(57)【要約】  本発明は、キャリアシート上にコンデンサが配置されているコンデンサ搭載フィルムであって、  上記コンデンサが、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサであることを特徴とする、コンデンサ搭載フィルム。
2017026207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアシート上にコンデンサが配置されているコンデンサ搭載フィルムであって、
上記コンデンサの少なくとも一つが、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサであることを特徴とする、コンデンサ搭載フィルム。
【請求項２】
上記コンデンサの導電性多孔基材が、一方の主面にのみ多孔部を有することを特徴とする、請求項１に記載のコンデンサ搭載フィルム。
【請求項３】
上記コンデンサの誘電体層および／または上部電極が、原子層堆積法により形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のコンデンサ搭載フィルム。
【請求項４】
上記コンデンサが、配線用電極を有することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のコンデンサ搭載フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ搭載フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高密度実装化に伴って、より小型で高静電容量を有するコンデンサが求められている。また、電子機器の電源動作周波数の高周波数化に伴う高周波リップルノイズの抑制のために、より等価直列抵抗（ＥＳＲ：Equivalent Series Resistance）が低いコンデンサが求められている。従って、小型で静電容量が大きく、かつ、ＥＳＲが小さいコンデンサに対する要求が高まってきている。このような低ＥＳＲかつ小型高容量を有するコンデンサとして、特許文献１に記載のチップ型固体電解コンデンサが知られている。【０００３】
特許文献１では、弁作用金属からなる陽極の表面に酸化皮膜を形成し、陰極側に導電性高分子を用いることにより、高静電容量かつ低ＥＳＲを達成している。しかしながら、このような構成を有する特許文献１のコンデンサは極性を有しており、逆電圧が印加される回路では、短絡を生じる可能性がある。小型高静電容量および低ＥＳＲを両立しながら、極性のないコンデンサを得ることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−５７１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、小型高静電容量および低ＥＳＲを両立しながら、極性のないコンデンサについて検討した結果、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサに着目した。このようなコンデンサは、導電性基材が多孔部を有しているので、非常に大きな表面積を有し、高い静電容量を得ることができる。また、このようなコンデンサは、酸化皮膜と固体電解質層との組み合わせを有しないことから、極性を有しない。【０００６】
しかしながら、上記のコンデンサは、応力が働いた場合に、誘電体層が脆性破壊を起こしやすいという問題がある。特許文献１のコンデンサは、誘電体層の自己修復機能があるので、誘電体層にクラックが生じた場合であっても、電極間のショートには至らないが、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサは、誘電体層の自己修復機能がないので、クラックの発生が電極間のショートを引き起こす可能性が高い。このような問題に加えて、上記のコンデンサは非常に小型であり得るので、運搬、基板への実装時の取り扱いが非常に難しい。【０００７】
本発明の目的は、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサの取り扱いを容易にする製品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記問題を解消すべく鋭意検討した結果、上記のコンデンサをキャリアシート上に搭載し、コンデンサ搭載フィルムとして取り扱うことにより、運搬時にコンデンサにかかる応力が低減され、クラックの発生を抑制することができることを見出した。さらに、キャリアシート上のコンデンサの配置を、基板等への実装時の配置とすることにより、コンデンサ搭載フィルムは、ウエハレベルパッケージ技術にそのまま用いることができるので、実装時にかかる応力が低減され、さらに製造工程が簡易化されることを見出した。【０００９】
