(57)【要約】  ドライエッチング処理された後の基板Ｗを準備する。次に、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、基板Ｗに対して、複数のピーク波長の中から特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する。
2017073396.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドライエッチング処理された後の基板を準備する工程と、
前記ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、前記基板に対して、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程の後、前記基板に洗浄液を供給する工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記ドライエッチング処理された後の基板を、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能なＵＶ照射部を有する基板処理室に収容する工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記ＵＶ照射部は、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する複数のＵＶランプを有し、
前記特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程において、
前記複数のＵＶランプの中から、前記特定のピーク波長をもつ紫外線を照射するＵＶランプを選択して、前記基板処理室に収容された前記基板に、前記特定のピーク波長をもつ紫外線を照射することを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記ＵＶ照射部は、光源と、互いに交換可能な複数のフィルタとを有し、前記光源からの光が、前記複数のフィルタから選択された１つのフィルタを通過することにより、前記特定のピーク波長をもつ紫外線が前記基板に対して照射されることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記ＵＶ照射部は、２５０ｎｍ〜２７０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線と、２９０ｎｍ〜３２０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線とを選択的に照射可能であることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程において、前記ガスがＣ４Ｆ６である場合に、２５０ｎｍ〜２７０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線が照射され、前記ガスがＣ４Ｆ８である場合に、２９０ｎｍ〜３２０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線が照射されることを特徴とする請求項６記載の基板処理方法。
【請求項８】
互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能な複数の基板処理室のうち、いずれか１つの基板処理室を選択する工程と、
前記基板を、選択された前記基板処理室に収容する工程とを含み、
前記基板処理室を選択する工程において、前記ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じた特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する基板処理室が選択されることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板に対しドライエッチング処理する際に使用されたガスに応じて、前記ドライエッチング処理された前記基板に対して特定のピーク波長をもつ紫外線を照射するＵＶ照射部を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記ＵＶ照射部は、前記ガスに応じて選択され、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する複数のＵＶランプを有することを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ＵＶ照射部は、光源と、互いに交換可能な複数のフィルタとを有し、前記光源からの光が、前記複数のフィルタから選択された１つのフィルタを通過することにより、前記特定のピーク波長をもつ紫外線が前記基板に対して照射されることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記ＵＶ照射部は、２５０ｎｍ〜２７０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線と、２９０ｎｍ〜３２０ｎｍのピーク波長をもつ紫外線とを選択的に照射可能であることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１３】
互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能な複数の基板処理室を備え、前記ＵＶ照射部は、前記複数の基板処理室にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記基板に対してドライエッチングを行うドライエッチングユニットを更に備えたことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記ＵＶ照射部で紫外線が照射された前記基板に対して洗浄処理を行う処理ユニットを更に備えたことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記基板に対してドライエッチングを行うドライエッチングユニットと、前記ＵＶ照射部で紫外線が照射された前記基板に対して洗浄処理を行う処理ユニットとを更に備えたことを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１７】
請求項１４記載の基板処理装置と、
前記ＵＶ照射部で紫外線が照射された前記基板に対して洗浄処理を行う処理ユニットとを備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１８】
前記基板に対してドライエッチングを行うドライエッチングユニットと、
