(57)【要約】【課題】絶縁膜の平坦面から露出させた第１電極に第２電極を導通させる構造の場合でも、第２電極を形成する面の構成に対する自由度を高めることのできる電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置１００において、中継電極８ａ（第１電極）は、層間絶縁膜４５の凸部４５ｅと重なる導通部８ｃを備え、導通部８ｃは、層間絶縁膜４６の表面（平坦面４６０）から露出している。層間絶縁膜４６の表面（平坦面４６０）には、凸部４５ｅの高さｈより薄い膜厚ｔの絶縁膜４７が形成され、画素電極９ａは、絶縁膜４７の開口部４７ａを介して導通部８ｃに導通している。この場合でも、開口部４７ａが浅いので、画素電極９ａの表面に大きな凹凸が発生しにくい。【選択図】図５
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方面側で前記基板とは反対側に突出する凸部と、
前記凸部の先端面に一部が重なる第１電極と、
前記第１電極に対して前記基板とは反対側に形成され、前記基板とは反対側に平坦面を備えた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に対して前記基板とは反対側に、前記凸部の高さより薄い膜厚で形成された第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜に対して前記基板とは反対側に形成された第２電極と、
を有し、
前記第１電極は、平面視で前記凸部の先端面と重なる部分のうち、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが開口された部分を介して、前記第２電極と導通していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記基板と前記第１電極との間に画素トランジスターを有し、
前記第２電極は、画素電極であり、
前記第１電極は、前記画素トランジスターに電気的に接続された中継電極であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置において、
前記第２絶縁膜は、ボロンドープ・シリケート・ガラスを含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の電気光学装置において、
前記画素電極は、少なくとも、前記第２絶縁膜の前記基板とは反対側に積層された第１透光性導電膜と、前記第１透光性導電膜の前記基板とは反対側に積層された屈折率調整用誘電体膜と、を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記画素電極は、さらに、前記屈折率調整用誘電体膜の前記基板とは反対側に積層された第２透光性導電膜を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置において、
前記基板と前記画素電極との間には、前記画素電極の透光領域を規定する遮光層が設けられ、
前記画素電極は、前記遮光層と平面視で重なる位置で前記第１透光性導電膜と前記第２透光性導電膜とを電気的に接続させる接続部を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置において、
前記接続部は、前記第１透光性導電膜および前記第２透光性導電膜が前記屈折率調整用誘電体膜の端部から張り出して接する部分であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置において、
前記第１透光性導電膜と前記第２透光性導電膜とは同一の形状となるように形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の電気光学装置において、
前記接続部は、前記屈折率調整用誘電体膜の周りを囲むように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１電極と平面視で重なるように設けられ、定電位が印加された容量電極と、
前記第１電極と前記容量電極との間に積層された誘電体層と、
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置において、
前記凸部は、前記容量電極と平面視で重なっていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子機器において、
前記電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、
前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする電子機器。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、第１電極と第２電極とが絶縁膜を介して導通する電気光学装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置に用いられる素子基板において、画素電極は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して下層側の導電層に導通している。かかる電気光学装置において、コンタクトホールの平面サイズが大きくて、画素電極の表面に大きな凹凸が形成されると、配向膜を好適に形成できなくなる等の原因で表示品位が低下する。そこで、層間絶縁膜のコンタクトホール内にプラグを埋め込み、かかるプラグを介して画素電極と下層側の電極とを導通させる構成が提案されている。しかしながら、プラグを形成するには、電気光学装置で通常、用いられていないタングステン等の金属材料を新たに準備する必要があるため、コストが増大する。また、プラグによる導通構造を採用する場合には、コンタクトホールが埋まるまでプラグ用の金属膜を厚くスパッタ成膜する必要があるため、生産性が低下する。
【０００３】
そこで、凸部の先端面に平面視で重なる導通部を備えた導電層（第１電極）と、画素電極（第２電極）側に導通部を露出させる平坦面を備えた絶縁膜とを設け、画素電極を絶縁膜の平坦面に積層して導通部と導通させる構成が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２５０６９号公報
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の構成では、絶縁膜については、平坦化処理を行って導通部を露出させる必要があるため、絶縁膜に他の機能を担わせるのが困難である。例えば、絶縁膜は、膜厚が厚くなってしまうため、画素電極を透過する光の波長分散を抑制するための屈折率調整用誘電体層に上記の絶縁膜を利用することは困難である。また、絶縁膜をボロンドープ・シリケート・ガラスによって形成し、保護膜として利用しようとすると、ボロンドープ・シリケート・ガラスは成膜時に膜厚がばらつきやすいため、平坦化処理の効率が低下してしまう。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本考案の課題は、絶縁膜の平坦面から露出させた第１電極に第２電極を導通させる構造の場合でも、第２電極を形成する面の構成に対する自由度を高めることのできる電気光学装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本考案に係る電気光学装置の一態様は、基板と、前記基板の一方面側で前記基板とは反対側に突出する凸部と、前記凸部の先端面に一部が重なる第１電極と、前記第１電極に対して前記基板とは反対側に形成され、前記基板とは反対側に平坦面を備えた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜に対して前記基板とは反対側に、前記凸部の高さより薄い膜厚で形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜に対して前記基板とは反対側に形成された第２電極と、を有し、前記第１電極は、平面視で前記凸部の先端面と重なる部分のうち、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜とが開口された部分を介して、前記第２電極と導通していることを特徴とする。
