【事件の表示】
　特許第５９７０６６８号発明「電動式パワーステアリング用パワーモジュールおよびこれを用いた電動式パワーステアリング駆動制御装置」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９７０６６８号の請求項１ないし７に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５９７０６６８号の請求項１−７に係る特許についての出願は、２０１１年（平成２３年）４月２５日（優先権主張　平成２２年１１月２日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年７月２２日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人　番場大円（以下、「申立人」という）により特許異議の申立てがされ、当審において平成２９年４月２８日付けで取消理由を通知し、平成２９年７月５日付けで意見書が提出されたものである。
　
第２　本件発明
　本件特許の請求項１−７に係る発明（以下、それぞれ、「本件発明１」−「本件発明７」という。）は、その特許請求の範囲の請求項１−７に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
「【請求項１】
　ブリッジ回路を構成する複数個のパワースイッチング素子と、前記パワースイッチング素子のそれぞれからモータに供給されるモータ電流をオン・オフ制御するモータリレー用スイッチング素子とからなるパワー回路部品を同一平面の導電部材上に実装し、電源端子、グランド端子、モータ出力端子、前記各スイッチング素子を駆動する制御用端子とを有し、前記パワー回路部品と前記導電部材と前記各端子とをモールド樹脂にて四角形に一体成形し、前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用し、さらに、前記電源端子・グランド端子・モータ出力端子と、前記制御用端子とは分離して前記四角形の別の辺に配置し、前記導電部材は複数に分割された領域からなり、分割された各導電部材の一部から前記電源端子、グランド端子、モータ出力端子がそれぞれ一体で同一平面状に延出されたことを特徴とする電動式パワーステアリング用パワーモジュール。
【請求項２】
　ブリッジ回路を構成する上下アームに直列に２個のパワースイッチング素子と、前記両パワースイッチング素子の接続点からモータに供給されるモータ電流をオン・オフ制御するモータリレー用スイッチング素子とからなるパワー回路部品を、同一平面の導電部材上に実装し、前記パワー回路部品と前記導電部材と、複数の外部接続用端子とをモールド樹脂にて一体成形し、前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用し、さらに前記モータリレー用スイッチング素子は、前記ブリッジ回路を構成する２個のパワースイッチング素子の間に配置し、前記導電部材は複数に分割された領域からなり、分割された各導電部材の一部から前記外部接続用端子の内、電源端子、グランド端子、モータ出力端子がそれぞれ一体で同一平面状に延出されたことを特徴とする電動式パワーステアリング用パワーモジュール。
【請求項３】
　ブリッジ回路を構成する上下アームに直列に挿入された２個のパワースイッチング素子と、前記両パワースイッチング素子の接続点からモータに供給されるモータ電流をオン・オフ制御するモータリレー用スイッチング素子と、電流検出するためのシャント抵抗とからなるパワー回路部品を、同一平面の導電部材上に実装し、電源端子、グランド端子、モータ出力端子、前記３個のスイッチング素子を駆動する制御用端子とを有し、前記パワー回路部品と前記導電部材と前記各端子とをモールド樹脂にて一体成形し前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用し、前記電源端子と前記グランド端子は並設され、前記ブリッジ回路を構成する２個のパワースイッチング素子と前記モータリレー用スイッチング素子と前記シャント抵抗の４個の部品において、前記電源端子の最も近傍にブリッジ回路を構成する上側パワースイッチング素子を配置し、前記グランド端子の最も近傍にシャント抵抗を配置し、前記制御用端子は前記電源端子・グランド端子とは分離して配置し、前記導電部材は複数に分割された領域からなり、分割された各導電部材の一部から前記電源端子、グランド端子、モータ出力端子がそれぞれ一体で同一平面状に延出されたたことを特徴とする電動式パワーステアリング用パワーモジュール。
