(57)【要約】  液晶パネルの画像表示面上に配置する導電性基板であって、  透明基材と、  前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、  前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層と、を備えており、  バックライト消灯時の前記液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、  前記黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足する導電性基板を提供する。  （ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
2016175095.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルの画像表示面上に配置する導電性基板であって、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層と、を備えており、
バックライト消灯時の前記液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、
前記黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足する導電性基板。
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
【請求項２】
バックライト消灯時の前記液晶パネルの前記画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値をａ＊ｐａｎｅｌとした場合に、
前記黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値が以下の式２を充足する請求項１に記載の導電性基板。
（ａ＊ｐａｎｅｌ＋０）≧ａ＊≧（ａ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式２
【請求項３】
波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が２０％以下である請求項１または２に記載の導電性基板。
【請求項４】
前記金属層が銅層または銅合金層である、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導電性基板。
【請求項５】
前記透明基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導電性基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導電性基板を備えた液晶タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性基板、液晶タッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種用途で用いられている静電容量式の液晶タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置情報を電気信号に変換する。【０００３】
静電容量式の液晶タッチパネルに用いられる導電性基板は、液晶パネルの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。【０００４】
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板の導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。【０００５】
近年液晶タッチパネルの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。【０００６】
このため、例えば特許文献２、３に開示されているように導電層としてＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。しかし、例えば導電層として銅等の金属箔を用いた場合、銅等の金属箔は金属光沢を有しているため、反射により液晶パネルの視認性が低下するという問題がある。【０００７】
そこで、銅等の金属箔により構成される層と共に、銅等の金属箔表面での光の反射を抑制できる材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。黒化層を形成することで、導電性基板の光の反射率を下げ、金属層をパターニングした配線を目立たなくすることで液晶パネルの視認性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】日本国特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献２】日本国特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献３】日本国特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の導電性基板では液晶パネルのバックライトを消灯した時に導電性基板の配線が目立つ場合があり、液晶タッチパネルのより高性能化の観点から、液晶パネルのバックライト消灯時においても配線が目立たない導電性基板が求められていた。【００１０】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない導電性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
液晶パネルの画像表示面上に配置する導電性基板であって、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層と、を備えており、
バックライト消灯時の前記液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、
前記黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足する導電性基板を提供する。【００１２】
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一側面によれば、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない導電性基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４Ａ】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図４Ｂ】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の導電性基板、及び導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（導電性基板）
本実施形態の導電性基板は、液晶パネルの画像表示面上に配置することができ、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された金属層と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された黒化層と、を備えた構成とすることができる。  
そして、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足することが好ましい。  
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
なお、本実施形態における導電性基板とは、金属層等をパターニングする前の、透明基材の表面に金属層や、黒化層等を有する基板と、金属層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。また、金属層等をパターニングした後の導電性基板は透明基材が金属層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。
【００１６】
ここでまず、本実施形態の導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００１７】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００１８】
可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。
【００１９】
中でも、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
【００２０】
透明基材としては、ポリエチレンテレフタレートフィルムを特に好ましく用いることができる。