請求項１５記載の基板処理装置とを備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１９】
前記基板に対してドライエッチングを行うドライエッチングユニットと、
請求項９記載の基板処理装置と、
前記ＵＶ照射部で紫外線が照射された前記基板に対して洗浄処理を行う処理ユニットとを備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項２０】
基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項１記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハ等の基板に対してドライエッチング処理を施すことが行われている。ドライエッチング処理された基板は、表面にポリマー残渣が付着しているために、ポリマー除去液を用いて洗浄される。これに対して、ポリマー除去液による洗浄効果をさらに向上させることが求められている。【０００３】
例えば、特許文献１では、ドライエッチング処理された基板に対してＵＶランプから所定の波長の紫外線を照射し、基板上のポリマー残渣を分解し、その後ウエット処理用の薬剤を供給している。このようにすることにより、基板に薬剤のみを供給する場合と比較して洗浄効果を向上させることができると考えられる。しかしながら、特許文献１に記載された波長のみの紫外線を基板に対して照射しても、ポリマー残渣が十分に分解できない場合があることを本発明者は発見した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３２３１３号公報
【０００５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、ドライエッチング処理された後の基板に付着したポリマー残渣を十分に除去することが可能な、基板処理方法、基板処理装置、基板処理システム及び記憶媒体を提供する。
【発明の開示】
【０００６】
本発明の一実施形態による基板処理方法は、ドライエッチング処理された後の基板を準備する工程と、前記ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、前記基板に対して、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明の一実施形態による基板処理装置は、基板に対しドライエッチング処理する際に使用されたガスに応じて、前記ドライエッチング処理された前記基板に対して特定のピーク波長をもつ紫外線を照射するＵＶ照射部を備えたことを特徴とする。
【０００８】
本発明の上記実施形態によれば、ドライエッチング処理された後の基板に付着したポリマー残渣を十分に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る基板処理方法で用いられる、ドライエッチング処理された後のウェハ（基板）を示す概略断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの第１処理装置（第１基板処理装置）を示す概略平面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの第２処理装置（第２基板処理装置）を示す概略平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムのドライエッチングユニットを示す概略断面図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムの処理ユニットを示す概略断面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理システムのＵＶ処理室（基板処理室）を示す概略断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
【図９】図９は、各エッチングガス種に応じて生成するポリマー膜の吸光特性を示したグラフである。
【図１０】図１０は、ＵＶ処理室（基板処理室）の変形例を示す概略断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４の実施形態に係る基板処理システムを示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１の実施形態）
以下、図１〜図１０を参照して、本発明の第１の実施形態について説明する。
【００１１】
＜基板の構成＞
まず、本実施形態に係る基板処理方法で用いられる、ドライエッチング処理された後のウェハ（基板）について、図１を用いて説明する。
【００１２】
図１は、ドライエッチング処理された後のウェハ（基板）Ｗを示している。このウェハＷは、配線層９１と、ライナー膜９２と、層間絶縁膜９３とを有している。これらは互いに積層されており、配線層９１上にライナー膜９２が形成され、ライナー膜９２上に層間絶縁膜９３が形成されている。配線層９１には、金属配線の一例であるＣｕ配線９４が形成されている。
【００１３】
また、ウェハＷは、ビアホール９５を有する。ビアホール９５は、ドライエッチングによって形成される。ビアホール９５は、層間絶縁膜９３を貫通して配線層９１まで達しており、Ｃｕ配線９４の表面がビアホール９５の底部から露出した状態となっている。
【００１４】
また、ウェハＷの表面には、ポリマー残渣Ｐが残留している。このポリマー残渣Ｐは、ドライエッチングの残留ガスが大気中の水分や酸素と反応することによって成長する。またポリマー残渣Ｐは、ドライエッチングに用いられるガスの種類によってその組成が異なる。
【００１５】
＜基板処理システムの構成＞
次に、本実施形態による基板処理方法を実行する基板処理システムの構成について図２を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。
【００１６】
図２に示すように、本実施形態による基板処理システム６０は、前処理装置としての第１処理装置（第１基板処理装置）７０と、後処理装置としての第２処理装置（第２基板処理装置）１０とを備えている。また、基板処理システム６０は、第１処理装置７０を制御する第１制御装置６１と、第２処理装置１０を制御する第２制御装置４とを備えている。
【００１７】
第１処理装置７０はドライエッチング処理装置からなり、ウェハＷに対してドライエッチングを施すドライエッチングユニット７１を含む。また、第２処理装置１０はウエット処理装置からなり、第１処理装置７０でドライエッチング処理されたウェハＷに対して紫外線を照射するＵＶ処理室２２と、ＵＶ処理室２２で紫外線が照射されたウェハＷに対して洗浄処理を行う処理ユニット１６とを備えている。
【００１８】
