【事件の表示】
　特許第５９９３６４９号発明「プローブカードへの基板当接装置、基板当接装置を備えた基板検査装置、及びプローブカードへの基板当接方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９９３６４９号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５９９３６４９号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は、平成２４年７月３１日に特許出願され、平成２８年８月２６日に特許の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人佐藤桂子により特許異議の申立てがされたものである。
第２　本件特許発明
　本件特許の請求項１ないし１０に係る発明（以下、それぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１０」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
１　本件特許発明１
「【請求項１】
　基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、該検査部の上部に配置された基板検査用インターフェースとを有する基板検査装置の前記基板検査用インターフェースのプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接装置において、
　前記基板を板状部材と共に前記プローブカードと対向する位置まで搬送する搬送機構と、
　該搬送機構で搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させて前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、前記基板をさらに前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって所定量移動させる当接機構と、
　前記基板が前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって前記所定量移動した後に前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する保持機構と、
　前記保持機構によって前記当接状態を保持した後、前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離機構と、を有し、
　前記保持機構は、前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を、前記プローブカードと前記基板との当接部に前記基板及び前記板状部材の自重と、前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力との合計に耐えうる当接力が作用する圧力に減圧することを特徴とするプローブカードへの基板当接装置。」
２　本件特許発明２
「【請求項２】
　前記所定量は、１０μｍ〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１記載のプローブカードへの基板当接装置。」
３　本件特許発明３
「【請求項３】
　前記保持機構は、前記空間の圧力を段階的に減圧することを特徴とする請求項１記載のプローブカードへの基板当接装置。」
４　本件特許発明４
「【請求項４】
　前記板状部材の周囲には、該板状部材と前記プローブカードとの間の空間をシールするシール部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接装置。」
５　本件特許発明５
「【請求項５】
　前記脱離機構によって、前記搬送機構を前記板状部材から切り離した後、前記空間を更に減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接圧力を高くする減圧機構を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接装置。」
６　本件特許発明６
「【請求項６】
　前記板状部材の基準面と前記プローブカードの取り付け面又は前記プローブカードの下面との間の距離を検出する距離検出センサを設けたことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の基板当接装置。」
７　本件特許発明７
「【請求項７】
　前記板状部材は、チャック部材に支持されたウエハプレートであることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接装置。」
８　本件特許発明８
「【請求項８】
　前記板状部材は、前記搬送機構に載置されたチャック部材であることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接装置。」
９　本件特許発明９
「【請求項９】
　請求項１乃至８の何れか１項に記載のプローブカードへの基板当接装置を有することを特徴とする基板検査装置。」
１０　本件特許発明１０
「【請求項１０】
　基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、該検査部の上部に配置された基板検査用インターフェースとを有する基板検査装置の前記基板検査用インターフェースのプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接方法であって、
　前記基板を板状部材と共に前記プローブカードと対向する位置まで搬送機構によって搬送する搬送工程と、
　前記搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させて前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、前記基板をさらに前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって所定量移動させる当接工程と、
　前記基板が前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって前記所定量移動した後に前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する保持工程と、
　前記当接状態が保持された後、前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離工程と、を有し、
　前記保持工程では、前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を、前記プローブカードと前記基板との当接部に前記基板及び前記板状部材の自重と、前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力との合計に耐えうる当接力が作用する圧力に減圧することを特徴とするプローブカードへの基板当接方法。」
第３　申立理由の概要
１　特許異議申立人の主張
