(57)【要約】  半導体発光装置は、ヒートシンクに接続される絶縁性のマウント部と、マウント部の上に配置された複数の半導体レーザ素子と、複数の半導体レーザ素子の上に配置された絶縁性の放熱ブロックと、を備えている。マウント部の上面には、金属からなる第１の配線が形成され、放熱ブロックの下面には、第１の配線と一部が電気的に接続され、金属からなる第２の配線が形成されている。第１の配線と第２の配線が、複数の半導体レーザ素子のそれぞれに電気的に接続されることにより、複数の半導体レーザ素子は直列に接続され、かつ、複数の半導体レーザ素子の第１の配線と接続する側は、互いに同一の極性である。
2017098689.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンクに接続される絶縁性のマウント部と、
前記マウント部の上に配置された複数の半導体レーザ素子と、
前記複数の半導体レーザ素子の上に配置された絶縁性の放熱ブロックと、を備え、
前記マウント部の上面には、金属からなる第１の配線が形成され、
前記放熱ブロックの下面には、前記第１の配線と一部が電気的に接続され、金属からなる第２の配線が形成され、
前記第１の配線と前記第２の配線が、前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれに電気的に接続されることにより、前記複数の半導体レーザ素子は直列に接続され、かつ、前記複数の半導体レーザ素子の前記第１の配線と接続する側は、互いに同一の極性である、半導体発光装置。
【請求項２】
前記マウント部と前記放熱ブロックとの間に、前記第１の配線及び前記第２の配線と電気的に接続された導電性ポストが配置されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記複数の半導体レーザ素子の前記第１の配線との接合部は、ｐ型の極性である、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記第１の配線の上面から前記複数の半導体レーザ素子の発光点までの距離は、互いに等しい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記放熱ブロックの上面には、金属からなる第３の配線が形成され、
前記第２の配線と前記第３の配線は電気的に接続され、
前記複数の半導体レーザ素子へ前記第３の配線を介して電気を供給することが可能である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記放熱ブロックは導電性材料からなるビアを有し、
前記ビアは、前記第２の配線と、前記第３の配線とを電気的に接続している、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記複数の半導体レーザ素子の内、前記マウント部の上の両端に配置された２つの半導体レーザ素子の発光点が、それぞれの前記半導体レーザ素子の中心よりも、互いに近い側に設けられている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記複数の半導体レーザ素子の内、前記マウント部の上の両端に配置された２つの半導体レーザ素子の発光点間隔が１００μｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記複数の半導体レーザ素子が、窒化物半導体を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記複数の半導体レーザ素子のそれぞれは、
基板と、前記基板上に形成された活性層を含む半導体層とを有し、
前記半導体層側で前記第１の配線と接合している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体発光装置に関し、特に青紫〜赤色の可視域の発光を伴う高出力半導体レーザ、スーパールミネッセントダイオード等を用いた半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高輝度照明を実現する光源として高出力半導体レーザ装置の開発が盛んに行われている。半導体レーザ装置の高出力を実現する際に、複数の半導体レーザ素子を用いることにより、個々の半導体レーザ素子への発光の負荷や発熱を分散させ、半導体レーザ装置の信頼性を向上させるような構成が検討されている。例えば、特許文献１に開示された複数の半導体レーザ素子を同時に駆動するような半導体レーザ装置の構成が検討されている。【０００３】
図１９を利用して特許文献１に開示された従来の半導体発光装置の構造について説明する。従来の半導体発光装置は、半絶縁性基板５にｎ−ＩｎＰクラッド層６、活性層７、ｐ−ＩｎＰクラッド層８、ｐ−ＩｎＰ電流ブロック層９、ｎ−ＩｎＰ電流ブロック層１０、ｐ＋−ＩｎＰキャップ層１１の順に積層された複数の半導体レーザ素子により構成されている。それらの複数の半導体レーザ素子は、半絶縁性基板５まで到達する素子分離用溝１２で互いに電気的に絶縁されている。一方、それらの電気的に絶縁された半導体レーザ素子は、ワイヤ３によってｎ−ＩｎＰクラッド層６上に設けられたｎ側電極１４とｐ＋−ＩｎＰキャップ層１１上に設けられたｐ側電極１３が電気的に接続されるような構成となっている。これにより、複数の半導体レーザ素子は、直列に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１６７８７８号公報
【発明の概要】
【０００５】
本開示に関わる半導体発光装置は、ヒートシンクに接続される絶縁性のマウント部と、マウント部の上に配置された複数の半導体レーザ素子と、複数の半導体レーザ素子の上に配置された絶縁性の放熱ブロックと、を備えている。マウント部の上面には、金属からなる第１の配線が形成され、放熱ブロックの下面には、第１の配線と一部が電気的に接続され、金属からなる第２の配線が形成されている。第１の配線と第２の配線が、複数の半導体レーザ素子のそれぞれに電気的に接続されることにより、複数の半導体レーザ素子は直列に接続され、かつ、複数の半導体レーザ素子の第１の配線と接続する側は、互いに同一の極性であることを特徴とする。
【０００６】
本開示の半導体発光装置によれば、金属配線の形成されたマウント部および放熱ブロックを用いることにより、複数の半導体レーザ素子を電気的に直列に接続することができる。これにより、窒化物半導体発光素子において顕著になる、一つの半導体レーザ素子への負荷の集中を回避することができる。また、複数の半導体レーザ素子を同一の極性側でマウント部に接続することにより、複数の半導体レーザ素子のすべてにおいて、発熱の大きい活性層をヒートシンクに近くなるように配置することができる。これにより、複数の半導体レーザ素子で発生した熱がヒートシンクに効率よく拡散されるため、半導体レーザ素子の温度上昇が抑えられ、信頼性を向上させることができる。
