(57)【要約】  高い発光効率を有するとともに、色度の高い短波長の光を含む異なる波長領域の複数の光を発光する有機ＥＬ素子を提供する。有機ＥＬ素子（１）には、励起子生成層（７）とゲスト層（８）とが互いに隣接して形成されている。
2017138607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極および陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
上記有機層は、互いに少なくとも１層以上隣接して形成された、少なくとも１種類以上の燐光材料を含む第１の層と、少なくとも１種類以上の蛍光材料を含む第２の層とを含み、かつ、上記第１の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、上記第２の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位より高く、
上記第２の層の厚さは、１ｎｍ以下で形成されており、
上記第１の層において生成された三重項励起子が、上記第２の層の三重項励起状態の励起子にエネルギー移動を起こし、上記第２の層中の分子間で上記三重項励起状態の励起子から一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光の発光を含む、少なくとも１種類以上の波長領域の光の発光を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
上記第１の層において生成された三重項励起子中、上記第２の層の三重項励起状態の励起子へのエネルギー移動を起こさない、上記第１の層の最低三重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第２波長領域の光の発光を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
上記第２の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位より高いことを特徴とする請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
上記第１の層と上記第２の層との合計厚さは、２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
上記陽極および上記陰極の何れか一方には反射層が、他方には半透過反射層が備えられており、
上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光および上記第２波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されていることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記反射層と上記半透過反射層との間の少なくとも上記有機層を含む蒸着膜の膜厚によって調整されており、
上記蒸着膜の膜厚をｄ、上記蒸着膜の屈折率をｎ、上記光の波長領域の中心波長をλ、ｍを１〜１０の整数とした場合、
上記蒸着膜の膜厚ｄは、ｄ＝（ｍ×λ）/（２×ｎ）を満たすことを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
上記蛍光材料は、青色領域の光を発光する蛍光材料であることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
上記燐光材料は、赤色領域の光または緑色領域の光を発光する燐光材料であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
上記陽極と上記有機層との間には、正孔輸送層が形成されており、
上記陰極と上記有機層との間には、電子輸送層が形成されており、
上記正孔輸送層における正孔の移動度が、上記電子輸送層における電子の移動度より大きい場合には、上記第２の層は、上記第１の層より上記正孔輸送層の近くに配置されていることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
上記陽極と上記有機層との間には、正孔輸送層が形成されており、
上記陰極と上記有機層との間には、電子輸送層が形成されており、
上記電子輸送層における電子の移動度が、上記正孔輸送層における正孔の移動度より大きい場合には、上記第２の層は、上記第１の層より上記電子輸送層の近くに配置されていることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１１】
上記有機層は、１種類以上の蛍光材料を含む第３の層を含み、
上記第３の層は、上記第１の層における上記第２の層が配置された側とは反対側に、上記第１の層と隣接して形成されており、
上記第３の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位より低く、かつ、上記第２の層の上記最低三重項励起状態のエネルギー準位とは異なるエネルギー準位を有し、
上記第３の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位より高く、かつ、上記第２の層の上記最低一重項励起状態のエネルギー準位とは異なるエネルギー準位を有し、
上記第３の層の厚さは、１ｎｍ以下で形成されており、
上記第１の層において生成された三重項励起子が、上記第２の層の最低三重項励起状態にエネルギー移動を起こし、上記第２の層中の分子間で上記最低三重項励起状態の励起子から最低一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光の発光と、
上記第１の層において生成された三重項励起子が、上記第３の層の最低三重項励起状態にエネルギー移動を起こし、上記第３の層中の分子間で上記最低三重項励起状態の励起子から最低一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第３の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第３波長領域の光の発光と、
上記第１の層において生成された三重項励起子中、上記第２の層の最低三重項励起状態へのエネルギー移動を起こさない、上記第１の層の最低三重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第２波長領域の光の発光と、を含み、
上記第１波長領域の光、上記第３波長領域の光および上記第２波長領域の光の順に、より短波長領域の光であることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１２】
上記陽極および上記陰極の何れか一方には反射層が、他方には半透過反射層が備えられており、
上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光、上記第２波長領域の光および上記第３波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１３】
上記請求項１から１２の何れか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス表示装置とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、さまざまなフラットパネルディスプレイが開発されており、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子（以下、有機ＥＬ素子と記す）を備えた有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置（以下、有機ＥＬ表示装置と記す）は、低消費電力化、薄型化および高画質化などを実現できる点から、優れたフラットパネルディスプレイとして高い注目を浴びている。【０００３】
有機ＥＬ表示装置に備えられた有機ＥＬ素子は、有機化合物からなる発光材料を含む発光層を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有しており、発光層に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用して発光する。【０００４】
このような発光材料は、ＨＯＭＯ（最高被占軌道）準位の電子が、エネルギーを吸収し、ＬＵＭＯ（最低空軌道）準位に遷移することで、有機分子の基底状態（Ｓ０状態）から励起状態に励起される。【０００５】
有機分子の励起状態には、ＨＯＭＯ準位の電子のスピン方向とＬＵＭＯ準位の電子のスピン方向とが逆平行である一重項励起状態（Ｓ１状態）と、ＨＯＭＯ準位の電子のスピン方向とＬＵＭＯ準位の電子のスピン方向とが平行である三重項励起状態（Ｔ１状態）という、スピン多重度が異なる２つの状態が存在する。【０００６】
上述したように、有機ＥＬ素子においては、発光層に電子および正孔（ホール）を注入して、再結合させることにより励起子を生成させ、この励起子が失活する際の光の放出を利用することとなるが、この励起子が上記Ｓ１状態として生成される確率は２５％であり、上記Ｔ１状態として生成される確率は７５％である。この励起子が上記三重項励起状態（Ｔ１状態）から基底状態（Ｓ０状態）となる際の燐光発光は、通常、発光寿命が数ミリ秒以上と非常に長く、熱失活する速度定数が燐光発光の速度定数よりも大きいために、室温では多くの場合発光を伴わず、熱を放出する無放射失活を起こすことが知られている。したがって、通常の蛍光材料では内部量子収率の限界は２５％といわれる。【０００７】
また、現在では、イリジウム錯体などの重原子を中心金属にもつ燐光材料がある。このような燐光材料では、内部重原子効果によって一重項状態の励起子が交換交差により三重項状態に遷移され、一重項励起子と三重項励起子の全てを発光に寄与させることができるようになった。【０００８】
また、近年、最低一重項励起状態（Ｓ１状態）のエネルギー準位（以下、「ＥＳ１準位」と記す）と、最低三重項励起状態（Ｔ１状態）のエネルギー準位（以下、「ＥＴ１準位」と記す）とのエネルギー差が極めて小さい熱活性化遅延発光材料（以下、ＴＡＤＦ材料と記す）の開発が進められている。特に、青色の発光材料に関しては、高発光効率およびさらに短波長な発光ピークを兼ね備える新規発光材料の開発が進められている。【０００９】
ＴＡＤＦ材料においては、ＥＳ１準位とＥＴ１準位とのエネルギー差ΔＥＳＴが極めて小さく、Ｔ１状態の励起子が逆項間交差によって、Ｓ１状態の励起子となるので、１００％発光に寄与させることが可能になった。【００１０】
最近では、上記のような燐光材料と蛍光材料を組み合わせて使用し、エネルギー移動をさせて目的の発光体から発光させることで、長寿命化、および発光効率を向上させる技術が開示されている。【００１１】
例えば、特許文献１では、少なくとも１つ以上の燐光発光体を含む第１発光層と、上記第１発光層の発光ピークよりも短波長側のスペクトル域で主に発光する蛍光発光体を含む第２発光層とが隣接して形成されており、上記第２発光層の蛍光発光体は、上記第１発光層の少なくとも１つの燐光発光体からの、三重項励起子のエネルギー移動と三重項励起状態から一重項励起状態へのアップコンバージョンとによって遅延蛍光を示す物質であることを特徴とし、その結果、白色を含む複数の色の発光が可能な有機ＥＬ発光装置を提供できるとともに、長寿命化することを可能にしている。【００１２】
また、非特許文献１には、金属錯体骨格（ＭＯＦ）という結晶性材料中にアクセプター分子を自己組織化により規則的に配列させ、ＭＯＦを用いた固体中でのフォトンアップコンバージョンを可能にした発光機構について記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】日本国公開特許公報「特開２０１５-１８５７２８号」公報（２０１５年１０月２２日公開）
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Prasenjit Mahato et al. “Fast and long-range triplet exciton diffusion in metal-organic frameworks for photon upconversion at ultralow excitation power”, nature materials, ADVANCE ONLINE PUBLICATION pp 1-8 (3 August 2015).
