【事件の表示】
　特許第５７７７９６２号発明「ダイヤモンド膜の製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７７７９６２号の明細書及び特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
　特許第５７７７９６２号の請求項１に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５７７７９６２号の請求項１に係る特許についての出願は、平成２３年７月１４日に特許出願され、平成２７年７月１７日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人植村賢介により特許異議の申立てがなされ、平成２８年５月１３日付けで取消理由が通知され、その指定期間内である平成２８年７月１３日に意見書の提出及び訂正の請求があり、同年８月１８日に特許異議申立人から意見書の提出があったものである。
第２　訂正の適否
１．　訂正の内容
　本件訂正請求による訂正の内容は以下のア及びイのとおりである。（下線は、訂正箇所であり、当審が付した。）
ア　請求項１に記載された「（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程」を「（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を
酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で
を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ
２
炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める
イ　発明の詳細な説明に記載された「【０００９】
  本発明の請求項１にかかる発明は、「（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む、ダイヤモンド膜の製造方法。」である。」を「【０００９】
  本発明の請求項１にかかる発明は、「（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を
酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で
を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ
２
炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める
２．　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び、特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）前記１．ア及びイの訂正事項に関連する記載として、本件特許明細書には次の記載がある。（下線は、当審で付した。表記「・・・」は記載の省略を意味する。）
ア　（本件−１）：
「【００３８】
  この
熱処理はダイヤモンド粒子表面のｓｐ
２
炭素を取り除くことができる限り、特に限定するものではないが
酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理するのが好ましい
熱処理時間は十分にｓｐ
２
炭素を取り除くことができる時間
熱処理温度が４００℃の場合、５時間以上熱処理するのが好ましく
熱処理温度が４５０℃の場合、１時間以上熱処理するのが好ましく
イ　（本件−２）：
「【実施例】
・・・
【００４６】
  （実施例１）
   ・・・
  （３）  このダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４５０℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、
温度４５０℃で１時間保持する熱処理
　・・・
【００５１】
  （実施例２）
  （３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、
温度４２５℃で１時間保持する熱処理
【００５２】
  （実施例３）
  （３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、
温度４２５℃で５時間保持する熱処理
【００５３】
  （実施例４）
  （３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４００℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、
温度４００℃で５時間保持する熱処理
ウ　（本件−３）：
「【００６３】
【００６４】
  表１中、
Ａは熱処理条件で、順に温度（単位：℃）、時間（単位：Ｈｒ）を表し
エ　（本件−４）：
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
  この方法によれば、確かにダイヤモンド膜を作製することができたが、この方法により作製したダイヤモンド膜は熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率など、ダイヤモンドが本来有する物性の低いものであった。
【０００６】
  本発明はこのような問題点を解決するためになしたものであり、ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供することを目的とする。」
オ　（本件−５）：
「【発明の効果】
【００１０】
　・・・ 
【００１１】
  本発明の請求項２にかかる発明は、ナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法で成長させてダイヤモンド膜を形成する前に、ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理することによって、ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ナノダイヤモンド粒子の純度を高めた上で、ダイヤモンドを成長させているため、ダイヤモンド構造が多く、熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れているダイヤモンド膜を形成することができる。」
カ　（本件−６）：
「【００６５】
