(57)【要約】【解決手段】主面に微小凹凸面を備えるガラス板であって、前記微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データの高さのヒストグラムにおいて、前記微小凹凸面の高さの出現頻度が最も多い区間の高さ方向中心面を基準平面としたとき、前記正方形領域において、前記基準平面に対する最大高低差の２０％以上高い凸の数が、１以上３００以下であることを特徴とするガラス板。
2017094683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に微小凹凸面を備えるガラス板であって、
前記微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データの高さのヒストグラムにおいて、前記微小凹凸面の高さの出現頻度が最も多い区間の高さ方向中心面を基準平面としたとき、
前記正方形領域において、前記基準平面に対する最大高低差の２０％以上高い凸の数が、１以上３００以下であることを特徴とするガラス板。
【請求項２】
主面に微小凹凸面を備えるガラス板であって、
前記微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データから国際規格ＩＳＯ１６６１０−６１に記載のＳ−フィルタを用いて０．０５μｍ以下の波長成分を除去した後のサミット密度が１／μｍ２以上１７０／μｍ２以下であることを特徴とするガラス板。
【請求項３】
前記微小凹凸面の表面粗さＲａは０．３〜１００ｎｍである、請求項１または２に記載のガラス板。
【請求項４】
ガラス板の、前記微小凹凸面側から測定したヘイズが０％以上２％以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のガラス板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のガラス板と、
少なくとも一部が前記微小凹凸面に形成される防汚層とを備える、積層体。
【請求項６】
前記ガラス板と前記防汚層との間にさらに中間層を備える、請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
前記中間層は、酸化物層、窒化物層、酸窒化物層、および金属層の少なくとも１つを含む、請求項６に記載の積層体。
【請求項８】
積層体の、前記防汚層側から測定した可視光反射率が０〜３％である、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の積層体。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の積層体と、
前記積層体における指のタッチ位置を検出する位置検出器と、
を備える、タッチパッド。
【請求項１０】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の積層体と、
前記積層体における指のタッチ位置を検出する位置検出器と、
前記位置検出器による検出結果に応じた画像を表示する画像表示装置と、
を備える、タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス板、タッチパッド、およびタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパッドやタッチパネル向けに様々な機能層を備えた基材が開発されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１によれば、機能層として、平均粒径１〜１００μｍの微粒子を含む重合性組成物の硬化物でハードコート層を形成する。これにより、硬度が高く、且つ、指の引っ掛かりがない物が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／１６０８９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の物品は、使用する粒子サイズがミクロンオーダーと大きい為、光が散乱しヘイズが発生するという課題がある。【０００５】
本発明は、機能層を設けなくとも、指滑り性が良くヘイズが低いガラス板の提供を主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
主面に微小凹凸面を備えるガラス板であって、
前記微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データの高さのヒストグラムにおいて、前記微小凹凸面の高さの出現頻度が最も多い区間の高さ方向中心面を基準平面としたとき、
前記正方形領域において、前記基準平面に対する最大高低差の２０％以上高い凸の数が、１以上３００以下であることを特徴とするガラス板を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一態様によれば、機能層を設けなくとも、指滑り性が良くヘイズが低いガラス板を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態によるガラス板を示す図である。
【図２】一実施形態による微小凹凸面の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】図２のIII−III線に沿った断面図である。
【図４】一実施形態による積層体を示す図である。
【図５】変形例による積層体を示す図である。
【図６】一実施形態による積層体を用いたタッチパッドを示す図である。
【図７】一実施形態による積層体を用いたタッチパネルを示す図である。
【図８】一実施形態による積層体の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】一実施形態によるガラス板のエッチング処理に使用される処理装置を示す図である。
【図１０】例３によるガラス板の微小凹凸面の正方形領域のＡＦＭ像である。
【図１１】例４によるガラス板の微小凹凸面の断面ＳＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明する。各図面において、同一の又は対応する構成には、同一の又は対応する符号を付して説明を省略する。本明細書において、数値範囲を表す「〜」はその前後の数値を含む範囲を意味する。
【００１０】
（ガラス板）
