(57)【要約】  第１面７ａと第２面７ｂとを有する圧電基板７と、第１面７ａに配置された、弾性波を励振する電極部５と、圧電基板７の第２面７ｂに接合されるとともに、圧電基板７を構成する材料に比べて線膨張係数の小さい材料からなる支持基板９と、を備え、電極部５は、第１面７ａの法線からずれた第１方向および第２方向の２方向に配向している第１領域および第２領域からなる。
2017111170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と第２面とを有する圧電基板と、
前記第１面に配置された、弾性波を励振する電極部と、
前記圧電基板の前記第２面に接合されるとともに、前記圧電基板を構成する材料に比べて線膨張係数の小さい材料からなる支持基板と、を備え、
前記電極部は、ロッキングカーブ測定でダブルピークとなるように、前記第１面の法線からずれた第１方向および第２方向の２方向に配向している第１領域と第２領域とを含む、弾性波素子。
【請求項２】
前記電極部はＡｌを主成分とし、前記第１領域の前記第１方向および前記第２領域の前記第２方向は、Ａｌ（１１１）面が、前記第１面の法線から０°を超え、４°未満の角度で傾いている、請求項１に記載の弾性波素子。
【請求項３】
前記第１方向と前記第１面の法線とでなす角度の絶対値と、前記第２方向と前記第１面の法線とでなす角度の絶対値とが略同一である、請求項１または２に記載の弾性波素子。
【請求項４】
前記第１方向と前記第２方向とを前記第１面に投影したときの第１投影方向と第２投影方向とは、前記弾性表面波が伝搬する方向である、請求項１乃至３のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項５】
前記電極部は、Ａｌを主成分としてＭｇが添加されている、請求項１乃至４のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項６】
前記電極部は、段差部を備えている、請求項１乃至５のいずれかに記載の弾性波素子。
【請求項７】
前記段差部は、１つの結晶粒中に構成されている、請求項６に記載の弾性波素子
【請求項８】
アンテナと、
前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されており、請求項１乃至７のいずれかの弾性波素子を備える受信フィルタおよび送信フィルタを備える分波器と、
前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、
を有している通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波を用いた弾性波素子および当該弾性波素子を有する通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電基板と、当該圧電基板の上面に設けられ、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）を励振するＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極とを有している弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）が知られている（例えば特許文献１）。【０００３】
特許文献１では、圧電基板を単体でＳＡＷ共振子に用いるのではなく、圧電基板と当該圧電基板に比較して熱膨張係数の小さい支持基板とを貼り合せた貼り合せ基板をＳＡＷ素子に用いている。このような貼り合せ基板を利用することによって、例えば、温度変化によるＳＡＷ共振子の電気特性変化が補償される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−２２９９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなＳＡＷ素子において、所望の電気特性を安定して実現することが求められている。本開示はかかる事情のもとに案出されたものであり、その目的は、所望の電気特性を安定して発現する信頼性の高いＳＡＷ素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一態様に係る弾性波素子は、圧電基板と電極部と支持基板とを備えている。圧電基板は、第１面と第２面とを有する。電極部は、前記第１面に位置し、弾性波を励振する。支持基板は、前記圧電基板の前記第２面に接合されるとともに、前記圧電基板を構成する材料に比べて線膨張係数の小さい材料からなる。そして、前記電極部は、ロッキングカーブ測定でダブルピークとなるように、前記第１面の法線からずれた第１方向および第２方向の２方向に配向している第１領域および第２領域を含む。【０００７】
