(57)【要約】  高い生産性を達成可能な処理装置やそれを実現するために、以下の構造を提供する。  即ち、周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡管の下流端に接続される液体排出路とを備える構造を提供する。
2017104485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡管の下流端に接続される液体排出路とを備える貯留装置。
【請求項２】
前記凹部の径は、前記側壁の径よりも小さくなるよう構成される請求項１に記載の貯留装置。
【請求項３】
前記連絡管と前記凹部は連続した構造である請求項１または請求項２に記載の貯留装置。  
【請求項４】
前記連絡管は、前記底壁の内部に設けられる請求項１から請求項３のうち、いずれか一項に記載の貯留装置。
【請求項５】
前記貯留室の径は、前記底壁に向かうほど小さくなるよう構成される請求項１から請求項４のうち、いずれか一項に記載の貯留装置。
【請求項６】
前記液体排出路は、ポンプに接続可能なよう構成される請求項１から請求項５のうち、いずれか一項に記載の貯留装置。
【請求項７】
前記液体排出路は、前記側壁内を貫通するよう構成される請求項１から請求項６のうち、いずれか一項に記載の貯留装置。
【請求項８】
周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡管の下流端に接続される液体排出路とを備える貯留装置と、前記貯留室を加熱するヒータと、を有する気化器。
【請求項９】
周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡流路の下流端に接続される液体排出路とを備える貯留装置と、前記貯留室を加熱するヒータと、を有する気化器と、前記気化器に連通される処理室と、前記処理室内で基板を支持する基板支持部とを有する基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理室内で基板を処理する際は、基板処理モードとして、前記底壁が重量計測器に支持された状態で前記ガス流路が前記処理室に連通すると共に、前記液体配管が液体原料源に連通するよう構成され、前記貯留装置内をメンテナンスする際は、メンテナンスモードとして、前記底壁が重量計測器に載置された状態で前記ガス流路が前記不活性ガス源に連通すると共に前記液体排出路が廃液装置または洗浄装置のいずれかに接続されるよう構成される請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板を処理室内の基板支持部に支持する工程と、周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡流路の下流端に接続される液体排出路とを備える貯留装置と、前記貯留室を加熱するヒータと、を有する気化器に原料を供給し、前記原料を気化する工程と、前記気化器に連通された処理室内に前記気化された原料を供給し、前記基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を貯留する貯留装置、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理対象物を液体で処理する装置があり、そこでは処理チャンバの手前でいったん液体を貯留する貯留タンクとしての容器を有する。貯留タンクは、処理チャンバへの液体供給を制御する等の役割を有する（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７‐２２７４７１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
処理装置では高い生産性が求められている。高い生産性を達成するための一つの方法としては、例えば処理装置のメンテナンス時間の短縮化がある。【０００５】
本発明は、上記問題に鑑み、高い生産性を達成可能な処理装置やそれを実現するための構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、周状に構成された側壁と、前記側壁の上端側に配された蓋壁と、前記側壁の下端側に接続されると共に、重量検知器上に載置可能な載置面を有する底壁と、前記側壁と前記蓋壁と前記底壁で囲まれた貯留室と、前記貯留室に連通すると共に、前記底壁に設けられた凹部と、一端が前記凹部のうち重力方向の部位に接続され、他端が前記底壁内にて重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成され、径が前記凹部の径よりも小さくなるよう構成される連絡管と、前記底壁と異なる壁に設けられるガス流路と、前記連絡管の下流端に接続される液体排出路とを備える構造が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、高い生産性を達成可能な処理装置やそれを実現するための構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る処理装置の概略を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る処理装置に使用される基板処理炉の概略断面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ矢視図である。
【図４】本発明の実施形態に係る貯留タンクを説明する説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係るコントローラを説明する説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る貯留タンクと洗浄装置との関係を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係る貯留タンクを説明する説明図である。
【図８】比較例を説明する説明図である。
【図９】比較例を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１０】
（第一の実施形態）
図１は、本発明が実施される処理装置の一例である基板処理装置を示すものである。先ず、図１により本発明が適用される基板処理装置の概略を説明する。
【００１１】
