【事件の表示】
　特許第５９８２２４８号発明「半導体装置製造用仮接合層，積層体，及び，半導体装置の製造方法。」の特許異議申立事件について，次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９８２２４８号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり，訂正後の請求項〔１−１０〕について訂正することを認める。
　特許第５９８２２４８号の請求項１ないし１０に係る特許を維持する。
【理　由】
　１　手続の経緯
　特許第５９８２２４８号の請求項１ないし１０に係る特許についての出願は，平成２４年９月２８日に特許出願され，平成２８年８月５日にその特許権の設定登録がされ，その後，平成２９年２月２７日に，その特許について，特許異議申立人　磯　瑠里子　により特許異議の申立てがなされ，平成２９年４月２７日付けで取消理由が通知され，その指定期間内である同年６月１９日に意見書の提出及び訂正の請求があり，同年７月２７日に特許異議申立人から意見書の提出があったものである。
　２　訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成２９年６月１９日付け訂正請求書（以下「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は以下のアないしウのとおりである。
　ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層である半導体装置製造用仮接合層。」とあるのを，「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であ
り，前記接着性層が，バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む
　イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３に「前記接着性層が，バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置製造用仮接合層。」とあるうち，請求項１を引用するものについて，独立形式に改め，「
（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり，
む半
Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がテルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり，
む半
　ウ　訂正事項３
　明細書の段落【００２１】に記載された
「本発明者らは，上記課題を解決すべく鋭意検討した結果，支持体と被処理部材との間に炭化水素樹脂層と接着性層を設けることにより，研磨や加熱などの物理的な刺激に対して高い耐久性を持ち，また剥離の際には剥離溶剤を接触させることにより，上記の従来技術において行うような，加熱や，活性光線若しくは放射線の照射を行うこともなく，処理済部材に対する仮支持を容易に解除できることを見出し，本発明を完成するに至った。すなわち，本発明は，以下の通りである。
＜１＞　（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層である半導体装置製造用仮接合層。
＜２＞　前記炭化水素樹脂が，ポリスチレン樹脂である，＜１＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜３＞　前記接着性層が，バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むことを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜４＞　支持体と，被処理部材と，前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する，積層体。
＜５＞　被処理部材の第１の面と基板とを，＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体，装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程，前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程，及び，前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程，を有する，前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
＜６＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に，前記仮接合層の接着性層に対して，活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する，＜５＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜７＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後，かつ，前記被処理部材の前記第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程の前に，前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する，＜５＞又は＜６＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜８＞　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が，前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む，＜５＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
＜９＞　前記剥離溶剤が，炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，＜８＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１０＞　前記剥離溶剤が，シクロペンタン，ｎ−ヘキサン，シクロヘキサン，ｎ−ヘプタン，リモネン，−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，＜９＞に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明は，上記＜１＞〜＜１０＞に記載の半導体装置製造用仮接合層，積層体，及び，半導体装置の製造方法に関するものであるが，その他の事項についても参考のために記載する。」を，
「本発明者らは，上記課題を解決すべく鋭意検討した結果，支持体と被処理部材との間に炭化水素樹脂層と接着性層を設けることにより，研磨や加熱などの物理的な刺激に対して高い耐久性を持ち，また剥離の際には剥離溶剤を接触させることにより，上記の従来技術において行うような，加熱や，活性光線若しくは放射線の照射を行うこともなく，処理済部材に対する仮支持を容易に解除できることを見出し，本発明を完成するに至った。すなわち，本発明は，以下の通りである。
＜１＞　（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種炭化水素樹脂を含む層であ
り，前記接着性層がバインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む
＜２＞　前記炭化水素樹脂が，ポリスチレン樹脂である，＜１＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
＜３＞（
Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がテルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり，
む半
＜４＞　支持体と，被処理部材と，前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する，積層体。
＜５＞　被処理部材の第１の面と基板とを，＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程，前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程，及び，前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程，を有する，前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
＜６＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に，前記仮接合層の接着性層に対して，活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する，＜５＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜７＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後，かつ，前記被処理部材の前記第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程の前に，前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する，＜５＞又は＜６＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜８＞　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が，前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む，＜５＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
＜９＞　前記剥離溶剤が，炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，＜８＞に記載の半導体装置の製造方法。
＜１０＞　前記剥離溶剤が，シクロペンタン，ｎ−ヘキサン，シクロヘキサン，ｎ−ヘプタン，リモネン，ｐ−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，＜９＞に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明は，上記＜１＞〜＜１０＞に記載の半導体装置製造用仮接合層，積層体，及び，半導体装置の製造方法に関するものであるが，その他の事項についても参考のために記載する。」に訂正する。
（２）訂正の目的の適否，新規事項の有無，及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　ア　訂正事項１
（ア）訂正の目的について
　訂正前の請求項１に係る発明は，「半導体装置製造用仮接合層」について，剥離層と接着性層とを有することを規定している。
　これに対して，訂正後の請求項１に係る発明では，「接着性層が，バインターと，重合性モノマーと，熱重合性開始剤とを含む」との記載により，接着性層がどのような成分を含んでいるかについて明らかにすることで，特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから，当該訂正事項１は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　同様に，訂正後の請求項１を引用する請求項２，４〜１０は，訂正後請求項１に記載された「接着性層が，バインダーと，重合性モノマーと，熱重合性開始剤とを含む」との記載を引用することにより，「接着性層」をより具体的に特定し，更に限定するものであるため，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　上記のように，訂正事項１については，請求項１に関して「接着性層」がどのような成分を含んでいるかについて明らかにする訂正であり，カテゴリーや対象，目的を変更するものではないから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
（ウ）願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　訂正事項１は，願書に添付した明細書中の発明の詳細な説明に基づいて導き出される構成である。
　「接着性層」に係る説明として，【００５０】には「接着性組成物（ひいては接着性層）は，バインダーを有していることが好ましい。」，【００５２】には「また，接着性組成物（ひいては接着性層）は，重合性モノマーを含有することが好ましい。」，【０１３４】には「本発明の接着性組成物（ひいては接着性層）は，熱重合開始剤，すなわち熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有することも好ましい。」との記載がされているから，当該訂正事項１は，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　イ　訂正事項２
（ア）訂正の目的について
　訂正事項２は，訂正前の請求項３の記載が訂正前の請求項１の記載を引用する記載であったものを，請求項間の引用関係を解消し，請求項１の記載を引用しないものとし，独立形式請求項へ改めるための訂正であって，特許法第１２０条の５第２項ただし書第４号に規定する「他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること」を目的とする訂正である。また，訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項３に「前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層である」とあるのを，上記訂正事項２においては，「前記剥離層がテルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり」との記載により，「剥離層」について更に減縮することで，特許請求の範囲を減縮しようとするものであるから，当該訂正事項２は，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　同様に，訂正後の請求項３を引用する請求項４〜１０は，訂正後請求項３に記載された，「前記剥離層がテルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり」との記載を引用することにより，「剥離層」を更に限定するものであるため，特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
（イ）実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　上記のように，訂正事項２は，訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項３における「剥離層」について更に限縮する訂正であるから，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
（ウ）願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　上記のように，訂正事項２は，訂正前の請求項１を引用する訂正前の請求項３における「剥離層」について更に減縮する訂正であるから，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　訂正事項３
（ア）訂正の目的について
　訂正事項３は，訂正事項１及び２に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正である。
　よって，訂正事項３は特許法第１２０条の５第２項ただし書第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
（イ）実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更する訂正ではないこと
　上記のように，訂正事項３は，訂正事項１及び２に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり，訂正後の請求項１〜１０に対応する記載を発明の要旨として記載する訂正であるため，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第６項に適合するものである。
（ウ）願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であること
　上記のように，訂正事項３は，訂正事項１及び２に係る訂正に伴って，特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との整合を図るための訂正であり，訂正後の請求項１〜１０に対応する記載を発明の要旨として記載する訂正であるため，願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２０条の５第９項で準用する第１２６条第５項に適合するものである。
　エ　一群の請求項について
　訂正事項１ないし３による訂正は一群の請求項に対して請求されたものである
　（３）むすび
　以上のとおりであるから，本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号，第３号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり，かつ，同条第４項，及び，同条第９項において準用する同法第１２６条第４項ないし第６項の規定に適合するので，訂正後の請求項〔１−１０〕について，本件訂正請求による訂正を認める。
　３　特許異議の申立てについて
（１）本件発明
　本件訂正請求により訂正された訂正請求項１ないし１０に係る発明（以下「本件発明１」ないし「本件発明１０」という。）は，その特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
　（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であ
り，前記接着性層が，バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む
【請求項２】
　前記炭化水素樹脂が，ポリスチレン樹脂である，請求項１に記載の半導体装置製造用仮接合層。
【請求項３】
　
（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層がテルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり，
む半
【請求項４】
　支持体と，被処理部材と，前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する，積層体。
【請求項５】
　被処理部材の第１の面と基板とを，請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程，前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程，及び，前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程，を有する，前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に，前記仮接合層の接着性層に対して，活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する，請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後，かつ，前記被処理部材の前記第２の面に対して，機械的又は化学的な処理を施し，処理済部材を得る工程の前に，前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する，請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が，前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む，請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
　前記剥離溶剤が，炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
　前記剥離溶剤が，シクロペンタン，ｎ−ヘキサン，シクロヘキサン，ｎ−ヘプタン，リモネン，ｐ−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である，請求項９に記載の半導体装置の製造方法。」
（２）取消理由の概要
　訂正前の請求項１ないし１０に係る特許に対して平成２９年４月２７日付けで特許権者に通知した取消理由は，要旨次のとおりである。
１　本件特許の下記の請求項に係る発明は，本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であって，特許法第２９条第１項第３号に該当し，特許を受けることができないから，その発明に係る特許は取り消すべきものである。
２　本件特許の下記の請求項に係る発明は，本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであって，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，その発明に係る特許は取り消すべきものである。
・甲第１号証：国際公開第２０１２／０５７８９３号（日本語訳として特表２０１３−５３５８３８号公報を参照）
・甲第２号証：特開２０１０−１０９３２４号公報
・甲第３号証：特開２００４−６４０４０号公報
（１）請求項１に係る発明（以下「本件発明１」という。また，請求項２ないし１０に係る発明を，それぞれ「本件発明２」ないし「本件発明１０」という。）について
　ア　本件発明１は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　すなわち，甲第１号証の請求項１，請求項６，請求項１５，請求項２０，第８ページ第２３行−第１３ページ第２５行（公表特許公報【００２４】−【００３７】。以下同じ。）等の記載を参照されたい。
　甲第１号証の第１２ページ第３０行−第１３ページ第９行（【００３５】）には，「
処理が完了すると，基板１２及び２４は，多くの分離方法（図示せず）によって分離することができる
第１
の接合層
は
溶媒（例えば，リモネン，ドデセン，プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＭＥ））中に溶解する
　また，甲第１号証の第１１ページ第２２−２７行（【００３１】）には，「第１及び
第２の接合層
は
第２の基板
と
強固な接着剤接合を形成できるものでなければならない
　さらに，甲第１号証の第１ページ第１４−１７行（【０００３】）の「本発明は，広くは，多層接合システムを利用する新規な
暫定ウェーハー接合方法
　そして，甲第１号証の請求項６，請求項２０には，前記「第１の接合層」が，「溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される」ことが記載されており，これは，本件発明１の「剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む」と一部重複する。
　したがって，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明である。また仮に，甲第１号証に記載された発明と，本件発明１との間に相違点が存在したとしても，甲第１号証に記載された発明において，前記相違点について本件発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことであり，その効果も格別のものとは認められない。
　イ　本件発明１は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第２号証の請求項１，請求項５，請求項９−１０，請求項１２−１３，【００４８】等の記載を参照されたい。甲第２号証の「第２接着剤層」，「第１接着剤層」は，それぞれ，本件発明１の「剥離層」，「接着性層」に相当し，甲第２号証の前記「第２接着剤層」及び前記「第１接着剤層」を含む接着剤層は，本件発明１の「半導体装置製造用仮接合層」に相当する。
　そして，甲第２号証の請求項１３，【００４８】には，前記「第２接着剤層」が，「炭化水素樹脂」である「シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選択される」を含む層であることが記載されており，これは，本件発明１の「剥離層がポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくども一種の炭化水素樹脂を含む」と一部重複する。
　したがって，本件発明１は，甲第２号証に記載された発明である。また仮に，甲第２号証に記載された発明と，本件発明１との間に相違点が存在したとしても，甲第２号証に記載された発明において，前記相違点について本件発明１の構成を採用することは，当業者が容易になし得たことであり，その効果も格別のものとは認められない。
　ウ　本件発明１は，甲第１号証に記載された発明と，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　すなわち，甲第１号証の第１３ページ第３８行−第１５ページ第９行（【００３８】−【００４３】）等の記載を参照されたい。
　甲第１号証の「リフトオフ層４４」，「接合層２０」は，それぞれ，本件発明１の「剥離層」，「接着性層」に相当する。
　そして，甲第１号証の第１４ページ第１４行−同ページ第２５行（【００４０】−【００４１】）には，「
リフトオフ層４４を形成するために用いられる組成物は
溶液中で層４４が可溶性であるように選択されるべきである
　
リフトオフ層４４を形成するために好ましい組成物は上述の特性を持つ市販の組成物から選択することができる
　一方，甲第１号証，甲第２号証等の記載から，ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂が，溶液中で可溶性という特性を備えた組成物として周知であると認められる。
　そうすると，甲第１号証の第１３ページ第３８行−第１５ページ第９行（【００３８】−【００４３】）に記載された発明において，「リフトオフ層４４を形成するために用いられる組成物」として，溶液中で可溶性という特性を備えた組成物として知られている，ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含むものとすることは当業者が適宜なしたことであり，このような構成を採用したことによる効果も格別のものとは認められない。
（２）本件発明２について
　本件発明２は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の請求項６，請求項２０には，前記「第１の接合層」に含まれる炭化水素樹脂として，ポリスチレン樹脂が示されている。
（３）本件発明３について
　本件発明３は，甲第１号証に記載された発明と，甲第３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１０ページ第１行−第１５行（【００２７】）に「キャリヤー面２６上に
第２の接合層
組成物が適用された後，好ましくは，温度約８０℃〜約２５０℃，より好ましくは約１７０℃〜約２２０℃へ，時間約６０秒〜約８分（好ましくは約９０秒〜約６分）間加熱される
焼成によって架橋反応が開始され層３２を硬化することができる
第２の接合層
は
強固な接着剤接合を形成できるものでなければならない
プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，これら２つの構造体１０及び２２の接合が有効になり接合されたスタック３４が形成される
　そうすると，上記記載から，甲第１号証の「第２の接合層」は，焼成によって架橋反応が開始され層を硬化するものであって，強固な接着剤接合を形成できるものであり，プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，接合が有効になる材料であると理解される。
　一方，甲第３号証の【００２４】に「接合層は被研削基材を光熱変換層を介して支持体に固定するために用いられる。光熱変換層における分解による基材と支持体との分離の後には，接合層が付着した基材が得られる。このため，接合層はピールにより基材から容易に剥離されうるものであることが必要である。したがって，接合層は基材を支持体に固定するためには十分な接着力を有するが，ピールにより剥離されうるために十分に低い接着力を有するものである。本発明において，接合層として使用可能な接着剤としては，ゴム，エラストマーなどを溶剤に溶解したゴム系接着剤，エポキシ，ウレタンなどをベースとする一液
熱硬化型接着剤
紫外線（ＵＶ）もしくは電子線硬化型接着剤
（１）ウレタンアクリレート，エポキシアクリレート又はポリエステルアクリレートなどの重合性ビニル基を有するオリゴマー及び／又は（２）アクリルもしくはメタクリルモノマー
光重合開始剤
添加剤としては
増粘剤，可塑剤，分散剤，上記透明フィラー以外のフィラー
などが挙げられる
　そうすると，焼成によって架橋反応が開始され層を硬化するものであって，強固な接着剤接合を形成できるものであり，プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，接合が有効になる材料であると理解される甲第１号証の「第２の接合層」を，バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むものとすることは当業者が容易になし得たことである。また，このような構成を採用したことによる効果も格別のものとは認められない。
（４）本件発明４について
　ア　本件発明４は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の「キャリヤー面を有する第２の基板」，「背面及びデバイス面を有する第１の基板」は，それぞれ，本件発明４の「支持体」，「被処理部材」に相当する。
　イ　本件発明４は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第２号証の「支持板」，「基板」は，それぞれ，本件発明４の「支持体」，「被処理部材」に相当する。
（５）本件発明５について
　ア　本件発明５は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の請求項１１等の記載を参照されたい。
　イ　本件発明５は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第２号証の【０００２】−【０００４】の記載を参照されたい。甲第２号証に記載された発明は，前記【０００２】−【０００４】に記載されたウエハの「研削」を前提とした発明と理解されるところ，当該「研削」は，本件発明５の「機械的又は化学的な処理」に相当する。
（６）本件発明６について
　ア　本件発明６は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１０ページ第１行−第１５行（【００２７】）に記載された，「キャリヤー面２６上に
第２の接合層
組成物が適用された後，好ましくは，温度約８０℃〜約２５０℃，より好ましくは約１７０℃〜約２２０℃へ，時間約６０秒〜約８分（好ましくは約９０秒〜約６分）間加熱される
　そして，前記工程は，甲第１号証の第１２ページ第１１−２０行（【００３３】）に記載された，「次に構造体１０及び２２は，第１の接合層２０の上部表面２１が第２の接合層３２の上部表面３３に接触するように向かい合わせにされ一緒にプレスされる（図１（ｂ））。プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，これら２つの構造体１０及び２２の接合が有効になり
接合されたスタック３４が形成される
　イ　本件発明６は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　甲第２号証の【００７６】の「接着剤組成物１を・・・８０℃で５分間乾燥させて」という工程は，本件発明６の「前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に，前記仮接合層の接着性層に対して，活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程」に相当する。また，仮に相違するとしても，前記「８０℃」での「乾燥」を，ランプ加熱等の，放射熱を用いた加熱で行うことは当業者が適宜なし得たことである。
（７）本件発明７について
　ア　本件発明７は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１２ページ第１１−２０行（【００３３】）に記載された「次に構造体１０及び２２は，第１の接合層２０の上部表面２１が第２の接合層３２の上部表面３３に接触するように向かい合わせにされ一緒にプレスされる（図１（ｂ））。
プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，これら２つの構造体１０及び２２の接合が有効になり接合されたスタック３４が形成される
このステップの典型的な温度範囲は，約１５０℃〜約３７５℃の範囲
（８）本件発明８について
　ア　本件発明８は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１２ページ第３０行−第１３ページ第９行（【００３５】）の，「
処理が完了すると，基板１２及び２４は，多くの分離方法（図示せず）によって分離することができる
第１
の接合層
は
溶媒（例えば，リモネン，ドデセン，プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＭＥ））中に溶解する
　イ　本件発明８は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第２号証の請求項１の記載を参照されたい。
（９）本件発明９−１０について
　ア　本件発明９−１０は，甲第１号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第１号証，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１２ページ第３０行−第１３ページ第９行（【００３５】），甲第２号証の【００６１】の記載を参照されたい。
　イ　本件発明９−１０は，甲第２号証に記載された発明であるか，仮にそうでないとしても，甲第２号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　すなわち，甲第１号証の第１２ページ第３０行−第１３ページ第９行（【００３５】），甲第２号証の【００６１】の記載を参照されたい。
（３）甲号証，甲発明等
　ア　甲第１号証について
　取消理由に引用された甲第１号証には，図面とともに次の事項が記載されている。（下線は，当審で付与した。以下同じ。）
・「15. 
An article comprising: 
   a first substrate having a back surface and a device surface: 
   a first bonding layer adjacent said device surface and having a softening temperature; 
   a second bonding layer adjacent said first bonding layer and having a softening temperature, wherein the softening temperature of said first bonding layer is at least about 20 °C greater than the softening temperature of said second bonding layer; and 
   a second substrate having a carrier surface, said second bonding layer being adjacent said carrier surface
  16. The article of claim 15, wherein said first bonding layer has a thickness T１ of at least about 24 μｍ. 
  17. The article of claim 15, wherein said second bonding layer has a thickness T ３  of less than about 35 μｍ. 
  18. The article of claim 15, wherein said first bonding layer has a softening point of at least about 100°C. 
  19. The article of claim 15, wherein said second bonding layer has a softening point of less than about 220 °C. 
  20. The article of claim 15, 
wherein said first bonding layer is formed from a composition comprising a polymer or oligomer dissolved or dispersed in a solvent system, said polymer or oligomer being selected from the group consisting of polymers and oligomers of cyclic olefins, epoxies, acrylics, silicones, styrenics, vinyl halides, vinyl esters, polyamides, polyimides, polysulfones, polyethersulfones, cyclic olefins, polyolefin rubbers, and polyurethanes, ethylene-propylene rubbers, polyamide esters, polyimide esters, poiyacetals, and polyvinyl buterol
  21. The article of claim 15, 
wherein said second bonding layer is formed from a composition comprising a polymer or oligomer dissolved or dispersed in a solvent system, said polymer or oligomer being selected from the group consisting of polymers and oligomers of cyclic olefins, epoxies, acrylics, silicones, styrenics, vinyl halides, vinyl esters, polyamides, polyimides, polysulfones, polyethersulfones, cyclic olefins, polyolefin rubbers, and polyurethanes, ethylene-propylene rubbers, polyamide esters, polyimide esters, poiyacetals, and polyvinyl buterol
  22. The article of claim 15, 
wherein said device surface comprises an array of devices selected from the group consisting of integrated circuits; MEMS; microsensors; power semiconductors; light-emitting diodes; photonic circuits; interposers; embedded passive devices; and microdevices fabricated on or from silicon, silicon-germanium, gallium arsenide, and gallium nitride
  23. The article of claim 15, wherein said second substrate comprises a material selected from the group consisting of silicon, sapphire, quartz, metal, glass, and ceramics. 
  24. The article of claim 15, said device surface comprising at least one structure selected from the group consisting of: solder bumps; metal posts; metal pillars; and structures formed from a material selected from the group consisting of silicon, polysilicon, silicon dioxide, silicon (oxy)nitride, metal, low k dielectrics, polymer dielectrics, metal nitrides, and metal silicides. 」（第３５ページ第１６行−第３７ページ第５行）（対応する公表特許公報である特表２０１３−５３５８３８号公報に基づく日本語訳。以下同じ。「【請求項１５】
　
物品であって
　
背面及びデバイス面を有する第１の基板
　
前記デバイス面に隣接し，軟化温度を有する第１の接合層
　
前記第１の接合層に隣接し軟化温度を有する第２の接合層であって，前記第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い，第２の接合層
　
キャリヤー面を有する第２の基板であって，前記第２の接合層は前記キャリヤー面に隣接する，第２の基板
を含む物品
【請求項１６】
　前記第１の接合層の厚みＴ１は少なくとも約２４μｍ以上である請求項１５に記載の物品。
【請求項１７】
　前記第２の接合層の厚みＴ３は約３５μｍ未満である請求項１５に記載の物品。
【請求項１８】
　前記第１の接合層の軟化点は約１００℃以上である請求項１５に記載の物品。
【請求項１９】
　前記第２の接合層の軟化点は約２２０℃未満である請求項１５に記載の物品。
【請求項２０】
　
前記第１の接合層は，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される
【請求項２１】
　
前記第２の接合層は，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される
【請求項２２】
　
前記デバイス面は，集積回路；ＭＥＭＳ；マイクロセンサ；電力半導体；発光ダイオード；光子回路；インターポーザ；埋め込み受動デバイス；及びシリコン，シリコンゲルマニウム，ガリウムヒ素，及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス：から成る群から選択されるデバイスアレイを含む
【請求項２３】
　前記第２の基板は，シリコン，サファイヤ，水晶，金属，ガラス，及びセラミックスから成る群から選択される材料を含む請求項１５に記載の物品。
【請求項２４】
　前記デバイス面は，半田バンプ；金属ポスト；金属ピラー；及びシリコン，ポリシリコン，二酸化ケイ素，（オキシ）窒化ケイ素，金属，低ｋ誘電体，ポリマー誘電体，窒化金属，及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体：から成る群から選択される少なくとも１つの構造体を含む請求項１５に記載の物品。」）
・「
The present invention is broadly concerned with novel temporary wafer bonding methods utilizing multiple layer bonding systems, The inventive methods can support a device wafer on a carrier substrate during wafer thinning and other backside processing
本発明は，広くは，多層接合システムを利用する新規な暫定ウェーハー接合方法に関する。本発明の方法は，ウェーハーの薄層化及び他の背面処理中にデバイスウェーハーをキャリヤー基板上に支持することができる
・「1. 
Bilayer Bonding Scheme 1
 
