【事件の表示】
　特許第５７９６４１２号発明「半導体素子の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７９６４１２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−３〕について訂正することを認める。
　特許第５７９６４１２号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第５７９６４１２号の請求項１〜３に係る特許についての出願は、平成２３年８月２６日に特許出願され、平成２７年８月２８日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人青山裕樹（以下「異議申立人」という）により特許異議の申立てがされ、平成２８年７月１日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年９月１日付けで意見書の提出及び訂正の請求があり、その訂正の請求に対して、異議申立人から平成２８年１０月２１日付けで意見書が提出されたものである。
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は、以下のア及びイのとおりである。
ア　請求項１に係る「７５°以上９０°未満」を「７５°以上８５°以下」に訂正する。
イ　明細書の発明の詳細な説明の段落【０００６】の「７５°以上９０°未満」という記載を、「７５°以上８５°以下」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、一群の請求項、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　上記アの訂正事項に関する記載として、明細書の発明の詳細な説明の段落【００２０】には、「図１１は、チッピングの数、しみの数、及び薄化部の厚みばらつきのθ（ウエハの主面と斜面のなす角）依存性を示すグラフである。」と記載され、段落【００２１】には、「図１１を参照すると、薄化部の厚みばらつきはθが７５°未満となると上昇することが分かる。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法ではθは７５°以上とするので、薄化部の厚みばらつきを低減できる。」と記載されている。また、図１１のグラフを見ると、厚みばらつきを示す黒三角を繋いだ線の値が、７５°以上ではほぼ横這いなのに対し７５°未満では上昇しており、しみの数を示す白抜き丸を繋いだ線の値が、８５°以下ではほぼ０であるのに対し８５°を超えて９０°までは上昇していることが、それぞれ読み取れる。
　そうすると、ウエハ外周部の内側に沿ってウエハの主面とのなす角が「７５°以上８５°以下」の斜面を形成することの根拠は、明細書に記載されているものと認められる。
　そして、上記アの訂正は、明細書に記載された事項の範囲内において、ウエハ外周部の内側に形成する斜面について、そのウエハの主面とのなす角の数値範囲をより狭い範囲に限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　さらに、上記イの訂正は、請求項１の訂正に伴い、明細書中の請求項１の記載に対応する部分を同様に訂正するものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とする訂正であって、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　そして、これら訂正は、請求項１〜３の一群の請求項に対して請求されたものである。
（３）訂正の適否についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜３〕について訂正を認める。
３．特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１〜３に係る発明（以下「本件発明１〜３」という）は、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って前記ウエハの主面とのなす角が７５°以上８５°以下の斜面を、既に形成された斜面と前記研削砥石の間に間隙を設けた状態で形成しつつ、前記斜面に囲まれた部分に前記外周部よりも薄い薄化部を形成するウエハ研削工程と、
　前記薄化部に半導体素子を形成する工程と、
　を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
　前記半導体素子を形成する工程は、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程、熱拡散工程、成膜工程、又はエッチング工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
　前記半導体素子を形成する工程では、前記薄化部の表面に第１の電極を形成し、前記薄化部の裏面に第２の電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。」
（２）取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜３に係る特許に対して平成２８年７月１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
