(57)【要約】面発光素子（１０）は、半導体の基材（２０）と引き回し部材（３０）とを備える。基材（２０）は、光電変換機能を有する光学素子部を備える。基材（２０）には、第１端子電極（２４１）および第２端子電極（２４２）が形成されている。筐体（３０）は、基材（２０）を収容する凹部（３０１）を備える。筐体（３０）には第１接続電極（３１１，３１２）および第２接続電極（３２１，３２２）が形成されている。第１、第２端子電極（２４１，２４２）は、基材（２０）の側面から突出するように形成されている。第１、第２接続電極（３１１，３１２，３２１，３２２）は、筐体（３０）において、凹部（３０１）側に突出するように形成されている。第１端子電極（２４１）と第１接続電極（３１１，３１２）は当接し、第２端子電極（２４２）と第２接続電極（３２１，３２２）は当接している。
2017026362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が出光面または受光面となる、光電変換機能を有する光学素子部を備える半導体の基材と、前記基材に形成された第１端子電極および第２端子電極と、を備え、
前記基材を収容する凹部を備える筐体と、前記筐体に形成された第１接続電極および第２接続電極と、を備え、
前記第１端子電極と前記第２端子電極は、前記基材の側面から突出するように形成されており、
前記第１接続電極と前記第２接続電極は、前記筐体において、前記凹部側に突出するように形成されており、
前記第１端子電極と前記第１接続電極は当接し、前記第２端子電極と前記第２接続電極は当接している、
光電変換素子。
【請求項２】
前記基材はＧａＡｓを主材料としており、
前記筐体はシリコンを主材料としている、
請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記凹部は、前記筐体の表面から裏面に貫通する貫通孔である、
請求項１または請求項２に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記凹部は、開口面から底面へ向かって平面面積が小さくなっていくテーパ形状であり、
前記底面の平面形状は、前記基材の平面形状と同じである、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記凹部の深さは、前記基材の厚みよりも長い、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記基材は、平面視して矩形であり、
前記第１端子電極と前記第２端子電極は、前記基材の対向する側面のみから突出する形状である、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記基材は、平面視して矩形であり、
前記本体部材は第３端子電極を備え、
前記第１端子電極、前記第２端子電極、および、前記第３端子電極は、前記基材の表面の４つの角部にそれぞれ配置されている、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記第１端子電極と前記第２端子電極は、それぞれに２つあり、
第１端子電極同士、および、第２端子電極同士は、前記基材を平面視して１８０°回転対称で配置されている、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記筐体には、前記第１外部電極と前記第２外部電極との間に接続されたツェナーダイオードが形成されている、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の光電変換素子と、
導光路の一端が前記基材の表面に近接して配置された光ファイバと、
前記光ファイバを挿通する貫通孔を備え、前記光ファイバを固定するファイバ固定部材と、を備え、
前記ファイバ固定部材と前記光電変換素子は接合されている、
光通信モジュール。
【請求項１１】
前記基材の平面の大きさは、前記光ファイバの直径よりも小さい、請求項１０に記載の光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面発光素子やフォトダイオード等の光電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＶＣＳＥＬ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ＬＡＳＥＲ）等の面発光素子やフォトダイオードと光ファイバとを組み合わせた光通信システムが各種考案されている。特許文献１に記載の光通信システムでは、面発光素子と光ファイバがダイレクトカップリング方式で結合している。具体的には、面発光素子の出光面に光ファイバの一方端を近接させ、面発光素子から出射した光を直接光ファイバに入射させている。【０００３】
この方式を実現するため、特許文献１に記載の光通信システムは、面発光素子、シリコンインターポーザ、および、光ファイバを備える。光ファイバは、シリコンインターポーザに形成された貫通孔に固定されている。【０００４】
面発光素子は、シリコンインターポーザに実装されている。面発光素子の出光面は、シリコンインターポーザに対向している。この構成では、実装用のバンプは、面発光素子の出光面側に形成される。面発光素子は、この実装用のバンプによって、シリコンインターポーザに接合されている。【０００５】
図１３（Ａ）は、従来の面発光素子と光ファイバとの配置関係を示す平面図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）に示すＥ−Ｅ’断面図である。【０００６】
従来の面発光素子１０Ｐは、基材２１Ｐ、第１電極２２Ｐ、第２電極２３Ｐ、実装用のバンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐ，２４３Ｐを備える。基材２１Ｐは、ＧａＡｓを主材料としており、具体的な構成を図示していないが、垂直共振面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）の構造を備える。基材２１Ｐの内部で共振した光は、基材の２１Ｐの表面の中心にある出射部から外部に出力される。【０００７】
