(57)【要約】  本発明の封止用フィルム１００は、基板５と、基板５の一方の面側に搭載された電子部品４とを備える電子部品搭載基板４５を封止するのに用いられ、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備えるものであり、絶縁層１２および電磁波シールド層１３は樹脂材料を含有し、封止用フィルム１００は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下である。また、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部を備えた構成とすることができる。
2018008657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。
【請求項２】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項３】
前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する請求項２に記載の封止用フィルム。
【請求項４】
前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている請求項２または３に記載の封止用フィルム。
【請求項５】
前記電極は、グランド電極である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項６】
当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項７】
前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項８】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項９】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項１０】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている請求項７に記載の封止用フィルム。
【請求項１１】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１３】
前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている請求項１２に記載の封止用フィルム。
【請求項１４】
前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項１２または１３に記載の封止用フィルム。
【請求項１５】
前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１６】
前記絶縁層および前記電磁波シールド層を構成する前記樹脂材料は、熱可塑性樹脂である請求項１５に記載の封止用フィルム。
【請求項１７】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１８】
前記電極は、前記基板の縁部に設けられている請求項１７に記載の封止用フィルム。
【請求項１９】
前記電極は、グランド電極である請求項１７または１８に記載の封止用フィルム。
【請求項２０】
当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２１】
前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２２】
当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２３】
前記基板は、プリント配線基板である請求項１ないし２２のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２４】
請求項２ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２５】
請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２６】
請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２７】
請求項１５または１６に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２８】
請求項１７ないし１９のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２９】
請求項１ないし２３のいずれか１項に記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話、スマートフォン、電卓、電子新聞、タブレット端末、テレビ電話、パーソナルコンピュータのような電子機器には、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルのような電子部品が搭載された電子部品搭載基板が実装されるが、この電子部品搭載基板は、湿気や埃等の外部因子との接触を防止することを目的に、樹脂により封止がなされることがある。【０００３】
このような樹脂による封止は、例えば、電子部品搭載基板を金属キャビティ内に配置した後に、流動性の高いウレタン樹脂のような熱硬化性樹脂を注入して封止するポッティング法の他、熱可塑性樹脂を溶融状態で電子部品搭載基板に塗布した後に、固化させることで塗布した領域をコーティング（封止）するコーティング法が知られている。【０００４】
しかしながら、ポッティング法では、熱硬化性樹脂の硬化に時間を要し、さらには、通常、封止に金属キャビティを要するため、得られる電子機器の重量化を招くと言う問題があった。また、コーティング法では、溶融状態とする熱可塑性樹脂の粘度管理が必要であり、また、熱可塑性樹脂の塗布領域に対する塗り分けに時間と手間を有するという問題があった。【０００５】
かかる問題点を解決することを目的に、ホットメルト性を有するバリアフィルムを電子部品搭載基板に貼付することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。【０００６】
ところが、この場合、電子部品搭載基板が電子部品を備えることに起因して形成される凹凸に対する追従性が十分に得られず、その結果、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を十分に向上させるには至っていない。【０００７】
また、湿気や埃等の外部因子に対するバリア性を付与する他に、前記電子部品に対する電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を、バリアフィルム（封止用フィルム）に付与することが求められることがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−９９４１７公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、電子部品搭載基板が備える電子部品の搭載に起因して生じる凹凸に対する優れた追従性、および、電子部品への電磁波によるノイズの影響を軽減するための電磁波シールド性を付与して封止することができる封止用フィルム、かかる封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法、ならびに、かかる封止用フィルムを備える封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記（１）〜（２９）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層および前記電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。【００１１】
（２）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記（１）に記載の封止用フィルム。【００１２】
（３）  前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する上記（２）に記載の封止用フィルム。【００１３】
（４）  前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている上記（２）または（３）に記載の封止用フィルム。【００１４】
（５）  前記電極は、グランド電極である上記（２）ないし（４）のいずれかに記載の封止用フィルム。【００１５】
（６）  当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている上記（１）に記載の封止用フィルム。【００１６】
（７）  前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記（６）に記載の封止用フィルム。【００１７】
（８）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）または（７）に記載の封止用フィルム。【００１８】
（９）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）または（７）に記載の封止用フィルム。【００１９】
（１０）  前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている上記（７）に記載の封止用フィルム。【００２０】
（１１）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている上記（６）に記載の封止用フィルム。【００２１】
（１２）  前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている上記（１）に記載の封止用フィルム。【００２２】
（１３）  前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている上記（１２）に記載の封止用フィルム。【００２３】
（１４）  前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている上記（１２）または（１３）に記載の封止用フィルム。【００２４】
（１５）  前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する上記（１）に記載の封止用フィルム。【００２５】
（１６）  前記絶縁層および前記電磁波シールド層を構成する前記樹脂材料は、熱可塑性樹脂である上記（１５）に記載の封止用フィルム。【００２６】
（１７）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている上記（１）に記載の封止用フィルム。【００２７】
（１８）  前記電極は、前記基板の縁部に設けられている上記（１７）に記載の封止用フィルム。【００２８】
（１９）  前記電極は、グランド電極である上記（１７）または（１８）に記載の封止用フィルム。【００２９】
（２０）  当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の封止用フィルム。【００３０】
（２１）  前記絶縁層および前記電磁波シールド層のうち少なくとも一方は、前記樹脂材料として、ポリオレフィン系樹脂を含有する上記（１）ないし（２０）のいずれかに記載の封止用フィルム。【００３１】
（２２）  当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の封止用フィルム。【００３２】
（２３）  前記基板は、プリント配線基板である上記（１）ないし（２２）のいずれかに記載の封止用フィルム。【００３３】
（２４）  上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。【００３４】
（２５）  上記（６）ないし（１１）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。【００３５】
（２６）  上記（１２）ないし（１４）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。【００３６】
（２７）  上記（１５）または（１６）に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。【００３７】
（２８）  上記（１７）ないし（１９）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。【００３８】
（２９）  上記（１）ないし（２３）のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品（特に、電子部品）が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。
また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は、本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、図１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３】図３は、本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図５】図５は、本発明の封止用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、図５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図７】図７は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図である。
【図８】図８（ａ）〜（ｃ）は、図７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図９】図９は、本発明の封止用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図である。
【図１０】図１０（ａ）〜（ｃ）は、図９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の封止用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の封止用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図である。
【図１４】図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の封止用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｃ）は、図１５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の封止用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図である。
【図１８】図１８（ａ）〜（ｃ）は、図１７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図１９】図１９は、本発明の封止用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図である。
【図２０】図２０（ａ）〜（ｃ）は、図１９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の封止用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図である。
【図２２】図２２（ａ）〜（ｃ）は、図２１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図２３】図２３（ａ）および（ｂ）は、封止用フィルムの第１参考形態を示す図である。
【図２４】図２４（ａ）〜（ｃ）は、図２３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図２５】図２５（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１２実施形態を示す図である。
【図２６】図２６（ａ）〜（ｃ）は、図２５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図２７】図２７（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１３実施形態を示す図である。
【図２８】図２８（ａ）〜（ｃ）は、図２７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図２９】図２９（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１４実施形態を示す図である。
【図３０】図３０（ａ）〜（ｃ）は、図２９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３１】図３１（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１５実施形態を示す図である。
【図３２】図３２（ａ）〜（ｃ）は、図３１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３３】図３３（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１６実施形態を示す図である。
【図３４】図３４（ａ）〜（ｃ）は、図３３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３５】図３５（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１７実施形態を示す図である。
【図３６】図３６（ａ）〜（ｃ）は、図３５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３７】図３７（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１８実施形態を示す図である。
【図３８】図３８（ａ）〜（ｃ）は、図３７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図３９】図３９（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第１９実施形態を示す図である。
【図４０】図４０（ａ）〜（ｃ）は、図３９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図４１】図４１（ａ）および（ｂ）は、本発明の封止用フィルムの第２０実施形態を示す図である。
【図４２】図４２（ａ）〜（ｃ）は、図４１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【図４３】図４３は、本発明の封止用フィルムの第２１実施形態を示す縦断面図である。
【図４４】図４４（ａ）〜（ｃ）は、図４３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて、詳細に説明する。
【００４２】
本発明の封止用フィルムは、基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、、絶縁層および電磁波シールド層は、ともに、樹脂材料を含有し、この封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする。
【００４３】
また、本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、上記の封止用フィルムを用いて、電子部品搭載基板が備える基板と電子部品とを被覆する電子部品搭載基板の封止方法であり、基板と電子部品とを覆うように、絶縁層を電子部品搭載基板側にして封止用フィルムを電子部品搭載基板上に配置する工程（配置工程）と、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程（加熱・減圧工程）と、封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、基板と電子部品とを封止用フィルムで封止する工程（冷却・加圧工程）とを有することを特徴とする。
【００４４】
このような封止用フィルムを、基板上に電子部品が搭載されることにより形成された凹凸の被覆に適用すると、前記冷却・加圧工程において、軟化された状態の封止用フィルムが、加圧された状態で冷却されることから、凹凸に対して優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を備える電子機器の信頼性の向上を図ることができる。
【００４５】
また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【００４６】
なお、電子部品が搭載された基板の一方の面側に、電子部品に電気的に接続される電極が設けられている場合には、封止用フィルムが、基板上に電子部品および電極が搭載されることにより形成される凹凸に対する優れた追従性をもって、基板、電子部品および電極を封止（被覆）することができる。この場合にも、上述した効果が得られる。
【００４７】
＜第１実施形態＞
［封止用フィルム］
まず、本発明の封止用フィルム１００の第１実施形態について説明する。
【００４８】
図１は、本発明の封止用フィルムの第１実施形態を示す縦断面図、図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４９】
封止用フィルム１００は、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２および電磁波シールド層１３が、ともに、樹脂材料を含有し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。
【００５０】
このような絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成される封止用フィルム１００は、前記伸び率が前記範囲内を満足し得るものであれば、これら絶縁層１２と電磁波シールド層１３とに含まれる樹脂材料は、如何なるもので構成されていてもよい。かかる樹脂材料は、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、エチレン共重合体、延伸ポリプロピレン、未延伸ポリプロピレンのようなポリオレフィン系樹脂、アイオノマー樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートのようなポリエステル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６、ナイロン−６，１０、ヘキサメチレンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−６Ｔ、ヘキサメチレンジアミンとイソフタル酸とからなるナイロン−６Ｉ、ノナンジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−９Ｔ、メチルペンタジアミンとテレフタル酸とからなるナイロン−Ｍ５Ｔ、カプロラクタムとラウリルラクタムとからなるナイロン−６，１２、ヘキサメチレンジアミンとアジピン酸とカプロラクタムとからなるナイロン−６、ナイロン−６，６のようなポリアミド系樹脂、アクリル樹脂、スチレン系樹脂、ポリ塩化ビニルおよびポリビニルアルコール等の熱可塑性樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のそれぞれに含まれる樹脂材料は、同一であってもよいし、異なっても良い。
【００５１】
さらに、絶縁層１２と電磁波シールド層１３とに含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなＵＶ硬化性樹脂が含まれていてもよい。
【００５２】
このような樹脂材料を含有する絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち、絶縁層１２は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２および電磁波シールド層１３をかかる構成とすることで、絶縁層１２が、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。
【００５３】
上記のような樹脂材料を含有する絶縁層１２と電磁波シールド層１３とを備える封止用フィルム１００は、ポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【００５４】
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２に含まれる樹脂材料がポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。
【００５５】
図１、２に示すように、本実施形態において、封止用フィルム１００は、電磁波シールド層１３と、絶縁層１２とを備え、これらが、被覆すべき電子部品搭載基板４５の反対側（上面側）から、この順で積層されている積層体で構成されている。そして、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【００５６】
なお、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、基板５と、基板５の上面（一方の面）の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成され、この凹凸６が、封止用フィルム１００を用いて被覆される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【００５７】
絶縁層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への優れた密着性および優れた形状追従性を持たせることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
【００５８】
また、絶縁層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層である。この絶縁層１２は、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。
【００５９】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、絶縁層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、絶縁層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。
【００６０】
また、絶縁層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。絶縁層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。また、電磁波シールド層１３の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
【００６１】
なお、絶縁層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【００６２】
電磁波シールド層１３は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。
【００６３】
また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、導電性および電磁波シールド性を備える層である。そして、この電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【００６４】
このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、その中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【００６５】
ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００６６】
また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）、リチウムイオン（Ｌｉ＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した電磁波シールド層１３としての機能をより顕著に発揮させることができる。
【００６７】
さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。
【００６８】
また、導電性粒子は、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を付与し得るものであれば、特に限定されず、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケルおよびアルミニウム、またはこれらを含む合金のような金属、および、ＡＦｅ２Ｏ４（式中、Ａは、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕまたはＺｎである）で表されるフェライト、ＩＴＯ、ＡＴＯ、ＦＴＯのような金属酸化物等を含むものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、導電性粒子は、このような金属および／または金属酸化物を含むものの他、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレンのような導電性高分子、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、カーボンブラックのような炭素系材料を含有するものであってもよい。
【００６９】
導電性粒子の平均粒径は、１．０μｍ以上１０．０μｍ以下であるのが好ましく、３．０μｍ以上８．０μｍ以下であるのがより好ましい。これにより、導電性粒子を電磁波シールド層１３中に均一に分散させることができる。そのため、電磁波シールド層１３は、その特性を均質に発揮することができる。
【００７０】
また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与しつつ、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定された封止用フィルム１００を得ることができる。
【００７１】
また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層１３に、導電性および電磁波シールド性の双方を確実に付与することができる。
【００７２】
なお、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【００７３】
また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側に接着層を設けることもできる。
【００７４】
接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。
【００７５】
さらに、電磁波シールド層１３と絶縁層１２とが積層された封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。
【００７６】
ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができるが、この伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、１５０％以上２０００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム１００の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。
【００７７】
また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が１０ｍｍ以上のように大きい段差であったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。
【００７８】
なお、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。
【００７９】
また、封止用フィルム１００の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。
【００８０】
さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５、電子部品４と、さらには電極３との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム１００の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。
