(57)【要約】  生産性を高めることができ、かつ挿入損失を小さくすることができる、弾性波装置を提供する。  弾性波装置１は、圧電基板２と、圧電基板２上に設けられている第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃと、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃを覆うように圧電基板２上に設けられており、かつ第１のＩＤＴ電極４Ａを覆っている第１の領域Ａの厚みと、第２及び第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃを覆っている第２，第３の領域Ｂ，Ｃの厚みとが異なる誘電体膜５とを備える。第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃ及び誘電体膜５を含む第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃ（第１〜第３の弾性波素子）が構成されている。第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃをそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みが等しく、第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚みは第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みと異なる。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられている第１〜第３のＩＤＴ電極と、
前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられており、かつ前記第１のＩＤＴ電極を覆っている領域の厚みと、前記第２及び第３のＩＤＴ電極を覆っている領域の厚みとが異なる誘電体膜と、
を備え、
前記第１〜第３のＩＤＴ電極及び前記誘電体膜を含む第１〜第３の弾性波素子が構成されており、
前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みが等しく、前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みは前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みと異なる、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１〜第３のＩＤＴ電極は互いに電極指ピッチが異なる、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記誘電体膜の密度換算厚みを、前記誘電体膜及び前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みとしたときに、前記第１のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第１のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第２のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第３のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比とが互いに異なる、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１〜第３の弾性波素子が第１〜第３の弾性波フィルタである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１，第２のＩＤＴ電極を構成している材料と、前記第３のＩＤＴ電極を構成している材料とが異なる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に、第１，第２のＩＤＴ電極を設ける工程と、
前記圧電基板上に、第３のＩＤＴ電極を設ける工程と、
前記圧電基板上に、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、かつ前記第１のＩＤＴ電極を覆う領域の厚みと、前記第２及び第３のＩＤＴ電極を覆う領域の厚みとが異なるように、誘電体膜を設ける工程と、
を備え、
前記第１〜第３のＩＤＴ電極及び前記誘電体膜を含む第１〜第３の弾性波素子を構成し、
前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みを等しくし、前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みを前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みと異ならせる、弾性波装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチを互いに異ならせる、請求項６に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項８】
前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、前記誘電体膜と同じ誘電体からなる第１の誘電体膜を設けた後に、前記第１の誘電体膜上における、前記第１の誘電体膜が前記第１のＩＤＴ電極を覆っている領域にレジスト層を積層し、前記第１の誘電体膜をエッチングする、請求項６または７に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項９】
