(57)【要約】      （修正有）【課題】誤った測定結果を導く可能性があるという従来技術の欠点を解決するセンサモジュールを提供する。【解決手段】基板１を含み、基板１上で、異なるレベル面Ｎｘに、導電性の第１の遮蔽構造部２と、導電性の第２の遮蔽構造部５と、所定の特性量を測定するための電極構造部３とが配置され、電極構造部３は、遮蔽構造部２，５の間に配置させるように構成する。【選択図】図１
0003196370.tif 000002
【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
センサモジュールであって、
基板（１）を含み、
前記基板（１）上で、異なるレベル面（Ｎｘ）に、
導電性の第１の遮蔽構造部（２）と、
導電性の第２の遮蔽構造部（５）と、
所定の特性量を測定するための電極構造部（３）とが配置され、
前記電極構造部（３）は、前記第１の遮蔽構造部（２）と前記第２の遮蔽構造部（５）との間に配置されていることを特徴とする、センサモジュール。
【請求項２】
前記電極構造部（３）は、異なる電位で動作させるために、少なくとも１つの第１の電極（３１）と第２の電極（３２）とを含んでいる、請求項１記載のセンサモジュール。
【請求項３】
前記第１の電極（３１）及び前記第２の電極（３２）は、同じレベル面（Ｎ２）に相互に離間して配置されている、請求項２記載のセンサモジュール。
【請求項４】
前記第１の電極（３１）は、相互に平行に配向され、かつ、相互に離間され、かつ、相互に電気的に接続された複数の電極フィンガー（３１１）を有し、
前記第２の電極（３２）は、相互に平行に配向され、かつ、相互に離間され、かつ、相互に電気的に接続された複数の電極フィンガー（３２１）を有し、
前記第１の電極（３１）の前記電極フィンガー（３１１）は、前記第２の電極（３２）の前記電極フィンガー（３２１）間の介在空間内に嵌合している、請求項２又は３記載のセンサモジュール。
【請求項５】
前記第１の電極（３１）と前記第２の電極（３２）との間に、測定すべき特性量に感応する感応材料（４）が充填されている、請求項２から４いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項６】
前記基板（１）は、半導体基板であり、
前記第１の電極（３１）及び前記第２の電極（３２）に所定の電位を印加し、かつ、測定すべき測定量に対する尺度として前記電極（３１，３２）間で前記感応材料（４）の抵抗又は静電容量を測定するための、前記半導体基板上に集積された集積回路を含んでいる、請求項５記載のセンサモジュール。
【請求項７】
前記集積回路は、前記第１及び第２の遮蔽構造部（２，５）を、前記第１及び第２の電極（３１，３２）とは異なる電位、とりわけアース電位で動作するように構成されている、請求項６記載のセンサモジュール。
【請求項８】
前記第１の遮蔽構造部（２）、前記第２の遮蔽構造部（５）、及び前記電極構造部（３）は、前記基板（１）上で、ＣＭＯＳ層構造の複数の金属層（７２，７３，７５）から形成されている、請求項１から７いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項９】
前記第１の遮蔽構造部（２）は、相互に平行な導電性の複数のフィンガーからなる規則的な配置構成を含んでいる、請求項１から８いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項１０】
前記第２の遮蔽構造部（５）は、相互に平行な導電性の複数のフィンガーからなる規則的な配置構成を含んでいる、請求項１から９いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項１１】
前記第１の遮蔽構造部（２）が、前記基板（１）と前記電極構造部（３）との間に配置され、
前記第１の遮蔽構造部（２）のフィンガーが、前記第２の遮蔽構造部（５）のフィンガー間の前記基板（１）方向に突出した空隙内に配置されている、請求項９を引用する請求項１０記載のセンサモジュール。
【請求項１２】
前記第２の遮蔽構造部（５）のフィンガーの下方で、前記第２の遮蔽構造部（５）と前記基板（１）との間に、複数の電極フィンガー（３１１，３２１）が配置されている、請求項４を引用する請求項９又は請求項１１記載のセンサモジュール。
