(57)【要約】  本開示による増幅器は、第１の方向において互いに対向する１対の放電電極と、レーザ励起媒質と、シード光が入射する入射窓と、第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光を出射させる出射窓とを含むチャンバと、それぞれ反射領域を含み、第１の方向と交差する第３の方向において１対の放電電極を間に挟むようにして互いに対向する第１のミラー及び第２のミラーとを備え、第１のミラーの反射領域の第２の方向への投影像と第２のミラーの反射領域の第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられていてもよい。
2017006418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向において互いに対向する１対の放電電極と、レーザ励起媒質と、シード光が入射する入射窓と、前記第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光を出射させる出射窓とを含むチャンバと、
それぞれ反射領域を含み、前記第１の方向と交差する第３の方向において前記１対の放電電極を間に挟むようにして互いに対向する第１のミラー及び第２のミラーと
を備え、
前記第１のミラーの反射領域の前記第２の方向への投影像と前記第２のミラーの反射領域の前記第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられている
増幅器。
【請求項２】
前記第１のミラーは凸面ミラーであり、
前記第２のミラーは凹面ミラーである
請求項１に記載の増幅器。
【請求項３】
前記凸面ミラーは、シリンドリカル凸面ミラーであり、
前記凹面ミラーは、シリンドリカル凹面ミラーである
請求項２に記載の増幅器。
【請求項４】
前記第２のミラーは、それぞれ反射領域を含む複数のミラー要素を備え、
前記第１のミラーの反射領域の前記第２の方向への投影像と前記複数のミラー要素のそれぞれの反射領域の前記第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられている
請求項１に記載の増幅器。
【請求項５】
前記第１のミラーと前記第２のミラーとによって、ビームエキスパンダが構成されている
請求項１に記載の増幅器。
【請求項６】
前記ビームエキスパンダのビームエキスパンド方向と、前記１対の放電電極間の放電方向とが略一致する
請求項５に記載の増幅器。
【請求項７】
前記ギャップの大きさを調整する調整機構
をさらに備える。
請求項１に記載の増幅器。
【請求項８】
前記ギャップは、前記１対の放電電極の電極間隔よりも小さい
請求項１に記載の増幅器。
【請求項９】
前記シード光はパルスレーザ光であり、
前記シード光のパルス幅をＴｄ、前記第１のミラーと前記第２のミラーとの前記第２の方向におけるミラー間隔をＬ、光速をｃとしたとき、
ｃ・Ｔｄ＜２Ｌ
の関係を満たす
請求項１に記載の増幅器。
【請求項１０】
前記シード光はパルスレーザ光であり、
前記増幅レーザ光のパルスエネルギを検出するパルスエネルギモニタと、
前記パルスエネルギに基づいて、前記調整機構によって前記ギャップの大きさを制御する制御部と
をさらに備える。
請求項７に記載の増幅器。
【請求項１１】
シード光を出力する発振器と、
前記シード光の光路上に配置された増幅器と
を含み、
前記増幅器は、
第１の方向において互いに対向する１対の放電電極と、レーザ励起媒質と、前記シード光が入射する入射窓と、前記第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光を出射させる出射窓とを含むチャンバと、
それぞれ反射領域を含み、前記第１の方向と交差する第３の方向において前記１対の放電電極を間に挟むようにして互いに対向する第１のミラー及び第２のミラーと
を備え、
前記第１のミラーの反射領域の前記第２の方向への投影像と前記第２のミラーの反射領域の前記第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられている
レーザシステム。
【請求項１２】
前記発振器は、固体レーザ装置である
請求項１１に記載のレーザシステム。
【請求項１３】
前記発振器から出力された前記シード光が前記第１のミラーに入射するように、前記発振器と前記増幅器との間における前記シード光の光路上に配置された光学素子
をさらに備える
請求項１１に記載のレーザシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、レーザ光を増幅する増幅器、及びそのような増幅器を含むレーザシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、半導体露光装置においては解像力の向上が要請されている（半導体露光装置を以下、単に「露光装置」という）。このため、露光用光源から出力される光の短波長化が進められている。露光用光源には、従来の水銀ランプに代わってガスレーザ装置が用いられている。現在、露光用のガスレーザ装置としては、波長２４８ｎｍの紫外線を出力するＫｒＦエキシマレーザ装置並びに、波長約１９３．４ｎｍの紫外線を出力するＡｒＦエキシマレーザ装置が用いられている。【０００３】
現在の露光技術としては、露光装置側の投影レンズとウエハ間の間隙を液体で満たして、当該間隙の屈折率を変えることによって、露光用光源の見かけの波長を短波長化する液浸露光が実用化されている。ＡｒＦエキシマレーザ装置を露光用光源として用いて液浸露光が行われた場合は、ウエハには水中における波長１３４ｎｍの紫外光が照射される。この技術をＡｒＦ液浸露光という。ＡｒＦ液浸露光はＡｒＦ液浸リソグラフィーとも呼ばれる。【０００４】
ＫｒＦ、ＡｒＦエキシマレーザ装置の自然発振におけるスペクトル線幅は約３５０〜４００ｐｍと広いため、露光装置側の投影レンズによってウエハ上に縮小投影されるレーザ光（紫外線光）の色収差が発生して解像力が低下する。そこで色収差が無視できる程度となるまでガスレーザ装置から出力されるレーザ光のスペクトル線幅を狭帯域化する必要がある。スペクトル線幅はスペクトル幅とも呼ばれる。このためガスレーザ装置のレーザ共振器内には狭帯域化素子を有する狭帯域化モジュール（Line Narrow Module）が設けられ、この狭帯域化モジュールによりスペクトル幅の狭帯域化が実現されている。なお、狭帯域化素子はエタロンやグレーティング等であってもよい。このようにスペクトル幅が狭帯域化されたレーザ装置を狭帯域化レーザ装置という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３３２７９２号公報
【特許文献２】特開２０００−１５６５３５号公報
【特許文献３】特開２０１１−１４９１３号公報
【特許文献４】特開２００４−３９７６７号公報
【特許文献５】米国特許第６７６５９４５号明細書
【概要】
【０００６】
本開示による増幅器は、第１の方向において互いに対向する１対の放電電極と、レーザ励起媒質と、シード光が入射する入射窓と、第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光を出射させる出射窓とを含むチャンバと、それぞれ反射領域を含み、第１の方向と交差する第３の方向において１対の放電電極を間に挟むようにして互いに対向する第１のミラー及び第２のミラーとを備え、第１のミラーの反射領域の第２の方向への投影像と第２のミラーの反射領域の第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられていてもよい。
【０００７】
本開示によるレーザシステムは、シード光を出力する発振器と、シード光の光路上に配置された増幅器とを含み、増幅器は、第１の方向において互いに対向する１対の放電電極と、レーザ励起媒質と、シード光が入射する入射窓と、第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光を出射させる出射窓とを含むチャンバと、それぞれ反射領域を含み、第１の方向と交差する第３の方向において１対の放電電極を間に挟むようにして互いに対向する第１のミラー及び第２のミラーとを備え、第１のミラーの反射領域の第２の方向への投影像と第２のミラーの反射領域の第２の方向への投影像との間に０以上のギャップが設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、比較例に係る増幅器を含むレーザシステムの断面構成例を概略的に示す。
【図２】図２は、図１に示した増幅器を上面方向から見た構成例を概略的に示す。
【図３】図３は、図１に示した増幅器におけるシリンドリカル凸面ミラーによる光の反射作用を概略的に示す。
【図４】図４は、図１に示した増幅器におけるシリンドリカル凹面ミラーによる光の反射作用を概略的に示す。
【図５】図５は、図１に示した増幅器のＡ１−Ａ１’矢視図を概略的に示している。
【図６】図６は、図１における増幅器の構成を増幅器において発生する自励発振光の光路と共に概略的に示す。
【図７】図７は、図１における増幅器から出力されるレーザ光のスペクトル分布の一例を概略的に示す。
【図８】図８は、図１における増幅器に入射するシード光の時間的なパルス幅の一例を概略的に示す。
【図９】図９は、第１の実施形態に係るレーザシステムの要部として、増幅器の一構成例を概略的に示す。
【図１０】図１０は、図９に示した増幅器のＢ１−Ｂ１’矢視図を概略的に示している。
【図１１】図１１は、図９に示した増幅器におけるギャップと自励発振出力との関係を概略的に示す。
【図１２】図１２は、第１の実施形態の変形例に係る増幅器の一構成例を概略的に示す。
【図１３】図１３は、第２の実施形態に係る増幅器を含むレーザシステムの構成例を概略的に示す。
