(57)【要約】  半導体装置において、第１半導体チップ（１０）は、主面に複数の端子（１１）が設けられた第１端子部（１２）を有し、裏面が支持体（１）の表面上に実装されている。第２半導体チップ（２０）は、主面に複数の端子（２１）が設けられた第２端子部（２２）を有し、主面が第１半導体チップ（１０）の主面と対向しており、第２端子部（２２）の各端子（２１）が第１端子部（１２）の各端子（１１）とそれぞれ接続されている。第１半導体チップ（１０）と半導体装置の外部端子（２）とは、単一金属からなる導体（６，７）によって接続されている。
2016199437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
主面に、複数の端子が設けられた第１端子部を有し、裏面が、前記支持体の表面上に実装されている第１半導体チップと、
主面に、複数の端子が設けられた第２端子部を有し、前記主面が、前記第１半導体チップの主面と対向しており、前記第２端子部の各端子が、前記第１半導体チップの前記第１端子部の各端子とそれぞれ接続されている第２半導体チップと、
外部端子とを備え、
前記第１半導体チップは、前記外部端子と、単一金属からなる導体によって接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの周縁部を取り囲むように設けられたチップ拡張部を備え、
前記外部端子は、前記チップ拡張部上に設けられており、
前記導体は、
前記チップ拡張部の表面に形成されており、前記外部端子と接続された配線と、
前記チップ拡張部の内部に形成されており、前記第１半導体チップと前記配線とを接続するビアとを備えている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間の、前記第１端子部と前記第２端子部とが接続された部分は、一層の樹脂によって覆われている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記支持体は、前記第１半導体チップが実装された面に、凹部を有しており、
前記第１半導体チップは、前記凹部内に置かれている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記支持体は、前記第１半導体チップが実装された面と反対側の面から、前記凹部の内面まで貫通する孔が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、前記主面に、凸部が形成されており、
前記第１端子部は、前記凸部の天面上に設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記凸部の天面の平面形状は、正方形である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２半導体チップの周縁部を取り囲むように、かつ、前記第２半導体チップの裏面を覆うように設けられた樹脂層を備え、
前記外部端子は、前記樹脂層の、前記第２半導体チップの裏面上に相当する表面上に形成されており、
前記導体は、前記樹脂層内に形成されたビアを含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記支持体は、貫通電極が形成された基板である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置において、
前記外部端子は、前記基板の裏面に形成されており、
前記導体は、前記貫通電極を含む
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップの周縁部を取り囲むように設けられており、複数の層からなるチップ拡張部を備え、
前記外部端子は、前記チップ拡張部上に設けられており、
前記導体は、
前記チップ拡張部を構成する前記複数の層の表面にそれぞれ形成された、複数の配線と、
前記チップ拡張部の内部に形成されており、前記複数の配線同士を接続する第１ビアと、
前記チップ拡張部の内部に形成されており、前記複数の配線のうち最下層にある配線と前記第１半導体チップとを接続する第２ビアとを備えており、
前記複数の配線のうち最上層にある配線が、前記外部端子と接続されている
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体チップの積層体が実装された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの高密度化および小型化のために、複数の半導体チップを積層化して実装する構造が用いられている。半導体チップの積層化構造として、例えば、複数の半導体チップの回路形成面に設けられている端子同士を接続するチップオンチップ（Chip On Chip：ＣＯＣ）接続構造が知られている。【０００３】
特許文献１では、チップオンチップ構造において、下側の半導体チップの周縁部を取り囲むようにチップ拡張部が設けられた構造が示されている。この構造では、チップ拡張部上に、下側の半導体チップの端子と接続された配線が設けられており、この配線とパッケージ基板の外部電極とがボンディングワイヤによって接続されている。【０００４】