　特許異議申立人は、下記２の証拠方法を提出し、本件特許発明１ないし１０は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、本件特許の請求項１ないし１０に係る特許は特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張している。
２　証拠方法
甲第１号証：国際公開第２０１２／０２６０３６号
甲第２号証：特開２０１１−９１２６２公報
甲第３号証：特開平８−５６６６号公報
甲第４号証：特開平７−７４２１９号公報
甲第５号証：特開２００９−２７６２１５号公報
第４　甲号証の記載
１　甲第１号証の記載及び甲１発明
（１）甲第１号証の記載
　甲第１号証は、本件特許についての出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって、図面とともに、次の事項が記載されている。（当審注．下線は、参考のために、当審において付したものである。以下において同じ。）
　ア「[0001]　
本発明は、半導体ウェハに形成された集積回路素子等の被試験電子部品（以下、ＤＵＴ（Device Under Test）とも称する。）を、プローブカードを用いて試験する半導体ウェハの試験方法、並びに、その試験に用いられる半導体ウェハ搬送装置及び半導体ウェハ試験装置に関する。
[0002]　ウェハ状態でのＤＵＴのテストに用いられるプローブカードとして、例えば、プローブ針を有するカンチレバー型プローブカードや、ポゴピンを有するバーチカル（垂直）型プローブカードが従来から知られている（例えば、特許文献１参照）。
[0003]　こうしたプローブカードでは、
プローブカードの接触子と半導体ウェハの電極との電気的な接触を確実なものとするため、接触子と電極とが接触してから半導体ウェハをプローブカードに向かって所定量（例えば１００μｍ）押し上げる（オーバドライブさせる）必要がある。
[0004]　このようなストローク管理を行うために、上記のプローブカードを用いた半導体ウェハの試験では、半導体ウェハを吸着保持するチャックと、当該チャックを昇降させるＺステージと、を有するプローバが用いられている。
[0005]　特許文献1：国際公開第２００６／０６４５４６号
[0006]　
上記の構造では、チャックを介して半導体ウェハをプローブカードに押し付けるため、当該チャックやプローブカードの剛性を高めておく必要があり、高コスト化を招来するという問題がある。
[0007]　本発明が解決しようとする課題は、低コスト化を図ることが可能な半導体ウェハの試験方法、半導体ウェハ搬送装置、及び半導体ウェハ試験装置を提供することである。」
　イ「[0015]　（２）本発明に係る半導体ウェハ搬送装置は、プローブカードを用いた半導体ウェハの試験に用いられる半導体ウェハ搬送装置であって、前記半導体ウェハを保持する保持部材と、前記プローブカードと前記保持部材との間に密閉空間を形成する密閉手段と、前記密閉空間を減圧する減圧手段と、前記減圧手段によって前記密閉空間を減圧した状態で、前記保持部材を前記プローブカードに対して相対移動させる移動手段と、を備えたことを特徴とする（請求項８参照）。
・・・
[0018]　（３）本発明に係る半導体ウェハ搬送装置は、プローブカードを用いた半導体ウェハの試験に用いられる半導体ウェハ搬送装置であって、前記半導体ウェハを保持する保持部材と、前記プローブカードと前記保持部材との間に密閉空間を形成する密閉手段と、前記密閉空間を減圧する減圧手段と、前記保持部材に当接する当接部と、前記当接部を移動させる駆動部と、を有する当接手段と、を備えたことを特徴とする（請求項１１参照）。」
　ウ「[0024]　
本発明では、減圧によって半導体ウェハとプローブカードとを電気的に接触させるので、半導体ウェハを保持する保持部材やプローブカードの剛性を高める必要がなく、低コスト化を図ることができる。
[0025]　
また、本発明では、減圧を維持した状態で保持部材をプローブカードに向かって移動させるので、ストローク管理を必要とするタイプのプローブカードにも対応することができる。
　エ「[0028]　＜第１実施形態＞
図１及び図２は本実施形態における半導体ウェハ試験装置を示す図である。
[0029]　
本実施形態における半導体ウェハ試験装置１は、半導体ウェハ１００に造り込まれたＤＵＴの電気的特性を試験する装置であり、
インタフェース組立体２０と、ウェハプローバ３０と、を備えている。
[0030]　この半導体ウェハ試験装置１では、ＤＵＴの試験に際して、ウェハプローバ３０によって半導体ウェハ１００をインタフェース組立体２０のプローブカード２１に対向させ、この状態で、第２の真空ポンプ４２（図３参照）によって密閉空間３７（図６及び図７参照）内を減圧することで、半導体ウェハ１００をプローブカード２１に接触させる。さらに、この状態からウェハプローバ３０によって半導体ウェハ１００をプローブカード２１に向かって所定量押し込む。この押込みによって半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが確実に接触したら、テストヘッド１０から半導体ウェハ１００のＤＵＴに対して試験信号を入出力することで、ＤＵＴのテストを実行する。
[0031]　すなわち、本実施形態の半導体ウェハ試験装置１では、半導体ウェハ１００とインタフェース組立体２０とを接触させる方式として減圧方式を採用しつつも、カンチレバー型やバーチカル型のプローブカードに必要とされるストローク管理の機能も備えている。
[0032]　
インタフェース組立体２０は、図２に示すように、半導体ウェハ１００に電気的に接触するプローブカード２１
を備えている。
[0033]　
プローブカード２１は、
多数のプローブ針２１２を有する
[0034]　なお、
本実施形態におけるプローブカード２１は、半導体ウェハ１００との接触後に所定量のオーバドライブを必要とするタイプのものであれば、上記のものに特に限定されない。
[0035]　このプローブカード２１とパフォーマンスボード２４とを電気的に接続するインタポーザ２２は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ガラス基板等のピッチ変換基板や異方導電性ゴム等から構成されており、プローブカード２１側の狭いピッチを、パフォーマンスボード２４側の比較的広いピッチに変換する。なお、このインタポーザ２２は、プローブカード２１とパフォーマンスボード２４との間で伝送路のピッチ変換を行うものであれば、上記のものに特に限定されない。」
　オ「[0049]　先ず、図５のステップＳ１１において、ウェハプローバ３０のステージ３２が、半導体ウェハ１００を吸着保持しているチャック３３を、プローブカード２１に対向する位置に移動させる。次いで、チャック３３のシール部材３４がプローブカード２１のカード基板２１１に密着するまで、ステージ３２がチャック３３を上昇させる。シール部材３４がプローブカード２１に密着してプローブカード２１とチャック３３との間に密閉空間３７が形成されるまでチャック３３を上昇させたら、ステージ３２は停止する。
[0050]　次いで、図５のステップＳ１２において、図６に示すように、第２の真空ポンプ４２を作動させて密閉空間３７内を減圧する。
