(57)【要約】  フロントエンド回路（２１）は、絶縁性基板（２０１）、パワーアンプ（４１１）、受信回路用素子（３１３１）、および、シールド導体（１００）を備える。パワーアンプ（４１１）および受信回路用素子（３１３１）は、絶縁性基板（２０１）の上面（２０１２）に実装されている。シールド導体（１００）は、絶縁性基板（２０１）の上面（２０１２）側の一部を覆う。パワーアンプ（４１１）実装される送信回路領域（Ｒｅｔｘ）は、第２側面（２０１４）よりも第１側面（２０１１）側に配置されている。受信回路用素子（３１３１）が実装される受信回路領域（Ｒｅｒｘ）は、送信回路領域（Ｒｅｔｘ）と第２側面（２０１４）との間に配置されている。シールド導体（１００）は、送信回路領域（Ｒｅｔｘ）を覆う上面側導体（１０１）と、送信回路領域（Ｒｅｔｘ）の第１側面（２０１１）側を覆う第１側面側導体（１０２）と、を備える。
2017169546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信回路と受信回路とを有するフロントエンド回路であって、
上面、下面、第１側面、および第２側面を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記上面に実装され、前記送信回路の一部を構成する送信回路用素子と、
前記絶縁性基板の前記上面に実装され、前記受信回路の一部を構成する受信回路用素子と、
前記絶縁性基板の上面側の一部を覆うシールド導体と、を備え、
前記上面において、前記送信回路用素子が実装される送信回路領域は、前記第２側面よりも前記第１側面側に配置されており、
前記上面において、前記受信回路用素子が実装される受信回路領域は、前記送信回路領域と前記第２側面との間に配置されており、
前記シールド導体は、
平面視で前記送信回路領域と重なる上面側導体と、側面視で前記送信回路領域の前記第１側面側と重なる第１側面側導体との少なくとも一方を備え、平面視で前記受信回路領域と重ならず、側面視で前記受信回路領域の前記第２側面側と重ならない形状を有する、
フロントエンド回路。
【請求項２】
前記シールド導体は、
前記上面側導体と前記第１側面側導体との両方を備える、
請求項１に記載のフロントエンド回路。
【請求項３】
前記絶縁性基板は、前記第１側面および前記第２側面に直交する第３側面および第４側面を備え、
前記シールド導体は、
前記送信回路領域の前記第３側面側を覆う第３側面側導体、および、前記送信回路領域の前記第４側面側を覆う第４側面側導体の少なくとも一方を備える、
請求項１または請求項２に記載のフロントエンド回路。
【請求項４】
前記送信回路の一部は、前記絶縁性基板に形成された送信回路導体パターンで構成され、
前記受信回路の一部は、前記絶縁性基板に形成された受信回路導体パターンで構成され、
前記送信回路導体パターンは、前記絶縁性基板の内部に形成され、前記送信回路用素子に接続される送信側グランド導体を備え、
前記受信回路導体パターンは、前記絶縁性基板の内部に形成され、前記受信回路用素子に接続される受信側グランド導体を備え、
前記送信側グランド導体は、
平面視で、前記送信回路領域に重なり、且つ、前記受信回路領域および前記受信側グランド導体に重ならず、
前記絶縁性基板の内部において前記受信側グランド導体に非接続であり、
前記シールド導体に接続されている、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフロントエンド回路。
【請求項５】
前記絶縁性基板は、前記第１側面側に凹みを有し、
前記シールド導体は、前記凹みに当接して配置されている、
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフロントエンド回路。
【請求項６】
送信回路と受信回路とを有するフロントエンド回路であって、
上面、下面、第１側面、および第２側面を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記上面に実装され、前記送信回路の一部を構成する送信回路用素子と、
前記絶縁性基板の前記上面に実装され、前記受信回路の一部を構成する受信回路用素子と、
前記絶縁性基板の上面側の一部を覆うシールド導体と、を備え、
前記上面において、前記送信回路用素子が実装される送信回路領域は、前記第２側面よりも前記第１側面側に配置されており、
前記上面において、前記受信回路用素子が実装される受信回路領域は、前記送信回路領域と前記第２側面との間に配置されており、
前記シールド導体は、
平面視で前記受信回路領域と重なる上面側導体と、側面視で前記受信回路領域の前記第２側面側と重なる第２側面側導体との少なくとも一方を備え、平面視で前記送信回路領域と重ならず、側面視で前記送信回路領域の前記第１側面側と重ならない形状を有する、
フロントエンド回路。
【請求項７】
前記シールド導体は、
前記上面側導体と前記第２側面側導体との両方を備える、
請求項６に記載のフロントエンド回路。
【請求項８】
前記絶縁性基板は、前記第１側面および前記第２側面に直交する第３側面および第４側面を備え、
前記シールド導体は、
前記受信回路領域の前記第３側面側を覆う第３側面側導体、および、前記受信回路領域の前記第４側面側を覆う第４側面側導体の少なくとも一方を備える、
請求項６または請求項７に記載のフロントエンド回路。
【請求項９】
前記絶縁性基板は、前記第２側面側に凹みを有し、
前記シールド導体は、前記凹みに当接して配置されている、
請求項６乃至請求項８のいずれかに記載のフロントエンド回路。
【請求項１０】
特定の通信周波数帯域を有する第２通信バンドおよび該第２通信バンドの通信周波数帯域よりも低い通信周波数帯域を有する第１通信バンドの送受信を行う高周波モジュールであって、
前記第１通信バンドの送受信を行う第１フロントエンド部と、
前記第２通信バンドの送受信を行う第２フロントエンド部と、
前記第１フロントエンド部と前記第２フロントエンド部とが隣接して実装されるベース基板と、
を備え、
前記第１フロントエンド部は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフロントエンド回路からなる、
