(57)【要約】  発光部（１４０）は基板（１００）の上に形成されており、第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を有している。有機層（１２０）は第１電極（１１０）と第２電極（１３０）の間に位置している。絶縁層（１５０）は発光部（１４０）を画定している。被覆膜（２００）は、発光部（１４０）、及び絶縁層（１５０）の少なくとも一部を覆っている。そして、絶縁層（１５０）の少なくとも一部の上において、第２電極（１３０）は、有機層（１２０）の端部を覆っていて、かつ絶縁層（１５０）に接している。また、被覆膜（２００）は、第２電極（１３０）の端部を覆っていて、かつ絶縁層（１５０）に接している。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記絶縁層の少なくとも一部の上において、
前記第２電極は前記有機層の端部を覆い、
前記被覆膜は前記第２電極の端部を覆う発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記有機層及び前記第２電極は、前記絶縁層の上で分断しており、
前記有機層の２つの端部のそれぞれは前記第２電極によって覆われており、
前記第２電極の２つの端部のそれぞれは前記被覆膜によって覆われている発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記絶縁層の上に位置する隔壁を備え、
前記隔壁に沿って前記有機層及び前記第２電極は分断している発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記隔壁が延在する方向に対して垂直な断面において、前記隔壁の上面の幅は前記隔壁の下面の幅よりも広い発光装置。
【請求項５】
請求項４に記載の発光装置において、
前記第２電極の端部は前記隔壁に接触していない発光装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置において、
前記有機層の端部は前記隔壁の上面より外側に位置している発光装置。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は金属酸化物を有する発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置において、
前記金属酸化物は酸化チタンである発光装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は酸化チタン膜と酸化アルミニウム膜とを少なくとも１層ずつ有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記絶縁層は無機材料からなる発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置において、
前記無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを含む発光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記絶縁層は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料を用いて形成されている発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置において、有機ＥＬ素子の発光部を画定するために絶縁層が用いられることがある（例えば特許文献１）。【０００３】
特許文献１には、さらに、有機ＥＬ素子を封止するために封止膜を用いることが記載されている。特許文献１において、封止膜は窒化ケイ素を用いて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５０５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子の発光部を画定するための絶縁層の上に、有機層の端部及び第２電極の端部が位置することがある。本発明者が検討した結果、このような構造を有する発光装置において、封止膜など、発光部を覆う被覆膜を形成したときに、絶縁層の上で封止膜と有機層が接触していると、有機層のうち封止膜と接触している部分から有機層が劣化することが判明した。【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部を覆う被覆膜を有する発光装置において、有機層の端部のうち絶縁層の上に位置する部分から有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記絶縁層の少なくとも一部の上において、
前記第２電極は前記有機層の端部を覆い、
前記被覆膜は前記第２電極の端部を覆う発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。【０００９】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】発光装置の製造方法の第１例を示す断面図である。
【図３】図２（ｂ）の変形例を示す断面図である。
【図４】発光装置の製造方法の第２例を示す断面図である。
【図５】実施例に係る発光装置の平面図である。
【図６】図５から被覆膜を取り除いた図である。
【図７】図６から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図８】図５のＡ−Ａ断面図である。
【図９】図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図１０】図５のＣ−Ｃ断面図である。
【図１１】発光装置の製造方法の第１例を示す断面図である。
【図１２】発光装置の製造方法の第２例を示す断面図である。
【図１３】発光装置の製造方法の第３例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、及び被覆膜２００を備えている。発光部１４０は基板１００の上に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。被覆膜２００は、発光部１４０、及び絶縁層１５０の少なくとも一部を覆っている。そして、絶縁層１５０の少なくとも一部の上において、第２電極１３０は、有機層１２０の端部を覆っている。また、被覆膜２００は、第２電極１３０の端部を覆っている。本図に示す例では、第２電極１３０及び被覆膜２００は、いずれも絶縁層１５０に接している。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００１２】
発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１３】
