(57)【要約】  本開示によるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置は、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光を回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、回転楕円反射面に入射させる光学系と、回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、第１の焦点位置を通過した後、回転楕円反射面で反射したＥＵＶ光を検出する第１の光センサとを備えてもよい。
2016151682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、
前記ＥＵＶ光を前記回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、前記回転楕円反射面に入射させる光学系と、
前記回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、前記第１の焦点位置を通過した後、前記回転楕円反射面で反射した前記ＥＵＶ光を検出する第１の光センサと
を備えるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項２】
前記回転楕円体ミラーの回転対称軸を中心に前記回転楕円体ミラーを回転させる第１の回転ステージ、をさらに備える
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項３】
前記光学系は、前記回転楕円体ミラーの回転対称軸に垂直であって前記第１の焦点位置において前記回転対称軸と交わる所定の軸を含むように配置されて前記ＥＵＶ光を反射する反射面、を含む可動ミラーを含み、
前記可動ミラーを前記所定の軸を回転中心にして回転させる第２の回転ステージ、をさらに備える
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項４】
前記第２の回転ステージは、前記可動ミラーが前記ＥＵＶ光源から入射してきた前記ＥＵＶ光を前記第１の光センサに向けて直接反射させ得る角度位置にまで、前記可動ミラーを回転可能である
請求項３に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項５】
前記光学系は、前記回転楕円体ミラーの回転対称軸に垂直であって前記第１の焦点位置において前記回転対称軸と交わる所定の軸を含むように配置されて前記ＥＵＶ光を反射する反射面、を含む可動ミラーを含み、
前記可動ミラーを前記所定の軸を回転中心にして回転させる第２の回転ステージ、をさらに備える
請求項２に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項６】
前記第１の回転ステージと前記第２の回転ステージとを回転制御し、前記第１の光センサの検出結果に基づいて、前記回転楕円反射面における複数の位置の前記回転楕円反射面の反射率を計測する計測制御部、をさらに備える
請求項５に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項７】
前記回転楕円反射面に対して、前記ＥＵＶ光が互いに異なる第１の偏光方向及び第２の偏光方向のうちいずれか一方の直線偏光として入射するように、前記ＥＵＶ光の偏光方向を選択的に変化させる偏光方向可変部、をさらに備える。
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項８】
前記ＥＵＶ光源は、前記ＥＵＶ光の中心波長を変化させる波長調節部を含む
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項９】
前記ＥＵＶ光源から出力された前記ＥＵＶ光の一部を検出する第２の光センサ、をさらに備える
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項１０】
前記ＥＵＶ光は、コヒーレント光である
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【請求項１１】
前記ＥＵＶ光源は、
希ガスを収容する希ガスチャンバと、
前記希ガスチャンバに向けて、前記希ガスを励起するフェムト秒のパルス幅のポンプレーザ光を出力するフェムト秒レーザ装置と、
励起された前記希ガスの非線形効果によって発生した高調波光に含まれる前記ＥＵＶ光を選択的に通過させるフィルタ部と
を含む
請求項１に記載のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系（reduced projection reflective optics）とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Laser Produced Plasma：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Synchrotron Radiation）方式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１９５５３５号公報
【特許文献２】米国特許第８６４５０８６号明細書
【特許文献３】米国特許第８７０４１９８号明細書
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】J. Tummler, H. Blume, G. Brandt, J. Eden, B. Meyer, H. Scherr, F. Scholz, F. Scholze, G. UlmCharacterization of the PTB EUV reflectometry facility for large EUVL optical componentsProc. SPIE 5037, 265-273 (2003)
【概要】
【０００６】
本開示によるＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置は、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーに向けて、ＥＵＶ光を出力するＥＵＶ光源と、ＥＵＶ光を回転楕円体ミラーの第１の焦点位置を通過させた後、回転楕円反射面に入射させる光学系と、回転楕円体ミラーの第２の焦点位置に配置され、第１の焦点位置を通過した後、回転楕円反射面で反射したＥＵＶ光を検出する第１の光センサとを備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの一構成例を概略的に示す。
【図２】図２は、第１の実施形態に係る反射率計測装置の一構成例を概略的に示す。
【図３】図３は、図２に示した反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。
【図４】図４は、図２に示した反射率計測装置における計測制御部による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
【図５】図５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１１の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図６】図６は、計測条件パラメータを含むテーブルの一例を模式的に示す。
【図７】図７は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１２の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図８】図８は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図９】図９は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図１０】図１０は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の一具体例を示すサブのフローチャートである。
【図１１】図１１は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の他の具体例を示すサブのフローチャートである。
【図１２】図１２は、ＥＵＶ光の可動ミラーに対する入射角度θと反射率Ｒとの関係の一例を模式的に示す。
【図１３】図１３は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１６の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図１４】図１４は、計測結果を書き込んだテーブルの一例を模式的に示す。
【図１５】図１５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ２０の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。
【図１６】図１６は、楕円形状を表す方程式を模式的に示す。
【図１７】図１７は、反射率マップの作成に用いるパラメータを模式的に示す。
【図１８】図１８は、反射率マップの一例を模式的に示す。
【図１９】図１９は、第２の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。
【図２０】図２０は、第３の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源の一構成例を概略的に示す。
【図２１】図２１は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部の一変形例を概略的に示す。
【図２２】図２２は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフェムト秒レーザ装置の一構成例を概略的に示す。
【図２３】図２３は、ＥＵＶコヒーレント光源における分光器の一構成例を概略的に示す。
【図２４】図２４は、制御部のハードウエア環境の一例を示す。
【実施形態】
【０００８】
＜内容＞
［１．概要］
［２．ＥＵＶ光生成装置の全体説明］（図１）
２．１  構成
２．２  動作
２．３  課題
［３．第１の実施形態］（ＥＵＶコヒーレント光源を用いたＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率計測装置）
３．１  反射率計測装置
３．１．１  構成（図２）
３．１．２  動作
３．１．３  作用
３．１．４  変形例
３．２  ＥＵＶコヒーレント光源
３．２．１  構成（図３）
３．２．２  動作
３．２．３  変形例
３．３  反射率計測の具体例（図４〜図１８）
［４．第２の実施形態］（偏光特性を制御するＥＵＶコヒーレント光源）
４．１  構成（図１９）
４．２  動作
４．３  作用
４．４  変形例
［５．第３の実施形態］（発振波長を制御するＥＵＶコヒーレント光源）
５．１  構成（図２０）
５．２  動作
５．３  作用
５．４  変形例
［６．フィルタ部のバリエーション］（図２１）
［７．フェムト秒レーザ装置］（図２２）
７．１  構成
７．２  動作
［８．分光器］（図２３）
８．１  構成
８．２  動作
［９．制御部のハードウエア環境］（図２４）
［１０．その他］
【０００９】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１０】
［１．概要］
