(57)【要約】  レーザ素子からの出力光の光ファイバーへの結合率の変動を抑制する。半導体レーザモジュールであって、複数の半導体レーザ素子と、光ファイバーと、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を前記光ファイバーへと集光する集光手段と、レーザ素子と、集光手段と、光ファイバーとが実装された筐体と、を含む半導体レーザモジュールであって、レーザ素子と、筐体の天板との間に配置され、天板との間に空隙が形成されるように天板に設置された少なくとも１つの薄板を有する。
2018051430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ素子と、
光ファイバーと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を前記光ファイバーへと集光する集光手段と、
前記レーザ素子と、前記集光手段と、前記光ファイバーとが実装された筐体と、
を含む半導体レーザモジュールであって、
前記レーザ素子と、前記筐体の天板との間に配置され、前記天板との間に空隙が形成されるように前記天板に設置された少なくとも１つの薄板を有する半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記薄板は、少なくとも一端部に折曲部を有し、前記折曲部を介して前記天板に設置される請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記薄板は、前記半導体レーザ素子と対向する位置に設けられている請求項１または２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記薄板は、前記天板の少なくとも一部を覆う大きさである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記薄板は、前記複数の半導体レーザ素子を覆う大きさである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記薄板は、矩形形状、円形形状または多角形形状である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記薄板の厚みは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍである請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記薄板は、アルミニウム、である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールを用いた３次元積層造形装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザモジュールおよび３次元積層造形装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記技術分野において、特許文献１には、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光をレンズで集光して、光ファイバーに結合して、レーザ光を外部に照射する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−９６０８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記文献に記載の技術では、半導体レーザ素子からの出力光の光ファイバーへの結合率の変動を抑制することができなかった。【０００５】
本発明の目的は、上述の課題を解決する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザモジュールは、
複数の半導体レーザ素子と、
光ファイバーと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を前記光ファイバーへと集光する集光手段と、
前記レーザ素子と、前記集光手段と、前記光ファイバーとが実装された筐体と、
を含む半導体レーザモジュールであって、
前記レーザ素子と、前記筐体の天板との間に配置され、前記天板との間に空隙が形成されるように前記天板に設置された少なくとも１つの薄板を有する。【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る３次元積層造形装置は、
上記半導体レーザモジュールを用いた３次元積層造形装置である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体レーザ素子からの出力光の光ファイバーへの結合率の変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの構成を示す側面模式図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える天板および薄板の構成の一例を示す平面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える天板および薄板の構成の一例を示す部分拡大側面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の構成の一例を示す部分拡大側面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の構成の他の例を示す部分拡大側面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の構成のさらに他の例を示す部分拡大側面図である。
