(57)【要約】  本発明の目的は、チップ上でのシリコン使用効率が上がり、ロジックセルのサイズを容易に小さくすることである。そのために、本発明の再構成可能回路は、抵抗変化素子から構成され、少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部と、ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、ロジックメモリ部と信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ抵抗変化素子への書込み配線を共有している。
2017126544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗変化素子から構成され、少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部と、
前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、
前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している、再構成可能回路。
【請求項２】
前記ロジック部は、少なくとも２個に分散して配置され、分散して配置された前記ロジック部は、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続されている、請求項１に記載の再構成可能回路。
【請求項３】
前記クロスバースイッチ回路は、前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項２に記載の再構成可能回路。
【請求項４】
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部が隣接して配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項５】
前記ロジックメモリ部は、互いに所定の方向に対して反転対称に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項６】
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第１の抵抗変化素子と、第２の抵抗変化素子と、少なくとも１つのトランジスタから構成され、前記第１の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第２の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とが接続されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項７】
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置されている、請求項６に記載の再構成可能回路。
【請求項８】
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子は，イオン電導層を用いた原子移動型素子である、請求項６または７に記載の再構成可能回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する、再構成可能回路システム。
【請求項１０】
ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、
信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力し、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する、再構成可能回路の動作方法。
【請求項１１】
前記ロジック部を、少なくとも２個に分散して配置し、分散して配置された前記ロジック部を、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続する、請求項１０に記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１２】
前記クロスバースイッチ回路は前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項１１に記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１３】
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部を隣接して配置する、請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１４】
前記ロジックメモリ部を、互いに所定の方向に対して反転対称に配置する、請求項１０〜１３のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１５】
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第１の抵抗変化素子と、第２の抵抗変化素子と、少なくとも１つのトランジスタから構成し、前記第１の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第２の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とを接続する、請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１６】
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置する、請求項１５に記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１７】
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子は，イオン電導層を用いた原子移動型素子である、請求項１５または１６に記載の再構成可能回路の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、再構成可能回路、再構成可能回路システム、および再構成可能回路の動作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プログラマブル論理集積回路（再構成可能回路）は、内部の設定情報を書き換えることにより、様々な論理回路を再構成可能であるという特徴をもつ。【０００３】
通常、再構成可能回路は、ＬＵＴ（Look Up Table：ルックアップテーブル）や、フリップフロップから構成されるメモリ参照型論理演算部であるロジック部と、ロジック部への入出力信号切り替え部（以下、IMUX）と、ロジック部間の信号パス切り替え部(以下、SMUX)とから構成される。【０００４】
再構成可能回路の回路規模（すなわち、構成可能な論理数）は、ロジック部と、ＩＭＵＸと、ＳＭＵＸとを含む、ある程度の規模のＣＬＢ（Configurable Logic Block：ロジックセル）を設計し、設計したロジックセルを相互に接続することができるように隣接して配置することで調整することができる。具体的には、隣接して配置するロジックセルの数を調整することで回路規模を調整することができるので、顧客ニーズに合わせて、異なる回路規模の再構成可能回路を含む半導体チップを容易に製造することができる。なお、信号切り替え部であるＩＭＵＸ、および信号パス切り替え部であるＳＭＵＸは、例えば、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory：スタティックランダムアクセスメモリ ）と、パストランジスタを含むＳＲＡＭスイッチを用いて実装される。近年、上述した技術は試作品の作成や、画像処理や通信などの分野で幅広く利用されている。【０００５】
特許文献１、および特許文献２は、ＩＭＵＸ、およびＳＭＵＸを抵抗変化素子で構成することで、チップ面積や消費電力を低減することのできる技術を開示している。抵抗変化素子を再構成可能回路上のスイッチとして用いる場合、回路上のすべてのスイッチに常時電圧が付与される。このためメモリとして用いる場合に比べて、より高い信頼性が要求される。【０００６】
