(57)【要約】  金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに、フッ素樹脂材料からなる層に形成された穴における導通不良を充分に抑制し、優れた電気特性を有する配線基板を製造する。  第１導体層１２と、特定の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）および強化繊維基材を含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）１０と、第２導体層１４と、接着層１６と、熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）１８がこの順に積層されている積層体に穴２０を形成し、穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後に、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する、配線基板１の製造方法。
2017069216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、
前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、
前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、
前記層（Ａ）と２つの導体層のいずれかとの層間または２つの導体層のいずれかの外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板を製造する方法であって、
前記第１導体層、前記層（Ａ）、前記第２導体層および層（Ｂ）を有する積層体に前記穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理の少なくとも一方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、
前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、
前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、
前記層（Ａ）と前記第２導体層との層間または第２導体層の外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板を製造する方法であって、
前記層（Ａ）、前記第２導体層および前記層（Ｂ）を有する積層体に、少なくとも前記層（Ａ）の第１の面から前記第２導体層に通じる穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理の少なくとも一方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成し、
前記メッキ層形成後、前記層（Ａ）の第１の面側に前記第１導体層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）、または第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／第２導体層なる層構成を有する、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板を構成する層としてさらに第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線基板を構成する層としてさらに熱硬化性樹脂硬化物以外の樹脂材料からなる接着層、第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／接着層／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記官能基が、少なくともカルボニル基含有基を含み、
前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記フッ素樹脂（ａ）中の前記官能基の含有量が、当該フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０６個に対して１０〜６００００個である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記層（Ａ）の比誘電率が２．０〜３．０である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記層（Ａ）の線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である、請求項１〜８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記層（Ｂ）にガラス繊維が含有されている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、
前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、
前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、
前記層（Ａ）と２つの導体層のいずれかとの層間または２つの導体層のいずれかの外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板。
【請求項１２】
前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）または第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／第２導体層なる層構成を有する、請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１３】
前記配線基板を構成する層としてさらに第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１４】
前記配線基板を構成する層としてさらに熱硬化性樹脂硬化物以外の樹脂材料からなる接着層、第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／接着層／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、請求項１１に記載の配線基板。
【請求項１５】
前記第１導体層と前記第２導体層の少なくともいずれかがアンテナパターンを有する導体層である、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の配線基板からなるアンテナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の情報通信端末の他、自動車等においても高速大容量無線通信が広く利用されている。高速大容量無線通信では、情報の送受信を行うアンテナで高周波信号が伝送される。アンテナとしては、例えば、電気絶縁体層と、該電気絶縁体層上に設けられた導体層とを備える配線基板が用いられる。配線基板においては、電気絶縁体層の両面側に導体層がそれぞれ形成され、それら導体層が、電気絶縁体層を貫通する穴（スルーホール）の内壁面に形成されたメッキ層によって導通されることが多い。また電波を送受信するアンテナは、例えば電波の周波数が高くなるのに伴い、電子回路が形成されているプリント配線基板等と称される配線基板上に、電子回路の配線パターンを利用して形成されることが多くなっている。【０００３】
高周波信号の伝送に使用する配線基板には、優れた伝送特性を有すること、すなわち伝送遅延や伝送損失が小さいことが要求される。伝送特性を高めるには、電気絶縁体層を形成する絶縁材料として、比誘電率および誘電正接が小さい材料を使用する必要がある。比誘電率および誘電正接が小さい絶縁材料としては、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂が知られている（例えば、特許文献１）。しかし、ＰＴＦＥ等のフッ素樹脂は表面エネルギーが低く非粘着性である。そのため、電気絶縁体層としてフッ素樹脂層を用いると、特に該フッ素樹脂層に形成した穴の内壁面とメッキ層との密着性を十分に確保しにくい。例えば、穴の内壁面に形成されたメッキ層が部分的に剥離すると、導通不良の原因となる。【０００４】
そこで、酸無水物残基を有するフッ素樹脂を用いることが提案されている（特許文献２）。酸無水物残基によってフッ素樹脂層とメッキ層との接着性が向上する。また、フッ素樹脂層には、その線膨張係数を導体層の線膨張係数に近づけて反り等の変形を抑制する目的で、ガラス繊維等の強化繊維が配合されことが多い。しかし、フッ素樹脂層にガラス繊維等の強化繊維を含有させると、フッ素樹脂層に形成した穴の内壁面とメッキ層との密着性が低下する。【０００５】
フッ素樹脂層に形成した穴の内壁面にメッキ層を形成する際の前処理として、金属ナトリウムをテトラヒドラフランに溶解させたエッチング液を用いたエッチング処理が知られている。該エッチング処理により、穴の内壁面のフッ素樹脂が部分的に溶解して内壁面が粗化されることで、アンカー効果によって穴の内壁面とメッキ層との密着性が高まる。また、穴の内壁面のフッ素原子が水酸基等に置き換えられて撥水性が低下するため、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる。該エッチング処理を行えば、フッ素樹脂層に強化繊維が含有されていても、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に高くなる。しかし、該エッチング処理に使用される金属ナトリウムは、水との接触により発火（爆発）するおそれがあるため、取り扱いや保管場所には厳重な注意が必要である。また、有機溶剤を多量に使用するため、吸入による作業者の健康被害のおそれや、後処理等の問題もある。【０００６】