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、特許文献１では、各発光層の最適な膜厚などについて、特に考慮しておらず、上記第１発光層の三重項励起子の第２発光層へのエネルギー移動が効率よく起こらずに上記第１発光層中で三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））が起こり、失活してしまうことが考えられる。また、上記第１発光層中の燐光材料自身のみが発光してしまうこと、あるいは、上記第２発光層の発光材料に直接キャリアが注入されて発光してしまい、発光効率が著しく低下する等の問題がある。さらに、特許文献１に開示されている構成は、白色で発光する有機ＥＬについて着目したものであり、その他の色の有機ＥＬ素子への応用の具体的な方法については記載されていない。【００１６】
また、非特許文献１には、金属錯体骨格（ＭＯＦ）を用いた固体中でのフォトンアップコンバージョンを可能にした発光機構について開示されているが、このような格子状の構造を有機ＥＬ素子中に均一性を保ったまま導入するのは一貫したプロセス中では難しく、特に将来的な量産体制を考慮した場合に、有機ＥＬ素子への応用のハードルは高いという問題がある。また、このような格子状の構造を用いた発光機構の場合、多波長発光に変換するのが難しいという問題もある。【００１７】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、高い発光効率を有するとともに、色度の高い短波長の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記の課題を解決するために、陽極および陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機層は、互いに少なくとも１層以上隣接して形成された、少なくとも１種類以上の燐光材料を含む第１の層と、少なくとも１種類以上の蛍光材料を含む第２の層とを含み、かつ、上記第１の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、上記第２の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位より高く、上記第２の層の厚さは、１ｎｍ以下で形成されており、上記第１の層において生成された三重項励起子は、上記第２の層の三重項励起状態に遷移し、上記第２の層中の分子間で上記三重項励起状態の励起子から一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光の発光を含む、少なくとも１種類以上の波長領域の光の発光を有することを特徴としている。【００１９】
上記構成によれば、上記有機層は、互いに少なくとも１層以上隣接して形成された、少なくとも１種類以上の燐光材料を含む第１の層と、少なくとも１種類以上の蛍光材料を含む第２の層とを含み、第１の層中の分子の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、第２の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位よりも大きく、また、上記第２の層の厚さが１ｎｍ以下で形成されていることから、第１の層中の分子の三重項状態から第２の層中の分子の三重項状態へのエネルギー移動を効率良く起こすことができ、高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。【００２０】
また、上記構成によれば、第２の層中の分子の三重項励起状態の励起子からのアップコンバージョンにより第２の層中の分子の一重項励起状態の励起子を生成することができるため、色度の高い短波長の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様によれば、高い発光効率を有するとともに、色度の高い短波長の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に図示した有機ＥＬ素子における発光機構を説明するための図である。
【図３】実施の形態２に係る有機ＥＬ素子に備えられた各層のエネルギーバンドおよび膜厚を示す図である。
【図４】実施の形態２に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図５】実施の形態３に係る有機ＥＬ素子の概略構成を示す断面図である。
【図６】図５に図示した有機ＥＬ素子における発光機構を説明するための図である。
【図７】実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図８】実施の形態５に係る有機ＥＬ表示装置に備えられた有機ＥＬ素子における発光機構を説明するための図である。
【図９】図８に図示した有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の実施の形態について図１から図９に基づいて説明すれば、次の通りである。以下、説明の便宜上、特定の実施形態にて説明した構成と同一の機能を有する構成については、同一の符号を付記し、その説明を省略する場合がある。
【００２４】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態について、図１および図２に基づいて説明すれば、以下の通りである。
【００２５】
＜有機ＥＬ素子の概略構成＞
図１は、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１の概略構成を示す断面図である。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１は、ベースとなる基板２上に、陽極４と、正孔注入層５と、正孔輸送層６と、励起子生成層７（第１の層）と、ゲスト層８（第２の層）と、電子輸送層９と、電子注入層１０と、陰極１１とが、この順番に積層されている。
【００２７】
なお、本実施の形態においては、ゲスト層８が発した光を、基板２とは反対側の陰極１１側から取り出すトップエミッション型の有機ＥＬ素子１を例に挙げて説明する。
【００２８】
（基板２）
基板２は、絶縁性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば公知の絶縁基板を用いることができ、例えば、ガラス、または石英等からなる無機基板、あるいは、ポリエチレンテレフタレート、またはポリイミド樹脂等からなるプラスチック基板等を用いることができる。
【００２９】
なお、有機ＥＬ素子１は、ゲスト層８が発した光を、基板２とは反対側の陰極１１側から取り出すトップエミッション型であるため、基板２は、透光性を必要としない。
【００３０】
このため、有機ＥＬ素子１がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、基板２として、シリコンウェハ等の半導体基板、アルミニウム（Ａｌ）または鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板の表面に酸化シリコンまたは有機絶縁材料等からなる絶縁物をコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法によって絶縁化処理した基板等も利用できる。
【００３１】
（陽極４）
陽極４は、励起子生成層７に正孔ｈ＋を注入する電極としての機能を有していればよい。
【００３２】
陽極４の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子１の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
【００３３】
有機ＥＬ素子１は、ゲスト層８が発した光を、基板２とは反対側の陰極１１側から取り出すトップエミッション型であるため、陽極４は、反射電極３ａ（反射層）と透光性電極３ｂとが、この順番に積層された構成となっている。
【００３４】
陽極４が、このような構成であるため、ゲスト層８が発した光中、陽極４側に向けられた光は、陽極４における透光性電極３ｂを透過した後、陽極４における反射電極３ａで反射され、再び、陽極４における透光性電極３ｂを透過した後、陰極１１側から取り出される。
【００３５】
本実施の形態においては、反射電極３ａとして、Ａｇを１００ｎｍの膜厚で形成し、透光性電極３ｂとして、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を１１０ｎｍの膜厚で形成したが、反射率および仕事関数が反射性陽極として用いることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。また、後述するように、ＩＴＯの膜厚を変化させることでマイクロキャビティ効果を発現させることもできる。
【００３６】
なお、本実施の形態においては、陽極４が、反射電極３ａと透光性電極３ｂとで構成されている場合を例に挙げて説明したが、陽極４は、反射電極３ａのみで構成されていてもよい。
【００３７】
（正孔注入層５および正孔輸送層６）
正孔注入層５は、正孔注入性材料を含み、励起子生成層７への正孔注入効率を高める機能を有する層であり、本実施の形態においては、正孔注入層５として、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ−ＣＮ）を２８ｎｍの膜厚で形成した場合を例に挙げて説明するが、励起子生成層７への正孔注入効率を高めることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。
【００３８】
正孔輸送層６は、正孔輸送性材料を含み、励起子生成層７への正孔輸送効率を高める機能を有する層であり、本実施の形態においては、正孔輸送層６としてジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を２０ｎｍの膜厚で形成した場合を例に挙げて説明するが、励起子生成層７への正孔輸送効率を高めることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。
【００３９】
なお、本実施の形態においては、正孔注入層５と正孔輸送層６とが、互いに独立した層として形成されている場合を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、正孔注入層５と正孔輸送層６とは、正孔注入層兼正孔輸送層として一層で形成されてもよく、正孔注入層５および正孔輸送層６中、何れか一方のみが形成されてもよい。さらには、正孔注入層５および正孔輸送層６の両方を設けなくてもよい。
