(57)【要約】  従来のフラックスでは、はんだのブリッジが生じてしまうほど狭小なピッチの電極に対しても、ブリッジを抑制することのできるフラックスを提供する。  フラックスは、ポリオキシアルキレンエチレンジアミンを１５質量％以上３５質量％以下、有機酸を２質量％以上１５質量％以下、ベース材を１０質量％以上３０質量％以下、アミンを３質量％以上３０質量％以下、溶剤を２０質量％以上４０質量％以下含有することを特徴とする。【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオキシアルキレンエチレンジアミンを１５質量％以上３５質量％以下、有機酸を２質量％以上１５質量％以下、ベース材を１０質量％以上３０質量％以下、アミンを３質量％以上３０質量％以下、溶剤を２０質量％以上４０質量％以下含有する
ことを特徴とするフラックス。
【請求項２】
前記ポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、
ポリオキシプロピレンエチレンジアミン、ポリオキシエチレンエチレンジアミン、ポリオキシメチルエチレンエチレンジアミン、又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンの少なくともいずれかである
ことを特徴とする請求項１に記載のフラックス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、界面活性剤を含有するフラックスに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、はんだ付けに用いられるフラックスは、はんだ合金及びはんだ付けの対象となる接合対象物の金属表面に存在する金属酸化物を化学的に除去し、両者の境界で金属元素の移動を可能にする効能を持つ。このため、フラックスを使用してはんだ付けを行うことで、はんだ合金と接合対象物の金属表面との間に金属間化合物が形成できるようになり、強固な接合が得られる。【０００３】
近年、フラックスを使用してはんだ付けされる電子部品の小型化により、電子部品のはんだ付け部位である電極ピッチの狭小化が進行している。電極にフラックスを塗布し、はんだでＣｕ等の金属核を被覆した核ボールやはんだボールを搭載したものを加熱してはんだバンプをつくる場合、電極ピッチが狭小化すると、ピッチ間ではんだのブリッジが発生し易くなる。はんだのブリッジは、はんだ付けの信頼性を損なう原因となる。【０００４】
はんだのブリッジは、フラックスの表面張力が高いと発生しやすい。表面張力の高いフラックスは、基板に対して水平な方向に広がりにくく、はんだの溶融時に電極間に留まり易くなる。隣り合う溶融はんだが、電極間のフラックスによって引き寄せられ、はんだ同士がくっつくとブリッジとなる。【０００５】
フラックスの表面張力を弱めてはんだのブリッジを抑制するために、界面活性剤を含有するフラックスが知られている。界面活性剤を含有するフラックスの例として、特許文献１には、ロジンエステル系界面活性剤又はアミド系界面活性剤を含有するフラックス組成物が開示されている。特許文献２には、カチオン性界面活性剤及び非イオン性界面活性剤を含むろう接用フラックスが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０５−４２３８９号公報
【特許文献２】特開２００４−５０１７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のフラックスでは、例え界面活性剤を含有していても、更に電極ピッチが狭小になると、はんだのブリッジを抑制しきれなくなり、ブリッジが発生してしまうという問題があった。【０００８】
そこで、本発明はこのような課題を解決したものであって、従来のフラックスでははんだのブリッジが生じてしまうほど狭小なピッチの電極に対しても、ブリッジを抑制することのできるフラックスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の課題を解決するために採った本発明の技術手段は、次の通りである。
（１）ポリオキシアルキレンエチレンジアミンを１５質量％以上３５質量％以下、有機酸を２質量％以上１５質量％以下、ベース材を１０質量％以上３０質量％以下、アミンを３質量％以上３０質量％以下、溶剤を２０質量％以上４０質量％以下含有することを特徴とするフラックス。【００１０】
