【事件の表示】
　特許第５９０９００６号発明「円筒型スパッタリングターゲット及びその製造方法」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５９０９００６号の明細書、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正することを認める。
　特許第５９０９００６号の請求項１〜５に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５９０９００６号（以下、「本件特許」という。）の請求項１〜５に係る特許についての出願は、平成２７年３月２３日に特許出願され、平成２８年４月１日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許について、特許異議申立人歌代豊により特許異議の申立てがなされ、平成２８年１２月２１日付けで取消理由が通知され、平成２９年３月３日に意見書の提出及び訂正の請求がなされ、この訂正の請求に対して特許異議申立人から平成２９年４月１３日付けで意見書が提出され、平成２９年４月２６日付けで取消理由が通知され、平成２９年６月２６日に意見書の提出及び訂正の請求がなされ、この訂正の請求に対して特許異議申立人に意見を求めたところ、意見書の提出はなされなかったものである。
第２　訂正の適否についての判断
１　訂正の内容
　平成２９年６月２６日付けの訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）による訂正の内容は以下のとおりである。なお、本件訂正請求により、平成２９年３月３日付けの訂正の請求は取り下げられたものとみなす。
［訂正事項１］
　特許請求の範囲の請求項１に
「円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μｍＫ）、接合剤の融点と室温との差をΔＴ（Ｋ）とした場合に、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が
ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）
を満たすことを特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。」
とあるのを
「円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μｍＫ）、接合剤の融点と室温との差をΔＴ（Ｋ）とした場合に、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が
ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）
　を満たすこと
（ただし、前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるものは除く。）
　を特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。」
と訂正する。
２　訂正要件の判断
　訂正事項１は、請求項１において、「（ただし、前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるものは除く。）」との特定を付加し、「円筒形スパッタリングターゲット材」から「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるもの」を除外する、いわゆる「除くクレーム」という記載様式に基づく訂正であって、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、訂正事項１は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって、新規事項の追加に該当せず、また、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　また、訂正事項１は、訂正前の請求項１を訂正するものであり、訂正前の請求項２〜５は請求項１を引用するため、請求項１〜５は一群の請求項あるから、本件訂正請求は、一群の請求項１〜５について請求するものである。
３　むすび
　以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第４項、並びに、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合するので、訂正後の請求項〔１〜５〕について訂正を認める。
第３　特許異議の申立てについて
１　本件発明
　本件訂正請求により訂正された請求項１〜５に係る発明（以下「本件発明１〜５」という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１〜５に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
【請求項１】
円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μｍＫ）、接合剤の融点と室温との差をΔＴ（Ｋ）とした場合に、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が
ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）
　を満たすこと（ただし、前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるものは除く。）
　を特徴とする円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面は、さらに、算術平均粗さ（Ｒａ）が
ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）×０．１≦Ｒａ（μｍ）
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記円筒形スパッタリングターゲット材は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、またはＩＴＺＯからなることを特徴とする請求項１または２に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記接合材は、ＩｎまたはＩｎＳｎを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記接合材の厚みは、０．５ｍｍ≦ｄ≦２．０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
２　取消理由の概要
　訂正前の請求項１〜５に係る特許に対して平成２８年１２月２１日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、「請求項１〜５に係る発明は、特許法第１８４条の１５第２項の規定により読み替えた同法第４１条第３項の規定により、国際公開第２０１６／０２７５９９号（甲第１号証）によって出願公開されたものとみなされる特願２０１４−１６９８０８号（以下、「先願」という。）の願書に最初に添付された明細書（以下、「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者が先願明細書に記載された発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、本件特許の出願人が先願の出願人と同一でもないので、請求項１〜５に係る特許は特許法第２９条の２の規定を違反してなされたものである。」というものである。
　なお、平成２９年４月２６日付けの取消理由は、平成２９年３月３日付けの訂正の請求によって生じた記載不備を指摘するものであり、当該訂正の請求の取り下げによって、この拒絶理由は解消している。
３　取消理由に対する当審の判断
（１）先願明細書の記載事項
　先願明細書には、以下の事項が記載されている。なお、下線は当審が付した。
ア　「【００３６】
　図２Ｂに戻り、
内周面研削工程について説明する。内周面研削工程は、焼成体１２の内周面１２ｂを研削する工程である。
　【００３７】
　
砥石６ａは、焼成体１２の円筒軸と平行となるように配置されたシャフト６ｂを回転軸として回転しつつ、このシャフト６ｂに対して垂直、すなわち、焼成体１２の円筒軸に平行な方向への進退移動が可能となるように構成される。
・・・
　【００３９】
　
このような構成を有する砥石６ａによって研削された焼成体１２の内周面１２ｂには、砥石６ａによる研削方向に対応して、砥石５ａにより焼成体１２の外周面１２ａに形成されるものと同様の研削スジｄが形成される。
焼成体１２の円筒軸に平行な方向へ進退移動させると、焼成体１２の内周面１２ｂは、焼成体１２の回転および砥石６ａの進退移動に対応してトラバース研削され、内周面１２ｂに研削スジｄが形成される。
イ　「【００４５】
　次に、仕上研削工程について説明する。
仕上研削工程とは、焼成体１２の外周面１２ａおよび内周面１２ｂの各研削工程の最後に行われる、焼成体１２の外周面１２ａおよび内周面１２ｂを研削する工程をいう。
　【００４６】
　図５は、実施形態１に係る円筒形スパッタリングターゲット用ターゲット材の製造方法の概要を示す説明図であり、図３Ａ、図４Ａに示す領域６で示される焼成体１２の外周面１２ａを拡大視したものに相当する。図５中、
ラインｄ２は、仕上研削工程における最後の研削で焼成体１２の外周面１２ａに形成された研削スジｄを示している。また、ラインｄ１は、ラインｄ２の研削スジｄが形成される研削の直前の仕上研削で焼成体１２の外周面１２ａに形成された研削スジｄを示している。
ウ　「【００５３】
　・・・ここで、
表面粗度Ｒａとは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３の「算術平均粗さＲａ」に相当する値である。
エ　「【００６８】
［実施例１］
（
ＩＴＯ円筒形ターゲット。内周面、外周面ともに往復トラバース仕上研削
・・・
　【００７３】
　続いて、
トラバース研削により焼成体１２の内周面１２ｂの仕上研削を行った。
・・・
【００７８】
　砥石５ａを前進方向および後退方向に移動させるトラバース研削を、焼成体１２の外径が１５３ｍｍとなるまで１パスずつ繰り返し行った後、切り込み量０で砥石５ａを円筒軸方向に移動させるスパークアウトを２パス行った。最後に、
