(57)【要約】  表示品質を向上することが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する。初期の発光輝度分布に応じた量の光が照射された発光層を有し、発光面積２５ｃｍ２以上において、発光平面上の輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５以上である有機ＥＬ素子を構成する。
2017022506.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極とに挟持された発光ユニットと、を備え、
前記発光ユニットは、初期の発光輝度分布に応じた量の光が照射された発光層を有し、
発光面積２５ｃｍ２以上において、発光平面上の輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５以上である
有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記第１電極、及び、前記第２電極の少なくともいずれか一方の電極が透明電極であり、前記透明電極の取り出し部からの発光平面上の距離が近い位置の光照射量が、離れた位置の光照射量よりも多い請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記第１電極、及び、前記第２電極の少なくともいずれか一方の電極がグリッド電極を有し、前記グリッド電極が設けられていない位置の光照射量が、前記グリッド電極が設けられる位置照射量よりも多い請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記グリッド電極が設けられる位置の輝度を輝度Ｃ、前記グリッド電極が設けられていない位置の輝度を輝度Ｄとしたとき、Ｃ／Ｄが０．９５以上である請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
第１電極を形成する工程と、
前記第１電極上に発光ユニットを形成する工程と、
前記発光ユニット上に第２電極を形成する工程と、
前記発光ユニットの発光層に対し、初期の発光輝度分布に応じた量の光を照射して、輝度分布を補正する工程と、を有する
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１電極、及び、前記第２電極の少なくともいずれか一方の電極としてグリッド電極を形成し、前記グリッド電極が設けられていない位置に対する光照射量を、前記グリッド電極が設けられている位置に対する光照射量よりも大きくする
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１電極、及び、前記第２電極の少なくともいずれか一方の電極を透明電極で形成し、前記透明電極の取り出し部からの距離が近い位置に対する光照射量を、前記透明電極の取り出し部から離れた位置に対する光照射量よりも大きくする
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光照射により輝度分布が補正された有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、光照射により輝度分布を補正する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に係わる。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（electroluminescence：ＥＬ）を利用した有機ＥＬ素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。
このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として近年注目されている。【０００３】
有機ＥＬ素子は、２枚の電極間に少なくとも有機材料を含む発光層が配置された構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は透明電極として構成され、透明電極側から発光光が取り出される。また、有機ＥＬ素子は、低電力で高い輝度を得ることができ、視認性、応答速度、寿命、消費電力の点で優れている。【０００４】
有機ＥＬ素子においては、ガラス基板上に積層された有機層に光を照射し、照射部分の有機層を劣化させることで非発光領域を形成する、発光パターンを有する有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００５】
一方、有機ＥＬ照明においては、照明用途に必要な輝度を得るため、有機ＥＬ素子の大型化や、発光輝度の向上が必要である。しかしながら、パネルサイズを大型化した場合、陰極と陽極とのシート抵抗差や、素子の発熱により、発光面内に輝度分布を生じてしまい、面内発光輝度分布が悪化することが知られている（例えば、特許文献２参照）。このため、面発光という有機ＥＬ素子の利点を照明装置に十分に生かすことができず、有機ＥＬ素子の表示品質が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１５−４６３６４号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１９２３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した問題の解決のため、表示品質の向上が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極とに挟持された発光ユニットとを備え、発光ユニットは、初期の発光輝度分布に応じた量の光が照射された発光層を有し、発光面積２５ｃｍ２以上において、発光平面上の輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５以上である。【０００９】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、第１電極を形成する工程と、第１電極上に発光ユニットを形成する工程と、発光ユニット上に第２電極を形成する工程と、発光ユニットの発光層に対し、初期の発光輝度分布に応じた量の光を照射して、輝度分布を補正する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、表示品質の向上が可能な有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機ＥＬ素子の概略構成を示す図である。
【図２】実施例で作製した有機ＥＬ素子の平面配置図である。
【図３】有機ＥＬ素子の輝度プロファイルを示す図である。
【図４】有機ＥＬ素子の輝度プロファイルを示す図である。
【図５】有機ＥＬ素子の輝度プロファイルを示す図である。
【図６】図５に示す輝度プロファイルの中央部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．有機エレクトロルミネッセンス素子
２．有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
【００１３】
〈１．有機エレクトロルミネッセンス素子〉
［有機エレクトロルミネッセンス素子の構成］
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下有機ＥＬ素子と記す）の具体的な実施の形態について説明する。
【００１４】
有機ＥＬ素子は、少なくとも一対の電極間に一つ又は複数の発光ユニットを備えている。発光ユニットは発光層を含み、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層（青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含む）電子輸送層、電子注入層等から構成される。また、発光ユニットは、後述する光照射により、発光面の輝度分布が均一化するように補正されている。
【００１５】