本開示の一態様に係る通信装置は、アンテナと、前記アンテナに前記アンテナ端子が接続されており、上記弾性波素子を備える受信フィルタおよび送信フィルタを備える分波器と、前記送信フィルタおよび前記受信フィルタに接続されているＩＣと、を有している。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成によれば、所望の電気特性を安定して発現する信頼性の高い弾性波素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の実施形態に係る弾性波共振子の構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線における要部断面図である。
【図３】図３（ａ）は，比較例にかかる電極部のロッキングカーブ測定結果を示す線図である。図３（ｂ）は、実施例にかかる電極部のロッキングカーブ測定結果を示す線図である。
【図４】（ａ）は、実施例にかかる電極部の極点図である。図４（ｂ）は実施例にかかる電極部の極点図の要部拡大図である。
【図５】電極部の変形例を示す断面図である。
【図６】図５に示す電極部を透過型電子線で観察した結果を示す図である。
【図７】分波器を示す模式図である。
【図８】分波器の利用例としての通信装置を示すブロック図である。
【図９】電極部の模式的な要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜弾性波素子＞
以下、本開示の実施形態に係る弾性波素子について、図面を参照して説明する。この例では、弾性波素子としてＳＡＷを用いたＳＡＷ素子を用いて説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１１】
ＳＡＷ素子は、いずれの方向が上方または下方とされてもよいものであるが、以下では、便宜的に、Ｄ１軸、Ｄ２軸およびＤ３軸からなる直交座標系を定義するとともに、Ｄ３軸の正側を上方として、上面、下面等の用語を用いることがある。
【００１２】
（ＳＡＷ素子の構成の概要）
図１は、本発明の実施形態に係る弾性波素子１（ＳＡＷ素子１）の構成を示す平面図である。図２は、図１のII−II線における要部断面図である。
【００１３】
ＳＡＷ素子１は、弾性波としてＳＡＷを利用する。ＳＡＷ素子１の構成は、具体的には、以下の通りである。
【００１４】
ＳＡＷ素子１は、例えば、貼り合せ基板３と、貼り合せ基板３の上面に構成された電極部５とを有している。ＳＡＷ素子１は、この他、ＳｉＯ2等からなり、電極部５を覆う保護層６を有していてもよい。
【００１５】
貼り合せ基板３は、例えば、圧電基板７と、圧電基板７の下面（第２面）７ｂに貼り合わされた支持基板９（図２）とを有している。なお、図２では、圧電基板７のＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸の一例を示している。
【００１６】
圧電基板７は、例えば、圧電性を有する単結晶基板によって構成されている。単結晶基板は、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）または水晶（ＳｉＯ2）からなる。カット角は適宜なものとされてよい。例えば、タンタル酸リチウムであれば、４２°±１０°Ｙ−Ｘカット，０°±１０°Ｙ−Ｘカットなどである。ニオブ酸リチウムであれば、１２８°±１０°Ｙ−Ｘカットまたは６４°±１０°Ｙ−Ｘカットなどである。
【００１７】
なお、以下では、主として圧電基板７がタンタル酸リチウムからなる３８°以上４８°以下Ｙ−Ｘカットである態様を例にとって説明するものとする。特に断りがない限り、後述するシミュレーション結果等は、タンタル酸リチウムからなる３８°以上４８°以下Ｙ−Ｘカットのものである。確認的に記載すると、このＹ−Ｘカットでは、Ｘ軸回りにＹ軸からＺ軸へ３８°以上４８°以下の角度で回転したＹ′軸（不図示）に主面が直交する。