ア　請求項１〜３に係る発明は、甲第１号証及び甲第２号証に記載された発明に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、請求項１〜３に係る特許は、取り消されるべきものである。
イ　本件特許は、その発明の詳細な説明が同法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり、取り消されるべきものである。
（３）甲号証の記載
ア　甲第１号証（特開２００９−２２４６２２号公報）には、「半導体チップの製造方法、半導体ウエハ及び半導体チップ」について、次の記載がある。
（ア）　「【００４５】
　研磨工程は、図１（ｂ）に示すように、半導体ウエハ１００の一方の面１００ａを研磨するものであり、半導体ウエハ１００の縁部を残すように研磨を行う。これにより、半導体ウエハ１００の縁部が凸状縁部１４０として残る。このような研磨工程を行う際、凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａがテーパを有するように研磨を行う。凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａのテーパは、凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａと研磨された面（研磨面）とのなす角度が９０度以上となるように設けられる。続いて、半導体素子形成工程を行う。
【００４６】
　半導体素子形成工程は、図１（ｃ）に示すように、研磨面を半導体素子形成面（半導体素子形成面１００ａという）として用い、研磨面にダイシングライン１２０を格子状に設けるとともに半導体素子形成領域１１０を設定し、設定された半導体素子形成領域１１０内に各半導体素子１３０を形成する。そして、半導体素子形成面１００ａと反対側の面（裏面という）１００ｂに電極などを取り付ける工程を行ったのちに、ダイシング工程を行う。」
（イ）　図１（ｂ）（ｉｉ）を見ると、半導体素子形成面１００ａを有する半導体素子形成領域は、凸状縁部１４０よりも薄くなっていることが読み取れる。
イ　以上の記載によれば、甲第１号証には以下の発明（以下「引用発明」という）が記載されていると認められる。
「研磨により、半導体ウエハ１００の凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａに、前記半導体ウエハ１００の半導体素子形成面１００ａとのなす角が９０度以上となるテーパを形成しつつ、前記内側壁面１４０ａのテーパに囲まれた部分に前記凸状縁部１４０よりも薄い半導体素子形成領域１１０を形成するウエハ研磨工程と、
　前記半導体素子形成領域１１０に半導体素子１３０を形成する工程と、
　を備えた半導体チップの製造方法。」
（４）判断
ア　取消理由通知に記載した取消理由について
（ア）特許法第２９条第２項について
　本件発明１と引用発明とを対比すると、引用発明の「半導体ウエハ１００の凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａに、前記半導体ウエハ１００の半導体素子形成面１００ａとのなす角が９０度以上となるテーパを形成」したことは、甲第１号証の図１（ｂ）（ｉｉ）を参照しつつ、本件特許の図５及び段落【００１２】の記載を考慮すれば、「ウエハ外周部の内側に沿って前記ウエハの主面とのなす角が９０°未満の斜面を形成」したという点までは、本件発明１と一致するといえる。
　しかし、引用発明においては、半導体ウエハ１００の凸状縁部１４０の内側壁面１４０ａのテーパと半導体素子形成面１００ａとのなす角については、あくまでも９０°未満という９０°に近い値を限界値として示しているだけであり、本件発明１の「ウエハの主面とのなす角が７５°以上８５°以下の斜面」のような、斜面角度の上限を９０°に近い値よりも小さい８５°として数値範囲を設定することは開示されていない。そして、当該８５°という具体的数値を上限とすることにより、本件発明１は、薄化部のしみを減少させるという顕著な効果を奏するものであり、本件発明１は、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　本件発明２及び本件発明３については、本件発明１をさらに減縮したものであるから、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、引用発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
（イ）特許法第３６条第４項第１号について
　本件訂正請求項１に記載された、斜面とウエハの主面とのなす角を「７５°以上」としたことの技術的意義については、本件特許明細書の段落【００２１】に「θが７５°未満となる斜面を形成するためには、研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量を増加させなければならない。そのため、研削砥石とウエハ主面の平行度が悪化し、薄化部の厚みばらつきが上昇する」との記載からみて、研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量を考慮し、当該移動量をなるべく少なく抑えることであることが理解できる。
