(57)【要約】本発明の積層体は、ガラス及びフィラーを含むガラスセラミック層と、フェライトを含むフェライト層とからなる積層構造を有する積層体であって、ガラスセラミック層におけるガラスの含有量が３０．０重量％以上８０．０重量％以下、フィラーの含有量が２０．０重量％以上７０．０重量％以下であり、ガラスセラミック層に含まれるガラスは、上記ガラス全体の重量に対して０．５重量％以上５．０重量％以下のＲ２Ｏ（Ｒは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種）、０重量％以上５．０重量％以下のＡｌ２Ｏ３、１０．０重量％以上２５．０重量％以下のＢ２Ｏ３及び７０．０重量％以上８５．０重量％以下のＳｉＯ２を含み、ガラスセラミック層に含まれる上記フィラーは、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種を含み、さらに、上記ガラス及び上記フィラーの合計重量に対して５．０重量％以上１５．０重量％以下のフェライトを含む。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス及びフィラーを含むガラスセラミック層と、フェライトを含むフェライト層とからなる積層構造を有する積層体であって、前記ガラスセラミック層におけるガラスの含有量が３０．０重量％以上８０．０重量％以下、フィラーの含有量が２０．０重量％以上７０．０重量％以下であり、前記ガラスセラミック層に含まれるガラスは、前記ガラス全体の重量に対して０．５重量％以上５．０重量％以下のＲ２Ｏ（Ｒは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種）、０重量％以上５．０重量％以下のＡｌ２Ｏ３、１０．０重量％以上２５．０重量％以下のＢ２Ｏ３及び７０．０重量％以上８５．０重量％以下のＳｉＯ２を含み、前記ガラスセラミック層に含まれる前記フィラーは、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種を含み、さらに、前記ガラス及び前記フィラーの合計重量に対して５．０重量％以上１５．０重量％以下のフェライトを含むことを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記ガラスセラミック層に含まれるフェライトは、前記フェライト層に含まれるフェライトと同一の組成を有する請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記ガラスセラミック層に含まれるフェライト及び前記フェライト層に含まれるフェライトは、いずれもＮｉ−Ｚｎ系フェライトである請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記積層体が多層セラミック基板である請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
前記積層体がチップ部品である請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の積層体を備えることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】本発明は、積層体及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】電子機器の小型化に伴い、電子機器に組み込まれる各種電子部品も小型化及び低背化が要求されている。例えば、ＬＣフィルタは、近年では、セラミック基板の内部に高透磁率を有するフェライト層を形成し、このフェライト層にコイル導体を埋設することにより形成することが提案されている。【０００３】特許文献１には、フェライト結晶を有するフェライト層と、フェライト結晶と同じ結晶構造の第１結晶を含むガラスセラミックスを有する絶縁層と、絶縁層とフェライト層との間に配置された第１結晶を含むガラスセラミックス及びフェライト結晶を有する中間層とが積層されたガラスセラミック基板が開示されている。特許文献１に記載のガラスセラミック基板においては、中間層の複数のフェライト結晶の一部が、絶縁層側へ突出していることを特徴としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−８００４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】ガラスセラミックからなる絶縁層とフェライト層とが積層された積層体では、両者の熱膨張係数の差が大きいため、共焼結時に剥がれやクラック、反り等の欠陥が発生するという問題が生じる。特許文献１に記載の構成では、ガラスセラミック層とフェライト層との間に中間層が設けられているため、線膨張係数の差を原因とする剥がれ等の問題は緩和される。しかし、誘電体や磁性体としての電磁気的機能を有しない中間層を設ける必要があるため、中間層を設けない場合と比べて低背化が困難である。【０００６】また、ガラスセラミック層は、ＳｉＯ２を多く含むガラスから構成されるため、透明性を有している。そのため、表層にガラスセラミック層が配置される場合には、ガラスセラミック層内に形成された内層電極が表面から透けて見えてしまうため、例えば表層電極のめっき付不良等の判別が困難になるという問題があった。