(57)【要約】  部品に対する外部からの不要な電磁波を遮蔽するシールド膜を備える高周波モジュールにおいて、シールド膜の密着強度を向上する。  高周波モジュール１ａは、多層配線基板２と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された部品３と、多層配線基板２の上面２０ａに積層され部品３を覆う封止樹脂層４とを有する封止体１２と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜５とを備え、封止体１２の側面は、曲面状に形成された曲面部１２ｂを有し、該曲面部１２ｂが複数の溝１０ａにより粗面化されている。
2017026430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する封止体と、
前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜とを備え、
前記封止体の側面は、曲面状または略曲面状に形成された曲面部を有し、
前記曲面部が粗面化されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記曲面部には、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられ、当該複数の溝により前記曲面部が粗面化されていることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記配線基板に設けられたグランド電極をさらに備え、
前記グランド電極の端部が、前記曲面部に露出していることを特徴とする請求項１または２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
グランド電極が設けられた配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する封止体と、
前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜とを備え、
前記封止体の側面には、前記グランド電極の端部の露出部分が形成され、
前記封止体の側面のうち、前記グランド電極の端部の露出部分を含む所定の領域が粗面化されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項５】
前記所定の領域には、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられ、当該複数の溝により前記所定の領域が粗面化されていることを特徴とする請求項４に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記封止体の側面の前記所定の領域と異なる他の領域に、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられることにより、当該他の領域も粗面化され、
前記所定領域に設けられた溝の幅が、前記他の領域に設けられた溝の幅よりも狭く形成されることにより、前記所定領域の単位面積当たりの溝の数が、前記他の領域の単位面積当たりの溝の数よりも多く形成されていることを特徴とする請求項５に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する複数の封止体が、マトリクス状に配列された集合体を準備する準備工程と、
前記集合体の一部をレーザ加工でくり抜くことによって、前記各封止体の側面の一部に曲面部を形成する第１レーザ加工工程と、
前記各封止体それぞれの前記曲面部に前記第１レーザ加工工程よりも弱いエネルギーのレーザ光を照射する第２レーザ加工工程と、
ダイシングまたはレーザ加工により、前記集合体を前記封止体の単体に個片化する個片化工程と、
前記封止体の前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜を形成するシールド膜形成工程とを備え、
前記第１レーザ加工工程では、レーザ光を走査することにより前記各封止体それぞれの前記曲面部を粗面化することを特徴とする高周波モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に実装された複数の部品を被覆する封止樹脂層と、各部品に対する外部からの不要な電磁波を遮蔽するシールド膜とを備える高周波モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯端末装置などに搭載される高周波モジュールには、電磁波を遮蔽するためのシールド層が設けられる場合がある。この種の高周波モジュールの中には、配線基板上に実装された部品がモールド樹脂で被覆され、該モールド樹脂の表面を被覆するようにシールド層が設けられるものがある。【０００３】
例えば、図１５に示すように、特許文献１に記載の高周波モジュール１００は、樹脂基板１０１と、該樹脂基板１０１の上面に積層されたシールド層１０２とを備える。ここで、樹脂上の金属膜は密着強度が低いため、シールド層１０２が、樹脂基板１０１上に成膜された密着膜１０２ａと、該密着膜１０２ａ上に成膜された導電膜１０２ｂと、該導電膜１０２ｂ上に成膜された保護膜１０２ｃの３層構造で形成される。具体的には、導電膜１０２ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかで形成される。また、密着膜１０２ａは、樹脂基板１０１との密着強度が導電膜１０２ｂよりも高いＳｕＳで形成される。また、導電膜１０２ｂ上に成膜される保護膜１０２ｃは、導電膜１０２ｂよりも耐腐食性の高いＳｕＳで形成されている。このように、シールド層１０２を３層構造で形成することで、密着強度と耐腐食性等の向上が図られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２４３１２２号公報（段落００１９〜００２６、図１等参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