【図１４】図１４は、図１３に示した増幅器におけるシリンドリカル凸面ミラーの姿勢及びギャップの調整機構の一例を概略的に示す。
【図１５】図１５は、図１３に示した増幅器におけるシリンドリカル凹面ミラーの姿勢及びギャップの調整機構の一例を概略的に示す。
【図１６】図１６は、図１２に示したレーザシステムにおける制御部による制御の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１７】図１７は、第３の実施形態に係る増幅器を含むレーザシステムの構成例を概略的に示す。
【図１８】図１８は、図１７に示した増幅器におけるシリンドリカル凸面ミラーの姿勢の調整機構の一例を概略的に示す。
【図１９】図１９は、図１７に示した増幅器における第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラーの姿勢及びギャップＤ１，Ｄ２の調整機構の一例を概略的に示す。
【図２０】図２０は、図１７における増幅器のＣ１−Ｃ１’矢視図を概略的に示している。
【図２１】図２１は、固体レーザ装置の具体的な構成例を露光装置用レーザ装置の構成例と共に概略的に示す。
【図２２】図２２は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
【実施形態】
【０００９】
＜内容＞
［１．概要］
［２．比較例］（不安定共振器の構成の増幅器を含むレーザシステム）
２．１  構成（図１〜図２）
２．２  動作（図３、図４）
２．３  課題（図５〜図７）
［３．第１の実施形態］（増幅器のミラーにギャップが設けられたレーザシステム）
３．１  構成（図９、図１０）
３．２  動作（図１１）
３．３  作用
３．４  変形例（図１２）
［４．第２の実施形態］（ギャップの調整機構を備えるレーザシステム）
４．１  構成（図１３〜図１５）
４．２  動作（図１６）
４．３  作用
［５．第３の実施形態］（増幅器のミラーに２つのギャップが設けられたレーザシステム）
５．１  構成（図１７〜図２０）
５．２  動作
５．３  作用
［６．固体レーザ装置の具体例］
６．１  構成（図２１）
６．２  動作
［７．制御部のハードウエア環境］（図２２）
［８．その他］
【００１０】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１１】
［１．概要］
本開示は、例えば、レーザ光を増幅する増幅器、及びそのような増幅器を含むレーザシステムに関する。
【００１２】
［２．比較例］
まず、本開示の実施形態に対する比較例の増幅器、及び比較例の増幅器を含むレーザシステムについて説明する。
【００１３】
露光装置用レーザ装置として、ＭＯ（マスタオシレータ）とＰＯ（パワーオシレータ）とを含む構成があり得る。そのような露光装置用レーザ装置では、ＭＯとＰＯとに、エキシマレーザガスをレーザ媒質とするレーザが使用され得る。しかしながら、省エネルギの観点から、ＭＯを非線形結晶と固体レーザとを組み合わせた紫外光のパルスレーザ光を出力する固体レーザ装置とする露光装置用レーザ装置の開発が進みつつある。以下では、そのような固体レーザ装置を含む露光装置用レーザ装置として適用可能なレーザシステムの構成例を説明する。
【００１４】
（２．１  構成）
図１は、本開示の実施形態に対する比較例の増幅器２を含むレーザシステムの一構成例を概略的に示している。図２は、図１に示した増幅器２を上面方向から見た構成例を概略的に示している。
【００１５】
このレーザシステムは、発振器としての固体レーザ装置１０と、高反射ミラー９８，９９と、増幅器２とを備えてもよい。
【００１６】
固体レーザ装置１０は、波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光をシード光Ｌ１０として出射するレーザ装置であってもよい。高反射ミラー９８，９９は、固体レーザ装置１０から出射されたシード光Ｌ１０が増幅器２に入射するように、固体レーザ装置１０と増幅器２との間におけるシード光Ｌ１０の光路上に配置された光学素子であってもよい。
【００１７】
増幅器２は、チャンバ３５と、第１のミラーとしてのシリンドリカル凸面ミラー３６と、第２のミラーとしてのシリンドリカル凹面ミラー３７とを含んでもよい。チャンバ３５の中には、例えばレアガスとしてのＡｒガスと、ハロゲンガスとしてのＦ2ガスと、バッファガスとしてのＮｅガスとを含むＡｒＦレーザガスがレーザ励起媒質として入っていてもよい。また、チャンバ３５の中には、１対の放電電極３８ａ，３８ｂが放電空間５０を挟んで第１の方向において互いに対向するように配置されていてもよい。ここで、第１の方向は、図１に示したＶ軸方向に略平行な方向であってもよい。Ｖ軸方向は、図１における紙面の上下方向に略平行な方向であってもよい。
【００１８】
チャンバ３５は、ウインド３９ａとウインド３９ｂとを含んでいてもよい。ウインド３９ｂは、高反射ミラー９８，９９を介して固体レーザ装置１０から出射されたシード光Ｌ１０が最初に入射する入射窓であってもよい。ウインド３９ａは、シード光Ｌ１０の増幅レーザ光Ｌ２０をチャンバ３５から最終的に出射させる出射窓であってもよい。ウインド３９ａからは、第１の方向と交差する第２の方向に増幅レーザ光Ｌ２０が出射されてもよい。ここで、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向である第２の方向は、図１に示したＶ軸方向に略直交し、Ｚ軸方向に略平行な方向であってもよい。Ｚ軸方向は、図１における紙面の左右方向に略平行な方向であってもよい。
【００１９】
ウインド３９ａとウインド３９ｂは、図２に示したように、一対の放電電極３８ａ，３８ｂによる放電面に対して傾くように配置してもよい。ここで、放電面は、図１に示したＶ軸及びＺ軸を含む平面であってもよい。Ｖ軸及びＺ軸を含む平面は、図１における紙面に略平行な面であってもよい。
【００２０】
シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、第１の方向であるＶ軸方向と交差する第３の方向において１対の放電電極３８ａ，３８ｂを間に挟むようにして互いに対向するように配置されていてもよい。シリンドリカル凸面ミラー３６は、反射領域として凸反射面５１を含んでいてもよい。シリンドリカル凹面ミラー３７は、反射領域として凹反射面５２を含んでいてもよい。
【００２１】
シリンドリカル凸面ミラー３６の凸反射面５１には、波長約１９３．４ｎｍの光を高反射する高反射膜がコートされていてもよい。同様に、シリンドリカル凹面ミラー３７の凹反射面５２には、波長約１９３．４ｎｍの光を高反射する高反射膜がコートされていてもよい。シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、シード光Ｌ１０を放電空間５０内で３パスさせるように配置してもよい。また、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、不安定共振器となるように配置してもよい。また、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とによって、ビームエキスパンダが構成されていてもよい。この場合、ビームエキスパンド方向と、１対の放電電極３８ａ，３８ｂ間の放電方向とが略一致するようにビームエキスパンダを構成してもよい。これにより、増幅器２は、シード光Ｌ１０を放電方向にビーム拡大しつつ、放電空間５０内で増幅発振するような構成とされていてもよい。
【００２２】
（２．２  動作）
固体レーザ装置１０から出射された波長約１９３．４ｎｍのシード光Ｌ１０は、高反射ミラー９８，９９を介して、増幅器２のシリンドリカル凹面ミラー３７の下端部よりも下側を通過し、かつ１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に平行に進行するように放電空間５０に入射し得る。シード光Ｌ１０は、放電空間５０中を１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に平行に進行することによって増幅され、次に、シリンドリカル凸面ミラー３６に入射し得る。
【００２３】
図３は、シリンドリカル凸面ミラー３６による光の反射作用を概略的に示している。シリンドリカル凸面ミラー３６を高反射したシード光Ｌ１０は、図１及び図３に示したように反射光Ｌ１１として、ビーム拡大しながら放電空間５０中を通過することによって、さらに増幅され、次に、シリンドリカル凹面ミラー３７に入射し得る。
【００２４】
図４は、シリンドリカル凹面ミラー３７による光の反射作用を概略的に示している。シリンドリカル凹面ミラー３７に入射した反射光Ｌ１１は、シリンドリカル凹面ミラー３７でさらに高反射され得る。シリンドリカル凹面ミラー３７による反射光Ｌ１２は、シリンドリカル凹面ミラー３７によって、図１及び図４に示したように１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に対してコリメートされつつ、放電空間５０中を再び通過して、さらに、増幅され得る。コリメートされたシード光Ｌ１０の反射光Ｌ１２の多くは、シリンドリカル凸面ミラー３６の上端部よりも上側を通過して、増幅レーザ光Ｌ２０として、露光装置４へ入射し得る。しかしながら、シード光Ｌ１０の反射光Ｌ１２の一部は、シリンドリカル凸面ミラー３６の上端部よりも下側に入射して反射し、再び、３パス増幅され、増幅発振が起こり得る。
【００２５】
（２．３  課題）
図５は、図１に示した増幅器２のＡ１−Ａ１’矢視図を概略的に示している。また、図６は、増幅器２の構成を、増幅器２において発生する自励発振光の光路と共に概略的に示している。なお、図５は、第２の方向である増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から増幅器２を見た状態の構成例を示していてもよい。
