(57)【要約】  本技術は、導体群の側端部周辺の磁界による、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができるようにする回路基板、撮像素子、並びに電子機器に関する。本技術の回路基板は、電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、電流が第１の方向に流れる導体と、電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群を備える。本技術は、例えば、撮像素子や電子機器に適用することができる。
2016181874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群
を備える回路基板。
【請求項２】
前記端部の導体の電流が、他の導体の電流より小さい
請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭い
請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１である
請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記端部の導体の幅が、他の導体の幅より狭い
請求項３に記載の回路基板。
【請求項６】
前記端部の導体の厚さが、他の導体の厚さより薄い
請求項３に記載の回路基板。
【請求項７】
前記端部の導体の電気抵抗が、他の導体の電気抵抗よりも大きい
請求項１に記載の回路基板。
【請求項８】
前記端部の導体に対する直列電気抵抗が、他の導体に対する直列電気抵抗よりも大きい
請求項１に記載の回路基板。
【請求項９】
前記端部の導体の近傍に、前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体をさらに有する
請求項１に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電流が、前記端部の導体の電流より小さい
請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭い
請求項９に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電気抵抗が、前記端部の導体の電気抵抗よりも大きい
請求項９に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列電気抵抗が、前記端部の導体に対する直列電気抵抗よりも大きい
請求項９に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記端部の導体と前記端部の導体に隣接する他の導体との間隔と、他の導体同士の間隔とが互いに異なる
請求項１に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記端部の導体の前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置が、他の導体の前記第４の方向の位置と異なる
請求項１に記載の回路基板。
【請求項１６】
前記導体群の各導体には、前記電流として時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れる
請求項１に記載の回路基板。
【請求項１７】
前記導体群は、前記第３の方向に所定の順に並べられた前記第１の方向に前記電流が流れる導体と前記第２の方向に前記電流が流れる導体とからなる導体組が前記第３の方向に複数並ぶ周期構造を有する
請求項１に記載の回路基板。
【請求項１８】
前記導体組において、前記第１の方向に前記電流が流れる導体と、前記第２の方向に前記電流が流れる導体とで、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置、並びに前記第４の方向の層数の内、少なくともいずれか１つが互いに異なる
請求項１７に記載の回路基板。
【請求項１９】
被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、
電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群と
を備える撮像素子。
【請求項２０】
被写体を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部と
を備え、
前記撮像部は、
前記被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、
電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群と
を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、回路基板、撮像素子、並びに電子機器に関し、特に、導体群の側端部周辺の磁界による、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができるようにした回路基板、撮像素子、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体集積回路等において、配線近傍に導体ループが形成される回路が存在する場合、その配線に流れる電流変化により配線近傍の磁界強度が変化し、それにより導体ループに発生する誘導起電力が変化し、導体ループにノイズが発生するおそれがあった。【０００３】
ところで、導体に流れる電流により生じる磁束を相殺させる配線構造が考えられた（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−１２０９２８号公報
【特許文献２】特表平０９−５０２３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような磁束を相殺させる構造の配線の集合であっても、その集合の側端部の周辺においては磁束が相殺されないため、それにより導体ループに誘導起電力が発生し、それにより導体ループにノイズが発生するおそれがあった。【０００６】
本技術は、このような状況に鑑みて提案されたものであり、導体群の側端部周辺の磁界による、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の一側面は、電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群を備える回路基板である。【０００８】
前記端部の導体の電流が、他の導体の電流より小さいようにすることができる。【０００９】
前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭いようにすることができる。【００１０】
前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１であるようにすることができる。【００１１】
前記端部の導体の幅が、他の導体の幅より狭いようにすることができる。【００１２】
前記端部の導体の厚さが、他の導体の厚さより薄いようにすることができる。【００１３】
前記端部の導体の電気抵抗が、他の導体の電気抵抗よりも大きいようにすることができる。【００１４】
前記端部の導体に対する直列電気抵抗が、他の導体に対する直列電気抵抗よりも大きいようにすることができる。【００１５】
前記端部の導体の近傍に、前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体をさらに有するようにすることができる。【００１６】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電流が、前記端部の導体の電流より小さいようにすることができる。【００１７】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭いようにすることができる。【００１８】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電気抵抗が、前記端部の導体の電気抵抗よりも大きいようにすることができる。【００１９】
前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列電気抵抗が、前記端部の導体に対する直列電気抵抗よりも大きいようにすることができる。【００２０】
前記端部の導体と前記端部の導体に隣接する他の導体との間隔と、他の導体同士の間隔とが互いに異なるようにすることができる。【００２１】
前記端部の導体の前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置が、他の導体の前記第４の方向の位置と異なるようにすることができる。【００２２】
前記導体群の各導体には、前記電流として時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れるようにすることができる。【００２３】
前記導体群は、前記第３の方向に所定の順に並べられた前記第１の方向に前記電流が流れる導体と前記第２の方向に前記電流が流れる導体とからなる導体組が前記第３の方向に複数並ぶ周期構造を有するようにすることができる。【００２４】
前記導体組において、前記第１の方向に前記電流が流れる導体と、前記第２の方向に前記電流が流れる導体とで、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置、並びに前記第４の方向の層数の内、少なくともいずれか１つが互いに異なるようにすることができる。【００２５】
本技術の他の側面は、被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群とを備える撮像素子である。【００２６】
本技術のさらに他の側面は、被写体を撮像する撮像部と、前記撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部とを備え、前記撮像部は、前記被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群とを備える電子機器である。【００２７】
本技術の一側面においては、電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、電流が第１の方向に流れる導体と、電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群が備えられる。【００２８】
本技術の他の側面においては、撮像素子において、被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、画素の選択において、選択される画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、電流により発生する磁界によって画素部により形成される導体ループに誘導起電力が生じる位置において、電流が第１の方向に流れる導体と、電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群とが備えられる。【００２９】
本技術のさらに他の側面においては、電子機器において、被写体を撮像する撮像部と、撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部とが備えられ、さらにその撮像部においては、被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、画素の選択において、選択される画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、電流により発生する磁界によって画素部により形成される導体ループに誘導起電力が生じる位置において、電流が第１の方向に流れる導体と、電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群とが備えられる。
【発明の効果】
【００３０】
本技術によれば、撮像画像を得ることが出来る。また本技術によれば、導体群の側端部周辺の磁界による、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】導体ループの変化による誘導起電力の変化を説明する図である。
【図２】イメージセンサの主な構成例を示す図である。
【図３】画素・アナログ処理部の主な構成例を示す図である。
【図４】画素アレイの主な構成例を示す図である。
【図５】単位画素の主な構成例を示す図である。
【図６】デジタル処理部の配線の例を示す図である。
【図７】磁界強度分布の例を示す図である。
【図８】誘導起電力分布の例を示す図である。
【図９】側端部の磁界強度の例を示す図である。
【図１０】側端部の電流量制御の例を示す図である。
【図１１】磁界強度分布と誘導起電力分布の例を示す図である。
【図１２】側端部の導体幅制御の例を示す図である。
【図１３】磁界強度分布と誘導起電力分布の例を示す図である。
【図１４】側端部の導体追加制御の例を示す図である。
【図１５】磁界強度分布と誘導起電力分布の例を示す図である。
【図１６】導体群の構成例を示す図である。
【図１７】導体群の構成例を示す図である。
【図１８】導体群の構成例を示す図である。
【図１９】導体群の構成例を示す図である。
【図２０】導体群の構成例を示す図である。
【図２１】導体群の構成例を示す図である。
【図２２】導体群の構成例を示す図である。
【図２３】導体群の構成例を示す図である。
【図２４】導体群の構成例を示す図である。
【図２５】側端部の導体間隔制御の例を示す図である。
【図２６】側端部の導体厚さ制御の例を示す図である。
【図２７】側端部の導体高さ位置制御の例を示す図である。
【図２８】側端部の構成例を示す図である。
【図２９】側端部の導体電気抵抗制御の例を示す図である。
【図３０】側端部の直列電気抵抗制御の例を示す図である。
【図３１】チップの積層構造の例を説明する図である。
【図３２】撮像装置の主な構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本開示を実施するための形態（以下実施の形態とする）について説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（イメージセンサ）
２．第２の実施の形態（撮像装置）
【００３３】
＜１．第１の実施の形態＞
＜導体ループと磁束＞
例えば半導体集積回路等において電源配線近傍に導体ループが形成される回路が存在する場合、その電源配線から発生する磁力線と直交する導体ループに誘導起電力が発生するため、導体ループにノイズが発生するおそれがあった。
【００３４】
例えば、図１に示されるような、所謂イメージセンサ等の撮像用半導体装置においては、ピクセルチップ（Pixel chip）の画素領域に導体ループが形成され、そのピクセルチップに積層されるロジックチップ（Logic chip）の、この導体ループの近傍には、デジタル電源を供給するための電源配線が形成される。そして、この導体ループのループ面内にはこの電源配線による磁束が通過し、それによって導体ループに誘導起電力が発生する。
【００３５】
この画素領域に形成される導体ループの寸法は、画素の選択位置によって変わる。図１の例の場合、画素Ａを選択した際に形成される導体ループの大きさや形状は、画素Ａと異なる位置の画素Ｂを選択した際に形成される同電ループの大きさや形状と異なる。
【００３６】
このように導体ループの寸法が変化すると、導体ループのループ面内を通過する磁束が変化し、それによって導体ループに発生する誘導起電力が大きく変化するおそれがあった。また、その誘導起電力の変化により、画素から読み出される画素信号にノイズが生じるおそれがあった。そして、このノイズにより、撮像画像に縞状の画像ノイズが発生するおそれがあった。つまり、撮像画像の画質が低減するおそれがあった。
【００３７】
そこで、このような誘導起電力による導体ループおけるノイズの発生を抑制することができるようにする。
【００３８】
＜イメージセンサ＞
図２は、本技術を適用した回路基板（若しくは撮像素子）の一実施の形態であるイメージセンサの主な構成例を示す図である。
【００３９】
図２に示されるイメージセンサ１００は、被写体からの光を光電変換して画像データとして出力するデバイスである。例えば、イメージセンサ１００は、CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）を用いたCMOSイメージセンサ、CCD（Charge Coupled Device）を用いたCCDイメージセンサ等として構成される。
【００４０】
図２に示されるように、イメージセンサ１００は、互いに重畳される２枚の半導体基板（積層チップ（画素チップ１０１およびロジックチップ１０２））を有する。
【００４１】
画素チップ１０１には、単位画素構成やアナログ回路等が形成される画素・アナログ処理部１１１が形成される。また、ロジックチップ１０２には、デジタル回路等が形成されるデジタル処理部１１２が形成される。
【００４２】
画素チップ１０１およびロジックチップ１０２は、互いに絶縁された状態で重畳される。つまり、画素・アナログ処理部１１１の構成とロジックチップ１０２の構成とは、基本的に互いに絶縁されている。なお、図示を省略しているが、画素・アナログ処理部１１１に形成される構成と、デジタル処理部１１２に形成される構成とは、必要に応じて（必要な部分が）、例えば貫通ビア（VIA）等を介して互いに電気的に接続される。
【００４３】
なお、図２においては、２階層のチップからなるイメージセンサを例に説明したが、イメージセンサ１００の階層数は任意である。例えば単層であってもよいし、３階層以上であってもよい。以下においては、図２の例のように２階層のチップにより構成される場合について説明する。
【００４４】
＜画素・アナログ処理部＞
図３は、画素・アナログ処理部１１１に形成される回路の主な構成例を示す図である。
【００４５】
図３に示されるように、画素・アナログ処理部１１１には、画素アレイ１２１、A/D変換部１２２、および垂直走査部１２３等が形成される。
【００４６】
画素アレイ１２１は、フォトダイオード等の光電変換素子を有する画素構成（単位画素１３１）が平面状または曲面状に配置される画素領域である。
【００４７】
A/D変換部１２２は、画素アレイ１２１の各単位画素から読み出されたアナログ信号等をA/D変換し、そのデジタルデータを出力する。
【００４８】
垂直走査部１２３は、画素アレイ１２１の各単位画素のトランジスタの動作を制御する。つまり、画素アレイ１２１の各単位画素に蓄積された電荷は、垂直走査部１２３に制御されて読み出され、画素信号として、単位画素のカラム毎に垂直信号線（VSL）を介してA/D変換部１２２に供給され、A/D変換される。
【００４９】
