(57)【要約】      （修正有）【課題】パネルにおける配線による伝送信号の減衰を低減できる表示パネルを提供する。【解決手段】表示パネルは、基板と、第１薄膜トランジスタユニット１４１と、第２薄膜トランジスタユニット１４２，１４３と、第１配線（走査線１２１，１２２）と、第２配線（データ線１３１，１３２）と、を含み、基板は、第１表面を有し、第１薄膜トランジスタユニット１４１及び第２薄膜トランジスタユニット１４２，１４３は、基板の第１表面に配置され、第１配線は、基板の第１表面に設けられ、第１薄膜トランジスタユニット１４１に電気的に接続され、斜面を有し、第２配線は、基板の第１表面に設けられ、第２薄膜トランジスタユニット１４２，１４３に電気的に接続され、斜面を有し、第１配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度と、第２配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度とは異なる。【選択図】図２
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルであって、
基板と、第１薄膜トランジスタユニットと、第２薄膜トランジスタユニットと、第１配線と、第２配線と、を含み、
前記基板は、第１表面を有し、
前記第１薄膜トランジスタユニット及び第２薄膜トランジスタユニットは、前記基板の前記第１表面に配置され、
前記第１配線は、前記基板の前記第１表面に設けられ、前記第１薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、斜面を有し、
前記第２配線は、前記基板の前記第１表面に設けられ、前記第２薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、斜面を有し、
前記第１配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度と、前記第２配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度とは異なることを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第１配線は、走査線であり、前記第２配線は、データ線であることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第２配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度は、前記第１配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度より大きいことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記基板の前記第１表面に設けられ、それぞれ斜面を有する第３配線と第４配線とをさらに含み、前記第１配線及び前記第３配線は、第１方向に沿って配置され、前記第２配線及び前記第４配線は、第２方向に沿って配置され、前記第１方向と前記第２方向が交差し、且つ前記第１配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度と、前記第３配線又は前記第４配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度とは異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１配線及び前記第３配線は、走査線であり、前記第２配線及び前記第４配線は、データ線であることを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第２配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度と、前記第４配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度との角度差は、前記第１配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度と、前記第３配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度との角度差より小さいことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第１配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ１１とし、前記第３配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ１２としたとき、θ１１及びθ１２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１＝１〜６０％を満たすことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第２配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ２１とし、前記第４配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ２２としたとき、θ２１及びθ２２は、式｜θ２１−θ２２｜／θ２１＝５〜２０％を満たすことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第１配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ１１とし、前記第３配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ１２とし、前記第２配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ２１とし、前記第４配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度をθ２２としたとき、θ１１、θ１２、θ２１及びθ２２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１≠｜θ２１−θ２２｜／θ２１を満たすことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項１０】
前記第１配線の厚さと、前記第２配線の厚さとは異なることを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１１】
前記第２配線の厚さが、前記第１配線の厚さより厚いことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項１２】
前記第２配線と前記第４配線との厚さの変化量は、前記第１配線と前記第３配線との厚さの変化量より大きいことを特徴とする請求項４に記載の表示パネル。
【請求項１３】
表示パネルであって、
基板と、第１薄膜トランジスタユニットと、第２薄膜トランジスタユニットと、第１配線と、第２配線と、を含み、
前記第１薄膜トランジスタユニット及び第２薄膜トランジスタユニットは、前記基板に配置され、
前記第１配線は、前記基板に設けられ、前記第１薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、
前記第２配線は、前記基板に設けられ、前記第２薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、
前記第１配線の厚さと前記第２配線の厚さとは異なることを特徴とする表示パネル。
【請求項１４】
前記第１配線は、走査線であり、前記第２配線は、データ線であることを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記第２配線の厚さは、前記第１配線の厚さより大きいことを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項１６】
第３配線と第４配線とをさらに含み、前記第１配線及び前記第３配線は、第１方向に沿って配置され、前記第２配線及び前記第４配線は、第２方向に沿って配置され、前記第１方向と前記第２方向が交差し、且つ前記第１配線の厚さと、前記第３配線又は前記第４配線の厚さとは異なることを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記第１配線及び前記第３配線は、走査線であり、前記第２配線及び前記第４配線は、データ線であることを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項１８】
前記第２配線と前記第４配線との厚さの変化量は、前記第１配線と前記第３配線との厚さの変化量より大きいことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項１９】
前記第１配線の厚さをＭ１１とし、前記第３配線の厚さをＭ１２としたとき、Ｍ１１及びＭ１２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１＝５〜２０％を満たすことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項２０】
前記第２配線の厚さをＭ２１とし、前記第４配線の厚さをＭ２２としたとき、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１＝５〜５０％を満たすことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項２１】
前記第１配線の厚さをθ１１とし、前記第３配線の厚さをθ１２とし、前記第２配線の厚さをＭ２１とし、前記第４配線の厚さをＭ２２としたとき、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１≠｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１を満たすことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【請求項２２】
