(57)【要約】  第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する表示装置。
2017217113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
表示装置。
【請求項２】
前記第２開口は、ストライプ状に設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記残留部の厚みは、前記残留部以外の前記第１絶縁膜の厚み以下である
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２方向に隣り合う前記第１開口の間の領域から逸れた位置に前記残留部が設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
更に、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１方向に延在する第２絶縁膜を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記第２絶縁膜は撥液性を有する
請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記残留部の前記第２方向の幅よりも大きい
請求項５記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記第２開口の前記第２方向の幅よりも大きい
請求項５記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素は、それぞれが複数色のうちのいずれかの色の光を発する有機電界発光素子を含み、
前記画素は発光色毎に前記第１方向に沿って配置されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜には、前記第１方向に隣り合う前記画素の前記第１開口を繋ぐ凹部が設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１開口にリフレクタを有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
前記残留部では、前記第１絶縁膜が前記第２開口の両側から前記第２方向に連続して設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１３】
第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
表示装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）現象により発光する有機電界発光素子などを用いた表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子を用いた表示装置（有機ＥＬディスプレイ）では、光取り出し効率を向上させるために、リフレクタ構造が用いられている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１９１５３３号公報
【発明の概要】
【０００４】
有機ＥＬディスプレイなどの表示装置では、より光取り出し効率を高めることが望ましい。
【０００５】
高い光取り出し効率を有する表示装置および電子機器を提供することが望ましい。
【０００６】
本開示の一実施の形態に係る表示装置は、第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、隣り合う画素の間に設けられ、画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、第１絶縁膜は、第２方向に隣り合う画素の間に、第１方向に延在する第２開口を有するとともに、第２開口内に残留部を有するものである。
【０００７】
本開示の一実施の形態に係る電子機器は、上記本開示の一実施の形態に係る表示装置を備えたものである。
【０００８】
本開示の一実施の形態に係る表示装置および電子機器では、第１絶縁膜に第２開口が設けられているので、第１開口の形状が制御し易くなる。加えて、第２開口内に残留部が設けられているので、第１絶縁膜の形成領域が増し、第１絶縁膜が下地から剥がれにくくなる。
【０００９】
本開示の一実施の形態に係る表示装置および電子機器によれば、第２開口により、第１開口の形状が制御し易くなるので、発光領域に高い光取り出し効率のリフレクタ構造を形成することが可能となる。また、第１絶縁膜が下地から剥がれにくくなるので、第１開口に加えて、第１開口の形状を制御するための第２開口を有する第１絶縁膜を形成することができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本開示の一実施の形態に係る表示装置の全体構成を表すブロック図である。
【図２】図１に示した表示装置（画素部）の構成を表す断面図である。
【図３】画素回路の要部構成を表す平面模式図である。
【図４】画素配列の一例を表す模式図である。
【図５Ａ】図２に示した第１絶縁膜の平面構成を表す模式図である。
【図５Ｂ】図２に示した第１開口付近の構成を拡大して表す断面図である。
【図６Ａ】図５Ａに示したＢ１１−Ｂ１２線における断面構成を表す図である。
【図６Ｂ】図５Ａに示したＣ１１−Ｃ１２線における断面構成を表す図である。
【図７Ａ】第１絶縁膜の第１開口のテーパ角を説明するための模式図である。
【図７Ｂ】凹部のテーパ角を説明するための模式図である。
【図８】比較例１に係る第１絶縁膜の構成を説明するための断面模式図である。
【図９】比較例２に係る第１絶縁膜の構成を説明するための平面模式図である。
【図１０】適用例に係る電子機器の構成を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本開示の実施の形態について図面を参照して以下の順に詳細に説明する。
１．実施の形態（第１絶縁膜の第２開口内に残留部を設けた例）
２．適用例（電子機器の例）
【００１２】
＜実施の形態＞
［構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の全体構成を表すブロック図である。この表示装置１は、例えば、有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ等であり、例えばＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）のいずれかの色の光が上面側から出射される、上面発光型（トップエミッション型）の表示装置である。
【００１３】
表示装置１は、マトリクス状に２次元配置された複数の画素（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）を有する画素部２と、この画素部２を駆動するための回路部（走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５）とを備える。
