(57)【要約】  高次モードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する。  弾性波装置１は、ＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板４Ａと、第１の圧電基板４Ａに構成されており、複数の第１のＩＤＴ電極を有する第１の帯域通過型フィルタ２Ａと、第１の圧電基板４Ａ上に設けられており、複数の第１のＩＤＴ電極を覆っている誘電体層と、第２の圧電基板４Ｂと、第２の圧電基板４Ｂに構成されており、複数の第２のＩＤＴ電極を有し、かつ第１の帯域通過型フィルタ２Ａとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタ２Ｂと、第１の帯域通過型フィルタ２Ａに接続されている帯域阻止フィルタ３とを備える。帯域阻止フィルタ３は第１の圧電基板４Ａ以外の圧電基板に構成されている。
2017073652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板と、
前記第１の圧電基板に構成されており、複数の第１のＩＤＴ電極を有する第１の帯域通過型フィルタと、
前記第１の圧電基板上に設けられており、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆っている誘電体層と、
第２の圧電基板と、
前記第２の圧電基板に構成されており、複数の第２のＩＤＴ電極を有し、かつ前記第１の帯域通過型フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタと、
前記第１の帯域通過型フィルタに接続されている帯域阻止フィルタと、
を備え、
前記帯域阻止フィルタが前記第１の圧電基板以外の圧電基板に構成されている、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端子及び出力端子の内の一方である第１の端子を有し、
前記第１の端子とグラウンド電位との間に前記帯域阻止フィルタが接続されている、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記帯域阻止フィルタが、前記第１の端子とグラウンド電位との間に並列に接続されている複数の並列腕共振子を有する、請求項２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第２の帯域通過型フィルタが複数の端子を有し、
前記帯域阻止フィルタが前記第１の端子に接続されている第２の端子を有し、
前記第２の帯域通過型フィルタが有するいずれの端子と前記第１の端子との距離よりも、前記第２の端子と前記第１の端子との距離の方が短い、請求項２または３に記載の弾性波装置。
【請求項５】
ＬｉＴａＯ３からなる第３の圧電基板をさらに備え、
前記帯域阻止フィルタが前記第３の圧電基板に構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記帯域阻止フィルタが前記第２の圧電基板に構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記第１の帯域通過型フィルタがアンテナに接続される第３の端子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタがアンテナに接続される第４の端子を有し、前記第３の端子と前記第４の端子とが接続されており、
前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域が、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置している、請求項７に記載の弾性波装置。
【請求項９】
前記帯域阻止フィルタが少なくとも１個の第３のＩＤＴ電極を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項１０】
前記第３のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離が、前記複数の第２のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離よりも短い、請求項９に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
通信の高速化のために、キャリアアグリゲーション（ＣＡ）などが用いられている。ＣＡにおいては、一般的に、複数の帯域通過型フィルタのアンテナ端子を共通化し、周波数帯域が異なる複数の信号を同時に送受信する。それによって、通信の高速化が図られている。弾性波装置が、上記帯域通過型フィルタとして用いられている。【０００３】
下記の特許文献１に記載の弾性波装置においては、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板上に、ＩＤＴ電極が設けられている。ＩＤＴ電極は、圧電基板上に設けられたＳｉＯ２からなる絶縁物層により覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２９５９７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の弾性波装置においては、高次モードの発生により、通過帯域外の減衰量が小さくなることがあった。このような弾性波装置をＣＡに用いる場合、高次モードの周波数帯域付近に別の帯域通過型フィルタ装置の通過帯域が位置することがあった。そのため、当該別の帯域通過型フィルタ装置の通過帯域内においてリップルが発生することがあった。また、上記帯域通過型フィルタ装置の挿入損失が劣化することがあった。【０００６】
