(57)【要約】  平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成でき、かつ保存安定性にも優れるレジスト下層膜形成用組成物の提供を目的とする。本発明は、下記式（１）で表される第１基と芳香環を含む部分構造とを有する第１化合物、及び溶媒を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。下記式（１）中、Ｒ１は、単結合又は酸素原子である。Ｒ２は、炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。＊は、上記第１化合物における上記第１基以外の部分との結合部位を示す。上記第１基は、シアノアルキル基又はシアノアルキルオキシ基が好ましい。上記第１化合物は、上記第１基が結合する芳香環を有する化合物が好ましい。2017141612.tif 000035
2017141612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される第１基と芳香環を含む部分構造とを有する第１化合物、及び
溶媒
を含有するレジスト下層膜形成用組成物。
【化１】
2017141612.tif 000034
（式（１）中、Ｒ１は、単結合又は酸素原子である。Ｒ２は、炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。＊は、上記第１化合物における上記第１基以外の部分との結合部位を示す。）
【請求項２】
上記第１基が、シアノアルキル基又はシアノアルキルオキシ基である請求項１に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
【請求項３】
上記第１基が、前記芳香環を含む部分構造に結合している請求項１又は請求項２に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
【請求項４】
上記第１化合物が、ノボラック系樹脂、レゾール系樹脂、芳香環含有ビニル系樹脂、アセナフチレン系樹脂、インデン系樹脂、ポリアリーレン系樹脂、トリアジン系樹脂、ピレン系樹脂、フラーレン系樹脂、カリックスアレーン系樹脂、分子量が２００以上３，０００以下の芳香環含有化合物又はこれらの組み合わせである請求項１、請求項２又は請求項３に記載のレジスト下層膜形成用組成物。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜。
【請求項６】
基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、
上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより基板にパターンを形成する工程と
を備え、
上記レジスト下層膜を請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレジスト下層膜形成用組成物により形成するパターニングされた基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造にあっては、高い集積度を得るために多層レジストプロセスが用いられている。このプロセスでは、まず基板の一方の面側にレジスト下層膜形成用組成物を塗布してレジスト下層膜を形成し、レジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成する。次に、マスクパターン等を介してこのレジスト膜を露光し、現像液で現像することによりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてレジスト下層膜をドライエッチングし、得られたレジスト下層膜パターンをマスクとしてさらに基板をエッチングすることで、基板に所望のパターンを形成し、パターニングされた基板を得ることができる。【０００３】
レジスト下層膜形成用組成物に含有される樹脂等の構造や含まれる官能基について種々の検討が行われている（特開２００４−１７７６６８号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近では、複数種のトレンチ、特に互いに異なるアスペクト比を有するトレンチを有する基板にパターンを形成する場合が増えてきている。この場合、レジスト下層膜には、これらのトレンチに良好に充填され、かつ高い平坦性を有することが求められている。しかし、上記従来のレジスト下層膜形成用組成物では、これらの要求を十分満たすことはできていない。【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、平坦性に優れると共に溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物、レジスト下層膜及びパターニングされた基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するためになされた発明は、下記式（１）で表される第１基（以下、「基（Ｉ）」ともいう）と芳香環を含む部分構造とを有する第１化合物（以下、「［Ａ］化合物」ともいう）、及び溶媒（以下、「［Ｂ］溶媒」ともいう）を含有するレジスト下層膜形成用組成物である。
【化１】
2017141612.tif 000003
（式（１）中、Ｒ１は、単結合又は酸素原子である。Ｒ２は、炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。＊は、上記［Ａ］化合物における上記基（Ｉ）以外の部分との結合部位を示す。）【０００８】
上記課題を解決するためになされた別の発明は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成されるレジスト下層膜である。【０００９】
上記課題を解決するためになされたさらに別の発明は、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程と、上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより基板にパターンを形成する工程とを備え、上記レジスト下層膜を当該レジスト下層膜形成用組成物により形成するパターニングされた基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。また、当該レジスト下層膜形成用組成物は、保存安定性に優れている。
本発明のレジスト下層膜は、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れている。
本発明のパターニングされた基板の製造方法によれば、上記形成された優れたレジスト下層膜を用いることにより、優れたパターン形状を有するパターニングされた基板を得ることができる。
従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜レジスト下層膜形成用組成物＞
当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ａ］化合物と［Ｂ］溶媒とを含有する。当該レジスト下層膜形成用組成物は、好適成分として、［Ｃ］酸発生剤及び／又は［Ｄ］架橋剤を含有していてもよく、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の任意成分を含有していてもよい。以下、各成分について説明する。
【００１２】
＜［Ａ］化合物＞
［Ａ］化合物は、基（Ｉ）と芳香環を含む部分構造とを有する化合物である。［Ａ］化合物としては、基（Ｉ）と芳香環とを有するものであれば特に限定されず用いることができる。［Ａ］化合物は１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１３】
［基（Ｉ）］
基（Ｉ）は、下記式（１）で表される基である。
【００１４】
【化２】
2017141612.tif 000004
【００１５】
上記式（１）中、Ｒ１は、単結合又は酸素原子である。Ｒ２は、炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。＊は、上記［Ａ］化合物における上記基（Ｉ）以外の部分との結合部位を示す。
【００１６】
Ｒ２は炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基である。炭素数１〜３０の２価の鎖状の炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜３０のアルカンジイル基、アルケンジイル基、アルキンジイル基等が挙げられる。アルカンジイル基としては、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基、デカンジイル基、テトラデカンジイル基、オクタデカンジイル基、イコサンジイル基等が挙げられる。アルケンジイル基としては、エテンジイル基、プロペンジイル基、ブテンジイル基等が挙げられる。アルキンジイル基としては、エチンジイル基、プロピンジイル基、ブチンジイル基等が挙げられる。
炭素数１〜３０の２価の脂環の炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基が挙げられる。シクロペンテンジイル基、シクロヘキセンジイル基、ノルボルネンジイル基等が挙げられる。
これらの中で、鎖状の炭化水素基が好ましく、アルカンジイル基がより好ましく、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基及びブタンジイル基がさらに好ましく、メタンジイル基及びエタンジイル基が特に好ましい。
【００１７】
基（Ｉ）としては、シアノアルキル基及びシアノアルキルオキシ基が好ましい。
シアノアルキル基としては、例えばシアノメチル基、シアノエチル基、シアノプロピル基、シアノブチル基、シアノペンチル基、シアノヘキシル基、シアノオクチル基、シアノデシル基等が挙げられる。
シアノアルキルオキシ基としては、例えばシアノメチルオキシ基、シアノエチルオキシ基、シアノプロピルオキシ基、シアノブチルオキシ基、シアノペンチルオキシ基、シアノヘキシルオキシ基、シアノオクチルオキシ基、シアノデシルオキシ基等が挙げられる。
これらの中でも、シアノアルキルオキシ基が好ましく、シアノメチルオキシ基及びシアノエチルオキシ基がさらに好ましく、シアノメチルオキシ基が特に好ましい。
【００１８】
［Ａ］化合物としては、基（Ｉ）が前記芳香環を含む部分構造に結合している化合物が好ましい。
【００１９】
上記芳香環としては、例えば
ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、インデン環、ピレン環、フルオレニリデンビフェニル環、フルオレニリデンビナフタレン環等の芳香族炭素環；
フラン環、ピロール環、チオフェン環、ホスホール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環等の芳香族複素環などが挙げられる。
【００２０】
［Ａ］化合物中の芳香環の割合の下限としては、２０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、４０質量％がさらに好ましい。上記割合の上限としては、９０質量％が好ましく、８５質量％がより好ましく、８０質量％がさらに好ましい。［Ａ］化合物中の芳香環の割合を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性を向上させることができる。なお、「［Ａ］化合物中の芳香環の割合」とは、［Ａ］化合物を構成する原子の原子量の総和に対するすべての芳香環を構成する原子の原子量の総和の割合を百分率で表したものをいう。
【００２１】
［Ａ］化合物としては、例えば主鎖に芳香環を有する樹脂、主鎖に芳香環を有さず側鎖に芳香環を有する樹脂、分子量が２００以上３，０００以下の芳香環含有化合物等が挙げられる。ここで、「主鎖」とは、［Ａ］化合物における原子により構成される鎖のうち最も長いものをいう。「側鎖」とは、［Ａ］化合物における原子により構成される鎖のうち最も長いもの以外をいう。「芳香環含有化合物」とは、上記樹脂ではない芳香環を有する化合物をいう。
【００２２】
