【事件の表示】
　特許第５７６０３８８号発明「偏光素子とその製造方法、プロジェクター、液晶装置、電子機器」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５７６０３８８号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１−５、９−１１〕、６、〔７、１２〕、８について、訂正することを認める。
　特許第５７６０３８８号の請求項１ないし１２に係る特許を維持する。
【理　由】
第１　手続の経緯
　特許第５７６０３８８号の請求項１ないし１２に係る特許（以下「本件特許」という。）についての出願は、平成２２年１１月１日に特許出願され、平成２７年６月１９日に特許の設定登録がされ、同年８月１２日に特許掲載公報が発行されたものであり、その後の手続の概要は、以下のとおりである。
　平成２８年　２月１０日：特許異議申立書（特許異議申立人小松一枝）
　平成２８年　３月３１日：取消理由通知書
　平成２８年　６月　２日：意見書及び訂正請求書
　平成２８年　９月３０日：訂正拒絶理由通知書
　平成２８年１１月　２日：意見書
　平成２８年１１月１５日：取消理由通知書（決定の予告）
　平成２９年　１月１７日：意見書及び訂正請求書
　なお、平成２８年６月１０日付け及び平成２９年１月２３日付けで、それぞれ、特許法第１２０条の５第５項の規定に基づき、特許異議申立人に対し、特許の取消しの理由を記載した書面（取消理由通知書の写し）とともに、取消理由通知への応答として特許権者から提出された訂正請求書副本及びこれに添付された訂正した特許請求の範囲副本を送付し、相当の期間を指定し、意見書を提出する機会を与えたが、いずれも指定期間内に応答がなかった。
　
第２　訂正の適否
　平成２９年１月１７日付け訂正請求書によりなされた訂正請求（以下「本件訂正請求」といい、本件訂正請求によりなされた訂正を「本件訂正」という。）は、本件特許の特許請求の範囲について、以下のとおり訂正することを求めるものである。
　なお、平成２８年６月２日付け訂正請求書によりなされた訂正請求は、特許法第１２０条の５第７項の規定により、取り下げられたものとみなす。
　
１　訂正の内容
（１）訂正事項１
　本件訂正前の請求項１に、
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、
　前記金属層の表面に形成され、前記金属層を
構成する金属の
物か
　前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を
形成する材料の
物か
　を有し、
　前記基板は、前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げた領域である溝が形成され、
　前記溝は、前記基板よりも屈折率が低いことを特徴とする偏光素子。」とあったものを、
　
「【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、
　前記金属層の表面に形成され、前記金属層を
酸化した
物（自然酸化膜を除く）か
　前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を
酸化した
物（自然酸化膜を除く）か
　を有し、
　前記基板は、前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げた領域である溝が形成され、
　前記溝は、前記基板よりも屈折率が低いことを特徴とする偏光素子。」（下線は当審合議体が付した。以下同じ。）とする訂正。
　
（２）訂正事項２
　本件訂正前の請求項６に、
「【請求項６】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面
を酸化さ
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。」とあったものを、
　
「【請求項６】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面
を一括して酸化（自然酸化を除く）さ
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。」とする訂正。
（３）訂正事項３
　本件訂正前の請求項７に、
「【請求項７】
　
前
る請求項６に記載の偏
　
「【請求項７】
　
基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　
前
る偏
　
（４）訂正事項４
　本件訂正前の請求項８に、
「【請求項８】
　
前
る請求項６又は７に記載の偏
「【請求項８】
　
基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　
前
る偏
「
【請求項１２】
　
前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とする請求項７に記載の偏光素子の製造方法。
　
２　訂正要件についての判断 
（１）訂正事項１
　ア　訂正の目的の適否、新規事項の有無及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
　（ア）訂正事項１は、本件特許の請求項１に係る発明が、「金属の酸化物からなる第１の誘電体層」及び「吸収材層を形成する材料の酸化物からなる第２の誘電体層」を有する偏光素子であることについては変更しないが、前記「酸化物」が自然酸化膜である偏光素子を除くことによって、訂正後の偏光素子を「酸化物」が自然酸化膜である偏光素子を含まないものにしようとするものであると認められる。
　（イ）平成２９年１月１７日に特許権者が提出した意見書の２頁１９行ないし３頁下から３行には、ＡｌグリッドとＳｉ吸収層を有したワイヤグリッドに関して、酸素雰囲気下、３００℃で８時間又は１６時間アニール処理したものと通常品（自然酸化膜あり）について、Ｔｓ（黒表示透過率）、コントラスト（白表示透過率／黒表示透過率）、Ｒｓ（黒表示反射率）の２５０℃又は３００℃での時間変化を計測する実験を行った結果が示されている。当該実験結果によれば、自然酸化物（通常品）と人工的な酸化物（８時間又は１６時間アニール処理したもの）とでは、Ｔｓ、コントラスト、Ｒｓの時間変化特性に明確な差異があり、総じて、人工的な酸化物の時間変化特性は、自然酸化物と比べて安定していることがみてとれる。そうすると、当該実験結果は、自然酸化物と人工的な酸化物とが「物」の特性において異なる、すなわち、両者が「物」として異なることを示しているといえる。