【００２１】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特に液晶タッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。液晶タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特に液晶タッチパネル全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００２２】
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えば液晶タッチパネルの用途に用いた場合に液晶パネルの視認性を十分に確保することができる。
【００２３】
なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００２４】
次に、金属層について説明する。
【００２５】
金属層を構成する材料は特に限定されず用途にあった電気伝導率を有する材料を選択できるが、例えば、金属層を構成する材料は、Ｃｕと、Ｎｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｍｎ，Ｃｏ，Ｗから選ばれる少なくとも１種以上の金属との銅合金、または銅を含む材料であることが好ましい。また、金属層は銅から構成される銅層とすることもできる。電気伝導率が高いことから、金属層は、銅層または銅合金層であることが特に好ましい。
【００２６】
透明基材上に金属層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と金属層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち金属層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と金属層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００２７】
透明基材の上面に金属層を直接形成するため、金属層は金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有していてもよい。
【００２８】
例えば透明基材上に、乾式めっき法により金属薄膜層を形成し該金属薄膜層を金属層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。なお、乾式めっき法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。
【００２９】
また、金属層の膜厚を厚くする場合には、金属薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成することにより、金属薄膜層と金属めっき層とを有する金属層とすることもできる。金属層が金属薄膜層と金属めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接金属層を形成できる。
【００３０】
金属層の厚さは特に限定されるものではなく、金属層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００３１】
ただし、金属層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、金属層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００３２】
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば金属層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３３】
なお、金属層が上述のように金属薄膜層と、金属めっき層を有する場合には、金属薄膜層の厚さと、金属めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００３４】
金属層が金属薄膜層により構成される場合、または金属薄膜層と金属めっき層とを有する場合のいずれの場合でも、金属薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００３５】
金属層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、金属層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、金属層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
【００３６】
次に黒化層について説明する。
【００３７】
黒化層の材料は特に限定されるものではなく、金属層表面における光の反射を抑制できる材料であれば好適に用いることができる。
【００３８】
黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００３９】
なお、黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００４０】
黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができ、例えば乾式法、または湿式法により成膜することができる。
【００４１】
黒化層を乾式法により成膜する場合、その具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。黒化層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００４２】
反応性スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。黒化層が合金を含む場合には、黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。
【００４３】
また、黒化層に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素が含まれる場合、これらは黒化層を成膜する際の雰囲気中に添加しておくことにより、黒化層中に添加することができる。例えば、黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、スパッタリングを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。黒化層を成膜する際の不活性ガス中にこれらのガスを添加することにより、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を黒化層中に添加することができる。なお、不活性ガスとしてはアルゴンを好ましく用いることができる。
【００４４】
黒化層を湿式法により成膜する場合には、黒化層の材料に応じためっき液を用い、例えば電気めっき法により成膜することができる。
【００４５】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さが薄い場合には、金属層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより金属層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。
【００４６】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００４７】
本実施形態の導電性基板においては、黒化層を配置することにより、金属層表面における光の反射を抑制することができる。このため、例えば液晶タッチパネル等の用途に用いた場合に液晶パネルの視認性の低下を抑制することが可能になる。
【００４８】
ところで、既述のように、従来の導電性基板では液晶パネルのバックライトを消灯した時に導電性基板の配線が目立つ場合があった。そして、液晶タッチパネルのより高性能化の観点から、液晶パネルのバックライト消灯時においても配線が目立たない導電性基板が求められていた。
【００４９】
そこで、本発明の発明者らは、従来の導電性基板において、導電性基板の配線が目立つ原因について検討を行った。そして、従来の導電性基板においては、液晶パネルのバックライト消灯時の画像表示面の色と、黒化層の色との差異が大きい場合に、導電性基板の配線が目立つことを見出した。このため、液晶パネルのバックライト消灯時の画像表示面の色と黒化層の色との差異、特にＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値の差異を所定の範囲内とすることで、液晶パネルのバックライト消灯時でも配線を目立たなくできることを見出し本発明を完成させた。
【００５０】
本実施形態の導電性基板では、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算したｂ＊値が以下の式１を満たすことが好ましい。
【００５１】
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