図１は、一実施形態によるガラス板を示す図である。図１において微小凹凸面１１ａの凹凸を誇張して示す。ガラス板１０は、第１主面１１に微小凹凸面１１ａを備える。微小凹凸面１１ａの表面粗さＲａは、０．３〜１００ｎｍである。Ｒａは好ましくは、１〜５０ｎｍ、さらに好ましくは２〜３０ｎｍである。ここで、表面粗さＲａとは、日本工業規格ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に記載の算術平均粗さである。
【００１１】
微小凹凸面１１ａは、第１主面１１の全体に形成されてもよいし、第１主面１１の一部のみに形成されてもよい。微小凹凸面１１ａを含む第１主面１１とは反対側の第２主面１２は、例えば平面であってもよい。
【００１２】
本発明の一観点によれば、微小凹凸面１１ａのうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データの高さのヒストグラムにおいて、高さの出現頻度が最も多い区間の高さ方向中心面を基準平面としたとき、正方形領域において、正方形領域の基準平面から、正方形領域の最大高低差の２０％以上高い凸の数（以下、単に「凸の数」とも呼ぶ）が、１以上３００以下である。
【００１３】
ここで、正方形領域の位置は、微小凹凸面１１ａのうちの任意の位置である。所定の正方形領域のＡＦＭ像において高さに関するヒストグラム解析を行う。高さは、正方形領域の最小二乗平面に対し直交方向に、正方形領域の最も低い位置から計測する。最大高低差とは、正方形領域の最も低い位置から、正方形領域の最も高い位置までの高さを意味する。高さの出現頻度は、正方形領域の最も低い位置から、正方形領域の最も高い位置までの間を５００個の区間に等分割して、区間毎に求める。基準平面は、高さの出現頻度が最も多い区間の高さ方向中心面とする。
【００１４】
正方形領域における凸の数が１以上３００以下であれば、人の指で感知できる程度の高さを有する凸が適度な数存在するため、指とガラス板との接触面積が適度な範囲となり、指滑り性が良い。凸の数は、好ましくは２８０以下、より好ましくは２５０以下、さらに好ましくは２４０以下である。
【００１５】
図２は、一実施形態による微小凹凸面の一部を拡大して示す断面図である。図３は、図２のIII−III線に沿った断面図である。微小凹凸面１１ａの基準平面Ｐ０から、微小凹凸面１１ａの最大高低差Ｈの２０％高い位置Ｐ１での断面において、ひとつながりの部分（図３において斜線で示す部分）を１つの凸として数える。
【００１６】
各凸の位置Ｐ１での断面積（例えば、図３において斜線で示す部分の断面積）のうち、最大断面積（以下、単に「凸の最大断面積」とも呼ぶ）は、好ましくは２５０００〜８００００ｎｍ２である。凸の最大断面積が２５０００ｎｍ２以上であれば、凸を指で感じることができる。一方、凸の最大断面積が８００００ｎｍ２以下であれば、ヘイズが低く抑えられる。
【００１７】
尚、本実施形態では、凸の数を管理するが、凹の数を管理してもよい。具体的には、正方形領域において、正方形領域の基準平面から、正方形領域の最大高低差の２０％以上低い凹の数（以下、単に「凹の数」とも呼ぶ）が、１以上３００以下であってもよい。正方形領域における凹の数が１以上３００以下であれば、適度な数の凹が存在するため、指滑り性が良い。凹の数は、好ましくは２８０以下、より好ましくは２５０以下、さらに好ましくは２４０以下である。微小凹凸面１１ａの基準平面Ｐ０から、微小凹凸面１１ａの最大高低差Ｈの２０％低い位置Ｐ２での断面において、ひとつながりの部分を１つの凹として数える。各凹の位置Ｐ２での断面積のうち、最大断面積（以下、単に「凹の最大断面積」とも呼ぶ）は、好ましくは２５０００〜８００００ｎｍ２である。凹の最大断面積が２５０００ｎｍ２以上であれば、凹を指で感じることができる。一方、凹の最大断面積が８００００ｎｍ２以下であれば、ヘイズが低く抑えられる。
【００１８】
また、本発明の別の一観点によれば、前記微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域の形状データからＩＳＯ１６６１０−６１に記載のＳ−フィルタを用いて０．０５μｍ以下の波長成分を除去した後の微小凹凸面１１ａのサミット密度Ｓｄｓが、１／μｍ２以上１７０／μｍ２以下である。
【００１９】
ここで、正方形領域の位置は、微小凹凸面１１ａのうちの任意の位置である。所定の正方形領域のＡＦＭ像に対して、上記フィルタを適用することでノイズ除去処理を行う。このノイズ除去処理により、形状データのうち、指で感知できる程度の微細な凹凸構造について解析可能となる。
【００２０】
サミット密度Ｓｄｓは、突起頂点の密度である。サミット密度Ｓｄｓの算出手順は、下記の非特許文献１に準拠する（非特許文献１：Ｋ．Ｊ． Ｓｔｏｕｔ， Ｐ． Ｊ． Ｓｕｌｌｉｖａｎ， Ｗ． Ｐ． Ｄｏｎｇ， Ｅ． Ｍａｉｎｓａｈ， Ｎ． Ｌｕｏ， Ｔ． Ｍａｔｈｉａ， Ｈ． Ｚａｈｏｕａｎｉ（１９９４） Ｔｈｅ ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ ｏｆ ｍｅｔｈｏｄｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆ ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ ｏｎ ｔｈｒｅｅ ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ． Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ｎｏ． ＥＵＲ １５１７８ ＥＮ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ ｏｆ ｔｈｅ Ｅｕｒｏｐｅａｎ ｃｏｍｍｕｎｉｔｉｅｓ， Ｌｕｘｅｍｂｏｕｒｇ）。
【００２１】
サミット密度Ｓｄｓが１／μｍ２以上１７０／μｍ２以下であれば、人の指で感知できる程度に適度な密度の凸が存在するため、指とガラス板との接触面積が適度な範囲となり、指滑り性が良い。また、サミット密度Ｓｄｓが１７０／μｍ２以下であれば、ヘイズが低く抑えられる。サミット密度Ｓｄｓは、好ましくは１６０／μｍ２以下、より好ましくは１４０／μｍ２以下である。
【００２２】
