(57)【要約】  一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を製造する方法であり、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る工程ａ、及び一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る工程ｂを含む、芳香族アミド誘導体の製造方法〔式中、Ｒ１は、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基等を表し、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子等を表し、Ｒ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基等を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基等を表し、Ｑは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、フェニル基、ピリジル基等を表す。〕。2017104838.tif 000079
2017104838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）：
【化１】
2017104838.tif 000073
（式中、Ｒ１は、ハロゲン原子；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；又は
Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜８個の置換基で置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表す。
Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基を表す。
Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ｒ４は、水素原子；
Ｃ１−Ｃ４アルキル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；
Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基；又は
Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されている、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、若しくはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表す。
Ｑは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；
Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；
ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；
フェニル基；
複素環基；
ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されている、Ｃ１−Ｃ４アルキル基若しくはＣ１−Ｃ４ハロアルキル基；
ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、
前記複素環基が、ピリジル基、Ｎ−オキシドピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、又はテトラゾリル基である。）で表される芳香族アミド誘導体を製造する方法であり、以下の工程ａ及び工程ｂを含む、芳香族アミド誘導体の製造方法。
工程ａ）下記一般式（ＩＩ）：
【化２】
2017104838.tif 000074
（式中、Ｒ１、Ｘ１、及びＸ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｘ１、及びＸ２と同様である。）で表されるアニリン誘導体と、
下記一般式（ＩＩＩ）：
【化３】
2017104838.tif 000075
（式中、Ｘ３は、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基を示し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（Ｉ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同様である。）で表されるカルボン酸誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、
下記一般式（ＩＶ）：
【化４】
2017104838.tif 000076
（式中、Ｒ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同様である。２つあるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。）で表されるイミド体化合物を得る。
工程ｂ）一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る。
【請求項２】
一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＸ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子；
Ｃ１−Ｃ４アルキル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；
Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基；又は
Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されている、Ｃ１−Ｃ４アルキル基若しくはＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表す、請求項１に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項３】
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ３は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；
ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；
フェニル基；
複素環基；
ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表す、請求項１又は請求項２に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項４】
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表す、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項５】
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ３は、水素原子、ハロゲン原子、又はシアノ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
フェニル基；
複素環基；
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表す、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項６】
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、フェニル基；
ピリジル基；
ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されているピリジル基を表す、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【請求項７】
更に、以下の工程ｃ、工程ｄ、及び工程ｅを含む、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
工程ｃ）工程ｂにおいて、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に得られる一般式（Ｖ）：
【化５】
2017104838.tif 000077
（式中、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
Ｒ３は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表し、
Ｑは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
フェニル基；
複素環基；
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、
前記複素環基が、ピリジル基、Ｎ−オキシドピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、又はテトラゾリル基である。）で表されるカルボン酸化合物を得た後、前記カルボン酸化合物をハロゲン化又はエステル化することにより、一般式（ＩＩＩａ）：
【化６】
2017104838.tif 000078
（式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ３、及びＱは、一般式（ＩＩＩ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ３、及びＱと同様である。）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る。
工程ｄ）工程ｃで得られたカルボン酸誘導体再生化合物と、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る。
工程ｅ）工程ｄで得られた一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る。
【請求項８】
一般式（Ｖ）におけるＲ２は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ４は、水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｑは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；
フェニル基；
ピリジル基；
ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又は
ハロゲン原子及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されているピリジル基を表す、請求項７に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、芳香族アミド誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２００５／７３１６５号、国際公開第２００６／１３７３７６号、及び国際公開第２０１０／１８７１４号には、有害生物防除作用を有するアミド誘導体として種々の化合物が開示され、該アミド誘導体を製造する上で、パーフルオロアルキル化されたフェニル基を有するアミド誘導体が有用であることが記載されている。
また、国際公開第２０１０／１８８５７号及び国際公開第２０１４／１６１８５０号には、該アミド誘導体を製造する方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
国際公開第２０１０／１８８５７号では、該アミド誘導体を合成しているが、収率が４５％であり、工業的により高い収率が求められる。国際公開第２０１４／１６１８５０号では、保護体を経由することにより高い収率で該アミド誘導体を合成しているが、工程数が増えるため、環境的により短い工程が望まれる。
本発明は、上記に鑑み、芳香族アミド誘導体を、短工程かつ高収率で得ることができる製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、イミド体化合物を選択的に合成した後、分解することにより、芳香族アミド誘導体が短工程かつ高収率で得られることを見出し、本発明を完成するに至った。該芳香族アミド誘導体は、高い殺虫活性を有する殺虫剤である。
すなわち、本発明は、以下の態様を包含する。【０００５】
＜１＞  下記一般式（Ｉ）：【０００６】
【化１】
2017104838.tif 000003
【０００７】
〔式中、Ｒ１は、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、又は置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表す（Ｒ１において、「置換されている」とは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜８個の置換基で置換されていることを意味する。）。
Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基を表す。
Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表す。
Ｒ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基、置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、又は置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表す（Ｒ４において、「置換されている」とは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されていることを意味する。）。
