(57)【要約】  課題は、トリミングする際に発塵する異物粒子がペリクルに付着するのを抑制することである。本発明に係るペリクルの製造方法は、ペリクル膜および当該ペリクル膜の周囲を支持するペリクル枠を含むペリクルを製造する方法であって、基板上にペリクル膜（１０１）を形成し、伸縮性があり外部からの刺激を受けると粘着力が低下する粘着シート（１０６，１０７）を基板の両面側に貼り付け、粘着シートが貼り付けられた部分の基板の内部に切れ込みを入れ、粘着シートが貼り付けられた状態を維持して、基板の前記切れ込みが入った部分の外側の基板外周部（１１１）を分離することによってペリクル枠を形成し、粘着シートに刺激を与えて粘着シートを剥離することを含む。
2016175019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペリクル膜およびペリクル膜の周囲を支持するペリクル枠を含むペリクルを製造する方法であって、  基板上にペリクル膜を形成し、伸縮性があり外部からの刺激を受けると粘着力が低下する粘着シートを前記基板の両面側に貼り付け、  前記粘着シートが貼り付けられた部分の前記基板の内部に切れ込みを入れ、  前記粘着シートが貼り付けられた状態を維持して、前記基板の前記切れ込みが入った部分の外側の基板外周部を分離することによってペリクル枠を形成し、  前記粘着シートに前記刺激を与えて粘着シートを剥離する  ことを含むペリクルの製造方法。
【請求項２】
前記基板のペリクル膜が形成された面とは反対側の面からエッチングして前記ペリクル膜を露出することを含む、請求項１に記載のペリクルの製造方法。
【請求項３】
前記基板の前記ペリクル膜が形成された面とは反対側の面からエッチングして前記ペリクル膜を露出した後、  前記ペリクル膜が露出した領域の周囲において、前記粘着シートを前記基板の両面側に貼り付ける、請求項１または請求項２に記載のペリクルの製造方法。
【請求項４】
前記基板は、前記ペリクル枠と前記基板外周部との間を繋ぐブリッジ部を備え、  前記基板の内部に切れ込みを入れることは、前記ブリッジ部への切れ込みを入れることである、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
【請求項５】
前記粘着シートは、前記ブリッジ部の両面および側面を覆うように貼り付けられる、請求項４に記載のペリクルの製造方法。
【請求項６】
前記ブリッジ部は、前記ペリクル枠の４隅に接続されている、請求項４または請求項５に記載のペリクルの製造方法。
【請求項７】
前記基板の内部に切れ込みを入れることは、ステルスダイシング法を用いる、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
【請求項８】
前記粘着シートは帯電防止性を有する、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
【請求項９】
前記基板外周部を分離して前記ペリクル枠を形成する際に、吸引装置で分離部分の気体を吸引する、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載のペリクルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれかに記載のペリクルの製造方法によって製造されたペリクルを、前記ペリクル枠に取り付けられる枠体を介して、フォトマスクに接合することを含むペリクル付フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、ペリクルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】  ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置あるいは液晶表示パネルなどの製造においては、フォトマスクやレチクルに露光してパターニングを作成するのであるが、フォトマスクやレチクルの表面に異物があると、露光するごとに異物がウエハ上に転写されてしまう。そこで、フォトマスクやレクチルの表面から数ｍｍ離れた部分に、ペリクル膜が配置されるように、ペリクル枠とペリクル膜を備えるペリクルを貼り付ける方式が採られている。すなわち、フォトマスクやレチクルの少なくともパターン面にペリクルを配置した場合、ペリクルの表面に付着した異物はフォーカス位置がずれるため、半導体ウエハ上に形成されたフォトレジスト上に結像することがなく、回路パターンに欠陥を生じさせることがないのである。【０００３】  ペリクル付フォトマスクを製造する方法としては、従来、フォトマスクやレチクルの形状に合わせた形状を有する厚さ数ミリ程度のペリクル枠体の一方の縁面に、厚さ１０μｍ以下のニトロセルロースまたはセルロース誘導体等の透明な高分子膜から成るペリクル膜を伸ばして広げて接着し、且つペリクル枠体の他方の縁面に粘着材を介してフォトマスクやレチクルの表面に貼り付けるという方法が採られている。