(57)【要約】  本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、液晶表示素子としての諸特性が高く、狭セルギャップ化した際のコントラストを改善する方法を提供する。本発明は、  電極Ａが形成された第１の基板と、  前記第１の基板に対向して配置される、電極Ｂが形成された第２の基板と、  電極間に電圧を印加しない状態で、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、第一及び第二の基板に対し略垂直に配向する液晶層により構成され、  前記電極Ａが枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔（Ｓ  μｍ）及び前記第１の基板と前記第２の基板の基板間距離（ｄ  μｍ）が式（１）の関係を満たす液晶表示素子を提供する。（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５        式（１）
2018105381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極Ａが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される、電極Ｂが形成された第２の基板と、
電極間に電圧を印加しない状態で、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、第一及び第二の基板に対し略垂直に配向する液晶層により構成され、
前記電極Ａが枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔（Ｓ  μｍ）及び前記第１の基板と前記第２の基板の基板間距離（ｄ  μｍ）が式（１）の関係を満たす液晶表示素子。
（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５            式（１）
【請求項２】
ｄが３．６より小さい請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
Ｓが３．４より小さい請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶層の屈折率異方性（Δｎ）及びｄの積Δｎ・ｄの値が３２０〜３６０である請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
Δｎが０．０８９〜０．３６０である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
負の誘電率異方性を持った液晶材料を使用する請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項７】
液晶層中の液晶分子の第一の基板との平均のなす角（θ）が８５°から８９．８°である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
第一及び第二の基板間にθを調節するための重合体を有する請求項５記載の液晶表示素子。
【請求項９】
液晶層中の液晶組成物が、下記一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）
【化１】
2018105381.tif 000065
（式中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＸＮ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
ＴＮ３１は−ＣＨ２−又は酸素原子を表し、
ｎＮ１１、ｎＮ１２、ｎＮ２１、ｎＮ２２、ｎＮ３１及びｎＮ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、ＡＮ１１〜ＡＮ３２、ＺＮ１１〜ＺＮ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
液晶層中の液晶組成物がさらに、一般式（Ｌ）
【化２】
2018105381.tif 000066
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）で表される化合物で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
請求項７記載の重合体が、一般式（ｉｉ）
【化３】
2018105381.tif 000067
（式中、
Ｚｉ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ａｉ１は、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基又は単結合を表し、これらの環構造中の水素原子はハロゲン原子及び／又は−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＡｉ１がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍｉ１は、１〜５の整数を表し、
Ｋｉ１は、水酸基、アミノ基、−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１又は
以下の式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）：
【化４】
2018105381.tif 000068
（式中、
ＷＫ１は、メチン基又は窒素原子を表し、
ＸＫ１及びＹＫ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＺＫ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＵＫ１、ＶＫ１及びＳＫ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［Ｕ
Ｋ１がメチン基、ＶＫ１がメチン基、ＳＫ１が窒素原子］の組み合わせは除く。）
のいずれかで表される構造を表し、
式（ｉ）及び式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）中、左端の黒点は結合手を表し、
Ｓｐｉ１は、炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基、炭素原子数１〜１８の分岐状ア
ルキレン基又は単結合を表すが、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−
ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｒｉ１は、水素原子又は式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−１５）：
【化５】
2018105381.tif 000069
（式中、右端の黒点は結合手を表す。）
からなる群より選ばれる置換基を表す。
なお、分子内に同一の記載の置換基が存在している場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される重合性化合物の重合物である請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１２】
請求項１記載の第１の基板及び第２の基板の少なくとも１方の基板上にポリイミド配向膜を有さない請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶テレビ等の構成部材として有用な液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、液晶テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものとして、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型（バーチカル・アライメント；ＶＡ）、ＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型やＦＦＳ（フリンジ  フィールド  スイッチング）型等が挙げられる。【０００３】
これら液晶表示素子は、動画特性の向上のため高速応答化が求められており、狭セルギャップ化の要求が高くなっている。従来は４μｍ程度のセルギャップであったが、更なる狭ギャップ化が求められている。液晶表示素子は、コントラストの向上の観点からセルギャップ（ｄ）と使用する液晶組成物の屈折率異方性（Δｎ）の積の値を最適値に調整する必要があり、液晶組成物には高Δｎに対する要求がある。従来のセルギャップが４μｍ程度の液晶表示素子の場合には、液晶組成物のΔｎの調整により、コントラストの改善は可能であった。しかし、セルギャップが３．６μｍ以下となり、特にフィッシュボーン状のパターンを有する電極を使用した場合には、液晶組成物のΔｎの調整だけでは十分にコントラストを改善することが出来なかった（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−７４７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、液晶表示素子としての諸特性が高く、狭セルギャップ化した際のコントラストを改善する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、上記課題を解決するために、種々の液晶表示素子の構成を検討した結果、特定の電極構造とすることにより、前記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。【０００７】
すなわち、本発明は、
電極Ａが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される、電極Ｂが形成された第２の基板と、
電極間に電圧を印加しない状態で、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、第一及び第二の基板に対し略垂直に配向する液晶層により構成され、
前記電極Ａが枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔（Ｓ  μｍ）及び前記第１の基板と前記第２の基板の基板間距離（ｄ  μｍ）が式（１）の関係を満たす液晶表示素子。
（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５            式（１）
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、優れたコントラストおよび応答速度を示す液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の液晶表示素子の一実施形態を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の液晶表示素子に用いられるフィッシュボーン状のパターンを有する電極（櫛形電極）の一例を示す概略平面図である。
【図３】本発明の液晶表示素子における１ドメイン中のプレチルト角の定義を示す図である。
【図４】本発明の好ましい液晶表示素子に用いられる片側の基板上電極パターン平面図の一例である。
【図５】図４の記載した電極を用いた、本発明の好ましい液晶表示素子の断面図の一例であり、電極間に電圧を印加していない状態の液晶化合物の配向の概念図である。
【図６】ｄ、Ｓ及び透過率の関係
【図７】透過率（Ｔ）が特定の値となるときのＳとｄの関係
【図８】図５の記載した液晶表示素子において、ｄ＝３．８μｍ、Ｓ＝３．０μｍ、Ｌ＝３．０μｍとし、第一の電極と第二の電極間に１０Ｖの電圧を印加した際の等電位面の様子とそのときの液晶分子の状態を模式的に表すシミュレーション結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜液晶表示素子＞
本願発明の液晶表示素子は、一対の基板の間に、液晶組成物を含有する液晶層が挟持された液晶表示素子であって、液晶層に電圧を印加し、液晶層中の液晶分子をフレデリクス転移させることにより、光学的なスイッチとして働かせる原理に基づくものであり、この点では周知慣用技術を用いることができる。
【００１１】
２枚の基板が液晶分子をフレデリクス転移させるための電極を有する、通常の垂直配向液晶表示素子では、一般的に、これら基板間に垂直に電荷を印加する方式が採用される。この場合、一方の電極は共通電極となり、もう一方の電極は画素電極となる。以下、この方式の最も典型的な実施形態を示す。
【００１２】
図１は、本発明の液晶表示素子の一実施形態を示す概略斜視図である。
【００１３】
本実施形態の液晶表示素子１０は、第一の基板１１と、第二の基板１２と、第一の基板１１と第二の基板１２との間に挟持され、液晶組成物を含有する液晶層１３と、第一の基板１１における液晶層１３と対向する面上に設けられた共通電極１４と、第二の基板１２における液晶層１３と対向する面上に設けられた画素電極１５と、第一の基板１１と共通電極１４との間に設けられたカラーフィルタ１８と、から概略構成されている。
【００１４】
第一の基板１１及び第二の基板１２としては、例えば、ガラス基板又はプラスチック基板が用いられる。
【００１５】
前記プラスチック基板としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、環状オレフィン樹脂等の樹脂からなる基板が用いられる。
【００１６】
共通電極１４及び画素電極１５は、通常、インジウム添加酸化スズ（ＩＴＯ）等の透明性を有する材料から構成される。
【００１７】
画素電極１５は、第二の基板１２にマトリクス状に配設されている。画素電極１５は、ＴＦＴスイッチング素子（図示略）に代表されるアクティブ素子のドレイン電極により制御され、そのＴＦＴスイッチング素子は、アドレス信号線であるゲート線及びデータ線であるソース線をマトリクス状に有している。
【００１８】
画素電極１５は、その画素中に液晶分子のプレチルトの方向が異なる２以上の領域を有する。このように、液晶分子のプレチルトの方向を規定して、画素内の液晶分子の倒れる方向をいくつかの領域に分割する画素分割を行うことで、視野角特性が向上する。
【００１９】
画素分割を行うために、各画素内において、フィッシュボーン状のパターンを有する電極を使用する。画素電極をフィッシュボーン状のパターンを有する電極としてもよく、共通電極をフィッシュボーン状のパターンを有する電極としても良いが、画素電極をフィッシュボーン状のパターンを有する電極とすることが好ましい。ストライプ状のスリットを所定の間隔で配置する
図２は、画素内を４つの領域に分割する場合の画素電極をフィッシュボーン状のパターンを有する電極の典型的な形態を示す概略平面図である。このスリット電極は、画素の中央から４方向に櫛歯状にスリットを有することにより、電圧無印加時に基板に対して略垂直配向している各画素内の液晶分子は、電圧の印加に伴って４つの異なった方向に液晶分子のダイレクターを向けて、水平配向に近づいていく。その結果、画素内の液晶分子の配向方向を複数に分割できるので、極めて広い視野角特性を有する。
【００２０】
液晶表示素子１０としては、画素電極１５がスリットを有する（スリット電極である）ものが好ましい。
【００２１】
画素分割を行う方法としては、前記画素電極をフィッシュボーン状のパターンを有する電極を設ける方法とともに、画素内に線状突起等の構造物を設ける方法、画素電極や共通電極以外の電極を設ける方法、配向膜とは異なる重合性化合物の重合体による構造物を設ける方法を併用することが出来るが、配向膜とは異なる重合性化合物の重合体による構造物（配向制御層）を設ける方法（ＰＳＡ）が好ましい。前記構造物は、第一の基板１１及び第二の基板１２の少なくとも一方が有していればよく、両方が有していてもよいし、液晶組成物中に存在していても良い。
【００２２】
ただし、フィッシュボーン状のパターンを有する電極のみでは、電圧無印加時には液晶分子に対して駆動力を有しないことから、液晶分子にプレチルト角を付与することはできない。しかし、本願発明においては、後述する配向制御層を設けることにより、プレチルト角を付与することができるとともに、画素分割したスリット電極と組み合わせることにより、画素分割による広視野角を達成できる。
