(57)【要約】  可撓性を有する帯状の基材を間欠搬送する際に、パターン加工位置において基材に設けられた基材マーカーを好適に検出することが可能なパターン成膜装置を提供する。  パターン成膜装置（１）は、基材（２）に加工領域ごとに設けられた基材マーカーを撮影する第一の撮影部（１５）と、パターン加工位置において基材マーカーを撮影する第二の撮影部（１６ａ），（１６ｂ）と、を有する薄膜形成部（１０Ｘ），（１０Ｙ）を備え、制御部は、第一の撮影部（１５）の検出結果に基づいて、パターン加工位置までの搬送距離を算出し、搬送距離に基づいて駆動ローラ（１２）を制御することによって、基材マーカーに対応する加工領域をパターン加工位置まで搬送し、第二の撮影部（１６ａ），（１６ｂ）の検出結果に基づいて材料出射部（１７）及びマスク（１８）を制御することによって、加工領域に膜パターン加工を行う。
2016204204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する帯状の基材にパターン成膜を行うパターン成膜装置であって、
前記基材を搬送する基材搬送部と、
パターン加工位置において前記基材の加工領域に膜パターン加工を行うパターン加工部と、
前記パターン加工位置よりも上流側において、前記基材に前記加工領域ごとに設けられた基材マーカーを検出する第一の検出部と、
前記パターン加工位置において前記基材マーカーを検出する第二の検出部と、
を有する処理部と、
前記基材搬送部及び前記パターン加工部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記基材が停止した状態における前記第一の検出部の検出結果に基づいて、前記パターン加工位置までの搬送距離を算出し、
算出された前記搬送距離に基づいて前記基材搬送部を制御することによって、前記基材マーカーに対応する前記加工領域を前記パターン加工位置まで搬送し、
前記基材が停止した状態における前記第二の検出部の検出結果に基づいて前記パターン加工部を制御することによって、前記加工領域に膜パターン加工を行う
ことを特徴とするパターン成膜装置。
【請求項２】
前記パターン加工部は、
膜パターン加工が行われる薄膜の材料を、前記基材の前記加工領域へ出射する材料出射部と、
前記材料出射部と前記基材との間に設けられており、膜パターン加工を行うためのマスクと、
前記マスクを移動させるマスク駆動部と、
を備え、
前記マスクには、マスクマーカーが設けられており、
前記第二の検出部は、前記基材マーカー及び前記マスクマーカーを検出し、
前記制御部は、前記基材が停止した状態における前記第二の検出部の検出結果に基づいて前記マスク駆動部を制御することによって、前記マスクと前記基材の前記加工領域との位置合わせを行い、前記材料出射部を制御することによって、前記薄膜の材料を、位置合わせが行われた前記マスクを介して前記基材の前記加工領域へ出射する
ことを特徴とする請求項１に記載のパターン成膜装置。
【請求項３】
複数の前記処理部を備え、
隣り合う前記処理部間には、前記基材の搬送距離のズレを吸収するアキュームが設けられている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパターン成膜装置。
【請求項４】
前記基材の幅方向の蛇行を補正する蛇行補正部を備える
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパターン成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性を有する帯状の基材を用いて、例えば、高精度パターン成膜により薄膜基材を製造するパターン成膜装置に関する。【０００２】
特許文献１には、連続搬送される基板上に設けられた基準マークを第１アライメント系及び第２アライメント系で検出し、基板の伸縮又は搬送速度の少なくとも一方と基準マークとに基づいて、基板の所定の位置に処理を行う製造装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開２００９／１５７１５４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、基材に対して高い精度で膜パターン加工を行うためには、基材を間欠搬送し、停止した基材の加工領域に対して膜パターン加工を行う必要がある。この場合には、停止した基材の加工領域近傍のマーカーを検出することによって膜パターン加工のアライメントを行うことになるが、基材の伸び、搬送機構に対する基材の滑り等によってマーカーの位置ズレが蓄積すると、停止時の基材のマーカーの位置が、検出機構の検出範囲から外れてしまい、アライメントを行うことができなかったり、加工領域にパターン加工を行うことができなかったりするおそれがある。【０００５】