【０００７】本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、比誘電率が低く絶縁抵抗が高いガラスセラミック層がフェライト層と積層された積層体であって、ガラスセラミック層とフェライト層との間に中間層を設けなくても界面での剥がれ等の発生及び絶縁抵抗の低下を防止することができ、さらにはガラスセラミック層の透明性が低い積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】上記目的を達成するため、本発明の積層体は、ガラス及びフィラーを含むガラスセラミック層と、フェライトを含むフェライト層とからなる積層構造を有する積層体であって、上記ガラスセラミック層におけるガラスの含有量が３０．０重量％以上８０．０重量％以下、フィラーの含有量が２０．０重量％以上７０．０重量％以下であり、上記ガラスセラミック層に含まれるガラスは、上記ガラス全体の重量に対して０．５重量％以上５．０重量％以下のＲ２Ｏ（Ｒは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種）、０重量％以上５．０重量％以下のＡｌ２Ｏ３、１０．０重量％以上２５．０重量％以下のＢ２Ｏ３及び７０．０重量％以上８５．０重量％以下のＳｉＯ２を含み、上記ガラスセラミック層に含まれる上記フィラーは、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種を含み、さらに、上記ガラス及び上記フィラーの合計重量に対して５．０重量％以上１５．０重量％以下のフェライトを含むことを特徴とする。【０００９】本発明の積層体では、ガラスセラミック層の比誘電率を低く維持できる程度の量のフェライトがガラスセラミック層に含まれることにより、ガラスセラミック層とフェライト層との収縮挙動の差が小さくなるため、中間層を設けなくても界面での剥がれ等の発生を防止することができる。【００１０】また、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種とフェライトとがガラスセラミック層に含まれることにより、ガラスセラミック層及びフェライト層の共焼結体における絶縁抵抗の低下を防止することができる。これは、ガラスセラミック層−フェライト層間の相互拡散が減少するためと考えられる。ガラスセラミック層にＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種とフェライトとが含まれていると、焼成途中で、フィラーであるＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の一部がガラス成分と反応してガラス組成の一部になることによってガラス粘度が高くなるため、フェライト層へのガラス成分の拡散が起こりにくくなる。また、ガラスセラミック層にフェライトが含まれることによってガラスセラミック層−フェライト層間のフェライト成分の濃度勾配が小さくなるため、ガラスセラミック層へのフェライト成分の拡散が起こりにくくなる。その結果、共焼結体においても良好な絶縁抵抗特性が得られると推測される。【００１１】さらに、本発明の積層体では、ガラスセラミック層に含まれるフェライトが失透材として機能するため、ガラスセラミック層の透明性を阻害する。そのため、ガラスセラミック層内に形成された内層電極が表面から見えなくなり、表層電極のめっき付不良等の判別が容易となる。【００１２】本発明の積層体では、上記ガラスセラミック層に含まれるフェライトは、上記フェライト層に含まれるフェライトと同一の組成を有することが好ましい。ガラスセラミック層に含まれるフェライトの組成をフェライト層に含まれるフェライトの組成と同一にすることにより、ガラスセラミック層とフェライト層との収縮挙動の差を小さくする効果、及び、ガラスセラミック層−フェライト層間の相互拡散を減少させる効果が充分に発揮される。【００１３】本発明の積層体では、上記ガラスセラミック層に含まれるフェライト及び上記フェライト層に含まれるフェライトは、いずれもＮｉ−Ｚｎ系フェライトであることが好ましい。スピネル構造を有する強磁性フェライトの中でも、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、高周波帯域で充分に高い透磁率を有するため、高周波用途に適している。【００１４】本発明の積層体は、多層セラミック基板であってもよいし、チップ部品であってもよい。【００１５】本発明の電子部品は、上記積層体を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】この発明によれば、比誘電率が低く絶縁抵抗が高いガラスセラミック層がフェライト層と積層された積層体であって、ガラスセラミック層とフェライト層との間に中間層を設けなくても界面での剥がれ等の発生及び絶縁抵抗の低下を防止することができ、さらにはガラスセラミック層の透明性が低い積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、多層セラミック基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、チップ部品としてのＬＣフィルタの一例を模式的に示す断面図である。