本発明の要旨によれば、キャリアシート上にコンデンサが配置されているコンデンサ搭載フィルムであって、
上記コンデンサの少なくとも一つが、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサであることを特徴とする、コンデンサ搭載フィルムが提供される。
【発明の効果】
【００１０】
導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサを、キャリアシート上に搭載して、コンデンサ搭載フィルムとして取り扱うことにより、運搬時および実装時にコンデンサにかかる応力が低減され、クラックの発生を抑制することができる。また、本発明のコンデンサ搭載フィルムは、ウエハレベルパッケージ技術にそのまま用いることができ、製造工程を簡易することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一の実施形態におけるコンデンサ搭載フィルム１の概略平面図である。
【図２】図２は、図１に示すコンデンサ搭載フィルム１のｘ−ｘ線に沿った概略断面図である。
【図３】図３は、本発明において用いられるコンデンサ５１の概略断面図である。
【図４】図４は、図３のコンデンサ５１の高空隙率部の拡大図を模式的に示す図である。
【図５】図５は、本発明において用いられるコンデンサ７１の概略断面図である。
【図６】図６は、図５のコンデンサ７１の高空隙率部の拡大図を模式的に示す図である。
【図７】図７は、本発明のコンデンサ搭載フィルムに搭載されるコンデンサの一態様を示す概略断面図である。
【図８】図８は、図７のコンデンサの概略平面図である。
【図９】図９は、本発明のコンデンサ搭載フィルムに搭載されるコンデンサの別の態様を示す概略断面図である。
【図１０】図１０は、図９のコンデンサの概略平面図である。
【図１１】図１１は、図９のコンデンサを搭載した本発明のコンデンサ搭載フィルムの概略断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、本発明のコンデンサ搭載フィルムに搭載されるコンデンサ内蔵基板の態様を示す概略断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の一の態様のコンデンサ搭載フィルムの概略平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の別の態様のコンデンサ搭載フィルムの概略平面図である。
【図１５】図１５は、本発明の別の態様のコンデンサ搭載フィルムの概略平面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｆ）は、本発明のコンデンサ搭載フィルムを用いたファンアウトウエハレベルパッケージングを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明のコンデンサ搭載フィルムについて、図面を参照しながら詳細に説明する。但し、本実施形態のコンデンサ搭載フィルムの各構成要素の形状および配置等は、図示する例に限定されない。
【００１３】
本発明のコンデンサ搭載フィルムにおいて、キャリアシート上に複数のコンデンサが配置されている。
【００１４】
本発明の一の実施形態のコンデンサ搭載フィルム１の概略平面図を図１に、概略断面図を図２に示す。図１および図２に示されるように、本実施形態に用いられるコンデンサ搭載フィルム１は、概略的には、キャリアシート２と、コンデンサ３とを有してなる。コンデンサ３は、キャリアシート２上に配置され、固定されている。
【００１５】
上記キャリアシート２の材料、形状、大きさ等は特に限定されないが、フィルム形状であることが好ましい。
【００１６】
キャリアシート２を構成する材料は、好ましくは樹脂であり、より好ましくは耐熱性樹脂であり、具体的には、ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等が挙げられる。
【００１７】
キャリアシートの厚みは、用途に応じて適宜選択することができ、例えば、１μｍ以上２．０ｍｍ以下であり、好ましくは１０μｍ以上２００μｍ以下、例えば２０μｍ以上８０μｍ以下であり得る。
【００１８】
キャリアシートは、１つの層から成っていても複数の層から成っていてもよい。一の態様において、キャリアシートは、支持体としてのシート上に粘着層が形成されたものであり得る。
【００１９】
上記粘着層を構成する粘着剤は、特に限定されないが、例えばウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤等が好ましい。後に、キャリアシートからコンデンサ等を剥がしやすくするため、感温性粘着材（例えば、インテリマー（登録商標）テープ）が好適に用いられる。