第１電極２２Ｐ、第２電極２３Ｐ、および、実装用のバンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐ，２４３Ｐは、基材２１Ｐの表面に形成されている。第１電極２２Ｐおよび、第２電極２３Ｐは、出射部を囲むように、基材２１Ｐにおける表面の中央領域に配置されている。バンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐと、２つのバンプ電極２４３Ｐは、基材２１Ｐにおける表面の四隅にそれぞれ配置されている。バンプ電極２４１Ｐとバンプ電極２４２Ｐは、対角の位置に配置されている。第１電極２２Ｐは、バンプ電極２４１Ｐに接続されており、第２電極２３Ｐは、バンプ電極２４２Ｐに接続されている。【０００８】
光ファイバ９０は、基材２１Ｐの出光面に近接して配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１５−２２２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来の構成では、光ファイバ９０を近接させるために、バンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐ，２４３Ｐを、基材２１Ｐの表面の中心から、光ファイバ９０の半径よりも長い距離で配置しなければならない。バンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐ，２４３Ｐは、基材２１Ｐの表面に配置されるため、基材の２１Ｐの表面には、バンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐ，２４３Ｐの径の分の領域を必要とする。【００１１】
したがって、従来の構成では、少なくとも光ファイバ９０の直径と２つのバンプ電極２４１Ｐ，２４２Ｐの直径とを加算した長さを、基材２１Ｐの表面の対角線の長さとして最低限必要としてしまう。このため、これまでは基材２１Ｐの小型化が容易ではなく、面発光素子１０Ｐのコストダウンは容易ではなかった。【００１２】
この発明の目的は、性能を低下させることなく安価な光電変換素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明の光電変換素子は、光電変換機能を有する光学素子部を備える半導体の基材と、基材に形成された第１端子電極および第２端子電極と、を備えている。光学変換素子は、基材を収容する凹部を備える筐体と、筐体に形成された第１接続電極および第２接続電極と、を備えている。第１端子電極と第２端子電極は、基材の側面から突出するように形成されている。第１接続電極と第２接続電極は、筐体において、凹部側に突出するように形成されている。第１端子電極と第１接続電極は当接し、第２端子電極と第２接続電極は当接している。【００１４】
この構成では、光電変換機能を備える部材とこの部材を外部回路に接続する部材とが別の材料からなる。したがって、光電変換機能を低下させることなく、光電変換機能の部材が小さくなる。【００１５】
また、この発明の光電変換素子では、基材はＧａＡｓを主材料としており、筐体はシリコンを主材料としていることが好ましい。【００１６】
この構成では、高性能で安価な光電変換素子を容易に構成することができる。【００１７】
また、この発明の光電変換素子では、凹部は、筐体の表面から裏面に貫通する貫通孔であることが好ましい。【００１８】
この構成では、凹部の加工が容易となり、安定した姿勢で本体部材を引き回し部材に装着することができる。【００１９】
また、この発明の光電変換素子では、次の構成であることが好ましい。凹部は、開口面から底面へ向かって平面面積が小さくなっていくテーパ形状である。底面の平面形状は、基材の平面形状と同じである。【００２０】
この構成では、本体部材を引き回し部材の凹部に挿入する際に、凹部のテーパ形状によって、本体部材が凹部の適切な位置に適切な姿勢で配置される。【００２１】
また、この発明の光電変換素子では、凹部の深さは基材の厚みよりも長くてもよい。【００２２】
この構成では、光電変換素子の表面に光ファイバが接触しても、本体部材に接触せず、本体部材の損傷を防止できる。【００２３】
また、この発明の光電変換素子では、基材は平面視して矩形であり、第１端子電極と第２端子電極は基材の対向する側面のみから突出する形状であることが好ましい。【００２４】
この構成では、本体部材の平面視した面積をさらに小さくすることができる。【００２５】
また、この発明の光電変換素子では、次の構成であってもよい。基材は、平面視して矩形である。本体部材は、第１端子電極と第２端子電極とは異なる第３端子電極を備える。第１端子電極、第２端子電極、および、第３端子電極は、基材の表面の４つの角部にそれぞれ配置されている。【００２６】
この構成では、本体部材が引き回し部材に安定して支持、固定される。【００２７】
また、この発明の光電変換素子では、次の構成であることが好ましい。第１端子電極と第２端子電極は、それぞれに２つある。第１端子電極同士、および、第２端子電極同士は、基材を平面視して１８０°回転対称で配置されている。【００２８】
この構成では、本体部材が１８０°回転した二態様のいずれであっても、引き回し部材に適切に装着される。これにより、本体部材の引き回し部材への装着が容易になる。【００２９】
また、この発明の光電変換素子では、筐体に、第１外部電極と第２外部電極との間に接続されたツェナーダイオードが形成されていてもよい。【００３０】
この構成では、形状を大きくすることなく、本体部材を外部の静電気から保護することができる。【００３１】
また、この発明の光通信モジュールは、上述のいずれかに記載の光電変換素子と、光ファイバと、ファイバ固定部材とを備える。光ファイバの導光路の一端は、基材の表面に近接して配置されている。ファイバ固定部材は、光ファイバを挿通する貫通孔を備え、光ファイバを固定する。ファイバ固定部材と光電変換素子は接合されている。【００３２】
この構成では、高性能で小型の光通信モジュールを実現することができる。【００３３】
また、この発明の光通信モジュールでは、基材の平面の大きさは、光ファイバの直径よりも小さいとよい。【００３４】
この構成では、基材が小さくなり、安価な光通信モジュールを実現することができる。
【発明の効果】
【００３５】