ガラス繊維を含有するフッ素樹脂層に形成した穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずにメッキ層を形成する方法として、フッ素樹脂層にシリカを配合する方法が提案されている（特許文献３）。しかし、シリカを配合するとフッ素樹脂層の比誘電率が高くなり、電気特性が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７４６６号公報
【特許文献２】特開２００７−３１４７２０号公報
【特許文献３】特開２０００−１５７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、フッ素樹脂層に形成された穴における導通不良を充分に抑制でき、優れた電気特性を有する配線基板を製造できる、配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下の構成を有する。
［１］カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、前記層（Ａ）と２つの導体層のいずれかとの層間または２つの導体層のいずれかの外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板を製造する方法であって、
前記第１導体層、前記層（Ａ）、前記第２導体層および層（Ｂ）を有する積層体に前記穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理の少なくとも一方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
［２］カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、前記層（Ａ）と前記第２導体層との層間または第２導体層の外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板を製造する方法であって、
前記層（Ａ）、前記第２導体層および前記層（Ｂ）を有する積層体に、少なくとも前記層（Ａ）の第１の面から前記第２導体層に通じる穴を形成し、
形成された前記穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理の少なくとも一方を施した後に、該穴の内壁面に前記メッキ層を形成し、
前記メッキ層形成後、前記層（Ａ）の第１の面側に前記第１導体層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。【００１０】
［３］前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）、または第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／第２導体層なる層構成を有する、［１］または［２］の配線基板の製造方法。
［４］前記配線基板を構成する層としてさらに第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、［１］または［２］の配線基板の製造方法。
［５］前記配線基板を構成する層としてさらに熱硬化性樹脂硬化物以外の樹脂材料からなる接着層、第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／接着層／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、［１］または［２］の配線基板の製造方法。【００１１】
［６］前記官能基が、少なくともカルボニル基含有基を含み、前記カルボニル基含有基が、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種である、［１］〜［５］のいずれかの配線基板の製造方法。
［７］前記フッ素樹脂（ａ）中の前記官能基の含有量が、当該フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０６個に対して１０〜６００００個である、［１］〜［６］のいずれかの配線基板の製造方法。
［８］前記層（Ａ）の比誘電率が２．０〜３．０である、［１］〜［７］のいずれかの配線基板の製造方法。
［９］前記層（Ａ）の線膨張係数が０〜３５ｐｐｍ／℃である、［１］〜［８］のいずれかの配線基板の製造方法。
［１０］前記層（Ｂ）にガラス繊維が含有されている、［１］〜［９］のいずれかの配線基板の製造方法。【００１２】
［１１］カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材とを含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、前記層（Ａ）の第１の面側に設けられている第１導体層と、前記層（Ａ）の前記第１の面と反対側の第２の面側に設けられている第２導体層と、前記層（Ａ）と２つの導体層のいずれかとの層間または２つの導体層のいずれかの外側に設けられている熱硬化性樹脂の硬化物からなる層（Ｂ）の少なくとも１層とを備え、
少なくとも前記第１導体層から前記第２導体層まで通じる穴を有し、前記穴の内壁面にメッキ層が形成されている配線基板。
［１２］前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）または第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／第２導体層なる層構成を有する、［１１］の配線基板。
［１３］前記配線基板を構成する層としてさらに第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、［１１］の配線基板。
［１４］前記配線基板を構成する層としてさらに熱硬化性樹脂硬化物以外の樹脂材料からなる接着層、第３導体層および第４導体層を有し、前記配線基板が、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／接着層／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層なる層構成を有する、［１１］の配線基板。
［１５］前記第１導体層と前記第２導体層の少なくともいずれかがアンテナパターンを有する導体層である、［１１］〜［１４］のいずれかの配線基板からなるアンテナ。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の配線基板の製造方法によれば、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、フッ素樹脂層に形成された穴における導通不良を充分に抑制でき、優れた電気特性を有する配線基板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図２Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図３Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図４Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図５Ａ】図１Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図６Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図６Ｄ】図６Ｃの積層体の層（Ａ）の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。
【図７Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｃの積層体の層（Ａ）の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。
【図８Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図８Ｄ】図８Ｃの積層体の（Ａ）の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。
【図９Ａ】本発明の配線基板の製造方法に用いる積層体の一例を示した断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図９Ｃ】図９Ｂの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図９Ｄ】図９Ｃの積層体の層（Ａ）の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。
【図１０Ａ】図６Ａの積層体に穴を形成した様子を示した断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの積層体の穴の内壁面にメッキ層を形成した様子を示した断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂの積層体の層（Ａ）の第１の面側に第１の導体層を形成した様子を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本明細書における下記の用語の意味は、以下の通りである。
「融点」とは、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）法で測定した融解ピークの最大値に対応する温度を意味する。
「溶融成形可能」であるとは、溶融流動性を示すことを意味する。
