(57)【要約】  本発明に係る検出チップは、支持体と、支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜を有する。回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む。分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために金属膜に光が照射されたときに、光の照射スポット内に複数種類の分割領域が同時に含まれるように配置されている。
2016203832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するために使用される検出チップであって、
支持体と、
前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、
を有し、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために前記金属膜に光が照射されたときに、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域が同時に含まれるように配置されている、
検出チップ。
【請求項２】
前記分割領域は、前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率がそれぞれ３０％以下となるように配置されている、請求項１に記載の検出チップ。
【請求項３】
前記分割領域は、前記照射スポット内において、その合計面積が最大である種類の前記分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の前記分割領域の合計面積との比が４：６〜６：４の範囲内となるように配置されている、請求項１または請求項２に記載の検出チップ。
【請求項４】
前記分割領域の種類の数は、３つ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の検出チップ。
【請求項５】
前記分割領域の種類の数は、偶数である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の検出チップ。
【請求項６】
前記分割領域の種類の数は、２つである、請求項５に記載の検出チップ。
【請求項７】
前記分割領域の形状は、多角形状または円形状である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の検出チップ。
【請求項８】
前記分割領域は、第１分割領域と、前記第１分割領域と格子ピッチが異なる第２分割領域とからなり、
前記第１分割領域および前記第２分割領域の形状は、四角形状であり、
複数の前記第１分割領域および複数の前記第２分割領域は、前記第１分割領域の辺と前記第２分割領域の辺とが対向するように配置されている、
請求項６に記載の検出チップ。
【請求項９】
複数種類の前記分割領域は、それぞれ、前記金属膜の面方向に沿う第１方向においては異なる種類の前記分割領域と隣接しておらず、かつ前記第１方向に直交する、前記金属膜の面方向に沿う第２方向においては異なる種類の前記分割領域と隣接するように配置されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の検出チップ。
【請求項１０】
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法であって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップの、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質を直接的または間接的に結合させる工程と、
前記金属膜上に前記蛍光物質で標識されている前記被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する工程と、
を含み、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記蛍光を検出する工程では、複数種類の前記分割領域が照射スポット内に同時に含まれるように前記金属膜に光を照射する、
検出方法。
【請求項１１】
前記照射スポットを前記金属膜の面方向に沿って移動させたとき、前記照射スポット内に含まれる複数種類の前記分割領域の面積の割合の変化率は、それぞれ３０％以下である、請求項１０に記載の検出方法。
【請求項１２】
前記照射スポット内において、その合計面積が最大である種類の前記分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の前記分割領域の合計面積との比は、４：６〜６：４の範囲内である、請求項１０または請求項１１に記載の検出方法。
【請求項１３】
前記分割領域の種類の数は、３つ以上である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の検出方法。
【請求項１４】
前記分割領域の種類の数は、偶数である、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の検出方法。
【請求項１５】
前記分割領域の種類の数は、２つである、請求項１４に記載の検出方法。
【請求項１６】
前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、同一の多角形状の相似形状である、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の検出方法。
【請求項１７】
前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、四角形状である、請求項１６に記載の検出方法。
【請求項１８】
前記照射スポットの形状は、円形状または楕円形状であり、
前記分割領域の形状は、いずれも同一形状であり、かつ四角形状、多角形状または円形状であり、
複数種類の前記分割領域にそれぞれ含まれる各領域の前記照射スポットに対する面積比は、それぞれ０．０１以上かつ０．５以下である、
請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の検出方法。
【請求項１９】
前記蛍光を検出する工程では、前記照射スポット内において、光量が最大の点と、光量が最小の点とにおける光量の比が４：６〜６：４となるように前記金属膜に光を照射する、請求項１０〜１８のいずれか一項に記載の検出方法。
【請求項２０】
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出装置であって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップを保持するためのホルダーと、
前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、
前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、
を有し、
前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、
前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する、
検出装置。
【請求項２１】
前記照射スポットの形状と、前記照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、同一の多角形状の相似形状である、請求項２０に記載の検出装置。
【請求項２２】
前記照射スポットの形状と、前被照射スポット内に含まれる前記分割領域の形状とは、四角形状である、請求項２１に記載の検出装置。
【請求項２３】
前記照射スポットの形状は、円形状または楕円形状であり、
前記分割領域の形状は、いずれも同一形状であり、かつ四角形状、多角形状または円形状であり、
複数種類の前記分割領域にそれぞれ含まれる各領域の前記照射スポットに対する面積比は、それぞれ０．０１以上かつ０．５以下である、
請求項２０に記載の検出装置。
【請求項２４】
前記光照射部は、前記照射スポット内において、光量が最大の点と、光量が最小の点とにおける光量の比が４：６〜６：４となるように前記金属膜に光を照射する、請求項２０〜２３のいずれか一項に記載の検出装置。
【請求項２５】
検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出システムであって、
支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む検出チップと、
前記検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有する検出装置と、
を有し、
前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する、