Ｑは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基、フェニル基、置換されているフェニル基、複素環基、又は置換されている複素環基を表す（Ｑが「置換されているＣ１−Ｃ４アルキル基」又は「置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されている複素環基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。また、前記複素環基は、ピリジル基、Ｎ−オキシドピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、又はテトラゾリル基である。）〕で表される芳香族アミド誘導体を製造する方法であり、以下の工程ａ及び工程ｂを含む、芳香族アミド誘導体の製造方法。【０００８】
工程ａ）下記一般式（ＩＩ）：【０００９】
【化２】
2017104838.tif 000004
【００１０】
（式中、Ｒ１、Ｘ１、及びＸ２は、一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｘ１、及びＸ２と同様である。）で表されるアニリン誘導体と、【００１１】
下記一般式（ＩＩＩ）：【００１２】
【化３】
2017104838.tif 000005
【００１３】
（式中、Ｘ３は、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基を示し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（Ｉ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同様である。）で表されるカルボン酸誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、【００１４】
下記一般式（ＩＶ）：【００１５】
【化４】
2017104838.tif 000006
【００１６】
（式中、Ｒ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同様である。２つあるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。）で表されるイミド体化合物を得る。【００１７】
工程ｂ）一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る。【００１８】
＜２＞  一般式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＸ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表す（Ｒ４において、「置換されている」とは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されていることを意味する。）、＜１＞に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００１９】
＜３＞  一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ３は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基、フェニル基、置換されているフェニル基、複素環基、又は置換されている複素環基を表す（Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されている複素環基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。）、＜１＞又は＜２＞に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００２０】
＜４＞  一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表す、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００２１】
＜５＞  一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ３は、水素原子、ハロゲン原子、又はシアノ基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、フェニル基、置換されているフェニル基、複素環基、又は置換されている複素環基を表す（Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されている複素環基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。）、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００２２】
＜６＞  一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ２は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＲ４は、水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
一般式（Ｉ）、（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）におけるＱは、フェニル基、置換されているフェニル基、ピリジル基、又は置換されているピリジル基を表す（Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されているピリジル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。）、＜１＞〜＜５＞のいずれか１つに記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００２３】
＜７＞  更に、以下の工程ｃ、工程ｄ、及び工程ｅを含む、＜１＞〜＜６＞のいずれか１つに記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。【００２４】
工程ｃ）工程ｂにおいて、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に得られる一般式（Ｖ）：【００２５】
【化５】
2017104838.tif 000007
【００２６】
〔式中、Ｒ２は、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、
Ｒ３は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ４は、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表し、
Ｑは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、フェニル基、置換されているフェニル基、複素環基、又は置換されている複素環基を表す（Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されている複素環基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。また、前記複素環基は、ピリジル基、Ｎ−オキシドピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、又はテトラゾリル基である。）〕で表されるカルボン酸化合物を得た後、前記カルボン酸化合物をハロゲン化又はエステル化することにより、一般式（ＩＩＩａ）：【００２７】
【化６】
2017104838.tif 000008
【００２８】
（式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ３、及びＱは、一般式（ＩＩＩ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｘ３、及びＱと同様である。）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る。【００２９】
工程ｄ）工程ｃで得られたカルボン酸誘導体再生化合物と、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る。【００３０】
工程ｅ）工程ｄで得られた一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る。【００３１】
＜８＞  一般式（Ｖ）におけるＲ２は、水素原子又はハロゲン原子を表し、
Ｒ４は、水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基を表し、
Ｑは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、フェニル基、置換されているフェニル基、ピリジル基、又は置換されているピリジル基を表す（Ｑが「置換されているフェニル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されていることを意味する。また、Ｑが「置換されているピリジル基」である場合、「置換されている」とは、ハロゲン原子及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されていることを意味する。）、＜７＞に記載の芳香族アミド誘導体の製造方法。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、芳香族アミド誘導体を、短工程かつ高収率で得ることができる製造方法が提供される。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。
本明細書において「〜」を用いて示された数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
【００３４】
本明細書の一般式において使用される文言は、その定義においてそれぞれ以下に説明されるような意味を有する。
「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を示す。
「ｎ−」はノルマルを意味し、「ｉ−」はイソを意味し、「ｓ−」はセカンダリーを意味し、「ｔ−」はターシャリーを意味する。
【００３５】
「Ｃａ−Ｃｂ（ａ、ｂは１以上の整数を表す）」との表記は、例えば、「Ｃ１−Ｃ３」とは炭素原子数が１〜３個であることを意味し、「Ｃ２−Ｃ６」とは炭素原子数が２〜６個であることを意味し、「Ｃ１−Ｃ４」とは炭素原子数が１〜４個であることを意味する。
また、以下の炭素数を限定した置換基の説明において、「Ｃａ−ＣｂＸＸ基（ＸＸ基は置換基名を表し、ａ、ｂは１以上の整数を表す）」との表記は、例えば、「Ｃ１−Ｃ３ＸＸ基」とは、炭素原子数が１〜３個であるＸＸ基であることを意味し、同時に、それぞれの炭素原子数を有する置換基、例えば、炭素原子数１であるＸＸ基、炭素原子数２であるＸＸ基、炭素原子数３であるＸＸ基の範囲を下位の概念として包含すると共に、炭素原子数の上限と下限が、許される範囲で任意の組み合わせで規定された置換基の範囲、例えば、「Ｃ１−Ｃ３ＸＸ基」における、「Ｃ１−Ｃ２ＸＸ基」、「Ｃ２−Ｃ３ＸＸ基」も下位の概念として包含する。
「Ｃ１−Ｃ３アルキル基」とは、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜３個のアルキル基を示し、「Ｃ１−Ｃ４アルキル基」とは、「Ｃ１−Ｃ３アルキル基」に加えて、例えば、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基を示す。
【００３６】
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基」とは、例えば、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、モノクロロメチル基、ジクロロメチル基、トリクロロメチル基、モノブロモメチル基、ジブロモメチル基、トリブロモメチル基、１−フルオロエチル基、２−フルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２，２−ジクロロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１−ブロモエチル基、２−ブロモエチル基、２，２−ジブロモエチル基、２，２，２−トリブロモエチル基、２−ヨードエチル基、ペンタフルオロエチル基、３−フルオロ−ｎ−プロピル基、３−クロロ−ｎ−プロピル基、３−ブロモ−ｎ−プロピル基、１，３−ジフルオロ−２−プロピル基、１，３−ジクロロ−２−プロピル基、１，１，１−トリフルオロ−２−プロピル基、１−クロロ−３−フルオロ−２−プロピル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−クロロ−２−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、４−フルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−２−ブチル基、ノナフルオロ−ｉ−ブチル基、等の同一又は異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基を示す。
【００３７】
「Ｃ２−Ｃ４アルケニル基」とは、例えば、ビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基等の炭素鎖の中に二重結合を有する炭素原子数２〜４個のアルケニル基を示す。
「Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基」とは、例えば、３，３−ジフルオロ−２−プロペニル基、３，３−ジクロロ−２−プロペニル基、３，３−ジブロモ−２−プロペニル基、２，３−ジブロモ−２−プロペニル基、４，４−ジフルオロ−３−ブテニル基、３，４，４−トリブロモ−３−ブテニル基、等の同一又は異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に二重結合を有する直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルケニル基を示す。