【０００７】
本開示によれば、高出力動作でも高い信頼性を有する半導体発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、半導体パッケージ内に配置された実施形態１に係る半導体発光装置を示す斜視図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る半導体発光装置の前面側の斜視図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る半導体発光装置の背面側の斜視図である。
【図４】図４は、実施形態１に係るマウント部の上面図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る放熱ブロックの下面図である。
【図６】図６は、実施形態１に係る半導体レーザ素子の正面図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る半導体発光装置の上面図である。
【図８】図８は、図７のＶIII−ＶIII線での断面図である。
【図９】図９は、図７のIＸ−IＸ線での断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態１に係る半導体発光装置の前面図である。
【図１１】図１１は、実施形態２に係る半導体発光装置の前面図である。
【図１２】図１２は、実施形態２に係るマウント部の上面図である。
【図１３】図１３は、実施形態２に係る放熱ブロックの下面図である。
【図１４】図１４は、実施形態３に係る半導体発光装置の前面図である。
【図１５】図１５は、実施形態４に係る半導体発光装置の前面側の斜視図である。
【図１６】図１６は、実施形態４に係る半導体発光装置の背面側の斜視図である。
【図１７】図１７は、実施形態４に係るマウント部の上面図である。
【図１８】図１８は、実施形態４に係る放熱ブロックの下面図である。
【図１９】図１９は、従来技術の構造を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本開示の実施の形態の説明に先立ち、従来の半導体発光装置における問題点を簡単に説明する。特許文献１に開示された構造を用いて、高出力で高信頼性な半導体発光装置を実現しようとする場合、以下のような課題を有する。
【００１０】
まず、特許文献１に記載されているように、素子分離用溝によって半導体レーザ素子間を絶縁しようとすると、絶縁性基板を用いる必要がある。そのため、例えば、ｎ型半導体基板を用い、ｎ型半導体基板を介して半導体レーザ素子に電流を流すような構成を有する窒化物系半導体レーザ素子では、特許文献１に開示された構造と同一の構成を作製することは困難である。
【００１１】
また、半導体レーザ素子間をワイヤによって接続しているため、実装する際には、基板側をヒートシンクに接合する、ジャンクションアップ実装となる。そのため、最も発熱の大きい活性層がヒートシンクから遠くなってしまい、各半導体レーザ素子の温度が高くなってしまう。その結果、動作中の活性層温度が上昇し、信頼性が低下する。また、半導体レーザ素子間をワイヤによって接続するため、半導体レーザ素子間の距離が長くなり、発光点間隔が広くなってしまう。
【００１２】
一方、半導体レーザ素子を並列に接続すると次に述べるような課題が生じることを本開示の発明者らは見出した。半導体レーザ素子を並列に接続することにより、半導体レーザ装置の動作電流が高くなると、ワイヤや電極の接合部での抵抗発熱が増大し、ワイヤ切れや電極の劣化が発生してしまう恐れがある。
【００１３】
さらに、窒化物系半導体レーザ素子におけるｐ型半導体層は、一般に活性化エネルギーが大きいため、温度上昇に伴うキャリア密度増大によって抵抗が大きく低下する。そのため、並列接続した複数の半導体レーザ素子において、各半導体レーザ素子間で電極面積や接触抵抗のばらつき等があると、複数の半導体レーザ素子間で温度の不均一が生じる。複数の半導体レーザ素子間での温度の不均一がひとたび発生すると、温度の高い半導体レーザ素子において、（１）電流の増大、（２）発熱の増大、（３）抵抗の低下、（４）更なる電流の増大、という正帰還がかかり、一つの半導体レーザ素子への負荷が加速度的に増大するという状態を起こる。
【００１４】
本開示は、上記課題を解決するためになされたものであり、高出力動作でも高い信頼性を有する半導体発光装置を提供する。
【００１５】
以下に、本開示の実施形態に係る半導体発光装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
（実施形態１）
実施形態１に係る半導体発光装置の構造について、図１〜図１０を用いて説明する。図１は、半導体パッケージ内に配置された実施形態１に係る半導体発光装置を示す斜視図である。図２は、実施形態１に係る半導体発光装置の前面側の斜視図であり、図３は、実施形態１に係る半導体発光装置の背面側の斜視図である。図４は、実施形態１に係るマウント部の上面図であり、図５は、実施形態１に係る放熱ブロックの下面図である。
【００１７】
図１に示すように、半導体発光装置１２０は、半導体パッケージ１１０内に設置される。半導体パッケージ１１０は、略円板形状のベース１１３と、ベース１１３を貫通する２本のリードピン１１１と、ベース１１３から突出した略半円柱状の台座１１２を有する。半導体発光装置１２０は、台座１１２上に実装されている。リードピン１１１は、金属等の導電性の材料からなり、半導体発光装置１２０とワイヤ等を介して電気的に接続され、半導体パッケージ１１０の外部から半導体発光装置１２０に電力を供給する。台座１１２は、金属等の熱伝導率の高い材料からなり、半導体発光装置１２０との実装面を介して、半導体発光装置１２０からの熱を拡散するヒートシンクとして機能する。
【００１８】
