(57)【要約】【課題】処理液中の異物を低減させることができる液処理装置を提供する。【解決手段】被処理基板（ウェハＷ）に処理液を供給する処理液供給ノズル（５３）と、処理液供給ノズル（５３）と処理液供給源（５１）とを接続する処理液供給管路（５２）と、処理液供給管路（５２）に設けられ、処理液をろ過する第１のフィルタ（６０）及び第２のフィルタ（７０）と、第１のフィルタ（６０）にろ過される処理液が常温より低い温度となるように、処理液供給管路（５２）の処理液を冷却する処理液冷却手段（フィルタ調温機構６１）と、を有する。【選択図】図４
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【実用新案登録請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に処理液供給源からの処理液を供給し、所定の液処理を行う液処理装置であって、
被処理基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、
前記処理液供給ノズルと、前記処理液供給源とを接続する処理液供給管路と、
前記処理液供給管路に設けられ、処理液をろ過する第１のフィルタ及び第２のフィルタと、
前記第１のフィルタにろ過される処理液が常温より低い温度となるように、前記処理液供給管路の処理液を冷却する処理液冷却手段と、を有することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記処理液冷却手段は、前記第１のフィルタを冷却するフィルタ冷却機構を含むことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記第１のフィルタと前記第２のフィルタは、それぞれ異なる材料を含有するフィルタであることを特徴とする請求項１又は２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記第１のフィルタは、フッ化炭素樹脂又はフッ素樹脂を含有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項５】
前記第２のフィルタは、ポリアミド系樹脂及びポリエチレン系樹脂のいずれか一方又は両方を含有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項６】
前記第１のフィルタが、前記処理液供給管路において前記第２のフィルタよりも下流側に配置されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の液処理装置。
【請求項７】
前記処理液冷却手段により冷却した処理液を、前記処理液供給ノズルに通液するまでに、常温まで加熱する処理液加熱機構を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液処理装置。
【考案の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本考案は、基板に対して所定の液処理を行う液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、例えば半導体ウエハ等の基板の上にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、露光後のレジスト膜に現像液を供給して現像処理することにより回路パターンを形成する、いわゆるフォトリソグラフィー工程が行われる。近年、パターンの微細化に伴い、フォトレジストや現像液等の処理液中に含まれる異物によって発生する欠陥に対して更に厳しい対応が求められている。
【０００３】
処理液中の異物を低減させる方法として、特許文献１には、処理液供給路に２つのポンプを設け、１つのポンプで処理液を基板に供給している間に、もう１つのポンプでは循環路を通じて処理液を循環させ、この循環路に設けられたフィルタに処理液を繰り返し通過させる技術が記載されている。特許文献１の技術によれば、循環路を通じて処理液をフィルタに繰り返し通過させることによって、異物をフィルタで除去している。
【０００４】
一般に、ろ過の原理として、フィルタを用いて処理液のろ過を行うと、フィルタに設けられた孔のサイズよりも大きな異物がフィルタに捕捉される。従って、フィルタを通った処理液からは、フィルタの孔のサイズよりも大きな異物は取り除かれているはずである。
【０００５】
しかし実際には、処理液を基板に供給して処理液の清浄度を検査してみると、フィルタの孔のサイズよりも大きな異物が検出されている。このような異物の中には、特許文献１のように処理液を循環させて複数回フィルタに通液しても取り除けないものもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−３０５９８０公報（特許請求の範囲）
【考案の概要】