特許文献２では、チップオンチップ構造において、端子を表出するように樹脂層に埋め込まれた第１半導体チップの上に、第２半導体チップが搭載された構造が示されている。この構造では、樹脂層の表面に、半導体装置の外部端子と接続された配線層が設けられており、第２半導体チップが有するバンプ等の端子がこの配線層に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１３−３０５６８号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６９４４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成では、半導体チップの端子とパッケージ基板の外部電極とがボンディングワイヤによって接続されている。このため、ワイヤボンディング用の空間や領域が必要になるため、さらなる小型化が困難である。また、ボンディングワイヤはインピーダンスが高く、ＬＣ成分も大きいため、例えば１０Ｇｂｐｓ程度の超高速信号伝送には不向きである。また、電源供給の点でも、半導体チップ内に電源電圧降下が生じやすい。また、製造工程も複雑である。【０００７】
特許文献２の構成では、ワイヤボンディングを用いないため、特許文献１の構成における問題は一応解決している。ただし、第２半導体チップから半導体装置の外部端子に至る電気的経路が、第２半導体チップが有するバンプ等の端子と、第１半導体チップが埋め込まれた樹脂層表面に設けられた配線層とを含んでいる。このため、端子と配線層との接合部におけるインピーダンスによって周波数帯域特性が劣化したり、バンプ等の端子の電流許容値が低いため電圧降下が生じやすくなったりする、といった問題がある。【０００８】
本開示は、チップオンチップ構造を含む半導体装置について、高密度で小型であって、かつ、高速動作にも適した構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様では、半導体装置は、支持体と、主面に、複数の端子が設けられた第１端子部を有し、裏面が、前記支持体の表面上に実装されている第１半導体チップと、主面に、複数の端子が設けられた第２端子部を有し、前記主面が、前記第１半導体チップの主面と対向しており、前記第２端子部の各端子が、前記第１半導体チップの前記第１端子部の各端子とそれぞれ接続されている第２半導体チップと、外部端子とを備え、前記第１半導体チップは、前記外部端子と、単一金属からなる導体によって接続されている。【００１０】
この態様によると、第１半導体チップと半導体装置の外部端子とは、単一金属からなる導体によって接続されている。これにより、第１半導体チップから半導体装置の外部端子に至る電気的経路におけるインピーダンスが低くなり、かつ、ＬＣ成分も低く抑えられる。したがって、この電気的経路における信号の減衰や電源電圧降下が抑制されるので、半導体装置の高速動作が可能になる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示によると、チップオンチップ構造を含む半導体装置について、高密度で小型であって、かつ、高速動作にも適した構造を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【図２】第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図
【図３Ａ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図３Ｂ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図３Ｃ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図３Ｄ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図３Ｅ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図３Ｆ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図４Ａ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図４Ｂ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図４Ｃ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図４Ｄ】第１実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図５】第２実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【図６】第３実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【図７Ａ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図７Ｂ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図７Ｃ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図７Ｄ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図７Ｅ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図７Ｆ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図８Ａ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図８Ｂ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図８Ｃ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図８Ｄ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図９Ａ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図９Ｂ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図９Ｃ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図９Ｄ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図９Ｅ】第３実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図
【図１０】第３実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図
【図１１】第４実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【図１２Ａ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１２Ｂ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１２Ｃ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１２Ｄ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１３Ａ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１３Ｂ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１３Ｃ】第４実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１４】第５実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【図１５Ａ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１５Ｂ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１５Ｃ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１５Ｄ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１５Ｅ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１５Ｆ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１６Ａ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１６Ｂ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１６Ｃ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１６Ｄ】第５実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図
【図１７】第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図
【図１８】第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図
【図１９】第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図
【図２０】変形例に係る半導体装置の構成例を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、実施形態に係る半導体装置について、図面を参照して説明する。ここで説明する半導体装置は、複数の半導体チップの主面（回路形成面）に設けられているマイクロバンプ等の端子同士を接続するチップオンチップ（Chip On Chip：ＣＯＣ）接続構造を含む。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。なお、図１および以降の断面図は、半導体装置の要部断面を模式的に示す図である。
【００１５】
図１において、支持体１の表面に第１半導体チップ１０が実装されている。支持体１は金属であってもよいし、有機材やガラスエポキシ等の基板であってもかまわない。第１半導体チップ１０は、例えばＳｏＣ（System on Chip）であり、ロジックやメモリなどの集積回路を有している。第１半導体チップ１０は、回路形成面（主面に相当する）を上向き（支持体１と反対側に向かう向き）にして、接着材８によって支持体１に接着されている。なお、図１では、図面下側を半導体装置の上側とし、図面上側を半導体装置の下側としている。以降の構成断面図も、特に断りのない限り、同様である。また、半導体チップ内に記された黒三角は半導体チップのいずれの面が主面であるかを示すものであり、黒三角の頂点で指す方の面が半導体チップの主面である。第１半導体チップ１０は、回路形成面に、マイクロバンプ電極またはＣｕからなるピラー電極などからなる複数の端子１１が設けられている。複数の端子１１が設けられた領域を第１端子部１２とする。
【００１６】
第２半導体チップ２０は、回路形成面（主面に相当する）が、第１半導体チップ１０の主面と対向するように実装されている。第２半導体チップ２０は、例えばメモリチップであり、ロジックやメモリなどの集積回路を有している。また第２半導体チップ２０は、回路形成面に、例えばＣｕからなるピラー電極などの複数の端子２１が設けられている。複数の端子２１が設けられた領域を第２端子部２２とする。第２半導体チップ２０は、第２端子部２２の各端子２１が、第１半導体チップ１０の第１端子部１２の各端子１１とそれぞれ接続されている。ここでは、第２半導体チップ２０の表面積は第１半導体チップ１０の表面積よりも大きいものとしている。
【００１７】
チップ拡張部３は、第１半導体チップ１０の周縁部を取り囲むように設けられている。チップ拡張部３は、例えば樹脂によって形成されており、第１半導体チップ１０の周縁部に加えて、第１半導体チップ１０の回路形成面の表面における第１端子部１２以外の領域を覆っている。チップ拡張部３は、第２半導体チップ２０側の表面に配線６が形成されており、また、この配線６と接続されたビア７が形成されている。ビア７は、チップ拡張部３における、第１半導体チップ１０の回路形成面を覆う部分に形成されており、第１半導体チップ１０のチップ内部に設けられた端子１５と接続されている。接続された配線６およびビア７は、ここでは、例えばＣｕ等の単一金属からなる導体として、一体に形成されている。そして、チップ拡張部３の表面には、配線６と接続された例えば半田ボール等の外部端子２が形成されている。また、チップ拡張部３の表面のうち外部端子２が形成されていない領域、並びに、第２半導体チップ２０の裏面および側面を覆うように、ソルダーレジスト５が形成されている。ただし、このソルダーレジスト５はなくてもかまわない。
【００１８】
また、第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０との間に、樹脂からなる充填層４が形成されている。すなわち、第１半導体チップ１０の各端子１１と第２半導体チップ２０の各端子２１とを接続する部分は、一層の樹脂のみによって覆われている。
【００１９】
図２は本実施形態に係る半導体装置の構成例を示す平面図であり、図１の構成を図面下から（すなわち半導体装置の上から）見た図である。図２は半導体装置の要部平面を模式的に示している。図２に示すように、第１半導体チップ１０の上に第２半導体チップ２０が実装されており、外部出力端子２は配線６およびビア７を介して第１半導体チップ１０に接続されている。また、第１半導体チップ１０の各端子１１は第２半導体チップ２０の各端子２１とそれぞれ接続されている。
【００２０】
図３Ａ〜図３Ｆおよび図４Ａ〜図４Ｄは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、支持体１を準備し（図３Ａ）、硬化させるとチップ拡張部３になる流動性のある樹脂３Ａの薄膜を形成する（図３Ｂ）。その後、マウンタ９１を用いて第１半導体チップ１０を支持体１に実装する（図３Ｃ）。第１半導体チップ１０は接着材８によって支持体１に接着される。その後、樹脂を流し込み（図３Ｄ）、樹脂の表面を平坦化しつつ、樹脂を硬化させることによって、チップ拡張部３を形成する（図３Ｅ）。チップ拡張部３の内部に、第１半導体チップ１０のチップ内端子と接続されたビア７を形成するとともに、チップ拡張部３の表面に配線６を形成する。ビア７と配線６とは、単一金属によって一体に形成される。例えば、Ｃｕメッキによって形成される。また、個片化に対する保護のために、チップ拡張部３を覆うようにパシベーション膜９２が形成される（図３Ｆ）。
【００２１】
個片化の後、パシベーション膜９２が除去される。そして、第１半導体チップ１０の回路形成面上に充填材４Ａが塗布され、第２半導体チップ２０が第１半導体チップ１０の上に搭載される（図４Ａ）。充填材４Ａが熱圧着されて充填層４が形成され、第２半導体チップ２０が固定される（図４Ｂ）。その後、チップ拡張部３の表面、第２半導体チップ２０の裏面および側面にソルダーレジスト５が形成され（図４Ｃ）、配線６と接続された例えば半田ボール等の外部端子２が形成される（図４Ｄ）。
【００２２】
本実施形態の構成によると、第１半導体チップ１０と、半導体装置の外部端子２とは、ビア７および配線６によって接続されている。そして、このビア７および配線６は、例えばＣｕメッキによって、単一金属によって一体に形成される。これにより、第１半導体チップ１０から半導体装置の外部端子２に至る電気的経路におけるインピーダンスが低くなり、かつ、ＬＣ成分も低く抑えられる。したがって、この電気的経路における信号の減衰や電源電圧降下が抑制されるので、半導体装置の高速動作が可能になる。
【００２３】
