(57)【要約】  光散乱層（２００）は基板（１００）の第１面（１０２）に形成されており、複数の粒子（２０２）を含んでいる。発光部（１４０）は基板（１００）の第１面（１０２）に形成されており、光散乱層（２００）を挟んで基板（１００）に対向している。基板（１００）の第１面（１０２）は凹凸（１０６）を有している。凹凸（１０６）は、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部（１４０）が発光する光のピーク波長の１／２以上である。また、粒子（２０２）の平均粒径は、凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さい。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１面に形成され、粒子を含む光散乱層と、
前記基板の前記第１面に形成され、前記光散乱層を挟んで前記基板に対向する発光部と、
を備え、
前記基板の前記第１面は、前記発光部が発光する光のピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される凹部又は凸部を有し、
前記粒子の平均の粒径は前記間隔の平均値よりも小さい発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記粒子の平均の粒径は、前記ピーク波長の１／２倍以上１倍以下である発光装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置において、
前記発光部が発光する光は複数のピーク波長を備え、
前記間隔は、前記複数のピーク波長の中で最も大きい波長の１／２以上である発光装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の発光装置において、
前記粒子の平均の粒径は、前記複数のピーク波長の中で最も大きい波長の１／２倍以上であり、且つ、前記複数のピーク波長の中で最も小さい波長以下である発光装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記ピーク波長は４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下であり、
前記粒子の平均の粒径は３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光部は、前記光散乱層側から順に、第１電極、有機層、及び第２電極を有し、
前記光散乱層と前記第１電極の間に、前記粒子の平均の粒径よりも厚い絶縁層を有する発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板の厚さ方向の断面において、前記光散乱層における前記粒子の面積占有率は２０％以上５０％以下である発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記光散乱層のバインダーを構成する物質の屈折率は１．６以上１．９以下である発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置において、
前記粒子を構成する物質は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンである発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記基板の前記第１面とは逆側の面である第２面に設けられた光機能層を備え、
前記光機能層は、前記基板とは逆側の面に凹部又は凸部を繰り返し有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子における課題の一つに、光取出効率を向上させることがある。【０００３】
特許文献１には、有機ＥＬ素子の光取出効率を向上させるために、有機ＥＬ素子と基板の間に光散乱層を設けることが記載されている。この光散乱層は、基板側から順に、無機系粒子を含む層、高屈折率の樹脂層、及び酸化チタン層を積層させた構成を有している。【０００４】
特許文献２にも、有機ＥＬ素子と基板の間に光散乱層を設けることが記載されている。特許文献２において、光散乱層の一例として、無機フィラーを有している層が記載されている。また特許文献２には、他の例として、基板のうち有機ＥＬ素子が形成される側の面に凹凸を形成し、この凹凸を埋めるように屈折率が１．７５以上の光散乱層を形成することが記載されている。なお、特許文献２のいずれの例においても、光散乱層の上には無機材料層が形成されている。この無機材料層を構成する物質は、例えばシリカ、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−２３５９６１号公報
【特許文献２】特開２０１４−１９７４７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者は、有機ＥＬ素子などの発光部を有する発光装置において、発光部からの光取出効率を向上させるための新規な構造を検討した。【０００７】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部を有する発光装置において、発光部からの光取出効率を向上させることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の第１面に形成され、粒子を含む光散乱層と、
前記基板の前記第１面に形成され、前記光散乱層を挟んで前記基板に対向する発光部と、
を備え、
前記基板の前記第１面は、前記発光部が発光する光のピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される凹部又は凸部を有し、
前記粒子の平均の粒径は前記間隔の平均値よりも小さい発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【００１０】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１の変形例を示す断面図である。