【００８１】
封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【００８２】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【００８３】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４と電極３とを覆うように封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する工程（配置工程）と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する工程（加熱・減圧工程）と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４と電極３を封止用フィルム１００で被覆する工程（冷却・加圧工程）とを有する。
【００８４】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【００８５】
（加熱・減圧工程）
次に、図２（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【００８６】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【００８７】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【００８８】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。
【００８９】
本工程により、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【００９０】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【００９１】
（冷却・加圧工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【００９２】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【００９３】
この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【００９４】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【００９５】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【００９６】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【００９７】
そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０では、電子部品４への電磁波によるノイズの影響を的確に抑制または防止することができる。
【００９８】
さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が電極３を直接被覆することで、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続される。そのため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【００９９】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０１００】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
＜第２実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２実施形態について説明する。
【０１０１】
図３は、本発明の封止用フィルムの第２実施形態を示す縦断面図、図４（ａ）〜（ｃ）は、図３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３、図４（ａ）〜（ｃ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１０２】
以下、第２実施形態について説明するが、前記第１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０１０３】
第２実施形態では、封止用フィルム１００が、図３、図４に示すように、電磁波シールド層１３の絶縁層１２と反対側に積層された被覆層１４をさらに備えており、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。すなわち、本実施形態の封止用フィルム１００では、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３と、被覆層１４とが、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。また、本実施形態の封止用フィルム１００は、図４に示すように、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が、それぞれ、略同じ大きさを有している。
【０１０４】
ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。
【０１０５】
このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【０１０６】
また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されていることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層１３は、電子部品４の反対側の面において、被覆層１４により被覆されている。そのため、電磁波シールド層１３は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。
【０１０７】
また、このような封止用フィルム１００の被覆層１４は、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様に、樹脂材料を含有している。また、前述した第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００のＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるが、１５０％以上２０００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。
【０１０８】
封止用フィルム１００の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０１０９】
また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。
【０１１０】
前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える被覆層１４は、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様に、樹脂材料を含有している。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層１２および電磁波シールド層１３と同様の樹脂材料を用いることができる。なお、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４に、それぞれ含まれる樹脂材料は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定し得るものであれば、同一であってもよいし、異なっても良い。
【０１１１】
また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち、絶縁層１２および被覆層１４は、前記樹脂材料を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料と、前記導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をかかる構成とすることで、絶縁層１２および被覆層１４が、絶縁性を有し、電磁波シールド層１３が、導電性および電磁波シールド性の双方を有する。
【０１１２】
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４を備える封止用フィルム１００は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【０１１３】
そこで、以下では、絶縁層１２および被覆層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。
【０１１４】
被覆層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
【０１１５】
また、被覆層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層１３の電子部品４と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。
【０１１６】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前述した絶縁層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される
【０１１７】
また、被覆層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。被覆層１４の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０１１８】
なお、被覆層１４に含まれる樹脂材料としては、絶縁層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０１１９】
また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間、および、電磁波シールド層１３と被覆層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側、すなわち絶縁層１２と基板５との間に、前述した第１実施形態と同様の接着層を設けることもできる。
【０１２０】
さらに、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とが積層された封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行うことにより得ることができる。
【０１２１】
ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【０１２２】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５さらには電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。
【０１２３】
封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【０１２４】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第２実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０１２５】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０１２６】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図４（ｂ））。
【０１２７】
（加熱・減圧工程）
次に、図４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０１２８】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０１２９】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０１３０】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。
【０１３１】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０１３２】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０１３３】
（冷却・加圧工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０１３４】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０１３５】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０１３６】
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０１３７】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０１３８】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０１３９】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０１４０】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４との積層体で構成される。
【０１４１】
そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０１４２】
さらに、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。また、電磁波シールド層１３は、電子部品４の反対側の面において、被覆層１４により被覆されていることから、電磁波シールド層１３は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板４５を被覆することができる。
【０１４３】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０１４４】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１４５】
＜第３実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第３実施形態について説明する。
【０１４６】
図５は、本発明の封止用フィルムの第３実施形態を示す縦断面図、図６（ａ）〜（ｃ）は、図５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図５、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４７】
以下、第３実施形態について説明するが、前記第１および第２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０１４８】
第３実施形態では、封止用フィルム１００が備える被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。
【０１４９】
第３実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図５、図６に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。
【０１５０】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０１５１】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０１５２】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１５３】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０１５４】
また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０１５５】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第３実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０１５６】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０１５７】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０１５８】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図６（ｂ））。
【０１５９】
（加熱・減圧工程）
次に、図６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０１６０】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０１６１】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０１６２】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０１６３】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０１６４】
（冷却・加圧工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０１６５】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０１６６】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０１６７】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１６８】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０１６９】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０１７０】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１７１】
＜第４実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第４実施形態について説明する。
【０１７２】
図７は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す縦断面図、図８（ａ）〜（ｃ）は、図７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１７３】
以下、第４実施形態について説明するが、前記第１〜第３実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０１７４】
第４実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第２実施形態と同様である。
【０１７５】
第４実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および被覆層１４は、図７、図８に示すように、それぞれ、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、絶縁層１２および被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）および突出部１６（第３突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。
【０１７６】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０１７７】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とを積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０１７８】
また、積層突出部６５は、これら突出部１５と突出部１６とが、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層１３の端部をも絶縁層１２および被覆層１４により被覆されることで、電子部品４および電子部品搭載基板４５の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０１７９】
さらに、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１８０】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への積層突出部６５の折り込みを、積層突出部６５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０１８１】
さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。積層突出部６５の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部６５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、積層突出部６５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０１８２】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第４実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０１８３】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０１８４】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０１８５】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図８（ｂ））。
【０１８６】
（加熱・減圧工程）
次に、図８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０１８７】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０１８８】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０１８９】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０１９０】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部６５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０１９１】
（冷却・加圧工程）
次に、図８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０１９２】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０１９３】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０１９４】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１９５】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０１９６】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた積層突出部６５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０１９７】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０１９８】
＜第５実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第５実施形態について説明する。
【０１９９】
図９は、本発明の封止用フィルムの第５実施形態を示す縦断面図、図１０（ａ）〜（ｃ）は、図９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図９、図１０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２００】
以下、第５実施形態について説明するが、前記第１〜第４実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０２０１】
第５実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。
【０２０２】
第５実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図９、図１０に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０２０３】
また、第５実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１０に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【０２０４】
このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０２０５】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０２０６】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０２０７】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第５実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０２０８】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０２０９】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０２１０】
この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図１０（ｂ））。
【０２１１】
（加熱・減圧工程）
次に、図１０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０２１２】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０２１３】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０２１４】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０２１５】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０２１６】
（冷却・加圧工程）
次に、図１０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０２１７】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０２１８】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０２１９】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０２２０】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０２２１】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、さらに、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０２２２】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０２２３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０２２４】
＜第６実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第６実施形態について説明する。
【０２２５】
図１１は、本発明の封止用フィルムの第６実施形態を示す縦断面図、図１２（ａ）〜（ｃ）は、図１１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１１、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２２６】
以下、第６実施形態について説明するが、前記第１〜第５実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０２２７】
第６実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。
【０２２８】
第６実施形態の封止用フィルム１００において、図１１、図１２に示すように、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。さらに、被覆層１４は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。
【０２２９】
また、第６実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１２に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。
【０２３０】
このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０２３１】
また、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０２３２】
さらに、本実施形態では、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０２３３】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０２３４】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０２３５】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０２３６】
また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０２３７】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第６実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０２３８】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させるとともに、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触し、かつ、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０２３９】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０２４０】
この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる。さらに、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図１２（ｂ））。
【０２４１】
（加熱・減圧工程）
次に、図１２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０２４２】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０２４３】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０２４４】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０２４５】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０２４６】