「溶融流動性を示す」とは、荷重４９Ｎの条件下、樹脂の融点よりも２０℃以上高い温度において、溶融流れ速度が０．１〜１０００ｇ／１０分となる温度が存在することを意味する。
「溶融流れ速度」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１０：１９９９（ＩＳＯ  １１３３：１９９７）に規定されるメルトマスフローレート（ＭＦＲ）を意味する。
フッ素樹脂の「比誘電率」とは、ＡＳＴＭ  Ｄ  １５０に準拠した変成器ブリッジ法にて、温度２３℃±２℃、相対湿度５０％±５％ＲＨの環境下にて周波数１ＭＨｚで測定される値を意味する。
フッ素樹脂材料の「比誘電率」とは、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により、２３℃±２℃、５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚで測定される値を意味する。
なお、本明細書においては、単量体に由来する単位を単量体単位とも記す。例えば、含フッ素単量体に由来する単位を、含フッ素単量体単位とも記す。
【００１６】
［配線基板］
本発明の製造方法で製造する配線基板は、後述の官能基（Ｑ）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材を含有し、比誘電率が２．０〜３．５であるフッ素樹脂材料からなる層（Ａ）と、第１導体層と、第２導体層と、層（Ｂ）とを備える。第１導体層は層（Ａ）の第１の面側に設けられ、第２導体層は層（Ａ）の第１の面と反対側の第２の面側に設けられている。層（Ｂ）は熱硬化性樹脂の硬化物からなる層であり、層（Ａ）と２つの導体層のいずれかとの層間または２つの導体層のいずれかの外側に少なくとも１層設けられている。
該配線基板には、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴を有し、該穴の内壁面にメッキ層が形成されている。
【００１７】
本発明では、配線基板の製造過程で、層（Ａ）、第１導電体層、第２導電体層および層（Ｂ）を有する積層体を用いる。
層（Ｂ）は、層（Ａ）と、第１導電体層や第２導電体層との層間に設けられていてもよく、第１導電体層や第２導電体層よりも外側に設けられていてもよい。配線基板における層（Ｂ）は、１層であってもよく、２層以上であってもよい。また、第１導電体層や第２導電体層よりも外側に設けられている層（Ｂ）の場合、層（Ｂ）の片側または両側に隣接して上記以外の導電体層を有していてもよい。ただし、これら導電体層は第１導電体層や第２導電体層とは接触せず、他の層（Ｂ）や後述の接着層が導電体層間に介在している。以下、この態様において、他の導電体層は前記第２導電体層側に存在するものとし、第２導電体層に近い方から第３導電体層、第４導電体層という。
【００１８】
本発明の製造方法で製造する配線基板は、層（Ａ）、第１導電体層、第２導電体層および層（Ｂ）以外の層を備えていてもよい。他の層としては、特に限定されず、前記第３導電体層や第４導電体層等の導体層、前記第２導電体層と第３導電体層の間に位置する接着層、第２導電体層と層（Ｂ）の間に位置する接着層等の接着層等が挙げられる。
【００１９】
本発明の製造方法で製造する配線基板においては、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じるように穴が形成されている。
配線基板に形成される穴は、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴であればよく、必ずしも配線基板の一方の面から反対側の面まで貫通していなくてもよい。例えば、第１導体層、層（Ａ）、第２導体層、層（Ｂ）がこの順に積層されている配線基板の場合、穴が第１導体層から第２導体層まで形成され、層（Ｂ）には穴が形成されていなくてもよい。
なお、上記第１導体層、層（Ａ）、第２導体層、層（Ｂ）がこの順に積層されている配線基板や積層体の層構成を、以下、「第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）」で表す。他の配線基板や積層体の層構成も同様に表すものとする。
【００２０】
本発明の製造方法で製造される配線基板としては、例えば、以下に例示した配線基板１〜５が挙げられる。
配線基板１は、図１Ｃに示すように、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する配線基板である。第１導体層１２は、層（Ａ）１０の第１の面１０ａ側に設けられている。第２導体層１４は、層（Ａ）１０の第２の面１０ｂ側に設けられている。層（Ｂ）１８は、第２導体層１４におけるフッ素樹脂層（Ａ）１０と反対側に接着層１６を介して設けられている。配線基板１においては、第１導体層１２から層（Ｂ）１８まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。
【００２１】
配線基板２は、図２Ｃに示すように、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／第３導体層２４／層（Ｂ）１８／第４導体層２６なる層構成を有する配線基板である。配線基板２においては、第１導体層１２から第４導体層２６まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。
【００２２】
配線基板３は、図３Ｃに示すように、第１導体層１２／層（Ａ）１０／層（Ｂ）１８／第２導体層１４なる層構成を有する配線基板である。層（Ｂ）１８は、層（Ａ）１０の第２の面１０ｂ側に設けられている。第２導体層１４は、層（Ｂ）１８における層（Ａ）１０と反対側に設けられている。
配線基板３においては、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。
【００２３】
配線基板４は、図４Ｃに示すように、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／層（Ｂ）１８Ａ／第３導体層２４／層（Ｂ）１８Ｂ／第４導体層２６なる層構成を有する配線基板である。配線基板４においては、第１導体層１２から第４導体層２６まで貫通する穴２０が形成され、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２が形成されている。
【００２４】
配線基板５は、図５Ｃに示すように、配線基板１と同じく、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する配線基板である。配線基板５においては、穴２０が第１導体層１２側から層（Ａ）１０と第２導体層１４の境界面まで形成され、第２導体層１４、接着層１６および層（Ｂ）１８には穴が形成されていない。
【００２５】
（層（Ａ）およびフッ素樹脂材料）
層（Ａ）を構成するフッ素樹脂材料は、カルボニル基含有基、ヒドロキシ基、エポキシ基およびイソシアネート基からなる群から選択される少なくとも１種の官能基（以下、「官能基（Ｑ）」ともいう。）を有する溶融成形可能なフッ素樹脂（ａ）と織布または不織布からなる強化繊維基材を含有する。
【００２６】
＜フッ素樹脂（ａ）＞
フッ素樹脂（ａ）としては、例えば、官能基（Ｑ）を有する単位（１）と、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）に由来する単位（２）と、を有するフッ素樹脂（ａ１）が挙げられる。フッ素樹脂（ａ１）は、必要に応じて、単位（１）および単位（２）以外の他の単位をさらに有してもよい。
【００２７】
官能基（Ｑ）におけるカルボニル基含有基としては、構造中にカルボニル基を含む基であればよく、例えば、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基、酸無水物残基、ポリフルオロアルコキシカルボニル基、脂肪酸残基等が挙げられる。なかでも、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基、カーボネート基、カルボキシ基、ハロホルミル基、アルコキシカルボニル基および酸無水物残基からなる群から選択される少なくとも１種が好ましく、カルボキシ基および酸無水物残基のいずれか一方または両方がより好ましい。
【００２８】
炭化水素基の炭素原子間にカルボニル基を有する基における炭化水素基としては、例えば、炭素数２〜８のアルキレン基等が挙げられる。なお、該アルキレン基の炭素数は、カルボニル基を含まない炭素数である。該アルキレン基は直鎖状でも分岐状でもよい。
ハロホルミル基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基は、直鎖状でも分岐状でもよい。該アルコキシ基としては、炭素数１〜８のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基またはエトキシ基が特に好ましい。
【００２９】
単位（１）が有する官能基（Ｑ）は、１つでもよく、２つ以上でもよい。単位（１）が２つ以上の官能基（Ｑ）を有する場合、それらの官能基（Ｑ）は同じでもよく、異なってもよい。
【００３０】
カルボニル基含有基を含む単量体としては、例えば、酸無水物残基と重合性不飽和結合とを有する化合物である不飽和ジカルボン酸無水物、カルボキシ基を有する単量体（イタコン酸、アクリル酸等）、ビニルエステル（酢酸ビニル等）、メタクリレートやアクリレート（（ポリフルオロアルキル）アクリレート等）、ＣＦ２＝ＣＦＯＲｆ１ＣＯ２Ｘ１（ただし、Ｒｆ１は、エーテル性酸素原子を含んでもよい炭素数１〜１０のペルフルオロアルキレン基であり、Ｘ１は、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基である。）等が挙げられる。
