(57)【要約】  連続式熱処理炉（ＨＦ１）では、搬送方向（ｂ）に沿って、ワークの熱処理を行なう熱処理領域が設けられている。ワークは、熱処理領域（Ｈ）を搬送されながら熱処理される。ワークを搬送するためのワーク搬送機構（１００）は、上方に開口部を有する箱状のベースフレーム（１）と、多孔質プレート（２）と、多孔質プレート（２）がベースフレーム（１）の開口部を覆うことにより形成された気室（３）と、気室（３）と連通し、多孔質プレート（２）を透過して流出する気体（ｇ）を気室（３）に供給する気体供給手段（４）とを備えている。多孔質プレート（２）は上面（２ａ）がワークの搬送方向に向けて下り傾斜となるように配設されており、かつ上面（２ａ）にワーク（Ｗ）の搬送方向に沿った溝（２ｔ1ないし２ｔ10）が形成されている。
2016208615.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークの搬送方向に沿って、前記ワークの熱処理を行なう少なくとも１つの熱処理領域が設けられ、前記ワークが前記熱処理領域を搬送されながら熱処理される連続式熱処理炉であって、
前記ワークを搬送するためのワーク搬送機構は、上方に少なくとも１つの開口部を有する箱状のベースフレームと、多孔質プレートと、前記多孔質プレートが前記ベースフレームの前記少なくとも１つの開口部を覆うことにより形成された少なくとも１つの気室と、前記少なくとも１つの気室と連通し、前記多孔質プレートを透過して流出する気体を前記少なくとも１つの気室に供給する気体供給手段とを備え、
前記多孔質プレートは上面が前記ワークの搬送方向に向けて下り傾斜となるように配設されており、かつ前記上面に前記ワークの搬送方向に沿った溝が形成されていることを特徴とする、連続式熱処理炉。
【請求項２】
前記ワーク搬送機構は、前記ワークを整列させて前記溝内に挿入する整列機構をさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の連続式熱処理炉。
【請求項３】
前記ワークは、未脱脂のセラミック電子部品素体であり、
前記ワークを作製するワーク作製工程と、
請求項１または２に記載の連続式熱処理炉を用い、前記多孔質プレートを透過して流出する気体の量を前記気体供給手段により調整しながら前記ワークの脱脂を行なう脱脂工程と、
脱脂後の前記ワークを焼成する焼成工程と、
を含むことを特徴とする、セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、多数の微小なワーク（被処理物）を搬送するためのワーク搬送機構を備えた連続式熱処理炉、およびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
連続式の処理設備は、ワークを連続して搬送するためのワーク搬送機構を備えている。そのようなワーク搬送機構としては、ベルトコンベアやローラーコンベアなどが広く用いられている。しかしながら、上記のワーク搬送機構では、ベルトやローラーを駆動する駆動機構が必要となり、ワーク搬送機構が複雑化、かつ大型化し、ワーク搬送機構を製造するためのコストが増大する。【０００３】
そのため、ワーク搬送機構を簡単な構成とすることが必要となる。特開２００８−２７３７２７号公報（特許文献１）には、そのようなワーク搬送機構の一例が提案されている。【０００４】
図１１は、特許文献１に記載されているワーク搬送機構４００の模式図である。ワーク搬送機構４００は、上方が開口した箱状のベースフレーム４０１と、多孔質プレート４０２と、気室４０３と、気体供給手段４０４と、配管４０５とを備えている。ここで、気室４０３は、多孔質プレート４０２がベースフレーム４０１の開口部を覆うことにより形成されている。また、多孔質プレート４０２は、搬送方向に向けて下り傾斜となるように配設されている。また、ワーク供給位置Ｐ１における多孔質プレート４０２の裏面には、供給されたワークＷに対し、推進力を付加するための部分圧損調整機構４０２ａが形成されている。【０００５】
ベースフレーム４０１には、気室４０３に連通する気体供給口４０６が形成されている。気体供給手段４０４は、配管４０５を介して気体供給口４０６に接続され、気室４０３に気体を供給している。気室４０３に供給された気体は、多孔質プレート４０２内の細孔を透過して外部に流出する。【０００６】
