【事件の表示】
　特許第５８３０２５０号発明「半導体装置の製造方法」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８３０２５０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
　特許第５８３０２５０号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８３０２５０号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は，平成２３年２月１５日に特許出願され，平成２７年１０月３０日にその特許権の設定登録がされ，その後，その特許について，特許異議申立人中川賢治（以下「異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ，平成２８年９月１３日付けで取消理由が通知され，その指定期間内である平成２８年１１月２日付けで意見書の提出及び訂正の請求があり，その訂正の請求に対して異議申立人から平成２８年１２月１４日付けで意見書が提出されたものである。
　
第２　訂正の適否についての判断
１．訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は，以下のとおりである。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「前記熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ，保護層を形成する工程と，」とあるのを，「前記熱硬化性樹脂層を
，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項１に「前記の保護膜」とあるのを，「前記の保護
層
　
（３）訂正事項３
　請求項１の記載を直接又は間接に引用する請求項２及び３を，訂正事項１及び２と同様に訂正する。
　
２．訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
（１）訂正の目的の適否
　訂正事項１は，熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ，保護層を形成する工程について，その加熱温度や加熱時間が特定されていなかったものを，加熱温度を１２０〜２００℃，加熱時間を３０分〜３時間と特定するものであるから，訂正事項１の訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項第１号の特許請求の範囲の減縮に該当する。
　また，訂正事項２は，請求項１には「保護膜」という記載が存在しないのに，「前記の保護膜」と記載されていたのを，「前記の保護層」とするものであるから，訂正事項２の訂正の目的は，特許法第１２０条の５第２項第２号の誤記又は誤訳の訂正に該当する。
　そして，訂正事項３は，請求項１の記載を直接又は間接に引用する請求項２及び３を，訂正事項１及び２と同様に訂正するものであるから，その目的は，特許請求の範囲の減縮及び誤記又は誤訳の訂正に該当する。
　したがって，訂正事項１ないし３は，特許法第１２０条の５第２項第１及び２号に掲げる事項を目的とするものである。
　
（２）新規事項の有無
　特許明細書の段落【００９３】には，「次に，熱硬化性樹脂層１６を加熱して硬化させ，保護層１７を形成する（図４参照）。加熱条件としては，加熱温度１２０〜２００℃が好ましく，１４０〜１８０℃がより好ましい。また，加熱時間は，３０分〜３時間が好ましく，１時間〜２時間がより好ましい。」との記載があるから，訂正事項１に係る訂正は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものである。
　また，訂正事項２及び３に係る訂正が，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてされたものであることは明らかである。
　したがって，訂正事項１ないし３は，特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
（３）特許請求の範囲の拡張又は変更の存否
　訂正事項１ないし３は，特許請求の範囲を減縮し，誤記を訂正するものであるから，特許請求の範囲の拡張し，又は変更するものでないことは明らかである。
　したがって，訂正事項１ないし３は，特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
３．小結
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第１及び２号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第９項で準用する同法第１２６条第５及び６項の規定に適合するので，訂正後の請求項１ないし３について訂正を認める。
　
第３　特許異議の申立てについて
１．本件特許
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１ないし３に係る発明（以下「特許発明１ないし３」という。）は，訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「　【請求項１】
　バンプが形成されている面側に低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハのバンプが形成されている面に，支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層された保護層形成用フィルムを，前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と，
　前記支持基材と前記粘着剤層とを，前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程と，
　前記熱硬化性樹脂層を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱して硬化させ，保護層を形成する工程と，
　前記の保護層を形成する工程の後に，前記バンプ付きウエハを保護層と共にダイシングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項２】
　前記熱硬化性樹脂層の溶融粘度は，前記バンプ付きウエハに前記保護層形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において，１×１０２Ｐａ・Ｓ以上２×１０４Ｐａ・Ｓ未満であり，
　前記粘着剤層のせん断弾性率は，前記バンプ付きウエハに前記保護層形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において，１×１０３Ｐａ以上２×１０６Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　　【請求項３】
　前記熱硬化性樹脂層は，バンプ高さの０．０５〜０．９倍の厚みを有することを特徴とする請求項１又はと２に記載の半導体装置の製造方法。」
　
２．取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし３に係る特許に対して平成２８年９月１３日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は，次のとおりである。