また、本発明の発明者らの検討によれば液晶パネルのバックライト消灯時に配線をより目立たなくするため、液晶パネルのバックライト消灯時の画像表示面、及び黒化層の、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値の差異も所定の範囲内であることが好ましい。
【００５２】
このため、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値をａ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値が以下の式２を充足することが好ましい。
【００５３】
（ａ＊ｐａｎｅｌ＋０）≧ａ＊≧（ａ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式２
黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値や、ａ＊値を所望の範囲とする方法は特に限定されるものではないが、例えば黒化層の厚さや、材料等を選択することにより所望の範囲になるようにすることができる。例えば、黒化層には炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することができるが、この際、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素の添加量を調整することで、黒化層の色について所望のｂ＊値やａ＊値となるようにすることができる。
【００５４】
本実施形態の導電性基板には上述の透明基材、金属層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【００５５】
密着層の構成例について説明する。
【００５６】
上述のように金属層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に金属層を直接形成した場合に、透明基材と金属層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接金属層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から金属層が剥離する場合がある。
【００５７】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と金属層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。
【００５８】
透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、透明基材と金属層との密着性を高め、透明基材から金属層が剥離することを抑制できる。
【００５９】
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、金属層の下面側、すなわち透明基材側からの光による金属層の光の反射も抑制することが可能になる。
【００６０】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び金属層との密着力や、要求される金属層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００６１】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。
【００６２】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むことができる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００６３】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００６４】
密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００６５】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００６６】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため金属層との密着性も高い。このため、透明基材と金属層との間に密着層を配置することにより、金属層の剥離を抑制することができる。
【００６７】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００６８】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち金属層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００６９】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７０】
なお、密着層の色については特に限定されるものではないが、金属層等をパターニングして配線基板とした場合に、密着層が透明基材を介して外部から視認できる場合がある。このため、液晶パネルの画像表示面上に配置した際に、密着層も目立たないように、密着層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算したｂ＊値についても上述の式１を充足することが好ましい。
【００７１】
また、密着層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算したａ＊値についても上述の式２を充足することがより好ましい。
【００７２】
次に、導電性基板の構成例について説明する。
【００７３】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と金属層と黒化層とを有することができる。また、任意に密着層等の層を設けることもできる。この際、金属層と黒化層とについての透明基材上の積層の順番は特に限定されるものではない。また、金属層と黒化層とはそれぞれ複数層形成することもできる。
【００７４】
具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００７５】
本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から金属層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。
【００７６】
具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。
【００７７】
また、さらに任意の層として、例えば密着層を設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から密着層と、金属層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。
【００７８】
具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、密着層１４と、金属層１２と、黒化層１３と、をその順に積層することができる。
【００７９】
この場合も透明基材１１の両面に密着層、金属層、黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、他方の面１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１４Ａ、１４Ｂと、金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、をその順に積層できる。
【００８０】
なお、図１Ｂ、図２Ｂにおいて、透明基材の両面に金属層、黒化層等を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ｂの構成と同様に、密着層１４Ａを設けずに金属層１２Ａと、黒化層１３Ａと、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００８１】
本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に金属層と、黒化層とを設けているため、金属層による光の反射を抑制することができる。
【００８２】
本実施形態の導電性基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば液晶タッチパネル用の導電性基板として用いた場合の液晶パネルの視認性を高めるためには、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率は低い方が良い。例えば、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１２％以下であることが特に好ましい。
【００８３】