【００４０】
なお、正孔注入層５、正孔輸送層６、正孔注入層兼正孔輸送層は、不純物がドープされていない真性正孔注入性材料あるいは真性正孔輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
【００４１】
（励起子生成層７およびゲスト層８）
励起子生成層７は、陽極４からの正孔ｈ＋と陰極１１からの電子ｅ−とが結合して励起子を生成するとともに、詳しくは後述するが、生成された励起子の一部が基底状態のエネルギー準位（ＥＳ０）となる際に赤色の波長領域（第２波長領域）の光を発光する層である。
【００４２】
ゲスト層８は、励起子生成層７から遷移された励起子が、最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位である最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）を有する最低一重項励起状態から基底状態のエネルギー準位（ＥＳ０）を有する基底状態となる際に青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光する層である。
【００４３】
図２は、励起子生成層７とゲスト層８とを、備えた有機ＥＬ素子１における発光機構を説明するための図である。なお、図２においては、陽極４と励起子生成層７との間に設けられている正孔注入層５および正孔輸送層６と、陰極１１とゲスト層８との間に設けられている電子輸送層９および電子注入層１０との図示は省略している。
【００４４】
図２に図示されているように、有機ＥＬ素子１においては、ホスト材料（ドナー）としての励起子生成層７は、燐光材料を含む層であり、本実施の形態においては、燐光材料からなる層を用いた。また、ゲスト材料（アクセプター）としてのゲスト層８は、蛍光材料を含む層、具体的には、遅延蛍光体を含む蛍光材料を含む層である。
【００４５】
励起子生成層７は、燐光材料からなるので、励起子生成層７においては、励起子が、三重項励起状態（Ｔ１状態）として生成される確率は理論的には１００％である。
【００４６】
励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）の励起子の一部は、基底状態となる際に、赤色の波長領域（第２波長領域）の光を発光し、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）における励起子の残りの一部は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）へ、ＴＴＥＴ（Triplet-Triplet Energy Transfer）、すなわち、デクスター遷移を起こす。
【００４７】
デクスター遷移を起こすためには、励起子生成層７と、ゲスト層８とが、互いに隣接して形成される必要があり、デクスター遷移によるエネルギー移動を効率良く起こすためには、ゲスト層８における陰極１１と対向する面から、励起子生成層７における陽極４と対向する面までの距離は、２ｎｍ以下であることが好ましい。
【００４８】
また、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）より高い必要がある。
【００４９】
励起子生成層７の最低三重項励起状態からゲスト層８の最低三重項励起状態にデクスター遷移された励起子は、三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））を経て、励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）およびゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有するゲスト層８の最低一重項励起状態にアップコンバージョンされる。
【００５０】
なお、ゲスト層８内で三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）を効率よく起こすためには、ゲスト層８の厚さを、１ｎｍ以下で形成するのが望ましい。
【００５１】
なお、三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）とは、励起子生成層７からゲスト層８にデクスター遷移された励起子同士が、発光寿命内に、衝突を起こすことを意味し、この三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）によって、ゲスト層８の最低三重項励起状態の励起子の片方は、より高いエネルギー準位を有するゲスト層８の最低一重項励起状態にアップコンバージョンされる。
【００５２】
これらの点を考慮し、本実施の形態においては、赤色の波長領域の光を発光する燐光材料であるプラチナム（II）−オクタエチル−ポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）からなる励起子生成層７を１ｎｍの膜厚で形成し、青色の波長領域の光を発光する蛍光材料であり、蛍光量子収率の高い９，１０−ジフェニルアントラセン（ＤＰＡ）からなるゲスト層８も１ｎｍの膜厚で形成した。
【００５３】
なお、有機ＥＬ素子１においては、励起子生成層７とゲスト層８とは、互いに独立した層として形成されており、励起子は励起子生成層７でのみ生成され、ゲスト層８においては、励起子は直接生成されないので、発光効率の高い有機ＥＬ素子１を実現することができる。
【００５４】
（電子輸送層９および電子注入層１０）
図１に図示されている電子輸送層９は、電子輸送性材料を含み、励起子生成層７への電子輸送効率を高める機能を有する層であり、本実施の形態においては、電子輸送層９として、１,３,５−トリ（m−ピリド−３−イル−フェニル）ベンゼン（１,３,５-tri(m-pyridin-３-ylphenyl)benzene（ＴｍＰｙＰＢ））を４０ｎｍの膜厚で形成した場合を例に挙げて説明するが、励起子生成層７への電子輸送効率を高めることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。
【００５５】
電子注入層１０は、電子注入性材料を含み、励起子生成層７への電子注入効率を高める機能を有する層であり、本実施の形態においては、電子注入層１０として、ＬｉＦを１ｎｍの膜厚で形成した場合を例に挙げて説明するが、励起子生成層７への電子注入効率を高めることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。
【００５６】
なお、本実施の形態においては、電子輸送層９と電子注入層１０とが、互いに独立した層として形成されている場合を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、電子輸送層９と電子注入層１０とは、電子注入層兼電子輸送層として一層で形成されてもよく、電子輸送層９および電子注入層１０中、何れか一方のみが形成されてもよい。さらには、電子輸送層９および電子注入層１０の両方を設けなくてもよい。
【００５７】
なお、電子輸送層９、電子注入層１０、電子注入層兼電子輸送層は、不純物がドープされていない真性電子注入性材料あるいは真性電子輸送性材料であってもよいし、導電性を高める等の理由で不純物がドープされていても構わない。
【００５８】
また、ホールブロック層、電子ブロック層の何れかあるいは両方が挿入された素子構成であっても良い。
【００５９】
なお、有機ＥＬ素子１においては、２０ｎｍの膜厚で形成したジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジトリル−アミノ）−フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を正孔輸送層６として用いており、４０ｎｍの膜厚で形成した１,３,５-tri(m-pyridin-３-ylphenyl)benzene（ＴｍＰｙＰＢ）を電子輸送層９として用いているので、正孔輸送性より電子輸送性が高い。
【００６０】
したがって、励起子生成層７を正孔輸送層６の近くに設け、ゲスト層８を電子輸送層９の近くに設けることが好ましい。このような構成とすることにより、励起子生成層７でより効率良く励起子を生成することができる。
【００６１】
なお、用いる正孔輸送層６および電子輸送層９の材質や膜厚によっては、電子輸送性より正孔輸送性が高い場合もあり、このような場合においては、励起子生成層７を電子輸送層９の近くに設け、ゲスト層８を正孔輸送層６の近くに設けることが好ましい。
【００６２】
（陰極１１）
図１に図示されている陰極１１は、励起子生成層７に電子ｅ−を注入する電極としての機能を有していればよい。
【００６３】
陰極１１の形状、構造、大きさ等は、特に制限はなく、有機ＥＬ素子１の用途、目的に応じて、適宜選択することができる。
【００６４】
上述したように、有機ＥＬ素子１は、ゲスト層８が発した光を、基板２とは反対側の陰極１１側から取り出すトップエミッション型であるため、陰極１１は、半透過反射層からなる。
【００６５】
陰極１１が、半透過反射層からなるため、一部の光は反射されるとともに、一部の光は透過され、外部に取り出される。
【００６６】
本実施の形態においては、陰極１１として、Ａｇ−Ｍｇ合金（Ａｇ／Ｍｇ混合比＝０．９／０．１）を２０ｎｍの膜厚で形成したが、透過率、反射率および仕事関数が陽極として用いることができる程度であれば、その材質や膜厚はこれに限定されることはない。
【００６７】
（マイクロキャビティ構造）
マイクロキャビティとは、発光した光が陽極と陰極との間で多重反射し、共振することで発光スペクトルが急峻になり、また、ピーク波長の発光強度が増幅される現象である。
【００６８】
マイクロキャビティ効果は、例えば、陽極や陰極の反射率および膜厚、有機層の層厚等を最適に設計することで得ることができる。
【００６９】
トップエミッション型の有機ＥＬ素子１においては、陽極４を、反射電極３ａと透光性電極３ｂとの積層構造としており、陰極１１が半透過反射層であるので、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光を増強させる距離に設定し、本実施の形態においては、青色の波長領域の光を増強させたトップエミッション型の有機ＥＬ素子１を実現している。
【００７０】
