【事件の表示】
　特許第６００５１４７号発明「トランジスタ及びその形成方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第６００５１４７号の請求項１ないし４，１７，１８，及び２２ないし２４に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　特許第６００５１４７号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし２４に係る特許についての手続の経緯は，以下のとおりである。 
　　平成２４年　５月２４日　特許出願
（２０１２年（平成２４年）５月２４日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０１１年５月２６日，２０１１年１１月１日，２０１１年１２月７日，及び２０１２年３月２２日，英国）を国際出願日とする特許出願（特願２０１４−５１１９５５号））
　　平成２８年　８月　３日　特許査定
　　平成２８年　９月１６日　特許の設定登録 
　　平成２８年１０月１２日　特許公報発行
　　平成２９年　４月１２日　特許異議の申立て
　　　　　　　　　　　　（特許異議申立人　スマートケム　リミテッド）
　
　
 第２　特許異議の申立てについて
　
１　本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項（以下，請求項１，請求項２，・・・を，それぞれ，「本件請求項１」，「本件請求項２」，・・・という。）に係る発明（以下，請求項１に係る発明，請求項２に係る発明，・・・を，それぞれ，「本件特許発明１」，「本件特許発明２」，・・・といい，また，これらをまとめて「本件特許発明」という。）は，それぞれ，本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
・「【請求項１】
　可溶性のポリアセン半導体及びポリマー半導体の結合剤を有する半導体組成物であり，前記ポリマー半導体の結合剤は１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有する，半導体組成物であり，前記ポリマー半導体の結合剤の電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，半導体組成物。」
・「【請求項２】
　請求項１記載の半導体組成物において，前記ポリマー半導体の結合剤の電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−６ｃｍ２／Ｖｓより高い，半導体組成物。」
・「【請求項３】
　請求項１又は２記載の半導体組成物において，前記ポリマー半導体の結合剤はトリアリールアミンの反復単位を有する，半導体組成物。」
・「【請求項４】
　請求項３記載の半導体組成物において，前記トリアリールアミンの反復単位の少なくとも一つが，シアン基，又はシアン基若しくはアルコキシ基を含む基によって置換されている，半導体組成物。」
・「【請求項１７】
　請求項１〜１６のうちいずれか一項記載の半導体組成物において，前記可溶性のポリアセン半導体が，以下の化学式(Ａ２)，(Ａ３)及び／又は(Ｃ)で表される，半導体組成物。
【化２０】
化学式(Ａ２)
　ここで，Ｒ１，Ｒ４，Ｒ８およびＲ１１はメチル基であり，Ｒｆはエチル基又はイソプロピル基であり，
【化２１】
化学式(Ａ３)
　ここで，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ９，Ｒ１０はメチル基であり，Ｒｆはエチル基又はイソプロピル基であり，
【化２２】
化学式(Ｃ)
　ここで，Ｙ１及びＹ２のうち一方は，−ＣＨ＝又は＝ＣＨ−を示し，また他方は−Ｘ’−を示し，
　Ｙ３及びＹ４のうち一方は，−ＣＨ＝又は＝ＣＨ−を示し，また他方は−Ｘ’−を示し，
　Ｘ’は，−Ｏ−，−Ｓ−，−Ｓｅ−，又は−ＮＲ’’’−であり，
　Ｒｓは，１〜２０個の炭素原子を有する環状，直鎖若しくは分岐型のアルキル若しくはアルコキシ，又は２〜３０個の炭素原子を有するアリールであり，これらすべては随意的に，フッ素化又はペルフルオロ化しており，
　Ｒｔは，Ｈ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ，ＣＮ，１〜２０個の炭素原子を有し，随意的にフッ素化又はペルフルオロ化した直鎖若しくは分岐型のアルキル若しくはアルコキシ，６〜３０個の炭素原子を有する随意的にフッ素化又はペルフルオロ化したアリール，ＣＯ２Ｒ’’（Ｒ’’はＨ），１〜２０個の炭素原子を有する随意的にフッ素化したアルキル，又は２〜３０個の炭素原子を有し随意的にフッ素化したアリールであり，
　Ｒ’’’は，Ｈ，又は１〜１０個の炭素原子を有する環状，直鎖若しくは分岐型のアルキルであり，
　ｍは０又は１であり，そして，
　ｎは０又は１である。」
・「【請求項１８】
  請求項１７記載の半導体組成物において，前記可溶性のポリアセン半導体が，以下の化学式(Ｃ１)及び／又は(Ｃ２)で表される，半導体組成物。
【化２３】
化学式(Ｃ１)
【化２４】
化学式(Ｃ２)
　ここで，Ｘ’，Ｒｔ及びＲｓは，請求項１５に定義されている。」
・「【請求項２２】
　ソース電極とドレイン電極とを請求項１〜２１のうちいずれか一項記載の半導体組成物によって橋渡しした，有機薄膜トランジスタ。」
・「【請求項２３】
　請求項１〜２１のうちいずれか一項記載の有機半導体組成物を溶液コーティングによって堆積するステップを有する有機薄膜トランジスタの製造方法。」
・「【請求項２４】
　請求項２３記載の方法に使用する請求項１〜２１のうちいずれか一項記載の有機半導体組成物の溶液。」
　
２　特許異議申立理由の概要
　本件請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項に係る特許に対して，特許異議申立人が主張する特許異議申立理由の概要は，以下（１）ないし（３）のとおりである。
　なお，異議申立人が提示した，いずれも，本願の出願日前，日本国内又は外国において頒布された刊行物である，甲第１号証ないし甲第６号証は，次のとおりである。
　・甲第１号証：特表２００９−５２２７８１号公報
　・甲第２号証：米国特許出願公開第２００４／０２２２４１２号