【請求項１３】
前記基板（１）上に相互に平行に配向された複数の積層体（１０）を含み、前記各積層体（１０）は、少なくとも１つの第１の誘電体（７１）と、前記電極構造部（３）のフィンガーと、第２の誘電体（７４）と、前記第２の遮蔽構造部（５）のフィンガーと、保護層（６）とからなる配置構成を含み、さらに、
測定すべき特性量に対して感応する感応材料（４）を前記積層体（１０）間のトレンチ（９）内と前記積層体（１０）上に含んでいる、請求項１から１２いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項１４】
前記積層体（１０）は、保護層（６）で覆われている、請求項１３記載のセンサモジュール。
【請求項１５】
前記第１の遮蔽構造部（２）は、前記トレンチ（９）の底部に配置され、保護層（６）で覆われている、請求項１３又は１４記載のセンサモジュール。
【請求項１６】
前記センサモジュールは、湿度センサであり、水分に対して感応する感応材料（４）を前記第１の電極（３１）と前記第２の電極（３２）との間に含んでいる、請求項２記載のセンサモジュール。
【請求項１７】
前記第１の遮蔽構造部（２）は、複数の貫通孔部（７６）を介して相互に導電的に接続された複数の金属層（７２，７２′，７２″）を含んでいる、請求項１から１６いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項１８】
前記第１の遮蔽構造部（２）と前記第２の遮蔽構造部（５）との間に、さらなる電極構造部（３′）が配置されている、請求項１から１７いずれか１項記載のセンサモジュール。
【請求項１９】
前記さらなる電極構造部（３′）は、前記電極構造部（３）と導電的に接続されている、請求項１８記載のセンサモジュール。
【請求項２０】
センサモジュールであって、
基板（１）を含み、
前記基板（１）上で、異なるレベル面（Ｎｘ）に、
導電性の遮蔽構造部（５）と、
所定の特性量を測定するための電極構造部（３）とが配置され、
前記電極構造部（３）は、前記遮蔽構造部（５）と前記基板（１）との間に配置されていることを特徴とする、センサモジュール。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、センサモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
今日の多くのセンサモジュールは、センサチップを含んでおり、このセンサチップの基板上には、本来のセンサ機能部が測定感応素子の形態で被着されているか集積化されている。ここでの基板は、半導体基板であり得る。
【０００３】
とりわけ湿度センサの場合には、感湿性のポリマー層が使用され、その静電容量が例えば２つの端子電極を介して検出され、測定すべき湿度に対する尺度として示される。
【０００４】
いずれにせよここでわかっていることは、感湿層上に水分が凝縮した場合に、測定される静電容量が１００％よりも低い値にまで低下することである。つまりそのような飽和状態では、誤った測定結果を導く可能性があるということである。そのため測定された値が、湿度が本当に１００％よりも若干低い真実を描写しているのか、それとも凝縮の結果を描写しているのか、もはや一義的に確定することができなくなってしまう。
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００５】
本考案の課題は、前述したような従来技術の欠点に鑑みこれを解決すべく改善を行うことである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題は、請求項１の特徴部分に記載された本考案によるセンサモジュールによって解決される。
【０００７】
このセンサモジュールは、基板、特にシリコン基板のような半導体基板を含んでいる。この基板上には、第１の導電性遮蔽構造部と、第２の導電性遮蔽構造部と、所定の特性量を測定する電極構造部とが異なるレベル面に配置されている。前記電極構造部は、前記遮蔽構造部の間に配置されている。有利には、前記センサモジュールは湿度の測定のために用いられるため、例えば水分子を吸収する感湿材料を有している。有利には、そのような測定素子は、電極構造部の電極間に配置される。それにより、これらの電極を用いて測定素子に係る容量性測定が実施可能となる。
