(57)【要約】  発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性に優れた有機ＥＬ素子を提供する。当該有機ＥＬ素子は陽極と陰極に挟まれた有機層を備え、有機層のうち少なくとも１層が一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する。    【化１】2017104325.tif 000057（Ｒはアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基又はメルカプト基、Ａｒは芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基、Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は２座の配位子、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち２つは一般式（２）〜（４）のいずれかを表す。）    【化２】2017104325.tif 000058（Ｙ１〜Ｙ４はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ’、Ｙ５又はＹ６はＣＲ’’又はＮ、Ｚ１〜Ｚ８はＣ−Ｒｘ又はＮを表す。）
2017104325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１対の陽極と陰極により挟まれた有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層を含む少なくとも１層からなり、前記有機層のうち少なくとも１層が下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2017104325.tif 000051
（一般式（１）中、Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及びメルカプト基から選ばれるいずれかの基を表す。Ａｒは、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基及びアリールチオホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。
Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は、２座の配位子を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｘ１及びＸ２とともに２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍは、１〜３の整数を表し、ｎは、０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。
ただし、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つは縮環して下記一般式（２）〜（４）のいずれかの構造を表す。）
【化２】
2017104325.tif 000052
（一般式（２）〜（４）中、Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ’を表し、Ｙ５又はＹ６は、ＣＲ’’又はＮを表す。Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基を表し、Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、アリールシリル基及びアリールホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。Ｚ１〜Ｚ８は、各々独立に、Ｃ−Ｒｘ又はＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲｘは、各々独立に、前記一般式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同等の基を表す。＊は、前記一般式（１）で表される構造との結合位置を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）で表される構造が、下記一般式（５）〜（１０）のいずれかで表される構造であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化３】
2017104325.tif 000053
【化４】
2017104325.tif 000054
（一般式（５）〜（１０）中、Ｒ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎは、前記一般式（１）及び（２）中のＲ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎと同義である。）
【請求項３】
前記一般式（１）において、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つが縮環して前記一般式（３）又は（４）の構造を表すことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記一般式（１）において、Ｒが、アルキル基又はシアノ基を表すことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記一般式（１）において、Ａｒが、２位に置換基を有する芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表すことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記一般式（１）において、ｎが、０を表すことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
前記発光層が、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記発光層が、前記一般式（１）の化合物と、ＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以下である化合物との少なくとも２種を含有することを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機層のうち前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する層を、ウェットプロセスで形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。
【請求項１２】
下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
【化５】
2017104325.tif 000055
（一般式（１）中、Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及びメルカプト基から選ばれるいずれかの基を表す。Ａｒは、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基及びアリールチオホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。
Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は、２座の配位子を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｘ１及びＸ２とともに２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍは、１〜３の整数を表し、ｎは、０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。
ただし、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つは縮環して下記一般式（２）〜（４）のいずれかの構造を表す。）
【化６】
2017104325.tif 000056
（一般式（２）〜（４）中、Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ’を表し、Ｙ５又はＹ６は、ＣＲ’’又はＮを表す。Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基を表し、Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、アリールシリル基及びアリールホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。Ｚ１〜Ｚ８は、各々独立に、Ｃ−Ｒｘ又はＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲｘは、各々独立に、前記一般式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同等の基を表す。＊は、前記一般式（１）で表される構造との結合位置を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置、照明装置及び有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関する。特に、本発明は、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、当該素子の製造方法、当該素子を備えた表示装置及び照明装置、並びに、当該素子に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」ともいう。）は、陽極と陰極の間を、有機発光物質が含有された有機薄膜層（単層部又は多層部）で構成する薄膜型の全固体素子である。【０００３】
有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機薄膜層に陰極から電子が、陽極から正孔が注入され、これらが発光層（有機発光物質含有層）において再結合して励起子が生じる。有機ＥＬ素子はこれら励起子からの光の放出（蛍光・リン光）を利用した発光素子であり、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。【０００４】
更に、蛍光発光を利用する有機ＥＬ素子に比べ、原理的に約４倍の発光効率が実現可能である励起三重項からのリン光発光を利用する有機ＥＬ素子がプリンストン大学から報告されて以来、室温でリン光を示す材料の開発を始めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。【０００５】
このように、リン光発光方式は大変ポテンシャルの高い方式であるが、リン光発光を利用する有機ＥＬデバイスにおいては、蛍光発光を利用するそれとは大きく異なり、発光中心の位置をコントロールする方法、とりわけ発光層の内部で再結合を行い、いかに発光を安定に行わせることができるかが、有機ＥＬ素子の発光効率や寿命を向上させる上で重要となっている。【０００６】
そこで、発光層に隣接する形で、発光層の陽極側に位置する正孔輸送層や、発光層の陰極側に位置する電子輸送層等を備えた多層積層型の素子や、発光層にリン光発光性ドーパントとホスト化合物とを含有する混合層を用いる素子が開発されている。【０００７】
材料の観点からは、室温でリン光を示す材料としてイリジウム錯体系等重金属錯体が検討されている。例えば、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体が広く知られているが、発光寿命を始めとして十分な素子性能が得られていない。トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体以外としては、フェニルイミダゾール配位子やカルベン配位子を有するイリジウム錯体が知られている。これらの配位子では発光材料の発光波長が短波化して青色を達成し、更には発光効率や発光寿命にも大幅な改善が見られてきた。
しかしながら近年は、色温度の高い照明光源や、色域の広いディスプレイが求められており、ＣＩＥ座標を用いて測定したｙ値をより小さくすることが求められている。これらを達成するためには、その発光極大波長をより短波長にすることや発光の長波成分を少なくすることが考えられる。これまで発光極大波長の短波化については、置換基の変更等種々検討されてきたが、ある程度の短波長化を達成できる一方、素子の発光効率や発光寿命は大幅に劣化するため、そのトレードオフの改善が求められていた。【０００８】
青色発光を示す配位子として、フェニルトリアゾールが知られている（例えば、特許文献１参照。）。これらの化合物により、発光極大波長の短波化が達成できるが、その発光寿命や発光効率は十分な値ではなかった。
一方で、金属原子に炭素原子で結合した環が縮環構造を持つトリアゾール配位子を有する金属錯体が知られている（例えば、特許文献２、３参照。）。また、金属原子に配位結合した環が配位原子の隣接位にアルキル基を持つトリアゾール配位子を有する金属錯体が知られている（例えば、特許文献４参照。）。これらの化合物により発光寿命の向上はある程度達成できているものの、更なる改善の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２００４／１０１７０７号
【特許文献２】特許第５６４４０５０号公報
【特許文献３】特許第５０９９０１３号公報
【特許文献４】特開２０１３-０４０１５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、当該素子の製造方法、当該素子を備えた表示装置及び照明装置、並びに、当該素子に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール誘導体を配位子として有する金属錯体が、金属原子に炭素原子で結合した環がヘテロ原子を含む縮環構造を有し、更に金属原子に配位結合した環が配位原子の隣接位に特定の置換基を有することで、発光極大波長よりも長波な発光を抑えることができ、短波な発光極大波長をある程度保ちながら、発光効率・発光寿命を向上させることができることを見いだした。つまり、本発明により、長波の発光を抑えてＣＩＥ座標を用いて測定したｙ値を小さくすることで、発光極大波長の短波長化と、素子の発光効率・発光寿命とのトレードオフを起こさない有機ＥＬ素子の提供が可能となる。【００１２】
すなわち、本発明者らは、有機層が下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することで、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、なおかつ発光効率が高く、駆動電圧が低く、長寿命であり、駆動時の電圧上昇が小さく、更に経時安定性にも優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できることを見いだした。
本発明に係る課題は、以下の手段により解決される。【００１３】
１．少なくとも１対の陽極と陰極により挟まれた有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記有機層が発光層を含む少なくとも１層からなり、前記有機層のうち少なくとも１層が下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１４】
【化１】
2017104325.tif 000003
【００１５】
（一般式（１）中、Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及びメルカプト基から選ばれるいずれかの基を表す。Ａｒは、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基及びアリールチオホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。
Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は、２座の配位子を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｘ１及びＸ２とともに２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍは、１〜３の整数を表し、ｎは、０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。
ただし、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つは縮環して下記一般式（２）〜（４）のいずれかの構造を表す。）【００１６】
【化２】
2017104325.tif 000004
【００１７】
（一般式（２）〜（４）中、Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ’を表し、Ｙ５又はＹ６は、ＣＲ’’又はＮを表す。Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基を表し、Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、アリールシリル基及びアリールホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。Ｚ１〜Ｚ８は、各々独立に、Ｃ−Ｒｘ又はＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲｘは、各々独立に、前記一般式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同等の基を表す。＊は、前記一般式（１）で表される構造との結合位置を表す。）【００１８】
２．前記一般式（１）で表される構造が、下記一般式（５）〜（１０）のいずれかで表される構造であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１９】
【化３】
2017104325.tif 000005
【００２０】
【化４】
2017104325.tif 000006
【００２１】
（一般式（５）〜（１０）中、Ｒ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎは、前記一般式（１）及び（２）中のＲ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎと同義である。）【００２２】
３．前記一般式（１）において、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つが縮環して前記一般式（３）又は（４）の構造を表すことを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２３】
４．前記一般式（１）において、Ｒが、アルキル基又はシアノ基を表すことを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２４】
５．前記一般式（１）において、Ａｒが、２位に置換基を有する芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表すことを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２５】
６．前記一般式（１）において、ｎが、０を表すことを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２６】
７．前記発光層が、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２７】
８．前記発光層が、前記一般式（１）の化合物と、ＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以下である化合物との少なくとも２種を含有することを特徴とする第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００２８】
９．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、
前記有機層のうち前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する層を、ウェットプロセスで形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。【００２９】
１０．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする表示装置。【００３０】
１１．第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする照明装置。【００３１】
１２．下記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子材料。【００３２】
【化５】
2017104325.tif 000007
【００３３】
（一般式（１）中、Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及びメルカプト基から選ばれるいずれかの基を表す。Ａｒは、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、シクロアルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、スルファモイル基、ウレイド基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルバモイル基、スルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アミノ基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルシリル基、アリールシリル基、アルキルホスフィノ基、アリールホスフィノ基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基、アルキルチオホスホリル基及びアリールチオホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。
Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は、２座の配位子を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｘ１及びＸ２とともに２座の配位子を形成する原子群を表す。ｍは、１〜３の整数を表し、ｎは、０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。
ただし、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つは縮環して下記一般式（２）〜（４）のいずれかの構造を表す。）【００３４】
【化６】
2017104325.tif 000008
【００３５】
（一般式（２）〜（４）中、Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ’を表し、Ｙ５又はＹ６は、ＣＲ’’又はＮを表す。Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基を表し、Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、アリールシリル基及びアリールホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。Ｚ１〜Ｚ８は、各々独立に、Ｃ−Ｒｘ又はＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。複数のＲｘは、各々独立に、前記一般式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同等の基を表す。＊は、前記一般式（１）で表される構造との結合位置を表す。）
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、及び当該素子に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することができる。また、当該素子のウェットプロセスによる生産適性を向上させることができる。また、当該素子を備えた照明装置及び表示装置を提供することができる。【００３７】
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
一般式（１）で表される構造を有する化合物は、金属原子に炭素原子で結合した環が縮環構造を持ち、金属原子に配位結合した環が配位原子の隣接位に特定の置換基を持つ１Ｈ−１，２，４−トリアゾール誘導体を配位子として有する金属錯体である。本発明者らは鋭意検討の結果、金属原子に炭素原子で結合した環が、ヘテロ原子を含む縮環構造を持つことで、発光極大波長よりも長波な成分の発光を抑える効果が見られることを見いだした。
これは、金属原子に炭素原子で結合した環が縮環することで、励起状態での環構造の歪みが抑制され、更に縮環構造にヘテロ原子を含むことでより剛直な構造となるため、長波な成分の発光が抑えられたものと推測している。しかしながら、縮環構造を持つことでπ平面が広がり凝集しやすくなるため、その発光はブロード化してしまい、その効果を十分に発揮することができない。そこで本発明者らは、更に金属原子に配位結合した環が、配位原子の隣接位に特定の置換基（本発明の一般式（１）におけるＲ）を持つことで、凝集が抑えられ、更には配位子の振動も抑制されることで、発光極大波長よりも長波な成分の発光を抑える効果が更に顕著に表れることを見いだした。【００３８】
また、一般式（１）で表される構造を有する化合物は、発光極大波長よりも長波な成分の発光を抑える効果が見られるだけでなく、発光効率が高く、低駆動電圧、長寿命であり、かつ駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定に優れた有機ＥＬ素子を提供することができる。これは、一般式（１）で表される構造を有する化合物は、金属原子に炭素原子で結合した環がヘテロ原子を含む縮環構造を持つことにより剛直な構造を持つため、励起状態となった場合にも歪みを生じづらく、更には特定の位置に置換基を持つことで結晶性も抑えられることで、化合物自体の安定性も増し、更に経時での結晶化や分解も起こりづらくなるためと考えられる。これにより、長寿命であり、かつ駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定に優れた有機ＥＬ素子を提供することが可能となっている。また、一般式（１）で表される構造を有する化合物は、金属原子に炭素原子で結合した環がヘテロ原子を含むため、芳香族縮合環やフルオレン等とは異なり、電荷輸送性が向上するため、発光効率が高く、低駆動電圧の達成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図
【図２】図１における表示部Ａの模式図
【図３】画素の回路を示した概略図
【図４】図２の表示部Ａに係るパッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図
【図５】照明装置の概略図
【図６】照明装置の断面図
【図７Ａ】有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図
【図７Ｂ】有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図
【図７Ｃ】有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図
【図７Ｄ】有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図
【図７Ｅ】有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図
【発明を実施するための形態】
【００４０】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも１対の陽極と陰極により挟まれた有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層を含む少なくとも１層からなり、前記有機層のうち少なくとも１層が前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする。この特徴は、各請求項に共通する又は対応する技術的特徴である。
本発明においては、前記一般式（１）で表される構造が、前記一般式（５）〜（１０）のいずれかで表される構造であることが好ましい。
また、本発明においては、前記一般式（１）において、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つが縮環して前記一般式（３）又は（４）の構造を表すことが好ましい。
また、本発明においては、前記一般式（１）において、Ｒが、アルキル基又はシアノ基を表すことが好ましい。これにより、Ｒが適度な大きさを有することで、配位子の振動の抑制効果が向上し、発光極大波長よりも長波な成分の発光をより効果的に抑えることができる。
また、本発明においては、前記一般式（１）において、Ａｒが、２位に置換基を有する芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表すことが好ましい。これにより、金属原子に配位結合した環との共役系の広がりを切断することができ、発光波長の長波化を抑えることができる。
また、本発明においては、前記一般式（１）において、ｎが、０を表すことが好ましい。これにより、同一の配位子からの発光が得られるため発光の波形がシャープになり、発光極大波長よりも長波な成分の発光をより効果的に抑えることができる。
また、本発明においては、前記発光層が、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することが好ましい。
また、本発明においては、前記発光層が、前記一般式（１）の化合物と、ＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以下である化合物との少なくとも２種を含有することが好ましい。本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物は、従来の４Ｈ−１，２，４−トリアゾール誘導体を配位子に持つ金属錯体等と比べて、ＨＯＭＯ準位が深いため、ＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以下の深い化合物とともに用いることで、電荷の移動がスムーズとなり、発光効率や駆動電圧の更なる改善につながる。
【００４１】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機層のうち前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有する層を、ウェットプロセスで形成することを特徴とする。これにより、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することができる。
【００４２】
また、本発明の表示装置及び照明装置は、上記有機エレクトロルミネッセンス素子を備えることを特徴とする。
【００４３】
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料は、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする。当該有機エレクトロルミネッセンス素子材料を用いることで、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができる。
【００４４】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。
【００４５】
《有機エレクトロルミネッセンス素子の概要》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、少なくとも１対の陽極と陰極により挟まれた有機層を備える有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層が発光層を含む少なくとも１層からなり、前記有機層のうち少なくとも１層が一般式（１）で表される構造を有する化合物を含有することを特徴とする。一般式（１）については後述する。