ガラス板１０のヘイズ（Ｈａｚｅ）は、微小凹凸面１１ａ側から測定する。ここで、「微小凹凸面１１ａ側から測定する」とは、ガラス板１０の外部の光源から微小凹凸面１１ａに検査光を照射して測定することを意味する。ガラス板１０のヘイズは、０％以上２％以下であることが好ましい。ガラス板１０のヘイズが２％以下であれば、タッチパッドやタッチパネルに適用する際も、その美観を損なったり、視認性を悪化させたりする懸念がない。ガラス板１０のヘイズは好ましくは１．５％以下、より好ましくは１％以下である。ガラス板１０のヘイズは小さいほど好ましいが、製造上の観点から、０．０１％以上である。
【００２３】
ヘイズは、日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ７１３６に準拠して測定され、ガラス板１０を第１主面１１から第２主面１２に向けて板厚方向に透過する透過光のうち、前方散乱によって入射光から２．５°以上それた透過光の百分率として求められる。ヘイズの測定に用いる光源としては、Ｃ光源を用いる。
【００２４】
ガラス板１０の厚さは、３ｍｍ以下であることが好ましく、例えば、０．２〜２．０ｍｍの範囲であってもよい。ガラス板１０の厚さは、０．３〜１．５ｍｍの範囲であることがより好ましい。ガラス板１０の厚さが３ｍｍ以上の場合、重量が上昇して軽量化が難しくなり、また原材料コストが上昇してしまう。ガラス板１０の厚さが０．２ｍｍ以下の場合、基板のハンドリングが困難になる。
【００２５】
ガラス板１０は、例えば、１０００〜５０００Ｎ／ｍｍ２の範囲のマルテンス硬さを有することが好ましい。ガラス板１０のマルテンス硬さが１０００Ｎ／ｍｍ２以上の場合、耐久性が良い。また、ガラス板１０のマルテンス硬さが５０００Ｎ／ｍｍ２以下の場合、ガラス板１０を加工しやすいので好ましい。ガラス板１０のマルテンス硬さは、２０００〜５０００Ｎ／ｍｍ２の範囲であることがより好ましい。
【００２６】
ガラス板１０は、４００〜７００ｎｍの波長領城に高い透過率、例えば８０％以上の透過率を有することが好ましい。また、ガラス板１０は、十分な絶縁性を有し、化学的物理的耐久性が高いことが望ましい。
【００２７】
ガラス板１０は、フロート法、またはフュージョン法などで成形される。ガラス板１０は、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、または無アルカリガラスなどで構成される。ガラス板１０は、化学強化処理がなされた化学強化ガラスでも、未強化ガラスでもよい。化学強化ガラスの場合、ガラス板１０はアルカリ金属を含む。微小凹凸面の形成後に化学強化処理を行うか否かによって、微小凹凸面の表面形状はほとんど変化せず、指滑り性が良くヘイズが低いガラス板１０が得られる。
【００２８】
ガラス板１０は、例えば、モル％表示で６１〜７７％のＳｉＯ２、１〜１８％のＡｌ２Ｏ３、８〜１８％のＮａ２Ｏ、０〜６％のＫ２Ｏ、０〜１５％のＭｇＯ、０〜８％のＢ２Ｏ３、０〜９％のＣａＯ、０〜１％のＳｒＯ、０〜１％のＢａＯ、および０〜４％のＺｒＯ２を含む。
【００２９】
ＳｉＯ２はガラスの骨格を構成する成分であり必須である。ＳｉＯ２含有量が６１モル％未満では、ガラス表面に傷がついた時にクラックが発生しやすくなる、耐候性が低下する、比重が大きくなる、または液相温度が上昇しガラスが不安定になる等が起こりやすいため、ＳｉＯ２含有量は６１モル％以上、好ましくは６３モル％以上である。ＳｉＯ２含有量が７７モル％超ではガラスの粘度が１０２ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ２またはガラスの粘度が１０４ｄＰａ・ｓとなる温度Ｔ４が上昇しガラスの溶解または成形が困難となる、または耐候性が低下しやすいため、ＳｉＯ２含有量は７７モル％以下、好ましくは７０モル％以下である。
【００３０】
Ａｌ２Ｏ３はイオン交換性能および耐候性を向上させる成分であり必須である。Ａｌ２Ｏ３含有量が１モル％未満ではイオン交換により所望の表面圧縮応力や圧縮応力層厚みが得られにくい、または耐候性が低下しやすい等から、Ａｌ２Ｏ３含有量は１モル％以上、好ましくは５モル％以上である。Ａｌ２Ｏ３含有量が１８モル％超では、Ｔ２もしくはＴ４が上昇しガラスの溶解もしくは成形が困難となる、または液相温度が高くなり失透しやすくなるため、Ａｌ２Ｏ３含有量は１８モル％以下である。
【００３１】
Ｎａ２Ｏはイオン交換時の表面圧縮応力のばらつきを小さくする、イオン交換により表面圧縮応力層を形成させる、またはガラスの溶融性を向上させる成分であり、必須である。Ｎａ２Ｏ含有量が８モル％未満ではイオン交換により所望の表面圧縮応力層を形成することが困難となる、または、Ｔ２もしくはＴ４が上昇しガラスの溶解もしくは成形が困難となるため、Ｎａ２Ｏ含有量は８モル％以上、好ましくは１０モル％以上である。Ｎａ２Ｏ含有量が１８モル％超では耐候性が低下する、または圧痕からクラックが発生しやすくなるため、Ｎａ２Ｏ含有量は１８モル％以下である。
【００３２】
Ｋ２Ｏは必須ではないがイオン交換速度を増大させる成分であり、６モル％まで含有してもよい。Ｋ２Ｏ含有量が６モル％超ではイオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、圧痕からクラックが発生しやすくなる、または耐候性が低下する。
【００３３】
ＭｇＯは溶融性を向上させる成分であり含有してもよい。ＭｇＯ含有量が１５モル％超ではイオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、液相温度が上昇し失透しやすくなる、またはイオン交換速度が低下するため、ＭｇＯ含有量は１５モル％以下、好ましくは１２モル％以下である。
【００３４】
Ｂ２Ｏ３は溶融性向上のために８モル％以下であることが好ましい。Ｂ２Ｏ３含有量が８モル％超では均質なガラスを得にくくなり、ガラスの成型が困難になるおそれがある。
【００３５】
ＣａＯは高温での溶融性を向上させる、または失透を起こりにくくするために９モル％まで含有してもよいが、イオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、またはイオン交換速度もしくはクラック発生に対する耐性が低下するおそれがある。
【００３６】
ＳｒＯは高温での溶融性を向上させる、または失透を起こりにくくするために１モル％以下で含有してもよいが、イオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、または、イオン交換速度もしくはクラック発生に対する耐性が低下するおそれがある。
【００３７】