【００１４】
画素部２は、例えばアクティブマトリクス方式により、外部から入力される映像信号に基づいて画像を表示するものである。この画素部２には、画素配列の行方向に沿って延在する複数の走査線ＷＳＬと、列方向に沿って延在する複数の信号線ＤＴＬと、行方向に沿って延在する複数の電源線ＤＳＬとが設けられている。これらの走査線ＷＳＬ、信号線ＤＴＬおよび電源線ＤＳＬは、各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂと電気的に接続されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、例えばそれぞれがサブピクセルに相当し、これらの画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの組が１つのピクセル（画素ＰＸ）を構成する。
【００１５】
画素ｐｒは、例えば赤色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｒを含んで構成されている。画素ｐｇは、例えば緑色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｇを含んで構成されている。画素ｐｂは、例えば青色光を出射する有機ＥＬ素子１０Ｂを含んで構成されている。以下では、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「画素Ｐ」と称して説明を行う。また、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれを特に区別する必要のない場合には、「有機ＥＬ素子１０」と称して説明を行う。
【００１６】
走査線ＷＳＬは、画素部２に配置された複数の画素Ｐを、行毎に選択するための選択パルスを各画素Ｐに供給するためのものである。この走査線ＷＳＬは、走査線駆動部３の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極とに接続されている。信号線ＤＴＬは、映像信号に応じた信号パルス（信号電位Ｖsigおよび基準電位Ｖofs）を、各画素Ｐへ供給するためのものである。この信号線ＤＴＬは、信号線駆動部４の出力端（図示せず）と、後述の書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。電源線ＤＳＬは、各画素Ｐに、電力として固定電位（Ｖcc）を供給するためのものである。この電源線ＤＳＬは、電源線駆動部５の出力端（図示せず）と、後述の駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極またはドレイン電極とに接続されている。尚、有機ＥＬ素子１０のカソード（後述の第２電極１６）は、共通電位線（カソード線）に接続されている。
【００１７】
走査線駆動部３は、各走査線ＷＳＬに所定の選択パルスを線順次で出力することにより、例えばアノードリセット、Ｖth補正、信号電位Ｖsigの書き込み、移動度補正および発光動作等の各動作を、各画素Ｐに所定のタイミングで実行させるものである。信号線駆動部４は、外部から入力されたデジタルの映像信号に対応するアナログの映像信号を生成し、各信号線ＤＴＬに出力するものである。電源線駆動部５は、各電源線ＤＳＬに対して、定電位を出力するものである。これらの走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５は、図示しないタイミング制御部により出力されるタイミング制御信号により、それぞれが連動して動作するように制御される。また、外部から入力されるデジタルの映像信号は、図示しない映像信号受信部により補正された後、信号線駆動部４に入力される。
【００１８】
（画素部２の構成）
図２は、表示装置１（画素部２）の断面構成を表したものである。図２では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのうちの一部（有機電界発光素子１０Ｒと、有機電界発光素子１０Ｇの一部）に対応する領域についてのみ示している。画素部２では、駆動基板１１ａ上に、複数の有機ＥＬ素子１０が２次元配置されている。これらの有機ＥＬ素子１０の上には、例えば、保護膜１７、封止層１８およびＣＦ／ＢＭ層１９を介して第２基板２０が貼り合わせられている。
【００１９】
駆動基板１１ａは、例えばガラスやプラスチックなどから構成された第１基板１１上に、層間絶縁膜１２２と、各有機ＥＬ素子１０を駆動するための画素回路（画素回路ＰＸＬＣ、図２には図示せず）とを含む。この駆動基板１１ａの表面は、平坦化膜１２３によって平坦化されている。
【００２０】
画素回路ＰＸＬＣは、有機ＥＬ素子１０の発光および消光を制御するものであり、例えば有機ＥＬ素子１０（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか１つ）と、保持容量Ｃｓと、書き込みトランジスタＷｓＴｒと、駆動トランジスタＤｓＴｒとを含んで構成されている。
【００２１】
書き込みトランジスタＷｓＴｒは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に対する、映像信号（信号電圧）の印加を制御するものである。具体的には、書き込みトランジスタＷｓＴｒは、走査線ＷＳＬへの印加電圧に応じて信号線ＤＴＬの電圧（信号電圧）をサンプリングすると共に、その信号電圧を駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に書き込むものである。駆動トランジスタＤｓＴｒは、有機ＥＬ素子１０に直列に接続されており、書き込みトランジスタＷｓＴｒによってサンプリングされた信号電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１０に流れる電流を制御するものである。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型またはｐチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）により形成される。これらの駆動トランジスタＤｓＴｒおよび書き込みトランジスタＷｓＴｒは、また、シングルゲート型であってもよいし、デュアルゲート型であってもよい。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極およびソース電極間に所定の電圧を保持するものである。
【００２２】