【００４６】
本発明の有機ＥＬ素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
【００４７】
本発明に係る発光層は、単層又は複数層で構成されており、複数層で構成される場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けても良い。
【００４８】
必要に応じて、発光層と陰極との間に、正孔阻止層（正孔障壁層ともいう。）や電子注入層（陰極バッファー層ともいう。）を設けても良く、発光層と陽極との間に、電子阻止層（電子障壁層ともいう。）や正孔注入層（陽極バッファー層ともいう。）を設けても良い。
【００４９】
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、複数層で構成されていても良い。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は、複数層で構成されていても良い。
【００５０】
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」とする。
【００５１】
（タンデム構造）
また、本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも１層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であっても良い。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
【００５２】
陽極／第１発光ユニット／第２発光ユニット／第３発光ユニット／陰極
陽極／第１発光ユニット／中間層／第２発光ユニット／中間層／第３発光ユニット／陰極
【００５３】
ここで、上記第１発光ユニット、第２発光ユニット及び第３発光ユニットは全て同じであっても、異なっていても良い。また、二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていても良い。
【００５４】
また、第３発光ユニットは設けられていなくても良く、一方で第３発光ユニットと陰極との間に更に発光ユニットや中間層が設けられていても良い。
【００５５】
上記構成例のように、複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていても良い。
中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層又は中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料及び構成を用いることができる。
【００５６】
中間層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯｘ、ＶＯｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ２、ＣｕＧａＯ２、ＳｒＣｕ２Ｏ２、ＬａＢ６、ＲｕＯ２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３等の２層膜や、ＳｎＯ２／Ａｇ／ＳｎＯ２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３／Ａｕ／Ｂｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２／ＴｉＮ／ＴｉＯ２、ＴｉＯ２／ＺｒＮ／ＴｉＯ２等の多層膜、またＣ６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００５７】
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば上記の代表的な素子構成で挙げた（１）〜（７）の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００５８】
タンデム型有機ＥＬ素子の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号明細書、米国特許第７４２０２０３号明細書、米国特許第７４７３９２３号明細書、米国特許第６８７２４７２号明細書、米国特許第６１０７７３４号明細書、米国特許第６３３７４９２号明細書、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６−２２８７１２号公報、特開２００６−２４７９１号公報、特開２００６−４９３９３号公報、特開２００６−４９３９４号公報、特開２００６−４９３９６号公報、特開２０１１−９６６７９号公報、特開２００５−３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号公報、特許第３４９６６８１号公報、特許第３８８４５６４号公報、特許第４２１３１６９号公報、特開２０１０−１９２７１９号公報、特開２００９−０７６９２９号公報、特開２００８−０７８４１４号公報、特開２００７−０５９８４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００３−０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００５９】
本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
【００６０】
《発光層》
本発明に係る発光層は、陰極若しくは電子輸送層又は陽極若しくは正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して生成した励起子が失活する際発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であっても良い。
【００６１】
発光層の層厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整され、更に好ましくは２〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは５〜１００ｎｍの範囲に調整される。
【００６２】
発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいい、例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法））等を挙げることができる。）等により成膜して形成することができる。好ましくは発光層が、ウェットプロセスを経て形成された層である。ウェットプロセスにより層を形成することにより、真空蒸着法に比べて熱による発光層のダメージを軽減することができる。
【００６３】
本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ドーパントと、ホスト化合物とを含有し、少なくとも１つの発光ドーパントは、前述の一般式（１）で表される構造を有するリン光発光性有機金属錯体であり、好ましくは、一般式（５）から（１０）までのいずれかで表される構造を有するリン光発光性有機金属錯体である。
【００６４】
また、本発明に係る発光層には、以下の特許公報に記載されている化合物等を併用しても良い。
例えば、国際公開第００／７０６５５号、特開２００２−２８０１７８号公報、特開２００１−１８１６１６号公報、特開２００２−２８０１７９号公報、特開２００１−１８１６１７号公報、特開２００２−２８０１８０号公報、特開２００１−２４７８５９号公報、特開２００２−２９９０６０号公報、特開２００１−３１３１７８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００１−３４５１８３号公報、特開２００２−３２４６７９号公報、国際公開第０２／１５６４５号、特開２００２−３３２２９１号公報、特開２００２−５０４８４号公報、特開２００２−３３２２９２号公報、特開２００２−８３６８４号公報、特表２００２−５４０５７２号公報、特開２００２−１１７９７８号公報、特開２００２−３３８５８８号公報、特開２００２−１７０６８４号公報、特開２００２−３５２９６０号公報、国際公開第０１／９３６４２号、特開２００２−５０４８３号公報、特開２００２−１００４７６号公報、特開２００２−１７３６７４号公報、特開２００２−３５９０８２号公報、特開２００２−１７５８８４号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００２−１８４５８２号公報、特開２００３−７４６９号公報、特表２００２−５２５８０８号公報、特開２００３−７４７１号公報、特表２００２−５２５８３３号公報、特開２００３−３１３６６号公報、特開２００２−２２６４９５号公報、特開２００２−２３４８９４号公報、特開２００２−２３５０７６号公報、特開２００２−２４１７５１号公報、特開２００１−３１９７７９号公報、特開２００１−３１９７８０号公報、特開２００２−６２８２４号公報、特開２００２−１００４７４号公報、特開２００２−２０３６７９号公報、特開２００２−３４３５７２号公報、特開２００２−２０３６７８号公報等である。
【００６５】
次に、有機層に含有される化合物を説明するとともに、各層について説明する。
【００６６】
（１）発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう。）、リン光ドーパント（リン光発光ドーパント、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう。）を用いることができる。
【００６７】
（１．１）リン光ドーパント
本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【００６８】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されれば良い。
【００６９】
リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、１つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう１つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００７０】
本発明の実施形態におけるリン光ドーパントとしては、以下に説明する、一般式（１）で表される構造を有するリン光発光性有機金属錯体が用いられることが好ましい。
一般式（１）で表される構造を有するリン光発光性有機金属錯体をリン光ドーパントとして用いることにより、短波な波長を保ちながら長波発光成分を抑えることができ、高い発光輝度と低駆動電圧、更に発光寿命の長寿命化も同時に達成できる。また、本発明のリン光ドーパントを用いて作製された有機ＥＬ素子は駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性の点でも改善される。
【００７１】
（１．１．１）一般式（１）で表される構造を有する化合物
【００７２】
【化７】
2017104325.tif 000009
【００７３】
一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、各々独立に、水素原子、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、（ｔ）ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ベンジル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（アリール基ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、複素環基（例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等）、芳香族複素環基（ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシ��オキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基、ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基又はアリールスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ジアリールアミノ基（例えば、ジフェニルアミノ基、ジナフチルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基等）、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、アルキルシリ��基又はアリールシリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、（ｔ）ブチルジメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、（ｔ）ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、トリナフチルシリル基、２−ピリジルシリル基等）、アルキルホスフィノ基又はアリールホスフィノ基（ジメチルホスフィノ基、ジエチルホスフィノ基、ジシクロヘキシルホスフィノ基、メチルフェニルホスフィノ基、ジフェニルホスフィノ基、ジナフチルホスフィノ基、ジ（２−ピリジル）ホスフィノ基）、アルキルホスホリル基又はアリールホスホリル基（ジメチルホスホリル基、ジエチルホスホリル基、ジシクロヘキシルホスホリル基、メチルフェニルホスホリル基、ジフェニルホスホリル基、ジナフチルホスホリル基、ジ（２−ピリジル）ホスホリル基）、アルキルチオホスホリル基又はアリールチオホスホリル基（ジメチルチオホスホリル基、ジエチルチオホスホリル基、ジシクロヘキシルチオホスホリル基、メチルフェニルチオホスホリル基、ジフェニルチオホスホリル基、ジナフチルチオホスホリル基、ジ（２−ピリジル）チオホスホリル基）から選ばれるいずれかの基を表す。ここで、上記水素原子以外の基を置換基と表す。なお、これらの置換基は更に上記の置換基によって置換されていても良いし、また、それらが互いに縮合して更に環を形成していても良い。
【００７４】
また、これらの置換基におけるカッコ内の具体例はこれらに限定されるものではない。また、上記置換基におけるアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基におけるカッコ内の具体例については、一般式（１）のＲのアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基においても同様である。更に、上記置換基における芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基におけるカッコ内の具体例については、一般式（１）のＡｒの芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基においても同様である。
【００７５】
Ｒ１〜Ｒ４が上記置換基を表す場合には、アルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アリールオキシ基、アリールチオ基、アミノ基、シアノ基のいずれかであることが好ましく、特に芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、シアノ基のいずれかであることが好ましく、更にはハロゲン原子又はシアノ基であることが特に好ましい。
【００７６】
一般式（１）において、Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、スルフィニル基、スルホニル基、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基及びメルカプト基から選ばれるいずれかの基を表す。なお、これらの基は更に上記置換基によって置換されていても良い。Ｒは、アルキル基、ハロゲン原子、又はシアノ基のいずれかであることが好ましく、特に、発光極大波長よりも長波な成分の発光をより効果的に抑えられる観点からアルキル基又はシアノ基であることが好ましく、中でも炭素数１〜６のアルキル基であることが特に好ましい。