検出システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面プラズモン共鳴を利用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出チップ、ならびにこの検出チップを使用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法、検出装置および検出システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
臨床検査などにおいて、タンパク質やＤＮＡなどの微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出することができれば、患者の状態を迅速に把握して治療を行うことが可能となる。このため、微量の被検出物質を高感度かつ定量的に検出できる検出装置が求められている。【０００３】
被検出物質を高感度に検出できる検出装置として、表面プラズモン共鳴蛍光分析法（表面プラズモン励起増強蛍光分光法（Surface Plasmon-field enhanced Fluorescence Spectroscopy）：以下「ＳＰＦＳ」と略記する）を利用する装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。【０００４】
特許文献１に記載の検出装置では、表面に周期構造を有する基板と、基板の周期構造の上に形成された金属膜（金属層）と、金属膜の上に形成された消光抑制層と、消光抑制層の上に結合された捕捉体（二重特異性抗体）とを有する検出チップ（バイオチップ）が使用される。この検出装置では、蛍光物質で標識されている被検出物質が捕捉体に捕捉されている状態で、表面プラズモン共鳴が生じる角度で金属膜に励起光を照射して、金属膜の表面上に局在場光を発生させる。この局在場光により、金属膜上に捕捉されている被検出物質を標識する蛍光物質が選択的に励起され、蛍光物質から蛍光が放出される。検出装置は、この蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出する。【０００５】
蛍光検出時には、金属膜上で表面プラズモン共鳴を生じさせるために適切な入射角で金属膜に励起光を照射することが好ましい。特許文献１に記載の検出装置では、金属膜における励起光の反射率の入射角依存性を測定し、適切な入射角を決定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１５８３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載の検出装置には、適切な入射角を決定するための工程を行うことにより被検出物質を高精度に検出することができるものの、検出時間が長くなるという問題がある。また、金属膜における励起光の反射率の入射角依存性を測定するために、金属膜に対する励起光の入射角を走査しなければならず、走査機構が必要となる。このため、検出装置の大型化および高コスト化を招いてしまうという問題もある。【０００８】
本発明の第１の目的は、表面プラズモン共鳴を利用して被検出物質の存在またはその量を検出するための検出チップであって、金属膜に対する励起光の入射角を走査することなく、被検出物質の高精度な検出を可能とする検出チップを提供することである。また、本発明の第２の目的は、この検出チップを使用して、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法、検出装置および検出システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出チップは、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するために使用される検出チップであって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記分割領域は、蛍光物質から蛍光を放出させるために前記金属膜に光が照射されたときに、前記光の照射スポット内に複数種類の前記分割領域が同時に含まれるように配置されている。【００１０】
上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出方法は、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出方法であって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップの、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質を直接的または間接的に結合させる工程と、前記金属膜上に前記蛍光物質で標識されている前記被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する工程と、を含み、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記蛍光を検出する工程では、複数種類の前記分割領域が照射スポット内に同時に含まれるように前記金属膜に光を照射する。【００１１】
上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出装置は、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出装置であって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜とを有する検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含み、前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する。【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の一実施の形態に係る検出システムは、検出チップの金属膜に表面プラズモン共鳴が発生するように光を照射したときに、前記金属膜上の蛍光物質から放出される蛍光を検出することで、被検出物質の存在またはその量を検出するための検出システムであって、支持体と、前記支持体上に配置された、回折格子を含む金属膜と、を有し、前記回折格子は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域をそれぞれ複数含む検出チップと、前記検出チップを保持するためのホルダーと、前記ホルダーに保持された前記検出チップの前記金属膜に光を照射する光照射部と、前記金属膜上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、前記光照射部が前記金属膜上で表面プラズモン共鳴が発生するように前記金属膜に光を照射したときに、前記金属膜上の前記蛍光物質から放出される蛍光を検出する光検出部と、を有する検出装置と、を有し、前記光照射部は、照射スポット内に複数種類の前記分割領域を同時に含むように前記金属膜に光を照射する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、金属膜に対する励起光の入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施の形態１〜３に係る検出システムの構成を示す図である。
【図２】図２Ａ、Ｂは、実施の形態１に係る検出チップの構成を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る検出チップにおける回折格子の斜視図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。
【図５】図５は、変形例に係る検出チップを示す断面模式図である。
【図６】図６は、実施の形態１に係る表面プラズモン励起増強蛍光検出装置の動作手順の一例を示すフローチャートである。
【図７】図７Ａ、Ｂは、金属膜に対する励起光の入射角と励起光の反射光の光量との関係を示すグラフである。
【図８】図８は、実施の形態２に係る検出チップの構成を示す平面図である。
【図９】図９は、実施の形態２に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。
【図１０】図１０Ａ、Ｂは、実施の形態３に係る検出チップの構成を示す図である。
【図１１】図１１は、実施の形態３に係る検出チップにおける回折格子と励起光の照射スポットとの関係を示す模式図である。
【図１２】図１２Ａ、Ｂは、金属膜に対する励起光の入射角と励起光の反射光の光量との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。以下の説明では、検出装置の代表例として、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）を利用して被検出物質を検出する、表面プラズモン励起増強蛍光検出装置（以下、「ＳＰＦＳ装置」ともいう）について説明する。
