(57)【要約】  セミアディティブ工法を使用しても、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止することが可能であり、且つ線幅値が設計通りの配線層を備えた多層プリント配線基板及びその製造方法を提供する。本実施形態に係るプリント配線基板（１０１）は、絶縁基板（１）の上に第一配線層（２）と第一絶縁層（３）とをこの順に積層してなるコア基材と、そのコア基材の上に、第二配線層（１２）と第二絶縁層（１５）とをこの順に積層してなるビルドアップ層とを有し、第二配線層（１２）と、第一絶縁層（２）との間にはプライマー層（４）が形成されており、第二配線層（１２）の下面の少なくとも一部は、プライマー層（４）に接しており、第二配線層（１２）の上面及び側面には、錫めっき層（１３）とシランカップリング層（１４）とがこの順に形成されている。
2017094470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の上に第一配線層と第一絶縁層とをこの順に積層したコア基材と、前記コア基材の上に第二配線層と第二絶縁層とをこの順に積層したビルドアップ層と、を有する多層プリント配線基板であって、
前記第二配線層と、前記第一絶縁層との間にはプライマー層が形成されており、
前記第二配線層の下面の少なくとも一部は、前記プライマー層に接しており、
前記第二配線層の上面及び側面には、錫めっき層とシランカップリング層とがこの順に形成されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項２】
絶縁基板の上に第一配線層と第一絶縁層とをこの順に積層したコア基材と、前記コア基材の上に第二配線層と第二絶縁層とをこの順に積層したビルドアップ層と、を有する多層プリント配線基板であって、
前記第二配線層と、前記第一絶縁層との間にはプライマー層が形成されており、
前記第二配線層の下面の少なくとも一部は、前記プライマー層に接しており、
前記第二配線層の上面及び側面には、シランカップリング層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項３】
前記プライマー層は、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項４】
前記プライマー層は、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層プリント配線基板。
【請求項５】
前記第二配線層の前記下面は、前記プライマー層に接しており、且つ前記第一配線層に接していることを特徴とする請求項１から請求項４の少なくとも１項に記載の多層プリント配線基板。
【請求項６】
前記第二配線層は、前記プライマー層に接する無電解銅めっき層と、前記無電解銅めっき層上に形成された電解銅めっき層とを備えることを特徴とする請求項１から請求項５の少なくとも１項に記載の多層プリント配線基板。
【請求項７】
絶縁基板の上に配線層と絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線基板において、
前記絶縁層のうち少なくとも１つの前記絶縁層の上には、プライマー層が形成されており、
前記プライマー層のうち少なくとも１つの前記プライマー層の上には、前記配線層が形成されており、
前記プライマー層の上に形成された前記配線層の下面の少なくとも一部は、前記プライマー層に接しており、
前記下面が前記プライマー層に接する前記配線層の上面及び側面には、錫めっき層とシランカップリング層とがこの順に形成されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項８】
絶縁基板の上に配線層と絶縁層とを交互に積層してなる多層プリント配線基板において、
前記絶縁層のうち少なくとも１つの前記絶縁層の上には、プライマー層が形成されており、
前記プライマー層のうち少なくとも１つの前記プライマー層の上には、前記配線層が形成されており、
前記プライマー層の上に形成された前記配線層の下面の少なくとも一部は、前記プライマー層に接しており、
前記下面が前記プライマー層に接する前記配線層の上面及び側面には、シランカップリング層が形成されていることを特徴とする多層プリント配線基板。
【請求項９】
絶縁基板の上に第一配線層を備えた積層体の上に、複数の層を形成する多層プリント配線基板の製造方法であって、
前記積層体の上に、前記第一配線層を覆うように第一絶縁層を形成する第一工程と、
前記第一絶縁層の上に、銅層との密着力を増加させるプライマー層と、銅層とをこの順に形成する第二工程と、
前記銅層と前記プライマー層と前記第一絶縁層をそれぞれ貫通して、前記第一配線層の表面を露出させるビアホールを形成する第三工程と、
前記ビアホール内に生成したスミアを除去するデスミア処理を行う第四工程と、
前記第四工程の後に、前記銅層を除去し、前記プライマー層の表面を露出させる第五工程と、
前記第五工程の後に、前記プライマー層の表面並びに前記ビアホールの底面及び側壁面に無電解銅めっき層を形成する第六工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、第二配線層を形成しない領域にめっきマスクとなるレジストパターンを形成する第七工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、前記レジストパターンが形成されていない領域に電解銅めっき層を形成する第八工程と、
前記第八工程の後に、前記レジストパターンを剥離する第九工程と、
前記第九工程の後に、前記レジストパターンが形成されていた領域の前記無電解銅めっき層を除去することで、前記無電解銅めっき層と前記電解銅めっき層とを備えた第二配線層を形成し、且つ前記プライマー層の表面を露出する第十工程と、
前記第二配線層の表面に錫めっき層を形成後、前記錫めっき層の表面にシランカップリング層を形成する第十一工程と、
前記錫めっき層及び前記シランカップリング層が形成された前記第二配線層と、前記プライマー層とを覆うように第二絶縁層を形成する第十二工程と、を少なくとも有することを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板の上に第一配線層を備えた積層体の上に、複数の層を形成する多層プリント配線基板の製造方法であって、
前記積層体の上に、前記第一配線層を覆うように第一絶縁層を形成する第一工程と、
前記第一絶縁層の上に、銅層との密着力を増加させるプライマー層と、銅層とをこの順に形成する第二工程と、
前記銅層と前記プライマー層と前記第一絶縁層をそれぞれ貫通して、前記第一配線層の表面を露出させるビアホールを形成する第三工程と、
前記ビアホール内に生成したスミアを除去するデスミア処理を行う第四工程と、
前記第四工程の後に、前記銅層を除去し、前記プライマー層の表面を露出させる第五工程と、
前記第五工程の後に、前記プライマー層の表面並びに前記ビアホールの底面及び側壁面に無電解銅めっき層を形成する第六工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、第二配線層を形成しない領域にめっきマスクとなるレジストパターンを形成する第七工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、前記レジストパターンが形成されていない領域に電解銅めっき層を形成する第八工程と、
前記第八工程の後に、前記レジストパターンを剥離する第九工程と、
前記第九工程の後に、前記レジストパターンが形成されていた領域の前記無電解銅めっき層を除去することで、前記無電解銅めっき層と前記電解銅めっき層とを備えた第二配線層を形成し、且つ前記プライマー層の表面を露出する第十工程と、
前記第二配線層の表面にシランカップリング層を形成する第十一工程と、
前記シランカップリング層が形成された前記第二配線層と、前記プライマー層とを覆うように第二絶縁層を形成する第十二工程と、を少なくとも有することを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１１】
絶縁基板の上に第一配線層を備えた積層体の上に、複数の層を形成する多層プリント配線基板の製造方法であって、
前記積層体の上に、前記第一配線層を覆うように第一絶縁層を形成する第一工程と、
前記第一絶縁層の上に、無電解銅めっき層との密着力を増加させるプライマー層を形成する第二工程と、
前記プライマー層と前記第一絶縁層をそれぞれ貫通して、前記第一配線層の表面を露出させるビアホールを形成する第三工程と、
前記ビアホール内に生成したスミアを除去するデスミア処理を行う第四工程と、