図１に有機ＥＬ素子の概略構成図（断面図）の一例を示す。図１に示す有機ＥＬ素子１０は、基板１４上に設けられており、基板１４側から順に、第１電極（透明電極）１１、有機材料等を用いて構成された発光ユニット１３、及び第２電極（対向電極）１２を積層して構成されている。第１電極１１の端部には、第１電極１１の取り出し部１６が設けられている。第１電極１１と外部電源（図示略）とは、取り出し部１６を介して、電気的に接続される。ここで、第１電極１１は少なくとも導電層１１ｂにより形成され、下地層１１ａは導電層１１ｂの素材に応じて設けてもよい下地層を表している。また、第２電極１２の端部には、第２電極１２の取り出し部１７が設けられている。第２電極１２と外部電源（図示略）とは、取り出し部１７を介して電気的に接続される。有機ＥＬ素子１０は、発生させた光を、少なくとも基板１４側から取り出すように構成されている。さらに、有機ＥＬ素子１０は、基板１４における発光取り出し面側に光取り出し部材２１が配置されている。
【００１６】
ここで、有機ＥＬ素子１０の層構造は図１に限定されることはなく、公知な層構造であってよい。ここでは、第１電極１１がアノード（すなわち陽極）として機能し、第２電極１２がカソード（すなわち陰極）として機能することとして説明する。この場合、例えば、発光ユニット１３は、アノードである第１電極１１側から順に正孔注入層１３ａ／正孔輸送層１３ｂ／発光層１３ｃ／電子輸送層１３ｄ／電子注入層１３ｅを積層した構成が例示されるが、このうち、少なくとも有機材料を用いて構成された発光層１３ｃを有することが必須である。正孔注入層１３ａ及び正孔輸送層１３ｂは、正孔輸送注入層として設けられてもよい。電子輸送層１３ｄ及び電子注入層１３ｅは、電子輸送注入層として設けられてもよい。また、これらの発光ユニット１３のうち、例えば、電子注入層１３ｅは無機材料で構成されている場合もある。
【００１７】
また、発光ユニット１３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてもよい。さらに、発光層１３ｃは、各波長領域の発光光を発生させる各色発光層を有し、これらの各色発光層を、非発光性の中間層を介して積層させた構造としてもよい。中間層は、正孔阻止層、電子阻止層として機能してもよい。さらに、カソードである第２電極１２も、必要に応じた積層構造であってもよい。このような構成において、第１電極１１と第２電極１２とで発光ユニット１３が挟持された部分のみが、有機ＥＬ素子１０における発光領域となる。
【００１８】
第１電極１１の低抵抗化を図ることを目的とし、第１電極１１の導電層１１ｂに接して補助電極１５が設けられていてもよい。ここで補助電極１５は便宜的に端部の一価所のみを図示しているが、導電層１１ｂの全体に網目状に形成される細線の構造をとることができる。補助電極１５は、第１電極１１の取り出し部１６に接続されたグリッド電極であることができる。補助電極は導電層１１ｂによって覆われる位置に形成されることが好ましいが、導電層１１ｂの上部に形成されてもよい。
【００１９】
以上のような構成の有機ＥＬ素子１０は、有機材料等を用いて構成された発光ユニット１３の劣化を防止することを目的として、基板１４上において後述する封止材１８で封止されている。この封止材１８は、接着剤１９を介して基板１４側に固定されている。ただし、第１電極１１（取り出し部１６）及び第２電極１２（取り出し部１７）の端子部分は、基板１４上において発光ユニット１３によって互いに絶縁性を保った状態で封止材１８から露出させた状態で設けられている。
【００２０】
［基板］
基板１４は、支持体としての基材と、屈折率が１．４以上１．７以下の１層以上のバリア層とで、構成されていることが好ましい。
【００２１】
（１）基材
基材は、従来公知の基材を特に制限なく使用できる。好ましく用いられる基材は、有機ＥＬ素子に必要な耐湿性／耐気体透過性等のガスバリア性能を有することが好ましい。
【００２２】
有機ＥＬ素子１０の基板１４側が発光面となる場合には、基材には可視光に対して透光性を有する材料が用いられる。この場合、その波長５５０ｎｍでの光透過率は、７０％以上であることが好ましく、７５％以上であることがより好ましく、８０％以上であることがさらに好ましい。
【００２３】
また、基材は可撓性を有することが好ましい。ここでいう「可撓性」とは、φ（直径）５０ｍｍロールに巻き付け、一定の張力で巻取る前後で割れ等を生じることのないことをいう。基材としては、φ３０ｍｍロールに巻き付け可能であることがより好ましい。
【００２４】
基材は、従来公知の基材であり、無アルカリガラス、ソーダガラス、ＰＥＴ、ＰＥＮ、ＰＣ、アクリル樹脂等が好ましく用いられる。また、樹脂基材の場合は透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムが好ましい。
【００２５】
基材の厚さは１０〜５００μｍが好ましく、より好ましくは２０〜２５０μｍであり、さらに好ましくは３０〜１５０μｍである。基材の厚さが１０〜５００μｍの範囲にあることで、安定したガスバリア性を得られ、また、ロール・トゥ・ロール方式の搬送に好適となる。
【００２６】
（２）バリア層
（２．１）特性及び形成方法
基板１４の基材には、屈折率が１．４以上１．７以下の１層以上のバリア層（低屈折率層）が設けられていてもよい。このようなバリア層としては、公知の素材を特に制限なく使用でき、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜であってもよい。バリア層は、ＪＩＳ−Ｋ−７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ２・２４時間）以下のバリア性フィルム（バリア膜等ともいう）であることが好ましく、また、ＪＩＳ−Ｋ−７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４時間・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４時間）以下の高バリア性フィルムであることがより好ましい。
【００２７】
［第１電極（透明電極）］
第１電極１１は、通常有機ＥＬ素子の電極として使用可能な全ての導電材料を用いることができる。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
【００２８】
第１電極１１は、透明電極であることが好ましい。透明電極であるとは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
【００２９】
（１）下地層
下地層１１ａは、導電層１１ｂの基板１４側に設けられる層である。下地層１１ａを構成する材料としては、特に限定されず、銀又は銀を主成分とする合金等の透明金属電極で構成される導電層１１ｂの成膜に際し、金属の凝集を抑制できればよい。例えば、下地層１１ａとしては、窒素原子を含んだ含窒素化合物等が挙げられる。
【００３０】
下地層１１ａの厚さは、１μｍ以下とすることができる。好ましくは、１０〜１００ｎｍの範囲内の層厚である。
下地層１１ａの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、蒸着法が好ましく適用される。
【００３１】
下地層１１ａを構成する窒素原子を含んだ化合物としては、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば特に限定されないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物であることが好ましい。
【００３２】
（２）導電層
導電層１１ｂは、上述の各種導電材料により形成することができる。特に、導電層１１ｂは、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成された層であることが好ましい。銀又は銀を主成分とした合金から導電層１１ｂを形成する場合には、導電層１１ｂが下地層１１ａ上に接して成膜されていることが好ましい。
なお、「導電性」とは、電気が流れる状態を指し、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４の「導電電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に準拠した方法で２３℃５５％ＲＨの環境下測定したシート抵抗が１０×８Ω／ｓｑ．より低いことをいう。
【００３３】
このような導電層１１ｂの成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも、蒸着法が好ましく適用される。また、導電層１１ｂは、下地層１１ａ上に成膜されることにより、導電層１１ｂ成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行われていてもよい。