本発明の目的は、高次モードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る弾性波装置は、ＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板と、前記第１の圧電基板に構成されており、複数の第１のＩＤＴ電極を有する第１の帯域通過型フィルタと、前記第１の圧電基板上に設けられており、前記複数の第１のＩＤＴ電極を覆っている誘電体層と、第２の圧電基板と、前記第２の圧電基板に構成されており、複数の第２のＩＤＴ電極を有し、かつ前記第１の帯域通過型フィルタとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタと、前記第１の帯域通過型フィルタに接続されている帯域阻止フィルタとを備え、前記帯域阻止フィルタが前記第１の圧電基板以外の圧電基板に構成されている。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタが、入力端子及び出力端子の内の一方である第１の端子を有し、前記第１の端子とグラウンド電位との間に前記帯域阻止フィルタが接続されている。この場合には、第１の帯域通過型フィルタ以外の帯域通過型フィルタの挿入損失などの劣化が生じ難い。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記帯域阻止フィルタが、前記第１の端子とグラウンド電位との間に並列に接続されている複数の並列腕共振子を有する。この場合には、帯域阻止フィルタの阻止帯域における減衰量を大きくすることができる。よって、第１の帯域通過型フィルタにおいて、高次モードをより一層抑制することができる。また、帯域阻止フィルタを小型にすることもできる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第２の帯域通過型フィルタが複数の端子を有し、前記帯域阻止フィルタが前記第１の端子に接続されている第２の端子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタが有するいずれの端子と前記第１の端子との距離よりも、前記第２の端子と前記第１の端子との距離の方が短い。この場合には、第１の帯域通過型フィルタと帯域阻止フィルタとの間の寄生容量を小さくすることができる。よって、弾性波装置の挿入損失の劣化が生じ難い。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、ＬｉＴａＯ３からなる第３の圧電基板がさらに備えられており、前記帯域阻止フィルタが前記第３の圧電基板に構成されている。この場合には、帯域阻止フィルタにおける高次モードの発生を抑制することができる。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記帯域阻止フィルタが前記第２の圧電基板に構成されている。【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第２の圧電基板がＬｉＴａＯ３からなる。この場合には、帯域阻止フィルタにおける高次モードの発生を抑制することができる。【００１４】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の帯域通過型フィルタがアンテナに接続される第３の端子を有し、前記第２の帯域通過型フィルタがアンテナに接続される第４の端子を有し、前記第３の端子と前記第４の端子とが接続されており、前記第１の帯域通過型フィルタの通過帯域が、前記第２の帯域通過型フィルタの通過帯域よりも低域側に位置している。この場合には、弾性波装置の挿入損失の劣化が生じ難い。【００１５】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記帯域阻止フィルタが少なくとも１個の第３のＩＤＴ電極を有する。【００１６】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第３のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離が、前記複数の第２のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離よりも短い。この場合には、帯域阻止フィルタを小型にすることができる。よって、第２の圧電基板上における電極構造などの設計の自由度を高めることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高次モードの発生が効果的に抑制されている、弾性波装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ及び帯域阻止フィルタの回路図であり、図２（ｂ）は、第２の帯域通過型フィルタの回路図である。
【図３】図３は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの略図的断面図である。