【００２３】
本願発明において、プレチルト角を有するとは、電圧無印加状態において、基板面（第一の基板１１及び第二の基板１２における液晶層１３と隣接する面）に対して垂直な方向と、液晶分子のダイレクターの方向とが、僅かに異なっている状態をいう。
【００２４】
本願発明の液晶表示素子は、垂直配向（ＶＡ）型液晶表示素子なので、電圧無印加時に液晶分子のダイレクターは基板面に対して略垂直配向しているものである。通常、ＶＡ型液晶表示素子において液晶分子を垂直配向させるためには、第一の基板と液晶層との間、第二の基板と液晶層との間に、それぞれポリイミド、ポリアミド、ポリシロキサン等の垂直配向膜が配置されるが、本発明の液晶表示素子は、少なくともひとつの基板はこのような垂直配向膜を有しない。しかしながら、もし、一方の基板に垂直配向膜を有する場合は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ペンゾシクロブテンポリマー）、ポリビニルアルコールなどの透明性有機材料を用いることができる。本願発明の液晶表示素子においては、上述のＰＳＡ方式の液晶表示素子と同様に、電極間に電圧を印加し、液晶分子を僅かにチルトさせた状態で、紫外線等の活性エネルギー線を照射して、液晶組成物中の重合性化合物を重合させることにより、適切なプレチルト角を付与するものである。ただし、本願発明の液晶表示素子においては、重合性化合物として、具体的には後述の重合性化合物を重合させて配向制御層を形成する。
【００２５】
なお、本発明において、「液晶分子が略垂直配向している」とは、垂直配向している液晶分子のダイレクターが垂直方向からやや倒れてプレチルト角が付与されている状態を意味する。液晶分子が完全に垂直配向している場合、基板面に対して完全に平行な方向と、液晶分子のダイレクターの方向と、のなす角度は９０°であり、液晶分子が完全にホモジニアス配向（基板面に対して水平に配向）している場合、前記角度は０°であり、液晶分子が略垂直配向している場合、前記角度は好ましくは８９．７〜８５°、より好ましくは８９．５〜８７°である。
【００２６】
本発明の液晶表示素子は、液晶組成物を配向させるためのポリイミド配向膜を第１の基板及び第２の基板の両方に有していてもよく、片方のみに有していてもよく、両基板ともに有していなくても良い。
【００２７】
本発明の液晶表示素子は、ポリイミド配向膜を有していない場合、液晶組成物を配向させるために反応性基を有する重合性化合物の重合体により、液晶組成物を配向させる構造であってもよく、ポリイミド配向膜を有している場合でも、液晶組成物をポリイミドの配向方向と異なる方向に補助的に配向させるために反応性基を有する重合性化合物の重合体により、液晶組成物を配向させる構造であってもよい。
【００２８】
本願発明の液晶表示素子の配向制御層を形成するための反応性基を有する重合性化合物として具体的には、一般式（ｉｉ）
【００２９】
【化１】
2018105381.tif 000003
【００３０】
（式中、
Ｚｉ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ａｉ１は、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基又は単結合を表し、これらの環構造中の水素原子はハロゲン原子及び／又は−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＡｉ１がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍｉ１は、１〜５の整数を表し、
Ｋｉ１は、水酸基、アミノ基、−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１又は
以下の式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）：
【００３１】
【化２】
2018105381.tif 000004
【００３２】
（式中、
ＷＫ１は、メチン基又は窒素原子を表し、
ＸＫ１及びＹＫ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＺＫ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＵＫ１、ＶＫ１及びＳＫ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［Ｕ
Ｋ１がメチン基、ＶＫ１がメチン基、ＳＫ１が窒素原子］の組み合わせは除く。）
のいずれかで表される構造を表し、
式（ｉ）及び式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）中、左端の黒点は結合手を表し、
Ｓｐｉ１は、炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基、炭素原子数１〜１８の分岐状ア
ルキレン基又は単結合を表すが、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−
ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｒｉ１は、水素原子又は式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−１５）：
【００３３】
【化３】
2018105381.tif 000005
【００３４】
（式中、右端の黒点は結合手を表す。）
からなる群より選ばれる置換基を表す。
なお、分子内に同一の記載の置換基が存在している場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される重合性化合物が好ましい。
【００３５】
式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｚｉ１は、好ましくは、単結合、炭素原子数２〜２０の直鎖状又は分岐状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された基を表し、より好ましくは、単結合、炭素原子数２〜１５の直鎖状のアルキレン基、又は該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された基を表し、更に好ましくは、単結合、炭素原子数２のアルキレン基（エチレン基（−ＣＨ２ＣＨ２−））若しくはエチレン基中の−ＣＨ２−の１個が−Ｏ−で置換された基（−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−）、又は炭素原子数３〜１３の直鎖状
のアルキレン基若しくは該アルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−が−Ｏ−で置換された基を表す。
【００３６】
Ａｉ１は、好ましくは、２価の６員環芳香族基又は２価の６員環脂肪族基（これらの環構造中の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい）を表し、より好ましくは、２価の無置換の６員環芳香族基、２価の無置換の６員環脂肪族基、又はこれらの環構造中の水素原子がフッ素原子で置換された基を表し、更に好ましくは、２価の無置換の６員環芳香族基若しくはこの環構造中の水素原子がフッ素原子で置換された基、又は２価の無置換の６員環脂肪族基を表す。
【００３７】
ｍｉ１は、好ましくは１〜４の整数を表し、更に好ましくは１〜３の整数を表す。
【００３８】
Ｋｉ１は、好ましくは式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−５）及び式（Ｋ−８）のいずれかで表される構造を表し、より好ましくは式（Ｋ−１）、式（Ｋ−５）及び式（Ｋ−８）のいずれかで表される構造を表す。
【００３９】
式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）中、ＷＫ１は、好ましくはメチン基を表す。ＸＫ１及びＹＫ１は、それぞれ独立して、好ましくは−ＣＨ２−又は酸素原子を表す。ＺＫ１は、好ましくは酸素原子を表す。ＵＫ１及びＶＫ１の一方又は両方が窒素原子を表すことが好ましく、ＵＫ１及びＶＫ１の一方がメチン基を表し、他方が窒素原子を表すことがより好ましい。ＳＫ１は、好ましくは窒素原子を表す。
【００４０】
式（ｉｉ）中、Ｓｐｉ１は、好ましくは炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、より好ましくは炭素原子数２〜１５の直鎖状アルキレン基又は単結合を表し、更に好ましくは炭素原子数３〜１２の直鎖状アルキレン基又は単結合を表す。
【００４１】
Ｒｉ１は、好ましくは水素原子又は式（Ｒ−１）及び式（Ｒ−２）のいずれかの置換基を表す。
【００４２】
一般式（ｉｉ）として、下記一般式（Ｖ）
【００４３】
【化４】
2018105381.tif 000006
【００４４】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ１及びＳｐ２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、環状置換基により置換されていてもよく、ｋは１〜５の整数を表す。）で表される重合性化合物が好ましい。
【００４５】
上記一般式（Ｖ）において、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、反応速度を重視する場合には水素原子が好ましく、反応残留量を低減することを重視する場合にはメチル基が好ましい。
【００４６】
上記一般式（Ｖ）において、Ｓｐ１及びＳｐ２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表すが、炭素鎖があまり長くないことが好ましく、単結合又は炭素原子数１〜５のアルキレン基が好ましく、単結合又は炭素原子数１〜３のアルキレン基がより好ましい。また、Ｓｐ１及びＳｐ２が−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−を表す場合も、ｓは１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、Ｓｐ１及びＳｐ２の少なくとも一方が、単結合であることがより好ましく、いずれも単結合であることが特に好ましい。
【００４７】
上記一般式（Ｖ）において、Ｕは炭素原子数２〜２０の直鎖もしくは分岐多価アルキレン基又は炭素原子数５〜３０の多価環状置換基を表すが、多価アルキレン基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよく、炭素原子数５〜２０のアルキル基（基中のアルキレン基は酸素原子が隣接しない範囲で酸素原子により置換されていてもよい。）、環状置換基により置換されていてもよく、２つ以上の環状置換基により置換されていることが好ましい。
【００４８】
上記一般式（Ｖ）において、Ｕは具体的には、以下の式（Ｖａ−１）から式（Ｖａ−５）を表すことが好ましく、式（Ｖａ−１）から式（Ｖａ−３）を表すことがより好ましく、式（Ｖａ−１）を表すことが特に好ましい。
【００４９】
【化５】
2018105381.tif 000007
【００５０】
（式中、両端はＳｐ１又はＳｐ２に結合するものとする。）
Ｕが環構造を有する場合、前記Ｓｐ１及びＳｐ２は少なくとも一方が単結合を表すことが好ましく、両方共に単結合であることも好ましい。
【００５１】
上記一般式（Ｖ）において、ｋは１〜５の整数を表すが、ｋが１のニ官能化合物、又はｋが２の三官能化合物であることが好ましく、ニ官能化合物であることがより好ましい。
【００５２】
上記一般式（Ｖ）で表される化合物は、具体的には、以下の一般式（Ｖｂ）で表される化合物が好ましい。
【００５３】
【化６】
2018105381.tif 000008
【００５４】
（式中、Ｘ１及びＸ２はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表し、Ｓｐ１及びＳｐ２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−（式中、ｓは２〜７の整数を表し、酸素原子は芳香環に結合するものとする。）を表し、Ｚ１は−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、Ｃは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表し、式中の全ての１，４−フェニレン基は、任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい。）
上記一般式（Ｖｂ）において、Ｘ１及びＸ２は、はそれぞれ独立して、水素原子又はメチル基を表すが、いずれも水素原子を表すジアクリレート誘導体、又はいずれもメチル基を有するジメタクリレート誘導体が好ましく、一方が水素原子を表し、もう一方がメチル基を表す化合物も好ましい。これらの化合物の重合速度は、ジアクリレート誘導体が最も早く、ジメタクリレート誘導体が遅く、非対称化合物がその中間であり、その用途により好ましい態様を用いることができる。ＰＳＡ液晶表示素子においては、ジメタクリレート誘導体が特に好ましい。
【００５５】
上記一般式（Ｖｂ）において、Ｓｐ１及びＳｐ２はそれぞれ独立して、単結合、炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−を表すが、ＰＳＡ液晶表示素子においては少なくとも一方が単結合であることが好ましく、共に単結合を表す化合物又は一方が単結合でもう一方が炭素原子数１〜８のアルキレン基又は−Ｏ−（ＣＨ２）ｓ−を表す態様が好ましい。この場合、炭素原子数１〜４のアルキレン基が好ましく、ｓは１〜４が好ましい。
【００５６】
上記一般式（Ｖｂ）において、Ｚ１は、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−ＣＨ２−、−ＯＣＯ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＯＯ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＹ１＝ＣＹ２−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表すが、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は単結合が好ましく、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は単結合がより好ましく、単結合が特に好ましい。
【００５７】
上記一般式（Ｖｂ）において、Ｃは任意の水素原子がフッ素原子により置換されていてもよい１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基又は単結合を表すが、１，４−フェニレン基又は単結合が好ましい。
【００５８】
Ｃが単結合以外の環構造を表す場合、Ｚ１は単結合以外の連結基も好ましく、Ｃが単結合の場合、Ｚ１は単結合が好ましい。
【００５９】
以上より、上記一般式（Ｖｂ）において、Ｃが単結合を表し、環構造が二つの環で形成される場合が好ましく、、環構造を有する重合性化合物としては、具体的には以下の一般式（Ｖ−１）から（Ｖ−６）で表される化合物が好ましく、一般式（Ｖ−１）から（Ｖ−４）で表される化合物が特に好ましく、一般式（Ｖ−２）で表される化合物が最も好ましい。
【００６０】
【化７】
2018105381.tif 000009
【００６１】
配向制御層は、液晶組成物に一般式（Ｖ）で表される化合物を含有する液晶含有重合用組成物を調製し、これを使用して形成する。具体的な配向制御層を形成する方法は、後段の＜液晶表示素子の製造方法＞において記述する。
【００６２】
液晶含有重合用組成物には、一般式（Ｖ）で表される化合物を含有するが、その他の重合性化合物を含有することもできる。例えば、３官能以上の（メタ）アクリレート化合物、２官能（メタ）アクリレート化合物、単官能（メタ）アクリレート化合物等が挙げられる。
【００６３】
一般式（Ｖ）で表される化合物は、液晶含有重合用組成物に対して０．１〜１５質量％含有することが好ましく、０．１〜１０質量％含有することがより好ましく、０．１〜８質量％含有することが更に好ましい。
【００６４】
