(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが第１面に形成された回路基板とで構成される電子デバイスにおいて、
前記電子部品は、前記端子電極を含めて、前記電子部品の前記基材の第１面から当該第１面に対する反対面である第２面にかけて貫通し、前記端子電極と前記基材の第２面に形成された導体パターンとを電気的に接続するスルーホールを有し、前記電子部品の前記基材の前記第２面からの受光による光焼成ペーストの硬化物で、前記パッドと前記端子電極とが電気・機械的に接続され、前記パッドは前記光焼成ペーストを硬化させる光を通さず、前記基材は前記光を通さない材料で形成された電子デバイス。
【請求項２】
紫外線を通さない材料で形成された基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品を回路基板に搭載することで電子デバイスを製造する方法であって、
前記電子部品に、前記端子電極を含めて、前記電子部品の前記基材の第１面から当該第１面に対する反対面である第２面にかけて貫通し、前記端子電極と前記基材の第２面に形成された導体パターンとを電気的に接続するスルーホールを形成し、
前記回路基板の第１面にパッドを形成し、
前記パッドに光焼成ペーストを付与し、
前記パッドに前記光焼成ペーストを介して、前記電子部品の前記端子電極が対向する状態に、前記電子部品を前記回路基板に搭載し、
前記電子部品の前記基材の前記第２面から紫外線を照射して前記光焼成ペーストを光硬化させる、
ことを特徴とする、電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板と、この回路基板に搭載された電子部品とで構成される電子デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に表現すれば、上記電子デバイスは、基材とこの基材に形成された端子電極とを有する電子部品と、この電子部品を搭載するパッドが形成された回路基板とで構成される。【０００３】
例えば、各種チップ部品がモジュール基板に搭載されて構成される電子回路モジュールが、主たる回路基板や比較的広面積の回路基板に搭載されて、各種電子デバイスが構成される。【０００４】
一つの具体例としては、物品に付されるＲＦＩＤ（Radio Frequency Identifier）タグは、インピーダンス整合回路が形成されたモジュール基板にＲＦＩＣが実装されて構成されるＲＦＩＣモジュールと、アンテナパターンが形成された基板とを備え、この基板にＲＦＩＣモジュールが搭載されることで構成される。【０００５】
特許文献１には、アンテナとして作用させる導体と、その導体に結合するＲＦＩＣモジュールとを備えたＲＦＩＤタグが示されている。このようなＲＦＩＤタグは、所定の情報を記憶し、かつ所定の無線信号を処理するＲＦＩＣチップと、高周波信号の送受信を行うアンテナ素子（放射体）とを備え、管理対象となる種々の物品（或いはその包装材）に貼着して使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１６／０８４６５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
モジュール基板などで構成された電子部品を回路基板に搭載するとき、電子部品の下面に形成されている端子電極が、回路基板に形成されているパッドにはんだ付けされる。このはんだ付けのために、はんだペーストの印刷及びリフローソルダリングを行うことになるが、その生産スループットは高くなく、量産性を高める点で課題となっている。【０００８】
本発明の目的は、基材と当該基材に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが形成された回路基板とで構成される電子デバイスにおいて、その製造効率を高めた電子デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本開示の一例としての電子デバイスは、基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが第１面に形成された回路基板とで構成され、前記パッドには透光用の穴が形成されていて、前記回路基板の前記第１面に対する反対面である第２面からの受光による光焼成ペーストの硬化物で、前記パッドと前記端子電極とが電気・機械的に接続されている。【００１０】
本開示の一例としての電子デバイスは、基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが第１面に形成された回路基板とで構成され、前記電子部品は、前記端子電極を含めて、前記電子部品の前記基材の第１面から当該第１面に対する反対面である第２面にかけて貫通するスルーホールを有し、前記電子部品の前記基材の前記第２面からの受光による光焼成ペーストの硬化物で、前記パッドと前記端子電極とが電気・機械的に接続されている。【００１１】
