(57)【要約】  ヒドロキシル基を有した有用な低分子量のシロキサン化合物やその組成物を提供すること、さらにこのようなシロキサン化合物を効率良く製造することができるシロキサン化合物の製造方法を提供することを目的とする。無水条件でシロキサン化合物を製造したり、シラノール基の縮合を抑える作用がある溶媒中でシロキサン化合物を製造したりする等の工夫を行うことにより、式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含んだ組成物を調製することができるとともに、得られた組成物においてシラノール化合物が安定的に存在できるため、この組成物がシロキサン化合物の原料等として活用することができる。2017018544.tif 000065（式（Ａ−２）〜（Ａ−６）中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
2017018544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含む組成物。
【化１】
2017018544.tif 000059
（式（Ａ−２）〜（Ａ−６）中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【請求項２】
前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種の含有量が、５〜９０質量％である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
下記式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物。
【化２】
2017018544.tif 000060
【請求項４】
請求項３に記載の式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物を０．１質量％以上１００質量％未満含む組成物。
【請求項５】
水の含有量が２５質量％以下である、請求項１、２、４の何れか１項に記載の組成物。
【請求項６】
アミド化合物を０質量％より多く９９質量％以下含む、請求項１、２、４、５の何れか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記アミド化合物の前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物又は式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物に対する比率（アミド結合の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）が０よりも大きく９００以下である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記アミド化合物が、テトラメチル尿素である、請求項６又は７に記載の組成物。
【請求項９】
アンモニウム塩を含み、前記アンモニウム塩の前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物又は式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物に対する比率（アンモニウム塩の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）が０より大きく１０以下である、請求項１、２、４〜８の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
パラジウム（Ｐｄ）元素と、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも１種の元素とを含有する固体触媒の存在下、下記式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させて下記式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物を生成する水素添加工程を含むことを特徴とするシロキサン化合物の製造方法。
【化３】
2017018544.tif 000061
（式（１）中、Ａｒは窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素数４〜２０の芳香族炭化水素基を表す。）
【請求項１１】
前記反応工程が、アミド化合物を含む溶媒中で行われる、請求項１０に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１２】
前記反応工程で得られた生成物にアンモニウム塩を添加するアンモニウム塩添加工程を含む、請求項１０又は１１に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１３】
前記反応工程で得られた生成物にアミド化合物を添加するアミド化合物添加工程を含む、請求項１０〜１２の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記反応工程で得られた生成物、前記アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又は前記アミド化合物添加工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程を含む、請求項１０〜１３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１５】
前記反応工程で得られた生成物、前記アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又は前記アミド化合物添加工程で得られた生成物から貧溶媒法により結晶を析出させる結晶化工程を含む、請求項１０〜１３の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１６】
アミド化合物の存在下、下記式（３）で表されるシロキサン化合物から下記式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する環化工程を含むことを特徴とするシロキサン化合物の製造方法。
【化４】
2017018544.tif 000062
（式（３）及び（４）中、Ｒ’’’はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を、ｎは１〜１０の整数を表す。）
【請求項１７】
前記環化工程が、前記式（３）で表されるシロキサン化合物を含む組成物に前記アミド化合物を添加することによって行う工程である、請求項１６に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【請求項１８】
前記アミド化合物が、下記式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物の少なくとも１種である、請求項１６又は１７に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【化５】
2017018544.tif 000063
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ”として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【請求項１９】
前記アミド化合物が、下記式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物である、請求項１６〜１８の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【化６】
2017018544.tif 000064
（式（ｉｉｉ）〜（ｖ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【請求項２０】
前記環化工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程を含む、請求項１６〜１９の何れか１項に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シロキサン化合物及びシロキサン化合物の製造方法に関し、より詳しくは自動車、建築、エレクトロニクス、医薬等の幅広い分野で利用可能なシロキサン化合物及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シロキサン化合物（シリコーン）は、その特異な性質から自動車材料や建築材料、エレクトロニクス材料、医薬品などの幅広い分野で重要な役割を担っている。近年ではＬＥＤの封止材やエコタイヤ用シランカップリング剤など、環境・エネルギー分野においても不可欠であり、シロキサン化合物を使用していない分野は無いといっても過言ではない（２００９年市場規模：１１５億ドル、生産量：年間１２３万トン）。【０００３】
シロキサン化合物の大部分は、クロロシランやアルコキシシランを原料とするゾル−ゲル法などの加水分解により、シラノールを経由して合成されるのが一般的である。このシラノール（シランジオール、シラントリオール、シランテトラオールを含む。）は、フェニル基などの嵩高い置換基を有する一部のシランジオールやシラントリオールを除き、水が存在すると加水分解と同時に縮合が進行し、収率良く合成する事が困難である。また、その安定性も極めて低く、速やかに重合してしまうことが知られている（非特許文献２、３）。そのため、１）反応副生成物が多い、２）生成物の構造制御が難しい、３）水に弱い基質との反応に適応できない、など未だ多くの問題・限界が存在する。
そこで、無水条件シラノール合成法またはシラノールを経由しないシロキサンの合成が求められている。【０００４】
無水条件でシラノールを合成可能な方法としては、ピロリジンのシリルエーテルにｎ−ＢｕＬｉを作用させて、シラノール化合物を得る方法が知られている（非特許文献１）。しかし、この方法は、そもそもシロキサンを合成することを目的とした反応ではなく、仮にシロキサンを合成したとしても、シロキサン結合がｎ−ＢｕＬｉによって、求核的に切断されてしまうためシロキサン化合物を合成することは難しい。【０００５】
一方、シラノールを経由しないシロキサンの合成としては、触媒を用いたクロスカップリングによるシロキサンの合成が数例報告されている。
その一つとして、PiersとRubinsztajnらは、Ｂ(Ｃ6Ｆ5)3触媒の存在下、アルコキシシランとヒドロシランを反応させることで、メタンの脱離を伴いながらシロキサン結合を形成できることを報告している（非特許文献４、５）。しかし、この反応では、ルイス酸触媒であるＢ(Ｃ６Ｆ５)３により、原料の基質同士で不均化が進行し反応を制御できないなどの問題があるため、工業化に適した方法とは言い難い。【０００６】
また、最近、Baeらは、Ｂａ(ＯＨ)2触媒存在下、下記のシラノールとメトキシシランを反応させることでメタノールの脱離を伴いながらシロキサン結合を形成できることを報告している（非特許文献６）。しかし、この反応では、安定なごく一部のシラノールのみしか適応できず、工業化に適した方法とは言い難い。
【化１】
2017018544.tif 000003
【０００７】
また、黒田らは塩化ビスマス触媒存在下、下記のアルコキシシランとクロロシランを反応させることで、アルキルクロライドの脱離を伴いながらシロキサン結合を形成できることを報告している（非特許文献７）。しかし、この反応では、基質がごく一部のものに限定されるため、工業化に適した方法とは言い難い。
【化２】
2017018544.tif 000004
【０００８】
さらに、非特許文献４〜７に記載の方法では、いずれも均一系触媒を用いるものであるため、反応後に反応系から取り除くことが容易でなく、得られた生成物中に残存するという問題がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】J．Am．Chem．Soc．2000，122，408-409.
【非特許文献２】Fyfe, C. A.; Aroca, P. P. J. Phys. Chem. B 1997, 101, 9504.
【非特許文献３】Kim, Y.; Jung, E. Chem. Lett. 2002, 992.
【非特許文献４】Parks, D. J.; Blackwell, J. M.; Piers, W. E. J. Org. Chem. 2000, 65, 3090.
【非特許文献５】Rubinsztajn. S.; Cella, J. A. Macromolecules2005, 38, 1061.
【非特許文献６】Synthetic Metals 2009，159，1288-1290.
