【事件の表示】
　特許第５９３７７７０号発明「半導体装置用ボンディングワイヤ」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９３７７７０号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−１０〕について，訂正することを認める。
　特許第５９３７７７０号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５９３７７７０号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は，平成２７年９月１８日（優先権主張　平成２７年５月２６日，平成２７年６月５日）に特許出願がなされ，平成２８年５月２０日にその特許権の設定登録がなされた。
　その後，その特許について，特許異議申立人田中電子工業株式会社（以下「申立人」という。）により特許異議の申立てがなされ，平成２９年４月１７日付けで取消理由の通知がなされ，同年６月５日付けで特許権者から意見書の提出及び訂正請求（以下「本件訂正請求」という。）がなされ，その訂正の請求に対して申立人から同年７月１２日付けで意見書の提出がなされたものである。
２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のア及びイのとおりである（下線は，特許権者が付与した。）。
　　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に，
「前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で０．１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である」
と記載されているのを，
「前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で
２
に訂正する。
　　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に，
「ワイヤ全体に対するＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度が合計で１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である」
と記載されているのを，
「ワイヤ全体に対するＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度が合計で
３
に訂正する。
（２）訂正の目的の適否，特許請求の範囲の拡張・変更の存否，新規事項の有無，及び一群の請求項について
　　ア　訂正事項１について
　訂正事項１は，請求項１のワイヤ全体に対するＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度について，「合計で０．１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下」であったものを，「合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下」であるものに限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。また，上記限定された事項は，本件特許の願書に添付した明細書（以下「本件特許明細書」という。）の段落【００１４】に記載されているから，訂正事項１は新規事項の追加に該当しない。
　　イ　訂正事項２にいついて
　訂正事項２は，請求項２のワイヤ全体に対するＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度について，「合計で１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下」であったものを「合計で３質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下」であるものに限定するものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではない。また，上記限定された事項は，本件特許明細書の段落【００１４】に記載されているから，訂正事項２は新規事項の追加に該当しない。
　　ウ　一群の請求項について
　本件訂正請求による訂正は，請求項１と，請求項１を直接あるいは間接に引用する全ての請求項である請求項２ないし１０を対象とするものであるから，上記訂正事項１及び２に係る各訂正は，一群の請求項ごとに請求されたものである。 
（３）小括
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は，特許法第１２０条の５第２項第１号，第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項〔１−１０〕について訂正を認める。