本開示の一例としての電子デバイスは、基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが第１面に形成された回路基板とで構成され、前記基材は紫外線を透過する（透光性の）材料で構成されていて、前記端子電極には透光用の穴が形成されていて、前記電子部品の前記基材の前記第２面からの受光による光焼成ペーストの硬化物で、前記パッドと前記端子電極とが電気・機械的に接続されている。【００１２】
本開示の電子デバイスの製造方法は、基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品を回路基板に搭載することで電子デバイスを製造する方法であって、前記回路基板の第１面に透光用の穴を有するパッドを形成し、前記パッドに光焼成ペーストを付与し、前記パッドに前記光焼成ペーストを介して、前記電子部品の前記端子電極が対向する状態に、前記電子部品を前記回路基板に搭載し、前記回路基板の前記第１面に対する反対面である第２面から紫外線を照射して前記光焼成ペーストを光硬化させる、ことを特徴とする。【００１３】
本開示の電子デバイスの製造方法は、基材と当該基材の第１面に形成された端子電極とを有する電子部品を回路基板に搭載することで電子デバイスを製造する方法であって、前記電子部品に、前記端子電極を含めて、前記電子部品の前記基材の第１面から当該第１面に対する反対面である第２面にかけて貫通するスルーホールを形成し、前記回路基板の第１面にパッドを形成し、前記パッドに光焼成ペーストを付与し、前記パッドに前記光焼成ペーストを介して、前記電子部品の前記端子電極が対向する状態に、前記電子部品を前記回路基板に搭載し、前記電子部品の前記基材の前記第２面から紫外線を照射して前記光焼成ペーストを光硬化させる、ことを特徴とする。【００１４】
本開示の電子デバイスの製造方法は、基材を有する電子部品を回路基板に搭載することで電子デバイスを製造する方法であって、紫外線を透過する（透光性の）材料で前記基材を構成し、前記基材の第１面に透光用の穴を有する端子電極を形成し、前記回路基板の第１面にパッドを形成し、前記パッドに光焼成ペーストを形成し、前記パッドに前記光焼成ペーストを介して、前記電子部品の前記端子電極が対向する状態に、前記電子部品を前記回路基板に搭載し、前記電子部品の前記基材の前記第１面に対する反対面である第２面から紫外線を照射して前記光焼成ペーストを光硬化させる、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基材と当該基材に形成された端子電極とを有する電子部品と、当該電子部品を搭載するパッドが形成された回路基板に搭載されることで構成される電子デバイスの製造効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１（Ａ）は第１の実施形態に係る電子デバイス２０１の平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【図２】図２はパッド７１Ｐ等の構成を示す平面図である。
【図３】図３（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０１の搭載前の状態を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。
【図４】図４（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０１の搭載前の状態を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造手順を示す図である。
【図６】図６（Ａ）は第２の実施形態に係る電子デバイス２０２の平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【図７】図７（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０２の搭載前の状態を示す断面図であり、図７（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。
【図８】図８（Ａ）は第３の実施形態に係る電子デバイス２０３の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【図９】図９（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０３の搭載前の状態を示す断面図であり、図９（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。
【図１０】図１０は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグとして作用する電子デバイス２０４の平面図である。
【図１１】図１１は、電子デバイス２０４における電子部品１０１部分の等価回路図である。