多孔質プレート４０２上のワーク供給位置Ｐ１にワークＷが供給されると、部分圧損調整機構４０２ａにより、ワークＷの下面の後方部分（図上左側）に多孔質プレート４０２を透過してきた気体が吹き当てられる。すると、ワークＷは、斜め前下がりに浮上し、搬送方向への推進力が付加される。その後、ワークＷは、下り傾斜の多孔質プレート４０２に沿って、斜め前下がりに浮上した状態で搬送方向に移動する。【０００７】
特許文献１に記載されているワーク搬送機構４００では、以上の構成により、簡易な構成で、ワークＷを搬送方向に沿って搬送することができるため、ワーク搬送機構の製造コストを低減させることができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−２７３７２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記のワーク搬送機構４００は、例えばガラス基板のような、一辺が数十ｃｍもあるような大型のワークＷを一枚ずつ搬送し、熱処理する場合については、効果的に適用できると考えられる。一方、例えば積層セラミックコンデンサのコンデンサ本体のような、多数の微小なワークＷを搬送し、脱脂する場合にワーク搬送機構４００を適用することを考える。多数の微小なワークＷが山積みに載せられた状態で多孔質プレート４０２上を移動する場合、多孔質プレート４０２を透過してきた気体の、ワークＷの一つ一つへの当たり方は不均一となる。その結果、脱脂のされ方が不均一となり、ワークＷの品質にばらつきが生じる虞がある。【００１０】
そこで、この発明の目的は、多数の微小なワークであっても、搬送中に脱脂などの処理を均一に施すことが可能となる連続式熱処理炉、およびそれを用いたセラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明では、連続式熱処理炉内における多数の微小なワークに対する処理の均一性を向上させるため、多孔質プレートの形状についての改良が図られる。【００１２】
この発明は、まず連続式熱処理炉に向けられる。
この発明に係る連続式熱処理炉は、ワークの搬送方向に沿って、ワークの熱処理を行なう少なくとも１つの熱処理領域が設けられている。ワークは、熱処理領域を搬送されながら熱処理される。【００１３】
ワークを搬送するためのワーク搬送機構は、ベースフレームと、多孔質プレートと、少なくとも１つの気室と、気体供給手段とを備えている。ベースフレームは、上方に少なくとも１つの開口部を有する箱状である。少なくとも１つの気室は、多孔質プレートがベースフレームの少なくとも１つの開口部を覆うことにより形成される。気体供給手段は、少なくとも１つの気室と連通し、多孔質プレートを透過して流出する気体を少なくとも１つの気室に供給する。そして、多孔質プレートは、上面がワークの搬送方向に向けて下り傾斜となるように配設されており、かつ上面にワークの搬送方向に沿った溝が形成されている。【００１４】
上記の連続式熱処理炉では、多孔質プレートの上面にワークの搬送方向に沿った溝が形成されている。この場合、多数の微小なワークであっても溝内に入り込むことで整列した状態を保つことができる。したがって、ワークが多孔質プレート上で山積みにならず、ワークの一つ一つに溝の底面および側面から気体（雰囲気ガス）が供給されるため、均一な熱処理を行なうことができる。【００１５】
この発明に係る連続式熱処理炉は、以下の特徴を備えていることが好ましい。すなわち、ワーク搬送機構は、ワークを整列させて溝内に挿入する整列機構をさらに備えている。【００１６】
上記の連続式熱処理炉では、ワーク搬送機構がワークを整列させて溝内に挿入する整列機構をさらに備えている。この場合、ワーク搬送機構に多数の微小なワークが山積みで供給されても、整列機構により多孔質プレートの溝内にワークが整列した状態で挿入される。したがって、ワークの一つ一つに溝の底面および側面から気体が確実に供給されるため、均一な熱処理を確実に行なうことができる。【００１７】
また、この発明は、セラミック電子部品の製造方法にも向けられる。
この発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、ワークが未脱脂のセラミック電子部品素体であり、ワークを作製するワーク作製工程と、脱脂工程と、脱脂後のワークを焼成する焼成工程とを含む。そして、脱脂工程では、この発明に係る連続式熱処理炉を用い、多孔質プレートを透過して流出する気体の量を気体供給手段により調整しながらワークの脱脂を行なう。【００１８】