【００１６】
［実施の形態１］
（検出システム）
図１は、実施の形態１に係る検出システム１の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム１は、検出チップ１０およびＳＰＦＳ装置１００を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ１０およびＳＰＦＳ装置１００について説明する。
【００１７】
（ＳＰＦＳ装置および検出チップの構成）
図１に示されるように、ＳＰＦＳ装置１００は、検出チップ１０に光を照射する光照射ユニット（光照射部）１１０と、検出チップ１０から放出された蛍光βを検出する受光ユニット（光検出部）１２０と、送液するための送液ユニット１３０と、検出チップ１０を搬送するための搬送ユニット１４０と、これらを制御する制御部（処理部）１５０とを有する。ＳＰＦＳ装置１００は、搬送ユニット１４０のチップホルダー１４２に検出チップ１０を装着した状態で使用される。そこで、検出チップ１０について先に説明し、その後にＳＰＦＳ装置１００の各構成要素について説明する。
【００１８】
図２Ａ、Ｂは、実施の形態１に係る検出チップ１０の構成を示す図である。図２Ａは、検出チップ１０の平面図であり、図２Ｂは、図２ＡにおけるＢ−Ｂ線の断面図である。図３は、実施の形態１に係る検出チップ１０における回折格子３５の斜視図である。以下、図２Ａ、Ｂおよび図３に示されるように、検出チップ１０の高さ方向をｚ方向とし、回折格子３５の周期的構造の配列方向をｘ方向とし、ｚ方向とｘ方向に垂直な方向をｙ方向とする。図４は、本実施の形態に係る検出チップ１０の金属膜３０に励起光αを照射したときの、回折格子３５と照射スポット６０との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット６０の形状は、円形状である。
【００１９】
図２Ａ、Ｂに示されるように、検出チップ１０は、基板（支持体）２０と、基板２０上に配置された、回折格子３５を含む金属膜３０と、基板２０上に配置された枠体４０とを有する。基板２０上に枠体４０を配置することで液体を収容するための収容部が形成される。
【００２０】
基板２０は、金属膜３０の支持部材である。基板２０の形状は、特に限定されない。また、基板２０の材料は、金属膜３０を支持できる機械的強度を有するものであれば特に限定されない。基板２０の材料の例には、ガラスや石英、シリコンなどの無機材料；アクリル樹脂やポリメタクリル酸メチル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリオレフィンなどの樹脂が含まれる。
【００２１】
金属膜３０は、一方の面を収容部内に向けて、基板２０上に配置されている。前述のとおり、金属膜３０は、回折格子３５を含む。これにより、金属膜３０に所定の入射角で光を照射すると、金属膜３０中に生じる表面プラズモンと、回折格子３５により生じるエバネッセント波とが結合して、表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）が生じる。また、金属膜３０の厚みは、特に限定されず、例えば、３０〜５００ｎｍであり、好ましくは１００〜３００ｎｍである。金属膜３０の材料は、表面プラズモンを生じさせうる金属であれば特に限定されない。金属膜３０の材料の例には、金、銀、アルミニウム、プラチナ、銅、およびこれらの合金が含まれる。
【００２２】
回折格子３５は、金属膜３０に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子３５は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。詳細については後述するが、図４に示されるように、分割領域は、検出チップ１０の回折格子３５に励起光αが照射されたときに、励起光αの照射スポット６０内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域が含まれるように配置されていることが好ましい。たとえば、複数種類の分割領域は、照射スポット６０内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比は、４：６〜６：４の範囲内となるように配置されていることが好ましい。また、金属膜３０上における励起光αの照射スポット６０の位置がずれても、照射スポット６０内に含まれる複数種類の分割領域の面積比は実質的に変化しないことが好ましい。たとえば、分割領域は、励起光αの照射スポット６０を金属膜３０の面方向に沿って移動させたときに、照射スポット６０内に含まれる複数種類の分割領域の面積の割合の変化率がそれぞれ３０％以下となるように配置されていることが好ましい。ここで、各分割領域の面積の割合の変化率とは、照射スポット６０の移動前における照射スポット６０内に含まれる各分割領域の面積の割合に対する、照射スポット６０の移動後における照射スポット６０内に含まれる各分割領域の面積の割合の変化率の大きさをいう。
【００２３】
分割領域の種類の数は、特に限定されない。しかし、金属膜３０上の照射スポット６０の位置がずれても、照射スポット６０内に含まれる複数種類の分割領域の割合が変動するのを抑制する観点からは、分割領域の種類の数は、偶数であってもよい。図２〜図４に示されるように、本実施の形態では、分割領域の種類の数は、２つである。すなわち、回折格子３５は、第１分割領域３６および第２分割領域３７を含む。図３に示されるように、第１分割領域３６および第２分割領域３７における回折格子３５の格子ピッチは、互いに異なる。図２Ａ、Ｂおよび図４では、第１分割領域３６を黒色で示し、第２分割領域３７を白色で示す。第１分割領域３６および第２分割領域３７は、それぞれ複数の領域を含む。
【００２４】
分割領域（第１分割領域３６および第２分割領域３７）の外形の平面視形状も、特に限定されない。分割領域の外形の平面視形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。本実施の形態では、第１分割領域３６および第２分割領域３７の外形の平面視形状は、四角形状である。図２Ａに示されるように、分割領域は、金属膜３０の面方向（ｘ方向およびｙ方向）に沿う第１方向（ｙ方向）においては異なる種類の分割領域と隣接しておらず、かつ第１方向（ｙ方向）に直交する、金属膜３０の面方向（ｘ方向およびｙ方向）に沿う第２方向（ｘ方向）においては異なる種類の分割領域と隣接するように配置されている。
【００２５】
また、各分割領域（第１分割領域３６および第２分割領域３７）における格子形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されない。図３に示されるように、本実施の形態では、各分割領域（第１分割領域３６および第２分割領域３７）は、いずれも１次元回折格子であり、互いに平行な複数の溝（凹条）が所定の間隔で形成されている。隣接する溝の中心間距離および溝の深さは、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、照射される光の波長に応じて適宜設定されうる。たとえば、隣接する溝の中心間距離は、１００〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、溝の深さは、１０〜１０００ｎｍの範囲内であることが好ましい。また、溝の断面形状も特に限定されない。溝の断面形状の例には、矩形波形状、正弦波形状、および鋸歯形状が含まれる。本実施の形態では、溝の断面形状は、矩形波形状である。なお、後述する励起光αの光軸は、ｘｚ平面に平行である。
【００２６】
回折格子３５には、被検出物質を捕捉するための捕捉体５０が固定化されている。回折格子３５（金属膜３０）上において、捕捉体５０が固定化されている領域を、特に「反応場」という。本実施の形態では、捕捉体５０は、第１分割領域３６および第２分割領域３７に亘って略均一に固定化されており、反応場は、第１分割領域３６および第２分割領域３７に亘って形成されている。また、捕捉体５０は、被検出物質に特異的に結合することができる。このため、被検出物質は、捕捉体５０を介して金属膜３０（回折格子３５）上に結合されうる。
【００２７】
捕捉体５０の種類は、被検出物質を捕捉することができれば特に限定されない。たとえば、捕捉体５０は、被検出物質に特異的に結合可能な抗体（１次抗体）またはその断片、被検出物質に特異的に結合可能な酵素などである。
【００２８】
検出チップ１０の使用時には、回折格子３５は、反応や洗浄などの操作のために緩衝液などの液体に接触する。したがって、通常、回折格子３５は、液体を収容可能な空間に配置される。本実施の形態では、回折格子３５は、収容部の底部に配置されている。図５は、変形例に係る検出チップ１０’を示す断面模式図である。回折格子３５は、本実施の形態のように収容部（ウェル）の底面に配置されていてもよいし、図５に示されるように、液体を連続して供給されうる流路（フローセル）の内表面（例えば底面）に配置されていてもよい。
