(57)【要約】  ホール素子のオフセット電圧の変動を抑制することができるホール素子及びホールセンサ、レンズモジュールを提供する。基板（１０）と、基板（１０）の上面（１０ａ）側に形成された感磁部（２０）と、上面（１０ａ）側に形成されて感磁部（２０）に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極（３１）及び第２の電極（３２）と、上面（１０ａ）側に形成されて感磁部（２０）に電気的に接続し、第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極（３３）及び第４の電極（３４）と、を備える。第１の電極（３１）、第２の電極（３２）、第３の電極（３３）及び第４の電極（３４）は、感磁部（２０）の周辺領域から感磁部（２０）の中央領域へそれぞれ延出している。
2017051829.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、
前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極及び第２の電極と、
前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、前記第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極及び第４の電極と、を備え、
前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極は、前記感磁部の周辺領域から前記感磁部の中央領域までそれぞれ延出している、ホール素子。
【請求項２】
平面視で、前記感磁部の中央領域の面積に対する、前記第１〜第４の電極の中央領域上の総面積の割合が１０％以上１００％未満である請求項１に記載のホール素子。
【請求項３】
前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極の平面視による形状はそれぞれ矩形であり、
前記第１の電極が有する第１の角部と、前記第２の電極が有する第２の角部と、前記第３の電極が有する第３の角部と、前記第４の電極が有する第４の角部とが、前記感磁部の上方にそれぞれ位置し、
前記第１の角部と前記第２の角部とが前記第１の方向で互いに向かい合い、前記第３の角部と前記第４の角部とが前記第２の方向で互いに向かい合う、請求項１又は請求項２に記載のホール素子。
【請求項４】
平面視で、前記第１の角部、前記第２の角部、前記第３の角部及び前記４の角部により囲まれる領域の中心部は、前記感磁部の中心部と重なる、請求項３に記載のホール素子。
【請求項５】
前記基板の平面視による形状は矩形であり、
前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極は、前記基板の矩形の四隅にそれぞれ配置されており、
前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極の各々の外周の各辺は、前記基板の外周の４辺のうちの２辺とそれぞれ平行である、請求項３又は請求項４に記載のホール素子。
【請求項６】
平面視で、前記第１〜第４の電極の隣接する電極の間の最小距離は、２μｍ以上１１μｍ以下である請求項１から請求項５の何れか一項に記載のホール素子。
【請求項７】
断面視で、前記感磁部と前記第１〜第４の電極との間に配置される絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜は、前記感磁部の矩形の四隅と重なる位置にそれぞれ開口部を有し、
前記開口部で前記感磁部と前記第１〜第４の電極が接触する請求項１から請求項６の何れか一項に記載のホール素子。
【請求項８】
請求項１から請求項７の何れか一項に記載のホール素子と、
第１の端子部と、
第２の端子部と、
第３の端子部と、
第４の端子部と、
前記第１の電極と前記第１の端子部とを接続する第１の金属細線と、
前記第２の電極と前記第２の端子部とを接続する第２の金属細線と、
前記第３の電極と前記第３の端子部とを接続する第３の金属細線と、
前記第４の電極と前記第４の端子部とを接続する第４の金属細線と、を備え、
前記第１〜前記第４の電極の各々は、前記第１〜第４の金属細線が各々接合される領域と、前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域とを有し、
前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域は、前記感磁部の中心から見て前記第１〜第４の金属細線が接合される接合領域の中心よりも外側に位置する、ホールセンサ。
【請求項９】
断面視で、前記感磁部と前記第１〜第４の電極との間に配置される絶縁膜をさらに備え、
前記絶縁膜は、断面視で、前記第１〜第４の金属細線が接合される領域では前記第１〜第４の電極と前記感磁部との間に介在し、前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域では開口部を有する請求項８に記載のホールセンサ。
【請求項１０】
前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域の中心は、前記第１〜第４の電極の中心よりも外側に位置し、
前記金属細線が接合される領域の中心は、前記第１〜第４の電極の中心よりも内側に位置する、請求項８又は請求項９に記載のホールセンサ。
【請求項１１】
平面視で、前記金属細線が接合される接合領域外に、前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域が配置される請求項８から請求項１０の何れか一項に記載に記載のホールセンサ。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、
前記感磁部上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された電極と、
前記電極の上面で一端が接合される金属細線と、
前記金属細線のもう一他端と接続される端子部と、を備え、
前記感磁部の形状は、前記基板上に形成されたメサ形状であり、
前記電極の上面の前記金属細線が接合される接合領域の下方には、前記電極と前記感磁部との間に前記絶縁膜が介在し、
前記電極は、前記金属細線が接合される接合領域外で、前記感磁部と接続するホールセンサ。
【請求項１３】
前記絶縁膜は、上面視で、前記接合領域外に位置する開口部を有し、
前記電極は、前記開口部で、前記感磁部と接触する請求項１２に記載のホールセンサ。
【請求項１４】
前記感磁部の中心から見て、前記金属細線が接合される接合領域よりも外側に、前記絶縁膜の開口部が配置される請求項１３に記載のホールセンサ。
【請求項１５】
請求項８から請求項１４の何れか一項に記載のホールセンサと、
磁石が取り付けられたレンズホルダと、
前記ホールセンサの前記複数の端子部からの出力信号に基づいて、前記磁石を移動させる駆動コイルと、を備えるレンズモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ホール素子及びホールセンサ、レンズモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から磁気センサは、電流検出装置や位置検出装置など多くの磁気センサ製品に応用されている。磁気センサの代表例として、ホール効果を利用したホール素子がある。
ホール素子は、一般に、感磁部と、感磁部に電流を流すための電流電極対と、ホール起電力を検出するための出力電極対を有している、そして、出力電極対から検出されるホール起電力から感磁部に印加された磁気の大きさ及び向きを検出する。
特許文献１には、半絶縁性ＧａＡｓ基板と、Ｎ型動作層と、Ｎ＋コンタクト層と、オーミック接合用金属膜と、ボンディング用金属膜と、絶縁膜と、を備えるホール素子が開示されている。
特許文献２には、十字型のホール素子の４箇所の内隅部分を直角でなく斜めに角取りを施した形状にしたホール素子が開示されている。【０００３】
特許文献３には、ペレットと、ペレットの周囲に配置された複数のリード端子と、ペレットが有する複数の電極部と各リード端子とをそれぞれ電気的に接続する複数の金属細線と、ペレットの裏面を覆う絶縁ペーストと、ペレットと複数の金属細線を覆うモールド樹脂と、を備え、絶縁ペーストの少なくとも一部と、各リード端子の裏面の少なくとも一部は、モールド樹脂からそれぞれ露出しているホールセンサが開示されている。
特許文献４には、基板の上に十字状の感磁部を形成し、この十字状の腕のそれぞれに電極を形成したホールチップを使用するホールセンサにおいて、隣り合う電極間における対向部を平行させ、これら対向部の平行する長さを、４０μｍから対向部間の距離を差し引いた値以上の寸法に設定するホールセンサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−１７５４７１号公報
【特許文献２】特開平１−２９８３５４号公報
【特許文献３】国際公開第２０１４／０９１７１４号パンフレット
【特許文献４】特開２０００−２９４８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の技術では、ホール素子のオフセット電圧が変動してしまう場合がある。
本発明は、オフセット電圧の変動を抑制することができるホール素子及びホールセンサ、レンズモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明の一態様に係るホール素子は、基板と、前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極及び第２の電極と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、前記第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極及び第４の電極と、を備え、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極は、前記感磁部の周辺領域から前記感磁部の中央領域までそれぞれ延出していることを特徴とする。【０００７】
本発明の他の態様に係るホール素子は、基板と、前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極及び第２の電極と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、前記第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極及び第４の電極と、を備え、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極の平面視による形状はそれぞれ矩形であり、前記第１の電極が有する第１の角部と、前記第２の電極が有する第２の角部と、前記第３の電極が有する第３の角部と、前記第４の電極が有する第４の角部とが、前記感磁部の上方にそれぞれ位置することを特徴とする。【０００８】
本発明の他の態様に係るホール素子は、基板と、前記基板の一方の面側に形成され、平面視による形状が矩形である感磁部と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極及び第２の電極と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、前記第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極及び第４の電極と、を備え、平面視で、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極の各々の外周は、前記感磁部の外周より内側に位置することを特徴とする。【０００９】
本発明の一態様に係るホールセンサは、上述のホール素子と、第１の端子部と、第２の端子部と、第３の端子部と、第４の端子部と、前記第１の電極と前記第１の端子部とを接続する第１の金属細線と、前記第２の電極と前記第２の端子部とを接続する第２の金属細線と、前記第３の電極と前記第３の端子部とを接続する第３の金属細線と、前記第４の電極と前記第４の端子部とを接続する第４の金属細線と、を備え、前記第１〜前記第４の電極の各々は、前記第１〜第４の金属細線が各々接合される領域と、前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域とを有し、前記第１〜第４の電極が前記感磁部と接触する領域は、前記感磁部の中心から見て前記第１〜第４の金属細線が接合される接合領域の中心よりも外側に位置することを特徴とする。【００１０】
本発明の他の態様に係るホールセンサは、基板と、前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、前記感磁部上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、前記電極の上面で一端が接合される金属細線と、前記金属細線のもう一他端と接続される端子部と、を備え、前記感磁部の形状は、前記基板上に形成されたメサ形状であり、前記電極の上面の前記金属細線が接合される接合領域の下方には、前記電極と前記感磁部との間に前記絶縁膜が介在し、前記電極は、前記金属細線が接合される接合領域外で、前記感磁部と接続することを特徴とする。【００１１】
本発明の他の態様に係るホールセンサは、上述のホール素子と、第１の端子部と、第２の端子部と、第３の端子部と、第４の端子部と、前記第１の電極と前記第１の端子部とを接続する第１の金属細線と、前記第２の電極と前記第２の端子部とを接続する第２の金属細線と、前記第３の電極と前記第３の端子部とを接続する第３の金属細線と、前記第４の電極と前記第４の端子部とを接続する第４の金属細線と、前記ホール素子の少なくとも一部、前記第１〜第４の端子部の少なくとも一部、及び、前記第１〜第４の金属細線を封止するモールド部材と、を備えることを特徴とする。【００１２】
本発明の他の態様に係るホールセンサは、基板と、前記基板の一方の面側に形成された感磁部と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、第１の方向で互いに向かい合う第１の電極及び第２の電極と、前記一方の面側に形成されて前記感磁部に電気的に接続し、前記第１の方向と平面視で交差する第２の方向で互いに向かい合う第３の電極及び第４の電極と、断面視で、前記感磁部と前記第１〜第４の電極との間に配置される絶縁膜と、複数の端子部と、前記第１〜４の電極と、前記複数の端子部とを接続する金属細線と、を備え、前記第１の電極、前記第２の電極、前記第３の電極及び前記第４の電極の各々は、前記金属細線が接合される領域と、前記感磁部と接触する領域とを有し、前記感磁部の中心から見て、前記金属細線が接合される領域の中心よりも外側に前記感磁部と接触する領域が位置し、前記絶縁膜は、断面視で、前記金属細線が接合される領域では前記第１〜第４の電極と前記感磁部との間に介在し、前記感磁部と接触する領域では開口部を有することを特徴とする。【００１３】
本発明の一態様に係るレンズモジュールは、上述のホールセンサと、磁石が取り付けられたレンズホルダと、前記ホールセンサの前記複数の端子部からの出力信号に基づいて、前記磁石を移動させる駆動コイルと、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の各態様によれば、オフセット電圧の変動を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態に係るホール素子１００の構成例を示す図である。
【図２】図１に示すホール素子１００をＡ１−Ａ’１線及びＢ１−Ｂ’１線で切断した図である。
【図３】第１実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す図である。
【図４】第１実施形態における中央領域２３を例示する図である。
【図５】第１〜第４の電極３１〜３４の構成例を示す図である。
【図６】第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係るホールセンサ７００の構成例を示す図である。
【図８】ホール素子１００の製造方法を工程順に示す図である。
【図９】ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す図である。
【図１０】ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す図である。
【図１１】第２実施形態に係るホール素子２００の構成例を示す図である。
【図１２】図１１に示すホール素子２００をＦ１１−Ｆ’１１線及びＧ１１−Ｇ’１１線で切断した図である。
【図１３】第３実施形態に係るホール素子３００の構成例を示す図である。
