(57)【要約】      （修正有）【課題】高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置を提供する。【解決手段】トップセル層として、ｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２、３を設け、ボトムセル層として、ｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層、または、ペレストロイカ半導体薄膜光電変換層１０、１１、１２に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する。トップセル層の入射面に、透明または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１、または蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設けた。【選択図】図４
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層、またはｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を用いたｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を設け、ボトムセル層として、ｎｐ型またはｎｉｐ型シリコン系ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合の２層構造タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【請求項２】
ボトムセル層として、ｎｐ型またはｎｉｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた請求項１に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【請求項３】
ボトムセル層として、ｎ型電子輸送層、光吸収ペロブスカイト結晶層、ｐ型正孔輸送層接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた請求項１に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【請求項４】
トップセル層の入射面に、透明または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層、または、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子ドープＣＶＤダイヤモンド薄膜層を設けた請求項１に記載の携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案は、高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信及び蓄電池を充電し、透光性、熱伝導率に伴う放熱性を有する携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の携帯用端末機のスマートフォンは、特定の方向に飛ぶ電波を送受信をしやすくするため、側面及び背面の上下左右の方向に飛ぶアンテナを設置する。携帯用端末機のスマートフォンが熱くなると、電波の送受信が低下するため、携帯用端末機の放熱が最重要である。国内の基地局は約６０万局とされ、「５Ｇ」又は「６Ｇ」の基地局は１０憶局を必要とされる。従来の基地局のアンテナは冷蔵庫ほどの大きさだが、波長が短い「５Ｇ」又は「６Ｇ」ではアンテナが小型化され、携帯電話の大きさで済むとされる。災害などでは、携帯用端末機の蓄電池の充電が必要とされ、再生可能エネルギーの薄膜太陽電池を携帯用端末機に設けて充電する。総務省は２０２０年４月、国内で商用化した高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の主要技術を２０２５年をメドに確立する戦略目標を公表した。すでに海外では中国政府が２０１９年１１月に次世代超高速通信規格「６Ｇ」の研究開発を発表している。
日本政府は、２０５０年までに温暖化ガスの排出量を実質ゼロにする目標を発表した。環境対応は世界的な潮流のため、環境を「成長の柱」と位置づけ、再生可能エネルギーなどの技術革新や投資を促し、次世代産業の育成を支援する方針とされる。
米国バイデン政権が再生可能エネルギーへの転換を急いでいる。補助金で投資を後押し、２０２２年には発電量で「第２の電源」にする方針とされる。
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特願２０２０−１１８０７９号
【特許文献２】特願２０２０−０８８４２４号
【特許文献３】特願２０１９−２０１０５６号
【実用新案文献１】
実願２０２１−００２９２７号
【実用新案文献２】
実願２０２１−００１２７３号
【実用新案文献３】
実願２０２１−００１１１９号
【実用新案文献４】
登録第３２２３４３０号
【非特許文献】
【０００４】
【引用非特許文献１】
監修  藤森直治，鹿田真一、ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》  第４章  ナノ結晶ダイヤモンド薄膜  ｐ３６〜４４、第６章  半導体特性  ｐ６３〜７１、第７章  ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性  ｐ７５〜８４、第８章  ｎ型ドーピングと半導体特性  ｐ８６〜９８、２０１４年版、株式会社  シーエムシー出版。
【引用非特許文献２】
著作  ▲Ｃ▼堀越佳治、「太陽光発電」基礎から電力系への導入まで、第８章  太陽電池に用いられる材料と構造、８．２第一世代の太陽電池  表８．１  第一世代太陽電池，第二世代太陽電池の効率と特性  ｐ９５、８．３．６ペロブスカイト太陽電池  ｐ１４５〜１４８、２０２０年版、株式会社  内田老鶴圃。
【引用非特許文献３】
監修  荒川泰彦、超高効率太陽電池・関連材料の最前線《普及版》  第２章  ４・グラフェンを用いた太陽電池用透明導電膜の開発  グラフェンの成膜技術  ｐ４４〜４５、ＣＶＤ法によるグラフェンの成膜  ｐ５０〜５５、５・薄膜太陽電池用ＺｎＯ系透明導電膜  ｐ５６、５．４  ＺｎＯ透明導電膜の電気特性・光学特性の両立  ｐ６５〜７２、５．３．１  薄膜Ｓｉ太陽電池用透明導電膜ＳｎＯ２  ｐ６０〜６１、第３章  多接合太陽電池  １．２  多接合太陽電池の高効率化の可能性  ｐ９３、１．７  多接合太陽電池の将来展望  ｐ１０４〜１０６、２０１７年版、株式会社  シーエムシー出版。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】  特定の方向に飛ぶ高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信しやすくするため、携帯用端末機のスマートフォン本体が熱くなると、電波の送受信がしにくいという欠点があった。高速通信規格「５Ｇ」では高精細映像技術「８Ｋ」対応カメラや、あらゆるモノがネットにつながる「ＩｏＴ」と人工知能（ＡＩ）を組み合わせた「ＡＩｏＴ」の技術が活用される。高速通信規格「５Ｇ」の電波の飛ぶ距離は数百メートル〜１キロメートル程度とされ、従来より多くの基地局が必要になる。次世代超高速通信規格「６Ｇ」では電波の届く距離が１００〜２００メートルに限られる。アンテナが小型化され、携帯用端末機のスマートフォンに収まる中継基地局が可能とされる。災害や停電には、携帯用端末機の蓄電池への充電がされなく、停止するという欠点があった。携帯用端末機の蓄電池を充電する再生可能エネルギーからなる薄膜太陽電池の利用が望まれる。【０００６】  したがって、実願２０２１−００１１１９号に記載のＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は単層構造であり、光電変換効率に課題があった。本考案では、ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合のＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層（実願２０２１−００１２７３号）、または、ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層（実願２０２１−００２９２７号）を設けた高効率のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置を考案するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層２およびホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層３接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３、またはｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を用いたｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を設け、ボトムセル層として、ｎｐ型６・７またはｎｉｐ型シリコン系ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。