前記第四工程の後に、前記プライマー層の表面並びに前記ビアホールの底面及び側壁面に無電解銅めっき層を形成する第五工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、第二配線層を形成しない領域にめっきマスクとなるレジストパターンを形成する第六工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、前記レジストパターンが形成されていない領域に電解銅めっき層を形成する第七工程と、
前記第七工程の後に、前記レジストパターンを剥離する第八工程と、
前記第八工程の後に、前記レジストパターンが形成されていた領域の前記無電解銅めっき層を除去することで、前記無電解銅めっき層と前記電解銅めっき層とを備えた第二配線層を形成し、且つ前記プライマー層の表面を露出する第九工程と、
前記第二配線層の表面に錫めっき層を形成後、前記錫めっき層の表面にシランカップリング層を形成する第十工程と、
前記錫めっき層及び前記シランカップリング層が形成された前記第二配線層と、前記プライマー層とを覆うように第二絶縁層を形成する第十一工程と、を少なくとも有することを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁基板の上に第一配線層を備えた積層体の上に、複数の層を形成する多層プリント配線基板の製造方法であって、
前記積層体の上に、前記第一配線層を覆うように第一絶縁層を形成する第一工程と、
前記第一絶縁層の上に、無電解銅めっき層との密着力を増加させるプライマー層を形成する第二工程と、
前記プライマー層と前記第一絶縁層をそれぞれ貫通して、前記第一配線層の表面を露出させるビアホールを形成する第三工程と、
前記ビアホール内に生成したスミアを除去するデスミア処理を行う第四工程と、
前記第四工程の後に、前記プライマー層の表面並びに前記ビアホールの底面及び側壁面に無電解銅めっき層を形成する第五工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、第二配線層を形成しない領域にめっきマスクとなるレジストパターンを形成する第六工程と、
前記無電解銅めっき層の表面の、前記レジストパターンが形成されていない領域に電解銅めっき層を形成する第七工程と、
前記第七工程の後に、前記レジストパターンを剥離する第八工程と、
前記第八工程の後に、前記レジストパターンが形成されていた領域の前記無電解銅めっき層を除去することで、前記無電解銅めっき層と前記電解銅めっき層とを備えた第二配線層を形成し、且つ前記プライマー層の表面を露出する第九工程と、
前記第二配線層の表面にシランカップリング層を形成する第十工程と、
前記シランカップリング層が形成された前記第二配線層と、前記プライマー層とを覆うように第二絶縁層を形成する第十一工程と、を少なくとも有することを特徴とする多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第三工程が、レーザードリルを使用する工程であることを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記プライマー層は、エポキシ樹脂を含有することを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれか１項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記プライマー層は、ポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含有することを特徴とする請求項９から請求項１３のいずれか１項に記載の多層プリント配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層プリント配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板は、電子部品や半導体素子等を実装するために広く用いられている。そして、近年の電子機器の小型化、高機能化の要求に伴い、プリント配線基板には、回路の高密度化や薄型化や高周波対応が望まれている。
この高密度なプリント配線基板を製造する方法として、ビルドアップ法を用いた多層ビルドアップ配線基板が知られている。この方法は、絶縁基板上に配線層を形成したコア層（コア基板）の上に絶縁層を形成し、さらにその上に配線層を形成し、さらに絶縁層を形成するという工程を繰り返すことにより、多層ビルドアップ配線基板を形成するものである。【０００３】
多層ビルドアップ配線基板の配線層を形成する従来方法として、例えば、セミアディティブ工法がある。そして、このセミアディティブ工法に関する技術としては、例えば、特許文献１、特許文献２に記載されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１２３９８６号公報
【特許文献２】特開２０１２−２１６７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、セミアディティブ工法を使用して製造した従来のプリント配線基板には、配線層における高周波信号の伝送遅延や、製造時に配線層の幅が細くなるため、設計通りの線幅値が得にくいといった課題がある。
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、セミアディティブ工法を使用しても、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止することが可能であり、且つ線幅値が設計通りの配線層を備えた多層プリント配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するべく、本発明の一態様に係る多層プリント配線基板は、絶縁基板の上に第一配線層と第一絶縁層とをこの順に積層したコア基材と、前記コア基材の上に、第二配線層と第二絶縁層とをこの順に積層したビルドアップ層と、を有し、前記第二配線層と、前記第一絶縁層との間にはプライマー層が形成されており、前記第二配線層の下面の少なくとも一部は、前記プライマー層に接しており、前記第二配線層の上面及び側面には、錫めっき層とシランカップリング層とがこの順に形成されているプリント配線基板である。【０００７】
また、本発明の一態様に係る多層プリント配線基板の製造方法は、絶縁基板の上に第一配線層を備えた積層体の上に、複数の層を形成する多層プリント配線基板の製造方法であって、前記積層体の上に、前記第一配線層を覆うように第一絶縁層を形成する第一工程と、前記第一絶縁層の上に、銅層との密着力を増加させるプライマー層と、銅層とをこの順に形成する第二工程と、前記銅層と前記プライマー層と前記第一絶縁層をそれぞれ貫通して、前記第一配線層の表面を露出させるビアホールを形成する第三工程と、前記ビアホール内に生成したスミアを除去するデスミア処理を行う第四工程と、前記第四工程の後に、前記銅層を除去し、前記プライマー層の表面を露出させる第五工程と、前記第五工程の後に、前記プライマー層の表面並びに前記ビアホールの底面及び側壁面に無電解銅めっき層を形成する第六工程と、前記無電解銅めっき層の表面の、第二配線層を形成しない領域にめっきマスクとなるレジストパターンを形成する第七工程と、前記無電解銅めっき層の表面の、前記レジストパターンが形成されていない領域に電解銅めっき層を形成する第八工程と、前記第八工程の後に、前記レジストパターンを剥離する第九工程と、前記第九工程の後に、前記レジストパターンが形成されていた領域の前記無電解銅めっき層を除去することで、前記無電解銅めっき層と前記電解銅めっき層とを備えた第二配線層を形成し、且つ前記プライマー層の表面を露出する第十工程と、前記第二配線層の表面に錫めっき層を形成後、前記錫めっき層の表面にシランカップリング層を形成する第十一工程と、前記錫めっき層及び前記シランカップリング層が形成された前記第二配線層と、前記プライマー層とを覆うように第二絶縁層を形成する第十二工程と、を少なくとも有するプリント配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一態様に係る多層プリント配線基板及びその製造方法によれば、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止した多層プリント配線基板及びその製造方法を提供することができる。また、線幅値が設計通りの配線層を備えた多層プリント配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程の流れを示す概略断面図である。
【図２】本発明の第二の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程の流れを示す概略断面図である。
