(57)【要約】  色変換素子（４）は、少なくとも一種類の蛍光体（４４１）を含む蛍光体層（４４）と、蛍光体層（４４）に積層された反射層（４３）と、反射層（４３）に対向配置された基板（４１）と、反射層（４３）と基板（４１）との間に介在して反射層（４３）と基板（４１）とを接合するための接合部（４２）と、基板（４１）における接合部（４２）側の主面（４１１）上で接合部（４２）に覆われ、蛍光体（４４１）を励起させる波長のレーザー光を吸収する吸収部（４５）とを備える。
2018042826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一種類の蛍光体を含む蛍光体層と、
前記蛍光体層に積層された反射層と、
前記反射層に対向配置された基板と、
前記反射層と前記基板との間に介在して前記反射層と前記基板とを接合するための接合部と、
前記基板における前記接合部側の主面上で前記接合部に覆われ、前記蛍光体を励起させる波長のレーザー光を吸収する吸収部とを備える
色変換素子。
【請求項２】
前記吸収部の一部は、前記接合部内に配置されている
請求項１に記載の色変換素子。
【請求項３】
前記接合部は、前記反射層と前記基板とを金属接合する金属接合部である
請求項１または２に記載の色変換素子。
【請求項４】
前記吸収部は、前記接合部に対して非接合である
請求項１〜３のいずれか一項に記載の色変換素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の色変換素子と、
前記色変換素子の前記蛍光体を励起するための励起光としてレーザー光を照射する光源部とを備える
照明装置。
【請求項６】
前記照明装置は、
前記基板の温度を検出する温度検出部と、
前記温度検出部の検出温度が所定値以上である場合に、前記光源部を消灯する制御部とを備える
請求項５に記載の照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に蛍光体層が積層された色変換素子及びこれを備える照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に反射層を介して蛍光体層が積層された発光素子に対して、導光部材により伝送されるレーザー光を照射することで、当該レーザー光を発光素子で所望の光色に変換して照明する照明装置が知られている（例えば特許文献１参照）。具体的には、導光部材から伝送されたレーザー光が発光素子の蛍光体層に照射されると、一部のレーザー光は蛍光体層内の蛍光体粒子に直接当たる。また、蛍光体粒子に直接当たらなかった一部のレーザー光は、反射層で反射され、蛍光体粒子に当たる。蛍光体粒子に到達したレーザー光は、蛍光体粒子によって白色光に変換されて、放射される。蛍光体粒子から放射された白色光の一部は、蛍光体層から直接外方に放出される。また、蛍光体粒子から放射された光のその他の一部は、反射層で反射されることで、蛍光体層から外方へ放出される。これにより、白色光が照明装置から照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２２９１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、蛍光体層が基板から万が一剥離してしまうと、レーザー光は蛍光体粒子で白色光に変換されることなく、指向性の高い状態のままで反射層によって反射されて、外方へと放出される。指向性の高いままのレーザー光が放出されると、人体に影響を与える恐れもあり好ましくない。【０００５】
そこで本発明の目的は、万が一蛍光体層が基板から剥離したとしても、レーザー光のままで外方へと放出されてしまうことを防止することが可能な色変換素子及び照明装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る色変換素子は、少なくとも一種類の蛍光体を含む蛍光体層と、蛍光体層に積層された反射層と、反射層に対向配置された基板と、反射層と基板との間に介在して反射層と基板とを接合するための接合部と、基板における接合部側の主面上で接合部に覆われ、蛍光体を励起させる波長のレーザー光を吸収する吸収部とを備える。【０００７】
本発明の他の態様に係る照明装置は、上記の色変換素子と、色変換素子の蛍光体を励起するための励起光としてレーザー光を照射する光源部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、万が一蛍光体層が基板から剥離したとしても、レーザー光のままで外方へと放出されてしまうことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施の形態に係る照明装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図２は、実施の形態に係る色変換素子及び温度検出部の概略構成を示す断面図である。