高周波モジュール。
【請求項１１】
前記第２フロントエンド部は、請求項６乃至請求項９のいずれかに記載のフロントエンド回路からなる、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
前記第２フロントエンド部は、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフロントエンド回路からなり、
前記第１フロントエンド部を形成するフロントエンド回路の第１側面と前記第２フロントエンド部を形成するフロントエンド回路の第１側面とは、対向している、
請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
特定の通信周波数帯域を有する第２通信バンドおよび該第２通信バンドの通信周波数帯域よりも低い通信周波数帯域を有する第１通信バンドの送受信を行う高周波モジュールであって、
前記第１通信バンドの送受信を行う第１フロントエンド部と、
前記第２通信バンドの送受信を行う第２フロントエンド部と、
前記第１フロントエンド部と前記第２フロントエンド部とが隣接して実装されるベース基板と、
を備え、
前記第１フロントエンド部と前記第２フロントエンド部のそれぞれは、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフロントエンド回路からなる、
高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の通信バンドの通信信号の送受信を行う高周波モジュール、および、この高周波モジュールを構成するフロントエンド回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、回路モジュールが記載されている。回路基板は、配線基板と、半導体素子等の複数の電子部品とを備えている。複数の電子部品は、配線基板の表面に実装されている。【０００３】
配線基板の表面には、樹脂層が形成されている。樹脂層は、複数の電子部品を覆っている。樹脂層の上面には、導電層（シールド電極）が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２９４８２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数の通信バンドを利用する高周波モジュールでは、それぞれに異なる通信バンドに利用される複数のフロントエンド回路を備えている。そして、これら複数のフロントエンド回路は、それぞれに個別の回路基板によって構成されていることがある。【０００６】
このような構成において、相対的に低周波数帯である第１の通信バンドの通信に用いられる第１の回路基板と、相対的に高周波数帯である第２の通信バンドの通信に用いられる第２の回路基板とを、近接して配置しなければならない場合がある。特に、近年の携帯通信端末の小型化に伴って、第１の回路基板と第２の回路基板とを近接して配置しなければならないことが多い。【０００７】
このような場合、特許文献１に記載の回路基板の構成では、第１の回路基板から第１の通信バンドの高調波信号（不要波信号）が第２の回路基板に漏洩してしまうことがある。ここで、例えば、第１の通信バンドの高調波信号（不要波信号）が、第２の通信バンドの周波数帯域に重なっていたり、近接していたりすると、第２の通信バンドの送受信特性（特に、受信特性）に悪影響を与えてしまう。【０００８】
したがって、本発明の目的は、複数の通信バンド間で不要波信号の漏洩による送受信特性の劣化を抑制できるフロントエンド回路および高周波モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、送信回路と受信回路とを有するフロントエンド回路であり、次の構成を備える。フロントエンド回路は、絶縁性基板、導体パターン、送信回路用素子、受信回路用素子、および、シールド導体を備える。絶縁性基板は、上面、下面、第１側面、および、第２側面を有する。送信回路用素子は、絶縁性基板の上面に実装され、送信回路の一部を構成する。受信回路用素子は、絶縁性基板の上面に実装され、受信回路の一部を構成する。シールド導体は、絶縁性基板の上面側の一部を覆う。上面において、送信回路用素子が実装される送信回路領域は、第２側面よりも第１側面側に配置されている。上面において、受信回路用素子が実装される受信回路領域は、送信回路領域と第２側面との間に配置されている。シールド導体は、平面視で送信回路領域と重なる上面側導体と、側面視で送信回路領域の第１側面側と重なる第１側面側導体との少なくとも一方を備え、平面視で受信回路領域と重ならず、側面視で受信回路領域の第２側面側と重ならない形状を有する。【００１０】
この構成では、送信回路用素子から不要波信号が放射されても、不要波信号の外部への放射が抑制される（外部に与える影響が抑制される）。また、送信回路用素子と受信回路用素子とシールド導体との不要な結合が抑制される。【００１１】
また、この発明のフロントエンド回路では、シールド導体は、上面側導体と第１側面側導体との両方を備えることが好ましい。【００１２】
この構成では、不要波信号の外部への放射がさらに抑制される。【００１３】
また、この発明のフロントエンド回路では、絶縁性基板は、第１側面および第２側面に直交する第３側面および第４側面を備え、シールド導体は、送信回路領域の第３側面側を覆う第３側面側導体、および、送信回路領域の第４側面側を覆う第４側面側導体の少なくとも一方を備えることが好ましい。【００１４】
この構成では、不要波信号の外部への放射がさらに抑制される。【００１５】
また、この発明のフロントエンド回路では、次の構成であってもよい。送信回路の一部は、絶縁性基板に形成された送信回路導体パターンで構成され、受信回路の一部は、絶縁性基板に形成された受信回路導体パターンで構成されている。送信回路導体パターンは、絶縁性基板の内部に形成され、送信回路用素子に接続される送信側グランド導体を備える。受信回路導体パターンは、絶縁性基板の内部に形成され、受信回路用素子に接続される受信側グランド導体を備える。送信側グランド導体は、平面視で送信回路領域に重なり、且つ、受信回路領域および受信側グランド導体に重ならず、絶縁性基板の内部において受信側グランド導体に非接続であり、シールド導体に接続されている。【００１６】
