(57)【要約】  携帯端末などで使用されるタッチパネルには、透明タッチパッドが必要である。従来透明タッチパッドはＩＴＯが主に用いられていたが、ＩＴＯは透明性を確保できるが、抵抗率が高く、また形成には真空成膜および高温の焼結が必要といった課題があった。  基板に５０μｍ以下の幅で形成された溝と、前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙を有する焼結体とを有することを特徴とする銅配線は、形成が大気中で行うことができ、また、高温で焼結する工程を必要としない。またナノ銅粒子が焼結されて形成された焼結体は、バルクの１．５倍〜数十倍程度の抵抗率で形成できるので、抵抗率の低い透明配線を形成することができる。
2018003399.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に５０μｍ以下の幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙を有する焼結体とを有することを特徴とする銅配線。
【請求項２】
前記溝の深さ方向における前記焼結体の厚みは、前記溝の深さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載された銅配線。
【請求項３】
前記焼結体は、炭素元素またはリン元素を含有することを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載された銅配線。
【請求項４】
前記溝中において、前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように酸化防止層が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項５】
前記基板は、前記溝が形成された側の面に機能性多層膜が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項６】
前記機能性多層膜の一部は、前記焼結体を覆うことを特徴とする請求項５に記載された銅配線。
【請求項７】
前記溝中において、前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように黒化処理層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項８】
前記溝中において、前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように無電解メッキ層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項９】
前記基板は配線密集部を有し、前記配線密集部内には、前記焼結体が設けられた前記溝が所定の密度で形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかの請求項に記載された銅配線を用いたタッチパッド。
【請求項１１】
請求項９のタッチパッドを用いたタッチパネル。
【請求項１２】
請求項１０のタッチパネルを用いた電子機器。
【請求項１３】
基板の一方の主面に幅が５０μｍ以下の溝を形成するステップと、
前記溝の中にナノ銅粒子と還元剤とを含有する銅ナノインクを配置するステップと、
前記銅ナノインクを前記溝の中で焼結し、前記溝の中に金属銅を主要成分とする焼結体を形成するステップと、
を有する銅配線の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯端末、ＰＣ、テレビ、車載用ディスプレイ等の各種電子機器に使用される銅配線、およびその製造方法、およびこれを用いた電子機器、タッチパッド、タッチパネルに関する発明である。また、従来タッチパネルに利用されている透明電極に代わる配線技術として使用することができる。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルとは、液晶表示装置や有機ＥＬといった表示装置と位置入力装置である透明タッチパッドを組み合わせた装置である。表示された画面の部分に触れたり、触れた部分から指を動かす動作などで、装置に入力を行う。現在普及している携帯端末のほとんどに搭載されている入出力装置である。【０００３】
タッチパネルを構成する部品では、表示装置とともに、透明タッチパッドが重要となる。透明タッチパッドとは、ガラスや透明樹脂といった可視光が透過する基材上に位置検出用の部品を配置したものである。位置検出のための部品としては、圧力で位置を検出するものと、静電容量の変化で位置を検出するものがあるが、携帯端末に用いられているのは、応答速度の速い静電容量で位置を検出するものが主流となっている。【０００４】
静電容量で位置を検出するタイプの透明タッチパッドでは、表面型と投影型が知られている。表面型とは、画面の四隅に電圧をかけておき、四隅での静電容量の変化によって、画面上の位置を検出するものである。一方、投影型とは、画面上に縦横に配線を配置させ、縦方向と横方向で静電容量が変化した部分を検出する。【０００５】
表面型は構造が単純であり、大画面でも使用できるというメリットがある。しかし、一度に画面上の１点しか検出できない（シングルタッチ）。一方、投影型は構造が複雑であるが、一度に複数箇所の位置検出が可能である（マルチタッチ）。【０００６】
投影型の透明タッチパッドは、画面全体に配線を配置しなければならない。したがって、透明で導電性のある素材が必要となる。従来から透明導電性材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）系材料やＴｉＯ２（酸化チタン）系材料が知られている。現在は、従来から透明導電性材料として製造技術および生産量において実績のあるＩＴＯが主として用いられている。【０００７】
しかし、ＩＴＯは真空中での成膜処理によって作製されるため、設備および製造工程において、コストがかかる。また、ＩＴＯの導電率は決して高くはない。したがって、ＩＴＯを大画面に全体に用いると、検出に時間がかかる。結果、反応が遅れたり、ノイズによって誤動作を起こすという技術的な問題も抱えている。【０００８】