この発明によれば、高性能で安価な光電変換素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の平面図であり、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図２】（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の基材の平面図であり、（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の基材の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る面発光素子の基材の平面図である。
【図４】（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る面発光素子の平面図であり、（Ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る面発光素子の基材の平面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図８】本発明の第７の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図９】本発明の第８の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図１０】本発明の第９の実施形態に係る面発光素子の平面図である。
【図１１】本発明の第１０の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【図１２】本発明の第１１の実施形態に係る光通信モジュールの側面断面図である。
【図１３】（Ａ）は、従来の面発光素子と光ファイバとの配置関係を示す平面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）に示すＥ−Ｅ’断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下の各実施形態では、光電変換素子として、垂直面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ＬＡＳＥＲ）等の面発光素子を例に示すが、フォトダイオード等の受光素子に、以下の構成を適用することもできる。
【００３８】
本発明の第１の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の平面図であり、図１（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示すＡ−Ａ’断面を示している。図２（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の基材の平面図であり、図２（Ｂ）は、本発明の第１の実施形態に係る面発光素子の基材の断面図である。図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示すＢ−Ｂ’断面を示している。
【００３９】
図１に示すように、面発光素子１０は、基材２０と筐体３０を備える。
【００４０】
基材２０は、第１電極２２、第２電極２３、第１端子電極２４１、および、第２端子電極２４２を備える。基材２０は、略直方体形状であって、半導体を材料としている。具体的な一例として、基材２０は、ＧａＡｓを主材料としている。基材２０は、厚み方向に沿って組成の異なる複数の層によって構成されている。基材２０は、第１電極２２および第２電極２３によって電圧が印加されると、所定の周波数からなる光が励起し、共振する。この光の共振する方向は厚み方向であり、共振した光は、基材２０の表面から外部へ出射（出光）される。すなわち、基材２０の表面は出光面である。このように、基材２０は、光電変換機能を有する光学素子部を備えている。
【００４１】
第１電極２２と第２電極２３は、基材２０の表面に形成されている。第１電極２２および第２電極２３は、高い導電率を有し、パターンの形成が容易な金属からなる。例えば、第１電極２２および第２電極２３は、銅、アルミニウム、金等からなる。
【００４２】
第１電極２２は、円環部２２１と直線部２２２とを備える。第１電極２２の円環部２２１は、基材２０の出光領域を囲んでいる。第１電極２２の直線部２２２は、第１電極２２の円環部２２１と第１端子電極２４１とを接続している。
【００４３】
第２電極２３は、円環部２３１と直線部２３２とを備える。第２電極２３の円環部２３１は、第１電極２２の円環部２２１を囲んでいる。この際、第２電極２３の円環部２３１は、第１電極２２の直線部２２２が配置される領域を除いて配置されている。第２電極２３の直線部２３２は、第２電極２３の円環部２３１と第２端子電極２４２とを接続している。
【００４４】
第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、基材２０の表面における対角の位置に配置されている。第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、略直方体である。第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、導電性が高く、めっきによる形成が容易な金属からなる。例えば、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、銅（Ｃｕ）からなる。
【００４５】
第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、一部が基材２０に埋まり込み（埋込部）、他部が基材２０の側面から外方へ突出している（突出部）。第１端子電極２４１の突出部は、第１端子電極２４１が配置された角を形成する直交する二側面の両方から突出している。第２端子電極２４２の突出部は、第２端子電極２４２が配置された角を形成する直交する二側面の両方から突出している。第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、基材２０の表面とは面一の位置に配置されている。
【００４６】