　（ウ）上記（イ）のとおり、自然酸化物と人工的な酸化物とが「物」として異なるものであり、相互に区別できるのであるから、訂正事項１によって除かれる「物」と除かれた後の「物」とは区別できるといえる。そうすると、訂正事項１によって除かれる「物」は明確であるから、訂正事項１は「酸化物」が「自然酸化膜」である態様を除く限定をするものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。また、訂正事項１は、本件特許の請求項１に記載されていた事項に基づくものであるから、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　イ　訂正における一群の請求項の存否
　本件特許の請求項２ないし５、９ないし１１は請求項１の記載を引用するから、請求項１ないし５、９ないし１１は一群の請求項である。
　訂正事項１は、上記１（１）のとおり、本件訂正前の請求項１の記載を訂正するものであるから、請求項１ないし５、９ないし１１からなる一群の請求項に係る訂正である。
　したがって、訂正事項１に係る訂正は、一群の請求項ごとに請求されたものである。
　　
　ウ　小括
　上記ア及びイのとおり、本件訂正請求による訂正事項１は、特許法第１２０条の５第２項第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項〔１−５、９−１１〕について訂正を認める。
（２）訂正事項２ないし４
　ア　訂正事項２
　訂正事項２は、本件特許の請求項６において、「第１の誘電体層」及び「第２の誘電体層」を形成する工程における、金属層及び吸収材層の表面の「酸化」を「一括して酸化」と限定し、また、前記工程における「酸化させる」態様のうち、「自然酸化」によって酸化させる態様を除いた限定をするものであり、当該限定に係る訂正事項２は、本件特許の請求項６に記載されていた事項及び【００４７】に記載されていた事項に基づくものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とし、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　
　イ　訂正事項３
　訂正事項３は、本件特許の請求項７が「請求項６」の記載を引用していたものから、請求項６の記載を引用しない独立形式とするとともに、訂正事項２と同様に、「第１の誘電体層」及び「第２の誘電体層」を形成する工程における「酸化させる」態様のうち、「自然酸化」によって酸化させる態様を除いた限定をするものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　ウ　訂正事項４
　訂正事項４は、本件特許の請求項８が「請求項６」の記載を引用していたものについては、請求項６又は７の記載を引用しない独立形式とするとともに、訂正事項２と同様に、「第１の誘電体層」及び「第２の誘電体層」を形成する工程における「酸化させる」態様のうち、「自然酸化」によって酸化させる態様を除いた限定をするものであり、本件特許の請求項８が「請求項７」の記載を引用していたものについては、請求項６の記載を引用しない新たな請求項１２とするものであるから、他の請求項の記載を引用する請求項の記載を当該他の請求項の記載を引用しないものとすること及び特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、新規事項の追加に該当せず、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
　エ　訂正における一群の請求項の存否
　本件特許の請求項７、８及び１２は訂正前の請求項６の記載を直接的又は間接的に引用するから、請求項６ないし８、１２は一群の請求項である。ただし、請求項６の訂正が認められる場合には、訂正後の請求項７、８、１２を請求項６とは別途訂正することを特許権者は求めているとともに、請求項１２が訂正後の請求項７の記載を引用しているから、訂正後の請求項７、１２は一群の請求項である。
　よって、訂正事項３及び４は、請求項７、１２からなる一群の請求項に係る訂正である。
　したがって、訂正事項３及び４に係る訂正は、一群の請求項ごとに請求されたものである。
　オ　小括
　上記アないしエのとおり、本件訂正請求による訂正事項２ないし４は、特許法第１２０条の５第２項第１号及び第４号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第４項から第６項までの規定に適合するので、訂正後の請求項６、〔７、１２〕、８について訂正を認める。
　
　
第３　平成２８年１１月１５日付け取消理由通知（決定の予告）の概要
１　理由１（特許法第３６条第６項第１号）について
　本件発明１（当審合議体注：平成２８年６月２日付け訂正請求書によりなされた訂正のもの）では、「前記金属層の表面に形成され、前記金属層を構成する金属の酸化物からなる第１の誘電体層と、前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を形成する材料の酸化物からなる第２の誘電体層と、を有し、」とされ、「酸化物」については、自然酸化膜も含むと解される。
　しかしながら、発明の詳細な説明には、酸化物が自然酸化膜を含むことについては記載もなく、第１及び／又は第２の誘電体層が自然酸化膜である場合に本件の発明の課題が解決できる根拠も示されていないところ、出願時の技術常識を考慮しても、発明の詳細な説明に開示された所定の厚さの酸化膜（誘電体層）を、「酸化物」が「自然酸化膜」を含む前記各誘電体層を特定事項とする請求項１の範囲にまで拡張又は一般化することはできない。
　
２　理由２（特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項）について
　本件発明１ないし６、９ないし１１（当審合議体注：平成２８年６月２日付け訂正請求書によりなされた訂正のもの）は、引用例１に記載された発明であるか、または、本件発明１ないし６、９ないし１１は引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び引用例３の記載事項に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本件発明１ないし６、９ないし１１の特許は特許法第２９条の規定に違反してされたものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　引用例１：特開２００８−２１６９５７号公報（甲第３号証）
　引用例２：特開２００７−１７８７６３号公報（甲第４号証）