【非特許文献７】Angew．Chem．Int．Ed．2010，49，5273-5277.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前述のようにシロキサン化合物は、シラノール化合物を経由して合成することができるが、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が水の存在下で速やかに縮合してしまうため、例えばシラノール基が残存した低分子量のシロキサン化合物を選択的に収率良く合成することは困難であり、またこれらのシロキサン化合物を高濃度で安定的に配合した組成物を得ることも難しいのが現状である。
本発明は、シラノール基、即ちヒドロキシル基を有した有用な低分子量のシロキサン化合物やその組成物を提供すること、さらにこのようなシロキサン化合物を効率良く製造することができるシロキサン化合物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、ヒドロキシル基を有した特定のシロキサン化合物を特定量含んだ組成物を実際に調製することが可能であり、さらにこの組成物がシリコーン樹脂の原料等として非常に有用であることを見出し、本発明を完成させた。
即ち、本発明は以下の通りである。【００１２】
＜１＞ 下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含む組成物。
【化３】
2017018544.tif 000005
（式（Ａ−２）〜（Ａ−６）中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
＜２＞ 前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種の含有量が、５〜９０質量％である、＜１＞に記載の組成物。
＜３＞ 下記式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物。
【化４】
2017018544.tif 000006
＜４＞ ＜３＞に記載の式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物を０．１質量％以上１００質量％未満含む組成物。
＜５＞ 水の含有量が２５質量％以下である、＜１＞、＜２＞、＜４＞の何れかに記載の組成物。
＜６＞ アミド化合物を０質量％より多く９９質量％以下含む、＜１＞、＜２＞、＜４＞、＜５＞の何れかに記載の組成物。
＜７＞ 前記アミド化合物の前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物又は式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物に対する比率（アミド結合の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）が０よりも大きく９００以下である、＜６＞に記載の組成物。
＜８＞ 前記アミド化合物が、テトラメチル尿素である、＜６＞又は＜７＞に記載の組成物。
＜９＞ アンモニウム塩を含み、前記アンモニウム塩の前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物又は式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物に対する比率（アンモニウム塩の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）が０より大きく１０以下である、＜１＞、＜２＞、＜４＞〜＜８＞の何れかに記載の組成物。
＜１０＞ パラジウム（Ｐｄ）元素と、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも１種の元素とを含有する固体触媒の存在下、下記式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させて下記式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物を生成する水素添加工程を含むことを特徴とするシロキサン化合物の製造方法。
【化５】
2017018544.tif 000007
（式（１）中、Ａｒは窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素数４〜２０の芳香族炭化水素基を表す。）
＜１１＞ 前記反応工程が、アミド化合物を含む溶媒中で行われる、＜１０＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１２＞ 前記反応工程で得られた生成物にアンモニウム塩を添加するアンモニウム塩添加工程を含む、＜１０＞又は＜１１＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１３＞ 前記反応工程で得られた生成物にアミド化合物を添加するアミド化合物添加工程を含む、＜１０＞〜＜１２＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１４＞ 前記反応工程で得られた生成物、前記アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又は前記アミド化合物添加工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程を含む、＜１０＞〜＜１３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１５＞ 前記反応工程で得られた生成物、前記アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又は前記アミド化合物添加工程で得られた生成物から貧溶媒法により結晶を析出させる結晶化工程を含む、＜１０＞〜＜１３＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１６＞ アミド化合物の存在下、下記式（３）で表されるシロキサン化合物から下記式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する環化工程を含むことを特徴とするシロキサン化合物の製造方法。
【化６】
2017018544.tif 000008
（式（３）及び（４）中、Ｒ’’’はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を、ｎは１〜１０の整数を表す。）
＜１７＞ 前記環化工程が、前記式（３）で表されるシロキサン化合物を含む組成物に前記アミド化合物を添加することによって行う工程である、＜１６＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
＜１８＞ 前記アミド化合物が、下記式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物の少なくとも１種である、＜１６＞又は＜１７＞に記載のシロキサン化合物の製造方法。
【化７】
2017018544.tif 000009
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ”はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ”として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
＜１９＞ 前記アミド化合物が、下記式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物である、＜１６＞〜＜１８＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
【化８】
2017018544.tif 000010
（式（ｉｉｉ）〜（ｖ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
＜２０＞ 前記環化工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程を含む、＜１６＞〜＜１９＞の何れかに記載のシロキサン化合物の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シリコーン樹脂の原料等として利用することができるヒドロキシル基を有するシロキサン化合物とその組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１６で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図２】実施例１７で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図３】実施例１８で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図４】実施例１９で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図５】実施例２０で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図６】実施例２１で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図７】実施例２２で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図８】実施例２３で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図９】実施例２４で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１０】実施例２５で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１１】実施例２６で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１２】実施例２７で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１３】実施例２８で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１４】実施例２９で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１５】実施例３０で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１６】実施例３１で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【図１７】実施例３２で得られた組成物のＩＲの測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の詳細を説明するに当たり、具体例を挙げて説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り以下の内容に限定されるものではなく、適宜変更して実施することができる。
【００１６】
＜組成物＞
本発明の一態様である組成物（以下、「本発明の組成物」と略す場合がある。）は、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含むことを特徴とする。
【化９】
2017018544.tif 000011
（式（Ａ−２）〜（Ａ−６）中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物は、ジシロキサン化合物であり、ヒドロキシル基が残存した化合物である。
前述のようにシロキサン化合物は、シラノール化合物を経由して合成することができるが、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が水の存在下で速やかに縮合してしまうため、シラノール基が残存した低分子量のシロキサン化合物を選択的に収率良く合成することは困難であり、またこれらのシロキサン化合物を高濃度で安定的に配合した組成物を得ることも難しいのが現状である。
本発明者らは、無水条件でシロキサン化合物を製造したり、シラノール基の縮合を抑える作用がある溶媒中でシロキサン化合物を製造したりする等の工夫を行うことにより、式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物を１質量％以上１００質量％未満含んだ組成物を調製することに成功するとともに、得られた組成物においてシロキサン化合物が安定的に存在できるため、この組成物がシリコーン樹脂の原料等として非常に有用であること見出したのである。
【００１７】
本発明の組成物は、式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を含むことを特徴とするが、下記式（Ａ−２）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の具体的種類は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
【化１０】
2017018544.tif 000012
（式（Ａ−２）〜（Ａ−６）中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
Ｒはそれぞれ水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表しているが、「炭化水素基」は、直鎖状の飽和炭化水素基に限られず、炭素−炭素不飽和結合、分岐構造、環状構造のそれぞれを有していてもよいことを意味する。
Ｒが炭化水素基である場合の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは７以下、さらに好ましくは６以下、特に好ましくは４以下である。
Ｒとしては、水素原子（−Ｈ）、メチル基（−Ｍｅ）、エチル基（−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＢｕ）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＨｅｘ）、シクロへキシル基（−ｃＨｅｘ）、フェニル基（−Ｐｈ）、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基等が挙げられるが、メチル基が特に好ましい。
式（Ａ−２）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物としては、下記式で表される化合物が挙げられる。
【化１１】
2017018544.tif 000013
【００１８】
本発明の組成物は、式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含むことを特徴とするが、その含有量（２種類以上含む場合は総含有量）は、好ましくは５質量％以上、より好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは１５質量％以上、特に好ましくは１９質量％以上、最も好ましくは２３質量％以上であり、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８０質量％以下、さらに好ましくは７０質量％以下である。上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００１９】