ＢａＯは高温での溶融性を向上させる、または失透を起こりにくくするために１モル％以下で含有してもよいが、イオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、またはイオン交換速度もしくはクラック発生に対する耐性が低下するおそれがある。
【００３８】
ＺｒＯ２は必須成分ではないが、表面圧縮応力を大きくする、または耐候性を向上させる等のため、４モル％まで含有してもよい。ＺｒＯ２含有量が４モル％超ではイオン交換時の表面圧縮応力のばらつきが大きくなる、またはクラック発生に対する耐性が低下する。
【００３９】
（積層体）
図４は、一実施形態による積層体を示す図である。積層体２０は、図１に示すガラス板１０と、少なくとも一部がガラス板１０の微小凹凸面１１ａに形成される防汚層２１とを備える。防汚層２１は、微小凹凸面１１ａの少なくとも一部に形成されていればよい。微小凹凸面１１ａが第１主面１１の一部のみに形成される場合、第１主面１１の残部に防汚層２１が形成されても形成されなくてもよい。以下、防汚層２１について主に説明する。
【００４０】
（防汚層）
防汚層２１は、指紋や油脂などの汚れが付着することを防止したり、そのような汚れの除去を容易にしたりするためのものである。防汚層２１は、指紋付着防止および指紋除去促進の少なくとも一方の作用を有する。防汚層２１は、例えば、ガラス板１０の主面から垂直または斜めに伸びる樹脂毛の集合体で構成される。
【００４１】
防汚層２１は、フッ素を含む樹脂で形成される。防汚層２１の材料としては、例えば下記式（Ａ）で表される樹脂、下記式（Ｂ）で表される樹脂などが用いられる。
【００４２】
【化１】
2017094683.tif 000003
ここで、Ｌ１は、例えばＣ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｆなどから形成される、たとえばエーテル結合、アミド結合などからなる結合構造である。ｋは繰り返し回数で、１以上１０００以下の自然数である。Ｌ０はガラスの末端ＯＨ基と交換可能な加水分解性基である。
【００４３】
Ｌ０は、フッ素以外のハロゲンまたはアルコキシ基（−ＯＲ）であることが好ましく、ここで、Ｒは１〜６の炭素原子の直鎖または分岐鎖炭化水素であり、例えば、−ＣＨ３、−Ｃ２Ｈ５、−ＣＨ（ＣＨ３）２の炭化水素が挙げられる。好ましいハロゲンは、塩素である。好ましいアルコキシシランは、トリメトキシシラン、Ｓｉ（ＯＭｅ）３である。
【００４４】
【化２】
2017094683.tif 000004
ここで、Ｌ２は、例えばＣ、Ｈ、Ｏ、Ｎ、Ｆなどから形成される、たとえばエーテル結合、アミド結合などからなる結合構造である。ｍおよびｎは繰り返し回数で、それぞれ、１以上１０００以下の自然数である。Ｌ０は式（Ａ）のＬ０と同じ意味である。
【００４５】
防汚層２１の材料としては、Ｓ６００（商品名、旭硝子社製）、Ｓ５５０（商品名、旭硝子社製）、ＫＹ−１７８（商品名、信越化学工業社製）、ＫＹ−１８５（商品名、信越化学工業社製）、Ｘ−７１−１８６（商品名、信越化学工業社製）、Ｘ−７１−１９０（商品名、信越化学工業社製）、Ｘ−１９５（商品名、信越化学工業社製）、オプツール（登録商標）ＤＳＸ（商品名、ダイキン工業社製）およびオプツール（登録商標）ＡＥＳ（商品名、ダイキン工業株式会社製）などが好ましく使用できる。
【００４６】
防汚層２１の厚さは、例えば１〜１００ｎｍである。
【００４７】
防汚層２１の表面形状は、ガラス板１０の微小凹凸面１１ａの表面形状に倣う。従って、ガラス板１０と防汚層２１とを含む積層体によれば、ガラス板１０と同様に、指滑り性を向上できる共に、ヘイズを低く抑制できる。
【００４８】
積層体２０の可視光反射率Ｒｖは、防汚層２１側から測定する。ここで、「防汚層２１側から測定する」とは、積層体２０の外部の光源から防汚層２１に検査光を照射して測定することを意味する。積層体２０の可視光反射率Ｒｖが、０〜３％の範囲であることが好ましく、０〜２．５％の範囲であることがより好ましい。ここで、積層体２０の可視光反射率Ｒｖは、波長４５０〜６００ｎｍにおける反射率の平均値である。
【００４９】
（積層体の変形例）
図５は、変形例による積層体を示す図である。本変形例による積層体２０Ａは、図５に示すように、ガラス板１０と防汚層２１との間に、中間層２２を有する。以下、中間層２２について主に説明する。
【００５０】
（中間層）
中間層２２は、低反射機能、高密着機能、低放射機能、断熱機能などのうちの少なくとも１つの機能を積層体２０Ａに発現させる機能層である。中間層２２は、特に限定されないが、酸化物層、窒化物層、酸窒化物層、および金属層のうちの少なくとも１つを有してもよい。中間層２２は、単層で構成されてもよいし、二層以上で構成されてもよい。中間層２２の材料は特に限られず、中間層２２は乾式法、湿式法の公知の方法によって形成できる。
【００５１】
中間層２２は、低反射層を含んでもよい。低反射層は、屈折率の異なる複数の層で構成される。各層の材料としては、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、シリカなどが挙げられる。低反射層は、屈折率の異なる層を交互に積層することにより構成されてもよい。例えば、低反射層は、酸化ニオブ（または酸化チタン）を含む第１の層と、シリカを含む第２の層との繰り返し構造を有してもよい。
【００５２】
中間層２２は、下地層を含んでもよい。下地層は、ガラス板１０と防汚層２１との密着性を改善する効果などを有する。下地層は、例えば酸化ケイ素などで形成される。
【００５３】
中間層２２は、下地層と、他の層（例えば低反射層）との両方を有する場合、ガラス板１０側から、低反射層、下地層をこの順で有してよい。
【００５４】
中間層２２の厚さは、例えば１〜１００ｎｍである。
【００５５】
中間層２２の表面形状、ひいては防汚層２１の表面形状は、ガラス板１０の微小凹凸面１１ａの表面形状に倣う。従って、ガラス板１０と中間層２２と防汚層２１とを含む積層体２０Ａによれば、ガラス板１０と同様に、指滑り性を向上できる共に、ヘイズを低く抑制できる。
【００５６】
（タッチパッド）
図６は、一実施形態による積層体を用いたタッチパッドを示す図である。
【００５７】
タッチパッド３０は、積層体２０と、位置検出器３１とを有する。位置検出器３１は、一般的なものであってよく、例えば静電容量の変化などを利用して、積層体２０における指のタッチ位置を検出する。
【００５８】