前記基板は、第１表面を有し、前記第１配線及び前記第２配線のそれぞれは、斜面を有し、且つ前記第１配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度と、前記第２配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度とは異なることを特徴とする請求項１３に記載の表示パネル。
【請求項２３】
前記基板は、第１表面を有し、前記第１配線及び前記第２配線のそれぞれは、斜面を有し、且つ前記第２配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度は、前記第１配線の斜面又はその延長線と前記第１表面との角度より大きいことを特徴とする請求項１４に記載の表示パネル。
【請求項２４】
前記基板は、第１表面を有し、前記第２配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度と、前記第４配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度との角度差は、前記第１配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度と、前記第３配線の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度との角度差より小さいことを特徴とする請求項１６に記載の表示パネル。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、表示パネルに関し、特に、パネルにおける配線による伝送信号の減衰を低減できる表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示パネル技術の進歩に伴い、表示パネルに対して市場の要求する画面解像度が日々向上しており、各メーカーは、ハイエンド表示パネルの開発を盛んに行っている。特に、４Ｋ２Ｋパネルの登場、または、手持ち式表示装置（例えば、携帯、タブレットＰＣ等）に対するより高解像度ＰＰＩ（１インチあたりのピクセル数；ｐｉｘｅｌｓ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）が求められている。そのため、今後のパネル業界の動向として、単位面積当たりより多くのピクセルを収容する必要がある。
【０００３】
しかしながら、高解像度ＰＰＩの要求を満たすために、現在の配線（走査線またはデータ線を含む）の線幅と同じ場合には、当然ながらこの線幅によって開口率が低下することになる。したがって、現在知られている開口率を犠牲にすることなく高解像度ＰＰＩの要求を満たす方法として、配線の線幅を小さくすることによって、高開口率を維持しつつ、単位面積当たりより多くのピクセルを収容する方法がある。しかし、配線の線幅をある程度に小さくすると、製造過程において、配線が細すぎて剥離を起こしやすくなるとともに、配線抵抗が上昇するようになり、データ信号が減衰するという問題も生じる。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、上記問題を解決でき、さらに、高解像度ＰＰＩの表示装置に応用できる表示パネルの開発が強く望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本考案は、上記の点に鑑みてなされたものであって、その目的は、パネルにおける配線の厚さ又は配線の側辺の角度を設計することによって、配線抵抗を低減し、データ信号が減衰するという問題を解決できる、表示パネルを提供することである。
【０００６】
上述した目的を達成するために、本考案の表示パネルは、基板と、第１薄膜トランジスタユニットと、第２薄膜トランジスタユニットと、第１配線と、第２配線と、を含み、基板は、第１表面を有し、第１薄膜トランジスタユニット及び第２薄膜トランジスタユニットは、基板の第１表面に配置され、第１配線は、基板の第１表面に設けられ、第１薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、斜面を有し、第２配線は、基板の第１表面に設けられ、第２薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、斜面を有し、第１配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度と、第２配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度とは異なる。
【０００７】
ここで、第１配線及び第２配線は、それぞれ走査線又はデータ線である。本考案の一実施態様において、第１配線は走査線であってもよく、第２配線はデータ線であってもよい。この場合、第２配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度は、第１配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度より大きい。
【０００８】