  表１から明らかなように、本発明の実施例１〜５のダイヤモンド膜は熱抵抗の低いものであり、また、ダイヤモンドピーク面積百分率が高いことから、ダイヤモンド構造が多いものであった。そのため、本発明のダイヤモンド膜は絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れるものであることが推定できるものであった。
【００６６】
  また、ナノダイヤモンド粒子を使用した場合、ＣＶＤ法でダイヤモンドを成長させる前に、熱処理、プラズマ処理のいずれの方法であっても、ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めると、ダイヤモンド構造を多くできることも判明した。」
（２）前記（１）ア〜カによれば、前記１．ア及びイの訂正は、本件特許明細書に記載された事項の範囲内において、「（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程」につき、「熱処理を行」う工程に限定するとともに、その条件として「酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で」を行うこと、さらに、目的とする技術効果として「基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める」ことを特定するものであると認められる。
  そうすると、前記１．アの訂正は、特許明細書に記載された事項の範囲内において、「（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程」を限定したものといえるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、前記１．イの訂正は、前記１．アの訂正によって生じる特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明の記載との不一致を解消して、記載の整合を図るものであるから、明瞭でない記載の釈明を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３．　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び、同条第９項において準用する同法第１２６条４項から第６項までの規定に適合するので、訂正を認める。
第３　特許異議の申立について 
１．　本件発明 
　本件訂正請求により訂正された請求項１に係る発明（以下、「本件発明」という。）は、その訂正特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、
（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、
（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を、酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程、及び
（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む、ダイヤモンド膜の製造方法。」
２．　取消理由の概要 
　本件訂正請求により訂正される前の請求項１に係る特許に対して、平成２８年５月１３日付けで特許権者に通知した取消理由は要旨次のとおりである。
（理由１）本件発明は、「（３）」の工程において、「熱処理又はプラズマ処理」と特定するところ、熱処理やプラズマ処理は、その雰囲気・温度・時間によって、作用が異なることは技術常識であるから、単に「熱処理又はプラズマ処理する工程」と特定するのみでは、ナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除くことができるとは限らないということができる。本件特許は、この点で特許請求の範囲の記載が不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してなされたものである。 
（理由２）本件発明は、本件特許の出願前日本国内または外国において頒布された下記の刊行物（甲第２号証）に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであったから、その発明に係る特許は取り消すべきものである。
  
 　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧 
  
甲第２号証：J.C.Arnault et al, Diamond nanoseeding on silicon : Stability under H2 MPCVD exposures and early stage of growth, Diamond and Related Materials 17 (2008) 1143-1149 
３．　取消理由の検討
（１）取消理由１についての判断　
　前記第２のとおり訂正が認められ、本件発明は、前記第３の１．のとおり、「（３）」の工程に関して、「前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程」と訂正されたから、その雰囲気と温度が具体的に特定された熱処理のみを対象とする工程であり、その目的とする技術効果が、「基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める」ことにある工程であることが特定された。
　よって、本件発明は、結果的に、その課題を解決することができるものと認識できることが明らかなものとなり、取消理由１を有しないものとなった。
（２）取消理由２について
（２−１）甲号証の記載
　甲第２号証には、次の記載がある。（訳は、異議申立人が提出した抄訳による。）
ア　（甲２−１）：
「Diamond crystallites produced by the detonation process exhibit very small grain size between 5 and 10nm.」（１１４３頁左欄１０〜１１行）
（訳：「爆轟法で製造されたダイヤモンド結晶は非常に細かく５−１０ｎｍの結晶径を示す。」）
イ　（甲２−２）：
「The main objective of this study is to investigate the chemical stability of the detonation nanodiamond powder dispersed on silicon surface under MPCVD exposure」（１１４３頁右欄６〜９行）
