圧が０．５ｍＴｏｒｒ未満であると放電が安定せず、５ｍＴｏｒｒを越えると得られるガスバリアー性高分子フィルムのガスバリアー性が劣る。」
２ｄ「【００２７】（実施例１）高周波マグネトロンスパッタリング法を用い、以下のようにして高分子フィルムを作製した。・・・高分子フィルム基板として厚さ７５μｍのポリアリレート透明フィルム（以下、ポリアリレート基板という）を用い、ターゲットとしてＳｉＯ１．５からなる直径６インチの焼結ターゲットを用いた。カソード磁石としてフェライト磁石を用い、ターゲット表面におけるカソード磁束密度を２５０ガウスとした。
【００２８】まず、上記基板ホルダー上に上記ポリアリレート基板を固定し、スパッタリング室の圧力が２×１０−６Ｔｏｒｒとなるまで排気し、その後放電ガスとしてアルゴンを導入して１ｍＴｏｒｒとした。・・・１分間スパッタリングを行って、ポリアリレート基板上に厚さ３００オングストロームの酸化珪素薄膜を形成し、ガスバリアー性高分子フィルムを得た。・・・」
（３）甲第３号証
　甲第３号証には、次の事項が記載されている。
３ａ「【００１８】
  上記本発明の薄膜層２２は、シングルカソードマグネトロンパルススパッタリング法、又はデュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法を用いてターゲットをスパッタリングすることにより形成される。
  これらのスパッタリング法は、不活性ガスの存在下で行うか、又は不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスの存在下で行うことができる。
　・・・　」
３ｂ「【００２５】
  更にまた、デュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法は、特に酸素ガス等を併用する反応性スパッタリングで金属酸化物薄膜を形成する際に有用である。・・・
【００２６】
  上記スパッタリングを行う際、成膜圧力は０．１〜５Ｐａ、特に０．２〜３Ｐａが好ましく、不活性ガスに加えて所望により酸素ガスや窒素ガス等の反応性ガスを導入することが好ましい。・・・」
３ｃ「【００２８】
  ここで、本発明は、シングルカソードマグネトロンパルススパッタリング法又はデュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法による薄膜の成膜方法において、基板に対向するターゲット直上の水平方向磁場を３０ｍＴ以上（３００ガウス以上）とするものである。
　・・・
【００３２】
  これらのことは、ターゲットに印加するパルス電力と共に、基板に対向するターゲット直上（つまりスパッタリング面）の磁場強度がある閾値を超えないと、高密度プラズマの発生、ひいては結晶性薄膜の成膜が起こりにくいことを示唆するものであり、同時に、成膜の進行に伴いターゲットの状態（特に厚み）が経時的に変動するため、これを見込んだ磁場強度を補正するシステムが必要であることを示唆するものである。」
３ｄ「【００３３】
  かかる点から、本発明では、結晶性の高い薄膜を安定的に得ることを目的とし、シングルカソードマグネトロンパルススパッタリング法においてはターゲットに印加する印加電力のデューティ比を６０％以下とし、１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比８０％の場合のピーク電流値の１．５倍以上のピーク電流値を得ること、またデュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング法においては同様にターゲットに印加する印加電力のデューティ比を４０％以下とし、１パルスに対応するピーク電流が、同一印加電力密度におけるデューティ比４５％の場合のピーク電流値の１．３倍以上のピーク電流値を得ることを基準とし、これらの状態を安定的に作り出すため、ターゲット直上の水平方向磁場強度を３０ｍＴ（３００ガウス）以上・・・に設定する。ターゲット直上の水平方向磁場強度が３０ｍＴに満たない場合は、十分にプラズマ密度を高め、プラズマ中の活性な粒子密度を上げることができないため、結晶性の高い薄膜を常に安定に得ることができない。・・・」
３ｅ「【００４３】
    ［実施例１］
