(57)【要約】  小型化可能であって、接続の信頼性の高い実装構造体、撮像装置および内視鏡を提供する。本発明における実装構造体は、角柱状をなし、長手方向の両端に電極５５ａ−１、５５ａ−２を有する電子部品５５と、電子部品５５を半田５８により実装する１対のランド６０−１、６０−２を備えた積層基板４６と、を備え、ランド６０−１、６０−２は、単位時間当たりの温度上昇率が異なる２つの領域６０１、６０２を有し、温度上昇率が高い領域６０１は、主として電子部品５５を載置する領域外に配置されることを特徴とする。
2017115441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面と側面における連続した領域に構成された２つの電極を有する電子部品と、
前記電子部品を半田により実装する１対のランドを備えた基板と、
を備え、
前記ランドは、単位時間当たりの温度上昇率が異なる２以上の領域を有し、実装された前記電子部品によって隠されずに露出している前記ランドのうち、温度上昇率が高い領域の方が温度上昇率が低い領域よりも広いことを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
前記電極を構成する底面と側面による稜線部分が実装される長さは、前記温度上昇率が高い領域の方が、前記温度上昇率が低い領域よりも長いことを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
【請求項３】
前記電子部品は角柱状をなし、前記電極は長手方向の両端に配置され、
前記温度上昇率が高い領域は、前記ランドの前記電子部品の短手方向の端面より外側の領域を含むように配置され、
前記温度上昇率が低い領域は、前記ランドの前記電子部品の短手方向の端面より内側の領域に配置されることを特徴とする請求項１または２に記載の実装構造体。
【請求項４】
前記電子部品は角柱状をなし、前記電極は長手方向の両端に配置され、
前記温度上昇率が低い領域は前記ランドの内側に配置され、前記温度上昇率が高い領域は前記ランドの外周領域であって、前記温度上昇率が低い領域を取り囲むように配置されることを特徴とする請求項１に記載の実装構造体。
【請求項５】
前記温度上昇率が高い領域は、前記温度上昇率が低い領域より熱伝導率が高い材料から形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の実装構造体。
【請求項６】
前記ランドは、前記温度上昇率が高い領域が銅、前記温度上昇率が低い領域がアルミニウムからなり、表面に金メッキ層を有することを特徴とする請求項５に記載の実装構造体。
【請求項７】
前記温度上昇率が高い領域と前記温度上昇率が低い領域は同一の材料からなり、前記温度上昇率が高い領域は、前記温度上昇率が低い領域より厚さが薄いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の実装構造体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一つに記載の実装構造体と、
前記実装構造体の基板と接続され、外部から入射した光を電気信号に変換する撮像素子と、
光を集光し、集光した光を前記撮像素子に入射する光学系と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
請求項８に記載の撮像装置と、
硬質部材によって形成された筒状をなす先端部を有し、被検体内に挿入可能な挿入部と、
を備えることを特徴とする内視鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装構造体、撮像装置および内視鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療分野および工業分野において、各種検査のために内視鏡が広く用いられている。このうち、医療用の内視鏡は、患者等の被検体の体腔内に、先端に撮像素子が設けられた細長形状をなす可撓性の挿入部を挿入することによって、被検体を切開せずとも体腔内の体内画像を取得できる。さらに、内視鏡は、必要に応じて挿入部先端から処置具を突出させて治療処置を行うことができるため、広く用いられている。【０００３】
このような内視鏡の挿入部先端には、固体撮像素子と、該固体撮像素子の駆動回路を構成するコンデンサやＩＣチップ等の電子部品が実装された積層基板を含む撮像モジュールが嵌め込まれている。積層基板に電子部品を半田により接続する際、加熱により電子部品の方が積層基板のランドより高温となり、溶融した半田が電子部品の下部、すなわちランド間の内側に集まって接合され、電子部品の電極の側面にフィレットが形成されず、接続の信頼性が不十分となる場合がある。【０００４】
半田接続による信頼性を向上する技術として、プリント基板のランドの対向する内側端部を接続する絶縁容器の電極の内側端部より外側に設けることにより、フィレット形状を制御する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−１１０３７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１は、絶縁容器をプリント基板のランドに接続する際の技術であり、電子部品を基板に接続する際のフィレット形成に関する問題、すなわち接続の信頼性が不十分であるという問題を解決するものではない。【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、小型化可能であって、接続の信頼性の高い実装構造体、撮像装置および内視鏡を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる実装構造体は、底面と側面における連続した領域に構成された２つの電極を有する電子部品と、前記電子部品を半田により実装する１対のランドを備えた基板と、を備え、前記ランドは、単位時間当たりの温度上昇率が異なる２以上の領域を有し、実装された前記電子部品によって隠されずに露出している前記ランドのうち、温度上昇率が高い領域は、温度上昇率が低い領域よりも広いことを特徴とする。