液晶表示素子１０は、さらに、第一の基板１１と液晶層１３との間、及び第二の基板１２と液晶層１３との間、の少なくとも一方に、パッシベーション膜を有していてもよい（図示略）。このように、パッシベーション膜を有することで、近傍の第一の基板１１又は第二の基板１２の表面が保護される。
【００６５】
液晶表示素子１０は、さらに、第一の基板１１と液晶層１３との間、及び第二の基板１２と液晶層１３との間、の少なくとも一方に、平坦化膜を有していてもよい（図示略）。こ膜の表面の平坦性が高い場合には、かかるパッシベーション膜を平坦化膜としても取り扱ってよい。
【００６６】
前記パッシベーション膜及び平坦化膜としては、いずれも公知のものが適宜使用できる。
【００６７】
本発明の液晶表示素子は、液晶分子として以下に示す特定の化合物を併用した液晶組成物と、特定の重合性化合物から形成された配向制御層とを組み合わせて用いることにより、従来の液晶表示素子とは異なり、第一の基板と液晶層との間、及び第二の基板と液晶層との間に、配向膜を有するか、有していなくても、電圧無印加時に液晶分子は基板面に対して略垂直配向する。そして、誘電率異方性、粘度、ネマチック相上限温度、回転粘度（γ１）等の諸特性を悪化させることなく、焼き付きの発生が抑制される。
【００６８】
図４は図２の一部分を切り出したものである。本発明における電極Ａは枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔をＳ（μｍ）とした際の、前記第１の基板と前記第２の基板の基板間距離（ｄ  μｍ）との関係が式（１）を満たすものである。
（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５              式（１）
ここで、Ｓ＝（ｄ−α）/１．２５としたときのαの上限値は０．６であり、０．５が好ましく、０．４が好ましく、０．３が好ましく、０．２が好ましく、０．１が好ましく、０が好ましい。下限値は−１．１であり、−１．０６が好ましく、−１．０３が好ましく、−１．００が好ましく、−０．９７が好ましく、−０．９３が好ましく、−０．９が好ましく、−０．８７が好ましく、−０．８３が好ましく、−０．８が好ましく、−０．７７が好ましく、−０．７３が好ましく、−０．７が好ましく、−０．６７が好ましく、−０．６３が好ましく、−０．６が好ましく、−０．５７が好ましく、−０．５３が好ましく、−０．５が好ましく、−０．４７が好ましく、−０．４３が好ましく、−０．４が好ましい。
【００６９】
このαの最適化により、液晶表示素子の透過率が改善できる。Ｓが本発明に規定する範囲を外れると透過率の観点から好ましくなく、ｄが本発明に規定する範囲を外れると透過率や応答速度の観点から好ましくない。Ｓは１〜４の範囲であることが好ましく、１．５〜３．３の範囲であることが好ましい。ｄは０．７〜３．６の範囲であることが好ましく、１．０〜３．６の範囲であることが好ましく、１．５〜３．６の範囲であることが好ましい。ｄは０．６より小さくなることはない。
【００７０】
透過率（Ｔ）は、液晶表示素子の特性上、大きいほうが好ましいが、人間の視覚特性から０．２６以上が好ましく、０．２７以上が好ましく、０．２８以上が好ましく、０．２９以上が好ましく、０．３０以上が好ましい。特に、液晶テレビ等に使用する場合、０．２８以上であることが好ましい。
【００７１】
なお、狭セルギャップ化に伴う、透過率の低下によるコントラストの低下の要因は複合的なものであると考えられるが、特に、狭セルギャップ化により、電極間に電圧を印加することにより生じる等電位面が、より複雑なものとなり、電極幅及びその間隔の影響を大きく受けるようになったこと、及び液晶組成物のΔｎや弾性定数Ｋ１１、Ｋ３３等の影響により、基板間方向の液晶組成物の配向状態が影響を大きく受けるようになったことが挙げられる。これにより、Ｓ及びｄに特定の関係を満たすことが必要となる。また液晶組成物としても、特定の物性が要求されるため、これを構成する液晶化合物も特定の組み合わせであることが好ましいものとなる。
＜液晶表示素子の製造方法＞
図１に示す液晶表示素子１０は、例えば、以下の方法で製造できる。
【００７２】
まず、第一の基板１１と第二の基板１２とを重ね合わせ、これらの間に、後述する工程で液晶層１３及び配向制御層を形成するための液晶含有重合用組成物を挟持する。前記液晶含有重合用組成物は、液晶組成物に対して、前記一般式（１）で表される化合物を必須成分として含有するものであるが、液晶組成物を構成する化合物として、一般式（Ｉ）で表される化合物及び前記一般式（ＩＩ）で表される化合物を含有することが好ましい。
【００７３】
より具体的には、第一の基板１１及び第二の基板１２のいずれか一方における、これらの対向面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、エポキシ接着剤等を用いてスクリーン印刷法により、シール部を印刷（形成）する。なお、第一の基板１１の第二の基板１２に対向する面とは、共通電極１４及びカラーフィルタ１８を有する面であり、第二の基板１２の第一の基板１１に対向する面とは、画素電極１５を有する面である。
【００７４】
次いで、第一の基板１１と第二の基板１２とを対向させ、これらを、前記スペーサ突起物及びシール部を介して貼り合わせた後、形成されたスペースに前記液晶含有重合用組成物を注入する。そして、加熱等により、前記シール部を硬化させることにより、第一の基板１１と第二の基板１２との間に液晶含有重合用組成物を挟持する。
【００７５】
次いで、共通電極１４と画素電極１５との間に、電圧印加手段を用いて、電圧を印加する。このときの電圧は、例えば、５〜３０Ｖとする。これにより、第一の基板１１の液晶含有重合用組成物との隣接面（液晶含有重合用組成物と対向する面）、及び第二の基板１２の液晶含有重合用組成物との隣接面（液晶含有重合用組成物と対向する面）に対して、所定の角度をなす方向の電場が生じ、液晶含有重合用組成物中の液晶分子（一般式（Ｉ）で表される化合物、一般式（ＩＩ）で表される化合物）１９が、第一の基板１１と第二の基板１２の法線方向から所定方向に傾いて配向し、図３に示すように、液晶分子１９にプレチルト角θが付与される。プレチルト角θの大きさは、電圧の大きさを適宜調節することにより制御できる。
【００７６】
次いで、電圧を印加した状態のまま、紫外線等の活性エネルギー線を、例えば、第一の基板１１の外側から液晶含有重合用組成物に照射することにより、前記２種以上の重合性化合物を重合させる。なお、活性エネルギー線は、第二の基板１２の外側から照射してもよいし、第一の基板１１の外側及び第二の基板１２の外側の双方から照射してもよい。
【００７７】
活性エネルギー線の照射により、液晶含有重合用組成物中の２種以上の前記重合性化合物が反応して、液晶含有重合用組成物は所望の組成を有する液晶組成物となって液晶層１３を構成し、同時に第一の基板１１と液晶層１３との間、及び第二の基板１２と液晶層１３との間に、配向制御層が形成される。
【００７８】
形成された配向制御層は、非駆動状態において、液晶層１３中の、第一の基板１１の近傍及び第二の基板１２の近傍に位置する液晶分子１９にプレチルト角θを付与する。
【００７９】
活性エネルギー線の照射強度は、一定であってもよいし、一定でなくてもよく、照射強度を変化させる場合には、各々の照射強度での照射時間を任意に設定できるが、２段階以上の照射工程を採用する場合には、２段階目以降の照射工程の照射強度は、１段階目の照射工程の照射強度よりも弱いことが好ましく、２段階目以降の照射工程の総照射時間は１段階目の照射時間よりも長くかつ照射総エネルギー量が大きいことが好ましい。また、照射強度を不連続に変化させる場合には、全照射工程時間の前半部分の平均照射光強度が後半部分の平均照射強度よりも強いことが好ましく、照射開始直後の強度が最も強いことがより好ましく、照射時間の経過と共にある一定値まで常に照射強度が減少し続けることがさらに好ましい。この場合の活性エネルギー線の照射強度は、２〜１００ｍＷ／ｃｍ２であることが好ましいが、多段階照射の場合の１段階目、または不連続に照射強度変化させる場合の全照射工程中の最高照射強度は、１０〜１００ｍＷ／ｃｍ２であること、かつ多段階照射の場合の２段階目以降、又は不連続に照射強度を変化させる場合の最低照射強度は、２〜５０ｍＷ／ｃｍ２であることがより好ましい。また、照射総エネルギー量は、１０〜３００Ｊであることが好ましく、５０〜２５０Ｊであることがより好ましく、１００〜２５０Ｊであることがさらに好ましい。
【００８０】
印加電圧は交流であってもよいし、直流であってもよい。
【００８１】
照射する前記活性エネルギー線は、複数のスペクトルを有するものが好ましく、複数のスペクトルを有する紫外線が好ましい。複数のスペクトルを有する活性エネルギー線の照射によって、２種以上の前記重合性化合物は、その種類ごとに適したスペクトル（波長）の活性エネルギー線によって重合することが可能となり、この場合、配向制御層がより効率的に形成される。
【００８２】
配向制御層は、前記重合性化合物の重合物により構成されるが、例えば、第一の基板１１と液晶層１３とを明確に区切ってこれらの間に形成されるとは限らず、第一の基板１１の近傍においては、第一の基板１１の液晶層１３との隣接面（液晶層１３と対向する面）から、液晶層１３の内部に入り込むようにして形成されることもあると推測される。第二の基板１２の近傍においても同様であり、配向制御層は、第二の基板１２と液晶層１３とを明確に区切ってこれらの間に形成されるとは限らず、第二の基板１２の近傍においては、第二の基板１２の液晶層１３との隣接面（液晶層１３と対向する面）から、液晶層１３の内部に入り込むようにして形成されることもあると推測される。
【００８３】
ただし、配向制御層の構造を正確に示すことは困難である。
【００８４】
また、活性エネルギー線の照射により、前記２種以上の重合性化合物は、互いに類似の構造を有するもの同士が優先的に重合して、液晶分子を基板の近傍領域に配列させると共に、プレチルトの方向を所定の方向に規定して、配向を制御していると推測される。
（液晶組成物）
本発明における液晶組成物には、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を１種または２種以上含有する。
【００８５】
【化８】
2018105381.tif 000010
【００８６】
式中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＸＮ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
ＴＮ３１は−ＣＨ２−又は−Ｏ−を表し、
ｎＮ１１、ｎＮ１２、ｎＮ２１、ｎＮ２２、ｎＮ３１及びｎＮ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、ＡＮ１１〜ＡＮ３２、ＺＮ１１〜ＺＮ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。
【００８７】
一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）で表される化合物は、Δεが負でその絶対値が３よりも大きな化合物であることが好ましい。
【００８８】
一般式（Ｎ−１）、（Ｎ−２）及び（Ｎ−３）中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜８のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数２〜８のアルケニル基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数２〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基が更に好ましく、炭素原子数３のアルケニル基（プロペニル基）が特に好ましい。
【００８９】
また、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【００９０】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【００９１】
【化９】
2018105381.tif 000011
【００９２】
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立してΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、トランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【００９３】
【化１０】
2018105381.tif 000012
【００９４】
トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。
【００９５】
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−又は単結合を表すことが好ましく、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＨ２ＣＨ２−又は単結合が更に好ましく、−ＣＨ２Ｏ−又は単結合が特に好ましい。
【００９６】
ＸＮ２１はフッ素原子が好ましい。
【００９７】
ＴＮ３１は−Ｏ−が好ましい。
【００９８】
ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２は１又は２が好ましく、ｎＮ１１が１でありｎＮ１２が０である組み合わせ、ｎＮ１１が２でありｎＮ１２が０である組み合わせ、ｎＮ１１が１でありｎＮ１２が１である組み合わせ、ｎＮ１１が２でありｎＮ１２が１である組み合わせ、ｎＮ２１が１でありｎＮ２２が０である組み合わせ、ｎＮ２１が２でありｎＮ２２が０である組み合わせ、ｎＮ３１が１でありｎＮ３２が０である組み合わせ、ｎＮ３１が２でありｎＮ３２が０である組み合わせ、が好ましい。
【００９９】
本発明の液晶組成物の総量（液晶組成物中に含まれる液晶化合物の総量。以下同じ。）に対しての一般式（Ｎ−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。
【０１００】
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。
【０１０１】
本発明の液晶組成物の総量に対しての一般式（Ｎ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％であり、２０％である。
【０１０２】
本発明の液晶組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を高く上限値が高いことが好ましい。
【０１０３】
一般式（Ｎ−１）で表される化合物は一般式（Ｎ−１−１）〜（Ｎ−１−２１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１０４】
一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１０５】
【化１１】
2018105381.tif 000013
【０１０６】
（式中、ＲＮ１１１及びＲＮ１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、プロピル基又はペンチル基が好ましい。ＲＮ１１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。
【０１０７】
一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１０８】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１０９】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０１１０】
さらに、一般式（Ｎ−１−１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１．１）から式（Ｎ−１−１．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１．１）及び式（Ｎ−１−１．３）で表される化合物が好ましい。
【０１１１】
【化１２】
2018105381.tif 000014
【０１１２】