セラミック電子部品の製造においては、セラミック材料粉末を結着し、セラミック電子部品素体を成形するために、バインダーと呼ばれる高分子の有機材料が用いられる。このバインダーは、セラミック電子部品素体を焼成するまでには燃焼除去する必要がある。このバインダーの燃焼除去は脱脂と呼ばれる。【００１９】
上記のセラミック電子部品の製造方法では、未脱脂のセラミック電子部品素体であるワークの脱脂を、この発明に係る連続式熱処理炉を用いて行なう。この場合、前述のように、ワークが多孔質プレート上で山積みにならず、ワークの一つ一つに溝の底面および側面から気体（酸素濃度を調整した雰囲気ガス）が供給される。【００２０】
また、ワークが山積みになった状態で脱脂を行なうと、ワークの山の内部では脱脂により発生した熱が放散されず、ワークの山の内部は、表面と比べて温度が高くなる。一方、上記のワークの脱脂方法では、ワークが山積みにならないため、ワークの一つ一つの温度のばらつきを抑えることができる。したがって、セラミック電子部品素体のような多数の微小なワークであっても、均一な脱脂を行なうことができる。すなわち、焼成後のセラミック電子部品の品質のばらつきを抑えることができる。
【発明の効果】
【００２１】
この発明に係る連続式熱処理炉では、多孔質プレートの上面にワークの搬送方向に沿った溝が形成されている。この場合、多数の微小なワークであっても溝内に入り込むことで整列した状態を保つことができる。したがって、ワークが多孔質プレート上で山積みにならず、ワークの一つ一つに溝の底面および側面から気体（雰囲気ガス）が供給されるため、均一な熱処理を行なうことができる。【００２２】
また、この発明に係るセラミック電子部品の製造方法では、未脱脂のセラミック電子部品素体であるワークの脱脂を、この発明に係る連続式熱処理炉を用いて行なう。この場合、前述のように、ワークが多孔質プレート上で山積みにならず、ワークの一つ一つに溝の底面および側面から気体（酸素濃度を調整した雰囲気ガス）が供給され、かつワークの一つ一つの温度のばらつきを抑えることができる。したがって、セラミック電子部品素体のような多数の微小なワークであっても、均一な脱脂を行なうことができる。すなわち、焼成後のセラミック電子部品の品質のばらつきを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明に係る連続式熱処理炉の第１の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ１を模式的に示した断面図である。
【図２】図１に示した連続式熱処理炉ＨＦ１における、ワーク搬送機構１００が備える多孔質プレート２の上面図（図２（Ａ））、および上面図のＡ−Ａ線を含む面の矢視断面図（図２（Ｂ））である。
【図３】図１に示した連続式熱処理炉ＨＦ１における、炉内の各領域での設定温度および気体流量と、時間経過との関係を表すグラフである。
【図４】図１に示した多孔質プレート２の第１の変形例である多孔質プレート２Ａの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。
【図５】図１に示した多孔質プレート２の第２の変形例である多孔質プレート２Ｂの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。
【図６】図１に示した多孔質プレート２の第３の変形例である多孔質プレート２Ｃの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。
【図７】この発明に係る連続式熱処理炉の第２の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ２を模式的に示した断面図である。
【図８】図７に示した連続式熱処理炉ＨＦ２における、炉内の各領域での設定温度および気体流量と、時間経過との関係を表すグラフである。
【図９】この発明に係る連続式熱処理炉の第３の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ３を模式的に示した断面図である。
【図１０】図９に示した連続式熱処理炉ＨＦ３における、炉内の各領域での設定温度および気体流量と、時間経過との関係を表すグラフである。