上記樹脂としては、例えばノボラック系樹脂、レゾール系樹脂等の重縮合樹脂、芳香環含有ビニル系樹脂、アセナフチレン系樹脂、インデン系樹脂、ポリアリーレン系樹脂、トリアジン系樹脂、ピレン系樹脂、フラーレン系樹脂、カリックスアレーン系樹脂等の重縮合以外の反応により得られる樹脂などが挙げられる。以下、これらの樹脂を説明する。なお、上記樹脂の分子量は、重量平均分子量（Ｍｗ）で示される。Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算重量平均分子量である。
【００２３】
（ノボラック系樹脂）
上記ノボラック系樹脂は、フェノール化合物と、アルデヒド化合物又はジビニル化合物等とを酸性触媒を用いて反応させて得られる化合物に由来する構造を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００２４】
フェノール化合物としては、例えば、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシノール、ビスフェノールＡ、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、ｐ−オクチルフェノール、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン等のフェノール；
α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン、９，９−ビス（６−ヒドロキシナフチル）フルオレン等のナフトール；
９−アントロール等のアントロールなどが挙げられる。
【００２５】
アルデヒド化合物としては、例えば、ホルムアルデヒド等のアルデヒド；
パラホルムアルデヒド、トリオキサン等のアルデヒド源などが挙げられる。
【００２６】
ジビニル化合物としては、例えばジビニルベンゼン、ジシクロペンタジエン、テトラヒドロインデン、４−ビニルシクロヘキセン、５−ビニルノボルナ−２−エン、ジビニルピレン、リモネン、５−ビニルノルボルナジエン等が挙げられる。
【００２７】
ノボラック系樹脂の具体例としては、例えば下記式で表される構造単位を有する樹脂等が挙げられる。
【００２８】
【化３】
2017141612.tif 000005
【００２９】
上記式（ａ１）中、Ａｒ１０は（ｍ１１＋ｍ１２＋ｍ１３＋１）価の芳香族基である。Ｒ１０は、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基又は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲａ１−若しくはこれらの組み合わせと炭素数１〜１０の１価の炭化水素基とを組み合わせた１価の基である。Ｒａ１は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。
Ａｒ１１は、単結合又は２価の芳香族基である。Ｒ１１は、単結合、炭素数１〜１０の２価の炭化水素基、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲａ１’−又はこれらの基を組み合わせた２価の基である。Ｒａ１’は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。
Ｒ１２は、水素原子又は基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。Ｒ１２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。Ｚ０は、単結合、炭素数１〜１０の２価の炭化水素基、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲａ１’−又はこれらの基を組み合わせた２価の基である。Ｒａ１’は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。
ｍ１１は、Ｚ０がＡｒ１０に結合している結合数を示し、１〜６の整数である。ｍ１２は、０〜６の整数である。ｍ１３は、１〜６の整数である。ｍ１４は、０〜２の整数である。Ｒ１０、Ａｒ１１、Ｒ１１、Ｒ１２及びＺ０がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０、Ａｒ１１、Ｒ１１、Ｒ１２及びＺ０はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。＊ａ１は、結合手を表す。
【００３０】
ノボラック系樹脂の具体例としては、例えば下記式で表される構造単位を有する樹脂等が挙げられる。
【００３１】
【化４】
2017141612.tif 000006
【００３２】
上記式中、Ｒ１２は、水素原子又は基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。Ｒ１２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。＊ａ１は、上記式（ａ１）と同義である。
【００３３】
（レゾール系樹脂）
上記レゾール系樹脂は、フェノール化合物と、アルデヒド化合物とをアルカリ性触媒を用いて反応させて得られる化合物に由来する構造を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００３４】
（芳香環含有ビニル系樹脂）
上記芳香環含有ビニル系樹脂は、芳香環及び重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００３５】
芳香環含有ビニル系樹脂としては、例えば下記式（ａ２）で表される構造単位を含む樹脂等が挙げられる。
【００３６】
【化５】
2017141612.tif 000007
【００３７】
上記式（ａ２）中、Ｒ２０は、水素原子又はメチル基である。Ｒ２１は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び炭素数１〜２０の２価の有機基である。Ｒ２２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は基（Ｉ）である。ｍ２１は、１〜５の整数である。ｍ２１が２以上の場合、複数のＲ２２は同一でも異なっていてもよい。Ｒ２２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。ｐは、０〜２の整数である。
【００３８】
Ｒ２１で表される炭素数１〜２０の２価の有機基としては、メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基、ヘキサンジイル基、オクタンジイル基、デカンジイル基、テトラデカンジイル基、オクタデカンジイル基、イコサンジイル基等のアルカンジイル基などの２価の鎖状炭化水素基などが挙げられる。
【００３９】
Ｒ２１としては、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−及び−ＣＨ２−が好ましく、単結合がより好ましい。Ｒ２２としては、基（Ｉ）が好ましい。
【００４０】
芳香環含有ビニル系樹脂は、上記式（ａ２）で表される構造単位以外に、他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位を与える単量体としては特に限定されず、種々の重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物が挙げられる。
【００４１】
このような重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としては、例えば
（メタ）アクリロニトリル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリルアミドなどのアクリル系単量体；
エチルビニルエーテル等のビニルエーテル類；
無水マレイン酸、酢酸ビニル、ビニルピリジンなどが挙げられる。
【００４２】
芳香環含有ビニル系樹脂が他の構造単位を有する場合、他の構造単位の含有割合の上限としては、芳香環含有ビニル系樹脂を構成する全構造単位に対して８０モル％が好ましく、５０モル％がより好ましい。
【００４３】
（アセナフチレン系樹脂）
上記アセナフチレン系樹脂は、アセナフチレン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００４４】
アセナフチレン系樹脂としては、例えば下記式（ａ３）で表される構造単位を有する樹脂等が挙げられる。
【００４５】
【化６】
2017141612.tif 000008
【００４６】
上記式（ａ３）中、Ｒ３０及びＲ３１は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基又は−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−Ｏ−、−ＣＳ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲａ１−若しくはこれらの組み合わせと炭素数１〜１０の１価の炭化水素基とを組み合わせた１価の基である。Ｒａ１は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。Ｒ３２は、水素原子、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、又は基（Ｉ）を含む基である。ｍ３１は、１〜６の整数である。ｍ３１が２以上の場合、複数のＲ３２は同一でも異なっていてもよい。Ｒ３２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）を含む基である。
【００４７】
アセナフチレン系樹脂としては、レジスト下層膜の平坦性及び表面塗布性をより高めるため、アセナフチレンとヒドロキシメチルアセナフチレンとの共重合体の水酸基を基（Ｉ）で置換した構造の樹脂であることが好ましい。
【００４８】
（インデン系樹脂）
上記インデン系樹脂は、インデン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００４９】
（ポリアリーレン系樹脂）
上記ポリアリーレン系樹脂は、アリーレン骨格を含む化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００５０】
アリーレン骨格としては、例えばフェニレン骨格、ナフチレン骨格、ビフェニレン骨格等が挙げられる。
【００５１】
（トリアジン系樹脂）
上記トリアジン系樹脂は、トリアジン骨格を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００５２】
トリアジン骨格を有する化合物としては、例えばメラミン化合物、シアヌル酸化合物等が挙げられる。
【００５３】
（ピレン系樹脂）
上記ピレン系樹脂は、ピレン環を有する化合物に由来する構造単位を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００５４】
ピレン系樹脂としては、例えば下記式で表される構造単位を有する樹脂などが挙げられる。
【００５５】
【化７】
2017141612.tif 000009
【００５６】
上記式中、Ｒ４２は基（Ｉ）である。
【００５７】
（フラーレン系樹脂）
上記フラーレン系樹脂は、フラーレン骨格を有し、かつ基（Ｉ）を有する樹脂である。
【００５８】
フラーレン系樹脂としては、例えばフラーレンにジアゾシクロヘキシル基を結合させ、このジアゾシクロヘキシル基に基（Ｉ）を結合させた化合物、フラーレンにヒドロキシ炭化水素基を結合させ、このヒドロキシ炭化水素基のヒドロキシ基を基（Ｉ）で置換した化合物等が挙げられる。
【００５９】
（カリックスアレーン系樹脂）
上記カリックスアレーン系樹脂は、水酸基が結合する芳香環が炭化水素基を介して複数個環状に結合した環状オリゴマーのフェノール性水酸基を基（Ｉ）（Ｒ１が単結合）で置換した構造の樹脂である。
【００６０】
カリックスアレーン系樹脂として、例えば下記式（２）で表される化合物等が挙げられる。
【００６１】
【化８】
2017141612.tif 000010
【００６２】
上記式（２）中、Ｒは、水素原子、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）又は基（Ｉ）以外の炭素数１〜３０の１価の有機基である。Ｒのうち少なくとも１つは基（Ｉ）である（ただし、Ｒ１は単結合である。）。Ｘは、水素原子又は置換若しくは非置換の炭素数１〜３０の１価の炭化水素基である。Ｙは、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基である。ｋは、０又は１である。ｓは、４〜１２の整数である。ｐは、１〜３の整数である。ｑは、０〜５の整数である。但し１≦ｐ＋ｑ≦６を満たす。
