【事件の表示】
　特許第５９６５５３９号発明「ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９６５５３９号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯 
　特許第５９６５５３９号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、２０１４年１月３１日（優先権主張２０１３年３月１日、同年月２日、日本国）を国際出願日とするものであり、平成２８年７月８日に特許権の設定登録がなされ、平成２９年２月１０日付けで特許異議申立人の特許業務法人藤央特許事務所より特許異議申立書が提出され、同年５月１６日付けの取消理由を特許権者の田中貴金属工業株式会社に通知し、特許権者より同年７月１８日付けで意見書が提出されたものである。
　
ＩＩ．本件特許発明について 
　本件特許の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明（以下「本件特許発明１ないし１０」といい、これらを纏めて「本件特許発明」という。）は、本件請求項１ないし１０に記載された事項により特定される以下のとおりのものでと認める。 
「【請求項１】
　Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、
　Ｐｔを３３ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相中に、不可避的不純物を含む１次粒子のＣ同士がお互いに接触しないように分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであり、
　前記１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、かつ、前記Ｃの全表面積のうち前記ＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積は前記Ｃの全表面積の８０％以上であることを特徴とするＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項２】
　Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の１種以上の金属元素を含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、
　Ｐｔを３３ａｔ％以上６０ａｔ％未満、Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の金属元素を０ａｔ％よりも多く２０ａｔ％以下含有し、かつ、Ｐｔと前記１種以上の金属元素の合計が６０ａｔ％以下であり、残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相中に、不可避的不純物を含む１次粒子のＣ同士がお互いに接触しないように分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであり、
　前記１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であり、かつ、前記Ｃの全表面積のうち前記ＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積は前記Ｃの全表面積の８０％以上であることを特徴とするＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項３】
　Ｆｅ、Ｐｔ以外の前記１種以上の金属元素は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上であることを特徴とする請求項２に記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項４】
　前記Ｃの結晶構造は、非晶質構造もしくはダイヤモンド構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項５】
　前記Ｃのターゲット全体に対する体積分率が５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項６】
　前記ＦｅＰｔ系合金相中にさらに酸化物相が分散していることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項７】
　前記Ｃのターゲット全体に対する体積分率が５ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％未満であり、前記酸化物相のターゲット全体に対する体積分率が３ｖｏｌ％以上５５ｖｏｌ％未満であり、かつ、前記Ｃと前記酸化物相との合計のターゲット全体に対する体積分率が８ｖｏｌ％以上６０ｖｏｌ％以下であることを特徴とする請求項６に記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項８】
　前記酸化物相は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｉＯ２のうちの少なくとも１種を含んでなることを特徴とする請求項６または７に記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項９】