【図３】光の波長（λ）に対する粒子（又は凹凸）の大きさの比と、光の散乱のメカニズムの関係を説明するための図である。
【図４】光散乱層における粒子の体積含有率と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。
【図５】光散乱層のバインダーの屈折率と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。
【図６】粒子の粒子径と発光装置から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。
【図７】変形例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図８】変形例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図９】実施形態に係る発光装置の光取出効率及び変形例２に係る発光装置の光取出効率を、比較例とともに示した表である。
【図１０】実施例１に係る発光装置の平面図である。
【図１１】図１０から第２電極を取り除いた図である。
【図１２】図１１から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１３】図１０のＡ−Ａ断面図である。
【図１４】実施例２に係る発光装置の平面図である。
【図１５】図１４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図１６】図１４のＢ−Ｂ断面図である。
【図１７】図１４のＣ−Ｃ断面図である。
【図１８】図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（実施形態）
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、光散乱層２００、及び発光部１４０を有している。光散乱層２００は基板１００の第１面１０２に形成されており、複数の粒子２０２を含んでいる。発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されており、光散乱層２００を挟んで基板１００に対向している。基板１００の第１面１０２は凹凸１０６を有している。凹凸１０６は、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上である。また、粒子２０２の平均粒径は、凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さい。そのため凹凸１０６を平坦化することができる。なお、図１、及び後述する図２、図７、及び図８において、粒子２０２を見やすくするために、粒子２０２の平均粒径を凹凸１０６の間隔の平均値よりも大きくしている。
【００１３】
凹凸１０６において、凹部の間隔は、例えば基板１００の断面における、凹部の最深部の間隔で定義することができ、また、凸部の間隔は、例えば基板１００の断面における凸部の頂点の間隔で定義することができる。また、粒子２０２の平均粒径は、例えば、発光装置１０の断面における粒子２０２の円相当径の平均値で定義することができる。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００１４】
発光装置１０は、例えば照明装置やディスプレイである。発光装置１０が有する発光部１４０は、ボトムエミッション型の発光部であってもよいし、トップエミッション型の発光部であってもよいし、両面発光型の発光部であってもよい。
【００１５】
発光部１４０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光部１４０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１６】
基板１００の第１面１０２には、凹凸１０６が形成されている。凹凸１０６は、上記したように、凹部または凸部の少なくとも一方が繰り返し形成された領域である。そして隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上である。
【００１７】
ここで、発光部１４０が複数のピーク波長（発光スペクトルにおいて極大値を示す波長）を有している場合（例えば白色の光を発光する場合）、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も長い波長の１／２倍以上であるのが好ましい。また、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も短い波長以下であるのが好ましい。これらのようにすると、発光部１４０が有するすべてのピーク波長に対して、後述する散乱効果が得られる。特に好ましくは、隣り合う凹部の間隔又は隣り合う凸部の間隔は、最も長い波長の１／２倍以上かつ最も短い波長以下である。
【００１８】
図１に示す例において、凹凸１０６の凹部または凸部は、ランダムに配置されている。この場合、凹凸１０６は、例えばウェットエッチング、ドライエッチング、又はサンドブラストなどを用いて形成される。このため、凹部の深さ（または凸部の高さ）はある程度のばらつきを有している。
【００１９】
なお、図２に示すように、凹凸１０６の凹部または凸部は規則的に配置されていてもよい。この場合、凹凸１０６は、例えばマスクパターンを用いたエッチングにより形成され、また、マイクロレンズアレイ、ピラミッドアレイ、回折格子、又はモスアイ上の配置を有していてもよい。
【００２０】
また、凹部(または凸部)の間隔の平均値は、発光部１４０が発光する光のピーク波長の１／２以上であるのが好ましい。
【００２１】
発光部１４０は基板１００の第１面１０２に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。
【００２２】