発光部１４０は、第１電極１１０、第２電極１３０、及び有機層１２０を有している。
【００１４】
第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。
【００１５】
透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００１６】
第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。
【００１７】
以下、第１電極１１０が透光性を有しており、第２電極１３０が透光性を有していないとして、説明を行う。この場合、第２電極１３０の厚さは、例えば６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１８】
有機層１２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１９】
なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。
【００２０】
有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されている。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。
【００２１】
基板１００のうち発光部１４０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。具体的には、絶縁層１５０は第１電極１１０を覆っている。そして絶縁層１５０は、第１電極１１０と重なる領域の一部に開口１５２を有している。開口１５２内において、第１電極１１０は有機層１２０と接している。言い換えると、絶縁層１５０の開口１５２と重なる部分において、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０が重なっており、この積層部によって有機ＥＬ素子すなわち発光部１４０が形成されている。
【００２２】
絶縁層１５０は、例えば無機材料を用いて形成されており、その厚さは例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。絶縁層１５０を構成する無機材料は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料であるのが好ましい。このような材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つである。また、絶縁層１５０は、これらのうち少なくとも２つを含んでいてもよい。絶縁層１５０の開口１５２は、例えば絶縁層１５０を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相法を用いて形成する際に、開口１５２となる領域をマスクパターンで覆えばよい。なお、開口１５２は、レジストパターンを用いたエッチング処理により形成されてもよい。
【００２３】
なお、絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の有機材料を用いて形成されていてもよい。この場合、絶縁層１５０の開口１５２は、露光及び現像工程を経て形成される。
【００２４】
そして、発光部１４０は、被覆膜２００によって封止されている。被覆膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。被覆膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの金属酸化物によって形成されている。また、被覆膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また被覆膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
【００２５】
被覆膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、被覆膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、被覆膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、被覆膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
【００２６】
ただし、被覆膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、被覆膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２７】
本図に示す例において、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、有機層１２０の端部は絶縁層１５０と重なっている。第２電極１３０は、有機層１２０の端部を覆っており、かつ絶縁層１５０に接している。例えば有機層１２０の端部に側面が形成されている場合、第２電極１３０は有機層１２０の端部の側面も覆っている。なお、絶縁層１５０の側面が傾斜している場合、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の側面の上に位置していてもよい。この場合、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の側面の上に位置していてもよい。
【００２８】
また、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、第２電極１３０の端部は絶縁層１５０と重なっている。そして、被覆膜２００は第２電極１３０の端部を覆っており、かつ絶縁層１５０に接している。例えば第２電極１３０の端部に側面が形成されている場合、被覆膜２００は第２電極１３０の端部の側面も覆っている。
【００２９】
なお、被覆膜２００の上に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。この樹脂層は、エポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成される。
【００３０】
図２は、図１に示した発光装置１０の製造方法の第１例を示す断面図である。本図に示す方法において、絶縁層１５０は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを用いて形成される。
【００３１】
まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の上に第１電極１１０を形成する。次いで、第１電極１１０の上に絶縁層１５０を形成する。この際、絶縁層１５０には開口１５２が形成される。次いで、第１電極１１０の上に有機層１２０を形成する。
