(57)【要約】      （修正有）【課題】高いＱ特性と高いＳＲＦ（自己共振周波数）を合わせ持つ積層型電子部品を提供する。【解決手段】コイル導体層と絶縁層を交互に積層して内部にコイル３１を形成したほぼ直方体形状をなす積層型電子部品において、各コイル導体層が絶縁体層を介して積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各コイル導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、略同一のコイル導体パターン同士を少なくともその両端にて電気的に接続して多重巻きを構成し、かつコイルへの通電によって生じる積層体の磁束に対して垂直な両端面で、積層体の面積が最小でない対向する両端面に端子電極５１を形成する。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
コイル導体層と絶縁層を交互に積層して内部にコイルを形成したほぼ直方体形状をなす積層型電子部品において、各コイル導体層が前期絶縁体層を介して積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各コイル導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、前期略同一のコイル導体パターン同士を少なくともその両端にて電気的に接続して多重巻きを構成し、かつ前記コイルへの通電によって生じる積層体の磁束に対して垂直な両端面で、前記積層体の面積が最小でない対向する両端面に端子電極を形成したことを特徴とする積層型電子部品。
【請求項２】
前記絶縁層が誘電体セラミックである請求項１記載の積層型電子部品。
【請求項３】
前記絶縁層が磁性体セラミックである請求項１記載の積層型電子部品。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本考案はコイル導体層と絶縁層を交互に積層して内部にコイルを形成した積層型電子部品に係り、とくに高いＱ特性と高いＳＲＦ（自己共振周波数）を合わせ持つ積層型電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  近年普及がめざましい携帯電話、スマートフォンなどの通信機器には安価で小型である高周波用積層型電子部品が数多く使われている。【０００３】  通信機器の性能を左右するため、高周波用積層型電子部品には、より高Ｑ特性、より高ＳＲＦが要求されている。【０００４】  従来の内部にコイルを形成した積層型電子部品は、例えば図３のような積層工程で作られ、その外形は図４のようになっている。【０００５】  図３において、コイル導体層２１、２２、２３と絶縁体層１１、１２、１３、１４とを交互に積層して内部にヘリカル巻きのコイル３１を形成した積層体を得る。【０００６】  積層型電子部品のひとつである高周波用積層型電子部品としては、コイル導体層の材料には銀が、絶縁体層の材料には比誘電率５以下の誘電体セラミックが使われている。【０００７】  図４において、コイル３１への通電によって生じる前記積層体の磁束方向に対して平行な両端面で面積が最小な両端面に端子電極５１、５２を形成する。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００８】  ところで、上記従来構成であると、以下の課題がある。【０００９】  特開２００２−１３４３２２に示すように多重巻きにすることによりＱを向上させることが可能である。【００１０】  特開２００６−３１０８４４に示すように端子電極の位置を変更することによりＳＲＦを向上させることが可能である。【００１１】  本考案は上記の点に鑑み、高いＱ特性と高いＳＲＦを合わせもつ、内部にコイルを形成した積層型電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】  上記目的を達成するために、本願請求項１の考案に係る積層型電子部品は、コイル導体層と絶縁層を交互に積層して内部にコイルを形成したほぼ直方体形状をなす積層型電子部品において、各コイル導体層が前期絶縁体層を介して積層方向に複数層、略同一のコイル導体パターンに形成されていて、各コイル導体層でヘリカル巻きのコイル導体を複数構成し、前期略同一のコイル導体パターン同士を少なくともその両端にて電気的に接続して多重巻きを構成し、かつ前記コイルへの通電によって生じる積層体の磁束に対して垂直な両端面で、前記積層体の面積が最小でない対向する両端面に端子電極を形成したことを特徴としている。【００１３】  本願請求項２の考案に係る積層型電子部品は、請求項１において、前記絶縁層が誘電体セラミックであることを特徴としている。【００１４】  本願請求項３の考案に係る積層型電子部品は、請求項１において、前記絶縁層が磁性体セラミックであることを特徴としている。
【考案を実施するための最良の形態】
