(57)【要約】  基材、及び前記基材の表面上に固定化された、測定対象物質を特異的に認識する分子を含む分析プレートであって、前記基材は、その層内の少なくとも一部において、選択反射層を含む、分析プレート。好ましくは前記基材の前記表面は、構造色を呈しうる凹凸構造を有する。また、好ましくは前記選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域が、前記凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある。ならびにそれを用いた分析方法及びその製造方法。
2017138494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、及び前記基材の表面上に固定化された、測定対象物質を特異的に認識する分子を含む分析プレートであって、
前記基材は、その層内の少なくとも一部において、選択反射層を含む、分析プレート。
【請求項２】
前記基材の前記表面が、構造色を呈しうる凹凸構造を有し、
前記選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域が、前記凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある、請求項１に分析プレート。
【請求項３】
前記選択反射性に基づく光反射の帯域のピークが、前記凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある、請求項２に記載の分析プレート。
【請求項４】
前記基材の前記表面に位置する層が、前記選択反射層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の分析プレート。
【請求項５】
検体中の測定対象物質を測定する分析方法であって、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の分析プレートであって、前記測定対象物質を特異的に認識する分子として、前記測定対象物質と特異的に結合する分子を有するものを用意する工程、
前記分析プレートに、前記検体を接触させる工程、及び
前記検体の接触による、前記分析プレートの表面の光の反射量の変化を測定する工程
を含む分析方法。
【請求項６】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の分析プレートの製造方法であって、
コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合化合物を含む液晶性組成物の層を形成する工程と、
前記液晶性組成物の層を半硬化させ、半硬化層とする工程と、
前記半硬化層の表面に構造色を呈しうる凹凸構造を付与する工程と、
前記半硬化層を本硬化させ、基材を得る工程と、
前記基材の前記表面に、測定対象物質を特異的に認識する分子を固定化する工程と
を含む製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療診断用途等の各種用途の分析に用いうる分析プレート及び分析方法、並びに当該分析プレートの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
抗原抗体反応や核酸のハイブリダイゼーション、酵素反応、配位結合、細胞等の粒状の物体の吸着等の、測定対象物質及びそれを特異的に認識する分子との反応を利用し、医療診断等の分野において検体を分析する方法としては、従来様々な方法が知られている。しかしながら、そのような既知の方法よりも、さらに感度が高く、且つ安価、簡便、迅速に実施できる分析方法が求められている。【０００３】
そのような分析方法の一例として、抗体と、特定の光学的性質を有する構造体との複合物を用いた分析方法が提案されている。具体的には、当該構造体として特定のものを採用することにより、抗体が抗原と結合した際に光学的性質が変化する複合物を構成しうる。このような方法を採用することにより、試料の標識化等の煩雑な操作を行わずに分析を行うことが可能となる。そのような構造体の例としては、フォトニック結晶構造を有する構造体、及び局在表面プラズモン共鳴を発現しうる微小構造を有する構造体が挙げられる（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−８０８４８号公報
【特許文献２】特開２０１０−１９７０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１及び２の方法では、分析に用いるセンサの製造が煩雑である点が依然課題として残されている。したがって、これらの方法に比べて検出限界及び定量精度が同等であるかあるいはより高く、且つ安価に簡便に実施できる分析方法が求められている。【０００６】
従って、本発明の目的は、検出限界及び定量精度が高く、且つ安価に簡便に実施できる検体の分析方法及びそのような分析方法に用いる分析器具、ならびにそのような分析器具の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前記の課題を解決するべく検討した結果、かかる分析を行う分析プレートとして特定のものを用いることにより、前記課題を解決しうることを見出した。本発明は、かかる知見に基づき完成されたものである。
すなわち、本発明は下記の通りである。【０００８】
〔１〕  基材、及び前記基材の表面上に固定化された、測定対象物質を特異的に認識する分子を含む分析プレートであって、
前記基材は、その層内の少なくとも一部において、選択反射層を含む、分析プレート。
〔２〕  前記基材の前記表面が、構造色を呈しうる凹凸構造を有し、
前記選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域が、前記凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある、〔１〕に分析プレート。
〔３〕  前記選択反射性に基づく光反射の帯域のピークが、前記凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある、〔１〕又は〔２〕に記載の分析プレート。
〔４〕  前記基材の前記表面に位置する層が、前記選択反射層である、〔１〕〜〔３〕のいずれか１項に記載の分析プレート。
〔５〕  検体中の測定対象物質を測定する分析方法であって、
〔１〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の分析プレートであって、前記測定対象物質を特異的に認識する分子として、前記測定対象物質と特異的に結合する分子を有するものを用意する工程、
前記分析プレートに、前記検体を接触させる工程、及び
前記検体の接触による、前記分析プレートの表面の光の反射量の変化を測定する工程
を含む分析方法。
〔６〕  〔２〕〜〔４〕のいずれか１項に記載の分析プレートの製造方法であって、
コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合化合物を含む液晶性組成物の層を形成する工程と、
前記液晶性組成物の層を半硬化させ、半硬化層とする工程と、
前記半硬化層の表面に構造色を呈しうる凹凸構造を付与する工程と、
前記半硬化層を本硬化させ、基材を得る工程と、
前記基材の前記表面に、測定対象物質を特異的に認識する分子を固定化する工程と
を含む製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の分析プレート及び分析方法によれば、検出限界及び定量精度が高く、且つ安価に簡便に実施できる検体の分析方法を実施することができる。また本発明の分析プレートの製造方法によれば、そのような分析プレートを簡便に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の分析プレートの一例を概略的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す分析プレートの基材１１１の凹凸構造１１Ｕを模式的に示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の分析プレートにおける、選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域と、凹凸構造に基づく光反射の帯域との関係の一例を示すグラフである。
【図４】図４は、本発明の分析プレートの別の一例を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の分析プレートのさらに別の一例を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の分析プレートのさらに別の一例を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、例示物及び実施形態を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す例示物及び実施形態に限定されるものではなく、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。
【００１２】
〔１．分析プレート〕
本発明の分析プレートは、基材、及びその表面上に固定化された、測定対象物質を特異的に認識する分子（以下において、「特異的認識分子」という）を含む。好ましい態様において、基材の、特異的認識分子が固定化された表面は、構造色を呈しうる凹凸構造を有する。以下において、文脈上明らかな場合は、構造色を呈しうる凹凸構造を、単に凹凸構造という場合がある。
【００１３】
図１は、本発明の分析プレートの一例を概略的に示す断面図である。図１において、分析プレート１０は、基材１１１、及び基材１１１の表面１１Ｕ上に固定化された特異的認識分子１２１を含む。図１の例では、分析プレート１０の基材１１１は、その図中上側の表面において、底部１１Ｂ及び頂部１１Ｔを含む凹凸構造１１Ｕを有する。図１及びその他の図は、模式的な図示であるため、凹凸構造としては数個の構造のみを示しているが、凹凸構造は微細な構造であるため、実際の製品には、これよりはるかに多い数の凹凸構造が形成される。
【００１４】
構造色を呈しうる凹凸構造は、光学的干渉等の現象により特定の波長範囲の光を反射するよう、その寸法及び周期が調整された凹凸構造である。構造色は、必ずしも可視領域の色に限られないが、分析プレートの製造の容易さ及び観察の容易さの観点から、通常は、可視領域の色としうる。このような構造色を呈しうる凹凸構造には、所謂フォトニック結晶構造と呼ばれる構造が含まれる。構造色を呈しうる凹凸構造は、具体的には、基材表面において面内の１方向又は２以上の方向において、窪み等の単位構造が周期的に配置された構造としうる。
【００１５】
図２は、図１に示す分析プレートの基材１１１の凹凸構造１１Ｕを模式的に示す斜視図である。図１の断面図は、図２における基材１１１を、線Ｌ１を通り基材１１１の主面に対して垂直な面で切断した断面に対応する。図２の例では、基材１１１の表面には多数の矩形の窪みが形成され、それにより、底部１１Ｂ及び頂部１１Ｔを含む凹凸構造１１Ｕが形成されている。窪みは、線Ｌ１に沿った方向及びそれに直交する線Ｌ２に沿った方向の２の方向において、周期的に配置されている。線Ｌ１に沿った方向の周期Ｐ１及び線Ｌ２に沿った方向の周期Ｐ２を適切な値に設定することにより、当該凹凸構造を、所望の波長範囲の光を反射するものとしうる。