　前記Ｃは、長径を短径で除した値が２以下の略球形であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。
【請求項１０】
　相対密度が９０％以上であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット。」
　
ＩＶ．特許異議申立について
　特許異議申立人は、以下で示す甲第１号証を証拠方法として提出すると共に、以下で示す（Ａ）ないし（Ｈ）を特許異議申立理由として主張する、ものと認める。
ア　証拠方法
　甲第１号証：国際公開第２０１２／０８６３３５号
　
イ　特許異議申立理由の概略
（Ａ）本件特許明細書および図面には、ＦｅＰｔ合金相の面に現れているＣ粒子について、【図１】の図示があるとしても、「（円形に限られない）Ｃの全表面積」、「（円形に限られない）Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積」を測定する方法、評価する方法に関する記載は一切なく、また、これらの方法が技術常識（標準的な手法）でもないので、本件請求項１、２に記載の「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」こと（発明特定事項）について当業者は理解することができない。
　したがって、本件請求項１、２の記載は、本件特許発明１、２を明確に記載するものではないので、特許法第３６条第６項第２項の規定を満たすものではない。。
　また、本件請求項１又は２を引用する本件請求項３ないし１０の記載も、同様である。（以下、「申立理由（Ａ）」という。）
　
（Ｂ）本件特許明細書および図面には、原料粉末の粒径を測定するレーザー回析法についての記載があるとしても、この回析法で測定された平均粒径が、ＦｅＰｔ合金相の面に現れているＣ粒子の平均粒径と同等であることを示す（立証する）記載はなく、また、ＦｅＰｔ合金相の面に現れているＣ粒子について、【図１】の図示があるものの、「１次粒子のＣの平均粒径」を測定する方法、評価する方法に関する記載は一切なく、さらに、この方法が技術常識でもないので、本件請求項１、２に記載の「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ること（発明特定事項）について当業者は理解することができない。
　したがって、本件請求項１、２の記載は、本件特許発明１、２を明確に記載するものではないので、特許法第３６条第６項第２項の規定を満たすものではない。
　また、本件請求項１又は２を引用する本件請求項３ないし１０の記載も、同様である。（以下、「申立理由（Ｂ）」という。）
　
（Ｃ）本件特許明細書および図面には、ＦｅＰｔ合金相の面に現れているＣ粒子について、「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積」を測定する方法、評価する方法に関する記載は一切ないので、当業者は、どのような測定方法を用いて、本件特許発明１、２の発明特定事項の「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」ことを特定（実現）すればよいのか分からない。
　したがって、発明の詳細な説明は、当業者が本件特許発明１、２を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえないので、特許法第３６条第４項第１項の規定を満たすものではない。
　また、本件請求項３ないし１０は、本件請求項１又は２を引用するものであるので、本件特許発明３ないし１０も、同様である。（以下、「申立理由（Ｃ）」という。）
　
（Ｄ）本件特許明細書および図面には、原料粉末の粒径を測定するレーザー回析法についての記載があるとしても、この回析法を、ＦｅＰｔ合金相の面に現れているＣ粒子の平均粒径の測定に利用することは、当業者に期待し得る程度を超える実験等を必要とするものであるので、当業者は、本件特許発明１、２の発明特定事項の「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ることを実施（実現）することはできない。
　したがって、発明の詳細な説明は、当業者が本件特許発明１、２を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとはいえないので、特許法第３６条第４項第１項の規定を満たすものではない。
　また、本件請求項３ないし１０は、本件請求項１又は２を引用するものであるので、本件特許発明３ないし１０も、同様である。（以下、「申立理由（Ｄ）」という。）
　
（Ｅ）本件特許明細書および図面には、ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットについて、「Ｆｅ、Ｐｔ以外の１種以上の金属元素」を用いた具体例の記載がないので、本件請求項２に記載の「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の１種以上の金属元素（本件請求項３では、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上）を含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」（発明特定事項）については、本願発明の課題が解決できると認識できる程度に具体例を開示して記載するものであるとはいえない。