【図１２】図１２は、インピーダンス整合回路を設けたことにより生じる２つの共振周波数について示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００１８】
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係る電子デバイス２０１の平面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【００１９】
電子デバイス２０１は、回路基板７とこの回路基板７に搭載された電子部品１０１とで構成されている。電子部品１０１は、基材１とその基材１に実装されたＩＣ２とを備える。基材１は第１面ＭＳ１とこの第１面に対向する第２面ＭＳ２を有する。基材１の第１面ＭＳ１、第２面ＭＳ２には所定の導体パターンが形成されている。基材１の内部には層間接続導体が形成されている。また、基材１の第１面ＭＳ１には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３１が形成されていて、基材１の第２面ＭＳ２には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３２が形成されている。
【００２０】
基材１は例えば厚２０μｍのポリイミドを基材とするフレキシブル基板であり、導体パターン及び層間接続導体等は銅により形成されている。
【００２１】
基材１の第２面ＭＳ２に形成されている導体パターンの一部にはＩＣ２が実装されている。第１面ＭＳ１に形成されている導体の一部は端子電極１３である。つまり、この電子部品１０１は、回路基板７へ搭載するための端子電極１３を有する電子部品である。
【００２２】
回路基板７は第１面ＳＳ１とこの第１面ＳＳ１に対する第２面ＳＳ２とを有する。回路基板７の第１面ＳＳ１には所定の導体パターンが形成されている。回路基板７の第１面ＳＳ１に形成されているパッド７１Ｐはこの導体パターンの一部である。
【００２３】
回路基板７は、例えば厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであり、上記導体パターンはアルミニウム箔のパターンニングにより形成されたものである。
【００２４】
図１（Ｂ）に示すように、ＩＣ２はＩＣ２の端子電極２１を介して、基材１の第２面ＭＳ２に実装されている。電子部品１０１の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合されている。以下、この接合部の構造と接合方法について示す。
【００２５】
図２はパッド７１Ｐ等の構成を示す平面図である。パッド７１Ｐには透光用の穴７１Ｈが形成されている。また、パッド７１Ｐから導体パターン７１Ｌが引き出されている。
【００２６】
図３（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０１の搭載前の状態を示す断面図であり、図３（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。この図３（Ａ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐの表面に光焼成ペースト５Ｐが塗布形成されている。この光焼成ペースト５Ｐは、光焼成用亜酸化銅ペーストに銀等の導電性フィラーを混練したペーストであり、紫外線で硬化する。この光焼成ペースト５Ｐは、スクリーンマスク印刷法やディスペンサーによって印刷する。上記紫外線ＵＶＬは例えば波長２００ｎｍから６００ｎｍの紫外線である。
【００２７】
その後、図３（Ｂ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐに電子部品１０１の端子電極１３が対向する状態で、つまり、回路基板７上のパッド７１Ｐと電子部品１０１の端子電極１３とが光焼成ペースト５Ｐを介して対向する状態で、電子部品１０１を回路基板７に搭載する。さらに、その状態で、図３（Ｂ）に示すように、回路基板７の第２面ＳＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射する。そのことにより、光焼成ペースト５Ｐが硬化する。図１（Ｂ）はその状態を示している。つまり、電子部品１０１の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合される。
【００２８】
図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示した例は、光焼成ペースト５Ｐを回路基板７のパッド７１Ｐ側に形成したが、この光焼成ペースト５Ｐを電子部品１０１の端子電極１３側に形成してもよい。その例を次に示す。図４（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０１の搭載前の状態を示す断面図であり、図４（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。この図４（Ａ）に示すように、電子部品１０１の端子電極１３の表面に光焼成ペースト５Ｐが塗布形成されている。