樹脂基板１０１とシールド層１０２との間の密着性のさらなる向上が求められている。例えば、この種の高周波モジュールは、平面視形状が矩形に形成される場合が多く、この場合の側面は平面で形成されるが、搭載される電子機器によっては、側面の一部が曲面状に形成されるものがある。この場合、高周波モジュールをダイシングで平面視矩形状に形成した後、レーザ加工により側面を曲面状に形成したり、これらの全てをレーザ加工で形成したりするのが一般的である。しかしながら、高周波モジュールの加工にレーザを用いた場合、高周波モジュールの側面のうちの曲面部が、他の部分よりもシールド層が付きにくいという問題がある。また、配線基板の側面に内部配線電極の端部が露出する構成では、その露出部分においてもシールド層が付きにくいという問題がある。これらは、シールド層がスパッタ膜や蒸着膜で形成される場合のみならず、導電性ペーストで形成される場合にも共通する問題である。【０００６】
本発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、部品に対する外部からの不要な電磁波を遮蔽するシールド膜を備える高周波モジュールにおいて、シールド膜の密着強度を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明の高周波モジュールは、配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する封止体と、前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜とを備え、前記封止体の側面は、曲面状または略曲面状に形成された曲面部を有し、前記曲面部が粗面化されていることを特徴としている。【０００８】
この構成によると、封止体の前記曲面部が粗面化されているため、本来密着強度が低い曲面部のシールド膜の密着強度を向上させることができる。【０００９】
また、前記曲面部には、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられ、当該複数の溝により前記曲面部が粗面化されていてもよい。この場合、例えば、レーザ加工で封止体の曲面部を形成する際に、当該曲面部を容易に粗面化することができる。【００１０】
また、前記配線基板に設けられたグランド電極をさらに備え、前記グランド電極の端部が、前記曲面部に露出していてもよい。このようにすると、グランド電極とシールド膜との接続が確実となり、シールド膜の特性を向上させることができる。【００１１】
また、グランド電極が設けられた配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する封止体と、前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜とを備え、前記封止体の側面には、前記グランド電極の端部の露出部分が形成され、前記封止体の側面のうち、前記グランド電極の端部の露出部分を含む所定の領域が粗面化されていてもよい。この構成によると、封止体の側面のうち、所定の領域でシールド膜の密着強度が向上することで、シールド膜とグランド電極の接続が確実になるため、シールド膜の特性を向上させることができる。【００１２】
前記所定の領域には、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられ、当該複数の溝により前記所定の領域が粗面化されていてもよい。この場合、例えば、レーザ加工で封止体の曲面部を形成する際に、当該曲面部を容易に粗面化することができる。【００１３】
前記封止体の側面の前記所定の領域と異なる他の領域に、前記配線基板の前記主面に対して交差する方向に延びた複数の溝が設けられることにより、当該他の領域も粗面化され、前記所定領域に設けられた溝の幅が、前記他の領域に設けられた溝の幅よりも狭く形成されることにより、前記所定領域の単位面積当たりの溝の数が、前記他の領域の単位面積当たりの溝の数よりも多く形成されていてもよい。【００１４】
この場合、所定の領域のみならず、他の領域も粗面化されるため、封止体の側面におけるシールド膜の密着強度をさらに向上させることができる。また、所定の領域の単位面積当たりの溝の数が、他の領域の溝の数よりも多く形成されることで、所定の領域の溝による凹凸が細かくなる。このようにすると、グランド電極が露出した所定の領域でシールド膜の密着強度がより高くなるため、封止体の側面全体のシールド膜の密着強度を向上させつつ、シールド膜の特性を向上させることができる。【００１５】
また、本発明の高周波モジュールの製造方法は、配線基板と、前記配線基板の主面に実装された部品と、前記配線基板の前記主面に積層され前記部品を覆う封止樹脂層とを有する複数の封止体が、マトリクス状に配列された集合体を準備する準備工程と、前記集合体の一部をレーザ加工でくり抜くことによって、前記各封止体の側面の一部に曲面部を形成する第１レーザ加工工程と、前記各封止体それぞれの前記曲面部に前記第１レーザ加工工程よりも弱いエネルギーのレーザ光を照射する第２レーザ加工工程と、ダイシングまたはレーザ加工により、前記集合体を前記封止体の単体に個片化する個片化工程と、前記封止体の前記封止樹脂層の表面を被覆するシールド膜を形成するシールド膜形成工程とを備え、前記第１レーザ加工工程では、レーザ光を走査することにより前記各封止体それぞれの前記曲面部を粗面化することを特徴としている。【００１６】