【００１６】
凹凸構造の周期は、所望の波長範囲の光の反射が得られるよう適宜設定することができる。具体的には、凹凸構造の周期は、所望の反射光の波長に概ね比例する長さとしうる。例えば、観察の容易さの点からは、凹凸構造に基づく光反射の帯域は、緑色に近い帯域、より具体的には波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲における反射を含むことが好ましい。そのような反射をもたらす凹凸構造の周期は、好ましくは８．０９０μｍ±０．１２３μｍの範囲内としうる。図２の例のように、２以上の異なる周期が存在する場合、それらのうち１以上が前記範囲内であることが好ましい。但し凹凸構造の周期はこの範囲に限られず、例えばこれよりも広い周期として赤色の光反射帯域を得てもよく、また例えばこれよりも狭い周期として青色の光反射帯域を得てもよい。
【００１７】
図２の例のように、凹凸構造が、平面と、その面内に設けられた多数の窪みとを含む構造である場合、窪みの形状は特に限定されず、所望の光学的効果が得られ且つ製造が容易な形状を適宜選択しうる。その具体的としては、図２に示す矩形の形状に加え、円筒形の窪み形状等の形状が挙げられる。窪みの深さも特に限定されず、所望の光学的効果が得られ且つ製造が容易な深さに適宜設定しうる。具体的には、好ましくは０．０３μｍ〜１０μｍ、より好ましくは０．１μｍ〜９μｍの範囲内としうる。
【００１８】
本発明の分析プレートが有する特異的認識分子としては、検体中の測定対象物質と特異的に結合しうる分子を採用しうる。特異的認識分子の例としては、酵素及び抗体等のタンパク質、ＤＮＡ及びＲＮＡ等の核酸、糖鎖、ペプチド核酸、キレート等の配位結合を形成しうる分子及びこれらの複合物が挙げられる。典型的な例として、特異的認識分子は、測定対象物質を抗原として抗原抗体反応しうる抗体としうる。その他の例として、測定対象物質が遺伝子である場合において、特異的認識分子は、当該遺伝子とハイブリダイゼーションしうる核酸としうる。また、必要であれば、特異的認識分子は、基材の表面への固定化のための、化学的修飾を有したものとしうる。
【００１９】
本発明の好ましい態様では、基材の凹凸構造を有する表面に特異的認識分子が固定化されているため、分析プレートの表面は、かかる凹凸構造及び特異的認識分子により規定される微小構造を有することになる。ここで、分析プレートの特異的認識分子に測定対象物質が結合すると、分析プレートの表面の微小構造が変化するため、分析プレートの表面における光学的特性が特に鋭敏に変化する。したがって、このような構成を有することにより、簡便かつ迅速に測定対象物質を定性的及び／又は定量的に測定することが可能となる。
【００２０】
本発明の分析プレートにおいて、基材は、その層内の少なくとも一部において、選択反射層を含む。選択反射層とは、その層内の分子の構造により、その層に入射した光のうち特定の範囲の波長の光のみを反射し、他の波長の光を透過する層である。図１の例では、基材１１１はその全体が選択反射層からなる。
【００２１】
選択反射層としては、直線偏光分離層、又は円偏光分離層を用いうる。直線偏光分離層とは、非偏光のうちある直線偏光成分を反射し、その他の成分を透過しうる層であり、円偏光分離層とは、円偏光分離機能、即ち非偏光のうちある円偏光成分を反射し、その他の成分を透過しうる層である。直線偏光分離層の例としては、屈折率の異なる複数種類の層を多数積層した構造を有する層が挙げられる。円偏光分離層の例としては、コレステリック規則性を有する樹脂層（以下において、単に「コレステリック樹脂層」という場合がある）が挙げられる。このような直線偏光分離層又は円偏光分離層は、その製造工程において、反射波長領域及び反射波長帯域幅を所望のものに調整しやすいので、本発明において選択反射層として用いる上で有利である。さらにこれらの中でも、コレステリック樹脂層は、所望の反射波長領域及び反射波長帯域幅を有する選択反射層を容易に形成しうる点で特に優れる。
【００２２】
本発明の分析プレートの使用においては、特異的認識分子に測定対象物質が結合することにより、分析プレートの表面における光学的特性が変化する。かかる変化は、基材が選択反射層を含むことにより、そのような光学的特性を、明確に観察することができる。その結果、選択反射層を有しない場合に比べて、検出限界及び定量精度がより高い分析を行うことが可能となる。
【００２３】
好ましい態様においては、基材の表面が、構造色を呈しうる凹凸構造を有し、選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域が、凹凸構造に基づく光反射の帯域内にある。さらに好ましい態様においては、選択反射性に基づく光反射の帯域のピークは、凹凸構造に基づく光反射の帯域内にあり、さらに好ましくは、選択反射性に基づく光反射の帯域のピークは、凹凸構造に基づく光反射の半値幅の帯域内にある。選択反射層が、このような反射帯域を有することにより、選択反射層を有しない場合に比べて、検出限界及び定量精度がさらにより高い分析を行うことが可能となる。
【００２４】
図３は、本発明の分析プレートにおける、選択反射層の選択反射性に基づく光反射の帯域と、凹凸構造に基づく光反射の帯域との関係の一例を示すグラフである。図３の例において、分析プレートの凹凸構造に基づく光反射のプロフィールは線３１１で示され、選択反射性に基づく光反射のプロフィールは線３２１で示される。図３の例では、凹凸構造に基づく光反射のプロフィール３１１、及び選択反射性に基づく光反射のプロフィール３２１は、いずれも、波長λにピークを有する。図３の例ではさらに、分析プレートの特異的認識分子に測定対象物質が結合した状態における凹凸構造に基づく光反射のプロフィールが、破線３１２で示される。
【００２５】
上に述べた通り、分析プレートの特異的認識分子に測定対象物質が結合すると、分析プレートの表面の微小構造が、そのサイズおよび／または周期性等において変化するため、凹凸構造に基づく光学的特性が変化する。例えば、図３の破線３１２で示す通り、反射強度が減少する。したがって、波長λにおける光の反射量を測定することにより、特異的認識分子への測定対象物質の結合を検出することができる。ここで、分析プレートが、選択反射層として、線３２１で示される光反射プロフィールを有する層を備えると、波長λ付近の波長領域における反射強度の変化をより明確に観察することができ、加えて、波長λから遠い波長領域における反射の影響により波長λ付近の観察が妨げられる度合いを低減することができる。その結果、選択反射層を有しない場合に比べて、検出限界及び定量精度がより高い分析を行うことが可能となる。
【００２６】
図１に示す例のように、選択反射層が凹凸構造を有する表面に位置し、したがって選択反射層が凹凸構造を構成している場合、分析プレートを観察した際の光反射のプロフィールは、通常、凹凸構造に基づく光反射のプロフィールと、選択反射層の選択反射性に基づく光反射のプロフィールとの和として観察されるので、図３のグラフのようにこれらを分けて測定することは困難である。しかしながら、このような場合であっても、分析プレートの選択反射層の選択反射性に基づく光反射のプロフィールは、当該分析プレートの選択反射層と同じ材料からなり、凹凸構造を有しない平坦な選択反射層を形成し、この光反射のプロフィールを測定することにより測定しうる。同様に、このような場合における凹凸構造に基づく光反射のプロフィールは、当該分析プレートの凹凸構造と同様の凹凸構造を有し、選択反射性を有しない別の材料からなる基材を形成し、この光反射のプロフィールを測定することにより測定しうる。または、これらのプロフィールは、既知の情報またはシミュレーションによっても求めうる。
【００２７】
反射強度の変化の観察をより明確に行う観点からは、選択反射性に基づく光反射の帯域幅は、ある程度以上狭いことが好ましい。具体的には、凹凸構造に基づく光反射の帯域の半値幅Ｗ１、及び選択反射性に基づく光反射の帯域の半値幅Ｗ２が、Ｗ２＜（Ｗ１×１．５）の関係を有することが好ましい。Ｗ２の値の下限については、特に限定されないが、例えば（Ｗ１×０．２）＜Ｗ２としうる。ここで、半値幅Ｗ１及びＷ２は、それぞれのピーク波長におけるピーク反射強度の１／２以上の反射強度を有する反射帯域の幅である。図３の例を参照して具体的に説明すると、線３１１で示される光反射の帯域の半値幅Ｗ１は、３１１のベースラインＲ０とピーク高さＲ３１との中点Ｍ３１におけるピークの幅に相当し、線３２１で示される光反射の帯域の半値幅Ｗ２は、３２１のベースラインＲ０とピーク高さＲ３２との中点Ｍ３２におけるピークの幅に相当する。
【００２８】
〔２．分析プレートの変形例〕
図１に例示した分析プレートは、基材１１１が、選択反射層のみからなるが、本発明の分析プレートにおける基材はこれに限られず、他の構成をとりうる。
例えば、基材は、図４の分析プレート４０において例示するように、選択反射層と、それを支持する支持層とを含んだものであってもよい。図４に示す分析プレート４０は、基材として、基材１１１とは異なる、複層構造を有する基材４１０を有する点で図１に示す分析プレート１０と異なっており、その他の点では同様の構造を有している。分析プレート４０の基材４１０は、凹凸構造を有する選択反射層４１１と、それを支持する支持層４１２とを備える。支持層４１２としては、選択反射層４１１より強度が高い透明なフィルム又は板状の構造物を用いうる。このような支持層４１２を有することにより、上に述べた本発明の利点を有しながら、且つ機械的強度の高い分析プレートを得ることができる。
【００２９】
図１及び図４に例示した分析プレートにおいては、選択反射層が凹凸構造を有する表面に位置し、したがって選択反射層が凹凸構造を構成している。このような構成をとることにより、特異的認識分子への測定対象物質の結合を明確に検出することができる。しかしながら、本発明の分析プレートはこれに限られず、選択反射層以外の層が、基材の表面に位置し凹凸構造を構成していてもよい。
例えば、図５の分析プレート５０において例示するように、基材は、凹凸構造を有する選択反射層以外の層と、平坦な選択反射層とを含んだものであってもよい。図５に示す分析プレート５０は、基材１１１とは異なり、複層構造の基材５１０を有する点で図１に示す分析プレート１０と異なっており、その他の点では同様の構造を有している。分析プレート５０の基材５１０は、凹凸構造を有する透明な層５１３と、層５１３の、凹凸構造を有する面とは反対側に設けられた選択反射層５１１とを備える。このような構成においても、選択反射層を有しない場合に比べて、検出限界及び定量精度がより高い分析を行うことが可能となる。
【００３０】
上に述べた例では、分析プレートとして、構造色を呈しうるナノレベルの凹凸構造を有するものの巨視的には平坦な表面を有するプレートを例示して説明したが、本発明の分析プレートはこれに限られず、必要に応じて、分析に適した任意の構成をさらに有しうる。例えば、分析プレートは、図６の分析プレート６０において例示するように、液体状の検体を受容するためのウェルを有するものであってもよい。
【００３１】