【図３】図３は、実施の形態に係る色変換素子が破損した状態を拡大して示す断面図である。
【図４】図４は、実施の形態に係る色変換素子が破損した状態の他の例を拡大して示す断面図である。
【図５】図５は、実施の形態に係る色変換素子の組み立て時における一工程を示す断面図である。
【図６】図６は、実施の形態に係る色変換素子の組み立て時における一工程を示す断面図である。
【図７】図７は、実施の形態に係る色変換素子の組み立て時における一工程を示す断面図である。
【図８】図８は、変形例１に係る色変換素子の概略構成を示す断面図である。
【図９】図９は、変形例２に係る色変換素子の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下では、本発明の実施の形態に係る色変換素子について、図面を用いて説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。従って、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態等は、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００１１】
また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、同じ構成部材については同じ符号を付している。
【００１２】
以下、実施の形態について説明する。
【００１３】
［照明装置］
まず、実施の形態に係る照明装置について説明する。図１は、実施の形態に係る照明装置の概略構成を示す模式図である。
【００１４】
図１に示すように、照明装置１は、光源部２と、導光部材３と、色変換素子４と、温度検出部５と、制御部６とを備える。
【００１５】
光源部２は、色変換素子４の蛍光体を励起するためのレーザー光を照射する光源部である。光源部２は、レーザー光を発生させ、導光部材３を介して色変換素子４にレーザー光を供給する。例えば、光源部２は、青紫〜青色（４３０〜４９０ｎｍ）の波長のレーザー光を放射する半導体レーザー素子である。
【００１６】
導光部材３は、光源部２が放射したレーザー光を色変換素子４まで導く導光部材であり、例えば光ファイバーなどである。
【００１７】
色変換素子４は、導光部材３から伝送され、表面側から照射されたレーザー光を励起光として、白色光を表面側に放射する色変換素子である。色変換素子４の詳細については後述する。
【００１８】
温度検出部５は、色変換素子４に備わる基板４１の温度を検出する部位であり、例えば色変換素子４に対して取り付けられている。温度検出部５の詳細については後述する。
【００１９】
制御部６は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などを備えており、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＣＰＵがＲＡＭに展開して実行することで光源部２の点灯を制御する。具体的には、制御部６は、温度検出部５と、光源部２とに電気的に接続されている。制御部６は、照明装置１の電源がＯＮとなると光源部２を点灯させ、ＯＦＦとなると光源部２を消灯する。なお、制御部６は、電源がＯＮであっても、温度検出部５の検出温度が所定値以上になると、光源部２を消灯する。つまり、なんらかの異常によって色変換素子４が正常時よりも高温になると、光源部２が消灯されるので、ユーザーに異常を通知することが可能となる。また、異常時には、レーザー光の放射が停止されるので、無用にレーザー光が放射されることも防止できる。
【００２０】
［色変換素子］
以下、色変換素子４について詳細に説明する。図２は、実施の形態に係る色変換素子４及び温度検出部５の概略構成を示す断面図である。
【００２１】
図２に示すように、色変換素子４は、基板４１と、接合部４２と、反射層４３と、蛍光体層４４と、吸収部４５とを備えている。
【００２２】
基板４１は、平面視形状が例えば矩形状或いは円形状の基板である。そして基板４１は、蛍光体層４４よりも熱伝導率の高い基板である。これにより、蛍光体層４４から伝導した熱を基板４１から効率的に放熱できるようになっている。具体的には、基板４１は、Ｃｕ、Ａｌなどの金属材料から形成されている。なお、基板４１は、蛍光体層４４よりも熱伝導率が高いのであれば、金属材料以外から形成されていてもよい。金属材料以外の材料としては、セラミック、サファイアなどが挙げられる。なお、基板４１の１つの主面４１１には、第一電極層（図示省略）が積層されている。第一電極層は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉなどの金属材料から形成されている。第一電極層は、例えばスパッタリング、メッキなどの周知の製膜方法によって、基板４１の一方の主面４１１に金属材料を製膜することにより形成されている。
