(57)【要約】  さまざまな匂いを高感度に嗅ぎ分けることができる人工嗅覚センシングシステムを提供することにある。  嗅覚受容体が脂質膜上に発現した複数のセンサ細胞と、前記センサ細胞と一対一で対応する複数のイオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）とを備え、前記センサ細胞の嗅覚受容体が匂い分子を認識したことを示す応答信号が、当該センサ細胞に対応するＩＳＦＥＴにおいて電気信号に変換される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
嗅覚受容体が脂質膜上に発現した複数のセンサ細胞と、
前記センサ細胞と一対一で対応する複数のイオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）とを備え、
前記センサ細胞の嗅覚受容体が匂い分子を認識したことを示す応答信号が、当該センサ細胞に対応するＩＳＦＥＴにおいて電気信号に変換されることを特徴とする人工嗅覚センシングシステム。
【請求項２】
前記センサ細胞は複数種類あり、同一種類のセンサ細胞に対応するＩＳＦＥＴにおいて変換された電気信号を加算することを特徴とする請求項１記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項３】
前記複数のＩＳＦＥＴが２次元アレイ状に配置されており、
前記ＩＳＦＥＴに配置されるセンサ細胞が、隣接するＩＳＦＥＴと電気的に隔離する隔壁を前記各ＩＳＦＥＴに備えることを特徴とする請求項１記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項４】
所定の匂い分子に対するＩＳＦＥＴの出力信号強度を計測することによって、同一種類のセンサ細胞が配置されたＩＳＦＥＴを特定することを特徴とする請求項１記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項５】
所定の匂い分子に対するＩＳＦＥＴの出力信号強度の所定時間の平均値に基づいて、同一種類のセンサ細胞が配置されたＩＳＦＥＴの出力信号強度を規格化することを特徴とする請求項４記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項６】
所定の匂い分子に対するＩＳＦＥＴの出力信号の中から、同一種類のセンサ細胞が配置されたＩＳＦＥＴの出力信号を選択的に加算することを特徴とする請求項４記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項７】
前記人工嗅覚センシングシステムは、走査配線と信号配線を含み、
前記２次元マトリクス状ＩＳＦＥＴアレイに含まれるＩＳＦＥＴが、前記走査配線と前記信号配線の交差部分に配置されており、
同一の走査配線に接続されたＩＳＦＥＴに、同一種類のセンサ細胞を配置することを特徴とする請求項３記載の人工嗅覚センシングシステム。
【請求項８】
検知対象となる匂い分子群を識別するセンサ細胞が配置されたＩＳＦＥＴの出力信号のみを処理することを特徴とする請求項４記載の人工嗅覚センシングシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生体物質と半導体技術を組み合わせた人工嗅覚センシングシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
五感を人工的に再現し、生物以上の性能を持つセンシング技術は、複雑化、多様化した人類社会、地球環境において、安全、健康、安心を守るために不可欠な技術となる。生物並みに高感度な匂いセンサ（人工嗅覚センシングシステム）が実現すれば、今まで使えなかった情報が利用可能となり、ロボット、自動運転、医療等に適用される可能性がある（例えば、非特許文献１参照）。【０００３】
爆発物由来分子などの少数の特定分子だけに高感度な、いわゆるスペシャリスト型のセンサは、バイオテクノロジーとナノテクを融合した技術を用いて実用化が近いと言われている。一方、複数種分子が混合された多数の匂いパターンを背景臭から嗅ぎ分ける、いわゆるジェネラリスト型の人工嗅覚システムは、関連するバイオ技術、及び半導体技術の研究が始まっているが、未だ実用レベルは至っていない。【０００４】
