(57)【要約】      （修正有）【課題】高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」対応の携帯用端末機を放熱することにより、電波の送受信を良好にし、薄膜太陽電池の変換効率向上の携帯用端末機を提供する。【解決手段】携帯端末機本体に、小型化にした中継基地局用アンテナ１を備え、携帯端末機アンテナ２・３と薄膜太陽電池５を設ける。携帯端末機本体の側面及び背面に光透過性及び熱伝導率に優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱することにより、電波の送受信を良好にする。光透過性及び放熱性のｐｎ型又はｐｉｎ型の薄膜太陽電池を設ける。携帯端末機背面の透明又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドの商標マークを設けた携帯用端末機。【選択図】図１
0003234177.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信するスマートフォン等の本体に、小型化にした中継基地局用アンテナを備え、スマートフォンアンテナ及び薄膜太陽電池を設けたスマートフォン等の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率などに優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱し、電波の送受信を良好にしたスマートフォンの背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けたことを特徴としたスマートフォン等の携帯用端末機。
【請求項２】
スマートフォン本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は蓄光性蛍光粒子ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜を入射面に設けたｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する請求項１に記載のスマートフォン等の携帯用端末機。
【請求項３】
スマートフォン本体の背面に設けた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マーク等を設けた請求項１に記載のスマートフォン等の携帯用端末機。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案は、高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波の送受信及び薄膜太陽電池を放熱するスマートフォン等の携帯用端末機に関する。
【背景技術】
【０００２】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」のスマートフォン等は、特定の方向に飛ぶ電波を送受信しやすくするためスマートフォン本体の側面及び背面の上下左右の方向に飛ぶ電波を送受信するアンテナ及び太陽電池を設置する。スマートフォン本体が熱くなると電波の送受信及び光電変換効率が低下するため、スマートフォン本体の放熱が最重要である。国内の基地局は約６０万局とされ、「５Ｇ」又は「６Ｇ」の基地局は１０憶局を必要とされる。従来の基地局のアンテナは冷蔵庫ほどの大きさだが、波長が短い「５Ｇ」又は「６Ｇ」ではアンテナが小型化され、携帯電話の大きさで済むとされる。総務省は２０２０年４月国内で商用化した高速通信規格「５Ｇ」、又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の主要技術を２０２５年をメドに確立する戦略目標を公表した。すでに海外では中国政府が２０１９年１１月に次世代超高速通信規格「６Ｇ」の研究開発を発表している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特願２０２０−１１８０７９号
【特許文献２】特願２０２０−０８８４２４号
【特許文献３】特願２０２０−１８５４２８号
【非特許文献】
【０００４】
【引用非特許文献１】
監修  藤森直治，鹿田真一、ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》  第４章  ナノ結晶ダイヤモンド薄膜  ｐ３６〜４４、  第６章  半導体特性  ｐ６３〜７１、  第７章  ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性  ｐ７５〜８４、  第８章  ｎ型ドーピングと半導体特性  ｐ８６〜９８、  ２０１４年版、  株式会社  シーエムシー出版。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】  特定の方向に飛ぶ高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信しやすくするため、スマートフォン本体が熱くなると電波の送受信がしにくいという欠点があった。高速通信規格「５Ｇ」のスマートフォンには高精細映像技術「８Ｋ」対応カメラや、あらゆるモノがネットにつながる「ＩｏＴ」と人工知能（ＡＩ）を組み合わせた「ＡＩｏＴ」の技術が活用される。高速通信規格「５Ｇ」の電波の飛ぶ距離は数百メートル〜１キロメートル程度とされ、４Ｇに比べて狭く、従来より多くの基地局が必要になる。次世代超高速通信規格「６Ｇ」では電波の届く距離が１００〜２００メートルに限られる。アンテナが小型化され、照明、看板、乗用車などにも基地局の機能が可能とされる。また、薄膜太陽電池の光電変換層が熱くなると光電変換効率が低下するという欠点があった。したがって、スマートフォン等の携帯用端末機の放熱は最重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信するスマートフォン等の本体に、小型化にした中継基地局用アンテナを備え、スマートフォンアンテナ及び薄膜太陽電池を設けたスマートフォン等の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率などに優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱し、電波の送受信を良好にしたスマートフォンの背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けたことを特徴としたスマートフォン等の携帯用端末機。【０００７】  スマートフォン本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は蓄光性蛍光粒子ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜を入射面に設けたｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電するスマートフォン等の携帯用端末機。【０００８】  スマートフォン本体の背面に設けた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マーク等を設けたスマートフォン等の携帯用端末機。
【考案の効果】