【図４】図４は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する、本発明の第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの略図的断面図である
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態及び比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ及び帯域阻止フィルタの回路図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。
【図９】図９は、本発明の第４の実施形態の変形例に係る弾性波装置の回路図である。
【図１０】図１０は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２０】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。なお、後述する誘電体層及び支持部材は図１において省略されている。また、後述する各弾性波共振子や縦結合共振子型弾性波フィルタは、矩形に２本の対角線を引いた略図により示されている。図３、図４、図７及び図８においても同様である。
【００２２】
図２（ａ）は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ及び帯域阻止フィルタの回路図であり、図２（ｂ）は、第２の帯域通過型フィルタの回路図である。
【００２３】
図１に示されているように、弾性波装置１は第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂを有する。第１の圧電基板４Ａは、ＬｉＮｂＯ３からなる。第２の圧電基板４Ｂは、ＬｉＴａＯ３からなる。第１の圧電基板４Ａ上には、複数の第１のＩＤＴ電極を有する第１の帯域通過型フィルタ２Ａが構成されている。第２の圧電基板４Ｂ上には、第１の帯域通過型フィルタ２Ａとは通過帯域が異なる第２の帯域通過型フィルタ２Ｂが構成されている。第２の帯域通過型フィルタ２Ｂは、複数の第２のＩＤＴ電極を有する。各第１，第２のＩＤＴ電極の電極指の対数や電極指の長さなどは、それぞれ異なっていてもよく、あるいは同じであってもよい。
【００２４】
第２の圧電基板４Ｂ上には、少なくとも１個の第３のＩＤＴ電極を有する帯域阻止フィルタ３も構成されている。このように、帯域阻止フィルタ３は、第１の圧電基板４Ａ以外の圧電基板に構成されている。帯域阻止フィルタ３が第３のＩＤＴ電極を複数有する場合、各第３のＩＤＴ電極の電極指の対数や電極指の長さなどはそれぞれ異なっていてもよい。
【００２５】
図２（ａ）に示されているように、帯域阻止フィルタ３は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａに接続されている。本実施形態では、帯域阻止フィルタ３は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａとグラウンド電位との間に接続されている。
【００２６】
第１の帯域通過型フィルタ２Ａは、Ｂａｎｄ２５の受信フィルタである。よって、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの通過帯域は、１９３０ＭＨｚ以上、１９９５ＭＨｚ以下である。第２の帯域通過型フィルタ２Ｂは、Ｂａｎｄ４の受信フィルタである。よって、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの通過帯域は、２１１０ＭＨｚ以上、２１５５ＭＨｚ以下である。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂの通過帯域は、これに限定されない。また、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂの内の少なくとも一方は送信フィルタであってもよい。
【００２７】
本実施形態の特徴は、帯域阻止フィルタ３に、第１の帯域通過型フィルタ２Ａが接続されていることにある。それによって、弾性波装置１における第１の帯域通過型フィルタ２Ａの高次モードを効果的に抑制することができる。これを、本実施形態の具体的な構成と共に、以下において説明する。
【００２８】
図２（ａ）に示されているように、第１の帯域通過型フィルタ２Ａは、出力端子である第１の端子６及びアンテナに接続される第３の端子８を有する。帯域阻止フィルタ３は、第１の端子６に接続されている第２の端子７を有する。なお、上述したように、第１の帯域通過型フィルタ２Ａは送信フィルタであってもよい。その場合においては、第１の端子６は入力端子である。
【００２９】
第１の帯域通過型フィルタ２Ａは、複数の弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３，Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ及び第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａを有する。複数の弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３，Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ及び第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａは、それぞれ上記第１のＩＤＴ電極を有する。本実施形態では、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａは９ＩＤＴ型だが、第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａが有するＩＤＴ電極の個数は特に限定されない。