【００２９】
枠体４０は、図２Ａに示されるように、貫通孔を有する部材であり、基板２０上に配置されている。貫通孔の内面は、収容部の側面となる。枠体４０の厚みは、特に限定されず、収容部に収容する液体の量に応じて適宜設計されうる。
【００３０】
収容部は、検体などの液体を収容する。収容部の形状や大きさなどは、所望の量の液体を収容することができれば、特に限定されず、用途に応じて適宜設計されうる。前述のとおり、収容部は、枠体４０を基板２０上に配置することで形成されているが、収容部を形成する方法は、これに限定されない。収容部を形成する方法の他の例には、その下面に凹部を形成された蓋を基板２０上に配置することが含まれる。
【００３１】
収容部に収容される液体の種類は、特に限定されない。液体の種類の例には、被検出物質を含む検体や、蛍光物質を含む蛍光標識液、緩衝液などが含まれる。通常、液体の屈折率および誘電率は、水の屈折率および誘電率と同程度である。検体および被検出物質の種類は、特に限定されない。検体の例には、血液や血清、血漿、尿、鼻孔液、唾液、精液などの体液およびその希釈液が含まれる。被検出物質の例には、核酸（ＤＮＡやＲＮＡなど）、タンパク質（ポリペプチドやオリゴペプチドなど）、アミノ酸、糖質、脂質およびこれらの修飾分子が含まれる。
【００３２】
（検出チップの製造方法）
次に、本実施の形態に係る検出チップ１０の製造方法の一例について説明する。検出チップ１０の製造方法は、これに限定されるものではない。
【００３３】
本実施の形態に係る検出チップ１０は、例えば、１）基板２０および枠体４０をそれぞれ準備する工程と、２）基板２０上に金属膜３０および反応場を形成する工程と、３）金属膜３０および反応場が形成された基板２０と、枠体４０とを互いに固定する工程と、を行うことにより製造されうる。以下、各工程について説明する。
【００３４】
まず、基板２０および枠体４０をそれぞれ準備する。基板２０としては、中心間距離が互いに異なる複数の溝が形成されている２種類の領域を含む基板を準備する。このとき、２種類の領域は、それぞれ複数の領域を含む。たとえば、平板状の樹脂基板に、中心間距離が互いに異なる複数の溝を形成して、２種類の領域を形成してもよい。２種類の領域は、それぞれ第１分割領域３６または第２分割領域３７となる。複数の溝を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。たとえば、金型成形法やリソグラフィ法などにより溝を形成してもよいし、凹凸が形成された原版を用いてプレス加工を行うことにより溝を形成してもよい。
【００３５】
また、枠体４０の準備として、平板状の樹脂基板に貫通孔を形成してもよい。貫通孔を形成する方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。たとえば、金型成形法などにより、平板に貫通孔を形成すればよい。また、貫通孔が形成された平板を購入してもよい。
【００３６】
次いで、基板２０上に金属膜３０および反応場を順次形成する。金属膜３０は、基板２０において溝が形成されている面の一部に形成してもよいし、全面に形成してもよい。金属膜３０の形成方法は、特に限定されず、公知の方法から適宜選択されうる。金属膜３０の形成方法の例には、スパッタリング、蒸着およびメッキが含まれる。次いで、金属膜３０上に捕捉体５０を直接的または間接的に固定化すればよい。これにより、反応場を基板２０上に形成することができる。
【００３７】
また、捕捉体５０の固定化方法も、特に限定されない。たとえば、金属膜３０の上に、捕捉体５０を結合させた自己組織化単分子膜（以下「ＳＡＭ」という）または高分子膜を形成すればよい。ＳＡＭの例には、ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１１−ＳＨなどの置換脂肪族チオールで形成された膜が含まれる。高分子膜を構成する材料の例には、ポリエチレングリコールおよびＭＰＣポリマーが含まれる。また、捕捉体５０に結合可能な反応性基（または反応性基に変換可能な官能基）を有する高分子を金属膜３０に固定化し、この高分子に捕捉体５０を結合させてもよい。
【００３８】
なお、金属膜３０の形成と、回折格子３５の形成との順番は、上記の方法に限定されない。たとえば、平板状の基板２０上に金属膜３０を形成した後、金属膜３０に格子形状を付与してもよい。この方法によっても、第１分割領域３６および第２分割領域３７を金属膜３０上に配置することができる。
【００３９】
次いで、基板２０と、枠体４０とを固定する。枠体４０を基板２０上に固定する方法は、特に限定されない。たとえば、基板２０と枠体４０とを固定する方法の例には、両面テープや接着剤などによる接着、レーザー溶着、および超音波溶着が含まれる。
【００４０】
以上の手順により、本実施の形態に係る検出チップ１０を製造することができる。なお、金属膜３０および反応場を形成する工程と、基板２０および枠体４０を固定する工程とを行う順番は、これに限定されない。たとえば、基板２０上に枠体４０を固定した後に、金属膜３０および反応場を形成してもよい。
【００４１】
次に、ＳＰＦＳ装置１００の各構成要素について説明する。前述のとおり、ＳＰＦＳ装置１００は、光照射ユニット（光照射部）１１０、受光ユニット（光検出部）１２０、送液ユニット１３０、搬送ユニット１４０および制御部（処理部）１５０を有する。
【００４２】
光照射ユニット１１０は、所定の入射角θ１でチップホルダー１４２に保持された検出チップ１０の金属膜３０（回折格子３５）に励起光αを照射する。このとき、光照射ユニット１１０は、複数種類（本実施の形態では、２種類）の分割領域（第１分割領域３６および第２分割領域３７）が光の照射スポット６０内に同時に含まれるように金属膜３０に励起光αを照射する（図４参照）。また、光照射ユニット１１０は、金属膜３０中の表面プラズモンと結合できる回折光が回折格子３５で生じるように、金属膜３０の表面に対するｐ偏光の光を金属膜３０（回折格子３５）に照射する。金属膜３０上の照射スポット６０内における光量は略均一であることが好ましく、具体的には光量が最大の点と光量が最小の点との光量の比が４：６〜６：４の範囲内であることが好ましい。蛍光βは、特定の方向に指向性を持って出射される。たとえば、蛍光βの出射角θ２は、２θ１で近似される。なお、ＳＰＲが生じる条件では、励起光αの反射光γは、ほとんど生じない。
【００４３】
また、励起光αの光軸は、回折格子３５における周期的構造の配列方向（ｘ方向）に沿う。したがって、励起光αの光軸はｘｚ平面に平行である（図１参照）。励起光αは、金属膜３０の表面に対するｐ偏光の光であることから、励起光αの電界の振動方向は、励起光αの光軸および金属膜３０の表面に対する法線を含むｘｚ平面に平行である。
【００４４】
光照射ユニット１１０は、励起光αを出射する光源ユニット１１１と、光源ユニット１１１に含まれる各種機器を制御する光源制御部１１２とを有する。
【００４５】
光源ユニット１１１は、励起光αを出射する。たとえば、光源ユニット１１１は、励起光αの光源、ビーム整形光学系、ＡＰＣ機構および温度調整機構（いずれも図示省略）を有する。
【００４６】
光源の種類は、特に限定されない。光源の種類の例には、レーザーダイオード（ＬＤ）、発光ダイオード、水銀灯、その他のレーザー光源が含まれる。たとえば、光源から出射される励起光αの波長は、４００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内である。
【００４７】
また、光源から出射される励起光αがビームでない場合は、光源から出射される励起光αは、レンズや鏡、スリットなどによりビームに変換される。また、光源から出射される励起光αが単色光でない場合は、光源から出射される励起光αは、回折格子などにより単色光に変換される。さらに、光源から出射される励起光αが直線偏光でない場合は、光源から出射される励起光αは、偏光子などにより直線偏光の光に変換される。
【００４８】
ビーム整形光学系は、例えば、コリメーターやバンドパスフィルター、直線偏光フィルター、半波長板、スリット、ズーム手段などを含む。ビーム整形光学系は、これらのすべてを含んでいてもよいし、一部を含んでいてもよい。
【００４９】
コリメーターは、光源から出射された励起光αをコリメートする。
【００５０】
バンドパスフィルターは、光源から出射された励起光αを中心波長のみの狭帯域光にする。光源からの励起光αは、若干の波長分布幅を有しているためである。
【００５１】
直線偏光フィルターは、光源から出射された励起光αを完全な直線偏光の光にする。半波長板は、金属膜３０にｐ偏光成分の光が入射するように励起光αの偏光方向を調整する。スリットおよびズーム手段は、金属膜３０における照射スポット６０の形状および面積が所定の形状および面積となるように、励起光αの輪郭形状やビーム径（例えば、φ１ｍｍ）などを調整する。
