(57)【要約】  実施形態に係る液処理装置は、処理部、第１供給路、第１機器、第２供給路、第２機器、筐体および外部筐体を備える。処理部は、処理液を用いて基板を処理する。第１供給路は、処理部に対し第１処理液を供給する。第１機器は第１供給路への第１処理液の供給に用いられる。第２供給路は、処理部に対し、第１処理液よりも高温の第２処理液を供給する。第２機器は第２供給路への第２処理液の供給に用いられる。筐体は処理部を収容する。外部筐体は、筐体に隣接し、第１機器と第２機器を収容する。また、外部筐体は、第１機器と、第２機器との間に仕切壁を備える。
2017086158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液を用いて基板を処理する処理部と、
前記処理部に対し、第１処理液を供給する第１供給路と、
前記第１供給路への第１処理液の供給に用いられる第１機器と、
前記処理部に対し、前記第１処理液よりも高温の第２処理液を供給する第２供給路と、
前記第２供給路への第２処理液の供給に用いられる第２機器と、
前記処理部を収容する筐体と、
前記筐体に隣接し、前記第１機器及び前記第２機器を収容する外部筐体と
を備え、
前記外部筐体は、
前記第１機器と前記第２機器との間に仕切壁を備えることを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
前記処理部は、
第１処理部と第２処理部とを備え、
前記筐体は、
前記第１処理部および前記第２処理部に隣接し、前記第１処理部および前記第２処理部に対して前記基板の搬入出を行う搬送部を備え、
前記外部筐体は、
前記第１処理部に隣接すること
を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項３】
前記外部筐体は、
前記第１処理部に隣接する供給ブロックと、
前記搬送部に隣接し、かつ、前記供給ブロックにも隣接するインタフェースブロックと
を備え、
前記第２供給路は、
前記第１処理部に対して前記第２処理液を供給する第１の第２供給路と、
前記第２処理部に対して前記第２処理液を供給する第２の第２供給路と
を含み、
前記第１の第２供給路および前記第２の第２供給路は、
前記インタフェースブロックを経由して前記筐体に接続されること
を特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
【請求項４】
前記第１供給路は、
前記インタフェースブロックを経由することなく前記第１処理部に接続されること
を特徴とする請求項３に記載の液処理装置。
【請求項５】
前記第１機器は、
前記第１供給路を流れる前記第１処理液の流量を調節するバルブ
を含み、
前記第２機器は、
前記第２処理液を貯留するタンクと、
前記タンクに貯留された前記第２処理液を前記第２供給路へ送液するポンプと、
前記第２供給路を流れる前記第２処理液から異物を除去するフィルタと、
前記第２供給路を流れる前記第２処理液を加熱するヒータと
を含むことを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項６】
前記処理部は、
第１処理部と第２処理部とを備え、
前記第２供給路は、
前記第１処理部に対して前記第２処理液を供給する第１の第２供給路と、
前記第２処理部に対して前記第２処理液を供給する第２の第２供給路と
を含み、
前記ポンプは、
前記タンクに貯留された前記第２処理液を前記第１の第２供給路へ送り出す第１ポンプと、
前記タンクに貯留された前記第２処理液を前記第２の第２供給路へ送り出す第２ポンプと
を含み、
前記フィルタは、
前記第１の第２供給路を流れる前記第２処理液から異物を除去する第１フィルタと、
前記第２の第２供給路を流れる前記第２処理液から異物を除去する第２フィルタと
を含み、
前記ヒータは、
前記第１の第２供給路を流れる前記第２処理液を加熱する第１ヒータと、
前記第２の第２供給路を流れる前記第２処理液を加熱する第２ヒータと
を含み、
前記第１ポンプ、前記第１フィルタおよび前記第１ヒータと、前記第２ポンプ、前記第２フィルタおよび前記第２ヒータとは、それぞれ高さ方向に並べて配置されるとともに、前記タンクを通る鉛直軸に対して対称に配置されること
を特徴とする請求項５に記載の液処理装置。
【請求項７】
前記外部筐体内において、前記第１の第２供給路における前記第１ヒータよりも下流側の流路と、前記第２の第２供給路における前記第２ヒータよりも下流側の流路とは、前記鉛直軸よりも前記筐体から遠い位置において互いに寄せて配置されること
を特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
【請求項８】
