(57)【要約】  本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜６５％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２６％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜１０％、ＳｒＯ  ０〜１０％、ＢａＯ  ０〜１５％、Ｐ２Ｏ５  ０．０１〜１５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５〜１．５であり、且つ{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たすことを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜６５％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２６％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜１０％、ＳｒＯ  ０〜１０％、ＢａＯ  ０〜１５％、Ｐ２Ｏ５  ０．０１〜１５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５〜１．５であり、且つ{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たすことを特徴とするガラス。
【請求項２】
質量比（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）／Ａｌ２Ｏ３が２〜４であることを特徴とする請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
質量比Ｂ２Ｏ３／Ｐ２Ｏ５が２以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のガラス。
【請求項４】
４モル％≦{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１６．５モル％、且つ１１０モル％≦{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}≦１３０モル％の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のガラス。
【請求項５】
ガラス組成中のＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が０．５質量％以下であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のガラス。
【請求項６】
ガラス組成中のＢ２Ｏ３の含有量が３．０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のガラス。
【請求項７】
液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲で２４時間保持した時に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有することを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のガラス。
【請求項８】
歪点が７１０℃以上であることを特徴とする請求項１〜７の何れか一項に記載のガラス。
【請求項９】
１０質量％ＨＦ水溶液に２０℃で３０分間浸漬した時のエッチング深さが２５μｍ以上になることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載のガラス。
【請求項１０】
比ヤング率が２８ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上であることを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載のガラス。
【請求項１１】
液晶ディスプレイの基板に用いることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載のガラス。
【請求項１２】
ＯＬＥＤディスプレイの基板に用いることを特徴とする請求項１〜１１の何れか一項に記載のガラス。
【請求項１３】
ポリシリコン又は酸化物ＴＦＴ駆動の高精細ディスプレイの基板に用いることを特徴とする請求項１〜１２の何れか一項に記載のガラス。
【請求項１４】
ガラス組成として、少なくともＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５及びＲＯ（アルカリ土類金属酸化物）を含み、{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たし、且つ液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲で２４時間保持した時に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有することを特徴とするガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスに関し、具体的には、有機ＥＬ（ＯＬＥＤ）ディスプレイ、液晶ディスプレイの基板に好適なガラスに関する。更に、酸化物ＴＦＴ、低温ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ（ＬＴＰＳ）駆動のディスプレイの基板に好適なガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ、ハードディスク、フィルター、センサー等の基板として、ガラスが広く使用されている。近年では、従来の液晶ディスプレイに加えて、ＯＬＥＤディスプレイが、自発光、高い色再現性、高視野角、高速応答、高精細等の理由から、盛んに開発されると共に、一部では既に実用化されている。【０００３】
また、スマートフォン等のモバイル機器の液晶ディスプレイ、ＯＬＥＤディスプレイは、小面積でありながら、多くの情報を表示することが要求されるため、超高精細の画面が必要になる。更に動画表示を行うため、高速応答も必要になる。【０００４】
