(57)【要約】  重畳部（１３）は、駆動電圧振幅の制御時には、基準直流バイアス電圧にディザ信号を重畳して、バイアス電圧としてＭＺ変調器（２）へ出力する。振幅設定部（３０）は、ＭＺ変調器（２）への駆動電圧振幅の制御時には、バイアス制御部（９）から出力される基準直流バイアス電圧を変化させて得られる同期検波部（１２）の出力カーブの振幅を増幅部（６）の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求め、複数個の同期検波部（１２）の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する増幅部（６）の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部（６）の増幅率を設定する。
2017208803.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から連続的に出射された光を駆動電圧およびバイアス電圧に基づいて変調することにより光信号を生成するＭＺ変調器と、
前記光信号を分波する分波器と、
前記分波器から出力される光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードから出力される信号の極大値と極小値の差分を検出するログ検出部と、
駆動電圧振幅の制御時には、ディザ信号を発生するディザ信号生成部と、
前記ディザ信号と前記ログ検出部の出力信号とを乗算して同期検波する同期検波部と、
基準直流バイアス電圧を出力するバイアス制御部と、
前記駆動電圧振幅の制御時には、前記基準直流バイアス電圧に前記ディザ信号を重畳して、前記バイアス電圧として出力し、前記駆動電圧振幅の制御時以外には、前記基準直流バイアス電圧を前記バイアス電圧として出力する重畳部と、
データ信号を生成して出力するデータ信号生成部と、
ユーザによって設定される検査パターン信号を出力する検査パターン生成部と、
前記駆動電圧振幅の制御時には、前記検査パターン信号を選択し、通常動作時には、前記データ信号を選択する選択部と、
前記選択された信号を増幅して、前記駆動電圧として前記ＭＺ変調器に出力する増幅部と、
前記駆動電圧振幅の制御時には、前記バイアス制御部から出力される前記基準直流バイアス電圧を変化させて得られる前記同期検波部の出力カーブの振幅を前記増幅部の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求め、前記複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する前記増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、前記増幅部の増幅率を設定する振幅設定部とを備える、光変調装置。
【請求項２】
前記検査パターン信号は、前記データ信号のボーレートの半分の周波数のクロック信号である、請求項１記載の光変調装置。
【請求項３】
前記振幅設定部は、最適な駆動電圧の振幅が前記ＭＺ変調器の半波長電圧の場合に、前記複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの最大値に対応する前記増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、前記増幅部の増幅率を設定する、請求項１記載の光変調装置。
【請求項４】
前記振幅設定部は、最適な駆動電圧の振幅が前記ＭＺ変調器の半波長電圧の２倍の場合に、前記複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの最小値に対応する前記増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、前記増幅部の増幅率を設定する、請求項１記載の光変調装置。
【請求項５】
前記振幅設定部は、前記基準直流バイアス電圧を前記ＭＺ変調器の半波長電圧以上にわたって変化させることによって、前記同期検波部の出力カーブを得る、請求項１記載の光変調装置。
【請求項６】
光変調装置の制御方法であって、前記光変調装置は、光源から連続的に出射された光を駆動電圧およびバイアス電圧に基づいて変調することにより光信号を生成するＭＺ変調器と、前記光信号を分波する分波器と、前記分波器から出力される光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、前記フォトダイオードから出力される信号の極大値と極小値の差分を検出するログ検出部と、駆動電圧振幅の制御時には、ディザ信号を発生するディザ信号生成部と、前記ディザ信号と前記ログ検出部の出力信号とを乗算して同期検波する同期検波部と、基準直流バイアス電圧を出力するバイアス制御部と、駆動電圧振幅の制御時には、前記基準直流バイアス電圧に前記ディザ信号を重畳して、前記バイアス電圧として出力し、駆動電圧振幅の制御時以外には、前記基準直流バイアス電圧を前記バイアス電圧として出力する重畳部と、データ信号を生成して出力するデータ信号生成部と、ユーザによって設定される検査パターン信号を出力する検査パターン生成部と、駆動電圧振幅の制御時には、前記検査パターン信号を選択し、通常動作時には、データ信号を選択する選択部と、前記選択された信号を増幅して、前記駆動電圧として前記ＭＺ変調器に出力する増幅部とを備え、前記光変調装置の制御方法は、
前記バイアス制御部から出力される前記基準直流バイアス電圧を変化させて得られる前記同期検波部の出力カーブの振幅を前記増幅部の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求めるステップと、
前記複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する前記増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、前記増幅部の増幅率を設定するステップとを備える、光変調装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調装置および光変調装置の制御方法に関し、ＭＺ（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅｒ）変調器を利用した光変調装置および光変調装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムの一つの変調方式として、レーザーダイオードを駆動電流で変調することによって電気信号に比例した光の強度信号を得る直接変調方式が用いられてきた。この直接変調方式は、装置構成が非常に簡単である長所を有している。しかし、伝送速度が数Ｇｂｉｔ／ｓを超える超高速・広帯域光通信システムにおいては、直接変調時に光の波長が変化する波長変動（チャーピング）現象が生じ、そのことが伝送容量を制限する要因となっていた。このため、直接変調方式は、比較的低速な光通信システムに用いられている。【０００３】