　・甲第３号証：Ｊｏｈｎ　Ｅ．Ａｎｔｈｏｎｙ，”Ｓｉｌｙｌｅｔｈｙｎｅ−Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｄ　Ｐｅｎｔａｃｅｎｅｓ”，Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｍａｔｔｅｒｓ（米国），Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．，Ｉｎｃ．，Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，２００９，Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．３，ｐ．５８−６１
　・甲第４号証：Ｉａｉｎ　ＭｃＣｕｌｌｏｃｈ，Ｍａｒｔｉｎ　Ｈｅｅｎｅｙ，”Ｐｏｌｙｔｒｉａｒｙｌａｍｉｎｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”，Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ｍａｔｔｅｒｓ（米国），Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｃｏ．，Ｉｎｃ．，Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ　Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，２００９，Ｖｏｌ．４，Ｎｏ．３，ｐ．７０−７３
　・甲第５号証：特表２００７−５１９２２７号公報
　・甲第６号証：特表２００９−５２４２２６号公報
　
（１）異議理由１（特許法第２９条第２項）
　ア　異議理由１Ａ
　本件特許発明１は，甲第１号証に記載された発明において，甲第３号証に記載の発明，及び甲第２号証記載の周知技術に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　そして，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４は，いずれも，甲第１号証記載の発明において，甲第３号証記載の発明，甲第２号証記載の周知技術，並びに甲第４号証ないし甲第６号証それぞれに記載された事項に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　イ　異議理由１Ｂ
　本件特許発明１は，甲第５号証に記載された発明において，甲第２号証記載の周知技術，及び甲第６号証記載の周知技術に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　そして，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４は，いずれも，甲第５号証記載の発明において，甲第２号証記載の周知技術，甲第６号証記載の周知技術，並びに，甲第１号証，甲第３号証，及び甲第４号証それぞれに記載された事項に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　ウ　異議理由１Ｃ
　本件特許発明１は，甲第３号証に記載された発明において，甲第２号証記載の周知技術に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　そして，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４は，いずれも，甲第３号証記載の発明において，甲第２号証記載の周知技術，及び，甲第４号証ないし甲第６号証それぞれに記載された事項に基づいて，当業者が容易になし得たものである。
　
（２）異議理由２（特許法第３６条第４項第１号）
　本願明細書の発明の詳細な説明には，本件特許発明１ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていない。
　
（３）異議理由３（特許法第３６条第６項第１号）
　本件特許の請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項に係る発明は，いずれも，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されたものではない。
　
３　甲号証の記載について
（１）甲第１号証
　甲第１号証の記載（【０００１】，【０００４】ないし【０００６】，【００１０】，【００１７】ないし【００１９】，【００３０】及び【００３１】）より，甲第１号証には，下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有するポリマーを含み，可溶性のポリアセン半導体を含む半導体材料。」
　
（２）甲第２号証
　甲第２号証の記載（［０００５］及び［０００６］）より，甲第２号証には，下記の事項が記載されていると認められる。
　「電子デバイス用の有機ポリマーとして，比較的厚い膜を使用できるようにするために，また，同じ誘電分極を維持しながらデバイスの動作電圧を低下させるために，高い誘電率を有することが望ましく，比較的高いデバイス移動度観測値と比較的高い誘電率とを兼備し，かつ好ましくは，例えばスピンコーティング法または類似の方法により溶液堆積が可能である有機ポリマーが望まれること。」
　
（３）甲第３号証
　ア　甲第３号証の記載（５９頁右欄「Blends」の項）より，甲第３号証には，下記の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合。」
　イ　また，甲第３号証の記載（５９頁右下欄「Blends」の項）より，甲第３号証には，下記の事項が記載されていると認められる。
　「小分子半導体のフィルム形成性を向上するため，ＴＩＰＳペンタセンと絶縁体ポリマー又は半導体ポリマーとの混合が説得力のある戦略となってきていて，近年のポリ（α−メチルスチレン）とＴＩＰＳペンタセンとの混合の研究では，スピンキャストフィルムで，０．５４ｃｍ２／Ｖ・ｓに達する移動度を示し，ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合では，トップ−ゲート構造のスピンキャストフィルムは，１．１ｃｍ２／Ｖ・ｓに達する飽和移動度が得られ，良好なデバイス均一性及び安定性を伴ったこと。」
　
（４）甲第４号証