【図４】図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、各実施例及び各比較例で作製した誘電体コンデンサの模式図である。図４（ａ）は厚さ方向の断面図、図４（ｂ）は一方の電極が通る面に沿った断面図、図４（ｃ）は他方の電極が通る面に沿った断面図である。
【図５】図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、各実施例及び各比較例で作製した共焼結体コンデンサの模式図である。図５（ａ）は厚さ方向の断面図、図５（ｂ）は一方の電極が通る面に沿った断面図、図５（ｃ）は他方の電極が通る面に沿った断面図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、各実施例及び各比較例で作製した非透明性評価用基板の模式図である。図６（ａ）は厚さ方向の断面図、図６（ｂ）は電極が通る面に沿った断面図である。
【図７】図７は、各実施例及び各比較例で作製した剥がれ評価用共焼結体の模式図である。
【図８】図８は、本発明の範囲内にある組成を有する試料を用いて作製した共焼結体の外観写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】以下、本発明の積層体及び電子部品について説明する。しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。以下に示す各実施形態は例示であり、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせが可能であることは言うまでもない。なお、以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００１９】図１は、本発明の積層体の一例を模式的に示す断面図である。図１に示す積層体１０は、ガラス及びフィラーを含むガラスセラミック層１と、フェライトを含むフェライト層２とからなる積層構造を有している。ガラスセラミック層１とフェライト層２との間には中間層が設けられておらず、ガラスセラミック層１及びフェライト層２は接している。積層体１０は、ガラスセラミック層１及びフェライト層２を共焼結させて得られる共焼結体である。
【００２０】図１では、ガラスセラミック層１及びフェライト層２がそれぞれ一体のものとして図示されているが、実際には、複数の層からなる積層構造を有していてもよい。
【００２１】フェライト層に含まれるフェライトは、スピネル構造の固溶体である強磁性フェライトであることが好ましく、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトも含む）、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト等が挙げられる。これらのフェライトは、１種のみが含まれていてもよいし、２種以上が含まれていてもよい。スピネル構造を有する強磁性フェライトの中でも、高周波帯域で充分に高い透磁率を有するため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトが好ましく、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトがより好ましい。
【００２２】フェライト層には、フェライト以外のフィラーが含まれていてもよいが、フェライト層におけるフェライトの含有量は、９５．０重量％以上であることが好ましく、１００重量％であることがより好ましい。
【００２３】ガラスセラミック層に含まれるガラスは、ガラス全体の重量に対して０．５重量％以上５．０重量％以下のＲ２Ｏ（Ｒは、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種）、０重量％以上５．０重量％以下のＡｌ２Ｏ３、１０．０重量％以上２５．０重量％以下のＢ２Ｏ３及び７０．０重量％以上８５．０重量％以下のＳｉＯ２を含む。Ａｌ２Ｏ３は任意成分である。
【００２４】ガラスセラミック層に含まれるガラスには、その他の不純物が含有されていてもよく、不純物が含まれる場合の好ましい含有量は５．０重量％未満である。
【００２５】ガラスセラミック層におけるガラスの含有量は、３０．０重量％以上８０．０重量％以下であり、４５．０重量％以上６５．０重量％以下であることが好ましい。
【００２６】ガラスセラミック層に含まれるフィラーは、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３のうちの少なくとも１種を含む。ＳｉＯ２としては、石英等が挙げられる。本明細書において、フィラーとは、ガラスに含まれない無機添加剤を意味する。
【００２７】ガラスセラミック層におけるフィラーの含有量は、２０．０重量％以上７０．０重量％以下であり、３５．０重量％以上５５．０重量％以下であることが好ましい。
【００２８】ガラス及びフィラーの合計重量に対するＳｉＯ２の含有量は、５．０重量％以上６０．０重量％以下であることが好ましく、２０．０重量％以上４０．０重量％以下であることがより好ましい。また、ガラス及びフィラーの合計重量に対するＡｌ２Ｏ３の含有量は、０．５重量％以上１０．０重量％以下であることが好ましい。