【０００９】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記電極を構成する底面と側面による稜線部分が実装される長さは、前記温度上昇率が高い領域の方が、前記温度上昇率が低い領域よりも長いことを特徴とする。【００１０】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記電子部品は角柱状をなし、前記電極は長手方向の両端に配置され、前記温度上昇率が高い領域は、前記ランドの前記電子部品の短手方向の端面より外側の領域を含むように配置され、前記温度上昇率が低い領域は、前記ランドの前記電子部品の短手方向の端面より内側の領域に配置されることを特徴とする。【００１１】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記電子部品は角柱状をなし、前記電極は長手方向の両端に配置され、前記温度上昇率が低い領域は前記ランドの内側に配置され、前記温度上昇率が高い領域は前記ランドの外周領域であって、前記温度上昇率が低い領域を取り囲むように配置されることを特徴とする。【００１２】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記温度上昇率が高い領域は、前記温度上昇率が低い領域より熱伝導率が高い材料から形成されることを特徴とする。【００１３】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記ランドは、前記温度上昇率が高い領域が銅、前記温度上昇率が低い領域がアルミニウムからなり、表面に金メッキ層を有することを特徴とする。【００１４】
また、本発明にかかる実装構造体は、上記発明において、前記温度上昇率が高い領域と前記温度上昇率が低い領域は同一の材料からなり、前記温度上昇率が高い領域は、前記温度上昇率が低い領域より厚さが薄いことを特徴とする。【００１５】
また、本発明にかかる撮像装置は、上記のいずれか一つに記載の実装構造体と、前記実装構造体の基板と接続され、外部から入射した光を電気信号に変換する撮像素子と、光を集光し、集光した光を前記撮像素子に入射する光学系と、を備えたことを特徴とする。【００１６】
また、本発明にかかる内視鏡は、上記に記載の撮像装置と、硬質部材によって形成された筒状をなす先端部を有し、被検体内に挿入可能な挿入部と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、電子部品の電極側面に十分な接続強度を有するフィレットが形成されるとともに、電子部品の接続に要する領域も小さくできるため、高密度実装が可能となり、撮像装置および内視鏡を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる内視鏡システムの全体構成を模式的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示す内視鏡先端の部分断面図である。
【図３】図３は、図２に示す撮像装置の上面図である。
【図４】図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図６】図６は、ランドの上面図である。
【図７】図７は、実施の形態２にかかるランドの上面図である。
【図８】図８は、図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】図９は、実施の形態３にかかる電子部品実装時のランドの上面図である。
【図１０】図１０は、実施の形態４にかかる電子部品実装時のランドの上面図である。
【図１１】図１１は、実施の形態５にかかる電子部品実装時のランドの上面図である。
【図１２】図１２は、実施の形態６にかかる電子部品実装時のランドの上面図である。
【図１３】図１３は、実施の形態７にかかる電子部品実装時のランドの上面図である。
【図１４】図１４は、図１３のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１５】図１５は、実施の形態８にかかる電子部品実装時のランドの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下の説明では、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」という）として、撮像装置を備えた内視鏡について説明する。また、この実施の形態により、この発明が限定されるものではない。さらに、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。さらにまた、図面は、模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、各部材の比率等は、現実と異なることに留意する必要がある。また、図面の相互間においても、互いの寸法や比率が異なる部分が含まれている。
【００２０】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる内視鏡システムの全体構成を模式的に示す図である。図１に示すように、内視鏡システム１は、内視鏡２と、ユニバーサルコード３と、コネクタ５と、プロセッサ（制御装置）６と、表示装置７と、光源装置８とを備える。
【００２１】
内視鏡２は、挿入部３０を被検体の体腔内に挿入することによって、被検体の体内画像を撮像し撮像信号を出力する。ユニバーサルコード３内部の電気ケーブル束は、内視鏡２の挿入部３０の先端まで延伸され、挿入部３０の先端部３Ａに設けられる撮像装置に接続する。
【００２２】
コネクタ５は、ユニバーサルコード３の基端に設けられて、光源装置８およびプロセッサ６に接続され、ユニバーサルコード３と接続する先端部３Ａの撮像装置が出力する撮像信号に所定の信号処理を施すとともに、撮像信号をアナログデジタル変換（Ａ／Ｄ変換）して画像信号として出力する。