式（Ｎ−１−１．１）〜（Ｎ−１−１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０１１３】
一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１１４】
【化１３】
2018105381.tif 000015
【０１１５】
（式中、ＲＮ１２１及びＲＮ１２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基が好ましい。ＲＮ１２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、メトキシ基、エトキシ基又はプロポキシ基が好ましい。
【０１１６】
一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１１７】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１１８】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３７％であり、４０％であり、４２％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４８％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％である。
【０１１９】
さらに、一般式（Ｎ−１−２）で表される化合物は、式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）、式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましく、Δεの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．３）から式（Ｎ−１−２．７）で表される化合物が好ましく、ＴＮＩの改良を重視する場合には式（Ｎ−１−２．１０）、式（Ｎ−１−２．１１）及び式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物であることが好ましい。
【０１２０】
【化１４】
2018105381.tif 000016
【０１２１】
式（Ｎ−１−２．１）から式（Ｎ−１−２．１３）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、５０％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０１２２】
一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１２３】
【化１５】
2018105381.tif 000017
【０１２４】
（式中、ＲＮ１３１及びＲＮ１３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１３１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。ＲＮ１３２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。
【０１２５】
一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１２６】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１２７】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１２８】
さらに、一般式（Ｎ−１−３）で表される化合物は、式（Ｎ−１−３．１）から式（Ｎ−１−３．１１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）〜（Ｎ−１−３．７）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．１）、式（Ｎ−１−３．２）、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物が好ましい。
【０１２９】
【化１６】
2018105381.tif 000018
【０１３０】
式（Ｎ−１−３．１）〜式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、式（Ｎ−１−３．１）及び式（Ｎ−１−３．２）の組み合わせ、式（Ｎ−１−３．３）、式（Ｎ−１−３．４）及び式（Ｎ−１−３．６）から選ばれる２種又は３種の組み合わせが好ましい。本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１３１】
一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１３２】
【化１７】
2018105381.tif 000019
【０１３３】
（式中、ＲＮ１４１及びＲＮ１４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１４１及びＲＮ１４２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、メチル基、プロピル基、エトキシ基又はブトキシ基が好ましい。
【０１３４】
一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１３５】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１３６】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。
【０１３７】
さらに、一般式（Ｎ−１−４）で表される化合物は、式（Ｎ−１−４．１）から式（Ｎ−１−４．１４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−４．１）及び式（Ｎ−１−４．２）で表される化合物が好ましい。
【０１３８】
【化１８】
2018105381.tif 000020
【０１３９】
式（Ｎ−１−４．１）〜（Ｎ−１−４．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１１％であり、１０％であり、８％である。
【０１４０】
一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１４１】
【化１９】
2018105381.tif 000021
【０１４２】
（式中、ＲＮ１５１及びＲＮ１５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１５１及びＲＮ１５２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましくエチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。
【０１４３】
一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１４４】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１４５】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１４６】
さらに、一般式（Ｎ−１−５）で表される化合物は、式（Ｎ−１−５．１）から式（Ｎ−１−５．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−３．２及び式（Ｎ−１−３．４）で表される化合物が好ましい。
【０１４７】
【化２０】
2018105381.tif 000022
【０１４８】
式（Ｎ−１−３．２及び式（Ｎ−１−３．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、８％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１４９】
一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１５０】
【化２１】
2018105381.tif 000023
【０１５１】
（式中、ＲＮ１１０１及びＲＮ１１０２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１１０１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。ＲＮ１１０２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。
【０１５２】
一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１５３】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１５４】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１０）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１５５】
さらに、一般式（Ｎ−１−１０）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１０．１）から式（Ｎ−１−１０．１１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）〜（Ｎ−１−１０．５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物が好ましい。
【０１５６】
【化２２】
2018105381.tif 000024
【０１５７】
式（Ｎ−１−１０．１）及び式（Ｎ−１−１０．２）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１５８】
一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１５９】
【化２３】
2018105381.tif 000025
【０１６０】
（式中、ＲＮ１１１１及びＲＮ１１１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｎ−１）におけるＲＮ１１及びＲＮ１２と同じ意味を表す。）
ＲＮ１１１１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、エチル基、プロピル基又はブチル基が好ましい。ＲＮ１１１２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、エトキシ基、プロポキシ基又はブトキシ基が好ましい。
【０１６１】
一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１６２】
Δεの改善を重視する場合には含有量を高めに設定することが好ましく、低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、ＴＮＩを重視する場合は含有量をおおめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０１６３】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｎ−１−１１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０１６４】
さらに、一般式（Ｎ−１−１１）で表される化合物は、式（Ｎ−１−１１．１）から式（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．１）〜（Ｎ−１−１１．１５）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物が好ましい。
【０１６５】
【化２４】
2018105381.tif 000026
【０１６６】
式（Ｎ−１−１１．２及び式（Ｎ−１−１１．４）で表される化合物は単独で使用することも、組み合わせて使用することも可能であるが、本発明の液晶組成物の総量に対しての単独又はこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、３５％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
本発明の液晶組成物の総量（液晶組成物中に含まれる液晶化合物の総量。）に対しての一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物の含有量の総量は１０〜９０質量％であることが好ましく、２０〜８０質量％が更に好ましく、２０〜７０質量％が更に好ましく、２０〜６０質量％が更に好ましく、２０〜５５質量％が更に好ましく、２５〜５５質量％が更に好ましく、３０〜５５質量％が特に好ましい。
【０１６７】
より具体的には、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物の含有量の総量は、液晶組成物中に下限値として、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）以上含有することが好ましく、５％以上含有することが好ましく、１０％以上含有することが好ましく、１３％以上含有することが好ましく、１５％以上含有することが好ましく、１８％以上含有することが好ましく、２０％以上含有することが好ましく、２３％以上含有することが好ましく、２５％以上含有することが好ましく、２８％以上含有することが好ましく、３０％以上含有することが好ましく、３３％以上含有することが好ましく、３５％以上含有することが好ましく、３８％以上含有することが好ましく、４０％以上含有することが好ましい。また、上限値として、９５％以下含有することが好ましく、９０％以下含有することが好ましく、８８％以下含有することが好ましく、８５％以下含有することが好ましく、８３％以下含有することが好ましく、８０％以下含有することが好ましく、７８％以下含有することが好ましく、７５％以下含有することが好ましく、７３％以下含有することが好ましく、７０％以下含有することが好ましく、６８％以下含有することが好ましく、６５％以下含有することが好ましく、６３％以下含有することが好ましく、６０％以下含有することが好ましく、５５％以下含有することが好ましく、５０％以下含有することが好ましく、４０％以下含有することが好ましい。
【０１６８】
本発明における液晶組成物は、一般式（Ｌ）で表される化合物を１種類又は２種類以上含有することが好ましい。一般式（Ｌ）で表される化合物は誘電的にほぼ中性の化合物（Δεの値が−２〜２）に該当する。
【０１６９】
【化２５】
2018105381.tif 000027
【０１７０】
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）
一般式（Ｌ）で表される化合物は単独で用いてもよいが、組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの所望の性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類である。あるいは本発明の別の実施形態では２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類であり、６種類であり、７種類であり、８種類であり、９種類であり、１０種類以上である。
【０１７１】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０１７２】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１０％であり、２０％であり、３０％であり、４０％であり、５０％であり、５５％であり、６０％であり、６５％であり、７０％であり、７５％であり、８０％である。好ましい含有量の上限値は、９５％であり、８５％であり、７５％であり、６５％であり、５５％であり、４５％であり、３５％であり、２５％である。
【０１７３】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値を低く上限値が低いことが好ましい。
【０１７４】
