【事件の表示】
　特許第５８６４４８１号発明「低温結合方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８６４４８１号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項９について訂正することを認める。
　特許第５８６４４８１号の請求項１ないし２０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　特許第５８６４４８１号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし２０に係る特許についての手続の経緯は，以下のとおりである。 
　　平成２５年　７月　８日　特許出願
（２００１年（平成１３年）２月１５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０００年２月１６日，米国）を国際出願日とする出願である特願２００１−５６０４３８号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２５年７月８日に新たな特許出願（特願２０１３−１４３０３８号）とした。）
　　平成２７年１１月１７日　特許査定
　　平成２８年　１月　８日　特許の設定登録 
　　平成２８年　８月１６日　特許異議の申立て（特許異議申立人　尾田久敏）
　　平成２８年１０月２０日　取消理由通知
　　平成２９年　１月１９日　意見書・訂正請求書提出（特許権者）
　　平成２９年　１月２７日　通知書
（特許法第１２０条の５第５項の規定により，特許異議申立人に訂正請求があった旨の通知をし，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，指定した期間内に特許異議申立人から意見書の提出はなかった。）
　
　
第２　訂正の適否
　
１　訂正の内容
　平成２９年１月１９日に提出された訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）の記載より，本件訂正請求書で特許権者が求めている訂正（以下「本件訂正」という。）における訂正事項（訂正事項１）は，次のとおりのものと認められる。（当審注．訂正箇所に下線を付した。）
　・訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項９の「所望の結合化学種で停止された前記第１および第２の結合面を活性化することを含んだ請求項１記載の方法。」との記載を，「
前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，
　
２　新規事項の有無，拡張・変更の存否，訂正の目的の適否，及び一群の請求項について
（１）訂正の目的について 
　本件訂正前の請求項９に記載の「所望の結合化学種で停止された前記第１および第２の結合面を活性化する」との発明特定事項は，当該請求項が引用する請求項１に記載の「前記第１，第２の結合面をエッチングすること； 前記エッチング工程の後，前記第１，第２の結合面を溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された結合面を形成すること」との関係が不明であるため，本件訂正前の請求項９は，特許法第３６条第６項第２号に規定する「発明が明確であること」という要件に適合するとは認められないものである。 
　そして，訂正事項１は，本件訂正前の請求項９記載を，「前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化することを含んだ請求項１記載の方法。」として，請求項１の上記の記載における「前記第１，第２の結合面をエッチングすること」の内容を限定した，本件訂正後の請求項９に訂正するものであって，請求項１の上記の記載との関係を明確にして「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　以上から，訂正事項１による訂正は，特許法第１２０条の５第２項第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
（２）願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書には，「前記エッチング工程は，前記第１，第２の結合面を活性にすること，および前記第１，第２の結合面に選択された結合基を形成することを含んでもよい。結合基は，またおおよそ室温で化学結合の形成可能に形成されてもよく，かつ化学結合は結合基を前記第１，第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に形成してもよい。前記化学結合は，前記結合基を拡散または解離することによって，前記結合面の結合強度を増大することができる。・・・前記エッチング工程後，前記合面は溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された(terminate)結合面を形成してもよい。前記化学種は，少なくとも一つのシラノール基，ＮＨ２基，フッ素基およびＨＦ基を含んでもよい。また，所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成してもよい。表面を停止することは，前記僅かなエッチング後に前記結合材料をアンモニア系溶液でリンスすることを含んでもよい。アンモニア系溶液は，水酸化アンモニアまたはフッ化アンモニウムであってもよい。」（【００１７】及び【００１８】）との記載があるから，訂正事項１による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項２による訂正は，特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
（３）実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