書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極は、走査線ＷＳＬに接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が信号線ＤＴＬに接続され、他方の電極が駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極に接続されている。駆動トランジスタＤｓＴｒのソース電極およびドレイン電極のうちの一方の電極が電源線ＤＳＬに接続され、他方の電極が有機ＥＬ素子１０のアノード（後述の第１電極１３）に接続されている。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極と有機ＥＬ素子１０側の電極との間に挿入されている。
【００２３】
図３に、上記のような画素回路ＰＸＬＣの要部の配線レイアウトの一例を示す。画素回路ＰＸＬＣは、例えば複数の配線層（第１メタル層Ｍ１，第２メタル層Ｍ２）と、半導体層Ｓ１と、第１メタル層Ｍ１，第２メタル層Ｍ２同士の層間接続（コンタクトホールｃ１１〜ｃ１３）とを利用して形成されている。
【００２４】
一例としては、図３に示したように、書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極１２５ｇ１と、駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極１２５ｇ２と、保持容量Ｃｓの下部電極１２６ａと、信号線ＤＴＬとが、第１メタル層Ｍ１に配置されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極（１２５ｓｄ１，１２５ｓｄ２）と、駆動トランジスタＤｓＴｒのソース・ドレイン電極（１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４）と、保持容量Ｃｓの上部電極１２６ｂと、走査線ＷＳＬと、電源線ＤＳＬとが、第２メタル層Ｍ２に配置されている。これらのうち、書き込みトランジスタＷｓＴｒのゲート電極１２５ｇ１と、走査線ＷＳＬとは、コンタクトホールｃ１１を通じて層間接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極１２５ｓｄ１は、コンタクトホールｃ１２を通じて信号線ＤＴＬに層間接続されている。書き込みトランジスタＷｓＴｒのソース・ドレイン電極１２５ｓｄ２は、コンタクトホールｃ１３を通じて保持容量Ｃｓの下部電極１２６ａと駆動トランジスタＤｓＴｒのゲート電極１２５ｇ２とに層間接続されている。保持容量Ｃｓの上部電極１２６ｂは、コンタクト部Ｃ１（アノードコンタクト）を通じて、有機ＥＬ素子１０のアノード（第１電極１３、図３には図示せず）に接続されている。
【００２５】
尚、ここでは、画素回路ＰＸＬＣとして、２Ｔｒ１Ｃの回路構成を例示したが、画素回路ＰＸＬＣの構成はこれに限定されるものではない。画素回路ＰＸＬＣは、このような２Ｔｒ１Ｃの回路に対して、更に各種容量やトランジスタ等を付加した回路構成を有していてもよい。
【００２６】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、上記のような駆動基板１１ａ上に規則的な配列で形成されている。図４に、画素配列（有機ＥＬ素子１０の配列）の一例を示す。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、第１方向ｄ１および第２方向ｄ２にマトリクス状に配置されている。第１方向ｄ１と第２方向ｄ２とは、例えば互いに直交している。有機ＥＬ素子１０の成膜プロセスにおいて例えば印刷等のウェットプロセスを用いる場合には、複数の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが発光色毎に、一方向に沿って配置されることが望ましい。例えば、画素ｐｒ（有機ＥＬ素子１０Ｒ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置され、画素ｐｇ（有機ＥＬ素子１０Ｇ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置され、画素ｐｂ（有機ＥＬ素子１０Ｂ）が第１方向ｄ１に沿った１つのライン上に配置されている。画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂは、互いに第２方向ｄ２に隣り合うように配置されている。各画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの面形状は、特に限定されるものではないが、例えば矩形状を有する。第１方向ｄ１は、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの各面形状（矩形状）の長手方向に沿っている。製造プロセスでは、例えばこの第１方向ｄ１に沿ったライン毎に、各発光色のインクが滴下されることで、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成される。
【００２７】
有機ＥＬ素子１０Ｒは、第１電極１３と第２電極１６との間に、赤色発光層を含む有機層１５Ｒを有するものである。同様に、有機ＥＬ素子１０Ｇは、第１電極１３と第２電極１６との間に、緑色発光層を含む有機層１５Ｇ有するものである（図２）。有機ＥＬ素子１０Ｂは、第１電極１３と第２電極１６との間に、青色発光層を含む有機層１５Ｂを有するものである（図２）。
【００２８】
第１電極１３は、例えばアノードとして機能するものであり、画素Ｐ毎に設けられている。この第１電極１３の構成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。また、第１電極１３は、これらの金属元素の単体または合金よりなる金属膜と、光透過性を有する導電性材料（透明導電膜）との積層膜を含んでいてもよい。透明導電膜としては、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化タングステン（ＷＯx）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）系材料等が挙げられる。酸化亜鉛系材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）を添加した酸化亜鉛（ＡＺＯ）、およびガリウム（Ｇａ）を添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）などが挙げられる。
【００２９】
有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂはそれぞれ、電界をかけることにより電子と正孔との再結合を生じ、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの色光を発生する有機電界発光層（赤色発光層，緑色発光層，青色発光層）を含むものである。これらの有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの成膜方法は、例えば印刷法や塗布法等のウェットプロセスが挙げられる。一例としては、インクジェット印刷法、ノズルコート法等が挙げられる。この有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、有機電界発光層の他にも、必要に応じて、例えば正孔注入層、正孔輸送層および電子輸送層等を含んでいてもよい。また、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂと第２電極１６との間には、電子注入層が形成されていてもよい。