一方、超高速伝送用の光変調方式では、変調時のチャーピングを抑圧するため、半導体レーザを連続的に発光させて、この光を外部変調器でオン／オフする外部変調器方式が使用されている。外部変調器として最も一般的なものがマッハツェンダ型変調器である。【０００４】
ＭＺ変調器は、チャーピングが少ないという利点があるが、温度変化や経時変化等によって、光出力のオン／オフレベルに符号間干渉が生じてしまうという問題があった。このような問題を解決してマッハツェンダ型変調器の動作点を安定に制御することが必要となる。ＮＲＺ（Ｎｏｎ  Ｒｅｔｕｒｎ  ｔｏ  Ｚｅｒｏ）符号などを用いた変調方式におけるバイアスの安定化制御は、例えば特開２０１４-１０１８９号（特許文献１）、および特開２０１２-２５７１６４号（特許文献２）等に記載されている。これらの文献には、駆動電圧に低周波信号を重畳して動作点の変動量および変動方向を検出し、フィードバックによりバイアス電圧を制御して、動作点を正常に保つ補償技術が提案されている。これらの制御においては、最適なバイアス点は光出力がオンとなる電圧（ＰＥＡＫ点）と、光出力がオフとなる電圧（ＮＵＬＬ点）のほぼ中間点となる。【０００５】
上記のような背景のもと、ＢＰＳＫ（Ｂｉｎａｒｙ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）、またはＣＳＲＺ（Ｃａｒｒｉｅｒ−Ｓｕｐｐｒｅｓｓｅｄ  Ｒｅｔｕｒｎ  ｔｏ  Ｚｅｒｏ）などといった、最適な駆動電圧の振幅が２Ｖπの変調方式においても、バイアス安定化制御が必要となっており、バイアス電圧にディザ（低周波信号）を重畳して動作点の変動量および変動方向を検出し、フィードバックによりバイアス電圧を制御して、動作点を正常に保つ補償技術が提案されている。【０００６】
理想的なＭＺ変調器の場合、ＢＰＳＫまたはＣＳＲＺにおいては、光出力がオフとなる電圧（以下、ＮＵＬＬ点と呼ぶ）が最適なバイアス点であるから、バイアス点がＮＵＬＬ点になるようにバイアス制御が実施される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４-１０１８９号公報
【特許文献２】特開２０１２-２５７１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１、および特許文献２に開示された技術を用いることにより、ＰＥＡＫ点（ＮＵＬＬ点からＶπ離れたバイアス点）とＮＵＬＬ点の中間点がバイアス電圧の最適となるＮＲＺ変調方式において、ＭＺ変調器の半波長電圧（Ｖπ）を求め、駆動電圧振幅をＶπに設定して制御を行うことが可能となる。しかしながら、上記制御はバイアス電圧と駆動電圧振幅の両方にディザを重畳してフィードバック制御を行う必要があるため、制御回路が煩雑になってしまうという問題がある。【０００９】
また、特許文献１、および特許文献２に開示された技術はＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間点にバイアス電圧を設定し、駆動電圧振幅をＭＺ変調器の半波長電圧（Ｖπ）に設定して制御することを考慮している。したがって、ＮＵＬＬ点にバイアス電圧を設定して、駆動電圧振幅を最も伝送特性が優れるＭＺ変調器の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）の１００％近傍で使用することが一般的であるＣＳＲＺ変調、ＢＰＳＫ変調またはＱＰＳＫ変調等の変調方式においては、使用が困難な制御方式といえる。【００１０】
本発明は、上記の様な問題を解決するためになされたものであり、ディザの重畳が一箇所で、かつ直流バイアスをＮＵＬＬ点に設定する変調方式でも駆動電圧の振幅を設定することができる光変調装置および光変調装置の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、光源から連続的に出射された光を駆動電圧およびバイアス電圧に基づいて変調することにより光信号を生成するＭＺ変調器と、光信号を分波する分波器と、分波器から出力される光信号を電気信号に変換するフォトダイオードと、フォトダイオードから出力される信号の極大値と極小値の差分を検出するログ検出部と、駆動電圧振幅の制御時には、ディザ信号を発生するディザ信号生成部と、ディザ信号とログ検出部の出力信号とを乗算して同期検波する同期検波部と、基準直流バイアス電圧を出力するバイアス制御部と、駆動電圧振幅の制御時には、基準直流バイアス電圧にディザ信号を重畳して、バイアス電圧として出力し、駆動電圧振幅の制御時以外には、基準直流バイアス電圧をバイアス電圧として出力する重畳部と、データ信号を生成して出力するデータ信号生成部と、ユーザによって設定される検査パターン信号を出力する検査パターン生成部と、駆動電圧振幅の制御時には、検査パターン信号を選択し、通常動作時には、データ信号を選択する選択部と、選択された信号を増幅して、駆動電圧としてＭＺ変調器に出力する増幅部と、駆動電圧振幅の制御時には、バイアス制御部から出力される基準直流バイアス電圧を変化させて得られる同期検波部の出力カーブの振幅を増幅部の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求め、複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部の増幅率を設定する振幅設定部とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、駆動電圧振幅の制御時には、基準直流バイアス電圧にディザ信号を重畳してバイアス電圧として出力するとともに、基準直流バイアス電圧を変化させて得られる同期検波部の出力カーブの振幅を増幅部の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求める。そして、複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する増幅部の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部の増幅率を設定する。これにより、ディザがバイアス電圧のみに重畳され、かつ直流バイアスをＮＵＬＬ点に設定する変調方式でも駆動電圧の振幅を設定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の光変調装置の構成を示す図である。
