(57)【要約】  本発明の課題は、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することである。また、本発明の課題は、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することである。本発明の有機半導体組成物は、分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、式（２）で表される低分子化合物Ｙと、を含有する。2017086320.tif 0000572017086320.tif 000058
2017086320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子量２０００以上で、かつ、式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、
式（２）で表される化合物Ｙと、
を含有する、有機半導体組成物。
【化１】
2017086320.tif 000048
式（１）中のＡは、式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基であり、
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。
【化２】
2017086320.tif 000049
式（Ａ−１）〜（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚａはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（ＲＡ２）２、ＮＲＡ１、Ｎ原子、ＣＲＡ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
【化３】
2017086320.tif 000050
式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｌｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。
Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、他の構造との結合部位を表す。
【化４】
2017086320.tif 000051
式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
ｎは、２〜８の整数を示す。複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環を示す。
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＢ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＣ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。ＲＢはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＣはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
【請求項２】
前記式（１）中のＤが、式（Ｄ−１）で表される構造である、請求項１に記載の有機半導体組成物。
【化５】
2017086320.tif 000052
式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
【請求項３】
前記式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位である、請求項１または２に記載の有機半導体組成物。
【化６】
2017086320.tif 000053
式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、前記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚａはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚｄはそれぞれ独立に、ＮまたはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子または前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
【請求項４】
前記式（１）で表される繰り返し単位が、式（６）で表される繰り返し単位である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化７】
2017086320.tif 000054
式（６）中、ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、前記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、前記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、前記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
【請求項５】
前記化合物Ｙが、式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化８】
2017086320.tif 000055
式（２Ａ）中、Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。
【請求項６】
前記化合物Ｙが、式（２Ｂ）で表される化合物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【化９】
2017086320.tif 000056
式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。なお、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＢ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＣ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。ＲＢはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＣはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
【請求項７】
前記式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である、請求項６に記載の有機半導体組成物。
【請求項８】
前記化合物Ｙの含有量が、前記化合物Ｘ１００質量部に対して、１００質量部以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機半導体組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を用いて作製された、有機半導体膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体組成物、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイおよび有機ＥＬ（electro luminescence）ディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（radio frequency identifier：ＲＦタグ）およびメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機半導体膜（有機半導体層）を有する有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ（thin film transistor））が利用されている。
このような有機半導体膜を形成するための化合物として、例えば特許文献１および２には、キャリア輸送性を有する高分子化合物と、低分子化合物と、を含有する有機半導体組成物が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６７３７２号公報
【特許文献２】特開２０１２−３９１０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、有機薄膜トランジスタのさらなる性能の向上が求められていることから、キャリア移動度の低下を抑制しつつ、優れたヒステリシス特性（電圧制御性）をもつ有機薄膜トランジスタが求められている。
このような中、本発明者らが上記特許文献１および２に記載の有機半導体組成物を用いて有機薄膜トランジスタを作製したところ、特にヒステリシス特性が低下することを見出した。【０００５】
そこで、本発明は、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題について鋭意検討した結果、所定の構造の化合物Ｘと、所定の構造の化合物Ｙと、を併用する有機半導体組成物を用いることで、所望の効果が得られることを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明者は、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。【０００７】
［１］
分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、
後述する式（２）で表される化合物Ｙと、
を含有する、有機半導体組成物。
後述する式（１）中のＡは、後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基であり、
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。
後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚａはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（ＲＡ２）２、ＮＲＡ１、Ｎ原子、ＣＲＡ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
後述する式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｌａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｌｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。
Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、他の構造との結合部位を表す。
後述する式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
ｎは、２〜８の整数を示す。複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環を示す。
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＢ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＣ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。ＲＢはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＣはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
［２］
後述する式（１）中のＤが、後述する式（Ｄ−１）で表される構造である、上記［１］に記載の有機半導体組成物。
後述する式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
［３］
後述する式（１）で表される繰り返し単位が、後述する式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位である、上記［１］または［２］に記載の有機半導体組成物。
後述する式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚａはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。
ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｚｄはそれぞれ独立に、ＮまたはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子または後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
［４］
後述する式（１）で表される繰り返し単位が、式（６）で表される繰り返し単位である、上記［１］〜［３］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（６）中、ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、後述する式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、後述する式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、後述する式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。
［５］
上記化合物Ｙが、後述する式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有する、上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（２Ａ）中、Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。
［６］
上記化合物Ｙが、後述する式（２Ｂ）で表される化合物である、上記［１］〜［４］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
後述する式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。なお、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＢ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＣ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。ＲＢはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＣはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示す。
［７］
後述する式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である、上記［６］に記載の有機半導体組成物。
［８］
上記化合物Ｙの含有量が、上記化合物Ｘ１００質量部に対して、１００質量部以下である、上記［１］〜［７］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物。
［９］
上記［１］〜［８］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物を用いて作製された、有機半導体膜。
［１０］
上記［９］に記載の有機半導体膜を有する、有機薄膜トランジスタ。
［１１］