この構成によると、第１レーザ加工工程において、封止体の曲面部が粗面化されるため、封止体の側面に曲面部を有する高周波モジュールにおいて、シールド膜の密着の強度の向上を図ることができる。また、第２レーザ加工工程では、封止体の曲面部に、第１レーザ加工工程よりも低いエネルギーのレーザ光が照射されるため、レーザ加工のときに曲面部に形成される熱変性層を薄くすることができる。また、第１レーザ加工工程で各封止体の曲面部を形成するときに、集合体の一部がくり抜かれるため、第２レーザ加工工程のカット屑が封止体の曲面部に付着するのを防止することができる。そのため、第２レーザ加工工程後に曲面部に付着したカット屑を洗浄する工程を設ける必要がない。また、第１レーザ加工工程のときにくり抜いた集合体の一部が、個片化工程のときにカット片として発生することがない。そのため、封止体の個片化後の製品の取り扱いが容易になるとともに、カット片混入による不具合を防止することができる。また、レーザ加工工程後の封止体の曲面部の外観検査を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、封止体の前記曲面部が粗面化されているか、または、グランド電極が側面に露出しているような場合にも、シールド膜の密着強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図２】図１の高周波モジュールの平面図である。
【図３】図１の高周波モジュールの側面図である。
【図４】図１の高周波モジュールの側面に設けられた溝を示す図である。
【図５】図１の高周波モジュールの変形例を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図８】図８の多層配線基板に設けられたグランド電極を示す図である。
【図９】図８の高周波モジュールの側面図である。
【図１０】高周波モジュールの側面に設けられた溝の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールの説明図である。
【図１２】レーザ加工による切断面の状態を説明するための図である。
【図１３】本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュールの説明図である。
【図１４】封止体の個片化工程を説明するための図である。
【図１５】従来の高周波モジュールの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールについて、図１〜図４を参照して説明する。なお、図１は高周波モジュールの断面図、図２は高周波モジュールの平面図、図３は高周波モジュールの側面図、図４は高周波モジュールの側面に設けられた溝を示す図である。また、図２では、シールド膜の封止樹脂層の上面を被覆する部分を図示省略し、図３では、シールド膜を図示省略している。
【００２０】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ａは、図１および図２に示すように、多層配線基板２（本発明の「配線基板」に相当）と、該多層配線基板２の上面２０ａに実装された複数の部品３と、多層配線基板２の上面２０ａに積層された封止樹脂層４と、封止樹脂層４の表面を被覆するシールド膜５とを備え、例えば、高周波信号が用いられる電子機器のマザー基板等に搭載される。
【００２１】
多層配線基板２は、例えば、低温同時焼成セラミックやガラスエポキシ樹脂などで形成された複数の絶縁層２ａ〜２ｃが積層されて成る。多層配線基板２の上面２０ａ（本発明の「配線基板の主面」に相当）には、各部品３の実装用の実装電極６が形成されるとともに、下面２０ｃには、外部接続用の複数の外部電極７が形成される。また、隣接する絶縁層２ａ〜２ｃ間には、各種の内部配線電極８ａ，８ｂが配置されるとともに、多層配線基板の内部には、層間の内部配線電極８ａ，８ｂ同士を接続するための複数のビア導体９が形成される。
【００２２】
実装電極６、外部電極７および内部配線電極８ａ，８ｂは、いずれもＣｕやＡｇ、Ａｌ等の配線電極として一般的に採用される金属で形成されている。また、各ビア導体９は、ＡｇやＣｕ等の金属で形成されている。なお、各実装電極６および各外部電極７には、Ｎｉ／Ａｕめっきがそれぞれ施されていてもよい。
【００２３】
各部品３は、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体で形成された半導体素子や、チップインダクタ、チップコンデンサ、チップ抵抗等のチップ部品で構成される。
【００２４】
封止樹脂層４は、配線基板２の上面２０ａと各部品３とを被覆するように多層配線基板２に積層される。封止樹脂層４は、エポキシ樹脂等の封止樹脂として一般的に採用される樹脂で形成することができる。なお、高周波モジュール１ａのうち、多層配線基板２、封止樹脂層４および各部品３で構成された部分により封止体１２が形成される。
【００２５】
また、図２に示すように、封止体１２の側面（多層配線基板２の側面２０ｂおよび封止樹脂層４の側面４ｂ）は、いずれも平面状に形成された平面部１２ａと、曲面状に形成された曲面部１２ｂとを有する。曲面部１２ｂは、例えば、マトリクス状に配列された複数の封止体１２の集合体を形成した後、ダイシングにより平面視矩形状の封止体１２に個片化し、封止体１２の２つの角部をレーザ加工で曲面状に面取りすることで形成できる。なお、封止体１２の個片化をレーザ加工のみで行うようにしてもよい。また、曲面部１２ｂは、完全に曲面状に形成せずに、当該曲面部１２ｂを平面視で多角状に形成して略曲面状に形成するようにしてもよい。また、ダイシングとレーザ加工の順序を逆にしてもよい。
【００２６】
また、この実施形態では、内部配線電極８ａは、接地用のグランド電極として設けられており、当該内部配線電極８ａの端部が、多層配線基板２の側面２０ｂに露出している（図３参照）。この場合、内部配線電極８ａの端部は、封止体１２の側面のうち、平面部１２ａと曲面部１２ｂの両方に露出している。なお、内部配線電極８ａの封止体１２の側面からの露出形態は、適宜、変更することができる。