反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に金属層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように表面Ａに対して光を照射し、測定できる。そして、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率（以下、単に「平均反射率」とも記載する）とすることができる。
【００８４】
本実施形態の導電性基板は液晶タッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。本実施形態の導電性基板を液晶タッチパネル用の導電性基板として用いる場合、導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【００８５】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の金属層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【００８６】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を金属層、および黒化層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは金属層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は、配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【００８７】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００８８】
まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａの上面、及び３１Ｂの下面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
【００８９】
また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、黒化層と、金属層以外に密着層を設けることもできる。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも、例えば配線３１Ａおよび／または配線３１Ｂと透明基材１１との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされていることが好ましい。
【００９０】
図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に金属層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた導電性基板から形成することができる。
【００９１】
図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の金属層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。
【００９２】
そして、透明基材１１の他方の面１１ｂ側の金属層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
【００９３】
以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
【００９４】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、金属層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、金属層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。
【００９５】
また、例えば透明基材１１の金属層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。
【００９６】
なお、図４Ａ、図４Ｂにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターニングされた密着層を有する導電性基板は、図１Ａに示した導電性基板にかえて図２Ａに示した導電性基板を用いることで作製できる。
【００９７】
図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【００９８】
また、図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えば液晶パネルの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【００９９】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
【０１００】
以上の本実施形態の導電性基板によれば、液晶パネルの画像表示面上に配置する導電性基板であって、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値を所定の範囲内としている。このため、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない導電性基板とすることができる。
（液晶タッチパネル）
ここまで説明した導電性基板を、例えば液晶パネルの画像表示面上に載置して固定することで液晶タッチパネルとすることができる。すなわち、本実施形態の導電性基板を備えた液晶タッチパネルとすることができる。
【０１０１】
液晶パネルの画像表示面上に導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではなく、例えば透明な接着剤等により固定することができる。
【０１０２】
本実施形態の液晶タッチパネルにおいては、導電性基板の黒化層のＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値を所定の範囲内としているため、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない液晶タッチパネルとすることができる。
（導電性基板の製造方法、液晶タッチパネルの製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
【０１０３】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
透明基材の少なくとも一方の面上に金属層を形成する金属層形成工程。  
透明基材の少なくとも一方の面上に黒化層を形成する黒化層形成工程。
【０１０４】
そして、黒化層形成工程において形成する黒化層は、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足することが好ましい。
【０１０５】
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について具体的に説明する。
【０１０６】
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により上述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。
【０１０７】
金属層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
【０１０８】
そして、金属層は既述のように、金属薄膜層を有することが好ましい。また、金属層は金属薄膜層と金属めっき層とを有することもできる。このため、金属層形成工程は、例えば乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程を有することができる。また、金属層形成工程は、乾式めっき法により金属薄膜層を形成する工程と、該金属薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により金属めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
【０１０９】
金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。金属薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【０１１０】
次に金属めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により金属めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、金属めっき液を入れためっき槽に金属薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、金属めっき層を形成できる。
【０１１１】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【０１１２】