【０００４】  ところで、リソグラフィの波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術として、ＥＵＶリソグラフィの開発が進められている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光を指し、１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。フォトリソグラフィでは、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても、その露光波長は４５ｎｍ程度が限界と予想されている。したがって、ＥＵＶリソグラフィは、従来のリソグラフィから大幅な微細化が可能な革新的な技術として期待されている。【０００５】  一方、ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、したがって、ＥＵＶリソグラフィでは、露光装置内を真空にして露光する必要がある。そのため、フォトマスクへのペリクルの装着は必須ではないと考えられていた。しかし、従来にない微細プロセスであり、積層回数も増えるため、装置内のクリーン管理だけでは歩留りよくＬＳＩ等が製造できないことが半導体業界で危惧され、フォトマスクへのペリクルの装着が必須であることが明らかとなってきた。上記のとおり、ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすい。そこで、ペリクル膜のＥＵＶ透過率を十分に確保するため、ペリクルに配置するペリクル膜も従来にないナノメートルオーダーの膜である必要となる。例えば、ＥＵＶ光の波長が１３．５±０．３ｎｍである場合に、９０．０％以上の透過率を得るためには、ペリクル膜の厚さは、１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である必要がある。【０００６】  そこで、例えば、蒸着により基板にペリクル膜を形成し、基板を枠形状にバックエッチングすることにより、ペリクル膜を露出させ、ペリクル膜を配置したペリクルを得る方法が考えられる。ところが、この方法によれば、ペリクルをフォトマスクやレチクルの形状に合わせるために、基板全体からペリクルに必要な部分だけをトリミングする（切��出す）必要が出てくる。ペリクル膜は膜厚が非常に薄いため、ハンドリングを考慮し基板を外周に残した状態でトリミングすることが好ましい。トリミングにより、膜の外周に残った基板はペリクル枠の一部として使用される。なお、バックエッチングについては、下記の特許文献１にも記載されている。すなわち、特許文献１には、ＳＯＩ基板のシリコン基板を５０μｍまで薄化した後、ＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ：深堀り反応性イオンエッチング）でハニカム構造を作り込んでペリクル膜を作成し、その後、ペリクルフレームと同サイズにペリクル膜を裁断すると記載されている。このように、ペリクルをフォトマスクやレチクルの形状に合わせるために、基板全体からペリクルに必要な部分だけをトリミングする（切り出す）必要が出てくる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１３−００４８９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  ペリクルに必要な部分だけをトリミングする方法としては、機械的に力を加えて、ペリクル枠を切断するという方法がある。しかし、この方法では、ペリクル枠を切断した際に、切断面から異物粒子が発塵し、ペリクル膜に付着し、ペリクル膜が汚染されてしまうという問題がある。【０００９】  本発明は、上記のような従来技術に伴う課題を解決しようとするものであって、その目的とするところは、トリミングする際に発塵する異物粒子がペリクル膜に付着するのを抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  本発明の一実施形態によると、ペリクル膜およびペリクル膜の周囲を支持するペリクル枠を含むペリクルを製造する方法であって、基板上にペリクル膜を形成し、伸縮性があり外部からの刺激を受けると粘着力が低下する粘着シートを前記基板の両面側に貼り付け、前記粘着シートが貼り付けられた部分の前記基板の内部に切れ込みを入れ、前記粘着シートが貼り付けられた状態を維持して、前記基板の前記切れ込みが入った部分の外側の基板外周部を分離することによってペリクル枠を形成し、前記粘着シートに前記刺激を与えて粘着シートを剥離することを含むペリクルの製造方法が提供される。【００１１】  前記基板のペリクル膜が形成された面とは反対側の面からエッチングして前記ペリクル膜を露出することを含んでもよい。