【図２】ＭＺ変調器の駆動電圧に対する光出力特性の一例を示す図である。
【図３】バイアス点が消光カーブのＮＵＬＬ点の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【図４】バイアス点が消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【図５】バイアス点が消光カーブのＮＵＬＬ点の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【図６】駆動電圧振幅ごとのバイアス点のＮＵＬＬ点からのずれに対するログ検出部の出力（出力光の極大値と極小値の差分）を示す図である。
【図７】駆動電圧振幅ごとのバイアス点の中心のＮＵＬＬ点からのずれに対する同期検波部の出力値を示す図である。
【図８】駆動電圧振幅に対する同期検波部の出力カーブの振幅を示す図である。
【図９】実施の形態１のＭＺ変調器の半波長電圧（Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を表わすフローチャートである。
【図１０】実施の形態２のＭＺ変調器の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を表わすフローチャートである。
【図１１】実施の形態２のＭＺ変調器の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を表わすフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の各実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付して、その説明を繰返さない。
【００１５】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１の光変調装置の構成を示す図である。
【００１６】
図１を参照して、光変調装置は、光源１と、ＭＺ変調器２と、分波器３と、検査パターン生成部４と、データ信号生成部５と、選択部１４と、増幅部６と、増幅制御部７と、ディザ信号生成部８と、高速ＰＤ（フォトダイオード）１０と、ログ検出部１１と、同期検波部１２と、バイアス制御部９と、重畳部１３と、選択部１４と、振幅設定部３０、コンデンサ３１とを含む。
【００１７】
光源１は、光を出力する。
ＭＺ変調器２は、光源１から連続的に出射された光を駆動電圧およびバイアス電圧に基づいて変調することにより光信号を生成する。
【００１８】
ＭＺ変調器２は、例えばＬＮ（Ｌｉｔｈｉｕｍ  Ｎｉｏｂａｔｅ）結晶もしくは、ＩｎＰ等の半導体を構成材料とし、電界印加による屈折率変化、いわゆる電気光学効果を利用した光変調器である。ＭＺ変調器２は、２つのＹ分岐光導波路の間に、電極を形成した２本の光導波路である第１アーム２０Ａ，第２アーム２０Ｂを並列に接続して、いわゆるＭＺ干渉計として構成されている。第１アーム２０Ａは、変調電極２１Ａおよび位相差調整電極２２Ａを含む。第２アーム２０Ｂは、変調電極２１Ｂおよび位相差調整電極２２Ｂを含む。ＭＺ変調器２は、ＭＺ干渉計を通過する光に対して、変調電極２１Ａ，２１Ｂに入力された駆動電圧および位相差調整電極２２Ａ，２２Ｂに印加されたバイアス電圧による屈折率変化に起因する２本の光導波路の間の位相差に応じた光強度変化を与えて出力する。ＭＺ変調器２は、低チャープといった高い光信号品質と高速性の両立が可能な光変調器である。ＭＺ変調器２において、入力される駆動電圧に対して、出力される光の特性が周期的に変化する。
【００１９】
分波器３は、ＭＺ変調器２の出力光を分波して、第１出力部２３と、第２出力部２４に出力する。第１出力部２３は、外部と接続される。第２出力部２４は、高速ＰＤ１０に接続される。
【００２０】
検査パターン生成部４は、検査パターン信号を生成して出力する。検査パターン信号は、データ信号のボーレートの半分の周波数のクロック信号とする。
【００２１】
データ信号生成部５は、データ信号を生成して出力する。
選択部１４は、駆動電圧振幅の制御時には検査パターン信号を選択する。選択部１４は、通常動作時にはデータ信号を選択する。
【００２２】
増幅部６は、選択部１４から出力された信号を増幅して、駆動電圧として出力する。
増幅制御部７は、増幅部６の出力の振幅、すなわち増幅部６の増幅率を制御する。
【００２３】
ディザ信号生成部８は、駆動電圧振幅の制御時には、ディザ信号（低周波信号）を発生する。
【００２４】
高速ＰＤ（フォトダイオード）１０は、分波器３の第２出力部２４から送られる光信号を電気信号に変換する。
【００２５】
ログ検出部１１は、高速ＰＤ１０から出力される信号の極大値と極小値の差分を検出して、差分を表わす検出信号を出力する。
【００２６】
ログ検出部１１は、ショットキー・ダイオードを内蔵した市販の専用ＩＣなどによって構成される。なお、信号光の極大値と極小値の差分を検出するため、信号光と同等以上の周波数帯域が必要である。例えば、信号光がハイレベルとローレベルを交番で繰り返すクロック信号であれば、信号光以上の周波数帯域を有する必要がある。また、信号光がハイレベルとローレベルをランダムに繰り返すデータ信号であれば、信号光の最も速い周波数成分の１／１０程度以上の周波数帯域を有することが望ましい。しかし、この場合、必要となる周波数帯域はデータ信号のランダム性に依存するため、必ずしも１／１０程度以上の周波数帯域が必要となる訳ではない。
【００２７】
同期検波部１２は、ディザ信号生成部８から出力されるディザ信号とログ検出部１１から出力される検出信号とを乗算して同期検波する。
【００２８】
バイアス制御部９は、基準直流バイアス電圧を出力する。バイアス制御部９は、出力する基準直流バイアス電圧の大きさを制御する。
【００２９】
重畳部１３は、駆動電圧振幅の制御時には、バイアス制御部９から出力される基準直流バイアス電圧にディザ信号生成部８から出力されるディザ信号（ディザ電圧）を重畳してバイアス電圧を生成して出力する。重畳部１３は、駆動電圧振幅の制御時以外（通常動作時、バイアス電圧制御時）には、バイアス制御部９から出力される基準直流バイアス電圧をバイアス電圧として出力する。