筐体２１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット２２の授受を行う容器授受手段としてのカセットステージ２３が設けられ、カセットステージ２３の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ２４が設けられ、カセットエレベータ２４にはカセット搬送手段としてのカセット搬送機２５が取付けられている。又、カセットエレベータ２４の後側には、カセット２２の収納手段としてのカセット棚２６が設けられると共にカセットステージ２３の上方にもカセット収納手段である予備カセット棚２７が設けられている。予備カセット棚２７の上方にはファン、防塵フィルタで構成されたクリーンユニット２８が設けられ、クリーンエアを筐体２１の内部、例えばカセット２２が搬送される領域を流通させる様に構成されている。
【００１２】
筐体２１の後部上方には、基板処理炉２９が設けられ、基板処理炉２９の下方には基板としてのウエハ３１を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート３２を基板処理炉２９に挿入、引出しする昇降手段としてのボートエレベータ３３が設けられ、ボートエレベータ３３に取付けられた昇降部材３４の先端部には基板処理炉２９の炉口部を閉塞する蓋体としてのシールキャップ３５が取付けられ、シールキャップ３５にボート３２が垂直に支持され、ボート３２はウエハ３１を水平姿勢で多段に保持する。
【００１３】
ボートエレベータ３３とカセット棚２６との間には昇降手段としての移載エレベータ３６が設けられ、移載エレベータ３６には基板移載手段としてのウエハ移載機３７が取付けられている。ウエハ移載機３７は、基板を載置する所要枚数（例えば５枚）の基板搬送プレート４０を有し、基板搬送プレート４０は進退、回転可能となっている。
【００１４】
又、基板処理炉２９下部近傍には、開閉機構を持ち基板処理炉２９の炉口を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ３８が設けられている。
【００１５】
移載エレベータ３６と対向する筐体２１の側面には、ファン、防塵フィルタで構成されたクリーンユニット３０が設けられ、クリーンユニット３０から送出されたクリーンエアは、ウエハ移載機３７、ボート３２、ボートエレベータ３３を含む領域を流通した後、図示しない排気装置により筐体２１の外部に排気される様になっている。
【００１６】
カセット搬送機２５、ウエハ移載機３７、ボートエレベータ３３等の駆動制御、基板処理炉２９の加熱制御等は制御部４１により行われる。
【００１７】
以下、作動について説明する。
【００１８】
ウエハ３１が垂直姿勢で装填されたカセット２２は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ２３に搬入され、ウエハ３１が水平姿勢となる様、カセットステージ２３で９０°回転させられる。更に、カセット２２は、カセットエレベータ２４の昇降動作、横行動作及びカセット搬送機２５の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ２３からカセット棚２６又は予備カセット棚２７に搬送される。
【００１９】
カセット棚２６にはウエハ移載機３７の搬送対象となるカセット２２が収納される移載棚３９があり、ウエハ３１の移載に供されるカセット２２はカセットエレベータ２４、カセット搬送機２５により移載棚３９に移載される。
【００２０】
カセット２２が移載棚３９に移載されると、ウエハ移載機３７は、基板搬送プレート４０の進退動作、回転動作及び移載エレベータ３６の昇降動作の協働により移載棚３９から降下状態のボート３２にウエハ３１を移載する。
【００２１】
ボート３２に所定枚数のウエハ３１が移載されると、ボートエレベータ３３によりボート３２が上昇され、ボート３２が基板処理炉２９に挿入される。完全にボート３２が挿入された状態では、シールキャップ３５により基板処理炉２９が気密に閉塞される。
【００２２】
気密に閉塞された基板処理炉２９内では、選択された処理レシピに従い、ウエハ３１が加熱されると共に処理ガスが基板処理炉２９内に供給され、ガス排気管６６から図示しない排気装置によって処理室２の雰囲気が排出されつつ、ウエハ３１に処理がなされる（図２参照）。
【００２３】
図２、図３により上記基板処理装置に用いられる縦型の基板処理炉２９について説明する。
【００２４】
加熱装置（加熱手段）であるヒータ４２の内側に反応管１が設けられ、反応管１の下端には、例えばステンレス等によりマニホールド４４が気密部材であるＯリング４６を介して連設され、マニホールド４４の下端開口部（炉口部）は蓋体であるシールキャップ３５により気密部材であるＯリング１８を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管１、マニホールド４４及びシールキャップ３５により処理室２を画成している。
【００２５】
シールキャップ３５にはボート支持台４５を介してボート３２が立設され、ボート支持台４５はボート３２を保持する保持体となっている。
【００２６】
処理室２へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給する供給経路としての２本のガス供給管（第１ガス供給管４７、第２ガス供給管４８）が設けられている。
【００２７】
第１ガス供給管４７には上流から順に、液体原料源７１、液体の流量制御装置（流量制御手段）である第一マスフローコントローラ４９、気化器５１、及び開閉弁であるバルブ５２が設けられる。バルブ５２の下流側には、キャリアガスを供給する第１キャリアガス供給管５３が合流される。第１キャリアガス供給管５３には上流から順に、キャリアガス源７２、流量制御装置（流量制御手段）である第２マスフローコントローラ５４、及び開閉弁であるバルブ５５が設けられている。又、第１ガス供給管４７の先端部には、反応管１の内壁に沿って下部から上部に亘り、第１ノズル５６が設けられ、第１ノズル５６の側面にはガスを供給する第１ガス供給孔５７が設けられている。第１ガス供給孔５７は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。気化器５１は、後述するように液体原料を貯留する貯留タンク構造と、液体原料を加熱するヒータを有する。本実施形態の説明においては、第一ガス供給管４７のうち、気化器５１よりも上流であって、液体原料供給源７１との間に設けられた配管を供給管４７ａとする。また、第一ガス供給管４７のうち、気化器５１の下流側を供給管４７ｂとする。