【００１８】
圧電基板７の厚みは、例えば、圧電基板７の平面方向全体に亘って一定であり、１μｍ〜３０μｍを例示できる。
【００１９】
支持基板９は、例えば、圧電基板７の材料よりも熱膨張係数が小さい材料によって形成されている。これによって、ＳＡＷ素子１の電気特性の温度変化を補償することができる。このような材料としては、例えば、シリコン等の半導体、サファイア等の単結晶および酸化アルミニウム質焼結体等のセラミックを挙げることができる。なお、支持基板９は、互いに異なる材料からなる複数の層が積層された積層体であってもよいし、ベース基板に複数層が積層されたもので構成されていてもよい。
【００２０】
支持基板９の厚みは、例えば、支持基板９の平面方向全体に亘って一定であり、その大きさは、ＳＡＷ素子１に要求される仕様等に応じて適宜に設定されてよい。ただし、支持基板９の厚みは、温度補償が好適に行われたり、圧電基板７の強度を補強したりできるように、圧電基板７の厚みよりも厚くされる。一例として、支持基板９の厚みは１００μｍ以上３００μｍ以下である。支持基板９の平面形状および各種寸法は、例えば、圧電基板７と同等である。
【００２１】
圧電基板７および支持基板９は、例えば、不図示の接着層を介して互いに貼り合わされている。接着層の材料は、有機材料であってもよいし、無機材料であってもよい。有機材料としては、例えば、熱硬化性樹脂等の樹脂が挙げられる。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2が挙げられる。また、圧電基板７および支持基板９は、接着面をプラズマなどで活性化処理した後に接着層無しに貼り合わせる、いわゆる直接接合によって貼り合わされていても良い。さらに、圧電基板７と支持基板９との間に中間層があってもよい。
【００２２】
電極部５の構成は、例えば、いわゆる１ポートＳＡＷ共振子のための電極部と同様の構成とされている。すなわち、電極部５は、ＩＤＴ電極１１と、ＩＤＴ電極１１の両側に位置する１対の反射器１３とを有している。
【００２３】
ＩＤＴ電極１１は、圧電基板７の上面(第１面)７ａに形成された導電パターン（導電層）によって構成されており、図１に示すように１対の櫛歯電極１５を有している。
【００２４】
１対の櫛歯電極１５は、例えば、互いに対向するバスバー１７（図１）と、バスバー１７からバスバー１７の対向方向に延びる複数の電極指１９と、複数の電極指１９の間においてバスバー１７から突出するダミー電極２１とを有している。そして、１対の櫛歯電極１５は、複数の電極指１９が互いに噛み合うように（交差するように）配置されている。
【００２５】
バスバー１７は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向、Ｘ軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されている。１対の櫛歯電極１５のバスバー１７は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向（Ｄ２軸方向）において対向している。
【００２６】
複数の電極指１９は、例えば、概ね一定の幅でＳＡＷの伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に直線状に延びる長尺状に形成されており、ＳＡＷの伝搬方向（Ｄ１軸方向，Ｘ方向）に概ね一定の間隔で配列されている。
【００２７】
一般に、ＳＡＷ共振子においては、１対の櫛歯電極１５の複数の電極指１９は、そのピッチｐ（例えば電極指１９の中心間距離：図２のＰｔ１）が、共振させたい周波数でのＳＡＷの波長λの半波長（λ／２）と同等となるように設けられている。なお、ＳＡＷの波長λは、例えば、１．５μｍ以上６μｍ以下である。
【００２８】