【考案が解決しようとする課題】
【０００７】
本考案は、上記事情に鑑みてなされたものであり、処理液中の異物を低減させることができる液処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本考案に係る液処理装置は、被処理基板に処理液供給源からの処理液を供給し、所定の液処理を行う液処理装置であって、被処理基板に処理液を供給する処理液供給ノズルと、処理液供給ノズルと処理液供給源とを接続する処理液供給管路と、処理液供給管路に設けられ、処理液をろ過する第１のフィルタ及び第２のフィルタと、第１のフィルタにろ過される処理液が常温より低い温度となるように、処理液供給管路の処理液を冷却する処理液冷却手段と、を有することを特徴とする。
【０００９】
先に述べたように、複数回フィルタに処理液を通液させてもフィルタの孔サイズよりも大きな異物が取り除けない場合がある。フィルタの孔サイズよりも大きな異物が取り除けなかった理由の一つとして、軟質粒子がフィルタ内で変形して孔を通過してしまっていたことが考えられる。以上の液処理装置によれば、第１のフィルタにろ過される処理液を冷却することによって、処理液中で変形可能な軟質粒子が硬化してフィルタ内で変形できなくなるため、軟質粒子がフィルタの孔サイズよりも大きな場合には、確実にフィルタに捕捉されることになる。
【００１０】
本考案に係る液処理装置の処理液冷却手段は、第１のフィルタを冷却するフィルタ冷却機構を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本考案に係る液処理装置の第１のフィルタと第２のフィルタは、それぞれ異なる材料を含有するフィルタであってもよい。異なる材料を含有する二つのフィルタを用いることによって、性質の異なる不純物や異物を確実に捕捉することができる。
【００１２】
本考案に係る液処理装置において、第１のフィルタは、フッ化炭素樹脂又はフッ素樹脂を含有することが好ましい。
【００１３】
本考案に係る液処理装置において、第２のフィルタは、ポリアミド系樹脂及びポリエチレン系樹脂のいずれか一方又は両方を含有してもよい。
【００１４】
本考案に係る液処理装置では、第１のフィルタが、処理液供給管路において第２のフィルタよりも下流側に配置されてもよい。
【００１５】
さらに、本考案に係る液処理装置は、処理液冷却手段により冷却した処理液を、処理液供給ノズルに通液するまでに、常温まで加熱する処理液加熱機構を有することが好ましい。このように構成することにより、処理が行われる前には処理液の温度を処理時の温度（常温）まで上昇させることができる。
【考案の効果】
【００１６】
本考案に係る液処理装置によれば、フィルタの孔サイズよりも大きな異物を確実に捕捉することができ、処理液中の異物を効果的に低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本考案に係る液処理装置を示す概略平面図である。
【図２】上記液処理装置を示す概略斜視図である。
【図３】上記液処理装置を示す概略縦断面図である。
【図４】本考案に係る液処理装置の処理液供給部の概略断面図である。
【図５】本考案に係る液処理装置の制御部の構成図である。
【図６】本考案に係る液処理装置の実施形態を用いた液処理方法のフローチャートである。
【考案を実施するための形態】
【００１８】
以下に、この考案の実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１９】
この実施形態において、本考案に係る液処理装置は、塗布現像装置１により構成される。塗布現像装置１には、図１に示すように、キャリアブロックＢＫ１から露光ブロックＢＫ４まで順に、キャリアブロックＢＫ１、処理ブロックＢＫ２、インターフェイスブロックＢＫ３、露光ブロックＢＫ４が連結されている。
【００２０】
キャリアブロックＢＫ１では、搬送機構Ｃが、載置台１０上に載置された密閉型のキャリア１１からウエハＷ（基板）を取り出して、キャリアブロックＢＫ１に隣接された処理ブロックＢＫ２に受け渡す。また、搬送機構Ｃは、処理ブロックＢＫ２にて処理された後のウエハＷを受け取ってキャリア１１に戻すように構成されている。
【００２１】
処理ブロックＢＫ２は、図２に示すように、現像処理を行うための第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、レジスト膜の下層側に反射防止膜を形成するための第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３、レジスト膜の上層側に反射防止膜を形成するための第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４を下から順に積層して構成されている。
【００２２】