　したがって、本件請求項２の記載は、特許法第３６条第６項第１項の規定を満たすものではない。
　また、本件請求項２を引用する本件請求項３ないし１０の記載も、同様である。（以下、「申立理由（Ｅ）」という。）
　
（Ｆ）本件特許明細書および図面には、「Ｃの結晶構造は、非晶質もしくはダイヤモンド構造である」こと（発明特定事項）の具体例の記載がないので、本件請求項４に記載の「Ｃの結晶構造は、非晶質もしくはダイヤモンド構造である」こと（発明特定事項）については、本願発明の課題が解決できると認識できる程度に具体例を開示して記載するものであるとはいえない。
　したがって、本件請求項４の記載は、特許法第３６条第６項第１項の規定を満たすものではない。
　また、本件請求項４を引用する本件請求項５ないし１０の記載も、同様である。（以下、「申立理由（Ｆ）」という。）
　
（Ｇ）本件特許発明１ないし１０は、本件出願前に頒布された甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定に違反するものである。（以下、「申立理由（Ｇ）」という。）
　
Ｖ．取消理由通知に記載した取消理由の概要 
　平成２９年５月１６日付けの取消理由通知は、上記「ＩＶ」で示した、申立理由（Ａ）ないし（Ｅ）および（Ｇ）を、取消理由（Ａ）ないし（Ｅ）および（Ｇ）にするものである。
　
ＶＩ．当審の判断
　以下、取消理由通知に記載した取消理由および申立理由（Ａ）ないし（Ｅ）および（Ｇ）、並びに、取消理由通知に記載しなかった申立理由（Ｆ）のそれぞれについて検討する。　
ＶＩ−１　取消理由および申立理由（Ａ）について
　本件特許明細書には、「得られた焼結体の組織観察を金属顕微鏡で行った。図１に本実施例１の焼結体の金属顕微鏡写真（撮影時の写真倍率は１０００倍、写真中の縮尺目盛りは５０μｍ）を示す。図１において濃い灰色の円形の部分が非晶質カーボンであり、薄い灰色の部分がＦｅＰｔ合金相である。また、円形のＣ相同士の間に黒色の部位（図１において矢印で示す部位）がいくつかあるが、この黒色の部位はボイド（空隙）である。なお、図１から明らかなように、Ｃ相は長径を短径で除した値が２以下の略球形であった。」（【０１１８】）との記載があり、これからして、本件特許発明の「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」こと（発明特定事項）は、金属顕微鏡写真をベースに算出されるものであるということができる。
　ここで、特許権者が提出した、本件出願前に頒布された乙第１号証（特許第５７１４２４９号公報）には、「セラミックス粗大粒子１の面積は、例えば、次のような方法で求めることができる。切断面を光学顕微鏡で２００倍の倍率で１．０×１．５ｍｍの範囲について観察し、断面に現れたセラミックス粒子のうち、長径が１００μｍ以上のセラミックス粒子をセラミックス粗大粒子として、その面積を求める。面積の求め方は、光学顕微鏡写真を画像ファイルとしてパソコンに取り込む。セラミックス粒子はマトリックスである金属と比較して黒く観察されることから、市販の画像処理ファイルにてセラミックス粗大粒子の範囲を指定し、そこから面積を計算することができる。」（【００１３】）、「シリカ被覆率は、例えば次のような方法で求めることができる。まず、セラミックス粗大粒子について、走査型顕微鏡（ＳＥＭ）で５０００〜７０００倍の倍率で断面を観察し、粒子の外周部をＥＤＸで分析する。分析は酸素について行い、セラミックス粗大粒子を被覆しているシリカを特定する。シリカの被覆層が０．５μｍ以上の厚さである箇所を被覆部分とし、観察したセラミックス粗大粒子の全周に対して被覆部分の割合を求め、これをシリカ被覆率とすることができる。測定は例えば、２０個のセラミックス粗大粒子について行い、これらの平均値とすることができる。」（【００１８】）等の記載があり、これらからして、市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いることにより、切断面の光学顕微鏡写真を画像ファイルとしてパソコンに取り込み、切断面に現れた粒子の範囲を指定し、そこから面積、および、粒子の全周に対する被覆部分の割合を求めることは、本件出願前の周知技術であるということができる。
　そうすると、本件特許発明の『金属顕微鏡写真をベースに「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」こと（発明特定事項）の算出』は、本件出願前の周知技術（市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いる技術）に基くものであると見るのが妥当であるので、本件請求項１、２および本件請求項１又は２を引用する本件請求項３ないし１０に記載の「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」こと（発明特定事項）について当業者は理解することができる。
　したがって、取消理由および申立理由（Ａ）に理由はない。
　
ＶＩ−２　取消理由および申立理由（Ｂ）について