信頼性を重視する場合にはＲＬ１及びＲＬ２はともにアルキル基であることが好ましく、化合物の揮発性を低減させることを重視する場合にはアルコキシ基であることが好ましく、粘性の低下を重視する場合には少なくとも一方はアルケニル基であることが好ましい。
【０１７５】
ＲＬ１及びＲＬ２は、それが結合する環構造がフェニル基（芳香族）である場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び炭素原子数４〜５のアルケニル基が好ましく、それが結合する環構造がシクロヘキサン、ピラン及びジオキサンなどの飽和した環構造の場合には、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。ネマチック相を安定化させるためには炭素原子及び存在する場合酸素原子の合計が５以下であることが好ましく、直鎖状であることが好ましい。
【０１７６】
アルケニル基としては、式（Ｒ１）から式（Ｒ５）のいずれかで表される基から選ばれることが好ましい。（各式中の黒点は環構造中の炭素原子を表す。）
【０１７７】
【化２６】
2018105381.tif 000028
【０１７８】
ｎＬ１は応答速度を重視する場合には０が好ましく、ネマチック相の上限温度を改善するためには２又は３が好ましく、これらのバランスをとるためには１が好ましい。また、組成物として求められる特性を満たすためには異なる値の化合物を組み合わせることが好ましい。
【０１７９】
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はΔｎを大きくすることが求められる場合には芳香族であることが好ましく、応答速度を改善するためには脂肪族であることが好ましく、それぞれ独立してトランス−１，４−シクロへキシレン基、１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基、３，５−ジフルオロ−１，４−フェニレン基、１，４−シクロヘキセニレン基、１，４−ビシクロ［２．２．２］オクチレン基、ピペリジン−１，４−ジイル基、ナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基を表すことが好ましく、下記の構造を表すことがより好ましく、
【０１８０】
【化２７】
2018105381.tif 000029
【０１８１】
トランス−１，４−シクロへキシレン基又は１，４−フェニレン基を表すことがより好ましい。
【０１８２】
ＺＬ１及びＺＬ２は応答速度を重視する場合には単結合であることが好ましい。
【０１８３】
一般式（Ｌ）で表される化合物は一般式（Ｌ−１）〜（Ｌ−７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１８４】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は下記の化合物である。
【０１８５】
【化２８】
2018105381.tif 000030
【０１８６】
（式中、ＲＬ１１及びＲＬ１２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ１１及びＲＬ１２は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０１８７】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０１８８】
好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、３０％であり、３５％であり、４０％であり、４５％であり、５０％であり、５５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、９５％であり、９０％であり、８５％であり、８０％であり、７５％であり、７０％であり、６５％であり、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％である。
【０１８９】
本発明の組成物の粘度を低く保ち、応答速度が速い組成物が必要な場合は上記の下限値が高く上限値が高いことが好ましい。さらに、本発明の組成物のＴｎｉを高く保ち、温度安定性の良い組成物が必要な場合は上記の下限値が中庸で上限値が中庸であることが好ましい。また、駆動電圧を低く保つために誘電率異方性を大きくしたいときは、上記の下限値が低く上限値が低いことが好ましい。
【０１９０】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１９１】
【化２９】
2018105381.tif 000031
【０１９２】
（式中ＲＬ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
一般式（Ｌ−１−１）で表される化合物は、式（Ｌ−１−１．１）から式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−１．２）又は式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物であることが好ましい。
【０１９３】
【化３０】
2018105381.tif 000032
【０１９４】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０１９５】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０１９６】
【化３１】
2018105381.tif 000033
【０１９７】
（式中ＲＬ１２は一般式（Ｌ−１）における意味と同じ意味を表す。）
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、１０％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４２％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３３％であり、３０％である。
【０１９８】
さらに、一般式（Ｌ−１−２）で表される化合物は、式（Ｌ−１−２．１）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−２．２）から式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−２．３）又は式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−２．３）及び式（Ｌ−１−２．４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解度を良くするために３０質量％以上にすることは好ましくない。
【０１９９】
【化３２】
2018105381.tif 000034
【０２００】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１０質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、３８％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。
【０２０１】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−１．３）で表される化合物及び式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物の合計の好ましい含有量の下限値は、１０質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１５％であり、２０％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４３％であり、４０％であり、３８％であり、３５％であり、３２％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２２％である。
【０２０２】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２０３】
【化３３】
2018105381.tif 000035
【０２０４】
（式中ＲＬ１３及びＲＬ１４はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
ＲＬ１３及びＲＬ１４は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０２０５】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、３０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、６０％であり、５５％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２７％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
さらに、一般式（Ｌ−１−３）で表される化合物は、式（Ｌ−１−３．１）から式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）又は式（Ｌ−１−３．４）で表される化合物であることが好ましい。特に、式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物は本発明の組成物の応答速度を特に改善するため好ましい。また、応答速度よりも高いＴｎｉを求めるときは、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物を用いることが好ましい。式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物の合計の含有量は、低温での溶解度を良くするために２０質量％以上にすることは好ましくない。
【０２０６】
【化３４】
2018105381.tif 000036
【０２０７】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−３．１）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。
【０２０８】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は一般式（Ｌ−１−４）及び／又は（Ｌ−１−５）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましい。
【０２０９】
【化３５】
2018105381.tif 000037
【０２１０】
（式中ＲＬ１５及びＲＬ１６はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数１〜８のアルコキシ基を表す。）
ＲＬ１５及びＲＬ１６は、直鎖状の炭素原子数１〜５のアルキル基、直鎖状の炭素原子数１〜４のアルコキシ基及び直鎖状の炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましい。
【０２１１】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
【０２１２】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１７％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％である。
【０２１３】
さらに、一般式（Ｌ−１−４）及び（Ｌ−１−５）で表される化合物は、式（Ｌ−１−４．１）から式（Ｌ−１−５．３）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−１−４．２）又は式（Ｌ−１−５．２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２１４】
【化３６】
2018105381.tif 000038
【０２１５】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の組成物の総量に対して、２０％であり、１７％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％である。
【０２１６】
式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）、式（Ｌ−１−３．１１）及び式（Ｌ−１−３．１２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）、式（Ｌ−１−３．４）及び式（Ｌ−１−４．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、これら化合物の合計の含有量の好ましい含有量の下限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１３％であり、１５％であり、１８％であり、２０％であり、２３％であり、２５％であり、２７％であり、３０％であり、３３％であり、３５％であり、上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、８０％であり、７０％であり、６０％であり、５０％であり、４５％であり、４０％であり、３７％であり、３５％であり、３３％であり、３０％であり、２８％であり、２５％であり、２３％であり、２０％である。組成物の信頼性を重視する場合には、式（Ｌ−１−３．１）、式（Ｌ−１−３．３）及び式（Ｌ−１−３．４））で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましく、組成物の応答速度を重視する場合には、式（Ｌ−１−１．３）、式（Ｌ−１−２．２）で表される化合物から選ばれる２種以上の化合物を組み合わせることが好ましい。
【０２１７】
一般式（Ｌ−２）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２１８】
【化３７】
2018105381.tif 000039
【０２１９】
（式中、ＲＬ２１及びＲＬ２２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ２１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ２２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２２０】
一般式（Ｌ−１）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２２１】
低温での溶解性を重視する場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、応答速度を重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０２２２】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０２２３】
さらに、一般式（Ｌ−２）で表される化合物は、式（Ｌ−２．１）から式（Ｌ−２．６）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−２．１）、式（Ｌ−２．３）、式（Ｌ−２．４）及び式（Ｌ−２．６）で表される化合物であることが好ましい。
【０２２４】
【化３８】
2018105381.tif 000040
【０２２５】
一般式（Ｌ−３）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２２６】
【化３９】
2018105381.tif 000041
【０２２７】
（式中、ＲＬ３１及びＲＬ３２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ３１及びＲＬ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２２８】
