(57)【要約】  磁気センサ装置は、検知対象物（２１）の搬送路に磁界を形成する磁石（４）、磁界の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子（２）、永久磁石（４）及び磁気抵抗効果素子（２）を収納または保持するケース（６）、磁気抵抗効果素子（２）を覆い、搬送路に沿った面である搬送路面（１ｂ）を形成するカバー（１）、及び、搬送路面に交差する交差面に配置された信号増幅ＩＣ（８）を有し、搬送路面（１ｂ）を搬送される検知対象物（２１）による磁界の変化に応じた、磁気抵抗効果素子（２）が出力する抵抗値の変化を信号増幅ＩＣ（８）により増幅する信号増幅基板（９）、を備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知対象物の搬送路に磁界を形成する磁石と、
前記磁界の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子と、
前記磁石の一面及び前記磁気抵抗効果素子の一面を前記搬送路に対向させる向きで、前記磁石及び前記磁気抵抗効果素子を収納または保持するケースと、
少なくとも前記磁気抵抗効果素子の前記一面を覆い、前記搬送路に沿った搬送路面を形成するカバーと、
前記搬送路面と交差する交差面に沿って配置された信号増幅ＩＣを有し、前記搬送路面を搬送される前記検知対象物による前記磁界の変化に応じた、前記磁気抵抗効果素子が出力する前記抵抗値の変化を前記信号増幅ＩＣにより増幅する信号増幅基板と、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記ケースは、前記搬送路に対向する面以外の面を磁気シールドに覆われ、
前記信号増幅基板は、前記交差面である前記ケースの外面に固定される、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
前記信号増幅ＩＣは、前記ケースと前記磁気シールドとの間に配置される、
請求項２に記載の磁気センサ装置。
【請求項４】
前記信号増幅ＩＣは、前記磁気シールドと前記信号増幅基板とに接触したスペーサによって、確保される空間に配置される、
請求項３に記載の磁気センサ装置。
【請求項５】
前記スペーサは、前記ケースに前記信号増幅基板を固定するねじの、ねじ頭である、
請求項４に記載の磁気センサ装置。
【請求項６】
前記磁気抵抗効果素子及び前記信号増幅基板は、前記ケースの前記搬送路に対向する面から、前記交差面である前記ケースの外面に亘って配置された屈曲基板によって接続される、
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の磁気センサ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、紙幣等の紙葉状媒体の磁性パターンを検出する磁気センサ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の磁気センサ装置は、磁石の搬送路側の面に磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとが実装され、ケースに収納されている。磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとを保護するため、磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとを覆うカバーが、ケースの搬送路側に設けられている。すなわち、例えば、特許文献１に示すように、カバーと磁石との間に、磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとが配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１５／１９４６０５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の磁気センサ装置においては、紙幣を搬送するために磁気センサ装置の搬送路を挟んだ対向側に、紙幣搬送用ローラが配置される。紙幣搬送用ローラを紙幣が通ると、紙幣が磁気センサ装置のカバーへ押し付けられる。カバーと磁石との間に、磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとが配置されているため、紙幣の押し付け圧力によりカバーと磁石との間に圧力変化が生じる。