（訳：「本研究の主目的は、マイクロ波プラズマＣＶＤでシリコン表面に分散された爆轟法ナノダイヤモンドの科学的安定性を調べることである。」）
ウ　（甲２−３）：
「The resulting powder was re-dispersed in water using an ultrasonic horn at 400W(50% duty cycle) with a water cooled flow cell. Silicon water previously cleaned were immersed in the aqueous colloid in an ultrasonic bath for 30 min.」（１１４４頁左欄１〜５行）
（訳：「得られた粉末は水中に再分散された。この時、水冷筺体を有する４００Ｗ（負荷率５０％）の超音波ホーンを使用した。予め洗浄されたシリコンウエハーを、超音波浴槽中の水性コロイドに３０分間浸した。」）
エ　（甲２−４）：
「A silicon surface seeded with detonation diamond was exposed to H2 plasma corresponding to a 993K sample temperature.」（１１４５頁左欄下から２行〜同右欄１行）
（訳：「爆轟法によるダイヤモンドで種付けされたシリコンの表面は水素プラズマに曝され、このときの等価温度は９９３Ｋである。」）
オ　前記ア〜エによれば、甲第２号証には、爆轟法で製造されたダイヤモンド結晶が５〜１０ｎｍのダイヤモンド粒子であること、このダイヤモンド粒子を、予め洗浄したシリコンウエハー、すなわち基材、に付着すること、これを前記９９３Ｋで、すなわち７２０℃で、水素プラズマ処理すること、シリコン表面に分散された爆轟法ナノダイヤモンドは水素マイクロ波プラズマＣＶＤにより成長すること、が示されているということができるから、甲第２号証には、次の工程（１’）〜（４’）を含むダイヤモンド膜の製造方法の発明（甲２発明）が記載されていると認められる。
「（１’）一次粒子径が５〜１０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、
（２’）ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、
（３’）ナノダイヤモンド粒子付着基材を７２０℃で水素プラズマ処理する工程、
（４’）処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させる工程、
の４つの工程（１’）〜（４’）を含むダイヤモンド膜の製造方法。」（甲２発明）
（２−２）対比・判断
ア　本件発明と甲２発明を対比すると、一致点・相違点が次のとおりであることは明らかである。
＜一致点＞
「（１）一次粒子径が５〜１０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、
（２）ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、
（３）ナノダイヤモンド粒子付着基材を特定雰囲気下で処理する工程、
（４）処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させる工程、
の４つの工程（１）〜（４）を含むダイヤモンド膜の製造方法。」
＜相違点＞
　工程（３）の「特定雰囲気下」での「処理」に関し、本件発明は、「酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程」であるのに対して、甲２発明は、「７２０℃で水素プラズマ処理する工程」である点。
イ　前記アの＜相違点＞に係る構成については、前記（２−１）イのとおり、甲第２号証に記載された発明は、プラズマ処理を施すことを前提とするものであるから、酸化雰囲気下での熱処理を特定する本件発明とは、実質的に相違する点であるということができる。
　したがって、甲２発明が本件発明と実質的に同一であるということはできない。
ウ　よって、本件発明が甲第２号証に記載された発明であるということはできない。
第４　特許異議申立人の主張について
　特許異議申立人は、平成２８年８月１８日付け意見書（以下、単に「意見書」という。）において、後記のとおり、（１）明確性要件について、（２）サポート要件について、（３）実施可能要件について、（４）進歩性について、それぞれ主張するので、念のため、付言する。
（１）明確性要件について
ア　特許異議申立人は、意見書において、「訂正明細書には「ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めた状態」とはどのような状態なのか、例えばｓｐ２炭素をどの程度取り除き、純度がどの程度、高められた状態なのかの定義が記載されていない」旨主張する（１３頁９行〜１４頁１行）。
イ　しかし、訂正明細書の段落【００１０】には、「本発明の請求項１にかかる発明は、熱抵抗が１．０ｘ１０−８（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下のダイヤモンド膜という、熱抵抗の低いダイヤモンド膜である。」との記載があり、前記第２の２．ウのとおり、段落【００６３】に【表１】が示され、段落【００６４】に、「表１中、Ａは熱処理条件で、順に温度（単位：℃）、時間（単位：Ｈｒ）を表し、・・・Ｄは熱抵抗（単位：ｍ２・Ｋ／Ｗ）を表し、・・・＃３はダイヤモンド膜が得られなかったため測定不能であったことを、それぞれ意味する。」との記載があるから、これらを含む訂正明細書の記載全体によれば、本件発明の「ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ナノダイヤモンド粒子の純度を高め」る程度とは、「熱抵抗が１．０×１０−８（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下のダイヤモンド膜という、熱抵抗の低いダイヤモンド膜」となる程度を意味することは明らかである。
ウ　したがって、本件発明において、熱処理の条件としての時間は、絶対値として特定されているものではないが、それに起因して、「ダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めた状態」が、どのような状態なのか、定義が記載されておらず、どのような時間であるか不明である結果、本件発明が明確性要件違反である、ということはできない。