図２、図３に示すように、半導体発光装置１２０は、２つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子１３４ａ、半導体レーザ素子１３４ｂ）が、マウント部１３０と放熱ブロック１４０によって挟まれた構造を有している。マウント部１３０は、例えばＳｉＣ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等の絶縁性材料からなるマウント基板１３１と、マウント基板１３１の上面に形成され、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｔｉ等の金属からなるマウント配線（マウント配線１３２ａ、マウント配線１３２ｂ）を有している。また、放熱ブロック１４０は、例えばＳｉＣ、ＡｌＮ、ダイヤモンド等の絶縁性材料からなる放熱ブロック基板１４１と、放熱ブロック基板１４１の下面に形成され、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｔｉ等の金属からなる放熱ブロック配線（放熱ブロック配線１４２ａ、放熱ブロック配線１４２ｂ；後述）と、放熱ブロック基板１４１の上面に形成され、例えばＡｕ、Ｐｔ、Ｔｉ等の金属からなる放熱ブロック配線（放熱ブロック配線１４２ｃ）とを有している。ここで、マウント基板１３１の厚さは、５０μｍ〜５００μｍが好ましく、幅は、５００μｍ〜２０００μｍが好ましく、奥行は、５００μｍ〜４０００μｍが好ましい。また、放熱ブロック基板１４１の厚さは、１００μｍ〜５００μｍが好ましく、幅は、５００μｍ〜２０００μｍが好ましく、奥行は、５００μｍ〜４０００μｍが好ましい。マウント配線及び放熱ブロック配線のそれぞれの膜厚は、５０μｍ〜３００μｍが好ましい。
【００１９】
図４、図５を用いて、マウント部１３０の上面および放熱ブロック１４０の下面での配線構造について詳しく説明する。図４に示すように、マウント基板１３１の表面（上面）に形成された金属層がパターニングされることにより、Ｌ字状のマウント配線１３２ａと矩形状のマウント配線１３２ｂが形成されている。マウント配線１３２ａは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状をしている。ここで、図面の下側が、前面側であり、図面の上側が背面側である。マウント配線１３２ａの前面側には、半導体レーザ素子１３４ａを接合するためのマウント半田層１３３ａが形成される。また、マウント配線１３２ａの背面側には、導電性ポスト１４４（後述）を接合するためのマウント半田層１３３ｃが形成される。マウント配線１３２ｂには、半導体レーザ素子１３４ｂを接合するためのマウント半田層１３３ｂが形成される。マウント配線１３２ｂの前面から背面に向かう方向における長さは、Ｌ字状のマウント配線１３２ａに比べて短く、マウント配線１３２ｂの背面側のマウント基板１３１上に、マウント配線１３２ａの一部が配置されている。
【００２０】
また、図５に示すように、放熱ブロック基板１４１の表面（下面）に形成された金属層がパターニングされることにより、矩形状の放熱ブロック配線１４２ａとＬ字状の放熱ブロック配線１４２ｂが形成されている。放熱ブロック配線１４２ｂは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状をしている。ここで、図面の下側が、前面側であり、図面の上側が背面側である。放熱ブロック配線１４２ａには、半導体レーザ素子１３４ａを接合するための放熱ブロック半田層１４３ａが形成される。放熱ブロック配線１４２ａの前面から背面に向かう方向における長さは、Ｌ字状の放熱ブロック配線１４２ｂに比べて短く、放熱ブロック配線１４２ａの背面側の放熱ブロック基板１４１上に、放熱ブロック配線１４２ｂの一部が配置されている。放熱ブロック配線１４２ｂの前面側には、半導体レーザ素子１３４ｂを接合するための放熱ブロック半田層１４３ｂが形成される。また、放熱ブロック配線１４２ｂの背面側には、導電性ポスト１４４が配置される。導電性ポスト１４４は、放熱ブロック配線１４２ｂ上にメッキすることによって放熱ブロック配線１４２ｂに固定されている。
【００２１】
図２に示すように、半導体レーザ素子１３４ａ及び半導体レーザ素子１３４ｂは、それぞれのレーザ出射端面を前面側に向けてマウント部１３０上に実装される。具体的には、半導体レーザ素子１３４ａの下面は、マウント配線１３２ａにマウント半田層１３３ａによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。また、半導体レーザ素子１３４ｂの下面は、マウント半田層１３３ｂによって、マウント配線１３２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。
【００２２】
マウント部１３０の上面において、前面側には、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂが配置され、背面側には、導電性ポスト１４４が配置される。図３に示すように、導電性ポスト１４４は、背面側にまで延びたマウント配線１３２ａにマウント半田層１３３ｃによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。導電性ポスト１４４は、ＣｕやＡｌ等の金属からなるブロックであってもよく、ＡｌＮやＳｉＣ等の絶縁性材料からなるブロックに金属を被服したものであってもよい。
【００２３】
半導体レーザ素子１３４ａ及び半導体レーザ素子１３４ｂの上には、放熱ブロック１４０が配置され、放熱ブロック配線１４２ａおよび放熱ブロック配線１４２ｂは、それぞれ半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂと接合している。具体的には、半導体レーザ素子１３４ａの上面は、放熱ブロック配線１４２ａに放熱ブロック半田層１４３ａによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。また、半導体レーザ素子１３４ｂの上面は、放熱ブロック半田層１４３ｂによって、放熱ブロック配線１４２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。
【００２４】
また、放熱ブロック１４０の下面において、前面側には、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂが配置され、背面側には、導電性ポスト１４４が配置される。導電性ポスト１４４は、背面側にまで延びた放熱ブロック配線１４２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定されている。これにより、マウント配線１３２ａと放熱ブロック配線１４２ｂは、導電性ポスト１４４を介して、電気的に接続される。
【００２５】
さらに、放熱ブロック配線１４２ａは、放熱ブロック基板１４１を貫通する導電性ビア１４５（後述）を介して、放熱ブロック基板１４１の上面に形成された放熱ブロック配線１４２ｃと電気的に接続されている。
【００２６】
