【事件の表示】
　特許第５９０２０３０号発明「低温結合方法および結合構成物」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９０２０３０号の請求項に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　特許第５９０２０３０号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし２５に係る特許についての手続の経緯は，以下のとおりである。 
　　平成２４年　５月　８日　特許出願
（２００１年（平成１３年）２月１５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２０００年２月１６日，米国）を国際出願日とする出願２００１−５６０４３８号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２４年５月８日に新たな特許出願（特願２０１２−１０７０５３号）とした。）
　　平成２８年　１月２９日　特許査定
　　平成２８年　３月１８日　特許の設定登録 
　　平成２８年１０月１３日　特許異議の申立て（特許異議申立人　家田亘久）
　
　
 第２　特許異議の申立てについて
　
１　本件特許発明
　本件の請求項１ないし２５の各請求項（以下，請求項１ないし２５を「本件請求項１」ないし「本件請求項２５」という。）に係る発明（以下，各請求項に係る発明を，請求項１ないし２５の区分に応じて，「本件特許発明１」ないし「本件特許発明２５」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　結合面を研磨することにより，０．１から３．０ｎｍの範囲の面粗さをそれぞれ有する第１，第２の結合面を形成すること，
　前記面粗さを維持しながら，前記第１，第２の結合面を活性化するために前記結合面の研磨後に前記第１，第２の結合面をエッチングすることによって，前記第１，第２の結合面から材料を除去すること，および
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む結合方法。
【請求項２】
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
　前記第１，第２の結合面を活性化すること，および
　前記第１，第２の結合面に選択的な結合基を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
　結合副産物を，結合工程中に吸収されるかまたは前記結合面から隔てて拡散させることが可能な化学種への転換を含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
　プラズマＲＩＥ法を用いて前記第１，第２の結合面をエッチングすること，
　欠陥を有する表面下層を形成すること，および前記表面下層を用いて結合副産物を除去することを含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
　前記第１の結合面を面に形成されたデバイスを有する第１の半導体ウェハの面として形成すること，および
　前記第２の結合面を面に形成されたデバイスを有する第２の半導体ウェハの面として形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
　前記第１，第２のウェハのいずれかの部分を除去することを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
　前記第１，第２のウェハのデバイスを相互に接続することを含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
　第１の絶縁層を電気デバイスを含む第１のウェハ上に形成すること，
　前記第１の絶縁層を研磨して前記第１の結合面を形成すること，
　第２の絶縁層を電気デバイスを含む第２のウェハ上に形成すること，および
　第２の酸化物層を研磨して前記第２の結合面を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
　第１の絶縁層を電気デバイスを含みかつ不規則な幾何学面を有する第１のウェハ上に形成すること，
　前記第１の絶縁層を研磨して前記第１の結合面を形成すること，
　第２の絶縁層を電気デバイスを含みかつ不規則な幾何学面を有する第２のウェハ上に形成すること，および
