(57)【要約】  リードフレーム（２）の実装面側に形成された第一絶縁樹脂部（７）と、リードフレーム（２）の放熱面側に形成された第二絶縁樹脂部（８）と、第二絶縁樹脂部（８）の放熱面に固定されたヒートシンク（５０）を備え、第二絶縁樹脂部（８）は薄肉成形部（８ｂ）の端部に形成された第二スカート部（８ａ）を有し、第一絶縁樹脂部（７）は第二スカート部（８ａ）を被覆する第一スカート部（７ａ）を有し、第二スカート部（８ａ）の外周面部は、リードフレーム（２）および第一スカート部（７ａ）に接続された第一端部（Ｔ１）と、ヒートシンク（５０）に接続された第二端部（Ｔ２）と、第一端部（Ｔ１）と第二端部（Ｔ２）の間に形成された少なくとも一つの曲がり部（Ｒ１）を備えている。
2017217328.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が実装されたリードフレームと、前記リードフレームの前記半導体素子が実装された実装面側に形成された第一絶縁樹脂部と、前記リードフレームの実装面と反対側の放熱面側に形成された第二絶縁樹脂部と、前記第二絶縁樹脂部の放熱面に固定されたヒートシンクを備え、
前記第二絶縁樹脂部は、前記リードフレームに密着した薄肉成形部と、前記薄肉成形部の端部に形成された第二スカート部を有し、
前記第一絶縁樹脂部は、前記リードフレームの放熱面側に突出し、前記第二絶縁樹脂部の前記第二スカート部を被覆する第一スカート部を有し、
前記第二スカート部の外周面部は、前記リードフレームおよび前記第一スカート部に接続された第一端部と、前記ヒートシンクに接続された第二端部と、前記第一端部と前記第二端部の間に形成された少なくとも一つの曲がり部を備えている半導体装置。
【請求項２】
前記第二スカート部は、前記第二絶縁樹脂部の放熱面側に突出する第一突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第一突出部に形成された第一曲がり部を含み、
前記第一端部から前記第一曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第一接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第二スカート部は、前記第一突出部から前記半導体装置の側面方向に突出する第二突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第二突出部に形成された第二曲がり部を含み、
前記第一曲がり部から前記第二曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第二接合部となっている請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二スカート部は、前記第二突出部から前記リードフレームの実装面側に突出する第三突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第三突出部に形成された第三曲がり部を含み、
前記第二曲がり部から前記第三曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第三接合部となっている請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第二スカート部は、前記薄肉成形部の端部から前記リードフレームと並行して延びる段差部を有し、
前記第一スカート部は、前記段差部と前記リードフレームの放熱面の間に形成された第一回り込み部を有し、
前記曲がり部は、前記段差部と前記第一回り込み部の第四接合部に沿って形成された第四曲がり部および第五曲がり部を備えた請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二スカート部は、前記段差部から前記薄肉成形部の放熱面側に突出する第四突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第四突出部に形成された第六曲がり部を含み、
前記第五曲がり部から前記第六曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第五接合部となっている請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第二スカート部は、前記第四突出部から前記半導体装置の側面方向に突出する第五突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第五突出部に形成された第七曲がり部を含み、
前記第六曲がり部から前記第七曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第六接合部となっている請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第二スカート部は、前記第五突出部から前記リードフレームの実装面側に突出する第六突出部を備え、
前記曲がり部は、前記第六突出部に形成された第八曲がり部を含み、
前記第七曲がり部から前記第八曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第七接合部となっている請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記曲がり部は、前記第二端部につながる最終曲がり部を含み、前記第二端部から前記最終曲がり部までは、前記ヒートシンクの対向する面に対して離間する方向に傾斜している請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第二スカート部は、前記薄肉成形部の端部において前記薄肉成形部の放熱面側に向かって広がる第一傾斜部を備え、
前記第一スカート部は、前記第一傾斜部と前記リードフレームの放熱面の間に形成された第二回り込み部を有し、
前記曲がり部は、前記第一傾斜部に形成された第九曲がり部を含み、
前記第一端部から前記第九曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第八接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第二スカート部は、前記第一端部から前記リードフレームの放熱面を延長した第一直線部を備え、
前記曲がり部は、前記第一直線部に形成された第十曲がり部を含み、
前記第二スカート部は、さらに前記第十曲がり部から鋭角を持って前記第二端部に繋がる第二傾斜部を備え、
前記第一端部から前記第十曲がり部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第十接合部、前記第十曲がり部から前記第二端部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第十一接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第二スカート部は、前記薄肉成形部の端部において凸状に形成された凸部を備え、