【００２９】
電子部品１０１の製造時には、複数の電子部品１０１が縦横に配列された集合基板状態で製造される。つまり、この集合基板状態の多数の端子電極１３に光焼成ペースト５Ｐがスクリーンマスク印刷法やディスペンサーによって形成する。
【００３０】
その後、図４（Ｂ）に示すように、電子部品１０１を回路基板７に搭載する。その状態で、図４（Ｂ）に示すように、回路基板７の第２面ＳＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射することにより、光焼成ペースト５Ｐが硬化する。
【００３１】
図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、第１の実施形態に係る電子デバイスの製造手順を示す図である。図５（Ａ）に示す手順は図３（Ａ）、図３（Ｂ）に示した例に対応し、図５（Ｂ）に示す手順は図４（Ａ）、図４（Ｂ）に示した例に対応する。
【００３２】
図５（Ａ）に示す手順では、まず、回路基板７について、回路基板７に導体パターンを形成し、パッド７１Ｐに光焼成ペースト５Ｐを付与する。その後、電子部品１０１を搭載し、回路基板７の第２面ＳＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射する。
【００３３】
図５（Ｂ）に示す手順では、回路基板７について、回路基板７に導体パターンを形成する。電子部品については、端子電極１３に光焼成ペースト５Ｐを付与する。その後、回路基板７に電子部品１０１を搭載し、回路基板７の第２面ＳＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射する。
【００３４】
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とは、製造時の紫外線の照射方向が異なる電子デバイスについて示す。
【００３５】
図６（Ａ）は第２の実施形態に係る電子デバイス２０２の平面図である。図６（Ｂ）は、図６（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【００３６】
電子デバイス２０２は、回路基板７とこの回路基板７に搭載された電子部品１０２とで構成されている。電子部品１０２は、基材１とその基材１に実装されたＩＣ２とを備える。基材１は第１面ＭＳ１とこの第１面に対向する第２面ＭＳ２を有する。基材１の第１面ＭＳ１、第２面ＭＳ２には所定の導体パターンが形成されている。基材１の内部には、内周面に導体膜が形成されたスルーホール１１が形成されている。また、基材１の第１面ＭＳ１には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３１が形成されていて、基材１の第２面ＭＳ２には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３２が形成されている。
【００３７】
基材１は例えば厚さ２０μｍのポリイミドを基材とするフレキシブル基板であり、導体パターン及び層間接続導体等は銅により形成されている。
【００３８】
基材１の第２面ＭＳ２に形成されている導体パターンの一部にはＩＣ２が実装されている。第１面ＭＳ１に形成されている導体の一部は端子電極１３である。
【００３９】
回路基板７は第１面ＳＳ１を有する。回路基板７の第１面ＳＳ１には所定の導体パターンが形成されている。回路基板７の第１面ＳＳ１に形成されているパッド７１Ｐはこの導体パターンの一部である。パッド７１Ｐには、第１の実施形態で図２に示したような穴７１Ｈは形成されていない。
【００４０】
回路基板７は、例えば厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムであり、上記導体パターンはアルミニウム箔のパターンニングにより形成されたものである。
【００４１】
図６（Ｂ）に示すように、電子部品１０２の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合されている。以下、この接合部の構造と接合方法について示す。
【００４２】
図７（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０２の搭載前の状態を示す断面図であり、図７（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。電子部品１０２の端子電極１３には、スルーホール１１の穴が重なる位置に透光用の穴１３Ｈが形成されている。図７（Ａ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐの表面に光焼成ペースト５Ｐが塗布形成されている。この光焼成ペースト５Ｐは、光焼成用亜酸化銅ペーストに銀等の導電性フィラーを混練したペーストであり、紫外線で硬化する。
【００４３】