【００２７】
シールド膜５は、多層配線基板２内の各種配線電極８ａ，８ｂや各部品３に対する外部からのノイズを遮蔽するためのものであり、封止樹脂層４の上面４ａ（多層配線基板２の上面２０ａとの反対面）および上面４ａに対して垂下する方向の側面４ｂ、並びに多層配線基板２の側面２０ｂを被覆するように封止樹脂層４に積層される。なお、シールド膜５は、多層配線基板２の側面２０ｂに露出した内部配線電極８ａに接続されている。
【００２８】
また、シールド膜５は、封止樹脂層４の表面に積層された密着膜と、密着膜に積層された導電膜と、導電膜に積層された保護膜とを有する多層構造で形成することができる。
【００２９】
密着膜は、導電膜と封止樹脂層４との密着強度を高めるために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。導電膜は、シールド膜５の実質的なシールド機能を担う層であり、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。保護膜は、導電膜が腐食したり、傷が付いたりするのを防止するために設けられたものであり、例えば、ＳＵＳ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、ＴｉＡｌのうちのいずれかの金属で形成することができる。
【００３０】
ところで、封止体１２の個片化にレーザ加工を用いる場合や、レーザ加工した部分の側面に内部配線電極８ａの端部が露出する場合、その部分でシールド膜５の密着強度が低くなるという問題がある。これは、レーザカット時に発生する炭化物や酸化物が主な原因と考えられる。そこで、この実施形態では、封止体１２の曲面部１２ｂを粗面化することで、シールド膜５との接触面積を増やし、封止体１２の曲面部１２ｂとシールド膜５との密着強度の向上が図られている。具体的には、図３に示すように、封止体１２の側面のうちの曲面部１２ｂには、多層配線基板２の上面２０ａまたは下面２０ｃに対して交差（この実施形態では、直交）する方向に伸びた複数の溝１０ａが形成されており、これらの溝１０ａにより曲面部１２ｂに細かい凹凸が付けられている。なお、この実施形態では、各溝１０ａが曲面部内で略連続して配列されている。
【００３１】
各溝１０ａは、レーザ加工の条件を調整することで形成される。例えば、レーザ光として紫外線非外光（波長２００〜４００ｎｍ）を使用する場合、レーザパルスを５０ｋＨｚ程度、走査速度を１７５０ｍｍ／ｓ程度にする。そうすると、図４に示すように、多層配線基板２の平面視で略半円状の溝１０が、レーザの走査方向（矢印Ａ）に連なった状態で配列させることができる。なお、封止体１２の側面の平面部１２ａの部分もレーザ加工で形成することができる。この場合、例えば、レーザパルスを１００ｋＨｚ、走査速度を２０００ｍｍ／ｓとして、曲面部１２ｂよりもパルス間隔を狭くするとよい。このようにすると、平面部１２ａに溝がない状態（略平面状）に形成することができる。この場合、封止体１２の側面のうち、レーザの走査方向（矢印Ａ）における曲面部１２ｂの平均粗さＲａ、最大高さＲｙ、十点平均粗さＲｚのいずれも平面部１２ａの表面粗さよりも粗く形成される。なお、平面部１２ａにも複数の溝を形成して、粗面化する構成であってもよい。なお、パルス間隔は、例えば、スポット径（照射するレーザの径）の０．５倍以上であれば、封止体１２の側面を粗くすることができる。封止体１２にレーザを照射すると、その熱により、封止体１２に実際に形成される孔の径はスポット径よりも大きくなる傾向にある。この傾向を考慮すると、例えば、レーザのスポット径（照射するレーザの径）をパルス間隔以上の大きさにした場合に、封止体１２の側面に形成される凹凸の大きさを十分に大きくできる。一方、パルス間隔をあけすぎると、孔と孔との間が切断されず、カットできなくなるため、パルス間隔は、例えば、スポット径の１．５倍以下であることが好ましい。
【００３２】
（高周波モジュールの製造方法）
次に、高周波モジュール１ａの製造方法について、複数の高周波モジュール1ａがマトリクス状に配列された複数の封止体１２の集合体を形成した後、個片化する場合を例として説明する。まず、実装電極６、外部電極７、各内部配線電極８ａ，８ｂおよびビア導体９が形成された多層配線基板２を準備する。
【００３３】
次に、多層配線基板２の上面２０ａに、半田実装などの周知の表面実装技術を用いて各部品３を実装する。
【００３４】
次に、各部品３を被覆するように、多層配線基板２の上面２０ａに封止樹脂層４を積層して封止体１２の集合体が完成する。封止樹脂層４は、例えば、塗布方式、印刷方式、トランスファモールド方式、コンプレッションモールド方式などで形成することができる。
【００３５】
次に、封止樹脂層４の上面４ａを平坦化するために、封止樹脂層４の表面を研磨または研削する。
【００３６】
次に、ダイシングにより個々の封止体１２に分割する。このとき、各封止体１２の平面視の形状を矩形状に形成する。
【００３７】
次に、レーザ加工により、各封止体１２の側面（多層配線基板２および封止樹脂層４の側面２０ｂ，４ｂ）に曲面部１２ｂを形成する。このとき、封止体１２の２つの角部を面取りするようにレーザ光を走査するとともに（走査方向は図４のＡ矢印参照）、レーザ照射の条件を調整して曲面部１２ｂに複数の溝１０ａを形成する。なお、各封止体１２の個片化と曲面部１２ｂの形成とをレーザ加工のみで行ってもよい。
【００３８】
次に、スパッタ装置や真空蒸着装置を用いて、封止樹脂層４の表面（上面４ａおよび側面４ｂ）と多層配線基板２の側面２０ｂを被覆するようにシールド膜５を成膜して、高周波モジュール１ａが完成する。
【００３９】