【０００９】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」のスマートフォン本体にＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱して電波の送受信を良好にし、中継基地局アンテナを備えて基地局を低減する。光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電するスマートフォン等の携帯用端末機。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】  本考案に係るスマートフォンに中継基地局用アンテナ１を備え、スマートフォンアンテナ２・３及び薄膜太陽電池５を設けた参考背面図。
【図２】  本考案に係るスマートフォン背面に設けた透明又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６に商標マーク等７を設けた参考背面図。
【図３】  本考案に係る透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の参考断面図。
【図４】  本考案に係る蓄光性蛍光粒子９ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の参考断面図。
【考案を実施するための形態】
【００１１】  ＣＶＤダイヤモンドはバンドギャップ５．４８ｅＶの半導体としての特性を有し、熱伝導率２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を示す。ヒートシンク材料の熱伝導率は、ＣＶＤダイヤモンド２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、銅４．０（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、ＣＶＤダイヤモンドは銅と比較して５．５倍も熱を伝えやすい。シリコン１．５６（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）と比較すると約１５倍の熱伝導率を有し、優れた熱伝導率又は放熱性及び光透過性を有している。ＣＶＤダイヤモンドの硬度５６〜１１５（ＧＰａ）を有し、フリーエキシトンの束縛エネルギーが８０ｍｅＶもある。ＣＶＤナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、低温成膜、高い表面平坦性、可視光線透過率（λ：４００〜８００ｎｍ）＝９０％である。ＣＶＤダイヤモンドは、熱伝導率、透光性、耐熱性、絶縁性など物質中最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
【００１２】  ＣＶＤダイヤモンドは通常、無色透明である。ＣＶＤダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その不純物や欠陥により吸収が起こり、イエロー、グリーン、ブルー、ブラウンなどの着色ＣＶＤダイヤモンドとなる。ダイヤモンドの典型的な不純物の一つであるＮとＢは、イエローダイヤモンドおよびブルーダイヤモンドを形成する着色元素となっている。特に、この典型的なＮ（窒素）とＢ（ホウ素）の不純物のダイヤモンド中での含有量と置換位置の種類によって、ダイヤモンドのタイプが詳細に分類される。すでに、ダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その多くは、光学的に活性な発光センタを形成する。典型的な不純物であるＮやＢの他に、Ｈ、Ｈｅ、Ｌｉ、Ｏ、Ｎｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｘｅなどが光学的に活性な発光センタを形成することが知られている。
【００１３】  図１に示す。高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信するスマートフォン等の本体に、小型化にした中継基地局用アンテナ１を備え、スマートフォンアンテナ２・３及び薄膜太陽電池５（８Ｋカメラ関係４を除く）を設けたスマートフォン等の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率などに優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６を設けて放熱し、電波の送受信を良好にしたスマートフォンの背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池５を設けたスマートフォン等の携帯用端末機。
携帯電話の大きさで済むとされる小型化にした中継基地局用アンテナ１を備えたスマートフォン本体の上下左右の方向に「５Ｇ」又は「６Ｇ」飛ぶ電波を送受信するアンテナをスマートフォンの側面３及び背面２に設ける。スマートフォン本体が熱くなると電波の送受信及び薄膜太陽電池５の光電変換効率が低下するため、スマートフォン本体の側面及び背面に光透過性及び熱伝導率などに優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６を設けて放熱する。
【００１４】  図２に示す。スマートフォン本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６（８Ｋカメラ関係４を除く）又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６（８Ｋカメラ関係４を除く）に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マーク等７を設けたスマートフォン等の携帯用端末機。
商標マーク等７は、商標法第２条第１項の商標マークの文字商標、図形商標、記号商標、体商標、結合商標、動き商標、ホログラム商標、色彩のみからなる商標、音商標、位置商標からなる商標である。本考案では、その他の任意の名称なども含む。着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いた商標マーク等７を設けてもＣＶＤダイヤモンドの光透過性により電波の送受信は良好であり、優れた熱伝導率の放熱性により電波の送受信及び薄膜太陽電池５の光電変換効率の影響はない。ＣＶＤダイヤモンドの特性は、段落［００１１］に記載されている。着色が異なるＣＶＤダイヤモンドの詳細は、段落［００１２］の記載と同様であり省略する。
【００１５】  図３に示す。スマートフォン本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けて蓄電池を充電するスマートフォン等の携帯用端末機。
ホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１０及びリンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１１接合のｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の入射側に、透明導電膜１２と透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を設け、裏側に裏面電極１３と保護材１４を設けた光電変換層の薄膜太陽電池５であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟み形成されたｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５の構成。ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は、光透過性及び熱伝導率に優れた半導体薄膜光電変換層であり、放熱性の光電変換層である。