【図２Ｆ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の固定部の構成の一例を示す平面図である。
【図２Ｇ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の固定部の構成の他の例を示す平面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの前提技術の半導体レーザモジュールの構成を示す斜視模式図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザモジュールの前提技術の半導体レーザモジュールの構成を示す側面模式図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る３次元積層造形装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を参照して、例示的に詳しく説明記載する。ただし、以下の実施の形態に記載されている、構成、数値、処理の流れ、機能要素などは一例に過ぎず、その変形や変更は自由であって、本発明の技術範囲を以下の記載に限定する趣旨のものではない。
【００１１】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態としての半導体レーザモジュール１００について、図１を用いて説明する。半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子から出射したレーザ光を集光レンズで集光して光ファイバーに入射させてモジュールの外部の標的に照射する装置である。
【００１２】
＜前提技術＞
図３Ａおよび図３Ｂを参照して、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの前提技術の半導体レーザモジュール３００について説明する。図３Ａは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの前提技術の半導体レーザモジュール３００の構成を示す斜視模式図である。図３Ｂは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの前提技術の半導体レーザモジュール３００の構成を示す側面模式図である。
【００１３】
半導体レーザモジュール３００は、複数の半導体レーザ素子３０１と、光ファイバー３０２と、リードピン３０４と、筐体３０５と、レンズ３０６，３０７と、光フィルタ３０９とを含む。そして、複数の半導体レーザ素子３０１と、光ファイバー３０２と、リードピン３０４と、レンズ３０６，３０７と、光フィルタ３０９とが、筐体３０５に収容され、実装され、半導体レーザモジュール３００が形成される。
【００１４】
筐体３０５は、天板３５１を備える。なお、半導体レーザモジュール３００の使用状態では、天板３５１は、接着やねじ止めなどにより筐体３０５に取り付けられ、これにより、筐体３０５は、封止される。よって、筐体３０５内部は密閉されるので、外部からは半導体レーザモジュール３００の内部構造は見えない。また、半導体レーザモジュール３００は、筐体３０５内部にごみなどが入らない構造となっている。そして、半導体レーザモジュール３００は、複数の半導体レーザ素子３０１のそれぞれから出射されたレーザ光を集光して、レーザ光（レーザビーム）を外部の標的に対して照射する。
【００１５】
半導体レーザ素子３０１は、高出力の半導体レーザ素子であり、例えば、１０Ｗ以上の高出力レーザ光を出射する。また、半導体レーザ素子３０１は、例えば、９００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長のレーザ光を出射する。さらに、半導体レーザモジュール３００から出射されるレーザ光の出力を高くしたい場合には、半導体レーザ素子３０１の数を増やすか、または、半導体レーザ素子３０１の出力を上げることで実現できる。
【００１６】
光ファイバー３０２は、例えば、所定のコア径およびクラッド径を有するマルチモード光ファイバーであるが、これには限定されず、シングルモード光ファイバーであってもよい。また、光ファイバー３０２の開口数（ＮＡ：Numerical Aperture）は、例えば、０．１５〜０．２２であるが、これには限定されない。
【００１７】
リードピン３０４は、ボンディングワイヤ（不図示）を介して半導体レーザ素子３０１に電力を供給する。半導体レーザ素子３０１に供給される電力は、一定電圧であっても、変調電圧であってもよい。
【００１８】
レンズ３０６，３０７は、例えば、シリンドリカルレンズであり、半導体レーザ素子３０１から出射されたレーザ光を集光し、光ファイバー３０２に結合する。また、レンズ３０６，３０７の光ファイバー３０２に対する配置位置は、半導体レーザ素子３０１から出射されたレーザ光が、所定の結合率で光ファイバー３０２に結合するように、調整されている。
【００１９】
