(57)【要約】  本発明は、シールドガス供給源からシールドガスを導出初期に発生するシールドガスの突流を防止可能で、かつコストを低減、及びメンテナンス性の向上を図ることの可能なガス供給装置、混合機能付きガス供給装置、溶接装置、及びガス供給方法を提供することを課題とし、高圧でシールドガスが充填されたシールドガス供給源（２１）と、シールドガス供給源（２１）のシールドガス導出口に設けられ、シールドガス供給源（２１）から導出されたシールドガスの圧力を所定の圧力まで減圧させる１段式減圧器（２２）と、一端が一段式減圧器（２２）に接続され、他端がシールドガスの使用先に接続されたシールドガス供給ライン（２３）と、シールドガス供給ライン（２３）に設けられた電磁弁（２４）と、電磁弁（２４）と使用先との間に位置するシールドガス供給ライン（２３）に設けられた流量調整弁（２５）とを有する。
2017057400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧でシールドガスが充填されたシールドガス供給源と、
前記シールドガス供給源のシールドガス導出口に設けられ、前記シールドガス供給源から導出された前記シールドガスの圧力を所定の圧力まで減圧させる１段式減圧器と、
一端が前記１段式減圧器と接続され、他端が前記シールドガスの使用先と接続されたシールドガス供給ラインと、
前記シールドガス供給ラインに設けられた電磁弁と、
前記電磁弁と前記使用先との間に位置する前記シールドガス供給ラインに設けられた流量調整弁とを有することを特徴とするガス供給装置。
【請求項２】
前記流量調整弁に替えて、前記電磁弁の後段に位置する前記シールドガス供給ラインに設けられた定流量弁と、
前記電磁弁の前段に位置する前記シールドガス供給ラインから分岐され、前記定流量弁と接続された第１の分岐ラインとを有することを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項３】
前記流量調整弁は、ニードル弁であることを特徴とする請求項１記載のガス供給装置。
【請求項４】
前記流量調整弁の後段に位置する前記シールドガス供給ラインに設けられ、前記シールドガスの流量を計測する流量計を有することを特徴とする請求項１または３記載のガス供給装置。
【請求項５】
前記シールドガス供給源に替えて、パイロットガスを供給するパイロットガス供給源と、
前記シールドガス供給ラインに替えて、前記パイロットガスが流れるパイロットガス供給ラインとを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載のガス供給装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項記載のガス供給装置を複数有し、
一端が複数の前記ガス供給装置を構成する各シールドガス供給ラインと接続され、他端が使用先と接続され、複数のシールドガスを混合させる機能を有するラインを含むことを特徴とする混合機能付きガス供給装置。
【請求項７】
前記複数のガス供給装置を構成する電磁弁と電気的に接続され、該電磁弁を制御する電磁弁制御部を含み、
前記電磁弁制御部は、磁気コアを用いた電流センサであることを特徴とする請求項６記載の混合機能付きガス供給装置。
【請求項８】
請求項１から４のいずれか１項記載のガス供給装置を有する溶接装置であって、
前記使用先が溶接トーチであり、
前記ガス供給装置が、前記シールドガスを供給する装置であることを特徴とする溶接装置。
【請求項９】
請求項１から４のいずれか１項記載のガス供給装置と、
前記電磁弁と前記１段減圧器との間に位置する前記シールドガス供給ラインに設けられたＧＭＡ用溶接機と、
前記１段式減圧器と前記ＧＭＡ用溶接機との間に位置する前記シールドガス供給ラインから分岐された第２の分岐ラインと、
前記第２の分岐ラインに設けられた他の電磁弁と、
前記他の電磁弁の後段に位置する前記第２の分岐ラインに設けられた他の流量調整弁と、
前記他の電磁弁を制御可能なＧＴＡ用溶接機とを有することを特徴とする溶接装置。
【請求項１０】
１段式減圧器を用いて、高圧でシールドガスが充填されたシールドガス供給源から導出された前記シールドガスの圧力が所定の圧力となるように減圧させる減圧工程と、
一端が前記１段式減圧器と接続され、他端が前記シールドガスの使用先と接続されたシールドガス供給ラインに設けられた電磁弁の開閉時において、該電磁弁の後段に配置された流量調整弁により、該流量調整弁の上流側に位置する前記シールドガス供給ライン内に背圧を印加する背圧印加工程とを有することを特徴とするガス供給方法。
【請求項１１】
前記使用先として、溶接トーチを用い、
前記シールドガスを用いることを特徴とする請求項１０記載のガス供給方法。
【請求項１２】
前記シールドガスに替えて、パイロットガスを供給することを特徴とする請求項１０または１１記載のガス供給方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガスを使用先に供給するガス供給装置、複数のガス供給装置を含む混合機能付きガス供給装置、ガス供給装置を含む溶接装置、及びガス供給方法に関する。
本願は、２０１５年９月２８日に、日本に出願された特願２０１５−１８９０８０号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガスが高圧で充填されたガス供給源から使用先にガスを供給する際に、ガス供給源（例えば、ボンベ）から導出するガスの圧力を十分に小さくして、使用先に供給している。
このような技術（ガス供給装置）は、アーク溶接を実施するアーク溶接装置にも適用されている。【０００３】
アーク溶接は、コストや汎用性の高さから最も広く用いられている溶接プロセスであり、非消耗電極を用いるＧａｓ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ａｒｃ溶接（以下、「ＧＴＡ溶接」という）と、消耗電極を用いるＧａｓ Ｍｅｔａｌ  Ａｒｃ溶接（以下、「ＧＭＡ溶接」という）とに大別される。【０００４】
ＧＴＡ溶接は、高融点金属（例えば、タングステン）を陰極の材料として用い、陰極と、陽極となる母材との間に発生するアーク放電を介してプラズマを生成し、これを熱源として母材を溶融接合する。
一方、ＧＭＡ溶接では、溶接ワイヤを陽極とし、母材を陰極とする。ＧＭＡ溶接では、アークプラズマにより、溶接ワイヤを溶融させることでワイヤ端に溶滴を形成し、この溶滴が外力を受けてワイヤ端を離脱し、母材へと移行することで溶接を行う方法である。【０００５】
図１７は、従来のガス供給装置を具備するＧＭＡ溶接装置の概略構成を示す図である。
次に、図１７を参照して、従来のＧＭＡ溶接装置１００について説明する。
従来のＧＭＡ溶接装置１００は、ガス供給装置１０１と、溶接機１０３と、ワイヤ供給装置１０５と、溶接トーチ１０６とを有する。
ガス供給装置１０１は、ガス供給源１１１と、２段式減圧器１１２と、ガス供給ライン１１３と、電磁弁１１５とを有する。【０００６】
ガス供給源１１１としては、例えば、高圧でシールドガスが充填されたボンベを用いることができる。
