【事件の表示】
　特許第５８６３２４１号発明「硬質材料で被覆された物体」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８６３２４１号の特許請求の範囲を、平成２９年８月２日付け訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正することを認める。
　特許第５８６３２４１号の請求項１〜４、６、７に係る特許を維持する。
　特許第５８６３２４１号の請求項５に係る特許についての申立てを却下する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５８６３２４１号の請求項１〜７に係る特許についての出願は、２００９年１月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年３月１２日（ＤＥ）ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２８年１月８日にその特許権の設定登録がされたものであり、その後の経緯は以下のとおりである。
平成２８年　８月１０日付け：特許異議申立人　松尾　三佐子による特許異議の申立て
　　　同年１１月１０日付け：取消理由の通知
平成２９年　２月１３日付け：訂正の請求、意見書の提出
　　　同年　４月　７日付け：特許異議申立人からの意見書（意見書１）の提出
　　　同年　４月２５日付け：取消理由の通知
　　　同年　８月　２日付け：訂正の請求、意見書の提出
　　　同年　９月　６日付け：特許異議申立人からの意見書（意見書２）の提出
第２　訂正請求について
１．訂正の内容
　平成２９年８月２日に訂正請求書が提出されたので、特許法第１２０条の５第７項の規定により、同年２月１３日にされた訂正請求は取り下げたものとみなされる。
　そして、平成２９年８月２日付け訂正請求（以下、「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は、下記（１）〜（７）のとおりである。
　なお、下線部は訂正箇所である。
（１）訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１に、「０．７≦ｘ≦０．９であるＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層の上にＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３層が外層として配置され、ＣＶＤ　ＴｉＮ層および／またはＣＶＤ　ＴｉＣＮ層は、超硬合金、サーメット、またはセラミックからなる基体本体に対する接合層であり、前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／または前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層が六方晶ＡｌＮを含有し」と記載されているのを、「０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項２に、「前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３外層と、前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層または前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層との間に」と記載されているのを、「前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３外層と、前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
（３）訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項３に、「（Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ）ｎの群からの１つ以上の二重層または三重層で構成される多層中間層が前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３層の下に配置されている」と記載されているのを、「
前記中間層が、塩素含有率が３原子％以下である
および塩素含有率が３原子％以下である
Ｎからなる群から選ばれる一種以上で
であり、且つ
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項４に、「前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層または前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層の厚さが１μｍ以上５μｍ以下である」と記載されているのを、「前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
（５）訂正事項５
　特許請求の範囲の請求項５を削除する。
（６）訂正事項６
　特許請求の範囲の請求項６に、
「前記ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層上に、０．７≦ｘ≦０．９であるＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層をＣＶＤ被覆により形成すること、及び、
　前記Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層上に、Ａｌ２Ｏ３層をＣＶＤ被覆により形成すること、を含み、
　前記Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層が六方晶ＡｌＮを含有し」と記載されているのを、