例えば、バイオ技術としては、バイオテクノロジーで人工的に作られた生物嗅覚受容体を具備したセンサ細胞を用いた匂いセンサに関する技術が開示されている（例えば、非特許文献２、特許文献１参照）。【０００５】
また、半導体技術としては、イオン感応性電界効果トランジスタを用いて、マウス嗅上皮細胞の揮発性匂い物質に対する応答を電気信号として検出した結果が開示されている（例えば、非特許文献３参照）。【０００６】
また、バイオ技術と半導体技術を組み合わせた技術としては、生物から抽出した嗅細胞の嗅覚受容体が匂い分子を認識した際に生じる光学的または電気的応答を、電界効果トランジスタを用いて計測する構成と方法に関する技術が開示されている（例えば、非特許文献２参照）。【０００７】
特許文献１および非特許文献２、３に記載されている技術は、特定の匂い分子に特化された嗅覚センシングシステムであり、いわゆるスペシャリスト型の嗅覚センシングシステムとなっている。具体的には、特許文献１および非特許文献２では昆虫フェロモン分子のみ、また非特許文献３では癌関連バイオマーカであるVOC（揮発性物質）のみしか検知することができない。【０００８】
一方、ジェネラリスト型人工嗅覚システムを実現する構成について、図７に示す、ヒトに代表される哺乳類の嗅覚神経系の模式図を用いて説明する。哺乳類の嗅覚神経系は大きく分けて、（１）嗅上皮８１、（２）嗅球８２、（３）脳８３、の３箇所で構成される。【０００９】
鼻腔内側の嗅上皮８１には複数種類の嗅細胞８４が存在し、同一種類の複数の嗅細胞８４は、嗅球８２上にある単一の対応する糸球体８５に軸索８６によって神経的に接続されている。匂い分子８７と嗅細胞８４の間には緩やかな鍵と鍵穴の関係があり、匂い分子８７を認識した複数の嗅細胞８４が発する信号は糸球体８５で加算して、嗅球８２の上には匂いパターンに対応した糸球体８５の発火パターンが表示される。【００１０】
脳８３は、脳内の匂い記憶を検索して、嗅球８２上に表示された発火パターンと照合することによって、匂いを識別する。複数の嗅細胞８４の信号を糸球体８５で加算することによって、ノイズが相殺されてＳＮ比が向上する。【００１１】
ヒトは匂い分子８７に対して異なる応答信号を発する約４００種類の嗅細胞８４が各々１０００個ほど嗅上皮８１上に存在する。最も単純に考えて、ある匂い分子８７に対して各嗅細胞８４が０または１の異なる応答をする場合は、2400=2.5x10120種類の匂い分子８７に対して異なる応答信号を発生することができるため、この匂いパターン信号と匂い記憶を対応付けすることができれば、ジェネラリスト型人工嗅覚センシングシステムが実現できる。【００１２】
このようなジェネラリスト型の人工嗅覚センシングシステムを構築するには、（１）匂い分子８７を認識して異なる応答信号を発する複数種類の嗅細胞群８４、またはそれに相当する匂い分子センサ群、（２）同種類の複数の嗅細胞の応答信号を加算する糸球体８５または糸球体８５に相当する匂い信号加算機構、及び、（３）複数の糸球体８５または複数の匂い信号加算機構が発する匂いパターンと匂い記憶を照合する脳８３、または脳機能を代行する検索アルゴリズム、および検索アルゴリズムを備えた検索器が必要になる。【００１３】
このようなジェネラリスト型センサに関する技術として、特許文献２がある。特許文献２では、生物から抽出した嗅細胞および糸球体を用いて、ジェネラリスト型の嗅覚センシングシステムを構成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開2013-27376
【特許文献２】特開2011-7741
【非特許文献】
【００１５】
【非特許文献１】日経エレクトロニクス2015/6月号, p.59
【非特許文献２】H. Mitsuno et al.: Novel cell based odorant sensor elements based on insect odorant receptors: Biosensors and Bioelectronics 65 pp.287-294 (2015)