 Referring to Fig. 1(a), a precursor structure 10 is depicted in a schematic and cross- sectional view. Structure 10 includes a first substrate 12. Substrate 12 has a front or device surface 14, a back surface 16, and an outermost edge 18. Although substrate 12 can be of any shape, it would typically be circular in shape. Preferred first substrates 12 include device wafers such as those whose device surfaces comprise arrays of devices (not shown) selected from the group consisting of integrated circuits, MEMS, microsensors, power semiconductors, light- emitting diodes, photonic circuits, interposers, embedded passive devices, and other microdevices fabricated on or from silicon and other semiconducting materials such as silicon-  germanium, gallium arsenide, and gallium nitride. The surfaces of these devices commonly comprise structures (again, not shown) formed from one or more of the following materials: silicon, polysilicon, silicon dioxide, silicon (oxy)nitride, metals (e.g., copper, aluminum, gold, tungsten, tantalum), low k dielectrics, polymer dielectrics, and various metal nitrides and silicides. The device surface 14 can also include at least one structure selected from the group consisting of: solder bumps; metal posts; metal pillars; and structures formed from a material selected from the group consisting of silicon, polysilicon, silicon dioxide, silicon (oxy)nitride, metal, low k dielectrics, polymer dielectrics, metal nitrides, and metal silicides. 
 
 A composition is applied to the first substrate 12 to form a first bonding layer 20 on the device surface 14, as shown in Fig. 1 (a). Bonding layer 20 has an upper surface 21 remote from first substrate 12, and preferably, the first bonding layer 20 is formed directly adjacent the device surface 14 (i.e., without any intermediate layers between the first bonding layer 20 and substrate 12). The composition can be applied by any known application method, with one preferred method being spin-coating the composition at speeds of from about 500 rpm to about 5,000 rpm (preferably from about 500 rpm to about 2,000 rpm) for a time period of from about 5 seconds to about 120 seconds (preferably from about 30 seconds to about 90 seconds). 
After the composition is applied, it is preferably heated to a temperature of from about 80°C to about 250°C, and more preferably from about 170°C to about 220°C and for time periods of from about 60 seconds to about 8 minutes (preferably from about 90 seconds to about 6 minutes). Depending upon the composition used to form the first bonding layer 20, baking can also initiate a crosslinking reaction to cure the layer 20. In some embodiments, it is preferable to subject the layer to a multi-stage bake process, depending upon the composition utilized.
he first bonding layer 20 is 
built
 on the first substrate 12
 
 A second precursor structure 22 is also depicted in a schematic and cross- sectional view in Fig. 1 (a). Second precursor structure 22 includes a second substrate 24. In this embodiment, second substrate 24 is a carrier wafer. That is, second substrate 24 has a front or carrier surface 26, a back surface 28, and an outermost edge 30. Although second substrate 24 can be of any shape, it would typically be circular in shape and sized similarly to first substrate 12. Preferred second substrates 24 include silicon, sapphire, quartz, metals (e.g., aluminum, copper, steel), and various glasses and ceramics.  
 A second composition is applied to the second substrate 24 to form a second bonding layer 32 on the carrier surface 26, as shown in Fig. 1(a). Second bonding layer 32 has an upper surface 33 remote from second substrate 24, and a lower surface 35 adjacent second substrate 24. Preferably, the second bonding layer 32 is formed directly adjacent the carrier surface 26 (i.e., without any intermediate layers between the second bonding layer 32 and second substrate 24). The composition can be applied by any known application method, with one preferred method being spin-coating the composition at speeds of from about 500 rpm to about 5,000 rpm (preferably from about 500 rpm to about 2,000 rpm) for a time period of from about 5 seconds to about 120 seconds (preferably from about 30 seconds to about 90 seconds). 
After the composition is applied, it is preferably heated to a temperature of from about 80 °C to about 250 °C, and more preferably from about 170°C to about 220 °C and for time periods of from about 60 seconds to about 8 minutes (preferably from about 90 seconds to about 6 minutes). Depending upon the composition used to form the second bonding layer 32, baking can also initiate a crosslinking reaction to cure the layer 32.
 
 The thickness of first and second bonding layers 20 and 32 (as weii as other layers as described herein) can best be illustrated by reference to Fig. 2, where like numbering has been used to represent like parts. Device surface 14 has been drawn in Fig. 2 to schematically depict the variation in topography on device surface 14 due to the presence of the above-described devices as well as of raised features, contact holes, via holes, lines, trenches, etc., that are present on or in device surface 14. Among the various features found on device surface 14 are highest feature 36 and lowest feature 38. (As used herein, highest refers to the feature extending the farthest from back surface 16 of first substrate 12, while lowest refers to the feature whose lowest point is closest to back surface 16 of first substrate 12.) Highest feature 36 has an uppermost surface 36a, while lowest feature 38 has a lowermost surface or point 38a. When referring to the thickness of a layer that has been applied to a topographical (i.e., non-planar) surface, two thicknesses may be references. T1 refers to the distance from a lower plane 40 defined by lowermost surface or point 38a and extending to upper surface 21 , as exemplified in Fig. 2. T 2  refers to the layer's thickness as measured above the uppermost surface 36a. Specifically, and as shown in Fig. 2, this thickness T 2  begins at upper plane 42 and extends to the upper surface 21. When referring to the thickness of a layer that has been applied to a planar (or  substantially planar) surface, that thickness is represented by T 3  in Fig. 2, and is the distance between lower surface 35 and upper surface 33 of layer 32. Finally, in some instances, thickness T 4 is used, and it refers to the distance from lower plane 40 to upper plane 42. All thicknesses refer to average thicknesses taken over five measurements. 
 
 In the embodiment of this invention, first bonding layer 20 preferably has a thickness T1 that is at least equal to T 4 , preferably from about 1.1 T 4  to about 1.5T 4 , and more preferably from about 1.2T 4  to about 1.3T 4 . This will typically result in a thickness T1 of at least about 24 μｍ, more preferably from about 45 μｍ to about 200 μｍ, and even more preferably from about 50 μｍ to about 150 μｍ. Furthermore, first bonding layer 20 preferably has a thickness T 2  of at least about 5 μｍ, more preferably from about 5 μｍ to about 50 μｍ, and even more preferably from about 10 μｍ to about 30 μｍ. Second bonding layer 32 has a thickness T 3  of less than about 35 μｍ, preferably from about 1 μｍ to about 35 μｍ, more preferably from about 1 μｍ to about 25 μｍ, and even more preferably from about 1 μｍ to about 15 μｍ. 
 
 First bonding layer 20 preferably has a softening point (ring and ball) that is at least about 20 °C higher than the softening point of second bonding layer 32, more preferably from about 20 U C to about 200°C higher, and even more preferably from about 20°C to about 100°C higher. This will typically result in first bonding layer 20 having a softening point that is at least about 100°C, preferably from about 150°C to about 400°C, and more preferably from about 200°C to about 300°C. Furthermore, typical softening points of second bonding layer 32 will be less than about 220 °C, preferably from about 50 °C to about 220 °C, and more preferably from about 100°C to about 150°C. 
 
 
The materials from which first and second bonding layers 20 and 32 are formed should be capable of forming a strong adhesive bond with the first and second substrates 12 and 24, respectively, as well as with one another. Anything with an adhesion strength of greater than about 50 psig, preferably from about 80 psig to about 250 psig, and more preferably from about 100 psig to about 150 psig as determined by ASTM D4541/D7234, would be desirable for use as first and second bonding layers 20 and 32. 
 
 
Advantageously, the compositions for use in forming first and second bonding layers 20 and 32 can be selected from commercially available bonding compositions that would be capable of being formed into layers possessing the above properties. 
 
 
Structures 10 and 22 are then pressed together in a face-to-face relationship, so that upper surface 21 of first bonding layer 20 is in contact with upper surface 33 of second bonding layer 32 (Fig. 1 (b)). While pressing, sufficient pressure and heat are applied for a sufficient amount of time so as to effect bonding of the two structures 10 and 22 together to form bonded stack 34. The bonding parameters will vary depending upon the compositions from which bonding layers 20 and 32 are formed, but typical temperatures during this step will range from about 150°C to about 375 °C, and preferably from about 160°C to about 350°C, with typical pressures ranging from about 1,000 N to about 5,000 N, and preferably from about 2,000 N to about 4,000 N, for a time period of from about 30 seconds to about 5 minutes, and more preferably from about 2 minutes to about 4 minutes. 
 
 At this stage, the first substrate 12 can be safely handled and subjected to further processes that might otherwise have damaged first substrate 12 without being bonded to second substrate 24. Thus, the structure can safely be subjected to backside processing such as back- grinding, CMP, etching, metal and dielectric deposition, patterning (e.g., photolithography, via etching), passivation, annealing, and combinations thereof, without separation of substrates 12 and 24 occurring, and without infiltration of any chemistries encountered during these subsequent processing steps. 
Not only can first bonding layer 20 and second bonding layer 32 survive these processes, they can also survive processing temperatures up to about 450 °C, preferably from about 200°C to about 400°C, and more preferably from about 200°C to about 350°C. 
 
 
Once processing is complete, the substrates 12 and 24 can be separated by any number of separation methods (not shown). One method involves dissolving one or both of the first and  second bonding layers 20, 32 in a solvent (e.g., limonene, dodecene, propylene glycol monomethyl ether (PGME)). Alternatively, substrates 12 and 24 can also be separated by first mechanically disrupting or destroying the periphery of one or both of first and second bonding layers 20, 32 using laser ablation, plasma etching, water jetting, or other high energy techniques that effectively etch or decompose first and second bonding layers 20, 32. It is also suitable to first saw or cut through the first and second bonding layers 20, 32 or cleave the layers 20, 32 by some equivalent means. Regardless of which of the above means is utilized, a low mechanical force (e.g., finger pressure, gentle wedging) can then be applied to completely separate the substrates 12 and 24. 
 
 
The most preferred separation method involves heating the bonded stack 34 to temperatures of at least about 100°C, preferably from about 150°C to about 220°C, and more preferably from about 180°C to about 200°C. It will be appreciated that at these temperatures, second bonding layer 32 will soften, allowing the substrates 12 and 24 to be separated 
 
 It will be appreciated that this bilayer embodiment provides a number of advantages. The bonding temperatures and overall thermal stability of the structure can be controlled due to the inventive methods. That is, the inventive method allows the use of higher processing temperatures while simultaneously making bonding and debonding possible at lower temperatures. 
二層接合方式Ｉ
　図１（ａ）を参照すると，前躯体構造体１０が概略断面図として示されている。構造体１０は第１の基板１２を含む。基板１２は前面又はデバイス面１４，背面１６，及び最外側エッジ１８を有する。基板１２は任意の形状でよいが，通常は円形形状である。好ましい第１の基板１２はデバイスウェーハーを含み，そのデバイス面は集積回路，ＭＥＭＳ，マイクロセンサー，動力半導体，発光ダイオード，フォトニック回路，インタポーザー，埋込受動素子，及び，シリコン，又はシリコンゲルマニウム，ガリウムヒ素，およびガリウム窒素のような半導体材料上に製造される又はそれらから製造される他のマイクロデバイス，から成る群から選択されたデバイスアレイ（図示されていない）を含む。これらのデバイスの表面は一般に以下の材料の１つ以上から形成された構造体（これも図示されていない）を含む：シリコン，ポリシリコン，二酸化ケイ素，（オキシ）窒化ケイ素，金属（例えば，銅，アルミニウム，金，タングステン，タンタル），低ｋ誘電体，高分子誘電体，および各種窒化金属および金属シリサイド。またデバイス面１４は，半田バンプ；金属ポスト；金属ピラー；及びシリコン，ポリシリコン，二酸化ケイ素，（オキシ）窒化ケイ素，金属，低ｋ誘電体，ポリマー誘電体，窒化金属，及び金属シリサイドから成る群から選択される材料から形成される構造体：から成る群から選択される少なくとも１つの構造体を含むことができる。
　図１（ａ）に示すようにデバイス面１４上に第１の接合層２０を形成するように，第１の基板１２に組成物が適用される。接合層２０は第１の基板１２から離れた上部表面２１を有し，好ましくは，第１の接合層２０はデバイス面１４に直接隣接して形成される（即ち，第１の接合層２０と基板１２との間に中間層が存在しない）。組成物は任意の既知の方法によって適用することができる。１つの好ましい方法は，速度約５００ｒｐｍ〜約５，０００ｒｐｍ（好ましくは約５００ｒｐｍ〜約２，０００ｒｐｍ）で，時間約５秒〜約１２０秒（好ましくは約３０秒〜約９０秒）間，組成物をスピンコートすることである。
組成物を適用した後，温度約８０℃〜約２５０℃，より好ましくは約１７０℃〜約２２０℃で時間約６０秒〜約８分（好ましくは約９０秒〜約６分）間加熱することが好ましい。第１の接合層２０を形成するために用いられる組成物に依存して，焼成によって架橋反応が開始され層２０を硬化する
第１の接合層２０が第１の基板１２上に「構築される」
　第２の前駆体構造体２２も図１（ａ）の概略断面図に示されている。第２の前駆体構造体２２は第２の基板２４を含む。この実施形態では，第２の基板２４はキャリヤーウェーハーである。即ち，第２の基板２４は前面又はキャリヤー面２６，背面２８，及び最外側エッジ３０を有する。第２の基板２４は任意の形状でよいが，通常は円形形状であり，第１の基板１２と同じサイズである。好ましい第２の基板２４はシリコン，サファイヤ，水晶，金属（例えば，アルミニウム，銅，鋼），並びに種々のガラス及びセラミックスを含む。
　図１（ａ）に示すように，キャリヤー面２６上に第２の接合層３２を形成するように，第２の組成物が第２の基板２４に適用される。第２の接合層３２は，第２の基板２４から離れた上部表面３３，及び第２の基板２４に隣接する下部表面３５を有する。好ましくは，第２の接合層３２はキャリヤー面２６に直接隣接して形成される（即ち，第２の接合層３２と第２の基板２４との間に中間層が存在しない）。組成物は任意の既知の適用方法によって適用してよく，１つの好ましい方法は，組成物を，速度約５００ｒｐｍ〜約５，０００ｒｐｍ（好ましくは約５００ｒｐｍ〜約２，０００ｒｐｍ）で，時間約５秒〜約１２０秒（好ましくは約３０秒〜約９０秒）間スピンコートすることである。
組成物が適用された後，好ましくは，温度約８０℃〜約２５０℃，より好ましくは約１７０℃〜約２２０℃へ，時間約６０秒〜約８分（好ましくは約９０秒〜約６分）間加熱される。第２の接合層３２を形成するために使用される組成物に依存して，焼成によって架橋反応が開始され層３２を硬化することができる
　第１及び第２の接合層２０及び３２（並びに本明細書中に説明する他の層）の厚みは，図２を参照することによって最良に説明される。類似の番号が類似の部分を示すように用いられている。デバイス面１４上に存在する上述のデバイスや，隆起した特徴，コンタクト孔，ビア孔，ライン，トレンチ等によるデバイス面１４上のトポグラフィの変動を概略的に示すように，デバイス面１４が図２に示されている。デバイス面１４上に見られる様々な特徴の中に，最も高い特徴３６及び最も低い特徴３８がある（本明細書中に用いられる場合，「最も高い」は，特徴が第１の基板１２の背面１６から最も遠くまで延在している特徴を指し，一方「最も低い」は，その最下点が第１の基板１２の背面に最も近い特徴を指す）。最も高い特徴３６は最上表面３６ａを有し，一方最も低い特徴３８は最下表面又は最下点３８ａを有する。トポグラフィが存在する(即ち，平面ではない) 表面に適用される層の厚みを指すときは，２つの厚みを参照としてもよい。Ｔ１は，図２に例示されるように最下表面又は最下点３８ａによって定義される下側平面４０から上部表面２１に延びる距離を示す。Ｔ２は最上表面３６ａの上で測定した層の厚みを示す。具体的には，図２に示すように，この厚みＴ２は上側表面４２から始まり上部表面２１まで延びる。平面の（又は実質的に平面の）表面に適用された層の厚みを指すときは，その厚みは図２のＴ３で表され，層３２の下部表面３５と上部表面３３との間の距離である。最後に，幾つかの例では厚みＴ４が用いられ，これは下側平面４０から上側表面４２までの距離を示す。全ての厚みは５つの測定値の平均の厚みを示す。
　本発明の実施形態において，第１の接合層２０は，好ましくは厚みＴ１を有し，厚みＴ１は，少なくともＴ４に等しく，好ましくは約１．１Ｔ４〜約１．５Ｔ４，より好ましくは約１．２Ｔ４〜約１．３Ｔ４である。この結果，典型的には，厚みＴ１が，少なくとも約２４μｍ，より好ましくは約４５μｍ〜約２００μｍ，更により好ましくは約５０μｍ〜約１５０μｍとなる。更に，第１の接合層２０は好ましくは厚みＴ２を有し，厚みＴ２は約５μｍ以上，より好ましくは約５μｍ〜約５０μｍ，更により好ましくは約１０μｍ〜約３０μｍである。第２の接合層３２は厚みＴ３を有し，厚みＴ３は約３５μｍ未満，好ましくは約１μｍ〜約３５μｍ，より好ましくは約１μｍ〜約２５μｍ，更により好ましくは約１μｍ〜約１５μｍである。
　第１の接合層２０は好ましくは軟化点（環球式軟化点）を有し，その軟化点は第２の接合層３２の軟化点より，約２０℃以上高く，より好ましくは約２０℃〜約２００℃高く，更により好ましくは約２０℃〜約１００℃高い。この結果，典型的には，第１の接合層２０の軟化点は約１００℃以上，好ましくは約１５０℃〜約４００℃，より好ましくは約２００℃〜約３００℃となる。更に，第２の接合層３２の典型的な軟化点は，約２２０℃未満，好ましくは約５０℃〜約２２０℃，より好ましくは約１００℃〜約１５０℃となる。
　
第１及び第２の接合層２０及び３２が形成される材料は，第１及び第２の基板１２及び２４それぞれと並びに互いに強固な接着剤接合を形成できるものでなければならない。ＡＳＴＭＤ４５４１／Ｄ７２３４の測定で，接着強さが約５０ｐｓｉｇより上，好ましくは約８０ｐｓｉｇ〜約２５０ｐｓｉｇ，より好ましくは約１００ｐｓｉｇ〜約１５０ｐｓｉｇであるものが第１及び第２の接合層２０及び３２として使用するのに望ましい
　
有利なことに，第１及び第２の接合層２０及び３２を形成するために用いる組成物は，上述の特性を有する層内に形成可能とされる市販の接合組成物から選択することができる。典型的には，そのような組成物は有機であり，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む。ポリマー又はオリゴマーは，典型的には，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロールの，ポリマー又はオリゴマーから成る群から選択される。
　
次に構造体１０及び２２は，第１の接合層２０の上部表面２１が第２の接合層３２の上部表面３３に接触するように向かい合わせにされ一緒にプレスされる（図１（ｂ））。プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，これら２つの構造体１０及び２２の接合が有効になり接合されたスタック３４が形成される。接合パラメータは，接合層２０及び３２が形成される組成物に依存して変動するが，このステップの典型的な温度範囲は，約１５０℃〜約３７５℃の範囲，好ましくは約１６０℃〜約３５０℃の範囲であり，典型的な圧力範囲は，約１，０００Ｎ〜約５，０００Ｎ，好ましくは約２，０００Ｎ〜約４，０００Ｎであり，時間は約３０秒〜約５分，より好ましくは約２分〜約４分である
　この段階で，第１の基板１２は安全にハンドリングすることができ，第２の基板２４に接合されていなければ第１の基板に損傷を与え損ねなかった更なる処理を施すことができる。このように，基板１２及び２４の分離を起こすことなく構造体に，背面研削，ＣＭＰ，エッチング，金属及び誘電体堆積，パターニング（例えば，フォトリソグラフィ，ビアエッチング），不動態化，アニーリング，及びそれらの組合せ等の背面処理を安全に施すことができ，またこれらの後処理ステップ中に遭遇する任意の化学薬品が浸入することもない。
第１の接合層２０及び第２の接合層３２は，これらのプロセスに耐えられるだけでなく，最大約４５０℃，好ましくは約２００℃〜約４００℃，より好ましくは約２００℃〜約３５０℃の処理温度にも耐えうる
　
処理が完了すると，基板１２及び２４は，多くの分離方法（図示せず）によって分離することができる
１つの方法では第１及び第２の接合層２０，３２の１つ又は両方を溶媒（例えば，リモネン，ドデセン，プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＭＥ））中に溶解する
或いは，最初にレーザ切断，プラズマエッチング，ウォータージェッティング，又は，第１及び第２の接合層２０，３２を効果的にエッチング又は分解するその他の高エネルギー技術を用いて第１及び第２の接合層２０，３２の１つ又は両方の周囲を機械的に分解又は破壊することによって基板１２及び２４を分離することができる
また，最初に第１及び第２の接合層２０，３２を貫通して鋸引き又は切断するかもしくは層２０，３２を何らかの同等手段を用いて切り裂くことも適切である
上述の手段のどれを用いるかに拘らず，その後，低機械力（例えば，指の圧力，緩やかな割り裂き）を加えることにより基板１２及び２４を完全に分離させることができる
　
最も好ましい分離方法は，接合されたスタック３４を，約１００℃以上，好ましくは約１５０℃〜約２２０℃，より好ましくは約１８０℃〜約２００℃の温度に加熱することである。これらの温度で，第２の接合層３２が軟化し，基板１２及び２４を分離させる
　
この二層の実施形態が多くの利点を提供することは理解されるであろう。本発明の方法により，構造体の接合温度及び全体の熱安定性を制御することができる。即ち，本発明の方法は，より高い処理温度の使用を可能にすると同時により低い温度で接合及び剥離を可能にする
・「2. 
Bilayer Bonding Scheme II
 
 The second bilayer bonding scheme is shown in Fig. 3, 
with like numbers representing like parts
lift-off layer 44
is formed on device surface 14
 
 Lift-off layer 44 preferably has a thickness T１ of less than about 3 μｍ, more preferably from about 0.5 μｍ to about 3 μｍ, and even more preferably from about 1 μｍ to about 1.5 μｍ. In other embodiments, lift-off layer 44 is a conformal layer, so it would not have the above thickness. 
 