タッチパッド３０は、積層体２０を備えるため、指滑り性を向上できる共に、ヘイズを低く抑制できる。タッチパッド３０は、例えば、ノートパソコンなどに組み込まれる。
【００５９】
尚、タッチパッド３０は、図４に示す積層体２０の代わりに、図５に示す積層体２０Ａを有してもよい。
【００６０】
（タッチパネル）
図７は、一実施形態による積層体を用いたタッチパネルを示す図である。
【００６１】
タッチパネル４０は、積層体２０と、位置検出器４１と、画像表示装置４２とを有する。位置検出器４１は、一般的なものであってよく、例えば静電容量の変化などを利用して、積層体２０における指のタッチ位置を検出する。画像表示装置４２は、一般的なものであってよく、例えば液晶ディスプレイなどで構成され、位置検出器４１の検出結果に応じた画像を表示する。
【００６２】
尚、位置検出器４１と画像表示装置４２との配置は逆でもよく、画像表示装置４２を基準として積層体２０とは反対側に位置検出器４１が配置されてもよい。
【００６３】
タッチパネル４０は、積層体２０を備えるため、指滑り性を向上できる共に、ヘイズを低く抑制できる。タッチパネル４０は、例えば、デジタル情報機器などに組み込まれる。デジタル情報機器としては、携帯電話（スマートフォンを含む）、コンピュータ（タブレットを含む）、コピー機、ファクシミリなどが挙げられる。
【００６４】
尚、タッチパネル４０は、図４に示す積層体２０の代わりに、図５に示す積層体２０Ａを有してもよい。
【００６５】
尚、図４に示す積層体２０や図５に示す積層体２０Ａは、タッチパッド３０やタッチパネル４０以外の製品に組み込まれてもよい。例えば、図４に示す積層体２０や図５に示す積層体２０Ａは、機器の筐体、画像表示装置のカバーなどに用いられてもよい。
【００６６】
また、図４に示す積層体２０や図５に示す積層体２０Ａは、指で触るものではなく、ペンで触るものでもよい。この場合、低いヘイズのまま、所定の書き心地が得られる。
【００６７】
（積層体の製造方法）
図８は、一実施形態による積層体の製造方法を示すフローチャートである。図８に示すように、積層体の製造方法は、主面粗化工程Ｓ１１と、化学強化工程Ｓ１２と、コーティング工程Ｓ１３とを有する。尚、化学強化工程Ｓ１２、コーティング工程Ｓ１３は、任意の工程であって、必要に応じて設ければよい。
【００６８】
（主面粗化工程Ｓ１１）
主面粗化工程Ｓ１１では、ガラス板１０の第１主面１１を粗化することにより、微小凹凸面１１ａを形成する。微小凹凸面１１ａの表面粗さＲａは、０．３〜１００ｎｍである。
【００６９】
例えば、主面粗化工程Ｓ１１では、ガラス板１０の主面にエッチング処理を行う。エッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれでもよい。
【００７０】
エッチングの手法は特に限られないが、例えば、ドライエッチング方式の場合、ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）法、逆スパッタリング法、イオンミリング法、レーザーイオンソース（ＬＩＳ）法などのいずれかまたはその組み合わせを採用してもよい。
【００７１】
また液体を使用する場合は、処理液体を液体のまま例えばスプレー塗布で表面に供給してもよいし、液体を気化してから表面に供給してもよい。
【００７２】
これらのエッチャントは、例えば、その構造中にフッ素原子が存在する分子を含有してよく、具体的にはフッ化水素（ＨＦ）、フッ化水素酸、フッ素単体、トリフルオロ酢酸、四フッ化炭素、四フッ化ケイ素、五フッ化リン、三フッ化リン、三フッ化ホウ素、三フッ化窒素、三フッ化塩素などを含有してよいが、これらに限定されるものではない。また必要に応じて他の液体や気体で希釈してもよい。またこれらの液体や気体のうち、２種以上を混合して使用してもよい。
【００７３】
エッチャントは、それらの液体や気体以外の液体や気体を含んでいてもよく、特に限られないが、常温でフッ素原子が存在する分子と反応しない液体や気体であることが好ましい。たとえばＮ２、空気、Ｈ２、Ｏ２、Ｎｅ、Ｘｅ、ＣＯ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｋｒなどが挙げられるが、これらのものに限定されるものではない。またこれらのガスのうち、２種以上を混合して使用できる。その構造中にフッ素原子が存在する分子を含有する気体のキャリアガスとしては、Ｎ２、アルゴンなどの不活性ガスを用いることが好ましい。
【００７４】
更に、エッチャントは、水蒸気もしくは水を含んでもよい。また、ＳＯ２を含んでもよい。
【００７５】
エッチング処理の温度は、特に限られないが、通常、化学的な反応による大気圧中でのドライエッチング処理は、３００〜８００℃の範囲で実施される。エッチング処理の温度は、４００〜７００℃の範囲であることが好ましく、４５０〜６５０℃の範囲であることがより好ましい。
【００７６】
エッチング処理に使用される処理ガスは、例えば、フッ化水素ガスを含有する。処理ガスはさらに、キャリアガスおよび／または希釈ガスを含んでもよい。キャリアガス、希釈ガスは、特に限定されないが、例えば、窒素および／またはアルゴン等の不活性ガスである。キャリアガスおよび／または希釈ガスを含むことで、製造条件を管理しやすくなる。
【００７７】
また、処理ガスは、水蒸気（気体状態の水）をさらに含んでもよい。水蒸気を導入することで、フッ化水素ガスとガラスとの反応が緩和され、微小凹凸面１１ａの表面形状を制御しやすくなる。また、水蒸気を導入することにより、より安定に再現性よく形状を制御しやすくなる。水蒸気を含む場合、水蒸気の量（Ｖ１）とフッ化水素ガスの量（Ｖ２）との体積比（Ｖ１／Ｖ２）は１０以下であれば、表面形状の制御に必要なフッ化水素が確保できるので好ましい。よって、所望の表面形状の微小凹凸面１１ａが得られる。
【００７８】
処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、ガラス板の主面が適正にエッチング処理される限り、特に限られない。処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、例えば、０．１〜１０ｖｏｌ％の範囲であり、０．３〜５ｖｏｌ％の範囲であることが好ましく、０．５〜４ｖｏｌ％の範囲であることがより好ましい。このとき、処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度（ｖｏｌ％）は、フッ化水素ガス流量を、フッ化水素ガス流量、キャリアガス流量、希釈ガス流量、および水蒸気流量の和で除することにより求められる。
