(57)【要約】  課題  成膜の面間均一性を向上させる。  解決手段  基板を処理する処理室を内部に有する反応管と、反応管の外方に突出して形成され、処理室に処理ガスを供給するバッファ室と、バッファ室に面する反応管の内壁の下端に形成された開口部と、を備え、バッファ室は、第１ノズルが設置される第１ノズル室と、第２ノズルが設置される第２ノズル室と、を有し、開口部のうち、第２ノズル室と処理室との連通部分には遮蔽部が設置される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室を内部に有する反応管と、
前記反応管の外方に突出して形成され、前記処理室に処理ガスを供給するバッファ室と、
前記バッファ室に面する前記反応管の内壁の下端に形成された開口部と、を備え、
前記バッファ室は、
第１ノズルが設置される第１ノズル室と、
第２ノズルが設置される第２ノズル室と、を有し、
前記開口部のうち、前記第２ノズル室と前記処理室との連通部分には遮蔽部が設置される基板処理装置。
【請求項２】
前記第２ノズルは前記第１ノズルよりも長さが短い請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１ノズルはノズル側面に複数のガス噴出を有するロングノズルであり、前記第２ノズルはノズル先端にガス噴出孔を有するショートノズルである請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
複数の前記基板を積層して保持し、前記処理室内に収納される基板保持具と、
前記基板保持具の下方に設置され、前記処置室内に収納される断熱部と、をさらに有し、
前記第２ノズルの前記ガス噴出孔が前記基板保持具の最下段に保持される前記基板の高さ位置以下に位置するように、前記第２ノズルが設置される請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１ノズルからは酸素含有ガスが供給され、前記第２ノズルからはシリコン含有ガスが供給される請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記開口部と前記第１ノズル室との連通部分に、遮蔽部が設置される請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記遮蔽部は、
プレート部と、
前記プレート部を支持する支持部と、を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１バッファ室と前記第２バッファ室とは前記バッファ室内の隔壁で区画され、  前記プレート部は、前記隔壁に対応する部分を遮蔽し、前記支持部は前記隔壁下方のノズル基部に対応する部分を遮蔽する請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記プレート部と前記支持部とは材質が異なる請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記プレートは石英で形成され、前記支持部は金属で形成される請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持部は前記処理室側から前記ノズルの基部への熱を断熱する請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
外方にバッファ室が突出して形成され、前記バッファ室に面する内壁の下端に開口部が形成された反応管内の処理室に基板を搬送する工程と、
前記処理室内の前記基板上に膜を形成する工程と、を有し、
前記基板上に膜を形成する工程では、
前記バッファ室内の第１ノズルが設置される第１ノズル室および前記バッファ室内の第２ノズルが設置され、前記処理室との連通部分には遮蔽部が設置された第２ノズル室から処理ガスが供給される半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板処理では、例えば、複数枚の基板を一括して処理する縦型基板処理装置が使用されている。縦型基板処理装置では様々な形状のノズルが用いられる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１１４２００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
縦型基板処理装置において、ノズルの形状によっては、成膜に悪影響を及ぼす場合がある。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜の面間均一性を向上させることが可能な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室を内部に有する反応管と、
前記反応管の外方に突出して形成され、前記処理室に処理ガスを供給するバッファ室と、
前記バッファ室に面する前記反応管の内壁の下端に形成された開口部と、を備え、
前記バッファ室は、
第１ノズルが設置される第１ノズル室と、
第２ノズルが設置される第２ノズル室と、を有し、
前記開口部のうち、前記第２ノズル室と前記処理室との連通部分には遮蔽部が設置される技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、成膜の面間均一性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の一例を概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態で好適に用いられる反応管の斜視図である。