[0051]　この際、同図に示すように、密閉空間３７内の減圧に伴って生じる吸着力ＦＰが、プローブカード２１が有する全てのプローブ針２１２を押圧するのに必要な必要押圧力ＦＮ（例えば２００〜３００[kgf]（１．９６×１０３[N]〜２．９４×１０３[N]）程度）と実質的に同一（ＦＰ≒ＦＮ）となるように、第２の真空ポンプ４２を制御する。なお、吸着力ＦＰが必要押圧力ＦＮよりも若干弱く（ＦＰ＜ＦＮ）なるように、第２の真空ポンプ４２を制御してもよい。
[0052]　ここで、上記の必要押圧力ＦＮは、プローブ針２１２一本当たりに必要とされる押圧力（単位：[kgf/pin]）に対して、プローブカード２１が有するプローブ針２１２の総数を乗じることで算出される。
[0053]　この減圧に伴って、半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが接触すると、例えば、テストヘッド１０が半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２との電気的な接触を検出する（ステップＳ１３）。」
　カ「[0059]　＜第２実施形態＞
　図８は本実施形態における半導体ウェハ試験装置の全体構成を示す概略側面図、図９は本実施形態におけるウェハトレイを示す断面図、図１０及び図１１は本実施形態におけるステージを示す図、図１２は本実施形態におけるメカニカルストッパの構成を示す断面図、図１３は本実施形態におけるメカニカルストッパのレイアウトを示す底面図である。
[0060]　
本実施形態における半導体ウェハ試験装置１Ｂは、
インタフェース組立体２０と、ウェハプローバ３０Ｂと、を備えている。
インタフェース組立体２０の構成は、第１実施形態と同様であるので、同一の符号を付して説明を省略する。
[0061]　
本実施形態におけるウェハプローバ３０Ｂは、
ウェハトレイ５０がステージ６０に取り付けられており、（２）ウェハトレイ５０を着脱可能に保持する先端保持部６１がステージ６０に設けられており、さらに（３）ウェハトレイ５０と当接するメカニカルストッパ７０を備えている
[0062]　
本実施形態におけるウェハトレイ５０は、
図９に示すように、半導体ウェハ１００が載置される平坦な上面５０１を持つ略円板状の部材であり、
[0063]　このウェハトレイ５０の上面５０１には、半導体ウェハ１００よりも小径の３つの環状溝５０２が同心円状に形成されている。これらの環状溝５０２は、ウェハトレイ５０内に形成された吸着用通路５０３に連通している。この吸着用通路５０３は、吸着ポート５０４を介して第１の真空ポンプ（不図示）に接続されている。
[0064]　従って、ウェハトレイ５０の上面５０１に半導体ウェハ１００を載置した状態で第１の真空ポンプによって吸引を行うと、環状溝５０２内に発生した負圧によって
半導体ウェハ１００がウェハトレイ５０に吸着保持される
[0065]　さらに、本実施形態では、ウェハトレイ５０内に減圧用通路５０５が形成されている。この減圧用通路５０５は、上面５０１において最外側の環状溝５０２のさらに外側に位置する吸引孔５０６で開口している。この減圧用通路５０５は、減圧ポート５０７を介して、第２の真空ポンプ（不図示）に接続されている。本実施形態における第２の真空ポンプが、本発明における減圧手段の一例に相当する。
[0066]　また、
ウェハトレイ５０の上面５０１の外周部近傍には、環状のシール部材５１が設けられている。
ウェハトレイ５０がプローブカード２１に押し付けられると、このシール部材５１によって、ウェハトレイ５０の上面５０１とプローブカード２１との間に密閉空間５３（図１５参照）が形成されるようになっている。
[0067]　さらに、ウェハトレイ５０内には、上述のチャック３３と同様に、冷却用通路５０８が形成されていると共にヒータ５２及び温度センサ（不図示）が埋設されており、半導体ウェハ１００の温度調節を行うことが可能となっている。
[0068]　
以上に説明したウェハトレイ５０は、ステージ６０によって着脱可能に保持されて移動することが可能となっている。
[0069]　ステージ６０は、特に図示しないモータやボールねじ機構等から構成されており、図１に示すように、ウェハトレイ５０を三次元的（Ｘ−Ｙ−Ｚ方向）に移動させると共にＺ軸を中心として回転させることが可能となっている。なお、本実施形態におけるステージ６０が、本発明における移動装置の一例に相当する。
[0070]　また、
本実施形態におけるステージ６０は、図１０及び図１１に示すように、ウェハトレイ５０を着脱可能に保持する先端保持部６１を有している。
[0071]　この先端保持部６１の上面６１１には、半導体ウェハ１００よりも小径の３つの環状溝６１２が同心円状に形成されている。これらの環状溝６１２は、先端保持部６１内に形成された吸着用通路６１３に連通している。この吸着用通路６１３は、吸着ポート６１４を介して第３の真空ポンプ６２に接続されている。
[0072]　従って、
この先端保持部６１の上面６１１にウェハトレイ５０を載置した状態で第３の真空ポンプ６２によって吸引を行うと、環状溝６１２内に発生した負圧によってウェハトレイ５０がステージ６０の先端保持部６１に吸着保持される。
　キ「[0081]　次に、以上に説明した半導体ウェハ試験装置１Ｂによる半導体ウェハ１００の試験方法について、図１４及び図１５を参照しながら説明する。図１４は本実施形態における半導体ウェハの試験方法を示すフローチャート、図１５は図１４のステップＳ２２〜Ｓ２４を示す拡大断面図である。
[0082]　先ず、
図１４のステップＳ２１において、ウェハプローバ３０Ｂのステージ６０が、半導体ウェハ１００を保持しているウェハトレイ５０を、プローブカード２１に対向する位置に移動させる。次いで、ウェハトレイ５０のシール部材５１がプローブカード２１のカード基板２１１に密着するまで、ステージ６０がウェハトレイ５０を上昇させる。シール部材５１がプローブカード２１に密着してプローブカード２１とウェハトレイ５０との間に密閉空間５３が形成されるまでウェハトレイ５０を上昇させたら、ステージ６０は停止する。
[0083]　
次いで、図１４のステップＳ２２において、図１５に示すように、第２の真空ポンプを作動させて密閉空間５３内を減圧する。
[0084]　この際、同図に示すように、密閉空間５３内の減圧に伴って生じる吸着力ＦＰが、プローブカード２１が有する全てのプローブ針２１２に必要な押圧力ＦＮ（例えば２００〜３００[kgf]（１．９６×１０３[N]〜２．９４×１０３[N]）程度）よりも若干強く（ＦＰ＞ＦＮ）なるように、第２の真空ポンプを制御する。
[0085]　
この減圧に伴って、半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが接触すると、例えば、テストヘッド１０が半導体ウェハ１００の電極１１０とプローブカード２１のプローブ針２１２との電気的な接触を検出する（ステップＳ２３）。
[0086]　なお、
本実施形態では、半導体ウェハ１００とプローブカード２１とが接触したら、ステージ６０は、他の作業（他のウェハトレイ５０の移動やアライメント等）を行うために、ウェハトレイ５０から離れて下降する。
[0087]　
次いで、図１４のステップＳ２４において、この検出をトリガとして、図１５に示すように、メカニカルストッパ７０のモータ７１を駆動させて、当接部材７３を所定量（例えば１００μｍ）後退させる。