  デュアルカソードマグネトロンパルススパッタリング装置の２つのカソードにそれぞれＴｉターゲット・・・を設置し、基板として石英ガラスをセットした。ターゲット背面の磁石位置を調整することにより、ターゲット上の水平方向磁場を４０ｍＴ（４００ガウス）とした。・・・真空引きした後に、装置内にＡｒガスを導入して、０．５Ｐａとし、電力３ｋＷ、デューティ比３０％のパルス電力を５０ｋＨｚの周波数でそれぞれ交互に各ターゲット電極に印加し、反応性ガスとして酸素ガスを用いて反応性マグネトロンパルススパッタリングを行った。・・・５００ｎｍの発光強度がＡｒのみでスパッタした場合の約２０％の強度となるようにフィードバック制御して酸素を導入し、二酸化チタン薄膜を無加熱の基板上に３００ｎｍになるまで成膜させた。・・・」
（４）甲第４号証
　甲第４号証には、次の事項が記載されている。
　
４ａ「【０００７】本発明は・・・ガスバリアフイルムの酸素、および水蒸気のガスバリア性に対する格段の向上を目的とし、透明性を有するガスバリアフィルム・・・を提供せんとするものである．」
　
４ｂ「【００４４】（実施例１）基材フィルムとしては５０μｍの厚さのＰＥＴフィルム・・・を用いた。バリア層として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、以下の条件でＳｉＯＸ膜を作製した。
ターゲット材料（スパッタ原料）　　Ｓｉ　　　　　　　　　　　　　　
添加ガス　　　　　　　　　　　　　Ｏ２　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
成膜庄カ　　　　　　　　　０．０２Ｐａ　　　　　　　　　　　　　　
酸素分圧　　　　　　　　０．０１１Ｐａ　　　　　　　　　　　　　
　・・・
　上記の条件中の成膜圧力とは、実際にバリア膜を成膜しているときのチャンバー内の圧力である。
　・・・
【００４５】（実施例２）成膜圧力を０．０５Ｐａ、投入電力２００Ｗとした他は、実施例１と同様の条件で、ガスバリアフィルムを作成した。
　・・・
【００４６】（実施例３）成膜圧力を０．１Ｐａ、投入電力２００Ｗとした他は、実施例１と同様の条件で、ガスバリアフィルムを作成した。
　・・・
【００４７】（実施例４）成膜圧力を０．２Ｐａ、投入電力２００Ｗとした他は、実施例１と同様の条件で、ガスバリアフィルムを作成した。・・・」
（５）甲第５号証
　甲第５号証には、次の事項が記載されている。
　
５ａ「【００１８】
  ・・・本発明は、基板フィルムの上にガスバリア層を有するガスバリア性フィルムを製造するに際し、０．０１Ｐａ〜０．１３Ｐａの成膜圧力で、インピーダンス制御による反応性スパッタリングによって、前記ガスバリア層を形成することを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法を提供するものである。」
　 
５ｂ「【００３４】
  周知のように、インピーダンス制御とは、反応性スパッタリングにおいて、カソードに印可する電圧を一定にして、酸素ガス等の反応ガスの流量を調整することにより放電電圧を一定に保ちつつ、スパッタリングを行うものである。
 ・・・
　本発明者は、ガスバリア性に優れたガスバリア層について検討を重ねた結果、成膜圧力を０．２Ｐａ以下とすることにより、緻密でガスバリア性の高いガスバリア層を形成することができることを見出した。ところが、成膜圧力を０．２Ｐａ以下とすると放電が安定せずに、成膜状態が不安定になってしまう。これに対し、本発明者は、インピーダンス制御を用いる反応性スパッタリングであれば、成膜圧力を低くしても安定な放電を得ることができ、さらに、成膜圧力を０．０１Ｐａ〜０．１３Ｐａとした、インピーダンス制御による反応性スパッタリングを行うことにより、前記条件を満たす緻密な無機化合物層を、高い成膜レートで安定して作成できることを見いだした。特に、ターゲットとして硅素を用い、反応ガスとして酸素ガスを用いて、上記成膜圧力でインピーダンス制御による反応性スパッタリングを行って、ＳｉＯ２層を形成することにより、上記条件を満たす、極めてガスバリア性に優れたガスバリア層を形成することができる。」
５ｃ「【００６５】
［実施例］
  図２に示される成膜装置２０を用いて、成膜を行った。
【００６６】
  基板フィルム１２として、厚さ５７μｍのＰＥＴフィルムを用いて、図２に示すように、送り出しロール２６からガイドロール２８ａおよび２８ｂ、ドラム２４、ガイドロール２８ｃおよび２８ｄを順に介して、巻き取りロール３６まで、基板フィルム１２を掛け渡した。