【００２８】
ここで、第一ガス供給管４７、第一マスフローコントローラ４９、気化器５１、バルブ５２、ノズル５６をまとめて第一ガス供給部と呼ぶ。尚、キャリアガス供給管５３、第二マスフローコントローラ５４、バルブ５５を第一ガス供給部に含めても良い。更には、液体原料源７１、キャリアガス源７２を第一ガス供給部に含めても良い。
【００２９】
第２ガス供給管４８には上流方向から順に、反応ガス源７３、流量制御装置（流量制御手段）である第三マスフローコントローラ５８、開閉弁であるバルブ５９が設けられ、バルブ５９の下流側にキャリアガスを供給する第２キャリアガス供給管６１が合流されている。第２キャリアガス供給管６１には上流から順に、キャリアガス源７４、流量制御装置（流量制御手段）である第四マスフローコントローラ６２、及び開閉弁であるバルブ６３が設けられている。第２ガス供給管４８の先端部には、第１ノズル５６と平行に第２ノズル６４が設けられ、第２ノズル６４の側面にはガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔６５が設けられている。第２ガス供給孔６５は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。
【００３０】
ここで、第二ガス供給管４８、第三マスフローコントローラ５８、バルブ５９、ノズル６４をまとめて第二ガス供給部と呼ぶ。尚、キャリアガス供給管６１、第四マスフローコントローラ６２、バルブ６３を第二ガス供給部に含めても良い。更には、反応ガス源７３、キャリアガス源７４を第二ガス供給部に含めても良い。
【００３１】
液体原料源７１から供給される液体原料は、液体マスフローコントローラ４９、気化器５１、及びバルブ５２を介し、第１キャリアガス供給管５３と合流し、更に第１ノズル５６を介して処理室２内に供給される。なお、処理室２内に供給される際は、気化器５１にて気化された状態の液体原料が供給される。反応ガス源７３から供給される反応ガスは、第１マスフローコントローラ５８、バルブ５９を介し、第２キャリアガス供給管６１と合流し、更に第２ノズル６４を介して処理室２に供給される。
【００３２】
処理室２は、ガスを排気するガス排気管６６を介して排気装置（排気手段）である真空ポンプ６８に接続され、真空排気される様になっている。尚、バルブ６７は弁を開閉して処理室２の真空排気及び真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。
【００３３】
シールキャップ３５にはボート回転機構６９が設けられ、ボート回転機構６９は処理の均一性を向上する為にボート３２を回転する様になっている。
【００３４】
（気化器）
続いて、図４を用いて貯留タンク構造２００を有する気化器の一例である気化器５１を説明する。貯留タンク構造２００は液体を貯留する容器として用いられる。
図４は気化器５１の詳細な構造を説明する説明図である。気化器５１は、貯留タンク２００を構成する側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３を有する。側壁２０１は例えば円筒状（周状）に構成される。側壁２０１は、径が等しい筒状構造である側壁２０１ａと、底壁２０２に向かうほど径が小さくなるよう構成された側壁２０１ｂを有する。図４においては、側壁２０１ａはα−β間の側壁２０１であり、側壁２０１ｂはβ−γ間の側壁２０１を指す。
【００３５】
側壁２０１ａと側壁２０１ｂは段差のない連続した構造である。側壁２０１ｂは底壁２０２に向かうほど径が小さくなる構造であり、そこでは液体の表面張力の影響を最小とする曲率となるよう構成される。
【００３６】
側壁２０１、底壁２０２のうち、液体と接触する面では、液体の表面張力を最小化するために表面積を小さくすることが望ましい。それを実現するために、液体と接触する面に対して、例えば複合電解研磨を実施する。更に、液体の種類や性質に応じて、不働態化、ガラス化、フッ素処理等を行い、液体との反応を防止する。
【００３７】
側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３で構成された貯留室２１０には、後述する液体原料供給管２０４から液体原料が供給され、貯留室２１０は液体原料を貯留する。図４においては、貯留された液体原料を液体原料２１６と呼ぶ。
【００３８】
底壁２０２のうち、重力方向（Ｚ方向）の面は、重量検知器２２１に載置可能な載置面２０２aとして構成されている。載置面２０２ａは、重量検知器２２１に安定した状態で載置されるよう、例えば平面状に構成される。重量検知器２２１にて貯留タンク構造の重量を検知することで、貯留室２１０内に貯留された液体原料２１６の重量を計測可能とする。重量を計測することで、液体の残量を計測可能とする。
【００３９】
蓋壁２０３は、内部の液体が漏れないよう溶接等で側壁２０１の上端側に接続（固定）される。底壁２０２も同様に、内部の液体が漏れないよう溶接等で側壁２０１の下端側に接続（固定）される。このように固定することで、液体が入った状態での搬送時や、重量検知器２２１上に載置する際の据え付け作業時等で液体が漏れることを防ぐ。
【００４０】
底壁２０２には、凹部２１１が設けられる。凹部２１１は側壁２０１ｂに連続した構造であると共に、側壁２０１ｂにおける径よりも小さくなるよう構成されている。凹部２１１は、下方に向かって徐々に径が小さくなる錐体形状となるよう構成される。凹部２１１の底には、後述する連絡管２１２が接続される孔構造２１１ａが設けられる。
【００４１】
凹部２１１の孔構造２１１ａには、凹部２１１よりも径が小さい連絡管２１２の一端が接続される。連絡管２１２は連絡流路とも呼ぶ。連絡管２１２のうち、他端（下流端）には後述する排出管２１３が接続される。排出管２１３は液体排出路とも呼ぶ。排出管２１３の径は、連絡管２１２の径よりも小さくなるよう構成される。排出管２１３は、例えば連絡管２１２に差し込まれるように固定される。なお、連絡管２１２は連絡構造とも呼ぶ。
【００４２】
処理炉２９と連通する配管２０６は貯留室２１０内で気化されたガス状態の原料が流れるガス流路として構成される。配管２０６の下流側には供給管４７ｂが接続さる。配管２０６は底壁２０２と異なる壁に設けられる。例えば蓋壁２０３に設けられる。蓋壁２０３に設けられる場合、蓋壁２０３に設けられた穴に配管２０６を貫通させる。配管２０６には第一のバルブであるバルブ２０７が設けられる。バルブ２０７を開閉することで、処理室２との間を連通させたり遮断させたりする。