したがって、上記した実施形態によれば、封止体１２の側面のうちの曲面部１２ｂが粗面化されているため、本来密着強度が低い封止体１２の曲面部１２ｂでシールド膜５の密着強度を向上させることができる。また、シールド膜５をスパッタ法や蒸着法で形成することで、例えば、スピンコート法などの導電性ペーストを用いた形成方法と比べてシールド膜５の密着強度の向上を図ることができる。
【００４０】
また、曲面部１２ｂの粗面化（各溝１０ａの形成）は、封止体１２の成形時のレーザ加工の条件の調整により行うことができるため、高周波モジュール１ａの製造コストの低減を図ることができる。
【００４１】
また、封止体１２の曲面部１２ｂのシールド膜５の密着強度が向上することで、当該曲面部１２ｂに露出した内部配線電極８ａ（グランド電極）の端部と、シールド膜５との接続が確実になるため、シールド膜５の特性向上を図ることができる。
【００４２】
（高周波モジュールの変形例）
例えば、図５に示すように、多層配線基板２の下面２０ｃにも部品３０が実装されていてもよい。この場合、多層配線基板２が４層の絶縁層２ａ〜２ｄで構成され、上から３層目の絶縁層２ｃと最下層の絶縁層２ｄとの間に、内部配線電極８ａ（グランド電極）が配設される。この内部配線電極８ａは、平面視で多層配線基板２と略同じ面積で形成されており、上下の部品３，３０間のシールドとしても機能している。また、多層配線基板２の下面２０ｃ側にも各部品３０を封止する封止樹脂層４０が設けられるとともに、当該封止樹脂層４０に外部接続用の柱状導体１１が配設される。ここで、多層配線基板２の下面２０ｃには、外部電極７に代えて、各部品３０および柱状導体１１を実装するための実装電極６０が形成される。シールド膜５は、下面２０ｃ側の封止樹脂層４０の側面４０ｂをさらに被覆している。
【００４３】
この構成によると、封止体１２の曲面部１２ｂのシールド膜５の密着強度の向上を図りつつ、部品３，３０の高密度実装が可能になる。
【００４４】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュール１ｂについて、図６を参照して説明する。なお、図６はシールド膜５の天面部分を図示省略した状態の高周波モジュール１ｂの平面図である。
【００４５】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｂが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図６に示すように、封止体１２の平面視形状が異なることと、各部品３の配置構成が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００４６】
この場合、封止体１２の側面は、図６に示すように、多層配線基板２を平面視したときに、矩形状の四隅のうち、対角に位置する２つの隅部で多層配線基板２の内側に窪んだ曲面部１２ｂを有する。このような曲面部１２ｂは、レーザ光を矢印Ｂに沿って走査させることにより形成できる。なお、当該曲面部１２ｂには、レーザ照射の条件を調整することで第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の複数の溝１０ａ（図６中図示省略）が形成される。
【００４７】
この構成によると、封止体１２の側面が、多層配線基板２の内側の窪んだ曲面部１２ｂを有する構成において、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同様の効果を得ることができる。
【００４８】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールについて、図７〜図９を参照して説明する。なお、図７は高周波モジュールの平面図、図８は多層配線基板に設けられたグランド電極を示す図、図９は高周波モジュールの側面図である。ここで、図７ではシールド膜の天面部分を図示省略している。また、図８は内部配線電極（グランド電極）の平面図を示す。また、図９ではシールド膜を図示省略している。
【００４９】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｃが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図７〜図９に示すように、封止体１２の平面視形状が異なることと、各部品３の配置構成が異なることと、溝１０ｂの形成箇所が異なることと、内部配線電極８ａの形状が異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５０】
この場合、封止体１２は、平面視形状が矩形状に形成される。また、第１実施形態の内部配線電極８ａは、端部が多層配線基板２の側面２０ｂの略全周に渡って露出していたが、この実施形態の内部配線電極８ａは、図８に示すように、その端部が多層配線基板２の側面２０ｂに部分的に露出するようにパターン形成されている。
【００５１】
また、封止体１２は、レーザ加工のみで個片化される。そして、図９に示すように、封止体１２の側面（多層配線基板２および封止樹脂層４それぞれの側面４ｂ，２０ｂ）のうち、内部配線電極８ａの端部の露出部分８ａ１を含む領域１２ｃ（本発明の「所定の領域」に相当）それぞれが、複数の溝１０ｂにより粗面化されている。
【００５２】
封止体１２がレーザ加工により成形（個片化）される場合、封止体１２の側面では内部配線電極８ａの露出部分８ａ１が焦げるため、該露出部分８ａ１を含む領域１２ｃにおいてシールド膜５の付きが悪くなる。そこで、この領域１２ｃを粗面化することで、シールド膜５の密着強度の向上を図ることができる。
【００５３】
（溝の変形例）
例えば、図１０に示すように、封止体１２の側面のうち、内部配線電極８ａの露出部分８ａ１を含む領域１２ｃ以外の領域１２ｄ（本発明の「他の領域」に相当）に複数の溝１０ｃを設けて当該領域１２ｄを粗面化してもよい。このとき、領域１２ｃに設けられた各溝１０ｂの幅Ｗ１を、他の領域１２ｄに設けられた各溝１０ｃの幅Ｗ２よりも狭く形成することにより、領域１２ｃの単位面積当たりの溝１０ｂの数が、他の領域１２ｄの単位面積当たりの溝１０ｃの数よりも多く形成するようにしてもよい。この構成によると、シールド膜５の付きにくい領域１２ｃの表面積が増えるため、シールド膜５全体の密着強度の向上を図る上で効率的である。
