(57)【要約】【課題】磁性体シールドで覆われたバスバを流れる電流を高精度に検出することができる電流検出装置及び補正係数算出方法を提供する。【解決手段】電流検出装置１は、複数のバスバ２と、複数のバスバ２のそれぞれに対応して配置され、バスバ２に流れる電流により発生する磁界の強度に応じた電圧を出力する複数の磁気検出素子３と、各バスバ２の一部及び各磁気検出素子３を囲むように配置された磁性体シールド５と、複数のバスバ２のうち任意の２つ以上のバスバ２に逆位相の電流を通電したときに複数の磁気検出素子３が出力する電圧に基づいて複数の磁気検出素子３の相互干渉を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部６２と、補正係数算出部６２が算出した補正係数を記憶する補正係数記憶部７と、補正係数記憶部７に記憶された補正係数を用い、複数の磁気検出素子３の出力電圧に基づいて複数のバスバ２を流れる電流を算出する電流算出部６１とを備える。
2017119092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバスバと、
前記複数のバスバのそれぞれに対応して配置され、前記バスバに流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、前記磁界の強度に応じた電圧を出力する複数の磁気検出素子と、
前記複数のバスバの一部及び前記複数の磁気検出素子を囲むように配置された磁性体シールドと、
前記複数のバスバのうち任意の２つ以上のバスバに位相が逆位相となる電流を通電したときに前記複数の磁気検出素子が出力する電圧に基づいて、前記複数の磁気検出素子の相互干渉を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部と、
前記補正係数算出部が算出した前記補正係数が記録された記録媒体と、
前記記録媒体に記録された前記補正係数を用い、前記複数の磁気検出素子が出力した電圧に基づいて、前記複数のバスバを流れる電流を算出する電流算出部と、
を備えた電流検出装置。
【請求項２】
前記補正係数算出部が前記補正係数を算出するときの、前記２つ以上のバスバに通電する位相が逆位相となる電流を同位相同士合計した２つの電流振幅の振幅差は、振幅が大きい方の１／１０以下である、
請求項１に記載の電流検出装置。
【請求項３】
複数のバスバと、
前記複数のバスバのそれぞれに対応して配置され、前記バスバに流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、前記磁界の強度に応じた電圧値を出力する複数の磁気検出素子と、
前記複数のバスバの一部及び前記複数の磁気検出素子を囲むように配置された磁性体シールドと、
を備える電流検出装置における補正係数算出方法であって、
前記複数のバスバのうち任意の２つ以上のバスバに位相が逆位相となる電流を通電したときに前記複数の磁気検出素子が出力する電圧に基づいて、前記複数の磁気検出素子の相互干渉を補正するための補正係数を算出する工程を含む補正係数算出方法。
【請求項４】
前記補正係数を算出する工程における、前記２つ以上のバスバに通電する位相が逆位相となる電流を同位相同士合計した２つの電流振幅の振幅差は、振幅が大きい方の１／１０以下である、
請求項３に記載の補正係数算出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流検出装置及び補正係数算出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導電体アレイのそれぞれの導電体が互いに隣接して配置されていても、それらの導電体のうちの一つの導電体を流れる電流を正確に検知できるようにした電流測定装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。【０００３】
特許文献１に記載された電流測定装置は、互いに平行に配置された３つの導電体からなる導電体アレイのそれぞれの導電体を挟むように配置された４つの磁界センサの出力信号を読み取る読取ユニットと、読取ユニットによって読み取られた出力信号ならびに所定の磁界が各磁界センサの出力信号に与える影響を表す補正係数に基づいて、それぞれの導電体を流れる電流を演算する演算ユニットとを備える。演算ユニットの演算に用いられる補正係数は、１つの導電体にのみ通電して他の導電体には通電しない状態で予め算出され、記録されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００４−５０７７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の電流測定装置では、導電体の近傍に磁性体シールドが存在すると、磁界センサの出力信号が磁性体シールドによる磁界の影響を受けるため、正確に補正係数を算出することができないという問題があった。【０００６】