[0088]　この際、上述のように、減圧による吸着力ＦＰが、プローブ針２１２の必要押圧力ＦＮよりも若干強くなっているので（ＦＰ＞ＦＮ）、
当接部材７３の後退に伴ってウェハトレイ５０がプローブカード２１にさらに接近する。この接近によって、プローブカード２１のプローブ針２１２が半導体ウェハ１００の電極１１０に食い込むので、プローブ針２１２と電極１１０とが確実に接触する。
[0089]　次いで、図１４のステップＳ２５において、テストヘッド１０がインタフェース組立体２０を介して半導体ウェハ１００のＤＵＴに対して試験信号を入出力することで、ＤＵＴの試験が実行される。
[0090]　以上のように、
本実施形態では、減圧によって半導体ウェハ１００とプローブカード２１とを電気的に接触させるので、ウェハトレイ５０、ステージ６０、或いはプローブカード２１のスティフナの剛性を低くすることができ、半導体ウェハ試験装置１Ｂの低コスト化を図ることができる。
（２）甲１発明
　上記（１）の甲第１号証の記載と当該技術分野における技術常識より、甲第１号証には次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「半導体ウェハ１００に形成された集積回路素子等の被試験電子部品（ＤＵＴ）の電気的特性を検査する半導体ウェハ試験装置１Ｂの上部に配置されたインタフェース組立体２０のプローブカード２１に前記半導体ウェハ１００を当接するウェハプローバ３０Ｂであって、
　前記半導体ウェハ１００をウェハトレイ５０と共に前記プローブカード２１と対向する位置まで搬送するステージ６０を備え、
　前記ウェハトレイ５０のシール部材５１が前記プローブカード２１に密着して前記プローブカード２１とウェハトレイ５０との間に密閉空間５３が形成されるまで、前記ステージ６０によって搬送された前記半導体ウェハ１００を前記ウェハトレイ５０と共に前記プローブカード２１に向かって移動させ、
　前記プローブカード２１と前記ウェハトレイ５０との間の前記密閉空間５３を減圧し、
　前記減圧に伴って前記半導体ウェハ１００と前記プローブカード２１とが接触すると、前記ステージ６０は前記ウェハトレイ５０から離れて下降し、
　メカニカルストッパ７０の当接部材７３を所定量後退させることによって、前記プローブカード２１のプローブ針２１２が前記半導体ウェハ１００の電極１１０に食い込み、前記プローブ針２１と前記電極１１０とが確実に接触する、
　ウェハプローバ３０Ｂ。」
２　甲第２号証の記載及び甲２記載事項
（１）甲第２号証の記載
　甲第２号証は、本件特許についての出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００３８】
　図４に示すように、第１実施形態のプローバは可撓性プローブカードを装着可能に構成されている。
可撓性プローブカード５０は、フレキシブル基板５１と、剛性を有するリング状部材５２と、バンプ状のプローブ群５３と、コンタクト電極群５４と、を備え
【００３９】
　プローバのウエハチャック１６には、シーリング機構が設けられる。シーリング機構は、ウエハチャック１６に沿って移動可能なリング状移動部材５６と、リング状移動部材５６の上に設けられた弾性を有するリング状シール部材５７と、を備える。第１実施形態のプローバは、さらに、空圧源６１と、電空レギュレータ６２と、センサ６３と、を備える。リング状移動部材５６に設けられた流路口は、電空レギュレータ６２に接続されている。
リング状シール部材５７がフレキシブル基板５１に接触してフレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間に形成されるシールされた内部空間は、空圧源６１および電空レギュレータ６２により内部の圧力が変化可能、特に減圧状態および加圧状態にすることが可能なように構成されている。
【００４０】
　可撓性プローブカードは、プローブカード保持部２３にあらかじめ装着されている。リング状移動部材５６を下方に移動した状態で、ウエハＷがウエハチャック１６上にロードされ、真空吸着により固定される。前述のアライメント・針合わせ動作が行われ、
ウエハＷの電極パッド
【００４１】
　この状態で、
ウエハチャック１６が上昇すると、対応する電極パッドがプローブに接触するので、これを電気的に検出して、ウエハチャック１６の上昇を停止する。次に、リング状移動部材５６を上昇すると、リング状シール部材５７がフレキシブル基板５１に接触し、フレキシブル基板５１とウエハチャック１６の間にシールされた内部空間が形成される。そして電空レギュレータ６２を動作させ、内部空間の圧力を低下させると、フレキシブル基板５１には大気圧と減圧された内部空間の圧力の差圧が印加される。これにより、フレキシブル基板５１はウエハＷに押し付けられ、フレキシブル基板５１のバンプ状プローブが電極パッドに押し当てられる。
【００４２】
　バンプ状のプローブは、独立した突起が電極パッドに対応して配置されており、ウエハＷに押し当てられた状態でも、隣接するプローブとの間は空間が形成される。このため、大気圧と内部空間の圧力差は、フレキシブル基板５１の全面で一様に働くので、プローブは均一な接触圧で対応する電極パッドに接触する。
【００４３】
　図５は、第１実施形態におけるシーリング機構の詳細を示す図であり、（Ａ）はリング状移動部材５６およびリング状シール部材５７が下方に位置する状態を示し、（Ｂ）はリング状移動部材５６およびリング状シール部材５７が上方に位置し、フレキシブル基板５１に接触している状態を示す。
【００４４】
　図５に示すように、ウエハチャック１６は、３個の部分１６Ａ、１６Ｂおよび１６Ｃで構成されるが、これに限定されず各種の変形例が可能であり、ここではまとめてウエハチャック１６として扱う。
【００４５】
　リング状移動部材５６は、２個のリング状部材５６Ａおよび５６Ｂを有する。リング状部材５６Ａと５６Ｂは、リング状スペーサ６０を介して取り付けられ、厚さの異なるリング状スペーサ６０を使用することにより、リング状部材５６Ａの上面位置をウエハＷの厚さに応じて変更可能なように構成されている。
【００４６】
　リング状部材５６Ｂは、ウエハチャック１６の側面に保持されている。ウエハチャック１６には、リング状部材５６Ｂの複数部分に連結された複数（例えば４個）のシリンダが設けられている。各シリンダは、移動機構を有するベース６５と、移動軸６６と、連結部材６７と、を有し、リング状部材５６Ｂの複数部分を同期して上下動させる。
【００４７】
　リング状シール部材５７は、リング状部材５６Ａの上面に設けられており、リング状部材５６Ａが上方に移動すると、フレキシブル基板５１に接触するように構成されている。また、ウエハチャック１６の突出した部分１６Ａの下面には、リング状シール部材５８が設けられており、リング状部材５６Ｂが上方に移動すると接触するように構成されている。これにより、
リング状シール部材５７がフレキシブル基板５１に接触し、リング状シール部材５８がリング状部材５６Ｂに接触した状態では、フレキシブル基板５１、リング状シール部材５７、５８、リング状部材５６Ａ、５６Ｂおよびウエハチャック１６により囲まれる内部空間は、シールされ密閉された空間になる。
【００４８】