【図１４】図１３に示すホール素子３００をＨ１３−Ｈ’１３線及びＪ１３−Ｊ’１３線で切断した図である。
【図１５】第３実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す図である。
【図１６】第３実施形態における中央領域２３を例示する図である。
【図１７】第４実施形態に係るホール素子４００の構成例を示す図である。
【図１８】図１７に示すホール素子をＫ１７−Ｋ’１７線及びＭ１７−Ｍ’１７線で切断した図である。
【図１９】第４実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す図である。
【図２０】第４実施形態における中央領域２３を例示する図である。
【図２１】実施例１〜４及び比較例１〜４で行った試験結果を示す図である。電極間距離とオフセット電圧の変動量との関係を示す図である。
【図２２】第５実施形態に係るホール素子５００の構成例を示す図である。
【図２３】図２２に示すホール素子５００をＮ１−Ｎ’１線及びＯ１−Ｏ’１線で切断した図である。
【図２４】第５実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す図である。
【図２５】第１〜第４の電極３１〜３４の構成例を示す図である。
【図２６】第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４を示す模式図である。
【図２７】第５実施形態に係るホールセンサ７００の構成例を示す図である。
【図２８】ホール素子５００の製造方法を工程順に示す図である。
【図２９】ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す図である。
【図３０】ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す図である。
【図３１】第６実施形態に係るホール素子６００の構成例を示す図である。
【図３２】第７実施形態における中央領域２３を例示する図である。
【図３３】第１から第７実施形態に係るホール素子を備えるホールセンサ７００におけるコンタクト領域及びワイヤーボンディング領域の形成位置を説明する図である。
【図３４】第１から第７実施形態に係るホール素子を備えるホールセンサ７００におけるコンタクト領域及びワイヤーボンディング領域の形成位置を説明する図である。
【図３５】第１実施形態から第７実施形態に係るホールセンサ７００を用いたレンズモジュール８ａ，８ｂの概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。ただし、以下に説明する各図において相互に対応する部分には同一符号を付し、重複部分においては後述での説明を適宜省略する。また、本発明の実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、各部の材質、形状、構造、配置、寸法等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１７】
＜第１実施形態＞
〔構成〕
（１）ホール素子
図１は、本発明の第１実施形態に係るホール素子１００の構成例を示す平面図である。また、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、図１に示すホール素子１００をＡ１−Ａ’１線及びＢ１−Ｂ’１線で切断した断面図である。
図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、ホール素子１００は、基板１０と、基板１０の一方の面（例えば、上面）１０ａ側に形成された感磁部２０と、基板１０の一方の面側に形成されて感磁部２０に電気的に接続する第１〜第４の電極３１〜３４と、を備える。第１の電極３１及び第２の電極３２がホール素子１００の入力電極であり、第３の電極３３及び第４の電極３４がホール素子１００の出力電極である。
【００１８】
（１．１）基板
基板１０は、例えば化合物半導体基板であり、その一例としてＧａＡｓ基板がある。ＧａＡｓ基板の抵抗率は１．０×１０５Ω・ｃｍ以上である。ＧａＡｓ基板１０の抵抗率の上限は特に制限はないが、一例を挙げると、１．０×１０９Ω・ｃｍ以下である。また、基板１０の平面視による形状（以下、「平面形状」と称する）は矩形状である。矩形状として、例えば、四角形状、長方形状、角丸四角形状、角丸長方形状が挙げられる。なお、平面視とは、上面視のことをいう。
【００１９】
（１．２）感磁部
感磁部２０は、基板１０の上面１０ａ上に形成され、その断面視による形状（以下、「断面形状」と称する）はメサ形状である。または、感磁部２０は、基板１０内部に形成されてもよい。また、本発明の第１実施形態において、感磁部２０の平面形状は矩形状である。なお、本発明の各実施形態において、感磁部２０の形成位置は基板１０の上面１０ａ上に限定されない。感磁部（活性層）２０はその一部又は全部が、基板１０の上面１０ａ側の内部に形成されていてもよい。なお、感磁部２０は、温度特性の観点からＧａＡｓにより形成されることが好ましい。ただし、本実施形態は、ＧａＡｓを材料にして感磁部２０を形成する構成に限定されるものではなく、例えばＩｎＳｂやＩｎＡｓ等の化合物半導体も用いることができる。
【００２０】
感磁部２０は、基板１０よりも低抵抗の層である。感磁部２０は、例えば、基板１０にＳｉ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＣなどの不純物を打ち込み、加熱による活性化を行う方法や、上記の不純物を含む化合物半導体をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、有機金属気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで、基板１０上にエピタキシャル成長法で成長させることにより、形成される。
一例を挙げると、感磁部２０は、導電層２１と、導電層２１上に形成された表面層２２とを有する。導電層２１は、基板１０上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるものである。導電層２１の膜厚は特に制限されないが、製造容易性の観点から５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下がより好ましい。
【００２１】
ｎ型ＧａＡｓのｎ型不純物（すなわち、ドナー型不純物）としては公知のものを用いることが可能であり、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ等を用いることが可能である。ｎ型不純物の濃度（有効キャリア濃度）は特に制限されないが、ホール素子の出力および温度特性の観点から、有効キャリア濃度が、１．０×１０１４［ｃｍ−３］以上１．０×１０１９［ｃｍ−３］以下であることが好ましく、１．０×１０１５［ｃｍ−３］以上１．０×１０１８［ｃｍ−３］以下であることがより好ましく、１．０×１０１５［ｃｍ−３］以上５．０×１０１７［ｃｍ−３］以下であることがさらに好ましい。有効キャリア濃度が上記範囲内であれば、出力の温度依存性を抑制し、かつ、出力の絶対値を得ることが容易になるため好ましい。
また、導電層２１を形成する方法としては、基板１０に不純物をイオン注入して、基板１０の表面近傍又は内部にｎ型ＧａＡｓ層を形成する方法が挙げられる。また、導電層２１を形成する別の方法としては、基板１０上にＭＢＥ（分子線エピタキシー）法又はＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により、不純物イオンをドープしながらＧａＡｓ薄膜をエピタキシャル成長させる方法が挙げられる。
【００２２】
表面層２２は、導電層２１上に形成され、導電層２１よりも導電性の低いＧａＡｓ層や、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＡｓ等の高抵抗な結晶からなる層である。表面層２２の膜厚は、シート抵抗のばらつきが抑制されたホール素子を実現するためには、１５０ｎｍ以上であり、好ましくは２００ｎｍ以上であり、加えて製造容易性の観点から、好ましくは８００ｎｍ以下であり、より好ましくは６００ｎｍ以下である。なお、表面層はなくてもよい。
表面層２２を形成する方法は特に制限されず、例えばイオン注入法、又は、ＭＢＥ法若しくはＭＯＣＶＤ法を用いたエピタキシャル成長により形成することができる。表面層２２のように、導電層２１よりも導電性の低いＧａＡｓを得る方法としては、導電層２１よりも低い不純物濃度とする方法や、不純物を意図的にドープしない方法などが挙げられる。また、導電層２１と第１〜第４の電極３１〜３４とを直接オーミック接続するために、表面層２２の一部がエッチングされて、薄膜化又は除去されていてもよい。
【００２３】
図３は、感磁部２０の構成例を示す平面図である。図３に示すように、平面視で、矩形状の感磁部２０の中心位置２５は、矩形状の基板１０の中心位置とほぼ一致している。また、平面視で、感磁部２０の外周の第１〜第４の辺２６〜２９は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４のうちの２辺とそれぞれ平行となっている。すなわち、平面視で、感磁部２０の外周の第１〜第４の辺２６〜２９は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４と平行又は垂直となっている。より具体的に、感磁部２０の外周の第１の辺１１及び第３の辺１３は、基板１０の外周の第１の辺２６及び第３の辺２８と平行かつ基板１０の外周の第２の辺２７及び第４の辺２９に垂直となっている。感磁部２０の外周の第２の辺１２及び第４の辺１４は、基板１０の外周の第２の辺２７及び第４の辺２９と平行かつ基板１０の外周の第１の辺２６及び第３の辺２８に垂直となっている。
【００２４】
また、感磁部２０は、平面視で感磁部２０の中心位置２５を含む中央領域２３と、中央領域２３の周辺に位置する周辺領域２４とを有する。中央領域２３の平面形状は、例えば正円形状である。感磁部２０の平面形状は、例えば正方形状である。
図４は、第１実施形態における中央領域２３を例示する図である。図４に示すように、第１実施形態において、中央領域２３は、例えば破線で示す円の内部領域とする。詳しく説明すると、図４に示すように、平面視で、感磁部２０の幾何学上の重心（＋印で例示する）と中心を同じくする円であり、重心からコンタクト領域までの最小距離を半径とする補助円３０を画定する。中央領域２３は、その補助円３０に対して、直径が１／２の長さで上記重心を中心とする円の内部領域とする。なお感磁部２０の幾何学上の重心は、平面視で、感磁部２０と基板１０の境界で囲まれた図形において求めることができる。コンタクト領域は、第１〜第４の電極３１〜３４と感磁部２０とがそれぞれ接続する部分である。
中央領域（例えば、破線で示す円の内部領域）２３は、感磁部２０において特に、ホール効果に寄与する主な領域である。また、この中央領域２３の外側を周辺領域２４とする。
なお、中央領域２３の平面形状は矩形状としてもよい。
【００２５】
（１．３）電極
図５は、第１〜第４の電極３１〜３４の構成例を示す平面図である。図５に示すように、第１の電極３１及び第２の電極３２は、第１の方向で互いに向かい合っている。また、第３の電極３３及び第４の電極３４は、第１の方向と平面視で交差する（例えば、直交する）第２の方向で互いに向かい合っている。そして、第１〜第４の電極３１〜３４は、感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３までそれぞれ延出している。
すなわち、第１の電極３１は、主部３１ａと、主部３１ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３１ｂとを有する。第２の電極３２は、主部３２ａと、主部３２ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３２ｂとを有する。第３の電極３３は、主部３３ａと、主部３３ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３３ｂとを有する。第４の電極３４は、主部３４ａと、主部３４ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３４ｂとを有する。
【００２６】
図５に示すように、第１の方向における第１の電極３１と第２の電極３２との離間距離（すなわち、延出部３１ｂ、３２ｂ間の離間距離）をＤ１とし、第２の方向における第３の電極３３と第４の電極３４との離間距離（すなわち、延出部３３ｂ、３３ｃ間の離間距離）をＤ２としたとき、Ｄ１、Ｄ２はそれぞれ、１μｍ以上４０μｍ以下である。
第１〜第４の電極３１〜３４の形状と配置について、より具体的に例を挙げて説明する。
第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の平面形状はそれぞれ矩形状である。また、第１の電極３１が有する第１の角部３１ｃと、第２の電極３２が有する第２の角部３２ｃと、第３の電極３３が有する第３の角部３３ｃと、第４の電極３４が有する第４の角部３４ｃとが、感磁部２０の上方にそれぞれ位置する。
【００２７】
ここで、第１の角部３１ｃは、第１の電極３１の延出部３１ｂに含まれる部位である。第２の角部３２ｃは、第２の電極３２の延出部３２ｂに含まれる部位である。第３の角部３３ｃは、第３の電極３３の延出部３３ｂに含まれる部位である。第４の角部３４ｃは、第４の電極３４の延出部３４ｂに含まれる部位である。図５に示すように、第１の角部３１ｃ、第２の角部３２ｃ、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃは、互いに隣接して配置されている。第１の角部３１ｃは、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃと隣接し、第２の角部３２ｃは、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃと隣接し、第１の角部３１ｃと第２の角部３２ｃとが第１の方向で互いに向かい合い、第３の角部３３ｃと第４の角部３４ｃとが第２の方向で互いに向かい合っている。
【００２８】
平面視で、第１の角部３１ｃ、第２の角部３２ｃ、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃにより囲まれる領域の中心位置は、感磁部２０の中心位置と重なっている。また、平面視で、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周は、感磁部２０の外周で囲まれる領域（すなわち、第１〜第４の辺２６〜２９で囲まれる領域）の内側に位置する。
図１に示すように、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４は、基板１０の矩形の四隅にそれぞれ配置されている。そして、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周の各辺は、基板１０の外周の４辺のうちの２辺とそれぞれ平行となっている。すなわち、平面視で、第１〜第４の電極３４の外周の各辺は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４と平行又は垂直となっている。
【００２９】
なお、図２に示すように、第１〜第４の電極３１〜３４はそれぞれ、感磁部２０に電気的に接続する第１の金属膜１３１と、この第１の金属膜１３１上に形成された第２の金属膜１３２とを有する。つまり、第１の金属膜１３１が、感磁部２０に対するコンタクト領域となっている。また、感磁部２０と第２の金属膜１３２との間には絶縁膜４０が形成されている。絶縁膜４０は、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、無機膜（Ａｌ２Ｏ３）、ポリイミド膜であり、これらの膜を複数積層した多層膜である。なお、絶縁膜４０は、図２のように第１の金属膜１３１上にも形成されても、第１の金属膜１３１上には形成されなくともよく、第１の金属膜１３１の下に一部入り込んで形成されてもよい。
本実施形態のホール素子において、平面視で、複数の電極の隣接する電極の間の最小距離は、２μｍ以上１１μｍ以下であることが好ましい。この最小距離は、より好ましくは４μｍ以上１１μｍ以下であり、さらに好ましくは４μｍ以上１０μｍ未満であり、さらに好ましくは５μｍ以上９μｍ以下である。隣接する電極の間の最小距離とは、すべての電極間距離で最小のものとする。
【００３０】
（１．４）金属細線が接続される領域（ワイヤーボンディング領域）
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、ホール素子１００におけるワイヤーボンディング領域を示す模式図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）をＣ５−Ｃ’５線で切断した断面図、図６（ｃ）は図６（ａ）をＤ５−Ｄ’５線で切断した断面図である。