前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、前記誘電体膜と同じ誘電体からなる第１の誘電体膜を設けた後に、前記第１の誘電体膜上における、前記第１の誘電体膜が前記第２，第３のＩＤＴ電極を覆っている領域にレジスト層を積層し、前記第１の誘電体膜上に、前記第１の誘電体膜と同じ誘電体からなる第２の誘電体膜をさらに形成した後に前記レジスト層を剥離する、請求項６または７に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記誘電体膜の密度換算厚みを、前記誘電体膜及び前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みとしたときに、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程及び前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第１のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第２のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜及び前記第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第３のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比とを互いに異ならせる、請求項６〜９のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１〜第３の弾性波素子が第１〜第３の弾性波フィルタである、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１，第２のＩＤＴ電極を構成している材料と、前記第３のＩＤＴ電極を構成している材料とが異なる、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどに広く用いられている。例えば、下記の特許文献１では、同じ圧電基板において構成された２つの弾性波フィルタを有する弾性波装置が開示されている。２つの弾性波フィルタは、それぞれのＩＤＴ電極を覆うように設けられた絶縁膜を有する。一方の弾性波フィルタのＩＤＴ電極の膜厚及び絶縁膜の膜厚は、他方の弾性波フィルタのＩＤＴ電極の膜厚及び絶縁膜の膜厚よりも厚い。ＩＤＴ電極の膜厚及び絶縁膜の膜厚を最適化することにより、弾性波フィルタの挿入損失を小さくし得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３４１０６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１においては、２つの弾性波フィルタのうち一方の弾性波フィルタのＩＤＴ電極及び絶縁膜と、他方の弾性波フィルタのＩＤＴ電極及び絶縁膜との膜厚を異ならせるため、それぞれのＩＤＴ電極が別の工程において形成される。同様に、３つの弾性波フィルタを有する弾性波装置を作製した場合、３つの弾性波フィルタのＩＤＴ電極及び絶縁膜の膜厚を異ならせることで、各弾性波フィルタの挿入損失を小さくし得る。しかしながら、この方法ではＩＤＴ電極を形成する工程を３回行う必要があるため、生産性を十分に高めることはできなかった。【０００５】
本発明の目的は、生産性を高めることができ、かつ挿入損失を小さくすることができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられている第１〜第３のＩＤＴ電極と、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように前記圧電基板上に設けられており、かつ前記第１のＩＤＴ電極を覆っている領域の厚みと、前記第２及び第３のＩＤＴ電極を覆っている領域の厚みとが異なる誘電体膜とを備え、前記第１〜第３のＩＤＴ電極及び前記誘電体膜を含む第１〜第３の弾性波素子が構成されており、前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みが等しく、前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みは前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みと異なる。【０００７】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１〜第３のＩＤＴ電極は互いに電極指ピッチが異なる。【０００８】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記誘電体膜の密度換算厚みを、前記誘電体膜及び前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みとしたときに、前記第１のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第１のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第２のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第３のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比とが互いに異なる。この場合には、第１〜第３の弾性波素子の挿入損失を効果的に小さくすることができる。【０００９】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１〜第３の弾性波素子が第１〜第３の弾性波フィルタである。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極を構成している材料と、前記第３のＩＤＴ電極を構成している材料とが異なる。