第１制御装置６１は、たとえばコンピュータであり、制御部６２と記憶部６３とを有している。このうち記憶部６３は、たとえばＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＲＯＭ（Read  Only  Memory）、ハードディスクといった記憶デバイスで構成されており、第１処理装置７０において実行される各種の処理を制御するプログラムを記憶する。制御部６２は、たとえばＣＰＵ（Central  Processing  Unit）であり、記憶部６３に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって第１処理装置７０の動作を制御する。
【００１９】
第２制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを有している。このうち記憶部１９は、たとえばＲＡＭ、ＲＯＭ、ハードディスクといった記憶デバイスで構成されており、第２処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムを記憶する。制御部１８は、たとえばＣＰＵであり、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって第２処理装置１０の動作を制御する。
【００２０】
なお、これらのプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から第１制御装置６１の記憶部６３や第２制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。
【００２１】
第１制御装置６１および第２処理装置１０は、それぞれホスト制御装置６７に接続されている。ホスト制御装置６７は、たとえばコンピュータであり、第１制御装置６１および第２処理装置１０を含む基板処理システム６０全体を制御する。
【００２２】
＜第１処理装置の構成＞
次に、第１処理装置（第１基板処理装置）７０の構成について図３を参照して説明する。図３は、第１処理装置７０の概略構成を示す図である。なお、以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００２３】
図３に示すように、第１処理装置７０は、搬入出ステーション７２と、処理ステーション７３とを有している。搬入出ステーション７２と処理ステーション７３とは、互いに隣接して設けられている。
【００２４】
搬入出ステーション７２は、載置部７４と、搬送部７５とを有している。このうち載置部７４には、複数枚のウェハＷを水平状態で収容する複数の搬送容器（以下、キャリアＣともいう）が載置されている。
【００２５】
搬送部７５は、載置部７４に隣接して設けられている。搬送部７５の内部には、基板搬送装置７６が設けられている。基板搬送装置７６は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を有する。また、基板搬送装置７６は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと処理ステーション７３との間でウェハＷの搬送を行う。
【００２６】
具体的には、基板搬送装置７６は、載置部７４に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを後述する処理ステーション７３のドライエッチングユニット７１へ搬入する処理を行う。また、基板搬送装置７６は、後述する処理ステーション７３のロードロック室７７からウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを載置部７４のキャリアＣへ収容する処理も行う。
【００２７】
処理ステーション７３は、搬送部７５に隣接して設けられている。処理ステーション７３は、ドライエッチングユニット７１と、ロードロック室７７とを有している。
【００２８】
ドライエッチングユニット７１は、前処理の一例として、基板搬送装置７６によって搬入されたウェハＷに対してドライエッチング処理を行うものである。これにより、ウェハＷにビアホール９５が形成され、ウェハＷ内部のＣｕ配線９４（図１参照）が露出する。
【００２９】
なお、ドライエッチング処理は、減圧状態で行われる。また、ドライエッチングユニット７１では、ドライエッチング処理後に、不要なレジストを除去するアッシング処理が行われても良い。
【００３０】
ロードロック室７７は、内部の圧力を大気圧状態と減圧状態とで切り替え可能に構成される。ロードロック室７７の内部には、図示しない基板搬送装置が設けられる。ドライエッチングユニット７１での処理を終えたウェハＷは、ロードロック室７７の図示しない基板搬送装置によってドライエッチングユニット７１から搬出されて、基板搬送装置７６によって搬出される。
【００３１】
具体的には、ロードロック室７７の内部は、ドライエッチングユニット７１からウェハＷを搬出するまでは減圧状態に保たれており、搬出が完了した後、窒素やアルゴン等の不活性ガスが供給されて大気圧状態へ切り替えられる。そして、大気圧状態へ切り替わった後で、基板搬送装置７６がウェハＷを搬出する。
【００３２】
このようにしてドライエッチング処理された後のウェハＷは、基板搬送装置７６によってキャリアＣへ収容され、その後、第２処理装置１０へ搬送される。
【００３３】
＜第２処理装置の構成＞
次に、第２処理装置（第２基板処理装置）１０の構成について図４を参照して説明する。図４は、第２処理装置１０の概略構成を示す図である。
【００３４】
図４は、本実施形態に係る第２処理装置の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００３５】
図４に示すように、第２処理装置１０は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
【００３６】
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚のウエハＷを水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
【００３７】
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
【００３８】
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６と、ＵＶ処理室（基板処理室）２２とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。ＵＶ処理室２２は、搬送部１５の一方の側に配置されている。
【００３９】
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
