(57)【要約】  多層基板（１０１）は、第１樹脂基材（１）、第２樹脂基材（２）および接合層（１０）が加熱プレスされてなる積層体を含む。第１樹脂基材（１）の第１面（Ｓ１）には、表面がめっき膜である第１導体パターン（ＣＰ１）が形成されていて、第２面（Ｓ２）には、表面がめっき膜である第２導体パターン（ＣＰ２）が形成されている。第２樹脂基材（２）の第３面（Ｓ３）には、表面がめっき膜である第３導体パターン（ＣＰ３）が形成されていて、第４面（Ｓ４）には、表面がめっき膜である第４導体パターン（ＣＰ４）が形成されている。第１導体パターン（ＣＰ１）は第２導体パターン（ＣＰ２）よりも一方の最外層寄りに位置し、第２導体パターン（ＣＰ２）は第１導体パターン（ＣＰ１）よりも薄い。
2018097112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である、複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する第１樹脂基材と、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する第２樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、前記第１面に形成され、表面がめっき膜である第１導体パターンと、前記第２面に形成され、表面がめっき膜である第２導体パターンと、前記第３面に形成され、表面がめっき膜である第３導体パターンと、前記第４面に形成され、表面がめっき膜である第４導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターンは他の導体パターンとは対向せず、前記第２導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第２導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第１導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄く、
前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層が積層され熱圧着された、
多層基板。
【請求項２】
前記接合層は前記複数の樹脂基材に比べて所定のプレス温度での流動性が高い、請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第３導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第４導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄い、請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記複数の導体パターンの少なくとも一部は前記樹脂基材に埋設されている、請求項１から３のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
前記第１導体パターン、前記第２導体パターン、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンは、下地が金属箔であり、前記めっき膜の膜厚は、前記下地の厚さよりも厚い、請求項１から４のいずれかに記載の多層基板。
【請求項６】
前記金属箔は銅箔であり、前記めっき膜は銅めっき膜である、請求項５に記載の多層基板。
【請求項７】
前記複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成されるめっき膜の厚い導体パターンとめっき膜の薄い導体パターンとを含み、
前記複数の導体パターンのうち、前記接合層を介して対向する導体パターンは、平面視で、一部が重なり、前記薄い導体パターンと前記厚い導体パターンとの対、または前記薄い導体パターンと前記薄い導体パターンとの対を成す、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
【請求項８】
前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンは、前記めっき膜の厚い導体パターンであり、前記第２導体パターンおよび前記第４導体パターンは、前記めっき膜の薄い導体パターンであり、
前記第２樹脂基材は前記第１樹脂基材より実装面に近い、請求項７に記載の多層基板。
【請求項９】
前記第２導体パターンは前記積層方向の断面において、一定のピッチで配置され、前記第３導体パターンは、前記断面において一定ピッチで配置され、且つ前記第１導体パターンの配置とは前記ピッチの方向にずれている、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１０】
前記導体パターンはコイル導体パターンである、請求項１から９のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１１】
前記複数の樹脂基材および前記接合層が積層されて構成される積層体のうち、前記第１樹脂基材よりも前記第２樹脂基材に近い実装面に形成された端子電極を更に備える、請求項１から１０のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１２】
前記端子電極は、平面視で前記導体パターンに重ならない位置に形成された、請求項１１に記載の多層基板。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の多層基板と、当該多層基板を実装する回路基板とを備え、
前記回路基板に形成されたパッド電極に前記端子電極が接続された、
多層基板の回路基板への実装構造。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の多層基板を回路基板へ実装する方法であり、
前記多層基板の前記端子電極の形成面とは反対面をホットバーにより加熱し、前記端子電極を前記回路基板に形成されたパッド電極に接続する、
多層基板の実装方法。
【請求項１５】
第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する、熱可塑性の第１樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成し、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する、熱可塑性の第２樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成する、下地パターン形成工程と、
前記第１面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第２面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第２面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第１面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させ、前記第３面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第４面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第３面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第４面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させる、めっき工程と、