【０００８】
本考案では、第１電極の一部が凸部と重なっており、第２電極は、第１電極の第１絶縁膜の表面（平坦面）から露出している部分と接している。また、第１絶縁膜の表面（平坦面）には、凸部の高さより薄い膜厚の第２絶縁膜が形成され、第２電極は、第２絶縁膜の開口部を介して第１電極に導通している。このため、第２絶縁膜については、導通部を露出させるための平坦面を形成するための平坦化処理等を行わないので、第２絶縁膜の材質や膜厚等の構成に対する自由度が高い。この場合でも、第２絶縁膜の膜厚が薄いので、開口部が浅い。従って、第２電極の表面に大きな凹凸が発生しにくい。
【０００９】
本考案においては、例えば、前記基板と前記第１電極との間に画素トランジスターを有し、前記第２電極は、画素電極であり、前記第１電極は、前記画素トランジスターに電気的に接続された中継電極である。かかる構成によれば、第２絶縁膜をボロンドープ・シリケート・ガラス等にして、水分に対する保護膜として利用できる。また、第２絶縁膜の膜厚や屈折率を適正化すれば、第２絶縁膜は、第２絶縁膜と画素電極との積層膜によって、画素電極を透過する光に対する波長分散を抑制することができる。
【００１０】
本考案において、前記第２絶縁膜は、ボロンドープ・シリケート・ガラスを含む態様を採用することができる。
【００１１】
本考案において、前記画素電極は、少なくとも、前記第２絶縁膜の前記基板とは反対側に積層された第１透光性導電膜と、前記第１透光性導電膜の前記基板とは反対側に積層された屈折率調整用誘電体膜と、を備えている態様を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極を透過する光に対する波長分散を抑制することができる。
【００１２】
本考案において、前記画素電極は、さらに、前記屈折率調整用誘電体膜の前記基板とは反対側に積層された第２透光性導電膜を備えている態様を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極を透過する光に対する波長分散を抑制することができる。
【００１３】
本考案において、前記基板と前記画素電極との間には、前記画素電極の透光領域を規定する遮光層が設けられ、前記画素電極は、前記遮光層と平面視で重なる位置で前記第１透光性導電膜と前記第２透光性導電膜とを電気的に接続させる接続部を備えていることが好ましい。かかる構成によれば、第２透光性導電膜に第１透光性導電膜と同一の電位を印加することができる。このため、高い駆動電圧を画素電極に印加する必要がない等、適正に駆動することができる。また、接続部は、遮光層と平面視で重なる領域に設けられているため、接続部が画素電極を透過する光量を減らすという事態が発生しにくい。
【００１４】
本考案において、前記接続部は、前記第１透光性導電膜および前記第２透光性導電膜が前記屈折率調整用誘電体膜の端部から張り出して接する部分である態様を採用することができる。かかる構成によれば、接続部が画素電極の端部に設けられるので、接続部を遮光層と平面視で重なる領域に設けるのが容易である。
【００１５】
本考案において、前記第１透光性導電膜と前記第２透光性導電膜とは、同一の形状となるように形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、第１透光性導電膜および第２透光性導電膜を連続してパターニングできるので、生産性を高めることができる。
【００１６】
本考案において、前記接続部は、前記屈折率調整用誘電体膜の周りを囲むように設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、画素電極全体の電気的抵抗を低減することができる。
【００１７】
本考案において、前記中継電極と平面視で重なるように設けられ、定電位が印加された容量電極と、前記第１電極と前記容量電極との間に積層された誘電体層と、を有する態様を採用することができる。
【００１８】
この場合、前記凸部は、前記容量電極と平面視で重なっている態様を採用することができる。かかる構成によれば、容量電極の厚さ等を凸部の形成に利用することができる。
【００１９】
本考案を適用した電気光学装置は、各種電子機器において直視型表示装置等の各種の表示装置に用いることができる。また、本考案を適用した電気光学装置は、投射型表示装置に用いることができる。かかる投射型表示装置は、本考案を適用した電気光学装置に照射される照明光を出射する光源部と、前記電気光学装置により変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本考案を適用した電気光学装置の電気的構成の一態様を示すブロック図である。
【図２】本考案を適用した電気光学装置に用いた液晶パネルの一態様を示す平面図である。
【図３】図２に示す液晶パネルの断面図である。
【図４】本考案を適用した電気光学装置の第１基板において隣り合う画素の一態様を示す平面図である。
【図５】本考案を適用した電気光学装置の画素の一態様を模式的に示す断面図である。
【図６】図３および図４に示す画素トランジスターの平面図である。
【図７】図３および図４に示すソース電極および第１ドレイン電極の平面図である。
【図８】図３および図４に示すデータ線および第２ドレイン電極の平面図である。
【図９】図３および図４に示す容量線の平面図である。
【図１０】図３および図４に示す容量電極および誘電体層の平面図である。
【図１１】図３および図４に示す中継電極の平面図である。
【図１２】図３および図４に示す画素電極の平面図である。
【図１３】本考案を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１４】本考案を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１５】本考案を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１６】本考案を適用した電気光学装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本考案を適用した電気光学装置の変形例１の説明図である。
【図１８】本考案を適用した電気光学装置の変形例２の説明図である。
【図１９】本考案を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の一態様の概略構成図である。