【請求項４】
　多相分を纏めて同一パッケージに樹脂封止したことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電動式パワーステアリング用パワーモジュール。
【請求項５】
　電動モータとこの電動モータの駆動を制御する制御装置とを備え、請求項１から３のいずれか１項に記載のパワーモジュールを構成するパワー回路部品をヒートシンク上に放熱効率が均等になるように配置したことを特徴とする電動式パワーステアリング駆動制御装置。
【請求項６】
電動モータと制御装置はモータ軸と同軸上に配置され、前記制御装置はモータ軸前方に配置したことを特徴とする請求項５に記載の電動式パワーステアリング駆動制御装置。
【請求項７】
　電動モータと制御装置はモータ軸と同軸上に配置され、前記制御装置はモータ軸後方に配置したことを特徴とする請求項５に記載の電動式パワーステアリング駆動制御装置。」
　
第３　特許異議申立理由及び取消理由の概要
　請求項１乃至７に係る特許に対する、特許異議申立理由、及び、該特許異議申立理由に基づいて、当審により通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　請求項１乃至７に係る発明は、下記甲第１号証に記載された発明及び下記甲第２〜１１号証に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものであるから、請求項１乃至７に係る特許は、同法第１１３条第２号の規定により取り消すべきものである。
 　 
 甲第１号証：国際公開第２０１０／００７６７２号
 甲第２号証：特開２００７−２９５６５８号公報
 甲第３号証：堀　孝正　外６名，“新インターユニバーシティ　パワーエレクトロニクス”，株式会社オーム社，平成２０年１１月１５日，ｐ．１２６
 甲第４号証：竹内　茂行　外２名，“自動車用チップオンチップスマートＭＯＳＦＥＴ技術”，富士時報，富士電機ホールディングス株式会社，２００３年１１月１０日，第７６巻，第１０号，ｐ．４０−４３
 甲第５号証：浅井　紳哉，“パワー回路基板設計の鉄則１０か条”，トランジスタ技術，ＣＱ出版社，２００３年６月，第４０巻，第６号，ｐ．１６９−１７０
 甲第６号証：特開２００９−２７８１３４号公報
 甲第７号証：特開２００９−２２５６１２号公報
 甲第８号証：特開２００９−８９４９１号公報
 甲第９号証：三菱半導体（インテリジェントパワーモジュール）ＰＳ２１７６７のカタログ（２００７年８月公開）
 甲第１０号証：実公平７−４１１６４号公報
 甲第１１号証：実願平４−５８６３３号（実開平６−１７２４９号）のＣＤ−ＲＯＭ
第４　甲各号証の記載
１．甲第１号証
　甲第１号証には、図面とともに次の技術事項が記載されている。なお、下線部は当審により付与した。
 　 
「［０００１］この発明は、
車両に搭載される電動パワーステアリング装置
「［００２８］制御装置部５０は、電動機部４０の内部空間に連通する制御装置部内部空間を備えると共にその制御装置部内部空間に、マイクロコンピュータ５３１とＦＥＴ駆動回路５３２とが実装されたガラスエポキシ樹脂製の制御基板５３と、パワーＭＯＳＦＥＴにより構成された２個のパワー素子と１個の半導体スイッチ素子と１個のシャント抵抗とが夫々実装されたセラミックベースからなる３枚のパワー基板５４１、５４２、５４３（図２には、５４１のみ表示されている）と、２個の半導体スイッチ素子が搭載されたセラミックベースからなる１枚のスイッチ基板５５とを収容している。３枚のパワー基板５４１、５４２、５４３と、１枚のスイッチ基板５５に於ける半導体スイッチ素子等の実装の詳細については後述する。
［００２９］
図３は、減速機構側ケース６０の電動機側の側面を、パワー基板５４１、５４２、５４３、及びスイッチ基板５５が取り付けられた状態で示す側面図である。
［００３０］
図３に示すように、パワー基板５４１には、電動機駆動回路を構成する３相ブリッジ回路のＵ相正極側アームを構成するパワー素子５４１１とＵ相負極側アームを構成するパワー素子５４１２と、固定子巻線４１３のＵ相巻線と前述の３相ブリッジ回路のＵ相出力端子との間に挿入される１個の半導体スイッチ素子５４１３と、パワー素子５４１２と車両の接地電位部との間に挿入される１個のシャント抵抗５４１４とが実装されている。
 　 
「［００３７］次に、前述のように構成された制御装置部５０の回路構成について説明する。図４は、制御装置部５０の回路構成を示す回路図である。図４に於いて、固定子巻線４１３は、前述した通り巻線ターミナル４１６によりＹ結線されている。