黒化層形成工程において、黒化層を形成する方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができる。
【０１１３】
黒化層形成工程において黒化層を形成する際、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。特に、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。また、黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法を好ましく用いることができる。
【０１１４】
既述のように黒化層は電気めっき法等の湿式法により成膜することもできる。
【０１１５】
黒化層形成工程で形成する黒化層は、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値をｂ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が以下の式１を充足することが好ましい。
【０１１６】
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
また、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面の色を、ＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値をａ＊ｐａｎｅｌとした場合に、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のａ＊値が以下の式２を充足することがより好ましい。
【０１１７】
（ａ＊ｐａｎｅｌ＋０）≧ａ＊≧（ａ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式２
黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値や、ａ＊値を所望の範囲とする方法は特に限定されるものではないが、例えば黒化層の厚さや、材料等を選択することにより所望の範囲になるようにすることができる。また、例えば、黒化層には炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することができるが、この際炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素の添加量を調整することで、黒化層の色について所望のｂ＊値やａ＊値とすることもできる。
【０１１８】
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。
【０１１９】
例えば透明基材と金属層との間に密着層を形成する場合、透明基材の金属層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、金属層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、金属層形成工程で金属薄膜層は、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材に形成できる。
【０１２０】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１２１】
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる金属層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【０１２２】
このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、金属層、及び黒化層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、金属層、及び黒化層をパターニングする工程とすることができる。
【０１２３】
パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように透明基材１１上に金属層１２、及び黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１３上の表面Ａに所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置ステップを実施することができる。次いで、黒化層１３の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１２４】
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に金属層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層をエッチングすることもできる。
【０１２５】
また、図１Ｂのように透明基材１１の一方の面１１ａ、他方の面１１ｂに金属層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１３Ａ、１３Ｂ上の表面Ａ、表面Ｂに所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置ステップを実施できる。次いで、黒化層１３Ａ、１３Ｂの上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１２６】
エッチングステップで形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１Ａに示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように金属層１２、及び黒化層１３を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。
【０１２７】
また、図２Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、金属層１２Ａと、金属層１２Ｂとでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、黒化層１３Ａは、金属層１２Ａと同様の形状に、黒化層１３Ｂは金属層１２Ｂと同様の形状になるようにそれぞれパターニングを行うことが好ましい。
【０１２８】
また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて金属層１２等をパターン化した後、パターン化した２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の金属層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。
【０１２９】
積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。
【０１３０】
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法によれば、液晶パネルの画像表示面上に配置する導電性基板であって、黒化層の色をＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値が所定の範囲内になるように黒化層を形成している。このため、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない導電性基板とすることができる。
【０１３１】
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られた導電性基板を用いて液晶タッチパネルを製造する場合、導電性基板を液晶パネルの画像表示面上に載置して固定する工程を実施することができる。
【０１３２】
液晶パネルの画像表示面上に導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではなく、例えば透明な接着剤等により固定することができる。
【０１３３】
本実施形態の液晶タッチパネルにおいては、導電性基板の黒化層のＣＩＥ（Ｌ＊ａ＊ｂ＊）表色系に換算した際のｂ＊値を所定の範囲内としているため、液晶パネルのバックライトを消灯した場合でも配線が目立たない液晶タッチパネルとすることができる。
【実施例】
【０１３４】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（１）評価方法
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（平均反射率）
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。【０１３５】
