(57)【要約】  隣り合う圧電体層の分極軸方向の制御を高精度で行うことができる、バイモルフ型の圧電素子を提供する。  本発明に係る圧電素子１は、厚み方向において第１の分極軸方向Ｐ１を有し、かつＡｌＮからなる第１の圧電体層４と、第１の圧電体層４上に堆積されており、第１の分極軸方向Ｐ１とは逆方向である第２の分極軸方向Ｐ２を有し、かつＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層５と、第１の圧電体層４の、第２の圧電体層５側とは反対側に設けられている第１の電極３ａと、第２の圧電体層５の、第１の圧電体層４側とは反対側に設けられている第２の電極３ｂとを備える。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向において第１の分極軸方向を有し、かつＡｌＮからなる第１の圧電体層と、
前記第１の圧電体層上に堆積されており、前記第１の分極軸方向とは逆方向である第２の分極軸方向を有し、かつＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層と、
前記第１の圧電体層の、前記第２の圧電体層側とは反対側に設けられている第１の電極と、
前記第２の圧電体層の、前記第１の圧電体層側とは反対側に設けられている第２の電極と、
を備える、圧電素子。
【請求項２】
前記第１の圧電体層上に、前記第２の圧電体層が直接堆積されている、請求項１に記載の圧電素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電素子と、
前記圧電素子が振動する空間を有するように、前記第１の圧電体層側から前記圧電素子を支持している支持体と、
を備える、圧電マイクロフォン。
【請求項４】
請求項１または２に記載の圧電素子と、
前記圧電素子が振動する空間を有するように、前記圧電素子の前記第１の圧電体層側に設けられている支持基板と、
を備える、圧電共振子。
【請求項５】
厚み方向において第１の分極軸方向を有するように、ＡｌＮからなる第１の圧電体層を堆積法により成膜する工程と、
前記第１の圧電体層上に、前記第１の分極軸方向とは逆方向である第２の分極軸方向を有するように、ＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層を堆積法により成膜する工程と、
前記第１の圧電体層の前記第２の圧電体層側とは反対側に第１の電極を設ける工程と、
前記第２の圧電体層の前記第１の圧電体層側とは反対側に第２の電極を設ける工程と、を備える、圧電素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２の圧電体層を成膜する工程において、前記第１の圧電体層上に、前記第２の圧電体層を直接成膜する、請求項５に記載の圧電素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電素子、圧電マイクロフォン、圧電共振子及び圧電素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バイモルフ型の圧電素子を用いた圧電マイクロフォンや圧電発音体などが広く用いられている。バイモルフ型の圧電素子は、２枚の圧電セラミック基板を貼り合わせることにより得られている。あるいは、バイモルフ型の圧電素子は、２層の圧電セラミック層を積層した積層体を一体焼結することによっても得られている。【０００３】
これに対して、貼り合わせや一体焼結の工程を省くために、下記の特許文献１では、単層の圧電体層を用いて得られるバイモルフ型の圧電素子が提案されている。上記圧電体層においては、厚み方向の中央部から一方主面側の部分の分極軸方向と、該中央部から他方主面側の部分の分極軸方向とが、互いに逆方向である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−０６７１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、電極を圧電体層の両主面に形成した後に、圧電体層の両面から交流電圧を印加することにより分極が行われていた。そのため、圧電体層の分極軸方向の制御を、充分に高い精度で行うことができなかった。【０００６】