【００７７】
一般式（１）において、Ａｒは、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。なお、これらの基は更に上記置換基によって置換されていても良いし、また、それらが互いに縮合して更に環を形成していても良い。Ａｒは、上記置換基によって置換されていることが好ましく、特にアルキル基、シクロアルキル基、ハロゲン原子、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基のいずれかによって置換されていることが好ましく、特にアルキル基、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基によって置換されていることが好ましい。また、一般式（１）の１Ｈ−１，２，４−トリアゾール環との結合位置に対してオルト位が置換されていている（Ａｒで表される環の、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール環との結合位置の隣接位に置換基を有する）ことが、発光波長が短波化するという点で好ましく、特にアルキル基によって置換されていることが好ましい。
【００７８】
一般式（１）において、Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２は、２座の配位子を表し、Ｘ１及びＸ２は、各々独立に、炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｘ１及びＸ２とともに２座の配位子を形成する原子群を表す。
【００７９】
Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２で表される２座の配位子の具体例としては、置換又は無置換のフェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン、ピコリン酸等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。Ｘ１−Ｌ１−Ｘ２で表される２座の配位子としては、フェニルピラゾール又はフェニルトリアゾールであることが好ましく、特にフェニルトリアゾールであることが好ましい。
【００８０】
一般式（１）において、ｍは、１〜３の整数を表し、ｎは、０〜２の整数を表し、ｍ＋ｎは３である。ｎは、０又は１であることが好ましく、特に、発光極大波長よりも長波な成分の発光をより効果的に抑えられる観点から、０であることが好ましい。
【００８１】
一般式（１）において、隣接するＲ１〜Ｒ４のうち少なくとも２つは縮環して一般式（２）〜（４）のいずれかの構造を表す。
【００８２】
【化８】
2017104325.tif 000010
【００８３】
一般式（２）〜（４）において、Ｙ１〜Ｙ４は、各々独立に、Ｏ、Ｓ又はＮ−Ｒ’を表し、Ｙ５又はＹ６は、ＣＲ’’又はＮを表す。Ｙ１又はＹ４は、特にＮ−Ｒ’であることが好ましく、Ｙ２又はＹ３は、Ｏ又はＮ−Ｒ’であることが好ましく、特にＮ−Ｒ’であることが好ましい。Ｙ５は、ＣＲ’’であることが好ましく、Ｙ６は、Ｎであることが好ましい。
【００８４】
一般式（２）〜（４）において、Ｒ’は、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基を表す。なお、これらの基は更に上記置換基によって置換されていても良いし、また、それらが互いに縮合して更に環を形成していても良い。Ｒ’は、芳香族炭化水素基、複素環基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基であることが好ましく、特に芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であることが好ましい。
【００８５】
一般式（２）〜（４）において、Ｒ’’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基、シアノ基、アリールシリル基及びアリールホスホリル基から選ばれるいずれかの基を表す。なお、これらの基は更に上記置換基によって置換されていても良いし、また、それらが互いに縮合して更に環を形成していても良い。Ｒ’’は、水素原子、芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基から選ばれるいずれかの基であることが好ましい。
【００８６】
一般式（２）〜（４）において、Ｚ１〜Ｚ８は、各々独立に、Ｃ−Ｒｘ又はＮを表し、複数のＲｘはそれぞれ同じであっても異なっていても良い。Ｚ１〜Ｚ８は、Ｃ−Ｒｘであることが好ましい。複数のＲｘは、各々独立に、一般式（１）中のＲ１〜Ｒ４と同等の基を表す。なお、これらの基は更に上記置換基によって置換されていても良いし、また、それらが互いに縮合して更に環を形成していても良い。複数のＲｘのうち１つ以上が上記置換基を表す場合には、Ｒｘは、アルキル基、芳香族炭化水素基、複素環基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、アミノ基及びシアノ基から選ばれるいずれかの基であることが好ましく、特にアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子及びシアノ基から選ばれるいずれかの基であることが好ましい。
【００８７】
一般式（２）〜（４）において、＊は、一般式（１）で表される構造との結合位置を表す。
【００８８】
なお、上記した一般式（１）で表される構造を有する化合物は、発光層以外の有機層に含有されているものとしても良い。
【００８９】
（１．１．２）一般式（５）〜（１０）で表される構造を有する化合物
一般式（１）で表される構造は、下記一般式（５）〜（１０）のいずれかで表される構造であることが好ましい。
【００９０】
【化９】
2017104325.tif 000011
【００９１】
【化１０】
2017104325.tif 000012
【００９２】
一般式（５）〜（１０）において、Ｒ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎは、上記一般式（１）及び（２）のＲ、Ａｒ、Ｒ１〜Ｒ４、Ｙ１、Ｚ１〜Ｚ４、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１、ｍ及びｎと同義である。
【００９３】
（１．１．３）具体例
以下、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物の具体例を示すが、これらに限られるものではない。
【００９４】
【化１１】
2017104325.tif 000013
【００９５】
【化１２】
2017104325.tif 000014
【００９６】
【化１３】
2017104325.tif 000015
【００９７】
【化１４】
2017104325.tif 000016
【００９８】
【化１５】
2017104325.tif 000017
【００９９】
【化１６】
2017104325.tif 000018
【０１００】
【化１７】
2017104325.tif 000019
【０１０１】
【化１８】
2017104325.tif 000020
【０１０２】
【化１９】
2017104325.tif 000021
【０１０３】
【化２０】
2017104325.tif 000022
【０１０４】
【化２１】
2017104325.tif 000023
【０１０５】
【化２２】
2017104325.tif 000024
【０１０６】
【化２３】
2017104325.tif 000025
【０１０７】
【化２４】
2017104325.tif 000026
【０１０８】
【化２５】
2017104325.tif 000027
【０１０９】
【化２６】
2017104325.tif 000028
【０１１０】
【化２７】
2017104325.tif 000029
【０１１１】
【化２８】
2017104325.tif 000030
【０１１２】
【化２９】
2017104325.tif 000031
【０１１３】
【化３０】
2017104325.tif 000032
【０１１４】
【化３１】
2017104325.tif 000033
【０１１５】
（１．１．４）合成例
以下に、一般式（１）〜（１０）で表される構造を有する化合物の合成例を、上記例示化合物３−３を例にとって説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
例示化合物３−３は以下のスキームに従って合成できる。
【０１１６】
【化３２】
2017104325.tif 000034
【０１１７】
窒素気流下、フラスコに、５．０ｇ（９．６０ｍｍｏｌ）の中間体１、塩化イリジウム３．３９ｇ（９．６０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール４０ｍＬ及び水１０ｍＬを入れ、１００℃で４時間加熱撹拌した。析出した結晶をろ取し、ろ取した結晶をメタノール洗浄して、中間体２を１１．５ｇ得た。
【０１１８】
窒素気流下、フラスコに、４．７３ｇ（９．０７ｍｍｏｌ）の中間体１、１１．５ｇ（４．５４ｍｍｏｌ）の中間体２、２．５１ｇ（１１．４ｍｍｏｌ）のトリフルオロ酢酸銀及び酢酸フェニル２３０ｍＬを入れ、１８０℃で９時間加熱撹拌した。反応液を室温まで放冷した後、減圧下で濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、例示化合物３−３を１．２７ｇ（収率８％）得た。例示化合物３−３の構造はマススペクトル及び１Ｈ−ＮＭＲで確認した。なお、後述する有機ＥＬ素子の作製にはこの化合物を更に昇華精製したものを用いた。
【０１１９】
本発明のその他の化合物も上記の合成例と同様に、適切な原料、反応を用いることで収率良く合成することができる。
【０１２０】
（１．２）蛍光ドーパント
蛍光ドーパント（以下、蛍光性化合物ともいう。）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等や、レーザー色素に代表される蛍光量子収率が高い化合物が挙げられる。
【０１２１】
また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いても良い。
遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１−２１３６４３号公報、特開２０１０−９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０１２２】
（１．３）従来公知の発光ドーパントとの併用
本発明に係る発光ドーパントは、複数種の化合物を併用して用いても良く、構造の異なるリン光ドーパント同士の組み合わせや、リン光ドーパントと蛍光ドーパントを組み合わせて用いても良い。併用するリン光ドーパント及び蛍光ドーパントとして、公知のものを用いることができる。
【０１２３】
（２）ホスト化合物
本発明においてホスト化合物（以下、発光ホストともいう。）は、発光層に含有される化合物のうち、その層中での質量比が２０％以上であり、かつ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
【０１２４】
本発明に用いることができる発光ホストとしては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。代表的にはカルバゾール誘導体、トリアリールアミン誘導体、芳香族誘導体、含窒素複素環化合物、チオフェン誘導体、フラン誘導体、オリゴアリーレン化合物等の基本骨格を有するもの、又はカルボリン誘導体やジアザカルバゾール誘導体（ここで、ジアザカルバゾール誘導体とは、カルボリン誘導体のカルボリン環を構成する炭化水素環の少なくとも１つの炭素原子が窒素原子で置換されているものを表す。）等が挙げられる。
【０１２５】
本発明に用いることができる公知の発光ホストとしては正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、なおかつ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。
【０１２６】
また、本発明においては、従来公知の発光ホストを単独で用いても良く、又は複数種併用して用いても良い。発光ホストを複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、前記リン光ドーパントとして用いられる本発明の金属錯体及び／又は従来公知の化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０１２７】
また、本発明に用いられる発光ホストとしては、低分子化合物でも、繰り返し単位を持つ高分子化合物でも良く、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（重合性発光ホスト）でも良く、このような化合物を一種又は複数種用いても良い。
【０１２８】
公知の発光ホストの具体例としては、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等の文献に記載の化合物が挙げられる。
【０１２９】
また、上記したように、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物はＨＯＭＯ準位が深いため、ホスト化合物としては、ＨＯＭＯ準位が−５．４ｅＶ以下のものを用いることが好ましい。これにより、電荷の移動がスムーズとなり、発光効率や駆動電圧の更なる改善につながる。
【０１３０】
次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として好ましく用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層及び正孔輸送層等について説明する。
【０１３１】
《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。
【０１３２】
本発明に用いられる電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５〜２００ｎｍである。
【０１３３】
また、有機ＥＬ素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の層厚を数ｎｍ〜数μｍの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【０１３４】
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という。）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していれば良く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１３５】
例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン等）等が挙げられる。
【０１３６】
また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【０１３７】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、ジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
【０１３８】
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０１３９】
本発明に用いられる電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成しても良い。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。