【００３０】
第２電極１６は、例えばカソードとして機能するものであり、画素部２の全面にわたって（全画素に共通の電極として）形成されている。この第２電極１６は、例えば透明導電膜から構成されている。透明導電膜の材料としては、上記第１電極１３の材料として列挙した酸化物材料と同様のものを用いることができる。第２電極１６の厚みは、特に限定されないが、導電性と光透過性とを考慮して設定されるとよい。第２電極１６には、この他にも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）が用いられてもよい。
【００３１】
これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂは、画素分離膜１４によって規定された領域（第１開口Ｈ１ａ）にそれぞれ形成されている。画素分離膜１４は、第１電極１３上に形成されると共に、第１電極１３に対向して第１開口Ｈ１ａを有している。
【００３２】
画素分離膜１４は、上述のように、第１開口Ｈ１ａにより各画素Ｐの発光領域を所望の形状に規定すると共に、隣接する画素列の有機層（異なる発光色の有機層）同士を分離する機能を有している。また、この画素分離膜１４により、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性が確保される。この画素分離膜１４は、第１絶縁膜１４Ａと、第１絶縁膜１４Ａ上の所定の領域に積層された第２絶縁膜１４Ｂとを有する。ここでは、第１絶縁膜１４Ａに、第１開口Ｈ１ａに加えて、第１開口Ｈ１ａの形状を制御するための第２開口Ｈ１ｂが設けられている。
【００３３】
図５Ａに、第１絶縁膜１４Ａの平面構成（基板面に平行な面の構成）を示す。尚、図５Ａでは、簡便化のため、第１方向ｄ１に画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂがそれぞれ３つずつ配置され、第２方向ｄ２に１組の画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂが配置された構成を示している。図５Ｂは、図２の断面構成において第１絶縁膜１４Ａの開口部付近を拡大したものである。尚、図２に示した構成は、図５ＡのＡ１１−Ａ１２線における断面構成に相当する。
【００３４】
このように、第１絶縁膜１４Ａは、画素Ｐ毎に（第１電極１３毎に）、例えば２つの第１開口Ｈ１ａを有している。第１開口Ｈ１ａは、１つであってもよく、あるいは、３つ以上であってもよい。表示装置１では、第１開口Ｈ１ａに、リフレクタ（反射構造）を有している。第１開口Ｈ１ａは例えば矩形状であり、第１方向ｄ１に長辺を有するように配置されている。
【００３５】
第２開口Ｈ１ｂは、第２方向ｄ２に隣り合う画素Ｐの間（例えば、画素ｐｒと画素ｐｇの間、画素ｐｇと画素ｐｂの間、画素ｐｂと画素ｐｒの間）に設けられている。第２開口Ｈ１ｂは、第１方向ｄ１に沿って延在するライン状の形状を有しており、例えば、複数の第２開口Ｈ１ｂが略平行に設けられて、ストライプ形状をなしている。第２開口Ｈ１ｂは、例えば第１電極１３が形成されていない領域に設けられている。第２開口Ｈ１ｂは、第１電極１３上から第１電極１３が形成されていない領域に跨って設けられていてもよい。第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御するため、第２開口Ｈ１ｂと第１開口Ｈ１ａとを同じピッチで設けることが好ましい。具体的には、２つの第１開口Ｈ１ａ間の距離と、第１開口Ｈ１ａと第２開口Ｈ１ｂとの間の距離とが同じであることが好ましい。
【００３６】
第１絶縁膜１４Ａは、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の感光性樹脂を含んで構成されている。あるいは、これらの樹脂材料に着色剤を分散させたものが用いられてもよい。更に、第１絶縁膜１４Ａには、このような有機材料に限らず、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料が用いられても構わない。この第１絶縁膜１４Ａは、親液性（有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを成膜する際のインクに対する親和性）を有することが望ましい。成膜時において、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂのインクの濡れ拡がりが良好となり、膜厚のむらを生じにくくすることができるためである。第１絶縁膜１４Ａの厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００３７】
この第１絶縁膜１４Ａの屈折率は、後述する保護膜１７および封止層１８の屈折率よりも例えば小さくなるように設定されている。第１絶縁膜１４Ａの厚みは、例えば１μｍ以上１０μｍ以下である。第１絶縁膜１４Ａの厚み、屈折率、および第１開口Ｈ１ａの形状（後述の傾斜面ＰＳの形状および傾斜角θ等）等を適切に設定することで、第１開口Ｈ１ａをいわゆるリフレクタ（反射構造）とすることができる。
【００３８】
これらの２つの第１開口Ｈ１ａ内には、それらの底部を覆うように、有機層１５Ｒ（または有機層１５Ｇ，１５Ｂ、以下同様）が形成されている。表示駆動時には、図５Ｂに示したように、有機層１５Ｒ（発光層）から射出される光は、正面方向Ｌ１に進む光に加え、この正面方向Ｌ１からずれた方向Ｌ２に進む光（斜め方向に進む光）を含む。第１開口Ｈ１ａの傾斜面ＰＳにおいて、その斜め方向Ｌ２に進む光が反射され、正面方向Ｌ１に向かって立ち上げられる。開口部Ｈ１では、このようなリフレクタを有することで、光取り出し効率を向上させることができる。
【００３９】
例えば、各パラメータは以下のように設定されることが好ましい。傾斜面ＰＳの第１電極１３の平面方向に対する傾斜角をθ（度）、第１絶縁膜１４Ａの構成材料の屈折率をｎ１、封止層１８の構成材料の屈折率をｎ２とし、ｎ１＜ｎ２である場合、傾斜角θは以下の式（１）を満たすことが好ましく、さらに式（２）を満たすことが好ましい。
【００４０】
（数１）
７５．２-５４（ｎ２-ｎ１）≦θ≦８１．０−２０（ｎ２-ｎ１）・・・（１）
７６．３-４６（ｎ２-ｎ１）≦θ≦７７．０−２０（ｎ２-ｎ１）・・・（２）
【００４１】
また、屈折率ｎ１および屈折率ｎ２は、１．１≦ｎ２≦１．８、ｎ２-ｎ１≧０．２０を満たすことが好ましい。これを満たす材料として、例えば、第１絶縁膜１４Ａにはアクリル系の樹脂材料、封止層１８にはエポキシ系の樹脂材料が挙げられる。