２段式減圧器１１２は、ガス供給源１１１のガス導出部に設けられており、ガス供給ライン１１３の一端に接続されている。２段式減圧器１１２は、ガスが高圧充填されたガス供給源１１１からガスを導出する初期の段階（溶接時の初期段階）において発生しやすいシールドガスの突流（所望の流量よりも一時的に多くのガスが放出される現象）を抑制することで、シールドガスを節約する機能を有する。２段式減圧器１１２としては、例えば、特許文献１に開示されたガス調整器を用いることができる。【０００７】
図１８は、従来の２段式減圧器の一例を示す図である。
ここで、図１８を参照して、従来の２段式減圧器１１６の一例について説明する。
従来の２段式減圧器１１６は、継手１１６Ａと、１段目減圧部１１６Ｂと、調整圧力計１１６Ｃと、２段目減圧部１１６Ｆと、ノズル１１６Ｅと、流量計１１６Ｄとを有する。
高圧ガスは、継手１１６Ａから１段目減圧部１１６Ｂに導入され、所定の圧力まで減圧される。このガスは、更に２段目減圧部１１６Ｆに導入され、使用する圧力まで減圧され、ノズル１１６Ｅから取り出される。このガス使用量は、流量計１１６Ｄに指示される。なお、継手１１６Ａに導入される圧力は調整圧力計１１６Ｃに指示される。【０００８】
ガス供給ライン１１３は、その他端が溶接トーチ１０６に接続されている。ガス供給ライン１１３は、シールドガスを溶接トーチ１０６に供給する。
電磁弁１１５は、ワイヤ供給装置１０５内に位置するガス供給ライン１１３に設けられている。電磁弁１１５が開くと、溶接トーチ１０６にシールドガスが供給される。【０００９】
溶接機１０３は、２段式減圧器１１２の後段に位置するガス供給ライン１１３に設けられている。
ワイヤ供給装置１０５は、溶接トーチ１０６にワイヤを供給する。溶接トーチ１０６は、被溶接物（図示せず）の溶接を行う。【００１０】
図１９は、従来のガス供給装置を含んだＧＴＡ溶接装置の概略構成を示す図である。
次に、図１９を参照して、従来のＧＴＡ溶接装置１２０について説明する。
従来のＧＴＡ溶接装置１２０は、図１７に示すＧＭＡ溶接装置１００を構成するワイヤ供給装置１０５を構成要素から除くとともに、溶接機１０３及び溶接トーチ１０６に替えて溶接機１２１及び溶接トーチ１２２を有し、かつ電磁弁１１５の配設位置が異なること以外は、ＧＭＡ溶接装置１００と同様に構成されている。【００１１】
溶接機１２１は、２段式減圧器１１２と溶接トーチ１２２との間に位置するガス供給ライン１１３に設けられている。電磁弁１１５は、溶接機１２１内に位置するガス供給ライン１１３に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】実公昭６２−１１３８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、２段式減圧器１１２は、複雑な構造であるため、メンテナンスしにくいという問題があった。
また、２段式減圧器１１２は、コストが高いという問題もあった。【００１４】
そこで、本発明は、ガス供給源からガスを導出初期に発生するガスの突流を防止可能で、かつコストを低減でき、かつメンテナンス性の向上が可能なガス供給装置、混合機能付きガス供給装置、溶接装置、及びガス供給方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、以下のガス供給装置、混合機能付きガス供給装置、溶接装置、及びガス供給方法を提供する。
（１）高圧でガスが充填されたガス供給源と、前記ガス供給源のガス導出口に設けられ、前記ガス供給源から導出された前記ガスの圧力を所定の圧力まで減圧させる１段式減圧器と、一端が前記１段式減圧器と接続され、他端が前記ガスの使用先と接続されたガス供給ラインと、前記ガス供給ラインに設けられた電磁弁と、前記電磁弁と前記使用先との間に位置する前記ガス供給ラインに設けられた流量調整弁とを有することを特徴とするガス供給装置。【００１６】
（２）前記流量調整弁に替えて、前記電磁弁の後段に位置する前記ガス供給ラインに設けられた定流量弁と、前記電磁弁の前段に位置する前記ガス供給ラインから分岐され、前記定流量弁と接続された第１の分岐ラインとを有することを特徴とする（１）記載のガス供給装置。【００１７】
（３）前記流量調整弁は、ニードル弁であることを特徴とする（１）記載のガス供給装置。【００１８】
（４）前記流量調整弁の後段に位置する前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガスの流量を計測する流量計を有することを特徴とする（１）または（３）記載のガス供給装置。【００１９】
（５）前記シールドガス供給源に替えて、パイロットガスを供給するパイロットガス供給源と、前記シールドガス供給ラインに替えて、前記パイロットガスが流れるパイロットガス供給ラインとを含むことを特徴とする（１）から（４）のいずれかに記載のガス供給装置。【００２０】
（６）（１）から（４）のいずれかに記載のガス供給装置を複数有し、一端が複数の前記ガス供給装置を構成する各シールドガス供給ラインと接続され、他端が使用先と接続され、複数のシールドガスを混合させる機能を有するラインを含むことを特徴とする混合機能付きガス供給装置。【００２１】
（７）前記複数のガス供給装置を構成する電磁弁と電気的に接続され、該電磁弁を制御する電磁弁制御部を含み、前記電磁弁制御部は、磁気コアを用いた電流センサであることを特徴とする（６）記載の混合機能付きガス供給装置。【００２２】
（８）（１）から（４）のいずれかに記載のガス供給装置を有する溶接装置であって、前記使用先が溶接トーチであり、前記ガス供給装置が、前記シールドガスを供給する装置であることを特徴とする溶接装置。【００２３】
（９）（１）から（４）のいずれかに記載のガス供給装置と、前記電磁弁と前記１段減圧器との間に位置する前記シールドガス供給ラインに設けられたＧＭＡ用溶接機と、前記１段式減圧器と前記ＧＭＡ用溶接機との間に位置する前記シールドガス供給ラインから分岐された第２の分岐ラインと、前記第２の分岐ラインに設けられた他の電磁弁と、前記他の電磁弁の後段に位置する前記第２の分岐ラインに設けられた他の流量調整弁と、前記他の電磁弁を制御可能なＧＴＡ用溶接機とを有することを特徴とする溶接装置。【００２４】
（１０）１段式減圧器を用いて、高圧でシールドガスが充填されたシールドガス供給源から導出された前記シールドガスの圧力が所定の圧力となるように減圧させる減圧工程と、一端が前記１段式減圧器と接続され、他端が前記シールドガスの使用先と接続されたシールドガス供給ラインに設けられた電磁弁の開閉時において、該電磁弁の後段に配置された流量調整弁により、該流量調整弁の上流側に位置する前記シールドガス供給ライン内に背圧を印加する背圧印加工程とを有することを特徴とするガス供給方法。【００２５】
（１１）前記使用先として、溶接トーチを用い、前記シールドガスを用いることを特徴とする（１０）記載のガス供給方法。【００２６】