さらに、製造工程において、透明性と導電性を発揮させるために、高温でのアニールが必要となる。したがって、基板として使用できる材料が限定されるといった制約もある。また、ＩＴＯはセラミック系材料であるので、可撓性に乏しい。そのため、フレキシビリティが必要な曲げ若しくは屈曲される部分には用いることができないといった制約もある。そこで、ＩＴＯに代わる透明導電性材料が検討されている。【０００９】
１つの技術的なアプローチは、配線を細くすることで、視認できない配線を提供するという方向がある。通常肉眼では、５０μｍが検出限界といわれている。したがって、これより細い配線であれば、ほぼ透明として扱えるという考えが、この技術の基本にある。【００１０】
細い配線自体は半導体技術によってサブミクロンの太さで形成することができる。具体的には、線幅が数μｍから数十μｍ、あるいはサブミクロンオーダーで、ＩＴＯよりは導電性が高く（抵抗率が低く）、さらにより安価に製造できる方法が求められている。【００１１】
特許文献１では透明電極と、肉眼で確認できない線幅の金属補助線を用いる技術が開示されている。これは、ＩＴＯを一気に置き換えるのではなく、肉眼で確認できない線幅の金属配線を部分的に用いるものである。ここでは、３０μｍ以下の線幅であれば、視認できないとされている。なお、金属補助線は真空成膜技術で製造され、フォトリソグラフィ技術で形成されている。【００１２】
特許文献２では、真空成膜した金属膜は応力があるため好ましくないとして、電解銅箔もしくは圧延銅箔をファインパターンに加工して用いる技術が開示されている。ここでは、幅７μｍ、ピッチ３００μｍの銅箔パターンが開示されている。つまり、３００μｍ毎に幅７μｍの銅箔が形成されたパターンは、銅箔が無い部分（これを開口部としている）が線幅に対して大きいので、光が通過し、透明配線として利用することができる。【００１３】
一方、特許文献３には、金属ナノワイヤーを用いて細線を形成する技術について開示されている。金属ナノワイヤーは、太さが数ｎｍ〜数十ｎｍでアスペクト比が数十〜数百の針状ナノ物質である。材質としては、銀、金、銅といった高導電性物質（低抵抗率物質）から形成することができる。金属ナノワイヤーを塗料にして塗布すると、金属ナノワイヤーはネットワーク状に接触し、導電性を発揮する。一方、単位面積当たりに占める空間が広いので、目視では透明に見える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】国際公開第２０１１／１１１６５０号（特許第５５０３７２９号）
【特許文献２】特開２０１５−１５７３９２号公報
【特許文献３】特開２０１６−０２１１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献１に開示された技術によれば、目視できない線幅の金属補助配線を得ることができるとされているが、従来から用いている透明電極を完全に置き換えることにはならない。【００１６】
特許文献２は、配線パターンの銅を真空成膜で形成していないので、膜の応力問題は改善されているといえる。しかし、配線パターンは、電解銅箔などをフォトリソグラフィの技術を用いて形成している。したがって、製造工数は、やはり多いといえる。【００１７】
また、特許文献３の方法は劇的に製造方法が簡便になるだけでなく、基板が２００℃以下の樹脂であっても利用できるので、フレキシブルなタッチパネルが可能になる。しかし、透明性を確保するために、金属ナノワイヤーの含有率をそれほど高くできない。したがって、抵抗率をＩＴＯに対して優位に低くできないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は上記課題に鑑みて想到されたものであり、従来にない方法で高い導電性を有する微細な配線を構成できる銅配線構造を提供するものである。本発明に係る銅配線構造では、塗料にしたナノ銅粒子を基板上に形成した幅数μｍの溝に流し込み、これを焼結することで、焼結された銅粒子を溝の中に形成させることで連続的な銅配線を提供できる。【００１９】
より具体的に本発明に係る銅配線は、
基板に５０μｍ以下の幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙を有する焼結体とを有することを特徴とする。【００２０】
また、本発明は上記銅配線を用いたタッチパッド、タッチパネル、及びそれらを用いる電子機器まで及ぶ。以下、可視化不可の幅、および、視認できない線幅とは、５０μｍ以下の幅および線幅を言う。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る銅配線は、透明基板上に形成された溝にナノオーダーの銅粒子を塗料にしたものを流し込み、溝中で焼結させているので、真空成膜技術もフォトリソグラフィ技術も使用することなく、極めて簡単に視認できない線幅の銅配線を提供することができる。したがって、大規模な設備も不要で製造コストを大幅に低減する効果を有する。【００２２】
また、溝の最深部に焼結された銅粒子が配置されるため、焼結された銅粒子が直接摩擦を受けることがない。よって、磨耗性に優れているという効果を有する。また、焼結された銅粒子が基板表面に露出していないので、基板に対する接着性に優れている。さらに、焼結された銅粒子の導電性は連続膜として導電性が確保され、ナノワイヤーのように接触に基づくものではない。したがって、可撓性を有し、曲げや屈曲に対する耐性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る銅配線の斜視図である。
【図２】焼結されたナノ銅粒子の形成手順について示す図である。
【図３】より好ましい形態を示す構成図である。
【図４】より好ましい形態を示す構成図である。
【図５】従来の投影型静電容量方式の導電パターンを例示する図である。
【図６】本発明の銅配線を用いた電極の構成例を示す図である。
【図７】本発明の銅配線を用いた電極を使ったタッチパネルを搭載した電子機器の構成を示す図である。
【図８】実施例で用いた電極パターンの構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明に係る銅配線について図面および実施例を示し説明を行う。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態および一実施例を例示するものであり、本発明が以下の説明に限定されるものではない。以下の説明は本発明の趣旨を逸脱しない範囲で改変することができる。