【００５２】
照射スポット６０の形状および面積は、特に限定されず、複数種類の分割領域の形状や面積などに応じて、適宜設定されうる。照射スポット６０の形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。前述のとおり、本実施の形態では、照射スポット６０の形状は、円形状である。
【００５３】
ＡＰＣ機構は、光源の出力が一定となるように光源を制御する。より具体的には、ＡＰＣ機構は、励起光αから分岐させた光の光量を不図示のフォトダイオードなどで検出する。そして、ＡＰＣ機構は、回帰回路で投入エネルギーを制御することで、光源の出力を一定に制御する。
【００５４】
温度調整機構は、例えば、ヒーターやペルチェ素子などである。光源の出射光の波長およびエネルギーは、温度によって変動することがある。このため、温度調整機構で光源の温度を一定に保つことにより、光源の出射光の波長およびエネルギーを一定に制御する。
【００５５】
光源制御部１１２は、光源ユニット１１１に含まれる各種機器を制御して、光源ユニット１１１からの励起光αのパワーや照射時間などを調整する。光源制御部１１２は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含む公知のコンピュータやマイコンなどによって構成される。
【００５６】
受光ユニット１２０は、金属膜３０上に蛍光物質で標識されている被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、光照射ユニット１１０が金属膜３０上でＳＰＲが発生するように金属膜３０に光を照射したときに、金属膜３０上で蛍光物質から放出される蛍光βを検出する。図１に示されるように、受光ユニット１２０は、光照射ユニット１１０に対して、励起光αの光軸と金属膜３０との交点を通り、かつ金属膜３０の表面に対する法線を挟むように配置されている。
【００５７】
受光ユニット１２０は、受光センサー１２１および受光センサー制御部１２２を有する。受光ユニット１２０は、さらに集光レンズ群や開口絞り、蛍光フィルターなどを有していてもよい。
【００５８】
受光センサー１２１は、金属膜３０上に存在する蛍光物質から放出される蛍光βを検出して、金属膜３０上の蛍光像を検出する。受光センサー１２１の種類は、特に限定されず、例えば、感度およびＳＮ比が高い光電子増倍管であり、アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）やフォトダイオード（ＰＤ）、ＣＣＤイメージセンサーなどであってもよい。
【００５９】
受光センサー制御部１２２は、受光センサー１２１の出力値の検出や、検出した出力値による受光センサー１２１の感度の管理、適切な出力値を得るための受光センサー１２１の感度を制御する。受光センサー制御部１２２は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含む公知のコンピュータやマイコンなどによって構成される。
【００６０】
送液ユニット１３０は、チップホルダー１４２に保持された検出チップ１０の収容部内に、検体や蛍光標識液、洗浄液などの液体を供給し、収容部内からこれらの液体を除去する。送液ユニット１３０は、液体チップ１３１、シリンジポンプ１３２および送液ポンプ駆動機構１３５を含む。
【００６１】
液体チップ１３１は、検体や蛍光標識液、洗浄液などの液体を収容する容器である。液体チップ１３１としては、通常、複数の容器が液体の種類に応じて配置されるか、または複数の容器が一体化したチップが配置される。
【００６２】
シリンジポンプ１３２は、シリンジ１３３と、シリンジ１３３内を往復動作可能なプランジャー１３４とによって構成される。プランジャー１３４の往復運動によって、液体の吸引および吐出が定量的に行われる。シリンジ１３３が交換可能であると、シリンジ１３３の洗浄が不要となる。このため、不純物の混入などを防止する観点から好ましい。シリンジ１３３が交換可能に構成されていない場合は、シリンジ１３３内を洗浄する構成をさらに付加することにより、シリンジ１３３を交換せずに使用することが可能となる。
【００６３】
送液ポンプ駆動機構１３５は、プランジャー１３４の駆動装置、およびシリンジポンプ１３２の移動装置を含む。シリンジポンプ１３２の駆動装置は、プランジャー１３４を往復運動させるための装置であり、例えば、ステッピングモーターを含む。ステッピングモーターを含む駆動装置は、シリンジポンプ１３２の送液量や送液速度を管理できるため、検出チップ１０の残液量を管理する観点から好ましい。シリンジポンプ１３２の移動装置は、例えば、シリンジポンプ１３２を、シリンジ１３３の軸方向（例えば垂直方向）と、軸方向を横断する方向（例えば水平方向）との二方向に自在に動かす。シリンジポンプ１３２の移動装置は、例えば、ロボットアーム、２軸ステージまたは上下動自在なターンテーブルによって構成される。
【００６４】
送液ユニット１３０は、液体チップ１３１より各種液体を吸引し、検出チップ１０の収容部内に供給する。収容部が流路である場合、プランジャー１３４を動かすことで、流路内を液体が往復し、流路内の液体が撹拌される。これにより、液体の濃度分布の均一化や、流路内における反応（例えば、後述する１次反応および２次反応）を促進することができる。収容部内の液体は、再びシリンジポンプ１３２で吸引され、液体チップ１３１などに排出される。これらの動作の繰り返しにより、各種液体による反応、洗浄などを実施し、収容部内に、蛍光物質で標識された被検出物質などを配置することができる。
【００６５】
搬送ユニット１４０は、検出チップ１０を設置位置、検出位置または送液位置に搬送し、固定する。ここで「設置位置」とは、検出チップ１０をＳＰＦＳ装置１００に設置するための位置である。また、「検出位置」とは、光照射ユニット１１０が検出チップ１０に励起光αを照射し、それに伴い発生する蛍光βを受光ユニット１２０が検出する位置である。さらに、「送液位置」とは、送液ユニット１３０が検出チップ１０の収容部内に液体を供給するか、または検出チップ１０の収容部内の液体を除去する位置である。
【００６６】
搬送ユニット１４０は、搬送ステージ１４１およびチップホルダー１４２を含む。
【００６７】
チップホルダー１４２は、搬送ステージ１４１上に固定されており、検出チップ１０を着脱可能に保持する。チップホルダー１４２の形状は、検出チップ１０を保持することができ、かつ励起光αや蛍光β、反射光γなどの光の光路を妨げない形状である。
【００６８】
搬送ステージ１４１は、チップホルダー１４２を一方向およびその逆方向に移動させる。搬送ステージ１４１も、励起光αや蛍光β、反射光γなどの光の光路を妨げない形状である。搬送ステージ１４１は、例えば、ステッピングモーターなどで駆動される。
【００６９】
制御部１５０は、光源制御部１１２、受光センサー制御部１２２、送液ポンプ駆動機構１３５および搬送ステージ１４１を制御する。また、制御部１５０は、受光センサー１２１の検出結果に基づいて被検出物質の存在またはその量を示すシグナル値を算出するための処理部としても機能する。制御部１５０は、例えば、演算装置、制御装置、記憶装置、入力装置および出力装置を含み、ソフトウェアを実行するコンピュータである。
【００７０】
（ＳＰＦＳ装置の検出動作）
次に、ＳＰＦＳ装置１００の検出動作（本実施の形態に係る検出方法）について説明する。図６は、ＳＰＦＳ装置１００の動作手順の一例を示すフローチャートである。
【００７１】
まず、検出の準備をする（工程Ｓ１０）。具体的には、検出チップ１０を準備して、ＳＰＦＳ装置１００の設置位置に配置されているチップホルダー１４２に検出チップ１０を設置する。また、検出チップ１０の金属膜３０上に保湿剤が存在する場合は、捕捉体５０が適切に被検出物質を捕捉できるように、金属膜３０上を洗浄して保湿剤を除去する。
【００７２】
次いで、金属膜３０上に蛍光物質が存在しない状態で蛍光βと同じ波長の光を含む光の検出を行い、光学ブランク値を測定する（工程Ｓ２０）。ここで、「光学ブランク値」とは、検出チップ１０の上方に放出される背景光の光量を意味する。
【００７３】
具体的には、制御部１５０は、搬送ステージ１４１を制御して、検出チップ１０を設置位置から検出位置に移動させる。この後、制御部１５０は、光源制御部１１２を制御して、光照射ユニット１１０の光源ユニット１１１から励起光αを金属膜３０（回折格子３５）の所定の位置に照射するとともに、制御部１５０は、受光センサー制御部１２２を制御して、受光センサー１２１で光を検出し、光学ブランク値を得る。測定された光学ブランク値は、制御部（処理部）１５０に送信され、記憶される。詳細については後述するが、このとき、光照射ユニット１１０は、第１分割領域３６および第２分割領域３７が照射スポット６０内に同時に含まれるように金属膜３０に励起光αを照射する。
【００７４】