　第１実施形態のプローバにおいて、可撓性プローブカード５０を装着した状態を示したが、図６に示すように、図１に示した非可撓性プローブカード２４を装着することも可能である。非可撓性プローブカード２４は、バネ性を有する多数の導電性プローブ２５を有する。また、可撓性プローブカード５０との高さ位置を合わせるため、プローブカード保持部２３と接触する部分に高さ調整用スペーサ２７を設けるようにしてもよい。
【００４９】
　図７は、第１実施形態のプローバを使用してウエハテストシステムにおける検査動作を示すフローチャートである。この検査動作は、可撓性プローブカード５０があらかじめ装着されている状態で行う。非可撓性プローブカードを装着した場合は従来例と同じなので説明は省略する。また、図８は、この動作に伴うウエハチャックと可撓性プローブカード５０の部分の状態の変化を示す図である。以下、図７および図８を参照して、第１実施形態のプローバを使用した検査動作を説明する。
【００５０】
　ステップ１０１では、ウエハチャック１６上に検査するウエハをロードし固定する。
【００５１】
　ステップ１０２では、アライメントおよび針合わせ処理を行い、ウエハの電極パッドとプローブとの位置関係を検出し、検出した位置関係に基づいて、電極パッドが対応するプローブの下に位置するようにウエハチャック１６を移動する。（図８の（Ａ））
　
ステップ１０３では、ウエハチャック１６を上昇して、電極パッドをプローブに接触（コンタクト）させる。（図８の（Ｂ））
　
ステップ１０４では、シリンダを動作させてシーリング機構を上昇させ、内部空間をシール（密閉）する。（図８の（Ｃ））
　
ステップ１０５では、密閉された内部空間を減圧する。
【００５２】
　ステップ１０６では、テスタからウエハＷの各チップに電源およびテスト信号を供給し、チップから出力される信号を検出して電気的な動作検査を行う。
【００５３】
　ステップ１０７では、密閉された内部空間の減圧を解除、具体的には内部空間に大気圧を導入する。なお、この時に、大気圧を導入するだけではフレキシブル基板５１からウエハＷを離す時の抵抗が大きい場合があるので、内部空間に大気圧より若干高い圧力を導入するようにしてもよい。
【００５４】
　ステップ１０８では、シリンダを動作させてシーリング機構を降下させ、内部空間を開放する。（図８の（Ｄ））
　ステップ１０９では、ウエハチャック１６を降下する。（図８の（Ｅ））
　ステップ１１０では、検査済ウエハＷの固定を解除し、ウエハチャック１６から検査済ウエハＷをアンロードする。
【００５５】
　図９は、本発明の第２実施形態で使用する可撓性プローブカード、および可撓性プローブカードにウエハチャック１６に保持したウエハＷを接触させた状態を示す図である。
【００５６】
　図９の（Ａ）に示すように、第２実施形態で使用する可撓性プローブカードは、剛性を有するリング状部材５２’の形状が、第１実施形態で使用するものと異なる。リング状部材５２’は、プローブカード保持部に接触する部分の内側の部分が厚くなっており、下側に突き出している。
【００５７】
　図９の（Ｂ）に示すように、ウエハチャック１６に設けられるシーリング機構は、第１実施例と同様に、リング状シール部材５７’を有するが、リング状シール部材５７’を支持するリング状移動部材５６’は固定で上下に移動しない。
ウエハＷを保持したウエハチャック１６を上昇させ、バンプ状のプローブ５３に電極パッドが接触する直前に、リング状シール部材５７’がリング状部材５２’の表面に接触し、ウエハチャック１６がさらに上昇してリング状シール部材５７’が変形し、内部空間がシールされた状態でプローブ５３に電極パッドが接触する。リング状シール部材５７’は、剛性のあるリング状部材５２’の表面に接触するので、この接触によりリング状部材５２’およびフレキシブル基板５１が変形することはない。電極パッドがプローブ５３に接触した状態で内部空間を減圧すると、プローブ５３が電極パッドに所定の圧力で接触する。
（２）甲２記載事項
　上記（１）の甲第２号証の記載と当該技術分野における技術常識より、甲第２号証には次の事項が記載されていると認められる。
　「可撓性プローブカード５０のプローブ５３とウエハＷの電極パッドとが接触した後に、リング状シール部材５７とフレキシブル基板５１が接触することにより形成されるフレキシブル基板５１とウエハチャック１６との間の密閉された内部空間を減圧すること。」
３　甲第３号証の記載及び甲３記載事項
（１）甲第３号証の記載
　甲第３号証は、本件特許についての出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【００７２】図６（ａ）は本発明の第６実施例に係る半導体ウェハ収納器の平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるVI−VI線の断面図である。
【００７３】第６実施例が第１実施例と異なるのは、第１実施例においては、固定ねじ１６によって配線基板１２と保持板７とを接近させたが、第６実施例においては、
配線基板１２と保持板７との間に密封空間を形成し、該密封空間を減圧することによって配線基板１２と保持板７とを接近させる
保持板７の周縁部の上に、加圧されると弾性的に大きく収縮するリング状のシリコンゴム等よりなるシール材３３を配置して、配線基板１２と保持板７との間に密封空間を形成し、保持板７に設けられた開閉弁３６により開閉される吸引孔３８から前記密封空間を減圧する
【００７４】第６実施例において、配線基板１２、保持板７及びシール材３３により囲まれる空間部を真空ポンプを用いて例えば２００Ｔｏｒｒ以下に減圧する。半導体ウェハ８のサイズを例えば６インチとすると、大気圧は約７６０Ｔｏｒｒであるので、大気と密封空間との圧力差により半導体ウェハ８上には少なくとも１３０ｋｇ以上の荷重が加わる。シール材３３はシリコンゴム等よりなり収縮性が高いので、１３０ｋｇ以上の荷重の大部分はプローブシート９を介してバンプ１４に均一に加わる。半導体ウェハ８上の集積回路端子の材料が例えばＡｌとすると１バンプ当り約１０ｇの荷重によって０．５Ω以下で安定したバンプ１４と集積回路端子間の接触抵抗を得ることができるので、１００００箇所以上のバンプ１４と集積回路端子との間の確実な接触が可能になる。前記の減圧状態を保持することにより、低抵抗で多数のバンプ１４と集積回路端子との間の電気的接続が確保された半導体ウェハ収納器を構成できるので、バンプ１４と集積回路端子との間の接触不良がなくなると共に半導体ウェハ８上の全集積回路に均質な入力波形を供給できるので、検査精度の向上を図ることができる。
【００７５】尚、
第６実施例に代えて、配線基板１２を半導体ウェハ８及びシール材３３の上に配置した後、配線基板１２又は保持板７を両者が互いに接近するように押圧してバンプ１４と集積回路端子とを接触させておいてから、配線基板１２、保持板７及びシール材３３により形成される密封空間を減圧してもよい。
・・・
【００９７】図１４（ａ），（ｂ）は、第１〜第８実施例に示した半導体ウェハ収納器を用いて行なう半導体集積回路の検査方法を示す概念であり、図１４（ａ）は例えば第７実施例の半導体ウェハ収納器の使用状態を示している。
【００９８】まず、配線基板側ステージ７５の上に、バンプ１４を有するプローブシート９、異方性導電ゴム１１、配線基板１２、及びシール材３３が設けられた押圧板２５を載置する。また、ウェハ側ステージ７６に、半導体ウェハ８が固定されている保持板７を保持させる。
