(57)【要約】  積層された複数の半導体チップ１１及び制御部１２を有する半導体装置であって、各々の半導体チップ１１は、相互に接続可能な複数の信号処理部１７，１８と、相互に接続可能な複数のチップ内信号線１４，１５と、制御部１２からの指示に応じて、複数のチップ内信号線１４，１５間の接続状態を変更可能な接続状態変更部１３と、複数のチップ内信号線１４，１５に各々に接続された複数の非接触通信部１６と、を有し、各々の半導体チップ１１の各々の非接触通信部１６は、他のいずれか１つ以上の半導体チップ１１の非接触通信部１６との間で、積層方向に非接触に通信が可能であり、各々の半導体チップ１１の接続状態変更部１３が、制御部１２からの指示に応じて、複数のチップ内信号線１４，１５間の接続状態を変更することによって、複数の信号処理部１７，１８の間の接続状態が変更される半導体装置。
2017010012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の半導体チップ及び制御部を有する半導体装置であって、
各々の前記半導体チップは、相互に接続可能な複数の信号処理部と、各々の前記信号処理部に接続され、相互に接続可能な複数のチップ内信号線と、前記制御部からの指示に応じて、前記複数のチップ内信号線間の接続状態を変更可能な接続状態変更部と、前記複数のチップ内信号線に各々に接続された複数の非接触通信部と、を有し、
各々の前記半導体チップの各々の前記非接触通信部は、他のいずれか１つ以上の前記半導体チップの前記非接触通信部との間で、積層方向に非接触に通信が可能であり、
各々の前記半導体チップの前記接続状態変更部が、前記制御部からの指示に応じて、前記複数のチップ内信号線間の接続状態を変更することによって、複数の前記信号処理部の間の接続状態が変更される半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接しない前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する少なくとも一方の前記半導体チップの前記非接触通信部とは、積層方向に重ならない請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップにおいて、一部の前記非接触通信部は、積層方向に、前記接続状態変更部及び前記信号処理部のいずれかと重なるように配置されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記非接触通信部は、コイルである請求項１から５のいずれかの請求項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する隣接用非接触通信コイルであり、
前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接しない前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する非隣接用非接触通信コイルであり、
隣接通信用非接触通信コイルによって形成される磁束密度は、非隣接通信用非接触通信コイルによって形成される磁束密度よりも小さい請求項１に記載の半導体スイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触通信部を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、非接触通信部を有する半導体装置が知られている（特許文献１の参照。）。この特許文献１の半導体装置は、２つの集積回路（１０１−１，１０１−２）と、２つの集積回路とは別体であるルータチップ（１０２−１，１０２−２）と、で構成されている。２つの集積回路間の通信は、ルータチップ（１０２−１，１０２−２）に設けられた非接触通信インターフェース回路１１３が使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−６９２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置は、小型化又は集積化が容易な構成であることが望ましい。特許文献１の半導体装置の構成は、集積回路間の通信が、集積回路とは別体であるルータチップで行われる構成である。そのため、特許文献１の半導体装置は、小型化や集積化が容易な構成とはいえない。【０００５】
本発明は、小型化又は集積化が容易な構成の半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明は、積層された複数の半導体チップ及び制御部を有する半導体装置であって、
各々の前記半導体チップは、相互に接続可能な複数の信号処理部と、各々の前記信号処理部に接続され、相互に接続可能な複数のチップ内信号線と、前記制御部からの指示に応じて、前記複数のチップ内信号線間の接続状態を変更可能な接続状態変更部と、前記複数のチップ内信号線に各々に接続された複数の非接触通信部と、を有し、各々の前記半導体チップの各々の前記非接触通信部は、他のいずれか１つ以上の前記半導体チップの前記非接触通信部との間で、積層方向に非接触に通信が可能であり、各々の前記半導体チップの前記接続状態変更部が、前記制御部からの指示に応じて、前記複数のチップ内信号線間の接続状態を変更することによって、複数の前記信号処理部の間の接続状態が変更される半導体装置に関する。【０００７】
（２）前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信してもよい。【０００８】
（３）前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接しない前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信してもよい。【０００９】
（４）前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する少なくとも一方の前記半導体チップの前記非接触通信部とは、積層方向に重ならなくてもよい。【００１０】
（５）前記半導体チップにおいて、一部の前記非接触通信部は、積層方向に、前記接続状態変更部及び前記信号処理部のいずれかと重なるように配置されていてもよい。【００１１】
（６）前記非接触通信部は、コイルであってもよい。【００１２】