（２）ポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン、ポリオキシエチレンエチレンジアミン、ポリオキシメチルエチレンエチレンジアミン、又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンの少なくともいずれかであることを特徴とする前記（１）に記載のフラックス。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るフラックスによれば、狭小なピッチの電極に対してはんだ付けされるはんだのブリッジを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１のはんだ付け後のフラックス残渣の拡大写真である。
【図２】比較例１のはんだ付け後のフラックス残渣の拡大写真である。
【図３】比較例３のはんだ付け後のフラックス残渣の拡大写真である。
【図４Ａ】比較例１のブリッジ発生課程を示す説明図である。
【図４Ｂ】比較例１のブリッジ発生課程を示す説明図である。
【図４Ｃ】比較例１のブリッジ発生課程を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明に係る実施の形態としてのフラックスについて説明する。但し、本発明は以下の具体例に限定されるものではない。
【００１４】
［フラックスの組成例］
本実施の形態のフラックスは、ポリオキシアルキレンエチレンジアミン、有機酸、ベース材、アミン及び溶剤を含有する。
【００１５】
ポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、界面活性剤である。ポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、下記の化学式で表される。
【００１６】
【化１】
2017142020.tif 000002
【００１７】
Ｒ１〜Ｒ４は、側鎖を表す。ポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、エチレンジアミンの両端のＮ原子にそれぞれ２つのポリオキシアルキレン基が結合する。
【００１８】
本実施の形態で使用するポリオキシアルキレンエチレンジアミンは、１５質量％以上３５質量％以下添加され、ポリオキシアルキレンエチレンジアミンとしては、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン、ポリオキシエチレンエチレンジアミン、ポリオキシメチルエチレンエチレンジアミン、又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンの少なくともいずれかであることが好ましい。
【００１９】
ポリオキシプロピレンエチレンジアミンは、エチレンジアミンの両端のＮ原子にそれぞれ２つのポリオキシプロピレン基が結合する。ポリオキシエチレンエチレンジアミンは、エチレンジアミンの両端のＮ原子にそれぞれ２つのポリオキシエチレン基が結合する。ポリオキシメチルエチレンエチレンジアミンは、エチレンジアミンの両端のＮ原子にそれぞれ２つのポリオキシメチルエチレン基が結合する。
【００２０】
ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンは、エチレンジアミンに結合する４つの側鎖Ｒ１〜Ｒ４にポリオキシプロピレン基とポリオキシエチレン基が少なくとも１つずつ、合計４つ結合する。
【００２１】
有機酸はフラックスにおける活性剤成分として２質量％以上１５質量％以下添加される。有機酸としては、グルタル酸、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、グリコール酸、ジグリコール酸、チオグリコール酸、チオジグリコール酸、リンゴ酸、酒石酸等が使用される。
【００２２】
ベース材は、１０質量％以上３０質量％以下添加され、ベース材としては、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンコポリマー等が使用される。
【００２３】
アミンはフラックスにおける活性剤成分として３質量％以上３０質量％以下添加される。アミンとしては、例えば、ポリオキシエチレンジアミン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンジアミン等のポリオキシアルキレンジアミン、ポリオキシプロピレングリコールトリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−ポリオキシエチレン−タロウ−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−ポリオキシエチレン−アルキル−１，３−ジアミノプロパン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等が挙げられる。
【００２４】