前記曲がり部は、前記凸部に形成された第十二曲がり部を含み、
前記第一端部から前記第十二曲がり部を経て前記第二端部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第十二接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第二スカート部は、前記薄肉成形部の端部において凹状に形成された凹部を備え、
前記曲がり部は、前記凹部に形成された第十三曲がり部を含み、
前記第一端部から前記第十三曲がり部を経て前記第二端部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第十三接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第二スカート部は、前記薄肉成形部の端部において凹凸状に形成された凹凸部を備え、
前記曲がり部は、前記凹凸部に形成された複数の曲がり部を含み、
前記第一端部から前記複数の曲がり部を経て前記第二端部までは前記第一スカート部と前記第二スカート部の第十四接合部となっている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第一スカート部と前記第二スカート部の接合面が粗化されている請求項１から請求項１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第二絶縁樹脂部の熱伝導率は、前記第一絶縁樹脂部の熱伝導率以上である請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、樹脂モールド型の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電力用等の半導体装置は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ、ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップ等の半導体素子を外部端子用リードフレームにダイボンドした後、ワイヤボンド工程でワイヤ配線、もしくは銅板、銅合金板等のインナーリードに半田付けにより電気的に接続し、外部との信号の入出力を行っている。【０００３】
また、樹脂モールド型の半導体装置は、トランスファー成形により、リードフレームの半導体素子が実装された側の面（実装面）とその反対側の放熱面を、絶縁樹脂で封止している。特に、電力用の半導体装置は、内部に高発熱の半導体素子を備えているため、封止する絶縁樹脂には高熱伝導性が要求される。そして、モールド樹脂封止工程で、放熱面側を熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ〜１０Ｗ／ｍ・Ｋの高放熱伝導性の樹脂で封止し、実装面側を低応力樹脂等で封止する半導体装置が提案されている。
ここで、実装面側の樹脂と放熱面側の樹脂の２種類の樹脂で成形することにより、２種類の樹脂の界面が存在する。その界面は電界が集中しやすく、また密着性が悪く剥離することにより、絶縁性が低下するという課題があった。【０００４】
前記課題を解決するために、下記の特許文献１に開示されている技術がある。特許文献１の半導体装置は、第１および第２主面を有しパターン形状を有する板状であって、外部端子を周囲に有するリードフレームと、第１主面上に固定された半導体素子と、第２主面との間に間隙をもって対向するように設けられたヒートシンクと、前記半導体素子、前記リードフレームおよび前記ヒートシンクを封止する封止樹脂を備えるものにおいて、前記封止樹脂が一次封止樹脂と、当該一次封止樹脂より熱伝導性に優れる二次封止樹脂とを有しており、前記二次封止樹脂は、前記第２主面に密着して前記リードフレームと前記ヒートシンクの間隙を充填する部分と、当該部分に一体的に連結するとともに、前記パターン形状に付随する前記リードフレームの空隙を貫通して、前記第１主面の側へ壁状に突出する突出部と、を有しており、前記一次封止樹脂は、前記第１主面に密着し、かつ前記半導体素子を埋め込むとともに、前記突出部に密着していることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１５３５７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記特許文献１では、空隙を挟んで隣り合うリードフレームの部分の相互間の、一次封止樹脂と二次封止樹脂の界面に沿った沿面距離が長くなり、これらのリードフレームの部分の絶縁性能が向上し、耐電圧が向上するという効果がある。
しかしながら、前記特許文献１では、一次封止樹脂と二次封止樹脂の界面に沿う、リードフレームとヒートシンクの間の沿面距離については考慮されていなかった。【０００７】
この発明は前記の課題を解決するためになされたもので、リードフレームとヒートシンクの間の沿面距離を従来より長くし、絶縁性能を向上する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る半導体装置は、半導体素子が実装されたリードフレームと、前記リードフレームの前記半導体素子が実装された実装面側に形成された第一絶縁樹脂部と、前記リードフレームの実装面と反対側の放熱面側に形成された第二絶縁樹脂部と、前記第二絶縁樹脂部の放熱面に固定されたヒートシンクを備え、
前記第二絶縁樹脂部は、前記リードフレームに密着した薄肉成形部と、前記薄肉成形部の端部に形成された第二スカート部を有し、
前記第一絶縁樹脂部は、前記リードフレームの放熱面側に突出し、前記第二絶縁樹脂部の前記第二スカート部を被覆する第一スカート部を有し、
前記第二スカート部の外周面部は、前記リードフレームおよび前記第一スカート部に接続された第一端部と、前記ヒートシンクに接続された第二端部と、前記第一端部と前記第二端部の間に形成された少なくとも一つの曲がり部を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明に係る半導体装置によれば、リードフレームからヒートシンクに至る沿面距離が従来技術より長くなり、絶縁性能が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】この発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す側面断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１において、一回目のトランスファー成形工程後の半導体装置を放熱面側から見た平面模式図である。
【図３】この発明の実施の形態１において、二回目のトランスファー成形工程後の半導体装置を放熱面側から見た平面模式図である。
【図４】図１に示す半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】図４に示す半導体装置のＢ１部分を拡大した図である。
【図６】実施の形態１の比較例としての半導体装置の図４に対応する図である。
【図７】図６に示す半導体装置のＣ部分を拡大した図である。