この構成では、不要波信号の外部への放射がさらに抑制される。また、送信回路用素子と受信回路用素子とのグランド導体を介した結合が抑制される。【００１７】
また、この発明のフロントエンド回路では、絶縁性基板は、第１側面側に凹みを有し、シールド導体は、凹みに当接して配置されていてもよい。【００１８】
この構成では、シールド導体が絶縁性基板により確実に配置される。【００１９】
また、この発明は送信回路と受信回路とを有するフロントエンド回路であって、次の構成を備える。フロントエンド回路は、絶縁性基板、導体パターン、送信回路用素子、受信回路用素子、および、シールド導体を備える。絶縁性基板は、上面、下面、第１側面、および、第２側面を有する。送信回路用素子は、絶縁性基板の上面に実装され、送信回路の一部を構成する。受信回路用素子は、絶縁性基板の上面に実装され、受信回路の一部を構成する。シールド導体は、絶縁性基板の上面側の一部を覆う。上面において、送信回路用素子が実装される送信回路領域は、第２側面よりも第１側面側に配置されている。上面において、受信回路用素子が実装される受信回路領域は、送信回路領域と第２側面との間に配置されている。シールド導体は、平面視で受信回路領域と重なる上面側導体と、側面視で受信回路領域の第２側面側と重なる第２側面側導体との少なくとも一方を備える。シールド導体は、平面視で送信回路領域と重ならず、側面視で送信回路領域の前記第１側面側と重ならない形状を有する。【００２０】
この構成では、外部から不要波信号が伝搬しても、受信回路用素子に到達することが抑制される（外部からの影響が抑制される）。また、送信回路用素子とシールド導体との不要な結合が抑制される。【００２１】
また、この発明のフロントエンド回路では、シールド導体は、上面側導体と第２側面側導体との両方を備えることが好ましい。【００２２】
この構成では、外部からの不要波信号の影響がさらに抑制される。【００２３】
また、この発明のフロントエンド回路では、次の構成であってもよい。絶縁性基板は、第１側面および第２側面に直交する第３側面および第４側面を備える。シールド導体は、受信回路領域の第３側面側を覆う第３側面側導体、および、受信回路領域の第４側面側を覆う第４側面側導体の少なくとも一方を備える。【００２４】
この構成では、外部からの不要波信号がさらに抑制される。【００２５】
また、この発明のフロントエンド回路では、絶縁性基板は、第２側面側に凹みを有し、シールド導体は、凹みに当接して配置されていてもよい。【００２６】
この構成では、シールド導体が絶縁性基板により確実に配置される。【００２７】
また、この発明は、特定の通信周波数帯域を有する第２通信バンドおよび該第２通信バンドの通信周波数帯域よりも低い通信周波数帯域を有する第１通信バンドの送受信を行う高周波モジュールであり、次の構成を備える。第１通信バンドの周波数帯域は、第２通信バンドの周波数帯域よりも低周波数である。高周波モジュールは、第１通信バンドの送受信を行う第１フロントエンド部と、第２通信バンドの送受信を行う第２フロントエンド部と、第１フロントエンド部と第２フロントエンド部とが隣接して実装されるベース基板と、を備える。第１フロントエンド部は、上述のいずれかに記載のフロントエンド回路からなる。【００２８】
この構成では、第１フロントエンド部での第１通信バンドの送信信号の高調波信号（不要波信号）が第２フロントエンド部の受信回路に漏洩することが抑制される。【００２９】
また、この発明の高周波モジュールでは、第２フロントエンド部は、上述のいずれかに記載のフロントエンド回路からなっていてもよい。【００３０】
この構成では、第１フロントエンド部の送信回路から第２フロントエンドの受信回路への高調波信号（不要波信号）の漏洩がさらに抑制される。【００３１】
また、この発明の高周波モジュールでは、第２フロントエンド部は、上述のいずれかに記載のフロントエンド回路からなり、第１フロントエンド部を形成するフロントエンド回路の第１側面と第２フロントエンド部を形成するフロントエンド回路の第１側面とは、対向している。【００３２】
この構成では、第１フロントエンド部の送信回路から第２フロントエンドの受信回路への高調波信号（不要波信号）の漏洩がさらに抑制される。【００３３】
また、この発明は、特定の通信周波数帯域を有する第２通信バンドおよび該第２通信バンドの通信周波数帯域よりも低い通信周波数帯域を有する第１通信バンドの送受信を行う高周波モジュールであり、次の構成を備える。第１通信バンドの周波数帯域は、第２通信バンドの周波数帯域よりも低周波数である。高周波モジュールは、第１通信バンドの送受信を行う第１フロントエンド部と、第２通信バンドの送受信を行う第２フロントエンド部と、第１フロントエンド部と第２フロントエンド部とが隣接して実装されるベース基板と、を備える。第１フロントエンド部と第２フロントエンド部のそれぞれは、上述のいずれかに記載のフロントエンド回路からなる。【００３４】
この構成では、第１フロントエンド部での第１通信バンドの送信信号の高調波信号（不要波信号）が第２フロントエンド部の受信回路に漏洩することが抑制される。
【発明の効果】
【００３５】
この発明によれば、複数の通信バンドの少なくとも一方の不要波信号による送受信特性の劣化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。
【図８】本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。
【図１０】本発明の第９の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路および高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す回路図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００３８】