特許文献３、および特許文献４は、１つのトランジスタと、１つの抵抗変化素子をセットにした１Ｔ１Ｒ構造のスイッチセルではなく、1つのトランジスタと２つの対となる抵抗変化素子を用いた相補型（１Ｔ２Ｒ）構造を開示している。このような、抵抗変化素子を用いたスイッチセルは、クロスバー構成でＩＭＵＸやＳＭＵＸ等の信号を切り替えるスイッチセル（マルチプレクサ）として利用される。【０００７】
クロスバー構成においてスイッチセルは、縦方向の信号用配線（ＲＶ）と横方向の信号用配線（ＲＨ）の各クロスポイント近傍に配置される。また、スイッチセルには、クロスポイントの抵抗変化素子をＯＮ／ＯＦＦさせるために選択トランジスタ（Ｔｒ．）を制御するための２つの書き込み制御線（ＳＶ，ＧＨ）も接続される。【０００８】
非特許文献１は、ベンチマーク用の再構成対象回路（例えば、MCNC20 benchmark）に対して、面積・電力・遅延を最適化する再構成可能回路の構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４３５６５４２号公報
【特許文献２】国際公開第２０１２／０４３５０２号
【特許文献３】国際公開第２０１３／１９０７４２号
【特許文献４】国際公開第２０１４／０３０３９３号
【特許文献５】特開２０１０−１７０５７２号公報
【特許文献６】特表２００８−５３９５９７号公報
【特許文献７】特開２００６−１２０７０２号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】”Architecture of Reconfigurable-Logic Cell Array with Atom Switch: Cluster Size & Routing Fabrics”, Xu Bai, et.al., Proceedings of the 2015 ACM/SIGDA International Symposium on Field-Programmable Gate Arrays, pp.269, (2015).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、抵抗変化素子の素子性能の向上に伴い、書き込み電流値や電圧が低減している。そのため３．３Ｖトランジスタや、１．８Ｖトランジスタ等の高耐圧トランジスタだけでなく、シリコン基板上に設けられる占有面積の小さな論理演算用のコアトランジスタでも抵抗変化素子を書込み制御することができるようになっている。【００１２】
ロジックセルのサイズ（高さ）は、トランジスタ（スイッチセルの高さ）で規定されていた。しかしスイッチセルの高さが小さくなると、配線密度がロジックセルの高さを制限する配線密度によってロジックセルの高さが制限される場合、ロジックセル内におけるシリコン基板の利用効率が下がってしまう。トランジスタサイズで決まる高さのピッチでスイッチセルを並べ（トランジスタの配列周期と配線パターンの周期を変えて）、クロスバースイッチ領域の高さ方向の上下領域に半導体素子形成用のスペースを作ることもできる。しかし、このような構造は配線が複雑になり、さらにスペースは、シリコン基板に近い下層配線を使ってクロスバースイッチ回路のドライバ制御用線が上下方向に走破し、電源線も含めて狭ピッチで存在する。そのためデッドスペースとなる。このようなデットスペースを有するロジックセルは、ロジックセルのサイズを小さくするうえで弊害となる可能性がある。【００１３】
本発明の目的は、チップ上でのシリコン使用効率があがり、ロジックセルのサイズを容易に小さくすることができる再構成可能回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一態様の再構成可能回路は、抵抗変化素子から構成され、少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部と、前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している。【００１５】
本発明の他の態様の再構成可能回路システムは、本発明の一態様の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する。【００１６】
本発明の他の態様に係る再構成可能回路の動作方法は、ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部にし、前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する。
【発明の効果】
【００１７】
配線の局所的高密度化を緩和するとともに、チップ上でのシリコン使用効率があがり、ロジックセルのサイズを容易に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る抵抗変化素子を示す模式図である。（ｂ）は、（ａ）を簡略化した模式図である。（ｃ）は、本発明の実施形態に係る抵抗変化素子の抵抗を変化させるための電圧を示す表である。
【図２】（ａ）は、本発明の実施形態に係るスイッチセルを示す模式図である。（ｂ）は、本発明の実施形態に係るスイッチセルを、クロスポイントセルに配置した様子をしめす模式図である。（ｃ）は、本発明の実施形態に係るスイッチセルの配線レイアウトを示す模式図である。
【図３】本発明の実施形態に係るクロスバースイッチ回路を示す模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係るクロスバースイッチ回路の外観を示す模式図である。
【図５】本発明の実施形態に係るロジックセルの構成を示すブロック図である。
【図６】本発明の実施形態に係るロジックブロックの構成を示す模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係るロジックセル間の接続を示す模式図である。
【図８】本発明の実施形態に係るクロスバースイッチ回路の構成を示すブロック図である。
【図９】本発明の実施形態に係るロジックセルの構成を示すブロック図である。
【図１０】最密度配線領域の配線レイアウトを示す模式図である。
【図１１】ロジックセル内のデッドスペースの発生を示すブロック図である。
【図１２】本発明の実施形態に係るロジックセルの構成を示すブロック図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る再構成可能回路の原理を説明するためのブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、繰り返し説明することによる煩雑さを避けるため、各図において同一、または相当する部分には同一の符号を付して適宜説明は省略する。
【００２０】
［第１の実施形態］
図１３は、本実施形態を説明するための再構成可能回路のブロック図である。
【００２１】
図１３に示すように、再構成可能回路１は、ロジック部２と、ロジックメモリ部３と、信号パス切り替え部４とを含む。
【００２２】
ロジック部２は、ロジックメモリ部３を参照することによって、論理演算を行うことのできる論理演算部であり、例えば、複数のN入力のルックアップテーブル、およびフリップフロップ等から構成されている。ロジックメモリ部３は、例えば、抵抗変化素子から構成されたメモリである。信号パス切り替え部４は、ロジックメモリ部３と同様に、抵抗変化素子から構成されている。また、ロジックメモリ部３と、信号パス切り替え部４とは、抵抗変化素子を共有している。また、ロジックメモリ部３が含む抵抗変化素子と、信号パス切り替え部４が含む抵抗変化素子の書込み配線は、クロスバースイッチ回路において、ロジックメモリ部３と、信号パス切り替え部４との間で共有されている。
【００２３】
以下、本実施形態の構成について詳細に説明する。
【００２４】
［抵抗変化素子の構成］