この圧力変化が半導体素子である信号増幅ＩＣに印加され、ピエゾ効果による起電力が発生する。起電力が、信号増幅ＩＣから出力される出力信号に重畳し、ノイズとなる課題がある。【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、紙幣の搬送時におけるノイズを抑制し、磁気センサ装置の出力信号の品質を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る磁気センサ装置は、磁石、磁気抵抗効果素子、ケース、カバー、及び信号増幅基板を備える。磁石は、検知対象物の搬送路に磁界を形成する。磁気抵抗効果素子は、磁界の変化を抵抗値の変化として出力する。ケースは、磁石の一面及び磁気抵抗効果素子の一面を搬送路に対向させる向きで、磁石及び磁気抵抗効果素子を収納または保持する。カバーは、少なくとも磁気抵抗効果素子の上記一面を覆い、搬送路に沿った搬送路面を形成する。信号増幅基板は、搬送路面と交差する交差面に沿って配置された信号増幅ＩＣを有し、搬送路面を搬送される検知対象物による磁界の変化に応じた、磁気抵抗効果素子が出力する抵抗値の変化を信号増幅ＩＣにより増幅する。
【発明の効果】
【０００７】
この発明によれば、信号増幅ＩＣを有する信号増幅基板を搬送路面と交差する交差面に沿って配置することで、検知対象物の搬送時におけるピエゾ効果による起電力ノイズを抑制し、磁気センサ装置の出力信号の品質を向上させることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気センサ装置のＸＺ平面での断面図
【図２】実施の形態に係る磁気センサ装置のＸＺ平面でのねじを含む断面図
【図３】実施の形態に係る磁気センサ装置のカバー及び磁気シールドを除去した状態でのＹＺ平面での側面図
【図４】実施の形態に係る磁気センサ装置のカバー及び磁気シールドを除去した状態での磁気抵抗効果素子及び信号増幅ＩＣ側からの斜視図
【図５】実施の形態に係る磁気センサ装置のＸＺ平面でのねじを含む断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
この発明の実施の形態について、図を用いて説明する。全ての図において、同一若しくは同等の構成要素には同一符号を付している。図中でＸ、Ｙ、Ｚと記されている３軸は、ＸがＸ軸を示し、磁気センサ装置の搬送方向２２を示す。搬送方向２２は、磁気センサ装置において、検知対象物２１が搬送される方向であり、磁気センサ装置の短手方向である。ＹがＸ軸に直交するＹ軸を示し、磁気センサ装置の読み取り幅方向であり、磁気センサ装置の長手方向である。Ｚが、Ｘ軸及びＹ軸に直交するＺ軸を示し、磁気センサ装置の高さ方向を示す。磁気センサ装置の搬送方向２２の長さの中心をＸ軸の原点、磁気センサ装置の読み取り幅方向の長さの中心をＹ軸の原点、磁気センサ装置の検知対象物２１の搬送面をＺ軸の原点とする。
【００１０】
この発明の全ての実施の形態において、検知対象物２１の搬送とは、検知対象物２１自体が搬送される場合に加え、検知対象物２１は動かずに、磁気センサ装置自体が搬送方向２２に動く場合も含む。搬送方向２２は、Ｘ軸の正方向に加えて、Ｘ軸の負方向も含む。検知対象物２１が搬送方向２２に搬送される箇所を搬送路と称する。
【００１１】
実施の形態について、図１から図４で、磁気センサ装置の構成を説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る磁気センサ装置のＸＺ平面での断面図である。図２は、実施の形態に係る磁気センサ装置のＸＺ平面でのねじを含む断面図である。図３は、実施の形態に係る磁気センサ装置のカバー及び磁気シールドを除去した状態でのＹＺ平面での側面図である。図４は、実施の形態に係る磁気センサ装置のカバー及び磁気シールドを除去した状態での磁気抵抗効果素子及び信号増幅ＩＣ側からの斜視図である。
【００１２】