前記第１樹脂基材の前記第２面と前記第２樹脂基材の前記第３面との間に、導体パターンが形成されていない接合層を挟み、前記第１面の前記下地パターンおよび当該下地パターンに形成された前記銅めっき膜による導体パターンを、一方の最外層寄りの位置にして、前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層を積層し、熱圧着により一体化する積層体形成工程と、を有する、
多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面に導体パターンが形成された絶縁性樹脂からなる基材が積層され、熱圧着された多層基板、その回路基板への実装構造、その実装方法、およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導体パターンが形成された基材が加熱プレスによって積層されることにより構成される多層基板には、高密度化のため、めっきにより狭ピッチのコイルパターンが形成される場合がある。また、基材の積層数を少なくするために、基材の両面に導体パターンが形成される場合がある。【０００３】
例えば特許文献１には、導体パターンを絶縁性樹脂からなる基材の両面に形成し、その導体パターンにめっき膜を成膜して、積層したコイル部品が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２４８６３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
めっき法により、導体パターンを厚くしたり、隣接導体パターン間隔を狭めたりする方法によれば、めっき膜を厚くする程、導体パターンの断面積が大きくなるので、導体パターンの単位長あたりの抵抗値は低くなる。しかし、めっき浴内のめっき液の対流状況、電気めっきの場合の電極間距離、導体パターンの形状の違い等によってめっき膜の成長レート（析出速度）がばらつく。したがって、めっき膜を厚くするほど膜厚の差が大きくなりやすく、導体パターンの厚み・幅が不均一になりやすい。そのため、隣接する導体パターンの中心間距離を狭くし（挟ピッチにし）高密度で導体パターンを形成すると、導体パターン同士が接触し、短絡が生じやすい。【０００６】
また、樹脂基材が積層されて構成される多層基板である場合に、最外層寄りである程、加熱プレス時の熱を受けやすく、樹脂流動が大きくなりやすい。この樹脂流動によって、導体パターンは層間で短絡しやすい。【０００７】
そこで、本発明の目的は、めっき膜が成膜された導体パターン同士の積層方向での短絡を抑制した多層基板、その多層基板の回路基板への実装構造、その多層基板の実装方法およびその多層基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の多層基板は、
複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である、複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する第１樹脂基材と、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する第２樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、前記第１面に形成され、表面がめっき膜である第１導体パターンと、前記第２面に形成され、表面がめっき膜である第２導体パターンと、前記第３面に形成され、表面がめっき膜である第３導体パターンと、前記第４面に形成され、表面がめっき膜である第４導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターンは他の導体パターンとは対向せず、前記第２導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第２導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第１導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄く、
前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層が積層され熱圧着された、
ことを特徴とする。【０００９】
このように、最外層寄りに、膜厚の厚い第１導体パターンが位置することにより、この熱伝導性の高い第１導体パターンを介して積層体の内部に熱が伝わりやすくなる。そのため、内層の接合のために必要な加熱プレス機の熱量を小さくでき、最外層寄りの樹脂基材に掛かる熱量を相対的に小さくできるので、樹脂流動を伴う変形（熱変形）を抑制できる。【００１０】
また、上記構成により、第１樹脂基材より最外面（上面または実装面）寄りに導体パターンが存在しないため、第１面に形成される導体パターンを厚くしても、その導体パターンと積層方向に対向する導体との短絡は生じない。また、第２面の導体パターンは相対的に薄いため、この第２面の導体パターンと接合層を介して対向する導体パターンとの短絡のおそれが低減される。したがって、複数の導体パターンのすべてが同一厚さのめっき膜を有する導体パターンで、多層基板の積層厚が同じである構造のものに比べて、短絡のおそれが低減される。同じ理由で、多層基板の積層厚を薄くできる。さらに、複数の導体パターンのすべてが薄いめっき膜を有する導体パターンである構造に比べて、低抵抗の導体パターンを備える多層基板が得られる。【００１１】
（２）前記接合層は前記複数の樹脂基材に比べて所定のプレス温度での流動性が高いことが好ましい。このように、接合層がプレス温度で流動しやすくても、プレス時の熱変形による層間短絡は抑制される。【００１２】
（３）前記第３導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第４導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄いことが好ましい。これにより、第２面と第３面とを近づけても、導体パターン同士が接触しにくく、それだけ低背化が図れる。【００１３】
（４）前記複数の導体パターンの少なくとも一部は前記樹脂基材に埋設されていることが好ましい。これにより、導体パターンは、樹脂基材に埋設されている厚み分（すなわち樹脂基材の厚み分）もめっき膜の膜厚として作用する。そのため、積層方向に隣接する導体パターンとの間隔が同じであれば、それだけ導体パターンの断面積を大きくでき、導体パターンの断面積が同じであれば、積層方向に隣接する導体パターンとの間隔を大きくできる。【００１４】
（５）前記第１導体パターン、前記第２導体パターン、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンは、下地が金属箔であり、前記めっき膜の膜厚は、前記下地の厚さよりも厚いことが好ましい。これにより、下地電極はフォトリソグラフィ等により、狭ピッチの（隣接する導体パターンの中心間距離が狭い）導体パターンを形成でき、めっき膜はその成長により、厚み方向のアスペクト比の高い導体パターンとなる。そのため、狭チップでありながら、導体パターンの断面積が大きくなって、単位長あたりの抵抗値を効果的に小さくできる。また、めっき膜の膜厚が厚くなるほど、めっき膜の膜厚の差が顕著となるが、本発明によれば、このようにめっき膜厚が厚くても、上記構造により、短絡が防止される。【００１５】