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、第１の電極３１は、その上面の側に金属細線が接合される第１のワイヤーボンディング領域１４１を有する。第１の電極３１を構成する第１の金属膜１３１が、第１の電極３１が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
【００３１】
また、第２の電極３２は、その上面の側に金属細線が接合される第２のワイヤーボンディング領域１４２を有する。第２の電極３２を構成する第１の金属膜１３１が、第２の電極３２が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
また、第３の電極３３は、その上面の側に金属細線が接合される第３のワイヤーボンディング領域１４３を有する。第３の電極３３を構成する第１の金属膜１３１が、第３の電極３３が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
また、第４の電極３４は、その上面の側に金属細線が接合される第４のワイヤーボンディング領域１４４を有する。第４の電極３４を構成する第１の金属膜１３１が、第４の電極３４が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
【００３２】
つまり、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の各中心位置よりも外側に、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域がそれぞれ位置する。
上述したように、第１の電極３１及び第２の電極３２はホール素子１００の入力電極であるため、第１の電極３１のコンタクト領域と第２の電極３２のコンタクト領域との間がホール素子１００における信号入力経路１４６となる。また、第３の電極３３及び第４の電極３４はホール素子１００の出力電極であるため、第３の電極３３のコンタクト領域と第４の電極３４のコンタクト領域との間がホール素子１００における信号出力経路１４５となる。
【００３３】
（２）ホールセンサ
図７（ａ）〜図７（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係るホールセンサ７００の構成例を示す断面図と平面図と底面図、及び外観図である。図７（ａ）は、図７（ｂ）を破線Ｅ７−Ｅ’７線で切断した断面を示している。また、図７（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド部材を省略して示している。
図７（ａ）〜図７（ｄ）に示すように、ホールセンサ７００は、ホール素子１００と、リード端子５２０と、第１〜第４の金属細線（導電性接続部材）５３１〜５３４と、保護層５４０と、モールド部材５５０と、外装めっき層５６０とを備える。また、リード端子５２０は、第１〜第４の端子部５２１〜５２４を有する。
ホールセンサ７００は、例えばアイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数の端子部５２１〜５２４を有する。図７（ｂ）に示すように、第１〜第４の端子部５２１〜５２４は、ホール素子１００の周囲に配置されている。
【００３４】
例えば、第１の端子部５２１と第２の端子部５２２とがホール素子１００を挟んで対向するように配置されており、また、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４とがホール素子１００を挟んで対向するように配置されている。そして、第１の端子部５２１と第２の端子部５２２とを結ぶ直線（仮想線）と、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４とを結ぶ直線（仮想線）とが平面視で交差している。リード端子５２０（第１〜第４の端子部５２１〜５２４）は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。
第１〜第４の金属細線５３１〜５３４は、ホール素子１００が有する第１〜第４の電極３１〜３４と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４とをそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図７（ｂ）に示すように、第１の金属細線５３１は、第１の端子部５２１と第１の電極３１とを接続している。第２の金属細線５３２は、第２の端子部５２２と第２の電極３２とを接続している。第３の金属細線５３３は、第３の端子部５２３と第３の電極３３とを接続している。第４の金属細線５３４は、第４の端子部５２４と第４の電極３４とを接続している。
【００３５】
第１の金属細線５３１の一端は第１の電極３１に接続され、第１の金属細線５３１の他端は第１の端子部５２１に接続されている。第２の金属細線５３２の一端は第２の電極３２に接続され、第２の金属細線５３２の他端は第２の端子部５２２に接続されている。第３の金属細線５３３の一端は第３の電極３３に接続され、第３の金属細線５３３の他端は第３の端子部５２３に接続されている。第４の金属細線５３４の一端は第４の電極３４に接続され、第４の金属細線５３４の他端は第４の端子部５２４に接続されている。
【００３６】
第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４は、第１〜第４の電極３１〜３４の上面の一部の領域に相当する。第１〜第４の電極３１〜３４の上面の第１〜第４の金属細線５３１〜５３４（詳細は後述する）が接合する接合領域の下方には、第１〜第４の電極と感磁部２０との間に絶縁膜４０が介在している。ここで、「接合領域」は、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に実際に接触している領域であり、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４のボール径ではない。このため、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域は、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４に存在する。上述のとおり、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域は、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の各中心位置よりも外側にそれぞれ位置している。このため、第１〜第４の電極３１〜３４は、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域外で、感磁部２０と接続される。
【００３７】
また、上述のとおり、第１の金属膜１３１が感磁部２０に対するコンタクト領域となっている。第１の金属膜１３１上には、絶縁膜４０の開口部４０１（図２参照）が設けられている。このため、絶縁膜４０の開口部４０１は、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域よりも外側に配置されている。つまり、絶縁膜４０は、上面視で、この接合領域外に位置する開口部４０１を有している。第１〜第４の電極３１〜３４は、開口部４０１において感磁部２０と接触する。したがって、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が接合される領域外に、第１〜第４の電極３１〜３４が感磁部２０と接触する領域が配置される。
【００３８】
保護層５４０は、基板１０の第１〜第４の電極３１〜３４が設けられている面とは反対側の面側を覆っている。保護層５４０は、基板１０を保護可能なものであれば特に限定はなく、導体、絶縁体、又は半導体のうち、少なくとも何れか１つを含んでいてもよい。即ち、保護層５４０は、導体、絶縁体、又は半導体の何れか１つからなる膜であってもよいし、これらのうち２つ以上を含む膜であってもよい。導体としては、例えば、銀ペーストなどの導電性樹脂などが考えられる。絶縁体としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）とを含む絶縁ペースト、窒化ケイ素、二酸化ケイ素などが考えられる。半導体としては、例えば、Ｓｉ基板やＧｅ基板などの貼り合わせが考えられる。但し、リーク電流防止の観点から、保護層５４０は、絶縁体であることが好ましい。また、保護層５４０は積層構造でもよい。
【００３９】
モールド部材５５０は、ホール素子１００と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４と、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４とをモールドしている。言いかえると、モールド部材５５０は、ホール素子１００と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）している。モールド部材５５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。
図７（ａ）及び図７（ｃ）に示すように、ホールセンサ７００の底面側（即ち、配線基板感磁部２０に実装する側）では、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の第１面（例えば、裏面）の少なくとも一部と、ＧａＡｓ基板１０の第１面（例えば、裏面）の少なくとも一部とが、モールド部材５５０の同一の面（例えば、裏面）からそれぞれ露出している。ここで、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の第１面は、第１〜第４の端子部５２１〜５２４がそれぞれ有する複数の面のうち、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４と接続している面とは反対側の面である。ＧａＡｓ基板１０の第１面は、ＧａＡｓ基板１０が有する複数の面のうち、第１〜第４の電極３１〜３４が設けられている面とは反対側の面である。
また、外装めっき層５６０は、モールド部材５５０から露出している端子部５２１〜５２４の裏面に形成されている。外装めっき層５６０は、例えばスズ（Ｓｎ）等からなる。
【００４０】
〔動作〕
上記のホールセンサ７００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、例えば、第１の端子部５２１を電源電位（＋）に接続すると共に、第２の端子部５２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、第１の端子部５２１から第２の端子部５２２に電流を流す。そして、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
即ち、第１の端子部５２１は、ホール素子１００に所定電圧を供給する電源用端子部である。第２の端子部５２２は、ホール素子１００に接地電位を供給する接地用端子部である。第３の端子部５２３及び第４の端子部５２４は、ホール素子１００のホール起電力信号を取り出す信号取出用端子部である。
【００４１】
〔製造方法〕
（１）ホール素子の製造方法
図８（ａ）〜図８（ｅ）は、ホール素子１００の製造方法を工程順に示す断面図である。図８（ａ）に示すように、まず基板１０を用意する。基板１０は、例えばＧａＡｓ基板１０である。次に、基板１０の表面から予め設定した深さの位置にドナー型の不純物をイオン注入する。ドナー型の不純物としては、例えばＳｉ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＣなどが挙げられる。次に、基板１０を加熱して不純物を活性化する。これにより、図８（ｂ）に示すように、基板１０内に、基板１０よりも低抵抗の導電層２１を形成すると共に、この導電層２１の上に表面層２２を形成する。表面層２２は導電層２１よりも不純物濃度が小さいため、導電層２１よりも高抵抗な層（すなわち、導電性の低い層）となる。
【００４２】
なお、この不純物を活性化する工程は、図８（ｃ）に示す基板１０のパターニング工程以降に行ってもよい。また、図８（ｃ）に示す工程以降の他の加熱工程と兼用でおこなってもよい。また、導電層２１の形成はイオン注入に限定されない。例えば、ＭＯＣＶＤ法により、基板１０上に不純物を高濃度に含むＧａＡｓをエピタキシャル成長することにより導電層２１を形成してもよい。この場合は、導電層２１の形成に続いて、不純物を低濃度に含む（または、不純物を含まない）ＧａＡｓをエピタキシャル成長させることにより、導電層２１上に、導電層２１よりも高抵抗の表面層２２を形成することができる。
【００４３】
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、基板１０をパターニングして、図８（ｃ）に示すように、断面視による形状がメサ形状である感磁部２０を形成する。
次に、図８（ｄ）に示すように、感磁部２０が形成された基板１０上に第１の金属膜１３１を部分的に形成する。ここでは、第１の金属膜１３１として、例えばＡｕＧｅ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜をこの順に積層する。第１の金属膜１３１の形成は、例えばリフトオフ、またはマスク蒸着で形成する。リフトオフは、レジストパターンが形成された基板上に金属膜を蒸着し、その後レジストパターンを取り去ることにより、基板のレジストパターンで覆われていなかった領域上にのみ金属膜を残す方法である。マスク蒸着は、貫通穴が部分的に形成された板を通して基板上に金属膜を蒸着することにより、基板の貫通穴直下の領域上にのみ金属膜を蒸着する方法である。第１の金属膜１３１を形成した後は、基板１０を加熱して、基板１０と第１の金属膜１３１との界面を合金化する。
【００４４】
次に、図８（ｅ）に示すように、基板１０の第１の金属膜１３１下から露出している部分に絶縁膜４０を形成する。絶縁膜４０は、例えばシリコン窒化膜である。絶縁膜４０の形成は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で基板１０の上面全体に絶縁膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この上面全体に形成された絶縁膜をパターニングすることにより形成する。なお、基板１０の上面全体に絶縁膜を形成し、パターニングして絶縁膜４０を形成した後に、第１の金属膜１３１を形成してもよい。
【００４５】
次に、図８（ｅ）に示すように、絶縁膜４０が形成された基板１０上に第２の金属膜１３２を部分的に形成する。ここでは、第２の金属膜１３２として、例えばＴｉ膜、Ａｕ膜をこの順に積層する。また、第２の金属膜１３２を、例えばリフトオフ、またはマスク蒸着で形成する。
その後、基板１０上に保護膜（図示せず）等を形成する。そして、基板１０をダイシングして、基板１０を複数のホール素子１００の各々ごとに個片化する。以上の工程を経て、図１等に示したホール素子１００が完成する。
【００４６】
（２）ホールセンサの製造方法
図９（ａ）〜図９（ｅ）及び図１０（ａ）〜図１０（ｄ）は、ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す平面図と断面図である。なお、図９（ａ）〜図９（ｅ）において、ダイシングのブレード幅（即ち、カーフ幅）の図示は省略している。
図９（ａ）に示すように、まず、リードフレーム６２０を用意する。このリードフレーム６２０は、図７（ｂ）に示したリード端子５２０が平面視で縦方向及び横方向に複数繋がっている基板である。
【００４７】
次に、図９（ｂ）に示すように、リードフレーム６２０の裏面側に、例えば、基材として耐熱性フィルム５８０の一方の面を貼付する。この耐熱性フィルム５８０の一方の面には例えば絶縁性の粘着層が塗布されている。粘着層は、その成分として、例えばシリコン樹脂がベースとなっている。この粘着層によって、耐熱性フィルム５８０にリードフレーム６２０を貼付し易くなっている。リードフレーム６２０の裏面側に耐熱性フィルム５８０を貼付することによって、リードフレーム６２０の貫通している貫通領域を、裏面側から耐熱性フィルム５８０で塞いだ状態となる。
【００４８】
次に、図９（ｃ）に示すように、耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面のうち、第１〜第４の端子部５２１〜５２４で囲まれた領域に、保護層５４０を有するホール素子１００を載置する（即ち、ダイボンディングを行う）。ここでは、基板１０の第１面を耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面に対向させてダイボンディングを行う。