本発明は、前記事情に鑑みて創案されたものであり、可撓性を有する帯状の基材を間欠搬送する際に、パターン加工位置において基材に設けられた基材マーカーを好適に検出することが可能なパターン成膜装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するための本発明は、以下の構成を備える。
１．可撓性を有する帯状の基材にパターン成膜を行うパターン成膜装置であって、前記基材を搬送する基材搬送部と、パターン加工位置において前記基材の加工領域に膜パターン加工を行うパターン加工部と、前記パターン加工位置よりも上流側において、前記基材に前記加工領域ごとに設けられた基材マーカーを検出する第一の検出部と、前記パターン加工位置において前記基材マーカーを検出する第二の検出部と、を有する処理部と、前記基材搬送部及び前記パターン加工部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記基材が停止した状態における前記第一の検出部の検出結果に基づいて、前記パターン加工位置までの搬送距離を算出し、算出された前記搬送距離に基づいて前記基材搬送部を制御することによって、前記基材マーカーに対応する前記加工領域を前記パターン加工位置まで搬送し、前記基材が停止した状態における前記第二の検出部の検出結果に基づいて前記パターン加工部を制御することによって、前記加工領域に膜パターン加工を行うことを特徴とするパターン成膜装置。
２．前記パターン加工部は、膜パターン加工が行われる薄膜の材料を、前記基材の前記加工領域へ出射する材料出射部と、前記材料出射部と前記基材との間に設けられており、膜パターン加工を行うためのマスクと、前記マスクを移動させるマスク駆動部と、を備え、前記マスクには、マスクマーカーが設けられており、前記第二の検出部は、前記基材マーカー及び前記マスクマーカーを検出し、前記制御部は、前記基材が停止した状態における前記第二の検出部の検出結果に基づいて前記マスク駆動部を制御することによって、前記マスクと前記基材の前記加工領域との位置合わせを行い、前記材料出射部を制御することによって、前記薄膜の材料を、位置合わせが行われた前記マスクを介して前記基材の前記加工領域へ出射することを特徴とする前記１に記載のパターン成膜装置。
３．複数の前記処理部を備え、隣り合う前記処理部間には、前記基材の搬送距離のズレを吸収するアキュームが設けられていることを特徴とする前記１又は２に記載のパターン成膜装置。
４．前記基材の幅方向の蛇行を補正する蛇行補正部を備えることを特徴とする前記１から３のいずれかに記載のパターン成膜装置。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、可撓性を有する帯状の基材を間欠搬送する際に、パターン加工位置において基材に設けられた基材マーカーを好適に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置を示す模式図である。
【図２】本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置を示すブロック図である。
【図３】（ａ）は、基材、第一の撮影部、第二の撮影部及びマスクを模式的に示す側面図、（ｂ）は、基材及びマスクを模式的に示す平面図である。
【図４】蛇行補正部の動作例を示す模式図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、第一の撮影部の撮影結果に基づいて搬送距離を算出して基材を搬送する手法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態について、本発明のパターン成膜装置を、薄膜基材を製造する薄膜基材製造装置に適用した場合を例にとり、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。以下の説明において、「上流／下流」といった方向は、薄膜基材製造装置によって移動する基材を基準とする。すなわち、基材が進行する方向が「下流側」である。
【００１０】
まず、本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置の構成について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置を示す模式図である。図２は、本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置を示すブロック図である。
【００１１】
＜薄膜基材製造装置＞