本開示は、例えばＥＵＶ光生成装置におけるＥＵＶ光用の集光ミラーとして用いられる回転楕円体ミラーの反射率を計測する反射率計測装置に関する。
【００１１】
［２．ＥＵＶ光生成システムの全体説明］
（２．１  構成）
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、及びターゲット供給装置として例えばターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらのうちのいずれか２つ以上の組み合わせを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００１２】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよい。ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５又はその近傍に位置し、その第２の焦点が露光装置６の仕様によって規定される所望の集光位置である中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００１３】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５を含んでもよい。またＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、及び速度のうちの少なくとも１つを検出してもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。
【００１４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通する接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャ２９３が形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャ２９３がＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００１５】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を制御するために、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００１６】
（２．２  動作）
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光の経路に沿ってチャンバ２内に進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００１７】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光と共にＥＵＶ光２５１が放射され得る。ＥＵＶ光２５１は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されると共に集光されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２を通って、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００１８】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミングの制御、及びターゲット２７の出力方向の制御のうちの少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。
【００１９】
さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミングの制御、パルスレーザ光３２の進行方向の制御、及びパルスレーザ光３３の集光位置の制御のうちの少なくとも１つを制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２０】
（２．３  課題）
図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ集光ミラー２３としては、回転楕円反射面を含む回転楕円体ミラーが用いられ得る。このようなＥＵＶ光用の回転楕円体ミラーの反射率を計測する場合において、ＥＵＶ光を発生させる光源は、上記非特許文献１に記載されているように、シンクロトロンによる放射光が使用され得る。このため、回転楕円体ミラーの反射率を高精度に計測するためには、シンクロトロンの設置施設に、回転楕円体ミラーを持っていく必要があり得る。また、シンクロトロンによる放射光を用いる場合、放射光の偏光方向の回転が困難であるために、回転楕円体ミラーが大きい場合、例えば直径が４００ｍｍ〜６００ｍｍの場合、移動や設置等の制約から１方向の直線偏光でしか反射率の計測が困難となり得る。
【００２１】
［３．第１の実施形態］
次に、本開示の第１の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。
本実施形態は、例えば図１に示したＥＵＶ光生成装置１におけるＥＵＶ集光ミラー２３等のＥＵＶ光用回転楕円体ミラーの反射率を、ＥＵＶコヒーレント光源を用いて計測する装置に関する。
【００２２】
（３．１  反射率計測装置）
（３．１．１）
図２は、本開示の第１の実施形態に係る反射率計測装置の一構成例を概略的に示している。本実施形態に係る反射率計測装置は、ＥＵＶコヒーレント光源４１と、ビームデリバリーシステム４２と、計測チャンバ４３と、計測制御部４４とを備えてもよい。
【００２３】
ＥＵＶコヒーレント光源４１は、反射率の計測対象となる回転楕円体ミラー５０に向けて、コヒーレントなＥＵＶ光４０を出力するＥＵＶ光源であってもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力するＥＵＶ光源であってもよい。ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、波長約１３．５ｎｍの略直線偏光の光であってもよい。この直線偏光の偏光方向は、図２におけるＸＺ平面に対して略垂直な方向であってもよい。なお、図２において、ＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１には、出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の一部を検出する、後述の図３に示す第２の光センサ６４が配置されていてもよい。
【００２４】
ビームデリバリーシステム４２は、高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６と、光路管４７とを含んでいてもよい。高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６は、平面基板に波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされたものであってもよい。光路管４７の内部は、ＥＵＶ光４０が高透過するように、真空に近い圧力であってもよい。
【００２５】
計測チャンバ４３は、円筒状のカバー５１と、円形のプレート５２と、排気装置５３と、可動ミラー５４と、ホルダ５５，５６と、第１の回転ステージ６１と、第２の回転ステージ６２と、第１の光センサ６３とを含んでいてもよい。
【００２６】
カバー５１とプレート５２は、Ｏリング５７を介してシールされていてもよい。排気装置５３は、計測チャンバ４３内のガスを排気するように、カバー５１に配管を介して接続されていてもよい。
【００２７】
回転楕円体ミラー５０は、図１におけるＥＵＶ集光ミラー２３であってもよい。回転楕円体ミラー５０は、計測チャンバ４３内に配置されてもよい。回転楕円体ミラー５０は、回転楕円反射面７１を有する凹面ミラーであってもよい。回転楕円反射面７１は、回転対称軸７２を中心とする回転楕円体面の一部であってもよい。従って、回転楕円体ミラー５０は、第１及び第２の焦点を有し得る。回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２はＺ軸に略一致してもよい。回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１には、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされていてもよい。
【００２８】
回転楕円体ミラー５０は、ホルダ５５を介して、第１の回転ステージ６１の回転軸が、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と略一致するように第１の回転ステージ６１に固定されていてもよい。さらに、第１の回転ステージ６１はプレート５２に固定されていてもよい。第１の回転ステージ６１は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２を中心に回転楕円体ミラー５０をプレート５２に対して回転させるものであってもよい。計測チャンバ４３に配置された回転楕円体ミラー５０の第１及び第２の焦点は、それぞれ第１の焦点位置７３及び第２の焦点位置７４であってもよい。
【００２９】
ビームデリバリーシステム４２の高反射ミラー４６は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３において、可動ミラー５４の反射面に入射するように配置されていてもよい。
【００３０】
ビームデリバリーシステム４２と可動ミラー５４は、ＥＵＶ光４０を回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３を通過させた後、回転楕円反射面７１に入射させる光学系を構成していてもよい。
【００３１】
可動ミラー５４の反射面は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２に略垂直であって第１の焦点位置７３において回転対称軸７２と交わる所定の軸を含むように配置され、ＥＵＶ光４０を反射するものであってもよい。従って、第１の焦点位置７３は可動ミラー５４の反射面上に位置し得る。ここで、所定の軸は、Ｙ軸と平行な軸であってもよい。可動ミラー５４は、平面基板に、例えば、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜がコートされたものであってもよい。
【００３２】
可動ミラー５４は、ホルダ５６を介して第２の回転ステージ６２に固定されていてもよい。第２の回転ステージ６２は、可動ミラー５４を上記所定の軸を回転中心にして回転させるものであってもよい。第２の回転ステージ６２は、ＥＵＶコヒーレント光源４１から入射してきたＥＵＶ光４０を直接第１の光センサ７４に向けて反射させ得る角度位置にまで、可動ミラー５４を回転可能であってもよい。
【００３３】
第１の光センサ６３は、回転楕円体ミラー５０の第２の焦点位置７４に受光面が位置するように配置されていてもよい。第１の光センサ６３は、例えば、ＥＵＶ光４０に感度を有するフォトマルチマルチプライヤであってもよい。第１の光センサ６３は、第１の焦点位置７３を通過した後、回転楕円反射面７１で反射されたＥＵＶ光４０を検出するものであってもよい。また、第１の光センサ６３は、回転楕円反射面７１を経ず、可動ミラー５４によって直接反射されたＥＵＶ光４０を検出するものであってもよい。
【００３４】
計測制御部４４には、ＥＵＶコヒーレント光源４１と、排気装置５３と、第１の回転ステージ６１及び第２の回転ステージ６２とに制御信号を送信する信号ラインが接続されていてもよい。また、計測制御部４４には、第１の光センサ６３とＥＵＶコヒーレント光源４１とからの信号を受信する信号ラインが接続されていてもよい。
【００３５】