図６に示す分析プレート６０は、図４において示した分析プレート４０と同様の構造物と、その凹凸構造を有する表面上に設けられた板状構造物６３１とを含む。したがって、分析プレート６０は、凹凸構造１１Ｕを有する選択反射層４１１と、それを支持する支持層４１２とを備える基材４１０を有し、さらに基材４１０の凹凸構造を有する表面上に固定化された特異的認識分子（不図示）を含む。
【００３２】
基材４１０の表面上に設けられた板状構造物６３１は、多数の貫通孔６３Ｈを有する平らな板状の構造物である。板状構造物６３１は、その底部６３Ｄを、基材４１０の表面に、必要に応じて適切な接着層（不図示）を介して接着することにより、基材４１０の表面に設けうる。このような構造を有することにより、貫通孔６３Ｈ及び凹凸構造１１Ｕを有する表面により規定されるウェルが形成される。このウェルに液体状の検体を注入することにより、多数の検体の分析を効率的に行うことができる。
【００３３】
上に述べたものの他に、本発明の分析プレートは、分析の操作をさらに容易とするための、さらなる任意の構成要素を備えうる。
任意の構成要素の一例としては、電気的な装置により検体、測定対象物質又は測定対象物質以外の検体中の成分の存在を検出するための電極が挙げられる。当該電極を用い、例えば、血液を検体とする場合、血液中のある成分を測定対象物質として特異的認識分子との反応による分析を行う一方、他の成分の分析をかかる電極を用いて行うといった分析を行いうる。
任意の構成要素の他の一例としては、多数の検体の情報を管理するためのＲＦＩＤタグ等のタグが挙げられる。
【００３４】
〔３．分析方法〕
本発明の分析方法は、検体中の測定対象物質を測定する分析方法であって、下記の工程を含む。
工程（Ａ）：前記本発明の分析プレートであって、特異的認識分子として、測定対象物質と特異的に結合する分子を有するものを用意する工程。
工程（Ｂ）：分析プレートに、検体を接触させる工程。
工程（Ｃ）：検体の接触による、分析プレートの表面の光の反射量の変化を測定する工程。
【００３５】
工程（Ａ）は、所望の特異的認識分子を既知の方法により適宜調製し、それを用いて分析プレートを製造することにより行いうる。分析プレートの具体的な製造方法は、後に詳述する。
【００３６】
工程（Ｂ）において、検体は、その中に測定対象物質が含まれているか否かを分析することが求められる任意のものとしうる。検体は、通常、液体の状態である。検体は、各種の試料そのままであってもよく、必要に応じて試料に溶媒の添加、精製、ｐＨ調整、抗凝固処理、及び固形の試料の場合は粉砕等の処理を施したものとしうる。試料の例としては、人間等の生体から採取した血液、尿、便、髄液、喀痰、臓器、細胞破砕液、唾液、汗、皮膚及び浸出液、並びに細菌、ウイルス及び酵母等の微生物及びその他の細胞の培養物が挙げられる。試料のさらなる例としては、環境から採取した物体、化学反応により得られた反応混合物等の、測定対象物質の定性的分析及び／又は定量的分析がもとめられるものが挙げられる。このような検体を分析に供することにより、医療診断等の分野における分析及びその他の各種の分野における分析において有用な検体の分析を行うことができる。検体に含まれうる測定対象物質の例としては、各種のタンパク質、糖鎖、核酸及び金属原子等の化学物質、並びに細菌、ウイルス及び酵母等の微生物及びその他の細胞等の粒状の物体が挙げられる。
【００３７】
工程（Ｂ）は、分析プレートの、特異的認識分子が固定された面に検体が接触するよう行う。検体内に測定対象物質が含まれている場合、工程（Ｂ）において測定対象物質と特異的認識分子とが結合し、それにより、分析プレートの表面における光学的特性が変化する。特に基材の表面が、構造色を呈しうる凹凸構造を有する場合、当該結合により分析プレートの表面の微小構造が変化するため、分析プレートの表面における光学的特性が特に鋭敏に変化しうる。
【００３８】
工程（Ｂ）の具体的操作は、特に限定されず、任意の態様で行いうる。例えば、分析プレートの面上に単に検体を滴下することにより行いうる。または例えば、分析プレートの上に検体を置き、そのままの状態を維持することにより、検体中の、測定対象物質の量の経時的変化を追跡することも可能である。例えば、測定対象物質として特定の細胞を含む検体を用い、当該細胞を培養しながら本発明の分析方法を連続的に行い、培養による経時的な細胞量の変化を追跡することができる。
【００３９】
工程（Ｃ）は、分析プレート上の色調を、分光器等の既知の装置により測定することにより行いうる。分光器としては、例えば、ファイバー型分光光度計、紫外可視分光光度計、色度計を用いうる。工程（Ｃ）はまた、汎用の画像取得用のカメラと、当該カメラにて取得した画像情報を分析するプログラムを備えた計算装置によっても行いうる。より具体的には、カメラを備えたスマートフォン等の汎用の機器に画像情報を分析するプログラムをインストールしたものによっても行いうる。または、高い定量的精度が求められない場合は、分析プレートの色の変化を単に目視で観察することによっても行いうる。上に述べた理由により、本発明の分析プレートを用いれば、検体の接触による反射量の変化を明確に観察することができ、選択反射層を有しない場合に比べて、検出限界及び定量精度がより高い分析を行うことが可能となる。
【００４０】
〔４．分析プレートの製造方法、及び各構成要素の材料等〕
本発明の分析プレートは、任意の製造方法により製造しうる。具体的には、上に述べた特定の基材を製造する工程、及び当該基材の表面に、特異的認識分子を固定化する工程を含む製造方法により製造しうる。
【００４１】
〔４．１．基材〕
基材の材料としては既知の材料を適宜選択して用いうる。基材が凹凸構造を有する層を含む場合、そのような層の材料としては、そのような凹凸構造を形成するのに適した既知の材料を適宜選択して用いうる。微細な凹凸構造を形成し、当該構造を形成後に維持する観点からは、熱可塑性樹脂よりは、それ以外の樹脂が好ましい。例えば、熱硬化性樹脂、並びに紫外線硬化性樹脂等のエネルギー線硬化性樹脂が好ましい。
【００４２】
基材が、凹凸構造を有する層以外の層（例えば、図４に示す例における支持層４１２等）を備える場合、かかる層の材料としては、具体的には、既知の樹脂等から、適切なものを適宜選択して用いうる。この樹脂は、重合体と、必要に応じて任意の成分を含む。樹脂が含む重合体の例を挙げると、鎖状オレフィン重合体、シクロオレフィン重合体、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、酢酸セルロース系重合体、ポリ塩化ビニル、ポリメタクリレート、ポリエチレングリコールなどが挙げられる。また、前記の重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。また、本発明の分析プレートが、基材及び特異的認識分子以外の構成要素（例えば、図６に示す板状構造物６３１）を有する場合のかかる構成要素の材料も、上に例示したもの等の既知の樹脂等から、適切なものを適宜選択して用いうる。
【００４３】
凹凸構造を形成するための加工方法は、凹凸構造を有する型を基材またはその材料に転写する加工方法、及びレーザー等の微細加工装置を利用した加工方法が挙げられる。凹凸構造の形成方法の一例としては、選択反射層からなるか、又は選択反射層を含む複数の層からなる原板を形成してから、当該原板の表面に凹凸構造を付与する方法が挙げられる。基材の製造方法の別の一例として、基材の材料を半硬化させ、半硬化層とし、半硬化層の表面に構造色を呈しうる凹凸構造を付与し、さらに半硬化層を本硬化させる方法が挙げられる。選択反射層の材料としてコレステリック樹脂層を採用した場合、特にそのような半硬化及び本硬化を組み合わせた方法を好ましく採用しうる。コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合物、及びそれを用いた、選択反射層を含む基材の製造方法の詳細については後述する。
【００４４】
〔４．２．特異的認識分子の固定化〕
特異的認識分子は、既知の生化学的方法により適宜製造しうる。特異的認識分子を基材の表面に固定化する方法は、特に限定されず、既知の方法を適宜採用しうる。例えば、特異的認識分子として抗体を用いる場合、基材の表面への抗体の固定化は、物理的吸着及び／又は化学的吸着等により行いうる。
【００４５】
〔４．３．コレステリック樹脂層、その材料、及びそれを用いた、選択反射層を含む基材の製造方法〕
本発明の分析プレートの基材を構成する選択反射層としては、特に、コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合物を重合させてなるコレステリック樹脂層を好ましく用いうる。選択反射層としてコレステリック樹脂層を採用することにより、所望の反射波長領域及び反射波長帯域幅を有する選択反射層を容易に形成することができる。
コレステリック樹脂層は円偏光分離機能を有するので、これを用いて選択反射層を形成することにより、円偏光分離機能を有する選択反射層を得ることができる。また、コレステリック樹脂層は、ある特定の狭い波長領域においてこのような円偏光分離機能を有しうるので、本発明の選択反射層として好ましく用いうる層としうる。この円偏光を反射しうる波長領域を、選択反射帯域という。
【００４６】
〔４．３．１．重合性液晶化合物〕
コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合物としては、既知の重合性液晶化合物から、適切なものを適宜選択して用いうる。重合性液晶化合物の特に好ましい例としては、下記式（Ｉ）で表される重合性液晶化合物が挙げられる。式（Ｉ）で表される重合性液晶化合物を、以下、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。化合物（Ｉ）は、液晶性を有するので、当該化合物（Ｉ）を配向させたときに、液晶相を呈しうる。また、この化合物（Ｉ）は、重合性を有するので、液晶相を呈した状態で重合し、液晶相における分子の配向を維持したままま重合体となりうる。したがって、化合物（Ｉ）がコレステリック相を呈した状態において当該化合物（Ｉ）を重合させることにより、円偏光分離機能を有するコレステリック樹脂層を得ることができる。
【００４７】
【化１】
2017138494.tif 000003
【００４８】
化合物（Ｉ）では、通常、基−Ｙ５−Ａ４−（Ｙ３−Ａ２）ｎ−Ｙ１−Ａ１−Ｙ２−（Ａ３−Ｙ４）ｍ−Ａ５−Ｙ６−が主鎖メソゲンとなり、一方基＞Ａ１−Ｃ（Ｑ１）＝Ｎ−Ｎ（Ａｘ）Ａｙが側鎖メソゲンとなり、基Ａ１は、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンの両方の性質に影響する。
【００４９】
式（Ｉ）中、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ１−、−Ｏ−ＮＲ１−、又は、−ＮＲ１−Ｏ−を表す。
【００５０】
ここで、Ｒ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基等が挙げられる。
Ｒ１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。
【００５１】
化合物（Ｉ）においては、Ｙ１〜Ｙ８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であることが好ましい。
【００５２】
前記式（Ｉ）において、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。
炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；等が挙げられる。
【００５３】
Ｇ１及びＧ２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基及びエトキシ基が好ましい。
【００５４】
また、前記脂肪族基には、１つの脂肪族基当たり１以上の−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−、−ＮＲ２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ２は、前記Ｒ１と同様の、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。
【００５５】
これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＲ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＮＲ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−等が挙げられる。
【００５６】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｇ１及びＧ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ２）４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ２）６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ２）８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ２）１０−〕が特に好ましい。
【００５７】
前記式（Ｉ）において、Ｚ１及びＺ２は、それぞれ独立して、無置換又はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ１及びＺ２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。
【００５８】
Ｚ１及びＺ２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−、（ＣＨ３）２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−等が挙げられる。
【００５９】
なかでも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ｚ１及びＺ２としては、それぞれ独立して、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＨ２−ＣＨ２−が好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−、又は、ＣＨ２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ２＝ＣＨ−が特に好ましい。
【００６０】
前記式（Ｉ）において、Ａｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、すなわち、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造、及びチオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等に代表される、硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を意味する。
【００６１】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を有するものであってもよい。
【００６２】
前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；が挙げられる。
【００６３】
Ａｘが有する芳香環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ５；−ＳＯ２Ｒ６；等が挙げられる。ここで、Ｒ５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ６は後述するＲ４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００６４】
また、Ａｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
さらに、Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００６５】
Ａｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、例えば、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；が挙げられる。
【００６６】
Ａｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａｘは以下に示すものに限定されるものではない。なお、下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基
【００６７】
【化２】
2017138494.tif 000004
【００６８】
【化３】
2017138494.tif 000005
【００６９】
（２）芳香族複素環基
【００７０】
【化４】
2017138494.tif 000006
【００７１】
【化５】
2017138494.tif 000007
【００７２】
上記式中、Ｅは、ＮＲ６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００７３】
【化６】
2017138494.tif 000008
【００７４】
上記式中、Ｘ、Ｙ及びＺは、それぞれ独立して、ＮＲ７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ７は、前記Ｒ６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。
【００７５】
【化７】
2017138494.tif 000009
【００７６】
（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基
【００７７】
【化８】
2017138494.tif 000010
【００７８】
（４）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基
【００７９】
【化９】
2017138494.tif 000011
【００８０】
（５）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基
【００８１】
【化１０】
2017138494.tif 000012
【００８２】
上記したＡｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は炭素数４〜３０の芳香族複素環基が好ましく、下記に示すいずれかの基がより好ましく、
【００８３】
【化１１】
2017138494.tif 000013
【００８４】
【化１２】
2017138494.tif 000014
【００８５】
下記に示すいずれかの基が更に好ましい。
【００８６】
【化１３】
2017138494.tif 000015
【００８７】
Ａｘが有する環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８；−ＳＯ２Ｒ６；等が挙げられる。ここでＲ８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。
【００８８】
Ａｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよい。
Ａｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡｙにて同じである。）。
【００８９】
前記式（Ｉ）において、Ａｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表す。Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。
【００９０】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、１〜１２であることが好ましく、４〜１０であることが更に好ましい。
【００９１】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基が挙げられる。置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。
【００９２】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
【００９３】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基が挙げられる。
【００９４】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ２ＣＦ３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；−ＳＲ１０；−ＳＲ１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；が挙げられる。ここで、Ｒ７ａ及びＲ１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表し、Ｒ８ａは、前記Ｒ４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
【００９５】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ７ａ；−ＳＯ２Ｒ８ａ；水酸基；が挙げられる。ここでＲ７ａ及びＲ８ａは、前記と同じ意味を表す。
【００９６】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。
【００９７】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３で表される基において、Ｒ３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。
【００９８】
Ａｙの、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基において、Ｒ４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。Ｒ４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。
【００９９】