前記不飽和ジカルボン酸無水物としては、例えば、無水イタコン酸（ＩＡＨ）、無水シトラコン酸（ＣＡＨ）、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物（ＮＡＨ）、無水マレイン酸等が挙げられる。
【００３１】
ヒドロキシ基を含む単量体としては、例えば、ビニルエステル類、ビニルエーテル類、アリルエーテル類等が挙げられる。
エポキシ基を含む単量体としては、例えば、アリルグリシジルエーテル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等が挙げられる。
イソシアネート基を含む単量体としては、例えば、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（２−アクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（２−メタクリロイルオキシエトキシ）エチルイソシアネート等が挙げられる。
【００３２】
単位（１）は、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、官能基（Ｑ）として少なくともカルボニル基含有基を有することが好ましい。また、単位（１）としては、熱安定性、導体層やメッキ層との接着性に優れる点から、ＩＡＨ単位、ＣＡＨ単位およびＮＡＨ単位からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましく、ＮＡＨ単位が特に好ましい。
【００３３】
単位（１）および単位（２）以外の他の単位としては、例えば、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、フッ化ビニル、フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）、トリフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）等の他の単量体に由来する単位が挙げられる。
ＰＡＶＥとしては、例えば、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ３、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ３、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３（ＰＰＶＥ）、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３、ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）８Ｆ等が挙げられ、ＰＰＶＥが好ましい。
他の単位としては、ＰＡＶＥ単位が好ましく、ＰＰＶＥ単位が特に好ましい。
【００３４】
好ましいフッ素樹脂（ａ１）としては、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＮＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＩＡＨ共重合体、ＴＦＥ／ＰＰＶＥ／ＣＡＨ共重合体等が挙げられる。
なお、フッ素樹脂（ａ）は、主鎖末端基として官能基（Ｑ）を有していてもよい。主鎖末端基として導入する官能基（Ｑ）としては、アルコキシカルボニル基、カーボネート基、カルボキシル基、フルオロホルミル基、酸無水物残基、ヒドロキシ基が好ましい。これらの官能基は、ラジカル重合開始剤、連鎖移動剤等を適宜選定することにより導入できる。
【００３５】
フッ素樹脂（ａ）中の官能基（Ｑ）の含有量は、フッ素樹脂（ａ）の主鎖の炭素数１×１０６個に対して、１０〜６００００個が好ましく、１００〜５００００個がより好ましく、１００〜１００００個がさらに好ましく、３００〜５０００個が特に好ましい。官能基（Ｉ）の含有量が前記範囲内であれば、層（Ａ）と、導体層または層（Ｂ）との界面における接着強度がより高くなる。
なお、官能基（Ｑ）の含有量は、核磁気共鳴（ＮＭＲ）分析、赤外吸収スペクトル分析等の方法によって測定できる。例えば、特開２００７−３１４７２０号公報に記載のように赤外吸収スペクトル分析等の方法を用いて、フッ素樹脂（ａ）を構成する全単位中の官能基（Ｑ）を有する単位の割合（モル％）を求め、該割合から、官能基（Ｑ）の含有量を算出できる。
【００３６】
フッ素樹脂（ａ）の融点は、２６０〜３２０℃が好ましく、２９５〜３１５℃がより好ましく、２９５〜３１０℃がさらに好ましい。フッ素樹脂（ａ）の融点が前記下限値以上であれば、層（Ａ）の耐熱性に優れる。フッ素樹脂（ａ）の融点が前記上限値以下であれば、フッ素樹脂（ａ）の成形性に優れる。
フッ素樹脂（ａ）の融点は、フッ素樹脂（ａ）を構成する単位の種類や割合、フッ素樹脂（ａ）の分子量等によって調整できる。
【００３７】
フッ素樹脂（ａ）の３７２℃、荷重４９Ｎの条件下における溶融流れ速度（ＭＦＲ）は、０．１〜１０００ｇ／１０分が好ましく、０．５〜１００ｇ／１０分がより好ましく、１〜３０ｇ／１０分がさらに好ましい。溶融流れ速度が前記上限値以下であれば、はんだ耐熱性が向上する傾向がある。溶融流れ速度が前記下限値以上であれば、フッ素樹脂（ａ）の成形性に優れる。
【００３８】
溶融流れ速度は、フッ素樹脂（ａ）の分子量の目安であり、溶融流れ速度が大きいと分子量が小さく、溶融流れ速度が小さいと分子量が大きいことを示す。フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度は、フッ素樹脂（ａ）の製造条件によって調整できる。たとえば、重合時の重合時間を短縮すると、フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度が大きくなる傾向がある。また、製造時のラジカル重合開始剤の使用量を減らすと、フッ素樹脂（ａ）の溶融流れ速度が小さくなる傾向がある。
【００３９】
フッ素樹脂（ａ）の比誘電率は、２．０〜３．２が好ましく、２．０〜３．０がより好ましい。フッ素樹脂（ａ）の比誘電率が低いほど、フッ素樹脂材料の比誘電率を低くしやすい。
フッ素樹脂（ａ）の比誘電率は、例えば、単位（２）の含有量により調整できる。単位（２）の含有量が高いほど、フッ素樹脂（ａ）の比誘電率が低くなる傾向がある。
【００４０】
＜強化繊維基材＞
フッ素樹脂材料には、織布または不織布からなる強化繊維基材が含有される。これにより、層（Ａ）の充分な寸法精度および機械強度が確保される。強化繊維基材を形成する強化繊維としては、ガラス繊維、炭素繊維等が挙げられ、ガラス繊維が好ましい。
ガラス繊維の材料としては、Ｅガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、ＮＥガラス、Ｔガラス、クオーツ、低誘電率ガラス、高誘電率ガラス等が挙げられる。なかでも、入手が容易な点から、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｔガラス、ＮＥガラスが好ましい。
【００４１】
ガラス繊維は、シランカップリング剤等の公知の表面処理剤で表面処理されていてもよい。これにより、フッ素樹脂との密着性が向上し、機械的強度、耐熱性、スルーホール信頼性が高まる。
強化繊維基材としては、不織布よりも織布が好ましく、ガラスクロスが特に好ましい。
【００４２】
層（Ａ）中の強化繊維基材の含有量は、フッ素樹脂（ａ）１００質量部に対して、１〜９０質量部が好ましく、２〜８０質量部がより好ましく、５〜６０質量部が特に好ましい。強化繊維基材の含有量が前記範囲内であれば、層（Ａ）の成形性、耐熱性に優れる。
【００４３】
＜他の成分＞
フッ素樹脂材料は、本発明の効果を損なわない範囲内で、フッ素樹脂（ａ）以外の樹脂、添加剤等の他の成分を含有してもよい。
フッ素樹脂（ａ）以外の樹脂としては、例えば、ポリイミド（芳香族ポリイミド等）、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリアリルスルホン（ポリエーテルスルホン等）、芳香族ポリアミド、芳香族ポリエーテルアミド、ポリフェニレンスルファイド、ポリアリルエーテルケトン、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル等が挙げられる。
添加剤としては、誘電率や誘電正接が低い無機フィラーが好ましい。該無機フィラーとしては、例えば、シリカ、クレー、タルク、炭酸カルシウム、マイカ、珪藻土、アルミナ、酸化亜鉛、酸化チタン等が挙げられる。
【００４４】
フッ素樹脂材料の比誘電率は、２．０〜３．５であり、２．０〜３．０が好ましい。フッ素樹脂材料の比誘電率が前記上限値以下であれば、アンテナ等の低誘電率が求められる用途に有用である。フッ素樹脂材料の比誘電率が前記下限値以上であれば、電気特性と接着性の双方に優れる。
【００４５】
層（Ａ）の線膨張係数は、０〜３５ｐｐｍ／℃が好ましく、０〜３０ｐｐｍ／℃がより好ましい。層（Ａ）の線膨張係数とは層（Ａ）の面方向の線膨張係数をいう。層（Ａ）の線膨張係数が前記上限値以下であれば、導体層との線膨張係数の差が小さくなり、配線基板に反り等の変形が生じることが抑制されやすい。
なお、層（Ａ）の線膨張係数は、実施例に記載の方法で求められる。
【００４６】
層（Ａ）の厚さは、１０〜５００μｍが好ましく、２０〜３００μｍがより好ましい。層（Ａ）の厚さが前記下限値以上であれば、配線基板が変形しにくくなるため、導体層が断線しにくくなる。層（Ａ）の厚さが前記上限値以下であれば、柔軟性に優れ、また配線基板の小型化および軽量化に対応できる。
【００４７】
（導体層）
導体層としては、電気抵抗が低い金属箔が好ましい。金属箔としては、銅、銀、金、アルミニウム等の金属からなる箔が挙げられる。金属は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。２種以上の金属の併用する場合、金属箔としては、金属メッキを施した金属箔が好ましく、金メッキを施した銅箔が特に好ましい。