上記［１］〜［８］のいずれか１つに記載の有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程を含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを形成できる有機半導体組成物を提供することができる。また、本発明によれば、有機半導体膜、有機薄膜トランジスタおよび有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの断面模式図である。
【００１０】
以下に、本発明について詳述する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。【００１１】
本明細書において、化合物の表示については、その化合物そのものの他、その塩、そのイオンを含む意味に用いる。【００１２】
本明細書において、特定の符号で表示された置換基や連結基等（以下、置換基等という）が複数あるとき、または、複数の置換基等を同時に規定するときには、それぞれの置換基等は互いに同一でも異なっていてもよいことを意味する。このことは、置換基等の数の規定についても同様である。
また、特に断らない限り、複数の置換基等が近接（特に隣接）するときには、それらが互いに連結したり縮環したりして環を形成していてもよい意味である。
さらに、本明細書において置換・無置換を明記していない置換基等については、目的とする効果を損なわない範囲で、その基にさらに置換基を有していてもよい意味である。これは置換・無置換を明記していない化合物についても同義である。
本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む範囲を意味する。【００１３】
［有機半導体組成物］
本発明の有機半導体組成物は、分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘと、後述する式（２）で表される化合物Ｙと、を含有する。
このように、分子量２０００以上で、かつ、後述する式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘ（以下、「特定高分子化合物」ともいう。）と、後述する式（２）で表される化合物Ｙ（以下、「特定低分子化合物」ともいう。）と、を用いることで、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつ有機薄膜トランジスタを作製できる。
この理由の詳細は未だ明らかになっていない部分もあるが、およそ以下の理由によるものと推測される。【００１４】
特定高分子化合物は、電子ドナーユニットと電子アクセプターユニットとから形成される主鎖骨格を有する、いわゆるＤ−Ａ型ポリマーの一種である。このようなＤ−Ａ型ポリマーは結晶化させた際に良好な配向性を示すが、特定低分子化合物と併用することで、配向性を一層向上できたものと考えられる。すなわち、特定高分子化合物と特定低分子化合物とを用いることで、特定高分子化合物の隙間に特定低分子化合物が入り込みやすくなり、特定高分子化合物の結晶性や配列性が向上したものと考えられる。
これにより、有機半導体膜（有機半導体層）と、ソース電極およびドレイン電極との界面での電荷注入がスムーズに行われるようになり、高い移動度を維持しつつ、ヒステリシス（電圧制御性）に優れたものとなったと推測される。【００１５】
また、本発明の有機半導体組成物を用いて形成された有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタは、上記理由により、閾値電圧に関しても優れた特性を示すものになったと推測される。
さらに、低分子化合物のみを用いた場合には、有機半導体層の結晶構造が崩れやすい傾向にあるが、特定高分子化合物を併用することで、加熱することで生じる欠陥による影響を受けにくくなる。そのため、本発明の有機半導体組成物を用いて形成された有機半導体層を含む有機薄膜トランジスタは、加熱前後におけるキャリア移動度の低下を抑制でき、良好な耐熱性を示すものとなったと推測される。【００１６】
以下、本発明の有機半導体組成物に含まれる成分および含まれ得る成分について説明する。【００１７】
＜特定高分子化合物（化合物Ｘ）＞
本発明の有機半導体組成物は、特定高分子化合物を含有する。特定高分子化合物は、上述した通り、分子量２０００以上で、かつ、下記式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物Ｘである。
特定高分子化合物は、有機半導体化合物の一種であり、キャリア輸送性を有する。【００１８】
【化１】
2017086320.tif 000003
【００１９】
式（１）中、Ａは、電子アクセプターユニットを表し、後述する式（Ａ−１）〜（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有する基である。
Ｄは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットを表す。【００２０】
（電子アクセプターユニット（式（１）の「Ａ」））
上記式（１）中、Ａは、下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、Ａが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）よりなる群から選ばれた少なくとも１つにより表される構造であることがより好ましい。【００２１】
【化２】
2017086320.tif 000004
【００２２】
式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。Ｚaはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（ＲＡ２）２、ＮＲＡ１、Ｎ原子、ＣＲＡ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表す。ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、下記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
なお、式（Ａ−３）および式（Ａ−７）においては、Ｚａを含む２つの環構造中のそれぞれにおいて、１つのＺａがＣＲＡ２であり、かつ、ＲＡ２が他の構造との結合部位を表す。この他の構造との結合部位が、式中の＊に該当する。より具体的には、他の構造との結合位置を表す＊が先端に位置する結合手（以後、単に「結合手」と称する）は、各式中のいずれかのＺａから伸びるものであり、この結合手が伸びるＺａは、ＣＲＡ２であり、かつ、ＲＡ２が他の構造との結合部位を表す態様に該当する。
また、式（Ａ−８）においては、２つのＺａがＣＲＡ２であり、かつ、ＲＡ２が他の構造との結合部位を表す。この他の構造との結合部位が、式中の＊に該当する。
また、式（Ａ−４）において、Ｗを含む２つの環構造中のそれぞれにおいて、１つのＷが以下の３つの態様のうちいずれか一つを表す。
態様１：ＷがＣＲＡ２であり、かつ、ＲＡ２が他の構造との結合部位を表す。
態様２：ＷがＮＲＡ１であり、かつ、ＲＡ１が他の構造との結合部位を表す。
態様３：ＷがＣ（ＲＡ２）２であり、かつ、ＲＡ２のうち一方が他の構造との結合部位を表す。【００２３】
【化３】
2017086320.tif 000005
【００２４】
式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。Ｌａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。Ｌｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｌは、１〜５の整数を表す。ｌが２以上のとき、複数のＬｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。＊は、他の構造との結合部位を表す。【００２５】
式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表し、Ｓ原子またはＮＲＡ１が好ましい。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｏ原子が好ましい。
Ｚaはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表し、ＣＲＡ２が好ましい。
Ｗはそれぞれ独立に、Ｃ（ＲＡ２）２、ＮＲＡ１、Ｎ原子、ＣＲＡ２、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子を表し、Ｃ（ＲＡ２）２、ＣＲＡ２、または、Ｓ原子が好ましい。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基が好ましい。
ＲＡ１が−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
なお、ＲＡ１における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表し、水素原子または他の構造との結合部位が好ましい。
ＲＡ２が−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基を表す場合、炭素数２〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数８〜２５のアルキル基がより好ましい。また、上記アルキル基は直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
ＲＡ２がハロゲン原子を表す場合、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、または、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子がより好ましい。
なお、ＲＡ２における他の構造との結合部位とは、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中の＊で表される他の構造との結合部位である。
ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。ＲＡ３における置換基は、後述するＲ１ＳおよびＲ２Ｓにおける置換基と同義である。【００２６】
式（１−１）中、Ａｒは、芳香族複素環基または炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ａｒにおける炭素数５〜１８の芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環基、ビフェニル基、ナフタレン環基、または、３環が縮合した芳香族炭化水素（例えば、フルオレン環）から２以上の水素原子を取り除いた基が挙げられる。これらの中でも、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から、ベンゼン環基、ビフェニル基、または、ナフタレン環基であることが好ましく、ベンゼン環基であることが好ましい。
Ａｒにおける芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよいが、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から単環であることが好ましい。Ａｒにおける芳香族複素環基は、５〜７員環であることが好ましい。また、芳香族複素環基に含まれるヘテロ原子としては、Ｎ原子、Ｏ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｌａは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ１Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。ここで、アルキレン基が−Ｏ−を含むとは、アルキレン基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキレン基の一端または両端に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキレン基に−Ｓ−や−ＮＲ１Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌａを表すアルキレン基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、直鎖状または分岐鎖状のアルキレン基であることが好ましい。
Ｌａを表すアルキレン基の炭素数は、１〜２０であるが、キャリア移動度がより優れたものとなるという観点から、１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがさらに好ましい。
なお、Ｌａを表すアルキレン基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌａを表すアルキレン基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌａが−ＮＲ１Ｓ−を含み、かつ、このＲ１Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ１Ｓの炭素数は、Ｌａを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｌｂは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲ２Ｓ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい炭素数１〜１００のアルキル基を表す。ここで、アルキル基が−Ｏ−を含むとは、アルキル基の炭素−炭素結合の途中に−Ｏ−が導入されている場合や、アルキル基の一端（すなわち、上記「Ａｒ」との接続部分）に−Ｏ−が導入されている場合を意味する。アルキル基に−Ｓ−や−ＮＲ２Ｓ−を含む場合も同様の意味である。
Ｌｂを表すアルキル基は、直鎖状、分岐鎖、環状のいずれであってもよいが、キャリア移動度および高温高湿下での経時安定性がより優れたものになるという観点から、直鎖状または分岐鎖状のアルキル基であることが好ましく、分岐鎖状のアルキル基がより好ましい。また、Ｌｂを表すアルキル基は、置換基としてハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子、より好ましくは、Ｆ原子）を有するハロゲン化アルキル基であってもよい。
Ｌｂを表すアルキル基の炭素数は、１〜１００であり、９〜１００であることが好ましい。
また、キャリア移動度がより優れたものになるという観点から、上記式（１−１）中の−（Ｌｂ)ｌにおいて、少なくとも１つのＬｂの炭素数が、９〜１００であることが好ましく、２０〜１００であることがより好ましく、２０〜４０であることがさらに好ましい。
なお、Ｌｂを表すアルキル基が分岐鎖状である場合には、分岐部分の炭素数については、Ｌｂを表すアルキル基の炭素数に含むものとする。ただし、Ｌｂが−ＮＲ２Ｓ−を含み、かつ、このＲ２Ｓが炭素原子を含む場合には、Ｒ２Ｓの炭素数は、Ｌｂを表すアルキレン基の炭素数に含めないものとする。
Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、アルキル基（好ましくは、炭素数１〜１０の直鎖または分岐鎖状のアルキル基）、ハロゲン原子（好ましくは、Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２０のアリール基）を表す。これらの中でも、Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓはそれぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましい。
ｌは、１〜５の整数を表すが、１または２であることが好ましい。ｌが２以上のとき、複数のＬｂは、互いに同一でも異なっていてもよい。