（７）前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接する前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する隣接用非接触通信コイルであり、前記半導体チップの１つの前記非接触通信部は、積層方向に隣接しない前記半導体チップの前記非接触通信部であって積層方向に重なる前記非接触通信部と、積層方向に非接触に通信する非隣接用非接触通信コイルであり、  隣接通信用非接触通信コイルによって形成される磁束密度は、非隣接通信用非接触通信コイルによって形成される磁束密度よりも小さくてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、小型化又は集積化が容易な構成の半導体装置を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】は、本発明の実施形態の半導体装置の構成を説明するための概略断面図である。
【図２】は、本発明の実施形態の半導体装置の構成を説明するための分解斜視図である。
【図３】は、本発明の実施形態の半導体チップの内部透過斜視図である。
【図４】は、本発明の実施形態の半導体装置における非接触通信を説明するための概略断面図である。
【図５】は、本発明の実施形態の半導体装置における非接触通信を説明するための分解斜視図であり、（Ａ）はすべての半導体チップ間で非接触通信を行われている様子を示す図、（Ｂ）は積層方向に隣接する半導体チップ間で非接触通信を行われている様子を示す図、（Ｃ）は積層方向に隣接しない半導体チップ間で非接触通信が行われている様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態の半導体装置の構成を説明するための概略断面図である。図２は、本発明の実施形態の半導体装置の構成を説明するための分解斜視図である。
【００１６】
以下の説明において、「非接触に通信を行う」とは、通信を行う一方の通信部と、通信を行う他方の通信部とが、互いに接触せず、且つ導電性部材（半田、導電性接着剤、ワイヤ等のいずれか１つ以上）を介さずに通信を行うことを意味する。また、「接触して通信を行う」とは、通信を行う一方の通信部と、通信を行う通信部とが、互いに接触して通信を行うか、又は導電性部材（半田、導電性接着剤、ワイヤ等のいずれか１つ以上）を介して通信を行うことを意味する。また、通信部とは、送信及び受信を行う部分、送信のみを部分、及び、受信のみを部分を含む概念である。
【００１７】
図１に示されるように、半導体装置１は、５つ（複数）の半導体チップ１１と、制御部としての制御チップ１２と、を備える。５つ（複数）の半導体チップ１１は、第１半導体チップ１１−１、第２半導体チップ１１−２、第３半導体チップ１１−３、第４半導体チップ１１−４及び第５半導体チップ１１−５で構成されている。第１半導体チップ１１−１〜第５半導体チップ１１−５は、フュージョンボンディングで互いに接合されることによって、積層されている。また、第５半導体チップ１１−５の上には、制御チップ１２がフュージョンボンディングで接合されることによって、積層されている。
【００１８】
図１及び図２に示されるように、第１半導体チップ１１−１は、接続状態変更部としての第１スイッチ回路１３−１と、チップ内信号線としての第１入力側信号線１４−１と、チップ内信号線としての第１出力側信号線１５−１と、非接触通信部としての第１非接触通信コイル１６−１と、信号処理部としての演算部１７−１と、信号処理部としてのメモリ部１８−１と、を有する。同様に、第２半導体チップ１１−２〜第５半導体チップ１１−５は、第２スイッチ回路１３−２〜第５スイッチ回路１３−５（接続状態変更部）と、第２入力側信号線１４−２〜第５入力側信号線１４−５（チップ内信号線）と、第２出力側信号線１５−２〜第５出力側信号線１５−５（チップ内信号線）と、第２非接触通信コイル１６−２〜第５非接触通信コイル１６−５（非接触通信部）と、第２演算部１７−２〜第５演算部１７−５（信号処理部）と、第２メモリ部１８−２〜第５メモリ部（信号処理部）と、を各々有する。このように、半導体チップ１１は、スイッチ回路１３と、入力側信号線１４と、出力側信号線１５と、非接触通信コイル１６と、演算部１７と、メモリ部１８と、を有している。
【００１９】
演算部１７は、複数の演算処理装置（不図示）で構成されている。各々の演算処理装置は、例えば、プロセッサである。メモリ部１８は、複数のメモリ装置（不図示）で構成されている。複数のメモリ装置は、例えば、各々キャッシュメモリである。
【００２０】
半導体装置１は、電気機器等の内部に設けられる回路基板（不図示）の端子に電気的に接続されることによって、電子機器等において、所定の機能を発揮する。例えば、半導体装置１は、複数のプロセッサと、これらプロセッサに対応するキャッシュメモリ等を備えたマルチコアプロセッサであり得る。マルチコアプロセッサは、例えば、ＭＩＭＤ型のマルチコアプロセッサであり得る。
【００２１】
図２に示されるように、第１半導体チップ１１−１において、第１入力側信号線１４−１は、５つ（複数）設けられている。５つの第１入力側信号線１４−１の一端は、それぞれ第１スイッチ回路１３−１に接続されている。５つの第１入力側信号線１４−１の他端は、それぞれ第１演算部１７−１に接続されている。
【００２２】
同様に、第２半導体チップ１１−２〜第５半導体チップ１１−５において、第２入力側信号線１４−２〜第５入力側信号線１４−５の一端は、各々第２スイッチ回路１３−２〜第５スイッチ回路１３−５に接続されている。また、第２入力側信号線１４−２〜第５入力側信号線１４−５の他端は、各々第２演算部１７−２〜第５演算部１７−５に接続されている。
【００２３】
第１半導体チップ１１−１において、第１出力側信号線１５−１は、５つ（複数）設けられている。５つの第１出力側信号線１５−１の一端は、それぞれ第１スイッチ回路１３−１に接続されている。５つの第１出力側信号線１５−１の他端は、それぞれ第１メモリ部１８−１に接続されている。
【００２４】
同様に、第２半導体チップ１１−２〜第５半導体チップ１１−５において、第２出力側信号線１５−２〜第５出力側信号線１５−５の一端は、各々第２スイッチ回路１３−２〜第５スイッチ回路１３−５に接続されている。第２出力側信号線１５−２〜第５出力側信号線１５−５の他端は、各々第２演算部１７−２〜第５演算部１７−５に接続されている。
【００２５】
図２に示されるように、第１半導体チップ１１−１〜第５半導体チップ１１−５において、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、各々１０個（複数個）ずつ設けられている。なお、図２において、制御チップ１２の図示は省略されている。各々の第１非接触通信コイル１６−１は、第１入力側信号線１４−１又は第１出力側信号線１５−１のいずれかに接続される。各々の第２非接触通信コイル１６−２は、第２入力側信号線１４−２又は第２出力側信号線１５−２のいずれかに接続される。各々の第３非接触通信コイル１６−３は、第３入力側信号線１４−３又は第１出力側信号線１５−３のいずれかに接続される。各々の第４非接触通信コイル１６−４は、第４入力側信号線１４−４又は第４出力側信号線１５−４のいずれかに接続される。各々の第５非接触通信コイル１６−５は、第５入力側信号線１４−５又は第５出力側信号線１５−５のいずれかに接続される。