（冷却・加圧工程）
次に、図１２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０２４７】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０２４８】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０２４９】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを、さらには基板５の下側における端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０２５０】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０２５１】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、また、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆され、さらに、基板５の下側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０２５２】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０２５３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０２５４】
＜第７実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第７実施形態について説明する。
【０２５５】
図１３は、本発明の封止用フィルムの第７実施形態を示す縦断面図、図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１３、図１４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２５６】
以下、第７実施形態について説明するが、前記第１〜第６実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０２５７】
第７実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第２実施形態と同様である。
【０２５８】
第７実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および電磁波シールド層１３は、図１３、図１４に示すように、被覆層１４よりも大きく形成されている。これにより、絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち被覆層１４側に位置する電磁波シールド層１３の端部が被覆層１４の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、被覆層１４の端部を越えて突出することで形成された突出部１８（第４突出部）を備えている。
【０２５９】
また、第７実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。
【０２６０】
このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０２６１】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド層１３が備える突出部１８において、被覆層１４から露出し、さらに、この突出部１８は、突出部１８と電極３とが対向し得るように、基板５の上面（一方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１８を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１８は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面の突出部１８を除くほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０２６２】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面の電極３と突出部１８とを対向させるために突出部１８を折りこませる際に、突出部１８が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０２６３】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面の電極３と突出部１８とを対向させるための突出部１８の折り込みを、突出部１８を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０２６４】
また、封止用フィルム１００における、被覆層１４の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１８の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１８の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１８により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１８と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０２６５】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第７実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０２６６】
本発明の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１８を折り込むことにより、基板５の上面（一方の面）の電極３に対向させた後に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１８が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０２６７】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０２６８】
この際、封止用フィルム１００の絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、被覆層１４の端部を越えて突出する突出部１８を折り込むことで、この突出部１８により電極３を被覆させる（図１４（ｂ））。
【０２６９】
（加熱・減圧工程）
次に、図１４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０２７０】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０２７１】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０２７２】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、電極３と突出部１８とが接触したまま、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０２７３】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０２７４】
（冷却・加圧工程）
次に、図１４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０２７５】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０２７６】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０２７７】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。また、突出部１８を折りこませることで電極３に対向させた後、接触させる際に、突出部１８が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０２７８】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０２７９】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、さらに、電磁波シールド層１３が接触した状態で電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０２８０】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、被覆層１４の端部を越えて突出することで形成された突出部１８を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１８が、被覆層１４を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１８（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１８を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０２８１】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０２８２】
＜第８実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第８実施形態について説明する。
【０２８３】
図１５は、本発明の封止用フィルムの第８実施形態を示す縦断面図、図１６（ａ）〜（ｃ）は、図１５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１５、図１６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２８４】
以下、第８実施形態について説明するが、前記第１〜第７実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０２８５】
第８実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０２８６】
第８実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図１５、図１６に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０２８７】
また、第８実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図１６に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。
【０２８８】
このように電子部品４および電極３が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０２８９】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０２９０】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０２９１】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０２９２】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。
【０２９３】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０２９４】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０２９５】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０２９６】
そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図１６（ｂ））。
【０２９７】
（加熱・減圧工程）
次に、図１６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０２９８】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０２９９】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０３００】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０３０１】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０３０２】
（冷却・加圧工程）
次に、図１６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０３０３】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０３０４】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０３０５】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３０６】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０３０７】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において電磁波シールド層１３が接触した状態で基板５が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０３０８】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０３０９】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０３１０】
＜第９実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第９実施形態について説明する。
【０３１１】
図１７は、本発明の封止用フィルムの第９実施形態を示す縦断面図、図１８（ａ）〜（ｃ）は、図１７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１７、図１８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３１２】
以下、第９実施形態について説明するが、前記第１〜第８実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０３１３】
第９実施形態では、図１７、図１８に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２が、電磁波シールド層１３よりも大きく形成されている以外は、前記第１実施形態と同様である。
封止用フィルム１００は、図１７、図１８に示すように、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。そして、絶縁層１２は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、絶縁層が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６を備えている。
【０３１４】
ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図１８に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられる。
【０３１５】
このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【０３１６】
また、電子部品４は、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６を備える絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止され、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのを的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保される。
【０３１７】
さらに、この封止用フィルム１００は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。
【０３１８】
封止用フィルム１００の軟化点がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０３１９】
また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。
【０３２０】
ここで、本実施形態の封止用フィルム１００を、上記のような構成の電磁波シールド層１３と絶縁層１２とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。かかる伸び率は、１５０％以上３５００％以下であればよいが、１０００％以上３５００％以下であることが好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム１００を用いて、電子部品搭載基板４５が備える凹凸６の被覆に適用した際に、凹凸６の形状に対して優れた追従性をもって封止した状態で被覆することができ、かつ、封止用フィルム１００の途中で破断されるのを的確に抑制または防止することができる。
【０３２１】
さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５、電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。
【０３２２】
また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることが好ましく、０．２ｃｍ以上１．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、電子部品４と電磁波シールド層１３とが不本意に接触して、これら同士の間で短絡が生じるのをより的確に防止することができる。
【０３２３】
封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【０３２４】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。
【０３２５】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０３２６】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図１８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０３２７】
（加熱・減圧工程）
次に、図１８（ｂ）に示すように、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０３２８】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５上に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０３２９】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の上側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０３３０】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。
【０３３１】
本工程により、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０３３２】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０３３３】
（冷却・加圧工程）
次に、図１８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０３３４】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなり、その結果、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０３３５】
この際、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。そのため、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０３３６】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０３３７】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０３３８】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成されるが、絶縁層１２は、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その中央部において電磁波シールド層１３が積層されるが、端部において、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６を備えている。
【０３３９】
そのため、本工程において、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２の中央部を介して電子部品４を被覆し、絶縁層１２の端部である突出部１６には存在しない状態で被覆する。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４に対する絶縁性が確実に確保された状態で、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０３４０】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０３４１】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０３４２】
＜第１０実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１０実施形態について説明する。
【０３４３】
図１９は、本発明の封止用フィルムの第１０実施形態を示す縦断面図、図２０（ａ）〜（ｃ）は、図１９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１９、図２０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３４４】
以下、第１０実施形態について説明するが、前記第１〜第９実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０３４５】
第１０実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２の構成が異なり、それ以外は、前記第９実施形態と同様である。
【０３４６】
第１０実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３よりも大きく形成される絶縁層１２は、図１９、図２０に示すように、前記第９実施形態の絶縁層１２と比較して、より大きく（面方向に沿って長く）形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６（第１突出部）は、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能となる。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで絶縁層１２により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０３４７】
また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっていることにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折り込ませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３４８】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１６の折り込みを、突出部１６を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０３４９】
また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１６を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０３５０】
｛電子部品搭載基板の封止方法｝
次に、上述した第１０実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０３５１】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１６を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆し、かつ、突出部１６が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０３５２】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０３５３】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する絶縁層１２の突出部１６を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１６を端部５１に接触させる（図２０（ｂ））。
【０３５４】
（加熱・減圧工程）
次に、図２０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０３５５】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０３５６】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０３５７】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０３５８】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１６が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０３５９】
（冷却・加圧工程）
次に、図２０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０３６０】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０３６１】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０３６２】
この際、本実施形態では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３６３】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０３６４】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた絶縁層１２の突出部１６が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０３６５】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０３６６】
＜第１１実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１１実施形態について説明する。
【０３６７】
図２１は、本発明の封止用フィルムの第１１実施形態を示す縦断面図、図２２（ａ）〜（ｃ）は、図２１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２１、図２２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３６８】
以下、第１１実施形態について説明するが、前記第１〜第１０実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０３６９】
第１１実施形態では、封止用フィルム１００が、電磁波シールド層１３の絶縁層１２との反対側（上面側）に積層された被覆層１４を備えており、それ以外は、前記第１０実施形態と同様である。
【０３７０】
第１１実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図２１、図２２に示すように、絶縁層１２と同様に、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出している。換言すれば、被覆層１４が、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第２突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。
【０３７１】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。この封止の際に、本実施形態では、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１５および突出部１６が積層された積層突出部６５により、電磁波シールド層１３が被覆されているため、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。また、電磁波シールド層１３の上面を被覆する被覆層１４を備えるため、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。
【０３７２】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とが積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０３７３】
なお、この被覆層１４は、樹脂材料を主材料として構成され、前述した第２実施形態の被覆層１２と同様の材料を用いることができる。
【０３７４】
さらに、本実施形態では、前記軟化点における伸び率が、１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折り込ませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３７５】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への積層突出部６５の折り込みを、積層突出部６５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０３７６】
さらに、封止用フィルム１００における、積層突出部６５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。積層突出部６５の長さをかかる範囲内に設定することにより、積層突出部６５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０３７７】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１１実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０３７８】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により電子部品４を被覆し、かつ、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０３７９】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０３８０】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図２２（ｂ））。
【０３８１】
（加熱・減圧工程）
次に、図２２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０３８２】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０３８３】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０３８４】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０３８５】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、積層突出部６５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０３８６】