３　特許異議の申立てについて
（１）本件特許発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１ないし１０に係る発明（以下「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１０」という。）は，本件訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　Ｃｕ合金芯材と，前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて，
　前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。　
【請求項２】
　ワイヤ全体に対するＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度が合計で３質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。　
【請求項３】
　前記Ｐｄ被覆層の厚さが０．０１５μｍ以上０．１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項４】
　前記Ｐｄ被覆層上にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項５】
　前記ＡｕとＰｄを含む合金表皮層の厚さが０．０００５μｍ以上０．０５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項６】
　前記ボンディングワイヤがさらにＮｉ，Ｚｎ，Ｒｈ，Ｉｎ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｇａ，Ｇｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度がそれぞれ０．０１１質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項７】
　前記Ｃｕ合金芯材がＰｄを含み，前記Ｃｕ合金芯材に含まれるＰｄの濃度が０．０５質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項８】
　前記ボンディングワイヤがさらにＢ，Ｐ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｌａから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度がそれぞれ１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項９】
　前記ボンディングワイヤ表面の結晶方位を測定したときの測定結果において，前記ボンディングワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１１１＞の存在比率が３０％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
【請求項１０】
　前記ボンディングワイヤの最表面にＣｕが存在することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。」
（２）取消理由の概要
　平成２９年４月１７日付けで通知した取消理由は，以下のとおり。
　特許請求の範囲の請求項１に係る発明は，本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，その発明に係る特許は取り消すべきものである。
　　　・甲第０１号証　特許第４９５８２４９号公報 
　　　・甲第０４号証　三宅保彦，「工業材料としての高純度銅の製造と
　　　　　　　　　　　応用」，日本金属学会会報，１９９２年，第３１
　　　　　　　　　　　巻，第４号，ｐ．２６７−２７６ 
　　　・甲第０７号証　加藤正憲，「高純度銅の特性と用途」，伸銅技術
　　　　　　　　　　　研究会誌，１９９６年，第３５号，ｐ．２８−３５
（３）刊行物について 
　　ア　甲第０１号証
　（ア）甲第０１号証の記載 
　甲第０１号証には，以下の記載がある。 
　（１Ａ）「【請求項１】 
　銅（Ｃｕ）または銅合金からなる芯材，パラジウム（Ｐｄ）からなる中間層および表面層からなる，線径が１０〜２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて， 
　上記中間層は，ワイヤ径の０．００１〜０．０２倍の膜厚のパラジウム（Ｐｄ）被覆層であり， 
　上記芯材が０．５〜９９質量ｐｐｍのジルコニウム（Zr），スズ（Sn），バナジウム（V），ホウ素（B），チタン（Ti）の少なくとも一種を含み，残部が純度９９．９質量％以上の銅（Cu）からなり， 