【００２５】
図１に本発明に係る銅配線の斜視図を示す。銅配線１は、透明基板１０上に設けられた溝１２中にナノオーダーの銅粒子（以後「ナノ銅粒子」と呼ぶ。）が焼結されて、金属銅を主要成分とするナノ銅粒子の焼結体が形成された状態で配置されている。以下、ナノ銅粒子が焼結されて形成された金属銅を主要成分とする焼結体を、「ナノ銅粒子焼結体２０」と呼ぶ。焼結体とは、固体粉末の集合体を融点よりも低い温度で加熱して、固体粉末同士の表面が互いに融着して形成される固体であり、内部に微細な空隙を有する。
【００２６】
透明基板１０は可視光（波長がおよそ３６０ｎｍから７８０ｎｍ程度の電磁波）を通過させることができれば、特に限定しない。また、可視光の一部の波長が通過できない帯域があってもよい。可視光帯域の光の全てが通過できなくても、十分にカラー画像として認識できる場合があるからである。
【００２７】
透明基板１０上には、溝１２が形成されている。溝１２の幅１２ｗは、０．３〜５０μｍ、好ましくは１〜１０μｍ、より好ましくは１．５〜３μｍであるのがよい。溝１２同士のピッチは、溝１２の全体形状によって変わる。モアレやちらつき、干渉線などが発生しないピッチで形成されていればよい。
【００２８】
溝１２は、透明基板１０上にレーザー加工やマイクロカッターによる加工でも形成することができる。また、スタンパーと呼ばれる溝構造を備えたＮｉ電鋳を使って、樹脂を射出成形することで、溝１２付きの透明基板１０を形成することもできる。これらはＢＤ（ブルーレイディスク）やＤＶＤディスクで用いられる技術として知られている。
【００２９】
また、予め雄型を作製しておき、ナノインプリント技術を用いて形成する技術も好適に利用することができる。ナノインプリント技術にはいくつかの方法があるが、いずれの方法を用いても良い。例えば、透明基板１０上に透明なＵＶ硬化樹脂を塗布し、雄型を押し当て、紫外線を当てて硬化させる方法がある。また、透明基板１０上に透明な熱硬化樹脂を塗布し、雄型を押し当てて、加熱し硬化させる方法などが利用できる。
【００３０】
図１（ｂ）には、溝１２の断面を示す。基材１０ａは透明な材料である。ガラスなどの硬質な材料や、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＣ（ポリカーボネート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマーフィルム）、ＰＡＲ（ポリアリレートフィルム）、また透明性を必要としない微細配線には、ＳＰＳ＋ＰＰＥ（シンジオタクティックポリスチレン＋ポリフェニレンエーテル）、ＰＩ（ポリイミドフィルム）、ＰＡ（ポリアミドフィルム）、ＰＥＩ（ポリエーテルイミドフィルム）、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）などの可撓性を有する樹脂素材が利用できる。基材１０ａ上には、溝形成層１０ｂが形成されている。溝形成層１０ｂは、ＵＶ硬化樹脂が用いられる。なお、基材１０ａに直接溝１２を形成する場合は、溝形成層１０ｂはなくてもよい。
【００３１】
溝１２中にはナノ銅粒子焼結体２０が配置されている。ナノ銅粒子焼結体２０は、連続膜の様相を呈している。ナノ銅粒子焼結体２０の抵抗率は、バルクの銅に対して１．５から４０倍のオーダで得ることができる。ナノ銅粒子焼結体２０の抵抗率は、焼結の程度で変化する。焼結の程度が高くなればバルクの銅の抵抗率に近くなる。一方、焼結の程度が低ければバルクの銅に対するして抵抗率は高くなる。
【００３２】
例えば、焼結を光で行った場合に、ナノ銅粒子焼結体２０（光焼結銅ナノ粒子フィルム）の抵抗率は、１０−５から１０−７Ω・ｃｍの範囲内である。これはＩＴＯと比較すると十分に低い抵抗率である。
【００３３】
次にナノ銅粒子焼結体２０について説明する。概略としては、溶媒中にナノ銅粒子を分散させた塗料（「銅ナノインク」とも呼ぶ。）を透明基板１０上の溝１２に流し込み、これを光や熱を使って焼結することで、ナノ銅粒子焼結体２０を形成する。
【００３４】
また、ナノ銅粒子焼結体２０の厚さ２０ｄは、溝１２の深さ１２ｄより薄く構成されている。このように構成することで、ナノ銅粒子焼結体２０の上側に所定の機能を発揮させる層を積層することができる。
【００３５】
ナノ銅粒子は、乾式および湿式のいずれの方法でも形成することができる。例えば、湿式では、銅化合物（酸化物、ハロゲン化物、カルボン酸塩など）を金属コロイド保護剤の存在下、ヒドラジン水和物等の還元剤を用いて還元する液相還元法が一般的に用いられる。また、乾式では、気相での元素のアブレーション又は蒸発といった方法が用いられる。ナノ銅粒子は、塗料中１０質量％から８０質量％程度含有させるのが望ましい。
【００３６】
得られたナノ銅粒子は、溶媒中に分散される。本発明に係る銅配線１では、表面張力によって塗料を溝１２中に浸透させる。したがって、表面張力の小さな溶媒が望ましい。例えば、２‐ブトキシエチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールブチルエーテル、シクロヘキサノン、シクロヘキサノール、２−メチル−２，４−ペンタンジオール、２‐エトキシエチルアセテート、エチレングルコールジアセテート、テルピネオール、イソブチルアルコール等が好適に利用できる。
【００３７】
ナノ銅粒子を溶媒中に分散させるには、分散剤が含まれていてもよい。分散剤は、長鎖アルキル基（（ＣＨ２）ｎ）または長鎖エトキシ基（（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎ）を有するものが好適に利用できる。具体的には、トリトン（Ｔｒｉｔｏｎ）Ｘ‐１００、トリトンＸ‐１５、トリトンＸ‐４５、トリトンＱＳ‐１５（ダウケミカル社）、ＢＹＫ１１１（ビックケミー・ジャパン社）、エクストランＭＡ（メルク社）、ＳＭＡ（スチレン・無水マレイン酸コポリマー例えば川原油化（株）ＳＭＡレジン）、ＰＴ、ＨＣＳ‐Ｐ、ＨＣＳ‐Ｎ、ＰＶＰ、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリシロキサンなどが好適に利用できる。これらは、単独若しくは複数を混合して用いることができる。なお、分散剤は、０．５質量％〜２０質量％の範囲で使用することができる。