本発明の組成物は、式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物（以下、「シロキサン化合物」と略す場合がある。）を含むものであれば、その他の化合物を含むものであってもよく、具体的な化合物として、水、アミン化合物、アミド化合物、アンモニウム塩等が挙げられる。以下、これらの化合物について詳細に説明する。
【００２０】
水は、シラノール基の縮合を促進し、本発明の組成物の安定性を低下させる要因となるため、極力少ない方が好ましい化合物である。なお、水は、大気中から混入したり、シラノール基の縮合によって生じたりする可能性があるほか、ハロゲン化シランやアルコキシシラン等の加水分解に使用するため、このような加水分解を利用した製造方法で得られた組成物の中に含まれ易い化合物である。
本発明の組成物における水の含有量は、通常２５質量％以下、好ましくは１０質量％以下、より好ましくは５質量％以下、さらに好ましくは１質量％以下、特に好ましくは０．１質量％以下、最も好ましくは０．０１質量％以下である。上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００２１】
アミン化合物は、シロキサン化合物の製造過程等において使用する可能性がある化合物であり、またシラノール基の縮合を抑え、本発明の組成物を安定化する効果がある化合物である。
アミン化合物は、アミノ基（第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンの何れであってもよい。）を有するものであれば、具体的な種類は特に限定されないが（アミノ基とアミド結合の両方を有する化合物は、「アミド化合物」に分類するものとする。）、アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）、ジフェニルアミン（ＮＨＰｈ２）、ジメチルピリジン（Ｍｅ２Ｐｙｒ）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン（ｔＢｕ２Ｐｙｒ）、ピラジン（Ｐｙｒａｚ）、トリフェニルアミン（ＮＰｈ３）、トリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）、ジ−イソプロピルエチルアミン（ｉＰｒ２ＥｔＮ）等が挙げられる。アミン化合物の中でも、アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）が特に好ましい。なお、組成物に含まれるアミン化合物は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであってもよい。
本発明の組成物におけるアミン化合物の含有量（２種類以上含む場合は総含有量）は、好ましくは０質量％より多く、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１０質量％以上であり、通常９５質量％未満、好ましくは５０質量％以下、より好ましくは１０質量％以下、さらに好ましくは５質量％以下、特に好ましくは２．５質量％以下である。上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００２２】
アミド化合物は、シロキサン化合物の製造過程等において使用する可能性がある化合物であり、またシラノール基の縮合を抑え、本発明の組成物を安定化する効果がある化合物である。
アミド化合物は、アミド結合を少なくとも１つ有するものであれば、具体的な種類は特に限定されないが（アミノ基とアミド結合の両方を有する化合物は、「アミド化合物」に分類するものとする。）、下記式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物のほか、下記式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物が挙げられる。以下、「式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物」、「式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物」等について詳細に説明する。
【化１２】
2017018544.tif 000014
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【化１３】
2017018544.tif 000015
（式（ｉｉｉ）〜（ｖ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
Ｒ’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表しているが、水素原子、メチル基（−Ｍｅ）、エチル基（−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＢｕ）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＨｅｘ）、シクロへキシル基（−ｃＨｅｘ）、フェニル基（−Ｐｈ）が挙げられる。
Ｒ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表しているが、水素原子、メチル基（−Ｍｅ）、エチル基（−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＢｕ）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＨｅｘ）、シクロへキシル基（−ｃＨｅｘ）、フェニル基（−Ｐｈ）が挙げられる。
なお、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよいが、「環状構造を形成」しているとは、例えば下記式で表されるアミド化合物のような構造を意味する。
【化１４】
2017018544.tif 000016
式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物の数平均分子量（Ｍｎ）は、通常１，０００以上、好ましくは５，０００以上、より好ましくは１０，０００以上であり、通常１，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下、より好ましくは２００，０００以下である。
式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１，０００以上、好ましくは５，０００以上、より好ましくは１０，０００以上であり、通常１，０００，０００以下、好ましくは５００，０００以下、より好ましくは２００，０００以下である。
式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物のアミド結合の数は、通常１０以上、好ましくは５０以上、より好ましくは１００以上であり、通常１０，０００以下、好ましくは５，０００以下、より好ましくは２，０００以下である。
式（ｉ）で表される化合物としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピペリドン、ε−カプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｉ）で表される化合物としては、尿素、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）、テトラフェニル尿素等が挙げられる。
式（ｉｉｉ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルポリピロリドン、ポリビニルピペリドン、ポリビニルカプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−ジエチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロペンチニルアクリルアミド等が挙げられる。
式（ｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリ−２−メチルオキサゾリン、ポリ−２−エチルオキサゾリン、ポリ−２−プロピルオキサゾリン等が挙げられる。
なお、組成物に含まれるアミド化合物は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであってもよい。
本発明の組成物におけるアミド化合物の含有量（２種類以上含む場合は総含有量）は、好ましくは０質量％より多く、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、通常９９質量％以下、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下である。上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
また、本発明の組成物におけるアミド化合物のシロキサン化合物に対する比率（アミド結合の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）は、好ましくは０より大きく、より好ましくは１以上であり、通常９００以下、好ましくは４５０以下、より好ましくは１５０以下、さらに好ましくは１０以下である。なお、「アミド化合物のシロキサン化合物に対する比率」は、括弧書きで「アミド結合の総物質量／シロキサン化合物の総物質量」と記載されているように、アミド結合の物質量換算で計算するものとする。即ち、分子内にアミド結合を２つ有するアミド化合物１ｍｏｌ／シロキサン化合物１ｍｏｌは「２」となる。
【００２３】
アミン化合物とアミド化合物の両方を含む場合の総含有量は、好ましくは０質量％より多く、より好ましくは０．２質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上であり、通常９９質量％以下、好ましくは９５質量％以下、より好ましくは９０質量％以下、さらに好ましくは８０質量％以下ある。上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００２４】
アンモニウム塩は、シラノール基の縮合を抑え、本発明の組成物を安定化する効果があり、添加剤（安定化剤）として利用できる化合物である。
アンモニウム塩は、アンモニウムイオンと対アニオンからなる化合物であれば、具体的な種類は特に限定されず、アンモニウムイオンとしては、テトラヒドロアンモニウムイオン（ＮＨ４＋）、テトラメチルアンモニウムイオン（ＮＭｅ４＋）、テトラエチルアンモニウムイオン（ＮＥｔ４＋）、テトラプロピルアンモニウムイオン（ＮＰｒ４＋）、テトラブチルアンモニウムイオン（ＮＢｕ４＋）、ベンジルトリブチルアンモニウムイオン（ＮＢｎＢｕ３＋）、トリブチル（メチル）アンモニウム（ＮＢｕ３Ｍｅ＋）イオン、テトラペンチルアンモニウムイオン（ＮＰｅｎ４＋）、テトラへキシルアンモニウムイオン（ＮＨｅｘ４＋）、テトラヘプチルアンモニウムイオン（ＮＨｅｐ４＋）、１−ブチル−１メチルピロリジウムイオン（ＢｕＭｅＰｙｒ＋）、メチルトリオクチルアンモニウムイオン（ＮＭｅＯｃｔ３＋）、ジメチルジオクタデシルアンモニウムイオン等が挙げられる。また、対アニオンとしては、フッ化物イオン（Ｆ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、臭化物イオン（Ｂｒ−）、ヨウ化物イオン（Ｉ−）、アセトキシイオン（ＡｃＯ−）、硝酸イオン（ＮＯ３−）、アジ化物イオン（Ｎ３−）、テトラフルオロホウ酸イオン（ＢＦ４−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、硫酸イオン（ＨＳＯ４−）等が挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラブチルアンモニウムクロリド（ＮＢｕ４Ｃｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＮＢｕ４Ｂｒ）が特に好ましい。なお、組成物に含まれるアンモニウム塩は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであってもよい。
本発明の組成物におけるアンモニウム塩の含有量（２種類以上含む場合は総含有量）は、好ましくは０質量％より多く、より好ましくは５０量％以上であり、通常９５質量％未満、好ましくは８０質量％以下である。
また、本発明の組成物におけるアンモニウム塩のシロキサン化合物に対する比率（アンモニウム塩の総物質量／シロキサン化合物の総物質量）は、好ましくは０より大きく、より好ましくは１以上であり、通常１０以下、好ましくは４以下、より好ましくは２以下である。
上記範囲内であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００２５】
本発明の組成物の状態は、液体、固体のどちらであってもよいが、固体であることが好ましい。固体であると、本発明の組成物を様々な用途に利用し易くなるとともに、本発明の組成物の安定性を良好に保つことができる。
【００２６】
本発明の組成物の用途は、特に限定されないが、シリコーン樹脂等の原料（反応剤）、コーティング剤、レジン、絶縁膜、ガスバリア膜、ゼオライト、メソポーラスシリカ、肥料、農薬、医薬品、健康食品等が挙げられる。
【００２７】
本発明の組成物は、前述の式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で表されるシロキサン化合物の少なくとも１種を１質量％以上１００質量％未満含むものであれば、その製造方法は特に限定されないが、好ましい製造方法として＜シロキサン化合物の製造方法＞において詳細を後述するものとする。
【００２８】
＜シロキサン化合物＞
本発明の別の一態様であるシロキサン化合物（以下、「本発明のシロキサン化合物」と略す場合がある。）は、下記式（Ｂ）で表される化合物である。
【化１５】
2017018544.tif 000017
式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物は、シランテトラオールの四量体又はジシロキサンヘキサオールの二量体が環化した環状テトラシロキサン化合物であるが、従来法において、この化合物が得られたことは報告されていなかった。
本発明者らは、無水条件でシロキサン化合物を生成する反応において、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）等のアミド化合物のみを利用すること、また鎖状のシロキサン化合物にアミド化合物を添加することによって、環化したシロキサン化合物、即ち式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物を調製することが可能であることを見出したのである。式（Ｂ）で表されるシラノール化合物が得られる詳細なメカニズムは十分に明らかとなっていないが、以下の理由によるものと考えられる。