　第２の酸化物層を研磨して前記第２の結合面を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項１２】
　結合面を研磨することにより，第１，第２の結合面を形成すること，
　前記第１，第２の結合面を活性化するために，前記結合面の研磨後に前記第１，第２の結合面をエッチングすること，
　室温で化学結合の形成をなすように化学種で前記第１，第２の結合面を停止すること，および前記第１，第２の結合面を室温で結合することを含む結合方法。
【請求項１３】
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１６】
　結合工程の前に前記第１，第２の結合面を活性化することを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
　結合副産物を，前記結合工程中に吸収されるか，または前記結合面から隔てて拡散させることが可能な化学種への転換を含む請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
　前記第１の結合面を面に形成されたデバイスを有する第１の半導体ウェハの面として形成すること，および
　前記第２の結合面を面に形成されたデバイスを有する第２の半導体ウェハの面として形成することを含む請求項１２記載の方法。
【請求項１９】
　前記第１，第２のウェハのいずれかは，基板を備え，前記方法は前記第１，第２のウェハのいずれかの部分を除去することを含む請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
　前記第１，第２のウェハ中のデバイスを相互に接続することを含む請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
　第１の絶縁層を電気デバイスを含む第１のウェハ上に形成すること，
　前記第１の絶縁層を研磨して前記第１の結合面を形成すること，
　第２の絶縁層を電気デバイスを含む第２のウェハ上に形成すること，および
　第２の酸化物層を研磨して前記第２の結合面を形成することを含む請求項１２記載の方法。
【請求項２２】
　第１の絶縁層を電気デバイスを含みかつ不規則な幾何学面を有する第１のウェハ上に形成すること，
　前記第１の絶縁層を研磨して前記第１の結合面を形成すること，
　第２の絶縁層を電気デバイスを含みかつ不規則な幾何学面を有する第２のウェハ上に形成すること，および
　第２の酸化物層を研磨して前記第２の結合面を形成することを含む請求項１２記載の方法。
【請求項２３】
　除去工程後に結合基板をアニールすることを含む請求項８記載の方法。
【請求項２４】
　除去工程後に前記第１，第２の半導体ウェハ中のデバイスを相互に接続することを含む請求項８記載の方法。
【請求項２５】
　除去工程後に結合基板をアニールすることを含む請求項１９記載の方法。」
　
２　特許異議申立理由の概要
　本件請求項１ないし２５の各請求項に係る特許に対して，特許異議申立人が主張する特許異議申立理由の概要は，以下のとおりである。
（１）異議理由１（特許法第２９条第１項第３号）
　本件特許の請求項１ないし３の各請求項に係る発明は，いずれも，原出願の優先権主張の日（以下「原出願の優先日」という。）前，日本国内及び外国において頒布された刊行物である，Ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ　ｏｎ　Ｒｏｏｍ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｗａｆｅｒ　Ｂｏｕｎｄｉｎｇ／ＪＡＰＡＮＥＳＥ　ＪＯＵＲＮＡＬ　ＯＦ　ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　Ｖｏｌ．３７（１９９８）ｐｐ４１９７−４２０３（甲第１号証）に記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（２）異議理由２（特許法第２９条第２項）