【００３４】
導電層１１ｂを構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金としては、例えば、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。以上のような導電層１１ｂは、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
【００３５】
さらに、この導電層１１ｂは、層厚が１２ｎｍ以下であることが好ましく、４〜９ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。層厚が９ｎｍより薄い場合には、層の吸収成分又は反射成分が少なく、第１電極１１の透過率が大きくなる。また、層厚が４ｎｍより厚い場合には、層の導電性を十分に確保することができる。
【００３６】
なお、以上のような下地層１１ａとこの上部に成膜された導電層１１ｂとからなる積層構造の第１電極１１は、導電層１１ｂの上部が保護膜で覆われていたり、別の導電層が積層されていたりしてもよい。この場合、第１電極１１の光透過性を損なうことのないように、保護膜及び別の導電層が光透過性を有することが好ましい。
【００３７】
［導電性ポリマー］
また、導電層１１ｂを構成する材料としては、導電性ポリマーを挙げることができる。
【００３８】
第１電極１１は、導電層１１ｂとして導電性ポリマーを用いると共に、後述する補助電極１５としてグリッド電極を用いて構成することができる。補助電極１５（グリッド電極）上を被覆して導電性ポリマーからなる導電層１１ｂを形成することにより、低抵抗かつ均一な面抵抗を有する第１電極１１を構成することができる。また、導電層１１ｂがこのような構成の場合には、有機ＥＬ素子の構成から上述の下地層１１ａを省略することができる。
【００３９】
導電性ポリマーからなる導電層１１ｂの電気抵抗値としては、補助電極１５（グリッド電極）と併用して第１電極１１の均一な導電性を得るため、表面抵抗率が１００００Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、２０００Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましい。
導電層１１ｂの乾燥層厚は３０〜２０００ｎｍであることが好ましい。導電性の点から、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、電極の表面平滑性の点から、２００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。また、透明性の点から、１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
導電層１１ｂは、導電性ポリマーとともに、非導電性ポリマーを含むことが好ましい。また、導電層１１ｂが、導電性ポリマーと非導電性ポリマーとから構成され、かつ、非導電性ポリマーが、自己分散型ポリマー、及び／又は、ヒドロキシ基含有ポリマーからなることにより、導電層１１ｂの導電性を損なうことなく、導電性ポリマーの必要量を低減することができる。その結果、高い導電性と透明性を両立した透明電極を得ることができる。
【００４１】
導電性ポリマーは、π共役系導電性高分子と、ポリ陰イオンとを有する。導電性ポリマーは、後述するπ共役系導電性高分子を形成する前駆体モノマーを、適切な酸化剤と酸化触媒と後述のポリ陰イオンとの存在下で、化学酸化重合することによって容易に製造できる。
【００４２】
こうした導電性ポリマーは、市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳと略す）が、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社からＣｌｅｖｉｏｓシリーズとして、Ａｌｄｒｉｃｈ社からＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの４８３０９５、５６０５９６として、Ｎａｇａｓｅ  Ｃｈｅｍｔｅｘ社からＤｅｎａｔｒｏｎシリーズとして市販されている。また、ポリアニリンが、日産化学社からＯＲＭＥＣＯＮシリーズとして市販されている。
【００４３】
［補助電極］
補助電極１５は、第１電極１１の抵抗を下げる目的で設けられ、第１電極１１の導電層１１ｂに接して設けられる。補助電極１５を形成する材料は、金、白金、銀、銅、アルミニウム、モリブデン等の抵抗が低い金属、またはこれらの合金が好ましい。これらの金属は光透過性が低いため、光取り出し面からの発光光の取り出しの影響のないパターンで形成される。
【００４４】
また、補助電極１５としては、上述の金属が一定の細線パターン状に形成されたグリッド電極であることが好ましい。特に、第１電極１１の導電層１１ｂを導電性ポリマーで構成する場合には、補助電極１５としてグリッド電極を用いることが好ましい。
【００４５】
グリッド電極は、第１電極１１を形成するために、基板１４上に開口部を有するパターンに形成される。開口部は、基板１４上でグリッド電極が形成されていない部分であり、透光性窓部となる。グリッド電極の細線パターンの形状には特に制限はない。例えば、導電部がストライプ状のパターンや、導電部が格子状のパターン、又は、ランダムな網目状等とすることができる。
【００４６】
グリッド電極の細線パターンの開口率は、透明性の観点から８０％以上であることが好ましい。開口率とは、光透過性が低いグリッド電極を除いた透光性窓部が全体に占める割合である。例えば、グリッド電極がストライプ状又は格子状であるとき、線幅１００μｍ、線間隔１ｍｍのストライプ状パターンの開口率は、およそ９０％である。
【００４７】
グリッド電極の細線パターンの線幅は１０〜２００μｍが好ましい。細線の幅が１０μｍ以上で所望の導電性が得られ、また２００μｍ以下では透明性が低下するのを抑制することができる。細線の高さは、０．１〜１０μｍが好ましい。細線の高さが０．１μｍ以上で所望の導電性が得られ、また１０μｍ以下では、有機ＥＬ素子１０の形成において電流リークや機能層の層厚分布不良が発生するのを抑制することができる。
【００４８】
グリッド電極の細線パターンをストライプ状又は格子状に形成する方法としては、特に、制限はなく、従来公知の方法が利用できる。例えば、基板１４の全面に金属層を形成し、公知のフォトリソグラフィ法によって形成することができる。具体的には、基板１４上の全面に、印刷法、蒸着法、スパッタ法、めっき法等を用いて導電体層を形成する。或いは、金属箔を接着剤で基板１４に積層して導電体層を形成する。この後、公知のフォトリソグラフィ法を用いて、導電体層をエッチングすることにより、所望のストライプ状又は格子状のグリッド電極の細線パターンを形成することができる。
【００４９】
他の方法としては、金属微粒子分散物を用いる方法を適用できる。金属微粒子分散物は、水、アルコール、炭化水素等の分散媒中に金属微粒子を含有する。さらに、必要に応じて、バインダー、金属を分散させるための分散剤等を含んでもよい。
【００５０】
また、グリッド電極の細線部のシート抵抗は、５０Ω／ｓｑ．以下であることが好ましく、大面積化するには２０Ω／ｓｑ．以下であることがより好ましい。
シート抵抗はＪＩＳ  Ｋ  ７１９４の「導電電性プラスチックの４探針法による抵抗率試験方法」に準拠した方法で２３℃５５％ＲＨの環境下で測定する。
【００５１】
また、グリッド電極には、フィルム基板にダメージを与えない範囲で加熱処理を施すことが好ましい。これにより、金属微粒子や金属ナノワイヤ同士の融着が進み、金属材料からなる細線部が高導電化するため、特に好ましい。加熱処理を施す方法としては、従来一般に行われるオーブンによる加熱やホットプレートによる加熱を用いることができる。また局所加熱処理を用いてもよく、フラッシュパルス光照射処理、マイクロ波処理、プラズマ処理、誘電加熱処理、エキシマ光照射処理、紫外線処理、赤外ヒータ処理、熱風ヒータ処理等を用いることができる。加熱処理は、オーブンによる加熱やホットプレートによる加熱と、局所加熱処理を併用して施してもよい。
【００５２】