　引用例３：特表２００３−５０２７０８号公報（甲第５号証）
第４　当審の判断　
１　本件発明
　上記第２のとおり訂正が認められたので、本件特許は、本件訂正請求により訂正された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項によりそれぞれ特定されるとおりの次のとおりのものである（以下、本件訂正請求により訂正された本件特許の請求項１ないし１２に係る発明をそれぞれ「本件発明１」ないし「本件発明１２」といい、「本件発明１」ないし「本件発明１２」を総称して「本件発明」という。）。
　
【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、
　前記金属層の表面に形成され、前記金属層を酸化した酸化物（自然酸化膜を除く）からなる第１の誘電体層と、
　前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を酸化した酸化物（自然酸化膜を除く）からなる第２の誘電体層と、
　を有し、
　前記基板は、前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げた領域である溝が形成され、
　前記溝は、前記基板よりも屈折率が低いことを特徴とする偏光素子。
　　【請求項２】
　前記金属層と前記吸収材層との間に、第３の誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
　　【請求項３】
　前記金属層と前記吸収材層とを含む積層体の上層に、第４の誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の偏光素子。
　　【請求項４】
　前記吸収材層が、シリコン、ゲルマニウム、クロムからなる群より選ばれる１種又は２種以上からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光素子。
　　【請求項５】
　前記金属層が、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄からなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光素子。
　　【請求項６】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を一括して酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。
　　【請求項７】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　前記酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気であることを特徴とする偏光素子の製造方法。
　　【請求項８】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とする偏光素子の製造方法。
　　【請求項９】
　光を射出する照明光学系と、前記光を変調する液晶ライトバルブと、前記液晶ライトバルブで変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備え、
　前記液晶ライトバルブと前記照明光学系との間、及び前記液晶ライトバルブと前記投射光学系との間のうち少なくとも一方に、請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とするプロジェクター。
　　【請求項１０】
　一対の基板間に液晶層を挟持してなり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層側に、請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
　　【請求項１１】
　請求項１０に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
　　【請求項１２】
　前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とする請求項７に記載の偏光素子の製造方法。
　
２　理由１（上記第３の２（１）：特許法第３６条第６項第１号）について
　本件発明１では、「前記金属層の表面に形成され、前記金属層を酸化した酸化物（自然酸化膜を除く）からなる第１の誘電体層と、前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を形成する材料の酸化物からなる第２の誘電体層と、を有し、」とされ、「酸化物」については、「自然酸化膜」である態様を除いたものとなった。
　してみると、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載したものとなり、理由１は、請求項１に係る特許を取り消すべき理由ではなくなった。
　
３　理由２（上記第３の２（２）：特許法第２９条第１項第３号又は第２９条第２項）について
（１）引用例の記載事項
　ア　引用例１
　本件特許の出願前に頒布され上記取消理由通知（決定の予告）で引用された刊行物である引用例１には、次の事項が記載されている。
　（ア）「【００３１】
　以下に、本発明に係る偏光素子の第１の実施の形態における構成について説明する。なお、本発明を図面に示した実施形態をもって説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、実施の態様に応じて適宜変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。
　・・・略・・・
　【００４６】
　ここで、
無機微粒子層１５に用いられる材料（無機微粒子を構成する材料）としては、偏光素子１０として使用帯域に応じて適切な材料が選択される必要がある。すなわち、金属材料や半導体材料がこれを満たす材料であり、具体的には金属材料として、Ａｌ,Ａｇ,Ｃｕ,Ａｕ,Ｍｏ,Ｃｒ,Ｔｉ,Ｗ,Ｎｉ,Ｆｅ,Ｓｉ,Ｇｅ,Ｔｅ,Ｓｎ単体もしくはこれらを含む合金が挙げられる
　（イ）「【００５１】
　図５は、本発明に係る偏光素子の第２の実施の形態における構成例を示す概略図である。図５（ａ）は偏光素子２０の断面図、図５（ｂ）は
偏光素子
　図５に示すように、
可視光に対し透明な基板２１の表面に設けられた反射層２２を構成する薄膜２２ａと誘電体層２３の積層構造の上に無機微粒子層２５を選択的に形成することにより、該無機微粒子層２５を基板２１上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造