第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１は、例えば一つのＤＥＶ層Ｂ１内に現像ユニットが２段に積層されている。そしてＤＥＶ層Ｂ１内には、これら２段の現像ユニットにウエハＷを搬送するための共通の搬送機構Ａ１が設けられている。この搬送機構Ａ１を挟んで、現像液をウエハＷに供給して露光後の塗布膜を現像する現像部を３つ含んだ現像処理モジュール３０と、この現像処理モジュール３０にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却処理モジュール４０とが配置される（図１、図３参照）。また、第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２と第４のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ４とは、各々反射防止膜を形成するための薬液をスピンコーティングにより塗布する塗布処理モジュール３１と、塗布処理の前処理及び後処理を行うための加熱・冷却処理モジュール４０と、これらの間でウエハＷの受け渡しを行なう基板搬送手段である搬送機構Ａ２，Ａ４とを備えている（図１、図３参照）。そして、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３においては、上記薬液がレジスト液であり、疎水化処理ユニットが組み込まれることを除けば、ＢＣＴ層Ｂ２及びＴＣＴ層Ｂ４と同様の構成である。
【００２３】
さらに処理ブロックＢＫ２には、図１及び図３に示すように、キャリアブロックＢＫ１側に棚ユニットＵ５が設けられ、この棚ユニットＵ５の各部同士の間では、棚ユニットＵ５の近傍に設けられた昇降自在な搬送機構ＥによってウエハＷが搬送される。また、処理ブロックＢＫ２のインターフェイスブロックＢＫ３側には、棚ユニットＵ６が設けられる。
【００２４】
ＤＥＶ層Ｂ１内の上部には、棚ユニットＵ５に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１１から棚ユニットＵ６に設けられた受け渡しユニットＣＰＬ１２にウエハＷを直接搬送するための専用の搬送手段であるシャトルアームＦが設けられている（図３参照）。レジスト膜やさらに反射防止膜が形成されたウエハＷは、受け渡しユニットＢＦ３やＴＲＳ４を介して搬送機構Ｅにより受け渡しユニットＣＰＬ１１に受け渡され、ここからシャトルアームＦにより棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＣＰＬ１２に直接搬送される。
【００２５】
次いで、ウエハＷはインターフェイスアームＩにより露光ブロックＢＫ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われた後、棚ユニットＵ６の受け渡しユニットＴＲＳ６に載置されて処理ブロックＢＫ２に戻される。処理ブロックＢＫ２に戻されたウエハＷは、第１のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１にて現像処理が行われ、基板搬送手段である搬送機構Ａ１により受け渡しユニットＴＲＳ３に受け渡される（図３参照）。
【００２６】
その後、ウエハＷは、搬送機構Ｃを介してキャリア１１に戻される。なお、図１において棚ユニットＵ１〜Ｕ４には各々加熱・冷却処理モジュール４０が積層されている。
【００２７】
本実施形態では、塗布現像装置１の棚ユニットＵ５に隣接した位置の下部に、処理液供給部５０が設けられている（図３参照）。処理液供給部５０は、現像処理モジュール３０や塗布処理モジュール３１等の液処理モジュールにおいて、ウエハＷ上に吐出される現像液やレジスト液等の処理液を供給する。
【００２８】
図４を参照して、処理液供給部５０について説明する。処理液供給部５０は、処理液供給源５１と、処理液供給源５１に一方の端部が接続された処理液供給管路５２と、処理液供給管路５２の他端に接続された処理液供給ノズル５３とを有している。この実施形態では、処理液供給管路５２上には、処理液供給源５１から処理液供給ノズル５３までの流路に沿って、リザーブタンク５４、ポンプ５５、第２のフィルタ７０、第１のフィルタ６０、三方バルブ５６がこの順に設けられている。また、リザーブタンク５４と三方バルブ５６との間には、循環管路５７が接続されており、三方バルブ５６まで送られた処理液が、循環管路５７を通ってリザーブタンク５４まで戻されるように構成されている。
【００２９】
リザーブタンク５４は、処理液供給源５１から送液された処理液を一時的に貯留すると共に、当該処理液内に含まれる気泡をリザーブタンク５４の上部に設けられた排液管路５８から排出するように構成されている。排液管路５８には、バルブＶ１が配設されている。
【００３０】