＊は、他の構造との結合部位を表す。【００２７】
特定高分子化合物は、式（１）中のＡが下記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有し、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−３）、式（Ａ−４）および式（Ａ−９）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することが好ましく、式（Ａ−１）、式（Ａ−３）および式（Ａ−４）で表される構造よりなる群から選ばれた少なくとも１つの構造を部分構造として有することがより好ましく、式（Ａ−１）で表される構造を部分構造として有することが特に好ましい。
また、特定高分子化合物は、上記それぞれの態様において、式（１）中のＡが各式により表される構造を部分構造として有する態様よりも、式（１）中のＡが各式により表される構造である態様の方が好ましい。【００２８】
式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）で表される構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、ＲＡ１は式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）中のＲＡ１と同義であり、好ましい態様も同様である。
また、＊は他の構造との結合部位を表す。【００２９】
【化４】
2017086320.tif 000006
【００３０】
（電子ドナーユニット（式（１）の「Ｄ」））
Ｄは少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含む電子ドナーユニットである。【００３１】
少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子またはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基としては、少なくとも１つのＳ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基が好ましい。
また、上記２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよく、単環の２価の芳香族複素環基を２以上組み合わせた構造であるか、２以上の単環の２価の芳香族複素環基と、１以上の２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基を組み合わせた構造であることが好ましい。
上記２価の芳香族複素環基は更に置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
ＲＤ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲＤ３と同義であり、好ましい態様も同様である。【００３２】
上記２価の芳香族複素環基の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、ハロゲン原子、又は、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、ＲＤ１は後述する式（Ｄ−１）中のＲＤ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。ＲＤ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲＤ３と同義であり、好ましい態様も同様である。【００３３】
【化５】
2017086320.tif 000007
【００３４】
２環以上の縮環構造からなる芳香族炭化水素基としては、炭素数１０〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、３環又は４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、若しくは、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、又はピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
上記芳香族炭化水素基はさらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、ハロゲン原子、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基及びハロゲン原子の好ましい例は、上記の２価の芳香族複素環基で説明したものと同様である。ＲＤ３は後述する式（Ｄ−１）におけるＲＤ３と同義であり、好ましい態様も同様である。【００３５】
また、式（１）において、Ｄは式（Ｄ−１）で表される構造であることが好ましい。【００３６】
【化６】
2017086320.tif 000008
【００３７】
上記式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｚｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子、または、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
なお、上記式（Ｄ−１）において、各繰り返し単位および上記Ｍは、結合軸において回転可能に結合している。【００３８】
式（Ｄ−１）中、Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＤ１を表し、Ｏ原子、Ｓ原子、または、Ｓｅ原子であることが好ましく、Ｓ原子であることがより好ましい。
Ｚｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲＤ２を表し、ＣＲＤ２であることがより好ましい。
ＲＤ１はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子又はＣｌ原子がより好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、または、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、アルキル基、ハロゲン原子、または上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子または１価の有機基を表し、水素原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、アルキニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、アルケニル基（炭素数２〜３０が好ましい。）、芳香族炭化水素基（炭素数６〜３０が好ましい。）、芳香族複素環基（５〜７員環が好ましい。ヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｎ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子が好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、または、上記式（１−１）で表される１価の基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、又は上記式（１−１）で表される１価の基であることがより好ましい。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、又はこれらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。
上記Ｍにおける２価の芳香族複素環基は、単環であっても、２環以上の縮環構造を有していてもよい。本発明に好ましく用いられる２価の芳香族複素環基の例は、上述した２環以上の縮環構造を有する２価の芳香族複素環基の例と同様である。
Ｍにおける２価の芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましく、フェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン基、ナフチレン基、または、３環若しくは４環が縮合した芳香族炭化水素から水素原子を２つ除いた基がより好ましく、フルオレン基、ナフチレン基、アントラセン環、フェナントレン環、クリセン環、若しくはピレン環から水素原子を２つ除いた基が更に好ましい。
Ｍにおける２価の芳香族複素環基、または、２価の芳香族炭化水素基、は、さらに置換基を有していてもよく、好ましい置換基としては、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基（例えば、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基がより好ましい。）、ハロゲン原子（Ｆ原子、Ｃｌ原子、Ｂｒ原子、Ｉ原子が好ましく、Ｆ原子またはＣｌ原子がさらに好ましく、Ｆ原子が特に好ましい。）、上記式（１−１）で表される１価の基が挙げられる。
Ｍにおけるアルケニレン基としては、炭素数２〜１０のアルケニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルケニレン基がより好ましく、エテニレン基がさらに好ましい。
Ｍにおけるアルキニレン基としては、炭素数２〜１０のアルキニレン基が好ましく、炭素数２〜４のアルキニレン基がより好ましく、エチニレン基がさらに好ましい。
ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子、または、置換基を表す。ＲＤ３における置換基は、上記Ｒ１ＳおよびＲ２Ｓにおける置換基と同義である。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数であり、１〜３の整数であることが好ましく、１〜２の整数であることがより好ましい。ｐとｑは同じ値であることが好ましい。また、ｐ＋ｑが２〜４であることが好ましい。
ただし、ｐ＋ｑが０の場合には、Ｍは、少なくとも１つのＮ原子、Ｏ原子、Ｓ原子、もしくはＳｅ原子を環構造内に有する２価の芳香族複素環基、または、２環以上の縮環構造からなる２価の芳香族炭化水素基を部分構造として含むことが好ましい。【００３９】
Ｄの構造の例を以下に示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。下記構造式中、水素原子は−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）により表される基により置換されていてもよく、ＲＤ１は上記式（Ｄ−１）中のＲＤ１と同義であり、好ましい態様も同様であり、＊は他の構造との結合部位を表す。上記−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基または炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましく、炭素数８〜３０のアルキル基がより好ましい。ＲＤ３は上記式（Ｄ−１）におけるＲＤ３と同義であり、好ましい態様も同様である。【００４０】
【化７】
2017086320.tif 000009
【００４１】
【化８】
2017086320.tif 000010
【００４２】
【化９】
2017086320.tif 000011
【００４３】
（式（３）〜式（５）で表される繰り返し単位）
上記式（１）で表される繰り返し単位が、下記式（３）〜（５）のいずれかで表される繰り返し単位であることが好ましく、下記式（３）で表される繰り返し単位であることがより好ましい。【００４４】
【化１０】
2017086320.tif 000012
【００４５】
上記式（３）〜（５）中、Ｘはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＡ１を表す。
ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。
Ｙはそれぞれ独立に、Ｏ原子またはＳ原子を表す。
Ｚａはそれぞれ独立に、ＣＲＡ２またはＮ原子を表す。ＲＡ２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｚｄはそれぞれ独立に、Ｎ原子またはＣＲＤ２を表す。ＲＤ２はそれぞれ独立に、水素原子または上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。【００４６】
式（３）〜式（５）中、Ｘ、Ｙ、Ｚａ、ＲＡ１、ＲＡ２、および、ＲＡ３は、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）におけるＸ、Ｙ、Ｚａ、ＲＡ１、ＲＡ２、および、ＲＡ３とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式（３）〜式（５）中、Ｘ’、Ｚｄ、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、Ｍ、ｐ、および、ｑは上記式（Ｄ−１）におけるＸ’、Ｚｄ、ＲＤ１、ＲＤ２、ＲＤ３、Ｍ、ｐ、および、ｑとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。【００４７】
上記式（１）で表される繰り返し単位は、式（６）で表される繰り返し単位であることが好ましい。【００４８】
【化１１】
2017086320.tif 000013
【００４９】
式（６）中、ＲＡ１はそれぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＡ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、上記式（１−１）で表される１価の基、または、他の構造との結合部位を表す。ＲＡ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｘ’はそれぞれ独立に、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、または、ＮＲＤ１を表す。ＲＤ１はそれぞれ独立に、上記式（１−１）で表される１価の基であってもよい１価の有機基を表す。
Ｍは、単結合、２価の芳香族複素環基、２価の芳香族炭化水素基、アルケニレン基、アルキニレン基、または、これらを組み合わせてなる２価の基を表す。Ｍは、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＤ３−のうち少なくとも１つを含んでいてもよいアルキル基、または、上記式（１−１）で表される１価の基で置換されていてもよい。ＲＤ３はそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
ｐおよびｑはそれぞれ独立に、０〜４の整数を表す。【００５０】
式（６）中、ＲＡ１およびＲＡ３は、上記式（Ａ−１）〜式（Ａ−９）におけるＲＡ１およびＲＡ３とそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。
また、式（６）中、Ｘ’、ＲＤ１、Ｍ、ＲＤ３、ｐ、および、ｑは、上記式（Ｄ−１）におけるＸ’、ＲＤ１、Ｍ、ＲＤ３、ｐ、および、ｑとそれぞれ同義であり、好ましい態様も同様である。【００５１】
特定高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位を１種単独で含んでもよいし、２種以上含んでもよい。【００５２】
特定高分子化合物は、式（１）で表される繰り返し単位を２以上有する化合物であり、繰り返し単位数ｎが２〜９のオリゴマーであってもよく、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子（ポリマー）であってもよい。これらの中でも、繰り返し単位数ｎが１０以上の高分子であることが、キャリア移動度および得られる有機半導体層の物性の観点から好ましい。【００５３】