また、本考案の表示パネルは、基板の第１表面に設けられ、それぞれ斜面を有する第３配線と第４配線とをさらに含み、第１配線及び第３配線は、第１方向に沿って配置され、第２配線及び第４配線は、第２方向に沿って配置され、第１方向と第２方向が交差し、且つ第１配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度と、第３配線又は第４配線の斜面又はその延長線と第１表面との角度とは異なる。ここで、第１配線及び第３配線は、走査線であってもよく、第２配線及び第４配線は、データ線であってもよい。この場合、第２配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度と、第４配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度との角度差は、第１配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度と、第３配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度との角度差より小さい。
【０００９】
ここで、第１配線、第２配線、第３配線及び第４配線は、それぞれ走査線又はデータ線である。本考案の一実施態様において、第１配線及び第３配線は、走査線あってもよく、第２配線及び第４配線は、データ線であってもよい。
【００１０】
本考案の一実施態様において、第１配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度をθ１１とし、第３配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度をθ１２としたとき、θ１１及びθ１２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１＝１〜６０％を満たす。また、第２配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度をθ２１とし、第４配線の斜面又はその延長線が第１表面となす角度をθ２２としたとき、θ２１及びθ２２は、式｜θ２１−θ２２｜／θ２１＝５〜２０％を満たす。この時、θ１１、θ１２、θ２１及びθ２２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１≠｜θ２１−θ２２｜／θ２１を満たす。
【００１１】
本考案の他の表示パネルは、基板と、第１薄膜トランジスタユニットと、第２薄膜トランジスタユニットと、第１配線と、第２配線と、を含み、第１薄膜トランジスタユニット及び第２薄膜トランジスタユニットは、基板に配置され、第１配線は、基板に設けられ、第１薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、第２配線は、基板に設けられ、第２薄膜トランジスタユニットに電気的に接続され、第１配線の厚さと第２配線の厚さとは異なる。
【００１２】
ここで、第１配線及び第２配線は、それぞれ走査線又はデータ線である。本考案の一実施態様において、第１配線は走査線であってもよく、第２配線はデータ線であってもよい。この場合、第２配線の厚さは、第１配線の厚さより大きい。
【００１３】
また、本考案の表示パネルは、第３配線と第４配線とをさらに含み、第１配線及び第３配線は、第１方向に沿って配置され、第２配線及び第４配線は、第２方向に沿って配置され、第１方向と第２方向が交差し、且つ、第１配線の厚さと、第３配線又は第４配線の厚さとは異なる。ここで、第１配線及び第３配線は、走査線であってもよく、第２配線及び第４配線は、データ線であってもよい。この場合、第２配線と第４配線との厚さの変化量は、第１配線と第３配線との厚さの変化量より大きい。
【００１４】
ここで、第１配線、第２配線、第３配線及び第４配線は、それぞれ走査線又はデータ線である。本考案の一実施態様において、第１配線及び第３配線は、走査線あってもよく、第２配線及び第４配線は、データ線であってもよい。
【００１５】
本考案の一実施態様において、第１配線の厚さをＭ１１とし、第３配線の厚さをＭ１２としたとき、Ｍ１１及びＭ１２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１＝５〜２０％を満たす。また、第２配線の厚さをＭ２１とし、第４配線の厚さをＭ２２としたとき、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１＝５〜５０％を満たす。この時、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１≠｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１を満たす。
【００１６】
また、本考案の別の表示パネルにおいて、配線が、上記厚さの特徴を有するとともに、斜面又はその延長線と第１表面となす上記角度の特徴を有する。
【００１７】