　また、このような研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量を抑えるという観点から見れば、ウエハの厚みを変更した場合でも、研削砥石のウエハ主面方向の移動量が斜面の角度に応じて増減する傾向は同様であるから、ウエハの厚みが必ずしも厚みばらつきの要因となるものとはいえない。
　そして、本件特許の図１１からみて、斜面とウエハの主面とのなす角が７５°以下となると厚みばらつきが大きくなることも読み取れるから、「７５°以上」としたことにより顕著な効果を奏することも、当業者には理解できるものである。
　したがって、本件特許の発明の詳細な説明の記載は、本件発明１〜３の解決手段について、当業者がその技術上の意義を理解するために必要な事項を記載しているものである。
（ウ）特許異議申立人の意見について
　異議申立人は、訂正事項により追加された斜面とウエハの主面とのなす角の値を「８５°以下」とした事項は、甲第１号証の記載からみて困難性はない旨主張している。しかし、上記のとおり甲第１号証には、９０°に近い「９０°未満」の値が示唆されているとしても、「８５°以下」とする点が記載されているものとは認められないから、本件発明１が引用発明から当業者が容易に想到し得るものとはいえない。
　また、異議申立人は、本件訂正請求項１に記載された、斜面とウエハの主面とのなす角を「７５°以上」としたことについての技術的意義が不明であり、ウエハの厚みが厚みばらつきの要因となることも主張している。しかし、斜面とウエハの主面とのなす角が９０°から小さくなるにつれ、研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量がより大きくなる（増加率が高い）ことは、異議申立人の提出した意見書６ページの（ｃ）のグラフにも示されているように明らかな事項であり、また、甲第５号証の「５．実験結果」のグラフのように、厚みばらつきが斜面の角度が９０°から小さくなるにつれ増加していくことも理解される。そうすると、このように斜面とウエハの主面とのなす角が９０°から小さくなるにつれ効果が減少してくるものについて、適宜の効果の範囲までを選択することは当然行うことであり、「７５°以上」としてそこまでの顕著な効果を奏するようにしたことは、十分に技術的意義があるものと認められる。さらに、ウエハの厚みが異なる場合についても、上記のとおり、研削砥石のウエハ主面方向の移動量は、斜面の角度が９０°より小さくなるにつれ増加していく傾向は変わらないため、下限値として７５°を選択して、「７５°以上」の顕著な効果を奏するようにしたことの技術的意義が不明であるとはいえない。
イ　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
　異議申立人は、訂正前の特許請求の範囲に関し、特許異議申立書において、請求項１〜３に係る発明は、発明の詳細な説明に記載した範囲を超えるものであって、特許法第３６条第６項第１号の要件を満たさないと主張しているが、上記ア（イ）及び（ウ）でも説示したとおり、「７５°以上」の技術的意義は認められ、厚みばらつきを低減できる根拠も示されていると認められるから、かかる主張は理由がない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件発明１〜３に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件発明１〜３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１１月１８日（２０１６．１１．１８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体素子の製造方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、例えば産業用モータや自動車用モータの制御などに用いられる半導体素子の製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　特許文献１には、中央部を研削砥石で研削し外周部は厚いままとしたウエハが開示されている。ウエハ中央部を研削するのは、半導体素子を所望の厚さとするためである。ウエハ外周部を厚いままとするのは、ウエハの強度を確保するためである。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００３】
　【特許文献１】特開２００９−２７９６６１号公報
　【特許文献２】特開２００７−１９３７９号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００４】
　研削砥石でウエハを研削すると研削屑が生じる。研削屑が研削砥石とウエハの間に挟まれた状態で研削を進めると、ウエハが局所的に欠ける場合がある。この「欠け」はチッピングと呼ばれる。チッピングは、ウエハ割れの起点となったり、薬液等がウエハ表面に残留する原因となったりする。
　【０００５】
　本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、チッピングの発生を抑制してウエハを研削できる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００６】