【００４２】
第２絶縁膜１４Ｂは、この第１絶縁膜１４Ａ上の第２方向ｄ２に隣り合う画素Ｐの間の領域（異なる画素列に配置された第１開口Ｈ１ａ同士の間の領域）に、第１方向ｄ１に延在して設けられている。第２絶縁膜１４Ｂは、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂを覆うように設けられている（図２）。第２絶縁膜１４Ｂには、第１絶縁膜１４Ａと同一の材料が用いられてもよいし、異なる材料が用いられてもよい。但し、第２絶縁膜１４Ｂの少なくとも上面は、撥液性を有することが望ましい。第２絶縁膜１４Ｂにフッ素などの撥液成分を含有させるようにしてもよく、あるいは、第２絶縁膜１４Ｂの成膜後に撥液処理を施すようにしてもよい。隣接する画素列同士の間（異なる発光色の有機層同士の間）でのインクの濡れ拡がり（混色）を抑制し、隔壁としての機能を高めることができるためである。この第２絶縁膜１４Ｂの厚みは、例えば０．５μｍ以上１０μｍ以下である。第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１は、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ２よりも大きいことが好ましい。これにより、製造時に第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの間に位置ずれが生じた場合にも、第２絶縁膜１４Ｂが第２開口Ｈ１ｂ内に落ちることを防ぐことができる。したがって、有機層（有機層１５Ｒ、有機層１５Ｇまたは有機層１５Ｂ）をウェットプロセスにより形成する場合に、インクのピニング性が安定し、発光領域内の有機層の厚みが均一になる。即ち、輝度を向上させることができる。また、第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１が、第１絶縁膜１４Ａの第２開口Ｈ１ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ２よりも大きければ、第２開口Ｈ１ｂが第１電極１３上に跨って設けられている場合にも、第１電極１３の端部が第２絶縁膜１４Ｂで覆われる。
【００４３】
本実施の形態では、このような画素分離膜１４の第１絶縁膜１４Ａが、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部１４ＡＩを有している。詳細は後述するが、これにより第２開口Ｈ１ｂが形成される場合であっても、第１絶縁膜１４Ａの形成領域が増し、第１絶縁膜１４Ａの剥がれを防ぐことができる。
【００４４】
図６Ａに、図５ＡのＢ１１−Ｂ１２線における断面構成（隣り合う画素Ｐｒ同士の間の領域の断面構成）を示す。図５Ａに示したように、残留部１４ＡＩは第２方向ｄ２に隣り合う第１開口Ｈ１ａの間の領域から逸れた位置に設けられている。前述のように、第２開口Ｈ１ｂにより第１開口Ｈ１ａの形状が制御されるので、残留部１４ＡＩは第１開口Ｈ１ａに隣接する位置を避けて形成することが好ましい。図５Ａでは、１つの第２開口Ｈ１ｂに対して２つの残留部１４ＡＩを設けた場合を示しているが、１つの第２開口Ｈ１ｂに１つの残留部１４ＡＩが設けられていればよく、あるいは、３つ以上の残留部１４ＡＩを設けるようにしてもよい。残留部１４ＡＩの平面形状は例えば矩形状である。
【００４５】
図６Ａに示したように、残留部１４ＡＩは、第２開口Ｈ１ｂ内で第１絶縁膜１４Ａが一部残されている部分である。例えばこの残留部１４ＡＩは、第２方向ｄ２において、第２開口Ｈ１ｂの両側の第１絶縁膜１４Ａと連続して設けられている。残留部１４ＡＩの厚みｔ２は、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。残留部１４ＡＩの厚みｔ２は、残留部１４ＡＩ以外の第１絶縁膜１４Ａの厚みと同じであってもよいが、第１絶縁膜１４Ａの厚みよりも小さくなっていることが好ましい。残留部１４ＡＩの第２方向ｄ２の幅ｂ２は、例えば、第２開口Ｈ１ｂの幅Ｗ２と同じである。残留部１４ＡＩ上には第２絶縁膜１４Ｂが設けられている。第２絶縁膜１４Ｂの第２方向ｄ２の幅Ｗ１は、残留部１４ＡＩの第２方向ｄ２の幅ｂ２よりも大きいことが好ましい。これにより、製造時に第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの間に位置ずれが生じた場合にも、第２絶縁膜１４Ｂが残留部１４ＡＩ内に落ちることを防ぐことができる。したがって、上記と同様に、有機層をウェットプロセスにより形成する場合に輝度を向上させることができる。第２絶縁膜１４Ｂの撥液性を機能させるように、残留部１４ＡＩの厚みｔ２に対して、十分に大きくなるように第２絶縁膜１４Ｂの厚みを調整することが好ましい。
【００４６】
図５Ａに示したように、第１絶縁膜１４Ａには、例えば、この残留部１４ＡＩと第２方向ｄ２に隣り合う位置に凹部形成領域Ｈ２ａ（凹部Ｈ２）が設けられている。
【００４７】
図６Ｂは、図５ＡのＣ１１−Ｃ１２線における断面構成を示したものである。図５Ａに示したように、第１方向ｄ１において隣り合う画素ｐｒ同士の間（または画素ｐｇ同士の間、画素ｐｂ同士の間）の各領域が、凹部Ｈ２を有している（凹部形成領域Ｈ２ａとなっている）。凹部Ｈ２は、第１方向ｄ１に隣り合う画素Ｐの第１開口Ｈ１ａ同士を繋いでいる。換言すれば、複数の画素Ｐのうちの同一の発光色の画素Ｐの第１開口Ｈ１ａ同士を繋いでいる。
【００４８】
凹部Ｈ２は、同一の発光色の画素Ｐ（画素ｐｒ、画素ｐｇまたは画素ｐｂ）の開口部Ｈ１同士を接続し、有機層（有機層１５Ｒ、有機層１５Ｇまたは有機層１５Ｂ）のインクの流路として機能するものである。尚、図５Ａでは図示を省略しているが、隣り合う画素ｐｒ同士の間で、凹部Ｈ２を通じて、第１開口Ｈ１ａ同士が繋がっている。２つの第１開口Ｈ１ａ同士は、凹部Ｈ２において繋がっていてもよいし、繋がっていなくともよい。この凹部Ｈ２の形状、幅ｂ１および深さｆ１等は特に限定されない。例えば、凹部Ｈ２の第１方向ｄ１の長さは、残留部１４ＡＩの第１方向ｄ１の長さと同程度である。図６Ａおよび図６Ｂに示したように、第１絶縁膜１４Ａは、凹部Ｈ２の底部において厚み（ｔ１）を有することが望ましく、例えば厚みｔ１は、０．１μｍ以上２μｍ以下である。即ち、第１電極１３の端部は、第１絶縁膜１４Ａにより覆われるように構成されることが望ましい。第１電極１３と第２電極１６との間で電気的短絡が生じることを抑制できるためである。また、凹部Ｈ２の第１絶縁膜１４Ａの厚みｔ１は、深さｆ１よりも十分に小さくなるように形成されることが望ましい。この例では、凹部Ｈ２内にも、その底面を覆って有機層１５Ｒが形成されている。これは、有機層１５Ｒが、成膜時に凹部Ｈ２を通じて隣りの第１開口Ｈ１ａまで濡れ拡がって形成されるためである。但し、凹部Ｈ２の底面は、必ずしも有機層１５Ｒにより覆われていなくてもよい。凹部Ｈ２の底面のうちの選択的な領域のみが有機層１５Ｒにより覆われていてもよい。