【００３０】
第３の端子８と第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａとの間には、複数の弾性波共振子Ｓ１，Ｓ２が互いに直列に接続されている。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａと第１の端子６との間には、弾性波共振子Ｓ３が接続されている。弾性波共振子Ｓ１と弾性波共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間には、複数の弾性波共振子Ｐ１ａ，Ｐ１ｂが互いに直列に接続されている。第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａと弾性波共振子Ｓ３との間の接続点とグラウンド電位との間には、複数の弾性波共振子Ｐ２ａ，Ｐ２ｂが互いに直列に接続されている。
【００３１】
帯域阻止フィルタ３は、２個の並列腕共振子３ａ，３ｂを有する。第２の端子７とグラウンド電位との間に、並列腕共振子３ａ，３ｂが互いに並列に接続されている。
【００３２】
他方、図２（ｂ）に示されているように、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂは、アンテナに接続される第４の端子９及び出力端子である第５の端子１０を有する。
【００３３】
第２の帯域通過型フィルタ２Ｂは、複数の弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂを有する。複数の弾性波共振子Ｓ１１〜Ｓ１３及び第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂは、それぞれ上記第２のＩＤＴ電極を有する。本実施形態では、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂはそれぞれ３ＩＤＴ型だが、第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂがそれぞれ有するＩＤＴ電極の個数は特に限定されない。
【００３４】
第４の端子９と第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂとの間には、弾性波共振子Ｓ１１が接続されている。第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂと第５の端子１０との間においては、複数の弾性波共振子Ｓ１２，Ｓ１３が互いに直列に接続されている。複数の第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ｂａ，５Ｂｂは、弾性波共振子Ｓ１１と弾性波共振子Ｓ１２との間において、互いに並列に接続されている。
【００３５】
図１に示すように、弾性波装置１は、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂ上において、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示した回路に相当する電極構造を有する。第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂ上には、第１〜第５の端子６〜１０及びグラウンド電位に接続される複数のグラウンド端子１１が設けられている。第１の端子６と第２の端子７とは、第１の接続電極１６ａにより接続されている。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂ及び帯域阻止フィルタ３の電極構造及び回路構成は特に限定されない。
【００３６】
図３は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの略図的断面図である。図４は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う部分に相当する、第１の実施形態における第２の帯域通過型フィルタの略図的断面図である。
【００３７】
図３に示されているように、第１の圧電基板４Ａ上には、ＳｉＯ２からなる誘電体層１３が設けられている。誘電体層１３は、複数の第１のＩＤＴ電極を覆っている。より具体的には、図１に示した複数の弾性波共振子Ｓ１〜Ｓ３，Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ及び第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ５Ａを覆っている。これにより、ＬｉＮｂＯ３からなる第１の圧電基板４Ａに構成されている第１の帯域通過型フィルタ２Ａの温度特性を向上させることができる。
【００３８】
なお、誘電体層１３を構成する誘電体は、特に限定されない。
【００３９】
他方、図４に示されているように、第２の圧電基板４Ｂ上には、誘電体層は設けられていない。
【００４０】