次に、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂの構造について、図６を用いて説明する。図６は、実施形態１に係る半導体レーザ素子の正面図である。ここでは、半導体レーザ素子１３４ａを例にとって説明する。
【００２７】
図６に示すように、半導体レーザ素子１３４ａは、ｎ型半導体基板２０上にｎ型クラッド層２１とｎ型ガイド層２２が順に積層されたｎ型層２３と、ｎ型層２３上に設けられた活性層２４と、活性層２４上に設けられたｐ型ガイド層２５、ｐ型クラッド層２６、ｐ型コンタクト層２７が順に積層されたｐ型層２８とを有している。また、ｐ型クラッド層２６には、ストライプ状の凸部が形成され、凸部上にｐ型コンタクト層２７が設けられている。ｐ型クラッド層２６の凸部とｐ型コンタクト層２７によりリッジ部が構成されている。凸部が形成されていないｐ型クラッド層２６の上面及びリッジ部の側面は、電流ブロック層２９によって覆われている。電流ブロック層２９には、ｐ型コンタクト層２７が露出するように開口部が設けられ、開口部にｐ側電極３０が設けられることにより、ｐ側電極３０がリッジ部において、ｐ型コンタクト層２７とオーミック接触する。また、基板２０の下面にｎ側電極３１を形成する。これにより、ｐ側電極３０とｎ側電極３１との間に電圧を印加すると、半導体レーザ素子１３４ａに通電され、レーザ光が発せられる。このとき、リッジ構造による光閉じ込め効果等により、リッジ部の下側の活性層２４において発光強度が最も高くなる。この部分を発光点と呼ぶ。発光点は、リッジ部の位置を変えることにより、半導体レーザ素子の中心だけでなく、片方側に寄せる構成とすることもできる。
【００２８】
また、半導体レーザ素子１３４ａを窒化物系半導体材料を用いて形成する場合、上述の半導体層および半導体基板として、ＧａＮ、あるいはＡｌやＩｎを含んだＧａＮを用いることができる。なお、半導体層の積層方向での光閉じ込め効果を得るために、活性層２４の屈折率は、ｎ型層２３やｐ型層２８の屈折率よりも高くなるように材料が選択される。具体的には、ｎ型半導体基板２０はＧａＮからなる。例えばｎ型クラッド層２１およびｎ型ガイド層２２はそれぞれＡｌＧａＮおよびＧａＮからなり、膜厚はそれぞれ３μｍ、１００ｎｍである。また、Ａｌ組成は３％程度である。活性層２４はＩｎＧａＮの井戸層をそれよりもバンドギャップの大きな障壁層で囲んだ量子井戸構造からなり、Ｉｎ組成を調整することによって所望の波長の光を発することができる。井戸層の厚みは３〜１０ｎｍが好ましい。ｐ型ガイド層２５およびｐ型クラッド層２６はそれぞれＧａＮおよびＡｌＧａＮからなり、膜厚はそれぞれ１００ｎｍ、５００ｎｍである。このとき、ｐ型クラッド層２６はＡｌＧａＮとＧａＮの超格子で構成されていてもよい。ｐ型コンタクト層２７はＧａＮからなり、ｐ型クラッド層２６よりも高いｐ型ドーパント濃度を有する。また、膜厚は５ｎｍである。
【００２９】
上述の例では、基板側にｎ型層２３を配置する構成としたが、基板側にｐ型層２８を配置する構成としてもよい。
【００３０】
次に、図７〜図１０を用いて、実施形態１に係る半導体発光装置の構造について、さらに詳しく説明する。図７は、実施形態１に係る半導体発光装置の上面図である。図８は、図７のＶIII−ＶIII線での断面図であり、図９は、図７のIＸ−IＸ線での断面図である。
【００３１】
図７に示すように、放熱ブロック基板１４１は、マウント基板１３１よりも、平面視において小さく、マウント配線１３２ａの一部およびマウント配線１３２ｂの一部は、放熱ブロック基板１４１によって覆われていない。これにより、放熱ブロック基板１４１から露出したマウント配線１３２ａの一部あるいはマウント配線１３２ｂの一部に、ワイヤを接続して電気的に接続することが可能となる。また、放熱ブロック基板１４１の上面に配置されている放熱ブロック配線１４２ｃに、ワイヤを接続して電気的に接続することが可能となる。以下、半導体レーザ素子１３４ａが配置されている部分と半導体レーザ素子１３４ｂが配置されている部分における半導体発光装置１２０の断面構造について、それぞれ図８、図９を用いて説明する。
【００３２】
図８に示すように、半導体レーザ素子１３４ａ上の放熱ブロック基板１４１には、放熱ブロック基板１４１を貫通するように、導電性ビア１４５が形成されている。導電性ビア１４５は、放熱ブロック基板１４１に形成された貫通穴に、タングステンや銅等の導電性材料が埋め込まれている。導電性ビア１４５の上面は、放熱ブロック配線１４２ｃに接続され、導電性ビア１４５の下面は、放熱ブロック配線１４２ａに接続されている。これにより、放熱ブロック配線１４２ｃと放熱ブロック配線１４２ａとが、導電性ビア１４５を介して電気的に接続されている。図に示すように、複数の導電性ビア１４５を用いて、放熱ブロック配線１４２ｃと放熱ブロック配線１４２ａとを接続してもよい。
【００３３】
放熱ブロック配線１４２ａは、半導体レーザ素子１３４ａの上面側の電極と、放熱ブロック半田層１４３ａを介して接合されている。また、半導体レーザ素子１３４ａの下面側の電極は、マウント配線１３２ａと、マウント半田層１３３ａを介して接合されている。これにより、放熱ブロック配線１４２ａに接続された放熱ブロック配線１４２ｃと、マウント配線１３２ａとの間に電圧を印加することにより、半導体レーザ素子１３４ａに電流が流れ、レーザ光を発光させることができる。
【００３４】
また、図９に示すように、半導体レーザ素子１３４ｂの上に配置された放熱ブロック基板１４１の下面に設けられた放熱ブロック配線１４２ｂは、半導体レーザ素子１３４ｂの上面側の電極と、放熱ブロック半田層１４３ｂを介して接合されている。また、半導体レーザ素子１３４ｂの下面側の電極は、マウント配線１３２ｂと、マウント半田層１３３ｂを介して接合されている。これにより、放熱ブロック配線１４２ｂと、マウント配線１３２ｂとの間に電圧を印加することにより、半導体レーザ素子１３４ｂに電流が流れ、レーザ光を発光させることができる。
【００３５】
さらに、図８、図９に示すように、マウント配線１３２ａと放熱ブロック配線１４２ｂとは、導電性ポスト１４４を介して、電気的に接続されているため、半導体レーザ素子１３４ａと半導体レーザ素子１３４ｂは、直列に接続されている。即ち、放熱ブロック配線１４２ｃとマウント配線１３２ｂとの間に電圧を印加することにより、半導体レーザ素子１３４ａと半導体レーザ素子１３４ｂの両方に電流を流すことができる。
【００３６】