【００４０】
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。ＵＶ処理室２２は、後述するように、複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能なＵＶ照射部２３を備えている。ＵＶ照射部２３は、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する、複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを含む。ＵＶ処理室２２は、複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの中から選択された特定のピーク波長をもつＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを用いて、ウエハＷに対して特定のピーク波長の光を照射する。
【００４１】
また、第２処理装置１０は、上述したように第２制御装置４を備える。第２制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、第２処理装置１０において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって第２処理装置１０の動作を制御する。
【００４２】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から第２制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００４３】
上記のように構成された第２処理装置１０では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、ＵＶ処理室２２へ搬入される。
【００４４】
ＵＶ処理室２２へ搬入されたウエハＷは、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて選択された特定のピーク波長をもつＵＶランプ２３Ａ又は２３ＢによってＵＶ（紫外線）照射される。ＵＶ処理室２２においてＵＶ照射された後、ウエハＷは、基板搬送装置１７によってＵＶ処理室２２から搬出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
【００４５】
処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
【００４６】
＜ドライエッチングユニットの構成＞
次に、上述した第１処理装置７０および第２処理装置１０の各ユニットの構成について説明する。まず、第１処理装置７０のドライエッチングユニット７１の構成について図５を参照して説明する。図５は、ドライエッチングユニット７１の構成の一例を示す模式図である。
【００４７】
図５に示すように、ドライエッチングユニット７１は、ウェハＷを収容する密閉構造のチャンバ７８を備えており、チャンバ７８内には、ウェハＷを水平状態で載置する載置台７９が設けられる。載置台７９は、ウェハＷを冷却したり、加熱したりして所定の温度に調節する温調機構８１を備える。チャンバ７８の側壁にはロードロック室７７との間でウェハＷを搬入出するための搬入出口（図示せず）が設けられる。
【００４８】
チャンバ７８の天井部には、シャワーヘッド８２が設けられる。シャワーヘッド８２には、ガス供給管８３が接続される。このガス供給管８３には、バルブ８４を介してエッチングガス供給源８５が接続されており、エッチングガス供給源８５からシャワーヘッド８２に対して所定のエッチングガスが供給される。シャワーヘッド８２は、エッチングガス供給源８５から供給されるエッチングガスをチャンバ７８内へ供給する。
【００４９】
なお、エッチングガス供給源８５から供給されるエッチングガスは、適宜選択可能となっている。例えば、エッチングガスとしてＣ４Ｆ８ガス又はＣ４Ｆ６ガスが選択的に用いられる。
【００５０】
チャンバ７８の底部には排気ライン８６を介して排気装置８７が接続される。チャンバ７８の内部の圧力は、かかる排気装置８７によって減圧状態に維持される。
【００５１】
ドライエッチングユニット７１は、上記のように構成されており、排気装置８７を用いてチャンバ７８の内部を減圧した状態で、シャワーヘッド８２からチャンバ７８内にエッチングガスを供給することによって載置台７９に載置されたウェハＷをドライエッチングする。これにより、ウェハＷにビアホール９５（図１参照）が形成されて、Ｃｕ配線９４が露出した状態となる。
【００５２】
また、ドライエッチングユニット７１では、たとえばレジスト膜をマスクとして層間絶縁膜９３（図１参照）をドライエッチングした後に、レジスト膜を除去するためのアッシング処理が行われる場合がある。
【００５３】
＜処理ユニットの構成＞
次に、第２処理装置１０の処理ユニット１６の概略構成について図６を参照して説明する。図６は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
【００５４】
図６に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
【００５５】
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan  Filter  Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
【００５６】
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。
【００５７】
処理流体供給部４０は、ウエハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源８０に接続される。
【００５８】
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
【００５９】
＜ＵＶ処理室の構成＞
次に、第２処理装置１０のＵＶ処理室（基板処理室）２２の概略構成について図７を参照して説明する。図７は、ＵＶ処理室２２の概略構成を示す図である。
【００６０】
図７に示すように、ＵＶ処理室２２は、減圧可能なチャンバ２４と、チャンバ２４内に配置され、ウエハＷを保持する基板保持部２５と、チャンバ２４内であってチャンバ２４の上部に配置され、鉛直方向下向きに紫外線を照射するＵＶ照射部２３とを備えている。
チャンバ２４には、酸素ガスなどのプロセスガスを供給するガス導入部２６と、ガスを排気する排気口２７とが接続されている。
【００６１】