【００２６】
シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１の上端部５１Ａと凹反射面５２の下端部５２ＡとがマイナスのギャップＤ（−）を有する状態となるように配置され得る。ここで、図５の構成例においてマイナスのギャップＤ（−）を有する状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１と凹反射面５２とが重なり合っている部分を有する状態のことであってもよい。図５の構成例では、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１の上端部５１Ａが凹反射面５２の下端部５２Ａよりも上側に位置することによって、凸反射面５１と凹反射面５２とが部分的に重なり合う状態となり得る。これにより、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向への凸反射面５１の投影像と凹反射面５２の投影像とが部分的に重なり合う状態となり得る。
ここで、本明細書では、投影像は、第１のミラーの反射領域と第２のミラーの反射領域との像を、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に直交する所定の面に、それぞれ、１：１で転写結像させた正転像として定義され得る。例えば、図１の例では、投影像は、凸反射面５１と凹反射面５２との像を、矢印Ａ１−Ａ１’で示した所定の面に、それぞれ、１：１で転写結像させた正転像として定義され得る。
【００２７】
シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とが、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向においてミラー間隔Ｌで配置され、かつ上記したマイナスのギャップＤ（−）を有する状態となるように配置されている場合、以下の課題があり得る。
【００２８】
増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向において凸反射面５１と凹反射面５２とが部分的に重なり合う状態となっているので、その重なり合う部分が光共振器を形成し得る。その結果、図６に示したように、増幅器２からは、シード光Ｌ１０が増幅された増幅レーザ光Ｌ２０と、自励発振によって増幅された自励発振光Ｌ２１とを含むレーザ光が出射され得る。なお、自励発振光Ｌ２１は、増幅器２にシード光Ｌ１０が入射されていない期間においても発生し得る。
【００２９】
図７は、増幅器２から出力されるレーザ光のスペクトル分布の一例を概略的に示している。なお、図７において、横軸は波長、縦軸は光強度であってもよい。図７に示すように、増幅器２から出射されるレーザ光のスペクトル波形は、シード光Ｌ１０が増幅された増幅レーザ光Ｌ２０と、自励発振によって増幅された自励発振光Ｌ２１とを含むスペクトル波形となり得る。また、自励発振光Ｌ２１のスペクトル波形は、シード光Ｌ１０の増幅レーザ光Ｌ２０に比べてスペクトル幅が非常に広く、例えば半値全幅で３５０ｐｍの幅を取り得る。また、自励発振によって増幅された自励発振光Ｌ２１のスペクトル領域は、シード光Ｌ１０の増幅レーザ光Ｌ２０のスペクトル領域を含んでいる。このため、露光装置４における投影光学系で色収差が発生して、露光性能や集光性能が低下することがあり得る。
【００３０】
図８は、増幅器２に入射するシード光Ｌ１０の時間的なパルス幅Ｔｄの一例を概略的に示している。なお、図８において、横軸は時間、縦軸は光強度であってもよい。また、図８に示した２Ｌ／ｃは、シード光Ｌ１０がシリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７との間を往復するのに要する時間であってもよい。図８及び以下の式に示したように、シード光Ｌ１０の時間的なパルス幅Ｔｄに対応するパルスの長さＴｄ・ｃは、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とによって形成される不安定共振器の光路長２Ｌよりも短くなり得る。この場合、増幅器２の放電空間５０内をシード光Ｌ１０で全て満たした状態で放電させることが困難となり得る。このため、自励発振を抑制することが困難になり得る。
ｃ・Ｔｄ＜２Ｌ
Ｔｄ：シード光Ｌ１０の時間的なパルス幅（半値全幅）、
ｃ：光速、
Ｌ：増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向における、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とのミラー間隔
【００３１】
［３．第１の実施形態］
次に、本開示の第１の実施形態に係る増幅器を含むレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記図１に示した増幅器２を含むレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００３２】
（３．１  構成）
図９は、本開示の第１の実施形態に係るレーザシステムの要部として、増幅器２Ａの一構成例を概略的に示している。図１０は、図９に示した増幅器２ＡのＢ１−Ｂ１’矢視図を概略的に示している。なお、図１０は、第２の方向である増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から増幅器２Ａを見た状態の構成例を示していてもよい。
【００３３】
本実施形態に係るレーザシステムは、図１に示した比較例の増幅器２に代えて、図９に示した増幅器２Ａを備えてもよい。増幅器２Ａには、上記比較例に係る増幅器２と同様に、固体レーザ装置１０からのシード光Ｌ１０が入射するように構成されていてもよい。固体レーザ装置１０から出射されるシード光Ｌ１０は、上記したように、ｃ・Ｔｄ＜２Ｌの条件を満たすパルスレーザ光であってもよい。
【００３４】
増幅器２Ａは、比較例の増幅器２の構成に対して、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７との配置が異なった構成となっていてもよい。増幅器２Ａにおいて、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、自励発振が抑制されるような配置になっていてもよい。
【００３５】
具体的には、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７は、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１の上端部５１Ａと凹反射面５２の下端部５２Ａとが０以上のギャップＤを有する状態となるように配置されていてもよい。０以上のギャップＤとは、０又はプラスのギャップＤであってもよい。ここで、０のギャップＤを有する状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１の上端部５１Ａと凹反射面５２の下端部５２Ａとが接している状態のことであってもよい。また、プラスのギャップＤを有する状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１と凹反射面５２とが重なることなく離れている状態のことであってもよい。図１０に示したように、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面５１の上端部５１Ａが凹反射面５２の下端部５２Ａよりも下側に位置することによって、凸反射面５１と凹反射面５２とが重なることなく離れている状態となり得る。
【００３６】
以上のようにして、増幅器２Ａは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向への凸反射面５１の投影像と凹反射面５２の投影像との間に０以上のギャップＤが設けられた構成となっていてもよい。
【００３７】
その他の構成は、図１に示した比較例の増幅器２を含むレーザシステムと略同様であってもよい。
【００３８】
（３．２  動作）
増幅器２Ａでは、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とが自励発振を抑制するような配置とされているので、上記比較例と比べて自励発振光Ｌ２１の発生が抑制され得る。これにより、増幅器２Ａは、主としてシード光Ｌ１０に対する増幅器として機能し得る。
【００３９】
図１１は、図９に示した増幅器２ＡにおけるギャップＤと自励発振出力との関係を概略的に示したグラフである。図１１において、横軸はギャップＤの値（ｍｍ）、縦軸は自励発振出力の値（Ｗ）であってもよい。また、図１１のグラフは、以下の条件で得られたものであってもよい。
・シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とのミラー間隔Ｌ＝１０００ｍｍ
・シード光Ｌ１０の時間的なパルス幅Ｔｄ＝４ｎｓ（半値全幅）
・シード光Ｌ１０のパルスエネルギ＝１６μＪ
・ビーム拡大率３〜８倍
・１対の放電電極３８ａ，３８ｂの電極間隔＝１６ｍｍ
・シード光Ｌ１０及び増幅器２Ａの放電の繰り返し周波数＝６ｋＨｚ
【００４０】
図１１に示すように、例えば、増幅器２Ａからの出力が２００Ｗの場合、好ましくは、ギャップＤが０以上になると、自励発振出力が３０Ｗ以下となり得る。さらに好ましくは、ギャップＤ＝＋１．０ｍｍ以上の場合、自励発振出力が１Ｗ以下となり得る。
【００４１】