【００２６】
図２に示されるように、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、積層方向Ｘで重なるように配置されている。第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、積層方向Ｘで重なるコイル同士で非接触に通信可能である。例えば、第１非接触通信コイル１６−１は、図１及び図２の点線矢印Ｙで示されるように、積層方向Ｘで重なる第２非接触通信コイル１６−２と非接触に通信可能である。同様に、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、点線矢印Ｙで示されるように、互いにと非接触に通信可能である。別の観点では、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、各々のコイル間に生じる誘導結合によって、積層方向Ｘに重なる方向に、相互に非接触に通信可能である。
【００２７】
図１に示されるように、制御チップ１２は、第１スイッチ回路１３−１〜第５スイッチ回路１３−５に指示としての指示信号（図１における一点鎖線）Ｒを出力する。第１スイッチ回路１３−１は、制御チップ１２からの指示信号Ｒに基づいて、第１入力側信号線１４−１と第１出力側信号線１５−１との接続状態を変更する。よって、各々の第１入力側信号線１４−１から入力される信号は、第１スイッチ回路１３−１を介して、いずれの第１出力側信号線１５−１からも出力可能である。第２スイッチ回路１３−２〜第５スイッチ回路１３−５も、制御チップ１２からの指示信号Ｒに基づいて、同様の動作を行う。よって、各々の第２入力側信号線１４−２から入力される信号は、第２スイッチ回路１３−２を介して、いずれの第２出力側信号線１５−２からも出力可能である。各々の第３入力側信号線１４−３から入力される信号は、第３スイッチ回路１３−３を介して、いずれの第３出力側信号線１５−３からも出力可能である。各々の第４入力側信号線１４−４から入力される信号は、第４スイッチ回路１３−４を介して、いずれの第４出力側信号線１５−４からも出力可能である。各々の第１入力側信号線１４−５から入力される信号は、第５スイッチ回路１３−５を介して、いずれの第５出力側信号線１５−５からも出力可能である。
【００２８】
次に、半導体装置１の動作について、図１及び図２を参照しながら説明する。ここでは、第１演算部１７−１から第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１が、第５メモリ部１８−５に出力される場合についての動作の一例を説明する。
【００２９】
第１演算部１７−１から第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、第１入力側信号線１４−１、第１非接触通信コイル１６−１、第２非接触通信コイル１６−２、第３非接触通信コイル１６−３、第４非接触通信コイル１６−４、第５非接触通信コイル１６−５及び第５入力側信号線１４−５を介して、第５スイッチ回路１３−５に入力される。
【００３０】
第５スイッチ回路１３−５は、制御チップ１２からの指示信号Ｒに応じて、信号Ｓ１が入力された第５入力側信号線１４−５と第５出力側信号線１５−５とが接続されるように接続状態を変更する。その結果、信号Ｓ１は、第５出力側信号線１５−５を介して第５メモリ部１８−５に出力される。
【００３１】
他にも、第１演算部１７−１から第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、次のような経路を介して、第５メモリ部１８−５に出力され得る。例えば、第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、第１半導体チップ１１−１において、第１スイッチ回路１３−１を介して、第１出力側信号線１５−１に出力された後、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５を介して、第５メモリ部１８−５に出力され得る。他にも、第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、第１非接触通信コイル１６−１、第２非接触通信コイル１６−２及び第２スイッチ回路１３−２を介して、第２出力側信号線１５−２に出力された後、第３非接触通信コイル１６−３〜第５非接触通信コイル１６−５を介して、第５メモリ部１８−５に出力され得る。
【００３２】
ここで説明した以外にも、第１演算部１７−１から第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、様々な経路（スイッチ回路１３、入力側信号線１４、出力側信号線１５、非接触通信コイル１６等で構成される経路）を介して、第５メモリ部１８−５に出力され得る。また、第１入力側信号線１４−１に入力された信号Ｓ１は、様々な経路を介して、第１メモリ部１８−１〜第４メモリ部１８−４のいずれにも出力され得る。同様に、第２演算部１７−２〜第５演算部１７−５から入力された信号は、様々な経路を介して、第１メモリ部１８−１〜第５メモリ部１８−５のいずれからにも出力され得る。
【００３３】
このように、第１演算部１７−１〜第５演算部１７−５からの信号と第１メモリ部１８−１〜第５メモリ部１８−５との接続状態は、第１スイッチ回路１３−１〜第５スイッチ回路１３−５によって変更される。そのため、半導体装置１は、複数の演算部（第１演算部１７−１〜第５演算部１７−５）と、メモリ部（第１メモリ部１８−１〜第５メモリ部１８−５）と、を効率的に連携させることによって、多様な機能や処理速度の向上等を実現する半導体装置となり得る。
【００３４】
図２におけるスイッチ回路１３、非接触通信コイル１６、演算部１７及びメモリ部１８の位置、数、形状等は、後述する図３や図４におけるものと異なる。図２は、半導体チップ１１間での通信の説明を容易にするために、簡略化された図であり、実際のスイッチ回路１３、非接触通信コイル１６、演算部１７及びメモリ部１８の位置、数、形状等を表わすための図ではないからである。
【００３５】
次に、半導体チップ１１（第１半導体チップ１１−１〜第５半導体チップ１１−５）の構造について、図３及び図４を参照しながら説明する。
【００３６】