【０００８】
考案者サイドでは、冒頭に示した前記問題は、複数の電極によって形成される電界が、測定素子表面に凝縮した水分による影響に起因し得ることがわかっている。気相状態の水分は、水分子が測定素子の材料によって吸収され、その静電容量が検出される。それに対して液相状体の水分は、測定素子表面にできた水の膜が、そのような水膜なしの測定状態に比べて電界に影響を及ぼす可能性がある。このような影響は、水の誘電率が高いことにも起因する。本考案によれば、測定のために電極構造部を用いて形成される電界が可及的に外的影響から遮蔽される遮蔽構造部が採用され、とりわけ測定素子の変わらない電界線分布が、測定素子上の水膜の有無や誘電率の高いその他の堆積物の有無に依存することなく、保証される。この測定は、十分な静電遮蔽により、センサモジュール周辺の誘電特性の変化にも依存せずに行うことが可能である。
【０００９】
電極構造部を基板平面に対して直交方向で前記遮蔽構造部の間に配置することによって、当該電極構造部の周りにいわゆるファラデー箱の形態が形成される。この電極構造部は、この場合異なる電位で動作させるために少なくとも２つの電極を含んでいてもよく、これらの電極は有利には同じレベル面に相互に離間して配置され得る。前記遮蔽構造部は、導電的に構成されており、それらはそれぞれ１つ又は複数の金属層を含んでいてもよいし、完全に異なる材料から構成されていてもよい。これらの遮蔽手段は、特に飽和状態に近い高い湿度値のもとでも相対湿度の信頼性の高い測定を可能にする。それにもかかわらず、そのように高い相対湿度と凝縮とを区別することが可能である。このことは、周辺環境において湿度が測定され、この測定が凝縮による影響を頻繁に受ける場合、例えば自動車の窓ガラスに曇りが識別される場合に特に有利となる。
【００１０】
遮蔽の結果、前記感湿材料（＝測定素子）の厚さを低減することも可能である。この手段も、特に低温環境下の測定における測定持続時間に対して有利に作用する。この低温環境下の測定では、例えばポリマーなどの測定材料中の水分拡散係数の温度依存性のために、測定持続時間が増加しがちである。このような時間の増加は本考案により薄く形成された測定素子によって対処可能である。
【００１１】
本考案の有利な実施例によれば、前記電極がそれぞれ櫛形形状を有する。この櫛形形状によって前記第１の電極は、相互に並列に配向され、かつ相互に離間され、かつ相互に導電的に接続された複数の電極フィンガーを有する。これは第２の電極にも当て嵌まる。その際前記第１の電極の複数の電極フィンガーは、前記第２の電極の複数の電極フィンガー間の介在空間内へ嵌合する。これにより前記電極間の有効面積が増加する。そのような面積も電極間のキャパシタンスに関与する。その際、前記電極フィンガー間の間隔やその他の幾何学的な大きさなどは、適用されるケースに応じて最適化され、湿度に誘起される静電容量の変化が配置構成のオフセットキャパシタンスに関連して最大化される。
【００１２】
有利には、前記電極に異なる電位を印加するための回路と測定素子の静電容量若しくはその抵抗を測定するための回路が前記基板上に集積化されており、そのような集積回路も、前記遮蔽構造部の相互接続のために重要であり得る。前記遮蔽構造部は、有利には共通の電位に保持され、この電位は、電極に印加される電位とは異なり、有利にはアース電位であり得る。有利な実施例によれば、前記回路は、前記２つの遮蔽構造部による遮蔽と同時に複数の電極間の静電容量の第１の測定のために構成され、さらに前記第２の遮蔽構造部と電極構造部若しくは第１の遮蔽構造部との間の静電容量の第２の測定、例えば前記第１の測定に続く第２の測定のために構成される。この場合対応する構造部には適切な電位が印加される。前記第２の測定を用いることにより、遮蔽されていない配置構成の測定結果が得られる。そのため測定素子に凝縮が発生している場合には、測定される静電容量にも降下が起こり得るはずである。その原因が凝縮である限り、２つの測定の結果には相違が生じる。このようなセンサモジュールの動作を用いることによって、凝縮ケースを識別することができるようになる。