「前記ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層上に、０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
減圧
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
層お
塩素含有率が３原子％以下である
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
（７）訂正事項７
　特許請求の範囲の請求項７に、「請求項２〜５のいずれか一項に記載の」と記載されているのを、「請求項２〜
４
２．訂正の目的の適否、新規事項の有無、特許請求の範囲の拡張・変更の存否、及び一群の請求項について
（１）訂正事項１について
（ア）訂正事項１は、第一に、訂正前の請求項１における、「０．７≦ｘ≦０．９であるＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」について、選択肢の一つである「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層」を削除するものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、選択肢の一つを削除するものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（イ）第二に、訂正前の請求項１における「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層」及び／又は「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」（以下、「Ｔｉ（１−ｘ）Ａｌ（ｘ）Ｎ（層）」と「Ｔｉ（１−ｘ）Ａｌ（ｘ）ＣＮ（層）」とを、まとめて「Ｔｉ（１−ｘ）Ａｌ（ｘ）（Ｃ）Ｎ（層）」と表記することがある。）について、これが「中間層」であることを明確にするものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　そして、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層が「中間層」であることは、本件特許明細書の【００１４】に記載されていた事項であるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（ウ）第三に、訂正前の請求項１における、ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層について、「塩素含有率が３原子％以下である」という特定事項を直列的に付加し、これらを限定するものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、本件特許明細書の【００１５】には、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層について、「塩素含有率は０．０１〜３原子％の範囲内である」と記載されているから、塩素含有率の上限値を「３原子％以下」とすることは、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　この点について申立人は、意見書２において、本件特許出願の外国語書面（ＰＣＴ／ＥＰ２００９／０００３０９；国際公開第２００９／１１２１１５号）に記載された「Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層」と「ＴｉＡｌ（Ｃ）Ｎ層」とは、別の層であることが明らかであり、外国語書面にはＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）層の塩素含有率が０．０１原子％未満の範囲が記載されておらず、また、記載されたものに等しい事項でもないから、特許法第１３４条の２第９項で準用する同法第１２６条第５項の規定を満たしていないと主張している。
　上記主張について検討するに、まず、特許法第１３４条の２は、特許無効審判における訂正の請求について規定するものであり、本件訂正請求に適用されるものではない。
　そして、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項は、同法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする訂正において、外国語書面を基準とすることを規定するものではないから、申立人の主張は失当である。
　また、外国語書面にも、本件特許明細書の【００１５】に記載された事項は記載されており、記載された数値範囲のうち上限値のみを特定事項としても、新たな技術的事項を導入するものとはいえないことは、上記のとおりである。
　したがって、上記申立人の主張は採用できない。
　なお、「Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ」と「ＴｉＡｌ（Ｃ）Ｎ」とは、ＴｉとＡｌの含有比を表す「ｘ」を記載するか否かの違いにすぎず、別の層であることが明らかであるという申立人の主張を採用することもできない。
（２）訂正事項２、４について
　訂正事項２、４は、訂正前の請求項２、４における「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層」について、「塩素含有率が３原子％以下である」という特定事項を直列的に付加し、これらを限定するものである。
　したがって、上記（１）（ウ）で説明したとおり、上記訂正事項２、４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新たな技術的事項を導入するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（３）訂正事項３について