前記第２供給路は、
循環経路であること
を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項９】
前記外部筐体は、
前記仕切壁によって前記筐体に近い第１領域と前記第１領域よりも前記筐体から遠い第２領域とに仕切られており、前記第１領域に前記第１機器を収容し、前記第２領域に前記第２機器を収容すること
を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項１０】
前記処理部に対し、前記第１処理液よりも高温であり且つ前記第２処理液よりも低温の第３処理液を供給する第３供給路と、
前記第３供給路への第３処理液の供給に用いられる第３機器と、
を備え、
前記第３機器は、
前記仕切壁によって仕切られた前記外部筐体内の領域のうち前記第１機器が収容される領域に配置され、
前記外部筐体は、
前記第１機器と前記第３機器との間に第２の仕切壁を備えること
を特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【請求項１１】
前記第１処理液および前記第３処理液は、純水であり、
前記第２処理液は、硫酸であること
を特徴とする請求項１０に記載の液処理装置。
【請求項１２】
前記外部筐体の仕切壁で仕切られた前記第１機器側の領域に気流を発生させる機構
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の液処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、液処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対して液処理を行う液処理装置が知られている。【０００３】
液処理装置においては、処理液を供給するための複数の配管が比較的狭い領域にまとめて配置される場合がある。このような場合、高温で使用される処理液の配管の近くに、常温や低温で使用される処理液の配管が存在すると、高温で使用される処理液の配管からの放熱によって常温や低温で使用される処理液の温度が上昇してしまうおそれがある。【０００４】
そこで、近年では、高温で使用される処理液の配管を複数の液処理ユニットが収容される筐体側に収容するとともに、常温や低温で使用される処理液の配管を筐体に隣接する外部筐体側に収容し、さらに、高温の処理液を貯留するタンクを筐体および外部筐体の外部に配置した液処理装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−０９９５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、装置の省スペース化を図るために例えば上述の従来技術で示した外部筐体に高温の処理液を貯留するタンク等を配置した場合、配管等の機器を流れる常温や低温で使用される処理液と高温の処理液との間で熱影響を受けてしまうという不具合が生じる。【０００７】
実施形態の一態様は、共通の外部筐体に収容された処理液の供給に用いられる機器の間での熱影響を低減することができる液処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る液処理装置は、処理部、第１供給路、第１機器、第２供給路、第２機器、筐体および外部筐体を備える。処理部は、処理液を用いて基板を処理する。第１供給路は、処理部に対し第１処理液を供給する。第１機器は第１供給路への第１処理液の供給に用いられる。第２供給路は、処理部に対し、第１処理液よりも高温の第２処理液を供給する。第２機器は第２供給路への第２処理液の供給に用いられる。筐体は処理部を収容する。外部筐体は、筐体に隣接し、第１機器と第２機器を収容する。また、外部筐体は、第１機器と、第２機器との間に仕切壁を備える。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、共通の外部筐体に収容された処理液の供給に用いられる機器の間での熱影響を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【図２】図２は、処理ユニットの構成を説明するための図である。
【図３】図３は、外部筐体の配置を説明するための図である。
【図４】図４は、外部筐体の構成を説明するための図である。
【図５】図５は、外部筐体の構成を説明するための図である。
【図６】図６は、外部筐体の構成を説明するための図である。
【図７】図７は、硫酸の供給系統の構成を説明するための図である。
【図８】図８は、第１供給ブロック内における機器の配置を説明するための図である。
【図９】図９は、第１供給ブロック内における機器の配置を説明するための図である。