  また、ターゲット材３８として、カソード４０上にシリコンを取り付けた。
【００６７】
 ・・・基板フィルム１２を０．２ｍ／ｍｉｎの速度で長手方向に搬送し、放電ガスであるアルゴンガスを真空槽２２内に導入した。このとき、放電ガスフローコントローラ５４で、アルゴンガスの流量を調整し、放電ガス配管５２から放電ガスを導入した。
  放電ガス導入後、真空槽２２内の圧力を０．２７Ｐａとし、放電電源４２から７ｋＷの成膜パワー供給してプレスパッタを実施した。
【００６８】
  プレスパッタ開始から１０分経過した時点で、反応ガスとして酸素ガスを導入した。・・・  酸素ガス導入後、放電電圧を６１０Ｖに保つように制御した後、アルゴンガスおよび酸素ガスの供給量を低減して、最終的な成膜圧力を０．０３Ｐａまで下げ、ＰＥＴフィルム上にＳｉＯ２層を１００ｎｍ成膜した。
  なお、成膜中は、測定手段６６によって放電電圧を測定し、その結果に応じて（フィードバックして）、反応ガス流量調整ユニット４８によって酸素ガスの流量を調整することにより、放電電圧を６１０Ｖに保った（インピーダンス制御）。」
（６）甲第６号証
　甲第６号証には、次の事項が記載されている。
　
６ａ「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来よりも高透明でかつ高い水蒸気バリア性能を持つフィルムおよびその作成方法を提供することにある。」　
６ｂ「【０００８】本発明の製造方法は真空槽内に放電ガスと反応ガスとを導入して放電を行い、基板上に無機層を形成する反応性スパッタリング装置において、放電ガスと反応ガスの導入量をあわせて0.03〜0.1Paにすることを特徴とする反応性スパッタリングである。放電電力の供給方式にはRF、AC、DC式などを用いることができる。早い成膜速度を望むのであれば異常放電を抑制する機能があり、電力の印加をパルス状に印加、もしくは交流成分を重畳できるようなDC方式を選択するのが好ましい。」
６ｃ「【００１４】
　・・・
（実施例１）フィルムとしてポリエーテルサルホンに易接着性の有機層をコートしたものを用意した。このフィルムの有機コート面に成膜を行うように図１のスパッタリング装置のホルダー(11)にセットし、ターゲット(6)として純Siをセットした。真空ポンプ(4)を起動し、真空槽(1)内を10-4Pa台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを分圧で0.04Pa導入、反応ガスとして酸素を分圧で0.04Pa導入した。雰囲気圧力が安定したところで放電電源(2)をＯＮし、放電電力を一定にコントロールしてSiターゲット(6)上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。プロセスが安定したところでシャッター(12)を開きフィルムへの着膜を開始した。50nmの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。・・・」
（７）甲第７号証
　甲第７号証には、次の事項が記載されている。
７ａ「【００６６】
  ターゲットＡとしてＳｉ、ターゲットＢとしてＡｌをセットし、放電電源としてパルス印加方式のＤＣ電源を用意した。真空ポンプを起動し、真空槽内を１０−４Ｐａ台まで真空引きし、放電ガスとしてアルゴンを、反応ガスとして酸素を導入した。・・・各ターゲット上にプラズマを発生させ、成膜圧力を０．０３Ｐａまで下げてからスパッタリングプロセスを開始した。ターゲットＡとターゲットＢのパルス電圧とガスフローを調節することで、ＳｉＯｘ／ＡｌＯｘの比率が５０／５０、厚み５０ｎｍの混合無機バリア層をプラスチックフィルム基材上に形成させた。・・・」
４　検討
（１）本件発明１について
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、次の点でのみ相違し、その余の点で一致する。
［相違点］
　本件発明１が、「酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とし、デュアルターゲットを構成する各ターゲットの法線方向の磁束密度を基材フィルムの幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上」とするのに対し、甲１発明は、当該圧力及び磁束密度について、具体的な値は明らかでない点。