　本願の発明に係る半導体素子の製造方法は、回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って該ウエハの主面とのなす角が７５°以上
８５°以下
　【発明の効果】
　【０００７】
　本発明によれば、研削屑を外部に排出しながらウエハの研削を進めるので、チッピングの発生を抑制できる。
　【図面の簡単な説明】
　【０００８】
　【図１】　研削前のウエハの断面図である。
　【図２】　ウエハをウエハ研削装置のステージに固定したことを示す図である。
　【図３】　図２の研削砥石を斜め下方からみた斜視図である。
　【図４】　ウエハ研削装置でウエハを研削することを示す図である。
　【図５】　研削工程後のウエハを示す断面図である。
　【図６】　図５の平面図である。
　【図７】　薄化部に半導体素子を形成したことを示す断面図である。
　【図８】　比較例の半導体素子の製造方法を示す断面図である。
　【図９】　比較例の方法で研削及びその後の処理が実施されたウエハを示す断面図である。
　【図１０】　図９の平面図である。
　【図１１】　チッピングの数、しみの数、及び薄化部の厚みばらつきのθ（ウエハの主面と斜面のなす角）依存性を示すグラフである。
　【発明を実施するための形態】
　【０００９】
実施の形態．
　本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法について、図を参照しつつ説明する。図１は、研削前のウエハの断面図である。ウエハ１０は、例えば、ＦＺ法で作成されたシリコンで形成されている。ウエハ１０は、裏面１０ａと表面１０ｂを有している。表面１０ｂには、例えば、トランジスタや配線構造などの半導体素子構造を形成する。そして、ウエハの裏面１０ａを上向きにして、ウエハ１０の表面１０ｂに保護テープ１２を貼り付ける。
　【００１０】
　次いで、ウエハ１０をウエハ研削装置のステージに固定する。図２は、ウエハをウエハ研削装置のステージに固定したことを示す図である。保護テープ１２をステージ２０に吸着させ、ウエハ１０をステージ２０に固定する。ウエハ研削装置はステージ２０の上方に、研削ホイール２２及びこれに固定された研削砥石２４を備えている。研削砥石２４の形状について説明する。図３は、図２の研削砥石を斜め下方からみた斜視図である。研削砥石２４は、全体として環状に形成されている。研削砥石２４は、角部２４ａと底面２４ｂを有している。
　【００１１】
　次いで、研削工程を実施する。図４は、ウエハ研削装置でウエハを研削することを示す図である。研削工程では、例えば、ステージ２０を図４に示す方向に回転させつつ、研削ホイール２２及び研削砥石２４をステージ２０と反対方向に回転させる。そして、研削砥石２４をウエハ１０と接触させてウエハ１０を研削する。研削砥石２４は、図４のｘ−ｙ平面と平行方向の移動とｚ方向の移動を交互に繰り返す。この研削によりウエハ１０に、斜面２５と薄化部２６を形成する。但し、ステージ２０と研削砥石２４の回転方向は必ずしも逆方向である必要はない。
　【００１２】
　斜面２５は、ウエハ１０外周部の内側に沿ってウエハの主面（裏面１０ａのことをいう、以下同じ）とのなす角が７５°以上９０°未満となるように形成する。図４には、ウエハ１０の主面と斜面２５のなす角の例として、これが８０°であることが示されている。斜面２５は、既に形成された斜面２５と研削砥石２４の間に間隙を設けた状態でウエハ１０の厚み方向に順次形成していく。このとき、主として研削砥石２４の角部２４ａが斜面２５を形成していく。なお、図４には、研削で生じる研削屑２９が前述の間隙を通って外部に排出されることを示す。
　【００１３】
　一方、薄化部２６は、斜面２５に囲まれた部分に外周部よりも薄くなるように形成する。薄化部２６は、研削砥石２４の主として底面２４ｂをウエハに面接触させることで形成する。薄化部２６は平坦な面となっている。薄化部２６の厚みは、例えば６０μｍ程度である。
　【００１４】
　図５は、研削工程後のウエハを示す断面図である。ウエハ１０の中央部３０には斜面２５及び薄化部２６が形成されている。ウエハの中央部３０は、研削されていない外周部３２に囲まれている。研削されていない外周部３２は、リブ構造と呼ばれる。図６は、図５の平面図である。外周部３２はウエハ１０の外周に沿って環状に設けられている。
　【００１５】
　次いで、研削工程で生じたウエハの加工歪みを除去するためにウェットエッチング又はドライエッチングを実施する。また、適当な時期に保護テープ１２を剥離する。次いで、薄化部に半導体素子を形成する。図７は、薄化部に半導体素子を形成したことを示す断面図である。前述のとおり、ウエハ１０の表面１０ｂには、半導体素子構造が形成されているので、この工程では主として薄化部２６の裏面１０ａに必要な処理を施して半導体素子を形成する。具体的には、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程、熱拡散工程、スパッタ等による成膜工程、及びエッチング工程を適宜実施する。また、薄化部２６の表面１０ｂに第１の電極２７を形成し、裏面１０ａに第２の電極２８を形成する。半導体素子がＩＧＢＴである場合、第１の電極２７はエミッタ電極であり、第２の電極２８はコレクタ電極である。断面図である図７には、薄化部２６に形成された６つの半導体素子Ｄ１〜Ｄ６が示されている。