【００５２】
　ここで、基板２１は、第１の実施の形態における基板１１と同じ材料から構成されるものである。
【００５３】
　
反射層２２は、金属からなり基板２１の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に帯状に延びた薄膜２２ａが基板２１上に配列されてなるものである
反射層２２の構成材料には、種々の材料を用いることができ、例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｅなどの金属あるいは半導体材料を用いることができる
　（ウ）「【００５８】
　
無機微粒子層２５は、薄膜２２ａに対応する位置であって誘電体層２３上に無機微粒子を付着させることにより、基板２１の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に該無機微粒子が線状に配列されてなるものである
【００５９】
　図５では、無機微粒子層２５は、薄膜２２ａの長手方向（Ｙ軸方向）に平行に長軸方向を有するとともに長手方向に直交する方向（Ｘ軸方向）に短軸方向を有する長楕円形状の島状の無機微粒子２５ａがＹ軸方向に配列された構成となっている。また、無機微粒子２５ａは使用帯域の波長以下のサイズであって、個々の粒子が完全に孤立化していることが望ましい。
【００６０】
　本発明では無機微粒子層２５の光学定数として、吸収軸Ｙ方向（前記無機微粒子の配列方向）の光学定数が透過軸Ｘ方向（該無機微粒子の配列方向と直交する方向）の光学定数よりも大であることを特徴とする。詳しくは、無機微粒子層２５の吸収軸Ｙ方向の屈折率が透過軸Ｘ方向の屈折率よりも大であり、吸収軸Ｙ方向の消耗係数が透過軸Ｘ方向の消耗係数よりも大であることを特徴とする。この特性を得るためには、無機微粒子層２５を、斜めスパッタ法により成膜する。その詳細は第１の実施の形態で示した方法と同じである。また、
無機微粒子層２５に用いる材料も第１の実施の形態における無機微粒子層１５で用いる材料と同じである
【００６１】
　以上のように構成される本実施形態の偏光素子２０は、基板２１の表面側、即ち、帯状の薄膜２２ａ、誘電体層２３及び無機微粒子層２５の形成面側が光入射面とされる。そして、偏光素子２０は、光の透過、反射、干渉、光学異方性による偏光波の選択的光吸収の４つの作用を利用することで、
反射層１２のワイヤグリッド長手方向に平行な電界成分（Ｙ軸方向）をもつ偏光波（ＴＥ波（Ｓ波））
ワイヤグリッド長手方向に垂直な電界成分（Ｘ軸方向）をもつ偏光波（ＴＭ波（Ｐ波））
【００６２】
　すなわち、図６（ａ）に示すように、
ＴＥ波は、形状異方性を有する無機微粒子２５ａからなる無機微粒子層２５の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰される
薄膜２２ａはワイヤグリッドとして機能し、図６（ｂ）に示すように、無機微粒子層２５及び誘電体層２３を透過したＴＥ波を反射する
　（エ）「【００６４】
　偏光素子２０は、例えば以下のようにして製造することができる。即ち、基板２１に金属膜及び誘電膜を積層し、フォトリソグラフィなどにより金属膜及び誘電膜の格子パターンを形成した後、斜めスパッタ成膜法により無機微粒子層２５を形成する。斜めスパッタ成膜時の入射角度を調節することで、帯状薄膜２２ａ及び誘電体層２３からなる凸部の頂点付近に集中的に微粒子を堆積させることが可能となる。
【００６５】
　上記以外にも、
透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層する方法も適用可能である
更には、基板上に金属膜、誘電膜、微粒子膜を順次積層した後、これらを一括して一次元格子状にエッチングする方法を用いてもよい
【００６６】
　更に、図７に示すように、基板２１上に反射層２２を一次元格子状に形成した後、誘電体層２３を基板２１の表面全域に形成する。これにより、誘電体層２３は、反射層２２の帯状薄膜２２ａの直上で凸部、帯状薄膜２２ａ間で凹部となる凹凸形状を有する。その後、斜めスパッタ成膜法により、誘電体層２３の凸部の頂部の側面部に無機微粒子層２５を形成することで、図５の例と同様な作用効果を有する偏光素子を作製することができる。無機微粒子層２５の形成領域は図示する誘電体層２３の頂部の一側面部に限らず、両側面部であってもよい。」
　（オ）「【００８５】
また、第２の実施形態においても必要に応じて、基板表面、裏面に反射防止膜をコートすることで、空気と基板面からの反射を防止し、透過軸透過率を向上させることができる。反射防止膜としては、一般的に用いられるＭｇＦ２などの低屈折率膜や、低屈折率膜と高屈折率膜で構成される多層膜などで構わない。なお、
図５あるいは図７に示す構成とした後、その表面にＳｉＯ
２
などの使用帯域で透明な物質を保護膜として偏光特性に影響を与えない範囲の膜厚でコートすることは、耐湿性の向上など信頼性向上に有効である
（屈折率×保護膜の膜厚）によっても変化するので、保護膜材料とその膜厚は、これらを考慮して選択されるべきである。
　・・・略・・・」
　（カ）「【００９７】
（実施例５）
  つぎに、本発明の偏光素子における光学異方性発現と無機微粒子との関係について調査を行った。
　・・・略・・・
　【０１０２】
（３）偏光素子２０
  つぎに、図５に示す構成の偏光素子のサンプルを作製した。ここでは、ガラス（コーニング１７３７）製の基板２１上に、反射層２２としてピッチ１５０ｎｍ、格子深さ２００ｎｍのアルミニウム格子を作製し、その上に誘電体層２３としてＳｉＯ2 を３０ｎｍを形成し、ついで本実施例の偏光素子１０と同じ条件で斜めスパッタ成膜を行って無機微粒子層２５としてＧｅ微粒子層を３０ｎｍ積層し、
最表層に保護膜として膜厚３０ｎｍのＳｉＯ
2
 を形成して、図５に示す偏光素子サンプルを作製した
【０１０３】
  この偏光素子サンプルについて、断面より観察したところ、図３０（ａ）のスケッチに示すように、基板２１上に設けられた一次格子状の反射層２２及び誘電体層２３それぞれの頂部から側壁にかけてＧｅからなる無機粒子層２５が形成されていることがわかった。
【０１０４】
  また、図３０（ｂ）及び図３１に、この偏光素子サンプルを上から観察した結果を示す。図３０（ｂ）はスケッチであり、図３１はその基となるＳＥＭ像である。
  一次格子状の誘電体層２３それぞれの頂部から側壁部にかけて誘電体層２３の長手方向に沿う態様で、無機微粒子層２５が形成されており、また無機微粒子層２５は形状異方性を有する無機微粒子２５ａが連なって配列して構成された線あるいは帯として観察された。また無機微粒子２５ａは、該無機微粒子の長軸方向が配列方向となり、短軸方向が配列方向と直交する方向となっている状態が観察された。」