次に、図９（ｄ）に示すように、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の一端を第１〜第４の端子部５２１〜５２４にそれぞれ接続し、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の他端をホール素子１００の第１〜第４の電極３１〜３４にそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う）。
【００４９】
なお、ワイヤーボンディングは、ホール素子１００の各電極からリード端子５２０の各端子部に向かって金属細線を延ばして行う順ボンディングでもよいし、その逆に、リード端子５２０の各端子部からホール素子１００の各電極に金属細線を延ばして行う逆ボンディングでもよい。逆ボンディングは、順ボンディングと比べて、金属細線のボンディング後のループ高さを低くすることができるので、ホール素子の低背化に寄与することができる。
そして、図９（ｅ）に示すように、モールド部材５５０を形成する（即ち、樹脂モールドを行う）。この樹脂モールドは、例えばトランスファーモールド技術を用いて行う。
【００５０】
例えば図１０（ａ）に示すように、下金型５９１と上金型５９２とを備えるモールド金型５９０を用意し、このモールド金型５９０のキャビティ内にワイヤーボンディング後のリードフレーム６２０を配置する。次に、キャビティ内であって、耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面（即ち、リードフレーム６２０と接着している面）の側に加熱し溶融したモールド部材５５０を注入し、充填する。これにより、ホール素子１００と、リードフレーム６２０と、金属細線５３１〜５３４とをモールドする。即ち、ホール素子１００と、リードフレーム６２０の少なくとも表面側と、金属細線５３１〜５３４とをモールド部材５５０で覆って保護する。モールド部材５５０がさらに加熱し硬化したら、該モールド部材５５０をモールド金型から取り出す。
【００５１】
次に、図１０（ｂ）に示すように、モールド部材５５０から耐熱性フィルム５８０を剥離する。これにより、モールド部材５５０からホール素子１００の基板１０を露出させる。そして、図１０（ｃ）に示すように、リードフレーム６２０のモールド部材５５０から露出している面（少なくとも、各端子部５２１〜５２４のモールド部材５５０から露出している裏面）に外装めっきを施して、外装めっき層５６０を形成する。
次に、図１０（ｄ）に示すように、モールド部材５５０の上面（即ち、ホールセンサ７００の外装めっき層５６０を有する面の反対側の面）にダイシングテープ５９３を貼付する。そして、例えば図９（ｅ）に示した仮想の２点鎖線に沿って、リードフレーム６２０に対してブレードを相対的に移動させて、モールド部材５５０及びリードフレーム６２０を切断する（即ち、ダイシングを行う）。つまり、モールド部材５５０及びリードフレーム６２０を複数のホール素子１００の各々ごとにダイシングして個片化する。以上の工程を経て、図７に示したホールセンサ７００が完成する。
【００５２】
〔第１実施形態の効果〕
（１）薄型化したホールセンサにおいては、ホール素子上のモールド部材の厚みが薄いため、ホール素子の感磁部へ入射される光を含む電磁波が、感磁部の局所的な伝導率を光電効果によって変動させてしまう。また、この変動によって、ホール素子にオフセット電圧Ｖｕが生じる。
これに対して、第１実施形態によれば、平面視で、第１〜第４の電極３１〜３４は感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へ延出しており、中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。
例えば、第１〜第４の電極３１〜３４は、矩形状の基板１０の四隅から感磁部２０の中央領域２３へ延出して形成されている。そして、この中央領域２３において、第１〜第４の電極３１〜３４の各延出部３１ｂ〜３４ｂがそれぞれ近接配置されており、隣接する電極間の隙間が狭くなっている。これにより、感磁部２０の中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。
【００５３】
ここで、電極部材である金属は、光を含む電磁波を極めて良く吸収する。したがって、第１〜第４の電極３１〜３４は、ホール素子１００の感磁部２０へ入射される電磁波を遮蔽することができ、感磁部２０における局所伝導率変動を抑制することができる。それによって、オフセット電圧Ｖｕの変動を抑制する効果がある。
特に、平面視で、感磁部２０の中央領域の面積に対する、第１〜第４の電極３１〜３４の中央領域上の総面積の割合が１０％以上１００％未満であれば、オフセット電圧Ｖｕ変動を抑制する効果が高い。この割合は、好ましくは、２０％以上９９％以下であり、より好ましくは、４０％以上９５％以下である。
また、平面視で、感磁部２０の実効領域の全面積に対する、第１〜第４の電極３１〜３４の下の実効領域の面積の割合が、４０％以上９９％以下であることが好ましい。ここで、「実効領域の面積」とは、平面視で、感磁部２０の面積の内、感磁部２０と第１〜第４の電極３１〜３４とが接触する第１〜第４の接触領域の総面積を除いた面積をいう。
【００５４】
（２）また、パッケージを構成するモールド部材中のフィラー等により、感磁部へ局所的な応力がかかる。その応力を受けて、感磁部材料である半導体のピエゾ抵抗効果によって、局所的な伝導率の変動が生じる。その結果、ホール素子にオフセット電圧Ｖｕが生じる。
これに対して、第１実施形態によれば、電極部材である金属は、応力によって柔軟に塑性変形するため、モールド部材５５０からの局所的な応力を緩和し、感磁部２０における局所伝導率変動を抑制することができる。それによって、ホール素子のオフセット電圧Ｖｕの変動を抑制する効果がある。
【００５５】
（３）また、感磁部２０で発生する熱は、感磁部２０から第１〜第４の電極３１〜３４、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４、第１〜第４の端子部５２１〜５２４を通じてパッケージ外へ排熱される。伝導率が高い金属製の第１〜第４の電極３１〜３４で感磁部２０が覆われることにより、感磁部２０から絶縁膜４０、第１〜第４の電極３１〜３４、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４を通じる排熱経路が新たに増える。それによって、ホール素子の排熱特性が向上する効果がある。
【００５６】
（４）また、感磁部２０の中心位置からみて、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域（すなわち、第１の金属膜１３１の形成位置）は、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の中心よりも外側にそれぞれ位置する。これにより、ワイヤーボンディング領域の直下にコンタクト領域が存在する場合と比べて、ホール素子のチップ面積を増やすことなく、信号出力経路１４５及び信号入力経路１４６の各距離を長くすることができるので、ホール素子の磁気検出精度の向上に寄与することができる。
特にホール素子１００では、感磁部２０の平面形状は矩形状であり、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域は感磁部２０の角部にそれぞれ配置されている。これにより、限られたチップ面積内で、信号出力経路１４５及び信号入力経路１４６をそれぞれ最大限に長くすることができ、上記した磁気検出精度の向上に大きく寄与することができる。
【００５７】
（５）組み立て工程における機械起因の静電気放電（マシンモデルＥＳＤ）は、人体起因の静電気放電（ヒューマンモデルＥＳＤ）と異なり、極めて短い時間に激しい放電が生じる。具体的には、人体起因の静電気放電では、蓄積された電荷が人体（高抵抗）を介して、ホール素子に印可される。そのため、ＲＣ回路と等価であり、放電が伝達するのに大きな時定数に関連する時間がかかる。一方、機械起因の静電気放電では、機械（低抵抗又は配線）を介して、ホール素子に印可されるため、瞬時に放電がホール素子へ伝達する。このように、人体起因の静電気放電と機械起因の静電気放電とは、全く異なるものである。
そして、この機械起因の放電電流が、ホール素子の感磁部に流れると、急激に加熱され、ホール素子の特性が変化してしまう。
【００５８】
本実施形態１において、平面視で、複数の電極の隣接する電極の間の最小距離が１１μｍ以下であれば、放電電流が、電極から、感磁部を経由せず、隣接する電極へと直接流れるパスができる。それにより、放電電流による感磁部への影響を低減することができ、ＥＳＤ対策が十分となる。このように、本発明者らは、マシンモデルＥＳＤの対策としては、あえて、電極間距離を縮めて、電極から電極へ放電電流が流れるパスを形成することで、機械起因のＥＳＤ対策をとれることを見出したのである。
また、本実施形態１において、平面視で、複数の電極の隣接する電極の間の最小距離が２μｍ以上であれば、電極から隣接する電極へリーク電流が流れることを抑制することができる。
以上の通り、リーク電流パスの形成を防ぎ、かつ、ＥＳＤ対策も向上し、ホール素子のオフセット電圧変動を良好に抑えることができる。
【００５９】
＜第２実施形態＞
上記の第１実施形態では、平面視で、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周は、感磁部２０の外周で囲まれる領域の内側に位置する場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
図１１は、本発明の第２実施形態に係るホール素子２００の構成例を示す平面図である。また、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、図１１に示すホール素子２００をＦ１１−Ｆ’１１線及びＧ１１−Ｇ’１１線で切断した断面図である。図１１、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、第２実施形態に係るホール素子２００では、平面視で、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周の少なくとも一部は、感磁部２０の外周で囲まれる領域の外側に位置してもよい。また、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、補助円を用いて中央領域を規定してもよい。
このような構成であっても、平面視で、第１〜第４の電極３１〜３４は感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へ延出しており、中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。したがって、第２実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（５）と同様の効果を奏する。
【００６０】
＜第３実施形態＞
上記の第１、第２実施形態では、感磁部２０の平面形状が矩形状である場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
図１３は、本発明の第３実施形態に係るホール素子３００の構成例を示す平面図である。また、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）は、図１３に示すホール素子３００をＨ１３−Ｈ’１３線及びＪ１３−Ｊ’１３線で切断した断面図である。図１５は、第３実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す平面図である。
【００６１】
図１３〜図１５に示すように、感磁部２０は、平面形状が矩形状の主要感磁部１２０と、主要感磁部１２０の四隅からそれぞれ外側へ延出された第１〜第４の延出部１２１〜１２４とを備えていてもよい。平面視で、第１の延出部１２１及び第２の延出部１２２は、主要感磁部１２０の第１の対角線１２６の延長線上にそれぞれ位置する。また、第３の延出部１２３及び第４の延出部１２４は、主要感磁部１２０の第２の対角線１２７の延長線上にそれぞれ位置する。
図１３に示すように、第１の延出部１２１は、第１の電極３１と電気的に接続している。第２の延出部１２２は、第２の電極３２と電気的に接続している。第３の延出部１２３は、第３の電極３３と電気的に接続している。第４の延出部１２４は、第４の電極３４と電気的に接続している。また、第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、補助円を用いて中央領域を規定してよい。
【００６２】
図１６は、第３実施形態における中央領域２３を例示する図である。図１６に示すように、第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、補助円３０に対して、直径が１／２の長さで、感磁部２０の幾何学上の重心（＋印で例示する）を中心とする円の内部領域を中央領域２３とする。
このような構成であっても、平面視で、第１〜第４の電極３１〜３４は感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へ延出しており、中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。したがって、第３実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（５）と同様の効果を奏する。
【００６３】
＜第４実施形態＞
上記の第１、第２実施形態では、感磁部２０の平面形状が矩形状である場合について説明した。また、第３実施形態では、主要感磁部１２０が矩形状である場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
図１７は、本発明の第４実施形態に係るホール素子４００の構成例を示す平面図である。また、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、図１７に示すホール素子をＫ１７−Ｋ’１線及びＭ１７−Ｍ’１７線で切断した断面図である。図１９は、第４実施形態に係る感磁部２０の構成例を示す平面図である。
図１７〜図１９に示すように、感磁部２０の平面形状は十字（すなわち、クロス）形状であり、中央部２２０と、中央部２２０の周囲に位置する第１〜第４の周辺部２２１〜２２４とを備える。
【００６４】
平面視で、第１の周辺部２２１は、中央部２２０の周囲のうち、第１の方向の一方の側に位置する。第２の周辺部２２２は、中央部２２０の周囲のうち、第１の方向の他方の側に位置する。第３の周辺部２２３は、中央部２２０の周囲のうち、第１の方向と直交する第２の方向の一方の側に位置する。第４の周辺部２２４は、中央部２２０の周囲のうち、第２の方向の他方の側に位置する。
そして、第１の周辺部２２１は第１の電極３１と電気的に接続し、第２の周辺部２２２は第２の電極３２と電気的に接続し、第３の周辺部２２３は第３の電極３３と電気的に接続し、第４の周辺部２２４は第４の電極３４と電気的に接続している。第４実施形態では、十字形状の交差部である中央部が感磁部２０の中央領域に相当し、第１〜第４の周辺部２２１〜２２４が感磁部２０の周辺領域に相当するとしてもよい。
或いは、第４実施形態においても、第１実施形態と同様に、補助円を用いて中央領域を規定してもよい。
【００６５】
図２０は、第４実施形態における中央領域２３を例示する図である。図２０に示すように、補助円３０に対して、直径が１／２の長さで、感磁部２０の幾何学上の重心（＋印で例示する）を中心とする円の内部領域を中央領域２３としてもよい。
このような構成であっても、平面視で、第１〜第４の電極３１〜３４は、感磁部２０の周辺領域である第１〜第４の周辺部２２１〜２２３を覆っている。また、第１〜第４の電極３１〜３４は、感磁部２０の周辺領域から中央領域である中央部２２０へ延出しており、中央部２２０の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。したがって、第４実施形態は、第１実施形態の効果（１）〜（５）と同様の効果を奏する。
【００６６】
以下、実施例により上述した実施形態のホール素子を詳細に説明する。
【００６７】
［実施例１］
本実施例では、イオン注入法を用いて活性層を形成する。先ず、半絶縁性ＧａＡｓ基板（以下、「ＧａＡｓ基板」と称する）上にシリコンイオン（Ｓｉ＋）を注入した。次いで、このシリコンイオンの活性化し、ＧａＡｓ基板にｎ型の導電性をもつＧａＡｓ活性層を形成した。
次に、ＧａＡｓ基板上にフォトレジストを塗布し、所定のパターンを作り、これをマスクとしてＧａＡｓ基板を所定の深さエッチングする。次いで、レジスト剥離液またはＯ２プラズマを用いた灰化法によりフォトレジストを除去し、ホール素子の感磁部を形成した。