　上記相違点について検討する。
　甲第１号証は、成膜圧力を制御すること（摘示１ａ）、及び１００％Ａｒガス導入の時の成膜圧力を０．１Ｐａとすることの記載（摘示１ｃ）はあるが、酸素を含んだガスを流した時の成膜圧力は明らかでない。また、磁場強度は調整することができることが記載されているのみである（摘示１ｂ）。
　そうすると、甲第１号証には、上記相違点に係る成膜圧力、及び磁束密度について何ら記載も示唆するものでない。
　甲第２号証には、高周波マグネトロンスパッタリングにおいて、カソード磁束密度は２００〜４００ガウスとすること（摘示２ａ，２ｂ）、及びアルゴンガス圧として、０．５〜５ｍＴｏｒｒ、すなわち、０．０６７〜０．６７Ｐａとすることが記載されている。しかし、具体的には、カソード磁束密度を２５０ガウスとするが、ＳｉＯ１．５をターゲットとし、アルゴンガスのみを用いて１ｍＴｏｒｒ（０．１３Ｐａ）の圧力で酸化珪素薄膜を形成することが記載されているのみである（摘示２ｄ）。
　また、甲第３号証には、デュアルカソードマグネトロンスパッタリングにおいて、不活性ガス及び酸素ガス等の反応性ガスの存在下で行うこと（摘示３ａ）、成膜圧力を０．１〜５Ｐａとすること（摘示３ｂ）、及びターゲット直上の水平方向磁場を３０ｍＴ以上（３００ガウス以上）とすること（摘示３ｃ，３ｄ）は記載されているが、具体的には、Ｔｉターゲットを設置し、ターゲットの水平方向磁場を４００ガウスとし、Ａｒガスを導入して０．５Ｐａとした後、酸素ガスを流して二酸化チタン薄膜を成膜することが記載されているのみである（摘示３ｅ）。
　そうすると、甲第２，３号証には、マグネトロンスパッタリングにおいて、ターゲットの磁束密度を、本件発明１で特定する磁束密度を含む高磁場に設定することが記載され、本件発明１を含む範囲の成膜圧力を設定してもよいことは記載されているが、具体的な成膜圧力は、甲第２号証は、アルゴンガス圧が０．１３Ｐａ、甲第３号証は、二酸化チタン薄膜を成膜するときの圧力が０．５Ｐａであるから、本件発明１の「酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下」とすることを示唆するものではない。
　甲第４号証には、ＤＣマグネトロンスパッタリング法において、酸素を含むガスを用い成膜圧力を０．０２〜０．２ＰａとしてＳｉＯｘ膜を成膜することが（摘示４ａ，４ｂ）、甲第５号証には、反応性スパッタリングにおいて、成膜圧力を０．０１Ｐａ〜０．１３Ｐａの成膜圧力とすること（摘示５ａ，５ｂ）、具体的には、アルゴンガス及び酸素ガスを供給して最終的な成膜圧力を０．０３ＰａとしてＳｉＯ２層を成膜することが（摘示５ｃ）、甲第６号証には、反応性スパッタリングにおいて、放電ガスと反応ガスの導入量をあわせて０．０３〜０．１Ｐａとすること（摘示６ｂ）、具体的には、ターゲットとして純Ｓｉを用い、放電ガスとしてアルゴンを分圧で０．０４Ｐａ，反応ガスとして酸素を分圧で０．０４Ｐａ導入して成膜することが（摘示６ｃ）、及び甲第７号証には、反応性スパッタリングにおいて、ターゲットとしてＳｉとＡｌを用いて、アルゴンと酸素を導入し、成膜圧力を０．０３Ｐａとして、ＳｉＯｘ／ＡｌＯｘからなる混合無機バリア層を成膜することが（摘示７ａ）、それぞれ記載されている。
　そうすると、甲第４号証には、マグネトロンスパッタリングにおいて、甲第５−７号証には、反応性スパッタリングにおいて、それぞれ本件発明１と重複する範囲の成膜圧力とすることは具体的に記載されてはいるが、ターゲットの磁束密度について何ら記載も示唆もするものではない。
　以上のことからすると、甲第１−７号証は、水蒸気バリア性に優れるガスバリアフィルムを得るために、本件発明１の、酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を「０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下」とし、デュアルターゲットを構成する各ターゲットの法線方向の磁束密度を基材フィルムの幅方向（ＴＤ方向）で「２５０Ｇ以上」として酸化珪素膜を成膜するという、上記相違点に係る磁束密度と成膜圧力との関連性について何ら示唆するものではない。