【００３０】
振幅設定部２０は、駆動電圧振幅の制御時に、バイアス制御部９から出力される基準直流バイアス電圧を変化させて得られる同期検波部１２の出力カーブの振幅（出力の最大値と最小値の差の半分）を増幅部６の出力電圧の振幅を変化させることによって複数個求める。振幅設定部２０は、複数個の同期検波部１２の出力カーブの振幅のうちの定められた条件を満たすものに対応する増幅部６の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部６の増幅率を設定する。具体的には、振幅設定部２０は、最適な駆動電圧振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）の場合に、複数個の同期検波部の出力カーブの振幅のうちの最大値に対応する増幅部６の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部６の増幅率を設定する。
【００３１】
次に、実施の形態１の動作を説明する。
光源１からの光が、ＭＺ変調器２に入射される。ＭＺ変調器２の駆動電圧は増幅部６によって増幅される。
【００３２】
分波器３が、ＭＺ変調器２から出力される光信号を分波する。
高速ＰＤ１０が、分波器３から出力される光信号を電気信号に変換してログ検出部１１へ出力する。
【００３３】
ログ検出部１１は、高速ＰＤ１０から出力される信号の極大値と極小値の差分Ｄを検出し、差分Ｄを表わす検出信号を同期検波部１２へ出力する。
【００３４】
同期検波部１２は、ディザ信号生成部８で発生したディザ信号と、ログ検出部１１から出力される差分Ｄを表わす検出信号とを用いて、同期検波を実施する。同期検波の結果は、ＤＣバイアスのＮＵＬＬ点もしくはＰＥＡＫ点との誤差信号として増幅制御部７に出力される。
【００３５】
増幅制御部７は、この誤差信号に基づいて、増幅部６の出力を制御する。
振幅設定部３０は、増幅制御部７に対して増幅部６の出力が一定になるように増幅部６の増幅率を制御させ、バイアス制御部９に対してＭＺ変調器２に印加する基準直流バイアス電圧を変動させて、誤差信号である同期検波部１２の出力値を取得する。この時、基準直流バイアス電圧の変動幅はＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）以上が必要である。具体的な制御の原理について、図３〜図５を用いて説明する。
【００３６】
図２は、ＭＺ変調器２の駆動電圧に対する光出力特性の一例を示す図である。
図２を参照して、ＮＲＺ（Ｎｏｎ  Ｒｅｔｕｒｎ  ｔｏ  Ｚｅｒｏ）変調符号では、周期Ｔでレベルが変化可能な駆動電圧のハイレベルおよびローレベルを光出力特性の発光の頂点Ａおよび消光の頂点Ｂにそれぞれ合わせることによって、光出力のオン／オフ変調が行われる。
【００３７】
なお、以下の説明では、周期的に変化する光出力特性の発光／消光の頂点Ａ／Ｂに対応した電圧の差をＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）と表記することにする。これによれば、ＮＲＺ変調方式における最適な駆動電圧の振幅は半波長電圧（Ｖπ）となる。
【００３８】
ＭＺ変調器２については、チャーピングが少ないという利点があるが、温度変化または経時変化等により駆動電圧に対する光出力特性が図２の曲線ａから曲線ｂもしくは曲線ｃへと時間的にドリフトして、光出力のオン／オフレベルに符号間干渉が生じてしまうという問題があった。このような問題を解決してＭＺ変調器２の動作点を安定に制御するためには、駆動電圧に対する光出力特性において、曲線の変動に応じて、位相差調整電極２２Ａ，２２Ｂに印加するバイアス電圧を変化させて、動作点を制御することが必要とされる。
【００３９】
以下では、ＢＰＳＫ、およびＣＳＲＺなどの最適な駆動電圧振幅が半波長電圧の２倍（２Ｖπ）である変調方式における駆動電圧振幅の制御について説明する。
【００４０】
図３〜図５を参照して、ＭＺ変調器２の消光カーブに対する、駆動電圧と光出力との関係を説明する。
【００４１】
これらの図において、左側は消光カーブを表わし、横軸は、ＭＺ変調器２への入力電圧、すなわちバイアス電圧と駆動電圧の和を表わし、縦軸はＭＺ変調器２の出力光の強度を表わす。右側のカーブは、横軸は時間で、縦軸はＭＺ変調器２の出力光の強度を表わす。
【００４２】
出力光がオンレベル（消光カーブのＰＥＡＫ）になる電圧と出力光がオフレベル（消光カーブがＮＵＬＬ）になる電圧の差をＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）と呼ぶ。
【００４３】
まず、駆動電圧振幅が、ＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）に相当する振幅の場合の動作を説明する。この時の駆動電圧はクロック信号である。図３〜図５においては、駆動電圧がローレベル時の消光カーブ上の点を丸、駆動電圧がハイレベル時の消光カーブ上の点を四角、駆動電圧が中間レベル時の消光カーブ上の点を三角で示している。
【００４４】
図３は、バイアス点が消光カーブのＮＵＬＬ点の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【００４５】
ＣＳＲＺまたはＢＰＳＫなどといった変調方式の場合は、ＮＵＬＬ点が最適バイアスとなる。駆動電圧振幅がＶπであるため、駆動電圧がローレベルのときに、光出力は消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値となり、駆動電圧がハイレベルのときも、光出力は消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値となる。この時、ログ検出部１１において、駆動電圧のハイレベルとローレベルの間の遷移時のパワーを感知することは動作速度上困難である。つまり、出力光の極大値と極小値は共に、消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間のレベルとなるため、ログ検出部１１からの出力は、０となる。
【００４６】
図４は、バイアス点が消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【００４７】
駆動電圧振幅がＶπであるため、駆動電圧がローレベルのときに、光出力は消光カーブのＮＵＬＬ点となり、駆動電圧がハイレベルのときに、光出力は消光カーブのＰＥＡＫ点となる。このため、ログ検出部１１からの出力は、消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬの差分に等しくなる。