　上記（２）のとおり，本件訂正後の請求項９の記載は，当該請求項で引用する請求項１に記載の「前記第１，第２の結合面をエッチングすること」の内容を限定するものであるから，訂正事項１による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２０条の５第９項において準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，本件訂正は，特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので，訂正後の請求項９について訂正を認める。
　
　
 第３　取消理由及び特許異議の申立てについて
　
１　本件発明
　本件訂正により訂正された，訂正後の請求項１ないし２０の各請求項（以下，訂正後の請求項１ないし２０を「本件請求項１」ないし「本件請求項２０」という。）に係る発明（以下，訂正後の各請求項に係る発明を，請求項１ないし２０の区分に応じて，「本件発明１」ないし「本件発明２０」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし２０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
  第１，第２の結合面を形成すること；
  前記第１，第２の結合面をエッチングすること；
  前記エッチング工程の後，前記第１，第２の結合面を溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された結合面を形成すること；および
  前記エッチング工程及び前記浸漬工程後に室温で前記第１，第２の結合面を共に結合することを含む結合方法。
【請求項２】
  前記エッチング工程は，前記エッチング後の前記第１，第２の結合面のそれぞれの面粗さが前記エッチング前のそれぞれの面粗さと同じになるように前記第１，第２の結合面をエッチングすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
  ０．１から３．０ｎｍの範囲の表面粗さを有する第１，第２の結合面を形成することを含む請求項２記載の方法。
【請求項４】
  前記エッチング工程は，前記第１，第２の結合面を活性にし，前記第１，第２の結合面に選択された結合基を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
  化学結合を形成可能な結合基を室温で形成することを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
  結合基を前記第１，第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に化学結合を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
  前記結合基を拡散または解離することによって前記第１，第２の結合面間の結合強度を増大することを含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
  前記エッチング工程は，所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
　前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化することを含んだ請求項１記載の方法。
【請求項１０】
  前記所望の化学種は，少なくとも一つのシラノール基，ＮＨ２基，フッ素基およびＨＦ基を含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
  前記第１の結合面は，表面に形成されたデバイスを有する第１半導体ウェハの表面を備え，かつ前記第２の結合面は，表面に形成されたデバイスを有する第２半導体ウェハの表面を備える請求項１記載の方法。
【請求項１２】
  前記第１，第２のウェハのいずれかは，前記第１，第２のウェハのいずれかの基板の一部を除去後にデバイス領域を備える請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
  前記第１，第２のウェハ中のデバイスを相互に接続することを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
  前記第１のウェハは，第１のタイプの第１電気デバイスを含み，前記第２のウェハは，前記第１のタイプとは異なる第２のタイプの第２電気デバイスを含む請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
  前記第１，第２のウェハのいずれかは，集積回路を備える請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
  少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
【請求項１７】
  少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
【請求項１８】
  少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
【請求項１９】
  プラズマＲＩＥ法を用いて前記第１および第２の結合面をエッチングすることを含む請求項１記載の方法。
【請求項２０】
  前記第１および第２の結合面の少なくとも一方として絶縁性の結合面を形成することを含む請求項１記載の方法。」
　
２　取消理由の概要
　訂正前の特許請求の範囲の請求項１ないし２０の各請求項に係る特許に対して，平成２８年１０月２０日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は，以下のとおりである。
（１）取消理由１（特許法第３６条第６項第１号及び第２号）
　ア　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件特許の請求項９に記載の「所望の結合化学種で停止された前記第１および第２の結合面を活性化する」との発明特定事項は記載されておらず，また，当該技術分野における技術常識を参酌しても，本件特許の請求項９に係る発明の上記発明特定事項が記載されているとは認められない。
