【事件の表示】
　特許第５８６３２３４号発明「セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
【結　論】
　特許第５８６３２３４号の請求項１ないし３に係る特許を維持する。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許第５８６３２３４号の請求項１ないし３に係る特許についての出願は、平成２２年１２月１日に特許出願され、平成２８年１月８日にその特許権の設定登録がされ、その後、その特許に対し、特許異議申立人により特許異議の申立てがされたものである。
２　本件発明
　特許第５８６３２３４号の請求項１ないし３の特許に係る発明（以下、「本件発明１」ないし「本件発明３」という。）は、それぞれ、その特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「【請求項１】
厚さ０．３〜１．０ｍｍの窒化アルミニウム基板の一方の面に厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅回路、他方の面に厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅放熱板が設けられ、前記銅回路および前記銅放熱板がろう材を介して、前記窒化アルミニウム基板に接合され、前記銅回路上に半導体素子をＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだで搭載したものであって、前記銅回路の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に銅回路とろう材の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有していることを特徴とする窒化アルミニウム回路基板。
【請求項２】
銅回路の半導体搭載領域の外周に形成された薄肉部分が溝状、若しくは複数の穴で形成されており、溝状で形成されている場合の溝幅が０．１〜０．８ｍｍであり、複数の穴で形成される場合の穴径が０．１〜０．８ｍｍであることを特徴とする請求項１記載の窒化アルミニウム回路基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の窒化アルミニウム回路基板を使用したモジュール。」　
３　申立理由の概要
　特許異議申立人は、証拠として下記の甲第１号証刊行物ないし甲第５号証刊行物を提出し、本件発明１ないし本件発明３は、甲第１号証刊行物ないし甲第３号証刊行物に記載された発明と同一であって、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明であり、また、本件発明１ないし本件発明３は、甲第１号証刊行物ないし甲第５号証刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定に違反する発明であるから、本件発明１ないし本件発明３に係る特許を取り消すべきものである旨主張している。
　甲第１号証刊行物：特開平８−２５０８２３号公報（以下、「刊行物１」という。）
　甲第２号証刊行物：特開平３−１２６２８７号公報（以下、「刊行物２」という。）
　甲第３号証刊行物：特開昭５９−５２８５３号公報（以下、「刊行物３」という。）
　甲第４号証刊行物：特開２０１０−５６３９９号公報（以下、「刊行物４」という。）
　甲第５号証刊行物：特開平５−２４６７８８号公報（以下、「刊行物５」という。）
４　刊行物の記載          　
（１）刊行物１には、実施例２に係る基板に関して、次の事項が記載されている。
　ア「【０００２】
【従来の技術】近年、パワートランジスタモジュールやスイッチング電源モジュール等の比較的高電力を扱う半導体部品の搭載用基板等として、セラミックス基板上に銅板等の金属板を接合したセラミックス回路基板が用いられている。」
　イ「【００３１】ここで、複数の孔７を非貫通孔７Ａとする場合、その深さ方向の形状は、図５に示すようにほぼ均一形状であっても、また図６に示すように逆円錐状（あるいは逆角錐状）であってもよい。ただし、その深さｄは銅板２の厚さｔの １／３〜２／３とすることが好ましい。非貫通孔状の孔７の深さが銅板２の厚さｔの１／３未満であると、応力の分散効果が不十分となるおそれがある。」
　ウ「【００４２】また、複数の孔７をプレス加工により形成した銅板２、３は、プレス加工時に反りや変形等は発生しなかったのに対し、同様にプレス加工により銅板の外周縁部に沿って全周に溝を形成した銅板では、プレス加工時に銅板の外周縁部に反りや変形が発生するものがあった。また、プレス加工時には変形の小さい銅板の場合にも、窒化アルミニウム基板との加熱接合、放冷の際に変形が発生していた。
実施例２
