(57)【要約】  ニッケルイオンと、銅イオンとを含み、  ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液を提供する。
2017130866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケルイオンと、銅イオンとを含み、
ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液。
【請求項２】
アミド硫酸をさらに含む請求項１に記載の黒化めっき液。
【請求項３】
ニッケルイオン濃度が２．０ｇ／ｌ以上２０．０ｇ／ｌ以下、銅イオン濃度が０．００５ｇ／ｌ以上１．０２ｇ／ｌ以下である請求項１または２に記載の黒化めっき液。
【請求項４】
透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記銅層上に請求項１乃至３のいずれか一項に記載の黒化めっき液を用いて黒化層を形成する黒化層形成工程とを有する導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、黒化めっき液、導電性基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。【０００３】
そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。【０００４】
例えば特許文献１には、高分子フィルムおよびその上に気相成膜法により設けられた金属酸化物からなる透明導電膜を含む透明導電性フィルムが開示され、金属酸化物からなる透明導電膜として酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ）膜を用いることが開示されている。【０００５】
ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。【０００６】
そこで、導電層の材料として、ＩＴＯにかえて銅等の金属を用いることが検討されている。ただし、金属は金属光沢を有していることから、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。このため、導電層の表面に、黒色の材料により構成される層を乾式法により形成する黒化処理を施した導電性基板が検討されている。【０００７】
しかし、乾式法により導電層表面に十分に黒化処理を施すためには時間を要し、生産性が低かった。【０００８】
そこで、本発明の発明者らは、乾式法で要求されるような真空環境を必要とせず、設備を簡略化でき、生産性に優れることから、湿式法により黒化処理を行うことを検討してきた。具体的にはＮｉ及びＺｎを主成分として含有するめっき液を用い、湿式法により黒化層を形成することを検討してきた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】日本国特開２００３−１５１３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、Ｎｉ及びＺｎを主成分として含有するめっき液を用いて湿式法、すなわち湿式めっき法により黒化層を形成する黒化処理を行った場合、形成される黒化層は、導電層として形成した銅層と比較してエッチング液に対する反応性が高い場合があった。そして、所望の配線パターンを有する導電性基板を作製する場合、導電層である銅層と、黒化層とを形成した後、エッチングによりパターン化することになるが、エッチング液に対する銅層と、黒化層との反応性の違いから、黒化層を所望の形状にパターン化することが困難な場合があった。【００１１】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、銅層と共にエッチングした場合に、所望の形状にパターン化できる黒化層を形成することが可能な黒化めっき液を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため本発明の一側面では、
ニッケルイオンと、銅イオンとを含み、
ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一側面によれば、銅層と共にエッチングした場合に、所望の形状にパターン化できる黒化層を形成することが可能な黒化めっき液を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４Ａ】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図４Ｂ】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の黒化めっき液、導電性基板の一実施形態について説明する。
（黒化めっき液）
本実施形態の黒化めっき液は、ニッケルイオンと、銅イオンとを含み、ｐＨを４．０以上５．８以下とすることができる。
【００１６】
既述のように、例えばＮｉ及びＺｎを主成分として含有するめっき液を用い、湿式法により形成された黒化層は、エッチング液に対する反応性が銅層よりも高く、銅層と共にエッチングした場合、所望の形状にパターン化することが困難であった。そこで、本発明の発明者らは、銅層と共にエッチングした場合に、所望の形状にパターン化できる黒化層を形成することが可能な黒化めっき液について鋭意検討を行った。
【００１７】
そして、黒化めっき液について検討を進める中で、本発明の発明者らは、黒化層をニッケルと、銅とを含有する層とすることで、黒化層のエッチング液に対する反応性を抑制でき、銅層と同時にエッチングした場合でも所望の形状にできることを見出した。また、黒化層は、ニッケルと銅とを含有することで銅層表面での光の反射を抑制することが可能な色とすることができることも併せて見出した。なお、ここでいう銅層と、黒化層とを同時にエッチングした場合の所望の形状とは、例えば配線幅が１０μｍ以下の配線を含む形状、パターンを意味する。
【００１８】
そこで、本実施形態の黒化めっき液は、金属成分としてニッケルと銅とを含有する層を形成できるめっき液であることが好ましく、本実施形態の黒化めっき液は、ニッケルイオンと、銅イオンとを含有することができる。
【００１９】
黒化めっき液中の各成分の濃度は特に限定されるものではないが、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度は、２．０ｇ／ｌ以上であることが好ましく、３．０ｇ／ｌ以上であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度を２．０ｇ／ｌ以上とすることで、黒化層を銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