このような用途では、ＯＬＥＤディスプレイ、或いはＬＴＰＳで駆動する液晶ディスプレイが好適である。ＯＬＥＤディスプレイは、画素を構成するＯＬＥＤ素子に電流が流れることで発光する。このため、駆動ＴＦＴ素子として、低抵抗、高電子移動度の材料が使用される。この材料として、上記のＬＴＰＳ以外に、ＩＧＺＯ（インジウム、ガリウム、亜鉛酸化物）に代表される酸化物ＴＦＴが注目されている。酸化物ＴＦＴは、低抵抗、高移動度であり、且つ比較的低温で形成が可能である。従来のｐ−Ｓｉ・ＴＦＴ、特にＬＴＰＳは、非結晶Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）の膜を多結晶化する際に用いるエキシマレーザの不安定性に起因して、大面積のガラス基板に素子を形成する場合にＴＦＴ特性がばらつき易く、ＴＶ用途等では、画面の表示ムラが生じ易かった。一方、酸化物ＴＦＴは、大面積のガラス基板に素子を形成する場合に、ＴＦＴ特性の均質性に優れるため、有力なＴＦＴ形成材料として注目されており、一部では既に実用化されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−２１６５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ディスプレイの薄型化には、一般的にケミカルエッチングが用いられている。この方法は、２枚のガラス基板を貼り合わせたディスプレイパネルをＨＦ（フッ酸）系薬液に浸漬させることにより、ガラス基板を薄くする方法である。【０００７】
しかし、従来のガラス基板は、ＨＦ系薬液に対する耐性が高いため、エッチングレートが非常に遅いという課題があった。エッチングレートを速めるために、薬液中のＨＦ濃度を高めると、ＨＦ系溶液中に不溶な微粒子が多くなり、結果として、この微粒子がガラス表面に付着し易くなり、ガラス基板の表面においてエッチングの均一性が損なわれる。【０００８】
上記課題を解決するために、ガラス組成中のＳｉＯ２の含有量を低減して、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートを速める方法が検討されている（特許文献１参照）。しかし、ガラス組成中のＳｉＯ２の含有量を低減すると、耐ＨＣｌ性と歪点が低下し易くなる。【０００９】
ガラス基板の耐ＨＣｌ性が低いと、ガラス基板上に配線等の金属膜を形成した後に、ＨＣｌ水溶液で不要な金属膜を除去する工程で、ガラス基板が白濁したり、反応生成物がガラス表面に付着し易くなる。【００１０】
ガラス基板の歪点が低いと、ｐ−Ｓｉ・ＴＦＴの製造工程において、ガラス基板の熱収縮が大きくなり、パターニングのずれが発生し易くなる。【００１１】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、その技術的課題は、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが従来よりも速く、しかも耐ＨＣｌ性と歪点が高いガラスを創案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、種々の実験を繰り返した結果、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ（ＲＯは、アルカリ土類金属酸化物）系ガラスのガラス組成範囲を厳密に規制することにより、上記技術的課題を解決し得ることを見出し、本発明として提案するものである。すなわち、本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜６５％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２６％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜１０％、ＳｒＯ  ０〜１０％、ＢａＯ  ０〜１５％、Ｐ２Ｏ５  ０．０１〜１５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５〜１．５であり、且つ{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たすことを特徴とする。ここで、「ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ」とは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量を指す。「（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３」は、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量をＡｌ２Ｏ３の含有量で割った値を指す。［Ｂ２Ｏ３］は、Ｂ２Ｏ３の含有量を指す。［Ｐ２Ｏ５］は、Ｐ２Ｏ５の含有量を指す。「{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}」は、Ｂ２Ｏ３の含有量とＰ２Ｏ５の３倍の含有量を合算した量を指す。【００１３】
本発明のガラスは、ＳｉＯ２の含有量を６５質量％以下に規制することにより、エッチングレートの高速化を図っている。その一方で、ＳｉＯ２の含有量を低下させると、耐ＨＣｌ性と歪点が低下し易くなる。そこで、本発明では、{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}を１８．５モル％以下に規制して、耐ＨＣｌ性を高めると共に、Ｂ２Ｏ３の含有量を５質量％以下に規制して、歪点を高めている。【００１４】
更に、ガラス組成中のＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の含有量を低下させると、耐失透性が低下し易くなる。そこで、本発明では、ガラス組成中に必須成分としてＰ２Ｏ５を０．０１質量％以上導入している。これにより、耐失透性を高めることが可能になる。具体的には、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶（特にアノーサイト）とＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶（特にムライト）の液相線温度を低下させることが可能になる。なお、「〜系結晶」とは、明示の成分により構成される結晶を指す。【００１５】
第二に、本発明のガラスは、質量比（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）／Ａｌ２Ｏ３が２〜４であることが好ましい。ここで、「（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）／Ａｌ２Ｏ３」は、ＳｉＯ２とＢ２Ｏ３の合量をＡｌ２Ｏ３の含有量で割った値を指す。【００１６】