【図１１】背景技術のワーク搬送機構４００を模式的に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下にこの発明の実施形態を示して、この発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【００２５】
−連続式熱処理炉の第１の実施形態−
この発明に係る連続式熱処理炉の第１の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ１について、図１ないし図３を用いて説明する。連続式熱処理炉ＨＦ１は、未脱脂のセラミック電子部品素体の脱脂に用いられる脱脂炉である。以下、この発明に係る連続式熱処理炉の実施形態の説明は、上記に倣って脱脂炉を具体例として行なう。
【００２６】
＜連続式熱処理炉の構造＞
図１は、連続式熱処理炉ＨＦ１を模式的に示した断面図である。連続式熱処理炉ＨＦ１には、ワーク（不図示）の搬送方向ｂに沿って、ワークの熱処理を行なう熱処理領域Ｈが設けられている。ワークは、熱処理領域Ｈを搬送されながら熱処理される。ワークは、上記のように未脱脂のセラミック電子部品素体であり、既知の方法により作製される。なお、セラミック電子部品の製造方法には、脱脂後のセラミック電子部品素体と外部電極とを共焼成する場合がある。このような場合、セラミック電子部品素体とは、外部電極ペーストを予め塗布してあるものも含む。
【００２７】
ワークを搬送するためのワーク搬送機構１００は、連続式熱処理炉ＨＦ１の下側炉体でもあるベースフレーム１と、多孔質プレート２と、気室３と、気体供給手段４とを備えている。
【００２８】
ベースフレーム１は、上方に開口部を有する箱状である。多孔質プレート２は、上面２ａがワークの搬送方向ｂに向けて下り傾斜となるように配設されており、かつ上面２ａにワークの搬送方向ｂに沿った溝（不図示）が形成されている。気室３は、多孔質プレート２がベースフレーム１の開口部を覆うことにより形成される。気体供給手段４は、配管５および気体供給口６を介して気室３と連通し、多孔質プレート２を透過して流出する気体ｇを気室３に供給する。
【００２９】
また、ワーク搬送機構１００は、多孔質プレート２の上面２ａの上方に、整列機構１０を備えている。整列機構１０の働きについては後述する。
【００３０】
連続式熱処理炉ＨＦ１は、下側炉体と共に炉体を構成する上側炉体７と、ワークを加熱するヒーター９を備えている。上側炉体７には、多孔質プレート２を透過して流出する気体ｇが排出される気体排出口８が設けられている。図１では、気体排出口８は、連続式熱処理炉ＨＦ１の入口側と出口側にそれぞれ設けられているが、その数および設けられる場所はこれに限らない。また、上側炉体は、断熱材（不図示）を備えており、連続式熱処理炉ＨＦ１の外部への熱の放散が抑えられている。
【００３１】
図２（Ａ）は、図１に示した連続式熱処理炉ＨＦ１における、多孔質プレート２の上面図であり、例えば積層セラミックコンデンサのコンデンサ本体のような、直方体形状の多数の微小なワークＷを併せて図示している。図２（Ｂ）は、上面図のＡ−Ａ線を含む面の矢視断面図である。図２では、上面２ａには、ワークＷの搬送方向ｂに沿った溝２ｔ1ないし２ｔ10が形成されている。
【００３２】
溝２ｔ1ないし２ｔ10の、ワークＷの搬送方向ｂに直交する断面は、矩形状となっている。ワークＷは、直方体形状のワークＷの一番長い辺が搬送方向ｂに沿うようにして溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んだ状態で移動する。なお、直方体形状のワークＷの一番長い辺が搬送方向ｂに沿った状態とは、一番長い辺と搬送方向ｂとが幾らか傾いた状態も含んでいる。
【００３３】
溝２ｔ1ないし２ｔ10を上面視した際の各溝の幅は、直方体形状のワークＷの二番目に長い辺の長さに対して、幾らか長くなるように設定されている。すなわち、ワークＷの一つ一つに溝の底面のみならず、側面からも気体ｇが供給され得る状態となっている。具体的には、各溝の幅は、直方体形状のワークＷの二番目に長い辺の長さに対して、２０％程度長いことが好ましい。
【００３４】
また、上面２ａの上方には、ワークＷの搬送方向ｂと直交するように設置された板状部材である整列機構１０が設置されている。整列機構１０の下端と多孔質プレート２の上面２ａとの間の間隔は、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷのみが、整列機構１０の下を通過できるような間隔に設定されている。