（冷却・加圧工程）
次に、図２２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０３８７】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０３８８】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０３８９】
この際、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面を被覆する被覆層１４を備えるため、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保することができる。また、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１５および突出部１６が積層された積層突出部６５により、電磁波シールド層１３が被覆されているため、電子部品４と電磁波シールド層１３との間で短絡が生じるのをより的確に防止し得ることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性がより確実に確保されたものとなる。
【０３９０】
また、本発明では、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３９１】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０３９２】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において、折り込まれた積層突出部６５が端部５１を被覆した状態で封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０３９３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０３９４】
＜第１参考形態＞
［封止用フィルム］
次に、封止用フィルム１００の第１参考形態について説明する。
【０３９５】
図２３は、封止用フィルムの第１参考形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２４（ａ）〜（ｃ）は、図２３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２３、図２４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３９６】
以下、第１参考形態について説明するが、本発明の前記第１〜第１１実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０３９７】
本実施形態の封止用フィルム１００は、図２３、図２４に示すように、最内層１２と、この最内層１２の一方の面側（上面側）に積層された中間層１９と、中間層１９の一方の面側に積層された最外層１４とを備える積層体で構成されている。すなわち、最内層１２と、中間層１９と、最外層１４とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。
【０３９８】
ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、本実施形態では、図２４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部に搭載された、開放端面を有する接続部材７とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイルおよび抵抗等が挙げられる。また、接続部材７としては、電子部品４と他の電子部品とのデータの受け渡しや、電子部品４への電源からの電気の供給等に用いられる接続端子を開放端面として備えるコネクター等が挙げられる。
【０３９９】
このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、最内層１２を下側とし、最外層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆することにより、電子部品４は、この封止用フィルム１００、すなわち、最内層１２を電子部品４側とした最内層１２と中間層１９と最外層１４とがこの順で積層された積層体により封止される。これにより、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。一方、本参考形態の封止用フィルム１００は、電子部品搭載基板４５を封止する際に、接続部材７に対応する位置に逃げ部２７を有しているため、接続部材７が封止用フィルム１００により封止されることなく、露出させることができる。したがって、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現しつつ、電子部品４の封止用フィルム１００による封止を行うことができる。
【０４００】
なお、図２４に示すように、電子部品搭載基板４５において、接続部材７は、基板５の上面における端部に形成され、これに対応して、逃げ部２７は、平面視において、封止用フィルム１００の端部がＵ字状に切り取りまたは欠損した切り欠きまたは欠損部で構成される。例えば、電子部品搭載基板４５において、接続部材７が基板５の上面における中央部に形成される場合には、これに対応して、逃げ部２７は、平面視において、封止用フィルム１００の中央部が四角形状に開口した開口部（孔部）で構成される。
【０４０１】
また、このような封止用フィルム１００は、最内層１２、中間層１９および最外層１４が、何れも、樹脂材料を含有し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるのが好ましく、１０００％以上３５００％以下であるのがより好ましく、１０００％以上２０００％以下であるのがさらに好ましい。
【０４０２】
封止用フィルム１００の軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０４０３】
また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。
【０４０４】
このように、凹凸６に対する追従性等の観点から、前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるのが好ましいため、以下では、かかる伸び率を満足し得る封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４の層構成について説明する。
【０４０５】
前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４は、それぞれが樹脂材料を含有し、この樹脂材料の種類を適宜選択することで、前記軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することができる。かかる樹脂材料としては、前述した絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４と同様の樹脂材料を用いることができる。
【０４０６】
また、最内層１２、中間層１９および最外層１４に含まれる樹脂材料は、上述した熱可塑性樹脂材料の他に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化性樹脂やアクリル樹脂やウレタン樹脂のようなＵＶ硬化性樹脂が含まれていてもよい。
【０４０７】
また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、上述のような樹脂材料を含有する最内層１２、中間層１９および最外層１４の各層は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂材料）を主材料として含有する層で構成され、これにより、絶縁性を有する絶縁層として機能する。
【０４０８】
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する最内層１２、中間層１９および最外層１４を備える封止用フィルム１００は、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、最内層１２、中間層１９および最外層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【０４０９】
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する最内層１２と、中間層１９と、最外層１４とを備え、最内層１２および最外層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。
【０４１０】
最内層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最内層１２は、前述した各実施形態の絶縁層１２と同様の構成を有している。
【０４１１】
また、この最内層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４同士との間で短絡が生じるのを防止するための層として機能する。
【０４１２】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。前記下限値未満であると、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内に設定することが困難となるおそれがある。これに対して、前記上限値を超えると、最内層１２を構成する樹脂の結晶部が減少し、非結晶部が増加する傾向を示すことに起因して、最内層１２に残存する酸化防止剤等の添加剤が溶出するおそれがある。そのため、電子部品搭載基板４５側に移行し、その結果、電子部品４の特性に不都合が生じるおそれがある。
【０４１３】
また、最内層１２の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。最内層１２の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、中間層１９の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
【０４１４】
なお、最内層１２に含まれる樹脂材料としては、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、後述する中間層１９に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０４１５】
中間層１９は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。
【０４１６】
このような中間層１９により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、最内層１２を介して、基板５の上側に配置された電子部品４が被覆される。
【０４１７】
ここで、本明細書中において、樹脂材料としてのアイオノマー樹脂とは、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体や、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体を、金属イオンで架橋した樹脂のことを言い、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【０４１８】
また、金属イオンとしては、例えば、カリウムイオン（Ｋ＋）、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）、リチウムイオン（Ｌｉ＋）、マグネシウムイオン（Ｍｇ＋＋）、亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）等が挙げられる。これらの中でも、ナトリウムイオン（Ｎａ＋）または亜鉛イオン（Ｚｎ＋＋）であることが好ましい。これにより、アイオノマー樹脂における架橋構造が安定化されるため、前述した中間層１９としての機能をより顕著に発揮させることができる。
【０４１９】
さらに、エチレンおよび（メタ）アクリル酸を重合体の構成成分とする２元共重合体、もしくは、エチレン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルを重合体の構成成分とする３元共重合体のカルボキシル基における陽イオン（金属イオン）による中和度は、好ましくは４０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下である。
【０４２０】
また、中間層１９の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。中間層１９の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定されているものとし得る。
【０４２１】
なお、中間層１９に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、最内層１２および最外層１４に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０４２２】
最外層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。なお、最外層１４は、前述した各実施形態の被覆層１４と同様の構成を有している。
【０４２３】
また、最外層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための層として機能する。
【０４２４】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前述した最内層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される。
【０４２５】
また、最外層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。最外層１４の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内により確実に設定することができる。また、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する中間層１９の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０４２６】
なお、最外層１４に含まれる樹脂材料としては、最内層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した中間層１９に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０４２７】
また、封止用フィルム１００では、最内層１２と中間層１９との間、および、中間層１９と最外層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、最内層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて最内層１２の内側、すなわち最内層１２と基板５との間に接着層を設けることもできる。
【０４２８】
接着層に含まれる接着性樹脂としては、例えば、ＥＶＡ、エチレン−無水マレイン酸共重合体、ＥＡＡ、ＥＥＡ、エチレン−メタクリレート−グリシジルアクリレート三元共重合体、あるいは、各種ポリオレフィンに、アクリル酸、メタクリル酸などの一塩基性不飽和脂肪酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸などの二塩基性不飽和脂肪酸またはこれらの無水物をグラフトさせたもの、例えば、マレイン酸グラフト化ＥＶＡ、マレイン酸グラフト化エチレン−α−オレフィン共重合体、スチレン系エラストマー、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂等、公知の粘着性樹脂や接着性樹脂を適宜、使用することができる。
【０４２９】
さらに、最内層１２と中間層１９と最外層１４とが積層された逃げ部２７を備える封止用フィルム１００を製造する製造方法については、特に限定されず、例えば、公知の共押出法、ドライラミネート法、押出ラミ法、塗工積層等を用いて、成膜および積層を行った後に、接続部材７に対応する位置を切り抜くことで逃げ部２７を形成することで得ることができる。
【０４３０】
ここで、封止用フィルム１００を、上記のような構成の最内層１２と中間層１９と最外層１４とを備える多層体とすることにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を比較的容易に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【０４３１】
なお、このように軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定し得るのであれば、封止用フィルム１００は、最外層１４が省略された２層構成のものであってもよいし、最外層１４および中間層１９が省略された１層構成のものであってもよい。すなわち、封止用フィルム１００は、ポリオレフィン系樹脂のような熱可塑性樹脂を主材料とする層を１層以上有しているものであればよい。
【０４３２】
また、破断伸び（軟化点における伸び率）の測定は、オートグラフ装置（例えば、島津製作所製、ＡＵＴＯＧＲＡＰＨ  ＡＧＳ−Ｘ等）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に記載の方法に準拠して測定することができる。
【０４３３】
また、封止用フィルム１００の軟化点は、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて、チャック間距離２０ｍｍ、昇温速度５℃／分および角周波数１０Ｈｚの条件で測定し得る。
【０４３４】
さらに、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましく、５ｐｐｍ／Ｋ以上５０ｐｐｍ／Ｋ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率がこのような範囲の値であると、封止用フィルム１００の加熱時において、封止用フィルム１００は、優れた伸縮性を有するものとなるため、封止用フィルム１００の凹凸６に対する形状追従性をより確実に向上させることができる。さらに、封止用フィルム１００と、基板５さらには電子部品４との間で、優れた密着性を維持することができるため、電子部品搭載基板４５の駆動を繰り返すことで生じる発熱に起因する封止用フィルム１００の電子部品搭載基板４５からの剥離をより的確に抑制または防止することができる。なお、封止用フィルム１００の線膨張率は、例えば、動的粘弾性測定装置（例えば、セイコーインスツル社製、ＥＸＳＴＡＲ６０００等）を用いて算出し得る。
【０４３５】
封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【０４３６】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１参考形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０４３７】
本参考形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、最内層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、接続部材７が封止されることなく、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０４３８】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える最内層１２、中間層１９および最外層１４のうち最内層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図２４（ｂ））。
【０４３９】
（加熱・減圧工程）
次に、図２４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０４４０】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち最内層１２、中間層１９および最外層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０４４１】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０４４２】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。
【０４４３】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０４４４】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０４４５】
（冷却・加圧工程）
次に、図２４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０４４６】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０４４７】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０４４８】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０４４９】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０４５０】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において最内層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０４５１】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０４５２】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０４５３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０４５４】
＜第１２実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１２実施形態について説明する。
【０４５５】
図２５は、本発明の封止用フィルムの第１２実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２６（ａ）〜（ｃ）は、図２５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２５、図２６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０４５６】
以下、第１２実施形態について説明するが、前記第１〜第１１実施形態および第１参考形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０４５７】
第１２実施形態では、封止用フィルム１００が、中間層１９に代えて、電磁波シールド性を有する電磁波シールド層１３を備える積層体で構成され、それ以外は、前記第１参考形態と同様である。
【０４５８】
封止用フィルム１００は、本実施形態では、図２５、図２６に示すように、絶縁層（最内層）１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３と、電磁波シールド層１３の一方の面側に積層された被覆層（最外層）１４とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３と、被覆層１４とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。
【０４５９】
このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【０４６０】
また、電子部品４は、絶縁性を有する絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されていることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性が確保されたものとなる。さらに、電磁波シールド層１３は、電子部品４と反対側の面において、絶縁性を有する被覆層１４により被覆されている。そのため、電磁波シールド層１３は、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保されたものとなる。
【０４６１】
また、このような封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が、何れも、樹脂材料を含有し、前記第１実施形態と同様に、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であるが、１０００％以上３５００％以下であるのが好ましい。
【０４６２】
そのため、本実施形態においても、以下では、かかる伸び率を満足する封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の層構成について説明する。
【０４６３】
前記軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、それぞれが前記第１実施形態で説明したのと同様の樹脂材料を含有する。
【０４６４】
また、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率を前記範囲内とするために、樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち、絶縁層１２および被覆層１４は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂）を主材料として含有する層で構成され、電磁波シールド層１３は、前記樹脂材料（熱可塑性樹脂）と、導電性を備える導電性粒子とを含有する層で構成される。絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をかかる構成のものとすることで、絶縁層１２および被覆層１４は、それぞれ、絶縁性を有する絶縁層および被覆層として機能し、電磁波シールド層１３は、電磁波シールド性さらには導電性を有する電磁波シールド層として機能する。
【０４６５】
上記のような構成をなす、何れも樹脂材料を含有する絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４を備える封止用フィルム１００は、前記第１実施形態と同様に、前述した樹脂材料のうちポリオレフィン系樹脂を前記樹脂材料として含有する層を、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうちの少なくとも１層として備えることが好ましい。これにより、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率をより確実に１５０％以上３５００％以下に設定することができる。
【０４６６】
そこで、以下では、前記樹脂材料を主材料として含有する絶縁層１２および被覆層１４と、前記樹脂材料と導電性粒子とを含有する電磁波シールド層１３とを備え、絶縁層１２および被覆層１４に含まれる樹脂材料がともにポリオレフィン系樹脂である封止用フィルム１００を、一例として説明する。
【０４６７】
絶縁層１２は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
【０４６８】
また、この絶縁層１２は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、電子部品４と導電性を有する電磁波シールド層１３との間に介在することで、電子部品４同士、さらには電子部品４と電極３との間で短絡が生じるのを防止するための絶縁層として機能する。
【０４６９】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、前記第１実施形態と同様に、共重合されるＶＡ含有量が５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。
【０４７０】
また、絶縁層１２の平均厚さは、前記第１実施形態と同様に、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、電磁波シールド層１３の電子部品４に対する絶縁性をより確実に確保することができる。
【０４７１】
電磁波シールド層１３は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすること、さらには、封止用フィルム１００を強靱性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、樹脂材料としてアイオノマー樹脂を含有する。また、樹脂材料（アイオノマー）は、下記の導電性材料を層中に保持するバインダーとしても機能する。
【０４７２】
また、電磁波シールド層１３は、樹脂材料としてアイオノマー樹脂の他に、さらに、導電性を有する導電性粒子を含有することで、電磁波シールド性さらには導電性を備える層である。
【０４７３】
このような電磁波シールド層１３により、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、絶縁層１２を介して、基板５の上側に配置された電子部品４が被覆される。そのため、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０４７４】
樹脂材料としてのアイオノマー樹脂としては、前記第１実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０４７５】
また、導電性粒子としても、前記第１実施形態で説明したのと同様のものを用いることができる。
【０４７６】
また、電磁波シールド層１３中における導電性粒子の含有量は、１０重量％以上９５重量％以下であることが好ましく、５０重量％以上９０重量％以下であることがより好ましい。導電性粒子の含有量をかかる範囲内に設定することにより、電磁波シールド層１３に電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与しつつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【０４７７】
また、電磁波シールド層１３の平均厚さは、１μｍ以上４００μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２００μｍ以下であることがより好ましい。電磁波シールド層１３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００を強靱性に優れ、かつ、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。さらに、電磁波シールド層１３に、電磁波シールド性さらには導電性を確実に付与することができる。
【０４７８】
なお、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料としては、アイオノマー樹脂の他、絶縁層１２および被覆層１４に含まれるエチレン−酢酸ビニル共重合体や、それ以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０４７９】
被覆層１４は、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下に設定して、凹凸６への密着性および形状追従性に優れたものとすることを目的に、本実施形態では、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有する層である。
【０４８０】
また、被覆層１４は、樹脂材料としてエチレン−酢酸ビニル共重合体を主材料として含有することで、絶縁性を備える層であり、電子部品搭載基板４５を封止用フィルム１００で被覆する際に、導電性を有する電磁波シールド層１３の電子部品４と反対の面側を被覆することで、電子部品搭載基板４５の外側に位置する他の電子部品に対する絶縁性を確保するための被覆層として機能する。
【０４８１】
このエチレン−酢酸ビニル共重合体としては、共重合されるＶＡ含有量は、前記第１実施形態の絶縁層１２で示した共重合されるＶＡ含有量と同様の範囲内に設定される。
【０４８２】