そこで、本発明は、磁性体シールドで覆われたバスバに流れる電流を高精度に検出することができる電流検出装置及び補正係数算出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の目的を達成するため、複数のバスバと、前記複数のバスバのそれぞれに対応して配置され、前記バスバに流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、前記磁界の強度に応じた電圧を出力する複数の磁気検出素子と、前記複数のバスバの一部及び前記複数の磁気検出素子を囲むように配置された磁性体シールドと、前記複数のバスバのうち任意の２つ以上のバスバに位相が逆位相となる電流を通電したときに前記複数の磁気検出素子が出力する電圧に基づいて、前記複数の磁気検出素子の相互干渉を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部と、前記補正係数算出部が算出した前記補正係数が記録された記録媒体と、前記記録媒体に記録された前記補正係数を用い、前記複数の磁気検出素子が出力した電圧に基づいて、前記複数のバスバを流れる電流を算出する電流算出部と、を備えた電流検出装置を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、バスバが磁性体シールドで覆われた構成において、バスバに流れる電流を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態に係る電流検出装置を示す要部の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】Ｕ相にのみ通電したときの磁気検出素子の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【図４】Ｕ相とＶ相に通電したときの磁気検出素子の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【図５】Ｕ相とＶ相に大きさがほぼ同じ電流を互いに逆方向に通電したときの磁気検出素子の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【図６】Ｖ相とＷ相に大きさがほぼ同じ電流を互いに逆方向に通電したときの磁気検出素子の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【図７】Ｗ相とＵ相に大きさがほぼ同じ電流を互いに逆方向に通電したときの磁気検出素子の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【図８】補正係数を適用する前の３相に通電した場合の磁気検出素子の電圧出力の測定結果である。
【図９】補正係数を適用した後の３相に通電した場合の磁気検出素子の電圧出力の測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について図１〜図９を参照して説明する。
【００１１】
図１は、本発明の実施の形態に係る電流検出装置を示す要部の平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。なお、図１では、後述する演算部及び補正係数記憶部の図示を省略している。
【００１２】
電流検出装置１は、図１、図２に示すように、並列配置された複数（本実施の形態では３相用の３つ）のバスバ２ｕ，２ｖ，２ｗ（以下、これらを総称するときは「バスバ２」ともいう）と、３つのバスバ２ｕ，２ｖ，２ｗのそれぞれに対応して配置され、バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗを流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、検出した磁界の強度に応じた電圧を出力する複数（本実施の形態では３つ）の磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗ（以下、これらを総称するときは「磁気検出素子３」ともいう）と、３つのバスバ２ｕ，２ｖ，２ｗの一部、及び３つの磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗを覆うモールド樹脂部４と、モールド樹脂部４の周囲を覆う磁性体シールド５と、３つの磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗが出力した電圧に基づいて、各バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗに流れる電流を算出する演算部６と、補正係数を記憶する補正係数記憶部７とを備える。補正係数記憶部７は、本発明の「記録媒体」の一態様である。