　本件特許明細書には、上記「ＶＩ−１」で示した【００１８】の記載があり、これからして、本件特許発明の「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ること（発明特定事項）は、金属顕微鏡写真をベースに算出されるものであるということができる。
　ここで、特許権者が提出した、本件出願前に頒布された乙第１号証（特許第５７１４２４９号公報）には、上記「ＶＩ−１」で示した【００１３】、【００１８】等の記載があり、これらからして、市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いることにより、切断面の光学顕微鏡写真を画像ファイルとしてパソコンに取り込み、切断面に現れた粒子の範囲を指定すること、つまり、粒子の範囲が指定される以上、その径についても指定されることは、本件出願前の周知技術であるということができる。
　そうすると、本件特許発明の『金属顕微鏡写真をベースに「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ること（発明特定事項）の算出』は、本件出願前の周知技術（市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いる技術）に基くものであると見るのが妥当であるので、本件請求項１、２および本件請求項１又は２を引用する本件請求項３ないし１０に記載の「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ること（発明特定事項）について当業者は理解することができる。
　したがって、取消理由および申立理由（Ｂ）に理由はない。
　
ＶＩ−３　取消理由および申立理由（Ｃ）について
　上記「ＶＩ−１」で示したように、本件特許発明の『金属顕微鏡写真をベースに「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」こと（発明特定事項）の算出』は、本件出願前の周知技術（市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いる技術）に基くものであると見るのが妥当である。
　そうすると、当業者であれば、どのような測定方法を用いて、本件特許発明の発明特定事項の「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」ことを特定（実現）すればよいのか理解することができる。
　したがって、取消理由および申立理由（Ｃ）に理由はない。
　
ＶＩ−４　取消理由および申立理由（Ｄ）について
　上記「ＶＩ−２」で示したように、本件特許発明の『金属顕微鏡写真をベースに「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ること（発明特定事項）の算出』は、本件出願前の周知技術（市販の画像処理ファイル（ソフト）を用いる技術）に基くものであると見るのが妥当である。
　そうすると、当業者であれば、本件特許発明の発明特定事項の「１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」ることを実施（実現）することができる。
　したがって、取消理由および申立理由（Ｄ）に理由はない。
　
ＶＩ−５　取消理由および申立理由（Ｅ）について
　本件特許明細書には、「本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであって、複数のターゲットを用いることなく、磁気記録媒体として使用可能なＦｅＰｔ系合金を含む薄膜を単独で形成することができ、かつ、スパッタリング時に発生するパーティクルの少ないＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。」（【発明が解決しようとする課題】【０００９】）との記載があり、これからして、本件特許発明が解決しようとする課題は、「複数のターゲットを用いることなく、磁気記録媒体として使用可能なＦｅＰｔ系合金を含む薄膜を単独で形成することができ、かつ、スパッタリング時に発生するパーティクルの少ないＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する」こと（以下、「本願課題」という。）であるということができる。
　ここで、本件特許明細書の【００５７】ないし【００６１】には、ＦｅＰｔ系合金相においてｆｃｔ（面心直方）構造を確実に発現させるものとして、例えばＣｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂを添加することの記載があり、これからして、これらの金属を添加することの技術的意義（作用機序）が示されており、また、特許権者が提出した乙第２号証（特許第５９６５５３９号　追試結果）には、Ａｇを添加したスパッタリング（単一）ターゲット（４Ｆｅ−４５Ｐｔ−１０Ａｇ）から発生するパーティクル数が有意な数であることを示す実験データ、つまり、本願課題を解決する具体例（Ａｇを使用する例）の記載があり、さらに、上記技術的意義（作用機序）が認識された上で、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂが選択されることからして、Ａｇと同様に、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂも本願課題を解決し得るものであると推認することができる。