【０１４０】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第６５２８１８７号明細書、米国特許第７２３０１０７号明細書、米国出願特許公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許出願公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号明細書、米国特許出願公開第２００９／０３０２０２号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、欧州特許第２３１１８２６号明細書、特開２０１０−２５１６７５号公報、特開２００９−２０９１３３号公報、特開２００９−１２４１１４号公報、特開２００８−２７７８１０号公報、特開２００６−１５６４４５号公報、特開２００５−３４０１２２号公報、特開２００３−４５６６２号公報、特開２００３−３１３６７号公報、特開２００３−２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。
【０１４１】
本発明におけるより好ましい電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体が挙げられる。
【０１４２】
電子輸送材料は単独で用いても良く、また複数種を併用して用いても良い。
【０１４３】
《正孔阻止層》
正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に用いられる正孔阻止層として用いることができる。本発明の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
【０１４４】
本発明に用いられる正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
【０１４５】
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
【０１４６】
《電子注入層》
本発明に用いられる電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のように陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させても良い。
【０１４７】
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は０．１〜５ｎｍの範囲が好ましい。また、構成材料が断続的に存在する不均一な膜であっても良い。
【０１４８】
電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いても良く、複数種を併用して用いても良い。
【０１４９】
《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していれば良い。
【０１５０】
本発明に用いられる正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、更に好ましくは５〜２００ｎｍである。
【０１５１】
正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料ともいう。）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していれば良く、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【０１５２】
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
【０１５３】
トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤ（４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
【０１５４】
また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
【０１５５】
更に、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０１５６】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。更にＩｒ（ｐｐｙ）３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
【０１５７】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
【０１５８】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．，３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１５，３１４８（２００３）、米国特許出願公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号明細書、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、欧州特許第６５０９５５号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報、米国特許出願番号１３／５８５９８１号明細書等である。
【０１５９】
正孔輸送材料は単独で用いても良く、また複数種を併用して用いても良い。
【０１６０】
《電子阻止層》
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に用いられる電子阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
【０１６１】
本発明に用いられる電子阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
【０１６２】
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も電子阻止層に好ましく用いられる。
【０１６３】
《正孔注入層》
本発明に用いられる正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のように陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させても良い。
【０１６４】
正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
【０１６５】
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いても良く、また複数種を併用して用いても良い。
【０１６６】
《その他の添加化合物》
前述した本発明における有機層は、更に他の添加化合物が含まれていても良い。添加化合物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
【０１６７】
添加化合物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的等によってはこの範囲内ではない。
【０１６８】
《有機層の形成方法》
本発明に用いられる有機層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）の形成方法について説明する。
【０１６９】
本発明に用いられる有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう。）等による形成方法を用いることができるが、有機層が、ウェットプロセスで形成された層であることが好ましい。すなわち、ウェットプロセスで有機ＥＬ素子を作製することが好ましい。有機ＥＬ素子をウェットプロセスで作製することで、均質な膜（塗膜）が得られやすく、かつピンホールが生成しにくい等の効果を奏することができる。なお、ここでの膜（塗膜）とは、ウェットプロセスによる塗布後に乾燥させた状態のものである。
【０１７０】
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法等のロールｔｏロール方式適性の高い方法が好ましい。
【０１７１】
本発明の有機ＥＬ材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
【０１７２】
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【０１７３】
更に、層毎に異なる製膜法を適用しても良い。製膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０−６〜１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。
【０１７４】
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる製膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１７５】
《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いても良い。
【０１７６】
陽極の形成方法としては、これらの電極物質を用いて蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成しても良いし、又はパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成しても良い。
また、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
【０１７７】
陽極の厚さは材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１７８】
《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第２金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【０１７９】
陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、厚さは通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０１８０】
なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの厚さで作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【０１８１】
《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であっても良い。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【０１８２】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムを挙げられる。
【０１８３】
樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていても良く、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が１×１０−２ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のガスバリアー性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、水蒸気透過度が、１×１０−５ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下の高ガスバリアー性フィルムであることが好ましい。
【０１８４】
ガスバリアー膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であれば良く、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に、当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層との積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【０１８５】
ガスバリアー膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【０１８６】
不透明な支持基板としては、例えば、アルミニウム、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
【０１８７】
本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し量子効率は、１％以上であることが好ましく、５％以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体として用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用しても良い。
【０１８８】
《封止》
本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていれば良く、凹板状でも、平板状でも良い。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
【０１８９】
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
【０１９０】
本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。更には、ポリマーフィルムはＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍＬ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２／２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１９１】
封止部材を凹状に加工するには、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
【０１９２】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいても良い。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使っても良いし、スクリーン印刷のように印刷しても良い。
【０１９３】
また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に当該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、当該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であれば良く、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
更に、当該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１９４】
封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
【０１９５】
《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜又は前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜又は保護板を設けても良い。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。
【０１９６】
これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
【０１９７】
《光取り出し向上技術》
有機エレクトロルミネッセンス素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６〜２．１程度の範囲内）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないと一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極又は発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極又は発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０１９８】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等が挙げられる。