（１２）前記シールドガスに替えて、パイロットガスを供給することを特徴とする（１０）または（１１）記載のガス供給方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、ガス供給源からガスを導出初期に発生するガスの突流を防止でき、かつコストを低減でき、かつメンテナンス性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態の第１変形例に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図４】本発明の第２実施形態の第２変形例に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。
【図８】３種類のシールドガスを使用可能な混合機能付きガス供給装置の一例を示す図である。
【図９】比較例１において、シールドガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１０】実施例１において、シールドガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１１】比較例１において、シールドガスの流量を５Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１２】実施例１において、シールドガスの流量を５Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１３】実施例２において、シールドガスの流量を５Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．７ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１４】実施例３において、図１に示す溶接装置を構成する電磁弁と流量調整弁との間に位置するガス供給ラインの長さを５，３００ｍとし、シールドガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１５】実施例４において、図１に示す溶接装置を構成する電磁弁と流量調整弁との間に位置するガス供給ラインの長さを５３００ｍとし、シールドガスの流量を５Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１６】比較例２において、シールドガスの流量を２０Ｌ／ｍｉｎとし、ガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
【図１７】従来のガス供給装置を具備するＧＭＡ溶接装置の概略構成を示す図である。
【図１８】従来の２段式減圧器の一例を示す図である。
【図１９】従来のガス供給装置を具備するＧＴＡ溶接装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明を適用した実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、本発明実施形態の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の溶接装置、ガス供給装置、及び混合機能付きガス供給装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図１では、ガス供給装置１１を含む溶接装置の一例として、ＧＭＡ溶接装置を図示する。
【００３１】
図１に示されるように、溶接装置１０は、ガス供給装置１１と、ＧＭＡ用溶接機１３と、ワイヤ供給装置１５と、溶接トーチ１８と、制御装置（図示せず）とを有する。
ガス供給装置１１は、ガス供給源２１と、１段式減圧器２２と、ガス供給ライン２３と、電磁弁２４と、流量調整弁２５と、流量計２６とを有する。
【００３２】
ガス供給源２１には、高圧でガスが充填されている。ガス供給源２１としては、例えば、高圧（例えば、１５ＭＰａ程度）でシールドガスが充填されたボンベを用いることができる。以下、ガス供給源２１の一例として、シールドガスが充填されたボンベを用いた場合を例に挙げて説明する。
【００３３】
上記シールドガスは、被溶接物（図示せず）を構成する材料によって適宜選択することができる。被溶接物の材料が炭素鋼やステンレス鋼の場合には、例えば、二酸化炭素ガス、アルゴンと二酸化炭素との混合ガス、アルゴンと酸素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと二酸化炭素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと酸素の混合ガス等を用いることができる。
また、被溶接物の材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金の場合には、被溶接物の厚さによってシールドガスを選択することができ、アルゴンガス、アルゴンとヘリウムとの混合ガス（ヘリウムリッチの混合ガスまたはアルゴンリッチの混合ガス）等を用いることができる。
一方、被溶接物の材料がステンレスの場合は、アルゴンと水素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと水素との混合ガス、アルゴンと窒素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと窒素との混合ガス等を用いることができる。
【００３４】
１段式減圧器２２は、ガス供給源２１のガス導出部に設けられており、ガス供給ライン２３の一端に接続されている。１段式減圧器２２は、先に説明した図１７及び図１９に示す従来の装置で使用されている２段式減圧器１１２よりも簡単な構造を有する。そのため、１段式減圧器２２は、２段式減圧器１１２と比較して、コストが安く、かつメンテナンス性の高い減圧器である。
【００３５】
ガス供給源２１内の圧力が１５ＭＰａである場合、１段式減圧器２２は、例えば、ガス供給源２１から導出されるシールドガスの圧力を０．２ＭＰａ程度まで減圧する。
【００３６】
ガス供給ライン２３は、その一端が１段式減圧器２２に接続されており、他端がシールドガスの使用先である溶接トーチ１８に接続されている。ガス供給ライン２３は、ガス供給源２１から導出されたシールドガスを、溶接トーチ１８に供給するためのラインである。
電磁弁２４は、ワイヤ送給装置１５内のガス供給ライン２３に設けられている。
【００３７】
流量調整弁２５は、電磁弁２４を収容するワイヤ供給装置１５の後段に位置するガス供給ライン２３に設けられている。言い換えれば、流量調整弁２５は、電磁弁２４と溶接トーチ１８との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。
流量調整弁２５は、シールドガスの流量を絞ることの可能な弁であればよい。流量調整弁２５としては、例えば、ニードル弁を用いることができる。
【００３８】
流量計２６は、流量調整弁２５と溶接トーチ１８との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。流量計２６は、流量調整弁２５を通過したシールドガスの流量を計測する。
上述した電磁弁２４、及び流量調整弁２５は、制御装置（図示せず）と電気的に接続されており、制御装置（図示せず）により制御される。
【００３９】