　ア　本件特許の請求項１に係る発明は，甲第１号証記載の発明において，原出願の優先日前，日本国内において頒布された刊行物である，特開平１０−９２７０２号公報（甲第３号証）記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであり，また，本件特許の請求項２ないし１１の各請求項に係る発明は，いずれも，甲第１号証記載の発明において，甲第３号証記載の発明，並びに原出願の優先日前，日本国内において頒布された刊行物である，日経マイクロデバイス１９８８年３月号，Ｎｏ３３　８５頁−９１頁（甲第４号証），応用物理第６０巻，第８号　１９９１年（甲第５号証），特開平８−４５６９９号公報（甲第６号証）及び特開平８−２１３５４８号公報（甲第７号証）にそれぞれ記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　イ　本件特許の請求項１２に係る発明は，甲第１号証記載の発明において，原出願の優先日前，日本国内において頒布された刊行物である，特開平９−８２５８８号公報（甲第８号証）記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであり，また，本件特許の請求項１３ないし２５の各請求項に係る発明は，いずれも，甲第１号証記載の発明において，甲第８号証記載の発明，並びに甲第３号証ないし第５号証，及び甲第７号証にそれぞれ記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（３）異議理由３（特許法第３６条第４項第１号）
　本件特許明細書の段落【００８０】から【００９４】には，結合強度が観察された旨が記載されているが，結合強度を達成するための具体的な条件は開示も示唆もされておらず，周知でもないから，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，本件特許の請求項１ないし３，及び請求項１３ないし１５の各請求項に係る発明について，その発明の属する技術分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（４）異議理由４（特許法第３６条第６項第２号）
　ア　本件特許の請求項５及び１７にそれぞれ記載された「結合副産物」がどのような物質であるかが，本件特許明細書の記載を参酌しても不明瞭であり，そのため，「結合副産物を，結合工程中に吸収されるかまたは前記結合面から隔てて拡散させることが可能な化学種への転換」することが，どのような処理を含み，どのような処理を含まないのかが不明瞭であるから，上記各請求項は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　イ　本件特許の請求項６の記載からは，「欠陥を有する表面下層を形成」し，かつ「前記表面下層を用いて結合副産物を除去する」処理の内容が，本件特許明細書の記載を参酌しても不明瞭であり，また，「プラズマＲＩＥ法を用いて前記第１，第２の結合面をエッチングすること」をいつ実行するか，及びプラズマＲＩＥ法で，表面下層を用いて結合副産物を除去できるのかが不明瞭であるから，上記請求項は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　したがって，上記の請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
３　甲号証の記載について
（１）甲第１号証
　甲第１号証の記載（４１９７頁左欄１行ないし右欄１５行（１．Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ），４１９７頁右欄１６行ないし４１９８左欄９行（２．Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌの２．１Ｂｏｎｄｉｎｇ　Ｐｒｏｃｅｄｕｒｅ），４１９９頁Ｆｉｇ．４及びＦｉｇ．５，並びに４２０２頁Ｔａｂｌｅ２）より，甲第１号証には，下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「両面研磨した２枚のＳｉウェハーを加熱炉で酸化し，そのうちの１枚のウェハーに，メサ状の構造を，フォトリソグラフィと化学溶液によるエッチングにより形成し，２枚のウェハーのＳｉＯ２膜を除去して洗浄し，
　これらのウェハーの表面を，真空でＡｒビームによりエッチングして，ウェハー表面の粗さ（Ｒｒｍ）を０．３ないし０．６ｎｍとし，
　２枚のウェハーを常温で結合して，１１ＭＰａ以上の結合強度を得ることを含む方法。」
　
（２）甲第２号証
　甲第２号証の６２頁Ｆｉｇｕｒｅ７及びＦｉｇｕｒｅ８には，ウェハー結合の強度を表す，破壊応力（ＭＰａ）と有効表面エネルギー（Ｊ／ｍ２）との関係が示されており，両者の関係より，１１ＭＰａは２０００ｍＪ／ｍ２に略等しいと認められる。
　
（３）甲第３号証
　甲第３号証の記載（特許請求の範囲の請求項１，【０００９】及び図４）より，甲第３号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って，室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングするシリコンウェハーの常温接合法であって，接合した面の引っ張り強度が，１１ＭＰａ以上となるシリコンウェハーの常温接合法。」
　
（４）甲第４号証
　甲第４号証の記載（８７頁左欄１４行ないし１９行，同頁左欄２３行ないし２７行，及び同頁左欄３７行ないし右欄２行）より，甲第４号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「鏡面研磨したＳｉウエーハの表面をＨ２Ｏ２−Ｈ２ＳＯ４溶液中で洗浄し，次にウエーハの表面に親水性を持たせ，室温の清浄な雰囲気で接触させ，ウエーハ表面に着いたＯＨ基による水素結合により，２枚のＳｉウエーハ同士を直接接合すること。」
　
（５）甲第５号証
　甲第５号証の記載（７９０頁左欄１４行ないし１９行，及び同頁右欄５行ないし８行）より，甲第５号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「ウエハーを洗浄し，乾燥させた後，２枚のウエハーを室温大気中で鏡面同士を接触させると，洗浄活性化によりウェハー表面に形成されたＯＨ基同士が，水素結合を起こし密着すること。」
　
（６）甲第６号証
　甲第６号証の記載（【０００２】）より，甲第６号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「処理室内に被処理体を配置した状態で所定のプラズマを発生させ，イオンや電子の作用によって被処理体にエッチングを施す，プラズマＲＩＥを用いてエッチングをすること。」
　
（７）甲第７号証
　甲第７号証の記載（特許請求の範囲の請求項１，及び【００１１】ないし【００２２】）より，甲第７号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「同時に多くの独立した部品および回路を持つ１つあるいは複数のプロセス化の完了した部品３を有する第１の面を第１の側に含む第１の部品基層１を準備し，その際に複数の部品面の部品および回路が堆積部品を形成する第１のステップと；
　機能能力がある部品，堆積部品および回路を第２の部品基層７の第２の側に有しこの第２の側に補助基層１３が接合されている複数のチップを準備する第２のステップと；
　この第２のステップにおいて準備された機能能力がある部品，部品堆積および回路を有する前記チップを前記第１の部品基層１の第１の側に並べてはりつける第３のステップと；
　この第３のステップにおいて前記第１の部品基層１にはりつけられた前記チップから前記補助基層１３を除去する第４のステップと；
　前記第３のステップにおいて前記第１の部品基層１にはりつけられた前記チップの部品，堆積部品あるいは回路と，前記第１の部品基層１の部品，堆積部品あるいは回路との間の電気的接続部材を作る第５のステップと
を有する３次元集積回路の製造方法。」
　
（８）甲第８号証
　甲第８号証の記載（特許請求の範囲の請求項１ないし５）より，甲第８号証には，下記の発明が記載されていると認められる。
　「少なくとも一方の材料の少なくとも表面が窒化物で覆われた第１材料の表面と，他の第２材料の表面とを接合する方法において，前記第１材料及び前記第２材料の表面を溶剤を用いて化学的に，又は高エネルギービームを用いて物理的に清浄し，その後に，希フッ酸による化学エッチングにより，前記第１材料の前記表面において窒素原子が水素原子で終端された状態を形成し，その後に，前記第１材料の前記表面と前記第２材料の前記表面とを密着する窒化物の直接接合方法。」
　
４　特許異議申立理由の検討
（１）異議理由１について
　ア　対比・判断
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，上記３（２）より，１１ＭＰａは２０００ｍＪ／ｍ２に略等しいと認められるから，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，以下のとおりと認められる。
（ア）一致点
　「第１，第２の結合面を形成すること，
　前記第１，第２の結合面をエッチングすることによって，前記第１，第２の結合面から材料を除去すること，および
　前記第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも５００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることを含む結合方法。」
（イ）相違点