本考案において、「斜面」とは、配線の上面と下面とを連結する側辺である。ここで、配線の上面及び下面は、それぞれ基板の第１表面と実質的に平行な表面である。また、本考案において、「厚さ」とは、配線のその長さ方向に対して垂直な断面の厚さであり、「斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度」とは、配線のその長さ方向に対して垂直な断面の斜面又はその延長線が前記第１表面となす角度である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本考案の実施例１に係る表示パネルの概略図である。
【図２】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板の概略図である。
【図３】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板の断面概略図である。
【図４Ａ】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板の走査線のＡ１−Ａ１’線に沿った概略断面図である。
【図４Ｂ】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板の走査線のＡ２−Ａ２’線に沿った概略断面図である。
【図５Ａ】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板のデータ線のＢ１−Ｂ１’線に沿った概略断面図である。
【図５Ｂ】本考案の実施例に係る薄膜トランジスタ基板のデータ線のＢ２−Ｂ２’線に沿った概略断面図である。
【考案を実施するための形態】
【００１９】
以下、本考案の利点及び効果を理解しやすくするために、具体的な実施例を例示し、本考案の実施例について説明する。本考案は、その他の具体的な実施例によって実行や応用することができる。本明細書に開示される技術的思想の範囲内において当業者による様々な変更および修正が可能である。
【００２０】
[実施例１]
図１は、本考案の好ましい実施例に係る液晶表示パネルの概略図である。本実施例の液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ基板１と、カラーフィルタ基板２と、複数のスペーサ３と、液晶層４と、シール剤５とを含む。薄膜トランジスタ基板１及びカラーフィルタ基板２は、互いに対向して配置され、スペーサ３及び液晶層４は、薄膜トランジスタ基板１とカラーフィルタ基板２との間に配置され、且つ、シール剤５によって、薄膜トランジスタ基板１とカラーフィルタ基板２とを対向して組み合わせる。以下、本考案の液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板１の設計について詳しく説明する。
【００２１】
図２は、本実施例に係る液晶表示パネルの薄膜トランジスタ基板を示す概略平面図である。本実施例の薄膜トランジスタ基板は、第１基板（図示せず）と、その上方に配置された複数の配線（走査線１２１，１２２と、データ線１３１，１３２とを含む）と、第１薄膜トランジスタユニット１４１と、第２薄膜トランジスタユニット１４２，１４３と、画素電極１５と、蓄積電極１７とを含む。ここで、２つの隣接した走査線１２１，１２２と２つの隣接したデータ線１３１，１３２によって、画素ユニットが定義される。画素ユニットにおいて、薄膜トランジスタユニット（即ち、第１薄膜トランジスタユニット１４１）と、画素電極１５と、蓄積電極１７とを含み、且つ、画素電極１５は、２つの隣接した走査線１２１，１２２と２つの隣接したデータ線１３１，１３２との間に設けられる。以下、本考案の液晶表示パネルの走査線１２１，１２２及びデータ線１３１，１３２の設計について詳しく説明する。
【００２２】
図３は、本実施例に係る液晶表示パネルにおける薄膜トランジスタ基板の図２のＡ１−Ａ１’線、Ｂ１−Ｂ１’線、Ｃ−Ｃ’線に沿った断面概略図である。ここで、図２の第１薄膜トランジスタユニット１４１の一部のみを例示しているが、他の領域の薄膜トランジスタユニットも同時に同じ製造方法で製作される。本実施例の薄膜トランジスタ基板の製造過程において、まず、基板１１上にゲート１４１１及び走査線１２１を形成する。その後、基板１１、ゲート１４１１及び走査線１２１上に絶縁層１４１２（「ゲート絶縁層」ともいう）を形成してから、ゲート１４１１の上方に半導体層１４１３を形成する。そして、半導体層１４１３上にソース１４１４及びドレイン１４１５を形成すると同時に、絶縁層１４１２上にデータ線１３１を形成することで、本実施例のデータ線１３１、走査線１２１及び第１薄膜トランジスタユニット１４１の製作を完成した。最後に、保護層１４１６及び画素電極１５を順に形成すると、本実施例の薄膜トランジスタ基板の製作を完成した。ここで、ゲート１４１１、走査線１２１、ソース１４１４、ドレイン１４１５及びデータ線１３１の材料は、例えば、金属、合金、金属酸化物、金属酸窒化物などの本技術分野で一般的に用いられている導電材料、又はその他の本技術分野で一般的に用いられている電極材料が使用されてもよい。金属材料が好ましいが、それに限定されない。本考案のゲート線、走査線及び電極は、単一材料層に限らず、複数の材料によって積層された複合層を使用してもよい。本実施例において、ゲート１４１１及び走査線１２１を形成する金属複合層の材料は、基板１１側から上へ順に積層されるＴｉ層及びＣｕ層である。一方、ソース１４１４、ドレイン１４１５及びデータ線１３１を形成する金属複合層の材料は、基板１１側から上へ順に積層されたＭｏ層、Ａｌ層及びＭｏ層である。しかし、他の実施例において、上述した材料に限定されない。
