(57)【要約】  電子部品は、１対の電極を有する温度センサと、温度センサの電極と電気的に接続する少なくとも１つの金属ブロックと、温度センサおよび上述の少なくとも１つの金属ブロックを埋設する絶縁部と、温度センサの電極と電気的に接続する外部端子部とを有し、上述の少なくとも１つの金属ブロックは絶縁部から露出した平坦な面を有し、その平坦な面が前記外部端子部を構成する。
2017010216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の電極を有する温度センサと、
前記温度センサの電極と電気的に接続する少なくとも１つの金属ブロックと、
前記温度センサおよび前記少なくとも１つの金属ブロックを埋設する絶縁部と、
前記温度センサの電極と電気的に接続する１対の外部端子部と
を有し、
前記少なくとも１つの金属ブロックは前記絶縁部から露出した平坦な面を有し、該平坦な面が前記外部端子部を構成する、電子部品。
【請求項２】
前記金属ブロックの高さが前記温度センサの高さより大きい、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記温度センサおよび前記金属ブロックは、前記温度センサと前記金属ブロックとを電気的に接続する導体配線の上に配置され、
前記金属ブロックの前記導体配線に接する面と、前記金属ブロックの前記平坦な面とが少なくとも部分的に対向している、請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記温度センサおよび前記金属ブロックは、導電性接続材によって前記導体配線に接続される、請求項３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記導体配線の少なくとも一部が前記電子部品の外表面において露出している、請求項３または４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記導体配線のランド部の面積が、前記温度センサおよび前記金属ブロックの実装面の面積の合計よりも大きい、請求項３〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記導体配線は、前記金属ブロックの配置されている部分が前記温度センサの配置されている部分と比較して前記電子部品の外側に向かって突出した形状を有する、請求項３〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記導体配線が絶縁性基板の上に配置される、請求項３〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
２以上の金属ブロックを有し、該２以上の金属ブロックが前記温度センサの周囲に配置される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１０】
２つの金属ブロックを有し、該２つの金属ブロックが、前記温度センサの一方の電極から他方の電極に向かう方向に対して略平行な方向に前記温度センサをはさむように配置される、請求項９に記載の電子部品。
【請求項１１】
２つの金属ブロックを有し、該２つの金属ブロックが、前記温度センサの一方の電極から他方の電極に向かう方向に対して略垂直な方向に前記温度センサをはさむように配置される、請求項９に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記金属ブロックが銅または銅合金を含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記温度センサがチップ型サーミスタである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度センサを備える電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
温度センサを備える電子部品は、温度検知用途、温度補償用途等の幅広い用途で用いられている。近年、電子機器の小型化および薄型化に伴い、より小型かつ薄型の温度センサが求められている。温度センサの小型化および薄型化を実現するために、様々な構成を有する温度センサが開発されている。【０００３】