【図８】実施の形態１の変形例１の半導体装置の部分拡大図である。
【図９】実施の形態１の変形例２の半導体装置の部分拡大図である。
【図１０】実施の形態１の変形例３の半導体装置の部分拡大図である。
【図１１】実施の形態１の変形例４の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図１２】図１１に示す半導体装置のＢ３部分を拡大した図である。
【図１３】実施の形態１の変形例４の半導体装置の部分拡大図である。
【図１４】実施の形態１の変形例５の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図１５】図１４に示す半導体装置のＢ４部分を拡大した図である。
【図１６】実施の形態１の変形例５の半導体装置の部分拡大図である。
【図１７】この発明の実施の形態２の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図１８】図１７に示す半導体装置のＢ５部分を拡大した図である。
【図１９】実施の形態２の変形例１の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図２０】図１９に示す半導体装置のＢ６部分を拡大した図である。
【図２１】実施の形態２の変形例１の半導体装置の部分拡大図である。
【図２２】実施の形態２の変形例２の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図２３】図２２に示す半導体装置のＢ７部分を拡大した図である。
【図２４】実施の形態２の変形例２の半導体装置の部分拡大図である。
【図２５】実施の形態２の変形例３の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図２６】図２５に示す半導体装置のＢ８部分を拡大した図である。
【図２７】実施の形態２の変形例３の半導体装置の部分拡大図である。
【図２８】この発明の実施の形態３の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図２９】図２８に示す半導体装置のＢ９部分を拡大した図である。
【図３０】この発明の実施の形態４の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３１】図３０に示す半導体装置のＢ１０部分を拡大した図である。
【図３２】この発明の実施の形態５の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３３】図３２に示す半導体装置のＢ１１部分を拡大した図である。
【図３４】この発明の実施の形態５の他の例の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３５】図３４に示す半導体装置のＢ１２部分を拡大した図である。
【図３６】この発明の実施の形態５の他の例の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３７】図３６に示す半導体装置のＢ１３部分を拡大した図である。
【図３８】この発明の実施の形態６の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３９】図３８に示す半導体装置のＢ１４部分を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。図１は、本実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す側面断面図、図２は一回目のトランスファー成形工程により第一絶縁樹脂部を形成した半導体装置を放熱面側から見た平面模式図、図３は二回目のトランスファー成形工程により第二絶縁樹脂部を形成した半導体装置を放熱面側から見た平面模式図、図４は図１の半導体装置のＡ−Ａ線断面図、図５は図４の半導体装置のＢ１部分を拡大した図である。なお、図２および図３において、ヒートシンクは省略している。また、各図において、図中、同一または相当部分には同一符号を付している。
【００１２】
図に示すように、本実施の形態１に係る半導体装置１００は、半導体素子１、リードフレーム２、外部端子４、ワイヤ５、インナーリード６、第一絶縁樹脂部７、第二絶縁樹脂部８、ヒートシンク５０を備えている。図１において、リードフレーム２の図示上側の面（以下、実装面２ａと称す）には、例えばＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ等の半導体素子１が、はんだ、銀等の接合部材３を介して実装されている。リードフレーム２は、銅板、銅合金板等で構成されており、リードフレーム２の表面は、金、銀、ニッケル、スズ等の金属めっき（図示省略）で被膜されている。
【００１３】
半導体素子１の電極パッドは、ワイヤボンディングで接続されたワイヤ５、または、銅板、銅合金板等の材料で作成されたインナーリード６を介して外部端子４と電気的に接続されており、半導体素子１は外部端子４を介して外部機器と信号の入出力を行っている。ワイヤ５は、金、銀、アルミ、銅等からなり、ワイヤ線径は２０μｍから５００μｍ程度である。インナーリード６は、半導体素子１又はリードフレーム２と、はんだ、銀等の接合部材３を介して接合されている。なお、ワイヤ５とインナーリード６は互いに置き換えが可能である。
【００１４】
リードフレーム２は、実装面２ａ側に第一絶縁樹脂からなる第一絶縁樹脂部７が形成されている。また、リードフレーム２の実装面２ａと反対側の面である放熱面２ｂ側には第二絶縁樹脂からなる第二絶縁樹脂部８が形成されている。そして、リードフレーム２の離間された二つの領域の間１０（以下、ダイパッド間１０と称す）には、第一絶縁樹脂が充填され、第一絶縁樹脂部７となっている。
【００１５】
第二絶縁樹脂部８は、リードフレーム２の放熱面２ｂに接して形成される薄肉成形部８ｂを有している。薄肉成形部８ｂの厚さは、０．０２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度である。また、薄肉成形部８ｂのリードフレーム２と接するリードフレーム接合面８ｂ１に対して反対側の面である放熱面８ｂ２には、グリース等の放熱部材を介して、またはモールド樹脂成形により、銅、アルミ製等のヒートシンク５０が接合されている。
【００１６】
第一絶縁樹脂部７および第二絶縁樹脂部８を形成する絶縁樹脂は、いずれも熱硬化性のエポキシ樹脂等である。ただし、リードフレーム２の放熱面２ｂ側に形成される第二絶縁樹脂部８には、実装面２ａ側に形成される第一絶縁樹脂部７よりも熱伝導率が高い絶縁樹脂が用いられる。第二絶縁樹脂部８を形成する第二絶縁樹脂は、例えば、熱伝導率の良好なシリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、アルミナイトライド等のフィラーを含有しており、第二絶縁樹脂部８の熱伝導率は、３Ｗ／ｍ・Ｋ〜１２Ｗ／ｍ・Ｋである。実装面２ａ側の第一絶縁樹脂部７には、一般的な半導体装置に用いられる流動性の良い低応力絶縁樹脂が用いられる。例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等にシリコーンを添加した低応力絶縁樹脂や、熱膨張率をリードフレームに近づけた低応力絶縁樹脂が用いられる。