【考案を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本考案の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、画素トランジスターを流れる電流の方向を反転させる駆動方式を採用した場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、画素電極が接続されている側（画素側ソースドレイン領域）をドレインとし、データ線が接続されている側（データ線側ソースドレイン領域）をソースとする。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（第２基板が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側（第２基板が位置する側とは反対側）を意味する。
【００２２】
［電気光学装置（液晶装置）の説明］
（全体構成）
図１は、本考案を適用した電気光学装置の電気的構成の一態様を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であるため、容量電極等が延在している方向等、レイアウトについては模式的に示してある。
【００２３】
図１において、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線５ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線５ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
第１基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線５ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線５ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、定電位（共通電位）が印加された容量線６ａが設けられており、容量線６ａは定電位線５ｃに導通している。
【００２６】
［液晶パネル１００ｐの構成］
図２は、本考案を適用した電気光学装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの一態様を示す平面図である。図３は、図２に示す液晶パネル１００ｐの断面図（Ｈ−Ｈ′断面図）である。
【００２７】
図２および図３に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２８】
本形態の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０において、画像表示領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２９】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓ側では、画像表示領域１０ａに、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。第１基板１０の一方面１０ｓ側において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００３０】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の第１基板１０側の面には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることもある。また、第２基板２０は、複数の画素電極９ａの各々に対向するレンズ（マイクロレンズ）が形成されたレンズアレイ基板として構成される場合もある。
【００３１】
液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の透光性の導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａをアルミニウム等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。電気光学装置１００が反射型である場合、第２基板２０の側から入射した光が第１基板１０の側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。電気光学装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態において、電気光学装置１００は、透過型の液晶装置として構成されている。
【００３３】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、電気光学装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差フィルムや偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態においては、電気光学装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、電気光学装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
［画素の具体的構成］
図４は、本考案を適用した電気光学装置１００の第１基板１０において隣り合う画素の一態様を平面図である。図５は、本考案を適用した電気光学装置１００の画素の一態様を模式的に示す断面図である。なお、図５では、データ線５ａ、画素トランジスター３０のソース領域１ｂ、走査線３ａ、画素電極９ａと中継電極８ａとの導通部分に沿って電気光学装置１００を切断した様子を示してあるが、各構成の電気的な接続関係が分かりやすいように、画素トランジスター３０のドレイン領域１ｃ等も図示してある。
【００３６】
図６は、図３および図４に示す画素トランジスター３０の平面図である。図７は、図３および図４に示すソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂの平面図である。図８は、データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂの平面図である。図９は、図３および図４に示す容量線６ａの平面図である。図１０は、図３および図４に示す容量電極７ａの平面図である。図１１は、図３および図４に示す中継電極８ａの平面図である。図１２は、図３および図４に示す画素電極９ａの平面図である。
【００３７】
なお、図４、図６、図７、図８、図９、図１０、図１１、および図１２において、各領域を以下の線で表してある。また、図４には、画素電極９ａの外縁のみを図示し、屈折率調整用誘電体膜９６ａは形成されていない。
【００３８】
図４および図６
走査線３ａ＝細い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
ゲート電極３ｂ＝太い実線
図４および図７
ソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂ＝太い一点鎖線
図４および図８
データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂ＝細い一点鎖線
図４および図９
容量線６ａ＝細い二点鎖線
図４および図１０
容量電極７ａ＝細くて長い破線
誘電体層５５ｅ＝太くて短い破線