焼成体１２の両端を切断して長さを３００ｍｍに加工し、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍ、長さ３００ｍｍの円筒形ターゲット材２を製造した。
【００７９】
　
上記した円筒形ターゲット材２を９本用意し、外径１３３ｍｍ、内径１２３ｍｍ、長さ３２００ｍｍのチタン製のバッキングチューブ３に、接合材４としてＩｎ半田を用いて９本の円筒形ターゲット材２をそれぞれ接合し、円筒形ターゲット１を作製した。
【００８０】
　・・・また、９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける、・・・と表面粗度Ｒａとを測定し、その平均をそれぞれ算出した。また、接合した９本の円筒形ターゲット材２を目視にて評価したところ、いずれも割れは認められなかった。結果を表１に示す。」
オ　「【０１４２】
［
実施例１６
（実施例１の表面粗度Ｒａ変更）
　
焼成体１２（ＩＴＯ）の内周面１２ｂを研削する砥石６ａの砥粒粒度を＃８０とし、外周面１２ａを研削する砥石５ａの砥粒粒度を＃１４０としたことを除き、実施例１と同様にして円筒形ターゲット材２および円筒形ターゲット１を作製した。
【０１４３】
　・・・
９本の円筒形ターゲット材２において、内周面１２ｂおよび外周面１２ａにおける
表面粗度Ｒａとを測定し、その平均をそれぞれ算出した。
結果を表１に示す。
カ　「【０１９７】
【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（２）先願発明
　先願明細書には、上記（１）エによれば、外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍの円筒形ＩＴＯターゲット材と、外径１３３ｍｍ、内径１２３ｍｍのチタン製のバッキングチューブとを、Ｉｎ半田の接合材を用いて接合した円筒形ターゲットが記載され、上記（１）オ及びカによれば、実施例１６の円筒形ターゲットとして、円筒形ターゲット材の内周面の表面粗度Ｒａが１．８μｍとなるように往復トラバース研削により仕上研削した円筒形ターゲットが記載されている。そして、上記（１）ウによれば、前記表面度粗度Ｒａは算術平均粗さＲａに相当することが記載されている。
　これら記載を整理すると、先願明細書には、「外径１５３ｍｍ、内径１３５ｍｍの円筒形ＩＴＯターゲット材と、外径１３３ｍｍ、内径１２３ｍｍのチタン製のバッキングチューブとを、Ｉｎ半田の接合材を用いて接合した円筒形ターゲットであって、円筒形ターゲット材の内周面は往復トラバース研削により仕上研削された面であって、その算術平均粗さＲａが１．８μｍである円筒形ターゲット」の発明（以下、「先願発明」という。）が記載されていると認められる。
（３）本件発明１について
　本件発明１と先願発明を対比すると、先願発明の「円筒形ＩＴＯターゲット材」、「円筒形ターゲット材の内周面」、「チタン製のバッキングチューブ」、「円筒形ターゲット」は、本件発明１の「円筒形スパッタリングターゲット材」、「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面」、「円筒形基材」、「円筒形スパッタリングターゲット」にそれぞれ相当する。また、先願発明の「円筒形ターゲット材の内周面」と、本件発明１の「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面」とは、特定の表面粗さを有する点で共通している。
　したがって、本件発明１と先願発明は、「円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面が特定の表面粗さを有している円筒形スパッタリングターゲット」である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面に関して、本件発明１は、「表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるもの」を除く表面であるのに対して、先願発明は、「往復トラバース研削により仕上研削された面」である点。
（相違点２）
　円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の粗さに関して、本件発明１では、該表面の「十点平均粗さ（Ｒｚ）」が、「前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μｍＫ）、接合剤の融点と室温との差をΔＴ（Ｋ）とした場合に」、「ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）」を満たすことを特定しているのに対して、先願発明では、該表面の「算術平均粗さＲａ」が「１．８μｍ」であることを特定している点。
　上記相違点１について検討すると、先願発明の「往復トラバース研削により仕上研削された面」は、上記（１）イによれば、ライン状の研削スジを有しているといえ、また、上記（１）アによれば、前記往復トラバース研削は、円筒形ターゲット材となる焼成体を回転し、砥石を進退移動して行うものといえるから、前記ライン状の研削スジは、円筒形ターゲット材の内周面の円周方向のみに存在するものといえる。