【００１７】
図４および図５に示すように、リードフレーム２の放熱面２ｂ側には、その外周端部に、第一絶縁樹脂により成形された第一スカート部７ａと、第二絶縁樹脂により成形された第二スカート部８ａが設けられている。すなわち、第二絶縁樹脂部８は、リードフレーム２の放熱面２ｂに密着して形成された厚さ０．０２ｍｍ〜０．３ｍｍ程度の薄肉成形部８ｂと、薄肉成形部８ｂの端部から第二絶縁樹脂部８の放熱面８ｂ２側に突出する第一突出部８１を有する第二スカート部８ａを備えている。また、第一絶縁樹脂部７は、リードフレーム２の放熱面２ｂ側に突出して第二スカート部８ａを被覆する第一スカート部７ａを備えている。
第一スカート部７ａおよび第二スカート部８ａは、リードフレーム２の放熱面２ｂに対しての垂直方向の厚さが、薄肉成形部８ｂの厚さより厚い０．３ｍｍ〜２ｍｍ程度の突出形状となっている。
【００１８】
図５に示すように、第二スカート部８ａの外周面部は、リードフレーム２および第一スカート部７ａに接続された第一端部Ｔ１と、ヒートシンク５０に接続された第二端部Ｔ２と、第一端部Ｔ１と第二端部Ｔ２の間に形成される少なくとも一つの曲がり部、すなわち第一突出部８１に形成された第一曲がり部Ｒ１を備えている。そして、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第一接合部Ｊ１となっている。
また、図５において、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１まで直線状に示され、第一曲がり部Ｒ１から第二端部Ｔ２までは直線状に示されているが、これら直線状に示されている箇所は平らな平面形状を成している。ただし、実際には第一スカート部７ａおよび第二スカート部８ａはトランスファー成形により樹脂成形されるので、これらの平面形状はある程度の凹凸部を有する。また、以下の本発明の他の例の図において、直線状に示されている第一端部と曲がり部の間、曲がり部同士の間、および曲がり部と第二端部の間は、上記と同様に平らな平面形状を成している。
さらに、図５では、第一曲がり部Ｒ１は直角形状として示されているが、実際には第二スカート部８ａはトランスファー成形により樹脂成形されるので、ある程度の曲線部や凹凸部を有する。
【００１９】
次に、本実施の形態１の半導体装置１００における、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離について説明する。
図６は、本実施の形態の比較例としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図７は、図６に示す半導体装置のＢ２部分を拡大した図である。
図６および図７に示す比較例の半導体装置は、本実施の形態のような薄肉成形部８ｂの端部から放熱面側に突出する第二スカート部８ａを備えておらず、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離Ｌは、リードフレーム２、第一スカート部７ａおよび薄肉成形部８ｂに接続された第一端部Ｔ１から、ヒートシンク５０、第一スカート部７ａおよび薄肉成形部８ｂに接続された第二端部Ｔ２に至る距離Ｌ３となる。
これに対して、本実施の形態の半導体装置では、図５に示すように、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離Ｌは、リードフレーム２、第一スカート部７ａおよび第二スカート部（第一突出部）８ａに接続された第一端部Ｔ１から第二スカート部８ａ（第一突出部８１）に形成された第一曲がり部Ｒ１までの距離Ｌ１と、第一曲がり部Ｒ１からヒートシンク５０および第二スカート部（第一突出部）８ａに接続された第二端部Ｔ２に至る距離Ｌ２との和（Ｌ＝Ｌ１＋Ｌ２）となる。なお、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までは、第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの界面である第一接合部Ｊ１となっている。
【００２０】
以上のように、図６および図７に示す比較例の半導体装置に比べて、本実施の形態の半導体装置は、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離が大幅に拡大し、絶縁性が向上する。
また、前記した特許文献１の図９の半導体装置と比較しても、本実施の形態の半導体装置のリードフレームからヒートシンクに至る沿面距離は拡大され、絶縁性が向上する。すなわち、前記特許文献１の図９において、リードフレームからヒートシンクに至る沿面距離は、一次封止樹脂と二次封止樹脂の界面を介して直線的につながっているのに対して、本実施の形態の場合の沿面距離は、リードフレーム２の第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１を介してヒートシンク５０の第二端部Ｔ２に至っているので、沿面距離は拡大され、絶縁性も向上する。
【００２１】
実施の形態１の変形例．
（変形例１）
図４および図５に示す半導体装置の断面図では、第二スカート部８ａの外周面部は第一端部Ｔ１から放熱側に向かって第一曲がり部Ｒ１まで直線的に形成されているが、図８に示すように、第二スカート部８ａの外周面部を第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１まで外側に向かって傾斜するようにしても良い。この場合、第二スカート部８ａは台形状になり、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離Ｌ４と、第一曲がり部Ｒ１から第二端部Ｔ２に至る距離Ｌ５との和（Ｌ４＋Ｌ５）となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
【００２２】
（変形例２）
また、図９に示すように、第二スカート部８ａの外周面部を第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１まで外側に広がる円弧状になるように形成しても良い。この場合も、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
【００２３】
（変形例３）
さらに、図１０に示すように、ヒートシンク５０の側面部５０Ａを第二スカート部８ａの一側面部８ａ１から離しても良い。このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から曲がり部Ｒ５０までの距離と、曲がり部Ｒ５０から曲がり部Ｒ５１までの距離と、曲がり部Ｒ５１から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
【００２４】
（変形例４）