図１に示すように、高周波モジュール１０は、低周波数側のフロントエンド回路２１、高周波数側のフロントエンド回路２２、および、複数のアンテナＡＮＴ１，ＡＮＴ２を備える。低周波数側のフロントエンド回路２１が本発明の「第１フロントエンド回路」に対応し、高周波数側のフロントエンド回路２２が本発明の「第２フロントエンド回路」に対応する。
【００３９】
高周波モジュール１０は、互いに利用する周波数帯域が異なる第１通信バンドと第２通信バンドの送受信を行う。なお、第１通信バンドおよび第２通信バンド以外の通信バンドの送受信を行うこともできる。第１通信バンドの周波数帯域は、第２通信バンドの周波数帯域よりも低周波数である。特に、高周波モジュール１０では、第１通信バンドの送信信号の高調波信号の周波数が、第２通信バンドの受信信号の周波数帯域に近接または重なっている場合に有効である。
【００４０】
フロントエンド回路２１は、送信回路３１１、分波回路３１２、および受信回路３１３を備える。送信回路３１１は、パワーアンプ４１１、および整合回路４１２を備える。パワーアンプ４１１の入力端は、図示しない第１通信バンドのＲＦＩＣに接続されている。パワーアンプ４１１の出力端は、整合回路４１２を介して、分波回路３１２に接続されている。
【００４１】
分波回路３１２は、スイッチ回路もしくはデュプレクサ（インダクタとキャパシタなどからなる回路）からなる。分波回路３１２は、送信回路３１１、受信回路３１３、および、アンテナＡＮＴ１に接続されている。分波回路３１２は、送信回路３１１からの送信信号をアンテナＡＮＴ１に出力し、アンテナＡＮＴ１からの受信信号を受信回路３１３に出力する。
【００４２】
受信回路３１３は、整合回路４１３、および低ノイズアンプ４１４を備える。低ノイズアンプ４１４の入力端は、整合回路４１３を介して、分波回路３１２に接続されている。低ノイズアンプ４１４の出力端は図示しない第１通信バンドのＲＦＩＣに接続されている。
【００４３】
フロントエンド回路２２は、送信回路３２１、分波回路３２２、および受信回路３２３を備える。送信回路３２１は、パワーアンプ４２１、および整合回路４２２を備える。パワーアンプ４２１の入力端は、図示しない第２通信バンドのＲＦＩＣに接続されている。パワーアンプ４２１の出力端は、整合回路４２２を介して、分波回路３２２に接続されている。
【００４４】
分波回路３２２は、スイッチ回路もしくはデュプレクサ（インダクタとキャパシタなどからなる回路）からなる。分波回路３２２は、送信回路３２１、受信回路３２３、および、アンテナＡＮＴ２に接続されている。分波回路３２２は、送信回路３２１からの送信信号をアンテナＡＮＴ２に出力し、アンテナＡＮＴ２からの受信信号を受信回路３２３に出力する。
【００４５】
受信回路３２３は、整合回路４２３、および低ノイズアンプ４２４を備える。低ノイズアンプ４２４の入力端は、整合回路４２３を介して、分波回路３２２に接続されている。低ノイズアンプ４２４の出力端は図示しない第２通信バンドのＲＦＩＣに接続されている。
【００４６】
図２に示すように、フロントエンド回路２１は、シールド導体１００、絶縁性基板２０１、モールド樹脂２０２を備える。フロントエンド回路２１は、送信回路用素子であるパワーアンプ４１１、および、受動素子４１２１，４１２２を備える。受動素子４１２１，４１２２は、整合回路４１２を形成する素子である。なお、送信回路３１１を構成する他の送信回路用素子の図示は省略している。
【００４７】
フロントエンド回路２１は、受信回路用素子である受動素子３１３１を備える。なお、受信回路３１３を構成する他の受信回路用素子の図示は省略している。
【００４８】
絶縁性基板２０１は、例えば、それぞれに導体パターンが形成された複数の誘電体層を積層した積層体からなる。絶縁性基板２０１は、直方体であり、第１側面２０１１、上面２０１２、下面２０１３、第２側面２０１４を有する。第１側面２０１１と第２側面２０１４は、直方体である絶縁性基板２０１の四側面のうち、互いに対向する二側面である。第１側面２０１１と第２側面２０１４は、上面２０１２と下面２０１３とに対して直交している。また、絶縁性基板２０１は、上面２０１２、下面２０１３、第１側面２０１１および第２側面２０１４に直交し、前記四側面の内、第１側面２０１１および第２側面２０１４とは別の二側面である第３側面および第４側面を有する。フロントエンド回路２１を正面視した場合、第３側面が正面に位置している。第３側面は第４側面に対向し、第３側面は右方向で第１側面に接し、左方向で第２側面に接する。なお、絶縁性基板２０１は、完全な直方体でなくてもよく、第１側面２０１１、上面２０１２、下面２０１３、第２側面２０１４を有する形状であればよい。
【００４９】
パワーアンプ４１１、および、受動素子４１２１，４１２２は、絶縁性基板２０１の上面２０１２に実装されている。この際、パワーアンプ４１１、および、受動素子４１２１，４１２２は、上面２０１２における第２側面２０１４よりも第１側面２０１１に近い領域に実装されている。言い換えると、フロントエンド回路２１を平面視して、パワーアンプ４１１、および、受動素子４１２１，４１２２は、第１側面２０１１に近接する送信回路領域Ｒｅｔｘ内に実装されている。なお、図示しない送信回路３１１を構成する他の送信回路用素子も、送信回路領域Ｒｅｔｘ内に実装されている。
【００５０】
受動素子３１３１は、絶縁性基板２０１の上面２０１２に実装されている。この際、受動素子３１３１は、上面２０１２における送信回路領域Ｒｅｔｘと第２側面２０１４との間に実装されている。言い換えると、絶縁性基板２０１を平面視して、受動素子３１３１は、第２側面２０１４に近接し、送信回路領域Ｒｅｔｘに隣接する受信回路領域Ｒｅｒｘ内に実装されている。なお、図示しない受信回路３１３を構成する他の受信回路用素子も、受信回路領域Ｒｅｒｘ内に実装されている。
【００５１】
