【事件の表示】
　特許第５７６８７８５号発明「燐化インジウム基板および燐化インジウム結晶」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７６８７８５号の特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜４〕、〔５〜７〕について訂正することを認める。
　特許第５７６８７８５号の請求項１、２、４〜７に係る特許を維持する。
　特許第５７６８７８５号の請求項３に係る特許についての申立てを却下する。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第５７６８７８５号の請求項１〜７に係る特許についての出願は、２００４年５月６日（優先権主張２００３年５月７日、日本国）を国際出願日とする特願２００５−５０６４５９号の一部を、平成２４年８月３１日に新たな特許出願（特願２０１２−１９０７２２号）としたものであって、登録後の経緯は以下のとおりである。
平成２７年　７月　３日　　：特許権の設定登録
　　　同年１２月２８日　　：特許異議申立人　市東　勇による特許異議の申立て
平成２８年　４月１８日付け：取消理由の通知
　　　同年　６月１６日　　：訂正の請求、意見書の提出
　　　同年　８月１０日　　：特許異議申立人による意見書の提出
２．訂正の適否についての判断
（１）訂正の内容
　平成２８年６月１６日付け訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）による請求項１〜７に係る訂正の内容は以下のア〜エのとおりである。
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１、２に「ウェハーの厚み方向の分布が実質的に均一」と記載されているのを、「ウェハーの厚み方向の分布が主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下」に訂正する。
　請求項１又は請求項２の記載を引用する請求項４も同様に訂正する。
イ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項３を削除する。
ウ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項４の引用を、「請求項１から請求項３」から「請求項１または請求項２」に訂正する。
エ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項５、６に「厚み方向の分布が実質的に均一な」と記載されているのを、「厚み方向の分布が主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下の」に訂正する。
　請求項５又は請求項６の記載を引用する請求項７も同様に訂正する。
（２）訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、及び一群の請求項
ア　訂正事項１、４について
　訂正前の請求項１、２、５、６は、「ドーパント濃度の」「ウェハー」ないし「基板」の「厚み方向の分布」を、「実質的に均一」であると特定している。
　これに対して、訂正後の請求項１、２、５、６は、「ドーパント濃度の」「ウェハー」ないし「基板」の「厚み方向の分布」を、「主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下」と特定することで、明確にしたものである。
　したがって、訂正事項１、４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、「ドーパント濃度のウェハーの厚み方向の分布」を、「主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下」とすることは、訂正前の請求項３に記載されていた事項であるから、訂正事項１、４は、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　したがって、訂正事項１、４は、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項に適合するものである。
イ　訂正事項２について
　訂正事項２は、訂正前の請求項３を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項に適合するものである。
ウ　訂正事項３について
　訂正事項３は、多数項を引用している請求項の引用請求項を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、また、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項、第６項に適合するものである。
エ　一群の請求項について
　訂正事項１〜３に係る訂正前の請求項１〜４について、請求項３、４は請求項１又は請求項２を引用しており、訂正事項１によって記載が訂正される請求項１又は請求項２に連動して訂正されるものである。
　また、訂正事項４に係る訂正前の請求項５〜７について、請求項７は請求項５又は請求項６を引用しており、訂正事項４によって記載が訂正される請求項５又は請求項６に連動して訂正されるものである。
　したがって、訂正前の請求項１〜４に対応する訂正後の請求項１〜４、及び訂正前の請求項５〜７に対応する訂正後の請求項５〜７は、それぞれ特許法第１２０条の５第４項に規定する一群の請求項である。
３．訂正の適否についてのむすび
　以上のとおり、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き各号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第５項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜４〕、〔５〜７〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１．本件特許発明
　上記のとおり訂正が認められるので、本件訂正請求により訂正された請求項１〜７に係る発明（以下「本件特許発明１〜７」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。（下線部は訂正箇所であり、当審において付した。）
【請求項１】