（１）特許法第２９条第２項に係る取消理由
　訂正前の請求項１及び３に係る発明は，甲第２号証に記載された発明及び従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり，訂正前の請求項２に係る発明は，甲第２号証に記載された発明，従来周知の技術的事項，及び甲第１号証に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであり，訂正前の請求項１ないし３に係る特許は，取り消されるべきものである。
　
（２）特許法第３６条第６項第２号に係る取消理由
　訂正前の請求項１に係る特許は，特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，取り消されるべきものである。
　
３．各刊行物の記載及び刊行物発明
（１）甲２の記載及び甲２発明
　異議申立書において甲第２号証として提出され，本件特許に係る出願の出願日前に頒布された刊行物である米国特許第７１０５４２４号明細書（以下「甲２」といい，他の甲号証も同様にいう。）には，以下の記載がある。なお，この取消理由通知では，読点は全て「，」で表記する。また，甲２の記載箇所を示す行数は，米国特許第７１０５４２４号明細書の公表（publication）イメージ表示における行数であり，下線は当審で付したものである。また，括弧内に当審での翻訳文を付記する。
　ア．第３欄第１ないし２９行
「Referring to  FIG. 2 , it illustrates the step  1 . Therein, 
the film  10 , such as a grinding film, has a base layer  11 , a removable layer  12  and an underfill layer  13 
the removable layer  12  is made of a material with the adhesion
the underfill layer  13  may be made of B-stage.
（図２は，工程１を示している。ここで，例えば研削フィルムとしての
フィルム１０は，ベース層１１，取り外し可能な層１２，及びアンダーフィル層１３を有し
取り外し可能な層１２は，接着性を有する材料で作られており
アンダーフィル層１３はＢステージであってもよい
　
　イ．第３欄第３０ないし３２行
「Afterwards, referring to  FIG. 3 , it illustrates the 
step  2
 pressing the film  10  onto the bumped wafer  20 
（その後，図３に参照されるように，
工程２
バンプ付きウエハ２０の上にフィルム１０を押圧する
　
　ウ．第３欄第４８ないし５３行
「Preferably, the bumps  23  are contacted to the removable layer  12 . Thus, 
the underfill layer  13  of the film  10  is adhered to the active surface  21  of the bumped wafer  20  and the bumps  23  are enclosed by the underfill layer  13  so as to be well protected from being damaged.
（好ましくは，バンプ２３は取り外し可能な層１２に接触している。したがって，
フィルム１０のアンダーフィル層１３は，バンプ付きウエハ２０の活性表面２１に接着して，バンプ２３はアンダーフィル層１３によって損傷から十分に保護されるように包囲されている
　
　エ．第３欄第６５行ないし第４欄第８行
「Afterwards, referring to  FIG. 6 , it illustrates the 
step  4
the underfill layer  13  is easily separated from the base layer  11  and the removable layer  12 
（その後，図６を参照して，取り外し可能な層１２を分解してフィルム１０を除去する
工程４
アンダーフィル層１３はベース層１１及び取り外し可能な層１２から容易に分離される
　
　オ．第４欄第１５ないし１８行
「To be noted, 
the underfill layer  13  is partially solidified after the removable layer  12  and the base layer  11  are removed from the underfill layer  13 
（注目すべきことに，
取り外し可能な層１２及びベース層１１がアンダーフィル層１３から除去された後に，アンダーフィル層１３は部分的に固化される
　
　カ．第４欄第２１ないし３４行
「Referring to  FIG. 7 , after the step  4  of removing the removable layer  12  and the base layer  11  of the film  10 , the step of attaching a sawing tape  50  on the back surface  22  of the bumped wafer  20  can be performed so as to 
continuously process the following step of singulating the bumped wafer  20  into a plurality of chips  24 
（図７に参照されるように，取り外し可能な層１２及びベース層１１をアンダーフィル層１３から除去する工程４の後に，バンプ付きウエハ２０の裏面２２にダイシングテープ５０を貼り付ける工程を行うことができ，
連続的にバンプ付きウエハ２０を個片化して複数の半導体チップ２４にする，次の工程に移ることができる
　
　キ．第１欄第３４行ないし第２欄第２行
「As mentioned above, in a flip chip package, there is usually provided an underfill material between the substrate and the chip so as to enhance the reliability of the packaging products. In a conventional method, the underfill is dispensed at the peripheral of the chip or disposed through an opening of the substrate so as to be filled in the gap between the substrate and the chip. Hence, the bumps of the chip between the chip and the substrate are enclosed by the underfill material. However, this method usually spends a lot of time and causes a lot of voids in the underfill layer.