【００１３】
バスバ２は、板状の導体から形成され、例えば自動車の走行用の駆動源であるモータとインバータとの間で、三相交流のモータ電流を流す電流路となるものである。バスバ２を流れる電流は、例えば定常時で最大２００Ａ程度、異常時等の突入電流で最大８００Ａ程度であり、周波数は、例えば最大１００ｋＨｚ程度である。３本のバスバ２は、同一平面上に配置され、その長手方向が平行となるように、幅方向に等間隔に並列配置されている。バスバに電流が流れると、その電流の向きと直交する方向に磁界が生じ、その強度はバスバからの距離が離れるにつれ減少する。
【００１４】
磁気検出素子３は、検出軸に沿った方向の磁界の強度（磁束密度）に応じた電圧を出力するように構成されている。磁気検出素子３としては、例えばＧＭＲ（Giant Magneto Resistive effect）センサなどのＭＲ（Magneto Resistance）センサを用いることができる。本実施の形態では、比較的感度が高いＧＭＲセンサを用いる。磁気検出素子３は、バスバ２に対する位置等によって検出する磁界が異なるため、対応するバスバに同じ大きさの電流が流れた場合でも出力が異なる。
【００１５】
磁気検出素子３は、例えばバスバ２に接触又は近接して配置されている。磁気検出素子３の向きは、検出軸がバスバ２の長手方向に直交する方向が望ましいが、直交する方向から傾いていてもよい。また、バスバ２に貫通穴を形成し、その貫通穴に磁気検出素子３を配置してもよい。
【００１６】
モールド樹脂部４としては、例えば高い電気絶縁性を有するエポキシ樹脂等が用いられる。
【００１７】
磁性体シールド５は、外部からの磁界による外乱の影響を除くために３つのバスバ２全体を一括してシールドしている。磁性体シールド５は、例えば、パーマロイ、電磁鋼板、フェライト等の軟磁性体材料を用いて形成される。磁性体シールド５の比透磁率は１より十分大きい（一般に１０００以上）ので、外乱磁界の磁束が磁性体シールド５に引き寄せられるため、磁気検出素子３の設置場所における磁界強度を低減させることができる（外乱シールド効果）。
【００１８】
また、バスバ２に電流を通電した際に生じる磁界の磁束も磁性体シールド５に引き寄せられる。磁性体シールド５の比透磁率は、その内部の磁界の影響によって変化するが、例えば磁性体シールド５の内部の磁界が大きくなると、磁界の変化に対して磁束密度の変化が小さくなり（いわゆる飽和）、比透磁率が小さくなる。磁性体シールド５の比透磁率が変化すると、磁性体シールド５への磁束の引き寄せられる程度が変化するため、磁気検出素子３の位置での磁界強度が変化することとなる。また、バスバ２の複数のバスバに電流を通電した場合、磁性体シールド５の内部の磁束は、複数のバスバそれぞれの影響を重ね合わせたものとなる。
【００１９】
なお、磁性体シールド５は、バスバ２を取り囲むように設置されるが、必ずしも閉じた形状をする必要はなく、ある大きさのギャップが空いていてもよい。さらに、平行平板をバスバ２を挟むように配置する構成でもよい。
【００２０】
演算部６は、磁気検出素子３が出力する電圧から磁束密度を両者を結び付ける関係式を用いて求め、求めた磁束密度から各バスバ２に流れる電流を算出する電流算出部６１と、磁気検出素子３間の干渉を補正する補正係数を算出する補正係数算出部６２とを備える。演算部６は、例えばＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等の集積回路（ＩＣ）で実現することができる。
【００２１】
電流算出部６１は、例えば、下記式（１）を用いて各バスバ２に流れる電流を算出する。
【００２２】
【数１】
2017119092.tif 000003
ここで、Ｖｕ，Ｖｖ，Ｖｗは、磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗがそれぞれ出力する電圧であり、Ｂｕ，Ｂｖ，Ｂｗは、各相の電圧を関数ｆｕ，ｆｖ，ｆｗで換算した磁束密度であり、ａ11〜ａ33は、補正係数であり、Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗは、バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗにそれぞれ流れる電流である。ただし、Ｉｕ，Ｉｖ，Ｉｗはバスバ２ｕ，２ｖ，２ｗにそれぞれ流れる電流に比例した電圧としてもよい。
【００２３】
補正係数記憶部７は、例えば不揮発性メモリのＥＥＰＲＯＭであり、磁気検出素子３間の干渉を補正するための補正係数ａ11〜ａ33が記憶されている。
【００２４】
