(57)【要約】  紫外線発光動作に伴う電極間に充填された樹脂に起因する電気的特性の劣化を防止する。絶縁性基材１１と、基材１１の一方の面上に形成された互いに電気的に分離した２以上の金属膜１２，１３を備えてなる基台１０であって、金属膜が上面と側壁面が金または白金族金属で被覆され、１以上の窒化物半導体発光素子等を搭載可能に、全体として２以上の電極パッドを含む所定の平面視形状に形成され、基材１１の一方の面上において、金属膜１２，１３で被覆されていない基材１１の露出面と金属膜１２，１３の側壁面との境界線に沿って、少なくとも、前記境界線と連続する基材１１の露出面の隣接する２つの電極パッドに挟まれた第１部分と、前記第１部分を挟んで対向する金属膜１２，１３の側壁面が、フッ素樹脂膜１６で被覆され、金属膜１２，１３の上面の少なくとも電極パッドを構成する箇所が、フッ素樹脂膜１６で被覆されていない。
2017022755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面上に形成された互いに電気的に分離した２以上の金属膜と、を備えてなるフリップチップ実装を含むチップオンボード実装用、または、表面実装用の基台であって、
少なくとも前記絶縁性基材の前記一方の面側の表面に露出する表層部が、紫外線被曝によって劣化しない材質で構成され、
前記２以上の金属膜は、上面と側壁面が金または白金族金属で被覆され、且つ、１または複数の窒化物半導体発光素子または窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装してなる１または複数のサブマウントを搭載可能に、全体として、２以上の電極パッドを含む所定の平面視形状に形成され、
前記絶縁性基材の前記一方の面上において、前記金属膜で被覆されていない前記絶縁性基材の露出面と前記金属膜の側壁面との境界線に沿って、少なくとも、前記境界線と連続する前記絶縁性基材の前記露出面の隣接する２つの前記電極パッドに挟まれた第１部分と、前記第１部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面が、フッ素樹脂膜で被覆され、
前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所が、前記フッ素樹脂膜で被覆されていないことを特徴とする基台。
【請求項２】
前記２以上の電極パッドの内の１対の電極パッドは、前記１または複数の窒化物半導体発光素子の内の１つの窒化物半導体発光素子または前記１または複数のサブマウントの内の１つのサブマウントのｎ側電極とｐ側電極と、各別に、電気的且つ物理的に接続するように、前記絶縁性基材の表面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基台。
【請求項３】
前記２以上の電極パッドの内の１対の電極パッドを各別に含む１対の前記金属膜の間に露出した前記絶縁性基材の露出面の内、少なくとも、１対の前記金属膜の間の距離が前記１対の電極パッド間の離間距離の最大値以下である第２部分と、前記第２部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面が、前記フッ素樹脂膜で被覆されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基台。
【請求項４】
前記フッ素樹脂膜が、含フッ素脂肪族環構造を構造単位とする重合体または共重合体で構成される非晶質フッ素樹脂を有することを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の基台。
【請求項５】
前記フッ素樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈しない非反応性の末端官能基である第１タイプのフッ素樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の基台。
【請求項６】
前記フッ素樹脂膜が２層以上の積層膜で形成され、前記金属膜と接触する前記積層膜の１層目の樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含み、前記積層膜の２層目以降の樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、金属に対して結合性を呈しない非反応性の末端官能基である第１タイプのフッ素樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の基台。
【請求項７】
前記基台の外周端縁部の上面に、前記フッ素樹脂膜の下地膜として、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含む第２のフッ素樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の基台。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の基台をマトリクス状に複数配列して、１枚の板状に一体化して構成され、
前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜がマトリクス状に周期的に配列して形成され、
前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する同士間の境界線上に格子状の切断領域が設けられていることを特徴とする配線基板体。
【請求項９】
前記切断領域に、前記フッ素樹脂膜が形成されていないことを特徴とする請求項８に記載の配線基板体。
【請求項１０】
請求項１〜７の何れか１項に記載の基台の製造方法であって、
前記絶縁性基材の前記一方の面上に前記２以上の金属膜を形成する第１工程と、
前記絶縁性基材の前記一方の面上において、前記金属膜で被覆されていない前記絶縁性基材の露出面と前記金属膜の側壁面との境界線に沿って、少なくとも、前記境界線と連続する前記絶縁性基材の前記露出面の隣接する２つの前記電極パッドに挟まれた第１部分と、前記第１部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面を、前記フッ素樹脂膜で被覆する第２工程を備えることを特徴とする基台の製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程において、
前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第１マスク材料を形成し、
前記第１マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、
前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第１マスク材料と前記第１マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することを特徴とする請求項１０に記載の基台の製造方法。
【請求項１２】
前記第１マスク材料はフッ素樹脂を含まない樹脂組成物で構成され、
前記第２工程において、前記第１マスク材料を、前記フッ素樹脂膜を溶解しない有機溶剤により溶解して除去することを特徴とする請求項１１に記載の基台の製造方法。
【請求項１３】
前記第２工程において、前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、
前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記金属膜の上面上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を研磨により除去することを特徴とする請求項１０に記載の基台の製造方法。
【請求項１４】
前記第１工程において、
前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第２工程において、
前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する同士間の境界線上に設けられた格子状の切断領域に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第２マスク材料を形成し、
前記第２マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、
前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第２マスク材料と前記第２マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することを特徴とする請求項１０〜１３の何れか１項に記載の基台の製造方法。
【請求項１５】
前記第１工程において、
前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第２工程において、
少なくとも、前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する同士間の境界線上に設けられた格子状の切断領域と、前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第２マスク材料を形成し、
前記第２マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、
前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第２マスク材料と前記第２マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することを特徴とする請求項１０に記載の基台の製造方法。
【請求項１６】
前記第２マスク材料はフッ素樹脂を含まない樹脂組成物で構成され、
前記第２工程において、前記第２マスク材料を、前記フッ素樹脂膜を溶解しない有機溶剤により溶解して除去することを特徴とする請求項１４または１５に記載の基台の製造方法。
【請求項１７】
前記第１工程において、
前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第１工程と前記第２工程の間に、
前記切断領域とその側方領域、または、前記切断領域の側方領域に、前記フッ素樹脂膜の下地膜として、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含む第２のフッ素樹脂膜を形成することを特徴とする請求項１０〜１６の何れか１項に記載の基台の製造方法。
【請求項１８】
前記第２工程の後、前記切断領域に沿って前記絶縁性基材板を切断または割断して、個々の前記基台に分割することを特徴とする請求項１４〜１７の何れか１項に記載の基台の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体発光素子、特に、発光中心波長が約３６５ｎｍ以下の窒化物半導体紫外線発光素子の実装に用いられるサブマウント及び配線基板等の基台及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＬＥＤ（発光ダイオード）や半導体レーザ等の窒化物半導体発光素子は、サファイア等の基板上にエピタキシャル成長により複数の窒化物半導体層からなる発光素子構造を形成したものが多数存在する（例えば、下記の非特許文献１、非特許文献２参照）。窒化物半導体層は、一般式Ａｌ１−ｘ−ｙＧａｘＩｎｙＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。【０００３】
発光素子構造は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に、単一量子井戸構造（ＳＱＷ：Ｓｉｎｇｌｅ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）或いは多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ）の窒化物半導体層よりなる活性層が挟まれたダブルへテロ構造を有している。活性層がＡｌＧａＮ系半導体層の場合、ＡｌＮモル分率（Ａｌ組成比とも言う）を調整することにより、バンドギャップエネルギを、ＧａＮとＡｌＮが取り得るバンドギャップエネルギ（約３．４ｅＶと約６．２ｅＶ）を夫々下限及び上限とする範囲内で調整でき、発光波長が約２００ｎｍから約３６５ｎｍまでの紫外線発光素子が得られる。具体的には、ｐ型窒化物半導体層からｎ型窒化物半導体層に向けて順方向電流を流すことで、活性層において上記バンドギャップエネルギに応じた発光が生じる。【０００４】
窒化物半導体紫外線発光素子の実装形態として、フリップチップ実装が一般的に採用されている（例えば、下記特許文献１の図４等参照）。フリップチップ実装では、活性層からの発光が、活性層よりバンドギャップエネルギの大きいＡｌＧａＮ系窒化物半導体及びサファイア基板等を透過して、素子外に取り出される。このため、フリップチップ実装では、サファイア基板が上向きになり、チップ上面側に向けて形成されたｐ側及びｎ側の各電極面が下向きになり、チップ側の各電極面とサブマウント等のパッケージ部品側の電極パッドとが、各電極面上に形成された金属バンプを介して、電気的及び物理的に接合される。【０００５】
また、下記特許文献１に開示のフリップチップ実装では、１つのサブマウントに１つの窒化物半導体紫外線発光素子のベアチップが搭載されているが、１つのサブマウントまたは配線基板上に複数のベアチップを搭載し、複数の発光素子を直列、並列、或いは、直並列（直列と並列の組み合わせ）に接続するＣＯＢ（チップオンボード）形式による実装形態も、ＬＥＤ照明装置や液晶バックライト等において多く採用されている（例えば、下記の特許文献２及び３参照）。【０００６】