【００５４】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュール１ｄについて、図１１および図１２を参照して説明する。なお、図１１および図１２は、それぞれ高周波モジュール１ｄの部分断面図であり、多層配線基板２と封止樹脂層４のみを図示し、他の構成を図示省略している。また、図１２（ａ）は本実施形態の方法で曲面部１２ｂを形成したときの断面状態を示す図で、図１２（ｂ）は従来の方法で曲面部１２ｂを形成したときの断面状態を示す図である。
【００５５】
この実施形態にかかる高周波モジュール１ｄが、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図１１および図１２に示すように、レーザ加工を行うときのプロセスが異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００５６】
第１実施形態の高周波モジュール１ａでは、レーザ加工で封止体１２の側面（多層配線基板２および封止樹脂層４の側面２０ｂ，４ｂ）に曲面部１２ｂを形成し、そのままの状態でシールド膜５を形成したが、曲面部１２ｂを形成するためには比較的強いエネルギーのレーザ光が必要になる。この場合、曲面部１２ｂを形成する際に発生する熱エネルギーでカット面（曲面部１２ｂ）が熱変性を起こし、シールド膜５の剥離強度が低下するおそれがある。この対策として、レーザ加工後にブラスト等の物理洗浄を用いてカット面の熱変性層を除去することが考えられる。この場合、封止樹脂層４の側面４ｂ（曲面部１２ｂ）では、封止樹脂層４の内部に含有するフィラ４０が脱落して凹部が形成されるが、物理洗浄前よりも側面４ｂ全体では平坦性が向上する（図１２（ｂ）参照）。また、多層配線基板２がプリント基板（いわゆるＰ板）で形成されている場合は、多層配線基板２の側面２０ｂ（曲面部１２ｂ）に露出するガラス繊維や内部配線電極８ａが樹脂とともに削られて、物理洗浄前よりも平坦性が向上する。しかしながら、曲面部１２ｂの平坦性が向上すると、シールド膜５の密着強度の観点からはアンカー効果が作用し難くなるため不利になる。
【００５７】
そこで、この実施形態では、条件を変えて複数回のレーザ加工を行う。例えば、図１１に示すように、１回目として、曲面部１２ｂを形成するために、封止体１２の厚み方向を貫通するのに必要なエネルギーのレーザ光でレーザ加工を行う（矢印ａ参照）。次に、１回目よりも低いエネルギーのレーザ光で２回目のレーザ加工を行う（矢印ｂ参照）。このとき、１回目のレーザ光の照射位置と同じ位置でレーザ光を照射してもよいし、１回目よりも封止体１２の側面側に寄せてレーザ光を照射してもよい。次に、２回目よりも低いエネルギーのレーザ光で３回目のレーザ加工を行う（矢印ｃ参照）。このとき、１〜２回目のレーザ光の照射位置と同じ位置でレーザ光を照射してもよいし、２回目よりも封止体１２の側面側に寄せてレーザ光を照射してもよい。
【００５８】
このように、２回目のレーザ光のエネルギーを１回目よりも低くすることで、１回目のレーザ加工で発生したカット面（曲面部１２ｂ）の熱変性層を除去しつつ、２回目のレーザ加工で発生する熱変性層を薄くすることができる。また、３回目のレーザ光のエネルギーを２回目よりも低くすることで、２回目のレーザ加工で発生したカット面（曲面部１２ｂ）の熱変性層を除去しつつ、３回目のレーザ加工で発生する熱変性層を２回目よりも薄くすることができる。したがって、熱変性層がシールド膜５の密着強度に与える影響を少なくすることができ、シールド膜５の剥離強度が向上する。また、レーザ加工を用いると、封止樹脂層４ではフィラ４０の一部がカット面（曲面部１２ｂ）に残り、多層配線基板２ではガラス繊維や内部配線電極８ａの露出部分がカット面（１２ｂ）から突出した状態になる（図１２（ａ）参照）。この場合、カット面の表面粗さが増すため、シールド膜５の剥離強度がさらに向上する。また、内部配線電極８ａ（グランド電極）の端部がカット面から突出することで、シールド膜５と内部配線電極８ａとの接続性が上がるため、シールド膜５のシールド特性が向上する。なお、僅かに残った熱変性層を除去すべく、最後のレーザ加工の後に超音波洗浄を行ってもよい。また、レーザ加工の回数は、複数の範囲内で適宜変更することができる。
【００５９】
＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態の高周波モジュール１ｅについて、図１３および図１４を参照して説明する。なお、図１３は本実施形態の高周波モジュール１ｅの部分断面図であり、図１１に対応するである。また、図１４は本実施形態の製造方法を説明するための図で、封止体１２の集合体の平面図である。
【００６０】
この実施形態が、図１〜図３を参照して説明した第１実施形態の高周波モジュール１ａと異なるところは、図１３および図１４に示すように、製造方法において、レーザ加工工程とダイシング工程とが異なることである。その他の構成は、第１実施形態の高周波モジュール１ａと同じであるため、同一符号を付すことにより説明を省略する。
【００６１】