　As disclosed in U.S. Publications 2002/0001688 and 2003/0034128, there is disclosed a wafer level packaging method. Therein, an underfill layer is preformed on a film and then the underfill layer with the film formed thereon is disposed on the bumped wafer and then a pressing and heating process is performed so as to have the underfill layer enclosing the bumps. Afterwards, the bumped wafer with the underfill layer formed thereon is singulated into a plurality of chips. However, the bumps are easy to be damaged when the underfill layer is pressing and heating. In addition, the film is not easy to be removed from the underfill layer. Besides, the process of grinding the backside of the wafer is not easy performed due to not enough protection for the bumps.
　Therefore, providing another method to solve the mentioned-above disadvantages is the most important task in this invention.
　
　SUMMARY OF THE INVENTION 
　
　In view of the above-mentioned problems, an objective of this invention is to provide a method of forming an underfill layer on a bumped wafer by utilizing a film having a base layer, a removable layer and an underfill layer and performing a process of pressing the film under heating on a bumped wafer to have the bumps embedded in the underfill layer.」
（フリップチップパッケージでは，上記のように包装製品の信頼性を高めるために，通常，基板とチップとの間にアンダーフィル材が提供される。従来の方法では，アンダーフィルはチップの周辺に分配されるか，又は基板とチップとの間の隙間に充填されるように基板の開口部を通って配置されている。したがって，チップと基板との間のチップのバンプはアンダーフィル材によって包囲されている。しかし，この方法は通常，多くの時間を費やしアンダーフィル層に多くの隙間を引き起こす。
　米国特許出願公開第２００２／０００１６８８号明細書，米国特許出願公開第２００３／００３４１２８号明細書に記載されているように，ウエハレベルパッケージング方法が開示されている。ここで，アンダーフィル層はフィルム上に予め形成され，次いで，そのフィルム上に形成されたアンダーフィル層はバンプ付きウエハ上に配置され，その後，バンプをアンダーフィル層が包囲するように押圧及び加熱処理が行われる。その後，アンダーフィル層を有するバンプ付きウエハは複数のチップに分割される。しかし，アンダーフィル層が押圧及び加熱されたとき，バンプは破壊しやすい。又はフィルムはアンダーフィル層から除去することが容易ではない。また，ウエハの裏面を研削する工程がバンプのための十分な保護を行い得ない原因になる。
　したがって，上記の欠点を解決するために別の方法を提供することは本発明において最も重要な課題である。
　
　発明の概要
　
　上記問題点に鑑みて，本発明の目的は，ベース層，取外し可能な層，及びアンダーフィル層を有するフィルムを利用して，バンプがアンダーフィル層に埋設されるようにフィルムを加熱プレスすることにより，バンプ付きウエハ上にアンダーフィル層を形成する方法を提供することにある。）
　
　ク．甲２発明
　上記ア．ないしカ．の記載を総合すると，甲２には，次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認める。
　
「バンプ付きウエハ２０の上に，ベース層１１，接着性を有する材料で作られた取り外し可能な層１２及びＢステージであるアンダーフィル層１３を有するフィルム１０を，アンダーフィル層１３が，バンプ付きウエハ２０の活性表面２１に接着するように押圧する工程２と，