【００１２】  前記基板の前記ペリクル膜が形成された面とは反対側の面からエッチングして前記ペリクル膜を露出した後、前記ペリクル膜が露出した領域の周囲において、伸縮性があり外部からの刺激を受けると粘着力が低下する粘着シートを前記基板の両面側に貼り付けてもよい。【００１３】  前記基板は、前記ペリクル枠と前記基板外周部との間を繋ぐブリッジ部を備え、前記基板の内部に切れ込みを入れることは、前記ブリッジ部への切れ込みを入れることであってもよい。【００１４】  前記粘着シートは、前記ブリッジ部の両面および側面を覆うように貼り付けられてもよい。【００１５】  前記ブリッジ部は、前記ペリクル枠の４隅に接続されていてもよい。【００１６】  前記基板の内部に切れ込みを入れることは、ステルスダイシング法を用いてもよい。【００１７】  前記粘着シートは、帯電防止性をさらに有してもよい。【００１８】  前記基板外周部を分離して前記ペリクル枠を形成する際に、吸引装置で分離部分の気体を吸引してもよい。【００１９】  また、本発明の一実施形態によると、前記いずれかに記載のペリクルの製造方法によって製造されたペリクルを、前記ペリクル枠に取り付けられる枠体を介して、フォトマスクに接合することを含むペリクル付フォトマスクの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２０】  本発明に係るペリクルの製造方法によれば、トリミングする際に発塵する異物粒子がペリクル膜に付着するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】第１実施形態によって完成されたペリクル付フォトマスクの模式図（上面図）である。
【図１Ｂ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの図１ＡのＡ−Ａ線における断面図である。
【図２Ａ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。
【図２Ｂ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。
【図２Ｃ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。
【図２Ｄ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。
【図２Ｅ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。
【図３Ａ】第１実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置の上面図である。
【図３Ｂ】図３Ａのトリミングする部分を拡大した図である。
【図４Ａ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程のうち、トリミングする工程を詳細に示す模式図である。
【図４Ｂ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程のうち、トリミングする工程を詳細に示す模式図である。
【図４Ｃ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程のうち、トリミングする工程を詳細に示す模式図である。
【図４Ｄ】第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程のうち、トリミングする工程を詳細に示す模式図である。
【図５Ａ】第２実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置を示す模式図である。
【図５Ｂ】第２実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置を示す模式図である。
【図５Ｃ】図５Ｂの線分Ｃ―Ｃの断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｃの開口部が粘着シートで埋め込まれた場合の図である。
【図６Ａ】第３実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置を示す模式図である。
【図６Ｂ】図６Ａの線分Ｄ−Ｄの断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂの開口部が粘着シートで埋め込まれた場合の図である。
【図７Ａ】機械的に基板を折ることによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図７Ｂ】機械的に基板を折ることによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図７Ｃ】機械的に基板を折ることによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図８Ａ】ブレードダイシングやレーザアブレーションによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図８Ｂ】ブレードダイシングやレーザアブレーションによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図８Ｃ】ブレードダイシングやレーザアブレーションによりトリミングする方法を示す模式図である。