セラミックス基板１として表面に酸化物層を有する厚さ０．６ｍｍの窒化アルミニウム基板と、その外周縁部に沿って複数の孔７がプレス加工により形成された所定形状の厚さ０．３ｍｍの銅板２、３とを用意した。複数の孔７の形状は、図３および図７に示した貫通孔（直径=０．５ｍｍ）である。また、複数の孔７の形成間隔は、隣接する孔７間の最短距離Ｌ１を０．２５ｍｍ（＝１／２Ｌ２））とし、また形成位置は銅板２、３からの距離Ｌ３が０．５ｍｍとなるようにした。
【００４３】そして、図２に示したように、窒化アルミニウム基板１の両面に、Ｉｎ：Ａｇ：Ｃｕ：Ｔｉ＝１４．０：５９．０：２３．０：４．０の組成の活性金属含有ろう材をペースト化したものを塗布し、この塗布層を介して銅板２、３を積層配置した後、窒素ガス雰囲気中にて加熱して接合させ、目的とするセラミックス回路基板５を得た。」
　上記記載事項並びに図２及び図３の図示内容から、本件発明１に則って整理すると、刊行物１には次の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されている。
［甲１発明］
「厚さ０．６ｍｍの窒化アルミニウム基板１の上面に厚さ０．３ｍｍの銅板２、下面に厚さ０．３ｍｍの銅板３が設けられ、前記銅板２および前記銅板３が活性金属含有ろう材を介して、前記窒化アルミニウム基板１に接合され、前記銅板２上に半導体部品を搭載したものであって、前記銅板２の外周縁部に複数の孔７を有している半導体部品を搭載した基板。」
（２）刊行物２には、実施例に係る回路基板１に関して、図１及び図２とともに、次の事項が記載されている。
　ア「本発明は上述した従来技術に鑑みてなされたものであり、回路基板と他の部品（シリコンペレットやヒートシンク・ベースなど）とを接合する場合に、ハンダのはみ出しや気泡の混入などの発生を防止し、これに起因する悪影響の解消が図られた回路基板を提供することを目的としている。」（第２ページ右上欄第１２行ないし第１７行）
　イ「（実施例）
　以下、添附図面を参照しながら、本発明の実施例について説明する。
　第１図は本発明の実施例に係る回路基板の平面図であり、第２図は第１図のII−II線に沿った断面図である。これらの図面に示されているように、本発明の回路基板１は、ＡｌＮ、ＳｉＣなどの非酸化物系材料あるいは
Ａｌ２Ｏ３、ＢｅＯなどの酸化物系材料からなるセラミック基板２の表面（この場合は裏側と表側の両面）に銅からなる金属回路板３が直接接合されている。そして、本発明の特徴は、この金属回路板３の表面に溝４が形成されていることにある。
　第１図に示す例においては、溝４の平面パターンが一定の幅からなるストライブ状の溝として形成されているが、これ以外にも、図示はしないが、たとえば格子状パターンとして形成してもよい。本発明においては、回路基板自体の規模や用途によって適宜選択され得るが、上述した作用効果を効果的に発現させるためには、溝４の深さは１〜１００μｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは２０〜４０μｍである。溝幅は１〜１５０μｍの範囲が好ましく、さらに好ましくは５０〜１５０μｍである。また、上記のようなストライブパターンの場合の溝ピッチとしては１〜２０ｍｍ程度、好ましくは１〜４ｍｍに設定することが望ましい。」  （第２ページ右下欄第１行ないし第３ページ左上欄第６行）
　上記記載事項並びに図１及び図２の図示内容から、本件発明１に則って整理すると、刊行物２には次の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されている。
［甲２発明］
「窒化アルミニウムからなるセラミック基板２の表側の表面に銅からなる金属回路板３、裏側の表面に銅からなる金属回路板３が設けられ、前記銅からなる金属回路板３が直接、前記セラミック基板２に接合され、前記表側の表面の銅からなる金属回路板３上にシリコンペレットをハンダで搭載したものであって、前記表側の表面の銅からなる金属回路板３に複数の溝４を有している回路基板１」
（３）刊行物３には、回路素子に関して、第３図と共に、次の事項が記載されている。
　ア「本発明は、金属ろう等から成るはんだ層の熱疲労破壊は、そのはんだ層周端部から発生し成長するという現象に鑑みなされたもので、金属板や支持部材としての金属部材に対向する半導体基体と絶縁部材との面の周縁部と、該周縁部に対向する前記金属部材の表面部との少なくとも一方に、はんだ層の端部層厚を増大形成させる如く切欠き部又は凹部を形成することにより、はんだ層の端部に加わる熱歪を低減し、各部材の変形及び熱疲労破壊を防止しようとするものである。」（第３ページ左上欄第１０行ないし第１９行）
　イ「このように、複数の半導体基体（トランジスタ１４，１５及びダイオード１６）を含む回路素子が、同一の金属板１３上に直接はんだ付けされて混成ＩＣが形成されている。このように形成された実施例の金属板１３と、絶縁部材１２と、支持部材１１との接着部の断面図が、第３図に示されている。