【００２３】
光源装置８は、例えば、白色ＬＥＤを用いて構成される。光源装置８が点灯するパルス状の白色光は、コネクタ５、ユニバーサルコード３を経由して内視鏡２の挿入部３０の先端から被写体へ向けて照射する照明光となる。
【００２４】
プロセッサ６は、コネクタ５から出力される画像信号に所定の画像処理を施すとともに、内視鏡システム１全体を制御する。表示装置７は、プロセッサ６が処理を施した画像信号を表示する。
【００２５】
内視鏡２の挿入部３０の基端側には、内視鏡機能を操作する各種ボタン類やノブ類が設けられた操作部４が接続される。操作部４には、被検体の体腔内に生体鉗子、電気メスおよび検査プローブ等の処置具を挿入する処置具挿入口４ａが設けられる。
【００２６】
挿入部３０は、撮像装置が設けられる先端部３Ａと、先端部３Ａの基端側に連設された複数方向に湾曲自在な湾曲部３Ｂと、この湾曲部３Ｂの基端側に連設された可撓管部３Ｃとによって構成される。湾曲部３Ｂは、操作部４に設けられた湾曲操作用ノブの操作によって湾曲し、挿入部３０内部に挿通された湾曲ワイヤの牽引弛緩にともない、たとえば上下左右の４方向に湾曲自在となっている。
【００２７】
内視鏡２には、光源装置８からの照明光を伝送するライトガイドバンドル（不図示）が配設され、ライトガイドバンドルによる照明光の出射端に照明レンズ（不図示）が配置される。この照明レンズは、挿入部３０の先端部３Ａに設けられており、照明光が被検体に向けて照射される。
【００２８】
次に、内視鏡２の先端部３Ａの構成について詳細に説明する。図２は、内視鏡２先端の部分断面図である。なお、図２は、内視鏡２の先端部３Ａに設けられた撮像装置の基板面に対して直交する面であって撮像装置の光軸方向と平行な面で切断した場合の断面図である。図２においては、内視鏡２の挿入部３０の先端部３Ａと、湾曲部３Ｂの一部を図示する。
【００２９】
図２に示すように、湾曲部３Ｂは、後述する被覆管４２内側に配置する湾曲管８１内部に挿通された湾曲ワイヤ８２の牽引弛緩にともない、上下左右の４方向に湾曲自在である。この湾曲部３Ｂの先端側に延設された先端部３Ａ内部に、撮像装置３５が設けられる。
【００３０】
撮像装置３５は、レンズユニット４３と、レンズユニット４３の基端側に配置する撮像ユニット４０とを有し、接着剤４１ａで先端部本体４１の内側に接着される。先端部本体４１は、撮像装置４０を収容する内部空間を形成するための硬質部材で形成される。先端部本体４１の基端外周部は、柔軟な被覆管４２によって被覆される。先端部本体４１よりも基端側の部材は、湾曲部３Ｂが湾曲可能なように、柔軟な部材で構成されている。先端部本体４１が配置される先端部３Ａが挿入部３０の硬質部分となる。
【００３１】
レンズユニット４３は、複数の対物レンズ４３ａ−１〜４３ａ−４と、対物レンズ４３ａ−１〜４３ａ−４を保持するレンズホルダ４３ｂとを有し、このレンズホルダ４３ｂの先端が、先端部本体４１内部に挿嵌固定されることによって、先端部本体４１に固定される。
【００３２】
撮像ユニット４０は、ＣＣＤまたはＣＭＯＳなどの光を受光して光電変換を行うことにより電気信号を生成する固体撮像素子４４、固体撮像素子４４の受光部４４ａが形成される受光面と対向する背面側に延出するフレキシブルプリント基板４５（以下「ＦＰＣ基板４５」という）、ＦＰＣ基板４５表面に接続された複数の導体層を有する積層基板４６、および固体撮像素子４４の受光面を覆った状態で固体撮像素子４４に接着するガラスリッド４９を備える。撮像ユニット４０の積層基板４６には、固体撮像素子４４の駆動回路を構成する能動部品や受動部品である電子部品５５〜５７が実装され、内部には図示しない複数の導体層間を電気的に導通させるビアが形成されている。また、積層基板４６は、基端側に電気ケーブル束４７の各信号ケーブル４８の先端を接続する外部電極６３が形成さている（図３参照）。
【００３３】
各信号ケーブル４８の基端は、挿入部３０の基端方向に延伸する。電気ケーブル束４７は、挿入部３０に挿通配置され、図１に示す操作部４およびユニバーサルコード３を介して、コネクタ５まで延設されている。
【００３４】
レンズユニット４３の対物レンズ４３ａ−１〜４３ａ−４によって結像された被写体像は、対物レンズ４３ａ−１〜４３ａ−４の結像位置に配設された固体撮像素子４４によって検出されて、撮像信号に変換される。撮像信号は、ＦＰＣ基板４５および積層基板４６に接続する信号ケーブル４８およびコネクタ５を経由して、プロセッサ６に出力される。
【００３５】
固体撮像素子４４は、受光部４４ａが形成される受光面と対向する背面側で、接着剤５４ａを介して積層基板４６の側面と接着される。固体撮像素子４４と、固体撮像素子４４の側面外周は、金属製の補強部材５２に覆われている。積層基板４６上の電子部品５５〜５７に対する外部静電気の影響を防止するため、補強部材５２は、固体撮像素子４４、ＦＰＣ基板４５および積層基板４６から離間して設置される。
【００３６】
撮像ユニット４０および電気ケーブル束４７の先端部は、耐性向上のために、熱収縮チューブ５０によって外周が被覆される。熱収縮チューブ５０内部は、接着樹脂５１によって部品間の隙間が埋められている。
【００３７】
固体撮像素子ホルダ５３は、固体撮像素子ホルダ５３の基端側内周面にガラスリッド４９の外周面が嵌め込まれることによって、ガラスリッド４９に接着する固体撮像素子４４を保持する。固体撮像素子ホルダ５３の基端側外周面は、補強部材５２の先端側内周面に嵌合する。固体撮像素子ホルダ５３の先端側内周面には、レンズホルダ４３ｂの基端側外周面が嵌合する。このように各部材同士が嵌合した状態で、レンズホルダ４３ｂの外周面、固体撮像素子ホルダ５３の外周面、ならびに、熱収縮チューブ５０の先端側外周面が、接着剤４１ａによって先端部本体４１の先端の内周面に固定される。
【００３８】