A/D変換部１２２は、そのA/D変換結果（各画素信号のデジタルデータ（画像データ））を、単位画素のカラム毎に、デジタル処理部１１２に形成されるロジック回路（デジタル回路）に供給する。
【００５０】
＜画素アレイ＞
図４に示されるように、画素アレイ１２１には、単位画素１３１−１１乃至単位画素１３１−MNが形成されている（M,Nは任意の自然数）。この単位画素１３１−１１乃至単位画素１３１−MNを互いに区別して説明する必要が無い場合、単位画素１３１と称する。つまり、図４に示されるように、画素アレイ１２１には、M行N列の単位画素１３１が行列状（アレイ状）に配置されている。
【００５１】
また、図４に示されるように、画素アレイ１２１には、垂直信号線１３２−１乃至垂直信号線１３２−Ｎ、並びに、制御線１３３−１乃至制御線１３３−Ｍが形成されている。垂直信号線１３２−１乃至垂直信号線１３２−Ｎを互いに区別して説明する必要が無い場合、垂直信号線１３２と称し、制御線１３３−１乃至制御線１３３−Ｍを互いに区別して説明する必要が無い場合、制御線１３３と称する。
【００５２】
単位画素１３１には、カラム（列）毎に、そのカラムに対応する垂直信号線１３２が接続され、行毎に、その行に対応する制御線１３３に接続されている。各制御線１３３を介して、垂直走査部１２３から各単位画素（各行）１３１への制御信号が伝送される。
【００５３】
制御線１３３を介して垂直走査部１２３から供給される制御信号に応じて単位画素１３１から読み出された信号は、垂直信号線１３２を介して、A/D変換部１２２に伝送される。なお、図４においては各行の制御線１３３を１本の線として示しているが、実際には、単位画素１３１内の各種トランジスタ用の複数の制御線により構成される。
【００５４】
なお、図４においては、画素信号を伝送する信号線がカラム毎に設けられ、制御線が行毎に設けられるように説明したが、単位画素、信号線、制御線の配置は、この図４の例に限定されない。つまり、例えば単位画素１３１の配置は任意であり、アレイ状に限定されない。例えば、単位画素１３１が、ハニカム構造を形成するように配置されてもよい。また、例えば、信号線が行毎に設けられ、各単位画素から読み出された信号が、その行毎に伝送されるようにしてもよいし、画素アレイ１２１のエリア毎に設けられ、各単位画素から読み出された信号が、そのエリア毎に伝送されるようにしてもよい。さらに、例えば、制御線がアレイ状に設けられ、制御対象が単位画素毎に選択されるようにしてもよい。
【００５５】
＜単位画素構成＞
図５は、単位画素１３１の回路構成の主な構成の例を示す図である。図５に示される例の場合、単位画素１３１は、フォトダイオード（PD）１４１、転送トランジスタ１４２、リセットトランジスタ１４３、増幅トランジスタ１４４、およびセレクトトランジスタ１４５を有する。
【００５６】
フォトダイオード（PD）１４１は、受光した光をその光量に応じた電荷量の光電荷（ここでは、光電子）に光電変換してその光電荷を蓄積する。フォトダイオード（PD）１４１のアノード電極は画素領域のグランド（画素グランド）に接続され、カソード電極は転送トランジスタ１４２を介してフローティングディフュージョン（FD）に接続される。もちろん、フォトダイオード（PD）１４１のカソード電極が画素領域の電源（画素電源）に接続され、アノード電極が転送トランジスタ１４２を介してフローティングディフュージョン（FD）に接続され、光電荷を光正孔として読み出す方式としてもよい。
【００５７】
転送トランジスタ１４２は、フォトダイオード（PD）１４１からの光電荷の読み出しを制御する。転送トランジスタ１４２は、ドレイン電極がフローティングディフュージョンに接続され、ソース電極がフォトダイオード（PD）１４１のカソード電極に接続される。また、転送トランジスタ１４２のゲート電極には、垂直走査部１２３（図３）から供給される転送制御信号を伝送する転送制御線（TRG）が接続される。転送制御線（TRG）（すなわち、転送トランジスタ１４２のゲート電位）がオフ状態のとき、フォトダイオード（PD）１４１からの光電荷の転送が行われない（フォトダイオード（PD）１４１において光電荷が蓄積される）。転送制御線（TRG）（すなわち、転送トランジスタ１４２のゲート電位）がオン状態のとき、フォトダイオード（PD）１４１に蓄積された光電荷がフローティングディフュージョン（FD）に転送される。
【００５８】
リセットトランジスタ１４３は、フローティングディフュージョン（FD）の電位をリセットする。リセットトランジスタ１４３は、ドレイン電極が電源電位に接続され、ソース電極がフローティングディフュージョン（FD）に接続される。また、リセットトランジスタ１４３のゲート電極には、垂直走査部１２３（図３）から供給されるリセット制御信号を伝送するリセット制御線（RST）が接続される。リセット制御信号（RST）（すなわち、リセットトランジスタ１４３のゲート電位）がオフ状態のとき、フローティングディフュージョン（FD）は電源電位と切り離されている。リセット制御信号（RST）（すなわち、リセットトランジスタ１４３のゲート電位）がオン状態のとき、フローティングディフュージョン（FD）の電荷が電源電位に捨てられ、フローティングディフュージョン（FD）がリセットされる。
【００５９】
増幅トランジスタ１４４は、フローティングディフュージョン（FD）の電位変化を増幅し、電気信号（アナログ信号）として出力する。増幅トランジスタ１４４は、ゲート電極がフローティングディフュージョン（FD）に接続され、ドレイン電極がソースフォロワ電源電圧に接続され、ソース電極がセレクトトランジスタ１４５のドレイン電極に接続されている。例えば、増幅トランジスタ１４４は、リセットトランジスタ１４３によってリセットされたフローティングディフュージョン（FD）の電位をリセット信号（リセットレベル）としてセレクトトランジスタ１４５に出力する。また、増幅トランジスタ１４４は、転送トランジスタ１４２によって光電荷が転送されたフローティングディフュージョン（FD）の電位を光蓄積信号（信号レベル）としてセレクトトランジスタ１４５に出力する。
【００６０】
セレクトトランジスタ１４５は、増幅トランジスタ１４４から供給される電気信号の垂直信号線（VSL）１３２（すなわち、A/D変換部１２２）への出力を制御する。セレクトトランジスタ１４５は、ドレイン電極が増幅トランジスタ１４４のソース電極に接続され、ソース電極が垂直信号線１３２に接続されている。また、セレクトトランジスタ１４５のゲート電極には、垂直走査部１２３（図３）から供給されるセレクト制御信号を伝送するセレクト制御線（SEL）が接続される。セレクト制御信号（SEL）（すなわち、セレクトトランジスタ１４５のゲート電位）がオフ状態のとき、増幅トランジスタ１４４と垂直信号線１３２は電気的に切り離されている。したがって、この状態のとき、当該単位画素１３１からリセット信号や画素信号等が出力されない。セレクト制御信号（SEL）（すなわち、セレクトトランジスタ１４５のゲート電位）がオン状態のとき、当該単位画素１３１が選択状態となる。つまり、増幅トランジスタ１４４と垂直信号線１３２が電気的に接続され、増幅トランジスタ１４４から出力される信号が、当該単位画素１３１の画素信号として、垂直信号線１３２に供給される。すなわち、当該単位画素１３１からリセット信号や画素信号等が読み出される。
【００６１】
なお、単位画素１３１の構成は任意であり、図５の例に限定されない。
【００６２】
＜導体ループ＞
以上のような構成の画素・アナログ処理部１１１においては、信号読み出し等の対象として単位画素が選択されると、上述した各種トランジスタを制御する制御線（制御線１３３）や、垂直信号線１３２、アナログ電源配線、デジタル電源配線等により、様々な導体ループ（ループ形状（環状）の導体）が形成される。この導体ループのループ面内に、近傍の配線等から発生する磁束が通過することにより誘導起電力が発生する。
【００６３】
例えば、その近傍の配線に高周波信号が流れると、その配線周辺の磁界強度が変化する。それにより導体ループに発生する誘導起電力が変化し、ノイズとなる（すなわち、導体ループにノイズが発生する）おそれがあった。特に、互いに同一の方向に電流が流れる配線が密集する場所においては磁界強度の変化が大きくなり、導体ループに発生する誘導起電力の変化（すなわちノイズ）も大きくなる。
【００６４】
＜導体ループへの影響を抑制する導体群＞
そこで、電流が互いに略逆方向に流れる配線（導体）を互いの近傍に配置することにより、電流変化による磁界強度の変化が互いに打ち消し合うようにして、導体ループへの影響（導体ループに発生する誘導起電力の大きさ）を抑制するようにする。
【００６５】
図６にそのように構成される導体群の例を示す。図６のＡに示される差動配線群１５０は、電流が流れる複数の導体からなる導体群であり、導体である正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−８、並びに、逆位相配線１５２−１乃至逆位相配線１５２−８により構成される。以下において、正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−８を互いに区別して説明する必要が無い場合、正位相配線１５１と称する。また、逆位相配線１５２−１乃至逆位相配線１５２−８互いに区別して説明する必要が無い場合、逆位相配線１５２と称する。
【００６６】
正位相配線１５１と逆位相配線１５２は、互いに逆位相の信号からなる差動信号を伝送する配線（差動配線とも称する）である。つまり、正位相配線１５１と逆位相配線１５２には、互いに逆方向に電流が流れる。例えば、あるタイミングにおいて、正位相配線１５１には図中左から右に向かって（第１の方向に）電流が流れ、逆位相配線１５２には図中右から左に向かって（第２の方向に）電流が流れる。電流の大きさは互いに同一である。
【００６７】
この正位相配線１５１と逆位相配線１５２には、時間方向に電流が変化する差動信号であれば、どのような信号が流れるようにしてもよい。つまり、正位相配線１５１と逆位相配線１５２には、時間ｔに応じて電流Ｉが変化する（微小時間ｄｔの微小電流変化がｄＩである）信号が流れていればよい。
【００６８】
例えば、正位相配線１５１に流れる電流の大きさと、逆位相配線１５２に流れる電流の大きさとが互いに同一でなくてもよい。逆に、正位相配線１５１に流れる電流の大きさと、逆位相配線１５２に流れる電流の大きさとが互いに同一である（正位相配線１５１と逆位相配線１５２とに、時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れる）ようにしてもよい。一般的には、後者の場合の方が、前者の場合よりも、導体ループに発生する誘導起電力の大きさをより抑制することができる。
【００６９】
また、導体群の各導体に、すなわち、各正位相配線１５１と各逆位相配線１５２には、例えばクロック信号のような、所定の周波数の周波数信号が流れるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１と各逆位相配線１５２には、例えば、交流電源電流が流れるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１と各逆位相配線１５２には、例えば、同一の周波数信号が流れるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１と各逆位相配線１５２には、複数の周波数成分を含む信号が流れるようにしてもよい。
【００７０】
また、図６のＡに示されるように、正位相配線１５１と逆位相配線１５２は、点線１５３の方向（第３の方向）に互いに略平行に交互に並べられている。正位相配線１５１と逆位相配線１５２との組み合わせを差動配線組とも称する。例えば図６のＡの場合、隣り合う正位相配線１５１と逆位相配線１５２とからなる配線対（配線ペア）が差動配線組を形成しているといえる。そして、その場合、差動配線群１５０は、複数のこのような差動配線組により構成されている。
【００７１】
つまり、この導体群は、第３の方向に所定の順に並べられた第１の方向に電流が流れる導体と第２の方向に電流が流れる導体とからなる導体組が第３の方向に複数並ぶ周期構造を有するようにしてもよい。
【００７２】
この差動配線群１５０の点線１５３の方向の切断面の例を図６のＢに示す。図６のＢにおいて配線に付されている「○」と「×」は、電流が流れる方向の種類を示している。つまり、「○」の配線同士、若しくは、「×」の配線同士は、互いに同一の方向に電流が流れる。また、「○」の配線と「×」の配線とでは、互いに逆方向に電流が流れる。
【００７３】
また、図６のＢに示されるように、正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−１とで、差動配線組１５４−１が形成される。同様に、正位相配線１５１−２と逆位相配線１５２−２とで、差動配線組１５４−２が形成され、正位相配線１５１−３と逆位相配線１５２−３とで、差動配線組１５４−３が形成され、正位相配線１５１−４と逆位相配線１５２−４とで、差動配線組１５４−４が形成され、正位相配線１５１−５と逆位相配線１５２−５とで、差動配線組１５４−５が形成され、正位相配線１５１−６と逆位相配線１５２−６とで、差動配線組１５４−６が形成され、正位相配線１５１−７と逆位相配線１５２−７とで、差動配線組１５４−７が形成され、正位相配線１５１−８と逆位相配線１５２−８とで、差動配線組１５４−８が形成される。差動配線組１５４−１乃至差動配線組１５４−８を互いに区別して説明する必要が無い場合、差動配線組１５４と称する。
【００７４】
このような差動配線群１５０は、例えば図６のＣに示されるように各配線と電流源とを接続することにより実現することができる。
【００７５】
以上のように、差動配線群１５０は、電流が第１の方向に流れる導体（正位相配線１５１）と、その電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体（逆位相配線１５２）とが第３の方向に並べられた導体群である。また、この差動配線群１５０は、自身に流れる電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置に設けられている。
【００７６】
なお、この差動配線群１５０（導体群）は、複数の導体（配線）により構成されるように説明したが、これは、所定の領域内における構成を示している。例えば、図６のＣの例の場合、点線枠１５５の外において、正位相配線１５１同士、逆位相配線１５２同士がそれぞれ接続されているが、差動配線群１５０は点線枠１５５内のみの構成であり、点線枠１５５の外の接続は考慮しない。つまり、差動配線群１５０は、図６のＡに示されるように、正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−８、並びに、逆位相配線１５２−１乃至逆位相配線１５２−８の１６本の配線により構成される。
【００７７】
例えば、正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−８、並びに、逆位相配線１５２−１乃至逆位相配線１５２−８を、点線枠１５５の外において互いに直列に接続し、１本の蛇行する配線とすることも可能であるが、その場合であっても、差動配線群１５０は、点線枠１５５内の構成であり、図６のＡに示されるように、正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−８、並びに、逆位相配線１５２−１乃至逆位相配線１５２−８の１６本の配線により構成される。換言するに、１本の蛇行する配線により、図６のＡに示されるような構成の差動配線群１５０を実現することができる。
【００７８】
＜磁界強度分布＞
このような差動配線群１５０の磁界強度分布の例を図７に示す。図７のＡは、図６のＡと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を示しており、図７のＢに示されるグラフの曲線１６１は、図６のＢと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を示している。図７のＢに示されるように、電流の向きが互いに逆なので正位相配線１５１に流れる電流により発生する磁界と逆位相配線１５２に流れる電流により発生する磁界との向きも逆になる。したがってこれらの磁界は互いに打ち消し合い、その強度が抑制される。つまり、差動配線群１５０全体についてみると、磁界強度が抑制される。したがって、差動配線群１５０全体についてみると、その磁界により導体ループに生じる誘導起電力も抑制される。すなわち、導体ループに発生するノイズも抑制される。
【００７９】
＜誘導起電力分布＞
このような差動配線群１５０により導体ループに生じる誘導起電力分布の例を図８に示す。なお、導体ループに生じる誘導起電力Vemfは、以下の式（１）および式（２）のように算出される。なお、Φは磁束を示し、Ｈは磁界強度を示し、μは透磁率を示し、Ｓは磁束Φと直交する導体ループの面積を示す。
【００８０】
【数１】
2016181874.tif 000003
・・・（１）
【数２】
2016181874.tif 000004
・・・（２）
【００８１】
図６のＡと同方向から見た場合の誘導起電力分布は、例えば、図８のＡのようになり、図６のＢと同方向から見た場合の誘導起電力分布は、例えば、図８のＢに示されるグラフの曲線１６２のようになる。図８のＢの曲線１６２に示されるように、差動配線群１５０の側端部（第３の方向の端部）の配線の周辺においては、大きな誘導起電力が発生している。
【００８２】
＜側端部の磁界強度＞
図９に、差動配線群１５０の、図６のＢと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を示す。図中縦方向の矢印が磁界強度を示す。図９のＡに示されるように、差動配線群１５０の第３の方向の端より内側の領域では、互いに同程度の強度で互いに逆向きの磁界が交互に生じている。これらの磁界は互いに打ち消し合うので、この領域全体としての磁界強度は抑制される。
【００８３】
これに対して、差動配線群１５０の第３の方向の端より外側の領域（円１７１や円１７２内部に示される部分）では、その差動配線群１５０の端から無限遠までの広い領域において同一方向の磁界が生じる。この広範囲で同一方向の磁界強度が、面積分により積算されるため、図８の例のように、差動配線群１５０の側端部周辺の誘導起電力が大きくなってしまうおそれがあった。つまり、導体ループに生じるノイズが増大するおそれがあった。
【００８４】
＜磁界強度の算出＞
この図中縦方向の磁界強度Hz（位相０°）は、以下の式（３）のように算出される。
【００８５】
【数３】
2016181874.tif 000005
・・・（３）
【００８６】
位相０°の条件におけるＺ方向磁界強度Hzはアンペールの法則から概算可能である。式（３）は、差動配線群１５０が、電流進行方向が互いに略逆方向な２本１組の差動配線ｎ組で構成されている場合の概算式例である。ｋは片側端部配線から順番に割り振った配線番号を示し、Ｉｋはｋ番目の配線に流れる電流量を示し、ｒｋはｋ番目の配線からＺ方向磁界強度Hzの計算地点までの距離を示す。