【００２０】
上記コンデンサ３は、特に限定されず、種々のタイプのコンデンサを用いることができる。
【００２１】
好ましい態様において、コンデンサは、導電性多孔基材と、導電性多孔基材上に位置する誘電体層と、誘電体層上に位置する上部電極とを有して成るコンデンサである。このようなコンデンサは、基材の表面積が大きく、大きな静電容量を得ることができる点で有利である。
【００２２】
一の態様において、上記コンデンサは、図３および図４に示されるコンデンサ５１であり得る。図３は、コンデンサ５１の概略断面図（ただし、簡単のために、誘電体層５５および上部電極５６は図示していない）を示し、図４は、コンデンサ５１の高空隙率部の拡大図を模式的に示す。図３および図４に示されるように、コンデンサ５１は、略直方体形状を有している。概略的には、コンデンサ５１は、中央部に高空隙率部５２を有し、側面部に低空隙率部５３を有して成る導電性多孔基材５４と、この上に形成された誘電体層５５と、誘電体層５５上に形成された上部電極５６と、これらの上に、上部電極５６と電気的に接続するように形成された配線電極５７と、さらにこれらの上に形成された保護層５８とを有して成る。導電性多孔基材５４の側面には、対向するように第１コンデンサ電極５９および第２コンデンサ電極６０が設けられている。第１コンデンサ電極５９は導電性多孔基材５４に電気的に接続されており、第２コンデンサ電極６０は、配線電極５７を介して上部電極５６に電気的に接続されている。上部電極５６と、導電性多孔基材５４の高空隙率部５２とは、誘電体層５５を介して向かい合っている。それぞれ、第１コンデンサ電極５９および第２コンデンサ電極６０を介して、導電性多孔基材５４および上部電極５６に通電すると、誘電体層５５に電荷を蓄積することができる。
【００２３】
このようなコンデンサは、図４に示すように導電性多孔基材の両主面に多孔部（高空隙率部）を有し得るので、より大きな静電容量を得ることができる。また、同一平面に２つの電極が存在し得るので、キャリアシート２の表面に両方の電極を接するように配置することができ、本発明のコンデンサ搭載フィルムを、ウエハレベルパッケージに用いる際等に有利である。
【００２４】
別の態様において、上記コンデンサは、図５および図６に示されるコンデンサ７１であり得る。図５は、コンデンサ７１の概略断面図（ただし、簡単のために、細孔は図示していない）を示し、図６は、コンデンサ７１の高空隙率部の拡大図を模式的に示す。図５および図６に示されるように、コンデンサ７１は、略直方体形状を有しており、概略的には、導電性多孔基材７４と、導電性多孔基材７４上に形成された誘電体層７５と、誘電体層７５上に形成された上部電極７６とを有して成る。導電性多孔基材７４は、一方の主面側に相対的に空隙率が高い高空隙率部７２と、相対的に空隙率が低い低空隙率部７３を有する。高空隙率部７２は、導電性多孔基材７４の第１主面（図面上側の主面）の中央部に位置し、その周囲には、低空隙率部７３が位置している。つまり、低空隙率部７３は、高空隙率部７２を囲んでいる。高空隙率部７２は、多孔構造を有しており、即ち、多孔部である。また、導電性多孔基材７４は、他方の主面（第２主面；図面下側の主面）側に支持部７７を有する。即ち、高空隙率部７２および低空隙率部７３は導電性多孔基材７４の第１主面を構成し、支持部７７は導電性多孔基材７４の第２主面を構成する。図５において、第１主面は、導電性多孔基材７４の上面であり、第２主面は、導電性多孔基材７４の下面である。コンデンサ７１の末端部において、誘電体層７５と上部電極７６の間には絶縁部８２が存在する。コンデンサ７１は、上部電極７６上に第１コンデンサ電極７９、および導電性多孔基材７４の支持部７７側の主面上に第２コンデンサ電極８０を備える。コンデンサ７１において、第１コンデンサ電極７９と上部電極７６とは電気的に接続されており、第２コンデンサ電極８０は、導電性多孔基材７４の第２主面に電気的に接続されている。上部電極７６と、導電性多孔基材７４の高空隙率部７２は、誘電体層７５を介して向かい合っており、上部電極７６と導電性多孔基材７４に通電すると、誘電体層７５に電荷を蓄積することができる。
【００２５】
このようなコンデンサは、図６に示すように導電性多孔基材の一方の主面にのみ多孔部（高空隙率部）を有するので、低背化の観点から有利である。
【００２６】
上記導電性多孔基材は、多孔構造を有し、表面が導電性であれば、その材料および構成は限定されない。例えば、導電性多孔基材としては、多孔質金属基材、または、多孔質シリカ材料、多孔質炭素材料もしくは多孔質セラミック焼結体の表面に導電性の層を形成した基材等が挙げられる。好ましい態様において、導電性多孔基材は、多孔質金属基材である。