【００２０】
黒化めっき液中のニッケルイオン濃度の上限値についても特に限定されるものではないが、例えば２０．０ｇ／ｌ以下であることが好ましく、１５．０ｇ／ｌ以下であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中のニッケルイオン濃度を２０．０ｇ／ｌ以下とすることで、成膜した黒化層中のニッケル成分が過剰になることを抑制し、黒化層表面が光沢ニッケルメッキのような面になることを防止し、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
【００２１】
また、黒化めっき液中の銅イオン濃度は、０．００５ｇ／ｌ以上であることが好ましく、０．００８ｇ／ｌ以上であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中の銅イオン濃度が０．００５ｇ／ｌ以上の場合、黒化層を銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、黒化層のエッチング液に対する反応性を特に適切なものとし、銅層と共に黒化層をエッチングした場合でもより確実に所望の形状にパターン化することができるためである。
【００２２】
黒化めっき液中の銅イオン濃度の上限値は特に限定されるものではないが、例えば１．０２ｇ／ｌ以下であることが好ましく、０．５ｇ／ｌ以下であることがより好ましい。これは、黒化めっき液中の銅イオン濃度を１．０２ｇ／ｌ以下とすることで、成膜した黒化層のエッチング液に対する反応性が高くなりすぎることを抑制し、黒化層を銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。
【００２３】
黒化めっき液を調製する際、ニッケルイオンと、銅イオンとの供給方法は特に限定されるものではなく、例えば塩の状態で供給することができる。例えばスルファミン酸塩や、硫酸塩を好適に用いることができる。なお、塩の種類は各金属元素について全て同じ種類の塩でもよく、異なる種類の塩を同時に用いることもできる。具体的には例えば硫酸ニッケルと、硫酸銅とのように同じ種類の塩を用いて黒化めっき液を調製することもできる。また、例えば硫酸ニッケルと、スルファミン酸銅と、のように異なる種類の塩を同時に用いて黒化めっき液を調製することもできる。
【００２４】
本実施形態の黒化めっき液は、ニッケルイオンと、銅イオン以外に、錯化剤として機能するアミド硫酸をさらに含むこともできる。アミド硫酸を含有することで、銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色の黒化層とすることができる。
【００２５】
黒化めっき液中のアミド硫酸の含有量については特に限定されるものではなく、形成する黒化層に要求される反射率の抑制の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００２６】
例えば、黒化めっき液中のアミド硫酸の濃度は特に限定されないが、例えば１ｇ／ｌ以上５０ｇ／ｌ以下であることが好ましく、５ｇ／ｌ以上２０ｇ／ｌ以下であることがより好ましい。これは、アミド硫酸の濃度を１ｇ／ｌ以上とすることで、黒化層を銅層表面での光の反射を抑制するのに特に適した色とし、導電性基板の反射率を抑制できるからである。また、アミド硫酸を５０ｇ／ｌより多く過剰に添加しても、導電性基板の反射率を抑制する効果に大きな変化を生じないことから、上述のように５０ｇ／ｌ以下であることが好ましい。
【００２７】
そして、本実施形態の黒化めっき液はｐＨを例えば４．０以上５．８以下とすることができる。
【００２８】
これは、黒化めっき液のｐＨを４．０以上とすることで、係る黒化めっき液を用いて黒化層を形成した際に、黒化層に色ムラが生じることをより確実に抑制でき、光の反射を特に抑制できる色を有する黒化層を形成することができるからである。また黒化めっき液のｐＨを５．８以下、特にｐＨを５．３以下とすることで、黒化めっき液の成分の一部が析出することを抑制することができる。
【００２９】
黒化めっき液のｐＨを上記範囲とするため、本実施形態の黒化めっき液は例えばアルカリ性物質を含有することができる。アルカリ性物質としては、例えばアンモニア（アンモニア水）や、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属水酸化物等が挙げられる。
【００３０】
そして、上述のようにアルカリ性物質はｐＨ調整剤として機能することから、本実施形態の黒化めっき液は、そのｐＨが上記範囲となるように、アルカリ性物質を含有することが好ましい。
【００３１】
本実施形態の黒化めっき液には、ここまで説明した各成分以外に任意の成分を含有することもできる。任意に含有できる成分としては例えば、ニッケルめっき用ピット防止剤が挙げられる。ニッケルメッキ用ピット防止剤としては、例えば日本化学産業社製のピットレスＳ（商品名）やロームアンドハース社製のニッケルグリーム  ＮＡＷ４（商品名）などが挙げられる。
【００３２】
以上に説明した本実施形態の黒化めっき液によれば、銅層と共にエッチングした場合に、所望の形状にパターン化できる黒化層を形成できる。
【００３３】
また、本実施形態の黒化めっき液は、導電性基板の銅層表面での光の反射を十分に抑制できる黒化層を形成する際に好適に用いることができる。さらに、本実施形態の黒化めっき液を用いることで、黒化層を電解めっき法等の湿式法により成膜することができるため、従来、乾式法で成膜されていた黒化層と比較して、生産性良く黒化層を形成できる。
（導電性基板）
次に、本実施形態の黒化めっき液を用いて形成した黒化層を含む導電性基板の一構成例について説明する。
【００３４】
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に配置された銅層と、銅層上に黒化めっき液を用いて形成された黒化層と、を有することができる。
【００３５】
なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターン化する前の、透明基材の表面に銅層、及び黒化層を有する基板と、銅層等をパターン化した基板、すなわち、配線基板と、を含む。
【００３６】
ここでまず、導電性基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００３７】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等の透明基材を好ましく用いることができる。
【００３８】