【図３】本発明の第三の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程の流れを示す概略断面図である。
【図４】本発明の第四の実施形態に係るプリント配線基板の製造工程の流れを示す概略断面図である。
【図５】本発明の各実施形態に係るプリント配線基板の変形例の構成を示す概略断面図である。
【図６】従来のプリント配線基板の製造工程の流れの一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の第一から第四の各実施形態について、図面を参照して説明する。
ここで、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。他にも、図面を簡潔にするために、周知の構造が略図で示されている。また、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。また、以下に示す各実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための構成を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、及び構造等が下記のものに特定するものでない。また、本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された請求項が規定する技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１１】
＜第一の実施形態＞
（プリント配線基板１０１の製造工程）
以下、図１を参照しつつ、本発明の第一の実施形態に係るプリント配線基板（多層プリント配線基板）１０１の製造工程を説明する。
本実施形態のプリント配線基板１０１は、セミアディティブ工法を用いて絶縁基板１の上に配線層を形成したプリント配線基板である。
まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成し、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層（第一絶縁層）３を形成する。本実施形態では、この工程を第一工程とする。
次に、図１（ｂ）に示すように、第一絶縁樹脂層３の上にプライマー層４を形成し、プライマー層４の上に銅層５を形成する。本実施形態では、この工程を第二工程とする。
【００１２】
この銅層５は、例えば、銅箔を圧着して形成したものであっても良いし、無電解めっきで形成した無電解銅めっき層であっても良いし、スパッタや真空蒸着で成膜した銅薄膜層であっても良い。このように、プライマー層４と銅層５とをこの順に第一絶縁樹脂層３の上に形成せずとも、プライマー層４を形成した銅層５を、そのプライマー層４が形成された面を第一絶縁樹脂層３側に向けて、第一絶縁樹脂層３の上に圧着しても良い。プライマー層４の形成方法は、特に限定する必要はなく、例えば、プライマー層４となる薬剤を含む浴に浸漬してから引き上げて乾燥させても良いし、当該薬剤を含む液体をスプレーしてから乾燥させても良い。なお、銅層５として銅箔を使用する場合は、銅箔の表面粗さが十点平均粗さＲｚで１．０μｍ以下、算術平均粗さＲａで０．１μｍ以下であるものを使用するのが望ましい。例えば、電解銅箔の粗面のような粗い表面（Ｒｚで１．５μｍ超）を持つ銅箔を使用することは適当ではない。
なお、このプライマー層４は、第一絶縁樹脂層３と銅層５との密着性を確保できれば材料の種類を問わず、一例として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含む材料を挙げることができる。また、このプライマー層４は、乾燥膜厚で３μｍ以下であることが望ましい。また、銅層５の厚さは、３μｍ以下であることが望ましい。
【００１３】
次に、図１（ｃ）に示すように、例えば、レーザ光照射により、銅層５とプライマー層４と第一絶縁樹脂層３とを貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成する。本実施形態では、この工程を第三工程とする。
このレーザ光照射には、例えば、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマーレーザ等、各種のレーザを使用することができる。レーザ光照射によりビアホール６を形成した時、ビアホール６の底面やその側壁面（内側面）には、スミア７が残っている。ここで、スミア７とは、レーザ光照射によって生じた絶縁樹脂の残渣のことである。なお、図１（ｃ）は、ビアホール６の底面である第一配線層２の表面上にスミア７が残った状態を例示している。
【００１４】
次に、図１（ｄ）に示すように、スミア７をデスミア処理して取り除く。本実施形態では、この工程を第四工程とする。このデスミア処理は、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されているデスミア工程を使用可能である。
本実施形態であれば、このデスミア処理を行っても、第一絶縁樹脂層３の表面は少なくとも銅層５で覆われているので粗化されない。
次に、図１（ｅ）に示すように、銅層５を除去してプライマー層４の表面を露出させる。本実施形態では、この工程を第五工程とする。銅層５の除去には、銅のエッチング液を使用したエッチング除去が好適に使用できる。銅のエッチング液としては、塩化鉄系のエッチング液をはじめ、硫酸：過酸化水素系など各種のエッチング液を使用可能である。
【００１５】
次に、図１（ｆ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びにプライマー層４の表面を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第六工程とする。
次に、図１（ｇ）に示すように、後述する第二配線層１２を形成しない部分（領域）である非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成する。本実施形態では、この工程を第七工程とする。レジストパターン１０の形成方法としては、通常のフォトリソグラフィ法を使用すれば良い。例えば、レジストパターン１０を形成する感光性レジスト材料として、ネガ型のドライフィルムを使用することができる。このドライフィルムをラミネートした後、所望のパターンを備えたフォトマスクを、露光装置を用いて露光し現像することにより、レジストパターン１０を得ることができる。
【００１６】
次に、図１（ｈ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第八工程とする。電解銅めっきは、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されている硫酸銅浴を用いた電解銅めっき装置を使用して実施することができる。
次に、図１（ｉ）に示すように、レジストパターン１０を除去し、レジストパターン１０で覆われていた無電解銅めっき層９の表面を露出させる。本実施形態では、この工程を第九工程とする。レジストパターン１０の除去は、使用するレジスト材料に合わせたレジスト剥離液を使用したレジスト剥離浴に、レジストパターン１０が形成された基板を一定時間浸漬した後、当該基板に付着したレジスト剥離液を水洗除去し、当該基板を乾燥することによって実施可能である。
【００１７】
次に、図１（ｊ）に示すように、第九工程によって表面が露出した部分、つまり、レジストパターン１０が形成されていた領域の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成する。本実施形態では、この工程を第十工程とする。この無電解銅めっき層９のエッチング除去には、その膜厚を薄いため、鉄液系のエッチング液などよりエッチング速度が遅いエッチング液が使用される。例えば、過硫酸アンモニウム系や硫酸・過水系のエッチング液が使用可能である。
この時、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、粗化表面に形成された凹凸の凹部に入り込んだ銅をエッチング除去する場合のようにエッチング時間を長くして、凹部の内部まで完全に銅を除去する必要がない。このため、無電解銅めっき層９をエッチング除去する際、配線パターン（第二配線層１２）のサイドエッチング量を少なく抑えることができる。そのため、配線（第二配線層１２）の線幅が細くならない。
【００１８】