計測制御部４４は、第１の回転ステージ６１と第２の回転ステージ６２とのそれぞれの回転角度を制御し、第１の光センサ６３の検出結果に基づいて、回転楕円反射面７１における複数の位置の回転楕円反射面７１の反射率を計測するものであってもよい。
【００３６】
ここで、角度αは、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４で反射されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光路とのなす角度であってもよい。角度βは、第１の回転ステージ６１の回転角度であってもよい。
【００３７】
（３．１．２  動作）
反射率の計測対象となる回転楕円体ミラー５０を、第１の回転ステージ６１の上にホルダ５５を介して固定してもよい。その後、カバー５１とプレート５２とをＯリング５７を介してシールしてもよい。
【００３８】
計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０が高透過するような圧力となるように、排気装置５３を制御してもよい。計測制御部４４は、所望のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が出力されるように、ＥＵＶコヒーレント光源４１に、光源パラメータの制御データを送信してもよい。光源パラメータは、例えば、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ等を含んでもよい。また、光源パラメータとして、偏光方向Ｐｏ、及び発振波長のデータ等を含んでもよい。計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１に発振を開始させて、ＥＵＶコヒーレント光源４１からＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力させてもよい。
【００３９】
次に、計測制御部４４は、可動ミラー５４からの反射光が直接、第１の光センサ６３の受光面に入射するよう、角度α＝１８０°となるように第２の回転ステージ６２を制御してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されたＸＺ平面に対して略垂直な偏光方向のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、高反射ミラー４５，４６を介して、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３において、可動ミラー５４の反射面に入射し得る。可動ミラー５４による反射光は、反射面上の第１の焦点位置７３を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光となり得る。このとき、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、可動ミラー５４の反射面に対して、例えばＳ偏光で入射し、Ｓ偏光で反射して、回転楕円体ミラー５０を経ずに、第１の光センサ６３の受光面に直接、入射し得る。
【００４０】
このとき、計測制御部４４は、第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１を示す検出値と、後述の図３に示す第２の光センサ６４の受光光量Ｅ２を示す検出値とを受信してもよい。ここで、計測制御部４４は、Ｋ＝Ｅ１／Ｅ２を計算し、その計算結果を入射光量Ｅｉの換算係数Ｋとして、図示しない記憶部に記憶しておいてもよい。
【００４１】
次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の所望の計測位置にＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が入射するように、第１の回転ステージ６１及び第２の回転ステージ６２を制御してもよい（ステップ１）。回転楕円反射面７１における計測位置は、角度αと角度βとの組み合わせで決定され得る。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４からの反射光の光路軸とのなす角度が所望の角度αとなるように、第２の回転ステージ６２を制御してもよい。また、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２の周りに所望の角度βとなるように、第１の回転ステージ６１を制御してもよい。
【００４２】
その結果、可動ミラー５４で反射されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して例えばＳ偏光で入射し得る。このとき、可動ミラー５４による反射光は、第１の焦点位置７３を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光であり得る。その後、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して例えばＳ偏光で反射され、第１の光センサ６３の受光面に例えばＳ偏光で入射し得る。計測制御部４４は、そのときの第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１‘を示す検出値と後述の図３に示す第２の光センサ６４の受光光量Ｅ２を示す検出値とを受信してもよい（ステップ２）。
【００４３】
そして、回転楕円体ミラー５０への入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算してもよい。このときの第１の光センサ６３の受光光量Ｅ１‘を、回転楕円体ミラー５０の反射光量Ｅｏ＝Ｅ１‘としてもよい。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の所望の計測位置の反射率Ｒを、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算してもよい（ステップ３）。
【００４４】
計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が入射する回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の位置を変更しながら、上記ステップ１〜３を繰り返すことによって、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の位置の反射率を計測してもよい。
【００４５】
（３．１．３  作用）
本実施形態の反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の第１の焦点位置７３から、所望の角度αで回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射させ、反射させ得る。その反射したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、第２の焦点位置７４付近に配置された第１の光センサ６３で検出することによって、回転楕円反射面７１の複数の位置での反射率が計測され得る。さらに、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２を回転中心にして所望の角度βで回転させて反射率を計測することによって、回転楕円反射面７１における反射率の面分布を計測し得る。これにより、回転楕円反射面７１における反射率マップを作成し得る。
【００４６】
（３．１．４  変形例）
上記実施形態では、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を例えばＳ偏光で回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射させた場合の実施形態を示したが、この例に限定されることなく、例えばＰ偏光で回転楕円反射面７１に入射させた場合の反射率を計測してもよい。この場合は、Ｐ偏光の反射率分布が計測され得る。
【００４７】
また、回転楕円体ミラー５０を交換して計測する際は、カバー５１からプレート５２を−Ｚ方向に移動させて、回転楕円体ミラー５０を取り外してもよい。この際、計測チャンバ４３の内部とビームデリバリーシステム４２まで、大気が侵入するので、例えば、高反射ミラー４６とカバー５１との間の光路管４７の部分にゲートバルブを配置してもよい。そして、回転楕円体ミラー５０の交換時は、ゲートバルブを閉めた後に、次の計測対象の回転楕円体ミラー５０を配置し、次に、排気装置５３によって真空に近い状態になったら、ゲートバルブを開けてもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光用の回転楕円体ミラー５０の反射率を計測する例を示したが、その他のＥＵＶ光、例えば、波長約６．７ｎｍのＥＵＶ光の場合でも本実施形態は適用可能であり得る。
【００４９】
（３．２  ＥＵＶコヒーレント光源）
（３．２．１  構成）
図３は、図２に示した反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１の一構成例を概略的に示している。
【００５０】
ＥＵＶコヒーレント光源４１は、フェムト秒レーザ装置８０と、希ガスチャンバ８１と、希ガス供給部８２と、光路管８３と、排気装置８４と、フィルタ部８５と、パワーモニタ部８６と、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８とを備えていてもよい。
【００５１】
フェムト秒レーザ装置８０は、希ガスチャンバ８１に向けて、希ガスを励起するフェムト秒（ｆｓ）のパルス幅のポンプ用パルスレーザ光を出力するものであってもよい。フェムト秒レーザ装置８０は、中心波長約７９６．５ｎｍ、パルス幅が約５ｆｓ〜４０ｆｓ、パルスエネルギが約４〜１０ｍＪ、パルスの繰り返し周波数が約１０００Ｈｚの略直線偏光のポンプ用パルスレーザ光を出力するチタンサファイヤレーザ装置であってもよい。
【００５２】
希ガスチャンバ８１は、希ガスを収容するものであって、ウインドウ８７と、集光光学系８８と、第１のピンホール９１と、圧力センサ９０とを含んでいてもよい。希ガスチャンバ８１には、配管を介して、希ガス供給部８２が接続されていてもよい。希ガス供給部８２は、例えば、希ガスとしてのＨｅガスを供給するＨｅガスボンベと、ガス配管に配置された圧力調節バルブとを含んでいてもよい。希ガスチャンバ８１には、Ｈｅガスが希ガス供給部８２から圧力約１７ｋＰａとなるように、供給されてもよい。
【００５３】
ウインドウ８７は、例えば、ＭｇＦ2の結晶であって、光学軸とポンプ用パルスレーザ光の軸が略一致するように配置されて、希ガスチャンバ８１に図示しないＯリングでシールされてもよい。ウインドウ８７の厚みは約１ｍｍであってもよい。
【００５４】
第１のピンホール９１は、希ガスチャンバ８１に図示しないＯリングを介して配置されていてもよい。第１のピンホール９１には、ポンプ用パルスレーザ光の集光直径と同じ程度の直径の貫通孔が形成されていてもよい。第１のピンホール９１の直径は例えば約１００μｍであってもよい。
【００５５】
集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光が入射角度約４５°で入射する軸外放物面ミラーであってもよい。集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光が第１のピンホール９１の貫通孔を通過するように配置されてもよい。また、集光光学系８８は、ポンプ用パルスレーザ光を第１のピンホール９１の貫通孔の手前付近で集光するように配置されてもよい。ポンプ用パルスレーザ光が第１のピンホール９１の貫通孔の手前付近で集光されることによって、希ガスが励起され、その励起された希ガスの非線形効果によってポンプ用パルスレーザ光と同軸上に、ＥＵＶ光４０を含む高調波光が生成されてもよい。