【００６８】
ホール素子の感磁部を形成した後、このＧａＡｓ基板の上に、フォトレジストを塗布しパターニングし、次いで、金属膜を蒸着した。その後、リフトオフ法により、フォトレジストおよびフォオレジスト上の金属膜を除去し、下地電極を形成した。次いで、ＧａＡｓ基板と下地電極とのオーミック性接触を得るために合金化処理を行った。
その後、プラズマＣＶＤ法により、０．３μｍの膜厚を有する絶縁膜（Ｓｉ３Ｎ４）をＧａＡｓ基板の上方全面に形成した。
次いで、下地電極と電極との接続を行う部分の絶縁膜（Ｓｉ３Ｎ４）をエッチングするため、絶縁膜（Ｓｉ３Ｎ４）上にフォトレジストを塗布し、上記の接続を確保する部分（すなわち、コンタクト部分）に穴が開くようにパターンを形成した。しかる後、このフォトレジストをマスクとして、絶縁膜（Ｓｉ３Ｎ４）に反応性ドライエッチングを施すことによりコンタクト部分を開口した。
【００６９】
次いで、下層の下地電極と重なるよう、フォトレジストをパターニングし、下層の下地電極上に再度、金属膜を蒸着した。その後、リフトオフ法により、フォトレジストおよびフォオレジスト上の金属膜を除去し、複数の電極を形成した。実施例１では、隣接する電極間の最小距離が６．０μｍとなるように、各電極を形成した。このようにして、一枚のＧａＡｓ基板上に多数のＧａＡｓホール素子を形成した。その後、ＧａＡｓ基板をダイシングして、個片化された多数のＧａＡｓホール素子を製造した。個片化された多数のホール素子から３個を選び、ＥＳＤ試験を行った。
【００７０】
［実施例２］
実施例２では、隣接する電極間の最小距離が８．０μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
［実施例３］
実施例３では、隣接する電極間の最小距離が９．７μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
［実施例４］
実施例４では、隣接する電極間の最小距離が４．０μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
【００７１】
［比較例１］
比較例１では、隣接する電極間の最小距離が１２．０μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
［比較例２］
比較例２では、隣接する電極間の最小距離が１４．５μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
［比較例３］
比較例３では、隣接する電極間の最小距離が１６．５μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
［比較例４］
比較例４では、隣接する電極間の最小距離が１８．５μｍとなるように各電極を形成した。これ以外は、実施例１と同様の方法でＧａＡｓホール素子を製造した。
【００７２】
［マシンモデルＥＳＤ試験］
ホール素子のマシンモデルＥＳＤ試験は試験規格ＪＥＳＤ２２−Ａ１１５−Ａに準拠し、可変電圧電源により１ＭΩの保護抵抗を介して、２００ｐＦの充放電コンデンサに電荷を充電した後、スイッチを切り替え、ホール素子の隣接端子間と充放電コンデンサを電気的に接続した閉回路とすることで、充電した電荷をホール素子に流した。それにより、組立工程等における静電気放電現象を擬似的に実施する試験を行った。
そして、ＥＳＤ試験前のオフセット電圧値とＥＳＤ試験後のオフセット電圧値を入力電圧３Ｖで測定し、その変動量を算出した。実施例１〜４及び比較例１〜４で行った試験結果を表１及び図２１に示す。
【００７３】
図２１は、実施例１〜４及び比較例１〜４で行った試験結果を示す図である。図２１の横軸は電極間距離を示し、縦軸はオフセット電圧の変動量ΔＶｕを示す。
図２１によれば、電極間距離が１１μｍ以下で、顕著にオフセット電圧の変動量が低減することが分かる。また、特に９μｍ以下では、オフセット電圧の変動量がさらに低減していることが分かる。
【００７４】
【表１】
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【００７５】
＜第５実施形態＞
〔構成〕
（１）ホール素子
図２２は、本発明の第５実施形態に係るホール素子５００の構成例を示す平面図である。また、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、図２２に示すホール素子５００をＮ２２−Ｎ’２２線及びＯ２２−Ｏ’２２線で切断した断面図である。図２３（ｃ）は、図２３（ａ）の破線で囲む部分を拡大した断面図である。
【００７６】
図２２及び図２３（ａ）〜図２３（ｂ）に示すように、ホール素子５００は、基板１０と、基板１０の一方の面（例えば、上面）１０ａ側に形成された感磁部２０と、基板１０の一方の面側に形成されて感磁部２０に電気的に接続する第１〜第４の電極３１〜３４と、を備える。第１の電極３１及び第２の電極３２がホール素子５００の入力電極であり、第３の電極３３及び第４の電極３４がホール素子５００の出力電極である。本発明の各実施形態では、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周は、平面視で感磁部２０の外周より内側に位置する。
【００７７】
（１．１）基板
基板１０は、例えば化合物半導体基板であり、その一例としてＧａＡｓ基板がある。ＧａＡｓ基板の抵抗率は１．０×１０５Ω・ｃｍ以上である。ＧａＡｓ基板１０の抵抗率の上限は特に制限はないが、一例を挙げると、１．０×１０９Ω・ｃｍ以下である。また、基板１０の平面視による形状（以下、平面形状）は矩形状である。矩形状として、例えば、四角形状、長方形状、角丸四角形状、角丸長方形状が挙げられる。なお、平面視とは、上面視のことである。
【００７８】
（１．２）感磁部
感磁部２０は、基板１０の上面１０ａ上に形成され、その断面視による形状（以下、断面形状）はメサ形状である。また、本発明の第５実施形態において、感磁部２０の平面形状は矩形状である。なお、本発明の各実施形態において、感磁部２０の形成位置は基板１０の上面１０ａ上に限定されない。感磁部（活性層）２０はその一部又は全部が、基板１０の上面１０ａ側の内部に形成されていてもよい。なお、感磁部２０は、温度特性の観点からＧａＡｓにより形成されることが好ましい。ただし、本実施形態は、ＧａＡｓを材料にして感磁部２０を形成する構成に限定されるものではなく、例えばＩｎＳｂやＩｎＡｓ等の化合物半導体も用いることができる。
【００７９】
感磁部２０は、基板１０よりも低抵抗の層である。感磁部２０は、例えば、基板１０にＳｉ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＣなどの不純物を打ち込み、加熱による活性化を行う方法や、上記の不純物を含む化合物半導体をＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、有機金属気相成長）法やＭＢＥ（分子線エピタキシー）法などで、基板１０上にエピタキシャル成長法で成長させることにより、形成される。
一例を挙げると、感磁部２０は、導電層２１と、導電層２１上に形成された表面層２２とを有する。導電層２１は、基板１０上に形成されたｎ型ＧａＡｓからなるものである。導電層２１の膜厚は特に制限されないが、製造容易性の観点から５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下がより好ましい。
【００８０】
ｎ型ＧａＡｓのｎ型不純物（すなわち、ドナー型不純物）としては公知のものを用いることが可能であり、例えばＳｉ、Ｇｅ、Ｓｅ等を用いることが可能である。ｎ型不純物の濃度（有効キャリア濃度）は特に制限されないが、ホール素子の出力および温度特性の観点から、有効キャリア濃度が、１．０×１０１４［ｃｍ−３］以上１．０×１０１９［ｃｍ−３］以下であることが好ましく、１．０×１０１５［ｃｍ−３］以上１．０×１０１８［ｃｍ−３］以下であることがより好ましく、１．０×１０１５［ｃｍ−３］以上５．０×１０１７［ｃｍ−３］以下であることがさらに好ましい。有効キャリア濃度が上記範囲内であれば、出力の温度依存性を抑制し、かつ、出力の絶対値を得ることが容易になるため好ましい。
また、導電層２１を形成する方法としては、基板１０に不純物をイオン注入して、基板１０の表面近傍又は内部にｎ型ＧａＡｓ層を形成する方法が挙げられる。また、導電層２１を形成する別の方法としては、基板１０上にＭＢＥ（分子線エピタキシー）法若しくはＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法により、不純物イオンをドープしながらＧａＡｓ薄膜をエピタキシャル成長させる方法が挙げられる。
【００８１】
表面層２２は、導電層２１上に形成され、導電層２１よりも導電性の低いＧａＡｓ層や、ＡｌＧａＡｓ又はＡｌＡｓ層等のなど高抵抗な結晶層からなる層である。表面層２２の膜厚は、シート抵抗のばらつきが抑制されたホール素子を実現するためには、１５０ｎｍ以上であり、好ましくは２００ｎｍ以上であり、加えて製造容易性の観点から、好ましくは８００ｎｍ以下であり、より好ましくは６００ｎｍ以下である。なお、表面層はなくてもよい。
表面層２２を形成する方法は特に制限されず、例えばイオン注入法、又は、ＭＢＥ法若しくはＭＯＣＶＤ法を用いたエピタキシャル成長により形成することができる。表面層２２のように、導電層２１よりも導電性の低いＧａＡｓを得る方法としては、導電層２１よりも低い不純物濃度とする方法や、不純物を意図的にドープしない方法などが挙げられる。また、導電層２１と第１〜第４の電極３１〜３４とを直接オーミック接続するために、表面層２２の一部がエッチングされて、薄膜化又は除去されていてもよい。
【００８２】
図２４は、感磁部２０の構成例を示す平面図である。図２４に示すように、平面視で、矩形状の感磁部２０の中心位置２５は、矩形状の基板１０の中心位置とほぼ一致している。また、平面視で、感磁部２０の外周の第１〜第４の辺２６〜２９は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４のうちの２辺とそれぞれ平行となっている。すなわち、平面視で、感磁部２０の外周の第１〜第４の辺２６〜２９は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４と平行又は垂直となっている。より具体的に、感磁部２０の外周の第１の辺１１及び第３の辺１３は、基板１０の外周の第１の辺２６及び第３の辺２８と平行かつ基板１０の外周の第２の辺２７及び第４の辺２９に垂直となっている。感磁部２０の外周の第２の辺１２及び第４の辺１４は、基板１０の外周の第２の辺２７及び第４の辺２９と平行かつ基板１０の外周の第１の辺２６及び第３の辺２８に垂直となっている。
【００８３】
また、感磁部２０は、平面視で感磁部２０の中心位置２５を含む中央領域２３と、中央領域２３の周辺に位置する周辺領域２４とを有する。本実施形態において、中央領域２３の平面形状は、例えば正円形状である。感磁部２０の平面形状は、例えば正方形状である。本実施形態の場合、中央領域２３の直径をＬ１とし、感磁部２０の外周の一辺（すなわち、第１〜第４の辺２６〜２９のうちの一辺）の長さをＬ２としたとき、Ｌ１とＬ２の比（Ｌ１／Ｌ２）は、例えば、１／４以上１未満、または、１／３以上１／２以下である。
なお、本実施形態において、中央領域２３の平面形状は矩形状としてもよい。中央領域２３を矩形状とする場合は、この矩形の外周の一辺が上記のＬ１に対応する。
【００８４】
（１．３）電極
図２５は、第１〜第４の電極３１〜３４の構成例を示す平面図である。まず、第１〜第４の電極３１〜３４と、感磁部２０との位置関係について説明する。
図２５に示すように、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周３１ｅ〜３４ｅは、平面視で感磁部２０の外周２０ｅより内側に位置する。すなわち、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４は、平面視で、感磁部２０の外周ｅで囲まれる領域の内側であって、且つ感磁部２０の外周ｅとは重ならない領域に位置する。
【００８５】
ここで、感磁部２０の外周とは、平面視で、感磁部２０の最も外側の輪郭線のことである。例えば図２３（ａ）〜図２３（ｃ）に示したように、感磁部２０の断面形状がメサ形状の場合、感磁部２０の平面視による輪郭線として、感磁部２０の側面（以下、「メサ側面」と称する）２０１の上端側の輪郭線（以下、「メサ上側輪郭線」と称する）２０２と、メサ側面２０１の下端側の輪郭線（以下、「メサ下側輪郭線」と称する）２０３とがある。メサ上側輪郭線２０２は、感磁部２０の上面２０ａとメサ側面２０１との境界線である。また、メサ下側輪郭線２０３は、メサ側面２０１と基板１０の上面１０ａとの境界線である。本発明の各実施形態では、メサ下側輪郭線２０３が、感磁部２０の外周に相当する。
【００８６】
したがって、本発明の各実施形態では、第１〜第４の電極３１〜３４が感磁部２０の上面２０ａからメサ側面２０１まで延設されている場合でも、メサ下側輪郭線２０３までは延設されていない。メサ下側輪郭線２０３は、第１〜第４の電極３１〜３４下から露出している。
また、本発明の各実施形態では、第１〜第４の電極３１〜３４は感磁部２０の上面２０ａ側にのみ設けられており、メサ側面２０１には延設されていないことが好ましい。つまり、感磁部２０のメサ側面２０１は、第１〜第４の電極３１〜３４下から露出していることが好ましい。これにより、後述するワイヤーボンディング性がさらに向上する。
【００８７】
次に、感磁部２０の上面２０ａ側における、第１〜第４の電極３１〜３４の形状と配置について説明する。図２５に示すように、第１の電極３１及び第２の電極３２は、第１の方向で互いに向かい合っている。また、第３の電極３３及び第４の電極３４は、第１の方向と平面視で交差する（例えば、直交する）第２の方向で互いに向かい合っている。そして、感磁部２０の上面の側において、第１〜第４の電極３１〜３４は、感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へそれぞれ延出している。
すなわち、第１の電極３１は、主部３１ａと、主部３１ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３１ｂとを有する。第２の電極３２は、主部３２ａと、主部３２ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３２ｂとを有する。第３の電極３３は、主部３３ａと、主部３３ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３３ｂとを有する。第４の電極３４は、主部３４ａと、主部３４ａから感磁部２０の中央領域２３へ延出した延出部３４ｂとを有する。
【００８８】
図２５に示すように、第１の方向における第１の電極３１と第２の電極３２との離間距離（すなわち、延出部３１ｂ、３２ｂ間の離間距離）をＤ１とし、第２の方向における第３の電極３３と第４の電極３４との離間距離（すなわち、延出部３３ｂ、３３ｃ間の離間距離）をＤ２としたとき、Ｄ１、Ｄ２はそれぞれ、１μｍ以上４０μｍ以下である。
第１〜第４の電極３１〜３４の形状と配置について、より具体的に例を挙げて説明する。
第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の平面形状はそれぞれ矩形状である。また、第１の電極３１が有する第１の角部３１ｃと、第２の電極３２が有する第２の角部３２ｃと、第３の電極３３が有する第３の角部３３ｃと、第４の電極３４が有する第４の角部３４ｃとが、感磁部２０の上方にそれぞれ位置する。
【００８９】
ここで、第１の角部３１ｃは、第１の電極３１の延出部３１ｂに含まれる部位である。第２の角部３２ｃは、第２の電極３２の延出部３２ｂに含まれる部位である。第３の角部３３ｃは、第３の電極３３の延出部３３ｂに含まれる部位である。第４の角部３４ｃは、第４の電極３４の延出部３４ｂに含まれる部位である。図２５に示すように、第１の角部３１ｃ、第２の角部３２ｃ、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃは、互いに隣接して配置されている。第１の角部３１ｃは、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃと隣接し、第２の角部３２ｃは、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃと隣接し、第１の角部３１ｃと第２の角部３２ｃとが第１の方向で互いに向かい合い、第３の角部３３ｃと第４の角部３４ｃとが第２の方向で互いに向かい合っている。