貫通穴４４ｃおよび凹部７ｅ＝細くて短い破線
図４および図１１
容量電極８ａ＝太い二点鎖線
凹部７ｅ＝細くて短い破線
図４および図１２
画素電極９ａ（第１透光性導電膜９１ａ、第２透光性導電膜９２ａ）＝太くて長い破線
画素電極９ａの屈折率調整用誘電体膜９６ａ＝細い一点鎖線
【００３９】
（画素１００ａの概略構成）
図４に示すように、第１基板１０には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されている。かかる複数の画素電極９ａは同一の構成を有しているが、複数の画素電極９ａのうちの１つを第１画素電極９ａ１とし、第１画素電極９ａ１と隣り合う画素電極９ａを第２画素電極９ａ２と表してある。複数の画素電極９ａのうち、隣り合う画素電極９ａ（第１画素電極９ａ１および第２画素電極９ａ２）により挟まれた縦横の画素間領域１０ｆと重なる領域に沿ってデータ線５ａおよび走査線３ａが形成されている。
【００４０】
すなわち、画素間領域１０ｆのうち、第１方向（Ｘ方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って走査線３ａが延在し、第２方向（Ｙ方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿ってデータ線５ａが延在している。データ線５ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線５ａと走査線３ａとが交差する部分に対応して画素トランジスター３０が形成されている。さらに、第１基板１０では、画素間領域１０ｆ（第１画素間領域１０ｇおよび第２画素間領域１０ｈ）に沿うように、後述する各種電極や配線が形成されている。ここで、データ線５ａ、走査線３ａ等は遮光層１０ｋからなる。このため、データ線５ａ、走査線３ａおよび各種電極等の遮光層１０ｋは、画素電極９ａの端部に沿って延在して、画素電電極９ａの透光領域９ａ０（画素開口部）を規定している。
【００４１】
図５に示すように、第１基板１０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の面（一方面１０ｓ側）に、画素トランジスター３０、画素電極９ａおよび配向膜１６等が構成されている。第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板１０と対向する一方面側）に、共通電極２１および配向膜２６等が構成されている。
【００４２】
（画素トランジスター３０等の構成）
第１基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉｘ）等の遮光性導電膜から構成されており、画素トランジスター３０に対する遮光膜としても機能している。
【００４３】
走査線３ａの上層側（走査線３ａに対して基板本体１０ｗと反対側）には、シリコン酸化膜等の透光性の下地絶縁膜４０が形成されている。下地絶縁膜４０の上層側（下地絶縁膜４０に対して基板本体１０ｗと反対側）には、画素トランジスター３０の半導体層１ａが形成されている。画素トランジスター３０は、データ線５ａに沿って延在する半導体層１ａと、半導体層１ａの延在方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えている（図６参照）。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備え、チャネル領域１ｇの両側にソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇの両側に低濃度領域１ｂ１、１ｃ１を備え、低濃度領域１ｂ１、１ｃ１に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域１ｂ２、１ｃ２を備えている。
【００４４】
半導体層１ａは、多結晶シリコン膜等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、例えば、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜等からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の導電膜からなり、半導体層１ａの両側において、ゲート絶縁層２および下地絶縁膜４０を貫通するコンタクトホール２ａを介して走査線３ａに導通している（図６参照）。ゲート電極３ｃは、例えば、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との２層構造を有している。本形態では、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に、走査線３ａを遮光性の導電膜により形成してある。但し、走査線３ａをゲート絶縁層２の上層に形成し、その一部をゲート電極３ｃとしてもよい。この場合、図５に示す走査線３ａは、遮光のみを目的として形成されることになる。
【００４５】
ゲート電極３ｃの上層側（ゲート電極３ｃと画素電極９ａとの間）には透光性の層間絶縁膜４１が形成されている。層間絶縁膜４１は、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００４６】
層間絶縁膜４１の上層側（層間絶縁膜４１と画素電極９ａとの間）には、ソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂが同一種類の導電膜によって形成されている。ソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の遮光性導電膜からなる。本形態において、ソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂは、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、およびアルミニウム（Ａｌ）膜の多層膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜との多層膜等からなる。ソース電極４ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂに導通している。第１ドレイン電極４ｂは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに導通している。ソース電極４ａは、画素トランジスター３０のソース領域１ｂと重なる位置から第２方向Ｙに延在し、第１ドレイン電極４ｂは、画素トランジスター３０のドレイン領域１ｃと重なる位置から第１方向Ｘに延在している（図７参照）。
【００４７】
ソース電極４ａおよび第１ドレイン電極４ｂの上層側（ソース電極４ａと画素電極９ａとの間）には透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。本形態において、層間絶縁膜４２の表面は、化学機械研磨等によって平坦面４２０になっている。
【００４８】