図１０は、実施形態１に係る半導体発光装置の前面図である。図１０に示すように、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂは、共に、ｐ型層２８側がマウント基板１３１のマウント配線１３２ａ、あるいはマウント配線１３２ｂに接合されている（ジャンクションダウン型実装）。ここで、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂのそれぞれは、図６に示すように、ｎ型基板２０と、ｎ型基板２０上に形成された活性層２４を含む半導体層（ｎ型基板２０から順に配置されているｎ型層２３、活性層２４、ｐ型層２８）を有している。そして、半導体レーザ素子１３４ａは、半導体層側でマウント配線１３２ａと接合しており、半導体レーザ素子１３４ｂは、半導体層側でマウント配線１３２ｂと接合している。そのため、ｎ型基板２０を用いた半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂでは、活性層２４とｐ側電極３０の間にｎ型基板２０がなく、活性層２４からマウント基板１３１までの距離が短い。そのため、活性層２４からの発熱を、マウント基板１３１を介して、ヒートシンクである半導体パッケージ１１０へ逃がすための排熱経路が短くなり、半導体レーザ素子１３４ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂの温度上昇を抑えることができる。
【００３７】
また、半導体レーザ素子１３４ａの発光点１３９ａおよび半導体レーザ素子１３４ｂの発光点１３９ｂが互いに近くなるように、リッジ部の位置を変えている。これにより、発光点間隔を１００μｍ以下に短くすることができるため、光学系との結合効率を高めることができる。
【００３８】
以上のように、本実施形態の半導体発光装置では、マウント配線１３２ｂと放熱ブロック配線１４２ｃとの間に電圧を印加することにより、電流は、マウント配線１３２ｂから半導体レーザ素子１３４ｂ、放熱ブロック配線１４２ｂ、導電性ポスト１４４、マウント配線１３２ａ、半導体レーザ素子１３４ａ、放熱ブロック配線１４２ａ、導電性ビア１４５、放熱ブロック配線１４２ｃの順に流れる。即ち、本実施形態の半導体発光装置によれば、２つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子１３４ａ、半導体レーザ素子１３４ｂ）に直列に電流を流すことができると共に、これらの半導体レーザ素子の同一極性（Ｐ型）側をヒートシンク近くに配置することができる。
【００３９】
以上のように、複数の半導体レーザ素子を並列に接続することによって生じる１つの半導体レーザへの負荷の集中という問題点を除くことができ、複数の半導体レーザ素子を用いた高出力の半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。
【００４０】
さらに、２つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子１３４ａ、半導体レーザ素子１３４ｂ）は、放熱ブロック１４０にも接合されているため、マウント部１３０だけでなく、放熱ブロック１４０へも放熱することができる。また、放熱ブロック１４０へ伝わった熱は、導電性ポスト１４４を介してマウント部１３０へ放熱できるため、半導体レーザ素子の温度上昇を大幅に抑制でき、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、発光点１３９ａおよび発光点１３９ｂが半導体パッケージ１１０と半導体発光装置１２０との実装面に平行な平面内に配置でき、さらに発光点間隔を短くすることができるため、光学系との結合効率を高めることができる。これにより、より少ない投入電力でも求める光量の確保が可能となり、半導体レーザ素子の温度上昇を抑制できるため、半導体発光装置の信頼性が向上する。以上により、高出力動作でも高い信頼性を有する半導体発光装置を実現できる。
【００４２】
（実施形態２）
実施形態２に係る半導体発光装置の構造について、図１１〜図１３を用いて説明する。図１１は、実施形態２に係る半導体発光装置の前面図である。図１２は、実施形態２に係るマウント部の上面図であり、図１３は、実施形態２に係る放熱ブロックの下面図である。なお、実施形態１と同様の構成については説明を省略し、実施形態１と異なる構成について主に説明する。
【００４３】
図１１に示すように、本実施形態の半導体発光装置２２０は、マウント部２３０のマウント配線２３２ａとマウント配線２３２ｂの間に、マウント溝部２５１が設けられている。また、放熱ブロック２４０の放熱ブロック配線２４２ａと放熱ブロック配線２４２ｂの間に、放熱ブロック溝部２５２が設けられている。他の構成については、実施形態１の半導体発光装置１２０と同様である。
【００４４】
図１２に示すように、マウント溝部２５１は、Ｌ字状のマウント配線２３２ａに沿って、Ｌ字状に屈曲した形状をしている。即ち、マウント配線２３２ａとマウント配線２３２ｂの間の全てにおいて、マウント溝部２５１が形成されている。
【００４５】
また、図１３に示すように、放熱ブロック溝部２５２は、Ｌ字状の放熱ブロック配線２４２ｂに沿って、Ｌ字状に屈曲した形状をしている。即ち、放熱ブロック配線２４２ａと放熱ブロック配線２４２ｂの間の全てにおいて、放熱ブロック溝部２５２が形成されている。
【００４６】
これにより、本実施形態の半導体発光装置２２０では、マウント部２３０に半導体レーザ素子２３４ａを接合するためのマウント半田層２３３ａが、広がりすぎて横にはみ出したとしても、マウント配線２３２ａとマウント配線２３２ｂとの間に設けられたマウント溝部２５１によって、マウント半田層２３３ａがマウント配線２３２ｂに接触することが抑制される。同様に、マウント溝部２５１によって、マウント半田層２３３ｂがマウント配線２３２ａと接触することが抑制される。
【００４７】
また、放熱ブロック２４０に半導体レーザ素子２３４ａを接合するための放熱ブロック半田層２４３ａが、広がりすぎて横にはみ出したとしても、放熱ブロック配線２４２ａと放熱ブロック配線２４２ｂとの間に設けられた放熱ブロック部溝部２５２によって、放熱ブロック半田層２４３ａが放熱ブロック配線２４２ｂに接触することが抑制される。同様に、放熱ブロック溝部２５２によって、放熱ブロック半田層２４３ｂが放熱ブロック配線２４２ａに接触することが抑制される。
【００４８】
以上のように、半導体レーザ素子２３４ａと半導体レーザ素子２３４ｂとの間の電気的な短絡に起因する電流リークを抑制することができる。これにより、半導体発光装置の信頼性並びに製造時の歩留りを向上させることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００４９】
（実施形態３）