　そうすると，本件特許の請求項９に係る発明は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明とは認められない。
　
　イ　本件特許の特許請求の範囲の請求項１には，「前記第１，第２の結合面をエッチングすること； 前記エッチング工程の後，前記第１，第２の結合面を溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された結合面を形成すること」と記載されているところ，当該請求項を引用する，本件特許の特許請求の範囲の請求項９には「所望の結合化学種で停止された前記第１および第２の結合面を活性化する」と記載され，本件特許の請求項９の記載からは，本件特許の請求項１における上記の記載と，本件特許の請求項９における上記の記載の関係が不明であり，また，本件特許の請求項９の上記の記載によって特定される事項の内容も不明である。
　そうすると，本件特許の特許請求の範囲の請求項９には，当該請求項に係る発明の構成が明確に記載されているとは認められない。
　
　ウ　よって，本件特許の請求項９に係る発明は，特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件に適合せず，特許を受けることができないから，上記請求項に係る特許は，取り消すべきものである。
　
（２）取消理由２（特許法第２９条第１項第３号）
　ア　本件特許の請求項９に記載された事項は，原出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「原出願の当初明細書等」という。）に記載されておらず，また，当該技術分野における技術常識を参酌しても，原出願の当初明細書等の記載から自明であるとはいえない。
　そうすると，本件特許の請求項９に記載された事項は，原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内であるとはいえないから，本件特許に係る出願は分割要件を満たしておらず，出願の分割は認められない。
　そして，本件特許に係る出願について，特許法第４４条第２項の規定は適用されないから，本件特許に係る出願は，現実の出願日である，平成２５年７月８日にしたものと認める。
　
　イ　上記アのとおり，本件特許に係る出願は分割要件を満たしておらず，出願の分割は認められないから，特許異議申立書２６頁下から２行ないし２６頁３行までに記載された理由により，本件特許の請求項１ないし８，及び請求項１０ないし２０の各請求項に係る発明は，いずれも，本件特許に係る出願の出願日前，国内において頒布された刊行物である，甲第５号証（原出願の公表公報である特表２００３−５２３６２７号公報）に記載された発明と認められる。
　
　ウ　よって，本件特許の請求項１ないし８，及び請求項１０ないし２０の各請求項に係る発明は，いずれも，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，上記各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
３　取消理由についての判断
（１）取消理由１について
　ア　本件特許明細書における「前記エッチング工程は，前記第１，第２の結合面を活性にすること，および前記第１，第２の結合面に選択された結合基を形成することを含んでもよい。結合基は，またおおよそ室温で化学結合の形成可能に形成されてもよく，かつ化学結合は結合基を前記第１，第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に形成してもよい。前記化学結合は，前記結合基を拡散または解離することによって，前記結合面の結合強度を増大することができる。・・・前記エッチング工程後，前記合面は溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された(terminate)結合面を形成してもよい。前記化学種は，少なくとも一つのシラノール基，ＮＨ２基，フッ素基およびＨＦ基を含んでもよい。また，所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成してもよい。表面を停止することは，前記僅かなエッチング後に前記結合材料をアンモニア系溶液でリンスすることを含んでもよい。アンモニア系溶液は，水酸化アンモニアまたはフッ化アンモニウムであってもよい。」（【００１７】及び【００１８】）との記載より，本件請求項９に記載の「前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化すること」は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載されていると認められる。
　
　イ　本件請求項９に記載の「前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化すること」は，当該請求項９で引用する，本件請求項１に記載の「前記第１，第２の結合面をエッチングすること」の内容を限定したものと認められ，本件請求項９の上記の記載により，当該請求項に係る発明の構成は，明確に特定されているということができる。
　ウ　上記ア及びイより，本件請求項９は，特許法第３６条第６項第第１号及び第２号，それぞれに規定する要件に適合する。
　
（２）取消理由２について