（ア）訂正事項３は、第一に、多層中間層を構成する物質である「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ」から、選択肢の一つである「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ」を削除するものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、選択肢の一つを削除するものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（イ）第二に、訂正前の請求項３における「（Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ）ｎの群からの１つ以上の二重層または三重層で構成される多層中間層」について、「〜の群」や「ｎ」が何を意味しているか不明であること、及び、「二重層または三重層で構成される」ことが、本件特許明細書【００１９】に記載された事項と整合しないものであることによって、訂正前の請求項３に係る発明が不明確であったところ、前記明細書と整合しない記載を削除し、「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ」及び「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ」からなる群から選ばれる一種以上で構成される多層中間層としたものであるから、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎが「中間層」を構成する物質であり、該「中間層」をこれらの物質で構成される「多層中間層」にできることは、本件特許明細書【００１４】、【００１９】に記載されていた事項であるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（ウ）第三に、多層中間層を構成する「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ」及び「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ」について、「塩素含有率が３原子％以下である」という特定事項を直列的に付加し、これらを限定するものである。
　この点については、上記（１）（ウ）で説明したとおりであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（４）訂正事項５について
　訂正事項５は、訂正前の請求項５を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（５）訂正事項６について
（ア）訂正事項６は、第一に、訂正前の請求項６における、「０．７≦ｘ≦０．９であるＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」について、選択肢の一つである「Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層」を削除するものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　また、選択肢の一つを削除するものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（イ）第二に、訂正前の請求項６におけるＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層について、「塩素含有率が３原子％以下である」という特定事項を直列的に付加し、これらを限定するものであり、この点は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、上記（１）（ウ）で説明したとおり、この点は、新たな技術的事項を導入するものではなく、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（ウ）第三に、訂正前の請求項６では、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層を、「ＣＶＤ被覆」によって形成することが特定されていたところ、これを「減圧ＣＶＤ被覆」によって形成すること、とするものである。
　この点は、「ＣＶＤ被覆」を「減圧」で行われるものに限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そして、本件明細書【０００８】、【００２１】には、本件特許発明で特定する化学量論係数ｘ及び塩素含有率を有するＴｉ（１−ｘ）Ａｌ（ｘ）Ｎ層が、熱ＣＶＤにより製造されることが記載されているところ、切削工具へのＴｉＮ系被覆の熱ＣＶＤが減圧下で行われることは、当業者に自明であったと認められる。（要すれば、甲第３号証の実施例２、乙第１号証の第１２３ページ、Ｔａｂｌｅ５．１を参照。）
　したがって、上記の点は、本件特許明細書に記載された範囲のものであって、新たな技術的事項を導入するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
乙第１号証：Hugh O. OIERSON,HANDBOOK OF CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, SECOND EDITION, 1999
（６）訂正事項７について
　訂正事項７は、訂正前の請求項７が、「請求項２〜５のいずれか一項」を引用していたところ、訂正後の請求項７では、「請求項２〜４のいずれか一項」を引用するものとし、引用請求項数を減少させるものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新たな技術的事項を導入するものではなく、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
（７）一群の請求項について
　訂正前の請求項２〜５、７は、訂正事項１に係る訂正前の請求項１を直接又は間接的に引用しており、また、訂正前の請求項７は、訂正事項６に係る訂正前の請求項６を引用していたから、訂正前の請求項１〜７は、特許法１２０条の５第４項に規定する一群の請求項であり、訂正事項１〜７に係る本件訂正は、当該一群の請求項ごとに請求をしたものと認められる。