【非特許文献３】広瀬雄一他：嗅上皮細胞インターフェースを用いた癌探知バイオトランジスタの創製：第75回応用物理学会秋季学術講演会  講演予稿集（2014秋  北海道大学：講演番号19p-A2-6）
【非特許文献４】坂野仁：嗅覚神経地図形成の分子機構：応用物理83(1), 18 (2014)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
一般的に生きた生物中では、上記のように約１０００個の同一種類の嗅細胞は、同一の糸球体に接続され、異なる種類の嗅細胞には誤接続されることはなく、その構成も明らかになっている（例えば、非特許文献４を参照）。【００１７】
ただし、特許文献２で開示されているように、複数の嗅細胞が神経的に接続された糸球体といった３次元的に接続された神経細胞網を生物中から取り出すことは、実際は非常に困難である。代案として、個別に抽出した嗅細胞と対応する糸球体が非特許文献４に開示された構成に従って選択的に接続することが考えられるが、この構成は、生きた生物体以外の環境下では実現は難しい。【００１８】
以上述べたように、従来のジェネラリスト型の人工嗅覚センシングシステムにおいては、複数の同種嗅細胞を同一の糸球体または匂い信号加算機構に選択的に接続する手段がないため、複数種類の分子から構成されるさまざまな匂いを高感度に嗅ぎ分けることができないという課題があった。【００１９】
本発明の目的は、さまざまな匂いを高感度に嗅ぎ分けることができる人工嗅覚センシングシステムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために本発明は、嗅覚受容体が脂質膜上に発現した複数のセンサ細胞と、前記センサ細胞と一対一で対応する複数のイオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）とを備え、前記センサ細胞の嗅覚受容体が匂い分子を認識したことを示す応答信号が、当該センサ細胞に対応するＩＳＦＥＴにおいて電気信号に変換される構成を採用する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、さまざまな匂いを高感度に嗅ぎ分けることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施例である人工嗅覚センシングシステムの構成図である。
【図２】図１のセンサセルの要部構成を説明する概略断面図である。
【図３】複数のセンサ細胞がＩＳＦＥＴ２次元マトリクスアレイ上に配置された例を示す概略図である。
【図４】６×６のＩＳＦＥＴ２次元マトリクスアレイ上に配置された３種類のセンサ細胞を示す概略図である。
【図５】匂い刺激に対する２種類のセンサ細胞の光学的応答と電気的応答の時間変化を示す図である。
【図６】５種類の匂い分子群に対して、５種類のセンサ細胞群を介して、５種類の匂い群（記憶）が対応していることを示す概念図である。
【図７】ヒトに代表される哺乳類の嗅覚神経系を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下に、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１は、本実施例における人工嗅覚センシングシステムの構成図である。ｍ本の走査配線Ｗｉ（ｉ＝１…ｍ）１１、ｎ本の信号配線Ｂｊ（ｊ＝１…ｎ）１２の交差部に、センサセルＳｉｊ（ｉ，ｊ＝１，１…ｍ，ｎ）１３がｍ×ｎの二次元マトリクス状に配置され、センサセルＳｉｊ上にセンサ細胞Ｃｉｊ（ｉ，ｊ＝１，１…ｍ，ｎ）１４が配置される。たとえばｍ＝ｎ＝１０００の場合、合計１００万個のセンサセルＳｉｊ上にセンサ細胞Ｃｉｊが配置される。走査配線Ｗｉは走査回路１５に、信号配線Ｂｊは信号回路１６にそれぞれ接続され、信号回路Ｂｊはメモリ演算回路（匂い信号加算部）１７、メモリ演算回路は匂い識別部１８に接続される。【００２５】