式（１）で表される繰り返し単位を有する化合物の分子量は、キャリア移動度の観点から、２，０００以上であり、５，０００以上であることが好ましく、１０，０００以上であることがより好ましく、２０，０００以上であることが更に好ましく、３０，０００以上であることが特に好ましい。また、溶解度の観点から、１，０００，０００以下であることが好ましく、３００，０００以下であることがより好ましく、１５０，０００以下であることが更に好ましく、１００，０００以下であることが特に好ましい。【００５４】
本発明において、特定高分子化合物が分子量分布を有する場合、その化合物の分子量とは重量平均分子量を意味する。
本発明において、特定高分子化合物の重量平均分子量及び数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ法（ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography））法にて測定され、標準ポリスチレンで換算して求められる。具体的には、例えば、ＧＰＣは、ＨＬＣ−８１２１ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨＨＲ−Ｈ（２０）  ＨＴ（東ソー（株）製、７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ）を２本用い、溶離液として１，２，４−トリクロロベンゼンを用いる。また、条件としては、試料濃度を０．０２質量％、流速を１．０ｍｌ／ｍｉｎ、サンプル注入量を３００μｌ、測定温度を１６０℃とし、ＩＲ（infrared）検出器を用いて行う。また、検量線は、東ソー（株）製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−１２８」、「Ｆ−８０」、「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−１０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−２」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「Ａ−５００」の１２サンプルから作製する。【００５５】
特定高分子化合物の末端の構造は、特に制限はなく、他の構成単位の有無や、合成時に使用した基質の種類、合成時のクエンチ剤（反応停止剤）の種類にもよるが、例えば、水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、エチレン性不飽和基、アルキル基等、芳香族複素環基（チオフェン環が好ましい。）、および、芳香族炭化水素基（ベンゼン環が好ましい。）が挙げられる。【００５６】
特定高分子化合物の合成方法は、特に限定されず、公知の方法を参照して合成すればよい。例えば、特表２０１０−５２７３２７号、特表２００７−５１６３１５号、特表２０１４−５１５０４３号、特表２０１４−５０７４８８号、特表２０１１−５０１４５１号、特開２０１０−１８７９０号、ＷＯ２０１２／１７４５６１号、特表２０１１−５１４３９９号、特表２０１１−５１４９１３号等の文献を参考に、電子アクセプターユニットの前駆体と電子ドナーユニットの前駆体を合成して、それぞれの前駆体を鈴木カップリングやＳｔｉｌｌｅカップリング等のクロスカップリング反応させることにより合成することができる。【００５７】
以下に、式（１）で表される繰り返し単位の好ましい具体例を示すが、本発明は以下の例示により限定されるものではない。【００５８】
【化１２】
2017086320.tif 000014
【００５９】
【化１３】
2017086320.tif 000015
【００６０】
【化１４】
2017086320.tif 000016
【００６１】
【化１５】
2017086320.tif 000017
【００６２】
＜特定低分子化合物（化合物Ｙ）＞
本発明の有機半導体組成物は、特定低分子化合物を含有する。特定低分子化合物は、上述した通り、下記式（２）で表される化合物Ｙである。
特定低分子化合物は、有機半導体化合物の一種であり、キャリア輸送性を有する。【００６３】
【化１６】
2017086320.tif 000018
【００６４】
式（２）中、Ａ、ＢおよびＣは、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造を示す。隣接する環同士は、互いに縮環している。
ここで、隣接する環同士が互いに縮環しているとは、環構造を形成している一部の結合が、隣にある他方の環構造の一部を形成している状態にあることを意味する。上記式（２）においては、隣接するＡとＢとが互いに縮環しており、隣接するＡ同士が互いに縮環しており、隣接するＡとＣとが互いに縮環している。
上記５員の複素環および６員の複素環に含まれるヘテロ原子としては、Ｏ原子、Ｓ原子Ｓｅ原子、Ｎ原子、Ｐ原子、Ｂ原子、および、Ｓｉ原子などが挙げられる。環内に含まれるヘテロ原子数としては、１以上であれば特に限定されるものではない。【００６５】
ｎは、２〜８の整数を示すが、２〜６の整数であることが好ましく、２〜４の整数であることがより好ましく、２〜３の整数であることがさらに好ましく、３であることが特に好ましい。特に、ｎが３であることで、有機薄膜トランジスタの耐熱性がより向上する傾向にある。
複数のＡは、それぞれ同一でも異なっていてもよいが、複数のＡのうち少なくとも１つは、５員の複素環である。
Ａを構成する環としては、それぞれ独立に、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましい。これらの各環は置換基を有していてもよい。
複数のＡから構成される縮合環は、少なくとも１つのベンゼン環と、少なくとも１つの５員環（好ましくは、チオフェン環）と、を含むことが好ましい。これにより、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。【００６６】
複数のＡを表す環構造は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい。この置換基としては、後述するＲ１およびＲ２と同様である。【００６７】
Ｂを構成する環としては、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましく、チオフェン環であることが特に好ましい。Ｂを構成する環がチオフェン環であることで、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。【００６８】
Ｃを構成する環としては、ベンゼン環、６員の複素環、５員の複素環及びシクロペンタジエン環から選択される環構造であるが、ベンゼン環、チオフェン環、セレノフェン環、または、シクロペンタジエン環であることが好ましく、ベンゼン環、チオフェン環、または、セレノフェン環であることがより好ましく、ベンゼン環、または、チオフェン環であることがさらに好ましく、チオフェン環であることが特に好ましい。Ｃを構成する環がチオフェン環であることで、有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる傾向にある。【００６９】
Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＢ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい飽和炭化水素基、−Ｏ−、−Ｓ−、および、−ＮＲＣ−のうち少なくとも１つを含んでいてもよい不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、エステル基、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アリールアルキル基、ヘテロアリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基およびハロゲン原子からなる群より選択される１価の基を示す。
ＲＢはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＣはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ＲＢおよびＲＣにおける置換基は、上述のＲ１ＳおよびＲ２Ｓにおける置換基と同義である。
これらの１価の基は、さらに置換基によって置換されていてもよく、この置換基としては、Ｒ１およびＲ２で表される基が挙げられる。【００７０】
Ｒ１およびＲ２における飽和炭化水素基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。また、この飽和炭化水素基は、直鎖状でもよく、分岐鎖状でもよい。このような飽和炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノナニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、および、ｎ−エイコサニル基等が挙げられる。【００７１】
Ｒ１およびＲ２における不飽和炭化水素基としては、炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。この不飽和炭化水素基は、直鎖状であっても分岐鎖状であってもよい。このような不飽和炭化水素基としては、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、プロパルギル基、イソプロペニル基、１−ブテニル基、および、２−ブテニル基等が挙げられる。化学的安定性の観点からは、不飽和炭化水素基として、その鎖中に、２重結合または３重結合のユニット数が１つであるものが好ましい。【００７２】
Ｒ１およびＲ２におけるアルコキシ基としては、アルコキシ基の炭素数が１〜２０であるものが好ましく、１〜１６であるものがより好ましい。アルコキシ基は、直鎖状、または、分岐鎖状のいずれであってもよい。【００７３】
Ｒ１およびＲ２におけるアリール基としては、炭素数が６〜６０である芳香族炭化水素基が好ましく、炭素数が６〜２０である芳香族炭化水素基がより好ましい。芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、フルオレン環、ナフタレン環、および、アントラセン環等が挙げられる。【００７４】
Ｒ１およびＲ２におけるヘテロアリール基としては、炭素数４〜６０の芳香族複素環基が好ましく、炭素数４〜２０の芳香族複素環基がより好ましい。ここで、芳香族複素環基を構成する複素環とは、炭素からなる環状構造のうちの少なくとも１つの炭素原子が、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、窒素原子、リン原子、ホウ素原子、または、ケイ素原子等のヘテロ原子によって置換されており、かつこの環状構造が芳香族性を有している構造を有するものである。この複素環としては、例えば、チオフェン環、セレノフェン環、フラン環等が挙げられる。【００７５】
Ｒ１およびＲ２におけるアリールアルキル基またはアリールオキシ基としては、アリール部分が芳香族炭化水素基によって構成され、この部分の炭素数が６〜６０であるものが好ましく、６〜２０であるものがより好ましい。また、アリールアルキル基におけるアルキル部分は、その部分の炭素数が１〜２０であると好ましく、１〜１０であるとより好ましい。【００７６】
Ｒ１およびＲ２におけるヘテロアリールアルキル基またはヘテロアリールオキシ基としては、そのヘテロアリール部分が芳香族複素環基によって構成され、その部分の炭素数が４〜６０であるものが好ましく、４〜２０であるものがより好ましい。また、ヘテロアリールアルキル基におけるアルキル部分は、その部分の炭素数が１〜２０であると好ましく、１〜１０であるとより好ましい。【００７７】
Ｒ１およびＲ２におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。【００７８】
Ｒ１およびＲ２におけるアミノ基としては、−ＮＨ２、アルキルアミノ基（モノアルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基）などが挙げられる。アルキルアミノ基である場合の炭素数としては、２〜２０であることが好ましく、２〜１６であることがより好ましい。【００７９】
Ｒ１およびＲ２におけるアルキルシリル基としては、例えば、モノアルキルシリル基、ジアルキルシリル基、および、トリアルキルシリル基が挙げられる。アルキルシリル基である場合の炭素数としては、３〜２０であることが好ましく、３〜１６であることがより好ましい。【００８０】
Ｒ１およびＲ２を表す１価の基の中でも、キャリア移動度がより向上するという観点から、飽和炭化水素基であることが好ましい。【００８１】
ｓおよびｔは、それぞれ独立に、０〜４の整数を示すが、１〜３であることが好ましく、１〜２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
ｓまたはｔが２以上である場合には、複数のＲ１または複数のＲ２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。【００８２】
（特定低分子化合物の好適態様Ａ）
特定低分子化合物は、式（２Ａ）で表される構造を部分構造として有することが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。【００８３】
【化１７】
2017086320.tif 000019
【００８４】
Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成していてもよい。この場合、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環で縮環されていてもよい。
ただし、Ｒ２１〜Ｒ２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組は、互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する。【００８５】
Ｒ２１〜Ｒ２６における置換基としては、上述した式（２）のＲ１およびＲ２を表す１価の基と同様であり、好ましい態様も同様であるので、その説明を省略する。【００８６】
Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士が互いに結合して形成する芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環などが挙げられる。
Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士が互いに結合して形成する芳香族複素環としては、チオフェン環、セレノフェン環などが挙げられる。【００８７】
Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するとは、具体的には、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４、Ｒ２４とＲ２５、Ｒ２５とＲ２６のうち、少なくとも１組が芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成している状態のことをいう。
また、Ｒ２１〜Ｒ２４における隣接する基同士のうち少なくとも１組が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成するとは、Ｒ２１とＲ２２、Ｒ２２とＲ２３、Ｒ２３とＲ２４のうち、少なくとも１組が芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成している状態のことをいう。
Ｒ２１〜Ｒ２４のうち、Ｒ２２とＲ２３が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成することが好ましい。