光フィルタ３０９は、レンズ３０６，３０７と光ファイバー３０２との間に設置されている。このフィルタ３０９は、半導体レーザモジュール３００を、例えばファイバーレーザの励起光源として使用する場合、ファイバーレーザから半導体レーザモジュール３００に入射する戻り光を遮断する目的で設置される。光フィルタ３０９は、ローパスフィルタであり、例えば、１０６０ｎｍ〜１０８０ｎｍの波長のレーザ光を反射し、９００ｎｍ〜１０００ｎｍの波長のレーザ光を透過する。したがって、光フィルタ３０９は、半導体レーザ素子３０１が出射したレーザ光を透過するとともに、１０６０ｎｍ〜１０８０ｎｍの波長の半導体レーザモジュールの外部からのレーザ光が、半導体レーザ素子３０１に対して、照射されることを防止する。光フィルタ３０９は、光フィルタ３０９で反射されたレーザ光が、再度光ファイバー３０２に戻らないように、レーザ光の光軸に対して角度を付けて配置されている。
【００２０】
以上のように構成された半導体レーザモジュール３００において、半導体レーザ素子３０１の端面から漏れた光や、光ファイバー３０２に入射されなかった光などが迷光として、筐体３０５の天板３５１や側壁、底面などに照射される。そして、迷光などが照射された部分は加熱され、この部分の温度が上昇する。
【００２１】
また、半導体レーザ素子３０１自体も発熱しており、この熱が天板３５１や側壁、底面などに伝搬し、天板３５１などが加熱される。ここで、筐体３０５の底面部分や側壁部分はヒートシンクなどの冷却媒体に接続されているので、底面部分や側壁部分は、迷光などが当たっても、熱をヒートシンク側に逃がすことができるので、温度は上昇しにくい。
【００２２】
一方、天板３５１はヒートシンクから遠く熱抵抗が大きいので、迷光などが照射されると加熱され、天板３５１の温度が上昇し、天板３５１が伸び、膨張する。天板３５１が伸びるなどすると、筐体３０５全体が歪む。
【００２３】
光ファイバー３０２に対してレーザ光を誘導する調整は非常にシビアであり、筐体３０５が僅かでも歪むと、レーザ光の光ファイバー３０２への集光位置がずれる。その結果、半導体レーザ素子３０１から出射されたレーザ光の光ファイバー３０２に対する結合率が変わり、半導体レーザモジュール３００から出てくる光の量が変わるので、レーザ光の出力が変化（低下）する。
【００２４】
＜本実施形態の技術＞
次に本実施形態に係る半導体レーザモジュールについて、図１乃至図２Ｇを用いて説明する。図１は、本実施形態に係る半導体レーザモジュール１００の構成を説明する側面模式図である。
【００２５】
図１に示すように、半導体レーザモジュール１００は、半導体レーザ素子１０１と、光ファイバー１０２と、薄板１０３と、リードピン１０４と、筐体１０５と、レンズ１０６，１０７，１０８と、光フィルタ１０９とを含む。そして、複数の半導体レーザ素子１０１と、光ファイバー１０２と、リードピン１０４と、レンズ１０６，１０７，１０８と、光フィルタ１０９とが筐体１０５に実装され、半導体レーザモジュール１００が形成される。
【００２６】
半導体レーザ素子１０１のそれぞれから出力されたレーザ光は、筐体１０５内のレンズ１０６，１０７，１０８および光フィルタ１０９を含んで構成される光学系を経由して、光ファイバー１０２へと結合する。そして、光ファイバー１０２へ結合したレーザ光は、半導体レーザモジュール１００の外部へと出射される。
【００２７】
薄板１０３は、筐体１０５の内部に配置され、天板１５１の内面側に取り付けられている。より詳細には、薄板１０３は、半導体レーザ素子１０１と天板１５１との間、つまり、半導体レーザ素子１０１と対向する位置に設けられている。そして、薄板１０３と天板１５１との間には空隙１３１が形成されている。なお、薄板１０３は、筐体１０５の側壁の内面側に設けてもよい。さらに、薄板１０３は、天板１５１の内面側と、筐体１０５の側壁の内面側との両方に設けてもよいし、筐体１０５の底面の内面側に設けてもよい。また、薄板１０３は、半導体レーザ素子１０１に対向する位置に設けられている例で説明をしたが、薄板１０３は、例えば、レンズ１０６，１０７，１０８や光フィルタ１０９に対向する位置に設けられていてもよい。この場合、薄板１０３は、１つでも、複数でもよい。
【００２８】
半導体レーザ素子１０１から出力されたレーザ光による迷光や戻り光などは、薄板１０３に照射され、天板１５１の薄板１０３に覆われた部分には直接照射されない。つまり、薄板１０３は、迷光や戻り光などの照射や、これらによる熱を遮蔽する。したがって、迷光により天板１５１が加熱され難くなり、天板１５１の温度上昇を抑制できる。そして、天板１５１の薄板１０３に覆われた部分は、加熱されないので、天板１５１の伸びや反り返り、膨張などを抑制できるので、筐体１０５全体として歪み難くなる。
【００２９】
薄板１０３の大きさは、天板１５１の全体を覆う大きさであってもよいし、天板１５１の一部を覆う大きさであってもよい。また、薄板１０３の大きさは、複数の半導体レーザ素子１０１を覆う大きさであってもよい。さらに、薄板１０３の形状は、矩形形状や円形形状、多角形形状などであってもよく、また、これらのうちのいくつかを組み合わせた形状であってもよい。
【００３０】
薄板１０３は、金属であり、好ましくは、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）などであってもよいが、これらには限定されない。また、薄板１０３は、天板１５１や筐体１０５の素材よりも熱膨張係数が小さいものが好ましい。
【００３１】
図２Ａは、本実施形態に係る半導体レーザモジュール１００の備える天板１５１および薄板１０３の構成を示す平面図である。図２Ｂは、本実施形態に係る半導体レーザモジュール１００の備える天板１５１および薄板１０３の構成を示す部分拡大側面図である。
【００３２】