パワー基板５４１に実装され一端同士が互いに接続された一対のパワー素子５４１１及び５４１２のうち、一方のパワー素子５４１１は３相ブリッジ回路のＵ相正極側アームを構成し、他方のパワー素子５４１２はＵ相負極側アームを構成している。
前述のパワー素子５４１１と５４１２の一端同士が接続された接続点は、３相ブリッジ回路のＵ相交流側端子となる。又、パワー基板５４１に実装された半導体スイッチ素子５４１３は、その一端が前述のＵ相交流側端子に接続され、他端が固定子巻線４１３のＵ相端子に接続されている。
 　 
「［００９３］又、前述の実施の形態１乃至５に於けるパワー基板の材質は、セラミックベースであるとして説明したが、これに限定されるものではなく、例えば金属基板にパワー素子や半導体スイッチ素子をベアチップで実装してもよく、或いはディスクリート部品を実装するようにしてもよい。」
 　 
　以上の記載（特に、下線部の記載）、及び、図面から、甲第１号証には、次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
 　 
［甲１発明］
 「３相ブリッジ回路のＵ相正極側アーム及びＵ相負極側アームを構成するパワー素子（５４１１、５４１２）と、一端が前記パワー素子（５４１１、５４１２）の一端同士が接続された接続点に接続され、他端が固定子巻線４１３のＵ相端子に接続された半導体スイッチ素子（５４１３）と、を実装した電動パワーステアリング装置のパワー基板。」
２．甲第２号証
  甲第２号証には、図面とともに次の技術事項が記載されている。なお、下線部は当審により付与した。
「【００２５】
　以下、本発明の実施の形態を説明する。
　まず、第１の実施の形態を説明する。
　図１は、本発明の一実施形態を示す概略構成図であって、図中、１はステアリングホイールであり、このステアリングホイール１に運転者から作用される操舵力がステアリングシャフト２に伝達される。このステアリングシャフト２は、入力軸２ａと出力軸２ｂとを有し、入力軸２ａの一端がステアリングホイール１に連結され、他端は操舵トルク検出手段としての操舵トルクセンサ３を介して出力軸２ｂの一端に連結されている。
【００２６】
　そして、出力軸２ｂに伝達された操舵力は、ユニバーサルジョイント４を介してロアシャフト５に伝達され、さらにユニバーサルジョイント６を介してピニオンシャフト７に伝達される。
　このピニオンシャフト７に伝達された操舵力はステアリングギヤ８を介してタイロッド９に伝達され、図示しない転舵輪を転舵させる。ここで、ステアリングギヤ８は、ピニオンシャフト７に連結されたピニオン８ａとこのピニオン８ａに噛合するラック８ｂとを有するラックアンドピニオン機構に構成され、ピニオン８ａに伝達された回転運動をラック８ｂで直進運動に変換している。
【００２７】
　ステアリングシャフト２の出力軸２ｂには、補助操舵力を出力軸２ｂに伝達する減速ギヤ１０が連結されており、この減速ギヤ１０には、操舵系に対して補助操舵力を発生する３相ブラシレスモータ１２の出力軸が連結されている。
　この３相ブラシレスモータ１２は、図２に示すように、Ｕ相励磁コイルＬｕ、Ｖ相励磁コイルＬｖ及びＷ相励磁コイルＬｗの一端が互いに接続されてスター結線とされ、各コイルの他端がコントローラ２０に接続されて個別にモータ駆動電流Ｉｕ、Ｉｖ及びＩｗが供給されると共に、図示しないロータの回転位置を検出するホール素子、レゾルバ等で構成されるロータ位置検出回路１３を備えている。
【００２８】
　また、
各励磁コイルＬｕ〜Ｌｗには、それぞれ、３相ブラシレスモータ１２の中性点と励磁コイルＬｕ〜Ｌｗとの間に、閉回路開放用のスイッチ回路ＳＷｕ〜ＳＷｗが接続される。この閉回路開放用のスイッチ回路ＳＷｕ〜ＳＷｗは、それぞれ電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗと、これと逆並列に接続されたダイオードＤｕ〜Ｄｗとで構成される。前記電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗは、低オン抵抗特性を有する低オン抵抗型の電界効果トランジスタで形成され、例えば、パワー素子として広く使用されているＳｉ−ＩＧＢＴや、Ｓｉを用いた場合よりもオン抵抗値の低い、炭化珪素を素材とする電界効果トランジスタで構成される
【００２９】