 
The compositions used to form lift-off layer 44 should be selected so that layer 44 is soluble in solutions selected from the group consisting of 1 % hydrochloric acid aqueous solution, 50% acetic acid aqueous solution, isopropanol, 1-dodecene, R-limonene, cyclopcntanone, PGME, and tetramcthylammonium hydroxide (TMAH). More specifically, lift-off layer 44 will be at least about 95%, preferably at least about 99%, and preferably 100% dissolved/removed after about 4-5 hours of contact with the particular remover solution. 
 
 Preferred compositions for forming lift-off layer 44 can be selected from commercially available compositions possessing the above properties. Examples of such compositions include those selected from the group consisting of poly(vinyl pyridine) and polyamic acids. Two preferred such compositions are ProLIFT (R)  and the WGF series of wet-developable materials (available from Brewer Science, Inc.). A particularly preferred composition for use is described in U.S. Patent Publication No. 2009/0035590, incorporated by reference herein. 
 
 Next, 
a bonding layer 20 is formed on lift-off layer 44
A second substrate 24 is then bonded to bonding layer 20 
 Once the first and second substrates 12 and 24 are ready to be separated, the bonded stack 50 is exposed to one of the above remover solutions (preferably for time periods of from about 1 minute to about 5 hours, and more preferably from about 2 minutes to about 60 minutes), so that the solution will dissolve lift-off layer 44, thus allowing the substrates 12 and 24 to be separated. Advantageously, in embodiments where lift-off layer 44 is functioning as a cleaning layer, the substrates 12 and 24 can be separated by heating to soften bonding layer 20 sufficiently to allow substrates 12 and 24 to be separated. Once the substrates 12 and 24 have been separated, lift-off/cleaning layer 44 can be removed with a remover solution, and this will simultaneously cause any remaining residue of bonding layer 20 to also be removed. 」（第１３ページ第２７行−第１５ページ第９行）（「２．
二層接合方式ＩＩ
　
第２の二層接合方式を図３に示す。類似の番号は類似の部分を表す
リフトオフ層４４がデバイス面１４上に形成される
　リフトオフ層４４は好ましくは厚みＴ１を有し，厚みＴ１は約３μｍ未満，より好ましくは約０．５μｍ〜約３μｍ，更により好ましくは約１μｍ〜約１．５μｍである。別の実施形態では，リフトオフ層４４が共形層であり， そのため上述の厚みを有しない。
　
リフトオフ層４４を形成するために用いられる組成物は，１％の塩化水素酸水溶液，５０％の酢酸水溶液，イソプロパノール，１−ドデセン，Ｒ−リモネン，シクロペンタノン，ＰＧＭＥ，及びテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）から成る群から選択される溶液中で層４４が可溶性であるように選択されるべきである。より詳細には，リフトオフ層４４は，特定の除去溶液に接触してから約４〜５時間の後に，約９５％以上，好ましくは約９９％以上，好ましくは１００％溶解／除去される
　リフトオフ層４４を形成するために好ましい組成物は上述の特性を持つ市販の組成物から選択することができる。そのような組成物の例には，ポリ（ビニルピリジン）及びポリアミド酸から成る群から選択される組成物が含まれる。これら２種の好ましい組成物は，ＰｒｏＬＩＦＴ（Ｒ）及び，湿式現像可能な材料のＷＧＦシリーズ（Ｂｒｅｗｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ社から入手可能）である。使用が特に好ましい組成物は参照として本明細書に含まれる，米国特許公開番号第２００９／００３５５９０号に記載されている。
　次に
リフトオフ層４４上に接合層２０が形成される
第２の基板２４が上述のように接合層２０に接合され
　第１及び第２の基板１２及び２４の分離の準備が整うと，接合されたスタック５０は，上述の除去溶液の１つに暴露され（好ましくは約１分〜約５時間，より好ましくは約２分〜約６０分の間），その結果，溶液がリフトオフ層４４を溶解して，基板１２及び２４が分離される。有利なこととして，リフトオフ層４４が「クリーニング」層として機能する実施形態では，基板１２及び２４を分離させるために十分に接合層２０を軟化させるよう加熱することによって基板１２及び２４を分離させることができる。基板１２及び２４が分離されると，リフトオフ／クリーニング層４４を除去溶液によって除去することができ，これは同時に残っているすべての接合層２０残留物も除去する。」）
　したがって，上記甲第１号証には，請求項１５ないし２４に記載された発明の実施形態であると解される「二層接合方式Ｉ」に係る発明（以下「甲１Ａ発明」という。）が記載されていると認められる。
　さらに，上記甲第１号証には，「第２の二層接合方式を図３に示す。類似の番号は類似の部分を表す。」と記載されており，このため，「二層接合方式ＩＩ」の「接合層２０」は，「二層接合方式Ｉ」において，同一の番号「２０」を付して説明されている「第１の接合層２０」と同様の構成を備えるものと解されるから，甲第１号証には，「二層接合方式ＩＩ」に係る発明（以下「甲１Ｂ発明」という。）が記載されていると認められる。
・甲１Ａ発明
「Ａ　軟化温度を有する第１の接合層，
　Ｂ　前記第１の接合層に隣接し軟化温度を有する第２の接合層であって，前記第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い，第２の接合層を含み，
　Ｃ　前記第１の接合層は，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択され，
　Ｄ　前記第２の接合層は，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択される
　Ｅ　仮接合層。」
・甲１Ｂ発明
「デバイス面を有する第１の基板と，
　前記デバイス面に隣接するリフトオフ層と，
　前記リフトオフ層に隣接する接合層２０と，
　前記接合層２０に隣接する第２の基板と，
を含む物品であって，
　前記リフトオフ層を形成するために用いられる組成物は，１％の塩化水素酸水溶液，５０％の酢酸水溶液，イソプロパノール，１−ドデセン，Ｒ−リモネン，シクロペンタノン，ＰＧＭＥ，及びテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）から成る群から選択される溶液中でリフトオフ層が可溶性であるように選択されるべきであり，より詳細には，リフトオフ層は，特定の除去溶液に接触してから約４〜５時間の後に，約９５％以上，好ましくは約９９％以上，好ましくは１００％溶解／除去されるものであって，リフトオフ層４４を形成するために好ましい組成物は上述の特性を持つ市販の組成物から選択することができ，そのような組成物の例には，ポリ（ビニルピリジン）及びポリアミド酸から成る群から選択される組成物が含まれるものであり，
　前記接合層２０は，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択されるものであって，組成物を適用した後，温度約８０℃〜約２５０℃，より好ましくは約１７０℃〜約２２０℃で時間約６０秒〜約８分（好ましくは約９０秒〜約６分）間加熱することが好ましく，接合層２０を形成するために用いられる組成物に依存して，焼成によって架橋反応が開始され層を硬化することで，接合層２０を「構築」するものであり，
　前記デバイス面は，集積回路；ＭＥＭＳ；マイクロセンサ；電力半導体；発光ダイオード；光子回路；インターポーザ；埋め込み受動デバイス；及びシリコン，シリコンゲルマニウム，ガリウムヒ素，及びガリウム窒素上に製造される又はそれらから製造されるマイクロデバイス：から成る群から選択されるデバイスアレイを含むものであり，
　前記物品は，広くは，多層接合システムを利用する新規な暫定ウェーハー接合方法に関するものであって，ウェーハーの薄層化及び他の背面処理中にデバイスウェーハーをキャリヤー基板上に支持することができるものである物品。」
　イ　甲第２号証ないし甲第３号証について
　取消理由に引用された甲第２号証には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項９】
　
基板と，上記基板上に形成された第１接着剤層と，上記第１接着剤層上に形成された，第１接着剤層よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層，若しくは，第１接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層と，上記第２接着剤層に貼着された支持板とを含むことを特徴とする積層体
【請求項１０】
　請求項９に記載の積層体に含まれる
第２接着剤層を形成するための接着剤
【請求項１１】
　平均分子量が５０００〜１００００の接着化合物を含むことを特徴とする請求項１０に記載の接着剤。
【請求項１２】
　
炭化水素樹脂
を含むことを特徴とする請求項１０に記載の接着剤
【請求項１３】
　上記
炭化水素樹脂は，シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選択される
・「【発明を実施するための形態】
【００１７】
　本発明の一実施形態に係る剥離方法について，図１および図２を参照して以下に説明する。図１は，本発明に係る剥離方法に用いられる，本発明に係る積層体１を示す断面図であり，図２は，本発明の一実施形態に係る剥離方法の各工程を示す断面図である。図１および図２に示すように，積層体１は，ウエハ（基板）２，サポートプレート（支持板）３，第１接着剤層４および第２接着剤層５を含むように構成されている。積層体１において，第１接着剤層４および第２接着剤層５は接着積層体６として，ウエハ２とサポートプレート３とを貼り合わせている。
【００１８】
　
本発明に係る剥離方法は，第１接着剤層４と，第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層５，若しくは，第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層５とを介してサポートプレート３が貼着されているウエハ２から，サポートプレート３を剥離する剥離方法であって，サポートプレート３側に位置する第２接着剤層５を溶解してサポートプレート３を上記ウエハ２から剥離する剥離工程を包含している
【００１９】
　なお，本実施形態においては，サポートプレート３として厚さ方向に貫通孔を有する孔あきサポートプレート３を用いているが，本発明はこれに限定されない。孔あきサポートプレート３を用いることによって，孔を介して第２接着剤層５に溶剤を供給することができる。
【００２０】
　（第１接着剤層４）
　第１接着剤層４は，ウエハ２と第２接着剤層５とに接着している。第１接着剤層４は，ウエハ２とサポートプレート３とを，第２接着剤層５を介して十分接着させることが可能な接着化合物を含む第１接着剤材料により形成されていればよく，従来公知の接着剤材料を好適に使用可能である。第
１接着剤層４を形成する第１接着剤材料としては，アクリル−スチレン系樹脂，マレイミド系樹脂を含むものが挙げられる
【００２１】
　アクリル−スチレン系樹脂として，例えば，単量体として，スチレンまたはスチレンの誘導体と，（メタ）アクリル酸エステル等とを用いて重合した樹脂が挙げられる。
【００２２】
　（メタ）アクリル酸エステルとしては，（メタ）アクリル酸エステルとしては，例えば，鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステル，脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステル，芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルが挙げられる。鎖式構造からなる（メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては，炭素数１５〜２０のアルキル基を有するアクリル系長鎖アルキルエステル，炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステル等が挙げられる。アクリル系長鎖アルキルエステルとしては，アルキル基がｎ−ペンタデシル基，ｎ−ヘキサデシル基，ｎ−ヘプタデシル基，ｎ−オクタデシル基，ｎ−ノナデシル基，ｎ−エイコシル基等であるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。なお，当該アルキル基は，分岐状であってもよい。
【００２３】
　炭素数１〜１４のアルキル基を有するアクリル系アルキルエステルとしては，既存のアクリル系接着剤に用いられている公知のアクリル系アルキルエステルが挙げられる。例えば，アルキル基が，メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基，２−エチルヘキシル基，イソオクチル基，イソノニル基，イソデシル基，ドデシル基，ラウリル基，トリデシル基等からなるアクリル酸またはメタクリル酸のアルキルエステルが挙げられる。
【００２４】
　脂肪族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては，シクロヘキシル（メタ）アクリレート，シクロペンチル（メタ）アクリレート，１−アダマンチル（メタ）アクリレート，ノルボルニル（メタ）アクリレート，イソボルニル（メタ）アクリレート，トリシクロデカニル（メタ）アクリレート，テトラシクロドデカニル（メタ）アクリレート，ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート等が挙げられるが，イソボルニルメタアクリレート，ジシクロペンタニル（メタ）アクリレートがより好ましい。
【００２５】
　芳香族環を有する（メタ）アクリル酸エステルとしては，特に限定されるものではないが，芳香族環としては，例えばフェニル基，ベンジル基，トリル基，キシリル基，ビフェニル基，ナフチル基，アントラセニル基，フェノキシメチル基，フェノキシエチル基等が挙げられる。また，芳香族環は，炭素数１〜５の鎖状または分岐状のアルキル基を有していてもよい。具体的には，フェノキシエチルアクリレートが好ましい。
【００２６】
　マレイミド系樹脂としては，例えば，単量体として，Ｎ−メチルマレイミド，Ｎ−エチルマレイミド，Ｎ−ｎ−プロピルマレイミド，Ｎ−イソプロピルマレイミド，Ｎ−ｎ−ブチルマレイミド，Ｎ−イソブチルマレイミド，Ｎ−ｓｅｃ−ブチルマレイミド，Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルマレイミド，Ｎ−ｎ−ペンチルマレイミド，Ｎ−ｎ−ヘキシルマレイミド，Ｎ−ｎ−へプチルマレイミド，Ｎ−ｎ−オクチルマレイミド，Ｎ−ラウリルマレイミド，Ｎ−ステアリルマレイミドなどのアルキル基を有するマレイミド，Ｎ−シクロプロピルマレイミド，Ｎ−シクロブチルマレイミド，Ｎ−シクロペンチルマレイミド，Ｎ−シクロヘキシルマレイミド，Ｎ−シクロヘプチルマレイミド，Ｎ−シクロオクチルマレイミド等の脂肪族炭化水素基を有するマレイミド，Ｎ−フェニルマレイミド，Ｎ−ｍ−メチルフェニルマレイミド，Ｎ−ｏ−メチルフェニルマレイミド，Ｎ−ｐ−メチルフェニルマレイミド等のアリール基を有する芳香族マレイミド等を重合して得られた樹脂が挙げられる。
【００２７】
　第１接着剤層４の層厚は，ウエハ２とサポートプレート３との接着および耐熱性を維持するために，１５〜３０μｍであることが好ましく，１５μｍであることが特に好ましいが，これに限定されない。第１接着剤層４は，ウエハ２上に上記接着化合物を含む第１接着剤材料を塗布し，ウエハ２上において層状に固化させることによって形成することができる。また，予め第１接着剤材料を層状に固化させたものをウエハ２上に移動させることによって形成してもよい。
【００２８】
　（第２接着剤層５）
　第２接着剤層５は，サポートプレート３側に位置し，第１接着剤層４とサポートプレート３とを接着している。第２接着剤層５は，第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する，または第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解するように形成されている。本発明に係る接着剤は，第２接着剤層５を形成するためのものであり，後述する第２接着剤材料を含むものである。
【００２９】
　第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層５は，高溶解性の第２接着剤材料により形成されていることが意図され，上述した第１接着剤材料に含まれる接着化合物よりも平均分子量が小さい接着化合物を含む第２接着剤材料により形成されるものであることができる。
【００３０】
　第２接着剤層５を第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解するように形成することによって，サポートプレート３をウエハ２から剥離するとき，サポートプレート３の孔を介して溶剤を第２接着剤層５に供給し，溶解速度の速い第２接着剤層５をより短時間で溶解させ，第２接着剤層５に接着されたサポートプレート３をより短時間で剥離することができる。サポートプレート３を剥離した後で第１接着剤層４を溶解することで，サポートプレート３の存在により溶剤の浸透が妨げられることがないため，第１接着剤層４の溶解も短時間で行うことができる。
【００３１】
　第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層５は，第１接着剤層４に含まれる接着化合物の平均分子量の１０％〜３０％に相当する平均分子量の接着化合物を含む第２接着剤材料によって形成されていることが好ましい。これにより，剥離時間を短縮するために十分な溶解速度を得ることができる。第１接着剤層４を従来用いられている一般的な第１接着剤材料を用いて形成した場合，第２接着剤層５を，平均分子量５０００〜１００００の接着化合物を含む第２接着剤材料を用いて形成すればよい。例えば，第１接着剤層４を，平均分子量４００００の接着化合物を含む第１接着剤材料を用いて形成した場合，第２接着剤層５を，平均分子量１００００の接着化合物を含む第２接着剤材料を用いて形成することができる。
【００３２】
　第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層５は，第１接着剤層４が溶解する溶剤に対する耐性を有する第２接着剤材料により形成されていることが意図され，第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に対する溶解速度の速い第２接着剤材料により形成されていることが好ましい。
【００３３】
　第２接着剤層５を第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解するように形成することによって，サポートプレート３をウエハ２から剥離するとき，サポートプレート３の孔を介して溶剤を第２接着剤層５に供給し，第２接着剤層５を溶解する溶剤により第２接着剤層５のみを溶解させ，第２接着剤層５により接着されたサポートプレート３を剥離することができる。サポートプレート３を剥離した後で第１接着剤層４を溶解することで，サポートプレート３の存在により溶剤の浸透が妨げられることがないため，第１接着剤層４の溶解も迅速に行うことができる。
【００３４】
　ここで，本実施形態においては孔あきサポートプレート３を用いているので，ウエハ２の薄化プロセスにおいて，例えばフォトリソグラフィ工程におけるバックリンス液のような溶剤がサポートプレート３の孔を介して第２接着剤層５にかかる可能性がある。第１接着剤層４のような，ウエハ２とサポートプレート３とを貼着する一般的な接着剤層は，ＰＧＭＥＡ（propylene glycol monomethyl ether acetate），ＨＰ（２−ヘプタノン）等の有機溶媒を含む溶剤に対して耐性がなく，薄化プロセスにおいてこのような溶剤がサポートプレート３の孔を介して浸入すると，接着剤層が溶解してしまう。これにより，サポートプレート３にデラミネーションが発生し，薄化プロセスを良好に行うことができないという問題が生じる。この問題を解決するために，従来，溶剤がかかるような工程においては，バックテープによりサポートプレート３の孔を塞ぎ，サポートプレート３の孔への溶剤の浸透を防いでいるが，処理効率の低下やコストアップに繋がるため好ましくない。
【００３５】
　本発明においては，上述したような有機溶媒を含む溶剤に対して耐性のある第２接着剤層５をサポートプレート３側に設けることによって，第１接着剤層４が上記溶剤に対して耐性のある第２接着剤層５に覆われるので，上記溶剤がサポートプレート３の孔を介して浸入したとしても，第１接着剤層４および第２接着剤層５が溶解せず，サポートプレート３のデラミネーションが発生しない。したがって，バックテープによりサポートプレート３の孔を塞ぐ必要がない。
【００３６】
　第２接着剤層５は，第１接着剤層４とは異なる溶剤によって溶解するように形成されていればよく，第１接着剤層４を有機溶媒で溶解する第１接着剤材料により形成している場合には，有機溶媒に対して耐性を有する第２接着剤材料により第２接着剤層５を形成すればよい。このような第２接着剤材料に含まれる接着化合物として，炭化水素樹脂または極性溶媒溶解性（例えば水溶性）化合物を用いることができる。
【００３７】
　炭化水素樹脂として，シクロオレフィン系ポリマー（以下，「樹脂（Ａ）」ということがある），テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂（以下，「樹脂（Ｂ）」ということがある）等が挙げられるが，これに限定されない。」
・「【００５８】
　次に，図２中（ａ）〜（ｅ）を参照して
本発明に係る剥離方法の処理フローを説明する
本発明に係る剥離方法は，上述した剥離工程を少なくとも含んでいればよく，当該剥離工程の後に，第１接着剤層４を溶解する溶解工程をさらに含んでいることが好ましい
【００５９】
　まず，本発明に係る剥離工程において，図２中（ａ）に示すように，剥離処理の対象となる本発明に係る積層体１を準備する。次に，図２中（ｂ）に示すように，第２接着剤層５を溶解する溶剤を，サポートプレート３の第２接着剤層５に接していない側から注入する。注入された溶剤は，サポートプレート３の貫通孔を介して浸入し，第２接着剤層５に浸透して，第２接着剤層５を溶解させる。
【００６０】
　このとき，第２接着剤層５を溶解する溶剤は，第２接着剤層５の特性に応じて適宜選択される。第２接着剤層５を，第１接着剤材料に含まれる接着化合物よりも平均分子量が小さい接着化合物を含む第２接着剤材料により形成した場合には，第１接着剤材料が溶解する溶剤と同一の溶剤を使用することができる。このような溶剤として，溶解度パラメータ（ＳＰ値）が８より大きく，１０より小さい溶剤であることが好ましく，例えば，ＰＧＭＥＡ，ＨＰ等が挙げられる。
【００６１】
　また，第２接着剤層５を，炭化水素樹脂により形成した場合，非極性溶媒を溶剤として好適に使用可能であり，このような溶剤として，例えば，炭化水素系溶剤が挙げられる。前記炭化水素系溶剤としては，直鎖，分岐または環状の炭化水素が挙げられる。具体的には，ヘキサン，ヘプタン，オクタン，ノナン，メチルオクタン，デカン，ウンデカン，ドデカン，トリデカン等の直鎖状の炭化水素，炭素数３から１５の分岐状の炭化水素；ゲラニオール，ネロール，リナロール，シトラール，シトロネロール，ｐ−メンタン，ｏ−メンタン，ｍ−メンタン，ジフェニルメンタン，メントール，イソメントール，ネオメントール，リモネン，α−テルピネン，β−テルピネン，γ−テルピネン，α−テルピネオール，β−テルピネオール，γ−テルピネオール，テルピネン−１−オール，テルピネン−４−オール，１，４−テルピン，１，８−テルピン，カルボン，ヨノン，ツヨン，カンファー，ボルナン，ボルネオール，ノルボルナン，ピナン，α−ピネン，β−ピネン，ツジャン，α−ツジョン，β−ツジョン，カラン，ショウノウ，ロンギホレン，１，４−シネオール，１，８−シネオール等のモノテルペン類，アビエタン，アビエチン酸等のジテルペン類等の環状の炭化水素（テルペン類）が挙げられる。
【００６２】
　中でも，環状骨格を有する炭化水素であるテルペン系溶剤を用いることが好ましい。このようなテルペン系溶剤としては，具体的には，中でもモノテルペン類が入手の容易さから好ましく，その中でもリモネン，ピネン，ピナン，およびｐ−メンタンの中から選ばれる少なくとも１種が高い溶解性能を有することから好ましい。これらの中でも，ＳＰ値が８以下の非極性溶媒が好適に使用可能であり，ＳＰ値が７．４以下の非極性溶媒を使用することがより好ましい。
【００６３】
　さらに，第２接着剤層５を，極性溶媒溶解性（例えば水溶性）化合物により形成した場合，従来公知の極性溶媒を溶剤として好適に使用可能であるが，ＳＰ値が１０以上の極性溶媒を使用することが好ましく，ＳＰ値が１２以上の極性溶媒を使用することがより好ましい。ＳＰ値が１２以上の極性溶媒として，例えば，水，メタノール，エタノール，イソプロピルアルコール等が挙げられる。
【００６４】
　ついで，図２中（ｃ）に示すように，第２接着剤層５が溶解した後，サポートプレート３を剥離する。なお，サポートプレート３を剥離した後，第１接着剤層４上を洗浄して溶け残った第２接着剤層５を取り除いてもよい。
【００６５】
　そして，図２中（ｄ）に示すように，
第１接着剤層４が溶解する溶剤を，第１接着剤層４の全面に注入して第１接着剤層４を溶解し，図２中（ｅ）に示すように，サポートプレート３が剥離され，第１接着剤層４および第２接着剤層５が取り除かれたウエハ２が得られる
【００６６】
　上述したように，本発明に係る剥離方法によれば，サポートプレート３をウエハ２から剥離するとき，サポートプレート３の孔を介して溶剤を第２接着剤層５に供給し，第２接着剤層５を溶解する溶剤により第２接着剤層５を短時間で溶解させ，第２接着剤層５により接着されたサポートプレート３を剥離することができる。
サポートプレート３を剥離した後で第１接着剤層４を溶解することで，サポートプレート３の存在により溶剤の浸透が妨げられることがないため，第１接着剤層４の溶解も迅速に行うことができる
・「【００６７】
　（
熱重合禁止剤
　
本発明において，第１接着剤材料または第２接着剤材料として使用する接着剤組成物は，熱重合禁止剤を含有してもよい。熱重合禁止剤は，熱によるラジカル重合反応を防止するのに有効な物質である。熱重合禁止剤は，ラジカルに対して高い反応性を示し，モノマーよりも優先的に反応するため，重合が禁止される。そのため，熱重合禁止剤を含む接着剤組成物は，高温環境下（特に２５０℃〜３５０℃）における接着剤組成物の重合反応が抑制される。これにより，２５０℃で１時間加熱する高温プロセスを経ても，接着剤組成物を容易に溶解できる。したがって，接着剤組成物により形成された接着剤層を，高温プロセス後においても容易に剥離することができ，また残渣の発生も抑えることができる
　したがって，上記甲第２号証には次の発明（以下「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
・甲２発明
「Ａ　第１接着剤層と，
　Ｂ　上記第１接着剤層上に形成された，第１接着剤層よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層，若しくは，第１接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層を含み，
　Ｃ　上記第１接着剤層が，アクリルースチレン系樹脂，マレイミド系樹脂を含み，