【００１１】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に、第１，第２のＩＤＴ電極を設ける工程と、前記圧電基板上に、第３のＩＤＴ電極を設ける工程と、前記圧電基板上に、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、かつ前記第１のＩＤＴ電極を覆う領域の厚みと、前記第２及び第３のＩＤＴ電極を覆う領域の厚みとが異なるように、誘電体膜を設ける工程とを備え、前記第１〜第３のＩＤＴ電極及び前記誘電体膜を含む第１〜第３の弾性波素子を構成し、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを密度換算厚みとしたときに、前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みを等しくし、前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みを前記第１，第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みと異ならせる。【００１２】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチを互いに異ならせる。【００１３】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、前記誘電体膜と同じ誘電体からなる第１の誘電体膜を設けた後に、前記第１の誘電体膜上における、前記第１の誘電体膜が前記第１のＩＤＴ電極を覆っている領域にレジスト層を積層し、前記第１の誘電体膜をエッチングする。【００１４】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を覆うように、前記誘電体膜と同じ誘電体からなる第１の誘電体膜を設けた後に、前記第１の誘電体膜上における、前記第１の誘電体膜が前記第２，第３のＩＤＴ電極を覆っている領域にレジスト層を積層し、前記第１の誘電体膜上に、前記第１の誘電体膜と同じ誘電体からなる第２の誘電体膜をさらに形成した後に前記レジスト層を剥離する。【００１５】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記誘電体膜の密度換算厚みを、前記誘電体膜及び前記第１〜第３のＩＤＴ電極をそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みとしたときに、前記第１〜第３のＩＤＴ電極を設ける工程及び前記誘電体膜を設ける工程において、前記第１のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第１のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第１のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第２のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜及び前記第２のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第２のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比と、前記第３のＩＤＴ電極上に位置している前記誘電体膜の前記密度換算厚み及び前記第３のＩＤＴ電極の前記密度換算厚みの合計の前記第３のＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比とを互いに異ならせる。この場合には、第１〜第３の弾性波素子の挿入損失を効果的に小さくすることができる。【００１６】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の別の特定の局面では、前記第１〜第３の弾性波素子が第１〜第３の弾性波フィルタである。【００１７】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第１，第２のＩＤＴ電極を構成している材料と、前記第３のＩＤＴ電極を構成している材料とが異なる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、生産性を高めることができ、かつ挿入損失を小さくすることができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波フィルタの回路図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の変形例を説明するための模式的断面図である。
【図５】図５は、比較例の弾性波装置の模式的正面断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態及び比較例における第１の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る模式的正面断面図である。
【００２３】
弾性波装置１は、圧電基板２を有する。圧電基板２は、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶からなっていてもよく、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。
【００２４】
圧電基板２上には、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃが設けられている。本実施形態のように、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃは、互いに電極指ピッチが異なることが好ましい。第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃは、適宜の金属からなる。第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃは、単層の金属膜からなっていてもよく、あるいは、積層金属膜からなっていてもよい。
【００２５】
第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂは同じ材料からなる。他方、本実施形態では、第３のＩＤＴ電極４Ｃは、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂとは異なる材料からなる。なお、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃは同じ材料からなっていてもよい。
