(57)【要約】  高輝度で発光する発光素子を提供する。  陽極と、陰極と、燐光性の発光層と、陰極及び発光層の間に設けられ、陰極と隣接した電子輸送層（Ｂ）と、発光層及び電子輸送層（Ｂ）の間に設けられた電子輸送層（Ａ）とを有する発光素子であって、陰極に１重量％以上含まれる金属材料の中で最も小さい仕事関数：Ｐ（ｅＶ）、発光層に５重量％以上含まれる化合物の中で最も小さい電子親和力：Ｑ（ｅＶ）、電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＡ（ｅＶ）、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＢ（ｅＶ）が、式（１Ａ）〜式（４Ａ）を満たす、発光素子。      Ｐ  ＞  ３．５            （１Ａ）      Ｑ  ＜  ２．７            （２Ａ）      Ｐ  ＞  ＲＢ  ＞  Ｑ      （３Ａ）      ＲＢ  ＞  ＲＡ            （４Ａ）【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、
陰極と、
陽極及び陰極の間に設けられた燐光性の発光層と、
陰極及び発光層の間に設けられ、陰極と隣接した電子輸送層（Ｂ）と、
発光層及び電子輸送層（Ｂ）の間に設けられた電子輸送層（Ａ）とを有する発光素子であって、
電子輸送層（Ｂ）が有機化合物を含有し、
陰極に１重量％以上含まれる金属材料の中で最も小さい仕事関数：Ｐ（ｅＶ）が、式（１Ａ）を満たし、
発光層に５重量％以上含まれる化合物の中で最も小さい電子親和力：Ｑ（ｅＶ）が、式（２Ａ）を満たし、
前記Ｐ（ｅＶ）、前記Ｑ（ｅＶ）、電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＡ（ｅＶ）、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＢ（ｅＶ）が、式（３Ａ）及び式（４Ａ）を満たす、発光素子。
Ｐ  ＞  ３．５            （１Ａ）
Ｑ  ＜  ２．７            （２Ａ）
Ｐ  ＞  ＲＢ  ＞  Ｑ      （３Ａ）
ＲＢ  ＞  ＲＡ            （４Ａ）
【請求項２】
ＲＢ（ｅＶ）、及び、ＲＡ（ｅＶ）が、下記式（５Ａ）を満たす、請求項１に記載の発光素子。
ＲＢ  −  ＲＡ  ≧  ０．２          （５Ａ）
【請求項３】
Ｑ（ｅＶ）、及び、ＲＡ（ｅＶ）が、下記式（６Ａ）を満たす、請求項１又は２に記載の発光素子。
ＲＡ  −  Ｑ  ≧  ０．２            （６Ａ）
【請求項４】
陰極に１重量％以上含まれる金属材料が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、又は、ＩＺＯである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方が、芳香族高分子化合物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
芳香族高分子化合物が、下記式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物である、請求項５に記載の発光素子。
【化１】
2016194695.tif 000134
［式（ＥＴ−１）中、
Ｒ1は、式（２）、式（３）又は式（４）で表される基を表す。Ｒ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
ＡｒＥ１は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表す。
式（ＥＴ−１）で表される構成単位は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい。］
−Ｒ3−｛（Ｑ1）n1−Ｙ1（Ｍ1）a1（Ｚ1）b1｝m2    （２）
［式（２）中、
Ｒ3は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ3’を表し（Ｒ3’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ1は、−ＣＯ2-、−ＳＯ3-、−ＳＯ2-又は−ＰＯ32-を表す。Ｙ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ1は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン又はアンモニウムカチオンを表し、このアンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ1は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒaa）4-、ＲaaＳＯ3-、ＲaaＣＯＯ-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＨＳＯ4-、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、Ｈ2ＰＯ4-、ＢＦ4-又はＰＦ6-を表す。Ｒaaは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表し、ｍ２は１以上の整数を表す。ｎ１、ａ１及びｂ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ3が単結合である場合、ｍ２は１である。また、ａ１及びｂ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。］
−Ｒ4−｛（Ｑ2）n2−Ｙ2（Ｍ2）a2（Ｚ2）b2｝m3    （３）
［式（３）中、
Ｒ4は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ4’を表し（Ｒ4’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ2は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ2は、−Ｃ+Ｒc2、−Ｎ+Ｒc3、−Ｐ+Ｒc3、−Ｓ+Ｒc2又は−Ｉ+Ｒc2を表す。Ｒcは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲcは、同一でも異なっていてもよい。Ｙ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4-、ＲbＳＯ3-、ＲbＣＯＯ-、ＢＦ4-、ＳｂＣｌ6-又はＳｂＦ6-を表す。Ｒbは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒbが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｍ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ2は、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンを表す。Ｚ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表し、ｍ３は１以上の整数を表す。ｎ２、ａ２及びｂ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ３は１である。また、ａ２及びｂ２は、式（３）で表される基の電荷が０となるように選択される。］
−Ｒ5−｛（Ｑ3）n3−Ｙ3｝m4    （４）
［式（４）中、
Ｒ5は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ5’を表し（Ｒ5’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ3は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ3は、式（５）又は式（６）で表される基を表す。Ｙ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。ｎ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ5が単結合である場合、ｍ４は１である。］
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a3−Ｒ’’    （５）
【化２】
2016194695.tif 000135
［式（５）及び（６）中、
Ｒ’は、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ’’’は、炭化水素基を表し、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。
ａ３は１以上の整数を表す。］
【請求項７】
前記式（２）で表される基が、式（２’）で表される基である、請求項６に記載の発光素子。
【化３】
2016194695.tif 000136
［式（２’）中、
Ｒ6は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ１、ａ１、ｂ１、ｍ２、Ｑ1、Ｙ1、Ｍ1、Ｚ1、ｎ３、ｍ４、Ｑ3及びＹ3は、前記と同じ意味を表す。］
【請求項８】
前記式（３）で表される基が、式（３’）で表される基である、請求項６に記載の発光素子。
【化４】
2016194695.tif 000137
［式（３’）中、
Ｒ7は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ２、ａ２、ｂ２、ｍ３、Ｑ2、Ｙ2、Ｍ2、Ｚ2、ｎ３、ｍ４、Ｑ3及びＹ3は、前記と同じ意味を表す。］
【請求項９】
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方が、芳香族複素環を有する化合物である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記芳香族複素環を有する化合物が、下記式（Ｈ−１）で表される化合物である請求項９に記載の発光素子。
【化５】
2016194695.tif 000138
［式中、
ＡｒH1及びＡｒH2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎH1及びｎH2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎH2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎH3は、０以上の整数を表す。
ＬH1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲH11）2］ｎH11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎH11は、１以上１０以下の整数を表す。ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲH11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬH2は、−Ｎ（−ＬH21−ＲH21）−で表される基を表す。ＬH2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬH21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲH21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【請求項１１】
前記式（Ｈ−１）で表される化合物が、式（Ｈ−２）で表される化合物である、請求項１０に記載の発光素子。
【化６】
2016194695.tif 000139
［式中、ＡｒH1、ＡｒH2、ｎH3及びＬH1は、前記と同じ意味を表す。］
【請求項１２】
電子輸送層（Ａ）、電子輸送層（Ｂ）、及び、陰極からなる群から選ばれる少なくとも１つを塗布により形成する工程を含む、請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子等の発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子の特性を向上させるため、発光層と電極との間に様々な層を挿入する検討がなされている。例えば、発光層と電極との間に、単層の電子輸送層を有する発光素子が知られている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００３−５３０６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記発光素子の輝度は十分なものではない。
そこで、本発明は、高輝度で発光する発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の［１］〜［１２］を提供する。
［１］
陽極と、
陰極と、
陽極及び陰極の間に設けられた燐光性の発光層と、
陰極及び発光層の間に設けられ、陰極と隣接した電子輸送層（Ｂ）と、
発光層及び電子輸送層（Ｂ）の間に設けられた電子輸送層（Ａ）とを有する発光素子であって、
電子輸送層（Ｂ）が有機化合物を含有し、
陰極に１重量％以上含まれる金属材料の中で最も小さい仕事関数：Ｐ（ｅＶ）が、式（１Ａ）を満たし、
発光層に５重量％以上含まれる化合物の中で最も小さい電子親和力：Ｑ（ｅＶ）が、式（２Ａ）を満たし、
前記Ｐ（ｅＶ）、前記Ｑ（ｅＶ）、電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＡ（ｅＶ）、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物のうち最も小さい電子親和力：ＲＢ（ｅＶ）が、式（３Ａ）及び式（４Ａ）を満たす、発光素子。
Ｐ  ＞  ３．５            （１Ａ）
Ｑ  ＜  ２．７            （２Ａ）
Ｐ  ＞  ＲＢ  ＞  Ｑ      （３Ａ）
ＲＢ  ＞  ＲＡ            （４Ａ）
［２］
ＲＢ（ｅＶ）、及び、ＲＡ（ｅＶ）が、下記式（５Ａ）を満たす、［１］に記載の発光素子。
ＲＢ  −  ＲＡ  ≧  ０．２          （５Ａ）
［３］
Ｑ（ｅＶ）、及び、ＲＡ（ｅＶ）が、下記式（６Ａ）を満たす、［１］又は［２］に記載の発光素子。
ＲＡ  −  Ｑ  ≧  ０．２            （６Ａ）
［４］
陰極に１重量％以上含まれる金属材料が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、又は、ＩＺＯである、［１］〜［３］のいずれかに記載の発光素子。
［５］
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方が、芳香族高分子化合物である、［１］〜［４］のいずれかに記載の発光素子。
［６］
芳香族高分子化合物が、下記式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物である、［５］に記載の発光素子。
【化１】
2016194695.tif 000002
［式（ＥＴ−１）中、
Ｒ1は、式（２）、式（３）又は式（４）で表される基を表す。Ｒ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
ＡｒＥ１は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表す。
式（ＥＴ−１）で表される構成単位は、Ｒ1以外の置換基を有していてもよい。］
−Ｒ3−｛（Ｑ1）n1−Ｙ1（Ｍ1）a1（Ｚ1）b1｝m2    （２）
［式（２）中、
Ｒ3は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ3’を表し（Ｒ3’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ1は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ1は、−ＣＯ2-、−ＳＯ3-、−ＳＯ2-又は−ＰＯ32-を表す。Ｙ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ1は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオン又はアンモニウムカチオンを表し、このアンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ1は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒaa）4-、ＲaaＳＯ3-、ＲaaＣＯＯ-、ＮＯ3-、ＳＯ42-、ＨＳＯ4-、ＰＯ43-、ＨＰＯ42-、Ｈ2ＰＯ4-、ＢＦ4-又はＰＦ6-を表す。Ｒaaは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ１は０以上の整数を表し、ａ１は１以上の整数を表し、ｂ１は０以上の整数を表し、ｍ２は１以上の整数を表す。ｎ１、ａ１及びｂ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ3が単結合である場合、ｍ２は１である。また、ａ１及びｂ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。］
−Ｒ4−｛（Ｑ2）n2−Ｙ2（Ｍ2）a2（Ｚ2）b2｝m3    （３）
［式（３）中、
Ｒ4は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ4’を表し（Ｒ4’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ2は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ2は、−Ｃ+Ｒc2、−Ｎ+Ｒc3、−Ｐ+Ｒc3、−Ｓ+Ｒc2又は−Ｉ+Ｒc2を表す。Ｒcは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲcは、同一でも異なっていてもよい。Ｙ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｍ2は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒb）4-、ＲbＳＯ3-、ＲbＣＯＯ-、ＢＦ4-、ＳｂＣｌ6-又はＳｂＦ6-を表す。Ｒbは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒbが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｍ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｚ2は、アルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンを表す。Ｚ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ２は０以上の整数を表し、ａ２は１以上の整数を表し、ｂ２は０以上の整数を表し、ｍ３は１以上の整数を表す。ｎ２、ａ２及びｂ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ３は１である。また、ａ２及びｂ２は、式（３）で表される基の電荷が０となるように選択される。］
−Ｒ5−｛（Ｑ3）n3−Ｙ3｝m4    （４）
［式（４）中、
Ｒ5は、単結合、炭化水素基、複素環基又は−Ｏ−Ｒ5’を表し（Ｒ5’は、炭化水素基又は複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｑ3は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子又は硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｙ3は、式（５）又は式（６）で表される基を表す。Ｙ3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎ３は０以上の整数を表し、ｍ４は１以上の整数を表す。ｎ３が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ5が単結合である場合、ｍ４は１である。］
−Ｏ−（Ｒ’Ｏ）a3−Ｒ’’    （５）
【化２】
2016194695.tif 000003
［式（５）及び（６）中、
Ｒ’は、アルキレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
Ｒ’’’は、炭化水素基を表し、この炭化水素基は置換基を有していてもよい。
ａ３は１以上の整数を表す。］
［７］
前記式（２）で表される基が、式（２’）で表される基である、［６］に記載の発光素子。
【化３】
2016194695.tif 000004
［式（２’）中、
Ｒ6は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ１、ａ１、ｂ１、ｍ２、Ｑ1、Ｙ1、Ｍ1、Ｚ1、ｎ３、ｍ４、Ｑ3及びＹ3は、前記と同じ意味を表す。］
［８］
前記式（３）で表される基が、式（３’）で表される基である、［６］に記載の発光素子。
【化４】
2016194695.tif 000005
［式（３’）中、
Ｒ7は、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎ２、ａ２、ｂ２、ｍ３、Ｑ2、Ｙ2、Ｍ2、Ｚ2、ｎ３、ｍ４、Ｑ3及びＹ3は、前記と同じ意味を表す。］
［９］
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方が、芳香族複素環を有する化合物である、［１］〜［８］のいずれかに記載の発光素子。
［１０］
前記芳香族複素環を有する化合物が、下記式（Ｈ−１）で表される化合物である［９］に記載の発光素子。
【化５】
2016194695.tif 000006
［式中、
ＡｒH1及びＡｒH2は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ｎH1及びｎH2は、それぞれ独立に、０又は１を表す。ｎH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。複数存在するｎH2は、同一でも異なっていてもよい。
ｎH3は、０以上の整数を表す。