ＵＶ照射部２３は、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能となっている。この場合、ＵＶ照射部２３は、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する、複数（図７では２つ）のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを含んでいる。複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂのピーク波長は、例えば２５０ｎｍ〜３５０ｎｍのうちいずれかの波長である。この場合、複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの中からいずれかのＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂを選択する。その後、この選択された特定のピーク波長をもつＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂを用いて、ウエハＷに対して当該特定のピーク波長の紫外線を照射するようになっている。
【００６２】
本実施形態において、複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂは、２５０ｎｍ〜２７０ｎｍのピーク波長をもつ第１のＵＶランプ２３Ａと、２９０ｎｍ〜３２０ｎｍのピーク波長をもつ第２のＵＶランプ２３Ｂとからなっている。具体的には、ＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂを選択する際、ウエハＷに用いられたドライエッチング用のガス種がＣ４Ｆ６であった場合には、第１のＵＶランプ２３Ａ（ピーク波長２５０ｎｍ〜２７０ｎｍ）が選択され、ドライエッチング用のガス種がＣ４Ｆ８であった場合には、第２のＵＶランプ２３Ｂ（ピーク波長２９０ｎｍ〜３２０ｎｍ）が選択される。ＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂとしては、例えば、Ｘｅ２充填ガスのエキシマバリアランプが用いられても良い。
【００６３】
このように、ＵＶ照射部２３が、互いに異なるピーク波長をもつ複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂをもち、これら複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを切り換えて使用することにより、ＵＶ処理室２２の構造を簡単なものとし、コンパクトに構成することができる。
【００６４】
ＵＶ処理室２２は、上述した第２処理装置１０の第２制御装置４に接続されている。ＵＶ処理室２２は、第２制御装置４によって制御されることにより、各種制御が行われる。
例えば、第２制御装置４によって制御されることにより、第１のＵＶランプ２３Ａと第２のＵＶランプ２３Ｂとのいずれかが選択されて点灯する。
【００６５】
＜基板処理システムの具体的動作＞
次に、基板処理システム６０の具体的動作について図８を参照して説明する。図８は、本実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。なお、図８に示す各処理工程は、第１制御装置６１または第２制御装置４の制御に基づいて行われる。
【００６６】
本実施形態に係る基板処理システム６０では、図８に示すドライエッチング処理工程（ステップＳ１１）が第１処理装置７０において行われ、収容工程（ステップＳ１２）から乾燥処理工程（ステップＳ１７）までの工程が第２処理装置１０において行われる。
【００６７】
図８に示すように、まず、ドライエッチングユニット７１においてドライエッチング処理が行われる（ドライエッチング処理工程、ステップＳ１１）。かかるドライエッチング処理工程では、ドライエッチングユニット７１がウェハＷに対してドライエッチングを行う。この際、ドライエッチングユニット７１のシャワーヘッド８２からチャンバ７８内に所定のエッチングガスが供給され、載置台７９に載置されたウェハＷに対してドライエッチングが施される（図５参照）。このとき、エッチングガスは、ウェハＷに応じて適宜選択される。例えば、エッチングガスとして、Ｃ４Ｆ８ガス又はＣ４Ｆ６ガスが選択的に用いられる。エッチングガスの選択は、第１制御装置６１の記憶部６３に予め記憶された情報に基づいて、第１制御装置６１によって行われる。このようなドライエッチング処理により、ウェハＷの内部に設けられたＣｕ配線９４が露出する（図１参照）。
【００６８】
つづいて、ドライエッチング処理された後のウェハＷは、ロードロック室７７の図示しない基板搬送装置によってドライエッチングユニット７１から搬出され、ロードロック室７７に搬入される（図３参照）。続いて、基板搬送装置７６は、ロードロック室７７からウェハＷを取り出し、載置部７４まで搬送して、載置部７４に載置されたキャリアＣへ収容する。
【００６９】
キャリアＣに収容されたウェハＷは、第１処理装置７０から第２処理装置１０のキャリア載置部１１へ搬送される。その後、ウェハＷは、第２処理装置１０の基板搬送装置１３（図４参照）によってキャリアＣから取り出され、受渡部１４および基板搬送装置１７を順次経由してＵＶ処理室２２に収容される（収容工程、ステップＳ１２）。
【００７０】
ＵＶ処理室２２において、ドライエッチング処理された後のウェハＷは、チャンバ２４内に収容され、基板保持部２５に保持される（図７参照）。チャンバ２４内は減圧状態に保持され、ガス導入部２６からチャンバ２４内にプロセスガスが導入される。
【００７１】
次に、ＵＶ照射部２３の複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの中から特定のピーク波長をもつ紫外線を照射する１つのＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが選択される（波長選択工程、ステップＳ１３）。続いて、選択されたＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが点灯し、このＵＶランプ２３Ａ又は２３ＢからＵＶ処理室２２に収容されたウエハＷに対して特定のピーク波長の紫外線が照射される（紫外線照射工程、ステップＳ１４）。
【００７２】
本実施形態において、ＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの選択は、ドライエッチング処理の際に使用されたエッチングガスのガス種に基づいて決定される。例えば、ウエハＷに用いられたエッチングガスのガス種がＣ４Ｆ６であった場合、第１のＵＶランプ２３Ａ（ピーク波長２５０ｎｍ〜２７０ｎｍ）が選択され、エッチングガスのガス種がＣ４Ｆ８であった場合、第２のＵＶランプ２３Ｂ（ピーク波長２９０ｎｍ〜３２０ｎｍ）が選択される。