Ａｙの、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ９で表される基において、Ｒ９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。これらの具体例は、前記Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例として挙げたものと同様のものが挙げられる。
【０１００】
Ａｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
【０１０１】
これらの中でも、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましい。さらに、Ａｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ３、−ＳＯ２−Ｒ４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ３及びＲ４は、前記と同じ意味を表す。
【０１０２】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０が好ましい。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１０３】
Ａｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。
【０１０４】
また、ＡｘとＡｙは、一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、例えば、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環としては、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。
【０１０５】
ＡｘとＡｙが一緒になって形成される環としては、例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の
【０１０６】
【化１４】
2017138494.tif 000016
【０１０７】
として表される部分を示すものである。
【０１０８】
【化１５】
2017138494.tif 000017
【０１０９】
【化１６】
2017138494.tif 000018
【０１１０】
【化１７】
2017138494.tif 000019
【０１１１】
（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、Ａｘが有する芳香環の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。
【０１１２】
ＡｘとＡｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、４以上２４以下であるのが好ましく、６以上２０以下であるのがより好ましく、６以上１８以下であるのが更により好ましい。
【０１１３】
ＡｘとＡｙの好ましい組み合わせとしては、
（α）Ａｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基及び−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせ、並びに、
（β）ＡｘとＡｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成している組み合わせ、
が挙げられる。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１１４】
ＡｘとＡｙのより好ましい組み合わせとしては、
（γ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ１０のいずれかである組み合わせである。ここで、Ｒ１０は、前記と同じ意味を表す。
【０１１５】
【化１８】
2017138494.tif 000020
【０１１６】
【化１９】
2017138494.tif 000021
【０１１７】
（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
ＡｘとＡｙの特に好ましい組み合わせとしては、
（δ）Ａｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、及び、−ＳＲ１０のいずれかである組合せである。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ１０は前記と同じ意味を表す。
【０１１８】
【化２０】
2017138494.tif 000022
【０１１９】
前記式（Ｉ）において、Ａ１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であってもよく、三価の複素環式芳香族基であってもよい。本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ１、Ｙ２を便宜上記載している（Ｙ１、Ｙ２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。
【０１２０】
【化２１】
2017138494.tif 000023
【０１２１】
これらの中でも、Ａ１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。
【０１２２】
【化２２】
2017138494.tif 000024
【０１２３】
Ａ１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、前記ＡＸの芳香族基の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。Ａ１としては、置換基を有さないものが好ましい。
【０１２４】
前記式（Ｉ）において、Ａ２及びＡ３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、例えば、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等が挙げられる。
【０１２５】
炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；等が挙げられる。
【０１２６】
炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７−ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；等が挙げられる。
【０１２７】
これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、前記ＡＸの芳香族基の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。
【０１２８】
これらの中でも、Ａ２及びＡ３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）で表される基がさらに好ましく、下記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。
【０１２９】
【化２３】
2017138494.tif 000025
【０１３０】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ１及びＹ３（又はＹ２及びＹ４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型及びトランス型の立体異性体が存在し得る。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。
【０１３１】
【化２４】
2017138494.tif 000026
【０１３２】
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、シス型であってもよく、トランス型であってもよく、シス型及びトランス型の異性体混合物であってもよい。中でも、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。
【０１３３】
前記式（Ｉ）において、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。Ａ４及びＡ５の芳香族基は、単環のものであってもよく、多環のものであってもよい。Ａ４及びＡ５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。
【０１３４】
【化２５】
2017138494.tif 000027
【０１３５】
上記Ａ４及びＡ５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ８ｂ基；が挙げられる。ここでＲ８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としては、フッ素原子がより好ましく、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基がより好ましく、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。
【０１３６】
これらの中でも、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、Ａ４及びＡ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）又は（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。
【０１３７】
【化２６】
2017138494.tif 000028
【０１３８】
前記式（Ｉ）において、Ｑ１は、水素原子、又は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、前記ＡＸで例示したのと同様のものが挙げられる。これらの中でも、Ｑ１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。
【０１３９】
前記式（Ｉ）において、ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０又は１を表す。中でも、ｍは好ましくは１であり、また、ｎは好ましくは１である。
【０１４０】
化合物（Ｉ）の屈折率異方性Δｎは、通常、小さい。化合物（Ｉ）の具体的な屈折率異方性Δｎは、好ましくは０．１以下、より好ましくは０．０８以下、特に好ましくは０．０７以下である。化合物（Ｉ）の屈折率異方性Δｎが前記のように小さいことにより、コレステリック樹脂層の選択反射帯域を狭くできる。化合物（Ｉ）の屈折率異方性Δｎの下限に制限は無いが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上、特に好ましくは０．０４以上である。
【０１４１】