　面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板であって、前記主面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満であり、ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、かつウェハーの厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下
【請求項２】
　面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板であって、前記主面内の転位密度の平均値が２０００ｃｍ−２未満であり、ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、かつウェハーの厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下
【請求項３】
（削除）
【請求項４】
　直径が１００ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項１
または
２
【請求項５】
　成長方向が〈１００〉方位であり、直径が７５ｍｍ以上でドーパントがＳ（硫黄）あるいはＳｎ（錫）である燐化インジウム結晶であって、成長方向に垂直な（１００）面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満であり、該（１００）面内のドーパント濃度の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、ドーパント濃度の厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下の
【請求項６】
　成長方向が〈１００〉方位であり、直径が７５ｍｍ以上でドーパントがＦｅ（鉄）、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（錫）、Ｚｎ（亜鉛）の何れかである燐化インジウム結晶であって、成長方向に垂直な（１００）面内の転位密度の平均値が２０００ｃｍ−２未満であり、該（１００）面内のドーパント濃度の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、ドーパント濃度の厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下の
【請求項７】
　直径が１００ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の燐化インジウム結晶。
２．取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜７に係る特許に対して平成２８年４月１８日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
理由１．請求項１、２、４〜７に係る特許の、「ドーパント濃度の・・・ウェハーの厚み方向の分布が実質的に均一である」とはいかなる範囲を意味しているのか明確でなく、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであるから、取り消されるべきものである。
３．当審の判断
（１）取消理由に対する当審の判断
　本件訂正により、「ドーパント濃度の」「厚み方向の分布」が、「主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下」であることが特定された。
　特許異議申立人は意見書において、前記特定は「何の何に対する比率」であるのかを示していないと主張するが、本件特許発明は、「『±』５％以下」と上下の幅で特定されていること、及び、本件明細書の実施例、例えば【００３８】には、「研磨とエッチングで表面から１０μｍずつ削りながら、・・・表面から１００μｍまでのＦｅ濃度を測定する」と、１０μｍごとに複数回の測定を行い、複数個の測定値を得ていることからみて、当業者であれば、前記特定は、該複数個の測定値の平均値を算出したうえで、各測定値が該平均値に対して±５％以下の範囲内に含まれることを意味するものと理解できる。
　したがって、本件特許発明１、２、４〜７は明確である。
（２）取消理由に採用しなかった特許異議申立理由に対する当審の判断
ア　特許異議申立人は、特許異議申立書において、「ドーパント濃度の・・・ウェハーの厚み方向の分布」を定量的に測定する方法が記載されていないので、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら、上記（１）のとおり、当業者は、本件明細書の記載から、「ドーパント濃度の」「厚み方向の分布」を測定する方法を理解できるから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
イ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、ドーパント濃度の厚み方向の分布について、本件明細書に記載された、研磨とエッチングを繰り返し、ＳＩＭＳ法により測定する方法には、ドーパント材と基板主成分（ＩｎＰ）の除去速度（エッチングレート）の相違及びＳＩＭＳ法の分析精度の問題が存在し、ＳＩＭＳ法により得られた数値から求めた分布と実際の分布とが乖離する可能性があると主張する。
　したがって、ドーパント濃度の厚み方向の分布について、ＳＩＭＳ法で行う実施例しか記載のない本件明細書は、「ドーパント濃度の厚み方向の分布が・・・±５％以下である」かどうかを判断するための方法を十分に開示しているとはいえないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら、ドーパント材と基板主成分との除去速度（エッチングレート）がどの程度相違し、ドーパント濃度の測定結果にどの程度の影響を与えるかについて、具体的な主張は何らなされていない。
　また、ＳＩＭＳ法の分析精度についてみても、測定対象や装置の種類によっては分析精度が低い可能性があることを示すにすぎない。
　したがって、ドープされた燐化インジウム基板に関する本件特許発明において、ＳＩＭＳ法では、「ドーパント濃度のウェハーの厚み方向の分布が、主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下である」かどうかを判断できないとまではいえないから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