【００７３】
なお、ＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの選択は、オペレータがエッチングガスのガス種を確認し、確認したガス種に基づいて、第２制御装置４を手動で操作することにより行われても良い。あるいは、第１制御装置６１又はホスト制御装置６７が、ドライエッチング処理の際に使用されたエッチングガスのガス種に関する情報を第２制御装置４に送信し、第２制御装置４は、送信されたガス種の情報に基づいてＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを自動で選択しても良い。後者の場合、適切なＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを確実に選択することができる。
【００７４】
上述したように、ドライエッチングされたウェハＷの表面には、ポリマー残渣Ｐが残留している（図１参照）。このポリマー残渣Ｐに対してＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂから紫外線を照射することにより、ポリマー残渣Ｐを構成する有機物の結合を開裂させ、また、酸素から生じたオゾンおよび酸素ラジカルによって、ポリマー残渣Ｐを分解することができる。これにより、後述する洗浄処理工程において、ポリマー残渣Ｐを除去しやすくすることができる。
【００７５】
すなわち、紫外線が雰囲気中の酸素に照射された場合、酸素からオゾン又は酸素ラジカルが生成する。このオゾン又は酸素ラジカルは、強力な酸化力を持ち、ポリマー残渣Ｐを分解し、ポリマー残渣Ｐから生じた有機化合物のフリーラジカルや励起状態の分子と結合して、ＣＯ２ やＨ２Ｏのような揮発性の物質に変化させる。また、ポリマー残渣Ｐは、揮発されない場合でも、カルボニル基やカルボキシル基などの有機化合物の親水基となって、水に対する濡れ性が向上する。これにより、洗浄処理工程でポリマー残渣Ｐを容易に除去することができる。
【００７６】
ところで、このようなポリマー残渣Ｐは、ドライエッチングに用いられるガスの種類によって異なる性質をもち、それぞれ効果的な光の吸収波長成分をもつことが判明した。図９は、各エッチングガス種（Ｃ４Ｆ６、Ｃ４Ｆ８）に応じて生成するポリマー膜の吸光特性を示したグラフである。図９の実線で示すように、Ｃ４Ｆ６によって生成するポリマー膜は、波長２５０ｎｍ〜２７０ｎｍ付近に光の吸収極大をもつ。一方、図９の破線で示すように、Ｃ４Ｆ８によって生成するポリマー膜は、波長２９０ｎｍ〜３２０ｎｍ付近に光の吸収極大をもつ。このため、ドライエッチングガスがＣ４Ｆ６であった場合のポリマー残渣Ｐにはピーク波長２５０ｎｍ〜２７０ｎｍの紫外線を照射し、ドライエッチングガスがＣ４Ｆ８であった場合のポリマー残渣Ｐにはピーク波長２９０ｎｍ〜３２０ｎｍの紫外線を照射する。これにより、ポリマー残渣Ｐが紫外線を効率良く吸収し、ポリマー残渣Ｐを改質しやすくすることができる。この結果、後述する洗浄処理工程において、ポリマー残渣Ｐを洗浄液によって効果的に除去することができる。
【００７７】
このようにして紫外線が照射されたウェハＷは、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６へ搬入される。この処理ユニット１６では、洗浄処理が行われる（洗浄処理工程、ステップＳ１５）。かかる洗浄処理工程では、ウエハＷが基板保持機構３０に保持され、基板保持機構３０がウエハＷを鉛直方向軸線周りに回転させる。次に、処理流体供給部４０（図６参照）がウェハＷの中央上方に位置する。その後、処理流体供給部４０からウェハＷに対して、制御された温度および流量で洗浄液が供給される。ウェハＷに供給された洗浄液は、ウェハＷの回転に伴う遠心力によってウェハＷの主面に広がる。洗浄液は遠心力によりウエハＷから振り切られ、回収カップ５０に受け止められる。その後、洗浄液は回収カップ５０から排液口５１を介して処理ユニット１６の外部へ排出される。なお、洗浄液は、たとえばＤＨＦ、フッ化アンモニウム、塩酸、硫酸、過酸化水素水、リン酸、酢酸、硝酸、水酸化アンモニウム、有機酸またはフッ化アンモニウムを含む水溶液等であっても良い。
【００７８】
上述したように、ドライエッチングガスに基づいて選択された特定のピーク波長をもつ紫外線が照射されたウェハＷに対して洗浄処理工程を行うことにより、ポリマー残渣Ｐを効果的に除去することができる。
【００７９】
次に、処理ユニット１６では、引き続きウエハＷを回転させたまま、処理流体供給部４０からウェハＷへＤＩＷ等のリンス液を供給し、ウェハＷの主面をすすぐリンス処理が行われる（リンス処理工程、ステップＳ１６）。これにより、ウエハＷの表面に残留した洗浄液や洗浄液中に浮遊するポリマー残渣Ｐが、リンス液とともにウェハＷから除去される。
【００８０】
また、リンス処理を終えると、処理ユニット１６では、処理流体供給部４０からのリンス液の供給を停止し、ウェハＷを乾燥させる乾燥処理が行われる（乾燥処理工程、ステップＳ１７）。この際、ウェハＷの回転速度が所定時間増加されることによってウェハＷの主面に残存するリンス液を遠心力で振り切る。その後、ウェハＷの回転が停止する。
【００８１】
その後、ウェハＷは、基板搬送装置１７（図４参照）によって処理ユニット１６から取り出され、受渡部１４および基板搬送装置１３を順次経由して、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣに収容される。このようにして、ウェハＷについての一連の基板処理が完了する。
【００８２】
このように本実施形態によれば、ドライエッチング処理された後のウェハＷを準備し、このウェハＷを、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能なＵＶ照射部２３を有するＵＶ処理室２２に収容する。その後、ドライエッチング処理の際に使用されたエッチングガスに応じて複数のピーク波長の中から特定のピーク波長をもつ紫外線を選択し、当該特定のピーク波長をもつ紫外線をウェハＷに対して照射する。これにより、それぞれのエッチングガスに基づくポリマー残渣Ｐが効率良く紫外線を吸収するので、ポリマー残渣Ｐを効果的に改質することができる。この結果、洗浄処理工程において、ポリマー残渣Ｐを効果的に除去することができる。
【００８３】