更に、発光素子に限らず、電子部品を表面実装するためのプリント配線板においては、絶縁性基板上に金属等の導電性材料の配線パターンを形成し、当該配線パターン中の電子部品等を表面実装する実装箇所（パッド或いはランド等と呼ばれる）に、表面実装部品の端子或いは電極をはんだ付け等により物理的、電気的に接続することで、当該電子部品の表面実装が行われている。ここで、一般的に、当該配線パターンの形成された基板表面には、ソルダーレジスト層が形成され、当該配線パターン間のはんだによる短絡を防止することが行われている。また、発光素子を搭載するサブマウントまたは配線基板では、白色に着色されたソルダーレジストが使用され、上記短絡防止と発光特性の改善の両方が図られている（例えば、下記の特許文献４参照）。【０００７】
また、窒化物半導体紫外線発光素子は、一般的に、下記特許文献５の図４，６及び７等、或いは、下記特許文献６の図２，４及び６等に開示されているように、フッ素系樹脂或いはシリコーン樹脂等の紫外線透過性の樹脂によって封止されて実用に供される。当該封止樹脂は、内部の紫外線発光素子を外部雰囲気から保護して、水分の浸入や酸化等による発光素子の劣化を防いでいる。更に、当該封止樹脂は、集光レンズと紫外線発光素子との間の屈折率差、或いは、紫外線の照射対象空間と紫外線発光素子との間の屈折率差に起因する光の反射損失を緩和して、光の取り出し効率の向上を図るための屈折率差緩和材料として設けられる場合もある。また、当該封止樹脂の表面を球面等の集光性曲面に成形して、照射効率を高めることもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２０１４／１７８２８８号
【特許文献２】特開２０１５−０２３２６５号公報
【特許文献３】特開２０１５−５０３８４０号公報
【特許文献４】特開２００７−２４９１４８号公報
【特許文献５】特開２００７−３１１７０７号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２００６／０１３８４４３号明細書
【特許文献７】特開２００６−３４８０８８号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｋｅｎｔａｒｏ  Ｎａｇａｍａｔｓｕ，ｅｔａｌ．，“Ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ＡｌＧａＮ−ｂａｓｅｄ  ＵＶ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｏｎ  ｌａｔｅｒａｌｌｙ  ｏｖｅｒｇｒｏｗｎ  ＡｌＮ”，Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｇｒｏｗｔｈ，２００８，３１０，ｐｐ．２３２６−２３２９
【非特許文献２】Ｓｈｉｇｅａｋｉ  Ｓｕｍｉｙａ，ｅｔａｌ．，“ＡｌＧａＮ−Ｂａｓｅｄ  Ｄｅｅｐ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  Ｇｒｏｗｎ  ｏｎ  Ｅｐｉｔａｘｉａｌ  ＡｌＮ／Ｓａｐｐｈｉｒｅ  Ｔｅｍｐｌａｔｅｓ”，ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌ．４７，  Ｎｏ．１，  ２００８，ｐｐ．４３−４６
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、紫外線発光素子の封止樹脂として、フッ素系樹脂及びシリコーン樹脂等の使用が提案されているが、シリコーン樹脂は、高エネルギの紫外線を多量に被曝すると劣化が進むことが分かっている。特に、紫外線発光素子の高出力化が進められており、紫外線被曝による劣化が加速される傾向にあり、また、高出力化に伴う消費電力の増加により発熱も増加して、当該発熱による封止樹脂の劣化も問題となる。【００１１】
また、フッ素系樹脂は、耐熱性に優れ、紫外線耐性も高いことが知られているが、ポリテトラフルオロエチレン等の一般的なフッ素樹脂は、不透明である。当該フッ素系樹脂は、ポリマー鎖が直線的で剛直であり、容易に結晶化するため、結晶質部分と非晶質部分が混在し、その界面で光が散乱して不透明となる。【００１２】
そこで、例えば、上記特許文献７では、紫外線発光素子の封止樹脂として、非晶質のフッ素樹脂を使用することで、紫外線に対する透明性を高めることが提案されている。非晶質のフッ素樹脂としては、結晶性ポリマーのフッ素樹脂を共重合化してポリマーアロイとして非晶質化させたものや、パーフルオロジオキソールの共重合体（デュポン社製の商品名テフロンＡＦ（登録商標））やパーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体（旭硝子社製の商品名サイトップ（登録商標））が挙げられる。後者の環化重合体のフッ素樹脂は、主鎖に環状構造を持つため非晶質となり易く、透明性が高い。【００１３】
非晶質フッ素樹脂は、大別して、金属に対して結合可能な官能基を有する結合性フッ素樹脂と金属に対して難結合性の官能基を有する非結合性フッ素樹脂の２種類がある。ＬＥＤチップを搭載する基台表面及びＬＥＤチップを覆う部分に、結合性フッ素樹脂を用いることで、基台等の金属表面とフッ素樹脂間の結合性を高めることができる。尚、本発明において、金属に対する「結合性」という用語は、金属界面との親和性を有するという意味内容を含む。同様に、金属に対する「非結合性」という用語は、金属界面との親和性を有しないという意味内容を含む。【００１４】
一方、上記特許文献１では、末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性官能基を有する結合性の非晶質フッ素樹脂を、窒化物半導体の紫外線発光素子のパッド電極を被覆する箇所に使用した場合に、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極に夫々接続する金属電極配線間に順方向電圧を印加して紫外線発光動作を行うと、紫外線発光素子の電気的特性に劣化の生じることが報告されている。具体的には、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間に抵抗性のリーク電流経路が形成されることが確認されている。上記特許文献１によれば、非晶質フッ素樹脂が、結合性の非晶質フッ素樹脂であると、高エネルギの紫外線が照射された当該結合性の非晶質フッ素樹脂において、光化学反応により反応性の末端官能基が分離してラジカル化し、パッド電極を構成する金属原子と配位結合を起こして、当該金属原子がパッド電極から分離すると考えられ、更に、発光動作中はパッド電極間に電界が印加される結果、当該金属原子がマイグレーションを起こして、抵抗性のリーク電流経路が形成され、紫外線発光素子のｐ電極及びｎ電極間が短絡するものと考えられている。【００１５】
ところで、上述のパッド電極を構成する金属原子のマイグレーションに起因する紫外線発光素子のパッド電極間の短絡現象は、発光素子側の問題であるが、当該発光素子を搭載するサブマウント及び配線基板等の基台側の金属配線パターン間においても、高エネルギの紫外線を被曝し得る環境下では、発光素子側のパッド電極と基台側の金属配線（パッド）間を接合するはんだ材料中にスズ等の金または白金族金属よりマイグレーションし易い金属が含まれていると、当該はんだ材料を構成する金属原子のマイグレーションに起因する短絡が起こり得る。【００１６】
更に、ソルダーレジストとして一般的に用いられる樹脂組成物は、エポキシ系樹脂を主成分として含有しており、高エネルギの紫外線を被曝すると炭化する。このため、紫外線発光素子を搭載するサブマウント及び配線基板等において、当該一般的なソルダーレジストが使用されていると、紫外線を被曝し得る環境下では、基台側の金属配線パターン間が当該炭化によって短絡する虞がある。また、エポキシ系樹脂は金属配線パターン面に対して結合性を有しているため、上述の結合性の非晶質フッ素樹脂における電極間の短絡現象と同様の短絡現象が、当該サブマウント及び配線基板等の金属配線パターン間においても生じ得ると考えられる。【００１７】
本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、紫外線発光動作に伴う基台側の金属配線間の短絡を防止し、高品質、高信頼度の紫外線発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁性基材と、前記絶縁性基材の一方の面上に形成された互いに電気的に分離した２以上の金属膜と、を備えてなるフリップチップ実装を含むチップオンボード実装用、または、表面実装用の基台であって、
少なくとも前記絶縁性基材の前記一方の面側の表面に露出する表層部が、紫外線被曝によって劣化しない材質で構成され、
前記２以上の金属膜が、上面と側壁面が金または白金族金属で被覆され、且つ、１または複数の窒化物半導体発光素子または窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装してなる１または複数のサブマウントを搭載可能に、全体として、２以上の電極パッドを含む所定の平面視形状に形成され、
前記絶縁性基材の前記一方の面上において、前記金属膜で被覆されていない前記絶縁性基材の露出面と前記金属膜の側壁面との境界線に沿って、少なくとも、前記境界線と連続する前記絶縁性基材の前記露出面の隣接する２つの前記電極パッドに挟まれた第１部分と、前記第１部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面が、フッ素樹脂膜で被覆され、前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所が、前記フッ素樹脂膜で被覆されていないことを第１の特徴とする基台を提供する。【００１９】
上記第１の特徴の基台によれば、２以上の金属膜の上面の内、２以上の電極パッドとなる面が、実際に、チップ状の窒化物半導体発光素子或いはチップ状の窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装してなるサブマウント（以下、説明の容易のため、便宜的に、「被実装素子等」と称する。）の端子（ｎ側電極とｐ側電極）がはんだ付け等によって接続する箇所となるため、被実装素子等を搭載後には、基台の電極パッド上にはんだ材料が存在する。ここで、電極パッドとなる金属膜の側壁面がフッ素樹脂膜で被覆されていない場合では、当該はんだ材料は、当該側壁面に付着して、最悪の場合、対向する金属膜の側壁面間の絶縁性基材の露出面（第１部分に相当）にも付着する虞がある。被実装素子等を樹脂封止した場合、当該金属膜間に封止樹脂が充填される場合があり得る。仮に、当該封止樹脂が金属に対して結合性を呈する末端官能基を有する樹脂を含む場合、隣接する金属膜間が当該はんだ材料によって直接短絡していなくても、当該樹脂が窒化物半導体発光素子から出射された紫外線に被曝し、上述のはんだ材料を構成する金属原子のマイグレーションを誘起することにより、発光動作に伴う経時変化として当該隣接する金属膜間が短絡する可能性がある。【００２０】
一方、はんだ材料中の金属原子の基台側のマイグレーション経路は、当該はんだ材料が隣接する金属膜の電極パッドの上面に存在する場合、各金属膜の側壁面と当該側壁面間の絶縁性基材の露出面を繋げた経路となる。各金属膜の側壁面に沿った経路では、当該側壁面上は同電位であるので、電界が生じていないため、当該側壁面に沿った経路での金属原子のマイグレーションは、当該側壁面に沿った経路が長い程、生じ難くなる。【００２１】
よって、上記第１の特徴の基台によれば、上記金属膜の側壁面及び対向する金属膜の側壁面間の絶縁性基材の露出面がフッ素樹脂膜で被覆されているため、当該フッ素樹脂膜がソルダーレジストとして機能し、はんだ材料が金属膜の側壁面や対向する金属膜の側壁面間の絶縁性基材の露出面（第１部分に相当）に付着するのを未然に防止できる。つまり、はんだ材料は、金属原子のマイグレーションの生じ難い電極パッドの上面に留まるため、はんだ材料中の金属原子のマイグレーションの発生が抑制され、上記隣接する金属膜間が短絡する可能性が大幅に低下する。【００２２】
また、フッ素樹脂膜は、紫外線に対する耐性が高いため、対向する金属膜の側壁面間に仮に紫外線が入射しても劣化し難いため、フッ素樹脂以外の樹脂をソルダーレジストとして使用した場合に比べて、上記第１の特徴の基台に紫外線発光素子を搭載して成る発光装置或いは発光モジュールの信頼性を高く維持できる。【００２３】
更に、絶縁性基材の表層部が紫外線に対する耐性が高いため、絶縁性基材の前記一方の面に仮に紫外線が入射しても劣化し難いため、上記第１の特徴の基台に紫外線発光素子を搭載して成る発光装置或いは発光モジュールの信頼性を高く維持できる。【００２４】