反射電極３ａと陰極１１との間の距離は、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光の中心波長の強度を増強させる距離に設定することが好ましい。
【００７１】
さらに、反射電極３ａと陰極１１との間の距離は、反射電極３ａと陰極１１との間の少なくとも有機層である励起子生成層７およびゲスト層８を含む蒸着膜（透光性電極３ｂ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９、電子注入層１０）の膜厚によって調整されており、上記蒸着膜の膜厚をｄ、上記蒸着膜の屈折率をｎ、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光の中心波長をλ、ｍを１〜１０の整数とした場合、上記蒸着膜の膜厚ｄは、ｄ＝（ｍ×λ）/（２×ｎ）を満たすことが好ましい。
【００７２】
有機ＥＬ素子１においては、透光性電極３ｂ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９および電子注入層１０の少なくとも一つの膜厚を調整することで、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を最適化し、希望する特定の波長領域の光（本実施の形態においては、青色の波長領域（第１波長領域）の光）を外部に取り出すことができる。
【００７３】
具体的に、有機ＥＬ素子１においては、透光性電極３ｂを１１０ｎｍの膜厚で形成し、正孔注入層５を２８ｎｍの膜厚で形成し、正孔輸送層６を２０ｎｍの膜厚で形成し、励起子生成層７を１ｎｍの膜厚で形成し、ゲスト層８を１ｎｍの膜厚で形成し、電子輸送層９を４０ｎｍの膜厚で形成し、電子注入層１０を１ｎｍの膜厚で形成し、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を２０１ｎｍにした。
【００７４】
なお、本実施の形態においては、反射電極３ａと陰極１１との間の距離が、青色の波長領域（第１波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化された場合を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、反射電極３ａと陰極１１との間の距離は、励起子生成層７から発光される赤色の波長領域（第２波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化されていてもよい。
【００７５】
以上のように、有機ＥＬ素子１は、高い発光効率を有し、色度の高い短波長の光を含む異なる波長領域の光を発光し、希望する特定の波長領域の光を取り出すことができる。
【００７６】
なお、本実施の形態においては、赤色の波長領域の光を発光する燐光材料であるプラチナム（II）−オクタエチル−ポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）からなる励起子生成層７を用いる場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、緑色の波長領域の光を発光する燐光材料であるＩｒ（ＰＰｙ）３，Ｉｒ（ＰＰｙ）２（ａｃａｃ）などからなる励起子生成層を用いてもよい。
【００７７】
また、本実施の形態においては、ゲスト層８は、励起子生成層７から遷移された励起子が、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有する最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）から基底状態となる際に青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光する層である場合を一例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、励起子生成層７が赤色の波長領域の光を発光する燐光材料である場合には、ゲスト層８は、青色の波長領域（第１波長領域）の光とともに、緑色の波長領域（第３波長領域）の光を発光する層であってもよい。
【００７８】
なお、上記燐光材料の発光波長領域と上記蛍光材料の発光波長領域とには、重なる領域があってもよい。
【００７９】
〔実施の形態２〕
図３および図４に基づいて、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態においては、有機ＥＬ素子３０が、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である点において、実施の形態１とは異なり、その他については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００８０】
図３は、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子３０に備えられた各層のエネルギーバンドおよび膜厚を示す図である。
【００８１】
図示されているように、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３０においては、陽極４ａとしてＩＴＯ層が用いられており、陰極２１としてＡｌ単層が用いている。
【００８２】
本実施の形態においては、１１０ｎｍの膜厚で形成したＩＴＯ層を陽極４ａとして用いており、１００ｎｍの膜厚で形成したＡｌ単層を陰極２１として用いている。この他の正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９および電子注入層１０は、上述した実施の形態１の場合と同材料を同膜厚で形成して用いた。
【００８３】
具体的に、有機ＥＬ素子３０においては、陽極４ａとしてのＩＴＯ層を１１０ｎｍの膜厚で形成し、正孔注入層５を２８ｎｍの膜厚で形成し、正孔輸送層６を２０ｎｍの膜厚で形成し、励起子生成層７を１ｎｍの膜厚で形成し、ゲスト層８を１ｎｍの膜厚で形成し、電子輸送層９を４０ｎｍの膜厚で形成し、電子注入層１０を１ｎｍの膜厚で形成し、基板２と陰極２１との間の距離を２０１ｎｍにした。
【００８４】
なお、陽極４ａ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９および電子注入層１０・陰極２１の各層のエネルギーバンドは図３中に図示されている。
【００８５】
図４は、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子３０の概略構成を示す断面図である。
【００８６】
図示されているように、有機ＥＬ素子３０は、ゲスト層８が発した光を、基板２側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である。
【００８７】
ゲスト層８が発した光を、基板２側から取り出すためには、基板２としては、ガラス基板などの透光性基板を用いる必要がある。
【００８８】
そして、半透過反射層からなる陽極４ａを基板２上に設けるとともに、反射層を含む単層構造または積層構造の陰極２１を対向電極として用いることができ、本実施の形態においては、１１０ｎｍの膜厚で形成したＩＴＯ層を陽極４ａとして用いるとともに、１００ｎｍの膜厚で形成したＡｌ単層を陰極２１として用いた。
【００８９】
なお、本実施の形態においては、陽極４ａと陰極２１との間の距離が、青色の波長領域（第１波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化された場合を例に挙げて説明したが、これに限定されることはなく、陽極４ａと陰極２１との間の距離は、励起子生成層７から発光される赤色の波長領域（第２波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化されていてもよい。
【００９０】
なお、陽極４ａと陰極２１との間の距離が、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化されている場合には、有機ＥＬ素子３０の発光領域のサイズとゲスト層８のサイズとは、一致することが好ましく、陽極４ａと陰極２１との間の距離が、励起子生成層７から発光される赤色の波長領域（第２波長領域）の光を外部に取り出すのに最適化されている場合には、有機ＥＬ素子３０の発光領域のサイズと励起子生成層７のサイズとは、一致することが好ましい。
【００９１】
以上のように、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子３０においても、高い発光効率を有し、色度の高い短波長の光を含む異なる波長領域の光を発光し、希望する特定の波長領域の光を取り出すことができる。
【００９２】
〔実施の形態３〕
次に、図５および図６に基づいて、本発明の実施の形態３について説明する。本実施の形態のトップエミッション型の有機ＥＬ素子４０においては、ゲスト層８の上面と下面の両方に、燐光材料からなる励起子生成層７が設けられている点において、実施の形態１とは異なり、その他については実施の形態１において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態１の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【００９３】
図５は、本実施形態にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ素子４０の概略構成を示す断面図である。
【００９４】
図５に示すように、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子４０は、ベースとなる基板２上に、陽極４と、正孔注入層５と、正孔輸送層６と、励起子生成層７（第１の層）と、ゲスト層８（第２の層）と、励起子生成層７（第１の層）と、電子輸送層９と、電子注入層１０と、陰極１１とが、この順番に積層されている。
【００９５】
図６は、ゲスト層８の上面と下面の両方に、燐光材料からなる励起子生成層７を備えた有機ＥＬ素子４０における発光機構を説明するための図である。なお、図６においては、陽極４と陽極４に近い方に配置された励起子生成層７との間に設けられている正孔注入層５および正孔輸送層６と、陰極１１と陰極１１に近い方に配置された励起子生成層７との間に設けられている電子輸送層９および電子注入層１０との図示は省略している。
【００９６】
励起子生成層７は、陽極４からの正孔ｈ＋と陰極１１からの電子ｅ−とが結合して励起子を生成するとともに、生成された励起子の一部が基底状態のエネルギー準位（ＥＳ０）となる際に赤色の波長領域（第２波長領域）の光を発光する層である。