【００４９】
この凹部Ｈ２の表面（側面）の接触角は、第２絶縁膜１４Ｂの上面の接触角よりも小さいことが望ましい。また、図７Ａおよび図７Ｂに模式的に示したように、第１絶縁膜１４Ａの第１開口Ｈ１ａの側面の傾斜角θよりも、凹部Ｈ２の側面の傾斜角θ２は小さい（θ＞θ２）ことが望ましい。これは、ピニングが軽減されて、インクがより均一に濡れ拡がり易くなるためである。後述のハーフトーン露光により、第１開口Ｈ１ａと凹部Ｈ２とを形成した場合には、傾斜角θ，θ２は上記のような関係となる。
【００５０】
尚、図６Ｂには、駆動基板１１ａにおいてＴＦＴ１２を図示している。このＴＦＴ１２は、例えば図１および図３に示した駆動トランジスタＤｓＴｒに相当するものである。ＴＦＴ１２は、例えば、第１基板１１上の選択的な領域に、半導体層１２４（図３に示した半導体層Ｓ１の一部）を有し、この半導体層１２４上に、ゲート絶縁膜１２１を介してゲート電極１２５ｇ２を有している。ゲート電極１２５ｇ２上には層間絶縁膜１２２が形成されている。この層間絶縁膜１２２上には、ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４が設けられている。ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ３，１２５ｓｄ４は、層間絶縁膜１２２に設けられたコンタクトホールｃ２１，ｃ２２を通じて、半導体層１２４と電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１２５ｓｄ４は、コンタクト部Ｃ１を通じて、第１電極１３と電気的に接続されている。
【００５１】
上記のような画素分離膜１４は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、まず、駆動基板１１ａ上に、複数の第１電極１３を形成した後、これらの複数の第１電極１３を覆うように、上述した感光性樹脂等からなる第１絶縁膜１４Ａを、例えば塗布等により所定の厚みで成膜する。この後、例えばフォトマスクを用いて露光し、現像、洗浄および乾燥等の各工程を経ることにより、第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成する。このとき、例えばハーフトーンマスク等を用いて、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂの形成領域と、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２の形成領域との露光量が互いに異なるように、第１絶縁膜１４Ａを露光する。これにより、１枚のフォトマスクで、開口（第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂ）と厚みの小さな領域（残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２）とを形成することが可能である。あるいは、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂを形成するためのフォトマスクと、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成するためのフォトマスクとをそれぞれ用意して、別々の工程で露光を行っても構わない。
【００５２】
尚、第１絶縁膜１４Ａとして、例えばシリコン酸化膜等の無機材料を用いる場合には、第１絶縁膜１４Ａを例えばＣＶＤ法等により成膜した後に、例えばフォトリソグラフィ法を用いてエッチングを行うことで、第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、残留部１４ＡＩおよび凹部Ｈ２を形成するができる。
【００５３】
この後、第１絶縁膜１４Ａ上の所定の領域に、第２絶縁膜１４Ｂをパターン形成する。これにより、上記構成を有する画素分離膜１４を形成することができる。この画素分離膜１４の形成後、各開口部Ｈ１に、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが、例えばインクジェット印刷等のウェットプロセスにより成膜される。
【００５４】
保護膜１７は、絶縁性材料または導電性材料のいずれにより構成されていてもよい。絶縁性材料としては、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx），アモルファスカーボン（α−Ｃ）等が挙げられる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないため透水性が低く、良好な保護膜となる。この他にも、窒化シリコン，酸化シリコンおよび酸窒化シリコン等が用いられてもよい。
【００５５】
封止層１８は、保護膜１７の上にほぼ一様に形成されており、例えば接着層として機能するものである。封止層１８の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂、シリコン系樹脂、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー、エポキシ系樹脂およびノルボルネン系樹脂等が挙げられる。
【００５６】
これらの保護膜１７および封止層１８の材料の屈折率は、リフレクタ構造の光取り出し効率に影響を与えることから、封止性能と光取り出し効率とを考慮して、適切な材料が選択されるとよい。
【００５７】
ＣＦ／ＢＭ層１９は、カラーフィルタ層（赤色フィルタ１９Ｒ，緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂ）と、ブラックマトリクス層ＢＭとを含む層である。赤色フィルタ１９Ｒ、緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂは、それぞれ開口部Ｈ１に対向する領域に配置されている。これら赤色フィルタ１９Ｒ、緑色フィルタ１９Ｇおよび青色フィルタ１９Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されている。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば黒色の着色剤を混入した樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、Ｃｒと酸化クロム（III）（Ｃｒ2Ｏ3）とを交互に積層したものが挙げられる。このようなＣＦ／ＢＭ層１９は、必要に応じて配置されればよい（配置されていなくともよい）。但し、ＣＦ／ＢＭ層１９を設けることで、有機ＥＬ素子１０で発生した光を取り出すと共に、その他の迷光や外光を吸収することができ、コントラストを改善することができる。
【００５８】