【００８７】
このような式（３）を用いた、差動配線群１５０の側端部配線（正位相配線１５１−１）周辺の、図９中縦方向の磁界強度Hz（位相０°）の概算例を図９のＢに示す。図９のＢの例において、差動配線群１５０の各配線は配線間隔2r0で配設されていて、差動配線の配線周期は4r0であり、各配線の電流量の絶対値はI0である。
【００８８】
このような場合、上述したように、差動配線群１５０の側端部配線（正位相配線１５１−１）より外側の領域において同一方向の磁界強度が例えば以下の式（４）のように加算される。
【００８９】
Hz＝-0.77(I0/2πr0)−0.33(I0/2πr0)−・・・
・・・（４）
【００９０】
＜側端部の磁界強度の低減＞
そこで、このような差動配線群１５０の第３の方向の少なくとも一方の端部の配線が、差動配線群１５０の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有するようにする。
【００９１】
つまり、回路基板において、電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、電流が第１の方向（例えば、図６のＡにおいて図中左から右）に流れる導体（例えば正位相配線１５１）と、電流が第１の方向と略逆方向の第２の方向（例えば、図６のＡにおいて図中右から左）に流れる導体（例えば逆位相配線１５２）とが第３の方向（例えば、図６のＡにおいて図中点線１５３の延伸方向）に並べられた導体群（例えば差動配線群１５０）であって、導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体（例えば正位相配線１５１−１）が、その導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群を備えるようにする。
【００９２】
このようにすることにより、導体群の側端部周辺の磁界による、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【００９３】
＜側端部の電流量制御＞
導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が有する、その導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造として、例えば、その端部の導体の電流が、他の導体の電流より小さいようにしてもよい。
【００９４】
例えば、端部の導体の電流が、他の導体の電流の略２分の１であるようにしてもよい。
【００９５】
図９のＣに示される例の場合、側端部配線である正位相配線１５１−１の電流量絶対値を、側端部配線（正位相配線１５１−１）以外の配線の電流量絶対値の半分にしている。そのため、差動配線群１５０の正位相配線１５１−１より外側の領域において同一方向の磁界強度加算は、例えば以下の式（５）のようになる。
【００９６】
Hz＝-0.29(I0/2πr0)−0.10(I0/2πr0)−・・・
・・・（５）
【００９７】
つまり、差動配線群１５０の正位相配線１５１−１よりも外側の磁界強度が、図９のＢの例の場合よりも抑制される。これは、正位相配線１５１−１の電流量絶対値（0.5I0）を正位相配線１５１−１以外の配線の電流量絶対値（I0）の半分にしたことで、正位相配線１５１−１から生じる磁界強度が半分になり、正位相配線１５１−１よりも外側領域では他配線から生じる磁界と相殺されるためである。
【００９８】
＜電流量に応じた誘導起電力の比較＞
次に、その側端部配線の電流量と誘導起電力の関係を比較する。例えば、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の電流量を図１０のＡ乃至図１０のＥのように設定する。
【００９９】
図１０のＡの例では、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の電流量が、その他の配線（逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８）の電流量と同一（4mA）に設定されている。図１０のＢの例では、側端部配線の電流量が、その他の配線の電流量（4mA）よりも小さい3mAに設定されている。図１０のＣの例では、側端部配線の電流量が、その他の配線の電流量（4mA）の２分の１の2mAに設定されている。図１０のＤの例では、側端部配線の電流量が、その他の配線の電流量（4mA）の４分の１の1mAに設定されている。図１０のＥの例では、側端部配線の電流量が、0mAに設定されている。
【０１００】
側端部配線の電流量がこれらの場合の、図６のＢと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を、図１１のＡに示す。また、これらの場合の図６のＢと同方向から見た場合の誘導起電力分布の例を、図１１のＢに示す。
【０１０１】
図１１のＡに示されるように、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量よりも小さく設定した場合、側端部の磁界強度が抑制されている。したがって、図１１のＢに示されるように、側端部の誘導起電力も抑制されている。つまり、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量よりも小さくすることにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０１０２】
また、図１１のＡに示されるように、これらの各電流量の内、側端部配線の電流量がその他の配線の電流量の略２分の１の場合、側端部の磁界強度が最も抑制されている。したがって、図１１のＢに示されるように、これらの各電流量の内、側端部配線の電流量がその他の配線の電流量の略２分の１の場合、側端部の誘導起電力が最も抑制されている。すなわち、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量の略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０１０３】
＜側端部の導体断面積制御＞
導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が有する、その導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造として、例えば、その端部の導体の断面積（第１の方向に垂直な面の断面積）が、他の導体の断面積（第１の方向に垂直な面の断面積）より狭いようにしてもよい。
【０１０４】
例えば、端部の導体の第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１であるようにしてもよい。
【０１０５】
例えば、端部の導体の幅（例えば第１の方向に垂直な面の第３の方向の長さ）が、他の導体の幅より狭いようにしてもよい。また、例えば、前記端部の導体の厚さ（例えば第１の方向に垂直な面の第３の方向に垂直な第４の方向の長さ）が、他の導体の厚さより薄いようにしてもよい。
【０１０６】
例えば、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の幅を図１２のＡ乃至図１２のＥのように設定する。
【０１０７】
図１２のＡの例では、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の幅が、その他の配線（逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８）の幅と同一に設定されている。図１２のＢの例では、側端部配線の幅が、その他の配線の幅の４分の３に設定されている。図１２のＣの例では、側端部配線の幅が、その他の配線の幅の２分の１に設定されている。図１２のＤの例では、側端部配線の幅が、その他の配線の幅の４分の１に設定されている。図１２のＥの例では、側端部配線の幅が０、すなわち、その側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）が省略されている。
【０１０８】
側端部配線の幅がこれらの場合の、図６のＢと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を、図１３のＡに示す。また、これらの場合の図６のＢと同方向から見た場合の誘導起電力分布の例を、図１３のＢに示す。
【０１０９】
図１３のＡに示されるように、側端部配線の幅をその他の配線の幅よりも小さく設定した場合、側端部の磁界強度が抑制されている。したがって、図１３のＢに示されるように、側端部の誘導起電力も抑制されている。つまり、側端部配線の幅をその他の配線の幅よりも小さくすることにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０１１０】
また、図１３のＡに示されるように、これらの各配線の幅の内、側端部配線の幅がその他の配線の幅の略２分の１の場合、側端部の磁界強度が最も抑制されている。したがって、図１３のＢに示されるように、これらの各配線の幅の内、側端部配線の幅がその他の配線の幅の略２分の１の場合、側端部の誘導起電力が最も抑制されている。すなわち、側端部配線の幅をその他の配線の幅の略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０１１１】
この導体の幅の代わりに、導体の厚さを制御する場合も同様である。つまり、側端部配線の厚さをその他の配線の厚さよりも薄くすることにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。特に、側端部配線の厚さをその他の配線の厚さの略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０１１２】
つまり、上述したように、導体の断面積（第１の方向に垂直な面の断面積）を制御する場合も同様である。つまり、側端部配線の断面積をその他の配線の断面積よりも狭くすることにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。特に、側端部配線の断面積をその他の配線の断面積の略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０１１３】
＜側端部の導体追加制御＞
導体群の第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が有する、その導体群の第３の方向の周辺において発生する磁界によって導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造として、例えば、その端部の導体の近傍に、その端部の導体の電流と逆の方向に電流が流れる導体をさらに設けるようにしてもよい。
【０１１４】
例えば、その端部の導体の電流と逆の方向に電流が流れる導体の第１の方向に垂直な面の断面積が、端部の導体の第１の方向に垂直な面の断面積より狭いようにしてもよい。
【０１１５】
例えば、その端部の導体の電流と逆の方向に電流が流れる導体の第１の方向に垂直な面の断面積が、端部の導体の第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１であるようにしてもよい。
【０１１６】
例えば、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の近傍に、その側端部配線とは逆の方向に電流が流れる導体（追加配線２０１）を図１４のＡ乃至図１４のＥのように配置するようにする。
【０１１７】
図１４のＡの例では、側端部配線（正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）近傍に、追加配線を設置していない。
【０１１８】
図１４のＢ乃至図１４のＤの例では、正位相配線１５１−１の近傍（図中下側）に、配線幅が正位相配線１５１−１の略２分の１の逆位相配線である追加配線２０１−１を配置し、逆位相配線１５２−８の近傍（図中下側）に、配線幅が逆位相配線１５２−８の略２分の１の正位相配線である追加配線２０１−２を配置している。追加配線２０１−１および追加配線２０１−２を互いに区別して説明する必要が無い場合、追加配線２０１と称する。
【０１１９】
ただし、図１４のＢ乃至図１４のＤの各例では、追加配線２０１の配置位置が互いに異なる。追加配線２０１は、図１４のＢの場合、側端部配線の、差動配線群１５０の中央側近傍に配置され、図１４のＣの場合、側端部配線の中央近傍に配置され、図１４のＤの場合、側端部配線の、差動配線群１５０の端側近傍に配置されている。つまり、追加配線２０１は、図１４のＢの場合よりも図１４のＣの場合の方がより差動配線群１５０の端側に配置され、図１４のＢＣ場合よりも図１４のＤの場合の方がより差動配線群１５０の端側に配置されている。
【０１２０】
図１４のＥの例では、正位相配線１５１−１の近傍（図中下側）に、配線幅が正位相配線１５１−１と同程度の逆位相配線である追加配線２０１−１を配置し、逆位相配線１５２−８の近傍（図中下側）に、配線幅が逆位相配線１５２−８と同程度の正位相配線である追加配線２０１−２を配置している。
【０１２１】
側端部にこれらのように追加配線が配置される場合の、図６のＢと同方向から見た場合の磁界強度分布の例を、図１５のＡに示す。また、これらの場合の図６のＢと同方向から見た場合の誘導起電力分布の例を、図１５のＢに示す。
【０１２２】
図１５のＡに示されるように、側端部配線の近傍にその側端部配線と逆の方向に電流が流れる追加配線２０１を配置した場合、側端部の磁界強度が抑制されている。したがって、図１５のＢに示されるように、側端部の誘導起電力も抑制されている。つまり、側端部配線の近傍に、その側端部配線の電流と逆の方向に電流が流れる追加配線２０１を配置することにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。これは、側端部配線の電流進行方向と追加配線２０１の電流進行方向とが略逆方向になっているため、側端部配線から生じる磁界が追加配線２０１から生じる磁界によって相殺されるためである。
【０１２３】
また、図１５のＡに示されるように、これらの各例の内、図１４のＢ乃至図１４のＤの場合、側端部の磁界強度が最も抑制されている。したがって、図１５のＢに示されるように、これらの各例の内、図１４のＢ乃至図１４のＤの場合、側端部の誘導起電力が最も抑制されている。すなわち、側端部配線の近傍に、配線幅がその側端部配線の略２分の１であり、かつ、電流の方向がその側端部配線とは逆方向である追加配線２０１を配置することにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０１２４】
なお、図１５のＡや図１５のＢに示される例のように、図１４のＢ乃至図１４のＤの各例における磁界強度や誘導起電力に大きな差は見られない。つまり、追加配線２０１の配置位置は、側端部配線の近傍であればよい。
【０１２５】
＜差動配線群の構成例＞
なお、差動配線群１５０や差動配線組１５４の構成は、各配線の電流により生じる磁界を互いに抑制するような構成であれば任意であり、図６のＡの例に限定されない。
【０１２６】
例えば、差動配線組１５４を構成する正位相配線１５１の幅（第３の方向の長さ）と逆位相配線１５２の幅とが互いに異なるようにしてもよい。例えば、図１６のＡのように、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１の幅が逆位相配線１５２の幅より長くてもよい。例えば、図１６のＡの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１の幅が、逆位相配線１５２−２の幅よりも長い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１２７】
もちろん、逆位相配線１５２の幅を正位相配線１５１の幅よりも長くてもよい。また、差動配線群１５０の一部の差動配線組１５４のみにおいて、正位相配線１５１の幅と逆位相配線１５２の幅とが互いに異なるようにしてもよい。さらに、差動配線群１５０に、正位相配線１５１の幅が逆位相配線１５２の幅より長い差動配線組１５４と、逆位相配線１５２の幅が正位相配線１５１の幅より長い差動配線組１５４とが混在するようにしてもよい。
【０１２８】
また、例えば、差動配線組１５４を構成する正位相配線１５１の数と逆位相配線１５２の数とが互いに異なるようにしてもよい。例えば、各差動配線組１５４において逆位相配線１５２が、図１６のＢのように幅が均等に２分割されるようにしてもよいし、図１６のＣのように幅が均等に３分割されるようにしてもよいし、図１６のＤのように幅が不均等に５分割されるようにしてもよい。
【０１２９】
例えば、図１６のＢの場合、差動配線組１５４−１において、逆位相配線１５２−１が、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２とに幅が均等に分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１３０】
また、例えば、図１６のＣの場合、差動配線組１５４−１において、逆位相配線１５２−１が、逆位相配線１５２−１−１、逆位相配線１５２−１−２、および逆位相配線１５２−１−３に幅が均等に分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１３１】
さらに、例えば、図１６のＤの場合、差動配線組１５４−１において、逆位相配線１５２−１が、逆位相配線１５２−１−１、逆位相配線１５２−１−２、逆位相配線１５２−１−３、逆位相配線１５２−１−４、および逆位相配線１５２−１−５に幅が不均等に分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１３２】
もちろん、この分割数は任意である。また、図１６のＤのように、その分割の仕方が不均等であってもよい。また、分割後の各逆位相配線１５２の幅の合計が、正位相配線１５１の幅と異なるようにしてもよい。さらに、少なくとも一部の差動配線組１５４における逆位相配線１５２の分割の仕方（分割数や分割後の各配線の幅等）が、他の差動配線組１５４におけるその分割の仕方と異なるようにしてもよい。つまり、全ての差動配線組１５４でその分割の仕方が統一されていなくてもよい。
【０１３３】
もちろん、逆位相配線１５２ではなく、正位相配線１５１が分割されるようにしてもよい。その場合も、上述した逆位相配線１５２を分割する場合と同様である。
【０１３４】
さらに、逆位相配線１５２だけでなく、正位相配線１５１も分割されるようにしてもよい。その場合、差動配線組１５４の一部若しくは全部において、正位相配線１５１の分割の仕方と、逆位相配線１５２の分割の仕方とが、同一であってもよいし、互いに異なるようにしてもよい。
【０１３５】