本発明の目的は、隣り合う圧電体層の分極軸方向を、分極処理などの追加の工程が不要でありつつ、高精度に互いに逆方向とすることができる、バイモルフ型の圧電素子及び圧電素子の製造方法を提供することにある。本発明の他の目的は、上記圧電素子を有する圧電マイクロフォン及び圧電共振子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る圧電素子は、厚み方向において第１の分極軸方向を有し、かつＡｌＮからなる第１の圧電体層と、前記第１の圧電体層上に堆積されており、前記第１の分極軸方向とは逆方向である第２の分極軸方向を有し、かつＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層と、前記第１の圧電体層の、前記第２の圧電体層側とは反対側に設けられている第１の電極と、前記第２の圧電体層の、前記第１の圧電体層側とは反対側に設けられている第２の電極とを備える。【０００８】
本発明に係る圧電素子のある特定の局面では、前記第１の圧電体層上に、前記第２の圧電体層が直接堆積されている。この場合には、電極などの材料を削減することができ、生産性を効果的に高めることができる。【０００９】
本発明に係る圧電マイクロフォンは、本発明に従って構成されている圧電素子と、前記圧電素子が振動する空間を有するように、前記第１の圧電体層側から前記圧電素子を支持している支持体とを備える。【００１０】
本発明に係る圧電共振子は、本発明に従って構成されている圧電素子と、前記圧電素子が振動する空間を有するように、前記圧電素子の前記第１の圧電体層側に設けられている支持基板とを備える。【００１１】
本発明に係る圧電素子の製造方法は、厚み方向において第１の分極軸方向を有するように、ＡｌＮからなる第１の圧電体層を堆積法により成膜する工程と、前記第１の圧電体層上に、前記第１の分極軸方向とは逆方向である第２の分極軸方向を有するように、ＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層を堆積法により成膜する工程と、前記第１の圧電体層の前記第２の圧電体層側とは反対側に第１の電極を設ける工程と、前記第２の圧電体層の前記第１の圧電体層側とは反対側に第２の電極を設ける工程とを備える。【００１２】
本発明に係る圧電素子の製造方法のある特定の局面では、前記第２の圧電体層を成膜する工程において、前記第１の圧電体層上に、前記第２の圧電体層を直接成膜する。この場合には、電極などの材料を削減することができ、生産性を効果的に高めることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、隣り合う圧電体層の分極軸方向を、高精度に互いに逆方向とすることができる、バイモルフ型の圧電素子及び圧電素子の製造方法を提供することができる。また、本発明によれば、上記圧電素子を有する圧電マイクロフォン及び圧電共振子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電マイクロフォンの平面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面図であり、図２（ｂ）は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図３（ａ）〜図３（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における圧電素子の製造方法を説明するための正面断面図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施形態に係る圧電素子の模式的正面断面図である。
【図５】図５は、第１の比較例の圧電素子の模式的正面断面図である。
【図６】図６は、第２の比較例の圧電素子の模式的正面断面図である。
【図７】図７は、第２の実施形態及び第１，第２の比較例の圧電体層の厚みと出力電圧との関係を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施形態に係る圧電マイクロフォンの平面図である。
【図９】図９は、図８中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施形態に係る圧電共振子の正面断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００１６】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る圧電マイクロフォンの平面図である。図２（ａ）は、図１中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。図２（ｂ）は、図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【００１８】