【００３８】
塗料には、焼結進行剤を含有させることができる。焼結進行剤とは、常温より高い温度で銅と錯生成する化合物である。銅は酸化されやすいため、ナノ銅粒子の表面も酸化膜でパッシベーションされる。しかし、表面が酸化されたナノ銅粒子は塗料にして乾燥させたとしても、銅の連続膜にはならず、抵抗率も下がらない。本発明に係る銅配線１では、焼結によって、このナノ銅粒子表面の酸化膜を還元する。焼結進行剤は、この作用を助けるものである。すなわち、焼結進行剤はナノ銅粒子の表面を還元する還元剤であり、還元成分を含有する。
【００３９】
このような化合物は、銅と錯生成することによって、銅から酸化物を除去する機能を有するものが選択される。具体的には、アルコール、リン酸エステル、カルボン酸、ポリアミドイミド、ポリイミド、アミン、ホスホン酸、β−ジケトン、アセチレングリコール、チオエーテル、硫酸エステル等が好適に利用できる。もちろん、銅から酸化物を除去できる機能を有していればこれらに限定されない。これらの焼結進行剤は、塗料に対して１質量％以上１０質量％以下で使用することができる。
【００４０】
以上のように、塗料は、ナノ銅粒子、溶媒に分散剤および焼結進行剤を含有することができる。なお、これら以外に添加剤が含まれてもよい。塗料は、ナノ銅粒子の表面が酸化されているので、暗褐色になる。
【００４１】
図２には、ナノ銅粒子焼結体２０の形成手順について示す。図２（ａ）は、溝１２断面を表し、図２（ｂ）は、溝１２の長手方向の断面を示す。透明基板１０（基材１０ａと溝形成層１０ｂ）に対して、溝１２上に塗料を滴下すると、滴下された塗料１９は、溝１２中を表面張力によって、充填されていく。溝１２中に流れる塗料１９は、体積が小さいので簡単に乾燥してしまい、流れる距離は短い。したがって、適当な間隔で塗料１９を滴下する。
【００４２】
滴下された塗料１９は溝１２中に充填され図２（ａ）、（ｂ）の状態になる。そして、溶媒が蒸発し、乾燥すると、図２（ｃ）、（ｄ）のように体積が減る。この状態では、まだナノ銅粒子の表面は酸化されているので、暗褐色を呈している。これは乾燥した塗料１９ａとする。
【００４３】
次にこの乾燥した塗料１９ａを焼結させる。焼結は光若しくは熱を用いて行うことができる。光を用いて焼結させると、短時間で一気に焼結させることができる。熱を用いた場合は、焼結時間は光の場合よりも長く必要だが、既存の設備（ＩＴＯで使っている設備）をそのまま流用でき、なおかつ既存の透明導電極（ＩＴＯ）よりも低抵抗率の透明配線を得ることができる。
【００４４】
光焼結は、大気下、室温で行われる。また、必要に応じて透明基板１０を冷却しても良い。光焼結に用いられる光源は、例えば、キセノンランプが好適に利用できる。また、光源にはレーザー装置を用いてもよい。光源から照射される光のエネルギー範囲は、０．５Ｊ／ｃｍ２以上、３０Ｊ／ｃｍ２以下が好適である。照射時間は、０．１ｍｓ以上、１００ｍｓ以下が望ましい。照射回数は特に限定されないが、複数回行ってもよい。
【００４５】
この光照射によって、ナノ銅粒子表面の酸化層は還元され焼結する。焼結進行剤が含まれていれば、焼結進行剤の作用によってもナノ銅粒子表面の酸化層は除去される。この結果、溝１２中のナノ銅粒子は、焼結されて互いに融着することによってナノ銅粒子焼結体２０となる。顕微鏡での観察によると、色も暗褐色から鮮やかな銅光沢を呈する（図２（ｅ）および（ｆ）参照）。
【００４６】
ナノ銅粒子焼結体２０は、内部に添加物による空乏部２０ｖが形成される場合がある（図２（ｇ）参照）。また、部分的には、ナノ銅粒子の形状を残している部分２０ｐ（ナノ銅粒子形状のまま焼結されたもの）も観察される場合がある。したがって、溝１２の長手方向の断面を観察することで、溝１２中に形成されているのが、ナノ銅粒子焼結体２０であることが明確にわかる。
【００４７】
また、熱を用いてナノ銅粒子を焼結させることもできる。より具体的には、加熱炉を用いて焼結させる。焼結温度は１００℃〜３５０℃で行うことができる。熱処理は還元雰囲気中で行うのが好ましい。ナノ銅粒子の表面を還元しやすいからである。熱を用いた焼結を行っても、内部の状態は図２（ａ）から図２（ｇ）までと同じ状態で各工程を推移する。熱を用いてナノ銅粒子を焼結させる場合は、透明基板１０にはガラスやポリイミドといった高熱に耐える材料が好適に用いられる。
【００４８】
図２（ｇ）は、図２（ｆ）中の空乏部２０ｖの部分の拡大図を示す。空乏部２０ｖ中にナノ銅粒子の形状の一部を残している部分２０ｐがあることを示している。なお、ナノ銅粒子の形状の一部を残している部分２０ｐは必ずしも空乏部２０ｖにあるわけではなく、ナノ銅粒子焼結体２０の断面をＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過型電子顕微鏡）などで観察した際に、内部に発見する場合もある。
【００４９】
また、ナノ銅粒子焼結体２０の層には、分散剤若しくは焼結進行剤といった添加物が残留している場合もある。したがって、ＧＣ−ＭＳ（Ｇａｓ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：ガスクロマトグラフ質量分析計）もしくはＬＣ−ＭＳ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ：液体クロマトグラフ質量分析計）などで分析すると、これらの痕跡として炭素化合物またはリン化合物を検出することが出来る。すなわち、ナノ銅粒子焼結体２０は、炭素化合物またはリン化合物を含有する場合がある。
【００５０】
また、分散剤若しくは焼結進行剤といった添加物が残留していれば、エネルギー分散型Ｘ線分析（Ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、ＥＤＸ、ＥＤＳ）若しくは波長分散型Ｘ線分析（ｌｅｎｇｔｈ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等で調べた場合は、ナノ銅粒子焼結体２０から炭素元素若しくはリン元素が検出される。
【００５１】