実施の形態に係る磁気センサ装置の構成要素について、図１から図４を用いて、詳細に説明する。カバー１は、磁気センサ装置の検知対象物２１の搬送路面を構成する部材である。カバー１は、磁気センサ装置の搬送路面にＹ軸方向に延在し、ケース６のＺ軸方向の面の内、磁気抵抗効果素子２が配置されている側を覆う。ケース６は、永久磁石４の一面及び磁気抵抗効果素子２の一面を搬送路に対向させる向きで、永久磁石４および磁気抵抗効果素子２を収納または保持する。カバー１は、少なくとも磁気抵抗効果素子２の搬送路に対向する一面を覆う。すなわち、カバー１は、ケース６の搬送路側を覆う。ケース６は、Ｚ軸方向の搬送路側に開口を有する箱型の形状を有する。ケース６は、磁気センサ装置の各部材を収納し保持するための開口、位置決めをするための穴及び取付け面を有する。
【００１３】
センサ基板３は、カバー１と永久磁石４とのＺ軸方向の間に存在し、Ｙ軸方向に延在する。センサ基板３において、永久磁石４と対面する面とは反対側の面であるＺ軸の正方向側の面に、磁気抵抗効果素子２が実装される。すなわち、センサ基板３の搬送路側の面に磁気抵抗効果素子２が実装される。例えば、センサ基板３は、キャリア３ａ、及びキャリア３ａの搬送路側に設けられたガラスエポキシである誘電体基板３ｂを有する。
【００１４】
図１、図２に示すように、磁気抵抗効果素子２は、センサ基板３が有するキャリア３ａの搬送路側の面に、例えば接着剤で固着される。センサ基板３上での磁気抵抗効果素子２のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置は、磁気センサ装置の検知部分の位置に対する要求によって異なる。
【００１５】
磁気抵抗効果素子２は、磁気成分を含む検知対象物２１が搬送方向２２に搬送されることにより生じる磁界の搬送方向２２の成分の変化を検知する。磁気抵抗効果素子２の抵抗値が変化することにより、磁気抵抗効果素子２は、検知対象物２１の磁気成分を検出し、電気信号である検出信号として出力する。
【００１６】
センサ基板３において、誘電体基板３ｂに形成された配線パターンは、金ワイヤ、アルミワイヤ等の金属製のワイヤ５を介して磁気抵抗効果素子２と電気的に接続される。センサ基板３は、磁気抵抗効果素子２の電気信号を外部に出力するための外部接続部を有する。
【００１７】
キャリア３ａの永久磁石４と対面する面、すなわちＺ軸の負方向側搬送路側と反対の側の面の一部がケース６と接する。ケース６と接するキャリア３ａの面の一部が、例えば接着剤でケース６に固着されることで、センサ基板３がケース６に固定される。
【００１８】
永久磁石４は、Ｙ軸方向に延在している棒状の形状を有する。永久磁石４は、センサ基板３の磁気抵抗効果素子２が実装される面と反対側の面に、例えば接着剤によって固定される。すなわち、永久磁石４は、センサ基板３が有するキャリア３ａのＺ軸の負方向側の面に例えば接着剤によって固定される。
【００１９】
永久磁石４は、磁気抵抗効果素子２と平行に配置され、センサ基板３の磁気抵抗効果素子２が実装される面の反対側の面に接触することで、Ｚ軸方向の位置を決める。永久磁石４のＸ軸方向の位置は、磁気抵抗効果素子２のＸ軸方向中心と一致するとみなせる位置である。
【００２０】
永久磁石４は、一本でＹ軸方向に延在しても良く、複数本に分割された状態でＹ軸方向に延在しても良い。
【００２１】
永久磁石４は、磁界を形成し、磁気抵抗効果素子２にバイアス磁界を印加する。永久磁石４が搬送路に形成する磁界を、検知対象物２１が搬送されることにより、バイアス磁界の大きさが変化する。バイアス磁界の変化により磁気抵抗効果素子２の抵抗値が変化して、検出信号が磁気抵抗効果素子２から出力される。
【００２２】
図１、図２に示すように、カバー１は、ケース６のＺ軸方向と直交する面の内、磁気抵抗効果素子２が配置されている側を覆う。すなわち、カバー１は、センサ基板３の磁気抵抗効果素子２が実装される面を覆う。
【００２３】
図１、図２に示すように、カバー１は、磁気センサ装置をＹ軸方向に見たとき、Ｘ軸方向に沿って形成された面である搬送路面１ｂと、この搬送路面１ｂのＸ軸方向の両端部からＺ軸負方向に傾斜する一対のテーパ１ａを有する。この一対のテーパ１ａと搬送路面１ｂは、Ｙ軸方向に延在する。
【００２４】
金属製の薄板を曲げ加工することで、カバー１の搬送路面１ｂと一対のテーパ１ａは一体に形成される。カバー１は、ケース６の搬送路側の面に取付けられている。カバー１は、搬送ガイドとなるテーパ１ａを有するため、搬送時に検知対象物２１はテーパ１ａに沿って流れ、検知対象物２１がＸ軸方向以外の方向に流れるのを防ぐ効果がある。
【００２５】
カバー１は、検知対象物２１が磁気センサ装置上を搬送される際、衝突したり擦れたりすることによる衝撃や磨耗から、磁気センサ装置、特に磁気抵抗効果素子２を保護する。カバー１は、検知対象物２１と磁気抵抗効果素子２との間に存在する。そのため、磁気センサ装置の感磁性能への影響を抑制するため、カバー１の材料は非磁性材料が望ましい。