また、本実施形態の構成では、第１半導体チップ１０と第２半導体チップ２０との接続部分は、１層の樹脂によって覆われている。一方、上述した特許文献２の構成では、樹脂層に埋め込まれた第１半導体チップが第２半導体チップと接続され、その間を別の樹脂で充填しているため、第１半導体チップと第２半導体チップとの接続部分は２層の樹脂によって覆われている。このため、樹脂同士の膨張係数の相違から接合不良が生じやすい、曲げ応力によりクラック等が発生しやすい、という問題があった。これに対して本実施形態では、このような問題が生じず、信頼性がより高くなる。
【００２４】
また、工程断面図から分かるように、ワイヤボンディング工程が不要であり、また、工程途中で半導体装置の上下を入れ替える必要もない。したがって、簡素な製造工程によって、本実施形態に係る半導体装置を実現することができる。
【００２５】
（第２実施形態）
図５は第２の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図５は、基本的な構成は第１実施形態における図１とほぼ同様であり、図１と共通の構成要素には同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する場合がある。
【００２６】
図５の構成では、支持体１は、主面、すなわち第１半導体チップ１０が実装される側の面に凹部３１を有している。そして、第１半導体チップ１０は、その凹部３１内に置かれている。このため、図１の構成と比べると、チップ拡張部３は厚みが薄くなっており、半導体装置の高さが低くなっている。逆にいうと、同等の高さの半導体装置を実現する際に、第１実施形態よりも、第１半導体チップ１０の厚さを厚く保つことができる。
【００２７】
本実施形態の構成によると、第１半導体チップ１０は、支持体１の凹部３１に嵌まるように、実装されている。これにより、チップ拡張部３を形成するための樹脂の量が少なくて済む。また、第１半導体チップ１０の厚さを薄くする必要がないため、ウェハスライスの研磨プロセスや製造設備を省くことができ、製造コストを削減できる。また、第１半導体チップ１０の厚さを厚く保つことにより、第１半導体チップ１０の熱伝導率を高く保てるため、半導体装置上面からの熱伝導率を大きくできる。
【００２８】
（第３実施形態）
図６は第３の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図６は、基本的な構成は第１実施形態における図１とほぼ同様であり、図１と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。
【００２９】
図６の構成では、第１半導体チップ１０は、回路形成面に、例えば樹脂やポリミド等の絶縁性物質等からなる凸部３２が設けられている。そして、第１半導体チップ１０の第１端子部１２における各端子１１は、凸部３２の天面上に設けられている。また、第２実施形態と同様に、支持体１は、第１半導体チップ１０が実装される側の面に凹部３１を有しており、第１半導体チップ１０は、その凹部３１に嵌まるように、実装されている。なお、支持体１に凹部３１が形成されていない図１の構成において、第１半導体チップ１０の回路形成面に凸部３２を設けた構成としてもよい。
【００３０】
さらに、支持体１は、裏面、すなわち、第１半導体チップ１０が実装された面と反対の面から、凹部３１の内面まで貫通する孔３３が形成されている。孔３３は、製造工程において、チップ拡張部３を形成する樹脂を吸引するために用いられる。なお、孔３３は省いてもかまわない。また、図５の構成において、孔３３を形成してもよい。
【００３１】
図７Ａ〜図７Ｆおよび図８Ａ〜図８Ｄは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、凹部３１および孔３３が形成された支持体１を準備し（図７Ａ）、硬化させるとチップ拡張部３になる流動性のある樹脂３Ａの薄膜を形成する（図７Ｂ）。その後、マウンタ９１を用いて、回路形成面に凸部３２が形成された第１半導体チップ１０を支持体１に実装する（図７Ｃ）。第１半導体チップ１０は接着材８によって支持体１に接着される。このとき、孔３３から余分な流動性のある樹脂３Ａを吸引しながら、第１半導体チップ１０を接着し（図７Ｄ）、樹脂の表面を平坦化しつつ、樹脂を硬化させることによって、チップ拡張部３を形成する（図７Ｅ）。このとき、凸部３２の天面には樹脂が流れ込まない制御を行う。チップ拡張部３の内部に、第１半導体チップ１０のチップ内端子と接続されたビア７を形成し、凸部３２に端子１１を形成するとともに、チップ拡張部３の表面に配線６を形成する。ビア７と配線６とは単一金属によって一体に形成される。また、個片化に対する保護のために、チップ拡張部３を覆うようにパシベーション膜９２が形成される（図７Ｆ）。
【００３２】
個片化の後、パシベーション膜９２が除去される。そして、第１半導体チップ１０の回路形成面上に充填材４Ａが塗布され、第２半導体チップ２０が第１半導体チップ１０の上に搭載される（図８Ａ）。充填材４Ａが熱圧着されて充填層４が形成され、第２半導体チップ２０が固定される（図８Ｂ）。その後、チップ拡張部３の表面、第２半導体チップ２０の裏面および側面にソルダーレジスト５が形成され（図８Ｃ）、配線６と接続された例えば半田ボール等の外部端子２が形成される（図８Ｄ）。
【００３３】