　したがって、本件特許明細書および図面には、本件請求項２および本件請求項２を引用する本件請求項３ないし１０に記載の「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有し、さらにＦｅ、Ｐｔ以外の１種以上の金属元素（本件請求項３では、Ｃｕ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｖ、Ｂのうちの１種以上）を含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」（発明特定事項）については、実質的に、本願発明の課題が解決できると認識できる程度に具体例を開示して記載するものであるということができる。
　よって、取消理由および申立理由（Ｅ）に理由はない。
　
ＶＩ−６　申立理由（Ｆ）について
　本願課題は、上記「ＶＩ−５」で示したとおりである。
　本件特許明細書の【００５５】には、結晶内におけＣ原子同士の結合力が強いため、スパッタリング時に、Ｃ（炭素）の１次粒子が崩壊してしまうおそれが小さく、Ｃ（炭素）の１次粒子の崩壊によるパーティクルの発生が少ない非晶質もしくはダイヤモンド構造の炭素を用いることの記載があり、これからして、非晶質もしくはダイヤモンド構造の炭素を用いることの技術的意義（作用機序）が示されており、また、本件特許明細書の【０１１５】（実施例１）、【０１２４】（実施例２）、【０１２６】（実施例３）、【０１５３】（実施例４）および【０１８７】【表１】等には、非晶質カーボンを用いた実施例１ないし４のＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットから発生するパーティクル数が有意な数であることを示すデータ、つまり、本願課題を解決する具体例（非晶質の炭素を使用する例）の記載があり、さらに、上記技術的意義（作用機序）を認識した上で、非晶質もしくはダイヤモンド構造の炭素が選択されることからして、非晶質の炭素と同様に、ダイヤモンド構造の炭素も本願課題を解決し得るものであると推認することができる。
　したがって、本件特許明細書および図面には、本件請求項４および本件請求項４を引用する本件請求項５ないし１０に記載の「Ｃの結晶構造は、非晶質もしくはダイヤモンド構造である」こと（発明特定事項）については、実質的に、本願発明の課題が解決できると認識できる程度に具体例を開示して記載するものであるということができる。
　よって、申立理由（Ｆ）に理由はない。
　
ＶＩ−７　取消理由および申立理由（Ｇ）について
ＶＩ−７−１　甲第１号証に記載の発明
　甲第１号証には、以下の記載がある。　
(ａ)「［０００９］  本発明の課題は、高価な同時スパッタ装置を用いることなくグラニュラー構造磁性薄膜の作製を可能にする、Ｃ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットを提供することであり、さらには、スパッタリング時に発生するパーティクル量を低減した高密度なスパッタリングターゲットを提供することを課題とする。」
　
（ｂ）「［００１１］　このような知見に基づき、本発明は、 
１）原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−ＡＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、合金中に微細分散したＣ粒子を有し、かつ相対密度が９０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット
　　　・・・中略・・・
スパッタリングターゲット、を提供する。」
　
（ｃ）「［００１４］　本発明のＣ粒子が分散したＦｅ−Ｐｔ系スパッタリングターゲットは、原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−Ａ−ＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表され、強磁性母材合金中に非磁性のＣ粒子が均一に微細分散し、かつ相対密度が９０％以上である。これが、本発明の基本となるものである。」
　
（ｄ）「［００２１］　また、本発明のスパッタリングターゲットは、合金中に、平均面積が４μｍ２以下のＣ粒子を分散させることが、特に有効である。平均面積が４μｍ２を超えると、作製されたスパッタリングターゲットは、スパッタ時のパーティクル発生を効果的に抑制できない。なお、平均面積はスパッタリングターゲットを切り出した端材の研磨面において観察されたＣ粒子の面積をその個数で割り返した値として導出する。」
　
　上記（ａ）ないし（ｄ）からして、甲第１号証には、「原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−ＡＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲットであって、Ｃ粒子が微細分散し、Ｃ粒子の平均面積が４μｍ２（平均粒径が２．２６μｍ）以下である、焼結体スパッタリングターゲット。」（以下、「甲第１号証記載の発明」という。）が記載されているということができる。
　
ＶＩ−７−２　本件特許発明１について
　本件特許発明１と甲第１号証記載の発明とを対比する。