実施形態３に係る半導体発光装置の構造について、図１４を用いて説明する。図１４は、実施形態３に係る半導体発光装置の前面図である。なお、実施形態１と同様の構成については説明を省略し、実施形態１と異なる構成について主に説明する。
【００５０】
図１４に示すように、本実施形態の半導体発光装置３２０は、マウント部３３０のマウント配線３３２ａとマウント配線３３２ｂの間に、マウント凸部３５１が設けられている。マウント凸部３５１は、実施形態２の半導体発光装置２２０におけるマウント溝部２５１と同様に、Ｌ字状のマウント配線３３２ａに沿って、Ｌ字状に屈曲した形状をしている（図示せず）。即ち、マウント配線３３２ａとマウント配線３３２ｂの間の全てにおいて、マウント凸部３５１が形成されている。
【００５１】
また、マウント凸部３５１の高さは、半導体レーザ素子３３４ａをマウント部３３０に実装した場合のマウント配線３３２ａの高さとマウント半田層３３３ａの高さを足した値、あるいは、半導体レーザ素子３３４ｂをマウント部３３０に実装した場合のマウント配線３３２ｂの高さとマウント半田層３３３ｂの高さを足した値とほぼ等しくなる値に設定される。また、マウント凸部３５１の幅は、半導体レーザ素子３３４ａと半導体レーザ素子３３４ｂとの間隔よりも大きく、半導体レーザ素子３３４ａの一部及び半導体レーザ素子３３４ｂの一部が、マウント凸部３５１の上に載っている。
【００５２】
また、放熱ブロック３４０の放熱ブロック配線３４２ａと放熱ブロック配線３４２ｂの間に、放熱ブロック凸部３５２が設けられている。放熱ブロック凸部３５２は、実施形態２の半導体発光装置２２０における放熱ブロック溝部２５２と同様に、Ｌ字状の放熱ブロック配線３４２ｂに沿って、Ｌ字状に屈曲した形状をしている。即ち、放熱ブロック配線３４２ａと放熱ブロック配線３４２ｂの間の全てにおいて、放熱ブロック凸部３５２が形成されている。
【００５３】
また、放熱ブロック凸部３５２の高さは、放熱ブロック３４０を半導体レーザ素子３３４ａに実装した場合の放熱ブロック配線３４２ａの高さと放熱ブロック半田層３４３ａの高さを足した値、あるいは、放熱ブロック３４０を半導体レーザ素子３３４ｂに実装した場合の放熱ブロック配線３４２ｂの高さと放熱ブロック半田層３４３ｂの高さを足した値とほぼ等しくなる値に設定される。また、放熱ブロック凸部３５２の幅は、半導体レーザ素子３３４ａと半導体レーザ素子３３４ｂとの間隔よりも大きく、放熱ブロック凸部３５２が、半導体レーザ素子３３４ａの一部及び半導体レーザ素子３３４ｂの一部の上に載っている。なお、他の構成については、実施形態１の半導体発光装置１２０と同様である。
【００５４】
これにより、本実施形態の半導体発光装置３２０では、マウント部３３０に半導体レーザ素子３３４ａを接合するためのマウント半田層３３３ａが、広がりすぎて横にはみ出したとしても、マウント配線３３２ａとマウント配線３３２ｂとの間に設けられたマウント凸部３５１によって、マウント半田層３３３ａがマウント配線３３２ｂに接触することが抑制される。同様に、マウント凸部３５１によって、マウント半田層３３３ｂがマウント配線３３２ａと接触することが抑制される。
【００５５】
また、放熱ブロック３４０に半導体レーザ素子３３４ａを接合するための放熱ブロック半田層３４３ａが、広がりすぎて横にはみ出したとしても、放熱ブロック配線３４２ａと放熱ブロック配線３４２ｂとの間に設けられた放熱ブロック凸部３５２によって、放熱ブロック半田層３４３ａが放熱ブロック配線３４２ｂに接触することが抑制される。同様に、放熱ブロック凸部３５２によって、放熱ブロック半田層３４３ｂが放熱ブロック配線３４２ａに接触することが抑制される。
【００５６】
以上のように、半導体レーザ素子２３４ａと半導体レーザ素子２３４ｂとの間の電気的な短絡に起因する電流リークを抑制することができる。これにより、半導体発光装置の信頼性並びに製造時の歩留りを向上させることができる。
【００５７】
さらに、半導体レーザ素子３３４ａの一部及び半導体レーザ素子３３４ｂの一部が、マウント凸部３５１の上に載るため、マウント部３３０の底面から半導体レーザ素子３３４ａの発光点３３９ａ及び半導体レーザ素子の発光点３３９ｂの距離を一定に保って実装することができる。これにより、半導体パッケージ１１０に対する発光点位置のばらつきを小さくできるため、光学系の設計を容易にすることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００５８】
（実施形態４）
実施形態４に係る半導体発光装置の構造について、図１５〜図１８を用いて説明する。図１５は、実施形態４に係る半導体発光装置の前面側斜視図であり、図１６は、実施形態４に係る半導体発光装置の背面側斜視図である。図１７は、実施形態４に係るマウント部の上面図であり、図１８は、実施形態４に係る放熱ブロックの下面図である。なお、実施形態１と同様の構成については説明を省略し、実施形態１と異なる構成について主に説明する。
【００５９】
図１５に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置４２０は、３つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、半導体レーザ素子４３４ｃ）が、マウント部４３０と放熱ブロック４４０によって挟まれた構造を有している。マウント部４３０は、マウント基板４３１と、マウント基板４３１の上面に形成されたマウント配線（マウント配線４３２ａ、マウント配線４３２ｂ、マウント配線４３２ｃ）を有している。また、放熱ブロック４４０は、放熱ブロック基板４４１と、放熱ブロック基板４４１の下面に形成された放熱ブロック配線（放熱ブロック配線４４２ａ、放熱ブロック配線４４２ｂ、放熱ブロック配線４４２ｃ；後述）と、放熱ブロック基板４４１の上面に形成された放熱ブロック配線（放熱ブロック配線４４２ｄ）とを有している。マウント基板４３１、マウント配線、放熱ブロック基板４４１、及び放熱ブロック配線の材料は、実施形態１と同様である。なお、他の構成については、実施形態１の半導体発光装置１２０と同様である。
【００６０】