【００３８】
「Ｃ２−Ｃ４アルキニル基」とは、例えば、プロパルギル基、１−ブチン−３−イル基、１−ブチン−３−メチル−３−イル基等の炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルキニル基を示す。
「Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基」とは、例えば、３，３−ジフルオロプロピン−１−イル基、３，３，３−トリフルオロプロピン−１−イル基、４，４，４−トリフルオロ−３，３−ジフルオロ−ブチン−１−イル基等の同一又は異なっていてもよい１以上のハロゲン原子によって置換された炭素鎖の中に三重結合を有する直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数２〜４個のアルキニル基を示す。
【００３９】
「Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基」とは、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、ｉ−ブチルオキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルコキシ基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基」とは、例えば、トリフルオロメトキシ基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピルオキシ基、２，２，２−トリフルオロエトキシ基、２−クロロエトキシ，３−フルオロ−ｎ−プロピルオキシ基、１，１，１，３，３，４，４，４−オクタフルオロ−２−ブチルオキシ基等の同一又は異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のハロアルコキシ基を示す。
【００４０】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基」とは、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、シクロプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、シクロプロピルメチルチオ基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基」とは、例えば、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、２，２，２−トリフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルチオ基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、ノナフルオロ−ｉ−ブチルチオ基、ノナフルオロ−ｓ−ブチルチオ基、４，４，４−トリフルオロ−ｎ−ブチルチオ基等の同一又は異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基を示す。
【００４１】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基」とは、例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ｎ−プロピルスルフィニル基、ｉ−プロピルスルフィニル基、シクロプロピルスルフィニル基、ｎ−ブチルスルフィニル基、ｉ−ブチルスルフィニル基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルフィニル基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基」とは、例えば、トリフルオロメチルスルフィニル基、ペンタフルオロエチルスルフィニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスルフィニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルフィニル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルフィニル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニル基、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルフィニル基、ノナフルオロ−ｓ−ブチルスルフィニル基、４，４，４−トリフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニル基等の同一又は異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルフィニル基を示す。
【００４２】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基」とは、例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、ｉ−プロピルスルホニル基、シクロプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｉ−ブチルスルホニル基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルホニル基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基」とは、例えば、トリフルオロメチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、２，２，２−トリフルオロエチルスルホニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルホニル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニル基、ノナフルオロ−ｓ−ブチルスルホニル基等の同一又は異なっていてもよい１個以上のハロゲン原子により置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルホニル基を示す。
【００４３】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基」とは、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、シクロプロピルアミノ基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素原子数１〜４個のアルキルアミノ基を示す。
「ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基」とは、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ基等の同一又は異なっていてもよい直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基２つにより置換されたアミノ基を示す。
【００４４】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基」とは、例えば、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、イソプロピルカルボニル基、シクロプロピルカルボニル基等の直鎖状、分岐鎖状、又は環状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニル基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基」とは、例えば、フルオロアセチル基、ジフルオロアセチル基、トリフルオロアセチル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、トリクロロアセチル基、ブロモアセチル基、ヨードアセチル基、３，３，３−トリフルオロプロピオニル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピオニル基等の同一又は異なっていてもよい１以上のハロゲン原子により置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニル基を示す。
【００４５】
「Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニルオキシ基」とは、例えば、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルカルボニルオキシ基を示す。
「Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基」とは、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基等の直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルコキシカルボニル基を示す。
【００４６】
「Ｃ１−Ｃ４パーフルオロアルキル基」とは、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−２−ブチル基、ノナフルオロ−ｉ−ブチル基等のフッ素原子により全て置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキル基を示す。
【００４７】
「Ｃ１−Ｃ４パーフルオロアルキルチオ基」とは、例えば、トリフルオロメチルチオ基、ペンタフルオロエチルチオ基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルチオ基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルチオ基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルチオ基、ノナフルオロ−２−ブチルチオ基、ノナフルオロ−ｉ−ブチルチオ基等のフッ素原子により全て置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルチオ基を示す。
【００４８】
「Ｃ１−Ｃ４パーフルオロアルキルスルフィニル基」とは、例えば、トリフルオロメチルスルフィニル基、ペンタフルオロエチルスルフィニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルフィニル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルフィニル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルフィニル基、ノナフルオロ−２−ブチルスルフィニル基、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルフィニル基等のフッ素原子により全て置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルフィニル基を示す。
【００４９】
「Ｃ１−Ｃ４パーフルオロアルキルスルホニル基」とは、例えば、トリフルオロメチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピルスルホニル基、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピルスルホニル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチルスルホニル基、ノナフルオロ−２−ブチルスルホニル基、ノナフルオロ−ｉ−ブチルスルホニル基等のフッ素原子により全て置換された直鎖状又は分岐鎖状の炭素原子数１〜４個のアルキルスルホニル基を示す。
【００５０】
本発明における一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＩＩa）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）等で表される化合物は、その構造式中に１個又は複数個の不斉炭素原子又は不斉中心を含む場合があり、２種以上の光学異性体が存在する場合もある。本発明は、各々の光学異性体及びこれらの光学異性体が任意の割合で含まれる混合物をも全て包含する。
また、本発明における一般式（Ｉ）、一般式（ＩＩ）、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＩＩａ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）等で表される化合物は、その構造式中に、炭素−炭素二重結合に由来する２種以上の幾何異性体が存在する場合もある。本発明は各々の幾何異性体及びこれらの幾何異性体が任意の割合で含まれる混合物をも全て包含する。
【００５１】
本発明の下記一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体の製造方法（以下、単に「本発明の製造方法」と称する。）は、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る工程（工程ａ）及び一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る工程（工程ｂ）を含む。