【図１０】図１０は、主配管の配置を説明するための図である。
【図１１】図１１は、第１の第２主配管および第２の第２主配管の配置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する液処理装置の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
＜１．基板処理システムの概略構成＞
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００１４】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００１５】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１６】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
【００１７】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
【００１８】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
【００１９】
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
【００２０】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００２１】
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００２２】
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００２３】
＜２．処理ユニットの構成＞
次に、処理ユニット１６の構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の構成を説明するための図である。
【００２４】
図２に示すように、処理ユニット１６（「処理部」の一例に相当）は、処理液を用いてウェハＷを処理する。具体的には、処理ユニット１６は、ウェハＷを回転可能に保持する回転プレート２４と、この回転プレート２４を下面側から支持し、図示しない回転モータにより回転プレート２４を回転させる回転支持部２５とを備える。
【００２５】
回転プレート２４は、円板状の部材であり、その表面にはウェハＷを保持する複数の保持部材２４１が設けられている。ウェハＷは、回転プレート２４の表面より上方の位置に隙間を介して保持される。回転支持部２５は、処理ユニット１６が載置されるベースプレート２８上に設けられた軸受け部２５１に回転自在に保持される。
【００２６】
処理ユニット１６は、第１ノズル２６と第２ノズル２７とを備える。第１ノズル２６は、ウェハＷの表面にＳＰＭ（Sulfuric  acid  Hydrogen  Peroxide  Mixture）およびＨＤＩＷを供給するためのノズルである。なお、ＳＰＭは、硫酸および過酸化水素水の混合液であり、ＨＤＩＷは、所定の温度（５０〜６０℃）に加熱された純水である。
【００２７】
第１ノズル２６は、第１アーム２６１に支持されており、回転プレート２４に保持されたウェハＷの上方の処理位置と、この処理位置から退避した退避位置との間で移動することができる。また、第２ノズル２７は、第２アーム２７１に支持されており、上記処理位置と退避位置との間で移動可能である。
【００２８】
第１ノズル２６には、第１アーム２６１を介して下流側分岐管８８が接続される。下流側分岐管８８は、第２主配管８１に対応する第２通流制御ユニット８６に接続される。
【００２９】
第２通流制御ユニット８６ならびに後述する第１通流制御ユニット７６、第３通流制御ユニット６６および第４通流制御ユニット９６は、流量調節弁や流量計等を含む通流制御機器を集約した装置である。第２通流制御ユニット８６は、上流側分岐管８７および開閉バルブ８９を介して第２主配管８１に接続される。第２主配管８１（「第２供給路」の一例に相当）は、高温（たとえば１００〜１５０℃程度）の硫酸（「第２処理液」の一例に相当）が流通する配管である。
【００３０】
下流側分岐管８８には、下流側分岐管９８が接続される。下流側分岐管９８は、第４主配管７１に対応する第４通流制御ユニット９６に接続される。第４通流制御ユニット９６は、上流側分岐管９７および開閉バルブ９９を介して第４主配管７１と接続される。第４主配管７１は、常温の過酸化水素水が流通する配管である。
【００３１】