　本件特許発明１は，「結合面を研磨することにより，０．１から３．０ｎｍの範囲の面粗さをそれぞれ有する第１，第２の結合面を形成」し，「前記面粗さを維持しながら，前記第１，第２の結合面を活性化するために前記結合面の研磨後に前記第１，第２の結合面をエッチングすることによって，前記第１，第２の結合面から材料を除去する」のに対し，甲１発明は，両面研磨した２枚のＳｉウェハーの１枚に，メサ状の構造を形成し，これらのウェハーの表面を，真空でＡｒビームによりエッチングして，ウェハー表面の粗さ（Ｒｒｍ）を０．３ないし０．６ｎｍとする点。
　そうすると，本件特許発明１は，甲１発明と同一とはいえない。
　そして，本件特許発明１の構成を備える本件特許発明２及び３も，甲１発明と同一とはいえない。
　以上より，本件特許発明１ないし３は，いずれも，甲第１号証記載の発明とは認められず，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当しない。
　イ　小括
　したがって，異議理由１に理由はない。
　
（２）異議理由２について
　ア　本件特許発明１ないし１１について
（ア）対比
　本件特許発明１と甲１発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，上記（１）アの（ア）及び（イ）のとおりである。
（イ）判断
　上記３（３）のとおり，甲第３号証には，「両方のシリコンウェハーの接合面を接合に先立って，室温の真空中で不活性ガスイオンビームまたは不活性ガス高速原子ビームで照射してスパッタエッチングするシリコンウェハーの常温接合法であって，接合した面の引っ張り強度が，１１ＭＰａ以上となるシリコンウェハーの常温接合法。」が記載されているとは認められるが，本件特許発明１における，「結合面を研磨することにより，０．１から３．０ｎｍの範囲の面粗さをそれぞれ有する第１，第２の結合面を形成」し，「前記面粗さを維持しながら，前記第１，第２の結合面を活性化するために前記結合面の研磨後に前記第１，第２の結合面をエッチングすることによって，前記第１，第２の結合面から材料を除去する」との構成について，記載又は示唆されているとは認められない。
　そうすると，甲１発明において，本件特許発明１との相違点に係る構成とすることを，甲第３号証に記載された発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たということはできない。
　以上より，本件特許発明１は，甲第１号証及び甲第３号証にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえず，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものとは認められない。
　そして，同様の理由により，本件特許発明１の構成を備える本件特許発明２ないし１１も，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものとは認められない。
　イ　本件特許発明１２ないし２５について
（ア）対比
　本件特許発明１２と甲１発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，それぞれ，以下のとおりと認められる。
　ａ　一致点
　第１，第２の結合面を形成すること，
　前記第１，第２の結合面を活性化するために，前記結合面の研磨後に前記第１，第２の結合面をエッチングすること，
　前記第１，第２の結合面を室温で結合することを含む結合方法。
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本件特許発明１２は，「結合面を研磨することにより，第１，第２の結合面を形成する」のに対し，甲１発明は，両面研磨した２枚のＳｉウェハーの１枚に，メサ状の構造を形成する点。
　・相違点２
　本件特許発明１２は， 「室温で化学結合の形成をなすように化学種で前記第１，第２の結合面を停止する」のに対し，甲１発明は，このような構成を備えていない点。
（イ）判断
　ａ　相違点１について
　甲第１号証には，２枚のウェハーの１枚がメサ状の構造を有していないと，端部近くの切欠や小さな起伏により，結合界面における密接を妨げる旨の記載（４１９７頁右欄１６行〜４１９８頁左欄９行）があるから，甲１発明において，２枚のウェハーの１枚にメサ状の構造を形成しないようにすることには，阻害要因があるというべきである。
　そうすると，甲１発明において，２枚のウェハーの１枚にメサ状の構造を形成せず，「結合面を研磨することにより，第１，第２の結合面を形成する」ことは，当業者が容易に想到し得たとはいえない。
