(57)【要約】  空孔２が体積比率で６５％以上、９０％以下で設けられた多孔質金属体３と、Ｓｎを主成分とし、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１とを備える接合体５０を用いて形成された多孔質金属体３に基づく多孔質金属３０をネットワークとし、多孔質金属３０のネットワークの間を、多孔質金属体３の一部と低融点金属１とで形成された金属間化合物１０で埋められた接合層により、半導体素子１１を絶縁基板１４に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。
2018042890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の空孔を有し、接合時に溶融することの無い多孔質金属体と、
前記多孔質金属体を内部まで被覆し、前記接合時に溶融する低融点金属とを備え、
前記低融点金属と前記多孔質金属体が合金成長可能な金属同士であることを特徴とする接合体。
【請求項２】
前記低融点金属は、Ｓｎを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の接合体。
【請求項３】
前記多孔質金属体の前記空孔の空孔率が、６５％以上、９０％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の接合体。
【請求項４】
前記低融点金属と前記多孔質金属体との金属間化合物成長速度が１Ｅ-１０ｃｍ２／ｓ以下であること特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項５】
前記多孔質金属体は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕを主成分とすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項６】
前記低融点金属は、合金成長を抑制する添加元素を含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項７】
前記合金成長を抑制する添加元素として、ＡｌまたはＺｎを含むことを特徴とする請求項６に記載の接合体。
【請求項８】
被接合体間の接合厚みが、０．０３ｍｍ以下で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項９】
半導体素子と、絶縁基板と、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の接合体を用いて形成された前記多孔質金属体に基づく多孔質金属のネットワークの間を、前記多孔質金属体の一部と前記低融点金属とで形成された金属間化合物で埋められた、前記半導体素子と前記絶縁基板とを接合する接合層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子を基板に接合する接合体およびこれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の発泡体金属を用いた接合方法は、特許文献１にあるような２つの被接合体を低融点金属で被覆し、その低融点金属間に発泡金属体を挿入する構造を取っていた。この状態から低融点金属の溶融温度以上の加熱と、発泡金属体の空孔を潰すために加圧を加えることで溶融した低融点金属が空孔内に充填され、被接合体を接合してきた。特許文献２では、多孔質金属体に鉛フリーはんだを含浸させ、加熱することで鉛フリーはんだが溶融し、多孔質金属体の空孔に鉛フリーはんだが浸漬し、多孔質金属体表面で金属間化合物を形成させて接合する接合方法が開示されている。また、特許文献３では、多孔質金属体の空隙に鉛フリーはんだを充填させ、はんだ全てを金属間化合物にしないで、はんだを多孔質金属体で覆うことで接合信頼性向上させた接合方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０９７５２９号公報（段落００４２、図１）
【特許文献２】特開２０１２−０３５２９１号公報（段落００３０、図１）
【特許文献３】特開２００８−２００７２８号公報（段落００２０、図２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１は、接合したい被接合面には事前にＳｎなどの低融点金属を塗布または成膜しなければならない。半導体チップなどのデバイス製品は既に電極構造が決まっており、一般的な電極構造では使用出来ない可能性がある。また、被接合面に低融点金属を被膜すると多孔質金属体の空孔率が低いために多孔質内部にまで浸透せず、脆弱な低融点金属層が多孔質金属周辺に形成され、多孔質体内部にボイドが出来易くなる。そのため、冷熱衝撃試験などの熱と応力を接合層に加えた場合、クラック進展し易く、製品寿命の低下に繋がるという問題があった。特許文献２の接合方法は、多孔質体の空孔率(面積２０〜３０％)が低いため、低融点金属が多孔質金属から分離してしまう。そのため、鉛フリーはんだが多孔質金属体周囲に形成され、特許文献１と同様に冷熱衝撃試験などの熱と応力を接合層に加えた場合、クラック進展し易く、製品寿命の低下に繋がるという問題があった。