【００５６】
希ガスチャンバ８１の第１のピンホール９１のポンプ用パルスレーザ光の光路の下流側には、図示しないＯリングで光路管８３がシールされて接続されてもよい。光路管８３には、圧力が真空に近い圧力まで下がるように排気装置８４が接続されていてもよい。光路管８３は、チャンバ８９に、図示しないＯリングでシールされて接続されていてもよい。
【００５７】
フィルタ部８５は、励起された希ガスの非線形効果によって発生した高調波光に含まれるＥＵＶ光４０を選択的に通過させるものであってもよい。チャンバ８９には、フィルタ部８５を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出射する出射口９９が設けられていてもよい。フィルタ部８５は、第２ないし第５のピンホール９２〜９５と、バンドパスフィルタ９６とを含んでいてもよい。第２ないし第５のピンホール９２〜９５のそれぞれの貫通孔とバンドパスフィルタ９６は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光路上に、この順番で、それぞれ所定の間隔で配置されてもよい。光路管８３内には、第２及び第３のピンホール９２，９３が配置されてもよい。チャンバ８９内には、第４及び第５のピンホール９４，９５と、バンドパスフィルタ９６とが配置されていてもよい。第２ないし第５のピンホール９２〜９５の貫通孔の径は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を通過し、ポンプ用パルスレーザ光の大部分を遮蔽できるような大きさであってもよい。
【００５８】
バンドパスフィルタ９６は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させ、その他の波長の光の通過を抑制するバンドパスフィルタであって、貫通孔が形成されたピンホールの上に数１００ｎｍのＺｒ薄膜を固定したＺｒ薄膜フィルタであってもよい。
【００５９】
パワーモニタ部８６は、チャンバ８９に配置され、転写光学系９７と、バンドパスフィルタ９８と、第２の光センサ６４とを含んでいてもよい。
【００６０】
転写光学系９７は、凹面ミラーであって、バンドパスフィルタ９６の反射光の像が第２の光センサ６４の受光面に結像するように配置されていてもよい。転写光学系９７は、球面ミラーであって、反射面には、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０が高反射するように、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜がコートされていてもよい。
【００６１】
バンドパスフィルタ９８は、転写光学系９７と第２の光センサ６４との間のＥＵＶ光４０の光路上に配置されていてもよい。バンドパスフィルタ９８は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させ、その他の波長の光の通過を抑制するバンドパスフィルタであって、貫通孔が形成されたピンホールの上に数１００ｎｍのＺｒ薄膜を固定したＺｒ薄膜フィルタであってもよい。
【００６２】
第２の光センサ６４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１から出力されるＥＵＶ光４０の一部を検出するものであってもよい。第２の光センサ６４は、第１の光センサ６３と同様に、例えば、ＥＵＶ光４０に感度を有するフォトマルチマルチプライヤであってもよい。第２の光センサ６４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８に接続されてもよい。
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、フェムト秒レーザ装置８０、圧力センサ９０、希ガス供給部８２、排気装置８４、及び計測制御部４４に接続されてもよい。
【００６３】
（３．２．２  動作）
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４から、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ、偏光方向Ｐｏ、及び中心波長約７９６．５ｎｍ等の光源パラメータを受信してもよい。
【００６４】
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、圧力センサ９０の検出圧力が目標の圧力Ｐｔとなるように、希ガス供給部８２と排気装置８４とを制御してもよい。ここで、目標の圧力Ｐｔは、約１７ｋＰａであってもよい。
【００６５】
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、繰り返し周波数ｆ、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光のパルスエネルギがＥｔEUVとなるようなパルスエネルギのポンプ用パルスレーザ光を出力するように、フェムト秒レーザ装置８０を制御してもよい。ポンプ用パルスレーザ光のパルスエネルギは約６ｍＪであってもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から、波長約７９６．５ｎｍ、パルス幅約３０ｆｓ、繰り返し周波数ｆ＝１０００Ｈｚ、及びパルスエネルギ約６ｍＪの略直線偏光のポンプ用パルスレーザ光が出力され得る。直線偏光の方向は、ＸＺ平面に対して略垂直な方向であってもよい。なお、図３において、ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。
【００６６】
ポンプ用パルスレーザ光は、ウインドウ８７を透過して、集光光学系８８に入射し、第１のピンホール９１の貫通孔の手前で例えば約１００μ径まで集光され得る。ポンプされる媒質である希ガスの非線形効果により、ポンプ用パルスレーザ光と同軸上に、約１００次までの奇数の高次高調波光が生成され得る。希ガスはＨｅガスであってもよい。ここで、ポンプ用パルスレーザ光の波長約７９６．５ｎｍの５９次の高調波光が、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光となり得る。また、高次高調波光は、ポンプ用パルスレーザ光の偏光方向と略一致し得る。
【００６７】
ポンプ用パルスレーザ光と奇数次の高調波光は、第１のピンホール９１を通過して光路管８３内に出射され得る。ポンプ用パルスレーザ光はビーム発散角が大きく、波長が１３．５ｎｍに比べて長いので、第２ないし第５のピンホール９２〜９５によって、ポンプ用パルスレーザ光の大部分が除去され得る。軟Ｘ線域の高次高調波光は、第２ないし第５のピンホール９２〜９５を通過し、バンドパスフィルタ９６に入射し得る。
【００６８】
バンドパスフィルタ９６では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光が通過し得る。バンドパスフィルタ９６を通過したＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、チャンバ８９の出射口９９を通過して、ビームデリバリーシステム４２の高反射ミラー４５に入射し得る。
【００６９】
一方、バンドパスフィルタ９６の表面を反射したＥＵＶ光４０の一部のパルスレーザ光は、転写光学系９７によって、バンドパスフィルタ９８を介して第２の光センサ６４の受光面に結像し得る。その結果、第２の光センサ６４は、バンドパスフィルタ９６を反射して、バンドパスフィルタ９８を通過した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光量を検出し得る。
【００７０】
第２の光センサ６４で検出された、受光光量Ｅ２を示す検出値は、バンドパスフィルタ９６を通過した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０のパルスレーザ光のパルスエネルギに比例し得る。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値のデータをパルス毎に計測制御部４４に送信してもよい。
【００７１】
（３．２．３  変形例）
上記実施形態では、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を生成する例を示したが、この例に限定されることなく、例えば波長約６．７ｎｍのＥＵＶ光を生成してもよい。具体的には、フェムト秒レーザ装置８０から出力されるポンプ用パルスレーザ光の波長を約７９７．２ｎｍとして、１１９次の高次高調波光を生成すればよい。
【００７２】
（３．３  反射率計測の具体例）
次に、図４ないし図１８を参照して、計測制御部４４による反射率計測の制御動作のより具体的な例を説明する。
【００７３】
図４は、本実施形態における計測制御部４４による制御の流れの一例を示すメインのフローチャートである。
【００７４】
まず、計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルの作成をしてもよい（ステップＳ１１）。ここで、図６に、計測条件パラメータを含むテーブルの一例を示す。計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルとして、データ番号１からＮｍａｘまでのＥＵＶコヒーレント光源４１の光源パラメータと、回転楕円体ミラー５０のミラー計測パラメータとを含むテーブルを作成してもよい。次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１を発振させてもよい（ステップＳ１２）。この際、計測制御部４４は、所望の光源パラメータとなるようにＥＵＶコヒーレント光源４１に光源パラメータのデータを送信して、所望のＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を出力させてもよい。
【００７５】
次に、計測制御部４４は、リファレンスデータの計測をしてもよい（ステップＳ１３）。この際、計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１を介さずに直接、第１の光センサ６３に入射させたときの検出値と第２の光センサ６４の検出値とから、リファレンスデータを計算により求めてもよい。
【００７６】
次に、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝１にセットしてもよい（ステップＳ１４）。次に、計測制御部４４は、データ番号Ｎの計測条件に設定し、計測をしてもよい（ステップＳ１５）。この際、計測条件をデータ番号Ｎの回転楕円体ミラー５０のミラー計測パラメータにセットして第１の光センサ６３の検出値と第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい。次に、計測制御部４４は、データ番号Ｎのテーブルに計測結果及び計算結果を書き込んでもよい（ステップＳ１６）。この際、受光光量Ｅ１’を示す第１の光センサ６３の検出値を回転楕円体ミラー５０からの反射光量Ｅｏとしてもよい。また、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値と換算係数Ｋとに基づいて、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって入射光量Ｅｉを計算してもよい。反射率Ｒは、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算して求めてもよい。ここで、図１４に、計測結果を含むテーブルの一例を示す。例えば図１４に示したように、計測結果としてＥｏ，Ｅｉ，Ｒの値をテーブルに書き込んでもよい。