第三に、本発明のガラスは、質量比Ｂ２Ｏ３／Ｐ２Ｏ５が２以下であることが好ましい。ここで、「Ｂ２Ｏ３／Ｐ２Ｏ５」は、Ｂ２Ｏ３の含有量をＰ２Ｏ５の含有量で割った値を指す。【００１７】
第四に、本発明のガラスは、４モル％≦{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１６．５モル％、且つ１１０モル％≦{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}≦１３０モル％の関係を満たすことが好ましい。ここで、［ＳｉＯ２］は、ＳｉＯ２の含有量を指す。［ＭｇＯ］は、ＭｇＯの含有量を指す。［ＣａＯ］は、ＣａＯの含有量を指す。［ＳｒＯ］は、ＳｒＯの含有量を指す。［ＢａＯ］は、ＢａＯの含有量を指す。「{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}」は、ＳｉＯ２の２倍の含有量から、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量を減じた量を指す。【００１８】
第五に、本発明のガラスは、ガラス組成中のＬｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの含有量が０．５質量％以下であることが好ましい。このようにすれば、熱処理中にアルカリイオンが半導体膜中に拡散し、膜特性が劣化する事態を防止し易くなる。ここで、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの合量を指す。【００１９】
第六に、本発明のガラスは、ガラス組成中のＢ２Ｏ３の含有量が３．０質量％以下であることが好ましい。【００２０】
第七に、本発明のガラスは、液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲で２４時間保持した時に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有することが好ましい。ここで、「液相線温度」は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、１１００℃から１３５０℃に設定された温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、ガラス中に失透（結晶異物）が認められた温度を指す。【００２１】
第八に、本発明のガラスは、歪点が７１０℃以上であることが好ましい。ここで、「歪点」は、ＡＳＴＭ  Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値を指す。【００２２】
第九に、本発明のガラスは、１０質量％ＨＦ水溶液に２０℃で３０分間浸漬した時のエッチング深さが２５μｍ以上になることが好ましい。【００２３】
第十に、本発明のガラスは、比ヤング率が２８ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上であることが好ましい。ここで、「比ヤング率」は、ヤング率を密度で割った値を指す。「ヤング率」は、ＪＩＳ  Ｒ１６０２に基づく動的弾性率測定法（共振法）により測定した値を指す。【００２４】
第十一に、本発明のガラスは、液晶ディスプレイの基板に用いることが好ましい。【００２５】
第十二に、本発明のガラスは、ＯＬＥＤディスプレイの基板に用いることが好ましい。【００２６】
第十三に、本発明のガラスは、ポリシリコン又は酸化物ＴＦＴ駆動の高精細ディスプレイの基板に用いることが好ましい。【００２７】
第十四に、本発明のガラスは、ガラス組成として、少なくともＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３、Ｐ２Ｏ５及びＲＯを含み、{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たし、且つ液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲で２４時間保持した時に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有することを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明のガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＳｉＯ２  ５０〜６５％、Ａｌ２Ｏ３  １５〜２６％、Ｂ２Ｏ３  ０〜５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜１０％、ＳｒＯ  ０〜１０％、ＢａＯ  ０〜１５％、Ｐ２Ｏ５  ０．０１〜１５％を含有し、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が０．５〜１．５であり、且つ{[Ｂ２Ｏ３]＋３×［Ｐ２Ｏ５］}≦１８．５モル％の関係を満たすことを特徴とする。上記のように、各成分の含有量を規制した理由を以下に説明する。
【００２９】
ＳｉＯ２の含有量が少な過ぎると、耐薬品性、特に耐ＨＣｌ性が低下し易くなると共に、歪点が低下し易くなる。また低密度化を図り難くなる。更に初相として、２種類以上の結晶を析出させることが困難になる。一方、ＳｉＯ２の含有量が多過ぎると、エッチングレートを高速化し難くなり、また高温粘度が高くなって、溶融性が低下し易くなり、更にＳｉＯ２系結晶、特にクリストバライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。よって、ＳｉＯ２の好適な上限含有量は６５質量％、６３質量％、６１質量％、特に６０質量％であり、好適な下限含有量は５０質量％、５２質量％、５３質量％、５４質量％、５５質量％、特に５６質量％である。最も好ましい含有範囲は５６〜６０質量％である。
【００３０】
Ａｌ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、歪点が低下して、熱収縮率が大きくなると共に、ヤング率が低下して、ガラス基板が撓み易くなる。一方、Ａｌ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、耐ＢＨＦ（バッファードフッ酸）性が低下し、ガラス表面に白濁が生じ易くなると共に、耐クラック性が低下し易くなる。更にガラス中にＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶、特にムライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。Ａｌ２Ｏ３の好適な上限含有量は２６質量％、２５質量％、２４質量％、２３質量％、特に２２質量％であり、好適な下限含有量は１５質量％、１６質量％、１７質量％、特に１８質量％である。最も好ましい含有範囲は１８〜２２質量％である。