図３（ａ）には、より好ましい形態として、ナノ銅粒子焼結体２０の層の上に酸化防止層２２が充填されている場合を示す。酸化防止層は、溝１２中において、ナノ銅粒子焼結体２０を覆うように溝１２の開口側に設けられる。顕微鏡で観察すると、ナノ銅粒子焼結体２０は、還元されて銅光沢を呈しているが、そのままではやがて表面は酸化してしまう。これを防止するために、酸化防止層２２をナノ銅粒子焼結体２０が配された溝１２が形成された面に形成する。酸化防止層２２としては、比較的緻密な膜が好ましい。
【００５２】
酸化防止層２２としては、具体的には、紫外線硬化アクリル系の樹脂が好適に使用できる。また表面硬度と透明性に優れた、ポリメチルアクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース樹脂、脂肪族炭化水素樹脂、天然ゴム、スチレンブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、ワックス、アルキッド樹脂等の熱軟化性、熱溶融性樹脂などの有機材料を用いることもできる。
【００５３】
図３（ｂ）には、さらにナノ銅粒子焼結体２０の層の上部に黒化処理層２４が設けられた状態を示す。黒化処理層２４は、溝１２中において、ナノ銅粒子焼結体２０を覆うように溝１２の開口側に設けられる。これは溝１２での反射率を低下させるためである。黒化処理層２４は、充填された酸化防止層２２の上方でも下方でもよい。酸化防止層２２の下方にあればより望ましい。
【００５４】
黒化処理層２４はナノ銅粒子焼結体２０の溝１２の開口側の表面を酸化させて黒化させてもよい。また、カーボンブラックを分散した塗料を溝１２に充填し乾燥させることで形成してもよい。
【００５５】
図４（ａ）には、ナノ銅粒子焼結体２０の層の直上に無電解メッキによる金属層２６が形成された状態を示す。無電解メッキによる金属層２６は、ナノ銅粒子焼結体２０の表面を覆うように溝１２の開口側に設けられる。ナノ銅粒子焼結体２０の層が形成された溝１２はこの部分だけに無電解メッキを施すことができる。無電解メッキによる金属層２６は空乏の無い緻密な層になる。したがって、光焼結によるナノ銅粒子焼結体２０の層の上に緻密な金属層２６が形成された断面構成となる。
【００５６】
利用できる金属は特に限定されないが、銅を用いることで、より抵抗率を低下させることができる。また、金属層２６は、複数の金属の層が積層されていてもよい。また、金属層２６の上方には、酸化防止層２２と黒化処理層２４が形成されていてもよい。
【００５７】
図４（ｂ）には、透明基板１０の上面に機能性多層膜３０が形成された状態を示す。機能性多層膜３０は、透明基板１０の溝１２が形成された側の面に設けられる。機能性多層膜３０とは、反射防止のためのアンチグレア層３２、指の指紋が付着しにくくするためのアンチフィンガー層３４といった機能性膜が多層に構成されている。なお、機能性多層膜３０として、アンチグレア層３２とアンチフィンガー層３４を例示したが、機能性多層膜３０はこれらの限定されるものではない。機能性多層膜３０の一部は、ナノ銅粒子焼結体２０を覆うように、溝１２の一部を充填してもよく、これにより、透明基板１０の溝１２を有する側の面の平滑性が向上し、外力が加わった場合の銅配線１の剥離耐性が向上する。
【００５８】
なお、このような機能性多層膜３０を透明基板１０上に配置する際に、本発明に係る銅配線１は、溝１２中にナノ銅粒子焼結体２０が配置されているので、透明基板１０上はほとんどフラットに形成することができ、機能性多層膜３０の接着状態も優れている。
【００５９】
次に溝１２の形成パターン１４について例を示す。図５（ａ）に、従来の投影型静電容量方式の導電パターン１４を例示する。Ｙ軸用の電極６０ｙ（図５（ｂ））とＸ軸用の電極６０ｘ（図５（ｃ））が、一定の厚みの透明絶縁膜（図示せず）を挟んで構成されている。菱形の各電極６０は、Ｘ軸用とＹ軸用で重ならないように構成されている。
【００６０】
なお、電極６０ｘと電極６０ｙをまとめて述べる場合に「電極６０」と呼ぶ。ただし、「電極６０」といった場合は、少なくとも、電極６０ｘ若しくは電極６０ｙを含み、両方であってもよい。また、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向以外の軸方向に設けられた電極を含んでよい。
【００６１】
また、Ｘ軸用の電極パターン１４ｘ（図５（ｃ））ではＸ軸方向の電極６０ｘが互いに連結されており、引き出し線６２でまとめられている。Ｙ軸用の電極パターン１４ｙ（図５（ｂ））ではＹ軸方向の電極６０ｙが互いに連結されて、引き出し線６２でまとめられている。従来は、この電極６０および引き出し線６２をＩＴＯで構成していた。なお、これらの引き出し線６２は、検出回路７０に接続されている（図５（ａ）参照）。
【００６２】
本発明に係る銅配線１は、引き出し線６２に適用することができる。また、引き出し線６２だけでなく、所定の密度で密集させることで電極６０にも適用することができる。電極６０は、一定の面積を有する導電性を有する領域である。また、電極６０は静電容量の変化を検知する部位でもある。
【００６３】
図６には、本発明の銅配線１を用いた電極６０の構成例を示す。銅配線１で電極６０を構成した部分を配線密集部６６と呼ぶ。ここでは、電極６０が２つ、引き出し線６２で結合されている例を示す。電極６０中に銅配線１の溝１２を形成する。溝１２は、電極６０の周囲および電極６０内部の全域にわたって、無秩序に構成されるようにする。
【００６４】
図６（ａ）では、電極６０内部に不規則に配置した交点を結ぶように銅配線１を形成している。電極６０の境界は銅配線１によって囲むように配置する。一方、図６（ｂ）では、電極６０の境界を銅配線１で明確に区切らず、電極６０を領域内にランダムに配置した銅配線１だけで構成するようにしてもよい。点線は電極６０の境界を示す。
【００６５】
単位面積あたりの開口１８（溝１２でない部分）面積は各電極６０で同じようにし、溝１２が偏って形成されたりしないようにする。このように溝１２を規則正しく形成しないことで、モアレやちらつきを防止することができる。また、断線が仮に生じたとしても、電流の迂回パスがあるので、断線が起こりにくくなる。
【００６６】
このように、本発明に係る銅配線１は、所定の領域の中に不規則に配置された交点を結ぶように配置することで、所定の領域の大きさの電極を構成することができる。
【００６７】