また、被覆層１４の平均厚さは、５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上１２０μｍ以下であることがより好ましい。これにより、封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０４８３】
なお、被覆層１４に含まれる樹脂材料としては、絶縁層１２と同様に、ポリオレフィン系樹脂（エチレン共重合体）としてのエチレン−酢酸ビニル共重合体の他、前述した電磁波シールド層１３に含まれるアイオノマー樹脂であってもよいし、エチレン−酢酸ビニル共重合体以外のポリオレフィン系樹脂であってもよい。
【０４８４】
また、封止用フィルム１００では、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との間、および、電磁波シールド層１３と被覆層１４との間には、接着性を付与したり、あるいは接着性を高めるために必要に応じて接着層を設けるようにすることもできる。また、絶縁層１２と電子部品搭載基板４５との間の接着性を高めるために、必要に応じて絶縁層１２の内側、すなわち絶縁層１２と基板５との間に接着層を設けることもできる。
【０４８５】
さらに、接着層に含まれる接着性樹脂としては、前記第１実施形態で説明したのと同様の樹脂を用いることができる。
【０４８６】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１２実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０４８７】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０４８８】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図２６（ｂ））。
【０４８９】
（加熱・減圧工程）
次に、図２６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０４９０】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０４９１】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０４９２】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。
【０４９３】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０４９４】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０４９５】
（冷却・加圧工程）
次に、図２６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０４９６】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０４９７】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０４９８】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０４９９】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０５００】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０５０１】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０５０２】
さらに、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４との積層体で構成される。
【０５０３】
そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０５０４】
また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。また、電磁波シールド層１３は、電子部品４と反対側の面において、被覆層１４により被覆されていることから、電磁波シールド層１３は、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０の外側に位置する他の電子部品に対しても、絶縁性が確保された状態で電子部品搭載基板４５を被覆することができる。
【０５０５】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０５０６】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０５０７】
＜第１３実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１３実施形態について説明する。
【０５０８】
図２７は、本発明の封止用フィルムの第１３実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図２８は、図２７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２７、図２８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０５０９】
以下、第１３実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０５１０】
第１３実施形態では、封止用フィルム１００が備える被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０５１１】
第１３実施形態の封止用フィルム１００において、被覆層１４は、図２７、図２８に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）を備えている。
【０５１２】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０５１３】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、被覆層１４が備える突出部１５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで被覆層１４により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０５１４】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０５１５】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０５１６】
また、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０５１７】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１３実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０５１８】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０５１９】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図２８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０５２０】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を端部５１に接触させる（図２８（ｂ））。
【０５２１】
（加熱・減圧工程）
次に、図２８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０５２２】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００、すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０５２３】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０５２４】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０５２５】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０５２６】
（冷却・加圧工程）
次に、図６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０５２７】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０５２８】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０５２９】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで端部５１に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０５３０】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０５３１】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた被覆層１４の突出部１５により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０５３２】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０５３３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０５３４】
＜第１４実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１４実施形態について説明する。
【０５３５】
図２９は、本発明の封止用フィルムの第４実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３０（ａ）〜（ｃ）は、図２９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図２９、図３０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０５３６】
以下、第１４実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０５３７】
第１４実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および被覆層１４の構成が異なり、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０５３８】
第１４実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２および被覆層１４は、図２９、図３０に示すように、それぞれ、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、それらの端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１５（第１突出部）および突出部１６（第３突出部）を備えている。そして、これら突出部１５と突出部１６とは、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで設けられた積層突出部６５を形成する。
【０５３９】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし被覆層１４を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０５４０】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１５と突出部１６とを積層することで形成された積層突出部６５は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この積層突出部６５が備える突出部１５により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで積層突出部６５により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０５４１】
また、積層突出部６５は、これら突出部１５と突出部１６とが、電磁波シールド層１３の端部を越えた位置で積層することで形成され、電磁波シールド層１３の端部をも絶縁層１２および被覆層１４により被覆されることで、電子部品４および電子部品搭載基板４５の外側に位置する電子部品に対する電磁波シールド層１３の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０５４２】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０５４３】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１５の折り込みを、突出部１５を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０５４４】
さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する被覆層１４の突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１５による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０５４５】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１４実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０５４６】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、積層突出部６５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、積層突出部６５が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０５４７】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０５４８】
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する積層突出部６５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、積層突出部６５を端部５１に接触させる（図３０（ｂ））。
【０５４９】
（加熱・減圧工程）
次に、図３０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０５５０】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０５５１】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０５５２】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０５５３】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０５５４】
（冷却・加圧工程）
次に、図３０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０５５５】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０５５６】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０５５７】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ積層突出部６５を折りこませることで端部５１に接触させる際に、積層突出部６５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０５５８】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０５５９】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた積層突出部６５により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０５６０】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０５６１】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０５６２】
＜第１５実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１５実施形態について説明する。
【０５６３】
図３１は、本発明の封止用フィルムの第１５実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３２（ａ）〜（ｃ）は、図３１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３１、図３２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０５６４】
以下、第１５実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０５６５】
第１５実施形態では、封止用フィルム１００において、被覆層１４の形成が省略され、それ以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０５６６】
第１５実施形態の封止用フィルム１００において、図３１、図３２に示すように、被覆層１４の形成が省略され、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。すなわち、絶縁層１２と、電磁波シールド層１３とは、被覆すべき電子部品搭載基板４５側から、この順で、積層されている。
【０５６７】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし電磁波シールド層１３を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０５６８】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。
【０５６９】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、電子部品４を被覆することができる。
【０５７０】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１５実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。
【０５７１】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０５７２】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する（図３４（ｂ））。
【０５７３】
（加熱・減圧工程）
次に、図３４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０５７４】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０５７５】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０５７６】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となる。
【０５７７】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０５７８】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０５７９】
（冷却・加圧工程）
次に、図３４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０５８０】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０５８１】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０５８２】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっているのが好ましい。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０５８３】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０５８４】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０５８５】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０５８６】
さらに、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３との積層体で構成される。
【０５８７】
そのため、本工程において、絶縁層１２を介して、電子部品４が電磁波シールド層１３により被覆される。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとすることができる。
【０５８８】
また、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３により封止されることから、電磁波シールド層１３は、この電子部品４に対する絶縁性を確保した状態で、電子部品４を被覆することができる。
【０５８９】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０５９０】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０５９１】
＜第１６実施形態＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１６実施形態について説明する。
【０５９２】
図３３は、本発明の封止用フィルムの第１６実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３４（ａ）〜（ｃ）は、図３３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３３、図３４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０５９３】
以下、第１６実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０５９４】
第１６実施形態では、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２の構成が異なり、さらに被覆層１４の形成が省略されていること以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０５９５】
第１６実施形態の封止用フィルム１００において、絶縁層１２は、図３３、図３４に示すように、電磁波シールド層１３よりも大きく形成され、その端部が電磁波シールド層１３の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出することで形成された突出部１６（第３突出部）を備えている。
【０５９６】
このような封止用フィルム１００を用いて、電子部品４および接続部材７が上面（一方の面）側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし電磁波シールド層１３を上側にして被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０５９７】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、突出部１６は、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１を、この突出部１６により被覆することができる。したがって、本実施形態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側ばかりでなく、基板５の下面における端部５１まで突出部１６により被覆することができ、より優れた気密性をもって、電子部品搭載基板４５を被覆することができる。そのため、封止用フィルム１００により被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのをより的確に抑制または防止することができる。
【０５９８】
さらに、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折りこませることで、端部５１を被覆する際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０５９９】
また、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１６の折り込みを、突出部１６を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０６００】
さらに、封止用フィルム１００における、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１６の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１６を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１にまで到達させることができるため、突出部１６による端部５１の被覆を確実に実現させることができる。
【０６０１】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１６実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０６０２】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１６を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより基板５の下面における端部５１に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１６が基板５の下面における端部５１に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０６０３】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
そして、この際、電磁波シールド層１３の端部を越えて突出する突出部１６を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１６を端部５１に接触させる（図３４（ｂ））。
【０６０４】
（加熱・減圧工程）
次に、図３４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０６０５】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、端部５１を、被覆し得る状態となる。
【０６０６】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０６０７】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、端部５１を若干被覆した状態となる。
【０６０８】
本工程により、封止用フィルム１００を、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に追従し得る状態とし、さらに、突出部１５が基板５の下面側に折り込まれて、端部５１を被覆し得る状態とすることができる。
【０６０９】
（冷却・加圧工程）
次に、図３６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０６１０】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０６１１】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）に対して優れた密着度（気密度）で追従し、さらに、端部５１に対して優れた密着度で被覆した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆される。
【０６１２】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１６を折りこませることで端部５１に接触させる際に、突出部１６が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０６１３】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには端部５１を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０６１４】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において、折り込まれた突出部１６により端部５１が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０６１５】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０６１６】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０６１７】
＜第１７実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１７実施形態について説明する。
【０６１８】
図３５は、本発明の封止用フィルムの第１７実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３６（ａ）〜（ｃ）は、図３５に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３５、図３６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０６１９】
以下、第１７実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０６２０】
第１７実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０６２１】
第１７実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図３５、図３６に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０６２２】
また、第１７実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図３５に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７および電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【０６２３】
このように電子部品４、電極３および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０６２４】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、このものが備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０６２５】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上面側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０６２６】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１７実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０６２７】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０６２８】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３６（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０６２９】