図２は、図１に示すセンサセル１３およびセンサ細胞１４の詳細構成を表す断面図である。センサセル１３は、イオン感応性電界効果トランジスタ（ＩＳＦＥＴ）２１、およびその上に配置されたウェル２２から構成され、ウェル２２の中に少なくとも一つのセンサ細胞１４が配置される。イオン感応性トランジスタ２１は、ゲート電極２３、ドレイン電極２４、ソース電極２５、絶縁膜２６、半導体２７、を具備し、ゲート電極２３に印加されるゲート電圧によって絶縁膜２６と界面で接する半導体２７にキャリア電荷が蓄積され、ドレイン電極２４とソース電極２５の間に印加された電圧に応じた電流が流れる。【００２６】
センサ細胞１４は、必要に応じてゲート電極２３上に設けられた金または白金などの貴金属及びその合金からなる接触電極２８を介して、ゲート電極２３と接している。センサ細胞１４は、主に昆虫の嗅覚受容体２９を具備し、ｐＨ調整された生理水溶液２１０の中に浸漬されている。生理水溶液２１０内には、Ｃａイオン２１１と匂い分子２１２が分散しており、嗅覚受容体２９が匂い分子２１２を認識すると、嗅覚受容体２９のイオンチャネルが開いてセンサ細胞１４内にＣａイオンが流入し、センサ細胞１４表面の電位が変化する。【００２７】
この電位変化がゲート電極２３に伝わって絶縁膜２６／半導体２７界面にキャリア電荷蓄積が生じ、ドレイン電極２４／ソース電極２５の間に電流が流れることで、嗅覚受容体２９が匂い分子２１２を認識したことを示す応答信号が電気信号に変換される。センサ細胞１４としては、特許文献１または非特許文献２に開示されたセンサ細胞を用いることができる。【００２８】
宿主細胞としてスポドプテラ・フルギペルダ（Spodoptera frugiperda）由来の細胞であれば特に制限されないが、例えばＳｆ２１、Ｓｆ９等が好ましい。その中でも、Ｓｆ２１細胞は、１８〜４０℃と広範囲の温度条件下で生存でき、培養液のｐＨを調整するための二酸化炭素を必要とせず、半永久的に使用可能な点で、特に好ましい。上記の宿主細胞からなるセンサ細胞１４のうち直径役２０μｍ前後のものを多孔質フィルタを用いて選別することで、直径約２０μｍのウェル２２内に少なくとも一個のセンサ細胞１４を配置することができる。【００２９】
センサ細胞１４は、脂質膜２１３で細胞内外が分離され、細胞外より細胞内のＣａ濃度が低い状態に脂質膜２１３表面に発現したイオンポンプの作用によって保たれている。これに対して、同じく脂質膜２１３上に発現した嗅覚受容体２９が匂い分子２１２を認識すると、そのイオンチャネルが開き細胞外から細胞内にＣａイオン２１１が流入する。その結果、センサ細胞１４の脂質膜２１３の電位変化が接触電極２８を介してゲート電極２３に伝わり、ＩＳＦＥＴ２１がオン状態となり、このオン状態の大きさが電気信号に変換される。【００３０】
図３は、複数種類のセンサ細胞（ここでは４種類）が、ＩＳＦＥＴ２次元マトリクスアレイ上に配置された概略図である。【００３１】
図３（ａ）は、ＩＳＦＥＴ２１上に形成されて、その底部にＩＳＦＥＴ２１のゲート電極２３を被覆する接触電極２８（図１）を露出するウェル２２に４種類のセンサ細胞４１〜４４が配置される構成において、同じ種類のセンサ細胞が、同一の走査配線（図１）に接続されたＩＳＦＥＴ２１上に配置されていることを特徴とする。【００３２】
この場合、同一の走査配線に接続された選択トランジスタに対して同時に選択電圧が印加されてオン状態になるため、同一走査配線上に配置されたセンサ細胞に起因した出力信号（または電流パルス幅）を、信号回路１６（図１）で受信した後にメモリ演算回路１７で加算することで、その走査周期における同種センサ細胞の出力信号を加算することができる。異なる走査配線に配置された同種類のセンサ細胞からの出力信号は、メモリ演算回路１７にそれぞれ記憶した後に加算すればよい。【００３３】
このように、同一走査配線上に同一種類のセンサ細胞を配置すれば、センサ細胞の出力信号を同時に加算することができる利点がある。このように異なる種類のセンサ細胞を２次元マトリクスＩＳＦＥＴアレイ上の所望の位置に配置するためには、マイクロピペットと顕微鏡を用いて実行することができ、１０００×１０００＝１００万個のセンサ細胞を配置するには、自動化されたセンサ細胞配列装置を用いることで実現可能である。【００３４】