　ベース層１１及び取り外し可能な層１２を，アンダーフィル層１３から除去する工程４と，
　アンダーフィル層１３を部分的に固化する工程と，
　アンダーフィル層１３を部分的に固化する工程の後に，バンプ付きウエハ２０を個片化して複数の半導体チップ２４にする工程を具備する半導体チップ２４の製造方法。」
　
（２）甲１の記載
　異議申立書において甲１として提出され，本件特許に係る出願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００５−２８７３４号公報には，以下の記載がある。
　
　ア．段落【０００８】
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って，本発明の目的は，フリップチップ実装に好適に使用される，バンプ充填性に優れ，優れたウエハ加工性が得られ，樹脂封止後に優れた電気接続信頼性をもたらす積層シート，該シートを用いた半導体の製造方法ならびに該方法によって製造され得る半導体装置を提供することにある。」
　
　イ．段落【００１１】
「【００１１】
フリップチップ実装においては、突起電極を形成したウエハを所定の厚さまで研削した後、該ウエハを個々の半導体素子に切断し、得られた半導体素子を配線回路基板上に搭載し、樹脂封止を行う。本発明の積層シートを突起電極が存在する回路面に貼りつけた場合、通常、突起電極はＡ層を貫通してＢ層に至ることになるが、Ｂ層は突起電極を埋め込み得る柔軟性を有しており、該電極を包み込んで保護するので、ウエハ加工時の突起電極の損傷等が防止される。また、本発明の積層シートは充分に密に回路面上に貼りつけることができるので、突起電極と該シートとの間に実質的にボイドが生ずることはなく、バンプ充填性に優れる。」
　
（３）甲６の記載
　異議申立書において甲６として提出され，本件特許に係る出願の出願日前に頒布された刊行物である特開２０００−４０７１１号公報には，以下の記載がある。
　
　ア．段落【００４３】ないし【００４５】
「【００４３】次いで，半導体ウエハ１上に透明，半透明または不透明の樹脂をポッティングし，これをダム用樹脂と同時に所定条件で硬化させて図７（ｃ）に示すように樹脂保護膜３６を形成する。この樹脂保護膜３６形成用の樹脂としては，透明，半透明または不透明のポリイミド，エポキシ，アクリル，エポキシアクリレート，シリコーン，ポリイミドシリコーン等が用いられる。なお，前記のダム３５形成用の樹脂，および樹脂保護膜３６用の樹脂については，紫外線照射硬化型でかつ加熱硬化型である樹脂を用いるのが好ましく，その場合の硬化条件としては，例えば２０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２）での紫外線照射と，８０〜１３０℃で３０〜６０分間の加熱とが採られる。
【００４４】次いで，図１（ａ）〜（ｅ）に示した例と同様にして研磨処理し，図７（ｄ）に示すようにダム３５，樹脂保護膜３６，はんだバンプ１０を所定の高さ（例えば３０μｍ程度）に加工する。次いで，図１に示した例，あるいは図３に示した例と同様にして研削および研磨加工を行い，切削溝１２内の樹脂保護膜３６を半導体ウエハ１の裏面側に露出させ，さらに樹脂保護膜３６を所定の厚さ，例えば３０μｍ程度とするとともに，はんだバンプ１０の高さも３０μｍ程度としてこれを樹脂保護膜３６の表面に露出させる。
【００４５】続いて，露出したはんだバンプ３０と樹脂保護膜３６とを覆って半導体ウエハ１の表面側にダイシング用支持テープ１６を貼合し，その後，半導体ウエハ１の裏面側に露出させた樹脂保護膜３６に沿って該半導体ウエハ１を，その裏面側からダイシングブレード１７によってフルカットダイシング処理し，各半導体チップに分割して樹脂封止型半導体装置を得る。」
　
（４）甲７の記載
　異議申立書において甲７として提出され，本件特許に係る出願の出願日前に頒布された刊行物である特開２０００−４０７７３号公報には，以下の記載がある。
　
　ア．段落【００１７】ないし【００２１】
「【００１７】このようにしてはんだバンプ１０を形成したら，図１（ｅ）に示すように半導体ウエハ１の上面全面に厚さ５〜１０μｍ程度の透明または半透明の樹脂保護膜１１を形成する。この樹脂保護膜１１は，ポリイミド，エポキシ，エポキシアクリレート，アクリル，シリコーン，ポリイミドシリコーン等の透明または半透明の樹脂からなるもので，その形成法としては，該透明または半透明の樹脂からなるコーティング剤を半導体ウエハ１の上面にスピンコートし，所定の条件で硬化処理するといった手法が採用される。このようにして樹脂保護膜１１を形成すると，はんだバンプ１０はこの樹脂保護膜１１に覆われた状態となる。硬化前に樹脂保護膜中に存在する気泡を除去し，半導体ウエハ表面及びバンプとの密着性向上の為に，加圧加熱又は減圧加熱の脱泡処理を施すのが望ましい。加熱は，硬化温度以下，例えば５０〜８０℃，加圧は５〜１０ｋｇ／ｃｍ２の空気又はＮ２ガス，減圧は１０−２〜１Ｔｏｒｒの真空条件が望ましい。