【００７７】
次に、計測制御部４４は、計測条件パラメータの全ての条件で計測が終了したか否かを判断してもよい（ステップＳ１７）。この判断は、データ番号Ｎの最大値をＮｍａｘとしたとき、Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たすか否か、すなわち、データ番号Ｎが最大値Ｎｍａｘに達したか否かで判断してもよい。これにより、全ての計測位置での計測を終了したか否かを判断してもよい。
【００７８】
全ての条件での計測が終了していないと判断した場合（ステップＳ１７；Ｎ）には、次に、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝Ｎ＋１にセットし（ステップＳ１８）、ステップＳ１５の処理に戻ってもよい。
【００７９】
一方、全ての条件での計測が終了したと判断した場合（ステップＳ１７；Ｙ）には、次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１に発振停止の信号を送信することにより、ＥＵＶコヒーレント光源４１の発振を停止させてもよい（ステップＳ１９）。次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の各計測位置での反射率をマッピング化した反射率マップの作成と、図示しない表示部への反射率マップの表示の処理とを行い（ステップＳ２０）、メインの処理を終了してもよい。この際、計測制御部４４は、作成した反射率マップをデータとして保持し、当該データを図示しない記憶媒体に記録してもよい。あるいは、当該データを外部の他の装置に送信してもよい。
【００８０】
図５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１１の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、計測条件パラメータテーブルの作成処理として、図５に示す処理を行ってもよい。
【００８１】
まず、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０のスペックを、図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ２１）。回転楕円体ミラー５０のスペックは、例えば、回転楕円体の式、第１の焦点位置７３、第２の焦点位置７４、及び回転楕円反射面７１の範囲等のデータであってもよい。次に、計測制御部４４は、回転楕円反射面７１の範囲から、角度αの最小値αｍｉｎと最大値αｍａｘとを計算してもよい（ステップＳ２２）。
【００８２】
次に、計測制御部４４は、αｍｉｎ≦α≦αｍａｘ、かつ、０≦β＜３６０°の範囲で、Ｎｍａｘ個のミラー計測パラメータを決定してもよい（ステップＳ２３）。これにより、例えば図６に示したように、Ｎｍａｘ個の計測位置に対応する角度αと角度βとの組み合わせが決定されてもよい。
【００８３】
次に、計測制御部４４は、光源パラメータを決定してもよい（ステップＳ２４）。計測制御部４４は、光源パラメータとして、例えば図６に示したように、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、パルスの繰り返し周波数ｆ、及びＥＵＶ光４０の偏光方向Ｐｏのデータを決定してもよい。
【００８４】
次に、計測制御部４４は、決定した計測条件パラメータを図示しない記憶部のテーブルに書き込んでもよい（ステップＳ２５）。計測制御部４４は、例えば図６に示したように、計測条件パラメータとして、目標のパルスエネルギＥｔEUV＝Ｅ０、繰り返し周波数ｆ＝ｆ０、及び偏光方向Ｐｏ＝Ｓ等のデータを書き込んでもよい。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【００８５】
図７は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１２の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１を発振させる処理として、図７に示す処理を行ってもよい。
【００８６】
まず、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８を介して希ガスチャンバ８１におけるＨｅガスの充填と圧力との制御をしてもよい（ステップＳ３１）。具体的には、計測制御部４４は、圧力センサ９０の検出圧力が目標の圧力Ｐｔとなるように、希ガス供給部８２と排気装置８４とを制御してもよい。目標の圧力Ｐｔは例えば約１７ｋＰａであってもよい。
【００８７】
次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源４１へ光源パラメータのデータを送信してもよい（ステップＳ３２）。計測制御部４４は、光源パラメータとして、例えば、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の目標のパルスエネルギＥｔEUV、及びパルスの繰り返し周波数ｆのデータ等を送信してもよい。次に、計測制御部４４は、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８を介してフェムト秒レーザ装置８０を発振させてもよい（ステップＳ３３）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【００８８】
図８は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１３の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、リファレンスデータの計測を行う処理として、図８に示す処理を行ってもよい。
【００８９】
まず、計測制御部４４は、第１の光センサ６３にＥＵＶ光４０が直接入射するように可動ミラー５４を回転させてもよい（ステップＳ４１）。具体的には、計測制御部４４は、第２の回転ステージ６２を制御し、角度α＝１８０°となるように可動ミラー５４を回転させてもよい。
【００９０】
次に、計測制御部４４は、受光光量Ｅ１を示す第１の光センサ６３の検出値と受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい（ステップＳ４２）。
【００９１】
次に、計測制御部４４は、Ｋ＝Ｅ１／Ｅ２を計算し、リファレンスデータとして記憶してもよい（ステップＳ４３）。これにより、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値から回転楕円体ミラー５０への入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２として見積もり得る。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【００９２】
図９は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１５の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、データ番号Ｎの計測条件に設定し、計測を行う処理として、図９に示す処理を行ってもよい。
【００９３】
まず、計測制御部４４は、図示しない記憶部のテーブルからデータ番号Ｎの計測条件パラメータである角度αと角度βとを読み出してもよい（ステップＳ５１）。
【００９４】
次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２と可動ミラー５４からの反射光の光路軸とのなす角度が角度αとなるように、第２の回転ステージ６２を制御してもよい（ステップＳ５２）。次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転対称軸７２の周りに角度βとなるように、第１の回転ステージ６１を制御してもよい（ステップＳ５３）。
【００９５】
次に、計測制御部４４は、受光光量Ｅ１’を示す第１の光センサ６３の検出値と、受光光量Ｅ２を示す第２の光センサ６４の検出値とを読み込んでもよい（ステップＳ５４）。
【００９６】
次に、計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉの計算をしてもよい（ステップＳ５５）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【００９７】
図１０は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の一具体例を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉの計算処理として、図１０に示す処理を行ってもよい。
【００９８】
計測制御部４４は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に入射したＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【００９９】
ＥＵＶ光４０の可動ミラー５４に対する入射角度θ（＝（９０°−α）／２）に対して、反射率の変化が少ない場合は、入射光量Ｅｉは、Ｅｉ＝Ｋ・Ｅ２と近似でき得る。しかしながら、入射角度θに対して反射率の変化が大きい場合は、以下の図１１に示す処理を行ってもよい。
【０１００】
図１１は、図９に示したサブのフローチャートにおけるステップＳ５５の処理の他の具体例を示すサブのフローチャートである。
【０１０１】
まず、計測制御部４４は、可動ミラー５４に対する入射角度θが４５°のときのＥＵＶ光４０の入射光量Ｅｉ０を、Ｅｉ０＝Ｋ・Ｅ２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６１）。
【０１０２】
次に、計測制御部４４は、可動ミラー５４に対する入射角度θを、θ＝（９０°−α）／２の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６２）。
【０１０３】
次に、計測制御部４４は、ＥＵＶ光４０の偏光方向が可動ミラー５４の反射面に対してＳ偏光とＰ偏光とのいずれであるかを判断してもよい（ステップＳ６３）。
【０１０４】
偏光方向がＳ偏光であると判断した場合、次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光で入射角度θの場合の可動ミラー５４の反射率ＲSθを計算してもよい（ステップＳ６４）。この場合、Ｓ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲSθの関数をあらかじめ求めて図示しない記憶部に記憶しておき、その関数から反射率ＲSθを計算してもよい。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光で入射角度が４５°の場合の可動ミラー５４の反射率ＲS45°の値を図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ６５）。反射率ＲS45°の値は、図示しない記憶部にあらかじめ記憶しておいてもよい。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光の場合の入射角度θに応じた補正係数ｈを、ｈ＝ＲSθ／ＲS45°の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６６）。次に、計測制御部４４は、Ｓ偏光の場合の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝ｈ・Ｅｉ０の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【０１０５】