【００２７】
上記多孔質金属基材を構成する金属としては、例えば、アルミニウム、タンタル、ニッケル、銅、チタン、ニオブおよび鉄の金属、ならびにステンレス、ジュラルミン等の合金等が挙げられる。好ましくは、多孔質金属基材は、アルミニウム多孔基材である。
【００２８】
上記導電性多孔基材は、高空隙率部（即ち、多孔部）を有し、さらに低空隙率部および支持部を有していてもよい。
【００２９】
本明細書において、「空隙率」とは、導電性多孔基材において空隙が占める割合を言う。当該空隙率は、下記のようにして測定することができる。尚、上記多孔部の空隙は、コンデンサを作製するプロセスにおいて、最終的に誘電体層および上部電極などで充填され得るが、上記「空隙率」は、このように充填された物質は考慮せず、充填された箇所も空隙とみなして算出する。
【００３０】
まず、多孔金属基材を、ＦＩＢ（収束イオンビーム：Focused Ion Beam）マイクロサンプリング法で加工し６０ｎｍ以下の厚みの薄片試料に加工する。この薄片試料の所定の領域（３μｍ×３μｍ）を、ＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡：Scanning Transmission Electron Microscope）−ＥＤＳ（エネルギー分散型Ｘ線分析：Energy dispersive X-ray spectrometry）マッピング分析で測定する。マッピング測定視野内において、多孔金属基材の金属が存在する面積を求める。そして、下記等式から空隙率を計算することができる。この測定を任意の場所３箇所で行い、測定値の平均値を空隙率とする。
空隙率（％）＝（（測定面積−基材の金属が存在する面積）／測定面積）×１００
【００３１】
本明細書において、「高空隙率部」とは、導電性多孔基材の支持部および低空隙率部よりも空隙率が高い部分を意味する。
【００３２】
上記高空隙率部は、多孔構造を有する。多孔構造を有する高空隙率部は、導電性多孔基材の比表面積を大きくし、コンデンサの静電容量をより大きくする。
【００３３】
高空隙率部の空隙率は、比表面積を大きくして、コンデンサの静電容量をより大きくする観点から、好ましくは２０％以上、より好ましくは３０％以上、さらにより好ましくは３５％以上であり得る。また、機械的強度を確保する観点から、９０％以下が好ましく、８０％以下がより好ましい。
【００３４】
高空隙率部は、特に限定されないが、好ましくは３０倍以上１０，０００倍以下、より好ましくは５０倍以上５，０００倍以下、例えば２００倍以上６００倍以下の拡面率を有する。ここに、拡面率とは、単位投影面積あたりの表面積を意味する。単位投影面積あたりの表面積は、ＢＥＴ比表面積測定装置を用いて、液体窒素温度における窒素の吸着量から求めることができる。
【００３５】
また、拡面率は、次の方法でも求めることができる。上記の試料の断面（厚み方向にカットして得られる断面）のＳＴＥＭ（走査透過型電子顕微鏡）画像を、幅Ｘで厚み（高さ）Ｔ方向全体にわたって撮影する（一度に撮影できない場合は、複数の画像を連結してもよい）。得られた幅Ｘ高さＴの断面の細孔表面の総経路長Ｌ（細孔表面の合計の長さ）を測定する。ここで、上記幅Ｘ高さＴの断面を一の側面とし、多孔基材表面を一の底面とする正四角柱領域における細孔表面の総経路長は、ＬＸとなる。また、この正四角柱の底面積はＸ２となる。従って、拡面率は、ＬＸ／Ｘ２＝Ｌ／Ｘとして求めることができる。
【００３６】
本明細書において、「低空隙率部」とは、高空隙率部と比較して、空隙率が低い部分を意味する。好ましくは、低空隙率部の空隙率は、高空隙率部の空隙率よりも低く、支持部の空隙率以上である。
【００３７】
低空隙率部の空隙率は、好ましくは２０％以下、より好ましくは１０％以下である。また、低空隙率部は、空隙率が０％であってもよい。即ち、低空隙率部は、多孔構造を有していても、有していなくてもよい。低空隙率部の空隙率が低いほど、コンデンサの機械的強度が向上する。
【００３８】
尚、低空隙率部は、本発明において必須の構成要素ではなく、存在しなくてもよい。  
【００３９】
本発明において、導電性多孔基材の高空隙率部および低空隙率部の存在位置、設置数、大きさ、形状、両者の比率等は、特に限定されない。例えば、導電性多孔基材の一方の主面は、高空隙率部のみからなってもよい。また、高空隙率部と低空隙率部の比率を調整することにより、コンデンサの静電容量を制御することができる。
【００４０】
上記高空隙率部の厚みは、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができ、例えば３μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは３００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下であってもよい。