Ｒ２４〜Ｒ２６においては、Ｒ２５とＲ２６が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成することが好ましい。
より好ましくは、Ｒ２２とＲ２３が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成し、かつ、Ｒ２５とＲ２６が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する態様である。このとき、Ｒ２１およびＲ２４は、それぞれ独立に、水素原子または置換基であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。【００８８】
Ｒ２１〜Ｒ２６における隣接する基同士が互いに結合して芳香族炭化水素環または芳香族複素環を形成する場合には、芳香族炭化水素環または芳香族複素環は、さらに芳香族炭化水素環または芳香族複素環（好ましくは芳香族複素環）で縮環されていてもよい。
Ｒ２１〜Ｒ２６において形成された環と縮環する環（すなわち、芳香族炭化水素環または芳香族複素環）は、置換基を有していてもよく、この場合の置換基としては、Ｒ１およびＲ２を表す１価の基と同様であり、好ましい態様も同様である。【００８９】
（特定低分子化合物の好適態様Ｂ）
特定低分子化合物は、式（２Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。【００９０】
【化１８】
2017086320.tif 000020
【００９１】
式（２Ｂ）中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１は、それぞれ独立に、ベンゼン環またはチオフェン環を示し、隣接する環同士は、互いに縮環している。ただし、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、２〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環以外の環がベンゼン環である。ただし、Ａ１、Ａ２およびＡ３のうち少なくとも１つは、チオフェン環である。
ここで、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において隣接する基同士が互いに縮環しているとは、Ｂ１とＡ１、Ａ１とＡ２、Ａ２とＡ３、Ａ３とＣ１のそれぞれが縮環していることを指す。【００９２】
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、チオフェン環の数は２〜４つであるが、３〜４つであることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１のうち、チオフェン環同士の連結数が２つ以下であることが好ましい。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより優れたものとなる。
ここで、チオフェン環同士の連結数とは、縮合して連結しているチオフェン環の環数のことをいう。具体的には、下記式（２Ｂ−１）で表される化合物はチオフェン環同士の連結数が２つであり（式（２Ｂ−１）における丸印内）、下記式（２Ｂ−２）で表される化合物はチオフェン環同士の連結数が３つである（式（２Ｂ−２）における丸印内）。
式（２Ｂ）で表される化合物のより好適な態様としては、式（２Ｂ）中のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つ以下である。これにより、得られる有機薄膜トランジスタの閾値電圧およびヒステリシス特性がより一層優れたものとなる。【００９３】
【化１９】
2017086320.tif 000021
【００９４】
式（２Ｂ）中のＲ１およびＲ２は、上述した式（２）中のＲ１およびＲ２と同義であり、好ましい態様も同様である。
式（２Ｂ）中のｓおよびｔは、上述した式（２）中のｓおよびｔと同義であり、好ましい態様も同様である。【００９５】
上述した特定低分子化合物の具体例を以下に示す。【００９６】
−式Ｏ−４で表される化合物−【００９７】
【化２０】
2017086320.tif 000022
【００９８】
式Ｏ−４中、Ｘ4a及びＸ4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子、Ｓ原子、Ｓｅ原子またはＮＲ4nを表し、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表し、Ｒ4a〜Ｒ4k、Ｒ4m及びＲ4nはそれぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、後述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ4a及びＸ4bはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが好ましく、Ｘ4a及びＸ4bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点からより好ましい。Ｘ4a及びＸ4bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ4a及びＸ4bはいずれもＳ原子であることが特に好ましい。【００９９】
式Ｏ−４中、４ｐ及び４ｑはそれぞれ独立に、０〜２の整数を表す。４ｐ及び４ｑがそれぞれ独立に、０又は１であることが移動度と溶解性を両立する観点から好ましく、４ｐ＝４ｑ＝０又は４ｐ＝４ｑ＝１であることがより好ましい。【０１００】
式Ｏ−４で表される化合物中、Ｒ4a〜Ｒ4k及びＲ4mのうち、後述の式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ4a〜Ｒ4k及びＲ4mのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はない。その中でも、本発明では、式Ｏ−４中、Ｒ4a、Ｒ4d〜Ｒ4g、Ｒ4j、Ｒ4k及びＲ4mがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子であり、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4h及びＲ4iがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、Ｒ4b、Ｒ4c、Ｒ4h及びＲ4iのうち少なくとも１つは式Ｗで表される基であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましい。
本発明では、Ｒ4a、Ｒ4c〜Ｒ4h及びＲ4jがそれぞれ独立に、水素原子又はハロゲン原子を表し、Ｒ4b及びＲ4iがそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基であり、かつ、少なくとも１つは式Ｗで表される基であることがより好ましい。
本発明では、Ｒ4b及びＲ4iがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ4c及びＲ4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ4c及びＲ4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ4b及びＲ4iがともに水素原子又はハロゲン原子であることが更に好ましい。
本発明では、Ｒ4b及びＲ4iがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ4c及びＲ4hがともに水素原子又はハロゲン原子であるか、Ｒ4c及びＲ4hがともに式Ｗで表される基であり、かつＲ4b及びＲ4iがともに水素原子又はハロゲン原子であることが特に好ましい。
式Ｏ−４において、２以上のＲ4a〜Ｒ4k及びＲ4mは互いに結合して環を形成してもよく、互いに結合して環を形成しなくてもよいが、互いに結合して環を形成しない方が好ましい。【０１０１】
置換基の種類は特に制限されないが、以下に説明する置換基Ｘが挙げられる。置換基Ｘとしては、後述の式Ｗで表される基、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基を含む。）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む。）、アルキニル基、アリール基、複素環基（ヘテロ環基といってもよい。）、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、アミノ基（アニリノ基を含む。）、アンモニオ基、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、ホスホノ基、シリル基、ヒドラジノ基、ウレイド基、ボロン酸基（−Ｂ（ＯＨ）2）、ホスファト基（−ＯＰＯ（ＯＨ）2）、ならびに、スルファト基（−ＯＳＯ3Ｈ）が挙げられる。上記置換基Ｘはさらに置換基を有してもよい。
置換基は、後述の式Ｗで表される置換基であることが好ましい。【０１０２】
−ＬW−ＲW      （Ｗ）
式Ｗ中、ＬWは下記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の下記式Ｌ−１〜Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表し、ＲWはアルキル基、シアノ基、ビニル基、エチニル基、オキシエチレン基、オキシエチレン単位の繰り返し数ｖが２以上のオリゴオキシエチレン基、シロキサン基、ケイ素原子数が２以上のオリゴシロキサン基、又は、トリアルキルシリル基を表す。【０１０３】
【化２１】
2017086320.tif 000023
【０１０４】
式Ｌ−１〜式Ｌ−２５中、＊はＲWとの結合位置を表し、波線部分はもう一方の結合位置を表し、式Ｌ−１、式Ｌ−２、式Ｌ−６及び式Ｌ−１３〜式Ｌ−２４におけるＲ’およびはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲNは水素原子又は置換基を表し、Ｒsiはそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアリール基を表す。【０１０５】
−式Ｏ−６で表される化合物−【０１０６】
【化２２】
2017086320.tif 000024
【０１０７】
式Ｏ−６中、Ｘ6a〜Ｘ6dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ6gを表し、Ｒ6a〜Ｒ6ｇはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ6a〜Ｘ6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ6a〜Ｘ6dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ6a〜Ｘ6dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ6a〜Ｘ6dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
Ｒ6gは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アシル基、アリール基又はヘテロアリール基が好ましく、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基又はアシル基であることがより好ましく、水素原子又はアルキル基であることが更に好ましく、炭素数１〜１４のアルキル基であることが特に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基であることが最も好ましい。
Ｒ6gがアルキル基を表す場合、直鎖アルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖アルキル基であることが、分子の直線性が高まり、移動度を高めることができる観点から好ましい。【０１０８】
式Ｏ−６中、Ｒ6a〜Ｒ6fがそれぞれ独立にとりうる置換基として、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、複素環基、アルコキシ基、又は、アルキルチオ基、式Ｗで表される基が好ましく、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数６〜２０のアリール基、炭素数２〜１２のアルケニル基、炭素数２〜１２のアルキニル基、炭素数１〜１１のアルコキシ基、炭素数５〜１２の複素環基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、又は、式Ｗで表される基がより好ましく、後述の連結基鎖長が３．７Å以下の基、又は、式Ｗで表される基が更に好ましく、式Ｗで表される基が特に好ましい。【０１０９】
本発明において、連結基鎖長とは、Ｃ（炭素原子）−Ｒ結合におけるＣ原子から置換基Ｒの末端までの長さのことを指す。構造最適化計算は、密度汎関数法（Ｇａｕｓｓｉａｎ０３（米ガウシアン社）／基底関数：６−３１Ｇ*、交換相関汎関数：Ｂ３ＬＹＰ／ＬＡＮＬ２ＤＺ）を用いて行うことができる。なお、代表的な置換基の分子長としては、プロピル基は４．６Å、ピロール基は４．６Å、プロピニル基は４．５Å、プロペニル基は４．６Å、エトキシ基は４．５Å、メチルチオ基は３．７Å、エテニル基は３．４Å、エチル基は３．５Å、エチニル基は３．６Å、メトキシ基は３．３Å、メチル基は２．１Å、水素原子は１．０Åである。【０１１０】
式Ｏ−６で表される化合物中、Ｒ6a〜Ｒ6fのうち、式Ｗで表される基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ6c〜Ｒ6fであることが好ましく、Ｒ6e又はＲ6fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点からより好ましい。【０１１１】
Ｒ6a〜Ｒ6fのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ6a〜Ｒ6fが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。【０１１２】
式Ｏ−６で表される化合物は、下記式Ｏ−６Ａ又は式Ｏ−６Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−６Ａで表される化合物であることが特に好ましい。【０１１３】
【化２３】
2017086320.tif 000025
【０１１４】
式Ｏ−６Ａ中、Ｘ6a〜Ｘ6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ6a〜Ｒ6c、Ｒ6A及びＲ6eはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ6a〜Ｒ6c、Ｒ6A及びＲ6eは、式Ｗで表される基ではなく、ＲWは炭素数５〜１９のアルキル基を表し、ＬWは上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
式Ｏ−６Ｂ中、Ｘ6a〜Ｘ6dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子を表し、Ｒ6a、Ｒ6b、Ｒ6B及びＲ6Cはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ＲWはそれぞれ独立に、炭素数５〜１９のアルキル基を表し、ＬWはそれぞれ独立に、上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基又は２以上の上記式Ｌ−１〜式Ｌ−２５のいずれかで表される二価の連結基が結合した二価の連結基を表す。
なお、上記置換基としては、上述した置換基が挙げられる。【０１１５】