第２基板２０は、封止層１８と共に有機ＥＬ素子１０を封止するものである。この第２基板２０は、有機ＥＬ素子１０で発生した光に対して透明な材料、例えばガラスまたはプラスチック等により構成されている。
【００５９】
［作用、効果］
上記のような表示装置１では、走査線駆動部３から各画素Ｐの書き込みトランジスタＷｓＴｒへ選択パルスが供給されることで、画素Ｐが選択される。この選択された画素Ｐに、信号線駆動部４から映像信号に応じた信号電圧が供給され、保持容量Ｃｓに保持される。この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＤｓＴｒがオンオフ制御され、有機ＥＬ素子１０に駆動電流が注入される。これにより、有機ＥＬ素子１０（有機電界発光層）では、正孔と電子とが再結合して発光を生じる。この光は、例えば第２電極１６、保護膜１７、封止層１８、ＣＦ／ＢＭ層１９および第２基板２０を透過して取り出される。このようにして各画素Ｐ（画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂ）から射出された色光の加法混色により、カラーの映像表示がなされる。
【００６０】
ここで、本実施の形態では、第１絶縁膜１４Ａが第２開口Ｈ１ｂと第２開口Ｈ１ｂ内の残留部１４ＡＩとを有している。このような表示装置１では、残留部１４ＡＩにより第１絶縁膜１４Ａの膜剥がれを防ぐとともに、第２開口Ｈ１ｂにより光取り出し効率を向上させることができる。以下、これについて比較例を用いて詳細に説明する。
【００６１】
図８に比較例に係る第１絶縁膜１０４の断面構成を示す。第１絶縁膜１０４には、第２開口（例えば図２の第２開口Ｈ１ｂ）が設けられておらず、第１開口Ｈ１ａのみを有している。このような第１絶縁膜１０４に、フォトリソグラフィ技術を用いて第１開口Ｈ１ａを形成する場合には、現像後の焼成工程によって、第１開口Ｈ１ａの形状が変形する虞がある（図８（Ａ）から図８（Ｂ）に変化する）。これは、焼成工程において軟化したフォトレジストが、表面張力の影響を受けて変形し、これがそのまま硬化するためである。表面張力による変形は、面積が広いほど大きい。即ち、基板１１１上に複数の第１開口Ｈ１ａを形成する場合には、最も外側の第１開口Ｈ１ａの形状が影響を受けやすい。第１開口Ｈ１ａの形状が乱れると、第１開口Ｈ１ａのリフレクタとしての性能が低下し、光取り出し効率が下がる。また、第１開口Ｈ１ａごとに輝度のばらつきも生じる。
【００６２】
これに対して、表示装置１では、第１絶縁膜１４Ａに画素Ｐの発光領域となる第１開口Ｈ１ａに加えて、隣り合う画素Ｐの間に第２開口Ｈ１ｂを設けているので、表面張力の影響が第２開口Ｈ１ｂによって緩和される。したがって、第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御して光取り出し効率を向上させることができる。また、第１開口Ｈ１ａごとの輝度のばらつきも抑えることができる。
【００６３】
一方、図９に示した第１絶縁膜（第１絶縁膜１０４Ａ）のように、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部（例えば図５Ａの残留部１４ＡＩ）が形成されていない場合には、第１絶縁膜１０４Ａの形成領域が非常に小さくなるので、下地（例えば第１基板１１）側との密着面積が減り、第１絶縁膜１０４Ａが現像時に剥がれてしまいやすくなる。第２開口Ｈ１ｂに代えて、第１絶縁膜１０４Ａの厚みを小さくした領域を形成することも考え得るが、この場合、上記の第１開口Ｈ１ａの形状制御を十分に行うことができなくなる。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、第２開口Ｈ１ｂ内に残留部１４ＡＩを設けるようにしたので、第１絶縁膜１４Ａの形成領域が増え、下地との密着性を高めることができる。したがって、第１開口Ｈ１ａに加えて、第２開口Ｈ１ｂを有する第１絶縁膜１４Ａであっても、下地から剥がれにくくなり、光取り出し効率を向上させることができる。
【００６５】
以上のように、本実施の形態の表示装置１では、第２開口Ｈ１ｂにより、第１開口Ｈ１ａの形状を精確に制御し易くなるので、発光領域に高い光取り出し効率のリフレクタ構造を形成することが可能となる。また、第１絶縁膜１４Ａが下地から剥がれにくくなるので、第１開口Ｈ１ａおよび第２開口Ｈ１ｂを有する第１絶縁膜１４Ａを形成することができる。よって、光取り出し効率を向上させることができる。
【００６６】
また、表示装置１では、第１絶縁膜１４Ａに複数の画素Ｐのうちの同一の発光色の画素の開口部Ｈ１同士を繋ぐ凹部Ｈ２が設けられている。具体的には、隣り合う画素ｐｒの開口部Ｈ１同士の間の領域と、隣り合う画素ｐｇの開口部Ｈ１同士の間の領域と、隣り合う画素ｐｂの開口部Ｈ１同士の間の領域とに、凹部Ｈ２が形成されている。これにより、例えばウェットプロセスにより有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを形成する際に、一部の画素行Ｘ１（画素ｐｒ１，ｐｇ１，ｐｂ１）に、インクが十分に滴下されない部分や未滴下部が生じた場合にも、画素ｐｒ１にはその隣の画素ｐｒから、画素ｐｇ１にはその隣の画素ｐｇから、画素ｐｂ１にはその隣の画素ｐｂから、それぞれ凹部Ｈ２を通じてインクが濡れ拡がる。これにより、画素ｐｒ，ｐｇ，ｐｂの各画素列では、有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂがそれぞれ均等な膜厚で形成される。よって、成膜プロセスに起因する有機層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの膜厚のむらを低減することができる。
【００６７】
この凹部Ｈ２による効果は、第１開口Ｈ１ａがリフレクタ（反射構造）を有する場合に、特に有効である。第１開口Ｈ１ａがリフレクタを有する場合には、第１絶縁膜１４Ａの材料、厚み、第１開口Ｈ１ａの形状等が諸条件を満たすように設計されるが、この場合、リフレクタを形成しない場合に比べ、第１絶縁膜１４Ａは大きな厚みで設計される。このため、同一発光色の画素間でのインクの濡れ拡がりが悪く、上記のように印刷過程において生じた、インクが十分に滴下されない部分や未滴下部がそのまま残存し、輝度むらを生じることがある。表示装置１のように、凹部Ｈ２を用いて開口部Ｈ１同士を繋ぐことで、第１絶縁膜１４Ａの膜厚が比較的大きく設計される場合にも、インクの濡れ拡がりを妨げることなく成膜を行うことができる。即ち、有機ＥＬ素子１０の光取り出し効率を高めつつ、ウェットプロセスに起因する輝度むらを低減することができ、より高画質なディスプレイを実現可能となる。
【００６８】
＜適用例＞
上記実施の形態において説明した表示装置１は、様々なタイプの電子機器に用いることができる。図１０に、表示装置１が適用される電子機器（電子機器１Ａ）の機能ブロック構成を示す。電子機器１Ａとしては、例えばテレビジョン装置、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、スマートフォン、タブレット型ＰＣ、携帯電話機、デジタルスチルカメラおよびデジタルビデオカメラ等が挙げられる。