層間絶縁膜４２の上層側（層間絶縁膜４２と画素電極９ａとの間）には、データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂが同一種類の導電膜によって形成されている。データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の遮光性導電膜からなる。本形態において、データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂは、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、およびアルミニウム膜の多層膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜との多層膜等からなる。データ線５ａは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース電極４ａに導通している。第２ドレイン電極５ｂは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介して第１ドレイン電極４ｂに導通している。データ線５ａは、第２画素間領域１０ｈと重なる領域において、ソース電極４ａと重なる位置から第２方向Ｙに延在している。第２ドレイン電極５ｂは、第１画素間領域１０ｇと重なる領域において、第１ドレイン電極４ｂと重なる位置から第１方向Ｘに延在し、第１方向Ｘの略中央位置でコンタクトホール４２ｂを介して第１ドレイン電極４ｂに導通している（図８参照）。
【００４９】
データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂの上層側（データ線５ａと画素電極９ａとの間）には透光性の層間絶縁膜４３が形成されている。層間絶縁膜４３は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００５０】
（保持容量５５等の構成）
層間絶縁膜４３の上層（層間絶縁膜４３と画素電極９ａとの間）には、定電位が印加された容量線６ａが形成されている。容量線６ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の遮光性導電膜からなる。本形態において、容量線６ａは、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、およびアルミニウム膜の多層膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜との多層膜等からなる。容量線６ａは、データ線５ａと平面視で重なるように第２方向Ｙに延在する本線部分６ａ１と、本線部分６ａ１から走査線３ａと平面視で重なるように第１方向Ｘの一方側Ｘ１に突出した支線部分６ａ２とを備えており、支線部分６ａ２において本線部分６ａ１と繋がる部分６ａ３の幅は、先端側の幅より大きい（図９参照）。
【００５１】
容量線６ａの上層（容量線６ａと画素電極９ａとの間）には透光性の層間絶縁膜４４が形成されている。層間絶縁膜４４は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。
【００５２】
層間絶縁膜４４には、容量線６ａまで到達する貫通穴４４ｃが形成されている。貫通穴４４ｃは、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分からデータ線５ａに沿って第２方向Ｙの一方側Ｙ１に延在する第１部分４４ｃ１と、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分から走査線３ａに沿って第１方向Ｘの一方側Ｘ１に延在する第２部分４４ｃ２を有している（図１０参照）。
【００５３】
貫通穴４４ｃの内側には容量電極７ａが設けられており、容量電極７ａは、貫通穴４４ｃの底部で容量線６ａに接している。容量電極７ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の遮光性導電膜からなる。本形態において、容量電極７ａは、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、およびアルミニウム膜の多層膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜との多層膜等からなる。容量電極７ａは、貫通穴４４ｃの底部全体および側面全体に形成され、さらに、層間絶縁膜４４の表面の一部まで形成されている。従って、容量電極７ａは、貫通穴４４ｃが反映してなる凹部７ｅを備えた形状になっている。容量電極７ａは、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分からデータ線５ａに沿って第２方向Ｙの一方側Ｙ１に延在する第１部分７ａ１を有しており、容量線６ａの本線部分６ａ１と平面視で重なっている（図１０参照）。また、容量電極７ａは、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分から走査線３ａに沿って第１方向Ｘの一方側Ｘ１に延在する第２部分７ａ２を有しており、容量線６ａの支線部分６ａ２と平面視で重なっている（図１０参照）。また、第２部分７ａ２において第１部分７ａ１と繋がる部分７ａ３の幅は、先端側の幅より大きい（図１０参照）。
【００５４】
容量電極７ａの上層（容量電極７ａと画素電極９ａとの間）には透光性の層間絶縁膜４５が形成されている。層間絶縁膜４５は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。層間絶縁膜４５は、貫通穴４４ｃと平面視で重なる領域には形成されておらず、容量電極７ａにおいて幅広に形成された部分７ａ３（図１０参照）、およびその周辺のみに形成されている。また、容量電極７ａにおいて幅広に形成された部分７ａ３と平面視で重なる部分には、画素電極９ａに向けて突出した凸部４５ｅが形成されている。
【００５５】
凸部４５ｅの先端面４５ｆおよび貫通穴４４ｃの内部には、誘電体層５５ｅが形成されている。誘電体層５５ｅは、貫通穴４４ｃの底部全体および側面全体に形成され、さらに、容量電極７ａより広い範囲に形成されている。誘電体層５５ｅとしては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体膜を用いることができる。
【００５６】
誘電体層５５ｅの上層（誘電体層５５ｅと画素電極９ａとの間）には中継電極８ａ（第１電極）が積層され、中継電極８ａは、層間絶縁膜４４の表面の一部と重なる領域に形成されている。中継電極８ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属膜化合物等の遮光性導電膜からなる。本形態において、中継電極８ａは、例えば、チタン膜、窒化チタン膜、およびアルミニウム膜の多層膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜との多層膜等からなる。中継電極８ａは、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分からデータ線５ａに沿って第２方向Ｙの一方側Ｙ１に延在する第１部分８ａ１を有しており、容量電極７ａの第１部分７ａ１と平面視で重なっている（図１１参照）。また、中継電極８ａは、データ線５ａと走査線３ａとの交差部分から走査線３ａに沿って第１方向Ｘの一方側Ｘ１に延在する第２部分８ａ２を有しており、容量電極７ａの第２部分７ａ２と平面視で重なっている（図１１参照）。第２部分７ａ２は、容量電極７ａの第２部分７ａ２と平面視で重なる位置からさらに第１方向Ｘの一方側Ｘ１に延在し、層間絶縁膜４３、４４を貫通するコンタクトホール４４ｂを介して第２ドレイン電極５ｂに導通している（図１１参照）。また、第２部分８ａ２において第１部分８ａ１と繋がる部分８ａ３の幅は、先端側の幅より大きく、かかる部分８ａ２の一部は、層間絶縁膜４５の凸部４５ｅの先端面４５ｆに平面視で重なる導通部８ｃ（図５参照）になっている（図１１参照）。