（６）前記金属箔は銅箔であり、前記めっき膜は銅めっき膜であることが好ましい。これにより、導電率の高い、単位長あたりの抵抗値が低い、導体パターンが容易に構成できる。【００１６】
（７）前記複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成されるめっき膜の厚い導体パターンとめっき膜の薄い導体パターンとを含み、前記複数の導体パターンのうち、前記接合層を介して対向する導体パターンは、平面視で、一部が重なり、前記薄い導体パターンと前記厚い導体パターンとの対、または前記薄い導体パターンと前記薄い導体パターンとの対を成す、ことが好ましい。この構造により、厚い導体パターンと厚い導体パターンとが積層方向に対向せず、その間での短絡が防止される。また、薄い導体パターンと薄い導体パターンとが対向する場合に、めっき膜の膜厚の差が小さいので、層間のマージンを小さくでき（より近づけることができ）、その分、積層体の厚み寸法を小さくできる。【００１７】
（８）前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンは、前記めっき膜の厚い導体パターンであり、前記第２導体パターンおよび前記第４導体パターンは、前記めっき膜の薄い導体パターンであり、前記第２樹脂基材は前記第１樹脂基材より実装面に近いことが好ましい。【００１８】
（９）前記第２導体パターンは前記積層方向の断面において、一定ピッチで配置され、前記第３導体パターンは、前記断面において一定のピッチで配置され、且つ前記第１導体パターンの配置とは前記ピッチの方向にずれていることが好ましい。この構造により、第２導体パターンと第３導体パターンとは、それらの最も厚い箇所が、積層方向から傾いた方向（斜め方向）で対向するので、第２面と第３面との間隔がより狭くても、第２導体パターンと第３導体パターンとの短絡が防止される。【００１９】
（１０）前記導体パターンはコイル導体パターンであることが好ましい。この構造によれば、コイル導体パターンは狭ピッチで導体パターンが配置された構造となるので、熱伝導性が高く、本発明での作用効果が顕著となる。【００２０】
（１１）前記複数の樹脂基材および前記接合層が積層されて構成される積層体のうち、前記第１樹脂基材よりも前記第２樹脂基材に近い実装面に形成された端子電極を更に備えることが好ましい。これにより、この多層基板を回路基板に実装するために、第１樹脂基材に近い表面を加熱加圧することで実装する際に、第１導体パターンと第２導体パターンとの短絡が効果的に抑制される。【００２１】
（１２）前記端子電極は、平面視で前記導体パターンに重ならない位置に形成されていることが好ましい。この構造により、この多層基板を、複数の樹脂基材の積層加熱プレスする際に、または回路基板へ実装する際に、平面視で端子電極に重なる導体パターンに局所的な圧力が掛からず、その局所での短絡が回避できる。【００２２】
（１３）本発明の多層基板の回路基板への実装構造は、
上記（１１）または（１２）に記載の多層基板と、当該多層基板を実装する回路基板とを備え、前記回路基板に形成されたパッド電極に前記端子電極が接続された、ことを特徴とする。【００２３】
上記構造により、第１樹脂基材に近い表面寄りの導体である第１導体パターンの表面積が大きいので、積層体への加熱時の熱伝導率が高い。多層基板を回路基板に実装する際に、多層基板の第１樹脂基材に近い表面がホットバー等で加熱されるが、その熱が端子電極にあるはんだ等の接合材に速やかに伝導し、多層基板を効率よく実装できる。【００２４】
（１４）本発明の多層基板の実装方法は、
上記（１１）または（１２）に記載の多層基板を回路基板へ実装する方法であり、前記多層基板の前記端子電極の形成面とは反対面をホットバーにより加熱し、前記端子電極を前記回路基板に形成されたパッド電極に接続する、ことを特徴とする。【００２５】
上記方法により、ホットバーの熱が端子電極にあるはんだ等の接合材に速やかに伝導し、多層基板を効率よく実装できる。【００２６】
（１５）本発明の多層基板の製造方法は、
第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する、熱可塑性の第１樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成し、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する、熱可塑性の第２樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成する、下地パターン形成工程と、
前記第１面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第２面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第２面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第１面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させ、前記第３面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第４面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第３面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第４面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させる、めっき工程と、
前記第１樹脂基材の前記第２面と前記第２樹脂基材の前記第３面との間に、導体パターンが形成されていない接合層を挟み、前記第１面の前記下地パターンおよび当該下地パターンに形成された前記銅めっき膜による導体パターンを、一方の最外層寄りの位置にして、前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層を積層し、熱圧着により一体化する積層体形成工程と、を有する、ことを特徴とする。【００２７】
上記製造方法によれば、最外面（上面）寄りの導体の表面積が大きく、積層体への加熱時の熱伝導率が高いので、加熱プレス時に積層体全体がより速やかに加熱され、最外面寄りの層だけが先に軟化流動するといった現象が抑制される。そのため、めっき膜の不均一性による層間距離の過度の接近が抑制され、層間ショートが抑制される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、めっき膜が成膜された導体パターン同士の積層方向での短絡が抑制された多層基板、およびその多層基板の回路基板への実装構造が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は本実施形態の多層基板１０１の斜視図である。
【図２】図２（Ａ）は、多層基板１０１の、複数の樹脂基材および接合層の積層前の断面図であり、図２（Ｂ）はその積層後の断面図である。図２（Ｃ）は、図１におけるＡ−Ａ部分での多層基板１０１の断面図である。
【図３】図３は多層基板１０１の積層時の断面図である。
【図４】図４は多層基板１０１の分解斜視図である。
【図５】図５は、多層基板１０１の製造手順を示すフローチャートである。
【図６】図６は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。