特許文献３は、鉛フリーはんだを多孔質金属体のネットワークで保持することを狙いとしているが、鉛フリーはんだを意図的に残すために、２００℃以上の使用環境下では耐熱性が低下するという問題があった。【０００５】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、熱応力が加わってもクラックが発生せず、耐熱性や耐久性に優れる安定した接合体とこれを用いた半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の接合体は、多数の空孔を有し、接合時に溶融することの無い多孔質金属体と、前記多孔質金属体を内部まで被覆し、前記接合時に溶融する低融点金属とを備え、前記低融点金属と前記多孔質金属体が合金成長可能な金属同士であることを特徴とするものである。【０００７】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、絶縁基板と、上記の接合体を用いて形成された前記多孔質金属体に基づく多孔質金属のネットワークの間を、前記多孔質金属体の一部と前記低融点金とで形成された金属間化合物で埋められた、前記半導体素子と前記絶縁基板とを接合する接合層とを備えたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、所定の体積比率で空孔が設けられた多孔質金属体を有する接合体を用いて接合層を形成することで、還元雰囲気下で処理することにより多孔質金属のネットワークを残すことができ、金属間化合物の脆弱性を多孔質金属のネットワークが支持しすることで、クラック発生を抑制して接合信頼性寿命を高めることができとともに、高温耐久性に優れ、高い接合信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１による接合体を用いた半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による接合体の構成を示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による接合体を用いた半導体装置を製造するフロー図である。
【図４】この発明の実施の形態１による接合体の他の構成を示す断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１による接合体の他の構成を示す断面図である。
【図６】この発明の実施の形態１による接合体の平均空孔率とクラック進展率の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による接合体を用いた半導体装置１００の構成を示す断面図である。図２は、接合前の接合体の断面図である。
【００１１】
図１に示すように、半導体装置１００は、非接合体である絶縁基板１４、絶縁基板１４の上に接合された半導体素子１１、および半導体素子１１の接合面に形成された金薄膜１３を被覆した高融点電極金属１２からなる裏面電極４１と絶縁基板１４とを接合する接合層５１から構成される。
【００１２】
接合層５１は、多孔質金属３０と金属間化合物１０とからなるが、図２に示す接合前の接合体５０を、加熱・加圧することにより形成される。接合体５０は、多孔質金属体３と、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１で構成される。なお、低融点金属の一般的な融点の温度範囲は、２１０〜２５０℃である。
【００１３】
多孔質金属体３は、ＮｉやＡｇ、Ｃｕ、ステンレス（ＳＵＳ）、Ｔｉなどの融点３００℃以上の金属であることを特徴とする。多孔質金属体３の内部は空孔２を多数有する構造をしており、空孔２は大きい方が良く、体積比率で６５％以上で、９０％以下であることが望ましい。６５％未満の場合、還元雰囲気下で効率よく金属同士を接合することができない。９０％を超えると、低融点金属１と多孔質金属体３が完全に反応し、多孔質金属体３は残存しなくなり、すべて金属間化合物になってしまう。
【００１４】
この体積比率は、低融点金属１を湿式めっきや、乾式めっき、含浸などの方法を用いて空孔２の内部にまで被膜するために必要である。ここで、低融点金属１は、Ｓｎをマトリックス元素として、９０％以上のＳｎで構成された金属である。これらの材料を用いて形成した接合体５０を半導体素子１１と絶縁基板１４の間やその他の被接合部材間に挿入し、加熱・加圧を実施して接合層５１を作る。
【００１５】
このような低融点金属１に熱を加えて液相状態にし、周囲の金属と金属間化合物１０を形成し、接合体５０に耐熱性を持たせるような接合方法を液相拡散接合という。液相拡散接合は、加熱温度を低融点金属１の融点よりも高くする必要があり、１００〜４００℃、加圧力０．１ＭＰａ以上で実施することが望ましい。多孔質金属体３が加熱・加圧により、加圧方向に押しつぶされていき、空孔２の上下の低融点金属１同士が密着し、反応して金属間化合物１０を形成することで多孔質金属体３間の空孔２を埋めて行き、接合層５１を形成する。この時、接合体５０での合金成長速度は、３００℃で１Ｅ‐１０ｃｍ２／ｓ以下であることが望ましい。
【００１６】