補正係数算出部６２は、最適な補正係数を求めてそれを補正係数記憶部７に記憶する。そして電流算出部６１は、補正係数記憶部７に記憶されている補正係数を式（１）に代入して各バスバ２を流れる電流を算出する。
【００２５】
図３は、Ｕ相にのみ通電したときの出力の測定結果を示すグラフである。図４は、Ｕ相とＶ相に通電したときの出力の測定結果を示すグラフである。
【００２６】
各磁気検出素子３は、互いに接近しているため、対象とする相とは異なる他の相の影響を受けてしまう（相互干渉）。このため、各磁気検出素子３は、各バスバ２を流れる電流によりそれぞれ発生した磁界を合成した磁界を検出することになる。このため、バスバ２の個々に流れる電流を正確に算出するためには、補正係数を用いて干渉を補正する必要がある。
【００２７】
しかし、バスバ２及び磁気検出素子３を磁性体シールド５で覆った場合、バスバ２に通電する電流によって生じる磁界が磁性体シールド５の中に入り込み、その大きさによっては磁性体シールド５の透磁率が変化してしまう。その磁界の変動範囲が大きい場合には、磁性体シールド５の比透磁率が磁界の変動に合わせて変化するため、磁気検出素子３の電圧出力が非線形に変化する。
【００２８】
１つのバスバ２に通電した場合、その通電したバスバ２の周囲に生じる磁界は通電したバスバ２の電流によって大きく変動する。磁性体シールド５の内部の磁界もそれに合わせて大きく変動するので、電流の変化に合わせて磁性体シールド５の比透磁率が変化するため、通電されたバスバ２以外のバスバ２に対応する磁気検出素子３の出力電圧は非線形となる。なお、通電されたバスバ２に対応する磁気検出素子３の出力電圧は、磁気検出素子３の位置がバスバ２に近接して配置されているため、磁性体シールド５の比透磁率の変化の影響は受けにくく、出力は線形となる。例えば図３に示すように、Ｕ相にのみ通電したとき、Ｕ相の磁気検出素子３ｕの出力電圧は線形となる一方、Ｖ相の磁気検出素子３ｖの出力電圧は非線形となる。このような条件で干渉補正のための係数を取得しようとしても、正確な補正係数を算出できない。
【００２９】
一方、バスバ２の内の任意の２つのバスバに、振幅がほぼ同じで逆位相となる電流を通電した場合、バスバ２の周囲の磁界はこれら２つのバスバ２の通電によって生じる磁界の重ね合わせとなる。磁性体シールド５の内部に生じる磁界も重ね合わせとなり、特に振幅がほぼ同じで逆位相の場合は、それぞれの影響が相殺し合い、磁界の変動を小さくできる。そのために磁性体シールド５の比透磁率の変化がほとんど生じず、磁気検出素子３の出力電圧も線形になる。例えば、Ｕ相とＶ相に振幅がほぼ同じで逆位相となる電流を通電すると、図４に示すように、３相のそれぞれの磁気検出素子３の出力電圧の関係が線形となる。このような条件で干渉補正のための係数を取得すると正確な補正係数を算出することができる。
【００３０】
すなわち、本実施の形態は、バスバ２に流れる電流を高精度に計測するために、磁性体シールド５を組み込んだ状態で、任意の２相に振幅がほぼ同じで逆位相となる電流を通電することで、磁性体シールド５での磁界の変動を小さく抑えられ、磁気検出素子３の出力電圧が線形となり、正確な補正係数の算出が可能となる。重要なのは、磁性体シールド５の内部に設置してあるバスバ２に通電する電流の総和の振幅を小さくして補正係数を取得することであるため、例えばバスバ２の３相同時に通電しても、その電流の総和の振幅が小さければ、本発明の効果が得られる。この結果、本実施の形態では、磁気検出素子３間の高精度な干渉補正が可能になる。
【００３１】
（補正係数の算出方法）
次に、補正係数の算出方法を説明する。３相の電流を測定する場合の補正係数は、３×３行列であり、すべての要素を一意に定めるには、３つの独立した測定が必要である。例えば、Ｕ相とＶ相の組合せで振幅がほぼ同じで互いに逆位相となる電流を通電して磁気検出素子３の出力線圧を測定し、次にＵ相とＶ相とＷ相の組合せで、Ｖ相を基準としＵ相とW相にはそれと逆位相で振幅の和がＶ相とほぼ同じになるような電流を通電して磁気検出素子３の出力電圧を測定し、さらにＷ相とＵ相の組合せで振幅がほぼ同じで互いに逆位相になる電流を通電して磁気検出素子３の出力電圧を測定することで、高精度の補正係数が算出できる。任意の２つ以上の相に対応する２つのバスバ２に通電する位相が逆位相となる２つの電流を通電する場合、同位相同士で電流を合計した上で、それらの振幅差は、振幅が大きい方の１／１０以下とすることが、高精度に補正係数を算出する上で好ましい。
【００３２】
まず、条件（ｉ）として、Ｕ相のバスバ２ｕに基準電流Ｉｕを通電するとともに、Ｖ相のバスバ２ｖにＵ相とほぼ同じ振幅で逆位相の電流Ｉｖ（＝−Ｉｕ）を通電し、磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗから出力された電圧の振幅Ｖuo_i，Ｖvo_i，Ｖwo_iを取得する。また、Ｕ相のバスバ２ｕに基準電流Ｉｕを通電したとき、バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗを流れる電流（基準電流）の振幅Ｉuo_i，Ｉvo_i，Ｉwo_iを測定する（Ｉwo_iはゼロである）。