【００２６】
上述の例では、カバー１は、金属製の薄板を曲げ加工することで形成されるが、磁気センサ装置を保護することができれば、材料及び製造方法は任意である。
【００２７】
図１、図２に示すように、ケース６は、カバー１、磁気シールド７、信号増幅基板９及び信号処理基板１３以外の構成要素であるセンサ基板３、永久磁石４などを、内部に収納したり保持するための部材である。ケース６は、例えばアルミニウムである金属、例えば導電性樹脂である導電性の材料等で形成されている。ケース６は、センサ基板３をＸ軸方向及びＹ軸方向に位置決めするための開口を備える。開口は、ケース６のカバー１との取付面からＺ軸の負方向側に凹んで形成されている。
【００２８】
磁界への影響を抑制するため、ケース６は、非磁性材料、例えばアルミニウムで形成されることが望ましい。
【００２９】
実施の形態ではアルミニウムを切削することで、ケース６が形成される。なお、センサ基板３、永久磁石４などを、内部に収納したり保持することができれば、ケース６の材料は任意であり、ケース６は非導電性の樹脂で形成されていても良い。
【００３０】
Ｘ軸方向に直交するケース６の側面、すなわち、ケース６においてカバー１の搬送路面１ｂと交差する交差面６ａに信号増幅基板９が配置されている。交差面６ａは、ケース６の搬送路側の面に交差する。信号増幅基板９は、搬送路から離隔して設けられる。交差面６ａは、搬送路面１ｂと交差するケース６の外面である。交差する２つの面は、接触する必要はなく、いずれか一方の面を延長すると接触して交差する位置関係にある２つの面でもよい。例えば、信号増幅基板９は、キャリア９ａ、及びキャリア９ａのケース６と対面する面とは反対側の面に設けられたガラスエポキシである誘電体基板９ｂを有する。
【００３１】
信号増幅基板９は、ねじ１２にてケース６に固定される。信号増幅基板９の信号増幅ＩＣ８が実装された側にねじ１２のねじ頭が位置する向きで、ねじ１２によって信号増幅基板９がケース６に押し付けられる状態で、信号増幅基板９がケース６に固定される。ケース６の、ＸＺ平面で見ると、信号増幅基板９とカバー１の搬送路面１ｂとは９０度で交差する位置関係にある。
【００３２】
図５に示すように、ケース６の交差面６ａと反対側の面にねじ１６のねじ頭が位置する向きで、ケース６に空けた貫通穴６ｂ内にねじ１６のねじ山部が通されて、信号増幅基板９がケース６に引き付けられる状態で、信号増幅基板９がケース６に固定されても良い。
【００３３】
信号増幅基板９に、磁気抵抗効果素子２から出力された検出信号を増幅する、例えばシリコンである半導体素子で形成された信号増幅ＩＣ８が実装される。信号増幅基板９が有するキャリア９ａのケース６と対面する面とは反対側の面に、信号増幅ＩＣ８が、例えば接着剤で固着されている。信号増幅ＩＣ８は、金ワイヤ、アルミワイヤ等の金属製のワイヤ１０を介して信号増幅基板９が有する誘電体基板９ｂに形成された配線パターンに接続されている。モールド１７は、信号増幅ＩＣ８とワイヤ１０を、例えばシリコン樹脂でモールドし、信号増幅ＩＣ８とワイヤ１０を異物から保護する。
【００３４】
信号増幅基板９のカバー１側、すなわちＺ軸正方向側の端部には、センサ基板３と接続され、磁気抵抗効果素子２から出力された検出信号を信号増幅基板９に入力する、例えばフレキシブル基板である屈曲基板１１が設けられる。センサ基板３と信号増幅基板９との接続は、屈曲基板１１を用いる方法以外に、コネクタ等による部品接続でもよい。
【００３５】
信号増幅基板９のカバー１側と反対側、すなわちＺ軸負方向側には、信号処理基板１３と接続され、磁気抵抗効果素子２から出力され、信号増幅ＩＣ８で増幅された検出信号を信号処理基板１３に入力する接続線１４が設けられる。信号増幅基板９と信号処理基板１３との接続は、接続線１４を用いる方法以外に、例えばコネクタによる部品接続でもよい。
【００３６】
センサ基板３、信号増幅基板９及び屈曲基板１１は、リジッドフレキシブル基板を用いて、一体形成されても良い。また、信号増幅基板９、接続線１４及び信号処理基板１３は、リジッドフレキシブル基板を用いて、一体形成されても良い。さらには、センサ基板３、屈曲基板１１、信号増幅基板９、接続線１４及び信号処理基板１３は、リジッドフレキシブル基板を用いて、一体形成されても良い。