【００３１】
Ｂ２Ｏ３は、融剤として働き、高温粘性を下げて、溶融性を改善する成分である。Ｂ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０〜５質量％、０〜４質量％、０〜３質量％、０〜２．５質量％、０〜２質量％、０〜１．５質量％、０〜１質量％、特に０〜０．５質量％である。Ｂ２Ｏ３の含有量が少な過ぎると、融剤として十分に作用せず、また耐ＢＨＦ性や耐クラック性が低下し易くなる。また液相線温度が上昇し易くなる。一方、Ｂ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、歪点と耐ＨＣｌ性が低下し易くなる。またヤング率が低下して、ガラス基板の撓み量が大きくなり易い。
【００３２】
質量比（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）／Ａｌ２Ｏ３は、好ましくは２〜４、２．１〜３．６、特に２．２〜３である。質量比（ＳｉＯ２＋Ｂ２Ｏ３）／Ａｌ２Ｏ３が上記範囲外になると、耐失透性が低下し易くなる。
【００３３】
Ｐ２Ｏ５は、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ系結晶及びＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の液相線温度を低下させる成分である。特にＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＢａＯ系結晶の液相線温度を低下させる効果が顕著である。よって、Ｐ２Ｏ５を添加すれば、ＳｉＯ２の含有量を低減した場合に、これらの結晶が析出し難くなり、初相として二種以上の結晶が析出し易くなり、更に初相として二種以上の結晶が析出する際の液相線温度が低下し易くなる。但し、Ｐ２Ｏ５を多量に導入すると、ガラスが分相し易くなる。よって、Ｐ２Ｏ５の含有量は、好ましくは０．０１〜１５質量％、０．１〜１２質量％、１〜１１質量％、３〜１０質量％、４〜９質量％、特に５〜８質量％である。
【００３４】
｛［Ｂ２Ｏ３］＋３×［Ｐ２Ｏ５］｝を所定範囲に規制すると、耐ＨＣｌ性と耐失透性を両立し易くなる。｛［Ｂ２Ｏ３］＋３×［Ｐ２Ｏ５］｝が少な過ぎると、耐失透性が低下し易くなる。一方、｛［Ｂ２Ｏ３］＋３×［Ｐ２Ｏ５］｝が多過ぎると、ガラスが分相して、耐ＨＣｌ性が低下し易くなる。｛［Ｂ２Ｏ３］＋３×［Ｐ２Ｏ５］｝の好適な上限値は１８．５モル％、１６モル％、１４モル％、１２モル％、特に１０モル％であり、好適な下限含有量は１モル％、２モル％、３モル％、４モル％、５モル％、特に６モル％である。
【００３５】
質量比Ｂ２Ｏ３／Ｐ２Ｏ５は、好ましくは２以下、１以下、０．０１〜０．５、特に０．０３〜０．３である。質量比Ｂ２Ｏ３／Ｐ２Ｏ５が大き過ぎると、耐失透性を維持した上で、耐ＨＣｌ性を高めることが困難になる。
【００３６】
{［Ａｌ２Ｏ３］＋２×［Ｐ２Ｏ５］}を所定値以上に規制すると、ＳｉＯ２の含有量が少なくても、歪点を高め易くなる。よって、{［Ａｌ２Ｏ３］＋２×［Ｐ２Ｏ５］}は、好ましくは２０質量％以上、２３質量％以上、２６質量％以上、２８質量％以上、特に３０質量％以上である。なお、「{［Ａｌ２Ｏ３］＋２×［Ｐ２Ｏ５］}」は、Ａｌ２Ｏ３の含有量とＰ２Ｏ５の２倍の含有量を合算した量を指す。
【００３７】
ＭｇＯは、歪点を下げずに高温粘性を下げて、溶融性を改善する成分である。また、ＭｇＯは、ＲＯ中では最も密度を下げる効果が有するが、過剰に導入すると、ＳｉＯ２系結晶、特にクリストバライトが析出して、液相線粘度が低下し易くなる。更に、ＭｇＯは、ＢＨＦと反応して生成物を形成し易い成分である。この反応生成物は、ガラス基板表面の素子上に固着したり、ガラス基板に付着したりして、素子やガラス基板を白濁させる虞がある。更にドロマイト等の導入原料からＦｅ２Ｏ３等の着色不純物がガラス中に混入して、ガラス基板の透過率を低下させる虞がある。よって、ＭｇＯの含有量は、好ましくは０〜５質量％、０．１〜４．５質量％、０．３〜４質量％、０．５〜３．５質量％、特に１〜３質量％である。
【００３８】
ＣａＯは、ＭｇＯと同様にして、歪点を下げずに高温粘性を下げて、溶融性を改善する成分である。しかし、ＣａＯの含有量が多過ぎると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、特にアノーサイトが析出して、液相線粘度が低下し易くなると共に、耐ＢＨＦ性が低下し易くなる。よって、ＣａＯの好適な上限含有量は１０質量％、８質量％、７質量％、６質量％、特に６．５質量％であり、好適な下限含有量は０質量％、１質量％、２質量％、３質量％、４質量％、特に４．５質量％である。最も好ましい含有範囲は４．５〜６．５質量％である。
【００３９】
ＳｒＯは、耐薬品性、耐失透性を高める成分であるが、ＲＯ全体の中で、その割合を高め過ぎると、溶融性が低下し易くなると共に、密度、熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＳｒＯの含有量は、好ましくは０〜１０質量％、０〜７質量％、０〜４質量％、０．１〜３質量％、特に０．５〜２質量％である。
【００４０】
ＢａＯは、耐ＨＣｌ性、耐失透性を高める成分であるが、その含有量が多過ぎると、密度が上昇し易くなる。よって、ＢａＯの含有量は、好ましくは０〜１５質量％、１〜１４質量％、３〜１３質量％、４〜１２質量％、５〜１１．５質量％、特に６〜１０．５質量％である。
【００４１】
ＳｒＯとＢａＯは、ＣａＯに比べて、耐クラック性を高める性質がある。よって、ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量（ＳｒＯ及びＢａＯの合量）は、好ましくは２質量％以上、３質量％以上、４質量％以上、５質量％以上、６質量％以上、特に７質量％超である。しかし、ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量が多過ぎると、密度、熱膨張係数が上昇し易くなる。よって、ＳｒＯ＋ＢａＯの含有量は、好ましくは１７質量％以下、１５質量％以下、１４質量％以下、１３質量％以下、１２質量％以下、１１質量％以下、特に１０質量％以下である。