【００４３】
配管２０６であって、バルブ２０７と貯留室２１０（図４においては蓋壁２０３）との間には配管２０８が接続されている。配管２０８には第二のバルブであるバルブ２０９が設けられる。バルブ２０９の下流には取り外し可能な配管２１８が設けられる。配管２１８には不活性ガス源２１７が接続される。バルブ２０９が開閉されることで、不活性ガス源２１７と配管２０８との間を連通させたり遮断させたりする。なお、バルブ２０９を配管２０６に設けてもよい。この場合、配管２０８は省略され、バルブ２０９は配管２１８と配管２０８とが合流するための合流部としても用いられる。
【００４４】
連絡管２１２は、底壁２０２の内部に設けられる。連絡管２１２の形状は、凹部２１１の孔構造２１１ａから重力方向に向かった後、載置面２０２ａを貫通しないよう側方に折り曲げられ、その後重力方向とは異なる方向に延伸するよう構成される。ここで重力方向と異なる方向とは、例えば重力方向と反対の方向であり、蓋２０３の方向である。このようにすることで、重量検知器２２１上に載置面２０２ａを載置することが可能となる。なお、本実施形態においては、連絡管２１２の形状は重力方向とは異なる方向として例えば蓋方向に延伸されているが、液体が排出される構造であればよく、例えば重力方向から見
て横の方向でもよい。
【００４５】
排出管２１３には第三のバルブであるバルブ２１４が設けられる。排出管２１３は、後述する洗浄装置や排出用タンクに接続可能とする。バルブ２１４は、基板処理を処理する基板処理モードでは閉とされ、洗浄装置や排出用タンクに液体を排出するメンテナンスモードでは開とされる。
【００４６】
ここで側壁２０１ｂ、凹部２１１、連絡管２１２、排出管２１３の径の関係を整理すると次のように構成される。即ち、「側壁２０１ｂの径＞凹部２１１の径＞連絡管２１２の径＞排出管２１３の径」という関係とする。即ち、液体が排出される方向に向かうほど、液体が排出される液体が流れる流路の径が小さくなるよう構成される。このような構成とすることで、凹部２１１、連絡管２１２、排出管２１３の経路において、後述する毛細管現象を実現することができる。
【００４７】
より良くは、凹部２１１と連絡管２１２との接続部分や、連絡管２１２と排出管２１３との接続部分のそれぞれは段差のない構造が望ましい。更には、分岐を持たない構造とすることが望ましい。このような構造とすることで、各構造の接続部分における液体溜まりや気泡の入り込みを防ぐことが可能となる。更には液体排出路の圧力をリニアにすることが可能となる。圧力をリニアにすることで、液体をスムーズに移動させることができる。
【００４８】
液体原料供給管２０４は液体原料を貯留室２１０に供給するための液体供給流路として構成される。液体原料供給管２０４は底壁２０２と異なる壁に設けられる。例えば蓋壁２０３に設けられる。蓋壁２０３の場合、蓋壁２０３に設けられた穴に液体原料供給管２０４を貫通させる。液体原料供給管２０４の一端は供給管４７ａを介して液体原料源７１に接続され、他端は貯留室２１０に維持される。液体原料供給管２０４にはバルブ２０５が設けられる。バルブ２０５を開閉することで、マスフローコントローラ４９や液体原料源７１との間を連通させたり遮断させたりする。
【００４９】
側壁２０２の外周にはヒータ２１５が設けられる。ヒータ２１５は貯留室２１０を加熱する。特にここでは、貯留室２１０に貯留された液体原料２１６を加熱し、気化させる。
【００５０】
ここで、側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３、配管２０６、貯留室２１０、凹部２１１、連絡管２１２、排出管２１３をまとめて貯留装置と呼ぶ。また、貯留装置には、ヒータ２１５、バルブ２０７、バルブ２０５、バルブ２１４のいずれか、もしくはその組み合わせを加えても良い。更には重量検知器２２１を加えても良い。
【００５１】
（制御部）
基板処理装置は、各部の動作を制御するコントローラ４１を有している。
【００５２】
コントローラ４１の概略を図５に示す。制御部（制御手段）であるコントローラ４１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）４１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）４１ｂ、記憶装置４１ｃ、Ｉ／Ｏポート４１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ４１ｂ、記憶装置４１ｃ、Ｉ／Ｏポート４１ｄは、内部バス４１ｅを介して、ＣＰＵ４１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ４１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４１１や、外部記憶装置４１２が接続可能に構成されている。更に、上位装置７５にネットワークを介して接続される受信部４１３が設けられる。受信部４１３は、上位装置から他の装置の情報を受信することが可能である。
【００５３】
記憶装置４１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置４１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプログラムレシピやメンテナンスプログラム等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理モードで実施される基板処理工程における各手順をコントローラ４１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。また、メンテナンスプログラムとは、後述するメンテナンスモードにおける装置の制御プログラムをいう。以下、このプログラムレシピやメンテナンスプログラム、制御プログラム等を総称して、単にプログラムともいう。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プログラムレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ４１ｂは、ＣＰＵ４１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００５４】
Ｉ／Ｏポート４１ｄは、昇降部材、ヒータ、マスフローコントローラ（ＭＦＣとも呼ぶ。）、バルブ等に接続されている。