【００４８】
図５は、バイアス点が消光カーブのＮＵＬＬ点の場合における消光カーブに対する駆動電圧と光出力との関係を示した図である。
【００４９】
デューティ比３３％のＲＺ変調などの変調方式の場合は、このバイアス点が最適バイアスとなる。駆動電圧振幅がＶπであるため、駆動電圧がローレベルのときに、光出力は消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値となり、駆動電圧がハイレベルのときも、光出力は消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値となる。この時、ログ検出部１１において、駆動電圧のハイレベルとローレベルの間の遷移時のパワーを感知することは動作速度上困難である。つまり、出力光の極大値と極小値は共に、消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間のレベルとなるため、ログ検出部１１からの出力は、０となる。
【００５０】
一方、駆動電圧振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）の場合は、バイアス点の位置によらず、駆動電圧がローレベルの場合と駆動電圧がハイレベルの場合の出力光レベルが同じになるため、ログ検出部１１の出力は、０となる。同様に、駆動電圧振幅が０の場合は、バイアス点によらず、駆動電圧がローレベルの場合と駆動電圧がハイレベルの場合の出力光レベルが同じになるため、ログ検出部１１の出力は、０となる。
【００５１】
上記で示したように、バイアス点と駆動電圧振幅によって、ログ検出部１１の出力が異なる。
【００５２】
図６は、駆動電圧振幅ごとのバイアス点のＮＵＬＬ点からのずれに対するログ検出部１１の出力（出力光の極大値と極小値の差分）を示す図である。
【００５３】
駆動電圧振幅がＶπにおいて、ログ検出部１１の出力は、バイアス点がＮＵＬＬ点に近いほど低い値となり、バイアス点が０．５×Ｖπに近いほど（図４に相当）は高い値となり、バイアス点が１×Ｖπに近いほど（図５に相当）低い値となる。消光カーブは周期性があるため、ログ検出部１１の出力も周期性を有することになる。
【００５４】
駆動電圧振幅が２Ｖπと０の場合は、前述の様にＮＵＬＬ点からのバイアスずれに対してログ検出部１１の出力は一定値（＝０）となる。
【００５５】
その他の駆動電圧振幅（０．２Ｖπ、１．６Ｖπ）の時は、駆動電圧振幅がＶπの時と同様の振る舞いを示す。すなわち、ログ検出部１１の出力は、バイアス点がＮＵＬＬ点に近いほど低い値となり、バイアス点が０．５×Ｖπに近いほど高い値となり、バイアス点が１×Ｖπに近いほど低い値となる。また、駆動電圧振幅がＶπに近いほど、ログ検出部１１の出力は大きくなり、駆動電圧振幅が２Ｖπもしくは０に近いほど、ログ検出部１１の出力は小さくなる。
【００５６】
本実施の形態においては、ディザ信号生成部８で生成したディザ信号がバイアスに加算される。つまり、バイアス点が低周波で変動している事になる。そのため、例えば図３の状態は、「バイアス点がＮＵＬＬ点」の状態は、実際には、「バイアス点の中心がＮＵＬＬ点」ということである。ここでディザ信号の周波数をｆ［Ｈｚ］とする。
【００５７】
図７は、駆動電圧振幅ごとのバイアス点の中心のＮＵＬＬ点からのずれに対する同期検波部１２の出力値を示す図である。
【００５８】
駆動電圧振幅が２Ｖπと０以外の場合についての同期検波部１２の出力について説明する。
【００５９】
バイアス点の中心がＮＵＬＬ点の場合、つまり図３の状態の場合、ディザ信号によってログ検出部１１の出力も変動し、その周波数は２ｆ［Ｈｚ］となる。これは図６からも理解できる。この場合、ログ検出部１１の出力は極小値であり、そのため、ディザ信号１周期に対して、ログ検出部１１の出力は２周期の変動となるためである。従って、同期検波部１２は、ログ検出部１１から出力される２ｆ［Ｈｚ］の出力信号と、ディザ信号生成部８から出力されるｆ［Ｈｚ］のディザ信号を用いて同期検波するため、同期検波部１２の出力は０となる。なお、図７において、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点からずれることによって同期検波部１２の出力が急激に立ち上がるため、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点の場合に、同期検波部１２の出力が「０」であることの表示は省略している。
【００６０】
バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．５×Ｖπずれている場合、つまり図４の状態の場合、ディザ信号によってログ検出部１１の出力も変動し、その周波数は２ｆ［Ｈｚ］となる。これは図６からも理解できる。この場合、ログ検出部１１の出力は極大値であり、そのため、ディザ信号１周期に対して、ログ検出部１１の出力は２周期の変動となるためである。従って、同期検波部１２は、ログ検出部１１から出力される２ｆ［Ｈｚ］の出力信号と、ディザ信号生成部８から出力されるｆ［Ｈｚ］のディザ信号を用いて同期検波するため、同期検波部１２の出力は０となる。
【００６１】
さらに、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．２５×Ｖπずれている場合、ディザ信号によってログ検出部１１の出力も変動し、その周波数はｆ［Ｈｚ］となる。これは図６からも理解できる。その理由は、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．２５×Ｖπずれている場合、ログ検出部１１の出力は極小値と極大値の中間値となり、そのため、ディザ信号１周期に対する変動がそのまま、ログ検出部１１の出力の変動となるためである。従って、同期検波部１２は、ログ検出部１１から出力されるｆ［Ｈｚ］の出力信号と、ディザ信号生成部８から出力されるｆ［Ｈｚ］のディザ信号を用いて同期検波するため、同期検波部１２の出力は正の値が出力される。
【００６２】