【００４１】
導電性多孔基材の支持部の空隙率は、支持体としての機能を発揮するためにより小さいことが好ましく、具体的には１０％以下であることが好ましく、実質的に空隙が存在しないことがより好ましい。
【００４２】
上記支持部の厚みは、特に限定されないが、コンデンサの機械的強度を高めるために、１μｍ以上であることが好ましく、例えば３μｍ以上、５μｍ以上または１０μｍ以上であり得る。また、コンデンサの低背化の観点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、例えば５０μｍ以下または３０μｍ以下であり得る。
【００４３】
上記導電性多孔基材の厚みは、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができ、例えば５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上であり、例えば１０００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは７０μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下であってもよい。
【００４４】
導電性多孔基材の製造方法は、特に限定されない。例えば、導電性多孔基材は、適当な金属材料を、多孔構造を形成する方法、多孔構造を潰す（埋める）方法、または多孔構造部分を除去する方法、あるいはこれらを組み合わせた方法で処理することにより製造することができる。
【００４５】
導電性多孔基材を製造するための金属材料は、多孔質金属材料（例えば、エッチド箔）、または多孔構造を有しない金属材料（例えば、金属箔）、あるいはこれらの材料を組み合わせた材料であり得る。組み合わせる方法は、特に限定されず、例えば、溶接、圧着または導電性接着剤等により貼り合わせる方法が挙げられる。
【００４６】
多孔構造を形成する方法としては、特に限定されないが、好ましくはエッチング処理、例えば直流または交流エッチング処理が挙げられる。
【００４７】
多孔構造を潰す（埋める）方法としては、特に限定されないが、例えば、レーザー照射等により金属を溶融させて孔を潰す方法、あるいは、金型加工、プレス加工により圧縮して孔を潰す方法が挙げられる。上記レーザーとしては、特に限定されないが、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、ならびにフェムト秒レーザー、ピコ秒レーザーおよびナノ秒レーザー等の全固体パルスレーザーが挙げられる。より精細に形状および空隙率を制御できることから、フェムト秒レーザー、ピコ秒レーザーおよびナノ秒レーザー等の全固体パルスレーザーが好ましい。
【００４８】
多孔構造部分を除去する方法としては、特に限定されないが、例えば、ダイサー加工や、レーザーのアブレーション加工が挙げられる。
【００４９】
一の方法において、導電性多孔基材は、多孔質金属材料を準備し、この多孔質金属基材の支持部および低空隙率部に対応する箇所の孔を潰す（埋める）ことによって製造することができる。
【００５０】
支持部および低空隙率部は、同時に形成する必要はなく、別個に形成してもよい。例えば、まず、多孔金属基材の支持部に対応する箇所を処理して、支持部を形成し、次いで、低空隙率部に対応する箇所を処理して、低空隙率部を形成してもよい。
【００５１】
別の方法において、導電性多孔基材は、多孔構造を有しない金属基材（例えば、金属箔）の高空隙率部に対応する箇所を処理して、多孔構造を形成することにより製造することができる。
【００５２】
さらに別の方法において、低空隙率部を有しない導電性多孔基材は、多孔質金属材料の支持部に対応する箇所の孔を潰し、次いで、低空隙率部に対応する箇所を除去することにより製造することができる。
【００５３】
本発明で用いられるコンデンサにおいて、高空隙率部上には、誘電体層が形成されている。
【００５４】
上記誘電体層を形成する材料は、絶縁性であれば特に限定されないが、好ましくは、ＡｌＯｘ（例えば、Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＯｘ（例えば、ＳｉＯ２）、ＡｌＴｉＯｘ、ＳｉＴｉＯｘ、ＨｆＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｒＯｘ、ＨｆＳｉＯｘ、ＺｒＳｉＯｘ、ＴｉＺｒＯｘ、ＴｉＺｒＷＯｘ、ＴｉＯｘ、ＳｒＴｉＯｘ、ＰｂＴｉＯｘ、ＢａＴｉＯｘ、ＢａＳｒＴｉＯｘ、ＢａＣａＴｉＯｘ、ＳｉＡｌＯｘ等の金属酸化物；ＡｌＮｘ、ＳｉＮｘ、ＡｌＳｃＮｘ等の金属窒化物；またはＡｌＯｘＮｙ、ＳｉＯｘＮｙ、ＨｆＳｉＯｘＮｙ、ＳｉＣｘＯｙＮｚ等の金属酸窒化物が挙げられ、ＡｌＯｘ、ＳｉＯｘ、ＳｉＯｘＮｙ、ＨｆＳｉＯｘが好ましい。なお、上記の式は、単に材料の構成を表現するものであり、組成を限定するものではない。即ち、ＯおよびＮに付されたｘ、ｙおよびｚは０より大きい任意の値であってもよく、金属元素を含む各元素の存在比率は任意である。