一方、偏光方向がＰ偏光であると判断した場合、次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光で入射角度θの場合の可動ミラー５４の反射率ＲPθを計算してもよい（ステップＳ６７）。この場合、Ｐ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲPθの関数をあらかじめ求めて図示しない記憶部に記憶しておき、その関数から反射率ＲPθを計算してもよい。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光で入射角度が４５°の場合の可動ミラー５４の反射率ＲP45°の値を図示しない記憶部から読み込んでもよい（ステップＳ６８）。反射率ＲP45°の値は、図示しない記憶部にあらかじめ記憶しておいてもよい。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光の場合の入射角度θに応じた補正係数ｈを、ｈ＝ＲPθ／ＲP45°の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ６９）。次に、計測制御部４４は、Ｐ偏光の場合の入射光量Ｅｉを、Ｅｉ＝ｈ・Ｅｉ０の式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７０）。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【０１０６】
図１２は、ＥＵＶ光４０の可動ミラー５４に対する入射角度θと反射率Ｒとの関係の一例を模式的に示している。図１２において、横軸は入射角度θ、縦軸は反射率Ｒであってもよい。図１２に示したような、Ｐ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲPθの関数と、Ｓ偏光の場合の入射角度θに対する反射率ＲSθの関数とをあらかじめ求めてもよい。反射率ＲPθ，ＲSθの関数は、理論値から計算により求めてもよいし、計測による実測値により求めてもよい。
【０１０７】
図１３は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ１６の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、データ番号Ｎのテーブルに計測結果及び計算結果を書き込む処理として、図１３に示す処理を行ってもよい。
【０１０８】
まず、計測制御部４４は、データ番号Ｎにおける計測条件での反射率Ｒを、Ｒ＝Ｅｏ／Ｅｉの式によって計算して求めてもよい（ステップＳ７１）。次に、計測制御部４４は、入射光量Ｅｉ、及び反射光量Ｅｏと反射率Ｒとのデータをデータ番号Ｎの計測結果として、図示しない記憶部のテーブルに書き込んでもよい（ステップＳ７２）。なお、図１４に、計測結果を書き込んだテーブルの一例を模式的に示す。その後、図４のメインのフローに戻ってもよい。
【０１０９】
図１５は、図４に示したメインのフローチャートにおけるステップＳ２０の処理の詳細を示すサブのフローチャートである。計測制御部４４は、反射率マップの作成と表示の処理として、図１５に示す処理を行ってもよい。
【０１１０】
まず、計測制御部４４は、データ番号ＮをＮ＝１にセットしてもよい（ステップＳ８１）。次に、計測制御部４４は、Ｎ番目のテーブルの角度α，βと反射率Ｒのデータとを読み出してもよい（ステップＳ８２）。次に、計測制御部４４は、角度αと角度βとから、座標点Ｘ，Ｙを計算してもよい（ステップＳ８３）。
【０１１１】
ここで、座標点Ｘ，Ｙは、以下のように計算されてもよい。
図１６は、楕円形状を表す方程式を模式的に示している。図１７は、反射率マップの作成に用いるパラメータを模式的に示している。図１６に示したように、回転楕円反射面７１は、Ｚ軸を中心とする回転楕円体面７５の一部であってもよい。ここで、楕円の方程式から以下の式が成立し得る。
ｒ＝ａ（１−ε・ｃｏｓα），ε＝ｃ／ａ
ここで、ａは楕円の長軸方向の半径、ｂは楕円の短軸方向の半径、ｃは楕円の中心から第１の焦点位置７３までの距離、ｒは第１の焦点位置７３から任意の楕円位置までの距離であってもよい。
【０１１２】
Ｚ軸に略垂直であって、図１６、及び図１７に示したように計測位置を含む面におけるＺ軸からの距離をｒaとすると、以下の式が成立し得る。
ｒa＝ｒ・ｓｉｎα
【０１１３】
従って、Ｘ，Ｙは、Ｚ軸に略垂直なＸＹ平面における座標点として、以下の式で表せ得る。
Ｘ＝ｒa・ｃｏｓβ、
Ｙ＝ｒa・ｓｉｎβ
【０１１４】
計測制御部４４は、上記のように求めた座標点Ｘ，Ｙ、及び反射率Ｒの値を、３次元座標（Ｘ，Ｙ，Ｒ）として、図示しない表示部に３次元プロットして表示してもよい（ステップＳ８４）。図１８は、３次元プロットして表示された反射率マップの一例を模式的に示している。図１８において、複数の黒い丸印が３次元プロットされた座標点であってもよい。
【０１１５】
次に、計測制御部４４は、Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たすか否か、すなわち、データ番号Ｎが最大値Ｎｍａｘに達したか否かを判断してもよい（ステップＳ８５）。Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たしていないと判断した場合（ステップＳ８５；Ｎ）には、次に、計測制御部４４は、ステップＳ８２の処理に戻ってもよい。Ｎ≧Ｎｍａｘの条件を満たしたと判断した場合（ステップＳ８５；Ｙ）には、計測制御部４４は、図４のメインのフローに戻って、処理を終了してもよい。
【０１１６】
［４．第２の実施形態］
次に、本開示の第２の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。なお、以下では上記第１の実施形態に係る反射率計測装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１１７】
（４．１  構成）
図１９は、本開示の第２の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ａの一構成例を概略的に示している。本実施形態において、反射率計測装置の全体構成は、図２の反射率計測装置と略同様であってもよい。
【０１１８】
本実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ａは、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１の構成に対して、ＥＵＶ光４０の偏光方向を選択的に変化させる偏光方向可変部をさらに備えた構成であってもよい。偏光方向可変部は、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対して、ＥＵＶ光４０が互いに異なる第１の偏光方向及び第２の偏光方向のうちいずれか一方の直線偏光として入射するように偏光方向を変化させるものであってもよい。第１の偏光方向と第２の偏光方向は、例えば、回転楕円反射面７１に対して、それぞれ、Ｐ偏光とＳ偏光となる直線偏光であってもよい。
【０１１９】
ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａは、偏光方向可変部として、λ／２板１１０と自動回転ステージ付ホルダ１１１とを含んでいてもよい。λ／２板１１０は、ウインドウ８７と集光光学系８８との間の光路上に配置されていてもよい。λ／２板１１０は、ＭｇＦ2基板であってもよい。λ／２板１１０は、自動回転ステージ付ホルダ１１１に固定されていてもよい。
【０１２０】
自動回転ステージ付ホルダ１１１は、フェムト秒レーザ装置８０からのポンプ用パルスレーザ光が通過する開口を有していてもよい。自動回転ステージ付ホルダ１１１は、λ／２板１１０の光学軸とフェムト秒レーザ装置８０からのポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γを０°と４５°とに変化させることができるように構成されてもよい。自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージは、計測制御部４４及びＥＵＶコヒーレント光源制御部４８によって回転制御されてもよい。
【０１２１】
なお、図１９において、ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路上に記した黒い丸印は、ＸＺ平面に対して略垂直な直線偏光であることを示していてもよい。ポンプ用パルスレーザ光及びＥＵＶ光４０の光路に略直交するように記した矢印は、ＸＺ平面を含む方向の直線偏光であることを示していてもよい。
【０１２２】
その他の構成は、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１２３】
（４．２  動作）
まず、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４からＰ偏光での計測を指示する信号を受信してもよい。次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、λ／２板１１０の光学軸とポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γとが略４５°となるように自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージを制御してもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向が、λ／２板１１０を透過することによって９０°回転して、ＸＺ平面を含む方向に偏光方向が変化し得る。その結果、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光も、ＸＺ平面を含む方向に偏光方向が変化し得る。
【０１２４】
ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａから出力されたＥＵＶ光４０のパルスレーザ光は、高反射ミラー４５及び高反射ミラー４６を介して、可動ミラー５４の反射面に対してＰ偏光で入射し、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対してもＰ偏光で入射し得る。回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１を反射した光は第１の光センサ６３の受光面に入射し得る。
【０１２５】
計測制御部４４は、上記第１の実施形態と略同様の制御を行って、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の計測位置でのＰ偏光の反射率の計測を行ってもよい。
【０１２６】
次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４からＳ偏光での計測を指示する信号を受信してもよい。次に、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、λ／２板１１０の光学軸とポンプ用パルスレーザ光の偏光方向とのなす角度γが０°となるように自動回転ステージ付ホルダ１１１の回転ステージを制御してもよい。その結果、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向は、ポンプ用パルスレーザ光がλ／２板１１０を透過したとしても回転せず、ＸＺ平面に対して略垂直な偏光方向に戻され得る。