下流側分岐管８８には、下流側分岐管６８がさらに接続される。下流側分岐管６８は、第３主配管７３に対応する第３通流制御ユニット６６に接続される。第３通流制御ユニット６６は、上流側分岐管６７および開閉バルブ６９を介して第３主配管７３に接続される。第３主配管７３（「第３供給路」の一例に相当）は、ＨＤＩＷ（「第３処理液」の一例に相当）が流通する配管である。
【００３２】
第２ノズル２７は、ウェハＷの表面に常温（２３〜２５℃程度）の純水であるＤＩＷ（「第１処理液」の一例に相当）を供給するためのノズルである。
【００３３】
第２ノズル２７には、第２アーム２７１を介して下流側分岐管７８が接続される。下流側分岐管７８は、第１主配管７２に対応する第１通流制御ユニット７６に接続される。第１通流制御ユニット７６は、上流側分岐管７７および開閉バルブ７９を介して第１主配管７２と接続される。第１主配管７２（「第１供給路」の一例に相当）は、ＤＩＷが流通する配管である。
【００３４】
このように、本実施形態に係る処理ユニット１６は、高温の処理液であるＳＰＭを吐出する第１ノズル２６と、常温の処理液であるＤＩＷを吐出する第２ノズル２７の２つのノズルを備える。このため、ＳＰＭとＤＩＷとを単一のノズルから吐出する場合と比較して、ＤＩＷの温度上昇を確実に防止することができる。
【００３５】
また、処理ユニット１６は、第１ノズル２６を支持する第１アーム２６１と、第２ノズル２７を支持する第２アーム２７１とを備える。このため、第１ノズル２６と第２ノズル２７とを単一のアームに設ける場合と比較して、ＤＩＷの温度上昇をより確実に防止することができる。
【００３６】
処理ユニット１６は、回転するウェハＷから振り切られた薬液を受け止めて外部へ排出するためのカップ２３をさらに備える。カップ２３は、回転プレート２４に保持されたウェハＷを囲むように設けられた円環状の部材であり、底面に接続された排出用主配管１００を介して、内部の処理液を排出することができる。
【００３７】
排出用主配管１００は、下流側において分岐し、ＳＰＭを回収するための回収用配管１０１とＳＰＭを排出するための排出用配管１０２とに、それぞれ開閉バルブ１０３，１０４を介して接続される。
【００３８】
カップ２３の外方には、ケーシング２１が設けられている。ケーシング２１の基板搬送装置１７（図１参照）と対向する面には、図示しない開閉扉が設けられており、この開閉扉を開くことにより、基板搬送装置１７をケーシング２１内に進入させることができる。
【００３９】
＜３．外部筐体の構成＞
本実施形態に係る基板処理システム１は、外部筐体をさらに備える。外部筐体は、上述した硫酸、過酸化水素水、ＤＩＷおよびＨＤＩＷを処理ユニット１６へ供給するための各種機器を収容する。
【００４０】
図３は、外部筐体の配置を説明するための図である。図３に示すように、外部筐体５は、処理ステーション３の後方（Ｘ軸正方向側）において処理ステーション３と隣接して配置される。
【００４１】
なお、処理ステーション３には、複数の処理ユニット１６が上下２段に積層された状態で収容される。また、各処理ユニット１６の下部には、各処理ユニット１６に対応するバルブボックス２０が収容される。バルブボックス２０には、上述した第１通流制御ユニット７６、第２通流制御ユニット８６、第３通流制御ユニット６６および第４通流制御ユニット９６等が収容される。
【００４２】
図４〜図６は、外部筐体５の構成を説明するための図である。図４〜図６には、外部筐体５をそれぞれ上方（Ｚ軸正方向側）、側方（Ｙ軸負方向側）および後方（Ｘ軸正方向側）から見た場合の断面図を模式的に示している。
【００４３】
以下では、図４に示すように、処理ステーション３における複数の処理ユニット１６が収容される領域のうち、基板処理システム１の正面側（Ｙ軸負方向側）に設けられる領域を「第１処理ブロック１６Ａ」と記載し、背面側（Ｙ軸正方向側）に設けられる領域を「第２処理ブロック１６Ｂ」と記載する。処理ステーション３は、複数の処理ユニット１６を収容する「筐体」の一例に相当する。搬送部１５は、第１処理ブロック１６Ａに収容される処理ユニット１６（「第１処理部」の一例に相当）および第２処理ブロック１６Ｂに収容される処理ユニット１６（「第２処理部」の一例に相当）に隣接し、これら処理ユニット１６に対してウェハＷの搬入出を行う「搬送部」の一例に相当する。
【００４４】
図４に示すように、外部筐体５は、第１処理ブロック１６Ａに隣接する第１供給ブロック５Ａ（「供給ブロック」の一例に相当）と、第２処理ブロック１６Ｂに隣接する第２供給ブロック５Ｂと、搬送部１５に隣接するインタフェースブロック５Ｃとを備える。
【００４５】
なお、処理ステーション３の第１処理ブロック１６Ａ、搬送部１５および第２処理ブロック１６Ｂは、処理ユニット１６の並び方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に並べて配置される。また、外部筐体５の第１供給ブロック５Ａ、インタフェースブロック５Ｃおよび第２供給ブロック５Ｂも、第１処理ブロック１６Ａ、搬送部１５および第２処理ブロック１６Ｂと同一の並び方向に並べて配置される。