【００６３】
Ｘで表される炭素数１〜３０の１価の炭化水素基としては、例えば上記式（１）のＲ２の炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基に１個の水素原子を加えた基等が挙げられる。
【００６４】
Ｙで表される炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては例えば上記式（１）におけるＲ２の炭素数１〜３０の２価の鎖状又は脂環の炭化水素基に１個の水素原子を加えた基のうち炭素数１〜１０のもの等が挙げられる。
【００６５】
ｓの下限としては、当該レジスト下層膜形成用組成物の基板への塗布性をより向上させるため、４が好ましく、５がより好ましい。上記ｓの上限としては、レジスト下層膜の平坦性をより向上させるため、８が好ましく、７がより好ましく、６がさらに好ましい。
【００６６】
カリックスアレーン系樹脂のＭｗの下限としては、レジスト下層膜の平坦性をより向上させるため、５００が好ましく、７００がより好ましく、１，０００がさらに好ましい。上記Ｍｗの上限としては、５，０００が好ましく、３，０００がより好ましく、１，５００がさらに好ましい。
【００６７】
カリックスアレーン系樹脂としては、例えば下記式で表される化合物等が挙げられる。
【００６８】
【化９】
2017141612.tif 000011
【００６９】
上記式中、Ｒは、水素原子、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）又は基（Ｉ）以外の炭素数１〜３０の１価の有機基である。Ｒのうち少なくとも１つは基（Ｉ）である（ただし、Ｒ１は単結合である。）。
【００７０】
Ｒとしては、水素原子及び基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）が好ましく、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）がより好ましく、シアノアルキル基がさらに好ましく、シアノメチル基及びシアノエチル基が特に好ましく、シアノメチル基がさらに特に好ましい。
【００７１】
［Ａ］化合物がノボラック系樹脂、レゾール系樹脂、芳香環含有ビニル系樹脂、アセナフチレン系樹脂、インデン系樹脂、ポリアリーレン系樹脂、トリアジン系樹脂、ピレン系樹脂又はフラーレン系樹脂の場合、［Ａ］化合物のＭｗの下限としては、５００が好ましく、１，０００がより好ましい。また、上記Ｍｗの上限としては、５０，０００が好ましく、１０，０００がより好ましく、８，０００がさらに好ましい。
【００７２】
［Ａ］化合物のＭｗ／Ｍｎ（ＭｎはＧＰＣによるポリスチレン換算数平均分子量である）の下限としては、１が好ましく、１．１がより好ましい。上記Ｍｗ／Ｍｎの上限としては、５が好ましく、３がより好ましく、２がさらに好ましい。
【００７３】
［Ａ］化合物のＭｗ及びＭｗ／Ｍｎを上記範囲とすることで、レジスト下層膜の平坦性をより高めることができる。
【００７４】
（分子量が２００以上３，０００以下の芳香環含有化合物）
上記芳香環含有化合物は、基（Ｉ）及び芳香環を有し、かつ分子量が２００以上３，０００以下の化合物である。
【００７５】
上記芳香環含有化合物としては、例えば下記式（３）で表される部分構造（以下、「部分構造（Ｐ）」ともいう）を有し、かつ基（Ｉ）を有する化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｐ）」ともいう）、下記式（４）で表される部分構造（以下、「部分構造（Ｑ）」ともいう）を有し、かつ基（Ｉ）を有する化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｑ）」ともいう）、下記式（５）で表される化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｒ）」ともいう）、下記式（６）で表される化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｓ）」ともいう）、下記式（７）で表される化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｔ）」ともいう）等が挙げられる。
【００７６】
［芳香環含有化合物（Ｐ）］
芳香環含有化合物（Ｐ）は、部分構造（Ｐ）を有する。部分構造（Ｐ）は下記式（３）で表される。
【００７７】
【化１０】
2017141612.tif 000012
【００７８】
上記式（３）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は基（Ｉ）である。Ｒ１０１〜Ｒ１０４のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。ａ１１及びａ１２は、それぞれ独立して、０〜９の整数である。ｂ１１及びｂ１２は、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ１０１〜Ｒ１０４がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１０１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０２は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０３は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１０４は同一でも異なっていてもよい。Ｒ１０３が複数の場合、複数のＲ１０３のうちの２以上は、互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に環員数３〜１０の環構造を形成してもよい。Ｒ１０４が複数の場合、複数のＲ１０４のうちの２以上は、互いに合わせられこれらが結合する炭素原子と共に環員数３〜１０の環構造を形成してもよい。ｎ１１及びｎ１２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。ｋ１１及びｋ１２は、それぞれ独立して、０〜９の整数である。但し、ａ１１＋ｋ１１は、９以下であり、ａ１２＋ｋ１２は、９以下である。＊１１は、結合手を表わす。
【００７９】
Ｒ１０１〜Ｒ１０４としては、レジスト下層膜の平坦性及び表面塗布性をより高めるため、ヒドロキシ基及び基（Ｉ）が好ましく、基（Ｉ）がより好ましく、シアノアルキルオキシ基がさらに好ましく、シアノメチルオキシ基及びシアノエチルオキシ基が特に好ましい。
【００８０】
複数のＲ１０３又はＲ１０４のうちの２以上が互いに合わせられ形成される環員数３〜１０の環構造としては、例えば環員数３〜１０の単環のシクロアルカン構造、環員数７〜１０の多環のシクロアルカン構造等が挙げられる。
【００８１】
複数のＲ１０３又はＲ１０４のうちの２以上が互いに合わせられ形成される環員数３〜１０の環構造としては、レジスト下層膜の平坦性及び表面塗布性をより向上させるため、脂環構造が好ましく、単環のシクロアルカン構造がより好ましく、シクロヘキサン構造がさらに好ましい。
【００８２】
上記式（３）のａ１１及びａ１２としては、レジスト下層膜の平坦性及び表面塗布性をより向上させるため、０〜２が好ましく、０及び１がより好ましい。
【００８３】
上記式（３）のｂ１１及びｂ１２としては、レジスト下層膜の平坦性及び表面塗布性をより向上させるため、０〜２が好ましく、０及び１がより好ましく、０がさらに好ましい。
【００８４】
上記式（３）のｎ１１及びｎ１２としては、レジスト下層膜の平坦性をより向上させるため、０及び１が好ましく、１がより好ましい。
【００８５】
上記式（３）のｋ１１及びｋ１２としては、レジスト下層膜の平坦性をより向上させる観点及び芳香環含有化合物（Ｐ）の合成容易性のため、０〜２が好ましく、０及び１がより好ましい。
【００８６】
上記式（３）のｋ１１及びｋ１２の少なくとも１つが１以上の場合、部分構造（Ｐ）の＊１１に結合する基としては、例えば（Ｒ１１１）２Ｎ−Ａｒ２１−Ｏ−、Ｒ１１１Ｏ−Ａｒ２１−Ｏ−、（Ｒ１１１）２Ｎ−Ａｒ２１−Ｏ−Ａｒ２２−Ｏ−、Ｒ１１１Ｏ−Ａｒ２１−Ｏ−Ａｒ２２−Ｏ−等が挙げられる。Ｒ１１１は、水素原子又は基（Ｉ）である。Ａｒ２１及びＡｒ２２は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数６〜２０のアレーンジイル基である。
【００８７】
Ａｒ２１としては、非置換のアレーンジイル基が好ましく、ベンゼンジイル基がより好ましい。Ａｒ２２としては、シアノ置換のアレーンジイル基が好ましく、シアノ置換ベンゼンジイル基がより好ましい。
【００８８】
芳香環含有化合物（Ｐ）における部分構造（Ｐ）の＊１１に結合する基としては、（Ｒ１１１）２Ｎ−Ａｒ２１−Ｏ−Ａｒ２２−Ｏ−が好ましく、ジ（シアノメチル）アミノフェノキシシアノフェノキシ基がより好ましい。
【００８９】
芳香環含有化合物（Ｐ）としては、より具体的には、例えば下記式（３−１）〜（３−４）で表される化合物（以下、「芳香環含有化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−４）」ともいう）等が挙げられる。
【００９０】
【化１１】
2017141612.tif 000013
【００９１】
上記式（３−１）〜（３−４）中、Ｒ１１１は、水素原子又は基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。Ｒ１１１のうち少なくとも１つは基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。
【００９２】
［芳香環含有化合物（Ｑ）］
芳香環含有化合物（Ｑ）は、部分構造（Ｑ）を有する。部分構造（Ｑ）は下記式（４）で表される。
【００９３】
【化１２】
2017141612.tif 000014
【００９４】
上記式（４）中、Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して、スピロ炭素原子及び芳香環の炭素原子と共に構成される置換又は非置換の環員数４〜１０の環構造を表す。Ｒ１３１及びＲ１３２は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は基（Ｉ）である。Ｒ１３１及びＲ１３２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。ａ１及びａ２は、それぞれ独立して、０〜８の整数である。Ｒ１３１及びＲ１３２がそれぞれ複数の場合、複数のＲ１３１は同一でも異なっていてもよく、複数のＲ１３２は同一でも異なっていてもよい。ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、０〜２の整数である。ｋ１及びｋ２は、それぞれ独立して、０〜８の整数である。但し、ａ１＋ｋ１は８以下であり、ａ２＋ｋ２は８以下である。＊１３は、結合手を表わす。
【００９５】
上記式（４）のｋ１及びｋ２の少なくとも１つが１以上の場合、芳香環含有化合物（Ｑ）における部分構造（Ｑ）の＊１３に結合する基としては、例えば（Ｒ１４１）２Ｎ−Ａｒ３１−Ｏ−、Ｒ１４１Ｏ−Ａｒ３１−Ｏ−、（Ｒ１４１）２Ｎ−Ａｒ３１−Ｏ−Ａｒ３２−Ｏ−、Ｒ１４１Ｏ−Ａｒ３１−Ｏ−Ａｒ３２−Ｏ−等が挙げられる。Ｒ１４１は、水素原子又は基（Ｉ）である。Ａｒ３１及びＡｒ３２は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数６〜２０のアレーンジイル基である。
【００９６】
Ａｒ３１としては、非置換のアレーンジイル基が好ましく、ベンゼンジイル基がより好ましい。Ａｒ３２としては、シアノ置換のアレーンジイル基が好ましく、シアノ置換ベンゼンジイル基がより好ましい。
【００９７】
芳香環含有化合物（Ｑ）における部分構造（Ｑ）の＊１３に結合する基としては、（Ｒ１４１）２Ｎ−Ａｒ３１−Ｏ−Ａｒ３２−Ｏ−が好ましく、ジ（シアノメチル）アミノフェノキシシアノフェノキシ基がより好ましい。
【００９８】
芳香環含有化合物（Ｑ）としては、より具体的には、例えば下記式（４−１）〜（４−３）で表される化合物（以下、「芳香環含有化合物（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−３）」ともいう）等が挙げられる。