ところで、上記実施形態においては、ＵＶ処理室２２のＵＶ照射部２３が、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する、複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを含む場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、図１０に示すように、ＵＶ照射部２３が、１つの光源２８と、光源２８とウェハＷとの間に配置され、互いに交換可能な複数のフィルタ２９Ａ、２９Ｂとを有していても良い。この複数のフィルタ２９Ａ、２９Ｂは、光源２８からの光が通過した際、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射するようになっている。このため、光源２８からの光が複数のフィルタ２９Ａ、２９Ｂから選択された１つのフィルタ２９Ａ、２９Ｂを通過することにより、特定のピーク波長をもつ紫外線がウェハＷに照射される。このように、複数のフィルタ２９Ａ、２９Ｂを自動又は手動で交換することにより、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線をウェハＷに対して選択的に照射可能となっている。
【００８４】
（第２の実施形態）
次に、図１１を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。図１１は、本発明の第２の実施形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの構成を示す図である。図１１において、第１の実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。また、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明し、第１の実施形態と共通する事項については詳細な説明を省略する。
【００８５】
図１１において、基板処理システム６０Ａは、前処理装置としての第１処理装置７０Ａと、後処理装置としての第２処理装置１０Ａとを備えている。
【００８６】
このうち第１処理装置７０Ａは、ウェハＷに対してドライエッチングを行うドライエッチングユニット７１を備えている。
【００８７】
また第２処理装置１０Ａは、第１処理装置７０Ａでドライエッチング処理されたウェハＷに対して紫外線を照射する複数（この場合は２つ）のＵＶ処理室（基板処理室）２２Ａ、２２Ｂと、紫外線が照射されたウェハＷに対して洗浄処理を行う処理ユニット１６とを備えている。複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂは、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能となっている。具体的には、ＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂは、それぞれウェハＷに対して紫外線を照射するＵＶ照射部２３を有しており、ＵＶ処理室２２ＡのＵＶ照射部２３（ピーク波長２５０ｎｍ〜２７０ｎｍ）と、ＵＶ処理室２２ＢのＵＶ照射部２３（ピーク波長２９０ｎｍ〜３２０ｎｍ）とが互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射する。この場合、ＵＶ処理室２２Ａ、２２ＢのＵＶ照射部２３は、それぞれ所定のピーク波長をもつ紫外線を照射するＵＶランプを有している。
【００８８】
本実施形態において、ドライエッチング処理された後のウェハＷは、第２処理装置１０Ａに搬送される。続いて、複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂのうち、当該ウェハＷを収容するいずれか１つのＵＶ処理室２２Ａ又は２２Ｂが選択される（波長選択工程）。この場合、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射可能なＵＶ処理室２２Ａ又は２２Ｂが選択される。例えばドライエッチングガスがＣ４Ｆ６であった場合にＵＶ処理室２２Ａが選択され、ドライエッチングガスがＣ４Ｆ８であった場合にＵＶ処理室２２Ｂが選択されても良い。次に、ウェハＷを、選択されたＵＶ処理室２２Ａ又は２２Ｂに収容する（収容工程）。
【００８９】
続いて、選択されたＵＶ処理室２２Ａ又は２２ＢのＵＶ照射部２３からウエハＷに対して特定のピーク波長の紫外線が照射される（紫外線照射工程）。その後、紫外線が照射されたウェハＷは、処理ユニット１６へ搬入され、洗浄処理が行われる（洗浄処理工程）。
これ以降の工程は、上記第１の実施形態の場合と同一である。
【００９０】
このように、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能な複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂを設けたことにより、ドライエッチング処理の際に使用されたガス種が互いに異なる複数のウエハＷを、複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂのそれぞれで並行して処理することができる。これにより、ウエハＷの処理効率を向上させることができる。
【００９１】
（第３の実施形態）
次に、図１２を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。図１２は、本発明の第３の実施形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの構成を示す図である。図１２において、第１の実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。また、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明し、第１の実施形態と共通する事項については詳細な説明を省略する。
【００９２】
図１２において、基板処理システム６０Ｂは、前処理装置としての第１処理装置７０Ｂと、後処理装置としての第２処理装置１０Ｂとを備えている。
【００９３】
このうち第１処理装置７０Ｂは、ウェハＷに対してドライエッチングを行うドライエッチングユニット７１と、ドライエッチングユニット７１でドライエッチング処理されたウェハＷに対して紫外線を照射するＵＶ処理室２２とを備えている。ＵＶ処理室２２は、ＵＶ照射部２３を有しており、ＵＶ照射部２３は、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能となっている。ＵＶ照射部２３は、互いに異なるピーク波長をもつ複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂをもち、これら複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを切り換えて使用するようになっている。例えば、ＵＶランプ２３Ａのピーク波長を２５０ｎｍ〜２７０ｎｍとし、ＵＶランプ２３Ｂのピーク波長が２９０ｎｍ〜３２０ｎｍとしても良い。なお、ＵＶ処理室２２は、第１の実施形態と略同一の構成を有していても良い。あるいは、ＵＶ処理室２２に代えて、第２の実施形態と同様、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能な複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂを設けても良い。