また、図４に示すように、第１のフィルタ６０には、第１のフィルタ６０内の処理液に含まれる気泡と共に処理液を排出する排液管路５９が接続されている。排液管路５９上にはバルブＶ２が設けられる。第２のフィルタ７０にも同様に、第２のフィルタ７０内の処理液に含まれる気泡と共に処理液を排出する排液管路７１が接続され、排液管路７１上にバルブＶ３が設けられている。
【００３１】
第１のフィルタ６０には、更に、フィルタ温調機構６１が取り付けられている。フィルタ温調機構６１は、第１のフィルタ６０を収容する容器６２と、当該容器６２の周囲に巻き付けられる温調液供給管路６３とを有している。温調液供給管路６３は、その端部が熱交換器６４と接続されており、その内部には温調液が通流している。熱交換器６４の設定温度を変更することで、温調液供給管路６３中の温調液の温度を変更することができる。
【００３２】
図４に示されるように、熱交換器６４で温調された温調液は、温調液供給管路６３に介設された駆動装置６５の動力により温調液供給管路６３に送液される。温調液供給管路６３には、駆動装置６５の他にマニホールド６６が設けられ、当該マニホールド６６から第１のフィルタ６０までの区間で、処理液供給管路５２を温調液供給管路６３で囲んだ二重配管路６７が形成される。この二重配管路６７は第１のフィルタ６０で終了し、温調液供給管路６３は、フィルタ温調機構６１の容器６２の周囲に巻き付けられた後に再び熱交換器６４に接続される。温調液は、駆動装置６５で熱交換器６４から温調液供給管路６３に送液された後、再び熱交換器６４に戻って熱交換器６４で設定温度に温調される。なお、本実施形態においては、温調液の設定温度が常温より低い温度に設定されている。従って、フィルタ温調機構６１、容器６２、温調液供給管路６３、熱交換器６４、駆動装置６５、マニホールド６６、二重配管路６７は、本考案に係る液処理装置における処理液冷却手段の一部又は全部を構成する。また、この場合、フィルタ温調機構６１は、フィルタ冷却機構を構成する。
【００３３】
なお、本実施形態において、第１のフィルタ６０の濾材には、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ化炭素樹脂又はフッ素樹脂を含む材料が用いられている。フッ化炭素樹脂又はフッ素樹脂を含む材料は、他の材料からなるフィルタと比較して、異物の物理的な捕捉に優れているが、発明者の鋭意研究の結果、この性能をより高く発揮するためには、処理液を冷却することが好ましいということが分かった。処理液の温度として、常温よりも低いと捕捉効果は高まるが、より高い捕捉性能を得るためには、例えば０℃〜２３℃未満の温度に処理液を冷却することが好ましい。
【００３４】
また、本実施形態において、第２のフィルタ７０の濾材には、ナイロン等のポリアミド合成樹脂を含む材料が用いられる。このポリアミド合成樹脂を含む材料は、処理液中の液状又は固体状の不純物を吸着することに優れている。このポリアミド合成樹脂に代えて又はそれに加えて、ポリエチレン樹脂を含む材料を用いてもよい。また、本実施形態では、第２のフィルタ７０に通液する処理液は、常温で用いられる。しかし、第２のフィルタに通液する処理液が常温であることは必須ではなく、常温未満に冷却してもよい。
【００３５】
ここで第１のフィルタ６０は、第２のフィルタ７０よりも下流側に配置されている。この配置により、まず第２のフィルタ７０で処理液中の不純物を吸着し、第１のフィルタでその他の異物を物理的に捕捉する。この場合、例えば、処理液が使用されずに第１のフィルタ又は第２のフィルタ内で処理液が滞留したときにも、滞留によって発生したゲル状異物を第１のフィルタによって捕捉することができる。また、第１のフィルタでは、処理液が常温より低い温度となっているため、処理液供給ノズル５３からウエハＷに供給される処理液が常温となるように、処理液の温度を上昇させる必要がある。本実施形態では、図４に示すように、第１のフィルタ６０と、三方バルブ５６との間にヒータ６８を設置し、処理液の温度を常温まで上昇させるようにしている。例えば、ヒータ６８に温度センサ（図示せず）を設けて処理液の温度を計測し、処理液の温度が常温となっている場合に、処理液供給ノズル５３へと処理液を送液する。このヒータ６８は、本考案における処理液加熱機構に該当する。
【００３６】
本実施形態では、処理液供給部５０の内、例えばポンプ５５、三方バルブ５６及び熱交換器６４などは、制御部９０によりその動作が制御される。図５を参照すると、制御部９０は、例えばプログラム格納部９１と、中央処理装置９２と、ポンプ駆動制御部９３と、温調液温度制御部９４と、バルブ開閉制御部９５と、ヒータ制御部９６と、を有する。
【００３７】
プログラム格納部９１には、一連の処理を行うための処理プログラムや、ウエハＷを搬送するための搬送プログラム等の制御プログラムが格納されている。なお、プログラム格納部９１は、例えば、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカードなどの記憶媒体として構成される。
【００３８】
