【事件の表示】
　特許第５７２７２９３号発明「有機誘電体を有する有機電界効果トランジスタ」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７２７２９３号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔６−２５〕について訂正することを認める。
　特許第５７２７２９３号の請求項１ないし５，７ないし１０，１４，１５，１９，２２，２４及び２５に係る特許を維持する。
　特許第５７２７２９３号の請求項６，１１ないし１３，１６ないし１８，２０，２１及び２３に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　特許第５７２７２９３号（以下「本件特許」という。）の請求項１ないし２５に係る特許についての手続の経緯は，以下のとおりである。 
　　平成２３年　５月１６日　特許出願
（２００２年（平成１４年）１１月２１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００１年１２月１９日及び１２月２０日，並びに２００２年９月３日，英国）を国際出願日とする出願２００３−５５３６３８号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２３年５月１６日に新たな特許出願（特願２０１１−１０９２８６号）とした。）
　　平成２７年　３月１７日　特許査定
　　平成２７年　４月１０日　特許の設定登録 
　　平成２７年１２月　４日　特許異議の申立て
（特許異議申立人ビーエーエスエフ　ソシエタス・ヨーロピア）
　　平成２８年　２月１９日　審尋
　　平成２８年　３月２２日　回答書
　　平成２８年　４月２７日　取消理由通知
　　平成２８年　８月　９日　意見書・訂正請求書提出（特許権者）
　　平成２８年　９月　２日　通知書
（特許法第１２０条の５第５項の規定により，特許異議申立人に訂正請求があった旨の通知をし，期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが，指定した期間内に特許異議申立人から意見書の提出はなかった。）
　
　
第２　訂正の適否
　
１　訂正の内容
　平成２８年８月８日に提出された訂正請求書（以下「本件訂正請求書」という。）の記載より，本件訂正請求書で特許権者が求めている訂正（以下「本件訂正」という。）のうち，請求項６ないし２５からなる一群の請求項についての訂正事項を整理すると，次のとおりであると認められる。（当審注．訂正箇所に下線を付した。）
　・訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項６を削除する。
　・訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項７に「前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である，請求項６に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である，
請求項１〜５のいずれか１項
方法
　・訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項８に「前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する，請求項６または７に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する，
請求項１〜５および
のいずれか１項
方法
　・訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項９に「前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する，請求項６または７に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する，請求項
１〜５および
のいずれか１項
方法
　・訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項１０に「前記高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する，請求項１または２に記載の方法によって製造された有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する，請求項１または２に記載の
方法
　・訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項１１を削除する。
　・訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項１２を削除する。
　・訂正事項８
　特許請求の範囲の請求項１３を削除する。
　・訂正事項９
　特許請求の範囲の請求項１４に「前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む，請求項６〜１３のいずれか１項に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む，請求項
１〜５および７〜１０
方法
　・訂正事項１０
　特許請求の範囲の請求項１５に「前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む，請求項１４に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む，請求項１４に記載の
方法
　・訂正事項１１
　特許請求の範囲の請求項１６を削除する。
　・訂正事項１２
　特許請求の範囲の請求項１７を削除する。
　・訂正事項１３
　特許請求の範囲の請求項１８を削除する。
　・訂正事項１４
　特許請求の範囲の請求項１９に「前記有機半導体層がポリアリールアミンを含む請求項１８に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記有機半導体層が
，１０
−５
ｃｍ
２
Ｖ
−１
ｓ
−１
より大きい移動度を有し，かつ
１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項
方法
　・訂正事項１５
　特許請求の範囲の請求項２０を削除する。
　・訂正事項１６
　特許請求の範囲の請求項２１を削除する。
　・訂正事項１７
　特許請求の範囲の請求項２２に「前記有機半導体層がチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む，請求項１８に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「「前記有機半導体層が
，１０
−５
ｃｍ
２
Ｖ
−１
ｓ
−１
より大きい移動度を有し，かつ
１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項
　・訂正事項１８
　特許請求の範囲の請求項２３を削除する。
　・訂正事項１９
　特許請求の範囲の請求項２４に「前記有機半導体層が少なくとも２種の有機半導体種の複合材料を含む，請求項１８に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記有機半導体層が
，１０
−５
ｃｍ
２
Ｖ
−１
ｓ
−１
より大きい移動度を有し，かつ
１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項
方法
　・訂正事項２０
　特許請求の範囲の請求項２５に「前記有機半導体層がバインダー重合体を含んでいる，請求項１８に記載の有機電界効果デバイス。」とあるのを，「前記有機半導体層が
，１０
−５
ｃｍ
２
Ｖ
−１
ｓ
−１
より大きい移動度を有し，かつ
１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項
方法
　
２　新規事項の有無，拡張・変更の存否，訂正の目的の適否，及び一群の請求項について
（１）訂正事項１について
　訂正事項１は，特許請求の範囲の請求項６を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（２）訂正事項２について
 　ア　訂正の目的について 
　本件訂正前の請求項７の記載は，「前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である，請求項６に記載の有機電界効果デバイス。」であるから，本件訂正前の請求項７に係る発明の対象は，「有機電界効果デバイス」という「物」であることは明らかである。 
　そして，本件訂正前の請求項７で引用する，本件訂正前の請求項６は，「請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法によって製造された有機電界効果デバイス。」であるから，本件訂正前の請求項７に係る発明である「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載されている。 
　ここで，「物の発明についての特許に係る特許請求の範囲にその物の製造方法が記載されている場合において，当該特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号にいう『発明が明確であること』という要件に適合するといえるのは，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情が存在するときに限られると解するのが相当である」（最高裁第二小法廷判決平成２７年６月５日（平成２４年（受）第１２０４号）。以下「最高裁判決における判示事項」という。）と判示されている。 
　そこで，最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項７には，当該請求項に係る発明である「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その製造方法が記載されているから，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるものである。 
　そして，訂正事項２は，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがある本件訂正前の請求項７を，「前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である，請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。」として，低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である有機電界効果デバイスを，請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項７に訂正するものであって，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　以上から，訂正事項２による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２８】には，本件訂正後の請求項７に係る発明における「低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内」とすることが記載されているから，訂正事項２による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項２による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　ａ　特許法第１２６条第６項は，第１項に規定する訂正がいかなる場合にも実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであってはならない旨を規定したものである。
　また，特許法第３６条第４項第１号の規定により委任された特許法施行規則の第２４条の２には，「特許法第３６条第４項第１号の経済産業省令で定めるところによる記載は，発明が解決しようとする課題及びその解決手段その他のその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項を記載することによりしなければならない。」と規定されているから，本件訂正前の請求項７に係る発明と，本件訂正後の請求項７に係る発明において，発明が解決しようとする課題及びその解決手段が，実質的に変更されたものか否かにより，本件訂正後の請求項７に係る発明の技術的意義が，本件訂正前の請求項７に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更されたものであるか否かについて検討する。 
  ｂ　本件訂正前の本件特許明細書の記載（【００２０】，【００２１】及び【００２８】）から，本件訂正前の請求項７に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」であって，「特に１．５−２．１の範囲内であるのがさらに好ましい」ものである。
　他方，本件訂正後の本件特許明細書の記載（【００２０】，【００２１】及び【００２８】）から，本件訂正後の請求項７に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」であって，「特に１．５−２．１の範囲内であるのがさらに好ましい」ものである。
　そうすると，本件訂正の前後で請求項７に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項７に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項７に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　ａ　特許請求の範囲は，「特許を受けようとする発明を特定するために必要と認める事項のすべて」が記載されたもの（特許法第３６条第５項）である。 
　また，特許法第１２６条第６項は，第１項に規定する訂正がいかなる場合にも実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであってはならない旨を規定したものであって，訂正前の特許請求の範囲には含まれないとされた発明が訂正後の特許請求の範囲に含まれることとなる場合，言い換えれば，訂正前の発明の「実施」に該当しないとされた行為が訂正後の発明の「実施」に該当する行為となる場合，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれがあるため，そうした事態が生じないことを担保したものである。
　以上を踏まえ，本件訂正前の請求項７に係る発明と本件訂正後の請求項７に係る発明において，それぞれの発明の「実施」に該当する行為の異同により，本件訂正後の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為が，本件訂正前の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものであるか否かについて検討する。
　ｂ　ここで，特許法第２条第３項第１号に規定された「物の発明」（本件訂正前の請求項７に係る発明）及び第３号に規定された「物を生産する方法の発明」（本件訂正後の請求項７に係る発明）の実施について比較する。 
　「物の発明」の実施（第１号）とは，「その物の生産，使用，譲渡等，輸出若しくは輸入又は譲渡等の申出をする行為」であり，「物を生産する方法」の実施（第３号）とは，「その方法の使用をする行為」（第２号）のほか，その方法により生産した「物の使用，譲渡等，輸出若しくは輸入又は譲渡等の申出をする行為」である。ここで，「物を生産する方法」の実施における「その方法の使用をする行為」とは，「その方法の使用により生産される物の生産をする行為」と解されることから，「物の発明」の実施における「その物の生産」をする行為に相当する。 
　すると，「物の発明」の実施においては，物の生産方法を特定するものではないのに対して，「物を生産する方法の発明」の実施においては，物の生産方法を「その方法」に特定している点で相違するが，その実施行為の各態様については，全て対応するものである。 