【図７】図７は多層基板１０２の、回路基板への実装構造および多層基板の実装方法を示す図である。
【図８】図８は第３の実施形態に係る多層基板１０３の断面図である。
【図９】図９は第４の実施形態に係る多層基板１０４の、回路基板への実装構造および多層基板の実装方法を示す図である。
【図１０】図１０は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の製造方法を、その工程順に示す図である。
【図１１】図１１は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の製造方法を、その工程順に示す図であり、図１０に続く図である。
【図１２】図１２は、第６の実施形態に係る多層基板１０６の製造方法を、その工程順に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
【００３１】
《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態の多層基板１０１の斜視図である。多層基板１０１は、複数の樹脂基材と、複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれた接合層とを含む積層体１００を備える。図１に示す向きで、多層基板１０１の下面には表面実装用の端子電極３１，３２が形成されている。
【００３２】
図２（Ａ）は、多層基板１０１の、複数の樹脂基材および接合層の積層前の断面図であり、図２（Ｂ）はその積層後の断面図である。図２（Ｃ）は、図１におけるＡ−Ａ部分での多層基板１０１の断面図である。図３は多層基板１０１の積層時の断面図である。但し、符号の図示の都合上、各樹脂基材および接合層を分離して図示している。図４は多層基板１０１の分解斜視図である。
【００３３】
この多層基板１０１は、樹脂基材１，２、接合層１０およびカバーレイ２１，２２を備える。ここで、樹脂基材１は本発明の「第１樹脂基材」、樹脂基材２は本発明の「第２樹脂基材」にそれぞれ対応する。第１樹脂基材１の第１面Ｓ１には第１導体パターンＣＰ１、第２面Ｓ２には第２導体パターンＣＰ２がそれぞれ形成されている。また、第２樹脂基材２の第３面Ｓ３には第３導体パターンＣＰ３、第４面Ｓ４には第４導体パターンＣＰ４がそれぞれ形成されている。
【００３４】
第１導体パターンＣＰ１は下地導体パターンＣ１とその表面に形成されためっき膜Ｐ１とで構成されていて、第２導体パターンＣＰ２は下地導体パターンＣ２とその表面に形成されためっき膜Ｐ２とで構成されている。同様に、第３導体パターンＣＰ３は下地導体パターンＣ３とその表面に形成されためっき膜Ｐ３とで構成されていて、第４導体パターンＣＰ４は下地導体パターンＣ４とその表面に形成されためっき膜Ｐ４とで構成されている。これら導体パターンＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４によって、単一のまたは複数のコイル導体パターンが形成される。
【００３５】
下地導体パターンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４は例えば銅箔をパターン化したものであり、めっき膜Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４は例えば銅めっき膜である。これらめっき膜Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の膜厚は、下地導体パターンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の厚さよりも厚い。
【００３６】
第１導体パターンＣＰ１は第２導体パターンＣＰ２よりも一方の最外層（この例ではカバーレイ２１）寄りに位置し、第２導体パターンＣＰ２は第１導体パターンＣＰ１よりも薄い。また、第３導体パターンＣＰ３は第４導体パターンＣＰ４よりも薄い。第２導体パターンＣＰ２と第３導体パターンＣＰ３とは、平面視で、少なくとも一部が重なる。
【００３７】
第１樹脂基材１の所定位置には、第１導体パターンＣＰ１と第２導体パターンＣＰ２とを接続する層間接続導体Ｖ１が形成されている。同様に、第２樹脂基材２の所定位置には、第３導体パターンＣＰ３と第４導体パターンＣＰ４とを接続する層間接続導体Ｖ２が形成されている。接合層１０の所定位置には層間接続導体Ｖ１０ａが形成されている。
【００３８】
カバーレイ２１，２２および接合層１０はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂のシートであり、第１樹脂基材１および第２樹脂基材２は液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂のシートである。カバーレイ２１，２２および接合層１０は第１樹脂基材１および第２樹脂基材２に比べて所定のプレス温度での流動性が高い。
【００３９】
図２（Ａ）に示すように、第１導体パターンＣＰ１、第２導体パターンＣＰ２が形成された第１樹脂基材１と、第３導体パターンＣＰ３、第４導体パターンＣＰ４が形成された第２樹脂基材２との間に接合層１０が挟み込まれ、第１樹脂基材１の外層側にカバーレイ２１が配置され、第２樹脂基材２の外層側にカバーレイ２２が配置される。
【００４０】
図３に示すように、上記各層がプレス板５１，５２間に挟まれて、所定温度、所定圧力で加熱プレスされることによって、図２（Ｂ）に示すような積層体１００が構成される。カバーレイ２１，２２および接合層１０は、第１樹脂基材１および第２樹脂基材２に比べて上記プレス温度での流動性が高いので、第１樹脂基材１と第２樹脂基材２との間に接合層１０が充填され、第１樹脂基材１の表面（上面）にカバーレイ２１が充填され、第２樹脂基材２の表面（下面）にカバーレイ２２が充填される。
【００４１】
図２（Ｃ）に示すように、積層体１００の表面にレジスト膜ＲＦが必要に応じて形成される。
【００４２】
図４では、第２導体パターンＣＰ２は第１樹脂基材１の下面から分離して図示している。同様に、第４導体パターンＣＰ４は第２樹脂基材２の下面から分離して図示している。
【００４３】
第１樹脂基材１には層間接続導体Ｖ１ａ、Ｖ１ｂが形成されていて、第２樹脂基材２には層間接続導体Ｖ２ａ、Ｖ２ｂが形成されている。接合層１０には層間接続導体Ｖ１０ａ，Ｖ１０ｂが形成されていて、カバーレイ２２には層間接続導体Ｖ２２ａ、Ｖ２２ｂが形成されている。
【００４４】
第１導体パターンＣＰ１，第２導体パターンＣＰ２、第３導体パターンＣＰ３および第４導体パターンＣＰ４はいずれも矩形スパイラル状のコイル導体パターンである。第１導体パターンＣＰ１の内終端と第２導体パターンＣＰ２の内終端とは層間接続導体Ｖ１ａを介して接続されている。第２導体パターンＣＰ２の外終端と第３導体パターンＣＰ３の外終端とは層間接続導体Ｖ１０ａを介して接続されている。第３導体パターンＣＰ３の内終端と第４導体パターンＣＰ４の内終端とは層間接続導体Ｖ２ａを介して接続されている。第４導体パターンＣＰ４の外終端と端子電極３２とは層間接続導体Ｖ２２ａを介して接続されている。第１導体パターンＣＰ１の外終端と端子電極３１とは、層間接続導体Ｖ１ｂ，Ｖ１０ｂ，Ｖ２ｂ，Ｖ２２ｂを介して接続されている。
【００４５】
端子電極３１，３２は、平面視で上記コイル導体パターンに重ならない位置に形成されている。
【００４６】
図５は、本実施形態の多層基板１０１の製造手順を示すフローチャートである。多層基板１０１は、以降に述べるように、下地パターン形成工程Ｓ１、めっき工程Ｓ２、積層体形成工程Ｓ３、の順に処理されることで製造される。