　ア　原出願の願書に最初に添付した明細書の「前記エッチング工程は，前記第１，第２の結合面を活性にすること，および前記第１，第２の結合面に選択された結合基を形成することを含んでもよい。結合基は，またおおよそ室温で化学結合の形成可能に形成されてもよく，かつ化学結合は結合基を前記第１，第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に形成してもよい。前記化学結合は，前記結合基を拡散または解離することによって，前記結合面の結合強度を増大することができる。・・・前記エッチング工程後，前記合面は溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された(terminate)結合面を形成してもよい。前記化学種は，少なくとも一つのシラノール基，ＮＨ２基，フッ素基およびＨＦ基を含んでもよい。また，所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成してもよい。表面を停止することは，前記僅かなエッチング後に前記結合材料をアンモニア系溶液でリンスすることを含んでもよい。アンモニア系溶液は，水酸化アンモニアまたはフッ化アンモニウムであってもよい。」（【００１７】及び【００１８】）との記載より，本件請求項９に記載の「前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化すること」は，原出願の当初明細書等に記載された事項と認められる。
　そうすると，本件請求項９に記載された事項は，原出願の当初明細書等に記載された事項の範囲内であるから，本件特許に係る出願について，出願の分割が認められる。
　そして，特許法第４４条第２項の規定により，本件特許に係る出願は，原出願の国際出願日である，２００１年（平成１３年）２月１５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０００年２月１６日，米国）にされたものとみなす。
　
　イ　上記アより，本件特許に係る出願について，特許法第４４条第２項の規定による出願日の遡及が認められるから，原出願の優先権主張の日（以下「原出願の優先日」という。）後，国内において頒布された刊行物である甲第５号証に記載された発明は，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明には該当しない。
　そうすると，本件請求項１ないし８，及び本件請求項１０ないし２０の各請求項に係る発明は，いずれも，甲第５号証に記載された発明であるとの理由で，特許法第２９条第１項第３号に該当するとはいえない。
　
（３）小括
　したがって，取消理由１によって，本件請求項９に係る特許を取り消すことはできず，また，取消理由２によって，本件請求項１ないし８，及び本件請求項１０ないし２０の各請求項に係る特許を取り消すことはできない。
　
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人が主張する特許異議申立理由のうち，取消理由通知において採用しなかったものの概要は，以下のとおりである。
　ア　異議理由１（特許法第２９条第１項第３号及び第２号（同法第１１３条第２号））
　本件特許の請求項１ないし８，及び請求項１０ないし２０の各請求項に係る発明は，いずれも，原出願の優先権主張の日（以下「原出願の優先日」という。）前，日本国内において頒布された刊行物である，特開平６−３０２４８６号公報（甲第１号証）に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　そうでないとしても，本件特許の請求項１，請求項２，請求項４ないし８，及び請求項１６ないし２０の各請求項に係る発明は，甲第１号証に記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，本件特許の請求項３に係る発明は，甲第１号証に記載の発明において，原出願の優先日前，日本国内及び外国において頒布された刊行物である，Hideki Takagi, Ryutaro Maeda, Teak Ryong Chung, Naoe Hosodaand Tadatomo Suga, Effect of Surface Roughness Room-Temperature Wafer Bonding by Ar Beam Surface Activation, Jpn. J. Appl. Phys. Vol.37(1998)pp4197-4203（甲第２−１号証）及び原出願の優先日前，日本国内において頒布された刊行物である，高木秀樹，前田龍太郎，須賀唯知「アルゴンビームエッチングによるシリコンの常温無加圧接合」（電学論，１１７巻８号（平成９年）４２０−４２５頁（甲第３号証）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，本件特許の請求項１０に係る発明は，甲第１号証に記載の発明において，甲第２−１号証に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであり，また，本件特許の請求項１１ないし１５の各請求項に係る発明は，甲第１号証に記載の発明において，原出願の優先日前，日本国内において頒布された刊行物である，特開平８−２１３５４８号公報（甲第４号証）に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件請求項１ないし８，及び本件請求項１０ないし２０の各請求項に係る発明は，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものであり，当該各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
　イ　異議理由２（特許法第１７条の２第３項（同法第１１３条第１号））
　本件特許の請求項９に記載された「所望の結合化学種で停止された前記第１および第２の結合面を活性化すること」は，本件特許に係る出願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面には記載されていない。
　そうすると，本件特許の請求項９に上記の記載を加える補正は，本件特許に係る出願の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではなく，特許法第１７条の２第３項の規定に適合しないから，本件特許の請求項９に係る発明は，特許を受けることができないものであり，当該請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
　ウ　異議理由３（特許法第３６条第４項第１号，及び第６項第２号（同法第１１３条第４号））