　第３図において、金属支持部材１１は、厚さ３．２ｍｍ×幅６１ｍｍ×長さ１０５ｍｍの銅板から形成されており、その上表面には、載置される絶縁部材１２の周縁部に対向する部分に、幅３ｍｍ×深さ０．５ｍｍの凹部２８が形成されている。
　この金属支持部材１１の凹部２８の位置に一致させて、２枚のアルミナ板の絶縁部材１２が鉛−６０％錫はんだ層２９により接着されている。はんだ層２９の中央部厚さは約０．１ｍｍであり、凹部２８の形成された端部厚さは約０．６ｍｍとなつている。絶縁部材１２の接着面には周知のメタライズ処理が施され、はんだに対するぬれ性が付与されている。絶縁部材１２は幅２８ｍｍ×長さ３３ｍｍ×厚さ０．６ｍｍに形成されたアルミナ板である。
　各絶縁部材１２の上には、金属板１３が、はんだ層３０により接着されている。このはんだ層３０は前記はんだ層２９と同一組成、同一厚さのものである。絶縁部材１２のはんだ層３０と対向する部分には上述と同様、メタライズ処理が施されている。
　金属板１３は厚さ２ｍｍの銅板から形成されており、その下面の周縁部には幅３ｍｍ×深さ０．５ｍｍの切欠き部３１が、また上面には載置される半導体基体１４，１５，１６の周縁部に対向する部分に、幅１．５ｍｍ×深さ０．５ｍｍの凹部２８がプレスによつて形成されている。各金属板１３の上には半導体基体１４，１５，１６　（面積８ｍｍ×８ｍｍ、厚さ０．２５ｍｍ）が、はんだ層３２の中央部厚さは約０．１ｍｍであり、凹部２８の形成された端部厚さは約０．６ｍｍとなっている。なお、はんだ層３２の組成は前記はんだ層２９，３０と同一のものである。
　このように構成されていることから、つまり熱疲労の発生起点となるはんだ層端部の厚みが、十分厚く形成されていることから、混成ＩＣの製造時や動作時に、はんだ層端部に生ずる熱応力を十分に緩和させることができ、これによって熱歪の発生及び熱疲労を効果的に防止させることができる。」（第３ページ左下欄第８行ない第４ページ左上欄第１２行）
　ウ「無機絶縁部材としては、アルミナの他、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、炭化シリコン（ＳｉＣ）等、あるいはこれらを成分とする混合物又は焼結体が適用可能である。」（第５ページ左下欄第２行ないし第６行）
　上記記載事項及び第３図の図示内容から、本件発明１に則って整理すると、刊行物３には次の発明（以下、「甲３発明」という。）が記載されている。
［甲３発明］
「窒化アルミニウムの焼結体からなる絶縁部材１２の上面に銅板から形成された金属板１３、下面に銅板から形成された金属支持部材１１が設けられ、前記金属板１３及び金属支持部材１１が金属ろうを介して絶縁部材１２に接合され、金属板１３上に半導体基体１４，１５，１６を金属ろうで搭載したものであって、前記金属板１３の、半導体基体１４，１５，１６の周縁部に対向する部分に凹部２８を有している混成ＩＣ」
（４）刊行物４には、次の事項が記載されている。
　ア「【請求項９】
前記はんだペーストは、Ｐｂ：９０〜９５質量％を含有し、残部：Ｓｎおよび不可避不純物であるＰｂ−Ｓｎはんだ合金粉末にフラックスを混合したＰｂ−Ｓｎ合金はんだペーストであることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６記載の位置合わせ性に優れたはんだペーストを用いた基板と被搭載物の接合方法。」
（５）刊行物５には、次の事項が記載されている。
　ア「【００１７】上記ペーストをスクリーン印刷法にて前記３種類の窒化アルミニウム基板表面に５〜４３μｍの厚さに図４に示す回路パターン通りに印刷した。印刷後１０分間室温にてレベリングし、引き続き１０５℃で１５分間乾燥した。尚、印刷膜厚は乾燥後に表面粗さ計で測定した。乾燥後、窒素気流中で６００℃にて脱脂した。脱脂処理を完了した窒化アルミニウム基板に銅板を重ね、１．５ｋｇ／ｃｍ２ の荷重を加え、１０−４Ｔｏｒｒ以下の真空下で８５０℃×１５分間加熱し接合した。接合後、回路形成はレジスト印刷及び塩化第２鉄水溶液によるエッチングにておこなった。更に無電解ＮｉＰメッキを３〜５μｍ形成して窒化アルミニウム−銅接合型複合基板を得た。」
　
５　判断
（１）本件発明１について
　ア　本件発明１と甲１発明との対比
　本件発明１と甲１発明とを対比すると、甲１発明の「厚さ０．６ｍｍの窒化アルミニウム基板１」は、本件発明１の「厚さ０．３〜１．０ｍｍの窒化アルミニウム基板」に相当し、以下同様に、「上面」は「一方の面」に、「厚さ０．３ｍｍの銅板２」は「厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅回路」に、「下面」は「他方の面」に、「厚さ０．３ｍｍの銅板３」は「厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅放熱板」に、「活性金属含有ろう材」は「ろう材」に、「半導体部品」は「半導体素子」に、「半導体部品を搭載した基板」は「窒化アルミニウム回路基板」に、それぞれ相当する。