次に、図１（ｋ）に示すように、第二配線層１２の露出面に無電解めっき処理を施して錫めっき層１３を形成した後、その錫めっき層１３の露出面にシランカップリング層１４を形成する。本実施形態では、この工程を第十一工程とする。シランカップリング層１４を形成する方法としては、特に限定する必要はなく、例えば、シランカップリング剤を含有する薬剤によって建浴した浴に浸漬して引き上げてから乾燥させれば良い。また、シランカップリング剤を含有する薬液をスプレーしてから乾燥させても良い。
次に、図１（ｌ）に示すように、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とを備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層（第二絶縁層）１５を形成する。本実施形態では、この工程を第十二工程とする。この時、第二配線層１２の上面及び側面には錫めっき層１３とシランカップリング層１４が形成されているため、第二絶縁樹脂層１５との密着性が確保できる。第二絶縁樹脂層１５を形成する方法としては、特に限定する必要はなく、例えば、ロールコータやダイコータなどを好適に使用することができる。
こうして、本実施形態に係るプリント配線基板１０１を製造する。
【００１９】
（プリント配線基板１０１の全体構成）
以下、上述の製造工程を経て製造したプリント配線基板１０１の全体構成について、図１（ｌ）を参照しつつ、簡単に説明する。
図１（ｌ）に示すように、プリント配線基板１０１は、絶縁基板１の上に第一配線層２と第一絶縁樹脂層３とをこの順に積層してなる積層体（コア基材）と、その積層体の上に、第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５とをこの順に積層してなるビルドアップ層とを有している。そして、第二配線層１２と、第一絶縁樹脂層３との間にはプライマー層４が形成されており、第二配線層１２の下面の少なくとも一部は、プライマー層４に接している。また、第二配線層１２の上面及び側面には、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とがこの順に形成されている。
なお、図１（ｌ）に示した２つの第二配線層１２のうち一方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触しているが、他方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触していない。また、第二配線層１２は、第一配線層２側から順に、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１を備えている。
【００２０】
（第一の実施形態の効果）
上述の製造工程であれば、第二配線層１２の全面を粗化することがなく、平坦な面を持つ配線（第二配線層１２）を形成することができる。このため、高周波信号に対する伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
また、上述の製造工程であれば、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、当該下面が粗化されている場合と比較して、無電解銅めっき層９のエッチング除去が短時間で終了する。このため、第二配線層１２のサイドエッチング量を低減でき、設計通りの線幅値を有するプリント配線基板を提供することができる。
【００２１】
さらに、上述の製造工程であれば、デスミア処理を行っても第一絶縁樹脂層３の表面が粗化されることがないので、第一絶縁樹脂層３の上にセミアディティブ工法によって第二配線層１２を形成しても、第二配線層１２は粗化された面がない配線となる。また、第二配線層１２の上に形成する第二絶縁樹脂層１５との密着増強層である錫めっき層１３とシランカップリング層１４をこの順に形成することによって、図１（ａ）の状態が形成され、図１（ｂ）〜（ｌ）を繰り返すことによって、多層ビルドアップ配線基板を製造することが可能である。
【００２２】
また、上述の製造工程より製造された多層ビルドアップ配線基板は、配線層の上面及び側面のみならず、配線層の下面も凹凸がなく平坦となるため、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
また、上述のように、配線層の下面に接する樹脂層は、粗化されておらず、平滑な面である。このため、露出している配線層のエッチング除去時間を短縮可能となるだけでなく、配線層形成工程で、配線層の幅が細くなることがなく、設計通りの線幅値を備えた配線層の形成が可能なプリント配線基板を提供することができる。
【００２３】
＜第二の実施形態＞
（プリント配線基板１０２の製造工程）
以下、図２を参照しつつ、本発明の第二の実施形態に係るプリント配線基板１０２の製造工程を説明する。
本実施形態のプリント配線基板１０２は、セミアディティブ工法を用いて絶縁基板１の上に配線層を形成したプリント配線基板である。第一の実施形態では、第二配線層１２の露出面に、錫めっき層１３とシランカップリング層１４の２層を形成しているのに対し、第二の実施形態では、当該面に、シランカップリング層１４のみを形成している点で両者は異なる。以下、本実施形態に係るプリント配線基板１０２の製造工程について、具体的に説明する。なお、処理方法などについては、第一の実施形態と同等である。
【００２４】
まず、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成し、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層３を形成する。本実施形態では、この工程を第一工程とする。
次に、図２（ｂ）に示すように、第一絶縁樹脂層３の上にプライマー層４を形成し、プライマー層４の上に銅層５を形成する。本実施形態では、この工程を第二工程とする。
この銅層５は、例えば、銅箔を圧着して形成したものであっても良いし、無電解めっきで形成した無電解銅めっき層であっても良いし、スパッタや真空蒸着で成膜した銅薄膜層であっても良い。このように、プライマー層４と銅層５をこの順に第一絶縁樹脂層３の上に形成せずとも、プライマー層４を形成した銅層５を、そのプライマー層４が形成された面を第一絶縁樹脂層３側に向けて、第一絶縁樹脂層３の上に圧着しても良い。
なお、このプライマー層４は、第一絶縁樹脂層３と銅層（銅箔）５との密着性を確保できれば材料の種類を問わず、一例として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含む材料を挙げることができる。なお、このプライマー層４は、乾燥膜厚で３μｍ以下であることが望ましい。また、銅層５の厚さは、３μｍ以下であることが望ましい。
【００２５】
次に、図２（ｃ）に示すように、例えば、レーザ光照射により、銅層５とプライマー層４と第一絶縁樹脂層３とを貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成する。本実施形態では、この工程を第三工程とする。このとき、ビアホール６の底面やその側壁面（内側面）には、レーザ光照射によって生じた絶縁樹脂の残渣であるスミア７が残っている。
次に、図２（ｄ）に示すように、スミア７をデスミア処理して取り除く。本実施形態では、この工程を第四工程とする。本実施形態であれば、このデスミア処理を行っても、第一絶縁樹脂層３の表面は少なくとも銅層（銅箔）５で覆われているので粗化されない。
【００２６】
次に、図２（ｅ）に示すように、銅層（銅箔）５を除去してプライマー層４の表面を露出させる。本実施形態では、この工程を第五工程とする。
次に、図２（ｆ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びにプライマー層４の表面を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第六工程とする。
次に、図２（ｇ）に示すように、非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成する。本実施形態では、この工程を第七工程とする。
次に、図２（ｈ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第八工程とする。
【００２７】
次に、図２（ｉ）に示すように、レジストパターン１０をレジスト剥離液で除去する。本実施形態では、この工程を第九工程とする。
次に、図２（ｊ）に示すように、表面が露出した部分、つまり、レジストパターン１０が形成されていた領域の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成する。本実施形態では、この工程を第十工程とする。