−式Ｏ−７で表される化合物−【０１１６】
【化２４】
2017086320.tif 000026
【０１１７】
式Ｏ−７中、Ｘ7a〜Ｘ7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ7iを表し、Ｒ7a〜Ｒ7iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ7a〜Ｘ7dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ7a〜Ｘ7dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ7a〜Ｘ7dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ7a〜Ｘ7dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。【０１１８】
式Ｏ−７中、Ｒ7a〜Ｒ7iで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ7iは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ7iがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。【０１１９】
式Ｏ−７で表される化合物中、Ｒ7a〜Ｒ7iのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ7d又はＲ7hであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ7d及びＲ7hがより好ましい。
式Ｏ−７のＲ7a〜Ｒ7iのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ7a〜Ｒ7iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される置換基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。【０１２０】
式Ｏ−７で表される化合物は、下記式Ｏ−７Ａ又は式Ｏ−７Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−７Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。【０１２１】
【化２５】
2017086320.tif 000027
【０１２２】
式Ｏ−７Ａ中、Ｘ7a及びＸ7cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ９を表し、Ｘ7b及びＸ7dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ7a〜Ｒ7g及びＲ7iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ7dは式Ｗで表される基ではない。式Ｏ−７ＡにおけるＬW及びＲWの定義は、式Ｗ中の上記ＬWと及びＲWとそれぞれ同義である。
式Ｏ−７Ｂ中、Ｘ7a及びＸ7cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ7iを表し、Ｘ7b及びＸ7dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ7a〜Ｒ7c、Ｒ7e〜Ｒ7g及びＲ7iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、式Ｏ−７ＢにおけるＬW及びＲWの定義は、式Ｗ中の上記ＬWと及びＲWとそれぞれ同義である。また、式Ｏ−７Ｂにおいて２つのＬW及び２つのＲWはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。【０１２３】
−式Ｏ−８で表される化合物−【０１２４】
【化２６】
2017086320.tif 000028
【０１２５】
式Ｏ−８中、Ｘ8a〜Ｘ8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ8iを表し、Ｒ8a〜Ｒ8iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ8a〜Ｘ8dはそれぞれ独立に、Ｏ原子又はＳ原子であることが合成容易性の観点から好ましい。一方、Ｘ8a〜Ｘ8dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ8a〜Ｘ8dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ8a〜Ｘ8dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。【０１２６】
式Ｏ−８中、Ｒ8a〜Ｒ8iで表される置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。また、式Ｗで表される基の定義は、上述の通りである。
なお、Ｒ8iは、水素原子又はアルキル基であることが好ましく、炭素数５〜１２のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１０のアルキル基であることが特に好ましい。
Ｒ8iがアルキル基を表す場合、直鎖のアルキル基でも、分枝アルキル基でも、環状アルキル基でもよいが、直鎖のアルキル基であることが、ＨＯＭＯ軌道の重なりの観点から好ましい。【０１２７】
式Ｏ−８で表される化合物中、Ｒ8a〜Ｒ8iのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ8a〜Ｒ8iのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ8c又はＲ8gであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ8c及びＲ8gがより好ましい。
また、式Ｏ−８のＲ8a〜Ｒ8iのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが更に好ましく、０個であることが特に好ましい。【０１２８】
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基は、連結基鎖長が３．７Å以下の基であることが好ましく、連結基鎖長が１．０〜３．７Åの基であることがより好ましく、連結基鎖長が１．０〜２．１Åの基であることが更に好ましい。連結基鎖長の定義は、上述の通りである。
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基はそれぞれ独立に、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルキニル基、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアルケニル基、又は、炭素数２以下の置換若しくは無置換のアシル基であることが好ましく、炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基であることがより好ましい。
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキル基を表す場合、アルキル基がとりうる置換基としては、シアノ基、フッ素原子、重水素原子などを挙げることができ、シアノ基が好ましい。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキル基としては、メチル基、エチル基、又は、シアノ基置換のメチル基が好ましく、メチル基又はシアノ基置換のメチル基がより好ましく、シアノ基置換のメチル基が特に好ましい。
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルキニル基を表す場合、アルキニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルキニル基としては、エチニル基、重水素原子置換のアセチレン基を挙げることができ、エチニル基が好ましい。
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アルケニル基を表す場合、アルケニル基がとりうる置換基としては、重水素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアルケニル基としては、エテニル基、重水素原子置換のエテニル基を挙げることができ、エテニル基が好ましい。
Ｒ8a〜Ｒ8iが式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基がそれぞれ独立に炭素数２以下の置換アシル基を表す場合、アシル基がとりうる置換基としては、フッ素原子などを挙げることができる。式Ｗで表される基以外の置換基である場合の置換基が表す炭素数２以下の置換又は無置換のアシル基としては、ホルミル基、アセチル基、フッ素置換のアセチル基を挙げることができ、ホルミル基が好ましい。【０１２９】
式Ｏ−８で表される化合物は、下記式Ｏ−８Ａ又は式Ｏ−８Ｂで表される化合物であることが好ましく、高移動度の観点からは、式Ｏ−８Ｂで表される化合物であることが特に好ましい。【０１３０】
【化２７】
2017086320.tif 000029
【０１３１】
式Ｏ−８Ａ中、Ｘ8a及びＸ8cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ8iを表し、Ｘ8b及びＸ8dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ8a〜Ｒ8f及びＲ8hはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、ただし、Ｒ8cは式Ｗで表される基ではない。式Ｏ−８ＡにおけるＬW及びＲWの定義は、式Ｗ中の上記ＬWと及びＲWとそれぞれ同義である。
式Ｏ−８Ｂ中、Ｘ8a及びＸ8cはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ8iを表し、Ｘ8b及びＸ8dはそれぞれ独立にＳ原子、Ｏ原子又はＳｅ原子を表し、Ｒ8a、Ｒ8b、Ｒ8d〜Ｒ8f及びＲ8hはそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表し、式Ｏ−８ＢにおけるＬW及びＲWの定義は、式Ｗ中の上記ＬWと及びＲWとそれぞれ同義である。また、式Ｏ−８Ｂにおいて２つのＬW及び２つのＲWはそれぞれ同じであっても、異なっていてもよい。【０１３２】
−式Ｏ−９で表される化合物−【０１３３】
【化２８】
2017086320.tif 000030
【０１３４】
式Ｏ−９中、Ｘ9a及びＸ9bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ9kを表し、Ｒ9c〜Ｒ9kはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ9a及びＸ9bは移動度の観点からＳ原子が好ましい。
式Ｏ−９中、Ｒ9c、Ｒ9d及びＲ9g〜Ｒ9jはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。中でも、Ｒ9c、Ｒ9d及びＲ9g〜Ｒ9jは、水素原子がより好ましい。
なお、ＬWとしては、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−７〜式Ｌ−９及び式Ｌ−１２〜式Ｌ−２４が好ましく、式Ｌ−３、式Ｌ−５、式Ｌ−１３、式Ｌ−１７及び式Ｌ−１８のいずれかで表される基であることがより好ましい。
Ｒ9a〜Ｒ9iのうち少なくとも１つは、式Ｗで表される基を表すことが好ましい。【０１３５】
式Ｏ−９で表される化合物中、Ｒ9a〜Ｒ9iのうち、式Ｗで表される置換基は、１〜４個であることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、１又は２個であることがより好ましく、２個であることが特に好ましい。
Ｒ9a〜Ｒ9iのうち、式Ｗで表される基の位置に特に制限はないが、Ｒ9b又はＲ9fであることが、移動度を高め、有機溶媒への溶解性を高める観点から好ましく、Ｒ9b及びＲ9fがより好ましい。
また、式Ｏ−９のＲ9a〜Ｒ9iのうち、式Ｗで表される基以外の置換基は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。【０１３６】
−式Ｏ−１０で表される化合物−【０１３７】
【化２９】
2017086320.tif 000031
【０１３８】
式Ｏ−１０中、Ｘ10a及びＸ10bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ10iを表し、Ｒ10a〜Ｒ10iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。
Ｘ10a及びＸ10bは移動度の観点からＳ原子であることが好ましい。
式Ｏ−１０中、Ｒ10a〜Ｒ10hのうち少なくとも１つは、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましい。
式Ｏ−１０のＲ10a〜Ｒ10hは、Ｒ10b及びＲ10fのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることがより好ましく、Ｒ10b及びＲ10fのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、又は、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基であることが更に好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のフェニルチオ基又はヘテロアリールチオ基であることが特に好ましい。【０１３９】
アルキル基としては、炭素数５〜２０のアルキル基であることがより好ましく、炭素数８〜１２のアルキル基であることが特に好ましい。
アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、ナフチルチオ基又はフェニルチオ基がより好ましく、フェニルチオ基が特に好ましい。
ヘテロアリールチオ基としては、３〜１０員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基が好ましく、５又は６員環のヘテロアリール基に硫黄原子が連結した基がより好ましく、下記群Ａが特に好ましい。【０１４０】
【化３０】
2017086320.tif 000032
【０１４１】
群Ａ中、Ｒ”及びＲ”Nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
群Ａ中、Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子又は式Ｗで表される基を表すことが好ましい。
群Ａ中、Ｒ”Nは、置換基を表すことが好ましく、アルキル基、アリール基、又は、ヘテロアリール基がより好ましく、アルキル基、アルキル基で置換されたアリール基、又は、アルキル基で置換されたヘテロアリール基が更に好ましく、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されたフェニル基、又は、炭素数１〜４のアルキル基で置換された５員のヘテロアリール基が特に好ましい。【０１４２】
アルキルオキシカルボニル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。【０１４３】
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数６〜２０のアリール基にカルボニル基が連結した基が好ましい。アリール基の炭素数は、６〜１５がより好ましく、８〜１２が特に好ましい。【０１４４】