ＧＭＡ用溶接機１３は、電磁弁２４と、１段式減圧器２２との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。ＧＭＡ用溶接機１３は、ワイヤ送給装置と、ワイヤ送給装置を介して溶接トーチとに電力を供給する。
ワイヤ供給装置１５は、電磁弁２４を収容するように、流量調整弁２５とＧＭＡ用溶接機１３との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。ワイヤ供給装置１５は、溶接トーチ１８に対して、巻回されたワイヤ（図示せず）を所定の供給速度を供給する。
【００４０】
溶接トーチ１８は、コンタクトチップ（図示せず）を有する。溶接トーチ１８は、ＧＭＡ用溶接機１３から送られてきた電気がコンタクトチップ（図示せず）を介して、ワイヤ（図示せず）に供給される。
上記ワイヤは、電極と溶加材とを兼ねており、ワイヤの先端からは、コンタクトチップから送られてきた電流によりアークが形成される。
溶接トーチ１８からは、ガス供給ライン２３から供給されたシールドガスが噴射され、アークを大気から保護すると同時にアークそのものともなる。
そして、アークプラズマにより、ワイヤを溶融させることでワイヤ端に溶滴を形成し、この溶滴が外力を受けてワイヤ端を離脱し、被溶接物（母材）へと移行することにより溶接が行われる。
【００４１】
制御装置（図示せず）は、ＧＭＡ用溶接機１３、ワイヤ供給装置１５、電磁弁２４、流量調整弁２５、及び流量計２６と電気的に接続されており、溶接装置１０の制御全般を行う。
制御装置（図示せず）は、記憶部（図示せず）と、制御部（図示せず）とを有する。記憶部には、溶接装置１０の制御を行うためのプログラム等が格納されている。制御部は、記憶部に格納されたプログラムに基づいて、溶接装置１０の制御を行う。
【００４２】
第１実施形態の溶接装置１０によれば、上述したガス供給装置１１を有することで、ガス供給源２１からシールドガスを導出初期（溶接開始時）に発生するガスの突流を防止でき、かつコストを低減できるとともに、メンテナンス性を向上させることができる。
【００４３】
第１実施形態のガス供給装置１１によれば、電磁弁２４の後段（下流側）に配置された流量調整弁２５を有することで、電磁弁２４の開閉時において、流量調整弁２５の上流側に位置するガス供給ライン内に背圧を印加して、１段式減圧器２２と電磁弁２４との間に位置するガス供給ライン２３内の圧力を１段式減圧器２２の出口側の圧力に近づけて圧力差を小さくすることが可能となる。
これにより、電磁弁２４の開閉時における圧力変動を抑制することが可能となるので、溶接開始時（言い換えれば、シールドガス供給開始時）にシールドガスの突流を防止することができる。
【００４４】
また、１段式減圧器２２及び流量調整弁２５（例えば、ニードル弁）は、図１７及び図１９に示す従来の装置で使用されている２段式減圧器１１２と比較して、コストが低く、かつ簡単な構成とされている。
つまり、第１実施形態のガス供給装置１１によれば、ガス供給源２１からシールドガスを導出する初期（溶接開始時）に発生するガスの突流を防止でき、かつガス供給装置１１のコストを低減できるとともに、ガス供給装置１１のメンテナンス性を向上させることもできる。
【００４５】
なお、図１では、１台のガス供給源２１とそのガスを使用する１台の溶接トーチ１８とを具備する溶接装置を図示した。
しかしながら、溶接作業の多い工場では、１台の大型ガス供給源と、１台の１段式減圧器とを設置し、そこからの減圧ガスを複数のガス供給ラインに供給する場合がある。
このような場合には、ガス供給ラインの一つに対して、本願発明を適用してもよく、本願発明と同様な効果を得ることができる。
例えば、ガス供給ラインの一つに対して、ガスの流れの上流から、ＧＭＡ用溶接機１３、ワイヤ供給装置１５、電磁弁２４、流量調整弁２５、流量計２６及び溶接トーチ１８を設置し、電磁弁２４の開閉時において、流量調整弁２５の上流側に位置するガス供給ライン内に圧力を印加して、ガス供給源と、電磁弁２４との間に位置するガス供給ライン２３内の圧力をガス供給源の圧力に近づけ、これにより圧力差を小さくすることで、上記効果と同様な効果を得ることができる。
【００４６】
なお、第１実施形態では、１つのガス供給ライン２３のみを介して、溶接トーチ１８にシールドガスを供給する場合を例に挙げて説明したが、例えば、ガス供給ライン２３から分岐した少なくとも１つの分岐ガスライン（図示せず）を設け、該分岐ガスラインを介して、溶接トーチ１８の先端にシールドガスを供給してもよい。この場合、上記分岐ガスラインに、逆止弁（図示せず）を設けるとよい。
このように、分岐ガスラインに逆止弁を設けることで、アークが発生している状態で、シールドガスを供給するラインを切り替えた場合でも、トーチ先端と逆止弁との距離が短いため、ガスの切替が早く、突流防止機能によりアークの乱れを抑制することができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、一例として、ガス供給源２１内の圧力が高い場合を例に挙げて説明したが、上述したガス供給装置１１は、ガス供給源２１内の圧力が低い場合（例えば、０．１〜１．０ＭＰａの範囲内）でも、ガスの突流を防止することができる。
【００４８】
また、第１実施形態のガス供給装置１１では、電磁弁２４と流量調整弁２５との間の距離を長くすることで、電磁弁２４を閉じた場合の残ガスの流れる時間を長くすることができる。
このように、電磁弁２４と流量調整弁２５との間の距離を長くして、電磁弁２４を閉じた場合の残ガスの流れる時間を長くすることで、溶接処理後に行うアフターフローの時間を長くすることが可能となるので、溶接トーチ１８を構成する電極（図示せず）の酸化を抑制することができる。
【００４９】
アークの発生中にシールドガスを切り替える場合には、ガス供給ライン２３から分岐した少なくとも１つの分岐ガスライン（図示せず）を設けることが好ましい。シールドガスの流れが途切れることがなくなるので、より電極の酸化を抑制することができる。
【００５０】
次に、図１を参照して、図１に示す溶接装置１０を用いた場合の第１実施形態のガス供給方法について説明する。
第１実施形態のガス供給方法は、高圧でシールドガスが充填されたガス供給源２１から導出されたシールドガスの圧力が所定の圧力となるように、１段式減圧器２２を用いて減圧させる減圧工程と、一端が１段式減圧器２２と接続され、他端がシールドガスの溶接トーチ１８（使用先）と接続されたガス供給ライン２３に設けられた電磁弁２４の開閉時において、電磁弁２４の後段に配置された流量調整弁２５により、流量調整弁２５の上流側に位置するガス供給ライン２３内に背圧を印加する背圧印加工程とを有する。
【００５１】
第１実施形態のガス供給方法によれば、電磁弁２４の開閉時において、流量調整弁２５の上流側に位置するガス供給ライン２３内に背圧を印加することで、１段式減圧器２２と電磁弁２４との間に位置するガス供給ライン２３内の圧力を１段式減圧器２２の出口側の圧力に近づけ、これにより圧力差を小さくすることが可能となる。
つまり、電磁弁２４の開閉時における圧力変動を抑制することが可能となるので、溶接の初期段階において、シールドガスの突流を防止することができる。
【００５２】