また、本発明の製造方法は、工程ｂにおいて、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解する際に、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に得られる一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物を単離、精製等により得た後、該カルボン酸化合物をハロゲン化又はエステル化することにより、一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る工程（工程ｃ）、工程ｃで得られた一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物と、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る工程（工程ｄ）、及び工程ｄで得られた一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る工程（工程ｅ）を、必要に応じて、更に含んでもよい。
【００５２】
【化７】
2017104838.tif 000009
【００５３】
本発明における一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物は、殺虫剤として有用な一般式（Ｉ）で表される化合物を製造する上で、特に有用な製造中間体である。
一般式（ＩＶ）において、Ｒ１は、ハロゲン原子；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；又はＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜８個の置換基で置換されているＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表し、好ましくはＣ１−Ｃ４ハロアルキル基である。
【００５４】
一般式（ＩＶ）において、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ２−Ｃ４アルケニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルケニル基、Ｃ２−Ｃ４アルキニル基、Ｃ２−Ｃ４ハロアルキニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表し、より好ましくは、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基である。
【００５５】
一般式（ＩＶ）において、Ｒ２及びＲ３は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルフィニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基である。
Ｒ２は、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、特に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基であり、Ｒ３は、より好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、シアノ基、又はニトロ基を表し、更に好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、又はシアノ基を表し、特に好ましくは水素原子、ハロゲン原子、又はシアノ基である。
２つあるＲ２及びＲ３は、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。
【００５６】
一般式（ＩＶ）において、Ｒ４は、水素原子；Ｃ１−Ｃ４アルキル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基；又はＣ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されている、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルスルホニル基、若しくはＣ１−Ｃ４ハロアルキルスルホニル基を表す。
２つあるＲ４は、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ４は、Ｑと結合して、Ｃ１−Ｃ６の複素環を形成してもよい。
Ｒ４は、好ましくは、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルキルカルボニル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシカルボニル基、又はＣ１−Ｃ４アルキルスルホニル基を表し、より好ましくは、水素原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、又はＣ１−Ｃ４ハロアルキル基を表し、更に好ましくは、水素原子又はＣ１−Ｃ４アルキル基である。
【００５７】
一般式（ＩＶ）において、Ｑは、Ｃ１−Ｃ４アルキル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基；Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；フェニル基；複素環基；ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜９個の置換基で置換されている、Ｃ１−Ｃ４アルキル基若しくはＣ１−Ｃ４ハロアルキル基；ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又はハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、該複素環基は、ピリジル基、Ｎ−オキシドピリジル基、ピリミジル基、ピリダジル基、ピラジル基、フリル基、チエニル基、オキサゾリル基、イソキサゾリル基、オキサジアゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、イミダゾリル基、トリアゾリル基、ピロリル基、ピラゾリル基、又はテトラゾリル基である。
２つあるＱは、それぞれが同一であっても異なっていてもよい。
Ｑは、好ましくは、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；ジＣ１−Ｃ４ハロアルキルアミノカルボニル基；フェニル基；複素環基；ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又はハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、より好ましくは、フェニル基；複素環基；ハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又はハロゲン原子、Ｃ１−Ｃ４アルキル基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキル基、Ｃ１−Ｃ４アルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルコキシ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４ハロアルキルチオ基、Ｃ１−Ｃ４アルキルアミノ基、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノ基、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、更に好ましくは、ジＣ１−Ｃ４アルキルアミノカルボニル基；フェニル基；複素環基；ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されている複素環基を表し、特に好ましくは、フェニル基；ピリジル基；ハロゲン原子、シアノ基、及びニトロ基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜５個の置換基で置換されているフェニル基；又はハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、及びＣ１−Ｃ４ハロアルキル基からなる群より選ばれる同一若しくは異なった１〜４個の置換基で置換されているピリジル基である。
【００５８】
一般式（Ｉ）におけるＲ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（ＩＶ）におけるＲ１、Ｘ１、Ｘ２、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同義であり、好ましい態様も同様である。
【００５９】
一般式（ＩＩ）におけるＲ１、Ｘ１、及びＸ２は、一般式（ＩＶ）におけるＲ１、Ｘ１、及びＸ２と同義であり、好ましい態様も同様である。
【００６０】
一般式（ＩＩＩ）におけるＸ３は、ハロゲン原子又はＣ１−Ｃ４アルコキシ基を表し、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（ＩＶ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同義であり、好ましい態様も同様である。
【００６１】
一般式（Ｖ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱは、一般式（ＩＶ）におけるＲ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＱと同義であり、好ましい態様も同様である。
一般式で示される化学構造において、上記したそれぞれのまた全ての置換基の限定範囲は、任意のレベルで相互に組み合わせることが可能で、当該組合せにより生じる一般式で表される化学構造の限定範囲の全ては、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【００６２】
以下、本発明の製造方法について説明する。
先ず、工程ａについて説明する。
工程ａは、下記の反応式に示すように、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る工程である。
【００６３】
【化８】
2017104838.tif 000010
【００６４】
上記の反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，４−ジアザビシクロ［２.２.２］オクタン、ジアザビシクロウンデセン、ジアザビシクロノネン等の有機塩基類；水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類；炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩類；リン酸一水素二カリウム、リン酸三ナトリウム等のリン酸塩類；水素化ナトリウム等の水素化アルカリ金属塩類；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコラート類などを挙げることができる。これらの塩基は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
これらの中でも、上記の反応に使用される塩基としては、トリエチルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン等の有機塩類を、特に好適に使用することができる。
【００６５】
塩基の使用量としては、例えば、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体の使用量に対して、０．０１倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲であり、好ましくは２倍モル当量〜４倍モル当量の範囲である。塩基は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００６６】
上記の反応は、無溶媒で行ってもよく、また、不活性溶媒の存在下で行ってもよい。
不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば、特に制限されない。不活性溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等の鎖状又は環状エーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
これらの中でも、不活性溶媒としては、ベンゼン、トルエン、及びキシレンからなる群より選ばれる少なくとも１種を、特に好適に使用することができる。
【００６７】
不活性溶媒の使用量としては、例えば、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体の使用量に対して、２質量倍〜２０質量倍の範囲であり、好ましくは２質量倍〜１０質量倍の範囲である。不活性溶媒は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００６８】
上記の反応における反応温度は、例えば、−２０℃〜２００℃の範囲であり、好ましくは５０℃〜１２０℃の範囲であり、不活性溶媒を使用する場合は、その沸点以下とすればよい。反応時間は、例えば、数分間から９６時間の範囲内で、好ましくは数分間から２４時間の範囲内で、適宜選択すればよい。
【００６９】
上記の反応における、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体の使用量に対する一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体の使用量は、特に制限されない。例えば、経済性の観点から、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体の使用量は、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体の使用量に対して、２倍モル当量〜５倍モル当量、好ましくは２倍モル当量〜３倍モル当量である。
【００７０】
工程ａにおいて、目的物である一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すればよく、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留等の操作を行い、精製してもよい。