ＬH1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、−［Ｃ（ＲH11）2］ｎH11−で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＬH1が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎH11は、１以上１０以下の整数を表す。ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲH11は、同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。
ＬH2は、−Ｎ（−ＬH21−ＲH21）−で表される基を表す。ＬH2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ＬH21は、単結合、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲH21は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
［１１］
前記式（Ｈ−１）で表される化合物が、式（Ｈ−２）で表される化合物である、［１０］に記載の発光素子。
【化６】
2016194695.tif 000007
［式中、ＡｒH1、ＡｒH2、ｎH3及びＬH1は、前記と同じ意味を表す。］
［１２］
電子輸送層（Ａ）、電子輸送層（Ｂ）、及び、陰極からなる群から選ばれる少なくとも１つを塗布により形成する工程を含む、［１］に記載の発光素子の製造方法。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の発光素子は、高輝度で発光する。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
【０００８】
＜共通する用語の説明＞
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【０００９】
Meはメチル基、Etはエチル基、Buはブチル基、i-Prはイソプロピル基、t-Buはtert-ブチル基を表す。
【００１０】
水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
【００１１】
金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合又は配位結合を意味する。
【００１２】
「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×103〜１×108である重合体を意味する。
【００１３】
高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
【００１４】
高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性又は輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基又は１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
【００１５】
「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×104以下の化合物を意味する。
【００１６】
「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
【００１７】
「アルキル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、2-ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、2-エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-プロピルヘプチル基、デシル基、3,7-ジメチルオクチル基、2-エチルオクチル基、2-ヘキシルデシル基、ドデシル基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、3-フェニルプロピル基、3-(4-メチルフェニル）プロピル基、3-(3,5-ジ-ヘキシルフェニル)プロピル基、6-エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜50であり、好ましくは３〜30であり、より好ましくは４〜20である。
シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
【００１８】
「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜20であり、より好ましくは６〜10である。
アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００１９】
「アルコキシ基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜40であり、好ましくは４〜10である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert-ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7-ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜40であり、好ましくは４〜10である。
シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
【００２０】
「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜48である。
アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
【００２１】
「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、及び、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
【００２２】
１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは４〜20である。
１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
【００２３】
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
【００２４】
「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基が好ましい。
置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基及びジアリールアミノ基が挙げられる。
アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス(4-メチルフェニル)アミノ基、ビス(4-tert-ブチルフェニル)アミノ基、ビス(3,5-ジ-tert-ブチルフェニル)アミノ基が挙げられる。
【００２５】
「アルケニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜30であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルケニル基及びシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、1-プロペニル基、2-プロペニル基、2-ブテニル基、3-ブテニル基、3-ペンテニル基、4-ペンテニル基、1-ヘキセニル基、5-ヘキセニル基、7-オクテニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２６】
「アルキニル基」は、直鎖及び分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２〜20であり、好ましくは３〜20である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４〜30であり、好ましくは４〜20である。
アルキニル基及びシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、1-プロピニル基、2-プロピニル基、2-ブチニル基、3-ブチニル基、3-ペンチニル基、4-ペンチニル基、1-ヘキシニル基、5-ヘキシニル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
【００２７】
「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜60であり、好ましくは６〜30であり、より好ましくは６〜18である。
アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、及び、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式(A-1)〜式(A-20)で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００２８】
【化７】
2016194695.tif 000008
【００２９】
【化８】
2016194695.tif 000009
【００３０】
【化９】
2016194695.tif 000010
【００３１】
【化１０】
2016194695.tif 000011
［式中、Ｒ及びＲaは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表す。複数存在するＲ及びＲaは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒa同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
【００３２】
２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜60であり、好ましくは、３〜20であり、より好ましくは、４〜15である。
２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式(AA-1)〜式(AA-34)で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。
【００３３】
【化１１】
2016194695.tif 000012
【００３４】
【化１２】
2016194695.tif 000013
【００３５】
【化１３】
2016194695.tif 000014
【００３６】
【化１４】
2016194695.tif 000015
【００３７】
【化１５】
2016194695.tif 000016
【００３８】
【化１６】
2016194695.tif 000017
【００３９】
【化１７】
2016194695.tif 000018
［式中、Ｒ及びＲaは、前記と同じ意味を表す。］
【００４０】
「架橋基」とは、加熱、紫外線照射、近紫外線照射、可視光照射、赤外線照射、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、式(B-1)-(B-17)のいずれかで表される基である。これらの基は、置換基を有していてもよい。
【００４１】
【化１８】
2016194695.tif 000019
【００４２】
「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基又はシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基であってもよい。
【００４３】
＜発光素子＞
本発明の発光素子は、上述のとおり、Ｐ（ｅＶ）が式（１Ａ）を満たし、Ｑ（ｅＶ）が式（２Ａ）を満たし、Ｐ（ｅＶ）、Ｑ（ｅＶ）、ＲＡ（ｅＶ）、及び、ＲＢ（ｅＶ）が、式（３Ａ）及び式（４Ａ）を満たす。
【００４４】
Ｐ（ｅＶ）は、陰極の安定性が優れるので、好ましくは３．６以上であり、より好ましくは４．０以上であり、特に好ましくは４．３以上である。Ｐ（ｅＶ）の上限は、通常、５．５であり、好ましくは５．０である。
【００４５】
Ｑ（ｅＶ）は、燐光性の発光層の発光輝度が優れるので、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．４ｅＶであり、更に好ましくは２．３以下であり、特に好ましくは２．０以下である。Ｑ（ｅＶ）の下限は、通常、１．５である。
【００４６】
ＲＡ（ｅＶ）と、ＲＢ（ｅＶ）とは、発光素子の発光輝度が優れるので、式（５Ａ）を満たすことが好ましい。
【００４７】
ＲＡ（ｅＶ）と、Ｑ（ｅＶ）とは、発光素子の発光輝度が優れるので、式（６Ａ）を満たすことが好ましい。
【００４８】
本発明の発光素子の好ましい実施形態は、
基板上に陽極が設けられ、その上層に発光層が積層され、その上層に式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物を含有する層が積層され、その上層に式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物を含有する層が積層され、更にその上層に陰極が積層された発光素子、ならびに、
基板上に陰極が設けられ、その上層に式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物を含有する層が積層され、その上層に式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物を含有する層が積層され、その上層に発光層が積層され、更にその上層に陽極が積層された発光素子である。
これらの実施形態において、更に、保護層、バッファー層、反射層、封止層（封止膜、封止基板等）等の他の機能を有する層を設けてもよい。また、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物をを含有する層は、単層であっても多層であってもよい。
本発明の発光素子は、ボトムエミッションタイプ、トップエミッションタイプ、両面採光型のいずれであってもよい。
【００４９】
本発明の発光素子は、正孔注入性及び正孔輸送性の観点からは、陽極と発光層との間に、正孔注入層及び正孔輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
電子輸送層の材料としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物又は式（Ｈ−１）で表される化合物の他、各々、電子輸送材料が挙げられる。
正孔輸送層、正孔注入層、及び、発光層の材料としては、各々、正孔輸送材料、正孔注入材料、及び、発光材料が挙げられる。
【００５０】
正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、及び、発光材料は、発光素子の作製において、各々、正孔輸送層、電子輸送層、及び、発光層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
【００５１】
本発明の発光素子において、発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層等の各層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液又は溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。これらの中でも、各層の形成方法としては、溶液からの成膜による方法（ここで用いられる溶液を一般的に「インク」と言うことがある。）が好ましい。
積層する層の順番、数、及び、厚さは、発光効率及び素子寿命を勘案して調整すればよい。
【００５２】
溶液からの成膜に用いる溶媒は、各層の形成に用いられる材料を溶解又は均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、1,2-ジクロロエタン、1,1,2-トリクロロエタン、クロロベンゼン、o-ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；THF、ジオキサン、アニソール、4-メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、ノニルベンゼン、デシルベンゼン、ウンデシルベンゼン、ドデシルベンゼンシクロヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン、3-フェノキシトルエン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n-ペンタン、n-ヘキサン、n-へプタン、n-オクタン、n-ノナン、n-デカン、n-ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、1,2-ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；N-メチル-2-ピロリドン、N,N-ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、１，１，１−トリフルオロ−２−プロパノール、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、２，２，３，３，４，４−ヘキサフルオロブタノール、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−１−ブタノール、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−１−プロパノール、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ−２−ペンタノール、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオロ−１−ヘキサノール、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロヘプタノール等のフッ素化アルコール溶媒、水が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【００５３】
溶媒を二種以上併用する場合、以下の組み合わせが挙げられる。
4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン、4-メチルアニソール／ドデシルベンゼン、4-メチルアニソール／デシルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン、アニソール／ドデシルベンゼン、アニソール／デシルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン、トルエン／ドデシルベンゼン、トルエン／デシルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン、キシレン／ドデシルベンゼン、キシレン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン、トリメチルベンゼン／ドデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／デシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／3-フェノキシトルエン、シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン、4-メチルアニソール／へプチルベンゼン、4-メチルアニソール／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／ウンデシルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン、アニソール／へプチルベンゼン、アニソール／オクチルベンゼン、アニソール／ノニルベンゼン、アニソール／ウンデシルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン、トルエン／へプチルベンゼン、トルエン／オクチルベンゼン、トルエン／ノニルベンゼン、トルエン／ウンデシルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン、キシレン／へプチルベンゼン、キシレン／オクチルベンゼン、キシレン／ノニルベンゼン、キシレン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン／へプチルベンゼン、トリメチルベンゼン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／へプチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／デシルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／デシルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／デシルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／デシルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／デシルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／ドデシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘプチルベンゼン／デシルベンゼン、4-メチルアニソ���ル／ヘプチルベンゼン／ドデシルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／ヘキシルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／ヘプチルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、4-メチルアニソール／3-フェノキシトルエン／ウンデシルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／ヘプチルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／ペンチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘプチルベンゼン／オクチルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘプチルベンゼン／ノニルベンゼン、4-メチルアニソール／ヘプチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／デシルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／ドデシルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、アニソール／ヘプチルベンゼン／デシルベンゼン、アニソール／ヘプチルベンゼン／ドデシルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／ヘキシルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／ヘプチルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／オクチルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／ノニルベンゼン、アニソール／シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、アニソール／3-フェノキシトルエン／ウンデシルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／ヘプチルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／オクチルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／ノニルベンゼン、アニソール／ペンチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、アニソール／ヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、アニソール／ヘプチルベンゼン／オクチルベンゼン、アニソール／ヘプチルベンゼン／ノニルベンゼン、アニソール／ヘプチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／デシルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／ドデシルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、トルエン／ヘプチルベンゼン／デシルベンゼン、トルエン／ヘプチルベンゼン／ドデシルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／ヘキシルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／ヘプチルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／オクチルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／ノニルベンゼン、トルエン／シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トルエン／3-フェノキシトルエン／ウンデシルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／オクチルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／ノニルベンゼン、トルエン／ペンチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、トルエン／ヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トルエン／ヘプチルベンゼン／オクチルベンゼン、トルエン／ヘプチルベンゼン／ノニルベンゼン、トルエン／ヘプチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／デシルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／ドデシルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、キシレン／ヘプチルベンゼン／デシルベンゼン、キシレン／ヘプチルベンゼン／ドデシルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／ヘキシルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／ヘプチルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／オクチルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／ノニルベンゼン、キシレン／シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、キシレン／3-フェノキシトルエン／ウンデシルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／ヘプチルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／オクチルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／ノニルベンゼン、キシレン／ペンチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、キシレン／ヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、キシレン／ヘプチルベンゼン／オクチルベンゼン、キシレン／ヘプチルベンゼン／ノニルベンゼン、キシレン／ヘプチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／ドデシルベンゼン、ト���メチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／ドデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘプチルベンゼン／デシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘプチルベンゼン／ドデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／ヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／ヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／ヘプチルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／シクロヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／3-フェノキシトルエン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／ヘキシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／ペンチルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／ヘプチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘキシルベンゼン／ウンデシルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘプチルベンゼン／オクチルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘプチルベンゼン／ノニルベンゼン、トリメチルベンゼン／ヘプチルベンゼン／ウンデシルベンゼン。
【００５４】
溶液からの成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア印刷法、グラビア印刷法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ノズルコート法等の塗布法が挙げられる。
【００５５】
溶液からの成膜において、溶液の粘度は、印刷法の種類によって調整すればよいが、インクジェットプリント法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは25℃において１〜20mPa・sである。
【００５６】
溶液からの成膜に用いられる溶液において、溶媒の配合量は、各層の形成に用いられる材料100重量部に対して、通常、1000〜100000重量部であり、好ましくは2000〜20000重量部である。
【００５７】
本発明の発光素子の好ましい層構成としては、例えば、下記の構成が挙げられる。
（ａ）陽極−発光層−電子輸送層（２層）−陰極
（ｂ）陽極−正孔注入層−発光層−電子輸送層（２層）−陰極
（ｃ）陽極−正孔注入層−正孔輸送層−発光層−電子輸送層（２層）−陰極
【００５８】
本発明の発光素子は、界面の密着性向上や混合の防止等のために正孔輸送層、電子輸送層又は発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積層する層の順番や数、及び各層の厚さは、発光効率や素子寿命を勘案して調整すればよい。
【００５９】
次に、本発明の発光素子の構成について、詳しく説明する。
【００６０】
＜電子輸送層＞
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方は、発光素子の発光輝度が優れるので、芳香族高分子化合物であることが好ましい。
【００６１】
芳香族高分子化合物は、発光素子の発光輝度が優れるので、ヘテロ原子を含む基を側鎖に有する構成単位を含む高分子化合物であることが好ましく、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物であることがより好ましい。
【００６２】
＜式（ＥＴ−１）で表される構成単位＞
式（ＥＴ−１）で表される構成単位が有していてもよい、Ｒ1以外の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基が挙げられ、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキル基、アルコキシ基又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基である。
【００６３】
ＡｒＥ１で表される芳香族炭化水素基としては、例えば、前記アリーレン基からｎＥ１個の水素原子を除いた基が挙げられ、フェニレン基からｎＥ１個の水素原子を除いた基、ナフタレンジイル基からｎＥ１個の水素原子を除いた基、又は、フルオレンジイル基からｎＥ１個の水素原子を除いた基が好ましく、フルオレンジイル基からｎＥ１個の水素原子を除いた基がより好ましい。
ＡｒＥ１で表される複素環基としては、例えば、前記２価の複素環基からｎＥ１個の水素原子を除いた基が挙げられる。
【００６４】
ｎＥ１は、通常１〜１０の整数であり、好ましくは１〜８の整数であり、より好ましくは１又は２である。
【００６５】
Ｒ1としては、式（２）で表される基又は式（３）で表される基が好ましく、式（２）で表される基がより好ましい。
【００６６】
［式（２）で表される基］
ｎ１は、通常０〜１０の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは０〜８の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。
【００６７】
ａ１は、通常１〜１０の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の電子輸送性が優れるので、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
【００６８】
ｂ１は、通常０〜１０の整数であり、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０又は１である。
【００６９】
ａ１及びｂ１は、式（２）で表される基の電荷が０となるように選択される。
【００７０】
ｍ２は、通常１〜５の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。但し、Ｒ3が単結合である場合、ｍ２は１である。
【００７１】
Ｒ3が−Ｏ−Ｒ3’の場合、式（２）で表される基は、下記式で表される基である。
−Ｏ−Ｒ3’−｛（Ｑ1）n1−Ｙ1（Ｍ1）a1（Ｚ1）b1｝m2
【００７２】
Ｒ3で表される炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは１〜６である。
【００７３】
Ｒ3で表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の電子輸送性が優れるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００７４】
Ｒ3で表される炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ラウリル基等の炭素原子数１〜２０のアルキル基から、炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基；フェニル基、ナフチル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００７５】
Ｒ3で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５である。
【００７６】
Ｒ3で表される複素環基は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、芳香族複素環基であることが好ましい。
【００７７】
Ｒ3で表される複素環基としては、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾール等の炭素原子数２〜１３の複素環式化合物から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち１個の水素原子を除いた１価の複素環基から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００７８】
Ｒ3で表される−Ｏ−Ｒ3’の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６である。
【００７９】
Ｒ3’は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、炭化水素基であることが好ましい。Ｒ3’表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【００８０】
Ｒ3で表される−Ｏ−Ｒ3’としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、ドデシルオキシ基、シクロへキシルオキシ基等の炭素原子数１〜５０のアルコキシ基から、炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基；フェノキシ基、1-ナフチルオキシ基、2-ナフチルオキシ基、1-アントラセニルオキシ基、9-アントラセニルオキシ基、1-ピレニルオキシ基等の炭素原子数６〜４８のアリールオキシ基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基；チエニルオキシ基、ピロリルオキシ基、フリルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピペリジニルオキシ基、キノリニルオキシ基、イソキノリニルオキシ基、ピリミジニルオキシ基、トリアジニルオキシ基等の炭素原子数２〜６０の複素環オキシ基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００８１】
Ｒ3で表される−Ｏ−Ｒ3’としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基である。
【００８２】
Ｒ3は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、炭化水素基又は複素環基であることが好ましく、炭化水素基であることがより好ましく、芳香族炭化水素基であることが更に好ましく、フェニル基から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ２個を除いた基であることが特に好ましい。
【００８３】
Ｑ1で表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【００８４】
Ｑ1で表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【００８５】
Ｑ1で表されるアルキレン基又はシクロアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，２−プロピレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，５−ペンチレン基、１，６−ヘキシレン基、１，９−ノニレン基、１，１２−ドデシレン基、１，４−シクロヘキシレン基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００８６】
Ｑ1で表されるアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【００８７】
Ｑ1で表されるアリーレン基としては、例えば、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、１，５−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００８８】
Ｑ1は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキレン基、アリーレン基又は酸素原子であり、より好ましくはアルキレン基又は酸素原子である。
【００８９】
Ｙ1は、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくは−ＣＯ2-、−ＳＯ2-又は−ＰＯ32-であり、より好ましくは−ＣＯ2-である。
【００９０】
Ｍ1で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+が挙げられ、本発明の発光素子の駆動電圧が低減するので、好ましくはK+、Rb+、Cs+であり、より好ましくはCs+である。
【００９１】
Ｍ1で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+が挙げられ、本発明の発光素子の駆動電圧が低減するので、好ましくはMg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+であり、より好ましくはBa2+である。
【００９２】
Ｍ1で表されるアンモニウムカチオンが有していてもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。
【００９３】
Ｍ1は、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくはアルカリ金属カチオン又はアルカリ土類金属カチオンであり、より好ましくはアルカリ金属カチオンである。
【００９４】
Ｚ1で表されるＢ（Ｒaa）4-、ＲaaＳＯ3-及びＲaaＣＯＯ-におけるＲaaは、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキル基又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。
【００９５】
Ｚ1は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、Ｂ（Ｒaa）4-、ＲaaＳＯ3-、ＲaaＣＯＯ-、ＮＯ3-であり、より好ましくはＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＯＨ-、ＲaaＳＯ3-、ＲaaＣＯＯ-である。
【００９６】
式（２）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【００９７】
【化１９】
2016194695.tif 000020
【００９８】
【化２０】
2016194695.tif 000021
【００９９】
【化２１】
2016194695.tif 000022
［式中、Ｍ+は、Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+、Ｒｂ+、Ｃｓ+又はＮ+（ＣＨ3）4を表す。Ｍ+が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０１００】
［式（３）で表される基］
ｎ２は、通常０〜１０の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは０〜８の整数であり、より好ましくは０〜２の整数である。
【０１０１】
ａ２は、通常１〜１０の整数であり、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくは１〜５の整数であり、より好ましくは１又は２である。
【０１０２】
ｂ２は、通常０〜１０の整数であり、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくは０〜４の整数であり、より好ましくは０又は１である。
【０１０３】
ａ２及びｂ２は、式（３）で表される基の電荷が０となるように選択される。
【０１０４】
ｍ３は、通常１〜５の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。但し、Ｒ4が単結合である場合、ｍ３は１である。
【０１０５】