【００２９】ガラスセラミック層に含まれるフィラーは、フェライトをさらに含む。ガラスセラミック層に含まれるフェライトは、スピネル構造の固溶体である強磁性フェライトであることが好ましく、例えば、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト（Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトも含む）、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｏ系フェライト等が挙げられる。これらのフェライトは、１種のみが含まれていてもよいし、２種以上が含まれていてもよい。
【００３０】ガラスセラミック層に含まれるフェライトは、フェライト層に含まれるフェライトと異なる組成であってもよいが、フェライト層に含まれるフェライトと同一の組成を有することが好ましい。特に、ガラスセラミック層に含まれるフェライト及び上記フェライト層に含まれるフェライトは、いずれもＮｉ−Ｚｎ系フェライトであることが好ましく、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトであることがより好ましい。
【００３１】ガラス及びフィラーの合計重量に対するフェライトの含有量は、５．０重量％以上１５．０重量％以下であり、８．０重量％以上１２．０重量％以下であることが好ましい。
【００３２】ガラスセラミック層には、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びフェライト以外のフィラー（例えば、ＺｒＯ２等）が含まれていてもよい。
【００３３】本発明の積層体において、ガラスセラミック層とフェライト層との界面付近（界面から１μｍ程度の領域）では、接合のため相互の成分が拡散している。そのため、ガラスセラミック層及びフェライト層の組成を測定する際には、ガラスセラミック層とフェライト層との界面付近の組成を測定するのではなく、界面から離れた部分の組成を測定するようにする。
【００３４】図１に示す積層体１０を作製するには、まず、ガラスセラミック層１となるべきガラスセラミックシートと、フェライト層２となるべきフェライトシートとを準備する。ガラスセラミックシートは、ガラス粉末、フィラー粉末、有機バインダ及び溶剤を含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。また、フェライトシートは、フェライト粉末、有機バインダ及び溶剤を含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。これらのスラリーには、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。
【００３５】ガラスセラミックシート及びフェライトシートを所定枚数積層し、焼成することによって、積層体１０が得られる。
【００３６】本発明の積層体は、多層セラミック基板に適用することができる。
【００３７】図２は、多層セラミック基板の一例を模式的に示す断面図である。図２に示す多層セラミック基板２０は、フェライト層２２と、フェライト層２２を積層方向に挟むように位置する２つのガラスセラミック層２１とからなる積層構造を有している。
【００３８】多層セラミック基板２０は、ガラスセラミック層２１に形成された配線導体を備えている。配線導体は、例えばコンデンサ又はインダクタのような受動素子を構成したり、あるいは素子間の電気的接続のような接続配線を行なったりするためのもので、典型的には、図示したように、幾つかの導体膜２４、２５及び２６並びに幾つかのビアホール導体２７から構成される。これらの配線導体は、銀又は銅を主成分とすることが好ましい。
【００３９】導体膜２４は、ガラスセラミック層２１の内部に形成される。導体膜２５及び２６は、それぞれ、多層セラミック基板２０の一方主面上及び他方主面上に形成される。ビアホール導体２７は、導体膜２４、２５及び２６のいずれかと電気的に接続され、かつガラスセラミック層２１を厚み方向に貫通するように設けられる。
【００４０】多層セラミック基板２０は、さらに、フェライト層２２に内蔵されたコイル導体２８を備えている。コイル導体２８は、銀又は銅を主成分とすることが好ましい。図２では、３重巻きの平面コイル導体を上下に２つ重ねてコイル導体２８が形成されている例を示している。
【００４１】多層セラミック基板２０の一方の主面上には、導体膜２５に電気的に接続された状態で、図示しないチップ部品が搭載される。これによって、多層セラミック基板２０を備える電子部品が構成される。多層セラミック基板２０に搭載されるチップ部品は、本発明の積層体であってもよい。多層セラミック基板２０の他方の主面上に形成された導体膜２６は、当該電子部品を図示しないマザーボード上に実装する際の電気的接続手段として用いられる。
【００４２】このような多層セラミック基板は、上記した積層体の製造方法において、配線導体となるべき配線導体パターンをガラスセラミックシートに形成し、コイル導体となるべきコイル導体パターンをフェライトシートに形成しておくことによって作製することができる。図２に示す多層セラミック基板２０であれば、コイル導体パターンが形成された所定枚数のフェライトシートの上下に、各配線導体パターンが形成された所定枚数のガラスセラミックシートを配置して積層シート体を作製し、この積層シート体を焼成することによって作製することができる。