また、グリッド電極を作製する際には、下地層１１ａを設けることで、グリッド電極のパターン描画性や基材との接着性を向上させることができる。グリッド電極の下地層１１ａとしては光透過性を有していれば特に制限はなく、アクリル樹脂等の有機粒子又は金属酸化物等の無機粒子を含有した下地層 などが用いられ、これらは有機又は無機樹脂のバインダーを併用してもよい。
【００５３】
［発光ユニット］
発光ユニットは発光層を含み、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層（青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を含む）電子輸送層、電子注入層、正孔阻止層、電子阻止層等公知の層から構成される。これらは公知の材料、膜厚等の構成によって形成することができる。
【００５４】
［第２電極（対向電極）］
第２電極１２は、発光ユニット１３に電子を供給するカソードとして機能する電極膜であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物、及びこれらの混合物が用いられる。具体的には、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２等の酸化物半導体等が挙げられる。
【００５５】
第２電極１２は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより作製することができる。また、第２電極１２としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、層厚は通常５ｎｍ〜５μｍの範囲内、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
【００５６】
なお、この有機ＥＬ素子１０が、第２電極１２側からも発光を取り出すものである場合であれば、上述した導電性材料のうち光透過性の良好な導電性材料を選択して第２電極１２を構成すればよい。
【００５７】
［取り出し部］
第１電極１１の取り出し部１６は、第１電極１１と外部電源とを電気的に接続する。また、第２電極１２の取り出し部１７は、第２電極１２と外部電源とを電気的に接続する。取り出し部１６及び取り出し部１７を構成する材料としては、特に限定されるものではなく公知の素材を好適に使用できる。例えば、３層構造からなるＭＡＭ電極（Ｍｏ／Ａｌ・Ｎｄ合金／Ｍｏ）等の金属膜を用いることができる。
【００５８】
［封止材］
封止材１８は、有機ＥＬ素子１０を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材で接着剤１９によって基板１４側に固定されるものであってもよく、また、封止膜であってもよい。このような封止材１８は、有機ＥＬ素子１０における第１電極１１及び第２電極１２の端子部分（取り出し部１６及び取り出し部１７）を露出させ、少なくとも発光ユニット１３を覆う状態で設けられている。また、封止材１８に電極を設け、有機ＥＬ素子１０の第１電極１１及び第２電極１２の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。
【００５９】
板状（フィルム状）の封止材１８としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板、金属基板等が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属基板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
【００６０】
また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止材１８として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対して、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。
【００６１】
［保護膜、保護板］
なお、ここでの図示は省略したが、基板１４との間に有機ＥＬ素子１０及び封止材１８を挟んで保護膜又は保護板を設けてもよい。この保護膜又は保護板は、有機ＥＬ素子１０を機械的に保護するためのものであり、特に封止材１８が封止膜である場合には、有機ＥＬ素子１０に対する機械的な保護が十分ではないため、このような保護膜又は保護板を設けることが好ましい。
【００６２】
以上のような保護膜又は保護板は、ガラス板、ポリマー板、これよりも薄型のポリマーフィルム、金属板、これよりも薄型の金属フィルム、又はポリマー材料膜や金属材料膜が適用される。このうち、特に、軽量かつ素子の薄膜化という観点からポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【００６３】
［輝度補正］
有機ＥＬ素子では、発光面内において、相対的に輝度が高くなる領域（高輝度領域）と、輝度が低くなる領域（低輝度領域）とが発生することによる輝度分布が生じる。特に、発光面積が大きくなるほど高輝度領域と低輝度領域との輝度の差が大きくなり、輝度分布を知覚しやすくなる。このため、輝度分布を知覚しにくい程度まで低減させることが望まれる。このような輝度分布は、具体的には、発光面積が２５ｃｍ２以上の有機ＥＬ素子においては、発光面の輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、最大輝度と最小輝度との比率を示す、Ｂ／Ａが０．９５未満となる。
発光面積が２５ｃｍ２未満の場合、観察距離が３０ｃｍ以上であれば視覚特性状、輝度分布を知覚するのが難しくなる。
【００６４】
輝度分布が生じる原因としては、例えば、透明電極（第１電極１１）の取り出し部１６近傍が最も輝度が高くなりやすく、この取り出し部１６からの距離が離れるほど、輝度が低下しやすい。これは、透明電極の抵抗により、取り出し部１６近傍の領域で電流密度が高くなりやすく、取り出し部１６から離れるほど電流密度が低下しやすいためである。
【００６５】
例えば、有機ＥＬ素子１０として、第１電極１１をＩＴＯ等の金属酸化物の透明電極からなる陽極、第２電極１２を金属等からなる陰極により構成した場合、光取り出し側となる陽極のＩＴＯ等の透明電極は、第２電極１２の金属透明電極よりもシート抵抗が高くなる。このため、有機ＥＬ素子１０の透明電極（第１電極１１）と第１電極１１の取り出し部１６との接続領域の近傍において電流密度が高くなりやすい。
【００６６】
一方、透明性が要求されない第２電極１２は、シート抵抗の低いアルミニウム等の金属により構成することができる。このため、第２電極１２と取り出し部１７との接続領域の近傍においては、電流密度が低くなりやすい。
【００６７】
また、有機ＥＬ素子１０において、第１電極１１と第２電極１２とに顕著なシート抵抗差がある場合、注入電流密度が不均一となり、発光層の面内において輝度に差が発生しやすい。具体的には、シート抵抗の高い透明電極（第１電極１１）側に流れ込む電流密度が、シート抵抗の低い第２電極１２側から吸い出す電流密度よりも高くなる。このとき、シート抵抗の高い第１電極１１側では、電流密度が高い部位近傍で輝度が上昇する。また、シート抵抗の低い第２電極１２側においては輝度低下が発生してしまう。
【００６８】
この結果、電流密度が高くなりやすいＩＴＯ等からなる第１電極１１と取り出し部１６との接続領域の近傍において輝度が上昇し、電流密度が低くなりやすい第２電極１２と取り出し部１７との接続領域の近傍において輝度が低下する。
【００６９】
このように、一般的に輝度分布が発生しやすい有機ＥＬ素子に対し、所定条件の光照射を行うことにより発光機能を変調させ、発光面の輝度が均一となるように面内の各位置の発光層の輝度を補正する。具体的には、発光ユニットの発光層に対して初期の発光輝度分布に応じた照射量で光を照射して、発光ユニットの発光機能を変調させる。照射量とは光量［ｍＷ／ｃｍ２］と照射時間［秒］との積である。このように、発光ユニットの発光層において発光機能を変調させる光照射によって、輝度分布を補正することにより、２５ｃｍ２以上の発光面積を有する場合においても、発光面の輝度プロファイルの上記Ｂ／Ａが０．９５以上であるの有機ＥＬ素子１０を構成することができる。
【００７０】