【００４６】
したがって、第１供給ブロック５Ａは、第１処理ブロック１６Ａおよびインタフェースブロック５Ｃに隣接し、インタフェースブロック５Ｃは、搬送部１５、第１供給ブロック５Ａおよび第２供給ブロック５Ｂに隣接する。また、第２供給ブロック５Ｂは、第２処理ブロック１６Ｂおよびインタフェースブロック５Ｃに隣接する。
【００４７】
第１供給ブロック５Ａには、常温の処理液であるＤＩＷの供給に用いられる機器（第１機器）と、高温の処理液である硫酸の供給に用いられる機器（第２機器）とが収容される。そして、本実施形態に係る第１供給ブロック５Ａは、ＤＩＷの供給に用いられる機器と、硫酸の供給に用いられる機器との間に、仕切壁５０を備える。
【００４８】
具体的には、第１供給ブロック５Ａは、仕切壁５０によって、第１処理ブロック１６Ａに近い第１領域５Ａ１と、第１領域５Ａ１よりも第１処理ブロック１６Ａから遠い第２領域５Ａ２とに仕切られる。そして、ＤＩＷの供給に用いられる機器は、第１領域５Ａ１に配置され、硫酸の供給に用いられる機器は、第２領域５Ａ２に配置される。
【００４９】
このように、ＤＩＷの供給に用いられる機器と硫酸の供給に用いられる機器との間に仕切壁５０を設けることで、ＤＩＷの供給に用いられる機器と硫酸の供給に用いられる機器との間での熱影響を抑えることができる。
【００５０】
なお、第１供給ブロック５Ａの第１領域５Ａ１には、ＨＤＩＷの供給に用いられる機器（第３機器）も収容されるが、かかる点については後述する。
【００５１】
第２供給ブロック５Ｂには、ＤＩＷの供給に用いられる機器と、ＨＤＩＷの供給に用いられる機器と、過酸化水素水の供給に用いられる機器とが収容される。具体的には、ＤＩＷの供給に用いられる機器およびＨＤＩＷの供給に用いられる機器は、第２処理ブロック１６Ｂに近い第１領域５Ｂ１に配置される。また、過酸化水素水の供給に用いられる機器は、第１領域５Ｂ１よりも第２処理ブロック１６Ｂから遠い第２領域５Ｂ２に配置される。
【００５２】
なお、ここでは、第１領域５Ｂ１と第２領域５Ｂ２との間に仕切壁が設けられないものとするが、仕切壁５０と同様の仕切壁を第１領域５Ｂ１と第２領域５Ｂ２との間に設けてもよい。
【００５３】
図５および図６に示すように、第１供給ブロック５Ａは、第１領域５Ａ１および第２領域５Ａ２の上部に電気機器ブロック５Ａ３を備える。また、第２供給ブロック５Ｂも同様に、第１領域５Ｂ１および第２領域５Ｂ２の上部に電気機器ブロック５Ｂ３を備える。電気機器ブロック５Ａ３，５Ｂ３には、たとえば、制御装置４が収容される。
【００５４】
制御装置４の制御部１８（図１参照）は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）であり、記憶部１９に記憶された図示しないプログラムを読み出して実行することにより、処理ユニット１６やその他の機器を制御する。なお、制御部１８は、プログラムを用いずにハードウェアのみで構成されてもよい。
【００５５】
＜４．硫酸の供給系統の構成＞
次に、高温の処理液である硫酸の供給系統について図７を参照して説明する。図７は、硫酸の供給系統の構成を説明するための図である。
【００５６】
図７に示すように、硫酸の供給系統は、第１の第２主配管８１Ａと、第２の第２主配管８１Ｂとを備える。また、硫酸の供給系統は、タンク５１と、ポンプ５２Ａ，５２Ｂと、フィルタ５３Ａ，５３Ｂと、ヒータ５４Ａ，５４Ｂとを備える。
【００５７】
なお、第１の第２主配管８１Ａは、「第１の第２供給路」および「第２供給路」の一例に相当し、第２の第２主配管８１Ｂは、「第２の第２供給路」および「第２供給路」の一例に相当する。また、ポンプ５２Ａは、「第１ポンプ」および「ポンプ」の一例に相当し、ポンプ５２Ｂは、「第２ポンプ」および「ポンプ」の一例に相当する。また、フィルタ５３Ａは、「第１フィルタ」および「フィルタ」の一例に相当し、フィルタ５３Ｂは、「第２フィルタ」および「フィルタ」の一例に相当する。また、ヒータ５４Ａは、「第１ヒータ」および「ヒータ」の一例に相当し、ヒータ５４Ｂは、「第２ヒータ」および「ヒータ」の一例に相当する。
【００５８】
第１の第２主配管８１Ａは、第１処理ブロック１６Ａに収容される複数の処理ユニット１６に対して硫酸を供給するための供給路である。また、第２の第２主配管８１Ｂは、第２処理ブロック１６Ｂ（図４参照）に収容される複数の処理ユニット１６に対して硫酸を供給するための供給路である。なお、図７では、第２処理ブロック１６Ｂを省略して示している。