特許文献１には、温度の上昇によって抵抗値が低下する薄膜サーミスタが開示されている。特許文献１に記載の薄膜サーミスタは、基板と、この基板上に設けられた第１絶縁膜３（機能膜）と、この第１絶縁膜３上に配設された一対の電極膜４１、４２（ともに機能膜）と、これら電極４１、４２上に設けられたサーミスタ膜５（機能膜）と、一対の電極膜４１、４２からそれぞれ引き出された一対のパッド電極７１、７２と、サーミスタ膜５を覆うように形成された保護膜６（機能膜）とを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１１９３８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような電子部品は、パッド電極部においてレーザー溶接（ボンディング）等を行うことにより電子機器に取り付けられる。しかし、レーザー溶接時に発生する熱が電子部品内の温度センサに伝わることにより、温度センサの特性が劣化してしまうことがある。高感度の温度センサを用いる場合、熱による温度センサの劣化は、特に顕著なものとなり得る。一方、電子機器の小型化および高性能化に伴い、小型であり且つより高い感度を有する温度センサが求められるようになっている。【０００６】
本発明は、小型化が可能であり、高感度の温度検知機能を有し、かつレーザー溶接による劣化を抑制することができる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、温度センサを備える電子部品の内部に熱容量の大きい金属ブロックを配置し、この金属ブロックと直接または間接的に接する外部端子部を設けることにより、電子部品の小型化および高感度の温度検知機能と、レーザー溶接による劣化の抑制とを両立し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。【０００８】
本発明の一の要旨によれば、１対の電極を有する温度センサと、
温度センサの電極と電気的に接続する少なくとも１つの金属ブロックと、
温度センサおよび上述の少なくとも１つの金属ブロックを埋設する絶縁部と、
温度センサの電極と電気的に接続する外部端子部と
を有し、
上述の少なくとも１つの金属ブロックは絶縁部から露出した平坦な面を有し、その平坦な面が前記外部端子部を構成する、電子部品が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る電子部品は、熱容量の大きい金属ブロックを備えることにより、電子部品を小型化し、高感度の温度センサを用いた場合であっても、レーザー溶接時に発生する熱による温度センサの劣化を抑制することができる。従って、本発明に係る電子部品は、小型化が可能であり、高感度の温度検知機能を有し、かつレーザー溶接による劣化を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品の斜視図であり、図１（ｂ）は第１の実施形態に係る電子部品の底面図であり、図１（ｃ）は第１の実施形態に係る電子部品の絶縁部を省略した斜視図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る電子部品の製造工程を示す模式図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る電子部品の斜視図であり、図３（ｂ）は第２の実施形態に係る電子部品の底面図であり、図３（ｃ）は第２の実施形態に係る電子部品の絶縁部を省略した斜視図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る電子部品の製造工程を示す模式図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係る電子部品の断面を模式的に表した図である。
【図６】図６は、本発明の第４の実施形態に係る電子部品の断面を模式的に表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、以下に示す実施形態は例示を目的とするものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。以下に説明する構成要素の寸法、材質、形状、相対的配置等は、特定的な記載がない限りは本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例にすぎない。また、各図面が示す構成要素の大きさ、形状、位置関係等は説明を明確にするため誇張していることがある。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１に、本発明の第１の実施形態に係る電子部品を示す。図１（ａ）は本実施形態に係る電子部品の斜視図であり、図１（ｂ）は、本実施形態に係る電子部品の底面図であり、図１（ｃ）は本実施形態に係る電子部品の絶縁部を省略した斜視図である。図１に示す電子部品１は、１対の電極２１を有する温度センサ２と、温度センサ２と電気的に接続する少なくとも１つの金属ブロック３と、温度センサ２および少なくとも１つの金属ブロック３を埋設する絶縁部５と、温度センサ２の電極２１と電気的に接続する１対の外部端子部４とを有する。
【００１３】