○甲第１号証記載の発明の「原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−ＡＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲット」は、本件特許発明１の「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」に相当する。
　
○甲第１号証記載の発明の「原子数における組成比が式：（Ｆｅ１００−Ｘ−ＰｔＸ）１００−ＡＣＡ（但し、Ａは２０≦Ａ≦５０、Ｘは３５≦Ｘ≦５５を満たす数）で表される焼結体スパッタリングターゲット」と、本件特許発明１の「Ｐｔを３３ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相中に、不可避的不純物を含む１次粒子のＣ同士がお互いに接触しないように分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」とは、「Ｐｔを３５ａｔ％以上５５ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相中に、不可避的不純物を含むＣ同士が分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」という点で一致する。
　
○甲第１号証記載の発明の「Ｃ粒子の平均面積が４μｍ２（平均粒径が２．２６μｍ）以下であ」ると、本件特許発明１の「Ｃの平均粒径が１μｍ以上３０μｍ以下であ」りとは、「Ｃの平均粒径が１μｍ以上２．２６μｍ以下であ」るという点で一致する。
　
　上記より、本件特許発明１と甲第１号証記載の発明とは、
「Ｆｅ、ＰｔおよびＣを含有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであって、Ｐｔを３５ａｔ％以上５５ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相中に、不可避的不純物を含むＣ同士が分散した構造を有するＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであり、１次粒子のＣの平均粒径が１μｍ以上２．２６μｍ以下である、ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲット」という点で一致し、以下の点で相違している。
＜相違点１＞
　本件特許発明１は、「１次粒子の」Ｃ同士が「お互いに接触しないように」分散した構造を有するのに対して、甲第１号証記載の発明は、Ｃ粒子（Ｃ同士）が微細分散する点。
　
＜相違点２＞
　本件特許発明１は、「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」のに対して、甲第１号証記載の発明は、この点の特定がない点。
　
　上記両相違点をまとめて検討する。
　本件特許明細書の実施例１ないし４における「Ｃ原料粉の径」、同「混合方法」は、「８μｍ、８μｍ、８μｍ、８μｍ」、「ボールを用いたタンブラーミキサーでの弱混合（１５分間）、ボールを用いたタンブラーミキサーでの弱混合（１５分間）、ボールを用いたタンブラーミキサーでの弱混合およびボールミルでの累積回転回数９０００回、ボールミルでの累積回転回数１３３０５６０回およびボールを用いたタンブラーミキサーでの弱混合（１５分間）」である。
　一方、甲第１号証には、「原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。」（［００３１］）（実施例１）、「次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。」（［００３２］）（実施例１）、「次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．９μｍ２であった。」（［００３３］）（実施例１）、「原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径３μｍのＣｕ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。」（［００４３］）（実施例２）、「次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。」（［００４４］）（実施例２）、「次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．７μｍ２であった。」（［００４５］）（実施例２）、「原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。」（［００５１］）（実施例３）、「次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、１６時間回転させて混合・粉砕した。」（［００５２］）（実施例３）、「次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、１．０μｍ２であった。」（［００５３］）（実施例３）、「原料粉末として平均粒径３μｍのＦｅ粉末、平均粒径３μｍのＰｔ粉末、平均粒径５μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は真比重が２．２５ｇ／ｃｃのグラファイト粉末を用いた。」