【００５５】
制御部４１は、マスフローコントローラ、バルブ、ヒータ、真空ポンプ、ボート回転機構、の流量調整、バルブの開閉動作、ヒータの温度調整、真空ポンプの起動及び停止、ボート回転機構の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御等が行われる。
【００５６】
なお、コントローラ４１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯなどの光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）４１２を用意し、係る外部記憶装置４１２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ４１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段
は、外部記憶装置４１２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置４１２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置４１ｃや外部記憶装置４１２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置４１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置４１２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。
【００５７】
（洗浄装置）
続いて、図６を用いて後述するクリーニング工程で使用する洗浄装置３００について説明する。図６は洗浄装置３００と気化器５１との関連を説明する説明図である。ここでは説明の便宜上ヒータ２１５を省略する。
【００５８】
洗浄装置３００は、主に溶剤タンク３０１、真空ポンプ３０２、トラップ装置３０３を有する。更には、洗浄装置３００の筐体を気化器５１の近くまで移動させる移動機構としてのタイヤ３０４が設けられる。
【００５９】
（溶剤供給系）
溶剤タンク３０１には、溶剤を気化器５１に搬送するための溶剤供給系３１０が設けられる。溶剤供給系３１０は、溶剤タンク３０１に接続される配管３１１を有する。配管３１１には、バルブ３１２が設けられる。配管３１１の下流端には他の配管と合流する合流部３１３が設けられる。合流部３１３と気化器のバルブ２０９の間には、バルブ３１５を有し、バルブ２０９に接続可能とされる配管３１４が設けられる。
【００６０】
（溶剤排出系）
溶剤タンク３０１には、気化器５１をクリーニング処理した際に使用した溶液を再び戻すための溶剤排出系３２０が設けられる。溶剤排出系３２０は、気化器５１のバルブ２１４と接続可能とされ、バルブ３２２を備えた配管３２１を有する。配管３２１の下流側には他の配管と合流する合流部３２３が設けられる。合流部３２３と溶剤タンク３０１の間にはバルブ３２４を有する配管３２５が設けられる。配管３２５のうち、バルブ３２４の下流には、パーティクルカウンタ３２６が設けられる。
【００６１】
（不活性ガス供給系）
溶剤供給系３０１には、溶剤をパージするための不活性ガス供給系３３０が接続される。具体的には、バルブ３３２を備えた不活性ガス供給管３３１が合流部３１３に接続されるよう構成される。不活性ガス供給管３３１の上流には不活性ガス源３３３が接続される。ここで使用される不活性ガスは溶剤と反応してゴミを生成してしまう材料でなければよく、例えば窒素（Ｎ２）ガスが用いられる。不活性ガス供給系としては、主に不活性ガス供給管３３１、バルブ３３２を有する。なお、不活性ガス供給系に、不活性ガス源３３３や配管３１４を含めてもよい。
【００６２】
（真空排気系）
溶剤供給系３０１には、各配管内の圧力等を調整するための真空排気系３４０が接続されている。具体的には、バルブ３４２、合流部３４３を備える配管３４１が合流部３１３に接続される。配管３４２のうち、合流部３１３側と異なる側には真空ポンプ３０２が接続される。
【００６３】
更に、溶剤排出系３２０にも真空排気系３４０が接続される。具体的には、合流部３２３にバルブ３４５を備えた配管３４４が接続される。配管３４４のうち、合流部３２３側と異なる側は、配管３４１の合流部３４３に接続され、真空ポンプ３０２と連通される。
【００６４】
（排気・加熱ユニット系）
真空ポンプ３０２と接続されるトラップ装置３０３の下流側には、排気・加熱ユニット系３５０が接続される。具体的には、合流部３５３を有する配管３５１がトラップ装置３０３に接続される。配管３５１のうち、トラップ装置３０３と異なる側には、排気・加熱ユニット３５２が設けられる。合流部３２３と合流部３５３の間には、バルブ３５５を有する配管３５４が設けられる。
【００６５】
（基板処理工程）
次に、基板を処理する例について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一例として、ソース（原料）とリアクタント（反応ガス）を交互に処理室に供給することで膜処理を行うサイクル処理を説明する。本実施形態においては、ソースとしてのテトラキスエチルメチルアミノハフニウム（Ｈｆ［Ｎ（Ｃ２ｈ５）（ＣＨ３）］４、略称：ＴＥＭＡＨ）を用い、リアクタントとしてオゾン（Ｏ３） を用いて基板上でＨｆＯ２膜を成膜する例を記す。なお、ＴＥＭＡＨは液体原料の一例である。
【００６６】
先ず、上述した様にウエハ３１をボート３２に装填し、処理室２に搬入する。このとき、図２に記載のように、気化器５１は液体原料源７１に接続される。ボート３２を処理室２に搬入後、後述する４つのステップを順次実行する。
【００６７】
（ステップ１）
ステップ１では、ヒータ４２とヒータ２１５を稼働させた状態で、ＴＥＭＡＨとキャリアガス（Ｎ２）を流す。まずバルブ５２、バルブ５５、バルブ６７を開ける。ＴＥＭＡＨは供給管４７ａからマスフローコントローラ４９により流量調整され、配管２０５を介して気化器５１に供給される。ＴＥＭＡＨは貯留室２１０に貯留されると共に、ヒータ２１５によって気化される。気化されたガス状のＴＥＭＡＨは、配管２０６を介して供給管４７ｂに供給される。供給管４７ｂでは、第１キャリアガス供給管５３から第２マスフローコントローラ５４により流量調整されたキャリアガス（Ｎ２）が混合される。この混合ガスを第１ノズル５６の第１ガス供給孔５７から処理室２内に供給しつつガス排気管６６から排気する。マスフローコントローラ４９で制御するＴＥＭＡＨの供給流量は０．１〜０．３ｇ／ｍｉｎである。ウエハ３１にＴＥＭＡＨを晒す時間は３０〜１８０秒間である。この時のヒータ４２の温度はウエハ３１が１８０〜２５０℃になる様設定してある。又、処理室２内の圧力は５０〜１００Ｐａである。これによりウエハ３１上にＨｆを含む膜が形成される。