図２（ａ）に示すように、圧電マイクロフォン１０は、バイモルフ型の圧電素子１を有する。圧電素子１は、本発明の圧電素子の一実施形態である。圧電素子１は、第１の保護層２ａを有する。本実施形態では、第１の保護層２ａは、ＡｌＮからなる。なお、第１の保護層２ａは、ＡｌＮ以外の適宜のセラミックスなどからなっていてもよい。
【００１９】
第１の保護層２ａ上には、第１の電極３ａが設けられている。第１の電極３ａは、Ｍｏからなることが好ましい。ＡｌＮからなる第１の保護層２ａ上にＭｏからなる第１の電極３ａを堆積法により成膜することにより、第１の電極３ａの配向状態を良好にすることができる。なお、第１の電極３ａは、Ｍｏ以外の適宜の金属からなっていてもよい。あるいは、第１の電極３ａは、Ｓｉなどの半導体材料からなっていてもよい。
【００２０】
第１の電極３ａを覆うように、第１の保護層２ａ上に第１の圧電体層４が堆積法により成膜されている。第１の圧電体層４は、厚み方向において、第１の分極軸方向Ｐ１を有する。第１の圧電体層４は、ＡｌＮからなる。
【００２１】
第１の圧電体層４上には、第２の圧電体層５が堆積法により成膜されている。第２の圧電体層５は、第１の分極軸方向Ｐ１とは逆方向である第２の分極軸方向Ｐ２を有する。第２の圧電体層５は、ＧｅＡｌＮからなる。このように、圧電素子１は、バイモルフ型の圧電素子である。
【００２２】
第２の圧電体層５上には、複数の第２の電極３ｂが設けられている。なお、第２の電極３ｂの個数は特に限定されない。複数の第２の電極３ｂは、特に限定されないが、Ｍｏからなる。このように、第２の圧電体層５の第１の圧電体層４側とは反対側に第２の電極３ｂが設けられている。他方、第１の圧電体層４の第２の圧電体層５側とは反対側に第１の電極３ａが設けられている。
【００２３】
複数の第２の電極３ｂを覆うように、第２の圧電体層５上に、第２の保護層２ｂが積層されている。第２の保護層２ｂは、特に限定されないが、ＡｌＮからなる。
【００２４】
圧電マイクロフォン１０は、圧電素子１を第１の保護層２ａ側から支持している支持体６を有する。圧電素子１は、支持体６上に、第１の絶縁体層７を介して設けられていることが好ましい。支持体６は、Ｓｉなどの適宜の材料からなる。第１の絶縁体層７は、特に限定されないが、ＳｉＯ２からなる。
【００２５】
支持体６は、圧電素子１が振動する空間を有するように、圧電素子１を支持している。より具体的には、本実施形態では、支持体６は開口部６ａを有する。それによって、上記空間が形成されている。外部から圧電素子１に音波が伝搬することにより、上記空間において圧電素子１が振動する。
【００２６】
なお、支持体６の形状や個数は特に限定されない。例えば、複数の支持体６により圧電素子１が支持されており、上記空間が形成されていてもよい。
【００２７】
圧電素子１の第２の保護層２ｂ上には、第２の絶縁体層８が設けられている。図１に示すように、第２の絶縁体層８は、平面視において、複数の第２の電極３ｂを囲むように設けられている。第２の絶縁体層８は、特に限定されないが、ＳｉＯ２からなる。
【００２８】
第２の絶縁体層８上には、複数の第１，第２の外部電極９ａ，９ｂが設けられている。他方、図２（ａ）に示すように、圧電素子１は、第１のビア電極１９ａを有する。各第１の外部電極９ａは、第１のビア電極１９ａを介して、圧電素子１の第１の電極３ａに電気的に接続されている。
【００２９】
より具体的には、第１の外部電極９ａは、第１，第２の端子９ａ１，９ａ２を有する。第１の外部電極９ａは、第１，第２の端子９ａ１，９ａ２を接続している接続電極９ａ３も有する。なお、図２（ａ）中の第１の外部電極９ａにおける破線は、第１，第２の端子９ａ１，９ａ２及び接続電極９ａ３の境界を示す。第１の端子９ａ１には、第１のビア電極１９ａの一端が接続されている。第１のビア電極１９ａは、他端が第１の電極３ａに接続されるように、第２の絶縁体層８、第２の保護層２ｂ、第２の圧電体層５及び第１の圧電体層４を貫通している。第２の端子９ａ２は、外部に電気的に接続される。
【００３０】
同様に、図２（ｂ）に示すように、圧電素子１は、第２のビア電極１９ｂを有する。各第２の外部電極９ｂは、第２のビア電極１９ｂを介して、第２の電極３ｂに電気的に接続されている。なお、第１の外部電極９ａと同様に、第２の外部電極９ｂは第１，第２の端子９ｂ１，９ｂ２を有する。第２の外部電極９ｂは、第１，第２の端子９ｂ１，９ｂ２を接続している接続電極９ｂ３も有する。なお、図２（ｂ）中の第２の外部電極９ｂにおける破線は、第１，第２の端子９ｂ１，９ｂ２及び接続電極９ｂ３の境界を示す。