平面視で、第１の角部３１ｃ、第２の角部３２ｃ、第３の角部３３ｃ及び第４の角部３４ｃにより囲まれる領域の中心位置は、感磁部２０の中心位置と重なっている。また、平面視で、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周は、感磁部２０の外周で囲まれる領域（すなわち、第１〜第４の辺２６〜２９で囲まれる領域）の内側に位置する。
【００９０】
図２２に示すように、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４は、基板１０の矩形の四隅にそれぞれ配置されている。そして、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々の外周の各辺は、基板１０の外周の４辺のうちの２辺とそれぞれ平行となっている。すなわち、平面視で、第１〜第４の電極３４の外周の各辺は、基板１０の外周の第１〜第４の辺１１〜１４と平行又は垂直となっている。
なお、図２３に示すように、第１〜第４の電極３１〜３４はそれぞれ、感磁部２０に電気的に接続する第１の金属膜１３１と、この第１の金属膜１３１上に形成された第２の金属膜１３２とを有する。つまり、第１の金属膜１３１が、感磁部２０に対するコンタクト領域となっている。
【００９１】
また、感磁部２０と第２の金属膜１３２との間には絶縁膜４０が形成されている。絶縁膜４０は、例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、無機膜（Ａｌ２Ｏ３）、ポリイミド膜であり、これらの膜を複数積層した多層膜である。つまり、絶縁膜４０は、断面視で、感磁部２０と第１〜第４の電極との間に配置される。絶縁膜４０は、感磁部２０の矩形の四隅と重なる位置にそれぞれ開口部４０１を有する。これらの開口部４０１で、感磁部２０と第１〜第４の電極３１〜３４とがそれぞれ接触する。なお、絶縁膜４０は、図２３のように第１の金属膜１３１上にも形成されても、第１の金属膜１３１上には形成されなくともよく、第１の金属膜１３１の下に一部入り込んで形成されてもよい。
【００９２】
（１．４）金属細線が接合される領域（ワイヤーボンディング領域）
図２６（ａ）〜図２６（ｃ）は、ホール素子５００におけるワイヤーボンディング領域を示す模式図であり、図２６（ａ）は平面図、図２６（ｂ）は図２６（ａ）をＰ２６−Ｐ’２６線で切断した断面図、図２６（ｃ）は図２６（ａ）をＱ２６−Ｑ’２６線で切断した断面図である。
図２６（ａ）〜図２６（ｃ）に示すように、第１の電極３１は、その上面の側に金属細線が接合される第１のワイヤーボンディング領域１４１を有する。第１の電極３１を構成する第１の金属膜１３１が、第１の電極３１が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
【００９３】
また、第２の電極３２は、その上面の側に金属細線が接合される第２のワイヤーボンディング領域１４２を有する。第２の電極３２を構成する第１の金属膜１３１が、第２の電極３２が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
また、第３の電極３３は、その上面の側に金属細線が接合される第３のワイヤーボンディング領域１４３を有する。第３の電極３３を構成する第１の金属膜１３１が、第３の電極３３が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
また、第４の電極３４は、その上面の側に金属細線が接合される第４のワイヤーボンディング領域１４４を有する。第４の電極３４を構成する第１の金属膜１３１が、第４の電極３４が感磁部２０と接触するコンタクト領域となる。
【００９４】
つまり、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の各中心位置よりも外側に、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域がそれぞれ位置する。
絶縁膜４０は、断面視で、金属細線が接合される領域（ワイヤーボンディング領域）では第１〜第４の電極３１〜３４と感磁部２０との間に介在し、感磁部２０と接触する領域では開口部４０１を有する。
また、金属細線が接合される領域において、感磁部２０はその上面が平坦な平坦面を有する。また、絶縁膜４０は、応力緩和絶縁膜であってもよい。
【００９５】
上述したように、第１の電極３１及び第２の電極３２はホール素子５００の入力電極であるため、第１の電極３１のコンタクト領域と第２の電極３２のコンタクト領域との間がホール素子５００における信号入力経路１４６となる。また、第３の電極３３及び第４の電極３４はホール素子５００の出力電極であるため、第３の電極３３のコンタクト領域と第４の電極３４のコンタクト領域との間がホール素子５００における信号出力経路１４５となる。
【００９６】
（２）ホールセンサ
図２７（ａ）〜図２７（ｄ）は、本発明の第５実施形態に係るホールセンサ７００の構成例を示す断面図と平面図と底面図、及び外観図である。図２７（ａ）は、図２７（ｂ）を破線Ｒ２７−Ｒ’２７線で切断した断面を示している。また、図２７（ｂ）では、図面の複雑化を回避するために、モールド部材を省略して示している。
図２７（ａ）〜図２７（ｄ）に示すように、ホールセンサ７００は、ホール素子５００と、リード端子５２０と、第１〜第４の金属細線（導電性接続部材）５３１〜５３４と、保護層５４０と、モールド部材５５０と、外装めっき層５６０とを備える。また、リード端子５２０は、第１〜第４の端子部５２１〜５２４を有する。
ホールセンサ７００は、例えばアイランドレス構造であり、外部との電気的接続を得るための複数の端子部５２１〜５２４を有する。図２７（ｂ）に示すように、第１〜第４の端子部５２１〜５２４は、ホール素子５００の周囲に配置されている。
【００９７】
例えば、第１の端子部５２１と第２の端子部５２２とがホール素子５００を挟んで対向するように配置されており、また、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４とがホール素子５００を挟んで対向するように配置されている。そして、第１の端子部５２１と第２の端子部５２２とを結ぶ直線（仮想線）と、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４とを結ぶ直線（仮想線）とが平面視で交差している。リード端子５２０（第１〜第４の端子部５２１〜５２４）は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。
第１〜第４の金属細線５３１〜５３４は、ホール素子５００が有する第１〜第４の電極３１〜３４と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４とをそれぞれ電気的に接続する導線であり、例えば金（Ａｕ）からなる。図２７（ｂ）に示すように、第１の金属細線５３１は、第１の端子部５２１と第１の電極３１とを接続している。第２の金属細線５３２は、第２の端子部５２２と第２の電極３２とを接続している。第３の金属細線５３３は、第３の端子部５２３と第３の電極３３とを接続している。第４の金属細線５３４は、第４の端子部５２４と第４の電極３４とを接続している。第１〜第４の金属細線５３１〜５３４は、ホール素子の第１〜第４の電極３１〜３４のワイヤーボンディング領域において、接合している。
【００９８】
第１の金属細線５３１の一端は第１の電極３１に接続され、第１の金属細線５３１の他端は第１の端子部５２１に接続されている。第２の金属細線５３２の一端は第２の電極３２に接続され、第２の金属細線５３２の他端は第２の端子部５２２に接続されている。第３の金属細線５３３の一端は第３の電極３３に接続され、第３の金属細線５３３の他端は第３の端子部５２３に接続されている。第４の金属細線５３４の一端は第４の電極３４に接続され、第４の金属細線５３４の他端は第４の端子部５２４に接続されている。
【００９９】
第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４は、第１〜第４の電極３１〜３４の上面の一部の領域に相当する。第１〜第４の電極３１〜３４の上面の第１〜第４の金属細線５３１〜５３４（詳細は後述する）が接合される接合領域の下方には、第１〜第４の電極と感磁部２０との間に絶縁膜４０が介在している。ここで、「接合領域」は、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に実際に接触している領域であり、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４のボール径ではない。このため、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域は、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４に存在する。上述のとおり、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域は、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の各中心位置よりも外側にそれぞれ位置している。このため、第１〜第４の電極３１〜３４は、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域外で、感磁部２０と接続される。また、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域の中心は、第１〜第４の電極３１〜３４の中心よりも外側に位置することが好ましい。
【０１００】
また、上述のとおり、第１の金属膜１３１が感磁部２０に対するコンタクト領域となっている。第１の金属膜１３１上には、絶縁膜４０の開口部４０１が設けられている。このため、絶縁膜４０の開口部４０１は、感磁部２０の中心位置２５から見て、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が第１〜第４の電極３１〜３４の上面に接合する接合領域よりも外側に配置されている。つまり、絶縁膜４０は、上面視で、この接合領域外に位置する開口部４０１を有している。第１〜第４の電極３１〜３４は、開口部４０１において感磁部２０と接触する。したがって、平面視で、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が接合される領域外に、第１〜第４の電極３１〜３４が感磁部２０と接触する領域が配置される。
【０１０１】
保護層５４０は、基板１０の第１〜第４の電極３１〜３４が設けられている面とは反対側の面側を覆っている。保護層５４０は、基板１０を保護可能なものであれば特に限定はなく、導体、絶縁体、又は半導体のうち、少なくとも何れか１つを含んでいてもよい。即ち、保護層５４０は、導体、絶縁体、又は半導体の何れか１つからなる膜であってもよいし、これらのうち２つ以上を含む膜であってもよい。導体としては、例えば、銀ペーストなどの導電性樹脂などが考えられる。絶縁体としては、例えば、エポキシ系の熱硬化型樹脂と、フィラーとしてシリカ（ＳｉＯ２）とを含む絶縁ペースト、窒化ケイ素、二酸化ケイ素などが考えられる。半導体としては、例えば、Ｓｉ基板やＧｅ基板などの貼り合わせが考えられる。但し、リーク電流防止の観点から、保護層５４０は、絶縁体であることが好ましい。また、保護層５４０は積層構造でもよい。
モールド部材５５０は、ホール素子５００と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４と、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４とをモールドしている。言いかえると、モールド部材５５０は、ホール素子５００と、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の少なくとも表面側（即ち、金属細線と接続する側の面）と、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４とを覆って保護（即ち、樹脂封止）している。モールド部材５５０は、例えばエポキシ系の熱硬化型樹脂からなり、リフロー時の高熱に耐えられるようになっている。
【０１０２】
図２７（ａ）及び図２７（ｃ）に示すように、ホールセンサ７００の底面側（即ち、配線基板感磁部２０に実装する側）では、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の第１面（例えば、裏面）の少なくとも一部と、ＧａＡｓ基板１０の第１面（例えば、裏面）の少なくとも一部とが、モールド部材５５０の同一の面（例えば、裏面）からそれぞれ露出している。ここで、第１〜第４の端子部５２１〜５２４の第１面は、第１〜第４の端子部５２１〜５２４がそれぞれ有する複数の面のうち、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４と接続している面とは反対側の面である。ＧａＡｓ基板１０の第１面は、ＧａＡｓ基板１０が有する複数の面のうち、第１〜第４の電極３１〜３４が設けられている面とは反対側の面である。
また、外装めっき層５６０は、モールド部材５５０から露出している端子部５２１〜５２４の裏面に形成されている。外装めっき層５６０は、例えばスズ（Ｓｎ）等からなる。
【０１０３】
〔動作〕
上記のホールセンサ７００を用いて磁気（磁界）を検出する場合は、例えば、第１の端子部５２１を電源電位（＋）に接続すると共に、第２の端子部５２２を接地電位（ＧＮＤ）に接続して、第１の端子部５２１から第２の端子部５２２に電流を流す。そして、第３の端子部５２３と第４の端子部５２４間の電位差Ｖ１−Ｖ２（＝ホール出力電圧ＶＨ）を測定する。ホール出力電圧ＶＨの大きさから磁界の大きさを検出し、ホール出力電圧ＶＨの正負から磁界の向きを検出する。
即ち、第１の端子部５２１は、ホール素子５００に所定電圧を供給する電源用端子部である。第２の端子部５２２は、ホール素子５００に接地電位を供給する接地用端子部である。第３の端子部５２３及び第４の端子部５２４は、ホール素子５００のホール起電力信号を取り出す信号取出用端子部である。
【０１０４】
〔製造方法〕
（１）ホール素子の製造方法
図２８（ａ）〜図２８（ｅ）は、ホール素子５００の製造方法を工程順に示す断面図である。図２８（ａ）に示すように、まず基板１０を用意する。基板１０は、例えばＧａＡｓ基板１０である。次に、基板１０の表面から予め設定した深さの位置にドナー型の不純物をイオン注入する。ドナー型の不純物としては、例えばＳｉ、Ｓｎ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＣなどが挙げられる。次に、基板１０を加熱して不純物を活性化する。これにより、図２８（ｂ）に示すように、基板１０内に、基板１０よりも低抵抗の導電層２１を形成すると共に、この導電層２１の上に表面層２２を形成する。表面層２２は導電層２１よりも不純物濃度が小さいため、導電層２１よりも高抵抗な層（すなわち、導電性の低い層）となる。
【０１０５】
なお、この不純物を活性化する工程は、図２８（ｃ）に示す基板１０のパターニン工程以降に行ってもよい。また、図２８（ｃ）に示す工程以降の他の加熱工程と兼用でおこなってもよい。また、導電層２１の形成はイオン注入に限定されない。例えば、ＭＯＣＶＤ法により、基板１０上に不純物を高濃度に含むＧａＡｓをエピタキシャル成長することにより導電層２１を形成してもよい。この場合は、導電層２１の形成に続いて、不純物を低濃度に含む（または、不純物を含まない）ＧａＡｓをエピタキシャル成長させることにより、導電層２１上に、導電層２１よりも高抵抗の表面層２２を形成することができる。
【０１０６】
次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、基板１０をパターニングして、図２８（ｃ）に示すように、断面視による形状がメサ形状である感磁部２０を形成する。
次に、図２８（ｄ）に示すように、感磁部２０が形成された基板１０上に第１の金属膜１３１を部分的に形成する。ここでは、第１の金属膜１３１として、例えばＡｕＧｅ膜、Ｎｉ膜、Ａｕ膜をこの順に積層する。第１の金属膜１３１の形成は、例えばリフトオフ、またはマスク蒸着で形成する。リフトオフは、レジストパターンが形成された基板上に金属膜を蒸着し、その後レジストパターンを取り去ることにより、基板のレジストパターンで覆われていなかった領域上にのみ金属膜を残す方法である。マスク蒸着は、貫通穴が部分的に形成された板を通して基板上に金属膜を蒸着することにより、基板の貫通穴直下の領域上にのみ金属膜を蒸着する方法である。第１の金属膜１３１を形成した後は、基板１０を加熱して、基板１０と第１の金属膜１３１との界面を合金化する。
【０１０７】