化合物（Ｉ）の液晶相から等方性相への相転移温度は、通常、高温である。化合物（Ｉ）の具体的な液晶相から等方性相への相転移温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、特に好ましくは１５０℃以上である。化合物（Ｉ）の液晶相から等方性相への相転移温度がこのように高温であることにより、化合物（Ｉ）を重合する際に化合物（Ｉ）は液晶相（通常は、コレステリック相）を維持できるので、所望の円偏光分離機能を有するコレステリック樹脂層を実現できる。化合物（Ｉ）の液晶相から等方性相への相転移温度の上限値は任意であるが、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは２３０℃以下、特に好ましくは２００℃以下である。
【０１４２】
化合物（Ｉ）の結晶相から液晶相への相転移温度は、好ましくは５０℃以上、より好ましくは６０℃以上、特に好ましくは７０℃以上であり、好ましくは１４０℃以下、より好ましくは１３０℃以下、特に好ましくは１２０℃以下である。
【０１４３】
化合物（Ｉ）の分子量は、好ましくは３００以上、より好ましくは７００以上、特に好ましくは１０００以上であり、好ましくは２０００以下、より好ましくは１７００以下、特に好ましくは１５００以下である。化合物（Ｉ）が前記のような分子量を有することは、化合物（Ｉ）が単量体であることを表す。これにより、コレステリック樹脂層を形成する際に用いる液晶性組成物の塗布性を特に良好にできる。
【０１４４】
化合物（Ｉ）は、例えば、国際公開第２０１４／０６９５１５号、国際公開第２０１５／０６４５８１号及び国際公開第２０１２／１４７９０４号に記載される、ヒドラジン化合物とカルボニル化合物との反応により製造しうる。
【０１４５】
〔４．３．２．重合性液晶化合物の重合体〕
化合物（Ｉ）を重合させて重合体の層を形成することにより、コレステリック樹脂層を得ることができ、これを本発明の分析プレートにおいて、選択反射層として用いることができる。また、このコレステリック樹脂層の表面に凹凸構造を付与することにより、凹凸構造を有する選択反射層を形成することができる。
コレステリック樹脂層が含む重合体は、化合物（Ｉ）と当該化合物（Ｉ）に重合しうる任意のモノマーとの共重合体であってもよいが、化合物（Ｉ）のみの重合体であることが好ましい。化合物（Ｉ）のみの重合体である場合、前記の重合体は、１種類の化合物（Ｉ）の単独重合体でもよく、２種類以上の化合物（Ｉ）の共重合体でもよい。また、この重合体は、架橋されていてもよい。
【０１４６】
コレステリック樹脂層に含まれる前記の重合体は、コレステリック規則性を有する。ここで「コレステリック規則性」とは、一平面上では分子軸が一定の方向に並んでいるが、それに重なる次の平面では分子軸の方向が少し角度をなしてずれ、さらに次の平面ではさらに角度がずれるというように、重なって配列している平面を順次透過して進むに従って当該平面中の分子軸の角度が連続的にずれて（ねじれて）いく構造である。このように分子軸の方向が連続的にねじれてゆく構造は、通常は螺旋構造であり、光学的にカイラルな構造となる。該平面の法線（螺旋軸）は、コレステリック樹脂層の厚み方向に略平行になっていることが好ましい。
【０１４７】
前記のようにコレステリック規則性を有する重合体を含むコレステリック樹脂層は、通常、円偏光分離機能を有する。したがって、コレステリック樹脂層に光が入射すると、特定の波長領域の円偏光のうち、左回り及び右回りの何れか一方の円偏光のみが反射され、反射された円偏光以外の光は透過する。この円偏光が反射される波長領域が、選択反射帯域である。
【０１４８】
重合性液晶化合物の重合体を含むコレステリック樹脂層が円偏光分離機能を発揮する具体的な波長は、通常、コレステリック樹脂層における重合体の螺旋構造のピッチに依存する。そのため、この螺旋構造のピッチの大きさを調整することによって、円偏光分離機能を発揮する波長を制御できる。
【０１４９】
更に具体的には、螺旋構造において分子軸が捩れる時の回転軸を表す螺旋軸と、コレステリック樹脂層の法線とが平行である場合、螺旋構造のピッチ長ｐと反射される円偏光の波長λとは、式（Ｘ）および式（Ｙ）の関係を有する。ここで、螺旋構造のピッチ長ｐとは、螺旋構造において分子軸の方向が平面を進むに従って少しずつ角度が連続的にずれていき、そして再びもとの分子軸方向に戻るまでの平面法線方向の距離である。
【０１５０】
式（Ｘ）：λｃ＝ｎ×ｐ×ｃｏｓθ
式（Ｙ）：ｎｏ×ｐ×ｃｏｓθ≦λ≦ｎｅ×ｐ×ｃｏｓθ
【０１５１】
式（Ｘ）及び式（Ｙ）中、λｃは選択反射帯域の中心波長を表し、ｎｏは重合性液晶化合物の短軸方向の屈折率を表し、ｎｅは前記重合性液晶化合物の長軸方向の屈折率を表し、ｎは（ｎｅ＋ｎｏ）／２を表し、ｐは螺旋構造のピッチ長を表し、θは光の入射角（面の法線との間になす角度）を表す。
【０１５２】
したがって、選択反射帯域の中心波長λｃは、コレステリック樹脂層における重合体の螺旋構造のピッチ長ｐに依存する。この螺旋構造のピッチ長ｐを変えることによって、選択反射帯域を変えることができる。よって、重合体の螺旋構造のピッチ長ｐは、選択反射層に反射させたい円偏光の波長に応じて設定することが好ましい。ピッチ長ｐを調整する方法としては、例えば、特開２００９−３００６６２号公報に記載の公知の方法を用いうる。具体例を挙げると、カイラル剤の種類を調整したり、カイラル剤の量を調整したりする方法が挙げられる。
【０１５３】
さらに、選択反射帯域の帯域幅は、前記重合性液晶化合物の長軸方向の屈折率ｎｅと短軸方向の屈折率ｎｏとの差に依存し、したがって、前記重合性液晶化合物の屈折率異方性Δｎに依存する。よって、重合性液晶化合物として、屈折率異方性Δｎが小さい化合物（Ｉ）を用いることにより、上述したコレステリック樹脂層の選択反射帯域の帯域幅を狭くできる。
【０１５４】
〔４．３．３．コレステリック樹脂層の任意の成分〕
コレステリック樹脂層は、上述した化合物（Ｉ）の重合体に加えて、任意の成分を含んでいてもよい。このような任意の成分としては、コレステリック樹脂層の円偏光分離機能を著しく損なわないものが好ましい。例えば、コレステリック樹脂層は、当該コレステリック樹脂層の形成に用いるための液晶性組成物が含みうる界面活性剤を含んでいてもよい。また、任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１５５】
〔４．３．４．コレステリック樹脂層の光学特性〕
上述したように、コレステリック樹脂層は、コレステリック規則性を有する重合体を含むので、円偏光を反射しうる選択反射帯域を有する。コレステリック樹脂層が含む重合体の単量体である化合物（Ｉ）が小さい屈折率異方性Δｎを有するので、当該コレステリック樹脂層の選択反射帯域は、通常、狭い。コレステリック樹脂層の選択反射帯域の具体的な帯域幅は、選択反射層に求められる光学的特性に応じて設定しうる。具体的には、選択反射性に基づく光反射の帯域の半値幅Ｗ２が、上に述べた、凹凸構造に基づく光反射の帯域の半値幅Ｗ１との関係において、好ましい範囲となるよう適宜設定しうる。より具体的な範囲を挙げると、コレステリック樹脂層の選択反射帯域の半値幅は、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、特に好ましくは３０ｎｍ以下である。選択反射帯域の半値幅の下限値に特に制限は無いが、好ましくは１５ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは２５ｎｍ以上としうる。
コレステリック樹脂層の選択反射帯域の半値幅は、分光透過率計によって測定しうる。
【０１５６】
コレステリック樹脂層の選択反射帯域の具体的な波長は、選択反射層に求められる光学的特性に応じて設定しうる。例えば、コレステリック樹脂層の選択反射帯域は、可視領域（波長４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下）にあってもよく、赤外領域（波長８００ｎｍ超）にあってもよく、紫外領域（波長１ｎｍ以上４００ｎｍ未満）にあってもよい。良好な測定対象物質の測定を行う観点から、選択反射帯域は、通常可視領域に設定され、より好ましくは緑色（波長４９５ｎｍ以上５７０ｎｍ以下）の領域に設定される。
【０１５７】
〔４．３．５．コレステリック樹脂層の厚み〕
基材におけるコレステリック樹脂層の１層当たりの厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは３．０μｍ以上であり、好ましくは１２μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは８μｍ以下である。コレステリック樹脂層の厚みを前記範囲の下限値以上にすることにより、選択反射帯域の円偏光を効果的に反射でき、また、前記範囲の上限値以下にすることにより選択反射帯域以外の波長帯域の光の透過性を高めることができる。
【０１５８】
〔４．３．６．重合性液晶化合物を用いた、選択反射層の形成〕
適切な支持体の上に、化合物（Ｉ）等の重合性液晶化合物を含む液晶性組成物の層を形成する工程と、前記液晶性組成物の層に含まれる重合性液晶化合物を重合する工程と、を含む製造方法によって、選択反射層を形成しうる。
以下においては、まず、重合性液晶化合物として化合物（Ｉ）を用いた、一般的は選択反射層の形成方法の例について具体的に説明し、その後、半硬化及び本硬化の工程を含む、特定の選択反射層の形成方法について説明する。
【０１５９】
〔４．３．６．１．支持体の用意〕
支持体としては、通常、フィルム状の部材を用いる。支持体の材料としては、樹脂を用いうる。この樹脂は、重合体と、必要に応じて任意の成分を含む。樹脂が含む重合体の例としては、凹凸構造を有する層以外の層（例えば、図４に示す例における支持層４１２等）を備える場合における、かかる層の材料として例示したものと同様のものを例示しうる。また、選択反射層の形成に用いた支持体は、選択反射層から剥離せず、そのまま、本発明の分析プレートを構成する支持体として用いてもよい。
【０１６０】
支持体は、一層のみを備える単層構造のフィルムであってもよく、二層以上の層を備える複層構造のフィルムであってもよい。生産性及びコストの観点からは、支持体として単層構造のフィルムを用いることが好ましい。また、コレステリック樹脂層を形成する際に化合物（Ｉ）を良好に配向させる観点では、支持体は、配向膜を有する複層構造のフィルムであってもよい。
【０１６１】
配向膜は、例えば、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリエステル、ポリアリレート、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド等の重合体を含む樹脂により形成しうる。また、これらの重合体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。配向膜は、前記の重合体を含む溶液を塗布し、乾燥させ、ラビング処理を施すことにより製造しうる。配向膜の厚みは、好ましくは０．０１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下である。
【０１６２】
また、支持体は、その片面又は両面に表面処理が施されたものであってもよい。表面処理を施すことにより、支持体の表面に直接形成される他の層との密着性を向上させることができる。通常、液晶性組成物の層を形成される側の支持体の面に、表面処理が施される。表面処理としては、例えば、エネルギー線照射処理及び薬品処理などが挙げられる。
【０１６３】
さらに、液晶性組成物の層を形成される側の支持体の面には、コレステリック樹脂層を形成する際の化合物（Ｉ）の配向を促進するために、ラビング処理を施してもよい。