【００４３】配線導体パターン及びコイル導体パターンは、銀又は銅等の金属粉末、有機バインダ及び溶剤を含有する導体ペーストをスクリーン印刷法等によって所定パターンに印刷することにより形成される。導体ペーストには、分散剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。
【００４４】積層シート体を焼成する際の焼成温度は特に限定されず、例えば、１０００℃以下の焼成温度が適用される。また、焼成雰囲気も特に限定されないが、例えば、導体材料として銀等の酸化しにくい材料を用いる場合には大気雰囲気で焼成が行われ、銅等の酸化しやすい材料を用いる場合には窒素雰囲気等の低酸素雰囲気で焼成が行われることが好ましい。
【００４５】本発明の積層体は、上述した多層セラミック基板だけでなく、チップ部品に適用することが可能である。
【００４６】図３は、チップ部品としてのＬＣフィルタの一例を模式的に示す断面図である。図３に示すＬＣフィルタ３０は、ガラスセラミック層３１と、フェライト層３２とからなる積層構造を有している。
【００４７】ガラスセラミック層３１の内部には、複数のコンデンサ電極３３が互いに対向する状態で設けられ、これによってコンデンサ３４が構成されている。他方、フェライト層３２の内部には、コイル状に延びるコイル導体３５が設けられ、これによってインダクタ３６が構成されている。
【００４８】図３には示していないが、ＬＣフィルタ３０は、コンデンサ３４とインダクタ３６とを接続する接続導体、入出力端子となる端子電極、及び、アース端子となる端子電極をさらに備える。このうち、入出力端子となる端子電極、及び、アース端子となる端子電極は、ＬＣフィルタ３０の外表面上に設けられる。
【００４９】本発明の積層体が適用可能なチップ部品としては、ＬＣフィルタ等のＬＣ複合部品の他、コンデンサ、インダクタ等が挙げられる。
【００５０】本発明の積層体は、上述した多層セラミック基板又はチップ部品以外に適用してもよい。
【００５１】本発明の積層体は、ガラスセラミック層とフェライト層とからなる積層構造を有する限り、その構造は特に限定されない。図２に示す多層セラミック基板２０は、２つのガラスセラミック層２１の間にフェライト層２２が挟まれた構造を有しているが、本発明の積層体は、２つのフェライト層の間にガラスセラミック層が挟まれた構造を有していてもよい。また、積層される層の数等も特に限定されず、積層体の表面にはガラスセラミック層及びフェライト層のどちらが配置されていてもよい。
【実施例】
【００５２】以下、本発明の積層体をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。【００５３】（ガラスセラミックシートの作製）表１に示すガラス組成となるように、出発原料となる酸化物又は炭酸塩を調合し、これをＰｔルツボに入れ、ガラス組成に応じて１４００℃以上１６００℃以下の温度で３時間溶融させた。このガラス融液を急冷した後、粉砕し、各試料に係るガラス粉末を得た。得られた各ガラス粉末と、表１に示すアルミナ粉末、石英粉末及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの仮焼粉末からなるフィラー粉末とを、表１に示す割合で混合するとともに、これらに溶剤、バインダ及び可塑剤を加えて充分に混合し、スラリーを得た。ここで、溶剤として、エタノールとトルエンの混合溶液を、バインダとしてブチラール樹脂を、可塑剤としてフタル酸エステルを用いた。得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、ガラスセラミックシートを得た。【００５４】表１において、フィラーとしてのアルミナ、石英及びフェライトの各々の重量比は、ガラス及びフィラーの合計重量に対する重量比で示されている。【００５５】
【表１】
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【００５６】表１において、＊を付した試料の組成は、本発明の範囲外のものである。【００５７】（フェライトシートの作製）Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトの仮焼粉末に、上記と同じ溶剤、バインダ及び可塑剤を加えて充分に混合し、スラリーを得た。得られたスラリーをドクターブレード法により成形し、フェライトシートを得た。【００５８】得られたガラスセラミックシート及びフェライトシートを用いて、下記測定評価を行った。【００５９】（比誘電率測定）ガラスセラミックシートをカットしたものを積層、圧着することにより、５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．６ｍｍとなるように圧着体を作製した。この圧着体を空気中、９００℃で１時間焼成し、セラミック基板を得た。得られたセラミック基板を用いて、空洞共振器法により比誘電率εｒを測定した。測定周波数は３ＧＨｚである。各試料の比誘電率を表２に示す。評価基準は、εｒ≦４．５である。【００６０】（絶縁抵抗測定）図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、各実施例及び各比較例で作製した誘電体コンデンサの模式図である。