【００６８】
（ステップ２）
ステップ２では、第１ガス供給管４７のバルブ５２及び第１キャリア供給管５３のバルブ５５を閉めて、ＴＥＭＡＨガスとキャリアガスの供給を止める。ガス排気管６６のバルブ６７は開いたままにし、真空ポンプ６８により、基板処理炉２９を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＴＥＭＡＨガスを処理室２内から排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったＮ2 を基板処理炉２９に供給すると、更に残留ＴＥＭＡＨを排除する効果が高まる。
【００６９】
（ステップ３）
ステップ３では、Ｏ３ とキャリアガス（Ｎ２）を流す。まず第２ガス供給管４８に設けたバルブ５９、第２キャリアガス供給管６１に設けたバルブ６３を共に開けて、第２ガス供給管４８から第１マスフローコントローラ５８により流量調整されたＯ３と、第２キャリアガス供給管６１から第３マスフローコントローラ６２により流量調整されたキャリアガス（Ｎ２）とを混合し、第２ノズル６４の第２ガス供給孔６５から処理室２内に供給しつつガス排気管６６から排気する。ウエハ３１にＯ３を晒す時間は１０〜１２０秒間である。この時のウエハ３１の温度はＴＥＭＡＨガスの供給時と同じく１８０〜２５０℃である。又、処理室２内の圧力もＴＥＭＡＨガスの供給時と同じく、５０〜１００Ｐａである。Ｏ３の供給により、ウエハ３１の下地膜上のＨｆを含む膜とＯ３とが反応して、ウエハ３１上にハフニア（ＨｆＯ２） 膜が形成される。
【００７０】
（ステップ４）
ステップ４では、膜を形成後、バルブ５９及びバルブ６３を閉じ、真空ポンプ６８により処理室２内を真空排気し、成膜に寄与した後に残留するＯ３を排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったＮ２を処理室２内に供給すると、更に残留するＯ３を処理室２から排除する効果が高まる。
【００７１】
又、上述したステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰返すことにより、ウエハ３１上に所定の膜厚のＨｆＯ２膜を形成することができる。
【００７２】
（メンテナンス工程）
続いてメンテナンス工程を説明する。本実施形態におけるメンテナンス工程では、気化器５１のメンテナンス工程について説明する。
【００７３】
気化器５１のメンテナンス工程は、気化器５１の立ち上げ時や処理装置のメンテナンス時等に行う。メンテナンス工程では、貯留室２１０内の液抜き、液の入れ替え、クリーニングを行う。
【００７４】
以下に比較例と対比しつつ、本実施形態の気化器や貯留装置等の詳細を説明する。
【００７５】
（メンテナンス工程における比較例の説明）
まず、図８、図９を用いて、二つの比較例を説明する。
図８に記載の気化器８０は第一の比較例である。図９に記載の気化器９０は第二の比較例である。ここでは気化器５１と同様の構成については説明を省略し、相違点を中心に説明する。
【００７６】
気化器８０は、気化器５１と同様に側壁８０１、底壁８０２、蓋壁８０３を有するが、凹部２１１や、それに連続する連絡管２１２、排出管２１３を有しない点で気化器５１と相違する。
【００７７】
気化器８０においてメンテナンス工程を実施する場合を考える。ここでいうメンテナンスとは、例えば液抜きや液の入れ替え、クリーニングである。ダウンタイムを考慮しつつそれらを実施するには、重量検知器２２１に載置した状態で液体を抜く必要がある。
【００７８】
気化器８０は気化器５１と同様に、安全上の問題から側壁８０１と蓋壁８０３が溶接等で接続されていることから、蓋壁８０３の開閉が困難である。更には、液体原料供給管２０４から液体を排出することが考えられるが、構造上の問題から、底壁８０２と液体原料供給管２０４の先端との間に貯留される液体を排除することは難しい。このような構成の元、液体を排除するためには、例えば底壁８０２と液体原料供給管２０４の先端との間の距離を著しく短くすることが考えられるが、液体原料管２０４の先端と底壁８０２が接触し、液体原料管２０４や底壁８０２の破損につながる恐れがある。破損によって発生した破片はウエハ処理にとってゴミとなるので、現実的な構造ではない。
【００７９】
比較例の構造の場合、上記の問題点が存在すると同時に、凹部２１１、連絡管２１２、排出管２１３が存在しないことから、貯留室２１０の液体を排出することは困難である。
【００８０】
続いて第二の比較例である気化器９０を説明する。
気化器９０は、気化器５１と同様に側壁９０１、底壁９０２、蓋壁９０３を有するが、底壁９０２が重量検出器に載置不可能な構成である点やそれに付随する点で相違する。
【００８１】
以下に詳細を説明する。気化器９０は液面レベル検知器９０４を有する。液面レベル検知器９０４は貯留室２１０の液面高さを検知するものである。液面の高さを検知することで、液体の残量を検知する。底壁９０２には排出管９０５が設けられる。第一の実施形態のような重量検知器の替わりに液面レベル検知器９０４で液体残量を検知しているので、底壁９０３の下方にスペースを有する。従って、重力方向に液体を排出するための配管９０５を配することが可能となる。排出管９０５は底壁を貫通する。
【００８２】
ところが、液面レベル検知器９２の場合、液体の変動に追従できない場合があり、正確な残液量を計測することが難しい。更には、液体が空になった場合、液面レベル検知器の検知具が貯留タンクの底にぶつかり、それが原因でゴミが発生してしまう。
【００８３】
（本実施形態におけるメンテナンス工程）
上記のように、比較例１、比較例２では種々の課題が発生する。そこで本実施形態では、図４に記載のように、凹部２１１やそれに連続する連絡管２１２、排出管２１３を設け、比較例に係る課題を解決する構造としている。以下に、本実施形態の構造を用いたメンテナンス工程の詳細を説明する。
【００８４】
（液抜き工程）
最初に、メンテナンス工程にて液抜きを図る理由を説明する。
前述のように、気化器５１は側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３で主に構成されている。貯留室２１０に貯留される液体を外部に漏らさないために、それぞれの壁は溶接等で固定される。