プログラム格納部９１に格納された制御プログラムは、中央処理装置９２にインストールされて実行される。中央処理装置９２には、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が備えられており、当該記憶媒体には制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されている。中央処理装置９２は、制御プログラムに基づいて、ポンプ駆動制御部９３、温調液温度制御部９４、バルブ開閉制御部９５、ヒータ制御部９６に制御信号を出力するように構成されている。
【００３９】
ポンプ駆動制御部９３は、ポンプ５５に接続されてポンプ５５の動作を制御する。ポンプ駆動制御部９３は、ポンプ５５を駆動させることによって、処理液供給管路５２及び循環管路５７内の処理液を送液する。
【００４０】
温調液温度制御部９４は、熱交換器６４に接続される。温調液温度制御部９４は、例えば通常時、熱交換器６４の設定温度を常温（約２３℃）より低い温度、例えば０℃〜２３℃未満に設定して温調液を温調する。
【００４１】
バルブ開閉制御部９５は、バルブＶ１、バルブＶ２、バルブＶ３及び三方バルブ５６に接続される。バルブ開閉制御部９５は、例えば、処理液供給ノズル５３からウエハＷ上へ処理液を供給する際には、バルブＶ１、バルブＶ２及びバルブＶ３を閉成し、処理液供給管路５２と処理液供給ノズル５３とが連通するように、三方バルブ５６を切り換える。また、リザーブタンク５４内の気泡が一定レベル以上存在すると認定された場合に、バルブ開閉制御部９５は、バルブＶ１を開成して気泡を含む処理液を排液管路５８に排出する。さらに、バルブ開閉制御部９５は、第１のフィルタ６０、又は第２のフィルタ７０内の処理液を気泡と共に排出する場合には、バルブＶ２、又はバルブＶ３を開成して、処理液を排液管路５９、又は排液管路７１に排出する。
【００４２】
ヒータ制御部９６は、ヒータ６８に接続されてヒータ６８の動作を制御する。ヒータ６８は、例えば、二重配管路６７及びフィルタ温調機構６１によって常温より低い温度に温調された処理液を、常温まで温める。ヒータ６８には、例えば温度センサが設けてあり、この温度センサによって、処理液の温度が常温まで上昇したか否かを判断する。
【００４３】
次に、以上により構成される本実施形態の動作について、図１乃至図４及び図６を用いて説明する。なお、塗布現像装置１における塗布現像処理については、既に述べているので、以下では、処理液供給部５０から塗布処理モジュール３１に処理液が供給される時の処理液供給部５０の動作について説明する。また、以下では、処理液供給部５０から供給される処理液として、ウエハＷ上にレジスト液を吐出する前に供給されるシンナーを例に説明する。
【００４４】
第２のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ２で反射防止膜を形成したウエハＷは、第３のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３の塗布処理モジュール３１に搬送されレジスト液の塗布処理が行われる。塗布処理では、塗布処理モジュール３１に搬入されたウエハＷに、まず前処理としてシンナーを供給する。その後、レジスト液をウエハＷに供給してウエハＷを回転させ、ウエハＷ上にレジスト膜を形成する。本実施形態では、この塗布処理で使用されるシンナーがウエハＷ上に供給されるまでの処理液供給部５０の動作について説明する。まず、制御部９０の中央処理装置９２は、温調液温度制御部９４に制御信号を送信し、熱交換器６４の温度を常温より低い温度、例えば４℃に設定する（図６のＳ１）。
【００４５】
その後、中央処理装置９２は、ポンプ駆動制御部９３に制御信号を送信し、ポンプ５５を駆動させて処理液供給源５１から処理液供給管路５２にシンナーを送液する。そして、中央処理装置９２は、バルブ開閉制御部９５に制御信号を送信し、バルブＶ１、バルブＶ２及びバルブＶ３を閉成すると共に、処理液供給管路５２と循環管路５７とが連通するように三方バルブ５６を切り換える。こうして、処理液供給源５１から送液されたシンナーは、第２のフィルタ７０及び第１のフィルタの順に通液され、それぞれのフィルタにおいてろ過される（図６のＳ２）。このとき、熱交換器６４の温度は、常温より低い温度、例えば４℃に設定されているので、二重配管路６７及びフィルタ温調機構６１の温度は約４℃となり、第１のフィルタ６０に通液されるシンナーの温度も約４℃に温調される。第１のフィルタ６０では、シンナーの温度が常温よりも低い温度であるため、常温下では変形可能な軟質粒子が硬化して第１のフィルタ６０に確実に捕捉される。第１のフィルタ６０を通過したシンナーは、三方バルブ５６を通って循環管路５７に送液され、リザーブタンク５４に戻り、再びポンプ５５の駆動によって第２のフィルタ７０、第１のフィルタ６０の順に通液される（シンナーの循環、図６のＳ３）。
【００４６】