工程ａに使用される塩基、不活性溶媒の種類とその使用量、反応温度、反応時間等の上記で説明した反応条件は、互いに任意に組合せることができ、それぞれのまた全ての組み合わせは、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【００７１】
一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体は、欧州特許出願公開第２３１９８３０号明細書に記載される方法にて合成することができる。また、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体は、ＷＯ２０１０／０１８８５７Ａ１に記載される方法にて合成することができる。
【００７２】
次に、工程ｂについて説明する。
工程ｂは、下記の反応式に示すように、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る工程である。工程ｂでは、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物を得ることができる。
【００７３】
【化９】
2017104838.tif 000011
【００７４】
上記の反応における加水分解とは、水の存在下、酸又は塩基にて、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体及び一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物に分解することを示す。
加水分解において使用される酸としては、塩化水素、臭化水素、ヨウ化水素、硫酸、硝酸等が挙げられ、好ましくは塩化水素、硫酸である。
加水分解において使用される塩基としては、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属類；炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の炭酸塩基類；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等のアルカリ金属アルコラート類；トリエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ピリジン等の有機塩基類などが挙げられる。これらの中でも、塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、及び４−ジメチルアミノピリジン、からなる群より選ばれる少なくとも１種を、特に好適に使用することができる。
【００７５】
酸又は塩基の使用量は、例えば、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物の使用量に対して、０．５倍モル当量〜２０倍モル当量の範囲であり、好ましくは０．５倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲である。酸又は塩基は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００７６】
上記の反応は、無溶媒で行ってもよく、また、不活性溶媒の存在下で行ってもよい。
不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば、特に制限されない。不活性溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；ジエチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン等の鎖状又は環状エーテル類；酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類；メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド類；アセトニトリル等のニトリル類；ジメチルスルホキシドなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
これらの中でも、不活性溶媒としては、テトラヒドロフラン、メタノール、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、トルエン、及びキシレンからなる群より選ばれる少なくとも１種を、特に好適に使用することができる。
【００７７】
不活性溶媒の使用量としては、例えば、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物の使用量に対して、１質量倍〜１５質量倍の範囲であり、好ましくは１質量倍〜１０質量倍の範囲である。不活性溶媒は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００７８】
上記の反応における反応温度は、例えば、−２０℃〜２００℃の範囲であり、好ましくは５０℃〜１２０℃の範囲であり、不活性溶媒を使用する場合は、その沸点以下とすればよい。反応時間は、例えば、数分間から９６時間の範囲内で、好ましくは数分間から２４時間の範囲内で、適宜選択すればよい。
【００７９】
工程ｂにおいて、目的物である一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体は、反応終了後、反応系から常法に従って単離すればよく、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留等の操作を行い、精製してもよい。
工程ｂに使用される酸、塩基、不活性溶媒の種類とその使用量、反応温度、反応時間等の上記で説明した反応条件は、互いに任意に組合せることができ、それぞれのまた全ての組み合わせは、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【００８０】
工程ｂにおいて、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に得られる一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物は、加水分解に酸を用いた場合には、反応終了後、ろ過により単離し、加水分解に塩基を用いた場合には、水相を酸析し、ろ過により単離すればよい。単離したカルボン酸化合物は、場合により、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の操作を行い、精製してもよい。
【００８１】
次に、工程ｃについて説明する。
工程ｃは、下記の反応式に示すように、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解する際に、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に得られた一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物を、ハロゲン化又はエステル化することにより、一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る工程である。
【００８２】
【化１０】
2017104838.tif 000012
【００８３】
上記の反応におけるハロゲン化とは、ハロゲン化剤を用いて、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物から一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る反応であり、エステル化とは、アルコール存在下、酸触媒を用いて、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物から一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を得る反応である。
【００８４】
上記のハロゲン化反応に用いられるハロゲン化剤としては、ホスゲン、トリホスゲン、塩化チオニル、塩化オキサリル、三塩化リン、五塩化リン、オキシ塩化リン、三臭化リン等が挙げられ、好ましくは塩化チオニル、塩化オキサリル、オキシ塩化リンである。
ハロゲン化剤の使用量としては、例えば、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物の使用量に対して、０．２倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲であり、好ましくは０．５倍モル当量〜２倍モル当量の範囲である。ハロゲン化剤は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００８５】
上記のエステル化反応に用いられる酸触媒としては、硫酸、塩酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられ、好ましくは硫酸、パラトルエンスルホン酸である。
酸触媒の使用量としては、例えば、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物の使用量に対して、０．０１倍モル当量〜１０倍モル当量の範囲であり、好ましくは０．２倍モル当量〜２倍モル当量の範囲である。酸触媒は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００８６】
上記のハロゲン化反応及びエステル化反応は、無溶媒で行ってもよく、また、不活性溶媒の存在下で行ってもよい。
不活性溶媒としては、本反応の進行を著しく阻害しないものであれば、特に制限されない。不活性溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンなどが挙げられる。これらの溶媒は、単独で又は２種以上を混合して使用することができる。
これらの中でも、不活性溶媒としては、トルエン及びキシレンから選ばれる少なくとも１種を、特に好適に使用することができる。
【００８７】
不活性溶媒の使用量としては、例えば、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物の使用量に対して、１質量倍〜１５質量倍の範囲であり、好ましくは１質量倍〜１０質量倍の範囲である。不活性溶媒は、上記の範囲内で適宜選択して使用すればよい。
【００８８】
上記のハロゲン化反応及びエステル化反応における反応温度は、例えば、−２０℃〜２００℃の範囲であり、好ましくは２０℃〜１２０℃の範囲であり、不活性溶媒を使用する場合は、その沸点以下とすればよい。反応時間は、例えば、数分間から９６時間の範囲内で、好ましくは３０分間から２４時間の範囲内で、適宜選択すればよい。
工程ｃに使用されるハロゲン化剤、酸触媒、不活性溶媒の種類とその使用量、ハロゲン化反応とエステル化反応の反応温度、反応時間等の上記で説明した反応条件は、互いに任意に組合せることができ、それぞれのまた全ての組み合わせは、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【００８９】
工程ｃにおいて、目的物である一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物は、反応終了後、精製して又は精製することなく、工程ｄに使用することができる。
【００９０】
次に、工程ｄについて説明する。
工程ｄは、工程ｃで得られた一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物と、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と、を塩基の存在下、反応させることにより、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る工程である。
工程ｄでは、一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体に代えて、或いは、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体と共に使用して、工程ａと同様に、塩基の存在下、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体と反応させて、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を得る。
【００９１】
工程ｄにおける反応条件（塩基の種類及び使用量、反応、不活性溶媒の種類及び使用量、反応温度、反応時間等）は、工程ａにおける反応条件と同様である。工程ａの反応条件と工程ｄの反応条件が異なってもよい。
【００９２】
工程ｄにおいて、一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体と共に使用する場合、一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物の使用量は、一般式（ＩＩＩ）で表されるカルボン酸誘導体及び一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物の合計使用量に対して、１質量％〜１００質量％であっても良いが、１質量％〜９０質量％であることが好ましい。
【００９３】
次に、工程ｅについて説明する。
工程ｅは、工程ｄで得られた一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物を加水分解することにより、工程ｂと同様に、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体を得る工程である。
【００９４】
工程ｅにおける反応条件（加水分解に使用する酸又は塩基の種類及び使用量、反応、不活性溶媒の種類及び使用量、反応温度、反応時間等）は、工程ｂにおける反応条件と同様である。工程ｂの反応条件と工程ｅの反応条件が異なってもよい。
【００９５】
工程ｅで得られた一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体は、工程ｂの場合と同様に、反応終了後、反応系から常法に従って単離すればよく、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、蒸留等の操作を行い、精製してもよい。
【００９６】