モールド樹脂２０２は、絶縁性基板２０１の上面２０１２の全面を覆うように形成されている。モールド樹脂２０２は、絶縁性である。モールド樹脂２０２は、全ての送信回路用素子および全ての受信回路用素子を覆っている。モールド樹脂２０２は、略直方体であり、第１側面２０２１、上面２０２２、第２側面２０２４、第３側面、および第４側面を有する。モールド樹脂２０２の第１側面２０２１は、絶縁性基板２０１の第１側面２０１１と同じ平面上に位置する。モールド樹脂の第２側面２０２４は、絶縁性基板２０１の第２側面２０１４と同じ平面上に位置する。モールド樹脂の第３側面は、絶縁性基板２０１の第３側面と同じ平面上に位置する。モールド樹脂の第４側面は、絶縁性基板２０１の第４側面と同じ平面上に位置する。モールド樹脂２０２の上面２０２２は、絶縁性基板２０１の上面２０１２に対向する。
【００５２】
シールド導体１００は、上面側導体１０１と、第１側面側導体１０２とを備える。上面側導体１０１と第１側面側導体１０２とは、繋がっている。上面側導体１０１は、フロントエンド回路２１を平面視して、送信回路領域Ｒｅｔｘの全体を覆い、受信回路領域Ｒｅｒｘを覆わない形状である。つまり、上面側導体１０１は、フロントエンド回路２１を平面視して、送信回路領域Ｒｅｔｘの全体と重なっており、受信回路領域Ｒｅｒｘと重なっていない形状である。第１側面側導体１０２は、絶縁性基板２０１の第１側面２０１１に繋がるモールド樹脂２０２の第１側面２０２１の全面、および、絶縁性基板２０１の第１側面２０１１の一部を覆う形状である。第１側面側導体１０２は、モールド樹脂２０２の他の側面、および、絶縁性基板２０１の他の側面を覆っていない。つまり、第１側面側導体１０２は、側面視で、第１側面２０２１の全面、および、絶縁性基板２０１の第１側面２０１１の一部と重なる形状である。第１側面側導体１０２は、側面視で、モールド樹脂２０２の他の側面、および、絶縁性基板２０１の他の側面と重なっていない。なお、ここでの側面視とは、フロントエンド回路２１を第１側面側または第２側面側からみる場合を意味する。
【００５３】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号（例えば、第１通信バンドの送信信号の高調波信号等）は、上面側導体１０１と第１側面側導体１０２とによって遮蔽され、外部に漏洩しない。したがって、フロントエンド回路２１に近接して、他のフロントエンド回路等が配置されていても、この不要波信号が他のフロントエンド回路等に漏洩することを抑制できる。また、受信回路領域Ｒｅｒｘがシールド導体１００に覆われていないので、受信回路用素子とシールド導体１００との不要な結合を抑制できる。
【００５４】
また、フロントエンド回路２１の構成を用いることによって、受信回路用素子を、絶縁性基板２０１の第２側面２０１４に近接して配置できる。すなわち、図２に示すように、第１側面２０１１と送信回路用素子との距離Ｗ１と比較して、第２側面２０１４と受信回路用素子との距離Ｗ２を短くできる（Ｗ２＜Ｗ１）。これにより、絶縁性基板２０１の上面２０１２を効率的に利用して、送信回路用素子および受信回路用素子を実装することができる。これにより、フロントエンド回路２１を小型に形成できる。
【００５５】
次に、本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路について、図を参照して説明する。図３は、本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００５６】
本実施形態のフロントエンド回路２１Ａは、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１に対して、シールド導体１００Ａの配置位置において異なる。フロントエンド回路２１Ａの他の構成は、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００５７】
シールド導体１００Ａは、上面側導体１０１Ａと、第２側面側導体１０２Ａとを備える。上面側導体１０１Ａと第２側面側導体１０２Ａとは、繋がっている。上面側導体１０１Ａは、フロントエンド回路２１Ａを平面視して、受信回路領域Ｒｅｒｘの全体を覆い、送信回路領域Ｒｅｔｘを覆わない形状である。第２側面側導体１０２Ａは、絶縁性基板２０１の第２側面２０１４に繋がるモールド樹脂２０２の第２側面２０２４の全面、および、絶縁性基板２０１の第２側面２０１４の一部を覆う形状である。第２側面側導体１０２Ａは、モールド樹脂２０２の他の側面、および、絶縁性基板２０１の他の側面を覆っていない。
【００５８】
このような構成とすることによって、外部からの不要波信号は、上面側導体１０１Ａと第２側面側導体１０２Ａとによって遮蔽され、受信回路用素子に到達しない。したがって、フロントエンド回路２１Ａに近接して、他のフロントエンド回路等が配置されていても、この不要波信号がフロントエンド回路２１Ａの受信回路に伝搬されることを抑制できる。また、送信回路領域Ｒｅｔｘがシールド導体１００Ａに覆われていないので、送信回路用素子とシールド導体１００Ａとの不要な結合を抑制できる。
【００５９】
次に、本発明の第３の実施形態に係るフロントエンド回路について、図を参照して説明する。図４は、本発明の第３の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００６０】
本実施形態のフロントエンド回路２１Ｂは、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１に対して、シールド導体１００Ｂの形状において異なる。フロントエンド回路２１Ｂの他の構成は、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００６１】
シールド導体１００Ｂは、上面側導体１０１、第１側面側導体１０２、および、第３側面側導体１０３を備える。上面側導体１０１、第１側面側導体１０２、および、第３側面側導体１０３は繋がっている。
【００６２】
第３側面側導体１０３は、絶縁性基板２０１の第３側面に繋がるモールド樹脂２０２の第３側面における送信回路領域Ｒｅｔｘに重なる部分を覆う形状である。第３側面側導体１０３は、絶縁性基板２０１の第３側面おける上面２０１２側の端部から下面２０１３側の端部まで広がる。