【００５９】
第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂは、一端および他端がタンク５１に接続されており、それぞれ硫酸の循環経路を形成する。
【００６０】
第１の第２主配管８１Ａには、ポンプ５２Ａと、フィルタ５３Ａと、ヒータ５４Ａとが設けられる。ポンプ５２Ａ、フィルタ５３Ａおよびヒータ５４Ａは、タンク５１の下流側にこの順番で設けられる。ポンプ５２Ａは、タンク５１に貯留された硫酸を第１の第２主配管８１Ａへ送り出す。フィルタ５３Ａは、第１の第２主配管８１Ａを流れる硫酸から異物を除去する。ヒータ５４Ａは、第１の第２主配管８１Ａを流れる硫酸を加熱する。
【００６１】
第２の第２主配管８１Ｂには、ポンプ５２Ｂと、フィルタ５３Ｂと、ヒータ５４Ｂとが、タンク５１の下流側にこの順番で設けられる。ポンプ５２Ｂ、フィルタ５３Ｂおよびヒータ５４Ｂの構成は、上述したポンプ５２Ａ、フィルタ５３Ａおよびヒータ５４Ａと同様である。
【００６２】
これらタンク５１、ポンプ５２Ａ，５２Ｂ、フィルタ５３Ａ，５３Ｂおよびヒータ５４Ａ，５４Ｂは、第１供給ブロック５Ａの第２領域５Ａ２に収容される。
【００６３】
なお、タンク５１には、回収用配管１０１Ａ，１０１Ｂが接続される。回収用配管１０１Ａは、第１処理ブロック１６Ａに収容される処理ユニット１６の排出用主配管１００（図２参照）に接続される。また、回収用配管１０１Ｂは、第２処理ブロック１６Ｂに収容される処理ユニット１６の排出用主配管１００に接続される。回収用配管１０１Ａ，１０１Ｂは、処理ユニット１６から回収されたＳＰＭをタンク５１へ戻す。
【００６４】
また、タンク５１には、新たな硫酸をタンク５１へ補充するための補充用配管（図示せず）も接続される。
【００６５】
また、第１処理ブロック１６Ａおよび第２処理ブロック１６Ｂには、排出用配管１０２が設けられる。排出用配管１０２は、処理ユニット１６の排出用主配管１００（図２参照）に接続されており、処理ユニット１６で使用されたＳＰＭを基板処理システム１の外部へ排出する。
【００６６】
＜５．第１供給ブロック内における機器の配置＞
次に、第１供給ブロック５Ａ内における機器の配置について図８および図９を参照して説明する。図８および図９は、第１供給ブロック５Ａ内における機器の配置を説明するための図である。なお、図８および図９には、第１供給ブロック５ＡをそれぞれＹ軸負方向およびＹ軸正方向から見た場合の模式図を示している。
【００６７】
図８および図９に示すように、第１供給ブロック５Ａの第２領域５Ａ２は、高さ方向に沿って３段に区画される。そして、第２領域５Ａ２の下段にはポンプ５２Ａ，５２Ｂが収容され、中段にはタンク５１およびフィルタ５３Ａ，５３Ｂが収容され、上段にはヒータ５４Ａ，５４Ｂが収容される。
【００６８】
タンク５１は、第２領域５Ａ２の中段中央部に配置される。そして、ポンプ５２Ａ、フィルタ５３Ａおよびヒータ５４Ａと、ポンプ５２Ｂ、フィルタ５３Ｂおよびヒータ５４Ｂとは、それぞれ高さ方向に並べて配置されるとともに、タンク５１の中央部（すなわち、第２領域５Ａ２の中央部）を通る鉛直軸に対して対称に配置される。
【００６９】
このように、第１処理ブロック１６Ａに対応する機器と、第２処理ブロック１６Ｂに対応する機器とをタンク５１に対して対称に配置することで、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂの配管長のバラつきを抑えることができる。
【００７０】
図９に示すように、第２領域５Ａ２内において、第１の第２主配管８１Ａにおけるヒータ５４Ａよりも下流側の流路８１Ａ１と、第２の第２主配管８１Ｂにおけるヒータ５４Ｂよりも下流側の流路８１Ｂ１とは、タンク５１の中央部を通る鉛直軸よりも第１処理ブロック１６Ａから遠い位置において互いに寄せて配置される。
【００７１】
このように、流路８１Ａ１，８１Ｂ１を第１処理ブロック１６Ａおよび第１領域５Ａ１から極力離れた位置に配置することで、第１処理ブロック１６Ａや第１領域５Ａ１への熱影響を少なくすることができる。なお、流路８１Ａ１，８１Ｂ１は、周辺の雰囲気から受ける温度的な影響に差異が生じない程度に互いに寄せられた後、第２領域５Ａ２の上段から下段まで鉛直に降ろされる。
【００７２】
第１領域５Ａ１には、ＤＩＷの供給に用いられる機器として、バルブ５５Ａ、バブラ５６およびフィルタ５７Ａが収容される。バルブ５５Ａは、第１主配管７２を流れるＤＩＷの流量を調節するバルブであり、たとえば、メンテナンス時において第１処理ブロック１６ＡへのＤＩＷの供給を停止する際に用いられる。バブラ５６は、第１主配管７２を流れるＤＩＷに炭酸ガス等の気体を溶解させる。フィルタ５７Ａは、第１主配管７２を流れるＤＩＷから異物を除去する。