【００３７】
信号処理基板１３は、ケース６の搬送路側の面とは反対側の面に、ねじ１５でケース６に固定されている。
【００３８】
信号処理基板１３は、信号増幅基板９から入力した検出信号を信号処理し、パラレル信号もしくはシリアル信号として出力する。
【００３９】
図１、図２に示すように、磁気シールド７は、磁気センサ装置をＹ軸方向に見たとき、Ｘ軸方向に沿って形成された底部と、この底部からＺ軸正方向に立設する、Ｘ軸方向に沿って配置された一対の側壁部を有する。一対の側壁部と底部は、Ｙ軸方向に延在する。すなわち、磁気シールド７は、底部に対するＺ軸方向の対面側は開口している形状を有する。磁気シールド７のＹ軸方向の長さは、少なくとも永久磁石４及びセンサ基板３のＹ軸方向の長さ以上の長さであることが望ましい。
【００４０】
磁気シールド７の底部と一対の側壁部で囲われた空間、すなわち磁気シールド７の内部にケース６とケース６に固定された信号増幅基板９が配置されている。すなわち、ケース６は、センサ基板３が固定された側の面を除いて、磁気シールド７で覆われている。言い換えると、ケース６は搬送路面１ｂ以外の面を磁気シールド７で覆われている。よって、信号増幅基板９は、ケース６と磁気シールド７との間に配置されている。
【００４１】
磁気シールド７は、ケース６に、締結部材で締結して、若しくは例えば接着剤で固着して、固定されている。磁気シールド７の底部と一対の側壁部とは、別々に形成して接着剤で接合しても良いし、金属製の薄板の曲げ加工またはブロック材の押し出し加工によって一体形成されても良い。
【００４２】
磁気シールド７の信号増幅基板９に対面する面に、信号増幅基板９をケース６に固定するねじ１２のねじ頭が当接することで、磁気シールド７と信号増幅基板９との間に空間が確保される。ねじ１２のねじ頭の高さは、ワイヤ１０のループ高さよりも高い。ねじ１２のねじ頭がスペーサの役割を果たし、信号増幅ＩＣ８及びワイヤ１０が磁気シールド７に接触して、損傷することが防止される。加えて、モールド１７が磁気シールド７に接触して、信号増幅ＩＣ８に圧力が加わることも防止される。
【００４３】
スペーサとして、信号増幅基板９と磁気シールド７との間に樹脂ブロック、シムプレート等を挿入しても良い。信号増幅基板９を構成する誘電体基板部の厚みを、ワイヤ１０のループ高さよりも厚くし、この誘電体基板部を磁気シールド７に接触させても良い。
【００４４】
次に、実施の形態において、検知対象物２１が搬送されるときの、磁気センサ装置の挙動を説明する。
【００４５】
検知対象物２１が搬送されると、検知対象物２１はカバー１に接触する。カバー１に接触した検知対象物２１は、テーパ１ａにて搬送路面１ｂへ誘導される。搬送路面１ｂのケース６側には、永久磁石４の搬送路側の面に載置された磁気抵抗効果素子２が配置されている。すなわち、搬送路面１ｂと永久磁石４とで挟まれた空間に磁気抵抗効果素子２が配置されている。
【００４６】
検知対象物２１が搬送路面１ｂに誘導されて来ると、検知対象物２１が搬送路面１ｂに接触することにより、搬送路面１ｂがＺ軸の負方向側に変形する押し付け圧力が、微小ながら搬送路面１ｂに発生する。
【００４７】
特許文献１に記載の磁気センサ装置の場合は、搬送路面と永久磁石とで挟まれた空間に磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣが配置されている。該磁気センサ装置において、磁気抵抗効果素子と信号増幅ＩＣとが、例えばシリコン樹脂でモールドされ、シリコン樹脂が搬送路面１ｂに接触していると、押し付け圧力がシリコン樹脂に印加される。そのため、半導体素子で形成された信号増幅ＩＣが、シリコン樹脂の圧力変化を受け、信号増幅ＩＣにピエゾ効果による起電力が発生する。
【００４８】
対して、実施の形態の磁気センサ装置においては、信号増幅ＩＣ８を実装した信号増幅基板９は、搬送路面１ｂと永久磁石４とで挟まれた空間には実装されていない。信号増幅基板９は、ケース６のＸ軸方向に対向する側面、すなわち、ケース６に配置されたカバー１の搬送路面１ｂに交差する交差面６ａに固定されている。したがって、信号増幅ＩＣ８は、搬送路面１ｂと永久磁石４とで挟まれた空間の圧力変化の影響を受けない。よって、検知対象物２１が搬送されて来ても、ピエゾ効果は発生せず、信号増幅ＩＣ８から出力される検出信号にピエゾ効果による起電力ノイズは重畳せず、品質の良い検出信号が出力される。