第１電極１１０及び第２電極１３０の少なくとも一方は、光透過性を有する透明電極である。例えば発光部１４０がボトムエミッション型の発光装置である場合、少なくとも第１電極１１０は透明電極である。一方、発光部１４０がトップエミッション型の発光装置である場合、第２電極１３０は透明電極である。また、発光部１４０が両面発光型である場合、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極である。
【００２３】
透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００２４】
第２電極１３０が透光性を有していない場合、第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
【００２５】
なお、発光装置１０がトップエミッション型の発光装置である場合、第１電極１１０は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。この場合、光散乱層２００に起因した第１電極１１０の凸凹によりプラズモン損失が低減し、その結果、光取出し効率は向上する。
【００２６】
有機層１２０は、第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置しており、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。ただし、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方は形成されていなくてもよい。有機層１２０は、さらに他の層を有していてもよい。
【００２７】
基板１００と第１電極１１０の間には、光散乱層２００が形成されている。光散乱層２００は、有機材料又は無機材料からなるバインダー（ベース材）に複数の粒子２０２を混ぜたものである。光散乱層２００は、発光部１４０が発光した光を散乱し、また、基板１００の第１面１０２の凹凸１０６を平坦化する。
【００２８】
光散乱層２００のバインダーは、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。光散乱層２００のバインダーの屈折率は、例えば１．２以上２．２以下、好ましくは１．６以上１．９以下である。
【００２９】
光散乱層２００の粒子２０２は、例えば無機材料からなる。粒子２０２を構成する材料は、例えば酸化チタン、酸化ジルコニウム、又は酸化シリコンなどの酸化物である。粒子２０２の平均粒径、例えば球相当径（直径）の平均値は、例えば１００ｎｍ以上５μｍ以下である。さらに詳細には、この平均値は、発光部１４０が発光する光のピーク波長よりも小さいのが好ましく、特にこのピーク波長の１／２倍以上１倍以下であるのが好ましい。例えば上記したピーク波長が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下である場合、粒子２０２の球相当径（直径）の平均値は、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である。また、粒子２０２の平均粒径は、凹凸１０６の凹部の間隔の平均値（又は凸部の間隔の平均値）よりも小さいのが好ましい。
【００３０】
光散乱層２００の全体に対する粒子２０２の体積比率は、例えば２０％以上５０％以下である。この体積比率は、例えば基板１００の厚さ方向の断面において、光散乱層２００に対する粒子２０２の面積占有率で定義することができる。そして、粒子２０２の材料及びこの体積比率を調整することにより、光散乱層２００の屈折率を調整することができる。
【００３１】
また、光散乱層２００と第１電極１１０の間には、絶縁層２１０が形成されている。絶縁層２１０は、発光部１４０を劣化させる成分（例えば基板１００がアルカリ含有ガラスの場合はアルカリ成分）が基板１００を介して発光部１４０に到達することを抑制する。絶縁層２１０は第１電極１１０に接している。絶縁層２１０を形成する材料は、例えばＳｉＯ２，ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮなどの無機材料である。また絶縁層２１０の厚さは、粒子２０２の平均粒径よりも厚いのが好ましい。この場合、絶縁層２１０は光散乱層２００の平坦化層として機能する。なお、絶縁層２１０は形成されていなくてもよい。この場合、第１電極１１０は光散乱層２００と接している。
【００３２】
次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００の第１面１０２に凹凸１０６を形成する。次いで、第１面１０２の上に光散乱層２００及び絶縁層２１０をこの順に形成する。光散乱層２００は、例えば塗布法を用いて形成することができる。絶縁層２１０は、例えばスパッタリング、又は化学気相蒸着（ＣＶＤ）を用いて形成することができる。次いで、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。
【００３３】
本実施形態において、発光部１４０から発光した光は、光散乱層２００を透過する際に粒子２０２によって散乱する。また、光散乱層２００を透過した光は、基板１００に入射するときに、凹凸１０６によって散乱する。そして、図３を用いて後述するように、光散乱層２００における光の散乱の主要なメカニズムは、凹凸１０６における光の散乱の主要なメカニズムと異なる。このため、発光装置１０の光取り出し効率は向上する。
【００３４】
図３は、光の波長（λ）に対する粒子（又は凹凸）の大きさの比と、光の散乱のメカニズムの関係を説明するための図である。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）に対して十分小さい（＜＜λ／２）とき、光はあまり散乱しない。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）の１／２の近くにあるとき、光の散乱はミー散乱が主体となり、散乱効果は最大になる。粒子（又は凹凸）の大きさが光の波長（λ）以上になると、光の散乱は幾何光学的な散乱が主体となる。
【００３５】