前述のようにアミノ化合物、アミド化合物、アンモニウム塩は、それぞれシラノール基の縮合を抑える作用があるが、この中でもアミノ化合物やアンモニウム塩はその作用が強い一方、アミド化合物のみでは弱いものと考えられる。そのため、例えばアミド化合物を溶媒とし、アミン化合物等を含まない条件でシラノール化合物を生成させることにより、生成したシラノール化合物が適度に縮合して直鎖状や環状の四量体が形成し、それ以上の縮合が抑制されて、生成物として得られるものと考えられる。
【００２９】
本発明のシロキサン化合物は、シリコーン樹脂の原料等として好適であることを前述したが、シラノール化合物以外の化合物を含んだ組成物の状態で活用してもよい。なお、この組成物における式（Ｂ）で表されるシロキサン化合物の含有量は、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上、さらに好ましくは５質量％以上、特に好ましくは１０質量％以上、最も好ましくは２１質量％以上であり、好ましくは１００質量％未満である。上記範囲内であると、シリコーン樹脂の原料等として利用し易くなるとともに、組成物の安定性を良好に保つことができる。
また、この組成物に含まれる化合物としては、水、アミン化合物、アミド化合物、アンモニウム塩等が挙げられる。なお、これらの詳細については前述の＜組成物＞において記載した内容と同様であるため省略するものとする。
【００３０】
＜シロキサン化合物の製造方法１＞
本発明の別の一態様であるシロキサン化合物の製造方法は、パラジウム（Ｐｄ）元素と、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも１種の元素とを含有する固体触媒の存在下、下記式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させて下記式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物を生成する水素添加工程（以下、「水素添加工程」と略す場合がある。）を含むことを特徴とする。
【化１６】
2017018544.tif 000018
（式（１）中、Ａｒは窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素数４〜２０の芳香族炭化水素基を表す。）
式（１）で表される構造は、アリールメチルオキシ基（−ＯＣＨ２Ａｒ）がシロキサン化合物のケイ素原子に結合した構造であるが、水素との反応によってこの構造からヒドロキシル基（−ＯＨ）が形成し、式（２）で表される構造を有したシロキサン化合物を製造することができるのである。前述のようにシロキサン化合物は、シラノール化合物を経由して合成することができるが、シラノール基が水の存在下で速やかに縮合してしまうため、シラノール基が残存した低分子量のシロキサン化合物を選択的に収率良く合成することは困難であった。
本発明者らは、式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させることによって、高収率で式（２）で表される構造を有したシロキサン化合物を製造できることを見出すとともに、無水条件でシロキサン化合物を製造できるため、得られた組成物においてシロキサン化合物が安定的に存在でき、シリコーン樹脂の原料等として活用できることを明らかとしたのである。
なお、式（１）で表される構造及び式（２）で表される構造の波線は、その先の構造が任意であることを意味しており、例えば式（１）で表される構造においてケイ素原子に結合しているアリールメチルオキシ基（−ＯＣＨ２Ａｒ）が２つ以上存在していてもよいことを意味する。
また「固体触媒」は、構成元素としてパラジウム（Ｐｄ）と白金（Ｐｔ）等を含有し、室温下において固体であるものであれば、パラジウム（Ｐｄ）等の状態は特に限定されないことを意味する。即ち、「固体触媒」においてパラジウム（Ｐｄ）は、酸化パラジウム（ＩＩ）の状態にあっても、表面が酸化され、内部が金属パラジウムの状態にあっても、或いは白金等と合金を形成していてもよい。
【００３１】
水素添加工程は、式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させて式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物を生成する工程であるが、式（１）で表される化合物に特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
【化１７】
2017018544.tif 000019
（式（１）中、Ａｒは窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種の原子を含んでいてもよい炭素数４〜２０の芳香族炭化水素基を表す。）
式（１）中のＡｒは、窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいてもよい炭素数４〜２０の芳香族炭化水素基を表しているが、「芳香族炭化水素基」とは、フェニル基のような芳香族性を有する単環の芳香族炭化水素基が含まれるほか、ナフチル基のような芳香族性を有する多環の芳香族炭化水素基も含まれることを意味する。また、「窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいてもよい」とは、アミノ基（−ＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、フルオロ基（−Ｆ）等の窒素原子、酸素原子、又はハロゲン原子を含む官能基を含んでいてもよいことを意味するほか、エーテル基（−Ｏ−）、イミノ基（−ＮＨ−）等の窒素原子、酸素原子、又はハロゲン原子を含む連結基を炭素骨格の内部又は末端に含んでいてもよいことを意味する。従って、「窒素原子、酸素原子、及びハロゲン原子からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいてもよい」芳香族炭化水素基としては、例えばニトロフェニル基のようなニトロ基を含む炭素数６の芳香族炭化水素基や、ピリジル基のように炭化骨格の内部に窒素原子を含む炭素数５の複素環構造等が含まれる。
芳香族炭化水素基の炭素数は、好ましくは６以上であり、通常１８以下、好ましくは１４以下である。
芳香族炭化水素基が官能基を含む場合、官能基としては、アミノ基（−ＮＨ２）、ニトロ基（−ＮＯ２）、メトキシ基（−ＯＭｅ）、エトキシ基（−ＯＥｔ）、フルオロ基（−Ｆ）、クロロ基（−Ｃｌ）、ブロモ基（−Ｂｒ）、ヨード基（−Ｉ）、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が挙げられる。
具体的な芳香族炭化水素基としては、フェニル基（−Ｐｈ）、ナフチル基（−Ｃ１０Ｈ７）、アミノフェニル基（−ＰｈＮＨ２）、ニトロフェニル基（−ＰｈＮＯ２）、メトキシフェニル基（−ＰｈＯＭｅ）、エトキシフェニル基（−ＰｈＯＥｔ）、フルオロフェニル基（−ＰｈＦ）、ジフルオロフェニル基（−ＰｈＦ２）等が挙げられる。
【００３２】
式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物のケイ素原子の数は、通常１２以下、好ましくは６以下、より好ましくは４以下であり、通常１以上である。
【００３３】
式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物としては、下記式で表されるジシロキサン化合物が挙げられる。
【化１８】
2017018544.tif 000020
（式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【００３４】
また、式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物として、下記式で表されるトリシロキサン化合物も挙げられる。
【化１９】
2017018544.tif 000021
（式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【００３５】
また、式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物として、下記式で表されるテトラシロキサン化合物も挙げられる。
【化２０】
2017018544.tif 000022
（式中、Ｒはそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）
【００３６】
水素添加工程は、触媒がパラジウム（Ｐｄ）元素と、白金（Ｐｔ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び金（Ａｕ）からなる群より選択される少なくとも１種の元素とを含有する固体触媒であることを特徴とするが、固体触媒の具体的な材料形態は特に限定されない。例えば、パラジウムと白金が触媒担体に担持されているもの、金属白金粒子にパラジウムが担持されたもの、金属パラジウム粒子と金属白金粒子の混合物等の何れの形態であってもよい。これらの中でも、比表面積が高いことから触媒担体に担持されているものが好ましい。
触媒担体は、触媒担体として使用される公知の材料を適宜採用することができるが、具体的には、活性炭、グラファイトカーボン、アセチレンブラック等の炭素材料、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、シリカアルミナ、酸化クロム、酸化セリウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム等の金属酸化物が挙げられる。比表面積が高いことから活性炭等の炭素材料を触媒担体として使用することが好ましい。なお、触媒担体は多孔質材料であることがより好ましい。
【００３７】
固体触媒におけるパラジウム（Ｐｄ）元素と白金（Ｐｔ）等の元素の組み合わせは、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができるが、パラジウム（Ｐｄ）元素と白金（Ｐｔ）元素、パラジウム（Ｐｄ）元素とルテニウム（Ｒｕ）元素、パラジウム（Ｐｄ）元素とロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）元素とイリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）元素と金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）元素と白金（Ｐｔ）元素とルテニウム（Ｒｕ）、パラジウム（Ｐｄ）元素と白金（Ｐｔ）元素とロジウム（Ｒｈ）等の組み合わせが挙げられる。この中でも、良好な収率でシロキサン化合物を製造することができることから、パラジウム（Ｐｄ）元素と白金（Ｐｔ）元素の組み合わせが特に好ましい。
固体触媒が白金（Ｐｔ）元素を含有する場合、白金（Ｐｔ）元素のパラジウム（Ｐｄ）元素に対する比率（質量比）は、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．０１以上であり、通常１以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．１５以下である。
固体触媒がルテニウム（Ｒｕ）元素を含有する場合、ルテニウム（Ｒｕ）元素のパラジウム（Ｐｄ）元素に対する比率（質量比）は、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．０１以上であり、通常１以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．１５以下である。
固体触媒がロジウム（Ｒｈ）元素を含有する場合、ロジウム（Ｒｈ）元素のパラジウム（Ｐｄ）元素に対する比率（質量比）は、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．０１以上であり、通常１以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．１５以下である。
固体触媒がイリジウム（Ｉｒ）元素を含有する場合、イリジウム（Ｉｒ）元素のパラジウム（Ｐｄ）元素に対する比率（質量比）は、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．０１以上であり、通常１以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．１５以下である。
固体触媒が金（Ａｕ）元素を含有する場合、金（Ａｕ）元素のパラジウム（Ｐｄ）元素に対する比率（質量比）は、通常０．０００１以上、好ましくは０．００１以上、より好ましくは０．０１以上であり、通常１以下、好ましくは０．２５以下、より好ましくは０．１５以下である。
上記範囲内であると、良好な収率でシロキサン化合物を製造することができる。
【００３８】
固体触媒におけるパラジウム（Ｐｄ）元素等の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができるが、固体触媒が炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合、パラジウム（Ｐｄ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
固体触媒が白金（Ｐｔ）元素を含有し、炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合の白金（Ｐｔ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
固体触媒がルテニウム（Ｒｕ）元素を含有し、炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合のルテニウム（Ｒｕ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
固体触媒がロジウム（Ｒｈ）元素を含有し、炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合のロジウム（Ｒｈ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
固体触媒がイリジウム（Ｉｒ）元素を含有し、炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合のイリジウム（Ｉｒ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
固体触媒が金（Ａｕ）元素を含有し、炭素材料（触媒担体）に担持されているものである場合の金（Ａｕ）元素の含有量は、通常０．０１質量％以上、好ましくは０．１質量％以上、より好ましくは１質量％以上であり、通常５０質量％以下、好ましくは３０質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。
【００３９】
固体触媒は、市販されているものであっても、或いは自ら調製したものであってもよい。例えば市販されているものとして、エヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）等が挙げられる。