【００９４】
本実施形態において、ドライエッチングユニット７１でドライエッチング処理された後のウェハＷは、第１処理装置７０Ｂ内でＵＶ処理室２２に収容される（収容工程）。続いて、ＵＶ照射部２３の複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの中から特定のピーク波長をもつ１つのＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが選択される（波長選択工程）。この場合、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射可能なＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが選択される。例えばドライエッチングガスがＣ４Ｆ６であった場合にＵＶランプ２３Ａが選択され、ドライエッチングガスがＣ４Ｆ８であった場合にＵＶランプ２３Ｂが選択されても良い。次いで、選択されたＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが点灯し、このＵＶランプ２３Ａ又は２３ＢからウエハＷに対して特定のピーク波長の紫外線が照射される（紫外線照射工程）。
【００９５】
その後、紫外線が照射されたウェハＷは、第１処理装置７０Ｂから第２処理装置１０Ｂへ搬送され、第２処理装置１０Ｂの処理ユニット１６で洗浄処理が行われる（洗浄処理工程）。これ以降の工程は、上記第１の実施形態の場合と同一である。
【００９６】
本実施形態においても、第１の実施形態の場合と同様に、ドライエッチング処理された後のウェハＷに付着したポリマー残渣Ｐを十分に除去することができる。
【００９７】
なお、上記に限らず、ドライエッチングユニット７１、ＵＶ処理室２２および処理ユニット１６が、１つの基板処理装置（第１処理装置７０Ｂ又は第２処理装置１０Ｂ）に収容されていても良い。
【００９８】
（第４の実施形態）
次に、図１３を参照して本発明の第４の実施形態について説明する。図１３は、本発明の第４の実施形態に係る基板処理方法を実行する基板処理システムの構成を示す図である。図１３において、第１の実施形態と同一部分には同一の符号を付してある。また、以下においては、第１の実施形態との相違点を中心に説明し、第１の実施形態と共通する事項については詳細な説明を省略する。
【００９９】
図１３において、基板処理システム６０Ｃは、第１処理装置７０Ｃと、第２処理装置１０Ｃと、第３処理装置１０Ｄとを備えている。
【０１００】
このうち第１処理装置７０Ｃは、ウェハＷに対してドライエッチングを行うドライエッチングユニット７１を備えている。また、第２処理装置１０Ｃは、ドライエッチングユニット７１でドライエッチング処理されたウェハＷに対して紫外線を照射するＵＶ処理室２２を備えている。さらに、第３処理装置１０Ｄは、ＵＶ処理室２２で紫外線が照射されたウェハＷに対して洗浄処理を行う処理ユニット１６を備えている。第１処理装置７０Ｃと、第２処理装置１０Ｃと、第３処理装置１０Ｄとは、互いに分離されたユニットとして構成されている。
【０１０１】
ＵＶ処理室２２は、複数のＵＶ照射部２３を有しており、複数のＵＶ照射部２３は、互いに異なる複数のピーク波長をもつ紫外線を選択的に照射可能となっている。ＵＶ照射部２３は、互いに異なるピーク波長をもつ複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂをもち、これら複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂを切り換えて使用するようになっている。例えば、ＵＶランプ２３Ａのピーク波長を２５０ｎｍ〜２７０ｎｍとし、ＵＶランプ２３Ｂのピーク波長が２９０ｎｍ〜３２０ｎｍとしても良い。なお、ＵＶ処理室２２は、第１の実施形態と略同一の構成を有していても良い。あるいは、ＵＶ処理室２２に代えて、第２の実施形態と同様、互いに異なるピーク波長をもつ紫外線を照射可能な複数のＵＶ処理室２２Ａ、２２Ｂを設けても良い。
【０１０２】
本実施形態において、第１処理装置７０Ｃのドライエッチングユニット７１でドライエッチング処理された後のウェハＷは、第１処理装置７０Ｃから第２処理装置１０Ｃに搬送される。次に、ウェハＷは、第２処理装置１０ＣのＵＶ処理室２２に収容される（収容工程）。続いて、ＵＶ照射部２３の複数のＵＶランプ２３Ａ、２３Ｂの中から特定のピーク波長をもつ１つのＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが選択される（波長選択工程）。この場合、ドライエッチング処理の際に使用されたガスに応じて、特定のピーク波長をもつ紫外線を照射可能なＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが選択される。例えばドライエッチングガスがＣ４Ｆ６であった場合にＵＶランプ２３Ａが選択され、ドライエッチングガスがＣ４Ｆ８であった場合にＵＶランプ２３Ｂが選択されても良い。次いで、選択されたＵＶランプ２３Ａ又は２３Ｂが点灯し、このＵＶランプ２３Ａ又は２３ＢからウエハＷに対して特定のピーク波長の紫外線が照射される（紫外線照射工程）。
【０１０３】
その後、紫外線が照射されたウェハＷは、第２処理装置１０Ｃから第３処理装置１０Ｄへ搬送され、第３処理装置１０Ｄの処理ユニット１６で洗浄処理が行われる（洗浄処理工程）。これ以降の工程は、上記第１の実施形態の場合と同一である。
【０１０４】
本実施形態においても、第１の実施形態の場合と同様に、ドライエッチング処理された後のウェハＷに付着したポリマー残渣Ｐを十分に除去することができる。
【０１０５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【図１】
2017073396.tif 000003
【図２】
2017073396.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2017073396.tif 000015
【国際調査報告】
2017073396.tif 000016
2017073396.tif 000017
2017073396.tif 000018
2017073396.tif 000019