【００２６】
第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃを覆うように、圧電基板２上に誘電体膜５が設けられている。誘電体膜５は、第１のＩＤＴ電極４Ａを覆っている領域である第１の領域Ａを有する。誘電体膜５は、第２，第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃを覆っている領域である第２，第３の領域Ｂ，Ｃも有する。弾性波装置１においては、誘電体膜５の第１の領域Ａにおける厚みは、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みよりも厚い。なお、誘電体膜５の第１の領域Ａにおける厚みと、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みとが異なっていればよい。例えば、誘電体膜５の第１の領域Ａにおける厚みが、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みよりも薄くともよい。
【００２７】
誘電体膜５はＳｉＯ２からなる。なお、誘電体膜５の材料は上記に限定されない。
【００２８】
ここで、誘電体膜５及び第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃをそれぞれ構成している材料の密度を全て同じ密度として換算した厚みを、誘電体膜５及び第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃのそれぞれの密度換算厚みとする。例えば、上記それぞれの材料の密度をＡｌＣｕの密度として換算した厚みを密度換算厚みとしてもよい。このとき、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みは実質的に同じである。他方、本実施形態では、第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚みは、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みよりも薄い。なお、本明細書において、実質的に同じ厚みとは、フィルタ特性にほぼ影響を与えない程度にＩＤＴ電極などの厚みに差がないことを示す。
【００２９】
第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みと第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚みとは、異なっていればよい。第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みは、第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚みより薄くともよい。
【００３０】
弾性波装置１においては、第１のＩＤＴ電極４Ａ及び誘電体膜５を含む第１の弾性波素子としての、第１の弾性波フィルタ３Ａが構成されている。同様に、第２，第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃ及び誘電体膜５を含む第２，第３の弾性波素子としての、第２，第３の弾性波フィルタ３Ｂ，３Ｃが構成されている。弾性波装置１は、第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃを有するトリプルフィルタである。
【００３１】
本実施形態では、第１の弾性波フィルタ３Ａは、Ｂａｎｄ３の受信帯域である１８０５ＭＨｚ以上、１８８０ＭＨｚ以下の通過帯域を有する受信フィルタである。第２の弾性波フィルタ３Ｂは、Ｂａｎｄ１の受信帯域である２１１０ＭＨｚ以上、２１７０ＭＨｚ以下の通過帯域を有する受信フィルタである。第３の弾性波フィルタ３Ｃは、Ｂａｎｄ７の受信帯域である２６２０ＭＨｚ以上、２６９０ＭＨｚ以下の通過帯域を有する受信フィルタである。
【００３２】
なお、第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃの通過帯域は特に限定されない。また、第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃは送信フィルタであってもよく、受信フィルタであってもよい。
【００３３】
図２は、第１の実施形態における第１の弾性波フィルタの回路図である。
【００３４】
第１の弾性波フィルタ３Ａは、入力端子６及び出力端子７を有する。入力端子６はアンテナ端子に接続される。なお、アンテナ端子はアンテナに接続される。入力端子６と出力端子７との間には、縦結合共振子型弾性波フィルタ８が接続されている。入力端子６と縦結合共振子型弾性波フィルタ８との間には、共振子Ｓ１が接続されている。縦結合共振子型弾性波フィルタ８と出力端子７との間の接続点とグラウンド電位との間には、共振子Ｐ１が接続されている。共振子Ｓ１，Ｐ１は特性調整用の共振子である。
【００３５】
縦結合共振子型弾性波フィルタ８は、特に限定されないが、５ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性波フィルタである。本実施形態では、第１の弾性波フィルタ３Ａは図１に示した第１のＩＤＴ電極４Ａを複数有する。複数の第１のＩＤＴ電極４Ａは、縦結合共振子型弾性波フィルタ８のＩＤＴ電極である。
【００３６】
第１の弾性波フィルタ３Ａ及び第２，第３の弾性波フィルタは、上記アンテナ端子に共通接続されている。なお、第１の弾性波フィルタ３Ａの回路構成は上記には限定されない。第２，第３の弾性波フィルタの回路構成も、特に限定されない。
【００３７】