【００１８】なお，この樹脂保護膜１１の形成により，半導体ウエハ１上のダイシング用オートアライメントマーク５やスクライブライン４も該樹脂保護膜１１に覆われているが，これらダイシング用オートアライメントマーク５やスクライブライン４は，透明または半透明である樹脂保護膜１１を透して視認可能になっているのはもちろんである。すなわち，「透明または半透明」とした記載は，本明細書中においては，その下地が視認可能となる程度の透明度を有する状態を意味しているのである。
【００１９】ここで，硬化処理として具体的には，透明または半透明のポリイミドの場合では１８０〜２００℃で１時間程度加熱硬化処理し，透明または半透明のエポキシの場合では１２０〜１５０℃で２〜３時間程度加熱硬化処理し，透明または半透明のシリコーンの場合では１５０〜１６０℃１時間程度加熱硬化処理する。また，透明または半透明のエポキシの場合，２０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２）程度紫外線照射硬化処理した後，１００〜１３０℃で３０分間程度加熱硬化処理してもよい。さらに，透明または半透明のアクリルの場合，１０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２）程度紫外線照射硬化処理してもよく，透明または半透明のエポキシアクリレートの場合，２０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２）程度紫外線照射硬化処理した後，８０〜１００℃で６０分間程度加熱硬化処理してもよい。
【００２０】次いで，ウレタン発泡体または不織布基材の研磨クロスと酸化セリウム系スラリーにより，樹脂保護膜１１およびはんだバンプ１０を樹脂保護膜１１が５０μｍ程度の厚さとなるように研磨処理し，図２（ａ）に示すようにはんだバンプ１０の研磨面を樹脂保護膜１１表面に露出させる。次いで，無電解メッキ法により，図２（ｂ）に示すようにはんだバンプ１０上に厚さ０．０２〜０．０３μｍ程度のフラッシュ金メッキ層１２を形成する。また，必要に応じて半導体ウエハの裏面研削で所定の半導体ウエハ（チップ）厚みとする。半導体ウエハ表面に紫外線照射硬化型テープを貼合し，この状態で半導体ウエハの裏面を研削，例えばインフィールド研削法では粗削り＃４００の４５０μｍ厚仕上げ，精密仕上げ＃２０００の４００μｍ厚仕上げにより，所望の厚さの半導体ウエハを得る。
【００２１】次いで，半導体ウエハ１の裏面（下面）に厚さ９０μｍ程度のダイシング用支持テープ１３を貼合する。その後，樹脂保護膜１１を透して例えば赤十字マークのダイシング用アライメントマーク５を検出し，これを基にして図２（ｂ）に示したようにダイシングブレード１４によってダイシング用支持テープ１３を３０〜４０μｍ程度切り込む条件のフルカットダイシング処理を行い，各半導体チップに分割して樹脂封止型半導体装置を得る。」
　
４．特許法第２９条第２項に係る取消理由についての判断
（１）特許発明１と甲２発明との対比
　特許発明１と甲２発明を対比すると，甲２発明の「バンプ付きウエハ２０」が特許発明１の「バンプ付きウエハ」に相当することは明らかであり，同様に，「ベース層１１」が「支持基材」に相当する。また，甲２発明の「接着性を有する材料で作られた取り外し可能な層１２」は，「Ｂステージであるアンダーフィル層１３」に接着した後に，「アンダーフィル層１３」から除去できる程度の接着性を有するものであるから，特許発明１の「粘着剤層」に相当する。また，一般に，「Ｂステージ」とは，熱硬化性樹脂が半硬化した状態をいうから，甲２発明の「Ｂステージであるアンダーフィル層１３」は，特許発明１の「熱硬化性樹脂層」に相当し，甲２発明の「ベース層１１，接着性を有する材料で作られた取り外し可能な層１２及びＢステージであるアンダーフィル層１３を有するフィルム１０」と，特許発明１の「支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層された保護層形成用フィルム」は，「支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されたフィルム」という点で一致する。また，甲２発明の「アンダーフィル層１３が，バンプ付きウエハ２０の活性表面２１に接着するように押圧する工程２」は，特許発明１の「バンプ付きウエハのバンプが形成されている面に」，「前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程」に相当することは明らかである。
　そして，甲２発明の「ベース層１１及び取り外し可能な層１２を，アンダーフィル層１３から除去する工程４」が，特許発明１の「前記支持基材と前記粘着剤層とを，前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程」に相当することは明らかである。
　また，甲２発明の「アンダーフィル層１３を部分的に固化する工程」と，特許発明１の「前記熱硬化性樹脂層を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱して硬化させ，保護層を形成する工程」とは，「前記熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程」という点で共通する。