温度センサ２は、一対の電極２１を有するものであれば特に限定されるものではなく、目的とする用途に応じて適宜選択することができる。温度センサ２として、例えば、サーミスタ、白金薄膜温度センサ等の金属測温抵抗体を用いてよい。温度センサ２がチップ型サーミスタであると、高感度の温度検知機能を有する電子部品を低コストで提供することができるので好ましい。チップ型サーミスタは、正特性サーミスタ（ＰＴＣサーミスタ）および負特性サーミスタ（ＮＴＣサーミスタ）のいずれであってもよい。
【００１４】
電子部品は少なくとも１つの金属ブロックを有する。図１に示す電子部品１は２つの金属ブロック３を有するが、本発明に係る電子部品はこのような構成に限定されるものではなく、金属ブロックを１つのみ含んでよく、あるいは３以上の金属ブロックを含んでもよい。金属ブロック３は、温度センサ２の電極２１と電気的に接続される。図１に示す電子部品１において、金属ブロック３は、導体配線６を介して温度センサ２の電極２１と電気的に接続されるが、本発明はこのような構成に限定されるものではない。
【００１５】
金属ブロック３は、後述の絶縁部５から露出した平坦な面を有し、その平坦な面が外部端子部４を構成する。平坦な面は、後述のレーザー溶接時の接合部となるため、被溶接物との密着性の高い均一な面であることが望ましいが、それに限定されるものではなく、曲面状や表面に凹凸があってよく、レーザー溶接を妨げないのであれば、平坦な面上に溶接時の位置合わせ用の基準となるマーク等を設けてもよい。金属ブロック３の形状は、上述の平坦な面を有するものであれば特に限定されるものではなく、図１に示すような円筒形、図３に示すような直方体の他、三角柱、四角柱等の多角形を底面とする柱形、多角錐、円錐、釣鐘状等の形状であってよい。また、電子部品が２以上の金属ブロックを有する場合、各金属ブロックの形状および寸法は同一であってよく、あるいは互いに異なってよい。図１に示す電子部品１において、金属ブロック３は、絶縁部５の上面から露出した平坦な面（上面）を有し、この平坦な面が外部端子部４を構成している。図１に示す電子部品１において、金属ブロック３の上面は外部端子部４としても機能する。尤も、本発明に係る電子部品はかかる構成に限定されるものではなく、例えば、金属ブロック３の上面に更に外部端子部となる別の金属ブロック等を接合することもできる。
【００１６】
電子部品１は、外部端子部４において、例えばアルミニウム合金製リボンストラップ等とレーザー溶接等を行うことにより電子機器等に取り付けられる。本実施形態に係る電子部品１は、金属ブロック３の平坦な面（上面）が外部端子部４を構成しているので、温度センサ２の実装面とは異なる面においてレーザー溶接を行うことが可能である。また、レーザー溶接が行われる外部端子部４が熱容量の大きい金属ブロックの平坦な面（上面）で構成されているので、レーザー溶接時に発生する熱が温度センサ２に伝わるのを抑制することができる。その結果、熱による温度センサ２の劣化を抑制することが可能である。この効果は、温度センサ２が高感度の温度検知機能を有し、従って耐熱性が比較的低い場合に特に顕著である。また、レーザー溶接を行う外部端子部４が熱容量の大きい金属ブロック３の平坦な面（上面）で構成されているので、電子部品１を小型化した場合であっても、レーザー溶接により発生する熱が温度センサ２に伝わるのを抑制することができる。従って、本実施形態に係る電子部品は、電子部品の小型化および高感度の温度検知機能と、レーザー溶接による劣化の抑制とを両立することができる。
【００１７】
金属ブロック３の寸法は、温度センサ２の寸法と比較して十分に大きいことが好ましい。この場合、レーザー溶接の際に発生する熱が温度センサ２に伝わるのをより一層抑制することができる。また、後述するように温度センサ２および金属ブロック３が導電性接続材７によって導体配線６に接続される場合、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。上述の悪影響としては、例えば、導電性接続材７として半田ペーストを用いる場合、レーザー溶接時に、いわゆるスプラッシュ不良（半田ペーストに含まれるフラックスが飛散する現象）が生じることが挙げられる。金属ブロック３の寸法を上述のように設定することにより、スプラッシュ不良を効果的に抑制することができる。更に、金属ブロック３の寸法が温度センサ２の寸法と比較して十分に大きいと、レーザー溶接時に発生する熱が絶縁部５に伝わるのを効果的に抑制することができ、熱による絶縁部５の劣化、例えば絶縁部５に含まれるエポキシ樹脂等の樹脂成分の熱による劣化を効果的に抑制することができる。金属ブロック３の体積は、温度センサ２の寸法や、電子部品１自体の寸法、レーザー溶接時の温度、レーザー照射径、照射時間等の溶接条件等を考慮して適宜調節することができ、一例として、レーザー溶接時のレーザーの照射径が約０．０７ｍｍ、照射時間が約２０ｍｓ、レーザー照射時の温度が約１１００℃である場合、１．０ｍｍ３以上であることが好ましい。