【００４２】
ＲＯの内、二種以上（好ましくは三種以上、特に四種以上）を混合して導入すると、液相線温度が大幅に低下し、ガラス中に結晶異物が生じ難くなり、溶融性、成形性が改善する。
【００４３】
モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３を所定範囲に調整すると、液相線温度が大幅に低下し、ガラス中に結晶異物が生じ難くなり、溶融性、成形性が改善する。モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が小さくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶が析出し易くなる。一方、モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３が大きくなると、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶が析出し易くなる。モル比（ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ）／Ａｌ２Ｏ３の好ましい上限値は１．５、１．４、１．３、１．２、特に１．１であり、好ましい下限値は０．５、０．６、０．７、０．８、０．８５、特に０．９である。
【００４４】
{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}を所定範囲に規制すると、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートを適正化し易くなる。{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}が多過ぎると、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが不当に低くなり、{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}が少な過ぎると、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが不当に高くなり、またＡｌ２Ｏ３の許容導入量が低下して、歪点を高め難くなる。{２×［ＳｉＯ２］−［ＭｇＯ］−［ＣａＯ］−［ＳｒＯ］−［ＢａＯ］}の好適な上限含有量は１３０モル％、１２８モル％、１２６モル％、１２５モル％、１２４モル％、特に１２３モル％であり、好適な下限含有量は１１０モル％、１０５モル％、１０８モル％、１１０モル％、１１２モル％、特に１１５モル％である。
【００４５】
ＺｎＯは、溶融性、耐ＢＨＦ性を改善する成分であるが、その含有量が多過ぎると、ガラスが失透し易くなったり、歪点が低下したりして、耐熱性を確保し難くなる。よって、ＺｎＯの含有量は、好ましくは０〜５質量％、０〜１質量％、特に０〜０．１質量％未満である。
【００４６】
ＺｒＯ２は、耐ＨＣｌ性を高める成分であるが、その導入量が多くなると、ＺｒＳｉＯ４の失透ブツが発生し易くなる。ＺｒＯ２の好適な上限含有量は０．５質量％、０．２質量％、０．１質量％、特に０．０５質量％であり、耐ＨＣｌ性の観点から０．００５質量％以上導入することが好ましい。最も好ましい含有範囲は０．００５〜０．０５質量％である。なお、ＺｒＯ２は、原料から導入してもよいし、耐火物からの溶出により導入させてもよい。
【００４７】
ＴｉＯ２は、高温粘性を下げて溶融性を高め、また耐ＨＣｌ性を高める効果があるが、導入量が過剰になると、紫外線透過率が低下し易くなる。ＴｉＯ２の含有量は、好ましくは０．５質量％以下、０．１質量％以下、０．０５質量％以下、特に０．０２質量％以下である。なお、ＴｉＯ２を極少量導入（例えば０．００３質量％以上）すると、紫外線による着色を抑制する効果が得られる。
【００４８】
ＳｎＯ２は、ガラス中の泡を低減する清澄剤としての働きを有すると共に、Ｆｅ２Ｏ３又はＦｅＯと共存する際に、紫外線透過率を比較的に高く維持する効果を有する。一方、ＳｎＯ２の含有量が多過ぎると、ガラス中にＳｎＯ２の失透ブツが発生し易くなる。ＳｎＯ２の好適な上限含有量は０．５質量％、０．４質量％、特に０．３質量％であり、好適な下限含有量は０．０１質量％、０．０５質量％、特に０．１質量％である。最も好ましい含有範囲は０．１〜０．３質量％である。
【００４９】
本発明のガラスは、上記の通り、清澄剤としてＳｎＯ２の添加が好適であるが、ガラス特性が損なわれない限り、ＳｎＯ２に代えて、或いはＳｎＯ２と併用して、ＣｅＯ２、Ｃ、金属粉末（例えばＡｌ、Ｓｉ等）を１質量％まで添加することができる。
【００５０】
Ａｓ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ３も清澄剤として有効に作用し、本発明のガラスは、これらの成分の含有を完全に排除するものではないが、環境的観点から、これらの成分の含有量はそれぞれ０．１質量％未満、０．０５質量％未満、特に０．０１質量％未満が好ましい。また、Ｆ、Ｃｌ等のハロゲンは、溶融温度を低温化すると共に、清澄剤の作用を促進させる効果があり、結果として、ガラスの溶融コストを低廉化しつつ、ガラス製造窯の長寿命化を図ることができる。しかし、Ｆ、Ｃｌの含有量が多過ぎると、ガラス基板上に形成される金属の配線パターンを腐食させる場合がある。よって、Ｆ、Ｃｌの含有量は、それぞれ１質量％以下、０．５質量％以下、０．１質量％未満、０．０５質量％未満、特に０．０１質量％以下が好ましい。
【００５１】
鉄は、不純物として、原料から混入する成分であるが、鉄の含有量が多過ぎると、紫外線透過率が低下する虞がある。紫外線透過率が低下すると、ＴＦＴを作製するフォトリソグラフィー工程や紫外線による液晶の配向工程で不具合が発生する虞がある。よって、鉄の好適な下限含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、０．００１質量％であり、好適な上限含有量は、Ｆｅ２Ｏ３に換算して、０．０５質量％、０．０３質量％、０．０２質量％、特に０．０１質量％である。最も好ましい含有範囲は０．００１〜０．０１質量％である。
【００５２】