　さらに，甲２発明の「アンダーフィル層１３を部分的に固化する工程の後に，バンプ付きウエハ２０を個片化して複数の半導体チップ２４にする工程を具備する半導体チップ２４の製造方法」と，特許発明１の「前記の保護膜を形成する工程の後に，前記バンプ付きウエハを保護層と共にダイシングする工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法」とは，「前記の熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程の後に，前記バンプ付きウエハを硬化した熱硬化性樹脂と共にダイシングする工程とを具備する半導体装置の製造方法」という点で共通する。
　
　以上から，特許発明１と甲２発明は，以下の点で一致及び相違する。
　
＜一致点＞
　バンプ付きウエハのバンプが形成されている面に，支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層されたフィルムを，前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と，
　前記支持基材と前記粘着剤層とを，前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程と，
　前記熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程と，
　前記の熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程の後に，前記バンプ付きウエハを硬化した熱硬化性樹脂と共にダイシングする工程とを具備する半導体装置の製造方法。
＜相違点１＞
　バンプ付きウエハが，特許発明１では，「バンプが形成されている面側に低誘電材料層が形成されている」ものであるのに対して，甲２発明では，そのようなものか不明な点。
　
＜相違点２＞
　特許発明１では，フィルムが「保護層形成用」であり，硬化した熱可塑性樹脂層により「保護層」が形成されるのに対して，甲２発明では，フィルムが「フィルム１０」であり，硬化した熱可塑性樹脂層により保護層が形成されるかどうか不明な点。
　
＜相違点３＞
　「前記熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させる工程」が，特許発明１では「加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱」するものであるのに対して，甲２発明では「アンダーフィル層１３を部分的に固化」するものである点。
　
（２）相違点の判断
　ア．相違点３について
　事案に鑑みて，まず相違点３について検討する。
　（ア）上記３．（１）キ．に示す記載からみて，甲２発明が解決しようとする課題は，従来の技術では，フリップチップパッケージの信頼性を高めるために，基板とチップとの間にアンダーフィル材を充填していたが，基板の開口部を通して充填することから，多くの時間を費やし，アンダーフィル層に多くの隙間を引き起こすという課題があり，また，他の従来技術として，アンダーフィル層をフィルム上に予め形成して，そのフィルム上に形成されたアンダーフィル層をバンプ付きウエハ上に配置する方法では，フィルムをアンダーフィル層から除去することが容易ではなく，バンプを十分に保護できないという課題があったというものである。
　そして，甲２発明は，それらの課題を解決するために，ベース層，取外し可能な層，及びアンダーフィル層を有するフィルムを利用して，バンプがアンダーフィル層に埋設されるようにフィルムを加熱プレスすることにより，バンプ付きウエハ上にアンダーフィル層を形成する方法を提供することを目的としている。
　これらの甲２の記載に接した当業者であれば，甲２発明は，アンダーフィルを改善しようとした発明であると当然に理解できるところ，アンダーフィルは，半導体チップと基板との熱膨張係数が異なることにより，半導体チップと基板との接合部が破壊されることを防止するために，半導体チップと基板との間に充填して熱応力を緩和させる樹脂をいう。そして，半導体チップと基板との間の熱応力を緩和するためには，アンダーフィルは，半導体チップと基板の双方に接着しなければならないことから，甲２の記載に接した当業者であれば，半導体チップを基板に取り付ける前に，甲２発明のアンダーフィル層１３を完全に硬化させようと試みることはない。
　（イ）これを前提に，甲２発明のアンダーフィル層１３を部分的に固化するにあたって，特許発明１のように，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することが，当業者にとって容易に想到できる事項であるかどうかを検討すると，上記３．（３）ア．に示すように，甲６には，樹脂保護膜３６の硬化条件として，８０〜１３０℃で３０〜６０分間の加熱を行うことが示されているが，それにより，樹脂保護膜３６が部分的に硬化するかどうかは，明記されていない。むしろ，樹脂保護膜３６を硬化させた後，研磨処理とダイシング処理が行われて，樹脂封止形半導体装置が得られることから見て，樹脂保護膜３６は完全に硬化して樹脂封止が行われていると解するのが相当である。