次に、撮像装置３５について説明する。図３は、図２に示す撮像装置３５の上面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。図５は、図４のＢ−Ｂ線断面図である。図６は、ランドの上面図である。なお、図３においては、レンズユニット４３および信号ケーブル４８の図示を省略している。
【００３９】
図３に示すように、積層基板４６の上面には、電子部品５５、５６、５７を実装するランド６０−１、６０−２、６１−１、６１−２、６２−１、６２−２が形成されている。電子部品５５〜５７は、角柱状をなし、長手方向の両端に電極５５ａ−１、５５ａ−２、５６ａ−１、５６ａ−２、５７ａ−１、５７ａ−２をそれぞれ有している。電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２は、一対のランド６０−１、６０−２に半田５８により接続され、電子部品５６の電極５６ａ−１、５６ａ−２は、一対のランド６１−１、６１−２に半田５８により接続され、電子部品５７の電極５７ａ−１、５７ａ−２は、一対のランド６２−１、６２−２に半田５８により接続されている。なお、電子部品５５、５６、５７は、図４で示したような角柱状の形状に限定されるわけではなく、例えば、角部に丸みがある形状のものでも良い。
【００４０】
また、図６に示すように、ランド６０−１、６０−２は、半田を加熱時に、上面視で単位時間当たりの温度上昇率が異なる２つの領域６０１、６０２を有し、温度上昇率が高い領域６０１は、主として電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０−１、６０−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０−１、６０−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より内側の領域に主として配置されており、実装された電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０−１、６０−２のうち、温度上昇率が高い領域６０１の方が、温度上昇率が低い領域６０２よりも広い。また、電極５５ａ−１、５５ａ−２の底面と側面によって構成される稜線部分のうち、ランド６０−１、６０−２に実装される長さは、温度上昇率が高い領域６０１における稜線Ａの方が、温度上昇率が低い領域６０２における稜線Ｂよりも長い。図６において、電子部品５５の実装位置を点線で示し、電極５５ａ−２の底面と側面によって構成される稜線部分のうち、温度上昇率が高い領域６０１における稜線Ａを一点破線で示し、温度上昇率が低い領域６０２における稜線Ｂを二点破線で示している。
【００４１】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０−１、６０−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０−１、６０−２に接続する際、図４および図５に示すように、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１、および一部の端面ｆ２およびｆ３側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０−１、６０−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００４２】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０−１、６０−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、温度上昇率が高い領域６０１の電極５５ａ−１、５５ａ−２の下部以外の場所に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の下部の長さｄ２は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００４３】
また、電子部品５５のランド６０−１、６０−２への載置の安定性、および半田５８の供給の観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の長手方向の長さｄ３は、略同一であることが好ましい。
【００４４】
温度上昇率が高い領域６０１は、温度上昇率が低い領域６０２より熱伝導率が高い材料から形成され、たとえば、温度上昇率が高い領域は銅、温度上昇率が低い領域がアルミニウムから形成される。また、領域６０１、６０２の表面は、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００４５】
上記では、電子部品５５を実装するランド６０−１、６０−２について説明したが、電子部品５６および５７を実装するランド６１−１、６１−２、６２−１、６２−２も、ランド６０−１、６０−２と同様に、単位時間当たりの温度上昇率が異なる２つの領域６０１、６０２を有し、温度上昇率が高い領域６０１は、主として電子部品５６、５７を載置する領域外、すなわちランド６１−１、６１−２、６２−１、６２−２において電子部品５６、５７の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置される。これにより、電子部品５６、５７の電極５６ａ−１、５６ａ−２、５７ａ−１、５７ａ−２の側面にフィレットが形成されやすくなり、電子部品５６、５７とランド６１−１、６１−２、６２−１、６２−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００４６】
（実施の形態２）
図７は、実施の形態２にかかるランドの上面図である。図８は、図７のＣ−Ｃ線断面図である。実施の形態２では、電子部品５５が実装されるランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において、温度上昇率が高い領域６０１は、電子部品５５の短手方向の端面より外側の領域に主として配置される。なお、実施の形態２において、温度上昇率が高い領域６０１および温度上昇率が低い領域６０２に使用する材料は、実施の形態１と同様のものが使用できる。また、領域６０１、６０２の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００４７】