　甲第４号証の記載（７０頁右欄「Synthesis」の項）より，甲第４号証には，下記の事項が記載されていると認められる。
　「パラジウム触媒を使用したＳｕｚｕｋｉカップリングにより合成された，ポリ（ビス（４−フェニル）（２，４，６−トリメチルフェニル）アミン）」
　
（５）甲第５号証
　甲第５号証の記載（【０００１】ないし【０００８】，【００３０】，【００３２】，【００５２】，【００５３】，【００７８】，【００８６】，【００８８】，【０１１３】，【０１２２】，【０１２３】及び【０１２５】）より，甲第５号証には，下記の発明（以下「甲５発明」という。）が記載されていると認められる。
　「１，０００Ｈｚにおける誘電率が３．３以下で，１０−５ｃｍ２／Ｖｓの電荷キャリア移動度を有する，半導体である有機結合剤，及び式Ａのポリアセン化合物を含む有機半導体層。
式Ａ」
　
（６）甲第６号証
　甲第６号証の記載（【０００１】，【０００６】，【０００８】，【００１５】ないし【００２０】，【００７４】，【００７５】，【００７７】及び【００７８】）より，甲第６号証には，下記の事項が記載されていると認められる。
　「可溶性ポリアセン類に半導体バインダーとしてポリトリアリールアミンを含む有機半導体配合物を有する，短いチャネル長の有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）。」
　
４　特許異議申立理由の検討
（１）異議理由１について
　ア　異議理由１Ａについて
（ア）対比
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，以下のとおりと認められる。
　ａ　一致点
　「可溶性のポリアセン半導体及びポリマーの結合剤を有する半導体組成物。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　一致点に係る構成の「結合剤」について，本件特許発明１は「ポリマー半導体の結合剤」であって，「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」し，「電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い」のに対し，甲１発明は，「１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有するポリマー」で，「ポリマー半導体」とは認められず，また，「電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い」との特定はされていない点。
（イ）相違点についての判断
　本件特許明細書の記載（【０００９】，【００１０】）より，本件特許発明は，薄膜トランジスタを製造する際にトランジスタの性能が不均一になることが，トランジスタの寸法をできるだけ減少し，チャネル長さを減少しようとするときに極めて大きな問題となるとの課題に鑑み，電子デバイスにおける全体的性能均一性に優れるとともに，良好な電荷移動度を兼ね備える半導体組成物を得ることを目的としたものと認められる。
　そして，本件特許明細書の実施例の記載（【００６９】，【００７３】ないし【０１８９】）より，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体の結合剤である，実施例１ないし１０のポリマーと可溶性のポリアセン半導体を有する半導体組成物を用いた薄膜トランジスタにおいて，短チャネル化しても電荷移動度が維持され，トランジスタの性能が均一となり，本件特許発明の目的が達成されることが記載されていると認められる。
　他方，上記３（２）及び（３）より，甲第２号証には，電子デバイス用の有機ポリマーは，高い誘電率を有することが望ましいことが，また，甲第３号証には，ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合では，１．１ｃｍ２／Ｖ・ｓに達する飽和移動度が得られ，良好なデバイス均一性及び安定性を伴うことが，それぞれ記載されている。
　しかし，可溶性のポリアセン半導体において，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体の結合剤を有することで，チャネル長さを減少した場合でも，良好な電荷移動度を有し，トランジスタの性能（電荷移動度）が不均一にならないようにすることは，甲第２号証及び甲第３号証のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そうすると，甲１発明において，「１ｋＨｚにて３．３を超える誘電率を有するポリマー」を，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体に置き換えることや，それによる作用効果を，電子デバイス用の有機ポリマーの誘電率についてのみ記載された甲第２号証と，ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合の電荷移動度とデバイス均一性及び安定性についてのみ記載された甲第３号証とから，当業者が容易に想到し得るとは認められない。
　以上から，相違点１に係る構成は，甲１発明において，甲第２号証，及び甲第３号証にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（ウ）小括
　したがって，本件特許発明１は，異議理由１Ａの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　そして，同様の理由により，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４も，異議理由１Ａの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
　イ　異議理由１Ｂについて
（ア）対比
　本件特許発明１と甲５発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，以下のとおりと認められる。
　ａ　一致点
　「可溶性のポリアセン半導体及びポリマー半導体の結合剤を有する半導体組成物であり，前記ポリマー半導体の結合剤の電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，半導体組成物。」
　ｂ　相違点
　・相違点２