Ｒ4が−Ｏ−Ｒ4’の場合、式（３）で表される基は、下記式で表される基である。
−Ｏ−Ｒ4’−｛（Ｑ2）n2−Ｙ2（Ｍ2）a2（Ｚ2）b2｝m3
【０１０６】
Ｒ4で表される炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは１〜６である。
【０１０７】
Ｒ4で表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【０１０８】
Ｒ4で表される炭化水素基の例は、Ｒ3で表される炭化水素基の例と同じである。
【０１０９】
Ｒ4で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５である。
【０１１０】
Ｒ4で表される複素環基は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１１１】
Ｒ4で表される複素環基の例は、Ｒ3で表される複素環基の例と同じである。
【０１１２】
Ｒ4で表される−Ｏ−Ｒ4’の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６である。
【０１１３】
Ｒ4’は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、炭化水素基であることが好ましい。Ｒ4’表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【０１１４】
Ｒ4で表される−Ｏ−Ｒ4’の例は、Ｒ3で表される−Ｏ−Ｒ3’の例と同じである。
【０１１５】
Ｒ4で表される−Ｏ−Ｒ4’としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基である。
【０１１６】
Ｒ４は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、炭化水素基又は複素環基であることが好ましく、炭化水素基であることがより好ましく、芳香族炭化水素基であることが更に好ましく、フェニル基から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ３個を除いた基であることが特に好ましい。
【０１１７】
Ｑ2で表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１１８】
Ｑ2で表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１１９】
Ｑ2で表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例は、Ｑ1で表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例と同じである。
【０１２０】
Ｑ2で表されるアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【０１２１】
Ｑ2で表されるアリーレン基の例は、Ｑ1で表されるアリーレン基の例と同じである。
【０１２２】
Ｑ2は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキレン基、アリーレン基又は酸素原子であり、より好ましくはアルキレン基又は酸素原子である。
【０１２３】
Ｙ2で表される−Ｃ+Ｒc2、−Ｎ+Ｒc3、−Ｐ+Ｒc3、−Ｓ+Ｒc2、−Ｉ+Ｒc2におけるＲcは、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは水素原子、アルキル基、又はアリール基であり、より好ましくは水素原子又はアルキル基である。
【０１２４】
Ｙ2は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であり、かつ、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の安定性が優れるので、好ましくは−Ｃ+Ｒc2、−Ｎ+Ｒc3、−Ｐ+Ｒc3又は−Ｓ+Ｒc2であり、より好ましくは−Ｎ+Ｒc3である。
【０１２５】
Ｍ2で表されるＢ（Ｒb）4-、ＲbＳＯ3-、ＲbＣＯＯ-におけるＲbは、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキル基、又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基である。
【０１２６】
Ｍ2は、本発明の発光素子の寿命が優れるので、好ましくはＦ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、Ｂ（Ｒb）4-、ＲbＳＯ3-、ＲbＣＯＯ-、ＢＦ4-、又はＳｂＦ6-であり、より好ましくはＢｒ-、Ｉ-、Ｂ（Ｒb）4-、ＲbＣＯＯ-又はＳｂＦ6-である。
【０１２７】
Ｚ2で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+が挙げられ、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくはLi+、Na+、K+である。
【０１２８】
Ｚ2で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+が挙げられ、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくはMg2+、Ca2+である。
【０１２９】
Ｚ2は式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルカリ金属カチオンである。
【０１３０】
式（３）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【０１３１】
【化２２】
2016194695.tif 000023
【０１３２】
【化２３】
2016194695.tif 000024
【０１３３】
【化２４】
2016194695.tif 000025
【０１３４】
【化２５】
2016194695.tif 000026
【０１３５】
【化２６】
2016194695.tif 000027
［式中、Ｘ-は、Ｆ-、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、Ｂ-（Ｃ6Ｈ5）4、ＣＨ3ＣＯＯ-又はＣＦ3ＳＯ3-を表す。］
【０１３６】
［式（４）で表される基］
ｎ３は、通常０〜３０の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくは０〜２０の整数であり、より好ましくは０〜８の整数である。
【０１３７】
ｍ４は、通常１〜５の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくは１又は２であり、より好ましくは１である。但し、Ｒ5が単結合である場合、ｍ４は１である。
【０１３８】
Ｒ5で表される炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは１〜６である。
【０１３９】
Ｒ5で表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、本発明の高分子化合物の電子輸送性が優れるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【０１４０】
Ｒ5で表される炭化水素基の例は、Ｒ3で表される炭化水素基の例と同じである。
【０１４１】
Ｒ5で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２〜６０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５である。
【０１４２】
Ｒ5で表される複素環基は、本発明の高分子化合物の電子輸送性が優れるので、芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１４３】
Ｒ5で表される複素環基の例は、Ｒ3で表される複素環基の例と同じである。
【０１４４】
Ｒ5で表される−Ｏ−Ｒ5’の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１２であり、より好ましくは１〜６である。
【０１４５】
Ｒ5’は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、炭化水素基であることが好ましい。Ｒ5’で表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、本発明の高分子化合物の電子輸送性が優れるので、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
【０１４６】
Ｒ5で表される−Ｏ−Ｒ5’の例は、Ｒ3で表される−Ｏ−Ｒ3’の例と同じである。
【０１４７】
Ｒ5で表される−Ｏ−Ｒ５’としては、好ましくはアルコキシ基又はアリールオキシ基であり、より好ましくはアルコキシ基である。
【０１４８】
Ｒ５は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、炭化水素基又は複素環基であることが好ましく、炭化水素基であることがより好ましく、芳香族炭化水素基であることが更に好ましく、フェニル基から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子ｍ４個を除いた基であることが特に好ましい。
【０１４９】
Ｑ3で表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１５０】
Ｑ3で表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１５１】
Ｑ3で表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例は、Ｑ1で表されるアルキレン基及びシクロアルキレン基の例と同じである。
【０１５２】
Ｑ3で表されるアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【０１５３】
Ｑ3で表されるアリーレン基の例は、Ｑ1で表されるアリーレン基の例と同じである。
【０１５４】
Ｑ3は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくはアルキレン基、アリーレン基、酸素原子であり、より好ましくはアルキレン基、酸素原子である。
【０１５５】
［式（５）又は式（６）で表される基］
ａ３は、通常１〜２０の整数であり、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくは３〜１０の整数であり、より好ましくは５〜１０の整数である。
【０１５６】
Ｒ’で表されるアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜１０であり、好ましくは２〜１０であり、より好ましくは２〜６であり、更に好ましくは２〜４である。
【０１５７】
Ｒ’で表されるシクロアルキレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１５８】
Ｒ’で表されるアルキレン基又はシクロアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、１，３−プロピレン基、１，２−ブチレン基、１，３−ブチレン基、１，４−ブチレン基、１，４−シクロヘキシレン基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１５９】
Ｒ’で表されるアリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜３０であり、より好ましくは６〜１８である。
【０１６０】
Ｒ’で表されるアリーレン基としては、例えば、１，３−フェニレン基、１，４−フェニレン基、１，４−ナフチレン基、２，６−ナフチレン基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６１】
Ｒ’は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくはアルキレン基又はアリーレン基であり、より好ましくはアルキレン基である。
【０１６２】
Ｒ’’で表されるアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜５０であり、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは１〜３である。
【０１６３】
Ｒ’’で表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基シクロヘキシル基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６４】
Ｒ’’で表されるシクロアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０である。
【０１６５】
Ｒ’’で表されるシクロアルキル基としては、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６６】
Ｒ’’で表されるアリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜６０であり、好ましくは６〜２０であり、より好ましくは６〜１０である。
【０１６７】
Ｒ’’で表されるアリール基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基、及び、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１６８】
Ｒ’’は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性が優れるので、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基であり、より好ましくはアルキル基であり、更に好ましくはメチル基又はエチル基である。
【０１６９】
Ｒ’’’で表される炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１〜２０であり、好ましくは１〜１０であり、より好ましくは２〜１０である。
【０１７０】
Ｒ’’’で表される炭化水素基は、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよいが、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、脂肪族炭化水素基であることが好ましい。
【０１７１】
Ｒ’’’で表される炭化水素基としては、例えば、メタントリイル基、エタントリイル基、１，２，３−プロパントリイル基、１，２，４−ブタントリイル基、１，２，５−ペンタントリイル基、１，３，５−ペンタントリイル基、１，２，６−ヘキサントリイル基、１，３，６−ヘキサントリイル基等の炭素原子数１〜２０のアルカントリイル基；１，２，３−ベンゼントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基、１，３，５−ベンゼントリイル基等の炭素原子数６〜３０のアレーントリイル基等が挙げられ、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の有機溶媒に対する溶解性が優れるので、好ましくはメタントリイル基、エタントリイル基、１，２，４−ベンゼントリイル基又は１，３，５−ベンゼントリイル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１７２】
Ｙ3は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくは式（５）で表される基である。
【０１７３】
Ｙ3で表される式（５）又は式（６）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【０１７４】
【化２７】
2016194695.tif 000028
【０１７５】
【化２８】
2016194695.tif 000029
【０１７６】
式（４）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。
【０１７７】
【化２９】
2016194695.tif 000030
【０１７８】
【化３０】
2016194695.tif 000031
【０１７９】
【化３１】
2016194695.tif 000032
【０１８０】
［式（２’）で表される基］
式（２）で表される基は、本発明の発光素子の駆動電圧が低減するので、前記式（２’）で表される基であることが好ましい。
【０１８１】
Ｒ6で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜３０であり、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１０である。
【０１８２】
Ｒ6で表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、1-アントラセニル基、2-アントラセニル基、9-アントラセニル基、1-ピレニル基、2-ピレニル基、4-ピレニル基、2-フルオレニル基、3-フルオレニル基、4-フルオレニル基、2-フェニルフェニル基、3-フェニルフェニル基、4-フェニルフェニル基等の炭素原子数６〜３０のアリール基から、環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｍ２＋ｍ４）個を除いた基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８３】
Ｒ6で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５である。
【０１８４】
Ｒ6で表される複素環基は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１８５】
Ｒ6で表される複素環基としては、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基等の炭素原子数３〜３０の１価の複素環基から、環を構成する炭素原子又はヘテロ原子に直接結合する水素原子（ｍ２＋ｍ４）個を除いた基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０１８６】
Ｒ6は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくは芳香族炭化水素基であり、より好ましくはフェニル基から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｍ２＋ｍ４）個を除いた基である。
【０１８７】
式（２’）で表される基としては、例えば、上述した式（２−９）〜式（２−１６）で表される基が挙げられる。
【０１８８】
［式（３’）で表される基］
式（３）で表される基は、本発明の発光素子の駆動電圧が低減するので、前記式（３’）で表される基であることが好ましい。
【０１８９】
Ｒ7で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６〜３０であり、好ましくは６〜１８であり、より好ましくは６〜１０である。
【０１９０】
Ｒ7で表される芳香族炭化水素基の例は、Ｒ6で表される芳香族炭化水素基の例と同じである。
【０１９１】
Ｒ7で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３〜３０であり、好ましくは３〜２０であり、より好ましくは３〜１５である。
【０１９２】
Ｒ7で表される複素環基は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、芳香族複素環基であることが好ましい。
【０１９３】
Ｒ7で表される複素環基の例は、Ｒ6で表される複素環基の例と同じである。
【０１９４】
Ｒ7は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易であるので、好ましくは芳香族炭化水素基であり、より好ましくはフェニル基から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子（ｍ２＋ｍ４）個を除いた基である。
【０１９５】
式（３’）で表される基としては、例えば、上述した式（３−１０）〜式（３−１７）で表される基が挙げられる。
【０１９６】
＜式（１）で表される構成単位＞
式（ＥＴ−１）で表される構成単位は、本発明の発光素子がより高輝度で発光するため、式（１）で表される構成単位であることが好ましい。
【０１９７】
【化３２】
2016194695.tif 000033
［式（１）中、
ｍ１は０以上の整数を表す。
Ｒ1’は、前記式（２）又は前記式（３）で表される基を表す。
Ｒ2は、前記式（４）で表される基を表す。Ｒ2が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
式（１）で表される構成単位は、Ｒ1’及びＲ2以外の置換基を有していてもよい。］
【０１９８】
式（１）で表される構成単位が有していてもよい、Ｒ1’及びＲ2以外の置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はアリール基が挙げられ、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の合成が容易になるので、好ましくはアルキル基、アルコキシ基又はアリール基であり、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基である。
【０１９９】
式（１）で表される構成単位は、式（１）で表される構成単位を含む高分子化合物の安定性が優れるので、好ましくは前記式（７）で表される構成単位であり、より好ましくは前記式（７’）で表される構成単位である。
【０２００】
【化３３】
2016194695.tif 000034
［式（７）中、
ｍ１、Ｒ1’及びＲ2は、前記と同じ意味を表す。
式（７）で表される構成単位は、Ｒ1’及びＲ2以外の置換基を有していてもよい。］
【０２０１】
【化３４】
2016194695.tif 000035
［式（７’）中、
Ｒ1’及びＲ2は、前記と同じ意味を表す。
式（７’）で表される構成単位は、Ｒ1’及びＲ2以外の置換基を有していてもよい。］
【０２０２】