【００９９】次に、第１実施例において説明したように、公知のアライメント技術を用いて半導体ウェハ８とプローブシート９との位置合わせを行なった後、
ウェハ側ステージ７６を矢印の方向に移動させて、半導体ウェハ８の集積回路端子とプローブシート９のバンプ１４とを接触させる。
【０１００】
次に、保持板７、押圧板２５及びシール材３３によって形成される密封空間を吸引孔５２から減圧してシール材３３を圧縮することにより、バンプ１４を半導体ウェハ８の集積回路端子に電気的に接続する。
（２）甲３記載事項
　上記（１）の甲第３号証の記載と当該技術分野における技術常識より、甲第３号証には次の事項が記載されていると認められる。
　「プローブシート９のバンプ１４と半導体ウェハ８の集積回路端子とを接触させた後に、保持板７、押圧板２５及びシール材３３によって形成される密封空間を減圧すること。」
４　甲第４号証の記載及び甲４記載事項
（１）甲第４号証の記載
　甲第４号証は、本件特許についての出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって、図面とともに、次の事項が記載されている。
「【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置の検査を行うために、この半導体集積回路の測定部位と外部の試験装置とを接続する装置としては、いわゆるプローブカードが従来知られている。図１０１は、この従来のプローブカードの概略斜視図である。
このプローブカード４００は、中央部に開口部を有するカード本体４０１に探針４０２が取り付けられた構造をなしている。
【０００３】図１０２は、探針４０２が対向するパッド付近におけるウェハＷＨの正面断面図である。
ウェハＷＨの表面には、配線パターンＰｔに接続されたパッドＰｄが配列されている。探針４０２の先端部がこのパッドＰｄに当接することによって、外部の試験装置とパッドＰｄとが電気的に接続される。
・・・
【００１０】さらに、
プローブカード４００を用いて検査を行なう際に、オーバードライブと称して、探針４０２とパッドＰｄとの間の接触抵抗を低減させるために、外力により一旦探針４０２を押圧して、探針４０２の先端部をパッドＰｄにくい込ませる作業が行われる。
・・・
【０３７０】＜第１４実施例＞ここでは、プローブ基板と被検査物の間の距離を計測する装置を備えるプローブ装置の例について説明する。図９６は、この実施例のプローブ装置の主要部を示す正面図である。この装置では、例えばプローブ基板１００の基材２に、距離センサ３６８が取り付けられている。距離センサ３６８には、例えばレーザ光を用いたレーザ測距センサ、静電容量の変化を捉える静電容量測距センサなどが用いられる。ここに例示したこれらの測距センサは特に、被検査物に接触することなくその距離を計測し得るとともに、感度が高いという利点を備えている。
【０３７１】このプローブ装置は、距離センサ３６８を備えているので、検査を実行する前に、プローブ基板１００とウェハＷＨなどの検査対象物との間の距離を適切に、かつ精度良く調節することが可能である。距離の調節は、例えば次の要領で行われる。すなわち、ウェハＷＨがウェハステージに載置されたときの、ウェハＷＨとプローブ基板１００との間の距離が距離センサ３６８によって測定される。その測定値と目標とすべき距離との間の差を算出して、この差に相当する距離だけウェハステージを上昇させることによって、適切な距離を実現する。あるいは、距離を調整する過程で常時距離を計測することによって、その計測値と目標値とが一致するように距離を調整することも可能である。プローブ装置が、距離センサ３６８およびウェハステージを駆動する機構に機能的に連結された自動制御装置を備えることによって、これらの操作を自動的に実行することも可能である。」
（２）甲４記載事項
　上記（１）の甲第４号証の記載と当該技術分野における技術常識より、甲第４号証には次の事項が記載されていると認められる。
　「プローブカード４００を用いて検査を行なう際に、オーバードライブと称して、プローブカードの探針４０２とウェハＷＨのパッドＰｄとの間の接触抵抗を低減させるために、外力により一旦探針４０２を押圧して、探針４０２の先端部をパッドＰｄにくい込ませること。」
５　甲第５号証の記載及び甲５記載事項
（１）甲第５号証の記載
　甲第５号証は、本件特許についての出願前に日本国内又は外国において頒布され又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった文献であって、図面とともに、次の事項が記載されている。
　「【００２６】
第１の実施形態
　本実施形態のプローブ装置１０は、例えば図１の（ａ）、（ｂ）に示すように、被検査体（例えば、半導体ウエハ）Ｗを載置するＸ、Ｙ、Ｚ及びθ方向へ移動可能な載置台１１と、載置台１１をＸ、Ｙ及びＺ方向へ移動させる駆動機構１２と、載置台１１の上方に配置され且つ上記被検査体の電極と接触する複数のプローブ１３Ａを有するプローブカード１３と、プローブカード１３の固定機構１４を支持する支持体（ヘッドプレート）１５と、載置台１１を含む各種の機器を制御する制御装置１６と、を備え、
プローブカード１３に接続リング１７を介して所定の荷重でテストヘッド１８を電気的に接続させた状態で載置台１１をオーバードライブさせて半導体ウエハＷと複数のプローブ１３Ａを電気的に接触させ
【００２７】
　而して、プローブカード１３は、検査時にはテストヘッド１８からの荷重を受けているため、図１の（ａ）に示すようにテスタ２０側とのインターフェース部分（プローブカード１３、その固定機構１４及びヘッドプレート１５を含む）のうちプローブカード１３及び固定機構１４が載置台１１側へ沈み込み、これに伴ってヘッドプレート１５の中央部分が僅かではあるが下方へ変形している。
【００２８】
　
プローブカード１３は、図１の（ａ）に示すように、半導体ウエハＷよりやや大径に形成され、半導体ウエハＷの全てのデバイスの電極パッドに対応する多数のプローブ１３Ａを略全面に亘って有している。これらのプローブ１３Ａは、検査時には半導体ウエハＷに形成された多数の電極パッドと一括して接触した後、所定のオーバードライブ量を得て半導体ウエハＷと電気的に接触し
【００２９】
　そこで、本実施形態では距離測定器を用いて現在のオーバードライブ量を測定するようにしている。即ち、距離測定器１９は、図１の（ａ）、（ｂ）に示すようにテストヘッド１８内に設けられており、半導体ウエハＷとプローブカード１３の複数のプローブ１３Ａが接触した状態でプローブカード１３の基板の上面までの距離と半導体ウエハＷの上面までの距離をそれぞれ測定するように構成されている。本実施形態では、距離測定器１９は、テストヘッド１８の中心部と中心部を囲む６箇所を合わせた７箇所に設けられている。この距離測定器１９は、例えばレーザー光式測長器によって構成されている。この距離測定器１９は、同図に示すように、載置台１１上の半導体ウエハＷの上面にレーザー光Ｌ１を照射して半導体ウエハＷの上面までの距離を測定する第１の測定部と、プローブカード１３の上面にレーザー光Ｌ２を照射してプローブカード１３の上面までの距離を測定する第２の測定部と、を有している。第１、第２の測定部による測定信号はテスタ２０に送信され、テスタ２０において第１の測定部による測定距離Ｌ１と第２の測定部による測定距離Ｌ２の差を求める。７つの距離測定器１９を７箇所に均等に分散させて設けることで、半導体ウエハＷ全面の距離を把握することができる。尚、プローブカード１３の基板には第２の測定部からのレーザー光が透過する透孔が形成されている。尚、図１の（ａ）では第１、第２の測定部それぞれから照射されるレーザー光及びこのレーザー光によって測定される距離を便宜上Ｌ１、Ｌ２として示した。」