図１１は、本実施の形態の変形例４としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図１２は、図１１に示す半導体装置のＢ３部分を拡大した図である。
図１１および図１２において、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの放熱面８ｂ２側に突出する第一突出部８１と、第一突出部８１から半導体装置１００の側面方向（図示Ｘ方向）に突出する第二突出部８２を備え、さらに、第一突出部８１に形成された第一曲がり部Ｒ１と、第二突出部８２に形成された第二曲がり部Ｒ２を含む。そして、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第一接合部Ｊ１となり、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第二接合部Ｊ２となっている。すなわち、第一スカート部７ａの内側側面と図示下面を覆うように第二スカート部８ａを成形する。
このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までの距離と、第二曲がり部Ｒ２から曲がり部Ｒ５２までの距離と、曲がり部Ｒ５２から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
なお、図１３に示すように、ヒートシンク５０を第二スカート部８ａの第二突出部８２の放熱面側に接合するようにしても良い。この場合も、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までの距離と、第二曲がり部Ｒ２から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
【００２５】
（変形例５）
図１４は、本実施の形態の変形例５としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図１５は、図１４に示す半導体装置のＢ４部分を拡大した図である。
図１４および図１５において、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの放熱面８ｂ２側に突出する第一突出部８１と、第一突出部８１から半導体装置１００の側面方向（図示Ｘ方向）に突出する第二突出部８２と、第二突出部８２からリードフレーム２の実装面側に突出する第三突出部８３を備え、さらに、第一突出部８１に形成された第一曲がり部Ｒ１と、第二突出部８２に形成された第二曲がり部Ｒ２と、第三突出部８３に形成された第三曲がり部Ｒ３を含む。そして、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第一接合部Ｊ１となり、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第二接合部Ｊ２となり、第二曲がり部Ｒ２から第三曲がり部Ｒ３までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第三接合部Ｊ３となっている。すなわち、第一スカート部７ａの内側側面および外側側面と図示下面を覆うように第二スカート部８ａを成形する。
このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までの距離と、第二曲がり部Ｒ２から第三曲がり部Ｒ３までの距離と、第三曲がり部Ｒ３から曲がり部Ｒ５３までの距離と、曲がり部Ｒ５３から曲がり部Ｒ５４までの距離と、曲がり部Ｒ５４から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
なお、図１６に示すように、ヒートシンク５０を第二スカート部８ａの第二突出部８２の放熱面側に接合するようにしても良い。この場合も、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離と、第一曲がり部Ｒ１から第二曲がり部Ｒ２までの距離と、第二曲がり部Ｒ２から第三曲がり部Ｒ３までの距離と、第三曲がり部Ｒ３から曲がり部Ｒ５３までの距離と、曲がり部Ｒ５３から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大する。
【００２６】
以上のように、本実施の形態によれば、半導体素子が実装されたリードフレームと、リードフレームの半導体素子が実装された実装面側に形成された第一絶縁樹脂部と、リードフレームの実装面と反対側の放熱面側に形成された第二絶縁樹脂部と、第二絶縁樹脂部の放熱面側に固定されたヒートシンクを備え、第二絶縁樹脂部は、リードフレームに密着した薄肉成形部と、薄肉成形部の端部に形成された第二スカート部を有し、第一絶縁樹脂部は、リードフレームの放熱面側に突出し、第二絶縁樹脂部の第二スカート部を被覆する第一スカート部を有し、第二スカート部の外周面部は、リードフレームおよび第一スカート部に接続された第一端部と、ヒートシンクに接続された第二端部と、第一端部と第二端部の間に形成された少なくとも一つの曲がり部を備えているので、リードフレームからヒートシンクに至る沿面距離が従来技術より長くなり、絶縁性能が向上する。
【００２７】
また、第一スカート部および第二スカート部の突出方向厚さを薄肉成形部の厚さよりも厚くしているので、リードフレームとヒートシンクとの沿面距離を必要な絶縁距離だけ離すことができると共に、放熱性の低下を抑制できる。
【００２８】
また、第一スカート部および第二スカート部を設けることにより、電圧が加わるリードフレームの外周端部の強度と絶縁距離を確保することができる。
【００２９】
なお、本実施の形態において、リードフレームの表面は、金、銀、ニッケル、スズ等の金属めっきで被膜されているとして説明したが、被膜されていない場合もある。また、本実施の形態では、厚さが均一のリードフレームを用いたが、部分的に厚さが異なるリードフレームを用いても良い。また、本実施の形態では、薄肉成形部にグリース等の放熱部材を介してヒートシンクを接合する場合を説明したが、放熱部材を用いない場合もある。
【００３０】
また、本実施の形態では、リードフレームの実装面側も放熱面側と同様の放熱性を有するようにしても良い。例えば第一絶縁樹脂部として、第二絶縁樹脂部と同様の、熱伝導率が３Ｗ／ｍ・Ｋ〜１２Ｗ／ｍ・Ｋの高放熱樹脂を用いても良い。発熱部品である半導体素子の周りを高放熱樹脂で封止することにより、半導体素子の全周囲から放熱されるため、放熱性が向上する。
【００３１】
また、本実施の形態において、図３に示すように、平面から見て略長方形の半導体装置において、第一絶縁樹脂により成形された第一スカート部が長辺側に位置し、第二絶縁樹脂により成形された第二スカート部が短辺側に位置しているが、使用される成形金型のゲートの位置によって、逆の場合も有り得る。
【００３２】
また、本実施の形態において、平面から見て略長方形の半導体装置において、第一絶縁樹脂により成形された第一スカート部と第二絶縁樹脂により成形された第二スカート部が構成する辺の位置は図３に示す位置に限らず、また、その数も２辺ずつに限らない。
【００３３】