図１は、本実施形態に係る抵抗変化素子の一例を示す模式図であり、図１（ａ）は、抵抗変化素子を示す模式図、図１（ｂ）は（ａ）を簡略化したシンボリック表現、図１（ｃ）は、抵抗変化素子の抵抗変化させるため電圧を示す表である。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、抵抗変化素子１０は、第１の配線層１１と、第２の配線層１２と、固体電解層１３とを含む。具体的には、抵抗変化素子１０は、第１の配線層１１と、第２の配線層１２との間に固体電解層１３とを有している。
【００２６】
図１（ｃ）は、抵抗変化素子１０の抵抗値と電圧の対応関係を示す表である。図１（ｃ）に示すように、抵抗変化素子１０の抵抗値は、抵抗変化素子１０の両端に順バイアス、あるいは逆バイアスを印加することで変化する。具体的には、抵抗変化素子１０の抵抗値は、第１の配線層１１のバイアスがＨｉｇｈレベルであり、第２の配線層１２のバイアスがＬｏｗレベルの場合に、高抵抗状態（オフ状態）から低抵抗状態（オン状態）に切り替わる。一方、抵抗変化素子１０の抵抗値は、第１の配線層１１のバイアスがＬｏｗレベルであり、第２の配線層１２のバイアスがＨｉｇｈレベルの場合に、低抵抗状態から高抵抗状態に切り替わる。なお、抵抗変化素子１０の低抵抗状態と、高抵抗状態の抵抗値の比は、例えば、１０５以上である。
【００２７】
上述した抵抗変化素子１０は、特に限定しないが、例えば、遷移金属酸化物を用いたReRAM（Resistance Random Access Memory)や、イオン伝導体を用いたNanoBridge(登録商標)等、一定以上の電圧を所定時間以上印加することで抵抗が変化し、かつ保持することのできる抵抗変化素子を用いる。また、抵抗変化素子１０は、抵抗を変化させための電圧の印加方向に極性を有する２つのバイポーラ型の抵抗変化素子を含む抵抗変化素子であってもよい。この場合、抵抗変化素子１０は、２つのバイポーラ型の抵抗変化素子を対向して直列に接続し、かつ２つのスイッチの接続点にスイッチ（トランジスタ）が配置されている構成がより望ましい。これは、このような構成を有する抵抗素子１０は、信号を継続的に通過させて使用する際のディスターブ耐性が高いためである。さらに、抵抗変化素子１０は、電界などの印加によってイオンが自由に動くことのできる固体(イオン伝導体)中における金属イオンの移動と電気化学反応とを利用した抵抗変化素子であってもよい。
【００２８】
上述したような抵抗変化素子１０は、抵抗変化量が大きいので、電極間を信号が通過するか、通過しないかを区別できるスイッチ素子として使用することができる。具体的に説明すると、図１に示すように、抵抗変化素子１０は、固体電解層１３と、固体電解層１３に接して、互いに対向して設けられた第１の配線層１１と第２の配線層１２から構成されている。このような構成を有する抵抗変化素子１０の場合、固体電解層１３は、第１の配線層１１から金属イオンを受けるが、第２の配線層１２からは金属イオンを受けない。そのため、抵抗変化素子１０は、印加電圧の極性が変化することで固体電解層１３の抵抗値が変化するので、第１の配線層１１と第２の配線層１２との間の導通状態を制御することができる。
【００２９】
［スイッチセルの構成］
図２は、本実施形態に係るスイッチセルの構成を示す模式図であり、図２（ａ）は、２つの抵抗変化素子とトランジスタを含むスイッチセルを示す模式図である。
【００３０】
スイッチセル１００は、少なくとも、第１の抵抗変化素子１１０と、第２の抵抗変化素子１２０と、選択トランジスタ１３０と、を含む。すなわち、スイッチセル１００は、1つのトランジスタと２つの対となる抵抗変化素子を用いた相補型（１Ｔ２Ｒ）構造のスイッチセルである。
【００３１】
第１の抵抗変化素子１１０は、第１の電極１１１、および第２の電極１１２を有する抵抗変化素子であり、図１に示した抵抗変化素子１０と同様の構成を有している。すなわち、第１の抵抗変化素子１１０の抵抗値は、第１の電極１１１、および第２の電極１１２に印加する電圧に応じて変化する。
【００３２】
第２の抵抗変化素子１２０は、第１の電極１２１、および第２の電極１２２を有する抵抗変化素子であり、図１に示した抵抗変化素子１０と同様の構造を有している。すなわち、第２の抵抗変化素子１２０の抵抗値は、第１の電極１２１、および第２の電極１２２に印加する電圧に応じて変化する。
【００３３】
選択トランジスタ１３０は、例えば、通常のトランジスタで構成することができる。
【００３４】
図２（ａ）に示すように、第１の抵抗変化素子１１０の第２の電極１１２と、第２の抵抗変化素子１２０の第２の電極１２２とは、互いに接続されている。また、第１の抵抗変化素子１１０の第２の電極１１２と、第２の抵抗変化素子１２０の第２の電極１２２とは、選択トランジスタ１３０の一方の拡散層（ソース、またはドレイン）１３１に接続されている。
【００３５】
図２（ｂ）は、信号切り替え用にクロスポイントセルとして配置されたスイッチセルを示す模式図である。
【００３６】
図２（ｂ）に示すように、スイッチセル１００は、クロスバースイッチのスイッチとして用いられている。具体的には、スイッチセル１００は、図２（ｂ）において、ｙ方向の配線である信号線ＲＶ［ｊ］と、ｘ方向の配線である信号線ＲＨ［ｋ］のクロスポイント近傍に配置されている。また、第１の抵抗変化素子１１０の第１の電極１１１は信号線ＲＨ［ｋ］と接続され、第２の抵抗変化素子１２０の第１の電極１２１は信号線ＲＶ［ｊ］と接続されている。すなわち、信号線ＲＶ［ｊ］、および信号線ＲＨ［ｋ］は、それぞれ、第１の抵抗変化素子１１０、および第２の抵抗変化素子１２０との間で共有されていない電極に接続されている。
【００３７】
さらに、選択トランジスタ１３０のゲート電極１３３には書込み制御線ＧＨ［ｋ］が接続され、第１の抵抗変化素子１１０、および第２の抵抗変化素子１２０が接続されていない側の拡散層（ドレイン、またはソース）１３２には書込み制御線ＳＶ［ｊ］が接続されている。具体的には後述するが、書込み制御線ＧＨ［ｋ］、および書込み制御線ＳＶ［ｊ］は、信号線ＲＨ［ｋ］、および信号線ＲＶ［ｊ］とは独立に配線し、配線する方向に存在する他のスイッチとの間で共有される。
【００３８】
図２（ｃ）は、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示したスイッチセル１００の立体的な模式図を示している。
【００３９】
図２（ｃ）に示すように、信号線ＲＨ［ｋ］は、第１の抵抗変化素子１１０の第１の電極１１１の＋ｚ方向に位置している。また、信号線ＲＨ［ｋ］と、第１の抵抗変化素子１１０の第１の電極１１１とはビア（ＶＩＡ）を介して電気的に接続されている。
【００４０】
信号線ＲＶ［ｊ］は、第２の抵抗変化素子１２０の第１の電極１２１と同一のｘｙ平面内で電気的に接続されている。なお、第１の抵抗変化素子１１０の第１の電極１１１と、第２の抵抗変化素子１２０の第１の電極１２１は、同一のｘｙ平面内に位置している。
【００４１】
図３は、本実施形態に係るクロスバースイッチ回路２００を示す模式図である。図３に示すように、クロスバースイッチ回路２００は、ｊ入力に対してｋ出力するクロスバー回路である。
【００４２】
クロスバースイッチ回路２００は、スイッチセル１００ａと、スイッチセル１００ｂと、スイッチセル１００ｃと、スイッチセル１００ｄと、スイッチセル１００ｅと、スイッチセル１００ｆと、スイッチセル１００ｇと、スイッチセル１００ｈと、スイッチセル１００ｉとを含む。スイッチセル１００ａ〜スイッチセル１００ｉは、上述したスイッチセル１００と同様の構成を有している。
【００４３】
図３に示すように、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｂ、およびスイッチセル１００ｃは、ｘ方向の配線である書込み制御線ＧＨ［ｋ−１］、および信号線ＲＨ［ｋ−１］を共有している。ここで、書込み制御線ＧＨ［ｋ−１］、および信号線ＲＨ［ｋ−１］は、それぞれ、独立の配線である。また、信号線ＲＨ［ｋ−１］は、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｂ、およびスイッチセル１００ｃに接続された第１の制御トランジスタ２１０ａの一方の拡散層と接続されている。ここで、第１の制御トランジスタ２１０ａの他方の拡散層には電源線ＰＳ［０］が接続され、ゲート電極には書込み制御線ＧＳＨ［ｋ−１］が接続されている。
【００４４】