３．訂正の適否についてのむすび
　以上のとおり、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書き第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、及び同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜７〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１．本件特許発明
　上記のとおり訂正が認められるので、本件訂正請求により訂正された訂正請求項１〜４、６、７に係る発明は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜４、６、７に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
【請求項１】
　硬質材料で被覆され、複数のＣＶＤ層を有する物体であって、
　０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
【請求項２】
　前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３外層と、前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
【請求項３】
　
前記中間層が、塩素含有率が３原子％以下である
および塩素含有率が３原子％以下である
Ｎからなる群から選ばれる一種以上で
であり、且つ
【請求項４】
　前記外層の厚さが１μｍ以上５μｍ以下の範囲内であり、前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
【請求項５】
（削除）
【請求項６】
　超硬合金、サーメット、またはセラミックからなる基体本体上に、ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層をＣＶＤ被覆により形成すること、
　前記ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層上に、０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
減圧
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
層お
塩素含有率が３原子％以下である
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
　硬質材料で被覆された物体の製造方法。
【請求項７】
　前記硬質材料で被覆された物体が、請求項２〜
４
２．当審において通知した取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜７に係る特許に対して、平成２８年１１月１０日付け及び平成２９年４月２５日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
　なお、平成２９年４月２５日付け取消理由のうち、平成２９年２月１３日付けの訂正請求によって生じた記載不備については、当該訂正請求の取下げによって解消した。
（ア）請求項１に係る本件特許発明の「ＣＶＤ」には、プラズマＣＶＤ法も含まれるといえるが、一方で、本件特許明細書【０００４】〜【０００５】には、プラズマＣＶＤ法によるＴｉ１−ｘＡｌｘＮ硬質材料層の製造は、層の組成の不十分な均一性、及び層の比較的高い塩素含有率が欠点になる従来技術であると記載されている。
　してみれば、請求項１の「ＣＶＤ」は、従来技術も含み得るから、請求項１、及び同様の特定事項を有する請求項２、４、５に係る本件特許発明は不明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たさない。
　また、請求項６に係る本件特許発明も、「ＣＶＤ被覆により形成する」ことを特定事項とするから、上記と同様の理由により不明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たさない。
（イ）請求項１、６に係る本件特許発明は、「六方晶ＡｌＮが２５％以下で存在する」ことを特定事項とするが、「２５％以下」とは、何を基準としているのか不明であるから、請求項１、６に係る本件特許発明は不明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たさない。
（ウ）請求項５に係る本件特許発明は、「クラックの網目を含まない」ことを特定事項とするが、どのような状態であれば「クラックの網目を含まない」ことになるのか不明確であるから、請求項５に係る本件特許発明は不明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たさない。
（エ）請求項１、６に係る本件特許発明が解決しようとする課題は、熱輸送に関してより良い断熱効果を有する物体を提供することであり、本件特許発明は、「前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／または前記ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層が六方晶ＡｌＮを含有し、前記六方晶ＡｌＮが２５％以下で存在する」ことを特定事項とするものである。
　しかしながら、本件特許明細書には、六方晶ＡｌＮを含有することの利点が記載されておらず、むしろ六方晶ＡｌＮは耐摩耗性に劣るものであることが当業者の技術常識である。
　したがって、請求項１、６に係る本件特許発明は、本件特許明細書によりサポートされているとはいえず、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たさない。