接合体５０の代表例として、多孔質金属体３としてＮｉ、低融点金属１としてＳｎをもちいたものが挙げられる。加熱・加圧の雰囲気は、望ましくは蟻酸や水素に代表される還元雰囲気下が最も望ましい。次に望ましいのは窒素雰囲気に代表される非酸化雰囲気である。これら以外の酸化雰囲気である大気下であっても、加圧を加えてやり、溶融金属の酸化被膜を破ることが出来れば接合は可能である。上記以外の特異な方法としては、低融点金属表面を低粘度フラックスで覆い、２００℃で還元反応を起こしてから加熱・加圧を加える方法や、水素ラジカル雰囲気に曝した接合材を１日以内に大気中で接合する方法が挙げられる。特に水素ラジカル雰囲気に曝した接合体５０は表面を薄い還元被膜で覆われており、一定時間の酸化抑制効果を有することを特徴としている。この結果、多孔質金属体３の金属ネットワークを維持しながら、ネットワークの間を金属間化合物１０で埋められた接合層５１が形成される。
【００１７】
次に、この発明の実施の形態１による接合体５０を用いた半導体装置１００の製造方法について説明する。図３は、接合体５０を用いて半導体装置１００を製造するためのフロー図である。
【００１８】
最初に、図３（ａ）に示すように、低融点金属１が周囲にコーティングされた多孔質金属体３からなる接合体５０を、半導体素子１１と絶縁基板１４の間で挟みこむ。この時、接合体５０は隙間が少なく、厚み方向に光を透過しないことが望ましい。光が透過すると接合材に貫通穴が空いていることになるため、接合後に空隙(ボイド)の原因となり、初期接合不良の原因と見なされる。
【００１９】
続いて、図３（ｂ）に示すように、還元雰囲気下でＡ方向に加圧し加熱することにより、低融点金属１が半導体素子１１の裏面と絶縁基板１４の表面に均一に濡れ広がり、金属間化合物１０を形成しながら接合層５１として形成する。多孔質金属体３は、低融点金属１を消費するまで、金属間化合物１０を形成するようにして成長させる。低融点金属１がＳｎを主成分とし、多孔質金属体３がＮｉである場合には、金属間化合物１０としてＮｉ３Ｓｎ４が主として形成される。
【００２０】
その後、図３（ｃ）に示すように、半導体素子１１と絶縁基板１４とが多孔質金属３０と金属間化合物１０とからなる接合層５１により接合された半導体装置１００が形成される。
【００２１】
本実施の形態では、接合体５０は、多孔質金属体３に直接、低融点金属１をコーティングしたものを用いたが、低融点金属１と容易に合金成長する多孔質金属体３を用いる場合には、図４に示すように、多孔質金属体３に低融点金属１と反応性が乏しい合金成長抑制金属４を予め被膜したものを用いてもよい。図４は、予め合金成長抑制金属４を被膜した多孔質金属体３に低融点金属１をコーティングした接合体５０の断面図である。
【００２２】
例えば、多孔質金属体３をＡｇ、Ｃｕとし、低融点金属１を９０％以上のＳｎ、合金成長抑制金属４としてＮｉを被膜する。これは、多孔質金属体３への低融点金属１の合金成長速度が、３００℃で１Ｅ−１０ｃｍ２／ｓより速い場合に適用することが望ましい。合金成長抑制金属４を用いた場合、多孔質金属体３への低融点金属１の合金成長速度は３００℃で１Ｅ−１０ｃｍ２／ｓ以下で合金成長する。合金成長抑制金属４の膜厚は２ｕｍ以上で、多孔質金属体３が被膜されている必要がある。接合時に加熱・加圧する時間で、合金成長抑制金属４が拡散しきらないことが望ましい。低融点金属１と合金成長抑制金属４は反応に乏しいため、加熱・加圧での合金成長を抑制する。つまり、上記で示した製造プロセスで半導体素子１１と絶縁基板１４を接合した後、多孔質金属体３が低融点金属１に溶融するのを抑制する。
【００２３】
これにより、加熱・加圧時に、低融点金属１と容易に合金成長する多孔質金属体３であっても、多孔質金属体３を合金成長抑制金属４で予め被膜することで、合金成長を抑制し、多孔質金属体３を残すことにより、金属ネットワークを維持し、一般的に脆いという特徴を有する金属間化合物を補強することができ、クラック発生を抑制することができる。
【００２４】
また、合金成長抑制金属４で予め被膜する代わりに、図５に示すように、多孔質金属体３に合金成長を抑制する添加元素５を入れた低融点金属１をコーティングしてもよい。図５（ａ）は、合金成長を抑制する添加元素５を入れた低融点金属１を多孔質金属体３にコーティングした接合体５０の断面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の領域Ｓの拡大断面図である。
【００２５】
金属間化合物１０は、一般に、樹脂状、Ｓｃａｌｌａｐ状に成長するため、金属間化合物に粒界が多数存在する。そのため、層状に合金成長させる必要がある。代表例として、低融点金属１がＳｎ、多孔質金属体３がＮｉの場合には、添加元素５として、Ａｌ、またはＺｎなどを０．１ｗｔ％以下を添加することが望ましい。湿式めっきの場合は液中に低融点金属１と添加元素５を分散したものを用い、乾式めっきの場合は微量の添加元素５を含んだターゲットを用い、添加元素５を低融点金属１に含ませて、金属間化合物１０間の粒界を少なくすることで金属間化合物１０そのものの脆さを緩和させることができる。これにより、加熱・加圧の後、接合層５１の信頼性を向上させることができる。
【実施例】
【００２６】
以下、この発明の実施の形態１による接合体５０を用いた半導体装置１００について、実施例及び比較例を挙げて具体的に説明する。【００２７】
表１に、各実施例、および比較例におけるクラック進展率の結果を示す。クラック進展率は、ヒートサイクル試験による上限温度２００℃、下限温度―３０℃、温度差ΔＴが２３０℃での所定サイクル数での結果になる。また、表１に示した結果をグラフで図示したものを図６に示す。【００２８】