【００７９】
ガラス板のエッチング処理は、反応容器中で実施してもよいが、ガラス板が大きい場合など、必要な場合、ガラス板のエッチング処理は、ガラス板を搬送させた状態で実施してもよい。この場合、反応容器中での処理に比べて、より迅速かつ高効率な処理が可能となる。
【００８０】
ここで、エッチング処理に使用され得る装置の一例について簡単に説明する。
【００８１】
図９は、一実施形態によるガラス板のエッチング処理に使用される処理装置を示している。図９に示す処理装置は、ガラス板を搬送させた状態で、ガラス板のエッチング処理を実施可能である。
【００８２】
図９に示すように、この処理装置３００は、インジェクタ３１０と、搬送手段３５０とを備える。
【００８３】
搬送手段３５０は、上部に置載されたガラス板３８０を、矢印Ｆ３０１に示すように、水平方向（ｘ軸方向）に搬送可能である。
【００８４】
インジェクタ３１０は、搬送手段３５０およびガラス板３８０の上方に配置される。
【００８５】
インジェクタ３１０は、処理ガスの流通路となる複数のスリット３１５、３２０、および３２５を有する。すなわち、インジェクタ３１０は、中央部分に鉛直方向（ｚ軸方向）に沿って設けられた第１のスリット３１５と、該第１のスリット３１５を取り囲むように、鉛直方向（ｚ軸方向）に沿って設けられた第２のスリット３２０と、該第２のスリット３２０を取り囲むように、鉛直方向（ｚ軸方向）に沿って設けられた第３のスリット３２５とを備える。
【００８６】
第１のスリット３１５の一端（上部）は、フッ化水素ガス源（図示されていない）とキャリアガス源（図示されていない）と水蒸気源（図示されていない）に接続されており、第１のスリット３１５の他端（下部）は、ガラス板３８０の方に配向される。同様に、第２のスリット３２０の一端（上部）は、希釈ガス源（図示されていない）と水蒸気源（図示されていない）に接続されており、第２のスリット３２０の他端（下部）は、ガラス板３８０の方に配向される。第３のスリット３２５の一端（上部）は、排気系（図示されていない）に接続されており、第３のスリット３２５の他端（下部）は、ガラス板３８０の方に配向される。水蒸気は第１のスリット３１５、第２のスリット３２０のどちらから流してもよい。
【００８７】
このように構成された処理装置３００を使用して、ガラス板３８０のエッチング処理を実施する場合、まず、フッ化水素ガス源（図示されていない）から、第１のスリット３１５を介して、矢印Ｆ３０５の方向に、フッ化水素ガスが供給される。また、希釈ガス源（図示されていない）から、第２のスリット３２０を介して、矢印Ｆ３１０の方向に、窒素等の希釈ガスが供給される。これらのガスは、排気系により、矢印Ｆ３１５に沿って水平方向（ｘ軸方向）に移動した後、第３のスリット３２５を介して、処理装置３００の外部に排出される。
【００８８】
なお、第１のスリット３１５には、フッ化水素ガスに加えて、窒素などのキャリアガスおよび／または水蒸気を同時に供給してもよい。
【００８９】
次に、搬送手段３５０が稼働される。これにより、ガラス板３８０が矢印Ｆ３０１の方向に移動する。
【００９０】
ガラス板３８０は、インジェクタ３１０の下側を通過する際に、第１のスリット３１５および第２のスリット３２０から供給された処理ガス（例えば、フッ化水素ガスとキャリアガスと希釈ガスと水蒸気の混合ガス）に接触する。これにより、ガラス板３８０の上面がエッチング処理される。
【００９１】
なお、ガラス板３８０の上面に供給された処理ガスは、矢印Ｆ３１５のように移動してエッチング処理に使用された後、矢印Ｆ３２０のように移動して、排気系に接続された第３のスリット３２５を介して、処理装置３００の外部に排出される。
【００９２】
このような処理装置３００を使用することにより、ガラス板を搬送しながら、処理ガスによるエッチング処理が実施可能である。この場合、反応容器を使用してエッチング処理を実施する方法に比べて、処理効率を向上させることができる。また、このような処理装置３００を使用した場合、大型のガラス板に対してもエッチング処理を実施可能である。
【００９３】
ここで、ガラス板３８０への処理ガスの供給速度は、特に限られない。処理ガスの供給速度は、例えば、０．１〜１０００ＳＬＭの範囲であってもよい。ここで、ＳＬＭとは、Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｌｉｔｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ（標準状態における流量）の略である。また、ガラス板３８０のインジェクタ３１０の通過時間（図９の距離Ｓを通過する時間）は、１〜１２０秒の範囲であり、２〜６０秒の範囲であることが好ましく、３〜３０秒の範囲であることがより好ましい。ガラス板３８０のインジェクタ３１０の通過時間を３２０秒以下とすることにより、迅速なエッチング処理が可能となる。以下、ガラス板３８０のインジェクタ３１０の通過時間を「エッチング処理時間」ともいう。
【００９４】
このように、処理装置３００を使用することにより、搬送状態のガラス板に対するエッチング処理が実施可能である。
【００９５】
なお、図９に示した処理装置３００は、単なる一例に過ぎず、その他の装置を使用して、フッ化水素ガスを含む処理ガスによるガラス板のエッチング処理を実施してもよい。例えば、図９の処理装置３００では、静止しているインジェクタ３１０に対して、ガラス板３８０が相対的に移動する。しかしながら、これとは逆に、静止しているガラス板に対して、インジェクタを水平方向に移動させてもよい。あるいは、ガラス板とインジェクタの両者を、相互に反対方向に移動させてもよい。また、搬送手段３５０およびガラス板の下方にインジェクタを設置し、ガラス下面をエッチング処理してもよい。
【００９６】
また、図９の処理装置３００では、インジェクタ３１０は、合計３つのスリット３１５、３２０、３２５を有する。しかしながら、スリットの数は、特に限られない。例えば、スリットの数は、２つであってもよい。この場合、一つのスリットが処理ガス（例えば、キャリアガスとフッ化水素ガスと希釈ガスと水蒸気の混合ガス）供給用に利用され、別のスリットが排気用に利用されてもよい。また、スリット３２０と排気用スリット３２５との間に１つ以上のスリットを設けて、エッチングガス、キャリアガス、希釈ガス、水蒸気を供給させてもよい。