図１７、図１８を用いて、マウント部１３０の上面および放熱ブロック１４０の下面での配線構造について詳しく説明する。図１７に示すように、マウント基板４３１の表面（上面）に形成された金属層がパターニングされることにより、Ｌ字状のマウント配線４３２ａと矩形状のマウント配線４３２ｃ、並びにマウント配線４３２ａとマウント配線４３２ｃとの間に一部が切り欠けたＬ字状のマウント配線４３２ｂが形成されている。マウント配線４３２ａは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状をしている。また、マウント配線４３２ｂは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状から角の一部が切り欠かれた形状をしている。ここで、図面の下側が、前面側であり、図面の上側が背面側である。マウント配線４３２ａの前面側には、半導体レーザ素子４３４ａを接合するためのマウント半田層４３３ａが形成される。また、マウント配線４３２ａの背面側には、導電性ポスト４４４ａ（後述）を接合するためのマウント半田層４３３ｄが形成される。マウント配線４３２ａの前面側には、半導体レーザ素子４３４ｂを接合するためのマウント半田層４３３ｂが形成される。また、マウント配線４３２ｂの背面側には、導電性ポスト４４４ｂ（後述）を接合するためのマウント半田層４３３ｅが形成される。マウント配線４３２ｃには、半導体レーザ素子４３４ｃを接合するためのマウント半田層４３３ｃが形成される。
【００６１】
また、図１８に示すように、放熱ブロック基板４４１の表面（下面）に形成された金属層がパターニングされることにより、矩形状の放熱ブロック配線４４２ａとＬ字状の放熱ブロック配線４４２ｃ、並びに放熱ブロック配線４４２ａと放熱ブロック配線４４２ｃとの間に一部が切り欠けたＬ字状の放熱ブロック配線４４２ｂが形成されている。放熱ブロック配線４４２ｃは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状をしている。また、放熱ブロック配線４４２ｂは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状から角の一部が切り欠かれた形状をしている。ここで、図面の下側が、前面側であり、図面の上側が背面側である。放熱ブロック配線４４２ｃの前面側には、半導体レーザ素子４３４ｃを接合するための放熱ブロック半田層４４３ｃが形成される。また、放熱ブロック配線４４２ｃの背面側には、導電性ポスト４４４ｂが形成される。放熱ブロック配線４４２ｂの前面側には、半導体レーザ素子４３４ｂを接合するための放熱ブロック半田層４４３ｂが形成される。また、放熱ブロック配線４４２ｂの背面側には、導電性ポスト４４４ａが形成される。放熱ブロック配線４４２ａには、半導体レーザ素子４３４ａを接合するための放熱ブロック半田層４４３ａが形成される。
【００６２】
図１５に示すように、半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ及び半導体レーザ素子４３４ｃは、それぞれのレーザ出射端面を前面側に向けてマウント部４３０上に実装される。具体的には、半導体レーザ素子４３４ａの下面は、マウント配線４３２ａにマウント半田層４３３ａによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。また、半導体レーザ素子４３４ｂの下面は、マウント半田層４３３ｂによって、マウント配線４３２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。さらに、半導体レーザ素子４３４ｃの下面は、マウント半田層４３３ｃによって、マウント配線４３２ｃに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。
【００６３】
マウント部４３０の上面において、前面側には、半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ及び半導体レーザ素子４３４ｃが配置され、背面側には、導電性ポスト４４４ａ及び導電性ポスト４４４ｂが配置される。図１６に示すように、導電性ポスト４４４ａは、背面側にまで延びたマウント配線４３２ａにマウント半田層４３３ｄによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。また、導電性ポスト４４４ｂは、背面側にまで延びたマウント配線４３２ｂにマウント半田層４３３ｅによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。導電性ポスト４４４ａ、導電性ポスト４４４ｂの材料は、実施形態１と同様である。
【００６４】
半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃの上には、放熱ブロック４４０が配置され、放熱ブロック配線４４２ａ、放熱ブロック配線４４２ｂ、及び放熱ブロック配線４４２ｃは、それぞれ半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃと接合している。具体的には、半導体レーザ素子４３４ａの上面は、放熱ブロック配線４４２ａに放熱ブロック半田層４４３ａによって電気的に接続されると共に、機械的に固定される。また、半導体レーザ素子４３４ｂの上面は、放熱ブロック半田層４４３ｂによって、放熱ブロック配線４４２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。さらに、半導体レーザ素子４３４ｃの上面は、放熱ブロック半田層４４３ｃによって、放熱ブロック配線４４２ｃに電気的に接続されると共に、機械的に固定される。
【００６５】
また、放熱ブロック４４０の下面において、前面側には、半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃが配置され、背面側には、導電性ポスト４４４ａ及び導電性ポスト４４４ｂが配置される。導電性ポスト４４４ａは、背面側にまで延びた放熱ブロック配線４４２ｂに電気的に接続されると共に、機械的に固定されている。これにより、マウント配線４３２ａと放熱ブロック配線４４２ｂは、導電性ポスト４４４ａを介して、電気的に接続される。また、導電性ポスト４４４ｂは、背面側にまで延びた放熱ブロック配線４４２ｃに電気的に接続されると共に、機械的に固定されている。これにより、マウント配線４３２ｂと放熱ブロック配線４４２ｃは、導電性ポスト４４４ｂを介して、電気的に接続される。
【００６６】
さらに、放熱ブロック配線４４２ａは、放熱ブロック基板４４１を貫通する導電性ビア（図示せず）を介して、放熱ブロック基板４４１の上面に形成された放熱ブロック配線４４２ｄと電気的に接続されている。なお、導電性ビアの構成は、実施形態１と同様である。
【００６７】
また、半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃの構成は、実施形態１と同様である。
【００６８】