【００９９】
【化１３】
2017141612.tif 000015
【０１００】
上記式（４−１）〜（４−３）中、Ｒ１４１は、それぞれ独立して、水素原子又は基（Ｉ）である。Ｒ１４１のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。
【０１０１】
［芳香環含有化合物（Ｒ）］
芳香環含有化合物（Ｒ）は、下記式（５）で表される化合物である。芳香環含有化合物（Ｒ）は、トルクセン構造を有する。
【０１０２】
【化１４】
2017141612.tif 000016
【０１０３】
上記式（５）中、Ｒ１５１〜Ｒ１５９は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は基（Ｉ）である。Ｒ１５１〜Ｒ１５９のうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。ｄ１は、それぞれ独立して、０〜４の整数である。ｄ１が２以上の場合、複数のＲ１５１、Ｒ１５２又はＲ１５３は同一でも異なっていてもよい。
【０１０４】
芳香環含有化合物（Ｒ）としては、より具体的には、下記式（５−１）〜（５−３）で表される化合物等が挙げられる。
【０１０５】
【化１５】
2017141612.tif 000017
【０１０６】
上記式（５−１）中、ＲＡは、水素原子、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）又は基（Ｉ）以外の炭素数１〜３０の１価の有機基である。６個のＲＡのうちのうち少なくとも１つは基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。
上記式（５−３）中、ＲＡは、水素原子、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）又は基（Ｉ）以外の炭素数１〜３０の１価の有機基である。ＲＢは、水素原子、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）又は基（Ｉ）以外の炭素数１〜３０の１価の有機基である。３個のＲＡ及び３個のＲＢのうちのうち少なくとも１つは基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）である。
上記式（５−２）中、Ｒ１６１は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基又は基（Ｉ）である。３個のＲ１６１のうちのうち少なくとも１つは基（Ｉ）である。
【０１０７】
ＲＡとしては、水素原子及び基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）が好ましく、基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）がより好ましく、シアノアルキル基がさらに好ましく、シアノメチル基及びシアノエチル基が特に好ましく、シアノメチル基がさらに特に好ましい。
ＲＢとしては、水素原子及び基（Ｉ）（ただし、Ｒ１は単結合である。）が好ましい。
Ｒ１６１としては、基（Ｉ）が好ましく、シアノアルキルオキシ基がより好ましく、シアノメチルオキシ基及びシアノエチルオキシ基がさらに好ましく、シアノメチルオキシ基が特に好ましい。
【０１０８】
［芳香環含有化合物（Ｓ）］
芳香環含有化合物（Ｓ）は、下記式（６）で表される化合物である。芳香環含有化合物（Ｓ）は、トリフェニルベンゼン構造を有する。
【０１０９】
【化１６】
2017141612.tif 000018
【０１１０】
上記式（６）中、Ｒ１７１〜Ｒ１７４は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。Ｒ１７１〜Ｒ１７４のうち少なくとも１つは基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。ｅ１〜ｅ３は、それぞれ独立して、０〜５の整数である。ｅ１〜ｅ３がそれぞれ２以上の場合、複数のＲ１７１〜Ｒ１７３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。ｅ４は、０〜３の整数である。ｅ４が２以上の場合、複数のＲ１７４は同一でも異なっていてもよい。
【０１１１】
Ｒ１７１〜Ｒ１７４で表される基（Ｉ）を含む１価の基としては、例えば基（Ｉ）が結合するアリール基、基（Ｉ）が結合するアリールエチニル基等が挙げられる。これらの中で、基（Ｉ）が結合するアリールエチニル基が好ましく、基（Ｉ）が結合するフェニルエチニル基がより好ましい。
【０１１２】
芳香環含有化合物（Ｓ）としては、より具体的には、下記式（６−１）〜（６−３）で表される化合物等が挙げられる。
【０１１３】
【化１７】
2017141612.tif 000019
【０１１４】
上記式（６−１）〜（６−３）中、Ｒ１８１は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。Ｒ１８１のうち少なくとも１つは基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。
【０１１５】
［芳香環含有化合物（Ｔ）］
芳香環含有化合物（Ｔ）は、下記式（７）で表される化合物である。芳香環含有化合物（Ｔ）は、ピレン構造を有する。
【０１１６】
【化１８】
2017141612.tif 000020
【０１１７】
上記式（７）中、Ｒ１９１及びＲ１９２は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。Ｒ１９１及びＲ１９２のうち少なくとも１つは基（Ｉ）又は基（Ｉ）を含む１価の基である。ｆ１及びｆ２は、それぞれ独立して、０〜５の整数である。但し、ｆ１＋ｆ２は１以上である。ｆ１及びｆ２がそれぞれ２以上の場合、複数のＲ１９１及びＲ１９２はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【０１１８】
芳香環含有化合物（Ｔ）の具体例としては、下記式（７−１）で表される化合物が挙げられる。
【０１１９】
【化１９】
2017141612.tif 000021
【０１２０】
芳香環含有化合物の分子量の下限としては、２００が好ましく、４００がより好ましく、５００がさらに好ましく、６００が特に好ましい。上記分子量の上限としては、２，０００が好ましく、１，５００がより好ましく、１，３００がさらに好ましい。芳香環含有化合物の分子量を上記範囲とすることで、レジスト下層膜の平坦性をより向上させることができる。
【０１２１】
＜［Ｂ］溶媒＞
当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ｂ］溶媒を含有する。［Ｂ］溶媒としては、［Ａ］化合物及び必要に応じて含有する任意成分を溶解又は分散することができれば特に限定されない。
【０１２２】
［Ｂ］溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、含窒素系溶媒等が挙げられる。［Ｂ］溶媒は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２３】
アルコール系溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉｓｏ−ブタノール等のモノアルコール系溶媒；エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒などが挙げられる。
【０１２４】
ケトン系溶媒としては、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、シクロヘキサノン等が挙げられる。
【０１２５】
エーテル系溶媒としては、例えばエチルエーテル、ｉｓｏ−プロピルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
【０１２６】
エステル系溶媒としては、例えば酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、酢酸ｎ−ブチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル等が挙げられる。
【０１２７】
含窒素系溶媒としては、例えばＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等が挙げられる。
【０１２８】
これらの中でも、エーテル系溶媒及びエステル系溶媒が好ましく、成膜性に優れるため、グリコール構造を有するエーテル系溶媒及びエステル系溶媒がより好ましい。
【０１２９】
グリコール構造を有するエーテル系溶媒及びエステル系溶媒としては、例えばプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル等が挙げられる。これらの中でも、特に、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。
【０１３０】
［Ｂ］溶媒中のグリコール構造を有するエーテル系溶媒及びエステル系溶媒の含有率の下限としては、２０質量％が好ましく、６０質量％がより好ましく、９０質量％がさらに好ましく、１００質量％が特に好ましい。
【０１３１】
＜［Ｃ］酸発生剤＞
［Ｃ］酸発生剤は、熱や光の作用により酸を発生し、［Ａ］化合物の架橋を促進する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｃ］酸発生剤を含有することで［Ａ］化合物の架橋反応が促進され、形成されるレジスト下層膜の硬度をより高めることができる。［Ｃ］酸発生剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３２】
［Ｃ］酸発生剤としては、例えばオニウム塩化合物、Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物等が挙げられる。
【０１３３】
上記オニウム塩化合物としては、例えばスルホニウム塩、テトラヒドロチオフェニウム塩、ヨードニウム塩、アンモニウム塩等が挙げられる。
【０１３４】
スルホニウム塩としては、特開２０１４−０３７３８６号公報の段落［０１１０］に記載のスルホニウム塩が挙げられ、より具体的には、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリフェニルスルホニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、４−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート等が挙げられる。
【０１３５】
テトラヒドロチオフェニウム塩としては、特開２０１４−０３７３８６号公報の段落［０１１１］に記載のテトラヒドロチオフェニウム塩が挙げられ、より具体的には、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、１−（４−ｎ−ブトキシナフタレン−１−イル）テトラヒドロチオフェニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート等が挙げられる。
【０１３６】
ヨードニウム塩としては、特開２０１４−０３７３８６号公報の段落［０１１２］に記載のヨードニウム塩が挙げられ、より具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジフェニルヨードニウム２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、等が挙げられる。
【０１３７】
アンモニウム塩としては、例えばトリメチルアンモニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、トリエチルアンモニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート等が挙げられる。
【０１３８】
Ｎ−スルホニルオキシイミド化合物としては、特開２０１４−０３７３８６号公報の段落［０１１３］に記載のＮ−スルホニルオキシイミド化合物が挙げられ、より具体的には、Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−イル−１，１，２，２−テトラフルオロエタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド等が挙げられる。