【００２３】
基板４１の他方の主面４１２には、温度検出部５を固定するための複数のネジ穴４１３と、温度検出部５を収容する凹部４１４が形成されている。凹部４１４は、吸収部４５に対向する位置に配置されており、複数のネジ穴４１３は凹部４１４の周囲に配置されている。
【００２４】
蛍光体層４４は、接合部４２、反射層４３を介して基板４１の１つの主面４１１側に配置されている。蛍光体層４４は、平面視形状が基板４１と同じ形状に形成されている。また、蛍光体層４４は、例えば、レーザー光によって励起されて蛍光を発する蛍光体の粒子（蛍光体粒子４４１）を分散状態で備えており、レーザー光の照射により蛍光体粒子４４１が蛍光を発する。このため、蛍光体層４４の外方の主面が発光面となる。
【００２５】
本実施の形態の場合、蛍光体層４４は白色光を放射するものであり、レーザー光の照射によって赤色を発光する第一蛍光体、黄色を発光する第二蛍光体、緑色を発光する第三蛍光体の３種類の蛍光体粒子が適切な割合で含まれている。
【００２６】
蛍光体粒子の種類及び特性は特に限定されるものではないが、比較的高い出力のレーザー光が励起光となるため、熱耐性が高いものが望ましい。また、蛍光体粒子を分散状態で保持する基材の種類は特に限定されるものではないが、励起光の波長及び蛍光体粒子から発光する光の波長に対して透明性の高い基材であることが望ましい。具体的には、ガラス又はセラミックなどからなる基材が挙げられる。また、蛍光体層４４は、１種類の蛍光体による多結晶体又は単結晶体であってもよい。
【００２７】
反射層４３は、蛍光体層４４における基板４１側の主面４４２に積層されている。反射層４３は、レーザー光と、蛍光体粒子４４１から放射された光とを反射する。このため、反射層４３は、レーザー光と、蛍光体粒子４４１から放射された光とに対して反射率の高い材料により形成されている。具体的に、反射率の高い材料としては、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料である。反射層４３は、例えばスパッタリング、メッキなどの周知の製膜方法によって、蛍光体層４４の主面４４２に金属材料を製膜することにより形成されている。また、これらの金属材料から形成された層に対して、例えば誘電体多層膜などの増反射膜を製膜してもよい。
【００２８】
さらに、反射層４３と蛍光体層４４との間には、導光性を有する化合物から形成された密着層を介在させることも可能である。これにより、蛍光体層４４と反射層４３とを隙間なく密着層に密着させることができるため、隙間を起因とした伝熱性の低下を抑制することができる。具体的に、密着層をなす化合物としては、酸化物、ハロゲン化物、窒化物、フッ化物などが挙げられる。酸化物としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ａｌ２Ｏ３などの金属酸化物が挙げられる。金属酸化物を用いることにより、蛍光体層４４と反射層４３との両者に対する密着性を高めることが可能である。
【００２９】
反射層４３における基板４１側の主面４３１には、第二電極層（図示省略）が積層されている。第二電極層は、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉなどの金属材料から形成されている。第二電極層は、例えばスパッタリング、メッキなどの周知の製膜方法によって、反射層４３の主面４３１に金属材料を製膜することにより形成されている。
【００３０】
接合部４２は、反射層４３と基板４１との間に介在して、反射層４３と基板４１とを接合するための接合層である。具体的には、接合部４２は、反射層４３と基板４１とを金属接合する金属接合部である。接合部４２は、金属接合可能な金属材料により形成されている。金属接合可能な金属材料とは、例えばＡｕＳｎ系、ＡｕＧｅ系、ＳｎＡｇＣｕ系のはんだ材料、Ａｇナノ粒子などが挙げられる。
【００３１】