なお、図６（ａ）では、電極６０内部に６つの交点１３を、図６（ｂ）では１０の交点１３をランダムに配置させた。また、各交点１３が３本の溝１２の交点１３になるように配置させた。しかし、交点１３の数や、交点１３間の結合ルールはこれらに限定されるものではない。なお、本発明に係る銅配線１を用いた配線密集部６６は、溝１２を規則的に配置させることを排除するものではない。
【００６８】
以上を言い換えると、銅配線１を用いて、透明基板１０の主面の一部に配線密集部６６を形成することもできる。すなわち、透明基板１０の主面の一部に、ナノ銅粒子焼結体２０が設けられた溝１２が所定の密度で形成されている配線密集部６６を形成しても良い。
【００６９】
なお、ここで「所定の密度」とは、ナノ銅粒子焼結体２０が設けられた溝１２が密接して形成されていても、溝１２を肉眼で視認できない程度の密度をいう。配線密集部６６は、電子機器に使用した際に、指など人体の接近による静電容量の変化を検出する領域（従来の電極の部分）として使用することができる。
【００７０】
図７には、本発明に係る銅配線１を使った電極６０（配線密集部６６）で構成されたタッチパッド４３ａを、液晶若しくは有機ＥＬといった表示装置４３ｂ上に配置したタッチパネル４３を有する電子機器の構成を示す。タッチパッド４３ａの具体的な電極パターンや銅配線１は図５および図６で示した電極パターン１４および電極６０を用いることができる。
【００７１】
タッチパネル４３には、制御装置４２が接続され、さらに制御装置４２には通信装置４５が連結される。また、カメラ４６およびスピーカー４７が備わっていてもよい。このような構成の電子機器４０は携帯端末や機器の制御端末といった用途が考えられる。本発明に係る銅配線１は、このような電子機器４０に好適に用いることができる。
【００７２】
タッチパネル４３は入出力装置として動作する。制御装置４２から表示される内容についてタッチパネル４３を通じて入力が行われる。通信装置４５は、無線でも有線であってもよい。また、通信の接続は個別端末同士だけでなく、公衆回線に接続できるようにしてもよい。
【００７３】
カメラ４６は外部の画像を入力し、信号に変換して制御装置４２に渡す。制御装置４２は、得られた画像信号を蓄積、加工、送信といった処理を行う。また、スピーカー４７は、マイクであってもよい。スピーカー４７は音声信号を出力する。また、マイクとして利用する場合は、外部の音を信号として取り込み、蓄積、加工、送信といった処理を行うことができる。
【００７４】
そのほかにも、電子機器４０は、搭載するソフトによって、さまざまな機能を実現することができる。
【００７５】
また、図７の制御装置４２に、動作部４８が接続された形態の電子機器４１であってもよい。動作部４８は、センサ等が連結されていたり、機械動作を行うためのモータや内燃機関、制御の対象となるバッテリー等の接続が考えられる。以上のように、本発明に係る銅配線１は、電子機器に搭載して利用することができる。
【実施例】
【００７６】
＜実施例１＞
平均粒径が２０ｎｍのナノ銅粒子と、溶媒としてテルピネオール、分散剤としてトリトンＸ、焼結進行剤としてオレイン酸をそれぞれ、４０質量％、５６質量％、２質量％、２質量％に調合した塗料（銅ナノインク）を作製した。【００７７】
透明基板１０には、厚さ５０μｍのＰＥＴ上に厚さ１０μｍのポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）を形成し、ナノインプリント技術を用いて幅２μｍ、深さ２μｍで長さ６ｃｍの銅配線１用の溝１２を１本形成した。溝１２の両側には、電極６０用の凹み６４を形成した。この電極用凹み６４は直径３ｃｍの大きさである。この溝１２と電極用凹み６４で形成された電極のパターン構成を図８に示す。【００７８】
スポイドで溝１２の数箇所に銅ナノインクを１滴ずつ滴下した。滴下した量はほぼ０．２ｃｃであった。また電極用凹み６４には２滴ずつ滴下した。５分間放置し、ナイフエッジで余分な銅ナノインクを掻き取った。顕微鏡で溝１２の内部を見ると、溝１２の全長に渡って銅ナノインクがいきわたっていた。【００７９】
キセノンライトで、１５Ｊ／ｃｍ２で１００ｍｓのパルス光を１回あて、光焼結を行った。顕微鏡で観察すると、電極用凹み６４も含め銅ナノインクの部分の色は銅光沢を呈するようになり、ナノ銅粒子焼結体２０が形成されていた。すなわち、電極６０間を銅配線１で接続した電極パターンを得た。また溝１２の部分は、肉眼では透明に見えた。電極６０間の抵抗率を測定すると、４．６×１０−６Ω・ｃｍであった。【００８０】
＜実施例２＞
図８に示した幅２μｍ、深さ２μｍで長さ６ｃｍの溝１２の雄型パターン（電極用凹み６４付き）をニッケル電鋳技術を用いて作製した。この雄型パターンを金型内に設置して、金型内にポリカーボネート樹脂を射出成型した。このようにして、幅２μｍ、深さ２μｍで長さ６ｃｍの溝１２が形成されたポリカーボネートの透明基板を得た。溝１２に実施例１の銅ナノインクを充填し、光焼結を行った。光焼結の条件は実施例１と同じであった。【００８１】
顕微鏡で観察すると、電極用凹み６４も含め銅ナノインクの部分は銅光沢を呈するようになり、ナノ銅粒子焼結体２０が形成された。すなわち、電極６０間を銅配線１で接続した電極パターンを得た。また溝１２の部分は、肉眼では透明に見えた。電極６０間の抵抗率を測定すると、４．２×１０−６Ω・ｃｍであった。以上のように本発明に係る銅配線１は、成型体上でも同様に抵抗率の低い銅配線を構成することができた。【００８２】
＜実施例３＞
実施例２で作製した銅配線１を形成したポリカーボネート透明基板をホルマリンを還元剤に用いた無電解銅メッキ液（４５℃）に２０分間浸積した。その後ポリカーボネート透明基板を洗浄し乾燥した。【００８３】
この操作によって、電極用凹み６４と溝１２中に形成したナノ銅粒子焼結体２０上に銅メッキ層が０．３μｍの厚さで形成された。電極６０間の抵抗率を測定すると、２．１×１０−６Ω・ｃｍであった。以上の様にこの銅ナノインクを焼結させたナノ銅粒子焼結体２０で形成した銅配線１上に無電解メッキでメッキ銅層を成長させ、抵抗率をさらに低下させることが容易にできた。【００８４】
＜実施例４＞