ＳＡＷ共振子と同様に、複数の電極指１９の一部においては、そのピッチｐが相対的に小さくされたり、逆に、ピッチｐが相対的に大きくされたりしてもよいし、また、ピッチｐが通常のピッチｐの整数倍となるいわゆる間引きが行われてもよい。なお、本実施形態において、単にピッチｐという場合、特に断りがない限り、上記のような特異な部分（狭ピッチ部、広ピッチ部または間引き部等）を除いた部分（複数の電極指１９の大部分）のピッチｐまたはその平均値をいうものとする。また、同様に、特に断りがない限り、単に電極指１９というときは、特異な部分以外における電極指１９を指すものとする。
【００２９】
複数の電極指１９の本数、長さ（Ｄ２軸方向）および幅（Ｄ１軸方向：図２のｗ１）は、弾性波共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。その設定においては、後述する説明から理解されるように、基本的にはＳＡＷ共振子における考え方を利用できる。一例として、電極指１９の本数は１００以上４００本以下である。電極指１９の長さおよび幅は、例えば、複数の電極指１９間で互いに同等である。
【００３０】
ダミー電極２１は、例えば、一方の櫛歯電極１５において複数の電極指１９の中間位置にてバスバー１７から突出しており、その先端は、他方の櫛歯電極１５の電極指１９の先端とギャップを介して対向している。ダミー電極２１の長さおよび幅は、例えば、複数のダミー電極２１間で互いに同等である。
【００３１】
反射器１３は、例えば、圧電基板７の上面７ａに形成された導電パターン（導電層）によって構成されており、平面視において格子状に形成されている。すなわち、反射器１３は、ＳＡＷの伝搬方向に交差する方向において互いに対向する１対のバスバー（符号省略）と、これらバスバー間において弾性波（例えばＳＡＷ）の伝搬方向に直交する方向（Ｄ２軸方向）に延びる複数のストリップ電極（符号省略）とを有している。
【００３２】
反射器１３の複数のストリップ電極は、複数の電極指１９の配列に続くようにＤ１軸方向に配列されている。ストリップ電極の本数および幅は、弾性波共振子１に要求される電気特性等に応じて適宜に設定されてよい。複数のストリップ電極のピッチは、例えば、複数の電極指１９のピッチと同等である。また、反射器１３の端部のストリップ電極とＩＤＴ電極１１の端部の電極指１９との間隔は、例えば、複数の電極指１９のピッチｐと同等である（ピッチｐの整数倍でもよい。）。
【００３３】
ＩＤＴ電極１１および反射器１３等を構成する導体層は、例えば、金属により構成されている。この金属としては、例えば、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金（Ａｌ合金）が挙げられる。Ａｌ合金は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金である。なお、導体層は、複数の金属層から構成されてもよい。
【００３４】
ＩＤＴ電極１１および反射器１３の厚みは、例えば、これら全体に亘って一定である。
【００３５】
以上のような構成のＳＡＷ素子１においては、まず、ＳＡＷ共振子と同様の作用が生じる。具体的には、一方の櫛歯電極１５に電気信号が入力され、複数の電極指１９によって圧電基板７に電圧が印加されると、圧電基板７の上面付近において、当該上面に沿って伝搬するＳＡＷが誘起される。このＳＡＷは、複数の電極指１９および反射器１３の複数のストリップ電極によって反射される。その結果、電極指１９のピッチｐを概ね半波長（λ／２）とするＳＡＷの定在波が形成される。定在波は、圧電基板７の上面に電荷（定在波と同一周波数の電気信号）を生じさせ、その電気信号は他方の櫛歯電極１５の複数の電極指１９によって取り出される。
【００３６】
（電極部５の結晶性について）
ここで、電極部５について詳述する。ＳＡＷ素子１において、電極部５は、結晶面の法線角度が、第１面７ａの法線ａ０（Ｄ３軸）からずれた第１方向ａ１および第２方向ａ２に配向している第１領域５ａ，第２領域５ｂからなる。言い換えると、電極部５は結晶方位が異なる２領域を備えるものである。さらに言い換えると、電極部５は、ロッキングカーブ測定でダブルピークとなるような結晶性を備えている。
【００３７】
ここで、第１領域５ａは第１方向ａ１に配向した複数の第１ドメインからなる。なお、電極部５のサイズ等によっては、１つのドメインで構成されていてもよい。同様に、第２領域５ｂは第２方向ａ２に配向した１以上の第２ドメインからなる。
【００３８】