図３に示されるように、半導体チップ１１は、半導体基板部１１Ａと、絶縁層部１１Ｂと、で構成される。半導体基板部１１Ａの上には、スイッチ回路１３、演算部１７及びメモリ部１８が形成されている。絶縁層部１１Ｂは、半導体基板部１１Ａ、スイッチ回路１３、演算部１７及びメモリ部１８を覆うように、半導体基板部１１Ａ上に積層（配置）されている。絶縁層部１１Ｂの内部には、非接触通信部としての非接触通信コイル１６が複数形成されている。各々の非接触通信コイル１６は、絶縁層部１１Ｂの内部において、入力側信号線１４（不図示。）又は出力側信号線１５（不図示。）に接続されている。複数の非接触通信コイル１６の一部は、積層方向Ｘで、スイッチ回路１３と重なるように配置されている。そのため、非接触通信コイル１６を配置するために必要な領域の面積が削減され得る。
【００３７】
半導体基板部１１Ａは、シリコンを材料とする基板である。絶縁層部１１Ｂは、酸化シリコンである。半導体チップ１１は、半導体基板部１１Ａにおける絶縁層部１１Ｂが積層（配置）されていない半導体基板部主面１１Ａ１と、絶縁層部１１Ｂの表面である絶縁層部主面１１Ｂ１と、を有する。５つの半導体チップ１１は、１つの半導体チップ１１の半導体基板部主面１１Ａ１と、積層方向に隣接する他の半導体チップ１１の絶縁層部主面１１Ｂ１とが、フュージョンボンディングで接合されることによって、積層される。このように、５つの半導体チップ１１は、直接接合され、互いに隙間無く積層される。
【００３８】
なお、半導体装置１は、電気機器等の内部に設けられる回路基板（不図示）の端子に電気的に接続される信号端子（不図示）を備える。これらの信号端子は、例えば、第１半導体チップ１１−１の半導体基板部主面１１Ａ１や制御チップ１２の表面に設けられていてもよい。この場合、例えば、信号端子は、第１スイッチ回路１３−１〜第５スイッチ回路１３−５と、それぞれ貫通電極又は非接触通信コイルを介して接続される。また、信号端子は、例えば、第５半導体チップ１１−５の絶縁層部主面１１Ｂ１に設けられていてもよい。この場合、例えば、信号端子は、第１スイッチ回路１３−１〜第５スイッチ回路１３−５と、それぞれ貫通電極又は非接触通信コイルを介して接続される。また、制御チップ１２は、第５半導体チップ１１−５の絶縁層部主面１１Ｂ１以外の部分（例えば、第１半導体チップ１１−１の半導体基板部主面１１Ａ１）に配置される。また、信号端子は、例えば、半導体装置１の側面に設けられていてもよい。また、信号端子の一部は、非接触に通信を行う端子（例えば、非接触通信コイル）であってもよい。例えば、半導体装置１の側面に設けられた信号端子は、非接触に通信を行う端子（例えば、非接触通信コイル）とされ、半導体装置１の側面以外に設けられた信号端子は、接触して通信を行う端子とされてもよい。
【００３９】
半導体基板部１１Ａ及び絶縁層部１１Ｂを合わせた厚さは、例えば、２μｍ〜２５μｍである。このように、各々の半導体チップ１１は、極薄化されているため、例えば１２８層積層されたとしても、２５６μｍ〜３２００μｍ程度の厚さに過ぎない。よって、半導体チップ１１は、半導体装置１の小型化や集積化を容易にする。
【００４０】
入力側信号線１４（不図示。）、出力側信号線１５（不図示。）及び非接触通信コイル１６は、銅やアルミニウム等で形成されている。各々の非接触通信コイル１６の大きさは同じであり、例えば、５μｍ〜１００μｍである。そのため、１つの半導体チップ１１において、多数の非接触通信コイル１６が配置され得る。よって、半導体チップ１１は、半導体装置１の小型化や集積化を容易にする。
【００４１】
入力側信号線１４、出力側信号線１５及び非接触通信コイル１６は、公知の配線形成技術（ダマシン法を用いた配線形成技術、スパッタ及びエッチングを用いた配線形成技術等）によって、形成され得る。そのため、後工程におけるチップ間の接続のための配線形成行程は、簡略化され得る。
【００４２】
上述したように、非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘで、スイッチ回路１３、演算部１７及びメモリ部１８の少なくとも１つと重なるように配置されている。そのため、第１半導体チップ１１−１〜第５半導体チップ１１−５は、対向する非接触通信コイル１６を介して、互いに通信を行う。
【００４３】
図４の点線矢印Ｙで示されるように、対向する非接触通信コイル１６を介する通信の少なくとも一部は、半導体基板部１１Ａ、スイッチ回路１３、演算部１７、メモリ部１８及び絶縁層部１１Ｂを介して行われることになる。このような通信は、非接触通信コイル１６による通信特有のものであり、ＴＳＶでは実現不可能なものである。
【００４４】
ここまでの説明は、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、積層方向Ｘで重なるように配置されている態様に関する説明であった。この態様においては、各々の半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、他のすべての半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と、積層方向Ｘで非接触に通信可能である。
【００４５】
しかし、非接触通信コイル１６の通信には、様々な態様が存在する。様々な態様について、図５を参照しながら説明する。図５は、本発明の実施形態の半導体装置における非接触通信を説明するための分解斜視図であり、（Ａ）はすべての半導体チップ間で非接触通信を行われている様子を示す図、（Ｂ）は積層方向に隣接する半導体チップ間で非接触通信を行われている様子を示す図、（Ｃ）は積層方向に隣接しない半導体チップ間で非接触通信が行われている様子を示す図である。
【００４６】
図５（Ａ）に示されるように、半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、他のすべての半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と非接触に通信可能に配置され得る。この配置は、これまでの説明における配置と同じ配置である。この配置においては、すべての半導体チップ１１における非接触通信コイル１６の１つは、積層方向Ｘにおいて、互いに重なるように配置される。図５（Ａ）における非接触通信コイル１６は、積層方向に隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６であって、積層方向に重なる非接触通信コイルと積層方向に非接触に通信するものである。この様な非接触通信コイル１６は、隣接用非接触通信コイルと称されることがある。
【００４７】