この時、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、粗化表面の凹部内に存在する銅をエッチング除去する場合のようにエッチング時間を長くして、凹部の内部まで完全に銅を除去する必要がない。このため、配線（第二配線層１２）の線幅が細くならない。
【００２８】
次に、図２（ｋ）に示すように、第二配線層１２の露出面にシランカップリング層１４を形成する。本実施形態では、この工程を第十一工程とする。
次に、図２（ｌ）に示すように、シランカップリング層１４を備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層１５を形成する。本実施形態では、この工程を第十二工程とする。この時、第二配線層１２の上面及び側面にはシランカップリング層１４が形成されているため、第二絶縁樹脂層１５との密着性が確保できる。
こうして、本実施形態に係るプリント配線基板１０２を製造する。
【００２９】
（プリント配線基板１０２の全体構成）
以下、上述の製造工程を経て製造したプリント配線基板１０２の全体構成について、簡単に説明する。
図２（ｌ）に示すように、プリント配線基板１０２は、絶縁基板１の上に第一配線層２と第一絶縁樹脂層３とをこの順に積層してなる積層体（コア基材）と、その積層体の上に、第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５とをこの順に積層してなるビルドアップ層とを有している。そして、第二配線層１２と、第一絶縁樹脂層３との間にはプライマー層４が形成されており、第二配線層１２の下面の少なくとも一部は、プライマー層４に接している。また、第二配線層１２の上面及び側面には、シランカップリング層１４が形成されている。
なお、図２（ｌ）に示した２つの第二配線層１２のうち一方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触しているが、他方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触していない。また、第二配線層１２は、第一配線層２側から順に、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１を備えている。
【００３０】
（第二の実施形態の効果）
上述の製造工程であれば、デスミア処理を行っても第一絶縁樹脂層３の表面が粗化されることがないので、第一絶縁樹脂層３の上にセミアディティブ工法によって第二配線層１２を形成しても、第二配線層１２は粗化された面がない配線となる。また、第二配線層１２の上に形成する第二絶縁樹脂層１５との密着増強層であるシランカップリング層１４を形成することによって、図２（ａ）の状態が形成され、図２（ｂ）〜（ｌ）を繰り返すことによって、多層ビルドアップ配線基板を製造することが可能である。
また、上述の製造工程より製造された多層ビルドアップ配線基板は、配線層の上面及び側面のみならず、配線層の下面も凹凸がなく平坦となるため、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
【００３１】
また、配線層の下面に接する樹脂層が粗化されておらず、平滑な面であることから、露出している配線層のエッチング除去時間を短縮可能となるだけでなく、配線層形成工程で、配線層の幅が細くなることがなく、設計通りの線幅値を備えた配線層の形成が可能なプリント配線基板を提供することができる。
また、本実施形態であれば、シランカップリング層１４で第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５との密着性を確保している。そのため、第一の実施形態では必要であった錫めっき層１３の形成工程が不要となる。この形成工程を削減することで製造工程数が少なくなり、低コストで多層ビルドアップ配線基板を製造できる。
【００３２】
＜第三の実施形態＞
（プリント配線基板１０３の製造工程）
以下、図３を参照しつつ、本発明の第三の実施形態に係るプリント配線基板１０３の製造工程を説明する。
本実施形態のプリント配線基板１０３は、セミアディティブ工法を用いて絶縁基板１の上に配線層を形成したプリント配線基板である。第一の実施形態では、第一絶縁樹脂層３の上に、プライマー層４と銅層５の二層を形成しているのに対し、第三の実施形態ではプライマー層４のみを形成している点で両者は異なる。以下、本実施形態に係るプリント配線基板１０３の製造工程について、具体的に説明する。なお、処理方法などについては、第一の実施形態と同等である。
【００３３】
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成し、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層３を形成する。本実施形態では、この工程を第一工程とする。
次に、図３（ｂ）に示すように、第一絶縁樹脂層３の上にプライマー層４を形成する。本実施形態では、この工程を第二工程とする。
なお、このプライマー層４は、第一絶縁樹脂層３と無電解銅めっき層９との密着性を確保できれば材料の種類を問わず、一例として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含む材料を挙げることができる。なお、このプライマー層４は、乾燥膜厚で３μｍ以下であることが望ましい。
【００３４】
次に、図３（ｃ）に示すように、例えば、レーザ光照射により、プライマー層４と第一絶縁樹脂層３とを貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成する。本実施形態では、この工程を第三工程とする。このとき、ビアホール６の底面やその側壁面（内側面）には、レーザ光照射によって生じた絶縁樹脂の残渣であるスミア７が残っている。
次に、図３（ｄ）に示すように、スミア７をデスミア処理して取り除く。本実施形態では、この工程を第四工程とする。なお、このデスミア処理により、プライマー層４は０．５〜２μｍエッチングされて薄くなるが、その表面は粗化されず、無電解銅めっき層９の密着性を確保できる厚さは残っている。
【００３５】
次に、図３（ｅ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びにプライマー層４の表面を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第五工程とする。
次に、図３（ｆ）に示すように、非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成する。本実施形態では、この工程を第六工程とする。
次に、図３（ｇ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第七工程とする。
次に、図３（ｈ）に示すように、レジストパターン１０をレジスト剥離液で除去する。本実施形態では、この工程を第八工程とする。
【００３６】
次に、図３（ｉ）に示すように、表面が露出した部分、つまり、レジストパターン１０が形成されていた領域の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成する。本実施形態では、この工程を第九工程とする。
この時、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、粗化表面の凹部内に存在する銅をエッチング除去する場合のようにエッチング時間を長くして、凹部の内部まで完全に銅を除去する必要がない。このため、配線（第二配線層１２）の線幅が細くならない。
【００３７】
次に、図３（ｊ）に示すように、第二配線層１２の露出面に無電解めっき処理を施して錫めっき層１３を形成した後、その錫めっき層１３の露出面にシランカップリング層１４を形成する。本実施形態では、この工程を第十工程とする。シランカップリング層１４を形成する方法としては、特に限定する必要はなく、例えば、シランカップリング剤を含有する薬剤によって建浴した浴に浸漬して引き上げてから乾燥させれば良い。また、シランカップリング剤を含有する薬液をスプレーしてから乾燥させても良い。
次に、図３（ｋ）に示すように、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とを備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層１５を形成する。本実施形態では、この工程を第十一工程とする。この時、第二配線層１２の上面及び側面には錫めっき層１３とシランカップリング層１４が形成されているため、第二絶縁樹脂層１５との密着性が確保できる。第二絶縁樹脂層１５を形成する方法としては、特に限定する必要はなく、例えば、ロールコータやダイコータなどを好適に使用することができる。