【０１３９】
これらの中で、［Ｃ］酸発生剤としては、オニウム塩化合物が好ましく、ヨードニウム塩及びアンモニウム塩がより好ましく、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート及びトリエチルアンモニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネートがさらに好ましい。
【０１４０】
当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｃ］酸発生剤を含有する場合、［Ｃ］酸発生剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、１質量部がより好ましく、３質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、２０質量部が好ましく、１５質量部がより好ましく、１０質量部がさらに好ましい。［Ｃ］酸発生剤の含有量を上記範囲とすることで、［Ａ］化合物の架橋反応をより効果的に促進させることができる。
【０１４１】
［［Ｄ］架橋剤］
［Ｄ］架橋剤は、熱や酸の作用により、当該レジスト下層膜形成用組成物中の［Ａ］化合物等の成分同士の架橋結合を形成するか、又は自らが架橋構造を形成する成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｄ］架橋剤を含有することで、形成されるレジスト下層膜の硬度を高めることができる。［Ｄ］架橋剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１４２】
［Ｄ］架橋剤としては、例えば多官能（メタ）アクリレート化合物、エポキシ化合物、ヒドロキシメチル基置換フェノール化合物、アルコキシアルキル基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物、下記式（１１−Ｐ）で表されるアセナフチレンとヒドロキシメチルアセナフチレンとのランダム共重合体、下記式（１１−１）〜（１１−１２）で表される化合物等が挙げられる。
【０１４３】
【化２０】
2017141612.tif 000022
【０１４４】
上記多官能（メタ）アクリレート化合物としては、例えばトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリントリ（メタ）アクリレート、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【０１４５】
上記エポキシ化合物としては、例えばノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１４６】
上記ヒドロキシメチル基置換フェノール化合物としては、例えば２−ヒドロキシメチル−４，６−ジメチルフェノール、１，３，５−トリヒドロキシメチルベンゼン、３，５−ジヒドロキシメチル−４−メトキシトルエン［２，６−ビス（ヒドロキシメチル）−ｐ−クレゾール］等が挙げられる。
【０１４７】
上記アルコキシアルキル基含有フェノール化合物としては、例えばメトキシメチル基含有フェノール化合物、エトキシメチル基含有フェノール化合物等が挙げられる。メトキシメチル基含有フェノール化合物としては、下記式（１１−Ｑ）で表される化合物が挙げられる。
【０１４８】
【化２１】
2017141612.tif 000023
【０１４９】
【化２２】
2017141612.tif 000024
【０１５０】
上記式中、Ｍｅはメチル基を示し、Ｅｔはエチル基を示し、Ａｃはアセチル基を示す。
【０１５１】
なお、上記式（１１−１）〜（１１−１２）で表される化合物は、それぞれ、以下の文献を参考に合成することができる。
式（１１−１）で表される化合物：
Ｇｕｏ，Ｑｕｎ−Ｓｈｅｎｇ；Ｌｕ，Ｙｏｎｇ−Ｎａ；Ｌｉｕ，Ｂｉｎｇ；Ｘｉａｏ，Ｊｉａｎ；Ｌｉ，Ｊｉｎ−Ｓｈａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００６，ｖｏｌ．６９１，＃６  ｐ．１２８２−１２８７
式（１１−２）で表される化合物：
Ｂａｄａｒ，Ｙ．ｅｔ  ａｌ．  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９６５，ｐ．１４１２−１４１８
式（１１−３）で表される化合物：
Ｈｓｉｅｈ，Ｊｅｎ−Ｃｈｉｅｈ；Ｃｈｅｎｇ，Ｃｈｉｅｎ−Ｈｏｎｇ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ（Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ，Ｕｎｉｔｅｄ  Ｋｉｎｇｄｏｍ），２００８，＃２６  ｐ．２９９２−２９９４
式（１１−４）で表される化合物：
特開平５−２３８９９０号公報
式（１１−５）で表される化合物：
Ｂａｃｏｎ，Ｒ．Ｇ．Ｒ．；Ｂａｎｋｈｅａｄ，Ｒ．  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１９６３，ｐ．８３９−８４５
式（１１−６）、（１１−８）、（１１−１１）及び（１１−１２）で表される化合物：
Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ２０１０，ｖｏｌ４３，ｐ２８３２−２８３９
式（１１−７）、（１１−９）及び（１１−１０）で表される化合物：
Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ２００８，ｖｏｌ．４０，Ｎｏ．７，ｐ６４５−６５０、及びＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：Ｐａｒｔ  Ａ，Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ  ４６，ｐ４９４９−４９５８
【０１５２】
上記アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物としては、例えば（ポリ）メチロール化メラミン、（ポリ）メチロール化グリコールウリル、（ポリ）メチロール化ベンゾグアナミン、（ポリ）メチロール化ウレア等の一分子内に複数個の活性メチロール基を有する含窒素化合物であって、そのメチロール基の水酸基の水素原子の少なくとも１つが、メチル基やブチル基等のアルキル基によって置換された化合物等が挙げられる。なお、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物は、複数の置換化合物を混合した混合物でもよく、一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含むものであってもよい。アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物としては、例えば、１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリルが挙げられる。
【０１５３】
これらの［Ｄ］架橋剤の中で、メトキシメチル基含有フェノール化合物、アルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物及びアセナフチレンとヒドロキシメチルアセナフチレンとのランダム共重合体が好ましく、メトキシメチル基含有フェノール化合物及びアルコキシアルキル化されたアミノ基を有する化合物がより好ましく、４，４’−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシ−３，５−ビス（メトキシメチル）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビス（２，６−ビス（メトキシメチル）フェノール（上記式（１１−Ｑ）で表される化合物）及び１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリルがさらに好ましい。
【０１５４】
当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｄ］架橋剤を含有する場合、［Ｄ］架橋剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．１質量部が好ましく、０．５質量部がより好ましく、１質量部がさらに好ましく、３質量部が特に好ましい。上記含有量の上限としては、１００質量部が好ましく、５０質量部がより好ましく、３０質量部がさらに好ましく、２０質量部が特に好ましい。［Ｄ］架橋剤の含有量を上記範囲とすることで、［Ａ］化合物の架橋反応をより効果的に起こすことができる。
【０１５５】
＜その他の任意成分＞
その他の任意成分として、例えば界面活性剤、密着助剤等が挙げられる。
【０１５６】
［界面活性剤］
当該レジスト下層膜形成用組成物は、界面活性剤を含有することで塗布性を向上させることができ、その結果、形成される膜の塗布面均一性が向上し、かつ塗布斑の発生を抑制することができる。界面活性剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５７】
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレン−ｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン−ｎ−ノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のノニオン系界面活性剤等が挙げられる。また、市販品としては、ＫＰ３４１（信越化学工業社）、ポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（以上、共栄社油脂化学工業社）、エフトップＥＦ１０１、同ＥＦ２０４、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、トーケムプロダクツ社）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３（以上、ＤＩＣ社）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１３５、同ＦＣ９３（以上、住友スリーエム社）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ３８２、同ＳＣ１０１、同ＳＣ１０２、同ＳＣ１０３、同ＳＣ１０４、同ＳＣ１０５、同ＳＣ１０６（以上、旭硝子社）等が挙げられる。
【０１５８】
当該レジスト下層膜形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましく、０．０５質量部がより好ましく、０．１質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、１０質量部が好ましく、５質量部がより好ましく、１質量部がさらに好ましい。界面活性剤の含有量を上記範囲とすることで、当該レジスト下層膜形成用組成物の塗布性をより向上させることができる。
【０１５９】
［密着助剤］
密着助剤は、下地との密着性を向上させる成分である。当該レジスト下層膜形成用組成物が密着助剤を含有することで、形成されるレジスト下層膜と、下地としての基板等との密着性を向上させることができる。密着助剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１６０】
当該レジスト下層膜形成用組成物が密着助剤を含有する場合、密着助剤の含有量の下限としては、［Ａ］化合物１００質量部に対して、０．０１質量部が好ましく、０．０５質量部がより好ましく、０．１質量部がさらに好ましい。上記含有量の上限としては、２０質量部が好ましく、１０質量部がより好ましく、５質量部がさらに好ましい。
【０１６１】
＜レジスト下層膜形成用組成物の調製方法＞
当該レジスト下層膜形成用組成物は、［Ａ］化合物、［Ｂ］溶媒、必要に応じて、［Ｃ］酸発生剤及び／又は［Ｄ］架橋剤並びにその他の任意成分を所定の割合で混合し、好ましくは得られた混合物を０．１μｍ程度のメンブランフィルター等でろ過することにより調製できる。当該レジスト下層膜形成用組成物の固形分濃度の下限としては、０．１質量％が好ましく、１質量％がより好ましく、２質量％がさらに好ましく、４質量％が特に好ましい。上記固形分濃度の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましく、１５質量％がさらに好ましく、８質量％が特に好ましい。上記固形分濃度は、レジスト下層膜形成用組成物０．５ｇを３０分間２５０℃で焼成することで、レジスト下層膜形成用組成物０．５ｇに対する固形分の質量を測定し、レジスト下層膜形成用組成物の固形分濃度（質量％）を算出した。