次に、図２８（ｅ）に示すように、基板１０の第１の金属膜１３１下から露出している部分に絶縁膜４０を形成する。絶縁膜４０は、例えばシリコン窒化膜である。絶縁膜４０の形成は、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で基板１０の上面全体に絶縁膜を形成し、その後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、この上面全体に形成された絶縁膜をパターニングすることにより形成する。なお、基板１０の上面全体に絶縁膜を形成し、パターニングして絶縁膜４０を形成した後に、第１の金属膜１３１を形成してもよい。
【０１０８】
次に、図２８（ｅ）に示すように、絶縁膜４０が形成された基板１０上に第２の金属膜１３２を部分的に形成する。ここでは、第２の金属膜１３２として、例えばＴｉ膜、Ａｕ膜をこの順に積層する。また、第２の金属膜１３２を、例えばリフトオフ、またはマスク蒸着で形成する。
その後、基板１０上に保護膜（図示せず）等を形成する。そして、基板１０をダイシングして、基板１０を複数のホール素子５００の各々ごとに個片化する。以上の工程を経て、図２２等に示したホール素子５００が完成する。
【０１０９】
（２）ホールセンサの製造方法
図２９（ａ）〜図２９（ｅ）及び図３０（ａ）〜図３０（ｄ）は、ホールセンサ７００の製造方法を示す工程順に示す平面図と断面図である。なお、図２９（ａ）〜図２９（ｅ）において、ダイシングのブレード幅（即ち、カーフ幅）の図示は省略している。
図２９（ａ）に示すように、まず、リードフレーム６２０を用意する。このリードフレーム６２０は、図２７（ｂ）に示したリード端子５２０が平面視で縦方向及び横方向に複数繋がっている基板である。
【０１１０】
次に、に示すように、リードフレーム６２０の裏面側に、例えば、基材として耐熱性フィルム５８０の一方の面を貼付する。この耐熱性フィルム５８０の一方の面には例えば絶縁性の粘着層が塗布されている。粘着層は、その成分として、例えばシリコン樹脂がベースとなっている。この粘着層によって、耐熱性フィルム５８０にリードフレーム６２０を貼付し易くなっている。リードフレーム６２０の裏面側に耐熱性フィルム５８０を貼付することによって、リードフレーム６２０の貫通している貫通領域を、裏面側から耐熱性フィルム５８０で塞いだ状態となる。
【０１１１】
次に、図２９（ｃ）に示すように、耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面のうち、第１〜第４の端子部５２１〜５２４で囲まれた領域に、保護層５４０を有するホール素子５００を載置する（即ち、ダイボンディングを行う。）。ここでは、基板１０の第１面を耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面に対向させてダイボンディングを行う。
次に、図２９（ｄ）に示すように、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の一端を第１〜第４の端子部５２１〜５２４にそれぞれ接続し、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の他端をホール素子５００の第１〜第４の電極３１〜３４にそれぞれ接続する（即ち、ワイヤーボンディングを行う。）。第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の他端は、ホール素子５００の第１〜第４の電極３１〜３４のワイヤーボンディング領域において、接合する。
【０１１２】
なお、ワイヤーボンディングは、ホール素子５００の各電極からリード端子５２０の各端子部に向かって金属細線を延ばして行う順ボンディングでもよいし、その逆に、リード端子５２０の各端子部からホール素子５００の各電極に金属細線を延ばして行う逆ボンディングでもよい。逆ボンディングは、順ボンディングと比べて、金属細線のボンディング後のループ高さを低くすることができるので、ホール素子の低背化に寄与することができる。
そして、図２９（ｅ）に示すように、モールド部材５５０を形成する（即ち、樹脂モールドを行う。）。この樹脂モールドは、例えばトランスファーモールド技術を用いて行う。
【０１１３】
例えば図３０（ａ）に示すように、下金型５９１と上金型５９２とを備えるモールド金型５９０を用意し、このモールド金型５９０のキャビティ内にワイヤーボンディング後のリードフレーム６２０を配置する。次に、キャビティ内であって、耐熱性フィルム５８０の粘着層を有する面（即ち、リードフレーム６２０と接着している面）の側に加熱し溶融したモールド部材５５０を注入し、充填する。これにより、ホール素子５００と、リードフレーム６２０と、金属細線５３１〜５３４とをモールドする。即ち、ホール素子５００と、リードフレーム６２０の少なくとも表面側と、金属細線５３１〜５３４とをモールド部材５５０で覆って保護する。モールド部材５５０がさらに加熱し硬化したら、該モールド部材５５０をモールド金型から取り出す。
【０１１４】
次に、図３０（ｂ）に示すように、モールド部材５５０から耐熱性フィルム５８０を剥離する。これにより、モールド部材５５０からホール素子５００の基板１０を露出させる。そして、図３０（ｃ）に示すように、リードフレーム６２０のモールド部材５５０から露出している面（少なくとも、各端子部５２１〜５２４のモールド部材５５０から露出している裏面）に外装めっきを施して、外装めっき層５６０を形成する。
次に、図３０（ｄ）に示すように、モールド部材５５０の上面（即ち、ホールセンサ７００の外装めっき層５６０を有する面の反対側の面）にダイシングテープ５９３を貼付する。そして、例えば図２９（ｅ）に示した仮想の２点鎖線に沿って、リードフレーム６２０に対してブレードを相対的に移動させて、モールド部材５５０及びリードフレーム６２０を切断する（即ち、ダイシングを行う。）。つまり、モールド部材５５０及びリードフレーム６２０を複数のホール素子５００の各々ごとにダイシングして個片化する。以上の工程を経て、図２７に示したホールセンサ７００が完成する。
【０１１５】
〔第５実施形態の効果〕
本発明の第５実施形態は、以下の効果を奏する。
（１）感磁部２０は、電極間（すなわち、第１の電極３１と第２の電極３２との間、及び、第３の電極３３と第４の電極３４との間）だけでなく、第１〜第４の電極３１〜３４のそれぞれの直下にも形成されている。このため、感磁部が電極間にのみ形成されている場合と比べて、基板１０上のスペースを有効に利用することができ、ホール素子の小型化とＳ／Ｎ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  ｒａｔｉｏ）の向上の両方を実現することができる。
【０１１６】
（２）また、感磁部２０のメサ側面２０１は、第１〜第４の電極３１〜３４のそれぞれの外周３１ｅ〜３４ｅより外側となるように形成されている。このため、パッケージ工程におけるワイヤーボンディング性が向上し、収率の向上および導通不良を改善することができる。それによって、ホールセンサの信頼性の低下を抑制することができる。また、ホールセンサの信頼性を向上させることも可能である。
具体的には、基板１０の上面１０ａに形成された感磁部２０のメサ側面２０１は、感磁部２０の上面２０ａから基板１０の上面１０ａ側へ傾斜、又は、段差を有している。ホール素子５００が備える第１〜第４の電極３１〜３４と、リード端子５２０が備える第１〜第４の端子部５２１〜５２４とを第１〜第４の金属細線５３１〜５３４でそれぞれ接続するワイヤーボンディング工程では、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の一端にスパーク放電により球状のボールをそれぞれ形成し、このボールを第１〜第４の電極３１〜３４にそれぞれ押し付けて接合したり、または、超音波でそれぞれ振動させて接合したりする。
【０１１７】
ここで、感磁部のメサ側面である斜面構造や段差構造が電極下にあると、ワイヤーボンディング工程においてワイヤーボンディング性が悪化する。これは、ワイヤーボンディング工程の収率の低下や、ホール素子と端子部との間の導通不良の原因となる。
それに対して、本発明の第５実施形態によれば、感磁部２０のメサ側面２０１である斜面構造や段差構造は、第１〜第４の電極３１〜３４の外周より外側となるように形成されている。つまり、第１〜第４の電極３１〜３４は、感磁部２０の平坦な上面２０ａに形成される。その結果、第１〜第４の電極３１〜３４も平坦に形成される。
このため、ワイヤーボンディングの際に第１〜第４の金属細線５３１〜５３４の一端に形成されたボールは、平坦な第１〜第４の電極３１〜３４に押し付けられることとなる。そのため、ワイヤーボンディング性が向上し、収率の向上および導通不良を改善することができる。第１〜第４の電極３１〜３４と感磁部２０との間に、Ｓｉ３Ｎ４等の絶縁膜４０が形成されていても、第１〜第４の電極３１〜３４下に感磁部２０のメサ側面２０１がないため、ワイヤーボンディング性は良好である。
【０１１８】
（３）また、感磁部２０の中心位置からみて、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域（すなわち、第１の金属膜１３１の形成位置）は、第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の中心よりも外側にそれぞれ位置する。これにより、ワイヤーボンディング領域の直下にコンタクト領域が存在する場合と比べて、ホール素子のチップ面積を増やすことなく、信号出力経路１４５及び信号入力経路１４６の各距離を長くすることができるので、ホール素子の磁気検出精度の向上に寄与することができる。
特にホール素子５００では、感磁部２０の平面形状は矩形状であり、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域は感磁部２０の角部にそれぞれ配置されている。これにより、限られたチップ面積内で、信号出力経路１４５及び信号入力経路１４６をそれぞれ最大限に長くすることができ、上記した磁気検出精度の向上に大きく寄与することができる。
【０１１９】
すなわち、平面形状が矩形状である感磁部２０上に絶縁膜４０を形成したのち、この絶縁膜４０の感磁部２０の対角と重なる４つの位置にそれぞれ孔を設ける。そして、それら４つの孔を通して、第１〜第４の電極３１〜３４を感磁部２０に電気的に接続する。これにより、感磁部２０の対角線上の一端から他端まで電流を流すことができる。それにより、第１〜第４の電極３１〜３４下の領域もホール起電力に寄与することができるので、ホール素子のＳ／Ｎを向上させる効果がある。
【０１２０】
（４）薄型化したホールセンサにおいては、ホール素子上のモールド部材の厚みが薄いため、ホール素子の感磁部へ入射される光を含む電磁波が、感磁部の局所的な伝導率を光電効果によって変動させてしまう。また、この変動によって、ホール素子にオフセット電圧Ｖｕが生じる。
これに対して、第５実施形態によれば、平面視で、第１〜第４の電極３１〜３４は感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へ延出しており、中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。
例えば、第１〜第４の電極３１〜３４は、矩形状の基板１０の四隅から感磁部２０の中央領域２３へ延出して形成されている。そして、この中央領域２３において、第１〜第４の電極３１〜３４の各延出部３１ｂ〜３４ｂがそれぞれ近接配置されており、隣接する電極間の隙間が狭くなっている。これにより、感磁部２０の中央領域２３の一部が第１〜第４の電極３１〜３４で覆われている。
【０１２１】
ここで、電極部材である金属は、光を含む電磁波を極めて良く吸収する。したがって、第１〜第４の電極３１〜３４は、ホール素子５００の感磁部２０へ入射される電磁波を遮蔽することができ、感磁部２０における局所伝導率変動を抑制することができる。それによって、オフセット電圧Ｖｕの変動を抑制する効果がある。
特に、平面視で、感磁部２０の中央領域の面積に対する、第１〜第４の電極３１〜３４の中央領域上の総面積の割合が１０％以上１００％未満であれば、オフセット電圧Ｖｕ変動を抑制する効果が高い。好ましくは、２０％以上９９％以下であり、より好ましくは、４０％以上９５％以下である。
【０１２２】
（５）また、パッケージを構成するモールド部材中のフィラー等により、感磁部へ局所的な応力がかかる。その応力を受けて、感磁部材料である半導体のピエゾ抵抗効果によって、局所的な伝導率の変動が生じる。その結果、ホール素子にオフセット電圧Ｖｕが生じる。
これに対して、第５実施形態によれば、電極部材である金属は、応力によって柔軟に塑性変形するため、モールド部材５５０からの局所的な応力を緩和し、感磁部２０における局所伝導率変動を抑制することができる。それによって、ホール素子のオフセット電圧Ｖｕの変動を抑制する効果がある。
【０１２３】
（６）また、感磁部２０で発生する熱は、感磁部２０から第１〜第４の電極３１〜３４、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４、第１〜第４の端子部５２１〜５２４を通じてパッケージ外へ排熱される。伝導率が高い金属製の第１〜第４の電極３１〜３４で感磁部２０が覆われることにより、感磁部２０から絶縁膜４０、第１〜第４の電極３１〜３４、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４を通じる排熱経路が新たに増える。それによって、ホール素子の排熱特性が向上する効果がある。
【０１２４】
（７）また、断面視で、感磁部２０と第１〜第４の電極３１〜３４との間に配置される絶縁膜４０を備え、絶縁膜４０が、断面視で、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が接合される領域では第１〜第４の電極３１〜３４と感磁部２０との間に絶縁膜４０が介在し、感磁部２０と接触する領域では開口部４０１を有することにより、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４を接合する際に、第１〜第４の金属細線５３１〜５３４が接合される領域の下は、絶縁膜４０を介して、平坦な感磁部２０の上面となるため、ワイヤーボンディング性がさらに向上する。
【０１２５】
＜第６実施形態＞
上記の第５実施形態では、平面視で、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４の各々が、感磁部２０の周辺領域２４から中央領域２３へそれぞれ延出している場合について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
図３１は、本発明の第６実施形態に係るホール素子６００の構成例を示す平面図である。図３１に示すように、第６実施形態に係るホール素子６００において、第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４は、感磁部２０の周辺領域２４にのみ形成されている。第１の電極３１、第２の電極３２、第３の電極３３及び第４の電極３４は、中央領域２３へは延出していない。
このような構成であっても、平面視で、第１の電極３１の外周３１ｅと、第２の電極３２の外周３２ｅと、第３の電極３３の外周３３ｅと、第４の電極３４の外周３４ｅは、感磁部２０の外周２０ｅより内側に位置する。したがって、第６実施形態は、第５実施形態の効果（１）〜（７）と同様の効果を奏する。
【０１２６】
＜第７実施形態＞
なお、第５実施形態では、図２４を参照しながら感磁部２０の中央領域２３をＬ１とＬ２とで規定することについて説明した。第６実施形態においても、第５実施形態と同様に、中央領域２３を規定することができる。
しかしながら、第５〜第７実施形態に係る発明では、上記とは別の方法で中央領域２３を規定してもよい。
図３２は、第７実施形態における中央領域２３を例示する図である。図３２に示すように、中央領域２３は、例えば破線で示す円の内部領域としてもよい。詳しく説明すると、図３２に示すように、平面視で、感磁部２０の幾何学上の重心（＋印で例示する）と中心を同じくする円であり、重心からコンタクト領域までの最小距離を半径とする補助円３０を画定する。中央領域２３は、その補助円３０に対して、直径が１／２の長さで上記重心を中心とする円の内部領域とする。なお感磁部２０の幾何学上の重心は、平面視で、感磁部２０と基板１０の境界で囲まれた図形において求めることができる。コンタクト領域は、第１〜第４の電極３１〜３４と感磁部２０とがそれぞれ接続する部分である。
【０１２７】
中央領域（例えば、破線で示す円の内部領域）２３は、感磁部２０において特に、ホール効果に寄与する主な領域である。また、この中央領域２３の外側を周辺領域２４とする。なお、中央領域２３の平面形状は円状に限定されるものではない。中央領域２３の平面形状は矩形状でもよい。
上記のように、補助円３０を用いて中央領域２３を規定した場合であっても、第５実施形態の効果（１）〜（７）と同様の効果を奏する。
なお、図３２では、第５実施形態で説明したホール素子５００について補助円３０を用いて中央領域２３を規定しているが、第６実施形態で説明したホール素子６００についても、補助円を用いた同様の方法で中央領域２３を規定することができる。