図１において支持部材は省略されているが、第１の圧電基板４Ａ上において、破線Ａに示されている位置に支持部材が設けられている。支持部材は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａが構成されている部分を囲むように設けられている。図３に示されているように、支持部材１４上には、カバー部材１５が設けられている。第１の圧電基板４Ａ、支持部材１４及びカバー部材１５により囲まれた中空空間が形成されている。
【００４１】
同様に、第２の圧電基板４Ｂ上にも、図１に示した破線Ｂの位置に支持部材が設けられている。図４に示すように、第２の圧電基板４Ｂ、支持部材１４及びカバー部材１５により囲まれた中空空間が形成されている。
【００４２】
図１に戻り、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂ上には、複数のビア電極１２が設けられている。複数のビア電極１２の一方端部は、第１〜第５の端子６〜１０及び各グラウンド端子１１に接続されている。図３に示されているように、各ビア電極１２は、支持部材１４及びカバー部材１５を貫通している。各ビア電極１２の他方端部には、バンプ１８が接続されている。第２の圧電基板上に設けられているビア電極も同様に、支持部材及びカバー部材を貫通しており、バンプに接続されている。
【００４３】
このように、本実施形態では、第１，第２の帯域通過型フィルタはＷＬＰ構造を有する。なお、第１，第２の帯域通過型フィルタは、例えばＣＳＰなどの、ＷＬＰ構造以外のパッケージ構造を有していてもよい。
【００４４】
次に、本実施形態と比較例とを比較することにより、本実施形態の効果を説明する。
【００４５】
比較例は、第１の帯域通過型フィルタが帯域阻止フィルタに接続されていない点で、第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、比較例の弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００４６】
図５は、第１の実施形態及び比較例における第１の帯域通過型フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は比較例の結果を示す。周波数帯域Ｃは、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域を示し、周波数帯域Ｄは、第２の帯域通過型フィルタの通過帯域を示す。周波数帯域Ｅは、ＷｉＦｉ帯を示す。
【００４７】
比較例においては、第１の帯域通過型フィルタの通過帯域の１．２倍の周波数帯域付近である、ＷｉＦｉ帯付近において、高次モードが発生している。この高次モードは、上記誘電体層が設けられていることにより発生する。
【００４８】
これに対して、本実施形態では、高次モードを抑制できていることがわかる。第１の帯域通過型フィルタには帯域阻止フィルタが接続されている。帯域阻止フィルタは、それぞれ阻止帯域を形成している複数の並列腕共振子により構成されている。よって、帯域阻止フィルタは、複数の阻止帯域を有する。この各阻止帯域は、高次モードが発生する周波数付近に位置している。よって、高次モードを効果的に抑制することができる。このように、本実施形態では、誘電体層が設けられていることにより第１の帯域通過型フィルタの温度特性を向上させることができ、かつ高次モードを抑制することができる。従って、本実施形態の弾性波装置１は、ＣＡなどに好適に用いることができる。
【００４９】
なお、帯域阻止フィルタの構成は特に限定されず、帯域阻止フィルタは、少なくとも１個の阻止帯域を有していればよい。帯域阻止フィルタは、第１の帯域通過型フィルタにおいて発生する高次モードに応じて構成することができる。
【００５０】
図２（ａ）に戻り、本実施形態では、帯域阻止フィルタ３は並列腕共振子３ａ，３ｂにより構成されている。それによって、帯域阻止フィルタ３の阻止帯域における減衰量をより一層大きくすることができる。よって、高次モードをより一層抑制することができる。さらに、帯域阻止フィルタ３の小型化を図ることができる。帯域阻止フィルタ３は、第２の圧電基板４Ｂに構成されている。従って、第２の圧電基板４Ｂ上における電極構造などの設計の自由度を高めることができる。
【００５１】
第２の圧電基板４ＢはＬｉＴａＯ３からなる。よって、帯域阻止フィルタ３からの高次モードの発生を抑制することができる。従って、本実施形態の弾性波装置１は、ＣＡなどにより一層好適に用いることができる。
【００５２】
なお、第２の圧電基板４Ｂは、ＬｉＮｂＯ３からなっていてもよい。
【００５３】
帯域阻止フィルタ３の第３のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離は、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの複数の第２のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離よりも短いことが好ましい。それによって、帯域阻止フィルタ３を小型にすることができる。よって、第２の圧電基板４Ｂ上における電極構造などの設計の自由度をより一層高めることができる。
【００５４】
より好ましくは、複数の第１のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離よりも複数の第２のＩＤＴ電極における最短の電極指中心間距離の方が短いことが望ましい。この場合には、第３のＩＤＴ電極の電極指中心間距離がより一層短いため、帯域阻止フィルタ３をより一層小型にすることができる。
