(57)【要約】  本技術の一実施形態の光電変換素子（１０）は、対向配置された第１電極（１１）および第２電極（１５）と、第１電極と第２電極との間に設けられた光電変換層（１３）と、第１電極と光電変換層との間に設けられると共に、光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層（１２）とを備える。
2017061174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に設けられると共に、前記光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層と
を備えた光電変換素子。
【請求項２】
前記バッファ層と前記光電変換層との間に、前記有機分子または前記ハロゲン元素からなる中間層を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項３】
前記有機分子は、少なくとも１つの吸着性官能基を有する、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項４】
前記バッファ層は無機材料によって構成されている、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項５】
前記光電変換層は有機色素を含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項６】
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および第２吸着性官能基を有し、
前記第１吸着性官能基を介して前記バッファ層の無機材料に、前記第２吸着性官能基を介して前記光電変換層の有機色素に結合している、請求項５に記載の光電変換素子。
【請求項７】
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および水素原子またはハロゲン元素を有し、
前記第１吸着性官能基を介して前記バッファ層の無機材料に、前記水素原子またはハロゲン元素を介して前記光電変換層の有機色素に結合している、請求項５に記載の光電変換素子。
【請求項８】
前記主鎖は、直鎖状または側鎖を有する鎖状炭化水素あるいは芳香族炭化水素である、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項９】
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および第２吸着性官能基または水素原子あるいはハロゲン元素を有し、
前記第１吸着性官能基から前記第２吸着性官能基または前記水素原子あるいはハロゲン元素までの前記有機分子の長さは、１ｎｍ以下である、請求項５に記載の光電変換素子。
【請求項１０】
第１吸着性官能基および第２吸着性官能基は、それぞれカルボキシル（−ＣＯＯＨ）基、メルカプト（−ＳＨ）基、ホスホニル（＞Ｐ＝Ｏ）基、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）2）基のうちのいずれかである、請求項６に記載の光電変換素子。
【請求項１１】
前記無機材料は、酸化ニッケル（ＮｉＯ），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のいずれかにより構成されている、請求項４に記載の光電変換素子。
【請求項１２】
前記光電変換層は、無機半導体、コロイド量子ドットおよび有機無機ペロブスカイトのいずれかを含む、請求項１に記載の光電変換素子。
【請求項１３】
各画素が１または複数の有機光電変換部を含み、
前記有機光電変換部は、
対向配置された第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に設けられると共に、前記光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層と
を備えた撮像素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、例えば、有機色素を用いた光電変換素子および撮像素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサ、あるいはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の撮像装置（固体撮像装置）では、画素サイズの縮小化が進んでいる。これにより、単位画素（撮像素子）に入射するフォトン数が減少し、Ｓ／Ｎ比が低下することから感度が低下すると共に、Ｓ／Ｎ比の低下が生じている。また、カラー化のために、赤，緑，青の原色フィルタを２次元配列してなるカラーフィルタを用いた場合、赤画素では、緑と青の光がカラーフィルタによって吸収されるために、感度の低下を招いている。また、各色信号を生成する際に、画素間で補間処理を行うことから、いわゆる偽色が発生する。【０００３】
例えば特許文献１では、１層の有機光電変換膜を形成し、この有機光電変換膜で１色の信号を取り出し、シリコン（Ｓｉ）バルク分光で２色の信号を取り出す撮像素子が開示されている。このような撮像素子では、光電変換膜に印加される電界強度が大きいほど、光照射時における光電変換膜での外部量子効率（External Quantum Efficiency：ＥＱＥ）が大きくなる。但し、大きな外部電圧を印加した場合、光電変換膜には、光電変換膜を挟む一対の電極から電子または正孔が注入される。このため、暗電流が増加してＳ／Ｎ比が低下する。【０００４】
これに対して、例えば特許文献２では、光電変換層と一対の電極との間に、電子ブロッキング層および正孔ブロッキング層を設けることで暗電流の発生を防ぐ固体撮像素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３０３２６６号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６０７７０号公報
【発明の概要】
【０００６】
一般に、応答特性や耐熱性を考慮した際、電子ブロッキング層および正孔ブロッキング層には、有機材料よりも無機材料を用いることが好ましい。しかしながら、特許文献２に記載のように、電子ブロッキング層および正孔ブロッキング層に無機材料を用いたデバイスでは、十分なＳ／Ｎ比の改善が見られないという問題があった。
【０００７】
従って、Ｓ／Ｎ比等のデバイス特性を向上させることが可能な光電変換素子および撮像素子を提供することが望ましい。
【０００８】