【００５５】
誘電体層の厚みは、特に限定されないが、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下がより好ましい。誘電体層の厚みを５ｎｍ以上とすることにより、絶縁性を高めることができ、漏れ電流を小さくすることが可能になる。また、誘電体層の厚みを１００ｎｍ以下とすることにより、より大きな静電容量を得ることが可能になる。
【００５６】
上記誘電体層は、好ましくは、気相法、例えば真空蒸着法、化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、原子層堆積（ＡＬＤ：Atomic Layer Deposition）法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Pulsed Laser Deposition）法等により形成される。多孔部材の細孔の細部にまでより均質で緻密な膜を形成できることから、ＡＬＤ法がより好ましい。
【００５７】
一の態様において（例えば、コンデンサ７１において）、誘電体層の末端部には、絶縁部８２が設けられている。絶縁部を設置することにより、その上に設置される上部電極と導電性多孔基材間での短絡（ショート）を防止することができる。
【００５８】
尚、コンデンサ７１においては、絶縁部は、低空隙率部上の全体に存在するが、これに限定されず、低空隙率部の一部のみに存在してもよく、また、低空隙率部を超えて、高空隙率部上にまで存在してもよい。
【００５９】
また、コンデンサ７１においては、絶縁部は、誘電体層と上部電極の間に位置しているが、これに限定されない。絶縁部は、導電性多孔基材と上部電極の間に位置していればよく、例えば低空隙率部と誘電体層の間に位置していてもよい。
【００６０】
絶縁部を形成する材料は、絶縁性であれば特に限定されないが、後に原子層堆積法を利用する場合、耐熱性を有する樹脂が好ましい。絶縁部を形成する絶縁性材料としては、各種ガラス材料、セラミック材料、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂が好ましい。
【００６１】
絶縁部の厚みは、特に限定されないが、端面放電をより確実に防止することと、各部品に個片化加工する際に電極間が短絡することを防止する観点から、１μｍ以上であることが好ましく、例えば５μｍ以上または１０μｍ以上であり得る。また、コンデンサの低背化の観点からは、１００μｍ以下であることが好ましく、例えば５０μｍ以下または２０μｍ以下であり得る。
【００６２】
尚、本発明に用いられるコンデンサにおいて、絶縁部は必須の要素ではなく、存在しなくてもよい。
【００６３】
上記誘電体層上には、上部電極が形成されている。
【００６４】
上記上部電極を構成する材料は、導電性であれば特に限定されないが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｔａおよびそれらの合金、例えばＣｕＮｉ、ＡｕＮｉ、ＡｕＳｎ、ならびにＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＯＮ、ＴｉＡｌＯＮ、ＴａＮ等の金属窒化物、金属酸窒化物、導電性高分子（例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン））、ポリピロール、ポリアニリン）などが挙げられ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮが好ましい。
【００６５】
上部電極の厚みは、特に限定されないが、例えば３ｎｍ以上が好ましく、１０ｎｍ以上がより好ましい。上部電極の厚みを３ｎｍ以上とすることにより、上部電極自体の抵抗を小さくすることができる。
【００６６】
上部電極は、ＡＬＤ法により形成してもよい。ＡＬＤ法を用いることにより、コンデンサの静電容量をより大きくすることができる。別法として、誘電体層を被覆し、多孔金属基材の細孔を実質的に埋めることのできる、化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）法、めっき、バイアススパッタ、Ｓｏｌ−Ｇｅｌ法、導電性高分子充填などの方法で、上部電極を形成してもよい。好ましくは、誘電体層上にＡＬＤ法で導電性膜を形成し、その上から他の手法により、導電性材料、好ましくはより電気抵抗の小さな物質で細孔を充填して上部電極を形成してもよい。このような構成とすることにより、効率的により高い容量密度および低い等価直列抵抗（ＥＳＲ：Equivalent Series Resistance）を得ることができる。