また、１段式減圧器２２及び流量調整弁２５（例えば、ニードル弁）は、図１７及び図１９に示す従来の装置で使用されている２段式減圧器１１２と比較して、コストが低く、かつ簡単な構成とされている。
つまり、第１実施形態のガス供給装置ガス供給方法によれば、ガス供給源２１からシールドガスを導出する初期（溶接の初期段階）に発生するガスの突流を防止でき、かつガス供給装置１１のコストを低減できるとともに、ガス供給装置１１のメンテナンス性を向上させることができる。
【００５３】
（第２実施形態）
図２は、本発明の第２実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図２では、ガス供給装置１１を含む溶接装置３０の一例として、ＧＴＡ溶接装置を図示する。
【００５４】
図２に示されるように、第２実施形態の溶接装置３０は、第１実施形態の溶接装置１０が具備するＧＭＡ用溶接機１３、ワイヤ供給装置１５、及び溶接トーチ１８に替えて、ＧＴＡ用溶接機３１、及び溶接トーチ３２を有し、かつ電磁弁２４の配設位置が異なること以外は、溶接装置１０と同様に構成される。
【００５５】
ＧＴＡ用溶接機３１は、電磁弁２４と１段式減圧器２２との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。ＧＴＡ用溶接機３１は、溶接トーチ１８のタングステン電極に対して電力を供給する。
ＧＴＡ用溶接機３１を用いた場合のシールドガスは、被溶接物（図示せず）を構成する材料によって適宜選択することができる。被溶接物の材料が、炭素鋼、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、及び銅合金等の金属の場合、シールドガスとしては、例えば、アルゴン単体ガス、アルゴンとヘリウムとの混合ガス等が使用できる。
一方、被溶接物の材料がステンレスの場合、シールドガスとしては、例えば、アルゴンと水素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと水素との混合ガス、アルゴンと窒素との混合ガス、アルゴンとヘリウムと窒素との混合ガス等を用いることができる。
電磁弁２４は、ＧＴＡ用溶接機３１内のるガス供給ライン２３に設けられている。
溶接トーチ３２は、ＧＴＡ溶接用の溶接トーチであり、ガス供給ライン２３の他端に接続されている。
【００５６】
本実施形態の溶接装置３０（ＧＴＡ溶接装置）は、第１実施形態の溶接装置が具備するガス供給装置１１と同様のガス供給装置１１を有するので、第１実施形態の溶接装置１０と同様な効果を得ることができる。
【００５７】
また、溶接装置３０を用いた第２実施形態のガス供給方法は、第１実施形態で説明したガス供給方法と同様な手法で行うことができ、同様な効果を得ることができる。
【００５８】
図３は、本発明の第２実施形態の第１変形例に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図３において、図２に示す第２実施形態の溶接装置３０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００５９】
図３に示されるように、第２実施形態の第１変形例の溶接装置３５は、第２実施形態の溶接装置３０を構成するＧＴＡ用溶接機３１が電磁弁２４の外側に配置され、かつＧＴＡ用溶接機３１により電磁弁２４の開閉を制御可能な構成とされていること以外は、溶接装置３０と同様に構成される。
【００６０】
このような構成とされた溶接装置３５においても、ガス供給装置１１を有する第２実施形態の溶接装置３０と同様な効果を得ることができる。
また、本変形例の溶接装置３５では、電磁弁２４が独立して設置されるため、電磁弁２４のメンテナンスを容易に行うことができる。
【００６１】
図４は、本発明の第２実施形態の第２変形例に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図４において、図３に示す第２実施形態の第１変形例に係る溶接装置３５と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００６２】
図４に示されるように、第２実施形態の第２変形例の溶接装置４０は、第２実施形態の第１変形例に係る溶接装置３５を構成する電磁弁２４、流量調整弁２５、及び流量計２６をまとめて、電磁弁制御装置４１としたこと以外は、溶接装置３５と同様に構成されている。
【００６３】
このような構成とされた溶接装置４０においても、ガス供給装置１１を有するので、第２実施形態の第１変形例に係る溶接装置３５と同様な効果を得ることができる。
【００６４】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図５において、図１及び図２に示す構造体（具体的には、溶接装置１０、３０）と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００６５】
図５に示されるように、第３実施形態の溶接装置４５は、第１実施形態の溶接装置１０の構成に、さらに、ＧＴＡ用溶接機３１と、溶接トーチ３２と、分岐ライン４６（第２の分岐ライン）と、電磁弁４７（他の電磁弁）と、流量調整弁４８（他の流量調整弁）と、流量計４９とを有すること以外は、溶接装置１０と同様な構成とされている。
【００６６】
分岐ライン４６は、１段式減圧器２２とＧＭＡ用溶接機１３との間に位置するガス供給ライン２３から分岐されており、溶接トーチ３２に接続されている。
電磁弁４７は、分岐ライン４６に設けられるとともに、ＧＴＡ用溶接機３１内に収容されている。
流量調整弁４８は、電磁弁４７の後段に位置する分岐ライン４６に設けられている。流量調整弁４８としては、例えば、先に説明した流量調整弁２５と同様なものを用いることができる。
ＧＴＡ用溶接機３１は、電磁弁４７を制御可能な構成とされている。
【００６７】
上記構成とされた第３実施形態の溶接装置４５によれば、ＧＭＡ溶接とＧＴＡ溶接との２種類の溶接を行うことが可能になるとともに、ガス供給源２１からシールドガスを導出する初期（溶接の初期段階）に発生するガスの突流を防止できる。
また、ガス供給装置１１のコストを低減できるとともに、ガス供給装置１１のメンテナンス性を向上させることができる。
【００６８】
また、溶接装置４５を用いた第３実施形態の溶接方法は、シールドガスを供給するラインとして、ガス供給ライン２３または分岐ライン４６のどちらかを選択すること以外は、第２実施形態で同様な手法で行うことができ、同様な効果を得ることができる。
【００６９】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図６において、図１に示す溶接装置１０と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００７０】
図６に示されるように、第４実施形態の溶接装置５０は、第１実施形態の溶接装置１０を構成するガス供給装置１１に替えて、ガス供給装置５１を用いること以外は、溶接装置１０と同様に構成されている。