更に、上記第１の特徴の基台によれば、上記金属膜の上面と側壁面が、高融点でイオン化傾向の低いマイグレーションしにくい金または白金族金属で被覆されているため、金属膜を構成する金属原子のマイグレーションによって隣接する金属膜間が短絡に至る可能性も確実に低減される。【００２５】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記２以上の電極パッドの内の１対の電極パッドは、前記１または複数の窒化物半導体発光素子の内の１つの窒化物半導体発光素子または前記１または複数のサブマウントの内の１つのサブマウントのｎ側電極とｐ側電極と、各別に、電気的且つ物理的に接続するように、前記絶縁性基材の表面に形成されていることが好ましい。当該好適な態様により、基台が１つの窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装するサブマウントの場合には、当該１対の電極パッドに対応する１対の金属膜を外部接続用の端子に電気的に接続することで、１つの発光素子を実装して１つの発光装置が実現する。また、基台が複数の窒化物半導体発光素子を搭載（フリップチップ実装或いはＣＯＢ実装）するサブマウント或いは配線基板の場合には、１つの発光素子に対応する１対の電極パッドを他の発光素子に対応する１対の電極パッドを、当該発光素子同士が直列或いは並列接続するように、金属膜のパターン（平面視形状）を形成することで、当該複数の窒化物半導体発光素子を実装して、全体として当該複数の窒化物半導体発光素子が、直列、並列、或いは、直並列に接続する１つの発光装置が実現する。また、基台が複数のサブマウントを表面実装する配線基板の場合においても、同様に金属膜のパターンを形成することで、全体として当該複数の窒化物半導体発光素子が、直列、並列、或いは、直並列に接続する１つの発光装置が実現する。【００２６】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記２以上の電極パッドの内の１対の電極パッドを各別に含む１対の前記金属膜の間に露出した前記絶縁性基材の露出面の内、少なくとも、１対の前記金属膜の間の距離が前記１対の電極パッド間の離間距離の最大値以下である第２部分と、前記第２部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面が、前記フッ素樹脂膜で被覆されていることが好ましい。当該好適な態様により、はんだ付けと無関係な箇所において、隣接する金属膜間が、はんだ材料によって不用意に短絡するのを効果的に防止できる。【００２７】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記フッ素樹脂膜が、含フッ素脂肪族環構造を構造単位とする重合体または共重合体で構成される非晶質フッ素樹脂を有することが好ましい。【００２８】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記フッ素樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈しない非反応性の末端官能基である第１タイプのフッ素樹脂を含むことが好ましい。当該好適な態様により、はんだ材料或いは金属膜中の金属原子のマイグレーションがより確実に抑制される。【００２９】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記フッ素樹脂膜が２層以上の積層膜で形成され、前記金属膜と接触する前記積層膜の１層目の樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含み、前記積層膜の２層目以降の樹脂膜が、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が、金属に対して結合性を呈しない非反応性の末端官能基である第１タイプのフッ素樹脂を含むことが好ましい。当該好適な態様により、反応性の末端官能基が金属原子のマイグレーションに及ぼす影響が抑制されつつ、フッ素樹脂膜と金属膜の側壁面との間の結合が強固となり、フッ素樹脂膜が剥離し難くなる。【００３０】
更に、上記第１の特徴の基台は、前記基台の外周端縁部の上面に、前記フッ素樹脂膜の下地膜として、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含む第２のフッ素樹脂膜が形成されていることを第２の特徴とする。当該第２の特徴の基台によれば、当該下地膜が、フッ素樹脂膜と基台表面（絶縁性基材の一方の面または金属膜の表面）との間のバインダーとして機能することで、フッ素樹脂膜が基台の端部で破損する等して、形成されたフッ素樹脂膜が剥離するのを防止できる。【００３１】
上記目的を達成するために、本発明は、上記第１または第２の特徴の基台をマトリクス状に複数配列してなる複数の前記基台が、１枚の板状に一体化して構成され、
前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜がマトリクス状に周期的に配列して形成され、
前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する同士間の境界線上に格子状の切断領域が設けられていることを特徴とする配線基板体を提供する。【００３２】
上記特徴の配線基板体によれば、切断領域に沿って絶縁性基材板を切断または割断することで、複数の基台が同時に得られる。【００３３】
更に、上記特徴の配線基板体は、前記切断領域に、前記フッ素樹脂膜が形成されていないことが好ましい。当該好適な態様により、切断領域に沿って絶縁性基材板を切断または割断する際に、フッ素樹脂膜の端部が破損する等して、形成されたフッ素樹脂膜が基台表面（絶縁性基材の一方の面または金属膜の表面）から剥離することが防止できる。【００３４】
上記目的を達成するために、本発明は、上記第１または第２の特徴の基台の製造方法であって、
前記絶縁性基材の前記一方の面上に前記２以上の金属膜を形成する第１工程と、
前記絶縁性基材の前記一方の面上において、前記金属膜で被覆されていない前記絶縁性基材の露出面と前記金属膜の側壁面との境界線に沿って、少なくとも、前記境界線と連続する前記絶縁性基材の前記露出面の隣接する２つの前記電極パッドに挟まれた第１部分と、前記第１部分を挟んで対向する前記金属膜の前記側壁面を、前記フッ素樹脂膜で被覆する第２工程を備えることを第１の特徴とする製造方法を提供する。【００３５】
更に、上記第１の特徴の製造方法において、前記第２工程において、前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第１マスク材料を形成し、前記第１マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第１マスク材料と前記第１マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することが好ましい。特に、前記第１マスク材料はフッ素樹脂を含まない樹脂組成物で構成され、前記第２工程において、前記第１マスク材料を、前記フッ素樹脂膜を溶解しない有機溶剤により溶解して除去することが、より好ましい。【００３６】
更に、上記第１の特徴の製造方法において、前記第２工程において、前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記金属膜の上面上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を研磨により除去することが好ましい。【００３７】
上記第１の特徴の製造方法によれば、上記第１または第２特徴を有する基台を作製できる。【００３８】
更に、上記第１の特徴の製造方法において、前記第１工程において、前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第２工程において、前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する前記単位区画間の境界線上に設けられた格子状の切断領域に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第２マスク材料を形成し、前記第２マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第２マスク材料と前記第２マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することを第２の特徴とする。【００３９】
更に、上記第１の特徴の製造方法において、前記第１工程において、前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第２工程において、少なくとも、前記絶縁性基材板上の前記基台１個分の単位区画の隣接する前記単位区画間の境界線上に設けられた格子状の切断領域と、前記金属膜の上面の少なくとも前記電極パッドを構成する箇所に、前記フッ素樹脂膜の形成を阻止する第２マスク材料を形成し、前記第２マスク材料の形成後の前記絶縁性基材の前記一方の面上に、前記フッ素樹脂膜を構成するフッ素樹脂を含む塗工液を塗布し、前記塗工液を乾燥させて前記フッ素樹脂の被膜を形成した後に、前記第２マスク材料と前記第２マスク材料上に形成された前記フッ素樹脂の被膜の一部を除去することを第３の特徴とする。【００４０】
更に、上記第２または第３の特徴の製造方法において、前記第２マスク材料はフッ素樹脂を含まない樹脂組成物で構成され、前記第２工程において、前記第２マスク材料を、前記フッ素樹脂膜を溶解しない有機溶剤により溶解して除去することが好ましい。【００４１】
更に、上記第１乃至第３の特徴の製造方法において、前記第１工程において、前記絶縁性基材となる絶縁性基材板上に、前記基台１個当たりの前記２以上の金属膜をマトリクス状に周期的に配列して形成し、
前記第１工程と前記第２工程の間に、前記切断領域とその側方領域、または、前記切断領域の側方領域に、前記フッ素樹脂膜の下地膜として、フッ素樹脂を構成する重合体または共重合体の末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基である第２タイプのフッ素樹脂を含む第２のフッ素樹脂膜を形成することを第４の特徴とする。【００４２】
更に、上記第２乃至第４の特徴の製造方法において、前記第２工程の後、前記切断領域に沿って前記絶縁性基材板を切断または割断して、個々の前記基台に分割する。【００４３】
上記第２乃至第４の特徴の製造方法によれば、上記特徴の配線基板体が作製でき、更に、上記第１または第２特徴を有する基台を複数同時に作製できる。特に、上記第４の特徴の製造方法によれば、上記第２の特徴を有する基台を複数同時に作製できる。【００４４】
また、上記第２または第３の特徴の製造方法によれば、切断領域に沿って絶縁性基材板を切断または割断する際に、フッ素樹脂膜の端部が破損する等して、形成されたフッ素樹脂膜が基台表面（絶縁性基材の一方の面または金属膜の表面）から剥離することが防止できる。
【発明の効果】
【００４５】
上記特徴の基台、配線基板体、或いは、基台の製造方法によれば、当該基台、当該配線基板体を切断または割断して得られる基台、或いは、当該基台の製造方法で作製された基台上に、チップ状の窒化物半導体紫外線発光素子を実装することにより、紫外線発光動作に伴う経時変化として基台表面の隣接する金属膜間が短絡する劣化現象が抑制され、高品質、高信頼度の紫外線発光装置が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係るサブマウントに搭載される窒化物半導体紫外線発光素子の概略の素子構造の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明に係るサブマウントに搭載される窒化物半導体紫外線発光素子の第１及び第２メッキ電極の上面視形状の一例を模式的に示す平面図である。
【図３】本発明に係るサブマウントの第１〜第３実施形態における平面視形状と断面形状を模式的に示す平面図と断面図である。
【図４】本発明に係るサブマウントの第１〜第３実施形態におけるフッ素樹脂膜形成後の要部の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明に係るサブマウントの製造方法における第１及び第２金属電極配線、リード端子及び貫通電極の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図６】本発明に係るサブマウントの製造方法における第１及び第２金属電極配線、リード端子及び貫通電極の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図７】本発明に係るサブマウントの製造方法における第１及び第２金属電極配線、リード端子及び貫通電極の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図８】本発明に係るサブマウントの製造方法におけるフッ素樹脂膜の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図９】本発明に係るサブマウントの製造方法におけるフッ素樹脂膜の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図１０】本発明に係るサブマウントの製造方法におけるフッ素樹脂膜の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図１１】本発明に係るサブマウントの製造方法におけるフッ素樹脂膜の形成工程の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
【図１２】本発明に係るサブマウントに窒化物半導体紫外線発光素子をフリップチップ実装し、樹脂封止した状態を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明に係るサブマウントの第３実施形態における要部の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明に係るサブマウントの第４実施形態における平面視形状と断面形状を模式的に示す平面図と断面図である。
【図１５】本発明に係るサブマウントの第４実施形態におけるフッ素樹脂膜形成後の要部の断面構造を模式的に示す断面図である。
【図１６】本発明に係る配線基板の第５実施形態における平面視形状と断面形状を模式的に示す平面図と断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