この場合、図１４に示すように、マトリクス状に配列された複数の封止体１２の集合体を形成した後、まず、レーザ加工で各封止体１２の側面（多層配線基板２および封止樹脂層４の側面２０ｂ，４ｂ）に曲面部１２ｂを形成し、その後ダイシングにより個々の封止体１２に個片化する。レーザ加工では、まず、１回目のレーザ加工（図１３の矢印ａ参照）として、第１実施形態においてレーザ加工工程で切り落とされる部分１２０（図１４の点描写部分：以下、切り落とし部分１２０という）をくり抜く（第１レーザ加工工程）。このとき、第１実施形態と同じ要領で各封止体１２の曲面部１２ｂそれぞれに複数の溝を形成し、当該各曲面部１２ｂの粗面化を行う。なお、この工程では、封止体１２の厚み方向を貫通するために比較的強いエネルギーのレーザ光を照射するため、カット面（曲面部１２ｂ）が熱変性を起こし、シールド膜５の剥離強度が低下するおそれがある。そこで、第４実施形態と同様に、１回目よりも低いエネルギーのレーザ光で２回目のレーザ加工を行う（図１３の矢印ｂ参照：第２レーザ加工工程）。次に、図１４に示すダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行うことにより各封止体１２に個片化し（個片化工程）、その後は第１実施形態と同じ要領で高周波モジュール１ｅを製造する。なお、封止体１２の曲面部１２ｂを形成するレーザ加工工程と、各封止体１２の個片化を行うダイシング工程とは、逆の順序であってもよい。
【００６２】
レーザ加工の後に、ダイシングで封止体１２を個片化する他の方法として、まず、切り落とし部分１２０のうち、封止体１２の曲面部１２ｂの箇所だけレーザ光で貫通溝を掘り、その後、第４実施形態と同様に、当該貫通溝に２回目のレーザ光を照射して１回目のレーザ加工で発生した熱変性層を除去する。その後、図１４のダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行って各封止体を個片化する方法が考えられる。この場合、１回目のレーザ加工で形成された貫通溝の幅が狭いと、２回目のレーザ加工のときに発生したカット屑が封止体１２の側面の曲面部１２ｂに付着する場合があり、このような場合はシールド膜５の密着強度が低下するおそれがある。そのため、このような方法を採用する場合は、レーザ加工工程またはダイシング工程が終わった後に、超音波洗浄などで封止体１２の曲面部１２ｂに付着したカット屑を除去する工程が必要となる。
【００６３】
そこで、この実施形態のように１回目のレーザ加工のときに、切り落とし部分１２０をくり抜くようにすると、２回目のレーザ加工時のカット屑が封止体の曲面部１２ｂに付着しにくくなるため、後の超音波洗浄が不要になるとともに、超音波洗浄による製品へのダメージを考慮する必要もなくなる。また、ダイシング工程の前に、切り落とし部分１２０がくり抜かれているので、ダイシング工程で、切り落とし部分１２０がカット片として発生しない。そのため、封止体１２の個片化後の製品の取り扱いが容易になるとともに、カット片混入による不具合を防止することができる。また、レーザ加工工程後の封止体１２の曲面部１２ｂの外観検査を容易に行うことができる。なお、第４実施形態と同様、熱変性層をより薄くするために３回以上のレーザ加工を行ってもよい。
【００６４】
また、１回目のレーザ加工のときに、封止体１２の曲面部１２ｂの箇所だけレーザで貫通溝を掘る製造方法において、１回目のレーザ加工のときに形成される貫通溝の幅を、２回目のレーザ加工時のカット屑が付着しない程度に広げれば、本実施形態の製造方法のように、２回目のレーザ加工時に発生するカット屑が封止体１２の側面の曲面部１２ｂに付着するのを防止することができる。
【００６５】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能である。例えば、上記した各実施形態や変形例の構成を組合わせてもよい。
【００６６】
また、封止樹脂層４，４０に、部品３，３０間のノイズの相互干渉を防止するシールド壁をさらに設けるようにしてもよい。
【００６７】
また、上記した各実施形態では、シールド膜５をスパッタ法や真空蒸着法で形成する場合について説明したが、例えば、スピンコートを用いて封止体１２の表面に導電性ペーストを成膜することでシールド膜５を形成してもよい。
【００６８】
また、多層配線基板２を構成する絶縁層の層数は、適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
また、本発明は、配線基板に実装された複数の部品を被覆する封止樹脂層と、各部品に対する外部からの不要な電磁波を遮蔽するシールド膜とを備える種々の高周波モジュールに適用することができる。
【符号の説明】
【００７０】
１ａ〜１ｅ    高周波モジュール
２    多層配線基板（配線基板）
２０ａ    上面（主面）
３，３０    部品
４，４０    封止樹脂層
５    シールド膜
８ａ    内部配線電極（グランド電極）
８ａ１    端部
１０ａ〜１０ｃ    溝
１２    封止体
１２ｂ    曲面部
１２ｃ    領域（所定の領域）
１２ｄ    領域（他の領域）
【図１】
2017026430.tif 000003
【図２】
2017026430.tif 000004
【図３】
2017026430.tif 000005
【図４】
2017026430.tif 000006
【図５】
2017026430.tif 000007
【図６】
2017026430.tif 000008
【図７】
2017026430.tif 000009
【図８】
2017026430.tif 000010
【図９】
2017026430.tif 000011
【図１０】
2017026430.tif 000012
【図１１】
2017026430.tif 000013
【図１２】
2017026430.tif 000014
【図１３】
2017026430.tif 000015
【図１４】
2017026430.tif 000016
【図１５】
2017026430.tif 000017
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月31日(2018.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる高周波モジュールの断面図である。