　本件特許の請求項１６ないし１８には，それぞれ，「少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ること」，「少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ること」，及び「少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ること」と記載されているが，接合強度に関する記載は発明の課題を記載するにとどまり，その計測方法が不明であり，当業者が実施し得る程度に記載されていない。
　当該強度は，上記各請求項で引用している本件特許の請求項１に係る発明により得られるものでないから，本件特許の請求項１との関係が不明確であり，また，アニーリングにより得られるのであれば，発明の課題（段落【００１２】）と背反し，貯蔵により得られるのであれば課題解決手段が不明確である。
　以上から，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件特許の請求項１６ないし１８に係る発明について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されておらず，また，本件特許の請求項１６ないし１８には，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されていない。
　
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の検討
　ア　異議理由１について
（ア）甲号証の記載について
　ａ　甲第１号証について
　甲第１号証の記載より，甲第１号証には，下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「真空槽１１内において，接合ホルダー１２に，予め鏡面研磨した被複合材料１３及び１４の接合面を露出して保持すること，
　上記被複合材料１３及び１４の接合表面をイオンエッチングにより清浄化すること，
　清浄化された後，上記真空槽１１内において，水分子噴射ノズル４１により純水ボトル４３からの水蒸気を導入して，真空雰囲気中で上記被接合材料１３及び１４の表面に水酸基を吸着させること，及び
　水酸基を吸着させた後，上記被接合材料１３及び１４の表面の接合表面を密着させ，一方の被接合材料面の水酸基の水素と，他方の被接合材料面の酸素原子との間に水素結合を発生させ，常温・低加圧力で接合することを含む２つの材料の直接接合方法。」
　ｂ　甲第２号証について
　甲第２号証の記載より，甲第２号証には，以下の事項が記載されていると認められる。
　・「結合力は最初，Ａｒビームエッチングにより増加した。ここで示された全てのボンディング実験では，２つの試料が結合したとき１ＭＰａの荷重を適用した。３０秒のエッチングは，最大結合力を得るに十分である。」
　・「６０秒のエッチングで，２つの試料を共に加圧するために適用された荷重の効果を調査した．エッチング時間は表面酸化物を除去するに十分であるが，この時間は短いのでボンディングを阻害するような表面粗さを発生させない。」
　・「６０秒のエッチング後の表面は，約０．３ｎｍのｒｍｓ粗さである。」
　・「ウェハ表面上の−ＯＨグループ及び／又は−Ｈ，−Ｆ間の水素結合と，Ｈ２Ｏ及び又はＨＦ分子によってそれらをブリッジすることが従来方法では重要な役割であった。」
　ｃ　甲第３号証について
　甲第３号証の記載より，甲第３号証には，「シリコンウェハーの表面が研磨技術の進歩により数原子層のステップ以下の粗さ（０．３ｎｍ程度）に仕上げられていること」が記載されていると認められる。
　ｄ　甲第４号証について
　甲第４号証の記載より，甲第４号証には，「結合面が，表面にデバイスが形成された第１及び第２半導体ウェハの表面であること」が記載されていると認められる。
（ウ）対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，以下のとおりであると認められる。
　ａ　一致点
「第１，第２の結合面を形成すること；
  前記第１，第２の結合面をエッチングすること；
  前記エッチング工程の後，所望の化学種で停止された結合面を形成すること；および
  前記エッチング工程及び前記浸漬工程後に室温で前記第１，第２の結合面を共に結合することを含む結合方法。」
　ｂ　相違点
　一致点における「前記エッチング工程の後，所望の化学種で停止された結合面を形成する」との構成について，本件発明１は，「前記第１，第２の結合面を溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された結合面を形成する」のに対し，甲１発明は，「真空槽１１内において，水分子噴射ノズル４１により純水ボトル４３からの水蒸気を導入して，真空雰囲気中で上記被接合材料１３及び１４の表面に水酸基を吸着させる」点。
（エ）判断
　以下，上記（ウ）より，本件発明１について，新規性及び進歩性それぞれの有無を検討する。
　ａ　新規性について
　上記（ウ）のとおり，本件発明１と甲１発明との間には，相違点があるから，本件発明１は甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　ｂ　進歩性について
　甲第１号証の記載より，甲１発明は，予めＳｉウエハを互いに鏡面研磨し，硫酸，過酸化水混合液に浸積してその表面を親水化処理（水酸基吸着）する従来技術では，上記親水化処理は，水溶液中で実施されるウエットプロセスであり，真空槽内で実施されるドライプロセスとは連続的に実施できない（【０００３】，【０００４】）との問題点に鑑み，２つの材料を直接接合する際に，真空雰囲気中で常温・低加圧力，しかも非加熱で接合できる２つの材料の直接接合方法を提供することを課題とした（【０００７】）ものと認められ，そして，甲１発明は，水分子噴射ノズル４１を真空槽内に設けることにより，真空槽や排気ポンプを汚染することなく，必要にして十分な水酸基量を制御性よく被接合材料表面に噴射，吸着させることができる（【００３８】）ようにしたものと認められる。