【００１３】
基板上での複数の遮蔽構造部間の電極構造部の配置構成のために、別の有利な構成例によれば、小形積層体が基板上に形成され、この小形積層体は、それぞれ基板側から見て、第１の遮蔽構造部の構成要素と、第１の誘電体と、電極構造部の構成要素と、第２の誘電体と、第２の遮蔽構造部の構成要素と、任意の保護層とを伴う配置構成を含んでいてもよい。それにより前記構造部が相互に電気的に絶縁される。前記電極構造部が、相互に嵌合する複数の電極フィンガーを伴う２つの電極を有し、さらに少なくとも上方の第２の遮蔽構造部が互いに並列に配置された複数のフィンガーを有しているケースでは、有利な空間分割と有利な製造方法によっては、前記２つの電極の電極フィンガーと前記第２の遮蔽構造部のフィンガーとが上下に相並んで配置され、特に互いに合同するように配向することも可能である。
【００１４】
有利には、第１の遮蔽構造部も、互いに電気的に並列に接続された複数のフィンガーが規則的に並ぶ配置構成を含んでいてもよい。これらの複数のフィンガーも、積層体の構成要素として電極フィンガーの下方で特にそれと重なるように配向されるか、又は、前記積層体に対し、当該積層体のトレンチ内でずらされて配向されてもよい。
【００１５】
有利には、積層体の間のトレンチが、測定すべき特性量毎の感知材料で充填され、この材料は有利には前記積層体の上側も覆う。
【００１６】
別の有利な構成例によれば、前記基板上で、前記第１の遮蔽構造部と、前記第２の遮蔽構造部と、前記電極構造部とがＣＭＯＳ構造の複数の金属層から形成される。有利には、これのために上側の金属層が用いられ、特に有利には上から３つの金属層が用いられる。その場合ＣＭＯＳ層構造において、これらの金属層は、誘電体の間に、特に異なってドープされたＳｉＯ2層からなる合成体の間に設けられる。使用される金属層が相応に構造化されるならば、唯一のステップにおいて、引き続き少なくとも第２の遮蔽構造部を覆う誘電体が所定のエッチングプロセス、有利には異方性プラズマエッチングプロセスにおいて除去される。このエッチングステップでは、構造化された第２の遮蔽構造部が、当該第２の遮蔽構造部の複数のフィンガー間で画定されるトレンチのエッチングに対してエッチストップとして用いられる。その上さらに前記第１の遮蔽構造部が次のように構造化されるならば、すなわち、そのレベル面において、上方の第２の遮蔽構造部の複数のフィンガー間の空隙を覆い、そして前記第２の遮蔽構造部の複数のフィンガーに対して側方にずらされて配置されるか又は前記第１の遮蔽構造部を貫通して前記電極構造部の下方に形成されるように構造化されるならば、前記第１の遮蔽構造部も前述したようなエッチングステップにおいてエッチストップとして用いられ得る。前記第１の遮蔽構造部は、前記トレンチの底部も形成する。有利には、前記積層体構造部又はトレンチ構造部は、不動態層のような保護層で覆われる。その後で前記トレンチは感知材料で充填される。本考案は、１つの基板を含むセンサモジュールに関している。この基板上には、異なるレベル面で、導電性の遮蔽構造部と、所定の特性量を測定する電極構造部とが配置されており、前記電極構造部は、前記遮蔽構造部と前記基板との間に配置されている。
【００１７】
本考案の別の有利な構成例は、従属請求項に記載されている。
【００１８】
本考案のさらに別の構成、利点、適用性は従属請求項からも、以下の図面に基づく詳細な説明からも明らかとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本考案によるセンサモジュールの実施例の断面図
【図２】図１のラインＡ−Ａ′に沿った断面図
【図３】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【図４】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【図５】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【図６】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【図７】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【図８】本考案によるセンサモジュールの別の実施例の断面図