【０１９９】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、又は基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度又は耐久性に優れた素子を得ることができる。
【０２００】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また更に１．３５以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む層厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【０２０１】
全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間又は、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【０２０２】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０２０３】
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、又は媒質中（透明基板内や透明電極内）でも良いが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０２０４】
《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板（基板）の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、又はいわゆる集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【０２０５】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は１０〜１００μｍの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付き、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
【０２０６】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであっても良いし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であっても良い。
また、有機ＥＬ素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用しても良い。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。
【０２０７】
《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
【０２０８】
発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられ、これらに限定されるものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【０２０９】
本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施しても良い。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしても良いし、電極と発光層をパターニングしても良いし、素子全層をパターニングしても良く、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
【０２１０】
《表示装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示装置に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の表示装置の一態様について説明する。表示装置は単色でも多色でも良いが、ここでは多色表示装置について説明する。
【０２１１】
多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法である。
【０２１２】
表示装置に具備される有機ＥＬ素子の構成は、必要に応じて上記の有機ＥＬ素子の構成例の中から選択される。
また、有機ＥＬ素子の製造方法は、上記の本発明の有機ＥＬ素子の製造の一態様に示したとおりである。
【０２１３】
このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意で良い。
【０２１４】
多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。表示デバイス、ディスプレイにおいて、青、赤、緑発光の３種の有機ＥＬ素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。
【０２１５】
表示デバイス、ディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、ＡＶ機器、文字放送表示、自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用しても良く、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス（パッシブマトリクス）方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでも良い。
【０２１６】
発光光源としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２１７】
以下、本発明の有機ＥＬ素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図１は有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機ＥＬ素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
【０２１８】
ディスプレイ１は、複数の画素を有する表示部Ａ、画像情報に基づいて表示部Ａの画像走査を行う制御部Ｂ、表示部Ａと制御部Ｂとを電気的に接続する配線部Ｃ等を有する。
制御部Ｂは表示部Ａと配線部Ｃを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Ａに表示する。
【０２１９】
図２は、図１における表示部Ａの模式図である。
表示部Ａは基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と複数の画素３等とを有する。表示部Ａの主要な部材の説明を以下に行う。
【０２２０】
図２においては、画素３の発光した光（発光光）が白矢印方向（下方向）へ取り出される場合を示している。
配線部の走査線５及び複数のデータ線６は、それぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示していない）。
【０２２１】
画素３は、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
【０２２２】
次に、画素の発光プロセスを説明する。図３は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機ＥＬ素子１０、スイッチングトランジスタ１１、駆動トランジスタ１２、コンデンサー１３等を備えている。複数の画素に有機ＥＬ素子１０として、赤色、緑色及び青色発光の有機ＥＬ素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
【０２２３】
図３において、図１に示す制御部Ｂからデータ線６を介してスイッチングトランジスタ１１のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Ｂから走査線５を介してスイッチングトランジスタ１１のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー１３と駆動トランジスタ１２のゲートに伝達される。
【０２２４】
画像データ信号の伝達により、コンデンサー１３が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ１２の駆動がオンする。駆動トランジスタ１２は、ドレインが電源ライン７に接続され、ソースが有機ＥＬ素子１０の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン７から有機ＥＬ素子１０に電流が供給される。
【０２２５】
制御部Ｂの順次走査により走査信号が次の走査線５に移ると、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ１１の駆動がオフしてもコンデンサー１３は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ１２の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機ＥＬ素子１０の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ１２が駆動して有機ＥＬ素子１０が発光する。
【０２２６】
すなわち、有機ＥＬ素子１０の発光は、複数の画素それぞれの有機ＥＬ素子１０に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ１１と駆動トランジスタ１２を設けて、複数の画素３それぞれの有機ＥＬ素子１０の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
【０２２７】
ここで、有機ＥＬ素子１０の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でも良いし、２値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでも良い。また、コンデンサー１３の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持しても良いし、次の走査信号が印加される直前に放電させても良い。
【０２２８】
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機ＥＬ素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でも良い。
【０２２９】
図４は、図２の表示部Ａに係るパッシブマトリクス方式フルカラー表示装置の模式図である。図４において、複数の走査線５と複数の画像データ線６が画素３を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線５の走査信号が印加されたとき、印加された走査線５に接続している画素３が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素３にアクティブ素子がなく、製造コストの低減が計れる。
【０２３０】
本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られる。
【０２３１】
《照明装置》
本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置に用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
【０２３２】
本発明の有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して、硬化させて、封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製することができる。
【０２３３】
図５は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機ＥＬ素子１０１はガラスカバー１０２で覆われている（なお、ガラスカバーでの封止作業は、有機ＥＬ素子１０１を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス（純度９９．９９９％以上の高純度窒素ガスの雰囲気下）で行う。）。
【０２３４】
図６は、照明装置の断面図を示し、図６において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー１０２内には窒素ガス１０８が充填され、捕水剤１０９が設けられている。
【実施例】
【０２３５】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」又は「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「体積％」を表す。また、実施例で使用した例示化合物１−１〜８−１９は、前記した一般式（１）で表される構造を有する化合物の具体例の１−１〜８−１９に対応する。また、実施例で使用した比較化合物１〜４の構造を示す。【０２３６】
【化３３】
2017104325.tif 000035
【０２３７】
比較化合物１：国際公開第２００４／１０１７０７号にて開示の化合物
比較化合物２：特許５６４４０５０号公報にて開示の化合物
比較化合物３：特許５０９９０１３号公報にて開示の化合物
比較化合物４：特開２０１３−０４０１５９号公報にて開示の化合物【０２３８】
［実施例１］
《有機ＥＬ素子１−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍの厚さで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２３９】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料としてＨＴ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてＨＴ−２を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントとして比較化合物１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＨｏｓｔ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに正孔阻止材料としてＥＴ−１を２００ｍｇ入れ、更に別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−２を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２４０】
次いで、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。【０２４１】
更に、ＨＴ−２の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０２４２】
更に、比較化合物１とＨｏｓｔ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０１０ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。【０２４３】
更に、ＥＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層上に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔阻止層を形成した。【０２４４】
更に、ＥＴ−２の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔阻止層上に蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０２４５】
引き続き、フッ化リチウムを電子輸送層上に蒸着して層厚０．５ｎｍの電子注入層（陰極バッファー層）を形成し、更に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子１−１を作製した。