こうして、本実施形態に係るプリント配線基板１０３を製造する。
【００３８】
（プリント配線基板１０３の全体構成）
以下、上述の製造工程を経て製造したプリント配線基板１０３の全体構成について、簡単に説明する。
図３（ｋ）に示すように、プリント配線基板１０３は、絶縁基板１の上に第一配線層２と第一絶縁樹脂層３とをこの順に積層してなる積層体（コア基材）と、その積層体の上に、第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５とをこの順に積層してなるビルドアップ層とを有している。そして、第二配線層１２と、第一絶縁樹脂層３との間にはプライマー層４が形成されており、第二配線層１２の下面の少なくとも一部は、プライマー層４に接している。また、第二配線層１２の上面及び側面には、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とがこの順に形成されている。
なお、図３（ｋ）に示した２つの第二配線層１２のうち一方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触しているが、他方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触していない。また、第二配線層１２は、第一配線層２側から順に、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１を備えている。
【００３９】
（第三の実施形態の効果）
上述の製造工程であれば、第二配線層１２の全面を粗化することがなく、平坦な面を持つ配線（第二配線層１２）を形成することができる。このため、高周波信号に対する伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
また、上述の製造工程であれば、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、当該下面が粗化されている場合と比較して、無電解銅めっき層９のエッチング除去が短時間で終了する。このため、第二配線層１２のサイドエッチング量を低減でき、設計通りの線幅値を有するプリント配線基板を提供することができる。
【００４０】
さらに、上述の製造工程であれば、デスミア処理を行っても第一絶縁樹脂層３の表面が粗化されることがないので、第一絶縁樹脂層３の上にセミアディティブ工法によって第二配線層１２を形成しても、第二配線層１２は粗化された面がない配線となる。また、第二配線層１２の上に形成する第二絶縁樹脂層１５との密着増強層である錫めっき層１３とシランカップリング層１４をこの順に形成することによって、図３（ａ）の状態が形成され、図３（ｂ）〜（ｋ）を繰り返すことによって、多層ビルドアップ配線基板を製造することが可能である。
また、上述の製造工程より製造された多層ビルドアップ配線基板は、配線層の上面及び側面のみならず、配線層の下面も凹凸がなく平坦となるため、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
【００４１】
また、上述のように、配線層の下面に接する樹脂層は、粗化されておらず、平滑な面である。このため、露出している配線層のエッチング除去時間を短縮可能となるだけでなく、配線層形成工程で、配線層の幅が細くなることがなく、設計通りの線幅値を備えた配線層の形成が可能なプリント配線基板を提供することができる。
また、本実施形態であれば、デスミア処理によって粗化されないプライマー層４を用いているので、第一の実施形態で用いていたデスミア処理による粗化を防ぐための銅層（銅箔）５を形成する工程が不要となる。そのため、銅層５を除去する工程も不要となる。これらの二工程を削減することで製造工程数が少なくなり、低コストで多層ビルドアップ配線基板を製造できる。
【００４２】
＜第四の実施形態＞
（プリント配線基板１０４の製造工程）
以下、図４を参照しつつ、本発明の第四の実施形態に係るプリント配線基板１０４の製造工程を説明する。
本実施形態のプリント配線基板１０４は、セミアディティブ工法を用いて絶縁基板１の上に配線層を形成したプリント配線基板である。第三の実施形態では、第二配線層１２の露出面に、錫めっき層１３とシランカップリング層１４の２層を形成しているのに対し、第四の実施形態では、シランカップリング層１４のみを形成している点で両者は異なる。以下、本実施形態に係るプリント配線基板１０４の製造工程について、具体的に説明する。なお、処理方法などについては、第三の実施形態と同等である。
【００４３】
まず、図４（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成し、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層３を形成する。本実施形態では、この工程を第一工程とする。
次に、図４（ｂ）に示すように、第一絶縁樹脂層３の上にプライマー層４を形成する。本実施形態では、この工程を第二工程とする。
なお、このプライマー層４は、第一絶縁樹脂層３と無電解銅めっき層９との密着性を確保できれば材料の種類を問わず、一例として、エポキシ樹脂またはポリイミド樹脂またはポリアミド樹脂を含む材料が挙げることができる。なお、このプライマー層４は、乾燥膜厚で３μｍ以下であることが望ましい。
【００４４】
次に、図４（ｃ）に示すように、例えば、レーザ光照射により、プライマー層４と第一絶縁樹脂層３とを貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成する。本実施形態では、この工程を第三工程とする。このとき、ビアホール６の底面やその側壁面（内側面）には、レーザ光照射によって生じた絶縁樹脂の残渣であるスミア７が残っている。
次に、図４（ｄ）に示すように、スミア７をデスミア処理して取り除く。本実施形態では、この工程を第四工程とする。なお、このデスミア処理により、プライマー層４は０．５〜２μｍエッチングされて薄くなるが、その表面は粗化されず、無電解銅めっき層９の密着性を確保できる厚さは残っている。
【００４５】
次に、図４（ｅ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びにプライマー層４の表面を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第五工程とする。
次に、図４（ｆ）に示すように、非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成する。本実施形態では、この工程を第六工程とする。
次に、図４（ｇ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成する。本実施形態では、この工程を第七工程とする。
次に、図４（ｈ）に示すように、レジストパターン１０をレジスト剥離液で除去する。本実施形態では、この工程を第八工程とする。
【００４６】
次に、図４（ｉ）に示すように、表面が露出した部分、つまり、レジストパターン１０が形成されていた領域の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成する。本実施形態では、この工程を第九工程とする。
この時、無電解銅めっき層９の下面は粗化されていないので、粗化表面の凹部内に存在する銅をエッチング除去する場合のようにエッチング時間を長くして、凹部の内部まで完全に銅を除去する必要がない。このため、配線（第二配線層１２）の線幅が細くならない。
【００４７】
次に、図４（ｊ）に示すように、第二配線層１２の露出面にシランカップリング層１４を形成する。本実施形態では、この工程を第十工程とする。
次に、図４（ｋ）に示すように、シランカップリング層１４を備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層１５を形成する。本実施形態では、この工程を第十一工程とする。この時、第二配線層１２の上面及び側面にはシランカップリング層１４が形成されているため、第二絶縁樹脂層１５との密着性が確保できる。
こうして、本実施形態に係るプリント配線基板１０４を製造する。
【００４８】
（プリント配線基板１０４の全体構成）
以下、上述の製造工程を経て製造したプリント配線基板１０４の全体構成について、簡単に説明する。