　これに対して、本件発明１の円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面は、表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるものを除く表面である。
　そうしてみると、本件発明１の「表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるもの」を除く表面は、先願発明の「往復トラバース研削により仕上研削された面」を含まないから、上記相違点１は実質的な相違点といえる。
　以上のとおりであるから、相違点２について検討するまでもなく、本件発明１は、先願明細書に記載された発明と同一であるといえない。
（４）本件発明２〜５について
　本件発明２〜５は、本件発明１を引用し、上記相違点１及び２を有するものであるから、上記（３）で検討したとおり、先願明細書に記載された発明と同一であるといえない。
４　取消理由通知において採用しなかった特許異議申立理由について
（１）特許法第２９条の２について
　特許異議申立人は、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、特開２０１５−５９２６９号公報（甲第２号証）によって出願公開された特願２０１３−１９５９０４号（以下、「先願２」という。）の願書に最初に添付された明細書（以下、「先願明細書２」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、本件特許の発明者が先願明細書２に記載された発明をした者と同一ではなく、また本件特許の出願の時において、本件特許の出願人が先願２の出願人と同一でもないので、請求項１〜５に係る特許は特許法第２９条の２の規定を違反してなされたものである旨を主張している。
　上記主張について検討すると、先願明細書２の段落【００２２】、【００２３】、【００３４】、【００４３】〜【００４７】、【表１】の記載によれば、先願明細書２には、「研削加工された内径１３５ｍｍの円筒形ＩＧＺＯ焼結体とチタン製のバッキングチューブとを、インジウムからなる厚み１．５ｍｍの裏面用ハンダ材で接合した円筒形ＩＧＺＯスパッタリングターゲットであって、円筒形ＩＧＺＯ焼結体の裏面の粗さ（Ｒａ）が１．０μｍである円筒形ＩＧＺＯスパッタリングターゲット」の発明（以下、「先願２発明」という。）が記載されていると認められる。
　そして、本件発明１と先願２発明を対比すると、先願２発明の「円筒形ＩＧＺＯ焼結体」、「円筒形ＩＧＺＯ焼結材の裏面」、「チタン製のバッキングチューブ」、「円筒形ＩＧＺＯスパッタリングターゲット」、「裏面用ハンダ材」は、本件発明１の「円筒形スパッタリングターゲット材」、「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面」、「円筒形基材」、「円筒形スパッタリングターゲット」、「接合体」にそれぞれ相当する。また、先願２発明の「円筒形ＩＧＺＯ焼結材の裏面」と、本件発明１の「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面」とは、特定の表面粗さを有する点で共通している。
　したがって、本件発明１と先願２発明は、「円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面が特定の表面粗さを有している円筒形スパッタリングターゲット」である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点Ａ）
　円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面に関して、本件発明１は、「表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるもの」を除く表面であるに対して、先願２発明は、「研削加工」された「面」である点。
（相違点Ｂ）
　円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の粗さに関して、本件発明１では、該表面の「十点平均粗さ（Ｒｚ）」が、「前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μｍＫ）、接合剤の融点と室温との差をΔＴ（Ｋ）とした場合に」、「ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）」を満たすことを特定しているのに対して、先願２発明では、該表面の「Ｒａ」が「１．０μｍ」であることを特定している点。
　上記相違点Ｂについて検討すると、参考文献（化学大辞典１、共立出版株式会社、１９９７年９月２０日、縮刷版第３６刷、第７１５頁）によれば、インジウムの融点は１５６．６℃、線膨張率は３．３×１０−５ｄｅｇ−１であるといえるから、先願２発明の「インジウムからなる厚み１．５ｍｍの裏面用ハンダ材」も、融点が１５６．６℃、線膨張率が３．３×１０−５ｄｅｇ−１であるといえる。