式（７）又は式（７’）で表される構成単位が有していてもよい、Ｒ1’及びＲ2以外の置換基の例及び好ましい範囲は、式（１）で表される構成単位が有していてもよいＲ1’及びＲ2以外の置換基の例及び好ましい範囲と同じである。
【０２０３】
＜式（ＥＴ−１）で表される構成単位の好ましい形態＞
式（ＥＴ−１）で表される構成単位としては、例えば、下記式で表される構成単位が挙げられる。
【０２０４】
【化３５】
2016194695.tif 000036
【０２０５】
【化３６】
2016194695.tif 000037
【０２０６】
【化３７】
2016194695.tif 000038
【０２０７】
【化３８】
2016194695.tif 000039
【０２０８】
【化３９】
2016194695.tif 000040
【０２０９】
【化４０】
2016194695.tif 000041
【０２１０】
【化４１】
2016194695.tif 000042
【０２１１】
【化４２】
2016194695.tif 000043
【０２１２】
【化４３】
2016194695.tif 000044
【０２１３】
【化４４】
2016194695.tif 000045
【０２１４】
【化４５】
2016194695.tif 000046
［式中、Ｍ+は、前記と同じ意味を表す。Ｍ+が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０２１５】
式（ＥＴ−１）で表される構成単位の含有量は、高分子化合物に含まれる全構成単位の含有量に対して、通常３０〜１００モル％であり、発光素子の駆動電圧が低減するので、好ましくは５０〜１００モル％であり、より好ましくは７０〜１００モル％である。
【０２１６】
式（ＥＴ−１）で表される構成単位は、高分子化合物中に、１種単独で含まれていてもよく、２種以上が含まれていてもよい。
【０２１７】
＜その他の構成単位＞
式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物は、更に、式（Ｙ）で表される構成単位及び式（Ｘ）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含んでいてもよい。
【０２１８】
【化４６】
2016194695.tif 000047
［式中、ＡｒY1は、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２１９】
ＡｒY1で表されるアリーレン基は、より好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-6)-(A-10)、式(A-19)又は式(A-20)で表される基であり、更に好ましくは、式(A-1)、式(A-2)、式(A-7)、式(A-9)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２０】
ＡｒY1で表される２価の複素環基は、より好ましくは、式(AA-1)-(AA-4)、式(AA-10)-(AA-15)、式(AA-18)-(AA-21)、式(AA-33)又は式(AA-34)で表される基であり、更に好ましくは、式(AA-4)、式(AA-10)、式(AA-12)、式(AA-14)又は式(AA-33)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２１】
ＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒY1で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２２２】
「少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基」としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。
【０２２３】
【化４７】
2016194695.tif 000048
［式中、ＲXXは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２２４】
ＲXXは、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２５】
ＡｒY1で表される基が有してもよい置換基は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２２６】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-1)-(Y-10)で表される構成単位が挙げられ、発光素子の輝度寿命の観点からは、好ましくは式(Y-1)-(Y-3)で表される構成単位であり、電子輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-4)-(Y-7)で表される構成単位であり、正孔輸送性の観点からは、好ましくは式(Y-8)-(Y-10)で表される構成単位である。
【０２２７】
【化４８】
2016194695.tif 000049
［式中、ＲY1は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY1は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲY1同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２２８】
ＲY1は、好ましくは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２２９】
式(Y-1)で表される構成単位は、好ましくは、式(Y-1')で表される構成単位である。
【０２３０】
【化４９】
2016194695.tif 000050
［式中、ＲY11は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY11は、同一でも異なっていてもよい。］
【０２３１】
ＲY11は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、より好ましくは、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３２】
【化５０】
2016194695.tif 000051
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＸY1は、−Ｃ(ＲY2)2−、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−又は−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基を表す。ＲY2は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲY2は、同一でも異なっていてもよく、ＲY2同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２３３】
ＲY2は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３４】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基、両方がアリール基、両方が１価の複素環基、又は、一方がアルキル基で他方がアリール基若しくは１価の複素環基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−で表される基としては、好ましくは式(Y-A1)-(Y-A5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-A4)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３５】
【化５１】
2016194695.tif 000052
【０２３６】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)＝Ｃ(ＲY2)−で表される基中の２個のＲY2の組み合わせは、好ましくは両方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、又は、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３７】
ＸY1において、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基中の４個のＲY2は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基又はシクロアルキル基である。複数あるＲY2は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、ＲY2が環を形成する場合、−Ｃ(ＲY2)2−Ｃ(ＲY2)2−で表される基は、好ましくは式(Y-B1)-(Y-B5)で表される基であり、より好ましくは式(Y-B3)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２３８】
【化５２】
2016194695.tif 000053
［式中、ＲY2は前記と同じ意味を表す。］
【０２３９】
式(Y-2)で表される構成単位は、式(Y-2')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２４０】
【化５３】
2016194695.tif 000054
［式中、ＲY1及びＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２４１】
【化５４】
2016194695.tif 000055
［式中、ＲY1及びＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２４２】
式(Y-3)で表される構成単位は、式(Y-3')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２４３】
【化５５】
2016194695.tif 000056
［式中、ＲY11及びＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２４４】
【化５６】
2016194695.tif 000057
【０２４５】
【化５７】
2016194695.tif 000058
【０２４６】
【化５８】
2016194695.tif 000059
［式中、ＲY1は前記と同じ意味を表す。ＲY3は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２４７】
ＲY3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２４８】
式(Y-4)で表される構成単位は、式(Y-4')で表される構成単位であることが好ましく、式(Y-6)で表される構成単位は、式(Y-6')で表される構成単位であることが好ましい。
【０２４９】
【化５９】
2016194695.tif 000060
［式中、ＲY1及びＲY3は前記と同じ意味を表す。］
【０２５０】
【化６０】
2016194695.tif 000061
［式中、ＲY1は前記を同じ意味を表す。ＲY4は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
【０２５１】
ＲY4は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２５２】
式(Ｙ)で表される構成単位としては、例えば、式(Y-101)-(Y-121)で表されるアリーレン基からなる構成単位、式(Y-201)-(Y-206)で表される２価の複素環基からなる構成単位、式(Y-301)-(Y-304)で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基からなる構成単位が挙げられる。
【０２５３】
【化６１】
2016194695.tif 000062
【０２５４】
【化６２】
2016194695.tif 000063
【０２５５】
【化６３】
2016194695.tif 000064
【０２５６】
【化６４】
2016194695.tif 000065
【０２５７】
【化６５】
2016194695.tif 000066
【０２５８】
【化６６】
2016194695.tif 000067
【０２５９】
【化６７】
2016194695.tif 000068
【０２６０】
【化６８】
2016194695.tif 000069
【０２６１】
【化６９】
2016194695.tif 000070
【０２６２】
【化７０】
2016194695.tif 000071
【０２６３】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1がアリーレン基である構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜80モル％であり、より好ましくは30〜60モル％である。
【０２６４】
式(Ｙ)で表される構成単位であって、ＡｒY1が２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、発光素子の電荷輸送性が優れるので、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.5〜30モル％であり、より好ましくは３〜20モル％である。
【０２６５】
式(Ｙ)で表される構成単位は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０２６６】
【化７１】
2016194695.tif 000072
［式中、ａX1及びａX2は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。ＡｒX1及びＡｒX3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、又は、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒX2及びＡｒX4が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。ＲX1、ＲX2及びＲX3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲX2及びＲX3が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０２６７】
ａX1は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
【０２６８】
ａX2は、発光素子の輝度寿命が優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
【０２６９】
ＲX1、ＲX2及びＲX3は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２７０】
ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基は、より好ましくは式(A-1)又は式(A-9)で表される基であり、更に好ましくは式(A-1)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２７１】
ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基は、より好ましくは式(AA-1)、式(AA-2)又は式(AA-7)-(AA-26)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２７２】
ＡｒX1及びＡｒX3は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２７３】
ＡｒX2及びＡｒX4で表されるアリーレン基としては、より好ましくは式(A-1)、式(A-6)、式(A-7)、式(A-9)-(A-11)又は式(A-19)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０２７４】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、ＡｒX1及びＡｒX3で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
【０２７５】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、ＡｒX1及びＡｒX3で表されるアリーレン基及び２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同様である。
【０２７６】
ＡｒX2及びＡｒX4で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式(Ｙ)のＡｒY1で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
【０２７７】
ＡｒX2及びＡｒX4は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
【０２７８】
ＡｒX1〜ＡｒX4及びＲX1〜ＲX3で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０２７９】
式(Ｘ)で表される構成単位は、好ましくは式(X-1)-(X-7)で表される構成単位であり、より好ましくは式(X-1)-(X-6)で表される構成単位であり、更に好ましくは式(X-3)-(X-6)で表される構成単位である。
【０２８０】
【化７２】
2016194695.tif 000073
【０２８１】
【化７３】
2016194695.tif 000074
【０２８２】
【化７４】
2016194695.tif 000075
【０２８３】
【化７５】
2016194695.tif 000076
［式中、ＲX4及びＲX5は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基又はシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲX4は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲX5は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲX5同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
【０２８４】
式(Ｘ)で表される構成単位は、発光素子の輝度寿命が優れるので、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは0.1〜50モル％であり、より好ましくは１〜40モル％であり、更に好ましくは５〜30モル％である。
【０２８５】
式(Ｘ)で表される構成単位としては、例えば、式(X1-1)-(X1-11)で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式(X1-3)-(X1-10)で表される構成単位である。
【０２８６】
【化７６】
2016194695.tif 000077
【０２８７】
【化７７】
2016194695.tif 000078
【０２８８】
【化７８】
2016194695.tif 000079
【０２８９】
【化７９】
2016194695.tif 000080
【０２９０】
【化８０】
2016194695.tif 000081
【０２９１】
式(Ｘ)で表される構成単位は、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物中に、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
【０２９２】
本発明の高分子化合物としては、例えば、表１に示す高分子化合物P-1〜P-14が挙げられる。ここで、「その他」の構成単位とは、式（ＥＴ−１）、式（Ｘ）及び式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。
【０２９３】
【表１】
2016194695.tif 000082
［表中、ｐ’、ｑ’、ｒ’、s’、t’及びｕ’は、各構成単位のモル比率を示す。ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋s’＋t’＋ｕ’＝１００であり、かつ、１００≧ｐ’＋ｑ’＋ｒ’＋s’＋t’≧７０である。］
【０２９４】
電子輸送層（Ａ）又は電子輸送層（Ｂ）に含まれる芳香族高分子化合物としては、前記構成単位の選択と、モル比を調整することにより、電子親和力ＲＡ（ｅＶ）、電子親和力ＲＢ（ｅＶ）を調整することができる。
【０２９５】
電子輸送層（Ａ）に含まれる芳香族化合物としては、
式（ＥＴ−１）で表される構成単位と、式(Y-1')で表される構成単位、式(Y-2'')で表される構成単位、式(Y-3')で表される構成単位、式(Y-4'')で表される構成単位及び式(Y-6'')で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位とを含む芳香族高分子化合物であることが好ましく、
式（ＥＴ−１）で表される構成単位と、式(Y-1')で表される構成単位、式(Y-2'')で表される構成単位及び式(Y-3')で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位とを含む芳香族高分子化合物であることがより好ましく、
式（ＥＴ−１）で表される構成単位と、式(Y-1')で表される構成単位とを含む芳香族高分子化合物であることが更に好ましい。
【０２９６】
【化８１】
2016194695.tif 000083
［式中、ＲY11及びＸY1は前記と同じ意味を表す。］
【０２９７】
【化８２】
2016194695.tif 000084
［式中、ＲY11及びＲY3は前記と同じ意味を表す。］
【０２９８】
電子輸送層（Ａ）に含まれる芳香族高分子化合物としては、上記高分子化合物のうち、電子親和力ＲＡ（ｅＶ）がより小さくなるので、Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−４〜Ｐ−６、Ｐ−８〜Ｐ−１４が好ましく、Ｐ−１、Ｐ−２、Ｐ−６、Ｐ−８、Ｐ−１２がより好ましい。
【０２９９】