　また、これら電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗは、これらを流れる電流が、中性点から流れ出る方向となる向きに設けられている。なお、ここでは、中性点から電流が流れ出る方向と、電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを流れる電流の方向とが一致するようにこれら電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを設けた場合について説明したが、電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを流れる電流の向きが、中性点に向かって流れる方向となるように配設してもよく、中性点に対して、電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを流れる電流の向きが同一方向であれば、何れの向きであってもよい。
【００３０】
　
これら閉回路開放用のスイッチ回路ＳＷｕ〜ＳＷｗは、図３の３相ブラシレスモータ１２の概略構造を示す断面図に示すモータハウジング１０１内に設けられ、具体的には、各励磁コイルＬｕ〜Ｌｗが接続されて３相ブラシレスモータ１２の中性点が形成される回路基板１０２上に配置される。
【００３１】
　一方、前記操舵トルクセンサ３は、ステアリングホイール１に付与されて入力軸２ａに伝達された操舵トルクを検出するもので、例えば、操舵トルクを入力軸２ａ及び出力軸２ｂ間に介挿した図示しないトーションバーの捩れ角変位に変換し、この捩れ角変位を例えばポテンショメータで検出するように構成されている。この操舵トルクセンサ３から出力されるトルク検出値Ｔは、コントローラ２０に入力される。
【００３２】
　このコントローラ２０には、操舵トルクセンサ３から出力されるトルク検出値Ｔや、ロータ位置検出回路１３で検出されたロータ回転角θが入力されると共に、さらに、３相ブラシレスモータ１２の各励磁コイルＬｕ〜Ｌｗに供給されるモータ駆動電流Ｉｕ、Ｉｖ及びＩｗのうち、何れか２つ、例えば、Ｉｕ及びＩｗを検出するモータ電流検出回路２２から出力されるモータ駆動電流検出値Ｉｕｄ及びＩｗｄが入力される。
【００３３】
　コントローラ２０は、トルク検出値Ｔ及び車速検出値Ｖとモータ電流検出値Ｉｕｄ及びＩｗｄとロータ回転角θとに基づいて操舵補助電流目標値を演算し、これを電流指令値Ｉｕｔ、Ｉｖｔ及びＩｗｔとし、この電流指令値Ｉｕｔ、Ｉｖｔ及びＩｗｔに基づいて決定したデューティ比Ｄｕ、Ｄｖ及びＤｗのＰＷＭ（パルス幅変調）信号を出力する制御演算装置２３と、３相ブラシレスモータ１２を駆動する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）で構成されるインバータ２４と、制御演算装置２３から電流指令値Ｉｕｔ、Ｉｖｔ及びＩｗｔに基づいてインバータ２４の電界効果トランジスタのゲート電流を制御するＦＥＴゲート駆動回路２６と、前記３相ブラシレスモータ１２の閉回路開放用の電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗのゲート電流を制御する開放用ＦＥＴ駆動回路２７と、を備えている。
【００３４】
　
前記インバータ２４は、直列に接続された２つの電界効果トランジスタＱｕａ及びＱｕｂと、同様に直列に接続された２つの電界効果トランジスタＱｖａ及びＱｖｂと、直列に接続された電界効果トランジスタＱｗａ及びＱｗｂとを備え、これら直列に接続された電界効果トランジスタが並列に接続されて構成される。
【００３５】
　このインバータ２４の電界効果トランジスタＱｕａ及びＱｕｂの接続点、電界効果トランジスタＱｖａ及びＱｖｂの接続点並びに電界効果トランジスタＱｗａ及びＱｗｂの接続点が電動モータ１２のスター結線された各励磁コイルＬｕ〜Ｌｗに接続される。
　また、ＦＥＴゲート駆動回路２６は、インバータ２４の各電界効果トランジスタＱｕａ〜Ｑｗｂを、後述する制御演算装置２３から出力される電流指令値Ｉｕｔ、Ｉｖｔ及びＩｗｔに基づいて決定される相毎のデューティ比のＰＷＭ（パルス幅変調）信号によってＯＮ／ＯＦＦさせ、これによって、実際に３相ブラシレスモータ１２に流れる電流Ｉｍｕ、Ｉｍｖ及びＩｍｗの大きさが制御される。」
「【００４７】
  また、上述のように、異常を検出した場合には、各励磁コイルに設けた閉回路開放用の電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを全て開放状態に切り換えて中性点を開放しているから、どのような閉回路が形成される場合であってもこの閉回路の形成を確実に回避することができる。
  また、上述のように、