可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。
【００３９】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。
【００４１】
なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。
【００４２】
次に、銅層について説明する。
【００４３】
透明基材上に銅層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と銅層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と銅層との間に密着層を配置する場合には、銅層は密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００４４】
透明基材等の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。
【００４５】
例えば透明基材上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。なお、乾式めっき法としては、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。
【００４６】
また、銅層の膜厚を厚くする場合には、銅薄膜層を給電層として湿式めっき法の一種である電気めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。
【００４７】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。
【００４８】
ただし、銅層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、銅層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。
【００４９】
また、特に導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【００５０】
なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００５１】
銅層が銅薄膜層により構成される場合、または銅薄膜層と銅めっき層とを有する場合のいずれの場合でも、銅薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５２】
銅層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターン化することにより配線として用いることができる。そして、銅層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯよりも電気抵抗値を低くすることができるから、銅層を設けることにより導電性基板の電気抵抗値を小さくできる。
【００５３】
次に黒化層について説明する。
【００５４】
黒化層は、既述の黒化めっき液を用いて成膜することができる。このため、例えば銅層を形成後、銅層の上面に電解めっき法等の湿式法により形成することができる。
【００５５】
黒化めっき液については既述のため、ここでは説明を省略する。
【００５６】
黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さを３０ｎｍ以上とすることにより銅層表面における光の反射を特に抑制できるからである。
【００５７】
黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは１２０ｎｍ以下とすることが好ましく、９０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００５８】
なお、既述の黒化めっき液により黒化層を成膜した場合、黒化層は、ニッケル、銅を含有する層とすることができる。また、既述の黒化めっき液に含まれる各種添加成分由来の成分も併せて含有することができる。
【００５９】
また、導電性基板は上述の透明基材、銅層、黒化層以外に任意の層を設けることもできる。例えば密着層を設けることができる。
【００６０】
密着層の構成例について説明する。
【００６１】
上述のように銅層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に銅層を直接形成した場合に、透明基材と銅層との密着性は十分ではない場合がある。このため、透明基材の上面に直接銅層を形成した場合、製造過程、または、使用時に透明基材から銅層が剥離する場合がある。
【００６２】
そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と銅層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。すなわち、透明基材と銅層との間に密着層を有する導電性基板とすることもできる。
【００６３】
透明基材と銅層との間に密着層を配置することにより、透明基材と銅層との密着性を高め、透明基材から銅層が剥離することを抑制できる。
【００６４】
また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、銅層の下面側、すなわち透明基材側からの光による銅層の光の反射も抑制することが可能になる。
【００６５】
密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び銅層との密着力や、要求される銅層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。
【００６６】
密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種類以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。
【００６７】
なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種類以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。
【００６８】
密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【００６９】
密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。
【００７０】
炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。