【図４】遮蔽部を設置した様子を概略的に示す縦断面図である。
【図５】遮蔽部の構成を概略的に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。全図面中、同一または対応する構成については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
本実施形態において、基板処理装置は、半導体装置（デバイス）の製造方法における製造工程の一工程として熱処理等の基板処理工程を実施する縦型基板処理装置（以下、処理装置と称する）２として構成されている。図１に示すように、処理装置２は、円筒形状の反応管１０と、反応管１０の外周に設置された加熱手段（加熱機構）としてのヒータ１２とを備える。反応管は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。
【００１０】
図２に示すように、反応管１０には、円筒形状の筒部の外方に突出するように、供給バッファ室１０Ａと排気バッファ室１０Ｂが対面して形成されている。供給バッファ室１０Ａの内部は隔壁１０Ｃによって複数の空間（ノズル室）に区画されている。供給バッファ室１０Ａの各空間には、後述するノズル４４ａ、４４ｂがそれぞれ設置される。排気バッファ室１０Ｂの内部は、各ノズル室に対応するように隔壁１０Ｃによって複数の空間に区画されている。反応管１０のうち供給バッファ室１０Ａおよび排気バッファ室１０Ｂに面する内壁（処理室１４側）には、複数のスリット１０Ｄがそれぞれ複数の空間に対応するように縦方向に多段に形成されている。反応管１０の筒部の内部には、基板としてのウエハＷを処理する処理室１４が形成される。また、反応管１０には、温度検出器としての温度検出部１６が、反応管１０の外壁に沿って立設されている。
【００１１】
反応管１０の下端開口部には、円筒形のマニホールド１８が、Ｏリング等のシール部材２０を介して連結され、反応管１０の下端を支持している。マニホールド１８の内径は、バッファ室１０Ａの外径と略同じ径で形成され、例えばステンレス等の金属により形成される。マニホールド１８の下端開口部は円盤状の蓋部２２によって開閉される。蓋部２２は、例えば金属により形成される。蓋部２２の上面にはＯリング等のシール部材２０が設置されており、これにより、反応管１０内と外気とが気密にシールされる。蓋部２２上には、中央に上下に亘って孔が形成された断熱部２４が載置される。断熱部２４は、例えば石英により形成される。
【００１２】
処理室１４は、複数枚、例えば２５〜１５０枚のウエハＷを垂直に棚状に支持する基板保持具としてのボート２６を内部に収納する。ボート２６は、例えば石英やＳｉＣにより形成される。ボート２６は、蓋部２２および断熱部２４の孔を貫通する回転軸２８により、断熱部２４の上方に支持される。蓋部２２の回転軸２８が貫通する部分には、例えば、磁性流体シールが設けられ、回転軸２８は蓋部２２の下方に設置された回転機構３０に接続される。これにより、回転軸２８は反応管１０の内部を気密にシールした状態で回転可能に構成される。蓋部２２は昇降機構としてのボートエレベータ３２により上下方向に駆動される。これにより、ボート２６および蓋部２２が一体的に昇降され、反応管１０に対してボート２６が搬入出される。
【００１３】
処理装置１０は、基板処理に使用されるガスを処理室１４内に供給するガス供給機構３４を備えている。ガス供給機構３４が供給するガスは、成膜される膜の種類に応じて換えられる。ここでは、ガス供給機構３４は、原料ガス供給部、反応ガス供給部および不活性ガス供給部を含む。
【００１４】
反応ガス供給部は、ガス供給管３６ａを備え、ガス供給管３６ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３８ａおよび開閉弁であるバルブ４０ａが設けられている。ガス供給管３６ａはマニホールド１８の側壁を貫通するポートを介してノズル４４ａに接続される。ノズル４４ａは、供給バッファ室１０Ａ内のノズル室に上下方向に沿ってボート２６の最上段のウエハＷの高さ位置まで立設される。ノズル４４ａには、ボート２６に保持されるウエハＷに向かって開口する複数のガス噴出孔（供給孔）が形成されている。このような形状のノズルを長尺（ロング）ノズルと称する。ノズル４４ａの供給孔を通して供給バッファ室１０Ａ内に反応ガスが拡散され、供給バッファ室１０Ａのスリット１０Ｄを介してウエハＷに対して反応ガスが供給される。
【００１５】
以下、同様の構成で、原料ガス供給部には、供給管３６ｂ、ＭＦＣ３８ｂ、バルブ４０ｂ、ノズル４４ｂが設けられている。ここで、ノズル４４ｂは、先端にガス噴出孔（供給孔）を有する先端開放形状の短管（ショートノズル）である。ノズル４４ｂは、ボート２６の最下段のウエハＷの高さ位置と略同じ高さに供給孔が位置するように設置されている。ノズル４４ｂの先端の供給孔を通して供給バッファ室１０Ａ内に原料ガスが拡散され、供給バッファ室１０Ａのスリット１０Ｄを介してウエハＷに対して原料ガスが供給される。不活性ガス供給部からは、供給管３６ｃ、３６ｄ、ＭＦＣ３８ｃ、３８ｄ、バルブ４０ｃ、４０ｄ、ノズル４４ａ、４４ｂおよびスリット１０Ｄを介して、ウエハＷに対して不活性ガスが供給される。
【００１６】