【図２】図１の高周波モジュールの平面図である。
【図３】図１の高周波モジュールの側面図である。
【図４】図１の高周波モジュールの側面に設けられた溝を示す図である。
【図５】図１の高周波モジュールの変形例を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態にかかる高周波モジュールの平面図である。
【図８】図７の多層配線基板に設けられたグランド電極を示す図である。
【図９】図７の高周波モジュールの側面図である。
【図１０】高周波モジュールの側面に設けられた溝の変形例を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる高周波モジュールの説明図である。
【図１２】レーザ加工による切断面の状態を説明するための図である。
【図１３】本発明の第５実施形態にかかる高周波モジュールの説明図である。
【図１４】封止体の個片化工程を説明するための図である。
【図１５】従来の高周波モジュールの断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
各溝１０ａは、レーザ加工の条件を調整することで形成される。例えば、レーザ光として紫外線（波長２００〜４００ｎｍ）を使用する場合、レーザパルスを５０ｋＨｚ程度、走査速度を１７５０ｍｍ／ｓ程度にする。そうすると、図４に示すように、多層配線基板２の平面視で略半円状の溝１０ａが、レーザの走査方向（矢印Ａ）に連なった状態で配列させることができる。なお、封止体１２の側面の平面部１２ａの部分もレーザ加工で形成することができる。この場合、例えば、レーザパルスを１００ｋＨｚ、走査速度を２０００ｍｍ／ｓとして、曲面部１２ｂよりもパルス間隔を狭くするとよい。このようにすると、平面部１２ａに溝がない状態（略平面状）に形成することができる。この場合、封止体１２の側面のうち、レーザの走査方向（矢印Ａ）における曲面部１２ｂの平均粗さＲａ、最大高さＲｙ、十点平均粗さＲｚのいずれも平面部１２ａの表面粗さよりも粗く形成される。なお、平面部１２ａにも複数の溝を形成して、粗面化する構成であってもよい。なお、パルス間隔は、例えば、スポット径（照射するレーザの径）の０．５倍以上であれば、封止体１２の側面を粗くすることができる。封止体１２にレーザを照射すると、その熱により、封止体１２に実際に形成される孔の径はスポット径よりも大きくなる傾向にある。この傾向を考慮すると、例えば、レーザのスポット径（照射するレーザの径）をパルス間隔以上の大きさにした場合に、封止体１２の側面に形成される凹凸の大きさを十分に大きくできる。一方、パルス間隔をあけすぎると、孔と孔との間が切断されず、カットできなくなるため、パルス間隔は、例えば、スポット径の１．５倍以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
第１実施形態の高周波モジュール１ａでは、レーザ加工で封止体１２の側面（多層配線基板２および封止樹脂層４の側面２０ｂ，４ｂ）に曲面部１２ｂを形成し、そのままの状態でシールド膜５を形成したが、曲面部１２ｂを形成するためには比較的強いエネルギーのレーザ光が必要になる。この場合、曲面部１２ｂを形成する際に発生する熱エネルギーでカット面（曲面部１２ｂ）が熱変性を起こし、シールド膜５の剥離強度が低下するおそれがある。この対策として、レーザ加工後にブラスト等の物理洗浄を用いてカット面の熱変性層を除去することが考えられる。この場合、封止樹脂層４の側面４ｂ（曲面部１２ｂ）では、封止樹脂層４の内部に含有するフィラ４００が脱落して凹部が形成されるが、物理洗浄前よりも側面４ｂ全体では平坦性が向上する（図１２（ｂ）参照）。また、多層配線基板２がプリント基板（いわゆるＰ板）で形成されている場合は、多層配線基板２の側面２０ｂ（曲面部１２ｂ）に露出するガラス繊維や内部配線電極８ａが樹脂とともに削られて、物理洗浄前よりも平坦性が向上する。しかしながら、曲面部１２ｂの平坦性が向上すると、シールド膜５の密着強度の観点からはアンカー効果が作用し難くなるため不利になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このように、２回目のレーザ光のエネルギーを１回目よりも低くすることで、１回目のレーザ加工で発生したカット面（曲面部１２ｂ）の熱変性層を除去しつつ、２回目のレーザ加工で発生する熱変性層を薄くすることができる。また、３回目のレーザ光のエネルギーを２回目よりも低くすることで、２回目のレーザ加工で発生したカット面（曲面部１２ｂ）の熱変性層を除去しつつ、３回目のレーザ加工で発生する熱変性層を２回目よりも薄くすることができる。したがって、熱変性層がシールド膜５の密着強度に与える影響を少なくすることができ、シールド膜５の剥離強度が向上する。また、レーザ加工を用いると、封止樹脂層４ではフィラ４００の一部がカット面（曲面部１２ｂ）に残り、多層配線基板２ではガラス繊維や内部配線電極８ａの露出部分がカット面（１２ｂ）から突出した状態になる（図１２（ａ）参照）。この場合、カット面の表面粗さが増すため、シールド膜５の剥離強度がさらに向上する。また、内部配線電極８ａ（グランド電極）の端部がカット面から突出することで、シールド膜５と内部配線電極８ａとの接続性が上がるため、シールド膜５のシールド特性が向上する。なお、僅かに残った熱変性層を除去すべく、最後のレーザ加工の後に超音波洗浄を行ってもよい。また、レーザ加工の回数は、複数の範囲内で適宜変更することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2017026430.tif 000018
【国際調査報告】
2017026430.tif 000019
2017026430.tif 000020
2017026430.tif 000021
2017026430.tif 000022