（２）サポート要件について
カ　特許異議申立人は、意見書において、「訂正明細書には「ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めた状態」とはどのような状態なのか、例えばｓｐ２炭素をどの程度取り除き、純度がどの程度、高められた状態なのかの定義が記載されていないため、文言通りに解釈すれば、「ナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を、極わずかに取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を、極わずかでも高めた状態」であってもよいことになり、そうすると熱処理時間は極短時間（例えば数秒〜数分）であってもよいし、逆に長時間であっても良いことなるため、結局のところ、熱処理時間はなんら限定されていないことに等しい。したがって、「ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程」と規定しても、熱処理時間を規定したことにならないため、訂正後の特許請求の範囲の請求項１は、依然としてサポート要件を満たさない。」旨主張する（１３頁９行〜１４頁１行）。
キ　しかし、前記（１）イのとおり、本件発明の「ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ナノダイヤモンド粒子の純度を高め」る程度は、「熱抵抗が１．０×１０−８（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下のダイヤモンド膜という、熱抵抗の低いダイヤモンド膜」となる程度であることは明らかである。したがって、本件発明の「ダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めた状態」が、ダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を極わずかに取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を極わずかでも高めた状態であってもよい、ということにはならないことも明らかである。よって、本件発明が、時間を規定したことにならず、サポート要件を満たさない、ということはできない。
（３）実施可能要件について
サ　特許異議申立人は、意見書において、「訂正後の本件特許発明は熱処理時間が限定されていないため、その技術的範囲の少なくとも一部において、「ダイヤモンドと同程度の熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などを備えるダイヤモンド膜」という物を生産することは不可能であるといえる。」旨主張する（１２頁２１行〜１３頁８行）。
シ　しかし、特許明細書の【実施例】の記載、特に、段落【００４８】の記載「（３）このダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４５０℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４５０℃で１時間保持する熱処理を実施した。」、段落【００５１】の記載「（実施例２）（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４２５℃で１時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。」、段落【００５２】の記載「（実施例３）（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４２５℃で５時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。」、段落【００５３】の記載「（実施例４）（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４００℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４００℃で５時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。」によれば、少なくとも実施例１〜４は、その熱処理時間が具体的に記載され、実施可能な態様であるから、これらの本件発明が実施可能でないとの指摘は当たらない。
（４）進歩性について
タ　特許異議申立人は、意見書において、「本件特許発明は、甲３発明及び甲５発明に基づいて容易に発明することができるので、進歩性がない。」（２頁１行〜８頁９行）、「甲４発明および甲５発明に基づいて、・・・容易に想到するといえる」（９頁１６行〜１０頁１６行）旨主張する。
　　甲３：特開２００９−１４９９８６号公報
　　甲４：特開２００９−２０９０２７号公報
　　甲５：Ｓｅｂａｓｔｉａｎ　Ｏｓｓｗａｌｄ　ｅｔ　ａｌ．　Ｃｏｎｔｒｏｌ　ｏｆ　ｓｐ２／ｓｐ３　Ｃａｒｂｏｎ　Ｒａｔｉｏ　ａｎｄ　Ｓｕｒｆａｃｅ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｎａｎｏｄｉａｍｏｎｄ　Ｐｏｗｄｅｒｓ　ｂｙ　Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ　Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ　ｉｎ　Ａｉｒ（Ｊ．ＡＭ．ＣＨＥＭ．ＳＯＣ．２００６，１２８，１１６３５−１１６４２）
チ　しかし、甲３発明は、脱気処理を伴うものと認定すべきであるから、本件発明の「酸化雰囲気下」とは雰囲気条件が異なり、また、甲４発明は、溶媒を蒸発させる「乾燥条件」として「真空中１２０〜２００℃加熱」と認定すべきであるから、本件発明と対比すれば、雰囲気も温度範囲も異なり、さらに、甲５に記載された事項は、ダイヤモンド粒子に関するものであって、基体に付着された粒子の、ダイヤモンド膜成長の前処理としてのプロセスにおける事項ではない。
　したがって、甲３発明と甲５の記載事項を、あるいは、甲４発明と甲５の記載事項を、それぞれ組み合わせて本件発明に至るべき合理的な動機付けがあるということはできない。
第５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由によっては、請求項１に係る特許を取り消すことができない。