本発明に係る基台、配線基板体、及び、基台の製造方法の実施の形態につき、図面に基づいて説明する。尚、以下の説明で使用する図面では、説明の理解の容易のために、要部を強調して発明内容を模式的に示しているため、各部の寸法比は必ずしも実物と同じ寸法比とはなっていない。以下の記載において、適宜、本発明に係る基台及びその製造方法を「本基台」及び「本製造方法」と略称し、本発明に係る配線基板体を単に「配線基板体」と称する。尚、本基台は、本明細書において、下記のサブマウント及び配線基板の両方を包含するパッケージ形態である。
【００４８】
本明細書において、「サブマウント」という用語は、チップ状の窒化物半導体発光素子を搭載する基板の一種であって、絶縁性基材の表面に当該発光素子の電極と電気的な接続を形成するための金属配線パターンが形成されており、当該発光素子を搭載して当該電気的接続を確立することで、発光装置或いは発光モジュールが構成されるパッケージの一形態を意味する。また、サブマウントに搭載されるチップ状の発光素子の個数は１つに限らず複数であっても良く、チップ状の発光素子に加えて、発光素子でないダイオード等の他の電気回路部品を搭載する構成であっても良い。
【００４９】
また、「配線基板」という用語は、日本工業規格（ＪＩＳ−Ｃ−５６０３）で規定されている「プリント配線板」と同義であり、絶縁性基材の表面に、チップ状の窒化物半導体発光素子を含む複数の電気回路部品の各端子と電気的な接続を形成するための金属配線パターンが形成されており、当該部品を搭載して当該電気的接続を確立することで、所定の電気回路が構成されるパッケージの一形態を意味する。本実施形態では、当該電気回路部品には、チップ状の窒化物半導体発光素子、上述のチップ状の窒化物半導体発光素子を搭載したサブマウント、及び、他の電気回路部品が含まれ、当該電気回路部品として実際に搭載する部品は、これらの内の何れか１種類以上となる。
【００５０】
尚、本明細書において、チップ状の窒化物半導体発光素子とは、複数の窒化物半導体発光素子をマトリクス状に配列してなる窒化物半導体ウェハを個々の窒化物半導体発光素子に分割した素子、所謂ベアチップである。また、本願において、単に「窒化物半導体発光素子」と称している場合は、チップ状の窒化物半導体発光素子を意味する。また、以下の各実施形態では、窒化物半導体発光素子（以下、単に「発光素子」と称す）が、中心発光波長が３６５ｎｍ以下の紫外線発光ダイオードを想定して説明する。
【００５１】
〈第１実施形態〉
本基台の一実施形態として、１つの窒化物半導体発光素子をフリップチップ実装するためのサブマウントについて説明する。
【００５２】
サブマウントについて説明する前に、サブマウントに搭載する発光素子について簡単に説明する。
【００５３】
発光素子１は、図１に示すように、テンプレート２、半導体積層部３、ｐ電極４、ｎ電極５、絶縁保護膜６、第１メッキ電極７、第２メッキ電極８、及び、フッ素樹脂膜９を備えて構成される。尚、図１は、図２の平面図のＡ−Ａ’に沿ったテンプレート２の表面に対して垂直な断面図である。
【００５４】
テンプレート２は、例えば、サファイア（０００１）基板上にＡｌＮ層とＡｌＧａＮ層を成長して形成され、活性層からの紫外線発光を透過可能に構成されている。半導体積層部３は、テンプレート２上に形成され、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を備えたメサ部を備え、メサ部以外では、前記ｎ型半導体層が露出している。ｎ型半導体層は１層以上のｎ型ＡｌＧａＮ層からなり、活性層からの紫外線発光を透過可能に構成されている。活性層は、例えば、単層量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成されている。ｐ型半導体層は、１層以上のｐ型ＡｌＧａＮ層またはｐ型ＧａＮ層からなる。ｐ電極４は、１層以上の金属膜からなり、ｐ型半導体層の上面に形成され、ｐ型半導体層と電気的に接続している。ｎ電極５は、１層以上の金属膜からなり、ｎ型半導体層の露出面上に形成され、ｎ型半導体層と電気的に接続している。絶縁保護膜６は、半導体積層部３のメサ部の上面と側面、及び、ｎ型半導体層の露出面を覆うように形成され、且つ、ｐ型半導体層の上面の少なくとも一部とｎ型半導体層の露出面の一部を露出する開口部を有する。
【００５５】
第１メッキ電極７は、前記メサ部の上面及び側面と前記メサ部の外側領域の一部を、絶縁保護膜６を介して覆うとともに、絶縁保護膜６の開口部を介してｐ電極４と電気的に接続する。第２メッキ電極８は、前記メサ部の外側領域の他の一部において、絶縁保護膜６の開口部を介してｎ電極５と電気的に接続する。第１及び第２メッキ電極７，８は、一例として、銅の電解メッキで形成された本体部と、当該本体メッキ部の上面及び側面を被覆する無電解メッキで形成された最表面が金の１層以上の金属層からなる表面メッキ部からなる。第１及び第２メッキ電極７，８は、一例として、７５μｍ以上好ましくは１００μｍ以上、相互に離間しており、何れも上面が平坦化され、同じ高さに揃えられている。絶縁保護膜６の表面を基準とする第１及び第２メッキ電極７，８の高さは、例えば、４５〜１００μｍ程度である。図２に、第１及び第２メッキ電極７，８の上面視形状を示す。図２中、破線で示されているのは、半導体積層部３のメサ部の外周ラインである。
【００５６】
フッ素樹脂膜９は、第１及び第２メッキ電極７，８の側壁面と、第１及び第２メッキ電極７，８の各外側領域に露出する保護絶縁膜６の上面を被覆している。尚、発光素子１のチップ周縁部は、必ずしもフッ素樹脂膜９で被覆されていなくても良い。フッ素樹脂膜９は、サブマウント側に設けるフッ素樹脂膜と同じ機能を有し、同じ素材を使用することができる。よって、フッ素樹脂膜９については、重複する説明は割愛する。
【００５７】
次に、本実施形態に係るサブマウント１０について説明する。図３は、サブマウント１０の平面視形状を示す平面図（Ａ）と、当該平面図（Ａ）におけるサブマウント１０の中心を通過するサブマウント１０の表面に垂直な断面での断面形状を示す断面図（Ｂ）である。サブマウント１０の一辺の長さは、１つの発光素子１を搭載して、その周囲に封止樹脂を形成できる余裕があれば、特定の値に限定されるものではない。一例として、平面視正方形のサブマウント１０の一辺の長さは、例えば、搭載する同じく平面視正方形の発光素子１のチップサイズ（一辺の長さ）の１．５〜２倍程度以上が好ましい。尚、サブマウント１０及び発光素子１の平面視形状は正方形に限定されるものではない。
【００５８】
サブマウント１０は、絶縁性セラミックス等の絶縁材料からなる平板状の基材１１（絶縁性基材に相当）を備え、基材１１の表面側に、アノード側の第１金属電極配線１２とカソード側の第２金属電極配線１３が夫々形成されてなり、基材１１の裏面側にリード端子１４，１５が形成されている。基材１１の表面側の第１及び第２金属電極配線１２，１３は、上記基材１１に設けられた貫通電極（図示せず）を介して、基材１１の裏面側のリード端子１４，１５と、各別に接続している。サブマウント１０を別の配線基板等の上に載置する場合に、当該配線基板上の金属配線とリード端子１４，１５との間で電気的な接続が形成される。また、リード端子１４，１５は、基材１１の裏面の略全面を覆い、ヒートシンカーの機能を果たしている。第１及び第２金属電極配線１２，１３が金属膜に相当する。
【００５９】
第１及び第２金属電極配線１２，１３は、図３に示すように、基材１１の中央部分の発光素子１が搭載される箇所及びその周囲に形成され、互いに離間して配置され、電気的に分離している。第１金属電極配線１２は、第１電極パッド１２０とそれに接続する第１配線部１２１で構成される。また、第２金属電極配線１３は、４つの第２電極パッド１３０とそれらに接続する第２配線部１３１で構成される。第１電極パッド１２０は、発光素子１の第１メッキ電極７の平面視形状より僅かに大きい平面視形状を有し、基材１１の中央部分の中心に位置している。第２電極パッド１３０の平面視形状及び配置は、第１メッキ電極７が第１電極パッド１２０と対面するように発光素子１を配置した場合に、４つの第２メッキ電極８が４つの第２電極パッド１３０と夫々対面するように設定されている。図３（Ａ）において、第１電極パッド１２０と第２電極パッド１３０に夫々ハッチングを付している。
【００６０】
本実施形態では、サブマウント１０の基材１１は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の紫外線被曝によって劣化しない絶縁材料で形成される。尚、基材１１は、放熱性の点でＡｌＮが好ましいが、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、または、窒化ホウ素（ＢＮ）であっても良く、また、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミックスであっても良い。また、基材１１は、上記絶縁材料の無垢材に限らず、シリカガラスをバインダーとして上記絶縁材料の粒子を密に結合させた焼結体でも良く、更に、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）薄膜、工業用ダイヤモンド薄膜等でも良い。
【００６１】
尚、サブマウント１０が、基材１１の裏面側にリード端子１４，１５を設けない構成の場合、基材１１は、絶縁材料だけで構成するのではなく、金属膜（例えば、Ｃｕ、Ａｌ等）と上述の絶縁材料からなる絶縁層の積層構造としても良い。
【００６２】
基材１１の表面は、例えば、最大６μｍ程度の凹凸のある粗面であるのが好ましい。これは、発光素子を後述する封止樹脂で封止した際に、当該粗面により、封止樹脂と基材１１の表面の間の接着性を高めるアンカー効果が期待できるからである。当該基材１１の表面の粗面は、例えば、ナノインプリント等による粗面化処理を施して形成しても良く、或いは、基材１１の表面が未研磨で、例えば、最大６μｍ程度の凹凸が残存している粗面をそのまま使用して良い。
【００６３】
第１及び第２金属電極配線１２，１３は、一例として、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成される。厚膜メッキ膜は、銅以外に、銅を主成分とし、鉛（Ｐｂ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ベリリウム（Ｂｅ）等の金属を含む合金で形成しても良いが、合金とすることで熱伝導率が低下するため、銅で形成するのが好ましい。当該表面金属膜の最外層は、厚膜メッキ膜を構成する銅よりイオン化傾向の小さい金属（例えば、金（Ａｕ）または白金族金属（Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ、または、これらの内の２以上の合金）または金と白金族金属の合金）で構成される。当該表面金属膜は、一例として、下から順に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの３層の金属膜で構成され、周知の無電解メッキ法で成膜される。銅の厚膜メッキ膜の膜厚は、例えば、５０〜１００μｍ程度である。上記Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの各層の膜厚は、例えば、下から順に、３〜７．５μｍ／５０〜１５０ｎｍ／５０〜１５０ｎｍである。上記一例では、第１及び第２金属電極配線１２，１３は、発光素子１側の第１及び第２メッキ電極７，８と、平面視形状を除き、ほぼ同じ構成（多層構造）となる。
【００６４】
本実施形態では、基材１１の裏面側のリード端子１４，１５も、基材１１の表面側の第１及び第２金属電極配線１２，１３と同様に、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成される。リード端子１４，１５の厚膜メッキ膜と表面金属膜の構成は、本実施形態では、第１及び第２金属電極配線１２，１３と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【００６５】
本実施形態では、図４に示すように、第１及び第２金属電極配線１２，１３の各側壁面、及び、第１及び第２金属電極配線１２，１３間の間隙部の底面に露出した基材１１の表面を被覆するようにフッ素樹脂膜１６が形成されている。フッ素樹脂膜１６は、発光素子１側に設けたフッ素樹脂膜９、及び、発光素子１をフリップチップ実装する際に、樹脂封止に使用する封止樹脂と同じ、非晶質フッ素樹脂で形成される。一般的には、非晶質のフッ素樹脂としては、結晶性ポリマーのフッ素樹脂を共重合化してポリマーアロイとして非晶質化させたものや、パーフルオロジオキソールの共重合体（デュポン社製の商品名テフロンＡＦ（登録商標））やパーフルオロブテニルビニルエーテルの環化重合体（旭硝子社製の商品名サイトップ（登録商標））が挙げられる。尚、本実施形態でフッ素樹脂膜１６に使用する非晶質フッ素樹脂については、フッ素樹脂膜１６の形成工程の説明で詳述する。
【００６６】
尚、フッ素樹脂膜１６は、第１及び第２金属電極配線１２，１３の各側壁面、及び、第１及び第２金属電極配線１２，１３間の間隙部の底面に露出した基材１１の表面の全てを被覆する必要はなく、少なくとも、上記間隙部の底面の内、第１電極パッド１２０と４箇所の第２電極パッド１３０に挟まれた箇所（第１部分に相当）と、当該第１部分を挟んで対向する第１及び第２金属電極配線１２，１３の側壁面を被覆するのが好ましい。更に、当該第１部分以外でも、第１及び第２金属電極配線１２，１３の離間距離が第１電極パッド１２０と４箇所の第２電極パッド１３０の離間距離の最大値以下である箇所（第２部分に相当）が存在する場合は、上記間隙部の底面の当該第２部分と、当該第２部分を挟んで対向する第１及び第２金属電極配線１２，１３の側壁面を被覆するのがより好ましい。更に、第１及び第２金属電極配線１２，１３の離間距離が、例えば、第１及び第２金属電極配線１２，１３間に印加される電圧１Ｖ当たり１００μｍ以下の箇所（第３部分：例えば、当該印加電圧が５Ｖの場合は、離間距離５００μｍ以下の箇所）が存在する場合は、上記間隙部の底面の当該第３部分と、当該第３部分を挟んで対向する第１及び第２金属電極配線１２，１３の側壁面を被覆するのがより好ましい。