シンナーが処理液供給管路５２及び循環管路５７を循環している間に、制御部９０の中央処理装置９２は、プログラム格納部９１から例えば搬送プログラム及び処理プログラム等を読み出し、塗布処理モジュール３１において所定の時間内に塗布処理が開始されるか判断する（図６のＳ４）。塗布処理が所定の時間内に開始されると判断される場合には、温調液温度制御部９４に制御信号を送信して、熱交換器６４の設定温度を常温に変更する。また、ヒータ制御部９６にも制御信号を送信して、ヒータ６８を作動させる（図６のＳ５）。なお、塗布処理が所定の時間内に開始されないと判断される場合には、シンナーの循環が継続される。
【００４７】
次に、例えばヒータ６８に設置した温度センサにより、処理液供給管路５２内のシンナーの温度を計測する。そして、シンナーが常温であるか否かを判断する（図６のＳ６）。シンナーが常温であると判断された場合には、中央処理装置９２は、バルブ開閉制御部９５に制御信号を送信し、三方バルブ５６を切り替えて処理液供給管路５２と処理液供給ノズル５３とが連通するようにする。こうして、ウエハＷにシンナーが供給され（図６のＳ７）、続いてレジスト液がウエハＷ上に塗布されて塗布膜が形成される。
【００４８】
本実施形態によれば、塗布処理に使用される前のシンナーを、第２のフィルタ７０でろ過してシンナーに含まれる不純物を除去し、次に第１のフィルタ６０でろ過することにより、第２のフィルタ７０でろ過されなかった異物を取り除いている。その際に、第１のフィルタ６０でろ過されるシンナーを第２のフィルタ７０でろ過されるシンナーよりも低い温度に冷却している。第１のフィルタ６０に通液されるシンナーは、常温より低い温度に冷却されているため、シンナーに含まれる軟質粒子が硬化して第１のフィルタ６０に確実に捕捉される。
【００４９】
また、本実施形態によれば、フィルタ冷却機構により第１のフィルタ６０自体を冷却しているため、容量の大きいフィルタ内においてもシンナーが確実に冷却され、第１のフィルタで硬化した軟質粒子を確実に捕捉することができる。
【００５０】
さらに、本実施形態では、第１のフィルタ６０と第２のフィルタ７０とが、異なる材料を含む濾材から構成されているため、異なる性質を有する不純物や異物を確実に取り除くことが可能となる。
【００５１】
以上の実施形態では、シンナーをウエハＷに供給する前に、ヒータ６８を作動させると共に温調液の温度を常温に変更してシンナーの温度を常温にするようにしていたが、必ずしも熱交換器６４の設定温度を変更しなくてもよい。熱交換器６４の設定温度はそのままで、ヒータ６８のみを作動させてシンナーの温度を上昇させ、温度センサでシンナーの温度が常温になったと判断された場合に三方バルブ５６を切り替えてシンナーを処理液供給ノズル５３に送液するようにしてもよい。
【００５２】
また、以上の実施形態では、第１のフィルタ６０と第２のフィルタ７０とが、異なる材料を含む濾材から構成されていたが、本考案に係る液処理装置においては、異なる材料を含む濾材から構成されることは必須ではない。同じ種類の材料からなるフィルタを二つ用いてもよい。また、第１のフィルタ６０は、第２のフィルタ７０の下流に配置されていたが、この配置であることも必須ではない。第１のフィルタ６０を第２のフィルタ７０の上流に配置して、第１のフィルタ６０のみ冷却してもよい。この場合には、第１のフィルタ６０から処理液供給ノズル５３までの距離が長くなるため、冷却されたシンナーが常温に上昇しやすくなるので、ヒータ６８を別途設ける必要性が低くなる。
【００５３】
また、本考案は、シンナーの他に、レジスト液や反射防止膜形成用の塗布液、ポジ型現像液、ネガ型現像液、リンス液等の他の処理液についても適用することができる。
【００５４】
以上、いくつかの実施形態を参照しながら本考案を説明したが、本考案は前記の実施形態に限定されることなく、添付の実用新案登録請求の範囲に含まれる事項の範囲で種々の変形が可能である。
【００５５】
また、上記の実施形態では、本考案に係る塗布現像装置を半導体ウエハに適用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板についても適用できる。
【符号の説明】
【００５６】
１      塗布現像装置
５０    処理液供給部
５１    処理液供給源
５２    処理液供給管路
５５    ポンプ
５６    三方バルブ
５７    循環管路
６０    第１のフィルタ
６１    フィルタ温調機構
６４    熱交換器
６８    ヒータ
７０    第２のフィルタ
９０    制御部
【図１】
0003201496.tif 000003
【図２】
0003201496.tif 000004
【図３】
0003201496.tif 000005
【図４】
0003201496.tif 000006
【図５】
0003201496.tif 000007
【図６】
0003201496.tif 000008