図１に示すように、本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置１は、基材２上に薄膜をパターン成膜することによって薄膜基材を製造するための装置である。薄膜基材製造装置１は、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙと、蛇行補正部２０と、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙと、を備える。さらに、薄膜基材製造装置１は、図２に示すように、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙごとに設けられたローラー駆動部４１、マスク駆動部４２及びタッチプレート駆動部４３と、蛇行補正部２０に設けられたローラー駆動部４４ａ，４４ｂと、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙごとに設けられた弁体駆動部４５と、これら各駆動部を制御する制御部５０と、を備える。
【００１２】
なお、薄膜基材製造装置１は、３以上の薄膜形成部を備えてもよく、パターン成膜される薄膜以外の膜を形成する形成部を備えていてもよい。また、基材２上に薄膜を形成する手法は、後記するものに限定されない。
【００１３】
＜薄膜形成部＞
図１に示すように、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙは、処理部の例であって、可撓性を有する帯状の基材２上の薄膜形成領域２ｃに薄膜をパターン成膜する。これら薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙは、上流側から薄膜形成部１０Ｘ、薄膜形成部１０Ｙの順に設けられている。
薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙは、それぞれ、チャンバー１１と、駆動ローラー１２ａと、タッチローラー１２ｂと、従動ローラー１３ａ，１３ｂと、ダンサローラー１４と、第一の撮影部１５と、第二の撮影部１６ａ，１６ｂと、材料出射部１７と、マスク１８と、タッチプレート１９と、を備える。
なお、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのチャンバー１１の内部は、図示しない真空吸引部によって高真空に維持可能である。また、薄膜形成部１０Ｘのチャンバー１１の下流端部と薄膜形成部１０Ｙのチャンバー１１の上流端部とは、基材２を搬送可能となるように連通している。
【００１４】
駆動ローラー１２ａは、チャンバー１１内に設けられている。タッチローラー１２ｂは、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａと対向する位置に設けられた従動ローラーである。基材２は、駆動ローラー１２ａとタッチローラー１２ｂとによって挟持されている。
図２に示す制御部５０は、ローラー駆動部４１を制御することによって駆動ローラー１２ａを回転させ、基材２を上流側から下流側へと搬送する。
駆動ローラー１２ａ、タッチローラー１２ｂ及びローラー駆動部４１は、基材２を搬送する基材搬送部の例を構成する。
【００１５】
図１に示すように、従動ローラー１３ａ，１３ｂは、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａよりも下流側に設けられている。従動ローラー１３ａ，１３ｂには、基材２の下面が巻回されている。
【００１６】
ダンサローラー１４は、チャンバー１１内の従動ローラー１３ａ，１３ｂ間に設けられている。ダンサローラー１４には、基材２の上面が巻回されている。ダンサローラー１４は、従動ローラー１３ａ，１３ｂに対して近接する方向と離間する方向とに移動可能である。
【００１７】
従動ローラー１３ａ，１３ｂ及びダンサローラー１４は、基材２の搬送距離のズレを吸収するアキュームの例を構成する。例えば、薄膜形成部１０Ｘのダンサローラー１４は、薄膜形成部１０Ｘにおける基材２の搬送距離が長く、薄膜形成部１０Ｙにおける基材２の搬送距離が短い場合には、従動ローラー１３ａ，１３ｂに対して離間する方向に移動して基材２の搬送距離のズレを吸収する。また、薄膜形成部１０Ｘにおける基材２の搬送距離が短く、薄膜形成部１０Ｙにおける基材２の搬送距離が長い場合には、従動ローラー１３ａ，１３ｂに対して近接する方向に移動して基材２の搬送距離のズレを吸収する。
【００１８】
第一の撮影部１５は、パターン加工位置（本実施形態では、パターン成膜位置、すなわち、加工領域がマスク１８の上方となる位置）よりも上流側において、加工領域（本実施形態では、薄膜形成領域２ｃ）ごとに基材２に設けられた基材マーカー２ｂを検出する第一の検出部の例である。第一の撮影部１５は、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａよりも上流側に設けられたカメラであり、基材２上に設けられた基材マーカー２ｂ（図３参照）を撮影し、撮影結果を制御部５０へ出力する。