有機ＥＬ素子１０では、相対的に輝度が高くなりやすい領域の発光ユニットにおいて、光照射により発光機能を変調させ、発光面の輝度が均一となるように面内の各位置の発光層の輝度を調整する。また、相対的に輝度が低くなりやすい領域の発光ユニットにおいては、光照射を行なわないか、或いは、相対的に輝度が高くなりやすい領域よりもより小さい変調となるように光照射を行なう。例えば、第１電極１１と取り出し部１６の接続領域の近傍において、他の領域よりも変調量が大きくなるように光照射を行ない、取り出し部１６から離れた位置において光照射を行なわないか、又は、取り出し部１６近傍よりもより小さい変調となるように光照射を行なう。また、電流密度や発光輝度に応じて、取り出し部１６近傍から離れた位置に変調量が傾斜（減少）するように光照射を行なうこともできる。
【００７１】
例えば、上述の第１電極１１をＩＴＯ、第２電極１２を金属で構成した場合、輝度が上昇しやすい第１電極１１と取り出し部１６との接続領域の近傍において、光照射量を相対的に大きくし、発光機能の変調量を大きくする。また、輝度が低下しやすい第２電極１２と取り出し部１７との接続領域の近傍において、光照射量を相対的に小さくし、発光機能の変調量を小さくする。或いは、輝度が低下しやすい第２電極１２と取り出し部１７との接続領域の近傍には、光照射を行なわず、発光機能の変調を行なわない。
【００７２】
上述のように、輝度の高くなりやすい領域の発光機能の変調量を大きくすることにより、有機ＥＬ素子１０において、その部分の輝度の低下量を大きくする。また、輝度の低くなりやすい領域の発光機能の変調量を小さくする（又は変調しない）ことにより、その部分の輝度の低下量を小さく（又は０に）する。この結果、有機ＥＬ素子１０の発光面の輝度分布を補正することができ、有機ＥＬ素子１０から取り出される光の均一性を高めることができる。
【００７３】
このように、発光面内の発光輝度の差に応じて、光照射による発光機能の変調量に相対的な差を設けることにより、発光面の輝度の均一性が高い有機ＥＬ素子を構成することができる。光照射による変調量に差を設ける方法としては、発光面の輝度プロファイルの上記Ｂ／Ａが０．９５以上となるように補正できれば、どのような方法も適用できる。例えば、発光輝度に応じて発光面内で連続的に傾斜するように光照射量を調整してもよく、又は、発光面内に段階的に光照射量を調整してもよい。或いは、発光面内において、発光輝度の高い部分のみに光照射を行なうことも可能である。
【００７４】
また、グリッド電極を有する構成の有機ＥＬ素子１０においては、グリッド電極を構成する金属粒子等により発光光の取り出しが阻害されるため、グリッド電極が設けられる位置の輝度が低下しやすい。このため、グリッド電極が設けられる位置と、グリッド電極が設けられていない位置（開口部）とで輝度の差が発生する。そして、グリッド電極が視認されやすくなり、有機ＥＬ素子の表示品質が低下する。
【００７５】
一般的に、グリッド電極を有する構成の有機ＥＬ素子においては、グリッド電極が設けられる位置の最低輝度を輝度Ｃ、グリッド電極が設けられていない位置（開口部）の最高輝度を輝度Ｄとしたとき、Ｃ／Ｄが０．９５未満となる。これは、発光面の面積には依存しないが、グリッド電極は、発光面積を大型（２５ｃｍ２以上）化した場合において、電極の低抵抗化に有効な手法である。このため、グリッド電極を有する構成の有機ＥＬ素子においても、上述の発光面積を大きくした場合に発生する輝度分布の増加という課題を有する。
【００７６】
このため、輝度が低下するグリッド電極が設けられる位置に合わせて、開口部の輝度を補正することにより、有機ＥＬ素子の輝度分布を均一化し、グリッド電極の視認性を低下させることができる。例えば、輝度の高くなりやすい開口部の発光機能の変調量を大きくすることにより、有機ＥＬ素子１０において、その部分の輝度の低下量を大きくする。また、輝度の低くなりやすいグリッド電極が設けられる位置の発光機能の変調量を小さくする（又は変調しない）ことにより、その部分の輝度の低下量を小さく（又は０に）する。この結果、有機ＥＬ素子１０の発光面の輝度分布を補正して、グリッド電極が設けられる位置の輝度を輝度Ｃ、グリッド電極が設けられていない位置（開口部）の輝度を輝度Ｄとしたとき、Ｃ／Ｄを０．９５以上とすることができ、グリッド電極の視認性を低下させることができる。
【００７７】
［照射相対光量］
光照射による発光機能の変調量の差は、有機ＥＬ素子に対する照射相対光量と発光輝度との関係から求められる。ここで照射相対光量とは照射光量（Ｗ／ｃｍ２）と照射時間（秒）の積のＪ（ジュール）で表すことができる。照射相対光量と発光輝度との関係は、以下の方法により求められる。
【００７８】
まず、一定条件における有機ＥＬ素子に対する照射相対光量と、光照射により発光が阻害（変調）された有機ＥＬ素子の発光特性の関係を得る。すなわち有機ＥＬ素子の特性として照射相対光量と、その光照射により発光が阻害（変調）された有機ＥＬ素子の発光量（発光輝度）の関係を求める。具体的には、紫外線等の光を光学くさび（ウェッジともいう）を介して、透過光量を変えて有機ＥＬ素子に照射する。そして、個々の透過光量に対して有機ＥＬ素子の発光量を対応付けることで、照射相対光量と発光輝度との関係を求めることができる。
【００７９】
また、有機ＥＬ素子の発光面における輝度分布は、あらかじめ同じ設計の有機ＥＬ素子を作製し、この有機ＥＬ素子の輝度分布を測定することで求めることができる。具体的には、発光サイズ８０ｃｍ２の有機ＥＬ素子ではコニカミノルタ社製二次元色彩輝度計ＣＡ−２５００を用い、適切な測定距離において解像度９８０×９８０で測定すれば、２００μｍピッチの輝度データを取得できる。或いは、有機ＥＬ素子を設計した際、有機ＥＬ素子の構成からシミュレーション等により予め輝度分布を予測できる場合には、計算（予測）により輝度分布を求めることができる。具体的には、日本ケイデンス・デザイン・システムズ社が提供しているソフトウェアＰＳｐｉｃｅを使用し、各電極のシート抵抗値、各電極からの距離、デバイスの電気・光学特性等を入力することにより計算することができる。
【００８０】
次に、有機ＥＬ素子において、予め測定又は計算により求められた輝度分布と、上述の照射相対光量と発光輝度との関係から、発光面の各位置において、補正後の発光輝度となる照射相対光量を求める。具体的には、照射相対光量と発光輝度は１対１対応するので、この有機ＥＬ素子に対する照射相対光量と発光輝度の関係を検量線として用いて、各位置における照射光量と照射時間とを求める。
【００８１】
或いは、発光面の各位置における補正後の発光輝度となる照射相対光量を求め、この各位置において照射相対光量となるように、光の透過量が調整されたマスク（ネガ像）を予め別途作製する。そして、このマスクを介して光照射を行ない、透過光量を調節することで、有機ＥＬ素子の発光面に照射される光照射量を調整することもできる。この場合、有機ＥＬ素子にマスクを密着させ一括露光することでパターン化することができる。この方法は、パターンの作製時間を短くできる点で好ましい。
【００８２】
このように、発光輝度に応じた照射相対光量を求め、発光面内の光照射量に相対的な差を設けることにより、発光機能の変調量に相対的な差を設けることができる。従って、発光面の輝度プロファイルの上記Ｂ／Ａが０．９５以上となる有機ＥＬ素子や、発光面の輝度プロファイルの上記Ｃ／Ｄが０．９５以上となる有機ＥＬ素子のように、発光輝度の均一性が補正され、発光面の輝度の均一性が高い有機ＥＬ素子を構成することが可能となる。なお、輝度プロファイルは、上述の輝度分布を測定、又は、シミュレーション等により求める。
【００８３】
〈２．有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法〉
次に、図１に示す有機ＥＬ素子１０の製造方法を説明する。有機ＥＬ素子１０は、少なくとも、基板１４上に、第１電極１１、発光ユニット１３及び第２電極１２を積層して形成する工程（積層工程）と、発光面の輝度補正を行なうための光照射工程とにより製造することができる。
【００８４】
（１）積層工程
有機ＥＬ素子の製造方法では、基板１４上に、第１電極１１、発光ユニット１３及び第２電極１２を積層して形成する工程（積層工程）を行う。
【００８５】
まず、基板１４を準備し、基板１４上に、例えば、窒素原子を含んだ含窒素化合物からなる下地層１１ａを、１μｍ以下、好ましくは１０〜１００ｎｍの範囲内の層厚になるように蒸着法等の適宜の方法により形成する。
【００８６】