電子輸送層（Ｂ）に含まれる芳香族高分子化合物としては、上記高分子化合物のうち、電子親和力ＲＢ（ｅＶ）がより大きくなるので、Ｐ−１、Ｐ−３〜５、Ｐ−７、Ｐ−９、Ｐ−１１、Ｐ−１３、Ｐ−１４が好ましく、Ｐ−１、Ｐ−３、Ｐ−５、Ｐ−７、Ｐ−９、Ｐ−１１、Ｐ−１３、Ｐ−１４がより好ましい。
【０３００】
本発明の高分子化合物は、特開２０１２−０３３８４５号公報、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法によって製造することができる。
【０３０１】
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の少なくとも一方は、芳香族複素環を有する化合物であることが好ましく、電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物は、芳香族複素環を有する化合物であることがより好ましい。芳香族複素環を有する化合物としては、カルバゾール構造を有する化合物、アザカルバゾール構造を有する化合物、ジアザカルバゾール構造を有する化合物、ベンズイミダゾール構造を有する化合物、オキサゾール構造を有する化合物、トリアジン構造を有する化合物等が挙げられる。
【０３０２】
芳香族複素環を有する化合物は、発光素子の発光輝度が優れるので、式（Ｈ−１）で表される化合物であることが好ましい。
【０３０３】
【化８３】
2016194695.tif 000085
【０３０４】
ＡｒH1及びＡｒH2は、フェニル基、フルオレニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、フリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ピロリル基、インドリル基、アザインドリル基、カルバゾリル基、アザカルバゾリル基、ジアザカルバゾリル基、フェノキサジニル基又はフェノチアジニル基であることが好ましく、フェニル基、スピロビフルオレニル基、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることがより好ましく、フェニル基、ピリジル基、カルバゾリル基又はアザカルバゾリル基であることが更に好ましく、下記式（ＴＤＡ−１）又は（ＴＤＡ−３）で表される基であることが特に好ましく、下記式（ＴＤＡ−３）で表される基であることがとりわけ好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３０５】
ＡｒH1及びＡｒH2が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルコキシ基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基がより好ましく、アルキル基又はシクロアルコキシ基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０３０６】
ｎH1は、好ましくは１である。ｎH2は、好ましくは０である。
【０３０７】
ｎH3は、通常、０以上１０以下の整数であり、好ましくは０以上５以下の整数であり、更に好ましくは１以上３以下の整数であり、特に好ましくは１である。
【０３０８】
ｎH11は、好ましくは１以上５以下の整数であり、より好ましく１以上３以下の整数であり、更に好ましく１である。
【０３０９】
ＲH11は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３１０】
ＬH1は、アリーレン基又は２価の複素環基であることが好ましい。
【０３１１】
ＬH1は、式（Ａ−１）〜（Ａ−３）、式（Ａ−８）〜（Ａ−１０）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−６）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−２１）又は式（ＡＡ−２４）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−１）〜（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）又は式（ＡＡ−２９）〜（ＡＡ−３４）で表される基であることがより好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（Ａ−９）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）〜（ＡＡ−１５）で表される基であることが更に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−８）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１２）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることが特に好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（ＡＡ−２）、式（ＡＡ−４）又は式（ＡＡ−１４）で表される基であることがとりわけ好ましい。
【０３１２】
ＬH1が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基又は１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
【０３１３】
ＬH21は、単結合又はアリーレン基であることが好ましく、単結合であることがより好ましく、このアリーレン基は置換基を有していてもよい。
【０３１４】
ＬH21で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例は、ＬH1で表されるアリーレン基又は２価の複素環基の定義及び例と同様である。
【０３１５】
ＲH21は、アリール基又は１価の複素環基であることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３１６】
ＲH21で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例は、ＡｒH1及びＡｒH2で表されるアリール基及び１価の複素環基の定義及び例と同様である。
【０３１７】
ＲH21が有していてもよい置換基の定義及び例は、ＡｒH1及びＡｒH2が有していてもよい置換基の定義及び例と同様である。
【０３１８】
式（Ｈ−１）で表される化合物は、式（Ｈ−２）で表される化合物であることが好ましい。
【０３１９】
【化８４】
2016194695.tif 000086
【０３２０】
式（Ｈ−１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ−１０１）〜（Ｈ−１２１）で表される化合物が例示される。
【０３２１】
【化８５】
2016194695.tif 000087
【０３２２】
【化８６】
2016194695.tif 000088
【０３２３】
【化８７】
2016194695.tif 000089
【０３２４】
【化８８】
2016194695.tif 000090
【０３２５】
【化８９】
2016194695.tif 000091
【０３２６】
本発明の発光素子において、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物、式（Ｈ−１）で表される化合物以外の電子輸送材料としては、公知のものが使用でき、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。これらのうち、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、並びに８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体が好ましい。
【０３２７】
電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３２８】
電子輸送層（Ａ）に５重量％以上含まれる化合物、及び、電子輸送層（Ｂ）に５重量％以上含まれる化合物の組合せとしては、
電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の双方に芳香族高分子化合物が含まれる組合せ、電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の双方に芳香族複素環を有する化合物が含まれる組合せ、又は、電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の一方に芳香族高分子化合物が含まれ、他方に芳香族複素環を有する化合物が含まれる組合せが好ましく、
電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の双方に芳香族高分子化合物が含まれる組合せ、電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の双方に芳香族複素環を有する化合物が含まれる組合せ、又は、電子輸送層（Ａ）に芳香族複素環を有する化合物が含まれ、電子輸送層（Ｂ）に芳香族高分子化合物が含まれる組合せがより好ましく、
電子輸送層（Ａ）に芳香族複素環を有する化合物が含まれ、電子輸送層（Ｂ）に芳香族高分子化合物が含まれる組合せが更に好ましい。
ここで、芳香族高分子化合物としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位を含む高分子化合物が好ましく、芳香族複素環を有する化合物としては、式（Ｈ−１）で表される化合物が好ましい。
【０３２９】
電子輸送層を２層以上、塗布法にて形成する際は、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解しないように、異なる溶媒を用いることが好ましい。
【０３３０】
電子輸送層を２層以上、塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化することができる。
【０３３１】
電子輸送層の各層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。電子輸送層（Ａ）及び電子輸送層（Ｂ）の厚さは、それぞれ同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０３３２】
［発光層］
本発明の発光素子において、発光材料は、単独で使用してもよいが、通常、ホスト材料と組み合わせて使用する。ホスト材料は、発光材料の凝集による発光効率の低下を抑制する目的、電荷を輸送し駆動電圧の低下を達成する目的等のための材料である。
【０３３３】
本発明の発光素子において、発光材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
【０３３４】
低分子化合物としては、例えば、ナフタレン及びその誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、並びに、イリジウム、白金又はユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
【０３３５】
高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、アントラセンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
【０３３６】
発光材料は、低分子化合物及び高分子化合物を含んでいてもよく、好ましくは、三重項発光錯体及び高分子化合物を含む。
【０３３７】
三重項発光錯体としては、式Ir-1〜Ir-5で表される金属錯体等のイリジウム錯体が好ましい。
【０３３８】
【化９０】
2016194695.tif 000092
【０３３９】
【化９１】
2016194695.tif 000093
【０３４０】
【化９２】
2016194695.tif 000094
［式中、
ＲD1〜ＲD8、ＲD11〜ＲD20、ＲD21〜ＲD26及びＲD31〜ＲD37は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲD1〜ＲD8、ＲD11〜ＲD20、ＲD21〜ＲD26及びＲD31〜ＲD37が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
−ＡD1---ＡD2−は、アニオン性の２座配位子を表し、ＡD1及びＡD2は、それぞれ独立に、イリジウム原子と結合する炭素原子、酸素原子又は窒素原子を表し、これらの原子は環を構成する原子であってもよい。−ＡD1---ＡD2−が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
ｎD1は、１、２又は３を表し、ｎD2は、１又は２を表す。］
【０３４１】
式Ir-1で表される金属錯体において、好ましくはＲD1〜ＲD8の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
【０３４２】
式Ir-2で表される金属錯体において、好ましくはＲD11〜ＲD20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
【０３４３】
式Ir-3で表される金属錯体において、好ましくはＲD1〜ＲD8及びＲD11〜ＲD20の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
【０３４４】
式Ir-4で表される金属錯体において、好ましくはＲ21〜ＲD26の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
【０３４５】
式Ir-5で表される金属錯体において、好ましくはＲD31〜ＲD37の少なくとも１つは式(D-A)で表される基である。
【０３４６】
【化９３】
2016194695.tif 000095
［式中、
ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
ＧDAは、窒素原子、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
ＴDAは、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴDAは、同一でも異なっていてもよい。］
【０３４７】
ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、通常10以下の整数であり、好ましくは5以下の整数であり、より好ましくは0又は1である。ｍDA1、ｍDA2及びｍDA3は、同一の整数であることが好ましい。
【０３４８】
ＧDAは、好ましくは式(GDA-11)〜(GDA-15)で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３４９】
【化９４】
2016194695.tif 000096
［式中、
＊、＊＊及び＊＊＊は、各々、ＡｒDA1、ＡｒDA2、ＡｒDA3との結合を表す。
ＲDAは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。ＲDAが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０３５０】
ＲDAは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基又はシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基又はシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
【０３５１】
ＡｒDA1、ＡｒDA2及びＡｒDA3は、好ましくは式(ArDA-1)〜(ArDA-3)で表される基である。
【０３５２】
【化９５】
2016194695.tif 000097
［式中、
ＲDAは前記と同じ意味を表す。
ＲDBは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。ＲDBが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【０３５３】
ＴDAは、好ましくは式(TDA-1)〜(TDA-3)で表される基である。
【０３５４】
【化９６】
2016194695.tif 000098
［式中、ＲDA及びＲDBは前記と同じ意味を表す。］
【０３５５】
式(D-A)で表される基は、好ましくは式(D-A1)〜(D-A3)で表される基である。
【０３５６】
【化９７】
2016194695.tif 000099
［式中、
Ｒp1、Ｒp2及びＲp3は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基又はハロゲン原子を表す。Ｒp1及びＲp2が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
ｎｐ１は、０〜５の整数を表し、ｎｐ２は０〜３の整数を表し、ｎｐ３は０又は１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
【０３５７】
ｎｐ１は、好ましくは０〜３の整数であり、より好ましくは１〜３の整数であり、更に好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０又は１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
【０３５８】
Ｒp1、Ｒp2及びＲp3は、好ましくはアルキル基又はシクロアルキル基である。
【０３５９】
−ＡD1---ＡD2−で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。
【０３６０】
【化９８】
2016194695.tif 000100
［式中、＊は、Ｉｒと結合する部位を表す。］
【０３６１】
式Ir-1で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-11〜Ir-13で表される金属錯体である。式Ir-2で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-21で表される金属錯体である。式Ir-3で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-31〜Ir-33で表される金属錯体である。式Ir-4で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-41〜Ir-43で表されるイリジウム錯体である。式Ir-5で表される金属錯体としては、好ましくは式Ir-51〜Ir-53で表されるイリジウム錯体である。
【０３６２】
【化９９】
2016194695.tif 000101
【０３６３】
【化１００】
2016194695.tif 000102
【０３６４】
【化１０１】
2016194695.tif 000103
【０３６５】
【化１０２】
2016194695.tif 000104
【０３６６】
【化１０３】
2016194695.tif 000105
［式中、ｎD2は、１又は２を表す。Dは、式(D-A)で表される基を表す。複数存在するDは、同一でも異なっていてもよい。ＲDCは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲDCは、同一でも異なっていてもよい。ＲDDは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲDDは、同一でも異なっていてもよい。］
【０３６７】
三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。
【０３６８】
【化１０４】
2016194695.tif 000106
【０３６９】
【化１０５】
2016194695.tif 000107
【０３７０】
【化１０６】
2016194695.tif 000108
【０３７１】
【化１０７】
2016194695.tif 000109
【０３７２】
【化１０８】
2016194695.tif 000110
【０３７３】
【化１０９】
2016194695.tif 000111
【０３７４】
【化１１０】
2016194695.tif 000112
【０３７５】
【化１１１】
2016194695.tif 000113
【０３７６】
【化１１２】
2016194695.tif 000114
【０３７７】
発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０３７８】
ホスト材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。
【０３７９】
発光材料に金属錯体を用いる場合、ホスト材料は、発光素子の外部量子効率が優れるので、最低励起三重項状態（Ｔ1）が、金属錯体の有する最低励起三重項状態（Ｔ1）以上のエネルギー準位を有する化合物であることが好ましい。
【０３８０】
発光材料に金属錯体を用いる場合、ホスト材料は、発光素子を塗布法で作製できるので、金属錯体を溶解可能な溶媒に対して溶解性を示す化合物であることが好ましい。
【０３８１】
ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、前記正孔輸送材料として例示した低分子化合物、前記電子輸送材料として例示した低分子化合物（すなわち、式（Ｈ−１）で表される化合物、式（Ｈ−２）で表される化合物）等が挙げられ、併用する発光材料の励起状態エネルギーよりも高い励起状態エネルギーを有する化合物が好ましい。発光材料が最低励起三重項状態からの発光を利用するものである場合は、ホスト材料の最低励起三重項状態のエネルギーが発光材料の最低励起三重項状態のエネルギー以上であることが好ましい。
これらの中でも、ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、カルバゾール構造を有する化合物、トリアリールアミン構造を有する化合物、フェナントロリン構造を有する化合物、トリアリールトリアジン構造を有する化合物、アゾール構造を有する化合物、ベンゾチオフェン構造を有する化合物、ベンゾフラン構造を有する化合物、フルオレン構造を有する化合物、スピロフルオレン構造を有する化合物が好ましい。ホスト材料に用いられる低分子化合物としては、例えば、以下の化合物が挙げられる。
【０３８２】
【化１１３】
2016194695.tif 000115
【０３８３】
【化１１４】
2016194695.tif 000116
【０３８４】