図示したように、薄板１０３は、天板１５１の中央から右側部分を覆う位置に配置されている。そして、薄板１０３の面積は、天板１５１の面積の約２／３を覆う面積となっているが、薄板１０３の面積はこれには限定されない。例えば、薄板１０３の面積は、天板１５１の面積と同じ面積であってもよいし、天板１５１の面積よりも小さい面積であってもよい。
【００３３】
また、薄板１０３の形状は、矩形形状となっているが、薄板１０３の形状はこれには限定されない。薄板１０３の形状は、例えば、円形形状や多角形形状などであってもよく、さらに、矩形形状、円形形状または多角形形状のうちのいくつかを組み合わせた形状であってもよいし、これらの全てを組み合わせた形状であってもよい。
【００３４】
薄板１０３の厚みは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍが好ましいが、これには限定されない。
【００３５】
薄板１０３は、固定部２３１で天板１５１に固定されている。薄板１０３の天板１５１への固定は、例えば、固定部２３１を接着剤（熱硬化接着材、紫外線（ＵＶ）接着剤など）で接着したり、ねじ止めしたりして行われる。接着は、例えばゴムや樹脂系の接着剤などを用いてもよいが、これに限定されるものではない。また、スポット溶接やＹＡＧ溶接などにより固定してもよい。さらに、はんだ付けやろう付け、粘着テープなどで固定してもよい。また、薄板１０３は、両端部が折り曲げられて、折曲部２３２を形成している。このように薄板１０３の両端に折曲部２３２を設けたことにより、薄板１０３と天板１５１との間に空隙１３１が形成される。なお、折曲部２３２は、薄板１０３の一方の端部に形成してもよい。
【００３６】
薄板１０３は、２か所の固定部２３１で天板１５１に固定されているので、薄板１０３の熱が天板１５１には伝わり難くなる。なお、薄板１０３は、１つの固定部２３１または３つ以上の固定部２３１で天板１５１に固定されてもよい。
【００３７】
図２Ｃは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の構成の一例を示す部分拡大側面図である。図示したように、薄板１０３を２枚横方向に並べるように配置してもよい。また、配置する枚数は２枚には限定されず、３枚以上並べてもよい。
【００３８】
図２Ｄは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の構成の他の例を示す部分拡大側面図である。薄板１０３は、側面から見て波状の形状としてもよい。また、ここに示した以外にも、半導体レーザモジュール１００の例えば、光ファイバー１０２を設けた側から見て、薄板１０３は、上または下に向かって凸形状であってもよく、様々な形状とすることができる。
【００３９】
図２Ｅは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板１０３の構成のさらに他の例を示す部分拡大側面図である。薄板１０３は、側面から見て湾曲した形状であってもよい。
【００４０】
図２Ｆは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の固定部の構成の一例を示す平面図である。図２Ｆに示したように、固定部２３１の一部を取り除いたものであってもよい。つまり、図２Ａに示した固定部２３１の一部（図２Ｇの点線部分）を切り取ったものであってもよい。この場合、薄板１０３は、４か所の固定部２３１で天板１５１に固定される。
【００４１】
図２Ｇは、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの備える薄板の固定部の構成の他の例を示す平面図である。図２Ｇに示したように、薄板１０３は、２か所の固定部２３１で天板１５１に固定してもよい。この場合、２つの固定部２３１は、対角線上の位置に配置されているが、互いに正対する位置（１点鎖線）に配置されていてもよい。
【００４２】
本実施形態によれば、半導体レーザ素子からの出力光の光ファイバーへの結合率の変動を抑制することができる。また、薄板により迷光や戻り光が遮蔽されて筐体の天板が加熱されないので、筐体の天板が加熱により反り返り難くなり、筐体自体が歪み難くなるので光ファイバーへの結合率の変動が抑制される。
【００４３】
［第２実施形態］
次に本発明の第２実施形態に係る３次元積層造形装置について、図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る３次元積層造形装置４００の構成を説明するための図である。なお、図４では、ここに示した構成以外の構成については、図が煩雑になるのを避けるため適宜省略している。なお、３次元積層造形装置４００は、ＬＭＤ（Laser Metal Deposition）型の３次元積層造形装置を例に説明をするが、パウダーベッド型の３次元積層造形装置であってもよい。
【００４４】
３次元積層造形装置４００は、３次元積層造形物の材料である金属粉体などにレーザ光を照射して、金属粉体を溶融、凝固させて積層することにより造形台４３０上に３次元積層造形物４２０を造形する装置である。
【００４５】
図４に示したように、３次元積層造形装置４００は、半導体レーザモジュール１００と、造形台４３０と、材料貯蔵部４５０と、材料搬送管４５１と、制御部４６０と、ノズル４７０とを含む。また、材料貯蔵部４５０と、材料搬送管４５１と、ノズル４７０とは、材料供給部を構成する。
【００４６】