次に、銀（又は銀を主成分とする合金）からなる導電層１１ｂを、１２ｎｍ以下、好ましくは４〜９ｎｍの層厚になるように、蒸着法等の適宜の方法により下地層１１ａ上に形成し、アノードとなる第１電極１１を作製する。同時に、第１電極１１の端部に、外部電源と接続される第１電極１１の取り出し部１６を蒸着法等の適宜の方法により形成する。
【００８７】
或いは、金属微粒子分散物をインクジェット方式で塗布した後、乾燥、及び、焼成することでグリッド電極からなる補助電極１５を作製する。そして、この補助電極１５上に、導電性ポリマーを含む導電層１１ｂを形成する。さらに、第１電極１１（導電層１１ｂ）と補助電極１５の端部に、外部電源と接続される第１電極１１の取り出し部１６を蒸着法等の適宜の方法により形成する。
【００８８】
次に、この上に、正孔注入層１３ａ、正孔輸送層１３ｂ、発光層１３ｃ、電子輸送層１３ｄ、電子注入層１３ｅの順に積層し、発光ユニット１３を形成する。
【００８９】
これらの各層の形成は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等があるが、均質な層が得られ易く、かつ、ピンホールが生成しにくい等の点から、真空蒸着法又はスピンコート法が特に好ましい。さらに、層ごとに異なる形成法を適用してもよい。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０−６〜１×１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１〜５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
【００９０】
以上のようにして発光ユニット１３を形成した後、この上部にカソードとなる第２電極１２を、蒸着法やスパッタ法などの適宜の形成法によって形成する。同時に、第２電極１２端部に、外部電源と接続される第２電極１２の取り出し部１７を蒸着法等の適宜の方法により形成する。この際、第２電極１２及び第２電極１２の取り出し部１７は、発光ユニット１３によって第１電極１１及び第１電極１１の取り出し部１６に対して絶縁状態を保ちつつ、発光ユニット１３の上方から樹脂基板１４の周縁に端子部分を引き出した形状にパターン形成する。
【００９１】
（２）封止工程
積層工程の後には、発光ユニット１３を封止する工程（封止工程）を行うことが好ましい。すなわち、第１電極１１の取り出し部１６及び第２電極１２の取り出し部１７の端子部分を露出させた状態で、樹脂基板１４上に、少なくとも発光ユニット１３を覆う封止材１８を設ける。
【００９２】
（３）光照射工程
封止工程までを行なった有機ＥＬ素子の発光ユニットに対し、上述の方法により求められた発光輝度分布に応じた光の量から、発光輝度分布に応じて光の量を変えて光照射を行なう（光照射工程）。光照射工程は、封止工程の後に行うことが好ましい。
【００９３】
光照射を行なうことにより発光ユニット１３の発光層の発光機能を変調させて、発光面内の輝度分布を補正した有機ＥＬ素子１０を作製することができる。光照射工程において、その光照射方法は、発光ユニット１３の所定パターン領域に所定の光照射することで当該照射部分を輝度が変化した発光領域とすることができれば、いずれの方法であってもよく、特定の方法に限定されるものではない。
【００９４】
光照射工程において照射される光は、紫外線、可視光又は赤外線をさらに含有していてもよいが、紫外線を含むことが好ましい。ここで、紫外線とは、その波長がＸ線よりも長く、可視光の最短波長より短い電磁波をいい、具体的には波長が１〜４００ｎｍである。
【００９５】
紫外線の発生方法及び照射方法は、従来公知の装置等により紫外線を発生させ、かつ、照射すればよく、特に限定されない。例えば、光照射方法としては、スキャニング照射、ライン露光ヘッドでの照射、面光源での照射等を用いることができる。光照射方法としては、光源の選択自由度、光照射の時間から面光源を用いることが好ましい。
【００９６】
具体的な光源としては、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、水素（重水素）ランプ、希ガス（キセノン、アルゴン、ヘリウム、ネオンなど）放電ランプ、窒素レーザー、エキシマレーザー（ＸｅＣｌ，ＸｅＦ，ＫｒＦ，ＫｒＣｌなど）、水素レーザー、ハロゲンレーザー、各種可視（ＬＤ）−赤外レーザーの高調波（ＹＡＧレーザーのＴＨＧ（Ｔｈｉｒｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ）光など）、ライトエミッティングダイオード（ＬＥＤ）等が挙げられる。
【００９７】
ここで、第２電極１２が透光性を有していない場合、光の照射は、基板１４の光取り出し面側から行う。この場合、基板１４を介して発光ユニット１３に光を照射することになるため、基板１４が照射光をある程度吸収する点を考慮して、光照射時間を十分に確保する必要がある。また、封止工程後に光照射工程を行うため、封止後の素子を大気中（開放系）に曝すことが可能であり、光照射工程をチャンバ内等の閉鎖系で行う必要がない。このため、低コストかつ簡易な製造工程で、輝度分布を補正した有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００９８】
また、光照射工程では、複数の素子に対して同時に光照射を行なうことが好ましい。例えば、連続した基板１４上に、個別に積層された第１電極１１（取り出し部１６）、発光ユニット１３、及び、第２電極１２（取り出し部１７）からなる複数の素子（封止材含む）に対し、同時に光照射を行なうことにより、簡易な製造工程で、輝度分布を補正した有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００９９】
なお、光照射工程は、封止工程の前に行うものであってもよく、積層工程において発光ユニット１３を形成した後であって第２電極１２を形成する前に行われるものであってもよい。この場合には、基板１４側から光を照射してもよいし、発光ユニット１３側から光を照射してもよい。
【０１００】
また、光照射工程において、光強度又は照射時間等を調整して、光照射量を変化させることにより、光照射量に応じた光照射部分の発光輝度を変化させることが可能である。光照射量が多いほど発光輝度は減衰し、光照射量が少ないほど発光輝度の減衰率は小さい。従って、光照射量が０、すなわち、光未照射の場合には、発光輝度の減衰率は０である。
【０１０１】
なお、上述の有機ＥＬ素子１０の製造においては、１回の真空引きで一貫して発光ユニット１３から第２電極１２まで作製することが好ましいが、途中で真空雰囲気から基板１４を取り出して異なる形成方法を施しても構わない。その際、作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行う等の配慮が必要となる。また、上述の製造方法で得られた有機ＥＬ素子１０に対し、直流電圧を印加する場合には、アノードである第１電極１１を＋の極性とし、カソードである第２電極１２を−の極性として、電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。
【０１０２】
また、上述の光照射工程の後、基板１４の光取り出し面側に光取り出し部材２１を設けることが好ましい。光取り出し部材２１は、入射した光を透過させて放出する機能を有するシート状、フィルム状、板状、または膜状の光学部材（以下、代表してシートと記す）である。このような光取り出し部材２１は、基板１４における発光取り出し面側に配置されている。
光取り出し部材２１は、光拡散シートや、集光シートを用いて構成される。光拡散シートは、一般的な光拡散シートであってよく、プリズムシートと呼ばれる一般的な集光シートであってもよい。
【０１０３】
以上の工程により、発光面における輝度分布を補正した有機ＥＬ素子を製造することができる。上述の光照射工程における光照射量の調整は、上述の有機ＥＬ素子に対する照射相対光量と発光輝度との関係から、照射光量、照射時間、マスクの階調の調整により行なうことができる。例えば、一般的に相対的な発光輝度が高くなりやすい第１電極１１と取り出し部１６との接続領域の近傍や、グリッド電極の開口部を高い照射相対光量とする。そして、相対的な発光輝度が低くなりやすい第２電極１２と取り出し部１７との接続領域の近傍やグリッド電極が配置される位置を低い照射相対光量（又は０）とする。これにより、２５ｃｍ２以上の発光面積を有する場合においても、発光面の輝度プロファイルの上記Ｂ／Ａ、及び、上記がＣ／Ｄが０．９５以上であるの有機ＥＬ素子１０を構成することができる。