【００６７】
次に、サブマウント１０の製造方法（本製造方法）について、図５〜図１１を参照して説明する。本実施形態では、複数のサブマウント１０がマトリクス状に配列して１枚の板状に一体化された配線基板体２０を先ず作製し、当該配線基板体２０を切断または割断して、個々のサブマウント１０を作製する。
【００６８】
以下の説明において、配線基板体２０の基材２１（絶縁性基材板に相当）は、サブマウント１０の基材１１に対応し、配線基板体２０の第１及び第２金属電極配線２２，２３、リード端子２４，２５、及び、貫通電極２７は、サブマウント１０の第１及び第２金属電極配線１２，１３、リード端子１４，１５、及び、貫通電極が、基材２１の表面側、裏面側、及び、内部において、マトリクス状に周期的に配列して形成されたものに相当する。また、配線基板体２０のフッ素樹脂膜２６は、サブマウント１０のフッ素樹脂膜１６が、基材２１の表面側において、マトリクス状に周期的に配列して形成されたものに相当する。基材２１には、配線基板体２０を切断または割断して個々のサブマウント１０に分割する切断領域ＲＣが、隣接するサブマウント１０間の境界線上に格子状に設定されている。切断領域ＲＣの幅は、例えば、１００〜３００μｍ程度が好ましい。
【００６９】
本製造方法は、配線基板体２０の主たる製造工程として、基材２１の表面側の第１及び第２金属電極配線２２，２３、基材２１の裏面側のリード端子２４，２５、及び、貫通電極２７の製造工程（第１製造工程）と、フッ素樹脂膜２６の製造工程（第２製造工程）を備える。
【００７０】
第１製造工程の前処理工程として、必要に応じて、例えば、上述の最大６μｍ程度の凹凸のある粗面を形成するために、基材２１の表面側に粗面化処理を行う。基材２１の表面が、既にある程度の粗面状態（例えば、上述の最大６μｍ程度の凹凸のある粗面）である場合、更に、基材２１の表面でのアンカー効果以外に封止樹脂に対するアンカー効果が別途担保できる場合等には、上記粗面化処理は必ずしも必要ではない。
【００７１】
第１製造工程では、先ず、基材２１の貫通電極２７が形成される箇所にレーザ加工等により、第１及び第２金属電極配線１２，１３の夫々に対して少なくとも１箇所ずつ貫通孔２８を形成する。第１及び第２金属電極配線１２，１３の１つ当たりの貫通孔２８の個数は、搭載する発光素子１に流れる順方向電流に応じて定まる必要数以上となる。図５に示す例では、貫通孔２８の開口部は基材２１の表面側の方が裏面側より大きく、貫通孔２８の開口径（直径）は、例えば、表面側で５０〜７５μｍ程度、裏面側で２５〜５０μｍ程度が好ましい。尚、貫通孔２８の開口部は基材２１の裏面側の方が表面側より大きくても構わない。また、各開口径も、上記好適範囲に限定されるものではない。引き続き、図５に示すように、電解メッキの給電用のシード膜２９となる膜厚が約１０〜１００ｎｍのＮｉ膜またはＴｉ／Ｃｕ膜を、基材２１の表面側と裏面側、及び、貫通孔２８の内壁面に、スパッタリング等で成膜する。尚、シード膜２９は、基材２１に対する接着性と、第１及び第２金属電極配線２２，２３及びリード端子２４，２５の各厚膜メッキ膜（本実施形態では銅）に対する接着性を備えた導電性材料であれば、Ｎｉ膜やＴｉ／Ｃｕ膜に限定されるものではない。
【００７２】
引き続き、基材２１の表面側と裏面側のシード膜２９上にメッキ用の感光性シートフィルム３０を貼付する。ここで、貫通孔２８の基材２１の表面側と裏面側の開口部は感光性シートフィルム３０で遮蔽される。第１及び第２金属電極配線２２，２３とリード端子２４，２５を形成する箇所の当該フィルム３０を、フォトリソグラフィ技術により露光と現像を行って除去し、シード膜２９を露出させる。尚、貫通孔２８の基材２１の表面側と裏面側の開口部を遮蔽していた感光性シートフィルム３０も除去されるため、貫通孔２８の内壁面のシード膜２９も露出する。
【００７３】
引き続き、図６に示すように、シード膜２９に給電して、電解メッキ法により、基材２１の表面側と裏面側及び貫通孔２８内に露出したシード膜２９上に、銅の厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０が形成され、夫々が、第１及び第２金属電極配線２２，２３の厚膜メッキ膜、リード端子２４，２５の厚膜メッキ膜、貫通電極２７の厚膜メッキ膜に対応する。
【００７４】
引き続き、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０で覆われていないシートフィルム３０を有機溶剤等で除去し、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０で覆われていないシード膜２９を、ウェットエッチング等により除去する。
【００７５】
厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０の成膜直後の基材２１の表面側と裏面側の各膜厚は概ね均一であるが、基材２１の表面の凹凸状態や電解メッキ法でシード膜２９に対して印加される電界の強さの位置による変動等に起因するバラツキがある。このため、同じサブマウント１０内の第１及び第２電極パッド１２０，１３０に対応する厚膜メッキ膜２２０，２３０の膜厚に一定以上のバラツキがある場合等では、必要に応じて、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０の表面に対して、ＣＭＰ（化学機械研磨）法または種々の機械研磨法等の周知の研磨処理を行う。研磨処理を行う場合、研磨後の厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０の各膜厚が、例えば、上述の５０〜１００μｍ程度であれば良い。尚、上述のシートフィルム３０とシード膜２９の除去は、上記研磨処理後に行うこともできる。
【００７６】
厚膜メッキ膜２７０の成膜直後の貫通孔２８の基材２１の表面側と裏面側の開口部は、厚膜メッキ膜２７０によって閉塞しているのが好ましい。しかし、例えば、直径６〜１５μｍ程度の開口であれば、後述する表面金属膜によって閉塞されるため、問題はない。
【００７７】
また、貫通孔２８の基材２１の表面側と裏面側の開口部は、厚膜メッキ膜２７０によって閉塞している場合、或いは、表面金属膜の形成後に閉塞する場合において、当該開口部が、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０に対して窪みとなる場合、当該窪みが何らかの影響を及ぼす可能性がある場合等には、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０の表面に対して、当該窪みを除去するように上述の研磨処理を行っても良い。
【００７８】
引き続き、上記厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０の成膜後、或いは、上記研磨処理を行った場合には、当該研磨処理後に、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０の上面及び側壁面の各露出面上に、例えば、下から順に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの３層の金属膜からなる表面金属膜２２１，２３１，２４１，２５１，２７１を、湿式メッキ法である周知の無電解メッキ法で成膜する。Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの各層の膜厚は、例えば、下から順に、３〜７．５μｍ／５０〜１５０ｎｍ／５０〜１５０ｎｍである。尚、
【００７９】
以上の第１製造工程により、図７に示すように、配線基板体２０に対して、第１及び第２金属電極配線２２，２３、リード端子２４，２５、及び、貫通電極２７が形成される。尚、図７では、上述の研磨処理を行って、第１及び第２金属電極配線２２，２３、リード端子２４，２５の各上面が平坦化されている場合を模式的に図示している。
【００８０】
次に、第２製造工程について説明する。先ず、図８に示すように、フッ素樹脂膜２６の形成を阻止するマスク材料３１を、基材２１の表面側において、フッ素樹脂膜２６を形成しない箇所（以下、適宜、「マスク箇所」と称す）に、インクジェット方式、ディスペンス方式、または、スクリーン印刷等により塗布する（工程Ａ１）。本実施形態では、当該マスク箇所には、少なくとも、切断領域ＲＣと、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面の各サブマウント１０の第１及び第２電極パッド１２０，１３０が含まれる。切断領域ＲＣを含むマスク箇所の幅は、切断領域ＲＣより大きくても良い。また、第１及び第２電極パッド１２０，１３０を含むマスク箇所は、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面内であれば、第１及び第２電極パッド１２０，１３０より広くても良い。更に、当該マスク箇所に、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の間隙部の底面に露出した基材２１の表面の内、少なくとも、上記第１部分を除く箇所、好ましくは、上記第１部分と第２部分を除く箇所、または、上記第１部分と第３部分を除く箇所、より好ましくは、上記第１、第２及び第３部分を除く箇所が含まれていても良い。
【００８１】
マスク材料３１は、フッ素樹脂を含まないバインド樹脂（アクリル樹脂、エポキシ樹脂、セルロース系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、等）と有機溶剤と必要に応じて選択される添加物を混錬して得られる樹脂組成物であり、例えば、スクリーン印刷用のインク等が使用可能である。塗布後、加熱或いは紫外線照射等により、マスク材料３１を上記マスク箇所に固着させる（工程Ａ２）。この場合、マスク材料３１は、塗布時にマスク箇所でない第１及び第２金属電極配線２２，２３の側壁面を垂れ落ちない程度の粘度（１〜１００Ｐａ・ｓ）であるのが好ましい。尚、マスク材料３１は、塗布時に、側壁面を垂れ落ちても、側壁面の上端部を僅かに覆う程度であれば問題はない。また、マスク材料３１は、顔料や染料によって着色しておくことで、上記マスク箇所にマスク材料３１が正しく転写されたか否かを目視或いは光学的に検査するのに都合が良い。
【００８２】
引き続き、図９に示すように、マスク材料３１が形成された基材２１の表面側の全面に、フッ素樹脂膜２６となるフッ素樹脂を溶媒で希釈した塗工液２６０を注入する（工程Ａ３）。塗工液２６０の注入量は、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面を覆い、且つ、第１及び第２金属電極配線２２，２３上のマスク材料３１が塗工液２６０で僅かに覆われるか、或いは、覆われない程度とし、塗工液２６０が、マスク箇所以外の第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面と側壁面、及び、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の間隙部の底面に露出した基材２１の露出面を被覆するように注入する。尚、基材２１の表面側への塗工液２６０の注入は、特定の方式に限定されるものではないが、例えば、インクジェット方式、ディスペンス方式、ポッティング方式、スピンコート方式等により行う。
【００８３】
引き続き、図１０に示すように、塗工液２６０を徐々に加熱しながら溶媒を蒸発させて、フッ素樹脂膜２６の原型となる樹脂膜２６１を、基材２１の表面側の凹凸状態に沿って、基材２１の表面側に形成する（工程Ａ４）。この時、塗工液２６０中のフッ素樹脂の濃度に応じて、塗工液２６０の上面の高さが上記凹凸状態に沿って徐々に低下して、マスク箇所以外の第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面と側壁面、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の間隙部に露出した基材２１の露出面を被覆するように、当該原型樹脂膜２６１が形成される。当該原型樹脂膜２６１は、マスク材料３１の上面及び側面にも形成され得る。尚、当該原型樹脂膜２６１は、第１及び第２金属電極配線２２，２３の側壁面及び間隙部の底面等を密に被覆していれば十分で、膜厚を不必要に厚くする必要はなく、例えば、数原子層（１０ｎｍ程度）の厚さでも良い。また、当該膜厚は、塗工液２６０中のフッ素樹脂の濃度及び原型樹脂膜２６１の形成箇所に応じて定まり、例えば、０．１〜１μｍ程度とするのが好ましい。
【００８４】
引き続き、原型樹脂膜２６１の形成後に、マスク材料３１を、マスク材料３１を溶解する有機溶媒（例えば、アセトン等）で溶解する（工程Ａ５）。この時、当該有機溶媒は、原型樹脂膜２６１を構成するフッ素樹脂は溶解せず、一方で、当該フッ素樹脂を透過してマスク材料３１を溶解する有機溶媒を使用する。溶解したマスク材料３１を洗浄して除去すると、マスク材料３１の上面を覆っていた原型樹脂膜２６１が同時に除去される。この結果、図１１に示すように、マスク箇所以外の第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面と側壁面、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の間隙部に露出した基材２１の露出面を被覆するフッ素樹脂膜２６が形成される（工程Ａ６）。フッ素樹脂膜２６の形成箇所は、マスク材料３１によって被覆されていなかった箇所となる。
【００８５】