　ｃ　本件訂正前の請求項７に係る発明は，「請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（２）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項７に係る発明は，上記特定の製造方法により，低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，本件訂正後の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項７に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項７に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項７に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項２による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（３）訂正事項３について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項８は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項３は，「前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する，請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法。」として，トップゲート配置を有する有機電界効果デバイスを，請求項１〜５及び７のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項８に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項３による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２２】には，本件訂正後の請求項８に係る発明における「有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する」ことが記載されているから，訂正事項３による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項３による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項８に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項８に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項８に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項８に係る発明は，「請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（３）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項８に係る発明は，上記特定の製造方法により，トップゲート配置を有する有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項８に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項８に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項８に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項８に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項８に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項８に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項８に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項３による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（４）訂正事項４について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項９は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項４は，「前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する，請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法。」として，ボトムゲート配置を有する有機電界効果デバイスを，請求項１〜５及び７のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項９に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項４による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２２】には，本件訂正後の請求項９に係る発明における「有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する」ことが記載されているから，訂正事項４による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項４による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項９に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項９に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項９に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項９に係る発明は，「請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（４）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項９に係る発明は，上記特定の製造方法により，ボトムゲート配置を有する有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項９に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項９に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項９に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項９に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項９に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項９に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項９に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項４による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（５）訂正事項５について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項１０は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項５は，「前記高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する，請求項１または２に記載の方法。」として，高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する有機電界効果デバイスを，請求項１または２に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項１０に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項５による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２４】には，本件訂正後の請求項１０に係る発明における「前記高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する」ことが記載されているから，訂正事項５による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項５による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　本件訂正前の本件特許明細書の記載（【００２０】及び【００２１】）から，本件訂正前の請求項１０に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」である。
　他方，本件訂正後の本件特許明細書の記載（【００２０】及び【００２１】）から，本件訂正後の請求項１０に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」である。
　そうすると，本件訂正の前後で請求項１０に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項１０に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項９に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項１０に係る発明は，「請求項１または２に記載の方法」という製造方法（以下，（５）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項１０に係る発明は，上記特定の製造方法により，高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項１０に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１０に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項１０に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項１０に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１０に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項１０に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１０に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項５による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
（６）訂正事項６について
　訂正事項６は，特許請求の範囲の請求項１１を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（７）訂正事項７について
　訂正事項７は，特許請求の範囲の請求項１２を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（８）訂正事項８について
　訂正事項８は，特許請求の範囲の請求項１３を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（９）訂正事項９について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項１４は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項９は，「前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む，請求項１〜５および７〜１０のいずれか１項に記載の方法。」として，ゲート絶縁体層が有機材料を含む有機電界効果デバイスを，請求項１〜５及び７〜１０のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項１４に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。 
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項９による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００２７】には，本件訂正後の請求項１４に係る発明における「ゲート絶縁体層が有機材料を含む」ことが記載されているから，訂正事項９による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項９による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア）及び上記（５）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項１４に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項１４に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１４に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項１４に係る発明は，「請求項１〜５および７〜１０のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（９）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項１４に係る発明は，上記特定の製造方法により，ゲート絶縁体層が有機材料を含む有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項１４に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１４に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項１４に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項１４に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１４に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項１４に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１４に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項９による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
  　