ホスト材料に用いられる高分子化合物（以下、「高分子ホスト」と言う。）としては、例えば、正孔輸送材料又は電子輸送材料として記載した高分子化合物が挙げられる。
【０３８５】
高分子ホストとしては、前記式（Ｘ）又は前記式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物が好ましい。式（Ｘ）又は式（Ｙ）で表される構成単位を含む高分子化合物の説明及び例は、前記と同じである。
【０３８６】
式（Ｘ）又は式（Ｙ）で表される構成単位は、高分子ホスト中に、それぞれ、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
【０３８７】
高分子ホストは、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法、例えば、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応及びＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法によって製造することができる。
【０３８８】
前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続又は分割して仕込む方法、単量体を連続又は分割して仕込む方法等が挙げられる。
【０３８９】
遷移金属触媒としては、例えば、パラジウム触媒、ニッケル触媒が挙げられる。
【０３９０】
重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独又は組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、晶析、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
【０３９１】
発光材料とホスト材料とを組み合わせて用いる場合、発光材料の含有量は、発光材料とホスト材料との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０１〜８０重量部であり、好ましくは０．０５〜４０重量部であり、より好ましくは０．１〜２０重量部であり、更に好ましくは１〜２０重量部である。
発光層は、発光材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０３９２】
発光層に続いて、電子輸送層等の有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化することができる。
【０３９３】
発光層の厚さは、通常、５ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは３０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０３９４】
［正孔注入層］
本発明の発光素子において、正孔注入材料としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、スターバースト型アミン、フタロシアニン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、及びこれらを含む重合体；酸化バナジウム、酸化タンタル、酸化タングステン、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の導電性金属酸化物；ポリアニリン、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子及びオリゴマー；ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）・ポリスチレンスルホン酸、ポリピロール等の有機導電性材料及びこれらを含む重合体；アモルファスカーボン；テトラシアノキノジメタン誘導体（例えば、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン）、１，４−ナフトキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ポリニトロ化合物等のアクセプター性有機化合物；オクタデシルトリメトキシシラン等のシランカップリング剤が好適に使用できる。
【０３９５】
正孔注入材料は一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。正孔注入層は、前記材料のみからなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０３９６】
正孔注入層の形成方法は上述したとおりであるが、高分子化合物バインダーと低分子有機材料を分散させた混合溶液を用いて正孔注入層を成膜することもできる。
混合する高分子化合物バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くない化合物が好適に用いられる。この高分子化合物バインダーとしては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサンが例示される。
【０３９７】
正孔注入層に続いて、正孔輸送層、発光層等の有機化合物層を形成する場合、特に、両方の層を塗布法によって形成する場合には、先に塗布した層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解して積層構造の作製が困難になることがある。この場合には、下層を溶媒不溶化する方法を用いることができる。溶媒不溶化する方法としては、高分子化合物に架橋基を付け、架橋させて不溶化する方法、芳香族ビスアジドに代表される芳香環を有する架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、アクリレート基に代表される芳香環を有しない架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合し、架橋させて不溶化する方法、下層を紫外光に感光させて架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法、下層を加熱して架橋させ、上層の製造に用いる有機溶媒に対して不溶化する方法等が挙げられる。下層を加熱する場合の温度は、通常、１００℃〜３００℃であり、時間は、通常、１分〜１時間である。
【０３９８】
架橋以外で下層を溶解させずに積層する方法としては、隣り合う層の製造に異なる極性の溶液を用いる方法があり、例えば、下層に水溶性の高分子化合物を用い、上層に油溶性の高分子化合物を用いて、塗布しても下層が溶解しないようにする方法等がある。
【０３９９】
正孔注入層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０４００】
［正孔輸送層］
本発明の発光素子において、正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
【０４０１】
高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体；側鎖又は主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレン及びその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノン等が挙げられ、好ましくはフラーレンである。
【０４０２】
正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
【０４０３】
正孔輸送層に続いて、発光層等の有機層を塗布法にて形成する際に、下層が後から塗布する層の溶液に含まれる溶媒に溶解する場合は、正孔注入層の成膜方法での例示と同様の方法で下層を溶媒不溶化することができる。
【０４０４】
正孔輸送層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。
【０４０５】
［陽極］
陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体(APC)；NESA、金、白金、銀、銅である。
陽極は、これらの材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０４０６】
陽極の作製方法としては、公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）等が挙げられる。
【０４０７】
陽極の厚さは、通常１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０４０８】
陽極は上記方法にて作製した後に、陽極に接する層との電気的接続を改善するために、ＵＶオゾン、シランカップリング剤、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン等の電子受容性化合物を含む溶液等で表面処理を行ってもよい。
陽極は、単層構造であってもよいし多層構造としてもよい。
【０４０９】
［陰極］
陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイト及びグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金、金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物のナノ粒子が挙げられる。
【０４１０】
陰極に１重量％以上含まれる金属材料は、好ましくは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、又は、ＩＺＯであり、より好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＺｎＯ、ＩＴＯ、ＩＺＯであり、更に好ましくはＡｇである。
【０４１１】
陰極の作製方法としては、公知の方法が利用でき、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、溶液からの成膜による方法（高分子バインダーとの混合溶液を用いてもよい）が例示される。陰極が金属ナノ粒子、金属ナノワイヤー、導電性金属酸化物ナノ粒子である場合には、溶液からの成膜による方法が用いられる。
【０４１２】
陰極の厚さは、通常、１〜１０００ｎｍであり、好ましくは１０〜５００ｎｍである。
陰極は、単層構造であってもよいし多層構造としてもよい。
【０４１３】
［基板］
本発明の発光素子が有し得る基板は、電極を形成し、有機層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、金属フィルム、シリコン等の基板、これらを積層した基板が用いられる。
【０４１４】
［その他の構成要素］
本発明の発光素子は、発光層等を挟んで基板と反対側に、封止部材を有していてもよい。その他にも、カラーフィルター、蛍光変換フィルター等のフィルター、画素の駆動に必要な回路及び配線等の、ディスプレイ装置を構成するための任意の構成要素を有していてもよい。
【０４１５】
［製造方法］
本発明の発光素子は、例えば、基板上に各層を順次積層することにより製造することができる。具体的には、基板上に陽極を設け、その上に正孔注入層、正孔輸送層等の層を設け、その上に発光層を設け、その上に電子輸送層等の層を設け、更にその上に、陰極を積層することにより、発光素子を製造することができる。他の製造方法としては、基板上に陰極を設け、その上に電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層等の層を設け、更にその上に、陽極を積層することにより、発光素子を製造することができる。更に他の製造方法としては、陽極又は陽極上に各層を積層した陽極側基材と陰極又は陰極上に各層を積層させた陰極側基材とを、対向させて接合することにより製造することができる。本発明の発光素子は、その製造において、電子輸送層（Ａ）、電子輸送層（Ｂ）及び陰極からなる群から選ばれる少なくとも１つを塗布により形成する工程を含んでいてもよい。
【０４１６】
［用途］
発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にON/OFFできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、及び、表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０４１７】
以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。【０４１８】
実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量(Mn)及びポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)は、移動層にテトラヒドロフランを用い、下記のサイズエクスクルージョンクロマトグラフィー(SEC)により求めた。なお、SECの測定条件は、次のとおりである。【０４１９】
測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。移動相は、０．６ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｕａｒｄｃｏｌｕｍｎ  ＳｕｐｅｒＡＷ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＡＷＭ−Ｈと、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＡＷ３０００（いずれも東ソー製）の各１本を直列につないで用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（東ソー製、商品名：ＵＶ−８３２０ＧＰＣ）を用いた。【０４２０】
ＮＭＲは、下記の方法で測定した。
５〜１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ3）、重テトラヒドロフラン、重ジメチルスルホキシド、重アセトン、重Ｎ,Ｎ-ジメチルホルムアミド、重トルエン、重メタノール、重エタノール、重２−プロパノール又は重塩化メチレンに溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００又はＭＥＲＣＵＲＹ ４００ＶＸ）を用いて測定した。【０４２１】
化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）でのＵＶ＝２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１〜０．２重量％の濃度になるようにテトラヒドロフラン又はクロロホルムに溶解させ、濃度に応じてＨＰＬＣに１〜１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリル／テトラヒドロフランの比率を１００／０〜０／１００（容積比）まで変化させながら用い、１.０ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ  ＬＣ  ＯＤＳ  ２０００（東京化成工業製）又は同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。【０４２２】
化合物の電子親和力は、後述のイオン化ポテンシャル(eV)の値から、紫外・可視・近赤外分光装置で測定して得られた、化合物の吸収波長の長波長側の吸収端のエネルギー(eV)の値を差し引いて求めた。
化合物のイオン化ポテンシャルは、大気中、光電子分光装置（理研計器株式会社製、商品名：ＡＣ２）で測定した。
金属の仕事関数は、大気中、光電子分光装置（理研計器株式会社製、商品名：ＡＣ２）で測定した。吸収波長は、紫外・可視・近赤外分光装置（Ｖａｒｉａｎ社製、Ｃａｒｙ 5Ｅ）で測定した。
測定用の試料は化合物の１重量％溶液を調製し、回転数１０００ｒｐｍで３０秒間、石英基板上にスピンコートし、１００℃で１５分間乾燥させて作成した。【０４２３】
＜合成例１＞  燐光発光性化合物ＭＣ１及びＭＣ２の合成
燐光発光性化合物ＭＣ１及びＭＣ２は、下記文献に記載された方法に従って合成し、９９．５％以上のＨＰＬＣ面積百分率値を示したものを用いた。
燐光発光性化合物ＭＣ１は、国際公開第２００９／１３１２５５号記載の方法に従って合成した。燐光発光性化合物ＭＣ１の電子親和力は、２．８ｅＶである。
燐光発光性化合物ＭＣ２は、特開２０１３−１４７５５１号公報記載の方法に従って合成した。燐光発光性化合物ＭＣ２の電子親和力は、２．４ｅＶである。【０４２４】
【化１１５】
2016194695.tif 000117
【０４２５】
＜合成例２＞  単量体ＣＭ１〜ＣＭ９の合成
単量体ＣＭ１、ＣＭ１’、ＣＭ２〜ＣＭ９は、下記文献に記載された方法に従って合成し、９９．５％以上のＨＰＬＣ面積百分率値を示したものを用いた。
単量体ＣＭ１及びＣＭ１’は、特開２０１２−０３３８４５号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ２は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ３は、国際公開第２０１３／１９１０８８号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ４は、国際公開第２０１２／０８６６７１号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ５は、特開２０１１−１７４０６１号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ６は、国際公開第２００２／０４５１８４号記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ７は、特開２００８−１０６２４１号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ８は、特開２００３−２２６７４４号公報記載の方法に従って合成した。
単量体ＣＭ９は、特開２０１０−１８９６３０号公報記載の方法に従って合成した。【０４２６】
【化１１６】
2016194695.tif 000118
【０４２７】
【化１１７】
2016194695.tif 000119
【０４２８】
【化１１８】
2016194695.tif 000120
【０４２９】
【化１１９】
2016194695.tif 000121
【０４３０】
【化１２０】
2016194695.tif 000122
【０４３１】
＜合成例３＞  高分子化合物１の合成
(工程１)反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１(9.23g)、単量体ＣＭ２(4.58g)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(8.6mg)及びトルエン(175mL)を加え、105℃に加熱した。
(工程２)その後、そこに、12重量％炭酸ナトリウム水溶液(40.3mL)を滴下し、29時間還流させた。
(工程３)その後、そこに、フェニルボロン酸(0.47g)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(8.7mg)を加え、14時間還流させた。
(工程４)その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、メタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をろ取し、メタノール、水で洗浄後、乾燥させることにより得た固体をクロロホルムに溶解させ、予めクロロホルムを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物P1(7.15g)を得た。高分子化合物P1のMnは3.2×104、Mwは6.0×104であった。
高分子化合物Ｐ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位とが、50：50のモル比で構成されてなる共重合体である。【０４３２】
(工程５)反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｐ１(3.1ｇ)、テトラヒドロフラン(130ｍＬ)、メタノール(66ｍＬ)、水酸化セシウム一水和物(2.1ｇ)及び水(12.5ｍＬ)を加え、60℃で3時間撹拌した。
(工程６)その後、そこに、メタノール(220ｍＬ)を加え、２時間攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した後、イソプロピルアルコールに滴下し、攪拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物１(3.5ｇ)を得た。高分子化合物１の1H-NMR解析により、高分子化合物Ｐ１中のエチルエステル部位のシグナルが消失し、反応が完結したことを確認した。
高分子化合物１は、高分子化合物Ｐ１の仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式で表される構成単位と、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位とが、50：50のモル比で構成されてなる共重合体である。高分子化合物１の電子親和力は、２．５７ｅＶであった。【０４３３】
【化１２１】
2016194695.tif 000123
【０４３４】
＜合成例４＞  高分子化合物２の合成
高分子化合物１の合成における(工程１)を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１(0.55g)、単量体ＣＭ１’(0.61g)、トリフェニルホスフィンパラジウム(10mg)及びトルエン(10mL)を加え、105℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にして、高分子化合物P2(0.5g)を得た。高分子化合物P2のMnは5.2×104、Mwは1.5×105であった。
高分子化合物Ｐ２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１’から誘導される構成単位とが、50：50のモル比で構成されてなる共重合体である。