また、本実施の形態において、第一絶縁樹脂部を成形した後に発生するゲートブレイク跡７ｂの位置、あるいは第二絶縁樹脂部を成形した後に発生するゲートブレイク跡８ｃの位置は、図１および図３に示す位置に限定されるものではなく、また、その数も１つに限らず複数存在しても良い。
【００３４】
なお、本実施の形態において、図２および図３に示すように、一回目のトランスファー成形工程により第一絶縁樹脂部を成形した後、二回目のトランスファー成形工程により第二絶縁樹脂部を成形するようにしているが、一回目のトランスファー成形工程により第二絶縁樹脂部を成形した後、二回目のトランスファー成形工程により第一絶縁樹脂部を成形するようにしても良い。
【００３５】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。
本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１に係る半導体装置と全体的な構成は同じであるため、主に相違点のみについて説明する。また、各図において、実施の形態１と同一または相当部分には同一符号を付している。
【００３６】
図１７は、本実施の形態２としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図１８は、図１７に示す半導体装置のＢ５部分を拡大した図である。
【００３７】
本実施の形態では、図１７および図１８に示すように、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの端部からリードフレーム２と並行して延びる段差部８００を有し、第一スカート部７ａは、段差部８００とリードフレーム２の放熱面２ｂの間に形成された第一回り込み部７００を有する。そして、第二スカート部８ａの段差部８００と第一スカート部７ａの第一回り込み部７００の第四接合部Ｊ４に沿って第四曲がり部Ｒ４および第五曲がり部Ｒ５が形成されている。
【００３８】
本実施の形態によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
【００３９】
実施の形態２の変形例．
（変形例１）
図１９は、実施の形態２の変形例１としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図２０は、図１９に示す半導体装置のＢ６部分を拡大した図である。
図１９および図２０において、第二スカート部８ａは、段差部８００から薄肉成形部８ｂの放熱面側に突出する第四突出部８４を備え、第四突出部８４に第六曲がり部Ｒ６を形成している。そして、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第五接合部Ｊ５となっている。
このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
なお、図２１に示すように、ヒートシンク５０の側面部５０Ａを第二スカート部８ａの一側面部８ａ１から離しても良い。このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から曲がり部Ｒ６０までの距離と、曲がり部Ｒ６０から曲がり部Ｒ６１までの距離と、曲がり部Ｒ６１から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
【００４０】
（変形例２）
図２２は、実施の形態２の変形例２としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図２３は、図２２に示す半導体装置のＢ７部分を拡大した図である。
図２２および図２３において、第二スカート部８ａは、第四突出部８４から半導体装置１００の側面方向（図示Ｘ方向）に突出する第五突出部８５を備え、第五突出部８５に第七曲がり部Ｒ７が形成されている。そして、第六曲がり部Ｒ６から第七曲がり部Ｒ７までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第六接合部Ｊ６となっている。
このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から第七曲がり部Ｒ７までの距離と、第七曲がり部Ｒ７から曲がり部Ｒ６２までの距離と、曲がり部Ｒ６２から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
なお、図２４に示すように、ヒートシンク５０を第二スカート部８ａの第五突出部８５の放熱面側に接合するようにしても良い。この場合も、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から第七曲がり部Ｒ７までの距離と、第七曲がり部Ｒ７から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
【００４１】
（変形例３）
図２５は、実施の形態２の変形例３としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図２６は、図２５に示す半導体装置のＢ８部分を拡大した図である。
図２５および図２６において、第二スカート部８ａは、第五突出部８５からリードフレーム２の実装面側（図示Ｙ方向）に突出する第六突出部８６を備え、第六突出部８６に第八曲がり部Ｒ８が形成されている。そして、第七曲がり部Ｒ７から第八曲がり部Ｒ８までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第七接合部Ｊ７となっている。
このように構成すれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から第七曲がり部Ｒ７までの距離と、第七曲がり部Ｒ７から第八曲がり部Ｒ８までの距離と、第八曲がり部Ｒ８から曲がり部Ｒ６３までの距離と、曲がり部Ｒ６３から曲がり部Ｒ６４までの距離と、曲がり部Ｒ６４から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
なお、図２７に示すように、ヒートシンク５０を第二スカート部８ａの第五突出部８５の放熱面側に接合するようにしても良い。この場合も、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第四曲がり部Ｒ４までの距離と、第四曲がり部Ｒ４から第五曲がり部Ｒ５までの距離と、第五曲がり部Ｒ５から第六曲がり部Ｒ６までの距離と、第六曲がり部Ｒ６から第七曲がり部Ｒ７までの距離と、第七曲がり部Ｒ７から第八曲がり部Ｒ８までの距離と、第八曲がり部Ｒ８から曲がり部Ｒ６３までの距離と、曲がり部Ｒ６３から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離Ｌ１より拡大する。
【００４２】
以上のように、本実施の形態によれば、リードフレームからヒートシンクに至る沿面距離が従来技術より長くなり、絶縁性能が向上する。
【００４３】
実施の形態３．
以下、この発明の実施の形態３に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。