本技術による一実施形態の光電変換素子は、対向配置された第１電極および第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられた光電変換層と、第１電極と光電変換層との間に設けられると共に、光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層とを備えたものである。
【０００９】
本技術による一実施形態の撮像素子は、各画素が１または複数の有機光電変換部を含み、この有機光電変換部として上記本技術の一実施形態の光電変換素子を含むものである。
【００１０】
本技術の一実施形態の光電変換素子および一実施形態の撮像素子では、第１電極と光電変換層との間にバッファ層を設け、このバッファ層の光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位させるようにした。これにより、光電変換層との界面のバッファ層の表面に存在する表面準位が終端される。
【００１１】
本技術の一実施形態の光電変換素子および一実施形態の撮像素子によれば、バッファ層の光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素を配位させるようにしたので、バッファ層の光電変換層との界面の表面準位が終端され、暗電流の発生が低減される。よって、Ｓ／Ｎ比等のデバイス特性を向上させることが可能となる。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の一実施の形態に係る光電変換部の概略構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した光電変換部の構成を説明する模式図である。
【図３】一般の光電変換層とバッファ層とのエネルギーダイアグラムである。
【図４】電流密度と電圧との関係を表す特性図である。
【図５】図１に示した光電変換部を有する光電変換素子の一構成を表す図である。
【図６】図１に示した光電変換部を有する光電変換素子の他の構成を表す図である。
【図７】図５または図６に示した光電変換素子を有する撮像装置の概略構成を表す図である。
【図８】図７に示した撮像装置を適用した電子機器の概略構成を表す図である。
【図９】光照射時における電流密度と電圧との関係を表す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の一実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（バッファ層と光電変換層との間に中間層を有する光電変換部）
１−１．基本構成
１−２．製造方法
１−３．作用・効果
２．適用例（光電変換素子およびそれを備えた撮像装置）
３．実施例
【００１４】
＜１．実施の形態＞
図１は、本技術の一実施の形態に係る光電変換部１０の断面構成を表したものである。光電変換部１０は、例えば太陽電池を構成する光電変換素子、あるいは、例えばＣＣＤイメージセンサまたはＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像装置（例えば、後述の図７の撮像装置１）において１つの画素（例えば、後述の図７の画素Ｐ）を構成する撮像素子（後述する、光電変換部１０Ａ，１０Ｂ；図５，６参照）の光電変換層周辺の構成を表したものである。光電変換部１０は、一対の電極（下部電極１１および上部電極１５）の間に光電変換層１３を有し、さらに下部電極１１および上部電極１５と光電変換層１３との間にそれぞれバッファ層（バッファ層１２およびバッファ層１４）を有する。本実施の形態の光電変換部１０は、バッファ層１２の光電変換層１３との界面に中間層１２ａが形成された構成を有し、例えば正孔を信号電荷として読み出すものである。
【００１５】
（１−１．基本構成）
光電変換部１０は、上記のように、下部電極１１上にバッファ層１２，光電変換層１３，バッファ層１４および上部電極１５がこの順に積層された構成を有する。
【００１６】
下部電極１１は、光電変換層１３で生じた信号電荷（ここでは、正孔）を取り出すものである。下部電極１１は、例えば光透過性の導電材料、例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）により構成される。下部電極１１は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ2）系材料または酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料により構成するようにしてもよい。酸化スズ系材料とは酸化スズにドーパントを添加したものであり、酸化亜鉛系材料とは例えば、酸化亜鉛にドーパントとしてアルミニウム（Ａｌ）を添加したアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ），酸化亜鉛にドーパントとしてガリウム（Ｇａ）を添加したガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）および酸化亜鉛にドーパントとしてインジウム（Ｉｎ）を添加したインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等である。この他、ＩＧＺＯ，ＣｕＩ，ＩｎＳｂＯ4，ＺｎＭｇＯ，ＣｕＩｎＯ2，ＭｇＩｎ2Ｏ4，ＣｄＯおよびＺｎＳｎＯ3等を用いることも可能である。下部電極１１の厚み（積層方向の厚み、以下単に厚みという）は、例えば５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００１７】
バッファ層１２は、隣接する電極（下部電極１１）よりも電子注入障壁が大きく、且つ光電流キャリアである正孔の移動度が電子の移動度よりも高いことが好ましい。このようなバッファ層１２に用いる材料としては、その電子親和力が隣接する下部電極１１の材料仕事関数以下であり、且つ、そのイオン化ポテンシャルが隣接する光電変換層１３の材料のイオン化ポテンシャル以下であることが好ましい。具体的には、ｐ型半導体、例えば酸化ニッケル（ＮｉＯ），酸化銅（Ｃｕ2Ｏ）ＣｕＡｌＯ2，ＣｕＧａＯ2，ＬａＣｕＯＳおよびＳｒＣｕ2Ｏ2等の無機材料が挙げられる。
【００１８】