Ｃｒ２Ｏ３は、不純物として、原料から混入する成分であるが、Ｃｒ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、ガラス基板端面から光を入射し、散乱光によりガラス基板内部の異物検査を行う場合に、光の透過が生じ難くなり、異物検査に不具合が生じる虞がある。特に、基板サイズが７３０ｍｍ×９２０ｍｍ以上の場合に、この不具合が発生し易くなる。また、ガラス基板の板厚が小さい（例えば０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下）と、ガラス基板端面から入射する光が少なくなるため、Ｃｒ２Ｏ３の含有量を規制する意義が大きくなる。Ｃｒ２Ｏ３の好適な上限含有量は０．００１質量％、０．０００８質量％、０．０００６質量％、０．０００５質量％、特に０．０００３質量％であり、好適な下限含有量は０．００００１質量％である。最も好ましい含有範囲は０．００００１〜０．０００３質量％である。
【００５３】
ＳｎＯ２を含む場合、Ｒｈ２Ｏ３の含有量が多過ぎると、ガラスが着色し易くなる。なお、Ｒｈ２Ｏ３は、白金の製造容器から混入する可能性がある。Ｒｈ２Ｏ３の含有量は、好ましくは０〜０．０００５質量％、より好ましくは０．００００１〜０．０００１質量％である。
【００５４】
ＳＯ３は、不純物として、原料から混入する成分であるが、ＳＯ３の含有量が多過ぎると、溶融や成形中に、リボイルと呼ばれる泡を発生させて、ガラス中に欠陥を生じさせる虞がある。ＳＯ３の好適な上限含有量は０．００５質量％、０．００３質量％、０．００２質量％、特に０．００１質量％であり、好適な下限含有量は０．０００１質量％である。最も好ましい含有範囲は０．０００１〜０．００１質量％である。
【００５５】
アルカリ成分、特にＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏは、ガラス基板上に形成される各種の膜や半導体素子の特性を劣化させる成分である。このため、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの上限含有量を０．５質量％（望ましくは０．４質量％、０．３質量％、０．２質量％、特に０．１質量％）まで低減することが好ましい。一方、電気溶融を行う場合、少量のアルカリ成分を含有させて、溶融ガラスの電気伝導度を高めることが好ましく、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの下限含有量をそれぞれ０．００１質量％、０．００５質量％、特に０．０１質量％に規制することが好ましい。Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの最も好ましい含有範囲は０．０１〜０．１質量％である。なお、Ｌｉ２Ｏの含有量は０．０００１〜０．００５質量％が特に好ましい。Ｎａ２Ｏの含有量は０．０１〜０．０３質量％が特に好ましい。Ｋ２Ｏの含有量は０．００１〜０．０１質量％が特に好ましい。
【００５６】
上記成分以外にも、他の成分を導入してもよい。その導入量は、好ましくは５質量％以下、３質量％以下、特に１質量％以下である。
【００５７】
本発明のガラスは、液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲で２４時間保持した時に、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶、ＳｉＯ２系結晶、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶の内、２種類以上の結晶が析出する性質を有することが好ましく、３種類の結晶が析出する性質を有することが更に好ましい。また、２種類の結晶が析出する場合、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶とＳｉＯ２系結晶が析出するようにガラス組成を調整することが好ましい。複数の結晶相が液体と平衡状態になる領域近傍では、ガラスが安定化して、液相線温度が大幅に低下する。
【００５８】
ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＲＯ系結晶として、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＣａＯ系結晶が好ましく、特にアノーサイトが好ましい。ＳｉＯ２系結晶として、クリストバライトが好ましい。ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３系結晶として、ムライトが好ましい。液相線温度付近で上記結晶が複数析出するガラスであれば、液相線温度が大幅に低下する。
【００５９】
本発明のガラスは、以下の特性を有することが好ましい。
【００６０】
近年、ＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ等のモバイル用途のフラットパネルディスプレイでは、軽量化の要求が高まっており、ガラス基板にも軽量化が求められている。この要求を満たすためには、ガラス基板の低密度化が望ましい。密度は、好ましくは２．７０ｇ／ｃｍ３以下、２．６９ｇ／ｃｍ３以下、特に２．６８ｇ／ｃｍ３以下である。一方、密度が低過ぎると、ガラス組成の成分バランスが崩れる虞がある。その結果、溶融温度の上昇、液相線粘度の低下が生じ易くなり、ガラス基板の生産性が低下し易くなる。また歪点も低下し易くなる。よって、密度は、好ましくは２．４８ｇ／ｃｍ３以上、２．４９ｇ／ｃｍ３以上、特に２．５０ｇ／ｃｍ３以上である。
【００６１】
熱膨張係数は、好ましくは２８×１０−７〜４５×１０−７／℃、３１×１０−７〜４４×１０−７／℃、３３×１０−７〜４３×１０−７／℃、特に３６×１０−７〜４２×１０−７／℃である。このようにすれば、ガラス基板上に成膜される部材（例えば、ａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ）の熱膨張係数に整合し易くなる。ここで、「熱膨張係数」は、３０〜３８０℃の温度範囲で測定した平均線熱膨張係数を指し、例えばディラトメーターで測定可能である。
【００６２】
ＯＬＥＤディスプレイ又は液晶ディスプレイ等では、大面積のガラス基板（例えば、７３０×９２０ｍｍ以上、１１００×１２５０ｍｍ以上、特に１５００×１５００ｍｍ以上）が使用されると共に、薄肉のガラス基板（例えば、板厚０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下）が使用される傾向にある。ガラス基板が大面積化、薄肉化すると、自重による撓みが大きな問題になる。ガラス基板の撓みを低減するためには、ガラス基板の比ヤング率を高める必要がある。比ヤング率は、好ましくは３０ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、３０．５ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、３１ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上、特に３１．５ＧＰａ／ｇ・ｃｍ−３以上である。また、ガラス基板が大面積化、薄肉化すると、定盤上での熱処理工程、或いは各種の金属膜、酸化物膜、半導体膜、有機膜等の成膜工程後に、ガラス基板の反りが問題になる。ガラス基板の反りを低減するためには、ガラス基板のヤング率を高めることが有効である。ヤング率は、好ましくは７３ＧＰａ以上、７５ＧＰａ以上、７８ＧＰａ以上、特に８０ＧＰａ以上である。