【００９７】
ゲスト層８は、上述した実施の形態１と同様に、励起子生成層７から遷移された励起子が、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有する最低一重項励起状態から基底状態となる際に青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光する層である。
【００９８】
図示されているように、有機ＥＬ素子４０においては、ホスト材料（ドナー）としての励起子生成層７は、燐光材料からなり、ゲスト材料（アクセプター）としてのゲスト層８は、蛍光材料からなる。
【００９９】
陽極４に近い方に配置された励起子生成層７と陰極１１に近い方に配置された励起子生成層７とは、燐光材料からなるので、この二つの励起子生成層７においては、励起子が、三重項励起状態（Ｔ１状態）として生成される確率は理論的には１００％である。
【０１００】
この二つの励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）の励起子は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）へ、ＴＴＥＴ（Triplet-Triplet Energy Transfer）、すなわち、デクスター遷移を起こす。
【０１０１】
また、この二つの励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）の励起子の一部は、ゲスト層８のエネルギー準位（ＥＴ１）を有する最低三重項励起状態へのエネルギー移動を起こさずに、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）から基底状態となる際に少なくとも２種類以上の異なる波長領域の光を発光してもよい。
【０１０２】
なお、有機ＥＬ素子４０においては、透光性電極３ｂ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９および電子注入層１０の少なくとも一つの膜厚を調整することで、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を最適化し、希望する特定の波長領域の光を外部に取り出すことができる。また、有機ＥＬ素子４０においては、これらの異なる波長領域の光の両方を、外部に取り出しても良い。
【０１０３】
この二つの励起子生成層７の最低三重項励起状態における励起子が、ゲスト層８の最低三重項励起状態へ、デクスター遷移を容易に起こすためには、この二つの励起子生成層７と、ゲスト層８とが、互いに隣接して形成される必要があり、ゲスト層８における陰極１１と対向する面から、陽極４に近い方に配置された励起子生成層７における陽極４と対向する面までの距離は、２ｎｍ以下であることが好ましく、ゲスト層８における陽極４と対向する面から、陰極１１に近い方に配置された励起子生成層７における陰極１１と対向する面までの距離も、２ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１０４】
また、この二つの励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）より高い必要がある。
【０１０５】
この二つの励起子生成層７の最低三重項励起状態からゲスト層８の最低三重項励起状態にデクスター遷移された励起子は、三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））を経て、この二つの励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）およびゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有するゲスト層８の一重項励起状態にアップコンバージョンされる。
【０１０６】
なお、ゲスト層８内で三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）を効率よく起こすためには、ゲスト層８の厚さを、１ｎｍ以下で形成することが望ましい。
【０１０７】
したがって、本実施の形態においては、赤色の波長領域の光を発光する燐光材料であるプラチナム（II）−オクタエチル  ポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）からなる二つの励起子生成層７の各々を０．５ｎｍの膜厚で形成し、青色の波長領域の光を発光する蛍光材料であり、蛍光量子収率の高い９，１０−ジフェニルアントラセン（ＤＰＡ）からなるゲスト層８を１ｎｍの膜厚で形成した。
【０１０８】
なお、有機ＥＬ素子４０においては、透光性電極３ｂを１１０ｎｍの膜厚で形成し、正孔注入層５を２８ｎｍの膜厚で形成し、正孔輸送層６を２０ｎｍの膜厚で形成し、陽極４に近い方に配置された励起子生成層７を０．５ｎｍの膜厚で形成し、ゲスト層８を１ｎｍの膜厚で形成し、陰極１１に近い方に配置された励起子生成層７を０．５ｎｍの膜厚で形成し、ゲスト層８を１ｎｍの膜厚で形成し、電子輸送層９を４０ｎｍの膜厚で形成し、電子注入層１０を１ｎｍの膜厚で形成し、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を２０１ｎｍにした。
【０１０９】
〔実施の形態４〕
次に、図７に基づいて、本発明の実施の形態４について説明する。本実施の形態においては、複数の有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置８０について説明する点において、実施の形態１〜３とは異なり、その他については実施の形態１〜３において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態１〜３の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１１０】
図７は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置８０の概略構成を示す断面図である。
【０１１１】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置８０は、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子と、緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子と、赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子と、を備えており、各有機ＥＬ素子間には、バンク材８１が形成されている。
【０１１２】
有機ＥＬ表示装置８０において、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子は、上述した実施の形態１〜３において説明した、有機ＥＬ素子１・３０・４０の何れかであってもよく、例えば、有機ＥＬ素子１である。
【０１１３】
有機ＥＬ表示装置８０における青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子が有機ＥＬ素子１である場合には、反射電極３ａと陰極１１との間に、形成されている蒸着層８３は、透光性電極３ｂと、正孔注入層５と、正孔輸送層６と、励起子生成層７と、ゲスト層８と、電子輸送層９と、電子注入層１０とで構成されていることとなる。
【０１１４】
有機ＥＬ表示装置８０における赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子においては、反射電極３ａ上に、透光性電極３ｂと、正孔注入層５と、正孔輸送層６と、励起子生成層７と、ゲスト層８と、電子輸送層９と、電子注入層１０とで構成される蒸着層８３が形成され、蒸着層８３上には、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、赤色の波長領域の光を増強させる距離にするための膜厚調整層８４が形成されている。
【０１１５】
なお、本実施の形態においては、膜厚調整層８４として、陰極１１と電気的に接続された透明電極を用いたが、これに限定されることはない。
【０１１６】
有機ＥＬ表示装置８０における緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子においては、反射電極３ａと陰極１１との間に、蒸着層８２が形成されており、蒸着層８２は、透光性電極と、正孔注入層と、正孔輸送層と、赤色発光層と、電子輸送層と、電子注入層とで構成されている。
【０１１７】
有機ＥＬ表示装置８０においては、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子と、赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子とを、同一発光層（励起子生成層７およびゲスト層８）を用いて形成することができる。
【０１１８】
〔実施の形態５〕
次に、図８および図９に基づいて、本発明の実施の形態５について説明する。本実施の形態においては、赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子と、緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子と、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子を、同一発光層（励起子生成層７、ゲスト層８およびゲスト層８ａ）を用いて形成している点において、実施の形態４とは異なり、その他については実施の形態４において説明したとおりである。説明の便宜上、実施の形態４の図面に示した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
【０１１９】
図８は、励起子生成層７と隣接する位置に、ゲスト層８およびゲスト層８ａとを、備えた有機ＥＬ素子５０における発光機構を説明するための図である。なお、図８においては、陽極４とゲスト層８との間に設けられている正孔注入層５および正孔輸送層６と、陰極１１とゲスト層８ａとの間に設けられている電子輸送層９および電子注入層１０との図示は省略している。
【０１２０】