【０１６２】
＜パターニングされた基板の製造方法＞
本発明のパターニングされた基板の製造方法は、基板の一方の面側にレジスト下層膜を形成する工程（以下、「レジスト下層膜形成工程」ともいう）、上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する工程（以下、「レジストパターン形成工程」ともいう）、及び上記レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより基板にパターンを形成する工程（以下、「基板パターン形成工程」ともいう）を備える。当該パターニングされた基板の製造方法においては、上記レジスト下層膜を上述の当該レジスト下層膜形成用組成物により形成する。
【０１６３】
当該パターニングされた基板の製造方法によれば、上述の当該レジスト下層膜形成用組成物を用いるので、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成することができ、この優れたレジスト下層膜を用いることにより、優れたパターン形状を有するパターニングされた基板を得ることができる。
【０１６４】
［レジスト下層膜形成工程］
本工程では、基板の一方の面側に当該レジスト下層膜形成用組成物によりレジスト下層膜を形成する。このレジスト下層膜の形成は、通常、当該レジスト下層膜形成用組成物を基板の一方の面側に塗布して塗膜を形成し、この塗膜を加熱することにより行われる。
【０１６５】
上記基板としては、例えばシリコンウエハ、アルミニウムで被覆したウエハ等が挙げられる。また、基板等への当該レジスト下層膜形成用組成物の塗布方法は特に限定されず、例えば、回転塗布、流延塗布、ロール塗布等の適宜の方法で実施することができる。
【０１６６】
上記塗膜の加熱は、通常、大気下で行われる。加熱温度の下限としては、１５０℃が好ましく、１８０℃がより好ましく、２００℃がさらに好ましい。加熱温度の上限としては、５００℃が好ましく、３８０℃がより好ましく、３００℃がさらに好ましい。加熱温度が１５０℃未満の場合、酸化架橋が十分に進行せず、レジスト下層膜として必要な特性が発現しないおそれがある。加熱時間の下限としては、１５秒が好ましく、３０秒がより好ましく、４５秒がさらに好ましい。加熱時間の上限としては、１，２００秒が好ましく、６００秒がより好ましく、３００秒がさらに好ましい。
【０１６７】
上記塗膜を１５０℃以上５００℃以下の温度で加熱する前に、６０℃以上２５０℃以下の温度で予備加熱しておいてもよい。予備加熱における加熱時間の下限としては、１０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記加熱時間の上限としては、３００秒が好ましく、１８０秒がより好ましい。この予備加熱を行うことにより、溶媒を予め気化させて膜を緻密にしておくことで、後の加熱時に起こる脱水素反応を効率良く進めることができる。
【０１６８】
なお、当該レジスト下層膜形成方法においては、通常、上記塗膜を加熱してレジスト下層膜を形成するが、当該レジスト下層膜形成用組成物が［Ｃ］酸発生剤を含有する場合にあっては、露光と加熱とを組み合わせることにより塗膜を硬化させてレジスト下層膜を形成することもできる。この露光に用いられる放射線としては、［Ｃ］酸発生剤の種類に応じ、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、γ線等の電磁波；電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線から適宜選択される。
【０１６９】
形成されるレジスト下層膜の平均厚みとの下限としては、０．０５μｍが好ましく、０．１μｍがより好ましく、０．５μｍがさらに好ましい。上記平均厚みの上限としては、５μｍが好ましく、３μｍがより好ましく、２μｍがさらに好ましい。
【０１７０】
このレジスト下層膜形成工程の後に、必要に応じて、上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側に中間層（中間膜）を形成する工程をさらに有していてもよい。この中間層は、レジストパターン形成において、レジスト下層膜及び／又はレジスト膜が有する機能をさらに補ったり、これらが有していない機能を与えたりするために上記機能が付与された層のことである。例えば、反射防止膜を中間層として形成した場合、レジスト下層膜の反射防止機能をさらに補うことができる。
【０１７１】
この中間層は、有機化合物や無機酸化物により形成することができる。上記有機化合物としては、市販品として、例えば「ＤＵＶ−４２」、「ＤＵＶ−４４」、「ＡＲＣ−２８」、「ＡＲＣ−２９」（以上、Ｂｒｅｗｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ社）；「ＡＲ−３」、「ＡＲ−１９」（以上、ローム  アンド  ハース社）等が挙げられる。上記無機酸化物としては、市販品として、例えば「ＮＦＣ  ＳＯＧ０１」、「ＮＦＣ  ＳＯＧ０４」、「ＮＦＣ  ＳＯＧ０８０」（以上、ＪＳＲ社）等が挙げられる。また、上記無機酸化物として、ＣＶＤ法により形成されるポリシロキサン（酸化ケイ素）、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化タングステン等を用いることができる。
【０１７２】
中間層の形成方法は特に限定されないが、例えば塗布法やＣＶＤ法等を用いることができる。これらの中でも、塗布法が好ましい。塗布法を用いた場合、レジスト下層膜を形成後、中間層を連続して形成することができる。また、中間層の平均厚みは、中間層に求められる機能に応じて適宜選択されるが、中間層の平均厚みの下限としては、１０ｎｍが好ましく、２０ｎｍがより好ましい。上記平均厚みの上限としては、３，０００ｎｍが好ましく、３００ｎｍがより好ましい。
【０１７３】
［レジストパターン形成工程］
本工程では上記レジスト下層膜の基板とは反対の面側にレジストパターンを形成する。この工程を行う方法としては、例えばレジスト組成物を用いる方法等が挙げられる。
【０１７４】
上記レジスト組成物を用いる方法では、具体的には、得られるレジスト膜が所定の厚みとなるようにレジスト組成物を塗布した後、予備加熱することによって塗膜中の溶媒を揮発させることにより、レジスト膜を形成する。
【０１７５】
上記レジスト組成物としては、例えば感放射線性酸発生剤を含有するポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド系感光剤とを含有するポジ型レジスト組成物、アルカリ可溶性樹脂と架橋剤とを含有するネガ型レジスト組成物等が挙げられる。
【０１７６】
上記レジスト組成物の固形分濃度の下限としては、０．３質量％が好ましく、１質量％がより好ましい。上記固形分濃度の上限としては、５０質量％が好ましく、３０質量％がより好ましい。また、上記レジスト組成物は、一般に、例えば孔径０．２μｍ程度のフィルターでろ過して、レジスト膜の形成に供される。なお、この工程では、市販のレジスト組成物をそのまま使用することもできる。
【０１７７】
レジスト組成物の塗布方法としては特に限定されず、例えばスピンコート法等が挙げられる。また、予備加熱の温度としては、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、上記温度の下限としては、３０℃が好ましく、５０℃がより好ましい。上記温度の上限としては、２００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。予備加熱の時間の下限としては、１０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
【０１７８】
次に、選択的な放射線照射により上記形成されたレジスト膜を露光する。露光に用いられる放射線としては、レジスト組成物に使用される感放射線性酸発生剤の種類に応じて、可視光線、紫外線、遠紫外線、Ｘ線、γ線等の電磁波；電子線、分子線、イオンビーム等の粒子線から適切に選択される。これらの中で、遠紫外線が好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー光（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２エキシマレーザー光（波長１４７ｎｍ）、ＡｒＫｒエキシマレーザー光（波長１３４ｎｍ）及び極端紫外線（波長１３．５ｎｍ等、ＥＵＶ）がより好ましく、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光及びＥＵＶがさらに好ましい。
【０１７９】
上記露光後、解像度、パターンプロファイル、現像性等を向上させるためポストベークを行うことができる。このポストベークの温度としては、使用されるレジスト組成物の種類等に応じて適宜調整されるが、上記温度の下限としては、５０℃が好ましく、７０℃がより好ましい。上記温度の上限としては、２００℃が好ましく、１５０℃がより好ましい。ポストベークの時間の下限としては、１０秒が好ましく、３０秒がより好ましい。上記時間の上限としては、６００秒が好ましく、３００秒がより好ましい。
【０１８０】
次に、上記露光されたレジスト膜を現像液で現像してレジストパターンを形成する。この現像は、アルカリ現像であっても有機溶媒現像であってもよい。現像液としては、アルカリ現像の場合、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、メタ珪酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、コリン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカリ性化合物のうち少なくとも１種を溶解させたアルカリ性水溶液が挙げられる。これらのアルカリ性水溶液には、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類などの水溶性有機溶媒、界面活性剤等を適量添加することもできる。また、有機溶媒現像の場合、現像液としては、例えば上述のレジスト下層膜形成用組成物の［Ｂ］溶媒として例示した種々の有機溶媒等が挙げられる。
【０１８１】
上記現像液での現像後、洗浄し、乾燥することによって、所定のレジストパターンが形成される。
【０１８２】
本レジストパターン形成工程を行う方法として、上述のレジスト組成物を用いる方法以外にも、ナノインプリント法を用いる方法、自己組織化組成物を用いる方法等も用いることができる。
【０１８３】
［基板パターン形成工程］
本工程では、レジストパターンをマスクとした複数回のエッチングにより基板にパターンを形成する。上記中間層を有さない場合はレジスト下層膜、基板の順に順次エッチングし、上記中間層を有する場合は中間層、レジスト下層膜、基板の順に順次エッチングを行う。このエッチングの方法としては、ドライエッチング、ウエットエッチング等が挙げられる。これらの中で、基板パターンの形状をより優れたものとするため、ドライエッチングが好ましい。このドライエッチングには、例えば酸素プラズマ等のガスプラズマ等が用いられる。上記エッチングの後、所定のパターンを有する基板が得られる。
【０１８４】
＜レジスト下層膜＞
本発明のレジスト下層膜は、当該レジスト下層膜形成用組成物から形成される。当該レジスト下層膜は、上述の当該レジスト下層膜形成用組成物から形成されるので、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れている。
【実施例】
【０１８５】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。各種物性値の測定方法を以下に示す。【０１８６】
［Ｍｗ及びＭｎ］
［Ａ］化合物のＭｗ及びＭｎは、東ソー社のＧＰＣカラム（「Ｇ２０００ＨＸＬ」２本及び「Ｇ３０００ＨＸＬ」１本）を用い、流量：１．０ｍＬ／分、溶出溶媒：テトラヒドロフラン、カラム温度：４０℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準とするゲルパーミエーションクロマトグラフィー（検出器：示差屈折計）により測定した。