【０００８】  ボトムセル層として、ｎｐ型６・７またはｎｉｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。【０００９】  ボトムセル層として、ｎ型電子輸送層（ＴｉＯ２，ＺｎＯ／ＳｎＯ２）１０、光吸収ペロブスカイト結晶層（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）１１、ｐ型正孔輸送層（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ／ＣｕＳＣＮ）１２接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。【００１０】  トップセル層の入射面に、透明または着色ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層１、または、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープＣＶＤダイヤモンド薄膜層１を設けた、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【考案の効果】
【００１１】  高速通信規格「５Ｇ」または次世代超高速通信規格「６Ｇ」の携帯用端末機本体に、高効率のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する。災害や停電における携帯用端末機への充電が不要となる。透光性、熱伝導率に伴う放熱性を有するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を携帯用端末機本体の背面に設けて、送受信や変換効率を良好にする、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】  本考案に係る入射面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１を設けたｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の、ｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層６・７の参考断面図。
【図２】  本考案に係る入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープ透明、または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１を設けたｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の、ｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層６・７の参考断面図。
【図３】  本考案に係る入射面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１を設けたｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の、ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２の参考断面図。
【図４】  本考案に係る入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープ透明、または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１を設けたｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の、ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２の参考断面図。
【図５】  本考案に係る携帯用端末機本体の背面に、タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を設けた参考背面図。
【考案を実施するための形態】
【００１３】  ＣＶＤダイヤモンドのバンドギャップは、５．４８ｅＶの半導体としての特性を有し、熱伝導率２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を示す。ヒートシンク材料の熱伝導率は、ＣＶＤダイヤモンド２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）であり、銅４．０（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）である。ＣＶＤダイヤモンドは銅と比較して５．５倍もの熱伝導率である。シリコン１．５６（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）と比較すると約１５倍の熱伝導率を有し、優れた熱伝導率または放熱性、光透過性を有している。ＣＶＤダイヤモンドの硬度５６〜１１５（ＧＰａ）を有し、フリーエキシトンの束縛エネルギーが８０ｍｅＶもある。ＣＶＤナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、低温成膜、高い表面平坦性、可視光線透過率（λ：４００〜８００ｎｍ）＝９０％である。ＣＶＤダイヤモンドは、熱伝導率、透光性、耐熱性、絶縁性など物質中最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
【００１４】  ＣＶＤダイヤモンドは、高出力型マイクロ波プラズマＣＶＤ法、またはマイクロ波プラズマＣＶＤ法、表面平坦性のプラズマＣＶＤ法によるナノ結晶ダイヤモンド薄膜が用いられる。ＣＶＤダイヤモンドのバンドギャップは、５．４８ｅＶの半導体としての特性を有し、透光性、熱伝導率などに優れている。シリコン系ＣＶＤａ−Ｓｉのバンドギャップは、１．４〜１．８ｅＶの半導体である。有機系ペロブスカイト結晶（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）層のバンドギャップは、１．６ｅＶであり、対応してＶｏｃも１．１〜１．２ｅＶと高い効率とされる。
【００１５】  ＣＶＤダイヤモンド半導体はシリコン（Ｓｉ）と同じ第１４族元素に属している。ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体へのドープは、第１５族元素の窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）をドープすることができる。ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体へのドープは、第１３族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）をドープすることができる。本考案では、リンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層およびホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層接合のｎｐ型、またはｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を挟んだｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を用いるのである。
【００１６】  ＣＶＤダイヤモンドは通常、無色透明である。ＣＶＤダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その不純物や欠陥により吸収が起こり、イエロー、グリーン、ブルー、ブラウンなどの着色ＣＶＤダイヤモンドとなる。ダイヤモンドの典型的な不純物の一つであるＮとＢは、イエローダイヤモンドおよびブルーダイヤモンドを形成する着色元素となっている。特に、この典型的なＮ（窒素）とＢ（ホウ素）の不純物のダイヤモンド中での含有量と置換位置の種類によって、ダイヤモンドのタイプが詳細に分類される。すでに、ダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その多くは、光学的に活性な発光センタを形成する。典型的な不純物であるＮやＢの他に、Ｈ、Ｈｅ、Ｌｉ、Ｏ、Ｎｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｘｅなどが光学的に活性な発光センタを形成することが知られている。