（１０）訂正事項１０について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項１５は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項１０は，「前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む，請求項１４に記載の方法。」として，低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む有機電界効果デバイスを，請求項１〜５及び７〜１０のいずれか１項を引用する請求項１４に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項１５に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項１０による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００３１】には，本件訂正後の請求項１５に係る発明における「低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む」ことが記載されているから，訂正事項１０による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
 　以上から，訂正事項１０による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　本件訂正前の本件特許明細書の記載（【００２０】，【００２１】，【００２８】及び【００３１】）から，本件訂正前の請求項１５に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」であって，「特に１．５−２．１の範囲内であるのがさらに好まし」く，「好ましい低誘電率材料は」，「低誘電率フルオロポリマー」である。
　他方，本件訂正後の本件特許明細書の記載（【００２０】，【００２１】，【００２８】及び【００３１】）から，本件訂正後の請求項１５に係る発明の課題は，「高誘電率絶縁体の極性基がランダムトラップを電荷キャリアの引力によって半導体の局在準位上に導く」ことであり，その解決手段は「ゲート絶縁体層での低誘電率の絶縁体の使用」であって，「特に１．５−２．１の範囲内であるのがさらに好まし」く，「好ましい低誘電率材料は」，「低誘電率フルオロポリマー」である。
　そうすると，本件訂正の前後で請求項１５に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項１５に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１５に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項１５に係る発明は，「請求項１４に記載の方法」という製造方法（以下，（１０）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項１５に係る発明は，上記特定の製造方法により，低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項１５に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１５に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項１５に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項１５に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１５に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項１５に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１５に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項１０による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（１１）訂正事項１１について
　訂正事項１１は，特許請求の範囲の請求項１６を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１２）訂正事項１２について
　訂正事項１２は，特許請求の範囲の請求項１７を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１３）訂正事項１３について
　訂正事項１３は，特許請求の範囲の請求項１８を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１４）訂正事項１４について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項１９は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項１４は，「前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。」として，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む有機電界効果デバイスを，請求項１〜５，７〜１０，１４及び１５のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項１９に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項１４による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００３８】及び【００４５】には，本件訂正後の請求項１９に係る発明における「有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む」ことが記載されているから，訂正事項１４による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項１４による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア），上記（５）ウ（ア）及び上記（１０）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項１９に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項１９に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１９に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項１９に係る発明は，「請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（１４）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項１９に係る発明は，上記特定の製造方法により，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項１９に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１９に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項１９に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項１９に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項１９に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項１９に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項１９に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項１４による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（１５）訂正事項１５について
　訂正事項１５は，特許請求の範囲の請求項２０を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１６）訂正事項１６について
　訂正事項１６は，特許請求の範囲の請求項２１を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１７）訂正事項１７について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項２２は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項１７は，「前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。」として，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む有機電界効果デバイスを，請求項１〜５，７〜１０，１４及び１５のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項２２に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項１７による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００３８】及び【００７８】には，本件訂正後の請求項２２に係る発明における「有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む」ことが記載されているから，訂正事項１７による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
 　以上から，訂正事項１７による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア），上記（５）ウ（ア）及び上記（１０）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項２２に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項２２に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２２に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項２２に係る発明は，「請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（１７）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項２２に係る発明は，上記特定の製造方法により，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項２２に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２２に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項２２に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項２２に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２２に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項２２に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２２に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項１７による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。 
　
（１８）訂正事項１８について
　訂正事項１８は，特許請求の範囲の請求項２３を削除するというものであるから，特許請求の範囲の減縮を目的としたものと認められ，特許法第１２０条の５第２項ただし書きの規定に適合し，また，同法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定にも適合する。
　
（１９）訂正事項１９について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項２４は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項１９は，「前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。」として，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつ少なくとも２種の有機半導体種の複合材料を含む有機電界効果デバイスを，請求項１〜５，７〜１０，１４及び１５のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項２４に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項１９による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００３８】及び【００８１】には，本件訂正後の請求項２４に係る発明における「有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつ少なくとも２種の有機半導体種の複合材料を含む」ことが記載されているから，訂正事項１９による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項１９による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア），上記（５）ウ（ア）及び上記（１０）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項２４に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項２４に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２４に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項２４に係る発明は，「請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（１９）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項２４に係る発明は，上記特定の製造方法により，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつ少なくとも２種の有機半導体種の複合材料を含む有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項２４に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２４に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項２４に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項２４に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２４に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項２４に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２４に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項１９による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
（２０）訂正事項２０について
