【事件の表示】
　特許第５８６３７８２号発明「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８６３７８２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜４〕、〔５、７〜１８〕について訂正することを認める。
　特許第５８６３７８２号の請求項１〜５、７〜１８に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８６３７８２号の請求項１〜１８に係る特許についての出願は、２０１３年１月１１日（優先権主張２０１２年１月１３日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１月８日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許のうち、請求項１〜５、７〜１８に係る特許について、特許異議申立人特許業務法人藤央特許事務所により特許異議の申立てがなされ、平成２８年１０月１９日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年１２月２０日に意見書の提出及び訂正の請求がなされ、この訂正の請求に対して特許異議申立人より平成２９年２月２２日に意見書の提出がなされ、平成２９年３月７日付けで取消理由通知（決定の予告）がなされ、平成２９年５月９日に意見書の提出がなされたものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のとおりである。なお、訂正箇所に下線を付した。
（１）請求項１に記載された「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．４μｍ以下である」を、「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
（２）請求項５に記載された「得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．４μｍ以下である」を、「得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
（３）請求項７に記載された「得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．４μｍ以下である」を、「得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
２　訂正要件の判断
（１）請求項１〜４からなる一群の請求項に係る訂正
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を「０．４μｍ以下である」ことから「０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」ことに減縮するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項１に関連する記載として、本件特許の願書に添付された明細書（以下、「本件特許明細書」という。）には、「ターゲット中のＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさは、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１−０．４μｍであることが好ましく、０．１５−０．３５μｍであることがより好ましく、０．２−０．３μｍであることが特に好ましい。」（段落【００５３】）ことが記載されているから、訂正事項１は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、新規事項の追加に該当しない。
　そして、訂正事項１は、訂正前の請求項１に記載された「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ウ　一群の請求項について
　訂正事項１に係る訂正前の請求項２〜４は、訂正前の請求項１を引用するものであるから、訂正事項１に係る訂正は、一群の請求項１〜４について請求されたものである。
（２）請求項５、７〜１８からなる一群の請求項に係る訂正
ア　訂正の目的の適否
　訂正事項２は、訂正前の請求項５に記載された「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を「０．４μｍ以下である」ことから「０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」ことに減縮するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　訂正事項３は、訂正前の請求項７に記載された「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を「０．４μｍ以下である」ことから「０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」ことに減縮するものであるから、「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
イ　新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　訂正事項２及び３に関連する記載として、本件特許明細書には、「ターゲット中のＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさは、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１−０．４μｍであることが好ましく、０．１５−０．３５μｍであることがより好ましく、０．２−０．３μｍであることが特に好ましい。」（段落【００５３】）ことが記載されているから、訂正事項２及び３は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、新規事項の追加に該当しない。
　そして、訂正事項２は、訂正前の請求項５に記載された「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を減縮するものであり、訂正事項３は、訂正前の請求項７に記載された「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相」の「インターセプト法によって求めた相の平均の大きさ」を減縮するものであるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
ウ　一群の請求項について