　そうすると，甲１発明において，水分子噴射ノズル４１により純水ボトル４３からの水蒸気を導入して，真空雰囲気中で被接合材料１３及び１４の表面に水酸基を吸着させる構成を，被接合材料１３及び１４の結合面を溶液に浸漬する構成に変更すると，甲１発明における上記の課題の解決は妨げられるから，当該構成の変更，すなわち，相違点に係る構成とすることには，阻害要因があると認められ，当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　以上から，本件発明１は，甲第１号証に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
（オ）小括
　ａ　上記（エ）ａのとおり，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明であるとは認められず，また，本件発明１の構成を備える本件発明２ないし８及び本件発明１０ないし２０も，甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　ｂ　上記（エ）ｂのとおり，本件発明１は，甲第１号証に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められず，また，本件発明１の構成を備える本件発明２ないし８及び本件発明１０ないし２０も，同様の理由により，甲第１号証，及び甲第２ないし４号証に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものとは認められない。
　ｃ　したがって，異議理由１に理由はない。
　
　イ　異議理由２について
　前記第２のとおり，本件特許の特許請求の範囲の請求項９は，本件訂正により訂正され，上記１の本件請求項９のとおり，「前記エッチング工程は，所望の結合化学種で停止される前に，前記第１および第２の結合面を活性化することを含んだ請求項１記載の方法。」との記載となった。
　そして，本件特許の願書に最初に添付した明細書には，「前記エッチング工程は，前記第１，第２の結合面を活性にすること，および前記第１，第２の結合面に選択された結合基を形成することを含んでもよい。結合基は，またおおよそ室温で化学結合の形成可能に形成されてもよく，かつ化学結合は結合基を前記第１，第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に形成してもよい。前記化学結合は，前記結合基を拡散または解離することによって，前記結合面の結合強度を増大することができる。・・・前記エッチング工程後，前記合面は溶液に浸漬し，所望の化学種で停止された(terminate)結合面を形成してもよい。前記化学種は，少なくとも一つのシラノール基，ＮＨ２基，フッ素基およびＨＦ基を含んでもよい。また，所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成してもよい。表面を停止することは，前記僅かなエッチング後に前記結合材料をアンモニア系溶液でリンスすることを含んでもよい。アンモニア系溶液は，水酸化アンモニアまたはフッ化アンモニウムであってもよい。」（【００１７】及び【００１８】）との記載があるから，本件請求項９に記載された事項は，本件特許の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載されていると認められる。
　そうすると，本件発明９は，本件特許の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載されていると認められるから，特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　したがって，異議理由２に理由はない。
　
　ウ　異議理由３について
（ア）実施可能要件（特許法第３６条第４項第１号）について
　ａ　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，以下の記載がある。（当審注．下線は当審で付した。）
（ａ）「【００３０】
　図１および図３の（Ａ）〜（Ｅ）を参照して本発明に係る方法の第１実施形態を説明する。
ウェハ３０，好ましくは処理された半導体デバイスウェハ，より好ましくは処理されたシリコンデバイスウェハは処理されたデバイスを持つデバイス層３１を含む
【００３１】
　前記集積回路は，残りのプロセスが結合工程後になされる，完全に処理されるか，部分的に処理されるか，いずれでもよい。結合後の処理は，完全または部分基板除去，または相互接続のための結合ウェハ間の形成を経由を含んでもよい。
【００３２】
　
結合層３２は，層３１上に形成される（ステップ１，図１）。結合層３２は，低温で堆積または形成されることができ，かつ十分に平滑な面に研磨されることができるいかなる固体状態材料でもよい
【００３３】
　層３２の面３３は，図１のスッテプ２および図３の（Ｂ）に示すように平坦化，平滑化されている。面３３の粗さ／平坦さは，例証となる目的のために図３の（Ａ）に誇張されていることに気が付く。このステップは，化学機械研磨を用いて達成される。面３３は，実質的に平坦である約３ｎｍ以下，好ましくは０．１ｎｍ以下の粗さまで研磨されることが好ましい。前記表面粗さ度合は，典型的に二乗平均（ＲＭＳ）で与えられる。また，表面粗さは前記ＲＭＳ値とほぼ同じである平均値で与えられてもよい。研磨後に面３３は，洗浄，乾燥され，研磨工程からのいかなる残渣を除去する。研磨された面３３は，それから溶液でリンスすることが好ましい。
・・・
【００３５】
　
図３の（Ｂ）は前記研磨／平坦化および洗浄工程後に上部に面３４を有する層３２を示す。面３４は，それから活性処理を受ける（図１のスッテプ３）。この活性処理は，エッチング処理，好ましくは非常に僅かなエッチング（ＶＳＥ）処理である
・・・
【００３９】
　前記ＶＳＥプロセスは，前記面を洗浄するため，およびウェハ面上の酸化物の結合を壊すために供する。前記ＶＳＥプロセスは，したがって表面活性を重大に増大できる。所望の結合化学種は前記ＶＳＥの適切な設計によってＶＳＥの間面３４を停止するために用いられる。択一的に，後ＶＳＥ処理の間，所望の停止化学種で面を活性および停止する後ＶＳＥ処理は，用いられてもよい。