【考案を実施するための形態】
【００２０】
図１には、本考案によるセンサモジュールの実施例の断面図が示されている。このセンサモジュールは基板１、特に珪素基板のような半導体基板を有している。この基板１の上側には、３つの積層体１０が認められる。なおこれらの基板１と積層体１０は、必ずしも縮尺通りに描写されているわけではない。前記積層体１０の間のトレンチ９には、当該センサモジュールを用いて測定される特性量に感応する材料４が充填されている。この感応材料４は当該実施例によれば前記積層体１０も覆っている。
【００２１】
例えば前記材料４は、水分に対して感応性であり、そのため本考案によるセンサモジュールは、湿度を測定するための湿度センサ、例えばセンサモジュール周囲の湿度を測定する湿度センサである。有利には、前記感応材料４の表面は、必要に応じてさらに実施されるパッケージングステップの後でも、測定すべき媒体、例えば周辺空気にとって、アクセス可能になる。
【００２２】
この感応材料４は、当該センサモジュールの測定素子４としても機能する。以下では測定素子とも称するこの材料４が湿度センサである場合を想定し、有利にはポリマー層若しくはセラミック層として構成され、さらに当該センサモジュールの周辺環境からの水分子を受け入れ可能である。
【００２３】
従って、前記測定素子４は、基板１の上側に被着されており、この基板１の上側には、例えば図１には示されていないが、特に前記基板１が半導体基板、有利には珪素基板として構成されている場合に、電子回路が集積されていてもよい。この電子回路は、有利には測定素子４の信号の前処理及び／又は評価のために構成されている。この電子回路は、基板１自体の構造の他に導電性の構造部、例えばＣＭＯＳプロセスによる金属層によって表される導電性の構造部を含んでいてもよい。ＣＭＯＳプロセス（Complementary Metal Oxide Semiconductor）は、有利にはそのような集積回路の製造のために用いられる。ＣＭＯＳプロセスの枠内においては、多種多様な層が基板１上に被着され得る。これらの層は、本考案による実施例では、有利には積層体１０の作成と、それに伴う遮蔽された電極構造部３の作成に用いられる。これらの層は前記測定素子４と共に、測定すべき特性量の測定を可能にしている。
【００２４】
本考案によれば、基板１上に被着された複数の層は、第１の誘電体７１、第１の金属層７２、さらなる第２の金属層７３、さらなる第２の誘電体７４、少なくとも１つの第３の金属層７５を含んでいる。前記金属層７２，７３，７５の各々は、それ自体が例えばＴｉＮ層とＴｉ層とからなる層構造を有していてもよい。この場合には、当該の製造プロセスにおいて、多種多様な層が次のように構造化される。すなわち、図示のように介在空間にトレンチ９を備えた積層体１０が形成されるように構造化される。ここでは図示の実施例において生じているように、第１の金属層７２の構造部が第１の遮蔽構造部２を表し、第２の金属層７３による構造部が電極構造部３を表し、第３の金属層７５による構造部が、第２の遮蔽構造部５を表している。前記第１及び第２の誘電体７１，７４は、前記各金属層を相互に分離させている。本考案による実施例によれば、前記第１の金属層７２は、ＣＭＯＳ層構造におけるＭ４層によって形成されており、前記第２の金属層７３は、Ｍ５層によって形成され、前記第３の金属層７５は、Ｍ６層によって形成されている。
【００２５】
有利には第１の遮蔽構造部２も第２の遮蔽構造部５も、フィンガー形態の構成要素を含み、それらの断面は図１に示され、相互に離間され、有利には互いに平行に配向されている。この場合第１の遮蔽構造部２のフィンガーは、第１のレベル面Ｎ１上に、すなわち基板１上の第１の高さに配置され、第２の遮蔽構造部５のフィンガーは、第３のレベル面Ｎ３上に配置されている。これらの間に介在する第２のレベル面Ｎ２上には、電極構造部３が配置されている。各遮蔽構造部２ないし５のフィンガーは、相互に電気的に接続されていてもよく、それによってこれらのフィンガーは、唯一の端子を介して共通の電位に置くことが可能となる。従って別の有利な構成によれば、各遮蔽構造部が櫛形の形態を有し得る。