例えば、全ての差動配線組１５４において、正位相配線１５１および逆位相配線１５２が、図１７のＡの例のように、互いに同様に均等に３分割されるようにしてもよいし、図１７のＢの例のように、互いに同様に不均等に２分割されるようにしてもよい。
【０１３６】
例えば、図１７のＡの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１が、正位相配線１５１−１−１、正位相配線１５１−１−２、および正位相配線１５１−１−３に幅が均等に分割され、逆位相配線１５２−１が、逆位相配線１５２−１−１、逆位相配線１５２−１−２、および逆位相配線１５２−１−３に幅が均等に分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１３７】
また、例えば、図１７のＢの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１が、正位相配線１５１−１−１と正位相配線１５１−１−２とに幅が不均等に分割され、逆位相配線１５２−１が、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２とに幅が不均等に分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１３８】
また、例えば、全ての差動配線組１５４において、正位相配線１５１および逆位相配線１５２が、図１７のＣの例のように、互いに鏡面対称な構造で分割されるようにしてもよい。
【０１３９】
例えば、図１７のＣの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１が、正位相配線１５１−１−１と正位相配線１５１−１−２とに幅が不均等に分割されている。また、逆位相配線１５２−１が、正位相配線１５１−１−２と同幅の逆位相配線１５２−１−１と、正位相配線１５１−１−１と同幅の逆位相配線１５２−１−２とに分割されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１４０】
図１７の場合も、図１６の場合と同様に、正位相配線１５１や逆位相配線１５２の分割の仕方（分割数や分割後の各配線の幅等）は任意であり、上述した例に限定されない。例えば、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が４以上に分割されるようにしてもよい。また、分割後の各配線の幅の合計が、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とで互いに異なるようにしてもよい。さらに、全ての差動配線組１５４で分割の仕方が統一されていなくてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とが図１７の各例のように分割されるようにしてもよい。
【０１４１】
また、例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との配置（例えば並び順）は任意である。例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とが、図１８のＡのように２回交互に並ぶように配置されるようにしてもよいし、図１８のＢのように３回交互に並ぶように配置されるようにしてもよいし、図１８のＣのように５回交互に並ぶように配置されるようにしてもよい。
【０１４２】
例えば、図１８のＡの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１、正位相配線１５１−１−２、逆位相配線１５２−１−１、逆位相配線１５２−１−２、逆位相配線１５２−１−３、および正位相配線１５１−１−３が、図中左からこの順に配置されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１４３】
例えば、図１８のＢの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１、逆位相配線１５２−１−１、正位相配線１５１−１−２、および逆位相配線１５２−１−２が、図中左からこの順に配置されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１４４】
例えば、図１８のＣの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１、逆位相配線１５２−１−１、正位相配線１５１−１−２、逆位相配線１５２−１−２、正位相配線１５１−１−３、および逆位相配線１５２−１−３が、図中左からこの順に配置されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１４５】
図１８の場合も、図１６の場合と同様に、正位相配線１５１や逆位相配線１５２の配置の仕方は任意であり、上述した例に限定されない。例えば、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が７回以上交互に並ぶように配置されるようにしてもよい。また、全ての差動配線組１５４で配置の仕方が統一されていなくてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とが図１８の各例のように配置されるようにしてもよい。
【０１４６】
また、例えば、差動配線群１５０において配線の間隔（隣接する配線間の距離）は、任意である。例えば、全配線の間隔が均一であってもよい。また、少なくとも一部の配線の間隔が、他のいずれかの配線の間隔と異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線の間隔が不均一であってもよい。
【０１４７】
また、この配線の間隔が、各配線の長手方向に均一であってもよいし、不均一であってもよい。つまり、配線の長手方向の位置に応じて配線の間隔が変化するようにしてもよい。このような配線の間隔の、配線の長手方向での変化は、一部の配線の間隔においてのみ生じるようにしてもよいし、全配線の間隔において生じるようにしてもよい。
【０１４８】
例えば、図１９のＡのように、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔と、差動配線組１５４内における配線の間隔とが互いに異なるようにしてもよい。図１９のＡの例の場合、差動配線組１５４−１の逆位相配線１５２−１と差動配線組１５４−２の正位相配線１５１−２との間隔（つまり、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔）よりも、正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−１との間隔（つまり、差動配線組１５４−１内における配線の間隔）の方が広い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１４９】
もちろん、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔よりも、差動配線組１５４内における配線の間隔の方が狭いようにしてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、配線の間隔が、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔と異なるようにしてもよい。
【０１５０】
また、例えば、差動配線組１５４内において、配線の間隔が不均一であってもよい。つまり、差動配線組１５４内において、少なくとも一部の配線の間隔が、他のいずれかの配線の間隔と異なるようにしてもよい。
【０１５１】
例えば、正位相配線１５１同士の間隔が、逆位相配線１５２同士の間隔や、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔と異なるようにしてもよい。また、例えば、逆位相配線１５２同士の間隔が、正位相配線１５１同士の間隔や、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔と異なるようにしてもよい。さらに、例えば、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔が、正位相配線１５１同士の間隔や、逆位相配線１５２同士の間隔と異なるようにしてもよい。また、例えば、正位相配線１５１同士の間隔と、逆位相配線１５２同士の間隔と、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔とが、互いに異なるようにしてもよい。
【０１５２】
さらに、例えば、正位相配線１５１同士の間隔と、逆位相配線１５２同士の間隔と、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔との内の少なくともいずれか１つが、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔と同一であってもよい。もちろん、正位相配線１５１同士の間隔と、逆位相配線１５２同士の間隔と、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との間隔とが全て、差動配線組１５４同士の間の配線の間隔と異なるようにしてもよい。
【０１５３】
また、例えば、差動配線組１５４内において、正位相配線１５１同士の隣接が複数存在する場合、それらの間隔の内の少なくとも一部が、他のいずれかの間隔と異なるようにしてもよい。例えば、差動配線組１５４が、互いに隣接する正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−３を有するとすると、正位相配線１５１−１と正位相配線１５１−２とが隣接し、正位相配線１５１−２と正位相配線１５１−３とが隣接する。これらの隣接における配線の間隔が互いに異なるようにしてもよい。
【０１５４】
もちろん、差動配線組１５４内において、逆位相配線１５２同士の隣接が複数存在する場合、それらの間隔の内の少なくとも一部が、他のいずれかの間隔と異なるようにしてもよいし、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との隣接が複数存在する場合、それらの間隔の内の少なくとも一部が、他のいずれかの間隔と異なるようにしてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、このように配線の間隔が異なるようにしてもよい。
【０１５５】
逆位相配線１５２同士の間隔が異なる例を図１９のＢに示す。図１９のＢの例の場合、差動配線組１５４−１において、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２との間隔よりも、逆位相配線１５２−１−２と逆位相配線１５２−１−３との間隔の方が広い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１５６】
もちろん、差動配線組１５４−１において、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２との間隔よりも、逆位相配線１５２−１−２と逆位相配線１５２−１−３との間隔の方が狭いようにしてもよい。
【０１５７】
また、例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との厚さ（第４の方向の長さ）が互いに異なるようにしてもよい。例えば、図２０のＡのように、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも厚いようにしてもよい。
【０１５８】
例えば、図２０のＡの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１が逆位相配線１５２−１よりも厚い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１５９】
もちろん、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも薄いようにしてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１と逆位相配線１５２との厚さが互いに異なるようにしてもよい。また、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも厚い差動配線組１５４と、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも薄い差動配線組１５４とが差動配線群１５０に混在するようにしてもよい。さらに、全ての差動配線組１５４において正位相配線１５１の厚さが統一されていなくてもよい。同様に、全ての差動配線組１５４において逆位相配線１５２の厚さが統一されていなくてもよい。
【０１６０】
また、例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１の第４の方向の位置と逆位相配線１５２の第４の方向の位置とが互いに異なるようにしてもよい。例えば、図２０のＢのように、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも図中上側に位置するようにしてもよい。
【０１６１】
例えば、図２０のＢの場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１が逆位相配線１５２−１よりも図中上側に位置している。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１６２】
もちろん、逆位相配線１５２が正位相配線１５１よりも図中上側に位置するようにしてもよい。また、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１の第４の方向の位置と逆位相配線１５２の第４の方向の位置とが互いに異なるようにしてもよい。また、正位相配線１５１が逆位相配線１５２よりも図中上側に位置する差動配線組１５４と、逆位相配線１５２が正位相配線１５１よりも図中上側に位置する差動配線組１５４とが差動配線群１５０に混在するようにしてもよい。さらに、全ての差動配線組１５４において正位相配線１５１と逆位相配線１５２との位置関係（相対位置）が統一されていなくてもよい。
【０１６３】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線の長さ（長手方向（つまり電流が流れる方向）の長さ）は、任意である。例えば、全配線の長さが同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線の長さが、他のいずれかの配線の長さと異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線の長さが不均一であってもよい。
【０１６４】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線の長さが、他のいずれかの差動配線組１５４の配線の長さと異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線の長さが、他のいずれかの配線の長さと異なるようにしてもよい。
【０１６５】
例えば、正位相配線１５１の長さと逆位相配線１５２の長さとが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１の長さが不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２の長さが不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１の長さと、少なくとも一部の逆位相配線１５２の長さとが互いに異なるようにしてもよい。
【０１６６】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線の導電率は、任意である。例えば、全配線の導電率が同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線の導電率が、他のいずれかの配線の導電率と異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線の導電率が不均一であってもよい。
【０１６７】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線の導電率が、他のいずれかの差動配線組１５４の配線の導電率と異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線の導電率が、他のいずれかの配線の導電率と異なるようにしてもよい。
【０１６８】
例えば、正位相配線１５１の導電率と逆位相配線１５２の導電率とが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１の導電率が不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２の導電率が不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１の導電率と、少なくとも一部の逆位相配線１５２の導電率とが互いに異なるようにしてもよい。
【０１６９】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線の電気抵抗の大きさは、任意である。例えば、全配線の電気抵抗の大きさが同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線の電気抵抗の大きさが、他のいずれかの配線の電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線の電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。
【０１７０】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線の電気抵抗の大きさが、他のいずれかの差動配線組１５４の配線の電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線の電気抵抗の大きさが、他のいずれかの配線の電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１７１】
例えば、正位相配線１５１の電気抵抗の大きさと逆位相配線１５２の電気抵抗の大きさとが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１の電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２の電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１の電気抵抗の大きさと、少なくとも一部の逆位相配線１５２の電気抵抗の大きさとが互いに異なるようにしてもよい。