　ｂ　相違点２について
　上記３（８）のとおり，甲第８号証には，「少なくとも一方の材料の少なくとも表面が窒化物で覆われた第１材料の表面と，他の第２材料の表面とを接合する方法において，前記第１材料及び前記第２材料の表面を溶剤を用いて化学的に，又は高エネルギービームを用いて物理的に清浄し，その後に，希フッ酸による化学エッチングにより，前記第１材料の前記表面において窒素原子が水素原子で終端された状態を形成し，その後に，前記第１材料の前記表面と前記第２材料の前記表面とを密着する窒化物の直接接合方法。」が記載されていると認められる。
　他方，甲１発明は，２枚のＳｉウェハーであって１枚にメサ状の構造が形成されたウェハーを常温で結合するもので，窒化物で覆われた第１材料の表面と他の第２材料の表面との接合方法に関する甲第８号証に記載の発明とは，その前提において異なるといわざるを得ない。
　そうすると，甲１発明に前提の異なる甲８に記載の発明を適用することに，動機付けがあるとはいえないから，甲１発明において，相違点２に係る構成とすることを，甲第８号証に記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たとは認められない。
　ｃ　まとめ
　以上より，本件特許発明１２は，甲第１号証及び甲第８号証にそれぞれ記載の発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたとはいえず，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものとは認められない。
　そして，同様の理由により，本件特許発明１２の構成を備える本件特許発明１３ないし２５も，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものとは認められない。
　ウ　小括
　上記ア及びイより，異議理由２に理由はない。
　
（３）異議理由３について
　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件特許に係る発明の実施例として，３インチ，１〜１０Ω−ｃｍ，ボロンドープシリコンウェハの上に，ＰＥＣＶＤ酸化物が堆積され，軽い研磨が，上記酸化物の約３０ｎｍを除去し，かつ初期に〜０．５６ｎｍのマイクロ粗さ二乗平均値（ＲＭＳ）を有する酸化物面を最終〜０．１８ｎｍに平滑にするためになされ（【００８０】），２つのウェハが，プラズマシステムに装入され，両ウェハはＲＦ電極上に置かれ，酸素プラズマは，１６ｓｃｃ／ｍの公称流量を用い，ＲＦ電力は，１３，５６ＭＨｚにて２０〜４００Ｗ（典型的に８０Ｗ）で，かつ真空レベルは１００ｍＴｏｒｒとして，上記酸化物被覆ウェハは，１５秒〜５分の間の時間で，ＲＩＥモードのプラズマ中で処理され，プラズマ処理されたシリコンウェハは，適切な溶液に浸漬され，スピン乾燥，室温，空気中の結合がなされた（【００８１】）ことが記載されていると認められる。
　そして，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，上記の方法で結合されたシリコンウェハの結合エネルギーを，楔を界面に挿入することによって測定した（【００８２】ないし【００８４】）ところ，浸漬され，結合されたＲＩＥプラズマ処理酸化物ウェハに対して，室温結合エネルギーは，結合されたプラズマ処理酸化物被覆シリコンウェハの貯蔵時間に伴って増加し，かつ空気または低真空で〜２０時間後に安定値に達し，ＲＩＥプラズマ処理後にＮＨ４ＯＨ浸漬した場合には，１０００ｍＪ／ｍ２を超える室温結合エネルギーが観察され（【００８４】，図６Ａ），また，ＳｉとＰＥＣＶＤ酸化物堆積層を持つＡｌＮとの室温結合では，約１００時間の貯蔵時間後，２０００ｍＪ／ｍ２を超える結合エネルギーが観察された（【００８５】，図６Ｂ）ことが記載されていると認められる。
　そうすると，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，第１，第２の結合面を室温にて直接結合し，室温にて，少なくとも５００ｍＪ／ｍ２，又は少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得る結合方法について，当業者が実施し得る程度に明確かつ十分に記載されていると認められる。