一般式（Ｌ−３）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２２９】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−３）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％である。好ましい含有量の上限値は、本発明の液晶組成物の総量に対して、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％であり、７％であり、６％であり、５％であり、３％である。
【０２３０】
高い複屈折率を得る場合は含有量を多めに設定すると効果が高く、反対に、高いＴｎｉを重視する場合は含有量を少なめに設定すると効果が高い。さらに、滴下痕や焼き付き特性を改良する場合は、含有量の範囲を中間に設定することが好ましい。
【０２３１】
さらに、一般式（Ｌ−３）で表される化合物は、式（Ｌ−３．１）から式（Ｌ−３．４）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、式（Ｌ−３．２）から式（Ｌ−３．７）で表される化合物であることが好ましい。
【０２３２】
【化４０】
2018105381.tif 000042
【０２３３】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２３４】
【化４１】
2018105381.tif 000043
【０２３５】
（式中、ＲＬ４１及びＲＬ４２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ４１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ４２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。）
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２３６】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ−４）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２３７】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。
【０２３８】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物であることが好ましい。
【０２３９】
【化４２】
2018105381.tif 000044
【０２４０】
低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．１）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．２）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有していても良いし、式（Ｌ−４．１）から式（Ｌ−４．３）で表される化合物を全て含んでいても良い。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．１）又は式（Ｌ−４．２）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３％であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０２４１】
式（Ｌ−４．１）で表される化合物と式（Ｌ−４．２）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の液晶組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０２４２】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−４．４）から式（Ｌ−４．６）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−４．４）で表される化合物であることが好ましい。
【０２４３】
【化４３】
2018105381.tif 000045
【０２４４】
低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて、式（Ｌ−４．４）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．５）で表される化合物を含有していても、式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有していても良い。
【０２４５】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−４．４）又は式（Ｌ−４．５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、３質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、５％であり、７％であり、９％であり、１１％であり、１２％であり、１３％であり、１８％であり、２１％である。好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、８％である。
【０２４６】
式（Ｌ−４．４）で表される化合物と式（Ｌ−４．５）で表される化合物との両方を含有する場合は、本発明の液晶組成物の総量に対しての両化合物の好ましい含有量の下限値は、１５質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、１９％であり、２４％であり、３０％であり、好ましい上限値は、４５であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１３％である。
【０２４７】
一般式（Ｌ−４）で表される化合物は、式（Ｌ−４．７）から式（Ｌ−４．１０）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−４．９）で表される化合物が好ましい。
【０２４８】
【化４４】
2018105381.tif 000046
【０２４９】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２５０】
【化４５】
2018105381.tif 000047
【０２５１】
（式中、ＲＬ５１及びＲＬ５２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表す。）
ＲＬ５１は炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＲＬ５２は炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数４〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましい。
【０２５２】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２５３】
本発明の組成物において、一般式（Ｌ−５）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２５４】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−５）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．１）又は式（Ｌ−５．２）で表される化合物であることが好ましく、特に、式（Ｌ−５．１）で表される化合物であることが好ましい。
【０２５５】
本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２５６】
【化４６】
2018105381.tif 000048
【０２５７】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．３）又は式（Ｌ−５．４）で表される化合物であることが好ましい。
【０２５８】
本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２５９】
【化４７】
2018105381.tif 000049
【０２６０】
一般式（Ｌ−５）で表される化合物は、式（Ｌ−５．５）から式（Ｌ−５．７）で表される化合物群から選ばれる化合物であることが好ましく、特に式（Ｌ−５．７）で表される化合物であることが好ましい。
【０２６１】
本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２６２】
【化４８】
2018105381.tif 000050
【０２６３】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２６４】
【化４９】
2018105381.tif 000051
【０２６５】
（式中、ＲＬ６１及びＲＬ６２はそれぞれ独立して、一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表し、ＸＬ６１及びＸＬ６２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子を表す。）
ＲＬ６１及びＲＬ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基が好ましく、ＸＬ６１及びＸＬ６２のうち一方がフッ素原子他方が水素原子であることが好ましい。
【０２６６】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は単独で使用することもできるが、２以上の化合物を組み合わせて使用することもできる。組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて適宜組み合わせて使用する。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類であり、５種類以上である。
【０２６７】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％であり、２３％であり、２６％であり、３０％であり、３５％であり、４０％である。本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−６）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、５０％であり、４０％であり、３５％であり、３０％であり、２０％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。Δｎを大きくすることに重点を置く場合には含有量を多くした方が好ましく、低温での析出に重点を置いた場合には含有量は少ない方が好ましい。
【０２６８】
一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、式（Ｌ−６．１）から式（Ｌ−６．９）で表される化合物であることが好ましい。
【０２６９】
【化５０】
2018105381.tif 000052
【０２７０】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、これらの化合物の中から１種〜３種類含有することが好ましく、１種〜４種類含有することがさらに好ましい。また、選ぶ化合物の分子量分布が広いことも溶解性に有効であるため、例えば、式（Ｌ−６．１）又は（Ｌ−６．２）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．４）又は（Ｌ−６．５）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．６）又は式（Ｌ−６．７）で表される化合物から１種類、式（Ｌ−６．８）又は（Ｌ−６．９）で表される化合物から１種類の化合物を選び、これらを適宜組み合わせることが好ましい。その中でも、式（Ｌ−６．１）、式（Ｌ−６．３）式（Ｌ−６．４）、式（Ｌ−６．６）及び式（Ｌ−６．９）で表される化合物を含むことが好ましい。
【０２７１】
さらに、一般式（Ｌ−６）で表される化合物は、例えば式（Ｌ−６．１０）から式（Ｌ−６．１７）で表される化合物であることが好ましく、その中でも、式（Ｌ−６．１１）で表される化合物であることが好ましい。
【０２７２】
【化５１】
2018105381.tif 000053
【０２７３】
本発明の液晶組成物の総量に対してのこれら化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％である。これら化合物の好ましい含有量の上限値は、２０％であり、１５％であり、１３％であり、１０％であり、９％である。
【０２７４】
一般式（Ｌ−７）で表される化合物は下記の化合物である。
【０２７５】
【化５２】
2018105381.tif 000054
【０２７６】
（式中、ＲＬ７１及びＲＬ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＲＬ１及びＲＬ２と同じ意味を表し、ＡＬ７１及びＡＬ７２はそれぞれ独立して一般式（Ｌ）におけるＡＬ２及びＡＬ３と同じ意味を表すが、ＡＬ７１及びＡＬ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、ＺＬ７１は一般式（Ｌ）におけるＺＬ２と同じ意味を表し、ＸＬ７１及びＸＬ７２はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表す。）
式中、ＲＬ７１及びＲＬ７２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数２〜５のアルケニル基又は炭素原子数１〜４のアルコキシ基が好ましく、ＡＬ７１及びＡＬ７２はそれぞれ独立して１,４-シクロヘキシレン基又は１,４-フェニレン基が好ましく、ＡＬ７１及びＡＬ７２上の水素原子はそれぞれ独立してフッ素原子によって置換されていてもよく、ＱＬ７１は単結合又はＣＯＯ−が好ましく、単結合が好ましく、ＸＬ７１及びＸＬ７２は水素原子が好ましい。
【０２７７】
組み合わせることができる化合物の種類に特に制限は無いが、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率などの求められる性能に応じて組み合わせる。使用する化合物の種類は、例えば本発明の一つの実施形態としては１種類であり、２種類であり、３種類であり、４種類である。
【０２７８】
本発明の液晶組成物において、一般式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量は、低温での溶解性、転移温度、電気的な信頼性、複屈折率、プロセス適合性、滴下痕、焼き付き、誘電率異方性などの求められる性能に応じて適宜調整する必要がある。
【０２７９】
本発明の液晶組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の下限値は、１質量％（以下質量％を単に％と表す。）であり、２％であり、３％であり、５％であり、７％であり、１０％であり、１４％であり、１６％であり、２０％である。本発明の組成物の総量に対しての式（Ｌ−７）で表される化合物の好ましい含有量の上限値は、３０％であり、２５％であり、２３％であり、２０％であり、１８％であり、１５％であり、１０％であり、５％である。
【０２８０】
本発明の組成物が高いＴｎｉの実施形態が望まれる場合は式（Ｌ−７）で表される化合物の含有量を多めにすることが好ましく、低粘度の実施形態が望まれる場合は含有量を少なめにすることが好ましい。
【０２８１】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１）から式（Ｌ−７．４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２８２】
【化５３】
2018105381.tif 000055
【０２８３】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．１１）から式（Ｌ−７．１３）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．１１）で表される化合物であることが好ましい。
【０２８４】
【化５４】
2018105381.tif 000056