【００６９】
電子機器１Ａは、例えば上述の表示装置１と、インターフェース部３０とを有している。インターフェース部３０は、外部から各種の信号および電源等が入力される入力部である。このインターフェース部３０は、また、例えばタッチパネル、キーボードまたは操作ボタン等のユーザインターフェースを含んでいてもよい。
【００７０】
以上、実施の形態および適用例を挙げて説明したが、本開示は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、画素分離膜１４が、第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとの積層構造により構成され、これらの第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとがそれぞれ別の工程で成膜される場合を例示したが、画素分離膜１４の構成はこれに限定されるものではない。例えば、画素列間（発光色の異なる画素間）の領域が十分に分離可能あれば、第２絶縁膜１４Ｂは必ずしも設けられなくともよい。
【００７１】
また、第１絶縁膜１４Ａと第２絶縁膜１４Ｂとは、一体的に（単層膜として）形成されていてもよい。換言すると、第１絶縁膜１４Ａが、第２絶縁膜１４Ｂに対応する部分を有していてもよい（第１絶縁膜１４Ａが第２絶縁膜１４Ｂを兼ねた構造を有していてもよい）。
【００７２】
更に、上記実施の形態等では、第１絶縁膜１４Ａに形成される第１開口Ｈ１ａの形状を矩形状としたが、第１開口Ｈ１ａの形状は、矩形状に限定されるものではない。矩形状の他にも、円形状、楕円形状および多角形状など、様々な形状をとり得る。複数の第１開口Ｈ１ａが設けられる場合に、各第１開口Ｈ１ａの形状は同一であってもよいし、異なっていてもよい。第１開口Ｈ１ａ、第２開口Ｈ１ｂ、凹部Ｈ２および残留部１４ＡＩの形状、位置、個数等のレイアウトは、特に限定されるものではなく、上述の効果を発揮し得る範囲で適宜変更可能である。
【００７３】
加えて、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００７４】
また、上記実施の形態等では、有機ＥＬ素子１０の構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【００７５】
更に、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本開示はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素回路ＰＸＬＣの構成は、上記実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路ＰＸＬＣの変更に応じて、上述した走査線駆動部３、信号線駆動部４および電源線駆動部５の他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００７６】
尚、本明細書中に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
【００７７】
また、本開示は以下のような構成をとることも可能である。
（１）
第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
表示装置。
（２）
前記第２開口は、ストライプ状に設けられている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記残留部の厚みは、前記残留部以外の前記第１絶縁膜の厚み以下である
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
前記第２方向に隣り合う前記第１開口の間の領域から逸れた位置に前記残留部が設けられている
前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（５）
更に、前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１方向に延在する第２絶縁膜を有する
前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（６）
前記第２絶縁膜は撥液性を有する
前記（５）記載の表示装置。
（７）
前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記残留部の前記第２方向の幅よりも大きい
前記（５）または（６）記載の表示装置。
（８）
前記第２絶縁膜の前記第２方向の幅は、前記第２開口の前記第２方向の幅よりも大きい
前記（５）乃至（７）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（９）
前記画素は、それぞれが複数色のうちのいずれかの色の光を発する有機電界発光素子を含み、
前記画素は発光色毎に前記第１方向に沿って配置されている
前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１０）
前記第１絶縁膜には、前記第１方向に隣り合う前記画素の前記第１開口を繋ぐ凹部が設けられている
前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１１）
前記第１開口にリフレクタを有する
前記（１）乃至（１０）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１２）
前記残留部では、前記第１絶縁膜が前記第２開口の両側から前記第２方向に連続して設けられている
前記（１）乃至（１１）のうちいずれか１つ記載の表示装置。
（１３）
第１方向および第２方向にマトリクス状に配置された複数の画素と、
隣り合う前記画素の間に設けられ、前記画素の発光領域に第１開口を有する第１絶縁膜とを備え、
前記第１絶縁膜は、前記第２方向に隣り合う前記画素の間に、前記第１方向に延在する第２開口を有するとともに、前記第２開口内に残留部を有する
表示装置を備えた電子機器。
【００７８】
本出願は、日本国特許庁において２０１６年６月１５日に出願された日本特許出願番号第２０１６−１１８８３７号を基礎として優先権を主張するものであり、この出願の全ての内容を参照によって本出願に援用する。
【００７９】
当業者であれば、設計上の要件や他の要因に応じて、種々の修正、コンビネーション、サブコンビネーション、および変更を想到し得るが、それらは添付の請求の範囲やその均等物の範囲に含まれるものであることが理解される。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【国際調査報告】
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