図９Ａ〜図９Ｅは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の他の例を示す工程断面図である。まず、凹部３１が形成された支持体１を準備し（図９Ａ）、マウンタ９１を用いて、回路形成面に凸部３２が形成された第１半導体チップ１０を支持体１に実装する（図９Ｂ）。第１半導体チップ１０は接着材８によって支持体１に接着される。その後、コーター９３によって流動性のある樹脂３Ａを流し込む（図９Ｃ）。このとき、支持体１を回転させながら樹脂を流し込んでもよい。そして、樹脂の表面を平坦化しつつ、樹脂を硬化させることによって、チップ拡張部３を形成する（図９Ｄ）。チップ拡張部３の内部に、第１半導体チップ１０の出力端子と接続されたビア７を形成し、凸部３２に端子１１を形成するとともに、チップ拡張部３の表面に配線６を形成する。ビア７と配線６とは単一金属によって一体に形成される。また、個片化に対する保護のために、チップ拡張部３を覆うようにパシベーション膜９２が形成される（図９Ｅ）。個片化以降の工程は、図８Ａ〜図８Ｄを用いて説明した工程と同様である。
【００３４】
本実施形態に係る構成によると、第１半導体チップ１０は、主面に凸部３２が形成されており、第１端子部１２は、凸部３２の天面上に設けられている。このため、第２半導体チップ２０と接合される部分が、チップ表面より高くなっている。これにより、第２半導体チップ２０の第２端子部２２における各端子２１の高さを低くすることができるので、第１または第２実施形態よりも狭いピッチで端子２１を生成することができる。また、端子２１を形成する材料コストを削減できる。また、充填層４の熱硬化と端子１１，２１の接合との時間差による接合不良を抑制することができる。
【００３５】
なお、図１０に示すように、凸部３２の天面の平面形状は、例えば正方形であってもよい。これにより、第１半導体チップ１０を樹脂３Ａに埋め込む工程において、樹脂３ＡがＣｏＣ接合部に流れ込むことを防ぐことができる。また、第１半導体チップ１０を搬送する際のマウンタへの吸着がより安定する。
【００３６】
（第４実施形態）
図１１は第４の実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図１１では、第３実施形態における図６と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。
【００３７】
図１１の構成では、チップ拡張部３の上に、外部端子２の代わりに、樹脂層４１が、第２半導体チップ２０を覆うように形成されている。そして樹脂層４１の表面に、例えば半田ボール等の外部端子４４が形成されている。樹脂層４１の内部には、チップ拡張層３の表面に形成された配線６と接続されたビア４２が形成されている。樹脂層４１の表面には、ビア４２と外部端子４４とを接続する配線４３が形成されている。
【００３８】
図１２Ａ〜図１２Ｄおよび図１３Ａ〜図１３Ｃは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。なお、個片化までの工程は、第３実施形態で図９Ａ〜図９Ｅを用いて説明した工程と同様である。
【００３９】
個片化の後、パシベーション膜９２が除去される。そして、第１半導体チップ１０の回路形成面上に充填材４Ａが塗布され、第２半導体チップ２０が第１半導体チップ１０の上に搭載される（図１２Ａ）。充填材４Ａが熱圧着されて充填層４が形成され、第２半導体チップ２０が固定される（図１２Ｂ）。その後、チップ拡張部３の上に、樹脂層４１が形成されて、平坦化しつつ硬化される（図１２Ｃ）。そして、樹脂層４１の内部に、チップ拡張部３の表面に形成された配線６と接続されるビア４２が形成される（図１２Ｄ）。
【００４０】
ビア４２が形成された樹脂層４１の表面に、例えばＣｕからなる配線４３が形成される（図１３Ａ）。その後、樹脂層４１の表面にソルダーレジスト４５が形成され（図１３Ｂ）、配線４３と接続された例えば半田ボール等の外部端子４４が形成される（図１３Ｃ）。
【００４１】
本実施形態に係る半導体装置の構造によると、第３の実施形態で説明した作用効果が得られるとともに、外部端子４４は、第２半導体チップ２０の裏面に対応する範囲にも形成することができるので、外部端子４４の個数を容易に増やすことができる。
【００４２】
なお、本実施形態に係る半導体装置の特徴は、第１または第２実施形態に係る半導体装置と組み合わせてもよい。
【００４３】
（第５実施形態）
第５実施形態では、第１半導体チップ１０が実装される支持体に、貫通電極が形成されているものとする。この場合の支持体は、例えば、スルーホールが形成されたサブストレート構造であってもよいし、あるいは、金属にビアを形成し、ビアの周囲を絶縁したものであってもよい。
【００４４】
図１４は第５実施形態に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図１４では、第３実施形態における図６と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。
【００４５】
図１４の構成では、支持体１の代わりに、貫通電極５３が形成された支持体５１が用いられている。チップ拡張部３に、チップ拡張部３表面に形成された配線６と貫通電極５３とを接続するビア５２が形成されている。そして図１４の構成では、支持体５１の、第１半導体チップ１０が実装された面と反対側の面に、ＰｏＰ（Package on Package）メモリ５５が実装されており、ＰｏＰメモリ５５の電極５４が支持体５１の貫通電極５３と接続されている。
【００４６】