このような形状の第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、セミアディティブめっき工法とドライエッチングによって形成されている。具体的には、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２を含む外形形状で仮の基材を形成する。仮の基材における第１端子電極２４１と第２端子電極２４２が形成される部分をエッチングして穴を形成する。穴にシード層を形成し、このシード層を利用して第１端子電極２４１と第２端子電極２４２をめっきによって形成する。仮の基材を全側面においてエッチング（ドライエッチング）していき、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２が部分的に突出した基材２０を形成する。
【００４７】
筐体３０は、第１接続電極３１１，３１２、第２接続電極３２１，３２２、配線電極３３１，３３２、ビア電極３４１，３４２、第１外部電極３５１、および、第２外部電極３５２を備える。
【００４８】
筐体３０は、略直方体形状であって、例えば、シリコン（Ｓｉ）を主材料としている。なお、筐体３０は、基材２０と比較して、孔あけ等の加工性に優れ、安価であれば、他の材料であってもよい。
【００４９】
筐体３０には、表面から裏面に貫通する凹部３０１が設けられている。凹部３０１における表面の開口面の中心と裏面の開口面の中心は、凹部３０１を平面視して略一致している。凹部３０１における表面の開口面積は、裏面の開口面積よりも大きい。すなわち、筐体３０における凹部３０１を形成する壁面は、側面視してテーパ形状を備えている。凹部３０１の裏面の開口形状は、基材２０の裏面の形状（基材２０を平面視した形状と同じ）に等しい。
【００５０】
第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、筐体３０の表面における凹部３０１の対角の位置に配置されている。第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、略直方体である。第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、導電性が高く、めっきによる形成が容易な金属からなる。例えば、第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、銅（Ｃｕ）からなる。
【００５１】
第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、一部が筐体３０に埋まり込み（埋込部）、他部が筐体３０から凹部３０１側に突出している（突出部）。第１接続電極３１１，３１２の突出部は、第１接続電極３１１，３１２が配置された角を形成する直交する二側面の両方から突出している。第２接続電極３２１，３２２の突出部は、第２接続電極３２１，３２２が配置された角を形成する直交する二側面の両方から突出している。第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、筐体３００の表面とは面一の位置に配置されている。第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２は、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２と同様に、セミアディティブめっき工法とドライエッチングによって形成されている。
【００５２】
配線電極３３１，３３２は、筐体３０の表面に配置されている。ビア電極３４１，３４２は、筐体３００を表面から裏面へ貫通する形状である。ビア電極３４１は、配線電極３３１を介して、第１接続電極３１１，３１２に接続されている。ビア電極３４２は、配線電極３３２を介して、第２接続電極３２１，３２２に接続されている。ここで、ビア電極３４１，３４２が筐体３０に形成されていることによって、基材２０にビア電極を形成するよりも、小径で形成することができる。これにより、ビア電極を設けるための平面面積を小さくできる。
【００５３】
第１外部電極３５１と第２外部電極３５２は、筐体３０の裏面に形成されている。第１外部電極３５１は、ビア電極３４１に接続されている。第２外部電極３５２は、ビア電極３４２に接続されている。第１外部電極３５１には外部接続用のバンプ３６１が形成されており、第２外部電極３５２には外部接続用のバンプ３６２が形成されている。
【００５４】
このような構成において、基材２０は、筐体３０の凹部３０１に収容されている。基材２０の表面と筐体３０の表面は面一である。基材２０の裏面と筐体３０の裏面は面一である。
【００５５】
基材２０の第１端子電極２４１の直交する二側面は、筐体３０の第１接続電極３１１，３１２にそれぞれ当接している。基材２０の第２端子電極２４２の直交する二側面は、筐体３０の第２接続電極３２１，３２２にそれぞれ当接している。この構成により、第１電極２２は、第１外部電極３５１に接続されている。第２電極２３は、第２外部電極３５２に接続されている。したがって、第１電極２２と第２電極２３に光電変換用（本実施形態では発光用）の電圧を印加することができる。
【００５６】
本実施形態に係る構成を用いることによって、発光する基材２０の形状を小さくしながら、外部から電圧を印加するためのバンプを確実に形成することができる。この際、従来の構成では実現できなかった、近接配置される光ファイバ９０の断面面積よりも基材２０の面積を小さくすることができる。基材２０は、特性を確保するために、エピ成長にて形成されるため、非常に高価である。本願においては、上述の通り、基材２０を小さくすることができるため、従来の性能を維持し、かつ安価な面発光素子１０を実現することができる。また、本実施形態のように、ビア電極を備える構成の場合、ビア電極を小さくでき、さらに小型化を効果的に実現することができる。
【００５７】
また、上述の凹部３０１の裏面側の開口形状と基材２０の裏面形状が同じである構成によって、基材２０を所望の位置に高精度に配置することができる。
【００５８】
また、凹部３０１の裏面が開口していることによって、筐体３０が基材２０に干渉せず、所望の状態に高精度に配置することができる。
【００５９】
なお、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２は、基材２０の裏面に向かって先細りとなるようなテーパ形状であってもよい。また、本実施形態では、第１端子電極２４１と第２端子電極２４２がテーパ形状となっている態様を示したが、第１接続電極３１１，３１２と第２接続電極３２１，３２２がテーパ形状となっていてもよい。
【００６０】