　ア　訂正の目的について 
　最高裁判決における判示事項を踏まえて検討すると，本件訂正前の請求項２５は，「有機電界効果デバイス」の構成に関し，その「製造方法」が記載され，「発明が明確であること」という要件を欠くおそれがあるところ，訂正事項２０は，「前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつバインダー重合体を含んでいる，請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。」として，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつバインダー重合体を含んでいる有機電界効果デバイスを，請求項１〜５，７〜１０，１４及び１５のいずれか１項に記載の方法で製造する方法であることを特定する，本件訂正後の請求項２５に訂正するもので，「発明が明確であること」という要件を満たすものである。
　以上から，上記（２）アと同様の理由により，訂正事項２０による訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第３号に掲げる「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものであるか否かについて 
　本件特許の願書に添付した明細書の段落【００３８】及び【０１１５】には，本件訂正後の請求項２５に係る発明における「有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつバインダー重合体を含んでいる」ことが記載されているから，訂正事項２０による訂正は，本件特許の願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内のものである。 
　以上から，訂正事項２０による訂正は，特許法第１２６条第５項の規定に適合する。
　
　ウ　実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものであるか否かについて
（ア）発明が解決しようとする課題とその解決手段について 
　上記（２）ウ（ア），上記（５）ウ（ア）及び上記（１０）ウ（ア）と同様の理由により，本件訂正の前後で請求項２５に係る発明の課題及び課題解決手段には，何ら変更はない。
　以上から，本件訂正後の請求項２５に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２５に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではない。 
（イ）訂正による第三者の不測の不利益について 
　本件訂正前の請求項２５に係る発明は，「請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法」という製造方法（以下，（２０）内において「特定の製造方法」という。）により「有機電界効果デバイス」という物が特定された「物の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」に加え，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」と同一の構造・特性を有する物も，特許発明の実施に含むものである。 
　他方，本件訂正後の請求項２５に係る発明は，上記特定の製造方法により，有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつバインダー重合体を含んでいる有機電界効果デバイスを製造する方法が特定された「物を生産する方法の発明」であるから，上記特定の製造方法により製造された「有機電界効果デバイス」を，特許発明の実施に含むものである。 
　そうすると，上記（２）ウ（イ）ｂより，本件訂正後の請求項２５に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２５に係る発明の「実施」に該当する行為に全て含まれるので，第三者にとって不測の不利益が生じるおそれはないから，本件訂正前の請求項２５に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえない。 
（ウ）小括 
　本件訂正後の請求項２５に係る発明の技術的意義は，本件訂正前の請求項２５に係る発明の技術的意義を実質上拡張し，又は変更するものではなく，本件訂正後の請求項２５に係る発明の「実施」に該当する行為は，本件訂正前の請求項２５に係る発明の「実施」に該当する行為を実質上拡張し，又は変更するものとはいえないから，訂正事項２０による訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものではなく，特許法第１２６条第６項の規定に適合する。
　
（２１）一群の請求項について
　本件訂正は，特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項ごとに請求されたものと認められる。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，本件訂正は，特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので，訂正後の請求項［６−２５］について訂正を認める。
　
　
 第３　取消理由及び特許異議の申立てについて
　
１　本件発明
　本件訂正により訂正された，訂正後の請求項１ないし２５の各請求項（以下，訂正後の請求項１ないし２５を「本件請求項１」ないし「本件請求項２５」という。）に係る発明（以下，訂正後の各請求項に係る発明を，請求項１ないし２５の区分に応じて，「本件発明１」ないし「本件発明２５」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし２５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
有機電界効果デバイスを製造する方法であって，
ａ）溶液から有機半導体層を堆積させ；そして
ｂ）溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて，その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み，ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．３から２．５までであり，そして前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積され，但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない，上記の方法。
【請求項２】
前記有機半導体層から前記低誘電率絶縁材料層の他方の側に，少なくとも１層の高誘電率絶縁材料を堆積させることをさらに含み，ここで前記高誘電率絶縁材料は比誘電率が前記低誘電率絶縁材料よりも高い，請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１層の高誘電率絶縁材料が溶液から堆積される，請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記層の１つまたは２つ以上が溶液からスピンコーティングによって堆積される，請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
全ての工程が約１００℃以下において遂行される，請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】（削除）
【請求項７】
前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である，請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する，請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する，請求項１〜５および７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記高誘電率絶縁材料が３．５超で，２００までの誘電率を有する，請求項１または２に記載の方法。
【請求項１１】（削除）
【請求項１２】（削除）
【請求項１３】（削除）
【請求項１４】
前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む，請求項１〜５および７〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む，請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】（削除）
【請求項１７】（削除）
【請求項１８】（削除）
【請求項１９】
前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつポリアリールアミンを含む請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】（削除）
【請求項２１】（削除）
【請求項２２】
前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつチオフェンを含んでいるオリゴマーまたはポリマーを含む，請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】（削除）
【請求項２４】
前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつ少なくとも２種の有機半導体種の複合材料を含む，請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記有機半導体層が，１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し，かつバインダー重合体を含んでいる，請求項１〜５，７〜１０，１４および１５のいずれか１項に記載の方法。」
　
２　取消理由の概要
　訂正前の特許請求の範囲の請求項６ないし２５の各請求項に係る特許に対して，平成２８年４月２７日付けで特許権者に通知した取消理由の概要は，以下のとおりである。
（１）取消理由１（特許法第３６条第６項第２号）
　本件特許の特許請求の範囲の請求項６，並びに請求項６を引用する請求項７ないし９，及び請求項１４ないし２５の各請求項には，その物の製造方法が記載されているが，本願明細書等には，出願時において当該物をその構造又は特性により直接特定することが不可能であるか，又はおよそ実際的でないという事情について何ら記載がなく，当業者にとって上記の事情が明らかであるともいえないから，本件特許の特許請求の範囲の請求項７ないし９，及び請求項１４ないし２５の各請求項には，当該請求項に係る発明の構成が明確に記載されているということはできない。
　そして，同様の理由により，請求項１０，及び請求項１０を引用する請求項１４ないし２５の各請求項，請求項１１，及び請求項１１を引用する請求項１４ないし２５の各請求項，請求項１２，及び請求項１２を引用する請求項１４ないし２５の各請求項，並びに請求項１３，及び請求項１３を引用する請求項１４ないし２５の各請求項にも，当該各請求項に係る発明の構成が明確に記載されているということはできない。
　したがって，本件特許の請求項６ないし２５の各請求項に係る特許は，いずれも，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に適合しない特許出願に対してされたものであるから，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（２）取消理由２（特許法第２９条第１項第３号）
　本件特許の請求項６，請求項７，請求項９ないし１５，請求項１８及び請求項２２の各請求項に係る発明は，いずれも，原出願の優先権主張の日前，米国において頒布された刊行物である，米国特許第５５４６８８９号明細書（甲第３号証）に記載された発明であって，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（３）取消理由３（特許法第３６条第６項第１号）
　本件特許の請求項１１及び１７の各請求項に係る特許は，いずれも，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合しない特許出願に対してされたものであるから，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
３　判断
（１）取消理由１について
　前記第２の２のとおり，本件特許の特許請求の範囲の請求項７ないし１０，請求項１４及び１５，請求項１９，請求項２２，並びに請求項２４及び２５の各請求項は，本件訂正により，「有機電界効果デバイスを製造する方法」に訂正され，「発明が明確であること」という要件を満たし，また，請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０及び２１，並びに請求項２３の各請求項は，本件訂正により削除された。
　そうすると，本件特許の特許請求の範囲には，発明の構成が明確に記載されていると認められる。
　以上から，本件特許の特許請求の範囲は，特許法第３６条第６項第２号に規定する要件に適合する。
　
（２）取消理由２について
　ア　甲第３号証の記載及び甲３発明
（ア）甲第３号証の記載
　原出願の優先権主張の日前，米国において頒布された刊行物である，米国特許第５５４６８８９号明細書（甲第３号証）には，以下の記載がある。（当審注．訳は，対応する日本出願の公開公報（特開平７−２０６５９９号公報）に基づいて，当審で作成したものである。）
　・「The method of manufacturing an FET will be explained with reference to FIG. 8(a) to 8(d).
  (1) Gate insulating layer 12 of SiO2 is formed on n-doped substrate 11 by thermally oxidizing one surface of substrate 11.
　(2) Rod 13 of PTFE is pressed on gate insulating layer 12 at an appropriate pressure and is slid in one direction at a constant rate, for example, 1 mm/sec, to layer PTFE oriented film having a thickness of about 100 nm on gate insulating layer 12. During the process, substrate 11 is heated at an appropriate temperature, for example, 300℃
　(3) Ctenoid-shaped source and drain electrodes 15 are provided on PTFE oriented film 14 by depositing chromium and gold on PTFE oriented film 14 using a vacuum deposition apparatus.
　(4) Organic layer 16 is formed on and between source and drain electrodes 15 by depositing from gaseous-phase or casting from fluid.
　(5) The other surface of silicon substrate 11, on which nothing is deposited, is polished to produce gate electrodes from substrate 11 itself. Gold lines for a lead are connected with each of three electrodes with silver paste.