　また、甲１発明の「複数の孔７」が形成された部分の銅板２は、薄肉部分を有しているといえる。
　したがって、本件発明１と甲１発明とは、次の一致点１で一致し、相違点１で相違する。
［一致点１］
「厚さ０．３〜１．０ｍｍの窒化アルミニウム基板の一方の面に厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅回路、他方の面に厚さ０．１〜０．５ｍｍ銅放熱板が設けられ、前記銅回路および前記銅放熱板がろう材を介して、前記窒化アルミニウム基板に接合され、前記銅回路上に半導体素子を搭載したものであって、前記銅回路が薄肉部分を有している窒化アルミニウム回路基板。」
［相違点１］
　本件発明１は、「前記銅回路上に半導体素子をＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだで搭載したものであって、」「前記銅回路の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に銅回路とろう材の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有している」のに対し、甲１発明は、このような構成を有しない点。
　イ　甲１発明についての同一性及び容易想到性の検討
　本件発明１と甲１発明とは相違点１で相違するから、本件発明１は甲１発明と同一でない。
　また、相違点１について検討すると、銅回路上に半導体素子をＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだで搭載したものにおいて、前記銅回路の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に銅回路とろう材の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有している構成、特に、半導体搭載領域端部からの距離を規定して銅回路に薄肉部分を有する構成は、甲第１号証刊行物ないし甲第５号証刊行物に、記載も示唆もされていない。そして、当該構成が設計的事項であるとも認められない。
　また、仮にＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだを採用すること（刊行物４）及び、ロウ材の厚さを５〜４３μｍとすること（刊行物５）が共に周知であったとしても、そのことは、本件発明１に係る半導体搭載領域端部から薄肉部分までの距離を規定する構成が、刊行物１ないし刊行物５に開示されていないことに影響を与えるものでもない。
　そして、本件発明１は、上記相違点１に係る構成によって、窒化アルミニウム回路基板の「半導体素子と金属回路間のはんだクラック及び窒化アルミニウム基板のクラック」が１００μｍ未満か、クラックがない（段落【００３２】及び【表１】参照。）ようにするという格別顕著な効果を奏すると認められる。
　そうであれば、上記相違点１の本件発明１の構成とすることは、刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に成し得たことでない。
　したがって、本件発明１は、甲１発明及び刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明できたものでない。
　ウ　本件発明１と甲２発明との対比
　本件発明１と甲２発明とを対比すると、甲２発明の「窒化アルミニウムからなるセラミック基板２」は、本件発明１の「窒化アルミニウム基板」に相当し、以下同様に、「表側の表面」は「一方の面」に、「表側の表面」の「銅からなる金属回路板３」は「銅回路」に、「裏側の表面」は「他方の面」に、「裏側の表面」の「銅からなる金属回路板３」は「銅放熱板」に、「シリコンペレット」は「半導体素子」に、「ハンダ」は「はんだ」に、「回路基板１」は「窒化アルミニウム回路基板」に、それぞれ相当する。
　また、甲２発明の「複数の溝４」が形成された部分の銅板２は、薄肉部分を有しているといえる。
　したがって、本件発明１と甲２発明とは、次の一致点２で一致し、相違点２及び相違点３で相違する。
［一致点２］
「窒化アルミニウム基板の一方の面に銅回路、他方の面に銅放熱板が設けられ、前記銅回路および前記銅放熱板が前記窒化アルミニウム基板に接合され、前記銅回路上に半導体素子をはんだで搭載したものであって、前記銅回路が薄肉部分を有している窒化アルミニウム回路基板。」
［相違点２］
　本件発明１は、「前記銅回路上に半導体素子をＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだで搭載したものであって、」「前記銅回路の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に銅回路とろう材の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有している」のに対し、甲２発明は、このような構成を有しない点。