　（キ）「【図５】
　　　　　【図６】
　　　　　【図７】
　　　　　・・・略・・・
　　　　　【図３０】
」
　（ク）上記（ア）ないし（キ）から、図５で示される第２の実施形態における無機微粒子層２５に用いられる材料は、第１の実施の形態における無機微粒子層１５で用いる材料と同じであり、【００６４】及び【００６５】（上記（エ））に記載の事項は第２の実施形態の製造方法を例示したものと認められるから、引用例１には、第２の実施形態の偏光素子、該偏光素子を用いた液晶プロジェクター及び液晶ディスプレイについて、それぞれ次の発明（以下「引用発明」という。引用発明の認定に関係する箇所の段落番号はそのまま併記する。）が記載されているものと認められる。
　「【００５１】可視光に対し透明な基板２１の表面に設けられた反射層２２を構成する薄膜２２ａと誘電体層２３の積層構造の上に無機微粒子層２５を選択的に形成することにより、該無機微粒子層２５を基板２１上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造とした偏光素子であって、
【００５３】反射層２２は、金属からなり基板２１の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に帯状に延びた薄膜２２ａが基板２１上に配列されてなるものであり、反射層２２の構成材料には、種々の材料を用いることができ、例えばＡｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｅなどの金属材料を用い、
【００５８】無機微粒子層２５は、薄膜２２ａに対応する位置であって誘電体層２３上に無機微粒子を付着させることにより、基板２１の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に該無機微粒子が線状に配列されてなるものであり、【００４６】無機微粒子層２５に用いられる材料として、金属材料である、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｗ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｎ単体もしくはこれらを含む合金が挙げられ、
【００６１】、【００６２】反射層１２のワイヤグリッド長手方向に平行な電界成分（Ｙ軸方向）をもつ偏光波（ＴＥ波）は、形状異方性を有する無機微粒子２５ａからなる無機微粒子層２５の光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰され、薄膜２２ａはワイヤグリッドとして機能し、無機微粒子層２５及び誘電体層２３を透過した、ワイヤグリッド長手方向に垂直な電界成分（Ｘ軸方向）をもつ偏光波（ＴＥ波）を反射し、
【００６５】透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層することにより製造した、
　偏光素子。」
　
　イ　引用例２
　本件特許の出願前に頒布され上記取消理由通知で引用された刊行物である引用例２には、次の事項が記載されている。
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　
透光性の誘電体基板上に金属層を形成する工程と、
　
前記金属層をパターニングしてグリッド状の金属膜を形成する工程と、
　
前記グリッド状の金属膜を気体雰囲気中で加熱処理して前記金属膜の表面部を改質する工程と
　
を有する
光学素子の製造方法
【請求項２】
　前記加熱処理により前記気体雰囲気のガス成分と前記グリッド状の金属膜の金属成分とを反応させ、前記グリッド状の金属膜の表面部に前記金属成分と前記ガス成分との化合物を主成分とする誘電体膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の光学素子の製造方法。
【請求項３】
　前記気体雰囲気を、酸素、窒素、炭化水素、フッ素、もしくはこれらの混合ガスにより形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の光学素子の製造方法。
【請求項４】
　前記金属層を、銀、金、銅、パラジウム、白金、アルミニウム、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマスから選ばれる金属、ないしこれらの合金により形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項５】
　前記加熱処理におけるグリッド状の金属膜の加熱温度が８００℃以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光学素子の製造方法。
【請求項６】
　
請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法により得られた光学素子を偏光素子として備えた
【請求項７】
　請求項１から５のいずれか１項に記載の製造方法により得られた光学素子を偏光素子として備えたことを特徴とする投射型表示装置。」
　（イ）「【００２０】
　図２は偏光素子８３１〜８３６（以下、これらを総称して偏光素子１ともいう）の概略構成を示す斜視図である。図３（ａ）は偏光素子１の平面模式図である。図３（ｂ）は偏光素子１の断面模式図であり、偏光素子１を光が透過する際の作用も併せて示している。
【００２１】
　偏光素子１は、本発明の光学素子に係るもので、光源８１０から射出された各色光を偏光選択して直線偏光のみを透過させるものである。具体的には図２及び図３に示すように、ガラス等の誘電体材料からなる透光性の基板１１Ａ上に、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜１５と、該下地絶縁膜１５上にストライプ状に配置された複数の金属膜からなるワイヤーグリッド１２とを備えて構成されている。ワイヤーグリッド１２上には各ワイヤーグリッド１２を覆う保護膜が形成されていてもよく、この場合において当該保護膜の表面は平坦面とされることが好ましい。
【００２２】
　図３（ａ）に示すワイヤーグリッド１２のピッチＰは、当該偏光素子１への入射光の波長よりも小さい値であり、例えば１４０ｎｍ以下に設定されている。また、ワイヤーグリッド１２の幅は、例えば８０ｎｍ以下に設定されており、製造上の都合もあるが、入射光の波長の１／１０程度にするとより好ましい。従って、ワイヤーグリッド１２の隙間に形成される線状の溝１３の幅（スペース幅）は６０ｎｍ程度である。