【００８５】
従来の気化器を初めて使用する場合、使用開始時に気化器からゴミが発生することがある。発明者による鋭意研究の結果、気化器内のクリーン度が所望のレベルに達していなかったり、あるいは液体原料が気化器の溶接部分と接触し、それが腐食となってしまったりすることが原因であることがわかった。ここでは出荷されたばかりの装置を例にしたが、それに限るものではなく、長期に使用した場合においても液体原料によって腐食が進み、それがゴミになることがわかった。そのため、気化器の立ち上げ時やメンテナンス時に、気化器からゴミを除去することが求められている。
【００８６】
また、近年では、多品種の処理に対応すべく、一つの処理装置において複数の原料に対応することが求められており、そのような状況においても、ダウンタイムを増加させないよう、タンクを処理装置に搭載した状態で原料を入れ替えることが求められる。
【００８７】
その場合、入れ替え前に使用した液体原料の成分が貯留室２１０に残留すると、前に使用した液体原料と新たに使用する液体原料が反応し、貯留室２１０内に副生成物が発生する。発生した副生成物は配管２０６から処理室３２に運ばれ、基板に付着した場合、基板の品質の低下や歩留まりの低下が懸念される。
【００８８】
また、副生成物が発生しないよう、他の液体が貯留されたタンクと交換することが考えられるが、次のようにタンクの交換に多くの時間を要する。即ち、安全度を高めるために液体を抜いた状態でタンクを輸送する必要があるが、例えばその液体が蒸気圧の低い性質である場合、２４時間程度のパージが必要となる。従って、このような手法ではダウンタイムが増加してしまう。
【００８９】
そこで、本実施形態においては、処理装置に搭載した状態で、残留物が発生しないよう液抜きを行う。以下に詳細を説明する。
【００９０】
液抜きを行う液抜き工程では、まず排出管２１３と図示しない排出液タンクとを接続する。次に、配管２１８が接続された状態で、バルブ２０７を閉とすると共にバルブ２０９を開とする。更に、バルブ２０５を閉とすると共に、バルブ２１４を開とする。このようにバルブ制御することで、不活性ガス供給源２１７と排出液タンクとの間が連通する。不活性ガス供給源２１７から供給された不活性ガスは貯留室２１０内に供給され、残留した液体２１６を加圧する。加圧された液体は凹部２１１、連絡管２１２を介して排出管２１３から排出される。
【００９１】
ところで前述のように、貯留タンク構造２００では「側壁２０１ｂの径＞凹部２１１の径＞連絡管２１２の径＞排出管２１３の径」の関係を有する。従って、液体２１６は毛細管現象によって底壁２０２よりも高い位置に上昇される。
【００９２】
本実施形態の場合、さらに加圧を行っているので、凹部２１１と連絡管２１２と排出管２１３に液体が充填された場合、液体にかかる圧力は「側壁２０１ｂの圧力＞凹部２１１の圧力＞連絡管２１２の圧力＞排出管２１３の圧力」となり、上流と下流とで差圧が産まれる。従って、不活性ガスによって加圧された液体は、凹部２１１を通過した後連絡管２１２によって重力方向とは異なる方向に方向転換され、さらに排出管２１３を上昇し、排出液タンクに移動される。
【００９３】
尚、ここで貯留室２１０内の残留液を加圧することを記載したが、凹部２１１と排出管２１３の下流とで圧力差を与えることができればよく、例えば排出管２１３の下流から液体を吸引するようにしてもよい。
【００９４】
（クリーニング工程）
続いてクリーニング工程を説明する。クリーニング工程では、貯留室２１０をターゲットとしてクリーニング処理を行う。ここではダウンタイムを考慮し、気化器５１を基板処理装置に搭載した状態でクリーニングを行う例について説明する。
【００９５】
まず、図６に記載の移動式洗浄ユニット３００を気化器５１に接続する。具体的には、バルブ２１４を閉じると共に、バルブ２０７、バルブ２０９を閉じた状態で配管２１８を取り外す。次にバルブ２０９と配管３１４を接続し、さらにバルブ２１４と配管３２１を接続する。このようにすることで、図６のように配管が接続される。このとき、洗浄装置３００の全てのバルブを閉じた状態とする。
【００９６】
続いて、真空ポンプ３０２を起動する。
その後、バルブ３４２を開として、合流部３１３と配管３４１とを連通させる。それと並行してバルブ３４５を開として、合流部３２３と配管３４１を連通させる。雰囲気の圧力は例えば０．０１Ｐａ以下とする。
【００９７】
配管内の雰囲気が所定の圧力となったら、バルブ３１５を開として、配管３１４を真空ポンプ３０２に連通させる。それと並行してバルブ３２２を開として、同様に配管３２１を真空ポンプ３０２に連通させ、気化器５１との接続箇所等をターゲットとしたリークチェックを行う。
【００９８】
リークチェックが終了し、リークが無いと判断されたらバルブ２０９とバルブ２１４を開として真空ポンプ３０２と連通させ、貯留室２１０内を真空排気する。
【００９９】
貯留室２１０の圧力が所定の圧力となったら、バルブ３４２とバルブ３４５を閉として、貯留室２１０と真空ポンプ３０２との間を断絶する。
【０１００】
次にバルブ３１２を開として、溶剤供給系３１０の配管を連通させる。それと並行してバルブ３２４を開として、溶剤排出系３２０を連通させる。このように連通することで、フレッシュな溶剤を、溶剤供給系３１０を介して溶剤タンク３０１から貯留室２１０に供給可能とする。それと共に、貯留室２１０をクリーニングした溶剤を、溶剤排出系３２０を介して貯留室２１０から溶剤タンク３０１に供給可能とする。
【０１０１】
この後、液体循環ポンプ３１６を起動し、溶剤を巡回させて貯留室２１０のクリーニングを行う。この間、配管３２５を通過した溶剤のパーティクル成分の濃度をパーティクルカウンタ３２６で抽出する。パーティクル成分が所定の値よりも低くなったらクリーニングが完了したと判断し液体循環ポンプ３１６を停止する。
【０１０２】
クリーニング処理が終了したら貯留室２１０に残留した溶剤を抜き取る。ここでは、バルブ３１２を閉じると共に、バルブ３３２を開とする。このようにすることで、溶剤タンク３０１と貯留室２１０が遮断されると共に、貯留室２１０と不活性ガス供給源３３３が連通される。不活性ガス源３３３から供給された不活性ガスは、配管３３１、配管３１４を介して貯留室２１０に供給される。供給された不活性ガスは、配管３１４や貯留タンクの残留溶剤を溶剤タンク３０１に排出し、溶剤を回収する。
【０１０３】