【００２６】
本考案の有利な構成によれば、前記電極構造部３が２つの電極３１及び３２を含み、これらは互いに電気的に接続されていないため、異なる電位を印加することが可能である。そのため図１によれば、電極構造部３は有利には、複数の電極フィンガーを有する第１の電極３１と、同じ様に複数の電極フィンガーを有するさらなる第２の電極３２とを備えることが可能である。この場合前記第１の電極３１の電極フィンガーは、有利には前記第２の電極３２の電極フィンガー間に存在する介在空間に嵌合する。そのような電極構造部３は、インターデジタル電極とも称される。このような幾何学構造によって、電極３１と３２の間で有効面積が拡大し、このことは例えば静電容量測定に対して有利に働く。
【００２７】
図２には、図１中のラインＡ−Ａ′に沿った電極構造部３の断面が示されている。ここでは第１の電極３１の個々の電極フィンガー３１１と、第２の電極３２の個々の電極フィンガー３２１とが例示的に示されており、それらは相互に離間され、互いに平行に配置されている。前記各電極３１，３２の電極フィンガー３１１，３２１は、それぞれ一方の端面側における縁部３１２，３２２を介して互いに導電的に接続されている。前記電極フィンガー３１１，３２１間のトレンチには感応材料４が充填されている。当該実施例においては、前記電極３１，３２間の静電容量が水平方向で測定されている。
【００２８】
前記遮蔽構造部（遮蔽電極）２，５は、有利には予め定められた電位が印加されており、前記電極構造部３の電気的なシールドに用いられている。
【００２９】
図１による実施例では、第１の遮蔽構造部２のフィンガーが、第２の遮蔽構造部５のフィンガーに対してずらされて配置され、特に積層体１０間のトレンチ９内に設けられている。このことは、センサモジュールの製造に有利となる。そのため前記積層体１０は公知のフォトリソグラフィープロセスを用いて形成するのが有利である。唯一の製造ステップにおいて、前記２つの遮蔽構造部２，５を覆っている誘電材料がエッチングによって除去される。その際前記遮蔽構造部２，５は、それぞれの各レベル面Ｎ１，Ｎ３のエッチストップとして用いられる。エッチング処理された後では、感応材料４が被着される前の状態、有利には前記トレンチ９を充填し前記積層体１０も覆う前の状態が、エッチング処理によって露出した遮蔽構造部２及び５ないしは積層体１０において、トレンチ９が保護層６によって覆われる。前記積層体１０と該積層体１０間のトレンチ９に被着された前記保護層６は、有利には、露出した第１及び第２の遮蔽構造部２，５並びに電極構造部３のための不動態化層として用いられる。
【００３０】
図３には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図１の実施例との違いは、ここではトレンチ９が第１の遮蔽構造部２を表す第１の金属層７２のところまで達していない点である。つまりこのセンサモジュールでは、トレンチ９が完全には開放されておらず、そのため第１の金属層７２上方の第１の誘電体７１が完全には除去されない。
【００３１】
図４には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図１の実施例との違いは、ここでは電極構造部３に対して付加的に、さらなる電極構造部３′がレベル面Ｎ１′に設けられている点である。このさらなる電極構造部３′は、有利にはさらなる金属層７３′によって形成され、前記誘電体７１と誘電体７４′との間に配置されている。特にここでは第１の金属層７２はＭ３−ＣＭＯＳ層によって形成され、さらなる金属層７３′はＭ４−ＣＭＯＳ層によって形成され、第２の金属層７３はＭ５−ＣＭＯＳ層によって形成され、第３の金属層７５はＭ６−ＣＭＯＳ層によって形成されている。このセンサモジュールでは、前記電極構造部３及び３′の２つの電極信号が取り出し可能であり、とりわけ相互に比較可能である。これらの信号の比較、特にそれらの動特性の比較は、時間依存性の現象に関する情報を提供し、及び／又は、汚染物質のアクティブな動的検出やアクティブな動的補償のために利用することが可能である。