反応管１０には、排気バッファ室１０Ｂに連通するように、排気管４６が取り付けられている。排気管４６には、処理室１４内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４８および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ４０を介して、真空排気装置としての真空ポンプ５２が接続されている。このような構成により、処理室１４内の圧力を処理に応じた処理圧力とすることができる。
【００１７】
本実施形態では、図３に示すように、筒部の供給バッファ室１０Ａに面する内壁の下端には開口部１０Ｅが形成されている。開口部１０Ｅは、供給バッファ室１０Ａと処理室１４とを連通させるように構成される。図４に示すように、開口部１０Ｅ下方のマニホールド１８の内壁にはポートが各ノズル室に対応するように形成され、ポート下方にはノズル基台１８Ａが形成される。ノズル４４は、開口部１０Ｅから各ノズル室内に挿入され、ノズル下端の水平部分であるノズル基部をポートに差し込み、さらに、ノズル基部をノズル基台１８Ａに固定することによりノズル室内に安定的に設置される。ノズル基部に対応する部分（隔壁１０Ｃより下方の空間であるノズル基部が位置する空間）を開口部１０Ｅに含めて考えても良い。
【００１８】
開口部１０Ｅを形成することにより、ノズル交換等のメンテナンスの際、反応管１０の内側（処理室１４側）からノズルを脱着することが可能となるため、反応管１０を取り外す等の作業を省略することができ、メンテナンス時間を短縮させることができる。
【００１９】
しかしながら、ノズル４４ａ、４４ｂから供給バッファ室１０Ａ内にガスを供給した際、開口部１０Ｅからガスが処理室１４内に流れてしまい、供給バッファ室１０Ａ、特に、上方に十分にガスが拡散できないことがある。その結果、ウエハＷの面間におけるガスの供給流量に差が生じてしまい、成膜の面間均一性が悪化してしまうことがある。
【００２０】
さらに、ショートノズルは、ノズルの供給孔と開口部１０Ｅとの距離が近いため、ガスが開口部１０Ｅから流出しやすいことがある。その結果、特に、ショートノズルから供給されるガスが供給バッファ室１０Ａ内で拡散しにくく、ウエハＷの面間におけるガスの供給流量に差が生じてしまうことがある。
【００２１】
発明者らは鋭意検討の結果、開口部１０Ｅに遮蔽部としてのカバーを設置することにより、ガス流出を抑制できることを見出した。特に、ガスが流出しやすいショートノズルが設置されるノズル室の下方の開口部分（ノズル室と処理室との連通部分）にカバーを設置することにより、カバーを設置しない場合に比べて面間均一性を約３５％向上させることが可能であることが分かった。
【００２２】
図４に示すように、開口部１０Ｅのうち、ショートノズルであるノズル４４ｂが設置されるノズル室の下方の開口部分を覆うように、遮蔽部としてのカバー６０を設置する。これにより、ノズル室と処理室１４とが隔てられ、ノズル４４ｂから供給バッファ室１０Ａに供給されたガスが、開口部１０Ｅを介して処理室１４側に流出することを防ぐことができる。
【００２３】
図５に示すように、カバー６０は、プレート６０Ａと、プレート６０Ａを支持する支持部６０Ｂとで構成される。プレート６０Ａは、開口部１０Ｅのうち、隔壁１０Ｃに対応する部分（隔壁１０Ｃ間）を覆うように構成されている。プレート６０Ａは、反応管１０と同じ材質で形成され、例えば石英で形成される。
【００２４】
支持部６０Ｂは、開口部１０Ｅのうち、ノズル基部に対応する部分を区画して覆うように構成される。支持部６０Ｂは、背面板と、背面板の両端に連続して形成された両側板と、底板とを有する。支持部６０Ｂの両側板にはプレート６０Ａを差し込むためのつめ形状の差し込み部６０Ｃが形成されている。支持部６０Ｂの底板はノズル基部との干渉を避けるように切欠き６０Ｄが形成される。カバー６０は、支持部６０Ｂの底板をノズル基台１８Ａに固定することにより、開口部１０Ｅ内に設置される。底板にはカバー６０Ｂをノズル基体１８Ａに固定するための孔が形成されている。このような構成により、カバー６０は任意のノズル室の開口部１０Ｅを選択的に覆うことが可能となる。また、支持部６０Ｂは、例えばＮｉ合金等の高耐食合金で形成される。
【００２５】
図４に示すように、カバー６０は開口部１０Ｅを密閉するような構成ではなく、プレート６０Ａと隔壁１０Ｃとの間には、プレート６０Ａと隔壁１０Ｃとが接触しない程度の隙間が形成されている。同様に、支持部６０Ｂの側板と隔壁１０Ｃとの間には、支持部６０Ｂの側板と隔壁１０Ｃとが接触しない程度の隙間が形成されている。
【００２６】
回転機構３０、ボートエレベータ３２、ガス供給機構３４のＭＦＣ３８ａ〜ｄおよびバルブ４０ａ〜ｄ、ＡＰＣバルブ５０には、これらを制御するコントローラ１００が接続される。コントローラ１００は、例えば、ＣＰＵを備えたマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなり、処理装置２の動作を制御するよう構成される。コントローラ１００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１０２が接続されている。
【００２７】
コントローラ１００には記憶媒体としての記憶部１０４が接続されている。記憶部１０４には、処理装置１０の動作を制御する制御プログラムや、処理条件に応じて処理装置２の各構成部に処理を実行させるためのプログラム（レシピとも言う）が、読み出し可能に格納される。
【００２８】