【００９７】
さらに、図９の処理装置３００では、インジェクタ３１０の第２のスリット３２０は、第１のスリット３１５を取り囲むように配置され、第３のスリット３２５は、第１のスリット３１５および第２のスリット３２０を取り囲むように設けられている。しかしながら、この代わりに、第１のスリット、第２のスリット、および第３のスリットを、水平方向（ｘ軸方向）に沿って一列に配列してもよい。この場合、処理ガスは、ガラス板の上面を、一方向に沿って移動し、その後、第３のスリットを介して排気される。
【００９８】
さらに、複数個のインジェクタ３１０を搬送手段３５０の上に、水平方向（ｘ軸方向）に沿って配置させてもよい。
【００９９】
さらに、別装置等によって、エッチング処理した面と同じ面に酸化ケイ素を主成分とする層を積層させてもよい。該層を積層させることにより、エッチング処理した面の化学的耐久性を向上させることができる。
【０１００】
また、ガラス板上に予めマスクを施した上でエッチング処理を行うことにより、ガラス板主面の所望の領域を部分的にエッチング処理したり、領域によって異なるエッチング条件を適用したりすることが可能である。
【０１０１】
（化学強化工程Ｓ１２）
化学強化工程Ｓ１２では、ガラス板を化学強化処理する。ここで、「化学強化処理（法）」とは、アルカリ金属を含む溶融塩中にガラス板を浸漬させ、ガラス板の最表面に存在する原子径の小さなアルカリ金属（イオン）を、溶融塩中に存在する原子径の大きなアルカリ金属（イオン）と置換する技術の総称を言う。「化学強化処理（法）」では、処理されたガラス板の表面には、処理前の元の原子よりも原子径の大きなアルカリ金属（イオン）が配置される。このため、ガラス板の表面に圧縮応力層を形成することができ、これによりガラス板の強度が向上する。
【０１０２】
例えば、ガラス板がナトリウム（Ｎａ）を含む場合、化学強化処理の際、このナトリウムは、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばカリウム（Ｋ）と置換される。あるいは、例えば、ガラス板がリチウム（Ｌｉ）を含む場合、化学強化処理の際、このリチウムは、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばナトリウム（Ｎａ）および／またはカリウム（Ｋ）と置換されてもよい。
【０１０３】
ガラス板に対して実施される化学強化処理の条件は、特に限られない。
【０１０４】
溶融塩の種類としては、例えば、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硫酸ナトリウム、硫酸カリウム、塩化ナトリウム、および塩化カリウム等の、アルカリ金属硝酸塩、アルカリ金属硫酸塩、およびアルカリ金属塩化物塩などが挙げられる。これらの溶融塩は、単独で用いても、複数種を組み合わせて用いてもよい。
【０１０５】
処理温度（溶融塩の温度）は、使用される溶融塩の種類によっても異なるが、例えば、３５０〜５５０℃の範囲であってもよい。
【０１０６】
化学強化処理は、例えば、３５０〜５５０℃の溶融硝酸カリウム塩中に、ガラス板を２分〜２０時間程度浸演することにより、実施してもよい。経済的かつ実用的な観点からは、３５０〜５００℃、１〜１０時間で実施されることが好ましい。
【０１０７】
これにより、表面に圧縮応力層が形成されたガラス板を得ることができる。
【０１０８】
前述のように、化学強化工程Ｓ１２は、必須の工程ではない。しかしながら、ガラス板に対して化学強化処理を実施することにより、ガラス板の強度を高めることができる。化学強化処理の有無によって、微小凹凸面の表面形状はほとんど変化しない。そのため、化学強化処理後にも、指滑り性を向上できる共に、ヘイズを低く抑制できる。
【０１０９】
（コーティング工程Ｓ１３）
コーティング工程Ｓ１３は、ガラス板の微小凹凸面に対し防汚層の材料をコーティングするＡＦＰ（Ａｎｔｉ−Ｆｉｎｇｅｒ  Ｐｒｉｎｔ）処理を有する。
【０１１０】
ＡＦＰ処理に用いる防汚層の材料は、ガラス板などの主面のＳｉ−ＯＨ基と結合する官能基およびフッ素を含むフッ素系シランカップリング剤である。防汚層の材料は、ガラス板の主面に存在するＳｉ−ＯＨ基と縮合することで、基板との密着性が確保される。
【０１１１】
防汚層の材料としては、公知の材料を利用でき、たとえば前記した化学式（Ａ）あるいは（Ｂ）の化合物を使用できる。
【０１１２】
これらは、単独で使用しても、混合して使用してもよい。また、予め、酸またはアルカリなどで部分的に加水分解縮合物を作製してから、使用してもよい。
【０１１３】
ＡＦＰ処理は、乾式法で実施されても、湿式法で実施されてもよい。乾式法では、蒸着法等の成膜プロセスにより、防汚層の材料をガラス板に成膜させる。一方、湿式法では、防汚層の材料を含む溶液をガラス板に塗布した後、ガラス板を乾燥する。
【０１１４】
ＡＦＰ処理の前には、必要に応じて、ガラス板に対して洗浄処理や下地処理を実施してもよい。また、ＡＦＰ処理の後には、防汚層の密着力向上のため、加熱処理および加湿処理等を実施してもよい。
【０１１５】
尚、コーティング工程は、ガラス板の微小凹凸面に対し中間層の材料をコーティングする中間層形成処理をさらに有してもよい。中間層形成処理は、ＡＦＰ処理よりも先に行われる。
【０１１６】
中間層形成処理においては、ガラス板１０の微小凹凸面１１ａ上に、中間層２２が形成される。
【０１１７】
中間層２２は、例えば、乾式法や湿式法により形成できる。乾式法では、「乾式」成膜プロセスを用いて、ガラス板１０の微小凹凸面１１ａに、各層を順次成膜することにより、単／多層構造の中間層２２が形成される。
【０１１８】
「乾式」成膜プロセスとしては、例えば、スパッタリング法、電子ビーム蒸着や抵抗加熱などの蒸着法、プラズマＣＶＤ法、およびＣＶＤ法等が挙げられる。
【０１１９】
なお、一部または全ての層の成膜中および／または後に、熱処理やプラズマ処理を実施してもよい。
【実施例】
【０１２０】
例１〜７では、ガラス板のエッチング処理の処理条件などを制御することで微小凹凸面の表面形状を制御し、ガラス板の微小凹凸面の指滑り性やヘイズなどを評価した。なお、例１〜５が実施例、例６〜７が比較例である。【０１２１】
（ガラス板の種類）
フロート法で成形した厚さ０．７ｍｍのガラス板を用意した。ガラス板のガラスの種類としては、例１、３〜７ではガラスＡ、例２ではガラスＢとした。ガラスＡは、アルミノシリケートガラス（旭硝子社製  ドラゴントレイル（登録商標））である。ガラスＢは、ソーダライムガラス（旭硝子社製  ＡＳ）である。【０１２２】