ウ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、ドーパントの面内方向濃度分布について、本件明細書の実施例では、ウェハー外周から２．５ｍｍ内側の領域におけるＦｅ濃度を、このウェハーにおける不純物濃度の最大値としているが、ウェハー外周から２．５ｍｍ内側の領域よりも更に内側にＦｅ濃度が更に高い部位が存在する可能性を否定できず、本件明細書の実施例に記載された値は、必ずしも「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率」を示したことにはならないと主張する。
　したがって、本件明細書は、「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値との差の平均値に対する比率が３０％」であることを特定事項とする本件特許発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら、本件明細書の実施例、例えば【００３７】には、「ＧＤＭＳ法により
Ｆｅ濃度のウェハー面内の分布を測定すると
エ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、転位密度の平均値について、転位密度は測定領域によって異なり、測定領域の範囲の取り方によっても大きく変わってくるものであるところ、本件明細書には、「結晶胴部先端と後端でウェハーを採取してＨｕｂｅｒ（ヒューバー）エッチング液を用いて、エッチピット密度を調べる」と記載されている程度で、「主面内の転位密度の平均値」の定義が全く示されていないと主張する。
　したがって、本件明細書は、「（１００）面内の転位密度の平均値が５０００（または２０００）ｃｍ−２未満」であることを特定事項とする本件特許発明を実施できる程度に明確かつ十分に記載されていないから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら、転位密度の測定方法として、エッチング液を用いたエッチピット法は、例えば特許異議申立人が提出した下記甲１、４号証にも記載されているように当業者に周知慣用の手法であり、また、例えば甲１号証の図７、８の「平均ＥＰＤ」や、甲４号証の図３の「Ａｖｅ．」のように、面内のエッチピット密度分布から平均値を求めることも、当業者に周知慣用の手法である。
　してみれば、当業者であれば、本件明細書の記載から上記周知慣用の手法により主面内の転位密度の平均値を求めることができるといえるから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
甲１号証：細川佳宏、「ＶＣＺ法による３”φ低転位ＩｎＰ結晶の開発」、住友電気、１９９２年、Ｎｏ．１４１、ｐｐ．８５〜８９
甲４号証：橋尾克司、「ＶＢ法による４インチドープＦｅドープＩｎＰ基板の開発」、ＳＥＩテクニカルレビュー第１６２号、２００３年３月、ｐｐ．３９〜４２
オ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、本件明細書には、Ｚｎをドーパントとする実施例が記載されていないから、Ｚｎをドーパントとして含む本件特許発明は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないと主張する。
　しかしながら、本件明細書【００１５】などには、ＩｎＰのドーパントとして、Ｆｅ（鉄）、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（錫）と並んでＺｎ（亜鉛）が記載されており、また、本件明細書には、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎをドーパントとする実施例も開示されている。
　そして、例えば甲１号証には、ＦｅドープＩｎＰやＳドープＩｎＰと同様にＺｎドープＩｎＰが記載されているように、本件特許の出願時において、燐化インジウムのドーパントとしてＺｎを採用することも当業者に周知であった。
　してみれば、当業者であれば、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎにかえて、Ｚｎをドーパントとした燐化インジウムも、同様に本件特許発明の課題を解決し得ると認識するものであり、実施例が記載されていないことのみをもって、Ｚｎをドーパントとする燐化インジウム基板、ないし燐化インジウム結晶が本件明細書によりサポートされていないとはいえないから、特許異議申立人の上記主張は採用できない。
カ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、甲１号証に記載の発明（甲１発明）は、「面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板である点」、「主面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満である点」、及び「Ｆｅ（鉄）、Ｚｎ（亜鉛）、Ｓ（硫黄）の少なくとも何れか１つのドーパントを含む点」において本件特許発明１と一致し、「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下である点（相違点１）」、及び「ドーパント濃度のウェハーの厚み方向の分布が主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下である点（相違点２）」において本件特許発明１と一応相違するとしている。
　そして、相違点１については、甲１号証の図６に記載された、「３インチＦｅドープＩｎＰ結晶の比抵抗の面内分布」と、甲２、３号証に記載されたＦｅ濃度と抵抗率との関係から、甲１発明は、「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下である」蓋然性が高く、相違点２については、ウェハーの厚み方向に沿ったドーパント濃度の分布は、製造において何ら特別な技術を用いなくても十分均一になるから、周知慣用技術にすぎないと主張し、訂正前の請求項１〜３、５、６に係る発明は、甲１〜３号証の記載から当業者が容易に発明をすることができたものであると主張している。
甲１号証：細川佳宏、「ＶＣＺ法による３”φ低転位ＩｎＰ結晶の開発」、住友電気、１９９２年、Ｎｏ．１４１、ｐｐ．８５〜８９（再掲）
甲２号証：特開平２−２３９１９５号公報