吸収部４５は、蛍光体粒子４４１を励起させる波長のレーザー光を吸収する吸収体である。吸収部４５は、例えば樹脂、無機接着剤などによって基板４１の主面４１１上に固定されている。基板４１の主面４１１上に配置された吸収部４５は、接合部４２によって覆われている。吸収部４５は、照射されたレーザー光を当該吸収部４５で反射したとしても、人体に影響のない程度まで吸収しうる吸収率を有している。具体的には、吸収部４５は、レーザー光を９５％以上、好ましくは９９％以上吸収可能な材質から形成されたシート状の部材である。前記材質としては、グラファイトシート、アルマイトなどが挙げられる。吸収部４５は、少なくともレーザー光が照射されうる範囲に配置されていればよい。そして、吸収部４５における基板４１側の主面４５１以外の部分（吸収部４５の一部）は、接合部４２に埋まっている。ここで、吸収部４５は、接合部４２に対して非接合となっている。これは吸収部４５をなす材料と、接合部４２をなす材料との特性の違いによって、金属接合したとしても両者が密着しないためである。なお、吸収部４５を接合部４２に対して確実に非接合とするべく、両者の間に隙間を設けることも可能である。このように、吸収部４５が接合部４２に対して非接合であると、色変換素子４の破損時における吸収部４５の露出量を高めることができる。
【００３２】
図３は、実施の形態に係る色変換素子４が破損した状態を拡大して示す断面図である。図３に示すように、色変換素子４が衝撃を受けて、蛍光体層４４が基板４１から剥離してしまうと、接合部４２の一部も破断して、蛍光体層４４及び反射層４３とともに基板４１から剥離する。接合部４２が破断する際には、接合部４２にクラックが発生して破断面を形成することになるが、吸収部４５が接合部４２に対して非接合となっていると、その非接合部分（吸収部４５の表面部分）が破断面の一部を形成することになる。つまり、吸収部４５の表面には接合部４２が付着しない状態で、当該表面が露出することになる。蛍光体層４４の剥離後においては、吸収部４５のみでレーザー光を受けることができるため、吸収部４５でレーザー光を吸収することができる。
【００３３】
図４は、実施の形態に係る色変換素子４が破損した状態の他の例を拡大して示す断面図である。ここでは、吸収部４５が接合部４２に対して接合していた場合について説明する。図４に示すように、接合部４２が破断する際には、接合部４２にクラックが発生して破断面を形成することになる。このクラックは、吸収部４５の表面部分に沿いながら延伸して破断面を形成することになる。つまり、吸収部４５の表面には、接合部４２の一部（残存部４２ｂ）が残存している。このため、蛍光体層４４の剥離後においては、吸収部４５とともに残存部４２ｂでもレーザー光を受ける。そして、吸収部４５ではレーザー光は吸収されるものの、残存部４２ｂではレーザー光を反射させてしまう。しかし、残存部４２ｂにおいては、その表面が微細な凹凸面となっているのでレーザー光は拡散される。拡散されることで人体への影響を抑制することができる。
【００３４】
次に、色変換素子４の組み立て前の状態について説明する。図５〜図７は、実施の形態に係る色変換素子４の組み立て時における各工程を示す断面図である。ここでは、組み立て前の基板４１にネジ穴４１３が設けられておらず、組み立て後にネジ穴４１３が形成される場合を図示する。もちろん、組み立て前にネジ穴４１３が基板４１に設けられていてもよい。
【００３５】
図５に示すように、色変換素子４の組み立て前においては、基板４１の主面４１１に対して吸収部４５が固定されている。次いで、図６に示す通り、はんだ材料４２ａが、吸収部４５を覆うように基板４１の主面４１１上に配置されている。一方、蛍光体層４４には、反射層４３があらかじめ一体化されている。
【００３６】
そして、図７に示すように、はんだ材料４２ａに対して反射層４３を当接させてから、第一電極及び第二電極に電流を印加することで、はんだ材料４２ａを加熱する。これにより、はんだ材料４２ａは溶けて、反射層４３と基板４１とを金属接合する。はんだ材料４２ａは、反射層４３と基板４１との間に介在して反射層４３と基板４１とを接合するための接合部４２となる。
【００３７】
なお、色変換素子４の組み立て前において、はんだ材料４２ａは、反射層４３に予め一体化されていてもよい。
【００３８】
［温度検出部］
図２に示すように、温度検出部５は、実装基板７に実装されており、当該実装基板７がネジ穴４１３を介してネジ７１により締結されることで、色変換素子４に固定されている。温度検出部５は、基板４１の温度を検出する、例えばサーミスタなどの温度センサである。温度検出部５は、基板４１の凹部４１４内に収容されるため、吸収部４５に対向して配置されることになる。つまり、温度検出部５は、吸収部４５の温度変化を検出することが可能である。例えば、正常時においては、レーザー光は蛍光体層４４で波長が変換されたり、反射層４３で反射されるために、吸収部４５まで到達することがなく、吸収部４５が概ね一定の温度となる。他方、蛍光体層４４及び反射層４３が基板４１から剥離していると、レーザー光が吸収部４５にあたることになり、吸収部４５の温度が上昇する。これにより、基板４１の温度は、正常時と比べると異常時では３倍程度にまで上昇する。正常時の温度の３倍程度の温度を、制御部６が閾値として用いる所定値としてもよい。