図８に図示されているように、有機ＥＬ素子５０においては、ホスト材料（ドナー）としての励起子生成層７は、燐光材料を含む層であり、本実施の形態においては、燐光材料からなる層を用いた。また、ゲスト材料（アクセプター）としてのゲスト層８およびゲスト層８ａは、蛍光材料を含む層、具体的には、遅延蛍光体を含む蛍光材料を含む層である。
【０１２１】
励起子生成層７は、燐光材料からなるので、励起子生成層７においては、励起子が、三重項励起状態（Ｔ１状態）として生成される確率は理論的には１００％である。
【０１２２】
励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）の励起子の一部は、基底状態のエネルギー準位（ＥＳ０）となる際に、赤色の波長領域（第２波長領域）の光を発光し、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）の励起子の残りの一部は、ゲスト層８およびゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）へ、ＴＴＥＴ（Triplet-Triplet Energy Transfer）、すなわち、デクスター遷移を起こす。
【０１２３】
デクスター遷移を起こすためには、励起子生成層７とゲスト層８または、励起子生成層７とゲスト層８ａが、互いに隣接して形成される必要があり、デクスター遷移によるエネルギー移動を効率良く起こすためには、ゲスト層８における陽極４と対向する面から、励起子生成層７における陰極１１と対向する面までの距離は、２ｎｍ以下であることが好ましく、ゲスト層８ａにおける陰極１１と対向する面から、励起子生成層７における陽極４と対向する面までの距離は、２ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１２４】
また、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）より高い必要があるとともに、ゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高い必要がある。
【０１２５】
励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）からゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）にデクスター遷移された励起子は、三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））を経て、励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）およびゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有するゲスト層８の一重項励起状態にアップコンバージョンされる。
【０１２６】
なお、ゲスト層８内で三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）を効率よく起こすためには、ゲスト層８の厚さを、１ｎｍ以下で形成するのが望ましい。
【０１２７】
同様に、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）からゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）にデクスター遷移された励起子は、三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ（Triplet-Triplet-Annihilation））を経て、励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）およびゲスト層８ａの三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有するゲスト層８ａの一重項励起状態にアップコンバージョンされる。
【０１２８】
なお、ゲスト層８ａ内で三重項‐三重項消滅（ＴＴＡ）を効率よく起こすためには、ゲスト層８ａの厚さを、１ｎｍ以下で形成するのが望ましい。
【０１２９】
ゲスト層８は、励起子生成層７から遷移された励起子が、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有する最低一重項励起状態から基底状態となる際に青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光する層である。
【０１３０】
一方、ゲスト層８ａは、励起子生成層７から遷移された励起子が、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有する最低一重項励起状態から基底状態となる際に緑色の波長領域（第３波長領域）の光を発光する層である。
【０１３１】
なお、本実施の形態においては、赤色の波長領域の光を発光する燐光材料であるプラチナム（II）−オクタエチル−ポルフィリン（ＰｔＯＥＰ）からなる励起子生成層７を１ｎｍの膜厚で形成し、青色の波長領域の光を発光する蛍光材料であり、蛍光量子収率の高い９，１０−ジフェニルアントラセン（ＤＰＡ）からなるゲスト層８を０．５ｎｍの膜厚で形成し、緑色の波長領域の光を発光する蛍光材料であり、９，１０-bis(penylethynyl)anthraceneからなるゲスト層８ａを０．５ｎｍの膜厚で形成した。
【０１３２】
図９は、本実施形態にかかる有機ＥＬ表示装置９０の概略構成を示す断面図である。
【０１３３】
図示されているように、有機ＥＬ表示装置９０は、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子と、緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子と、赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子と、を備えており、各有機ＥＬ素子間には、バンク材８１が形成されている。
【０１３４】
有機ＥＬ表示装置９０において、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子は、例えば、図８に図示した有機ＥＬ素子５０である。
【０１３５】
有機ＥＬ表示装置９０における青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子においては、反射電極３ａと陰極１１との間に、形成されている蒸着層９１は、透光性電極３ｂと、正孔注入層５と、正孔輸送層６と、青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光する層であるゲスト層８と、赤色の波長領域（第２波長領域）の光が発光される励起子生成層７と、緑色の波長領域（第３波長領域）の光を発光する層であるゲスト層８ａと、電子輸送層９と、電子注入層１０とで構成されていることとなる。
【０１３６】
有機ＥＬ表示装置９０における緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子においては、反射電極３ａ上に、蒸着層９１が形成され、蒸着層９１上には、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、緑色の波長領域の光を増強させる距離にするための膜厚調整層９３が形成されている。
【０１３７】
有機ＥＬ表示装置９０における赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子においては、反射電極３ａ上に、蒸着層９１が形成され、蒸着層９１上には、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、赤色の波長領域の光を増強させる距離にするための膜厚調整層９２が形成されている。
【０１３８】
なお、本実施の形態においては、膜厚調整層９２・９３として、陰極１１と電気的に接続された透明電極を用いたが、これに限定されることはない。
【０１３９】
有機ＥＬ表示装置９０においては、青色（Ｂ）を発する有機ＥＬ素子と、緑色（Ｇ）を発する有機ＥＬ素子と、赤色（Ｒ）を発する有機ＥＬ素子と、を、同一発光層（励起子生成層７、ゲスト層８およびゲスト層８ａ）を用いて形成することができる。
【０１４０】
＜有機ＥＬ素子の製造工程＞
ここで、有機ＥＬ素子１の製造工程について、簡単に説明する。なお、通常、有機ＥＬ素子は、スイッチング素子としてトランジスタを有しているが、本実施の形態ではその製造工程については言及しない。
【０１４１】
有機ＥＬ素子１の製造工程には、陽極４を形成する工程と、陰極１１を形成する工程と、陽極４と陰極１１との間に有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）を形成する工程とが含まれている。
【０１４２】
有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）を形成する工程には、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）は、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）より高くなるように、励起子生成層７を形成する工程と、ゲスト層８を形成する工程と、が含まれている。
【０１４３】
また、ゲスト層８からの発光が短波長な青色もしくは紫外域の発光の場合、ゲスト層８の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）は、励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）より高くなるように、励起子生成層７を形成する工程と、ゲスト層８を形成する工程と、を含むことが好ましい。
【０１４４】
励起子生成層７を形成する工程においては、陽極４からの正孔ｈ＋と陰極１１からの電子ｅ−とが結合して励起子を生成するとともに、上記生成された励起子の一部が基底状態となる際に赤色の波長領域（第２波長領域）の光を発光する励起子生成層７を形成する。
【０１４５】
ゲスト層８を形成する工程においては、その膜厚が１ｎｍ以下であり、励起子生成層７と隣接するように、励起子生成層７から遷移された上記励起子が、最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有する最低一重項励起状態から基底状態となる際に青色の波長領域（第１波長領域）の光を発光するゲスト層８を形成する。