　Ｄ　上記第２接着剤層が，シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の炭化水素樹脂を含む
　Ｅ　仮接合層。」
　取消理由に引用された甲第３号証には，図面とともに次の事項が記載されている。
・「【請求項１】　
被研削基材
前記
被研削基材と接している接合層
光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層
光透過性支持体
を含み
但し，前記光熱変換層は，前記接合層とは反対側の前記被研削基材の表面を研削した後に，放射エネルギーが照射されたときに分解して，研削後の基材と前記光透過性支持体とを分離するものである，
積層体。
　＜途中省略＞
【請求項１１】　
前記
接合層は光硬化型接着剤
・「【００２４】
接合層
接合層は被研削基材を光熱変換層を介して支持体に固定するために用いられる。光熱変換層における分解による基材と支持体との分離の後には，接合層が付着した基材が得られる。このため，接合層はピールにより基材から容易に剥離されうるものであることが必要である。したがって，接合層は基材を支持体に固定するためには十分な接着力を有するが，ピールにより剥離されうるために十分に低い接着力を有するものである。
本発明において，接合層として使用可能な接着剤としては
（１）ウレタンアクリレート，エポキシアクリレート又はポリエステルアクリレートなどの重合性ビニル基を有するオリゴマー及び／又は（２）アクリルもしくはメタクリルモノマーに光重合開始剤，及び，場合により，添加剤を添加したＵＶ硬化型接着剤は好適に使用される
・「【００５１】
実施例１
光透過性支持体として，直径２２０ｍｍ×厚さ１．０ｍｍのガラス基板を用い，ウェハとして，直径２００ｍｍ×厚さ７５０μｍのシリコンウェハを用いた。ガラス基板に上記の表１に記載される組成の光熱変換層前駆体の１０％溶液（プロピレングリコールメチルエーテルアセテート溶剤中）をスピンコートにより塗布する。これを加熱により乾燥し，紫外線（ＵＶ）照射して硬化させて支持体上に光熱変換層を形成した。一方，
ウェハに上記の表２に記載される組成の接合層前駆体を同様にスピンコートにより塗布し，図２に示すような真空接着装置内でガラス基板とウェハとを貼り合せて，それにＵＶ照射して接合層前駆体を硬化させて，積層体を得た
（４）対比・判断
　ア　甲第１号証（甲１Ａ発明）を主引例とした検討
（ア）本件発明１について
　・対比
　本件発明１と甲１Ａ発明とを対比すると，次のことがいえる。
（ｉ）甲１Ａ発明の「第１の接合層」は，本件発明１の「剥離層」に相当し，同様に「第２の接合層」は「接着性層」に相当する。
（ii）そして，甲１Ａ発明は，「第１の接合層」が，「スチレン，エチレンプロピレンゴム，ポリオレフィンゴム」等の「ポリマー又はオリゴマー」である場合を包含し，この「スチレンのポリマー」等は炭化水素樹脂である。
　そうすると，本件発明１の「剥離層」に含まれる材料が選ばれる元となる群と，甲１Ａ発明の「第１の接合層」に含まれる材料が選ばれる元となる群とは，その構成要素が，一部重複する。
（iii）甲１Ａ発明の「仮接合層」は，本件発明１の「半導体装置製造用仮接合層」に相当する。
　したがって，本件発明１と甲１Ａ発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層。」
（相違点）
（相違点１）本件発明１の「接着性層」が，「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」のに対して，甲１Ａ発明の「第２の接合層」は，そのような構成を備えていない点。
（相違点２）本件発明１の「剥離層」が，「ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，甲１Ａ発明の「第１の接合層」は，「溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む組成物から形成され，前記ポリマー又はオリゴマーは，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロール，のポリマー及びオリゴマーから成る群から選択され」るものであって，本件発明１の「ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」と，一部しか重複しない点。
　・相違点についての判断
（ｉ）相違点１について
　相違点１に係る本件発明１の，「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」という構成は，実質的なものである。
　したがって，本件発明１の発明特定事項は，甲１Ａ発明の発明特定事項と一致しないから，本件発明１は，甲第１号証に記載された発明であるとは認められない。
　さらに，甲第１号証には，「有利なことに，第１及び第２の接合層２０及び３２を形成するために用いる組成物は，上述の特性を有する層内に形成可能とされる市販の接合組成物から選択することができる。典型的には，そのような組成物は有機であり，溶媒系中に溶解又は分散されたポリマー又はオリゴマーを含む。ポリマー又はオリゴマーは，典型的には，環状オレフィン，エポキシ，アクリル，シリコン，スチレン，ハロゲン化ビニル，ビニルエステル，ポリアミド，ポリイミド，ポリスルホン，ポリエーテルスルホン，環状オレフィン，ポリオレフィンゴム，及びポリウレタン，エチレンプロピレンゴム，ポリアミドエステル，ポリイミドエステル，ポリアセタール，及びポリビニルブテロールの，ポリマー又はオリゴマーから成る群から選択される。」と記載されている。
　そして，甲第３号証には，「被研削基材と，前記被研削基材と接している接合層と，光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換層と，光透過性支持体と，を含」む「積層体」が記載されており，前記接合層として使用可能な接着剤として，「（１）ウレタンアクリレート，エポキシアクリレート又はポリエステルアクリレートなどの重合性ビニル基を有するオリゴマー及び／又は（２）アクリルもしくはメタクリルモノマーに光重合開始剤，及び，場合により，添加剤を添加したＵＶ硬化型接着剤は好適に使用される」と記載されている。
　しかしながら，甲第１号証及び甲第３号証には，接着性層が「熱重合開始剤」を含むことは記載されていない。
　そうすると，甲１Ａ発明において，相違点１について，本件発明１の構成とすることが，甲第１号証及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易になし得たことであるとは認められない。
　したがって，他の相違点については検討をするまでもなく，本件発明１は，甲１Ａ発明と，甲第１号証及び甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　なお，異議申立人は，意見書において，「重合開始剤として光重合開始剤及び熱重合開始剤はともに周知である」から，「熱により硬化させるために，『バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む接着性層』を『バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む接着性層』とすることは，当業者であれば容易に想到し得たことである。よって，本件訂正請求項１に係る発明は，進歩性を有しないものと思料する。」と主張する。
　しかしながら，仮に，「重合開始剤として光重合開始剤及び熱重合開始剤はともに周知」であったとしても，甲１Ａ発明において，相違点１について，本件発明１の構成とすることが当業者にとって容易であったとは認められない。その理由は，以下のとおりである。
　
　すなわち，上記（３）アのとおり，甲１Ａ発明は，「Ａ　軟化温度を有する第１の接合層，Ｂ　前記第１の接合層に隣接し軟化温度を有する第２の接合層であって，前記第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い，第２の接合層を含」む「仮接合層」に係る発明である。
　そして，甲第１号証の上記（３）アの記載から，甲１Ａ発明は，「次に構造体１０及び２２は，第１の接合層２０の上部表面２１が第２の接合層３２の上部表面３３に接触するように向かい合わせにされ一緒にプレスされる（図１（ｂ））。プレスされると同時に，十分な時間十分な圧力及び熱が加えられて，これら２つの構造体１０及び２２の接合が有効になり接合されたスタック３４が形成され」，「第１の接合層２０及び第２の接合層３２は，これらのプロセスに耐えられるだけでなく，最大約４５０℃，好ましくは約２００℃〜約４００℃，より好ましくは約２００℃〜約３５０℃の処理温度にも耐えうる」ものであって，しかも，「『接合されたスタック３４を，約１００℃以上，好ましくは約１５０℃〜約２２０℃，より好ましくは約１８０℃〜約２００℃の温度に加熱する』『これらの温度で，第２の接合層３２が軟化し，基板１２及び２４を分離させる』」という分離方法を，「最も好ましい分離方法」として用いることができる発明であると理解される。
　すなわち，甲１Ａ発明は，「構造体の接合温度及び全体の熱安定性を制御することができる。即ち，本発明の方法は，より高い処理温度の使用を可能にすると同時により低い温度で接合及び剥離を可能にする」という効果を奏するものといえる。
　他方，甲１Ａ発明の「第２の接合層」を，「熱重合開始剤」を含むものとした場合には，当該「第２の接合層」は，接合の際の加熱及び高い処理温度によって重合し，硬化するものと認められる。
　そして，甲１Ａ発明は，「Ａ　軟化温度を有する第１の接合層，Ｂ　前記第１の接合層に隣接し軟化温度を有する第２の接合層であって，前記第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い，第２の接合層を含」むという構成を有し，当該構成を有することによって前記効果を奏する発明であることから，甲１Ａ発明において，相違点１について，本件発明１の構成とすることが当業者にとって容易であったといえるためには，「熱重合開始剤」によって重合した「第２の接合層」の軟化温度と，ポリスチレン樹脂等の炭化水素樹脂を含むものとされる「第１の接合層」の軟化温度とを比較した場合に，「第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い」という条件を満たすようにすることが容易であったことを要するものといえる。
　しかしながら，「第２の接合層」を，「熱重合開始剤」を含むものとすることによって，当該接合層の軟化温度が低くなることが当然に生じる事象であるとは認めることはできない。
　さらに，甲第１号証，甲第３号証の記載及び技術常識から，甲１Ａ発明において，第２接合層を「熱重合開始剤」を含むものとすることによって，「第１の接合層の軟化温度は，前記第２の接合層の軟化温度よりも約２０℃以上高い」ものとする動機を見いだすこともできない。
　してみれば，甲１Ａ発明において，「第２の接合層」を，「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」ものとすること，すなわち，上記相違点１について，本件発明１の構成とすることが当業者にとって容易であったとは認めることはできない。
　
　そして，本件発明１は，「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」という構成を備えることによって，本件特許明細書に記載された，「【０１３５】
熱重合開始剤が存在することにより
接着性層を硬化させて，より耐熱性・耐薬品性の高い接着を行えるという利点がある
熱を照射した後に，被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う場合
熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより，後に詳述するように，接着性層の接着性（すなわち，粘着性及びタック性）を前もって低下させることができる
一方
仮接着を行った後に
熱を照射した
場合には
接着性層がより強靭になり，被処理部材の機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できる。すなわち，接着性層における接着性を向上できる
　したがって，仮に，「重合開始剤として光重合開始剤及び熱重合開始剤はともに周知」であったとしても，本件発明１は，甲１Ａ発明と，甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（イ）本件発明３について
　本件発明３と甲１Ａ発明とを対比すると，本件発明３と甲１Ａ発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層。」
（相違点）
（相違点３）本件発明３の「接着性層」が，「バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む」のに対して，甲１Ａ発明の「第２の接合層」は，そのような構成を備えていない点。
（相違点４）本件発明３の「剥離層」が，「テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，甲１Ａ発明の「第１の接合層」は，そのような構成を備えていない点。
　・相違点についての判断
（ｉ）相違点４について
　「剥離層」が，「テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」という構成は，甲第１号証，甲第３号証には記載されていない。
　そうすると，甲１Ａ発明において，相違点４について，本件発明３の構成とすることは，当業者が容易になし得たこととは認められない。
　したがって，他の相違点については検討をするまでもなく，本件発明３は，甲１Ａ発明と，甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（ウ）本件発明２，及び，本件発明４ないし１０について
　本件発明２，及び，本件発明４ないし１０も，本件発明１の「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」，本件発明３の「剥離層」が「テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」と同一の構成を備えるものであるから，本願発明１と同じ理由により，甲第１号証に記載された発明であるとは認められず，また，当業者であっても，甲１Ａ発明と，甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　イ　甲第１号証（甲１Ｂ発明）を主引例とした検討
　本件発明１について
　・対比
　本件発明１と甲１Ｂ発明とを対比すると，次のことがいえる。
（ｉ）甲１Ｂ発明の「リフトオフ層」は，本件発明１の「剥離層」に相当し，同様に「接合層２０」は「接着性層」に相当する。
（ii）甲１Ｂ発明の「物品」は，本件発明１の「半導体装置製造用仮接合層」に相当する。
　したがって，本件発明１と甲１Ｂ発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層。」
（相違点）
（相違点５）本件発明１の「接着性層」が，「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」のに対して，甲１Ｂ発明の「接合層２０」は，そのような構成を備えていない点。
（相違点６）本件発明１の「剥離層」が，「ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，甲１Ｂ発明の「リフトオフ層」は，「１％の塩化水素酸水溶液，５０％の酢酸水溶液，イソプロパノール，１−ドデセン，Ｒ−リモネン，シクロペンタノン，ＰＧＭＥ，及びテトラメチルアンモニウム水酸化物（ＴＭＡＨ）から成る群から選択される溶液中でリフトオフ層が可溶性であるように選択されるべきであり，より詳細には，リフトオフ層は，特定の除去溶液に接触してから約４〜５時間の後に，約９５％以上，好ましくは約９９％以上，好ましくは１００％溶解／除去されるものであって，リフトオフ層４４を形成するために好ましい組成物は上述の特性を持つ市販の組成物から選択することができ，そのような組成物の例には，ポリ（ビニルピリジン）及びポリアミド酸から成る群から選択される組成物が含まれるものであ」るものである点。
　・相違点についての判断
（ｉ）相違点５について
　甲第１号証，甲第２号証，甲第３号証には，接着性層が「熱重合開始剤」を含むことは記載されていない。
　そうすると，甲１Ｂ発明において，相違点５について，本件発明１の構成とすることは，当業者が容易になし得たこととは認められない。
　したがって，他の相違点について検討をするまでもなく，本件発明１は，甲１Ｂ発明と，甲第２号証，甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　よって，甲１Ｂ発明と，甲第２号証，甲第３号証に記載された事項からは，当業者が本件発明１を容易に発明をすることができたとは認められない。
　
　ウ　甲第２号証（甲２発明）を主引例とした検討
（ア）本件発明１について
　・対比
　本件発明１と甲２発明とを対比すると，次のことがいえる。
（ｉ）甲２発明の「第１接着剤層」は，本件発明１における「接着性層」に相当し，同様に「第２接着剤層」は「剥離層」に相当する。
（ii）本件発明１の「剥離層」が，「ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，甲２発明の「第２接着剤層」は，「シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の炭化水素樹脂を含む」ものであり，両者は「炭化水素樹脂を含む層」である点で一致する。
（iii）甲２発明の「仮接合層」は，本件発明１の「半導体装置製造用仮接合層」に相当する。
　したがって，本件発明１と甲２発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層が炭化水素樹脂を含む層である，半導体装置製造用仮接合層。」
（相違点）
（相違点７）本件発明１の「接着性層」が，「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」のに対して，甲２発明の「第１接着剤層」が，そのような構成を備えていない点。
（相違点８）本件発明１の「剥離層」が，「ポリスチレン樹脂，オレフィンモノマー重合体，テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，甲２発明の「第２接着剤層」が，「シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の炭化水素樹脂を含む」ものである点。
　・相違点についての判断
（ｉ）相違点７について
　相違点７に係る本件発明１の，「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」という構成は，実質的なものである。
　したがって，本件発明１の発明特定事項は，甲２発明の発明特定事項と一致しないから，本件発明１は，甲第２号証に記載された発明であるとは認められない。
　さらに，上記（３）イのとおり，甲２発明は，「Ａ　第１接着剤層と，Ｂ　上記第１接着剤層上に形成された，第１接着剤層よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層，若しくは，第１接着剤層が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層を含」む「仮接合層」に係る発明である。
　そして，甲第２号証の上記（３）イの記載によれば，甲２発明は，「第１接着剤層４と，第１接着剤層４よりも速く溶剤に溶解する第２接着剤層５，若しくは，第１接着剤層４が溶解する溶剤とは異なる溶剤に溶解する第２接着剤層５とを介してサポートプレート３が貼着されているウエハ２から，サポートプレート３を剥離する剥離方法であって，サポートプレート３側に位置する第２接着剤層５を溶解してサポートプレート３を上記ウエハ２から剥離する剥離工程を包含している」剥離方法に用いられることを想定した「仮接合層」に係る発明であるところ，甲２発明に係る前記剥離方法は，「上述した剥離工程を少なくとも含んでいればよく，当該剥離工程の後に，第１接着剤層４を溶解する溶解工程をさらに含んでいることが好まし」く，このため，甲２発明において，「第１接着剤材料または第２接着剤材料として使用する接着剤組成物は，熱重合禁止剤を含有」してもよく，そして，第１接着剤材料または第２接着剤材料として使用する接着剤組成物が，熱重合禁止剤を含有する場合には，「熱重合禁止剤を含む接着剤組成物は，高温環境下（特に２５０℃〜３５０℃）における接着剤組成物の重合反応が抑制される」ことから，「２５０℃で１時間加熱する高温プロセスを経ても，接着剤組成物を容易に溶解でき」，「したがって，接着剤組成物により形成された接着剤層を，高温プロセス後においても容易に剥離することができ，また残渣の発生も抑えることができる」という有利な効果を奏することが理解される。
　そうすると，このような事項が記載された甲第２号証に接した当業者において，甲２発明の「第１接着剤層」を「熱重合開始剤」を含むものとすることは，ウエハ２から，第２接着剤層を除去する際に，残渣の発生に繋がることが予測され，このような残渣の発生が望ましくないことは明らかであるから，甲第２号証には，甲２発明において，相違点７について，本件発明１の構成とすることに阻害要因があるものと認められる。
　したがって，本件発明１は，他の相違点については検討するまでもなく，甲２発明から，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（イ）本件発明３について
　本件発明３と甲２発明とを対比すると，本件発明３と甲２発明との間には，次の一致点，相違点があるといえる。
（一致点）
「（Ａ）剥離層と，（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって，前記剥離層が炭化水素樹脂を含む層である，半導体装置製造用仮接合層。」
（相違点）
（相違点９）本件発明３の「接着性層」が，「バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む」のに対して，甲２発明の「第１接着剤層」は，そのような構成を備えていない点。
（相違点１０）本件発明３の「剥離層」が，「テルペン樹脂，ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層」であるのに対して，「第２接着剤層」が，「シクロオレフィン系ポリマー，テルペン樹脂，ロジン系樹脂および石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種の炭化水素樹脂を含む」ものである点。
　・相違点についての判断
（ｉ）相違点９について
　上記「相違点７について」と同様の理由により，甲第２号証には，甲２発明において，相違点９について，本件発明１の構成とすることに阻害要因があるものと認められる。
　したがって，本件発明３は，他の相違点については検討するまでもなく，甲２発明から，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
（ウ）本件発明２，及び，本件発明４ないし１０について
　本件発明２，及び，本件発明４ないし１０も，本件発明１の「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，熱重合開始剤とを含む」，本件発明３の「接着性層」が「バインダーと，重合性モノマーと，光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含む」と同一の構成を備えるものであるから，本件発明１と同じ理由により，甲第２号証に記載された発明であるとは認められず，また，当業者であっても，甲２発明と，甲第３号証に記載された技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明できたものであるとはいえない。
　エ　特許異議申立人の意見について
　特許異議申立人は，意見書において，「ｉｉ．訂正請求項３の進歩性」について，甲第１号証の第１３ページ第３８行−第１５ページ第９行（特表２０１３−５３５８３８号公報の【００３８】−【００４１】）から，甲第１号証には，「リフトオフ層４４」を発明特定事項として含む発明が記載されていることを前提としたうえで，その進歩性の欠如を主張する。
　しかしながら，前記「リフトオフ層４４」を発明特定事項として含む発明に基づく，請求項３に係る発明の進歩性の欠如の主張は，異議申立書に記載された異議申立ての理由ではなく，また，取消理由通知書で通知した取消理由にも該当しない。
　したがって，前記主張は，その主張の前提を欠くから採用することはできない。
　４　むすび
　以上のとおりであるから，取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては，本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すことはできない。
　また，他に本件請求項１ないし１０に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって，結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年９月１１日（２０１７．９．１１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法。
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明は、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　従来、ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、通常、半導体シリコンウエハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
　電子機器の更なる小型化及び高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについても更なる小型化及び高集積化が求められているが、シリコン基板の面方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。
　【０００３】
　ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来より、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、シリコン基板に貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対する更なる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。
　【０００４】
　以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、シリコン基板の単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚みを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、シリコン基板の薄型化が検討されており、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるシリコン基板の貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。
　【０００５】
　半導体デバイスの製造プロセスに用いられる、半導体シリコンウエハとしては、約７００〜９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、半導体シリコンウエハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
　しかしながら、厚さ２００μｍ以下の半導体シリコンウエハは非常に薄く、ひいては、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対して更なる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。
　【０００６】
　上記のような問題を解決すべく、表面にデバイスが設けられた薄型化前の半導体ウエハと加工用支持基板とをシリコーン粘着剤により仮接着し、半導体ウエハの裏面を研削して薄型化した後に、半導体ウエハを穿孔してシリコン貫通電極を設け、その後、半導体ウエハから加工用支持基板を脱離させる技術が知られている（特許文献１参照）。この技術によれば、半導体ウエハの裏面研削時の耐研削抵抗、異方性ドライエッチング工程などにおける耐熱性、メッキやエッチング時の耐薬品性、最終的な加工用支持基板とのスムースな剥離と低被着体汚染性を同時に達成することが可能であるとされている。
　【０００７】
　また、ウエハの支持方法としては、ウエハを支持層システムにより支持する方法であって、ウエハと支持層システムとの間に、プラズマ堆積法により得られるプラズマポリマー層を分離層として介装させて、支持層システムと分離層との間の接着結合を、ウエハと分離層との間の接合結合より大きくなるようにし、ウエハを支持層システムから脱離する際に、ウエハが分離層から容易に脱離するように構成した技術も知られている（特許文献２参照）。
　【０００８】
　また、ポリエーテルスルホンと粘性付与剤を使用して、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術が知られている（特許文献３）。
　また、カルボン酸類とアミン類からなる混合物により、仮接着を行い、加熱により仮接着を解除する技術も知られている（特許文献４）
　また、セルロースポリマー類等からなる接合層を加温した状態で、デバイスウエハと支持基板を圧着することで接着させて、加温して横方向にスライドすることによりデバイスウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献５）。