次いで、検体中の被検出物質と捕捉体５０とを結合させる（１次反応；工程Ｓ３０）。具体的には、制御部１５０は、搬送ステージ１４１を制御して、検出チップ１０を検出位置から送液位置に移動させる。この後、制御部１５０は、送液ポンプ駆動機構１３５を制御して、液体チップ１３１中の検体を収容部内に提供する。これにより、検体中に被検出物質が存在する場合は、被検出物質の少なくとも一部は金属膜３０上の捕捉体５０により捕捉される。この後、収容部内を緩衝液などで洗浄して、捕捉体５０に捕捉されなかった物質を除去する。
【００７５】
次いで、捕捉体５０に結合した被検出物質を蛍光物質で標識する（２次反応；工程Ｓ４０）。具体的には、制御部１５０は、送液ポンプ駆動機構１３５を制御して、液体チップ１３１中の蛍光標識液を収容部内に提供する。これにより、被検出物質を蛍光物質で標識することができる。蛍光標識液は、例えば、蛍光物質で標識された抗体（２次抗体）を含む緩衝液である。この後、収容部内を緩衝液などで洗浄し、遊離の蛍光物質などを除去する。
【００７６】
次いで、金属膜３０（回折格子３５）上に蛍光物質で標識された被検出物質が直接的または間接的に結合されている状態で、励起光αを金属膜３０（回折格子３５）に照射して、金属膜３０上の被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βを検出し、蛍光値を測定する（工程Ｓ５０）。
【００７７】
具体的には、制御部１５０は、搬送ステージ１４１を制御して、検出チップ１０を送液位置から検出位置に移動させる。この後、制御部１５０は、光源制御部１１２を制御して、金属膜３０（回折格子３５）に向けて光照射ユニット１１０の光源ユニット１１１から励起光αを出射させる。これと同時に、制御部１５０は、受光センサー制御部１２２を制御して、受光センサー１２１で蛍光βを検出する。これにより、受光センサー１２１は、蛍光値を測定することができる。測定された蛍光値は、制御部（処理部）１５０に送信され、記録される。このとき、光照射ユニット１１０は、第１分割領域３６および第２分割領域３７が照射スポット６０内に同時に含まれるように金属膜３０に励起光αを照射する。これにより、第１分割領域３６上で結合されている被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βと、第２分割領域３７上で結合されている被検出物質を標識する蛍光物質から放出される蛍光βとを検出することができる。
【００７８】
最後に、被検出物質の存在またはその量を示すシグナル値を算出する（工程Ｓ６０）。蛍光値は、主として、被検出物質を標識する蛍光物質に由来する蛍光成分（シグナル値）と、ノイズに由来する光学ブランク値とを含む。したがって、制御部（処理部）１５０は、工程Ｓ５０で得られた蛍光値から工程Ｓ２０で得られた光学ブランク値を引くことで、被検出物質の量に相関するシグナル値を算出することができる。シグナル値は、あらかじめ作成しておいた検量線により、被検出物質の量や濃度などに換算される。
【００７９】
以上の手順により、検体中の被検出物質の存在または被検出物質の量を検出することができる。
【００８０】
本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００は、本実施の形態に係る検出チップ１０を使用するため、金属膜３０に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。以下、この点について説明する。比較のため、格子ピッチの種類が１つである回折格子を含む検出チップ（以下、「比較用の検出チップ」ともいう）を使用した場合についても説明する。図７Ａ、Ｂは、金属膜に対する励起光αの入射角と、励起光αの反射光γの光量との関係を示すグラフである。図７Ａは、比較用の検出チップを使用した場合のグラフであり、図７Ｂは、本実施の形態に係る検出チップ１０を使用した場合のグラフである。
【００８１】
前述のとおり、ＳＰＲを発生させるために最適な励起光αの入射角は、回折格子３５の格子ピッチや励起光αの波長などに依存する。ＳＰＦＳ装置１００では、ＳＰＲが発生するように金属膜３０に励起光αが照射されたときに、金属膜３０上から蛍光βが放出される。このとき、反射光γの光量が最も小さくなるときに、ＳＰＲが最大となり、放出される蛍光βの光量も最大となる。このときの入射角を共鳴角（または増強角）という。そして、励起光αの入射角が共鳴角からずれるにつれて、反射光γの光量は大きくなり、蛍光βの光量は小さくなる。このため、従来の検出チップ（比較用の検出チップ）を用いて励起光αの金属膜３０に対する入射角と反射光γの光量との関係をグラフにすると、共鳴角で反射光γの光量が最小となる下に凸の曲線となる（図７Ａ参照）。
【００８２】
図７Ａに示されるように、比較用の検出チップを使用した場合、共鳴角（約９．１°）から励起光αの入射角が±０．４°変化すると、反射光γの光量が増大する。このときの反射光γの光量の増大は、シグナル値の４％分の減少に相当する。これは、従来の検出チップ（比較用の検出チップ）を使用したＳＰＦＳ装置では、励起光αの入射角が共鳴角からずれると、検出される蛍光βの光量が大きく減少してしまうことを意味する。このため、被検出物質の高精度な検出を実現するためには、金属膜に対する励起光αの最適な入射角（共鳴角）を決定するための工程が必要となってしまう。したがって、従来の検出チップを用いる従来のＳＰＦＳ装置では、金属膜に対する励起光αの入射角を走査するための走査機構が必要となる。これにより、ＳＰＦＳ装置は、大型化してしまい、かつコストが高くなってしまう。また、共鳴角を決定するために時間を要するため、検出時間が長くなってしまう。
【００８３】
これに対し、本実施の形態に係る検出チップ１０の金属膜３０は、格子ピッチが互いに異なる２種類の分割領域（第１分割領域３６および第２分割領域３７）を含む回折格子３５を有する。そして、本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、光照射ユニット１１０は、第１分割領域３６および第２分割領域３７が照射スポット６０内に同時に含まれるように金属膜３０に励起光αを照射する。このため、図７Ｂに示されるように、反射光γの光量は、第１分割領域３６からの反射光γの光量（図７Ｂの一方の破線参照）および第２分割領域３７からの反射光γの光量（図７Ｂの他方の破線参照）の合計（図７Ｂの実線参照）となる。なお、図７Ｂにおいて破線で示される第１分割領域３６（または第２分割領域３７）からの反射光γの光量は、第１分割領域３６（または第２分割領域３７）が照射スポット６０の全面を占めていると仮定した場合の反射光γの光量である。このため、照射スポット６０内における第１分割領域３６の面積と第２分割領域３７の面積とが同じである場合、第１分割領域３６（または第２分割領域３７）からの反射光γの光量は、図７Ｂの破線から読み取られる値の半分となる。したがって、図７Ｂにおいて実線で示される照射スポット６０からの反射光γの合計光量は、各入射角における、破線で示される２つの曲線から読み取られる値の和の１／２の値として算出される。そして、第１分割領域３６および第２分割領域３７の格子ピッチをそれぞれ適切に設定した場合、図７Ｂにおいて実線で示される照射スポット６０からの反射光γの合計光量は、入射角が変化してもほとんど変化しなくなる。具体的には、本実施の形態に係る検出チップ１０を使用した本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、共鳴角（反射光γの合計光量が最も小さい入射角）から入射角が±０．４°変化しても、反射光γの合計光量はほとんど増大しない。このときの反射光γの合計光量の増大は、シグナル値のわずか１．３％分の減少に相当する。これは、本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、金属膜３０に対する励起光αの入射角が共鳴角からずれても、検出される蛍光βの光量がほとんど変化しないことを意味する。このため、本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、金属膜３０に対する励起光αの入射角を走査しなくても、被検出物質を高精度に検出することができる。
【００８４】
一方、本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、第１分割領域３６および第２分割領域３７のそれぞれに最適な入射角（共鳴角）とは異なる入射角で金属膜３０に励起光αを照射する。したがって、第１分割領域３６に最適な入射角（例えば８．１°）と第２分割領域３７に最適な入射角（例えば１０．１°）との間の入射角で金属膜３０に励起光αを照射した場合、第１分割領域３６および第２分割領域３７のいずれにおいてもＳＰＲは最大とならない。このことは、図７Ｂのグラフにおいて、実線で示される曲線の反射光γの光量が破線で示される曲線の反射光γの光量よりも大きいことからもわかる。その結果、検出される蛍光βの光量が減少してしまうことになるが、これは大きな問題とはならない。たとえば、励起光αのパワーを上げて、検出される蛍光βの光量を増大させることにより、被検出物質の検出精度を維持することができる。