導電体層の厚さは、１層あたり、０．１〜１００μｍが好ましく、１〜５０μｍがより好ましく、１〜３０μｍが特に好ましい。
各導電体層の金属材料の種類やその厚さは異なっていてもよい。
【００４８】
導体層は、高周波帯域の信号伝送を行う際の表皮効果を低減する点から、層（Ａ）側の表面が粗面化されていてもよい。導体層における粗面化した表面とは反対側の表面には、防錆性を有するクロメート等の酸化物皮膜が形成されていてもよい。
導体層は、必要に応じてパターン形成されることで配線を形成していてもよい。なお、導体層は配線以外の形態を有していてもよい。
【００４９】
（メッキ層）
メッキ層は、該メッキ層を通じて第１導体層と第２導体層の導通を確保できるものであればよい。メッキ層としては、例えば、銅メッキ層、金メッキ層、ニッケルメッキ層、クロムメッキ層、亜鉛メッキ層、スズメッキ層等が挙げられ、銅メッキ層が好ましい。
【００５０】
（層（Ｂ））
層（Ｂ）は、熱硬化性樹脂の硬化物からなる層である。
熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリオレフィン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂、熱硬化性フッ素樹脂等が挙げられる。なかでも、熱硬化性樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、熱硬化性アクリル樹脂、ビスマレイミド樹脂、熱硬化性ポリフェニレンエーテル樹脂が好ましく、ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂からなる群から選択される少なくとも１種がより好ましい。
熱硬化性樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５１】
ポリイミド樹脂としては、芳香族ポリイミドが好ましく、芳香族多価カルボン酸二無水物と芳香族ジアミンとの縮重合で得られる全芳香族ポリイミドがより好ましい。
芳香族多価カルボン酸二無水物としては、例えば、特開２０１２−１４５６７６号公報の［００５５］に記載された化合物等が挙げられる。なお、非芳香族系の多価カルボン酸二無水物であるエチレンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物も、芳香族系多価カルボン酸二無水物と遜色なく用いることができる。
芳香族ジアミンとしては、例えば、特開２０１２−１４５６７６号公報の［００５７］に記載された化合物等が挙げられる。
ポリイミド樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５２】
エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。
エポキシ樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１，０００，０００が好ましく、１，０００〜１００，０００がより好ましい。熱硬化性樹脂の重量平均分子量が前記下限値以上であれば、耐熱性に優れる傾向がある。熱硬化性樹脂の重量平均分子量が前記上限値以下であれば、熱硬化性樹脂を溶液としたワニスの溶液粘度が低くなり保存安定性に優れる傾向がある。
熱硬化性樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定される。
【００５４】
層（Ｂ）を形成する熱硬化性樹脂は、各層を積層する段階では未硬化の状態で用い、硬化させて層（Ｂ）とする。また、熱硬化性樹脂は接着層の材料として利用することもできる。この場合には、熱硬化性樹脂を硬化させて層（Ｂ）が形成された後に穴加工を行う。
【００５５】
層（Ｂ）には、強化繊維が含有されていることが好ましい。これにより、穴の内壁面とメッキ層との密着性がより確保されやすくなり、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる。強化繊維としては、前記フッ素樹脂材料に含有されるものと同様の強化繊維が好ましく、特にガラス繊維が好ましい。
層（Ｂ）に含有されるガラス繊維の形態は、特に限定されず、例えば、織布または不織布の形態、長尺の複数のガラス繊維が一方向に引き揃えられた形態等が挙げられる。
未硬化熱硬化性樹脂と強化繊維とを含む材料としては、シート状やフィルム状のプリプレグが好ましく、その熱硬化性樹脂を硬化させて層（Ｂ）を形成することが好ましい。
【００５６】
層（Ｂ）にガラス繊維が含有される場合、層（Ｂ）中のガラス繊維の含有量は、層（Ｂ）中の硬化樹脂１００質量部に対して、１〜１０００質量部が好ましく、５〜５００質量部がより好ましい。ガラス繊維の含有量が前記下限値以上であれば、反り等の変形を制御しやすい。ガラス繊維の含有量が前記上限値以下であれば、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保されやすくなり、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる。
【００５７】
層（Ｂ）には、炭素繊維や、無機フィラー等の添加剤が含有されていてもよい。添加剤としては、例えば、層（Ａ）で挙げたものと同じものが挙げられる。
本発明で用いる配線基板や積層体における層（Ｂ）の数は、１つには限定されず、２つ以上であってもよい。
【００５８】
層（Ｂ）の厚さは、一層あたり、１２〜３０００μｍが好ましく、２５〜１０００μｍがより好ましい。層（Ｂ）の厚さが前記下限値以上であれば、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保されやすくなり、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる。層（Ｂ）の厚さが前記上限値以下であれば、配線基板の厚みを薄くすることができ、省スペース化が実現できる。
【００５９】
（接着層）
接着層を形成する接着材料としては、特に限定されず、例えば、熱融着性の熱可塑性樹脂のフィルムやシート等が挙げられる。該フィルムやシートには、ガラス繊維等の強化繊維や、無機フィラー等の添加剤が含有されていてもよい。
また、接着層を形成する接着材料としては、前記層（Ｂ）を形成しうる未硬化熱硬化性樹脂や前記プリプレグであってもよい。なお、未硬化の熱硬化性樹脂やプリプレグを接着材料として利用し、穴を形成する前に該熱硬化性樹脂を硬化させる場合、その硬化物からなる層は層（Ｂ）である。
【００６０】
本発明の配線基板の用途としては、第１導体層および第２導体層の少なくとも一層をアンテナ配線とするアンテナが好ましい。アンテナとしては、例えば国際公開第２０１６／１２１３９７号公報に記載されたものが挙げられる。なお、本発明の配線基板の用途は、アンテナには限定されず、特に高周波回路で使用する通信、センサなどのプリント基板等として使用してもよい。
配線基板としては、高周波特性が必要とされるレーダー、ネットワークのルーター、バックプレーン、無線インフラ等の電子機器用基板や自動車用各種センサ用基板、エンジンマネージメントセンサ用基板としても有用であり、特にミリ波帯域の伝送損失低減を目的とする用途に好適である。
【００６１】
［配線基板の製造方法］
本発明の配線基板の製造方法は、穴加工を行う際の積層体における第１導体層の有無によって下記方法（ｉ）と方法（ｉｉ）に大別される。
方法（ｉ）：第１導体層を有する積層体に穴加工を行う方法。
方法（ｉｉ）：第１導体層を有しない積層体に穴加工を行う方法。
以下、方法（ｉ）と方法（ｉｉ）についてそれぞれ説明する。
【００６２】
（方法（ｉ））
方法（ｉ）は、下記の工程を有する。
（ｉ−１）第１導体層、層（Ａ）および第２導体層がこの順に積層され、かつそれらの層間または外側に層（Ｂ）がさらに積層されている積層体に、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じる穴を形成する工程。
（ｉ−２）積層体に形成された穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す工程。
（ｉ−３）工程（ｉ−２）後の穴の内壁面にメッキ層を形成する工程。
【００６３】
＜工程（ｉ−１）＞
穴加工には、第１導体層、層（Ａ）および第２導体層に加えて、層（Ｂ）が積層されている積層体を用いる。層（Ｂ）は、第１導体層、層（Ａ）および第２導体層の層間に積層してもよく、第１導体層の外側または第２導体層の外側に設けてもよい。工程（ｉ−１）で使用する積層体には、第１導体層、層（Ａ）、第２導体層および層（Ｂ）以外に、さらなる導体層や、接着層等の他の層が積層されていてもよい。
【００６４】
積層体を製造する方法は、特に限定されず、公知の方法を採用できる。
第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）の構成を有する積層体は、例えば、以下の方法で得られる。金属箔、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、強化繊維基材、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、金属箔をこの順に積層して熱プレスする。これにより、第１導体層／層（Ａ）／第２導体層の構成を有する前駆積層体が得られる。該前駆積層体に接着材料を用いて熱硬化性樹脂の硬化物からなるフィルムやシートを積層することで第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／接着層／層（Ｂ）の構成を有する積層体が得られる。該前駆積層体と積層される層（Ｂ）となるフィルムやシートの一方の面または両面には導体層が設けられていてもよい。
【００６５】