【００１８】
金属ブロック３において、外部端子部４を構成する平坦な面の面積は、レーザー溶接において用いるレーザーの照射径およびレーザー照射時の温度に応じて調節することが好ましい。なお、図１に示すように金属ブロック３の平坦な面（上面）が外部端子部４としても機能する場合、金属ブロック３の平坦な面（上面）の面積は、外部端子部４の面積を意味する。具体的には、レーザーの照射径が大きいほど、金属ブロック３の平坦な面の面積は大きいことが好ましく、レーザー照射時の温度が高いほど、平坦な面の面積は大きいことが好ましい。このように面積を設定することにより、発生する熱が温度センサ２に伝わるのを効果的に抑制することができる。例えば、金属ブロック３がＣｕを含む場合、レーザー溶接は、Ｃｕの融点（１０８５℃）よりも高い温度で行われる。一例として、レーザー溶接時のレーザーの照射径が約０．０７ｍｍ、レーザー照射時の温度が約１１００℃である場合、金属ブロック３の外部端子部４を構成する平坦な面の面積は１．０ｍｍ２以上であることが好ましい。
【００１９】
金属ブロック３の高さは、温度センサ２の高さより大きいことが好ましい。金属ブロック３の高さをこのように設定すると、外部端子部４においてレーザー溶接をするときに発生する熱が温度センサ２に伝わるのをより一層抑制することができる。また、温度センサ２および金属ブロック３が導電性接続材７によって導体配線６に接続される場合、金属ブロック３の高さを温度センサ２の高さより大きくすることにより温度センサ２および金属ブロック３の実装面と外部端子部４との距離を大きくすることができる。その結果、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。
【００２０】
電子部品１における金属ブロック３の配置は、金属ブロック３と温度センサ２とが電気的に接続されるような配置であれば特に限定されるものではなく、目的とする用途に応じて適宜設定することができる。金属ブロック３と温度センサ２との距離が大きいほど、温度センサ２に熱が伝わりにくくなり、熱による温度センサ２の劣化を抑制することができる。また、温度センサ２および金属ブロック３が導電性接続材７によって導体配線６に接続される場合、金属ブロックと温度センサとの距離が大きいほど、実装面に熱が伝わりにくくなり、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。一方、電子部品１を小型化する場合、金属ブロック３と温度センサ２との距離をある程度小さくすることが望ましい。本実施形態に係る電子部品１においては、レーザー溶接が行われる外部端子部４が、熱容量の大きい金属ブロックの一面で構成されているので、金属ブロック３と温度センサ２との距離が比較的小さい場合であっても温度センサ２に熱が伝わりにくい。そのため、熱による温度センサ２の劣化を効果的に抑制することができる。また、実装面に熱が伝わりにくいことにより、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。金属ブロック３と温度センサ２との距離および配置は、温度センサ２の種類および寸法、ならびに金属ブロック３の寸法等を考慮して適宜調節することができる。例えば、電子部品が２以上の金属ブロック３を含む場合、その２以上の金属ブロック３が温度センサ２の周囲に配置されることが好ましい。このように金属ブロック３を配置することにより、電子部品１の小型化および高感度と、熱による劣化の抑制とを両立することができる。
【００２１】
図１に示す電子部品１は、２つの金属ブロック３を有し、この２つの金属ブロック３は、温度センサ２の一方の電極２１から他方の電極２１に向かう方向に対して略平行な方向に温度センサ２をはさむように配置される。このような配置により、金属ブロック３の高さ及び電子部品１自体の高さを変更するだけで、温度センサ２の温度応答性を維持しながら、種々のレーザー溶接条件（レーザーの照射強度、照射時間等）に対応した温度センサを容易に実現することができる。なお、図１に示す電子部品１は金属ブロック３を２つ含むが、本実施形態に係る電子部品は、１以上の追加の金属ブロックを更に含んでもよい。
【００２２】
金属ブロック３を構成する金属材料は特に限定されるものではなく、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｗ、Ｐｔ、Ａｕ等の金属ならびにこれらの合金等を含んでよい。金属ブロック３に含まれる金属材料の熱容量が大きいほど、熱による温度センサ２の劣化を効果的に抑制することができる。また、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。金属ブロック３は、熱容量が比較的大きい銅または銅合金を含むことが好ましく、例えば、無酸素銅Ｃ１０２０、タフピッチ銅Ｃ１１００、りん脱酸銅Ｃ１２２０等を含むことが好ましい。電子部品が２以上の金属ブロックを含む場合、各々の金属ブロックは同一の金属材料で構成されてよく、あるいは異なる種類の金属材料で構成されてもよい。