この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図３６（ｂ））。
【０６３０】
（加熱・減圧工程）
次に、図３６（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０６３１】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０６３２】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０６３３】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０６３４】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０６３５】
（冷却・加圧工程）
次に、図３６（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０６３６】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０６３７】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０６３８】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０６３９】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０６４０】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０６４１】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０６４２】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０６４３】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０６４４】
＜第１８実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１８実施形態について説明する。
【０６４５】
図３７は、本発明の封止用フィルムの第１８実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図３８（ａ）〜（ｃ）は、図３７に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３７、図３８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０６４６】
以下、第１８実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０６４７】
第１８実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、被覆層１４の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０６４８】
第１８実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３は、図３７、図３８に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０６４９】
また、第１８実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図３８に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７および電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４および電極３の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、電子部品搭載基板４５の外側に位置する、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【０６５０】
このように電子部品４、電極３および接続部材７が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０６５１】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３は、このものが備える突出部１７において、絶縁層１２から露出している。そのため、基板５の上面の端部５２に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。
【０６５２】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することで、この突出部１７により、基板５の上側に位置する電極３を被覆して、突出部１７と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０６５３】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した第１８実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０６５４】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の上面（一方の面）側の電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４と電極３とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０６５５】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図３８（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４と電極３とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０６５６】
この際、封止用フィルム１００の中央部に位置する絶縁層１２により電子部品４を被覆させ、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７により電極３を被覆させる（図３８（ｂ））。
【０６５７】
（加熱・減圧工程）
次に、図３８（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０６５８】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４および電極３を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０６５９】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０６６０】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４および電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０６６１】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０６６２】
（冷却・加圧工程）
次に、図３８（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０６６３】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０６６４】
その結果、基板５の上側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４および電極３の形状）に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０６６５】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性をもって被覆することができる。
【０６６６】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とを優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０６６７】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において、絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０６６８】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０６６９】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、その端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、本実施形態では、この突出部１７が、絶縁層１２を介することなく、電極３を直接被覆する。これにより、導電性を有する突出部１７（電磁波シールド層１３）に電極３が電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０６７０】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０６７１】
＜第１９実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第１９実施形態について説明する。
【０６７２】
図３９は、本発明の封止用フィルムの第１９実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図４０（ａ）〜（ｃ）は、図３９に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３９、図４０中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０６７３】
以下、第１９実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０６７４】
第１９実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０６７５】
第１９実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３および被覆層１４は、図３９、図４０に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２側に位置する電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０６７６】
また、第１９実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４０に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７、および、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。
【０６７７】
このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載され、電極３が下面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、被覆層１４を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０６７８】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。なお、本実施形態では、電磁波シールド層１３の上面のほぼ全面には被覆層１４が形成されていることから、電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保する場合には、被覆層１４の一部を除去して電磁波シールド層１３が露出する露出部を形成し、この露出部において、電磁波シールド層１３と外部とを電気的に接続することで、この接続が実現される。
【０６７９】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０６８０】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０６８１】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。
【０６８２】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０６８３】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０６８４】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４０（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０６８５】
そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図４０（ｂ））。
【０６８６】
（加熱・減圧工程）
次に、図４０（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０６８７】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０６８８】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０６８９】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０６９０】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０６９１】
（冷却・加圧工程）
次に、図４０（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０６９２】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０６９３】
その結果、基板５の上面側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下面側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０６９４】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下面側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０６９５】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０６９６】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０６９７】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０６９８】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下面側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０６９９】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０７００】
＜＜第２０実施形態＞＞
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２０実施形態について説明する。
【０７０１】
図４１は、本発明の封止用フィルムの第２０実施形態を示す図（（ａ）縦断面図、（ｂ）平面図）、図４２（ａ）〜（ｃ）は、図４１に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４１、図４２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０７０２】
以下、第２０実施形態について説明するが、前記第１２実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０７０３】
第２０実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３の構成が異なり、さらに、被覆層１４の形成が省略されているとともに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１２実施形態と同様である。
【０７０４】
第２０実施形態の封止用フィルム１００において、電磁波シールド層１３は、図４１、図４２に示すように、絶縁層１２よりも大きく形成されている。これにより、電磁波シールド層１３の端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出すること、換言すれば、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７（第２突出部）を備えている。
【０７０５】
また、第２０実施形態の封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４２に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の上面（一方の面）側の端部５２に形成された接続部材７、および、基板５の下面（他方の面）側の端部５１に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載により、基板５上に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。
【０７０６】
このように電子部品４および接続部材７が上面側に搭載され、電極３が下面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、絶縁層１２を下側とし、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて被覆すると、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。
【０７０７】
さらに、本実施形態では、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１７は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面の端部５１に形成された電極３に、この突出部１７を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１７は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。
【０７０８】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下である。これにより、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで、端部５１に設けられた電極３を被覆する際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０７０９】
さらに、前記第１実施形態と同様に、封止用フィルム１００の２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率は、１００ｐｐｍ／Ｋ以下であることが好ましい。このように、封止用フィルム１００の線膨張率を規定することによっても、基板５の上面側から下面側への突出部１７の折り込みを、突出部１７を屈曲させる屈曲部において破断を生じさせることなく確実に実施させることができる。
【０７１０】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する電磁波シールド層１３の突出部１７の長さは、特に限定されず、０．５ｃｍ以上８．０ｃｍ以下であることが好ましく、１．０ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１７の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１７を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面における端部５１に形成された電極３にまで到達させることができるため、突出部１７による電極３の電気的な接続を確実に実現させることができる。
【０７１１】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、本実施形態の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法について説明する。
【０７１２】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置しつつ、突出部１７を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１７が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０７１３】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４２（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える絶縁層１２および電磁波シールド層１３のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆い、かつ、接続部材７に逃げ部２７が対応するように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１７を電極３に接触させる（図４２（ｂ））。
【０７１４】
（加熱・減圧工程）
次に、図４２（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０７１５】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち絶縁層１２および電磁波シールド層１３が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５の下面の端部５１に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０７１６】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０７１７】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上面側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下面側では、電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０７１８】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０７１９】
（冷却・加圧工程）
次に、図４２（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０７２０】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０７２１】
その結果、基板５の上面側では、接続部材７が逃げ部２７から露出して封止されることなく、凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下面側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０７２２】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができるため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上面側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下面側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１７を折りこませることで電極３に接触させる際に、突出部１７が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０７２３】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆し、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０７２４】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上面側において絶縁層１２が接触して基板５と電子部品４とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出し、さらに、基板５の下面側において電磁波シールド層１３が接触して電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのをより的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器のより信頼性の向上が図られる。
【０７２５】
また、上記のように、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、接続部材７が逃げ部２７から露出しているため、電子部品搭載基板４５と他の電子部品や電源との電気的な接続を実現することができる。
【０７２６】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２および電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１７を備えている。そして、この突出部１７が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１７（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１７を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０７２７】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆され、かつ、接続部材７が逃げ部２７から露出した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０７２８】
＜第２１実施形態＞
［封止用フィルム］
次に、本発明の封止用フィルム１００の第２１実施形態について説明する。
【０７２９】
図４３は、本発明の封止用フィルムの第２１実施形態を示す縦断面図、図４４（ａ）〜（ｃ）は、図４３に示す封止用フィルムを用いて電子部品搭載基板の封止方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４３、図４４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０７３０】
以下、第２１実施形態について説明するが、前記第１〜第２０実施形態と異なる点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
【０７３１】
第２１実施形態では、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および被覆層１４の構成が異なり、さらに、この封止用フィルム１００を用いて被覆する電子部品搭載基板４５の構成が異なること以外は、前記第１実施形態と同様である。
【０７３２】
封止用フィルム１００は、図４３、図４４に示すように、絶縁層１２と、この絶縁層１２の一方の面側（上面側）に積層された電磁波シールド層１３とを備える積層体で構成されている。すなわち、電磁波シールド層１３は、被覆すべき電子部品搭載基板４５の反対側（上面側）において、絶縁層１２に積層されている。そして、この電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その端部が絶縁層１２の端部（縁部）から露出している。換言すれば、電磁波シールド層１３が、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【０７３３】
ここで、封止用フィルム１００により被覆される電子部品搭載基板４５は、図４４に示すように、基板５と、基板５の上面（一方の面）側の中央部に搭載（載置）された電子部品４と、この電子部品４に電気的に接続され、基板５の下面（他方の面）側の端部に形成された電極３とを備えている。このような電子部品搭載基板４５において、基板５の上面への電子部品４の搭載および基板５の下面への電極３の形成により、基板５の上面および下面に凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６が形成される。なお、基板５としては、例えば、プリント配線基板が挙げられ、基板５上に搭載する電子部品４としては、例えば、半導体素子、コンデンサー、コイル、コネクターおよび抵抗等が挙げられ、電極３としては、例えば、外部から電気を供給するための電源と接続するための電極、他の電子部品と電気的に接続するための電極、および、電子部品４を接地するためのグランド電極等が挙げられる。
【０７３４】
このように電子部品４が上面側に搭載された電子部品搭載基板４５に対して、電磁波シールド層１３を上側にして、封止用フィルム１００を用いて封止すると、電子部品４は、絶縁層１２を介して電磁波シールド層１３で封止される。そのため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０は、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。
【０７３５】
さらに、この封止用フィルム１００を用いた被覆の際に、電磁波シールド層１３が備える突出部１５は、基板５の下面側に折り込むことが可能なように構成されている。そのため、基板５の下面側の端部に形成された電極３に、この突出部１５を接触させた状態とすることができる。したがって、この突出部１５は、電磁波シールド層１３で構成され導電性を有することから、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０おいて、この電磁波シールド層１３を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することができる。
【０７３６】
また、前記第１実施形態と同様に、前記軟化点における伸び率は、１５０％以上３５００％以下であるが、１５０％以上２０００％以下であることがより好ましく、１０００％以上２０００％以下であることがさらに好ましい。
【０７３７】
この軟化点における伸び率がかかる範囲内であることにより、封止用フィルム１００による電子部品搭載基板４５の被覆の際に、電子部品搭載基板４５が備える、凸部６１と凹部６２とからなる凹凸６に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、被覆することができる。そのため、この封止用フィルム１００を被覆することで得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、基板５上の電子部品４が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。さらに、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで電極３に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０７３８】
また、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を前記範囲内とすることにより、基板５に設けられた凹凸６における段差が具体的な大きさとして、１０ｍｍ以上のように大きいものであったとしても、封止用フィルム１００を凹凸６の形状に対応して追従させることができる。
【０７３９】
封止用フィルム１００の全体としての平均厚さは、１０μｍ以上７００μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以上４００μｍ以下であることがより好ましい。封止用フィルム１００の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、封止用フィルム１００の途中において、封止用フィルム１００が破断するのを的確に抑制または防止し得るとともに、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率を１５０％以上３５００％以下の範囲内に確実に設定することができる。
【０７４０】