【図９Ａ】ステルスダイシング法によりトリミングする方法を示す模式図である。
【図９Ｂ】ステルスダイシング法によりトリミングする方法を示す模式図である。
【図９Ｃ】ステルスダイシング法によりトリミングする方法を示す模式図である。
【図９Ｄ】ステルスダイシング法によりトリミングする方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】  以下、図面を参照して本発明に係るペリクル付フォトマスクの製造方法について説明する。但し、本発明のペリクル付フォトマスクの製造方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、図面の寸法比率（各構成間の比率、縦横高さ方向の比率等）は説明の都合上実際の比率とは異なったり、構成の一部が図面から省略されたりする場合がある。
【００２３】＜第１実施形態＞［ペリクル付フォトマスクの構成］  図１Ａは、第１実施形態によって完成されたペリクル付フォトマスクの模式図（上面図）で、図１Ｂは、第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの図１ＡのＡ−Ａ線における断面図である。ペリクル付フォトマスク１は、ペリクル１０とフォトマスク１０４とを含む。ペリクル１０がフォトマスク１０４のパターンが形成された面側に取り付けられている。ペリクル１０は、ペリクル膜１０１、ペリクル枠１０２および枠体１０３を含む。
【００２４】  ペリクル膜１０１を構成する具体的な化合物としてはフッ素系ポリマー、ポリオレフィン、ポリイミドなどの高分子化合物や、ルテニウム、ニッケル、ジルコニウム、チタン、モリブデン、ニオブ、などの金属、結晶シリコン（例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、等）、アモルファスシリコン、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）、グラファイト、アモルファスカーボン、グラフェン、炭化ケイ素、窒化ケイ素、等が挙げられる。
【００２５】  また、ペリクル膜１０１は、酸化防止膜や放熱膜を含んでいてもよい。酸化防止膜は、ＳｉＯｘ（ｘ≦２）、ＳｉｘＮｙ（ｘ／ｙは０．７〜１．５）、ＳｉＯＮ、ＳｉＣ、Ｙ2Ｏ3、ＹＮ、Ｍｏ、ＲｕまたはＲｈからなる膜等でありうる。
【００２６】  放熱膜は、熱輻射率が高い材料や熱伝導性が高い材料からなる膜であることが好ましい。具体的には、酸化防止膜と同様の材料からなる膜や、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、グラファイト、グラフェンからなる膜等であり得る。酸化防止膜および放熱膜は、ペリクル膜１０１の一方の面に形成してもよく、両面に形成してもよい。ペリクル膜１０１は、上記元素および化合物を１種単独で含んでいてもよいし、２種以上を含んでいてもよい。
【００２７】  ペリクル付フォトマスク１は、ペリクル１０とフォトマスク１０４を含む。ペリクル１０は、ペリクル膜１０１、ペリクル枠１０２および枠体１０３を含む。ペリクル枠１０２は、０．７ｍｍ程度のシリコンであり、ペリクル膜１０１の周囲を支持する。
【００２８】  枠体１０３は、フォトマスク１０４とペリクル枠１０２との間に配置されている。この例では、ペリクル膜１０１とフォトマスク１０４とが２ｍｍ程度の間隔を有するように、枠体１０３の厚さが決められている。枠体１０３は、フォトマスク１０４およびペリクル枠１０２とは、接着層を介して接合されている。なお、フォトマスク１０４とペリクル膜１０１との間に形成される空間と外部空間とを接続するための通気孔がペリクル枠１０２または枠体１０３に形成されてもよい。
【００２９】［ペリクル付フォトマスクの製造工程］  本実施形態に係るペリクル付フォトマスクは、例えば、図２Ａから図２Ｅを参照し、以下のように製造することができる。なお、以下の製造工程は一例である。図２Ａから図２Ｅは、一実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程を示す模式図である。基板１０５を準備し、基板１０５上にペリクル膜１０１を形成する（図２Ａ）。基板１０５は、最終的には、ペリクル枠１０２になるものである。基板１０５には、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化ケイ素基板等を用いることができるが、これに限定されるものではない。