（オ）請求項１に係る本件特許発明は、「０．７≦ｘ≦０．９であるＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層および／またはＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」を有することを特定事項とするが、当業者の技術常識を考慮しても、「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層」及び「六方晶ＡｌＮを含有するＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」について、本件特許明細書にその製法及び作用効果が記載されているとはいえない。
　したがって、請求項１に係る本件特許発明は、本件特許明細書によりサポートされているとはいえず、特許法第３６条第６項第１号の規定を満たさない。
　また、本件特許明細書の記載に基づいて当業者がその実施をできるものでもないから、特許法第３６条第４項第１号の規定を満たさない。
（カ）請求項３に係る本件特許発明は、「（Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ）ｎの群からの１つ以上の二重層または三重層で構成される多層中間層が前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３層の下に配置されている」ことを特定事項とするが、「〜の群」や「ｎ」が何を意味しているか不明であり、また、「二重層または三重層で構成される多層中間層」であることが、本件特許明細書【００１９】に記載された事項と整合しないものである。
　したがって、請求項３に係る本件特許発明は、当業者がその内容及び技術範囲を理解することができないから、不明確であり、特許法第３６条第６項第２号の規定を満たさない。
３．当審の判断
（１）当審において通知した取消理由に対する判断
（ア）訂正により、「（ＣＶＤ）　Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ（層）」について、「塩素含有率が３原子％以下である」ことが特定された。
　ここで、本件特許明細書【０００４】には、「プラズマＣＶＤによって、ｘ＝０．９である単相Ｔｉ１−ｘＡｌｘ−Ｎ硬質材料層を製造することも公知である。しかし、層の組成の不十分な均一性、および
層の高い塩素含有率が欠点である。
最大１２原子％の高塩素含有率を許容する必要がある。
　してみれば、上記記載から理解される従来技術の課題の一つは、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層における高い塩素含有率であると認められ、訂正後の本件特許発明は、「（ＣＶＤ）　Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ（層）」について、「塩素含有率が３原子％以下である」ことを特定することにより、上記本件特許明細書に記載された従来技術との差異を明確にしたものといえるから、この点について、取消理由は解消した。
　これに対し、申立人は意見書２において、参考資料７〜９を提出し、プラズマＣＶＤを用いてｘが０．７〜０．９のＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層を製造した場合でも、塩素含有量が３原子％以下になることがあるから、訂正により塩素含有率が３原子％以下であることを特定しても、プラズマＣＶＤとそうでないＣＶＤで成膜したものを区別することは不可能であり、本件特許発明は従来技術を含むことが明らかであって不明確であると主張している。
参考資料７：Sang-Hyeob LEE et al., (Ti1-xAlx)N coatings by plasma-enhanced chemical vapor deposition, J. Vac. Sci. Technol. A, 1994 Jul/Aug, vol.12, issue.4, pp.1602-1607
参考資料８：C. JARMS et al., Mechanical properties, structure and oxidation behaviour of Ti1-xAlxN-hard coatings deposited by pulsed d.c. plasma-assisted chemical vapour deposition (PACVD), Surface and Coating Technology, 1998, vol.108-109, pp.206-210
参考資料９：S. ANDERBOUHR et al., LPCVD and PACVD (Ti,Al)N films: morphology and mechanical properties, Surface and Coating Technology, 1999, vol.115, pp.103-110
　しかしながら、上記のとおり、塩素含有率が３原子％以下であることを特定することにより、本件特許明細書に記載された、課題とする高い塩素含有率を有する従来技術との差異は明確になったといえる。
　そして、申立人が主張するとおり、プラズマＣＶＤを用いてＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層を製造した場合に、塩素含有量が３原子％以下になることがあるとしても、そのことが上記明確性の判断に影響を及ぼすものではない。
　したがって、申立人の上記主張は採用できない。
（イ）本件特許明細書【００１５】には、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層について、「非晶質層成分が最大３０
質量％
　よって、この点について、本件特許発明は明確である。
（ウ）訂正により、「クラックの網目を含まない」ことを特定事項とする訂正前の請求項５は削除されたので、この点について、取消理由は解消した。