工程ｅでは、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物の加水分解により、一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体と共に、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物が得られる。
一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物は、工程ｂの場合と同様に、加水分解に酸を用いた場合には、反応終了後、ろ過により単離し、加水分解に塩基を用いた場合には、水相を酸析し、ろ過により単離すればよい。単離したカルボン酸化合物は、場合により、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の操作を行い、精製してもよい。
【００９７】
工程ｅで得られた一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物は、工程ｃにおける反応の原料として使用することができる。即ち、工程ｃから工程ｅまでの反応は、一般式（Ｖ）で表されるカルボン酸化合物を原料とし、得られた一般式（ＩＩＩａ）で表されるカルボン酸誘導体再生化合物を、工程ｄにおいて、一般式（ＩＩ）で表されるアニリン誘導体との反応原料とすることにより、繰り返し行うことができる。
【００９８】
繰り返しの回数は、特に制限されず、例えば、リサイクル反応の系内に蓄積する副生成物の種類や量、各反応工程の反応収率、得られる一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体の品質等を勘案して、１回から１０００回の間、好ましくは１回から５００回の間、で適宜決定すればよい。
工程ａから工程ｅのそれぞれの工程は、上記で説明した反応条件の範囲で互いに任意に組合せることができ、それぞれのまた全ての組み合わせは、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【００９９】
本発明の有効中間体である、一般式（ＩＶ）で表されるイミド体化合物の代表的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
なお、以下に示す例示化合物において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｈ」は水素原子を、「Ｆ」はフッ素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｉ」はヨウ素原子を、「ＣＦ３」はトリフルオロメチル基を、それぞれ示す。
【０１００】
【化１１】
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【０１０１】
【表１】
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【０１０２】
【表２】
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【０１０３】
【表３】
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【０１０４】
【化１２】
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【０１０５】
【表４】
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【０１０６】
【表５】
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【０１０７】
【表６】
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【０１０８】
【表７】
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【０１０９】
【化１３】
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【０１１０】
【表８】
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【０１１１】
【表９】
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【０１１２】
【表１０】
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【０１１３】
【化１４】
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【０１１４】
【表１１】
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【０１１５】
【表１２】
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【０１１６】
【表１３】
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【０１１７】
【化１５】
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【０１１８】
【表１４】
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【０１１９】
【表１５】
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【０１２０】
【表１６】
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【０１２１】
【化１６】
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【０１２２】
【表１７】
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【０１２３】
【表１８】
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【０１２４】
【表１９】
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【０１２５】
【表２０】
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【０１２６】
【表２１】
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【０１２７】
【化１７】
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【０１２８】
【表２２】
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【０１２９】
【表２３】
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【０１３０】
本発明の一般式（Ｉ）で表される芳香族アミド誘導体の代表的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの化合物に限定されるものではない。
なお、以下に示す例示化合物において、「Ｍｅ」はメチル基を、「Ｅｔ」はエチル基を、「Ｐｒ」はプロピル基を、「Ｈ」は水素原子を、「Ｆ」はフッ素原子を、「Ｃｌ」は塩素原子を、「Ｂｒ」は臭素原子を、「Ｉ」はヨウ素原子を、「ＣＦ３」はトリフルオロメチル基を、それぞれ示す。
【０１３１】
【化１８】
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【０１３２】
【表２４】
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【０１３３】
【表２５】
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【０１３４】
【表２６】
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【０１３５】
【化１９】
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【０１３６】
【表２７】
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【０１３７】
【表２８】
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【０１３８】
【表２９】
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【０１３９】
【表３０】
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【０１４０】
【化２０】
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【０１４１】
【表３１】
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【０１４２】
【表３２】
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【０１４３】
【表３３】
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【０１４４】
【化２１】
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【０１４５】
【表３４】
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【０１４６】
【表３５】
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【０１４７】
【表３６】
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【０１４８】
【化２２】
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【０１４９】
【表３７】
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【０１５０】
【表３８】
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【０１５１】
【表３９】
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【０１５２】
【化２３】
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【０１５３】
【表４０】
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【０１５４】
【表４１】
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【０１５５】
【表４２】
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【０１５６】
【表４３】
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【０１５７】
【表４４】
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【０１５８】
【化２４】
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【０１５９】
【表４５】
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【０１６０】
【表４６】
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【０１６１】
本発明の芳香族アミド誘導体の製造方法により得られる、一般式（ＩＶ）で示されるイミド体化合物は、有害生物防除作用に卓効を示すアミド誘導体の製造方法において、極めて有用な製造中間体である。
【実施例】
【０１６２】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例において、１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値は、テトラメチルシランから低磁場にｐｐｍで示され、「ｓ」は一重項を意味し、「ｄ」は二重項を意味し、「ｔ」は三重項を意味し、「ｍ」は多重項を意味し、かつ、「ｂｒｓ」は幅の広い一重項を意味する。
なお、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。【０１６３】
［参考例１］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２３）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリン１．００ｇ、トリエチルアミン０．８９ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．０３ｇ、及び２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライド１．５７ｇを、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン４．００ｇに加えて、室温で１時間撹拌した。得られた反応液を酢酸エチルで抽出して、飽和食塩水で洗浄した後、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。硫酸マグネシウムを濾別した後、溶液を濃縮して、シリカゲルクロマトグラフィーで精製することにより、目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１２３）２．２０ｇ（単離収率：９７％）を白色固体として得た。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１６４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６、７０℃）δｐｐｍ：８．４４（ｓ，１Ｈ），７．９９（ｓ，１Ｈ），７．６０−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．５１（ｂｒｓ，２Ｈ），７．３０−７．１８（ｍ，１２Ｈ），３．１２（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝９１８，９２０【０１６５】