【００７１】
密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため銅層との密着性も高い。このため、透明基材と銅層との間に密着層を配置することにより、銅層の剥離を抑制することができる。
【００７２】
密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７３】
密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち銅層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００７４】
密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７５】
次に、導電性基板の構成例について説明する。
【００７６】
上述のように、本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を有することができる。また、任意に密着層等の層を有することもできる。
【００７７】
具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の導電性基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００７８】
本実施形態の導電性基板は、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から銅層と、黒化層とがその順に積層された構造を有することができる。
【００７９】
具体的には例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。
【００８０】
また、さらに任意の層として、例えば密着層を設けた構成とすることもできる。この場合例えば、透明基材の少なくとも一方の面上に、透明基材側から密着層と、銅層と、黒化層とがその順に形成された構造とすることができる。
【００８１】
具体的には例えば図２Ａに示した導電性基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、密着層１４と、銅層１２と、黒化層１３とをその順に積層することができる。
【００８２】
この場合も透明基材１１の両面に密着層、銅層、黒化層を積層した構成とすることもできる。具体的には図２Ｂに示した導電性基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、他方の面１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１４Ａ、１４Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂとをその順に積層できる。
【００８３】
なお、図１Ｂ、図２Ｂにおいて、透明基材の両面に銅層、黒化層等を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ｂの構成と同様に、密着層１４Ａを設けずに銅層１２Ａと、黒化層１３Ａとをその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００８４】
ところで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層とを設けることで、銅層による光の反射を抑制し、導電性基板の反射率を抑制することができる。
【００８５】
本実施形態の導電性基板の反射率の程度については特に限定されるものではないが、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合のディスプレイの視認性を高めるためには、反射率は低い方が良い。例えば、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の平均反射率が６０％以下であることが好ましく、５６％以下であることがより好ましい。
【００８６】
反射率の測定は、導電性基板の黒化層に光を照射するようにして測定を行うことができる。具体的には例えば図１Ａのように透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射するように黒化層１３の表面Ａに対して光を照射し、測定できる。測定に当たっては波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を例えば波長１ｎｍ間隔で上述のように導電性基板の黒化層１３に対して照射し、測定した値の平均値を該導電性基板の反射率とすることができる。
【００８７】
本実施形態の導電性基板はタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合導電性基板はメッシュ状の配線を備えた構成とすることができる。
【００８８】
メッシュ状の配線を備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の導電性基板の銅層、及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
【００８９】
例えば、二層の配線によりメッシュ状の配線とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線を備えた導電性基板３０を銅層等の積層方向の上面側から見た図を示しており、配線パターンが分かり易いように、透明基材、及び銅層をパターン化して形成した配線３１Ａ、３１Ｂ以外の層は記載を省略している。また、透明基材１１を介してみえる配線３１Ｂも示している。
【００９０】
図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の配線３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な配線３１Ｂとを有している。なお、配線３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該配線３１Ａ、３１Ｂの上面または下面には図示しない黒化層が形成されている。また、黒化層は配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされている。
【００９１】
透明基材１１と配線３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と配線との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００９２】
まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ配線３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａでは配線３１Ａの上面、及び３１Ｂの下面には、配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
【００９３】
また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に配線３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の配線３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、配線３１Ａ、３１Ｂの上面には配線と同じ形状にエッチングされた黒化層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。なお、既述のように、銅層、黒化層以外に密着層を設けることもできる。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも、例えば配線３１Ａおよび／または配線３１Ｂと透明基材１１との間に密着層を設けることもできる。密着層を設ける場合、密着層も配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされていることが好ましい。
【００９４】
図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂとを備えた導電性基板から形成することができる。
【００９５】
図１Ｂの導電性基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンがＸ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向は、各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、図１Ｂ中の紙面と垂直な方向を意味している。
【００９６】
そして、透明基材１１の他方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。
【００９７】
以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。また、図４Ａにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターン化された密着層を有する導電性基板は、図２Ｂに示した導電性基板を用いて同様にエッチングを行うことで作製できる。
【００９８】
図３に示したメッシュ状の配線を有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの導電性基板を２枚用いて形成した場合を例に説明すると、図１Ａに示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２、黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが所定の間隔をあけてＹ軸方向に沿って配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば、銅層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂとを貼り合せて、図４Ｂに示した構造となるようにすることもできる。
【００９９】
また、例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける他方の面１１ｂ同士を貼り合せて断面が図４Ａに示した構造となるようにすることもできる。
【０１００】
なお、図４Ａ、図４Ｂにおいて、配線３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間にさらに配線３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にパターン化された密着層を有する導電性基板は、図１Ａに示した導電性基板にかえて図２Ａに示した導電性基板を用いることで作製できる。
【０１０１】
図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線を有する導電性基板における配線の幅や、配線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、配線に流す電流量等に応じて選択することができる。
【０１０２】
ただし、本実施形態の導電性基板によれば、既述の黒化めっき液を用いて形成された黒化層を有しており、黒化層と銅層とを同時にエッチングし、パターン化した場合でも、黒化層、及び銅層を所望の形状にパターン化できる。具体的には例えば配線幅が１０μｍ以下の配線を形成することができる。このため、本実施形態の導電性基板は、配線幅が１０μｍ以下の配線を含むことが好ましい。配線幅の下限値は特に限定されないが、例えば３μｍ以上とすることができる。
【０１０３】
また、図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１０４】
このように２層の配線から構成されるメッシュ状の配線を有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
【０１０５】
以上の本実施形態の導電性基板によれば、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層上に、黒化層を積層した構造を有している。そして、黒化層は既述の黒化めっき液を用いて形成されているため、既述の様に、銅層と、黒化層とをエッチングによりパターン化する際、黒化層を容易に所望の形状にパターン化することができる。
【０１０６】
また、本実施形態の導電性基板に含まれる黒化層は、銅層表面における光の反射を十分に抑制し、反射率を抑制した導電性基板とすることができる。また、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性を高めることができる。
【０１０７】
さらに、黒化層を既述の黒化めっき液を用いて湿式法により形成できるため、従来の乾式法を用いて黒化層を成膜する場合と比較して、生産性良く導電性基板を生産することができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。
【０１０８】