　訂正事項２に係る訂正前の請求項８〜１８は請求項５を引用するものであり、訂正事項３に係る訂正前の請求項９〜１８は請求項７を引用するものであるから、訂正事項２及び３に係る訂正は、一群の請求項５、７〜１８について請求されたものである。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜４〕、〔５、７〜１８〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
（１）本件訂正請求により訂正された請求項１〜１８に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜１８に記載された事項により特定される次のとおりである。
【請求項１】
　Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃおよび金属酸化物を含有するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットであって、
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、不可避的不純物を含むＣ相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を有し、
　ターゲット全体に対するＣの含有量が０ｖｏｌ％よりも多く２０ｖｏｌ％以下であり、ターゲット全体に対する前記金属酸化物の含有量が１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％未満であり、かつ、ターゲット全体に対するＣと金属酸化物の合計含有量が２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットであり、
　前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
【請求項２】
　請求項１において、
　前記金属酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｉＯ２のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
【請求項３】
　請求項１または２において、
　相対密度が９０％以上であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
【請求項４】
　請求項１−３のいずれかにおいて、
　磁気記録媒体用であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
【請求項５】
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末に、
　不可避的不純物を含むＣ粉末および不可避的不純物を含む金属酸化物粉末を、該Ｃ粉末および該金属酸化物粉末の、前記ＦｅＰｔ系合金粉末、前記Ｃ粉末および前記金属酸化物粉末の合計に対する含有量をそれぞれαｖｏｌ％およびβｖｏｌ％としたとき、
　　０＜α≦２０
　　１０≦β＜４０
　　２０≦α＋β≦４０
となるように添加し、混合して混合粉末を作製した後、
　作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法であり、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末に、
　不可避的不純物を含むＣ粉末および不可避的不純物を含む金属酸化物粉末を、該Ｃ粉末および該金属酸化物粉末の、前記ＦｅＰｔ系合金粉末、前記Ｃ粉末および前記金属酸化物粉末の合計に対する含有量をそれぞれαｖｏｌ％およびβｖｏｌ％としたとき、
　　０＜α≦２０
　　１０≦β＜４０
　　２０≦α＋β≦４０
となるように添加し、混合して混合粉末を作製した後、
　作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法であり、
　前記混合粉末を作製する際の前記混合は、酸素が存在する雰囲気の下でなされ、
　前記雰囲気は前記混合の途中段階で大気に開放されることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
　請求項６において、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
　請求項５において、
　前記混合粉末を作製する際の前記混合は、酸素が存在する雰囲気の下でなされることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
　請求項６−８のいずれかにおいて、
　前記雰囲気には該雰囲気外から酸素が供給されていることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
　請求項９において、
　前記酸素の供給は大気を供給することによりなされることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
　請求項６−１０のいずれかにおいて、
　前記雰囲気は大気であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１２】
　請求項６−９のいずれかにおいて、
　前記雰囲気は不活性ガスと酸素とから実質的になることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１３】
　請求項６−１２のいずれかにおいて、
　前記雰囲気の酸素濃度が１０ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１４】
　請求項５−１３のいずれかにおいて、
　前記金属酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｉＯ２のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１５】
　請求項５−１４のいずれかにおいて、
　前記混合粉末を加圧下で加熱して成形する際の雰囲気を真空または不活性ガス雰囲気とすることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１６】
　請求項５−１５のいずれかにおいて、
　前記ＦｅＰｔ系合金粉末をアトマイズ法で作製することを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１７】
　請求項１６において、
　前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１８】
　請求項５−１７のいずれかにおいて、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体用であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