ここで、ギャップＤが０であっても、自励発振が発生する推定原因は、凸反射面５１の上端部５１Ａに相当するシリンドリカル凸面ミラー３６の放電空間５０側のエッジ部と、凹反射面５２の下端部５２Ａに相当するシリンドリカル凹面ミラー３７の放電空間５０側のエッジ部とで光が散乱することによって、自励発振したものと考えられる。従って、ギャップＤを＋１ｍｍ以上とすることによって、自励発振をさらに抑制し得る。
【００４２】
また、ギャップＤは、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とのミラー間隔Ｌと、１対の放電電極３８ａ，３８ｂの電極間隔とに関して、以下の条件を満たすことが好ましい。すなわち、ギャップＤは、１対の放電電極３８ａ，３８ｂの電極間隔よりも小さくてもよい。また、ギャップＤは、Ｌ／１０００（ｍｍ）以上であってもよい、
電極間隔＞Ｄ≧Ｌ／１０００（ｍｍ）
【００４３】
（３．３  作用）
本実施形態のレーザシステムによれば、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とをギャップＤが０以上となるように配置するようにしたので、増幅器２Ａにおける自励発振が抑制され得る。これにより、増幅器２Ａにおいて、スペクトル純度が高いスペクトルのレーザ光が増幅され得る。その結果、露光装置４の露光性能や集光性能の悪化が抑制され得る。
【００４４】
（３．４  変形例）
図１２は、第１の実施形態の変形例に係る増幅器２Ｂの一構成例を概略的に示している。
本変形例に係る増幅器２Ｂは、上記増幅器２Ａにおけるシリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とに代えて、第１のミラーとしての第１の平面ミラー６１と、第２のミラーとしての第２の平面ミラー６２とを含んでいてもよい。
【００４５】
第１の平面ミラー６１と第２の平面ミラー６２は、第１の方向であるＶ軸方向と交差する第３の方向において１対の放電電極３８ａ，３８ｂを間に挟むようにして互いに対向するように配置されていてもよい。第１の平面ミラー６１は、反射領域として第１の平面反射面６３を含んでいてもよい。第２の平面ミラー６２は、反射領域として第２の平面反射面６４を含んでいてもよい。
【００４６】
第１の平面反射面６３と第２の平面反射面６４とにはそれぞれ、波長約１９３．４ｎｍの光を高反射する高反射膜がコートされていてもよい。第１の平面ミラー６１と第２の平面ミラー６２は、シード光Ｌ１０を放電空間５０内で３パスさせるように配置してもよい。また、第１の平面ミラー６１と第２の平面ミラー６２は、光共振器を構成しないように配置してもよい。
【００４７】
増幅器２Ｂでは、第１の平面ミラー６１と第２の平面ミラー６２とが自励発振を抑制するような配置とされていてもよい。具体的には、第１の平面ミラー６１と第２の平面ミラー６２は、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、第１の平面反射面６３の上端部６３Ａと第２の平面反射面６４の下端部６４Ａとが０以上のギャップＤを有する状態となるように配置されていてもよい。０以上のギャップＤとは、０又はプラスのギャップＤであってもよい。ここで、０のギャップＤを有する状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、第１の平面反射面６３の上端部６３Ａと第２の平面反射面６４の下端部６４Ａとが接している状態のことであってもよい。また、プラスのギャップＤを有する状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、第１の平面反射面６３と第２の平面反射面６４とが重なることなく離れている状態のことであってもよい。増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、第１の平面反射面６３の上端部６３Ａが第２の平面反射面６４の下端部６４Ａよりも下側に位置することによって、第１の平面反射面６３と第２の平面反射面６４とが重なることなく離れている状態となり得る。
【００４８】
以上のようにして、増幅器２Ｂは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向への第１の平面反射面６３の投影像と第２の平面反射面６４の投影像との間に０以上のギャップＤが設けられた構成となっていてもよい。
【００４９】
その他の構成及び作用は、図９に示した増幅器２Ａと略同様であってもよい。
【００５０】
［４．第２の実施形態］
次に、本開示の第２の実施形態に係る増幅器を含むレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１の実施形態に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５１】
（４．１  構成）
図１３は、本開示の第２の実施形態に係る増幅器２Ｃを含むレーザシステムの一構成例を概略的に示している。
【００５２】
本実施形態に係るレーザシステムは、図９に示した第１の実施形態における増幅器２Ａに代えて、増幅器２Ｃを備えてもよい。また、本実施形態に係るレーザシステムは、制御部７と、固体レーザ装置１０と、高反射ミラー９８，９９と、パルスエネルギモニタ９０とを備えてもよい。固体レーザ装置１０は、制御部７に電気的に接続され、制御部７によってシード光Ｌ１０の発振タイミングが制御されてもよい。
【００５３】
高反射ミラー９８は、ミラーホルダ１１１に収められていてもよい。ミラーホルダ１１１は、直交する２軸の方向に高反射ミラー９８の姿勢角を制御するアクチュエータ１１２に接続されていてもよい。高反射ミラー９９は、ミラーホルダ１１３に収められていてもよい。ミラーホルダ１１３は、直交する２軸の方向に高反射ミラー９９の姿勢角を制御するアクチュエータ１１４に接続されていてもよい。アクチュエータ１１２，１１４は、制御部７に電気的に接続され、制御部７によって高反射ミラー９８，９９の姿勢角が制御されてもよい。
【００５４】
増幅器２Ｃは、上記第１の実施形態に係る増幅器２Ａと同様の構成要素に加えて、さらに、調整機構７０，８０と、パルス電源３４とを含んでいてもよい。パルス電源３４と調整機構７０，８０は、制御部７に電気的に接続されていてもよい。パルス電源３４は、１対の放電電極３８ａ，３８ｂを放電させるための電源供給を行う電源であってもよい。パルス電源３４による電源供給のタイミング、及び１対の放電電極３８ａ，３８ｂによる放電タイミングは、制御部７によって制御されてもよい。
【００５５】
図１４は調整機構７０の一例を概略的に示している。調整機構７０は、シリンドリカル凸面ミラー３６の姿勢及びギャップＤを調整する機構であってもよい。調整機構７０は、アクチュエータ７２と、アクチュエータ７２に接続された凸面ミラー駆動装置７１とを含んでもよい。シリンドリカル凸面ミラー３６は、凸面ミラー駆動装置７１に収められていてもよい。調整機構７０は、図１４に示したように、シリンドリカル凸面ミラー３６の姿勢をＶ軸、Ｈ軸、及びＺ軸をそれぞれ回転軸として回転可能なものであってもよい。また、調整機構７０は、凸面ミラー３６の位置をＶ軸方向に移動させることにより、ギャップＤを調整可能となっていてもよい。
【００５６】
図１５は、調整機構８０の一例を概略的に示している。調整機構８０は、シリンドリカル凹面ミラー３７の姿勢及びギャップＤを調整する機構であってもよい。調整機構８０は、アクチュエータ８２と、アクチュエータ８２に接続された凹面ミラー駆動装置８１とを含んでもよい。シリンドリカル凹面ミラー３７は、凹面ミラー駆動装置８１に収められていてもよい。調整機構８０は、図１５に示したように、シリンドリカル凹面ミラー３７の姿勢をＶ軸、Ｈ軸、及びＺ軸をそれぞれ回転軸として回転可能なものであってもよい。また、調整機構８０は、シリンドリカル凹面ミラー３７の位置をＶ軸方向に移動させることにより、ギャップＤを調整可能となっていてもよい。
【００５７】
パルスエネルギモニタ９０は、ビームスプリッタ９１と、集光光学系９２と、パルスエネルギセンサ９３とを含んでもよい。パルスエネルギモニタ９０は、増幅器２Ｃから出射された増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギを検出するモニタであってもよい。ビームスプリッタ９１は、増幅レーザ光Ｌ２０の光路上に配置され、増幅レーザ光Ｌ２０の一部を集光光学系９２に向けて出射させるように配置されていてもよい。集光光学系９２は、ビームスプリッタ９１によって分岐された増幅レーザ光Ｌ２０の一部を集光してパルスエネルギセンサ９３のセンサ面に入射させるものであってもよい。パルスエネルギセンサ９３は、増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギを検出するものであってもよい。
【００５８】
パルスエネルギセンサ９３は、制御部７に電気的に接続され、検出結果を示す信号を制御部７に出力するようになっていてもよい。制御部７は、パルスエネルギセンサ９３で検出されたパルスエネルギに基づいて、調整機構７０，８０によってギャップＤの大きさを制御するようになっていてもよい。また、制御部７は、パルスエネルギに基づいて、アクチュエータ１１２，１１４を制御し、高反射ミラー９８，９９の姿勢角を制御するようになっていてもよい。また、制御部７は、パルスエネルギに基づいて、調整機構７０，８０を制御し、シリンドリカル凸面ミラー３６及びシリンドリカル凹面ミラー３７の姿勢を制御するようになっていてもよい。
【００５９】
その他の構成は、図９に示したレーザシステムと略同様であってもよい。
【００６０】
（４．２  動作）
次に、図１６を参照して、制御部７による制御動作の具体的な例を説明する。
【００６１】