次に、本発明の第２の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図３は、本発明の第２の実施形態に係る面発光素子の基材の平面図である。
【００６１】
本実施形態に係る面発光素子は、第１の実施形態に対して、第２電極２３Ａおよび第２端子電極２４２Ａの構成において異なる。
【００６２】
図３に示すように、基材２０Ａは、第１電極２２、第２電極２３Ａ、第１端子電極２４１、および、第２端子電極２４２Ａを備える。第２電極２３Ａは、円環部２３１と複数の直線部２３２Ａを備える。複数の直線部２３２Ａは、基材２０Ａを平面視して、略９０°の角度間隔で配置されている。１つの直線部２３２Ａは第１電極２２の直線部２２２と同一方向に延びる形状であり、他の２つの直線部２３２Ａは直線部２２２と直交する方向に延びる形状である。
【００６３】
第２端子電極２４２Ａは、３つである。複数の第２端子電極２４２Ａは、基材２０Ａにおける第１端子電極２４１が配置されている角以外の３つの角に配置されている。複数の端子電極２４２Ａは、基材２０Ａの側面から突出する突出部を備える。複数の第２端子電極２４２Ａは、第２電極２３Ａの複数の直線部２３２Ａによって、円環部２３１に接続されている。
【００６４】
このような構成とすることによって、基材２０Ａを平面視した全ての角に端子導体が突出して形成される。これによって、筐体３０に対してより安定した姿勢で基材２０Ａを配置、固定することができる。また、この構成では、面発光素子としての大きさを変えることなく、第２端子電極２４２Ａと第２電極２３Ａから構成される系を低抵抗化することができる。
【００６５】
次に、本発明の第３の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図４（Ａ）は、本発明の第３の実施形態に係る面発光素子の平面図であり、図４（Ｂ）は、本発明の第３の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すＣ−Ｃ’断面を示している。
【００６６】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｂは、端子電極の構成、筐体３０Ｂの接続電極の構成において、第１の実施形態に係る面発光素子１０と異なる。
【００６７】
基材２０Ｂは、第１電極２２、第２電極２３、第１端子電極２４１Ｂ、第２端子電極２４２Ｂ、および、第３端子電極２４３Ｂを備える。第１電極２２、および第２電極２３は、第１の実施形態に係る基材２０と同じである。
【００６８】
第１端子電極２４１Ｂは、第１電極２２に接続されている。第１端子電極２４１Ｂは、基材２０Ｂを平面視した第１角Ｃｏ１の近傍で且つ第１側面ＡＳ１に配置されている。第１端子電極２４１Ｂは、第１側面ＡＳ１から突出する形状で配置されている。
【００６９】
第２端子電極２４２Ｂは、第２電極２３に接続されている。第２端子電極２４２Ｂは、基材２０Ｂを平面視した第２角Ｃｏ２の近傍で且つ第２側面ＡＳ２に配置されている。第２角Ｃｏ２は、第１角Ｃｏ１の対角である。第２側面ＡＳ２は、基材２０Ｂにおける第１側面ＡＳ１と反対側の面である。第２端子電極２４２Ｂは、第２側面ＡＳ２から突出する形状で配置されている。
【００７０】
第３端子電極２４３Ｂは、第１側面ＡＳ１と第２側面ＡＳ２に配置されている。第１側面ＡＳ１の第３端子電極２４３Ｂは、第１側面ＡＳ１から突出している。第１側面ＡＳ１の第３端子電極２４３Ｂは、第１側面ＡＳ１における第１端子電極２４１Ｂが配置される端部と反対側の端部に配置されている。第２側面ＡＳ２の第３端子電極２４３Ｂは、第２側面ＡＳ２から突出している。第２側面ＡＳ２の第３端子電極２４３Ｂは、第２側面ＡＳ２における第２端子電極２４２Ｂの配置される端部と反対側の端部に配置されている。
【００７１】
このような構成とすることによって、基材２０Ｂの２つの側面から端子電極が突出し、他の２つの側面からは突出するものがない。したがって、基材２０Ｂを小さくすることができる。また、マザー基板に複数の基材２０Ｂを一括形成してから、マザー基板を分割して複数の基材２０Ｂを製造する工法を用いた場合、マザー基板に対する基材２０Ｂの取れ数を多くすることができる。これにより、基材２０Ｂのコストを低下させることができる。
【００７２】
筐体３０Ｂは、凹部３０１Ｂ、第１接続電極３１１Ｂ、第２接続電極３２１Ｂ、配線電極３３１Ｂ，３３２Ｂ、ビア電極３４１Ｂ，３４２Ｂ、第１外部電極３５１、第２外部電極３５２、および、固定用電極３７１Ｂを備える。第１外部電極３５１、第２外部電極３５２は、第１の実施形態に係る筐体３０と同じである。また、凹部３０１Ｂ、配線電極３３１Ｂ，３３２Ｂ、およびビア電極３４１Ｂ，３４２Ｂの基本的な構造および機能は、第１の実施形態に係る配線電極３３１，３３２、およびビア電極３４１，３４２と同じである。
【００７３】
第１接続電極３１１Ｂは、筐体３０Ｂの凹部３０１Ｂを形成する第１面ＡＳ３１に配置されている。第１接続電極３１１Ｂは、第１面ＡＳ３１から凹部３０１Ｂ側に突出している。第１接続電極３１１Ｂは、第１面ＡＳ３１の一方端付近に配置されている。第１接続電極３１１Ｂは、配線電極３３１Ｂに接続されている。
【００７４】
第２接続電極３２１Ｂは、筐体３０Ｂの凹部３０１Ｂを形成する第２面ＡＳ３２に配置されている。第２接続電極３２１Ｂは、第２面ＡＳ３２から凹部３０１Ｂ側に突出している。第２接続電極３２１Ｂは、第２面ＡＳ３２の他方端付近に配置されている。第２接続電極３２１Ｂは、配線電極３３２Ｂに接続されている。
【００７５】
固定用電極３７１Ｂは、筐体３０Ｂの凹部３０１Ｂを形成する第１面ＡＳ３１、第２面ＡＳ３２にそれぞれ配置されている。固定用電極３７１Ｂは、第１面ＡＳ３１、第２面ＡＳ３２から凹部３０１Ｂ側に突出している。第１面ＡＳ３１側の固定用電極３７１Ｂは、第１面ＡＳ３１の他方端付近に配置されている。第２面ＡＳ３２側の固定用電極３７１Ｂは、第２面ＡＳ３２の一方端付近に配置されている。
【００７６】
基材２０Ｂは、筐体３０Ｂの凹部３０１Ｂ内に収容されている。この際、基材２０Ｂの第１端子電極２４１Ｂは、筐体３０Ｂの第１接続電極３１１Ｂに当接している。同様に、第２端子電極２４２Ｂは、第２接続電極３２１Ｂに当接している。第３端子電極２４３Ｂは、固定用電極３７１Ｂに当接している。この構成によって、基材２０Ｂは、筐体３０Ｂに固定されている。
【００７７】