温度上昇率が高い領域６０１は、主として電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より内側の領域に配置されている。詳細には、ランド６０Ａ−１、６０Ａ−２は、電子部品５５の短手方向に３つの領域が平行に形成されており、３つの領域は、２つの温度上昇率が高い領域６０１と、１つの温度上昇率が低い領域６０２であり、２つの温度上昇率が高い領域６０１が温度上昇率が低い領域６０２を挟むように配置されており、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ａ−１、６０Ａ−２は、温度上昇率が高い領域６０１のみである。温度上昇率が低い領域６０２は電子部品５５で全て隠される。
【００４８】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ａ−１、６０Ａ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ２およびｆ３側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ａ−１、６０Ａ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００４９】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、温度上昇率が高い領域６０１の電極５５ａ−１、５５ａ−２の下部以外の場所に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の下部の長さｄ５は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００５０】
また、半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ａ−１、６０Ａ−２において電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より主として外側の領域に存在させる観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の短手方向の長さｄ６は、略同一であることが好ましい。
【００５１】
実施の形態２では、ランド６０Ａ−１、６０Ａ−２の電子部品５５の長手方向の端面を、電子部品５５の長手方向の端面ｆ１と揃えて形成している。したがって、電子部品５５の実装に要するランド６０Ａ−１、６０Ａ−２の電子部品５５の長手方向に要する長さを短くでき、電子部品５５の長手方向に高密度な実装が可能となる。
【００５２】
（実施の形態３）
図９は、実施の形態３にかかる電子部品５５を実装時のランドの上面図である。実施の形態３では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において、温度上昇率が高い領域６０１は、電子部品５５の長手方向の端面より外側、かつ電子部品５５の短手方向の端面より外側の領域に主として配置される。実施の形態３において、温度上昇率が高い領域６０１および温度上昇率が低い領域６０２に使用する材料は、実施の形態１と同様のものが使用できる。また、領域６０１、６０２の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００５３】
温度上昇率が高い領域６０１はランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より内側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より内側の領域に配置されている。詳細には、ランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２は、温度上昇率が低い領域６０２を温度上昇率が高い領域６０１がＵ字状に取り囲むように配置されており、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２は、温度上昇率が高い領域６０１のみである。温度上昇率が低い領域６０２は電子部品５５で全て隠される。
【００５４】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１、ｆ２、ｆ３側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００５５】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、温度上昇率が高い領域６０１の電極５５ａ−１、５５ａ−２の下部以外の場所に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の長手方向の長さｄ２は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の短手方向の長さｄ５は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００５６】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｂ−１、６０Ｂ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１の外側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させる観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の長手方向の長さｄ３は、１００％以上１５０％以下であることが好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の短手方向の長さｄ６は、１００％以上３００％以下であることが好ましい。