本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成する銅層形成工程。  
銅層上に黒化めっき液を用いて黒化層を形成する黒化層形成工程。
【０１０９】
なお、黒化めっき液としては既述の黒化めっき液、具体的にはニッケルイオンと、銅イオンとを含み、ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液を用いることができる。
【０１１０】
以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について具体的に説明する。
【０１１１】
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により既述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については既述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を一部省略する。
【０１１２】
銅層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等の透明基材を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
【０１１３】
そして、銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法の一種である電気めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
【０１１４】
銅薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。銅薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。
【０１１５】
次に銅めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
【０１１６】
次に、黒化層形成工程について説明する。
【０１１７】
黒化層形成工程においては、既述のニッケルイオンと、銅イオンとを含み、ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液を用いて黒化層を形成できる。
【０１１８】
黒化層は湿式法により形成できる。具体的には例えば、銅層を給電層として用いて、既述の黒化めっき液を含むめっき槽内で、銅層上に電解めっき法により黒化層を形成することができる。このように銅層を給電層として、電解めっき法により黒化層を形成することで、銅層の透明基材と対向する面とは反対側の面の全面に黒化層を形成できる。
【０１１９】
黒化めっき液については既述のため、説明を省略する。
【０１２０】
本実施形態の導電性基板の製造方法においては、上述の工程に加えてさらに任意の工程を実施することもできる。
【０１２１】
例えば透明基材と銅層との間に密着層を形成する場合、透明基材の銅層を形成する面上に密着層を形成する密着層形成工程を実施することができる。密着層形成工程を実施する場合、銅層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができ、銅層形成工程では、本工程で透明基材上に密着層を形成した基材に銅薄膜層を形成できる。
【０１２２】
密着層形成工程において、密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には既述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種類以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。
【０１２３】
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる銅層、及び黒化層がパターン化されていることが好ましい。なお、密着層を設ける場合は、密着層についてもパターン化されていることが好ましい。銅層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターン化することができ、銅層、及び黒化層、場合によってはさらに密着層は同じ形状にパターン化されていることが好ましい。
【０１２４】
このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、銅層、及び黒化層をパターン化するパターニング工程を有することができる。なお、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、銅層、及び黒化層をパターン化する工程とすることができる。
【０１２５】
パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように透明基材１１上に銅層１２、黒化層１３が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１３上の表面Ａに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施することができる。次いで、黒化層１３上の表面Ａ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１２６】
エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではない。ただし、本実施形態の導電性基板の製造方法で形成する黒化層は銅層とほぼ同様のエッチング液への反応性を示す。このため、エッチングステップにおいて用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
【０１２７】
エッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素（過酸化水素水）、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類以上を含む混合水溶液を好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
【０１２８】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることもできる。
【０１２９】