図２では、第１方向ａ１および第２方向ａ２は、第１面７ａに投影したときにＤ１方向の成分をもつように傾いている例を示しているが、Ｄ２方向の成分を持つように傾いていてもよい。
【００３９】
貼り合せ基板３上に形成される電極部５は、通常の圧電基板のみからなる基板上に形成される場合に比べて膜応力が高くなる。このため、電極部５が一方向にのみ配向したドメインで構成される場合には、その後の工程や使用環境による温度変化により更なる応力が加わった場合には結晶性が変化してしまい、その結果、電気特性が設計時から変化する虞がある。
【００４０】
なお、貼り合せ基板３上に形成された電極部５が、通常の圧電基板のみからなる基板上に形成される場合に比べて膜内部に歪、応力が大きくなっていることは、結晶方位差測定により確認している。結晶方位差は局所歪に対応するものであり、電極層の面内における分布を確認したところ、貼り合せ基板３上に形成された電極部５は局所的に歪が大きくなっている部分が点在している。
【００４１】
これに対して、本実施形態のＳＡＷ素子１では、電極部５を２方向に配向したドメインの集合体で構成している。すなわち、電極部５は双晶となっている。このような構成とすることで、電極部５を形成した段階で、膜応力が解放されており、その後の工程や使用環境による温度変化により更なる応力が加わった場合であっても、結晶性の変化を抑制し、その結果、設計時の電気特性を安定して発現できるものとなる。
【００４２】
特に、図９に示すように、圧電基板７の第１面７ａから離れるにつれて互いに離間するように第１領域５ａ，第２領域５ｂが形成されている場合には、振動時においても応力が解放されるため電気特性の安定したＳＡＷ素子１を提供することができる。さらに振動強度の最も強い圧電基板７側において結晶粒界を減らすことができるので、耐電力性に優れたＳＡＷ素子１を提供することができる。
【００４３】
ここで、実施例として、貼り合せ基板３の上に結晶方位が異なる２領域を備える電極部５を形成し、比較例として一方向に配向した電極部を形成し、両者の膜特性およびＳＡＷ素子としての電気特性を測定した。基本的な条件は下記の通りである。
【００４４】
圧電基板７：（材料）ＬｉＴａＯ3
（カット角）４６．３°
電極部５  ：（材料）１重量％Ｃｕを添加したＡｌ
（厚み）１５４０Å
（下地層）６０Å厚のＴｉ層
（製膜方法）スパッタリング法
実施例の電極部と比較例の電極部とでは、成膜条件、成膜方法を異ならせた。例えば、実施例の電極部は比較例に比べて成膜速度・成膜温度を早く、高くしたりすることで結晶性を制御することができる。また、下地層に傾斜をもたせてその上の成長させる結晶の成長方向を制御することもできる。このような実施例、比較例の電極部について、ロッキングカーブ測定および極点図測定を行った。その結果を、図３（ａ），（ｂ）に示す。図３（ａ）は比較例にかかる電極部のロッキングカーブ測定の結果であり、図３（ｂ）は実施例にかかる電極部のＡｌ（１１１）面のピーク近傍におけるロッキングカーブ測定結果である。図の横軸はΩ（°）を表し、縦軸は強度を表す。
【００４５】
図３（ａ）に示す通り、比較例にかかる電極部はＡｌ（１１１）面が一方向に配向している様子が確認できた。これに対して、実施例にかかる電極部は、図３（ｂ）に示すように、Ａｌ（１１１）面が法線ａ０方向から２方向（ａ１，ａ２）に傾いている様子が確認された。
【００４６】
ここで、実施例のＳＡＷ素子１と比較例のＳＡＷ素子との電気特性を比較したところ、第１方向ａ１，第２方向ａ２の法線ａ０からの傾きの角度が４°未満の場合には、電気特性に差異は確認されなかった。これに対して、実施例および比較例のＳＡＷ素子を加熱した後に再度電気特性を確認したところ、実施例に係るＳＡＷ素子１は変化が殆どなかったのに対して、比較例に係るＳＡＷ素子は電気特性が変化していることを確認した。
【００４７】
同様に、実施例、比較例のＳＡＷ素子に対して、耐電力性を確認したところ、第１方向ａ１，第２方向ａ２の法線ａ０からの傾きの角度が４°未満の場合には、両者に差異はなかった。
【００４８】
以上より、実施例にかかるＳＡＷ素子１は、電極部５の結晶性の変化を抑制し、その結果、設計時の電気特性を安定して発現できることを確認した。
【００４９】