［参考例２］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２３）の合成
反応溶媒を４．００ｇの１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンの代わりに、３．００ｇのトルエンに変更し、反応条件を、室温で１時間攪拌する代わりに、９０℃で４時間攪拌する、に変更した以外は、参考例１と同様に操作することにより、目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１２３）２．１６ｇ（単離収率：９５％）を白色固体として得た。【０１６６】
［参考例３］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２４）の合成
４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）アニリン３．７９ｇ、トリエチルアミン２．８０ｇ、Ｎ、Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．０６ｇ、及び２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライド５．３ｇを、トルエン７．６ｇに加えて、９０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を室温に冷却後、水を加えて析出した結晶を濾過し、トルエン及び水で順次洗浄することにより、目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１２４）５．８７ｇ（単離収率：７３％）を淡黄色固体として得た。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１６７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．５３（ｓ，１Ｈ），７．９７（ｓ，１Ｈ），７．５４−７．５１（ｍ，４Ｈ），７．３０−７．１３（ｍ，１２Ｈ），３．１４（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝９６６【０１６８】
［参考例４］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２７）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ブロモ−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１２７）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１６９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．４４（ｓ，１Ｈ），７．９７（ｓ，１Ｈ），７．６４−７．６２（ｍ，２Ｈ），７．５０（ｂｒｓ，２Ｈ），７．２８−７．２４（ｍ，６Ｈ），７．００−６．９６（ｍ，４Ｈ），３．１５（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝９５４，９５６【０１７０】
［参考例５］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２８）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１２８）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１７１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．５３（ｓ，１Ｈ），７．９５（ｓ，１Ｈ），７．５９−７．５７（ｍ，２Ｈ），７．４８（ｂｒｓ，２Ｈ），７．２８−７．２２（ｍ，６Ｈ），７．０１−６．９７（ｍ，４Ｈ），３．１６（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝１００２【０１７２】
［参考例６］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［２，６−ジフルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［２，６−ジフルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１３５）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ブロモ−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［２，６−ジフルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１３５）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１７３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．４６（ｓ，１Ｈ），８．０１（ｓ，１Ｈ），７．３３−７．３０（ｍ，４Ｈ），７．２５−７．１１（ｍ，５Ｈ），６．８６（ｂｒｓ，３Ｈ），３．１７（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝９９０，９９２【０１７４】
［参考例７］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−５７７）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ブロモ−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−５７７）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１７５】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．４１（ｓ，１Ｈ），８．０３−８．０１（ｍ，４Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ），７．７２−７．７０（ｍ，６Ｈ），７．３０−７．２４（ｍ，２Ｈ），３．２０（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｎａ）＋＝１０３０，１０３２【０１７６】
［参考例８］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−５７８）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［４−ニトロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−５７８）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１７７】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．４９（ｓ，１Ｈ），８．０３−８．０２（ｍ，４Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ），７．７０−７．６７（ｍ，２Ｈ），７．４９−７．４８（ｍ，４Ｈ），７．２５−７．２４（ｍ，２Ｈ），３．２１（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｎａ）＋＝１０７８【０１７８】
［参考例９］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２，４−ビス（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−２４６）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを２，４−ビス（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−２４６）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１７９】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．４８（ｓ，１Ｈ），８．０７（ｓ，１Ｈ），７．５７−７．５４（ｍ，２Ｈ），７．３４（ｂｒｓ，２Ｈ），７．２８−７．１８（ｍ，１４Ｈ），３．０７（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝１００８【０１８０】
［参考例１０］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−ブロモ−２−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−２４０）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを２−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−４−ブロモ−６−（トリフルオロメチル）アニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−２４０）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１８１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：８．５２（ｓ，１Ｈ），８．０９（ｓ，１Ｈ），７．５１−７．４８（ｍ，２Ｈ），７．２８−７．２６（ｍ，２Ｈ），７．２１−７．１９（ｍ，１２Ｈ），３．０８（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｈ）＋＝９１８，９２０【０１８２】
［参考例１１］
Ｎ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２，６−ジブロモ−４−（ノナフルオロ−ｓｅｃ−ブチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１６８）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリンを４−（ノナフルオロ−ｓｅｃ−ブチル）−２，６−ジブロモアニリンに変更し、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドを２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイルクロライドに変更した以外は、参考例１と同様の合成法にて目的とするイミド体化合物（化合物番号：１−１６８）を合成した。
得られたイミド体化合物の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１８３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δｐｐｍ：７．９５（ｓ，２Ｈ），７．６１−７．５８（ｍ，２Ｈ），７．５０（ｂｒｓ，２Ｈ），７．２９−７．２６（ｍ，２Ｈ），７．２２−７．１６（ｍ，１０Ｈ），３．２１（ｓ，６Ｈ）
ＭＳ（Ｍ＋Ｎａ）＋＝１０００，１００２【０１８４】
［実施例１］
２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）の合成
参考例１にて得られたＮ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２３）５．０ｇ、及びＮ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．０７ｇを、トルエン２８．３ｇに加え、８０℃にて１０分撹拌した。得られた反応液に、炭酸ナトリウム６％水溶液１０ｇを加え、８０℃にて５時間撹拌した。得られた反応液をＨＰＬＣで分析したところ、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−１２３）が収率９８．８％で得られたことが確認された。【０１８５】
［実施例２］
２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）の合成
実施例１において、「得られた反応液に、炭酸ナトリウム６％水溶液１０ｇを加え、８０℃にて５時間撹拌した」操作を、「得られた反応液に、水酸化ナトリウム２％水溶液１０ｇを加え、８０℃にて５時間撹拌した」操作に変更した以外は、実施例１と同様の操作を行った。
得られた反応液をＨＰＬＣで分析したところ、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−１２３）が収率９９．７％で得られたことが確認された。【０１８６】
［実施例３］
２−フルオロ−３−（４−フルオロ−Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ヨード−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２８）の合成