なお、下部電極１１が信号電荷として電子を取り出す場合には、バッファ層１２は、隣接する電極（下部電極１１）から正孔注入障壁が大きく、且つ光電流キャリアである電子の移動度が正孔の移動度よりも高いことが好ましい。このようなバッファ層１２に用いる材料としては、イオン化ポテンシャルが隣接する上部電極１５の材料の仕事関数以上であり、且つ、その電子親和力が隣接する光電変換層１３の材料の電子親和力以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、ｎ型半導体、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ），硫化亜鉛（ＺｎＳ），ＳｒＴｉＯ3，酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5），酸化タングステン（ＷＯ3），酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3），ＣｕＴｉＯ3，酸化スズ（ＳｎＯ2），ＩｎＧａＺｎＯ4，ＩｎＴｉＯ2およびβ−Ｇａ2Ｏ3等の無機材料が挙げられる。
【００１９】
光電変換層１３は、選択的な波長域の光を吸収して光電変換し、他の波長域の光を透過させるものであり、例えば有機色素を含んで形成されている。有機色素は、例えばキナクリドン（ＱＤ）およびその誘導体、サブフタロシアニンおよびその誘導体等が挙げられる。この他、例えば青色の有機色素としては、例えば、クマリン誘導体、シロール誘導体およびフルオレンが、緑色の有機色素としては、例えば、ローダミン誘導体が、赤材料の有機色素としては、例えば、亜鉛フタロシアニが挙げられる。光電変換層１３は、有機色素のほかには、無機半導体を含んでいてよく、無機半導体としては、例えばＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＷＯ3、ＮｉＯ、ＭｏＯ3、ＣｕＯ、Ｇａ2Ｏ3、ＳｒＴｉＯ3、ＳｎＯ2、ＩｎＳｎＯｘ、Ｎｂ2Ｏ3、ＭｎＯ2、Ｖ2Ｏ3、ＣｒＯ、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2、ＡｇＩｎＳ2、Ｓｉ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、Ｆｅ2Ｏ3、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、Ｇｅ、Ｉｎ2Ｓ3、Ｂｉ2Ｓ3、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅまたはＺｎＳ等が挙げられる。この他、コロイド量子ドットあるいは、例えばＣＨ3ＮＨ3ＰｂＸ3（Ｘ：ハロゲン）であらわされる有機無機ペロブスカイト化合物を含んでいてもよい。光電変換層１３の厚みは、例えば、０．０５μｍ〜１０μｍである。
【００２０】
バッファ層１４は、隣接する電極（上部電極１５）から正孔注入障壁が大きく、且つ光電流キャリアである電子の移動度が正孔の移動度よりも高いことが好ましい。このようなバッファ層１４に用いる材料としては、イオン化ポテンシャルが隣接する上部電極１５の材料の仕事関数以上であり、且つ、その電子親和力が隣接する光電変換層１３の材料の電子親和力以上であるものを用いることが好ましい。具体的には、ｎ型半導体、例えば酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ），硫化亜鉛（ＺｎＳ），ＩｎＧａＺｎＯ4，ＩｎＴｉＯ2およびβ−Ｇａ2Ｏ3等の無機材料が挙げられる。この他、ｎ型の有機半導体材料でもよく、例えば、フタロシアニン亜鉛（ＩＩ）に代表される遷移金属イオンと有機材料によって錯形成された有機金属色素、ジナフトチエノチオフェン（ＤＮＴＴ）等が挙げられる。
【００２１】
なお、下部電極１１が信号電荷として電子を取り出す場合には、バッファ層１４は、隣接する電極（下部電極１５）よりも電子注入障壁が大きく、且つ光電流キャリアである正孔の移動度が電子の移動度よりも高いことが好ましい。このようなバッファ層１４に用いる材料としては、その電子親和力が隣接する下部電極１１の材料仕事関数以下であり、且つ、そのイオン化ポテンシャルが隣接する光電変換層１３の材料のイオン化ポテンシャル以下であることが好ましい。具体的には、ｐ型半導体、例えば酸化ニッケル（ＮｉＯ），ＣｕＡｌＯ2，ＣｕＧａＯ2，ＬａＣｕＯＳおよびＳｒＣｕ2Ｏ2等の無機材料が挙げられる。この他、ｎ型の有機半導体材料でもよく、例えば、キナクリドン及びその誘導体に代表される有機色素、Ａｌｑ３［tris(8-quinolinolato)aluminum(III)］に代表される前周期（周期表の左側の金属を指す）イオンを有機材料でキレート化した色素等が挙げられる。
【００２２】
上部電極１５は光電変換層１３で発生した信号電荷（電子）を取りだすためのものである。上部電極１５は、例えば、金（Ａｕ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の導電材料により構成されている。下部電極１１と同様に、透明導電材料により上部電極１５を構成するようにしてもよい。上部電極１５の厚みは例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２３】
本実施の形態では、上記のようにバッファ層１２と光電変換層１３との界面に中間層１２ａが形成されている。中間層１２ａは、モノレイヤまたはサブモノレイヤオーダーの有機分子またはハロゲン元素によって構成されており、バッファ層１２の表面の無機材料（例えばＮｉＯ）に有機分子またはハロゲン元素が配位することによって形成されたものである。有機分子は、例えば炭化水素を主体とする主鎖（Ｒ）を間に、例えば２つの吸着性官能基（Ｘ，Ｙ）を有する（図２参照）。中間層１２ａがこの有機分子によって形成されている場合には、中間層１２ａは、図２に示したように、２つのうちの一方の吸着性官能基（ここではＸ）がバッファ層１２の表面のＮｉＯに、他方の吸着性官能基（ここではＹ）が光電変換層１３を構成する材料（例えば有機色素）に、それぞれ配位された構成を有する。
【００２４】