【００１７】  透明電極はＩＴＯやＳｎＯ２、ＺｎＯなどのワイドギャップ半導体で対応が可能であった。４０％以上の変換効率の太陽電池には、約２μｍ程度の赤外光まで発電に寄与させることが不可欠になる。ＩＴＯやＳｎＯ２では長波長光まで光を透過させることは難しい。ＣＶＤ法によるグラフェンは赤外光までの透過率８０％以上に維持する。最近では２層グラフェン、または数層グラフェンなどがあり、適した透明導電膜をＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層に用いることができる。
【００１８】  本考案のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池の内部は、トップセル層として、透過性および熱伝導率に優れた特性を有するｎｐ型またはｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層を、ボトムセル層として、シリコン系ｎｐ型またはｎｉｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層、または、有機系ペロブスカイト半導体薄膜光電変換層に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えた２層構造のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置である。
【００１９】  図１の参考断面図に示す。高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機本体の背面に設けて、蓄電池を充電するタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置において、
トップセル層として、リンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層２およびホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層３接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３を設け、ボトムセル層として、ｎ型：ＳｉＨ４＋Ｈ２＋ＰＨ３およびｐ型：ＳｉＨ４＋Ｈ２＋Ｂ２Ｈ６のｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層６・７に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造を設けたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池の入射面に、透明または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１および透明導電膜５を設け、裏側に裏面電極８と保護材９を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７。
ｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３とｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層６・７の接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【００２０】  図２の参考断面図に示す。段落［００１９］に記載のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造を設けた入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープ透明、または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１および透明導電膜５を設け、裏側に裏面電極８と保護材９を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７。
ｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３とｎｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜光電変換層６・７の接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【００２１】  図３の参考断面図に示す。トップセル層として、リンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層２およびホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層３接合のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３を設け、ボトムセル層として、ｎ型電子輸送層（ＴｉＯ２，ＺｎＯ／ＳｎＯ２）１０、光吸収ペロブスカイト結晶層（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）１１、ｐ型正孔輸送層（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ／ＣｕＳＣＮ）１２接合のペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造を設けた入射面に、透明または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１および透明導電膜５を設け、裏側に裏面電極８と保護材９を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７。
ｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２の接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【００２２】  図４の参考断面図に示す。段落［００２１］に記載のｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合の２層構造を設けた入射面に、蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子１−１ドープ透明、または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層１および透明導電膜５を設け、裏側に裏面電極８と保護材９を設けた携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７。
ｎｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層２・３とペロブスカイト半導体薄膜光電変換層１０・１１・１２の接合部に、ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層４を伴うヘテロ接合によることで、再結合を抑えたタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７を、携帯用端末機本体の背面に設けて蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【００２３】  図５の参考背面図に示す。携帯用端末機本体の背面に、タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池１７（８Ｋカメラ関連を除く）を設けて、蓄電池を充電する、携帯用端末機のタンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池装置。
【符号の説明】
【００２４】  １  透明または着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜層
１−１  蓄光性蛍光粒子もしくは蓄光性蛍光微粒子
２  ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
３  ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
４  ｉ型真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜層
５  透明導電膜
６  ｎ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜層
７  ｐ型ＣＶＤａ−Ｓｉ半導体薄膜層
８  裏面電極
９  保護材
１０  ｎ型電子輸送層（ＴｉＯ２，ＺｎＯ／ＳｎＯ２）
１１  光吸収ペロブスカイト結晶層（ＣＨ３ＮＨ３ＰｂＩ３）
１２  ｐ型正孔輸送層（Ｓｐｉｒｏ−ＯＭｅＴＡＤ／ＣｕＳＣＮ）
１３  ８Ｋカメラ関連
１４  中継基地局用アンテナ
１５  背面アンテナ
１６  側面アンテナ
１７  タンデム型ダイヤモンド薄膜太陽電池
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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