【００３０】  基板の厚みは特に限定されるものではないが、例えばシリコン基板であればＳＥＭＩ規格７２５μｍである８ｉｎｃｈのウエハが好適に用いられる。後述するバックエッチングを効率的に実施するため、より薄い膜厚の基板を使用することもでき、５０μｍ以上の膜厚であればペリクル膜形成時に割れるようなことはなく好適に使用できる。
【００３１】  ペリクル膜１０１は、蒸着により膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下となるように、基板１０５上に形成する。ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすいため、ペリクル膜１０１は、例えば、１３．５±０．３ｎｍの波長の光に対して、９０％以上の透過率を有する。
【００３２】  ペリクル膜１０１が形成された基板１０５をペリクル膜１０１が形成された面とは反対側の面からエッチング（バックエッチング）し、基板１０５が枠状になるように、ペリクル膜１０１を露出する（図２Ｂ）。バックエッチングの方法としては、ドライエッチングでもウェットエッチングであってもよい。
【００３３】  バックエッチングがされた基板１０５のうち、基板外周部１１１を分離して、枠体１０３に接合するのに必要な部分であるペリクル枠１０２をトリミングする（図２Ｃ）。トリミング方法の詳細については、図３Ａ、３Ｂ、４Ａから４Ｄを参照して後述する。また、図２Ａから図２Ｅではバックエッチング後にペリクル枠１０２をトリミングしたが、トリミング後にバックエッチングを行ってもよい。
【００３４】  枠体１０３は、ペリクル枠１０２のペリクル膜１０１が配置された面とは反対側の面に接合される（図２Ｄ）。
【００３５】  枠体１０３としては、ＥＵＶ光に対する耐性を有し、平坦性が高く、低イオン溶出性の材料が好ましい。また、炭素由来の汚れを除去するために、水素ガスを露光装置内に流すため、水素ラジカルに対する耐性を有する材料で構成されることが好ましい。
【００３６】  枠体１０３の材質には特に制限はなく、通常、ペリクルの枠に用いられる材質とすることができる。枠体１０３の材質として、具体的には、アルミニウム、アルミニウム合金（５０００系、６０００系、７０００系等）、ステンレス、シリコン、シリコン合金、鉄、鉄系合金、炭素鋼、工具鋼、セラミックス、金属−セラミックス複合材料、樹脂等が挙げられる。中でも、アルミニウム、アルミニウム合金が、軽量かつ剛性の面からより好ましい。また、枠体１０３は、その表面に保護膜を有していてもよい。
【００３７】  保護膜としては、露光雰囲気中に存在する水素ラジカルおよびＥＵＶ光に対して耐性を有する保護膜が好ましい。保護膜としては、例えば、酸化被膜が挙げられる。酸化被膜は、陽極酸化等の公知の方法によって形成することができる。
【００３８】  トリミングされたペリクル膜１０１、ペリクル枠１０２、枠体１０３を備えるペリクル１０をフォトマスク１０４に接合する（図２Ｅ）。この工程によって、ペリクル付フォトマスク１が完成する。
【００３９】［トリミング方法の詳細］  図３Ａは、本発明の第１実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置の上面図で、図３Ｂは、図３Ａのトリミングする部分を拡大した図である。一点鎖線は、反対側の面から基板１０５をエッチング（バックエッチング）してペリクル膜１０１が露出した領域を示す。図３Ａは、枠状の粘着シート１０６の貼り付け位置を示すが、粘着シート１０６は枠状に限らずペリクル膜１０１の上面を覆ってもよい。まず、図２Ｃに示すトリミングを実施するときには、図３Ｂの破線で示した切断予定線Ｌをカバーするように、基板１０５の両面に粘着シートが貼り付けられる。すなわち、ペリクル膜１０１の上面には、粘着シート１０６が貼り付けられる。図３Ａ及び図３Ｂには記載がないが、基板１０５の下面には、粘着シート１０７が貼り付けられている（図４Ａから図４Ｃ参照）。粘着シート１０６、１０７は、伸縮性があり外部からの刺激があると粘着力が低下するシートである。伸縮性があるとは、好ましくは粘着シートのヤング率が１００ＭＰａ〜６００ＭＰａであり、伸縮率が２０〜４０％の範囲において、引張強度が１０ＭＰａ以上であるとよい。外部からの刺激とは、紫外光を意味する。なお、外部からの刺激であれば、紫外光に限らず、熱など他の刺激であってもよい。
【００４０】  粘着シート１０６、１０７の構成や材質は特に限定されないが、例えば基材フィルム上に粘着剤層を形成したシートを用いることができる。基材フィルムは、従来から公知のものを広く使用可能であり、例えば、ポリオレフィン系やエラストマー系等の汎用重合体のフィルムを用いることが可能である。具体的には、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体等のエチレン系共重合体、ポリプロピレン、ポリブチレン、アイオノマー、ポリブタジエン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルペンテン、ポリウレタン等の汎用重合体が使用できる。