【００６３】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号は、さらに外部に漏洩されない。したがって、フロントエンド回路２１Ｂに近接して、他のフロントエンド回路等が配置されていても、この不要波信号が他のフロントエンド回路等に漏洩することを抑制できる。
【００６４】
なお、フロントエンド回路２１Ｂでは、絶縁性基板２０１の第４側面およびモールド樹脂２０２の第４側面（第３側面に対向し、フロントエンド回路２１Ｂの上面に垂直な面）にシールド導体１００Ｂを形成しない態様を示したが、第４側面にもシールド導体１００Ｂを形成してもよい。これにより、送信回路用素子から放射される不要波信号は、さらに外部に漏洩されない。
【００６５】
次に、本発明の第４の実施形態に係るフロントエンド回路について、図を参照して説明する。図５は、本発明の第４の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面に視た図である。
【００６６】
本実施形態のフロントエンド回路２１Ｃは、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１に対して、送信側グランド導体５１、受信側グランド導体５２を備える点において異なる。フロントエンド回路２１Ｃの他の構成は、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００６７】
送信側グランド導体５１および受信側グランド導体５２は、それぞれ絶縁性基板２０１の内部に形成されている。
【００６８】
送信側グランド導体５１は、フロントエンド回路２１Ｃを平面視して、送信回路領域Ｒｅｔｘに重なり、且つ、受信回路領域Ｒｅｒｘおよび受信側グランド導体５２に重ならない。送信側グランド導体５１は、絶縁性基板２０１内において、受信側グランド導体５２に接続されていない。送信側グランド導体５１は、シールド導体１００の第１側面側導体１０２に接続されている。
【００６９】
受信側グランド導体５２は、フロントエンド回路２１Ｃを平面視して、受信回路領域Ｒｅｒｘに重なり、且つ、送信回路領域Ｒｅｔｘ２に重ならない。
【００７０】
このような構成とすることによって、送信回路用素子の裏面側からの不要波信号の放射も送信側グランド導体５１によって遮蔽される。これにより、送信回路用素子から放射される不要波信号は、さらに外部に漏洩されない。
【００７１】
また、送信側グランド導体５１と受信側グランド導体５２とが重ならず、接続されていないので、送信回路用素子と受信回路用素子とが、グランド導体を介して結合することを抑制でき、フロントエンド回路２１Ｃの送信回路と受信回路との間のアイソレーションが向上する。
【００７２】
次に、本発明の第５の実施形態に係るフロントエンド回路について、図を参照して説明する。図６は、本発明の第５の実施形態に係るフロントエンド回路の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００７３】
本実施形態のフロントエンド回路２１Ｄは、第４の実施形態に係るフロントエンド回路２１Ｃに対して、絶縁性基板２０１Ｂ、シールド導体１００Ｄの形状において異なる。フロントエンド回路２１Ｄの他の構成は、第４の実施形態に係るフロントエンド回路２１Ｃと同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００７４】
絶縁性基板２０１Ｂは、第１側面２０１１Ｂに凹みＤ２０１Ｂを有する。この構成により、絶縁性基板２０１Ｂの上面２０１２Ｂの面積は、下面２０１３の面積よりも小さい。
【００７５】
シールド導体１００Ｄの第１側面側導体１０２Ｄは、絶縁性基板２０１Ｂの凹みＤ２０１Ｂに沿って当接しており、凹みＤ１Ｄを有する。送信側グランド導体５１は、この凹みＤ１Ｄの部分において、第１側面側導体１０２Ｄに接続されている。
【００７６】
このような構成とすることによって、シールド導体１００Ｄの第１側面側導体１０２Ｄを、絶縁性基板２０１Ｂおよびモールド樹脂２０２に確実に配置することができる。
【００７７】
次に、本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図７は、本発明の第６の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。なお、正面図とは、高周波モジュールにおける複数のフロントエンド回路における絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００７８】
高周波モジュール１０の回路構成は、第１の実施形態の図１に示した回路構成と同じである。
【００７９】
高周波モジュール１０は、フロントエンド回路２１，２２と、ベース基板１１０とを備える。フロントエンド回路２１は、第１通信バンドの送受信を行う。フロントエンド回路２１が本発明の「第１フロントエンド部」に対応する。フロントエンド回路２２は、第２通信バンドの送受信を行う。フロントエンド回路２２が本発明の「第２フロントエンド部」に対応する。
【００８０】
フロントエンド回路２１は、第１の実施形態に示した構造からなる。フロントエンド回路２２は、第１の実施形態に示した構造に対してシールド導体１００を除いた構造からなる。
【００８１】
フロントエンド回路２１とフロントエンド回路２２とは、ベース基板１１０の上面に、隣接して実装されている。フロントエンド回路２１におけるシールド導体１００が配置された第１側面は、フロントエンド回路２２側にある。
【００８２】
このような構成では、フロントエンド回路２１とフロントエンド回路２２とが近接していても、フロントエンド回路２１からの第１通信バンドの送信信号の高調波信号が、シールド導体１００に遮蔽される。これにより、高調波信号は、フロントエンド回路２２に伝搬されない。したがって、フロントエンド回路２２の送受信特性の劣化を抑制できる。例えば、第２通信バンドの受信信号の周波数帯域が第１通信バンドの送信信号の高調波信号の周波数に近接または重なっていても、フロントエンド回路２２の受信感度、Ｓ／Ｎの劣化を抑制できる。