【００１５】  以下、本考案に係る積層型電子部品を実施するための最良の形態を図面に従って説明する。【００１６】  図１、および図２で本考案に係る高周波用積層型電子部品の第１の実施の形態について説明する。【００１７】  図１（Ａ）はほぼ長方形の第１絶縁体層１１を、同図（Ｂ）はその第１絶縁体層の上に積層形成された第１コイル導体層２１を、同図（Ｃ）はその上に積層形成された第２絶縁体層１２を、同図（Ｄ）その上に積層形成された第２コイル導体層２２を、同図（Ｅ）はその上に積層形成された第３絶縁体層１３を、同図（Ｆ）はその上に積層形成された第３コイル導体層２３を、同図（Ｇ）はその上に積層形成された第４絶縁体層１４を、同図（Ｈ）はその上に積層形成された第４コイル導体層２４を、同図（Ｉ）はその上に積層形成された第５絶縁体層１５を、をそれぞれ示す。【００１８】  第１乃至第４コイル導体層を形成する材料としては、Ｑ特性を高くするために、低抵抗の銀が望ましい。【００１９】  第１乃至第５絶縁体層を形成する材料としては、寄生容量を小さくしてＱ特性、ＳＲＦを高くするために、低誘電率の、具体的には比誘電率５以下の誘電体セラミックが望ましい。【００２０】  第１乃至第４コイル導体層２１、２２、２３、２４は第２乃至第４誘電体層１２、１３、１４によって部分的に絶縁されることにより、全体としてヘリカル巻きのコイル３１を構成している。【００２１】  図２は図１のようにして形成された積層体の斜視図である。【００２２】  図１（Ａ）の絶縁体層１１にはビアホール４１が設けられ、これを介して図２のように前記積層体の外側面に形成された端子電極５１と前記コイル３１の一端とが接続される。【００２３】  また、図１（Ｉ）の絶縁体層１５にもビアホール４２が設けられ、これを介して図２のように前記積層体の外側面に形成された端子電極５２と前記コイル３１の他端とが接続される。【００２４】  図２から判るように、コイル３１は縦巻きのヘリカルコイルであり、そのコイル３１と両端の端子電極５１、５２との位置関係は、コイル３１への通電によって生じる磁束方向に対して垂直な両端面に端子電極５１、５２を配置した関係となっている。【００２５】  そして図２のように、前記積層体はほぼ直方体形状となり、面積が最小でない対向する両端面に端子電極５１、５２が形成される。【００２６】  コイル導体層２１と２２は同一パターンであり、両端で電気的に接続されていわゆる２重巻き（多重巻き）となっている。【００２７】  コイル導体層２３と２４も同一パターンであり、両端で電気的に接続されていわゆる２重巻き（多重巻き）となっている。【００２８】  従って、全体としてコイルは２重巻き（多重巻き）になっており、コイルのＱを向上させることができる。（特開２００２−１３４３２２）【００２９】  一般に、コイルのコア面積が大きい方がＱが高いので、図２より端子電極とコイルの位置関係を磁束方向に対して垂直な両端面で、なおかつ面積が最小でない直方体の両端面に形成することにより、コア面積を最大にとることができ、高いＱが得られる。【００３０】  また、端子電極とコイルの位置関係を磁束方向に対して垂直な両端面とすることにより、コイルの寄生容量を小さく���ることができ、ＳＲＦを高くすることが可能である。（特開２００６−３１０８４４）【００３１】  従って、本考案はコイルを多重巻きとし、端子電極の位置を変更することにより、従来よりＱ特性、ＳＲＦを高くすることができる。【００３２】  なお、本実施例ではコイルを２重巻きとしたが、寸法が許す限り１重巻き、２重巻き、３重巻き・・・あるいはそれらの複合が可能である。【００３３】  また、端子電極５１、５２の面積は撓み強度が許す限り小さくしＳＲＦを高くすることが可能である。【００３４】  なお、最終的に前記積層体からなる積層型電子部品は、幅（Ｗ）が長さ（Ｌ）より長くなり、通常のチップ部品とは逆になり、Ｌ／Ｗ反転タイプとなる。【００３５】  以上、本考案を実施するための最良の形態について説明したが、本考案はこれに限定されることなく請求項記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【考案の効果】
【００３６】  請求項１によれば、多重巻きで端子電極の位置を変更することにより、従来よりＱ特性、ＳＲＦが高い積層型電子部品を実現できる。
【００３７】  請求項２によれば、誘電体セラミックを用いることにより、インダクタンスを小さくすることができ、請求項１の効果に加え、低インダクタンスの高周波用積層型電子部品を実現できる。
【００３８】  請求項３によれば、磁性体セラミックを用いることにより、インダクタンスを大きくすることができ、請求項１の効果に加え、高インダクタンスの低周波用積層型電子部品を実現できる。
【００３９】  また、インピーダンスを高くすることができ、請求項１の効果（高Ｑ高ＳＲＦに変えて、低Ｒｄｃ広帯域）に加え、高インピーダンスの積層チップビーズインダクタも実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本考案の第１の実施の形態による積層型電子部品の積層工程を示す図である。
【図２】本考案の第１の実施の形態による積層型電子部品の斜視図である。
【図３】従来の積層型電子部品の積層工程を示す図である。
【図４】従来の積層型電子部品の斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】  １１、１２、１３、１４、１５  絶縁体層
２１、２２、２３、２４        コイル導体層
３１                          コイル
４１、４２                    ビアホール
５１、５２                    端子電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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