有機分子の主鎖（Ｒ）は、例えば直鎖状または側鎖を有する鎖状炭化水素あるいは芳香族炭化水素によって構成されている。吸着性官能基Ｘ，Ｙとしては、それぞれ独立して、例えばメタンチオール、エタンチオール、１−プロパンチオール、２−プロパンチオール、１−ブチルチオール、トリフルオロチオール等のメルカプト（−ＳＨ）基、ヒドロキシル（−ＯＨ）基アルコキシ（−Ｏ−）基、ペルオキシ（−Ｏ−Ｏ−）基、アシル（Ｒ−ＣＯ−）基、アルデヒド（Ｒ−ＣＨＯ−）基、アセチル（ＣＨ3−ＣＯ−）基、ベンゾイル（Ｃ6Ｈ5−ＣＯ−）基、カルボキシル（−ＣＯＯＨ）基、＞Ｃ＝Ｏで表わされるカルボニル基あるいはケト基、マロニル（−ＣＯ−ＣＨ２−ＣＯ−）基、アミド（−ＣＯ−ＮＲＲ’）基、イミド（−ＣＯ−ＮＨ−Ｒ）基、（−ＣＮニトリル）基、クロロ（−Ｃｌ）基、ブロモ（−Ｂｒ）基、ヨード（−Ｉ）基、フルオロ（−Ｆ）基、アミノ（−ＮＨ2）基、イミノ（＝ＮＨ）基、Ｎ−オキシド（Ｎ→Ｏ）基、Ｎ−ヒドロキシ（−ＮＨ−ＯＨ）基、ニトロ（−ＮＯ2）基、ニトロソ（−ＮＯ）基、アゾ（−Ｎ＝Ｎ−）基、ジアゾ（−Ｎ＋≡Ｎ）基、−Ｏ−であらわされるオキシ基、あるいはエポキシ基、チオ（−Ｓ−）基、Ｓ−オキシド（Ｓ→Ｏ）基、チオキシ（＝Ｓ）基、ホスホン酸（−Ｐ（ＯＨ）2）基、アルケニル基、ヘテロ環基、シリル基、シアノ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、シリルオキシ基、アシルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルファモイルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、アニリノ基、ヘテロ環アミノ基、カルボンアミド基、ウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホンアミド基、スルファモイルアミノ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルファモイル基、スルホ基、ホスホニル基およびホスフィノイルアミノ基が挙げられる。上記吸着性官能基の中でも、特に、カルボキシル（−ＣＯＯＨ）基、メルカプト（−ＳＨ）基、ホスホニル（＞Ｐ＝Ｏ）基、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）2）基が好ましい。
【００２５】
有機分子の長さは、例えば１ｎｍ以下であることが好ましい。このため、主鎖（Ｒ）の炭素数は、例えば１以上６以下であることが好ましい。具体的には、例えば−（ＣＨ2）ｎ−で表わされるアルキル鎖あるいは−（ＣＦ2）ｎ−で表わされるフッ素置換されたアルキル鎖の場合には、ｎは１以上４以下であることが好ましい。また、主鎖（Ｒ）は−（Ｃ6Ｈ4）ｎ−で表わされるフェニル基（炭素数６）でもよい。このような構成を有する有機分子としては、例えば３−メルカプトプロピオン酸（ＭＰＡ）、エチルリン酸、プロピルリン酸、エタンチオール、プロパンチオール、酢酸、エチルカルボン酸、プロピルカルボン酸等が挙げられる。なお、中間層１２ａの厚みは、有機分子１個分の長さと同程度であり、例えば１ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２６】
なお、ここでは、有機分子は主鎖Ｒを間に２つの吸着性官能基Ｘ，Ｙを有し、これら２つの吸着性官能基Ｘ，Ｙがそれぞれバッファ層１２および光電変換層１３の表面に配位した例を示したがこれ限らない。例えば、後述する光電変換層１３を構成する材料が、吸着性官能基を持つ場合には、有機分子は、少なくとも１つの吸着性官能基を有していればよい。この場合には、有機分子は、例えば主鎖Ｒの一方に吸着性官能基Ｘを、他方に水素（Ｈ）またはフッ素（Ｆ）を有することが好ましく、吸着性官能基Ｘがバッファ層１２の表面の無機材料に配位し、ＨまたはＦには、光電変換層１３を構成する材料（例えば有機色素）が有する吸着性官能基が配位して結合を形成している。
【００２７】
（１−２．製造方法）
このような中間層１２ａは、例えば以下のようにして製造することができる。
【００２８】
まず、下部電極１１として、例えばスパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜したのち、ＩＴＯ膜上に、例えばＮｉＯからなるバッファ層１２をスパッタ法により成膜する。続いて、ＩＴＯとＮｉＯの積層膜（下部電極１１／バッファ層１２）を、例えばＭＰＡメタノール溶液（ＭＰＡ ｉｎ ＭｅＯＨ（０．１２ｍｏｌ／Ｌ））に２０時間浸漬させたのち、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）に１分間浸漬させた後、エアブローにて積層膜を乾燥させる。これにより、バッファ層１２の表面のＮｉＯにカルボキシル基を介してＭＰＡが配位結合し、バッファ層１２の表面に中間層１２ａが形成される。次に、中間層１２ａ上に、例えばキナクリドン（ＱＤ）を、例えば蒸着法を用いて成膜して光電変換層１３を形成する。最後に、光電変換層１３上に、例えば蒸着法を用いて有機膜を成膜してバッファ層１４を形成したのち、例えば蒸着法を用いてＡｌＳｉＣｕ膜を成膜して上部電極１５を形成する。これにより、図１に示した光電変換部１０が完成する。
【００２９】
（１−３．作用・効果）
イメージセンサ等の撮像装置等では、画素サイズの縮小化に伴うＳ／Ｎ比の低下を改善するために、より高感度な、例えば前述した１層の有機光電変換膜で１色の信号を取り出し、シリコンバルク分光で２色の信号を取り出す撮像素子や、一対の電極間に特定の波長域の光を吸収する有機半導体材料を用いた活性層を有する光電変換部を複数積層した有機光電変換素子が開発されている。このような撮像素子（光電変換素子）は、大きな外部電圧が印加された場合に、光電変換膜を挟持する一対の電極から光電変換膜に電荷（電子または正孔）が注入され、暗電流が増加してＳ／Ｎ比が低下するという問題がある。この暗電流が増加によるＳ／Ｎ比が低下は、電極と光電変換膜との間に対応するキャリアブロッキング層を設けることで低減される。
【００３０】
キャリアブロッキング層を形成する材料としては、応答性や耐熱性を考慮した場合、無機材料を用いることが好ましいが、実際は、暗電流が増加しやすく、また、外部量子効率（ＥＱＥ）が低下しやすいため、Ｓ／Ｎ比を十分に改善することができない。このため、一般に、キャリアブロッキング層は有機半導体材料によって形成されている。これは、無機材料によって形成されたキャリアブロッキング層の表面に形成されるエネルギー準位（表面準位）の影響によると考えられる。
【００３１】
図３は、直接積層されたバッファ層１０２および光電変換層１０３を挟持する一対の電極１０１，１０５に外部電圧を印加した際のエネルギーダイアグラムを表したものである。上述したように、無機材料によって形成されたバッファ層１０２の表面には、図３Ａに示したように表面準位Ｌが存在する。無機材料からなるバッファ層１０２の表面準位Ｌは、有機材料からなるバッファ層の表面に形成される表面準位よりも比較的深い位置に高密度に形成される。このため、例えば電子がバッファ層１０２の表面準位Ｌを経由して熱励起されやすく、これによって電極１０１，１０５に外部電圧を印加した場合に暗電流が増加する。また、光励起等によって光電変換層１０３で発生した励起子（正孔−電子対）は、バッファ層１０２表面の表面準位Ｌを介した再結合が起こりやすくなり、ＥＱＥが低下する。図４は、各表面再結合速度（Ｓ）における電流密度と電圧との関係を表したものである。表面再結合速度は表面準位が増加するにつれて大きくなるものであることから、表面再結合速度が大きくなるにつれて電流量が増加していることがわかる。即ち、表面準位が増えるにつれて暗電流が増加することがわかる。