溶剤は、２０質量％以上４０質量％以下添加され、フラックス中の固形分を溶かす。溶剤としては、一般的に知られているグリコールエーテル系の化合物から選択される。溶剤は、活性剤の作用を効率よくもたらすために、１２０℃〜１５０℃の低温域において揮発しないことが好ましい。溶剤が揮発してしまうとフラックスの流動性が悪くなり、フラックスが接合箇所に濡れ広がることが難しくなる。そのため、溶剤の沸点は２００℃以上であることが好ましい。溶剤としては、ヘキシレングリコール、２−エチルヘキシルジグリコール、フェニルグリコール、ブチルトリグリコール等が使用される。
【００２５】
上述したフラックスに対するその他の添加剤として、例えば、レジン、チキソ剤、着色剤等をフラックスの性能を損なわない範囲で適宜添加してもよい。
【実施例】
【００２６】
［表１について］
本例では、フラックスに含まれる各組成の配合量を見極めるため、以下の表に示す組成で実施例と比較例のフラックスを調合して、次のようにブリッジ抑制評価を行った。【００２７】
（Ａ）評価方法
電極径が１８０μｍ、電極間が３００μｍピッチの基板に、以下の表に示す各実施例及び比較例の割合で調合したフラックスを塗布した（フラックス組成中の数字は質量％を示す）。なお、本実施例において、ポリオキシアルキレンエチレンジアミンとしてポリオキシプロピレンエチレンジアミンまたはポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを選択して添加した。各実施例及び比較例のフラックスが塗布された基板に、合金組成がＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕのはんだを用いた直径２５０μｍのはんだボールを搭載し、ピーク温度２４０℃ではんだ付けした。実施例及び比較例のフラックスを塗布された後にはんだ付けされた各基板について、ブリッジが発生したかどうか評価した。
（Ｂ）判定基準
○：電極にブリッジが発生しなかった
×：電極にブリッジが１箇所以上発生した【００２８】
【表１】
2017142020.tif 000003
【００２９】
表１に示すように、実施例１から実施例８は何れも、ベース材を１０質量％以上３０質量％以下、有機酸を２質量％以上１５質量％以下、アミンを３質量％以上３０質量％以下、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンを１５質量％以上３５質量％以下、溶剤を２０質量％以上４０質量％以下の範囲で含有する。実施例９は、ベース材を２０質量％、有機酸を５質量％、アミンを１０質量％、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを３０質量％、溶剤を３５質量％含有する。実施例１から実施例９は何れも、電極間のブリッジが抑制されていた。【００３０】
図１に示すように、実施例１において、上述の通り、はんだ付けした後に電極間のブリッジが抑制されていた。【００３１】
リフロー前の工程において、はんだボールが基板３の上に搭載され、実施例１のフラックスが塗布される。リフロー時の加熱で実施例１のフラックスは、液状化し、表面張力の低い状態となる。更に加熱を続けると、フラックスは、更に広がる。フラックスが薄く広がるので、溶融したはんだは、互いに近づいたり、くっついたりしない。そのため、溶融した後に凝固したはんだ１１Ｂは、ブリッジにならない。【００３２】
実施例２から実施例９も実施例１と同じようにブリッジが抑制される。実施例１〜９でブリッジが抑制されたのは、実施例１〜９のフラックスがポリオキシプロピレンエチレンジアミン又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを上述した範囲で含有するために、リフロー時に液状化したフラックスが薄く濡れ広がったからであると推測される。【００３３】
表１に示すように、比較例１は、ポリオキシエチレンオクタデシルアミンエーテルを含有しており、電極間でブリッジが発生した。比較例２は、ポリオキシエチレンステアリルアミドを含有しており、電極間でブリッジが発生した。比較例３は、界面活性剤を含んでおらず、電極間でブリッジが発生した。【００３４】
比較例１のフラックス２２を塗布した基板３Ａでは、図２に示すように、はんだ付けした後に電極間にはんだブリッジ２１Ｃが発生した。また、はんだブリッジ２１Ｃが発生しなかった箇所も、溶融した後に凝固した隣接するはんだ２１Ｂの間には、後述するフラックス溜まり２２Ａの残渣２２Ｂが残った。比較例２においても、同様のはんだブリッジ２１Ｃが発生した。【００３５】
図３に示すように、比較例３のフラックスを塗布した基板３Ｂでも、はんだ付けした後に電極間にはんだブリッジ３１Ｃが発生した。また、はんだブリッジ３１Ｃが発生しなかった箇所も、溶融した後に凝固した隣接するはんだ３１Ｂの間には、後述するフラックス溜まりの残渣３２Ｂが残った。【００３６】