本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１に係る半導体装置と全体的な構成は同じであるため、主に相違点のみについて説明する。また、各図において、実施の形態１と同一または相当部分には同一符号を付している。
【００４４】
図２８は、本実施の形態３としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図２９は、図２８に示す半導体装置のＢ９部分を拡大した図である。
【００４５】
本実施の形態では、図２８および図２９に示すように、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの端部において薄肉成形部８ｂの放熱面側に向かって広がる第一傾斜部８１０を備え、第一スカート部７ａは、第一傾斜部８１０とリードフレーム２の放熱面２ｂの間に形成された第二回り込み部７１０を有する。そして、第二スカート部８ａの第一傾斜部８１０の端部に第九曲がり部Ｒ９を備えている。そして、第一端部Ｔ１から第九曲がり部Ｒ９までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第八接合部Ｊ８となっている。
【００４６】
本実施の形態によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第九曲がり部Ｒ９までの距離と、第九曲がり部Ｒ９から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
【００４７】
実施の形態４．
以下、この発明の実施の形態４に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１に係る半導体装置と全体的な構成は同じであるため、主に相違点のみについて説明する。また、各図において、実施の形態１と同一または相当部分には同一符号を付している。
【００４８】
図３０は、本実施の形態４としての半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図３１は、図３０に示す半導体装置のＢ１０部分を拡大した図である。
【００４９】
本実施の形態では、図３０および図３１に示すように、第二スカート部８ａは、第一端部Ｔ１からリードフレーム２の放熱面を延長した第一直線部８２０を備え、第一直線部８２０に第十曲がり部Ｒ１０を備え、第二スカート部８ａはさらに第十曲がり部Ｒ１０から鋭角を持って第二端部Ｔ２に繋がる第二傾斜部８３０を備えている。そして、第一端部Ｔ１から第十曲がり部Ｒ１０までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第十接合部Ｊ１０、第十曲がり部Ｒ１０から第二端部Ｔ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第十一接合部Ｊ１１となっている。
【００５０】
本実施の形態によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第十曲がり部Ｒ１０までの距離と、第十曲がり部Ｒ１０から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
【００５１】
また、第二スカート部が第一スカート部の内部に組み込まれているので、薄肉成形部とリードフレームの密着性が優れた半導体装置を得ることができる。
【００５２】
実施の形態５．
以下、この発明の実施の形態５に係る半導体装置について、図面に基づいて説明する。本実施の形態の半導体装置は、実施の形態１に係る半導体装置と全体的な構成は同じであるため、主に相違点のみについて説明する。また、各図において、実施の形態１と同一または相当部分には同一符号を付している。
【００５３】
図３２は、本実施の形態５の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図３３は、図３２に示す半導体装置のＢ１１部分を拡大した図である。
【００５４】
本実施の形態では、図３２および図３３に示すように、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの端部において凸状に形成された凸部８４０を備え、凸部８４０に第十二曲がり部Ｒ１２が形成されている。そして、第一端部Ｔ１から第十二曲がり部Ｒ１２を経て第二端部Ｔ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第十二接合部Ｊ１２となっている。なお、第二スカート部８ａには凸部８４０が形成されているので、上下に型開きする金型では凸部８４０が金型に引っ掛かる。そのため、スライドコア等の図示左右に移動でき凸部８４０が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第二スカート部８ａを形成する。または、スライドコア等の図示紙面前後に移動でき凸部８４０に対向する第一スカート部７ａの凹部が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第一スカート部７ａを形成する。
【００５５】
本実施の形態によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第十二曲がり部Ｒ１２までの距離と、第十二曲がり部Ｒ１２から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
また、第二スカート部８ａが第一スカート部７ａの内部に組み込まれているので、薄肉成形部８ｂとリードフレーム２の密着性が優れた半導体装置が得られる。
【００５６】
図３４は、本実施の形態５の他の例の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図３５は、図３４に示す半導体装置のＢ１２部分を拡大した図である。
【００５７】
本例では、図３４および図３５に示すように、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの端部において凹状に形成された凹部８５０を備え、凹部８５０に第十三曲がり部Ｒ１３が形成されている。そして、第一端部Ｔ１から第十三曲がり部Ｒ１３を経て第二端部Ｔ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第十三接合部Ｊ１３となっている。なお、第二スカート部８ａには凹部８５０が形成されているので、上下に型開きする金型では凹部８５０が金型に引っ掛かる。そのため、スライドコア等の図示左右に移動でき凹部８５０が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第二スカート部８ａを形成する。または、スライドコア等の図示紙面前後に移動でき凹部８５０に対向する第一スカート部７ａの凸部が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第一スカート部７ａを形成する。
【００５８】