【実施例】
【０１０４】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１０５】
〈試料１０１の有機ＥＬ素子の作製〉
以下のように、発光面が５０ｍｍ×５０ｍｍのサイズとなる有機ＥＬ素子１０を作製した。有機ＥＬ素子１０の全体構成は、上述の図１に示す構成と同様である。また、有機ＥＬ素子１０の発光面２０、第１電極１１の取り出し部１６、及び、第２電極１２の取り出し部１７は、図２に示す配置に形成した。【０１０６】
まず、ポリシラザンと有機層（応力緩和層）を積層したガスバリア層を有する厚さ７５μｍのＰＥＴ（コスモシャインＡ４３００  東洋紡製）の透明樹脂基板を基板１４として準備した。そして、この基板１４上に、真空蒸着装置内で、下記構造式で表される含窒素化合物Ｎ−１を２５ｎｍの厚さで成膜し、第１電極１１の下地層１１ａを作製した。さらに、下地層１１ａ上に、マスクを使用して第１電極１１の導電層１１ｂとして銀を１０ｎｍの厚さで成膜した。なお、透明樹脂基板のガスバリア層は、特開２０１２−５９９号公報の実施例１におけるバリアフィルム試料１と同様にして形成した。【０１０７】
更に、蒸着用るつぼの各々に、正孔注入材料としてＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）、正孔輸送材料としてα−ＮＰＤ、青色発光層のホスト化合物としてＤＰＶＢｉ、青色発光層のドーパントとしてＦＩｒ（ｐｉｃ）、緑色発光層のホスト化合物としてＣＢＰ、緑色発光層のドーパントとしてＩｒ（ｐｐｙ）３、赤色発光層のドーパントとしてＩｒ（ｐｉｑ）３、正孔阻止材料としてＢＡｌｑ、電子輸送材料としてＡｌｑ３、電子注入材料としてＬｉＦを各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製又はタングステン製抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。【０１０８】
Ｎ−１、ＣｕＰｃ、α−ＮＰＤ、ＤＰＶＢｉ、ＦＩｒ（ｐｉｃ）、ＣＢＰ、Ｉｒ（ｐｐｙ）３、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、ＢＡｌｑ、Ａｌｑ３をそれぞれ以下に示す。【０１０９】
【化１】
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【０１１０】
次に、真空度４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＣｕＰｃの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＣｕＰｃを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で樹脂基板の第１電極１１側に蒸着し、層厚１５ｎｍの正孔注入層を設けた。【０１１１】
次に、α−ＮＰＤの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、α−ＮＰＤを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、層厚２５ｎｍの正孔輸送層を設けた。続いて、３質量％のＦＩｒ（ｐｉｃ）とＤＰＶＢｉの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＦＩｒ（ｐｉｃ）とＤＰＶＢｉとを合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着し、層厚１５ｎｍの青色発光層を設けた。【０１１２】
次に、ＣＢＰの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＣＢＰを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で青色発光層上に蒸着し、層厚５ｎｍの第１中間層を設けた。続いて、５質量％のＩｒ（ｐｐｙ）３とＣＢＰの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、Ｉｒ（ｐｐｙ）３とＣＢＰとを合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で第１中間層上に共蒸着し、層厚１０ｎｍの緑色発光層を設けた。【０１１３】
次に、ＣＢＰの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＣＢＰを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で緑色発光上に蒸着し、層厚５ｎｍの第２中間層を設けた。続いて、８質量％のＩｒ（ｐｉｑ）３とＣＢＰの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、Ｉｒ（ｐｉｑ）３とＣＢＰとを合計の蒸着速度０．１ｎｍ／秒で第２中間層上に共蒸着し、層厚１０ｎｍの赤色発光層を設けた。【０１１４】
次に、ＢＡｌｑの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＢＡｌｑを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で赤色発光層上に蒸着し、層厚１５ｎｍの正孔阻止層を設けた。さらに、Ａｌｑ３の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、Ａｌｑ３を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔阻止層上に蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。さらに、ＬｉＦの入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、ＬｉＦを蒸着速度０．１ｎｍ／秒で電子輸送層上に蒸着し、層厚１ｎｍの電子注入層を設けた。このようにして発光ユニット１３を形成した。【０１１５】
次に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着し、層厚１１０ｎｍの第２電極１２、及び、第２電極１７の取り出し部を設けた。そして、蒸着面側を厚さ３００μｍのエポキシ樹脂で覆って封止材１８とし、更に、厚さ１２μｍのアルミニウム箔で覆って保護膜とした後、硬化させた。ここまでの操作は全て、素子を大気に接触させることなく、窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）内で行った。このようにして試料１０１の有機ＥＬ素子を複数作製した。【０１１６】
〈試料１０１−１の有機ＥＬ素子の作製〉
試料１０１の有機ＥＬ素子において、光取り出し部材である光拡散シート（ライトアップ１００ＮＳＨ：きもと社製商品名）を基板の光取り出し側に貼り合わせ、試料１０１−１の有機ＥＬ素子を作製した。【０１１７】
〈試料１０２の有機ＥＬ素子の作製〉
上述の試料１０１の有機ＥＬ素子の作製において、封止工程の後に下記の方法で光照射を行い、試料１０２の有機ＥＬ素子を作製した。【０１１８】
基板１４の上記各層が設けられている側と反対側の面上に、パターンマスクを配置した状態で減圧密着し、ＵＶテスター（岩崎電気株式会社製、ＳＵＶ−Ｗ１５１：１００ｍＷ／ｃｍ２）を用いて、基板１４側から紫外線を３時間照射した。パターンマスクとして、コニカミノルタ社製二次元色彩輝度計ＣＡ−２５００を用い解像度９８０×９８０で測定した有機ＥＬ素子の輝度分布から、輝度分布を補正可能なように、第１電極１１と第１電極１１の取り出し部１６との接続部分の近傍から、第２電極１２と第２電極１２の取り出し部１６との接続部分の近傍に向けて、相対的な光透過率が傾斜的に増加する紫外線吸収フィルタを予め作製した。【０１１９】
そして、作製した紫外線吸収フィルタを、有機ＥＬ素子に密着させ、３８５ｎｍの発光波長のＬＥＤをマトリックス状に４０個配置した面光源を用いて、あらかじめ計算で求めておいた照射エネルギーで、光照射を行なった。
さらに光取り出し部材である光拡散シート（ライトアップ１００ＮＳＨ：きもと社製商品名）を基板の光取り出し側に貼り合わせた。【０１２０】