厚み３００μｍの平坦性を有したガラス基板上に、図８に示す幅２μｍ、深さ２μｍで長さ６ｃｍの溝１２パターン（電極用凹み６４付き）をナノインプリント技術で形成した。この溝１２に実施例１と同様に銅ナノインクを入れ、１５Ｊ／ｃｍ２で１００ｍｓのパルス光を１回あて、光焼結を行った。すなわち、電極６０間を銅配線１で接続した電極パターンを得た。【００８５】
溝１２の部分は、肉眼では透明に見えた。電極６０間の抵抗率を測定すると、４．８×１０−６Ω・ｃｍであった。ガラス基板上にも抵抗率の低い銅配線１を形成することができた。【００８６】
＜実施例５＞
実施例４で作製した溝付きのガラス基板の溝１２に、実施例１で作製した銅ナノインクを流し込み乾燥させた。このガラス基板を電気炉に入れ、内部に水素を１０％含有させた窒素ガスを流し還元雰囲気にしたまま、室温から１０℃／分の昇温レートで、３００℃まで昇温した。３００℃で５分維持した後、自然冷却で室温まで降温させた。この間水素含有窒素ガスは供給し続けた。【００８７】
この操作によって、銅ナノインクの部分は、顕微鏡で観察すると、電極用凹み６４も含めて、銅光沢を呈するようになった。すなわち、電極６０間を銅配線１で接続した電極パターンを得た。電極６０間の抵抗率を測定すると、６．１×１０−６Ω・ｃｍであった。また、溝１２の部分は肉眼では透明に見えた。このように、熱焼結によっても抵抗率の低い銅配線１を形成することができた。【００８８】
＜実施例６＞
実施例４で作製した溝付きのガラス板の溝１２に、実施例１で作製した銅ナノインクを流し込み乾燥させた。このガラス板を過熱水蒸気炉中に入れ、３５０℃の条件で銅ナノインクを焼結させた。【００８９】
この操作によって、顕微鏡で観察すると、銅ナノインクの部分は電極用凹み６４も含めて、銅光沢を呈するようになった。すなわち、電極６０間を銅配線１で接続した電極パターンを得た。電極６０間の抵抗率を測定すると、８．７×１０−６Ω・ｃｍであった。また、溝１２の部分は肉眼では透明に見えた。このように、熱焼結によっても抵抗率の低い銅配線１を形成することができた。【００９０】
以上のように本発明に係る銅配線は、簡単でしかも安価に低抵抗率の透明電極を構成することができる。【００９１】
なお、ナノ銅粒子に代えてナノ銀粒子などの他のナノ金属粒子を含有した金属ナノインクを用いて、上記の銅配線１と同様の微細な金属配線を形成することも可能である。ここで金属ナノインクは、銅以外の銀などの金属のナノ粒子であってもよいが、複数の種類のナノ金属粒子を含有していてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９２】
本発明は、携帯端末に用いるタッチパネルに好適に利用できるほか、ＰＣ、テレビ、車載用端末にも利用することができる。また、透明でない基板上に設ける回路基板においても、好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００９３】
１  銅配線
１０  透明基板
１０ａ  基材
１０ｂ  溝形成層
１２  溝
１２ｄ  溝の深さ
１２ｗ  溝の幅
１３  交点
１４  電極パターン
１４ｘ  Ｘ軸用の電極パターン
１４ｙ  Ｙ軸用の電極パターン
１８  開口
１９  （ナノ銅粒子を分散させた）塗料
１９ａ  乾燥した塗料
２０  ナノ銅粒子焼結体
２０ｄ  （ナノ銅粒子焼結体の）厚さ
２０ｖ  （ナノ銅粒子焼結体の中の）空乏部
２０ｐ  ナノ銅粒子の形状の一部を残している部分
２２  酸化防止層
２４  黒化処理層
２６  金属層
３０  機能性多層膜
３２  アンチグレア層
３４  アンチフィンガー層
４０、４１  電子機器
４３  タッチパネル
４３ａ  タッチパッド
４３ｂ  表示装置
４２  制御装置
４５  通信装置
４６  カメラ
４７  スピーカー
４８  動作部
６０、６０ｘ、６０ｙ  電極
６２  引き出し線
６４  電極用凹み
６６  配線密集部
７０  検出回路
【図１】
2018003399.tif 000003
【図２】
2018003399.tif 000004
【図３】
2018003399.tif 000005
【図４】
2018003399.tif 000006
【図５】
2018003399.tif 000007
【図６】
2018003399.tif 000008
【図７】
2018003399.tif 000009
【図８】
2018003399.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成29年9月25日(2017.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に５０μｍ以下の幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、炭素元素またはリン元素を有し、銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層と、
を有することを特徴とする銅配線。
【請求項２】
前記酸化防止層の上面に機能性多層膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された銅配線。
【請求項３】
前記溝中において、前記焼結体と前記酸化防止層の間に黒化処理層が設けられたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項４】
前記溝中において、前記溝の開口側から前記焼結体の表面を覆うように無電解メッキ層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項５】
前記基板は配線密集部を有し、前記配線密集部内には、前記焼結体が設けられた前記溝が所定の密度で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかの請求項に記載された銅配線を用いたタッチパッド。
【請求項７】
請求項６のタッチパッドを用いたタッチパネル。
【請求項８】
請求項７のタッチパネルを用いた電子機器。
【請求項９】
基板の一方の主面に幅が５０μｍ以下の溝を形成するステップと、
前記溝の中にナノ銅粒子と還元剤とを含有する銅ナノインクを表面張力で前記溝中に浸透させるステップと、