（２）甲５記載事項
　上記（１）の甲第５号証の記載と当該技術分野における技術常識より、甲第５号証には次の事項が記載されていると認められる。
　「プローブカード１３の多数のプローブ１３Ａが、半導体ウエハＷに形成された多数の電極パッドと一括して接触したあと、所定のオーバードライブ量を得て半導体ウエハＷと電気的に接触すること。」
第５　申立理由についての判断
１　本件特許発明１について
（１）本件特許発明１と甲１発明との対比
　ア　甲１発明における「半導体ウェハ１００」、「集積回路素子等の被試験電子部品（ＤＵＴ）」、「半導体ウェハ試験装置１Ｂ」、「インタフェース組立体２０」、「プローブカード２１」及び「ウェハプローバ３０Ｂ」は、後述する相違点を除き、それぞれ、本件特許発明１における「基板」、「半導体デバイス」、「基板検査装置」、「基板検査用インターフェース」、「プローブカード」及び「基板当接装置」に相当するといえる。
　また、本件特許明細書の段落【００２５】の記載より、本件特許発明１における「検査部」は「検査室」を包含するものと認められるところ、甲第１号証の図８の記載及び当該技術分野における技術常識より、甲１発明における「半導体ウェハ試験装置１Ｂ」が本件特許発明１における「検査部」に相当する構成を備えることは明らかであるといえ、また、甲第１号証の図８の記載より、甲１発明における「インタフェース組立体２０」は、当該「検査部」に相当する構成の上部に備えられたものであるといえる。
　そうすると、本件特許発明１と甲１発明とは、「基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、該検査部の上部に配置された基板検査用インターフェースとを有する基板検査装置の前記基板検査用インターフェースのプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接装置」である点において共通するといえる。
　イ　甲１発明における「ウェハトレイ５０」は、本件特許発明１における「板状部材」に相当するといえ、甲１発明における「前記半導体ウェハ１００をウェハトレイ５０と共に前記プローブカード２１と対向する位置まで搬送するステージ６０」は、本件特許発明１における「前記基板を板状部材と共に前記プローブカードと対向する位置まで搬送する搬送機構」に相当するといえる。
　ウ　甲１発明における「前記ウェハトレイ５０のシール部材５１が前記プローブカード２１に密着して前記プローブカード２１とウェハトレイ５０との間に密閉空間５３が形成されるまで、前記ステージ６０によって搬送された前記半導体ウェハ１００を前記ウェハトレイ５０と共に前記プローブカード２１に向かって移動させ」る構成と、本件特許発明１における「該搬送機構で搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させて前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、前記基板をさらに前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって所定量移動させる当接機構」とは、「該搬送機構で搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させる機構」である点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
　エ　甲１発明における「前記プローブカード２１と前記ウェハトレイ５０との間の前記密閉空間５３を減圧」する構成、及び「前記減圧に伴って前記半導体ウェハ１００と前記プローブカード２１とが接触すると、・・・メカニカルストッパ７０の当接部材７３を所定量後退させることによって、前記プローブカード２１のプローブ針２１２が前記半導体ウェハ１００の電極１１０に食い込み、前記プローブ針２１と前記電極１１０とが確実に接触する」構成は、プローブカード２１と半導体ウェハ１００との間の空間を減圧して、プローブカード２１２のプローブ針２１２と、集積回路素子等の被試験電子部品（ＤＵＴ）の電極１１０との当接状態を保持する機構であるといえる。
　また、甲１発明における「密閉空間５３」、「プローブ針２１２」及び「電極１１０」は、それぞれ、本件特許発明１における「空間」、「プローブ」及び「電極」に相当するといえる。
　さらに、当該技術分野における技術常識より、甲１発明において、複数の「プローブ針２１２」と複数の「電極１１０」が当接することは明らかであるといえる。
　そうすると、本件特許発明１と甲１発明とは、「前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する保持機構」を備える点において共通し、下記相違点１において相違するといえる。
　オ　甲１発明における「前記減圧に伴って前記半導体ウェハ１００と前記プローブカード２１とが接触すると、前記ステージ６０は前記ウェハトレイ５０から離れて下降」する構成と、本件特許発明１における「前記保持機構によって前記当接状態を保持した後、前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離機構」とは、「前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離機構」である点において共通するものといえる。
　他方、本件特許の請求項１の「
前記基板が前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって前記所定量移動した後に前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する
前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力
　以上より、本件特許発明１と甲１発明とは、「前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離機構」を備える点において共通し、下記相違点２において相違するといえる。
　カ　以上から、本件特許発明１と甲１発明との一致点及び相違点は、以下のとおりであると認められる。
（ア）一致点
　「基板に形成された半導体デバイスの電気的特性を検査する検査部と、該検査部の上部に配置された基板検査用インターフェースとを有する基板検査装置の前記基板検査用インターフェースのプローブカードに前記基板を当接するプローブカードへの基板当接装置において、
　前記基板を板状部材と共に前記プローブカードと対向する位置まで搬送する搬送機構と、
　該搬送機構で搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させる機構と、