また、固体触媒の調製方法は、公知の方法を適宜採用することができ、例えばパラジウムと白金が触媒担体に担持されているものの場合、パラジウム塩を触媒担体に含浸した後、白金塩をさらに含浸する方法、パラジウム塩と白金塩を触媒担体に共沈する方法等が挙げられる。固体触媒の調製に使用する原料は、パラジウム（Ｐｄ）等の塩化物、塩酸塩、硝酸塩、硫酸塩、有機酸塩、アンミン塩、アルカリ塩、有機錯体等が挙げられる。例えば、パラジウム（Ｐｄ）源としては二価の塩化パラジウム、塩化パラジウム酸ナトリウム、塩化パラジウム酸カリウム、硝酸パラジウム、酢酸パラジウム等が、白金（Ｐｔ）源としては塩化白金酸、塩化白金酸カリウム等が、ルテニウム（Ｒｕ）源としては塩化ルテニウム、硝酸ルテニウム等が、ロジウム（Ｒｈ）源としては塩化ロジウム、硫酸ロジウム等が、イリジウム（Ｉｒ）源としては硫酸イリジウム、塩化イリジウム酸等が、金（Ａｕ）源としては塩化金酸、亜硫酸金ナトリウム、酢酸金等が挙げられる。
【００４０】
水素添加工程における固体触媒の使用量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができるが、パラジウム（Ｐｄ）元素の総量（物質量）として表した場合、アリールメチルオキシ基換算で、通常０．１ｍｏｌ％以上、好ましくは０．５ｍｏｌ％以上、より好ましくは１．０ｍｏｌ％以上であり、通常１５．０ｍｏｌ％以下、好ましくは１０．０ｍｏｌ％以下、より好ましくは５．０ｍｏｌ％以下である。上記範囲内であると、良好な収率でシロキサン化合物を製造することができる。
【００４１】
水素添加工程は、その他については特に限定されないが、無水条件で式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させて下記式（２）で表される構造を有するシロキサン化合物を生成する工程であることが好ましい。
なお、「無水条件」とは、原料として水や水分を含む化合物を使用しないこと、大気中の水分が混入しないように反応を進めること等のように反応系中に極力水分が含まれないように原料や反応を制御することを意味する。従って、例えば生成したシロキサン化合物が縮合して水が生成してしまうことがあるが、「無水条件」とは、このような水も含まれない完全な無水条件を意味するものではなく、反応系中に含まれる水の具体的濃度等も特に限定されないことを意味する。
【００４２】
水素添加工程は、溶媒を使用する工程であることが好ましい。
溶媒としては、例えば、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素化合物、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素化合物、シクロヘキサン、デカリン等の脂環式炭化水素化合物、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール等のアルコール化合物、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン、ジオキサン、ジエチルエーテル、ジメチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、メチルエチルエーテル等のエーテル化合物、酢酸エチル、酢酸ｎ−アミル、乳酸エチル等のエステル化合物、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、ヘキサクロロエタン等のハロゲン化炭化水素化合物、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、アセトアミド、テトラメチル尿素等のアミド化合物、アセトン、メチルエチルケトン、フェニルメチルケトン、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）等の非プロトン性極性溶媒等が挙げられる。なお、これらの反応溶媒は２種以上の混合物であってもよい。
この中でも、下記式（ｉ）又は（ｉｉ）で表されるアミド化合物が挙げられる。なお、無水条件でシロキサン化合物を生成する反応において、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）等のアミド化合物のみを利用することにより、環化したシロキサン化合物を調製することが可能であることを前述したが、溶媒の選択によって環状のシロキサン化合物を選択的に製造することができる。
【化２１】
2017018544.tif 000023
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
なお、Ｒ’とＲ’’については、前述のものと同様である。
【００４３】
水素添加工程は、アミン化合物の存在下で行われる工程であることが好ましい。「アミン化合物の存在下」とは、例えば式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物や溶媒が含まれる溶液にアミン化合物が添加されていることを意味する。アミン化合物の存在下で反応させると、固体触媒に対し水素を作用させた際に生成する酸を中和して、シラノール基の縮合を抑制するため、良好な収率でシロキサン化合物を製造することができる。なお、「アミン化合物」は、アミノ基（第一級アミン、第二級アミン、第三級アミンの何れであってもよい。）を有するものであれば、具体的な種類は特に限定されないが（アミノ基とアミド結合の両方を有する化合物は、「アミド化合物」に分類するものとする。）、アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）、ジフェニルアミン（ＮＨＰｈ２）、ジメチルピリジン（Ｍｅ２Ｐｙｒ）、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルピリジン（ｔＢｕ２Ｐｙｒ）、ピラジン（Ｐｙｒａｚ）、トリフェニルアミン（ＮＰｈ３）、トリエチルアミン（Ｅｔ３Ｎ）、ジ−イソプロピルエチルアミン（ｉＰｒ２ＥｔＮ）等が挙げられる。アミン化合物の中でも、アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）が特に好ましい。なお、組成物に含まれるアミン化合物は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであってもよい。
アミン化合物の添加量（物質量）は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができるが、ベンジルオキシ基換算で、通常０．０００１倍以上、好ましくは０．００１倍以上、より好ましくは０．０１倍以上であり、通常１０．０倍以下、好ましくは２．０倍以下、より好ましくは１．０倍以下である。
【００４４】
水素添加工程の温度条件は、通常−８０℃以上、好ましくは−２０℃以上、より好ましくは０℃以上であり、通常２５０℃以下、好ましくは１００℃以下、より好ましくは８０℃以下である。
水素添加工程の水素は、通常、水素ガスとして気相に存在するものであるが、水素圧（水素分圧）は、通常０．０１気圧以上、好ましくは０．１気圧以上、より好ましくは１気圧以上であり、通常１００気圧以下、好ましくは１０気圧以下、より好ましくは５気圧以下である。
水素添加工程の反応時間は、通常０．１時間以上、好ましくは０．５時間以上、より好ましくは１．０時間以上であり、通常２４時間以下、好ましくは１２時間以下、より好ましくは６時間以下である。
上記範囲内であると、良好な収率でシロキサン化合物を製造することができる。
【００４５】
水素添加工程における式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物と水素を反応させる具体的な操作手順は、特に限定されず、公知の手順を適宜採用することができる。通常、反応容器に固体触媒と式（１）で表される構造を有するシロキサン化合物を投入して混合（溶媒、アミン化合物を含むものであってもよい。）、さらに反応容器内を水素ガスで置換して反応を行う。反応終了後、固体触媒を遠心分離若しくはフィルターで分離する、又はセライトやハイフロスーパーセル等で濾過し、シラノール化合物を取り出すことによって行うことができる。
【００４６】
本発明の製造方法は、前述の水素添加工程を含むものであれば、その他については特に限定されず、例えば、水素添加工程で得られた生成物にアンモニウム塩を添加するアンモニウム塩添加工程（以下、「アンモニウム塩添加工程」と略す場合がある。）、水素添加工程で得られた生成物にアミド化合物を添加するアミド化合物添加工程（以下、「アミド化合物添加工程」と略す場合がある。）、水素添加工程で得られた生成物、アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又はアミド化合物添加工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程（以下、「凍結乾燥工程」と略す場合がある。）、水素添加工程で得られた生成物、アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又はアミド化合物添加工程で得られた生成物から貧溶媒法により結晶を析出させる結晶化工程（以下、「結晶化工程」と略す場合がある。）等を含むものであってもよい。以下、アンモニウム塩添加工程、アミド化合物添加工程、凍結乾燥工程、及び結晶化工程について詳細に説明する。
【００４７】
（アンモニウム塩添加工程）
アンモニウム塩添加工程は、水素添加工程で得られた生成物にアンモニウム塩を添加する工程であるが、アンモニウム塩の具体的種類、アンモニウム塩の使用量等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。なお、「アンモニウム塩」とは、アンモニウムイオンと対アニオンからなる化合物を意味し、アンモニウムイオンと対アニオンの構造は特に限定されないものとする。アンモニウム塩は、シラノール基の縮合を抑えるものと考えられる。以下、具体例を挙げて説明する。
アンモニウムイオンとしては、テトラヒドロアンモニウムイオン（ＮＨ４＋）、テトラメチルアンモニウムイオン（ＮＭｅ４＋）、テトラプロピルアンモニウムイオン（ＮＰｒ４＋）、テトラブチルアンモニウムイオン（ＮＢｕ４＋）、ベンジルトリブチルアンモニウムイオン（ＮＢｎＢｕ３＋）、トリブチル（メチル）アンモニウム（ＮＢｕ３Ｍｅ＋）イオン、テトラペンチルアンモニウムイオン（ＮＰｅｎ４＋）、テトラへキシルアンモニウムイオン（ＮＨｅｘ４＋）、テトラヘプチルアンモニウムイオン（ＮＨｅｐ４＋）、１−ブチル−１メチルピロリジウムイオン（ＢｕＭｅＰｙｒ＋）、メチルトリオクチルアンモニウムイオン（ＮＭｅＯｃｔ３＋）、ジメチルジオクタデシルアンモニウムイオン等が挙げられる。
対アニオンとしては、フッ化物イオン（Ｆ−）、塩化物イオン（Ｃｌ−）、臭化物イオン（Ｂｒ−）、ヨウ化物イオン（Ｉ−）、アセトキシイオン（ＡｃＯ−）、硝酸イオン（ＮＯ３−）、アジ化物イオン（Ｎ３−）、テトラフルオロホウ酸イオン（ＢＦ４−）、過塩素酸イオン（ＣｌＯ４−）、硫酸イオン（ＨＳＯ４−）等が挙げられる。
アンモニウム塩としては、テトラブチルアンモニウムクロリド（ＮＢｕ４Ｃｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（ＮＢｕ４Ｂｒ）、テトラペンチルアンモニウムクロリド（ＮＰｅｎ４Ｃｌ）が特に好ましい。なお、組成物に含まれるアンモニウム塩は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであってもよい。
【００４８】
アンモニウム塩の使用量は、シロキサン化合物に対して物質量換算で、通常０倍より大きく、好ましくは１倍以上であり、通常１０倍以下、好ましくは３倍以下、より好ましくは２倍以下である。
【００４９】
（アミド化合物添加工程）
アミド化合物添加工程は、水素添加工程で得られた生成物にアミド化合物を添加する工程であるが、アミド化合物の具体的種類、アミド化合物の使用量等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。なお、鎖状のシロキサン化合物にアミド化合物を添加することにより、環化したシロキサン化合物を調製することが可能であることを前述したが、アミド化合物添加工程は環状のシロキサン化合物を製造するために利用することができる。
アミド化合物としては、前述した式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物、式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物等が挙げられる。
【化２２】
2017018544.tif 000024
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【化２３】
2017018544.tif 000025
（式（ｉｉｉ）〜（ｖ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
なお、式（ｉ）で表される化合物としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピペリドン、ε−カプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｉ）で表される化合物としては、尿素、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）、テトラフェニル尿素等が挙げられる。
式（ｉｉｉ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルポリピロリドン、ポリビニルピペリドン、ポリビニルカプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−ジエチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロペンチニルアクリルアミド等が挙げられる。
式（ｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリ−２−メチルオキサゾリン、ポリ−２−エチルオキサゾリン、ポリ−２−プロピルオキサゾリン等が挙げられる。
アミド化合物としては、尿素、テトラメチル尿素、ポリビニルピロリドン、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミドが特に好ましい。なお、組成物に含まれるアミド化合物は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであっても良い。
【００５０】
アミド化合物の使用量は、シロキサン化合物に対してアミド結合の総物質量換算で、通常０倍よりも大きく、好ましくは１倍量以上であり、通常９００倍以下、好ましくは４５０倍以下、より好ましくは１５０倍以下、さらに好ましくは１０倍以下、特に好ましくは６倍以下である。
【００５１】
（凍結乾燥工程）
凍結乾燥工程は、水素添加工程で得られた生成物、アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又はアミド化合物添加工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす工程であるが、凍結温度、乾燥温度、乾燥圧力、乾燥時間等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。以下、具体例を挙げて説明する。