２　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜５、７〜１８に係る特許に対して、平成２８年１０月１９日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）請求項１〜５、７〜１８に係る発明は、明確であるといえないから、請求項１〜５、７〜１８に係る特許は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してなされたものである。
（２）請求項１〜５、７〜１８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された発明といえないから、請求項１〜５、７〜１８に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしてない特許出願に対してなされたものである。
（３）発明の詳細な説明には、当業者が請求項１〜５、７〜１８に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されているといえないから、請求項１〜５、７〜１８に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。
３　取消理由に対する当審の判断
（１）特許法第３６条第６項第２号
ア　請求項１には、「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項を含む「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット」の発明が記載されている。
　そして、「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相」の「大きさ」といった特性を用いて物を特定しようとする発明が明確であるためには、当該特性を決定する試験・測定方法が、ＪＩＳ等の標準的なものにより定められた試験・測定方法であること、当該技術分野において当業者に慣用されている試験・測定方法であること、慣用されていないにしても当業者が当該特性の試験・測定方法を理解することができること、あるいは、発明の詳細な説明に当該特性の試験・測定方法が明確に記載されていることのいずれかが必要といえる。
　この点について検討すると、インターセプト法は、当該技術分野において慣用されている測定方法である。
　また、発明の詳細な説明の段落【００５４】〜【００５６】には、インターセプト法によるＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさの測定方法として、撮影時の倍率が１００００倍のターゲット断面のＳＥＭ写真のＣ相および金属酸化物相を合わせた相の大きさを測定することが記載されているし、実施例１〜５（特に、段落【０１５１】、【０１６５】、【０１７９】、【０１９３】、【０２０７】）には、ターゲット断面のＳＥＭ写真の黒色の部分がＣ相及びＳｉＯ２相又はＣ相及びＴｉＯ２相であり、白色の部分がＦｅＰｔ合金相であることが記載されているから、インターセプト法によるＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさの測定方法は、撮影時の倍率が１００００倍のターゲット断面のＳＥＭ写真の黒色及び白色の部分のうちの黒色の部分の大きさを測定するものといえる。
　そして、ＳＥＭ写真の撮影と同時にＥＰＭＡ等で各元素の組成分布を示す元素分布像を測定することは、例えば、乙第９号証（特開２０１１−２０８１６７号公報）の段落【００３０】に「ターゲットの組織観察は、観察面（被スパッタ面に対し平行な面）を研磨して鏡面とした後、高分解能のＦＥ−ＥＰＭＡ（フィールドエミッション型電子線プローブマイクロアナライザ、日本電子製ＪＸＡ−８５００Ｆ、以下ＥＰＭＡ）にて、倍率１５，０００倍にて、二次電子像および反射電子像（ＣＯＭＰＯ像）、および各元素の組成分布を示す元素分布像を用いて実施した。」と記載されているように、通常行われていることであり、このような技術によって、ＳＥＭ写真における個々の相の境界を識別していることは技術常識といえるから、本件特許明細書の撮影時の倍率が１００００倍のターゲット断面のＳＥＭ写真のＣ相及びＳｉＯ２相又はＣ相及びＴｉＯ２相である黒色の部分と、ＦｅＰｔ合金相である白色の部分の境界は、このような技術常識に基づき識別されているといえ。
　したがって、発明の詳細な説明には、インターセプト法によるＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさの測定方法が明確に記載されているといえるから、請求項１の「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項も明確である。
　よって、請求項１に係る発明及びこれを引用する請求項２〜４に係る発明は明確である。
イ　請求項５及び７に係る発明の「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項も、上記アで検討したと同様に明確である。
　よって、請求項５及び７に係る発明、並びに、これらを引用する請求項８〜１８に係る発明は明確である。
ウ　特許異議申立人は、本件特許明細書に記載されたインターセプト法に従って測定された、実施例１〜５のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値にばらつきがあること、及び、ＳＥＭ写真の観察領域の違いによって、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値に変動があることを根拠にして、インターセプト法によるＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさが一義的に定まらず、請求項１〜５、７〜１８に係る発明が不明瞭である旨を主張している（特許異議申立書第２３頁第１８行〜第２４頁第１１行）。
　しかしながら、特許異議申立人の行った実施例１〜５のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値は、上記アで検討した技術常識を考慮して行っておらず、本件特許明細書に記載されたインターセプト法に従って測定された測定値といえない。