図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示されるように、半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、他の一部の半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と非接触に通信可能に配置され得る。この配置においては、一部の半導体チップ１１における非接触通信コイル１６の少なくとも１つの非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘにおいて、互いに重なるように配置されており、一部の半導体チップ１１とは異なる他の半導体チップ１１における非接触通信コイル１６とは重ならないように配置される。
【００４８】
図５（Ｂ）に示される態様では、半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに隣接する他の半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と、非接触に通信可能である。隣接しない半導体チップ１１の非接触通信コイル１６同士は、非接触に通信可能でない。互いに隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに延びる領域（Ｂ１，Ｂ２）において、重なるように配置されている。そして、互いに隣接しない半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに延びる領域（Ｂ１，Ｂ２）において、重なるように配置されていない。
【００４９】
例えば、図５（Ｂ）において、第３半導体チップ１１−３は、第２半導体チップ１１−２及び第４半導体チップ１１−４と積層方向Ｘに隣接している。そして、第３半導体チップ１１−３の非接触通信コイル１６−３は、第２半導体チップ１１−２の非接触通信コイル１６−２及び第４半導体チップ１１−４の非接触通信コイル１６−４と、積層方向Ｘに延びる領域Ｂ１（二点鎖線）において、重なるように配置されている。よって、第３半導体チップ１１−３の非接触通信コイル１６−３は、第２半導体チップ１１−２の非接触通信コイル１６−２及び第４半導体チップ１１−４の非接触通信コイル１６−４と、領域Ｂ１において、積層方向Ｘに非接触に通信可能である。
【００５０】
一方、第３半導体チップ１１−３は、第１半導体チップ１１−１及び第５半導体チップ１１−５とは隣接していない。そして、第１半導体チップ１１−１の第１非接触通信コイル１６−１及び第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５は、第３半導体チップ１１−３の非接触通信コイル１６−３と、領域Ｂ１において、重なるように配置されていない。よって、第３半導体チップ１１−３の非接触通信コイル１６−３は、第１半導体チップ１１−１の第１非接触通信コイル１６−１及び第５半導体チップ１１−５の第非接触通信コイル１６−５と、領域Ｂ１において、積層方向Ｘに非接触に通信不可能である。
【００５１】
例えば、図５（Ｂ）において、第２半導体チップ１１−２は、第１半導体チップ１１−１と積層方向Ｘに隣接している。そして、第２半導体チップ１１−２の非接触通信コイル１６−２は、第１半導体チップ１１−１の非接触通信コイル１６−１の第１非接触通信コイル１６−１と、積層方向Ｘに延びる領域Ｂ２（二点鎖線）において、重なるように配置されている。よって、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２は、第１半導体チップ１１−１の第１非接触通信コイル１６−１と、領域Ｂ２において、積層方向Ｘに非接触に通信可能である。
【００５２】
一方、第２半導体チップ１１−２は、第４半導体チップ１１−４及び第５半導体チップ１１−５とは隣接していない。そして、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４及び第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５は、第２半導体チップ１１−２の非接触通信コイル１６−２と、領域Ｂ２において、重なるように配置されていない。よって、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２は、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４及び第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５と、領域Ｂ２において、積層方向Ｘに非接触に通信不可能である。
【００５３】
なお、第３半導体チップ１１−３は、第２半導体チップ１１−２と隣接する。そのため、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３は、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２と、領域Ｂ２において、重なるように配置されていてもよいが、図５（Ｂ）に示されるように配置されていなくてもよい。
【００５４】
また、図５（Ｂ）における非接触通信コイル１６は、積層方向に隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６であって積層方向に重なる非接触通信コイルと、積層方向に非接触に通信するものである。この様な非接触通信コイル１６は、隣接用非接触通信コイルと称されることがある。
【００５５】
図５（Ｃ）に示される態様では、半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに隣接しない他の半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と、隣接する他の半導体チップ１１を介して、非接触に通信可能である。隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６同士は、非接触に通信可能でないように配置されている。互いに隣接しない半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに延びる領域（Ｃ１，Ｃ２、二点鎖線）において、重なるように配置されている。そして、互いに隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６は、積層方向Ｘに延びる領域（Ｃ１，Ｃ２）において、重なるように配置されていない。
【００５６】