【００４９】
実施の形態では、信号増幅基板９をケース６の搬送路側の面に交差す交差面６ａに配置した例を示した。信号増幅基板９は、ケース６の交差面６ａと対向する面、すなわち交差面６ａをケース６の表面としたとき、ケース６の裏面に配置しても、同様の作用効果が得られる。
【００５０】
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。すなわち、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、特許請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、この発明の範囲内とみなされる。
【００５１】
本出願は、２０１６年１１月２５日に出願された、日本国特許出願特願２０１６−２２９１００号に基づく。本明細書中に日本国特許出願特願２０１６−２２９１００号の明細書、特許請求の範囲、図面全体を参照として取り込むものとする。
【符号の説明】
【００５２】
１  カバー、１ａ  テーパ、１ｂ  搬送路面、２  磁気抵抗効果素子、３  センサ基板、３ａ  キャリア、３ｂ  誘電体基板、４  永久磁石、５  ワイヤ、６  ケース、６ａ  交差面、６ｂ  貫通穴、７  磁気シールド、８  信号増幅ＩＣ、９  信号増幅基板、９ａ  キャリア、９ｂ  誘電体板、１０  ワイヤ、１１  屈曲基板、１２  ねじ、１３信号処理基板、１４  接続線、１５，１６  ねじ、１７  モールド、２１  検知対象物、２２  搬送方向。
【図１】
2018096862.tif 000003
【図２】
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【図３】
2018096862.tif 000005
【図４】
2018096862.tif 000006
【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る磁気センサ装置は、磁石、磁気抵抗効果素子、及び信号増幅ＩＣを備える。磁石は、検知対象物の搬送路に磁界を形成する。磁気抵抗効果素子は、磁界の変化を抵抗値の変化として出力する。信号増幅ＩＣは、搬送路に沿った搬送路面と交差する交差面に沿って配置され、搬送路面を搬送される検知対象物による磁界の変化に応じた、磁気抵抗効果素子が出力する抵抗値の変化を増幅する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明によれば、信号増幅ＩＣを搬送路に沿った搬送路面と交差する交差面に沿って配置することで、検知対象物の搬送時におけるピエゾ効果による起電力ノイズを抑制し、磁気センサ装置の出力信号の品質を向上させることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
実施の形態では、信号増幅基板９をケース６の搬送路側の面に交差する交差面６ａに配置した例を示した。信号増幅基板９は、ケース６の交差面６ａと対向する面、すなわち交差面６ａをケース６の表面としたとき、ケース６の裏面に配置しても、同様の作用効果が得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知対象物の搬送路に磁界を形成する磁石と、
前記磁界の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子と、
前記搬送路に沿った搬送路面と交差する交差面に沿って配置され、前記搬送路面を搬送される前記検知対象物による前記磁界の変化に応じた、前記磁気抵抗効果素子が出力する前記抵抗値の変化を増幅する信号増幅ＩＣと、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記磁石の一面が前記搬送路に対向した向きで配置され、
前記磁気抵抗効果素子の一面が前記搬送路に対向した向きで配置されている、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
前記磁石及び前記磁気抵抗効果素子を収納または保持するケースと、
前記搬送路に対向した向きで配置されている前記磁気抵抗効果素子の一面を覆い、前記搬送路に沿った前記搬送路面を形成するカバーと、
前記信号増幅ＩＣを有し、前記交差面に沿って配置された信号増幅基板と、
をさらに備える請求項１または２に記載の磁気センサ装置。