ガス供給装置５１は、第１実施形態で説明したガス供給装置１１を構成する流量調整弁２５に替えて、分岐ライン５３（第１の分岐ライン）と、定流量弁５４とを有すること以外は、ガス供給装置１１と同様に構成されている。
【００７１】
分岐ライン５３は、電磁弁２４の前段であり、さらにＧＭＡ用溶接機１３の前段に位置するガス供給ライン２３から分岐されており、定流量弁５４に接続されている。
定流量弁５４は、電磁弁２４と流量計２６との間に位置するガス供給ライン２３に設けられている。定流量弁５４は、分岐ライン５３を介して、定流量弁５４に伝送されるガス供給ライン２３の上流側の圧力に応じて、流量計２６側に供給するシールドガスの供給量を変化させる機能を有する。
【００７２】
定流量弁５４は、あらかじめ設定したガス流量を維持する機構である。ガス供給ライン２３の上流側の圧力が高くなれば、流量計２６側に供給する流路を小さくし、ガス供給ライン２３の上流側の圧力が低くなれば、流量計２６側に供給する流路を大きくする。
定流量弁５４としては、例えば、フローコントロールバルブ、流調バルブ等を用いることができる。
【００７３】
第４実施形態のガス供給装置５１によれば、上記の通り、分岐ライン５３及び定流量弁５４を有することで、電磁弁２４の開閉時において、定流量弁５４の上流側に位置するガス供給ライン２３の圧力に応じて、定流量弁５４の上流側に位置するガス供給ライン２３内に定流量弁５４が背圧を印加する。１段式減圧器２２と電磁弁２４との間に位置するガス供給ライン２３内の圧力を１段式減圧器２２の出口側の圧力に近づけることができ、圧力差を小さくすることが可能となる。
これにより、電磁弁２４の開閉時における圧力変動を抑制することが可能となるので、溶接開始時（言い換えれば、シールドガス供給開始時）にシールドガスの突流を防止することができる。
【００７４】
また、１段式減圧器２２及び定流量弁５４（例えば、フローコントロールバルブ、流調バルブ）は、図１７及び図１９に示す従来の装置で使用されている２段式減圧器１１２と比較して、コストが低く、かつ簡単な構成とされている。
つまり、第４実施形態のガス供給装置５１によれば、ガス供給源２１からシールドガスを導出する初期（溶接開始時）に発生するシールドガスの突流を防止でき、かつガス供給装置１１のコストを低減できるとともに、ガス供給装置５１のメンテナンス性を向上させることができる。
【００７５】
また、上記ガス供給装置５１を有する溶接装置５０は、ガス供給装置５１と同様な効果を得ることができる。
また、上記ガス供給装置５１は、第１実施形態で説明したガス供給措置１１と同様な手法（ガス供給方法）で、シールドガスを供給することができる。
【００７６】
なお、図６では、分岐ライン５３の分岐位置の一例として、１段式減圧器２２とＧＭＡ用溶接機１３との間に位置するガス供給ライン２３から分岐ライン５３を分岐させた場合を例に挙げて説明したが、分岐ライン５３の分岐位置は、電磁弁２４の前段であればよく、図６に示す分岐位置に限定されない。
【００７７】
また、第４実施形態では、１つのガス供給ライン２３のみを介して、溶接トーチ１８にシールドガスを供給する場合を例に挙げて説明した。しかしながら、例えば、ガス供給ライン２３から分岐した少なくとも１つの分岐ガスライン（図示せず）を設け、該分岐ガスラインを介して、溶接トーチ１８の先端にシールドガスを供給してもよい。この場合、上記分岐ガスラインに、逆止弁（図示せず）を設けるとことが好ましい。
このように、分岐ガスラインに逆止弁を設けることで、アークが発生している状態で、シールドガスを供給するラインを切り替えた場合でも、トーチ先端と逆止弁との距離が短いため、ガスの切替が早く、突流防止機能によりアークが乱れることを抑制することができる。
【００７８】
また、第４実施形態では、一例として、ガス供給源２１内の圧力が高い場合を例に挙げて説明したが、上述したガス供給装置５１は、ガス供給源２１内の圧力が低い場合（例えば、０．１〜１．０ＭＰａの範囲内）でも、ガスの突流を防止することができる。
【００７９】
また、第４実施形態のガス供給装置５１において、電磁弁２４と定流量弁５４との間の距離を長くすることで、電磁弁２４を閉じた場合の残ガスの流れる時間を長くすることができる。
このように、電磁弁２４と定流量弁５４との間の距離を長くして、電磁弁２４を閉じた場合の残ガスの流れる時間を長くすることで、溶接処理後に行うアフターフローの時間を長くすることが可能となるので、溶接トーチ１８を構成する電極（図示せず）の酸化を抑制することができる。
【００８０】
特に、ガス供給ライン２３から分岐した少なくとも１つの分岐ガスライン（図示せず）を設け、アークの発生中にシールドガスを切り替える場合には、シールドガスの流れが途切れることがなくなるので、より電極の酸化を抑制することができる。
【００８１】
（第５実施形態）
図７は、本発明の第５実施形態に係る溶接装置の概略構成を模式的に示す図である。なお、図７において、図２及び図６に示す構造体（具体的には、溶接装置３０、５０）と同一構成部分には、同一符号を付す。
【００８２】
図７に示されるように、第５実施形態の溶接装置６０は、第２実施形態の溶接装置３０を構成するガス供給装置１１に替えて、図６で説明したガス供給装置５１を用いること以外は、溶接装置３０と同様に構成されている。
【００８３】
このような構成とされた第５実施形態の溶接装置６０は、第４実施形態の溶接装置５０と同様な効果を得ることができる。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００８５】
例えば、図３、図４、及び図５に示す溶接装置３５、４０、４５を構成するガス供給装置１１に替えて、図６及び図７に示すガス供給装置５１を用いてもよい。
また、図５に示す溶接装置４５において、ガス供給装置１１と、ガス供給装置５１とを用いてもよい。
【００８６】
また、第１から第５実施形態では、一例として、溶接装置１０、３０、３５、４０、４５、５０、６０にガス供給装置１１またはガス供給装置５１を適用した場合を例に挙げて説明したが、溶接以外の分野のガスの供給に、ガス供給装置１１、５１を用いてもよい。
具体的には、ガス供給装置１１、５１は、例えば、ガス混合器などを含む、そのほかのガス突流が問題となる装置と組み合わせて用いることができる。
【００８７】
図８は、３種類のシールドガスを使用可能な混合機能付きガス供給装置の一例を示す図である。
図８に示されるように、混合機能付きガス供給装置７０は、第１のシールドガスを供給する第１シールドガス供給ライン７１と、第２のシールドガスを供給する第２シールドガス供給ライン７２と、第３のシールドガスを供給する第３シールドガス供給ライン７３と、電磁弁７６〜７８と、電磁弁制御部７９と、流量メータ８１〜８３とにドル弁８５〜８７と、逆止弁９１〜９３と、一段式減圧器（図示せず）とを有する。
【００８８】
第１シールドガス供給ライン７１は、その一端が第１のシールドガスを供給する第１シールドガス供給源（図示せず）と接続されており、他端がライン７４の一端に接続されている。第２シールドガス供給ライン７２は、その一端が第２のシールドガスを供給する第２シールドガス供給源（図示せず）と接続されており、他端がライン７４の一端に接続されている。第３シールドガス供給ライン７３は、その一端が第３のシールドガスを供給する第３シールドガス供給源（図示せず）と接続されており、他端がライン７４の一端に接続されている。