【００３２】
そこで、本実施の形態では、例えば下部電極１１と光電変換層１３との間に、無機材料からなると共に、光電変換層１３との界面に中間層１２ａを有するバッファ層１２を形成するようにした。この中間層１２ａは、有機分子またはハロゲン元素からなり、バッファ層１２の表面の無機材料に配位することによって、バッファ層１２の表面に存在する表面準位が有機分子あるいはハロゲン元素によって終端される。よって、暗電流の発生が低減される。また、励起子の再結合が抑制される。
【００３３】
以上、本実施の形態の光電変換部１０では、バッファ層１２の光電変換層１３との界面に有機分子またはハロゲン元素を配位させるようにしたので、バッファ層１２の表面準位が終端され、暗電流の発生が抑制される。よって、Ｓ／Ｎ比が改善される。また、励起子の再結合が抑制されため、ＥＱＥを向上させることができる。即ち、光電変換部１０を備えた光電変換素子１０Ａ，１０Ｂおよびこれを備えた、例えば撮像装置１のデバイス特性を向上させることが可能となる。
【００３４】
＜２．適用例＞
図５および図６は、上記実施の形態で説明した光電変換部１０を有する光電変換素子（光電変換素子１０Ａ，１０Ｂ）の断面構成を表したものである。
【００３５】
光電変換素子１０Ａは、半導体基板２１の表面（受光面とは反対側の面Ｓ２）側に、画素トランジスタ（後述の転送トランジスタＴｒ１〜３を含む）が形成されると共に、多層配線層（多層配線層５１）を有するものである。この光電変換素子１０Ａは、それぞれ異なる波長域の光を選択的に検出して光電変換を行う１つの有機光電変換部２１Ｇと、２つの無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒとの積層構造を有しており、これにより、１つの素子で赤（Ｒ），緑（Ｇ），青（Ｂ）の各色信号を取得するようになっている。有機光電変換部２１Ｇは、半導体基板２１の裏面（面Ｓ１）上に形成され、無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒは、半導体基板２１内に埋め込み形成されている。有機光電変換部２１Ｇが、上記実施の形態で説明した光電変換部１０と同様の構成を有する。なお、図５では、バッファ層１２，１４および中間層１２ａは省略して示している。
【００３６】
（有機光電変換部２１Ｇ）
有機光電変換部２１Ｇは、有機半導体を用いて、選択的な波長域の光（ここでは緑色光）を吸収して、電子−正孔対を発生させる有機光電変換素子である。有機光電変換部２１Ｇは、信号電荷を取り出すための一対の電極（下部電極２５ａ，上部電極２８）間に有機光電変換層２７を挟み込んだ構成を有している。下部電極２５ａおよび上部電極２８は、後述するように、配線層やコンタクトメタル層を介して、半導体基板２１内に埋設された導電性プラグ２２０ａ１，２２０ｂ１に電気的に接続されている。
【００３７】
具体的には、有機光電変換部２１Ｇでは、半導体基板２１の面Ｓ１上に、層間絶縁膜２２，２４が形成され、層間絶縁膜２２には、後述する導電性プラグ２２０ａ１，２２０ｂ１のそれぞれと対向する領域に貫通孔が設けられ、各貫通孔に導電性プラグ２２０ａ２，２２０ｂ２が埋設されている。層間絶縁膜２４には、導電性プラグ２２０ａ２，２２０ｂ２のそれぞれと対向する領域に、配線層２３ａ，２３ｂが埋設されている。この層間絶縁膜２４上に、下部電極２５ａが設けられると共に、この下部電極２５ａと絶縁膜２６によって電気的に分離された配線層２５ｂが設けられている。これらのうち、下部電極２５ａ上に、有機光電変換層２７が形成され、有機光電変換層２７を覆うように上部電極２８が形成されている。詳細は後述するが、上部電極２８上には、その表面を覆うように保護層２９が形成されている。保護層２９の所定の領域にはコンタクトホールＨが設けられ、保護層２９上には、コンタクトホールＨを埋め込み、かつ配線層２５ｂの上面まで延在するコンタクトメタル層３０が形成されている。
【００３８】
導電性プラグ２２０ａ２は、導電性プラグ２２０ａ１と共にコネクタとして機能すると共に、導電性プラグ２２０ａ１および配線層２３ａと共に、下部電極２５ａから後述する緑用蓄電層２１０Ｇへの電荷（電子）の伝送経路を形成するものである。導電性プラグ２２０ｂ２は、導電性プラグ２２０ｂ１と共にコネクタとして機能すると共に、導電性プラグ２２０ｂ１、配線層２３ｂ、配線層２５ｂおよびコンタクトメタル層３０と共に、上部電極２８からの電荷（正孔）の排出経路を形成するものである。導電性プラグ２２０ａ２，２２０ｂ２は、遮光膜としても機能させるために、例えば、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）およびタングステン等の金属材料の積層膜により構成されることが望ましい。また、このような積層膜を用いることにより、導電性プラグ２２０ａ１，２２０ｂ１をｎ型またはｐ型の半導体層として形成した場合にも、シリコンとのコンタクトを確保することができるため望ましい。
【００３９】
層間絶縁膜２２は、半導体基板２１（シリコン層２１０）との界面準位を低減させると共に、シリコン層２１０との界面からの暗電流の発生を抑制するために、界面準位の小さな絶縁膜から構成されることが望ましい。このような絶縁膜としては、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）膜と酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜との積層膜を用いることができる。層間絶縁膜２４は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの１種よりなる単層膜か、あるいはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。
【００４０】
絶縁膜２６は、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等のうちの１種よりなる単層膜か、あるいはこれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。絶縁膜２６は、例えば、その表面が平坦化されており、下部電極２５ａとほぼ段差のない形状およびパターンを有している。この絶縁膜２６は、光電変換素子１０Ａが、固体撮像装置の画素として用いられる場合に、各画素の下部電極２５ａ間を電気的に分離する機能を有している。