　一致点に係る構成の「ポリマー半導体の結合剤」について，本件特許発明１は「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」するのに対し，甲５発明は，「１，０００Ｈｚにおける誘電率が３．３以下」である点。
（イ）相違点についての判断
　甲第５号証の記載（【０００５】，【０００６】）より，甲５発明は，改善された電荷移動度，及び有機半導体層の改善された安定性および整合性を得ることを目的とし，１，０００Ｈｚにおける誘電率が３．３以下の有機結合剤，及び式Ａのポリアセン化合物を含む有機半導体層を提供するものと認められる。
　そして，甲第５号証には，上記有機結合剤の誘電率について，以下の記載がある。
  「ポリマーである結合剤は，絶縁結合剤または半導体結合剤，またはそれらの混合物のいずれかを含んでもよく，ここでは，有機結合剤，ポリマー結合剤または単に結合剤と呼ぶ。
  本発明の好ましい結合剤は，低い誘電率の材料，すなわち１，０００Ｈｚにおいて３．３以下の誘電率，εを有するものである。有機結合剤は，好ましくは，１，０００Ｈｚにおいて３．０より小さい，さらに好ましくは，２．９以下の誘電率を有する。好ましくは，有機結合剤は，１，０００Ｈｚで１．７よりも大きい誘電率を有する。結合剤の誘電率が，２．０〜２．９の範囲であることがとくに好ましい。ある特定の理論に束縛されることは望まないが，１，０００Ｈｚで３．３よりも大きい誘電率の結合剤を用いることは，電子デバイス，たとえばＯＦＥＴのＯＳＣ層の移動度を減少させるかもしれないと考えられている。さらに，高い誘電率の結合剤は，また望ましくない増加した電流ヒステリシスをもたらし得る。」（【００４７】）
　また，甲第５号証における実施例の記載（【０１２０】の【表２０】，【０１２２】の【表２１】）によれば，甲５発明における有機結合剤として，１，０００Ｈｚにおける誘電率が３．３以下のものを用いたトランジスタでは，電荷移動度が大きく，１，０００Ｈｚにおける誘電率が３．３より大きいものを用いたトランジスタでは，電荷移動度が小さいか，測定不能である。
　そうすると，甲第５号証の記載より，甲５発明における有機結合剤として，１０００Ｈｚで３.３より高い誘電率を有するものを用いることには，阻害要因があるというべきである。
　以上より，甲５発明において，本件特許発明１のように，有機結合剤を「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」するものとすること（相違点２に係る構成とすること）には，阻害要因があると認められるから，他の甲号証の記載にかかわらず，甲５発明において，相違点２に係る構成とすることを，当業者が容易に想到し得るとは認められない。
（ウ）小括
　したがって，本件特許発明１は，異議理由１Ｂの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　そして，同様の理由により，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４も，異議理由１Ｂの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
　ウ　異議理由１Ｃについて
（ア）対比
　本件特許発明１と甲３発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，以下のとおりと認められる。
　ａ　一致点
　「可溶性のポリアセン半導体及びポリマー半導体の結合剤を有する半導体組成物。」
　ｂ　相違点
　・相違点３
　一致点に係る構成の「ポリマー半導体の結合剤」について，本件特許発明１は，「電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高」く，「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」するのに対し，甲３発明では，「電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い」との特定，及び「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」するとの特定はされていない点。
（イ）相違点についての判断
　本件特許明細書の記載（【０００９】，【００１０】）より，本件特許発明は，薄膜トランジスタを製造する際にトランジスタの性能が不均一になることが，トランジスタの寸法をできるだけ減少し，チャネル長さを減少しようとするときに極めて大きな問題となるとの課題に鑑み，電子デバイスにおける全体的性能均一性に優れるとともに，良好な電荷移動度を兼ね備える半導体組成物を得ることを目的としたものと認められる。
　そして，本件特許明細書の実施例の記載（【００６９】，【００７３】ないし【０１８９】）より，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体の結合剤である，実施例１ないし１０のポリマーと可溶性のポリアセン半導体を有する半導体組成物を用いた薄膜トランジスタにおいて，短チャネル化しても電荷移動度が維持され，トランジスタの性能が均一となり，本件特許発明の目的が達成されることが記載されていると認められる。
　他方，上記３（２）及び（３）より，甲第２号証には，電子デバイス用の有機ポリマーは，高い誘電率を有することが望ましいことが，また，甲第３号証には，ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合では，１．１ｃｍ２／Ｖ・ｓに達する飽和移動度が得られ，良好なデバイス均一性及び安定性を伴うことが，それぞれ記載されている。
　しかし，可溶性のポリアセン半導体において，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体の結合剤を有することで，チャネル長さを減少した場合でも，良好な電荷移動度を有し，トランジスタの性能（電荷移動度）が不均一にならないようにすることは，甲第２号証及び甲第３号証のいずれにも記載も示唆もされていない。
　そうすると，甲３発明において，ポリマー半導体の結合剤として，「電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高」く，「１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」するものを用いることや，それによる作用効果を，電子デバイス用の有機ポリマーの誘電率についてのみ記載された甲第２号証と，ＴＩＰＳペンタセンとポリ（トリール）アミン半導体ポリマーの混合の電荷移動度とデバイス均一性及び安定性についてのみ記載された甲第３号証とから，当業者が容易に想到し得るとは認められない。