【００５５】
第２の帯域通過型フィルタ２Ｂが有するいずれの端子と第１の帯域通過型フィルタ２Ａの第１の端子６との距離よりも、帯域阻止フィルタ３の第２の端子７と第１の端子６との距離の方が短い。これにより、上記第１の接続電極１６ａの長さを短くすることができる。よって、第１の帯域通過型フィルタ２Ａと帯域阻止フィルタ３との間の寄生容量を小さくすることができる。従って、弾性波装置１の挿入損失の劣化が生じ難い。
【００５６】
図６は、第２の実施形態における第１の帯域通過型フィルタ及び帯域阻止フィルタの回路図である。
【００５７】
第２の実施形態は、帯域阻止フィルタ２３が第１の帯域通過型フィルタ２Ａに直列に接続されている点及び帯域阻止フィルタ２３の構成が、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第２の実施形態の弾性波装置は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００５８】
帯域阻止フィルタ２３は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａに接続されている直列腕共振子２３ａと、直列腕共振子２３ａとグラウンド電位との間に接続されている並列腕共振子２３ｂとを有する。このように、帯域阻止フィルタ２３は、ラダー型の構成を有していてもよい。この場合には、広い周波数帯域において、高次モードを抑制することができる。
【００５９】
帯域阻止フィルタ２３の阻止帯域は、直列腕共振子２３ａの反共振周波数と、並列腕共振子２３ｂの共振周波数とにより形成されている。直列腕共振子２３ａの反共振周波数と並列腕共振子２３ｂの共振周波数とは、一致していてもよく、あるいは隣接していてもよい。
【００６０】
図７は、第３の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。
【００６１】
弾性波装置３１は、第１，第２の圧電基板４Ａ，４Ｂと異なる第３の圧電基板３４Ｃを有し、第３の圧電基板３４Ｃ上に帯域阻止フィルタ３３が構成されている点において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置３１は第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００６２】
より具体的には、第３の圧電基板３４Ｃ上には、帯域阻止フィルタ３３の並列腕共振子３ａ，３ｂに接続されている第２の端子７が設けられている。第３の圧電基板３４Ｃ上には、並列腕共振子３ａ，３ｂに接続されており、かつグラウンド電位に接続されるグラウンド端子１１も設けられている。第２の端子７は、第１の接続電極１６ａにより第１の端子６に接続されている。
【００６３】
本実施形態においても、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの高次モードを抑制することができる。
【００６４】
第３の圧電基板３４Ｃは、ＬｉＴａＯ３からなることが好ましい。それによって、第１の実施形態と同様に、帯域阻止フィルタ３３からの高次モードの発生を抑制することができる。なお、第３の圧電基板３４Ｃは、ＬｉＮｂＯ３からなっていてもよい。
【００６５】
図８は、第４の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面断面図である。
【００６６】
弾性波装置４１は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの第３の端子８と第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの第４の端子９とが第２の接続電極４６ｂにより接続されている点において、第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、弾性波装置４１は、第１の実施形態の弾性波装置１と同様の構成を有する。
【００６７】
本実施形態のように、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂがアンテナに共通接続される場合においても、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの高次モードを効果的に抑制することができる。
【００６８】
ここで、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂが構成されている第２の圧電基板４Ｂは、ＬｉＴａＯ３からなる。そのため、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの通過帯域よりも高域側においてバルク放射による応答が生じる。他方、第１の帯域通過型フィルタ２Ａが構成されている第１の圧電基板４Ａは、ＬｉＮｂＯ３からなる。よって、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの通過帯域よりも高域側にはバルク放射による応答は生じない。
【００６９】