【００３１】
圧電マイクロフォン１０では、圧電素子１に伝搬した音波により圧電素子１が振動し、圧電素子１から外部に電気信号が出力される。
【００３２】
なお、図１に示すように、第１，第２の電極３ａ，３ｂの一部が、第１，第２の外部電極９ａ，９ｂと平面視において重なるように引き出されていることが好ましい。この第１，第２の電極３ａ，３ｂの引き出された部分が、第１，第２の外部電極９ａ，９ｂに接続されていることが好ましい。それによって、圧電素子１の振動が阻害され難い。
【００３３】
本実施形態の特徴は、図２（ａ）に示すように、ＡｌＮからなる第１の圧電体層４上に、第１の分極軸方向Ｐ１とは逆方向である第２の分極軸方向Ｐ２を有するように、ＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層５が、堆積法により成膜されていることにある。それによって、隣り合う第１，第２の圧電体層４，５の分極軸方向を、高精度に互いに逆方向とすることができる。これを、本実施形態における圧電素子１の製造方法と共に説明する。
【００３４】
図３（ａ）〜図３（ｄ）は、第１の実施形態における圧電素子の製造方法を説明するための正面断面図である。
【００３５】
図３（ａ）に示すように、第１の保護層２ａを用意する。次に、第１の保護層２ａ上に第１の電極３ａを形成する。第１の電極３ａは、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより設けることができる。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の電極３ａを覆うように、第１の保護層２ａ上にＡｌＮからなる第１の圧電体層４を成膜する。このとき、第１の圧電体層４が第１の分極軸方向Ｐ１を有するように、堆積法により第１の圧電体層４を成膜する。堆積法としては、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などが挙げられる。これにより、第１の圧電体層４が成膜されたとき、第１の圧電体層４は第１の分極軸方向Ｐ１を有する。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１の圧電体層４上に、ＧｅＡｌＮからなる第２の圧電層５を成膜する。このとき、第２の圧電体層５が第１の分極軸方向Ｐ１とは逆方向である第２の分極軸方向Ｐ２を有するように、堆積法により第２の圧電体層５を成膜する。これにより、第２の圧電体層５が成膜されたとき、第２の圧電体層５は第２の分極軸方向Ｐ２を有する。堆積法としては、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法などが挙げられる。特にＧｅＡｌＮではＧｅＡｌ合金ターゲット、焼結ターゲットを用いても良いし、ＧｅとＡｌの２つのターゲットを用いても良い。
【００３８】
ここで、ＧｅＡｌＮからなる層の分極軸方向は、この層を成膜する下地となる、ＡｌＮなどからなる層の分極軸方向の影響を受け難い。そのため、上記第２の圧電体層５を第１の圧電体層４上に成膜しても、第２の圧電体層５の分極反転が生じ難い。従って、第１，第２の圧電体層４，５の分極軸方向を高精度に互いに逆方向とすることができる。また、上記のように、第１の圧電体層４上に第２の圧電体層５を堆積法により成膜すればよいため、容易に分極軸方向を制御することができる。
【００３９】
本実施形態における圧電素子１の製造においては、第１の圧電体層４上に、第２の圧電体層５を直接成膜する。そのため、電極などの材料を削減することができる。加えて、第１，第２の圧電体層４，５を貼り合わせる工程などが不要であるため、生産性を効果的に高めることができる。
【００４０】
ところで、第２の圧電体層５は、個別に用意した第１の圧電体層４上に成膜してもよい。この場合には、第１，第２の圧電体層４，５の積層体を得た後に、第１の圧電体層４の第２の圧電体層５側とは反対側に、第１の電極３ａ及び第１の保護層２ａを設ければよい。
【００４１】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２の圧電体層５上に第２の電極３ｂを設ける。次に、第２の電極３ｂを覆うように、第２の圧電体層５上に第２の保護層２ｂを設ける。
【００４２】
第１の圧電体層４と第２の圧電体層５との間に、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などからなる、電極以外の薄膜が積層されていてもよい。もっとも、本実施形態のように、第１の圧電体層４上に第２の圧電体層５が直接成膜されていることが好ましい。