【００３９】
［照明装置の動作］
次に、照明装置１の動作について説明する。
【００４０】
電源がＯＮとされると、制御部６は、光源部２を点灯させて、レーザー光を照射させる。レーザー光が光源部２から導光部材３を介して色変換素子４の蛍光体層４４に照射されると、一部のレーザー光は直接蛍光体粒子４４１に当たる。また、蛍光体粒子４４１に直接当たらなかった一部のレーザー光は、反射層４３で反射され、蛍光体粒子４４１に当たる。蛍光体粒子４４１に到達したレーザー光は、蛍光体粒子４４１によって白色光に変換されて、放射される。蛍光体粒子４４１から放射された白色光の一部は、蛍光体層４４から直接外方に放出される。また、蛍光体粒子４４１から放射された光のその他の一部は、密着層を介して反射層４３で反射されることで、蛍光体層４４から外方へ放出される。
【００４１】
そして、図３に示したように、蛍光体層４４が基板４１から剥離すると、吸収部４５が露出するので、当該吸収部４５によってレーザー光が吸収されて、レーザー光は外方へと放出されない。このとき、制御部６は、温度検出部５の検出温度をモニタリングしており、当該検出温度が所定値以上になると、光源部２を消灯する。これにより、ユーザーに異常を通知するとともに、レーザー光が無用に照射されることを防止できる。
【００４２】
［効果など］
以上のように、本実施の形態に係る色変換素子４は、少なくとも一種類の蛍光体（蛍光体粒子４４１）を含む蛍光体層４４と、蛍光体層４４に積層された反射層４３と、反射層４３に対向配置された基板４１と、反射層４３と基板４１との間に介在して反射層４３と基板４１とを接合するための接合部４２と、基板４１における接合部４２側の主面４１１上で接合部４２に覆われ、蛍光体粒子４４１を励起させる波長のレーザー光を吸収する吸収部４５とを備える。
【００４３】
また、本実施の形態に係る照明装置１は、色変換素子４と、色変換素子４の蛍光体粒子４４１を励起するための励起光としてレーザー光を照射する光源部２と、を備える。
【００４４】
この構成によれば、吸収部４５が基板４１の主面４１１上で接合部４２に覆われているので、蛍光体層４４及び反射層４３が基板４１から剥離したとしても、これらとともに接合部４２の一部も破断するために、吸収部４５が露出することになる。吸収部４５が露出することで、当該吸収部４５によってレーザー光が吸収される。したがって、レーザー光のままで外方へと放出されてしまうことを抑制することができる。
【００４５】
また、吸収部４５の一部は、接合部４２内に配置されている。
【００４６】
この構成によれば、吸収部４５の一部が接合部４２内に配置されているので、接合部４２の破断に合わせて吸収部４５を露出させやすくすることができ、蛍光体層４４等の剥離時に吸収部４５の露出量を高めることができる。したがって、レーザー光の放出防止の確実性を高めることができる。
【００４７】
また、接合部４２は、反射層４３と基板４１とを金属接合する金属接合部である。
【００４８】
この構成によれば、接合部４２が金属接合部である場合でも、蛍光体層４４等の剥離時に吸収部４５を露出させることができ、レーザー光の放出を抑制することができる。
【００４９】
また、吸収部４５は、接合部４２に対して非接合である。
【００５０】
この構成によれば、吸収部４５が接合部４２に対して非接合であるので、接合部４２が破断する際には、吸収部４５の表面部分が破断面の一部を形成することになる。つまり、吸収部４５の表面には接合部４２が付着しない状態で、当該表面を露出することになる。したがって、吸収部４５でレーザー光を吸収することができる。
【００５１】
また、照明装置１は、基板４１の温度を検出する温度検出部５と、温度検出部５の検出温度が所定値以上である場合に、光源部２を消灯する制御部６とを備える。
【００５２】
この構成によれば、温度検出部５の検出温度が所定値以上になると、制御部６が光源部２を消灯するので、ユーザーに異常を通知するとともに、レーザー光が無用に照射されることを防止できる。
【００５３】
［変形例１］
次に、変形例１について説明する。
【００５４】
図８は、変形例１に係る色変換素子４Ｃの概略構成を示す断面図であり、具体的には図２に対応した図である。なお、以降の説明においては、上記実施の形態に係る色変換素子４と同等の部分には同じ符号を付してその説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。
【００５５】
上記実施の形態では、接合部４２が金属接合部である場合を例示して説明した。しかし、この変形例２の色変換素子４Ｃでは、接合部４２ｃが樹脂接合部である場合について説明する。
【００５６】