　また、特開２００９−２５６７１９号公報（甲第３号証）の「・・・スパッタリングターゲットの表面粗さは、Ｒｚｊｉｓ（１０点平均粗さ）・・・。一般的なスパッタリングターゲットの表面粗さはＲａ（算術平均粗さ）で評価しているが、・・・。Ｒｚｊｉｓの値は、粗さ曲線が三角波形状の表面であればＲａの値の４倍、サンドブラストなどで研磨した表面ではＲａの値の６〜１０倍になる。・・・」（【００８３】）との記載によれば、十点平均粗さは、算術平均粗さの４〜１０倍の値であることが技術常識といえるから、先願２発明の円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の粗さは、十点表面粗さＲｚで示すと、４．０μｍ（＝１．０μｍ×４）〜１０μｍ（＝１．０μｍ×１０）であるといえる。
　そこで、先願２発明の接合材（裏面用ハンダ材）の厚さと円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の十点平均粗さが、本件発明１の「ｄ（μｍ）×α１（μｍ／μｍＫ）×ΔＴ（Ｋ）≦Ｒｚ（μｍ）」の関係式を満足するかを検討すると、先願２発明の裏面用ハンダ材は、厚みが１．５ｍｍ（１５００μｍ）、融点が１５６．６℃（４２９．７５Ｋ）、線膨張率が３．３×１０−５Ｋ−１であり、室温は２９３．１５Ｋであるから、前記関係式の左辺は６．７μｍ（＝１５００μｍ×３．３×１０−５Ｋ−１×（４２９．７５Ｋ−２９３．１５Ｋ））となる。そして、前述したとおり、先願２発明の円筒形ＩＧＺＯ焼結材の裏面の十点平均粗さＲｚは４．０〜１０μｍであるから、上記関係式を必ずしも満足しているとはいえない。
　ここで、特許異議申立人は、十点平均粗さと算術平均粗さの関係は、特開２００９−２４２９１５号公報（甲第４号証）及び特開２００９−２２１５８９号公報（甲第５号証）に記載されたターゲット材の算術平均粗さ（Ｒａ）と最大高さ粗さ（Ｒｚ）の実測値により裏付けられている旨を主張している（特許異議申立書第１５頁第８〜１１行）が、甲第４号証及び甲第５号証に記載された最大高さ粗さ（Ｒｚ）は、十点平均粗さと異なる表面粗さであるから、相違点Ｂの検討にあたって、甲第４号証及び甲第５号証の記載は参酌できない。
　したがって、上記相違点Ｂを実質的な相違点でないとはいえないから、上記相違点Ａを検討するまでもなく、本件発明１は、先願明細書２に記載された発明と同一であるといえない。
　また、本件発明２〜５は、本件発明１を引用し、上記相違点Ａ及びＢを有するものであるから、同様の理由により、先願明細書２に記載された発明と同一であるといえない。
　よって、特許異議申立人の主張は理由がない。
（２）特許法第３６条第６項第２号について
　特許異議申立人は、訂正前の請求項１〜５に係る発明は、「円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面」の「十点平均粗さ（Ｒｚ）」の上限値の規定がなされていないため、発明の範囲が不明確である旨を主張している。
　上記主張について検討すると、本件発明１〜５の「十点平均粗さ（Ｒｚ）」は、円筒形基材とのはめ合いが可能な値に制限されるから、その上限値が特定されていなくても、発明の範囲が不明確であるとはいえない。
　したがって、特許異議申立人の主張は理由がない。
５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１〜５に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に本件請求項１〜５に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年８月３１日（２０１７．８．３１）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
円筒形基材と円筒形スパッタリングターゲット材との接合体からなる円筒形スパッタリングターゲットにおいて、
前記円筒形スパッタリングターゲット材の内径と前記円筒形基材の外径との差から見積もられる、前記円筒形基材と前記円筒形スパッタリングターゲット材とを接合させる接合材の厚みをｄμｍ、接合剤の線膨張係数をα１（μｍ／μ
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が
　を満たすこと
（ただし、前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面全体に円周方向にのみ複数のライン状の研削スジのあるものは除く。）
　【請求項２】
前記円筒形スパッタリングターゲット材の接合材側の表面は、さらに、算術平均粗さ（Ｒａ）が
を満たすことを特徴とする請求項１に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
　【請求項３】
前記円筒形スパッタリングターゲット材は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、またはＩＴＺＯからなることを特徴とする請求項１または２に記載の円筒形スパッタリングターゲット。
　【請求項４】
前記接合材は、ＩｎまたはＩｎＳｎを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。
　【請求項５】
前記接合材の厚みは、０．５ｍｍ≦ｄ≦２．０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の円筒形スパッタリングターゲット。