【００６３】
現在、超高精細のモバイルディスプレイに用いられるＬＴＰＳでは、その工程温度が約４００〜６００℃である。この工程温度での熱収縮を抑制するために、歪点は、好ましくは７１０℃以上、７２０℃以上、７３０℃以上、７４０℃以上、特に７５０〜７９０℃である。
【００６４】
最近では、ＯＬＥＤディスプレイが、モバイルやＴＶ等の用途でも使用される。この用途の駆動ＴＦＴ素子として、上記のＬＴＰＳ以外に、酸化物ＴＦＴが着目されている。従来まで、酸化物ＴＦＴは、ａ−Ｓｉと同等の３００〜４００℃の温度プロセスで作製されていたが、従来よりも高い熱処理温度でアニールを行うと、より安定した素子特性が得られることが分かってきた。その熱処理温度は、４００〜６００℃程度であり、この用途でも低熱収縮のガラス基板が要求されるようになっている。
【００６５】
本発明のガラスにおいて、２５℃から５℃／分の速度で５００℃まで昇温し、５００℃で１時間保持した後、５℃／分の速度で２５℃まで降温した時の熱収縮率は、好ましくは３０ｐｐｍ以下、２５ｐｐｍ以下、２０ｐｐｍ以下、１５ｐｐｍ以下、特に１０ｐｐｍ以下である。このようにすれば、ＬＴＰＳの製造工程で熱処理を受けても、画素ピッチズレ等の不具合が生じ難くなる。なお、熱収縮率が小さ過ぎると、ガラス基板の生産性が低下し易くなる。よって、熱収縮率は、好ましくは５ｐｐｍ以上、特に８ｐｐｍ以上である。なお、熱収縮率は、歪点を高める以外にも、成形時の冷却速度を低下させることでも低減することができる。
【００６６】
オーバーフローダウンドロー法では、楔形の耐火物（或いは白金族金属で被覆された耐火物）の表面を溶融ガラスが流下し、楔の下端で合流して、板状に成形される。スロットダウンドロー法では、例えば、スリット状の開口部を持つ白金族金属製のパイプからリボン状の溶融ガラスを流下、冷却して、板状に成形される。成形装置に接触している溶融ガラスの温度が高過ぎると、成形装置の老朽化を招き、ガラス基板の生産性が低下し易くなる。よって、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１３５０℃以下、１３４０℃以下、特に１３３０℃以下である。ここで、「１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度」は、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。なお、高温粘度１０５．０ｄＰａ・ｓにおける温度は、成形時の溶融ガラスの温度に相当している。
【００６７】
ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含む低アルカリガラスは、一般的に、溶融し難い。このため、溶融性の向上が課題になる。溶融性を高めると、泡、異物等による不良率が軽減されるため、高品質のガラス基板を大量、且つ安価に供給することができる。一方、高温域でのガラスの粘度が高過ぎると、溶融工程で脱泡が促進され難くなる。よって、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、好ましくは１７５０℃以下、１７００℃以下、１６９０℃以下、特に１６８０℃以下である。ここで、「１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度」は、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。なお、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、溶融温度に相当しており、この温度が低い程、溶融性に優れている。
【００６８】
ダウンドロー法等で成形する場合、耐失透性が重要になる。ガラス組成中にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｂ２Ｏ３及びＲＯを含む低アルカリガラスの成形温度を考慮すると、液相線温度は、好ましくは１３５０℃未満、１３００℃以下、１２６０℃以下、１２３０℃以下、特に１２００℃以下である。また、液相線粘度は、好ましくは１０５．０ｄＰａ・s以上、１０５．２ｄＰａ・s以上、１０５．３ｄＰａ・s以上、１０５．４ｄＰａ・s以上、１０５．５ｄＰａ・s以上、特に１０５．６ｄＰａ・s以上である。なお、「液相線粘度」は、液相線温度におけるガラスの粘度を指し、例えば白金球引き上げ法で測定可能である。
【００６９】
１０質量％ＨＦ水溶液に２０℃で３０分間浸漬した時のエッチング深さは、好ましくは２５μｍ以上、２７μｍ以上、２８〜５０μｍ、２９〜４５μｍ、特に３０〜４０μｍになることが好ましい。このエッチング深さは、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートの指標になる。すなわち、エッチング深さが大きいと、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが速くなり、エッチング深さが小さいと、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが遅くなる。
【００７０】
β−ＯＨ値を低下させると、ガラス組成を変えなくても、歪点と泡品位を高めることができる。β−ＯＨ値は、好ましくは０．４０／ｍｍ未満、０．３５／ｍｍ以下、０．３／ｍｍ以下、０．２５／ｍｍ以下、０．２／ｍｍ以下、特に０．１５／ｍｍ以下である。β−ＯＨ値が大き過ぎると、歪点や泡品位が低下し易くなる。なお、β−ＯＨ値が小さ過ぎると、溶融性が低下し易くなる。よって、β−ＯＨ値は、好ましくは０．０１／ｍｍ以上、特に０．０５／ｍｍ以上である。なお、「β−ＯＨ値」は、ＦＴ−ＩＲを用いて透過率を測定し、下記数式１により算出した値を指す。
【００７１】
〔数１〕
β−ＯＨ値  ＝  （１／Ｘ）ｌｏｇ（Ｔ１／Ｔ２）
Ｘ：板厚（ｍｍ）
Ｔ１：参照波長３８４６ｃｍ−１における透過率（％）
Ｔ２：水酸基吸収波長３６００ｃｍ−１付近における最小透過率（％）