フッ素樹脂膜２６は、発光素子１をフリップチップ実装する際のはんだ付けにおいて、はんだ材料が、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の上記第１部分、或いは、第２部分、或いは、第３部分に付着するのを防止するハンダレジスト材として使用され、はんだ材料の金属原子のマイグレーションにより両電極配線間の短絡を防止することができる。
【００８６】
次に、フッ素樹脂膜２６の形成に使用する塗工液２６０について簡単に説明する。発光素子１をフリップチップ実装して得られる発光装置では、活性層から出射した紫外線は、テンプレート２を通過して、サファイア基板の裏面側から出射され、封止樹脂を通過して外部に放射される。よって、フッ素樹脂膜２６の形成箇所は、当該紫外線が出射されるサファイア基板の裏面とは反対の発光素子１の上面側に位置するため、封止樹脂に使用する紫外線に対して透明なフッ素樹脂である必要性はない。
【００８７】
しかし、フリップチップ実装時の樹脂封止処理において、フッ素樹脂膜２６の形成後に第１及び第２金属電極配線２２，２３の間の間隙部に残存する空隙にも、封止樹脂が充填されるため、本実施形態では、塗工液２６０に使用するフッ素樹脂として、封止樹脂として好適に用いられる非晶質フッ素樹脂を用いる。
【００８８】
非晶質フッ素樹脂は、大別して、末端官能基が金属に対して結合性を呈しない非反応性の官能基を有する非結合性フッ素樹脂（第１タイプの非晶質フッ素樹脂）と、末端官能基が金属に対して結合可能な反応性の官能基を有する結合性フッ素樹脂（第２タイプの非晶質フッ素樹脂）との２種類がある。本実施形態では、一態様例として、金属原子のマイグレーションの抑制効果の高い第１タイプの非晶質フッ素樹脂を使用する。
【００８９】
当該第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、より具体的には、重合体または共重合体を構成する構造単位が含フッ素脂肪族環構造を有し、上記末端官能基がＣＦ３等のパーフルオロアルキル基である。つまり、第１タイプの非晶質フッ素樹脂は、上記金属に対して結合性を呈する反応性の末端官能基を有していない。一方、上記第２タイプの非晶質フッ素樹脂の当該反応性の官能基は、一例として、カルボキシル基（ＣＯＯＨ）またはエステル基（ＣＯＯＲ）である。但し、Ｒはアルキル基を表す。
【００９０】
また、含フッ素脂肪族環構造を有する構造単位としては、環状含フッ素単量体に基づく単位（以下、「単位Ａ」）、または、ジエン系含フッ素単量体の環化重合により形成される単位（以下、「単位Ｂ」）が好ましい。尚、非晶質フッ素樹脂の組成及び構造は、本願発明の本旨ではないため、当該単位Ａ及び単位Ｂに関する詳細な説明は割愛するが、当該単位Ａ及び単位Ｂに関しては、本願と同じ出願人による特許文献１の段落［００３１］〜［００６２］に詳細に説明されているので、参照されたい。
【００９１】
塗工液２６０は、第１タイプの非晶質フッ素樹脂を、含フッ素溶媒、好ましくは、非プロトン性含フッ素溶媒に溶解して作製される。当該含フッ素溶媒についても、特許文献１の段落［００６７］〜［００７３］に詳細に説明されているので、参照されたい。尚、塗工液２６０中の第１タイプの非晶質フッ素樹脂の濃度は、フッ素樹脂膜２６が上述の膜厚（０．１〜１μｍ程度）となるように調整される。
【００９２】
第１タイプの非晶質フッ素樹脂の市販品の一例として、サイトップ（旭硝子社製）等が挙げられる。尚、末端官能基がＣＦ３であるサイトップは、下記の化１に示す上記単位Ｂの重合体である。
【００９３】
【化１】
2017022755.tif 000003
【００９４】
以上の工程を経て、第１及び第２金属電極配線２２，２３、リード端子２４，２５、貫通電極２７、及び、フッ素樹脂膜２６を備えた配線基板体２０が完成する。
【００９５】
配線基板体２０が完成した時点では、複数のサブマウント１０がマトリクス状に配列して１枚の板状に一体化された状態であるので、所定の検査工程を経て、レーザ加工等の周知の切断または加工技術によって、基材２１を、切断領域ＲＣに沿って切断、または、切断領域ＲＣに割断用の溝を形成してから割断することで、個々のサブマウント１０が得られる。
【００９６】
尚、基材２１を切断または割断する前に、発光素子１を、配線基板体２０の各サブマウント１０にフリップチップ実装し、封止樹脂で封止して、必要に応じて所定の検査工程を行うようにしても良い。
【００９７】
発光素子１は、第１及び第２メッキ電極７，８の各上面を下向きにして、第１メッキ電極７と第１電極パッド１２０、４つの第２メッキ電極８と４つの第２電極パッド１３０が、夫々対向してはんだ付けにより電気的及び物理的に接続して、基材１１の中央部分上に載置され固定されている。図１２に、サブマウント１０に発光素子１をフリップチップ実装し、封止樹脂１７で封止した状態を示す。図１２では、一例として、封止樹脂１７の上面は、封止樹脂１７と同じフッ素樹脂製の集光性のレンズ１８で覆われている。フッ素樹脂製のレンズ１８は、例えば射出成形、トランスファー成形、圧縮成形等により、形成できる。当該各成形用の成形型は、金属型、シリコーン樹脂型、または、これらの組み合わせを使用できる。また、レンズ１８は、フッ素樹脂製に限らず、発光素子１の発光波長に適合した紫外線透過性を有する他の材料であっても良く、好ましくは、封止樹脂１７との屈折率差が小さいものが良いが、例えば、石英ガラス製でも使用できなくはない。レンズ１８は、集光性レンズ以外に、使用目的に応じて光を拡散させるレンズであっても良く、また、必ずしも設ける必要はない。
【００９８】
〈第２実施形態〉
次に、上記第１実施形態の一変形例として、サブマウント１０及び配線基板体２０の別実施形態について説明する。第２実施形態に係るサブマウント１０及び配線基板体２０は、第１実施形態と同じ素子構造を有するが、配線基板体２０の製造方法の第２製造工程（フッ素樹脂膜２６の製造工程）の細部において第１実施形態と相違する。以下、第２製造工程の相違する箇所について説明する。
【００９９】
第１実施形態の第２製造工程では、工程Ａ１及びＡ２により、基材２１の表面側において、所定のマスク箇所にフッ素樹脂膜２６の形成を阻止するフッ素樹脂を含まないマスク材料３１を塗布したが、第２実施形態では、工程Ａ１及びＡ２を実施せず、つまり、所定のマスク箇所にフッ素樹脂膜２６の形成を阻止するマスク材料３１を形成せずに、更に、工程Ａ３を実施せず、つまり、基材２１の表面側の全面に、塗工液２６０を注入せずに、フッ素樹脂膜２６の形成が必要な箇所に、例えば、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の上記第１部分、好ましくは、上記第１部分と第２部分、または、上記第１部分と第３部分、より好ましくは、上記第１、第２及び第３部分に、例えば、インクジェット方式により、局所的に、塗工液２６０を注入する（工程Ｂ３）。塗工液２６０の注入量は、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面を覆わずに、上記第１部分等の注入箇所の第１及び第２金属電極配線２２，２３の側壁面の少なくとも下端側を覆う程度とし、必ずしも、当該側壁面の上端までの全面を覆う必要はない。
【０１００】
工程Ｂ３により局所的に塗工液２６０を注入した後、第１実施形態で説明した工程Ａ４を同じ要領で実行する。第２実施形態では、工程Ａ５及びＡ６は不要である。これにより、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の上記第１部分、または、上記第１部分と第２部分、または、上記第１部分と第３部分、または、上記第１、第２及び第３部分等を含む塗工液２６０の注入箇所の第１及び第２金属電極配線２２，２３の間隙部の底面、及び、当該底面を挟んで対向する第１及び第２金属電極配線１２，１３の側壁面の下端部を被覆するフッ素樹脂膜２６が形成される。
【０１０１】
第２実施形態では、塗工液２６０の注入量が局所的に増大すると当該箇所近傍において、塗工液２６０が、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面を被覆する可能性がある。仮に、塗工液２６０が、第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面を被覆した場合には、工程Ａ６の実行後に、ＣＭＰ（化学機械研磨）法または種々の機械研磨法等の周知の研磨方法で、第１及び第２金属電極配線２２，２３の表面金属膜２２１，２３１の最外面が露出し、最外層の金属（Ａｕ）が第１及び第２金属電極配線２２，２３の上面に残存するように、当該上面を被覆するフッ素樹脂膜２６を除去する（工程Ａ７）。
【０１０２】
尚、第２実施形態では、工程Ａ７の研磨処理を行った場合は、表面金属膜２２１，２３１の最外層の金属がある程度研磨され薄膜化するため、表面金属膜２２１，２３１を無電解メッキで成膜する際に、最外層の膜厚を第１及び第２実施形態より厚くするのが好ましい。また、表面金属膜２２１，２３１の最外層の膜厚を第１及び第２実施形態より厚くする代わりに、或いは、追加して、工程Ａ７の研磨後に、表面金属膜２２１，２３１の露出面に、最外層の金属（Ａｕ）を無電解メッキで再度成膜しても良い。
【０１０３】
〈第３実施形態〉
次に、上記第１実施形態の一変形例として、サブマウント１０及び配線基板体２０の別実施形態について、図１３を参照して説明する。上記第１実施形態のサブマウント１０及び配線基板体２０では、切断領域ＲＣを含むマスク箇所に、マスク材料３１を形成して、フッ素樹脂膜２６が、少なくとも切断領域ＲＣに形成されないようにした。これにより、配線基板体２０の基材２１を切断領域ＲＣに沿って切断或いは割断した際に、分割された個々のサブマウント１０の外周端部において、フッ素樹脂膜２６の外周端が損傷を受けて剥離するのが未然に防止できる。
【０１０４】
第３実施形態では、上記第１実施形態の第２製造工程において、先ず、切断領域ＲＣとその側方領域上に、フッ素樹脂膜２６の下地膜として、第１タイプの非晶質フッ素樹脂を使用するフッ素樹脂膜２６より金属との結合性の高い上記第２タイプの非晶質フッ素樹脂から成る、或いは、上記第２タイプの非晶質フッ素樹脂を主として含む第２のフッ素樹脂膜３２を、例えば、インクジェット方式等により形成する（工程Ｃ１）。引き続き、マスク材料３１を、少なくとも切断領域ＲＣに形成せずに、つまり、切断領域ＲＣを含まないマスク箇所を設定して、第２製造工程の工程Ａ１及びＡ２を実行する。その後、第１実施形態で説明した工程Ａ３〜Ａ６を実行する。第２のフッ素樹脂膜３２の膜厚は、不必要に厚くする必要はなく、フッ素樹脂膜２６の膜厚より薄くても良く、例えば、単層分子層の厚さでも良く、０．０１〜０．５μｍ程度とするのが好ましい。
【０１０５】
この結果、第３実施形態では、図１３に示すように、切断領域ＲＣとその側方領域上にも、第２のフッ素樹脂膜３２を介して、フッ素樹脂膜２６が形成される。しかし、配線基板体２０を切断領域ＲＣに沿って切断或いは割断した際に、分割された個々のサブマウント１０の外周端部において、フッ素樹脂膜２６の外周端が損傷を受けても、上記第２のフッ素樹脂膜３２がバインダーとなって、配線基板体２０の外周端において剥離するのが防止できる。尚、第２のフッ素樹脂膜３２は、切断領域ＲＣの側方領域上に形成されていれば、上述の剥離は抑制される。
【０１０６】
尚、第３実施形態では、第２製造工程の工程Ａ１及びＡ２を実行する際に、マスク箇所に切断領域ＲＣが含まれない場合、つまり、切断領域ＲＣにフッ素樹脂膜２６が形成される場合を想定したが、第１実施形態と同様に、切断領域ＲＣを含むマスク箇所に対して、第２製造工程の工程Ａ１及びＡ２を実行し、フッ素樹脂膜２６が、切断領域ＲＣに形成されないようにしても良い。
【０１０７】
また、第３実施形態は、第１または第２実施形態の一変形例として説明したが、上記第２実施形態において、工程Ｂ３における塗工液２６０の局所的な注入により、切断領域ＲＣにも塗工液２６０が注入される場合には、工程Ｂ３の前に上記工程Ｃ１を実行するようにしても良い。
【０１０８】
〈第４実施形態〉
次に、上記第１乃至第３実施形態の一変形例として、サブマウント１０及び配線基板体２０の別実施形態について、図１４及び図１５を参照して説明する。
【０１０９】
上記第１乃至第３実施形態では、サブマウント１０は、１つの発光素子１をフリップチップ実装するためのサブマウントであったが、第４実施形態では、複数の発光素子１を直列、並列、或いは、直並列にフリップチップ実装するためのサブマウントについて説明する。第４実施形態におけるサブマウントは、複数の発光素子１を実装することにより、当該複数の発光素子１を含む電気回路が構成されるので、上述の配線基板の一形態である。
【０１１０】
以下の説明では、一例として、３つの発光素子１が直列に接続されるサブマウント４０と、当該サブマウント４０がマトリクス状に配列して１枚の板状に一体化された配線基板体５０について説明する。尚、説明の便宜上、３つの発光素子１を夫々、接続順に、発光素子１ａ，１ｂ，１ｃとし、発光素子１ａのカソードと発光素子１ｂのアノードが接続し、発光素子１ｂのカソードと発光素子１ｃのアノードが接続する。これにより、発光素子１ａのアノードと発光素子１ｃのカソードが、発光素子１ａ，１ｂ，１ｃの直列回路のアノード端子、カソード端子となる。
【０１１１】
図１４は、サブマウント４０の平面視形状を示す平面図（Ａ）と、当該平面図（Ａ）におけるサブマウント４０の中心を通過し、発光素子１の直列方向に平行で、サブマウント４０の表面に垂直な断面での断面形状を示す断面図（Ｂ）である。図１４に示す例では、一例として、サブマウント４０の短辺の長さは、サブマウント１０の一辺の長さに等しく、サブマウント４０の長辺の長さは、サブマウント１０の一辺の長さの約３倍である。
【０１１２】
サブマウント４０は、第１実施形態の基材１１と同じ絶縁材料からなる平板状の基材４１（絶縁性基材に相当）を備え、基材４１の表面側に、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５が夫々形成され、基材４１の裏面側にリード端子４６，４７が形成されている。基材４１については、平面視形状の大きさ以外は、第１実施形態の基材１１と全く同じであるので重複する説明は割愛する。