【表１】
2018042890.tif 000003
【００２９】
実施例１〜２、比較例７〜８では、多孔質金属体としてＮｉを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素無しの場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。【００３０】
実施例１では、接合体に空孔率が６５〜７０％のＮｉからなる多孔質金属体を用いた。低融点金属についてはＳｎを用いた。表１からわかるように、実施例１の接合体を用いた半導体装置においては、クラック進展率の結果は２５％と低い値となっており、クラック耐性に優れていることが確認された。また、実施例２では、空孔率８５〜９０％のＮｉからなる多孔質金属体を用いた。低融点金属についてはＳｎを用いた。表１からわかるように、実施例２の接合体を用いた半導体装置においては、クラック進展率の結果は２２％と低い値となっており、クラック耐性に優れていることが確認された。一方、比較例７のように空孔率６０〜６４％ではクラック進展率５０％、比較例８のように空孔率９２〜９５％ではクラック進展率４１％と高い値を示し、多孔質金属体の空孔率が９０％を超えた場合や、６５％に満たない場合には、クラック耐性について満足することができないこと確認した。このように空孔率によって、クラック進展度が変わるのは、空孔率が低いと応力緩和性が低いため、クラックが進展し、逆に空孔率が大き過ぎると金属ネットワーク部が細く、またネットワーク箇所が少なくなってしまい、強度が低下するため、クラックが進展したと考えられる。なお、６５〜９０％の空孔率が最適なのは、今回の実験にて明らかになった事であり、後述のように、多孔質金属体の材質、低融点金属の種類、添加元素を変えることでクラック進展率が変わるが、６５〜９０％の空孔率という範囲が好適である点は変わらない。これは、温度差ΔＴが２３０℃のヒートサイクル試験において接合部に加わる応力は接合部の物性値（引っ張り強度、弾性率、降伏応力）、接合構造によって変わる。今回の実験結果より、多孔質金属体の金属種や低融点金属の種類、組成よりも接合体全体の物性を大きく変えることができる多孔質金属体の空孔率がより重要な要素であると考えられる。【００３１】
また、比較例１〜３のように低融点金属の種類を変えても、多孔質金属体を用いない場合や、比較例４〜６のように多孔質金属体を用いても、多孔質金属体の空孔率が６５％に満たない場合には、クラック耐性について満足することができないことを確認した。【００３２】
実施例３〜４、比較例９〜１０では、多孔質金属体としてＮｉを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素Ｚｎを用いた場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３３】
実施例５〜６、比較例１１〜１２では、多孔質金属体としてＮｉを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素Ａｌを用いた場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３４】
実施例７〜８、比較例１３〜１４では、多孔質金属体としてＮｉを用いて、低融点金属としてＳｎ−０．７５Ｃｕ、添加元素無しの場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３５】
実施例９〜１０、比較例１５〜１６では、多孔質金属体としてＮｉを用いて、低融点金属としてＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ、添加元素無しの場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３６】
実施例１１〜１２、比較例１７〜１８では、多孔質金属体としてＡｇを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素無しの場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３７】
実施例１３〜１４、比較例１９〜２０では、多孔質金属体としてＡｇを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素としてＺｎを用いた場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３８】
実施例１５〜１６、比較例２１〜２２では、多孔質金属体としてＣｕを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素無しの場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００３９】
実施例１７〜１８、比較例２３〜２４では、多孔質金属体としてＣｕを用いて、低融点金属としてＳｎ、添加元素としてＺｎを用いた場合において空孔率を変えた接合サンプルのヒートサイクル試験結果を示している。上述のように、多孔質金属体の空孔率６５〜９０％の範囲でクラック耐性に優れていることが確認された。【００４０】