その後、図７（Ｂ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐに電子部品１０２の端子電極１３が対向する状態で、つまり、回路基板７上のパッド７１Ｐと電子部品１０２の端子電極１３とが光焼成ペースト５Ｐを介して対向する状態で、電子部品１０２を回路基板７に搭載する。さらに、その状態で、図７（Ｂ）に示すように、電子部品１０２の第２面ＭＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射する。この紫外線ＵＶＬはスルーホール１１及び端子電極１３の穴１３Ｈを介して光焼成ペースト５Ｐに照射される。そのことにより、光焼成ペースト５Ｐが硬化する。図６（Ｂ）はその状態を示している。つまり、電子部品１０２の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合される。このように、スルーホール１１は基材１の第１面ＭＳ１に形成されている導体パターンと第２面ＭＳ２に形成されている導体パターンとを層間接続するだけでなく、紫外線ＵＶＬの透光路としても作用する。
【００４４】
図７（Ａ）、図７（Ｂ）に示した例は、光焼成ペースト５Ｐを回路基板７のパッド７１Ｐ側に形成したが、この光焼成ペースト５Ｐを電子部品１０２の端子電極１３側に形成してもよい。
【００４５】
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、紫外線が透光する基材を有する電子部品を備える電子デバイスについて示す。
【００４６】
図８（Ａ）は第３の実施形態に係る電子デバイス２０３の平面図である。図８（Ｂ）は、図８（Ａ）におけるＸ−Ｘ部分での縦断面図である。
【００４７】
電子デバイス２０３は、回路基板７とこの回路基板７に搭載された電子部品１０３とで構成されている。電子部品１０３は、基材１とその基材１に実装されたＩＣ２とを備える。基材１は第１面ＭＳ１とこの第１面に対向する第２面ＭＳ２を有する。基材１の第１面ＭＳ１、第２面ＭＳ２には所定の導体パターンが形成されている。基材１の第１面ＭＳ１には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３１が形成されていて、基材１の第２面ＭＳ２には所定の導体パターンの形成領域を覆うレジスト膜３２が形成されている。
【００４８】
基材１は透光性を有する材料で構成されている。基材１は例えば透明ポリイミドフィルムである。レジスト膜３２のパターンには、透光用の窓３２Ｗが形成されている。
【００４９】
基材１の第２面ＭＳ２に形成されている導体パターンの一部にはＩＣ２が実装されている。第１面ＭＳ１に形成されている導体の一部は端子電極１３である。
【００５０】
回路基板７は第１面ＳＳ１を有する。回路基板７の第１面ＳＳ１には所定の導体パターンが形成されている。回路基板７の第１面ＳＳ１に形成されているパッド７１Ｐはこの導体パターンの一部である。
【００５１】
図８（Ｂ）に示すように、電子部品１０３の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合されている。以下、この接合部の構造と接合方法について示す。
【００５２】
図９（Ａ）は回路基板７に対する電子部品１０３の搭載前の状態を示す断面図であり、図９（Ｂ）は、その搭載後の状態を示す断面図である。電子部品１０３の端子電極１３には、透光用の穴１３Ｈが形成されている。図９（Ａ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐの表面に光焼成ペースト５Ｐが塗布形成されている。この光焼成ペースト５Ｐは、光焼成用亜酸化銅ペーストに銀等の導電性フィラーを混練したペーストであり、紫外線で硬化する。
【００５３】
その後、図９（Ｂ）に示すように、回路基板７上のパッド７１Ｐに電子部品１０３の端子電極１３が対向する状態で、つまり、回路基板７上のパッド７１Ｐと電子部品１０３の端子電極１３とが光焼成ペースト５Ｐを介して対向する状態で、電子部品１０３を回路基板７に搭載する。さらに、その状態で、図９（Ｂ）に示すように、電子部品１０３の第２面ＭＳ２側から紫外線ＵＶＬを照射する。この紫外線ＵＶＬは透光用の窓３２Ｗ及び端子電極１３の穴１３Ｈを介して光焼成ペースト５Ｐに照射される。そのことにより、光焼成ペースト５Ｐが硬化する。図８（Ｂ）はその状態を示している。つまり、電子部品１０３の端子電極１３と回路基板７のパッド７１Ｐとは光焼成ペーストの硬化物５で電気・機械的に接合される。
【００５４】
図９（Ａ）、図９（Ｂ）に示した例は、光焼成ペースト５Ｐを回路基板７のパッド７１Ｐ側に形成したが、この光焼成ペースト５Ｐを電子部品１０３の端子電極１３側に形成してもよい。
【００５５】
《第４の実施形態》
第４の実施形態では、ＲＦＩＤタグ用ＲＦＩＣモジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグについて例示する。
【００５６】