図１５Ａ〜図１５Ｆおよび図１６Ａ〜図１６Ｄは、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を示す工程断面図である。まず、貫通電極５３が形成された支持体５１を準備し（図１５Ａ）、チップ拡張部３になる樹脂３Ａの薄膜を形成する（図１５Ｂ）。その後、マウンタ９１を用いて、回路形成面に凸部３２が形成された第１半導体チップ１０を支持体５１に実装する（図１５Ｃ）。その後、樹脂を流し込み（図１５Ｄ）、樹脂の表面を平坦化し、樹脂を硬化させることによって、チップ拡張部３を形成する（図１５Ｅ）。チップ拡張部３の内部に、第１半導体チップ１０のチップ内端子と接続されたビア７を形成し、凸部３２に端子１１を形成するとともに、チップ拡張部３の内部における、貫通電極５３と対応する位置にビア５２を形成する。ビア７と配線６とは単一金属によって一体に形成される。また、個片化に対する保護のために、チップ拡張部３を覆うようにパシベーション膜９２が形成される（図１５Ｆ）。
【００４７】
個片化の後、パシベーション膜９２が除去される。そして、第１半導体チップ１０の回路形成面上に充填材４Ａが塗布され、第２半導体チップ２０が第１半導体チップ１０の上に搭載される（図１６Ａ）。充填材４Ａが熱圧着されて充填層４が形成され、第２半導体チップ２０が固定される（図１６Ｂ）。その後、チップ拡張部３の表面、第２半導体チップ２０の裏面および側面にソルダーレジスト５が形成され（図１６Ｃ）、配線６と接続された例えば半田ボール等の外部端子２が形成される（図１６Ｄ）。
【００４８】
図１７は第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図である。図１７では、図１４と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。なお、図１７では、図１４と半導体装置の上下が反対に図示されている。
【００４９】
図１７の構成では、支持体５１の、第１半導体チップ１０が実装された面と反対側の面に、例えば半田ボール等の外部端子５７が形成されている。一方、チップ拡張部３の表面には外部端子が形成されていない。また、第２半導体チップ２０には他のチップ５６が積層されており、例えば積層メモリを構成している。
【００５０】
図１８は第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図である。図１８では、図１４と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。なお、図１８では、図１４と半導体装置の上下が反対に図示されている。
【００５１】
図１８の構成では、支持体５１の、第１半導体チップ１０が実装された面と反対側の面に、例えば半田ボール等の外部端子５７が形成されている。一方、チップ拡張部３の表面には、支持体５１の貫通電極５３とつなぐビア５２とつながる配線６と第１半導体チップ１０と接続された外部端子６１が形成されている。そして図１８の構成では、ＰｏＰメモリ５５が実装されており、ＰｏＰメモリ５５の電極５４が外部端子６１と接続されている。なお、ＰｏＰメモリ５５はＣＭＯＳセンサー等の機能部品であってもよい。
【００５２】
図１９は第５実施形態に係る半導体装置の他の構成例を示す断面図である。図１９では、図１４と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。
【００５３】
図１９の構成は、図１４の構成に、第４実施形態に係る構造を適用したものである。すなわち、チップ拡張部３の上に、外部端子２の代わりに、樹脂層４１が、第２半導体チップ２０を覆うように形成されている。そして樹脂層４１の表面に、例えば半田ボール等の外部端子４４が形成されている。樹脂層４１の内部には、チップ拡張層３の表面に形成された配線６と接続されたビア４２が形成されている。樹脂層４１の表面には、ビア４２と外部端子４４とを接続する配線４３が形成されている。
【００５４】
本実施形態の構成によると、第２半導体チップ２０と反対側にも他の半導体チップ等の積層が可能になる。なお、本実施形態に係る半導体装置の特徴は、第１または第２実施形態に係る半導体装置と組み合わせてもよい。
【００５５】
（変形例）
また、上述の各実施形態において、チップ拡張部３は、複数の層からなるものとしてもよい。この複数の層の表面に配線層をそれぞれ設けて、この配線層を利用して外部端子２と第１半導体チップ１０とを接続することによって、その接続性を向上させることができる。
【００５６】
図２０は本変形例に係る半導体装置の構成例を示す断面図である。図２０の構成は、第１実施形態で示した図１の構成において、チップ拡張部３を複数の層（ここでは２層）３ａ，３ｂによって構成したものである。その他の構成は図１とほぼ同様であり、図１と共通の構成要素には同一の符号を付しており、ここではその詳細な説明を省略する場合がある。複数の層３ａ，３ｂの表面には配線層がそれぞれ設けられており、複数の配線として、層３ａの表面に配線６ａが形成され、層３ｂの表面に配線６ｂが形成されている。第２ビアとしてのビア７ａは、最下層にある配線６ａと第１半導体チップ１０とを接続している。ビア７ｂは配線６ａと配線６ｂとを接続している。最上層にある配線６ｂが外部端子２と接続されている。このような構成により、外部端子２と第１半導体チップ１０との接続性を向上させることができる。配線６ａ，６ｂおよびビア７ａ，７ｂは、ここでは、例えばＣｕ等の単一金属からなる導体として、一体に形成されている。
【００５７】