さらに、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．７５×Ｖπずれている場合、ディザ信号によってログ検出部１１の出力も変動し、その周波数はｆ［Ｈｚ］となる。しかしながら、この場合には、ログ検出部１１の出力信号は、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．２５×Ｖπずれている場合とは位相が１８０度ずれた周波数ｆ［Ｈｚ］の信号である。これは図８からも理解できる。バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．２５×Ｖπずれている場合、ログ検出部１１の出力は極小値と極大値の中間値であるが傾きは正である。一方、バイアス点の中心がＮＵＬＬ点から０．７５×Ｖπずれている場合は、ログ検出部１１の出力は極小値と極大値の中間値であるが傾きは負であるためである。従って、同期検波部１２は、ログ検出部１１から出力されるｆ［Ｈｚ］の出力信号と、ディザ信号生成部８から出力されるｆ［Ｈｚ］のディザ信号を用いて同期検波するが、位相が１８０度ずれているため、同期検波部１２の出力は負の値となる。
【００６３】
上記で示したように、バイアス点の中心によって、同期検波部１２の出力値が異なる。
図８は、駆動電圧振幅に対する同期検波部１２の出力カーブの振幅を示す図である。図８に示すように、駆動電圧振幅が０で同期検波部１２の出力カーブの振幅は０である。駆動電圧振幅の増加とともに同期検波部１２の出力カーブの振幅が増加し、駆動電圧振幅が２Ｖπの５０％すなわちＶπで同期検波部１２の出力カーブの振幅は最大となる。駆動電圧振幅がＶπからさらに増加するとともに、同期検波部１２の出力カーブの振幅は減少し、駆動電圧振幅が２Ｖπで同期検波部１２の出力カーブの振幅は０となる。
【００６４】
次に、上記の原理を用いてＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を説明する。以下の説明は一例であり、基準直流バイアスをＶπ以上変動させた際に得られる同期検波部１２の出力カーブの振幅を、増幅部６の出力電圧の振幅ごとに比較した際に、同期検波部１２の出力カーブの振幅が最大となる時の増幅部６の出力電圧の振幅が得られれば良く、この時の増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）に相当する。
【００６５】
図９は、実施の形態１のＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を表わすフローチャートである。
【００６６】
ステップＳ１０１において、振幅設定部３０は、検査パターン生成部４から出力される検査パターン信号を実際に使用するデータ信号のボーレートの半分の周波数のクロックに設定する。
【００６７】
ステップＳ１０２において、振幅設定部３０は、検査パターン生成部４からの出力のみが増幅部６へと入力されるように選択部１４を制御する。
【００６８】
ステップＳ１０３において、光源１からＭＺ変調器２に光が入力された状態において、振幅設定部３０は、増幅部６からの出力が適当な大きさになるように増幅制御部７を制御する。この時の適当な出力値は０以上のＭＺ変調器２が破壊されない大きさとする。この状態で、振幅設定部３０は、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を行なわせる。振幅設定部３０は、同期検波部１２の出力カーブを取得し、同期検波部１２の出力カーブの振幅と増幅部６の出力電圧の振幅を記憶する。
【００６９】
ステップＳ１０４において、振幅設定部３０は、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ１だけ増加するように増幅制御部７を制御し、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。
【００７０】
ステップＳ１０５において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも大きい場合、処理がステップＳ１０６に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以下の場合に、処理がステップＳ１０７に進む。
【００７１】
ステップＳ１０６において、振幅設定部３０は、今回の同期検波部１２の出力カーブ振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶し、更に、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ１だけ増加するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。その後、処理がステップＳ１０５に戻る。
【００７２】
ステップＳ１０７において、振幅設定部３０は、記憶されている同期検波部１２の出力カーブ振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶したまま、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ２（＜ΔＶ１）だけ減少するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。
【００７３】
ステップＳ１０８において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも小さい場合、ステップＳ１０９に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以上の場合に、ステップＳ１１０に進む。
【００７４】
ステップＳ１０９において、振幅設定部３０は、記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶したまま、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ２（＜ΔＶ１）だけ減少するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。その後、処理がステップＳ１０８に戻る。
【００７５】
ステップＳ１１０において、振幅設定部３０は、今回の増幅部６の出力電圧の振幅を図８における同期検波部１２の出力カーブの振幅が最大となるときの増幅部６の出力電圧の振幅とみなして、今回の増幅部６の出力電圧の振幅を駆動電圧振幅に設定する。この時に設定された駆動電圧振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）に相当する。
【００７６】
ΔＶ１とΔＶ２とを適切な値に設定することによって、得られた駆動電圧振幅は、図８における同期検波部１２の出力カーブの振幅が最大となるときの増幅部６の出力電圧の振幅に近い値となる。