【請求項４】
前記ケースは、前記搬送路に対向する面以外の面を磁気シールドに覆われ、
前記信号増幅基板は、前記交差面である前記ケースの外面に固定される、
請求項３に記載の磁気センサ装置。
【請求項５】
前記信号増幅ＩＣは、前記ケースと前記磁気シールドとの間に配置される、
請求項４に記載の磁気センサ装置。
【請求項６】
前記信号増幅ＩＣは、前記磁気シールドと前記信号増幅基板とに接触したスペーサによって、確保される空間に配置される、
請求項５に記載の磁気センサ装置。
【請求項７】
前記スペーサは、前記ケースに前記信号増幅基板を固定するねじの、ねじ頭である、
請求項６に記載の磁気センサ装置。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果素子及び前記信号増幅基板は、前記ケースの前記搬送路に対向する面から、前記交差面である前記ケースの外面に亘って配置された屈曲基板によって接続される、
請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の磁気センサ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成30年8月21日(2018.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る磁気センサ装置は、磁石、磁気抵抗効果素子、信号増幅ＩＣ、ケース、カバー、及び信号増幅基板を備える。磁石は、検知対象物の搬送路に磁界を形成する。磁気抵抗効果素子は、磁界の変化を抵抗値の変化として出力する。信号増幅ＩＣは、搬送路に沿った搬送路面と交差する交差面に沿って配置され、搬送路面を搬送される検知対象物による磁界の変化に応じた、磁気抵抗効果素子が出力する抵抗値の変化を増幅する。ケースは、磁石及び磁気抵抗効果素子を収納または保持する。カバーは、搬送路に対向した向きで配置されている磁気抵抗効果素子の一面を多い、搬送路に沿った搬送路面を形成する。信号増幅基板は、信号増幅ＩＣを有し、交差面に沿って配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検知対象物の搬送路に磁界を形成する磁石と、
前記磁界の変化を抵抗値の変化として出力する磁気抵抗効果素子と、
前記搬送路に沿った搬送路面と交差する交差面に沿って配置され、前記搬送路面を搬送される前記検知対象物による前記磁界の変化に応じた、前記磁気抵抗効果素子が出力する前記抵抗値の変化を増幅する信号増幅ＩＣと、
前記磁石及び前記磁気抵抗効果素子を収納または保持するケースと、
前記搬送路に対向した向きで配置されている前記磁気抵抗効果素子の一面を覆い、前記搬送路に沿った前記搬送路面を形成するカバーと、
前記信号増幅ＩＣを有し、前記交差面に沿って配置された信号増幅基板と、
を備えた磁気センサ装置。
【請求項２】
前記磁石の一面が前記搬送路に対向した向きで配置され、
前記磁気抵抗効果素子の一面が前記搬送路に対向した向きで配置されている、
請求項１に記載の磁気センサ装置。
【請求項３】
前記ケースは、前記搬送路に対向する面以外の面を磁気シールドに覆われ、
前記信号増幅基板は、前記交差面である前記ケースの外面に固定される、
請求項１または２に記載の磁気センサ装置。
【請求項４】
前記信号増幅ＩＣは、前記ケースと前記磁気シールドとの間に配置される、
請求項３に記載の磁気センサ装置。
【請求項５】
前記信号増幅ＩＣは、前記磁気シールドと前記信号増幅基板とに接触したスペーサによって、確保される空間に配置される、
請求項４に記載の磁気センサ装置。
【請求項６】
前記スペーサは、前記ケースに前記信号増幅基板を固定するねじの、ねじ頭である、
請求項５に記載の磁気センサ装置。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果素子及び前記信号増幅基板は、前記ケースの前記搬送路に対向する面から、前記交差面である前記ケースの外面に亘って配置された屈曲基板によって接続される、
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の磁気センサ装置。
【国際調査報告】
2018096862.tif 000008
2018096862.tif 000009
2018096862.tif 000010
2018096862.tif 000011