例えば、図５（Ｃ）において、第３半導体チップ１１−３は、第１半導体チップ１１−１及び第５半導体チップ１１−５とは隣接していない。そして、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３は、第１半導体チップ１１−１の第１非接触通信コイル１６−１及び第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５と、積層方向Ｘに延びる領域Ｃ１（二点鎖線）において、重なるように配置されている。よって、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３は、第１半導体チップ１１−１の第１非接触通信コイル１６−１及び第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５と、領域Ｃ１において、積層方向Ｘに非接触に通信可能である。
【００５７】
一方、第３半導体チップ１１−３は、第２半導体チップ１１−２及び第４半導体チップ１１−４と積層方向に隣接している。そして、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２及び第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４は、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３と、領域Ｃ１において、重なるように配置されていない。よって、第３半導体チップ１１−３の非接触通信コイル１６−３は、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２及び第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４と、領域Ｃ１において、積層方向Ｘに非接触に通信不可能である。
【００５８】
例えば、図５（Ｃ）において、第４半導体チップ１１−４は、第２半導体チップ１１−２と積層方向に隣接していない。そして、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４は、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２と、積層方向Ｘに延びる領域Ｃ２（二点鎖線）において、重なるように配置されている。よって、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４は、第２半導体チップ１１−２の第２非接触通信コイル１６−２と、領域Ｃ２において、積層方向Ｘに非接触に通信可能である。
【００５９】
一方、第４半導体チップ１１−４は、第３半導体チップ１１−３とは隣接している。そして、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４は、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３と、積層方向Ｘに延びる領域Ｃ２において、重なるように配置されていない。よって、第４半導体チップ１１−４は、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３と、領域Ｃ２において、重なるように配置されていない。よって、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４は、第３半導体チップ１１−３の第３非接触通信コイル１６−３と、領域Ｃ２において、積層方向Ｘに非接触に通信不可能である。
【００６０】
なお、第１半導体チップ１１−１は、第４半導体チップ１１−４と隣接しない。そのため、第１半導体チップ１１−１の第３非接触通信コイル１６−３は、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４と、領域Ｃ２において、重なるように配置されていてもよいが、図５（Ｃ）に示されるように配置されていなくてもよい。また、第５半導体チップ１１−５は、第４半導体チップ１１−４と隣接する。そのため、第５半導体チップ１１−５の第５非接触通信コイル１６−５は、第４半導体チップ１１−４の第４非接触通信コイル１６−４と、領域Ｃ２において、重ならないように配置されていてもよいが、図５（Ｃ）に示されるように配置されていてもよい。
【００６１】
また、図５（Ｃ）における非接触通信コイル１６は、積層方向に隣接しない半導体チップ１１の非接触通信コイル１６であって積層方向Ｘに重なる非接触通信コイルと、積層方向Ｘに非接触に通信するものである。このような非接触通信コイル１６は、非隣接用非接触通信コイルと称されることがある。
【００６２】
なお、図５（Ｂ）の第２非接触通信コイル１６−２及び第４非接触通信コイル１６−４は、隣接用非接触通信コイルであると共に、非隣接用非接触通信コイルでもある。図５（Ｃ）における非接触通信コイル１６−４は、非隣接用非接触通信コイルであると共に、隣接用非接触通信コイルでもある。
【００６３】
非接触通信コイル１６の配置は、図５（Ａ）〜図５（Ｃ）で示された配置が混在していることがあり得る。すなわち、積層方向Ｘに延びる特定領域の非接触通信コイル１６は、当該特定領域において、すべての半導体チップ１１の非接触通信コイル１６と通信可能であり、積層方向Ｘに延びる別の特定領域の非接触通信コイル１６は、隣接する半導体チップ１１の非接触通信コイル１６とだけ通信可能であり、積層方向Ｘに延びる更に別の特定領域の非接触通信コイル１６は、隣接しない半導体チップ１１の非接触通信コイル１６とだけ通信可能であってもよい。
【００６４】
また、図５（Ａ）における第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５は、それぞれ隣接用非接触通信コイルとして説明された。しかし、第１非接触通信コイル１６−１〜第５非接触通信コイル１６−５の一部又は全部は、それぞれ隣接用非接触通信コイルであると共に、非隣接用非接触通信コイルであってもよい。例えば、第１非接触通信コイル１６−１は、第２非接触通信コイル１６−２と非接触に通信可能（すなわち、隣接用非接触通信コイル）であると共に、第３非接触通信コイル１６−３〜第５非接触通信コイル１６−５とも非接触に通信可能（すなわち、非隣接用非接触通信コイル）であってもよい。
【００６５】
なお、図１〜図５は、本発明の構成や動作の理解を容易にするために簡略化された図面である。半導体チップ１１の積層数、スイッチ回路１３の数、入力側信号線１４、出力側信号線１５及び非接触通信コイル１６の数、信号入力端子２０及び信号出力端子３０の数等は、様々に変更され得るものであり、図１〜図５は、本発明を限定するものではない。
【００６６】
以上の構成を有する実施形態の半導体装置１によれば、以下の効果が奏される。