【００８３】
次に、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図８は、本発明の第７の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。なお、正面図とは、高周波モジュールにおける複数のフロントエンド回路における絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００８４】
本実施形態の高周波モジュール１０Ａは、第６の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、フロントエンド回路２２Ａの構成において異なる。
【００８５】
フロントエンド回路２２Ａは、シールド導体１００Ａを備え、第２の実施形態に係るフロントエンド回路２１Ａと同じ構造を有する。
【００８６】
このような構成では、第１通信バンドの送信信号の高調波信号は、フロントエンド回路２１のシールド導体１００と、フロントエンド回路２２Ａのシールド導体１００Ｂとによって遮蔽される。これにより、フロントエンド回路２２Ａの送受信特性の劣化をさらに抑制できる。
【００８７】
次に、本発明の第８の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図９は、本発明の第８の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。なお、正面図とは、高周波モジュールにおける複数のフロントエンド回路における絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００８８】
本実施形態の高周波モジュール１０Ｂは、第６の実施形態に係る高周波モジュール１０に対して、フロントエンド回路２２Ｂの構成において異なる。
【００８９】
フロントエンド回路２２Ｂは、シールド導体１００を備えており、フロントエンド回路２１と同じ構造を有する。フロントエンド回路２２Ｂにおけるシールド導体１００が配置された第１側面は、フロントエンド回路２１側にある。
【００９０】
このような構成であっても、フロントエンド回路２２Ｂの送受信特性の劣化をさらに抑制できる。また、フロントエンド回路２２Ｂにおける受信回路素子は、フロントエンド回路２１から離間するので、フロントエンド回路２２Ｂの受信感度、Ｓ／Ｎの劣化をさらに抑制できる。
【００９１】
次に、本発明の第９の実施形態に係る高周波モジュールについて、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第９の実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す正面図である。なお、正面図とは、高周波モジュールにおける複数のフロントエンド回路における絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００９２】
本実施形態の高周波モジュール１０Ｃは、第７の実施形態に係る高周波モジュール１０Ａに対して、フロントエンド回路２１Ａの構成において異なる。
【００９３】
フロントエンド回路２１Ａは、フロントエンド回路２２Ａと同じ構造を有する。
【００９４】
このような構成では、高周波モジュール１０Ａと同様の作用効果が得られるとともに、フロントエンド回路２１Ａ，２２Ａの受信感度、Ｓ／Ｎの劣化をさらに抑制できる。
【００９５】
なお、上述の第１の実施形態に係るフロントエンド回路に、次に示す構造を適用することも可能である。図１１および図１２は、本発明の第１の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【００９６】
図１１に示すように、フロントエンド回路２１Ｅは、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１に対して、シールド導体１００Ｅの構成において異なる。フロントエンド回路２１Ｅの他の構成は、フロントエンド回路２１と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【００９７】
シールド導体１００Ｅは、上面側導体１０１のみを備える。言い換えれば、シールド導体１００Ｅは第１側面側導体を備えていない。
【００９８】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号（例えば、第１通信バンドの送信信号の高調波信号等）は、上面側導体１０１によって遮蔽され、外部に漏洩しない。また、受信回路領域Ｒｅｒｘがシールド導体１０１Ｅに覆われていないので、受信回路用素子とシールド導体１００Ｅとの不要な結合を抑制できる。
【００９９】
図１２に示すように、フロントエンド回路２１Ｆは、第１の実施形態に係るフロントエンド回路２１に対して、シールド導体１００Ｆの構成において異なる。フロントエンド回路２１Ｆの他の構成は、フロントエンド回路２１と同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【０１００】
シールド導体１００Ｆは、第１側面側導体１０２のみを備える。言い換えれば、シールド導体１００Ｆは上面側導体を備えていない。
【０１０１】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号（例えば、第１通信バンドの送信信号の高調波信号等）は、第１側面側導体１０２によって遮蔽され、外部に漏洩しない。また、受信回路領域Ｒｅｒｘがシールド導体１０１Ｆに覆われていないので、受信回路用素子とシールド導体１００Ｆとの不要な結合を抑制できる。
【０１０２】
また、上述の第２の実施形態に係るフロントエンド回路に、次に示す構造を適用することも可能である。図１３および図１４は、本発明の第２の実施形態に係るフロントエンド回路に対する別の構成を示す正面図である。なお、正面図とは、絶縁性基板の第３側面を正面として視た図である。
【０１０３】