制御部７は、固体レーザ装置１０にレーザ発振を指示するトリガ信号を入力し、波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光をシード光Ｌ１０として出射させてもよい。制御部７は、まず、調整機構７０，８０によって、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とが初期位置となるように制御してもよい（ステップＳ１０１）。ここで、ギャップＤの初期の調整値をＤ＝０となるようにしてもよい（ステップＳ１０２）。制御部７は、ギャップＤが調整値となるように調整機構７０，８０による調整を行ってもよい（ステップＳ１０３）。
【００６２】
次に、制御部７は、固体レーザ装置１０から出射されたシード光Ｌ１０が増幅器２Ｃの所定の入射光路軸に一致するように、アクチュエータ１１２，１１４によって高反射ミラー９８，９９の姿勢角を調節してもよい（ステップＳ１０４）。次に、制御部７は、シード光Ｌ１０がシリンドリカル凹面ミラー３７の所定位置に向けて反射するように、調整機構７０によってシリンドリカル凸面ミラー３６の姿勢角を調整してもよい（ステップＳ１０５）。次に、制御部７は、シード光Ｌ１０が所定の出射光路軸に一致するように、調整機構８０によってシリンドリカル凹面ミラー３７の姿勢角を調整してもよい（ステップＳ１０６）。
【００６３】
この状態で、制御部７は、シード光Ｌ１０の注入なしで増幅器２Ｃを放電させるような制御を行ってもよい（ステップＳ１０７）。すなわち、制御部７は、固体レーザ装置１０からのシード光Ｌ１０の出力を停止させると共に、増幅器２Ｃのパルス電源３４を充電し、増幅器２Ｃを放電させてもよい。放電で生じた自励発振成分は増幅器２Ｃを出射し、ビームスプリッタ９１により分岐され、集光光学系９２により集光されてパルスエネルギセンサ９３に入射し得る。パルスエネルギセンサ９３は、入射した光量に応じた電気信号を、パルスエネルギを算出するための検出信号として制御部７に出力してもよい。制御部７は、検出信号を所定の変換式によりパルスエネルギに変換し、自励発振のパルスエネルギＰｓを計測してもよい（ステップＳ１０８）。制御部７は、自励発振のパルスエネルギＰｓの計測結果を記憶してもよい。
【００６４】
次に、制御部７は、シード光Ｌ１０の注入に同期して増幅器２Ｃを放電させるような制御を行ってもよい（ステップＳ１０９）。すなわち、制御部７は固体レーザ装置１０へレーザ発振を指示するトリガ信号を出力し、シード光Ｌ１０を出射させ、シード光Ｌ１０が増幅器２Ｃの放電空間５０に入射するのに同期して放電するように、パルス電源３４に放電信号を送信してもよい。その結果、シード光Ｌ１０は、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とによって、放電空間５０中をビーム拡大しながら増幅され得る。増幅器２Ｃで増幅されたシード光Ｌ１０は、増幅レーザ光Ｌ２０として増幅器２Ｃから出射され、一部の光はパルスエネルギモニタ９０に入射し得る。増幅レーザ光Ｌ２０の一部の光は、集光光学系９２により集光されてパルスエネルギセンサ９３に入射し得る。パルスエネルギセンサ９３は、入射した光量に応じた電気信号を、パルスエネルギを算出するための検出信号として制御部７に出力してもよい。制御部７は、検出信号を所定の変換式によりパルスエネルギに変換し、増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギＰａを計測してもよい（ステップＳ１１０）。制御部７は、増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギＰａの計測結果を記憶してもよい。
【００６５】
次に、制御部７は、自励発振のパルスエネルギＰｓの値と、増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギＰａの値とに基づいて、Ｐｓ／Ｐａの値を算出してもよい。次に、制御部７は、Ｐｓ／Ｐａ＜Ｒの条件を満たすか否か、すなわち、Ｐｓ／Ｐａの値が所定の値Ｒよりも小さいか否かを判断してもよい（ステップＳ１１１）。ここで、所定の値Ｒは、例えば０．００１であってもよい。
【００６６】
Ｐｓ／Ｐａ＜Ｒの条件を満たさないと判断した場合（ステップＳ１１１；Ｎ）には、制御部７は、次に、ギャップＤの調整値をＤ＝Ｄ＋ΔＤとなるようにしてもよい（ステップＳ１１２）。ここで、ΔＤは、正の値であってもよい。その後、制御部７は、ステップＳ１０３の処理に戻り、ギャップＤがΔＤだけ変化するように調整機構７０，８０による調整を行ってもよい。制御部７は、Ｐｓ／Ｐａの値が所定の値Ｒよりも小さくなるまで、ステップＳ１０３〜Ｓ１１２の処理を繰り返してもよい。Ｐｓ／Ｐａ＜Ｒの条件を満たすと判断した場合（ステップＳ１１１；Ｙ）には、制御部７は、処理を終了してもよい。
【００６７】
（４．３  作用）
本実施形態のレーザシステムによれば、高反射ミラー９８，９９、シリンドリカル凸面ミラー３６、及びシリンドリカル凹面ミラー３７にアクチュエータ７２，８２，１１２，１１４がそれぞれ配置されているので、自動でアライメント調整が可能となり得る。
【００６８】
また、シリンドリカル凸面ミラー３６とシリンドリカル凹面ミラー３７とに、Ｖ軸方向への移動調整を行うことが可能な調整機構７０，８０が設けられているので、自動でギャップＤの調整が可能となり得る。また、増幅器２Ｃから出射された光のパルスエネルギをモニタすることによって、自励発振のパルスエネルギＰｓとシード光Ｌ１０の増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギＰａとを計測し得る。そして、ギャップＤを自動で調整しつつ、自励発振の割合を示すＰｓ／Ｐａの値を計測することによって、Ｐｓ／Ｐａの値が所定の値Ｒよりも小さくなるギャップＤの値を決定し得る。
【００６９】
その他の作用は、図９に示したレーザシステムと略同様であってもよい。
【００７０】
［５．第３の実施形態］
次に、本開示の第３の実施形態に係る増幅器を含むレーザシステムについて説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１若しくは第２の実施形態に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７１】
（５．１  構成）
図１７は、本開示の第３の実施形態に係る増幅器２Ｄを含むレーザシステムの一構成例を概略的に示している。図２０は、図１７に示した増幅器２ＤのＣ１−Ｃ１’矢視図を概略的に示している。なお、図２０は、第２の方向である増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から増幅器２Ｄを見た状態の構成例を示していてもよい。
【００７２】
本実施形態に係るレーザシステムは、図１３に示した第２の実施形態における増幅器２Ｃに代えて、増幅器２Ｄを備えてもよい。増幅器２Ｄは、上記増幅器２Ｃにおけるシリンドリカル凸面ミラー３６に代えて、第１のミラーとしてのシリンドリカル凸面ミラー１３６を含んでいてもよい。また、増幅器２Ｄは、上記増幅器２Ｃにおけるシリンドリカル凹面ミラー３７に代えて、第２のミラーとして、それぞれ反射領域を含む複数のミラー要素を備えてもよい。複数のミラー要素として、第１のシリンドリカル凹面ミラー１３７と第２のシリンドリカル凹面ミラー１３８とを含んでもよい。
【００７３】
シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８とは、第１の方向であるＶ軸方向と交差する第３の方向において１対の放電電極３８ａ，３８ｂを間に挟むようにして互いに対向するように配置されていてもよい。シリンドリカル凸面ミラー１３６は、反射領域として凸反射面１５１を含んでいてもよい。第１のシリンドリカル凹面ミラー１３７は、反射領域として第１の凹反射面１５２を含んでいてもよい。第２のシリンドリカル凹面ミラー１３８は、反射領域として第２の凹反射面１５３を含んでいてもよい。
【００７４】
凸反射面１５１と第１及び第２の凹反射面１５２，１５３とにはそれぞれ、波長約１９３．４ｎｍの光を高反射する高反射膜がコートされていてもよい。シリンドリカル凸面ミラー１３６は、焦点軸が増幅レーザ光Ｌ２０の略中央の位置となるように配置してもよい。第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８は、１つのシリンドリカル凹面ミラーを母線中央部で分割して配置したような構成となっていてもよい。シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１のシリンドリカル凹面ミラー１３７は、シード光Ｌ１０を放電空間５０内における略上側半分の空間で３パスさせるように配置してもよい。また、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第２のシリンドリカル凹面ミラー１３８は、シード光Ｌ１０を放電空間５０内における略下側半分の空間で３パスさせるように配置してもよい。また、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８は、光共振器を構成しないように配置してもよい。
【００７５】
増幅器２Ｄでは、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８とが自励発振を抑制するような配置とされていてもよい。
【００７６】