【００７７】
ここで、ΔＶ１は、ＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）が判明している場合は、半波長電圧（Ｖπ）の１／１０とすることができる。Ｖπが判明していないでも、市場購入のＭＺ変調器２であれば、駆動電圧振幅が２ＧＨｚ程度の低周波のＶπの値は与えられるので、そのＶπの１／１０とすることができる。算出の精度を上げたい場合は、ΔＶ１をＶπの／１０よりもさらに小さくすればよい。また、ΔＶ２は、たとえば、ΔＶ１の１／１０にすることができる。
【００７８】
一方、バイアス制御部９から出力される基準直流バイアスの値を設定するバイアス制御について、図３〜図５を参照して説明する。
【００７９】
バイアス制御時には、バイアス制御部９は、検査パターン生成部４による検査パターンの生成、データ信号生成部５によるデータ信号の生成、およびディザ信号生成部８によるディザ信号の生成を停止させ、基準直流バイアス電圧の大きさを変化させながら、重畳部１３が、基準バイアス電圧をバイアス電圧としてＭＺ変調器２に供給させて、ＭＺ変調器２からの出力光を得る。図３に示すように、最適バイアス点が消光カーブのＮＵＬＬ点の場合には、バイアス制御部９は、ＮＵＬＬ点となるときの基準バイアス電圧をバイアス制御部９から出力される基準バイアス電圧に決定する。図４に示すように、最適バイアス点が消光カーブのＰＥＡＫ点とＮＵＬＬ点の中間値の場合には、バイアス制御部９は、中間値となるときの基準バイアス電圧をバイアス制御部９から出力される基準バイアス電圧に決定する。図５に示すように、最適バイアス点が消光カーブのＰＥＡＫ点の場合には、バイアス制御部９は、ＰＥＡＫ点となるときの基準バイアス電圧をバイアス制御部９から出力される基準バイアス電圧に決定する。
【００８０】
通常動作時には、振幅設定部３０は、設定した駆動電圧振幅（半波長電圧（Ｖπ））および基準バイアス電圧に基づいて、データ信号を用いてＭＺ変調器２を駆動する。振幅設定部３０は、選択部１４を制御して、増幅部６に入力する信号源を検査パターン生成部４からデータ信号生成部５に切替える。また、ディザ信号生成部８によるディザ信号の生成を停止し、バイアス制御部９が出力する基準バイアス電圧の大きさを決定した大きさに設定し、重畳部１３が、基準バイアス電圧をバイアス電圧としてＭＺ変調器２に供給する。その後、振幅設定部３０は、増幅部６のデータ信号の出力振幅が得られた駆動電圧振幅（半波長電圧（Ｖπ））となるように増幅制御部７に増幅部６の増幅率を制御させる。ここでのデータ信号は単純な”１”レベルと”０”レベルのランダム信号であったり、ナイキストフィルタリングされた信号であったり回線設計に応じて様々である。そして、増幅部６からの出力電圧の振幅も回線設計もしくはＭＺ変調器２のバイアス制御方式の感度によって、上記で算出したＶπを元に決定される。
【００８１】
実施の形態２．
実施の形態２は、ＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する方法に関する。実施の形態２の光変調装置の構成は、図１の構成と同じであるため説明は繰り返さない。
【００８２】
振幅設定部３０は、最適な駆動電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）の場合に、複数個の同期検波部１２の出力カーブの振幅のうちの最小値に対応する増幅部６の出力電圧の振幅に基づいて、増幅部６の増幅率を設定する。
【００８３】
具体的な設定方法は、たとえば以下のようになる。
増幅部６の出力電圧の振幅を増加していくごとに、同期検波部１２において同期検波を行い、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得すると、図８に示すように、同期検波部１２の出力カーブの振幅は増幅部６の出力電圧の振幅の増加に従って徐々に増加していき、増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）となったところを境に減少していく。そのまま、増幅部６の出力電圧の振幅を増加させながら同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得すると、同期検波部１２の出力カーブの振幅の値が０になる。この、同期検波部１２の出力カーブの振幅の値が０になる時の増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）に等しい。しかしながら、同期検波部１２の出力カーブの振幅の値が丁度０になる箇所を発見するのが難しいため、実際には、以下に説明する手順が実行される。
【００８４】
図１０および図１１は、実施の形態２のＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を駆動電圧振幅に設定する手順を表わすフローチャートである。
【００８５】
ステップＳ２０１において、振幅設定部３０は、検査パターン生成部４から出力される検査パターン信号を実際に使用するデータ信号のボーレートの半分の周波数のクロックに設定する。
【００８６】
ステップＳ２０２において、振幅設定部３０は、検査パターン生成部４からの出力のみが増幅部６へと入力されるように選択部１４を制御する。
【００８７】
ステップＳ２０３において、光源１からＭＺ変調器２に光が入力された状態において、振幅設定部３０は、増幅部６からの出力が適当な大きさになるように増幅制御部７を制御する。この時の適当な出力値は０以上のＭＺ変調器２が破壊されない大きさとする。この状態で、振幅設定部３０は、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を行なわせる。振幅設定部３０は、同期検波部１２の出力カーブを取得し、同期検波部１２の出力カーブの振幅と増幅部６の出力電圧の振幅を記憶する。
【００８８】
ステップＳ２０４において、振幅設定部３０は、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ１だけ増加するように増幅制御部７を制御し、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。
【００８９】