【００４７】
［下地パターン形成工程Ｓ１］
両面銅箔張りの第１樹脂基材１に対してフォトリソグラフィによって下地パターンを形成する。また、図２（Ａ）に示した層間接続導体Ｖ１，Ｖ２の形成位置に孔を形成する。上記銅箔が下地パターンとなるので、下地パターンの同一面にあり、同一厚さである。
【００４８】
［めっき工程Ｓ２］
上記下地パターンに電気めっきによって銅のめっき膜を成膜する。このめっき工程Ｓ２で、めっき浴の時間を制御することによって、各導体パターンを所定めっき厚に定める。例えば、先ず第１樹脂基材１の第２面Ｓ２にレジスト膜を形成し、その状態で第１の一定時間だけめっき浴に入れる。これにより、第１樹脂基材１の第１面Ｓ１に所定厚さのめっき膜を形成する。続いて、上記レジスト膜を除去し、第２の一定時間だけめっき浴に入れる。このことにより、第１樹脂基材１の第２面Ｓ２に第２の一定時間に相当する厚みのめっき膜Ｐ２が形成され、第１樹脂基材１の第１面Ｓ１に［第１の一定時間＋第２の一定時間］に相当する厚みのめっき膜Ｐ１が形成される。同様にして、第２樹脂基材２に対しても、厚さの異なるめっき膜Ｐ３，Ｐ４を形成する。
【００４９】
また、このめっき工程Ｓ２で、上記層間接続導体Ｖ１，Ｖ２の形成位置の孔内にめっき膜が形成されることによって層間接続導体Ｖ１，Ｖ２が形成される。
【００５０】
上記以外のめっき処理方法としては、樹脂基材をめっき浴に入れることで両面に所定厚さのめっき膜を形成し、めっき膜を薄く形成する面にレジスト膜を形成し、レジスト膜の形成していない面のめっき膜をさらに成長させるようにしてもよい。また、一方の面にレジスト膜を形成し、他方面に所定厚さのめっき膜を形成し、その後、一方面のレジストを除去し、他方にレジスト膜を形成し、一方面に所定厚さのめっき膜を形成してもよい。
【００５１】
［積層体形成工程Ｓ３］
図２（Ａ）に示したように、カバーレイ２２、第２樹脂基材２、接合層１０、第１樹脂基材１、カバーレイ２１の順に積層し、所定温度、所定圧力で加熱プレスする。例えば２８０℃以上３２０℃以下の温度でプレスする。これにより、図２（Ｂ）に示した積層体１００を構成する。その後、積層体１００の表面にレジスト膜ＲＦを塗布形成する。
【００５２】
なお、本実施形態のように、接合層１０に層間接続導体Ｖ１０ａを形成する場合には、この積層体形成工程Ｓ３の前に形成する。例えば、接合層１０の所定位置に孔を形成し、一方の面に保護シートを貼付し、上記孔に導電性ペーストを充填し、保護シートを剥離することで、孔内に導電性ペーストが保持された接合層１０を形成する。この導電性ペーストは、上記積層体形成工程で、固化され、層間接続導体となる。
【００５３】
本実施形態によれば、次のような作用効果を奏する。
【００５４】
（ａ）第１樹脂基材１より上面寄りに導体パターンが存在しないため、第１導体パターンＣＰ１が厚くても、この第１導体パターンＣＰ１と積層方向に対向する導体との短絡は生じない。
【００５５】
（ｂ）第１導体パターンＣＰ１の表面積が大きいので、多層基板１０１の回路基板への実装時に多層基板１０１への加熱時の熱伝導率が高い。多層基板を回路基板に実装する際に、多層基板の第１樹脂基材に近い表面がホットバー等で加熱されるが、その熱が端子電極にあるはんだ等の接合材に速やかに伝導し、多層基板を効率よく実装できる。また、最外層寄りの層が先に軟化流動する現象が抑えられることにより、第２導体パターンと第３導体パターンとの層間短絡が抑制される。
【００５６】
（ｃ）層間接続導体は第１導体パターンとそれより内層の導体パターンとを熱的に導通するので、第１導体パターンから内層へ熱伝導しやすく、積層体の表層と内層との温度分布が小さくなり、表層寄りの樹脂流動を抑制しながら全体を積層圧着できる。また、回路基板へ速やかに実装できる。特に導体パターンがコイル導体パターンであれば、層間接続導体が存在するので、その層間接続導体による熱伝導効果は高い。
【００５７】
（ｄ）第２導体パターンＣＰ２は相対的に薄いため、この第２導体パターンＣＰ２と接合層１０を介して対向する第３導体パターンＣＰ３との短絡のおそれは低い。したがって、複数の導体パターンのすべてが同一厚さのめっき膜を有する導体パターンで、多層基板の積層厚が同じである構造のものに比べて、短絡のおそれが低減される。同じ理由で、多層基板の積層厚を薄くできる。さらに、複数の導体パターンのすべてが薄いめっき膜を有する導体パターンである構造に比べて、低抵抗の導体パターンを備える多層基板となる。
【００５８】
（ｅ）めっき膜Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４の膜厚は、下地導体パターンＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４の厚さよりも厚いので、導体パターンの断面積が大きくなって、単位長あたりの抵抗値を効果的に小さくできる。また、めっき膜の膜厚が厚くなるほど、めっき膜の膜厚の差が顕著となるが、本発明によれば、このようにめっき膜厚が厚くても、上記構造により、短絡が防止される。
【００５９】
（ｆ）第２導体パターンＣＰ２と第３導体パターンＣＰ３は共に薄いので、それらのめっき膜の不均一性が少なく、層間をより近づけることができ、積層体の厚み寸法を小さくできる。
【００６０】
（ｇ）下地導体パターンは銅箔であり、めっき膜は銅めっき膜であるので、単位長あたりの抵抗値が低い、導体パターンが容易に構成できる。
【００６１】
なお、本実施形態の多層基板１０１では、各導体パターンのめっき膜の膜厚は、それらの厚みが、図２（Ｃ）において上から、厚い、薄い、薄い、厚い、の順に配置される例を示したが、本発明はこれに限らない。図３に示したように、加熱プレス時にプレス板５１のみを加熱し、対向するプレス板５２を加熱しない場合、第２導体パターンＣＰ２のめっき膜Ｐ２の膜厚が第１導体パターンＣＰ１のめっき膜Ｐ１の膜厚よりも薄ければよい。したがって、例えば厚い、薄い、厚い、薄い、の順に配置されてもよい。
【００６２】
《第２の実施形態》
図６は第２の実施形態に係る多層基板１０２の断面図である。多層基板１０２は、それぞれの両面に導体パターンが形成された、４つの樹脂基材１，２，３，４を備える。
【００６３】
複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成される厚い導体パターンと薄い導体パターンとを含み、複数の導体パターンのうち、接合層１０を介して対向する導体パターンは、平面視で、一部が重なり、薄い導体パターンと厚い導体パターンとの対、または薄い導体パターンと薄い導体パターンとの対を成す。
【００６４】
図６に示した例では、第２導体パターンＣＰ２は第１導体パターンＣＰ１より薄く、第３導体パターンＣＰ３は第４導体パターンＣＰ４より薄い。また、第５導体パターンＣＰ５は第６導体パターンＣＰ６より薄く、第７導体パターンＣＰ７は第８導体パターンＣＰ８より薄い。したがって、接合層１０を介して対向する第２導体パターンＣＰ２と第３導体パターンＣＰ３とは薄い導体パターン同士の対を成す。また、接合層１０を介して対向する第４導体パターンＣＰ４と第５導体パターンＣＰ５とは、厚い導体パターンと薄い導体パターンとの対を成し、接合層１０を介して対向する第６導体パターンＣＰ６と第７導体パターンＣＰ７とは、厚い導体パターンと薄い導体パターンとの対を成す。
【００６５】
この構造により、厚い導体パターンと厚い導体パターンとが積層方向に対向せず、その間での短絡が防止される。
【００６６】