　前記表面層は，金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）又はこれらの合金からなり，ダイヤモンドダイスにより理論的な最終膜厚が１〜７nmまで連続伸線され，かつ，前記中間層の厚さに対して１／８以下の厚さとした最上層の被覆層 
　であることを特徴とするボールボンディング用被覆銅ワイヤ。」 
　（１Ｂ）「【０００１】 
　本発明は，半導体素子上の電極と回路配線基板の配線とをボールボンディングで接続するために用いられる被覆銅ワイヤに関する。」 
　（１Ｃ）「【実施例】 
【００３２】 
以下，具体的に実施例について説明する。始めに，各実施例の共通項目を説明する。 
中間層とは芯材の銅（Ｃｕ）と金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）などの最表面層と芯材との間に形成された被覆層である。また，表面層は，前記の中間層の外側に形成された最表面層である。 
芯材の銅（Ｃｕ）は，以下のＡ〜Ｆの６種類の純度の成分組成を原材料として用いた。 
なお，原材料には不純物としてケイ素（Ｓｉ），鉄（Ｆｅ），銀（Ａｇ），マグネシウム（Ｍｇ），マンガン（Ｍｎ），硫黄（Ｓ），鉛（Ｐｂ）などが含有していることが考えられる。 
Ａ：９９．９質量％銅（Ｃｕ） 
Ｂ：９９．９５質量％銅（Ｃｕ） 
Ｃ：９９．９９質量％銅（Ｃｕ） 
Ｄ：９９．９９９質量％銅（Ｃｕ） 
Ｅ： ５０質量ｐｐｍリン（Ｐ）と残部９９．９質量％銅（Ｃｕ）からなる合金 
Ｆ：４５０質量ｐｐｍリン（Ｐ）と残部９９．９質量％銅（Ｃｕ）からなる合金 
上記原材料は，溶解，鋳造し，圧延，伸線して線径５００μｍまで加工し，線径５００μｍで芯材の銅（Ｃｕ）にPd中間層の被覆を施し，その後，Ａｕなどの表面層を形成した。」 
　（１Ｄ）【表２−１】の実験Ｎｏ．２８には，線材の種類が「Ｆ」，線径が２５μｍ，Ｐｄ中間層の厚さが０．２４μｍ，Ａｕ表面層の厚さが６ｎｍとしたボンディングワイヤが記載されている。 
　（イ）甲第０１号証に記載された発明 
　上記（ア）の記載から，甲第０１号証には，下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。 
「銅合金からなる芯材，パラジウム（Ｐｄ）からなる中間層および表面層からなる，線径が２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて， 
　上記中間層は，厚さが０．２４μｍのパラジウム（Ｐｄ）被覆層であり，　上記芯材が４５０質量ｐｐｍリン（Ｐ）と残部９９．９質量％銅（Ｃｕ）の合金からなり， 
　前記表面層は，厚さが６ｎｍの金（Ａｕ）からなる最上層の被覆層 
　である，半導体素子上の電極と回路配線基板の配線とをボールボンディングで接続するために用いられるボールボンディング用被覆銅ワイヤ。」 
　
　　イ　甲第０４号証記載 
　甲第０４号証には，以下の記載がある。 
　（４Ａ）「（iii）脱硫元素添加帯溶融精製法（３１）（３２） 
　ＩＣボンディングワイヤに使われる銅は，ボールボンディングに際し，十分軟いボールであることが必要である。」（２７０頁右欄１１行〜１４行）　（４Ｂ）各種純Ｃｕの微量不純物分析結果が記載された表６には，ＩＣボンディングワイヤの製造に使われる４Ｎ純度の銅（ＯＦＣ）が，Ａｓを１．７質量ｐｐｍ，Ｔｅを０．２質量ｐｐｍ，不純物として含んでいることが記載されている。 
  
　　ウ　甲第０７号証の記載 
　甲第０７号証には，以下の記載がある。 
　（７Ａ）「１　はじめに 
　銅は，電気伝導性や熱伝導性に優れ，耐食性や加工性も良好な材料なので，古くから様々な用途に利用されてきた。近年，先端技術分野において，高性能な同材料の開発に関心が寄せられ，高純度化や合金化の研究が進められている。・・・中略・・・高純度銅のこれらの特徴を利用して，音響機器用部材やＩＣ用接続用部材が開発されている。」（２８頁左欄１行〜２１行）　（７Ｂ）「５．２　ＩＣ用ボンディングワイヤ 
　Ｓｉチップとリードフレームを結ぶボンディングワイヤに，Ａｕ線やＡｌ線が使用されている。・・・中略・・・コストパフォーマンスと上記問題点の解消を目指したＣｕのボンディングワイヤの開発が始まった。」（３２頁右欄１７行〜３３頁左欄６行） 
　（７Ｃ）高純度銅の不純物含有量が記載されたＴａｂｌｅ２には，４Ｎ銅が，Ａｓを０．５ｐｐｍ，Ｔｅを０．１ｐｐｍ，不純物として含んでいることが記載されている。 
  
（４）本件特許発明１と甲１発明の対比　 
　甲１発明の「銅合金からなる芯材」は，「４５０質量ｐｐｍリン（Ｐ）と残部９９．９質量％銅（Ｃｕ）の合金からなる芯材」であるから，下記の相違点を除いて，本件特許発明１の「Ｃｕ合金芯材」に相当する。 
　甲１発明の「パラジウム（Ｐｄ）からなる中間層」は，「厚さが０．２４μｍのパラジウム（Ｐｄ）被覆層」であり，「銅合金からなる芯材」を被覆する被覆層であるから，下記の相違点を除いて，本件特許発明１の「前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層」に相当する。 