　For gate insulating layer 12, inorganic materials such as SiO2 or Ta2O5, and organic insulating materials such as cyanoethyl pullulan or polyvinyl alcohol; however, the kind of the materials is not limited to those materials. The spin coating method can be used to form gate insulating layer 12 from organic insulating materials.」（６欄２５行ないし５４行）
（訳：本実施例における電子素子のうちＦＥＴ素子の製造方法を，図８（ａ）ないし８（ｄ）を参照して説明する。
（１）ｎ−ドープされたシリコン基板１１の片側を熱酸化してＳｉＯ２からなるゲート絶縁層１２を形成する。
（２）ゲート絶縁層１２の上にＰＴＦＥロッド１３を適当な圧力で押圧し，一定方向に一定速度，例えば１ｍｍ／ｓｅｃで掃引して，およそ１００ｎｍの厚さのＰＴＦＥ配向薄膜１４をゲート絶縁層１２の上に積層する。このプロセスの間，シリコン基板１１は，適当な温度，例えば３００℃に加熱される。
（３）ＰＴＦＥ配向薄膜１４の上に真空蒸着装置にてクロム及び金から構成される櫛形のソース及びドレイン電極１５を設ける。
（４）有機電子材料からなる有機層１６を気相からの蒸着法または溶液からのキャスト法にてソース及びドレイン電極上及びこれらの電極間に連続的に配置・形成する。
（５）素子が形成されてない方のシリコン基板を研磨し，表面層を削り取って基板１１自身をゲート電極とする。この後，金線を銀ペーストにて３種類の各電極と接続し，取出線とする。
【００４２】有機電子材料層１６とゲート電極とを隔てるゲート絶縁材料１２としての無機材料としてはＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５等，有機電子材料層１６としてはシアノエチルプルラン，ポリビニルアルコール等の高分子系絶縁材料が挙げられるがこれに限定されない。また，高分子系絶縁材料を用いる場合は，ゲート絶縁層１２は例えば溶液からのスピンコーティングによって形成し得る。）
　・「The method of manufacturing an FET where an organic semiconductor layer of 5,5'-dimethyl sexithiophene is deposited on a silicon/PTFE film will be explained with reference to FIG. 8(a)-(d).
　PTFE oriented film 14 was formed on a thermally oxidized film over n-doped silicon substrate 11 as follows.
　Substrate 11 having a thermally oxidized film for gate insulating film 12 was heated to 300℃. A rod 13 of PTFE was slid on substrate 11 in a direction at a rate of 1 mm/sec with substrate 11 applied with a pressure of 1 kg/cm2 to form PTFE oriented film 14. The rod 13 was also heated to a similar temperature. The thermally oxidized film and the PTFE oriented film 14 have a thickness of 100 and 50 nm, respectively.
　To form source and drain electrodes 15, chromium and gold were deposited in 1×10-5  Torr degree of vacuum using a mask for ctenoid-shaped electrode. Chromium was first deposited in a thickness of about 15 nm, and then, gold was deposited in a thickness of about 150 nm. This order of deposition improves adhesion of the gold electrode to the substrate.
　An organic semiconductor layer of 5,5'-dimethyl sexithiophene (DMSxT) was deposited by resistance heating with part of electrodes 15 covered with an aluminum foil while the distance between the deposition source and the substrate surface was kept at 10 cm. DMSxT was placed in a tungsten boat. For the above-noted procedure, 29-30 Amps of electric current was supplied to the deposition source. The thickness of DMSxT layer was about 500 nm. Here, the ctenoid-shaped electrode was used for source and drain electrodes 15 of the objective FET. A surface of silicon substrate on which no DMSxT layer was deposited was polished, and an oxide film, which was generated in air, was also removed by shaving to produce both a gate electrode from silicon substrate 11 and a gate insulating layer from the thermally oxidized layer. 」（９欄２５行ないし６０行）
（訳：以下に５，５′′′′′−ジメチルセクシチオフェンを有機半導体層（有機電子材料層１６）としてシリコン／ＰＴＦＥ上に蒸着したＦＥＴ素子の作製方法を，図８（ａ）ないし８（ｄ）を参照して説明する。
　熱酸化膜が片側表面に形成されているｎ−ドープされたシリコン基板１１の熱酸化膜上に，以下のようにしてＰＴＦＥ配向膜１４を形成した。
　ゲート絶縁層１２となる熱酸化膜を有するシリコン基板１１の基板温度を３００℃まで加熱した。ＰＴＦＥロッド１３を，１ｋｇ／ｃｍ２の圧力を加えながら基板上を一定方向に一定速度，１ｍｍ／ｓｅｃでスライドさせて，ＰＴＦＥ配向膜１４を形成した。ＰＴＦＥロッド１３は，基板温度とほぼ同じ温度にまで加熱した。熱酸化膜及びＰＴＦＥ配向膜１４の厚みはそれぞれ１００ｎｍ及び５０ｎｍであった。
　作製したＰＴＦＥ配向膜１４上にソース及びドレイン電極１５として用いる櫛形電極形成のためのマスクをつけながら，１×１０−５Ｔｏｒｒの真空下でクロム及び金を蒸着した。クロム層を約１５ｎｍ形成した後，金層を約１５０ｎｍ蒸着した。この順序で蒸着することで，基板と金電極との密着性が向上される。
　蒸着源から基板面までの距離を１０ｃｍに保ち，作製した電極１５の一部をアルミホイル等にて覆いながら，抵抗加熱により，有機半導体層である５，５′′′′′−ジメチルセクシチオフェン（以下ＤＭＳｘＴ）を蒸着した。ＤＭＳｘＴは，タングステンボートに入れられた。この工程で蒸着源に流れた電流は２９〜３０Ａであり，ＤＭＳｘＴ層の厚みは約５００ｎｍであった。ここで，先に作製した櫛形電極をＦＥＴ素子のソース及びドレイン電極１５として用いた。ＤＭＳｘＴ層が形成されていない側のシリコン基板を研磨し，空気中において形成された表面酸化膜を削り取ることにより，シリコン基板１１からなるゲート電極と，熱酸化膜からなるゲート絶縁層を形成した。）
（イ）甲３発明
　上記（ア）より，甲第３号証には，下記の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「ｎ−ドープされたシリコン基板１１の片面を熱酸化することによって，ＳｉＯ２のゲート絶縁層１２を形成する工程，
　ゲート絶縁層１２の上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）ロッド１３を適当な圧力で押圧し，一定方向に一定速度で掃引して，ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）配向膜１４を積層する工程，