【００３５】
ワークＷは、図２（Ａ）において、多孔質プレート２上のワーク供給位置（不図示）に山積みの状態で供給される。供給された山積みのワークＷは、一部が溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込み、別の一部は上面２ａ上にあり、さらに別の一部は、別のワークＷと重なっている。それらのワークＷのうち、特に溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるものには、多孔質プレート２を透過してきた気体ｇが吹き当てられる。すると、それらのワークＷは、溝２ｔ1ないし２ｔ10の側面および底面との摩擦力が低下した状態になる。
【００３６】
そして、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷは、その自重により、下り傾斜の多孔質プレート２に沿って、斜め前下がりの状態で搬送方向ｂに移動する。溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいないワークＷも、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷの搬送につれて、同様に搬送方向ｂに移動する。
【００３７】
移動してきた山積みのワークＷが整列機構１０に到達すると、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷはそのまま搬送方向ｂに移動する。一方、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいないワークＷは、整列機構１０によって堰き止められる。そして、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷが整列機構１０を通過し終えた後か、または溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んでいるワークＷの間に隙間があったときに、溝２ｔ1ないし２ｔ10に落ち込んで搬送方向ｂに移動する。すなわち、整列機構１０により、ワークＷは、溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込んで整列された状態で多孔質プレート２上を移動する。この場合、極めて単純な構成でワークＷの整列搬送を行なうことができる。
【００３８】
なお、整列機構１０は、以上で説明した単純な板状部材に限らず、多孔質プレート２上にワークＷを供給する時点で、ワークＷが溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込むように設計された振り込み治具のようなものでもよい。また、多孔質プレート２に微弱な振動を与え、ワーク供給位置に山積みの状態で供給されたワークＷの山を崩して溝２ｔ1ないし２ｔ10に入り込むようにした、振動装置のようなものでもよい。
【００３９】
図３は、図１に示した連続式熱処理炉ＨＦ１における、炉内の各領域での設定温度および気体流量と、時間経過との関係を表すグラフである。連続式熱処理炉ＨＦ１の内部は、大まかには、昇温および最高温度維持でワークＷに含まれているバインダーが燃焼し、脱脂が進行する脱脂進行領域と、最高温度維持および降温で脱脂がほぼ完了している脱脂完了領域に大別できる。図３の場合、供給される気体流量は一定である。
【００４０】
前述したように、多孔質プレート２上で山積みにならず、整列搬送されているワークＷには、前述したように、その一つ一つに溝２ｔ1ないし２ｔ10の底面および側面から気体ｇが供給される。また、脱脂進行領域において、脱脂により発生した熱が均一に放散され、ワークＷの一つ一つの温度のばらつきが抑えられている。したがって、セラミック電子部品素体のような多数の微小なワークＷであっても、均一な脱脂を行なうことができる。
【００４１】
以上のようにして脱脂されたワークＷを焼成することにより、セラミック電子部品素体が得られる。得られたセラミック電子部品素体に、必要に応じて外部電極などを形成することにより、セラミック電子部品が得られる。
【００４２】
＜多孔質プレートの変形例＞