また、図１Ｂのように透明基材１１の一方の面１１ａ、他方の面１１ｂに銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターン化するパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１３Ａ、１３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂに所望のパターンを有するレジストを配置するレジスト配置ステップを実施できる。次いで、黒化層１３Ａ、１３Ｂ上の表面Ａ、及び表面Ｂ、すなわち、レジストを配置した面側にエッチング液を供給するエッチングステップを実施できる。
【０１３０】
エッチングステップで形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１Ａに示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように銅層１２、黒化層１３を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）を含むようにパターンを形成することができる。
【０１３１】
また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、銅層１２Ａと、銅層１２Ｂとでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、黒化層１３Ａは、銅層１２Ａと同様の形状に、黒化層１３Ｂは銅層１２Ｂと同様の形状になるようにそれぞれパターン化を行うことが好ましい。
【０１３２】
また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて銅層１２等をパターン化した後、パターン化した２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の銅層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。
【０１３３】
積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。
【０１３４】
以上の本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層上に、黒化層を積層した構造を有している。そして、黒化層は既述の黒化めっき液を用いて形成されているため、銅層と、黒化層とをエッチングによりパターン化する際、黒化層を容易に所望の形状にパターン化することができる。
【０１３５】
また、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板に含まれる黒化層は、銅層表面における光の反射を十分に抑制し、反射率を抑制した導電性基板とすることができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性を高めることができる。
【０１３６】
さらに、黒化層を既述の黒化めっき液を用いて湿式法により形成できるため、従来の乾式法を用いて黒化層を成膜する場合と比較して、生産性良く導電性基板を生産することができる。
【実施例】
【０１３７】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（評価方法）
まず、得られた導電性基板の評価方法について説明する。
（１）反射率
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２６００）に反射率測定ユニットを設置して行った。【０１３８】
後述のように各実験例では図１Ａに示した構造を有する導電性基板を作製した。このため、反射率測定は図１Ａに示した導電性基板１０Ａの黒化層１３の表面Ａに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光を波長１ｎｍ間隔で照射して正反射率を測定し、その平均値を該導電性基板の反射率（平均反射率）とした。
（２）エッチング特性
まず、以下の実験例において得られた導電性基板の黒化層表面にドライフィルムレジスト（日立化成ＲＹ３３１０）をラミネート法により貼り付けた。そして、フォトマスクを介して紫外線露光を行い、さらに１％炭酸ナトリウム水溶液によりレジストを溶解して現像した。これにより、３．０μｍ以上１０．０μｍ以下の範囲で０．５μｍ毎にレジスト幅が異なるパターンをもつサンプルを作製した。すなわち、レジスト幅が３．０μｍ、３．５μｍ、４．０μｍ・・・９．５μｍ、１０．０μｍと、０．５μｍ毎に異なる１５種類の線状のパターンを形成した。【０１３９】
次いで、サンプルを硫酸１０重量％、過酸化水素３重量％からなる３０℃のエッチング液に、４０秒間浸漬し、その後水酸化ナトリウム水溶液でドライフィルムレジストを剥離、除去した。【０１４０】
得られたサンプルを２００倍の顕微鏡で観察し、導電性基板に残存する金属配線の配線幅の最小値を求めた。なお、ここでの金属配線とは、レジスト幅に対応した配線幅を有する線状にパターン化された黒化層、及び銅層すなわち配線を含む。【０１４１】
レジストを剥離した後、導電性基板に残存する金属配線の配線幅の最小値が小さいほど、銅層と、黒化層とのエッチング液に対する反応性がより同一に近いことを意味し、残存する金属配線の配線幅の最小値が１０μｍ以下の場合、合格として表２において〇と評価した。また、配線幅が１０μｍの金属配線を形成できなかった場合、不合格として表２において×と評価した。
（試料の作製条件）
以下の各実験例では、以下に説明する条件で導電性基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。【０１４２】
実験例１〜実験例１２が実施例であり、実験例１３〜実験例２５が比較例となる。
［実験例１］
（１）黒化めっき液
実験例１では、ニッケルイオン、銅イオン、アミド硫酸、アンモニアを含有する黒化めっき液を調製した。なお、黒化めっき液には、硫酸ニッケル６水和物、硫酸銅５水和物を添加することで、ニッケルイオン、銅イオンを供給した。【０１４３】
そして、黒化めっき液中のニッケルイオンの濃度が８．９ｇ／ｌ、銅イオンの濃度が０．０５ｇ／ｌ、アミド硫酸の濃度が１１ｇ／ｌとなるように各成分を添加調製した。【０１４４】
また、アンモニア水を黒化めっき液に添加して、黒化めっき液のｐＨを４．０に調整した。
（２）導電性基板
（銅層形成工程）
長さ１００ｍ、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの長尺状のポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材の一方の面上に銅層を成膜した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ  Ｋ  ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。【０１４５】