図１３に示すように、フロントエンド回路２１Ｇは、第２の実施形態に係るフロントエンド回路２１Ａに対して、シールド導体１００Ｇの構成において異なる。フロントエンド回路２１Ｇの他の構成は、フロントエンド回路２１Ａと同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【０１０４】
シールド導体１００Ｇは、上面側導体１０１Ａのみを備える。言い換えれば、シールド導体１００Ｇは第２側面側導体を備えていない。
【０１０５】
このような構成とすることによって、外部からの不要波信号は、上面側導体１０１Ａとによって遮蔽され、受信回路用素子に到達しない。また、送信回路領域Ｒｅｔｘがシールド導体１００Ｇに覆われていないので、送信回路用素子とシールド導体１００Ｇとの不要な結合を抑制できる。
【０１０６】
図１４に示すように、フロントエンド回路２１Ｈは、第２の実施形態に係るフロントエンド回路２１Ａに対して、シールド導体１００Ｈの構成において異なる。フロントエンド回路２１Ｈの他の構成は、フロントエンド回路２１Ａと同じであり、同じ箇所の説明は省略する。
【０１０７】
シールド導体１００Ｈは、第２側面側導体１０２Ａのみを備える。言い換えれば、シールド導体１００Ｇは上面側導体１０１Ａを備えていない。
【０１０８】
このような構成とすることによって、外部からの不要波信号は、第２側面側導体１０２Ａとによって遮蔽され、受信回路用素子に到達しない。また、送信回路領域Ｒｅｔｘがシールド導体１００Ｈに覆われていないので、送信回路用素子とシールド導体１００Ｈとの不要な結合を抑制できる。
【０１０９】
また、上述の各実施形態のフロントエンド回路の構成、高周波モジュールの構成は、適宜組み合わせることが可能であり、それぞれの組み合わせに応じて、上述の各実施形態のフロントエンド回路および高周波モジュールの作用効果を得ることができる。
【０１１０】
また、上述の各実施形態において、モールド樹脂は省略することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：高周波モジュール
２１，２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ，２２，２２Ａ，２１Ｅ，２１Ｆ，２１Ｇ，２１Ｈ：フロントエンド回路
５１：送信側グランド導体
５２：受信側グランド導体
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｄ，１００Ｅ，１００Ｆ，１００Ｇ，１００Ｈ：シールド導体
１０１，１０１Ａ：上面側導体
１０２，１０２Ｄ：第１側面側導体
１０２Ａ：第２側面側導体
１１０：ベース基板
２０１，２０１Ｂ：絶縁性基板
２０２：モールド樹脂
３１１：送信回路、
３１２：分波回路
３１３：受信回路
４１１：パワーアンプ
４１２：整合回路
４１３：整合回路
４１４，４２４：低ノイズアンプ
２０１１，２０１１Ｂ，２０２１：第１側面
２０１２，２０１２Ｂ，２０２２：上面
２０１３：下面
２０１４，２０２４：第２側面
３１３１：受動素子
４１２１，４１２２：受動素子
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２：アンテナ
Ｄ１Ｄ，Ｄ２０１Ｂ：凹み
Ｒｅｔｘ：送信回路領域
Ｒｅｒｘ：受信回路領域
【図１】
2017169546.tif 000003
【図２】
2017169546.tif 000004
【図３】
2017169546.tif 000005
【図４】
2017169546.tif 000006
【図５】
2017169546.tif 000007
【図６】
2017169546.tif 000008
【図７】
2017169546.tif 000009
【図８】
2017169546.tif 000010
【図９】
2017169546.tif 000011
【図１０】
2017169546.tif 000012
【図１１】
2017169546.tif 000013
【図１２】
2017169546.tif 000014
【図１３】
2017169546.tif 000015
【図１４】
2017169546.tif 000016
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月1日(2018.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この構成では、第１フロントエンド部の送信回路から第２フロントエンド部の受信回路への高調波信号（不要波信号）の漏洩がさらに抑制される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この構成では、第１フロントエンド部の送信回路から第２フロントエンド部の受信回路への高調波信号（不要波信号）の漏洩がさらに抑制される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
受信側グランド導体５２は、フロントエンド回路２１Ｃを平面視して、受信回路領域Ｒｅｒｘに重なり、且つ、送信回路領域Ｒｅｔｘに重ならない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号（例えば、第１通信バンドの送信信号の高調波信号等）は、上面側導体１０１によって遮蔽され、外部に漏洩しない。また、受信回路領域Ｒｅｒｘがシールド導体１０１Ｅに覆われていないので、受信回路用素子とシールド導体１０１Ｅとの不要な結合を抑制できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
このような構成とすることによって、送信回路用素子から放射される不要波信号（例えば、第１通信バンドの送信信号の高調波信号等）は、第１側面側導体１０２によって遮蔽され、外部に漏洩しない。また、受信回路領域Ｒｅｒｘがシールド導体１００Ｆに覆われていないので、受信回路用素子とシールド導体１００Ｆとの不要な結合を抑制できる。
【国際調査報告】
2017169546.tif 000017
2017169546.tif 000018