接合部４２ｃは樹脂からなる樹脂接合部である。接合部４２ｃが樹脂接合部である場合には、吸収部４５ｃとの密着性も高い。このため、基板４１と接合部４２ｃとの間の全体にわたって吸収部４５ｃが介在していたとしても、吸収部４５ｃと接合部４２ｃとの一体性を安定化することができる。接合部４２ｃをなす樹脂材料としては、例えば無色のシリコーン系の樹脂材料などが挙げられる。有色の樹脂材料であると、蛍光体層４４の破損時にレーザー光が樹脂材料で吸収され、高温となってしまう可能性もあり、発火するおそれもある。しかし、無色の樹脂材料であれば、吸収部４５ｃでレーザー光を吸収させて、レーザー光の外部照射を抑制しつつ、基板４１への熱伝導にて接合部４２ｃの温度上昇を抑制することができる。なお、樹脂接合部である接合部４２ｃにおいても、上記の接合部４２と同様に、少なくともレーザー光が照射されうる範囲に配置されていればよい。
【００５７】
［変形例２］
次に、変形例２について説明する。
【００５８】
図９は、変形例２に係る色変換素子４Ｄの概略構成を示す断面図であり、具体的には図２に対応した図である。
【００５９】
上記実施の形態では、吸収部４５が基板４１の主面４１１上に配置されたシート状の部材である場合を例示して説明した。しかし、この変形例２の色変換素子４Ｄでは、基板４１ｄの主面４１１ｄに形成された吸収部４５ｄについて説明する。
【００６０】
具体的には、吸収部４５ｄは、基板４１ｄの主面４１１ｄの少なくとも一部を改質することにより形成されており、接合部４２によって覆われている。この改質は、改質前よりもレーザー光に対する吸収率を高める改質方法によって行われている。例えば、基板４１ｄがＡｌ基板である場合には、対応部分をマスクまたはレジストなどで限定してから、当該対応部分を部分改質することで、アルマイト化する改質方法が挙げられる。
【００６１】
［その他の実施の形態］
以上、本発明に係る照明装置について、上記実施の形態及び変形例１、２に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態及び変形例１、２に限定されるものではない。
【００６２】
上記実施の形態及び変形例１、２では、色変換素子４、４Ｃ、４Ｄが照明装置１に適用された場合を例示して説明したが、色変換素子４、４Ｃ、４Ｄは、その他の照明系に用いることも可能である。その他の照明系としては、例えば、プロジェクタ、車載用ヘッドライト等が挙げられる。プロジェクタに適用される場合、色変換素子４は蛍光体ホイールとして用いられる。
【００６３】
また、蛍光体層４４における主面４４２とは反対側の面、つまり光出射側の面に対して、例えばＡＲコート層などの反射抑制層を積層してもよい。これにより、光取り出し効率を高めることが可能である。
【００６４】
また、上記実施の形態では、はんだ材料４２ａを溶融させることで形成された接合部４２を例示して説明した。しかし、接合部としては、反射層と基板とを金属接合する金属接合部であれば、いかなる構成であってもよい。例えば、固相の金属接合であってもよい。例えば、金属ナノ粒子を含むペーストを基板と反射層との間に介在させて、当該ペーストを焼結することで形成された層を接合部とすればよい。この場合、はんだ材料４２ａからなる接合部４２よりも、接合部の厚みを大きくすることができるため、応力緩和効果を高めることができる。さらに、接合部をポーラス構造とすることができるので、この点からも応力緩和効果をさらに向上させることができる。特に、金属ナノ粒子として銀ナノ粒子を用いる場合においては、入手も容易であり、放熱性も優れている。なお、銅ナノ粒子も同様の効果が期待できる。
【００６５】
また、上記実施の形態では、温度検出部５を備えた照明装置１を例示して説明したが、温度検出部５がなくともよい。
【００６６】
その他、実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、実施の形態及び変形例１、２における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
【符号の説明】
【００６７】
１  照明装置
２  光源部
３  導光部材
４、４Ｃ、４Ｄ  色変換素子
５  温度検出部
６  制御部
４１、４１ｄ  基板
４２、４２ｃ  接合部
４３  反射層
４４  蛍光体層
４５、４５ｃ、４５ｄ  吸収部
４１１、４１１ｄ、４１２、４３１、４４２、４５１  主面
４１２  主面
４３１  主面
４４１  蛍光体粒子（蛍光体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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