【００５７】
（実施の形態４）
図１０は、実施の形態４にかかる電子部品５５を実装時のランドの上面図である。実施の形態４では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２において、温度上昇率が高い領域６０１は、温度上昇率が低い領域６０２を取り囲むように配置される。なお、実施の形態４において、温度上昇率が高い領域６０１および温度上昇率が低い領域６０２に使用する材料は、実施の形態１と同様のものが使用できる。また、領域６０１、６０２の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００５８】
温度上昇率が高い領域６０１は、ランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２の外周領域に配置され、温度上昇率が低い領域６０２はランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２の内側に配置される。すなわち、温度上昇率が高い領域６０１は、温度上昇率が低い領域６０２を取り囲むように配置されており、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２は、温度上昇率が高い領域６０１のみである。温度上昇率が低い領域６０２は電子部品５５で全て隠される。
【００５９】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２において外周領域に配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１、ｆ２、ｆ３、ｆ４側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００６０】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２の外周領域に存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、ランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２の外周領域に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の長手方向の長さｄ２は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の短手方向の長さｄ５は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００６１】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｃ−１、６０Ｃ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１の外側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させる観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の長手方向の長さｄ３は、５０％以上１００％以下であることが好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の短手方向の長さｄ６は、１００％以上３００％以下であることが好ましい。
【００６２】
（実施の形態５）
図１１は、実施の形態５にかかる電子部品５５を実装時のランドの上面図である。実施の形態５では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において、温度上昇率が高い領域６０１は、電子部品５５の長手方向の端面ｆ４より主として内側、かつ電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置される。実施の形態５において、温度上昇率が高い領域６０１および温度上昇率が低い領域６０２に使用する材料は、実施の形態１と同様のものが使用できる。また、領域６０１、６０２の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００６３】
温度上昇率が高い領域６０１はランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ４より主として内側（電子部品５５の中心側）、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より内側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より内側の領域に配置されている。詳細には、ランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２は、温度上昇率が低い領域６０２を温度上昇率が高い領域６０１が、Ｕ字状（実施の形態３とは開口側が逆）に取り囲むように配置されており、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２は、温度上昇率が高い領域６０１のみである。温度上昇率が低い領域６０２は電子部品５５で全て隠される。