また、この多層基板１０２の製造時に、最外面（図６における上面および下面）寄りの導体の表面積が大きく、積層体への加熱時の熱伝導率が高いので、加熱プレス時に積層体全体がより速やかに加熱され、最外面寄りの層だけが先に軟化流動するといった現象が抑制される。そのため、軟化流動が積層方向で不均一になることによる導体パターン間の接近が抑制される。
【００６７】
図７は多層基板の、回路基板への実装構造および多層基板の実装方法を示す図である。回路基板２００にパッド電極４１，４２が形成されていて、その表面にはんだペーストＳＬが印刷されている。多層基板１０２は、その端子電極３１，３２をパッド電極４１，４２に対向させる状態で回路基板２００に載置され、端子電極３１，３２の形成面とは反対面がホットバー５０により加熱加圧され、端子電極３１，３２はパッド電極４１，４２にはんだ付けされる。
【００６８】
上述したとおり、第１導体パターンＣＰ１の表面積が大きいので、積層体１００への加熱時の熱伝導率が高い。そのため、ホットバーの熱が端子電極３１，３２にあるはんだに速やかに伝導し、多層基板１０２を効率よく実装できる。
【００６９】
なお、本実施形態の多層基板１０２では、各導体パターンは、それらの厚みが、図６において上から、厚い、薄い、薄い、厚い、薄い、厚い、薄い、厚い、の順に配置される例を示したが、これは、厚い、薄い、厚い、薄い、厚い、薄い、厚い、厚い、の順に配置されてもよいし、厚い、薄い、厚い、厚い、薄い、厚い、薄い、厚い、の順に配置されてもよい。
【００７０】
《第３の実施形態》
図８は第３の実施形態に係る多層基板１０３の断面図である。この多層基板１０３は、第１樹脂基材１、第２樹脂基材２、接合層１０、カバーレイ２１，２２を含む積層体１００を備える。積層体１００の表面にはレジスト膜ＲＦが形成されている。
【００７１】
第１の実施形態で示した多層基板１０１とは、導体パターンＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４の形成位置が異なる。その他の構造は第１の実施形態で示した多層基板１０１と同じである。
【００７２】
この多層基板１０３は、第１導体パターンＣＰ１、第２導体パターンＣＰ２、第３導体パターンＣＰ３および第４導体パターンＣＰ４が積層方向の断面においてそれぞれ一定ピッチで配置されているが、第２導体パターンＣＰ２は第３導体パターンＣＰ３に対してピッチ方向にずれている。すなわち、第２導体パターンＣＰ２の最も厚い位置（頂点位置）と第３導体パターンＣＰ３の最も厚い位置（頂点位置）とは平面視で重ならない。換言すると、矩形スパイラル状の第２導体パターンＣＰ２と矩形スパイラル状の第３導体パターンＣＰ３とは、平面視で周回方向に沿っては殆ど重ならない配置である。例えば、重なり割合は１０％以下である。
【００７３】
この構造により、第２導体パターンＣＰ２と第３導体パターンＣＰ３とは、それらの最も厚い箇所が、積層方向から傾いた方向（斜め方向）に離れて対向するので、第２面Ｓ２と第３面Ｓ３との間隔がより狭くても、第２導体パターンＣＰ２と第３導体パターンＣＰ３との短絡が防止される。
【００７４】
《第４の実施形態》
図９は第４の実施形態に係る多層基板１０４の、回路基板への実装構造および多層基板の実装方法を示す図である。
【００７５】
回路基板２００にパッド電極４１，４２が形成されていて、その表面にはんだペーストＳＬが印刷されている。多層基板１０４は、その端子電極３１，３２をパッド電極４１，４２に対向させる状態で回路基板２００に載置され、端子電極３１，３２の形成面とは反対面がホットバー５０により加熱加圧され、端子電極３１，３２はパッド電極４１，４２にはんだ付けされる。
【００７６】
本実施形態では、図２（Ｂ）に示した例とは異なり、第２樹脂基材２の第３面Ｓ３に形成された第３導体パターンのめっき膜Ｐ３は、第２樹脂基材２の第４面Ｓ４に形成された第４導体パターンのめっき膜Ｐ４より厚い。その他の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
【００７７】
本実施形態のように、回路基板への実装時に、多層基板１０４の上面のみ加熱加圧される場合、第２導体パターンのめっき膜Ｐ２の膜厚が第１導体パターンのめっき膜Ｐ１の膜厚よりも薄ければよい。そのため、本実施形態のように、導体パターンのめっき膜厚は上から順に厚い、薄い、厚い、薄い、の順であってもよい。また、実装面側の導体パターン（第４導体パターン）のめっき膜Ｐ４が、それに対向する導体パターン（第３導体パターン）のめっき膜Ｐ３より薄くてもよい。
【００７８】
《第５の実施形態》
図１０、図１１は、第４の実施形態に係る多層基板１０４の製造方法を、その工程順に示す図である。製造方法は次のとおりである。
【００７９】
（１）先ず、下地層として例えば銅箔が設けられた基板ＳＵＢの表面に感光性フォトレジスト膜ＲＦ１を塗布する。基板ＳＵＢは周辺部を超音波で溶着するか、接着剤で貼り合わせることにより、両面のパターンを同時に形成する。
【００８０】
次に、フォトマスクを通して紫外線を照射して感光性フォトレジストを露光する。また、レーザー描画装置で直接レジストに紫外線を照射して微細なパターンを描く方式も可能である。続いて、基板ＳＵＢ表面のレジスト膜ＲＦ１を現像してパターン化する。
【００８１】
（２）次に、レジスト膜ＲＦ１の開口部に電気銅めっき法によりめっき膜ＰＬ１１を析出させる。
【００８２】
（３）基板ＳＵＢを２枚に分離し、分離した一方の基板ＳＵＢに、めっき膜ＰＬ１１を埋め込むように樹脂層ＲＬ１０を積層する。また、図示しないが、他方の基板ＳＵＢに、めっき膜ＰＬ２１を埋め込むように樹脂層ＲＬ１０を積層する。めっき膜ＰＬ２１はめっき膜ＰＬ１１より薄い。
【００８３】
（４）一方の基板ＳＵＢの樹脂層ＲＬ１０と他方の基板ＳＵＢの樹脂層ＲＬ１０とを対向させ、加熱プレスする。このとき、薄いめっき膜ＰＬ１１と厚いめっき膜ＰＬ２１とが対向するので、めっき膜ＰＬ１１とめっき膜ＰＬ２１との短絡が抑制される。
【００８４】
（５）基板ＳＵＢの表面を保護フィルム（不図示）で覆った後、孔Ｈを形成する。
【００８５】
（６）両面の基板ＳＵＢを除去し、一方の面にレジスト膜ＲＦを形成する。
【００８６】
（７）この状態で電気銅めっきを行うことにより、露出しているめっき膜ＰＬ１１にめっき膜ＰＬ１２を析出させる。
【００８７】
（８）レジスト膜ＲＦを除去し、再度電気銅めっきを行うことにより、めっき膜ＰＬ２１にめっき膜ＰＬ２２を析出させる。また、めっき膜ＰＬ１２の膜厚を厚くする。
【００８８】
（９）孔Ｈの内壁に金属触媒を吸着させ、再度、電気銅めっきを施して孔Ｈの内壁にめっき膜を形成する。
【００８９】
（１０）その後、樹脂層ＲＬ２１，ＲＬ２２を印刷する。また、これと共に孔Ｈ内に樹脂を埋設する。
【００９０】
以上の工程によって、多層基板１０４が構成される。図１０、図１１において、レジスト膜ＲＦ１は本発明における「第１樹脂基材」に相当し、レジスト膜ＲＦ２は本発明における「第２樹脂基材」に相当する。また、樹脂層ＲＬ１０は本発明における「接合層」に相当する。また、めっき膜ＰＬ１２，ＰＬ１１，ＰＬ２１，ＰＬ２２は、本発明における「第１導体パターン」、「第２導体パターン」、「第３導体パターン」、「第４導体パターン」にそれぞれ相当する。
【００９１】
本実施形態によれば、導体パターンの一部が樹脂基材に埋設される構造となる。このことにより、導体パターンは、樹脂基材に埋設されている厚み分（すなわち樹脂基材の厚み分）もめっき膜の膜厚として作用する。そのため、積層方向に隣接する導体パターンとの間隔が同じであれば、それだけ導体パターンの断面積を大きくでき、導体損失の小さなコイル導体パターンを備える多層基板が得られる。また、導体パターンの断面積を同じとすれば、積層方向に隣接する導体パターンとの間隔を大きくできる。