以上のように、本発明の実施の形態１による接合体５０を用いた半導体装置１００では、空孔２が体積比率で６５％以上、９０％以下で設けられた多孔質金属体３と、Ｓｎを主成分とし、多孔質金属体３を被覆する低融点金属１とを備える接合体５０を用いて形成された多孔質金属体３に基づく多孔質金属３０をネットワークとし、多孔質金属３０のネットワークの間を、多孔質金属体３の一部と低融点金属１とで形成された金属間化合物１０で埋められた接合層により、半導体素子１１を絶縁基板１４に接合するようにしたので、還元雰囲気下で処理することで多孔質金属のネットワークを残すことができ、金属間化合物の脆弱性を多孔質金属のネットワークが支持しすることで、クラック発生を抑制して接合信頼性寿命を高めることができる。また、接合後に余計な低融点金属相を残さず、融点の高い金属間化合物に変えることで、高温耐久性に優れ、高い接合信頼性を有する半導体装置を得ることができる。【００４１】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１  低融点金属、２  空孔、３  多孔質金属体、５  添加元素、１１  半導体素子、１４  絶縁基板、１０  金属間化合物、３０  多孔質金属、５０  接合材、５１  接合層、１００  半導体装置
【図１】
2018042890.tif 000004
【図２】
2018042890.tif 000005
【図３】
2018042890.tif 000006
【図４】
2018042890.tif 000007
【図５】
2018042890.tif 000008
【図６】
2018042890.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月14日(2017.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の空孔を有し、接合時に溶融することの無い多孔質金属体と、
前記多孔質金属体を内部まで被覆し、前記接合時に溶融する低融点金属とを備え、
前記低融点金属と前記多孔質金属体が合金成長可能な金属同士であり、かつ前記低融点金属は３００℃で溶融状態にあり、前記多孔質金属体との金属間化合物成長速度が３００℃において、１Ｅ-１０ｃｍ２／ｓ以下であることを特徴とする接合体。
【請求項２】
前記低融点金属は、Ｓｎを主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の接合体。
【請求項３】
前記多孔質金属体の前記空孔の空孔率が、６５％以上、９０％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の接合体。
【請求項４】
前記多孔質金属体は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕを主成分とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項５】
前記低融点金属は、合金成長を抑制する添加元素を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項６】
前記合金成長を抑制する添加元素として、ＡｌまたはＺｎを含むことを特徴とする請求項５に記載の接合体。
【請求項７】
被接合体間の接合厚みが、０．０３ｍｍ以下で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の接合体。
【請求項８】
半導体素子と、絶縁基板と、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の接合体を用いて形成された前記多孔質金属体に基づく多孔質金属のネットワークの間を、前記多孔質金属体の一部と前記低融点金属とで形成された金属間化合物で埋められた、前記半導体素子と前記絶縁基板とを接合する接合層とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の接合体は、多数の空孔を有し、接合時に溶融することの無い多孔質金属体と、前記多孔質金属体を内部まで被覆し、前記接合時に溶融する低融点金属とを備え、前記低融点金属と前記多孔質金属体が合金成長可能な金属同士であり、かつ前記低融点金属は３００℃で溶融状態にあり、前記多孔質金属体との金属間化合物成長速度が３００℃において、１Ｅ-１０ｃｍ２／ｓ以下であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、低融点金属と多孔質金属体が合金成長可能な金属同士であり、かつ前記低融点金属は３００℃で溶融状態にあり、前記多孔質金属体との金属間化合物成長速度が３００℃において、１Ｅ-１０ｃｍ２／ｓ以下である接合体を用いて接合層を形成することで、還元雰囲気下で処理することにより多孔質金属のネットワークを残すことができ、金属間化合物の脆弱性を多孔質金属のネットワークが支持しすることで、クラック発生を抑制して接合信頼性寿命を高めることができとともに、高温耐久性に優れ、高い接合信頼性を有する半導体装置を得ることができる。
【国際調査報告】
2018042890.tif 000010
2018042890.tif 000011
2018042890.tif 000012
2018042890.tif 000013