【００５７】
中継電極８ａは、貫通穴４４ｃの底部全体および側面全体で容量電極７ａと平面視で重なっている。また、中継電極８ａと容量電極７ａとの間には誘電体層５５ｅが積層されている。従って、中継電極８ａ、誘電体層５５ｅ、および容量電極７ａは、貫通穴４４ｃの底部全体および側面全体に保持容量５５を構成している。かかる構成によれば、狭い面積内に、静電容量の高い保持容量５５を設けることができる。
【００５８】
（中継電極８ａと画素電極９ａとの導通部分の構成）
中継電極８ａと画素電極９ａとの間には、透光性の層間絶縁膜４６（第１絶縁膜）が形成されている。層間絶縁膜４６は、例えば、プラズマＣＶＤ法等により形成したシリコン酸化膜等からなる。層間絶縁膜４６には、画素電極９ａ側に導通部８ｃを露出させる平坦面４６０が形成されており、平坦面４６０の開口部４６ａでは、導通部８ｃが露出している。従って、画素電極９ａは、開口部４６ａで露出している導通部８ｃと接している。
【００５９】
本形態では、層間絶縁膜４６と画素電極９ａとの間に透光性の絶縁膜４７（第２絶縁膜）が形成されている。層間絶縁膜４７には、導通部８ｃの平坦面４６０からの露出部分の少なくとも一部と重なる開口部４７ａが形成されており、画素電極９ａは、層間絶縁膜４６の開口部４６ａの内側、および層間絶縁膜４７の開口部４７ａの内側で導通部８ｃと接している。絶縁膜４７の膜厚ｔは、層間絶縁膜４５の凸部４５ｅの高さｈより薄い。このため、開口部４７ａの深さが浅い。また、絶縁膜４７の基板本体１０ｗとは反対側の面（画素電極９ａ側の面）は平坦面４７０になっている。本形態において、絶縁膜４７は、ボロンドープ・シリケート・ガラス等からなる。
【００６０】
（画素電極９ａの構成）
図５および図１２に示すように、画素電極９ａ（第２電極）は、複数の透光性導電膜の間に屈折率調整用誘電体膜が積層された積層膜（ＩＭＩＴＯ膜：Ｉｎｄｅｘ  Ｍａｔｃｈｅｄ  ＩＴＯ）からなる。本形態において、画素電極９ａは、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａおよび第２透光性導電膜９２ａが順に積層された３層構造を備えている。このため、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａおよび第２透光性導電膜９２ａの各々の屈折率や膜厚を調整することによって、画素電極９ａでの光の波長分散を抑制することができる。
【００６１】
本形態において、画素電極９ａは、図４〜図１０を参照して説明した走査線３ａ、データ線５ａ、容量線６ａ等の遮光層１０ｋと平面視で重なる位置で第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとを電気的に接続させる接続部９９を備えている。より具体的には、まず、第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとは形成領域が同一であり、同一形状をもって平面視で重なっている。また、第１透光性導電膜９１ａおよび第２透光性導電膜９２ａは、屈折率調整用誘電体膜９６ａより広い範囲に形成されており、遮光層１０ｋと平面視で重なる位置では、屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部から張り出している。従って、第１透光性導電膜９１ａおよび第２透光性導電膜９２ａは、屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部からの張り出し部９１ｅ、９２ｅからなる接続部９９で接し、導通している。本形態において、第１透光性導電膜９１ａおよび第２透光性導電膜９２ａは、屈折率調整用誘電体膜９６ａの全周にわたって屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部から張り出している。従って、接続部９９は、屈折率調整用誘電体膜９６ａを全周にわたって囲むように設けられている。なお、屈折率調整用誘電体膜９６ａは、画素電極９ａと導通部８ｃとの接続部分（開口部４７ａ）と平面視で重なる領域には形成されていない。
【００６２】
（電気光学装置１００の製造方法）
図１３〜図１６を参照して、電気光学装置１００の製造工程のうち、第１基板１０の製造工程を説明する。図１３〜図１６は、本考案を適用した電気光学装置１００の製造方法を示す工程断面図である。なお、図１４〜図１６では、データ線５ａより上層側のみを示してある。
【００６３】
図１３に示す画素トランジスター形成工程ＳＴ１では、画素トランジスター３０を形成した後、層間絶縁膜４１、ソース電極４ａ、および第１ドレイン電極４ｂを形成する。次に、データ線形成工程ＳＴ２では、層間絶縁膜４２を形成した後、コンタクトホール４２ａ、４２ｂを形成し、その後、データ線５ａおよび第２ドレイン電極５ｂを形成する。次に、容量線形成工程ＳＴ３では、層間絶縁膜４３を形成した後、容量線６ａを形成する。
【００６４】
次に、図１４に示す層間絶縁膜形成工程ＳＴ４では、層間絶縁膜４４を形成した後、貫通穴形成工程ＳＴ５で層間絶縁膜４４に貫通穴４４ｃを形成する。その際、層間絶縁膜４４および層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４４ｂも形成する。次に、容量電極形成工程ＳＴ６では、導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、容量電極７ａを形成する。
【００６５】
次に、層間絶縁膜形成工程ＳＴ７では、層間絶縁膜４５を形成した後、凸部形成工程ＳＴ８において、層間絶縁膜４５をエッチングし、貫通穴４４ｃが形成されている領域から層間絶縁膜４５を除去する。その際、必要に応じて、マスク形成工程およびエッチングを複数回行い、層間絶縁膜４５に、基板本体１０ｗとは反対側に向けて突出した凸部４５ｅを形成する。なお、ハーフトーンマスクを用いたフォトリソグラフィ工程によってエッチングマスクを形成した後、エッチングを行い、凸部４５ｅを備えた層間絶縁膜４５を形成してもよい。
【００６６】
次に、図１５に示す保持容量形成工程ＳＴ９では、誘電体膜を形成した後、誘電体膜をパターニングし、誘電体層５５ｅを形成する。次に、導電膜を形成した後、導電膜をパターニングし、中継電極８ａを形成する。なお、誘電体層５５ｅを形成した後、層間絶縁膜４４および層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４４ｂを形成してもよい。
【００６７】
次に、層間絶縁膜形成工程ＳＴ１０では、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４６を形成する。次に、平坦化工程ＳＴ１１において、層間絶縁膜４６に化学機械研磨等の平坦化工程を行い、層間絶縁膜４６の表面を平坦面４６０とする。その結果、平坦面４６０の開口部４６ａで導通部８ｃが露出し、導通部８ｃは、平坦面４６０と連続した平面を構成する。次に、絶縁膜形成工程ＳＴ１２では、ボロンドープ・シリケート・ガラス等からなる絶縁膜４７を形成する。かかる絶縁膜４７は、層間絶縁膜４６の平坦面４６０および導通部８ｃの表面に形成されるため、表面は平坦面４７０になっている。次に、開口部形成工程ＳＴ１３では、絶縁膜４７の導通部８ｃと平面視で重なる領域に開口部４７ａを形成する。