【００２３】
金属ブロック３は、圧延、金属プレスおよびエッチング等の方法で製造することができる。保存時および製造工程における金属ブロック３の酸化を防ぐために、金属ブロック３に防錆および／またはめっき（Ｎｉ／Ｓｎめっき等）等の表面処理を施すことが望ましい。尤も、このような表面処理は必須ではない。また、金属ブロック３の平坦な面が外部端子部４としても機能する場合、この平坦な面上に、Ｎｉめっき層および／またはＡｕめっき層等のめっき層を設けてもよい。このようなめっき層を設けることにより、金属ブロックの表面を湿度や腐食ガス等の汚染から保護し、溶接による接合信頼性を向上させることができる。
【００２４】
電子部品１は、温度センサ２および金属ブロック３を埋設する絶縁部５を含む。絶縁部５は、温度センサ２を外部環境から保護するために設けられる。絶縁部５を構成する材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化性樹脂、ガラスセラミック等の絶縁性ガラス材料、アルミナ等の絶縁性基板材料等を含んでよい。絶縁部５は、溶接時に生じ得る熱ストレスに対する耐性を向上させるために、耐熱性の高い材料で構成されることが好ましい。
【００２５】
温度センサ２および金属ブロック３は、温度センサ２と金属ブロック３とを電気的に接続する導体配線６の上に配置されてよい。導体配線６は、例えば、銅箔パターン、銅線等の電線、回路基板上に形成した銅または銀合金等の配線等であってよい。このとき、金属ブロック３の導体配線６に接する面と、金属ブロック３の平坦な面（外部端子部４を構成する面）とが少なくとも部分的に対向していることが好ましい。このような構成により、レーザー溶接の際に発生する熱が温度センサ２に伝わるのを効果的に抑制することができ、熱による温度センサ２の劣化を効果的に抑制することができる。また、温度センサ２および金属ブロック３が導電性接続材７によって導体配線６に接続される場合、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。なお、本明細書において、金属ブロック３の一の面ともう１つの面とが「少なくとも部分的に対向している」とは、金属ブロック３を平面視したときに一の面ともう１つの面とが少なくとも部分的に重なっている状態をいう。
【００２６】
温度センサ２および金属ブロック３は、導電性接続材７によって導体配線６に接続されることが好ましい。このように温度センサ２および金属ブロック３と導体配線６との接続をおこなうことにより、簡易な方法で電子部品１を製造することができる。導電性接続材７としては、例えば、半田（半田ペースト）、フラックス、導電性接着剤、異方性導電性接着剤シート等を用いることができる。
【００２７】
導体配線６の少なくとも一部は、電子部品１の外表面において露出していることが好ましい。このような構成により、温度センサ２の応答性を向上させることができる。導体配線６の少なくとも一部が電子部品１の外表面において露出している場合、この露出面の上にＮｉめっき層および／またはＡｕめっき層等のめっき層を設けてもよい。このようなめっき層を設けることにより、導体配線の表面を湿度や腐食ガス等の汚染から保護し、製品寿命を向上させることができる。また、当該面を測定対象物に接してセンサとして使用する際には、測定精度の信頼性の向上に寄与する。
【００２８】
導体配線６のランド部の面積は、温度センサ２および金属ブロック３の実装面の面積の合計よりも大きいことが好ましい。このような構成により、被測定物に接する導体配線６の面積を大きくすることができる。被測定物に接する導体配線６の面積が大きいほど、被測定物と温度センサ２との間の熱の伝導性が向上し得、その結果、温度センサ２の応答性が向上し得る。
【００２９】
次に、本実施形態に係る電子部品の製造方法の一例を、図２を参照して以下に説明する。尤も、本実施形態に係る電子部品の製造方法は以下に説明する方法に限定されるものではない。
【００３０】
まず、例えば厚さ１８μｍのマザーＣｕ箔上に、ドライフィルムレジスト（日立化成製：ＰＨＯＴＥＣ−ＲＹ３２３７）をラミネーターにより貼付け、露光および現像を行うことによって、マザーＣｕ箔上のドライフィルムレジストに、温度センサ２および金属ブロック３の実装部に対応する部分、ならびに温度センサ２と金属ブロック３との接続部に対応する部分に開口部を形成する。なお、レジストとしては、ドライフィルムレジストの他に、液状レジストも使用可能である。
【００３１】