本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの通過帯域はＢａｎｄ２５であり、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの通過帯域であるＢａｎｄ４よりも低域側に位置している。よって、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂのバルク放射による応答が第２の接続電極４６ｂを介して第１の帯域通過型フィルタ２Ａ側に漏洩したとしても、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの通過帯域における挿入損失の劣化は生じ難い。加えて、第２の帯域通過型フィルタ２Ｂの通過帯域における挿入損失の劣化も生じ難い。
【００７０】
帯域阻止フィルタ３は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの端子の内、他の帯域通過型フィルタに接続されていない端子である第１の端子６に接続されていることが好ましい。それによって、帯域阻止フィルタ３から高次モードが発生したとしても、他の帯域通過型フィルタの挿入損失の劣化などが生じ難い。
【００７１】
なお、帯域阻止フィルタ３は、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの端子の内、第１の端子６以外の端子に接続されていてもよい。
【００７２】
図９に示す第４の実施形態の変形例のように、弾性波装置６１は、第２の帯域通過型フィルタ６２Ｂにより構成されている送信フィルタを有するデュプレクサであってもよい。第２の帯域通過型フィルタ６２Ｂの構成は特に限定されないが、第２の帯域通過型フィルタ６２Ｂはラダー型フィルタである。
【００７３】
より具体的には、第２の帯域通過型フィルタ６２Ｂは、第４の端子９と第５の端子１０との間に互いに直列に接続されている複数の直列腕共振子Ｓ６１〜Ｓ６３を有する。直列腕共振子Ｓ６１と直列腕共振子Ｓ６２との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ６１が接続されている。直列腕共振子Ｓ６２と直列腕共振子Ｓ６３との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ６２が接続されている。直列腕共振子Ｓ６３と第５の端子１０との間の接続点とグラウンド電位との間には、並列腕共振子Ｐ６３が接続されている。
【００７４】
この場合においても、第１の帯域通過型フィルタ２Ａにおいて発生する高次モードを抑制することができる。
【００７５】
図１０は、第５の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
【００７６】
弾性波装置５１は、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂとアンテナ側において共通接続されている第３の帯域通過型フィルタ５２Ｃを有する点で、第４の実施形態と異なる。上記以外の点においては、弾性波装置５１は、第４の実施形態の弾性波装置４１と同様の構成を有する。
【００７７】
第３の帯域通過型フィルタ５２Ｃの通過帯域は、特に限定されないが、本実施形態ではＷｉＦｉ帯に位置している。
【００７８】
本実施形態においても、第１の帯域通過型フィルタ２Ａの高次モードを抑制することができる。なお、本実施形態では、第１の実施形態と同様に、ＷｉＦｉ帯付近における高次モードが抑制されている。よって、第１の帯域通過型フィルタ２Ａに共通接続されている第３の帯域通過型フィルタ５２Ｃの通過帯域における挿入損失の劣化が生じ難い。
【００７９】
なお、第１，第２の帯域通過型フィルタ２Ａ，２Ｂにアンテナ側において共通接続されている帯域通過型フィルタの個数は特に限定されない。
【符号の説明】
【００８０】
１…弾性波装置
２Ａ，２Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
３…帯域阻止フィルタ
３ａ，３ｂ…並列腕共振子
４Ａ，４Ｂ…第１，第２の圧電基板
５Ａ…第１の縦結合共振子型弾性波フィルタ
５Ｂａ，５Ｂｂ…第２の縦結合共振子型弾性波フィルタ
６〜１０…第１〜第５の端子
１１…グラウンド端子
１２…ビア電極
１３…誘電体層
１４…支持部材
１５…カバー部材
１６ａ…第１の接続電極
１８…バンプ
２３…帯域阻止フィルタ
２３ａ…直列腕共振子
２３ｂ…並列腕共振子
３１…弾性波装置
３３…帯域阻止フィルタ
３４Ｃ…第３の圧電基板
４１…弾性波装置
４６ｂ…第２の接続電極
５１…弾性波装置
５２Ｃ…第３の帯域通過型フィルタ
６１…弾性波装置
６２Ｂ…第２の帯域通過型フィルタ
Ｓ１〜Ｓ３，Ｓ１１〜Ｓ１３，Ｐ１ａ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ａ，Ｐ２ｂ…弾性波共振子
Ｓ６１〜Ｓ６３…直列腕共振子
Ｐ６１〜Ｐ６３…並列腕共振子
【図１】
2017073652.tif 000003
【図２】
2017073652.tif 000004
【図３】
2017073652.tif 000005
【図４】
2017073652.tif 000006
【図５】
2017073652.tif 000007
【図６】
2017073652.tif 000008
【図７】
2017073652.tif 000009
【図８】
2017073652.tif 000010
【図９】
2017073652.tif 000011
【図１０】
2017073652.tif 000012
【国際調査報告】
2017073652.tif 000013
2017073652.tif 000014
2017073652.tif 000015
2017073652.tif 000016