スイッチセル１００ｄ、スイッチセル１００ｅ、およびスイッチセル１００ｆは、ｘ方向の配線である書込み制御線ＧＨ［ｋ］、および信号線ＲＨ［ｋ］を共有している。書込み制御線ＧＨ［ｋ］、および信号線ＲＨ［ｋ］は、それぞれ、独立の配線である。また、信号線ＲＨ［ｋ］は、スイッチセル１００ｄ、スイッチセル１００ｅ、およびスイッチセル１００ｆに接続された第１の制御トランジスタ２１０ｂの一方の拡散層と接続されている。ここで、第１の制御トランジスタ２１０ｂの他方の拡散層には電源線ＰＳ［０］が接続され、ゲート電極には書込み制御線ＧＳＨ［ｋ］が接続されている。
【００４５】
スイッチセル１００ｇ、スイッチセル１００ｈ、およびスイッチセル１００ｉは、ｘ方向の配線である書込み制御線ＧＨ［ｋ＋１］、および信号線ＲＨ［ｋ＋１］を共有している。書込み制御線ＧＨ［ｋ＋１］、および信号線ＲＨ［ｋ＋１］は、それぞれ、独立の配線である。また、信号線ＲＨ［ｋ＋１］は、スイッチセル１００ｇ、スイッチセル１００ｈ、およびスイッチセル１００ｉに接続された第１の制御トランジスタ２１０ｃの一方の拡散層と接続されている。ここで、第１の制御トランジスタ２１０ｃの他方の拡散層には電源線ＰＳ［０］が接続され、ゲート電極には書込み制御線ＧＳＨ［ｋ＋１］が接続されている。
【００４６】
スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｄ、およびスイッチセル１００ｇは、ｙ方向の配線である書込み制御線ＳＶ［ｊ−１］、および信号線ＲＶ［ｊ−１］を共有している。書込み制御線ＳＶ［ｊ−１］、および信号線ＲＶ［ｊ−１］は、それぞれ、独立の配線である。また、書込み制御線ＳＶ［ｊ−１］は、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｄ、およびスイッチセル１００ｇに接続された第２の制御トランジスタ２２０ａの一方の拡散層と接続されている。ここで、第２の制御トランジスタ２２０ａの他方の拡散層には電源線ＰＳ［１］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ−１］が接続されている。さらに、信号線ＲＶ［ｊ−１］は、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｄ、およびスイッチセル１００ｇに接続された第３の制御トランジスタ２３０ａの一方の拡散層と接続されている。ここで、第３の制御トランジスタ２３０ａの他方の拡散層には電源線ＰＳ［２］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ−１］が接続されている。
【００４７】
スイッチセル１００ｂ、スイッチセル１００ｅ、およびスイッチセル１００ｈは、ｙ方向の配線である書込み制御線ＳＶ［ｊ］、および信号線ＲＶ［ｊ］を共有している。書込み制御線ＳＶ［ｊ］、および信号線ＲＶ［ｊ］は、それぞれ、独立の配線である。また、書込み制御線ＳＶ［ｊ］は、スイッチセル１００ｂ、スイッチセル１００ｅ、およびスイッチセル１００ｈに接続された第２の制御トランジスタ２２０ｂの一方の拡散層と接続されている。ここで、第２の制御トランジスタ２２０ｂの他方の拡散層には電源線ＰＳ［１］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ］が接続されている。さらに、信号線ＲＶ［ｊ］は、スイッチセル１００ｂ、スイッチセル１００ｅ、およびスイッチセル１００ｈに接続された第３の制御トランジスタ２３０ｂの一方の拡散層と接続されている。ここで、第３の制御トランジスタ２３０ｂの他方の拡散層には電源線ＰＳ［２］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ］が接続されている。
【００４８】
スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉは、書込み制御線信号線ＳＶ［ｊ＋１］、および信号線ＲＶ［ｊ＋１］を共有している。書込み制御線ＳＶ［ｊ＋１］、および信号線ＲＶ［ｊ＋１］は、それぞれ、独立の配線である。また、書込み制御線ＳＶ［ｊ＋１］は、スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉに接続された第２の制御トランジスタ２２０ｃの一方の拡散層と接続されている。ここで、第２の制御トランジスタ２２０ｃの他方の拡散層には電源線ＰＳ［１］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ＋１］が接続されている。さらに、信号線ＲＶ［ｊ＋１］は、スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉに接続された第３の制御トランジスタ２３０ｃの一方の拡散層と接続されている。ここで、第３の制御トランジスタ２３０ｃの他方の拡散層には電源線ＰＳ［２］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ＋１］が接続されている。
【００４９】
なお、書込み制御線ＧＳＨ［ｋ−１］は、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｂ、およびスイッチセル１００ｃに含まれるスイッチ素子の抵抗を変化させるために使用される配線である。また、書込み制御用配線ＧＳＨ［ｋ−１］は、制御トランジスタ２１０ａのゲート電圧に接続されている。
【００５０】
図４は、クロスバースイッチ回路２００のインターフェースの外観を示した模式図である。図４に示すように、ｘ方向に対応する一方の辺に、信号線ＲＶ、およびドライバ制御線ＰＧＶが配置されている。また、ｙ方向に対応する一方の辺に、信号線ＲＨ、書込み制御線ＧＨ、書込み制御線ＧＳＨ、および電源線ＰＳが配置されている。なお、図４に示すクロスバースイッチの外観図は、例示であり、本発明を限定するものではない。
【００５１】
［再構成可能回路の構成］
図５は、再構成可能回路の基本構成であるロジックセルのブロック図を示している。図５に示すように、ロジックセル３００は、ロジック部（ＬＢ）３１０と、ロジックメモリ部（ＭＥ）３２０と、ＩＭＵＸ３３０と、ＳＭＵＸ３４０とを含む。
【００５２】
ロジック部３１０は、複数(例えば、Ｍ個)のＮ入力ルックアップテーブル（ＬＵＴ）を少なくとも含む。Ｎ入力とはＩＭＵＸ３３０からＮ個の制御信号が入力されることを示している。したがって、ロジック部３１０は、Ｍ個のルックアップテーブルを含む場合、Ｎ×Ｍ個のＩＭＵＸ３３０用の入力ポートを有する。また、ロジック部３１０が含むＭ個のＮ入力ルックアップテーブルは、それぞれが１個の出力ポートを有するので、ロジック部３１０はＭ個の出力ポートを有する。
【００５３】
ロジックメモリ部３２０は、ロジック部３１０がＮ入力のルックアップテーブルを含む場合、（２^Ｎ）個のメモリを含んでいる。この場合、ロジックメモリ部３２０が含む（２^Ｎ）個のメモリは、それぞれ、ロジック部３１０と接続されている。したがって、ロジック部３１０は、Ｍ個のルックアップテーブルを含む場合、（（２^Ｎ）×Ｍ）個のロジックメモリ部３２０用の入力ポートを有する。なお、ロジックメモリ部３２０は、フリップフロップ等への入出力切り替え等で使用するメモリを例えばα個含むので、合計で（（２^Ｎ）×Ｍ）＋α個のロジックメモリ部３２０用の入力ポートを有する。
【００５４】
図６は、ロジック部３１０に含まれるルックアップテーブルの一例を示す模式図である。なお、図６に示すルックアップテーブル４００は、説明を容易にするためにＮ＝３として説明するが、これは例示であり、本発明を限定するものではない。本実施形態において、ロジック部３１０は、任意の入力数のルックアップテーブルを用いることができる。
【００５５】
ルックアップテーブル４００は、マルチプレクサ４０１ａ、マルチプレクサ４０１ｂ、マルチプレクサ４０１ｃ、マルチプレクサ４０１ｄ、マルチプレクサ４０１ｅ、マルチプレクサ４０１ｆ、およびマルチプレクサ４０１ｇを含む。
【００５６】
マルチプレクサ４０１ａ〜マルチプレクサ４０１ｇは、それぞれ、入力ポートを２個有している。マルチプレクサ４０１ａの入力ポートには、マルチプレクサ４０１ｂ、およびマルチプレクサ４０１ｃが接続されている。マルチプレクサ４０１ｂの入力ポートにはマルチプレクサ４０１ｄ、およびマルチプレクサ４０１ｅが接続されている。マルチプレクサ４０１ｃの入力ポートにはマルチプレクサ４０１ｆ、およびマルチプレクサ４０１ｇが接続されている。