　また、請求項１〜５、７〜１８に係る発明のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相のインターセプト法によって求めた相の平均の大きさは、ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの全体の平均値を示すものであり、複数の測定箇所での複数のＳＥＭ写真から算出されるものであると、当業者であれば当然認識するものであるから、１枚毎のＳＥＭ写真の観察領域の違いによって、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値に変動があるとしても、請求項１〜５、７〜１８に係る発明が不明瞭となっているとはいえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は妥当でない。
エ　また、特許異議申立人は、本件特許明細書のＳＥＭ写真における黒色の部分がＣ相と金属酸化物相とを合わせた相であることが元素分析等に基づいて確認されていないこと、及び、請求項１〜５、７〜１８に係る発明のスパッタリングターゲットの相対密度が９５．００〜９７．５０％であることを根拠にして、ＳＥＭ写真における黒色の部分の一部が空隙の可能性があるから、本件特許明細書に記載された、インターセプト法によるＣ相および金属酸化物相を合わせた相の平均の大きさの測定方法が明確でない旨を主張している（特許異議申立書第２４頁第１２〜２７行、平成２９年２月２２日付け意見書第９頁第２９行〜第１０頁第７行）。
　しかしながら、乙第７号証（日本分析化学会編、「機器分析の辞典」、株式会社朝倉書店、２００７年５月２０日、第２３４〜２３６頁）に「試料に組成の違いがあると二次電子の発生量が異なり、比較的平らな試料では組成の違いの方が強く現れる．これはおもに反射電子の影響によるものであり、組成の違いが二次電子放出量に反映されたものである．」（第２３６頁左欄第２４〜２９行）と記載され、さらに、乙第６号証（日本規格協会編、「ＪＩＳハンドブック４９化学分析」、一般社団法人日本規格協会、２０１７年１月３１日、第１１６７〜１１７２頁）の図４及び図７に記載されているように、原子番号Ｚが大きいほど二次電子放出率及び反射電子の放出率が大きくなることから、ＳＥＭ写真において、金属相が白く（明るく）表示され、非金属相が黒く（暗く）表示されることは技術常識であるといえる。また、上記アで検討した技術常識を考慮すれば、「撮影時の倍率が１００００倍のターゲット断面のＳＥＭ写真」の黒色及び白色の部分の境界を明確にするために、元素分析等に基づく確認を当然行っているといえるから、特許異議申立人の上記主張は妥当でない。
（２）特許法第３６条第６項第１号
ア　請求項１には、「Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、不可避的不純物を含むＣ相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を有し」、「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項を含む「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット」の発明が記載されている。
　そして、本件特許明細書の発明の詳細な説明に記載された発明の解決しようとする課題は、段落【００５２】の記載からみて、ターゲットの場所によるスパッタレートの違いを小さくすることといえる。
　そうしてみると、請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載された発明であるというためには、請求項１に係る発明が、発明の詳細な説明に記載された発明で、発明の詳細な説明の記載により、当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものであること、すなわち、請求項１に記載された発明が、発明の詳細な説明に記載され、かつ、ターゲットの場所によるスパッタレートの違いを小さくできるスパッタリングターゲットであることを、発明の詳細な説明の記載により当業者が認識できる範囲のものであることを要する。
　そこで検討すると、発明の詳細な説明の実施例１には、ターゲット表面の組織全体に微細なＣ相及びＳｉＯ２相が分散し、インターセプト法によって求めたＣ相とＳｉＯ２相を合わせた相の平均の大きさが０．２８μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットが記載されている。同様に、実施例２〜５には、Ｃ相とＳｉＯ２相を合わせた相の平均の大きさが０．２３μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例２）、同０．３μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例３）、同０．２μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例４）、及び、Ｃ相とＴｉＯ２相とを合わせた相の平均の大きさが０．２９μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例５）が記載されている。
　また、スパッタリングにおいて飛び出す原子の割合を表すものとして、スパッタ収率が知られているところ、乙第１号証（株式会社アルバック編、「新版真空ハンドブック」、株式会社オーム社、平成２０年３月１０日、第２５８頁）の図８・１・９（ａ）及び表８・１・１０には、金属単体及び酸化物の種類によってスパッタ収率が異なることが示されている。そして、スパッタ収率の大きな物質が偏在するスパッタ面のスパッタレートは大きく、スパッタ収率の小さな物質が偏在するスパッタ面のスパッタレートは小さくなるため、スパッタ収率の異なる物質が存在するスパッタリングターゲットにおいては、当該物質が微細に分散することで、ターゲットの場所によるスパッタレートの違いを小さくできることは技術常識といえる。
　したがって、上記技術常識を考慮すると、請求項１に係る発明は、ターゲットの場所によるスパッタレートの違いを小さくできるスパッタリングターゲットであると、発明の詳細な説明の記載から当業者であれば当然に認識できるものである。
　よって、請求項１に係る発明及びこれを引用する請求項２〜４に係る発明は発明の詳細な説明に記載された発明である。
イ　請求項５及び７には、「ＦｅＰｔ系合金粉末」と「Ｃ粉末」と「金属酸化物粉末」を「混合して混合粉末を作製した後」、「作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形」して、「Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」ことを含む「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法」の発明が記載されている。
　そして、請求項５及び７に係る発明は、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相が微細に分散するように製造する方法といえるから、上記アで検討したと同様に、発明の詳細な説明の記載により当業者が上記課題を解決できると認識できる範囲のものである。