具体的には、図２０に示したように、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１のシリンドリカル凹面ミラー１３７は、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の上端部１５１Ａと第１の凹反射面１５２の下端部１５２Ａとが０以上の第１のギャップＤ１を有する状態となるように配置されていてもよい。また、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第２のシリンドリカル凹面ミラー１３８は、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の下端部１５１Ｂと第２の凹反射面１５３の上端部１５３Ａとが０以上の第２のギャップＤ２を有する状態となるように配置されていてもよい。０以上の第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２とは、０又はプラスのギャップであってもよい。
【００７７】
ここで、第１のギャップＤ１が０となる状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の上端部１５１Ａと第１の凹反射面１５２の下端部１５２Ａとが接している状態のことであってもよい。また、第２のギャップＤ２が０となる状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の下端部１５１Ｂと第２の凹反射面１５３の上端部１５３Ａとが接している状態のことであってもよい。
【００７８】
また、第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２がプラスとなる状態とは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１と第１及び第２の凹反射面１５２，１５３とが重なることなく離れている状態のことであってもよい。増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の上端部１５１Ａが第１の凹反射面１５２の下端部１５２Ａよりも下側に位置することによって、凸反射面１５１と第１の凹反射面１５２とが重なることなく離れている状態となり得る。また、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向に平行な方向から見たときに、凸反射面１５１の下端部１５１Ｂが第２の凹反射面１５３の上端部１５３Ａよりも上側に位置することによって、凸反射面１５１と第２の凹反射面１５３とが重なることなく離れている状態となり得る。
【００７９】
以上のようにして、増幅器２Ｄは、増幅レーザ光Ｌ２０の出射方向への凸反射面１５１の投影像と第１及び第２の凹反射面１５２，１５３の投影像との間に０以上の第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２が設けられた構成となっていてもよい。
【００８０】
また、増幅器２Ｄは、上記増幅器２Ｃにおける調整機構７０，８０に代えて、調整機構１７０，１８０を含んでいてもよい。調整機構１７０，１８０は、制御部７に電気的に接続されていてもよい。
【００８１】
図１８は調整機構１７０の一例を概略的に示している。調整機構１７０は、シリンドリカル凸面ミラー１３６の姿勢を調整する機構であってもよい。調整機構１７０は、アクチュエータ１７２と、アクチュエータ１７２に接続された凸面ミラー駆動装置１７１とを含んでもよい。シリンドリカル凸面ミラー１３６は、凸面ミラー駆動装置１７１に収められていてもよい。調整機構１７０は、図１８に示したように、シリンドリカル凸面ミラー１３６の姿勢をＶ軸、Ｈ軸、及びＺ軸をそれぞれ回転軸として回転可能なものであってもよい。調整機構１７０が、シリンドリカル凸面ミラー１３６の位置をＶ軸方向に移動可能となっていてもよい。
【００８２】
図１９は、調整機構１８０の一例を概略的に示している。調整機構１８０は、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８の姿勢と第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２とを調整する機構であってもよい。調整機構１８０は、アクチュエータ１８２と、アクチュエータ１８２に接続された凹面ミラー駆動装置１８１とを含んでもよい。第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８は、凹面ミラー駆動装置１８１に収められていてもよい。調整機構１８０は、図１９に示したように、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８の姿勢をＶ軸、Ｈ軸、及びＺ軸をそれぞれ回転軸として回転可能なものであってもよい。また、調整機構１８０は、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８の位置をそれぞれ独立にＶ軸方向に移動させることにより、第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２をそれぞれ独立に調整可能となっていてもよい。
【００８３】
パルスエネルギセンサ９３は、制御部７に電気的に接続され、検出結果を示す信号を制御部７に出力するようになっていてもよい。制御部７は、パルスエネルギセンサ９３で検出されたパルスエネルギに基づいて、調整機構１８０によって第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２の大きさを、それぞれ独立に制御するようになっていてもよい。また、制御部７は、パルスエネルギに基づいて、アクチュエータ１１２，１１４を制御し、高反射ミラー９８，９９の姿勢角を制御するようになっていてもよい。また、制御部７は、パルスエネルギに基づいて、調整機構１７０，１８０を制御し、シリンドリカル凸面ミラー１３６と第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８との姿勢をそれぞれ独立に制御するようになっていてもよい。
【００８４】
その他の構成は、図１３に示したレーザシステムと略同様であってもよい。
【００８５】
（５．２  動作）
固体レーザ装置１０から出射された波長約１９３．４ｎｍのシード光Ｌ１０は、高反射ミラー９８，９９を介して、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８の間を通過し、かつ１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に平行に進行するように放電空間５０に入射し得る。シード光Ｌ１０は、放電空間５０中を１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に平行に進行することによって増幅され、次に、シリンドリカル凸面ミラー１３６に入射し得る。
【００８６】
増幅器２Ｄにおいて、シリンドリカル凸面ミラー１３６を高反射したシード光Ｌ１０は、図１７及び図１８に示したように反射光Ｌ１１として、略上側半分と略下側半分とのそれぞれにおいてビーム拡大しながら放電空間５０中を通過することによって、さらに増幅され、次に、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８に入射し得る。
【００８７】
第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８に入射した反射光Ｌ１１は、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８でさらに高反射され得る。第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８による反射光Ｌ１２は、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８によって、図１７及び図１９に示したように１対の放電電極３８ａ，３８ｂの長手方向の軸に対してコリメートされつつ、放電空間５０中を再び通過して、さらに、増幅され得る。コリメートされたシード光Ｌ１０の反射光Ｌ１２は、シリンドリカル凸面ミラー１３６における上端部１５１Ａよりも上側と、下端部１５２Ａよりも下側とを通過して、増幅レーザ光Ｌ２０として、露光装置４へ入射し得る。
【００８８】
第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２は、調整機構１８０によって、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８の位置をそれぞれ独立にＶ軸方向に移動制御することによって独立に調整され得る。なお、第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２を調整する際に、調整機構１７０によって、シリンドリカル凸面ミラー１３６の位置もＶ軸方向に移動制御するようにしてもよい。
【００８９】
第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２は、Ｄ＝Ｄ１＝Ｄ２として、上記第２の実施形態と同様の制御を行ってもよい。すなわち、制御部７は、増幅器２Ｄから出射された光のパルスエネルギをパルスエネルギモニタ９０によってモニタすることによって、自励発振のパルスエネルギＰｓとシード光Ｌ１０の増幅レーザ光Ｌ２０のパルスエネルギＰａとを計測してもよい。そして、制御部７は、第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２を自動で調整しつつ、自励発振の割合を示すＰｓ／Ｐａの値を計測することによって、Ｐｓ／Ｐａの値が所定の値Ｒよりも小さくなる第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２の値を決定してもよい。制御部７は、Ｐｓ／Ｐａの値が所定の値Ｒよりも小さくなるまで、第１及び第２のギャップＤ１，Ｄ２を値ΔＤだけ正の方向に少しずつ変化させてもよい。
【００９０】
（５．３  作用）