【００５７】
マルチプレクサ４０１ａ、マルチプレクサ４０１ｂ、およびマルチプレクサ４０１ｄは、それぞれ、ＩＭＵＸ３３０からの信号を受ける。
【００５８】
マルチプレクサ４０１ｄ、マルチプレクサ４０１ｅ、マルチプレクサ４０１ｆ、およびマルチプレクサ４０１ｇのそれぞれの入力ポートは、ロジックメモリ部３２０が有するメモリが接続されている。すなわち、Ｎ＝３の場合、ルックアップテーブル４００には、２^３＝８個のメモリが接続されている。
【００５９】
図６に示すように、ルックアップテーブル４００は、ロジックメモリ部３２０、およびＩＭＵＸ３３０から受けた信号に応じて、マルチプレクサ４０１ａが１つの信号を出力する。そして、マルチプレクサ４０１ａは、出力した信号を、例えば、マルチプレクサ４０１ｈ、およびフリップフロップ４１０に入力する。なお、フリップフロップ４１０は、受けた信号に応じて信号を出力し、マルチプレクサ４０１ｈに入力する。
【００６０】
図７は、ロジックセル間の接続を示す模式図である。
【００６１】
具体的には、図７は、クロスバー構成において、第１のロジックセル３００−１、第２のロジックセル３００−２、第３のロジックセル３００−３、および第４のロジックセル３００−４が接続されている場合が示されている。以下、図５、および図７を参照して、ロジックセル間の接続について説明する。
【００６２】
図７に示されているように、ロジックセルは、それぞれ、Ｐ個のチャネルで接続されており、セグメント長（ロジックセル間の間隔）はＱである。
【００６３】
したがって、図７の場合、４個のロジックセルが接続されているので、ＳＭＵＸ３４０の出力ポート数は合計で（４×Ｐ）個となる。一方、ＳＭＵＸ３４０には、ロジック部３１０が含むＭ個のルックアップテーブルからＭ個の出力と、ロジックセル３００の外部から（４×Ｐ×Ｑ）個の出力が入力される。したがって、ＳＭＵＸ３４０の出力ポート数は、合計で（Ｍ＋４×Ｐ×Ｑ）個となる。
【００６４】
ＩＭＵＸ３３０の出力ポート数は、ロジック部３１０がＭ個のＮ入力のルックアップテーブルを含む場合に（Ｎ×Ｍ）個となる。また、ＩＭＵＸ３３０の入力ポート数は、ＳＭＵＸ３４０と同様に（Ｍ＋４×Ｐ×Ｑ）個である。
【００６５】
ＩＭＵＸ３３０、およびＳＭＵＸ３４０は、同じ数の入力ポートを有しているので、図５に示すように、入力信号が走破する方向に、ＩＭＵＸ３３０とＳＭＵＸ３４０を連結して１つのクロスバー回路を構成することができる。
【００６６】
ロジックメモリ部３２０は、ＩＭＵＸ３３０や、ＳＭＵＸ３４０のスイッチとして使用した抵抗変化型スイッチセル（クロスバースイッチ）を利用することで、他のメモリを使わず、同一プロセスで実装可能となる。すなわち、ロジックメモリ部３２０、ＩＭＵＸ３３０、およびＳＭＵＸ３４０は、共通とすることができる。
【００６７】
なお、上述した構成は例示であり、各ロジックセルとの間でセグメント長、およびチャネル数が異なっていてもよい。具体的には、再構成可能回路内のロジックセルの位置や方向によってチャネル数が違っていてもよく、チャネルによってセグメント長が違っていてもよい。
【００６８】
図８は、本実施形態に係るロジックメモリ部３２０に使用されるクロスバースイッチ回路の外観を示す模式図である。
【００６９】
図８に示すように、クロスバースイッチ回路において、ｘ方向に対応する辺に設けた電源線ＶＤＤ、およびグランド配線（ＧＮＤ）を入力として、ｙ方向に対応する辺に設けた信号線ＲＨをロジックメモリ部２２０の入力ポートと接続させる。
【００７０】
図９は、論理演算用の内部配線、および書込み用配線を含めたロジックセルを示すブロック図である。以下、図９を参照して、ロジックセル内における配線密度について説明する。
【００７１】
図９に示すように、ロジックセル３００’は、ロジック部３１０と、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒと、ＩＭＵＸ３３０と、ＳＭＵＸ３４０と、を含む。すなわち、ロジックセル３００’は、メモリがＮｒ個に分割して配置されている。
【００７２】
図９に示すような並列に並べて相互接続できるロジックセルの高さ／横方向のサイズを規定する２つの要因について説明する。
【００７３】
１つ目の要因は、抵抗変化素子を書き込むためのスイッチセル内の選択トランジスタのサイズである。具体的に説明すると、スイッチセルのサイズは、例えば、抵抗変化素子を書き換えるために４Ｖ以上の電圧耐性が必要であり、かつ１ｍＡ程度の電流を流す必要がある場合、６５ｎｍのテクニカルノードにおける高耐圧トランジスタのサイズで規定される。具体的には、高耐圧トランジスタのサイズは、例えば、３．２μｍ×０．７６μｍ（長手方向＝スイッチセルの高さ=Y方向）となる。ＩＭＵＸ３３０、およびＳＭＵＸ３４０を構成するクロスバースイッチの高さ方向の最低限必要なサイズは、（スイッチセルの高さ）×（ＩＭＵＸ３３０の出力ポート数＋ＳＭＵＸ３４０の出力ポート数）である。したがって、最低限必要な高さが規定されるので、ロジックセルの高さ方向のサイズを制限する1つ目の要因となる（要因１）。
【００７４】
２つ目の要因は、ロジックセル内の配線密度である。
【００７５】
ロジックメモリ部３２０のクロスバースイッチは、抵抗変化素子の書込み信号線を共有するために、ＩＭＵＸ３３０、およびＳＭＵＸ３４０を構成するクロスバースイッチ、およびセル数を（ＩＭＵＸ３３０の出力ポート数＋ＳＭＵＸ３４０の出力ポート数）にして高さを揃える必要がある。そのため、（（２^Ｎ）×Ｍ＋α）／（ＩＭＵＸ３３０の出力ポート数＋ＳＭＵＸ３４０の出力ポート数）の切り上げ整数分（Ｎｒ）だけ横（ｘ）方向にクロスバースイッチを並べて配置する。
【００７６】
図９に示すように、ロジックセル３００’は、ロジック部３１０からロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒのそれぞれに配線されるので、ロジック部３１０と、ロジックメモリ部３２０−１との間に配線密度が最も高くなる最密度配線領域５００が存在する。
【００７７】
図１０は、スイッチセルの構成を示す模式図である。図１０には、スイッチセル６００ａと、スイッチセル６００ｂが示されている。
【００７８】
最密度配線領域５００では、図１０に示すように、高さ（Y）方向の配線スペースをスイッチセル６００ａ、およびスイッチセル６００ｂに対して、それぞれ、（Ｎｒ＋４）グリッド分確保する必要がある。ここで、Ｎｒは、信号線ＲＶ、信号線ＲＶ’、および信号線ＲＶ’’で示している。したがって、配線ピッチをＰ（＝０．２４μｍ（６５ｎｍテクニカルノードの場合））とすると、Ｐ×（Ｎｒ＋４）×（ＩＭＵＸの出力ポート数＋ＳＭＵＸの出力ポート数）が、ロジックセルの高さ方向を規定する２つ目の要因となる（要因２）。
【００７９】
ロジックセルの高さは、上述した要因１、および要因２の大小関係で規定される。ロジックセルの横方向のサイズは、高さ方向を固定した上で、横方向のサイズがなるべく小さくなるように回路を配置することで決めることができる。なお、要因１を簡略化すると「トランジスタサイズで決まるスイッチセルの高さ」であり、要因２を簡略化すると「Ｐ×（Ｎｒ＋４）」である。すなわち、要因１、２の大小関係は、「トランジスタサイズで決まるスイッチの高さ」と「Ｐ×（Ｎｒ＋４）」の大小で決まる。
【００８０】
近年では、上述したように、スイッチセルの高さが小さくなったため、配線密度がロジックセルの高さを制限している。
【００８１】
ロジックセル内の配線密度によってロジックセルの高さが制限される場合、ロジックセル内におけるシリコン基板の利用効率が下がってしまう。トランジスタサイズで決まる高さ方向（ｙ方向）のピッチでスイッチセルを並べ（トランジスタの配列周期と配線パターンの周期を変えて）、クロスバースイッチの高さ方向の上下領域に半導体素子形成用のスペースを作ることもできる。しかしながら、このようなスペースは、デッドスペースと成り、かつ配線も複雑になる。図１１は、デッドスペースが、ロジックセルのサイズを小さくする上で弊害になることを示している。
【００８２】