凍結温度は、アンモニウム塩添加工程、又はアミド添加工程等で得られた生成物が凍結する温度であれば特に限定されないが、通常１０℃以下、好ましくは０℃以下、より好ましくは−２０℃以下であり、通常−１９６℃以上、好ましくは−１５０℃以上、より好ましくは−１００℃以上である。
乾燥温度は、通常１０℃以下、好ましくは０℃以下、より好ましくは−２０℃以下であり、通常−１９６℃以上、好ましくは−１５０℃以上、より好ましくは−１００℃以上である。
乾燥圧力は、通常１００Ｐａ以下、好ましくは２０Ｐａ以下、より好ましくは３Ｐａ以下であり、通常１０−５Ｐａ以上、好ましくは０．０１Ｐａ以上、より好ましくは１Ｐａ以上である。
乾燥時間は、通常２００時間以下、好ましくは１００時間以下、より好ましくは５０時間以下であり、通常１時間以上、好ましくは５時間以上、より好ましくは１０時間以上である。
【００５２】
（結晶化工程）
結晶化工程は、水素添加工程で得られた生成物、アンモニウム塩添加工程で得られた生成物、又はアミド化合物添加工程で得られた生成物から貧溶媒法により結晶を析出させる工程であるが、使用する溶媒、結晶化時間（静置時間）等は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。以下、具体例を挙げて説明する。
使用する溶媒の沸点は、通常０℃以上、好ましくは１０℃以上、より好ましくは３０℃以上であり、通常３００℃以下、好ましくは２００℃以下、より好ましくは１００℃以下である。
使用する溶媒としては、ジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、テトラメチル尿素等が挙げられる。
結晶化時間（静置時間）は、通常７２０時間以下、好ましくは２４０時間以下、より好ましくは５０時間以下であり、通常１時間以上、好ましくは５時間以上、より好ましくは１０時間以上である。
【００５３】
＜シロキサン化合物の製造方法２＞
本発明の別の一態様であるシロキサン化合物の製造方法は、アミド化合物の存在下、下記式（３）で表されるシロキサン化合物から下記式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する環化工程（以下、「環化工程」と略す場合がある。）を含むことを特徴とする。
【化２４】
2017018544.tif 000026
（式（３）及び（４）中、Ｒ’’’はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を、ｎは１〜１０の整数を表す。）
前述のように、本発明者らは鎖状のシロキサン化合物にアミド化合物を添加することによって、環化したシロキサン化合物を調製することが可能であることを見出しており、環化工程を含むシロキサン化合物の製造方法も本発明の一態様である。なお、環化工程を含むシロキサン化合物の製造方法も、環化工程で得られた生成物を凍結させて、減圧下にさらす凍結乾燥工程を含むことが好ましい。凍結乾燥工程については、前述のものと同様である。
【００５４】
環化工程は、アミド化合物の存在下、式（３）で表されるシロキサン化合物から式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する工程であるが、式（３）で表される化合物に特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。
【化２５】
2017018544.tif 000027
（式（３）及び（４）中、Ｒ’’’はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を、ｎは１〜１０の整数を表す。）
Ｒ’’’はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシル基、又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表しているが、「炭化水素基」は前述のものと同義である。
Ｒ’’’が炭化水素基である場合の炭素数は、好ましくは８以下、より好ましくは７以下、さらに好ましくは６以下、特に好ましくは４以下である。
Ｒ’’’としては、水素原子（−Ｈ）、ヒドロキシル基（−ＯＨ）、メチル基（−Ｍｅ）、エチル基（−Ｅｔ）、ｎ−プロピル基（−ｎＰｒ）、ｉ−プロピル基（−ｉＰｒ）、ｎ−ブチル基（−ｎＢｕ）、ｔ−ブチル基（−ｔＢｕ）、ｎ−ヘキシル基（−ｎＨｅｘ）、シクロへキシル基（−ｃＨｅｘ）、フェニル基（−Ｐｈ）、ナフチル基、アントリル基、フルオレニル基等が挙げられるが、水素原子、ヒドロキシル基、メチル基が特に好ましい。
ｎは１〜１０の整数であるが、好ましくは４以下、より好ましくは２以下である。
【００５５】
式（３）で表されるシロキサン化合物として、下記式で表されるトリシロキサン化合物も挙げられる。
【化２６】
2017018544.tif 000028
【００５６】
環化工程における式（３）で表されるシロキサン化合物から式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する具体的な操作手順は、特に限定されないが、式（３）で表されるシロキサン化合物を含む組成物にアミド化合物を添加することによって行うことが挙げられる。
【００５７】
環化工程は、アミド化合物の存在下、式（３）で表されるシロキサン化合物から式（４）で表されるシロキサン化合物を生成する工程であるが、アミド化合物としては、下記式（ｉ）又は（ｉｉ）で表される化合物のほか、下記式（ｉｉｉ）〜（ｖ）で表される繰り返し構造の少なくとも１種を有する高分子化合物が挙げられる。
【化２７】
2017018544.tif 000029
（式（ｉ）及び（ｉｉ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
【化２８】
2017018544.tif 000030
（式（ｉｉｉ）〜（ｖ）中、Ｒ’及びＲ’’はそれぞれ独立して水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。但し、Ｒ’及び／又はＲ’’として、２以上の炭化水素基を分子内に有する場合、炭化水素基同士が連結して環状構造を形成していてもよい。）
なお、式（ｉ）で表される化合物としては、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン、２−ピペリドン、ε−カプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｉ）で表される化合物としては、尿素、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）、テトラフェニル尿素等が挙げられる。
式（ｉｉｉ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリビニルピロリドン、ポリビニルポリピロリドン、ポリビニルピペリドン、ポリビニルカプロラクタム等が挙げられる。
式（ｉｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−プロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメタクリルアミド、ポリ−Ｎ−エチルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−ジエチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−イソプロピルメチルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−メチルプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロプロピルアクリルアミド、ポリ−Ｎ−シクロペンチニルアクリルアミド等が挙げられる。
式（ｖ）で表される繰り返し構造のみからなる高分子化合物としては、ポリ−２−メチルオキサゾリン、ポリ−２−エチルオキサゾリン、ポリ−２−プロピルオキサゾリン等が挙げられる。
アミド化合物としては、尿素、テトラメチル尿素、ポリビニルピロリドン、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミドが特に好ましい。なお、組成物に含まれるアミド化合物は、１種類に限られず、２種類以上を含むものであっても良い。
【００５８】
アミド化合物の使用量は、シロキサン化合物に対してアミド結合の総物質量換算で、通常０倍よりも大きく、好ましくは１倍量以上であり、通常９００倍以下、好ましくは４５０倍以下、より好ましくは１５０倍以下、さらに好ましくは１０倍以下、特に好ましくは６倍以下である。
【実施例】
【００５９】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。【００６０】
＜合成例１：ヘキサベンジルオキシジシロキサン（Ｓｉ（ＯＢｎ）３）２Ｏの合成＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコにベンジルアルコール（２３．８ｇ、２２０．１ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２２．３ｇ、２２０．４ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン（４２．８ｍｇ、０．３５ｍｍｏｌ）を入れ、ジクロロメタン３００ｍｌで希釈した。これを０℃まで冷却し、ヘキサクロロジシロキサン（９．９ｇ、３４．８ｍｍｏｌ）を２時間かけて滴下した。滴下後室温で２０時間撹拌し、ジクロロメタンを留去し、ヘキサン溶液として分液することで、前駆体であるヘキサベンジルオキシジシロキサンを収率５７％（１４．１ｇ）で得た。【００６１】
＜合成例２：テトラベンジルオキシシラン（Ｓｉ（ＯＢｎ）４）の合成＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコにベンジルアルコール（６４．３ｇ、５９４．６ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（６０．２ｇ、５９４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン（１７７．２ｍｇ、１．４５ｍｍｏｌ）を入れジクロロメタン５００ｍＬで希釈した。これを０℃まで冷却し、テトラクロロシラン（２４．６ｇ、１４５ｍｍｏｌ）を４時間かけて滴下した。滴下後室温で１２時間撹拌し、ジクロロメタンを留去し、ヘキサン溶液として分液することで、前駆体であるテトラベンジルオキシシランを収率８７％（５７．７ｇ）で得た。【００６２】
＜合成例３：オクタベンジルオキシトリシロキサン（（ＢｎＯ）３ＳｉＯＳｉ（ＯＢｎ）２ＯＳｉ（ＯＢｎ）３）の合成＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコにベンジルアルコール（２２．０ｇ、２０３．４ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２０．６ｇ、２０３．６ｍｍｏｌ）、ジメチルアミノピリジン（２９．９ｍｇ、０．２４ｍｍｏｌ）を入れ、ジクロロメタン３００ ｍｌで希釈した。これを０℃まで冷却し、オクタクロロトリシロキサン（９．８ｇ、２４．５ｍｍｏｌ）を２時間かけて滴下した。滴下後室温で２４時間撹拌し、ジクロロメタンを留去し、ヘキサン溶液として分液することで、前駆体であるオクタベンジルオキシトリシロキサンを収率２６％（６．３ｇ）で得た。【００６３】
＜実施例１＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で２．０ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）４２．６ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１．６ｍｌを加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。
１Ｈ、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．５ｐｐｍ）で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表１に示す。【００６４】
＜実施例２＞
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表１に示す。【００６５】
＜実施例３＞
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）をテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表１に示す。【００６６】
＜実施例４＞
ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）をＮ−メチルアセトアミド（ＭＭＡｃ）１．４４ｍｌとＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）０．１６ｍｌの混合溶液に変更した以外は、実施例１と同様の方法によって反応を行った。１Ｈ、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＭＭＡｃ＋ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．８ｐｐｍ）で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表１に示す。【００６７】
【化２９】
2017018544.tif 000031
【００６８】
【表１】
2017018544.tif 000032
【００６９】
＜実施例５＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）７４．６ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０３５倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。
１Ｈ（ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：５．８ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．５ｐｐｍ）で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表２に示す。【００７０】
＜実施例６＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０５２倍の物質量に変更した以外は、実施例５と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表２に示す。【００７１】
＜実施例７＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０７０倍の物質量に変更した以外は、実施例５と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表２に示す。【００７２】
【化３０】
2017018544.tif 000033