【００４１】
下部電極２５ａは、半導体基板２１内に形成された無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒの受光面と正対して、これらの受光面を覆う領域に設けられている。なお、この光電変換素子１０Ａでは、下部電極２５ａから信号電荷の取り出しがなされるので、光電変換素子１０Ａを画素として用いた後述の固体撮像装置では、この下部電極２５ａは画素毎に分離されて形成される。
【００４２】
有機光電変換層２７は、上記光電変換層１３と同様の構成を有する。有機色素には、例えば４５０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下の光を選択的に吸収する材料が用いられている。
【００４３】
上部電極２８は、下部電極２５ａと同様の光透過性を有する導電膜により構成されている。光電変換素子１０Ａを画素として用いた固体撮像装置では、この上部電極２８が画素毎に分離されていてもよいし、各画素に共通の電極として形成されていてもよい。上部電極２８の厚みは、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００４４】
なお、下部電極２５ａ，有機光電変換層２７および上部電極２８の材料としては、それぞれ、上記実施の形態で説明した下部電極１１，光電変換層１３および上部電極１５で挙げた材料を用いることができる。
【００４５】
保護層２９は、光透過性を有する材料により構成され、例えば、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸窒化シリコン等のうちのいずれかよりなる単層膜、あるいはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜である。この保護層２９の厚みは、例えば、１００ｎｍ〜３００００ｎｍである。なお、上部電極２８および保護層２９は、例えば、有機光電変換層２７を覆うように設けられている。
【００４６】
コンタクトメタル層３０は、例えば、チタン、タングステン、窒化チタンおよびアルミニウム等のいずれか、あるいはそれらのうちの２種以上よりなる積層膜により構成されている。
【００４７】
保護層２９およびコンタクトメタル層３０上には、全面を覆うように、平坦化層３１が形成されている。平坦化層３１上には、オンチップレンズ３２（マイクロレンズ）が設けられている。オンチップレンズ３２は、その上方から入射した光を、有機光電変換層１１Ｇ、無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒの各受光面へ集光させるものである。本実施の形態では、多層配線層５１が半導体基板２１の面Ｓ２側に形成されていることから、有機光電変換層１１Ｇ、無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒの各受光面を互いに近づけて配置することができ、オンチップレンズ３２のＦ値に依存して生じる各色間の感度のばらつきを低減することができる。
【００４８】
なお、光電変換素子１０Ａでは、下部電極２５ａから信号電荷を取り出すことから、これを画素として用いる固体撮像装置においては、上部電極２８を共通電極としてもよい。この場合には、上述したコンタクトホールＨ、コンタクトメタル層３０、配線層２５ｂ，２３ｂ、導電性プラグ２２０ｂ１，２２０ｂ２からなる伝送経路は、全画素に対して少なくとも１箇所に形成されればよい。
【００４９】
半導体基板２１は、例えば、ｎ型のシリコン（Ｓｉ）層２１０の所定の領域に、無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒと緑用蓄電層２１０Ｇとが埋め込み形成されたものである。半導体基板２１には、また、有機光電変換部２１Ｇからの電荷（電子または正孔（正孔））の伝送経路となる導電性プラグ２２０ａ１，２２０ｂ１が埋設されており、この半導体基板２１の裏面（面Ｓ１）が受光面となっている。半導体基板２１の表面（面Ｓ２）側には、有機光電変換部２１Ｇ，無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒのそれぞれに対応する複数の画素トランジスタ（転送トランジスタＴｒ１〜Ｔｒ３を含む）が形成されると共に、ロジック回路等からなる周辺回路が形成されている。
【００５０】
無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒはそれぞれ、ｐｎ接合を有するフォトダイオード（Photo Diode）であり、半導体基板２１内の光路上において、面Ｓ１側から無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒの順に形成されている。これらのうち、無機光電変換部２１Ｂは、青色光を選択的に検出して青色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば、半導体基板２１の面Ｓ１に沿った選択的な領域から、多層配線層５１との界面近傍の領域にかけて延在して形成されている。無機光電変換部２１Ｒは、赤色光を選択的に検出して赤色に対応する信号電荷を蓄積させるものであり、例えば、無機光電変換部２１Ｂよりも下層（面Ｓ２側）の領域にわたって形成されている。なお、青（Ｂ）は、例えば、４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの波長域、赤（Ｒ）は、例えば、６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長域にそれぞれ対応する色であり、無機光電変換部２１Ｂ，２１Ｒはそれぞれ、各波長域のうちの一部または全部の波長域の光を検出可能となっていればよい。
【００５１】
半導体基板２１の面Ｓ２上には、多層配線層５１が形成されている。多層配線層５１では、複数の配線５１ａが層間絶縁膜５２を介して配設されている。このように、光電変換素子１０Ａでは、多層配線層５１が受光面とは反対側に形成されており、いわゆる裏面照射型の固体撮像装置を実現可能となっている。この多層配線層５１には、例えば、シリコンよりなる支持基板５３が貼り合わせられている。
【００５２】