本実施形態のレーザシステムによれば、シリンドリカル凸面ミラー１３６でシード光Ｌ１０をＶ軸方向に両側に広げた後、第１及び第２のシリンドリカル凹面ミラー１３７，１３８によって反射させて増幅した場合においても、自励発振を抑制し得る。
【００９１】
［６．固体レーザ装置の具体例］
次に、上記した固体レーザ装置１０の具体的な構成例を説明する。なお、以下では上記比較例、又は上記第１ないし第３の実施形態に係るレーザシステムの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００９２】
（６．１  構成）
図２１は、固体レーザ装置１０の具体的な構成例を露光装置用レーザ装置１の構成例と共に概略的に示している。露光装置用レーザ装置１としては、上記第１ないし第３の実施形態におけるいずれかのレーザシステムが適用され得る。
【００９３】
露光装置用レーザ装置１は、固体レーザ装置１０と、制御部７と、高反射ミラー９８，９９とを備えてもよい。制御部７は、レーザ制御部３と、同期制御部６とを含んでもよい。また、露光装置用レーザ装置１は、増幅器２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄのいずれかを備えてもよい。以下では、図１３の増幅器２Ｃを備える場合を例に説明する。
【００９４】
固体レーザ装置１０は、第１の固体レーザ装置１１と、第２の固体レーザ装置１２と、同期回路部１３と、高反射ミラー１６と、ダイクロイックミラー１７と、波長変換システム１５とを含んでもよい。
【００９５】
第１の固体レーザ装置１１は、第１の波長の第１のパルスレーザ光Ｌ１を、ダイクロイックミラー１７を介して波長変換システム１５に向けて出射するように構成されてもよい。第１の波長は、約２５７．５ｎｍであってもよい。第１の固体レーザ装置１１は、第１の半導体レーザ２０と、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）２３と、Ｙｂファイバ増幅器システム２４と、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶増幅器２５とを含んでもよい。また、第１の固体レーザ装置１１は、非線形結晶であるＬＢＯ（ＬｉＢ3Ｏ5）結晶２１とＣＬＢＯ（ＣｓＬｉＢ6Ｏ10）結晶２２とを含んでもよい。第１の半導体レーザ２０、半導体光増幅器２３、Ｙｂファイバ増幅器システム２４、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶増幅器２５、ＬＢＯ結晶２１、及びＣＬＢＯ結晶２２は、光路上において上流から下流へこの順序で配置されてもよい。
【００９６】
第１の半導体レーザ２０は、ＣＷ（連続波）発振、若しくはパルス発振により波長約１０３０ｎｍのシード光を出射する分布帰還型の半導体レーザであってもよい。また、第１の半導体レーザ２０は、シングル縦モードであって、波長約１０３０ｎｍ付近で波長を変化させることができる半導体レーザであってもよい。
【００９７】
半導体光増幅器２３は、半導体にパルス電流を流すことにより、シード光を所定のパルス幅のパルスレーザ光に変換し増幅する半導体素子であってもよい。半導体光増幅器２３は、同期回路部１３からの指示に基づいて半導体にパルス電流を流す電流制御器を含んでもよい。半導体光増幅器２３は、第１の半導体レーザ２０がパルス発振する場合には、第１の半導体レーザ２０と同期して動作するように構成されてもよい。
【００９８】
Ｙｂファイバ増幅器システム２４は、Ｙｂがドープされた多段の光ファイバ増幅器と、ＣＷ発振により励起光を出射し、その励起光を各光ファイバ増幅器に供給するＣＷ励起半導体レーザとを含んでもよい。
【００９９】
ＬＢＯ結晶２１は、波長約１０３０ｎｍのパルスレーザ光が入射され、波長約５１５ｎｍのパルスレーザ光を出射してもよい。ＣＬＢＯ結晶２２は、波長約５１５ｎｍのパルスレーザ光が入射され、波長約２５７．５ｎｍのパルスレーザ光を出射してもよい。
【０１００】
第２の固体レーザ装置１２は、第２の波長の第２のパルスレーザ光Ｌ２を、高反射ミラー１６及びダイクロイックミラー１７を介して波長変換システム１５に向けて出射するように構成されてもよい。第２の波長は、約１５５４ｎｍであってもよい。第２の固体レーザ装置１２は、第２の半導体レーザ４０と、半導体光増幅器（ＳＯＡ）４１と、Ｅｒファイバ増幅器システム４２とを含んでもよい。第２の半導体レーザ４０、半導体光増幅器４１、及びＥｒファイバ増幅器システム４２は、光路上において上流から下流へこの順序で配置されてもよい。
【０１０１】
第２の半導体レーザ４０は、ＣＷ発振、若しくはパルス発振により波長約１５５４ｎｍのシード光を出射する分布帰還型の半導体レーザであってもよい。また、第２の半導体レーザ４０は、シングル縦モードであって、波長約１５５４ｎｍ付近で波長を変化させることができる半導体レーザであってもよい。
【０１０２】
半導体光増幅器４１は、半導体にパルス電流を流すことにより、シード光を所定のパルス幅のパルスレーザ光に変換し増幅する半導体素子であってもよい。半導体光増幅器４１は、同期回路部１３からの指示に基づいて半導体にパルス電流を流す、図示しない電流制御器を含んでもよい。半導体光増幅器４１は、第２の半導体レーザ４０がパルス発振する場合には、半導体レーザ４０と同期して動作するように構成されてもよい。
【０１０３】
Ｅｒファイバ増幅器システム４２は、Ｅｒ及びＹｂが共にドープされた多段の光ファイバ増幅器と、ＣＷ発振により励起光を出射し、その励起光を各光ファイバ増幅器に供給するＣＷ励起半導体レーザとを含んでもよい。
【０１０４】
同期回路部１３は、同期制御部６からのトリガ信号Ｔｒ１に基づいて、第１の固体レーザ装置１１の半導体光増幅器２３及び第２の固体レーザ装置１２の半導体光増幅器４１に所定のトリガ信号をそれぞれ出力するように構成されてもよい。
【０１０５】
高反射ミラー１６は、第２の固体レーザ装置１２から出射された第２のパルスレーザ光Ｌ２を高反射し、ダイクロイックミラー１７に入射させるように配置されてもよい。
【０１０６】
ダイクロイックミラー１７は、第１の波長の第１のパルスレーザ光Ｌ１を高透過する基板上に、第１の波長の第１のパルスレーザ光Ｌ１を高透過し、第２の波長の第２のパルスレーザ光Ｌ２を高反射する膜がコートされたものであってもよい。ダイクロイックミラー１７は、第１のパルスレーザ光Ｌ１及び第２のパルスレーザ光Ｌ２を、互いの光路軸を略一致させた状態で波長変換システム１５に入射させるように配置されてもよい。
【０１０７】
波長変換システム１５は、第１の波長の第１のパルスレーザ光Ｌ１及び第２の波長の第２のパルスレーザ光Ｌ２が入射され、第１の波長及び第２の波長と異なる波長のパルスレーザ光を、増幅器２Ｃへのシード光Ｌ１０として出射するように構成されてもよい。波長変換システム１５は、ＣＬＢＯ結晶１８，１９と、ダイクロイックミラー９５，９６と、高反射ミラー９７とを含んでもよい。ＣＬＢＯ結晶１８、ダイクロイックミラー９５、ＣＬＢＯ結晶１９、及びダイクロイックミラー９６は、光路上において上流から下流へこの順序で配置されてもよい。
【０１０８】
ＣＬＢＯ結晶１８には、波長約２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光Ｌ１及び波長約１５５４ｎｍの第２のパルスレーザ光Ｌ２が入射されてもよい。ＣＬＢＯ結晶１８は、波長約２５７．５ｎｍと波長約１５５４ｎｍの和周波に対応する波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を出射してもよい。
【０１０９】
ダイクロイックミラー９５は、波長約１５５４ｎｍ及び波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を高透過し、波長約２５７．５ｎｍのパルスレーザ光を高反射する膜がコートされたものであってもよい。
【０１１０】
ＣＬＢＯ結晶１９には、ダイクロイックミラー９５を透過した、波長約１５５４ｎｍ及び波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光が入射されてもよい。ＣＬＢＯ結晶１９は、波長約１５５４ｎｍと波長約２２０．９ｎｍの和周波に対応する波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光をシード光Ｌ１０として出射してもよい。
【０１１１】
ダイクロイックミラー９６は、波長約１５５４ｎｍ及び波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を高透過し、波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光が高反射する膜がコートされたものであってもよい。
【０１１２】
高反射ミラー９７は、ダイクロイックミラー９６により反射された波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光をシード光Ｌ１０として固体レーザ装置１０から出射するように配置されてもよい。
【０１１３】
高反射ミラー９８，９９は、固体レーザ装置１０から出射された波長約１９３．４ｎｍのシード光Ｌ１０が、増幅器２Ｃに入射するように配置されてもよい。
【０１１４】
増幅器２Ｃは、固体レーザ装置１０から出射された波長約１９３．４ｎｍのシード光Ｌ１０を増幅し、増幅レーザ光Ｌ２０として露光装置４に向けて出射するように構成されてもよい。
【０１１５】
レーザ制御部３は、第１の半導体レーザ２０、第２の半導体レーザ４０、Ｙｂファイバ増幅器システム２４内のＣＷ励起半導体レーザ、及びＥｒファイバ増幅器システム４２内のＣＷ励起半導体レーザに、図示しない信号ラインを介して接続されてもよい。
【０１１６】