【００３２】
次いで、有機層１２０を熱処理する。この熱処理は、例えば有機層１２０を形成した処理容器内において行われ、その温度は、例えば１００℃以上２００℃以下である。これにより、図２（ｂ）に示すように、有機層１２０の流動性は向上する。また、絶縁層１５０は撥水性の高い材料を用いて形成されている。従って、有機層１２０のうち絶縁層１５０と重なっている部分は絶縁層１５０の開口１５２内に移動し、その結果、有機層１２０の端部が絶縁層１５０の上に位置することになる。
【００３３】
その後、第２電極１３０を、蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。この工程において、図１に示すように、有機層１２０の端部は第２電極１３０で覆われる。そしてこの工程において、例えばマスクパターンを用いることにより、第２電極１３０の端部が絶縁層１５０の上に位置するようにする。
【００３４】
次いで、被覆膜２００を形成する。この工程において、被覆膜２００は第２電極１３０の端部を覆い、かつ絶縁層１５０に接する。このようにして、図１に示した発光装置１０が形成される。
【００３５】
なお、図２（ｂ）に示す状態において、図３に示すように、有機層１２０の全体が開口１５２の内側に位置していてもよい。この場合、有機層１２０の端部において有機層１２０が絶縁層１５０よりも薄い場合、有機層１２０の端部（平面形状における角部も含む）は第２電極１３０によって覆われることになる。そして、有機層１２０と絶縁層１５０の界面も、第２電極１３０によって覆われる。
【００３６】
図４は、発光装置１０の製造方法の第２例を示す断面図である。本実施形態に係る発光装置１０の製造方法は、有機層１２０を蒸着法で形成する際に、マスクパターン３００を用いている点を除いて、図２又は図３に示した発光装置１０の製造方法と同様である。本例によれば、基板１００のうち有機層１２０が蒸着される領域を、マスクパターン３００で画定しているため、有機層１２０を熱処理により移動させなくてもすむ。このため、絶縁層１５０を感光性の樹脂で形成することができる。
【００３７】
本発明者が検討した結果、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域を有している場合、少なくとも有機層１２０の上層（例えば電子注入層や電子輸送層）は、被覆膜２００と接している部分から劣化する場合があることが判明した。このような劣化が生じた場合、発光部１４０の輝度は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接している領域から低下してしまう。また、この輝度の低下は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域が大きいほど、顕著になっていた。例えば被覆膜２００に酸化チタンが含まれている場合（例えば酸化チタン層を含む場合）、上記した現象が確認された。この場合、酸化チタン層が有機層２００に触れていなくても、上記した現象が確認された。このような現象が生じる理由は、有機層１２０のうち被覆膜２００と接している部分に酸素原子が到達するため、と推定されるが、そのメカニズムは判明していない。
【００３８】
これに対して、本実施形態では、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われている。このため、有機層１２０は被覆膜２００と直接接しない。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。また、有機層１２０は第１電極１１０、第２電極１３０、及び絶縁層１５０によって封止されることになる。従って、絶縁層１５０が無機材料で形成されている場合、有機層１２０が劣化することを特に抑制できる。
（実施例）
【００３９】
図５は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図６は、図５から被覆膜２００を取り除いた図である。図７は、図６から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図８は図５のＡ−Ａ断面図であり、図８は図５のＢ−Ｂ断面図であり、図９は図５のＣ−Ｃ断面図である。
【００４０】
本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、及び被覆膜２００を有している。
【００４１】
第１電極１１０は、第１方向（図７におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００４２】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４３】
第１端子１１２は発光部１４０の第１電極１１０に電気的に接続されており、第２端子１３２は発光部１４０の第２電極１３０に接続されている。第１端子１１２は引出配線１１４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１１４と一体になっている。また、第２端子１３２は引出配線１３４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１３４と一体になっている。
【００４４】
絶縁層１５０は、図６、及び図８〜図１０に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図６におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。
【００４５】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図６におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００４６】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４７】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。なお、絶縁層１５０のうち開口１５２の縁を画定する部分（側面）は傾斜しており、この部分の上にも有機層１２０及び第２電極１３０が位置している。しかし有機層１２０は第１電極１１０に接していないため、この部分は発光部１４０を構成しない。
【００４８】
なお、図８及び図９に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図９に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１０に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００４９】