【０１４６】
そして、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を調整する工程においては、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光を増強させる距離に設定した。
【０１４７】
なお、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を調整する工程においては、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光の中心波長の強度を増強させる距離に設定することが好ましい。
【０１４８】
さらに、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を調整する工程においては、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、反射電極３ａと陰極１１との間の少なくとも有機層である励起子生成層７およびゲスト層８を含む蒸着膜（透光性電極３ｂ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９、電子注入層１０）の膜厚によって調整することができ、上記蒸着膜の膜厚をｄ、上記蒸着膜の屈折率をｎ、ゲスト層８から発光される青色の波長領域（第１波長領域）の光の中心波長をλ、ｍを１〜１０の整数とした場合、上記蒸着膜の膜厚ｄは、ｄ＝（ｍ×λ）/（２×ｎ）を満たすことが好ましい。
【０１４９】
なお、励起子生成層７を形成する工程において、励起子生成層７を燐光材料を含む層で形成し、ゲスト層８を形成する工程において、ゲスト層８を蛍光材料を含む層で形成した。そして、励起子生成層７を形成する工程およびゲスト層８を形成する工程においては、励起子生成層７とゲスト層８との合計厚さを、２ｎｍ以下で形成することが好ましい。
【０１５０】
有機ＥＬ素子１の製造工程には、陽極４と有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）との間に、正孔輸送層６を形成する工程と、陰極１１と上記有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）との間に、電子輸送層９を形成する工程とが含まれており、電子輸送層９における電子ｅ−の移動度が、正孔輸送層６における正孔ｈ＋の移動度より大きい場合には、ゲスト層８を形成する工程は、励起子生成層７を形成する工程と電子輸送層９を形成する工程との間に行われることが好ましい。
【０１５１】
また、有機ＥＬ素子１の製造工程には、陽極４と有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）との間に、正孔輸送層６を形成する工程と、陰極１１と上記有機層（励起子生成層７およびゲスト層８）との間に、電子輸送層９を形成する工程とが含まれており、正孔輸送層６における正孔ｈ＋の移動度が、電子輸送層９における電子ｅ−の移動度より大きい場合には、ゲスト層８を形成する工程は、励起子生成層７を形成する工程と正孔輸送層６を形成する工程との間に行われることが好ましい。
【０１５２】
ゲスト層８ａを形成する工程においては、ゲスト層８の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）とは異なるエネルギー準位を有するゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）と、ゲスト層８の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）とは異なるエネルギー準位を有するゲスト層８ａの最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）と、を有する。
【０１５３】
また、ゲスト層８ａの最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）は、励起子生成層７の最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）より高くてもよく、かつ、ゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）は、励起子生成層７の最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）より低い、ゲスト層８ａを形成し、ゲスト層８ａにおいては、励起子生成層７から遷移された上記励起子が、ゲスト層８ａの最低三重項励起状態のエネルギー準位（ＥＴ１）よりも高いエネルギー準位を有するゲスト層８ａの最低一重項励起状態のエネルギー準位（ＥＳ１）から基底状態となる際に緑色の波長領域（第３波長領域）の光を発光する。
【０１５４】
反射電極３ａと陰極１１との間の距離を調整する工程においては、反射電極３ａと陰極１１との間の距離を、反射電極３ａと陰極１１との間の少なくとも有機層である励起子生成層７およびゲスト層８を含む蒸着膜（透光性電極３ｂ、正孔注入層５、正孔輸送層６、励起子生成層７、ゲスト層８、電子輸送層９、電子注入層１０）の膜厚を、赤色の波長領域（第２波長領域）の光、青色の波長領域（第１波長領域）の光および緑色の波長領域（第３波長領域）の光の何れか一つを増強する膜厚に設けることが好ましい。
【０１５５】
ゲスト層８の上面および上記上面と対向する下面の両方に、ゲスト層８と隣接して励起子生成層７を形成するため、励起子生成層７を形成する工程は、２回行われることが好ましい。
【０１５６】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極および陰極と、上記陽極と上記陰極との間に形成された有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、上記有機層は、互いに少なくとも１層以上隣接して形成された、少なくとも１種類以上の燐光材料を含む第１の層と、少なくとも１種類以上の蛍光材料を含む第２の層とを含み、かつ、上記第１の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、上記第２の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位より高く、上記第２の層の厚さは、１ｎｍ以下で形成されており、上記第１の層において生成された三重項励起子から、上記第２の層の三重項励起状態の励起子にエネルギー移動を起こし、上記第２の層中の分子間で上記三重項励起状態の励起子から一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光の発光を含む、少なくとも１種類以上の波長領域の光の発光を有することを特徴としている。
【０１５７】
上記構成によれば、上記有機層は、互いに少なくとも１層以上隣接して形成された、少なくとも１種類以上の燐光材料を含む第１の層と、少なくとも１種類以上の蛍光材料を含む第２の層とを含み、第１の層中の分子の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、第２の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位よりも高く、また、上記第２の層の厚さが１ｎｍ以下で形成されていることから、第１の層中の分子の三重項励起子から第２の層中の分子の三重項励起子へのエネルギー移動を効率良く起こすことができ、高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１５８】
また、上記構成によれば、第２の層中の分子の三重項励起状態の励起子からのアップコンバージョンにより第２の層中の分子の一重項励起状態の励起子を生成することができるため、色度の高い短波長の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１５９】
本発明の態様２に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１において、上記第１の層において生成された三重項励起子中、上記第２の層の三重項励起状態の励起子へのエネルギー移動を起こさない、上記第１の層の最低三重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第２波長領域の光の発光を含んでいてもよい。
【０１６０】
上記構成によれば、第２波長領域の光の発光を含む有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。
【０１６１】
本発明の態様３に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１または２において、上記第２の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位より高くてもよい。
【０１６２】
上記構成によれば、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光がより短波長の光である有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。
【０１６３】
本発明の態様４に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から３の何れかにおいて、上記第１の層と上記第２の層との合計厚さは、２ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１６４】
上記構成によれば、三重項励起子のエネルギー移動を効率良く起こす有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。
【０１６５】
本発明の態様５に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様２において、上記陽極および上記陰極の何れか一方には反射層が、他方には半透過反射層が備えられており、上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光および上記第２波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されていてもよい。
【０１６６】