【００６８】
次に、図１６に示す画素電極形成工程を行う。画素電極形成工程では、第１工程ＳＴ１４において、絶縁膜４７の表面（平坦面４７０）に第１透光性導電膜９１を形成する。次に、第２工程ＳＴ１５では、第１透光性導電膜９１の表面（基板本体１０ｗとは反対側）にシリコン酸化膜やアルミニウム酸化膜等からなる屈折率調整用誘電体膜９６を積層した後、第３工程ＳＴ１６では、屈折率調整用誘電体膜９６において、図４等を参照して説明した遮光層１０ｋと平面視で重なる領域をエッチングし、遮光層１０ｋと平面視で重なる領域で第１透光性導電膜９６を部分的に露出させる。その結果、遮光層１０ｋで囲まれた領域（図４に示す透光領域９ａ０）に屈折率調整用誘電体膜９６ａが残る。その際、屈折率調整用誘電体膜９６ａおよび第１透光性導電膜９１に対するエッチング選択性の高いエッチングを行い、第１透光性導電膜９１をエッチングストッパーとして屈折率調整用誘電体膜９６をエッチングする。
【００６９】
次に、第４工程ＳＴ１７では、屈折率調整用誘電体膜９６ａの表面（基板本体１０ｗ）とは反対側に第２透光性導電膜９２を積層する。その結果、第１透光性導電膜９１の屈折率調整用誘電体膜９６ａからの露出部分に第１透光性導電膜９１と第２透光性導電膜９２とを接続させる接続部９９が形成される。すなわち、第１透光性導電膜９１および第２透光性導電膜９２において、屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部９６ｅからの張り出し部９１ｅ、９２ｅが重なって接続し、接続部９９が形成される。
【００７０】
次に、第５工程ＳＴ１８では、少なくとも透光領域９ａ０と平面視で重なる部分および接続部９９を残すように第１透光性導電膜９１および第２透光性導電膜９２をパターニングする。本形態では、第５工程において、第１透光性導電膜９１および第２透光性導電膜９２を共通のエッチングマスクによってエッチングし、第１透光性導電膜９１および第２透光性導電膜９２を同一形状にパターニングする。その結果、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａおよび第２透光性導電膜９２ａが順に積層された積層膜によって、画素電極９ａが形成される。しかる後には、図５に示すように、画素電極９ａの表面に配向膜１６を形成すれば、第１基板１０が完成する。
【００７１】
かかる製造方法によれば、第１透光性導電膜９１および第２透光性導電膜９２を共通のエッチングマスクによってエッチングして、第１透光性導電膜９１ａおよび第２透光性導電膜９２ａを形成するため、生産性が高いという利点がある。また、第３工程ＳＴ１６で屈折率調整用誘電体膜９６をエッチングする際、第１透光性導電膜９１をエッチングストッパーとして利用するため、遮光層１０ｋと平面視で重なる領域から屈折率調整用誘電体膜９６を確実に除去することができる。従って、接続部９９では、第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとが確実に導通する。
【００７２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、中継電極８ａ（第１電極）は、層間絶縁膜４５の凸部４５ｅと重なる導通部８ｃを備え、画素電極９ａ（第２電極）は、層間絶縁膜４６（第１絶縁膜）の表面（平坦面４６０）から露出している中継電極８ａの導通部８ｃと接している。このため、画素電極９ａの表面に大きな凹凸が発生しにくい。また、層間絶縁膜４６の表面（平坦面４６０）には、凸部４５ｅの高さｈより薄い膜厚ｔの絶縁膜４７（第２絶縁膜）が形成され、画素電極９ａは、絶縁膜４７の開口部４７ａを介して導通部８ｃに導通している。かかる絶縁膜４７については、材質や膜厚等の構成に対する自由度が高い。従って、絶縁膜４７をボロンドープ・シリケート・ガラスとすることができ、この場合、画素電極９ａから露出している面は、ボロンドープ・シリケート・ガラスとなる。それ故、製造工程の途中に侵入した水分や、液晶層５０に存在する水分を絶縁膜４７によって吸着、保持することができるので、水分に起因する液晶層５０の劣化を抑制することができる。また、絶縁膜４７のうち、画素電極９ａと平面視で重なっている部分を、光の波長分散を抑制するための屈折率調整用誘電体膜として機能させることができる。この場合でも、開口部４７ａが浅いので、画素電極９ａの表面に大きな凹凸が発生しにくい。ここで、絶縁膜４７を形成せず、層間絶縁膜４６をボロンドープ・シリケート・ガラス等にしても水分による液晶層５０の劣化を図ることができるが、ボロンドープ・シリケート・ガラスの場合、膜厚がばらつきやすいため、層間絶縁膜４６に化学機械研磨を行って導通部８ｃを露出させる工程にばらつきが発生しやすい。しかるに本形態では、層間絶縁膜４６と画素電極９ａとの間にボロンドープ・シリケート・ガラス等からなる薄い絶縁膜４７を形成したため、絶縁膜４７によって水分による液晶層５０の劣化を図るとともに、シリコン酸化膜等からなる層間絶縁膜４６に化学機械研磨を行うことにより、導通部８ｃを露出させる工程を安定して行うことができる。
【００７３】
また、凸部４５ｅは、容量電極７ａと平面視で重なっている。このため、容量電極７ａの厚さ等を凸部４５ｅの形成に利用することができる。
【００７４】
また、画素電極９ａは、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａ、および第２透光性導電膜９２ａが積層された積層膜からなるため、画素電極９ａを透過する光の波長分散を抑制することができる。また、画素電極９ａには、第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとを接続する接続部９９が設けられているため、第２透光性導電膜９２ａに第１透光性導電膜９１ａと同一の電位を印加することができる。このため、高い駆動電圧を画素電極９ａに印加する必要がない等、液晶層５０を適正に駆動することができる。また、接続部９９は、遮光層１０ｋと平面視で重なる領域に設けられているため、接続部９９が画素電極９ａを透過する光量を減らすという事態が発生しにくい。
【００７５】
また、接続部９９は、第１透光性導電膜９１ａおよび第２透光性導電膜９２ａが屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部から張り出して接する部分からなる。このため、接続部９９が画素電極９ａの端部に設けられるので、接続部９９を遮光層１０ｋと平面視で重なる領域に設けるのが容易である。また、接続部９９は、屈折率調整用誘電体膜９６ａの周りを囲むように設けられているため、画素電極９ａ全体の電気的抵抗を低減することができる。
【００７６】
［変形例１］
図１７は、本考案を適用した電気光学装置の変形例１の説明図である。なお、本例および後述する変形例はいずれも、基本的な構成が、図１〜図１６を参照して説明した形態と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７７】