アルキルアミノ基としては、炭素数１〜２０のアルキル基にアミノ基が連結した基が好ましい。アルキル基の炭素数は、２〜１５がより好ましく、５〜１０が特に好ましい。
Ｒ10a〜Ｒ10hのうち、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基以外の置換基（以下、他の置換基ともいう。）は、０〜４個であることが好ましく、０〜２個であることがより好ましく、０又は１個であることが特に好ましく、０個であることがより特に好ましい。【０１４５】
−式Ｏ−１１で表される化合物−【０１４６】
【化３１】
2017086320.tif 000033
【０１４７】
式Ｏ−１１中、Ｘ11a及びＸ11bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ11nを表し、Ｒ11a〜Ｒ11k、Ｒ11m及びＲ11nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。【０１４８】
式Ｏ−１１中、Ｘ11a及びＸ11bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ11a及びＸ11bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ11a及びＸ11bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１１のＲ11a〜Ｒ11k及びＲ11mは、Ｒ11c及びＲ11iのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ11c及びＲ11iのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。【０１４９】
−式Ｏ−１２で表される化合物−【０１５０】
【化３２】
2017086320.tif 000034
【０１５１】
式Ｏ−１２中、Ｘ12a及びＸ12bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ12nを表し、Ｒ12a〜Ｒ12k、Ｒ12m及びＲ12nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。【０１５２】
式Ｏ−１２中、Ｘ12a及びＸ12bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ12a及びＸ12bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ12a及びＸ12bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１２のＲ12a〜Ｒ12k及びＲ12mは、Ｒ12c及びＲ12iのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ12c及びＲ12iのいずれもが、置換又は無置換のアルキル基であることが更に好ましい。【０１５３】
−式Ｏ−１３で表される化合物−【０１５４】
【化３３】
2017086320.tif 000035
【０１５５】
式Ｏ−１３中、Ｘ13a及びＸ13bはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ13nを表し、Ｒ13a〜Ｒ13k、Ｒ13m及びＲ13nはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。【０１５６】
式Ｏ−１３中、Ｘ13a及びＸ13bのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ13a及びＸ13bは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ13a及びＸ13bはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１３のＲ13a〜Ｒ13k及びＲ13mは、Ｒ13c及びＲ13iのうち少なくとも１つが、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアリールチオ基、置換若しくは無置換のヘテロアリールチオ基、置換若しくは無置換のアルキルオキシカルボニル基、置換若しくは無置換のアリールオキシカルボニル基又は置換若しくは無置換のアルキルアミノ基であることが好ましく、置換若しくは無置換のアルキル基であることがより好ましく、Ｒ13c及びＲ13iのいずれもが、置換若しくは無置換のアルキル基であることが更に好ましい。【０１５７】
−式Ｏ−１４で表される化合物−【０１５８】
【化３４】
2017086320.tif 000036
【０１５９】
式Ｏ−１４中、Ｘ14a〜Ｘ14cはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ14iを表し、Ｒ14a〜Ｒ14iはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、前述の置換基Ｘが挙げられる。【０１６０】
式Ｏ−１４中、Ｘ14a〜Ｘ14cのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ14a〜Ｘ14cは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ14a〜Ｘ14cはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１４のＲ14a〜Ｒ14hは、Ｒ14b及びＲ14gのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ14b及びＲ14gのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。【０１６１】
−式Ｏ−１５で表される化合物−【０１６２】
【化３５】
2017086320.tif 000037
【０１６３】
式Ｏ−１５中、Ｘ15a〜Ｘ15dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ15gを表し、Ｒ15a〜Ｒ15gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。【０１６４】
式Ｏ−１５中、Ｘ15a〜Ｘ15dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ15a〜Ｘ15dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ15a〜Ｘ15dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１５のＲ15a〜Ｒ15fは、Ｒ15b及びＲ15eのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ15b及びＲ15eのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。【０１６５】
−式Ｏ−１６で表される化合物−【０１６６】
【化３６】
2017086320.tif 000038
【０１６７】
式Ｏ−１６中、Ｘ16a〜Ｘ16dはそれぞれ独立に、Ｓ原子、Ｏ原子、Ｓｅ原子又はＮＲ16gを表し、Ｒ16a〜Ｒ16gはそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。置換基としては、上述した置換基Ｘが挙げられる。【０１６８】
式Ｏ−１６中、Ｘ16a〜Ｘ16dのうち少なくとも１つがＳ原子であることが、移動度を高める観点から好ましい。Ｘ16a〜Ｘ16dは、同じ連結基であることが好ましい。Ｘ16a〜Ｘ16dはいずれもＳ原子であることがより好ましい。
式Ｏ−１６のＲ16a〜Ｒ16fは、Ｒ16a及びＲ16dのうち少なくとも１つが、式Ｗで表される基であることが好ましく、Ｒ16a及びＲ16dのいずれもが、式Ｗで表される基であることがより好ましい。
また、Ｒ16c及びＲ16fは、水素原子であることが好ましい。【０１６９】
式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、アルキル基を有することが好ましく、炭素数３〜２０のアルキル基を有することがより好ましく、炭素数７〜１４のアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。
また、式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６は、上記縮合多環芳香族基における縮合多環芳香環上に、１つ以上のアルキル基を有することが好ましく、２〜４つのアルキル基を有することがより好ましく、２つのアルキル基を有することが更に好ましい。上記態様であると、得られる有機半導体の移動度及び熱安定性により優れる。【０１７０】
式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６の合成方法は、特に制限されず、公知の方法を参照して合成できる。式Ｏ−４および式Ｏ−６〜式Ｏ−１６で表される化合物の合成方法としては、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，１１６，  ９２５（１９９４）、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  ２２１（１９５１）、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２００２，５８，１０１９７、特表２０１２−５１３４５９号公報、特開２０１１−４６６８７号公報、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ．ｍｉｎｉｐｒｉｎｔ，３，６０１−６３５（１９９１）、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊａｐａｎ，６４，３６８２−３６８６（１９９１）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４５，２８０１−２８０３（２００４）、欧州特許公開第２２５１３４２号明細書、欧州特許公開第２３０１９２６号明細書、欧州特許公開第２３０１９２１号明細書、韓国特許公開第１０−２０１２−０１２０８８６号公報、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１１，６９６、Ｏｒｇ．Ｌｅｔｔ．，２００１，３，３４７１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，２０１３，７８，７７４１、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．，２０１３，１９，３７２１、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９８７，６０，４１８７、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１１，１３３，５０２４、Ｃｈｅｍ．Ｅｕｒ．Ｊ．２０１３，１９，３７２１、Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ，２０１０，４３，６２６４−６２６７、および、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，２０１２，１３４，１６５４８−１６５５０などが挙げられる。
なお、有機半導体における移動度、閾値電圧、ヒステリシス、および、耐熱性の観点から、式Ｏ−１０、式Ｏ−１４および式Ｏ−１６のいずれかで表される化合物が好ましく、式Ｏ−１４および式Ｏ−１６で表される化合物がより好ましく、式Ｏ−１６で表される化合物がより好ましい。【０１７１】
以下に式（２）の好ましい具体例を示すが、これらに限定されないことは言うまでもない。【０１７２】
【化３７】
2017086320.tif 000039
【０１７３】
上記特定低分子化合物は、１種単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。【０１７４】
特定低分子化合物の含有量は、上記特定高分子化合物１００質量部に対して、１００質量部以下であることが好ましく、５０質量部以下であることがより好ましく、２５質量部以下であることがさらに好ましく、１０質量部以下であることが特に好ましい。また、下限値は、１質量部以上であることが好ましく、２量部以上であることがより好ましく、３質量部以上であることがさらに好ましい。
特定低分子化合物の含有量が５０質量部以下であることで、得られる有機薄膜トランジスタの移動度がより向上する。また、特定低分子化合物の含有量が１質量部以上であることで、特定低分子化合物による効果が良好に発揮される。【０１７５】
特定低分子化合物の分子量は、２，０００未満であることが好ましく、１５０〜１５００であることがより好ましく、２００〜６００であることがさらに好ましい。【０１７６】
＜有機溶媒＞
本発明の有機半導体組成物は、有機溶媒を含有してもよい。
有機溶媒としては、特に限定されるものではなく、ヘキサン、オクタン、デカンなどの炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、デカリン、１−メチルナフタレン、テトラリン、および、アニソールなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、および、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、テトラクロロメタン、ジクロロエタン、トリクロロエタン、テトラクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエンなどのハロゲン化炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、乳酸エチルなどのエステル系溶媒、メタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、および、エチレングリコールなどのアルコール系溶媒、ブトキシベンゼン、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、および、ジオキサンなどのエーテル系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、１−メチル−２−ピロリドン、および、１−メチル−２−イミダゾリジノン等のイミド系溶媒、ジメチルスルホキサイドなどのスルホキシド系溶媒、ならびに、アセトニトリルなどのニトリル系溶媒などが挙げられる。
上記有機溶媒は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
有機溶媒を含有する場合の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、９０〜９９.９９質量％であることが好ましく、９５〜９９．９９質量％であることがより好ましく、９６〜９９．９５質量％であることがさらに好ましい。【０１７７】
＜バインダーポリマー＞
本発明の有機半導体組成物は、バインダーポリマーを含有してもよい。バインダーポリマーの種類は特に制限されず、公知のバインダーポリマーを用いることができる。
上記バインダーポリマーとしては、例えば、ポリスチレン、ポリ（α−メチルスチレン）、ポリビニルシンナメート、ポリ（４−ビニルフェニル）、ポリ（４−メチルスチレン）、ゴム、熱可塑性エラストマーなどが挙げられる。
バインダーポリマーの重量平均分子量は、特に制限されないが、１，０００〜１，０００万が好ましく、３，０００〜５００万がより好ましく、５，０００〜３００万がさらに好ましい。