　【０００９】
　また、シンジオタクチック１、２−ポリブタジエンと光重合開始剤からなり、放射線の照射により接着力が変化する粘着フィルムが知られている（特許文献６）
　更に、ポリカーボネート類からなる接着剤により、支持基板と半導体ウエハとを仮接着し、半導体ウエハに対して処理を行った後、照射線を照射し、次いで、加熱することにより、処理済の半導体ウエハを支持基板から脱離する技術が知られている（特許文献７）
　【００１０】
　また、仮接着のために炭化水素樹脂を接着剤として使用する技術が知られている（特許文献８）。
　また、仮接着のために赤外線を吸収する化合物からなる層と接着剤層の２層を接着性層として使用する技術が知られている（特許文献９）。
　また、仮接着のために無機化合物層と接着剤層の２層を接着性層として使用する技術が知られている（特許文献１０）。
　また、仮接着のためにフルオロカーボン層と接着剤層の２層を接着性層として使用する技術が知られている（特許文献１１）。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【００１１】
　【特許文献１】特開２０１１−１１９４２７号公報
　【特許文献２】特表２００９−５２８６８８号公報
　【特許文献３】特開２０１１−２２５８１４号公報
　【特許文献４】特開２０１１−０５２１４２号公報
　【特許文献５】特表２０１０−５０６４０６号公報
　【特許文献６】特開２００７−０４５９３９号公報
　【特許文献７】米国特許公開２０１１／０３１８９３８号明細書
　【特許文献８】特開２０１１−２１９５０６号公報
　【特許文献９】特開２０１２−１２４４６７号公報
　【特許文献１０】特開２０１２−１０９５３８号公報
　【特許文献１１】特開２０１２−１０９５１９号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【００１２】
　ところで、デバイスが設けられた半導体ウエハの表面（すなわち、デバイスウエハのデバイス面）と支持基板（キャリア基板）とを、特許文献１等で知られている粘着剤からなる層を介して仮接着する場合には、半導体ウエハを安定的に支持するべく、粘着剤層には一定の強さの粘着度が要求される。
　そのため、半導体ウエハのデバイス面の全面と支持基板とを粘着剤層を介して仮接着する場合においては、半導体ウエハと支持基板との仮接着を充分なものとし、半導体ウエハを安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持しようとする程、反面、半導体ウエハと支持基板との仮接着が強すぎることにより、支持基板から半導体ウエハを脱離する際に、デバイスが破損したり、半導体ウエハからデバイスが脱離してしまうという不具合が生じやすい。
　【００１３】
　また、特許文献２のように、ウエハと支持層システムとの接着が強くなりすぎることを抑制すべく、ウエハと支持層システムとの間に、分離層としてのプラズマポリマー層を、プラズマ堆積法により形成する方法は、（１）通常、プラズマ堆積法を実施するための設備コストは大きい；（２）プラズマ堆積法による層形成は、プラズマ装置内の真空化やモノマーの堆積に時間を要する；及び（３）プラズマポリマー層からなる分離層を設けても、加工に供されるウエハを支持する場合においては、ウエハと分離層との接着結合を充分なものとしながら、反面、ウエハの支持を解除する場合においては、ウエハが容易に分離層から脱離するような接着結合にコントロールすることは容易ではない；等の問題がある。
　【００１４】
　また、特許文献３、４及び５記載のように、加熱により仮接着を解除する方法では、半導体ウエハを脱離する際にデバイスが破損する不具合が生じやすい。
　【００１５】
　また、特許文献６及び７記載のように、照射線を照射して仮接着を解除する方法では、照射線を透過する支持基板を使用する必要がある。
　【００１６】
　また、特許文献８のように、炭化水素樹脂層のみを接着剤として用いた場合、接着剤の接着性が十分ではない。
　【００１７】
　また、特許文献９のように、赤外線等の照射線を照射することにより仮接着を解除する方法では、上記照射線を透過する支持基板を用意する必要がある。
　【００１８】
　また、特許文献１０のように、無機化合物層を用いた場合は、上記無機化合物層を完全に除去することが困難であり、半導体の欠陥を生じる可能性が高い。
　【００１９】
　また、特許文献１１のように、フルオロカーボン層を用いた場合は、上記フルオロカーボン層の形成に別途の設備が必要となり、生産性が低下する。
　【００２０】
　本発明は、上記背景を鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理部材（半導体ウエハなど）に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できる、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法を提供することにある。
　【課題を解決するための手段】
　【００２１】
　本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、支持体と被処理部材との間に炭化水素樹脂層と接着性層を設けることにより、研磨や加熱などの物理的な刺激に対して高い耐久性を持ち、また剥離の際には剥離溶剤を接触させることにより、上記の従来技術において行うような、加熱や、活性光線若しくは放射線の照射を行うこともなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除できることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。
　＜１＞　（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層がポリスチレン樹脂、オレフィンモノマー重合体、テルペン樹脂、ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であ
り、前記接着性層が、バインダーと、重合性モノマーと、熱重合開始剤とを含む
　＜２＞　前記炭化水素樹脂が、ポリスチレン樹脂である、＜１＞に記載の半導体装置製造用仮接合層。
　＜３＞　
（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層がテルペン樹脂、ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり、
む半
　＜４＞　支持体と、被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する、積層体。
　＜５＞　被処理部材の第１の面と基板とを、＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程、を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
　＜６＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に、前記仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、＜５＞に記載の半導体装置の製造方法。
　＜７＞　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、＜５＞又は＜６＞に記載の半導体装置の製造方法。
　＜８＞　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が、前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む、＜５＞〜＜７＞のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　＜９＞　前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、＜８＞に記載の半導体装置の製造方法。
　＜１０＞　前記剥離溶剤が、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、リモネン、ｐ−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、＜９＞に記載の半導体装置の製造方法。
　本発明は、上記＜１＞〜＜１０＞に記載の半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法に関するものであるが、その他の事項についても参考のために記載する。
　【００２２】
　〔１〕
　（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層が炭化水素樹脂を含む層である半導体装置製造用仮接合層。
　〔２〕
　前記炭化水素樹脂が、オレフィンモノマー重合体、テルペン樹脂、ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の樹脂である、〔１〕に記載の半導体装置製造用仮接合層。
　〔３〕
　前記炭化水素樹脂が、ポリスチレン樹脂又はシクロオレフィンモノマー重合体である、〔１〕又は〔２〕に記載の半導体装置製造用仮接合層。
　〔４〕
　前記接着性層が、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを含むことを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層。
　〔５〕
　支持体と、被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する、積層体。
　〔６〕
　被処理部材の第１の面と基板とを、〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、前記接合層から前記処理済部材を脱離する工程、を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
　〔７〕
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に、前記仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、〔６〕に記載の半導体装置の製造方法。
　〔８〕
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、〔６〕又は〔７〕に記載の半導体装置の製造方法。
　〔９〕
　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が、前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む、〔６〕〜〔８〕のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　〔１０〕
　前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、〔９〕に記載の半導体装置の製造方法。
　〔１１〕
　前記剥離溶剤が、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、リモネン、ｐ−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、〔１０〕に記載の半導体装置の製造方法。
　【発明の効果】
　【００２３】
　本発明によれば、被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる、半導体装置製造用仮接合層、積層体、及び、半導体装置の製造方法を提供できる。
　【図面の簡単な説明】
　【００２４】
　【図１】図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略断面図、及び、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。
　【図２】従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　【図３】図３Ａは、接着性支持体に対する露光を説明する概略断面図を示し、図３Ｂは、マスクの概略上面図を示す。
　【図４】図４Ａは、パターン露光された接着性支持体の概略断面図を示し、図４Ｂは、パターン露光された接着性支持体の概略上面図を示す。
　【図５】接着性支持体に対する活性光線若しくは放射線又は熱の照射を説明する概略断面図を示す。
　【発明を実施するための形態】
　【００２５】
　以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。
　本明細書に於ける基（原子団）の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも包含するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含するものである。
　本明細書中における「活性光線」又は「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含むものを意味する。また、本発明において「光」とは、活性光線又は放射線を意味している。
　また、本明細書中における「露光」とは、特に断らない限り、水銀灯、紫外線、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、ＥＵＶ光等による露光のみならず、電子線及びイオンビーム等の粒子線による描画をも意味している。
　なお、本明細書において、“（メタ）アクリレート”はアクリレートおよびメタアクリレートを表し、“（メタ）アクリルはアクリルおよびメタアクリルを表し、“（メタ）アクリロイル”は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。また、本明細書中において、“単量体”と“モノマー”とは同義である。本発明における単量体は、オリゴマーおよびポリマーと区別され、質量平均分子量が２，０００以下の化合物をいう。本明細書中において、重合性化合物とは、重合性基を有する化合物のことをいい、単量体であっても、ポリマーであってもよい。重合性基とは、重合反応に関与する基を言う。
　なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
　【００２６】
　本発明の半導体装置製造用仮接合層（以下、単に、「仮接合層」とも言う）は、（Ａ）剥離層、及び、（Ｂ）接着性層を有する。
　本発明の半導体装置製造用仮接合層によれば、後に詳述する被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除できる半導体装置製造用仮接合層が得られる。
　本発明の半導体装置製造用仮接合層は、シリコン貫通電極形成用であることが好ましい。シリコン貫通電極の形成については後に詳述する。
　【００２７】
　（Ａ）剥離層
　剥離層は、後述する剥離溶剤による剥離性を向上させる目的で用いる。そのため、剥離層は熱・薬品に対して接着性の変化が小さい一方で、剥離溶剤に対する良好な溶解性を有していることが求められる。上記剥離層は炭化水素樹脂を含有する。
　【００２８】
　剥離層は、前述の炭化水素樹脂と溶剤とを含有する剥離層組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、被処理部材に塗布し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
　剥離層の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
　【００２９】
　以下、上記剥離層組成物が含有する炭化水素樹脂について説明する。
　【００３０】
　本発明においては、上記剥離層組成物が含有する炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
　本発明における炭化水素樹脂は基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいても良い。また、本発明における炭化水素樹脂にアクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する樹脂は含まれない。
　【００３１】
　上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、オレフィンモノマー重合体（例えば、メチルペンテン共重合体）、シクロオレフィンモノマー重合体（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）などが挙げられる。
　【００３２】
　中でも、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、石油樹脂、水素化ロジン、重合ロジン、オレフィンモノマー重合体、シクロオレフィンモノマー重合体が好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンモノマー重合体、シクロオレフィンモノマー重合体がより好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンモノマー重合体、ポリスチレン樹脂、シクロオレフィンモノマー重合体が更に好ましく、ポリスチレン樹脂、テルペン樹脂、ロジン、シクロオレフィンモノマー重合体、オレフィンモノマー重合体が特に好ましく、ポリスチレン樹脂又はシクロオレフィンモノマー重合体が最も好ましい。
　【００３３】
　シクロオレフィンコポリマーの作製に用いられる環状オレフィン系樹脂の例には、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれら重合体の水素化物などが含まれる。好ましい例には、下記一般式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂、及び必要に応じ、一般式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上を更に含んでなる付加（共）重合体環状オレフィン系樹脂が含まれる。また、他の好ましい例には、一般式（ＩＩＩ）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環（共）重合体が含まれる。
　【００３４】
　【化１】
　【００３５】
　式中、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ１〜Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｘ１〜Ｘ３、Ｙ１〜Ｙ３は水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１２、−（ＣＨ２）ｎＮＣＯ、−（ＣＨ２）ｎＮＯ２、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ１３Ｒ１４、−（ＣＨ２）ｎＮＲ１５Ｒ１６、−（ＣＨ２）ｎＯＺ、−（ＣＨ２）ｎＷ、又はＸ１とＹ１、Ｘ２とＹ２、若しくはＸ３とＹ３から構成された（−ＣＯ）２Ｏ、（−ＣＯ）２ＮＲ１７を表す。なお、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６及びＲ１７は水素原子、炭素数１〜２０の炭化水素基、Ｚは炭化水素基またはハロゲンで置換された炭化水素基、ＷはＳｉＲ１８ｐＤ３−ｐ（Ｒ１８は炭素数１〜１０の炭化水素基、Ｄはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ１８又は−ＯＲ１８、ｐは０〜３の整数を示す）を表す。ｎは０〜１０の整数を表す。
　【００３６】
　ノルボルネン系付加（共）重合体は、特開平１０−７７３２号、特表２００２−５０４１８４号、ＵＳ２００４／２２９１５７Ａ１号あるいはＷＯ２００４／０７０４６３Ａ１号等に開示されている。ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合する事によって得られる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン；ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。このノルボルネン系付加（共）重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）あるいはＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同５０１３、同６０１３、同６０１５などのペレットが発売されている。
　更に、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が発売されている。
　【００３７】
　ノルボルネン系重合体水素化物は、特開平１−２４０５１７号、特開平７−１９６７３６号、特開昭６０−２６０２４号、特開昭６２−１９８０１号、特開２００３−１１５９７６７号あるいは特開２００４−３０９９７９号等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
　前記式中、Ｒ５〜Ｒ６が水素原子又は−ＣＨ３が好ましく、Ｘ３及びＹ３が水素原子が好ましく、その他の基は適宜選択される。このノルボルネン系樹脂は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で発売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（Ｚｅｏｎｅｘ）２５０、同２８０、同４８０Ｒという商品名で市販されており、これらを使用することができる。
　【００３８】
　炭化水素樹脂としては、クリアロンＰ−１３５（ヤスハラケミカル（株）製）、ゼオネックス４８０Ｒ（日本ゼオン（株）製）、ＴＯＰＡＳ５０１３（ポリプラスチックス（株）製）、ＴＰＸ−ＭＸ００２（三井化学（株）製）、ポリスチレン（アルドリッチ製，分子量１９万）及びペンセルＫＫ（荒川化学（株）製）が好適に挙げられる。
　【００３９】
　炭化水素樹脂は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
　炭化水素樹脂の含有量は、剥離層組成物の全固形分に対して、７０質量％〜１００質量％が好ましく、８０質量％〜１００質量％がより好ましい。
　溶剤は、剥離層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、リモネン、シクロペンタン、シクロヘキサン、ＰＥＧＭＥＡ、メシチレン、キシレン、ｐ−メンタン等が使用でき、リモネン、シクロペンタン、又はＰＥＧＭＥＡが好ましい。
　溶剤は、剥離層組成物の固形分濃度が１０〜４０質量％になるように使用されることが好ましい。
　【００４０】
　剥離層組成物は、更に界面活性剤を含んでいても良い。
　【００４１】
　本発明の剥離層組成物には、塗布性をより向上させる観点から、各種の界面活性剤を添加してもよい。界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。
　【００４２】
　特に、本発明の剥離層組成物は、フッ素系界面活性剤を含有することで、塗布液として調製したときの液特性（特に、流動性）がより向上することから、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。
　即ち、フッ素系界面活性剤を含有する剥離層組成物を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力を低下させることにより、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行える点で有効である。
　【００４３】
　フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３質量％〜４０質量％が好適であり、より好ましくは５質量％〜３０質量％であり、特に好ましくは７質量％〜２５質量％である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、剥離層組成物中における溶解性も良好である。
　【００４４】
　フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、同Ｆ７８１（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
　【００４５】
　ノニオン系界面活性剤として具体的には、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレート及びプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセリンエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステル（ＢＡＳＦ社製のプルロニックＬ１０、Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ６２、１０Ｒ５、１７Ｒ２、２５Ｒ２、テトロニック３０４、７０１、７０４、９０１、９０４、１５０Ｒ１、ソルスパース２００００（日本ルーブリゾール（株）製）等が挙げられる。
　【００４６】
　カチオン系界面活性剤として具体的には、フタロシアニン誘導体（商品名：ＥＦＫＡ−７４５、森下産業（株）製）、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、Ｗ００１（裕商（株）製）等が挙げられる。
　【００４７】
　アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）社製）等が挙げられる。
　【００４８】
　シリコーン系界面活性剤としては、例えば、東レ・ダウコーニング（株）製「トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ７ＰＡ」、「トーレシリコーンＤＣ１１ＰＡ」，「トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ」，「トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ」、「トーレシリコーンＳＨ８４００」、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製「ＴＳＦ−４４４０」、「ＴＳＦ−４３００」、「ＴＳＦ−４４４５」、「ＴＳＦ−４４６０」、「ＴＳＦ−４４５２」、信越シリコーン株式会社製「ＫＰ３４１」、「ＫＦ６００１」、「ＫＦ６００２」、ビックケミー社製「ＢＹＫ３０７」、「ＢＹＫ３２３」、「ＢＹＫ３３０」等が挙げられる。
　界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
　界面活性剤の添加量は、剥離層組成物の全固形分に対して、０．００１質量％〜２．０質量％が好ましく、より好ましくは０．００５質量％〜１．０質量％である。
　【００４９】
　（Ｂ）接着性層
　接着性層は、剥離層と基板とを接続する目的で用いる。そのため、接着性層は熱・薬品に対して接着性の変化が小さいことが求められる。
　接着性層は、後述する各成分を含有する接着性組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板上に塗布し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
　接着性層の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
　【００５０】
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、バインダーを有していることが好ましい。
　【００５１】
　接着性組成物（ひいては接着性層）のバインダーとして任意のものを使用できる。
　例えば、前述した炭化水素樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、テフロン（登録商標）、ＡＢＳ樹脂、ＡＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリブチレンテラフタレート、ポリエチレンテレフタラート、環状ポリオレフィン、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミドイミドなどの合成樹脂や、天然ゴムなどの天然樹脂が挙げられる。中でも、ポリウレタン、ノボラック樹脂、ポリイミド、ポリスチレンが好ましく、ポリウレタン、ノボラック樹脂、ポリイミドがより好ましく、ポリウレタンが最も好ましい。
　本発明において、バインダーは、必要に応じて２種以上を組み合わせて使用しても良い。
　【００５２】
　また、接着性組成物（ひいては接着性層）は、重合性モノマーを含有することが好ましい。
　【００５３】
　接着性組成物（ひいては接着性層）の重合性モノマーは任意のものを使用できる。ここで重合性モノマーは重合性基を有する。重合性基とは、典型的には、活性光線若しくは放射線の照射、又は、ラジカル若しくは酸の作用により、重合することが可能な基である。なお、重合性モノマーは、上記したバインダーとは異なる化合物である。重合性モノマーは、典型的には、低分子化合物であり、分子量２０００以下の低分子化合物であることが好ましく、１５００以下の低分子化合物であることがより好ましく、分子量９００以下の低分子化合物であることが更に好ましい。なお、分子量は、通常、１００以上である。
　重合性基は、例えば、付加重合反応し得る官能基であることが好ましく、付加重合反応し得る官能基としては、エチレン性不飽和結合基、アミノ基、エポキシ基等が挙げられる。　また、重合性基は、光照射によりラジカルを発生し得る官能基であってもよく、そのような重合性基としては、例えば、チオール基、ハロゲン基等が挙げられる。なかでも、重合性基は、エチレン性不飽和結合基が好ましい。エチレン性不飽和結合基としては、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基が好ましい。