【０１７２】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線に対して直列に接続される配線や素子等の電気抵抗（配線に対する直列電気抵抗とも称する）の大きさは、任意である。例えば、全配線に対する直列電気抵抗の大きさが同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線に対する直列電気抵抗の大きさが、他のいずれかの配線に対する直列電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線に対する直列電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。
【０１７３】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線に対する直列電気抵抗の大きさが、他のいずれかの差動配線組１５４の配線に対する直列電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線に対する直列電気抵抗の大きさが、他のいずれかの配線に対する直列電気抵抗の大きさと異なるようにしてもよい。
【０１７４】
例えば、正位相配線１５１に対する直列電気抵抗の大きさと逆位相配線１５２に対する直列電気抵抗の大きさとが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１に対する直列電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２に対する直列電気抵抗の大きさが不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１に対する直列電気抵抗の大きさと、少なくとも一部の逆位相配線１５２に対する直列電気抵抗の大きさとが互いに異なるようにしてもよい。
【０１７５】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線の合成インピーダンスの大きさは、任意である。例えば、全配線の合成インピーダンスの大きさが同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線の合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの配線の合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線の合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。
【０１７６】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線の合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの差動配線組１５４の配線の合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線の合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの配線の合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。
【０１７７】
例えば、正位相配線１５１の合成インピーダンスの大きさと逆位相配線１５２の合成インピーダンスの大きさとが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１の合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２の合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１の合成インピーダンスの大きさと、少なくとも一部の逆位相配線１５２の合成インピーダンスの大きさとが互いに異なるようにしてもよい。
【０１７８】
また、例えば、差動配線群１５０において各配線に対して直列に接続される配線や素子等の合成インピーダンス（配線に対する直列合成インピーダンスとも称する）の大きさは、任意である。例えば、全配線に対する直列合成インピーダンスの大きさが同一であってもよい。また、少なくとも一部の配線に対する直列合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの配線に対する直列合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。つまり差動配線群１５０の各配線に対する直列合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。
【０１７９】
例えば、少なくとも一部の差動配線組１５４の配線に対する直列合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの差動配線組１５４の配線に対する直列合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。また、差動配線組１５４の中で、少なくとも一部の配線に対する直列合成インピーダンスの大きさが、他のいずれかの配線に対する直列合成インピーダンスの大きさと異なるようにしてもよい。
【０１８０】
例えば、正位相配線１５１に対する直列合成インピーダンスの大きさと逆位相配線１５２に対する直列合成インピーダンスの大きさとが互いに異なるようにしてもよい。また、各正位相配線１５１に対する直列合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。さらに、各逆位相配線１５２に対する直列合成インピーダンスの大きさが不均一であってもよい。つまり、少なくとも一部の正位相配線１５１に対する直列合成インピーダンスの大きさと、少なくとも一部の逆位相配線１５２に対する直列合成インピーダンスの大きさとが互いに異なるようにしてもよい。
【０１８１】
また、例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１の層数（第４の方向に並ぶ数）と逆位相配線１５２の層数とが互いに異なるようにしてもよい。例えば、図２１のＡのように、各差動配線組１５４において、単層の正位相配線１５１に対して逆位相配線１５２が複数層形成されるようにしてもよい。
【０１８２】
例えば、図２１のＡの場合、差動配線組１５４−１には、単層の正位相配線１５１−１と、２層の逆位相配線１５２−１−１および逆位相配線１５２−１−２が形成されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１８３】
もちろん、逆位相配線１５２の層数は任意であり、図２１のＡの例に限定されない。例えば、逆位相配線１５２が３層以上形成されるようにしてもよい。また、全ての差動配線組１５４において、逆位相配線１５２の層数が統一されていなくてもよい。例えば、一部の差動配線組１５４においてのみ、逆位相配線１５２が複数層形成されるようにしてもよい。
【０１８４】
また、逆位相配線１５２が単層に形成され、正位相配線１５１が複数層形成されるようにしてもよい。その場合、逆位相配線１５２の場合と同様に、正位相配線１５１の層数は任意である。また、全ての差動配線組１５４において、正位相配線１５１の層数が統一されていなくてもよい。また、正位相配線１５１と逆位相配線１５２の両方が複数層形成されるようにしてもよい。
【０１８５】
その場合、正位相配線１５１と逆位相配線１５２の層数が同一であってもよい。例えば、各差動配線組１５４において、正位相配線１５１および逆位相配線１５２が、図２１のＢのように２層形成されるようにしてもよいし、図２１のＣのように３層形成されるようにしてもよい。
【０１８６】
例えば、図２１のＢの場合、差動配線組１５４−１には、２層の正位相配線１５１−１および正位相配線１５１−２、並びに、２層の逆位相配線１５２−１−１および逆位相配線１５２−１−２が形成されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１８７】
また、例えば、図２１のＣの場合、差動配線組１５４−１には、３層の正位相配線１５１−１乃至正位相配線１５１−３、並びに、３層の逆位相配線１５２−１−１乃至逆位相配線１５２−１−３が形成されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１８８】
もちろん、正位相配線１５１および逆位相配線１５２の層数は任意であり、４層以上形成されるようにしてもよい。また、全ての差動配線組１５４において、正位相配線１５１および逆位相配線１５２の層数が統一されていなくてもよい。例えば、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１および逆位相配線１５２が複数層形成されるようにしてもよい。さらに、正位相配線１５１の層数と逆位相配線１５２の層数とが互いに異なるようにしてもよい。一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１の層数と逆位相配線１５２の層数とが互いに異なるようにしてもよい。換言するに、一部の差動配線組１５４においてのみ、正位相配線１５１の層数と逆位相配線１５２の層数とが互いに同一であるようにしてもよい。
【０１８９】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、それらの配線の一部若しくは全部の層間が短絡されるようにしてもよい。例えば、図２２のＡや図２２のＢのように、正位相配線１５１の層間と、逆位相配線１５２の層間とがそれぞれ導体により短絡されるようにしてもよい。
【０１９０】
図２２のＡの例の場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１と正位相配線１５１−１−２とが全面的に導体３０１−１−１により短絡されている。同様に、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２とが全面的に導体３０１−１−２により短絡されている。他の差動配線組１５４においても同様である。図２２のＢの例の場合、差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１と正位相配線１５１−１−２の一部が導体３０１−１−１により短絡されている。同様に、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２の一部が導体３０１−１−２により短絡されている。他の差動配線組１５４においても同様である。なお、以下において、導体３０１−１−１と導体３０１−Ｎ−２とを区別して説明する必要が無い場合、導体３０１−１とも称する。つまり、導体３０１−Ｎ−Ｍ（Ｎ、Ｍは自然数）のＭを区別して説明する必要が無い場合、導体３０１−Ｎとも称する。また、導体３０１−ＮのＮを区別して説明する必要が無い場合、導体３０１とも称する。
【０１９１】
もちろん、このような導体３０１による配線の短絡は、一部の層間においてのみ行われるようにしてもよい。また、このような導体３０１による配線の短絡は、一部の差動配線組１５４においてのみ行われるようにしてもよい。
【０１９２】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、例えば図２２のＣのように、各層の正位相配線１５１や逆位相配線１５２の第３の方向の位置が、互いに異なるようにしてもよい。
【０１９３】
図２２のＣの場合、例えば差動配線組１５４−１において、図中上側の層の、正位相配線１５１−１−１および逆位相配線１５２−１−１の第３の方向の位置と、図中下側の層の、正位相配線１５１−１−２および逆位相配線１５２−１−２の第３の方向の位置とが互いに異なっている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０１９４】
もちろん、このような層間の第３の方向の位置の違いが、一部の差動配線組１５４においてのみ生じるようにしてもよい。また、各差動配線組１５４の全ての層間で、第３の方向の位置の違いが統一されていなくてもよい。
【０１９５】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、例えば図２３のＡのように、電流の向きが層間で互いに異なるようにしてもよい。つまり、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とが第４の方向に積層されて形成されるようにしてもよい。
【０１９６】
図２３のＡの場合、例えば差動配線組１５４−１において、正位相配線１５１−１−１と逆位相配線１５２−１−２とが第４の方向に積層されて形成され、逆位相配線１５２−１−１と正位相配線１５１−１−２とが第４の方向に積層されて形成されている。
【０１９７】
もちろん、このような構成が一部の差動配線組１５４においてのみ形成されるようにしてもよい。
【０１９８】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、各層の配線幅が互いに異なるようにしてもよい。例えば図２３のＢのように、図中上側の層の配線の幅の方が、図中下側の配線の幅よりも長くなるようにしてもよい。
【０１９９】
図２３のＢの場合、例えば差動配線組１５４−１において、図中上側の層の正位相配線１５１−１−１の配線幅の方が、図中下側の正位相配線１５１−１−２の配線幅よりも長い。同様に、図中上側の層の逆位相配線１５２−１−１の配線幅の方が、図中下側の逆位相配線１５２−１−２の配線幅よりも長い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０２００】
もちろん、一部の差動配線組１５４においてのみ、図中上側の層の配線の幅の方が、図中下側の配線の幅よりも長くなるようにしてもよい。また、逆に、一部若しくは全部の差動配線組１５４において図中下側の層の配線の幅の方が、図中上側の配線の幅よりも長くなるようにしてもよい。
【０２０１】
また、例えば図２３のＣのように、正位相配線１５１と逆位相配線１５２とで、配線の幅の長さの変化の仕方が互いに異なるようにしてもよい。
【０２０２】
図２３のＣの場合、例えば差動配線組１５４−１において、図中上側の層の正位相配線１５１−１−１の配線幅の方が、図中下側の正位相配線１５１−１−２の配線幅よりも長い。これに対して、図中上側の層の逆位相配線１５２−１−１の配線幅の方が、図中下側の逆位相配線１５２−１−２の配線幅よりも短い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０２０３】
配線の層数は任意であり、配線の幅の変化の仕方（どの層の配線の幅が、どの層の配線の幅よりも長いか否か）は、任意である。少なくとも一部の層の配線の幅が、他の層の配線の幅と異なっていれば良い。また、このような構成が、一部の差動配線組１５４においてのみ形成されるようにしてもよい。
【０２０４】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、それらの配線の厚さが、層間で互いに異なるようにしてもよい。例えば図２４のＡのように、図中上側の層の配線の方が、図中下側の配線よりも厚くなるようにしてもよい。
【０２０５】
図２４のＡの場合、例えば差動配線組１５４−１において、図中上側の層の正位相配線１５１−１−１や逆位相配線１５２−１−１の方が、図中下側の正位相配線１５１−１−２や逆位相配線１５２−１−２よりも厚い。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０２０６】
もちろん、配線の層数は任意であり、配線の厚さの変化の仕方（どの層の配線が、どの層の配線よりも厚いか否か）は、任意である。少なくとも一部の層の配線の厚さが、他の層の配線の厚さと異なっていれば良い。また、このような構成が、一部の差動配線組１５４においてのみ形成されるようにしてもよい。
【０２０７】
また、正位相配線１５１や逆位相配線１５２が複数層形成される場合、各層の正位相配線１５１や逆位相配線１５２の数が統一されていなくてもよい。つまり、正位相配線１５１若しくは逆位相配線１５２、または、その両方について、少なくとも一部の層における配線数が、他のいずれかの層における配線数と異なるようにしてもよい。例えば図２４のＢのように、正位相配線１５１および逆位相配線１５２の数が、図中上側の層よりも、図中下側の層の方が多いようにしてもよい。
【０２０８】
図２４のＢの場合、例えば差動配線組１５４−１において、図中上側の層に、正位相配線１５１−１−１と逆位相配線１５２−１−１が形成され、図中下側の層に、正位相配線１５１−１−２乃至正位相配線１５１−１−４、並びに、逆位相配線１５２−１−２乃至逆位相配線１５２−１−４が形成されている。他の差動配線組１５４においても同様である。
【０２０９】
もちろん、各層の配線数は任意である。当然、図中上側の層の方が、図中下側の層よりも配線数が多いようにしてもよい。また、配線の層数は、複数であれば任意である。また、このような構成が、一部の差動配線組１５４においてのみ形成されるようにしてもよい。
【０２１０】
また、長さ、導電率、電気抵抗、配線に対する直列電気抵抗、合成インピーダンス、配線に対する直列合成インピーダンス、配線の間隔についても同様である。つまり、正位相配線１５１若しくは逆位相配線１５２、または、その両方について、少なくとも一部の層におけるそれらの値（少なくともいずれか１つ）が、他のいずれかの層における値と異なるようにしてもよい。
【０２１１】
以上のように、導体組において、第１の方向に電流が流れる導体と、第２の方向に電流が流れる導体とで、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、第１の方向および第３の方向に垂直な第４の方向の位置、並びに第４の方向の層数の内、少なくともいずれか１つが互いに異なるようにしてもよい。
【０２１２】
また、導体組において、各導体が、第１の方向および第３の方向に垂直な第４の方向に多層構造を形成するようにしてもよい。そして、その導体組において、各導体の第４の方向の少なくとも一部の層の、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、電流の方向、並びに第３の方向の位置の内、少なくともいずれか１つが他の層と異なるようにしてもよい。また、その導体組において、各導体の第４の方向の少なくとも一部の層が他の層と短絡しているようにしてもよい。
【０２１３】
このように、差動配線群１５０の構成は任意であり、上述した例に限定されない。本技術は、様々な構成の差動配線群１５０に適用することができる。