　また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年９月２７日（２０１６．９．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５４）【発明の名称】
ダイヤモンド膜の製造方法
　【技術分野】
　【０００１】
　本発明はダイヤモンド膜及びその製造方法に関する。
　【背景技術】
　【０００２】
　ダイヤモンドは物質で最高の熱伝導率を有しており、絶縁破壊強度も１０ＭＶ／ｃｍと非常に高いため、電子素子等の放熱基板として有利である。近年、熱フィラメントＣＶＤやマイクロ波ＣＶＤなどの化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いて、低圧で高品質のダイヤモンド膜を合成することが可能となった。
　【０００３】
　例えば、本願発明者らは、一次粒子径が約５ｎｍのナノダイヤモンド粒子を種結晶として使用し、ＣＶＤ法でダイヤモンドを成長させることで、ダイヤモンド膜を作製することが可能であることを提案した（特許文献１）。
　【先行技術文献】
　【特許文献】
　【０００４】
　【特許文献１】特開２００９−２０９０２７号公報
　【発明の概要】
　【発明が解決しようとする課題】
　【０００５】
　この方法によれば、確かにダイヤモンド膜を作製することができたが、この方法により作製したダイヤモンド膜は熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率など、ダイヤモンドが本来有する物性の低いものであった。
　【０００６】
　本発明はこのような問題点を解決するためになしたものであり、ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供することを目的とする。
　【課題を解決するための手段】
　【０００７】
　本発明者らは、ナノダイヤモンド粒子を種結晶として使用し、ＣＶＤ法でダイヤモンドを成長させて形成したダイヤモンド膜の熱伝導率等の物性が悪いのは、ダイヤモンド構造が少ないことに起因すると考えた。また、そのダイヤモンド構造が少ないのは、種結晶として使用しているナノダイヤモンド粒子の純度が低いためであると考えた。つまり、ナノダイヤモンド表面にはｓｐ２炭素が存在しているためであると考えた。本発明は、このような知見に基づいてなされたものである。
　【０００９】
　本発明の請求項１にかかる発明は、「（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材
を、酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程
　【発明の効果】
　【００１０】
　本発明の請求項１にかかる発明は、熱抵抗が１．０ｘ１０−８（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下のダイヤモンド膜という、熱抵抗の低いダイヤモンド膜である。つまり、熱抵抗が低いということは、ダイヤモンド構造が多いことを意味するため、熱伝導率は勿論のこと、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れている。
　【００１１】
　本発明の請求項２にかかる発明は、ナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法で成長させてダイヤモンド膜を形成する前に、ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理することによって、ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ナノダイヤモンド粒子の純度を高めた上で、ダイヤモンドを成長させているため、ダイヤモンド構造が多く、熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れているダイヤモンド膜を形成することができる。
　【発明を実施するための形態】
　【００１２】
　本発明のダイヤモンド膜は熱抵抗が１．０×１０−８（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下と熱抵抗の低い、ダイヤモンド構造が多い膜であるため、熱伝導性は勿論のこと、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れるものである。熱抵抗の値が小さければ小さい程、ダイヤモンド構造が多いため、前記熱抵抗は９．０×１０−９（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下であるのが好ましく、８．０×１０−９（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下であるのがより好ましく、７．０×１０−９（ｍ２・Ｋ／Ｗ）以下であるのが更に好ましい。
　【００１３】
　この「熱抵抗」は次式より算出した値である。
　Ｒ＝ｄ／λ
　ここで、Ｒは熱抵抗（単位：ｍ２・Ｋ／Ｗ）、ｄは膜厚（単位：ｍ）、λは熱伝導率（単位：Ｗ／ｍ・Ｋ）をそれぞれ意味する。
　【００１４】
　この「熱伝導率」は、ダイヤモンド膜表面に反射膜（モリブデン膜、厚さ１００ｎｍ）を成膜した後、パルス光加熱サーモリフレクタンス法により、薄膜の断面方向における熱拡散時間を計測し、熱拡散率を算出する。より具体的には、次の手順により熱拡散率を算出する。
　【００１５】
　（１）パルス光加熱サーモリフレクタンス法により得られた温度履歴曲線から、モリブデン膜と多結晶ダイヤモンド膜の２層膜の面積熱拡散時間を算出；
　モリブデン膜と多結晶ダイヤモンド膜を一体として２層全体の熱拡散と石英ガラス基板への熱浸透を解析する。
　【００１６】
　得られた温度履歴曲線を下記に示す表面加熱時の表面温度応答の理論式にてフィッティングを行い、時定数τｆより２層全体（モリブデン膜と多結晶ダイヤモンド膜）の面積熱拡散時間Ａを求める。
　【００１７】
　【００１８】
　（２）２層膜の面積熱拡散時間から多結晶ダイヤモンド膜の熱拡散率を算出；
　面積熱拡散時間法では、層間の界面熱抵抗を考慮した場合、面積熱拡散時間Ａは、次式で表わされる。
　【００１９】
　ここで、Ｃは体積熱容量（比熱容量と密度の積で表される）、ｄは膜厚、ｋは熱拡散率、Ｒは層間の界面熱抵抗をそれぞれ意味する。なお、添え字ＤとＭｏはそれぞれ多結晶ダイヤモンド膜とモリブデン膜を表す。
　【００２０】
　ここで、多結晶ダイヤモンド膜とモリブデン膜間の界面熱抵抗の値Ｒは、全膜厚の熱抵抗より相当小さいと予想されるので、Ｒ＝０と仮定して、多結晶ダイヤモンド薄膜の熱拡散率ｋＤを算出する。