【０２８５】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．２１）から式（Ｌ−７．２３）で表される化合物である。式（Ｌ−７．２１）で表される化合物であることが好ましい。
【０２８６】
【化５５】
2018105381.tif 000057
【０２８７】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．３１）から式（Ｌ−７．３４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．３１）又は／及び式（Ｌ−７．３２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２８８】
【化５６】
2018105381.tif 000058
【０２８９】
さらに、一般式（Ｌ−７）で表される化合物は、式（Ｌ−７．４１）から式（Ｌ−７．４４）で表される化合物であることが好ましく、式（Ｌ−７．４１）又は／及び式（Ｌ−７．４２）で表される化合物であることが好ましい。
【０２９０】
【化５７】
2018105381.tif 000059
【０２９１】
本発明に係る液晶組成物における添加剤（酸化防止剤、ＵＶ吸収剤など）は１００ｐｐｍ〜１質量％であることが好ましい。
【０２９２】
本発明における液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）は６０〜１２０℃であることが好ましく、７０〜１００℃であることがより好ましく、７０〜８５℃であることが特に好ましい。
【０２９３】
本発明における液晶組成物の誘電率異方性Δεは、２５℃において、−２．０〜−６．０であることが好ましく、−２．５〜−５．０であることがより好ましく、−２．５〜−３．５であることが特に好ましい。
【０２９４】
本発明における液晶組成物の屈折率異方性Δｎは、２５℃において、０．０８〜０．１３であることが好ましいが、０．０９〜０．１２であることがより好ましい。さらに詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合、本発明における液晶組成物の屈折率異方性は、２５℃において、０．１０〜０．１２であることが好ましく、更に詳述すると、薄いセルギャップ（セルギャップ３．４μｍ以下）に対応する場合は約０．９から約０．１２程度であることが好ましく、厚いセルギャップ（セルギャップ３．５μｍ以上）に対応する場合は約０．０８から約０．１程度であることが好ましい。
【０２９５】
本発明に係る液晶組成物の回転粘度（γ１）の上限値は、１５０（ｍＰａ・ｓ）以下が好ましく、１３０（ｍＰａ・ｓ）以下がより好ましく、１２０（ｍＰａ・ｓ）以下が特に好ましい。一方、当該回転粘度（γ１）の下限値は、２０（ｍＰａ・ｓ）以上が好ましく、３０（ｍＰａ・ｓ）以上がより好ましく、４０（ｍＰａ・ｓ）以上が更に好ましく、５０（ｍＰａ・ｓ）以上がより更に好ましく、６０（ｍＰａ・ｓ）以上がさらにより好ましく、７０（ｍＰａ・ｓ）以上が特に好ましい。
【０２９６】
本発明に係る液晶組成物では、回転粘度と屈折率異方性の関数であるＺが特定の値を示すことが好ましい。
【０２９７】
【数１】
2018105381.tif 000060
【０２９８】
（上記数式中、γ１は回転粘度を表し、Δｎは屈折率異方性を表す。）
Ｚは、１３０００以下が好ましく、１２０００以下がより好ましく、１１０００以下が特に好ましい。
【０２９９】
本発明に係る液晶組成物は、アクティブマトリクス表示素子に使用する場合においては、１０１１（Ω・ｍ）以上の比抵抗を有することが必要であり、１０１２（Ω・ｍ）が好ましく、１０１３（Ω・ｍ）以上がより好ましい。
【０３００】
本発明に係る液晶組成物はネマチック相−等方性液体相転移温度（ＴＮＩ）を幅広い範囲で使用することができるものであるが、当該相転移温度（ＴＮＩ）は、６０〜１２０℃であることが好ましく、７０〜１１０℃がより好ましく、７５〜１００℃が特に好ましい。
［液晶表示素子の製造方法］
次に、図１を参照して、本発明の液晶表示素子の製造方法を説明する。
【０３０１】
第一の基板１１の共通電極１４が形成された面及び第二の基板１２の画素電極１５が形成された面に、重合性基を有する重合性化合物を含有する配向膜材料又は、重合性液晶化合物を塗布し、加熱することにより垂直配向膜１６，１７を形成する。なお、重合性液晶化合物を配向膜として用いる場合、下地配向膜として通常の配向膜を有していても良い。
【０３０２】
ここでは、まず、前述の３つの方法の何れかの方法により、熱分解性基を有する重合体を含有する配向膜材料を調製する。
【０３０３】
第１の高分子化合物がポリイミドの場合には、高分子化合物前駆体としては、例えば、テトラカルボン酸二無水物およびジイソシアネートの混合物や、ポリアミック酸や、ポリイミドを溶剤に溶解あるいは分散させたポリイミド溶液等が挙げられる。このポリイミド溶液中におけるポリイミドの含有量は、１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、３質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。
【０３０４】
また、第１の高分子化合物がポリシロキサンの場合には、高分子化合物前駆体としては、例えば、アルコキシ基を有するケイ素化合物、ハロゲン化アルコキシ基を有するケイ素化合物、アルコールおよびシュウ酸を所定の配合量比で混合して加熱することによりポリシロキサンを合成し、それを溶剤に溶解させたポリシロキサン溶液などが挙げられる。
【０３０５】
なお、配向膜材料には、必要に応じて、光架橋性を有する化合物、光重合開始剤、溶剤などを添加してもよい。
【０３０６】
配向膜材料の調整後、この配向膜材料を、第一の基板１１および第二の基板１２のそれぞれに、共通電極１４、並びに、画素電極１５およびそのスリット部（図示略）を覆うように塗布あるいは印刷する。また、必要に応じで乾燥工程を経ることにより、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含有する熱分解性基を有する重合体が塗布表面に偏析した状態となる。
【０３０７】
次に、１２０〜３００℃の環境下において加熱処理（焼成処理）を行う。これにより、塗布あるいは印刷された配向膜材料に含まれる高分子化合物前駆体及び／又は上記一般式（Ｖ−３）で表される化合物、あるいは重合性液晶化合物が、重合および硬化して高分子化合物となり、同時に、塗布表面に偏析したフッ素原子及び／又はケイ素原子を含有する熱分解性基を有する重合体のうち、フッ素原子及び／又はケイ素原子を含有する熱分解性基部分が光学異方体に含まれる重合体から脱離し、塗布表面が平滑化する。
【０３０８】
なお、熱分解性基を有する重合体に結合する熱分解性基部分を脱離するためには、１５０〜３００℃で５〜１２０分間焼成処理することが好ましく、１８０〜２５０℃で１０〜６０分間焼成処理することがより好ましい。
【０３０９】
この加熱処理をした段階において液晶組成物層中の液晶分子を基板面に対して垂直方向に配向させる垂直配向能は形成される。
【０３１０】
次に、第一の基板１１と第二の基板１２とを重ね合わせ、それらの間に、液晶分子を含む液晶組成物層１３を封止する。
【０３１１】
具体的には、第一の基板１１と第二の基板１２のいずれか一方における、垂直配向膜１６，１７が形成されている面に対して、セルギャップを確保するためのスペーサ突起物、例えば、プラスチックビーズ等を散布すると共に、例えば、スクリーン印刷法によりエポキシ接着剤等を用いて、シール部を印刷する。
【０３１２】
この後、第一の基板１１と第二の基板１２とを、垂直配向膜１６，１７を対向させるように、スペーサ突起物およびシール部を介して貼り合わせ、液晶分子および必要に応じて重合性化合物を含む液晶組成物を注入する。
【０３１３】
その後、ＵＶ照射や加熱するなどして、シール部を硬化することにより、液晶組成物を、第一の基板１１と第二の基板１２との間に封止する。
【０３１４】
次に、共通電極１４と画素電極１５との間に、電圧印加手段を用いて、電圧を印加する。電圧は、例えば、５〜３０（Ｖ）の大きさで印加する。前記印加は、第一の基板と第二の基板に略垂直に電荷を印加する場合もある。これにより、第一の基板１１における液晶組成物層１３と隣接する面（液晶組成物層１３と対向する面）、および、第二の基板１２におけるにおける液晶組成物層１３と隣接する面（液晶組成物層１３と対向する面）に対して所定の角度をなす方向の電場が生じ、液晶分子１９が、第一の基板１１と第二の基板１２の法線方向から所定方向に傾いて配向することとなる。このとき、液晶分子１９の傾斜角は、後述の工程で液晶分子１９に付与されるプレチルトθと概ね等しくなる。従って、電圧の大きさを適宜調節することにより、液晶分子１９のプレチルトθの大きさを制御することが可能である（図３参照）。
【０３１５】
さらに、電圧を印加した状態のまま、紫外光（ＵＶ）を、例えば、第一の基板１１の外側から液晶組成物層１３に照射することにより、垂直配向膜１６，１７中の前記液晶組成物層中の液晶分子の配向方向を制御する重合性基を有する化合物又は重合性液晶化合物、および液晶組成物中の重合性化合物を重合させ、高分子重合体を生成する。
【０３１６】
この場合、照射する紫外光ＵＶの強度は一定であっても、一定でなくてもよく、照射強度を変化させる際の各々の強度における照射時間も任意であるが、２段階以上の照射工程を採用する場合には、２段階目以降の照射工程の照射強度は１段階目の照射強度よりも弱い強度を選択することが好ましく、２段階目以降の総照射時間は１段階目の照射時間よりも長くかつ照射総エネルギー量が大きことが好ましい。また、照射強度を不連続に変化させる場合には、全照射工程時間の前半部分の平均照射光強度が後半部分の平均照射強度よりも強いことが望ましく、照射開始直後の強度が最も強いことがより望ましく、照射時間の経過と共にある一定値まで常に照射強度が減少し続けることがさらに好ましい。その場合の紫外線ＵＶ強度は0.5ｍＷ／ｃｍ−２〜１００ｍＷ／ｃｍ−２であることが好ましいが、多段階照射の場合の１段階目、または不連続に照射強度変化させる場合の全照射工程中の最高照射強度は１０ｍＷ／ｃｍ−２〜１００ｍＷ／ｃｍ−２であること、かつ多段階照射の場合の２段階目以降、または不連続に照射強度を変化させる場合の最低照射強度は0.5ｍＷ／ｃｍ−２〜５０ｍＷ／ｃｍ−２であることがより好ましい。また、照射総エネルギー量は１０Ｊ〜３００Ｊであることが好ましいが、５０Ｊ〜２５０Ｊであることがより好ましく、１００Ｊ〜２５０Ｊであることがさらに好ましい。
【０３１７】
この場合、印加電圧は交流であっても直流であってもよい。
【０３１８】
その結果、垂直配向膜１６，１７の配向制御部と固着した、垂直配向膜材料を含む配向制御能（図示略）を有するようになり、更に、必要に応じて、その表面に重合体層２０，２１が形成される。この配向制御部は、非駆動状態において、液晶組成物層１３における重合体層２０，２１（垂直配向膜１６，１７）との界面近傍に位置する液晶分子１９にプレチルトθを付与する機能（配向制御能）を有する。なお、ここでは、紫外光ＵＶを、第一の基板１１の外側から照射したが、第二の基板１２の外側から照射してもよく、第一の基板１１および第二の基板１２の双方の基板の外側から照射してもよい。
【０３１９】
このように、本発明の液晶表示素子では、液晶組成物層１３において、液晶分子１９が、所定のプレチルトθを有している。これにより、プレチルト処理が全く施されていない液晶表示素子およびそれを備えた液晶表示装置と比較して、駆動電圧に対する応答速度を大幅に向上させることができる。
【０３２０】
本発明の液晶表示素子において、垂直配向膜１６，１７を構成する高分子化合物前駆体としては、感光性でないポリイミド前駆体が好ましい。
少なくとも１つの液晶配向材に、光で重合するモノマー(＝液晶配向補助材の前駆体)を所定量混合する。本液晶配向材を各基板に液晶配向膜として塗布形成して、2枚の基板間に液晶を挟む。この後、液晶駆動用電極に所定電圧を印加させたままＵＶ光を照射する事で、液晶にプレチルト角を付与させる。これは、配向膜中のモノマーが液晶中へ溶解し、このUV光処理によりポリマ化(＝液晶配向補助材化)されたためと考えている。
【０３２１】
なお一般的に液晶配向膜の形成過程には有機溶媒を完全に取り除くために、２００度以上の高温で焼成する工程が含まれる。一般的な重合基を有するモノマーの場合熱安定性に乏しく、高温での焼成で重合基が反応してしまい耐えることが難しく、上記液晶層へのモノマー溶解が殆ど無い。
そこで、本発明者らが鋭意検討した結果、特定の化学構造を有する重合性化合物を混ぜた配向膜材料を用いる事で、上記課題を解決できることを見出し、本願発明を完成するに至った。
【実施例】
【０３２２】
〈液晶〉
（側鎖）
−ｎ        −ＣｎＨ２ｎ＋１  炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
ｎ−        ＣｎＨ２ｎ＋１−  炭素数ｎの直鎖状のアルキル基
−Ｏｎ      −ＯＣｎＨ２ｎ＋１  炭素数ｎの直鎖状のアルコキシ基
ｎＯ−      ＣｎＨ２ｎ＋１Ｏ−  炭素数ｎの直鎖状のアルコキシ基
−Ｖ        −ＣＨ＝ＣＨ２
Ｖ−        ＣＨ２＝ＣＨ−
−Ｖ−        −ＣＨ＝ＣＨ−
−Ｖ１      −ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３
１Ｖ−      ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−
−２Ｖ      −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２
Ｖ２−      ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−
−２Ｖ１      −ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３
１Ｖ２−      ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−
−Ｆ          −Ｆ
−ＯＣＦ３    −ＯＣＦ３
（連結基）
−ＣＦ２Ｏ−      −ＣＦ２−Ｏ−
−ＯＣＦ２−      −Ｏ−ＣＦ２−
−１Ｏ−          −ＣＨ２−Ｏ−
−Ｏ１−          −Ｏ−ＣＨ２−
−ＣＯＯ−        −ＣＯＯ−
−ＯＣＯ−        −ＯＣＯ−
（環構造）【０３２３】
【化５８】
2018105381.tif 000061
【０３２４】
【化５９】
2018105381.tif 000062
【０３２５】
実施例中、測定した特性は以下の通りである。なお測定は特別な記載がない限り、ＪＥＩＴＡ  ＥＤ−２５２１Ｂに規定の方法によった。【０３２６】
Ｔｎｉ  ：ネマチック相−等方性液体相転移温度（℃）
Δｎ  ：２５℃における屈折率異方性
Ｔ：透過率：ＬＣＤＭａｓｔｅｒでのシミュレーション
γ１  ：２５℃における回転粘性（ｍＰａ・ｓ）
Δε  ：２５℃における誘電率異方性
Ｋ１１  ：２５℃における弾性定数Ｋ１１（ｐＮ）
Ｋ３３  ：２５℃における弾性定数Ｋ３３（ｐＮ）
Ｓ：隣り合う枝同士の間隔（μｍ）：顕微鏡を用いて測定
ｄ：セルギャップ（μｍ）：シンテック社製オプティプロを用いて光学的に測定
（実施例１〜９、比較例１）
ＬＣ−１からＬＣ−４の液晶組成物を調製した。
ＬＣ−２〜４は、ＬＣ−１よりｄに合わせて適宜Δｎを変更した。また、ＬＣ−２〜４の調製の際には、適宜下記化合物を使用した。
・３−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｖ
・３−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｖ１
・Ｒ−Ｃｙ−Ｐｈ５−ＯＲ’
・Ｒ−Ｐｈ−Ｐｈ５−ＯＲ’
・Ｒ−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｐｈ５−ＯＲ’【０３２７】
【表１】
2018105381.tif 000063
【０３２８】
図６はＳを特定の値とした際の、ｄによるＴの変化をプロットしたものである。なお図６及び７に示す結果は実際に調整した液晶組成物の物性を元に表２に記載した各物性値を使用してシミュレーションした結果である。【０３２９】