【００４１】  粘着剤層は、従来から公知のものを広く使用可能であり、例えば、アクリル系粘着剤等が用いられる。具体的には、アクリル酸エステルを重合体構成単位とする重合体及びアクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系重合体、あるいは官能性単量体との共重合体、及びこれら重合体の混合物が挙げられる。粘着剤層として、紫外線硬化型あるいは熱硬化型のものを用いることが好ましい。粘着剤層が紫外線硬化型あるいは熱硬化型であれば、粘着シートを剥がす際に、紫外線を照射あるいは加熱することで粘着剤層が硬化し、粘着力が低下するため、ペリクル膜やペリクル枠に影響を与えずに粘着シートを剥離することができる。また、図４Ａから図４Ｃでは粘着シート１０７は、基板１０５の下面全体に貼り付けられているが、粘着シート１０６に対向する位置に少なくとも存在すれば、どのように貼り付けられていてもよい。
【００４２】  図４Ａから図４Ｃは、第１実施形態に係るペリクル付フォトマスクの製造工程のうち、トリミングする工程を詳細に示す模式図である。図４Ａは、図３ＢのＢ−Ｂ線分の断面部分に対応する。図４Ａに示すように、基板１０５の両面には、粘着シート１０６、１０７が貼り付けられている。上述したように、トリミングの際に切断される部分を両面から覆うように粘着シート１０６、１０７が貼り付けられる。図４Ａでは粘着シート１０６は、基板１０５の上面の一部に貼り付けられているが、切断予定線をカバーするように存在すれば、どのように貼り付けられていてもよい。
【００４３】  次に、粘着シート１０６、１０７が貼り付けられた部分の基板１０５の内部に切れ込みを入れる（図４Ｂ）。基板１０５の内部に切れ込みを入れただけであるから、基板１０５の表面から発塵することはない。基板１０５の内部に切れ込みを入れる方法としては、例えば、ステルスダイシング法があるが、基板１０５の内部に切れ込みを入れることができるのであれば、この方法に限定されない。なお、ステルスダイシング法とは、加工対象物の内部にレーザの集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定線に沿って加工対象物の内部に改質領域を形成し、改質領域を起点として、加工対象物を切断する方法である。
【００４４】  次に、基板１０５を粘着シート１０７ごとエキスパンドする（引っ張る）（図４Ｃ）。基板１０５と粘着シート１０７をエキスパンドすると、基板外周部１１１が分離され、ペリクル枠１０２が形成される。基板外周部１１１が分離されると、内部の切れ込み部分に存在していた異物粒子１０９が飛散して発塵するが、異物粒子１０９は、粘着シート１０６および粘着シート１０７に捕捉される。エキスパンドの方法としては、粘着シート１０７の下部から棒状のもので押す方法であってもよい。また、粘着シート１０７を水平方向にエキスパンドしてもよい。さらに、粘着シート１０７とともに粘着シート１０６をエキスパンドしてもよい。また、エキスパンド時に、粘着シート１０６の上方から、バキューム（吸引装置）で吸ってもよい。このようにバキュームで吸うことにより、異物粒子１０９が粘着シート１０６に捕捉されやすい、又は、異物粒子１０９がバキュームに吸い込まれる。また、発生した異物粒子１０９を効率良く粘着シートに捕捉させるために、エキスパンド時あるいはエキスパンド後にイオナイザー等を用いて除電してもよい。あるいは、両面に貼られた粘着シートのうち片方のシートだけを先に剥がして切断面が見える状態にし、異物粒子１０９をバキュームで吸引してもよいし、あるいは気流を流して粘着シートに異物粒子１０９を捕捉させてもよい。片方の粘着シートだけを剥がす方法としては、一方の粘着シートのみに外部刺激を与える、あるいは剥離力（剥離温度）の異なる２種類の粘着シートを用いる等の方法がある。
【００４５】  最後に、粘着シート１０６および粘着シート１０７に紫外光を照射して粘着力を低下させた上で、粘着シート１０６をペリクル膜１０１から剥離し、粘着シート１０７をペリクル枠１０２から剥離する（図４Ｄ）。図４Ａから図４Ｄでは、バックエッチング後、ペリクル枠１０２をトリミングしたが、トリミング後にバックエッチングを行う場合、トリミングの際に切断される部分を両面から覆うように粘着シート１０６、１０７を貼り付け、図４Ａから図４Ｄと同様にトリミング後、粘着シート１０６、１０７を剥離した後、ペリクル膜１０１をバックエッチングしてもよい。
【００４６】  本実施形態によれば、従来の機械的に力を加えてトリミングする方法よりも、必要な部分のペリクル枠をトリミングする際に発塵する異物粒子の付着を抑制することができる。すなわち、従来の機械的に力を加えてトリミングする方法では、図７Ａから図７Ｃに示すように、基板４０５を切断する際に、異物粒子４０９が発塵し、ペリクル膜４０１やペリクル枠４０２に付着してしまう。他方、本実施形態によれば、図４Ｃの説明で述べたとおり、異物粒子１０９が粘着シート１０６および１０７に捕捉されるため、異物粒子１０９がペリクル膜１０１に付着することを抑制できるのである。