【０２１４】
＜側端部の導体間隔制御＞
なお、側端部配線の構成例も、図９乃至図１５を参照して上述した例に限定されない。
【０２１５】
例えば、図２５のように、端部の導体とその端部の導体に隣接する他の導体との間隔と、他の導体同士の間隔とが互いに異なるようにしてもよい。図２５のＡの例の場合、側端部配線である正位相配線１５１−１と、その正位相配線１５１−１に隣接する逆位相配線１５２−１との間隔が、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８の配線間の間隔よりも広くなるように配置されている。同様に、側端部配線である逆位相配線１５２−８と、その逆位相配線１５２−８に隣接する正位相配線１５１−８との間隔が、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８の配線間の間隔よりも広くなるように配置されている。いずれか一方の端部においてのみ、間隔が広いようになされていてもよい。
【０２１６】
図２５のＢの例の場合、側端部配線である正位相配線１５１−１と、その正位相配線１５１−１に隣接する逆位相配線１５２−１との間隔が、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８の配線間の間隔よりも狭くなるように配置されている。同様に、側端部配線である逆位相配線１５２−８と、その逆位相配線１５２−８に隣接する正位相配線１５１−８との間隔が、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８の配線間の間隔よりも狭くなるように配置されている。いずれか一方の端部においてのみ、間隔が狭いようになされていてもよい。
【０２１７】
なお、側端部配線よりも外側の磁界強度を抑制するために、端部の配線とその端部の配線に隣接する他の配線との間隔を、他の配線同士の間隔よりもどの程度広くするべきか、若しくは狭くするべきかは、各配線の電流量に依存する。つまり、端部の配線とその端部の配線に隣接する他の配線との間隔を適切に設定して、端部の配線とその端部の配線に隣接する他の配線との間隔と他の配線同士の間隔とが互いに異なるようにすることにより、差動配線群１５０の側端部配線よりも外側の磁界強度が、正位相配線１５１−１乃至逆位相配線１５２−８が等間隔で配置される場合よりも抑制される。したがって、この側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２１８】
＜側端部の導体厚さ制御＞
また、例えば、図２６のように、端部の導体の厚さが、他の導体の厚さより薄いようにしてもよい。図２６のＡの例の場合、側端部配線である正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−８とが、その他の配線である逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８よりも薄く形成されている。正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−８の内のいずれか一方のみ、厚さが他の配線よりも薄いようにしてもよい。
【０２１９】
図２６のＢの例の場合、各配線が２層に形成され、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８は、それぞれ、図中上側の層と下側の層とが導体３０１により短絡されている。例えば、逆位相配線１５２−１−１と逆位相配線１５２−１−２とが導体３０１−１−２により短絡されている。差動配線組１５４−２においては、正位相配線１５１−２−１と正位相配線１５１−２−２とが導体３０１−２−１により短絡され、逆位相配線１５２−２−１と逆位相配線１５２−２−２とが導体３０１−２−２により短絡されている。差動配線組１５４−３乃至差動配線組１５４−７も同様に構成されており、差動配線組１５４−７においては、正位相配線１５１−７−１と正位相配線１５１−７−２とが導体３０１−７−１により短絡され、逆位相配線１５２−７−１と逆位相配線１５２−７−２とが導体３０１−７−２により短絡されている。さらに、正位相配線１５１−８−１と正位相配線１５１−８−２とが導体３０１−８−１により短絡されている。
【０２２０】
ただし、側端部配線である正位相配線１５１−１−１および正位相配線１５１−１−２は、互いに短絡されていない。また、側端部配線である逆位相配線１５２−８−１および逆位相配線１５２−８−２も、互いに短絡されていない。つまり、側端部配線のみ層間の短絡が省略されている。したがって、実質的に、側端部配線の厚さがその他の配線よりも薄くなされている。なお、一方の側端部配線のみ、層間の短絡を省略するようにしてもよい。また、配線の層数は任意である。
【０２２１】
図２６のＣの例の場合、各配線が２層に形成され、逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８は、図２６のＢの場合と同様に、それぞれ、図中上側の層と下側の層とが導体により短絡されている。
【０２２２】
ただし、側端部配線である正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−８は、単層に形成されている。したがって、実質的に、側端部配線の厚さがその他の配線よりも薄くなされている。なお、一方の側端部配線のみ、単層に形成するようにしてもよい。また、配線の層数は任意である。側端部配線の層数は、その他の配線の層数より少なければよい。
【０２２３】
以上のような構成にして、側端部配線の厚さを他の配線よりも薄くすることにより、差動配線群１５０の側端部配線よりも外側の磁界強度が、全配線の厚さが同一である場合よりも抑制される。したがって、この側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２２４】
なお、図１２や図１３を参照して、配線幅について説明した際に上述したように、特に、側端部配線の厚さをその他の配線の厚さの略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２２５】
＜側端部の導体高さ位置制御＞
また、例えば、図２７のように、端部の導体の第１の方向および第３の方向に垂直な第４の方向（高さ方向）の位置が、他の導体の第４の方向の位置と異なるようにしてもよい。図２７のＡの例の場合、側端部配線である正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−８とが、その他の配線である逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８よりも図中下側に配置されている。
【０２２６】
このような構成にすることにより、側端部配線と導体ループとの距離が離れることから導体ループ位置では側端部配線に起因する磁界が弱まるため、差動配線群１５０の側端部配線よりも外側の磁界強度が、全配線の第４の方向の位置が同一である場合よりも抑制される。したがって、この側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。なお、導体ループが配線の下側に存在する場合、図２７のＢの例のように、側端部配線である正位相配線１５１−１と逆位相配線１５２−８とを、その他の配線である逆位相配線１５２−１乃至正位相配線１５１−８よりも図中上側に配置するようにすればよい。
【０２２７】
＜側端部配線の他の構成例＞
なお、導体群の正位相配線１５１と逆位相配線１５２とが、複数層として形成される場合、側端部配線の各層の位置関係は任意である。例えば図２８のＡ乃至図２８のＥのように、図中上側の層の図中左右の側端部配線の位置と、図中下側の層の図中左右の側端部配線の位置とが、互いに揃っていてもよいし、互いに異なっていてもよい。
【０２２８】
＜側端部の電気抵抗制御＞
また、側端部配線の電気抵抗が、他の配線の電気抵抗よりも大きいようにしてもよい。例えば、側端部配線の電気抵抗が、他の配線の電気抵抗の略２倍であるようにしてもよい。
【０２２９】
例えば、差動配線群１５０が、図２９に示されるような構成の回路の点線枠１５５内の構成であるものとすると、その差動配線群１５０の各配線を流れる電流である配線電流を構成する周波数成分が低周波である場合（低周波数の配線電流の場合）、この点線枠１５５内の各配線（すなわち、差動配線群１５０の各配線）は電気抵抗を有する。配線（導体）の電気抵抗をＲとし、配線（導体）の電気抵抗率をρとし、配線（導体）の電気伝導率（導電率）をσとし、配線（導体）の長さをｌ（エル）とし、配線（導体）の断面積をＡとすると、配線（導体）の電気抵抗Ｒは、例えば、以下の式（６）のように表すことができる。
【０２３０】
【数４】
2016181874.tif 000006
・・・（６）
【０２３１】
つまり、配線電流を構成する周波数成分が低周波である場合（低周波数の配線電流の場合）、側端部配線（図２９の例の場合、正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の電気抵抗Ｒを、その他の配線の電気抵抗Ｒよりも大きくすることにより、側端部配線の電流量を、その他の配線の電流量よりも小さくすることができる。つまり、図１１を参照して説明したように、側端部の磁界強度を抑制することができ、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２３２】
また、図１１を参照して説明したように、特に、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量の略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。つまり、特に、側端部配線の電気抵抗Ｒを、他の配線の電気抵抗Ｒの略２倍とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２３３】
なお、上述したように側端部配線の電気抵抗Ｒを、その他の配線の電気抵抗Ｒよりも大きくする方法は任意である。例えば、式（６）に基づいて、側端部配線の電気抵抗率ρを、その他の配線の電気抵抗率ρより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線の電気伝導率（導電率）σを、その他の配線の電気伝導率（導電率）σより小さくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線の長さｌ（エル）を、その他の配線の長さｌ（エル）より長くするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線の断面積Ａを、その他の配線の断面積Ａより狭くするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線の電気抵抗Ｒを他の配線の電気抵抗Ｒの２倍とするために、側端部配線の電気抵抗率ρをその他の配線の電気抵抗率ρの２倍としてもよいし、側端部配線の電気伝導率（導電率）σをその他の配線の電気伝導率（導電率）σの２分の１としてもよいし、側端部配線の長さｌ（エル）をその他の配線の長さｌ（エル）の２倍としてもよいし、側端部配線の断面積Ａをその他の配線の断面積Ａの２分の１としてもよい。
【０２３４】
＜側端部の合成インピーダンス制御＞
また、側端部配線の合成インピーダンスが、他の配線の合成インピーダンスよりも大きいようにしてもよい。例えば、側端部配線の合成インピーダンスが、他の配線の合成インピーダンスの略２倍であるようにしてもよい。
【０２３５】
例えば、配線電流を構成する周波数成分が高周波である場合（高周波数の配線電流の場合）、図２９の点線枠１５５内の各配線（すなわち、差動配線群１５０の各配線）は合成インピーダンスを有する。配線（導体）の合成インピーダンスをＺとし、配線（導体）の電気抵抗をＲとし、配線（導体）のインダクタンスをＬとし、配線（導体）のキャパシタンスをＣとし、配線電流の交流の各周波数をωとすると、配線（導体）の合成インピーダンスＺは、例えば、以下の式（７）のように表すことができる。
【０２３６】
【数５】
2016181874.tif 000007
・・・（７）
【０２３７】
つまり、配線電流を構成する周波数成分が高周波である場合（高周波数の配線電流の場合）、側端部配線（図２９の例の場合、正位相配線１５１−１および逆位相配線１５２−８）の合成インピーダンスＺを、その他の配線の合成インピーダンスＺよりも大きくすることにより、側端部配線の電流量を、その他の配線の電流量よりも小さくすることができる。つまり、図１１を参照して説明したように、側端部の磁界強度を抑制することができ、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２３８】
特に、側端部配線の合成インピーダンスＺを、他の配線の合成インピーダンスＺの略２倍とすることにより、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量の略２分の１とすることができ、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２３９】
なお、上述したように側端部配線の合成インピーダンスＺを、その他の配線の合成インピーダンスＺよりも大きくする方法は任意である。例えば、式（７）に基づいて、側端部配線の電気抵抗Ｒを、その他の配線の電気抵抗Ｒより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線のインダクタンスＬを、その他の配線のインダクタンスＬより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線のキャパシタンスＣを、「ωＬ−１／ωＣ」がその他の配線のキャパシタンスＣの場合よりも大きくなるような値にしてもよい。
【０２４０】
＜側端部配線に対する直列電気抵抗制御＞
また、側端部配線に対する直列電気抵抗（点線枠１５５外において側端部配線に対して直列に接続される配線や素子等の電気抵抗）を、その他の配線に対する直列電気抵抗よりも大きくしてもよい。例えば、側端部配線に対する直列電気抵抗を、その他の配線に対する直列電気抵抗の略２倍としてもよい。
【０２４１】
例えば、差動配線群１５０が、図３０に示されるような構成の回路の点線枠１５５内の構成であるものとすると、その差動配線群１５０の各配線を流れる電流である配線電流を構成する周波数成分が低周波である場合（低周波数の配線電流の場合）、この点線枠１５５内の各配線（すなわち、差動配線群１５０の各配線）に対して直列に接続される点線枠１５５外の配線や素子等が電気抵抗（配線に対する直列電気抵抗）を有する。図３０に示される抵抗３５１は、この配線に対する直列電気抵抗を素子として模式化したものである。つまり、差動配線群１５０の各配線には、それぞれ、点線枠１５５外において抵抗３５１が直列に接続されている。
【０２４２】
この抵抗３５１の抵抗値（つまり、配線に対する直列電気抵抗）が無視できないほど大きく、それに対して、差動配線群１５０の各配線の電気抵抗が無視できるほど小さい場合、側端部配線に対する直列電気抵抗を、その他の配線に対する直列電気抵抗よりも大きくすることにより、側端部配線の電流量を、その他の配線の電流量よりも小さくすることができる。つまり、図１１を参照して説明したように、側端部の磁界強度を抑制することができ、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２４３】
特に、側端部配線に対する直列電気抵抗を、その他の配線に対する直列電気抵抗の略２倍とすることにより、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量の略２分の１とすることができ、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２４４】
なお、側端部配線に対する直列電気抵抗を、その他の配線に対する直列電気抵抗よりも大きくする方法は任意である。例えば、側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρを、その他の配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σを、その他の配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σより小さくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）を、その他の配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）より長くするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する抵抗３５１の断面積Ａを、その他の配線に対する抵抗３５１の断面積Ａより狭くするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する直列電気抵抗Ｒをその他の配線に対する直列電気抵抗Ｒの２倍とするために、側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρをその他の配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρの２倍としてもよいし、側端部配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σをその他の配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σの２分の１としてもよいし、側端部配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）をその他の配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）の２倍としてもよいし、側端部配線に対する抵抗３５１の断面積Ａをその他の配線に対する抵抗３５１の断面積Ａの２分の１としてもよい。
【０２４５】
また、差動配線群１５０の配線に対する直列電気抵抗だけでなく、その配線の電気抵抗も無視できない場合、それらの和を、上述した配線の電気抵抗に対する制御の場合や、配線に対する直列電気抵抗に対する制御の場合と同様に制御すれば良い。
【０２４６】
＜側端部配線に対する直列合成インピーダンス制御＞
また、側端部配線に対する直列合成インピーダンス（点線枠１５５外において側端部配線に対して直列に接続される配線や素子等の合成インピーダンス）が、その他の配線に対する直列合成インピーダンスよりも大きいようにしてもよい。例えば、側端部配線に対する直列合成インピーダンスが、その他の配線に対する直列合成インピーダンスの略２倍であるようにしてもよい。
【０２４７】