【００２３】
　また、ワイヤーグリッド１２の高さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度となっている。また、ワイヤーグリッド１２を構成する金属材料としては、アルミニウムのほか、銀、金、銅、パラジウム、白金、ロジウム、シリコン、ニッケル、コバルト、マンガン、鉄、クロム、チタン、ルテニウム、ニオブ、ネオジウム、イッテルビウム、イットリウム、モリブデン、インジウム、ビスマス、又はこれらの合金などを用いることができる。
【００２４】
　ここで図９は、本実施形態に係るワイヤーグリッド１２の断面構造をさらに詳細に示す図である。同図に示すように、本実施形態に係る
ワイヤーグリッド１２は、線状の金属膜１２Ｍとその表面を覆う誘電体膜１２Ｄ２を有している
この誘電体膜１２Ｄ２は、
金属膜１２Ｍの表面を酸化させて形成した金属酸化物膜
であり、
　（ウ）上記（ア）及び（イ）からみて、引用例２には、以下の事項が記載されているものと認められる。
　「透光性の誘電体基板上に金属層を形成する工程と、前記金属層をパターニングしてグリッド状の金属膜を形成する工程と、前記グリッド状の金属膜を気体雰囲気中で加熱処理して前記金属膜の表面部を改質する工程とを有する製造方法によって製造された偏光素子であって、
　前記金属膜の表面部を改質する工程は、金属膜の表面を酸化させて金属酸化物膜である誘電体膜を形成する工程である、
　偏光素子。」（以下「引用例２の記載事項」という。）
　
　ウ　引用例３
　本件特許の出願前に頒布され上記取消理由通知で引用された刊行物である引用例３には、次の事項が記載されている。
　（ア）「【００２６】
　
図４では、本発明のワイヤグリッド偏光子の好ましい実施形態が全体として４００として示されている
透明基板４１０によって支持される複数の平行な細長い導電素子４２０からなる
　・・・略・・・
【００３３】
　素子４２０の構成はスケール通りに描かれておらず、明確に表すために非常に誇張されている。事実、素子の構成は裸眼には見えず、極端に拡大しないで観察した時には、部分的に反映する表面として見える。素子４２０は金属など広いスペクトルの鏡に形成することのできる任意の材料で形成される。好ましくは、可視光で使用するために、材料は銀またはアルミニウムである。
【００３４】
　好ましい実施形態では、
導電素子４２０は、有利には基板４１０または第１の表面４１４から伸びるリブ４３０の上で支持される
素子４２０をマスクとして使用して、素子４２０の間に露出した基板４１０の一部をエッチングして除くことによってリブ４３０を形成する
　（イ）「【図４】
」
　（ウ）上記（ア）及び（イ）からみて、引用例３には、以下の事項が記載されているものと認められる。
　「透明基板４１０によって支持される複数の平行な細長い導電素子４２０からなるワイヤグリッド偏光子であって、
　導電素子４２０は、基板４１０または第１の表面４１４から伸びるリブ４３０の上で支持され、
　素子４２０をマスクとして使用して、素子４２０の間に露出した基板４１０の一部をエッチングして除くことによってリブ４３０を形成した、
　ワイヤグリッド偏光子。」（以下「引用例３の記載事項」という。）
　
（２）対比
　ア　本件発明１と引用発明とを対比する。
　（ア）引用発明の「可視光に対し透明な基板２１」及び「偏光素子」は、それぞれ本件発明１の「基板」及び「偏光素子」に相当する。
　（イ）引用発明の「反射層２２を構成する薄膜２２ａ」は、構成材料としてＡｌ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｗ，Ｆｅ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｔｅなどの金属材料が用いられているから、本件発明１の「金属層」に相当する。
　（ウ）引用発明の「無機微粒子層２５」は、偏光波（ＴＥ波）をその光学異方性による偏光波の選択的光吸収作用によって減衰させるのであるから、本件発明１の「吸収材層」に相当する。
　（エ）引用発明は、「可視光に対し透明な基板２１」（本件発明１の「基板」に相当。以下、「」に続く（）内の文言は対応する本件発明１の用語を表す。）の表面に設けられた「反射層２２を構成する薄膜２２ａ」（金属層）と誘電体層２３の積層構造の上に「無機微粒子層２５」（吸収材層）を選択的に形成することにより、該「無機微粒子層２５」（吸収材層）を「基板２１」（基板）上で一定間隔に並べられたワイヤグリッド構造としたものであり、「反射層２２」（金属層）は、「基板２１」（基板）の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に帯状に延びた「薄膜２２ａ」（金属層）が「基板２１」（基板）上に配列されてなるものであり、「無機微粒子層２５」（吸収材層）は、「薄膜２２ａ」（金属層）に対応する位置であって誘電体層２３上に無機微粒子を付着させることにより、基板２１の主面と平行な一方向（吸収軸Ｙ方向）に該無機微粒子が線状に配列されてなるものであるから、引用発明は、本件発明１の「基板と、基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、を有する」という構成を備える。
　（オ）上記（ア）ないし（オ）からみて、本件発明１と引用発明とは、
「基板と、
　前記基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、
　を有する、
　偏光素子。」である点（以下「一致点１」という。）で一致し、次の点で相違する。
　
　・相違点１
　本件発明１では、金属層の表面に形成され、前記金属層を酸化した酸化物（自然酸化膜を除く）からなる第１の誘電体層と、吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を酸化した酸化物（自然酸化膜を除く）からなる第２の誘電体層とを有するのに対し、
　引用発明では、前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層を有するのかどうかが明らかでない点。
　・相違点２
　本件発明１では、基板は、金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げた領域である溝が形成され、前記溝は、前記基板よりも屈折率が低いのに対し、
　引用発明では、透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層している点。
　