【００４７】  また、トリミングする方法を改善する方法としては、本実施形態以外にも、例えば、図８Ａから図８Ｃに示すように、ブレードダイシングやレーザアブレーションといった方法で基板をトリミングする方法が考えられる。しかし、これらの方法であっても、基板５０５の切断中に異物粒子５０９が発塵することを避けることができず、異物粒子５０９がペリクル膜５０１やペリクル枠５０２に付着し、ペリクルが汚染されてしまう。
【００４８】  また、その他にも、上述したステルスダイシングを用いる方法が考えられる。この方法によれば、加工対象物であるペリクルの表面に切れ込みが入らないため、内部に改質領域を形成した段階では、異物粒子が発塵することはない。もっとも、図９Ａから図９Ｄに示すように、改質領域を起点として、基板６０５および粘着シート６０７をエキスパンドする（引っ張る）段階で、異物粒子６０９が飛散して発塵する。そのため、ステルスダイシング法によっても、異物粒子６０９がペリクル膜６０１やペリクル枠６０２に付着し、ペリクルが汚染されてしまう。
【００４９】  本実施形態は、上述の他のトリミング方法に比べて、粘着シート１０６、１０７によって、異物粒子が外部に飛散する経路を塞ぐことができるため、異物粒子１０９がペリクル膜１０１やペリクル枠１０２に付着することを抑制できる。
【００５０】［第２実施形態］  第２実施形態では、基板のうちペリクル枠となる部分と基板外周部との間に開口部が予め形成され、ブリッジ部を介して互いに連結されている場合の粘着シートの貼り付け方法について説明する。この例によれば、トリミングのために切れ込みを入れる必要がある部分は、ブリッジ部のみである。
【００５１】  図５Ａ及び図５Ｂは、本発明の第２実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置の上面図であり、図５Ａは粘着シート２０６を除いた状態を、図５Ｂは粘着シート２０６を貼り付けた状態を示す。図５Ｃは、図５Ｂの線分Ｃ―Ｃの断面図である。ペリクル枠２０２の４隅にそれぞれブリッジ部２１０が接続されている。ペリクル枠２０２は、基板外周部２１１との間に開口部２１２があり、ペリクル枠２０２と基板外周部２１１はブリッジ部２１０を介して連結されている。各ブリッジ部２１０の両面および両側面を覆うように粘着シート２０６、２０７が貼られている。粘着シートはブリッジを跨いで開口部に沿って貼り付けてもよく、図５Ｄのように、粘着シート２０７Ａの粘着剤が開口部を埋め込むよう貼り付けてもよい。この例では、２つのブリッジ部２１０に対して１枚の粘着シート２０６で覆っている。
【００５２】  粘着シート２０６、２０７、２０７Ａを貼り付けた後、４隅のブリッジ部分の内部に切れ込みを入れる。このとき、ブリッジ部２１０の延在する方向に垂直な方向（例えば、線分Ｃ−Ｃ）に切れ込みを入れる。その後、粘着シート２０７、２０７Ａおよびブリッジ部２１０をエキスパンドすることによって、ブリッジ部が分離され、ペリクル枠が形成される。その後、粘着シート２０６、２０７、２０７Ａに紫外光を照射して、粘着シート２０６、２０７、２０７Ａを剥離する。これによって、トリミングが終了する。
【００５３】［第３実施形態］  第３実施形態では、基板の構成は、第２実施形態と同じであり、粘着シートの貼り方が異なっている。
【００５４】  図６Ａは、本発明の第３実施形態に係る粘着シートの貼り付け位置の上面図である。図６Ｂは、図６Ａの線分Ｄ−Ｄの断面図である。第２実施形態と同様に、各ブリッジ部２１０の両面および両側面を覆うように粘着シート３０６および３０７が貼られている。一方、この例では、それぞれの１つのブリッジ部２１０に対して１枚の粘着シート３０６および３０７で覆っている。粘着シートはブリッジ２１０を跨いで開口部２１２に沿って貼り付けてもよく、図６Ｃのように、粘着シート３０７Ａの粘着剤が開口部２１２を埋め込むに入り込むよう貼り付けてもよい。分離の方法等は、第２実施形態と同様であるため説明を省略する。
【符号の説明】
【００５５】１：ペリクル付フォトマスク１０：ペリクル１０１、２０１、４０１、５０１、６０１：ペリクル膜１０２、４０２、５０２、６０２：ペリクル枠１０３：枠体１０４：フォトマスク１０５、４０５、５０５、６０５：基板１０６、２０６、３０６：粘着シート１０７、２０７、２０７Ａ、３０７、３０７Ａ、６０７：粘着シート１０８、６０８：切れ込み部１０９、４０９、５０９、６０９：異物粒子２１０：ブリッジ部１１１、２１１：基板外周部２１２：開口部
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【国際調査報告】
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