ガラスセラミックシートをカットしたものにＡｇ系電極ペーストを印刷した後、所定の厚みになるように積層、圧着し、これを空気中、９００℃で１時間焼成することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍの誘電体コンデンサ（電極面積：４ｍｍ×４ｍｍ、電極間距離：３０μｍ）を作製した。【００６１】図５（ａ）、図５（ｂ）及び図５（ｃ）は、各実施例及び各比較例で作製した共焼結体コンデンサの模式図である。ガラスセラミックシート及びフェライトシートを用いて、誘電体及び磁性体の複合体からなる共焼結体コンデンサを作製した。焼成後厚みで片側０．５ｍｍになるようなフェライトシートの層で焼成後厚み９０μｍのガラスセラミックシートの層を挟んだ構造を有する複合体を、空気中、９００℃で１時間共焼結することにより、ガラスセラミックシートの中央部分のみでコンデンサが形成されている１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍの共焼結体コンデンサ（電極面積：４ｍｍ×４ｍｍ、電極間距離：３０μｍ）を作製した。【００６２】絶縁抵抗測定器を用いて、誘電体コンデンサ及び共焼結体コンデンサの絶縁抵抗を測定した。各試料の絶縁抵抗（ｌｏｇＩＲ）を表２に示す。評価基準は、ｌｏｇＩＲ＞１０である。【００６３】（ガラスセラミック層の非透明性評価）図６（ａ）及び図６（ｂ）は、各実施例及び各比較例で作製した非透明性評価用基板の模式図である。ガラスセラミックシートをカットしたものにＡｇ系電極ペーストを印刷した後、所定の厚みになるように積層、圧着し、これを空気中、９００℃で１時間焼成することにより、１０ｍｍ×１０ｍｍ×１．０ｍｍの内部電極内蔵基板（電極面積：４ｍｍ×４ｍｍ）を作製した。内部電極は、表層から１０μｍ下方に内蔵されるように挿入した。得られた基板の外観を目視し、内蔵した内部電極が見える場合には×、見えない場合には○として非透明性を評価した。各試料の結果を表２に示す。【００６４】（界面での剥がれ評価）図７は、各実施例及び各比較例で作製した剥がれ評価用共焼結体の模式図である。ガラスセラミックシート及びフェライトシートを用いて、誘電体及び磁性体の複合体からなる共焼結体を作製した。焼成後厚みで片側０．４ｍｍになるようなフェライトシートの層で焼成後厚み０．４ｍｍのガラスセラミックシートの層を挟んだ構造を有する複合体を空気中、９００℃で１時間共焼結することにより、１５ｍｍ×１５ｍｍ×１．２ｍｍの共焼結体を作製した。金属顕微鏡を用いて得られた共焼結体の外観を観察し、各層の界面での剥がれやクラック等の有無を確認した。各試料の結果を表２に示す。【００６５】
【表２】
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【００６６】図８は、本発明の範囲内にある組成を有する試料を用いて作製した共焼結体の外観写真である。図８に示す共焼結体は、図７と同様、２つの磁性体（フェライト層）で誘電体（ガラスセラミック層）を挟んだ構造を有している。図８より、各層の界面で剥がれやクラック等が発生していないことが確認できる。【００６７】また、表２より、本発明の範囲内にある組成を有するガラスセラミック層とフェライト層とからなる積層体（実施例１〜１５）であれば、ガラスセラミック層の比誘電率が低いこと（εｒ≦４．５）、界面での剥がれ等が発生しないこと、共焼結体コンデンサの絶縁抵抗が誘電体コンデンサの絶縁抵抗と同等であること（ｌｏｇＩＲ＞１０）、及び、ガラスセラミック層の透明性が低いことを全て満足することが確認された。【００６８】これに対し、ガラス中のＫ２Ｏが少ない比較例１、ガラス中のＢ２Ｏ３が少なくＳｉＯ２が多い比較例４、ガラス中のＳｉＯ２が多い比較例７、及び、ガラスセラミック層におけるガラスが少なくフィラーが多い比較例８では、誘電体コンデンサが未焼結であった。【００６９】ガラス中のＫ２Ｏが多い比較例２、ガラス中のＡｌ２Ｏ３が多い比較例３、ガラス中のＢ２Ｏ３が多い比較例５、ガラス中のＳｉＯ２が少ない比較例６、ガラスセラミック層におけるガラスが多くフィラーが少ない比較例９では、共焼結体コンデンサの絶縁抵抗が誘電体コンデンサの絶縁抵抗に比べて低下した。【００７０】ガラスセラミック層におけるフェライトが多い比較例１０では、ガラスセラミック層の比誘電率が高かった。【００７１】ガラスセラミック層におけるフェライトが少ない比較例１１では、ガラスセラミック層の透明性が高く、共焼結体コンデンサの絶縁抵抗が誘電体コンデンサの絶縁抵抗に比べて低下した。また、ガラスセラミック層にフェライトが含まれていない比較例１２では、ガラスセラミック層の透明性が高く、界面での剥がれの発生が確認された。【００７２】以上の結果から、本発明の積層体を用いることにより、優れた特性を有する電子部品を実現することができると考えられる。
【符号の説明】
【００７３】１，２１，３１  ガラスセラミック層２，２２，３２  フェライト層１０  積層体２０  多層セラミック基板（積層体）３０  ＬＣフィルタ（積層体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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