図１に戻り、本実施形態の特徴は、誘電体膜５の第１の領域Ａの厚みと第２，第３の領域Ｂ，Ｃの厚みとが異なり、かつ第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの密度換算厚みと第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚みとが異なることにある。これにより、弾性波装置１の生産性を高めることができ、かつ挿入損失を小さくすることができる。これを、以下において、本実施形態の弾性波装置１の製造方法と共に説明する。
【００３８】
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、第１の実施形態に係る弾性波装置の製造方法を説明するための模式的断面図である。
【００３９】
図３（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に、互いに電極指ピッチが異なるように、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂを設ける。第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂは同じ工程において設けられるため、同じ材料からなり、かつ実質的に同じ厚みである。
【００４０】
次に、図３（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂと電極指ピッチ及び上記密度換算厚みが異なるように、第３のＩＤＴ電極４Ｃを設ける。このとき、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂの材料と、第３のＩＤＴ電極４Ｃの材料とを異ならせてもよい。これにより、上記第１，第２の弾性波フィルタ及び上記第３の弾性波フィルタのそれぞれに、より適したＩＤＴ電極の材料を用いることができる。よって、第１〜第３の弾性波フィルタのフィルタ特性を好適に高めることができる。
【００４１】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃを覆うように、第１の誘電体膜５Ｘを設ける。第１の誘電体膜５Ｘは、図１に示した誘電体膜５と同じ誘電体からなる。
【００４２】
ここで、誘電体膜の密度換算厚み及びＩＤＴ電極の密度換算厚みの合計の、ＩＤＴ電極の電極指ピッチに対する比を総膜厚−電極指ピッチ比とする。図３（ｃ）に示す工程では、第１の誘電体膜５Ｘの厚みが、上記第１の弾性波フィルタの挿入損失が小さくなる厚みとなるように、第１の誘電体膜５Ｘを設ける。より具体的には、本実施形態の弾性波装置１の製造方法では、第１の誘電体膜５Ｘ及び第１のＩＤＴ電極４Ａの総膜厚−電極指ピッチ比が１０．７％となるように、第１の誘電体膜５Ｘを設ける。
【００４３】
なお、好ましい総膜厚−電極指ピッチ比は、ＩＤＴ電極及び誘電体膜の材料や、弾性波フィルタの通過帯域により異なる。総膜厚−電極指ピッチ比が、弾性波フィルタにおける最適な値となるように、誘電体膜の厚みを調整すればよい。
【００４４】
次に、第１の誘電体膜５Ｘ上における、第１の誘電体膜５Ｘが第１のＩＤＴ電極４Ａを覆っている第１の領域Ａ１にレジスト層９を積層する。次に、第１の誘電体膜５Ｘにおける、第１の誘電体膜５Ｘが第２，第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃを覆っている第２，第３の領域Ｂ１，Ｃ１をエッチングする。これにより、図３（ｄ）に示すように、上記第１の領域Ａにおける厚みと上記第２，第３の領域Ｂ，Ｃの厚みとが異なる、誘電体膜５を得る。
【００４５】
次に、レジスト層９を剥離する。これにより、図１に示す第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃを有する弾性波装置１を得る。
【００４６】
上述した製造方法により、第１，第２のＩＤＴ電極４Ａ，４Ｂを同時に設けることができ、かつ第１の領域Ａにおいて、誘電体膜５及び第１のＩＤＴ電極４Ａの総膜厚−電極指ピッチ比を最適な値とすることができる。よって、生産性を高めることができ、かつ第１の弾性波フィルタ３Ａの挿入損失を小さくすることができる。
【００４７】
好ましくは、図３（ｃ）に示す工程において、誘電体膜５及び第２のＩＤＴ電極４Ｂまたは誘電体膜５及び第３のＩＤＴ電極４Ｃの総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となるようにエッチングすることが望ましい。それによって、生産性を高めることができ、かつ第１の弾性波フィルタ３Ａの挿入損失及び第２の弾性波フィルタ３Ｂまたは第３の弾性波フィルタ３Ｃの挿入損失を小さくすることができる。
【００４８】
より好ましくは、誘電体膜５及び第２のＩＤＴ電極４Ｂの総膜厚−電極指ピッチ比と、誘電体膜５及び第３のＩＤＴ電極４Ｃの総膜厚−電極指ピッチ比とが最適な値となるようにエッチングすることが望ましい。なお、この場合には、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す工程において、第２，第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃの密度換算厚みを、上記の双方の総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となるものとすればよい。より具体的には、上記の双方の総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となるときの第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける誘電体膜５の厚みが同じ厚みとなるように、第２，第３のＩＤＴ電極４Ｂ，４Ｃの密度換算厚みを調整すればよい。それによって、生産性を高めることができ、かつ第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃの挿入損失を効果的に小さくすることができる。
【００４９】