図４（ｋ）に示すように、プリント配線基板１０１は、絶縁基板１の上に第一配線層２と第一絶縁樹脂層３とをこの順に積層してなる積層体（コア基材）と、その積層体の上に、第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５とをこの順に積層してなるビルドアップ層とを有している。そして、第二配線層１２と、第一絶縁樹脂層３との間にはプライマー層４が形成されており、第二配線層１２の下面の少なくとも一部は、プライマー層４に接している。また、第二配線層１２の上面及び側面には、シランカップリング層１４が形成されている。
なお、図４（ｋ）に示した２つの第二配線層１２のうち一方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触しているが、他方の第二配線層１２は、第一配線層２と電気的に接触していない。また、第二配線層１２は、第一配線層２側から順に、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１を備えている。
【００４９】
（第四の実施形態の効果）
上述の製造工程であれば、デスミア処理を行っても第一絶縁樹脂層３の表面が粗化されることがないので、第一絶縁樹脂層３の上にセミアディティブ工法によって第二配線層１２を形成しても、第二配線層１２は粗化された面がない配線となる。また、第二配線層１２の上に形成する第二絶縁樹脂層１５との密着増強層であるシランカップリング層１４を形成することによって、図４（ａ）の状態が形成され、図４（ｂ）〜（ｋ）を繰り返すことによって、多層ビルドアップ配線基板を製造することが可能である。
【００５０】
また、上述の製造工程より製造された多層ビルドアップ配線基板は、配線層の上面及び側面のみならず、配線層の下面も凹凸がなく平坦となるため、配線層における高周波信号の伝送遅延を抑止したプリント配線基板を提供することができる。
また、配線層の下面に接する樹脂層が粗化されておらず、平滑な面であることから、露出している配線層のエッチング除去時間を短縮可能となるだけでなく、配線層形成工程で、配線層の幅が細くなることがなく、設計通りの線幅値を備えた配線層の形成が可能なプリント配線基板を提供することができる。
【００５１】
また、本実施形態であれば、デスミア処理によって粗化されないプライマー層４を用いているので、第一の実施形態で用いていたデスミア処理による粗化を防ぐための銅層（銅箔）５を形成する工程が不要となる。そのため、銅層５を除去する工程も不要となる。これらの二工程を削減することで製造工程数が少なくなり、低コストで多層ビルドアップ配線基板を製造できる。
また、本実施形態であれば、シランカップリング層１４のみで第二配線層１２と第二絶縁樹脂層１５との密着性を確保している。そのため、第三の実施形態では必要であった錫めっき層１３の形成工程が不要となる。この形成工程を削減することで製造工程が短くなり、低コストで多層ビルドアップ配線基板を製造できる。
【００５２】
（各実施形態の効果）
上述のように、各実施形態に係るプリント配線基板１０１〜１０４の製造方法及びその製造方法により製造されたプリント配線基板１０１〜１０４によれば、第二配線層１２の上面及び側面のみならず、第二配線層１２の下面も凹凸がなく平坦となる。このため、第二配線層１２における高周波信号の伝送遅延を抑止したプリント配線基板１０１〜１０４の製造方法及びその製造方法により製造されたプリント配線基板１０１〜１０４を提供することができる。
【００５３】
また、第二配線層１２の下面に接するプライマー層４の表面が粗化されておらず、平滑な面であることから、露出している第二配線層１２のエッチング除去時間を短縮可能となるだけでなく、第二配線層１２の形成工程で、第二配線層１２の幅が細くなることがなく、設計通りの線幅値が設計通りの第二配線層１２を備えたプリント配線基板の製造方法及びその製造方法により製造されたプリント配線基板１０１〜１０４を提供することができる。
つまり、各実施形態に係るプリント配線基板１０１〜１０４の製造方法及びその製造方法により製造されたプリント配線基板１０１〜１０４によれば、高周波信号に対する信号遅延の問題を解決すると共に、シード層（パターン電解銅めっきの下地導電層となる無電解銅めっき層）のエッチング時間を短縮し、配線層形成工程でパターン電解銅めっきによる配線層の幅が細くならない。
【００５４】
（各実施形態の変形例）
上述の各実施形態の変形例について、図５を参照しつつ、簡単に説明する。
図５は、本発明の各実施形態に係るプリント配線基板１０１〜１０４の変形例の構成を示す概略断面図である。上述の各実施形態に係るプリント配線基板１０１〜１０４は、第二配線層１２を一層のみ備えているが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、第二配線層１２を複数層備えていてもよい。つまり、上述の各実施形態の変形例の一態様に係るプリント配線基板１０５ａ、１０５ｂは、絶縁基板１の上に配線層と絶縁層とを交互に積層しており、積層された絶縁層のうち少なくとも１つの絶縁層の上には、プライマー層４が形成されており、そのプライマー層４のうち少なくとも１つのプライマー層４の上には配線層が形成されている。そして、プライマー層４の上に形成された配線層の下面の少なくとも一部は、プライマー層４に接している。さらに、図５（ａ）に示したプリント配線基板１０５ａでは、その配線層の上面及び側面には、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とがこの順に形成されている。また、図５（ｂ）に示したプリント配線基板１０５ｂでは、その配線層の上面及び側面には、シランカップリング層１４のみが形成されている。換言すると、図５（ａ）に示したプリント配線基板１０５ａは、例えば、図１（ａ）の状態が形成され、図１（ｂ）〜（ｌ）を繰り返すことによって形成された多層ビルドアップ配線基板である。また、図５（ｂ）に示したプリント配線基板１０５ｂは、例えば、図２（ａ）の状態が形成され、図２（ｂ）〜（ｌ）を繰り返すことによって形成された多層ビルドアップ配線基板である。
【００５５】
［実施例］
＜第一の実施例＞
以下、本発明の第一の実施例について説明する。
まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成した後、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層３を形成した。この構成は、ＦＲ−４のガラスエポキシ片面板（銅箔の厚さ：１２μｍ）が有する銅箔をパターニングして形成した第一配線層２を備えたコア基材を作成し、その第一配線層２の上に第一絶縁樹脂層３を塗布・乾燥することによって得た。なお、銅箔のパターニングには、通常のプリント配線基板の製造工程を使用した。また、第一絶縁樹脂層３の材料には、層間絶縁フィルムＡＢＦ−ＧＸ１３（厚さ２５μｍ、味の素ファインテクノ（株）製）を使用し、その材料をラミネートすることによって第一絶縁樹脂層３を形成した。
【００５６】
次に、図１（ｂ）に示すように、この第一絶縁樹脂層３の上に、プライマー層４（厚さ３μｍ）を付けた銅箔５（厚さ３μｍ）を圧着した。
次に、図１（ｃ）に示すように、レーザ光照射により、銅箔５とプライマー層４と第一絶縁樹脂層３とを貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成した。この工程には、プリント配線基板用ＣＯ２レーザードリルＳＬＲ−４００Ｔ（住友重機械工業（株）製）を使用し、直径１００μｍのビアホール６を形成した。このとき、ビアホール６の底面（第一配線層２の露出面）には、レーザ光照射によって生じたスミア７が残っていた。
【００５７】
そのため、次に、図１（ｄ）に示すように、このスミア７をデスミア処理して取り除いた。このデスミア処理は、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されている過マンガン酸デスミア工程を使用した。
次に、図１（ｅ）に示すように、銅箔５を除去してプライマー層４の表面を露出させた。銅箔５の除去は、硫酸・過水系のエッチング液を使用した銅のエッチング装置を用いて実施した。
次に、図１（ｆ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びにプライマー層４の表面を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成した。
【００５８】
次に、図１（ｇ）に示すように、非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成した。レジストパターン１０の形成は、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されているネガ型のドライフィルムを使用したフォトリソ工程により実施した。