同期制御部６には、レーザ制御部３を介して、固体レーザ装置１０におけるパルスレーザ光の生成タイミングを指示する発振トリガ信号Ｔｒ０が外部装置としての露光装置４から供給されてもよい。露光装置４は、露光装置制御部５を含んでもよい。発振トリガ信号Ｔｒ０は、露光装置４の露光装置制御部５が供給するようにしてもよい。同期制御部６は、発振トリガ信号Ｔｒ０に基づいてトリガ信号Ｔｒ１を生成し、トリガ信号Ｔｒ１を同期回路部１３に供給するように構成されていてもよい。また、同期制御部６は、発振トリガ信号Ｔｒ０に基づいてトリガ信号Ｔｒ２を生成し、トリガ信号Ｔｒ２を増幅器２Ｃに供給するように構成されてもよい。
【０１１７】
（６．２  動作）
レーザ制御部３は、発振トリガ信号Ｔｒ０に基づいて、第１及び第２の半導体レーザ２０，４０をＣＷ発振、若しくはパルス発振させてもよい。また、レーザ制御部３は、発振トリガ信号Ｔｒ０に基づいて、Ｙｂファイバ増幅器システム２４内のＣＷ励起半導体レーザ、及びＥｒファイバ増幅器システム４２内のＣＷ励起半導体レーザをＣＷ発振させてもよい。
【０１１８】
同期制御部６は、レーザ制御部３を介して露光装置制御部５から発振トリガ信号Ｔｒ０を受信したとき、発振トリガ信号Ｔｒ０とトリガ信号Ｔｒ１との間の遅延時間、及び発振トリガ信号Ｔｒ０とトリガ信号Ｔｒ２との間の遅延時間を制御してもよい。この遅延時間は、固体レーザ装置１０から出射されたシード光Ｌ１０が増幅器２Ｃに入射するのと同期して増幅器２Ｃの１対の放電電極３８ａ，３８ｂが放電するように制御されてもよい。
【０１１９】
第１の固体レーザ装置１１では、第１の半導体レーザ２０から波長約１０３０ｎｍのＣＷ発振光、若しくはパルス発振光がシード光として出射され得る。このシード光は、同期回路部１３からの所定のトリガ信号に基づいて、半導体光増幅器２３によって所定のパルス幅のパルスレーザ光に変換され増幅され得る。半導体光増幅器２３から出射されたパルスレーザ光は、Ｙｂファイバ増幅器システム２４に入射し、このＹｂファイバ増幅器システム２４により増幅され得る。Ｙｂファイバ増幅器システム２４から出射されたパルスレーザ光は、Ｙｂ：ＹＡＧ結晶増幅器２５に入射し、このＹｂ：ＹＡＧ結晶増幅器２５により増幅され得る。Ｙｂ：ＹＡＧ結晶増幅器２５から出射されたパルスレーザ光は、ＬＢＯ結晶２１に入射し得る。そして、このパルスレーザ光から、ＬＢＯ結晶２１及びＣＬＢＯ結晶２２によって、波長約２５７．５ｎｍの第４高調波光が生成され得る。これにより、第１の固体レーザ装置１１から波長約２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光Ｌ１が出射され得る。
【０１２０】
一方、第２の固体レーザ装置１２では、第２の半導体レーザ４０から波長約１５５４ｎｍのＣＷ発振光、若しくはパルス発振光がシード光として出射され得る。このシード光は、同期回路部１３からの所定のトリガ信号に基づいて、半導体光増幅器４１によって所定のパルス幅のパルスレーザ光に変換され増幅され得る。半導体光増幅器４１から出射されたパルスレーザ光は、Ｅｒファイバ増幅器システム４２に入射し、このＥｒファイバ増幅器システム４２により増幅され得る。これにより、第２の固体レーザ装置１２から波長約１５５４ｎｍの第２のパルスレーザ光Ｌ２が出射され得る。
【０１２１】
第１の固体レーザ装置１１から出射された波長約２５７．５ｎｍの第１のパルスレーザ光Ｌ１は、ダイクロイックミラー１７を介して、波長変換システム１５に入射し得る。また、第２の固体レーザ装置１２から出射された波長約１５５４ｎｍの第２のパルスレーザ光Ｌ２は、高反射ミラー１６及びダイクロイックミラー１７を介して、波長変換システム１５に入射し得る。
【０１２２】
ここで、同期回路部１３は、トリガ信号Ｔｒ１に基づいて、所定のタイミングで、所定のパルス幅のトリガ信号を半導体光増幅器２３，４１にそれぞれ供給してもよい。この所定のタイミングは、第１のパルスレーザ光Ｌ１及び第２のパルスレーザ光Ｌ２が、波長変換システム１５のＣＬＢＯ結晶１８に略同時に入射するように調節され得る。半導体光増幅器２３に供給されるトリガ信号のパルス幅は、第１のパルスレーザ光Ｌ１のパルス幅が例えば１ｎｓｅｃ以上３０ｎｓｅｃ以下になるように調節され得る。半導体光増幅器４１に供給されるトリガ信号のパルス幅は、第２のパルスレーザ光Ｌ２のパルス幅が例えば１ｎｓｅｃ以上３０ｎｓｅｃ以下になるように調節され得る。これにより、固体レーザ装置１０が出射するシード光Ｌ１０のパルス幅は、例えば１ｎｓｅｃ以上３０ｎｓｅｃ以下になるように調節され得る。
【０１２３】
波長変換システム１５では、ダイクロイックミラー１７によってＣＬＢＯ結晶１８に第１のパルスレーザ光Ｌ１及び第２のパルスレーザ光Ｌ２が略同時に入射され、ＣＬＢＯ結晶１８上で第１のパルスレーザ光Ｌ１のビーム及び第２のパルスレーザ光Ｌ２のビームが重なり得る。ＣＬＢＯ結晶１８は、波長約２５７．５ｎｍと波長約１５５４ｎｍの和周波に対応する波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を生成し得る。ＣＬＢＯ結晶１８からは、波長約２５７．５ｎｍ、波長約１５５４ｎｍ、及び波長約２２０．９ｎｍの３つのパルスレーザ光が出射され得る。
【０１２４】
ダイクロイックミラー９５は、ＣＬＢＯ結晶１８から出射された３つのパルスレーザ光のうち、波長約１５５４ｎｍ及び波長約２２０．９ｎｍの２つのパルスレーザ光を高透過し、波長約２５７．５ｎｍのパルスレーザ光を高反射し得る。ダイクロイックミラー９５を透過した２つのパルスレーザ光は、ＣＬＢＯ結晶１９に入射し得る。
【０１２５】
ＣＬＢＯ結晶１９は、波長約２２０．９ｎｍと波長約１５５４ｎｍの和周波に対応する波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光を生成し得る。ＣＬＢＯ結晶１９からは、波長約１５５４ｎｍ、波長約２２０．９ｎｍ、及び波長約１９３．４ｎｍの３つのパルスレーザ光が出射され得る。
【０１２６】
ダイクロイックミラー９６は、ＣＬＢＯ結晶１９から出射された３つのパルスレーザ光のうち、波長約１５５４ｎｍ及び波長約２２０．９ｎｍのパルスレーザ光を高透過し、波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光を高反射し得る。波長約１９３．４ｎｍのパルスレーザ光は、高反射ミラー９７を介して波長変換システム１５からシード光Ｌ１０として出射され得る。波長変換システム１５から出射されたシード光Ｌ１０は、高反射ミラー９８，９９を介して、増幅器２Ｃに入射し得る。
【０１２７】
増幅器２Ｃでは、シード光Ｌ１０の入射に同期して、図１３に示したように、放電空間５０において１対の放電電極３８ａ，３８ｂが放電し得る。増幅器２Ｃでは、固体レーザ装置１０からのシード光Ｌ１０が効率よく増幅されるように、１対の放電電極３８ａ，３８ｂを放電させるためのパルス電源３４による電源供給のタイミングを調整してもよい。増幅器２Ｃでは、シード光Ｌ１０が、シリンドリカル凸面ミラー３６及びシリンドリカル凹面ミラー３７で反射することにより、１対の放電電極３８ａ，３８ｂ間の放電空間５０を３回通過し得る。これにより、シード光Ｌ１０がビーム拡大しつつ増幅され得る。以上のようにして、固体レーザ装置１０から出射されたシード光Ｌ１０が増幅器２Ｃにより増幅され、増幅レーザ光Ｌ２０として露光装置４に向けて出射され得る。
【０１２８】
［７．制御部のハードウエア環境］
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
【０１２９】
図２２は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図２２の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
【０１３０】
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
【０１３１】
図２２におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
【０１３２】
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１３３】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、レーザ制御部３、同期制御部６、および制御部７等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、レーザ制御部３、同期制御部６、および制御部７等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサや、半導体光増幅器２３，４１、及びパルスエネルギセンサ９３等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
【０１３４】
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
【０１３５】
例示的なハードウエア環境１００は、本開示における制御部７、及び露光装置制御部５等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、制御部７、及び露光装置制御部５等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【０１３６】
［８．その他］
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１３７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【国際調査報告】
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