また、金属箔、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、強化繊維基材、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、金属箔、プリプレグをこの順に積層して熱プレスすることにより、１段で第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）の構成を有する積層体を製造することができる。
また、金属箔、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、強化繊維基材、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、金属箔、プリプレグ、金属箔、プリプレグ、金属箔をこの順に積層して熱プレスすることにより、１段で第１導体層／層（Ａ）／第２導体層／層（Ｂ）／第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層の構成を有する積層体を製造することもできる。この場合、あらかじめ両面に金属箔が積層されているプリプレグを用いて上記第３導体層／層（Ｂ）／第４導体層を形成することができる。また、上記第２導体層と第３導体層の間の層（Ｂ）は接着層であってもよく、たとえば熱融着性の熱可塑性樹脂のフィルムを使用して、接着層を形成することができる。
【００６６】
第１導体層／層（Ａ）／層（Ｂ）／第２導体層の構成を有する積層体は、例えば、以下の方法で得られる。金属箔、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、強化繊維基材、フッ素樹脂（ａ）からなる樹脂フィルム、未硬化の熱硬化性樹脂からなる樹脂フィルム、金属箔をこの順に積層して熱プレスする。同様の方法により、第１導体層／層（Ｂ）／層（Ａ）／第２導体層の構成を有する積層体を得ることもできる。
【００６７】
穴は、少なくとも第１導体層から第２導体層まで通じるように形成する。すなわち、少なくとも第１導体層と第２導体層の間に位置する層（Ａ）を貫通するように穴を形成する。層（Ａ）よりも第１導体層側から穴を形成する場合、第１導体層と第２導体層が該穴で通じていれば、該穴は第２導体層の内部まで達してもよく、達しなくてよい。層（Ａ）よりも第２導体層側から穴を形成する場合、第１導体層と第２導体層が該穴で通じていれば、該穴は第１導体層の内部まで達してもよく、達しなくてよい。
【００６８】
層（Ｂ）が第１導体層、層（Ａ）および第２導体層のいずれかの層間に積層されている場合、層（Ａ）および層（Ｂ）を貫通するように穴を形成する。層（Ｂ）が第２導体層の外側に積層されている場合、穴は層（Ｂ）内まで達してもよく、達しなくてもよい。第１導体層、層（Ａ）および第２導体層の層内または外側に別の導体層や接着層が積層される場合も同様である。
【００６９】
積層体に穴を開ける方法としては、特に限定されず、公知の方法を採用でき、例えば、ドリルやレーザーを用いて穴を開ける方法等が挙げられる。
積層体に形成する穴の直径は、特に形成されず、適宜設定できる。
【００７０】
＜工程（ｉ−２）＞
積層体に穴を形成した後、該穴の内壁面にメッキ層を形成する前に、前処理として、該穴の内壁面に過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。工程（ｉ−２）では、前処理として、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わない。
前処理として過マンガン酸溶液処理とプラズマ処理との両方を行う場合、穴開け加工時に発生するスミア（樹脂残渣）除去性、および穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保されやすくなり、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されやすくなる点から、過マンガン酸溶液処理を先に行うことが好ましい。なお、プラズマ処理後に過マンガン酸溶液処理を実施してもよい。
【００７１】
＜工程（ｉ−３）＞
前処理後の穴の内壁面にメッキ層を形成する方法は、特に限定されず、例えば、無電解メッキ法等が挙げられる。
本発明では、積層体に形成した穴の内壁面にメッキ層を形成する際に、該積層体に層（Ｂ）が積層されていることで、穴の内壁面全体にメッキ層が形成され、第１導体層と第２導体層との導通が安定して確保される。このような効果が得られる要因は、必ずしも明らかではないが、以下のように考えられる。
【００７２】
強化繊維基材はフッ素樹脂（ａ）に比べてメッキ層との密着性が低い。そのため、層（Ａ）に強化繊維基材が含有される場合、強化繊維基材が含有されない場合に比べて、穴の内壁面とメッキ層との密着性が低くなる。また、フッ素樹脂（ａ）は柔軟なため、層（Ａ）に形成された穴の内壁面がメッキ処理時に変形することがあり、この変形が穴の内壁面とメッキ層との密着性のさらなる低下を招き、部分的にメッキ層が剥離すると考えられる。これに対して、本発明では、積層体に層（Ｂ）が積層されているため、メッキ処理時の層（Ａ）がしっかりと固定されて穴の内壁面の変形が抑制される。これにより、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保され、穴の内壁面全体にメッキ層が形成されると考えられる。
【００７３】
以下、方法（ｉ）の一例について説明する。
＜第１の実施態様＞
配線基板１を方法（ｉ）で製造する場合、図１Ａに示す、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／層（Ｂ）１８なる層構成を有する積層体１Ａを用いる。図１Ｂに示すように、積層体１Ａに、ドリルやレーザー等によって第１導体層１２から層（Ｂ）１８まで貫通する穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図１Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。
【００７４】
＜第２の実施態様＞
配線基板２を方法（ｉ）で製造する場合、図２Ａに示す、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／第３導体層２４／層（Ｂ）１８／第４導体層２６なる層構成を有する積層体２Ａを用いる。配線基板１の場合と同様に、図２Ｂに示すように、積層体２Ａに、第１導体層１２から第４導体層２６まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図２Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する。
【００７５】
＜第３の実施態様＞
配線基板３を方法（ｉ）で製造する場合、図３Ａに示す、第１導体層１２／層（Ａ）１０／層（Ｂ）１８／第２導体層１４なる層構成を有する積層体３Ａを用いる。配線基板１の場合と同様に、図３Ｂに示すように、積層体２Ａに、第１導体層１２から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図３Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する。
【００７６】
＜第４の実施形態＞
配線基板４を方法（ｉ）で製造する場合、図４Ａに示すように、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４／層（Ｂ）１８Ａ／第３導体層２４／層（Ｂ）１８Ｂ／第４導体層２６なる層構成を有する積層体４Ａを用いる。配線基板１の場合と同様にして、図４Ｂに示すように、積層体４Ａに第１導体層１２から第４導体層２６まで貫通する穴２０を形成し、図４Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する。
積層体４Ａは、例えば、第１導体層１２／層（Ａ）１０／第２導体層１４なる層構成の前駆積層体と、第３導体層２４／層（Ｂ）１８Ｂ／第４導体層２６なる層構成の前駆積層体とを、未硬化の熱硬化性樹脂を含むプリプレグを介して接合し、該プリプレグを硬化することにより得られる。この場合、プリプレグの硬化物が層（Ｂ）１８Ａとなる。
【００７７】
＜第５の実施形態＞
配線基板５を方法（ｉ）で製造する場合は、図１Ａに示すように、配線基板１の場合と同様の積層体１Ａを用いる。そして、図５Ａに示すように、積層体１Ａに対して、ドリルやレーザー等によって、第１導体層１２から層（Ａ）１０と第２導体層１４の境界面まで穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施した後、図５Ｂに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。
【００７８】
（方法（ｉｉ））
方法（ｉｉ）は、下記の工程を有する。
（ｉｉ−１）層（Ａ）および第２導体層が積層され、かつそれらの層間または第２導体層における層（Ａ）と反対側に層（Ｂ）が積層されている積層体に、少なくとも層（Ａ）の第１の面から第２導体層に通じる穴を形成する工程。
（ｉｉ−２）積層体に形成された穴の内壁面に、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す工程。
（ｉｉ−３）工程（ｉｉ−２）後の穴の内壁面にメッキ層を形成する工程。
（ｉｉ−４）層（Ａ）の第１の面側に第１導体層を形成する工程。
【００７９】
＜工程（ｉｉ−１）＞
工程（ｉｉ−１）は、第１導体層を有しない以外は方法（ｉ）と同じ積層体を用いて、少なくとも層（Ａ）の第１の面から第２導体層に通じる穴を形成する以外は、工程（ｉ−１）と同様に行える。
【００８０】
＜工程（ｉｉ−２）、工程（ｉｉ−３）＞