【表２】
2018105381.tif 000064
【０３３０】
○はＳが０の場合のｄとＴの関係をプロットしたものであり、×はＳが１、△はＳが２、□はＳが３、＋はＳが４の場合をプロットしたものである。ｄが小さくなるほどＴの低下が生じることがわかった。【０３３１】
上記液晶組成物を使用した物性値の結果は図７のとおりであった。図７において、○はＴが０．２６となる時のＳとｄの値をプロットしたものであり、△は０．２７、□は０．２８、｜は０．２９、×は０．３となるときのＳとｄの値をプロットしたものである。【０３３２】
上記の結果から、Ｓ＝（ｄ−α）/１．２５におけるαを−１．１から０．６とすることで、透過率は０．２６以上となり、本発明の液晶表示素子は優れた表示特性を有することがわかった。
【図１】
2018105381.tif 000070
【図２】
2018105381.tif 000071
【図３】
2018105381.tif 000072
【図４】
2018105381.tif 000073
【図５】
2018105381.tif 000074
【図６】
2018105381.tif 000075
【図７】
2018105381.tif 000076
【図８】
2018105381.tif 000077
【手続補正書】
【提出日】平成30年6月8日(2018.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極Ａが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される、電極Ｂが形成された第２の基板と、
電極間に電圧を印加しない状態で、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、第１及び第２の基板に対し略垂直に配向する液晶層により構成され、
前記電極Ａが枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔（Ｓ  μｍ）及び前記第１の基板と前記第２の基板の基板間距離（ｄ  μｍ）が式（１）の関係を満たし、
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも１方の基板上にポリイミド配向膜を有さない、液晶表示素子。
（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５          式（１）
【請求項２】
ｄが３．６より小さい請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
Ｓが３．４より小さい請求項１又は２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
液晶層の屈折率異方性（Δｎ）及びｄの積Δｎ・ｄの値が３２０〜３６０である請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
Δｎが０．０８９〜０．３６０である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
負の誘電率異方性を持った液晶材料を使用する請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項７】
液晶層中の液晶分子の第１の基板との平均のなす角（θ）が８５°から８９．８°である請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
第１及び第２の基板間にθを調節するための重合体を有する請求項５記載の液晶表示素子。
【請求項９】
液晶層中の液晶組成物が、下記一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）
【化１】
2018105381.tif 000078
（式中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＸＮ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
ＴＮ３１は−ＣＨ２−又は酸素原子を表し、
ｎＮ１１、ｎＮ１２、ｎＮ２１、ｎＮ２２、ｎＮ３１及びｎＮ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、ＡＮ１１〜ＡＮ３２、ＺＮ１１〜ＺＮ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１０】
液晶層中の液晶組成物がさらに、一般式（Ｌ）
【化２】
2018105381.tif 000079
（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、上記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ３が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）で表される化合物で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項１１】
請求項７記載の重合体が、一般式（ｉｉ）
【化３】
2018105381.tif 000080
（式中、
Ｚｉ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ａｉ１は、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基又は単結合を表し、これらの環構造中の水素原子はハロゲン原子及び／又は−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＡｉ１がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍｉ１は、１〜５の整数を表し、
Ｋｉ１は、水酸基、アミノ基、−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１又は
以下の式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）：
【化４】
2018105381.tif 000081
（式中、
ＷＫ１は、メチン基又は窒素原子を表し、
ＸＫ１及びＹＫ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＺＫ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＵＫ１、ＶＫ１及びＳＫ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［ＵＫ１がメチン基、ＶＫ１がメチン基、ＳＫ１が窒素原子］の組み合わせは除く。）
のいずれかで表される構造を表し、
式（ｉ）及び式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）中、左端の黒点は結合手を表し、
Ｓｐｉ１は、炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基、炭素原子数１〜１８の分岐状アルキレン基又は単結合を表すが、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｒｉ１は、水素原子又は式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−１５）：
【化５】
2018105381.tif 000082
（式中、右端の黒点は結合手を表す。）
からなる群より選ばれる置換基を表す。
なお、分子内に同一の記載の置換基が存在している場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される重合性化合物の重合物である請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【手続補正書】
【提出日】平成30年9月7日(2018.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極Ａが形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向して配置される、電極Ｂが形成された第２の基板と、
電極間に電圧を印加しない状態で、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられた、第１及び第２の基板に対し略垂直に配向する液晶層により構成され、
前記電極Ａが枝部分を有するフィッシュボーン状のパターンを有し、前記フィッシュボーン状のパターンにおける各枝の、隣り合う枝同士の間隔（Ｓ  μｍ）及び前記第１の基板と前記第２の基板との基板間距離（ｄ  μｍ）が式（１）の関係を満たし、
前記ｄが３．５より小さく、
前記Ｓが３．４より小さく、
前記液晶層の屈折率異方性（Δｎ）が２５℃において０．０９〜０．１２の範囲内である、液晶表示素子。
（ｄ−０．６）／１．２５  ＜  Ｓ  ＜  （ｄ＋１．１）／１．２５          式（１）
【請求項２】
前記液晶層の屈折率異方性（Δｎ）及び前記ｄの積Δｎ・ｄの値が３２０〜３６０である請求項１に記載の液晶表示素子。
【請求項３】
負の誘電率異方性を持った液晶材料を使用する請求項１または請求項２に記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記液晶層中の液晶分子の前記第１の基板との平均のなす角（θ）が８５°から８９．８°である請求項１〜３までのいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記第１及び第２の基板間に前記θを調節するための重合体を有する請求項４に記載の液晶表示素子。
【請求項６】
前記重合体が、一般式（ｉｉ）
【化１】
2018105381.tif 000083
（式中、
Ｚｉ１は、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、又は炭素原子数２〜２０のアルキレン基を表し、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ａｉ１は、２価の６員環芳香族基、２価の６員環複素芳香族基、２価の６員環脂肪族基、２価の６員環複素脂肪族基又は単結合を表し、これらの環構造中の水素原子はハロゲン原子及び／又は−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１で置換されていてもよく、
Ｚｉ１及びＡｉ１がそれぞれ複数存在する場合は、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよく、
ｍｉ１は、１〜５の整数を表し、
Ｋｉ１は、水酸基、アミノ基、−Ｓｐｉ１−Ｒｉ１又は以下の式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）：
【化２】
2018105381.tif 000084
（式中、
ＷＫ１は、メチン基又は窒素原子を表し、
ＸＫ１及びＹＫ１は、それぞれ独立して、−ＣＨ２−、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＺＫ１は、酸素原子又は硫黄原子を表し、
ＵＫ１、ＶＫ１及びＳＫ１は、それぞれ独立して、メチン基又は窒素原子を表すが、［ＵＫ１がメチン基、ＶＫ１がメチン基、ＳＫ１が窒素原子］の組み合わせは除く。）
のいずれかで表される構造を表し、
前記式（Ｋ−１）〜式（Ｋ−８）中、左端の黒点は結合手を表し、
Ｓｐｉ１は、炭素原子数１〜１８の直鎖状アルキレン基、炭素原子数１〜１８の分岐状アルキレン基又は単結合を表すが、このアルキレン基中の１個又は隣接しない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−で置換されてもよく、
Ｒｉ１は、水素原子又は式（Ｒ−１）〜式（Ｒ−１５）：
【化３】
2018105381.tif 000085
（式中、右端の黒点は結合手を表す。）
からなる群より選ばれる置換基を表す。なお、分子内に同一の記載の置換基が存在している場合、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される重合性化合物の重合物である請求項５に記載の液晶表示素子。
【請求項７】
前記液晶層中の液晶組成物が、下記一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）、及び一般式（Ｎ−３）
【化４】
2018105381.tif 000086
（式中、ＲＮ１１、ＲＮ１２、ＲＮ２１、ＲＮ２２、ＲＮ３１及びＲＮ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ＡＮ１１、ＡＮ１２、ＡＮ２１、ＡＮ２２、ＡＮ３１及びＡＮ３２はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＮ１１、ＺＮ１２、ＺＮ２１、ＺＮ２２、ＺＮ３１及びＺＮ３２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ＸＮ２１は水素原子又はフッ素原子を表し、
ＴＮ３１は−ＣＨ２−又は酸素原子を表し、
ｎＮ１１、ｎＮ１２、ｎＮ２１、ｎＮ２２、ｎＮ３１及びｎＮ３２はそれぞれ独立して０〜３の整数を表すが、ｎＮ１１＋ｎＮ１２、ｎＮ２１＋ｎＮ２２及びｎＮ３１＋ｎＮ３２はそれぞれ独立して１、２又は３であり、ＡＮ１１〜ＡＮ３２、ＺＮ１１〜ＺＮ３２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜６までのいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【請求項８】
前記液晶層中の液晶組成物が、一般式（Ｌ）
【化５】
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（式中、ＲＬ１及びＲＬ２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜８のアルキル基を表し、該アルキル基中の１個又は非隣接の２個以上の−ＣＨ２−はそれぞれ独立して−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−によって置換されていてもよく、
ｎＬ１は０、１、２又は３を表し、
ＡＬ１、ＡＬ２及びＡＬ３はそれぞれ独立して
（ａ）  １，４−シクロヘキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−に置き換えられてもよい。）及び
（ｂ）  １，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられてもよい。）
（ｃ）  ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基又はデカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、前記の基（ａ）、基（ｂ）及び基（ｃ）はそれぞれ独立してシアノ基、フッ素原子又は塩素原子で置換されていても良く、
ＺＬ１及びＺＬ２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＨ＝Ｎ−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−又は−Ｃ≡Ｃ−を表し、
ｎＬ１が２又は３であってＡＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良く、ｎＬ１が２又は３であってＺＬ２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良いが、一般式（Ｎ−１）、一般式（Ｎ−２）及び一般式（Ｎ−３）で表される化合物を除く。）で表される化合物で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物を含有する請求項１〜７までのいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【国際調査報告】
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