銅層形成工程では、銅薄膜層形成工程と、銅めっき層形成工程と、を実施した。【０１４６】
まず、銅薄膜層形成工程について説明する。【０１４７】
銅薄膜層形成工程では、基材として上述の透明基材を用い、透明基材の一方の面上に銅薄膜層を形成した。【０１４８】
銅薄膜層形成工程ではまず、予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述の透明基材を、スパッタリング装置のチャンバー内に設置した。【０１４９】
次に、チャンバー内を１×１０−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。【０１５０】
スパッタリング装置のカソードに予めセットしておいた銅ターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の面上に銅薄膜層を厚さが０．２μｍになるように成膜した。【０１５１】
次に、銅めっき層形成工程においては銅めっき層を形成した。銅めっき層は、電気めっき法により銅めっき層の厚さが０．３μｍになるように成膜した。【０１５２】
以上の銅薄膜層形成工程と、銅めっき層形成工程とを実施することで、銅層として厚さ０．５μｍの銅層を形成した。【０１５３】
銅層形成工程で作製した、透明基材上に厚さ０．５μｍの銅層が形成された基板を２０ｇ／ｌの硫酸に３０ｓｅｃ浸漬し、洗浄した後に以下の黒化層形成工程を実施した。
（黒化層形成工程）
黒化層形成工程では、上述の本実験例の黒化めっき液を用いて電解めっき法により、銅層の一方の面上に黒化層を形成した。なお、黒化層形成工程においては黒化めっき液の温度が４０℃、電流密度が０．２Ａ／ｄｍ２、めっき時間が１００ｓｅｃの条件で電解めっきを行い、黒化層を形成した。【０１５４】
形成した黒化層の膜厚は７０ｎｍとなった。【０１５５】
以上の工程により得られた導電性基板について、既述の反射率、及びエッチング特性の評価を実施した。結果を表２、表３に示す。なお、表２がエッチング特性の評価結果であり、表３は、反射率の評価結果を示している。
［実験例２〜実験例２５］
黒化めっき液を調製する際、各実験例について、黒化めっき液内の銅イオンの濃度、及びｐＨを表１に示した値となるように変更した点以外は実験例１の場合と同様にして黒化めっき液を調製した。【０１５６】
なお、例えば実験例２の場合は、銅イオンの濃度が０．１０ｇ／ｌ、ｐＨが４．０となる。【０１５７】
また、黒化層を形成する際に各実験例で作製した黒化めっき液を用いた点以外は実験例１と同様にして導電性基板を作製し、評価を行った。【０１５８】
結果を表２、３に示す。【０１５９】
なお、表２、表３では表１に示した実験例の番号に対応する箇所が、各実験例の結果を示している。例えば表１で実験例２として示した銅イオン濃度が０．１０ｇ／ｌであり、かつｐＨが４．０となる箇所が、表２、表３においても実験例２の結果を示している。【０１６０】
【表１】
2017130866.tif 000003
【０１６１】
【表２】
2017130866.tif 000004
【０１６２】
【表３】
2017130866.tif 000005
表２に示した結果より、ニッケルイオンと、銅イオンと、を含み、ｐＨが４．０以上５．８以下である実験例１〜実験例１２の黒化めっき液を用いて黒化層を形成し、エッチング後に残った金属配線のパターンの、配線幅の最小値が１０μｍ以下となることが確認できた。従って、これらの黒化めっき液を用いて成膜した黒化層を有する導電性基板では、黒化層を銅層と共にエッチングした場合に、所望の形状にパターン化できることが確認できた。また、表３に示した結果より、実験例１〜実験例１２の黒化めっき液を用いて形成した黒化層を有する導電性基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の正反射率の平均値（反射率）も６０％以下であることを確認できた。【０１６３】
これに対して、比較例である実験例１３、実験例１８〜実験例２０においては、エッチング後に配線幅が１０μｍの金属配線のパターンについても残っていないことが確認できた。従って、これらの黒化めっき液を用いて黒化層を成膜し、銅層と共にエッチングした場合に、黒化層を所望の形状にパターン化することは困難であることが確認できた。【０１６４】
また、実験例２１〜実験例２５においては、めっき液に沈殿物が生じ、黒化層を形成することができなかった。【０１６５】
そして、実験例１４〜実験例１７においては、エッチング後に残った金属配線のパターンの、配線幅の最小値が１０μｍ以下になることを確認できたものの、成膜した黒化層にめっきむらが生じ、導電性基板として使用することはできなかった。【０１６６】
以上に黒化めっき液、導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。【０１６７】
本出願は、２０１６年１月２９日に日本国特許庁に出願された特願２０１６−０１６５９２号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１６−０１６５９２号の全内容を本国際出願に援用する。
【図１Ａ】
2017130866.tif 000006
【図１Ｂ】
2017130866.tif 000007
【図２Ａ】
2017130866.tif 000008
【図２Ｂ】
2017130866.tif 000009
【図３】
2017130866.tif 000010
【図４Ａ】
2017130866.tif 000011
【図４Ｂ】
2017130866.tif 000012
【手続補正書】
【提出日】平成29年5月26日(2017.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニッケルイオンと、銅イオンと、アミド硫酸とを含み、
ｐＨが４．０以上５．８以下である黒化めっき液。
【請求項２】
（削除）
【請求項３】
ニッケルイオン濃度が２．０ｇ／ｌ以上２０．０ｇ／ｌ以下、銅イオン濃度が０．００５ｇ／ｌ以上１．０２ｇ／ｌ以下である請求項１に記載の黒化めっき液。
【請求項４】
透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成する銅層形成工程と、
前記銅層上に請求項１または３に記載の黒化めっき液を用いて黒化層を形成する黒化層形成工程とを有する導電性基板の製造方法。
【国際調査報告】
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