本実施例において使用される化合物は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２４６】
【化３４】
2017104325.tif 000036
【０２４７】
《有機ＥＬ素子１−２〜１−１０の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−１を表１に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２〜１−１０を各々作製した。
表１中のＨｏｓｔ−２は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２４８】
【化３５】
2017104325.tif 000037
【０２４９】
《有機ＥＬ素子１−１〜１−１０の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１〜１−１０を評価するに際しては、作製後の各有機ＥＬ素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ３００μｍのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材としてエポキシ系光硬化型接着剤（東亞合成社製ラックストラックＬＣ０６２９Ｂ）を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からＵＶ光を照射して硬化させて封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製した。
このようにして作製した各サンプルについて下記の評価を行った。評価結果を表１に示す。【０２５０】
（１）外部取り出し量子効率（発光効率ともいう。）
有機ＥＬ素子を用いて室温（約２３〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下による点灯を行い、点灯開始直後の発光輝度（Ｌ）［ｃｄ／ｍ２］を測定することにより、外部取り出し量子効率（η）を算出した。
ここで、発光輝度の測定はＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング製）を用いて行い、外部取り出し量子効率は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。【０２５１】
（２）半減寿命
下記に示す測定方法に従って、半減寿命の評価を行った。各有機ＥＬ素子を初期輝度１０００ｃｄ／ｍ２を与える電流で定電流駆動して、初期輝度の１／２（５００ｃｄ／ｍ２）になる時間を求め、これを半減寿命の尺度とした。なお、半減寿命は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。【０２５２】
（３）駆動電圧
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下で駆動したときの電圧を各々測定し、その測定結果から下記に示すように、有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値を求めた。
駆動電圧＝（各素子の駆動電圧／有機ＥＬ素子１−１の駆動電圧）×１００
なお、値が小さい方が比較例に対して駆動電圧が低いことを示す。【０２５３】
（４）駆動時の電圧上昇
有機ＥＬ素子を室温（約２３℃〜２５℃）、２．５ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件下で駆動したときの電圧を各々測定し、その測定結果から下記計算式より駆動時の電圧上昇を求めた。なお、駆動時の電圧上昇は有機ＥＬ素子１−１を１００とする相対値で表した。
駆動時の電圧上昇（相対値）＝輝度半減時の駆動電圧−初期駆動電圧
なお、値が小さいほうが比較例に対して駆動時の電圧上昇が小さいことを示す。【０２５４】
（５）経時安定性
有機ＥＬ素子を６０℃・７０％ＲＨの条件で一ヶ月間保存し、保存前後における各電力効率を求めた。各電力効率から下記式に従って電力効率比を求め、これを経時安定性の尺度とした。
経時安定性（％）＝（保存後の電力効率／保存前の電力効率）×１００
なお、電力効率は分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いて、各有機ＥＬ素子の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２において求めたものを用いた。【０２５５】
（６）２波目比率
各有機ＥＬ素子にドーパントとして使用した金属錯体に対し、２−メチルＴＨＦ溶液中低温（約７７Ｋ）下での発光スペクトルを、（株）日立ハイテクサイエンス製分光蛍光光度計Ｆ−７０００を用いて測定した。測定結果から下記計算式により２波目比率を算出し、下記基準に従って評価した。これにより、発光極大波長よりも長波側の波長成分の発光が抑制されることを確認した。
２波目比率＝発光極大波長の次に長波なピーク波長における発光量／発光極大波長における発光量【０２５６】
◎：２波目比率が０．４以下
○：２波目比率が０．４超０．６以下
△：２波目比率が０．６超０．８未満
×：２波目比率が０．８以上【０２５７】
【表１】
2017104325.tif 000038
【０２５８】
表１から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０２５９】
［実施例２］
《有機ＥＬ素子２−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍの厚さで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２６０】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｈ．Ｃ．スタルク社製、ＣＬＥＶＩＯ Ｐ ＶＰＡＩ ４０８３）を純水で７０質量％に希釈した溶液を用い、３０００ｒｐｍ、３０秒の条件でスピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。【０２６１】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方、モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてＨＴ−２を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントとして比較化合物１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＨｏｓｔ−１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−１を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２６２】
次いで、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−２の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着し、層厚２０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。【０２６３】
更に、比較化合物１とＨｏｓｔ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．００６ｎｍ／秒で第２正孔輸送層上に共蒸着し、層厚４０ｎｍの発光層を形成した。【０２６４】
更に、ＥＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層上に蒸着し、層厚３０ｎｍの電子輸送層を形成した。なお、蒸着時の基板温度は室温であった。【０２６５】
引き続き、フッ化リチウムを発光層上に蒸着して層厚０．５ｎｍの電子注入層を形成し、更に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子２−１を作製した。【０２６６】
《有機ＥＬ素子２−２〜２−８の作製》
有機ＥＬ素子２−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−１を表２に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２−２〜２−８を各々作製した。【０２６７】
《有機ＥＬ素子２−１〜２−８の評価》
得られた有機ＥＬ素子を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−１０と同様に封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例１と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、駆動時の電圧上昇、経時安定性及び２波目比率について評価を行った。評価結果を表２に示す。なお、表２における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧及び駆動時の電圧上昇の測定結果は、有機ＥＬ素子２−１の測定値を１００とする相対値で表した。【０２６８】
【表２】
2017104325.tif 000039
【０２６９】
表２から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０２７０】
［実施例３］
《有機ＥＬ素子３−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍの厚さで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２７１】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ社製、Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ Ａｌ ４０８３）を純水で７０質量％に希釈した溶液を用いて３０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚２０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。【０２７２】
この基板を窒素雰囲気下に移し、第１正孔輸送層上に、４７ｍｇのＨＴ−３と３ｍｇのＨＴ−４とを１０ｍＬのトルエンに溶解した溶液を用いて１５００ｒｐｍ、３０秒の条件の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した。１２０℃、９０秒間紫外光を照射し、光重合・架橋を行い、更に６０℃で１時間真空乾燥し、層厚約２０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。【０２７３】
この第２正孔輸送層上に、１００ｍｇのＨｏｓｔ−３と、２０ｍｇの比較化合物１と、０．５ｍｇのＤ−１と、０．２ｍｇのＤ−２とを１０ｍＬの酢酸ブチルに溶解した溶液を用いて６００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した。更に、６０℃で１時間真空乾燥し、層厚約７０ｎｍの発光層を形成した。【０２７４】
次に、この発光層上に、５０ｍｇのＥＴ−３を１０ｍＬのヘキサフルオロイソプロパノール（ＨＦＩＰ）に溶解した溶液を用いて１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した。更に、６０℃で１時間真空乾燥し、層厚約２０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０２７５】
続いて、この基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、フッ化カリウムを電子輸送層上に蒸着して層厚０．４ｎｍの電子注入層を形成し、更に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子３−１を作製した。
本実施例において使用される化合物は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２７６】
【化３６】
2017104325.tif 000040
【０２７７】
《有機ＥＬ素子３−２〜３−８の作製》
有機ＥＬ素子３−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−３を表３に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３−２〜３−８を各々作製した。
表３中の比較化合物５及びＨｏｓｔ−４は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２７８】
【化３７】
2017104325.tif 000041
【０２７９】
比較化合物５：特開２０１３−０４０１５９号公報にて開示の化合物【０２８０】
《有機ＥＬ素子３−１〜３−８の評価》
得られた有機ＥＬ素子を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−１０と同様に封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例１と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、駆動時の電圧上昇、経時安定性及び２波目比率について評価を行った。評価結果を表３に示す。なお、表３における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧及び駆動時の電圧上昇の測定結果は、有機ＥＬ素子３−１の測定値を１００とする相対値で表した。【０２８１】
【表３】
2017104325.tif 000042
【０２８２】
表３から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０２８３】
［実施例４］
《有機ＥＬ素子４−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍの厚さで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥して、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２８４】
この透明支持基板上に、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、Ｂａｙｅｒ株式会社製、Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  Ａｌ４０８３）を純水で７０質量％に希釈した溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した後、２００℃にて１時間乾燥し、層厚３０ｎｍの第１正孔輸送層を形成した。【０２８５】
この第１正孔輸送層上に、正孔輸送材料Ｐｏｌｙ（Ｎ，Ｎ′−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ビス（フェニル））ベンジジン（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｄｙｅ  Ｓｏｕｒｃｅ株式会社製、ＡＤＳ−２５４）のクロロベンゼン溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成した。１５０℃で１時間加熱乾燥し、層厚４０ｎｍの第２正孔輸送層を形成した。【０２８６】
この第２正孔輸送層上に、ホスト化合物としてのＨｏｓｔ−３及びドーパントとしての比較化合物１の酢酸ブチル溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成し、１２０℃で１時間加熱乾燥し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。【０２８７】
この発光層上に、電子輸送材料としてのＥＴ−４の１−ブタノール溶液を用い、スピンコート法により薄膜を形成し、層厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０２８８】