次に、図１（ｈ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成した。電解銅めっきは、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されている硫酸銅電解めっき装置を用いて実施した。また、電解銅めっき層１１の厚さは、１２±２μｍとした。
【００５９】
次に、図１（ｉ）に示すように、レジストパターン１０をレジスト剥離液で除去した。レジストパターン１０の剥離は、通常のプリント配線基板の製造工程で使用されているドライフィルムパターンのレジスト剥離工程により実施した。
次に、図１（ｊ）に示すように、表面が露出した部分の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成した。この無電解銅めっき層９のエッチング除去には、過硫酸アンモニウム系のエッチング液を使用した。
こうして、１０±２μｍのライン＆スペースの微細配線を容易に形成することができた。
【００６０】
次に、図１（ｋ）に示すように、第二配線層１２の露出面に無電解めっき処理を施して錫めっき層１３を形成した。次に、その錫めっき層１３の露出面にシランカップリング層１４を形成した。シランカップリング層１４の形成は、シランカップリング剤ＦＣ−９１００（メック(株)社製）を使用した処理浴に浸漬後、引き上げてから熱風乾燥により実施した。
次に、図１（ｌ）に示すように、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とを備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層１５を形成した。第二絶縁樹脂層１５の材料には、層間絶縁フィルムＡＢＦ−ＧＸ１３（厚さ２５μｍ、味の素ファインテクノ（株）製）を使用し、その材料をラミネートすることによって第二絶縁樹脂層１５を形成した。
以上により製造した多層ビルドアップ配線基板は、第二絶縁樹脂層１５と、第二配線層１２及び第一配線層２との密着性が良好であり、また高速信号伝送及び配線層の線幅の微細化に対応したものであった。
【００６１】
＜第二の実施例＞
次に、本発明の第二の実施例について説明する。
第一の実施例では、図１（ｋ）に示したように、第二配線層１２の上面及び側面に錫めっき層１３とシランカップリング層１４とをこの順に形成したが、第二の実施例では、シランカップリング層１４のみを第二配線層１２の上面及び側面に形成した。この点以外は、第一の実施例と同様にした。
【００６２】
＜第三の実施例＞
次に、本発明の第三の実施例について説明する。
第一の実施例では、図１（ｂ）に示したように、第一絶縁樹脂層３の上にプライマー層４を形成し、そのプライマー層４の上に銅層５を形成したが、第三の実施例では、プライマー層４のみを第一絶縁樹脂層３の上に形成した。この点以外は、第一の実施例と同様にした。
【００６３】
＜第四の実施例＞
次に、本発明の第四の実施例について説明する。
第三の実施例では、図３（ｊ）に示したように、第二配線層１２の上面及び側面に錫めっき層１３とシランカップリング層１４とをこの順に形成したが、第四の実施例では、シランカップリング層１４のみを第二配線層１２の上面及び側面に形成した。この点以外は、第三の実施例と同様にした。
【００６４】
（参考例）
以下、上述の技術的特徴を備えないプリント配線基板及びその製造方法を、本実施形態に係るプリント配線基板及びその製造方法の参考例として、簡単に説明する。
以下、図６を参照しつつ、セミアディティブ工法を使用して製造した従来のプリント配線基板及びその製造方法について説明する。
まず、図６（ａ）に示すように、絶縁基板１の上に第一配線層２を形成し、その第一配線層２を覆うように第一絶縁樹脂層３を形成する。
次に、図６（ｂ）に示すように、レーザ光照射により、第一絶縁樹脂層３を貫通して第一配線層２の表面を露出させるビアホール６を形成する。このとき、ビアホール６の底面やその側壁面（内側面）には、スミア７が残っている。
【００６５】
次に、図６（ｃ）に示すように、スミア７をデスミア処理して取り除く。このデスミア処理の際に第一絶縁樹脂層３の表面及びビアホール６の側壁面はそれぞれ粗化される。このデスミア処理によって粗化された第一絶縁樹脂層３の表面を、以降、「粗化表面８」と称する。
次に、図６（ｄ）に示すように、ビアホール６の底面及びその側壁面並びに粗化表面８を覆う無電解銅めっき層９を無電解めっきで形成する。この時、粗化表面８の凹凸によるアンカー効果で、無電解銅めっき層９の密着性が確保される。
【００６６】
次に、図６（ｅ）に示すように、非配線部を覆うレジストパターン１０を無電解銅めっき層９上に形成する。
次に、図６（ｆ）に示すように、レジストパターン１０を形成した無電解銅めっき層９上に電解銅めっき層１１を電解銅めっきで形成する。
次に、図６（ｇ）に示すように、レジストパターン１０をレジスト剥離液で除去する。
次に、図６（ｈ）に示すように、表面が露出した部分の無電解銅めっき層９をエッチングにより除去し、無電解銅めっき層９と電解銅めっき層１１とを含む第二配線層１２を形成する。
【００６７】
次に、図６（ｉ）に示すように、第二配線層１２の露出面に無電解めっき処理を施して錫めっき層１３を形成した後、その錫めっき層１３の露出面にシランカップリング層１４を形成する。
次に、図６（ｊ）に示すように、錫めっき層１３とシランカップリング層１４とを備えた第二配線層１２を覆うように第二絶縁樹脂層１５を形成する。この時、第二配線層１２の上面及び側面には錫めっき層１３とシランカップリング層１４が形成されているため、第二絶縁樹脂層１５との密着性が確保できる。
【００６８】
上述の製造方法であれば、第二配線層１２の上面及び側面は、粗化することなく平坦な面となるため、第二絶縁樹脂層１５との密着性を確保できるとともに、表皮効果で信号伝送における高速応答性が失われることはない。しかしながら、第二配線層１２の下面は、デスミア処理により粗化された第一絶縁樹脂層３の表面（粗化表面８）に接しているため、第二配線層１２の下面は平坦ではなく凹凸が存在する。このため、信号伝送における高速応答性が失われてしまう。
また、無電解銅めっき層９をエッチングにより除去する際、第一絶縁樹脂層３の表面が粗化されているため、その粗化表面８に形成された凹凸の凹部に入り込んだ銅を確実に除去するためにエッチング時間を長くしなければならず、その分、配線は細くなり、非配線部は広くなる。このため、上記方法では、微細なライン＆スペースを形成するには不利である。
【００６９】
上述の特許文献１には、密着剤により銅箔を樹脂層に密着させ、レーザ光照射によりビアホールを形成し、その後、デスミア処理を行った後、セミアディティブ工法のシード層として無電解銅めっき層を形成することが記載されている。
しかしながら、上記技術では、セミアディティブ工法を使用しているため、無電解銅めっき層をエッチングする際、無電解銅めっき層の下地表面が粗化されてしまう。このために、粗化表面に形成された凹凸の凹部に入り込んだ銅をエッチング除去するためにオーバーエッチングをしなければならない。そのため、配線を形成する銅箔もエッチングされ、配線パターンが細ってしまうことから、微細配線の形成には適していない。
【００７０】
また、上述の特許文献２には、コア基材上に配線パターンを形成し、その上に絶縁層を形成し、その上にガラス基板などの表面の凹凸が小さい基板上に別工程で形成した銅層を転写して、その銅層の上にシード層を形成し、従来のセミアディティブ工法を使用して配線パターンを形成する技術が開示されている。この技術では配線層の下面が平坦となるため、高周波信号に対する信号遅延の問題が解決可能である。
しかしながら、従来のセミアディティブ工法を使用するため、上述の特許文献１と同じ理由で配線パターンが細ってしまうことがあり、微細配線の形成には適していない。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明によれば、微細配線で高速応答可能な配線パターンを有する多層ビルドアッププリント配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１…絶縁基板
２…第一配線層
３…第一絶縁樹脂層
４…プライマー層
５…銅層（銅箔）
６…ビアホール
７…スミア
８…粗化された第一絶縁樹脂層の表面（粗化表面）
９…無電解銅めっき層
１０…レジストパターン
１１…電解銅めっき層
１２…第二配線層
１３…錫めっき層
１４…シランカップリング層
１５…第二絶縁樹脂層
１０１〜１０４…プリント配線基板
１０５ａ、１０５ｂ…プリント配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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