光電変換素子１０Ｂは、シリコン基板６１上に絶縁層６２を介して赤色光電変換部２０Ｒ、緑色光電変換部２０Ｇおよび青色光電変換部２０Ｂをこの順に有するものである。各光電変換部４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂは、上記実施の形態で説明した光電変換部１０と同様の構成を有する。なお、図６でも、図５と同様にバッファ層１２，１４および中間層１２ａは省略して示している。
【００５３】
光電変換素子１０Ｂは、上記のように、シリコン基板６１上に絶縁層６２を介して赤色光電変換部４０Ｒ、緑色光電変換部４０Ｇおよび青色光電変換部４０Ｂがこの順に積層された構成を有する。青色光電変換部４０Ｂ上には、保護層２９および平坦化層３１を介してオンチップレンズ３２が設けられている。シリコン基板６１内には、赤色蓄電層３１０Ｒ、緑色蓄電層３１０Ｇおよび青色蓄電層３１０Ｂが設けられている。オンチップレンズ３２に入射した光は、赤色光電変換部４０Ｒ、緑色光電変換部４０Ｇおよび青色光電変換部４０Ｂで光電変換され、赤色光電変換部４０Ｒから赤色蓄電層３１０Ｒへ、緑色光電変換部４０Ｇから緑色蓄電層３１０Ｇへ、青色光電変換部４０Ｂから青色蓄電層３１０Ｂへそれぞれ信号電荷が送られるようになっている。
【００５４】
なお、赤色光電変換部４０Ｒ、緑色光電変換部４０Ｇおよび青色光電変換部４０Ｂを構成する第１電極４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ、有機光電変換層４２Ｒ，４２Ｇ，４２Ｂおよび第２電極４３Ｒ，４３Ｇ，４３Ｂの材料としては、それぞれ、上記実施の形態で説明した下部電極１１，光電変換層１３および上部電極１５で挙げた材料を用いることができる。
【００５５】
図７は、上記光電変換素子１０Ａあるいは光電変換素子１０Ｂを各画素に用いた固体撮像装置（固体撮像装置１）の全体構成を表している。この固体撮像装置１はＣＭＯＳイメージセンサであり、半導体基板２１上の中央部に撮像エリアとしての画素部１ａを有している。画素部１ａの周辺領域には、例えば行走査部１３１、システム制御部１３２、水平選択部１３３および列走査部１３４を含む周辺回路部１３０が設けられている。
【００５６】
画素部１ａは、例えば行列状に２次元配置された複数の単位画素Ｐ（光電変換部１０，１０Ａ，１０Ｂに相当）を有している。この単位画素Ｐには、例えば画素行ごとに画素駆動線Ｌread（具体的には行選択線およびリセット制御線）が、画素列ごとに垂直信号線Ｌsigが配線されている。画素駆動線Ｌreadは、画素からの信号読み出しのための駆動信号を伝送するものであり、その一端は行走査部１３１の各行に対応した出力端に接続されている。
【００５７】
行走査部１３１は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、画素部１ａの各画素Ｐを例えば行単位で駆動する画素駆動部である。行走査部１３１によって選択された画素行の各画素Ｐから出力される信号は、垂直信号線Ｌsigの各々を通じて水平選択部１３３に供給される。水平選択部１３３は、例えば垂直信号線Ｌsigごとに設けられたアンプや水平選択スイッチ等により構成されている。
【００５８】
列走査部１３４は、シフトレジスタやアドレスデコーダ等によって構成され、水平選択部１３３の各水平選択スイッチを走査しつつ順番に駆動するものである。この列走査部１３４による選択走査により、垂直信号線Ｌsigの各々を通じて伝送される各画素Ｐの信号が順番に水平信号線１３５に出力され、当該水平信号線１３５を通じて半導体基板２１の外部へ伝送される。
【００５９】
行走査部１３１、水平選択部１３３、列走査部１３４および水平信号線１３５からなる回路部分は、半導体基板２１上に直に形成されていてもよいし、あるいは外部制御ＩＣに配設されたものであってもよい。ケーブル等により接続された他の基板にこの回路部分を設けることも可能である。
【００６０】
システム制御部１３２は、半導体基板２１の外部から与えられるクロックや動作モードを指令するデータ等を受け取ると共に、固体撮像装置１の内部情報を出力するものである。システム制御部１３２は、これに加え、例えば各種のタイミング信号を生成するタイミングジェネレータを有し、当該タイミングジェネレータで生成された各種のタイミング信号を基に行走査部１３１、水平選択部１３３および列走査部１３４等の周辺回路の駆動制御を行う。
【００６１】
このような固体撮像装置１は、撮像機能を有するあらゆるタイプの電子機器に搭載でき、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、携帯電話等に適用できる。図８には、その一例として、カメラ（電子機器２）の概略構成を示す。電子機器２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１、光学系（光学レンズ）３１０、シャッタ装置３１１、信号処理部３１２および駆動部３１３を有している。
【００６２】
光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の画素部１ａへと導くものである。光学系３１０は複数の光学レンズを含んでいてもよい。シャッタ装置３１１は固体撮像装置１への光照射期間および遮光期間を制御し、駆動部３１３は、このシャッタ装置３１１のシャッタ動作および固体撮像装置１の転送動作を制御する。信号処理部３１２は、固体撮像装置１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄoutは、例えばメモリ等の記憶媒体に記憶されるか、あるいはモニタ等に出力されるようになっている。
【００６３】
＜３．実施例＞
次に、本技術の実施例について詳細に説明する。
【００６４】
（光電変換部の作製）
（実験例１）
以下の手順により、光電変換部を作製した。まず、ＩＴＯからなる下部電極上に、例えばＮｉＯからなるバッファ層をスパッタ法により例えば２０ｎｍの厚みで成膜したのち、ＩＴＯとＮｉＯの積層膜を、例えばＭＰＡメタノール溶液（ＭＰＡ ｉｎ ＭｅＯＨ（０．１２ｍｏｌ／Ｌ））に２０時間浸漬させた。続いて、アセトニトリル（ＭｅＣＮ）に１分間浸漬させたのち、エアブローにて積層膜を乾燥させた。次に、例えばキナクリドン（ＱＤ）を、例えば蒸着法を用いて成膜して光電変換層を形成したのち、例えば蒸着法を用いてＡｌＳｉＣｕ膜を成膜して上部電極を形成して光電変換部（サンプル１）を作製した。また、ＮｉＯ膜成膜後のＭＰＡメタノール溶液への浸漬等を行わずに光電変換層および上部電極を形成した光電変換部（サンプル２）を比較例として作製した。
【００６５】