【０１２８】
＜ホール素子を備えるホールセンサの構成例＞
以下、上述した第１から第７実施形態に係るホール素子のいずれかを備えるホールセンサ７００（図７、図２７参照）における第１〜第４の電極３１〜３４、第１〜第４の電極３１〜３４の各コンタクト領域及び第１〜第４のワイヤーボンディング領域１４１〜１４４の位置関係について、図３３及び図３４を参照して詳細に説明する。
図３３及び図３４では、一例として、第１の電極３１のコンタクト領域である第１の金属膜１３１の形成位置について説明するが、以下に説明するコンタクト領域の形成位置は、第２〜第４の電極３２〜３４においても同様である。また、図３３及び図３４では、第１の電極３１及び感磁部２０が矩形状（正方形状）であるものとして説明しているが、第１の電極３１及び感磁部２０の形状はこれに限られたものではなく、上述した各実施形態に記載の形状であってもよい。コンタクト領域の形状についても同様に、図３３及び図３４に記載された形状に限られたものではなく、上述した各実施形態に記載の形状であってもよい。
【０１２９】
まず、コンタクト領域の形成位置の第１の例及び第２の例について説明する。第１の例及び第２の例は、図３３を参照して、接合領域Ｆが感磁部２０の中心から見て第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側まで広がっている場合について説明する。
【０１３０】
（第１の例）
図３３には、複数の位置に形成されたコンタクト領域（第１の金属膜１３１ａ〜１３１ｅ）が例示されている。第１の例において、図３３に記載の第１の金属膜１３１ａ、１３１ｂ及び１３１ｃは、好適なコンタクト領域の位置を示している。なかでも、第１の金属膜１３１ａ及び１３１ｂは、第１の例としてより好適なコンタクト領域の位置を示し、第１の金属膜１３１ａは、第１の例としてさらに好適なコンタクト領域の位置を示している。一方、第１の金属膜１３１ｂ、１３１ｃ及び１３１ｄは、第２の例として好適ではないコンタクト領域の位置を示している。
【０１３１】
上述の各実施形態に係る各ホールセンサ７００において、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）は、感磁部２０の中心位置２５から見て第１の金属細線５３１（図７参照）が接合される接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置する。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１ａ、１３１ｂ又は１３１ｃを設ける。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置する。
したがって、ホールセンサ７００に備えられたホール素子のオフセット電圧の変動を抑制することができる。
【０１３２】
これは、コンタクト領域を接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に配置することによって、限られたチップ面積内で、ホール効果に寄与する主な領域（例えば図４に示す中央領域２３）を広くとることができるためである。ホール効果に寄与する主な領域を大きくすることで、単位面積当たりの抵抗変動の影響が低減し、オフセット電圧の変動を抑制することができる。
また、ホール素子のオフセット電圧の変動はコンタクト領域の局所的な抵抗変動に敏感であり、かつ接合領域Ｆはその下方に応力を発生させ、応力により感磁部材料である半導体にピエゾ抵抗効果による抵抗変動が生じる。特に、接合領域Ｆの中心Ｏ１の下方では発生する応力が大きい。このため、コンタクト領域を接合領域Ｆの中心Ｏ１から外側に位置させることによって、コンタクト領域に作用する応力を低減させ、オフセット電圧の変動を抑制することができる。
【０１３３】
また、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）の中心は、第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置し、第１の金属細線５３１が接合される領域の中心Ｏ１は、第１の電極３１の中心Ｏ２よりも内側に位置することが好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１ａ又は１３１ｂを設けることが好ましい。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置するとともに、コンタクト領域の中心が第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置する。
したがって、発生する応力が特に大きい接合領域Ｆの中心Ｏ１から離れた位置にコンタクト領域を形成することができ、ホール素子のオフセット電圧の変動をより低減することができる。
【０１３４】
さらに、平面視で、第１の金属細線５３１が接合される接合領域Ｆ外に、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）が配置されることがより好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１ａを設けることがより好ましい。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置するとともに、コンタクト領域の中心が第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置し、かつ平面視で、接合領域Ｆ外にコンタクト領域が配置される。
したがって、発生する応力が大きい接合領域Ｆ外にコンタクト領域を形成することができ、ホール素子のオフセット電圧の変動をさらに抑制することができる。
【０１３５】
（第２の例）
図３３には、複数の位置に形成されたコンタクト領域（第１の金属膜１３１ａ〜１３１ｅ）が例示されている。
第２の例において、図３３に記載の第１の金属膜１３１ａ及び１３１ｅは、好適なコンタクト領域の位置を示している。なかでも、第１の金属膜１３１ａは、第２の例としてより好適なコンタクト領域の位置を示している。一方、第１の金属膜１３１ｂ、１３１ｃ及び１３１ｄは、第２の例として好敵ではないコンタクト領域の位置を示している。
【０１３６】
上述の各実施形態に係る各ホールセンサ７００において、第１の電極３１は、金属細線５３１が接合される接合領域Ｆ外で、感磁部２０と接続する。絶縁膜４０は、上面視で、接合領域Ｆ外に位置する開口部４０１を有することで、第１の電極３１が開口部４０１で感磁部２０と接触する。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１ａ又は１３１ｅを設ける。これにより、第１の金属膜１３１ａ又は１３１ｅは、接合領域Ｆ外で感磁部２０と接続する。
したがって、発生する応力が大きい接合領域Ｆ外にコンタクト領域を形成することができ、ホール素子のオフセット電圧の変動を抑制することができる。加えて、ワイヤーボンディング性が向上し、ホールセンサ７００の信頼性が向上する。これは、開口部４０の段差を避けて平坦な電極部に接合領域Ｆを形成することで接合部の密着性が向上するためである。
【０１３７】
また、感磁部２０の中心位置２５から見て、金属細線５３１が接合される接合領域Ｆよりも外側に、絶縁膜４０の開口部４０１（図２、図２３等参照）が配置されることが好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１ａを設けることが好ましい。これにより、第１の金属膜１３１ａが接合領域Ｆ外で感磁部２０と接続し、かつ感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆよりも外側に、絶縁膜４０の開口部４０１が配置される。
したがって、ホール効果に寄与する主な領域を大きくすることができ、単位面積当たりの抵抗変動の影響を低減させ、よりオフセット電圧の変動を抑制することができる。
【０１３８】
次に、コンタクト領域の形成位置の第３の例及び第４の例について説明する。第３の例及び第４の例は、図３４を参照して、接合領域Ｆが感磁部２０の中心から見て第１の電極３１の中心Ｏ２よりも内側に形成されている場合について説明する。なお、各構成の効果については、第１の例及び第２の例と同様であるため説明を省略する。
【０１３９】
（第３の例）
図３４には、複数の位置に形成されたコンタクト領域（第１の金属膜１３１Ａａ〜１３１Ｄ）が例示されている。第３の例において、図３４に記載の第１の金属膜１３１Ａ、１３１Ｂ及び１３１Ｃは、好適なコンタクト領域の位置を示している。なかでも、第１の金属膜１３１Ａは、第１の例としてより好適なコンタクト領域の位置を示している。一方、第１の金属膜１３１Ｄは、第３の例として好敵ではないコンタクト領域の位置を示している。
【０１４０】
上述の各実施形態に係る各ホールセンサ７００において、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）は、感磁部２０の中心位置２５から見て第１の金属細線５３１（図７参照）が接合される接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置する。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａ、１３１Ｂ又は１３１Ｃを設ける。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置する。
【０１４１】
また、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）の中心は、第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置し、第１の金属細線５３１が接合される領域の中心Ｏ１は、第１の電極３１の中心Ｏ２よりも内側に位置することが好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａを設けることが好ましい。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置するとともに、コンタクト領域の中心が第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置する。
【０１４２】
また、平面視で、第１の金属細線５３１が接合される接合領域Ｆ外に、第１の電極３１が感磁部２０と接触する領域（コンタクト領域）が配置されることが好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａ又は１３１Ｂを設けることが好ましい。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置するとともに、平面視で接合領域Ｆ外にコンタクト領域が配置される。
さらに、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａを設けることがより好ましい。これにより、コンタクト領域が感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆの中心Ｏ１よりも外側に位置するとともに、コンタクト領域の中心が第１の電極３１の中心Ｏ２よりも外側に位置し、かつ平面視で接合領域Ｆ外にコンタクト領域が配置される。
【０１４３】
また、上述の各実施形態に係る各ホールセンサ７００において、第１の電極３１は、金属細線５３１が接合される接合領域Ｆ外で、感磁部２０と接続する。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａ、１３１Ｂ又は１３１Ｄを設ける。これにより、第１の金属膜１３１Ａ、１３１Ｂ又は１３１Ｄは、接合領域Ｆ外で感磁部２０と接続する。
【０１４４】
また、感磁部２０の中心位置２５から見て、金属細線５３１が接合される接合領域Ｆよりも外側に、絶縁膜４０の開口部４０１（図２、図２３等参照）が配置されることが好ましい。すなわち、第１の金属膜１３１として第１の金属膜１３１Ａ又は１３１Ｂを設けることが好ましい。これにより、第１の金属膜１３１Ａ又は１３１Ｂが接合領域Ｆ外で感磁部２０と接続し、かつ感磁部２０の中心位置２５から見て接合領域Ｆよりも外側に、絶縁膜４０の開口部４０１が配置される。
【０１４５】
＜レンズモジュール＞
以下、第１実施形態から第７実施形態に係るホールセンサ７００を用いたレンズモジュールについて説明する。図３５（ａ）は、手振れ補正用のレンズモジュール８ａを示し、図３５（ｂ）は、オートフォーカス用のレンズモジュール８ｂを示している。
図３５（ａ）及び図３５（ｂ）に示すように、レンズモジュール８ａ，８ｂは、第１から第７実施形態に係るホールセンサ７００のいずれかと、磁石８０が取り付けられたレンズホルダ８１と、ホールセンサ７００の外部端子からの出力信号であるホール起電力信号に基づいて、磁石を移動させる駆動コイル８２と、を備える。第１から第７実施形態に係るホールセンサ７００は、モールド部材を薄型化できるため、ホールセンサ７００自体を薄型化でき、かつ、オフセット変動を抑制できるため磁気を正確に検出することができる。そのため、第１から第７実施形態に係るホールセンサ７００のいずれかを用いた本実施形態のレンズモジュール８ａ，８ｂは、小型化を図ることができ、また、正確な位置検出を行うことが可能となる。本実施形態のレンズモジュール８ａ，８ｂでは、レンズホルダ８１に取り付けられた磁石８０の磁場を、ホールセンサ７００で検知し、検知した磁場に応じた出力信号に基づいて、駆動コイル８２に駆動電流を流す。これにより、レンズモジュール８ａは手振れ補正制御を精度良く行うことができ、レンズモジュール８ｂはオートフォーカス制御を精度良く行うことができる。また、本実施形態のレンズモジュール８ａ，８ｂは、薄型化が図られているため、ホールセンサ７００内部のホール素子（不図示）と、磁石８０との位置を近づけることが可能となり、より精度の高い磁気検知が可能である。
【０１４６】
＜その他の態様＞
本発明の技術的思想は、以上に記載した各実施形態や各実施例に特定されるものではない。当業者の知識に基づいて、本発明の各実施形態や各実施例に設計の変更等を加えてもよく、また、本発明の各実施形態や各実施例を任意に組み合わせてもよく、そのような変更が加えられた態様も、本発明の技術的思想に含まれる。
【符号の説明】
【０１４７】
８ａ，８ｂ  レンズモジュール
１０  基板
１０ａ  上面
２０  感磁部
２０ｅ  （感磁部の）外周
２１  導電層
２２  表面層
２３  中央領域
２４  周辺領域
２５  中心位置
２９  補助円
３１  第１の電極
３１ａ  （第１の電極の）主部
３１ｂ  （第１の電極の）延出部
３１ｃ  第１の角部
３２  第２の電極
３２ａ  （第２の電極の）主部
３２ｂ  （第２の電極の）延出部
３２ｃ  第２の角部
３３  第３の電極
３３ａ  （第３の電極の）主部
３３ｂ  （第３の電極の）延出部
３３ｃ  第３の角部
３４  第４の電極
３４ａ  （第４の電極の）主部
３４ｂ  （第４の電極の）延出部
３４ｃ  第４の角部
４０  絶縁膜
８０  磁石
８１  レンズホルダ
８２  駆動コイル
１００、２００、３００、４００、５００、６００  ホール素子
１２０  主要感磁部
１２１  第１の延出部
１２２  第２の延出部
１２３  第３の延出部
１２４  第４の延出部
１２６  第１の対角線
１２７  第２の対角線
１３１  第１の金属膜
１３２  第２の金属膜
１４１  第１のワイヤーボンディング領域
１４２  第２のワイヤーボンディング領域
１４３  第３のワイヤーボンディング領域
１４４  第４のワイヤーボンディング領域
１４５  信号出力経路
１４６  信号入力経路
２０１  メサ側面
２０２  メサ上側輪郭線
２０３  メサ下側輪郭線
２２０  中央部
２２１  第１の周辺部
２２２  第２の周辺部
２２３  第３の周辺部
２２４  第４の周辺部
４０１  開口部
５２０  リード端子
５２１  第１の端子部
５２２  第２の端子部
５２３  第３の端子部
５２４  第４の端子部
５３１  第１の金属細線
５３２  第２の金属細線
５３３  第３の金属細線
５３４  第４の金属細線
５４０  保護層
５５０  モールド部材
５６０  外装めっき層
５８０  耐熱性フィルム
５９０  モールド金型
５９１  下金型
５９２  上金型
５９３  ダイシングテープ
６２０  リードフレーム
７００  ホールセンサ
【図１】
2017051829.tif 000004
【図２】
2017051829.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【国際調査報告】
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