図５に示す形態では、画素電極９ａは、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａおよび第２透光性導電膜９２ａの３層構造であった。これに対して、本形態では、図１７に示すように、画素電極９ａは、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａ、第２透光性導電膜９２ａ、および屈折率調整用誘電体膜９７ａが順に積層された４層構造である。
【００７８】
［変形例２］
図１８は、本考案を適用した電気光学装置の変形例２の説明図である。図１８に示すように、画素電極９ａは、第１透光性導電膜９１ａ、屈折率調整用誘電体膜９６ａ、第２透光性導電膜９２ａ、屈折率調整用誘電体膜９７ａ、および第３透光性導電膜９３ａが順に積層された５層構造である。ここで、屈折率調整用誘電体膜９６ａ、９７ａは同一の平面形状を有している。また、第１透光性導電膜９１ａ、第２透光性導電膜９２ａ、および第３透光性導電膜９３ａは同一の平面形状を有している。接続部９９では、屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部９６ｅから張り出した第１透光性導電膜９１ａの張り出し部９１ｅと第２透光性導電膜９２ａの張り出し部９２ｅとが接続している。また、接続部９９では、屈折率調整用誘電体膜９７ａの端部９７ｅから張り出した第２透光性導電膜９２ａの張り出し部９２ｅと第３透光性導電膜９３ａの張り出し部９３ｅとが接続している。
【００７９】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画素電極９ａにおいて、第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとが屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部から張り出して接続していたが、接続部９９が遮光層１０ｋと平面視で重なっていれば、屈折率調整用誘電体膜９６ａの端部以外の位置に形成したコンタクトホールが、第１透光性導電膜９１ａと第２透光性導電膜９２ａとの接続部９９になっていてもよい。
【００８０】
上記実施の形態では、画素電極９ａとして、３層構造、４層構造、５層構造を例示したが、６層以上の積層膜によって画素電極９ａを構成する場合に本考案を適用してもよい。
上記実施の形態では、画素電極９ａが積層膜であったが、画素電極９ａが単層膜である場合に、本考案に係る画素電極９ａと中継電極８ａとの導通構造を採用してもよい。
上記実施の形態では、画素電極９ａが透光性を有していたが、画素電極９ａが反射性を有している場合に、本考案に係る画素電極９ａと中継電極８ａとの導通構造を採用してもよい。
【００８１】
上記実施の形態では、電気光学装置１００に本考案を適用した例を説明したが、有機エレクトロルミネッセンス装置や、電気泳動表示パネル等、液晶装置以外の電気光学装置１００に本考案を適用してもよい。
【００８２】
［電子機器の構成例］
（投射型表示装置の構成）
図１９は、本考案を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置１１０（電子機器）の一態様の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本考案を適用した電気光学装置１００が用いられている。
【００８３】
図２２に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン１１１等からなる被投射部材に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌに沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
【００８４】
照明装置１６０では、装置光軸Ｌに沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。
【００８５】
ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８７】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８８】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９０】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。
【００９２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。
【００９３】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１等の被投射部材に投射する。
【００９４】
［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９５】
［他の電子機器］
本考案を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９６】
１ａ  半導体層、１ｂ  ソース領域、１ｃ  ドレイン領域、１ｇ  チャネル領域、２  ゲート絶縁層、３ａ  走査線、３ｃ  ゲート電極、４ａ  ソース電極、４ｂ  第１ドレイン電極、５ａ  データ線、５ｂ  第２ドレイン電極、６ａ  容量線、７ａ  容量電極、８ａ  中継電極（第１電極）、９ａ  画素電極（第２電極）、１０  第１基板、１０ｆ  画素間領域、１０ｇ  第１画素間領域、１０ｈ  第２画素間領域、２０  第２基板、２１  共通電極、３０  画素トランジスター、４１、４２、４３、４４  層間絶縁膜、４４ｃ  貫通穴、４５  層間絶縁膜、４５ｅ  凸部、４５ｆ  凸部の先端面、４６  層間絶縁膜（第１絶縁膜）、４６ａ  開口部、４７  絶縁膜（第２絶縁膜）、４７ａ  開口部、５０  液晶層、５５  保持容量、５５ｅ  誘電体層、９１ａ  第１透光性導電膜、９１ｅ、９２ｅ、９３ｅ  張り出し部、９２ａ  第２透光性導電膜、９３ａ  第１透光性導電膜、９６ａ、９７ａ  屈折率調整用誘電体膜、１００  電気光学装置、１００ａ  画素、１１０  投射型表示装置、４６０、４７０  平坦面
【図１】
0003199691.tif 000003
【図２】
0003199691.tif 000004
【図３】
0003199691.tif 000005
【図４】
0003199691.tif 000006
【図５】
0003199691.tif 000007
【図６】
0003199691.tif 000008
【図７】
0003199691.tif 000009
【図８】
0003199691.tif 000010
【図９】
0003199691.tif 000011
【図１０】
0003199691.tif 000012
【図１１】
0003199691.tif 000013
【図１２】
0003199691.tif 000014
【図１３】
0003199691.tif 000015
【図１４】
0003199691.tif 000016
【図１５】
0003199691.tif 000017
【図１６】
0003199691.tif 000018
【図１７】
0003199691.tif 000019
【図１８】
0003199691.tif 000020
【図１９】
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