　よって、請求項５及び７に係る発明、並びに、これらを引用する請求項８〜１８に係る発明は発明の詳細な説明に記載された発明である。
ウ　特許異議申立人は、実施例１〜５において、場所によるスパッタレートのばらつきを抑えることができたことが例証されていないこと、及び、ＳＥＭ写真における黒色の部分はＣ相と金属酸化物相とを合わせた相であることが確認されておらず、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相が均一に分散していることが不明であることを根拠にして、請求項１〜５、７〜１８に係る発明が上記課題を解決できることは理解できず、請求項１〜５、７〜１８に係る発明は、発明の詳細な説明に記載された事項でない旨を主張している（特許異議申立書第１２頁第３行〜末行、平成２９年２月２２日付け意見書第２頁第９行〜第３頁第８行）。
　しかしながら、上記（１）エで検討した、スパッタリングターゲットのＳＥＭ写真において、金属の磁性相が白く（明るく）表示され、ＳｉＯ２やＣなどの非磁性相が黒く（暗く）表示されるとの技術常識を踏まえれば、ＳＥＭ写真からＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は均一に分散しているといえるし、上記アで検討した技術常識によれば、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相が微細に分散することで、ターゲットの場所によるスパッタレートの違いを小さくできるといえるから、特許異議申立人の主張は採用できない。
（３）特許法第３６条第４項第１号
ア　請求項１の「前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項を含む「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット」の発明に対して、本件特許明細書の発明の詳細な説明の実施例１には、ターゲット表面の組織全体に微細なＣ相及びＳｉＯ２相が分散し、インターセプト法によって求めたＣ相とＳｉＯ２相を合わせた相の平均の大きさが０．２８μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット、及び、ボールミルとホットプレスによる前記スパッタリングターゲットの製造方法が具体的に記載されている。同様に、実施例２〜５には、Ｃ相とＳｉＯ２相を合わせた相の平均の大きさが０．２３μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例２）、同０．３μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例３）、同０．２μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例４）、及び、Ｃ相とＴｉＯ２相とを合わせた相の平均の大きさが０．２９μｍであるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット（実施例５）、及び、それぞれのスパッタリングターゲットの製造方法も記載されている。
　そして、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相のインターセプト法によって求めた相の平均の大きさを０．１μｍ〜０．４μｍとすることは、ボールミルとホットプレスの条件設定によって、当業者の過度の試行錯誤を要することなく実施できるものと認められる。
　また、請求項５及び７の「得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である」との発明特定事項を含む「ＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法」の発明に対しても同様に、当業者の過度の試行錯誤を要することなく実施できるものと認められる。
　よって、発明の詳細な説明には、請求項１〜５、７〜１８に係る発明を当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載されている。
イ　特許異議申立人は、本件特許明細書には、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさが数ナノメートルまで超微細化する方法が記載されておらず、また、そのような技術常識が存在しないことを根拠にして、本件特許明細書には、請求項１〜５、７〜１８に係る発明に記載されたＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの範囲の全ての範囲について、当業者が実施できる程度に記載されていない旨を主張している（特許異議申立書第２２頁第２３行〜第２３頁第１４行）。
　しかしながら、請求項１〜５、７〜１８に係る発明には、Ｃ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさが数ナノメートルのものは含まれないから、異議申立人の上記主張は妥当でない。
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由
　特許異議申立人は、本件特許明細書に記載されたインターセプト法に従って測定された、実施例１〜５のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値が、請求項１〜５、７〜１８に係る発明の範囲に含まれないことを根拠にして、本件特許明細書には、請求項１〜５、７〜１８に係る発明を当業者が実施できる程度に記載されていない旨を主張している（特許異議申立書第１３頁第１行〜第２２頁第２２行）。
　しかしながら、上記３（１）ウで検討したとおり、特許異議申立人の行った実施例１〜５のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相の平均の大きさの測定値は、上記３（１）アで検討した技術常識を考慮して行っておらず、本件特許明細書に記載されたインターセプト法に従って測定された測定値といえない。
　よって、特許異議申立人の上記主張は妥当でない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜５、７〜１８に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜５、７〜１８に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年５月３０日（２０１７．５．３０）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　Ｆｅ、Ｐｔ、Ｃおよび金属酸化物を含有するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットであって、