（［００５６］）（実施例４）、「次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、４時間回転させて混合・粉砕した。」（［００５７］）（実施例４）、「次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画���を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、３．２μｍ２であった。」（［００５８］）（実施例４）、「原料粉末として平均粒径１０μｍのＦｅ−Ｐｔ合金粉末、平均粒径１μｍのＣ粉末を用意した。Ｃ粉末は市販の無定形炭素を用いた。」（［００６０］）（実施例５）、「次に、秤量した粉末を粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、８時間回転させて混合・粉砕した。」（［００６１］）（実施例５）、「次に得られた焼結体の端部を切り出し、断面を研磨してその組織を光学顕微鏡で観察した。そして組織面上の任意に選んだ４箇所で、１０８μｍ×８０μｍの視野サイズで組織画像を撮影した。撮影された画像を画像処理ソフトで２値化しＣ粒子に該当する部分（組織観察画像の黒っぽいところ）の個数と面積を求めた。こうしてＣ粒子１個あたりの平均面積を計算したところ、２．６μｍ２であった。」（［００６２］）（実施例５）との記載があり、これらからして、実施例１ないし５における「Ｃ粉末（Ｃ原料粉）の平均粒径」、同「ターゲットの切り出し断面に現れたＣ粒子の平均粒径（平均面積から算出）」、同「ボールミルポットにおける混合・粉砕時間」は、「１μｍ、１μｍ、１μｍ、５μｍ、１μｍ」、「１．９２μｍ、１．８５μｍ、１．１３μｍ、２．０μｍ、１．８２μｍ」、「４時間、４時間、１６時間、４時間、８時間」である。
　なお、甲第１号証における実施例６はＳｉＯ２粉末を原料粉として含み、同実施例７はＭｇＯ粉末を原料粉として含み、同実施例８はＣｒ２Ｏ３粉末を原料粉として含むものであるので、上記においては摘示をしなかった。
　上記からして、本件特許明細書における実施例１ないし４における「Ｃ原料粉の平均粒径」は、甲第１号証における実施例１ないし５の「Ｃ粉末（Ｃ原料粉）の平均粒径」よりも総じて大きく、本件特許明細書における実施例１ないし４における「混合方法（混合）」は、甲第１号証における実施例１ないし５の「混合・粉砕」よりも総じて弱いものであるので、両者は、同様の操作によって製造されたものとは言えず、両者の「ターゲットの切り出し断面に現れたＣ粒子の状態」が同じであるとは言い難い。
　また、甲第１号証の［図１］（実施例３）は、不鮮明であることからして、「ターゲットの切り出し断面に現れたＣ粒子の状態」を明確に把握することはできない。
　そうすると、甲第１号証記載の発明は、ターゲットの切り出し断面に現れたＣ粒子が微細分散するものであるとしても、「１次粒子の」Ｃ同士が「お互いに接触しないように」分散した構造を有し、「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットであると断言することはできない。
　さらに、一般に、「１次粒子の」Ｃ同士が「お互いに接触しないように」分散した構造を有し、「Ｃの全表面積のうちＦｅＰｔ系合金相に覆われている表面積はＣの全表面積の８０％以上である」ＦｅＰｔ−Ｃ系スパッタリングターゲットが、本件特許に係る出願前の自明の事項であるともいえない。
　したがって、上記両相違点に係る本件特許発明１の発明特定事項を構成することは、甲第１号証記載の発明に基いて当業者が容易に想到し得るものである、とはいえない。
　よって、本件特許発明１は、本件出願前に頒布された甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、とはいえない。
　
ＶＩ−７−３　本件特許発明２ないし１０について
　本件特許発明２ないし１０と甲第１号証記載の発明とを対比すると、上記「ＶＩ−７−２」で示した両相違点があるということができる。
　そうすると、上記「ＶＩ−７−２」で示した理由と同じ理由より、本件特許発明２ないし１０も、本件特許発明１と同じく、本件出願前に頒布された甲第１号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである、とはいえない。
　
ＶＩ−７−４　小活
　上記「ＶＩ−７−１」ないし「ＶＩ−７−３」より、本件特許発明１ないし１０は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものである、とはいえない。
　したがって、取消理由および申立理由（Ｇ）に理由はない。
　
ＶＩ−８　まとめ
　上記「ＶＩ−１」ないし「ＶＩ−７」からして、特許異議申立理由および取消理由通知に記載した取消理由によっては、本件特許発明１ないし１０を取り消すことはできない。
　
ＶＩＩ　むすび 
　以上のとおり、本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできず、また、他に本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。 
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年１０月１３日（２０１７．１０．１３）