高分子化合物１の合成における(工程５)を、「反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｐ２(0.2ｇ)、テトラヒドロフラン(20ｍＬ)、メタノール(20ｍＬ)、水酸化セシウム一水和物(0.2ｇ)及び水(2ｍＬ)を加え、55℃で6時間撹拌した。」とする以外は、高分子化合物１の合成と同様にして、高分子化合物２(150mg)を得た。高分子化合物２の1H-NMR解析により、高分子化合物Ｐ２中のエチルエステル部位のシグナルが消失し、反応が完結したことを確認した。
高分子化合物２は、高分子化合物Ｐ２の仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式で表される構成単位からなる重合体である。高分子化合物２の電子親和力は、２．８４ｅＶであった。【０４３５】
【化１２２】
2016194695.tif 000124
【０４３６】
＜合成例５＞  高分子化合物ＨＴ１の合成
（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ５（１８５ｇ）、単量体ＣＭ６（３５．９ｇ）、単量体ＣＭ７（２０．１ｇ）、単量体ＣＭ８（１０４ｇ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１７７ｍｇ）及びトルエン（４．３ｋｇ）を加え、１００℃に加熱した。そこへ、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（８７３ｇ）を加えた後、１００℃で５時間撹拌した。そこへ、フェニルボロン酸（３．０８ｇ）及びトルエン（１２０ｇ）を加え、１００℃で１４時間撹拌した。
（工程２）反応液から水層を除去した後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液及びトルエンを加え、４０℃で３時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、水層を除去することにより、有機層を得た。得られた有機層を１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で２回洗浄した。洗浄した有機層を、アルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じたので、沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物HT1（２０４ｇ）を得た。高分子化合物HT1のＭｎは６．７×１０4であり、Ｍｗは２．３×１０5であった。
高分子化合物HT1は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ５から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ６から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ７から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ８から誘導される構成単位とが、５０：１２．５：７．５：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０４３７】
＜合成例６＞  高分子化合物HP1の合成
不活性ガス雰囲気下、単量体ＣＭ２（８．１８２ｇ）、単量体ＣＭ４（８．５０８ｇ）、単量体ＣＭ９（２．０９７ｇ）、及び、トルエン（２５０ｍＬ）を混合し、加熱しながら攪拌した。そこに、酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、及び、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２３．２ｍｇ）を加え、１００℃に加熱した。得られた溶液に、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（６１．３ｇ）を滴下し、８時間加熱還流させた。【０４３８】
次にフェニルホウ酸（０．２０ｇ）、酢酸パラジウム（３．７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（２３．３ｍｇ）、及び、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（５８．３ｇ）を加え、１５時間加熱還流させた。【０４３９】
反応液から水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（９．３１ｇ）、及び、イオン交換水（６０ｍＬ）を加え、４０℃で３時間攪拌した。【０４４０】
反応液の有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水で１回、１０重量％塩酸で２回、３重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で２回の順番で洗浄した。【０４４１】
有機層を、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル及びアルミナを充填したカラムに通液し、通過した溶液をメタノールに滴下し沈殿物を析出させた。沈殿物を濾取した後乾燥し、高分子化合物（以下、「高分子化合物ＨＰ１」と言う。）を９．８０ｇ得た。高分子化合物ＨＰ１のＭｎは９．２×１０４であり、Ｍｗは２．３×１０5であった。【０４４２】
高分子化合物ＨＰ１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ４から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ９から誘導される構成単位とが、５０：４０：１０のモル比で構成されてなる共重合体である。高分子化合物ＨＰ１の電子親和力は、２．６５ｅＶであった。【０４４３】
＜合成例７＞  高分子化合物ＨＰ２の合成
(工程１)反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ２(2.2g)、単量体ＣＭ３(1.3g)、ジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(2.3mg)、及びトルエン(55mL)を加え、105℃に加熱した。
(工程２)その後、そこに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９．１ｇ）を滴下し、4時間還流させた。
(工程３)その後、そこに、２−イソプロピルフェニルボロン酸(0.47g)及びジクロロビス(トリス-o-メトキシフェニルホスフィン)パラジウム(2.2mg)を加え、16時間還流させた。
(工程４)その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、85℃で5時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、塩酸、アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、得られた有機層をメタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより得た固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物HP２(2.3g)を得た。高分子化合物HP２のMnは7.4×104、Mwは2.3×105であった。高分子化合物HP2の電子親和力は2.59eV以下であった。
高分子化合物HP２は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ２から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ３から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。【０４４４】
＜合成例８＞  高分子化合物３の合成
(工程１)反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、単量体ＣＭ１(０．４３g)、単量体ＣＭ１’(０．７０g)、２，６−ジブロモピリジン（０．０７２ｇ）、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（アルドリッチ製、商品名Ａｌｉｑｕａｔ３３６（登録商標））（７．６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（１０ｍＬ）及びトルエン（２０ｍＬ）を加え、１０５℃で６時間反応させた。
(工程２)その後、そこに、ビス（トリオルトアニシルホスフィン）ジクロロパラジウム（０．６６ｍｇ）、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液（３ｍＬ）、トルエン（３ｍＬ）及びフェニルボロン酸（３７ｍｇ）を加えて３時間攪拌した。
(工程３)その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、80℃で２時間撹拌した。反応液を冷却後、メタノールに滴下したところ、沈澱が生じた。沈殿物をろ取し、メタノール、水で洗浄後、乾燥させることにより得た固体をクロロホルムに溶解させ、予めクロロホルムを通液したアルミナカラム及びシリカゲルカラムに順番に通すことにより精製した。得られた精製液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物Ｐ３を５７５ｍｇ得た。高分子化合物Ｐ３のＭｎは２．２×１０４であり、Ｍｗは６．３×１０４であった。
高分子化合物Ｐ３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、単量体ＣＭ１から誘導される構成単位と、単量体ＣＭ１’から誘導される構成単位と、下記式：【０４４５】
【化１２３】
2016194695.tif 000125
で表される構成単位とが、30：50：20のモル比で構成されてなる共重合体である。【０４４６】
(工程４)反応容器内をアルゴンガス雰囲気下とした後、高分子化合物Ｐ３(５００ｍｇ)、テトラヒドロフラン(20ｍＬ)、メタノール(10ｍＬ)、水酸化セシウム一水和物(５２２ｍｇ)及び水(０．４ｍＬ)を加え、65℃で1時間半撹拌した。
(工程５)その後、そこに、メタノール(20ｍＬ)を加え、２時間半攪拌した。得られた反応混合物を濃縮した後、イソプロピルアルコールに滴下し、攪拌したところ、沈殿が生じた。沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物３(５８０ｍｇ)を得た。高分子化合物３の1H-NMR解析により、高分子化合物Ｐ３中のエチルエステル部位のシグナルが消失し、反応が完結したことを確認した。
高分子化合物３は、高分子化合物Ｐ３の仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式：【０４４７】
【化１２４】
2016194695.tif 000126
で表される構成単位と、下記式：【０４４８】
【化１２５】
2016194695.tif 000127
で表される構成単位とが、８０：２０のモル比で構成されてなる共重合体である。高分子化合物３の電子親和力は、２．９１ｅＶであった。【０４４９】
＜合成例９＞  高分子化合物ＨＰ３の合成
高分子化合物ＨＰ３は、特開２０１２−０３６３８１号公報記載の方法に従って合成した。
高分子化合物ＨＰ３は、高分子化合物ＨＰ３の仕込み原料の量から求めた理論値では、下記式：【０４５０】
【化１２６】
2016194695.tif 000128
で表される構成単位と、下記式：【０４５１】
【化１２７】
2016194695.tif 000129
で表される構成単位と、下記式：【０４５２】
【化１２８】
2016194695.tif 000130
で表される構成単位とが、５０：２０：３０のモル比で構成されてなる共重合体である。高分子化合物ＨＰ３の電子親和力は、１．９４ｅＶであった。【０４５３】
＜合成例１０＞  低分子化合物１の合成
低分子化合物１（３，３’−ジ（４−ジベンゾチオフェニル）−１、１’−ビフェニル）は、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｃ  ２００４，１１８，２３７５−２３８４の記載に従って合成した。低分子化合物１の電子親和力は、２．６０ｅＶであった。【０４５４】
【化１２９】
2016194695.tif 000131
【０４５５】
＜合成例１１＞  低分子化合物２の合成
低分子化合物２（２，８−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ジベンゾチオフェン）は、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ２０１１，２１，１４６０４−１０６０９の記載に従って合成した。低分子化合物２の電子親和力は、２．６１ｅＶであった。【０４５６】
【化１３０】
2016194695.tif 000132
【０４５７】
＜実施例Ｄ１＞  発光素子Ｄ１の作製と評価
（陽極及び正孔注入層の形成）
ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料（ＡＱ−１２００、Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。【０４５８】
（正孔輸送層の形成）
キシレンに、高分子化合物HT1を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上に、スピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱させることにより正孔輸送層を形成した。【０４５９】
（発光層の形成）
キシレンに高分子化合物HP1及び燐光発光性化合物MC1(高分子化合物HP1/燐光発光性化合物MC1=70重量%/30重量%)を1.５重量%の濃度で溶解させ、キシレン溶液を調製した。このキシレン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により70nmの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、130℃、10分間加熱させることにより発光層を形成した。【０４６０】
（電子輸送層（Ａ）の形成）
2，2，3，3，4，4，5，5−オクタフルオロ−1−ペンタノールに高分子化合物１を０．２重量％の濃度で溶解させて得られた溶液を用いて、発光層の上に、スピンコート法で１０ｎｍの厚さとなるように成膜し、窒素ガス雰囲気下、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層（Ａ）を形成した。【０４６１】
（電子輸送層（Ｂ）の形成）
メタノールに高分子化合物２を０．２重量％の濃度で溶解させて得られた溶液を用いて、発光層の上に、スピンコート法で１０ｎｍの厚さとなるように成膜し、窒素ガス雰囲気下、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層（Ｂ）を形成した。
電子輸送層（Ｂ）が形成された基板を蒸着機内に置いて、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、電子輸送層（Ｂ）の上に、陰極として、銀（仕事関数：４．５ｅＶ）を１００ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。【０４６２】
（発光素子の評価）
発光素子Ｄ１に電圧を印加することにより、主に燐光発光性化合物MC１に由来するEL発光が観測された。１０Ｖ印加時における輝度は６９１cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６３】
＜実施例Ｄ３＞  発光素子Ｄ３の作製と評価
実施例Ｄ１において、高分子化合物２の代わりに、高分子化合物３を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。発光素子Ｄ３に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC１に由来するEL発光が観測された。発光素子Ｄ３が示す１０Ｖ印加時における輝度は６８０cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６４】
＜実施例Ｄ４＞  発光素子Ｄ４の作製と評価
実施例Ｄ１において、
2，2，3，3，4，4，5，5−オクタフルオロ−1−ペンタノールに高分子化合物１を０．２重量％の濃度で溶解させて得られた溶液を用いて、発光層の上に、スピンコート法で１０ｎｍの厚さとなるように成膜し、窒素ガス雰囲気下、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層（Ａ）を形成する代わりに、発光層が形成された基板を蒸着機内に置いて、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、発光層の上に、低分子化合物１を１０ｎｍ蒸着することにより電子輸送層（Ａ）を形成した以外は、
実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。発光素子Ｄ４に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC１に由来するEL発光が観測された。発光素子Ｄ４が示す１０Ｖ印加時における輝度は１１４７cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６５】
＜比較例ＣＤ１＞  発光素子ＣＤ１の作製と評価
実施例Ｄ１において、電子輸送層（Ｂ）を形成しなかった以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。発光素子ＣＤ１に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC１に由来するEL発光が観測された。発光素子ＣＤ１が示す１０Ｖ印加時における輝度は３０４cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６６】
＜実施例Ｄ２＞  発光素子Ｄ２の作製
実施例D1において、
キシレンに高分子化合物HP1及び燐光発光性化合物MC1(高分子化合物HP1/燐光発光性化合物MC1=70重量%/30重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液の代わりに、キシレンに高分子化合物HP2及び燐光発光性化合物MC2(高分子化合物HP2/燐光発光性化合物MC2=64重量%/36重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液を用いた以外は、
実施例D1に準じて発光素子D２を作製した。発光素子Ｄ２に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC２に由来するEL発光が観測された。発光素子Ｄ２が示す１０Ｖ印加時における輝度は26cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６７】
＜比較例ＣＤ２＞  発光素子ＣＤ２の作製と評価
実施例Ｄ２において、電子輸送層（Ｂ）を形成しなかった以外は、実施例Ｄ２と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。発光素子ＣＤ２に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC２に由来するEL発光が観測された。発光素子ＣＤ２が示す１０Ｖ印加時における輝度は18cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６８】
＜実施例Ｄ５＞  発光素子Ｄ５の作製と評価
実施例Ｄ２において、キシレンに高分子化合物HP2及び燐光発光性化合物MC2(高分子化合物HP2/燐光発光性化合物MC2=64重量%/36重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液の代わりに、キシレンに低分子化合物２及び燐光発光性化合物MC2(低分子化合物２/燐光発光性化合物MC2=64重量%/36重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液を用い、
さらに、2，2，3，3，4，4，5，5−オクタフルオロ−1−ペンタノールに高分子化合物１を０．２重量％の濃度で溶解させて得られた溶液を用いて、発光層の上に、スピンコート法で１０ｎｍの厚さとなるように成膜し、窒素ガス雰囲気下、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層（Ａ）を形成する代わりに、発光層が形成された基板を蒸着機内に置いて、１．０×１０-4Ｐａ以下にまで減圧した後、発光層の上に、低分子化合物１を１０ｎｍ蒸着することにより電子輸送層（Ａ）を形成した以外は、
実施例Ｄ２と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。発光素子Ｄ５に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC２に由来するEL発光が観測された。発光素子Ｄ５が示す１０Ｖ印加時における輝度は１６３cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４６９】
＜実施例Ｄ６＞  発光素子Ｄ６の作製と評価
実施例Ｄ２において、
キシレンに高分子化合物HP2及び燐光発光性化合物MC2(高分子化合物HP2/燐光発光性化合物MC2=64重量%/36重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液の代わりに、キシレンに高分子化合物ＨＰ３及び燐光発光性化合物MC2(高分子化合物HP3/燐光発光性化合物MC2=64重量%/36重量%)を1.5重量%の濃度で溶解させて調製したキシレン溶液を用いた以外は、
実施例Ｄ２と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。発光素子Ｄ６に電圧を印加することにより主に燐光発光性化合物MC２に由来するEL発光が観測された。発光素子Ｄ６が示す１０Ｖ印加時における輝度は３７５０cd/m2であった。この結果を表２に示す。【０４７０】
【表２】
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【国際調査報告】
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