半導体装置１は、積層された複数の半導体チップ１１及び制御チップ１２を有する半導体装置であって、各々の半導体チップ１１は、相互に接続可能な演算部１７及びメモリ部１８（複数の信号処理部）と、演算部１７及びメモリ部１８に接続され、相互に接続可能な複数の入力側信号線１４及び複数の出力側信号線１５（複数のチップ内信号線）と、制御チップ１２からの指示信号Ｒに応じて、複数の入力側信号線１４及び複数の出力側信号線１５間の接続状態を変更可能なスイッチ回路１３と、複数の入力側信号線１４及び複数の出力側信号線１５に各々に接続された複数の非接触通信コイル１６と、を有し、各々の半導体チップ１１の各々の非接触通信コイル１６は、他のいずれか１つ以上の半導体チップ１１の非接触通信コイル１６との間で、積層方向に非接触に通信が可能であり、各々の半導体チップ１１のスイッチ回路１３が、制御チップ１２からの指示信号Ｒに応じて、複数の入力側信号線１４及び複数の出力側信号線１５間の接続状態を変更することによって、演算部１７とメモリ部１８間の接続状態が変更される。
【００６７】
そのため、半導体装置１は、小型化や集積化を容易にする構成の半導体装置を実現可能である。
【００６８】
また、半導体チップ１１の１つの非接触通信コイル１６（例えば、図５（Ａ）や図５（Ｂ）に示される非接触通信コイル１６）は、積層方向に隣接する半導体チップの非接触通信コイル１６であって積層方向に重なる非接触通信コイル１６と、積層方向に非接触に通信する。
【００６９】
また、半導体チップ１１（例えば、図５（Ｃ）の第３半導体チップ１１）の１つの非接触通信コイル１６（例えば、図５（Ｃ）の第３非接触通信コイル１６−３）は、積層方向に隣接しない半導体チップ１１（例えば、図５（Ｃ）の第１半導体チップ１１−１及び第５半導体チップ１１−５）の非接触通信コイル１６であって積層方向に重なる非接触通信コイル１６（例えば、図５（Ｃ）の第１非接触通信コイル１６−１及び第５非接触通信コイル１６−５）と、積層方向Ｘに非接触に通信する
【００７０】
更に、半導体チップ１１（例えば、図５（Ｃ）の第３半導体チップ１１）の１つの非接触通信コイル１６（例えば、図５（Ｃ）の第３非接触通信コイル１６−３）は、積層方向に隣接する少なくとも一方の半導体チップ１１（例えば、図５（Ｃ）の第２半導体チップ１１−２及び第４半導体チップ１１−４の少なくとも一方）の非接触通信コイル１６（例えば、図５（Ｃ）の第２非接触通信コイル１６−２及び第４非接触通信コイル１６−４）とは、積層方向に重ならない。
【００７１】
また、半導体チップ１１において、一部の非接触通信コイルは、積層方向Ｘに、スイッチ回路１３、演算部１７及びメモリ部１８のいずれかと重なるように配置されている。
【００７２】
このように、各半導体チップ１１において、非接触通信コイル１６は、様々な態様に配置され得る。よって、半導体装置１は、小型化や集積化を容易にする構成の半導体装置を実現可能である。
【００７３】
以上、本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、この実施形態に限定されることはなく、特許請求の範囲に記載されて技術的範囲において、種々に変形可能である。
【００７４】
本実施形態において、非接触な信号の送受信は、コイル間の誘導結合が利用されていたが、これに限定されない。非接触な信号の送受信は、コイル間の磁気共鳴が利用されていてもよい。また、非接触な信号の送受信は、コイルが使用されないものであってもよく、例えば、光信号や音波信号が利用されていてもよい。
【００７５】
また、本実施形態において、各々の非接触通信コイル１６の特性の違いについては、説明されなかったが、各々の非接触通信コイル１６の特性は、同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００７６】
例えば、隣接用非接触通信コイルによって形成される磁束密度は、非隣接通信用非接触通信コイルによって形成される磁束密度よりも小さくされ得る。例えば、隣接用非接触通信コイルの大きさは、非隣接通信用非接触通信コイルの大きさよりも小さくされ得る。例えば、非隣接通信用非接触通信コイルの巻き数（例えば、巻き数２）は、隣接用非接触通信コイルの巻き数（例えば、巻き数１）より大きくされてもよい。また、隣接用非接触通信コイルの中心付近には、絶縁層部１１Ｂの材料よりも透磁率が高い材料（例えば、フェライト、フェライトが混入された酸化シリコンや窒化シリコン等）が配置され、隣接用非接触通信コイルの中心付近には絶縁層部１１Ｂの材料よりも透磁率が高い材料が配置されないようにしてもよい。隣接用非接触通信コイルは、誘導結合のための出力を相対的に小さくできるのに対し、非隣接通信用非接触通信コイルは、誘導のための出力が相対的に大きくする必要があるためである。
【００７７】
また、本実施形態においては、非接触通信コイル１６は、常にアクティブな状態であるように説明されていたが、これに限定されない。各々の非接触通信コイル１６には、各々の非接触通信コイル１６の状態（アクティブ／非アクティブ）を変更するための状態変更回路が接続されていてもよい。状態変更回路は、使用される非接触通信コイル１６をアクティブにし、使用されない非接触通信コイル１６を非アクティブにする。状態変更回路が非接触通信コイル１６をアクティブにすると、非接触通信コイル１６は、送信及び受信が可能な状態となる。状態変更回路が非接触通信コイル１６を非アクティブにすると、非接触通信コイル１６は、送信及び受信が不可能な状態となる。本実施形態では、スイッチ回路１３が接続状態変更部として使用されていたが、スイッチ回路１３及び状態変更回路が接続状態変更部として使用されてもよい。この場合、制御チップ１２は、スイッチ回路１３及び状態変更回路を制御する。
【００７８】
また、図５（Ｂ）の態様において、領域Ｂ１における第２非接触通信コイル１６−２〜第４非接触通信コイル１６−４は、第１半導体チップ１１−１や第５半導体チップ１１−５とも通信可能なようにされ得る。例えば、第２半導体チップ１１−２〜第４半導体チップ１１−４内のいずれか１つ以上において、配線によって接続された他の領域の非接触通信コイルを介して、第１半導体チップ１１−１や第５半導体チップ１１−５とも通信可能とされ得る。図５（Ｂ）の領域Ｂ２、図５（Ｃ）の領域Ｃ１及びＣ２の非接触通信コイル１６についても同様である。
【００７９】
また、本実施形態においては、非接触通信コイル１６の一部は、積層方向Ｘで、スイッチ回路１３、演算部１７又はメモリ部１８と重なるように配置されていたが、これに限定されない。すべての非接触通信コイル１６は、スイッチ回路１３、演算部１７又はメモリ部１８に重ならないように配置されていてもよい。
【００８０】
また、本実施形態においては、演算部１７及びメモリ部１８は、各半導体チップ１１に１つずつ設けられていたが、これに限定されない。演算部１７の数及びメモリ部１８の数は、１つ以外の数であってもよい。すなわち、信号処理部（演算部１７及びメモリ部１８）は、各半導体チップ１１に２つずつ設けられていたが、３つ以上ずつ設けられていてもよい。
【００８１】