参考例５にて得られたＮ−［２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２８）４５ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．２８ｇ、及び炭酸カリウム１０％水溶液７４ｇを、トルエン９０．０ｇに加え、８０℃にて８時間撹拌した。得られた反応液を５０℃まで冷却した後、分液を行った。得られた有機相に１％塩酸１６．３ｇ及び塩化ナトリウム３．２ｇを加え、５０℃にて分液を行った。得られた有機相について、減圧下、溶媒を一部留去（トルエン３７ｇ）した後、氷浴条件下、晶析を行った。得られた固体をトルエン１１ｇで洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−１２８）を単離収率９４％で得た。【０１８７】
［参考例１２］
２−フルオロ−３−（４−フルオロ−Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ヨード−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２８）の合成
２−フルオロ−３−（４−フルオロ−Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッド３５．０ｇ及びジメチルホルムアミド０．４４ｇをトルエン１０５ｇに加え、８０℃まで昇温し、次いで、塩化チオニル１７．３２ｇを３０分かけて滴下した後、１時間撹拌した。得られた反応液を５０℃まで冷却した後、減圧下、溶媒を一部留去し、２−フルオロ-３−（４−フルオロ−Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液５３．９８ｇを調製した。
２−ヨード−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリン２３．７ｇ、及びＮ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．３２ｇを、トルエン４７．４ｇに加えた後、２０℃にて、上記で調製した２−フルオロ-３−（４−フルオロ−Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液を更に加え、撹拌した。得られた反応液を８０℃まで昇温し、次いで、トリエチルアミン１６．０ｇを３０分かけて滴下した後、９５℃にて３時間撹拌した。得られた反応液を４０℃まで冷却し、次いで、水７９．８６ｇを加えた後、３０℃にて３０分撹拌した。得られた反応液を０℃まで冷却した後、１時間撹拌した。析出した固体を濾過し、トルエン２０．０ｇ及び水３９．９ｇで順次洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、Ｎ−［２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２８）４８．４ｇを得た。【０１８８】
［実施例４］
上記参考例１２にて得られたＮ−［２−フルオロ−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［４−フルオロベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−２−ヨード−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−１２８）４５ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン０．２８ｇ、及び炭酸カリウム１０％水溶液７４ｇを、トルエン９０．０ｇに加え、８０℃にて８時間撹拌した。得られた反応液を５０℃まで冷却した後、分液を行った。得られた有機相に１％塩酸１６．３ｇ及び塩化ナトリウム３．２ｇを加え、５０℃にて分液を行った。得られた有機相について、減圧下、溶媒を一部留去（トルエン３７ｇ）した後、氷浴条件下、晶析を行った。得られた固体をトルエン１１ｇで洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−１２８）３０．２ｇをトータル収率８６％で得た。【０１８９】
［実施例５］
２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）の合成
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリン４０．０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン１．１７ｇ、及びトリエチルアミン２９．０ｇを、トルエン４０．０ｇに加えた後、９５℃まで昇温した。得られた反応液に、２−フルオロ-３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイル クロライドの３３．５％トルエン溶液を３０分かけて滴下した後、９５℃にて４時間撹拌した。得られた反応液に、１０％炭酸ナトリウム水溶液を１００ｇ加えた後、８５℃にて３時間撹拌した。得られた反応液について、８５℃にて熱時分液を行った後、得られた有機相に１０％炭酸ナトリウム水溶液４０ｇを加え、８０℃にて１時間撹拌した。得られた反応液について、再度、８０℃にて熱時分液した後、得られた有機相に水４０ｇを加え、８０℃にて分液した。得られた有機相を室温まで冷却した後、氷浴下で４時間撹拌した。析出した固体を濾過した後、６０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−１２３）５８．１２ｇをＨＰＬＣ収率９３％で得た。【０１９０】
［実施例６］
Ｎ−（２，４−ビス（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）−２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンズアミド（化合物番号：２−２４６）の合成
参考例９にて得られたＮ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［２，４−ビス（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−２４６）を用い、実施例２に記載の手法を用いて、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−２４６）を得た。
得られた芳香族アミド誘導体の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１９１】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δ：１０．４５（１Ｈ，ｓ），８．３３（１Ｈ，ｓ），７．９９（１Ｈ，ｓ），７．６０（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．４８−７．４７（１Ｈ，ｍ），７．３１−７．２３（６Ｈ，ｍ），３．３４（３Ｈ，ｓ）【０１９２】
［実施例７］
Ｎ−（４−ブロモ−２−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）−２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンズアミド（化合物番号：２−２４０）の合成
参考例１０にて得られたＮ−［２−フルオロ−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］ベンゾイル］−３−［ベンゾイル（メチル）アミノ］−Ｎ−［４−ブロモ−２−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル］−２−フルオロベンズアミド（化合物番号：１−２４０）を用い、実施例２に記載の手法を用いて、目的とする芳香族アミド誘導体（化合物番号：２−２４０）を得た。
得られた芳香族アミド誘導体の１Ｈ−ＮＭＲの化学シフト値を以下に示す。【０１９３】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ６，７０℃）δ：１０．１２（１Ｈ，ｓ），８．３６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝２．１Ｈｚ），８．００（１Ｈ，ｓ），７．５５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．４４（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．４Ｈｚ），７．３２−７．２３（３Ｈ，ｍ），３．３４（３Ｈ，ｓ）【０１９４】
［実施例８］
２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）の合成
２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッド５２９．５ｇ及びジメチルホルムアミド２７．５ｇをトルエン７７２ｇに加え、４０℃まで昇温した。次いで、減圧条件下にて塩化チオニル２３７．０ｇおよびトルエン２３７．０ｇの混合溶液を２時間かけて加えた後、トルエン５０ｇを更に加え、４時間撹拌した。解圧後、２５℃まで冷却、２−フルオロ-３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液１６７８．５ｇを調製した。
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリン３２７．０ｇ、及びＮ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン９．５ｇ、トリエチルアミン２３３．５ｇを、トルエン１６３．５ｇに加えた後、９５℃にて、上記で調製した２−フルオロ-３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液１６４１．５ｇを加えた後、トルエン１６３．５ｇを更に加え、５時間撹拌しイミド化を実施した。その後、反応溶液を８５℃まで冷却し、１０％炭酸ナトリウム水溶液８１７．５ｇを加え、４時間撹拌し加水分解を実施した。その後、８５℃で熱時分液を実施し、有機相Ａおよび水相Ａを得た。得られた有機相Ａに１０％炭酸ナトリウム水溶液３２８．０ｇを更に加え、８０℃にて１時間撹拌した後、分液を実施、有機相Ｂおよび水相Ｂを得た。得られた有機相Ｂに水３３０ｇを加え、８０℃にて３０分撹拌した後、分液を実施、有機相Ｃを得た。
得られた有機相Ｃの反応液を１２時間かけて０℃まで冷却し、析出した固体を濾過した後、トルエン３２７．５ｇで洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）３８９．０ｇを純度９９．３ｗｔ％、収率７５．９％、で得た。
上記により得られた水相Ａおよび水相Ｂの混合液  （２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッド  ナトリウム塩水溶液１６．８％）１７０７．５ｇを１０％塩酸７６６．５ｇに７０℃で１時間かけ加えた後、１時間撹拌した。その後、３０℃まで冷却し、１時間撹拌した。析出した固体（２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッド）を濾過し、得られた固体を水８６０ｇで洗浄、６０℃にて減圧乾燥することにより、回収２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッドを２９３．５ｇ、純度９５．６ｗｔ％、収率９８．０％で得た。
上記により得られた回収２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイックアシッド２００ｇ及びジメチルホルムアミド１０．２ｇをトルエン３００ｇに加え、４０℃まで昇温した。次いで、減圧条件下にて塩化チオニル１０１．９ｇおよびトルエン１００ｇの混合溶液を加え、その後３時間撹拌した。解圧後、２０℃まで冷却し、回収２−フルオロ-３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液６０８．２ｇを調製した。
２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロパン−２−イル）−６−（トリフルオロメチル）アニリン４０．０ｇ、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン１．１５ｇ、及びトリエチルアミン２８．６ｇを、トルエン２０．０ｇに加えた後、８５℃にて、上記で調製した回収２−フルオロ-３−（Ｎ−メチルベンズアミド）ベンゾイルクロライドのトルエン溶液１９６．１ｇを加えた後、更にトルエン２０．０ｇを加え、４時間撹拌しイミド化を実施した。
次いで、１０％炭酸ナトリウム水溶液９９．８ｇを加えた後、３時間撹拌し加水分解を実施した。その後、８０℃にて熱時分液を行い、有機相Ａ’および水相Ａ’を得た。得られた有機相Ａ’に１０％炭酸ナトリウム水溶液３９．９ｇを更に加え、１時間撹拌し加水分解を実施した。その後、分液を実施、有機相Ｂ’および水相Ｂ’を得た。得られた有機相Ｂ’に水４０ｇを加え、８０℃にて３０分撹拌した後、分液を実施、有機相Ｃ’を得た。得られた有機相Ｃ’を０℃まで１２時間かけて冷却し、析出した固体をろ過し、トルエン４０．０ｇで洗浄し、６０℃にて減圧乾燥することにより、２−フルオロ−３−（Ｎ−メチルベンズアミド）−Ｎ−（２−ブロモ−４−（ヘプタフルオロイソプロピル）−６−（トリフルオロメチル）フェニル）ベンズアミド（化合物番号：２−１２３）５５．８ｇを純度９９．０ｗｔ％、収率８９．７％、で得た。【０１９５】
上記にて示したとおり、本発明の芳香族アミド誘導体の製造方法によれば、目的とする芳香族アミド誘導体を高い収率で得ることができた。【０１９６】
２０１５年１２月１８日に出願された日本国特許出願２０１５−２４７７７４の開示はその全体が参照により本明細書に取り込まれる。
本明細書に記載された全ての文献、特許出願、および技術規格は、個々の文献、特許出願、および技術規格が参照により取り込まれることが具体的かつ個々に記された場合と同程度に、本明細書中に参照により取り込まれる。
本明細書に記載された態様のそれぞれのまた全ての組み合わせは、その態様のそれぞれのまたは全ての組み合わせが個々にそして明白に記載されているものとして、本明細書に開示されているものとする。
【国際調査報告】
2017104838.tif 000080
2017104838.tif 000081
2017104838.tif 000082
2017104838.tif 000083