【００４０】
　前記所望の化学種は，仮の結合を面３４の原子層に形成し，この面が図３の（Ｄ）に示すように同じまたは別の結合化学種３６によって停止される面で互いに接合できる次の時まで前記原子層を効果的に停止することがさらに好ましい。
前記面上の所望の化学種は，前記化学種が拡散または解離および結合界面から隔てた反応された所望の化学種の拡散によって増大される低温または室温で面３４，３６間を化学的結合をなすように十分に近接している時にさらに互いに反応することが好ましい
  
前記後ＶＳＥプロセスは，所望の化学種で結合面３４の停止をもたらす表面反応を発生するための選択された化学を含む溶液の浸漬からなることが好ましい。前記浸漬は，前記ＶＳＥプロセス後に直ぐになすことが好ましい
・・・
【００４３】
　前記ウェハは，任意にリンスされ，それから乾燥される。
２つのウェハは，それらを位置合わせ（必要であれば）することによって結合され，結合界面を形成するためにそれらを互いに接合される
【００４４】
　
自発的な結合は，それから結合界面中のいくつかの場所で典型的に生じ，ウェハにわたって増やされる。最初の結合が増やし始めるので，化学結合をもたらす高分子化のような化学反応は，前記面が十分に近くにある場合，面３４，３６を停止するのに用いられる化学種の間で起こる。結合エネルギーは，楔を挿入することによって部分的に脱離される結合界面で分離面のいずれかの特有の表面エネルギーとして規定される
（ｂ）「【実施例】
【００８１】
　例１
　第１例において，
３インチ，１〜１０Ω−ｃｍ，ボロンドープシリコンウェハが用いられ，ＰＥＣＶＤ酸化物は前記シリコンウェハのいくつかの上に堆積された
【００８２】
　２つのウェハは，プラズマシステムに装入され，両ウェハはＲＦ電極上に置かれ，ＲＩＥモードのプラズマ中で処理された。比較のために，いくつかのウェハはウェハが接地電極に置かれているプラズマモードで処理された。酸素プラズマは，１６ｓｃｃ／ｍの公称流速を用いた。ＲＦ電力は，１３，５６ＭＨｚにて２０〜４００Ｗ（典型的に８０Ｗ）で，かつ真空レベルは１００ｍＴｏｒｒであった。
前記酸化物被覆ウェハは，１５秒〜５分の間の時間でプラズマ処理された。プラズマ処理されたシリコンウェハは，適切な溶液に浸漬され，または脱イオン水でリンスされ，スピン乾燥，室温，空気中の結合が続く
【００８３】
　
結合エネルギーは，楔を界面に挿入することによって測定し，次式に従ってクラック長さを測定した
【数１】
　
【００８４】
  Ｅおよびｔｗは，一つおよび二つのウェハのヤング率および厚さであり，ｔｂはウェハのエッジから長さＬの分離ウェハでもたらされる２つのウェハ間に挿入した楔の厚さである。
【００８５】
　
結合されたプラズマ処理酸化物被覆シリコンウェハの貯蔵時間の作用としての室温結合エネルギーは，図６Ａに示される
浸漬され，結合されたＲＩＥプラズマ処理酸化物ウェハに対して，室温結合エネルギーは貯蔵時間に伴って増加し，かつ空気または低真空で〜２０時間後に安定値に達する
プラズマ処理後のＮＨ
４
ＯＨ浸漬は水リンスに比べて結合エネルギーを非常に高い増加を示す
【００８６】
　
図６Ｂは，Ｓｉの室温結合およびＰＥＣＶＤ酸化物堆積層を持つＡｌＮを示す。約１００時間の貯蔵時間後，２０００ｍＪ／ｍ
２
を超える結合エネルギーが観察された
・・・
【００８８】
　空気中，
室温で〜２４時間貯蔵後，〜１０００ｍＪ／ｍ
２
と高い結合エネルギーがＲＩＥモードプラズマ処理およびＮＨ
４
ＯＨ浸漬ＰＥＣＶＤ酸化物被覆ウェハ対で達せられた
　
【図６Ａ】
　
【図６Ｂ】
　
　ｂ　上記ａの本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載より，「結合エネルギー」は，結合された２枚のウェハの結合界面に楔を挿入することによって，当該結合界面を分離させるために必要なエネルギーを測定したものであって，上記２枚のウェハの結合の強度を表す値であると理解できる。加えて，当該技術分野において，本件特許の明細書の発明の詳細な説明に記載された，２枚のウェハの結合界面に楔を挿入することによって，当該結合界面を分離させるために必要なエネルギーを測定する方法は，当業者には周知の技術と認められる。
　そして，本件発明１６ないし１８における「接合強度」の単位は「ｍＪ／ｍ２」であり，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載の「結合エネルギー」の単位と一致し，また，本件発明１６ないし１８に係る発明における「接合強度」の値は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載の本件特許に係る発明の実施例がとり得る「結合エネルギー」の値と一致する。
　そうすると，本件発明１６ないし１８における「接合強度」は，本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載の「結合エネルギー」のことと認められ，その測定方法も，本件特許明細書の発明の詳細な説明に，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められる。
　以上から，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件発明１６ないし１８における「接合強度」の計測方法について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていると認められるので，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件発明１６ないし１８について，当業者が容易に実施し得る程度に記載されていないとの異議申立人の主張は採用できない。
（イ）明確性要件（特許法第３６条第６項第２号）について
　上記１の本件請求項１の記載より，本件発明１における第１及び第２の結合面を構成する材料として任意のものが包含され得ると認められ，また，本件発明１には，第１及び第２の結合面を結合した後，これを貯蔵することを行うものと行わないものの両方が包含され得ると認められる。