（エ）特許権者は、平成２９年２月１３日付け意見書において、本件特許明細書【００１４】には、「中間層としてのＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層、または−ＣＮ層は、ＴｉＮまたはＴｉＣＮの中間層と比較するとクラックの問題が生じる傾向がない・・・」と記載されているとおり、本件特許発明における中間層であるＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層は、耐クラック性／クラック捕捉層として機能していること、そして、六方晶ＡｌＮがＴｉ１−ｘＡｌｘＮよりも柔らかいことは、当業者に知られていることから、柔らかい六方晶ＡｌＮは、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層の強靱性及び破壊耐性を増加させるという重要な技術的効果をもたらすものであると主張した。
　また、少量の六方晶ＡｌＮを含むことによる、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層の硬度及び耐摩耗性への悪影響はないこと、そして、本件特許発明において、中間層としてのＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層は、主たる耐摩耗層ではなく、外側のＡｌ２Ｏ３層が摩耗耐性について主たる役割を果たしているから、六方晶ＡｌＮを２５（質量）％以下で含むことは、本件特許発明の課題の解決を妨げるものではないと主張した。
　上記特許権者の主張は妥当なものと認められるので、この点について、取消理由は解消した。
（オ）「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣ層」については、訂正により削除された。
　そして、「ＣＶＤ　Ｔｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層」について、まず、本件特許明細書【０００３】には、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層の製造について、より高いアルミニウム含有率では、六方晶ウルツ鉱構造が形成されることが記載されており、同【０００６】には、１０００℃を超える高温では、準安定状態のＴｉ１−ｘＡｌｘＮが分解してＴｉＮ及び六方晶ＡｌＮになることが記載されていることに照らせば、当業者は、アルミニウムの含有率や温度が、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層中の六方晶ＡｌＮ量に影響を与えることを理解できる。
　そして、例えば甲第７号証（特開平９−１２５２４９号公報）にも記載のとおり、ＣＶＤの原料ガスにメタンガスを加えることにより、ＴｉＡｌＣＮ層を形成できることは当業者に知られているから、これと上記本願明細書に記載された知見とをあわせて、六方晶ＡｌＮが２５（質量）％以下で存在するＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮ層を得ることができると認められる。
　したがって、請求項１に係る本件特許発明は、本件特許明細書によりサポートされているものであり、また、本件特許明細書の記載に基づいて当業者が実施することができるものである。
（カ）訂正後の請求項３に係る本件特許発明は、中間層を構成する「群」が、「塩素含有率が３原子％以下であるＴｉ１−ｘＡｌｘＮおよび塩素含有率が３原子％以下であるＴｉ１−ｘＡｌｘＣＮからなる」ものに特定され、不明な記載であった「ｎ」は削除され、本件特許明細書【００１９】の記載と整合しない「二重層または三重層で構成される」ことも削除された。
　したがって、訂正後の請求項３に係る本件特許発明は明確であり、この点について、取消理由は解消した。
（２）取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
ア　特許法第２９条第１項第３号、同第２項
（ア）証拠方法と申立理由
　申立人は、請求項１、２、４〜７に係る発明は、甲第１号証に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないものであり、また、請求項１、２、４〜７に係る発明は、甲１〜７号証の記載から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであると主張した。
甲第１号証：特開２００１−３４１００８号公報
甲第２号証：I ENDLER et al., Aluminium-rich Ti1-xAlxN Coatings by CVD, EURO PM2006 Congress  Exhibition PROCEEDINGS Volume 1, pp.219-224
甲第３号証：国際公開第２００７／００３６４８号
甲第４号証：特開２００２−２５４２１０号公報
甲第５号証：独国特許出願公開第１９６３０７９１号明細書
甲第６号証：Ingolf ENDLER, TiAlN - Eine neue CVD-Verschleiβschutzschicht mit herausragenden Eigenschaften, Fraunhofer IKTS Jahresbericht 2005, p.56
甲第７号証：特開平９−１２５２４９号公報
（イ）甲第１号証を主たる引用例とする理由について
　甲第１号証は、窒化チタンアルミニウム膜を被覆してなる工具に関するものであって（【０００１】）、その明細書【００１３】【表１】には、試料番号２９〜３１として、Ａｌ含有量が６５．４〜８０．８質量％である、窒化チタンアルミニウム膜が形成された被覆工具が記載されている。
　また、同【００１１】には、窒化チタンアルミニウム膜の上に、酸化アルミニウム膜を被覆してもよいことも記載されている。
　しかしながら一方で、同【０００６】には、「結晶構造を立方晶とし、六方晶が混在していない膜とすることで、結晶性が高く緻密で耐摩耗性の優れた窒化チタンアルミニウム膜が実現でき、・・・」と記載されている。