この発明にかかる連続式熱処理炉ＨＦ１におけるワーク搬送機構１００が備える多孔質プレート２の変形例について、図４ないし図６を用いて説明する。
【００４３】
＜多孔質プレートの第１の変形例＞
図４は、ワーク搬送機構１００が備える多孔質プレート２の第１の変形例である多孔質プレート２Ａの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。多孔質プレート２Ａでは、上面２Ａａに形成されている溝２ｔ1ないし２ｔ10の、ワークＷの搬送方向ｂに直交する断面は、Ｕ字状になっている。
【００４４】
この場合、ワークＷと溝２ｔ1ないし２ｔ10の底部との間に隙間ができ、底部から気体ｇが供給されやすく、かつ供給された気体ｇが流れやすくなる。したがって、ワークＷに含まれているバインダーを効果的に燃焼させることができ、かつバインダーの燃焼によって発生する熱を効果的に放散させることができる。また、底部に角部がなく、丸みを帯びた形状となっているので、機械的な強度を向上させることができる。
【００４５】
＜多孔質プレートの第２の変形例＞
図５は、ワーク搬送機構１００が備える多孔質プレート２の第２の変形例である多孔質プレート２Ｂの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。多孔質プレート２Ｂでは、上面２Ｂａに形成されている溝２ｔ1ないし２ｔ10の、ワークＷの搬送方向ｂに直交する断面は、Ｖ字状になっている。
【００４６】
この場合、多孔質プレート２Ａと同様に、ワークＷと溝２ｔ1ないし２ｔ10の底部との間に隙間ができ、底部から気体ｇが供給されやすくなる。また、上面２Ｂａにおける開口部の面積が広くなるため、供給された気体ｇがより流れやすくなる。したがって、ワークＷに含まれているバインダーをより効果的に燃焼させることができ、かつバインダーの燃焼によって発生する熱をより効果的に放散させることができる。
【００４７】
＜多孔質プレートの第３の変形例＞
図６は、ワーク搬送機構１００が備える多孔質プレート２の第３の変形例である多孔質プレート２Ｃの、図２（Ｂ）に示した矢視断面図に相当する断面図である。多孔質プレート２Ｃでは、上面２Ｃａに形成されている溝２ｔ1ないし２ｔ10の、ワークＷの搬送方向ｂに直交する断面は、底部が丸みを帯びたＶ字状になっている。
【００４８】
この場合、多孔質プレート２Ｂと同様に、ワークＷと溝２ｔ1ないし２ｔ10の底部との間に隙間ができ、底部から気体ｇが供給されやすくなる。また、上面２Ｃａにおける開口部の面積が広くなるため、供給された気体ｇがより流れやすくなる。また、多孔質プレート２Ａと同様に、底部に角部がなく、丸みを帯びた形状となっている。したがって、ワークＷに含まれているバインダーをより効果的に燃焼させることができ、かつバインダーの燃焼によって発生する熱をより効果的に放散させることができる。また、機械的な強度を向上させることができる。
【００４９】
−連続式熱処理炉の第２の実施形態−
この発明に係る連続式熱処理炉の第２の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ２について、図７および図８を用いて説明する。連続式熱処理炉ＨＦ２は、連続式熱処理炉ＨＦ１と同様に、セラミック電子部品を構成する電子部品素体の脱脂に用いられる脱脂炉である。
【００５０】
図７は、連続式熱処理炉ＨＦ２を模式的に示した断面図である。連続式熱処理炉ＨＦ２では、気室が第１の気室３ａと第２の気室３ｂとに分かれている。気体供給手段４は、第１の配管５ａおよび第１の気体供給口６ａを介して第１の気室３ａと連通し、第２の配管５ｂおよび第２の気体供給口６ｂを介して第２の気室３ｂと連通し、気体ｇを各気室に供給している。その他の部分については、前述の連続式熱処理炉ＨＦ１と同様であるため、説明を省略する。
【００５１】
連続式熱処理炉ＨＦ２では、上記の構成により、ワーク（不図示）の搬送方向ｂに沿って、ワークの熱処理を行なう第１の熱処理領域Ｈ１および第２の熱処理領域Ｈ２が設けられることになる。ワークは、第１の熱処理領域Ｈ１および第２の熱処理領域Ｈ２を搬送されながら熱処理される。
【００５２】
図８は、図７に示した連続式熱処理炉ＨＦ２における、炉内の各領域での設定温度および気体ｇの流量と、時間経過との関係を表すグラフである。連続式熱処理炉ＨＦ２の内部は、連続式熱処理炉ＨＦ１と同様に、大まかには、脱脂進行領域と、脱脂完了領域に大別できる。図８の場合、各気室に供給される気体（酸素濃度を調整した雰囲気ガス）ｇの量は、気体供給手段４により調整され、脱脂進行領域で多く、脱脂完了領域で少なくなっている。なお、各領域に供給される気体ｇ成分は同じものとしている。