　そして，本件特許明細書の発明の詳細な説明には，第１，第２の結合面を室温にて直接結合する際に，室温にて，少なくとも２０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得ることができる旨，記載されていると認められ，その結合方法は，室温にて，少なくとも５００ｍＪ／ｍ２，又は少なくとも１０００ｍＪ／ｍ２の結合強度を得る結合方法に関する記載に接した当業者が，期待される程度を超える試行錯誤や複雑高度な実験等を必要とすることなく，実施し得ると認められる。
　以上より，本件特許明細書の発明の詳細な説明は，結合強度が特定された，本件特許発明１ないし３，及び本件特許発明１３ないし１５について，当業者が実施し得る程度に明確かつ十分に記載されていると認められ，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件に適合するということができる。
　したがって，異議理由３に理由はない。
　
（４）異議理由４について
　ア　本件特許明細書の発明の詳細な説明には，本件特許発明５，６及び１７における「結合副産物」及び「結合副産物」の除去について，以下の記載がある。（当審注．下線は，当審で付した。）
（ア）「【００５５】
　例えば図２に示すように，ＰＥＣＶＤＳｉＯ２はデバイスを含むＳｉウェハに堆積される。プラズマ（アルゴン，酸素またはＣＦ４のような）処理後の面３４は，プラズマシステム中および空気中の湿気の効力のためにＳｉ−ＯＨ基によって主に停止される。プラズマ処理の後，前記ウェハは１０〜２０分間のような期間，水酸化アンモニア（ＮＨ４ＯＨ），ＮＨ４ＦまたはＨＦのような溶液に直ぐに浸漬される。ＮＨ４ＯＨに前記ウェハを浸漬後，多くのＳｉ−ＯＨ基は次の置換反応によりＳｉ−ＮＨ２基によって置き換えられる。
【００５６】
　　　２Ｓｉ−ＯＨ＋ＮＨ４ＯＨ→２Ｓｉ−ＮＨ２＋４ＨＯＨ    （１）
　択一的に，多くのＳｉ−Ｆ基はＮＨ４ＯＨまたはＨＦ浸漬後にＰＶＣＶＤＳｉＯ２面で停止している。
【００５７】
　
結合面を横切る水素結合されたＳｉ−ＮＨ
２
；Ｓｉ−ＯＨ基またはＳｉ−ＮＨ
２
；Ｓｉ−ＮＨ
２
基は，Ｓｉ−Ｏ−ＳｉまたはＳｉ−Ｎ−Ｎ−Ｓｉ（またはＳｉ−Ｎ−Ｓｉ）共有結合の形態で室温にて高分子化できる
【００５８】
　　　Ｓｉ−ＮＨ２＋Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋ＮＨ３      （２）
　　　Ｓｉ−ＮＨ２＋ＳｉＮＨ２→Ｓｉ−Ｎ−Ｎ−Ｓｉ＋２Ｈ２ 　（３）
（当審注：「ＳｉＮＨ２」は，「Ｓｉ−ＮＨ２」の誤記と認める。）
　択一的に，酸化物面に堆積された前記ＨＦまたはＮＨ４ＦはＳｉ−ＯＨ基の他にＳｉ−Ｆ基によって停止される。ＨＦまたはＮＨ４Ｆ溶液は，シリコン酸化物を激しくエッチングするので，それらの濃度は適切な低レベルに制御されなければならず，かつ浸漬時間は十分に短くしなければならない。これは，後ＶＳＥプロセスが第２のＶＳＥプロセスの例である。
前記結合界面をわたる共有結合は，水素結合されたＳｉ−ＨＦまたはＳｉ−ＯＨの基間の高分子化反応によりに形成される
【００５９】
　　　Ｓｉ−ＨＦ＋Ｓｉ−ＨＦ→Ｓｉ−Ｆ−Ｆ−Ｓｉ＋Ｈ２     （４）
　　　Ｓｉ−Ｆ＋Ｓｉ−ＯＨ→Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ＋ＨＦ          （５）
　図８は，室温結合前の０．０５％ＨＦに浸漬されたシリコンウェハを覆う結合熱酸化物のフッ素濃度プロファイルを示す。フッ素濃度ピークは，結合界面に明らかに見られる。これは，所望の化学種が結合界面に位置されている前述した化学プロセスの証拠を提供する。
【００６０】
　反応（２）は，比較的高い〜５００℃でのみ可逆的であるので，前記形成されたシロキサン結合は室温でＮＨ３によって作用されることはない。Ｈ２分子は小さくかつ酸化物中で水分子に比べて約５０倍早く拡散することが知られている。
適切な厚さ，すなわち数ｎｍの面近傍における損傷層の存在は，拡散または反応（２），（３），（４）および／または（５）のＮＨ
３
，ＨＦおよび水素の溶解，および化学結合の増強を促進する
前記３つの反応は，ＮＨ
３
またはＨ
２
を遠くへ拡散させるような貯蔵時間の期間後に室温でＳｉＯ
２
／ＳｉＯ
２
結合対の高い結合エネルギーをもたらす
【００６１】
　
図２の例において，前記プラズマ処理は前記結合面近傍の前記酸化物層に損傷または欠陥の領域を創るかもしれない
損傷または欠陥の領域は，結合副産物の除去を助長する
（イ）「【００６９】
 ・・・
　図５の（Ａ）〜（Ｅ）は，２つのシリコンウェハの結合を示す。ウェハ５０，５２は，それぞれＶＳＥプロセスに委ねられた自然酸化物（図示せず）を持つ面５１，５３を有する。図５の（Ｃ）で示される面５３は，所望の化学種５４で停止されている。前記２つのウェハは，接合され，結合５５が形成し始める（図５の（Ｄ））。この結合は伝達し，かつ