図３（ｃ）に示した工程では、第１の誘電体膜５Ｘ上における第１の領域Ａ１にレジスト層９が設けられていたが、図４（ａ）〜図４（ｃ）に示す製造方法の変形例によっても弾性波装置１を得ることができる。より具体的には、図４（ａ）に示すように、第１の誘電体膜１５Ｘ上における第２，第３の領域Ｂ２，Ｃ２にレジスト層１９を設けてもよい。この場合には、次に、図４（ｂ）に示すように、第１の誘電体膜１５Ｘ上における第１の領域Ａ２及びレジスト層１９上に、第２の誘電体膜１５Ｙを設ける。第２の誘電体膜１５Ｙは、第１の誘電体膜１５Ｘと同じ誘電体からなる。しかる後、レジスト層１９を剥離し、図４（ｃ）に示すように、弾性波装置１を得る。
【００５０】
なお、図４（ｂ）に示す第１の誘電体膜１５Ｘの厚みを、第１の誘電体膜１５Ｘ及び第２のＩＤＴ電極４Ｂの総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となる厚みとすることが好ましい。または、第１の誘電体膜１５Ｘの厚みを、第１の誘電体膜１５Ｘ及び第３のＩＤＴ電極４Ｃの総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となる厚みとすることが好ましい。第１，第２の誘電体膜１５Ｘ，１５Ｙの厚みを、第１，第２の誘電体膜１５Ｘ，１５Ｙ及び第１のＩＤＴ電極４Ａの総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値となる厚みとすることが好ましい。
【００５１】
以下において、第１の実施形態と比較例とを比較することにより、第１の弾性波フィルタ３Ａにおいて挿入損失を小さくし得ることを示す。
【００５２】
図５に示すように、比較例は、誘電体膜１０５の厚みが第１〜第３の領域Ａ３〜Ｃ３において同じ厚みである点で、第１の実施形態と異なる。比較例では、誘電体膜１０５の第１の領域Ａ３における厚みは、第１の実施形態よりも薄くされている。より具体的には、誘電体膜１０５の第１の領域Ａ３における厚みは、図１に示した第１の実施形態における誘電体膜５の第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みと同じ厚みである。比較例における第１の弾性波フィルタ１０３Ａにおいては、誘電体膜１０５及び第１のＩＤＴ電極４Ａの総膜厚−電極指ピッチ比は９．１％である。
【００５３】
図６は、第１の実施形態及び比較例における第１の弾性波フィルタの減衰量周波数特性を示す図である。実線は第１の実施形態の結果を示し、破線は比較例の結果を示す。
【００５４】
図６に示すように、第１の実施形態では、比較例よりも挿入損失を小さくすることができている。第１の実施形態では、誘電体膜の第１の領域における厚みと、第２，第３の領域における厚みとが異ならされており、かつ第１の弾性波フィルタにおける総膜厚−電極指ピッチ比が好適な値とされている。そのため、第１の弾性波フィルタの挿入損失を小さくすることができる。しかも、上述したように、生産性を高めることができる。
【００５５】
図１では誘電体膜５は模式的に示されているが、本実施形態では、誘電体膜５の第２のＩＤＴ電極４Ｂ上に配置された部分の厚みと、第３のＩＤＴ電極４Ｃ上に配置された部分の厚みとは同じ厚みである。第２のＩＤＴ電極４Ｂの密度換算厚み及び誘電体膜５の密度換算厚みの合計と、第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚み及び誘電体膜５の密度換算厚みの合計とは異なる。
【００５６】
なお、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおいて、誘電体膜５が平坦化されていてもよい。これにより、第２のＩＤＴ電極４Ｂの密度換算厚み及び誘電体膜５の密度換算厚みの合計と、第３のＩＤＴ電極４Ｃの密度換算厚み及び誘電体膜５の密度換算厚みの合計とが同じとされていてもよい。この場合においても、第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃにおける総膜厚−電極指ピッチ比が互いに異なっていることが好ましい。より好ましくは、第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃのそれぞれにおいて、総膜厚−電極指ピッチ比が最適な値とされていることが望ましい。
【００５７】
弾性波装置１においては、誘電体膜５の第１の領域Ａにおける厚みは、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みよりも厚い。なお、誘電体膜５の第１の領域Ａにおける厚みは、第２，第３の領域Ｂ，Ｃにおける厚みよりも薄くともよい。この場合には、例えば、図３（ｃ）に示した工程において、第１の誘電体膜５Ｘ上の第２，第３の領域Ｂ１，Ｃ１にレジスト層９を設け、第１の誘電体膜５Ｘの第１の領域Ａ１をエッチングすることにより、上記のような厚みの関係としてもよい。
【００５８】
あるいは、図４（ａ）に示した工程において、第１の誘電体膜１５Ｘの第１の領域Ａ２にレジスト層１９を設けてもよい。この場合には、次に、図４（ｂ）に示した工程において、第１の誘電体膜１５Ｘ上の第２，第３の領域Ｂ２，Ｃ２及びレジスト層１９上に第２の誘電体膜１５Ｙを設ける。
【００５９】
本実施形態では、第１〜第３のＩＤＴ電極４Ａ〜４Ｃを含む第１〜第３の弾性波素子は第１〜第３の弾性波フィルタ３Ａ〜３Ｃである。なお、第１〜第３の弾性波素子は弾性波フィルタには限定されず、第１〜第３の弾性波素子のうち少なくとも１つの弾性波素子は、例えば、弾性波共振子などであってもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１…弾性波装置
２…圧電基板
３Ａ〜３Ｃ…第１〜第３の弾性波フィルタ
４Ａ〜４Ｃ…第１〜第３のＩＤＴ電極
５…誘電体膜
５Ｘ…第１の誘電体膜
６…入力端子
７…出力端子
８…縦結合共振子型弾性波フィルタ
９…レジスト層
１５Ｘ，１５Ｙ…第１，第２の誘電体膜
１９…レジスト層
１０３Ａ…第１の弾性波フィルタ
１０５…誘電体膜
Ｓ１，Ｐ１…共振子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【国際調査報告】
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