【００９２】
《第６の実施形態》
図１２は、第５の実施形態に係る多層基板１０５の製造方法を、その工程順に示す図である。製造方法は次のとおりである。
【００９３】
（１）第１樹脂基材１の両面に、第１導体パターンＣＰ１、第２導体パターンＣＰ２を形成する。同様に、第２樹脂基材２の両面に、第３導体パターンＣＰ３、第４導体パターンＣＰ４を形成する。第２導体パターンＣＰ２は第１導体パターンＣＰ１より薄く、第３導体パターンＣＰ３は第４導体パターンＣＰ４より薄い。これら導体パターンの形成方法は第１の実施形態で既に述べたとおりである。
【００９４】
（２）第１樹脂基材１と第２樹脂基材２とを接合層１０を介して積層し、例えば３００℃で、所定圧力で加熱プレスし、積層体を形成する。このとき、相対的に薄い第２導体パターンＣＰ２と薄い第３導体パターンＣＰ３とが対向するので、その間の短絡が抑制される。
【００９５】
（３）上記積層体に孔Ｈを形成する。
【００９６】
（４）孔Ｈの内壁に金属触媒を吸着させ、銅めっきを施して孔Ｈの内部をめっき膜で充填する。これにより、孔Ｈ内のめっき膜によって層間接続導体を形成する。
【００９７】
（５）その後、カバーレイ２１，２２を貼付する。
【００９８】
以上の工程によって、多層基板１０５が構成される。本実施形態で示すように、異なる樹脂基材に渡って形成される層間接続導体を備える多層基板にも、本発明は適用できる。
【００９９】
《他の実施形態》
樹脂基材の両面に形成された導体パターンは、複数箇所で層間接続導体を介して接続されていてもよい。この構造により、積層方向で導体パターン同士が並列接続された構造となるので、導体損失の小さな導体パターンを備える多層基板が得られる。
【０１００】
また、本発明は、上述した実施形態に限定されない。例えば、上述の説明では、各めっき膜は、電気めっきによって成膜されるとして説明したが、これらめっき膜は無電解めっき処理により成膜される場合がある。
【０１０１】
また、各導体パターンは、めっき膜を形成したままではなく、その後に所定厚さ分だけ研磨して、厚みを揃えてもよい。
【０１０２】
上述の説明では、樹脂基材１，２等の材質が液晶ポリマーであるとして説明したが、これらはポリイミド樹脂とすることも可能である。また、接合層１０はエポキシ樹脂以外にポリイミド樹脂であってもよい。
【０１０３】
また、接合層がプレス温度で樹脂基材に比べて流動性が高いことは必須条件ではない。例えば、接合層として、ガラス繊維入りの樹脂材を用いることもできる。
【０１０４】
また、本発明において、第１導体パターンは、積層体内の複数層に形成されている複数の導体パターンのうち最外層に存在するものに限らない。第１樹脂基材よりさらに最外層寄りに他の樹脂基材があって、その樹脂基材に導体パターンが形成されていても、その導体パターンが、接合層を介して第１導体パターンと対向していなければよい。
【０１０５】
本発明の多層基板は、コイルデバイスに限定されず、アンテナ、アクチュエータ、センサ等各種電子部品に適用できる。また、本発明の多層基板は、チップ化したチップインダクタ等のチップ部品を含む。このように、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。
【０１０６】
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。例えば、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせが可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１０７】
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４…下地導体パターン
ＣＰ１…第１導体パターン
ＣＰ２…第２導体パターン
ＣＰ３…第３導体パターン
ＣＰ４…第４導体パターン
ＣＰ５…第５導体パターン
ＣＰ６…第６導体パターン
ＣＰ７…第７導体パターン
ＣＰ８…第８導体パターン
Ｈ…孔
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４…めっき膜
ＰＬ１１，ＰＬ１２，ＰＬ２１，ＰＬ２２…めっき膜
ＲＦ，ＲＦ１，ＲＦ２…レジスト膜
ＲＬ１０…樹脂層
ＲＬ２１，ＲＬ２２…樹脂層
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｓ３…第３面
Ｓ４…第４面
ＳＬ…はんだペースト
ＳＵＢ…基板
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
Ｖ１ａ，Ｖ１ｂ，Ｖ２ａ，Ｖ２ｂ…層間接続導体
Ｖ１０ａ，Ｖ１０ｂ…層間接続導体
Ｖ２２ａ，Ｖ２２ｂ…層間接続導体
１…第１樹脂基材
２…第２樹脂基材
３，４…樹脂基材
１０…接合層
２１，２２…カバーレイ
３１，３２…端子電極
４１，４２…パッド電極
５０…ホットバー
１００…積層体
１０１，１０２，１０３，１０４，１０５…多層基板
２００…回路基板
【図１】
2018097112.tif 000003
【図２】
2018097112.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年4月9日(2018.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である、複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する第１樹脂基材と、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する第２樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、前記第１面に形成され、表面がめっき膜である第１導体パターンと、前記第２面に形成され、表面がめっき膜である第２導体パターンと、前記第３面に形成され、表面がめっき膜である第３導体パターンと、前記第４面に形成され、表面がめっき膜である第４導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターンは他の導体パターンとは対向せず、前記第２導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第２導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第１導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄く、
前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層が積層され熱圧着され、
前記複数の導体パターンの少なくとも一部は前記樹脂基材に埋設されている、多層基板。
【請求項２】
複数の樹脂基材と、
前記複数の樹脂基材の積層方向に隣接する樹脂基材同士の間に挟まれる接合層と、
前記複数の樹脂基材の両面にそれぞれ形成され、表面がめっき膜である、複数の導体パターンと、
を備え、
前記複数の樹脂基材は、第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する第１樹脂基材と、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する第２樹脂基材と、を含み、