サンプル１，２に対して光（１．６２μＷ／ｃｍ2）を照射してＥＱＥを測定した。図９は１．６２μＷ／ｃｍ2における電流密度と電圧との関係を表したものであり、表１は、サンプル１，２の−１ＶにおけるＥＱＥおよび起電力（Ｖｏｃ）をまとめたものである。図９からわかるように、サンプル２と比較して、サンプル１では正の電圧範囲における電流密度の急峻な立ち上がりが確認された。即ち、バッファ層の表面に中間層を設ける、即ち、バッファ層の表面に存在する表面準位を終端させることで、ＥＱＥが向上することがわかった。また、表１に示したように、サンプル１ではサンプル２よりもＶｏｃ（Ｖ）が大きくなった。このことから、太陽電池に適用した場合も優れた特性が得られることがわかった。
【００６６】
【表１】
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【００６７】
以上、実施の形態、適用例および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記適用例では、赤色光電変換部４０Ｒ、緑色光電変換部４０Ｇおよび青色光電変換部４０Ｂが積層された光電変換素子について説明したが、２つの光電変換部により光電変換素子を構成するようにしてもよく、あるいは単層の光電変換部により光電変換素子を構成するようにしてもよい。
【００６８】
また、上記適用例では、シリコン基板６１側から赤色光電変換部４０Ｒ、緑色光電変換部４０Ｇおよび青色光電変換部４０Ｂの順に積層した例を示したが、例えば、半導体ナノ粒子の吸収波長が、例えば、４００ｎｍ以下の場合には、積層順は限定されない。半導体ナノ粒子２２２が、例えば、４００ｎｍ以上の可視光領域に吸収波長を有する場合には、短波長に吸収を有する半導体ナノ粒子を用いた光電変換部を光入射側に配置することが好ましい。
【００６９】
更に、上記実施の形態等で説明した各構成要素を全て備えている必要はなく、また、他の構成要素を備えていてもよい。例えば、有機光電変換層２７の下部電極２５ａとの間、および上部電極２８との間には、図示しない他の層が設けられていてもよい。例えば、下部電極２５ａ側から順に、下引き膜、正孔輸送層、有機光電変換層２７、電子輸送層および仕事関数調整膜が積層されていてもよい。
【００７０】
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であってこれに限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
【００７１】
なお、本技術は以下の様な構成をとることも可能である。
（１）
対向配置された第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に設けられると共に、前記光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層と
を備えた光電変換素子。
（２）
前記バッファ層と前記光電変換層との間に、前記有機分子またはハロゲン元素からなる中間層を有する、前記（１）に記載の光電変換素子。
（３）
前記有機分子は、少なくとも１つの吸着性官能基を有する、前記（１）または（２）に記載の光電変換素子。
（４）
前記バッファ層は無機材料によって構成されている、前記（１）乃至（３）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（５）
前記光電変換層は有機色素を含む、前記（１）乃至（４）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（６）
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および第２吸着性官能基を有し、
前記第１吸着性官能基を介して前記バッファ層の無機材料に、前記第２吸着性官能基を介して前記光電変換層の有機色素に結合している、前記（５）に記載の光電変換素子。
（７）
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および水素原子またはハロゲン元素を有し、
前記第１吸着性官能基を介して前記バッファ層の無機材料に、前記水素原子またはハロゲン元素を介して前記光電変換層の有機色素に結合している、前記（５）または（６）に記載の光電変換素子。
（８）
前記主鎖は、直鎖状または側鎖を有する鎖状炭化水素あるいは芳香族炭化水素である、前記（６）または（７）に記載の光電変換素子。
（９）
前記有機分子は、主鎖を間に第１吸着性官能基および第２吸着性官能基または水素原子あるいはハロゲン元素を有し、
前記第１吸着性官能基から前記第２吸着性官能基または前記水素原子あるいはハロゲン元素までの前記有機分子の長さは、１ｎｍ以下である、前記（５）乃至（８）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（１０）
第１吸着性官能基および第２吸着性官能基は、それぞれカルボキシル（−ＣＯＯＨ）基、メルカプト（−ＳＨ）基、ホスホニル（＞Ｐ＝Ｏ）基、ホスホン酸（−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）2）基のうちのいずれかである、前記（６）乃至（９）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（１１）
前記無機材料は、酸化ニッケル（ＮｉＯ），酸化チタン（ＴｉＯ2），酸化亜鉛（ＺｎＯ）および硫化亜鉛（ＺｎＳ）のいずれかにより構成されている、前記（４）乃至（１０）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（１２）
前記光電変換層は、無機半導体、コロイド量子ドットおよび有機無機ペロブスカイトのいずれかを含む、前記（１）乃至（１１）のうちのいずれかに記載の光電変換素子。
（１３）
各画素が１または複数の有機光電変換部を含み、
前記光電変換部は、
対向配置された第１電極および第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第１電極と前記光電変換層との間に設けられると共に、前記光電変換層との界面に有機分子またはハロゲン元素が配位しているバッファ層と
を備えた撮像素子。
【００７２】
本出願は、日本国特許庁において２０１５年１０月９日に出願された日本特許出願番号２０１５−２０１４３９号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００７３】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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