　【００５４】
　重合性基を有する反応性化合物としては、具体的にはラジカル重合性化合物（Ｂ１）とイオン重合性化合物（Ｂ２）が挙げられる。
　【００５５】
　ラジカル重合性化合物としては、具体的には、ラジカル重合性基を少なくとも１個、好ましくは２個以上有する化合物から選ばれる。このような化合物群は当該産業分野において広く知られているものであり、本発明においてはこれらを特に限定なく用いることができる。これらは、例えば、モノマー、プレポリマー、すなわち２量体、３量体及びオリゴマー、又はそれらの混合物並びにそれらの多量体などの化学的形態のいずれであってもよい。本発明におけるラジカル重合性化合物は一種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　ラジカル重合性基は、エチレン性不飽和基が好ましい。エチレン性不飽和基としては、スチリル基、（メタ）アクリロイル基、アリル基が好ましい。
　【００５６】
　より具体的には、モノマー及びそのプレポリマーの例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）やそのエステル類、アミド類、並びにこれらの多量体が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、及び不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類、並びにこれらの多量体である。また、ヒドロキシル基やアミノ基、メルカプト基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類或いはエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更に、ハロゲン基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル或いはアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。
　【００５７】
　多価アルコール化合物と不飽和カルボン酸とのエステルのモノマーの具体例としては、アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、テトラメチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリメチロールエタントリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールジアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ソルビトールトリアクリレート、ソルビトールテトラアクリレート、ソルビトールペンタアクリレート、ソルビトールヘキサアクリレート、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、イソシアヌール酸エチレンオキシド（ＥＯ）変性トリアクリレート、ポリエステルアクリレートオリゴマー等がある。
　【００５８】
　メタクリル酸エステルとしては、テトラメチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、トリメチロールエタントリメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールジメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ソルビトールトリメタクリレート、ソルビトールテトラメタクリレート、ビス〔ｐ−（３−メタクリルオキシ−２−ヒドロキシプロポキシ）フェニル〕ジメチルメタン、ビス−〔ｐ−（メタクリルオキシエトキシ）フェニル〕ジメチルメタン等がある。
　【００５９】
　イタコン酸エステルとしては、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、１，３−ブタンジオールジイタコネート、１，４−ブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリスリトールジイタコネート、ソルビトールテトライタコネート等がある。
　【００６０】
　クロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリスリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネート等がある。
　【００６１】
　イソクロトン酸エステルとしては、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリスリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネート等がある。
　【００６２】
　マレイン酸エステルとしては、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリスリトールジマレート、ソルビトールテトラマレート等がある。
　【００６３】
　その他のエステルの例として、例えば、特公昭４６−２７９２６、特公昭５１−４７３３４、特開昭５７−１９６２３１記載の脂肪族アルコール系エステル類や、特開昭５９−５２４０、特開昭５９−５２４１、特開平２−２２６１４９記載の芳香族系骨格を有するもの、特開平１−１６５６１３記載のアミノ基を含有するもの等も好適に用いられる。
　【００６４】
　また、多価アミン化合物と不飽和カルボン酸とのアミドのモノマーの具体例としては、メチレンビス−アクリルアミド、メチレンビス−メタクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビス−アクリルアミド、１，６−ヘキサメチレンビス−メタクリルアミド、ジエチレントリアミントリスアクリルアミド、キシリレンビスアクリルアミド、キシリレンビスメタクリルアミド等がある。
　【００６５】
　その他の好ましいアミド系モノマーの例としては、特公昭５４−２１７２６記載のシクロヘキシレン構造を有すものをあげる事ができる。
　【００６６】
　また、イソシアネートと水酸基の付加反応を用いて製造されるウレタン系付加重合性化合物も好適であり、そのような具体例としては、例えば、特公昭４８−４１７０８号公報に記載されている１分子に２個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物に、下記一般式（Ａ）で示される水酸基を含有するビニルモノマーを付加させた１分子中に２個以上の重合性ビニル基を含有するビニルウレタン化合物等が挙げられる。
　ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ４）ＣＯＯＣＨ２ＣＨ（Ｒ５）ＯＨ　　　　　　　（Ａ）
（ただし、Ｒ４およびＲ５は、ＨまたはＣＨ３を示す。）
　また、特開昭５１−３７１９３号公報、特公平２−３２２９３号公報、特公平２−１６７６５号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８−４９８６０号公報、特公昭５６−１７６５４号公報、特公昭６２−３９４１７号公報、特公昭６２−３９４１８号公報記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。
　【００６７】
　また、ラジカル重合性化合物としては、特開２００９−２８８７０５号公報の段落番号００９５〜段落番号０１０８に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
　【００６８】
　また、前記ラジカル重合性化合物としては、少なくとも１個の付加重合可能なエチレン基を有する、常圧下で１００℃以上の沸点を持つエチレン性不飽和基を持つ化合物も好ましい。その例としては、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、等の単官能のアクリレートやメタアクリレート；ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリ（アクリロイロキシエチル）イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後（メタ）アクリレート化したもの、特公昭４８−４１７０８号、特公昭５０−６０３４号、特開昭５１−３７１９３号各公報に記載されているようなウレタン（メタ）アクリレート類、特開昭４８−６４１８３号、特公昭４９−４３１９１号、特公昭５２−３０４９０号各公報に記載されているポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸との反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタアクリレート及びこれらの混合物を挙げることができる。
　多官能カルボン酸にグリシジル（メタ）アクリレート等の環状エーテル基とエチレン性不飽和基を有する化合物を反応させ得られる多官能（メタ）アクリレートなども挙げることができる。
　また、その他の好ましいラジカル重合性化合物として、特開２０１０−１６０４１８、特開２０１０−１２９８２５、特許４３６４２１６等に記載される、フルオレン環を有し、エチレン性重合性基を２官能以上有する化合物、カルド樹脂も使用することが可能である。
　更に、ラジカル重合性化合物のその他の例としては、特公昭４６−４３９４６号、特公平１−４０３３７号、特公平１−４０３３６号記載の特定の不飽和化合物や、特開平２−２５４９３号記載のビニルホスホン酸系化合物等もあげることができる。また、ある場合には、特開昭６１−２２０４８号記載のペルフルオロアルキル基を含有する構造が好適に使用される。さらに日本接着協会誌　ｖｏｌ．　２０、Ｎｏ．　７、３００〜３０８ページ（１９８４年）に光硬化性モノマーおよびオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。
　【００６９】
　また、常圧下で１００℃以上の沸点を有し、少なくとも一つの付加重合可能なエチレン性不飽和基を持つ化合物としては、特開２００８−２９２９７０号公報の段落番号［０２５４］〜［０２５７］に記載の化合物も好適である。
　【００７０】
　上記のほか、下記一般式（ＭＯ−１）〜（ＭＯ−５）で表される、ラジカル重合性化合物も好適に用いることができる。なお、式中、Ｔがオキシアルキレン基の場合には、炭素原子側の末端がＲに結合する。
　【００７１】
　【化２】
　【００７２】
　【化３】
　【００７３】
　前記一般式において、ｎは０〜１４であり、ｍは１〜８である。一分子内に複数存在するＲ、Ｔ、は、各々同一であっても、異なっていてもよい。
　上記一般式（ＭＯ−１）〜（ＭＯ−５）で表されるラジカル重合性化合物の各々において、複数のＲの内の少なくとも１つは、−ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ２、又は、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２で表される基を表す。
　上記一般式（ＭＯ−１）〜（ＭＯ−５）で表される、ラジカル重合性化合物の具体例としては、特開２００７−２６９７７９号公報の段落番号０２４８〜段落番号０２５１に記載されている化合物を本発明においても好適に用いることができる。
　【００７４】
　また、特開平１０−６２９８６号公報において一般式（１）及び（２）としてその具体例と共に記載の、前記多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後に（メタ）アクリレート化した化合物も、ラジカル重合性化合物として用いることができる。
　【００７５】
　中でも、ラジカル重合性化合物としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ　；日本化薬株式会社製）、及びこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。
　【００７６】
　ラジカル重合性化合物としては、多官能モノマーであって、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基等の酸基を有していても良い。従って、エチレン性化合物が、上記のように混合物である場合のように未反応のカルボキシル基を有するものであれば、これをそのまま利用することができるが、必要において、上述のエチレン性化合物のヒドロキシル基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を導入しても良い。この場合、使用される非芳香族カルボン酸無水物の具体例としては、無水テトラヒドロフタル酸、アルキル化無水テトラヒドロフタル酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、アルキル化無水ヘキサヒドロフタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸が挙げられる。
　【００７７】
　本発明において、酸価を有するモノマーとしては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルであり、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた多官能モノマーが好ましく、特に好ましくは、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトール及び／又はジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成株式会社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。
　【００７８】
　これらのモノマーは１種を単独で用いても良いが、製造上、単一の化合物を用いることは難しいことから、２種以上を混合して用いても良い。また、必要に応じてモノマーとして酸基を有しない多官能モノマーと酸基を有する多官能モノマーを併用しても良い。
　酸基を有する多官能モノマーの好ましい酸価としては、０．１〜４０ｍｇ−ＫＯＨ／ｇであり、特に好ましくは５〜３０ｍｇ−ＫＯＨ／ｇである。多官能モノマーの酸価が低すぎると現像溶解特性が落ち、高すぎると製造や取扱いが困難になり光重合性能が落ち、画素の表面平滑性等の硬化性が劣るものとなる。従って、異なる酸基の多官能モノマーを２種以上併用する場合、或いは酸基を有しない多官能モノマーを併用する場合、全体の多官能モノマーとしての酸基が上記範囲に入るように調整することが必須である。
　また、ラジカル重合性化合物として、カプロラクトン構造を有する多官能性単量体を含有することが好ましい。
　カプロラクトン構造を有する多官能性単量体としては、その分子内にカプロラクトン構造を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、（メタ）アクリル酸およびε−カプロラクトンをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能（メタ）アクリレートを挙げることができる。なかでも下記式（１）で表されるカプロラクトン構造を有する多官能性単量体が好ましい。
　【００７９】
　【化４】
　【００８０】
（式中、６個のＲは全てが下記式（２）で表される基であるか、または６個のＲのうち１〜５個が下記式（２）で表される基であり、残余が下記式（３）で表される基である。）
　【００８１】
　【化５】
　【００８２】
（式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を示し、ｍは１または２の数を示し、「＊」は結合手であることを示す。）
　【００８３】
　【化６】
　【００８４】
（式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基を示し、「＊」は結合手であることを示す。）
　このようなカプロラクトン構造を有する多官能性単量体は、例えば、日本化薬（株）からＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＣＡシリーズとして市販されており、ＤＰＣＡ−２０（上記式（１）〜（３）においてｍ＝１、式（２）で表される基の数＝２、Ｒ１が全て水素原子である化合物）、ＤＰＣＡ−３０（同式、ｍ＝１、式（２）で表される基の数＝３、Ｒ１が全て水素原子である化合物）、ＤＰＣＡ−６０（同式、ｍ＝１、式（２）で表される基の数＝６、Ｒ１が全て水素原子である化合物）、ＤＰＣＡ−１２０（同式においてｍ＝２、式（２）で表される基の数＝６、Ｒ１が全て水素原子である化合物）等を挙げることができる。
　本発明において、カプロラクトン構造を有する多官能性単量体は、単独でまたは２種以上を混合して使用することができる。
　【００８５】
　また、多官能モノマーとしては、下記一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物の群から選択される少なくとも１種であることも好ましい。
　【００８６】
　【化７】
　【００８７】
　前記一般式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｅは、各々独立に、−（（ＣＨ２）ｙＣＨ２Ｏ）−、又は−（（ＣＨ２）ｙＣＨ（ＣＨ３）Ｏ）−を表し、ｙは、各々独立に０〜１０の整数を表し、Ｘは、各々独立に、アクリロイル基、メタクリロイル基、水素原子、又はカルボキシル基を表す。
　前記一般式（ｉ）中、アクリロイル基及びメタクリロイル基の合計は３個又は４個であり、ｍは各々独立に０〜１０の整数を表し、各ｍの合計は０〜４０の整数である。但し、各ｍの合計が０の場合、Ｘのうちいずれか１つはカルボキシル基である。
　前記一般式（ｉｉ）中、アクリロイル基及びメタクリロイル基の合計は５個又は６個であり、ｎは各々独立に０〜１０の整数を表し、各ｎの合計は０〜６０の整数である。但し、各ｎの合計が０の場合、Ｘのうちいずれか１つはカルボキシル基である。
　【００８８】
　前記一般式（ｉ）中、ｍは、０〜６の整数が好ましく、０〜４の整数がより好ましい。また、各ｍの合計は、２〜４０の整数が好ましく、２〜１６の整数がより好ましく、４〜８の整数が特に好ましい。
　前記一般式（ｉｉ）中、ｎは、０〜６の整数が好ましく、０〜４の整数がより好ましい。
　また、各ｎの合計は、３〜６０の整数が好ましく、３〜２４の整数がより好ましく、６〜１２の整数が特に好ましい。
　また、一般式（ｉ）又は一般式（ｉｉ）中の−（（ＣＨ２）ｙＣＨ２Ｏ）−又は−（（ＣＨ２）ｙＣＨ（ＣＨ３）Ｏ）−は、酸素原子側の末端がＸに結合する形態が好ましい。
　【００８９】
　前記一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物は１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。特に、一般式（ｉｉ）において、６個のＸ全てがアクリロイル基である形態が好ましい。
　【００９０】
　また、一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物のラジカル重合性化合物中における全含有量としては、２０質量％以上が好ましく、５０質量％以上がより好ましい。
　【００９１】
　前記一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物は、従来公知の工程である、ペンタエリスリト−ル又はジペンタエリスリト−ルにエチレンオキシド又はプロピレンオキシドを開環付加反応により開環骨格を結合する工程と、開環骨格の末端水酸基に、例えば（メタ）アクリロイルクロライドを反応させて（メタ）アクリロイル基を導入する工程と、から合成することができる。各工程は良く知られた工程であり、当業者は容易に一般式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物を合成することができる。
　【００９２】
　前記一般式（ｉ）、（ｉｉ）で表される化合物の中でも、ペンタエリスリトール誘導体及び／又はジペンタエリスリトール誘導体がより好ましい。
　具体的には、下記式（ａ）〜（ｆ）で表される化合物（以下、「例示化合物（ａ）〜（ｆ）」ともいう。）が挙げられ、中でも、例示化合物（ａ）、（ｂ）、（ｅ）、（ｆ）が好ましい。
　【００９３】
　【化８】
　【００９４】
　【化９】
　【００９５】
　一般式（ｉ）、（ｉｉ）で表されるラジカル重合性化合物の市販品としては、例えばサートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ−４９４、日本化薬株式会社製のペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレートであるＤＰＣＡ−６０、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ−３３０などが挙げられる。
　【００９６】
　また、ラジカル重合性化合物としては、特公昭４８−４１７０８号、特開昭５１−３７１９３号、特公平２−３２２９３号、特公平２−１６７６５号に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８−４９８６０号、特公昭５６−１７６５４号、特公昭６２−３９４１７号、特公昭６２−３９４１８号記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。更に、重合性化合物として、特開昭６３−２７７６５３号、特開昭６３−２６０９０９号、特開平１−１０５２３８号に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する付加重合性化合物類を用いることもできる。
　ラジカル重合性化合物の市販品としては、ウレタンオリゴマーＵＡＳ−１０、ＵＡＢ−１４０（山陽国策パルプ社製）、ＵＡ−７２００」（新中村化学社製、ＤＰＨＡ−４０Ｈ（日本化薬社製）、ＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、ＡＨ−６００、Ｔ−６００、ＡＩ−６００（共栄社製）などが挙げられる。
　【００９７】
　ラジカル重合性化合物としては、同一分子内に２個以上のメルカプト（ＳＨ）基を有する多官能チオール化合物も好適である。特に、下記一般式（Ｉ）で表すものが好ましい。
　【００９８】
　【化１０】
　【００９９】
（式中、Ｒ１はアルキル基、Ｒ２は炭素以外の原子を含んでもよいｎ価の脂肪族基、Ｒ０はＨではないアルキル基、ｎは２〜４を表す。）
　【０１００】
　上記一般式（Ｉ）で表される多官能チオール化合物を具体的に例示するならば、下記の構造式を有する１，４−ビス（３−メルカプトブチリルオキシ）ブタン〔式（ＩＩ）〕、１，３，５−トリス（３−メルカプトブチルオキシエチル）−１，３，５−トリアジアン−２，４，６（１Ｈ，３Ｈ５Ｈ）−トリオン〔式（ＩＩＩ）〕、及びペンタエリスリトール　テトラキス（３−メルカプトブチレート）〔式（ＩＶ）〕等が挙げられる。これらの多官能チオールは１種または複数組み合わせて使用することが可能である。
　【０１０１】
　【化１１】
　【０１０２】
　接着性組成物中の多官能チオールの配合量については、溶剤を除いた全固形分に対して０．３〜８．９質量％、より好ましくは０．８〜６．４質量％の範囲で添加するのが望ましい。多官能チオールの添加によって、接着性組成物の安定性、臭気、感度、密着性等を良化させることが出来る。
　【０１０３】
　ラジカル重合性化合物について、その構造、単独使用か併用か、添加量等の使用方法の詳細は、接着性組成物の最終的な性能設計にあわせて任意に設定できる。例えば、感度（活性光線又は放射線の照射に対する、接着性の減少の効率）の観点では、１分子あたりの不飽和基含量が多い構造が好ましく、多くの場合は２官能以上が好ましい。また、接着性層の強度を高める観点では、３官能以上のものがよく、更に、異なる官能数・異なる重合性基（例えばアクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、スチレン系化合物、ビニルエーテル系化合物）のものを併用することで、感度と強度の両方を調節する方法も有効である。さらに、３官能以上のものでエチレンオキサイド鎖長の異なるラジカル重合性化合物を併用することも好ましい。また、接着性組成物に含有される他の成分（例えば、高分子化合物（Ａ）、重合開始剤等）との相溶性、分散性に対しても、ラジカル重合性化合物の選択・使用法は重要な要因であり、例えば、低純度化合物の使用や２種以上の併用により相溶性を向上させうることがある。また、キャリア基板との密着性を向上させる観点で特定の構造を選択することもあり得る。
　【０１０４】
　イオン重合性化合物（Ｂ２）としては、炭素数３〜２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）及び炭素数４〜２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）等が挙げられる。
　【０１０５】
　炭素数３〜２０のエポキシ化合物（Ｂ２１）としては、例えば以下の単官能又は多官能エポキシ化合物が挙げられる。
　単官能エポキシ化合物としては、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ｐ−ｔｅｒｔ―ブチルフェニルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、１，２−ブチレンオキサイド、１，３−ブタジエンモノオキサイド、１，２−エポキシドデカン、エピクロロヒドリン、１，２−エポキシデカン、スチレンオキサイド、シクロヘキセンオキサイド、３−メタクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド、３−アクリロイルオキシメチルシクロヘキセンオキサイド及び３−ビニルシクロヘキセンオキサイドが挙げられる。
　【０１０６】
　多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、臭素化ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、エポキシノボラック樹脂、水添ビスフェノールＡジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＦジグリシジルエーテル、水添ビスフェノールＳジグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビニルシクロヘキセンオキサイド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、メチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサン）、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレングリコールジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、エチレンビス（３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート）、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ−２−エチルヘキシル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル類、１，１，３−テトラデカジエンジオキサイド、リモネンジオキサイド、１，２，７，８−ジエポキシオクタン及び１，２，５，６−ジエポキシシクロオクタンが挙げられる。
　【０１０７】
　これらのエポキシ化合物の中でも、重合速度に優れるという観点から、芳香族エポキシド及び脂環式エポキシドが好ましく、脂環式エポキシドが特に好ましい。
　【０１０８】
　炭素数４〜２０のオキセタン化合物（Ｂ２２）としては、オキセタン環を１個〜６個有する化合物等が挙げられる。
　【０１０９】
　オキセタン環を１個有する化合物としては、例えば、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン、３−（メタ）アリルオキシメチル−３−エチルオキセタン、（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチルベンゼン、４−フルオロ−［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、４−メトキシ−［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、［１−（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）エチル］フェニルエーテル、イソブトキシメチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、イソボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−エチルヘキシル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、エチルジエチレングリコール（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンタジエン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラヒドロフルフリル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−テトラブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−トリブロモフェノキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、２−ヒドロキシプロピル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ブトキシエチル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタクロロフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタブロモフェニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル及びボルニル（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。