　してみれば、甲第１号証には、六方晶ＡｌＮを含有するＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層が記載されているとはいえないし、また、甲第１号証に記載された被覆工具の窒化チタンアルミニウム膜について、六方晶ＡｌＮを含有するものとすることには阻害要因があるといえる。
　また、申立人は特許異議申立書第４６ページにおいて、甲第１号証の【００１２】に記載された被覆条件や、図１に示されたＸ線回折パターン図からみて、上記甲第１号証に記載された窒化チタンアルミニウム膜には、六方晶ＡｌＮがごく微量含まれるとみることが自然であると主張している。
　しかしながら、図１に示されたＸ線パターン図は、Ａｌ含有量が３４．６質量％である試料番号１１のものであって、Ａｌ含有量の大きい試料番号２９〜３１のものではないし、試料番号２９〜３１において、窒化チタンアルミニウムに該当しないピークにおいてまで、図１と同様のＸ線回折パターンが得られることが明らかであるともいえない。
　加えて、申立人は図１の（１１１）の低角側に観察されるピークが六方晶ＡｌＮによるものと強く推認されるとも主張しているが、ピークの位置や強度比を分析したものではなく、根拠がないから採用できない。
（ウ）甲第２、３号証を主たる引用例とする理由について
　甲第２号証は、改善された特性を有する耐摩耗性コーティングによって、切削工具の性能を向上させることに関するものであって（Abstract）、第２２１ページの図２には、ＡｌＣｌ３／ＴｉＣｌ４＝５．１、温度８５０℃の条件で形成されたＴｉＡｌＮ膜が、六方晶ウルツ鉱相（六方晶ＡｌＮ）のピークを有することが記載されている。
　また、第２２４ページの「４．Ｓｕｍｍａｒｙ」には、８００〜９００℃で形成されたアルミニウムに富んだＣＶＤ−Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ層（ｘ＝０．８〜０．９）について、塩素含有量は１原子％以下であることも記載されている。
　甲第３号証は、ＣＶＤにより作成された少なくとも１のＴｉ１−ｘＡｌｘＮ硬質皮膜により被覆されている物体に関するものであって（第３ページ第１６〜１８行）、第５〜６ページの「例２」には、Ｓｉ３Ｎ４切削セラミックからなるチップに、厚さ１μｍの窒化チタン層を形成し、その後、ＣＶＤ法により立方晶のＴｉ１−ｘＡｌｘＮと六方晶のＡｌＮとの混合物による層を形成したことが記載されている。
　しかしながら、上記甲第２、３号証には、形成されたＴｉ１−ｘＡｌｘＮ層を中間層とし、その上にＡｌ２Ｏ３層を外層として配置することについて、記載も示唆もない。
　また、本件特許発明は、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層を中間層とし、その上にＡｌ２Ｏ３層が外層として配置されていることによって、本件特許明細書【００１１】、【００１３】に記載のとおり、熱伝導率の低いＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層によって優れた断熱性が得られ、外層のＡｌ２Ｏ３層によって耐酸化性及び高い耐摩耗性が得られるという作用効果を奏するものである。
　しかしながら、甲第２、３号証に記載の発明は、いずれもＴｉ１−ｘＡｌｘＮ膜により耐摩耗性を付与しようとするものであって、Ｔｉ１−ｘＡｌｘＮ膜が断熱性を有することについては記載も示唆もない。
　したがって、上記本件特許発明の作用効果は、甲第２、３号証の記載から当業者に予測し得ないものである。
（エ）甲第５号証を主たる引用例とする理由について
　甲第５号証は、耐摩耗被覆を有する、特に切削インサートのための工具に関するものであって（第２ページ第３〜４行）、第２ページの末尾〜第３ページには、「ＰＶＤ　ＴｉＡｌＮ＋ＣＶＤ−ＩＩ」として、ＰＶＤ法によりＴｉＡｌＮ層を被覆し、次にＣＶＤによりＴｉＣＮ層、α−Ａｌ２Ｏ３層、ＴｉＮ層を被覆したことが記載されている。
　しかしながら、ＴｉＡｌＮ層について、本件特許発明のＣＶＤと被覆方法が異なり、アルミニウムのモル比（ｘ）が不明であり、また、ＴｉＡｌＮ層が六方晶ＡｌＮを含有するものともいえない。
　そして、甲第５号証の第２ページ第１５〜１８行目に記載のとおり、上記甲第５号証に記載の発明は、ＰＶＤとＣＶＤ層との適切な組み合わせの金属炭化物又はサーメットを提供することを目的とするものであるから、ＴｉＡｌＮ層の被覆方法をＰＶＤからＣＶＤに変更することには阻害要因があるといえる。
（オ）甲第７号証を主たる引用例とする理由について
　甲第７号証は、アルミナを被覆した切削工具に関するものであって（【０００１】）、その実施例（【０００８】〜【００１３】）には、超硬合金に、ＴｉＮ層、ＴｉＣＮ層、Ｔｉ／Ａｌ比率が２５／７５であるＴｉＡｌＣＮ層、アルミナ層を順に被覆した、切削用超硬合金のチップが記載されている。
　しかしながら、上記ＴｉＡｌＣＮ層が六方晶ＡｌＮを含有しているとはいえない。
　申立人は特許異議申立書第５９ページにおいて、ＴｉＡｌＮ層を形成するにあたって、Ｈ２、Ｎ２、ＴｉＣｌ４、ＡｌＣｌ３の混合ガスを用いており、これらガスの反応によって六方晶ＡｌＮが必ず生成されることは明らかであると主張するが、かかる主張は根拠がないから採用できない。
　また、上記甲第７号証に記載された発明において、ＴｉＡｌＣＮ層に六方晶ＡｌＮを含有させる動機付けとなる記載も示唆も見いだせない。
（カ）小括
　上記のとおりであるから、本件特許発明は、甲第１号証に記載された発明ではなく、また、本件特許発明は、甲第１〜３、５、７号証のいずれかを主たる引用例とし、甲第１〜７号証に記載された技術事項を組み合わせても、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
イ　特許法第３６条第６項第２号、同項第１号、同条第４項第１号
（ア）申立人は、本件特許発明の特定事項である「層の上」、「層の下」について、当該層に接して上又は下を特定しているのか、あるいは、接することなく上方又は下方というのか、多義的に解することができるから、不明確であると主張する。