【００１９】
図１に示すように、第二の撮影部１６ａ，１６ｂは、パターン成膜位置（すなわち、加工領域がマスク１８の上方となる位置）において基材マーカー２ａ，２ｂを検出する第二の検出部の例である。第二の撮影部１６ａ，１６ｂは、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａよりも下流側に設けられたカメラであり、基材２上に設けられた基材マーカー２ａ，２ｂ（図３（ｂ）参照）及びマスク１８上に設けられたマスクマーカー１８ａ，１８ｂ（図３（ｂ）参照）を撮影し、撮影結果を制御部５０へ出力する。
【００２０】
図３（ｂ）に示すように、基材２の基材マーカー２ａ，２ｂは、薄膜形成領域２ｃの対角となる位置に配置されている。すなわち、複数の基材マーカー２ａが、基材２の幅方向一端部に等間隔に設けられており、複数の基材マーカー２ｂが、基材２の幅方向他端部に等間隔に設けられており、薄膜形成領域２ｃに対応する基材マーカー２ａ，２ｂは、基材２の進行方向にずれて配置されている。第一の撮影部１５は、基材２の基材マーカー２ａ，２ｂのうち、上流側に設けられた基材マーカー２ｂを撮影する。
【００２１】
マスク１８のマスクマーカー１８ａ，１８ｂは、当該マスク１８の対角となる位置に配置されている。
【００２２】
第二の撮影部１６ａは、マスク１８のマスクマーカー１８ａ及び当該マスク１８の上方に位置する薄膜形成領域２ｃに対応する基材マーカー２ａを撮影する。また、第二の撮影部１６ｂは、マスク１８のマスクマーカー１８ｂ及び当該マスク１８の上方に位置する薄膜形成領域２ｃに対応する基材マーカー２ｂを撮影する。また、第一の撮影部１５は、第二の撮影部１６ｂによって撮影される基材マーカー２ｂよりも一つ上流側の基材マーカー２ｂを撮影する。また、第一の撮影部１５の第二の撮影部１６ｂとの撮影結果の基材搬送方向中心間の距離は、Ｌに設定されている。距離Ｌは、第一の撮影部１５と第二の撮影部１６ｂとの距離でもある（図５参照）。
【００２３】
材料出射部１７は、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａと従動ローラー１３ａとの間であって、基材２の下側に設けられている。
図２に示す制御部５０は、材料出射部１７を制御することによって、薄膜の材料（例えば、蒸発した材料）をマスク１８を介して基材２の下面へ出射する。
【００２４】
マスク１８は、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａと従動ローラー１３ａとの間であって、基材２の下側かつ基材２と材料出射部１７との間に設けられている。
図２に示す制御部５０は、マスク駆動部４２を制御することによってマスク１８を移動させる。
【００２５】
タッチプレート１９は、チャンバー１１内の駆動ローラー１２ａと従動ローラー１３ａとの間であって、基材２を介してマスク１８と対向する位置に設けられている。
図２に示す制御部５０は、タッチプレート駆動部４３を制御することによってタッチプレート１９を移動させる。
材料出射部１７、マスク１８、タッチプレート１９、マスク駆動部４２及びタッチプレート駆動部４３は、パターン加工位置において基材２に膜パターン加工を行うパターン加工部の例を構成する。
【００２６】
＜蛇行補正部＞
図１に示すように、蛇行補正部２０は、基材２の蛇行を補正する。蛇行補正部２０は、薄膜形成部１０Ｙの下流側に設けられている。
蛇行補正部２０は、チャンバー２１と、従動ローラー２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、蛇行補正ローラー２２ａ，２２ｂと、蛇行検出部２３と、を備える。
【００２７】
従動ローラー２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄは、チャンバー２１内に設けられている。従動ローラー２１ａ，２１ｃには、基材２の上面が巻回されており、従動ローラー２１ｂ，２１ｄには、基材２の下面が巻回されている。
【００２８】
蛇行補正ローラー２２ａ，２２ｂは、チャンバー２１内の従動ローラー２１ｂ，２１ｃ間に設けられた従動ローラーである。蛇行補正ローラー２２ａ，２２ｂには、基材２の上面が巻回されている。
【００２９】
蛇行検出部２３は、チャンバー２１内の蛇行補正ローラー２２ａ，２２ｂ間に設けられたキャパシタンスセンサーであり、図４に示すように、基材２の位置（詳細には、幅方向の位置）を検出し、検出結果を基材２の蛇行の検出結果として制御部５０へ出力する。