　【０１１０】
　オキセタン環を２〜６個有する化合物としては、例えば、３，７−ビス（３−オキセタニル）−５−オキサ−ノナン、３，３’−（１，３−（２−メチレニル）プロパンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン）、１，４−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］ベンゼン、１，２−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］エタン、１，３−ビス［（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）メチル］プロパン、エチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジシクロペンテニルビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、テトラエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、トリメチロールプロパントリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、１，４−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ブタン、１，６−ビス（３−エチル−３−オキセタニルメトキシ）ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ポリエチレングリコールビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＥＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル、ＰＯ変性水添ビスフェノールＡビス（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテル及びＥＯ変性ビスフェノールＦ（３−エチル−３−オキセタニルメチル）エーテルが挙げられる。
　【０１１１】
　重合性モノマーの含有量は、良好な接着強度と剥離性の観点から、前記接着性層の全固形分に対して、５〜８０質量％が好ましく、１０〜７５質量％がより好ましく、１０〜７０質量％が更に好ましい。
　また、重合性モノマー及びバインダーの含有量の比率（質量比）は、９０／１０〜１０／９０であることが好ましく、２０／８０〜８０／２０であることがより好ましい。
　【０１１２】
　溶剤は、接着性層を形成できれば、公知のものを制限なく使用できるが、メチルアミルケトン、Ｎ−メチルピロリドン、ＰＥＧＭＥＡ、ＴＨＦ、リモネン、シクロヘキサノン、γブチロラクトン等が使用でき、メチルアミルケトン、Ｎ−メチルピロリドン又はＰＥＧＭＥＡが好ましい。
　溶剤は、接着性組成物の固形分濃度が５〜４０質量％になるように使用されることが好ましい。
　【０１１３】
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、光重合開始剤、すなわち活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有することが好ましい。
　光重合開始剤を有することにより、接着性層へ光を照射することで接着性組成物のラジカルまたは酸による硬化が起こり、光照射部における接着性を低下させられる。この照射を例えば接着性層中央部に行い、周縁部にのみ接着性を残せば、剥離時に溶剤浸漬により溶解すべき剥離層の面積が小さくなるため、剥離までに要する時間が短縮される、という利点がある。
　【０１１４】
　活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物としては、例えば、以下に述べる重合開始剤として知られているものを用いることができる。
　前記重合開始剤としては、前記バインダーとしての重合性基を有する高分子化合物、又は、前記重合性モノマーとしての重合性基を有する反応性化合物における重合反応（架橋反応）を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じて酸を発生させてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
　また、前記重合開始剤は、約３００ｎｍ〜８００ｎｍ（好ましくは３３０ｎｍ〜５００ｎｍ）の範囲内に少なくとも約５０の分子吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。
　【０１１５】
　前記重合開始剤としては、公知の化合物を制限なく使用できるが、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの、トリハロメチル基を有するものなど）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノン化合物、ヒドロキシアセトフェノン、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。
　【０１１６】
　前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ、４２、２９２４（１９６９）記載の化合物、英国特許１３８８４９２号明細書記載の化合物、特開昭５３−１３３４２８号公報記載の化合物、独国特許３３３７０２４号明細書記載の化合物、Ｆ．Ｃ．ＳｃｈａｅｆｅｒなどによるＪ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．；２９、１５２７（１９６４）記載の化合物、特開昭６２−５８２４１号公報記載の化合物、特開平５−２８１７２８号公報記載の化合物、特開平５−３４９２０号公報記載化合物、米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物、などが挙げられる。
　【０１１７】
　前記米国特許第４２１２９７６号明細書に記載されている化合物としては、例えば、オキサジアゾール骨格を有する化合物（例えば、２−トリクロロメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロロフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリブロモメチル−５−（２−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール；２−トリクロロメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−クロルスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−メトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリクロロメチル−５−（４−ｎ−ブトキシスチリル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−トリプロモメチル−５−スチリル−１，３，４−オキサジアゾールなど）などが挙げられる。
　【０１１８】
　また、上記以外の重合開始剤として、アクリジン誘導体（例えば、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタンなど）、Ｎ−フェニルグリシンなど、ポリハロゲン化合物（例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトンなど）、クマリン類（例えば、３−（２−ベンゾフラノイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−ベンゾフロイル）−７−（１−ピロリジニル）クマリン、３−ベンゾイル−７−ジエチルアミノクマリン、３−（２−メトキシベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジメチルアミノベンゾイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３，３’−カルボニルビス（５，７−ジ−ｎ−プロポキシクマリン）、３，３’−カルボニルビス（７−ジエチルアミノクマリン）、３−ベンゾイル−７−メトキシクマリン、３−（２−フロイル）−７−ジエチルアミノクマリン、３−（４−ジエチルアミノシンナモイル）−７−ジエチルアミノクマリン、７−メトキシ−３−（３−ピリジルカルボニル）クマリン、３−ベンゾイル−５，７−ジプロポキシクマリン、７−ベンゾトリアゾール−２−イルクマリン、また、特開平５−１９４７５号公報、特開平７−２７１０２８号公報、特開２００２−３６３２０６号公報、特開２００２−３６３２０７号公報、特開２００２−３６３２０８号公報、特開２００２−３６３２０９号公報などに記載のクマリン化合物など）、アシルホスフィンオキサイド類（例えば、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキサイド、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキサイド、ＬｕｃｉｒｉｎＴＰＯなど）、メタロセン類（例えば、ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフロロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム、η５−シクロペンタジエニル−η６−クメニル−アイアン（１＋）−ヘキサフロロホスフェート（１−）など）、特開昭５３−１３３４２８号公報、特公昭５７−１８１９号公報、同５７−６０９６号公報、及び米国特許第３６１５４５５号明細書に記載された化合物などが挙げられる。
　【０１１９】
　前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、２−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、４−メトキシベンゾフェノン、２−クロロベンゾフェノン、４−クロロベンゾフェノン、４−ブロモベンゾフェノン、２−カルボキシベンゾフェノン、２−エトキシカルボニルベンゾフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、４，４’−ビス（ジアルキルアミノ）ベンゾフェノン類（例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビスジシクロヘキシルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジヒドロキシエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、４−ジメチルアミノベンゾフェノン、４−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、２−ｔ−ブチルアントラキノン、２−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、２−クロル−チオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、２−ベンジル−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−１−ブタノン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルホリノ−１−プロパノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類（例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール）、アクリドン、クロロアクリドン、Ｎ−メチルアクリドン、Ｎ−ブチルアクリドン、Ｎ−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。
　【０１２０】
　光重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、及び、アシルホスフィン化合物も好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０−２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号公報に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤も用いることができる。
　ヒドロキシアセトフェノン系開始剤としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１８４、ＤＡＲＯＣＵＲ−１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−２９５９，ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１２７（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤としては、市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アミノアセトフェノン系開始剤として、３６５ｎｍまたは４０５ｎｍ等の長波光源に吸収波長がマッチングされた特開２００９−１９１１７９公報に記載の化合物も用いることができる。また、アシルホスフィン系開始剤としては市販品であるＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９やＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　【０１２１】
　光重合開始剤として、より好ましくはオキシム系化合物が挙げられる。オキシム系開始剤の具体例としては、特開２００１−２３３８４２号記載の化合物、特開２０００−８００６８号記載の化合物、特開２００６−３４２１６６号記載の化合物を用いることができる。
　【０１２２】
　本発明で重合開始剤として好適に用いられるオキシム誘導体等のオキシム化合物としては、例えば、３−ベンゾイロキシイミノブタン−２−オン、３−アセトキシイミノブタン−２−オン、３−プロピオニルオキシイミノブタン−２−オン、２−アセトキシイミノペンタン−３−オン、２−アセトキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、２−ベンゾイロキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オン、３−（４−トルエンスルホニルオキシ）イミノブタン−２−オン、及び２−エトキシカルボニルオキシイミノ−１−フェニルプロパン−１−オンなどが挙げられる。
　【０１２３】
　オキシムエステル化合物としては、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１６５３−１６６０）、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年）ｐｐ．１５６−１６２、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年）ｐｐ．２０２−２３２、特開２０００−６６３８５号公報記載の化合物、特開２０００−８００６８号公報、特表２００４−５３４７９７号公報、特開２００６−３４２１６６号公報の各公報に記載の化合物等が挙げられる。
　市販品ではＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１（ＢＡＳＦ社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２（ＢＡＳＦ社製）も好適に用いられる。
　【０１２４】
　また上記記載以外のオキシムエステル化合物として、カルバゾールＮ位にオキシムが連結した特表２００９−５１９９０４号公報に記載の化合物、ベンゾフェノン部位にヘテロ置換基が導入された米国特許７６２６９５７号公報に記載の化合物、色素部位にニトロ基が導入された特開２０１０−１５０２５号公報および米国特許公開２００９−２９２０３９号記載の化合物、国際公開特許２００９−１３１１８９号公報に記載のケトオキシム系化合物、トリアジン骨格とオキシム骨格を同一分子内に含有する米国特許７５５６９１０号公報に記載の化合物、４０５ｎｍに吸収極大を有しｇ線光源に対して良好な感度を有する特開２００９−２２１１１４号公報記載の化合物、などを用いてもよい。
　【０１２５】
　好ましくはさらに、特開２００７−２３１０００号公報、及び、特開２００７−３２２７４４号公報に記載される環状オキシム化合物に対しても好適に用いることができる。環状オキシム化合物の中でも、特に特開２０１０−３２９８５号公報、特開２０１０−１８５０７２号公報に記載されるカルバゾール色素に縮環した環状オキシム化合物は、高い光吸収性を有し高感度化の観点から好ましい。
　また、オキシム化合物の特定部位に不飽和結合を有する特開２００９−２４２４６９号公報に記載の化合物も、重合不活性ラジカルから活性ラジカルを再生することで高感度化を達成でき好適に使用することができる。
　【０１２６】
　最も好ましくは、特開２００７−２６９７７９号公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開２００９−１９１０６１号公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物が挙げられる。
　【０１２７】
　化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いることができるが、具体的には、例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｒｙ−５　ｓｐｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶媒を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。
　【０１２８】
　本発明に用いられる重合開始剤は、必要に応じて２種以上を組み合わせて使用しても良い。
　【０１２９】
　活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物としては、露光感度の観点から、トリハロメチルトリアジン化合物、ベンジルジメチルケタール化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物及びその誘導体、シクロペンタジエン−ベンゼン−鉄錯体及びその塩、ハロメチルオキサジアゾール化合物、３−アリール置換クマリン化合物からなる群より選択される化合物が好ましい。
　【０１３０】
　さらに好ましくは、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、フォスフィンオキサイド化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、オニウム化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物であり、トリハロメチルトリアジン化合物、α−アミノケトン化合物、オキシム化合物、トリアリルイミダゾールダイマー、ベンゾフェノン化合物からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物が最も好ましいく、オキシム化合物を用いるのが最も好ましい。
　【０１３１】
　また、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物は、その中でも、ｐＫａが４以下の酸を発生する化合物が好ましく、ｐＫａが３以下の酸を発生する化合物がより好ましい。
　酸を発生する化合物の例として、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン類、スルホニウム塩やヨードニウム塩、第四級アンモニウム塩類、ジアゾメタン化合物、イミドスルホネート化合物、及び、オキシムスルホネート化合物などを挙げることができる。これらの中でも、高感度である観点から、オキシムスルホネート化合物を用いることが好ましい。これら酸発生剤は、１種単独又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
　【０１３２】
　酸発生剤としては、具体的には、特開２０１２−８２２３号公報の段落番号〔００７３〕〜〔００９５〕記載の酸発生剤を挙げることができる。
　【０１３３】
　本発明の活性光線又は放射線の照射によりラジカル又は酸を発生する化合物の含有量（２種以上の場合は総含有量）は、接着性層の全固形分に対し０．１質量％以上５０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％以上３０質量％以下、更に好ましくは０．１質量％以上２０質量％以下である。
　【０１３４】
　本発明の接着性組成物（ひいては接着性層）は、熱重合開始剤、すなわち熱によりラジカル又は酸を発生する化合物を含有することも好ましい。
　特に、前記バインダーとして重合性基を有する高分子化合物、又は、前記重合性モノマーを含有する場合は、熱重合開始剤を含有することが好ましい。
　【０１３５】
　熱重合開始剤が存在することにより、接着性層と剥離層とが接合された後、熱重合開始剤の分解温度以上に加熱することで、接着性層を硬化させて、より耐熱性・耐薬品性の高い接着を行えるという利点がある。
　【０１３６】
［熱によりラジカルを発生する化合物］
　熱によりラジカル発生する化合物（以下、単に、熱ラジカル発生剤とも言う）としては、公知の熱ラジカル発生剤を用いることができる。
　熱ラジカル発生剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性基を有する高分子化合物、及び、重合性モノマーの重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル発生剤を添加することによって、仮接着剤を用いて形成された接着性層に対して熱を照射した後に、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う場合においては、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、後に詳述するように、接着性層の接着性（すなわち、粘着性及びタック性）を前もって低下させることができる。
　【０１３７】
　一方、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行った後に、接着性支持体における接着性層に対して熱を照射した後に場合には、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応が進行することにより、接着性層がより強靭になり、被処理部材の機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できる。すなわち、接着性層における接着性を向上できる。
　【０１３８】
　好ましい熱ラジカル発生剤としては、上述した活性光線又は放射線の照射により酸又はラジカルを発生する化合物が挙げられるが、熱分解点が１３０℃〜２５０℃、好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲の化合物を好ましく使用することができる。
　熱ラジカル発生剤としては、芳香族ケトン類、オニウム塩化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、ケトオキシムエステル化合物、ボレート化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物、活性エステル化合物、炭素ハロゲン結合を有する化合物、アゾ系化合物等が挙げられる。中でも、有機過酸化物又はアゾ系化合物がより好ましく、有機過酸化物が特に好ましい。
　具体的には、特開２００８−６３５５４号公報の段落００７４〜０１１８に記載されている化合物が挙げられる。
　【０１３９】
［熱により酸を発生する化合物］
　熱により酸を発生する化合物（以下、単に、熱酸発生剤とも言う）としては、公知の熱酸発生剤を用いることができる。
　熱酸発生剤は、好ましくは熱分解点が１３０℃〜２５０℃、より好ましくは１５０℃〜２２０℃の範囲の化合物が挙げられる。
　熱酸発生剤としては、例えば、加熱によりスルホン酸、カルボン酸、ジスルホニルイミドなどの低求核性の酸を発生する化合物である。
　熱酸発生剤から発生する酸としてはｐＫａが２以下と強い、スルホン酸や電子求引基の置換したアルキル〜はアリールカルボン酸、同じく電子求引基の置換したジスルホニルイミドなどが好ましい。電子求引基としてはフッ素原子などのハロゲン原子、トリフルオロメチル基等のハロアルキル基、ニトロ基、シアノ基を挙げることができる。
　熱酸発生剤としては、上記（Ｄ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤の適用が可能である。例えばスルホニウム塩やヨードニウム塩等のオニウム塩、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート、ｏ−ニトロベンジルスルホネート等を挙げることができる。
　また、本発明においては活性光線又は放射線の照射によって実質的に酸を発生せず、熱によって酸を発生するスルホン酸エステルを使用することも好ましい。
　活性光線又は放射線の照射によって実質的に酸を発生していないことは、化合物の露光前後での赤外線吸収（ＩＲ）スペクトル、核磁気共鳴（ＮＭＲ）スペクトル測定により、スペクトルに変化がないことで判定することができる。
　スルホン酸エステルの分子量は、２３０〜１，０００が好ましく、２３０〜８００がより好ましい。
　本発明で使用可能なスルホン酸エステルは、市販のものを用いてもよいし、公知の方法で合成したものを用いてもよい。スルホン酸エステルは、例えば、塩基性条件下、スルホニルクロリド又はスルホン酸無水物を対応する多価アルコールと反応させることにより合成することができる。
　熱酸発生剤は、１種単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
　【０１４０】
　接着性組成物における熱重合開始剤の含有量は、被処理部材と接着性支持体との仮接着を行う前に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の低減、及び、被処理部材と接着性支持体との仮接着後に熱照射を行う場合における接着性層の接着性の向上の観点から、接着性組成物の全固形分に対し、０．０１〜５０質量％が好ましく、０．１〜２０質量％がより好ましく、０．５〜１０質量％であることが最も好ましい。
　【０１４１】
＜その他の成分＞
　接着性組成物（ひいては接着性層）は、上記の成分に加えて、さらに本発明の効果を損なわない範囲において、目的に応じて種々の化合物を含有することができる。例えば、増感色素、連鎖移動剤、重合禁止剤、界面活性剤を好ましく使用することができる。
　接着性組成物（ひいては接着性層）が有してもよい界面活性剤の具体例及び好ましい例としては、前述の剥離層組成物が有してもよい界面活性剤のものと同様である。
　【０１４２】
　接着性組成物（ひいては接着性層）においては、バインダーと、重合性モノマーと、光重合開始剤及び熱重合開始剤の少なくとも一方とを有していることが好ましい。
　【０１４３】
　次いで、以上に説明した本発明の半導体装置製造用仮接合層を用いた、接着性支持体、及び、半導体装置の製造方法について説明する。
　【０１４４】
　図１Ａ、図１Ｂ及び図１Ｃは、それぞれ、接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着を説明する概略断面図、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハを示す概略断面図、及び、接着性支持体により仮接着されたデバイスウエハが薄型化された状態を示す概略断面図である。
　【０１４５】
　本発明の実施形態において、図１Ａに示すように、先ず、キャリア基板１２の上に接着性層１１が設けられてなる接着性支持体１００が準備される。
　キャリア基板１２の素材は特に限定されないが、例えば、シリコン基板、ガラス基板、金属基板などが挙げられるが、半導体装置の基板として代表的に用いられるシリコン基板を汚染しにくい点や、半導体装置の製造工程において汎用されている静電チャックを使用できる点などを鑑みると、シリコン基板であることが好ましい。
　キャリア基板１２の厚みは、例えば、３００μｍ〜５ｍｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
　【０１４６】
　接着性層１１は、本発明の半導体装置製造用仮接着性組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いて、キャリア基板１２上に塗布し、次いで、乾燥することにより形成することができる。
　接着性層１１の厚みは、例えば、１〜５００μｍの範囲内とされるが、特に限定されるものではない。
　【０１４７】