【００７３】
【表２】
2017018544.tif 000034
【００７４】
＜実施例８＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）７４．５ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０２６倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．２ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。
１Ｈ、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（Ｍｅ４Ｕｒｅａ／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．０ｐｐｍ）で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表３に示す。【００７５】
＜実施例９＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０３５倍の物質量に変更した以外は、実施例８と同様の方法によって反応を行った。１Ｈ（Ｍｅ４Ｕｒｅａ／ＴＨＦ−ｄ８：５．４ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（Ｍｅ４Ｕｒｅａ／ＴＨＦ−ｄ８：−７９．９ｐｐｍ）で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表３に示す。【００７６】
＜実施例１０＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０４３倍の物質量に変更した以外は、実施例８と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表３に示す。【００７７】
【化３１】
2017018544.tif 000035
【００７８】
【表３】
2017018544.tif 000036
【００７９】
＜実施例１１＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０２６倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。
１Ｈ（ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：６．６ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＡｃ／ＴＨＦ−ｄ８：−８３．０ｐｐｍ）で分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表４に示す。【００８０】
＜実施例１２＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０３５倍の物質量に変更した以外は、実施例１１と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表４に示す。【００８１】
＜実施例１３＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０５３倍の物質量に変更した以外は、実施例１１と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表４に示す。【００８２】
＜実施例１４＞
アニリン（ＮＨ２Ｐｈ）をベンジルオキシ基換算で０．０７０倍の物質量に変更した以外は、実施例１１と同様の方法によって反応を行った。生成物等の収率の結果等を表４に示す。【００８３】
【化３２】
2017018544.tif 000037
【００８４】
【表４】
2017018544.tif 000038
【００８５】
＜実施例１５＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０１８倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．０ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。
１Ｈ、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（Ｍｅ４Ｕｒｅａ／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．７ｐｐｍ）で分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が生成していることが確認された。生成物等の収率の結果等を表５に示す。【００８６】
【化３３】
2017018544.tif 000039
【００８７】
【表５】
2017018544.tif 000040
【００８８】
＜実施例１６＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）７４．５ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０３５倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過し得た。この中にヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が３．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、１２５．１ｍｇ）とテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１４．４ｍｌを加え、ジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物を、液体窒素（−１９６℃）を用いて凍結させて、減圧下でテトラメチル尿素等を昇華させる真空凍結乾燥を行った（凍結乾燥工程（１）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃，保持時間１２時間、凍結乾燥工程（２）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃から−１５℃まで１２時間かけて昇温、凍結乾燥工程（３）減圧度１〜３Ｐａ，−１５℃，保持時間１８時間）。乾燥終了後、ガラスバイアル中を不活性ガスで置換し、ゴム栓で封栓することで、粉末状のジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１６１．８ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．１ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．１ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表６に、組成物のＩＲ分析の結果を図１に示す。【００８９】
【化３４】
2017018544.tif 000041
【００９０】
【表６】
2017018544.tif 000042
【００９１】
＜実施例１７＞
テトラブチルアンモニウムクロリドの添加量をヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が４．０倍に変更した以外は、実施例１６と同様の方法によって粉末状のジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物２１１．５ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．１ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．０ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表７に、組成物のＩＲ分析の結果を図２に示す。【００９２】
【表７】
2017018544.tif 000043
【００９３】
＜実施例１８＞
テトラブチルアンモニウムクロリドをポリビニルピロリドンに変更し、ポリビニルピロリドンの添加量をヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が３．０倍に変更した以外は、実施例１６と同様の方法によって粉末状のジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１８６．２ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．０ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．６ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成物のＩＲ分析の結果を図３に示す。【００９４】
＜実施例１９＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）７４．５ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０３５倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が２．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、８３．４ｍｇ）とテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）０．８ｍｌを加え、ジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）３．７ｇを添加して混合し、−４０℃で９０時間静置することで結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、ジシロキサンヘキサオールを含んだ組成物（結晶）９０．０ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．１ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．１ｐｐｍ）、ＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表８に、組成物のＩＲ分析の結果を図４に示す。【００９５】
【表８】
2017018544.tif 000044
【００９６】
＜実施例２０＞
−４０℃で９０時間静置を室温で９０時間静置に変更した以外は、実施例１９と同様の方法によって結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、ジシロキサンヘキサオールを含んだ組成物（結晶）５１．７ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．１ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．１ｐｐｍ）、ＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表９に、組成物のＩＲ分析の結果を図５に示す。【００９７】
【表９】
2017018544.tif 000045
【００９８】
＜実施例２１＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）７４．５ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０３５倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が２．０倍のテトラブチルアンモニウムブロミド（Ｂｕ４ＮＢｒ、９６．７ｍｇ）を加え、ジシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）２．７ｇを添加して混合し、−４０℃で５７０時間静置することで結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、ジシロキサンヘキサオールを含んだ組成物（結晶）８２．６ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．１ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８０．５ｐｐｍ）、ＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、ジシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１０に、組成物のＩＲ分析の結果を図６に示す。【００９９】
【表１０】
2017018544.tif 000046
【０１００】
＜実施例２２＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で２．０ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）２８．６ｍｇ、及び合成例２で得られたテトラベンジルオキシシラン（６９．０ｍｇ、０．１５１ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌを加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてテトラベンジルオキシシラン換算で物質量が１．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、４１．７ｍｇ）を加え、環状テトラシロキサンオクタオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）２．９ｇを添加して混合し、室温で１２０時間静置することで結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、環状テトラシロキサンオクタオールを含んだ組成物（結晶）１０．５ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．４ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８８．９ｐｐｍ）、ＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、環状テトラシロキサンオクタオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１１に、組成物のＩＲ分析の結果を図７に示す。【０１０１】
【化３５】
2017018544.tif 000047
【０１０２】
【表１１】
2017018544.tif 000048
【０１０３】