例えば、差動配線群１５０が、図３０に示されるような構成の回路の点線枠１５５内の構成であるものとすると、その差動配線群１５０の各配線を流れる電流である配線電流を構成する周波数成分が高周波である場合（高周波数の配線電流の場合）、この点線枠１５５内の各配線（すなわち、差動配線群１５０の各配線）に対して直列に接続される点線枠１５５外の配線や素子等が合成インピーダンス（配線に対する直列合成インピーダンス）を有する。図３０に示される抵抗３５１は、この配線に対する直列合成インピーダンスを素子として模式化したものとも言える。つまり、差動配線群１５０の各配線には、それぞれ、点線枠１５５外において抵抗３５１が直列に接続されている。
【０２４８】
この抵抗３５１の合成インピーダンス（つまり、配線に対する直列合成インピーダンス）が無視できないほど大きく、それに対して、差動配線群１５０の各配線の合成インピーダンスが無視できるほど小さい場合、側端部配線に対する直列合成インピーダンスを、その他の配線に対する直列合成インピーダンスよりも大きくすることにより、側端部配線の電流量を、その他の配線の電流量よりも小さくすることができる。つまり、図１１を参照して説明したように、側端部の磁界強度を抑制することができ、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。
【０２４９】
特に、側端部配線に対する直列合成インピーダンスを、その他の配線に対する直列合成インピーダンスの略２倍とすることにより、側端部配線の電流量をその他の配線の電流量の略２分の１とすることができ、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２５０】
なお、側端部配線に対する直列合成インピーダンスを、その他の配線に対する直列合成インピーダンスよりも大きくする方法は任意である。例えば、側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒを、その他の配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬを、その他の配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬより大きくするようにしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣを、「ωＬ−１／ωＣ」がその他の配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣの場合よりも大きくなるような値にしてもよい。また、例えば、側端部配線に対する直列合成インピーダンスをその他の配線に対する直列合成インピーダンスの２倍とするために、側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒをその他の配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒの２倍としてもよいし、側端部配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬをその他の配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬの２倍としてもよい。また、側端部配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣを、「ωＬ−１／ωＣ」がその他の配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣの場合の２倍となるような値としてもよい。
【０２５１】
また、差動配線群１５０の配線に対する直列合成インピーダンスだけでなく、その配線の合成インピーダンスも無視できない場合、それらの和を、上述した配線の合成インピーダンスに対する制御の場合や配線に対する直列合成インピーダンスに対する制御の場合と同様に制御すれば良い。
【０２５２】
＜側端部配線の素材制御＞
電流量制御の為の以上のような各パラメータの制御のために、側端部配線の素材として、その他の配線の素材と異なる素材を用いるようにしてもよい。
【０２５３】
＜側端部の追加導体の電流量制御＞
なお、図１４を参照して、側端部配線の近傍に、その側端部配線とは逆の方向に電流が流れる追加配線２０１を設ける例を説明したが、この追加配線２０１についても、上述した側端部配線に対する制御と同様の制御を行うことができる。
【０２５４】
図１４および図１５を参照して説明したように、追加配線２０１の電流により生じる磁界によって、側端部配線の電流により生じる磁界を抑制されるようにすればよい。つまり、追加配線２０１には、その電流によって生じる磁界が側端部配線の電流により生じる磁界を抑制する方向に、側端部配線の電流量よりも少ない電流量の電流が流れるようにすればよい。特に、追加配線２０１の電流量が、側端部配線の電流量の略２分の１とすることにより、上述した側端部配線の電流量制御の場合と同様に、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２５５】
＜追加導体の制御＞
図１４および図１５においては、追加配線２０１の電流量を側端部配線の電流量よりも少なくする方法として、追加配線の配線幅を制御する例について説明したが、その方法は、上述した側端部配線の場合と同様に、この例に限定されない。
【０２５６】
＜側端部の追加導体の断面積制御＞
例えば、端部の導体（側端部配線）の電流と逆の方向に電流が流れる導体（追加配線２０１）の第１の方向に垂直な面の断面積が、側端部配線の第１の方向に垂直な面の断面積より狭いようにしてもよい。このようにすることにより、側端部の誘導起電力を抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生を抑制することができる。特に、その追加配線２０１の第１の方向に垂直な面の断面積を、側端部配線の第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２５７】
このように追加配線２０１の第１の方向に垂直な面の断面積を小さくするために、例えば図１２の例と同様に、追加配線２０１の幅を側端部配線の幅より小さくしてもよい。特に、追加配線２０１の第１の方向に垂直な面の断面積を側端部配線の第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１とするように、追加配線２０１の幅を側端部配線の幅の略２分の１としてもよい。
【０２５８】
同様に、追加配線２０１の厚さを制御するようにしてもよい。例えば、追加配線２０１の第１の方向に垂直な面の断面積を小さくするために、例えば図２６の例と同様に、追加配線２０１の厚さを、側端部配線の厚さより薄くしてもよい。特に、追加配線２０１の第１の方向に垂直な面の断面積を側端部配線の第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１とするように、追加配線２０１の厚さを側端部配線の厚さの略２分の１としてもよい。また、この厚さの制御を多層に形成された配線の層間の短絡の有無や層数の増減により行うようにしてもよい。
【０２５９】
＜側端部の追加導体の電気抵抗制御＞
また、配線電流を構成する周波数成分が低周波である場合（低周波数の配線電流の場合）、追加配線２０１の電気抵抗を制御するようにしてもよい。例えば、追加配線２０１の電流量を側端部配線の電流量よりも少なくするために、例えば図２９の例と同様に、追加配線２０１の電気抵抗を、側端部配線の電気抵抗よりも大きくしてもよい。特に、追加配線２０１の電気抵抗を、側端部配線の電気抵抗の略２倍とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２６０】
＜側端部の追加導体の合成インピーダンス制御＞
また、配線電流を構成する周波数成分が高周波である場合（高周波数の配線電流の場合）、追加配線２０１の合成インピーダンスを制御するようにしてもよい。例えば、追加配線２０１の電流量を側端部配線の電流量よりも少なくするために、例えば図２９の例と同様に、追加配線２０１の合成インピーダンスを、側端部配線の合成インピーダンスよりも大きくしてもよい。特に、追加配線２０１の合成インピーダンスを、側端部配線の合成インピーダンスの略２倍とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２６１】
＜側端部の追加導体に対する直列電気抵抗制御＞
また、配線電流を構成する周波数成分が低周波である場合（低周波数の配線電流の場合）、追加配線２０１に対する直列電気抵抗を制御するようにしてもよい。例えば、追加配線２０１の電流量を側端部配線の電流量よりも少なくするために、例えば図３０の例と同様に、追加配線２０１に対する直列電気抵抗を、側端部配線に対する直列電気抵抗よりも大きくしてもよい。特に、追加配線２０１に対する直列電気抵抗を、側端部配線に対する直列電気抵抗の略２倍とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２６２】
なお、追加配線２０１に対する直列電気抵抗を、側端部配線に対する直列電気抵抗よりも大きくする方法は任意である。例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρを、側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρより大きくするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σを、側端部配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σより小さくするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）を、側端部配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）より長くするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１の断面積Ａを、側端部配線に対する抵抗３５１の断面積Ａより狭くするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する直列電気抵抗Ｒを側端部配線に対する直列電気抵抗Ｒの２倍とするために、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρを側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗率ρの２倍としてもよいし、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σを側端部配線に対する抵抗３５１の電気伝導率（導電率）σの２分の１としてもよいし、追加配線２０１に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）を側端部配線に対する抵抗３５１の長さｌ（エル）の２倍としてもよいし、追加配線２０１に対する抵抗３５１の断面積Ａを側端部配線に対する抵抗３５１の断面積Ａの２分の１としてもよい。
【０２６３】
また、追加配線２０１に対する直列電気抵抗だけでなく、追加配線２０１の電気抵抗も無視できない場合、それらの和について、上述した追加配線２０１の電気抵抗に対する制御の場合や追加配線２０１に対する直列電気抵抗に対する制御の場合と同様に制御するようにすれば良い。
【０２６４】
＜側端部の追加導体に対する直列合成インピーダンス制御＞
また、配線電流を構成する周波数成分が高周波である場合（高周波数の配線電流の場合）、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスを制御するようにしてもよい。例えば、追加配線２０１の電流量を側端部配線の電流量よりも少なくするために、例えば図３０の例と同様に、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスを、側端部配線に対する直列合成インピーダンスよりも大きくしてもよい。特に、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスを、側端部配線に対する直列合成インピーダンスの略２倍とすることにより、側端部の誘導起電力をより抑制することができる。すなわち、導体ループにおけるノイズの発生をより抑制することができる。
【０２６５】
なお、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスを、側端部配線に対する直列合成インピーダンスよりも大きくする方法は任意である。例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒを、その他の配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒより大きくするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１のインダクタンスＬを、側端部配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬより大きくするようにしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣを、「ωＬ−１／ωＣ」が側端部配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣの場合よりも大きくなるような値にしてもよい。また、例えば、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスを側端部配線に対する直列合成インピーダンスの２倍とするために、追加配線２０１に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒを側端部配線に対する抵抗３５１の電気抵抗Ｒの２倍としてもよいし、追加配線２０１に対する抵抗３５１のインダクタンスＬを側端部配線に対する抵抗３５１のインダクタンスＬの２倍としてもよい。また、追加配線２０１に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣを、「ωＬ−１／ωＣ」が側端部配線に対する抵抗３５１のキャパシタンスＣの場合の２倍となるような値としてもよい。
【０２６６】
また、追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスだけでなく、追加配線２０１の合成インピーダンスも無視できない場合、それらの和について、上述した追加配線２０１の合成インピーダンスに対する制御の場合や追加配線２０１に対する直列合成インピーダンスに対する制御の場合と同様に制御するようにすれば良い。
【０２６７】
＜追加配線の素材制御＞
電流量制御の為の以上のような各パラメータの制御のために、追加配線の素材として、側端部配線の素材と異なる素材を用いるようにしてもよい。
【０２６８】
＜側端部の追加導体のその他の制御＞
上述した以外にも、例えば、図２７を参照して説明した制御の場合と同様に、追加配線２０１の第１の方向および第３の方向に垂直な第４の方向の位置を制御するようにしてもよい。
【０２６９】
＜構造応用例＞
以上に説明した、導体ループのループ面を通過する磁束を発生させる導体は、導体ループと重畳していてもよいし、重畳していなくてもよい。さらに、この導体は、積層された複数のチップに形成されるようにしてもよいし、導体ループと同一のチップ（例えば、画素・アナログ処理部１１１）に形成されるようにしてもよい。
【０２７０】
また、図２を参照して説明したイメージセンサ１００の複数チップは、互いにどのように重畳されるようにしてもよい。例えば、図３１のＡに示されるように、チップごとに封止されたパッケージを重畳するようにしてもよいし、図３１のＢや図３１のＣの例のように、複数チップを重畳した状態において封止してパッケージ化するようにしてもよい。また、その場合、例えば、図３１のＢに示されるように、外部電極へのボンディングワイヤを下層のチップに接続するようにしてもよいし、図３１のＣの例のように、外部電極へのボンディングワイヤを上層のチップに接続するようにしてもよい。
【０２７１】
また、以上においては、本技術を適用した回路基板の例として、撮像素子（イメージセンサ１００）を例に説明したが、これに限らず、本技術は、撮像素子以外の任意のデバイスの回路基板に適用することができる。
【０２７２】
また、以上においては、本技術を適用した回路基板の例として、半導体基板を例に説明したが、これに限らず、本技術は、例えばプリント基板等の、半導体基板以外の回路基板にも適用することができる。
【０２７３】
＜２．第２の実施の形態＞
＜撮像装置＞
なお、本技術は、撮像素子以外にも適用することができる。例えば、撮像装置のような、撮像素子を有する装置（電子機器等）に本技術を適用するようにしてもよい。図３２は、本技術を適用した電子機器の一例としての撮像装置の主な構成例を示すブロック図である。図３２に示される撮像装置６００は、被写体を撮像し、その被写体の画像を電気信号として出力する装置である。
【０２７４】
図３２に示されるように撮像装置６００は、光学部６１１、CMOSイメージセンサ６１２、画像処理部６１３、表示部６１４、コーデック処理部６１５、記憶部６１６、出力部６１７、通信部６１８、制御部６２１、操作部６２２、およびドライブ６２３を有する。
【０２７５】
光学部６１１は、被写体までの焦点を調整し、焦点が合った位置からの光を集光するレンズ、露出を調整する絞り、および、撮像のタイミングを制御するシャッタ等よりなる。光学部６１１は、被写体からの光（入射光）を透過し、CMOSイメージセンサ６１２に供給する。
【０２７６】
CMOSイメージセンサ６１２は、入射光を光電変換して画素毎の信号（画素信号）をA/D変換し、CDS等の信号処理を行い、処理後の撮像画像データを画像処理部６１３に供給する。
【０２７７】
画像処理部６１３は、CMOSイメージセンサ６１２により得られた撮像画像データを画像処理する。より具体的には、画像処理部６１３は、CMOSイメージセンサ６１２から供給された撮像画像データに対して、例えば、混色補正や、黒レベル補正、ホワイトバランス調整、デモザイク処理、マトリックス処理、ガンマ補正、およびYC変換等の各種画像処理を施す。画像処理部６１３は、画像処理を施した撮像画像データを表示部６１４に供給する。
【０２７８】
表示部６１４は、例えば、液晶ディスプレイ等として構成され、画像処理部６１３から供給された撮像画像データの画像（例えば、被写体の画像）を表示する。
【０２７９】
画像処理部６１３は、さらに、画像処理を施した撮像画像データを、必要に応じて、コーデック処理部６１５に供給する。
【０２８０】