【００８９】
電磁弁７６、流量メータ８１、ニードル弁８５、及び逆止弁９１は、第１シールドガス供給ライン７１に設けられている。電磁弁７６、流量メータ８１、ニードル弁８５、及び逆止弁９１は、この順番で、第１シールドガス供給源（図示せず）からライン７４に向かう方向に対して配置されている。
電磁弁７７、流量メータ８２、ニードル弁８６、及び逆止弁９２は、第２シールドガス供給ライン７２に設けられている。電磁弁７７、流量メータ８２、ニードル弁８６、及び逆止弁９２は、この順番で、第２シールドガス供給源（図示せず）からライン７４に向かう方向に対して配置されている。
【００９０】
電磁弁７８、流量メータ８３、ニードル弁８７、及び逆止弁９３は、第３シールドガス供給ライン７３に設けられている。電磁弁７８、流量メータ８３、ニードル弁８７、及び逆止弁９３は、この順番で、第３シールドガス供給源（図示せず）からライン７４に向かう方向に対して配置されている。また、第１から第３のシールドガス供給ライン７１〜７３の交差部に、ガスミキサー（図示せず）を設けてもよい。
電磁弁７６〜７８は、電磁弁制御部７９と電気的に接続されている。ライン７４は、その他端が溶接トーチ７５に接続されている。電磁弁制御部７９は、電磁弁７６〜７８の開閉制御を行う。
【００９１】
ライン７４は、少なくとも２種類のシールドガスを混合するガス混合部として機能する。なお、１種類のシールドガスのみを供給することも可能である。
電磁弁７６の前段に位置する第１シールドガス供給ライン７１、電磁弁７７の前段に位置する第２シールドガス供給ライン７２、及び電磁弁７８の前段に位置する第３シールドガス供給ライン７３には、それぞれ一段式減圧器（図示せず）が設けられている。
つまり、混合機能付きガス供給装置７０は、シールドガス供給ライン、電磁弁、流量メータ、ニードル弁、及び逆止弁よりなるガス供給装置を複数含んだ構成とされている。
【００９２】
上記構成とされた混合機能付きガス供給装置７０を用いることで、溶接の対象や溶接のタイミングによって、溶接トーチ７５に供給するシールドガスの種類を変更したり、所望の組成となるように混合されたシールドガスを溶接トーチ７５に供給したりすることができる。また、溶接トーチ（７５）の手前のライン（７４）にバッファータンクを取り付けても良い。
上記電磁弁制御部７９としては、例えば、手動操作（スイッチ）、既存設備に対し配線作業、或いは磁気コアを利用した電流センサ等により電磁弁７６〜７８の開閉制御を行うことができる。又、特に、分割式電流センサやクランプ式電流センサを用いる場合、専門知識を必要とせずに、既存の他の弁を制御する配線や、溶接ロボット等を制御する配線の電流の有無を感知し、それらの電流の有無(つまり、それらの電流によって制御される弁等の動き)に対応して、上記シールドガス混合器を用いる装置で使用する電磁弁７６〜７８の開閉を制御することができる。
【００９３】
なお、第１から第５実施形態、及び図８では、一例として、シールドガスを供給する場合を例に挙げて説明したが、溶接トーチ１８、３２、７５を構成する電極の周りには、パイロットガスが供給され、同時に溶接部分を大気から遮断するシールドガスも供給される場合がある。
この場合、シールドガス供給源に替えて、パイロットガスを供給するパイロットガス供給源と、シールドガス供給ラインに替えて、パイロットガスが流れるパイロットガス供給ラインとを設ける必要がある。本発明は、このようなパイロットガスの供給にも適用することができ、上述したような効果が期待できる。
【００９４】
以下、実験例について説明するが、本発明は、下記実験例に限定されない。
【００９５】
（実験例１）
[実施例１および比較例１]
図１に示す溶接装置１０（以下、「実施例１」という）と、図１７に示す溶接装置１００（以下、「比較例１」という）とを用いて、シールドガスを供給した際のシールドガス供給ライン２３、１１３内の圧力変動を調べた。
圧力変動は、シールドガス供給源２１と電磁弁２４との間（上流側）およびシールドガス供給源１１１と電磁弁１１５との間（上流側）に、それぞれデジタル圧力計を設置して、目視にて圧力の変動を観察した。
【００９６】
このとき、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎのときのシールドガス供給源２１、１１１の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとし、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎのときのシールドガス供給源２１、１１１の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａとした。
シールドガス供給ライン２３、１１３の内径は、φ６ｍｍとした。また、シールドガス供給源２１と電磁弁２４との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さ、及びシールドガス供給源１１１と電磁弁１１５との間に位置するシールドガス供給ライン１１３の長さは、５，０００ｍｍとした。
そして、電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン１１３の長さは、３００ｍｍとした。
また、流量調整弁２５として、ピスコ社製のニードル弁（ＪＮＭＵ６（型番））を用いた。
【００９７】
この結果、比較例１では、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎのときの圧力は、０．０４〜０．２２ＭＰａの範囲で変動し、圧力の変動幅が０．１８ＭＰａであった。
一方、実施例１では、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎのときの圧力は、０．２〜０．２３ＭＰａの範囲で変動し、圧力の変動幅が０．０３ＭＰａであった。
また、比較例１では、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎのときの圧力は、０．０１〜０．２２ＭＰａの範囲で変動し、圧力の変動幅が０．２１ＭＰａであった。
一方、実施例１では、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎのときの圧力は、０．２２〜０．２３ＭＰａの範囲で変動し、圧力の変動幅が０．０１ＭＰａであった。
【００９８】
上記結果から、シールドガスの供給量に依存することなく、実施例１では、比較例１の圧力変動幅の１／２１〜１／６程度まで圧力変動幅を小さくすることができることが確認できた。
また、実施例１は、比較例１と比較して、電磁弁を開にしたときのシールドガスの立ち上がりが早く、電磁弁を閉にした時の立下りも早いことが確認できた。
【００９９】
次に、上記条件にて、電磁弁２４、１１５が開いた際のシールドガスの流量の変動をアズビル社製のマスフローメータ（ＣＭＳ００５０（型番））を用いて調べた。この結果を図９〜図１２に示す。