図４Ａ〜図４Ｃは、比較例１のブリッジ発生課程を示している。図４Ａに示すように、リフロー前の工程において、基板３Ａの上にはんだボール２１が搭載され、比較例１のフラックス２２が塗布される。【００３７】
リフロー時の加熱で、比較例１のフラックス２２が図４Ｂに示すように、液状化する。基板３Ａが狭ピッチであり、且つ液状化したフラックス２２が表面張力の高い状態のため、フラックス２２は、互いに集まって基板３Ａ上で盛り上がり、フラックス溜まり２２Ａとなる。フラックス溜まり２２Ａができたことにより、溶融したはんだ２１Ａがフラックス溜まり２２Ａに引き寄せられる。はんだ２１Ａが引き寄せられることにより、隣り合うはんだ２１Ａ同士が近づく。【００３８】
更に加熱を続けると、隣り合っていたはんだ２１Ａ同士がくっついて、図４Ｃに示すように、はんだブリッジ２１Ｃとなる。基板３Ａ上には、残渣２２Ｂが残る。比較例２及び比較例３も比較例１と同様にしてフラックス溜まり２２Ａができるため、はんだブリッジ２１Ｃ、３１Ｃが発生するとともに残渣２２Ｂ、３２Ｂが残る。【００３９】
実施例３、９、比較例１、２は、いずれもベース材、有機酸、アミン及び溶剤の組成比が同じである上に、いずれも界面活性剤を３０質量％含有するにもかかわらず、実施例３、９ではブリッジを抑制できたが、比較例１、２ではブリッジを抑制できなかった。実施例３、９、比較例１、２は、それぞれが含有する界面活性剤の種類が異なっている。実施例３は、ポリオキシプロピレンエチレンジアミンを、実施例９は、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを、比較例１はポリオキシエチレンオクタデシルアミンエーテルを、比較例２はポリオキシエチレンステアリルアミドをそれぞれ含有する。このことから、界面活性剤の中でも、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン及びポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンが、より優れたブリッジの抑制効果があるといえる。すなわち、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを含有するフラックスは、ブリッジを抑制する効果が高い。【００４０】
本実施の形態では、ポリオキシアルキレンエチレンジアミンの一例として、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンを使用したが、他のポリオキシアルキレンエチレンジアミンでも同様にブリッジの抑制ができる。【００４１】
例えば、実施例９のフラックスのポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンをポリオキシエチレンエチレンジアミン又はポリオキシメチルエチレンエチレンジアミンに代えたフラックスは、実施例９のフラックスと同じ結果となった。【００４２】
なお、本実施例において、ベース材、有機酸、アミン、溶剤の含有量は上に記載した量に限られない。また、本実施例において、はんだボールを用いたが、これに限られず、Ｃｕ等の金属を核にした核ボールを用いてもよい。【００４３】
表１の結果から、次のようなことがわかる。
（ｉ）ポリオキシアルキレンエチレンジアミンを１５質量％以上３５質量％以下、有機酸を２質量％以上１５質量％以下、ベース材を１０質量％以上３０質量％以下、アミンを３質量％以上３０質量％以下、溶剤を２０質量％以上４０質量％以下含有するフラックスは、従来のフラックスでははんだのブリッジが生じてしまうほど狭小なピッチの電極に対しても、ブリッジを抑制することができる。【００４４】
（ｉｉ）上述の（ｉ）のポリオキシアルキレンエチレンジアミンが、ポリオキシプロピレンエチレンジアミン、ポリオキシエチレンエチレンジアミン、ポリオキシメチルエチレンエチレンジアミン、又はポリオキシエチレンポリオキシプロピレンエチレンジアミンの少なくともいずれかであるフラックスは、特に、狭小なピッチの電極に適用して好ましいフラックスである。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、はんだ付けに使用されるフラックスに適用される。
【符号の説明】
【００４６】
３、３Ａ、３Ｂ  基板
２１Ｃ、３１Ｃ  はんだブリッジ
２２Ａ  フラックス溜まり
【図１】
2017142020.tif 000004
【図２】
2017142020.tif 000005
【図３】
2017142020.tif 000006
【図４Ａ】
2017142020.tif 000007
【図４Ｂ】
2017142020.tif 000008
【図４Ｃ】
2017142020.tif 000009
【国際調査報告】
2017142020.tif 000010
2017142020.tif 000011