　前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する保持機構と、
　前記搬送機構を前記板状部材から切り離す脱離機構と、を有する
　プローブカードへの基板当接装置。」
（イ）相違点
　・相違点１　本件特許発明１では、基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極をプローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、基板をさらに板状部材と共にプローブカードに向かって所定量移動させ、その後にプローブカードと板状部材との間の空間を減圧して半導体デバイスの複数の電極とプローブカードの複数のプローブとの当接状態を保持する（すなわち、オーバドライブを行った後で減圧し、オーバドライブされた状態を保持する）のに対し、甲１発明では、空間（密閉空間５３）の減圧に伴ってプローブカード（プローブカード２１）と板状部材（ウェハトレイ５０）とが接触し、その後にメカニカルストッパ７０の当接部材７３を所定量後退させることによって、半導体デバイス（集積回路素子等の被試験電子部品（ＤＵＴ））の複数の電極（電極１１０）とプローブカード（プローブカード２１）の複数のプローブ（プローブ針２１２）との当接状態を保持する（すなわち、減圧を維持した状態でオーバドライブを行い、オーバドライブされた状態を保持する）点。
　・相違点２　本件特許発明１では、当接状態を保持した後、搬送機構を板状部材から切り離す（すなわち、オーバドライブされた状態を保持した後に、搬送機構を板状部材から切り離す）のに対し、甲１発明では、基板（半導体ウェハ１００）とプローブ（プローブカード２１）とが接触したときに、搬送機構（ステージ６０）を板状部材（ウェハトレイ５０）から切り離し、その後にメカニカルストッパ７０の当接部材７３を所定量後退させることによって、当接状態を保持する（すなわち、搬送機構（ステージ６０）を板状部材（ウェハトレイ５０）から切り離した後で、オーバドライブし、その状態を保持する）点。
　・相違点３　本件特許発明１は、「前記保持機構は、前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を、前記プローブカードと前記基板との当接部に前記基板及び前記板状部材の自重と、前記半導体デバイスの複数の電極と前記プローブカードの複数のプローブとの当接反力との合計に耐えうる当接力が作用する圧力に減圧することを特徴とする」のに対し、甲１発明は、当該構成について特定しない点。
（２）判断
　ア　はじめに、相違点１について検討する。
　甲第１号証ないし甲第５号証の記載事項は上記第４．１（１）、２（１）、３（１）、４（１）及び５（１）において摘記し、上記第４．１（２）、２（２）、３（２）、４（２）及び５（２）において認定したとおりであって、相違点１に係る構成（すなわち、オーバドライブを行った後で減圧し、オーバドライブされた状態を保持する構成）については、甲第１号証ないし甲第５号証には記載も示唆もされていない。
　また、上記第４．１（１）ア、ウ及びキの甲第１号証の記載（段落【０００６】、【００２４】、【００２５】及び【００９０】）より、甲１発明は、「半導体ウェハをプローブカードに向かって所定量押し上げる構造では、チャックを介して半導体ウェハをプローブカードに押し付けるため、当該チャックやプローブカードの剛性を高めておく必要があり、高コスト化を招来する」という課題を解決するために、「減圧によって半導体ウェハとプローブカードとを電気的に接触させ、減圧を維持した状態で保持部材をプローブカードに向かって移動させる」という構成を採用したものと認められるところ、甲１発明において相違点１に係る構成を採用した場合には、減圧を行う前に半導体ウェハをプローブカードに押し付けることとなり、甲１発明の上記課題を解決することができなくなることは明らかであるから、甲１発明において相違点１に係る構成を採用することには、阻害要因があるといえる。
　イ　次に、相違点２について検討する。
　甲第１号証ないし甲第５号証の記載事項は上記第４．１（１）、２（１）、３（１）、４（１）及び５（１）において摘記し、上記第４．１（２）、２（２）、３（２）、４（２）及び５（２）において認定したとおりであって、相違点２に係る構成（すなわち、オーバドライブされた状態を保持した後に、搬送機構を板状部材から切り離す構成）については、甲第１号証ないし甲第５号証には記載も示唆もされていない。
　また、甲１発明は、メカニカルストッパ７０の当接部材７３を所定量後退させてオーバドライブするものであるから、この際にステージ６０でウェハトレイ５０を移動させる必要はなく、オーバドライブされた状態を保持した後にステージ６０をウェハトレイ５０から切り離す構成を採用すべき動機付けがない。
　ウ　上記ア及びイのとおり、相違点１及び２に係る構成は甲第１号証ないし甲第５号証には記載も示唆もされておらず、また、甲１発明において相違点１及び２に係る構成を採用することには阻害要因があり、又は動機付けがないから、相違点３について検討するまでもなく、本件特許発明１は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということはできない。
２　本件特許発明２ないし１０について
　本件特許の請求項２ないし９は、請求項１を引用しており、本件特許発明２ないし９は本願特許発明１の発明特定事項を全て有する発明である。
　また、本件特許発明１０は、本件特許発明１を方法の発明として表現した発明であり、相違点１に係る構成に対応する発明特定事項である「前記搬送された前記基板を前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって移動させて
前記基板に設けられた半導体デバイスの複数の電極を前記プローブカードに設けられた複数のプローブにそれぞれ当接させた後、前記基板をさらに前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって所定量移動させる
前記基板が前記板状部材と共に前記プローブカードに向かって前記所定量移動した後に前記プローブカードと前記板状部材との間の空間を減圧して
前記当接状態が保持された後、
　してみれば、上記１（２）ウのとおり、本件特許発明１の相違点１及び２に係る構成が甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものであるとはいえない以上、本件特許発明２ないし１０も、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
３　まとめ
　以上のとおりであって、本件特許発明１ないし１０は、甲第１号証ないし甲第５号証に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないから、請求項１ないし１０に係る特許は、特許法第２９条の規定に違反してされたものではない。
第６　むすび
　したがって、特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年５月２３日（２０１７．５．２３）