ステップＳ２０５において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも小さい場合、増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）を超えたと判定されて、処理がステップＳ２０７に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以上の場合に、増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）を超えていないと判定されて、処理がステップＳ２０６に進む。
【００９０】
ステップＳ２０６において、振幅設定部３０は、今回の同期検波部１２の出力カーブ振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶する。その後、処理がステップＳ２０４に戻る。
【００９１】
ステップＳ２０７において、振幅設定部３０は、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ１だけ増加するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。
【００９２】
ステップＳ２０５において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも小さい場合、ステップＳ２０６に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以上の場合に、ステップＳ２０７に進む。
【００９３】
ステップＳ２０８において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも小さい場合、増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を超えていないと判定されて、処理がステップＳ２０９に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以上の場合に、増幅部６の出力電圧の振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）を超えたと判定されて、ステップＳ２１０に進む。
【００９４】
ステップＳ２０９において、振幅設定部３０は、同期検波部１２の出力カーブの振幅と増幅部６の出力電圧の振幅を記憶する。振幅設定部３０は、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ１だけ増加するように増幅制御部７を制御し、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。その後、処理がステップＳ２０８に戻る。
【００９５】
ステップＳ２１０において、振幅設定部３０は、記憶されている同期検波部１２の出力カーブ振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶したまま、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ２（＜ΔＶ１）だけ減少するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。
【００９６】
ステップＳ２１１において、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅よりも大きい場合、処理がステップＳ２１２に進み、今回の同期検波部１２の出力カーブの振幅が記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅以下の場合に、処理がステップＳ２１３に進む。
【００９７】
ステップＳ２１２において、振幅設定部３０は、記憶されている同期検波部１２の出力カーブの振幅と増幅部６の出力電圧の振幅とを記憶したまま、増幅部６の出力電圧の振幅が所定量ΔＶ２（＜ΔＶ１）だけ減少するように増幅制御部７を制御して、バイアス制御部９に対して基準直流バイアスをＶπ以上にわたって変動させながら、同期検波部１２に同期検波を実行させ、同期検波部１２の出力カーブの振幅を取得する。その後、処理がステップＳ２１１に戻る。
【００９８】
ステップＳ２１３において、振幅設定部３０は、今回の増幅部６の出力電圧の振幅を図８における同期検波部１２の出力カーブの振幅が最小となるときの増幅部６の出力電圧の振幅とみなして、今回の増幅部６の出力電圧の振幅を駆動電圧振幅に設定する。この時に設定された駆動電圧振幅がＭＺ変調器２の半波長電圧の２倍（２Ｖπ）に相当する。
【００９９】
ここで、ΔＶ１は、ＭＺ変調器２の半波長電圧（Ｖπ）が判明している場合は、半波長電圧（Ｖπ）の１／１０とすることができる。Ｖπが判明していないでも、市場購入のＭＺ変調器２であれば、駆動電圧振幅が２ＧＨｚ程度の低周波のＶπの値は与えられるので、そのＶπの１／１０とすることができる。算出の精度を上げたい場合は、ΔＶ１をＶπの／１０よりもさらに小さくすればよい。また、ΔＶ２は、たとえば、ΔＶ１の１／１０にすることができる。
【０１００】
図８からわかるように、同期検波部１２の出力カーブの振幅が０になるポイントは２Ｖπのみではなく、４Ｖπ、６Ｖπ・・・とＶπの偶数倍である。通常、ＭＺ変調器２の周波数帯域が，検査パターン信号の周波数以上である場合、実施の形態１または２で得られるＶπは前述の２ＧＨｚの低周波でのＶπの２倍以下であるため、実施の形態２で得られる２Ｖπが４Ｖπ以上の大きさと誤認されることはない。
【０１０１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１０２】
１  光源、２  ＭＺ変調器、３  分波器、４  検査パターン生成部、５  データ信号生成部、６  増幅部、７  増幅制御部、８  ディザ信号生成部、９  バイアス制御部、１０  高速ＰＤ、１１  ログ検出部、１２  同期検波部、１３  重畳部、１４  選択部、２０Ａ  第１アーム、２０Ｂ  第２アーム、２１Ａ，２１Ｂ  変調電極、２２Ａ，２２Ｂ  位相差調整電極、２３  第１出力部、２４  第２出力部、３０  振幅設定部、３１  コンデンサ。
【図１】
2017208803.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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2017208803.tif 000015
2017208803.tif 000016
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