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金相と、不可避的不純物を含むＣ相と、不可避的不純物を含む金属酸化物相とが互いに分散した構造を有し、
　ターゲット全体に対するＣの含有量が０ｖｏｌ％よりも多く２０ｖｏｌ％以下であり、ターゲット全体に対する前記金属酸化物の含有量が１０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％未満であり、かつ、ターゲット全体に対するＣと金属酸化物の合計含有量が２０ｖｏｌ％以上４０ｖｏｌ％以下であるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットであり、
　前記Ｃ相と前記金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
　【請求項２】
　請求項１において、
　前記金属酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｉＯ２のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
　【請求項３】
　請求項１または２において、
　相対密度が９０％以上であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
　【請求項４】
　請求項１−３のいずれかにおいて、
　磁気記録媒体用であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット。
　【請求項５】
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末に、
　不可避的不純物を含むＣ粉末および不可避的不純物を含む金属酸化物粉末を、該Ｃ粉末および該金属酸化物粉末の、前記ＦｅＰｔ系合金粉末、前記Ｃ粉末および前記金属酸化物
粉末の合計に対する含有量をそれぞれαｖｏｌ％およびβｖｏｌ％としたとき、
　０＜α≦２０
　１０≦β＜４０
　２０≦α＋β≦４０
となるように添加し、混合して混合粉末を作製した後、
　作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法であり、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
　【請求項６】
　Ｐｔを４０ａｔ％以上６０ａｔ％以下含有して残部がＦｅおよび不可避的不純物からなるＦｅＰｔ系合金粉末に、
　不可避的不純物を含むＣ粉末および不可避的不純物を含む金属酸化物粉末を、該Ｃ粉末および該金属酸化物粉末の、前記ＦｅＰｔ系合金粉末、前記Ｃ粉末および前記金属酸化物粉末の合計に対する含有量をそれぞれαｖｏｌ％およびβｖｏｌ％としたとき、
　０＜α≦２０
　１０≦β＜４０
　２０≦α＋β≦４０
となるように添加し、混合して混合粉末を作製した後、
　作製した該混合粉末を加圧下で加熱して成形するＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法であり、
　前記混合粉末を作製する際の前記混合は、酸素が存在する雰囲気の下でなされ、
　前記雰囲気は前記混合の途中段階で大気に開放されることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項７】
　請求項６において、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲット中のＣ相と金属酸化物相とを合わせた相は、インターセプト法によって求めた相の平均の大きさが
０．１μｍ以上
　【請求項８】
　請求項５において、
　前記混合粉末を作製する際の前記混合は、酸素が存在する雰囲気の下でなされることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項９】
　請求項６−８のいずれかにおいて、
　前記雰囲気には該雰囲気外から酸素が供給されていることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１０】
　請求項９において、
　前記酸素の供給は大気を供給することによりなされることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１１】
　請求項６−１０のいずれかにおいて、
　前記雰囲気は大気であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１２】
　請求項６−９のいずれかにおいて、
　前記雰囲気は不活性ガスと酸素とから実質的になることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１３】
　請求項６−１２のいずれかにおいて、
　前記雰囲気の酸素濃度が１０ｖｏｌ％以上３０ｖｏｌ％以下であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１４】
　請求項５−１３のいずれかにおいて、
　前記金属酸化物は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｃｕ２Ｏ、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｓｍ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、ＷＯ２、ＷＯ３、ＨｆＯ２、ＮｉＯ２のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１５】
　請求項５−１４のいずれかにおいて、
　前記混合粉末を加圧下で加熱して成形する際の雰囲気を真空または不活性ガス雰囲気とすることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１６】
　請求項５−１５のいずれかにおいて、
　前記ＦｅＰｔ系合金粉末をアトマイズ法で作製することを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１７】
　請求項１６において、
　前記アトマイズ法は、アルゴンガスまたは窒素ガスを用いて行うことを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。
　【請求項１８】
　請求項５−１７のいずれかにおいて、
　得られるＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットは、磁気記録媒体用であることを特徴とするＦｅＰｔ系スパッタリングターゲットの製造方法。