図３（ｂ）は、ＩＳＦＥＴ２１上に形成されてその底部にＩＳＦＥＴ２１のゲート電極２３を被覆する接触電極２８（図１）を露出するウェル２２に４種類のセンサ細胞４１〜４４が配置される構成において、各種類のセンサ細胞が、同一の走査配線に接続されたＩＳＦＥＴ２１上にランダムに配置されていることを特徴とする。このため、同一種類のセンサ細胞からの出力信号を加算するには、走査配線の線順次走査駆動によって時系列で出力されるセンサ細胞からの出力信号を一旦メモリ演算回路で記憶してから、一周期の走査が終了した後に同種類のセンサ細胞からの信号出力のみを選択的に加算する必要がある。【００３５】
図３（ａ）では、各センサ細胞の配置は予め決めているため、正確に配置することができれば配置後に各種センサ細胞の配置を調べる必要はない。一方、図３（ｂ）では、各種センサ細胞の配置がランダムであるため、配置した後にセンサ細胞の種類と配置を計測して後の加算処理のために記憶しておく必要がある。その方法を、図４を用いて以下に説明する。【００３６】
図４は、６×６の２次元マトリクスＩＳＦＥＴアレイ上にランダム配置された３種類のセンサ細胞Ａ５１、センサ細胞Ｂ５２、センサ細胞Ｃ５３を示す概略図である。３種類のセンサ細胞はそれぞれ異なる匂い分子群を特に強く識別して応答する異なる嗅覚受容体を有している。その匂い分子群をそれぞれａ、ｂ、ｃとする。センサ細胞Ａ５１が特に大きく応答して他のセンサ細胞Ｂ５２、Ｃ５３の応答とは識別できるものを匂い分子群ａに用いる。匂い分子群ｂ、ｃも同様の基準で選択する。このようにして準備した匂い分子群ａ、ｂ、ｃを用いて、以下の手順でセンサ細胞Ａ５１、Ｂ５２、Ｃ５３の配置を特定する。【００３７】
まず、匂い分子群ａのみを用いて人工嗅覚センシングシステムを一定時間動作させる。複数周期にわたってシステムを動作させて各センサセルの出力信号を累積加算すると、匂い分子濃度にも依存するが、３から４周期後にセンサ細胞Ａが配置されたセンサセルの出力信号加算値が、他のセンサ細胞Ｂ、Ｃが配置されたセンサセルの出力信号加算値よりも、明確に大きな値を示すようになる。これによって、センサ細胞Ａの配置を特定することができる。センサ細胞Ｂ、Ｃの配置についても匂い分子群ｂ、ｃを用いて同様の手順で特定することができる。【００３８】
このようにして、異なる種類のセンサ細胞の配置を予め特定しておけば、一般の匂い分子計測時に、同じ種類のセンサ細胞の出力信号を加算することができる。但し、同一濃度の匂い分子群に対して同じ種類のセンサ細胞における累積加算した出力信号強度が異なる場合がある。このため、以下に示す方法を用いて同じ濃度の匂い分子群刺激に対する出力信号強度を加算する前に規格化する必要がある。【００３９】
図５は、２種類の匂い分子群ａ，ｂの刺激に対してそれぞれ感度が高い２種類のセンサ細胞Ａ、Ｂの光学的応答と電気的応答の時間変化を示す。【００４０】
センサ細胞Ａには、同じ匂い分子刺激に対して応答電流強度が異なる３種類のセンサ細胞Ａ１、Ａ２、Ａ３が存在する。また、図５の最下段のグラフに示す、センサ細胞Ａ、Ｂの応答電流強度の匂い分子種類依存性から分かるように、センサ細胞Ａ、Ｂはそれぞれ匂い分子ａ、ｂに対して最も大きな応答電流を示す一方で、センサ細胞Ａ、Ｂはそれぞれ匂い分子ｂ、ａにも弱いながら感度を有しているため、単純に匂い分子ａ、ｂに対して応答するセンサ細胞をそれぞれＡ、Ｂと判別することはできない。【００４１】
図５を用いて、センサ細胞の信号強度の規格化方法と選別方法を説明する。まず、図５の最上段のグラフに示す、匂い分子ａ、ｂの刺激に対するセンサ細胞Ａ１、Ａ２、Ａ３の蛍光応答は、図５の上から２段目のグラフに示すようにほぼ同じであった。このことから、Ａ１〜Ａ３は同じ匂い刺激に対して同じ応答を示すセンサ細胞であることが分かる。【００４２】
これに対して、同じ匂い刺激に対して異なる強度の蛍光応答を示す場合は、同じ種類のセンサ細胞間の性能ばらつきがあることが分かる。この原因としては、センサ細胞の脂質膜上に発現した嗅覚受容体の数やウェル開口部に対する位置、センサ細胞内に発現したＣａイオン応答タンパク質の数などが考えられる。【００４３】
同じ光学応答を示すセンサ細胞Ａ１、Ａ２、Ａ３において、図５の上から３段目から５段目のグラフに示すように、ＩＳＦＥＴ及び検知回路を介した電気信号変換強度に違いが観測された。これは、センサ細胞の形状バラつきやウェル内での配置のバラつき等によって、センサ細胞とＩＳＦＥＴゲート電極上の接触電極との電気的接触特性に違いに起因すると考えられる。【００４４】