【０１２７】
計測制御部４４は、上記第１の実施形態と略同様の制御を行って、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の複数の計測位置でのＳ偏光の反射率の計測を行ってもよい。これら複数の計測位置は、Ｐ偏光で計測した点と略同じ位置であってもよい。
【０１２８】
計測制御部４４は、Ｓ偏光の反射率の計測が終了すると、それぞれの計測位置でのＳ偏光の場合の回転楕円体ミラー５０の反射率Ｒｓと、Ｐ偏光の場合の回転楕円体ミラー５０の反射率Ｒｐとから、無偏光の場合の反射率Ｒｔを計算してもよい。計測制御部４４は、無偏光の場合の反射率Ｒｔを、Ｒｔ＝（Ｒｓ＋Ｒｐ）／２の式によって計算してもよい。計測制御部４４は、所望の計測位置における無偏光の場合の反射率Ｒｔを、図１８のように反射率マップとして表示してもよい。
【０１２９】
その他の動作は、図２に示した反射率計測装置、及び図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１３０】
（４．３  作用）
本実施形態のＥＵＶコヒーレント光源４１Ａを用いた反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ａから出力されるＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の偏光方向を９０°変化させ得る。これにより、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光を、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１に対してＳ偏光とＰ偏光とで選択的に入射させ得る。これにより、Ｓ偏光の場合の反射率ＲｓとＰ偏光の場合の反射率Ｒｐとをそれぞれ計測し得る。その結果、Ｓ偏光の場合の反射率ＲｓとＰ偏光の場合の反射率Ｒｐとの平均値から、実際のＥＵＶ光源である無偏光の場合の反射率Ｒｔを計測し得る。
【０１３１】
その他の作用は、図２に示した反射率計測装置、及び図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１３２】
（４．４  変形例）
本実施形態では、λ／２板１１０によってフェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向を制御したが、この実施形態に限定されない。例えば、フェムト秒レーザ装置８０から出力されたポンプ用パルスレーザ光の偏光方向を、複数枚のミラーで回転させることによって制御してもよい。さらに、ポンプ用パルスレーザ光の偏光方向ではなく、ＥＵＶ光４０に変換された後でパルスレーザ光の偏光方向を回転させてもよい。
【０１３３】
［５．第３の実施形態］
次に、本開示の第３の実施形態に係る反射率計測装置について説明する。なお、以下では上記第１若しくは第２の実施形態に係る反射率計測装置の構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１３４】
（５．１  構成）
図２０は、本開示の第３の実施形態に係る反射率計測装置におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂの一構成例を概略的に示している。本実施形態において、反射率計測装置の全体構成は、図２の反射率計測装置と略同様であってもよい。
【０１３５】
本実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂは、図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａにおける第２の光センサ６４に代えて、分光器１１２を備えた構成であってもよい。なお、図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１における第２の光センサ６４に代えて、分光器１１２を備えた構成であってもよい。分光器１１２は、後述の図２３に示す構成であってもよい。
【０１３６】
ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂは、ＥＵＶ光４０の発振の中心波長λｍを変化させる波長調節部を含んでもよい。波長調節部は、フェムト秒レーザ装置８０を後述の図２２に示す構成にすることによって実現し得る。
【０１３７】
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２から、発振の中心波長λｍに相当する検出値と、受光光量Ｅ２に相当する検出値とを受信してもよい。発振の中心波長λｍに相当する検出値は、後述の図２３に示す回折像１７４の位置を示す値であってもよい。受光光量Ｅ２に相当する検出値は、後述の図２３に示す回折像１７４の積分光量を示す値であってもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２から発振の中心波長λｍに相当する検出値と受光光量Ｅ２に相当する検出値とを受信する信号ラインに接続されていてもよい。また、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、フェムト秒レーザ装置８０の発振の中心波長を制御する信号Δλを送信する信号ラインに接続されていてもよい。
【０１３８】
その他の構成は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１３９】
（５．２  動作）
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、計測制御部４４から目標の発振波長λｔのデータを受信したら、フェムト秒レーザ装置８０からポンプ用パルスレーザ光が出力されるようにフェムト秒レーザ装置８０を制御してもよい。その結果、分光器１１２にＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の一部が入射し得る。
【０１４０】
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、分光器１１２の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の発振の中心波長λｍを計算してもよい。さらに、分光器１１２の検出結果に基づいて、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の光量を受光光量Ｅ２として計算してもよい。
【０１４１】
ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、発振の中心波長λｍと目標波長λｔとの差Δλを、Δλ＝λｍ−λｔの式によって計算してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、Δλが０に近づくように、フェムト秒レーザ装置８０の発振波長を制御してもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、｜Δλ｜≦Δλｒの条件を満たした場合、すなわち、Δλの絶対値が許容の範囲内Δλｒに入った場合に、波長制御完了信号を、計測制御部４４に送信してもよい。
【０１４２】
計測制御部４４は、目標波長λｔを所定の範囲、例えば１３．０ｎｍ〜１４．０ｎｍの範囲で一定割合ずつ、例えば０．１ｎｍずつ変化させてもよい。計測制御部４４は、波長を変化させて、回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１における所望の計測位置において、それぞれの波長に対する反射率を計測してもよい。
【０１４３】
その他の動作は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１４４】
（５．３  作用）
本実施形態のＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂを用いた反射率計測装置によれば、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂから出力されるＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の波長を変化させ得る。これにより、所望の計測位置における回転楕円体ミラー５０の回転楕円反射面７１の反射率の波長依存性が計測され得る。その結果、反射率のピーク波長が計測され得る。そして、１３．５ｎｍの波長の反射率とピーク波長とが略一致しているか判定し得る。
【０１４５】
その他の作用は、図２に示した反射率計測装置、及び図１９に示したＥＵＶコヒーレント光源４１Ａ、又は図３に示したＥＵＶコヒーレント光源４１と略同様であってもよい。
【０１４６】
（５．４  変形例）
本実施形態では、波長変換後の高次高調波光の波長を分光器１１２で計測する例を示したが、この例に限定されることはない。例えば、ポンプ用パルスレーザ光の波長λｐを計測して、ＥＵＶ光４０の波長λEUVを、λEUV＝λｐ／５９の式によって計算してもよい。その計算された波長λEUVを、ＥＵＶ光４０のパルスレーザ光の発振の中心波長λｍとみなしてもよい。
【０１４７】
［６．フィルタ部のバリエーション］
次に、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部８５のバリエーションを説明する。
なお、以下では上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂの構成要素と略同じ部分については、同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１４８】
図２１は、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフィルタ部８５の一変形例を概略的に示している。上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂのフィルタ部８５を、図２１に示したフィルタ部８５Ａの構成にしてもよい。
【０１４９】
フィルタ部８５Ａは、第２ないし第５のピンホール９２〜９５に代えて、第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４を含んでもよい。第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を高反射するＭｏ／Ｓｉの多層膜が形成されたミラーであってもよい。
【０１５０】
第２ないし第５のピンホール９２〜９５を用いたフィルタ部８５の場合、波長約１３．５ｎｍの５９次以外の高次高調波光の通過を抑制できない場合があり得る。そこで、フィルタ部８５Ａにおいて、第１及び第２の多層膜ミラー１１３，１１４を配置して、それらのミラー間で高次高調波光を繰り返し反射させることによって、５９次以外の高次高調波光の反射が抑制され得る。そして、最後に、バンドパスフィルタ９６によって、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０を通過させてもよい。
【０１５１】
［７．フェムト秒レーザ装置］
次に、ＥＵＶコヒーレント光源におけるフェムト秒レーザ装置８０の具体的な構成例を説明する。
【０１５２】
（７．１  構成）
図２２は、フェムト秒レーザ装置８０の具体的な構成例を示している。上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂのフェムト秒レーザ装置８０を、図２２に示した構成にしてもよい。