　【００２１】
　そして、次式より多結晶ダイヤモンドの熱伝導率を算出する。
　λ＝ｋＤ・ＣＤ
　ここで、λは熱伝導率（単位：Ｗ／ｍＫ）、ｋＤはダイヤモンドの熱拡散率（単位：ｍ２／ｓ）、ＣＤはダイヤモンドの体積熱容量（比熱容量と密度の積）（単位：Ｊ／ｍ３Ｋ）である。
　【００２２】
　なお、比熱容量と密度は以下の値を用いる。
　多結晶ダイヤモンド膜の密度：３５１５（ｋｇ／ｍ３）
　多結晶ダイヤモンド膜の比熱容量：７０６［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］
　モリブデン膜の密度：１０２００（ｋｇ／ｍ３）
　モリブデン膜の比熱容量：２４９［Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）］
　【００２３】
　また、「膜厚」は、ダイヤモンド膜の厚さ方向断面における電子顕微鏡写真を撮影し、１０点における厚さの計測値を算術平均した値である。
　【００２４】
　本発明のダイヤモンド膜はダイヤモンド構造が多く、熱伝導性、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などに優れているように、ラマンスペクトルによるダイヤモンドピークの面積比率が７％以上であるのが好ましく、８％以上であるのがより好ましく、９％以上であるのが更に好ましく、１０％以上であるのが更に好ましく、１１％以上であるのが更に好ましい。
　【００２５】
　この「ラマンスペクトルによるダイヤモンドピークの面積比率」は、ダイヤモンド膜のラマンスペクトル（励起波長：３２５ｎｍ）を、ガウス関数を用いてピーク分離し、全体のピーク面積に占めるダイヤモンドピーク（波数：１３３３ｃｍ−１）の面積の割合を算出したものである。
　【００２６】
　本発明のダイヤモンド膜の膜厚は特に限定するものではないが、１０ｎｍ以上であることができる。好ましくは、５０ｎｍ〜１０μｍである。
　【００２７】
　このような本発明のダイヤモンド膜は、例えば、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、により製造することができる。このように、ナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法で成長させてダイヤモンド膜を形成する前に、ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理することによって、ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ナノダイヤモンド粒子の純度を高めた上で、ダイヤモンドを成長させているため、ダイヤモンド構造が多く、熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れているダイヤモンド膜を形成することができる。
　【００２８】
　まず、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する。本発明においては、このような非常に細かいナノダイヤモンド粒子を使用しているため、基材上に付着させた場合の密度を高めることができる。その結果、ピンホールが発生しにくく、熱伝導性に優れ、しかも表面平滑性の高いダイヤモンド膜を製造することができる。
　【００２９】
　ナノダイヤモンド粒子は上述のような作用を奏するように、一次粒子径は１〜２０ｎｍであるが、より前記作用を奏するように、一次粒子径は１〜１０ｎｍであるのが好ましく、２〜７ｎｍであるのがより好ましく、３〜５ｎｍであるのが更に好ましい。なお、「一次粒子径」はナノダイヤモンド粒子の大きさのことをいい、濃度が２ｍａｓｓ％のナノダイヤモンド粒子分散溶液を調製し、濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子株式会社製）を用い、動的光散乱による粒度分布測定により得られる値をいう。
　【００３０】
　このようなナノダイヤモンド粒子は、例えば、爆発法により製造したナノダイヤモンド粗凝膠体を、セラミックビーズ又は金属ビーズを用いる高速回転湿式ミリングによって解砕する方法によって得ることができる。
　【００３１】
　なお、「爆発法」とは酸素欠如型の軍事用爆薬組成物ＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＢを水などの不活性媒体中で爆発させて生成した煤を集め、熱濃硝酸による酸化によって無定形炭素を取り除く方法である。そのため、ナノダイヤモンドが溶液に分散している場合の溶媒は、ナノダイヤモンド粗凝膠体を製造する際に使用した水などの不活性媒体である。このようにナノダイヤモンドが溶液に分散している場合、その濃度は、分散溶液が安定に存在するように、１０ｍａｓｓ％以下であるのが好ましく、５ｍａｓｓ％以下であるのがより好ましく、１ｍａｓｓ％以下であるのが更に好ましい。また、ナノダイヤモンド粒子を基材に対して高密度で付着させることができるように、０．００１ｍａｓｓ％以上であるのが好ましく、０．０１ｍａｓｓ％以上であるのがより好ましく、０．０５ｍａｓｓ％以上であるのが更に好ましい。
　【００３２】
　なお、ナノダイヤモンド粒子は溶液に分散していないドライの状態にあっても良い。このようなドライのナノダイヤモンド粒子はナノダイヤモンド分散溶液から溶媒を除去することによって得ることができる。
　【００３３】
　次いで、（２）ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程を実施する。この工程は、ナノダイヤモンド粒子が溶液に分散している場合、例えば、基材を分散溶液に浸漬した後に乾燥する方法、引き上げ法などにより分散溶液を基材にコーティングした後に乾燥する方法、分散溶液を基材に散布した後に乾燥する方法により実施することができる。基材にナノダイヤモンド粒子を高密度に付着させるという点から、基材を分散溶液に浸漬した後に乾燥する方法により付着させるのが好ましい。なお、乾燥はナノダイヤモンド粒子が高密度で付着した状態を維持したまま行うことができる方法であれば良く、特に限定するものではないが、例えば、スピン乾燥装置、熱風乾燥機、オーブン、真空オーブン、マイクロ波照射により実施することができる。
　【００３４】
　なお、基材を分散溶液に浸漬した際には、ナノダイヤモンド分散溶液におけるナノダイヤモンド粒子の分散状態を維持できるように、超音波を作用させるのが好ましい。この超音波はナノダイヤモンド粒子の分散状態を維持できるものであれば良く、特に限定するものではないが、例えば、超音波洗浄装置、ホーン形高出力超音波装置などを使用できる。