　イ　本件発明６と引用発明とを対比すると、本件発明６は実質的に本件発明１の「偏光素子」の製造方法の発明であるから、本件発明６と引用発明とは、
　「基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。」（以下「一致点２」という。）である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　・相違点３
　本件発明６では、酸素含有雰囲気中で金属層及び吸収材層の表面を一括して酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程を有するのに対し、
　引用発明では、酸素含有雰囲気中で金属層及び吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させる工程を有していない点。
　・相違点４
　本件発明６では、前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程を有するのに対し、
　引用発明では、透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層している点。
　ウ　本件発明７と引用発明とを対比すると、本件発明７は、本件発明６の特定事項に加え、「酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気である」という特定事項をさらに有するから、本件発明７と引用発明とは、上記一致点２で一致し、上記相違点３及び４に加え、以下の点でさらに相違する。
　・相違点５
　本件発明７では、「酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気である」のに対し、
　引用発明では、そもそも、酸素含有雰囲気中で金属層及び吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させる工程を有していない点。
　エ　本件発明８と引用発明とを対比すると、本件発明８は、本件発明６の特定事項に加え、「前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射する」という特定事項をさらに有するから、本件発明８と引用発明とは、上記一致点２で一致し、上記相違点３及び４に加え、以下の点でさらに相違する。
　・相違点６
　本件発明８では、「前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射する」のに対し、
　引用発明では、第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、基板に紫外光を照射するかどうか明らかでない点。
（３）判断
　ア　本件発明１について
　（ア）上記相違点１について検討する。
　引用例２の記載事項（上記（１）イ（ウ））は、基板上の金属膜を気体雰囲気中で加熱処理して当該金属膜の表面改質を行うこと、具体的には、金属膜の表面を酸化させて金属酸化物膜である誘電体膜を形成することである。しかしながら、引用例１には、例えば【００８５】（上記（１）ア（オ））、【０１０２】（上記（１）ア（カ））、図３０（ａ）（上記（１）ア（キ））に、偏光素子の最表層にＳｉＯ２の保護膜を形成することが記載されているが、反射層２２、誘電体層２３及び無機微粒子層２５の表面を自然酸化以外の手段で酸化させることについては記載がない。これらの引用例１及び２に記載されている事項を考慮すれば、当業者が引用発明において、金属層及び吸収材層の表面を保護しようとした際に、引用例１に具体的に記載されているＳｉＯ２の保護膜ではなく、敢えて引用例２の記載事項のような金属層及び吸収材層の表面を酸化した酸化物からなる層を採用しようとする動機は存在しない。そうすると、引用発明において、上記相違点１に係る本件発明１の構成となすことは、当業者であっても容易に想到し得ないものである。
　（イ）上記相違点２について検討する。
　引用発明は、透明基板上に透明材料を一次元格子状に形成し、この格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層しているものであるところ、前記凸部により光学性能に影響がないように、前記透明材料と前記透明基板を同じ屈折率の材料を用いて形成することにより、前記透明材料と前記透明基板との間に光学的な界面を設けないようになすことが技術常識である。当該技術常識を踏まえれば、前記透明材料と前記透明基板との実際の界面の位置に関わらず、前記凸部間の空間は本件発明１でいう「溝」に相当するといえ、当該「溝」は空気で満たされているから基板よりも屈折率が低いことは明らかである。そして、例えば引用例１の図３０（上記（１）ア（カ））において、無機粒子層２５が反射層２２及び誘電層２３の側壁間の空間を塞がないように成膜されているように、引用発明において、格子の凸部上に金属層、誘電体層及び無機微粒子層を順次斜め成膜により積層する際に、前記溝を塞がないように、誘電体層と無機微粒子層を積層させる態様とすることは、引用発明の偏光素子をワイヤグリッドとして十分に機能させるために、当業者が当然考慮すべき事項である。そうすると、相違点２は実質的な相違点とはいえない。
　仮に、上記相違点２が実質的な相違点であるとしても、引用例３の記載事項（上記（１）ウ（ウ））は、ワイヤグリッド偏光子において、平行な細長い素子のアレイをマスクとして使用して、素子の間に露出した基板の一部をエッチングして除くことでリブを形成することであり、当該事項を踏まえれば、引用発明において、透明材料により凸部を形成するのに換えて、基板の表面を掘り下げて形成するようになすことは当業者が引用例３の記載事項に基づいて適宜なし得た程度のことである。
　（ウ）以上のとおり、本件発明１と引用発明とは相違し、本件発明１と引用発明とは同一ではないから、本件発明１は引用例１に記載された発明ではない。また、本件発明１は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
　イ　本件発明２ないし５、９ないし１１について
　上記アのとおり、本件発明１が、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえないのであるから、本件発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件発明２ないし５、９ないし１１も同様に、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるといえない。
　ウ　本件発明６について