【００２３】
図４Ａ及び図４Ｂは、それぞれ、本実施例による走査線の図２のＡ１−Ａ１’線及びＡ２−Ａ２’線に沿った概略断面図である。図５Ａ及び図５Ｂは、それぞれ、本実施例によるデータ線の図２のＢ１−Ｂ１’線及びＢ２−Ｂ２’線に沿った概略断面図である。図において、走査線及びデータ線を詳しく説明するために、その上方の他の層を省略している。図２に示すように、走査線１２１，１２２は、それぞれ、第１薄膜トランジスタユニット１４１及び第２薄膜トランジスタユニット１４２に電気的に接続され、且つ、走査線１２１，１２２は、第１方向Ｙに実質的に沿って並列に配置される。図４に示すように、走査線１２１，１２２は、それぞれ、斜面１２１’，１２２’を有する。また、図２に示すように、データ線１３１，１３２は、それぞれ、第１薄膜トランジスタユニット１４１及び第２薄膜トランジスタユニット１４３に電気的に接続され、且つ、データ線１３１，１３２は、第２方向Ｘに実質的に沿って並列に配置される。そして、図５に示すように、データ線１３１，１３２は、それぞれ、斜面１３１’，１３２’を有する。
【００２４】
本実施例において、図２、図４Ａ及び図４Ｂを同時に参照すると、異なる走査線１２１，１２２が異なる厚さを有する。具体的には、本実施例において、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、第１薄膜トランジスタユニット１４１に電気的に接続された走査線１２１（第１配線）の厚さＭ１１が、第２薄膜トランジスタユニット１４２に電気的に接続された走査線１２２（第２配線）の厚さＭ１２と異なる。Ｍ１１とＭ１２との厚さの変化量は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１＝５〜２０％を満たすことが好ましい。
【００２５】
また、本実施例において、図２、図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、異なるデータ線１３１，１３２は、異なる厚さを有している。具体的には、本実施例において、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、第１薄膜トランジスタユニット１４１に電気的に接続されたデータ線１３１（第１配線）の厚さＭ２１が、第２薄膜トランジスタユニット１４３に電気的に接続されたデータ線１３２（第２配線）の厚さＭ２２と異なる。Ｍ２１とＭ２２との厚さの変化量は、式｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１＝５〜５０％を満たすことが好ましい。
【００２６】
また、本実施例において、図２、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを同時に参照すると、データ線１３１（第２配線）の厚さＭ２１とデータ線１３２（第４配線）の厚さＭ２２との変化量が、走査線１２１（第１配線）の厚さＭ１１と走査線１２２（第３配線）の厚さＭ１２との変化量と異なるように設計されている。すなわち、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１≠｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１を満たす。データ線１３１（第２配線）の厚さＭ２１とデータ線１３２（第４配線）の厚さＭ２２との変化量が、走査線１２１（第１配線）の厚さＭ１１と走査線１２２（第３配線）の厚さＭ１２との変化量より大きい。すなわち、Ｍ１１、Ｍ１２、Ｍ２１及びＭ２２は、式｜Ｍ１１−Ｍ１２｜／Ｍ１１＜｜Ｍ２１−Ｍ２２｜／Ｍ２１を満たす。
【００２７】
本実施例において、図２、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを同時に参照すると、走査線１２１，１２２及びデータ線１３１，１３２等の複数の配線は、同一又は異なる厚さを有するように設計されてもよい。この理由は、従来の方法として、配線抵抗を低減するために、配線（走査線及びデータ線を含む）の線幅を大きくするように設計されているが、開口率の低下をもたらすため、高解像度ＰＰＩの要求を満たすことができないためである。したがって、本実施例において、パネルにおける信号伝送負荷の大きい箇所に応じて配線の厚さを大くすることによって、配線抵抗を低減し、データ信号の減衰量を低減するとともに、高開口率を維持することができる。データ線１３１，１３２の厚さＭ２１，Ｍ２２を走査線１２１，１２２の厚さＭ１１，Ｍ１２より大きくするように設計されることが好ましい。この理由は、走査線の場合には、線幅を大きくすることによって導電面積が増大し、配線抵抗が低減するが、データ線の場合には、線幅を大きくするように設計されると、開口率が低下するためである。したがって、本実施例において、開口率を維持しつつ、データ線信号の伝送損失を避けるために、データ線の厚さを大くすることによって、データ線の線幅が小さくなるとともに、高開口率及び伝送損失の低減を図ることができる。