このような構成であっても、第１の実施形態と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｂを実現することができる。さらに、本実施形態の面発光素子１０Ｂでは、基材２０Ｂの取れ数を多くでき、第１の実施形態に係る面発光素子１０よりも、面発光素子１０Ｂを安価に実現することが可能である。
【００７８】
次に、本発明の第４の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図５は、本発明の第４の実施形態に係る面発光素子の本体部材の平面図である。
【００７９】
本実施形態に係る面発光素子の基材２０Ｃは、第３の実施形態に係る基材２０Ｂに対して、第１電極２２Ｃ、第２電極２３Ｃ、第１端子電極２４１Ｃ１，２４１Ｃ２、および、第２端子電極２４２Ｃ１，２４２Ｃ２の形状および配置パターンにおいて異なる。
【００８０】
第１電極２２Ｃは、円環部２２Ｃ０と、２つの直線部２２Ｃ１，２２Ｃ２を備える。直線部２２Ｃ１，２２Ｃ２の延びる方向は同じである。直線部２２Ｃ１と円環部２２Ｃ０との接続点は、直線部２２Ｃ２と円環部２２Ｃ０との接続点に対して円環部２２Ｃ０における反対側に位置する。
【００８１】
第２電極２３Ｃは、円弧部２３Ｃ１１，２３Ｃ２１、および、直線部２３Ｃ１２，２３Ｃ２２を備える。円弧部２３Ｃ１１，２３Ｃ２１は、円環形状が二箇所で分断されることによって実現される。円弧部２３Ｃ１１には、直線部２３Ｃ１２が接続されている。円弧部２３Ｃ２１には、直線部２３Ｃ２２が接続されている。直線部２３Ｃ１２，２３Ｃ２２の延びる方向は、第１電極２２Ｃの直線部２２Ｃ１，２２Ｃ２の延びる方向に直交している。
【００８２】
第１端子電極２４１Ｃ１は、基材２１を平面視した第１角Ｃｏ１の近傍で且つ第１側面ＡＳ１に配置されている。第１端子電極２４１Ｃ１は、第１側面ＡＳ１から突出する形状で配置されている。第１端子電極２４１Ｃ１は、第１電極２２Ｃの直線部２２Ｃ１に接続されている。第１端子電極２４１Ｃ２は、基材２１を平面視した第２角Ｃｏ２の近傍で且つ第２側面ＡＳ２に配置されている。第１端子電極２４１Ｃ２は、第２側面ＡＳ２から突出する形状で配置されている。第１端子電極２４１Ｃ２は、第１電極２２Ｃの直線部２２Ｃ２に接続されている。
【００８３】
第１端子電極２４１Ｃ１と第１端子電極２４１Ｃ２は、基材２０Ｃを平面視して、１８０°回転対称の位置および形状で配置されている。
【００８４】
第２端子電極２４２Ｃ１は、基材２０Ｃを平面視した第３角Ｃｏ３の近傍で且つ第１側面ＡＳ１に配置されている。第３角Ｃｏ３は、第１側面ＡＳ１における第１角Ｃｏ１と反対側にある基材２０Ｃの角である。第２端子電極２４２Ｃ１は、第１側面ＡＳ１から突出する形状で配置されている。第２端子電極２４２Ｃ１は、第２電極２３Ｃの直線部２３Ｃ１２に接続されている。第２端子電極２４２Ｃ２は、基材２０Ｃを平面視した第４角Ｃｏ４の近傍で且つ第２側面ＡＳ２に配置されている。第４角Ｃｏ４は、第２側面ＡＳ２における第２角Ｃｏ２と反対側にある基材２０Ｃの角である。第２端子電極２４２Ｃ２は、第２側面ＡＳ２から突出する形状で配置されている。第２端子電極２４２Ｃ２は、第２電極２３Ｃの直線部２３Ｃ２２に接続されている。
【００８５】
第２端子電極２４２Ｃ１と第２端子電極２４２Ｃ２は、基材２０Ｃを平面視して、１８０°回転対称の位置および形状で配置されている。
【００８６】
なお、図示していないが、引き回し部材の第１接続電極は、第１端子電極２４１Ｃ１，２４１Ｃ２にそれぞれ当接するように配置されている。また、引き回し部材の第２接続電極は、第２端子電極２４２Ｃ１，２４２Ｃ２にそれぞれ当接するように配置されている。
【００８７】
このような構成であっても、第３の実施形態に係る面発光素子と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｂを実現することができる。
【００８８】
また、本実施形態の構成を用いることによって、平面視して基材２０Ｃが１８０°回転した二態様のいずれにおいても、第１電極２２Ｃ、第２電極２３Ｃに所望の電圧を供給できるような配線で、基材２０Ｃを筐体に配置、固定することができる。
【００８９】
次に、本発明の第５の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図６は、本発明の第５の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【００９０】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｄは、第１の実施形態に係る面発光素子１０に対して、筐体３０Ｄの構成において異なる。他の構成は、第１の実施形態に係る面発光素子１０と同じである。
【００９１】
筐体３０Ｄは、第１の実施形態に係る筐体３０に対して、その厚みおよび凹部３０１Ｄの深さにおいて異なる。筐体３０Ｄの他の基本構造は、第１の実施形態に係る筐体３０と同じである。
【００９２】
筐体３０Ｄの厚み寸法および凹部３０１Ｄの深さ寸法は、基材２０の厚み寸法よりも大きい。
【００９３】
基材２０は、その裏面と筐体３０Ｄの裏面が面一となるように、３０１Ｄ内に収容されている。このような構成によって、基材２０の表面（出光面）は、凹部３０１Ｄ内となる。したがって、基材２０の表面は、筐体３０Ｄの表面に対して凹んだ形状となる。
【００９４】
このような構成であっても、第１の実施形態に係る面発光素子と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｄを実現することができる。また、本実施形態の構成を用いることによって、面発光素子１０Ｄの表面に光ファイバ９０が当接しても、基材２０の表面には光ファイバ９０が接触せず、基材２０の損傷を防止することができる。
【００９５】
次に、本発明の第６の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第６の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【００９６】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｅは、第１の実施形態に係る面発光素子１０に対して、筐体３０Ｅの構成において異なる。他の構成は、第１の実施形態に係る面発光素子１０と同じである。
【００９７】