工程（ｉｉ−２）および工程（ｉｉ−３）は、工程（ｉｉ−１）で穴が形成された積層体を用いる以外は、工程（ｉ−２）および工程（ｉ−３）と同様に行える。
【００８１】
＜工程（ｉｉ−４）＞
層（Ａ）の第１の面側に第１導体層を形成する方法は、特に限定されず、例えば、無電解メッキ法等が挙げられる。また、必要に応じてエッチング処理により第１導体層にパターンを形成してもよい。
工程（ｉｉ−４）は、工程（ｉｉ−３）の前に行ってもよく、工程（ｉｉ−３）の後に行ってもよく、工程（ｉｉ−３）と同時に行ってもよい。
【００８２】
以下、方法（ｉｉ）の一例について説明する。
＜第６の実施態様＞
配線基板１を方法（ｉｉ）で製造する場合、例えば、以下の方法が挙げられる。
図６Ａに示す、層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／層（Ｂ）１８なる層構成の積層体１Ｂを用いる。図６Ｂに示すように、積層体１Ｂに、ドリルやレーザー等によって層（Ａ）１０から層（Ｂ）１８まで貫通する穴２０を形成する。次いで、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図６Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａに無電解メッキ等を行ってメッキ層２２を形成する。次いで、図６Ｄに示すように、層（Ａ）１０における第１の面１０ａ側に無電解メッキ等を行って第１導体層１２を形成する。
【００８３】
＜第７の実施態様＞
配線基板２を方法（ｉｉ）で製造する場合、図７Ａに示す、層（Ａ）１０／第２導体層１４／接着層１６／第３導体層２４／層（Ｂ）１８／第４導体層２６なる層構成の積層体２Ｂを用いる。配線基板１の場合と同様に、図７Ｂに示すように、積層体２Ｂに、層（Ａ）１０から第４導体層２６まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図７Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成し、図７Ｄに示すように、層（Ａ）１０の第１の面１０ａ側に第１導体層１２を形成する。
【００８４】
＜第８の実施態様＞
配線基板３を方法（ｉｉ）で製造する場合、図８Ａに示す、層（Ａ）１０／層（Ｂ）１８／第２導体層１４なる層構成の積層体３Ｂを用いる。配線基板１の場合と同様に、図８Ｂに示すように、積層体３Ｂに、層（Ａ）１０から第２導体層１４まで貫通する穴２０を形成する。そして、形成された穴２０の内壁面２０ａに、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わずに過マンガン酸溶液処理およびプラズマ処理のいずれか一方または両方を施す。次いで、図８Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成し、図８Ｄに示すように、層（Ａ）１０の第１の面１０ａ側に第１導体層１２を形成する。
【００８５】
＜第９の実施形態＞
配線基板４を方法（ｉｉ）で製造する場合、図９Ａに示すように、層（Ａ）１０／第２導体層１４／層（Ｂ）１８Ａ／第３導体層２４／層（Ｂ）１８Ｂ／第４導体層２６なる層構成の積層体４Ｂを用いる。配線基板１の場合と同様にして、図９Ｂに示すように、積層体４Ｂに層（Ａ）１０から第４導体層２６まで貫通する穴２０を形成し、図９Ｃに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成する。次いで、図９Ｄに示すように、層（Ａ）１０の第１の面１０ａ側に第１導体層１２を形成する。
積層体４Ｂは、例えば、層（Ａ）１０および第２導体層１４が積層されている前駆積層体と、第３導体層２４、層（Ｂ）１８Ｂおよび第４導体層２６が積層されている前駆積層体とを、未硬化の熱硬化性樹脂を含むプリプレグを介して接合し、該プリプレグを硬化することにより得られる。この場合、プリプレグの硬化物が層（Ｂ）１８Ａとなる。
【００８６】
＜第１０の実施形態＞
配線基板５を方法（ｉｉ）で製造する場合は、図６Ａに示すように、配線基板１の場合と同様の積層体１Ｂを用いる。図１０Ａに示すように、積層体１Ｂに対して、層（Ａ）１０の外表面から層（Ａ）１０と第２導体層１４の境界面まで穴２０を形成する。その後は、配線基板１の場合と同様の方法で、図１０Ｂに示すように、穴２０の内壁面２０ａにメッキ層２２を形成し、図１０Ｃに示すように、層（Ａ）１０の第１の面１０ａ側に第１導体層１２を形成する。
【００８７】
以上説明したように、本発明の配線基板の製造方法においては、第１導体層、層（Ａ）および第２導体層に加えて、層（Ｂ）を有する積層体を用いる。層（Ｂ）が積層されていることで、層（Ａ）に形成された穴に金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくても、穴の内壁面とメッキ層との密着性が充分に確保される。そのため、穴の内壁面全体にメッキ層が形成され、穴における導通不良を抑制できる。
本発明の配線基板の製造方法では、金属ナトリウムを用いたエッチング処理を行わなくてもよいため、フッ素原子を含まない樹脂を絶縁材料として用いて配線基板を製造するための既存設備も利用することもできる。
【実施例】
【００８８】
以下、実施例によって本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の記載によっては限定されない。
［共重合組成］
フッ素樹脂の共重合組成のうち、ＮＡＨ単位の割合（モル％）は、以下の赤外吸収スペクトル分析によって求めた。他の単位の割合は、溶融ＮＭＲ分析およびフッ素含有量分析により求めた。（ＮＡＨ単位の割合の測定）
フッ素樹脂をプレス成形して２００μｍのフィルムを得て、赤外吸収スペクトル分析を行った。得られる赤外吸収スペクトルにおいて、ＮＡＨ単位の吸収ピークである１７７８ｃｍ−１の吸収ピークの吸光度を測定した。該吸光度をＮＡＨのモル吸光係数２０８１０ｍｏｌ−１・ｌ・ｃｍ−１で除して、フッ素樹脂におけるＮＡＨ単位の割合を求めた。【００８９】
［融点］
セイコー電子社製の示差走査熱量計（ＤＳＣ装置）を用い、フッ素樹脂を１０℃／分の速度で昇温したときの融解ピークを記録し、該融解ピークの極大値に対応する温度（℃）を融点（Ｔｍ）とした。【００９０】
［ＭＦＲ］
テクノセブン社製のメルトインデクサーを用い、３７２℃、４９Ｎ荷重下で、直径２ｍｍ、長さ８ｍｍのノズルから１０分間（単位時間）に流出するフッ素樹脂の質量（ｇ）を測定し、ＭＦＲ（ｇ／１０分）とした。【００９１】
［フッ素樹脂の比誘電率の測定］
絶縁破壊試験装置（ＹＳＹ−２４３−１００ＲＨＯ（ヤマヨ試験機社製））を用い、ＡＳＴＭ  Ｄ  １５０に準拠した変成器ブリッジ法にて、温度２３℃±２℃、相対湿度５０％±５％ＲＨの試験環境において、周波数１ＭＨｚでフッ素樹脂の比誘電率を測定した。【００９２】
［フッ素樹脂材料の比誘電率の測定］
両面銅張積層体の銅箔をエッチングにより除去し、得られたフッ素樹脂材料について、スプリットポスト誘電体共振器法（ＳＰＤＲ法）により、２３℃±２℃、５０±５％ＲＨの環境下にて周波数２．５ＧＨｚの比誘電率を求めた。
誘電率測定における機器類としては、ＱＷＥＤ社製の公称基本周波数２．５ＧＨｚタイプスプリットポスト誘電体共振器、キーサイト社製のベクトルネットワークアナライザーＥ８３６１Ｃおよびキーサイト社製の８５０７１Ｅオプション３００誘電率算出用ソフトウェアを用いた。【００９３】
［線膨張係数の測定］
両面銅張積層体の銅箔をエッチングにより除去し、露出させたフッ素樹脂層を４ｍｍ×５５ｍｍの短冊状に裁断したサンプルとする。該サンプルをオーブンにて２５０℃で２時間乾燥させ、サンプルの状態調整を行う。次いで、ＳＩＩ社製熱機械分析装置（ＴＭＡ／ＳＳ６１００）を用いて、空気雰囲気下、チャック間距離２０ｍｍ、２．５ｇの負荷荷重をかけながら、３０℃から２５０℃まで５℃／分の速度でサンプルを昇温し、サンプルの線膨張に伴う変位量を測定する。測定終了後、５０〜１００℃のサンプルの変位量から、５０〜１００℃での線膨張係数（ｐｐｍ／℃）を求める。【００９４】
［メッキ層の評価］
各例で得た配線基板について、穴の内壁面に形成されたメッキ層を外観観察により確認し、以下の基準で評価した。
○（優良）：穴の内壁面の全体にメッキ層が形成されている。
×（不良）：穴の内壁面に部分的にメッキ層が形成され、穴の内壁面が一部露出している。【００９５】
［使用原料］
ＮＡＨ：５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物（無水ハイミックス酸、日立化成社製）。
ＡＫ２２５ｃｂ：１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン（ＡＫ２２５ｃｂ、旭硝子社製）。
ＰＰＶＥ：ＣＦ２＝ＣＦＯ（ＣＦ２）３Ｆ（旭硝子社製）。【００９６】
［製造例１］
ＡＫ２２５ｃｂの３６９ｋｇと、ＰＰＶＥの３０ｋｇとを、予め脱気された内容積４３０Ｌ（リットル）の撹拌機付き重合槽に仕込んだ。次いで、重合槽内を加熟して５０℃に昇温し、さらにＴＦＥの５０ｋｇを仕込んだ後、該重合槽内の圧力を０．８９ＭＰａ／Ｇまで昇圧した。なお、「／Ｇ」は、その圧力がゲージ圧であることを示す。
（ペルフルオロブチリル）ペルオキシドが０．３６質量％、ＰＰＶＥが２質量％の濃度となるようにそれらをＡＫ２２５ｃｂに溶解して重合開始剤溶液を調製した。該重合開始剤溶液の３Ｌを、１分間に６．２５ｍＬの速度で前記重合槽中に連続的に添加しながら重合を行った。重合反応中は、重合槽内の圧力が０．８９ＭＰａ／Ｇに保持されるようにＴＦＥを連続的に仕込んだ。また、ＮＡＨを濃度が０．３質量％となるようにＡＫ２２５ｃｂに溶解した溶液を、重合反応中に仕込むＴＦＥのモル数に対して０．１モル％の割合となるように連続的に仕込んだ。