図１２は、本実施形態に係るロジックセル内の分散配置の例を示す模式図である。
【００８３】
図１２に示すように、ロジックセル３００は、ロジック部３１０−１と、ロジック部３１０−２と、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒと、ＩＭＵＸ３３０と、ＳＭＵＸ３４０とを含んでいる。ロジックセル３００において、書込み制御線ＧＨ、および書込み制御線ＧＳＨは、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒ、およびＳＭＵＸ３４０との間で共有されている。
【００８４】
ロジック部３１０−１はＳ個のルックアップテーブルを含む。すなわち、ロジック部３１０−１は、（（２^Ｎ）×Ｓ＋α）個の入力を有する。ロジック部３１０−２はＴ個のルックアップテーブルを含む。すなわち、ロジック部３１０−１は、（（２^Ｎ）×Ｔ＋α）個の入力を有する。
【００８５】
また、ロジック部３１０−１、およびロジック部３１０−２は、ロジックセル内において、分散して配置されている。この場合、ロジック部３１０−１からはＳ本の信号線がＩＭＵＸ３３０に接続され、ロジック部３１０−２からはＴ本の信号線がＩＭＵＸ３３０に接続される。ここで、Ｓ＋Ｔ＝Ｍを満たす。
【００８６】
ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒの内、ロジック部３１０−１と対応するロジックメモリ部３２０−１は、ロジック部３１０−１と隣接して配置されている。また、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒの内、ロジック部３１０−２と対応するロジックメモリ部３２０−２はロジック部３１０−２と隣接して配置されている。
【００８７】
ここで、特に限定しないが、書込み制御線ＧＨ、および書込み制御線ＧＳＨは、ＩＭＵＸ３３０、ＳＭＵＸ３４０を構成するクロスバースイッチと共有させることが望ましい。
これにより、書込み制御線、および書込みデコーダ回路の増大を最小限に抑えることが可能になる。
【００８８】
［配線密度の比較］
図１１に示すような通常の最密度配線領域５００の配線密度は１つのロジックセルに対して以下のようになる。
【００８９】
Ｐ×［（Ｎｒ＋４）×（ＩＭＵＸの出力ポート数＋ＳＭＵＸの出力ポート数）］／ロジックセルの面積・・・（Ａ）
となる。
【００９０】
それに対して、図１２に示すような本実施形態に係る最密度配線領域５００の配線密度は以下のようになる。
【００９１】
Ｐ×［（１＋４）×（ＩＭＵＸの出力ポート数＋ＳＭＵＸの出力ポート数）＋Ｔ］／ロジックセルの面積・・・（Ｂ）
となる。
【００９２】
ロジック部３１０−１のルックアップテーブル数はＳであり、ロジック部３１０−２のルックアップテーブル数はＴである。すなわち、Ｓ＋Ｔ=Ｍを満たす。また、ロジックメモリ部を、（２^Ｎ）×Ｓ）≦（Ｎ×Ｍ＋４×Ｐ），（（２^Ｎ）×Ｔ）≦（Ｎ×Ｍ＋４×Ｐ）を満たすように分割している。Ｎ−１＞１，Ｎ＞１，Ｍ＞Ｔであるため以下の関係が成り立つ。
【００９３】
（Ａ）−（Ｂ）∝
｛（Ｎｒ−１）×（Ｎ×Ｍ＋４×Ｐ）＋Ｔ｝
＞｛（Ｎｒ−１）×（Ｎ×Ｍ）−Ｔ｝
＞０
となる。
【００９４】
上述で示すように、本発明は、配線密度を小さくすることができるので、チップ上のシリコン使用効率があがり、ロジックセル３００のサイズを容易に小さくすることができる。また、ロジックセル３００内の各クロスバーは、書込み線の共用を維持した状態で分散配置される。そのため、各クロスバーは、ロジック部の分散配置することに伴って、書込み線が増加したり、付随するデコーダ回路が増加したりすることもない。
【００９５】
なお、図１２に示したロジックセルは、ロジック部３１０−１、およびロジック部３１０−２の２つのロジック部を含むが、これは例示であり、ロジック部の分割数を限定するものではない。分割数は３つ以上であってもよく、分割によって同様の効果が得ることが出来る。
【００９６】
なお、分散配置するロジックメモリ部は、ｘ軸反転対称に配置することがより望ましい。これにより、それぞれのロジック部と、ロジックメモリ部のクロスバーと入出力ポートの位置を合わせやすくなり、より直線的な配線が可能で遅延、電力性能が向上する。
【００９７】
また、ロジックメモリ部３１０、およびＩＭＵＸ３３０のスイッチに対して論理演算情報をマッピング(抵抗変化素子を書き込んで論理演算回路を再構成可能回路上にコンフィギュレーション)する際に、クリティカルパス上にある論理演算は、優先的にＩＭＵＸ３３０に近いロジック部を利用する構成が好ましい。このような構成とすることで、同じ論理演算を行う場合でも、ランダムにロジックメモリ部に割り振るマッピングパターンと比較して、動作周波数を高めることができる。
【００９８】
［第２の実施形態］
第２の実施形態として４入力のルックアップテーブルを例に説明する。
【００９９】
４入力のルックアップテーブルにおいて、ベンチマーク用の再構成対象回路(例えば、ＭＣＮＣ２０)を面積・電力・遅延において最適化する上で、ルックアップテーブル数は４つ、ＣＬＢ間のセグメント長は４、接続チャネル数は４つ必要になる。
【０１００】
このため、ＳＭＵＸ用クロスバーの出力用に４×４＝１６個分のスイッチセル配列が必要である。また、ＩＭＵＸ用クロスバーの出力用に４×４＝１６個分のスイッチセル配列が必要である。したがって、ロジックセルの高さ(Y方向)は、少なくとも１６＋１６＝３２個分のスイッチセルの高さが必要になる。
【０１０１】
一方、ロジックメモリ部３２０のメモリとして少なくとも（２^４）×４＝６４個必要である。これに、フリップフロップ等への入出力切り替え等で使用するメモリの数αを含めると、Ｎｒ＝（６４＋α）／３２＞２ （すなわち、Ｎｒ≧３, 整数）となる。
【０１０２】
６５ｎｍ−ｎｏｄｅのコアトランジスタを用いたスイッチセルのサイズは、１．４μｍ×０．５２μｍ（スイッチセルの高さ＝１．４μｍ）となるため、ロジックセルのサイズ（高さ）は少なくとも３２×１．４＝４４．８μｍにする必要がある。
【０１０３】
一方、図１０に示すように、Ｎｒ＝３の場合、１つのスイッチセルに対して、（Ｎｒ＋４）×０．２４μｍ＝１．６８μｍとなる。したがって、配線スペースを確保するために必要なロジックセルのサイズ（高さ）は少なくとも、３２×１．６８＝５３．８μｍ必要である。これによりクロスバーの上部領域、または下部領域に、５３．８−４４．８＝９μｍ（ロジックセルの高さ（ｙ）方向に２０％）のスペースを基板上に確保することができる。
【０１０４】
しかしながら、上述したように、ロジックセル内において、抵抗変化素子の上部領域、または下部領域には、クロスバーの書込み制御用トランジスタへの制御線、および電源線がシリコン基板に近い配線層で高密度に配線されており、トランジスタ等を配置できないデッドスペースになる。
【０１０５】
一方、図１２に示したように、４つのルックアップテーブルを２つに分割し、各ロジック部に２つのルックアップテーブルを配置する（例えば、Ｓ＝２、Ｔ＝２）。また、２×３２サイズのメモリ用クロスバースイッチを３か所に分散して配置する。これにより、図１２においては、ロジックメモリ部間で信号線が行き来することがなくなり、高さ方向に対して１スイッチセルあたり（１＋４）×０．２４μｍ＝１．２μｍを配線スペースとして確保すればよい。したがって、配線スペースを確保するために必要な最低限のロジックセルのサイズ（高さ）は、３２×１．２μｍ＝３８．４μｍ（＜４４．８μｍ）となるので、トランジスタ等を配置できないデッドスペースが発生しなくなる。
【０１０６】
［第３の実施形態］
図１２に示すように、ロジックセル内にロジック部を分散配置すると、ＩＭＵＸ３３０に近い側にあるロジック部３１０−１と、遠い側にあるロジック部３１０−２で、信号線長の差分が大きくなる。このため、同じ論理演算を行う場合でも、演算上のクリティカルパスが、ロジック部３１０−２を経由する場合は、３１０−１を経由する場合に比べて動作周波数が遅くなる。
【０１０７】