【００３２】
図５には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図１の実施例との違いは、ここでは第１の遮蔽構造部２が一貫した構造部として構成されている点であり、つまりこの第１の遮蔽構造部２はフィンガー形状を有するのではなく、積層体１０の下方で平坦に延在している。このためにここでもまたＣＭＯＳ構造部の金属層、例えばＭ４−層が用いられ、これは製造プロセスにおいて構造化の必要がない。
【００３３】
図６には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図５の実施例との違いは、第１の遮蔽構造部２がここでは異なるレベル面Ｎ，Ｎ０，Ｎ１の複数の金属層７２，７２′，７２″を有し、複数の誘電体７１′，７１″によって相互に分離されている点である。前記複数の金属層７２，７２′，７２″は、貫通孔部７６によって相互に導電的に接続され、それによって同じ電位におかれている。それ故これらの金属層は共に第１の遮蔽構造部２として機能する。これにより電気的なシールドはより改善される。もちろんこの実施例においても、最上の金属層７２″が図１による金属層７２の趣旨で形成され、フィンガー構造部を有するものであってもよい。
【００３４】
図７には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図４の実施例との違いは、ここでは前記積層体１０に亘り電極構造部３及びさらなる電極構造部３′を形成する金属層７３及び７３′が、各積層体１０毎に貫通孔部７７を介して相互に接続している点である。これにより、有効な電極面が増加し、それによって前記電極構造部３，３′の２つの電極３１，３２間で測定される静電容量も増加し得る。
【００３５】
図８には、本考案の別の実施例によるセンサモジュールの断面図が示されている。図１の実施例との違いは、ここでは第１の遮蔽構造部が何も設けられていない点である。そのためこのセンサモジュールは、その上側に向けて、導電性の遮蔽構造部５によって、電気的にシールドされているだけである。この遮蔽構造部５は、前述した他の実施例では、導電性の第２の遮蔽構造部５と称されたものである。センサモジュール上の凝縮の問題と関連して、センサモジュールの上側に向けて配向された遮蔽構造部５のみで十分となるであろう。少なくとも２つの遮蔽構造部を備えて実施される改善構成の全ては、第１の遮蔽構造部とも称した付加的な遮蔽構造部に直接の関係がない限りは、１つの遮蔽構造部だけを備えた本考案によるセンサモジュールに対しても適用可能である。
【００３６】
本願明細書においては本考案をいくつかの有利な実施例に基づいて説明してきたが、ここで述べておきたいのは、本考案がそれらの実施例に限定されるものではないことである。ここでは本考案が、実用新案登録請求の範囲に記載された枠内において、別のやり方で実施することも可能であることを述べておく。
【符号の説明】
【００３７】
１      基板
２      第１の遮蔽構造部
３      電極構造部
４      感応材料、測定素子
５      第２の遮蔽構造部
６      保護層
９      トレンチ
１０    積層体
３１    第１の電極
３２    第２の電極、さらなる電極
７１    第１の誘電体
７２    第１の金属層
７３    第２の金属層
７４    第２の誘電体
７５    第３の金属層
７６    貫通孔部
７７    貫通孔部
３１１  電極３１のフィンガー
３１２  縁部
３２１  電極３２のフィンガー
３２２  縁部
【図１】
0003196370.tif 000003
【図２】
0003196370.tif 000004
【図３】
0003196370.tif 000005
【図４】
0003196370.tif 000006
【図５】
0003196370.tif 000007
【図６】
0003196370.tif 000008
【図７】
0003196370.tif 000009
【図８】
0003196370.tif 000010