次いで、レジストの開口部において、マザーＣｕ箔の上に、Ｃｕめっき層、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を電解めっき等により順次形成することによって、導体配線６を形成する（図２（ａ））。導電性接続材として半田ペーストを用いる場合には、接合信頼性向上のために、めっき層を設けることが好ましいが、そのほかの導電性接続材を用いる場合には省略可能である。
【００３２】
次いで、導体配線６における温度センサ２および金属ブロック３の実装面に、導電性接続材７として半田ペースト（千住金属工業製：Ｍ７０５−ＧＲＮ３６０−Ｋ２−Ｖ）を塗布する（図２（ｂ））。この導電性接続材７の上に温度センサ２および金属ブロック３を搭載し、リフロー炉において加熱することにより、温度センサ２および金属ブロック３を導体配線６に接続する（図２（ｃ））。
【００３３】
次いで、例えば熱硬化性エポキシ樹脂からなる厚さ１００μｍの未硬化樹脂シートを４枚重ねて、これを温度センサ２および金属ブロック３の搭載面から圧着する等により、絶縁性樹脂材の内部に温度センサ２および金属ブロック３を封止する。絶縁性樹脂材料は、絶縁部５を構成する材料である。圧着は、例えば、温度１３０℃において真空引きを２分間行った後に、５ＭＰａの圧力で３分間行ってよい。圧着後の絶縁性樹脂材の厚さは、例えば３００μｍであってよい。上述の圧着は通常、下面が平坦な形状であるプレス金型を用いて行う。そのため、絶縁性樹脂材の上面（圧着面）は平坦な形状に形成される。
【００３４】
圧着後の絶縁性樹脂材およびその内部に封止された温度センサ２および金属ブロック３をオーブンに投入して加熱することにより、絶縁性樹脂材を硬化させる。加熱は、例えば、１８０℃の温度にて６０分間行ってよい。
【００３５】
次いで、絶縁性樹脂材を上面（圧着面）から研磨して、金属ブロック３の一面を露出させる。この露出面が外部端子部４を構成する。なお、圧着後に金属ブロック３の一面が絶縁性樹脂材の上面において十分に露出している場合や、金属ブロック３の上面を覆う絶縁性樹脂材の厚さが薄く、ピンセット等によって容易に取り除ける場合には、上述の研磨を行わなくてもよい。
【００３６】
次いで、マザーＣｕ箔のエッチング等のサブトラクティブ法により、温度センサ２および金属ブロック３の搭載面の裏面にＣｕ箔を形成する。その後、上述の研磨等により露出させた金属ブロック３の表面、ならびに温度センサ２および金属ブロック３の搭載面の裏面に形成したＣｕ箔の表面に、Ｎｉめっき層およびＡｕめっき層を電解めっき等により順次形成する。
【００３７】
その後、型抜機やダイサー加工機などの切断機を用いて絶縁性樹脂材を切断することにより、温度センサ２および金属ブロック３が絶縁部５に埋設された電子部品１の個片が得られる。
【００３８】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態に係る電子部品について、図３を参照して以下に説明する。なお、第２の実施形態ならびに後述の第３および第４の実施形態においては、第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、第１の実施形態と同様の構成による同様の作用効果については、第２〜第４の実施形態においては逐次言及しないが、特段の説明がない限り、第２〜第４の実施形態に係る電子部品は、第１の実施形態に係る電子部品と同様の作用効果を奏するものとする。第２の実施形態に係る電子部品１は２つの金属ブロック３を有し、この２つの金属ブロック３が、温度センサ２の一方の電極２１から他方の電極２１に向かう方向に対して略垂直な方向に温度センサ２をはさむように配置される以外は、第１の実施形態に係る電子部品と同様の構成を有する。本実施形態に係る電子部品は、かかる構成を有することにより、電子部品１を小型化した場合であっても、外部端子部４と、温度センサ２の実装面との距離を大きくすることができる。そのため、レーザー溶接時に発生する熱による温度センサ２の劣化を効果的に抑制することができる。また、温度センサ２および金属ブロック３が導電性接続材７によって導体配線６に接続される場合、レーザー溶接時に導電性接続材７が熱による悪影響を受けるのを効果的に抑制することができる。更に、実装ランド部のサイズが同じである場合、電子部品１のサイズを小型化することにより金属ブロック３のフィレット検査がし易くなり、工程管理が容易になる。なお、図３に示す電子部品１は金属ブロック３を２つ含むが、本実施形態に係る電子部品は、１以上の追加の金属ブロックを更に含んでもよい。また、図３に示す金属ブロック３は直方体形状を有するが、円筒形等の他の形状を有してよい。
【００３９】