したがって、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒ、およびＩＭＵＸ３３０のスイッチに対して論理演算情報をマッピングする際に、論理演算は、優先的にＩＭＵＸ３３０に近い側のロジック部を利用することが好ましい。マッピングとは、抵抗変化素子を書き込んで論理演算回路を再構成可能回路上にコンフィギュレーションすることである。これによりランダムにロジック部に割り振るマッピングパターンと比較して、動作周波数を高めることが出来る。
なお、図面中の矢印の向きは、一例を示すものであり、ブロック間の信号の向きを限定するものではない。
【０１０８】
上記の各実施形態の一部、または全部は、以下の付記のようにも記載されうる。なお、以下の付記は本発明をなんら限定するものではない。
【０１０９】
［付記１］
抵抗変化素子から構成され、少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部と、
前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、
前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している、再構成可能回路。
【０１１０】
［付記２］
前記ロジック部は、少なくとも２個に分散して配置され、分散して配置された前記ロジック部は、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続されている、付記１に記載の再構成可能回路。
【０１１１】
［付記３］
前記クロスバースイッチ回路は、前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、付記２に記載の再構成可能回路。
【０１１２】
［付記４］
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部が隣接して配置されている、付記１〜３のいずれか１つに記載の再構成可能回路。
【０１１３】
［付記５］
前記ロジックメモリ部は、互いに所定の方向に対して反転対称に配置されている、付記１〜４のいずれか１つに記載の再構成可能回路。
【０１１４】
［付記６］
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第１の抵抗変化素子と、第２の抵抗変化素子と、少なくとも１つのトランジスタから構成され、前記第１の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第２の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とが接続されている、付記１〜５のいずれか１つに記載の再構成可能回路。
【０１１５】
［付記７］
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置されている、付記６に記載の再構成可能回路。
【０１１６】
［付記８］
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子は，イオン電導層を用いた原子移動型素子である、付記６または７に記載の再構成可能回路。
【０１１７】
［付記９］
付記１〜８のいずれか１つに記載の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する、再構成可能回路システム。
【０１１８】
［付記１０］
ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、
信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力し、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する、再構成可能回路の動作方法。
【０１１９】
［付記１１］
前記ロジック部を、少なくとも２個に分散して配置し、分散して配置された前記ロジック部を、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続する、付記１０に記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２０】
［付記１２］
前記クロスバースイッチ回路は前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、付記１１に記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２１】
［付記１３］
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部を隣接して配置する、付記１０〜１２のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２２】
［付記１４］
前記ロジックメモリ部を、互いに所定の方向に対して反転対称に配置する、付記１０〜１３のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２３】
［付記１５］
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第１の抵抗変化素子と、第２の抵抗変化素子と、少なくとも１つのトランジスタから構成し、前記第１の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第２の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とを接続する、付記１０〜１４のいずれか１つに記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２４】
［付記１６］
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子はバイポーラ型の抵抗変化素子であり、かつ抵抗変化極性が対向するように配置する、付記１５に記載の再構成可能回路の動作方法。
【０１２５】
［付記１７］
前記第１の抵抗変化素子、および前記第２の抵抗変化素子は，イオン電導層を用いた原子移動型素子である、付記１５または１６に記載の再構成可能回路の動作方法。
以上、上述した実施形態を模範的な例として本発明を説明した。しかしながら、本発明は、上述した実施形態には限定されない。即ち、本発明は、本発明のスコープ内において、当業者が理解し得る様々な態様を適用することができる。
この出願は、２０１６年１月２０日に出願された日本出願特願２０１６−００８４９５を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
【符号の説明】
【０１２６】
１・・・再構成可能回路
２・・・ロジック部
３・・・ロジックメモリ部
４・・・信号パス切り替え部
１０・・・抵抗変化素子
１１・・・第１の配線層
１２・・・第２の配線層
１３・・・固体電解層
１００ａ〜１００ｉ・・・スイッチセル
１１０・・・第１の抵抗変化素子
１２０・・・第２の抵抗変化素子
１１１，１２１・・・第１の電極
１１２，１２２・・・第２の電極
１３０・・・選択トランジスタ
１３１，１３２・・・拡散層
１３３・・・ゲート電極
２００・・・クロスバースイッチ回路
２１０ａ，２１０ｂ，２１０ｃ・・・第１の制御トランジスタ
２２０ａ，２２０ｂ，２２０ｃ・・・第２の制御トランジスタ
２３０ａ，２３０ｂ，２３０ｃ・・・第３の制御トランジスタ
３００，３００’，３００Ａ・・・ロジックセル
３００−１・・・第１のロジックセル
３００−２・・・第２のロジックセル
３００−３・・・第３のロジックセル
３００−４・・・第４のロジックセル
３１０・・・ロジック部
３１０−１・・・ロジック部
３１０−２・・・ロジック部
３２０・・・ロジックメモリ部
３２０−１・・・ロジックメモリ部
３２０−２・・・ロジックメモリ部
３２０−Ｎｒ・・・第Ｎｒのロジックメモリ部
３３０・・・入出力信号切り替え部
３４０・・・信号パス切り替え部
４００・・・ルックアップテーブル
４０１ａ〜４０１ｈ・・・マルチプレクサ
５００・・・最密度配線領域
６００ａ，６００ｂ・・・スイッチセル
【図１】
2017126544.tif 000003
【図２】
2017126544.tif 000004
【図３】
2017126544.tif 000005