　以上から，相違点３に係る構成は，甲３発明において，甲第２号証及び甲第３号証にそれぞれ記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
（ウ）小括
　したがって，本件特許発明１は，異議理由１Ｃの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　そして，同様の理由により，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４も，異議理由１Ｃの理由により，当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
　
　エ　小括
　上記アないしウのとおりであるから，異議理由１に理由はない。
　
（２）異議理由２について
　ア　本件特許発明１について
　「半導体組成物」という「物」の発明である本件特許発明１について，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から，当業者が，その物を作れ，かつ，その物を使用できるか否かについて，以下検討する。
　本件特許発明１について，当業者は，本件請求項１の記載から発明を把握することができると認められ，また，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件特許発明１における「可溶性のポリアセン半導体」及び「ポリマー半導体の結合剤」それぞれの化学物質名又は化学構造式が示されているから，当業者は，本件特許発明１を，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができると認められる。
　そして，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「ポリマー半導体の結合剤」の製造方法，「半導体組成物」の製造方法，「半導体組成物」の溶液の塗布方法，並びに「半導体組成物」を用いた「有機薄膜トランジスタ」の製造方法及びその特性が記載されている（【００７３】ないし【０１８８】）から，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「物」の発明である本件特許発明１について，その「物を作れる」ように記載され，また，「その物を使用できる」ように記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細説明には，本件特許発明１について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　
　イ　本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８について
　「半導体組成物」という「物」の発明である本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８について，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から，当業者が，その物を作れ，かつ，その物を使用できるか否かについて，以下検討する。
　本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８について，当業者は，本件請求項２ないし４，本件請求項１７，及び本件請求項１８の記載から発明を把握することができると認められ，また，上記アと同様の理由により，当業者は，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８を，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができると認められる。
　そして，上記アと同様の理由により，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「物」の発明である本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８について，その「物を作れる」ように記載され，また，「その物を使用できる」ように記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細説明には，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，及び本件特許発明１８について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　
　ウ　本件特許発明２２について
　「有機薄膜トランジスタ」という「物」の発明である本件特許発明２２について，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から，当業者が，その物を作れ，かつ，その物を使用できるか否かについて，以下検討する。
　本件特許発明２２について，当業者は，本件請求項２２の記載から発明を把握することができると認められ，また，上記アと同様の理由により，当業者は，本件特許発明２２を，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができると認められる。
　そして，上記アと同様の理由により，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「物」の発明である本件特許発明２２について，その「物を作れる」ように記載され，また，「その物を使用できる」ように記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細説明には，本件特許発明２２について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　
　エ　本件特許発明２３について
　「有機薄膜トランジスタの製造方法」という「方法」の発明である本件特許発明２３について，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から，当業者が，その方法を使用できるか否かについて，以下検討する。