【００７３】
バルブ５５Ａ、バブラ５６およびフィルタ５７Ａは、高さ方向に並べて配置される。具体的には、バルブ５５Ａ、バブラ５６およびフィルタ５７Ａは、下から順にこの順番で配置される。具体的には、バルブ５５Ａは、ポンプ５２Ａ，５２Ｂが配置される第２領域５Ａ２の下段に対応する位置に設けられ、バブラ５６は、タンク５１およびフィルタ５３Ａ，５３Ｂが配置される第２領域５Ａ２の中段に対応する位置に設けられる。また、フィルタ５７Ａは、ヒータ５４Ａ，５４Ｂが配置される第２領域５Ａ２の上段に対応する位置に設けられる。
【００７４】
第１領域５Ａ１の下部にはドレンパン５８が設けられる。ドレンパン５８は、第１主配管７２または後述する第３主配管７３から漏れ出た水滴を受け止める皿状の部材である。
【００７５】
このように、本実施形態に係る基板処理システム１では、硫酸を貯留するタンク５１を含め、第１供給ブロック５Ａへの硫酸の供給に用いられる機器と第２供給ブロック５Ｂへの硫酸の供給に用いられる機器とが第１供給ブロック５Ａにまとめて収容される。このため、従来の液処理装置と比較して省スペース化（省フットプリント化）を図ることができる。
【００７６】
また、上述したように、本実施形態に係る第１供給ブロック５Ａでは、ＤＩＷの供給に用いられる機器が収容される第１領域５Ａ１と、硫酸の供給に用いられる機器が収容される第２領域５Ａ２とが、仕切壁５０によって空間的に仕切られる。このため、常温の処理液であるＤＩＷを供給するための機器と高温の処理液である硫酸を供給するための機器との熱影響を抑えることができる。
【００７７】
したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、共通の外部筐体に収容された処理液の供給に用いられる機器の間での熱影響を低減することができる。
【００７８】
第１領域５Ａ１には、ＨＤＩＷの供給に用いる機器として、バルブ５５Ｂおよびフィルタ５７Ｂ（「第３機器」の一例に相当）がさらに収容される（図９参照）。バルブ５５Ｂおよびフィルタ５７Ｂは、バルブ５５Ａおよびフィルタ５７Ａと同様の高さ位置に配置される。なお、第１領域５Ａ１には、その他の処理液（たとえば、オゾン水）の供給に用いられる機器がさらに収容されてもよい。
【００７９】
なお、第１領域５Ａ１には、領域内に気流を形成させる機構を別途設けても良い。例えば、電気機器ブロック５Ａ３がある上面側に常温の気体を吸気する吸気口を設け、ドレンパン５８がある底面に排気口を設け、下方向へと向かう気流を形成する。これにより、第１領域５Ａ１内での熱篭りがより解消され、常温の処理液であるＤＩＷ等への熱影響がさらに低減される。
【００８０】
＜６．各主配管の配置＞
次に、第１の第２主配管８１Ａ、第２の第２主配管８１Ｂ、第１主配管７２および第３主配管７３の配置について図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、主配管の配置を説明するための図である。また、図１１は、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂの配置を説明するための図である。なお、図１１では、第１供給ブロック５Ａおよび第２供給ブロック５Ｂを省略して示している。
【００８１】
図１０に示すように、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂは、第１供給ブロック５Ａからインタフェースブロック５Ｃを経由して処理ステーション３に接続される。具体的には、第１の第２主配管８１Ａは、インタフェースブロック５Ｃおよび搬送部１５を経由して第１処理ブロック１６Ａに収容された処理ユニット１６に接続される。また、第２の第２主配管８１Ｂは、インタフェースブロック５Ｃおよび搬送部１５を経由して第２処理ブロック１６Ｂに収容された処理ユニット１６に接続される。
【００８２】
これに対し、第１主配管７２および第３主配管７３は、インタフェースブロック５Ｃおよび搬送部１５を経由することなく、第１処理ブロック１６Ａに収容された処理ユニット１６に接続される。
【００８３】
このように、常温の処理液であるＤＩＷと高温の処理液である硫酸とで、第１処理ブロック１６Ａおよび第２処理ブロック１６Ｂへの経路を異ならせることで、これらの処理液同士の熱影響をさらに抑えることができる。
【００８４】
また、上述したように、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂは循環経路であり、第１処理ブロック１６Ａおよび第２処理ブロック１６Ｂから搬送部１５およびインタフェースブロック５Ｃを経由して第１供給ブロック５Ａに戻る。このように、硫酸の循環経路の復路についても、ＤＩＷの供給経路と異ならせることで、上記熱影響をさらに抑えることができる。