筐体３０Ｅは、第１の実施形態に係る筐体３０に対して、凹部３０１Ｅの底面が貫通していない点で異なる。
【００９８】
基材２０の裏面は、凹部３０１Ｅの底面に当接した状態で、凹部３０１Ｅに収容されている。
【００９９】
このような構成であっても、第１の実施形態に係る面発光素子１０と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｅを実現することができる。
【０１００】
次に、本発明の第７の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図８は、本発明の第７の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【０１０１】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｆは、第５の実施形態に係る面発光素子１０Ｄに対して、筐体３０Ｆの構成において異なる。他の構成は、第５の実施形態に係る面発光素子１０Ｄと同じである。
【０１０２】
筐体３０Ｆは、第５の実施形態に係る筐体３０Ｄに対して、凹部３０１Ｆの底面が貫通していない点で異なる。
【０１０３】
基材２０の裏面は、凹部３０１Ｆの底面に当接した状態で、凹部３０１Ｆに収容されている。
【０１０４】
このような構成であっても、第５の実施形態に係る面発光素子１０Ｄと同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｆを実現することができる。
【０１０５】
次に、本発明の第８の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図９は、本発明の第８の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【０１０６】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｇは、第１の実施形態に係る面発光素子１０に対して、筐体３０Ｇの構成において異なる。他の構成は、第１の実施形態に係る面発光素子１０と同じである。
【０１０７】
筐体３０Ｇは、第１の実施形態に係る筐体３０に対して、凹部３０１Ｇがテーパ形状を有さない。このような構成であっても、端子電極と接続電極が当接していることによって、基材２０は、筐体３０Ｇに正確に固定されている。
【０１０８】
このような構成であっても、第１の実施形態に係る面発光素子１０と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｇを実現することができる。
【０１０９】
次に、本発明の第９の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第９の実施形態に係る面発光素子の平面図である。
【０１１０】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｈは、第３の実施形態に係る面発光素子１０Ｂに対して、筐体３０Ｈの形状において異なる。また、この筐体３０Ｈの形状に応じて、基材２０Ｈの電極パターンが第３の実施形態に係る面発光素子１０Ｂに対して異なる。
【０１１１】
基材２０Ｈは、第１電極２２、第２電極２３Ｈ、第１端子電極２４１Ｈ、第２端子電極２４２Ｈ、および、第３端子電極２４３Ｈを備える。第１電極２２は、第１の実施形態に係る基材２０と同じである。第２電極２３Ｈにおける円環部は、第１の実施形態に係る基材２０と同じであり、直線部の延びる方向が異なる。第２電極２３Ｈの直線部は、第１電極２２の直線部と直交する方向に延びており、基材２０Ｈを平面視した第４角Ｃｏ４に向かって延びている。
【０１１２】
第１端子電極２４１Ｈは、第３の実施形態に係る面発光素子１０Ｂの第１端子電極２４１Ｂと同じである。第１端子電極２４１Ｈは、基材２１を平面視した第１角Ｃｏ１の近傍で且つ第１側面ＡＳ１に配置されている。第１端子電極２４１Ｈは、第１側面ＡＳ１から突出する形状で配置されている。
【０１１３】
第２端子電極２４２Ｈは、基材２１を平面視した第４角Ｃｏ４の近傍で且つ第２側面ＡＳ２に配置されている。第４角Ｃｏ４は、基材２０Ｈの表面の中心を基準として第１角Ｃｏ１の方向と９０°を成す方向の角である。第２端子電極２４２Ｈは、第２側面ＡＳ２から突出する形状で配置されている。
【０１１４】
第３端子電極２４３Ｈは、基材２０Ｈを平面視した第２角Ｃｏ２の近傍および第３角Ｃｏ３の近傍に配置されている。第２角Ｃｏ２は、第１角Ｃｏ１の対角であり、第３角Ｃｏ３は、第４角Ｃｏ４の対角である。第２角Ｃｏ２に配置された第３端子電極２４３Ｈは、基材２０Ｈを平面視した第２角Ｃｏ２の近傍で且つ第２側面ＡＳ２に配置されている。この第３端子電極２４３Ｈは、第２側面ＡＳ２から突出する形状で配置されている。第３角Ｃｏ３に配置された第３端子電極２４３Ｈは、基材２０Ｈを平面視した第３角Ｃｏ３の近傍で且つ第１側面ＡＳ１に配置されている。この第３端子電極２４３Ｈは、第１側面ＡＳ１から突出する形状で配置されている。
【０１１５】
筐体３０Ｈは、凹部３０１Ｈ、第１接続電極３１１Ｈ、第２接続電極３２１Ｈ、配線電極３３１Ｈ，３３２Ｈ、ビア電極３４１Ｈ，３４２Ｈ、および、固定用電極３７１Ｈを備える。
【０１１６】
凹部３０１Ｈは、筐体３０Ｈの一側面に開口している。開口は、凹部３０１Ｈを形成する筐体３０Ｈの第１面ＡＳ３１と第２面ＡＳ３２に直交する面側に設けられている。
【０１１７】
第１接続電極３１１Ｈは、筐体３０Ｈの凹部３０１Ｈを形成する第１面ＡＳ３１に配置されている。第１接続電極３１１Ｈは、第１面ＡＳ３１から凹部３０１Ｈ側に突出している。第１接続電極３１１Ｈは、第１面ＡＳ３１の一方端（凹部３０１Ｈの開口する側と反対側）付近に配置されている。第１接続電極３１１Ｈは、配線電極３３１Ｈに接続されており、配線電極３３１Ｈは、ビア電極３４１Ｈに接続されている。
【０１１８】
第２接続電極３２１Ｈは、筐体３０Ｈの凹部３０１Ｈを形成する第２面ＡＳ３２に配置されている。第２接続電極３２１Ｈは、第２面ＡＳ３２から凹部３０１側に突出している。第２接続電極３２１Ｈは、第２面ＡＳ３２の一方端（凹部３０１Ｈの開口する側と反対側）付近に配置されている。第２接続電極３２１Ｈは、配線電極３３２Ｈに接続されており、配線電極３３２Ｈは、ビア電極３４２Ｈに接続されている。
【０１１９】