【００１６】  ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜は、シリコン（Ｓｉ）と同じ第１４族元素に属している。ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜へのドープは、第１３族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などを用いることができる。ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜へのドープは、第１５族元素の窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などを用いたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟んだｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けたスマートフォン等の携帯用端末機。
【００１７】  図４に示す。スマートフォン本体の背面に、蓄光性蛍光粒子９ドープの透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けて蓄電池を充電するスマートフォン等の携帯用端末機。
ホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１０及びリンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１１接合のｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の入射側に、透明導電膜１２と蓄光性蛍光粒子９ドープの透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を設け、裏側に裏面電極１３と保護材１４を設けた光電変換層の薄膜太陽電池５であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟み形成されたｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５の構成。ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は、光透過性及び熱伝導率に優れた半導体薄膜光電変換層であり、放熱性の光電変換層である。
ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜のｐｎ型又はｐｉｎ型へのドープは、段落［００１６］の記載と同様であり省略する。
【００１８】  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８にドープされた蓄光性蛍光粒子９は、太陽光の２００ｎｍ〜５２２ｎｍ程度の波長を吸収し、夜間４００ｎｍ〜７００ｎｍ以内の波長で発光する。蓄光性蛍光粒子９の詳細は、特開２０１７−０２８２３４号公報で公開されており公開特許公報の番号を記載して省略する。
【００１９】  ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層のより一層の変換効率向上には、シリコン系半導体薄膜光電変換層または化合物系半導体薄膜光電変換層やＰＳＣ（ペロブスカイト）半導体薄膜光電変換層などの多接合薄膜太陽電池を設けることが望ましい。
本考案では、ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の記載ですが、ｎｐ型またはｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層も同様です。
【符号の説明】
【００２０】  １  中継基地局用アンテナ
２  背面スマートフォンアンテナ
３  側面スマートフォンナンテナ
４  ８Ｋカメラ関係
５  薄膜太陽電池
６  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜
着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜
７  着色が異なるＣＶＤダイヤモンドの商標マーク等
８  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜
９  蓄光性蛍光粒子
１０  ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜
１１  ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜
１２  透明導電膜
１３  裏面電極
１４  保護材
【図１】
0003234177.tif 000003
【図２】
0003234177.tif 000004
【図３】
0003234177.tif 000005
【図４】
0003234177.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月8日(2021.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】実用新案登録請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機の本体に、小型化にした中継基地局用アンテナを備え、携帯用端末機アンテナ及び薄膜太陽電池を設けた携帯用端末機の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率に優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱し、電波の送受信を良好にした携帯用端末機の背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けたことを特徴とする携帯用端末機。
【請求項２】
携帯用端末機本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は蓄光性蛍光粒子ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜を入射面に設けたｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する請求項１に記載の携帯用端末機。
【請求項３】
携帯用端末機本体の背面に設けた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マークを設けた請求項１に記載の携帯用端末機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案は、高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信及び薄膜太陽電池を放熱する携帯用端末機に関する。
【背景技術】
【０００２】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」のスマートフォンは、特定の方向に飛ぶ電波を送受信しやすくするためスマートフォン本体の側面及び背面の上下左右の方向に飛ぶ電波を送受信するアンテナ及び太陽電池を設置する。スマートフォン本体が熱くなると電波の送受信及び光電変換効率が低下するため、スマートフォン本体の放熱が最重要である。国内の基地局は約６０万局とされ、「５Ｇ」又は「６Ｇ」の基地局は１０憶局を必要とされる。従来の基地局のアンテナは冷蔵庫ほどの大きさだが、波長が短い「５Ｇ」又は「６Ｇ」ではアンテナが小型化され、携帯電話の大きさで済むとされる。総務省は２０２０年４月国内で商用化した高速通信規格「５Ｇ」、又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の主要技術を２０２５年をメドに確立する戦略目標を公表した。すでに海外では中国政府が２０１９年１１月に次世代超高速通信規格「６Ｇ」の研究開発を発表している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特願２０２０−１１８０７９号