なお、図２０では、チップ拡張部３は２層で構成されているものとしたが、チップ拡張部３は３層以上で構成されてもよい。この場合は、複数の配線として、各層の表面にそれぞれ配線が形成される。そして、配線同士を接続する第１ビアと、最下層にある配線と第１半導体チップ１０とを接続する第２ビアとが設けられ、最上層にある配線が外部端子２と接続される。
【００５８】
また、複数の層からなるチップ拡張部は、例えば、第１実施形態で示した製造方法において、チップ拡張部３、ビア７および配線６を形成する工程（図３Ｅおよび図３Ｆ）を、複数回繰り返すことによって、形成することができる。
【００５９】
また、ここでは、第１実施形態に係る構成についての変形例を示したが、その他の実施形態についても、図２０と同様に、チップ拡張部３は複数の層からなるものとしてもよい。これにより、外部端子２と第１半導体チップ１０との接続性を向上させることができる。なお、第３実施形態において図６に示した構成のように、第１半導体チップ１０の回路形成面に凸部３２を設ける構成の場合には、チップ拡張部３の層数や高さに応じて凸部３２の高さを調整し、第２半導体チップ２０と端子１１との間隔を一定に保つようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本開示では、チップオンチップ構造を含む半導体装置について、高密度で小型であって、かつ、高速動作にも適した構造を実現できるので、例えば、超高速信号伝送用ＬＳＩを小さなサイズで実現するのに有用である。
【符号の説明】
【００６１】
１  支持体
２  外部端子
３  チップ拡張部
３ａ，３ｂ  層
６  配線
６ａ，６ｂ  配線
７  ビア
７ａ，７ｂ  ビア
１０  第１半導体チップ
１１  端子
１２  第１端子部
２０  第２半導体チップ
２１  端子
２２  第２端子部
３１  凹部
３２  凸部
３３  孔
４１  樹脂層
４２  ビア
４４  外部端子
５１  基板
５３  貫通電極
【図１】
2016199437.tif 000003
【図２】
2016199437.tif 000004
【図３Ａ】
2016199437.tif 000005
【図３Ｂ】
2016199437.tif 000006
【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
2016199437.tif 000008
【図３Ｅ】
2016199437.tif 000009
【図３Ｆ】
2016199437.tif 000010
【図４Ａ】
2016199437.tif 000011
【図４Ｂ】
2016199437.tif 000012
【図４Ｃ】
2016199437.tif 000013
【図４Ｄ】
2016199437.tif 000014
【図５】
2016199437.tif 000015
【図６】
2016199437.tif 000016
【図７Ａ】
2016199437.tif 000017
【図７Ｂ】
2016199437.tif 000018
【図７Ｃ】
2016199437.tif 000019
【図７Ｄ】
2016199437.tif 000020
【図７Ｅ】
2016199437.tif 000021
【図７Ｆ】
2016199437.tif 000022
【図８Ａ】
2016199437.tif 000023
【図８Ｂ】
2016199437.tif 000024
【図８Ｃ】
2016199437.tif 000025
【図８Ｄ】
2016199437.tif 000026
【図９Ａ】
2016199437.tif 000027
【図９Ｂ】
2016199437.tif 000028
【図９Ｃ】
2016199437.tif 000029
【図９Ｄ】
2016199437.tif 000030
【図９Ｅ】
2016199437.tif 000031
【図１０】
2016199437.tif 000032
【図１１】
2016199437.tif 000033
【図１２Ａ】
2016199437.tif 000034
【図１２Ｂ】
2016199437.tif 000035
【図１２Ｃ】
2016199437.tif 000036
【図１２Ｄ】
2016199437.tif 000037
【図１３Ａ】
2016199437.tif 000038
【図１３Ｂ】
2016199437.tif 000039
【図１３Ｃ】
2016199437.tif 000040
【図１４】
2016199437.tif 000041
【図１５Ａ】
2016199437.tif 000042
【図１５Ｂ】
2016199437.tif 000043
【図１５Ｃ】
2016199437.tif 000044
【図１５Ｄ】
2016199437.tif 000045
【図１５Ｅ】
2016199437.tif 000046
【図１５Ｆ】
2016199437.tif 000047
【図１６Ａ】
2016199437.tif 000048
【図１６Ｂ】
2016199437.tif 000049
【図１６Ｃ】
2016199437.tif 000050
【図１６Ｄ】
2016199437.tif 000051
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【国際調査報告】
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