　ＰＴＦＥ配向膜１４上にソース及びドレイン電極１５を設置する工程，有機半導体層として有機電子材料層１６を気相からの蒸着法又は流体からのキャスティング法にてソース及びドレイン電極上及びこれらの電極間に形成する工程，
　何も積層されてない方のシリコン基板１１の表面を研磨し，基板１１自体からゲート電極を生成する工程を含む，電界効果トランジスタ素子の製造方法。」
　イ　対比
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
（ア）甲３発明における「有機電子材料層１６」及び「電界効果トランジスタ素子」は，それぞれ，本件発明１の「有機半導体層」及び「有機電界効果デバイス」に相当するということができる。
　そうすると，本件発明１と甲３発明とは「有機電界効果デバイスを製造する方法」である点で共通するといえる。
（イ）甲３発明における「有機半導体層として有機電子材料層１６を」「流体からのキャスティング法にてソース及びドレイン電極上及びこれらの電極間に形成する工程」は，本件発明１の「溶液から有機半導体層を堆積させ」ることに相当するといえる。
（ウ）甲３発明における「ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）配向膜１４」は，比誘電率が１．３から２．５までであり，「基板１１」自体からゲート電極を生成することにより，「有機電子材料層１６」と接触してゲート絶縁体の少なくとも一部を構成すると認められる。
　そうすると，本件発明１の「低誘電率絶縁材料の層」と甲３発明における「ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）配向膜１４」とは，「有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する」ことを含み，「比誘電率が１．３から２．５までであり」，「但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない」点で共通するといえる。
　以上から，本件発明１と甲３発明とは，「低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する」ことを含み，「ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．３から２．５までであり，但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない」点で共通するといえる。
（エ）上記（ア）ないし（ウ）より，本願発明１と甲３発明との一致点及び相違点は，以下のとおりであると認める。
　ａ　一致点
　「有機電界効果デバイスを製造する方法であって，
ａ）溶液から有機半導体層を堆積させ；そして
ｂ）その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含み，ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．３から２．５までであり，但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない，上記の方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本願発明１は，「溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させ」ることを含むのに対し，甲３発明における「ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）配向膜１４」は，「ゲート絶縁層１２の上にポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）ロッド１３を適当な圧力で押圧し，一定方向に一定速度で掃引して」積層されることを含む点。
　・相違点２
　本件発明１は，「前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積される」のに対し，甲３発明における「ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）配向膜１４」は，フルオロ溶媒を含む溶液から堆積されるものではなく，また，甲３発明におけるその他の層について，フルオロ溶媒を含む溶液から堆積されることは，甲第３号証には記載も示唆もされていない点。
　ウ　新規性についての判断
　上記イより，本件発明１と甲３発明との間には，相違点（相違点１及び２）が存在するから，本件発明１は甲３発明と同一とはいえない。
　そして，本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除され，また，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，本件特許の特許請求の範囲において請求項１を引用する請求項に係る発明で，本件発明１の構成を備えるから，上記イより，甲３発明と同一とはいえない。
　エ　小括
　以上から，本件特許の特許請求の範囲の各請求項に係る発明は，いずれも，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当しない。
　
（３）取消理由３について
　前記第２の２のとおり，本件特許の特許請求の範囲の請求項１１及び１７は，いずれも本件訂正により削除されたので，本件特許の特許請求の範囲は，特許法第３６条第６項第１号に規定する要件に適合する。
　
（４）小括
　したがって，取消理由１ないし３によっては，本件の特許請求の範囲の請求項６ないし２５の各請求項に係る特許を取り消すことはできない。
　
３　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の概要
　特許異議申立人が主張する特許異議申立理由のうち，取消理由通知において採用しなかったものの概要は，以下のとおりである。
　ア　異議理由１（特許法第２９条第２項（同法第１１３条第２号））
　本件特許の請求項１ないし２５の各請求項に係る発明は，いずれも，原出願の優先権主張の日前，欧州において頒布された刊行物である，欧州特許出願公開第１０４１６５２号明細書（甲第４号証）に記載の発明において，原出願の優先権主張の日前，外国において頒布された刊行物である，Ｋａｔｚ，Ｈ．Ｅ．；Ｈｏｎｇ，Ｘ．Ｍ．；Ｄｏｄａｂａｌａｐｕｒ，Ａ．；Ｓａｒｐｅｓｈｋａｒ，Ｒ．Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．９１，Ｎｏ．３（２００２年２月１日），ｐｐ.１５７２−１５７６（甲第１号証），国際公開第０３／０３８９２１号（甲第２号証），及び甲第３号証にそれぞれ記載の事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
　イ　異議理由２（特許法第２９条第１項第３号（同法第１１３条第２号））
　本件特許の請求項６ないし１６，請求項１８及び請求項２２の各請求項に係る発明は，いずれも，甲第１号証，甲第２号証，及び甲第４号証のいずれかに記載された発明であるから，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当し，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
　ウ　異議理由３（特許法第１７条の２第３項（同法第１１３条第１号））
　本件特許の請求項１１における「高誘電率絶縁材料が‥・ポリ（塩化ビニル）またはポリ（酢酸ビニル）を含む」との記載は，２０１１年７月１９日付けの手続補正書による補正で請求項１２に追加され，２０１３年１０月２４日付けの手続補正書による補正で請求項１２は請求項１１に繰り上がっているが，高誘電率絶縁材料を構成する材料として，ポリ（塩化ビニル）及びポリ（酢酸ビニル）を追加する補正は，出願当初明細書等に記載した事項の範囲内になく，新規事項の追加に該当するもので，特許法第１７条の２第３項の規定に適合しないから，本件特許の請求項１１に係る発明は，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　エ　異議理由４（特許法第１１３条第５号）
　本件特許の請求項１１における「高誘電率絶縁材料が‥・ポリ（塩化ビニル）またはポリ（酢酸ビニル）を含む」との記載事項，及び本件特許の請求項１７における「低誘電率絶縁材料層がテトラフルオロエチレンとジオキシド類との共重合体を含む」との記載事項は，いずれも，特許法第１８４条の４第１項の外国語特許出願に記載した事項の範囲内にないから，本件特許の請求項１１及び１７の各請求項に係る発明は，いずれも，特許を受けることができないものであり，上記の各請求項に係る特許は取り消すべきものである。
　
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由の検討
　ア　異議理由１について
（ア）検討の前提