　甲１発明の「半導体素子上の電極と回路配線基板の配線とをボールボンディングで接続するために用いられるボールボンディング用被覆銅ワイヤ」は，下記の相違点を除いて，本件特許発明１の「半導体装置用ボンディングワイヤ」に相当する。 
　よって，本件特許発明１と甲１発明とは，次の点で一致し，また，相違する。 
［一致点］ 
　「Ｃｕ合金芯材と，前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤ。」 
［相違点］ 
　本件特許発明１は，「前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である」のに対し，甲１発明の「ボールボンディング用被覆銅ワイヤ」は，Ａｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含むものであるか定かではない点。 
  
（５）当審の取消理由の判断 
　　ア　ボンディングワイヤの芯材の原料となる銅について 
　上記（３）のイ及びウから，ボンディングワイヤの芯材の材料として用いられる純度４Ｎの銅では，０．５〜１．７質量ｐｐｍのＡｓと０．１〜０．２質量ｐｐｍのＴｅが，不純物として含まれ得るものである。 
　　イ　特許法第２９条第１項第３号について 
　甲１発明には，線径が２５μｍのボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて，金（Ａｕ）からなる表面層は厚さが６ｎｍであり，パラジウム（Ｐｄ）からなる中間層の厚さは０．２４μｍであり，銅合金の芯材は４５０質量ｐｐｍリン（Ｐ）と残部９９．９質量％銅（Ｃｕ）であるから，全体に対する芯材の銅は少なくとも９０質量％以上であると認められる。 
　しかしながら，甲第０１号証には，「ボールボンディング用被覆銅ワイヤ」がＡｓ及びＴｅの元素を含有することは記載されておらず，上記アに記載したように，ボンディングワイヤの芯材の材料として使われる純度４Ｎの銅には，不純物として０．５〜１．７質量ｐｐｍのＡｓと０．１〜０．２質量ｐｐｍのＴｅが含まれ得ることから，甲１発明の銅合金の芯材の製造に利用した銅（Ｃｕ）には，不純物であるＡｓとＴｅの元素が同程度に含まれ得るものであるとしても，全体に対するＡｓとＴｅの元素の濃度の合計は，２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下の範囲になるとは認められない。
　そうすると，甲１発明の「ボールボンディング用被覆銅ワイヤ」では，ワイヤ全体に対するＡｓとＴｅの元素の濃度の合計は，「２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下」の範囲になるとは認められないので，上記相違点は実質的な相違点である。 
　よって，本件特許発明１である請求項１に係る発明は，甲第０１号証には記載された発明ではないので，特許法第２９条第１項第３号の規定に該当したものではなく，同法第１１３条第２号に該当しない。
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由及び申立人の意見書について  
（１）特許法第２９条第２項について
　　ア　検討事項
　特許異議申立書の「４　申立て理由」の「（３）申立ての根拠」欄では，請求項１に対する特許法第２９条第２項の証拠として甲第０１号証ないし甲第０４号証が記載されているのに対し，特許異議申立書の「４　申立て理由」の「（４）具体的理由」欄では，「甲第０２号証ないし甲第０４号証の甲各号証は，甲第０１号証を補強するものである。」，「また，甲第０３号証ないし甲第０９号証の甲各号証は，Ｃｕ中に含まれる不純物について当業者の技術常識を書証によって示すものである。」ことが記載され，申立人の平成２９年７月１２日付け意見書の「４　意見の内容」欄には，甲第０６号証の記載（当審注：意見書では「甲第０４号証」と記載しているが，「ユーゴスラビヤＳ社無酸素銅」が記載されているのは甲第０６号証であることから，甲第０６号証と判断した。）を参照して，訂正発明が「甲第０１号証に記載された発明から容易想到することができ，特許法第２９条第２項の規定に違反する発明です。」と記載されている。
　そこで，本件特許発明１である請求項１に係る発明が，甲第０１号証に記載された発明（甲１発明）及び甲第０２号証ないし甲第０９号証に記載された事項から当業者が容易に想到し得たものであるかを検討する。
　　イ　甲１発明及び本件特許発明１と甲１発明との対比
　甲１発明は，上記３（３）ア（イ）に記載されたとおりのものであり，本件特許発明１と甲１発明は，上記３（４）に記載されたように，再掲すると，次の点で一致し，また，相違する。 
［一致点］ 
　「Ｃｕ合金芯材と，前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤ。」 
［相違点］ 