図９は、比較例１において、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
図１０は、実施例１において、シールドガスの流量が２０Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
図１１は、比較例１において、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
図１２は、実施例１において、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示すデータである。
なお、図９〜図１２に示す「瞬時流量」とは、電磁弁を開にした際、瞬時に流れたガスの流量のことをいう。そして、電磁弁を開にした際に瞬時に発生するガスの流れのことを突流という。
【０１００】
図９〜図１２に示されるように、比較例１では、シールドガスの流量の大きさに関わらず、シールドガスの供給開始後に突流が発生していることが確認できた。また、図９及び図１２の結果から、シールドガスの流量が少ないと、突流が大きくなることが確認できた。
一方、実施例１では、シールドガスの流量の大きさに関わらず、シールドガスの供給開始後に突流が発生していないことが確認できた。
【０１０１】
[実施例２]
図１に示す溶接装置１０を用い、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎのときのシールドガス供給源２１の導出口側（出口側）の圧力設定のみを０．２２ＭＰａから０．７ＭＰａに変更し、これ以外は、上述した条件、デジタル圧力計、及びマスフローメータを用いて、シールドガスを供給した際のシールドガス供給ライン２３内の圧力変動、及び瞬時流量と経過時間との関係について調べた。
図１３に、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．７ＭＰａとしたときの瞬時流量と経過時間との関係を示す。
【０１０２】
圧力は、０．７〜０．７１ＭＰａであり、圧力変動幅は、０．０１ＭＰａであった。なお、シールドガスの流量が５Ｌ／ｍｉｎを２０Ｌ／ｍｉｎに変更した場合にも、０．７〜０．７１ＭＰａであり、圧力変動幅は、０．０１ＭＰａであった。
図１３に示されるように、シールドガス供給源２１の導出口側（出口側）の圧力を高くした場合でも、シールドガスの突流がないことが確認できた。
【０１０３】
（実験例２）
[実施例３]
図１に示す溶接装置１０において、電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さを３００ｍｍ（図１０に示すデータ）から５，３００ｍｍに変更したこと以外は、図１０に示すデータを取得したときと同じ条件（シールドガスの流量：２０Ｌ／ｍｉｎ、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定：０．２ＭＰａ）で、瞬時流量と経過時間との関係を示すデータを取得した。この結果を図１４に示す。  図１０の場合（電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さを３００ｍｍの場合）、電磁弁を開けた時点からシールドガスの流量が安定するまでの時間は２秒かかり、電磁弁を閉じた時点から残ガスがゼロになるまでの時間は１．９秒かかった。
なお、ここでの「残ガス」とは、シールドガス供給ライン２３に残存するガスのことをいう。
図１４に示すように、実施例３では、電磁弁を開けた時点からシールドガスの流量が安定するまでの時間は２秒かかり、電磁弁を閉じた時点から残ガスがゼロになるまでの時間は０．８秒かかった。
また、実施例３では、シールドガスの突流は確認できなかった。  
【０１０４】
[実施例４]
図１に示す溶接装置１０において、電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さを３００ｍｍ（図１２に示すデータ）から５，３００ｍｍに変更したこと以外は、図１２に示すデータを取得したときと同じ条件（シールドガスの流量：５Ｌ／ｍｉｎとし、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定を０．２２ＭＰａ）で、瞬時流量と経過時間との関係を示すデータを取得した。この結果を図１５に示す。  
【０１０５】
図１２の場合（電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さを３００ｍｍの場合）には、電磁弁を開けた時点からシールドガスの流量が安定するまでの時間は０．８５秒かかり、電磁弁を閉じた時点から残ガスがゼロになるまでの時間は０．６秒かかった。
一方、実施例４では、図１５に示すように、電磁弁を開けた時点からシールドガスの流量が安定するまでの時間は０．８５秒かかり、電磁弁を閉じた時点から残ガスがゼロになるまでの時間は７秒かかった。
【０１０６】
この結果から、電磁弁２４と流量調整弁２５との間に位置するシールドガス供給ライン２３の長さが長くなると、電磁弁２４を閉じた時点から残ガスがゼロになるまでの時間が長くなることが確認できた。
また、実施例４では、シールドガスの突流は確認できなかった。
【０１０７】
[比較例２]
図１に示す溶接装置１０が具備する流量調整弁２５に替えて、アズビル社製のマスフローコントローラ（ＣＭＳ００５０（型番））を用いて、図１０のデータを取得時に使用した条件（シールドガスの流量：２０Ｌ／ｍｉｎ、シールドガス供給源の導出口側（出口側）の圧力設定：０．２ＭＰａ）にて、瞬時流量と経過時間との関係を示すデータを取得した。この結果を図１６に示す。
【０１０８】
図１６に示されるように、マスフローコントローラを用いた場合、スタートから１８秒間は、シールドガスの流量が安定しないことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、シールドガスを使用先に供給するガス供給装置、複数のガス供給装置を含む混合機能付きガス供給装置、溶接装置、及びガス供給方法に適用可能である。
【符号の説明】
【０１１０】
１０、３０、３５、４０、４５、５０、６０…溶接装置、１１、５１…ガス供給装置、１３…ＧＭＡ用溶接機、１５…ワイヤ供給装置、１８、３２…溶接トーチ、２１…シールドガス供給源、２２…１段式減圧器、２３…シールドガス供給ライン、２４、４７…電磁弁、２５、４８…流量調整弁、２６、４９…流量計、３１…ＧＴＡ用溶接機、４１…電磁弁制御装置、４６、５３…分岐ライン、５４…定流量弁、７０…混合機能付きガス供給装置、７１…第１シールドガス供給ライン、７２…第２シールドガス供給ライン、７３…第３シールドガス供給ライン、７６、７７、７８…電磁弁、７９…電磁弁制御部、７４…ライン、７５…溶接トーチ、７６〜７８…電磁弁、７９…電磁弁制御部、８１〜８３…流量メータ、
８５〜８７…ニードル弁、９１〜９３…逆止弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【国際調査報告】
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