　特許異議申立人は，本件特許に係る出願は，原出願の優先権主張の基礎となる出願３件のうち，英国で２００２年９月３日に出願された特許出願にのみ基づくものである旨主張する（特許異議申立書１３頁）するので，上記の主張どおりと仮定して，以下検討する。
（イ）甲号証の記載について
　ａ　甲第１号証について
　甲第１号証の記載（１５７２頁右欄２４行〜２７行，同頁右欄３０行〜３５行，及び１５７２頁右欄３６行〜１５７３頁左欄３行，並びにＦＩＧ．１）より，甲第１号証には，下記の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「有機電界効果デバイスを製造する方法であって，
　ＴＯＰＡＳ（登録商標）環状オレフィン共重合体を，メシチレン又はキシレンからインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）ガラス基板上にスピンコーティングして，１〜２μｍ厚の高分子誘電体膜を形成し，
　標準的な方法を用いて調製した，半導体　１，４−ビス（５−フェニル−２−チェニル）ベンゼン（ＰＴＰＴＰ）及びＮ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド（Ｆ１５−ＮＴＣＤＩ）を，高真空下で昇華させて，半導体膜を形成することを含む方法。」
　ｂ　甲第２号証について
　特許異議申立人は，甲第２号証は，原出願の優先権主張の日前，外国において頒布された刊行物であると主張するが，甲第２号証によれば，その国際公開日は２００３年５月８日で，原出願の優先権主張の基礎となる出願３件のいずれの出願日よりも後であるから，甲第２号証に記載された発明は，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明には該当しない。
　なお，甲第２号証の記載（１頁５行〜８行，２頁２６行〜２９行，５頁７行〜１１行，６頁２０行〜２４行，及び７頁１９行〜３６行）より，甲第２号証には，下記の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
　「有機電界効果効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）を製造する方法であって，
　ポリイソブチレンのヘキサン溶液をスピンコーティングにより，ソース／ドレイン電極及び半導体を備えた基板上にコーティングし絶縁体層を形成することを含む方法。」
　ｃ　甲第３号証について
　甲第３号証には，上記３（２）イ（ア）の記載があり，上記３（２）イ（イ）の甲３発明が記載されていると認められる。
　ｄ　甲第４号証について
　甲第４号証の記載（［０００１］，［０００２］，［００２２］，［００２４］，及び［００２９］ないし［００３４］）の記載より，甲第４号証には，下記の発明（以下「甲４発明」という。）が記載されていると認められる。
「有機回路の作製プロセスであって，
　ＤＨα５Ｔのトルエン溶液からＤＨα５Ｔを堆積させることと，
　キシレン溶液から基材上にフッ素化シラン層を堆積させることを含むプロセス。」
　そして，甲第４号証の記載（［０００９］ないし［００１１］，［００１９］，［００２０］，及び［００３０］）より，甲第４号証には，フッ素化シラン層は，基板をキシレン溶液に浸して形成され，これにより，有機半導体材料の溶液との接触角を大きくして，液相技術により結晶又は多結晶の有機半導体膜を形成できるようにしたことが記載されていると認められる。
（ウ）対比
　本件発明１と甲４発明とを対比すると，両者の一致点及び相違点は，以下のとおりであると認められる。
　ａ　一致点
「溶液から有機半導体層を堆積させ；そして
　溶液から絶縁材料の層を堆積させて，その絶縁材料が上記有機半導体層と接触するように形成する工程を含み，但し前記絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない，方法。」
　ｂ　相違点
　・相違点１
　本件発明１は「有機電界効果デバイスを製造する方法」の発明であるのに対し，甲４発明は「有機回路の作製プロセス」の発明であって，「有機電界効果デバイス」そのものを製造する発明ではない点。
　・相違点２
　「絶縁材料の層」について，本件発明１は「低誘電率絶縁材料の層」であって，「低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．３から２．５まで」であるのに対し，甲４発明の「フッ素化シラン層」の比誘電率は不明であり，「低誘電率絶縁材料」であるか否かも不明である点。
　・相違点３
　「絶縁材料の層」について，本件発明１の「低誘電率絶縁材料の層」は，「ゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する」ものであるのに対し，甲４発明の「フッ素化シラン層」が，「有機電界効果デバイス」における「ゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する」ことは特定されていない点。
　・相違点４
　本件発明１は，「前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積され」るのに対し，甲４発明の「ＤＨα５Ｔ」は「トルエン溶液」から，「フッ素化シラン層」は「キシレン溶液」からそれぞれ堆積され，本件発明１の上記の構成を備えていない点。
（エ）相違点についての判断
　上記相違点のうち，上記相違点１ないし３について判断する。
　上記（イ）ａ及びｃより，甲第１号証及び甲第３号証には，有機電界効果デバイスを製造する方法において，比誘電率が１．３から２．５までである低誘電率絶縁材料が，有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する工程を含むことが記載されていると認められる。
　他方，上記（イ）ｄより，甲４発明の「フッ素化シラン層」は，基板をキシレン溶液に浸して形成され，有機半導体材料の溶液との接触角を大きくして，液相技術により結晶又は多結晶の有機半導体膜を形成できるようにするために形成されるものと認められる。
　そして，甲第４号証には，「フッ素化シラン層」が「有機電界効果デバイス」における「ゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する」ことは，記載も示唆もされておらず，また，「フッ素化シラン層」の比誘電率も記載されていない。
　そうすると，有機半導体材料の溶液との接触角を大きくするために設けられた，甲４発明の「フッ素化シラン層」を，作用が異なる甲第１号証及び甲第３号証に記載のゲート絶縁膜に置き換えることには，動機付けがあるとはいえず，むしろ阻害要因があるといえるから，甲４発明において，比誘電率が１．３から２．５までである，低誘電率絶縁材料がゲート絶縁体の少なくとも一部を形成するようにし，有機電界効果デバイスを製造すること（相違点１ないし３に係る構成とすること）を，甲第１号証及び甲第３号証それぞれに記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たということはできない。
　また，上記（イ）ｂのとおり，甲第２号証に記載された発明は，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当せず，仮に，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するとしても，上記（イ）ｂより，甲第２号証には，甲第１号証及び甲第３号証と同様の事項が開示されているにとどまると認められるから，甲４発明において，相違点１ないし３に係る構成とすることは，甲第２号証に記載の発明に基づいて，当業者が容易に想到し得たということもできない。
　以上から，相違点４について検討するまでもなく，本件発明１は，甲第４号証記載の発明において，甲第１ないし３号証にそれぞれ記載の事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
　そして，本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除され，また，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，本件特許の特許請求の範囲において請求項１を引用する請求項に係る発明で，本件発明１の構成を備えるから，同様の理由により，甲第４号証記載の発明において，甲第１ないし３号証にそれぞれ記載の事項に基づいて，当業者が容易に想到し得たものとは認められない。
（オ）小括
　したがって，異議理由１に理由はない。
　
　イ　異議理由２について
（ア）検討の前提
　上記アと同様，本件特許に係る出願は，原出願の優先権主張の基礎となる出願３件のうち，英国で２００２年９月３日に出願された特許出願にのみ基づくものと仮定して，以下検討する。
（イ）甲１発明との対比・判断
　甲第１号証には，上記イ（イ）ａのとおりの発明（甲１発明）が記載されていると認められる。
　そして，本件発明１と甲１発明とを対比すると，両者は，少なくとも下記の点で相違すると認められる。
　・相違点１