【００８５】
また、図７Ｂのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ１０では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないことが好ましい。すなわち、図７Ｂのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される２つの分割領域に由来する成分の割合が調整されることが好ましい。すなわち、励起光αの照射スポット６０内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域がそれぞれ含まれることが好ましい。たとえば、照射スポット６０内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比は、４：６〜６：４の範囲内であることが好ましい。
【００８６】
（シミュレーション）
ここで、回折格子の格子ピッチと、共鳴角との関係をシミュレーションした。具体的には、格子ピッチが３５０ｎｍまたは４００ｎｍの回折格子に、波長６３５ｎｍの励起光αを入射させたときの共鳴角をシミュレーションにより求めた。シミュレーションの結果を表１に示す。表１から、格子ピッチが１０ｎｍ異なると、共鳴角が２°変化することがわかる。
【００８７】
【表１】
2016203832.tif 000003
【００８８】
図７Ｂのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ１０では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないように、第１分割領域３６および第２分割領域３７の格子ピッチが設定されることが好ましい。すなわち、図７Ｂのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される２つの曲線の位置を調整することが好ましい。上記シミュレーションからもわかるように、第１分割領域３６および第２分割領域３７の格子ピッチを調整することで、第１分割領域３６および第２分割領域３７の共鳴角を調整すること、すなわち図７Ｂのグラフにおいて破線で示される２つの曲線の位置を水平方向に移動することができる。したがって、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないように、第１分割領域３６および第２分割領域３７の格子ピッチを設定することが好ましい。
【００８９】
（効果）
以上のように、本実施の形態に係る検出チップ１０を使用することで、本実施の形態に係る検出方法では、金属膜３０に対する励起光αの入射角を走査することなく、短時間で、被検出物質を高精度に検出することができる。本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００および検出システム１では、励起光αの入射角の走査機構が不要となり、装置の大型化および高コスト化を防止することができる。
【００９０】
［実施の形態２］
（検出システム）
図１は、実施の形態２に係る検出システム２の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム２は、検出チップ２１０およびＳＰＦＳ装置１００を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ２１０およびＳＰＦＳ装置１００について説明する。
【００９１】
（検出チップおよびＳＰＦＳ装置の構成）
図８は、実施の形態２に係る検出チップ２１０の平面図である。検出チップ２１０では、金属膜２３０の回折格子２３５のみが実施の形態１に係る検出チップ１０と異なる。そこで、実施の形態１において説明した構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施の形態に係る検出チップ２１０を使用した検出方法およびＳＰＦＳ装置は、実施の形態１に係る検出方法およびＳＰＦＳ装置１００と同様であるため、その説明を省略する。また、図９は、実施の形態２に係る検出チップ２１０における回折格子２３５と励起光αの照射スポット２６０との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット２６０の形状は、四角形状である。
【００９２】
金属膜２３０は、一方の面を収容部内に向けて、基板２０上に配置されている。金属膜２３０は、回折格子２３５を含む。また、金属膜２３０の厚みや材料などは、特に限定されず、実施の形態１に係る検出チップ１０における回折格子３５と同様である。
【００９３】
回折格子２３５は、金属膜２３０に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子２３５は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。図８に示されるように、本実施の形態では、回折格子２３５は、格子ピッチが互いに異なる第１分割領域２３６および第２分割領域２３７を含む。図８では、第１分割領域２３６を黒色で示し、第２分割領域２３７を白色で示す。本実施の形態では、第１分割領域２３６および第２分割領域２３７の外形の平面視形状は、四角形状である。分割領域（第１分割領域２３６および第２分割領域２３７）は、第１分割領域２３６の辺と、第２分割領域２３７の辺とが対向するように配置されている。また、各分割領域（第１分割領域２３６および第２分割領域２３７）における隣接する溝の中心間距離、溝の深さおよび溝の断面形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、実施の形態１に係る検出チップ１０と同様である。
【００９４】
また、金属膜２３０上における励起光αの照射スポット２６０の位置がずれても、照射スポット２６０内に含まれる複数種類の分割領域の面積比が変化するのを抑制する観点から、照射スポット２６０の形状と、複数種類の分割領域の形状とは、同一形状であることが好ましく、かつ相似形状であることが好ましい。また、第１分割領域２３６および第２分割領域２３７にそれぞれ含まれる各領域の面積は、互いに同程度であることが好ましい。第１分割領域２３６および第２分割領域２３７に含まれる各領域の面積は、特に限定されないが、例えば、照射スポット２６０の面積が１ｍｍ２である場合、０．４〜０．６ｍｍ２である。また、照射スポット２６０内には、分割領域に含まれる各領域がそれぞれ同数含まれることが好ましい。一方、照射スポット２６０の面積と比較して、分割領域に含まれる各領域の面積が十分微小であれば、照射スポット２６０の形状と、分割領域の形状とは、異なっていてもよい。このとき、各分割領域の照射スポット２６０に対する面積比は、それぞれ０．０１以上かつ０．５以下であることが好ましい。たとえば、照射スポット２６０の面積が１ｍｍ２である場合、分割領域に含まれる各領域の面積が０．０１ｍｍ２以上かつ０．５ｍｍ２以下であれば、分割領域に含まれる各領域の面積が照射スポット２６０に対して十分微小であるといえる。
【００９５】
図９に示されるように、本実施の形態では、照射スポット２６０の形状と、分割領域（第１分割領域２３６および第２分割領域２３７）の形状とは、ともに四角形状であり、相似形状である。また、照射スポット２６０には、第１分割領域２３６および第２分割領域２３７がそれぞれ２つずつ含まれる。
【００９６】
（効果）
本実施の形態に係る検出チップ２１０を使用しても、実施の形態１と同様に、金属膜２３０に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。
【００９７】
［実施の形態３］
（検出システム）
図１は、実施の形態３に係る検出システム３の構成を示す図である。本実施の形態に係る検出システム３は、検出チップ３１０およびＳＰＦＳ装置１００を有する。以下、本実施の形態に係る検出チップ３１０およびＳＰＦＳ装置１００について説明する。
【００９８】
（検出チップおよびＳＰＦＳ装置の構成）
図１０Ａ、Ｂは、実施の形態３に係る検出チップ３１０の構成を示す図である。図１０Ａは、検出チップ３１０の平面図であり、図１０Ｂは、図１０ＡにおけるＢ−Ｂ線の断面図である。検出チップ３１０では、金属膜３３０の回折格子３３５のみが実施の形態１に係る検出チップ１０と異なる。そこで、実施の形態１において説明した構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。また、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用した検出方法およびＳＰＦＳ装置は、実施の形態１に係る検出方法およびＳＰＦＳ装置１００と同様であるため、それらの説明を省略する。また、図１１は、実施の形態３に係る検出チップ３１０における回折格子３３５と励起光αの照射スポット３６０との関係を示す模式図である。本実施の形態では、照射スポット３６０の形状は、四角形状である。