【０１６４】
支持体の厚みは、製造時のハンドリング性、材料のコスト、薄型化及び軽量化の観点から、好ましくは３０μｍ以上、より好ましくは６０μｍ以上であり、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下である。
【０１６５】
〔４．３．６．２．液晶性組成物の層の形成工程〕
支持体を用意した後で、支持体上に、化合物（Ｉ）を含む液晶性組成物の層を形成する工程を行う。液晶性組成物は、少なくとも化合物（Ｉ）を含む組成物であり、支持体上に液晶性組成物の層を形成する工程においては通常は流体状の組成物となっている。
【０１６６】
液晶性組成物は、化合物（Ｉ）に組み合わせて、カイラル剤を含みうる。コレステリック樹脂層が含む重合体のねじれ方向は、カイラル剤の種類及び構造により、選択しうる。カイラル剤としては、例えば、特開２００３−６６２１４号公報、特開２００３−３１３１８７号公報、米国特許第６４６８４４４号明細書、国際公開第９８／００４２８号等に掲載されたものが挙げられる。中でも、重合性液晶化合物を捩じる効率を表す指標であるＨＴＰの大きなものが、経済性の観点から好ましい。また、カイラル剤は、液晶性を示してもよく、示さなくてもよい。さらに、重合性液晶化合物との架橋度を上げ、重合体を安定化させる観点から、重合性基を有するカイラル剤が好ましい。ここで、カイラル剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１６７】
カイラル剤の量は、化合物（Ｉ）１００重量部に対して、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．１重量部以上、特に好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは３５重量部以下、より好ましくは２５重量部以下、特に好ましくは１５重量部以下である。カイラル剤の量を前記の範囲にすることにより、支持体上に形成される液晶性組成物の層において、液晶性を低下させることなく、化合物（Ｉ）にコレステリック規則性を発現させることができる。
【０１６８】
液晶性組成物は、化合物（Ｉ）に組み合わせて、重合開始剤を含みうる。重合開始剤としては、熱重合開始剤及び光重合開始剤のいずれを用いてもよい。中でも、より容易且つ効率よく重合を進められることから、光重合開始剤が好ましい。光重合開始剤としては、例えば、多核キノン化合物（米国特許第３０４６１２７号明細書、米国特許第２９５１７５８号明細書）、オキサジアゾール化合物（米国特許第４２１２９７０号明細書）、α−カルボニル化合物（米国特許第２３６７６６１号明細書、米国特許第２３６７６７０号明細書）、アシロインエーテル（米国特許第２４４８８２８号明細書）、α−炭化水素置換芳香族アシロイン化合物（米国特許第２７２２５１２号明細書）、トリアリールイミダゾールダイマーとｐ−アミノフェニルケトンとの組み合わせ（米国特許第３５４９３６７号明細書）、アクリジンおよびフェナジン化合物（特開昭６０−１０５６６７号公報、米国特許第４２３９８５０号明細書）などが挙げられる。また、重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１６９】
重合開始剤の量は、化合物（Ｉ）１００重量部に対して、好ましくは１重量部以上であり、また、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。
【０１７０】
液晶性組成物は、化合物（Ｉ）に組み合わせて、界面活性剤を含みうる。界面活性剤を用いることにより、液晶性組成物の層の表面張力を調整できる。界面活性剤としては、ノニオン系の界面活性剤が好ましく、分子量が数千程度のオリゴマーであることが好ましい。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１７１】
界面活性剤の量は、化合物（Ｉ）１００重量部に対して、好ましくは０．０１重量部以上、より好ましくは０．０３重量部以上、特に好ましくは０．０５重量部以上であり、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下、特に好ましくは１重量部以下である。界面活性剤の量を前記の範囲にすることにより、配向欠陥のないコレステリック樹脂層を形成できる。
【０１７２】
液晶性組成物は、化合物（Ｉ）に組み合わせて、溶媒を含みうる。溶媒としては、例えば、ケトン溶媒、アルキルハライド溶媒、アミド溶媒、スルホキシド溶媒、ヘテロ環化合物、炭化水素溶媒、エステル溶媒、およびエーテル溶媒などの有機溶媒が挙げられる。これらの中でも、環境への負荷を考慮した場合にはケトン溶媒が好ましい。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
【０１７３】
溶媒の量は、化合物（Ｉ）１００重量部に対して、好ましくは４０重量部以上、より好ましくは６０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上であり、好ましくは１０００重量部以下、より好ましくは８００重量部以下、特に好ましくは６００重量部以下である。溶媒の量を前記の範囲にすることにより、液晶性組成物を塗布する際の塗布ムラの発生を抑制して、厚みの均一な液晶性組成物の層を形成できる。
【０１７４】
液晶性組成物は、更に、必要に応じて任意の成分を含みうる。任意の成分としては、例えば、ポットライフ向上のための重合禁止剤；コレステリック樹脂層の機械的強度を高めるための架橋剤；耐久性向上のための酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定化剤；等が挙げられる。これらの任意の成分は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。任意の成分の量は、所望する光学的性能を低下させない範囲で任意に設定しうる。
【０１７５】
通常は、液晶性組成物を支持体上に塗布することによって、液晶性組成物の層を形成する。塗布法としては、例えば、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、プリント法、ディップコート法、流延製膜法、バーコート法、ダイコート法、グラビア印刷法などが挙げられる。
【０１７６】
〔４．３．６．３．乾燥工程〕
支持体上に液晶性組成物の層を形成した後で、必要に応じて、液晶性組成物の層を乾燥させる工程を行ってもよい。乾燥方法は、任意である。また、乾燥時の温度条件は、例えば、４０℃〜１５０℃の範囲としうる。
【０１７７】
〔４．３．６．４．配向工程〕
支持体上に液晶性組成物の層を形成した後で、必要に応じて、配向処理を施す工程を行ってもよい。前記のような配向処理は、例えば、５０℃〜１５０℃で０．５分〜１０分間加温することにより行いうる。配向処理を施すことにより、液晶性組成物の層に含まれる化合物（Ｉ）の配向を促進することができる。そのため、化合物（Ｉ）を、コレステリック規則性を有する液晶相の状態にすることができる。
【０１７８】
〔４．３．６．５．重合工程〕
支持体上に液晶性組成物の層を形成した後で、液晶性組成物の層に含まれる重合性液晶化合物を重合する工程を行う。これにより、化合物（Ｉ）はコレステリック規則性を維持したままで重合するので、選択反射層としてのコレステリック樹脂層が得られる。
【０１７９】
化合物（Ｉ）を重合させる方法は、任意である。例えば、重合開始剤として光重合開始剤を用いている場合、液晶性組成物の層に光を照射することで、化合物（Ｉ）を重合させてもよい。この際に照射する光には、可視光のみならず、紫外線及びその他の電磁波をも含む。通常は、紫外線を照射する。光の照射エネルギーは、好ましくは３００ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは１０００ｍＪ／ｃｍ２以上、特に好ましくは２０００ｍＪ／ｃｍ２以上であり、好ましくは７０００Ｊ／ｃｍ２以下、より好ましくは６０００Ｊ／ｃｍ２以下、特に好ましくは５０００Ｊ／ｃｍ２以下である。光照射は、重合性液晶組成物を塗布した側（液晶性組成物の層側）へ行ってもよく、支持体に行ってもよい。
【０１８０】
〔４．３．６．６．半硬化及び本硬化の工程を含む形成方法〕
図１及び図４に示す例のように、基材の凹凸構造を有する表面に位置する層が選択反射層である基材であって、選択反射層としてコレステリック樹脂層を有するものを製造する場合は、以下に述べる、半硬化及び本硬化の工程を含む形成方法により、選択反射層を形成することが好ましい。具体的には、下記（ａ）〜（ｄ）の工程を含む方法により、選択反射層を形成することが好ましい。
工程（ａ）：コレステリック液晶相を呈しうる重合性液晶化合化合物を含む液晶性組成物の層を形成する。
工程（ｂ）：液晶性組成物の層を半硬化させ、半硬化層とする。
工程（ｃ）：半硬化層の表面に構造色を呈しうる凹凸構造を付与する。
工程（ｄ）：半硬化層を本硬化させ、基材を得る。
【０１８１】
工程（ａ）は、上に述べた一般的な選択反射層の形成方法における液晶性組成物の層の形成方法と同様に行いうる。工程（ａ）の終了後、工程（ｄ）の終了までの任意の段階において、必要に応じて、液晶組成物の乾燥工程、配向工程、又はこれらの両方を行いうる。これらの工程の具体的な操作は、上に述べた一般的な選択反射層の形成方法における操作と同様に行いうる。
【０１８２】
工程（ｂ）における半硬化とは、最終的な製品における重合性液晶化合物の重合転化率の一部までの段階まで重合を進行させることをいう。半硬化を行うことにより、例えば、指先で軽く圧力をかけて押えても、指紋の跡が残らず、粘着性を示さない状態の層を形成することができる。
【０１８３】
半硬化による重合で達成される重合転化率は、好ましくは、本硬化で達成される重合転化率の５０〜８０％としうる。例えば、本硬化で達成される重合転化率が９０％である場合、半硬化による重合で達成される重合転化率は、４５〜７２％としうる。
【０１８４】
半硬化の具体的な方法は任意である。具体的には、上に述べた一般的な選択反射層の形成方法における光照射の工程を、その照射エネルギー量を変更して行うことにより、半硬化を達成しうる。
光の照射エネルギー（積算光量）は、１〜１０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１０〜２００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。光の照度は、１ｍＷ／ｃｍ２以上５００ｍＷ／ｃｍ２以下が好ましく、１ｍＷ／ｃｍ２以上２００ｍＷ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【０１８５】
工程（ｃ）は、半硬化層に、所望の凹凸構造が反転した形状を有する金型等の型を圧接し、凹凸構造を転写することにより行いうる。半硬化層は、本硬化した層よりも軟らかいため、半硬化層には容易に凹凸構造を転写することができる。
型は既知の方法等で製造し得、また、型の材質等は既知の材料を使用することができ特に限定されず、型の具体例としてはエンボスロールが挙げられる。
【０１８６】
半硬化層に型を圧接する圧力は、０．５〜５０ＭＰａが好ましく、１〜３０ＭＰａがより好ましい。