　「有機薄膜トランジスタの製造方法」の発明である，本件特許発明２３について，当業者は，本件請求項２３の記載から発明を把握することができると認められ，また，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「ポリマー半導体の結合剤」の製造方法，「半導体組成物」の製造方法，「半導体組成物」の溶液の塗布方法，並びに「半導体組成物」を用いた「有機薄膜トランジスタ」の製造方法及びその特性が記載されている（【００７３】ないし【０１８８】）から，当業者は，本件特許発明２３を，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができると認められる。
　加えて，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「方法」の発明である本件特許発明２３について，「その方法を使用できる」ように記載されていることも認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細説明には，本件特許発明２３について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　
　オ　本件特許発明２４について
　「有機半導体組成物の溶液」という「物」の発明である本件特許発明２４について，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から，当業者が，その物を作れ，かつ，その物を使用できるか否かについて，以下検討する。
　本件特許発明２４について，当業者は，本件請求項２４の記載から発明を把握することができると認められ，また，上記アと同様の理由により，当業者は，本件特許発明２４を，本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載から読み取ることができると認められる。
　そして，上記アと同様の理由により，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，「物」の発明である本件特許発明２４について，その「物を作れる」ように記載され，また，「その物を使用できる」ように記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細説明には，本件特許発明２４について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　
　オ　小括
　したがって，異議理由２に理由はない。
　
（３）異議理由３について
　本件請求項１の記載より，本件特許発明１には，「可溶性のポリアセン半導体及びポリマー半導体の結合剤を有する半導体組成物」であって，「前記ポリマー半導体の結合剤は１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」し，「前記ポリマー半導体の結合剤の電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０-７ｃｍ２／Ｖｓより高い」ものが含まれ得ると認められる。
　他方，本件特許明細書の記載（【０００９】，【００１０】）より，本件特許発明は，薄膜トランジスタを製造する際にトランジスタの性能が不均一になることが，トランジスタの寸法をできるだけ減少し，チャネル長さを減少しようとするときに極めて大きな問題となるとの課題に鑑み，電子デバイスにおける全体的性能均一性に優れるとともに，良好な電荷移動度を兼ね備える半導体組成物を得ることを目的としたものと認められる。
　そして，本件特許明細書の実施例の記載（【００６９】，【００７３】ないし【０１８９】）より，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有し，電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０−７ｃｍ２／Ｖｓより高い，ポリマー半導体の結合剤である，実施例１ないし１０のポリマーと可溶性のポリアセン半導体を有する半導体組成物を用いた薄膜トランジスタにおいて，短チャネル化しても電荷移動度が維持され，トランジスタの性能が均一となり，本件特許発明の目的が達成されることが記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許発明１における「可溶性のポリアセン半導体及びポリマー半導体の結合剤を有する半導体組成物」であって，「前記ポリマー半導体の結合剤は１０００Ｈｚで３.４より高い誘電率を有」し，「前記ポリマー半導体の結合剤の電荷移動度は，純粋状態で測定したとき，１０-７ｃｍ２／Ｖｓより高い」との構成により，本件特許発明における上記の目的が達成されることは，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていると認められる。
　以上から，本件特許発明１は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものということができる。
　そして，同様の理由により，本件特許発明２ないし４，本件特許発明１７，本件特許発明１８，及び本件特許発明２２ないし２４も，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されたものということができる。
　したがって，異議理由３に理由はない。
　
（４）小括
　上記（１）ないし（３）より，本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項に係る特許を，異議理由１ないし３によって取り消すことはできない。
　
　
第３　結言
　
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし４，請求項１７，請求項１８，及び請求項２２ないし２４の各請求項に係る特許は，特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことができない。
　また，他に，本件特許の上記各請求項に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年６月１日（２０１７．６．１）