【００９９】
金属膜３３０は、一方の面を収容部内に向けて、基板２０上に配置されている。金属膜３３０は、回折格子３３５を含む。また、金属膜３３０の厚みや材料などは、特に限定されず、実施の形態１に係る検出チップ１０における回折格子３５と同様である。
【０１００】
回折格子３３５は、金属膜３３０に励起光αを照射されたときに、エバネッセント波を生じさせる。回折格子３３５は、格子ピッチがそれぞれ異なる複数種類の分割領域を含む。シグナル値の減少率が抑制される励起光αの入射角範囲を広くする観点からは、分割領域の種類の数は、３つ以上であることが好ましい。また、複数種類の分割領域は、それぞれ複数の領域を含む。図１０Ａに示されるように、本実施の形態では、図１０Ａ、Ｂに示されるように、分割領域の種類の数は、３つであり、回折格子３３５は、格子ピッチが互いに異なる第１分割領域３３６、第２分割領域３３７および第３分割領域３３８を含む。図１０Ａ、Ｂおよび図１１では、第１分割領域３３６を黒色で示し、第２分割領域３３７を白色で示し、第３分割領域３３８をハッチングで示す。本実施の形態では、第１分割領域３３６、第２分割領域３３７および第３分割領域３３８の外形の平面視形状は、四角形状である。図１０Ａに示されるように、分割領域は、金属膜３３０の面方向（ｘ方向およびｙ方向）に沿う第１方向（ｙ方向）においては異なる種類の分割領域と隣接しておらず、かつ第１方向（ｙ方向）に直交する、金属膜３３０の面方向（ｘ方向およびｙ方向）に沿う第２方向（ｘ方向）においては異なる種類の分割領域と隣接するように配置されている。
【０１０１】
また、各分割領域（第１分割領域３３６、第２分割領域３３７および第３分割領域３３８）における隣接する溝の中心間距離、溝の深さおよび溝の断面形状は、エバネッセント波を生じさせることができれば特に限定されず、実施の形態１に係る検出チップ１０と同様である。本実施の形態では、第１分割領域３３６における隣接する溝の中心間距離は４００ｎｍであり、第２分割領域３３７における隣接する溝の中心間距離は３９１．５ｎｍであり、第３分割領域３３８における隣接する溝の中心間距離は３８０ｎｍである。このとき、前述した回折格子の格子ピッチと、共鳴角との関係のシミュレーション結果を考慮すると、第１分割領域３３６についての共鳴角と、第２分割領域３３７についての共鳴角との差は、１．７°であり、第１分割領域３３６についての共鳴角と、第３分割領域３３８についての共鳴角との差は、４°である。
【０１０２】
照射スポット３６０の形状および面積は、特に限定されず、実施の形態１に係る照射スポット６０と同様である。照射スポット３６０の形状の例には、四角形状、多角形状、円形状および楕円形状が含まれる。図１１に示されるように、本実施の形態では、照射スポット３６０の形状は、四角形状である。
【０１０３】
本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００は、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用するため、金属膜３３０に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。以下、この点について説明する。比較のため、比較用の検出チップを使用した場合についても説明する。図１２Ａ、Ｂは、金属膜に対する励起光αの入射角と、励起光αの反射光γの光量との関係を示すグラフである。図１２Ａは、比較用の検出チップを使用した場合のグラフであり、図１２Ｂは、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用した場合のグラフである。
【０１０４】
前述のとおり、比較用の検出チップを使用した場合、共鳴角（約９．１°）から励起光αの入射角が変化すると、反射光γの光量が増大し、これはシグナル値の減少に相当する（図１２Ａ参照）。このとき、シグナルの減少率が１％以内に抑制される入射角範囲の大きさは、約０．４°である。
【０１０５】
一方、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用した場合、図１２Ｂにおいて実線で示される照射スポット３６０からの反射光γの合計光量は、図１２Ｂにおいて破線で示される、各分割領域（第１分割領域３３６、第２分割領域３３７および第３分割領域３３８）からの反射光γの光量の和の１／３となる。そして、図１２Ｂの実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用したＳＰＦＳ装置１００では、シグナル値の減少率が１％以内に抑制される入射角範囲の大きさは、約２°である。すなわち、本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用した場合、比較用の検出チップを使用した場合と比較して、シグナル値の減少率が１％以内に抑制される入射角範囲を５倍広くすることができる。
【０１０６】
また、本実施の形態に係るＳＰＦＳ装置１００では、第１分割領域３３６、第２分割領域３３７および第３分割領域３３８のそれぞれに最適な入射角（共鳴角）とは異なる入射角で金属膜３３０に励起光αを照射する。したがって、各分割領域のいずれにおいてもＳＰＲは最大とならない。このことは、図１２Ｂのグラフにおいて、実線で示される曲線の反射光γの光量が破線で示される曲線の反射光γの光量よりも大きいことからもわかる。その結果、検出される蛍光βの光量が減少してしまうことになるが、これは大きな問題とはならない。たとえば、励起光αのパワーを上げて、検出される蛍光βの光量を増大させることにより、被検出物質の検出精度を維持することができる。
【０１０７】
図１２Ｂのグラフにおいて実線で示されるように、本実施の形態に係る検出チップ３１０では、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しないことが好ましい。すなわち、図１２Ｂのグラフにおいて、実線で示される曲線の傾きが小さくなるように、破線で示される３つの分割領域に由来する成分の割合が調整されることが好ましい。このとき、分割領域は、励起光αの照射スポット３６０内に同程度の面積割合で複数種類の分割領域が含まれるように配置されていることが好ましい。たとえば、分割領域は、照射スポット３６０内において、その合計面積が最大である種類の分割領域の合計面積と、その合計面積が最小である種類の分割領域の合計面積との比が４：６〜６：４の範囲内となるように配置されていることが好ましい。
【０１０８】
（効果）
本実施の形態に係る検出チップ３１０を使用しても、実施の形態１と同様に、金属膜３３０に対する励起光αの入射角を走査することなく、被検出物質を高精度に検出することができる。また、本実施の形態に係る検出方法、検出装置および検出システムでは、実施の形態１と比較して、励起光αの入射角を変化させても反射光γの光量が変化しない入射角範囲をさらに広げることができる。
【０１０９】
本出願は、２０１５年６月１９日出願の特願２０１５−１２４０７１に基づく優先権を主張する。当該出願明細書および図面に記載された内容は、すべて本願明細書に援用される。
【産業上の利用可能性】
【０１１０】
本発明に係る検出チップ、検出方法、検出装置および検出システムによれば、被検出物質を高い信頼性で検出することができるため、例えば臨床検査などに有用である。
【符号の説明】
【０１１１】
１、２、３  検出システム
１０、１０’２１０、３１０  検出チップ
２０  基板（支持体）
３０、２３０、３３０  金属膜
３５、２３５、３３５  回折格子
３６、２３６、３３６  第１分割領域
３７、２３７、３３７  第２分割領域
３３８  第３分割領域
４０  枠体
５０  捕捉体
６０、２６０、３６０  照射スポット
１００  表面プラズモン共鳴蛍光分析装置（ＳＰＦＳ装置）
１１０  光照射ユニット（光照射部）
１１１  光源ユニット
１１２  光源制御部
１２０  受光ユニット（光検出部）
１２１  受光センサー
１２２  受光センサー制御部
１３０  送液ユニット
１３１  液体チップ
１３２  シリンジポンプ
１３３  シリンジ
１３４  プランジャー
１３５  送液ポンプ駆動機構
１４０  搬送ユニット
１４１  搬送ステージ
１４２  チップホルダー
１５０  制御部（処理部）
α  励起光
β  蛍光
γ  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2016203832.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【国際調査報告】
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2016203832.tif 000017
2016203832.tif 000018
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