光源としての半導体レーザモジュール１００は、レーザ光などの光線を発生させる。発生したレーザ光は、半導体レーザモジュール１００や、不図示の鏡筒などにおいて光路が調整され、造形台４３０上に照射される。ノズル４７０は、ノズル４７０の先端からキャリアガス４４０を噴射して、造形台４３０上に３次元積層造形物４２０の材料を供給する。キャリアガス４４０は、アルゴンガスや窒素ガス、ヘリウムガスなどの不活性ガスであり、３次元積層造形物４２０の材料である金属粉体などを造形台４３０上に搬送するガスである。材料貯蔵部４５０は、３次元積層造形物４２０の材料を貯蔵し、材料搬送管４５１を通じて、圧送などにより、ノズル４７０に対して供給する。
【００４７】
制御部４６０は、半導体レーザモジュール１００、材料貯蔵部４５０およびノズル４７０と接続されている。制御部４６０は、半導体レーザモジュール１００を制御して、レーザ光の出力エネルギーや走査方向、走査速度、レーザ光の集束状態などを調整して、制御する。さらに、制御部４６０は、ノズル４７０および材料貯蔵部４５０を制御して、ノズル４７０の走査速度やノズル４７０からのキャリアガス４４０の噴射量などを調整し、材料の供給量を調整する。
【００４８】
本実施形態によれば、レーザ光の結合率が低下しない半導体レーザモジュールを用いるので、より精度の高い３次元積層造形物を造形することができる。
【００４９】
［他の実施形態］
以上、実施形態を参照して本願発明を説明したが、本願発明は上記実施形態に限定されるものではない。本願発明の構成や詳細には、本願発明のスコープ内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。また、それぞれの実施形態に含まれる別々の特徴を如何様に組み合わせたシステムまたは装置も、本発明の範疇に含まれる。
【図１】
2018051430.tif 000003
【図２Ａ】
2018051430.tif 000004
【図２Ｂ】
2018051430.tif 000005
【図２Ｃ】
2018051430.tif 000006
【図２Ｄ】
2018051430.tif 000007
【図２Ｅ】
2018051430.tif 000008
【図２Ｆ】
2018051430.tif 000009
【図２Ｇ】
2018051430.tif 000010
【図３Ａ】
2018051430.tif 000011
【図３Ｂ】
2018051430.tif 000012
【図４】
2018051430.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月2日(2018.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ素子と、
光ファイバーと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を前記光ファイバーへと集光する集光手段と、
前記半導体レーザ素子と、前記集光手段と、前記光ファイバーとが実装された筐体と、
を含む半導体レーザモジュールであって、
前記半導体レーザ素子と、前記筐体の天板との間に配置され、前記天板との間に前記レーザ光による熱を遮蔽するための空隙が形成されるように前記天板に設置された少なくとも１つの薄板を有する半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記薄板は、少なくとも一端部に折曲部を有し、前記折曲部を介して前記天板に設置されて、前記空隙が形成される請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記薄板は、前記半導体レーザ素子と対向する位置に設けられている請求項１または２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記薄板は、前記天板の少なくとも一部を覆う大きさである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記薄板は、前記複数の半導体レーザ素子を覆う大きさである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記薄板は、矩形形状、円形形状または多角形形状である請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
前記薄板の厚みは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍである請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記薄板は、アルミニウム、である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体レーザモジュールを用いた３次元積層造形装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザモジュールは、
複数の半導体レーザ素子と、
光ファイバーと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を前記光ファイバーへと集光する集光手段と、
前記半導体レーザ素子と、前記集光手段と、前記光ファイバーとが実装された筐体と、
を含む半導体レーザモジュールであって、
前記半導体レーザ素子と、前記筐体の天板との間に配置され、前記天板との間に前記レーザ光による熱を遮蔽するための空隙が形成されるように前記天板に設置された少なくとも１つの薄板を有する。
【国際調査報告】
2018051430.tif 000014
2018051430.tif 000015
2018051430.tif 000016
2018051430.tif 000017