【００４３】
図４は、第２の実施形態に係る圧電素子の模式的正面断面図である。
【００４４】
圧電素子２１は、第１，第２の保護層を有しない点で、第１の実施形態における圧電素子１と異なる。
【００４５】
この場合においても、第１，第２の圧電体層４，５の分極軸方向の制御を高精度に行うことができる。
【００４６】
もっとも、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す第１の実施形態のように、第１，第２の保護層２ａ，２ｂが設けられていることがより好ましい。それによって、第１，第２の電極３ａ，３ｂの破損や、圧電素子１の特性の劣化が生じ難い。
【００４７】
ここで、第２の実施形態の構成を有する圧電素子及び下記の図５及び図６に示す第１及び第２の比較例の圧電素子を、厚みを異ならせてそれぞれ複数作製した。各圧電素子の出力電圧を測定することにより、感度を比較した。
【００４８】
図５は、第１の比較例の圧電素子の模式的正面断面図である。
【００４９】
圧電素子５１においては、第２の実施形態における第１，第２の圧電体層に相当する部分の構成及び第１の電極の配置が、第２の実施形態と異なる。より具体的には、圧電素子５１は、圧電体ではないＡｌＮからなる、第１の層５４を有する。第１の層５４上に、第１の電極５３ａが設けられている。第１の電極５３ａ上には、圧電体であるＡｌＮからなる、第２の層５５が積層されている。第２の層５５は、第１の分極軸方向Ｐ１を有する。上記の点以外においては、圧電素子５１は、第２の実施形態の圧電素子２１と同様の構成を有する。
【００５０】
図６は、第２の比較例の圧電素子の模式的正面断面図である。
【００５１】
圧電素子６１は、圧電体層６４が単層である点で、第２の実施形態と異なる。なお、圧電体層６４は、ＡｌＮからなり第１の分極軸方向Ｐ１を有する。上記以外の点においては、圧電素子６１は、第２の実施形態の圧電素子２１と同様の構成を有する。
【００５２】
なお、作製した第２の実施形態の構成を有する圧電素子における第１，第２の圧電体層の厚みは同じ厚みとした。第１の比較例の圧電素子における第１，第２の層の厚みも同じ厚みとした。
【００５３】
図７は、第２の実施形態及び第１，第２の比較例の圧電体層の厚みと出力電圧との関係を示す図である。菱形のプロット及び実線は第２の実施形態の結果を示す。三角形のプロット及び破線は第１の比較例の結果を示す。円形のプロット及び一点鎖線は第２の比較例の結果を示す。なお、図７の横軸の圧電体層の厚みは、第２の実施形態においては、第１，第２の圧電体層の合計の厚みである。第１の比較例では、第１，第２の層の合計の厚みである。
【００５４】
図７に示すように、同じ厚みの圧電素子同士を比較したとき、第２の実施形態の方が、第１，第２の比較例よりも出力電圧が高い。よって、第２の実施形態によれば、圧電素子の感度を高め得ることがわかる。
【００５５】
図８は、第３の実施形態に係る圧電マイクロフォンの平面図である。図９は、図８中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【００５６】
図９に示すように、圧電マイクロフォン３０は、各圧電素子３１が、支持体３６により固定されていない開放端部３１ａを有する点で、第１の実施形態と異なる。これに伴い、図８に示すように、平面視における第１，第２の外部電極９ａ，９ｂの配置及び各圧電素子３１の平面形状も第１の実施形態と異なる。上記以外の点においては、圧電マイクロフォン３０は、第１の実施形態の圧電マイクロフォン１０と同様の構成を有する。
【００５７】
より具体的には、圧電マイクロフォン３０は、４個の圧電素子３１を有する。各圧電素子３１は、略三角形の平面形状を有する。第２の電極３３ｂは、略台形の平面形状を有する。第２の電極３３ｂの上記略台形の辺のうち３辺は、平面視における圧電素子３１の各辺に沿って延びている。なお、圧電素子３１及び第２の電極３３ｂの平面形状は、特に限定されない。
【００５８】
図９に示すように、圧電素子３１は、支持体３６に片持ち梁で支持されており、開放端部３１ａを有する。よって、圧電素子３１を好適に振動させることができる。さらに、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１，第２の圧電体層４，５の分極軸方向の制御を高精度に行うことができる。
【００５９】
図１０は、第４の実施形態に係る圧電共振子の正面断面図である。
【００６０】