【００６７】
なお、上部電極を形成後、上部電極がコンデンサ電極としての十分な導電性を有していない場合には、スパッタ、蒸着、めっき等の方法で、上部電極の表面に追加でＡｌ、Ｃｕ、Ｎｉ等からなる引き出し電極層を形成してもよい。
【００６８】
一の態様において、上部電極と電気的に接続するように、第１コンデンサ電極が形成され、導電性多孔基材と電気的に接続するように第２コンデンサ電極が形成されていてもよい。
【００６９】
上記コンデンサ電極を構成する材料は、特に限定されないが、例えば、Ａｕ、Ｐｂ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕ等の金属および合金、ならびに導電性高分子などが挙げられる。第１コンデンサ電極の形成方法は、特に限定されず、例えばＣＶＤ法、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ、導電性ペーストの焼き付け等を用いることができ、電解めっき、無電解めっき、蒸着、スパッタ等が好ましい。
【００７０】
尚、上記コンデンサ電極は、設置箇所、大きさ等は特に限定されず、各面の一部のみに、任意の形状および大きさで設置することができる。また、上記第１コンデンサ電極および第２コンデンサ電極は、必須の要素ではなく、存在しなくてもよい。この場合、上部電極が第１コンデンサ電極としても機能し、導電性基材が第２コンデンサとして機能してもよい。つまり、上部電極と導電性多孔基材とが一対の電極として機能してもよい。この場合、上部電極がアノードとして機能し、導電性多孔基材がカソードとして機能してもよい。あるいは、上部電極がカソードとして機能し、導電性多孔基材がアノードとして機能してもよい。
【００７１】
上記したコンデンサ５１およびコンデンサ７１は、略直方体形状であるが、本発明に用いられるコンデンサはこれに限定されない。コンデンサは、任意の形状とすることができ、例えば、平面形状が円状、楕円状、また角が丸い四角形等であってもよい。
【００７２】
また、本発明に用いられるコンデンサは、種々の改変が可能である。
【００７３】
例えば、各層の間に、層間の密着性を高める為の層、または、各層間の成分の拡散を防止するためのバッファー層等を有していてもよい。また、コンデンサの側面等に、保護層を有していてもよい。
【００７４】
一の態様において、搭載されるコンデンサは、配線用電極を有し得る。例えば、図７および図８に示されるように、上記コンデンサ２１の一方のコンデンサ電極２２上に、配線用電極２３を有し得る。また、図９および図１０に記載されるように、コンデンサ２５の電極を延在させて、配線用電極２６としてもよい。
【００７５】
好ましい態様において、上記配線用電極の一部は、別のコンデンサ電極と同一平面上に存在する。このような配線用電極を備えることにより、主面の両平面にそれぞれの電極を有する構造のコンデンサであっても、両電極をキャリアシート上に引き出すことができ（図１１参照）、ウエハレベルパッケージにおいて好適に用いることが可能になる。
【００７６】
一の態様において、コンデンサ３は、少なくとも一方の電極がキャリアシート２の表面に接するように配置される。このように配置することにより、本発明のコンデンサ搭載フィルムを、ウエハレベルパッケージに用いることができる。
【００７７】
キャリアシート２上に搭載されるコンデンサ３の数は、特に限定されず、１個またはそれ以上であってもよいが、好ましくは２個以上であり、例えば１０個以上、２０個以上、５０個以上であり得る。
【００７８】
コンデンサをキャリアシートに固定する方法は、特に限定されないが、後にコンデンサをキャリアシートから容易に剥がすことができる方法が好ましい。例えば、上記したような粘着剤、例えばウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤、アクリル系粘着剤、シリコーン系粘着剤等、中でも、感温性粘着剤（例えば、インテリマー（登録商標）テープ）を用いる方法が好ましい。コンプレッションモールドまたはトランスファーモールドで樹脂層を形成する場合には耐熱性を有することが好ましく、樹脂層形成後においては樹脂層や各種部品からキャリアシートが容易に剥がしやすいことが好ましい。また、コンプレッションモールドまたはトランスファーモールドにおいて、基板またはリードフレーム等へ樹脂が回り込むのを防止するためにフィルムを用いることがあるが、本発明のフィルムは、上記フィルムを兼ねることができる。