上記構成によれば、上記陽極および上記陰極の何れか一方における反射層と、他方における半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光および上記第２波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されているので、希望する特定の波長領域の光を取り出すことができる有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１６７】
本発明の態様６に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様５において、上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記反射層と上記半透過反射層との間の少なくとも上記有機層を含む蒸着膜の膜厚によって調整されており、上記蒸着膜の膜厚をｄ、上記蒸着膜の屈折率をｎ、上記光の波長領域の中心波長をλ、ｍを１〜１０の整数とした場合、上記蒸着膜の膜厚ｄは、ｄ＝（ｍ×λ）/（２×ｎ）を満たすことが好ましい。
【０１６８】
上記構成によれば、比較的に光学距離の設定を容易することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１６９】
本発明の態様７に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から６の何れかにおいて、上記蛍光材料は、青色領域の光を発光する蛍光材料であることが好ましい。
【０１７０】
上記構成によれば、青色領域の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。
【０１７１】
本発明の態様８に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から７の何れかにおいて、上記燐光材料は、赤色領域の光または緑色領域の光を発光する燐光材料であることが好ましい。
【０１７２】
上記構成によれば、赤色領域の光または緑色領域の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現できる。
【０１７３】
本発明の態様９に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から８の何れかにおいて、上記陽極と上記有機層との間には、正孔輸送層が形成されており、上記陰極と上記有機層との間には、電子輸送層が形成されており、上記正孔輸送層における正孔の移動度が、上記電子輸送層における電子の移動度より大きい場合には、上記第２の層は、上記第１の層より上記正孔輸送層の近くに配置されていることが好ましい。
【０１７４】
上記構成によれば、効率良く励起子を生成することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１７５】
本発明の態様１０に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から８の何れかにおいて、上記陽極と上記有機層との間には、正孔輸送層が形成されており、上記陰極と上記有機層との間には、電子輸送層が形成されており、上記電子輸送層における電子の移動度が、上記正孔輸送層における正孔の移動度より大きい場合には、上記第２の層は、上記第１の層より上記電子輸送層の近くに配置されていることが好ましい。
【０１７６】
上記構成によれば、効率良く励起子を生成することができる有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１７７】
本発明の態様１１に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１から１０の何れかにおいて、上記有機層は、１種類以上の蛍光材料を含む第３の層を含み、上記第３の層は、上記第１の層における上記第２の層が配置された側とは反対側に、上記第１の層と隣接して形成されており、上記第３の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低三重項励起状態のエネルギー準位より低く、かつ、上記第２の層の上記最低三重項励起状態のエネルギー準位とは異なるエネルギー準位を有し、上記第３の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位は、上記第１の層の最低一重項励起状態のエネルギー準位より高く、かつ、上記第２の層の上記最低一重項励起状態のエネルギー準位とは異なるエネルギー準位を有し、上記第３の層の厚さは、１ｎｍ以下で形成されており、上記第１の層において生成された三重項励起子から、上記第２の層の最低三重項励起状態の励起子にエネルギー移動を起こし、上記第２の層中の分子間で上記最低三重項励起状態の励起子から最低一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第２の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第１波長領域の光の発光と、上記第１の層において生成された三重項励起子から、上記第３の層の最低三重項励起状態の励起子にエネルギー移動を起こし、上記第３の層中の分子間で上記最低三重項励起状態の励起子から最低一重項励起状態の励起子へのアップコンバージョンが起こることにより生成された、上記第３の層の最低一重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第３波長領域の光の発光と、上記第１の層において生成された三重項励起子中、上記第２の層の最低三重項励起状態の励起子へのエネルギー移動を起こさない、上記第１の層の最低三重項励起状態の励起子が、基底状態となる際に生じる、第２波長領域の光の発光と、を含み、上記第１波長領域の光、上記第３波長領域の光および上記第２波長領域の光の順に、より短波長領域の光であってもよい。
【０１７８】
上記構成によれば、３種類の異なる波長領域の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１７９】
本発明の態様１２に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記態様１１において、上記陽極および上記陰極の何れか一方には反射層が、他方には半透過反射層が備えられており、上記反射層と上記半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光、上記第２波長領域の光および上記第３波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されていてもよい。
【０１８０】
上記構成によれば、上記陽極および上記陰極の何れか一方における反射層と、他方における半透過反射層との間の距離は、上記第１波長領域の光、上記第２波長領域の光および上記第３波長領域の光の何れか一つを増強させる距離に設定されているので、希望する特定の波長領域の光を取り出すことができる有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【０１８１】
本発明の態様１３に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上記態様１から１２の何れかに記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えている。
【０１８２】
上記構成によれば、高い発光効率を有し、色度の高い短波長の光を発光する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。
【０１８３】
〔付記事項〕
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１８４】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス表示装置とに利用することができる。
【符号の説明】
【０１８５】
１            有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
２            基板
３ａ          反射電極（反射層）
３ｂ          透光性電極
４            陽極
４ａ          陽極（半透過反射層）
５            正孔注入層
６            正孔輸送層
７            励起子生成層（第１の層）
８            ゲスト層（第２の層）
８ａ          ゲスト層（第３の層）
９            電子輸送層
１０          電子注入層
１１          陰極（半透過反射層）
２１          陰極（反射層）
３０          有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
４０          有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
５０          有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）
８０          有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）
８１          バンク材
８２          蒸着層
８３          蒸着層
８４          膜厚調整層
９０          有機ＥＬ表示装置（有機エレクトロルミネッセンス表示装置）
９１          蒸着層
９２          膜厚調整層
【図１】
2017138607.tif 000003
【図２】
2017138607.tif 000004
【図３】
2017138607.tif 000005
【図４】
2017138607.tif 000006
【図５】
2017138607.tif 000007
【図６】
2017138607.tif 000008
【図７】
2017138607.tif 000009
【図８】
2017138607.tif 000010
【図９】
2017138607.tif 000011
【国際調査報告】
2017138607.tif 000012
2017138607.tif 000013
2017138607.tif 000014
2017138607.tif 000015