また、封止用フィルム１００における、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５の長さは、特に限定されず、０．１ｃｍ以上５．０ｃｍ以下であることが好ましく、０．５ｃｍ以上２．５ｃｍ以下であることがより好ましい。突出部１５の長さをかかる範囲内に設定することにより、突出部１５を、基板５の上面側から下面側に折り込みつつ、基板５の下面側に位置する電極３に到達させることができるため、突出部１５と電極３との電気的な接続を実現することができる。
【０７４１】
［電子部品搭載基板の封止方法］
次に、上述した本発明の封止用フィルムを用いた電子部品搭載基板の封止方法（本発明の電子部品搭載基板の封止方法）について説明する。
【０７４２】
本実施形態の電子部品搭載基板の封止方法は、基板５と電子部品４とを覆うように、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置させつつ、突出部１５を、基板５の下面（他方の面）側に折り込むことにより電極３に接触させる配置工程と、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する加熱・減圧工程と、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧することで、突出部１５が電極３に接触した状態で、基板５と電子部品４とを封止用フィルム１００で封止する冷却・加圧工程とを有する。
【０７４３】
以下、電子部品搭載基板の封止方法の各工程について、順次説明する。
（配置工程）
まず、図４４（ａ）に示すように、封止用フィルム１００が備える電磁波シールド層１３および絶縁層１２のうち絶縁層１２を、電子部品搭載基板４５に対向させた状態で、電子部品搭載基板４５が備える基板５と電子部品４とを覆うように、封止用フィルム１００を電子部品搭載基板４５上に配置する。
【０７４４】
そして、この際、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５を、基板５の下面側に折り込み、これにより、突出部１５を電極３に接触させる（図４４（ｂ））。
【０７４５】
（加熱・減圧工程）
次に、図４４（ｂ）に示す状態を維持したまま、封止用フィルム１００を加熱し軟化させるとともに、減圧する。
【０７４６】
このように、封止用フィルム１００を加熱することにより、封止用フィルム１００すなわち電磁波シールド層１３および絶縁層１２が軟化し、その結果、基板５の上面側では、基板５に電子部品４を搭載することにより形成された凹凸６の形状に対して、追従し得る状態となり、さらに、基板５の下面側では、基板５に設けられた電極３の形状に対して、追従し得る状態となる。
【０７４７】
また、この際、電子部品搭載基板４５および封止用フィルム１００を、減圧雰囲気下に配置することで、封止用フィルム１００の外側ばかりでなく、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間の気体（空気）が脱気される。
【０７４８】
これにより、封止用フィルム１００が伸展しながら、基板５の上側では、凹凸６の形状、すなわち、基板５上の電子部品４の形状に若干追従した状態となり、基板５の下側では、基板５上の電極３の形状に若干追従した状態となる。
【０７４９】
本工程により、電子部品搭載基板４５の上面側に形成された凹凸６の形状、および、下面側に形成された電極３の形状に対して、封止用フィルム１００を、追従し得る状態とすることができる。
【０７５０】
なお、封止用フィルム１００の加熱と、雰囲気の減圧とは、加熱の後に減圧してもよく、減圧の後に加熱してもよいが、加熱と減圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、軟化した封止用フィルム１００を、凹凸６の形状および電極３の形状に確実に若干追従した状態とすることができる。
【０７５１】
（冷却・加圧工程）
次に、図４４（ｃ）に示すように、封止用フィルム１００を冷却させるとともに、加圧する。
【０７５２】
このように、減圧された雰囲気から加圧することで、前記加熱・減圧工程において、電子部品搭載基板４５と封止用フィルム１００との間が脱気され、減圧状態が維持されていることから、封止用フィルム１００がさらに伸展することとなる。
【０７５３】
その結果、基板５の上側では凹凸６の形状（電子部品４の形状）、さらに、基板５の下側では電極３の形状に優れた密着度（気密度）で追従した状態で、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆される。
【０７５４】
なお、前記加熱減圧工程において、凹凸６の形状に対応して封止用フィルム１００が十分追従していれば、加圧工程を省略することができる。
【０７５５】
この際、封止用フィルム１００の軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。これにより、封止用フィルム１００は、この加圧時に、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６および電極３に対してより優れた形状追従性をもって伸展させることができる。そのため、軟化した状態の封止用フィルム１００により、基板５の上側において基板５と電子部品４とを、さらには基板５の下側においては電極３を優れた密着性をもって被覆することができる。また、基板５の上面側から下面側へ突出部１５を折り込ませることで電極３に接触させる際に、突出部１５が屈曲した屈曲部において破断してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０７５６】
そして、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４とを、さらには電極３を優れた密着性（気密性）をもって被覆した状態で、封止用フィルム１００を冷却することで、この状態を維持したまま、封止用フィルム１００が固化する。
【０７５７】
これにより、電子部品搭載基板４５に形成された凹凸６の形状に追従した状態で、封止用フィルム１００により、基板５の上側において絶縁層１２が接触した状態で基板５と電子部品４とが被覆され、基板５の下側において電磁波シールド層１３が接触した状態で基板５と電極３が被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０が得られることとなる。そのため、この封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、湿気や埃等の外部因子と電子部品４および電極３が接触するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０ひいてはこの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を備える電子機器の信頼性の向上が図られる。
【０７５８】
また、上記のような電子部品搭載基板４５の被覆に用いられる封止用フィルム１００は、絶縁層１２と電磁波シールド層１３の積層体で構成されるが、電磁波シールド層１３は、絶縁層１２よりも大きく形成され、その中央部において絶縁層１２が積層されるが、端部において、絶縁層１２の端部を越えて突出することで形成された突出部１５を備えている。
【０７５９】
そのため、本工程において、電磁波シールド層１３の中央部では、絶縁層１２を介して、電子部品４が被覆される。したがって、電子部品４への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０７６０】
さらに、電磁波シールド層１３の端部では、絶縁層１２が介在することなく、導電性を有する突出部１５が、基板５の下側に折り込まれることで電極３を直接被覆する。これにより、電極３が突出部１５（電磁波シールド層１３）に電気的に接続されるため、得られる封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０において、この突出部１５を介した電極３と外部との電気的な接続を確保することが可能となる。
【０７６１】
なお、封止用フィルム１００の冷却と、雰囲気の加圧とは、加圧の後に冷却してもよいが、冷却と加圧とをほぼ同時に行うことが好ましい。これにより、凹凸６および電極３の形状に対応して、封止用フィルム１００をより優れた密着性をもって被覆させることができる。
【０７６２】
上記の工程を経ることで、封止用フィルム１００により、基板５と電子部品４と電極３とが被覆された封止用フィルム被覆電子部品搭載基板５０を得ることができる。
【０７６３】
以上、本発明の封止用フィルム、電子部品搭載基板の封止方法および封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０７６４】
例えば、本発明の封止用フィルムには、同様の機能を発揮し得る、任意の層が追加されていてもよい。また、本発明の封止用フィルムの各実施例を適宜組み合わせてもよい。
【０７６５】
さらに、本発明の電子部品搭載基板の封止方法には、１または２以上の任意の工程が追加されていてもよい。
【実施例】
【０７６６】
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。【０７６７】
（実施例１Ａ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０７６８】
まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０７６９】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０７７０】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０７７１】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜し、また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、上記絶縁膜１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図１に示すような、突出部１５を備える電磁波シールド層１３と絶縁層１２とで構成される積層体からなる実施例１Ａの封止用フィルムを得た。【０７７２】
なお、得られた実施例１Ａの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであった。【０７７３】
また、実施例１Ａの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。【０７７４】
さらに、実施例１Ａの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。【０７７５】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ａの封止用フィルム１００を、絶縁層２を電子部品搭載基板４５側にして、配置した。【０７７６】
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。【０７７７】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムで被覆された実施例１Ａの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７７８】
（実施例２Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例２Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７７９】
（実施例３Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例３Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８０】
（実施例４Ａ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部にし導電性粒子を８０重量部にし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍにしたこと以外は、前記実施例１Ａと同様にして実施例４Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８１】
（実施例５Ａ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍにしたこと以外は、前記実施例４Ａと同様にして実施例５Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８２】
（実施例６Ａ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例６Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８３】
（実施例７Ａ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例７Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８４】
（実施例８Ａ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ａと同様にして実施例８Ａの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０７８５】
（比較例１Ａ）
比較例１Ａとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。【０７８６】
＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ａ〜８Ａ）および比較例（比較例１Ａ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。以下に、これらの評価方法について説明する。【０７８７】
＜＜形状追従性＞＞
形状追従性は、以下のようにして評価した。【０７８８】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した凹凸における空隙の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、空隙の有無は、顕微鏡を用いて観察した。【０７８９】
各符号は以下のとおりであり、ＡおよびＢを合格とし、Ｃを不合格とした。
Ａ：段差の底部にまで、充填された状態で被覆されている
Ｂ：段差の底部において若干の空隙が形成されているものの、ほぼ全体に亘って充填された状態で被覆されている
Ｃ：段差の底部において明らかな空隙が形成された状態で被覆されている【０７９０】
＜＜シワの有無＞＞
シワの有無は、以下のようにして評価した。【０７９１】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、被覆した上面におけるシワの有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、シワの有無は、マイクロスコープを用いて観察した。【０７９２】
各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：封止用フィルムの上面の全体にシワが認められない
Ｂ：封止用フィルムの上面の凸部に対応する位置に明らかなシワが認められる【０７９３】
＜＜電磁波シールド性＞＞
電磁波シールド性は、以下のようにして評価した。【０７９４】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムについて、KEC法（電界）を用いて、周波数０．００１〜１ＧＨｚの範囲内における電磁波シールド効果の値を測定し、周波数０．０１ＧＨｚ以上１ＧＨｚ以下の範囲内における電磁波シールド効果の最小値を求めた。そして、求められた最小値を、以下の評価基準に基づいて判断した。【０７９５】
各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ以上である
Ｂ：電磁波シールド効果の最小値が２０ｄＢ未満である【０７９６】
なお、KEC法は、近傍界で発生する電磁波のシールド効果を電界と磁界に分けて評価する方法であり、この方法を用いた測定は、送信アンテナ（送信用の治具）から送信された電磁波を、シート状をなす封止用フィルムを介して、受信アンテナ（受信用の治具）で受信することで実施することができ、かかるKEC法では、受信アンテナにおいて、封止用フィルムを通過（透過）した電磁波が測定されるすなわち、送信された電磁波（信号）が電磁波シールド層により受信アンテナ側でどれだけ減衰したかが測定される。【０７９７】
＜＜導電性＞＞
電磁波シールド層における導電性の有無は、以下のようにして評価した。【０７９８】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、電磁波シールド層が備える突出部において、電源と接続し、電子部品の駆動の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。【０７９９】
各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：電子部品の駆動が認められる
Ｂ：電子部品の駆動が認められない
以上の各実施例および比較例の評価試験の結果を表１に示す。【０８００】
【表１】
2018008657.tif 000003
【０８０１】
表１から明らかなように、実施例１Ａ〜８Ａの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。【０８０２】
これに対して、比較例１Ａの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。【０８０３】
（実施例１Ｂ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８０４】
まず、絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８０５】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８０６】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８０７】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料４５重量部と導電性粒子５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層１４を電磁波シールド層１３上に塗工成膜し、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図９に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とで構成される積層体からなる実施例１Ｂの封止用フィルムを得た。【０８０８】
なお、得られた実施例１Ｂの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。【０８０９】
また、実施例１Ｂの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８９０％であった。【０８１０】
さらに、実施例１Ｂの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５３ｐｐｍ／Ｋであった。【０８１１】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｂの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１７を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。【０８１２】
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。【０８１３】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例１Ｂの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１４】
（実施例２Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例２Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１５】
（実施例３Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例３Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１６】
（実施例４Ｂ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｂと同様にして実施例４Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１７】
（実施例５Ｂ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｂと同様にして実施例５Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１８】
（実施例６Ｂ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例６Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８１９】
（実施例７Ｂ）
絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例７Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８２０】
（実施例８Ｂ）
絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２および被覆層１４の平均厚さ（μｍ）を２５μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｂと同様にして実施例８Ｂの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８２１】
（参考例１Ｂ）
参考例１Ｂとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。【０８２２】
＜評価試験＞
各実施例（１Ｂ〜８Ｂ）および参考例（参考例１Ｂ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表２に示す。【０８２３】
【表２】
2018008657.tif 000004
【０８２４】
表２から明らかなように、実施例１Ｂ〜８Ｂの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。【０８２５】
これに対して、参考例１Ｂの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。【０８２６】
（実施例１Ｃ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８２７】
まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８２８】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８２９】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８３０】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料４５重量部と導電性粒子５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に、突出部１６が形成されるように、電磁波シールド層１３を塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図１７に示すような、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体で構成され、縁部に突出部１６を備える実施例１Ｃの封止用フィルムを得た。【０８３１】
なお、得られた実施例１Ｃの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、突出部１６の長さは、２．０ｃｍであった。【０８３２】
また、実施例１Ｃの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。【０８３３】
さらに、実施例１Ｃの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。【０８３４】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｃの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１６を、基板５の下面側に折り込むことで端部５１に接触させた。【０８３５】
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。【０８３６】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層１２で被覆され、折り込まれた突出部１６で基板の下面側の端部５１が被覆された実施例１Ｃの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８３７】
（実施例２Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例２Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８３８】
（実施例３Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例３Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８３９】
（実施例４Ｃ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして実施例４Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４０】
（実施例５Ｃ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｃと同様にして実施例５Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４１】
（実施例６Ｃ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例６Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４２】
（実施例７Ｃ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例７Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４３】
（実施例８Ｃ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｃと同様にして実施例８Ｃの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４４】
（実施例９Ｃ）
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例１Ｃと同様にして、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層１２で被覆され、折り込まれた積層突出部６５で基板の下面側の端部５１が被覆された実施例９Ｃの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８４５】
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８４６】
まず、絶縁層１２および被覆層１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意した。【０８４７】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８４８】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８４９】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に、突出部１６が形成されるように、電磁波シールド層１３を塗工成膜した。さらに、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３上に、突出部１５が形成されるように、被覆層１４を塗工成膜し、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせた。これにより、図２１に示すような、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体で構成され、縁部に積層突出部６５を備える実施例９Ｃの封止用フィルムを得た。【０８５０】
なお、得られた実施例９Ｃの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、積層突出部６５の長さは、２．０ｃｍであった。【０８５１】
また、実施例９Ｃの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ３４００％であった。【０８５２】
さらに、実施例９Ｃの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、６ｐｐｍ／Ｋであった。【０８５３】
（比較例１Ｃ）
比較例１Ｃとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。【０８５４】
＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｃ〜９Ｃ）および比較例（比較例１Ｃ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無および電磁波シールド性の評価を行った。また、各実施例および比較例で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、端部被覆性を以下の評価方法を用いて評価した。【０８５５】
＜＜端部被覆性＞＞
端部被覆性（形状追従性）は、以下のようにして評価した。【０８５６】
すなわち、各実施例および比較例で作製した封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、積層突出部による基板の下面の端部における被覆での剥離の有無により、以下の評価基準に基づいて判断した。なお、剥離の有無は、顕微鏡を用いて観察した。【０８５７】
各符号は以下のとおりであり、Ａを合格とし、Ｂを不合格とした。
Ａ：下面の端部において積層突出部の剥離が認められない
Ｂ：下面の端部において積層突出部の剥離が認められる
各実施例および参考例の評価試験の結果を表３に示す。【０８５８】
【表３】
2018008657.tif 000005
【０８５９】
表３から明らかなように、実施例１Ｃ〜９Ｃの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、積層突出部を折り込むことで、積層突出部による基板の下面における端部の被覆が可能であった。【０８６０】
これに対して、比較例１Ｃの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙、封止用フィルムの上面におけるシワ、さらには、積層突出部と基板下面の端部との間における剥離が明らかに発生する結果となった。【０８６１】
（実施例１Ｄ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８６２】
まず、絶縁層（最内層）１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８６３】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８６４】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８６５】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。次に、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、絶縁層１２／電磁波シールド層１３の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部２７を形成し、その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図４１に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３とで構成され、逃げ部２７を有する積層体からなる実施例１Ｄの封止用フィルムを得た。【０８６６】