［固形分濃度］
レジスト下層膜形成用組成物０．５ｇを３０分間２５０℃で焼成することで、レジスト下層膜形成用組成物０．５ｇに対する固形分の質量を測定し、レジスト下層膜形成用組成物の固形分濃度（質量％）を算出した。【０１８７】
［膜の平均厚み］
膜の平均厚みは、分光エリプソメータ（Ｊ．Ａ．ＷＯＯＬＬＡＭ社の「Ｍ２０００Ｄ」）を用いて測定した。【０１８８】
＜［Ａ］化合物の合成＞
下記Ａ−１〜Ａ−１０の化合物を、以下に示す手順により合成した。【０１８９】
Ａ−１：下記式（Ａ−１）で表される樹脂
Ａ−２：下記式（Ａ−２）で表される構造単位を有する樹脂
Ａ−３：下記式（Ａ−３）で表される樹脂
Ａ−４：下記式（Ａ−４）で表される構造単位を有する樹脂
Ａ−５：下記式（Ａ−５）で表される構造単位を有する樹脂
Ａ−６：下記式（Ａ−６）で表される化合物
Ａ−７：下記式（Ａ−７）で表される構造単位を有する樹脂
Ａ−８：下記式（Ａ−８）で表される化合物
Ａ−９：下記式（Ａ−９）で表される化合物
Ａ−１０：下記式（Ａ−１０）で表される化合物【０１９０】
【化２３】
2017141612.tif 000025
【０１９１】
【化２４】
2017141612.tif 000026
【０１９２】
［合成例１］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた１，０００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、レゾルシノール３５ｇ、エタノール２８ｇ、濃塩酸１１．８ｇ及び水３５．４ｇを仕込み、室温にて溶解させた。得られた溶液を９０℃に加温し、パラアルデヒド２０．５ｇを１５分かけて滴下した後、６時間反応させた。反応後、フラスコを溶液温度が室温になるまで冷却した。その後、析出してきた固形物を、ろ過にてエタノール溶液を除去することにより回収した。メタノール／水混合溶液（各３００ｇ）を用いて洗浄を行い、６０℃で一晩減圧乾燥し、フェノール性水酸基を有する前駆体（ａ−１）３２．０ｇを得た。【０１９３】
次に、温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた５００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２００ｍＬ、炭酸カリウム２０．３ｇ及び上記合成した前駆体（ａ−１）１０．０ｇを仕込み、マグネチックスターラーにより攪拌しながら溶解させた。得られた溶液を８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル２１．０ｇを３０分かけて滴下した後、６時間反応させた。反応終了後、この反応溶液を、酢酸１４ｍＬを添加した水２Ｌに加えた。上澄み液を除去し、残った高粘性物を最少量のアセトンに溶解させ、５００ｍＬの水に投入し再沈殿を行った。得られた高粘性物を６０℃で一晩減圧乾燥し、化合物（Ａ−１）１０．５ｇを得た。得られた化合物（Ａ−１）のＭｗは８５０であった。【０１９４】
［合成例２］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた１，０００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、２，７−ジヒドロキシナフタレン１００ｇ、ホルムアルデヒド５０．７ｇ及びメチルイソブチルケトン３００ｇを仕込み、室温にて溶解させた。得られた溶液に、溶液温度４０℃にて、パラトルエンスルホン酸一水和物３．５８ｇを仕込み、溶液温度を８０℃にして１１時間熟成させた。熟成後、フラスコを溶液温度が室温になるまで冷却した。この反応溶液をメタノール５，０００ｍＬに加え、析出してきた赤茶色の固形物を、ろ過にてメタノール溶液を除去することにより回収した。メタノール／水混合溶液（各３００ｇ）を用いて洗浄を行い、６０℃で一晩減圧乾燥し、前駆体（ａ−２）４６．５ｇを得た。得られた前駆体（ａ−２）のＭｗは１，５００であった。【０１９５】
次に、温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた５００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、上記合成した前駆体（ａ−２）２０．０ｇ、ブロモアセトニトリル３４．５ｇ、トリエチルアミン４０．０ｇ及びテトラヒドロフラン２００ｇを仕込み、攪拌しつつ５０℃で１２時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水冷により３０℃以下に冷却した。冷却後、この反応溶液をｎ−ヘプタン２，０００ｍＬに加えた。析出してきた赤茶色の固形物を、ろ過にてｎ−ヘプタン溶液を除去することにより回収した。ｎ−ヘプタン１，０００ｍＬを用いて洗浄を行った。続いて、この固体をメチルイソブチルケトンに溶解させ、１質量％のシュウ酸及び純水で順次洗浄し、残存するトリエチルアミンを除去した。次いで、得られた有機層を濃縮した後、得られた濃縮物を５０℃にて１７時間乾燥し、樹脂（Ａ−２）を得た。得られた樹脂（Ａ−２）のＭｗは５，０００であった。【０１９６】
［合成例３］
１，０００ｍＬの３口ナス型フラスコに、レゾルシノール３５ｇ、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド３９ｇ及びエタノール４５０ｇを仕込み、窒素雰囲気下、室温にて溶解させた。得られた溶液に、溶液温度４０℃にて、濃塩酸９５．６ｇを１時間かけて滴下し、溶液温度を８０℃にして１１時間熟成させた。熟成後、フラスコを溶液温度が室温になるまで冷却した。その後、析出してきた赤茶色の固形物を、ろ過にてエタノール溶液を除去することにより回収した。メタノール／水混合溶液（各３００ｇ）を用いて洗浄を行い、６０℃で一晩減圧乾燥し、ピンク色の固形物であるフェノール性水酸基を有する前駆体（ａ−３）４３．６ｇを得た。次に、５００ｍＬの丸底フラスコを用い、窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド２００ｍＬに、上記合成した前駆体（ａ−３）１０．０ｇをマグネチックスターラーにより攪拌しながら溶解させた。攪拌下、得られた溶液に、ブロモアセトニトリル１６．７ｇを添加後、さらに炭酸カリウム１９．４ｇを加え、８０℃にて１８時間反応を行った。反応終了後、この反応溶液を、酢酸１４ｍＬを添加した水２Ｌに加えた。上澄み液を除去し、残った高粘性物を最少量のアセトンに溶解させ、５００ｍＬの水に投入し再沈殿を行った。得られた高粘性物を６５℃で一晩減圧乾燥し、茶色の固体である化合物（Ａ−３）１２．５ｇを得た。得られた化合物（Ａ−３）のＭｗは１，３００であった。【０１９７】
［合成例４］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに窒素雰囲気下、４，４−（α−メチルベンジリデン）ビスフェノール４１．７９ｇ、１−ヒドロキシピレン１７．８２ｇ、１−ナフトール２９．４３ｇ及びパラホルムアルデヒド１０．９７ｇを仕込んだ。次に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．７０３ｇを１４５ｇの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた後、この溶液を上記３口フラスコに投入し、９５℃で６時間攪拌して重合させた。室温に冷却した後、反応溶液を多量のメタノール／水（８００／２０（質量比））混合溶液中に投入し、沈殿した樹脂をろ過、乾燥し、前駆体（ａ−４）を得た。【０１９８】
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、上記合成した前駆体（ａ−４）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム８．３８ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１４．５５ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した重合体をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、樹脂（Ａ−４）を得た。得られた樹脂（Ａ−４）のＭｗは４，５００であった。【０１９９】
［合成例５］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、４−［４−［１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エチル］］−α，α−ジメチルベンジルフェノール４３．３４ｇ、１−ヒドロキシピレン１７．６６ｇ、１−ナフトール２９．１７ｇ及びパラホルムアルデヒド９．８３ｇを仕込んだ。次に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．６３０ｇを１４５ｇの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた後、この溶液を上記３口フラスコに投入し、９５℃で６時間攪拌して重合させた。室温に冷却した後、反応溶液を多量のメタノール／水（８００／２０（質量比））混合溶液中に投入し、沈殿した樹脂をろ過、乾燥し、前駆体（ａ−５）を得た。【０２００】
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、上記合成した前駆体（ａ−５）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム８．８５ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１５．３５ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した樹脂をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、樹脂（Ａ−５）を得た。得られた樹脂（Ａ−５）のＭｗは４，８００であった。【０２０１】
［合成例６］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、トルクセノン２０ｇ、２−ナフトール３６ｇ、β−メルカプトプロピオン酸１ｇ及びトルエン１５０ｇを加え溶解させた。次に、５０℃に加温し、９８質量％硫酸２．５ｇを１５分かけて滴下した後、１０時間反応を行った。反応溶液にトルエン１００ｇ及び水３０ｇを加えて、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの１０質量％水溶液をｐＨが７になるまで加えた後、水洗分液を５回繰り返した。得られた有機相を多量のメタノール中に投入し、沈殿した樹脂をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、前駆体（ａ−６）を得た。【０２０２】
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、上記合成した前駆体（ａ−６）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム５．５３ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル９．６０ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。その後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した樹脂をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、樹脂（Ａ−６）を得た。【０２０３】
［合成例７］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、９，９−ビス（ヒドロキシナフチル）フルオレン３８．５９ｇ及びパラホルムアルデヒド１．４１ｇを仕込んだ。次に、ｐ−トルエンスルホン酸一水和物０．１４０ｇを６０ｇの酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解させた後、この溶液を上記３口フラスコに投入し、９５℃で６時間攪拌して重合させた。室温に冷却した後、反応溶液を多量のメタノール／水（８００／２０（質量比））混合溶液中に投入した。沈殿した樹脂をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、前駆体（ａ−７）を得た。【０２０４】