本実施形態に係る電子部品は、上述の第１の実施形態に係る電子部品と同様の手順で製造することができる。具体的には、第１の実施形態に係る電子部品と同様の手順で、図４（ａ）に示すような導体配線６を形成し、その上に、図４（ｂ）に示すように導電性接続材７を塗布した後、この導電性接続材７の上に温度センサ２および金属ブロック３を搭載し、リフロー炉において加熱することにより、温度センサ２および金属ブロック３を導体配線６に接続する（図４（ｃ））。次いで、第１の実施形態に係る電子部品と同様の手順で、絶縁性樹脂材の圧着等を行うことにより、第２の実施形態に係る電子部品１を得ることができる。
【００４０】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態に係る電子部品について、図５を参照して以下に説明する。第３の実施形態に係る電子部品１は、導体配線６が、金属ブロック３の配置されている部分が温度センサ２の配置されている部分と比較して電子部品１の外側に向かって突出した形状（凸形状）を有する以外は、第１および第２の実施形態に係る電子部品と同様の構成を有する。換言すれば、導体配線６は、温度センサ２が配置されている部分において凹形状を有する。本実施形態に係る電子部品は、かかる構成を有することにより、曲面を有する被測定物に対する温度センサ２部の密着性を向上させることができる。その結果、温度センサ２の応答性を向上させることが可能である。なお、本実施形態に係る電子部品において、温度センサ２および金属ブロック３の配置は特に限定されず、図１に示すような配置であってよく、あるいは図３に示すような配置であってもよい。
【００４１】
本実施形態に係る電子部品１は、第１の実施形態に係る電子部品の製造方法において、絶縁性樹脂材の圧着時の圧力を適宜調節すること、および／または凸部を設けたプレス金型を用いて圧着すること等により製造することができる。
【００４２】
［第４の実施形態］
次に、本発明の第４の実施形態に係る電子部品について、図６を参照して以下に説明する。第４の実施形態に係る電子部品１は、導体配線６が絶縁性基板８の上に配置される以外は、第１および第２の実施形態に係る電子部品と同様の構成を有する。絶縁性基板８は、絶縁性を有していれば特に限定されるものではなく、例えば、アルミナ基板、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、ガラスセラミック基板等であってよい。本実施形態に係る電子部品１は、簡易な方法で製造可能であるという利点を有する。具体的には、絶縁基板上に導体ペーストを厚膜印刷する等の方法で導体配線を形成できる。第１〜３の実施形態のように、マザーＣｕ箔のめっきおよびエッチングによって導体配線を形成する場合に比べて、簡易なプロセスで製造できる。なお、本実施形態に係る電子部品において、温度センサ２および金属ブロック３の配置は特に限定されず、図１に示すような配置であってよく、あるいは図３に示すような配置であってもよい。
【実施例】
【００４３】
温度センサとして１６０８サイズ（１．６×０．８×０．８ｍｍ）のチップ型サーミスタを用い、金属ブロックとして銅ブロックを用いて第１の実施形態に係る電子部品を作製した。銅ブロックは、断面積（平坦な面の面積）が０．５０ｍｍ２〜３．１４ｍｍ２、高さが０．４ｍｍ〜２．０ｍｍのものを用いた。各電子部品においてレーザー溶接（レーザー溶接温度１１００℃、照射径０．０７ｍｍ、照射時間２０ｍｓ）を行い、レーザー溶接直後のチップ型サーミスタの温度データを取得した。結果を表１に示す。表１より、銅ブロックの断面積が大きいほど、レーザー溶接直後のチップ型サーミスタの温度が低くなったことがわかる。また、銅ブロックの高さが大きいほど、レーザー溶接直後のチップ型サーミスタの温度が低くなったことがわかる。これらの結果より、銅ブロックの寸法を適切に設定することにより、レーザー溶接時に発生する熱がチップ型サーミスタに伝わるのを抑制することができ、チップ型サーミスタに対する熱ストレスを十分に低く抑えることができることがわかる。従って、銅ブロックの寸法を適切に設定することにより、レーザー溶接時に発生する熱による温度センサの劣化を抑制することができると考えられる。【００４４】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明に係る電子部品は、小型化および高感度の温度検知機能と、レーザー溶接による劣化の抑制との両立が可能であり、小型化および高性能化が求められる電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１    電子部品
２    温度センサ
２１    温度センサの電極
３    金属ブロック
４    外部端子部
５    絶縁部
６    導体配線
７    導電性接続材
８    絶縁性基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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