重合開始８時間後、３２ｋｇのＴＦＥを仕込んだ時点で、重合槽内の温度を室温まで降温するとともに、圧力を常圧までパージした。得られたスラリを、ＡＫ２２５ｃｂと固液分離した後、１５０℃で１５時間乾燥することにより、３３ｋｇの粒状のフッ素樹脂（ａ１−１）を得た。
フッ素樹脂（ａ１−１）の共重合組成は、ＮＡＨ単位／ＴＦＥ単位／ＰＰＶＥ単位＝０．１／９７．９／２．０（モル％）であった。フッ素樹脂（ａ１−１）の融点は３００℃であり、比誘電率は２．１であり、ＭＦＲは１７．６ｇ／１０分であった。また、フッ素樹脂（ａ１−１）の官能基（Ｑ）（酸無水物基）の含有量は、フッ素樹脂（ａ１−１）の主鎖炭素数１×１０６個に対して１０００個であった。【００９７】
［製造例２］
７５０ｍｍ巾コートハンガーダイを有する３０ｍｍφ単軸押出機を用い、ダイ温度３４０℃でフッ素樹脂（ａ１−１）を押出成形し、厚み３０μｍのフッ素樹脂フィルム（以下、「フィルム（１）」という。）を得た。厚み１２μｍの電解銅箔（福田金属箔粉社製、ＣＦ−Ｔ４Ｘ−ＳＶＲ−１２、表面粗さ（Ｒｚ）１．２μｍ）、フィルム（１）およびガラスクロス（１）（有沢製作所社製、ガラスクロス０６３４ＮＳ、単位面積質量４８．５ｇ／ｍ２、空隙率４．５％。）を、銅箔／フィルム（１）／フィルム（１）／ガラスクロス（１）／フィルム（１）／フィルム（１）／銅箔の順序で積層し、温度３６０℃、圧力３．７ＭＰａで１０分間真空プレスし、両面銅張積層体（α−１）を作製した。両面銅張積層体（α−１）には、フィルム（１）／フィルム（１）／ガラスクロス（１）／フィルム（１）／フィルム（１）の部分がプレスされることでフッ素樹脂層（Ａ−１）が形成された。
両面銅張積層体（α−１）における両面の銅箔をエッチングにより除去して、フッ素樹脂層（Ａ−１）の厚さを測定したところ１６８μｍであった。また、フッ素樹脂層（Ａ−１）の比誘電率は２．６であり、線膨張係数は１８ｐｐｍ／℃であった。【００９８】
［製造例３］
両面銅張積層体（α−１）、ガラス繊維を一方向に引き揃えた基材に未硬化の熱硬化性樹脂が含浸された厚み６０μｍのプリプレグ（Ｃ−１）（ガラスエポキシボンディングシート  Ｒ−１６６１、パナソニック社製）、および、厚み４００μｍのガラスエポキシ基板の両面に銅箔が張り付けられた両面銅張積層体（β−１）を、α−１／Ｃ−１／β−１の順序で積層し、温度１８０℃、圧力３．７ＭＰａでプレスして積層体（Ｉ）を作製した。該プレスにおいて、プリプレグ（Ｃ−１）中の熱硬化性樹脂が硬化して硬化物となった。積層体（Ｉ）においては、ガラスエポキシ基板が層（Ｂ−１）であり、プリプレグ（Ｃ−１）中の熱硬化性樹脂が硬化した硬化物が層（Ｂ−２）となる。【００９９】
［実施例１］
製造例３で得た積層体（Ｉ）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（Ｉ）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、デスミア処理（過マンガン酸溶液処理）を施した。スルーホールを形成した積層体（Ｉ）について、膨潤液（ＲＯＨＭ  ａｎｄ  ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１１およびＣｕｐＺの混合比が２：１質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：５分で処理し、酸化液（ＲＯＨＭ  ａｎｄ  ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１３Ａ−１およびＭＬＢ２１３Ｂ−１の混合比が１：１．５質量比となる混合液）を用いて液温度：８０℃、処理時間：６分で処理し、中和液（ＲＯＨＭ  ａｎｄ  ＨＡＡＳ社製のＭＬＢ２１６−２）を用いて液温度：４５℃、処理時間：５分で処理した。
デスミア処理後の積層体（Ｉ）のスルーホールの内壁面にメッキ層を形成するために、積層体（Ｉ）のスルーホールの内壁面にメッキ処理を施した。メッキ処理については、ＲＯＨＭ  ａｎｄ  ＨＡＡＳ社からシステム液が販売されており、システム液を用いて公表されている手順にしたがって無電解メッキを行った。デスミア処理後の積層体（Ｉ）について、洗浄液（ＡＣＬ−００９）を用いて液温度：５５℃、処理時間：５分で処理した。水洗した後、積層体（Ｉ）について、加硫酸ナトリウム−硫酸系ソフトエッチング剤を用いて液温度：室温、処理時間：２分でソフトエッチング処理した。水洗した後、積層体（α−１）について、処理液（ＭＡＴ−２−ＡおよびＭＡＴ−２−Ｂがそれぞれ５：１体積比となる混合液）を用いて液温度：６０℃、処理時間：５分でアクチベート処理した。積層体（Ｉ）について、処理液（ＭＡＢ−４−ＡおよびＭＡＢ−４−Ｂがそれぞれ１：１０体積比となる混合液）を用いて液温度：３０℃、処理時間：３分で還元処理し、無電解メッキにて銅を析出させるためのＰｄ触媒をスルーホールの内壁面に付着させた。水洗した後、積層体（α−１）について、処理液（ＰＥＡ−６）を用いて液温度：３４℃、処理時間：３０分でメッキ処理し、スルーホールの内壁面に銅を析出させてメッキ層を形成し、配線基板を得た。【０１００】
［実施例２］
製造例３で得た積層体（Ｉ）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（Ｉ）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、実施例１と同様の操作にて過マンガン酸ナトリウム塩を含むデスミア液を用いて過マンガン酸溶液処理を施した後、さらにアルゴンガス雰囲気下でプラズマ処理を実施した。次いで、該穴の内壁面に実施例１と同様の操作にて無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成して、配線基板を得た。
［実施例３］
製造例３で得た積層体（Ｉ）に対して、ドリルにより０．３ｍｍφの穴加工を行い、積層体（Ｉ）の一方の面から他方の面まで貫通する穴（スルーホール）を形成した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、実施例１における操作の内、各液での処理工程中に２８キロヘルツの超音波処理を施す以外は同様の操作にて過マンガン酸溶液処理を施した後、該穴の内壁面に無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成し、配線基板を得た。【０１０１】
［比較例１］
製造例２で得た両面銅張積層体（α−１）に対して、ドリル加工により０．３ｍｍφの穴加工を行い、スルーホールを作製した。次いで、形成された穴の内壁面に対して、過マンガン酸ナトリウム塩を含むデスミア液を用いて過マンガン酸溶液処理を施した後、該穴の内壁面に無電解メッキにより銅からなるメッキ層を形成して、配線基板を得た。【０１０２】
【表１】
2017069216.tif 000003
【０１０３】
表１に示すように、実施例１、２、３の配線基板においては、穴の内壁面の全面にメッキ層が形成されていた。
一方、比較例１の配線基板においては、穴の内壁面に部分的にしかメッキ層が形成されなかった。
なお、２０１５年１０月２２日に出願された日本特許出願２０１５−２０８１５３号の明細書、特許請求の範囲、要約書および図面の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
【符号の説明】
【０１０４】
１〜４  配線基板、１０  層（Ａ）、１０ａ  第１の面、１０ｂ  第２の面、１２  第１導体層、１４  第２導体層、１６  接着層、１８  層（Ｂ）、２０  穴、２０ａ  内壁面、２２  メッキ層、２４  第３導体層、２６  第４導体層。
【図１Ａ】
2017069216.tif 000004
【図１Ｂ】
2017069216.tif 000005
【図１Ｃ】
2017069216.tif 000006
【図２Ａ】
2017069216.tif 000007
【図２Ｂ】
2017069216.tif 000008
【図２Ｃ】
2017069216.tif 000009
【図３Ａ】
2017069216.tif 000010
【図３Ｂ】
2017069216.tif 000011
【図３Ｃ】
2017069216.tif 000012
【図４Ａ】
2017069216.tif 000013
【図４Ｂ】
2017069216.tif 000014
【図４Ｃ】
2017069216.tif 000015
【図５Ａ】
2017069216.tif 000016
【図５Ｂ】
2017069216.tif 000017
【図６Ａ】
2017069216.tif 000018
【図６Ｂ】
2017069216.tif 000019
【図６Ｃ】
2017069216.tif 000020
【図６Ｄ】
2017069216.tif 000021
【図７Ａ】
2017069216.tif 000022
【図７Ｂ】
2017069216.tif 000023
【図７Ｃ】
2017069216.tif 000024
【図７Ｄ】
2017069216.tif 000025
【図８Ａ】
2017069216.tif 000026
【図８Ｂ】
2017069216.tif 000027
【図８Ｃ】
2017069216.tif 000028
【図８Ｄ】
2017069216.tif 000029
【図９Ａ】
2017069216.tif 000030
【図９Ｂ】
2017069216.tif 000031
【図９Ｃ】
2017069216.tif 000032
【図９Ｄ】
2017069216.tif 000033
【図１０Ａ】
2017069216.tif 000034
【図１０Ｂ】
2017069216.tif 000035
【図１０Ｃ】
2017069216.tif 000036
【国際調査報告】
2017069216.tif 000037
2017069216.tif 000038
2017069216.tif 000039
2017069216.tif 000040