また、本実施形態において、半導体基板部１１Ａは、シリコンを材料とする基板であったが、これに限定されない。シリコン以外の半導体材料（例えば、ＧａＡｓ等の化合物半導体）で形成されていてもよい。
【００８２】
また、本実施形態において、絶縁層部１１Ｂは、酸化シリコンであったが、これに限定されない。酸化シリコン以外の絶縁材料（例えば、窒化シリコン等）であってもよく、また２種類以上の絶縁材料が積層されたものであってもよい。
【００８３】
また、本実施形態において、接合の手法は、フュージョンボンディングが使用されていたが、これに限定されない。例えば、接合の手法は、接着剤を使用した手法であってもよいし、表面活性化常温接合の手法等であってもよい。
【００８４】
また、本実施形態において、半導体装置１は、例えば、ＭＩＭＤ型マルチコアプロセッサであるとされたが、これに限定されない。半導体装置１は、特定の信号処理機能を有する半導体素子に限定されることはなく、ロジックＩＣ、ＣＰＵ、メモリ、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ等の信号処理機能を有する半導体装置であり得る。この場合、半導体装置１は、ロジックＩＣ、ＣＰＵ、メモリ、ＤＳＰ、ＦＰＧＡ等に応じた信号処理部を有することになる。
【００８５】
よって、本実施形態においては、信号処理部としての演算部１７は、複数のプロセッサで構成されていたが、これに限定されない。信号処理部としての演算部１７は、信号を処理する機能を有するものであればよく、プロセッサに限定されない。また、本実施形態においては、信号処理部としてのメモリ部１８は、複数のキャッシュメモリで構成されていたが、これに限定されない。信号処理部としてのメモリ部１８は、信号を処理する機能を有するものであれば良く、キャッシュメモリに限定されない。
【００８６】
また、半導体装置１は、大脳機能や小脳機能を有するＭＩＭＤ型マルチコアプロセッサとして使用され得る。例えば、大脳や小脳は、極めて多くの神経細胞及びシナプス接続で構成される。例えば、大脳は、１００〜２００億個の神経細胞と、総計１００〜２００兆個ものシナプス接続で構成される。通常のマルチコアプロセッサによって大脳機能や小脳機能を実現させようとすると、ＴＳＶ等による占有面積の制約によって、極めて大規模なものになってしまう。しかし、本発明の半導体装置１は、各々の半導体チップ１１は薄く、また、各々の非接触通信コイル１６は、ＴＳＶ等に比べて、占有面積が小さくされ得る。そのため、本発明の半導体装置１は、大脳機能や小脳機能を有するＭＩＭＤ型マルチコアプロセッサを小型化し得る。
【００８７】
例えば、半導体装置１と同様に、非接触通信を使用した半導体スイッチチップが使用された場合、システム全体が一挙に小型になる上、伝送遅延や消費電力、製造コストも大幅に削減され得る。非接触通信部に使う個々のコイルがクロスバースイッチの接点に相当すると考えると、限られた体積の中で極めて多くの接点を形成できる。例えば厚さ５μmで１０mm角の半導体を１２８層積層すれば、厚さ６４０μmで１億個以上もの接点ができる計算である。
【００８８】
こうした半導体スイッチチップで多数の接続を実現できると、人の脳に近い構成のコンピューターの構築が視野に入る。脳の演算素子といえる神経細胞（ニューロン）は、１細胞当たり１０００ほどの接点（シナプス）で他の神経細胞と接続しており、脳全体で１００兆〜２００兆もあるシナプス接続が人の知性を担うとも言われる。既存のスイッチ技術ではこれだけの接続は不可能だが、非接触通信部を活用すればその実現可能性が出てくる。
【００８９】
例えば、半導体装置１、半導体スイッチチップ等が使用されることによって、人の小脳に相当する機能が実現され得る。小脳は感覚器官からの入力を基に滑らかな運動や姿勢保持を実現するといった役割を果たしている。よって、半導体装置１、半導体スイッチチップ等は、ロボットやアシストスーツ、ドローンなどに適用され得る。また、半導体装置１によるＭＩＭＤ型メニーコアプロセッサー、半導体スイッチチップ等は、人工知能にも適用され得る。
【符号の説明】
【００９０】
１    半導体装置
１１  半導体チップ
１１Ａ  半導体基板部
１１Ａ１  半導体基板部主面
１１Ｂ  絶縁層部
１１Ｂ１  絶縁層部主面
１１−１  第１半導体チップ
１１−２  第２半導体チップ
１１−３  第３半導体チップ
１１−４  第４半導体チップ
１１−５  第５半導体チップ
１２  制御チップ（制御部）
１３  スイッチ回路（接続状態変更部）
１３−１  第１スイッチ回路（接続状態変更部）
１３−２  第３スイッチ回路（接続状態変更部）
１３−３  第３スイッチ回路（接続状態変更部）
１３−４  第４スイッチ回路（接続状態変更部）
１３−５  第５スイッチ回路（接続状態変更部）
１４  入力側信号線（チップ内信号線）
１４−１  第１入力側信号線（チップ内信号線）
１４−２  第２入力側信号線（チップ内信号線）
１４−３  第３入力側信号線（チップ内信号線）
１４−４  第４入力側信号線（チップ内信号線）
１４−５  第５入力側信号線（チップ内信号線）
１５  出力側信号線（チップ内信号線）
１５−１  第１出力側信号線（チップ内信号線）
１５−１  第２出力側信号線（チップ内信号線）
１５−１  第３出力側信号線（チップ内信号線）
１５−１  第４出力側信号線（チップ内信号線）
１５−１  第５出力側信号線（チップ内信号線）
１６  非接触通信コイル（非接触通信部）
１６−１  第１非接触通信コイル（非接触通信部）
１６−２  第２非接触通信コイル（非接触通信部）
１６−３  第３非接触通信コイル（非接触通信部）
１６−４  第４非接触通信コイル（非接触通信部）
１６−５  第５非接触通信コイル（非接触通信部）
１７  演算部（信号処理部）
１７−１  第１演算部（信号処理部）
１７−２  第２演算部（信号処理部）
１７−３  第３演算部（信号処理部）
１７−４  第４演算部（信号処理部）
１７−５  第５演算部（信号処理部）
１８  メモリ部（信号処理部）
１８−１  第１メモリ部（信号処理部）
１８−２  第２メモリ部（信号処理部）
１８−３  第３メモリ部（信号処理部）
１８−４  第４メモリ部（信号処理部）
１８−５  第５メモリ部（信号処理部）
Ｘ      積層方向
Ｒ      指示信号
【図１】
2017010012.tif 000003
【図２】
2017010012.tif 000004
【図３】
2017010012.tif 000005
【図４】
2017010012.tif 000006
【図５】
2017010012.tif 000007
【国際調査報告】
2017010012.tif 000008
2017010012.tif 000009
2017010012.tif 000010
2017010012.tif 000011