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、上記合成した前駆体（ａ−７）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム１３．１２ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１１．２９ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。室温に冷却した後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した樹脂をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、樹脂（Ａ−７）を得た。得られた樹脂（Ａ−７）のＭｗは５，０００であった。【０２０５】
［合成例８］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、ビスフェノールフルオレン（ａ−９）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム７．９０ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１３．７１ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。室温に冷却した後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した化合物をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、化合物（Ａ−８）を得た。【０２０６】
【化２５】
2017141612.tif 000027
【０２０７】
［合成例９］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、ビスナフトールフルオレン（ａ−１０）２０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム６．１４ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１０．６６ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。室温に冷却した後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した化合物をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、化合物（Ａ−９）を得た。【０２０８】
【化２６】
2017141612.tif 000028
【０２０９】
［合成例１０］
温度計、コンデンサー及びマグネチックスターラーを備えた３００ｍＬの３口フラスコに、窒素雰囲気下、１−ヒドロキシピレン２．９ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８０ｇ及び炭酸カリウム６．２８ｇを仕込んだ。次に８０℃に加温し、ブロモアセトニトリル１０．９０ｇを３０分かけて滴下した後、６時間攪拌して反応を行った。室温に冷却した後、反応溶液にメチルイソブチルケトン８０ｇ及び水８０ｇを添加して分液操作を行い、得られた有機相を多量のメタノール中に投入した。沈殿した化合物をろ過後、６０℃で一晩減圧乾燥し、化合物（Ａ−１０）を得た。【０２１０】
［合成例１１］
コンデンサー、温度計及び攪拌装置を備えた反応装置に２，７−ジヒドロキシナフタレン１００質量部、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル１００質量部及びパラホルムアルデヒド５０質量部を仕込み、シュウ酸２質量部を添加し、脱水しながら１２０℃に昇温して、５時間反応させることにより、下記式（ａ−８）で表される構造単位を有する樹脂（ａ−８）を得た。得られた樹脂（ａ−８）のＭｗは３，０００であった。【０２１１】
【化２７】
2017141612.tif 000029
【０２１２】
＜レジスト下層膜形成用組成物の調製＞
レジスト下層膜形成用組成物の調製に用いた［Ａ］化合物以外の成分について以下に示す。【０２１３】
［［Ｂ］溶媒］
Ｂ−１：酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル【０２１４】
［［Ｃ］酸発生剤］
Ｃ−１：ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート（下記式（Ｃ−１）で表される化合物）
Ｃ−２：トリエチルアンモニウムノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート（下記式（Ｃ−２）で表される化合物）【０２１５】
【化２８】
2017141612.tif 000030
【０２１６】
［［Ｄ］架橋剤］
Ｄ−１：１，３，４，６−テトラキス（メトキシメチル）グリコールウリル（下記式（Ｄ−１）で表される化合物）
Ｄ−２：４，４’−（１−（４−（１−（４−ヒドロキシ−３，５−ビス（メトキシメチル）フェニル）−１−メチルエチル）フェニル）エチリデン）ビス（２，６−ビス（メトキシメチル）フェノール（下記式（Ｄ−２）で表される化合物）【０２１７】
【化２９】
2017141612.tif 000031
【０２１８】
［実施例１］
［Ａ］化合物としての（Ａ−１）１０質量部を［Ｂ］溶媒としての（Ｂ−１）１００質量部に溶解した。この溶液を孔径０．１μｍのメンブランフィルターでろ過して、レジスト下層膜形成用組成物（Ｊ−１）を調製した。【０２１９】
［実施例２〜２０並びに比較例１及び比較例２］
下記表１に示す種類及び量の各成分を使用した以外は実施例１と同様に操作して、各レジスト下層膜形成用組成物を調製した。表１中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを示す。【０２２０】
【表１】
2017141612.tif 000032
【０２２１】
＜レジスト下層膜の形成＞
［実施例２１〜４０並びに比較例３及び比較例４］
上記調製した各レジスト下層膜形成用組成物を、シリコンウエハ基板上に、スピンコート法により塗布した。その後、大気雰囲気下にて、２５０℃で６０秒間加熱（焼成）し、平均厚み２００ｎｍのレジスト下層膜を形成して、基板上にレジスト下層膜が形成されたレジスト下層膜付き基板をそれぞれ得た（実施例２１〜３１及び３８〜４０並びに比較例３及び４）。また、実施例３２〜３７においては、４００℃で６０秒間加熱（焼成）を行い、レジスト下層膜付き基板を得た。【０２２２】
＜評価＞
上記得られたレジスト下層膜形成用組成物又は上記得られたレジスト下層膜付き基板を用い、下記項目について下記方法で評価を行った。評価結果を表２に示す。【０２２３】
［溶媒耐性］
上記得られたレジスト下層膜付き基板を２０〜２５℃のシクロヘキサノンに１分間浸漬した。浸漬前後の平均膜厚を測定した。浸漬前の平均膜厚をＸ０、浸漬後の平均膜厚をＸとして、（Ｘ−Ｘ０）×１００／Ｘ０で求められる数値の絶対値を算出し、膜厚変化率（％）とした。溶媒耐性は、膜厚変化率が１％未満の場合は「Ａ」（良好）と、１％以上５％未満の場合は「Ｂ」（やや良好）と、５％以上の場合は「Ｃ」（不良）と評価した。【０２２４】
［エッチング耐性］
上記得られたレジスト下層膜付き基板におけるレジスト下層膜を、エッチング装置（東京エレクトロン社の「ＴＡＣＴＲＡＳ」）を用いて、ＣＦ４／Ａｒ＝１１０／４４０ｓｃｃｍ、ＰＲＥＳＳ．＝３０ＭＴ、ＨＦ  ＲＦ＝５００Ｗ、ＬＦ  ＲＦ＝３０００Ｗ、ＤＣＳ＝−１５０Ｖ、ＲＤＣ＝５０％、３０ｓｅｃの条件にて処理し、処理前後の平均膜厚からエッチング速度（ｎｍ／分）を算出し、比較例３に対する比率を算出し、エッチング耐性の尺度とした。エッチング耐性は、上記比率が０．９５以上０．９８未満の場合は「Ａ」（極めて良好）と、０．９８以上１．００未満の場合は「Ｂ」（良好）と、１．００以上の場合は「Ｃ」（不良）と評価した。なお、表２中、比較例３のエッチング耐性の欄の「−」は評価の基準であることを示し、比較例４のエッチング耐性の欄の「−」は評価しなかったことを示す。【０２２５】
［平坦性］
幅４２ｎｍ、ピッチ８４ｎｍ、深さ１８０ｎｍのトレンチ（アスペクト比：４．３）、幅１００ｎｍ、ピッチ１５０ｎｍ、深さ１８０ｎｍのトレンチ（アスペクト比：１．８）、幅５μｍ、深さ１８０ｎｍのトレンチ（アスペクト比：０．０３６）が混在するＳｉＯ２段差基板（互いに異なるアスペクト比における最大値と最小値の比：１１９）上に、上記調製したレジスト下層膜形成用組成物をそれぞれ塗布した。その後、大気雰囲気下にて、焼成（ベーク）して、膜厚２００ｎｍのレジスト下層膜を形成した。このレジスト下層膜の形状を走査型電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社の「Ｓ−４８００」）にて観察し、トレンチ又はスペース上におけるレジスト下層膜の平均厚みの最大値と最小値の差（ΔＦＴ）を測定した。平坦性は、このΔＦＴが１０ｎｍ未満の場合は「Ａ」（非常に良好）と、１０ｎｍ以上２０ｎｍ未満の場合は「Ｂ」（良好）と、２０ｎｍ以上３５ｎｍ未満の場合は「Ｃ」（やや良好）と、３５ｎｍ以上の場合は「Ｄ」（不良）と評価した。【０２２６】
［耐熱性］
上記調製したレジスト下層膜形成用組成物を、直径８インチのシリコンウエハ上にスピンコートしてレジスト下層膜を形成し、レジスト下層膜付き基板を得た。このレジスト下層膜付き基板から当該レジスト下層膜を削り取ることにより粉体を回収し、この粉体を容器に入れ、質量を測定した。次に、ＴＧ−ＤＴＡ装置（ＮＥＴＺＳＣＨ社の「ＴＧ−ＤＴＡ２０００ＳＲ」）を用いて、窒素雰囲気下、１０℃／分の昇温速度にて４００℃まで加熱し、４００℃における粉体の質量を測定した。そして、下記式により質量減少率（％）を測定し、この質量減少率を耐熱性の尺度とした。
ＭＬ＝｛（ｍ１−ｍ２）／ｍ１｝×１００
ここで、上記式中、ＭＬは、質量減少率（％）であり、ｍ１は、加熱前の質量（ｍｇ）であり、ｍ２は、４００℃における質量（ｍｇ）である。
耐熱性は、質量減少率が小さいほど、レジスト下層膜の加熱時に発生する昇華物やレジスト下層膜の分解物が少なく、良好である。すなわち、質量減少率が小さいほど、高い耐熱性であることを示す。耐熱性は、０％以上５％未満の場合は「Ａ」（極めて良好）と、５％以上１０％未満の場合は「Ｂ」（良好）と、１０％以上の場合は「Ｃ」（不良）と評価した。【０２２７】
［保存安定性］
上記得られたレジスト下層膜形成用組成物を、２３℃の温度下で保管し、３か月経過した段階での含有される［Ａ］化合物のＭｗを測定し、保存安定性を評価した。保存安定性は、調製直後と３か月経過後とで、Ｍｗの変化率が５％未満の場合は「Ａ」（良好）と、Ｍｗの変化が５％以上場合は「Ｂ」（不良）と評価した。【０２２８】
【表２】
2017141612.tif 000033
【０２２９】
表２の結果から、本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成することができ、かつ保存安定性にも優れることが示された。
【産業上の利用可能性】
【０２３０】
本発明のレジスト下層膜形成用組成物によれば、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れるレジスト下層膜を形成することができる。また、当該レジスト下層膜形成用組成物は、保存安定性に優れている。本発明のレジスト下層膜は、平坦性に優れると共に、溶媒耐性、エッチング耐性及び耐熱性に優れている。本発明のパターニングされた基板の製造方法によれば、上記形成された優れたレジスト下層膜を用いることにより、優れたパターン形状を有するパターニングされた基板を得ることができる。従って、これらは、今後さらに微細化が進行すると予想される半導体デバイスの製造等に好適に用いることができる。
【国際調査報告】
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2017141612.tif 000038
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