なお、電極部５は、第１方向ａ１と第１面７ａの法線ａ０とでなす角度の絶対値と、第２方向ａ１と第１面７ａの法線ａ０とでなす角度の絶対値とが略同一としてもよい。その場合には、第１領域５ａ，第２領域５ｂとで均衡がとれるため、安定した特性を得ることができる。
【００５０】
さらに、電極部５は、図２に示すように、第１方向ａ１と第２方向ａ２とを第１面７ａに投影したときの第１投影方向ａ１０と第２投影方向ａ２０とを、ＳＡＷが伝搬する方向（Ｄ１）としてもよい。この場合には、ＳＡＷの伝播方向と第１投影方向ａ１０および第２投影方向ａ２０とが一致する。
【００５１】
ここで、図４に、電極部５の極点図を測定した結果を示す。極点図測定には、Ｘ線回折（ＸＲＤ）や電子線後方散乱回折法（ＥＢＳＤ）により測定すればよいが、この例ではＥＢＳＤによる測定を行なった。図４は、ＳＡＷの伝播方向（Ｄ１，Ｘ）を紙面の上下方向となるように基板３を配置して測定した結果を示している。図４（ｂ）は図４（ａ）の破線で囲んだ中央付近を拡大したものである。図４からも明らかなように、実施例にかかる電極部５では、ＳＡＷの伝播方向に沿って結晶面の法線が傾いている様子を確認できた。
【００５２】
結晶性が分かれる方向とＳＡＷの伝播方向とが一致する場合には、ＳＡＷによる振動で応力が加わる方向において、予め２方向に分けて配向させた結晶を用いているため、負荷のかかる方向において電極部５の応力が解放されており、耐電力性を高くすることができる。以上より、結晶性が分かれる方向とＳＡＷの伝播方向とを一致させることで、さらに耐電力性に優れ、安定した電気特性を発現できるＳＡＷ素子とすることができる。
【００５３】
結晶性が分かれる方向とＳＡＷの伝播方向とが一致し、さらに、第１投影方向ａ１０と第２投影方向ａ２０とのベクトルの大きさが同じ場合には、負荷のかかる方向において均衡がとれた状態とすることができるので、より耐電力性に優れ、安定した電気特性を発現できるＳＡＷ素子とすることができる。
【００５４】
なお、電極部５の全てが、配向方向が異なる２領域からなっていてもよいし、一部であってもよい。また、配向方向の傾き度合や、第１領域５ａと第２領域５ｂとの割合等は、一様であってもよいし、場所によって異ならせてもよい。
【００５５】
（変形例）
図２に示す例では、電極部５の断面形状は矩形状となっていたが、この例に限定されない。例えば、図５に示すように、１つの材料系からなる１層の電極部５が段差部５ｃを有してもよい。より具体的には、図５において、段差部５ｃの側面はテーパー状となっており、段差部の下側に位置する土台部分の側面もテーパー状となっている。
【００５６】
電極部５をこのような形状とすることにより、電極部５を覆う保護膜のカバレッジを良好にすることができるので、信頼性の高いものとすることができる。さらに、１つの材料系からなる１層の途中に段差部５ｃが形成されていることから、段差部５ｃに積層面が存在せず、その結果、段差部５ｃにおけるマイグレーション耐性を劣化させることがない。このため、信頼性の高いＳＡＷ素子１を提供することができる。
【００５７】
また、段差部５ｃを一つの結晶粒（グレイン）中に形成する場合には、段差部５ｃに沿う結晶界面がないので、更にマイグレーション耐性を高めることができる。
【００５８】
ここで、電極部５を構成する材料として、Ａｌを主成分とする合金にＭｇを添加してもよい。発明者が鋭意遂行を重ねた結果、電極部５を構成するＡｌにＭｇを添加すると、添加しない場合に比べて結晶粒を大きくすることができることを確認した。結晶粒を大きくすることにより、粒界を減らすことができ、その結果、耐電力性を高めることができる。
【００５９】
また、Ａｌ中にＭｇを添加すると、ＭｇがＡｌの結晶粒内に固溶することとで結晶内に歪が生じ、その歪が格子欠陥の移動に対する抵抗となる。このため、ＳＡＷ素子１の耐電力が向上することが期待できる。
【００６０】
図６に、このような電極部５の断面観察結果を示す。図５は、Ａｌに１重量％のＣｕ１重量％のＭｇを添加した材料を用いて電極部５を形成し、その断面を透過型電子顕微鏡で確認した図である。
【００６１】
通常、電極指の幅方向に５〜１０程度の結晶粒が配列されるのに対して、Ｍｇを添加することにより、少ない数（図中においては３つ）の結晶粒で構成されていることが分かる。このように、電極部５を構成する１つ１つの結晶サイズを大きくすることで、粒界を少なくして耐電力性を高めることができる。