【００７９】
一の態様において、コンデンサは、複数のコンデンサが内蔵されたコンデンサ内蔵フィルムまたは基板として、キャリアシート上に搭載されてもよい。
【００８０】
コンデンサ内蔵フィルムまたは基板は、特に限定されず、種々の形態を有するものを用いることができ、例えば、それぞれ図１２（ａ）〜（ｃ）に記載のような、コンデンサ３１が基板３２中に内蔵され、さらに配線３３が内蔵され両主面に引き出された内蔵基板３４、一方の主面にのみ引き出された内蔵基板３５、またはコンデンサの電極が露出した内蔵基板３６等を用いることができる。
【００８１】
キャリアシート２上に搭載されたコンデンサ３の配置は、目的に応じて適宜設定することができ特に限定されないが、好ましくは所望の回路構成に対応する位置に配置される。
【００８２】
上記キャリアシート２上には、コンデンサ３に加え、他の電子部品、例えばインダクタ、半導体部品、配線等、および電子部品を内蔵したフィルムまたは基板を搭載することができる。これらの電子部品は、好ましくは所望の回路構成に対応する位置に配置される。
【００８３】
一の態様において、電子部品が所定のパターンで搭載された区画が、複数形成されるように、各種電子部品を搭載することができる。例えば、図１３に示されるように、コンデンサ３に加え、インダクタ４、半導体部品５を所定のパターンで配置してもよい。また、図１４に示されるように、さらに内蔵基板７を所定のパターンで配置してもよい。また、図１５に示されるに、コンデンサ３を内蔵した内蔵基板８および半導体部品５を、所定のパターンで配置してもよい。このように搭載することにより、本発明のコンデンサ搭載フィルムは、例えばウエハレベルパッケージの製造における一部品として、より好適に用いることができる。
【００８４】
本発明のコンデンサ搭載フィルムに搭載されたコンデンサは、コンデンサにかかる応力が抑制されているので、脆性破壊を受けにくい。このような効果は、導電性多孔基材を用いたコンデンサにおいて、特に、薄型のコンデンサにおいて、より顕著である。また、本発明のコンデンサ搭載フィルムは、ファンアウトウエハレベルパッケージにおいて好適に用いられる。
【００８５】
例えば、本発明のコンデンサ搭載フィルムは、以下のようにしてファンアウトウエハレベルパッケージングに用いられる。
【００８６】
まず、キャリアシート１２上に所定のパターンでコンデンサ１３が配置された本発明のコンデンサ搭載フィルム１１を準備する（図１６（ａ））。次、キャリアシート１２上に、他の電子部品、例えば半導体部品１４を配置し（図１６（ｂ））、コンデンサ１３および半導体部品１４の上に、コンプレッションモールドまたはトランスファーモールド、あるいは液状樹脂のディスペンサー塗布、スクリーン印刷等により、樹脂層１５を形成する（図１６（ｃ））。次いで、キャリアシート１２を除去して、コンデンサ１３および半導体部品１４の底部を露出させ（図１６（ｄ））、露出した電極部と電気的に接続した配線層１６を形成する（図１６（ｅ））。最後に個片化して、パッケージを製造することができる（図１６（ｆ））。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明のコンデンサ搭載フィルムは、取り扱いが容易であり、種々の電子機器または電子部品の製造に用いることができる。本発明のコンデンサ搭載フィルム、特に、ウエハレベルパッケージングにおいて、好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１…コンデンサ搭載フィルム；２…キャリアシート；３…コンデンサ；
４…インダクタ；５…半導体部品；７…内蔵基板；８…内蔵基板；
１１…コンデンサ搭載フィルム；１２…キャリアシート；
１３…コンデンサ；１４…半導体部品；１５…樹脂層；１６…配線層；
２１…コンデンサ；２２…コンデンサ電極；２３…配線用電極；
２５…コンデンサ；２６…配線用電極；
３１…コンデンサ；３２…基板；３３…配線；３４…内蔵基板；
３５…内蔵基板；３６…内蔵基板；
５１…コンデンサ；５２…高空隙率部；５３…低空隙率部；
５４…導電性多孔基材；５５…誘電体層；５６…上部電極；
５７…配線電極；５８…保護層；５９…第１コンデンサ電極；
６０…第２コンデンサ電極；
７１…コンデンサ；７２…高空隙率部；７３…低空隙率部；
７４…導電性多孔基材；７５…誘電体層；７６…上部電極；
７７…支持部；７９…第１コンデンサ電極；
８０…第２コンデンサ電極；８２…絶縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【国際調査報告】
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