　【００３５】
　他方、ナノダイヤモンド粒子がドライの状態にある場合、ナノダイヤモンド粒子を布等により基材に擦り付けて付着させることができる。
　【００３６】
　この工程において使用できる基材としては、例えば、シリコンウエハやシリカガラスなど耐熱性の平面基板を使用することができる。このような耐熱性平面基板を使用することにより、後述のナノダイヤモンド粒子からｓｐ２炭素を取り除く際や、ＣＶＤ法によりダイヤモンド膜を成長させる際に熱が加わったとしても、悪影響を及ぼすことなく、ダイヤモンド膜を製造することができる。
　【００３７】
　続いて、（３）上述のナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する。通常、上述のようなナノダイヤモンド粒子の表面には、ｓｐ２炭素が存在しているため、このｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンドの純度を高めるために、ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する。
　【００３８】
　この熱処理はダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除くことができる限り、特に限定するものではないが、酸素、オゾン、二酸化窒素などの酸化性ガス存在下の酸化雰囲気下（特には、空気存在下）で実施するのが好ましい。特に、酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理するのが好ましい。４００℃未満であると、十分にｓｐ２炭素を取り除くことができず、ダイヤモンドの純度を十分に高めることができない傾向があるためである。一方で、４５０℃を超えると、ナノダイヤモンド自体のエッチングが進み、種となるナノダイヤモンドが減少してしまい、ダイヤモンド膜を形成できない傾向があるためである。なお、熱処理時間は十分にｓｐ２炭素を取り除くことができる時間であり、熱処理温度によって異なるため特に限定するものではないが、熱処理温度が低い程長くして、ｓｐ２炭素を取り除くのが好ましい。例えば、熱処理温度が４００℃の場合、５時間以上熱処理するのが好ましく、１０時間以上熱処理するのがより好ましい。また、熱処理温度が４２５℃の場合、１時間以上熱処理するのが好ましく、１０時間以上熱処理するのがより好ましい。更に、熱処理温度が４５０℃の場合、１時間以上熱処理するのが好ましく、５時間以上熱処理するのがより好ましい。
　【００３９】
　なお、このような熱処理は例えば、電気炉、ヒートガン、赤外線加熱、レーザー加熱等により実施することができる。
　【００４０】
　一方、プラズマ処理はナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除くことができれば良く、特に限定するものではないが、例えば、酸素プラズマ、水素プラズマ等により実施することができる。
　【００４１】
　そして、（４）熱処理又はプラズマ処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させて、ダイヤモンド膜を形成する。本発明においては、熱処理又はプラズマ処理によってダイヤモンド粒子の純度が高くなった状態でＣＶＤ法によりダイヤモンドを成長させているため、ダイヤモンド構造が多く、熱伝導率、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れているダイヤモンド膜を形成することができる。また、本発明の製造方法によれば、一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を核として成長するため、ピンホールが発生しにくく、熱伝導性に優れ、しかも表面平滑性の高いダイヤモンド膜を製造することができる。
　【００４２】
　この工程におけるＣＶＤ法はダイヤモンドを成長させ、ダイヤモンド膜を製造できる限り、特に限定するものではないが、例えば、熱フィラメント法、プラズマ法（例えば、直流、交流、高周波、マイクロ波など）、電子サイクロトロン共鳴プラズマ法、パルスプラズマ法、表面波プラズマ法などであることができる。
　【００４３】
　以上の方法によれば、基材表面にダイヤモンド膜が形成された膜被覆基材を製造することができるが、ダイヤモンド膜単体で使用する場合には、膜被覆基材からダイヤモンド膜を剥離する。この剥離方法としては、例えば、基材がシリコンからなる場合、フッ硝酸（フッ酸と硝酸の混合液）溶液中に浸漬し、基材がシリカからなる場合、フッ酸溶液中に浸漬することで、基材を除去し、ダイヤモンド膜単体とすることができる。
　【００４４】
　以上は、ナノダイヤモンド粒子を使用する本発明のダイヤモンド膜の製造方法であるが、本発明のダイヤモンド膜はナノダイヤモンド粒子を使用する方法に限らず、例えば、ナノダイヤモンド粒子に替えて、粒径０．０５〜０．５μｍのミクロダイヤモンド粒子を基材に付着させ、熱処理又はプラズマ処理を実施した後に、ＣＶＤ法により成長させても、本発明のダイヤモンド膜を製造することができる。
　【実施例】
　【００４５】
　以下に、本発明の実施例を記載するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
　【００４６】
　（実施例１）
　（１）　４．６±０．８ｎｍの一次粒子を９８．８ｍａｓｓ％、５９．４±２２．８ｎｍの凝集体を１．２ｍａｓｓ％含む水分散ナノダイヤモンドコロイド（株式会社　ナノ炭素研究所製　ナノアマンド５．０ｍａｓｓ％）を１００倍希釈し、０．０５ｍａｓｓ％のナノダイヤモンド水分散液を調製した。
　【００４７】
　（２）　次いで、このナノダイヤモンド水分散液中に、石英ガラス基板（大きさ：１ｃｍ角）を浸漬し、超音波洗浄装置（本多電子製、Ｗ−１１３）により３０分間超音波を作用させた。その後、ナノダイヤモンド水分散液から基板を取り出し、純水で洗浄し、更にスピン乾燥を行い、ナノダイヤモンド粒子を基板に付着させた。付着密度は２．０×１０１１個／ｃｍ２であった。
　【００４８】
　（３）　このダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４５０℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４５０℃で１時間保持する熱処理を実施した。
　【００４９】