電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗは、低オン抵抗特性を有する炭化珪素を素材とした電界効果トランジスタであり、その発熱量は比較的小さく、また耐熱性にも優れていることから、電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗを３相ブラシレスモータ１２のモータハウジング１０１内に設けた場合であっても何ら問題ない
第５　当審の判断
１．本件発明１について
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、本件発明１は「パワー回路部品を同一平面の導電部材上に実装し」、「前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用」するものであるのに対し、甲１発明は、パワー回路部品を基板上に実装するものであるとはいえるものの、「パワー回路部品を同一平面の導電部材上に実装し」、「前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用」するものではない点で少なくとも相違する。
　甲１発明において、本件発明１の上記相違点に係る構成を採用する動機づけとなる事項は、甲第１号証には記載されていないし、甲第２号証〜甲第１１号証のいずれにも記載されていない。
　甲第２号証には、電界効果トランジスタＦＥＴｕ〜ＦＥＴｗ（本件発明１の「モータリレー用スイッチング素子」に相当）を、低オン抵抗特性を有する低オン抵抗型の電界効果トランジスタで形成することは記載されている（【００２８】）が、インバータを構成する各電界効果トランジスタＱｕａ〜Ｑｗｂ（本件発明１の「パワースイッチング素子」に相当）のオン抵抗については記載がないから、両者のオン抵抗の大小関係は不明であり、また、両者は同一平面の部材上に実装されたものではないから、両者のオン抵抗の大小関係を決定する動機もなく、甲第２号証は、甲１発明において、本件発明１の上記相違点に係る構成を採用する動機づけとなるものではない。
　また、仮に、モータリレー用スイッチング素子に流れる電流が、ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子に流れる電流の２倍であること、素子のチップサイズが大きくなればオン抵抗が小さくなること、導電部材の導電幅が大きいほど熱容量が大きくなること、がいずれも技術常識であったとしても、そのことが、甲１発明において、本件発明１の上記相違点に係る構成を採用する動機づけとなるものではない。
　本件発明１は、上記相違点に係る構成を有することにより、明細書の【００１０】に記載された「モジュールを構成するパワー回路部品の発熱が一様にバランスされるので、発熱ムラが発生することなくヒートシンクへの放熱が可能となる」との特有の効果を奏するものである。
　
　したがって、本件発明１は、甲１発明及び甲第２号証〜甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
　
２．本件発明２乃至７について
　本件発明２乃至７は、いずれも、本件発明１の上記相違点に係る構成と同じ「パワー回路部品を同一平面の導電部材上に実装し」、「前記導電部材の裏面は高熱伝導材を介してヒートシンク上に当接配置したものにおいて、前記モータリレー用スイッチング素子のオン抵抗を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のオン抵抗より小さくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子のチップサイズを、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子のチップサイズより大きくするか、または前記モータリレー用スイッチング素子が実装された導電部材の熱容量を、前記ブリッジ回路を構成するパワースイッチング素子が実装された導電部材の熱容量より大きくするか、の少なくとも１つを前記モータリレー用スイッチング素子に採用」するという特定事項を有するものであるから、上記１．と同様の理由により、本件発明２乃至７は、甲１発明及び甲第２号証〜甲第１１号証に記載された技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１−７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１−７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年８月２１日（２０１７．８．２１）