【００２８】
本実施例の表示パネルにおいて、一部の走査線の厚さが、それぞれ０．５６μｍ、０．５７１μｍ、０．５７１μｍ、０．５７１μｍ、０．５７１μｍ、０．５７１μｍ及び０．５８２μｍとなるように設計される。このため、上記走査線の厚さの差が約０．０１〜０．０２μｍの範囲にある。また、本実施例の表示パネルにおいて、一部のデータ線の厚さが、それぞれ０．６１５μｍ、０．６８１μｍ、０．６３７μｍ、０．５９３μｍ、０．６２６μｍ、０．６４８μｍ、０．６９２μｍ及び０．６５９μｍとなるように設計される。このため、データ線の厚さの差が約０．０２〜０．１μｍの範囲にある。しかし、本実施例の表示パネルにおいて、他の走査線及びデータ線の厚さが、上記値に限定されず、上記厚さの設計条件を満足すれば、開口率を維持しつつ、配線抵抗及び伝送損失を低減するという本実施例の目的を達成することができる。
【００２９】
厚さの設計のほか、本実施例について、図２、図４Ａ及び図４Ｂを同時に参照して説明する。異なる走査線１２１，１２２の斜面１２１’，１２２’と、基板１１の第１表面１１’となす角度θ１１，θ１２が異なる。以下、「走査線１２１の斜面１２１’と基板１１の第１表面１１’となす角度θ１１」及び「走査線１２２の斜面１２２’と基板１１の第１表面１１’となす角度θ１２」は、それぞれ「角度θ１１」及び「角度θ１２」と略称する。具体的には、本実施例において、第１薄膜トランジスタユニット１４１に電気的に接続された走査線１２１（第１配線）の角度θ１１が、第２薄膜トランジスタユニット１４２に電気的に接続された走査線１２２（第２配線）の角度θ１２と異なる。θ１１及びθ１２の変化量は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１＝１〜６０％を満たすことが好ましい。
【００３０】
次に、本実施例について、図２、図５Ａ及び図５Ｂを同時に参照して説明する。異なるデータ線１３１，１３２の斜面１３１’，１３２’の延長線と、基板１１の第１表面１１’となす角度θ２１，θ２２が異なる。以下、「データ線１３１の斜面１３１’の延長線と基板１１の第１表面１１’となす角度θ２１」及び「データ線１３２の斜面１３２’と基板１１の第１表面１１’となす角度θ２２」は、それぞれ「角度θ２１」及び「角度θ２２」と略称する。具体的には、本実施例において、第１薄膜トランジスタユニット１４１に電気的に接続されたデータ線１３１（第１配線）の角度θ２１が、第２薄膜トランジスタユニット１４３に電気的に接続されたデータ線１３２（第２配線）の角度θ２２と異なる。θ２１及びθ２２の変化量は、式｜θ２１−θ２２｜／θ２１＝５〜２０％を満たすことが好ましい。
【００３１】
また、本実施例について、図２、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを同時に参照して説明する。データ線１３１（第２配線）の角度θ２１とデータ線１３２（第４配線）の角度θ２２との変化量が、走査線１２１（第１配線）の角度θ１１と走査線１２２（第３配線）の角度θ１２との変化量と異なるように設計されている。すなわち、θ１１、θ１２、θ２１及びθ２２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１≠｜θ２１−θ２２｜／θ２１を満たす。データ線１３１（第２配線）の角度θ２１とデータ線１３２（第４配線）の角度θ２２との変化量が、走査線１２１（第１配線）の角度θ１１と走査線１２２（第３配線）の角度θ１２との変化量より小さい。すなわち、θ１１、θ１２、θ２１及びθ２２は、式｜θ１１−θ１２｜／θ１１＞｜θ２１−θ２２｜／θ２１を満たすことが好ましい。
【００３２】
本実施例において、図２、図４Ａ、図４Ｂ、図５Ａ及び図５Ｂを同時に参照すると、走査線１２１，１２２及びデータ線１３１，１３２等複数の配線の斜面は、同一又は異なる角度を有するように設計されてもよい。この理由は、上述したように、異なる配線は、異なる厚さを有するように設計されてもよいが、厚さの工程制御が容易ではない場合、配線の斜面が異なる角度となるように設計されることによって、異なる抵抗値を有することができるためである。データ線１３１，１３２の角度θ２１，θ２２を走査線１２１，１２２の角度θ１１，θ１２より大きくするように設計されることが好ましい。この理由は、データ線１３１，１３２の線幅が小さく且つ厚くなって伝送損失を低減できるが、角度θ２１，θ２２が小さくなるため、データ線の底部が既定の開口領域まで延びることで開口率を低下させることは、データ線１３１，１３２の斜面１３１’，１３２’を走査線１２１，１２２の斜面１２１’，１２２’より険しくするように設計することによって避けることができるためである。
【００３３】