＜実施例２３＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で１．３ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）２８．８ｍｇ、及び合成例２で得られたテトラベンジルオキシシラン（１０３．１ｍｇ、０．２２６ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌを加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてテトラベンジルオキシシラン換算で物質量が１．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、６３．０ｍｇ）を加え、環状テトラシロキサンオクタオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）２．５ｇを添加して混合し、−４０℃で９０時間静置することで結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、環状テトラシロキサンオクタオールを含んだ組成物（結晶）４．９ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．４ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８８．９ｐｐｍ）、ＩＲで分析したところ、環状テトラシロキサンオクタオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１２に、組成物のＩＲ分析の結果を図８に示す。【０１０４】
【表１２】
2017018544.tif 000049
【０１０５】
＜実施例２４＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で２．０ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）４３．０ｍｇ、及び合成例１で得られたヘキサベンジルオキシジシロキサン（１０７．２ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌを加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてヘキサベンジルオキシジシロキサン換算で物質量が２．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、８３．４ｍｇ）を加え、環状テトラシロキサンオクタオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）２．３ｇを添加して混合し、室温で９０時間静置することで結晶を析出させた。この結晶をジエチルエーテルで洗浄し、環状テトラシロキサンオクタオールを含んだ組成物（結晶）５１．９ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．４ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８８．９ｐｐｍ）、ＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、環状テトラシロキサンオクタオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１３に、組成物のＩＲ分析の結果を図９に示す。【０１０６】
【表１３】
2017018544.tif 000050
【０１０７】
＜実施例２５＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０１８倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．０ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中にオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が６．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、２５０．２ｍｇ）とテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）２３．４ｍｌを加え、環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物を、液体窒素（−１９６℃）を用いて凍結させて、減圧下でテトラメチル尿素等を昇華させる真空凍結乾燥を行った（凍結乾燥工程（１）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃，保持時間２４時間、凍結乾燥工程（２）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃から−１５℃まで７２時間かけて昇温、凍結乾燥工程（３）減圧度１〜３Ｐａ，−１５℃，保持時間１２時間）。乾燥終了後、ガラスバイアル中を不活性ガスで置換し、ゴム栓で封栓することで、粉末状の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物３４４．２ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．７ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８１．２ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１４に、組成物のＩＲ分析の結果を図１０に示す。【０１０８】
【化３６】
2017018544.tif 000051
【０１０９】
【表１４】
2017018544.tif 000052
【０１１０】
＜実施例２６＞
テトラブチルアンモニウムクロリドをテトラヘキシルアンモニウムクロリドに変更し、テトラヘキシルアンモニウムクロリドの添加量をオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が２．０倍に変更した以外は、実施例２５と同様の方法によって粉末状の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１８９．５ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．６ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８１．４ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１５に、組成物のＩＲ分析の結果を図１１に示す。【０１１１】
【表１５】
2017018544.tif 000053
【０１１２】
＜実施例２７＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０３５倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、３．９ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中に構造安定化剤としてオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が１．０倍のテトラブチルアンモニウムクロリド（Ｂｕ４ＮＣｌ、４１．７ｍｇ）を加え、環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物にジエチルエーテル（Ｅｔ２Ｏ）３．３ｇを添加して混合し、−４０℃で７２時間静置することで液状物質を析出させた。この液状物質をジエチルエーテルで洗浄し、環状トリシロキサンヘキサオールを含んだ組成物（液状）４０．１ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．７ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８１．９ｐｐｍ）、ＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１６に、組成物のＩＲ分析の結果を図１２に示す。【０１１３】
【表１６】
2017018544.tif 000054
【０１１４】
＜実施例２８＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０１８倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．０ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中にテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１４．４ｍｌを加え、環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物を、液体窒素（−１９６℃）を用いて凍結させて、減圧下でテトラメチル尿素等を昇華させる真空凍結乾燥を行った（凍結乾燥工程（１）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃，保持時間１６８時間）。乾燥終了後、ガラスバイアル中を不活性ガスで置換し、ゴム栓で封栓することで、固体状（微結晶含有）の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物７５．０ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．８ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．９ｐｐｍ）及びＩＲ及びＸ線結晶構造解析で分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１７に、組成物のＩＲ分析の結果を図１３に示す。【０１１５】
【表１７】
2017018544.tif 000055
【０１１６】
＜実施例２９＞
磁気攪拌子を備えた二口フラスコに、ベンジルオキシ基換算で３．５ｍｏｌ％のエヌ・イーケムキャット株式会社製ＡＳＣＡ−２（Ｐｄ４．５質量％、Ｐｔ０．５質量％）９９．４ｍｇ、及び合成例３で得られたオクタベンジルオキシトリシロキサン（１４６．０ｍｇ、０.１５０ｍｍｏｌ）を入れ、テトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１．６ｍｌとベンジルオキシ基換算で物質量が０．０１８倍のアニリン（ＮＨ２Ｐｈ、２．０ｍｇ）を加えた。水素ガスで置換し、室温で２．０時間反応させた。その後、触媒をフィルターでろ過した。この中にオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が２．０倍の尿素（Ｕｒｅａ、１８．０ｍｇ）とテトラメチル尿素（Ｍｅ４Ｕｒｅａ）１４．４ｍｌを加え、環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物（溶液）を得た。
この組成物を、液体窒素（−１９６℃）を用いて凍結させて、減圧下でテトラメチル尿素等を昇華させる真空凍結乾燥を行った（凍結乾燥工程（１）減圧度１〜３Ｐａ，棚温度−４０℃，保持時間１６８時間）。乾燥終了後、ガラスバイアル中を不活性ガスで置換し、ゴム栓で封栓することで、固体状の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１０７．６ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．９ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．９ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１８に、組成物のＩＲ分析の結果を図１４に示す。【０１１７】
【表１８】
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【０１１８】
＜実施例３０＞
尿素をポリビニルピロリドン（ナカライテスク社製ポリビニルピロリドン２５）に変更し、ポリビニルピロリドンの添加量をオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が３．０倍に変更した以外は、実施例２９と同様の方法によって固体状の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１２３．９ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．８ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．９ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表１９に、組成物のＩＲ分析の結果を図１５に示す。【０１１９】
【表１９】
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【０１２０】
＜実施例３１＞
尿素をポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミド（シグマアルドリッチ社製ポリ（Ｎ−イソプロピルアクリルアミド)、Ｍｎ：２００００〜４００００）に変更し、ポリ−Ｎ−イソプロピルアクリルアミドの添加量をオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が３．０倍に変更した以外は、実施例２９と同様の方法によって固体状の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１１８．５ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．８ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．９ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成を表２０に、組成物のＩＲ分析の結果を図１６に示す。【０１２１】
【表２０】
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【０１２２】
＜実施例３２＞
尿素をポリ−２−エチルオキサゾリン（シグマアルドリッチ社製ポリ（２−エチル−２−オキサゾリン）、Ｍｗ〜５００００）に変更し、ポリ−２−エチルオキサゾリンの添加量をオクタベンジルオキシトリシロキサン換算で物質量が３．０倍に変更した以外は、実施例２９と同様の方法によって固体（ペースト状）の環状トリシロキサンヘキサオール等を含んだ組成物１２９．８ｍｇを得た。
この組成物を１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：６．８ｐｐｍ）、１３Ｃ、２９Ｓｉ−ＮＭＲ（ＤＭＦ−ｄ７／ＴＨＦ−ｄ８：−８２．９ｐｐｍ）及びＩＲで分析したところ、環状トリシロキサンヘキサオール等が含まれていることが確認された。この組成物のＩＲ分析の結果を図１７に示す。
【産業上の利用可能性】
【０１２３】
本発明の組成物は、自動車、建築、エレクトロニクス等の幅広い分野で使用されるシリコーン樹脂の原料等として利用することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【国際調査報告】
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