【０１１３】
基材４１の表面側の第１及び第４金属電極配線４２，４５は、上記基材４１に設けられた貫通電極（図示せず）を介して、基材４１の裏面側のリード端子４６，４７と、各別に接続している。サブマウント４０を別の配線基板等の上に載置する場合に、当該配線基板上の金属配線とリード端子４６，４７との間で電気的な接続が形成される。また、リード端子４６，４７は、基材４１の裏面の略全面を覆い、ヒートシンカーの機能を果たしている。第１乃至第４金属電極配線４２〜４５が金属膜に相当する。
【０１１４】
第４実施形態では、第１金属電極配線４２が発光素子１ａのアノードである第１メッキ電極７と接続し、第２金属電極配線４３が発光素子１ａのカソードである第２メッキ電極８と発光素子１ｂのアノードである第１メッキ電極７と接続し、第３金属電極配線４４が発光素子１ｂのカソードである第２メッキ電極８と発光素子１ｃのアノードである第１メッキ電極７と接続し、第４金属電極配線４５が発光素子１ｃのカソードである第２メッキ電極８と接続するように、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５の各平面視形状が形成されている。
【０１１５】
具体的には、図１４（Ａ）と図３（Ａ）を対比すると明らかなように、第１金属電極配線４２は、図３（Ａ）の第１金属電極配線１２と同様の平面視形状を有し、第２金属電極配線４３と第３金属電極配線４４は、図３（Ａ）の第１金属電極配線１２と第２金属電極配線１３を上記直列方向に連結した平面視形状を有し、第４金属電極配線４５は、図３（Ａ）の第２金属電極配線１３と同様の平面視形状を有している。
【０１１６】
更に、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５は、図１４（Ａ）に示すように、第１金属電極配線４２は、第１電極パッド４２０とそれに接続する第１配線部４２１で構成され、第２金属電極配線４３は、５つの第２電極パッド４３０とそれらに接続する第２配線部４３１で構成され、第３金属電極配線４４は、５つの第３電極パッド４４０とそれらに接続する第３配線部４４１で構成され、第４金属電極配線４５は、５つの第４電極パッド４５０とそれらに接続する第４配線部４５１で構成される。
【０１１７】
また、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５は、図１４では図示されていないが、第１及び第２金属電極配線１２，１３と同様に、夫々が、一例として、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成されている。銅の厚膜メッキ膜と表面金属膜については、構造及びその作製方法も、第１実施形態の第１及び第２金属電極配線１２，１３と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１１８】
第４実施形態では、基材４１の裏面側のリード端子４６，４７も、基材４１の表面側の第１乃至第４金属電極配線４２〜４５と同様に、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成される。リード端子４６，４７の厚膜メッキ膜と表面金属膜については、構造及びその作製方法も、第１実施形態のリード端子１４，１５と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１１９】
第４実施形態では、図１５に模式的に示すように、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５の各側壁面、及び、第１及び第２金属電極配線４２，４３間、第２及び第３金属電極配線４３，４４間、第３及び第４金属電極配線４４，４５間の各間隙部の底面に露出した基材４１の表面を被覆するようにフッ素樹脂膜４８が形成されている。
【０１２０】
フッ素樹脂膜４８は、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５の各側壁面、及び、第１及び第２金属電極配線４２，４３間、第２及び第３金属電極配線４３，４４間、第３及び第４金属電極配線４４，４５間の各間隙部の底面に露出した基材４１の表面の全てを被覆する必要はなく、少なくとも、第１実施形態で説明した、第１部分、好ましくは、第１部分と第２部分、または、第１部分と第３部分、より好ましくは、第１、第２及び第３部分と、当該部分を挟んで対向する第１乃至第４金属電極配線４２〜４５の側壁面を被覆するのが好ましい。
【０１２１】
尚、第４実施形態では、第１、第２及び第３部分は夫々、第１及び第２金属電極配線４２，４３間、第２及び第３金属電極配線４３，４４間、及び、第３及び第４金属電極配線４４，４５間に、第１実施形態における第１及び第２金属電極配線１２，１３間と同様に存在する。フッ素樹脂膜４８の材質及び形成方法は、第１〜第３実施形態におけるフッ素樹脂膜１６と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１２２】
更に、サブマウント４０の製造方法も、第１〜第３実施形態で説明したサブマウント１０の製造方法と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１２３】
〈第５実施形態〉
本基台の一実施形態として、第１実施形態で説明した発光素子１ではなく、１または複数の当該発光素子１を実装した第１実施形態で説明したサブマウント１０或いは第４実施形態で説明したサブマウント４０を搭載する配線基板について、図１６を参照して説明する。以下の説明では、一例として、第１実施形態で説明したサブマウント１０を搭載することで、３つのサブマウント１０の直列回路が構成される配線基板５０について説明する。尚、説明の便宜上、３つのサブマウント１０を夫々、接続順に、サブマウント１０ａ，１０ｂ，１０ｃとする。
【０１２４】
図１６は、配線基板５０の平面視形状を示す平面図（Ａ）と、当該平面図（Ａ）における配線基板５０の中心を通過し、サブマウント１０の直列方向に平行で、配線基板５０の表面に垂直な断面での断面形状を示す断面図（Ｂ）である。図１６に示す例では、一例として、配線基板５０の短辺は、サブマウント１０の一辺より長く、配線基板５０の長辺は、サブマウント１０の一辺の長さの３倍より長い。
【０１２５】
配線基板５０は、第１実施形態の基材１１と同じ絶縁材料からなる平板状の基材５１（絶縁性基材に相当）を備え、基材５１の表面側に、第１乃至第４金属電極配線５２〜５５が夫々形成されている。第１及び第４実施形態のサブマウント１０，４０と異なり、基材５１の裏面側にはリード端子は形成されておらず、それ故、貫通電極も備えていない。基材５１については、平面視形状の大きさ以外は、第１実施形態の基材１１と全く同じであるので重複する説明は割愛する。
【０１２６】
第５実施形態では、第１金属電極配線５２がサブマウント１０ａのアノードであるリード端子１４と接続し、第２金属電極配線５３がサブマウント１０ａのカソードであるリード端子１５とサブマウント１０ｂのアノードであるリード端子１４と接続し、第３金属電極配線５４がサブマウント１０ｂのカソードであるリード端子１５とサブマウント１０ｃのアノードであるリード端子１４と接続し、第４金属電極配線５５がサブマウント１０ｃのカソードであるリード端子１５と接続するように、第１乃至第４金属電極配線５２〜５５の各平面視形状が形成されている。尚、サブマウント１０のリード端子１４，１５の平面視形状が矩形であるので、第１乃至第４金属電極配線５２〜５５の各平面視形状も矩形となっている。
【０１２７】
第１乃至第４金属電極配線５２〜５５は、図１６では図示されていないが、第１実施形態における第１及び第２金属電極配線１２，１３と同様に、夫々が、一例として、銅の厚膜メッキ膜と、当該厚膜メッキ膜の表面（上面及び側壁面）を被覆する１層または多層の表面金属膜で構成されている。銅の厚膜メッキ膜と表面金属膜については、構造及びその作製方法も、第１実施形態の第１及び第２金属電極配線１２，１３と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１２８】
第５実施形態では、第１及び第２金属電極配線５２，５３間、第２及び第３金属電極配線５３，５４間、第３及び第４金属電極配線５４，５５間の各間隙部の底面に露出した基材５１の表面、及び、当該表面を挟んで対向する第１乃至第４金属電極配線５２〜５５の各側壁面を被覆するようにフッ素樹脂膜５６が形成されている。尚、フッ素樹脂膜５６は、第１乃至第４金属電極配線５２〜５５の上面の内、サブマウント１０のリード端子１４，１５との接続に使用されない箇所、及び、上記以外の基材５１の露出面を覆うようにしても良い。フッ素樹脂膜５６の材質及び形成方法は、第１〜第３実施形態におけるフッ素樹脂膜１６と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１２９】
更に、配線基板５０の製造方法も、リード端子と貫通電極を形成する必要がない点を除き、第１〜第３実施形態で説明したサブマウント１０の製造方法と同じであるので、重複する説明は割愛する。
【０１３０】
〈別の実施形態〉
以下に、上記第１乃至第５実施形態の変形例につき説明する。
【０１３１】
〈１〉上記第１乃至第５実施形態では、フッ素樹脂膜１６，４８，５６として、発光素子１をフリップチップ実装する際に、樹脂封止に使用するものと同じ、非晶質フッ素樹脂で構成される場合を説明したが、発光素子１からの紫外線発光は、サブマウント１０，４０及び配線基板５０等の基台とは反対側に向けて出射され、フッ素樹脂膜１６，４８，５６の形成箇所は、当該光の出射経路に位置しないため、紫外線を透過する非晶質フッ素樹脂で構成されなくても構わない。つまり、フッ素樹脂膜１６，４８，５６は、紫外線に対して、上述の非晶質フッ素樹脂と同様の紫外線耐性を有する結晶質部分を有するフッ素樹脂で構成されても構わない。
【０１３２】
〈２〉上記第１乃至第５実施形態では、フッ素樹脂膜１６，４８，５６として、末端官能基が金属に対して結合性を呈しない非反応性の官能基を有する非結合性フッ素樹脂（第１タイプの非晶質フッ素樹脂）を使用する場合を説明した。しかし、フッ素樹脂膜２６として、一部に、末端官能基が金属に対して結合性を呈する反応性の官能基を有する結合性フッ素樹脂（第２タイプの非晶質フッ素樹脂）を使用しても良い。
【０１３３】
この場合、第２タイプの非晶質フッ素樹脂の方が、第１タイプの非晶質フッ素樹脂より、金属面に対する結合性が高いため、フッ素樹脂膜１６，４８，５６を、第２タイプの非晶質フッ素樹脂と第１タイプの非晶質フッ素樹脂の２層構造として、第１及び第２金属電極配線１２，１３、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５，５２〜５５の側壁面と直接接する第１層目に、膜厚の極めて薄い第２タイプの非晶質フッ素樹脂膜を形成し、その上に重ねて、第１タイプの非晶質フッ素樹脂膜を形成するのも好ましい実施形態である。この場合、第１層目と第２層目の合計膜厚は、第１〜第５実施形態で例示したフッ素樹脂膜１６，４８，５６と同じであれば良く、第１層目の膜厚は、数原子層の厚さ以上であれば良い。第１層目と第２層目の非晶質フッ素樹脂膜の成膜は、第１実施形態で説明した第２製造工程の工程Ａ３及びＡ４を、非晶質フッ素樹脂膜の上記タイプを入れ替えて２回繰り返した後、工程Ａ５に移行することで実現できる。尚、２回目の工程Ａ３において、１回目の工程Ａ４で形成した第１層目の原型樹脂膜２６１が一部溶解して膜厚が薄くなる可能性があるので、当該第１層目の原型樹脂膜２６１が全て溶解しない程度に厚めに成膜するのが好ましい。
【０１３４】
〈３〉上記第１乃至第５実施形態では、図３（Ａ）に第１及び第２金属電極配線１２，１３の平面視形状を例示し、図１４（Ａ）に第１乃至第４金属電極配線４２〜４５の平面視形状を例示し、図１６（Ａ）に第１乃至第４金属電極配線５２〜５５の平面視形状を例示したが、これらの平面視形状は、同図に例示した形状に限定されるものではない。当該平面視形状は、その上に搭載する発光素子１や他の部品の端子の配置及び形状に応じて適宜変更できる。よって、上記第１乃至第４実施形態で説明したサブマウント１０，４０に搭載する発光素子は、第１実施形態で図１及び図２を参照して説明した構造の発光素子に限定されるものではない。また、発光素子１の第１及び第２メッキ電極７，８の上面視形状も、図２に例示した形状に限定されない。
【０１３５】
また、上記第１乃至第４実施形態で説明したサブマウント１０，４０において、封止樹脂を形成する箇所に周囲に、当該封止樹脂が当該形成箇所の外側のはみ出さないようにする樹脂ダムを、発光素子１の搭載位置の周囲に形成する場合は、第１及び第２金属電極配線１２，１３或いは第１乃至第４金属電極配線４２〜４５が、当該樹脂ダムの内側に収まるように、各平面視形状を設定するのも好ましい。
【０１３６】
尚、上述した樹脂ダムは、紫外線により劣化しない材料で形成されていれば良い。例えば、基材１１，４１と同じ絶縁性材料或いは使用に適した別の絶縁性材料を用いて、発光素子１が搭載される中央部分を環状に囲むサブマウント１０，４０の周辺部分が、当該中央部分より厚くなるように、基材１１，４１を作製して、当該周辺部分を樹脂ダムとして機能させても良い。また、樹脂ダムは、上述の絶縁性材料以外の材料を使用する場合、封止樹脂の形成に使用する塗工液に対して撥液性のある材料を使用するのが好ましい。
【０１３７】