　相違点３は、上記ア（イ）の相違点１についての検討と同様に、引用発明において、相違点３に係る本件発明６の構成となすことは当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　エ　本件発明７について
　本件発明７も上記ア（イ）の相違点１についての検討と同様に、引用発明において、本件発明７の構成となすことは当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　また、相違点５についても一応検討すると、引用例１ないし３には、酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気であることの明示はなく、ワイヤグリッド偏光子の金属膜の表面を酸化するに際し、オゾンガス雰囲気で酸化させることが本件特許の出願前に周知であったともいえないから、相違点５に係る本件発明７の構成となすことは当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　オ　本件発明８について
　本件発明８も上記ア（イ）の相違点１についての検討と同様に、引用発明において、本件発明８の構成となすことは当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　また、相違点６についても一応検討すると、引用例１ないし３には、基板に紫外光を照射することの明示はなく、ワイヤグリッド偏光子の金属膜の表面を酸化するに際し、基板に紫外光を照射することが本件特許の出願前に周知であったともいえないから、相違点６に係る本件発明８の構成となすことは当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
　カ　本件発明１２について
　上記エ及びオのとおり、本件発明７については、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものではないから、本件発明７の特定事項を含む本件発明１２についても同様に、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものではない。
　
第５　むすび
　以上のとおりであるから、取消理由通知（決定の予告）に記載した取消理由及び特許異議申立ての理由及び証拠によっては、請求項１ないし１２に係る特許を取り消すことはできない。
　また、他に請求項１ないし１２に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２９年３月２７日（２０１７．３．２７）
【訂正の要旨】
審決（決定）の【理由】欄参照。
（５７）【特許請求の範囲】
　【請求項１】
　基板と、
　前記基板上に平面視ストライプ状に形成され、前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層と、
　前記金属層の表面に形成され、前記金属層を
酸化した
（自然酸化膜を除く）
　前記吸収材層の表面に形成され、前記吸収材層を
酸化した
（自然酸化膜を除く）
　を有し、
　前記基板は、前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げた領域である溝が形成され、
　前記溝は、前記基板よりも屈折率が低いことを特徴とする偏光素子。
　【請求項２】
　前記金属層と前記吸収材層との間に、第３の誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
　【請求項３】
　前記金属層と前記吸収材層とを含む積層体の上層に、第４の誘電体層が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の偏光素子。
　【請求項４】
　前記吸収材層が、シリコン、ゲルマニウム、クロムからなる群より選ばれる１種又は２種以上からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光素子。
　【請求項５】
　前記金属層が、アルミニウム、銀、銅、クロム、チタン、ニッケル、タングステン、鉄からなる群より選ばれる１種又は２種以上の金属からなることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の偏光素子。
　【請求項６】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を
一括して
（自然酸化を除く）
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有することを特徴とする偏光素子の製造方法。
　【請求項７】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　前記酸素含有雰囲気がオゾンガス雰囲気であることを特徴とす
る
　【請求項８】
　基板の一面側に、平面視ストライプ状を成して前記基板の厚さ方向に積層された金属層及び吸収材層を形成する工程と、
　酸素含有雰囲気中で前記金属層及び前記吸収材層の表面を酸化（自然酸化を除く）させることで、前記金属層の表面に第１の誘電体層を形成するとともに前記吸収材層の表面に第２の誘電体層を形成する工程と、
　前記金属層の互いに隣り合う間に露出する前記基板の表面を掘り下げることによって、前記基板よりも屈折率の低い領域を形成する工程と、
　を有し、
　前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とす
る
　【請求項９】
　光を射出する照明光学系と、前記光を変調する液晶ライトバルブと、前記液晶ライトバルブで変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備え、
　前記液晶ライトバルブと前記照明光学系との間、及び前記液晶ライトバルブと前記投射光学系との間のうち少なくとも一方に、請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光素子が設けられていることを特徴とするプロジェクター。
　【請求項１０】
　一対の基板間に液晶層を挟持してなり、少なくとも一方の前記基板の前記液晶層側に、請求項１から５のいずれか１項に記載の偏光素子が形成されていることを特徴とする液晶装置。
　【請求項１１】
　請求項１０に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
　【請求項１２】
　前記第１及び第２の誘電体層を形成する工程において、前記基板に紫外光を照射することを特徴とする請求項７に記載の偏光素子の製造方法。