〈試料１０３の有機ＥＬ素子の作製〉
上述の試料１０１の有機ＥＬ素子の作製において、第１電極１１を下記の方法で作製して試料１０３の有機ＥＬ素子を複数作製した。【０１２１】
まず、基板１４上に、以下の方法により補助電極１５をグリッド電極で形成した。基板１４上に、インクジェット装置を用いて、銀ナノインク（ハリマ化成製  ＮＰＳ−ＪＬ）を、５０μｍ幅、１ｍｍピッチのストライプパターンにて、金属細線パターンからなるグリッド電極を形成した。そして、グリッド電極を形成した基板１４に対して、Ｎｏｖａｃｅｎｔｒｉｘ社製ＰｕｌｓｅＦｏｒｇｅ１３００を用いてキセノン光を照射し、焼成を行った。インクジェット装置は、コニカミノルタ（株）製インクジェットヘッドＫＭ５１２ＳＨＸを取り付けた卓上型ロボット  Ｓｈｏｔｍａｓｔｅｒ−３００（武蔵エンジニアリング社製）を用い、インクジェット評価装置ＥＢ１５０（コニカミノルタＩＪ社製）にて制御した。また、キセノン光は、５００μｓ周期で、２５０μｓのパルス発光とし、１５００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーを与えられるように調整し照射を行った。
グリッド電極のパターンを、高輝度非接触３次元表面形状粗さ計ＷＹＫＯ  ＮＴ９１００（日本ビーコ社製）で測定したところ、パターンの幅は８０μｍ、平均高さ５００ｎｍであった。【０１２２】
次に、導電性ポリマーからなる導電層１１ｂを形成するための塗工液を調整した。
透明導電性ポリマー  Ｃｌｅｖｉｏｓ  ＰＨ１０００（Ｈｅｒａｅｕｓ社製  １．２％液）と、ポリマー（ポリ（メチルビニルエーテル）（東京化成社製  ３０％液））とを、それぞれ固形分比１５：８５で混合した。この混合物７０質量部と、プロピレングリコール１５質量部、エチレングリコールモノブチルエーテル１２質量部を混合し、最後に水を加えて１００質量部として、塗工液を調整した。
なお、ポリ（メチルビニルエーテル）（東京化成社製  ３０％液）を４２５ｎｍの膜厚で塗布した際の吸光度は０．２未満であった。【０１２３】
次に、調整した塗工液を、グリッド電極を形成した基板１４上にインクジェット印刷により塗工した。さらに、塗工膜を乾燥して導電層１１ｂを形成した。【０１２４】
〈試料１０３−１の有機ＥＬ素子の作製〉
試料１０３の有機ＥＬ素子において、光取り出し部材である光拡散シート（ライトアップ１００ＮＳＨ：きもと社製商品名）を基板の光取り出し側に貼り合わせ、試料１０３−１の有機ＥＬ素子を作製した。【０１２５】
〈試料１０４の有機ＥＬ素子の作製〉
上述の試料１０３の有機ＥＬ素子の作製において、封止工程の後に下記の方法で光照射を行い、試料１０４の有機ＥＬ素子を作製した。【０１２６】
パターンマスクとして、予め測定により求めた有機ＥＬ素子の輝度分布から、輝度分布を補正可能なように、第１電極１１と第１電極１１の取り出し部１６との接続部分の近傍から、第２電極１２と第２電極１２の取り出し部１６との接続部分の近傍に向けて、相対的な光透過率が傾斜的に増加すると共に、グリッド電極が形成される位置の光透過率がグリッド電極の開口部よりも低い紫外線吸収フィルタを予め作製した。
そして、作製した紫外線吸収フィルタを、有機ＥＬ素子に密着させ、３６５ｎｍの発光波長のＬＥＤをマトリックス状に４０個配置した面光源を用いて、あらかじめ計算で求めておいた照射エネルギーで、光照射を行なった。
さらに、光取り出し部材である光拡散シート（ライトアップ１００ＮＳＨ：きもと社製商品名）を基板の光取り出し側に貼り合わせた。【０１２７】
〈輝度プロファイル〉
上述の試料１０１−１及び試料１０２の有機ＥＬ素子について、図２に示すＡ−Ａ´方向の輝度プロファイルを図３に示す。また、試料１０１及び試料１０２の有機ＥＬ素子について、図２に示すＢ−Ｂ´方向の輝度プロファイルを図４に示す。【０１２８】
また、試料１０３−１及び試料１０４の有機ＥＬ素子について、図２に示すＡ−Ａ´方向の輝度プロファイルを図５に示す。また、図５に示す輝度プロファイルの中央部の拡大図を図６に示す。図３〜６において、縦軸は有機ＥＬ素子の発光面の輝度（ｃｄ／ｍ２）である。また、横軸は、有機ＥＬ素子の発光面の位置でありＡ又はＢ側からの距離（ｍｍ）を表している。【０１２９】
図３〜６に示すように、輝度分布を補正するように光照射を行なった試料１０２及び試料１０４は、光照射が行なわれていない試料１０１−１及び試料１０３−１に対して、輝度分布のバラツキが低減し、発光輝度の均一性が高められている。【０１３０】
図３及び図４に示すように、光照射が行なわれていない一般的な試料１０１の有機ＥＬ素子においては、電極の取り出し部から遠ざかる位置ほど輝度の低下が発生しやすい。図２に示すように、発光面の四方に取り出し部が設けられている場合には、発光面の端部において相対的に輝度が高くなり、発光面の中央部において相対的に輝度の低下が大きくなる。このため、発光面積２５ｃｍ２において、輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５未満となっている。【０１３１】
これに対し、輝度分布を補正するように光照射を行なった試料１０２では、発光面の端部における輝度と、発光面の中央部における輝度とが同等な値となり、発光面積２５ｃｍ２において、輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５以上となっている。従って、輝度分布を補正するように光照射を行なうことにより、輝度分布の均一性が高い有機ＥＬ素子を作製することができる。【０１３２】
また、図５及び図６に示すように、光照射が行なわれていない一般的な試料１０３の有機ＥＬ素子においては、電極の取り出し部から遠ざかる位置、及び、グリッド電極が形成されている位置ほど輝度の低下が発生しやすい。図５及び図６では、試料１０３−１の輝度スペクトルが一定の幅をもって高輝度と低輝度との間で振幅している。このうち、輝度の低い位置がグリッド電極の設けられた部分に該当し、輝度の高い位置がグリッド電極の開口部に該当する。【０１３３】
また、グリッド電極を有する試料１０３−１においても、図２に示すように、発光面の四方に取り出し部が設けられている場合には、発光面の端部とグリッド電極の開口部において相対的に輝度が高くなり、発光面の中央部とグリッド電極の位置において相対的に輝度の低下が大きくなる。【０１３４】
このため、試料１０３−１の有機ＥＬ素子では、発光面積２５ｃｍ２において、輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５未満、且つ、グリッド電極が設けられる位置の輝度を輝度Ｃ、グリッド電極が設けられていない位置の輝度を輝度Ｄとしたとき、Ｃ／Ｄが０．９５未満となっている。【０１３５】
これに対し、輝度分布を補正するように光照射を行なった試料１０４では、発光面の端部における輝度と、発光面の中央部における輝度とが同等な値となり、さらに、グリッド電極の開口部における輝度と、グリッド電極が形成されている位置の輝度とが同等な値となっている。このため、発光面積２５ｃｍ２において、輝度プロファイルの最大値を輝度Ａ、最小値を輝度Ｂとしたとき、Ｂ／Ａが０．９５以上、且つ、グリッド電極が設けられる位置の輝度を輝度Ｃ、グリッド電極が設けられていない位置の輝度を輝度Ｄとしたとき、Ｃ／Ｄが０．９５以上を満たしている。従って、輝度分布を補正するように光照射を行なうことにより、輝度分布の補正が可能であり、輝度分布の均一性が高く、且つ、グリッド電極の視認性が低下した有機ＥＬ素子を作製することができる。【０１３６】
なお、本発明は上述の実施形態例において説明した構成に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３７】
１０・・・有機ＥＬ素子、１１・・・第１電極、１１ａ・・・下地層、１１ｂ・・・導電層、１２・・・第２電極、１３・・・発光ユニット、１３ａ・・・正孔注入層、１３ｂ  正孔輸送層、１３ｃ・・・発光層、１３ｄ・・・電子輸送層、１３ｅ・・・電子注入層、１４・・・基板、１５・・・補助電極、１６・・・取り出し部、１７・・・取り出し部、１８・・・封止材、１９・・・接着剤、２０・・・発光面、２１・・・光取り出し部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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