【００３３】
次に、条件（ii）として、Ｖ相のバスバ２ｖに基準電流Ｉｖを通電するとともに、Ｕ相のバスバ２ｕにＶ相と振幅がｋ（０＜ｋ＜０．５）倍で逆位相の電流Ｉｕ（＝−ｋＩｖ）を通電し、Ｗ相のバスバ２ｗにＶ相と振幅がｋ（０＜ｋ＜０．５）倍で逆位相の電流Ｉｗ（＝−ｋＩｖ）を通電し、磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗから出力された電圧Ｖuo_ii，Ｖvo_ii，Ｖwo_iiを取得する。また、Ｖ相のバスバ２ｖに基準電流Ｉｖを通電したとき、バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗを流れる電流（基準電流）の振幅Ｉuo_ii，Ｉvo_ii，Ｉwo_iiを測定する。
【００３４】
次に、条件（iii）として、Ｗ相のバスバ２ｗに基準電流Ｉｗを通電するとともに、Ｖ相のバスバ２ｖにＷ相とほぼ同じ振幅で逆位相の電流Ｉｖ（＝−Ｉｗ）を通電し、磁気検出素子３ｕ，３ｖ，３ｗから出力された電圧Ｖuo_iii，Ｖvo_iii，Ｖwo_iiiを取得する。また、Ｗ相のバスバ２ｗに基準電流Ｉｗを通電したとき、バスバ２ｕ，２ｖ，２ｗを流れる電流（基準電流）の振幅Ｉuo_iii，Ｉvo_iii，Ｉwo_iiiを測定する（Ｉuo_iiiはゼロである）。
【００３５】
得られた電圧Ｖuo_i，Ｖvo_i，Ｖwo_i，Ｖuo_ii，Ｖvo_ii，Ｖwo_ii，Ｖuo_iii，Ｖvo_iii，Ｖwo_iii、電流Ｉuo_i，Ｉvo_i，Ｉwo_i，Ｉuo_ii，Ｉvo_ii，Ｉwo_ii，Ｉuo_iii，Ｉvo_iii，Ｉwo_iiiを次の式（２）に代入する。
【００３６】
【数２】
2017119092.tif 000004
【００３７】
式（２）の左辺の電流振幅行列をＩＮ、右辺の第１因子である電圧値を電流値に変換する係数（スカラー値）をＧ、第２因子である干渉補正係数行列をＡ、第３因子である出力勾配行列をＶＧとすると、式（２）は、
ＩＮ＝ＧＡＶＧ        ・・・（３）
と表せる。電流振幅行列ＩＮは、測定した電流の振幅を基準電流で規格化した電流振幅である。出力勾配行列ＶＧは、出力電圧振幅を基準電流で規格化した電圧振幅である。
【００３８】
式（３）を変形すると、次の式（４）となる。
Ａ＝（１／Ｇ）ＩNＶG-1                  ・・・（４）
そして、式（４）より、ＶＧが逆行列を持つならば（３条件が独立ならば）干渉補正係数ａuu，ａuv，ａuw，ａvu，ａvv，ａvw，ａwu，ａwv，ａwwを求めることができる。
【００３９】
（実施の形態の作用及び効果）
本実施の形態によれば、以下の作用及び効果を奏する。
【００４０】
（１）バスバ２及び磁気検出素子３は、磁性体シールド５でシールドされているため、外乱磁界の影響を受け難くなる。
【００４１】
（２）バスバ２及び磁気検出素子３を磁性体シールド５でシールドした状態で、３相のうち任意の２つ以上の相に、振幅（同位相同士の振幅を合計したもの）がほぼ同じで逆位相となる電流を通電して、補正係数を算出するので、各相に通電した電流による磁界が相殺され、磁性体シールド５の比透磁率の変化を小さく抑えられ、磁気検出素子３の出力が線形になるので、正確な補正係数の算出が可能となる。この結果、高精度の干渉補正が可能となり、バスバ２が磁性体シールド５で覆われた構成において、バスバ２を流れる電流を高精度に検出することが可能となる。
【００４２】
（実施例）
図５、図６、図７は、干渉補正係数行列を算出するための手順を説明するためのグラフである。図５は、Ｕ相とＶ相のバスバに振幅がほぼ同じで互いに逆位相の電流を通電したときの磁気検出素子３の出力電圧の測定結果を示すグラフである。図６は、Ｖ相とＷ相のバスバに振幅がほぼ同じで互いに逆位相の電流を通電したときの磁気検出素子３の出力電圧の測定結果を示すグラフである。図７は、Ｗ相とＵ相のバスバに振幅がほぼ同じで互いに逆位相の電流を通電したときの磁気検出素子３の電圧出力の測定結果を示すグラフである。
【００４３】
図５に示すように、Ｕ相とＶ相のバスバに通電した場合には、磁気検出素子３ｕ，３ｖの出力電圧が大きな正弦波となっているが、電流を通電していないＷ相の磁気検出素子３ｗの出力電圧は、小さな正弦波となっている。図６に示すように、Ｖ相とＷ相のバスバに通電した場合には、磁気検出素子３ｖ，３ｗの出力電圧が大きな正弦波となっているが、電流を通電していないＵ相の磁気検出素子３ｕの出力電圧は、小さな正弦波となっている。図７に示すように、Ｗ相とＵ相のバスバに通電した場合には、磁気検出素子３ｗ，３ｕの出力電圧は、大きな正弦波となっているが、電流を通電していない磁気検出素子３ｖの出力電圧は、小さな正弦波となっている。いずれも正弦波となっていることから、磁気検出素子３の出力は線形となっているので、式（４）を用いて正確に干渉補正係数を求めることができる。