甲３号証：Y.HOSOKAWA, IPRM1998(Proceeding of 10th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1998), pp.34-37
　上記主張に対し、特に相違点１について検討する。
　まず、特許異議申立人は、甲１号証の図６から、ＶＣＺ法により製造された３インチＦｅドープＩｎＰ結晶の比抵抗について、最大値が７．８×１０７Ωｃｍ程度、最小値が６．６×１０７Ωｃｍ程度であることが読み取れると主張している。
　しかしながら、甲１号証の図６をみても、比抵抗の最大値、最小値を特許異議申立人が主張する精度で読み取れるとはいえない。
　また、特許異議申立人は、甲２号証の図１、甲３号証の図４から、「ＩｎＰウェハーにおけるＦｅ濃度と抵抗率との関係を示す両対数グラフのうち、Ｆｅが高濃度の領域（直線部）は、その製造方法に関係なく、傾きが１程度の直線になる可能性が極めて高いということができる」と主張している。
　しかしながら、甲２号証の図１、甲３号証の図４から、両対数グラフの傾きを明確に読み取れるとはいえない。
　また、甲２号証、甲３号証には、ＩｎＰウェハーにおけるＦｅ濃度と抵抗率との関係を示す両対数グラフに関して、その製造方法に関係なく、上記特許異議申立人が主張する関係が成り立つことについて、記載も示唆もなく、また、それを補う技術常識が存在するものとも認められない。
　したがって、甲１号証には、「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下である点（相違点１）」が記載されているとはいえないから、該相違点１は実質的な相違点である。
　そして、甲１〜３号証には、ウェハー面内のドーパント濃度分布について記載も示唆もないから、「ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下」となるようにすることは、当業者が容易になし得ることではない。
　したがって、本件特許発明１、２、５、６は、甲１〜３号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
キ　特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の請求項４、７に係る発明は、甲２、３、６号証の記載から当業者が容易に発明をすることができたものであると主張し、甲６号証に記載の発明を、訂正前の請求項４、７に係る発明と対比している。
甲６号証：A.NODA, IPRM2002(Proceeding of 14th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 2002), pp.397-400
　そして、特許異議申立人は、甲６号証の図３から、ＰＣ−ＬＥＣ法により製造されたＦｅドープＩｎＰ単結晶の肩(Shoulder)部から得られた、４インチ基板の抵抗率について、最大値が２．６×１０７Ωｃｍ程度、最小値が２×１０７Ωｃｍ程度であることが読み取れると主張している。
　しかしながら、甲６号証の図３をみても、抵抗率の最大値、最小値を特許異議申立人が主張する精度で読み取れるとはいえないし、上記特許異議申立人が主張する値が適切であるともいえない。
　また、甲２号証、甲３号証の記載に基づく特許異議申立人の主張については、上記「カ」にて説示したとおりである。
　したがって、本件特許発明４、７は、甲２号証、甲３号証及び甲６号証に記載された発明から当業者が容易に発明をすることができたものではない。
４．むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、２、４〜７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１、２、４〜７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、本件請求項３に係る特許は、訂正により削除されたため、本件請求項３に対して、特許異議申立人　市東　勇がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１０月１４日（２０１６．１０．１４）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板であって、前記主面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満であり、ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、かつウェハーの厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下
　【請求項２】
　面方位（１００）の主面を有する直径７５ｍｍ以上の燐化インジウム基板であって、前記主面内の転位密度の平均値が２０００ｃｍ−２未満であり、ドーパント濃度のウェハー面内の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、かつウェハーの厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下
　【請求項３】
（削除）
　【請求項４】
　直径が１００ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項１
または
２
　【請求項５】
　成長方向が〈１００〉方位であり、直径が７５ｍｍ以上でドーパントがＳ（硫黄）あるいはＳｎ（錫）である燐化インジウム結晶であって、成長方向に垂直な（１００）面内の転位密度の平均値が５０００ｃｍ−２未満であり、該（１００）面内のドーパント濃度の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、ドーパント濃度の厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下の
　【請求項６】
　成長方向が〈１００〉方位であり、直径が７５ｍｍ以上でドーパントがＦｅ（鉄）、Ｓ（硫黄）、Ｓｎ（錫）、Ｚｎ（亜鉛）の何れかである燐化インジウム結晶であって、成長方向に垂直な（１００）面内の転位密度の平均値が２０００ｃｍ−２未満であり、該（１００）面内のドーパント濃度の最大値と最小値の差の平均値に対する比率が３０％以下であり、ドーパント濃度の厚み方向の分布が
主面から１００μｍの厚み範囲において±５％以下の
　【請求項７】
　直径が１００ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の燐化インジウム結晶。