【特許文献２】特願２０２０−０８８４２４号
【特許文献３】特願２０２０−１８５４２８号
【非特許文献】
【０００４】
【引用非特許文献１】
監修  藤森直治，鹿田真一、ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線《普及版》  第４章  ナノ結晶ダイヤモンド薄膜  ｐ３６〜４４、第６章  半導体特性  ｐ６３〜７１、第７章  ｐ型ホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の半導体特性  ｐ７５〜８４、第８章  ｎ型ドーピングと半導体特性  ｐ８６〜９８、２０１４年版、株式会社  シーエムシー出版。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】  特定の方向に飛ぶ高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信しやすくするため、スマートフォン本体が熱くなると電波の送受信がしにくいという欠点があった。高速通信規格「５Ｇ」のスマートフォンには高精細映像技術「８Ｋ」対応カメラや、あらゆるモノがネットにつながる「ＩｏＴ」と人工知能（ＡＩ）を組み合わせた「ＡＩｏＴ」の技術が活用される。高速通信規格「５Ｇ」の電波の飛ぶ距離は数百メートル〜１キロメートル程度とされ、４Ｇに比べて狭く、従来より多くの基地局が必要になる。次世代超高速通信規格「６Ｇ」では電波の届く距離が１００〜２００メートルに限られる。アンテナが小型化され、照明、看板、乗用車などにも基地局の機能が可能とされる。また、薄膜太陽電池の光電変換層が熱くなると光電変換効率が低下するという欠点があった。したがって、携帯用端末機の放熱は最重要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機の本体に、小型化にした中継基地局用アンテナを備え、携帯用端末機アンテナ及び薄膜太陽電池を設けた携帯用端末機の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率に優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱し、電波の送受信を良好にした携帯用端末機の背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けたことを特徴とする携帯用端末機。【０００７】携帯用端末機本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は蓄光性蛍光粒子ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜を入射面に設けたｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する携帯用端末機。【０００８】携帯用端末機本体の背面に設けた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マークを設けた携帯用端末機。
【考案の効果】
【０００９】  高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の携帯用端末機本体にＣＶＤダイヤモンド薄膜を設けて放熱して電波の送受信を良好にし、中継基地局アンテナを備えて基地局を低減する。光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池を設けて蓄電池を充電する携帯用端末機。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】  本考案に係る携帯用端末機に中継基地局用アンテナ１を備え、携帯用端末機アンテナ２・３及び薄膜太陽電池５を設けた参考背面図。
【図２】  本考案に係る携帯用端末機背面に設けた透明又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６に商標マーク７を設けた参考背面図。
【図３】  本考案に係る透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の参考断面図。
【図４】  本考案に係る蓄光性蛍光粒子９ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の参考断面図。
【考案を実施するための形態】
【００１１】  ＣＶＤダイヤモンドはバンドギャップ５．４８ｅＶの半導体としての特性を有し、熱伝導率２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）を示す。ヒートシンク材料の熱伝導率は、ＣＶＤダイヤモンド２２（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、銅４．０（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）、ＣＶＤダイヤモンドは銅と比較して５．５倍も熱を伝えやすい。シリコン１．５６（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）と比較すると約１５倍の熱伝導率を有し、優れた熱伝導率又は放熱性及び光透過性を有している。ＣＶＤダイヤモンドの硬度５６〜１１５（ＧＰａ）を有し、フリーエキシトンの束縛エネルギーが８０ｍｅＶもある。ＣＶＤナノ結晶ダイヤモンド薄膜は、低温成膜、高い表面平坦性、可視光線透過率（λ：４００〜８００ｎｍ）＝９０％である。ＣＶＤダイヤモンドは、熱伝導率、透光性、耐熱性、絶縁性など物質中最高もしくは準最高値を有する材料とされる。
【００１２】  ＣＶＤダイヤモンドは通常、無色透明である。ＣＶＤダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その不純物や欠陥により吸収が起こり、イエロー、グリーン、ブルー、ブラウンなどの着色ＣＶＤダイヤモンドとなる。ダイヤモンドの典型的な不純物の一つであるＮとＢは、イエローダイヤモンドおよびブルーダイヤモンドを形成する着色元素となっている。特に、この典型的なＮ（窒素）とＢ（ホウ素）の不純物のダイヤモンド中での含有量と置換位置の種類によって、ダイヤモンドのタイプが詳細に分類される。すでに、ダイヤモンド中に不純物や欠陥が取り込まれた場合、その多くは、光学的に活性な発光センタを形成する。典型的な不純物であるＮやＢの他に、Ｈ、Ｈｅ、Ｌｉ、Ｏ、Ｎｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｘｅなどが光学的に活性な発光センタを形成することが知られている。
【００１３】  図１に示す。高速通信規格「５Ｇ」又は次世代超高速通信規格「６Ｇ」の電波を送受信する携帯用端末機本体に、小型化にした中継基地局用アンテナ１を備え、携帯用端末機アンテナ２・３及び薄膜太陽電池５（８Ｋカメラ関係４を除く）を設けた携帯用端末機の側面及び背面に、光透過性及び熱伝導率に優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６を設けて放熱し、電波の送受信を良好にした携帯用端末機の背面に、光透過性及び放熱性の薄膜太陽電池５を設けた携帯用端末機。