　しかしながら、本件特許発明における「層の上」、「層の下」は、基材から遠い側（上）であるか、基材側（下）であるかを意味するものと解され、上ないし下に位置する層と直接接しているか否かを特定しようとするものではない。
　また、例えば本件特許明細書【００１７】にも記載のとおり、本件特許発明は、その作用効果を損なわない範囲で、他の層を存在させることもできるものである。
　したがって、申立人の主張は採用できず、この点について、本件特許発明は明確である。
（イ）申立人は、本件特許明細書の【００１１】に、本件特許発明の解決すべき課題について、「その被膜が、・・・熱輸送に関してより良い断熱効果を有する物体を提供すること」であることが記載されているところ、本件特許明細書には、前記課題が解決されたことを客観的に裏付ける記載がなく、また、本件特許発明は、断熱効果を有する層の厚みを特定するものでもないから、本件特許発明は上記課題を解決できるとはいえないと主張する。
　しかしながら、断熱効果を有する層の厚みを厚くすれば、断熱効果が向上することは明らかであるから、当業者であれば、所望の断熱効果に応じて層の厚さを定めることができ、上記課題を解決できるものといえる。
　よって、申立人の主張は採用できず、この点は、本件特許明細書によりサポートされている。
（ウ）申立人は、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層自体の形成、更にこれらの層に含まれる六方晶ＡｌＮの量を制御し、２５％以下で必ず含有するようにするためには、原料ガス組成、温度、圧力など多数のパラメータの制御が必要といえるにもかかわらず、本件特許明細書には、【００２１】に、原料ガス種と広範な被覆温度範囲のみが開示されているにすぎず、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層の中の立方晶ＡｌＮの量をどのようにして制御し、２５％以下で必ず含有できるようにするかについて、技術常識を踏まえても指針となる記載がないから、本件特許明細書には、請求項１〜７に係る発明の物体が、発明の解決すべき課題を解決することや、実際に製造し得ることが、当業者に理解できるように記載されているとはいえないと主張する。
　上記主張について検討するに、まず、３．（１）（オ）で説明したとおり、本件特許明細書【０００３】、【０００６】の記載から、アルミニウムの含有率や温度が、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層中の六方晶ＡｌＮ量に影響を与えることを理解できるから、当業者であれば、本件特許明細書の記載から、立方晶ＡｌＮの量を２５（質量）％以下としたＴｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層を製造できるものといえる。
　また、本件特許明細書【００１１】に記載のとおり、本件特許発明が解決しようとする課題は、熱輸送に関してより良い断熱効果を有する物体を提供することであるところ、３．（１）（エ）で説明したとおり、Ｔｉ１−ｘＡｌｘ（Ｃ）Ｎ層中の柔らかい六方晶ＡｌＮは、強靱性及び破壊耐性を増加させるものであるから、当業者であれば、２５（質量）％以下の立方晶ＡｌＮが、上記本件特許発明の課題の解決を妨げるものではないことを理解できる。
　したがって、申立人の主張は採用できず、この点について、本件特許発明は本件特許明細書によりサポートされており、本件特許明細書の記載に基づいて実施することもできる。
第４　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜４、６、７に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜４、６、７に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　そして、請求項５に係る特許は、訂正により削除されたため、本件特許の請求項５に対して、特許異議申立人　松尾　三佐子がした特許異議の申立てについては、対象となる請求項が存在しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年９月２２日（２０１７．９．２２）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　硬質材料で被覆され、複数のＣＶＤ層を有する物体であって、
　０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
　【請求項２】
　前記ＣＶＤ　Ａｌ２Ｏ３外層と、前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
　【請求項３】
　
前記中間層が、塩素含有率が３原子％以下である
および塩素含有率が３原子％以下である
Ｎからなる群から選ばれる一種以上で
であり、且つ
　【請求項４】
　前記外層の厚さが１μｍ以上５μｍ以下の範囲内であり、前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
からなる中間層
　【請求項５】
　
（削除）
　【請求項６】
　超硬合金、サーメット、またはセラミックからなる基体本体上に、ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層をＣＶＤ被覆により形成すること、
　前記ＴｉＮ層および／またはＴｉＣＮ層上に、０．７≦ｘ≦０．９であ
り塩素含有率が３原子％以下である
層お
０．７≦ｘ≦０．９であり塩素含有率が３原子％以下である
減圧
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
層お
塩素含有率が３原子％以下である
　前記
塩素含有率が３原子％以下である
塩素含有率が３原子％以下である
　硬質材料で被覆された物体の製造方法。
　【請求項７】
　前記硬質材料で被覆された物体が、請求項２〜
４