図１０は第４の実施形態に係るＲＦＩＤタグとして作用する電子デバイス２０４の平面図である。回路基板７にはアンテナ導体パターン７１が形成されていて、このアンテナ導体パターン７１によってアンテナが構成されている。回路基板７は例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のフィルムであり、アンテナ導体パターン７１は例えば銅箔等の金属箔のパターンである。
【００５７】
アンテナ導体パターン７１は導体パターン７１Ｃ，７１Ｌ及びパッド７１Ｐで構成されている。アンテナ導体パターン７１はダイポールアンテナを構成する。第１の実施形態において、図１（Ｂ）に示したように、パッド７１ＰにＲＦＩＣモジュールとしての電子部品１０１が搭載される。導体パターン７１Ｌはメアンダライン形状であって、インダクタンス成分の高い領域として作用する。また、導体パターン７１Ｃは平面形状であって、キャパシタンス成分の高い領域として作用する。
【００５８】
図１１は、電子デバイス２０４における電子部品１０１部分の等価回路図である。ＩＣ２はＲＦＩＤ用のＲＦＩＣであり、２つの端子間には等価的な容量Ｃｐがある。インダクタＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４はインピーダンス整合回路を構成し、ＩＣ２にこのインピーダンス整合回路とアンテナ導体パターン７１が接続された状態で２つの共振が生じる。第１の共振はアンテナ導体パターン７１、インダクタＬ３及びインダクタＬ４で構成される電流経路に生じる共振であり、第２の共振はインダクタＬ１〜Ｌ４で構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。この２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３，Ｌ４によって結合され、２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流ｉ１，ｉ２は図１１に示すように流れる。
【００５９】
上記第１の共振の周波数及び第２の共振の周波数のいずれも、インダクタＬ３，Ｌ４の影響を受ける。第１の共振の周波数と第２の共振の周波数との間には数１０ＭＨｚ（具体的には５〜５０ＭＨｚ程度）の差を生じさせている。図１２は、インピーダンス整合回路を設けたことにより生じる２つの共振周波数について示す図である。これらの共振周波数特性は図１２において曲線Ａ及び曲線Ｂで表現される。このような共振周波数を有する２つの共振を結合させることで、図１２において曲線Ｃで示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。
【００６０】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
【００６１】
例えば、以上に示した実施形態では、電子部品の基材１の第２面ＭＳ２又は回路基板７の第２面ＳＳ２から紫外線を照射する例を示したが、第１の実施形態と第２の実施形態を組み合わせて、または第１の実施形態と第３の実施形態を組み合わせて、電子部品の基材１の第２面ＭＳ２及び回路基板７の第２面ＳＳ２の双方から紫外線を照射するようにしてもよい。
【００６２】
また、第２の実施形態及び第３の実施形態では、非透光性のレジスト膜を有する電子部品を備える電子デバイスを例示したが、透光性のレジスト膜を用いてもよい。その場合は、第２の実施形態及び第３の実施形態においても、図１（Ａ）、図１（Ｂ）に示したように、基材１の第２面ＭＳ２の、ＩＣ２の搭載領域を除く全面にレジスト膜３２を形成してもよい。
【符号の説明】
【００６３】
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４…インダクタ
ＭＳ１…電子部品の基材の第１面
ＭＳ２…電子部品の基材の第２面
ＳＳ１…基板の第１面
ＳＳ２…基板の第２面
ＵＶＬ…紫外線
１…基材
２…ＩＣ
５…光焼成ペーストの硬化物
５Ｐ…光焼成ペースト
７…回路基板
１１…スルーホール
１３…端子電極
１３Ｈ…透光用の穴
２１…端子電極
３１，３２…レジスト膜
３２Ｗ…透光用の窓
７１…アンテナ導体パターン
７１Ｃ，７１Ｌ…導体パターン
７１Ｈ…穴
７１Ｐ…パッド
１０１，１０２，１０３…電子部品
２０１，２０２，２０３，２０４…電子デバイス
【要約】
電子デバイス（２０１）は、基材（１）と当該基材（１）の第１面（ＭＳ１）に形成された端子電極（１３）とを有する電子部品（１０１）と、当該電子部品（１０１）を搭載するパッド（７１Ｐ）が第１面（ＳＳ１）に形成された回路基板（７）とで構成される。パッド（７１Ｐ）には透光用の穴（７１Ｈ）が形成されていて、回路基板（７）の第１面（ＳＳ１）に対する反対面である第２面（ＳＳ２）からの受光による光焼成ペースト（５Ｐ）の硬化物で、パッド（７１Ｐ）と端子電極（１３）とが電気・機械的に接続される。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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