携帯電話の大きさで済むとされる小型化にした中継基地局用アンテナ１を備えた携帯用端末機本体の上下左右の方向に「５Ｇ」・「６Ｇ」飛ぶ電波を送受信するアンテナを携帯用端末機の側面３及び背面２に設ける。携帯用端末機本体が熱くなると電波の送受信及び薄膜太陽電池５の光電変換効率が低下するため、携帯用端末機本体の側面及び背面に光透過性及び熱伝導率に優れた透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６を設けて放熱する。
【００１４】  図２に示す。携帯用端末機本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜６（８Ｋカメラ関係４を除く）又は着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜６（８Ｋカメラ関係４を除く）に、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いて商標マーク７を設けた携帯用端末機。
商標マーク７は、商標法第２条第１項の商標マークの文字商標、図形商標、記号商標、体商標、結合商標、動き商標、ホログラム商標、色彩のみからなる商標、音商標、位置商標からなる商標である。本考案では、着色が異なるＣＶＤダイヤモンドを用いた商標マーク７は、ＣＶＤダイヤモンドの光透過性により電波の送受信は良好であり、優れた熱伝導率の放熱性により電波の送受信及び薄膜太陽電池５の光電変換効率に影響はない。ＣＶＤダイヤモンドの特性は、段落［００１１］に記載されている。着色が異なるＣＶＤダイヤモンドの詳細は、段落［００１２］の記載と同様であり省略する。
【００１５】  図３に示す。携帯用端末機本体の背面に、透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けて蓄電池を充電する携帯用端末機。
ホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１０及びリンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１１接合のｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の入射側に、透明導電膜１２と透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を設け、裏側に裏面電極１３と保護材１４を設けた光電変換層の薄膜太陽電池５であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟み形成されたｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５の構成。ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は、光透過性及び熱伝導率に優れた半導体薄膜光電変換層であり、放熱性の光電変換層である。
【００１６】  ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜は、シリコン（Ｓｉ）と同じ第１４族元素に属している。ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜へのドープは、第１３族元素のホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）などを用いることができる。ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜へのドープは、第１５族元素の窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）などを用いたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟んだｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けた携帯用端末機。
【００１７】  図４に示す。携帯用端末機本体の背面に、蓄光性蛍光粒子９ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を入射面に設けたｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５を設けて蓄電池を充電する携帯用端末機。
ホウ素ドープｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１０及びリンドープｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜１１接合のｐｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の入射側に、透明導電膜１２と蓄光性蛍光粒子９ドープ透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８を設け、裏側に裏面電極１３と保護材１４を設けた光電変換層の薄膜太陽電池５であり、ｐｎ型に真性ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜ｉ型を挟み形成されたｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の薄膜太陽電池５の構成。ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層は、光透過性及び熱伝導率に優れた半導体薄膜光電変換層であり、放熱性の光電変換層である。
ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜のｐｎ型又はｐｉｎ型へのドープは、段落［００１６］の記載と同様であり省略する。
【００１８】  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜８にドープされた蓄光性蛍光粒子９は、太陽光の２００ｎｍ〜５２２ｎｍ程度の波長を吸収し、夜間４００ｎｍ〜７００ｎｍ以内の波長で発光する。蓄光性蛍光粒子９の詳細は、特開２０１７−０２８２３４号公報で公開されており公開特許公報の番号を記載して省略する。
【００１９】  ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層のより一層の変換効率向上には、シリコン系半導体薄膜光電変換層または化合物系半導体薄膜光電変換層や有機系ＰＳＣ（ペロブスカイト）半導体薄膜光電変換層などの多接合薄膜太陽電池を設けることが望ましい。
本考案では、ｐｎ型又はｐｉｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層の記載ですが、ｎｐ型またはｎｉｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜光電変換層も同様です。
【符号の説明】
【００２０】  １  中継基地局用アンテナ
２  背面携帯用端末機アンテナ
３  側面携帯用端末機アンテナ
４  ８Ｋカメラ関係
５  薄膜太陽電池
６  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜
着色ＣＶＤダイヤモンド薄膜
７  着色が異なるＣＶＤダイヤモンドの商標マーク
８  透明ＣＶＤダイヤモンド薄膜
９  蓄光性蛍光粒子
１０  ｐ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜
１１  ｎ型ＣＶＤダイヤモンド半導体薄膜
１２  透明導電膜
１３  裏面電極
１４  保護材