〈４〉上記第１乃至第３実施形態では、第１製造工程において、基材２１に貫通孔２８を形成してから、第１及び第２金属電極配線２２，２３の厚膜メッキ膜２２０，２３０、リード端子２４，２５の厚膜メッキ膜２４０，２５０、貫通電極２７の厚膜メッキ膜２７０を同時に形成し、更に、第１及び第２金属電極配線２２，２３の表面金属膜２２１，２３１、リード端子２４，２５の表面金属膜２４１，２５１、貫通電極２７の表面金属膜２７１を同時に形成した。しかし、第１及び第２金属電極配線２２，２３とリード端子２４，２５を第１実施形態で説明した要領で形成する前に、貫通孔２８内に、導電性材料を充填する等して、貫通電極２７を形成するようにしても良い。或いは、貫通孔２８の全てを当該導電性材料で充填するのではなく、貫通孔２８の内奥部だけに当該導電性材料を充填して、貫通孔２８を非貫通状態にした後に、上述の第１製造工程における厚膜メッキ膜及び表面金属膜の形成工程を実行するようにしても良い。尚、当該別実施形態の貫通電極２７の形成手順は、第４実施形態のサブマウント４０の貫通電極にも適用できる。
【０１３８】
〈５〉上記第４実施形態のサブマウント４０では、基材４１の裏面側にリード端子４６，４７を設けたが、外部との接続用のリード端子４６，４７を、基材４１の表面側に形成して、裏面側にリード端子４６，４７を設けないようにしても良い。更に、リード端子４６，４７に代えて、外部との接続用のコネクタ治具を基材４１の端部の２箇所に設けて、第１及び第４金属電極配線４２，４５と各別に接続するようにしても良い。
【０１３９】
更に、上記第５実施形態の配線基板５０では、外部との接続用のリード端子を別途設けていないが、基材５１の裏面側に当該リード端子を設けても良い。更に、当該リード端子に代えて、外部との接続用のコネクタ治具を基材５１の端部の２箇所に設けて、第１及び第４金属電極配線５２，５５と各別に接続するようにしても良い。
【０１４０】
更に、上記第４実施形態のサブマウント４０または第５実施形態の配線基板５０では、３つの発光素子１或いは３つのサブマウント１０を搭載して、当該３つの発光素子１或いは３つのサブマウント１０の直列回路が構成される場合を例示したが、搭載する発光素子１或いはサブマウント１０の個数や、構成される回路の種類は、上記第４及び第５実施形態に例示したものに限定されない。また、サブマウント４０または配線基板５０に搭載する素子や電気回路部品は、発光素子１或いはサブマウント１０に限定されない。
【０１４１】
〈６〉上記第１乃至第３実施形態では、必要に応じて、基材２１の表面側に粗面化処理を行うこと、或いは、表面が未研磨で粗面状態の基材２１を使用することを例示したが、これらに加えて、或いは、代えて、基材２１の表面側に、裏面側まで貫通していない穴や溝を封止樹脂に対するアンカーとして、レーザ加工等によって形成するのも好ましい。
【０１４２】
〈７〉上記第４及び第５実施形態では、サブマウント４０または配線基板５０が例えばマトリクス状（一方向にのみ配列している場合を含む）に配列して１枚の板状に一体化された配線基板体を先ず作製し、当該配線基板体を切断または割断して、個々のサブマウント４０または配線基板５０を作製する場合を、第１実施形態におけるサブマウント１０の製造方法を参照して、想定した。しかし、当該配線基板体の基材の面積に対して、サブマウント４０または配線基板５０の面積が大きくて、２以上配列できない場合等においては、単体のサブマウント４０または配線基板５０を直接作製しても良い。この場合、切断領域ＲＣが存在しないので、第２製造工程の工程Ａ１及びＡ２或いは工程Ｂ１〜Ｂ３におけるマスク箇所には、当然、切断領域ＲＣは含まれない。
【０１４３】
マスク箇所に切断領域ＲＣが含まれない場合は、単体のサブマウント４０または配線基板５０を直接作製する場合に限らず、上述のマスク箇所は、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５，５２〜５５の上面に限定され、マスク箇所の高さが揃っているため、第２製造工程の工程Ａ１におけるマスク材料３１の塗布方法として、例えば、サブマウント４０または配線基板５０より面積の大きい平板状の板材の表面にマスク材料３１を塗布し、当該塗布面をサブマウント４０または配線基板５０の表面に押し当てて、マスク材料３１を、当該板材の表面から第１乃至第４金属電極配線４２〜４５，５２〜５５の上面の各マスク箇所に転写する方法が採用できる。転写後、加熱或いは紫外線照射等により、マスク材料３１を第１乃至第４金属電極配線４２〜４５，５２〜５５の上面の各マスク箇所に固着させる。この場合、マスク材料３１は、転写時に第１乃至第４金属電極配線４２〜４５，５２〜５５の側壁面を垂れ落ちない程度の粘度（１〜１００Ｐａ・ｓ）であるのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明に係る基台は、発光中心波長が約３６５ｎｍ以下の発光ダイオードの実装に利用可能であり、紫外線発光動作に伴う基台の電極間に充填された封止樹脂或いは他の樹脂組成物に起因する電気的特性の劣化防止に有効である。
【符号の説明】
【０１４５】
１：        窒化物半導体紫外線発光素子
２：        テンプレート
３：        半導体積層部
４：        ｐ電極
５：        ｎ電極
６：        保護絶縁膜
７：        第１メッキ電極
８：        第２メッキ電極
９：        フッ素樹脂膜
１０，４０：  サブマウント
１１，２１，４１，５１：  基材（絶縁性基材）
１２：      第１金属電極配線
１２０：    第１電極パッド
１２１：    第１配線部
１３：      第２金属電極配線
１３０：    第２電極パッド
１３１：    第３配線部
１４，１５，４６，４７：  リード端子
１６：      フッ素樹脂膜
１７：      封止樹脂
１８：      レンズ
２０：      配線基板体（絶縁性基材板）
２２：      第１金属電極配線
２２０：    第１金属電極配線の厚膜メッキ膜
２２１：    第１金属電極配線の表面金属膜
２３：      第２金属電極配線
２３０：    第２金属電極配線の厚膜メッキ膜
２３１：    第２金属電極配線の表面金属膜
２４，２５：  リード端子
２４０，２５０：  リード端子の厚膜メッキ膜
２４１，２５１：  リード端子の表面金属膜
２６，４８，５６：  フッ素樹脂膜
２６０：    塗工液
２６１：    原型樹脂膜
２７：      貫通電極
２７０：    貫通電極の厚膜メッキ膜
２７１：    貫通電極の表面金属膜
２８：      貫通孔
２９：      シード膜
３０：      感光性シートフィルム
３１：      マスク材料
３２：      第２のフッ素樹脂膜
４２：      第１金属電極配線
４２０：    第１金属電極配線の厚膜メッキ膜
４２１：    第１金属電極配線の表面金属膜
４３：      第２金属電極配線
４３０：    第２金属電極配線の厚膜メッキ膜
４３１：    第２金属電極配線の表面金属膜
４４：      第３金属電極配線
４４０：    第３金属電極配線の厚膜メッキ膜
４４１：    第３金属電極配線の表面金属膜
４５：      第４金属電極配線
４５０：    第４金属電極配線の厚膜メッキ膜
４５１：    第４金属電極配線の表面金属膜
５０：      配線基板
５２：      第１金属電極配線
５３：      第２金属電極配線
５４：      第３金属電極配線
５５：      第４金属電極配線
ＲＣ：      切断領域
【図１】
2017022755.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2017022755.tif 000013
【図１１】
2017022755.tif 000014
【図１２】
2017022755.tif 000015
【図１３】
2017022755.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【手続補正書】
【提出日】平成29年12月11日(2017.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
発光素子１は、図１に示すように、テンプレート２、半導体積層部３、ｐ電極４、ｎ電極５、保護絶縁膜６、第１メッキ電極７、第２メッキ電極８、及び、フッ素樹脂膜９を備えて構成される。尚、図１は、図２の平面図のＡ−Ａ’に沿ったテンプレート２の表面に対して垂直な断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
テンプレート２は、例えば、サファイア（０００１）基板上にＡｌＮ層とＡｌＧａＮ層を成長して形成され、活性層からの紫外線発光を透過可能に構成されている。半導体積層部３は、テンプレート２上に形成され、ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層を備えたメサ部を備え、メサ部以外では、前記ｎ型半導体層が露出している。ｎ型半導体層は１層以上のｎ型ＡｌＧａＮ層からなり、活性層からの紫外線発光を透過可能に構成されている。活性層は、例えば、単層量子井戸構造または多重量子井戸構造で形成されている。ｐ型半導体層は、１層以上のｐ型ＡｌＧａＮ層またはｐ型ＧａＮ層からなる。ｐ電極４は、１層以上の金属膜からなり、ｐ型半導体層の上面に形成され、ｐ型半導体層と電気的に接続している。ｎ電極５は、１層以上の金属膜からなり、ｎ型半導体層の露出面上に形成され、ｎ型半導体層と電気的に接続している。保護絶縁膜６は、半導体積層部３のメサ部の上面と側面、及び、ｎ型半導体層の露出面を覆うように形成され、且つ、ｐ型半導体層の上面の少なくとも一部とｎ型半導体層の露出面の一部を露出する開口部を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
第１メッキ電極７は、前記メサ部の上面及び側面と前記メサ部の外側領域の一部を、絶縁保護膜６を介して覆うとともに、保護絶縁膜６の開口部を介してｐ電極４と電気的に接続する。第２メッキ電極８は、前記メサ部の外側領域の他の一部において、保護絶縁膜６の開口部を介してｎ電極５と電気的に接続する。第１及び第２メッキ電極７，８は、一例として、銅の電解メッキで形成された本体部と、当該本体メッキ部の上面及び側面を被覆する無電解メッキで形成された最表面が金の１層以上の金属層からなる表面メッキ部からなる。第１及び第２メッキ電極７，８は、一例として、７５μｍ以上好ましくは１００μｍ以上、相互に離間しており、何れも上面が平坦化され、同じ高さに揃えられている。保護絶縁膜６の表面を基準とする第１及び第２メッキ電極７，８の高さは、例えば、４５〜１００μｍ程度である。図２に、第１及び第２メッキ電極７，８の上面視形状を示す。図２中、破線で示されているのは、半導体積層部３のメサ部の外周ラインである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
引き続き、上記厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０の成膜後、或いは、上記研磨処理を行った場合には、当該研磨処理後に、厚膜メッキ膜２２０，２３０，２４０，２５０，２７０の上面及び側壁面の各露出面上に、例えば、下から順に、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの３層の金属膜からなる表面金属膜２２１，２３１，２４１，２５１，２７１を、湿式メッキ法である周知の無電解メッキ法で成膜する。Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕの各層の膜厚は、例えば、下から順に、３〜７．５μｍ／５０〜１５０ｎｍ／５０〜１５０ｎｍである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
工程Ｂ３により局所的に塗工液２６０を注入した後、第１実施形態で説明した工程Ａ４を同じ要領で実行する。第２実施形態では、工程Ａ５及びＡ６は不要である。これにより、第１及び第２金属電極配線２２，２３間の上記第１部分、または、上記第１部分と第２部分、または、上記第１部分と第３部分、または、上記第１、第２及び第３部分等を含む塗工液２６０の注入箇所の第１及び第２金属電極配線２２，２３の間隙部の底面、及び、当該底面を挟んで対向する第１及び第２金属電極配線２２，２３の側壁面の下端部を被覆するフッ素樹脂膜２６が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
尚、第２実施形態では、工程Ａ７の研磨処理を行った場合は、表面金属膜２２１，２３１の最外層の金属がある程度研磨され薄膜化するため、表面金属膜２２１，２３１を無電解メッキで成膜する際に、最外層の膜厚を第１実施形態より厚くするのが好ましい。また、表面金属膜２２１，２３１の最外層の膜厚を第１実施形態より厚くする代わりに、或いは、追加して、工程Ａ７の研磨後に、表面金属膜２２１，２３１の露出面に、最外層の金属（Ａｕ）を無電解メッキで再度成膜しても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
更に、第１乃至第４金属電極配線４２〜４５は、図１４（Ａ）に示すように、第１金属電極配線４２は、第１電極パッド４２０とそれに接続する第１配線部４２１で構成され、第２金属電極配線４３は、５つの第２電極パッド４３０とそれらに接続する第２配線部４３１で構成され、第３金属電極配線４４は、５つの第３電極パッド４４０とそれらに接続する第３配線部４４１で構成され、第４金属電極配線４５は、４つの第４電極パッド４５０とそれらに接続する第４配線部４５１で構成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
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【国際調査報告】
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