本例によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第十三曲がり部Ｒ１３までの距離と、第十三曲がり部Ｒ１３から第二端部Ｔ２までの距離の和となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
また、第一スカート部７ａが第二スカート部８ａの内部に組み込まれているので、薄肉成形部８ｂとリードフレーム２の密着性が優れた半導体装置が得られる。
【００５９】
図３６は、本実施の形態５の他の例の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、図４に対応する図である。図３７は、図３６に示す半導体装置のＢ１３部分を拡大した図である。
【００６０】
本例では、図３６および図３７に示すように、第二スカート部８ａは、薄肉成形部８ｂの端部において凹凸状に形成された凹凸部８６０を備え、凹凸部８６０に複数の曲がり部（第十四曲がり部Ｒ１４、第十五曲がり部Ｒ１５、第十六曲がり部Ｒ１６）が形成されている。そして、第一端部Ｔ１から複数の曲がり部（第十四曲がり部Ｒ１４、第十五曲がり部Ｒ１５、第十六曲がり部Ｒ１６）を経て第二端部Ｔ２までは第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの第十四接合部Ｊ１４となっている。また、第二スカート部８ａには凹凸部８６０が形成されているので、上下に型開きする金型では凹凸部８６０が金型に引っ掛かる。そのため、スライドコア等の図示左右に移動でき凹凸部８６０が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第二スカート部８ａを形成する。または、スライドコア等の図示紙面前後に移動でき凹凸部８６０が引っ掛かること無く離型できる機構を備えた金型を用いて第一スカート部７ａを形成する。
【００６１】
本例によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から複数の曲がり部（第十四曲がり部Ｒ１４、第十五曲がり部Ｒ１５、第十六曲がり部Ｒ１６）を経た第二端部Ｔ２までの距離となり、図６および図７の半導体装置の沿面距離（Ｌ１）より拡大し、絶縁性能が向上する。
また、第一スカート部７ａと第二スカート部８ａとがそれぞれ内部に組み込まれているので、薄肉成形部８ｂとリードフレーム２の密着性が優れた半導体装置が得られる。
【００６２】
実施の形態６．
本実施の形態に係る半導体装置は、上記実施の形態に係る半導体装置の変形例であり、全体的な構成は同じであるため、相違点のみを説明する。また、各図において、上記実施の形態と同一または相当部分には同一符号を付している。
【００６３】
図３８は、本実施の形態の半導体装置における図１のＡ−Ａ線断面図であり、実施の形態１の図４に対応する図である。図３９は、図３８に示す半導体装置のＢ１４部分を拡大した図であり、実施の形態１の図５に対応した図である。
本実施の形態では、図３９に示すように、第二スカート部８ａの外周面部は、リードフレーム２および第一スカート部７ａに接続された第一端部Ｔ１と、ヒートシンク５０に接続された第二端部Ｔ２を備え、第一端部Ｔ１と第二端部Ｔ２の間には、第一曲がり部Ｒ１および最終曲がり部ＲＬａｓｔが形成されている。なお、最終曲がり部ＲＬａｓｔは、第一端部Ｔ１から数えて最終の曲がり部を意味している。
そして、第二スカート部８ａの外周面部の第二端部Ｔ２から最終曲がり部ＲＬａｓｔまでは、ヒートシンク５０の対向する面（側面部５０Ａ）に対して離間する方向に傾斜している。この場合、第二スカート部８ａの第一端部Ｔ１から第二端部Ｔ２まではヒートシンク５０と接触しない。なお、図３９では最終曲がり部ＲＬａｓｔが角張った形状となっているが、丸まった曲面形状となっていても良い。また、第二スカート部８ａの外周面部の第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１まで、ヒートシンク５０の対向する面（側面部５０Ａ）に対して離間する方向に傾斜しているが、傾斜する形状でなくても良い。
【００６４】
本実施の形態によれば、リードフレーム２からヒートシンク５０に至る沿面距離は、第一端部Ｔ１から第一曲がり部Ｒ１までの距離Ｌ１０と、第一曲がり部Ｒ１から最終曲がり部ＲＬａｓｔに至る距離Ｌ２０と、最終曲がり部ＲＬａｓｔから第二端部Ｔ２に至る距離Ｌ３０との和（Ｌ１０＋Ｌ２０＋Ｌ３０）となり、図４および図５の半導体装置の沿面距離（Ｌ１＋Ｌ２）より拡大し、絶縁性能が向上する。この場合、第一スカート部７ａおよび第二スカート部８ａとヒートシンク５０の側面突出部５０Ｂとの距離Ｌ４０よりも、距離Ｌ２０と距離Ｌ３０との和（Ｌ２０＋Ｌ３０）が大きい場合に効果的になる。また、第二スカート部８ａの一側面である第二端部Ｔ２から最終曲がり部ＲＬａｓｔは、ヒートシンク５０と接触しないことから、組立時の干渉を防ぐことが出来るため、組立性も向上する。第二スカート部８ａを成形した際に、第二スカート部８ａの外周面部の第二端部Ｔ２から最終曲がり部ＲＬａｓｔまでが傾斜していることにより金型からの離型性が向上する効果がある。
【００６５】
なお、上記実施の形態６の説明では、実施の形態１の図４および図５の半導体装置と対応させて説明したが、実施の形態１の図８、図９、図１０、図１１および図１２、図１３、図１４および図１５、図１６に適用することもできる。また、実施の形態２の図１９および図２０、図２１、図２２および図２３、図２４、図２５および図２６、図２７に適用することもできる。
【００６６】
実施の形態７．
本実施の形態に係る半導体装置は、上記実施の形態１〜６に係る半導体装置の変形例であり、全体的な構成は同じであるため、相違点のみを説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態１〜６の半導体装置における第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの接合面を粗化することを特徴とする。第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの接合面を粗化することにより、第一スカート部７ａと第二スカート部８ａの密着性が向上し、絶縁性能が向上する。また、放熱性が優れ、信頼性が向上した半導体装置が得られる。第一スカート部７ａを成形し第二スカート部８ａを成形する前に、または第二スカート部８ａを成形し第一スカート部７ａを成形する前に、それぞれ第一スカート部７ａまたは第二スカート部８ａの表面粗さをＲａ（算術平均粗さ）０．０６〜０．２程度以上となるようにレーザー加工を施す方法がある。また、レーザー加工に限らず、表面粗さを増すその他の工法であれば同様の効果を得られる。あるいは、１回目にトランスファー成形する第一スカート部７ａもしくは第二スカート部８ａの金型表面粗さをＲｚ（十点平均粗さ）２０程度以上に施しておくことで、同様の効果が得られる。
【００６７】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【国際調査報告】
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