記憶部１０４は、コントローラ１００に内蔵された記憶装置（ハードディスクやフラッシュメモリ）であってもよいし、可搬性の外部記録装置（磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）であってもよい。また、コンピュータへのプログラムの提供は、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。プログラムは、必要に応じて、入出力装置１０２からの指示等にて記憶部１０４から読み出され、読み出されたレシピに従った処理をコントローラ１００が実行することで、処理装置２は、コントローラ１００の制御のもと、所望の処理を実行する。
【００２９】
次に、上述の処理装置２を用い、基板上に膜を形成する処理（成膜処理）について説明する。ここでは、ウエハＷに対して、原料ガスとしてシリコン含有ガスであるＤＣＳ（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ：ジクロロシラン）ガスと、反応ガスとして酸素含有ガスであるＯ2 （酸素）ガスとを供給することで、ウエハＷ上にシリコン酸化（ＳｉＯ2）膜を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、処理装置２を構成する各部の動作はコントローラ１００により制御される。
【００３０】
（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハＷがボート２６に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２６は、ボートエレベータ３２によって処理室１４内に搬入（ボートロード）され、反応管１０の下部開口は蓋部２２によって気密に閉塞（シール）された状態となる。
【００３１】
（圧力調整および温度調整）
処理室１４内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ５２によって真空排気（減圧排気）される。処理室１４内の圧力は、圧力センサ４８で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ５０が、フィードバック制御される。また、処理室１４内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１２によって加熱される。この際、処理室１４が所定の温度分布となるように、温度検出部１６が検出した温度情報に基づきヒータ１２への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構３０によるボート２６およびウエハＷの回転を開始する。
【００３２】
（成膜処理）
［原料ガス供給工程］
次に、処理室１４内のウエハＷに対してＤＣＳガスを供給する。ＤＣＳガスは、ＭＦＣ３８ｂにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ｂ、ノズル４４ｂを介してノズル室内に拡散し、ノズル室内からスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
【００３３】
［原料ガス排気工程］
次に、ＤＣＳガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部から不活性ガスとしてＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
【００３４】
［反応ガス供給工程］
処理室１４内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、処理室１４内のウエハＷに対してＯ2ガスを供給する。Ｏ2ガスは、ＭＦＣ３８ａにて所望の流量となるように制御され、ガス供給管３６ａ、ノズル４４ａを介してノズル室内に拡散し、ノズル室内からスリット１０Ｄを介して処理室１４内に供給される。
【００３５】
［反応ガス排気工程］
次に、Ｏ2ガスの供給を停止し、真空ポンプ５２により処理室１４内を真空排気する。この時、不活性ガス供給部からＮ２ガスを処理室１４内に供給しても良い（不活性ガスパージ）。
【００３６】
上述した４つの工程を行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＯ2膜を形成することができる。
【００３７】
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
所定膜厚の膜を形成した後、不活性ガス供給部からＮ２ガスが供給され、処理室１４内がＮ２ガスに置換されると共に、処理室１４の圧力が常圧に復帰される。その後、ボートエレベータ３２により蓋部２２が降下されて、ボート２６が反応管１０から搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済ウエハＷはボート２６より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３８】
ウエハＷにＳｉＯ2膜を形成する際の処理条件としては、例えば、下記が例示される。
処理温度（ウエハ温度）：３００℃〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）１Ｐａ〜４０００Ｐａ、
ＤＣＳガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｏ2ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス：１００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍ、
それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内の値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。
【００３９】
＜本実施形態による効果＞
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果が得られる。
【００４０】
（１）開口部にカバーを設置することにより、開口部からのガス流出を抑制することができ、バッファ室内全体に十分にガスを拡散させることができる。これにより、ウエハ積載方向において、バッファ室内壁の各スリットから供給されるガス供給量を均一にすることができる。特に、ガスが拡散しにくいバッファ室内上部からも十分にウエハにガスを供給することができ、ウエハ間のガス供給量を均一にすることができる。
（２）ノズル基部を支持部で覆うことにより、処理室の雰囲気からノズル基部を隔離することができる。これにより、炉口部開放などで処理室内の雰囲気が変わっても、支持部内の雰囲気に影響を及ぼすことがなく、パーティクルの発生を抑制することができる。また、支持部によってノズル基部を断熱することができるため、ノズル基部を保温することができ、ガスの熱分解を補助することができるため、成膜の面内均一性を向上させることができる。さらに、ガスの熱分解を補助することにより、ボート下段においても分解した状態でガスを供給することができるため、成膜の面間均一性を向上させることができる。
（３）カバーと隔壁との間に隙間を設けることにより、ノズル基部にガスが滞留することを抑制し、パーティクルの発生を抑制することができる。仮に、開口部を密閉するようなカバー形状とした場合、ノズル基部においてガスが滞留してしまい、ノズル室内でパーティクルが発生しやすくなる。これに対し、カバーと隔壁との間に隙間を設けることにより、ノズル基部に滞留するガスを、ノズル室内にパーティクルが発生せず、かつ、成膜の均一性に悪影響を及ぼさない程度に排出することができ、パーティクル発生を抑制することができる。
（４）カバーを脱着可能な構造とすることにより、メンテナンス性を損なうことがないため、生産性を向上させることができる。
【００４１】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４２】
例えば、上述の実施形態では、原料ガスを供給するノズルをショートノズルとする例を説明したが、反応ガスを供給するノズルをショートノズルとしても良いし、両方のノズルをショートノズルとしても良い。同様に、原料ガスを供給するノズルが設置されるノズル室の開口部にカバーを設置する例を説明したが、反応ガスを供給するノズルが設置されるノズル室の開口部にカバーを設置しても良いし、両方のノズル室の開口部にそれぞれカバーを設置しても良い。
【００４３】
また例えば、原料ガスとしてＤＣＳガスを用いる例について説明したが、ＤＣＳガスの他、ＨＣＤ（Ｓｉ２Ｃｌ６：ヘキサクロロジシラン）ガス、ＭＣＳ（ＳｉＨ３Ｃｌ：モノクロロシラン）ガス、ＴＣＳ（ＳｉＨＣｌ３：トリクロロシラン）ガス等のシラン原料ガスを用いても良い。また、３ＤＭＡＳ（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ：トリスジメチルアミノシラン）ガス、ＢＴＢＡＳ（ＳｉＨ２［ＮＨ（Ｃ４Ｈ９）］２：ビスターシャリブチルアミノシラン）ガス等のアミン系シラン原料ガスや、ＭＳ（ＳｉＨ４：モノシラン）ガス、ＤＳ（Ｓｉ２Ｈ６：ジシラン）ガス等の無機系シラン原料ガスを用いることもできる。
【００４４】
また例えば、上述の実施形態では、ＳｉＯ2膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、アンモニア（ＮＨ３）ガス等の窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）、プロピレン（Ｃ３Ｈ６）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ３）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４５】
また例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
【００４６】
上述の実施形態では、ウエハＷ上に膜を堆積させる例について説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハＷやウエハＷ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【００４７】
また、上述の実施形態や変形例は、適宜組み合わせて用いることができる。このときの処理条件は、例えば上述の実施形態や変形例と同様な処理条件とすることができる。
【符号の説明】
【００４８】
２・・・基板処理装置
１０・・・反応管
１０Ｅ・・・開口部
６０・・・遮蔽部
【図１】
2017138087.tif 000003
【図２】
2017138087.tif 000004
【図３】
2017138087.tif 000005
【図４】
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【図５】
2017138087.tif 000007
【国際調査報告】
2017138087.tif 000008
2017138087.tif 000009
2017138087.tif 000010
2017138087.tif 000011