より効率的に凹凸構造を転写するために、半硬化層を加熱しながら型で転写することが好ましい。転写温度は、５０〜２００℃が好ましく、７０〜１１０℃がより好ましい。転写温度を上記範囲内に収めることで、重合性液晶化合物が液晶相から等方性相へ相転移することを抑制することができる。
【０１８７】
半硬化層の表面への凹凸構造の形成を、エンボスロールを使用して行う場合、エンボスロールで液晶性組成物の層に凹凸構造を転写させながら液晶性組成物の層を移動させる。
液晶性組成物の層の移動速度は、１〜５０ｍ／ｍｉｎが好ましく、３〜２０ｍ／ｍｉｎがより好ましい。
【０１８８】
工程（ｃ）を行った後、工程（ｄ）を行うことにより、重合性液晶化合物はコレステリック規則性を維持したままで重合するので、表面に凹凸構造を備えるコレステリック樹脂層が得られる。
【０１８９】
工程（ｄ）における本硬化とは、最終的な製品における重合性液晶化合物の重合転化率まで重合を進行させることをいう。工程（ｄ）における重合転化率は、８５％〜１００％としうる。
【０１９０】
本硬化の具体的な方法は任意である。具体的には、上に述べた一般的な選択反射層の形成方法における光照射の工程と同様の操作により、本硬化を達成しうる。工程（ｄ）における光の照射エネルギー（積算光量）等の条件、上に述べた一般的な選択反射層の形成方法における光照射の工程における条件と同様としてもよく、必要に応じて適宜変更してもよい。具体的には、照射エネルギー（積算光量）は１〜５０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、１００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。光の照度は、１ｍＷ／ｃｍ２以上５０００ｍＷ／ｃｍ２以下が好ましく、１００ｍＷ／ｃｍ２以上３０００ｍＷ／ｃｍ２以下がより好ましい。
【０１９１】
工程（ｃ）及び工程（ｄ）は、この順に行ってもよいが、同時に行っても良い。同時に行う場合、型で凹凸構造を転写すると同時に、紫外線を照射することにより本硬化を行う。
【０１９２】
工程（ａ）〜（ｄ）を含む方法により、支持体上に、凹凸構造を有する選択反射層を得ることができる。この後、必要に応じて、支持体の剥離、及び任意の層との貼合等の任意の操作を行うことにより、基材を得ることができる。さらに、得られた基材の表面において、上に述べた特異的認識分子を固定化する工程を行うことにより本発明の分析プレートを得ることができる。
【実施例】
【０１９３】
以下、実施例を示して本発明について具体的に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施例に限定されるものでは無く、本発明の請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温常圧大気中において行った。【０１９４】
〔実施例１〕
下記式（Ａ）に示す重合性液晶化合物（屈折率異方性Δｎ＝０．０７、液晶相から等方性相への相転移温度が２００℃以上、結晶相から液晶相への相転移温度が１０２℃）１部と、カイラル剤（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ７５６」）０．１３部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア３７９」）０．０３５部と、界面活性剤（ＡＧＣセイケミカル社製「ｓ２４２」）０．００１３部と、溶媒としてシクロペンタノン１．５部とを混合して、液晶性組成物を得た。【０１９５】
【化２７】
2017138494.tif 000029
【０１９６】
支持体フィルムとして、片面に易接着処理が施されているポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）を用意した。この支持体フィルムの易接着処理が施されていない方の面にラビング処理を施した。次いで、ラビング処理を施した面に、前記の液晶性組成物を塗布した。これにより、支持体フィルムの片面に、未硬化状態の液晶性組成物の層が形成された。【０１９７】
その後、８０℃、１分の条件で乾燥を行って、液晶性組成物の層から溶媒を除去した。さらに、１３０℃、２分の条件で配向処理を行って、重合性液晶化合物を配向させた。【０１９８】
次いで、空気雰囲気下で、液晶性組成物の層に照度１００ｍＷ／ｃｍ２、積算光量１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、液晶性組成物の層を半硬化させ、半硬化層を形成した。【０１９９】
深さ０．３μｍ、ピッチ約８μｍのエンボス状の凹凸構造（回折格子パターン）が形成されたエンボスロールを用意した。エンボスロールの温度を１００℃とし、半硬化層を１０ｍ／ｍｉｎの速度で移動させながら、５ＭＰａの圧力で押圧し、半硬化層に凹凸構造を付与した。【０２００】
凹凸構造を付与した半硬化層に、窒素雰囲気下で照度１０００ｍＷ／ｃｍ２、積算光量２０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、本硬化を行った。紫外線の照射により、重合性液晶化合物の重合を進行させ、本硬化を行い、図２に概略的に示す凹凸構造を備えるコレステリック樹脂層（厚さ５μｍ）を得た。得られたコレステリック樹脂層の表面の凹凸構造は、図２に示す通り、線Ｌ１に沿った方向及びそれに直交する線Ｌ２に沿った方向の２の方向において、周期的に配置された窪みを有していた。線Ｌ１に沿った方向の周期Ｐ１は８μｍであり、線Ｌ２に沿った方向の周期Ｐ２は８μｍであった。【０２０１】
得られたコレステリック樹脂層を基材として、この凹凸構造を有する表面上に、特異的認識分子を固定化した。特異的認識分子としては、抗体（抗ヒトフィブリノーゲン抗体）溶液（１μｇ／ｍＬ）を用意し、これを凹凸構造を有する表面へ滴下し、一時間室温下にて静置することにより、疎水性相互作用によって抗体を表面に物理的に吸着させ、抗体を表面に固定化した。これにより、分析プレートを得た。【０２０２】
得られた分析プレートの、凹凸構造を有する表面の色調を、分光器（Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ社製ＵＳＢ４０００または、和光純薬工業社製「ＴＥＣＡＮ」）を用いて測定したところ、波長５５０ｎｍにおいてピークを有する反射が観察された。続いて、当該表面に検体（ヒトフィブリノーゲンを含む）溶液（１μｇ／ｍＬ）を滴下し、一時間室温下にて静置した後、超純水を用いて洗浄・乾燥させ、再び表面の色調を測定したところ、波長５５０ｎｍにおけるピークの反射強度が、検体滴下前に比べて約２０％低下し、これにより、抗原の結合による反射の低下が明確に観察された。【０２０３】
〔実施例２〕
下記式（Ａ）に示す重合性液晶化合物（屈折率異方性Δｎ＝０．０７、液晶相から等方性相への相転移温度が２００℃以上、結晶相から液晶相への相転移温度が１０２℃）１部と、カイラル剤（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ７５６」）０．１３部と、光重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「イルガキュア３７９」）０．０３５部と、界面活性剤（ＡＧＣセイケミカル社製「ｓ２４２」）０．００１３部と、溶媒としてシクロペンタノン１．５部とを混合して、液晶性組成物を得た。【０２０４】
【化２８】
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【０２０５】
支持体フィルムとして、片面に易接着処理が施されているポリエチレンテレフタレートフィルム（厚み１００μｍ）を用意した。この支持体フィルムの易接着処理が施されていない方の面にラビング処理を施した。次いで、ラビング処理を施した面に、前記の液晶性組成物を塗布した。これにより、支持体フィルムの片面に、未硬化状態の液晶性組成物の層が形成された。【０２０６】
その後、８０℃、１分の条件で乾燥を行って、液晶性組成物の層から溶媒を除去した。さらに、１３０℃、２分の条件で配向処理を行って、重合性液晶化合物を配向させた。【０２０７】
次いで、液晶性組成物の層に照度１０００ｍＷ／ｃｍ２、積算光量４０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を窒素雰囲気下で照射し、液晶性組成物の層を硬化させ、厚さ５μｍの、凹凸構造を有しない平坦なコレステリック樹脂層を得た。このコレステリック樹脂層の光反射の帯域の半値幅Ｗ２を測定したところ、３５ｎｍであった。また、反射の中心波長は、５５０ｎｍであった。【０２０８】
得られたコレステリック樹脂層を基材として、特異的認識分子を固定化した。特異的認識分子としては、抗体（抗ヒトフィブリノーゲン抗体）溶液（１μｇ／ｍＬ）を用意し、これを基材の表面へ滴下し、一時間室温下にて静置することにより、疎水性相互作用によって抗体を表面に物理的に吸着させ、抗体を表面に固定化した。これにより、分析プレートを得た。【０２０９】
得られた分析プレートの、表面の色調を、分光器（Ｏｃｅａｎ  Ｏｐｔｉｃｓ社製ＵＳＢ４０００または、和光純薬工業社製「ＴＥＣＡＮ」）を用いて測定したところ、波長５５０ｎｍにおいてピークを有する反射が観察された。続いて、当該表面に検体（ヒトフィブリノーゲンを含む）溶液（１μｇ／ｍＬ）を滴下し、一時間室温下にて静置した後、超純水を用いて洗浄・乾燥させ、再び表面の色調を測定したところ、波長５５０ｎｍにおけるピークの反射強度が、検体滴下前に比べて約１２％低下し、これにより、抗原の結合による反射の低下が明確に観察された。【０２１０】
〔参考例〕
実施例１及び実施例２において分光器でもとめたスペクトルを対比することにより、実施例１中の反射率２５％の部分の反射が凹凸構造を備えるコレステリック樹脂層における凹凸構造に基づく光反射の帯域であることが分かった。当該帯域の半値幅Ｗ１を求めたところ、２５ｎｍであった。反射の中心波長は５５０ｎｍであった。
【符号の説明】
【０２１１】
１０：分析プレート
４０：分析プレート
５０：分析プレート
６０：分析プレート
１１１：基材
１１Ｂ：表面底部
１１Ｔ：表面頂部
１１Ｕ：基材の表面（凹凸構造）
１２１：特異的認識分子
３１１：凹凸構造に基づく光反射のプロフィール
３１２：分析プレートの特異的認識分子に測定対象物質が結合した状態における凹凸構造に基づく光反射のプロフィール
３２１：選択反射性に基づく光反射のプロフィール
４１０：複層構造を有する基材
４１１：選択反射層
４１２：支持層
５１０：複層構造を有する基材
５１１：選択反射層
５１３：凹凸構造を有する透明な層
６３１：板状構造物
６３Ｄ：板状構造物底部
６３Ｈ：貫通孔
Ｌ１：線
Ｌ２：線
Ｐ１：周期
Ｐ２：周期
【図１】
2017138494.tif 000031
【図２】
2017138494.tif 000032
【図３】
2017138494.tif 000033
【図４】
2017138494.tif 000034
【図５】
2017138494.tif 000035
【図６】
2017138494.tif 000036
【国際調査報告】
2017138494.tif 000037
2017138494.tif 000038
2017138494.tif 000039
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