【００５３】
上記の脱脂方法では、脱脂進行領域では気体ｇの量を多くして脱脂を促進し、脱脂完了領域では気体ｇの流量を少なくして無駄に流れる気体ｇを減らすことにより、効率的な脱脂を行なうことができる。
【００５４】
−連続式熱処理炉の第３の実施形態−
この発明に係る連続式熱処理炉の第３の実施形態である連続式熱処理炉ＨＦ３について、図９および図１０を用いて説明する。連続式熱処理炉ＨＦ３は、連続式熱処理炉ＨＦ１およびＨＦ２と同様に、セラミック電子部品を構成する電子部品素体の脱脂に用いられる脱脂炉である。
【００５５】
図９は、連続式熱処理炉ＨＦ３を模式的に示した断面図である。連続式熱処理炉ＨＦ３では、気室が第１の気室３ａ、第２の気室３ｂおよび第３の気室３ｃに分かれている。気体供給手段４は、第１の配管５ａおよび第１の気体供給口６ａを介して第１の気室３ａと連通し、第２の配管５ｂおよび第２の気体供給口６ｂを介して第２の気室３ｂと連通し、第３の配管５ｃおよび第３の気体供給口６ｃを介して第３の気室３ｃと連通し、気体ｇを各気室に供給している。その他の部分については、前述の連続式熱処理炉ＨＦ１およびＨＦ２と同様であるため、説明を省略する。
【００５６】
連続式熱処理炉ＨＦ３では、上記の構成により、ワーク（不図示）の搬送方向ｂに沿って、ワークの熱処理を行なう第１の熱処理領域Ｈ１、第２の熱処理領域Ｈ２および第３の熱処理領域Ｈ３が設けられることになる。ワークは、第１の熱処理領域Ｈ１、第２の熱処理領域Ｈ２および第３の熱処理領域Ｈ３を搬送されながら熱処理される。
【００５７】
図１０は、図９に示した連続式熱処理炉ＨＦ３における、炉内の各領域での設定温度および気体ｇの流量と、時間経過との関係を表すグラフである。連続式熱処理炉ＨＦ３の内部は、連続式熱処理炉ＨＦ１およびＨＦ２と同様に、大まかには、脱脂進行領域と、脱脂完了領域に大別できる。そして、ヒーター９の配置の仕方により、脱脂進行領域をさらに低温域と高温域とに分けることができる。図１０の場合、各気室に供給される気体ｇの流量は、気体供給手段４により調整され、脱脂進行領域の低温域では二番目に多く、脱脂進行領域の高温域では最も多く、脱脂完了領域で最も少なくなっている。なお、各領域に供給される気体ｇの成分は同じものとしている。
【００５８】
上記の脱脂方法では、脱脂進行領域であってもバインダーの燃焼の進みにくい低温域での気体ｇの流量を高温域に比べて少なくし、高温域では気体ｇの流量を最も多くして脱脂を促進し、脱脂完了領域では気体ｇの流量を少なくして無駄に流れる気体ｇを減らすことにより、さらに効率的な脱脂を行なうことができる。
【００５９】
なお、この発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、この発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。例えば、各気室に供給する気体ｇの量は、気体供給手段４により調整するだけでなく、多孔質プレート２の開口率によって調整するようにしてもよい。また、気体供給手段４が供給する気体ｇの種類は、各気室間で異なるようにしてもよい。
【００６０】
例えば、ヒーター９の種類および配置、ならびに気体供給手段４が供給する気体ｇの種類を各気室間で異ならせることにより、脱脂と焼成とを１つの連続式熱処理炉内で行なうようにしてもよい。すなわち、連続式熱処理炉であれば、熱処理の内容を問わずこの発明を適用することができる。
【００６１】
また、この明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【符号の説明】
【００６２】
ＨＦ１，ＨＦ２，ＨＦ３  連続式熱処理炉、１００  ワーク搬送機構、１  ベースフレーム、２  多孔質プレート、２ａ  上面、２ｔ1〜２ｔ10  溝、３  気室、４  気体供給手段、Ｗ  ワーク、Ｈ  熱処理領域、ｇ  気体、ｂ  搬送方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【国際調査報告】
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