続いてバルブ３２４を閉にすると共に、バルブ３５５を開とする。このようにすることで、排気・加熱ユニット３５２と貯留室２１０が連通される。この状態で所定時間不活性ガスを供給し、配管３１４や貯留室２１０等から残留溶剤を排出する。
【０１０４】
続いて、バルブ３３２を閉として貯留室２１０と不活性ガス源３３３との間を遮断する。更に、バルブ３５５を閉とする。それと並行して、バルブ３４２とバルブ３４５を開として、貯留室２１０、配管３１４、配管３２１を真空ポンプ３０２に連通させる。真空ポンプ３０２は貯留室２１０を真空排気する。
【０１０５】
貯留室２１０が所定の圧力となったら、バルブ３４２とバルブ３４５を閉として真空排気処理を停止する。ここで所定の圧力とは、例えば０．０１Ｐａ以下をいう。
【０１０６】
次に、バルブ３３２を開として貯留室２１０と不活性ガス源３３３とを連通させ、貯留室２１０に不活性ガスを充てんする。次にすべてのバルブを閉として、気化器５１から配管３１４と配管３２１を取り外す。
【０１０７】
以上のようにすることで、短いダウンタイムで確実に残留溶剤を排出する。このようにすることで、全体としてダウンタイムを短縮することができ、結果生産性を高めることが可能となる。
【０１０８】
（第二の実施形態）
続いて図７を用いて第二の実施形態を説明する。ここでは第一の実施形態との相違点を中心に説明する。第一の実施形態と同様の構成は同番号を付与すると共に、説明を省略する。
【０１０９】
第二の実施形態の気化器５１では、側壁７０１、底壁７０２、蓋壁７０３を有する。更に、連絡管２３２と排出管２３３を有する。第一の実施例と異なり、排出管２３３は側壁７０１に埋め込まれると共に、連絡管２３２は排出管２３３に接続可能な位置まで延伸している。尚、第二の実施形態では、第一の実施形態と同様ヒータ２１５を有する。
【０１１０】
第一の実施形態では、排出管２１３の一部が貯留室２１０内に配されているため、排出管２１３とヒータ２１５の間には貯留室２１０の空間と側壁２０１が存在する。前述したように、貯留室２１０には液体状態の原料や気化状態の原料が存在する。液体状態の原料と隣接する箇所と、気化状態の原料と隣接する箇所では温度が異なるため、排出管２１３においても、例えば上流と下流とで温度が異なってしまう場合がある。温度が異なることによる液体の熱膨張率が異なるため排出管２１３の上流と下流とで圧力の関係が不安定になることがある。あるいは温度が低くなってしまうことによって液体が固化するなどの現象が起きる。液体原料の性質によってはそれらの現象が顕著となるため、温度を均一にすることが望ましい。
【０１１１】
そこで本実施形態においては、排出管２３３を側壁７０１に埋め込む構造とする。ヒータ２１５が発した熱は側壁７０１内で均一に分散されるため、排出管２３３の上流と下流とでは熱影響を均一にすることができる。より良くは、ヒータ２１５の延伸方向と同方向に排出管２３３を設ける。これにより、上流と下流の熱影響をより均一にすることができる。以上のことから、排出管２３３を通過する液体の圧力が不安定になることがない。更には、温度が安定化される。
【０１１２】
以上のようにすることで、短いダウンタイムで確実に残留溶剤を排出する。このようにすることで、全体としてダウンタイムを短縮することができ、結果生産性を高めることが可能となる。
【０１１３】
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１１４】
また、例えば、上述の各実施形態では、基板処理装置が行う成膜処理として、ソース（液体原料）としてＴＥＭＡＨを用い、リアクタント（反応ガス）としてＯ３ガスを用いて、それらを交互に供給することによってウエハＷ上にＨｆＯ膜を形成する場合を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、ソースとしては液体原料を用いていれば良く、リアクタントとしてはソースと反応して膜処理を行うガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、これらを交互に供給して成膜処理を行うのであれば、本発明を適用することが可能である。
【０１１５】
また、ここでは洗浄装置３００に接続したが、液体を排出するのみの場合はそれに限るものではなく、廃液装置に接続してもよい。更には、ガス流路が蓋に設けられることを説明したが、それに限るものではなく、例えば側壁に設けても良い。更には、ガス流路が蓋に設けられることを説明したが、それに限るものではなく、例えば側壁に設けても良い。
【０１１６】
また、例えば、上述した各実施形態では、基板処理装置が行う処理として半導体装置における成膜処理を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理の他、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。また、本発明は、これらの装置が混在していてもよい。
【０１１７】
また、例えば、上述した各実施形態は、半導体製造プロセスについて説明したが、それに限るものではなく、化学工業分野における液体の高清浄度を必要とする液体を貯留する液体原料タンクや中間貯蔵タンク、気化器に内蔵する液体タンク等に用いても良い。ここでいう液体とは、例えば純水、過酸化水素水、アンモニア水、アルコール類、有機酸類である。
【０１１８】
また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。
【０１１９】
なお、この出願は、２０１５年１２月１８日に出願された日本出願特願２０１５−２４７３６６を基礎として優先権の利益を主張するものであり、その開示の全てを引用によってここに取り込む。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
本発明によれば、高い生産性を達成可能な処理装置やそれを実現するための構造を提供することができる。
【符号の説明】
【０１２１】
２９…処理炉、３１…ウエハ（基板）、３２…ボート、４７…ガス供給管、４８…ガス供給管、５１…気化器、２００…貯留タンク構造、２０１…側壁、２０２…底壁、２０３…蓋壁、２１１…凹部、２１２…連絡管、２１３…排出管、２２１…重量検知器、２１５…ヒータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【国際調査報告】
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