　（４）　この熱処理した基板をマイクロ波プラズマＣＶＤ装置［（株）アリオス製］内にセットし、次の条件で３時間処理して、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５０】
　（条件）
　水素ガス：９９ｓｃｃｍ、メタンガス：１ｓｃｃｍ、圧力：１．５ｋＰａ、基板温度：９００℃、出力：２２０Ｗ
　【００５１】
　（実施例２）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４２５℃で１時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５２】
　（実施例３）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４２５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４２５℃で５時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５３】
　（実施例４）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４００℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４００℃で５時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５４】
　（実施例５）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板をＣＶＤ装置内に入れ、水素ガス：１００ｓｃｃｍ、圧力：１．５ｋＰａ、基板温度：６００℃、出力：１５０Ｗで、０．１時間の水素プラズマ処理をしたこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５５】
　（比較例１）
　（３）の熱処理を実施しなかったこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５６】
　（比較例２）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から３７５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度３７５℃で１時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５７】
　（比較例３）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４７５℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４７５℃で１時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５８】
　（比較例４）
　（３）ダイヤモンド粒子付着基板を電気炉に入れ、空気中で室温から４００℃まで、３．５℃／ｍｉｎ．の速度で昇温し、温度４００℃で１時間保持する熱処理を実施したこと以外は実施例１と同様にして、膜厚３００ｎｍのダイヤモンド膜を形成した。
　【００５９】
　（熱伝導率の測定）
　ダイヤモンド膜表面に反射膜（モリブデン膜、厚さ１００ｎｍ）を成膜した後、パルス光加熱サーモリフレクタンス法［装置として、ＰｉｃｏＴＲ（株式会社ピコサーム製）使用］により、薄膜の断面方向における熱拡散時間を計測し、熱拡散率を算出した。そして、次式よりダイヤモンドの熱伝導率を算出した。
　λ＝Ｋ・Ｃ
　ここで、λは熱伝導率（単位：Ｗ／ｍＫ）、Ｋは熱拡散率（単位：ｍ２／ｓ）、Ｃは体積熱容量（比熱容量と密度の積）（単位：Ｊ／ｍ３Ｋ）である。
　【００６０】
　これらの結果は表１に示す通りであった。
　【００６１】
　（ラマンスペクトルの測定）
　顕微レーザーラマン分光測定装置（株式会社堀場製作所製）を用いて、ダイヤモンド膜のラマン測定を行った。なお、励起波長には、３２５ｎｍのＨｅ−Ｃｄレーザーを使用した。得られたラマンスペクトルを、ガウス関数を用いてピーク分離し、全体のピーク面積に占めるダイヤモンドピーク（波数：１３３３ｃｍ−１）の面積の割合を算出した。
　【００６２】
　これらの結果は表１に示す通りであった。
　【００６３】
　【表１】
　【００６４】
　表１中、Ａは熱処理条件で、順に温度（単位：℃）、時間（単位：Ｈｒ）を表し、Ｂはダイヤモンド膜の厚さ（単位：ｎｍ）を表し、Ｃは熱伝導率（単位：Ｗ／ｍＫ）を表し、Ｄは熱抵抗（単位：ｍ２・Ｋ／Ｗ）を表し、Ｅはダイヤモンドピーク面積百分率（単位：％）を表す。また、表１中、＃１は水素プラズマ処理の条件［順に、温度（単位：℃）−時間（単位：Ｈｒ）］、＃２は熱処理をしていないこと、＃３はダイヤモンド膜が得られなかったため測定不能であったことを、それぞれ意味する。
　【００６５】
　表１から明らかなように、本発明の実施例１〜５のダイヤモンド膜は熱抵抗の低いものであり、また、ダイヤモンドピーク面積百分率が高いことから、ダイヤモンド構造が多いものであった。そのため、本発明のダイヤモンド膜は絶縁破壊強度、硬度、弾性率などダイヤモンドが本来有する性能に優れるものであることが推定できるものであった。
　【００６６】
　また、ナノダイヤモンド粒子を使用した場合、ＣＶＤ法でダイヤモンドを成長させる前に、熱処理、プラズマ処理のいずれの方法であっても、ナノダイヤモンド粒子表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高めると、ダイヤモンド構造を多くできることも判明した。
　【産業上の利用可能性】
　【００６７】
　本発明のダイヤモンド膜は熱伝導性、絶縁破壊強度、硬度、弾性率などに優れているため、放熱材料、電気絶縁材料、窓材、低摩擦コーティング材料、電極などとして好適に使用できる。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、
　（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、
　（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材
を、酸化雰囲気下、４００℃〜４５０℃で熱処理を行い、基材に付着したナノダイヤモンド粒子の表面のｓｐ２炭素を取り除き、ダイヤモンド粒子の純度を高める工程
　（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、
とを含む、ダイヤモンド膜の製造方法。