ここで、凹凸１０６の凹部（又は凸部）の間隔はピーク波長の１／２以上の間隔で繰り返される。一方、粒子２０２の粒径の平均値はこの間隔よりも小さい。このため、光散乱層２００における光の散乱は、凹凸１０６における光の散乱よりも、ミー散乱による効果が大きくなる。言い換えると、光散乱層２００における光の散乱の主要なメカニズムは、凹凸１０６における光の散乱の主要なメカニズムと異なる。このため、発光装置１０の光取り出し効率は向上する。
【００３６】
図４は、光散乱層２００における粒子２０２の体積含有率と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光は白色であるため、複数のピーク波長（４７０ｎｍ及び６１０ｎｍ）を有している。本図に示すように、粒子２０２の体積含有率が２０％以上５０％以下のとき（特に２５％以上４５％以下のとき）に、発光装置１０から出射する光は強くなる。
【００３７】
図５は、光散乱層２００のバインダーの屈折率と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光の波長は図４と同様である。また、このシミュレーションにおいて、光散乱層２００の粒子２０２の平均粒径は３００ｎｍであった。本図に示すように、バインダーの屈折率が１．６以上１．９以下のときに、発光装置１０から出射する光は強くなる。
【００３８】
図６は、粒子２０２の粒子径と発光装置１０から出射した光の強さの関係をシミュレートした結果を示す図である。このシミュレーションにおいて、発光装置１０から射出する光の波長は図４と同様である。本図に示すように、粒子２０２の平均粒径が３００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のとき（特に６００ｎｍ以下のとき）に、発光装置１０から出射する光は強くなる。
【００３９】
（変形例１）
図７は、変形例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置１０は、光散乱層２００と絶縁層２１０の間に絶縁層２２０を備えている点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。絶縁層２２０は、光散乱層２００のバインダーと同じ材料によって形成されており、またその厚さは、３００ｎｍ以上３μｍ以下である。なお、絶縁層２２０の材料は、例えばイミド系、アクリル系、エーテル系、シラン系、又はシロキサン系の有機材料であってもよいし、ガラスペースト、ガラスフリット、又はＳｉＯ２ゾルなどの無機材料であってもよい。絶縁層２２０の厚さは、粒子２０２の平均粒径よりも厚いのが好ましい。絶縁層２２０は、例えば粒子２０２を含まない塗布材料を用いて、塗布法により形成される。絶縁層２２０を硬化させる工程と光散乱層２００を硬化させる工程は、同一工程で行われてもよい。この場合、光散乱層２００及び絶縁層２２０をこの順に塗布した後、これらの層を硬化する処理が行われる。
【００４０】
本変形例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光の取出効率は向上する。また、光散乱層２００と絶縁層２１０の間に絶縁層２２０を有している。絶縁層２２０は光散乱層２００のバインダーと同じ材料によって形成されている。また、絶縁層２２０を設けたため、光散乱層２００に起因した凹凸は小さくなる（平坦化）。
【００４１】
（変形例２）
図８は、変形例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置１０は、基板１００の第２面１０４に光機能層２３０を備える点を除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
【００４２】
光機能層２３０は、例えば光取出フィルムやマイクロレンズなどの光機能フィルムであり、基板１００とは逆側の面に凸部（または凹部）を繰り返し有している。凸部の場合、この凸部は、例えば半球状である。凹部または凸部は、例えば正方格子または六方格子の格子点に配置されている。また、凸部の高さ／幅（又は直径）は、例えば０．４以上０．８以下である。凸部の幅（又は直径）は、例えば１０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００４３】
本変形例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光の取出効率は向上する。また、基板１００のうち光が射出する面である第２面１０４には光機能層２３０が設けられている。このため、発光装置１０の光の取出効率はさらに向上する。
【００４４】
なお、変形例１に示した発光装置１０に光機能層２３０を設けてもよい。
【００４５】
図９は、実施形態に係る発光装置１０の光取出効率及び変形例２に係る発光装置１０の光取出効率を、比較例とともに示した表である。この表において、光取出効率（出射する光の強度）は、比較例１に対する比で示されている。
【００４６】
比較例１に係る発光装置１０は、図１に示した発光装置１０から、凹凸１０６及び光散乱層２００を取り除いた構造を有している。比較例２に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に光機能層２３０を設けた構造を有している。比較例３に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に規則的な凹凸１０６を設けた構造を有している。比較例４に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０にランダムな凹凸１０６を設けた構造を有している。比較例５に係る発光装置１０は、比較例１に係る発光装置１０に光散乱層２００を設けた構成を有している。
【００４７】
比較例２、比較例３、比較例４、及び比較例５において、発光装置１０の光取出効率は、それぞれ、１．６、１．５、１．１、及び１．７であった。これに対し、実施形態及び変形例２において、光の取出効率はそれぞれ１．８、１．９であった。このように、実施形態に係る発光装置１０の光の取出効率は高いことが示された。