本実施例の表示パネルにおいて、一部の走査線の斜面角度が、それぞれ３０．９６°、３４．９９°、２１．９１°、４２．８４°、２０．７２°、４０．７６°、３６．２５°、４７．３４°及４０．５６°となるように設計される。このため、走査線の斜面角度の差が約１〜２６°の範囲にある。また、本実施例の表示パネルにおいて、一部のデータ線の厚さが、それぞれ６４．３°、６９．４°及び７７°となるように設計される。このため、データ線の斜面角度の差が約５〜１２°の範囲にある。しかし、本実施例の表示パネルにおいて、他の走査線及びデータ線の斜面角度が、上記値に限定されず、上記斜面角度の設計条件を満足すれば、開口率を維持しつつ、配線抵抗及び伝送損失を低減するという本実施例の目的を達成することができる。
【００３４】
本実施例において、上記走査線及びデータ線の厚さや斜面角度の設計は、本技術分野で知られているパターン化工程によって達成することができ、例えば、エッチング条件の制御又はグレースケールマスクによって達成することが可能である。
【００３５】
[実施例２]
本実施例に係る表示パネルの製造及び構造は、下記点を除いて実施例１と同じであり、且つ薄膜トランジスタ基板の設計も実施例１と同じである。
【００３６】
まず、ゲート１４１１、走査線１２１、ソース１４１４、ドレイン１４１５及びデータ線１３１を形成する金属複合層の材料は、基板１１側から上へ順に積層されたＴｉ層及びＣｕ層である。しかし、他の実施例において、上記材料に限定されない。
【００３７】
また、本実施例の表示パネルにおいて、一部の走査線の厚さが、それぞれ０．４６５μｍ、０．４８２μｍ、０．４５４μｍ、０．４４８μｍ、０．４６５μｍ、０．４４２μｍ、０．４３１μｍ及び０．４５９μｍとなるように設計される。このため、走査線の厚さの差が約０．０１〜０．０５μｍの範囲にある。一方、本実施例の表示パネルにおいて、一部のデータ線の厚さが、それぞれ０．４７８μｍ、０．４６９μｍ、０．４９６μｍ、０．５３２μｍ、０．５１４μｍ、０．４８７μｍ及び０．４６μｍとなるように設計される。このため、データ線の厚さの差が約０．０１〜０．０７μｍの範囲にある。
【００３８】
そして、本実施例の表示パネルにおいて、一部の走査線の斜面角度が、それぞれ３４．４２°、２４．８３°、２７．７６°、１９．８３°、２５．４６°、１８．２５°、４０．７９°及び２７．５１°となるように設計される。このため、走査線の斜面角度の差が２〜２２°の範囲にある。また、本実施例の表示パネルにおいて、一部のデータ線の斜面角度が、それぞれ６５．５６°、５６．７３°、６０．９５°、６２．１°、６１．２６°、５５．９２°、６０．２６°及び５４．１６°となるように設計される。このため、データ線の斜面角度の差が約２〜１１°の範囲にある。しかし、本実施例の表示パネルにおいて、他の走査線及びデータ線の斜面角度が、上記値に限定されない。
【００３９】
上記実施例１及び実施例２において、薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルタ基板によって構成され、一般的な液晶表示パネルを例示した。しかし、上記実施例１及び実施例２の薄膜トランジスタ基板は、他の種類の液晶表示パネル（例えば、カラーフィルタと薄膜トランジスタ基板を統合した表示パネル（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ  ｏｎ  Ａｒｒａｙ，ＣＯＡ））、有機ＥＬパネル、プラズマパネル又は本技術分野で知られている表示パネルはに適用されてもよい。これにより、開口率を維持しつつ、配線抵抗及び伝送損失を低減することができる。
【００４０】
なお、本考案によって提供された表示パネルは、当該技術分野で知られている表示装置、例えば、ディスプレイ、携帯電話、ノートパソコン、ビデオカメラ、カメラ、音楽プレーヤー、ポータブルナビゲーション、テレビなどに応用できる。
【００４１】
なお、本考案は、上記実施例に限定されるものではない。上記実施例は例示であり、本考案の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本考案の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４２】
１  薄膜トランジスタ基板
１１  基板
１１’  第１表面
１２１，１２２  走査線
１２１’，１２２’，１３１’，１３２’  斜面
１３１，１３２  データ線
１４１  第１薄膜トランジスタユニット
１４１２  絶縁層
１４１３  半導体層
１４１４  ソース
１４１５  ドレイン
１４１６  保護層
１４２，１４３  第２薄膜トランジスタユニット
１５  画素電極
１７  蓄積電極
２  カラーフィルタ基板
３  スペーサ
４  液晶層
５  シール剤
Ｍ１１，Ｍ１２，Ｍ２１，Ｍ２２  厚み
θ１１，θ１２，θ２１，θ２２  角度
Ｘ  第２方向
Ｙ  第１方向
Ａ１−Ａ１’，Ａ２−Ａ２’，Ｂ１−Ｂ１’，Ｂ２−Ｂ２’，Ｃ−Ｃ’  断面線
【図１】
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【図２】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図３】
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