［相違点３］
　本件発明１は、「窒化アルミニウム基板」「銅回路」及び「銅放熱板」の厚さが、それぞれ「０．３〜１．０ｍｍ」、「０．１〜０．５ｍｍ」及び「０．１〜０．５ｍｍ」であって、「前記銅回路および前記銅放熱板がろう材を介して、前記窒化アルミニウム基板に接合され」ているのに対し、甲２発明は、このような構成を有しない点。
　エ　甲２発明についての同一性及び容易想到性の検討
　本件発明１と甲２発明とは相違点２及び相違点３で相違するから、本件発明１は甲２発明と同一でない。
　また、相違点２は、実質的に上記アの相違点１と同様の相違点であるから、上記相違点２に係る本件発明１の構成とすることは、上記イと同様の理由により、刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に成し得たことでない。
　したがって、相違点３について検討するまでもなく、本件発明１は、甲２発明及び刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明できたものでない。
　オ　本件発明１と甲３発明との対比
　本件発明１と甲３発明とを対比すると、甲３発明の「窒化アルミニウムの焼結体からなる絶縁部材１２」は、本件発明１の「窒化アルミニウム基板」に相当し、以下同様に、「上面」は「一方の面」に、「銅板から形成された金属板１３」は「銅回路」に、「下面」は「他方の面」に、「銅板から形成された金属支持部材１１」は「銅放熱板」に、「金属ろう」は「ろう材」に、「半導体基体１４，１５，１６」は「半導体素子」に、「凹部２８」は「薄肉部分」に、「混成ＩＣ」は「窒化アルミニウム回路基板」に、それぞれ相当する。
　したがって、本件発明１と甲３発明とは、次の一致点３で一致し、相違点４及び相違点５で相違する。
［一致点３］
「窒化アルミニウム基板の一方の面に銅回路、他方の面に銅放熱板が設けられ、前記銅回路および前記銅放熱板がろう材を介して、前記窒化アルミニウム基板に接合され、前記銅回路上に半導体素子を搭載したものであって、前記銅回路が薄肉部分を有している窒化アルミニウム回路基板。」
［相違点４］
　本件発明１は、「前記銅回路上に半導体素子をＰｂ（９０％）−Ｓｎ（１０％）のクリームはんだで搭載したものであって、」「前記銅回路の半導体搭載領域端部から０．３ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に銅回路とろう材の合計の厚さＤに対し２０〜６０％の厚さｄの薄肉部分を有している」のに対し、甲３発明は、このような構成を有しない点。
［相違点５］
　本件発明１は、「窒化アルミニウム基板」「銅回路」及び「銅放熱板」の厚さが、それぞれ「０．３〜１．０ｍｍ」、「０．１〜０．５ｍｍ」及び「０．１〜０．５ｍｍ」であるのに対し、甲３発明は、このような構成を有しない点。
　カ　甲３発明についての同一性及び容易想到性の検討
　本件発明１と甲３発明とは相違点４及び相違点５で相違するから、本件発明１は甲３発明と同一でない。
　また、相違点４は、実質的に上記アの相違点１と同様の相違点であるから、上記相違点４に係る本件発明１の構成とすることは、上記イと同様の理由により、刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に成し得たことでない。
　したがって、相違点５について検討するまでもなく、本件発明１は、甲３発明及び刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明できたものでない。
（２）本件発明２及び本件発明３について
　本件発明２及び本件発明３は、本件発明１を更に減縮したものである。
　したがって、上記本件発明１についての判断と同様の理由により、本件発明２及び本件発明３は、甲１発明ないし甲３発明と同一でなく、また、甲１発明ないし甲３発明及び刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでない。
（３）小括
　以上のとおり、本件発明１ないし本件発明３は、甲１発明ないし甲３発明と同一でないから、特許法第２９条第１項第３号に該当する発明でない。
　また、本件発明１ないし本件発明３は、刊行物１ないし刊行物５に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものでないから、特許法第２９条第２項の規定に違反する発明でない。
　したがって、特許異議申立人による特許異議の申立ての主張は採用できない。
６．むすび
　したがって、特許異議の申立ての理由及び証拠によっては、本件発明１ないし本件発明３に係る特許を取り消すことはできない。　
　また、他に本件発明１ないし本件発明３に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり決定する。
【異議決定日】
平成２８年１１月２１日（２０１６．１１．２１）