【００６２】
なお、Ｍｇは、結晶粒界の格子欠陥を少なくするめに、Ｃｕと共に添加することが好ましい。
【００６３】
＜ＳＡＷ素子の利用例＞
以下、ＳＡＷ素子１の利用例として、分波器および通信装置について説明する。
【００６４】
（分波器）
図７は、ＳＡＷ素子１の利用例としての分波器１０１を示す模式図である。
【００６５】
分波器１０１は、例えば、送信端子１０５からの送信信号をフィルタリングしてアンテナ端子１０３へ出力する送信フィルタ１０９と、アンテナ端子１０３からの受信信号をフィルタリングして１対の受信端子１０７に出力する受信フィルタ１１１とを有している。
【００６６】
送信フィルタ１０９は、例えば、ラダー型に接続された１以上の直列共振子Ｓ１〜Ｓ３および１以上の並列共振子Ｐ１〜Ｐ３を有している。
【００６７】
受信フィルタ１１１は、例えば、縦結合多重モード（２重モードを含むものとする）型共振子フィルタ１７で構成される。なお、その前段に共振子１８を備えていてもよい。
【００６８】
このような送信フィルタ１０９、受信フィルタ１１１を構成するＳＡＷ共振子の少なくとも１つは、ＳＡＷ素子１によって構成されている。
【００６９】
（通信装置）
図８は、ＳＡＷ素子１の利用例としての通信装置１５１の要部を示すブロック図である。
【００７０】
通信装置１５１は、電波を利用した無線通信を行うものである。通信装置１５１は、上述した分波器１０１を有していることによって、ＳＡＷ素子１を利用している。具体的には、以下のとおりである。
【００７１】
通信装置１５１において、送信すべき情報を含む送信情報信号ＴＩＳは、ＲＦ−ＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）１５３によって変調および周波数の引き上げ（搬送波周波数の高周波信号への変換）がなされて送信信号ＴＳとされる。送信信号ＴＳは、バンドパスフィルタ１５５によって送信用の通過帯以外の不要成分が除去され、増幅器１５７によって増幅されて分波器１０１（送信端子１０５）に入力される。そして、分波器１０１は、入力された送信信号ＴＳから送信用の通過帯以外の不要成分を除去し、その除去後の送信信号ＴＳをアンテナ端子１０３からアンテナ１５９に出力する。アンテナ１５９は、入力された電気信号（送信信号ＴＳ）を無線信号（電波）に変換して送信する。
【００７２】
また、通信装置１５１において、アンテナ１５９によって受信された無線信号（電波）は、アンテナ１５９によって電気信号（受信信号ＲＳ）に変換されて分波器１０１に入力される。分波器１０１は、入力された受信信号ＲＳから受信用の通過帯以外の不要成分を除去して増幅器１６１に出力する。出力された受信信号ＲＳは、増幅器１６１によって増幅され、バンドパスフィルタ１６３によって受信用の通過帯以外の不要成分が除去される。そして、受信信号ＲＳは、ＲＦ−ＩＣ１５３によって周波数の引き下げおよび復調がなされて受信情報信号ＲＩＳとされる。
【００７３】
なお、送信情報信号ＴＩＳおよび受信情報信号ＲＩＳは、適宜な情報を含む低周波信号（ベースバンド信号）でよく、例えば、アナログの音声信号もしくはデジタル化された音声信号である。無線信号の通過帯は、ＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunications System）等の各種の規格に従ったものでよい。送信用の通過帯と、受信用の通過帯とは、通常、互いに重なっていない。変調方式は、位相変調、振幅変調、周波数変調もしくはこれらのいずれか２つ以上の組み合わせのいずれであってもよい。また、図８は、要部のみを模式的に示すものであり、適宜な位置にローパスフィルタやアイソレータ等が追加されてもよいし、また、増幅器等の位置が変更されてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１…弾性波素子、３…貼り合わせ基板、５・・・電極部、７…圧電基板、９…支持基板、１１…ＩＤＴ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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