圧電共振子４０は、支持基板４６を有する。支持基板４６は、平板状の形状を有する。本実施形態では、支持基板４６は、高抵抗Ｓｉ基板である。より具体的には、支持基板４６の抵抗率は１０００Ω・ｃｍ以上である。なお、支持基板の材料は特に限定されない。
【００６１】
他方、圧電共振子４０は、圧電素子４１を有する。圧電素子４１は、第１の実施形態と同様に、第１の保護層４２ａ、第１の電極４３ａ、第１の圧電体層４４、第２の圧電体層４５、第２の電極４３ｂ及び第２の保護層４２ｂが積層された積層体である。圧電素子４１の第１の保護層４２ａ側に、支持基板４６が設けられている。なお、支持基板４６は、図１０に示すように、第１の絶縁体層７を介して設けられていてもよい。
【００６２】
圧電素子４１と支持基板４６とは、圧電素子４１が振動する空間Ａを有するように接合されている。より具体的には、圧電素子４１は、支持基板４６に接合している接合部４１ａを有する。さらに、圧電素子４１の各層は、一部が支持基板４６から高さ方向において離れるように屈曲している。それによって、空間Ａが形成されている。圧電素子４１は、空間Ａを介して支持基板４６に対向している振動部４１ｂを有する。圧電共振子４０においては、この圧電素子４１の振動部４１ｂが振動する。
【００６３】
なお、圧電素子４１の各層の形状及び支持基板４６の形状は特に限定されず、空間Ａが形成されていればよい。
【００６４】
圧電共振子４０は、第１の電極４３ａに接続されている第１の電極パッド４９ａ及び第２の電極４３ｂに接続されている第２の電極パッド４９ｂを有していてもよい。第１，第２の電極パッド４９ａ，４９ｂを介して、圧電共振子４０を外部と電気的に接続することができる。
【００６５】
ところで、図６に示した第２の比較例のように、圧電体層がＡｌＮからなる単層である圧電素子を圧電共振子に用いた場合、基本波駆動により、例えば、厚み縦振動が励振される。これに対して、本実施形態の圧電共振子４０では、圧電素子４１の厚みを第２の比較例の圧電素子の厚みと同じ厚みとしたときに、第２の比較例における厚み縦振動の２倍波を効率的に励振することができる。このように、圧電共振子４０によれば、高周波を効率的に励振することができる。よって、圧電共振子４０を、例えば、５ＧＨｚ以上に通過帯域が位置するＲＦフィルタやデュプレクサなどに好適に用いることができる。
【００６６】
図１１は、第５の実施形態に係る弾性波装置の正面断面図である。
【００６７】
弾性波装置７０は、圧電素子７１を有する。圧電素子７１においては、第１の実施形態における圧電素子１と同様に、ＡｌＮからなる第１の圧電体層４上に、堆積法によりＧｅＡｌＮからなる第２の圧電体層５が成膜されている。第２の圧電体層５上には、ＩＤＴ電極７３が設けられている。
【００６８】
他方、弾性波装置７０は支持基板７６を有する。支持基板７６は、特に限定されないが、Ｓｉやサファイヤなどからなる。支持基板７６は、圧電素子７１の第１の圧電体層４側に設けられている。
【００６９】
従来、単層のＡｌＮ層からなる圧電体や、単層のＳｃＡｌＮからなる圧電体を用いた、弾性波装置が検討されていた。この弾性波装置は、レイリー波の２倍波であるセザワ波を利用する。
【００７０】
ここで、本実施形態の弾性波装置７０は、基準となる弾性波の２倍波を効率的に励振することができる。従って、セザワ波も効率的に励振することができ、結合係数を大きくすることができる。
【符号の説明】
【００７１】
１…圧電素子
２ａ，２ｂ…第１，第２の保護層
３ａ，３ｂ…第１，第２の電極
４，５…第１，第２の圧電体層
６…支持体
６ａ…開口部
７，８…第１，第２の絶縁体層
９ａ，９ｂ…第１，第２の外部電極
９ａ１，９ａ２…第１，第２の端子
９ａ３…接続電極
９ｂ１，９ｂ２…第１，第２の端子
９ｂ３…接続電極
１０…圧電マイクロフォン
１９ａ，１９ｂ…第１，第２のビア電極
２１…圧電素子
３０…圧電マイクロフォン
３１…圧電素子
３１ａ…開放端部
３３ｂ…第２の電極
３６…支持体
４０…圧電共振子
４１…圧電素子
４１ａ…接合部
４１ｂ…振動部
４２ａ，４２ｂ…第１，第２の保護層
４３ａ，４３ｂ…第１，第２の電極
４４，４５…第１，第２の圧電体層
４６…支持基板
４９ａ，４９ｂ…第１，第２の電極パッド
５１…圧電素子
５３ａ…第１の電極
５４，５５…第１，第２の層
６１…圧電素子
６４…圧電体層
７０…弾性波装置
７１…圧電素子
７３…ＩＤＴ電極
７６…支持基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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