前記銅ナノインクを前記溝の中で光焼結し、前記溝の中に金属銅を主要成分とし、銅光沢を有する焼結体を形成するステップと、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように酸化防止層を配置するステップと、
を有する銅配線の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
より具体的に本発明に係る銅配線は、
基板に５０μｍ以下の幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、炭素元素またはリン元素を有し、銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層と、
を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年1月22日(2018.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に１．５〜３μｍの幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、リン元素を有し、
銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層を有し、前記空隙には、前記焼結体を光焼成によって製造する際に用いられたナノ銅粒子の形状が残っている部分を有することを特徴とする銅配線。
【請求項２】
前記酸化防止層の上面に機能性多層膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された銅配線。
【請求項３】
前記溝中において、前記焼結体と前記酸化防止層の間に黒化処理層が設けられたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項４】
前記溝中において、前記溝の開口側から前記焼結体の表面を覆うように無電解メッキ層が設けられたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項５】
前記基板は配線密集部を有し、前記配線密集部内には、前記焼結体が設けられた前記溝が所定の密度で形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかの請求項に記載された銅配線を用いたタッチパッド。
【請求項７】
請求項６のタッチパッドを用いたタッチパネル。
【請求項８】
請求項７のタッチパネルを用いた電子機器。
【請求項９】
基板の一方の主面に幅が１．５〜３μｍの溝を形成するステップと、
前記溝の中にナノ銅粒子とリン酸エステルとを含有する銅ナノインクを表面張力で前記溝中に浸透させるステップと、
前記銅ナノインクを前記溝の中で、エネルギーが０．５Ｊ／ｃｍ２以上、３０Ｊ／ｃｍ２以下で、照射時間が０．１ｍｓ以上、１００ｍｓ以下の光照射で光焼結し、前記溝の中に金属銅を主要成分とし、リン元素を含み、銅光沢を有する焼結体を形成するステップと、
前記溝の開口側から前記前記焼結体を覆うように酸化防止層を配置するステップと、
を有する銅配線の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
より具体的に本発明に係る銅配線は、
基板に１．５〜３μｍの幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、リン元素を有し、
銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層を有し、前記空隙には、前記焼結体を光焼成によって製造する際に用いられたナノ銅粒子の形状が残っている部分を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月25日(2018.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に１．５〜３μｍの幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、リン元素を有し、
銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層を有し、前記空隙には、前記焼結体を光焼成によって製造する際に用いられたナノ銅粒子の形状が残っている部分を有し、
前記溝中において、前記焼結体の直上に前記焼結体の表面を覆うように銅の無電解メッキ層が設けられたことを特徴とする銅配線。
【請求項２】
前記酸化防止層の上面に機能性多層膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載された銅配線。
【請求項３】
前記溝中において、前記焼結体と前記酸化防止層の間に黒化処理層が設けられたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項４】
前記基板は配線密集部を有し、前記配線密集部内には、前記焼結体が設けられた前記溝が所定の密度で形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１の請求項に記載された銅配線。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかの請求項に記載された銅配線を用いたタッチパッド。
【請求項６】
請求項５のタッチパッドを用いたタッチパネル。
【請求項７】
請求項６のタッチパネルを用いた電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
より具体的に本発明に係る銅配線は、
基板に１．５〜３μｍの幅で形成された溝と、
前記溝の中に配置された金属銅を主要成分とし、内部に空隙と、リン元素を有し、
銅光沢を呈する焼結体と、
前記溝の開口側から前記焼結体を覆うように配置された酸化防止層を有し、前記空隙には、前記焼結体を光焼成によって製造する際に用いられたナノ銅粒子の形状が残っている部分を有し、
前記溝中において、前記焼結体の直上に前記焼結体の表面を覆うように銅の無電解メッキ層が設けられたことを特徴とする。
【国際調査報告】
2018003399.tif 000011
2018003399.tif 000012
2018003399.tif 000013
2018003399.tif 000014