　本件発明１では，「溶液から有機半導体層を堆積させ」るのに対し，甲１発明では，「半導体　１，４−ビス（５−フェニル−２−チェニル）ベンゼン（ＰＴＰＴＰ）及びＮ，Ｎ’−ビス（１Ｈ，１Ｈ−ペルフルオロオクチル）ナフタレン１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド（Ｆ１５−ＮＴＣＤＩ）を，高真空下で昇華させて，半導体膜を形成する」点。
　・相違点２
　本件発明１では，「前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積され」るのに対し，甲１発明は，上記の構成を備えていない点。
　そうすると，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明であるということはできない。
　そして，本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除され，また，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，本件特許の特許請求の範囲において請求項１を引用する請求項に係る発明で，本件発明１の構成を備えるから，同様の理由により，甲第１号証に記載された発明であるということはできない。
（ウ）甲２発明との対比・判断
　ａ　本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除された。
　そして，上記ア（イ）ｂのとおり，甲第２号証に記載された発明は，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当しないから，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，甲第２号証に記載された発明を理由に，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するとは認められない。
　ｂ　仮に，甲第２号証に記載された発明が，特許法第２９条第１項第３号に掲げる発明に該当するとした場合に，本件発明１と甲第２号証に記載された発明（甲２発明，上記ア（イ）ｂ）とを対比すると，両者は，少なくとも下記の点で相違すると認められる。
　・相違点１
　本件発明１では，「溶液から有機半導体層を堆積させ」るのに対し，甲２発明では，「半導体」の形成方法は不明である点。
　・相違点２
　本件発明１では，「前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積され」るのに対し，甲２発明は，上記の構成を備えていない点。
　そうすると，本件発明１は，甲第２号証に記載された発明であるということはできない。
　そして，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，本件特許の特許請求の範囲において請求項１を引用する請求項に係る発明で，本件発明１の構成を備えるから，同様の理由により，甲第２号証に記載された発明であるということはできない。
（エ）甲４発明との対比・判断
　甲第４号証には，上記ア（イ）ｄのとおりの発明（甲４発明）が記載されていると認められる。
　そして，本件発明１と甲４発明とを対比すると，両者は，上記ア（ウ）ｂの相違点１ないし４の点で，相違すると認められる。
　そうすると，本件発明１は，甲第４号証に記載された発明であるということはできない。
　そして，本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除され，また，本件発明７ないし１０，本件発明１４，本件発明１５，本件発明１９，本件発明２２，本件発明２４，及び本件発明２５は，いずれも，本件特許の特許請求の範囲において請求項１を引用する請求項に係る発明で，本件発明１の構成を備えるから，同様の理由により，甲第４号証に記載された発明であるということはできない。
（オ）小括
　したがって，異議理由２に理由はない。
　
　ウ　異議理由３及び４について
　前記第２の２のとおり，本件特許の特許請求の範囲の請求項１１及び１７は，いずれも本件訂正により削除されたので，異議理由３及び４に理由はない。
　
（３）小括
　したがって，本件特許の特許請求の範囲の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３は，本件訂正により削除され，本件の特許請求の範囲の請求項１ないし５，請求項７ないし１０，請求項１４，請求項１５，請求項１９，請求項２２，請求項２４，及び請求項２５の各請求項に係る特許を，異議理由１ないし４によって取り消すことはできない。
　
　
第４　結言
　
　以上のとおりであるから，本件特許の請求項１ないし５，請求項７ないし１０，請求項１４，請求項１５，請求項１９，請求項２２，請求項２４，及び請求項２５の各請求項に係る特許は，取消理由通知に記載した取消理由，及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，取り消すことができない。
　また，他に，本件特許の上記各請求項に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして，本件特許の請求項６，請求項１１ないし１３，請求項１６ないし１８，請求項２０，請求項２１，及び請求項２３の各請求項に係る特許は，本件訂正により削除されたため，本件特許の上記各請求項に対して，特許異議申立人がした特許異議の申立てについては，対象となる請求項が存在しない。
　
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１２月５日（２０１６．１２．５）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
有機電界効果デバイスを製造する方法であって、
　ａ）溶液から有機半導体層を堆積させ；そして
　ｂ）溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が上記有機半導体層と接触するようにゲート絶縁体の少なくとも一部を形成する
工程を含み、ここで前記低誘電率絶縁材料は比誘電率が１．３から２．５までであり、そして前記層の１つまたは２つ以上がフルオロ溶媒を含む溶液から堆積され、但し前記低誘電率絶縁材料はベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ではない、上記の方法。
　【請求項２】
前記有機半導体層から前記低誘電率絶縁材料層の他方の側に、少なくとも１層の高誘電率絶縁材料を堆積させることをさらに含み、ここで前記高誘電率絶縁材料は比誘電率が前記低誘電率絶縁材料よりも高い、請求項１に記載の方法。
　【請求項３】
前記少なくとも１層の高誘電率絶縁材料が溶液から堆積される、請求項２に記載の方法。
　【請求項４】
前記層の１つまたは２つ以上が溶液からスピンコーティングによって堆積される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項５】
全ての工程が約１００℃以下において遂行される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
　【請求項６】
（削除）
　【請求項７】
前記低誘電率絶縁材料の誘電率が１．５〜２．１の範囲内である、請求項
１〜５のいずれか１項
方法
　【請求項８】
前記有機電界効果デバイスがトップゲート配置を有する、請求項
１〜５および
のいずれか１項
方法
　【請求項９】
前記有機電界効果デバイスがボトムゲート配置を有する、請求項
１〜５および
のいずれか１項
方法
　【請求項１０】
前記高誘電率絶縁材料が３．５超で、２００までの誘電率を有する、請求項１または２に記載の方法。
　【請求項１１】
（削除）
　【請求項１２】
（削除）
　【請求項１３】
（削除）
　【請求項１４】
前記ゲート絶縁体層が有機材料を含む、請求項
１〜５および７〜１０
方法
　【請求項１５】
前記低誘電率絶縁材料層がフルオロポリマーを含む、請求項１４に記載の
方法
　【請求項１６】
（削除）
　【請求項１７】
（削除）
　【請求項１８】
（削除）
　【請求項１９】
前記有機半導体層が
、１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し、かつ
１〜５、７〜１０、１４および１５のいずれか１項
方法
　【請求項２０】
（削除）
　【請求項２１】
（削除）
　【請求項２２】
前記有機半導体層が
、１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し、かつ
１〜５、７〜１０、１４および１５のいずれか１項
方法
　【請求項２３】
（削除）
　【請求項２４】
前記有機半導体層が
、１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し、かつ
１〜５、７〜１０、１４および１５のいずれか１項
方法
　【請求項２５】
前記有機半導体層が
、１０−５ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１より大きい移動度を有し、かつ
１〜５、７〜１０、１４および１５のいずれか１項
方法