第２電極１３０は、図６、図８〜図１０に示すように、第１方向と交わる第２方向（図６におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００５０】
隔壁１７０が延在する方向に対して垂直な断面において、隔壁１７０は、台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００５１】
そして、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０は、被覆膜２００によって覆われている。また、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も、被覆膜２００によって覆われている。なお、隔壁１７０の断面が逆台形であっても、
【００５２】
図８及び図１０に示すように、隔壁１７０に交わる方向の断面において、有機層１２０及び第２電極１３０は、いずれも絶縁層１５０の上で分断している。そして、これら分断している有機層１２０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。又、これら分断している第２電極１３０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。言い換えると、有機層１２０は隔壁１７０に沿って分断しており、第２電極１３０も隔壁１７０に沿って分断している。
【００５３】
第２電極１３０の端部は隔壁１７０に接触しておらず、有機層１２０の端部も隔壁１７０に接触していない。有機層１２０の端部は隔壁１７０の上面よりも外側に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合、有機層１２０は隔壁１７０と重なっていない。有機層１２０と隔壁１７０は接触していなため、隔壁１７０が含む水分などの劣化要因の侵入も防止することができる。そして、いずれの有機層１２０の端部も、第２電極１３０によって覆われている。また、被覆膜２００は、隔壁１７０と絶縁層１５０が接している部分も覆っており、また、この部分及びその周囲において絶縁層１５０に接触している。このため、隔壁１７０の両側に位置している第２電極１３０の端部、並びに隔壁１７０の側面及び上面を、連続して覆っている。そして、いずれの第２電極１３０の端部も、被覆膜２００によって覆われている。このようにするためには、段差被覆性が高い成膜方法、例えばＡＬＤ法を用いて被覆膜２００を形成すればよい。
【００５４】
なお、本実施例においても、実施形態と同様に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。
【００５５】
次に、図１１の断面図を用いて、本実施例における発光装置１０の製造方法の第１例を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。
【００５６】
次いで、図１１（ａ）に示すように、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。本例において、絶縁層１５０は、感光性のポリイミドよりも撥水性が高い材料、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを用いて形成される。
【００５７】
次いで、有機層１２０を熱処理する。これにより、有機層１２０の流動性は向上し、その結果、図１１（ｂ）に示すように、有機層１２０のうち絶縁層１５０と重なっている部分の一部は絶縁層１５０の開口１５２内に移動する。そして、有機層１２０の端部は、絶縁層１５０の上かつ隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置する。
【００５８】
その後、図１１（ｃ）に示すように、第２電極１３０を、例えば蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。この際、隔壁１７０の上面がマスクとなり、第２電極１３０は分断される。ただし、有機層１２０の端部は、隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置している。このため、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われる。また、第２電極１３０の端部は絶縁層１５０に接触する。
【００５９】
次いで、被覆膜２００を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。これにより、第２電極１３０の端部は被覆膜２００によって覆われる。
【００６０】
図１２は、発光装置１０の製造方法の第２例を示す断面図である。本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の製造方法及び第２電極１３０の製造方法を除いて、図１１を用いて説明した第１例と同様である。
【００６１】
本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の流動性を向上させるための熱処理工程を有していない。このため、有機層１２０の端部が隔壁１７０の上面と重なることもある。その代わりに、図１２に示すように、第２電極１３０を斜め方向から蒸着する。これにより、隔壁１７０が存在していても、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われる。
【００６２】
図１３は、発光装置１０の製造方法の第３例を示す断面図である。本例に示す発光装置１０の製造方法は、有機層１２０の製造方法を除いて、図１１を用いて説明した第１例と同様である。
【００６３】
本例において、図１３に示すように、有機層１２０を蒸着法で形成する際には、マスクパターン３００が用いられる。これにより、有機層１２０の端部は、隔壁１７０の上面と重ならない場所に位置する。その後、第２電極１３０及び被覆膜２００を、第１例と同様の方法を用いて形成する。
【００６４】
なお、図１２に示した第２例及び図１３に示した第３例では、絶縁層１５０を感光性の材料を用いて形成してもよい。
【００６５】
本実施例では、隔壁１７０が存在しているにもかかわらず、有機層１２０の端部は第２電極１３０によって覆われている。このため、実施形態と同様に、発光部１４０が劣化することを抑制できる。また、有機層１２０は第１電極１１０、第２電極１３０、及び絶縁層１５０によって封止されることになる。従って、絶縁層１５０が無機材料で形成されている場合、有機層１２０が劣化することを特に抑制できる。
【００６６】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【国際調査報告】
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