　本件特許発明１は，「前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である」のに対し，甲１発明の「ボールボンディング用被覆銅ワイヤ」は，Ａｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含むものであるか定かではない点。
　　ウ　判断
　本件特許明細書の段落【０００６】，【０００７】，【００１６】及び【表１−１】及び【表１−５】には，ＨＡＳＴにおいて１００時間以上の接合寿命が要求されるボンディングワイヤにおいて，従来のＰｄ被覆層を有するＣｕボンディングワイヤではボール接合部の接合寿命が１００時間未満となる場合があり，車載用デバイスで要求される接合信頼性が十分ではなかったところ，本発明のようにＰｄ被覆ＣｕボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を所定量含有することで，Ｃｌの作用で腐食しやすいＣｕ９Ａ１４の生成量が少なくなり，ボール接合部の高温高湿環境での接合信頼性が格段に向上することが記載されている。
　これに対して，甲第０１号証には，「ボールボンディング用被覆銅ワイヤ」がＡｓ及びＴｅの元素を含有することでボール接合部の高温高湿環境での接合信頼性が格段に向上する点については記載も示唆もされていないどころか，そもそも，Ａｓ及びＴｅについては何等記載されていない。さらに，甲第０２号証ないし甲第０９号証には，Ａｓ及びＴｅを含有する無酸素銅等の記載はあるものの，該Ａｓ及びＴｅが，ボールボンディング用被覆銅ワイヤにおいて，ボール接合部の高温高湿環境での接合信頼性を格段に向上する点については記載も示唆もされていない。
　そうすると，Ａｓ及びＴｅについて何等記載されていない甲第０１号証に接した当業者にとって，甲第０２号証ないし甲第０９号証にＡｓ及びＴｅを多く含有する無酸素銅等について記載がなされていたとしても，甲１発明に対してＡｓ及びＴｅを所定量だけ含有させる動機付けがないことから，甲１発明を「前記ボンディングワイヤがＡｓ，Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み，ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下である」とすることは，容易であったとはいえない。
　そして，本件特許発明１は，相違点の構成によりボール接合部の高温高湿環境での接合信頼性が格段に向上できるという格別な作用効果を奏するものであり，この効果は，甲１発明，甲第０１号証ないし甲第０９号証に記載された事項から予測し得るものではない。
　よって，本件特許発明１である請求項１に係る発明は，甲１発明，甲第０１号証ないし甲第０９号証に記載された事項から，当業者が容易に発明できたものとはいえない。
　さらに，本件特許発明１を限定した発明である本件特許発明２ないし本件特許発明１０についても，上記と同様の理由により，甲１発明，甲第０１号証ないし甲第０９号証に記載された事項から，当業者が容易に発明できたものとはいえない。　
　
（２）特許法第３６条について
　特許異議申立書の「４　申立て理由」の「（４）具体的理由」欄では，特許請求の範囲の請求項１に記載された「Ｃｕ合金芯材」の意味が曖昧であるため本件特許発明の範囲が不明確であり，また，「Ｃｕ合金芯材」に請求項１のＡｓまたはＴｅの添加元素を０．１質量ｐｐｍ添加したところで，「高温高湿環境でのボール接合部の接合寿命を向上し，接合信頼性を改善することができる」という作用・効果を奏することがあり得るとは信じがたいことから，「本件特許発明は特許法第３６条第６項第２号等の記載要件に違反するものである。」と主張している。
　しかしながら，本件特許明細書の段落【００２５】には，
「ボンディングワイヤ中にＡｓ，Ｔｅ，Ｓｎ，Ｓｂ，Ｂｉ，Ｓｅを含有させるに際し，これら元素をＣｕ芯材中に含有させる方法，Ｃｕ芯材あるいはワイヤ表面に被着させて含有させる方法のいずれを採用しても，上記本発明の効果を発揮することができる。」
ことが記載されている。また，本件特許明細書の【表１−５】には，ＡｓまたはＴｅを添加していないＮｏ．１１〜１４の場合のＨＡＳＴ結果は「×」であり，【表１−１】には，Ａｓの含有量が０．４質量ｐｐｍであるＮｏ．１２，及び，Ｔｅの含有量が０．１質量ｐｐｍであるＮｏ．５の場合のＨＡＳＴ結果は「○」であるのに対し，【表１−１】には，Ａｓの含有量が１．２質量ｐｐｍ及び１２質量ｐｐｍであるＮｏ．２及びＮｏ．３の場合，及び，Ｔｅの含有量が１．２質量ｐｐｍ及び１５質量ｐｐｍであるＮｏ．６及びＮｏ．７の場合のＨＡＳＴ結果は「◎」となることが記載されている。これらの記載から，本件特許明細書には，ボンディングワイヤに含まれるＡｓ及びＴｅがＣｕ芯材中に含有させる必要はなく，Ｃｕ芯材あるいはワイヤ表面に被着させて含有させてもよいこと，ボンディングワイヤにＡｓ及びＴｅを添加しないまたは添加量が少ない場合より，添加量がある程度多い場合の方がＨＡＳＴ結果が良好であることが記載せれているといえる。