この基板を、真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した。次いで、フッ化リチウムを電子輸送層上に蒸着して層厚１．０ｎｍの電子注入層を形成し、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子４−１を作製した。
本実施例において使用される化合物は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２８９】
【化３８】
2017104325.tif 000043
【０２９０】
《有機ＥＬ素子４−２〜４−１０の作製》
有機ＥＬ素子４−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−３を表４に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４−２〜４−１０を各々作製した。
表４中の比較化合物６及び７は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０２９１】
【化３９】
2017104325.tif 000044
【０２９２】
比較化合物６：特許５６４４０５０号公報にて開示の化合物
比較化合物７：特許５０９９０１３号公報にて開示の化合物【０２９３】
《有機ＥＬ素子４−１〜４−１０の評価》
得られた有機ＥＬ素子を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−１０と同様に封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例１と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、駆動時の電圧上昇、経時安定性及び２波目比率について評価を行った。評価結果を表４に示す。なお、表４における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧及び駆動時の電圧上昇の測定結果は、有機ＥＬ素子４−１の測定値を１００とする相対値で表した。【０２９４】
【表４】
2017104325.tif 000045
【０２９５】
表４から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０２９６】
［実施例５］
《有機ＥＬ素子５−１の作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍの厚さで成膜した基板（ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社製、ＮＡ−４５）にパターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った。【０２９７】
この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、一方モリブデン製抵抗加熱ボートに正孔注入材料としてＨＴ−６を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン抵抗加熱ボートに正孔輸送材料としてＨＴ−５を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにホスト化合物としてＨｏｓｔ−５を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントとして比較化合物１を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントとしてＤ−３を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートにドーパントとしてＤ−４を２００ｍｇ入れ、別のモリブデン製抵抗加熱ボートに電子輸送材料としてＥＴ−５を２００ｍｇ入れ、真空蒸着装置に取り付けた。【０２９８】
次いで、真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、ＨＴ−６の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で透明支持基板に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。【０２９９】
更に、ＨＴ−５の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔注入層上に蒸着し、層厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０３００】
更に、Ｈｏｓｔ−５と比較化合物１とＤ−３とＤ−４の入った加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度０．１ｎｍ／秒、０．０２５ｎｍ／秒、０．０００７ｎｍ／秒、０．０００２ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着し、層厚６０ｎｍの発光層を形成した。【０３０１】
更に、ＥＴ−５の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層上に蒸着し、層厚２０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０３０２】
引き続き、フッ化カリウムを電子輸送層上に蒸着して層厚０．５ｎｍの電子注入層を形成し、更に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１１０ｎｍの陰極を形成し、有機ＥＬ素子５−１を作製した。
本実施例において使用される化合物は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０３０３】
【化４０】
2017104325.tif 000046
【０３０４】
《有機ＥＬ素子５−２〜５−９の作製》
有機ＥＬ素子５−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−５を表５に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子５−２〜５−９を各々作製した。
表５中のＨｏｓｔ−６は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０３０５】
【化４１】
2017104325.tif 000047
【０３０６】
《有機ＥＬ素子５−１〜５−９の評価》
得られた有機ＥＬ素子を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−１０と同様に封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例１と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、駆動時の電圧上昇、経時安定性及び２波目比率について評価を行った。評価結果を表５に示す。なお、表５における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧及び駆動時の電圧上昇の測定結果は、有機ＥＬ素子５−１の測定値を１００とする相対値で表した。【０３０７】
【表５】
2017104325.tif 000048
【０３０８】
表５から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０３０９】
［実施例６］
《有機ＥＬ素子６−１の作製》
５０ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス基板上に、陽極としてＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１２０ｎｍの厚さで成膜し、パターニングを行った。その後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。【０３１０】
真空蒸着装置内の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。【０３１１】
真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、化合物ＨＴ−１の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒でＩＴＯ透明電極上に蒸着し、層厚１０ｎｍの正孔注入層を形成した。【０３１２】
次いで、化合物ＨＴ−２を正孔注入層上に同様にして蒸着し、層厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成した。【０３１３】
次いで、比較化合物１、Ｈｏｓｔ−５が、それぞれ９０体積％、１０体積％になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で正孔輸送層上に共蒸着し、層厚３０ｎｍの発光層を形成した。【０３１４】
次いで、ＥＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で発光層上に蒸着し、層厚１０ｎｍの第１電子輸送層を形成し、更にその上に、ＥＴ−２を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、層厚４５ｎｍの第２電子輸送層を形成した。【０３１５】
更に、フッ化リチウムを第２電子輸送層上に蒸着して層厚１．０ｎｍの電子注入層を形成した後に、アルミニウムを電子注入層上に蒸着して厚さ１００ｎｍの陰極を形成した。【０３１６】
上記素子に電極取り出し配線を設置して、１ｐｐｍ以下の水及び酸素雰囲気の窒素グローブボックス内において、エポキシ樹脂で満たした缶状ガラスケースで覆い、吸湿剤をパッケージ内に組みこんで、有機ＥＬ素子６−１を作製した。【０３１７】
《有機ＥＬ素子６−２〜６−９の作製》
有機ＥＬ素子６−１の作製において、比較化合物１及びＨｏｓｔ−５を表６に記載の化合物に変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子６−２〜６−９を各々作製した。
表６中の比較化合物８は、下記のとおりの化学構造式を有するものである。【０３１８】
【化４２】
2017104325.tif 000049
【０３１９】
比較化合物８：特開２０１３−０４０１５９号公報にて開示の化合物【０３２０】
《有機ＥＬ素子６−１〜６−９の評価》
得られた有機ＥＬ素子を評価するに際しては、実施例１の有機ＥＬ素子１−１〜１−１０と同様に封止し、図５及び図６に示すような照明装置を作製して評価した。
このようにして作製した各サンプルに対し、実施例１と同様に、外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧、駆動時の電圧上昇、経時安定性及び２波目比率について評価を行った。評価結果を表６に示す。なお、表６における外部取り出し量子効率、半減寿命、駆動電圧及び駆動時の電圧上昇の測定結果は、有機ＥＬ素子６−１の測定値を１００とする相対値で表した。【０３２１】
【表６】
2017104325.tif 000050
【０３２２】
表６から明らかなとおり、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さいことが分かった。更に、一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いた有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子に比べ、発光効率及び発光寿命に優れ、低駆動電圧であることが明らかであり、また駆動時の電圧上昇も抑えられ、経時安定性に優れていることも分かった。【０３２３】
［実施例７］
《有機ＥＬフルカラー表示装置の作製》
本実施例では、図７Ａ〜図７Ｅに示すようにして、有機ＥＬフルカラー表示装置を作製し、評価した。図７Ａ〜図７Ｅに、有機ＥＬフルカラー表示装置の概略構成図を示す。【０３２４】
ガラス基板２０１上に、陽極としてＩＴＯ透明電極２０２を１００ｎｍ製膜した基板（ＮＨテクノグラス社製ＮＡ４５）に１００μｍのピッチでパターニングを行った後（図７Ａ参照）、このガラス基板２０１上であってＩＴＯ透明電極２０２の間に非感光性ポリイミドの隔壁２０３（幅２０μｍ、厚さ２．０μｍ）をフォトリソグラフィーで形成した（図７Ｂ参照）。【０３２５】
ＩＴＯ電極２０２上であって隔壁２０３同士の間に下記組成の正孔注入層組成物を、インクジェットヘッド（エプソン社製；ＭＪ８００Ｃ）を用いて吐出注入し、紫外光を２００秒間照射し、６０℃、１０分間の乾燥処理により、層厚４０ｎｍの正孔注入層２０４を形成した（図７Ｃ参照）。【０３２６】
（正孔注入層組成物）
ＨＴ−３：２０質量部
シクロヘキシルベンゼン：５０質量部
イソプロピルビフェニル：５０質量部【０３２７】
この正孔注入層２０４上に、各々下記組成の青色発光層組成物、緑色発光層組成物及び赤色発光層組成物を、同様にしてインクジェットヘッドを使用して吐出注入し、６０℃、１０分間乾燥処理し、各色の発光層２０５Ｂ、２０５Ｇ、２０５Ｒを形成した（図７Ｄ参照）。【０３２８】
（青色発光層組成物）
Ｈｏｓｔ−２：０．７質量部
例示化合物５−３：０．０４質量部
シクロヘキシルベンゼン：５０質量部
イソプロピルビフェニル：５０質量部【０３２９】
（緑色発光層組成物）
Ｈｏｓｔ−１：０．７質量部
Ｄ−３：０．０４質量部
シクロヘキシルベンゼン：５０質量部
イソプロピルビフェニル：５０質量部【０３３０】
（赤色発光層組成物）
Ｈｏｓｔ−１：０．７質量部
Ｄ−２：０．０４質量部
シクロヘキシルベンゼン：５０質量部
イソプロピルビフェニル：５０質量部【０３３１】
次に、各発光層２０５Ｂ、２０５Ｇ、２０５Ｒを覆うように電子輸送材料を蒸着して層厚２０ｎｍの電子輸送層（図示略）を形成し、更にフッ化リチウムを蒸着して層厚０．６ｎｍの電子注入層（図示略）を形成し、Ａｌを蒸着して膜厚１３０ｎｍの陰極２０６を形成して有機ＥＬ素子を作製した（図７Ｅ参照）。【０３３２】
作製した有機ＥＬ素子はそれぞれ電極に電圧を印加することにより青色、緑色、赤色の発光を示し、フルカラー表示装置として利用できることが分かった。【０３３３】
以上のように、本発明に係る一般式（１）で表される構造を有する化合物を用いると、２波目比率が優位に小さい発光を得ることができる。更に本発明によれば、発光効率が高く、低駆動電圧、長寿命であり、かつ駆動時の電圧上昇が小さく、更に経時安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置を提供することができる。
また、ウェットプロセスによって、上記効果を有する有機ＥＬ素子を製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【０３３４】
以上のように、本発明は、発光極大波長よりも長波な成分の発光比率が小さく、高発光効率、低駆動電圧、長発光寿命であって、駆動時の電圧上昇が小さく、経時安定性に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子、当該素子の製造方法、当該素子を備えた表示装置及び照明装置、並びに、当該素子に用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子材料を提供することに適している。
【符号の説明】
【０３３５】
１      ディスプレイ
３      画素
５      走査線
６      データ線
７      電源ライン
１０    有機ＥＬ素子
１１    スイッチングトランジスタ
１２    駆動トランジスタ
１３    コンデンサー
１０１  有機ＥＬ素子
１０２  ガラスカバー
１０５  陰極
１０６  有機ＥＬ層
１０７  透明電極付きガラス基板
１０８  窒素ガス
１０９  捕水剤
２０１  ガラス基板
２０２  ＩＴＯ透明電極
２０３  隔壁
２０４  正孔注入層
２０５Ｂ、２０５Ｇ、２０５Ｒ  発光層
２０６  陰極
Ａ      表示部
Ｂ      制御部
Ｃ      配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【国際調査報告】
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