【００８５】
また、図１１に示すように、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂは、第１処理ブロック１６Ａと第２処理ブロック１６Ｂとの間に配置された搬送部１５から第１処理ブロック１６Ａおよび第２処理ブロック１６Ｂに対して進入／退出する。このため、第１処理ブロック１６Ａに対応するポンプ５２Ａ等および第２処理ブロック１６Ｂに対応するポンプ５２Ｂ等を第１供給ブロック５Ａに集約しつつ、第１の第２主配管８１Ａおよび第２の第２主配管８１Ｂの配管長のバラつきを抑えることができる。
【００８６】
図１０に示すように、第１供給ブロック５Ａの第１領域５Ａ１は、仕切壁６０（「第２の仕切壁」の一例に相当）によってＹ軸負方向側の第１の第１領域５Ａ１ａと、Ｙ軸正方向側の第２の第１領域５Ａ１ｂとに空間的に仕切られている。そして、ＤＩＷの供給に用いられるバルブ５５Ａ、バブラ５６およびフィルタ５７Ａは第１の第１領域５Ａ１ａに収容され、ＨＤＩＷの供給に用いられるバルブ５５Ｂおよびフィルタ５７Ｂは第２の第１領域５Ａ１ｂに収容される。
【００８７】
このように、本実施形態に係る第１供給ブロック５Ａは、バルブ５５Ａ、バブラ５６およびフィルタ５７Ａと、バルブ５５Ｂおよびフィルタ５７Ｂとの間にも仕切壁６０を備える。したがって、ＤＩＷおよびＨＤＩＷ同士の熱影響も抑えることができる。
【００８８】
上述してきたように、本実施形態に係る基板処理システム１（「液処理装置」の一例に相当）は、複数の処理ユニット１６と、第１主配管７２（「第１供給路」の一例に相当）と、バルブ５５Ａ（「第１機器」の一例に相当）と、第２主配管８１（「第２供給路」の一例に相当）と、タンク５１、ポンプ５２Ａ，５２Ｂ、フィルタ５３Ａ，５３Ｂおよびヒータ５４Ａ，５４Ｂ（「第２機器」の一例に相当）と、処理ステーション３と、外部筐体５とを備える。処理ユニット１６は、処理液を用いてウェハＷを処理する。第１主配管７２は、複数の処理ユニット１６に対し、ＤＩＷを供給する。バルブ５５Ａは、第１主配管７２を流れるＤＩＷの流量を調節する第２主配管８１は、複数の処理ユニット１６に対し、ＤＩＷよりも高温の硫酸を供給する。タンク５１は、硫酸を貯留する。ポンプ５２Ａ，５２Ｂは、タンク５１に貯留された硫酸を第２主配管８１へ送液する。フィルタ５３Ａ，５３Ｂは、第２主配管８１を流れる硫酸から異物を除去する。ヒータ５４Ａ，５４Ｂは、第２主配管８１を流れる硫酸を加熱する。処理ステーション３は、複数の処理ユニット１６を収容する。外部筐体５は、処理ステーション３に隣接し、バルブ５５Ａ、タンク５１、ポンプ５２Ａ，５２Ｂ、フィルタ５３Ａ，５３Ｂおよびヒータ５４Ａ，５４Ｂを収容する。また、外部筐体５は、バルブ５５Ａと、タンク５１、ポンプ５２Ａ，５２Ｂ、フィルタ５３Ａ，５３Ｂおよびヒータ５４Ａ，５４Ｂとの間に仕切壁５０を備える。
【００８９】
したがって、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、共通の外部筐体に収容された処理液の供給に用いられる機器の間での熱影響を低減することができる。
【００９０】
なお、上述した実施形態では、第１処理液の一例としてＤＩＷを挙げ、第２処理液の一例として硫酸を挙げ、第３処理液の一例としてＨＤＩＷを挙げて説明したが、第１〜第３処理液は上記の例に限定されない。また、上述した実施形態では、基板処理システム１が、複数の処理ユニット１６を備える場合の例について説明したが、基板処理システム１は、処理ユニット１６を１つのみ備える構成であってもよい。
【００９１】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００９２】
Ｗ    ウェハ
１    基板処理システム
２    搬入出ステーション
３    処理ステーション
４    制御装置
５    外部筐体
５Ａ  第１供給ブロック
５Ａ１  第１領域
５Ａ２  第２領域
５Ｂ  第２供給ブロック
５Ｃ  インタフェースブロック
１６  処理ユニット
５０  仕切壁
５１  タンク
５２Ａ，５２Ｂ  ポンプ
５３Ａ，５３Ｂ  フィルタ
５４Ａ，５４Ｂ  ヒータ
７１  第４主配管
７２  第１主配管
７３  第３主配管
８１  第２主配管
８１Ａ  第１の第２主配管
８１Ｂ  第２の第２主配管
１０１  回収用配管
１０２  排出用配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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