【００４８】
（実施例１）
図１０は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図１１は図１０から第２電極１３０を取り除いた図である。図１２は図１１から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１３は、図１０のＡ−Ａ断面図である。本実施例に係る発光装置１０は照明装置であり、基板１００のほぼ全面に発光部１４０が形成されている。
【００４９】
詳細には、基板１００の一面には第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子１３２が形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０と同じ材料を用いて形成された層を有している。この層は、第１電極１１０と同一の工程で形成される。また、第１端子１１２のうち第１電極１１０と同様の材料で形成されている層は、第１電極１１０と一体になっている。一方、第２端子１３２は第１電極１１０から分離している。
【００５０】
また、第１端子１１２及び第２端子１３２は、第１電極１１０を挟んで互いに逆側に位置している。本図に示す例では基板１００は矩形である。そして、第１端子１１２は基板１００の一辺に沿って形成されており、第２端子１３２は、基板１００の４辺のうち第１端子１１２とは逆側の辺に沿って形成されている。ただし、第１端子１１２及び第２端子１３２のレイアウトは、本図に示す例に限定されない。
【００５１】
基板１００のうち有機層１２０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の材料を用いて形成されており、露光及び現像工程を経て、所定の形状に形成される。絶縁層１５０は、第１電極１１０が形成された後、かつ有機層１２０が形成される前に形成される。ただし、絶縁層１５０は形成されていなくてもよい。
【００５２】
有機層１２０は、絶縁層１５０で囲まれた領域の内側に形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示した通りである。また、有機層１２０の上には第２電極１３０が形成されている。第２電極１３０の一部は、絶縁層１５０をまたいで第２端子１３２の上まで延在している。
【００５３】
そして、基板１００の第１面１０２には、凹凸１０６、光散乱層２００、及び絶縁層２１０が形成されている。なお、絶縁層２１０と光拡散層２００の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。また、基板１００の第２面１０４には、光機能層２３０が形成されていてもよい。
【００５４】
（実施例２）
図１４は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。図１５は、図１４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１６は図１４のＢ−Ｂ断面図であり、図１７は図１４のＣ−Ｃ断面図であり、図１８は図１４のＤ−Ｄ断面図である。
【００５５】
実施例２に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
【００５６】
第１電極１１０は、第１方向（図１４におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００５７】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００５８】
絶縁層１５０は、図１４、及び図１６〜図１８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
【００５９】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００６０】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００６１】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の構成は、実施形態に示したとおりである。そして、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
【００６２】
なお、図１６及び図１７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００６３】
第２電極１３０は、図１４、図１６〜図１８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００６４】
隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００６５】
そして、基板１００の第１面１０２には、光散乱層２００及び絶縁層２１０が形成されている。なお、絶縁層２１０と光拡散層２００の間には絶縁層２２０が形成されていてもよい。また、基板１００の第２面１０４には、光機能層２３０が形成されていてもよい。
【００６６】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００の第１面１０２に凹凸１０６を形成し、さらに第１面１０２に光散乱層２００及び絶縁層２１０を形成する。この際、絶縁層２１０と光散乱層２００の間に絶縁層２２０を形成してもよい。次いで、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。
【００６７】
次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。
【００６８】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【国際調査報告】
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