　そうすると，本件特許発明１において，ボンディングワイヤの芯材にＡｓ及びＴｅが含有される必要はなく，ボンディングワイヤ全体としてのＡｓ及びＴｅの含有量が特定されていれば十分であり，ボンディングワイヤの芯材として「Ｃｕ合金」が特定されていればボンディングワイヤの芯材は明確であると認められるので，「Ｃｕ合金芯材」の意味が曖昧であるとまではいえない。また，ボンディングワイヤの全体に対するＡｓ及びＴｅの濃度が合計で２質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であれば，ボンディングワイヤへのＡｓ及びＴｅの添加しない場合や添加量が少ない場合に比べて，ＨＡＳＴ結果が良好であると認められることから，本件特許発明１が「高温高湿環境でのボール接合部の接合寿命を向上し，接合信頼性を改善することができる」という作用・効果を奏しないとまではいえない。
　よって，申立人の「本件特許発明は特許法第３６条第６項第２号等の記載要件に違反するものである。」との主張を採用することはできない。
（３）小括 
　上記（１）及び（２）から，本件特許発明１ないし１０は，甲１発明，甲第０１号証ないし甲第０９号証に記載された事項に基いて，当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず，本件特許請求の範囲の記載及び明細書が，特許法第３６条第６項第２号等の記載要件に違反したものともいえない。
５　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由，特許異議申立書に記載した特許異議申立理由，及び申立人による意見書の主張によっては，本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年８月８日（２０１７．８．８）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　Ｃｕ合金芯材と、前記Ｃｕ合金芯材の表面に形成されたＰｄ被覆層とを有する半導体装置用ボンディングワイヤにおいて、
　前記ボンディングワイヤがＡｓ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度が合計で
２
ことを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項２】
　ワイヤ全体に対するＡｓ、Ｔｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素の濃度が合計で
３
　【請求項３】
　前記Ｐｄ被覆層の厚さが０．０１５μｍ以上０．１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項４】
　前記Ｐｄ被覆層上にさらにＡｕとＰｄを含む合金表皮層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項５】
　前記ＡｕとＰｄを含む合金表皮層の厚さが０．０００５μｍ以上０．０５０μｍ以下であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項６】
　前記ボンディングワイヤがさらにＮｉ、Ｚｎ、Ｒｈ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｇａ、Ｇｅから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度がそれぞれ０．０１１質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項７】
　前記Ｃｕ合金芯材がＰｄを含み、前記Ｃｕ合金芯材に含まれるＰｄの濃度が０．０５質量％以上１．２質量％以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項８】
　前記ボンディングワイヤがさらにＢ、Ｐ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌａから選ばれる少なくとも１種以上の元素を含み、ワイヤ全体に対する前記元素の濃度がそれぞれ１質量ｐｐｍ以上１００質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項９】
　前記ボンディングワイヤ表面の結晶方位を測定したときの測定結果において、前記ボンディングワイヤ長手方向に対して角度差が１５度以下である結晶方位＜１１１＞の存在比率が３０％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。
　【請求項１０】
　前記ボンディングワイヤの最表面にＣｕが存在することを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項記載の半導体装置用ボンディングワイヤ。