　【００１６】
　ここで、本発明の意義の説明に先立って、比較例について説明する。図８は、比較例の半導体素子の製造方法を示す断面図である。比較例では、ウエハ４０の外周部４４の側面４４ａが、主面４０ａに対して垂直となるようにウエハ４０の研削が進められる。すなわち、外周部４４の側面４４ａとウエハの主面４０ａとのなす角が９０°となっている。この場合、研削屑２９が側面４４ａと研削砥石２４に挟まれて、側面４４ａにチッピングが生じる。研削後には、本発明の実施の形態と同様の工程で半導体素子が形成される。
　【００１７】
　図９は、比較例の方法で研削及びその後の処理が実施されたウエハを示す断面図である。図１０は、図９の平面図である。側面４４ａには複数のチッピング５０が見られる。よってウエハのハンドリングの際に、チッピング５０を起点としてウエハ４０が割れるおそれがある。また薄化部４２にはしみ５２が見られる。しみ５２は、ウエハ研削後のウェット処理や写真製版処理で用いる薬液、フォトレジスト、現像液などがチッピング内に残留し、スピン乾燥でも除去できず薄化部４２に付着することで生じる。しみ５２を有する薄化部４２に電極を形成すると、しみ５２が抵抗層となり半導体素子の特性が変動するおそれがある。
　【００１８】
　ところが本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法によれば、チッピングの発生を抑制しつつウエハの中央部を研削できる。つまり、既に形成された斜面２５と研削砥石２４の間に間隙を設けた状態で斜面２５の形成を進めるので、研削屑は当該間隙を通って外部に排出される。よって、チッピングの発生を抑制できる。
　【００１９】
　また、ウエハの研削は、ウエハの主面とのなす角が７５°以上９０°未満となる斜面２５を形成しながら進められる。斜面２５があるため、研削砥石の回転運動によって弾き飛ばされた研削屑２９が前述の間隙を通って外部に排出されやすくなる。また、本発明の実施の形態では、斜面２５と接するのは、主として研削砥石２４の角部２４ａである。よって、本発明の実施の形態によれば、比較例のように側面４４ａと研削砥石２４が面接触する場合と比較して、容易に研削屑２９を外部に排出できる。
　【００２０】
　ここで、ウエハ１０の主面に対し７５°以上９０°未満の角度をなすように斜面２５を形成することの意義を説明する。図１１は、チッピングの数、しみの数、及び薄化部の厚みばらつきのθ（ウエハの主面と斜面のなす角）依存性を示すグラフである。このグラフは、薄化部が５０μｍとなるように研削したウエハをサンプルとして作成したものである。チッピングの数、及びしみの数は、θが９０°になると急上昇する。これは、θが９０°であると、比較例のように研削屑の外部への排出が困難になることが原因と考えられる。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法では、θは９０°未満であるので斜面２５に沿って研削屑２９を外部に排出し、チッピングの数、及びしみの数を抑制できる。
　【００２１】
　例えばＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子では薄化部の厚み方向に電流を流すため、薄化部の厚みがばらつくと半導体素子の特性もばらつく。よって、薄化部の厚みばらつきはできるだけ低減することが好ましい。図１１を参照すると、薄化部の厚みばらつきはθが７５°未満となると上昇することが分かる。本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法ではθは７５°以上とするので、薄化部の厚みばらつきを低減できる。ところで、θが７５°未満となる斜面を形成するためには、研削砥石のウエハ主面平行方向の移動量を増加させなければならない。そのため、研削砥石とウエハ主面の平行度が悪化し、薄化部の厚みばらつきが上昇すると考えられる。
　【００２２】
　本発明の実施の形態に係る半導体素子の製造方法は、本発明の特徴を失わない範囲において様々な変形が可能である。
　【符号の説明】
　【００２３】
　１０　ウエハ、　２０　ステージ、　２２　研削ホイール、　２４　研削砥石、　２４ａ　角部、　２４ｂ　底面、　２５　斜面、　２６　薄化部、　２９　研削屑、　３０　中央部、　３２　外周部、　５０　チッピング、　５２　しみ
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　回転させた研削砥石により、ウエハ外周部の内側に沿って前記ウエハの主面とのなす角が７５°以上
８５°以下
　前記薄化部に半導体素子を形成する工程と、
　を備えたことを特徴とする半導体素子の製造方法。
　【請求項２】
　前記半導体素子を形成する工程は、フォトリソグラフィ工程、イオン注入工程、熱拡散工程、成膜工程、又はエッチング工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
　【請求項３】
　前記半導体素子を形成する工程では、前記薄化部の表面に第１の電極を形成し、前記薄化部の裏面に第２の電極を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。