図２に示す制御部５０は、蛇行検出部２３の検出結果に基づいてローラー駆動部４４ａ，４４ｂを駆動することによって、図４に示すように、基材２の搬送方向に対する蛇行補正ローラー２２ａ，２２ｂの軸方向の傾斜を変更し、基材２の蛇行を補正する。
【００３０】
＜ゲートバルブ＞
図１に示すように、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙは、隣り合うチャンバー間に設けられており、基材２を搬送可能な開弁状態と、基材２を挟み込んで密封（疑似密封）し、チャンバーの真空状態を維持する閉弁状態と、を切替可能な弁である。ゲートバルブ３０Ｘは、薄膜形成部１０Ｘのチャンバー１１と当該チャンバー１１よりも上流側のチャンバーとの間に設けられている。すなわち、ゲートバルブ３０Ｘは、薄膜形成部１０Ｘにおける基材２の入口を密封可能な弁である。また、ゲートバルブ３０Ｙは、薄膜形成部１０Ｙのチャンバー１１と蛇行補正部２０のチャンバー２１との間に設けられている。すなわち、ゲートバルブ３０Ｙは、薄膜形成部１０Ｙにおける基材２の出口（換言すると、蛇行補正部２０のチャンバー２１における基材２の入口）を密封可能な弁である。
図２に示す制御部５０は、弁体駆動部４５を制御することによって、弁体３２を移動させ、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙを開弁状態と閉弁状態とに切り替える。
【００３１】
＜薄膜基材の製造方法＞
続いて、薄膜基材製造装置１による薄膜基材の製造方法について、図１及び図２を参照して説明する。まず、制御部５０は、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙが開弁した状態において、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのローラー駆動部４１を制御することによって、駆動ローラー１２ａを回転させ、基材２を上流側から下流側へと所定距離（図５に示すＬの整数倍）だけ搬送させて最下流の基材マーカー２ｂを第一の撮影部１５の撮影領域に移動させた後、駆動ローラー１２ａを止め、基材２を停止させる（第一の基材搬送工程）。
【００３２】
続いて、制御部５０は、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのそれぞれにおいて、第一の撮影部１５の撮影結果に基づいて、基材２の搬送距離を算出する（搬送距離算出工程）。
例えば、図５（ａ）に示すように、第一の撮影部１５によって撮影された基材マーカー２ｂが、撮影結果の基材搬送方向中心よりも上流側にｄ１だけずれている場合には、制御部５０は、次回の基材２の搬送距離を、Ｌ＋ｄ１とする。
また、図５（ｃ）に示すように、第一の撮影部１５によって撮影された基材マーカー２ｂが、撮影結果の基材搬送方向中心よりも下流側にｄ２だけずれている場合には、制御部５０は、次回の基材２の搬送距離を、Ｌ−ｄ２とする。
【００３３】
続いて、制御部５０は、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのそれぞれにおいて、ローラー駆動部４１を制御することによって、駆動ローラー１２ａを回転させ、基材２を上流側から下流側へと算出された搬送距離だけ搬送させた後、駆動ローラー１２ａを止め、基材２を停止させる（第二の基材搬送工程）。
例えば、図５（ａ）に示すように基材マーカー２ｂが上流側にｄ１だけずれている場合には、制御部５０は、ローラー駆動部４１を制御することによって、基材２を搬送距離Ｌ＋ｄ１だけ搬送する（図５（ｂ）参照）。かかる動作により、第二の撮影部１６ａ，１６ｂは、基材マーカー２ａ，２ｂを確実に撮影することができる。
また、図５（ｃ）に示すように基材マーカー２ｂが下流側にｄ２だけずれている場合には、制御部５０は、ローラー駆動部４１を制御することによって、基材２を搬送距離Ｌ―ｄ２だけ搬送する（図５（ｄ）参照）。かかる動作により、第二の撮影部１６ａ，１６ｂは、基材マーカー２ａ，２ｂを確実に撮影することができる。
【００３４】
続いて、制御部５０は、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙの弁体駆動部４５を制御することによって、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙを閉弁し、薄膜形成部１０Ｘのチャンバー１１における基材２の入口と薄膜形成部１０Ｙのチャンバー１２における基材２の出口とを密封する（閉弁工程）。
【００３５】