固定用電極３７１Ｈは、筐体３０Ｈの凹部３０１Ｈを形成する第１面ＡＳ３１、第２面ＡＳ３２にそれぞれ配置されている。固定用電極３７１Ｈは、第１面ＡＳ３１、第２面ＡＳ３２から凹部３０１Ｈ側に突出している。第１面ＡＳ３１側の固定用電極３７１Ｈは、第１面ＡＳ３１の他方端（凹部３０１Ｈの開口する側）付近に配置されている。第２面ＡＳ３２側の固定用電極３７１Ｈは、第２面ＡＳ３２の他方端（凹部３０１Ｈの開口する側）付近に配置されている。
【０１２０】
基材２０Ｈは、筐体３０Ｈの凹部３０１Ｈ内に収容されている。この際、基材２０Ｈの裏面の三辺は、凹部３０１Ｈを形成する三面に当接していることが好ましい。
【０１２１】
基材２０Ｈの第１端子電極２４１Ｈは、筐体３０Ｈの第１接続電極３１１Ｈに当接している。同様に、第２端子電極２４２Ｈは、第２接続電極３２１Ｈに当接している。第３端子電極２４３Ｈは、固定用電極３７１Ｈに当接している。この構成によって、基材２０Ｈは、筐体３０Ｈに固定されている。
【０１２２】
このような構成であっても、第３の実施形態と同様に、従来の性能を維持した高性能で安価な面発光素子１０Ｈを実現することができる。
【０１２３】
次に、本発明の第１０の実施形態に係る光電変換素子である面発光素子について、図を参照して説明する。図１１は、本発明の第１０の実施形態に係る面発光素子の側面断面図である。
【０１２４】
本実施形態に係る面発光素子１０Ｊは、第６の実施形態に係る面発光素子１０Ｅに対してＥＳＤ素子３７０を追加した構成からなる。他の構成は、第６の実施形態に係る面発光素子１０Ｅと同じである。
【０１２５】
ＥＳＤ素子３７０は、筐体３０Ｊの底面付近に形成されている。ＥＳＤ素子３７０は、半導体である筐体３０Ｊに対して所定のドーピングを行ってツェナーダイオードの構造を形成することによって実現される。ＥＳＤ素子３７０は、配線電極３８１によって第１外部電極３５１に接続され、配線電極３８２によって第２外部電極３５２に接続されている。
【０１２６】
この構成によって、面発光素子１０Ｊの基材２０とＥＳＤ素子３７０とは、第１外部電極３５１と第２外部電極３５２との間に並列接続されている。これにより、面発光素子１０Ｊの基材２０を外部のサージから保護することができる。また、この構成では、ＥＳＤ素子３７０が筐体３０Ｊ内に形成されているので、別途ＥＳＤ素子３７０を形成する態様や接続する態様よりも、小型化が可能になる。
【０１２７】
次に、本発明の第１１の実施形態に係る光通信モジュールについて、図を参照して説明する。図１２は、本発明の第１１の実施形態に係る光通信モジュールの側面断面図である。
【０１２８】
光通信モジュール１Ｋは、面発光素子１０Ｋ、光ファイバ９０、および、ファイバ固定部材９００を備える。面発光素子１０Ｋは、第１の実施形態に係る面発光素子１０に対して、筐体３０Ｋの構造において異なる。筐体３０Ｋは、配線電極３３１Ｋ，３３２Ｋを備える。配線電極３３１Ｋは、第１接続電極３１１に接続されている。配線電極３３２Ｋは、第２接続電極３２１に接続されている。
【０１２９】
ファイバ固定部材９００は、所定の剛性を有する材料からなり、実装用電極９０１，９０２を備える。ファイバ固定部材９００は、貫通孔を備える。
【０１３０】
ファイバ固定部材９００の実装用電極９０１は、面発光素子１０Ｋの配線電極３３１に半田バンプ９１０によって接合されている。ファイバ固定部材９００の実装用電極９０２は、面発光素子１０Ｋの配線電極３３２に半田バンプ９１０によって接合されている。光ファイバ９０は、ファイバ固定部材９００の貫通孔に挿通した状態で、ファイバ固定部材９００に固定されている。光ファイバ９０の一方端は、面発光素子１０の表面（出光面）に近接している。
【０１３１】
このような構成とすることによって、面発光素子１０Ｋと光ファイバ９０の一方端を近接させた状態で、これらの位置を固定することができる。これにより、高効率な光通信モジュール１Ｋを実現することができる。
【符号の説明】
【０１３２】
１０，１０Ｂ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇ，１０Ｈ，１０Ｊ，１０Ｋ：面発光素子
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ，２０Ｈ：基材
２２，２２Ｃ：第１電極
２２Ｃ０，２２１，２３１：円環部
２２Ｃ１，２２Ｃ２，２２Ｃ１２，２２Ｃ２２，２３Ｃ１２，２３Ｃ２２，２２２，２３２：直線部
２３，２３Ａ，２３Ｃ，２３Ｈ：第２電極
２３Ｃ１１，２３Ｃ２１：円弧部
３０，３０Ｂ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆ，３０Ｇ，３０Ｈ，３０Ｊ，３０Ｋ：筐体
９０：光ファイバ
２４１，２４１Ｂ，２４１Ｃ１，２４１Ｃ２，２４１Ｈ：第１端子電極
２４２，２４２Ａ，２４２Ｂ，２４２Ｃ１，２４２Ｃ２，２４２Ｈ：第２端子電極
２４３Ｂ，２４３Ｈ：第３端子電極
３０１，３０１Ｂ，３０１Ｄ，３０１Ｅ，３０１Ｆ，３０１Ｇ，３０１Ｈ：凹部
３１１，３１２，３１１Ｂ，３１１Ｈ：第１接続電極
３２１，３２２，３２１Ｂ，３２１Ｈ：第２接続電極
３３１，３３２，３３１Ｂ，３３２Ｂ，３３１Ｈ，３３２Ｈ，３３１Ｋ，３３２Ｋ：配線電極
３４１，３４２，３４１Ｂ，３４２Ｂ，３４１Ｈ，３４２Ｈ：ビア電極
３５１：第１外部電極
３５２：第２外部電極
３６１，３６２：バンプ
３７０：ＥＳＤ素子
３７１Ｂ，３７１Ｈ：固定用電極
３８１，３８２：配線電極
９００：ファイバ固定部材
９０１，９０２：実装用電極
９１０：半田バンプ
１Ｋ：光通信モジュール
【図１】
2017026362.tif 000003
【図２】
2017026362.tif 000004
【図３】
2017026362.tif 000005
【図４】
2017026362.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2017026362.tif 000009
【図８】
2017026362.tif 000010
【図９】
2017026362.tif 000011
【図１０】
2017026362.tif 000012
【図１１】
2017026362.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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