【００６４】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ４より内側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ２、ｆ３、ｆ４側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００６５】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ４より内側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、温度上昇率が高い領域６０１の電極５５ａ−１、５５ａ−２の下部以外の場所に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の長手方向の長さｄ２は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５下部の短手方向の長さｄ５は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００６６】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｄ−１、６０Ｄ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ４の内側、かつ短手方向の端面ｆ２、ｆ３より外側の領域に主として存在させる観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の長手方向の長さｄ３は、１５０％以上２００％以下であることが好ましい。また、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の短手方向の長さｄ４に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の短手方向の長さｄ６は、１００％以上３００％以下であることが好ましい。
【００６７】
（実施の形態６）
図１２は、実施の形態６にかかる電子部品５５を実装時のランドの上面図である。実施の形態６では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２において、温度上昇率が高い領域６０１は、電子部品５５の長手方向の端面より外側の領域に主として配置され、ランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２の電子部品５５の短手方向の端面を、電子部品５５の短手方向の端面ｆ２、ｆ３と揃えて形成されている。なお、実施の形態６において、温度上昇率が高い領域６０１および温度上昇率が低い領域６０２に使用する材料は、実施の形態１と同様のものが使用できる。また、領域６０１、６０２の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００６８】
温度上昇率が高い領域６０１は、主として電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より内側の領域に配置されおり、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２は、温度上昇率が高い領域６０１のみである。温度上昇率が低い領域６０２は電子部品５５で全て隠される。
【００６９】
温度上昇率が高い領域６０１を、ランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【００７０】
半田５８を、電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として存在させることにより、フィレット高さを高くできる。半田５８を、温度上昇率が高い領域６０１の電極５５ａ−１、５５ａ−２の下部以外の場所に多く存在させるためには、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の下部の長さｄ２は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがさらに好ましい。
【００７１】
また、電子部品５５のランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２への載置の安定性、および半田５８の供給の観点から、温度上昇率が高い領域６０１の電子部品５５の長手方向の長さｄ１に対する温度上昇率が低い領域６０２の電子部品５５の長手方向の長さｄ３は、略同一であることが好ましい。
【００７２】
実施の形態６では、ランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２の電子部品５５の短手方向の端面を、電子部品５５の長手方向の端面ｆ２、ｆ３と揃えて形成している。したがって、電子部品５５の実装に要するランド６０Ｅ−１、６０Ｅ−２の電子部品５５の短手方向に要する長さを短くでき、電子部品５５の短手方向に高密度な実装が可能となる。
【００７３】
（実施の形態７）
図１３は、実施の形態７にかかる電子部品５５を実装時のランドの上面図である。図１４は、図１３のＥ−Ｅ線断面図である。実施の形態７では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２は、温度上昇率が異なる３つの領域を有している。
【００７４】
ランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２は、電子部品５５の長手方向に３つの領域が平行に形成されており、３つの領域は、温度上昇率が高い領域６０１と、温度上昇率が低い領域６０２と、温度上昇率が中程度の領域６０４であり、ランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２の外側から温度上昇率が高い順に領域６０１、領域６０４、領域６０２が配置されており、電子部品５５が実装された後に電子部品５５によって隠されずに露出しているランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２の面積は、温度上昇率が高い領域６０１の方が、温度上昇率が低い領域６０２や温度上昇率が中程度の領域６０４よりも広い。
【００７５】
温度上昇率が高い領域６０１、温度上昇率が中程度の領域６０４、温度上昇率が低い領域６０２は、例えば、銅、アルミニウム、真鍮から形成される。また、領域６０１、６０４、６０２の表面は、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００７６】
ランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２において、外側から温度上昇率が高い順に領域６０１、領域６０４、領域６０２を配置することにより、加熱によって半田５８が溶融して、温度が高い領域に移動する際の電子部品５５の位置ずれを防止することができる。
【００７７】
また、ランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２において、外側から温度上昇率が高い順に領域６０１、領域６０４、領域６０２を配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２に接続する際、半田５８が外側の温度上昇率が高い領域６０１に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１側の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｆ−１、６０Ｆ−２との接続の信頼性を向上することができる。さらに、半田５８を、電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として存在させることにより、フィレット高さを高くできる。
【００７８】
（実施の形態８）
図１５は、実施の形態８にかかる電子部品５５を実装時のランドの断面図である。実施の形態８では、電子部品５５が実装されるランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２において、温度上昇率が高い領域６０１’は、温度上昇率が低い領域６０２’と同一の材料、例えば銅からなり、温度上昇率が高い領域６０１’の厚さｈ１は、温度上昇率が低い領域６０２’の厚さｈ２より薄く形成されている。なお、領域６０１’、６０２’の表面は、実施の形態１と同様に、導電性を向上する金メッキ層６０３が形成されている。
【００７９】
ランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２は、加熱時に、上面視で単位時間当たりの温度上昇率が異なる２つの領域６０１’、６０２’を有し、温度上昇率が高い領域６０１’は、主として電子部品５５を載置する領域外、すなわちランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置される。温度上昇率が低い領域６０２’は、主として電子部品５５を載置する領域内、すなわちランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より内側の領域に主として配置されている。
【００８０】
温度上昇率が高い領域６０１’を、ランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２において電子部品５５の長手方向の端面ｆ１より外側の領域に主として配置することにより、加熱により半田５８を溶融して電子部品５５をランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２に接続する際、温度上昇率が高い領域６０１’の温度が先に高くなることにより半田５８が領域６０１’に集まり、電子部品５５の電極５５ａ−１、５５ａ−２の端面ｆ１の側面にフィレットが形成されやすくなる。これにより、電子部品５５とランド６０Ｇ−１、６０Ｇ−２との接続の信頼性を向上することができる。
【符号の説明】
【００８１】
１  内視鏡システム
２  内視鏡
３  ユニバーサルコード
３Ａ  先端部
３Ｂ  湾曲部
３Ｃ  可撓管部
４  操作部
４ａ  処置具挿入口
５  コネクタ
６  プロセッサ
７  表示装置
８  光源装置
３０  挿入部
３５  撮像装置
４０  撮像ユニット
４１  先端部本体
４１ａ  接着剤
４２  被覆管
４３  レンズユニット
４３ａ−１〜４３ａ−４  対物レンズ
４３ｂ  レンズホルダ
４４  固体撮像素子
４４ａ  受光部
４５  フレキシブルプリント基板
４６  積層基板
４７  電気ケーブル束
４８  信号ケーブル
４９  ガラスリッド
５０  熱収縮チューブ
５１  接着樹脂
５２  補強部材
５３  固体撮像素子ホルダ
５４ａ  接着剤
５５、５６、５７  電子部品
５８  半田
６０−１、６０−２、６０Ａ−１、６０Ａ−２、６０Ｂ−１、６０Ｂ−２、６０Ｃ−１、６０Ｃ−２、６０Ｄ−１、６０Ｄ−２、６０Ｅ−１、６０Ｅ−２、６０Ｆ−１、６０Ｆ−２、６０Ｇ−１、６０Ｇ−２、６１−１、６１−２、６２−１、６２−２  ランド
６３  外部電極
８１  湾曲管
８２  湾曲ワイヤ
６０１  温度上昇率が高い領域
６０２  温度上昇率が低い領域
６０３  金メッキ層
６０４  温度上昇率が中程度の領域
【図１】
2017115441.tif 000003
【図２】
2017115441.tif 000004
【図３】
2017115441.tif 000005
【図４】
2017115441.tif 000006
【図５】
2017115441.tif 000007
【図６】
2017115441.tif 000008
【図７】
2017115441.tif 000009
【図８】
2017115441.tif 000010
【図９】
2017115441.tif 000011
【図１０】
2017115441.tif 000012
【図１１】
2017115441.tif 000013
【図１２】
2017115441.tif 000014
【図１３】
2017115441.tif 000015
【図１４】
2017115441.tif 000016
【図１５】
2017115441.tif 000017
【国際調査報告】
2017115441.tif 000018
2017115441.tif 000019