続いて、制御部５０は、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのそれぞれにおいて、第二の撮影部１６ａ，１６ｂの撮影結果に基づいてマスク駆動部４２を制御することによって、マスク１８を移動させてマスク１８と基材２との位置合わせを行った後に、マスク駆動部４２及びタッチプレート駆動部４３を制御することによって、マスク１８と、基材２と、タッチプレート１９とを密着させる（位置合わせ工程）。本実施形態では、かかる位置合わせ工程において、制御部５０は、マスク駆動部４２を制御することによって、マスクマーカー１８ａ，１８ｂがそれぞれ基材マーカー２ａ，２ｂと隣り合うようにマスク１８を移動させる（図３（ｂ）参照）。
続いて、制御部５０は、薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙのそれぞれにおいて、材料出射部１７を制御することによって、薄膜の材料を位置合わせが行われたマスク１８を介して基材２の下面に出射し、パターニングされた薄膜を基材２の下面に形成する（例えば、蒸発有機材料を基材２の下面に蒸着させる）（薄膜パターニング工程）。
続いて、制御部５０は、マスク駆動部４２及びタッチプレート駆動部４３を制御することによって、マスク１８と、基材２と、タッチプレート１９との密着を解除する。
【００３６】
また、制御部５０は、前記閉弁工程〜薄膜パターニング工程と同時に、マスク１８上に搬送された薄膜形成領域２ｃの一つ上流側の薄膜形成領域２ｃに対応する基材マーカー２ｂに関して、前記した搬送距離算出工程を実行する。ここで算出された搬送距離は、次回の第二の基材搬送工程で用いられる。
【００３７】
続いて、制御部５０は、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙのそれぞれにおいて、弁体駆動部４５を制御することによって、ゲートバルブ３０Ｘ，３０Ｙを開弁する（開弁工程）。制御部５０は、開弁工程の後に前記した第二の基材搬送工程に戻り、前記各工程を繰り返し実行することによって薄膜基材を製造する。
【００３８】
ここで、基材２に伸び等が発生した場合には、薄膜形成部１０Ｘにおいて算出される搬送距離と薄膜形成部１０Ｙにおいて算出される搬送距離とに差が生じることがある。かかる場合には、薄膜形成部１０Ｘのダンサローラー１４が搬送距離のズレを吸収する。
【００３９】
本発明の実施形態に係る薄膜基材製造装置１は、パターン加工位置の上流側での基材マーカー２ｂの撮影結果に基づいて基材２の搬送距離を算出するので、パターン加工位置における加工領域の基材搬送方向のズレを防止することができる。
また、薄膜基材製造装置１は、隣り合う１０Ｘ，１０Ｙ間にダンサローラー１４（アキューム）を備えるので、搬送距離のズレを吸収することができる。
また、薄膜基材製造装置１は、蛇行補正部２０を備えるので、パターン加工位置における加工領域（薄膜形成領域２ｃ）の基材幅方向のズレを防止することができる。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、薄膜は、有機薄膜であってもよく、無機薄膜であってもよい。すなわち、処理部は、前記した薄膜形成部１０Ｘ，１０Ｙに限定されず、有機薄膜以外の薄膜（電極等）を膜パターン加工するものであってもよい。また、膜パターン加工は、蒸発材料等をマスク１８を介して基材２に向けて出射するものに限定されず、基材２上に予め形成された薄膜に対し、マスク１８を介してレーザ光を照射し、薄膜の所定部位を除去することでパターン加工するものであってもよい。また、マスク１８の形状、及び、基材２の基材マーカー２ａ，２ｂとマスク１８のマスクマーカー１８ａ，１８ｂの相対的な位置関係は、図示したものに限定されない。また、蛇行検出部２３は、キャパシタンスセンサーに限定されず、リニアセンサー等であってもよい。
【符号の説明】
【００４１】
１      薄膜基材製造装置（パターン成膜装置）
２      基材
２ａ，２ｂ  基材マーカー
１０Ｘ，１０Ｙ  薄膜形成部（処理部）
１２ａ  駆動ローラー（基材搬送部）
１３ａ，１３ｂ  従動ローラー（アキューム）
１４    ダンサローラー（アキューム）
１５    第一の撮影部（第一の検出部）
１６ａ，１６ｂ  第二の撮影部（第二の検出部）
１７    材料出射部
１８    マスク
１８ａ，１８ｂ  マスクマーカー
２０    蛇行補正部
４２    マスク駆動部
５０    制御部
【図１】
2016204204.tif 000003
【図２】
2016204204.tif 000004
【図３】
2016204204.tif 000005
【図４】
2016204204.tif 000006
【図５】
2016204204.tif 000007
【国際調査報告】
2016204204.tif 000008
2016204204.tif 000009