　また，上記３．（４）ア．に示すように，甲７には，樹脂保護膜１１の硬化処理として，ポリイミドの場合では１８０〜２００℃で１時間程度加熱硬化処理すること，エポキシの場合では１２０〜１５０℃で２〜３時間程度加熱硬化処理すること，シリコーンの場合では１５０〜１６０℃で１時間程度加熱硬化処理すること，エポキシの場合では２０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２ ）程度紫外線照射硬化処理した後，１００〜１３０℃で３０分間程度加熱硬化処理すること，エポキシアクリレートの場合では２０００〜３０００（ｍＪ／ｃｍ２ ）程度紫外線照射硬化処理した後，８０〜１００℃で６０分間程度加熱硬化処理することが示されているが，それにより，それぞれの樹脂保護膜１１が部分的に硬化するかどうかは，明記されていない。むしろ，樹脂保護膜１１を硬化させた後，研磨処理とダイシング処理が行われて，樹脂封止形半導体装置が得られることから見て，樹脂保護膜１１は完全に硬化して樹脂封止が行われていると解するのが相当である。
　（ウ）そうすると，熱硬化性樹脂を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することにより，部分的に硬化させることは，甲６及び７には示されていないから，甲６及び７の記載に接した当業者が，甲２発明のアンダーフィル層１３を部分的に固化するにあたって，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することを試みるとはいえない。
　また，異議申立人が提出した他の証拠，すなわち甲１，３ないし５，及び８ないし１０を参照しても，熱硬化性樹脂を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することにより，部分的に硬化させることは示されていない。
　したがって，甲２発明のアンダーフィル層１３を加熱して硬化させるにあたり，特許発明１のように「加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱」することは，当業者が容易に想到できた事項ではない。
　
　イ．異議申立人の意見について
　（ア）平成２８年１２月１４日付けの意見書（以下「意見書」という。）において，異議申立人は，熱硬化性樹脂を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱して硬化させることは，甲６及び７に記載されていること（意見書の第４ページ第１６行ないし第７ページ第５行。），甲５に，バンプ付き半導体ウエハにポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂をスピンコートした後に熱硬化させて樹脂膜３を形成することが記載され，ポリイミド樹脂又はエポキシ樹脂を，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間の範囲内の条件で熱硬化させることは自明であること（意見書の第７ページ第６行ないし第８ページ第３行。），甲２発明のアンダーフィル層１３を部分的に固化した後にダイシングすることに代えて，熱硬化性樹脂を加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱して硬化させた後にダイシングすることは，甲５ないし７に記載された周知技術を甲２発明に適用することにより，当業者が容易に想到できたこと（意見書の第８ページ第４ないし１０行。）を主張している。
　（イ）しかし，甲６及び７には，熱硬化性樹脂を部分的に硬化させることが示されておらず，また，熱硬化性樹脂を部分的に硬化するために，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することが自明ではない以上，当業者が甲２発明のアンダーフィル層１３を部分的に固化するにあたって，加熱温度１２０〜２００℃，加熱時間３０分〜３時間で加熱することを試みるとはいえない。
　（ウ）むしろ，上記ア．で説示したように，甲６及び７には，甲６及び７に示された硬化条件で，熱硬化性樹脂を完全に硬化させることが示されていると解されるところ，そのような硬化条件を甲２発明に適用すれば，甲２発明のアンダーフィル層１３は，基板に取り付ける前に完全に硬化してしまい，アンダーフィルとしての機能を失い，甲２発明の目的であるアンダーフィル層を提供することにはならないから，異議申立人の主張は採用できない。
　（エ）また，異議申立人は，甲５ないし７の記載に照らして，甲２発明のアンダーフィル層１３の熱硬化が，必ずしも，基板に接続された後に行われる必要はない（意見書の第８ページ最終行ないし第９ページ第２行）などと主張しているが，上記ア．に説示するとおり，甲２発明は，従来のアンダーフィルの課題を解決しようとして，アンダーフィルの改善を目的とするものであるから，甲２発明のアンダーフィル層１３の完全な熱硬化を，基板に接続する前に行うなどと解する余地はなく，異議申立人の主張は採用できない。