結合副産物，この場合Ｈ
２
ガス，は除去される
（ウ）「【００７９】
　低温または室温で増加された結合エネルギーを左右する機構はいずれも似ている。プラズマによる結合ウェハの非常に僅かなエッチング（ＶＳＥ）は前記面を洗浄し，活性化し，かつ望ましくない可逆反応を防ぐために高分子化界面の副産物の除去を改善し，室温で共有結合を促進する所望の化学種で面を停止するために適切な液でリンスする。前記酸化物被覆ウェハである場合，異なる面停止を除いて同様に好ましい。ベアウェハ結合において，水吸収をなし，かつ水素に転換するために酸化物の非常に高い反応面およびシリコンは，形成されるべきである。非常に高い反応層は，プラズマ薄膜酸化物層および損傷シリコン面層でできる。
前記シリコンウェハ上の前記酸化物は幾つかの損傷を有してもよい。Ｏ
２
プラズマのみならず他のガスプラズマ（Ａｒ，ＣＦ
４
のような）は適切である
副産物除去方法は，事実上，むしろ一般であるので，このアプローチは多くの手段および多くの材料の適用によって履行できる
　イ　本件請求項５，６及び１７の明確性についての検討
　本件請求項５，６及び１７の記載からは，当該各請求項における「結合副産物」の内容について一義的に理解することは困難であり，その結果，本件請求項５及び１７にそれぞれ記載の「結合副産物を，結合工程中に吸収されるかまたは前記結合面から隔てて拡散させることが可能な化学種への転換」の意味内容，及び本件請求項６に記載の「欠陥を有する表面下層を形成すること，および前記表面下層を用いて結合副産物を除去すること」の意味内容についても，一義的に理解することは困難である。
　そこで，本件特許明細書の記載を参酌すると，上記ア（ア）及び（イ）より，結合面を横切るＳｉ−ＮＨ２基とＳｉ−ＯＨ基間の高分子化反応，Ｓｉ−ＮＨ２基とＳｉ−ＮＨ２基間の高分子化反応，Ｓｉ−ＨＦ基間び高分子化反応，又はＳｉ−ＯＨの基間の高分子化反応によって，結合面をわたる共有結合が形成される際に生成されるＮＨ３，ＨＦ及び水素が，本件請求項５，６及び１７にそれぞれ記載の「結合副産物」と認められる。
　そして，上記ア（ア）及び（ウ）の本件特許明細書の記載より，僅かなエッチング（ＶＳＥ）におけるプラズマ処理によって，結合面近傍の酸化物層に創られる損傷又は欠陥の領域が，結合副産物の拡散又は溶解を促進し，結合副産物の除去を助長すると認められる。
　そうすると，本件請求項５及び１７にそれぞれ記載の「結合副産物を，結合工程中に吸収されるかまたは前記結合面から隔てて拡散させることが可能な化学種への転換」は，本件特許明細書の記載を参酌すれば，高分子化反応によって結合面をわたる共有結合が形成される際に，結合副産物が，ＮＨ３，ＨＦ及び水素といった，結合面近傍の酸化物層に創られる損傷又は欠陥の領域で拡散又は溶解される化学種で生成されることを特定したものと理解することができる。
　また，本件請求項６に記載の「欠陥を有する表面下層を形成すること，および前記表面下層を用いて結合副産物を除去すること」も，本件特許明細書の記載を参酌すれば，僅かなエッチング（ＶＳＥ）におけるプラズマ処理によって，すなわち，「プラズマＲＩＥ法を用いて前記第１，第２の結合面をエッチングすること」によって，結合面近傍の酸化物層に創られる損傷又は欠陥の領域に，ＮＨ３，ＨＦ及び水素といった結合副産物を拡散又は溶解させて，結合副産物を除去することを特定したものと理解することができる。
　以上から，本件請求項５，６及び１７には，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されていると認められ，いずれも，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に適合するといえる。
　ウ　小括
　したがって，異議理由４に理由はない。
　
（５）小括
　上記（１）ないし（４）より，本件特許の特許請求の範囲の請求項１ないし２５の各請求項に係る特許を，異議理由１ないし４によって取り消すことはできない。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし２５の各請求項に係る特許は，特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことができない。
　また，他に，本件特許の上記各請求項に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１２月１４日（２０１６．１２．１４）