　そして、本件発明１は、上記相違点に係る発明特定事項により、スパッタ原子が高い運動エネルギーにより基材フィルムに到達し、酸化珪素膜が均一に成膜されるという優れた作用効果を奏するものであり（本件明細書【００２３】）、実施例では、上記相違点に係る圧力及び磁束密度に設定することで、特に水蒸気バリア性に優れたガスバリアフィルムを得ているものである。
　したがって、各甲号証の記載を検討しても、上記相違点に係る本件発明１の特定事項を導き出すことができないから、本件発明１は、甲１発明及び各甲号証に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
（２）本件発明２，３について
　本件発明１が、甲１発明及び各甲号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではないから、本件発明１を特定するための事項をすべて含む本件発明２，３についても、その余の事項を検討するまでもなく，同様に，甲１発明及び各甲号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。 
（３）本件発明４−６について
　本件発明４−６は、それぞれ本件発明１−３の「ガスバリアフィルムの製造方法」に対応する「ガスバリアフィルムの製造装置」であって、本件発明１と共通する「酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの圧力を０．０５Ｐａ以上０．１２Ｐａ以下とする」点、及び「デュアルターゲットを構成する各ターゲットの法線方向の磁束密度を成膜ドラムの幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上と」する点についての具体的手段を特定しているものである。
　そうすると、本件発明４−６も、上記（１），（２）で検討した本件発明１−３と同様に、甲１発明及び各甲号証に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
５　むすび 
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、請求項１−６に係る特許を取り消すことはできない。 
　そして、他に請求項１−６に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１０月４日（２０１６．１０．４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　長尺の基材フィルムに対向配置させた１組又は２組以上のデュアルターゲットを備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置を用い、該装置内
に酸素を含んだガスを流して酸化珪素を成膜するときの
　【請求項２】
　前記デュアルターゲットには、交流波形又はパルス波形の電圧を印加
し、
　
前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい
　【請求項３】
　前記デュアルターゲットが２組以上配置されている、請求項１又は２に記載のガスバリアフィルムの製造方法。
　【請求項４】
　デュアルターゲット方式の反応性マグネトロンスパッタリング装置を用い、
　前記装置が、
　長尺の基材フィルムを送ると共に該基材フィルム上に酸化珪素膜を成膜するための成膜ドラムと、
　前記成膜ドラムに対向配置させた１組又は２組以上のデュアルターゲット、該デュアルターゲットの法線方向の磁束密度を前記成膜ドラムの幅方向（ＴＤ方向）で２５０Ｇ以上とするマグネトロン磁石、及び該デュアルターゲットに接続されて該デュアルターゲットからスパッタ原子を放出させるためのスパッタリング電源を備えた反応性マグネトロンスパッタリング装置と、
　
酸素を含んだガスを流して
　【請求項５】
　前記スパッタリング電源は、前記デュアルターゲットに交流波形又はパルス波形の電圧を印加
し、
　
前記デュアルターゲットは、前記成膜ドラムの幅よりも１００ｍｍ以上大きい
　【請求項６】
　前記反応性マグネトロンスパッタリング装置は、前記デュアルターゲットを２組以上備える、請求項４又は５に記載のガスバリアフィルムの製造装置。