センサ細胞Ａ１、Ａ２では、匂い分子ａに対する応答電流強度が、点線で示した閾値よりも大きい（図５の上から３段目、４段目の左側のグラフ）。この場合は、センサ細胞Ａ２の応答電流値が、センサ細胞Ａ１の応答電流値に一致するように、全てのセンサ細胞Ａの応答電流を規格化してから、メモリ演算回路で累積加算を行う。この規格化因子を図４に示した事前の各センサ細胞位置特定のプロトコルにおいて抽出してメモリ演算回路に記憶しておき、実際の匂い測定時の際に各センサ細胞の応答信号に掛け合わせてから累積加算を実行する。【００４５】
一方、センサ細胞Ａ３の場合は、匂い分子ａに対する応答電流強度が閾値に達せず（図５の上から５段目の左側のグラフ）、上から６段目に示したセンサ細胞Ｂの匂い分子ａに対する応答電流値と見分けることができず、他の信号ノイズによる外乱によるバラつきも大きい。このため、センサ細胞Ａ３の信号は実際の匂い識別の累積加算には加えないため、規格化因子＝０とする。【００４６】
以上のプロトコルを採用することによって、同じ濃度の匂い分子刺激に対してセンサ細胞を２次元マトリクス状のセンサセルアレイ上に配置する際のばらつきによって生じる電気信号変換に伴う信号強度ばらつきを補正することができ、図５の最下段に示すような非主流の匂い分子にも応答するジェネラリスト型センサ細胞の応答特性を定量的に電気信号に変換して累積加算することで、複数のジェネラリスト型センサ細胞を用いて生物同様な多数の匂いパターンを識別できる人工嗅覚センシングシステムを構築することが可能になる。【００４７】
センサ細胞の応答信号を電気的に変換してから加算処理を行う人工嗅覚システムでは、検索する匂い分子群の種類に応じて検索に用いるセンサ細胞種類を必要最小限に限定することによって、検索時間及びエネルギーを節約できるという、生物にはない人工嗅覚センシングシステムならではの特徴を有する。このことを、図６を用いて説明する。【００４８】
図６は、５種類の匂い分子群に対して、５種類のセンサ細胞群を介して、５種類の匂い群（記憶）が対応していることを示す概念図である。【００４９】
ここで、図６に示すように、５種類の匂い分子群に対して、５種類のセンサ細胞群を介して、５種類の匂い群（記憶）が対応していることは、事前測定（学習）によって予め分かっているという前提である。そのため、匂い検索する匂い分子群が図６に示すように分子群２〜４の３種類に限定された場合は、人工嗅覚センシングシステムが有するセンサ細胞５種類のうち電気信号変換後の検索処理に用いる信号を対応するセンサ細胞２〜４に限定することで、検索領域外にあるセンサ細胞１、４の信号処理に伴う検索に要する時間及びエネルギーを節約できる。【００５０】
これは、図７に示すように信号処理が嗅細胞→嗅球→脳皮質と入力側から出力側に一方向にしか進まない生物の神経系においては実行できない情報処理時間とエネルギーの節約方法であり、１０００×１０００＝１００万個の生物並みの数と種類のセンサ細胞を用いた人工嗅覚センシングシステムの優位な特徴となる。
【符号の説明】
【００５１】
１１  走査配線
１２  信号配線
１３  センサセル
１４  センサ細胞
１５  走査回路
１６  信号回路
１７  メモリ演算回路（匂い信号加算部）
１８  匂い識別部
２１  ＩＳＦＥＴ（イオン感応性トランジスタ）
２２  ウェル
２３  ＩＳＦＥＴのゲート電極
２４  ＩＳＦＥＴのドレイン電極
２５  ＩＳＦＥＴのソース電極
２６  絶縁体
２７  半導体
２８  接触電極
２９  嗅覚受容体
２１０  生理水溶液
２１１  Ｃａイオン
２１２  匂い分子
２１３  脂質膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【国際調査報告】
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2017122338.tif 000011
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