【００７２】
β−ＯＨ値を低下させる方法として、以下の方法がある。（１）低水分量の原料を選択する。（２）ガラスバッチ中にＣｌ、ＳＯ３等の乾燥剤を添加する。（３）炉内雰囲気中の水分量を低下させる。（４）溶融ガラス中でＮ２バブリングを行う。（５）小型溶融炉を採用する。（６）溶融ガラスの流量を多くする。（７）加熱電極による通電加熱を行う。
【００７３】
その中でも、β−ＯＨ値を低下させるために、調合したガラスバッチをバーナーの燃焼炎による加熱を行わず、加熱電極による通電加熱を行うことにより溶融する方法が有効である。
【００７４】
本発明のガラスは、厚み方向の中央部に成形合流面を有することが好ましく、つまりオーバーフローダウンドロー法で成形されてなることが好ましい。オーバーフローダウンドロー法とは、楔形の耐火物の両側から溶融ガラスを溢れさせて、溢れた溶融ガラスを楔形の下端で合流させながら、下方に延伸成形してガラス基板を成形する方法である。オーバーフローダウンドロー法では、ガラス基板の表面となるべき面は耐火物に接触せず、自由表面の状態で成形される。このため、未研磨で表面品位が良好なガラス基板を安価に製造することができ、大面積化や薄肉化も容易である。
【００７５】
オーバーフローダウンドロー法以外にも、例えば、ダウンドロー法（スロットダウン法、リドロー法等）、フロート法等でガラス基板を成形することも可能である。
【００７６】
本発明のガラスにおいて、厚み（板厚）は、特に限定されないが、好ましくは０．５ｍｍ以下、０．４ｍｍ以下、０．３５ｍｍ以下、特に０．３ｍｍ以下である。板厚が小さい程、デバイスを軽量化し易くなる。一方、板厚が小さい程、ガラス基板が撓み易くなるが、本発明のガラスは、ヤング率や比ヤング率が高いため、撓みに起因する不具合が生じ難い。なお、板厚は、ガラス製造時の流量や板引き速度等で調整可能である。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。なお、以下の実施例は単なる例示である。本発明は以下の実施例に何ら限定されない。【００７８】
表１〜４は、本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜２３、２８〜４５）と比較例（試料Ｎｏ．２４〜２７）を示している。【００７９】
【表１】
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【００８０】
【表２】
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【００８１】
【表３】
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【００８２】
【表４】
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【００８３】
次のように、各試料を作製した。まず表中のガラス組成になるように、ガラス原料を調合したガラスバッチを白金坩堝に入れ、１６００℃で２４時間溶融した。ガラスバッチの溶解に際しては、白金スターラーを用いて攪拌し、均質化を行った。次いで、溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した。得られた各試料について、β−ＯＨ値、密度、熱膨張係数、ヤング率、比ヤング率、歪点、軟化点、高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度、液相線温度、初相、液相線粘度、ＨＦ水溶液によるエッチング深さ及び耐ＨＣｌ性を評価した。【００８４】
β−ＯＨ値は、上記の方法によって測定した値である。【００８５】
密度は、周知のアルキメデス法によって測定した値である。【００８６】
熱膨張係数は、３０〜３８０℃の温度範囲において、ディラトメーターで測定した平均線熱膨張係数である。【００８７】
ヤング率は、ＪＩＳ  Ｒ１６０２に基づく動的弾性率測定法（共振法）により測定した値を指し、比ヤング率は、ヤング率を密度で割った値である。【００８８】
歪点、軟化点は、ＡＳＴＭ  Ｃ３３６の方法に基づいて測定した値である。【００８９】
高温粘度１０２．５ｄＰａ・ｓにおける温度は、白金球引き上げ法で測定した値である。【００９０】
液相線粘度は、標準篩３０メッシュ（５００μｍ）を通過し、５０メッシュ（３００μｍ）に残るガラス粉末を白金ボートに入れて、１１００℃から１３５０℃に設定された温度勾配炉中に２４時間保持した後、白金ボートを取り出し、ガラス中に失透（結晶異物）が認められた温度である。そして、液相線温度から（液相線温度−５０℃）の温度範囲に析出している結晶を初相として評価した。表中の「Ｃｒｉ」はクリストバライトを指し、「Ａｎｏ」はアノーサイトを指し、「Ｍｕｌ」はムライトを指している。更に、液相線温度におけるガラスの粘度を白金球引き上げ法で測定し、これを液相線粘度とした。【００９１】
エッチング深さは、各試料の両面を光学研磨した上で、試料表面の一部にマスキングを施し、１０質量％のＨＦ水溶液中で、２０℃で３０分間浸漬させた後、得られた試料表面のマスキング部とエッチング部間での段差を測定することで評価した。【００９２】
耐ＨＣｌ性は、各試料の両面を光学研磨した上で、８０℃、１０質量％のＨＣｌ水溶液中で３時間浸漬させた後、得られた試料表面を観察し、透明であった場合を「○」、少し曇っていた場合を「△」、白濁していた場合を「×」として評価したものである。【００９３】
表から明らかなように、試料Ｎｏ．１〜２３、２８〜４５は、熱膨張係数が３１×１０−７〜４２×１０−７／℃、歪点が７１８℃以上、ヤング率が７３ＧＰａ以上、比ヤング率が２９ＧＰａ／（ｇ／ｃｍ３）以上、液相線温度が１２５０℃以下、液相線粘度が１０４．８ｄＰａ・ｓ以上、エッチング深さが２８μｍ以上であり、耐ＨＣｌ性の評価が良好であった。【００９４】
一方、試料Ｎｏ．２４〜２７は、｛［Ｂ２Ｏ３］＋３×［Ｐ２Ｏ５］｝が多過ぎるため、ガラスが分相しており、耐ＨＣｌ性の評価が試料Ｎｏ．１〜２３よりも低かった。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明のガラスは、ＨＦ系薬液に対するエッチングレートが従来よりも早く、耐失透性が高く、しかも耐ＨＣｌ性と歪点が高い。よって、本発明のガラスは、ＯＬＥＤディスプレイ、液晶ディスプレイ等のディスプレイの基板に好適であり、ＬＴＰＳ、酸化物ＴＦＴで駆動するディスプレイの基板に好適である。
【国際調査報告】
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