前記複数の導体パターンは、前記第１面に形成され、表面がめっき膜である第１導体パターンと、前記第２面に形成され、表面がめっき膜である第２導体パターンと、前記第３面に形成され、表面がめっき膜である第３導体パターンと、前記第４面に形成され、表面がめっき膜である第４導体パターンと、を含み、
前記第１導体パターンは他の導体パターンとは対向せず、前記第２導体パターンよりも一方の最外層寄りに位置し、
前記第２導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第１導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄く、
前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層が積層され熱圧着され、
前記複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成されるめっき膜の厚い導体パターンとめっき膜の薄い導体パターンとを含み、
前記複数の導体パターンのうち、前記接合層を介して対向する導体パターンは、平面視で、一部が重なり、前記薄い導体パターンと前記厚い導体パターンとの対、または前記薄い導体パターンと前記薄い導体パターンとの対を成し、
前記第１導体パターンおよび前記第３導体パターンは、前記めっき膜の厚い導体パターンであり、前記第２導体パターンおよび前記第４導体パターンは、前記めっき膜の薄い導体パターンであり、
前記第２樹脂基材は前記第１樹脂基材より実装面に近い、多層基板。
【請求項３】
前記第３導体パターンのめっき膜の膜厚は前記第４導体パターンのめっき膜の膜厚よりも薄い、請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
前記複数の導体パターンの少なくとも一部は前記樹脂基材に埋設されている、請求項２に記載の多層基板。
【請求項５】
前記複数の導体パターンは、形成される面に応じて形成されるめっき膜の厚い導体パターンとめっき膜の薄い導体パターンとを含み、
前記複数の導体パターンのうち、前記接合層を介して対向する導体パターンは、平面視で、一部が重なり、前記薄い導体パターンと前記厚い導体パターンとの対、または前記薄い導体パターンと前記薄い導体パターンとの対を成す、請求項１または３に記載の多層基板。
【請求項６】
前記接合層は前記複数の樹脂基材に比べて所定のプレス温度での流動性が高い、請求項１から５のいずれかに記載の多層基板。
【請求項７】
前記第１導体パターン、前記第２導体パターン、前記第３導体パターンおよび前記第４導体パターンは、下地が金属箔であり、前記めっき膜の膜厚は、前記下地の厚さよりも厚い、請求項１から６のいずれかに記載の多層基板。
【請求項８】
前記金属箔は銅箔であり、前記めっき膜は銅めっき膜である、請求項７に記載の多層基板。
【請求項９】
前記第２導体パターンは前記積層方向の断面において、一定のピッチで配置され、前記第３導体パターンは、前記断面において一定ピッチで配置され、且つ前記第２導体パターンの配置とは前記ピッチの方向にずれている、請求項１から８のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１０】
前記導体パターンはコイル導体パターンである、請求項１から９のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１１】
前記複数の樹脂基材および前記接合層が積層されて構成される積層体のうち、前記第１樹脂基材よりも前記第２樹脂基材に近い実装面に形成された端子電極を更に備える、請求項１から１０のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１２】
前記端子電極は、平面視で前記導体パターンに重ならない位置に形成された、請求項１１に記載の多層基板。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の多層基板と、当該多層基板を実装する回路基板とを備え、
前記回路基板に形成されたパッド電極に前記端子電極が接続された、
多層基板の回路基板への実装構造。
【請求項１４】
第１面と、当該第１面とは反対面である第２面を有する、熱可塑性の第１樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成し、前記第２面に対向する第３面と、当該第３面とは反対面である第４面を有する、熱可塑性の第２樹脂基材の両面に、銅箔のパターン化により、実質的に同一面同一厚さの下地パターンを形成する、下地パターン形成工程と、
前記第１面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第２面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第２面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第１面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させ、前記第３面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、前記第４面の前記下地パターンに銅めっき膜を成長させ、且つ、前記第３面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜より前記第４面の前記下地パターンに対する前記銅めっき膜を厚く成長させる、めっき工程と、
前記第１樹脂基材の前記第２面と前記第２樹脂基材の前記第３面との間に、導体パターンが形成されていない接合層を挟み、前記第１面の前記下地パターンおよび当該下地パターンに形成された前記銅めっき膜による導体パターンを、一方の最外層寄りの位置にして、前記第１樹脂基材、前記接合層、および前記第２樹脂基材を含む複数の層を積層し、熱圧着により一体化する積層体形成工程と、を有する、
多層基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、両面に導体パターンが形成された絶縁性樹脂からなる基材が積層され、熱圧着された多層基板、その回路基板への実装構造、およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、めっき膜が成膜された導体パターン同士の積層方向での短絡を抑制した多層基板、その多層基板の回路基板への実装構造、およびその多層基板の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（９）前記第２導体パターンは前記積層方向の断面において、一定ピッチで配置され、前記第３導体パターンは、前記断面において一定のピッチで配置され、且つ前記第２導体パターンの配置とは前記ピッチの方向にずれていることが好ましい。この構造により、第２導体パターンと第３導体パターンとは、それらの最も厚い箇所が、積層方向から傾いた方向（斜め方向）で対向するので、第２面と第３面との間隔がより狭くても、第２導体パターンと第３導体パターンとの短絡が防止される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
（３）基板ＳＵＢを２枚に分離し、分離した一方の基板ＳＵＢに、めっき膜ＰＬ１１を埋め込むように樹脂層ＲＬ１０を積層する。また、図示しないが、他方の基板ＳＵＢに、めっき膜ＰＬ２１を埋め込むように樹脂層ＲＬ１０を積層する。めっき膜ＰＬ１１はめっき膜ＰＬ２１より薄い。
【国際調査報告】
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