　そして，本件特許明細書の記載より，本件特許に係る発明は，「低温または室温で材料を結合する方法を提供する」（【０００８】）ことを目的とすると認められるところ，上記（ア）ａ（ａ）より，本件発明１が，上記の目的を達成し得ることは明らかであるといえる。
　そのうえで，上記（ア）ａ（ｂ）より，本件特許の請求項１６〜１８に係る発明は，いずれも，引用する本件発明１において，第１及び第２の結合面を構成する材料や，貯蔵の時間を選択した発明であることは明らかであるといえる。
　そうすると，本件請求項１６ないし１８の各請求項の記載から，当該各請求項で引用する本件発明１との関係は明確と認められる。
　以上より，上記（ア）から，本件請求項１６ないし１８の各請求項における「接合強度」との文言の意味内容は明確と認められ，また，本件請求項１６ないし１８の各請求項の記載から，当該各請求項で引用する本件発明１との関係も明確と認められるので，本件請求項１６ないし１８には，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されていないとの異議申立人が主張は採用できない。
（ウ）小括
　上記（ア）及び（イ）より，異議理由３の理由により，本件特許明細書の発明の詳細な説明が，特許法第３６条第４項第１項の規定に適合していないということはできず，また，本件請求項１６ないし１８が，同法第３６条第６項第２号の規定に適合してないということもできない。
　したがって，異議理由３に理由はない。
　
　エ　小括
　上記アないしウより，異議理由１によって，本件請求項１ないし８及び本件請求項１０ないし２０の各請求項に係る特許を取り消すことはできず，異議理由２によって，本件請求項９に係る特許を取り消すことはできず，また，異議理由３によって，本件請求項１６ないし１８の各請求項に係る特許を取り消すことはできない。
　
５　むすび
　上記２ないし４より，本件の特許請求の範囲の請求項１ないし２０の各請求項に係る特許を，当審で通知した取消理由１及び２，並びに特許異議の申立ての理由１ないし３によって取り消すことはできない。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし２０に係る特許は，取消理由通知に記載した取消理由，及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことができない。
　また，他に，本件特許の上記各請求項に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年４月３日（２０１７．４．３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　第１、第２の結合面を形成すること；
　前記第１、第２の結合面をエッチングすること；
　前記エッチング工程の後、前記第１、第２の結合面を溶液に浸漬し、所望の化学種で停止された結合面を形成すること；および
　前記エッチング工程及び前記浸漬工程後に室温で前記第１、第２の結合面を共に結合することを含む結合方法。
　【請求項２】
　前記エッチング工程は、前記エッチング後の前記第１、第２の結合面のそれぞれの面粗さが前記エッチング前のそれぞれの面粗さと同じになるように前記第１、第２の結合面をエッチングすることを含む請求項１記載の方法。
　【請求項３】
　０．１から３．０ｎｍの範囲の表面粗さを有する第１、第２の結合面を形成することを含む請求項２記載の方法。
　【請求項４】
　前記エッチング工程は、前記第１、第２の結合面を活性にし、前記第１、第２の結合面に選択された結合基を形成することを含む請求項１記載の方法。
　【請求項５】
　化学結合を形成可能な結合基を室温で形成することを含む請求項４記載の方法。
　【請求項６】
　結合基を前記第１、第２の結合面の界面から隔てて拡散または解離するように前記結合面の間に化学結合を形成することを含む請求項１記載の方法。
　【請求項７】
　前記結合基を拡散または解離することによって前記第１、第２の結合面間の結合強度を増大することを含む請求項６記載の方法。
　【請求項８】
　前記エッチング工程は、所望の原子および所望の分子のいずれかの単一層を前記結合面に形成することを含む請求項１記載の方法。
　【請求項９】
　
前記エッチング工程は、所望の結合化学種で停止される前に
　【請求項１０】
　前記所望の化学種は、少なくとも一つのシラノール基、ＮＨ２基、フッ素基およびＨＦ基を含む請求項１記載の方法。
　【請求項１１】
　前記第１の結合面は、表面に形成されたデバイスを有する第１半導体ウェハの表面を備え、かつ前記第２の結合面は、表面に形成されたデバイスを有する第２半導体ウェハの表面を備える請求項１記載の方法。
　【請求項１２】
　前記第１、第２のウェハのいずれかは、前記第１、第２のウェハのいずれかの基板の一部を除去後にデバイス領域を備える請求項１１記載の方法。
　【請求項１３】
　前記第１、第２のウェハ中のデバイスを相互に接続することを含む請求項１１記載の方法。
　【請求項１４】
　前記第１のウェハは、第１のタイプの第１電気デバイスを含み、前記第２のウェハは、前記第１のタイプとは異なる第２のタイプの第２電気デバイスを含む請求項１１記載の方法。
　【請求項１５】
　前記第１、第２のウェハのいずれかは、集積回路を備える請求項１１記載の方法。
　【請求項１６】
　少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
　【請求項１７】
　少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
　【請求項１８】
　少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
　【請求項１９】
　プラズマＲＩＥ法を用いて前記第１および第２の結合面をエッチングすることを含む請求項１記載の方法。
　【請求項２０】
　前記第１および第２の結合面の少なくとも一方として絶縁性の結合面を形成することを含む請求項１記載の方法。