コーデック処理部６１５は、画像処理部６１３から供給された撮像画像データに対して、所定の方式の符号化処理を施し、得られた符号化データを記憶部６１６に供給する。また、コーデック処理部６１５は、記憶部６１６に記録されている符号化データを読み出し、復号して復号画像データを生成し、その復号画像データを画像処理部６１３に供給する。
【０２８１】
画像処理部６１３は、コーデック処理部６１５から供給される復号画像データに対して所定の画像処理を施す。画像処理部６１３は、画像処理を施した復号画像データを表示部６１４に供給する。表示部６１４は、例えば、液晶ディスプレイ等として構成され、画像処理部６１３から供給された復号画像データの画像を表示する。
【０２８２】
また、コーデック処理部６１５は、画像処理部６１３から供給された撮像画像データを符号化した符号化データ、または、記憶部６１６から読み出した撮像画像データの符号化データを出力部６１７に供給し、撮像装置６００の外部に出力させるようにしてもよい。また、コーデック処理部６１５は、符号化前の撮像画像データ、若しくは、記憶部６１６から読み出した符号化データを復号して得られた復号画像データを出力部６１７に供給し、撮像装置６００の外部に出力させるようにしてもよい。
【０２８３】
さらに、コーデック処理部６１５は、撮像画像データ、撮像画像データの符号化データ、または、復号画像データを、通信部６１８を介して他の装置に伝送させるようにしてもよい。また、コーデック処理部６１５は、撮像画像データや画像データの符号化データを、通信部６１８を介して取得するようにしてもよい。コーデック処理部６１５は、通信部６１８を介して取得した撮像画像データや画像データの符号化データに対して、適宜、符号化や復号等を行う。コーデック処理部６１５は、得られた画像データ若しくは符号化データを、上述したように、画像処理部６１３に供給したり、記憶部６１６、出力部６１７、および通信部６１８に出力するようにしてもよい。
【０２８４】
記憶部６１６は、コーデック処理部６１５から供給される符号化データ等を記憶する。記憶部６１６に格納された符号化データは、必要に応じてコーデック処理部６１５に読み出されて復号される。復号処理により得られた撮像画像データは、表示部６１４に供給され、その撮像画像データに対応する撮像画像が表示される。
【０２８５】
出力部６１７は、外部出力端子等の外部出力インターフェイスを有し、コーデック処理部６１５を介して供給される各種データを、その外部出力インターフェイスを介して撮像装置６００の外部に出力する。
【０２８６】
通信部６１８は、コーデック処理部６１５から供給される画像データや符号化データ等の各種情報を、所定の通信（有線通信若しくは無線通信）の通信相手である他の装置に供給する。また、通信部６１８は、所定の通信（有線通信若しくは無線通信）の通信相手である他の装置から、画像データや符号化データ等の各種情報を取得し、それをコーデック処理部６１５に供給する。
【０２８７】
制御部６２１は、撮像装置６００の各処理部（点線６２０内に示される各処理部、操作部６２２、並びに、ドライブ６２３）の動作を制御する。
【０２８８】
操作部６２２は、例えば、ジョグダイヤル（商標）、キー、ボタン、またはタッチパネル等の任意の入力デバイスにより構成され、例えばユーザ等による操作入力を受け、その操作入力に対応する信号を制御部６２１に供給する。
【０２８９】
ドライブ６２３は、自身に装着された、例えば、磁気ディスク、光ディスク、光磁気ディスク、または半導体メモリなどのリムーバブルメディア６２４に記憶されている情報を読み出す。ドライブ６２３は、リムーバブルメディア６２４からプログラムやデータ等の各種情報を読み出し、それを制御部６２１に供給する。また、ドライブ６２３は、書き込み可能なリムーバブルメディア６２４が自身に装着された場合、制御部６２１を介して供給される、例えば画像データや符号化データ等の各種情報を、そのリムーバブルメディア６２４に記憶させる。
【０２９０】
以上のような撮像装置６００のCMOSイメージセンサ６１２として、各実施の形態において上述した本技術を適用する。すなわち、CMOSイメージセンサ６１２として、上述したイメージセンサ１００が用いられる。これにより、CMOSイメージセンサ６１２は、撮像画像の画質の低減を抑制することができる。したがって撮像装置６００は、被写体を撮像することにより、より高画質な撮像画像を得ることができる。
【０２９１】
上述した一連の処理は、ハードウェアにより実行させることもできるし、ソフトウェアにより実行させることもできる。上述した一連の処理をソフトウェアにより実行させる場合には、そのソフトウェアを構成するプログラムが、ネットワークや記録媒体からインストールされる。
【０２９２】
この記録媒体は、例えば、図３２に示されるように、装置本体とは別に、ユーザにプログラムを配信するために配布される、プログラムが記録されているリムーバブルメディア６２４により構成される。このリムーバブルメディア６２４には、磁気ディスク（フレキシブルディスクを含む）や光ディスク（CD-ROMやDVDを含む）が含まれる。さらに、光磁気ディスク（MD（Mini Disc）を含む）や半導体メモリ等も含まれる。
【０２９３】
その場合、プログラムは、そのリムーバブルメディア６２４をドライブ６２３に装着することにより、記憶部６１６にインストールすることができる。
【０２９４】
また、このプログラムは、ローカルエリアネットワーク、インターネット、デジタル衛星放送といった、有線または無線の伝送媒体を介して提供することもできる。その場合、プログラムは、通信部６１８で受信し、記憶部６１６にインストールすることができる。
【０２９５】
その他、このプログラムは、記憶部６１６や制御部６２１内のROM（Read Only Memory）等に、あらかじめインストールしておくこともできる。
【０２９６】
なお、コンピュータが実行するプログラムは、本明細書で説明する順序に沿って時系列に処理が行われるプログラムであっても良いし、並列に、あるいは呼び出しが行われたとき等の必要なタイミングで処理が行われるプログラムであっても良い。
【０２９７】
また、本明細書において、記録媒体に記録されるプログラムを記述するステップは、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理はもちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【０２９８】
また、上述した各ステップの処理は、上述した各装置、若しくは、上述した各装置以外の任意の装置において、実行することができる。その場合、その処理を実行する装置が、上述した、その処理を実行するのに必要な機能（機能ブロック等）を有するようにすればよい。また、処理に必要な情報を、適宜、その装置に伝送するようにすればよい。
【０２９９】
また、本明細書において、システムとは、複数の構成要素（装置、モジュール（部品）等）の集合を意味し、全ての構成要素が同一筐体中にあるか否かは問わない。したがって、別個の筐体に収納され、ネットワークを介して接続されている複数の装置、及び、１つの筐体の中に複数のモジュールが収納されている１つの装置は、いずれも、システムである。
【０３００】
また、以上において、１つの装置（または処理部）として説明した構成を分割し、複数の装置（または処理部）として構成するようにしてもよい。逆に、以上において複数の装置（または処理部）として説明した構成をまとめて１つの装置（または処理部）として構成されるようにしてもよい。また、各装置（または各処理部）の構成に上述した以外の構成を付加するようにしてももちろんよい。さらに、システム全体としての構成や動作が実質的に同じであれば、ある装置（または処理部）の構成の一部を他の装置（または他の処理部）の構成に含めるようにしてもよい。
【０３０１】
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
【０３０２】
例えば、本技術は、１つの機能を、ネットワークを介して複数の装置で分担、共同して処理するクラウドコンピューティングの構成をとることができる。
【０３０３】
また、上述のフローチャートで説明した各ステップは、１つの装置で実行する他、複数の装置で分担して実行することができる。
【０３０４】
さらに、１つのステップに複数の処理が含まれる場合には、その１つのステップに含まれる複数の処理は、１つの装置で実行する他、複数の装置で分担して実行することができる。
【０３０５】
また、本技術は、これに限らず、このような装置またはシステムを構成する装置に搭載するあらゆる構成、例えば、システムLSI（Large Scale Integration）等としてのプロセッサ、複数のプロセッサ等を用いるモジュール、複数のモジュール等を用いるユニット、ユニットにさらにその他の機能を付加したセット等（すなわち、装置の一部の構成）として実施することもできる。
【０３０６】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）  電流により発生する磁界によって導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群
を備える回路基板。
（２）  前記端部の導体の電流が、他の導体の電流より小さい
（１）に記載の回路基板。
（３）  前記端部の導体の電流が、他の導体の電流の略２分の１である
（２）に記載の回路基板。
（４）  前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭い
（１）乃至（３）のいずれかに記載の回路基板。
（５）  前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、他の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１である
（４）に記載の回路基板。
（６）  前記端部の導体の幅が、他の導体の幅より狭い
（４）または（５）に記載の回路基板。
（７）  前記端部の導体の厚さが、他の導体の厚さより薄い
（４）乃至（６）のいずれかに記載の回路基板。
（８）  前記端部の導体の電気抵抗が、他の導体の電気抵抗よりも大きい
（１）乃至（７）のいずれかに記載の回路基板。
（９）  前記端部の導体の電気抵抗が、他の導体の電気抵抗の略２倍である
（８）に記載の回路基板。
（１０）  前記端部の導体の合成インピーダンスが、他の導体の合成インピーダンスよりも大きい
（１）乃至（９）のいずれかに記載の回路基板。
（１１）  前記端部の導体の合成インピーダンスが、他の導体の合成インピーダンスの略２倍である
（１０）に記載の回路基板。
（１２）  前記端部の導体に対する直列電気抵抗が、他の導体に対する直列電気抵抗よりも大きい
（１）乃至（１１）のいずれかに記載の回路基板。
（１３）  前記端部の導体に対する直列電気抵抗が、他の導体に対する直列電気抵抗の略２倍である
（１２）に記載の回路基板。
（１４）  前記端部の導体に対する直列合成インピーダンスが、他の導体に対する直列合成インピーダンスよりも大きい
（１）乃至（１３）のいずれかに記載の回路基板。
（１５）  前記端部の導体に対する直列合成インピーダンスが、他の導体に対する直列合成インピーダンスの略２倍である
（１４）に記載の回路基板。
（１６）  前記端部の導体の近傍に、前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体をさらに有する
（１）乃至（１５）のいずれかに記載の回路基板。
（１７）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電流が、前記端部の導体の電流より小さい
（１６）に記載の回路基板。
（１８）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電流が、前記端部の導体の電流の略２分の１である
（１７）に記載の回路基板。
（１９）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積より狭い
（１６）に記載の回路基板。
（２０）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積が、前記端部の導体の前記第１の方向に垂直な面の断面積の略２分の１である
（１９）に記載の回路基板。
（２１）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の幅が、前記端部の導体の幅より狭い
（１９）または（２０）に記載の回路基板。
（２２）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の厚さが、前記端部の導体の厚さより薄い
（１９）乃至（２１）のいずれかに記載の回路基板。
（２３）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電気抵抗が、前記端部の導体の電気抵抗よりも大きい
（１６）乃至（２２）のいずれかに記載の回路基板。
（２４）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の電気抵抗が、前記端部の導体の電気抵抗の略２倍である
（２３）に記載の回路基板。
（２５）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の合成インピーダンスが、前記端部の導体の合成インピーダンスよりも大きい
（１６）乃至（２４）のいずれかに記載の回路基板。
（２６）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体の合成インピーダンスが、前記端部の導体の合成インピーダンスの略２倍である
（２５）に記載の回路基板。
（２７）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列電気抵抗が、前記端部の導体に対する直列電気抵抗よりも大きい
（１６）乃至（２６）のいずれかに記載の回路基板。
（２８）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列電気抵抗が、前記端部の導体に対する直列電気抵抗の略２倍である
（２７）に記載の回路基板。
（２９）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列合成インピーダンスが、前記端部の導体に対する直列合成インピーダンスよりも大きい
（１６）乃至（２８）のいずれかに記載の回路基板。
（３０）  前記端部の導体の前記電流と逆の方向に前記電流が流れる導体に対する直列合成インピーダンスが、前記端部の導体に対する直列合成インピーダンスの略２倍である
（２９）に記載の回路基板。
（３１）  前記端部の導体と前記端部の導体に隣接する他の導体との間隔と、他の導体同士の間隔とが互いに異なる
（１）乃至（３０）のいずれかに記載の回路基板。
（３２）  前記端部の導体の前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置が、他の導体の前記第４の方向の位置と異なる
（１）乃至（３１）のいずれかに記載の回路基板。
（３３）  前記導体群の各導体には、前記電流として時間に応じて変化する電流が略同一のタイミングで流れる
（１）乃至（３２）のいずれかに記載の回路基板。
（３４）  前記導体群は、前記第３の方向に所定の順に並べられた前記第１の方向に前記電流が流れる導体と前記第２の方向に前記電流が流れる導体とからなる導体組が前記第３の方向に複数並ぶ周期構造を有する
（１）乃至（３３）のいずれかに記載の回路基板。
（３５）  前記導体組において、前記第１の方向に前記電流が流れる導体と、前記第２の方向に前記電流が流れる導体とで、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向の位置、並びに前記第４の方向の層数の内、少なくともいずれか１つが互いに異なる
（３４）に記載の回路基板。
（３６）  前記導体組において、各導体が、前記第１の方向および前記第３の方向に垂直な第４の方向に多層構造を形成する
（３４）または（３５）に記載の回路基板。
（３７）  前記導体組において、各導体の前記第４の方向の少なくとも一部の層の、幅、厚さ、長さ、導電率、電気抵抗、直列電気抵抗、合成インピーダンス、直列合成インピーダンス、間隔、数、前記電流の方向、並びに前記第３の方向の位置の内、少なくともいずれか１つが他の層と異なる
（３６）に記載の回路基板。
（３８）  前記導体組において、各導体の前記第４の方向の少なくとも一部の層が他の層と短絡している
（３６）または（３７）に記載の回路基板。
（３９）  被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、
電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群と
を備える撮像素子。
（４０）  被写体を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像により得られた画像データを画像処理する画像処理部と
を備え、
前記撮像部は、
前記被写体からの光を光電変換する複数の画素を有し、前記画素の選択において、選択される前記画素に応じた大きさおよび形状の、導体からなる導体ループが実質構成される画素部と、
電流により発生する磁界によって前記画素部により形成される前記導体ループに誘導起電力が生じる位置において、前記電流が第１の方向に流れる導体と、前記電流が前記第１の方向と略逆方向の第２の方向に流れる導体とが第３の方向に並べられた導体群であって、前記導体群の前記第３の方向の少なくとも一方の端部の導体が、前記導体群の前記第３の方向の周辺において発生する磁界によって前記導体ループに生じる誘導起電力を抑制する構造を有する導体群と
を備える電子機器。
【符号の説明】
【０３０７】
１００  イメージセンサ，  １０１  画素チップ，  １０２  ロジックチップ，  １１１  画素・アナログ処理部，  １１２  デジタル処理部，  １２１  画素アレイ，  １２２  A/D変換部，  １２３  垂直走査部，  １３１  単位画素，  １３２  垂直信号線，  １３３  制御線，  １４１  フォトダイオード、  １４２  転送トランジスタ，  １４３  リセットトランジスタ，  １４４  増幅トランジスタ，  １４５  セレクトトランジスタ，  １５０  差動配線群，  １５１  正位相配線，  １５２  逆位相配線，  １５４  差動配線組，  ２０１  追加配線，  ３０１  導体，  ６００  撮像装置，  ６１２  CMOSイメージセンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2016181874.tif 000024
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【国際調査報告】
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