　
　ウ．むすび
　以上のとおり，相違点３に係る構成は，甲２発明，並びに甲１及び３ないし１０に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到できたものではないから，他の相違点１及び２について検討するまでもなく，特許発明１は，甲２発明，並びに甲１及び３ないし１０に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到できたものではない。
　
（３）特許発明２及び３について
　特許発明２及び３は，特許発明１を直接又は間接に引用する発明であるから，特許発明１の発明特定事項を全て含んでいる。
　そして，特許発明１は，甲２発明，並びに甲１及び３ないし１０に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到できたものではないことから，特許発明１の発明特定事項を全て含む特許発明２又は３についても，甲２発明，並びに甲１及び３ないし１０に記載された事項に基づいて，当業者が容易に想到できたものではない。
　
５．特許法第３６条第６項第１号に係る取消理由についての判断
　上記第２の２．（１）に示すとおり，訂正前の請求項１には「保護膜」という記載が存在しないのに，「前記の保護膜」と記載されていたところ，特許発明１は「前記の保護層」と記載され，誤記が解消しているから，特許発明１の記載は明確である。
　したがって，特許発明１は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしている。
　
６．取消理由通知において採用しなかった特許異議申立て理由について
（１）異議申立人は，甲１に記載された発明（異議申立書第１２ページ下から第９ないし最終行，以下「甲１発明」という。）と訂正前の請求項１に係る発明（以下「訂正前発明」という。）を対比して，一致点並びに相違点１及び２を挙げ（異議申立書第２８ページ最終行ないし第３０ページ第１行），各相違点がいずれも容易相当であること（異議申立書第３０ページ第２行ないし第３２ページ第１７行）を主張している。
　
（２）そこで，異議申立人の挙げた相違点２，すなわち訂正前発明では，熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させ，保護層を形成する工程の後に，バンプ付きウエハを保護層と共にダイシングするが，甲１発明では，バンプ付きウエハを熱硬化性樹脂層と共にダイシングする工程の後に，熱硬化性樹脂層を加熱して硬化させている点，を念のため検討する。
　甲１発明が解決しようとする課題は，上記３．（２）ア．に示すとおりであって，樹脂封止後に優れた電気接続信頼性をもたらすことが示されているところ，その電気接続信頼性は，上記３．（２）イ．に示すように，半導体素子を配線回路基板上に搭載し、樹脂封止を行うことでもたらされる。
　そうすると，甲１のこれらの記載に接した当業者であれば，半導体素子を配線回路基板上に搭載するよりも前に，樹脂封止を行うなどと試みることはないから，異議申立人の挙げた相違点２は，当業者が容易に想到できたものとはいえない。
　したがって，異議申立人の主張は，理由がない。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，特許発明１ないし３に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に特許発明１ないし３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年１月２３日（２０１７．１．２３）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　バンプが形成されている面側に低誘電材料層が形成されているバンプ付きウエハのバンプが形成されている面に、支持基材と粘着剤層と熱硬化性樹脂層とがこの順で積層された保護層形成用フィルムを、前記熱硬化性樹脂層を貼り合わせ面にして貼り合わせる工程と、
　前記支持基材と前記粘着剤層とを、前記熱硬化性樹脂層から剥離する工程と、
　前記熱硬化性樹脂層を
、加熱温度１２０〜２００℃、加熱時間３０分〜３時間で
　前記の保護
層
　【請求項２】
　前記熱硬化性樹脂層の溶融粘度は、前記バンプ付きウエハに前記保護層形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０２Ｐａ・Ｓ以上２×１０４Ｐａ・Ｓ未満であり、
　前記粘着剤層のせん断弾性率は、前記バンプ付きウエハに前記保護層形成用フィルムを貼り合わせる際の温度において、１×１０３Ｐａ以上２×１０６Ｐａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項３】
　前記熱硬化性樹脂層は、バンプ高さの０．０５〜０．９倍の厚みを有することを特徴とする請求項１又はと２に記載の半導体装置の製造方法。