【０１５３】
フェムト秒レーザ装置８０は、モードロックレーザ１２１と、高反射ミラー１２２，１２３と、パルス伸張器１２４と、増幅器１２５と、パルス圧縮器１２６とを含んでいてもよい。
【０１５４】
モードロックレーザ１２１は、励起用レーザ装置１２０と、可飽和吸収ミラー１３１と、高反射ミラー１３２Ａ，１３２Ｂ，１３２Ｃと、チタンサファイヤ結晶１３３とを含んでもよい。モードロックレーザ１２１はさらに、プリズム１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄと、スリット１３５と、１軸ステージ１３６と、出力結合ミラー１３７とを含んでもよい。
【０１５５】
モードロックレーザ１２１において、可飽和吸収ミラー１３１と出力結合ミラー１３７とで光共振器が構成されてもよい。光共振器の光路上には、高反射ミラー１３２Ａと、チタンサファイヤ結晶１３３と、高反射ミラー１３２Ｂ，１３２Ｃと、プリズム１３４Ａ，１３４Ｂと、スリット１３５と、プリズム１３４Ｃ，１３４Ｄとが順番に配置されていてもよい。プリズム１３４Ａ，１３４Ｂ，１３４Ｃ，１３４Ｄの頂角は、光の入射角度と出射角度とが略ブリュースタ角度となるような角度であってもよい。
【０１５６】
プリズム１３４Ａとプリズム１３４Ｂは、光を互いに分散方向が逆になるようにブリュースタ角で入射して、ブリュースタ角で出射するように配置されていてもよい。プリズム１３４Ｃとプリズム１３４Ｄは、光を互いに分散方向が逆になるようにブリュースタ角で入射して、ブリュースタ角で出射するように配置されていてもよい。
【０１５７】
スリット１３５は、開口部がプリズム１３４Ｂとプリズム１３４Ｃとの間の光路上に配置されていてもよい。スリット１３５は、図２２に示した矢印の移動方向１３８、例えば光路軸に対して略垂直方向に移動するように、図示しないホルダを介して１軸ステージ１３６に固定されていてもよい。
【０１５８】
高反射ミラー１２２，１２３は、モードロックレーザ１２１から出力されたパルスレーザ光がパルス伸張器１２４に入射するように配置してもよい。
【０１５９】
パルス伸張器１２４は、グレーティング１４１，１４２と、集光レンズ１４３，１４４、高反射ミラー１４５，１４６とを含んでいてもよい。グレーティング１４１，１４２と、集光レンズ１４３，１４４、は入射したパルスレーザ光のパルス時間幅が伸張するように、配置してもよい。
【０１６０】
パルス伸張器１２４から出力されたパルスレーザ光が、増幅するように増幅器１２５を配置してもよい。増幅器１２５は、チタンサファイヤ結晶１５１を含む再生増幅器１５０と、チタンサファイヤ結晶１５２を含む増幅器とを含んでいてもよい。チタンサファイヤ結晶１５２を含む増幅器は、図示しない励起用レーザ装置を含んでもよい。
【０１６１】
再生増幅器１５０は、高反射ミラー１５３と、λ／４板１５４と、ＥＯ（Electro Optical）ポッケルスセル１５５と、偏光子１５６と、チタンサファイヤ結晶１５１と、高反射ミラー１５７と、図示しない励起用レーザ装置とを含んでいてもよい。
【０１６２】
パルス圧縮器１２６は、増幅器１２５から出力されたパルスレーザ光の光路上に配置されたグレーティング１６１，１６２を含んでいてもよい。
【０１６３】
（７．２  動作）
モードロックレーザ１２１では、スリット１３５の開口を通過する波長領域で、モードロックされてレーザ発振し、パルス時間幅がフェムト秒のパルスレーザ光が出力結合ミラー１３７から出力され得る。このパルスレーザ光は、パルス伸張器１２４により、パルス時間幅が伸張され、所望の繰り返し周波数で、パルスレーザ光が、再生増幅器１５０によって増幅され得る。そして、この増幅されたパルスレーザ光は、増幅器１５２によって、さらに増幅され得る。
【０１６４】
増幅器１２５によって増幅されたパルスレーザ光は、パルス圧縮器１２６によって、再びパルス時間幅がフェムト秒のパルスレーザ光となり得る。ここで、スリット１３５の開口部の位置を、図２２に示した矢印の移動方向１３８に移動させることによって、フェムト秒のパルスレーザ光の中心波長を変化させ得る。
【０１６５】
図２２に示したフェムト秒レーザ装置８０を用いることにより、上記第１ないし第３の実施形態におけるＥＵＶコヒーレント光源４１，４１Ａ，４１Ｂは、ＥＵＶ光４０の中心波長λｍを変化させる波長調節部を含む構成となり得る。この場合、波長調節部は、スリット１３５と１軸ステージ１３６とを含んでもよい。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、１軸ステージ１３６を制御してスリット１３５の開口部の位置を移動させることによって、ＥＵＶ光４０の中心波長λｍを変化させ得る。
【０１６６】
［８．分光器］
次に、図２０に示した分光器１１２の具体的な構成例を説明する。
【０１６７】
（８．１  構成）
図２３は、分光器１１２の具体的な構成例を示している。図２３には、分光器１１２を、斜入射型分光器とした場合の構成例を模式的に示している。分光器１１２は、入射スリット１７０と、分光器チャンバ１７１と、凹面グレーティング１７２と、マルチチャンネル検出器１７３とを含んでいてもよい。
【０１６８】
凹面グレーティング１７２とマルチチャンネル検出器１７３は、入射スリット１７０に入射した波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０の１次光の回折像１７４が、マルチチャンネル検出器１７３の受光面に結像するように配置されてもよい。
【０１６９】
凹面グレーティング１７２は、球面であって、金がコートされたグレーティングであってもよい。マルチチャンネル検出器１７３は、マルチチャンネルプレートと蛍光面とを含むイメージインテンシファイアと、１次元のダイオードアレイとを含んでいてもよい。
【０１７０】
（８．２  動作）
入射スリット１７０には、バンドパスフィルタ９８の通過光１７５が入射し得る。バンドパスフィルタ９８の通過光１７５は、波長約１３．５ｎｍのＥＵＶ光４０の一部であり得る。ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、回折像１７４の位置を示す値から、ＥＵＶコヒーレント光源４１Ｂの発振の中心波長λｍを求めてもよい。ここで、回折像１７４の位置は、回折像１７４の重心位置や、ピーク波長であってもよい。また、ＥＵＶコヒーレント光源制御部４８は、回折像１７４の積分光量を示す値から受光光量Ｅ２を求めてもよい。
【０１７１】
［９．制御部のハードウエア環境］
当業者は、汎用コンピュータ又はプログラマブルコントローラにプログラムモジュール又はソフトウエアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャーなどを含む。
【０１７２】
図２４は、開示される主題の様々な側面が実行され得る例示的なハードウエア環境を示すブロック図である。図２４の例示的なハードウエア環境１００は、処理ユニット１０００と、ストレージユニット１００５と、ユーザインターフェイス１０１０と、パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０と、シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０と、Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０とを含んでもよいが、ハードウエア環境１００の構成は、これに限定されない。
【０１７３】
処理ユニット１０００は、中央処理ユニット（ＣＰＵ）１００１と、メモリ１００２と、タイマ１００３と、画像処理ユニット（ＧＰＵ）１００４とを含んでもよい。メモリ１００２は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）とリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）とを含んでもよい。ＣＰＵ１００１は、市販のプロセッサのいずれでもよい。デュアルマイクロプロセッサや他のマルチプロセッサアーキテクチャが、ＣＰＵ１００１として使用されてもよい。
【０１７４】
図２４におけるこれらの構成物は、本開示において記載されるプロセスを実行するために、相互に接続されていてもよい。
【０１７５】
動作において、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５に保存されたプログラムを読み込んで、実行してもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５からプログラムと一緒にデータを読み込んでもよい。また、処理ユニット１０００は、ストレージユニット１００５にデータを書き込んでもよい。ＣＰＵ１００１は、ストレージユニット１００５から読み込んだプログラムを実行してもよい。メモリ１００２は、ＣＰＵ１００１によって実行されるプログラム及びＣＰＵ１００１の動作に使用されるデータを、一時的に保管する作業領域であってもよい。タイマ１００３は、時間間隔を計測して、プログラムの実行に従ってＣＰＵ１００１に計測結果を出力してもよい。ＧＰＵ１００４は、ストレージユニット１００５から読み込まれるプログラムに従って、画像データを処理し、処理結果をＣＰＵ１００１に出力してもよい。
【０１７６】
パラレルＩ／Ｏコントローラ１０２０は、計測制御部４４、及びＥＵＶコヒーレント光源制御部４８等の、処理ユニット１０００と通信可能なパラレルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらパラレルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。シリアルＩ／Ｏコントローラ１０３０は、第１の回転ステージ６１、及び第２の回転ステージ６２等の、処理ユニット１０００と通信可能な複数のシリアルＩ／Ｏデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれら複数のシリアルＩ／Ｏデバイスとの間の通信を制御してもよい。Ａ／Ｄ、Ｄ／Ａコンバータ１０４０は、アナログポートを介して、各種センサ、例えば第１の光センサ６３、第２の光センサ６４、及び圧力センサ９０や、希ガス供給部８２及び排気装置８４等のアナログデバイスに接続されてもよく、処理ユニット１０００とそれらアナログデバイスとの間の通信を制御したり、通信内容のＡ／Ｄ、Ｄ／Ａ変換を行ってもよい。
【０１７７】
ユーザインターフェイス１０１０は、操作者が処理ユニット１０００にプログラムの停止や、割込みルーチンの実行を指示できるように、処理ユニット１０００によって実行されるプログラムの進捗を操作者に表示してもよい。
【０１７８】
例示的なハードウエア環境１００は、本開示におけるＥＵＶ光生成制御部５、及び計測制御部４４等の構成に適用されてもよい。当業者は、それらのコントローラが分散コンピューティング環境、すなわち、通信ネットワークを介して繋がっている処理ユニットによってタスクが実行される環境において実現されてもよいことを理解するだろう。本開示において、ＥＵＶ光生成制御部５、及び計測制御部４４等は、イーサネット（登録商標）やインターネットといった通信ネットワークを介して互いに接続されてもよい。分散コンピューティング環境において、プログラムモジュールは、ローカル及びリモート両方のメモリストレージデバイスに保存されてもよい。
【０１７９】
［１０．その他］
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１８０】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【国際調査報告】
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