【００４４】
次の［数３］に補正係数の一例を示す。
【数３】
2017119092.tif 000005
【００４５】
図８は、［数３］に示す補正係数を用いた干渉補正を適用する前の、３相のバスバに同一の振幅の電流を通電した場合の磁気検出素子の出力電圧の測定結果である。図９は、［数３］に示す補正係数を用いた干渉補正を適用した後の、３相のバスバに同一の振幅の電流を通電した場合の磁気検出素子の出力電圧の測定結果である。３相に同一の振幅の電流を通電しても、補正を適用する前は、図８に示すように、各相の出力電圧の振幅に０．３Ｖ以上の差が生じているが、補正を適用した後は、図９に示すように、各相の出力電圧の振幅にはほとんど差が生じていないことが分かる。
【００４６】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００４７】
［１］複数のバスバ（２）と、前記複数のバスバ（２）のそれぞれに対応して配置され、前記バスバ（２）に流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、前記磁界の強度に応じた電圧を出力する複数の磁気検出素子（３）と、前記複数のバスバ（２）の一部及び前記複数の磁気検出素子（３）を囲むように配置された磁性体シールド（５）と、前記複数のバスバ（２）のうち任意の２つ以上のバスバ（２）に位相が逆位相となる電流を通電したときに前記複数の磁気検出素子（３）が出力する電圧に基づいて、前記複数の磁気検出素子（３）の相互干渉を補正するための補正係数を算出する補正係数算出部（６２）と、前記補正係数算出部（６２）が算出した前記補正係数が記録された記録媒体と、前記記録媒体に記録された前記補正係数を用い、前記複数の磁気検出素子（３）が出力した電圧に基づいて、前記複数のバスバ（２）を流れる電流を算出する電流算出部（６１）と、を備えた電流検出装置。
【００４８】
［２］前記補正係数算出部（６２）が前記補正係数を算出するときの、前記２つ以上のバスバ（２）に通電する位相が逆位相となる電流を同位相同士合計した２つの電流振幅の振幅差は、振幅が大きい方の１／１０以下である、前記［１］に記載の電流検出装置。
【００４９】
［３］複数のバスバ（２）と、前記複数のバスバ（２）のそれぞれに対応して配置され、前記バスバ（２）に流れる電流により発生する磁界の強度を検出し、前記磁界の強度に応じた電圧値を出力する複数の磁気検出素子（３）と、前記複数のバスバ（２）の一部及び前記複数の磁気検出素子（３）を囲むように配置された磁性体シールド（５）と、を備える電流検出装置における補正係数算出方法であって、前記複数のバスバ（２）のうち任意の２つ以上のバスバ（２）に位相が逆位相となる電流を通電したときに前記複数の磁気検出素子（３）が出力する電圧に基づいて、前記複数の磁気検出素子（３）の相互干渉を補正するための補正係数を算出する工程を含む補正係数算出方法。
【００５０】
［４］前記補正係数を算出する工程における、前記２つ以上のバスバ（２）に通電する位相が逆位相となる電流を同位相同士合計した２つの電流振幅の振幅差は、振幅が大きい方の１／１０以下である、前記［３］に記載の補正係数算出方法。
【００５１】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００５２】
また、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、補正係数算出部６２が算出した補正係数を補正係数記憶部７に記憶したが、補正係数を用紙等の記録媒体に印刷等により記録して電流検出装置１の添付書類としてユーザに出荷し、ユーザの方で補正係数記憶部７に記憶させてもよい。また、上記実施の形態では、磁性体シールド５に長手方向の一部が囲まれるバスバ２の数が３である場合について説明したが、このバスバ２の数は３より多くてもよい。すなわち、本発明は、磁性体シールド５に長手方向の一部が囲まれるバスバ２の数が３以上である導電路の電流を検出する場合に適用できる。
【符号の説明】
【００５３】
１…電流検出装置
２，２ｕ，２ｖ，２ｗ…バスバ
３，３ｕ，３ｖ，３ｗ…磁気検出素子
４…モールド樹脂部
５…磁性体シールド
６…演算部
７…補正係数記憶部
６１…電流算出部
６２…補正係数算出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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