以上のように、本実施形態の半導体発光装置４２０は、実施形態１と同様にして、３つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃ）の同じ極性（ｐ型）側をマウント部４３０に接合した状態で、直列に接続することができる。即ち、マウント配線４３２ｃと放熱ブロック配線４４２ｄの間に、電圧を印加することにより、３つの半導体レーザ素子（半導体レーザ素子４３４ａ、半導体レーザ素子４３４ｂ、及び半導体レーザ素子４３４ｃ）から同時にレーザ光を発光させることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【００６９】
以上、本開示の内容について、実施形態１〜４を用いて説明したが、本開示は、これらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、放熱ブロック基板を貫通する導電性ビアを用いて、放熱ブロック基板の上面と下面にそれぞれ形成された放熱ブロック配線を電気的に接続していたが、導電性ビアの代わりに、放熱ブロック基板の側面に形成される導電性膜によって上面と下面の放熱ブロック配線を電気的に接続してもよい。
【００７０】
また、上記の実施形態では、直列の接続する半導体レーザ素子の個数として、２個あるいは３個の場合について示したが、４個以上の半導体レーザ素子についても、同様の構成によって直列に接続することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本開示は、車輌用照明、工場や体育館でのスポット照明や店舗照明等の産業用照明に用いられる高出力の光源等に適用することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１１０    半導体パッケージ
１１１    リードピン
１１２    台座
１１３    ベース
１２０，２２０，３２０，４２０    半導体発光装置
１３０，２３０，３３０，４３０    マウント部
１３１，２３１，３３１，４３１    マウント基板
１３２ａ，２３２ａ，３３２ａ，４３２ａ，１３２ｂ，２３２ｂ，３３２ｂ，４３２ｂ，４３２ｃ    マウント配線
１３３ａ，２３３ａ，３３３ａ，４３３ａ，１３３ｂ，２３３ｂ，３３３ｂ，４３３ｂ，１３３ｃ，２３３ｃ，３３３ｃ，４３３ｃ，４３３ｄ，４３３ｅ    マウント半田層
１３４ａ，２３４ａ，３３４ａ，４３４ａ，１３４ｂ，２３４ｂ，３３４ｂ，４３４ｂ，４３４ｃ    半導体レーザ素子
１４０，２４０，３４０，４４０    放熱ブロック
１４１，２４１，３４１，４４１    放熱ブロック基板
１４２ａ，２４２ａ，３４２ａ，４４２ａ，１４２ｂ，２４２ｂ，３４２ｂ，４４２ｂ，１４２ｃ，２４２ｃ，３４２ｃ，４４２ｃ，４４２ｄ    放熱ブロック配線
１４３ａ，２４３ａ，３４３ａ，４４３ａ，１４３ｂ，２４３ｂ，３４３ｂ，４４３ｂ，４４３ｃ    放熱ブロック半田層
１４４，２４４，３４４，４４４ａ，４４４ｂ    導電性ポスト
１４５，２４５，３４５，４４５    導電性ビア
【図１】
2017098689.tif 000003
【図２】
2017098689.tif 000004
【図３】
2017098689.tif 000005
【図４】
2017098689.tif 000006
【図５】
2017098689.tif 000007
【図６】
2017098689.tif 000008
【図７】
2017098689.tif 000009
【図８】
2017098689.tif 000010
【図９】
2017098689.tif 000011
【図１０】
2017098689.tif 000012
【図１１】
2017098689.tif 000013
【図１２】
2017098689.tif 000014
【図１３】
2017098689.tif 000015
【図１４】
2017098689.tif 000016
【図１５】
2017098689.tif 000017
【図１６】
2017098689.tif 000018
【図１７】
2017098689.tif 000019
【図１８】
2017098689.tif 000020
【図１９】
2017098689.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月22日(2018.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
さらに、半導体レーザ素子３３４ａの一部及び半導体レーザ素子３３４ｂの一部が、マウント凸部３５１の上に載るため、マウント部３３０の底面から半導体レーザ素子３３４ａの発光点３３９ａ及び半導体レーザ素子３３４ｂの発光点３３９ｂの距離を一定に保って実装することができる。これにより、半導体パッケージ１１０に対する発光点位置のばらつきを小さくできるため、光学系の設計を容易にすることができる。その他の効果は、実施形態１と同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図１７、図１８を用いて、マウント部４３０の上面および放熱ブロック４４０の下面での配線構造について詳しく説明する。図１７に示すように、マウント基板４３１の表面（上面）に形成された金属層がパターニングされることにより、Ｌ字状のマウント配線４３２ａと矩形状のマウント配線４３２ｃ、並びにマウント配線４３２ａとマウント配線４３２ｃとの間に一部が切り欠けたＬ字状のマウント配線４３２ｂが形成されている。マウント配線４３２ａは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状をしている。また、マウント配線４３２ｂは、前面側の幅が小さく、背面側の幅が大きいＬ字状の形状から角の一部が切り欠かれた形状をしている。ここで、図面の下側が、前面側であり、図面の上側が背面側である。マウント配線４３２ａの前面側には、半導体レーザ素子４３４ａを接合するためのマウント半田層４３３ａが形成される。また、マウント配線４３２ａの背面側には、導電性ポスト４４４ａ（後述）を接合するためのマウント半田層４３３ｄが形成される。マウント配線４３２ｂの前面側には、半導体レーザ素子４３４ｂを接合するためのマウント半田層４３３ｂが形成される。また、マウント配線４３２ｂの背面側には、導電性ポスト４４４ｂ（後述）を接合するためのマウント半田層４３３ｅが形成される。マウント配線４３２ｃには、半導体レーザ素子４３４ｃを接合するためのマウント半田層４３３ｃが形成される。
【国際調査報告】
2017098689.tif 000022
2017098689.tif 000023
2017098689.tif 000024
2017098689.tif 000025