後述のように各実施例、比較例では図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。このため、反射率測定は図１Ａに示した導電性基板１０Ａの黒化層１３の表面Ａに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して反射率（正反射率）を測定し、その平均値を該導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率（平均反射率）とした。なお、各実施例、比較例で測定、算出した、導電性基板の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率について、表１中において平均反射率として示している。
（黒化層のａ＊値、ｂ＊値）
平均反射率を測定、算出する際に、黒化層の表面に対して波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して測定した反射率の測定値から、ａ＊、ｂ＊を算出した。
（視認性試験）
画像表示面のａ＊値であるａ＊ｐａｎｅｌが−１、ｂ＊値であるｂ＊ｐａｎｅｌが−２である液晶パネルの画像表示面上に透明接着剤により作製した各実施例、比較例の導電性基板を固定した。なお、この際液晶パネルの画像表示面と、作製した図１Ａに示す構造を有する導電性基板の透明基材１１の他方の面１１ｂとが対向するように液晶パネルの画像表示面上に導電性基板を固定した。【０１３６】
そして、蛍光灯照明下で、５人の検査者により目視による試験を行い、液晶パネルのバックライトを消灯した状態で、導電性基板の配線を視認した検査者数をカウントした。【０１３７】
導電性基板の配線を視認した検査者数が５人の場合には×と評価し、１人以上４人以下の場合には△と評価し、０人の場合には〇と評価した。
（２）導電性基板の作製条件
以下の手順により、各実施例、比較例の導電性基板、液晶タッチパネルを作製した。
［実施例１］
金属層、黒化層の積層方向と平行な面における断面が図１Ａに示した構造を有する導電性基板を以下の手順により作製し、評価を行った。【０１３８】
幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を用意した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。【０１３９】
そして、透明基材の一方の面に金属層として、厚さ０．５ｕｍの銅層を形成した。【０１４０】
なお、銅層は銅薄膜層から構成され、銅薄膜層はスパッタリング法で成膜した。【０１４１】
銅層の成膜にはロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いて、スパッタリング法により成膜した。具体的にはまず、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置に、銅のターゲット、及び上述の透明基材を設置した。そして、チャンバー内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａのアルゴン雰囲気とした。次いで、係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材を搬送することで透明基材の一方の主平面上に銅層を成膜した。【０１４２】
次に上記銅層の上面に黒化層を成膜した。黒化層は銅層の場合と同様にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いてスパッタリング法により成膜した。なお、黒化層としては、酸素を添加したニッケル銅層を成膜した。【０１４３】
具体的にはまず、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置に、ニッケル６５ｗｔ％と、銅３５ｗｔ％とからなるニッケル−銅合金のターゲット、及び銅層を形成した透明基材を設置した。そして、チャンバー内を１×１０−４Ｐａまで排気した後、チャンバー内にアルゴンガスを２００ｓｃｃｍ、酸素ガスを４３ｓｃｃｍの条件で導入し、チャンバー内の圧力が２Ｐａになるように調整した。次いで、銅層を形成した透明基材を巻出ロールから搬送速度３．０ｍ／分の速度で搬送しながら、スパッタリングカソードに直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、銅層上に黒化層を成膜した。係る操作により透明基材の銅層の上に厚さ５０ｎｍの黒化層を形成した。【０１４４】
得られた導電性基板について、上述の方法により平均反射率、及び黒化層のａ＊値、ｂ＊値の測定を行った。結果を表１に示す。【０１４５】
次に、作製した導電性基板の黒化層上に市販のドライフィルムレジストをラミネート法により貼り付けた。そして、配線幅４ｕｍで格子状のメッシュパターンを形成するためのマスクを介し紫外線照射することで、感光性レジストパターンを形成した。【０１４６】
次いで感光性レジストパターンの開口部に、３０℃に加熱した塩化第二鉄溶液を供給し、開口部に露出する黒化層及び銅層をエッチングにより除去し、その後水酸化ナトリウム水溶液により感光性レジストパターンを剥離除去した。これにより銅層、及び黒化層がパターニングされた導電性基板を形成し、係る導電性基板について上述の視認性評価を行った。結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例４］
各実施例について、黒化層を成膜する際の、銅層を形成した透明基材の搬送速度、及びチャンバー内に供給する酸素ガスの供給量を、表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
各比較例について、黒化層を成膜する際の、銅層を形成した透明基材の搬送速度、及びチャンバー内に供給する酸素ガスの供給量を、表１に示した値とした点以外は実施例１と同様にして導電性基板を作製し、その評価を行った。結果を表１に示す。【０１４７】
【表１】
2016175095.tif 000003
表１に示した結果によると、黒化層のｂ＊値が、バックライト消灯時の前記液晶パネルの画像表示面のｂ＊ｐａｎｅｌと以下の式１の関係を満たさない、比較例１、２については、視認性評価の結果が×になることが確認できた。すなわち、導電性基板をバックライトを消灯した液晶パネル上に配置した際に、配線が目立っていることが確認できた。【０１４８】
（ｂ＊ｐａｎｅｌ＋１）≧ｂ＊≧（ｂ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式１
これに対して、黒化層のｂ＊値が、上記式１を満たす実施例１〜実施例４については、いずれも視認性評価の結果が△または〇となっており、導電性基板を液晶パネル上に配置した際に、配線が目立つことを抑制できることを確認できた。【０１４９】
特に、黒化層のａ＊値が、バックライト消灯時の液晶パネルの画像表示面のａ＊ｐａｎｅｌと以下の式２の関係を満たす、実施例３、４については、視認性評価の結果が〇になり、導電性基板を液晶パネル上に配置した際に、特に配線が目立たなくなっていることが確認できた。【０１５０】
（ａ＊ｐａｎｅｌ＋０）≧ａ＊≧（ａ＊ｐａｎｅｌ−３．５）・・・式２
また、実施例１〜実施例４の導電性基板はいずれも平均反射率が２０％以下となっており、黒化層を設けることで、金属層による光の反射を抑制できていることを確認できた。【０１５１】
以上に導電性基板、および液晶タッチパネルを、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。【０１５２】
本出願は、２０１５年４月３０日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−０９３５７６号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−０９３５７６号の全内容を本国際出願に援用する。
【符号の説明】
【０１５３】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ、３０  導電性基板
１１                                  透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ                  金属層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、３２Ａ、３２Ｂ  黒化層
【図１Ａ】
2016175095.tif 000004
【図１Ｂ】
2016175095.tif 000005
【図２Ａ】
2016175095.tif 000006
【図２Ｂ】
2016175095.tif 000007
【図３】
2016175095.tif 000008
【図４Ａ】
2016175095.tif 000009
【図４Ｂ】
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【国際調査報告】
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2016175095.tif 000012