【図４】
2017126544.tif 000006
【図５】
2017126544.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【手続補正書】
【提出日】平成30年6月22日(2018.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗変化素子から構成され、少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部と、
前記ロジックメモリ部を参照して論理演算を行うロジック部と、
前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力する信号パス切り替え部と、を含み、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有している、再構成可能回路。
【請求項２】
前記ロジック部は、少なくとも２個に分散して配置され、分散して配置された前記ロジック部は、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続されている、請求項１に記載の再構成可能回路。
【請求項３】
前記クロスバースイッチ回路は、前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項２に記載の再構成可能回路。
【請求項４】
前記ロジック部と、前記信号パス切り替え部が隣接して配置されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項５】
前記ロジックメモリ部は、互いに所定の方向に対して反転対称に配置されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項６】
前記信号パス切り替え部は、前記抵抗変化素子から構成されたスイッチセルを含み、
前記スイッチセルは、低抵抗状態、または高抵抗状態にプログラム可能な第１の抵抗変化素子と、第２の抵抗変化素子と、少なくとも１つのトランジスタから構成され、前記第１の抵抗変化素子の一方の端子と、前記第２の抵抗変化素子の一方の端子と、前記トランジスタのソース端子、またはドレイン端子とが接続されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の再構成可能回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の再構成可能回路を並列に相互に接続して配置する、再構成可能回路システム。
【請求項８】
ロジック部が抵抗変化素子から構成された少なくとも２個に分散して配置されたロジックメモリ部を参照して論理演算し、
信号パス切り替え部が前記ロジック部の論理演算の結果を受け、外部に出力し、
前記ロジックメモリ部と前記信号パス切り替え部とは、クロスバースイッチ回路を構成し、かつ前記抵抗変化素子への書込み配線を共有する、再構成可能回路の動作方法。
【請求項９】
前記ロジック部を、少なくとも２個に分散して配置し、分散して配置された前記ロジック部を、それぞれ、対応する前記ロジックメモリ部と接続する、請求項８に記載の再構成可能回路の動作方法。
【請求項１０】
前記クロスバースイッチ回路は前記ロジック部に制御信号を出力する信号切り替え部をさらに含み、
少なくとも２個に分散して配置された前記ロジック部の内、前記信号切り替え部に最も近い前記ロジック部が論理演算する、請求項９に記載の再構成可能回路の動作方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉは、書込み制御線ＳＶ［ｊ＋１］、および信号線ＲＶ［ｊ＋１］を共有している。書込み制御線ＳＶ［ｊ＋１］、および信号線ＲＶ［ｊ＋１］は、それぞれ、独立の配線である。また、書込み制御線ＳＶ［ｊ＋１］は、スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉに接続された第２の制御トランジスタ２２０ｃの一方の拡散層と接続さ
れている。ここで、第２の制御トランジスタ２２０ｃの他方の拡散層には電源線ＰＳ［１］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ＋１］が接続されている。さらに、信号線ＲＶ［ｊ＋１］は、スイッチセル１００ｃ、スイッチセル１００ｆ、およびスイッチセル１００ｉに接続された第３の制御トランジスタ２３０ｃの一方の拡散層と接続されている。ここで、第３の制御トランジスタ２３０ｃの他方の拡散層には電源線ＰＳ［２］が接続され、ゲート電極にはドライバ制御線ＰＧＶ［ｊ＋１］が接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、書込み制御線ＧＳＨ［ｋ−１］は、スイッチセル１００ａ、スイッチセル１００ｂ、およびスイッチセル１００ｃに含まれるスイッチ素子の抵抗を変化させるために使用される配線である。また、書込み制御線ＧＳＨ［ｋ−１］は、制御トランジスタ２１０ａのゲート電圧に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ロジックセルの高さは、上述した要因１、および要因２の大小関係で規定される。ロジックセルの横方向のサイズは、高さ方向を固定した上で、横方向のサイズがなるべく小さくなるように回路を配置することで決めることができる。なお、要因１を簡略化すると「トランジスタサイズで決まるスイッチセルの高さ」であり、要因２を簡略化すると「Ｐ×（Ｎｒ＋４）」である。すなわち、要因１、２の大小関係は、「トランジスタサイズで決まるスイッチセルの高さ」と「Ｐ×（Ｎｒ＋４）」の大小で決まる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
図１２に示すように、ロジックセル３００Ａは、ロジック部３１０−１と、ロジック部３１０−２と、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒと、ＩＭＵＸ３３０と、ＳＭＵＸ３４０とを含んでいる。ロジックセル３００Ａにおいて、書込み制御線ＧＨ、および書込み制御線ＧＳＨは、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒ、およびＳＭＵＸ３４０との間で共有されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
ロジック部３１０−１はＳ個のルックアップテーブルを含む。すなわち、ロジック部３１０−１は、（（２^Ｎ）×Ｓ＋α）個の入力を有する。ロジック部３１０−２はＴ個のルックアップテーブルを含む。すなわち、ロジック部３１０−２は、（（２^Ｎ）×Ｔ＋α）個の入力を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、ロジックメモリ部３２０、およびＩＭＵＸ３３０のスイッチに対して論理演算情報をマッピング(抵抗変化素子を書き込んで論理演算回路を再構成可能回路上にコンフィギュレーション)する際に、クリティカルパス上にある論理演算は、優先的にＩＭＵＸ３３０に近いロジック部を利用する構成が好ましい。このような構成とすることで、同じ論理演算を行う場合でも、ランダムにロジックメモリ部に割り振るマッピングパターンと比較して、動作周波数を高めることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
したがって、ロジックメモリ部３２０−１〜３２０−Ｎｒ、およびＩＭＵＸ３３０のスイッチに対して論理演算情報をマッピング(抵抗変化素子を書き込んで論理演算回路を再構成可能回路上にコンフィギュレーション)する際に、論理演算は、優先的にＩＭＵＸ３３０に近い側のロジック部を利用することが好ましい。これによりランダムにロジックメモリ部に割り振るマッピングパターンと比較して、動作周波数を高めることが出来る。
なお、図面中の矢印の向きは、一例を示すものであり、ブロック間の信号の向きを限定するものではない。
【国際調査報告】
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