　次に、以上のようにして得られた接着性支持体と、デバイスウエハとの仮接着、デバイスウエハの薄型化、及び、接着性支持体からのデバイスウエハの脱離について詳細に説明する。
　【０１４８】
　図１Ａに示すように、デバイスウエハ６０（被処理部材）は、シリコン基板６１の表面６１ａに複数のデバイスチップ６２が設けられてなる。そして、更にデバイスウエハ６０のデバイスチップ６２側の面には、剥離層７１が設けられている。
　ここで、シリコン基板６１の厚さは、例えば、２００〜１２００μｍの範囲内となっている。
　そして、接着性支持体１００の接着性層１１に対して、剥離層７１の表面を押し当てる。これにより、図１Ｂに示すように、剥離層７１と、接着性層１１とが接着し、接着性支持体１００とデバイスウエハ６０とが仮接着する。これにより、剥離層７１と接着性層１１とを有する仮接合層８０が形成される。
　またこの後、必要に応じて、接着性支持体１００とデバイスウエハ６０との接着体を加熱し（熱を照射し）、接着層をより強靭なものとしても良い。これにより、デバイスウエハ６０の後述する機械的又は化学的な処理を施している時などに生じやすい接着性層の凝集破壊を抑制できるため、接着性支持体１００の接着性を高めることになる。特に、熱により架橋性基を有する反応性化合物における架橋反応を促進できる観点から、接着層は、熱重合開始剤を含有していることが好ましい。
　加熱温度は５０℃〜３００℃であることが好ましい。
　【０１４９】
　次いで、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的又は化学的な処理、具体的には、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄膜化処理を施すことにより、図１Ｃに示すように、シリコン基板６１の厚さを薄くし（例えば、厚さ１〜２００μｍとし）、薄型デバイスウエハ６０’を得る。
　また、機械的又は化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型デバイスウエハ６０’の裏面６１ｂ’からシリコン基板を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を、必要に応じて行ってもよい。
　【０１５０】
　次いで、接着性支持体１００の接着性層１１から薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａを脱離する。
　脱離の方法は特に限定されるものではないが、仮接合層８０を剥離液に接触させ、その後、必要に応じて、接着性支持体１００に対して薄型デバイスウエハ６０’を摺動させるか、あるいは、接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を剥離することにより行うことが好ましい。仮接合層における剥離層は、剥離液に対する親和性が高いため、上記方法により、接着性層１１０と薄型デバイスウエハ６０’の表面６１ａとの仮接着を容易に解除することができる。
　【０１５１】
　接着性支持体１００から薄型デバイスウエハ６０’を脱離した後、必要に応じて、薄型デバイスウエハ６０’に対して、種々の公知の処理を施し、薄型デバイスウエハ６０’を有する半導体装置を製造する。
　以下、剥離液について詳細に説明する。
　【０１５２】
　剥離液としては、剥離層の炭化水素樹脂を溶解するものであれば特に制限されないが、例えば、炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤がより好ましく使用することができる。炭化水素系溶媒としては、直鎖又は分岐のアルカン、またはシクロアルカンを挙げることができる。具体的には、ペンタン、シクロペンタン、２−メチルブタン、３−メチルペンタン、ヘキサン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ヘプタン、オクタン、２，２，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルヘキサン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、２，２，４，６，６−ペンタメチルヘプタン、トリデカン、ペンタデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン等を用いることができる。これらの有機溶剤は１種または２種以上混合して用いることができる。また、テルペン系の飽和炭化水素も溶剤として用いることができ、具体的には、ピナン、ボルナン、カラン、フェンカン、ツジャン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン、ｐ−メンタン、ジフェニルメンタン、リモネン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピネン、ボルナン、ノルボルナン、ピナン、α−ピネン、β−ピネン、カラン、ロンギホレン、アビエタン等が挙げられる。また、テトラヒドロフラン（略称：ＴＨＦ）も好ましく用いることができる。
　これら飽和炭化水素系溶剤の炭素数は６〜１０が好ましく、さらに好ましくは７〜９である。溶剤の揮発の抑制の点で炭素数６以上が好ましく、炭素数７以上がより好ましい。
　【０１５３】
　エーテル溶剤としては、テトラヒドロフラン，シクロペンチルメチルエーテル，ｔ−ブチルメチルエーテル，アニソールを用いることが出来る。
　これらエーテル溶剤の炭素数は４〜１０が好ましく、さらに好ましくは４〜９である。溶剤の揮発の抑制の点で炭素数４以上が好ましい。
　【０１５４】
　剥離液は、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、リモネン、ｐ−メンタン、又は、テトラヒドロフランであることが好ましい。
　【０１５５】
　本発明において、仮接着の方法は、デバイスウエハとキャリア基板が、剥離層と接着性層とを有する仮接合層が介在するように接着している限り限定されず、接着性層に剥離層が設けられてなる仮接合層をあらかじめ作成し、この仮接合層における接着性層及び剥離層に対して、それぞれキャリア基板及びデバイスウエハと接合してもよい。
　【０１５６】
　また、本発明は、キャリア基板等の支持体と、デバイスウエハ等の被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた仮接合層とを有する積層体にも関する。
　【０１５７】
　次いで、従来の実施形態について説明する。
　図２は、従来の接着性支持体とデバイスウエハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
　従来の実施形態においては、図２に示すように、接着性支持体として、キャリア基板１２の上に、従来の仮接着剤により形成された接着性層１１’が設けられてなる接着性支持体１００’を使用し、それ以外は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明した手順と同様に、接着性支持体１００’とデバイスウエハとを仮接着し、デバイスウエハにおけるシリコン基板の薄膜化処理を行い、次いで、図１Ｃを参照して説明した手順と同様に、接着性支持体１００’から薄型デバイスウエハ６０’を剥離する。
　【０１５８】
　しかしながら、従来の仮接着剤によれば、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を容易に解除することが困難である。例えば、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着を充分にしようとするべく、従来の仮接着剤の内、接着性の高いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が強すぎる傾向となる。よって、この強すぎる仮接着を解除するべく、例えば、図２に示すように、薄型デバイスウエハ６０’の裏面にテープ（例えば、ダイシングテープ）７０を貼り付け、接着性支持体１００’から薄型デバイスウエハ６０’を剥離する場合においては、バンプ６３が設けられたデバイスチップ６２から、バンプ６３が脱離するなどして、デバイスチップ６２を破損する不具合が生じやすい。
　一方、従来の仮接着剤の内、接着性が低いものを採用すると、デバイスウエハとキャリア基板との仮接着が弱すぎ、デバイスウエハをキャリア基板で確実に支持できないという不具合が生じやすい。
　【０１５９】
　しかしながら、本発明の接着性組成物により形成された接着性層は、充分な接着性を発現するとともに、デバイスウエハ６０と接着性支持体１００との仮接着は、特に、接着性層１１に剥離液を接触させることにより容易に解除できる。すなわち、本発明の仮接合層における剥離層によれば、デバイスウエハ６０を確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’に対する仮支持を容易に解除できる。
　【０１６０】
　更に、本発明の接着性組成物（ひいては接着性層）が、特に、光重合開始剤、又は、熱重合開始剤を更に含有するとともに、ラジカル重合性化合物を含有する場合、接着性層１１を、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により接着性が減少する接着性層とすることができる。この場合、具体的には、接着性層を、活性光線若しくは放射線又は熱の照射を受ける前には、接着性を有する層であるが、活性光線若しくは放射線又は熱の照射を受けた領域においては、接着性が低下ないしは消失する層とすることができる。
　【０１６１】
　そこで、本発明においては、デバイスウエハ６０と接着性支持体１００とを接着させる前に、接着性支持体１００の接着性層１１の、剥離層７１に接着される面に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射しても良い。
　例えば、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により、接着性層を、低接着性領域及び高接着性領域が形成された接着性層に変換した上で、被処理部材の接着性支持体による仮接着を行っても良い。以下、この実施形態について説明する。
　【０１６２】
　図３Ａは、接着性支持体に対する露光を説明する概略断面図を示し、図３Ｂは、マスクの概略上面図を示す。
　【０１６３】
　先ず、接着性支持体１００の接着性層１１にマスク４０を介して活性光線又は放射線５０を照射（すなわち、露光）する。
　【０１６４】
　図３Ａ及び図３Ｂに示すように、マスク４０は、中央域に設けられた光透過領域４１と、周辺域に設けられた遮光領域４２とから構成されている。
　よって、上記露光は、接着性層１１の中央域には露光されるが、中央域を取り囲む周辺域には露光されない、パターン露光である。
　【０１６５】
　図４Ａは、パターン露光された接着性支持体の概略断面図を示し、図４Ｂは、パターン露光された接着性支持体の概略上面図を示す。
　【０１６６】
　上記したように、接着性層１１が、活性光線又は放射線の照射により接着性が減少する接着性層である場合、上記のパターン露光を行うことにより、接着性支持体１００は、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、中央域及び周辺域に、それぞれ、低接着性領域２１Ａ及び高接着性領域２１Ｂが形成された接着性層２１を有する接着性支持体１１０に変換される。
　ここで、本明細書中における「低接着性領域」とは、「高接着性領域」と比較して低い接着性を有する領域を意味し、接着性を有さない領域（すなわち、「非接着性領域」）を包含する。同様に、「高接着性領域」とは、「低接着性領域」と比較して高い接着性を有する領域を意味する。
　【０１６７】
　この接着性支持体１１０は、マスク４０を用いたパターン露光により、低接着性領域２１Ａ及び高接着性領域２１Ｂが設けられるものであるが、マスク４０における光透過領域及び遮光領域のそれぞれの面積及び形状はミクロンないしはナノオーダーで制御可能である。よって、パターン露光により接着性支持体１１０の接着性層２１に形成される高接着性領域２１Ｂ及び低接着性領域２１Ａのそれぞれの面積及び形状等を細かく制御できるため、接着性層の全体としての接着性を、デバイスウエハ６０のシリコン基板６１をより確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’のシリコン基板に対する仮支持をより容易に解除できる程度の接着性に、高精度で、かつ、容易に制御できる。
　【０１６８】
　また、接着性支持体１１０における高接着性領域２１Ｂ、及び、低接着性領域２１Ａは、パターン露光により、その表面物性が異なるものとはされるが、構造体としては一体となっている。よって、高接着性領域２１Ｂと低接着性領域２１Ａとで機械的な物性に大きな差異はなく、接着性支持体１１０の接着性層２１にデバイスウエハ６０のシリコン基板６１の表面６１ａが接着され、次いで、シリコン基板６１の裏面６１ｂが薄膜化処理やシリコン貫通電極を形成する処理を受けても、接着性層２１の高接着性領域２１Ｂに対応する裏面６１ｂの領域と、低接着性領域２１Ａに対応する裏面６１ｂの領域との間で、上記処理に係る圧力（例えば、研削圧力や研磨圧力など）に差は生じにくく、高接着性領域２１Ｂ、及び、低接着性領域２１Ａが、上記処理における処理精度に与える影響は少ない。これは、上記問題を生じやすい、例えば厚さ１〜２００μｍの薄型デバイスウエハ６０’を得る場合において特に有効である。
　【０１６９】
　よって、接着性支持体１１０を使用する形態は、デバイスウエハ６０のシリコン基板６１に上記の処理を施す際に、処理精度に与える影響を抑制しつつ、シリコン基板６１をより確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’に対する仮支持をより容易に解除できる形態として好ましい。
　【０１７０】
　また、接着性層１１が、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により接着性が減少する接着性層である場合、例えば、このような接着性層を、活性光線若しくは放射線又は熱を照射することにより、接着性層の基板側の内表面から外表面に向けて接着性が低下された接着性層に変換した上で、被処理部材の接着性支持体による仮接着を行っても良い。以下、この実施形態について説明する。
　【０１７１】
　図５は、接着性支持体に対する活性光線若しくは放射線又は熱の照射を説明する概略断面図である。
　【０１７２】
　先ず、接着性層１１の外表面に向けて活性光線若しくは放射線又は熱５０’を照射することにより、接着性支持体１００は、図５に示すように、基板側の内表面３１ｂから外表面３１ａに向けて接着性が低下された接着性層３１を有する接着性支持体１２０に変換される。
　すなわち、接着性層３１は、外表面３１ａ側には低接着性領域３１Ａを、内表面３１ｂ側には高接着性領域３１Ｂをそれぞれ有することになる。
　このような接着性層３１は、活性光線若しくは放射線又は熱５０’の照射量を、外表面３１ａには、活性光線若しくは放射線又は熱５０が充分に照射されるものの、内表面３１ｂまでには、活性光線若しくは放射線又は熱５０が到達しないような照射量とすることにより、容易に形成できる。
　ここで、このような照射量の変更は、露光機や加熱装置の設定を変更することにより容易に行うことができるため、設備コストを抑制できるとともに、接着性層２１、３１の形成に多くの時間を費やすものでもない。
　以上のように、上記の接着性層３１は、その形成が容易である。
　【０１７３】
　更に、外表面３１ａにおける接着性及び内表面３１ｂにおける接着性のそれぞれは、接着性層１１を構成する素材の選択、及び、活性光線若しくは放射線又は熱の照射量の調整等により、精度良く制御できるものである。
　その結果、基板１２及びシリコン基板６１のそれぞれに対する接着性層３１の接着性を、デバイスウエハ６０のシリコン基板６１を確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’のシリコン基板に対する仮支持を容易に解除できる程度の接着性に、高精度で、かつ、容易に制御できる。
　【０１７４】
　よって、接着性支持体１２０を使用する形態も、デバイスウエハ６０のシリコン基板６１に上記の処理を施す際に、シリコン基板６１をより確実かつ容易に仮支持できるとともに、薄型デバイスウエハ６０’に損傷を与えることなく、薄型デバイスウエハ６０’に対する仮支持をより容易に解除できる形態として好ましい。
　【０１７５】
　本発明の半導体装置の製造方法は、前述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。
　【０１７６】
　前述した実施形態において、本発明の接着性組成物より形成される接着性層は、デバイスウエハの仮接着の前に、キャリア基板の上に設けられることにより接着性支持体を構成したが、先ず、剥離層の上に設けられることにより仮接合層が形成してもよく、この場合、仮接着性層における接着性層及び剥離層がそれぞれキャリア基板及びデバイスウエハに接着されている。
　【０１７７】
　例えば、パターン露光に使用されるマスクは、バイナリマスクであっても、ハーフトーンマスクであっても良い。
　【０１７８】
　また、露光は、マスクを介したマスク露光としたが、電子線等をも用いた描画による選択的露光であっても良い。
　【０１７９】
　また、前述した実施形態において、接着性層は単層構造であるが、接着性層は多層構造であってもよい。多層構造の接着性層を形成する方法としては、活性光線又は放射線を照射する前に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を段階的に塗布する方法や、活性光線又は放射線を照射した後に、前述した従来公知の方法で接着性組成物を塗布する方法などが挙げられる。接着性層が多層構造である形態において、例えば、接着性層１１が、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により接着性が減少する接着性層である場合には、活性光線若しくは放射線又は熱の照射により、各層間の接着性を減少させることにより、接着性層全体としての接着性を減少させることもできる。
　【０１８０】
　また、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持される被処理部材として、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において、機械的又は化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であっても良い。
　例えば、被処理部材としては、化合物半導体基板を挙げることもでき、化合物半導体基板の具体例としては、ＳｉＣ基板、ＳｉＧｅ基板、ＺｎＳ基板、ＺｎＳｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、及び、ＧａＮ基板などが挙げられる。
　【０１８１】
　更に、前述した実施形態においては、接着性支持体により支持されたシリコン基板に対する機械的又は化学的な処理として、シリコン基板の薄膜化処理、及び、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。
　【０１８２】
　その他、前述した実施形態において例示した、マスクにおける光透過領域及び遮光領域、接着性層における高接着性領域及び低接着性領域、並びに、デバイスウエハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は、本発明を達成できるものであれば任意であり、限定されない。
　【実施例】
　【０１８３】
　以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。実施例２及び３は「参考例」と読み替えるものとする。
　【０１８４】
＜接着性支持体の形成＞
　４インチＳｉウエハに下記表１記載に示す組成の各液状接着性組成物をスピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製　Ｏｐｔｉｃｏａｔ　ＭＳ−Ａ１００，１２００ｒｐｍ，３０秒）により塗布したのち、１００℃で３０秒ベークし、厚さ１０μｍの接着性層が設けられたウエハ１（すなわち接着性支持体）を形成した。
　【０１８５】
　【表１】
　【０１８６】
　表１中に記載の化合物は、以下の通りである。
　【０１８７】
　Ｓ１　：　メチルアミルケトン
　Ｓ２　：　プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
　Ｓ３　：　Ｎ−メチル−２−ピロリドン
　【０１８８】
〔バインダー〕
　【０１８９】
　【化１２】
　【０１９０】
　高分子化合物（２）：ＮＫオリゴＥＡ７４４０（新中村化学製、カルボン酸基及びラジカル重合性基を有するノボラック樹脂）
　高分子化合物（３）：Ｄｕｒｉｍｉｄｅ　１０（富士フイルム製、ポリイミド樹脂）
　【０１９１】
〔重合性モノマー〕
　重合性モノマー（１）：ＵＡ−１１００Ｈ（新中村化学製、４官能ウレタンアクリレート）
　重合性モノマー（２）：Ａ−ＴＭＰＴ（新中村化学製、トリメチロールプロパントリアクリレート）
　重合性モノマー（３）：２，２−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）プロパン（東京化成（株）製）
　【０１９２】
〔光重合開始剤〕
　光重合開始剤（１）：ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０２（ＢＡＳＦ社製）
　【０１９３】
〔熱重合開始剤〕
　熱重合開始剤（１）：パーブチルＺ（日油（株）製、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート）
　【０１９４】
＜被処理部材の作成＞
　４インチＳｉウエハに下記表２記載に示す組成の各液状剥離層組成物をスピンコーター（Ｍｉｋａｓａ製　Ｏｐｔｉｃｏａｔ　ＭＳ−Ａ１００，１２００ｒｐｍ，３０秒）により塗布したのち、１００℃で３００秒ベークし、厚さ２０μｍの剥離層が設けられたウエハ２（すなわち被処理部材）を形成した。
　【０１９５】
　【表２】
　【０１９６】
　炭化水素樹脂（１）：クリアロンＰ−１３５（ヤスハラケミカル（株）製）
　炭化水素樹脂（２）：　ゼオネックス４８０Ｒ（日本ゼオン（株）製）
　炭化水素樹脂（３）：ＴＯＰＡＳ５０１３（ポリプラスチックス（株）製）
　炭化水素樹脂（４）：　ＴＰＸ−ＭＸ００２　（三井化学（株）製）
　炭化水素樹脂（５）：ポリスチレン（アルドリッチ製，分子量１９万）
　炭化水素樹脂（６）：ペンセルＫＫ（荒川化学（株）製）
　比較樹脂（１）：　ＭＡＣＲＯＭＥＬＴ　６９０１（ヘンケル社製，ナイロン）
　比較樹脂（２）：　　　（下記式（３）で表される繰り返し単位：下記式（１）で表される繰り返し単位＝５０：５０（モル比））　　　分子量　８，０００
　比較樹脂（３）：　　　（下記式（６）で表される繰り返し単位：下記式（７）で表される繰り返し単位＝７０：３０（モル比））　　　分子量　６，５００
　【０１９７】
　【化１３】
　【０１９８】
　【化１４】
　【０１９９】
＜積層体試験片の作成＞
　下記表３に記載の組み合わせでウエハ１とウエハ２を圧着及びベークすることで試験片を作成した。以下に圧着及びベークの方法を示す。
　【０２００】
［圧着］
　表面に何も塗布していない４インチＳｉウエハ又は剥離層付き４インチＳｉウエハ（以降ウエハ２とする）を分割し、５ｍｍ×２０ｍｍのサンプル片とした。同様に分割した５ｍｍ×２０ｍｍのウエハ１のサンプル片を、その接着性層が、表面に何も塗布していない４インチＳｉウエハ又はウエハ２の剥離層に対して５ｍｍ×５ｍｍの正方形で接触するように重ね、２５℃で２０Ｎ／ｃｍ２で３０秒間加圧接着した。
　【０２０１】
［ベーク］
　加圧接着後、１８０℃で６０秒間加熱した。
＜積層体試験片の接着力測定＞
　作成された積層体試験片のせん断接着力を、引っ張り試験機（イマダ製デジタルフォースゲージ、型式：ＺＰ−５０Ｎ）を用いて、２５０ｍｍ／ｍｉｎの条件で接着性層の面に沿った方向に引っ張り測定した。測定は２５℃と１００℃で行った。結果を下記表３に示す。＜剥離性試験片の剥離性測定＞
　作成された試験片を、表３に記載の剥離液に２５℃で浸漬させた。２枚のサンプル片が自然に剥離するまで浸漬し、その時間を計測した。結果を下記表３に示す。
　【０２０２】
＜積層体試験片の耐薬性測定＞
　作成された試験片を、表３に記載の薬液に２５℃で６０ｍｉｎ浸漬させた。浸漬中に２枚のサンプル片が自然に剥離したものをＢ、剥離しなかったものをＡとした。結果を下記表３に示す。
　【０２０３】
　【表３】
　【０２０４】
　表３記載の略称はそれぞれ以下の通りである。
　【０２０５】
ＴＨＦ：　テトラヒドロフラン
ＮＭＰ：　Ｎ−メチルピロリドン
ＴＭＡＨ：　テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
　【０２０６】
　以上のように、剥離層を有していない比較例１は接着性は得られるもの剥離性が不十分であり、接着性層を有していない比較例２は接着性が不十分であり、また、剥離層が炭化水素樹脂を含まない層である比較例３〜６は、剥離性及び耐薬性（耐ＮＭＰ，シクロヘキサノン・ＰＧＭＥＡ）が不十分であったのに対して、実施例においては、本発明の仮接合層を使用することで、接着性と剥離性を両立できることが分かった。
　また、実施例９を除く全ての実施例において、以下に示す露光プロセスを経た場合、接着性層と剥離層との接着性は全く発現しなかった。
　【０２０７】
［露光］
　ウエハ１の接着性層に、ＵＶ露光装置（浜松ホトニクス製　ＬＣ８）を用いて、２５４ｎｍの波長の光を、５００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光した。
　【０２０８】
　よって、このような接着性層を接着性支持体の接着性層とし、接着性層にパターン露光を行うことにより（すなわち、露光部と未露光部とを設けることにより）、接着性層に高接着性領域と低接着性領域とを設けることができるため、上記したように、被処理部材に機械的又は化学的な処理を施す際に、処理精度に与える影響を抑制しつつ、被処理部材を確実かつ容易に仮支持できるとともに、処理済部材に損傷を与えることなく、処理済部材に対する仮支持を解除することが可能となる。
　【符号の説明】
　【０２０９】
１１，１１’，２１，３１　接着性層
１２　キャリア基板
２１Ａ，３１Ａ　低接着性領域
２１Ｂ，３１Ｂ　高接着性領域
３１ａ　接着性層の外表面
３１ｂ　接着性層の内表面
４０　マスク
４１　光透過領域
４２　遮光領域
５０　活性光線又は放射線
５０’　活性光線若しくは放射線又は熱
６０　デバイスウエハ
６０’　薄型デバイスウエハ
６１　シリコン基板
６１ａ　シリコン基板の表面
６１ｂ　シリコン基板の裏面
６１ｂ’　薄型デバイスウエハの裏面
６２　デバイスチップ
６３　バンプ
７０　テープ
７１　剥離層
８０　仮接合層
１００，１００’，１１０，１２０　接着性支持体
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層がポリスチレン樹脂、オレフィンモノマー重合体、テルペン樹脂、ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であ
り、前記接着性層が、バインダーと、重合性モノマーと、熱重合開始剤とを含む
　【請求項２】
　前記炭化水素樹脂が、ポリスチレン樹脂である、請求項１に記載の半導体装置製造用仮接合層。
　【請求項３】
　
（Ａ）剥離層と、（Ｂ）接着性層とを有する半導体装置製造用仮接合層であって、前記剥離層がテルペン樹脂、ロジン及び石油樹脂からなる群より選ばれる少なくとも一種の炭化水素樹脂を含む層であり、
む半
　【請求項４】
　支持体と、被処理部材と、前記支持体と前記被処理部材との間に設けられた請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層とを有する、積層体。
　【請求項５】
　被処理部材の第１の面と基板とを、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置製造用仮接合層が介在するように接着させる工程、前記被処理部材の前記第１の面とは異なる第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程、及び、前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程、を有する、前記処理済部材を有する半導体装置の製造方法。
　【請求項６】
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の前に、前記仮接合層の接着性層に対して、活性光線若しくは放射線又は熱を照射する工程を更に有する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項７】
　前記被処理部材の第１の面と前記基板とを前記仮接合層を介して接着させる工程の後、かつ、前記被処理部材の前記第２の面に対して、機械的又は化学的な処理を施し、処理済部材を得る工程の前に、前記仮接合層を５０℃〜３００℃の温度で加熱する工程を更に有する、請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項８】
　前記仮接合層から前記処理済部材を脱離する工程が、前記仮接合層に剥離溶剤を接触させる工程を含む、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項９】
　前記剥離溶剤が、炭化水素系溶剤及びエーテル溶剤からなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
　【請求項１０】
　前記剥離溶剤が、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタン、リモネン、ｐ−メンタン及びテトラヒドロフランからなる群より選ばれる少なくとも一種の溶剤である、請求項９に記載の半導体装置の製造方法。