なお、得られた実施例１Ｄの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。【０８６７】
また、実施例１Ｄの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。【０８６８】
さらに、実施例１Ｄの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。【０８６９】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上の中央部に電子部品が搭載されるとともに、その縁部に接続部材が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆い、かつ、接続部材が逃げ部から露出するように形成された実施例１Ｄの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１７を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。【０８７０】
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバーの圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。【０８７１】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例１Ｄの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７２】
（実施例２Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例２Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７３】
（実施例３Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例３Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７４】
（実施例４Ｄ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして実施例４Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７５】
（実施例５Ｄ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｄと同様にして実施例５Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７６】
（実施例６Ｄ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例６Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７７】
（実施例７）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例７Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７８】
（実施例８）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｄと同様にして実施例８Ｄの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８７９】
（実施例９Ｄ）
封止用フィルムを以下のようにして製造したこと以外は、前記実施例１Ｄと同様にして、接続部材が逃げ部から露出した状態で、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、さらに、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で電極が被覆された実施例９Ｄの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０８８０】
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８８１】
まず、絶縁層１２および被覆層（最外層）１４を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意した。【０８８２】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８８３】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８８４】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。その後、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより絶縁層１２上に電磁波シールド層１３を塗工成膜した。さらに、被覆層１４を構成する樹脂を用いてコンマコーターにより被覆層１４を電磁波シールド層１３上に塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２、電磁波シールド層１３および被覆層１４をラミネーターにより貼り合わせることによって、被覆層１４／電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した後、この積層体の端部を切り取ることで逃げ部２７を形成し、その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図３９に示すような、突出部１７を備える絶縁層１２と電磁波シールド層１３と被覆層１４とで構成され、逃げ部２７を有する積層体からなる実施例９Ｄの封止用フィルムを得た。【０８８５】
なお、得られた実施例９Ｄの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、絶縁層１２／電磁波シールド層１３／被覆層１４で５０／１００／５０μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１７の長さは、２．０ｃｍであった。【０８８６】
また、実施例９Ｄの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ３４００％であった。【０８８７】
さらに、実施例９Ｄの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、６ｐｐｍ／Ｋであった。【０８８８】
（参考例１Ｄ）
参考例１Ｄとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。【０８８９】
＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｄ〜９Ｄ）および参考例（参考例１Ｄ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表４に示す。【０８９０】
【表４】
2018008657.tif 000006
【０８９１】
表４から明らかなように、実施例１Ｄ〜９Ｄの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。【０８９２】
これに対して、参考例１Ｄの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。【０８９３】
（実施例１Ｅ）
＜封止用フィルムの製造＞
封止用フィルムを得るために、形成すべき封止用フィルムの各層を構成する樹脂として、それぞれ、以下に示すものを用意した。【０８９４】
まず、絶縁層１２を構成する樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８９５】
また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、アイオノマー樹脂（三井デュポンポリケミカル製、「ハイミラン１８５５」、密度０．９４０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．３ｇ／１０ｍｉｎ（１９０℃測定）、融点９７℃）を用意した。【０８９６】
さらに、電磁波シールド層１３に含まれる導電性粒子として、銀からなる球状粒子（福田金属箔粉工業製、「Ａｇ−ＸＦ３０１」、５０％粒子径４〜７μｍ）を用意した。【０８９７】
次に、絶縁層１２を構成する樹脂を用いて押出成形法により絶縁層１２を成膜した。また、電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を４５重量部と導電性粒子を５５重量部との溶剤混合物を用いてコンマコーターにより電磁波シールド層１３を塗工成膜した。その後、上記絶縁層１２および上記電磁波シールド層１３をラミネーターにより貼り合わせることによって、電磁波シールド層１３／絶縁層１２の順に積層された積層体を形成した。その後、絶縁層１２の縁部を、エッチング法を用いて除去した。これにより、図４３に示すような、突出部１５を備える電磁波シールド層１３と絶縁層１２とで構成される積層体からなる実施例１Ｅの封止用フィルムを得た。【０８９８】
なお、得られた実施例１Ｅの封止用フィルムの各層の平均厚さ（μｍ）は、それぞれ、電磁波シールド層１３／絶縁層１２で１００／１００μｍであり、合計厚さは、２００μｍであり、絶縁層１２の端部を越えて突出する突出部１５の長さは、２．０ｃｍであった。【０８９９】
また、実施例１Ｅの封止用フィルムの軟化点における伸び率を測定したところ８８０％であった。【０９００】
さらに、実施例１Ｅの封止用フィルムにおける、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率を測定したところ、５１ｐｐｍ／Ｋであった。【０９０１】
＜封止用フィルム被覆電子部品搭載基板の製造＞
まず、基板上に電子部品が搭載され、さらに、基板の下面の縁部に電極が形成された任意の電子部品搭載基板を用意し、その後、スキンパック包装機（ハイパック社製、「ＨＩ−７５０シリーズ」）が備えるチャンバー内において、電子部品搭載基板が有する基板と電子部品とを覆うように得られた実施例１Ｅの封止用フィルム１００を、絶縁層１２を電子部品搭載基板４５側にして配置し、さらに、突出部１５を、基板５の下面側に折り込むことで電極３に接触させた。【０９０２】
次に、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、チャンバー内を減圧した。なお、封止用フィルムを加熱した温度は１２５℃であり、チャンバー内の圧力は０．４ｋＰａであり、かかる加熱・減圧の条件を１分間保持した。【０９０３】
次に、チャンバー内を常温・常圧に戻すことで、封止用フィルムを冷却するとともに、チャンバー内を加圧した。これにより、基板と電子部品とが封止用フィルムが備える絶縁層で被覆され、電極が、封止用フィルムが備える電磁波シールド層で被覆された実施例１Ｅの封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０４】
（実施例２Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例２Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０５】
（実施例３Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例３Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０６】
（実施例４Ｅ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料を２０重量部とし導電性粒子を８０重量部とし、さらに、電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を１０μｍとしたこと以外は、前記実施例１Ｅと同様にして実施例４Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０７】
（実施例５Ｅ）
電磁波シールド層１３の平均厚さ（μｍ）を４００μｍとしたこと以外は、前記実施例４Ｅと同様にして実施例５Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０８】
（実施例６Ｅ）
電磁波シールド層１３に含まれる樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例６Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９０９】
（実施例７Ｅ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、接着樹脂（三井化学製、「アドマーＮＦ５３６」）を用意したこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例７Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９１０】
（実施例８Ｅ）
絶縁層１２を構成する樹脂材料として、ポリオレフィン樹脂（「ノーブレンＦＳ２０１１ＤＧ２」、密度０．９００ｇ／ｃｍ３、メルトインデックス２．０ｇ／１０ｍｉｎ（２３０℃測定）、融点１６０℃）を用意し、形成する絶縁層１２の平均厚さ（μｍ）を５０μｍとしたこと以外は前記実施例１Ｅと同様にして実施例８Ｅの封止用フィルムおよび封止用フィルム被覆電子部品搭載基板を得た。【０９１１】
（参考例１Ｅ）
参考例１Ｅとして、市販の二軸延伸ＰＥＴフィルム（東洋紡社製、銘柄：Ｅ５１０７）を用意した。【０９１２】
＜評価試験＞
各実施例（実施例１Ｅ〜８Ｅ）および参考例（参考例１Ｅ）で作製した封止用フィルムまたは封止用フィルム被覆電子部品搭載基板について、前述した実施例１Ａ〜８Ａに対して行った評価方法を用いて、形状追従性、シワの発生の有無、電磁波シールド性および導電性の評価を行った。
各実施例および参考例の評価試験の結果を表５に示す。【０９１３】
【表５】
2018008657.tif 000007
【０９１４】
表５から明らかなように、実施例１Ｅ〜８Ｅの封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることにより、凹部の底部における空隙、さらには封止用フィルムの上面におけるシワの発生を抑制または防止して、電子部品搭載基板に対して被覆することが可能であった。また、電磁波シールド層が備える突出部を介した、外部電源と電極間の導通を確認することができた。【０９１５】
これに対して、参考例の封止用フィルムでは、軟化点における伸び率が１５０％未満であり、これに起因して、封止用フィルムによる電子部品搭載基板に対する被覆の際に、凹部の底部における空隙および封止用フィルムの上面におけるシワが明らかに発生する結果となった。
【産業上の利用可能性】
【０９１６】
本発明によれば、封止用フィルムが樹脂材料を主材料として構成され、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における封止用フィルムの伸び率が１５０％以上３５００％以下となっている。かかる封止用フィルムを、まず、基板と電子部品とを覆うように電子部品搭載基板上に配置する。その後、封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに減圧する。その後、封止用フィルムを冷却させるとともに加圧する。以上の工程を経ることにより、封止用フィルムが、基板に電子部品を搭載することで形成される凹凸に対して、優れた追従性をもって封止した状態で、基板と電子部品とを被覆することができる。そのため、この封止用フィルムを被覆することで得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板において、電子部品（特に、電子部品）が湿気や埃等の外部因子と接触するのを的確に抑制または防止することができる。また、封止用フィルムにより、基板と電子部品とを被覆する際に、電子部品は、絶縁層を介して電磁波シールド層で封止されるため、得られた封止用フィルム被覆電子部品搭載基板は、電子部品への電磁波によるノイズの影響が的確に抑制または防止されたものとなる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有する。
【図１】
2018008657.tif 000008
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2018008657.tif 000013
【図７】
2018008657.tif 000014
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
2018008657.tif 000046
【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
2018008657.tif 000049
【図４３】
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【図４４】
2018008657.tif 000051
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月13日(2018.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。
【請求項２】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項３】
前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する請求項２に記載の封止用フィルム。
【請求項４】
前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている請求項２または３に記載の封止用フィルム。
【請求項５】
前記電極は、グランド電極である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項６】
当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項７】
前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項８】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項９】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項１０】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている請求項７に記載の封止用フィルム。
【請求項１１】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１３】
前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている請求項１２に記載の封止用フィルム。
【請求項１４】
前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項１２または１３に記載の封止用フィルム。
【請求項１５】
前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１６】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１７】
前記電極は、前記基板の縁部に設けられている請求項１６に記載の封止用フィルム。
【請求項１８】
前記電極は、グランド電極である請求項１６または１７に記載の封止用フィルム。
【請求項１９】
当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２０】
当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２１】
前記基板は、プリント配線基板である請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２２】
請求項２ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２３】
請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２４】
請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２５】
請求項１５に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２６】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２７】
請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このような目的は、下記（１）〜（２７）に記載の本発明により達成される。
（１）  基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１６）  前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている上記（１）に記載の封止用フィルム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１７）  前記電極は、前記基板の縁部に設けられている上記（１６）に記載の封止用フィルム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１８）  前記電極は、グランド電極である上記（１６）または（１７）に記載の封止用フィルム。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１９）  当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である上記（１）ないし（１８）のいずれかに記載の封止用フィルム。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（２０）  当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である上記（１）ないし（１９）のいずれかに記載の封止用フィルム。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（２１）  前記基板は、プリント配線基板である上記（１）ないし（２０）のいずれかに記載の封止用フィルム。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（２２）  上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２３）  上記（６）ないし（１１）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（２４）  上記（１２）ないし（１４）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（２５）  上記（１５）に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（２６）  上記（１６）ないし（１８）のいずれかに記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２７）  上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板、前記電子部品および前記電極を備える前記電子部品搭載基板とを有し、前記突出部は、前記電極に接触していることを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月8日(2018.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の一方の面側に搭載された電子部品とを備える電子部品搭載基板を封止するのに用いられる封止用フィルムであって、
絶縁層と、該絶縁層の一方の面側に積層された電磁波シールド層とを有し、
前記絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂を主材料として含有し、前記電磁波シールド層は、アイオノマー樹脂を主材料として含有し、当該封止用フィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に準拠して求められる軟化点における伸び率が１５０％以上３５００％以下であることを特徴とする封止用フィルム。
【請求項２】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに有し、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項３】
前記突出部は、前記電極に対応して形成され、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記電極に接触する請求項２に記載の封止用フィルム。
【請求項４】
前記電極は、前記基板の縁部、もしくは電子部品の周囲に設けられている請求項２または３に記載の封止用フィルム。
【請求項５】
前記電極は、グランド電極である請求項２ないし４のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項６】
当該封止用フィルムは、前記電磁波シールド層の前記絶縁層と反対側に積層された被覆層をさらに備え、
前記絶縁層を前記基板の一方の面側にして、前記電子部品搭載基板を封止するように構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項７】
前記被覆層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する第１突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項８】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項９】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する第２突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第２突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６または７に記載の封止用フィルム。
【請求項１０】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出し、前記第１突出部に接触して積層された第３突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第１突出部と前記第３突出部とは、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を前記第３突出部が接触して被覆するよう構成されている請求項７に記載の封止用フィルム。
【請求項１１】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の一方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記被覆層の端部を越えて突出する第４突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記第４突出部は、前記基板の一方の面側に折り込まれることにより、前記基板の一方の面側で前記電極に接触するよう構成されている請求項６に記載の封止用フィルム。
【請求項１２】
前記絶縁層は、前記電磁波シールド層の端部を越えて突出する突出部を備えている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１３】
前記電磁波シールド層は、前記電子部品に対応する位置に選択的に形成されている請求項１２に記載の封止用フィルム。
【請求項１４】
前記突出部は、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより、前記基板の他方の面側を被覆するよう構成されている請求項１２または１３に記載の封止用フィルム。
【請求項１５】
前記電子部品搭載基板は、開放端面を有し、前記電子部品に電気的に接続された接続部材をさらに有し、
当該封止用フィルムは、前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記接続部材に対応する位置に逃げ部を有する請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１６】
前記電子部品搭載基板は、前記基板の他方の面側に設けられ、前記電子部品に電気的に接続された電極をさらに備え、
前記電磁波シールド層は、前記絶縁層の端部を越えて突出する突出部を備え、前記基板の一方の面側から前記電子部品搭載基板を封止する際に、前記突出部は、前記基板の他方の面側に折り込まれることにより前記電極に接触するよう構成されている請求項１に記載の封止用フィルム。
【請求項１７】
前記電極は、前記基板の縁部に設けられている請求項１６に記載の封止用フィルム。
【請求項１８】
前記電極は、グランド電極である請求項１６または１７に記載の封止用フィルム。
【請求項１９】
当該封止用フィルムは、２５℃以上８０℃以下の温度範囲での線膨張率が１００ｐｐｍ／Ｋ以下である請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２０】
当該封止用フィルムは、その平均厚さが１０μｍ以上７００μｍ以下である請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２１】
前記基板は、プリント配線基板である請求項１ないし２０のいずれか１項に記載の封止用フィルム。
【請求項２２】
請求項２ないし５のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極を封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品と前記電極を覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２３】
請求項６ないし１１のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２４】
請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記絶縁層を介して前記電磁波シールド層により前記電子部品を被覆した状態で、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２５】
請求項１５に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆い、かつ、前記接続部材に前記逃げ部が対応するように前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置する工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記接続部材が封止されることなく、前記基板と前記電子部品とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２６】
請求項１６ないし１８のいずれか１項に記載の封止用フィルムを用いて、前記基板と前記電子部品と前記電極とを封止する電子部品搭載基板の封止方法であって、
前記基板と前記電子部品とを覆うように、前記絶縁層を前記電子部品搭載基板側にして前記封止用フィルムを前記電子部品搭載基板上に配置しつつ、前記突出部を、前記基板の他方の面側に折り込むことにより前記電極に接触させる工程と、
前記封止用フィルムを加熱し軟化させるとともに、減圧する工程と、
前記封止用フィルムを冷却させるとともに、加圧することで、前記突出部が前記電極に接触した状態で、前記基板と前記電子部品と前記電極とを前記封止用フィルムで封止する工程とを有することを特徴とする電子部品搭載基板の封止方法。
【請求項２７】
請求項１ないし２１のいずれか１項に記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板および前記電子部品を備える前記電子部品搭載基板とを有することを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２７）  上記（１）ないし（２１）のいずれかに記載の封止用フィルムと、該封止用フィルムにより被覆された前記基板および前記電子部品を備える前記電子部品搭載基板とを有することを特徴とする封止用フィルム被覆電子部品搭載基板。
【国際調査報告】
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