（ガラス板のエッチング処理）
ガラス板のエッチング処理には、前述の図９に示した処理装置３００を使用した。【０１２３】
第１のスリット３１５には、例１〜５ではフッ化水素ガスと窒素ガスと水蒸気を、例６〜７ではフッ化水素ガスと窒素ガスを供給した。尚、例６〜７では、水蒸気を第１のスリット３１５から供給しなかった。【０１２４】
第２のスリット３２０には、例１〜７の全てにおいて、窒素ガスを供給した。【０１２５】
フッ化水素ガス（ＨＦガス）の濃度は、例１では０．６ｖｏｌ％、例２では０．７ｖｏｌ％、例３では１．０ｖｏｌ％、例４では１．０ｖｏｌ％、例５では０．７ｖｏｌ％、例６では０．４ｖｏｌ％、例７では０．５ｖｏｌ％とした。【０１２６】
水蒸気濃度は、例１〜例５では水蒸気の量（Ｖ１）とフッ化水素ガスの量（Ｖ２）との体積比（Ｖ１／Ｖ２）を１／１０とした。尚、例６〜７では、水蒸気を第１のスリット３１５から供給しなかった。【０１２７】
第３のスリット３２５からの排気量は、例１〜７の全てにおいて、全供給ガス量の２倍とした。【０１２８】
エッチング処理時のガラス板の温度は、例１、４〜７では５８０℃、例２〜３では５６０°であった。なお、ガラス板の温度は、熱電対を配置した同種のガラス板を、同様の熱処理条件で搬送しながら測定した値である。ただし、ガラス板の温度は、放射温度計を用いて測定してもよい。【０１２９】
エッチング処理時間は、例１〜７の全てにおいて、１０秒とした。【０１３０】
（表面粗さ、最大高低差）
微小凹凸面の表面粗さＲａと最大高低差Ｈは、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＩ３８００Ｎ：エスアイアイ・ナノテクノロジー社製）により測定した。測定は、微小凹凸面のうちの一辺２μｍの正方形領域において、取得データ数５１２×５１２、走査周波数０．３Ｈｚとして実施し、ＡＦＭ像を取得した。表面粗さＲａは、各取得データの平均値を採用した。【０１３１】
一例として、例３によるガラス板の微小凹凸面の正方形領域のＡＦＭ像を図１０に示す。また、一例として例４によるガラス板の微小凹凸面の断面ＳＥＭ像を図１１に示す。【０１３２】
（凸の数、凸の最大断面積）
微小凹凸面の正方形領域における凸の数や凸の最大断面積は、表面粗さＲａと最大高低差Ｈの測定に用いたＡＦＭ像を、イメージメトロロジー社製  ＳＰＩＰＴＭ  （Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｉｍａｇｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ：走査型プローブ・イメージ・プロセッサ）により画像解析することで測定した。【０１３３】
（サミット密度）
微小凹凸面のサミット密度（Ｓｄｓ）は、表面粗さＲａと最大高低差Ｈの測定に用いたＡＦＭ像に対して国際規格ＩＳＯ１６６１０−６１に記載のＳ−フィルタを適用し、波長０．０５μｍ以下の波長成分を除去した後のＡＦＭ像から測定した。【０１３４】
（指滑り性）
微小凹凸面の指滑り性は、官能試験によって評価した。指滑り性が良い場合を「Ａ」とし、指滑り性が悪い場合を「Ｂ」とした。【０１３５】
（ヘイズ）
ガラス板のヘイズは、ヘーズメータ（ＨＺ−２：スガ試験機）を用いて、日本工業規格ＪＩＳ  Ｋ７３６１に準拠して測定した。ガラス板のヘイズは、微小凹凸面側から測定した。光源には、Ｃ光源を使用した。【０１３６】
（反射率）
積層体の可視光反射率は、測定に分光光度計（Ｕ−４１００型：日立株式会社製）を使用し、波長４５０ｎｍ〜６００ｎｍの平均値として、算出することが可能である。なお、この可視光反射率は、積層体の防汚層と反対側の面の影響を受けないように反対側の面を黒塗りにして、積層体の防汚層側から測定する。【０１３７】
（まとめ）
評価結果を、エッチング処理条件などと共に表１に示す。【０１３８】
【表１】
2017094683.tif 000005
表１から明らかなように、例１〜５によれば、エッチング処理ガスに水蒸気を添加したので、正方形領域における凸の数が１〜３００の範囲内、サミット密度が１〜１７０／μｍ２の範囲内であった。そのため、例１〜５では、指滑り性が良く、ヘイズが低く抑制できた。一方、例６〜７によれば、エッチング処理ガスに水蒸気を添加しなかったので、正方形領域における凸の数が３００を超え、サミット密度が１７０／μｍ２を超えた。そのため、例６〜７によれば、指滑り性が悪かった。尚、この傾向は、防汚層や中間層、化学強化処理の有無などによって変化しなかった。【０１３９】
以上、ガラス板、タッチパッドおよびタッチパネルの実施形態などを説明したが、本発明は上記実施形態などに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、改良が可能である。【０１４０】
本出願は、２０１５年１１月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−２３４２１７号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−２３４２１７号の全内容を本出願に援用する。
【符号の説明】
【０１４１】
１０  ガラス板
１１  第１主面
１１ａ  微小凹凸面
１２  第２主面
２０  積層体
２１  防汚層
２２  中間層
３０  タッチパッド
３１  位置検出器
４０  タッチパネル
４１  位置検出器
４２  画像表示装置
【図１】
2017094683.tif 000006
【図２】
2017094683.tif 000007
【図３】
2017094683.tif 000008
【図４】
2017094683.tif 000009
【図５】
2017094683.tif 000010
【図６】
2017094683.tif 000011
【図７】
2017094683.tif 000012
【図８】
2017094683.tif 000013
【図９】
2017094683.tif 000014
【図１０】
2017094683.tif 000015
【図１１】
2017094683.tif 000016
【国際調査報告】
2017094683.tif 000017
2017094683.tif 000018
2017094683.tif 000019
2017094683.tif 000020