バインダーポリマーを含有する場合の含有量は、特定高分子化合物および特定低分子化合物の含有量の合計１００質量部に対し、１〜２００質量部であることが好ましく、１０〜１５０質量部であることがより好ましく、２０〜１２０質量部であることがさらに好ましい。上記範囲であると、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度および耐熱性がより向上する傾向にある。【０１７８】
＜その他の成分＞
本発明の有機半導体組成物には、上記以外のその他の成分が含まれていてもよい。
その他の成分としては、公知の添加剤等を用いることができる。
その他の成分の含有量は、有機半導体組成物の全質量に対して、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましい。上記範囲であると、膜形成性に優れ、得られる有機薄膜トランジスタのキャリア移動度および耐熱性がより向上する傾向にある。【０１７９】
＜調製方法＞
有機半導体組成物の調製方法は、特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、有機溶媒中に所定量の特定高分子化合物および特定低分子化合物などを添加して、適宜攪拌処理を施すことにより、本発明の有機半導体組成物を得ることができる。【０１８０】
[有機半導体膜、有機薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタの製造方法］
本発明の有機半導体膜は、上述した有機半導体組成物から構成される。すなわち、本発明の有機半導体膜は、上述した特定高分子化合物および特定低分子化合物を含有する膜（層）である。
本発明の有機半導体膜は、有機薄膜トランジスタに好適に使用されるが、その他の用途にも用いることができる。その他の用途としては、例えば、非発光性有機半導体デバイスが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスとは、発光することを目的としないデバイスを意味する。このような非発光性有機半導体デバイスとしては、上述した有機薄膜トランジスタの他に、有機光電変換素子（光センサ用途の個体撮像素子、および、エネルギー変換用途の太陽電池など）、ガスセンサ、有機整流素子、有機インバータ、ならびに、情報記録素子などが挙げられる。非発光性有機半導体デバイスは、有機半導体膜をエレクトロニクス要素として機能させることが好ましい。
以下、本発明の有機半導体膜の好適態様の一つとして、有機薄膜トランジスタに適用された場合について説明する。
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した有機半導体膜（有機半導体層）を有し、さらに、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、を有することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタは、その構造は特に限定されるものでなく、例えばボトムコンタクト型（ボトムコンタクト−ボトムゲート型およびボトムコンタクト−トップゲート型）、および、トップコンタクト型（トップコンタクト−ボトムゲート型およびトップコンタクト−トップゲート型）など、いずれの構造であってもよい。
以下、本発明の有機薄膜トランジスタの一例について、図面を参照しながら説明する。【０１８１】
図１は、本発明の一実施形態に係るボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１００の断面模式図である。
図１の例では、有機薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０と、を有する。ここで、有機半導体膜５０は、上述した有機半導体組成物を使用して作製されたものである。
以下、基板（基材）、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜（有機半導体層）および封止層ならびにそれぞれの作製方法について詳述する。【０１８２】
（基板）
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。【０１８３】
（ゲート電極）
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
なお、ゲート電極は基板としても機能してもよく、その場合、上記基板はなくてもよい。【０１８４】
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合のパターニング方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷（フレキソ印刷）等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。【０１８５】
（ゲート絶縁膜）
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体膜との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。【０１８６】
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。【０１８７】
（ソース電極、ドレイン電極）
ソース電極およびドレイン電極の材料の具体例は、上述したゲート電極と同じである。なかでも、金属であることが好ましく、銀であることがより好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。パターニング方法の具体例は、上述したゲート電極と同じである。【０１８８】
（有機半導体膜）
有機半導体膜は、上述した有機半導体組成物を塗布して有機半導体膜を形成する工程により得られる。より具体的には、上述した有機半導体組成物を基板上に塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成することができる。
なお、有機半導体組成物を基板上に塗布するとは、有機半導体組成物を基板に直接付与する態様のみならず、基板上に設けられた別の層を介して基板の上方に有機半導体組成物を付与する態様も含むものとする。
有機半導体組成物の塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、および、スクリーン印刷法が挙げられる。さらに、有機半導体組成物の塗布方法としては、特開２０１３−２０７０８５号公報に記載の有機半導体膜の形成方法（いわゆるギャップキャスト法）、国際公開第２０１４／１７５３５１号公報に記載の有機半導体薄膜の製造方法（いわゆるエッジキャスト法や連続エッジキャスト法）などが好適に用いられる。
乾燥（乾燥処理）は、有機半導体組成物に含まれる各成分の種類により適宜最適な条件が選択され、自然乾燥であってもよいが、生産性を向上させる観点から加熱処理を行うことが好ましい。例えば、加熱温度としては３０〜２５０℃が好ましく、４０〜２００℃がより好ましく、５０〜１５０℃がさらに好ましく、加熱時間としては１０〜３００分が好ましく、２０〜１８０分がより好ましい。
作製される有機半導体膜の膜厚は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、１０〜５００ｎｍが好ましく、２０〜２００ｎｍがより好ましい。【０１８９】
（封止層）
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤（封止層形成用組成物）を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。【０１９０】
（その他の有機薄膜トランジスタ）
図２は、本発明の一実施形態に係るトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ２００を表す断面模式図である。
図２の例では、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体膜（有機半導体層）５０と、封止層６０を有する。ここで、有機半導体膜５０は、本発明の有機半導体組成物を用いて形成されたものである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体膜および封止層については上述の通りであるので、その説明を省略する。【０１９１】
（有機薄膜トランジスタの用途）
上述した有機薄膜トランジスタは、例えば、電子ペーパーおよびディスプレイデバイスの画像を表示する表示部に適用することができる。電子ペーパーおよびディプレイデバイスは、公知の構造を有することができるので、その説明を省略する。
【実施例】
【０１９２】
以下、実施例を用いて、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。【０１９３】
＜有機半導体化合物＞
有機半導体組成物に含まれる有機半導体化合物（特定高分子化合物、特定低分子化合物、比較高分子化合物、比較低分子化合物）を以下に示す。なお、以下において、特定高分子化合物および比較高分子化合物を「高分子化合物」、特定低分子化合物および比較低分子化合物を「低分子化合物」、として略記する場合がある。
特定高分子化合物（１）〜（４）、および、（７）〜（８）は、公知のＤ-Ａ型π共役ポリマーの合成方法に準じて合成した。また、特定高分子化合物（５）および（６）は、以下の合成法にしたがって合成した。
比較高分子化合物（１）はシグマアルドリッチジャパン社から購入した。比較高分子化合物（２）および（３）は特開２０１２−３９１０３号公報、比較高分子化合物（４）はMacromolecules,2013,46,3887に記載の化合物である。
また、高分子化合物の分子量について、上述した方法にしたがって測定した。
特定低分子化合物（１）は特開２００９−２６７３７２号公報、特定低分子化合物（３）は特開２０１２−３９１０３号公報、比較低分子化合物（１）は特表２０１５−５０７８４０に記載の化合物である。また、特定低分子化合物（２）は、特表２０１１−５２６５８８に記載の方法を参考に合成した。ＴＩＰＳ−ＰＥＮは、比較低分子化合物であり、シグマアルドリッチジャパン社製のＴＩＰＳペンタセン（６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン）を表す。【０１９４】
＜特定高分子化合物（５）の合成＞
特定高分子化合物（５）について以下のスキームで合成した。【０１９５】
【化３８】
2017086320.tif 000040
【０１９６】
モノマーである中間体Ｘは、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，２０１０，６６，３１７３．及びＯｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２０１１，１２，９９３．を参考に合成した。
中間体Ｘ（２４４ｍｇ、２００ｍｍｏｌ）、５，５’−ビス（トリメチルスタンニル）−２，２’−ビチオフェン（９８．４ｍｇ、２００ｍｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（９．８ｍｇ、３２ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（３．７ｍｇ、４ｍｍｏｌ）、および、脱水クロロベンゼン（１７ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１３０℃で２４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール（２４０ｍＬ）と濃塩酸（１０ｍＬ）との混合液に注ぎ、２時間撹拌した。析出物をろ過、メタノール洗浄した後、メタノール、アセトン、酢酸エチルで順次ソックスレー抽出し、可溶性の不純物を取り除いた。続いて、クロロホルムでソックスレー抽出し、得られた溶液を減圧濃縮した後、メタノールを添加し、析出した固形分をろ過、メタノール洗浄し８０℃で１２時間真空乾燥することで特定高分子化合物（５）を２０１ｍｇ得た（収率８２％）。
ポリスチレン換算の数平均分子量は２．４×１０４であり、重量平均分子量は７．５×１０４であった。【０１９７】
＜特定高分子化合物（６）の合成＞
特定高分子化合物（６）について以下のスキームで合成した。【０１９８】
【化３９】
2017086320.tif 000041
【０１９９】
（中間体１の合成）
４−ブロモフェノール（４１．６ｇ、２４０ｍｍｏｌ）、２−オクチル−１−ドデシルブロミド（１７４ｇ、４８０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（１００ｇ、７２０ｍｍｏｌ）、および、メチルエチルケトン（４８０ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で７２時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、セライトろ過し、ヘキサンでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン）に供することで精製し、中間体１（８０ｇ）を得た。【０２００】
（中間体２の合成）
中間体１（３０ｇ、６６ｍｍｏｌ）、４−ペンチン−１−オール（１８．３ｍＬ、１９８ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅（６３０ｍｇ、３．３ｍｍｏｌ）、ジエチルアミン（９０ｍＬ）、および、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１．９ｇ、１．７ｍｍｏｌ）を混合し、窒素雰囲気下、７０℃で４時間攪拌した。反応溶液に酢酸エチル（２００ｍＬ）を加え、セライトろ過し、不溶物を除去した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝４：１〜１：１）に供することで精製し、中間体２（１７．５ｇ）を得た。【０２０１】
（中間体３の合成）
オートクレーブ容器中に、中間体２（５．０ｇ、１１ｍｍｏｌ）、１０ｗｔ％Ｐｄ／Ｃ（３．６ｇ）、および、エタノール（２５ｍＬ）を混合した。水素を０．９ＭＰａ充填し、３０℃で４時間攪拌した。反応容器を大気下に戻し、反応溶液をセライト濾過し、テトラヒドロフランでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝４：１〜２：１）に供することで精製し、中間体３（４．２ｇ）を得た。【０２０２】
（中間体４の合成）
中間体３（８．５ｇ、１８ｍｍｍｏｌ）、イミダゾール（１．５ｇ、２２ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（５．８ｇ、２２ｍｏｌ）、および、ジクロロメタン（５４ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、０℃に冷却した。次いで、ヨウ素（５．６ｇ、２２ｍｏｌ）を少量ずつ加えた。反応溶液を室温まで上昇させ、１時間攪拌した。亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止させた後、分液し、水層を除去した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、ろ過し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン）に供することで精製し、中間体４（８．７ｇ）を得た。【０２０３】
（中間体５の合成）
３，６−ジ(２−チエニル)−２,５−ジヒドロピロロ［３，４−ｃ］ピロール−１，４−ジオン（１．５３ｇ，５．１ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（２．１ｇ、１５．３ｍｍｏｌ）、および、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（７５ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１００℃で１時間攪拌した。その後、中間体４（８．７ｇ，１５ｍｍｏｌ）を加え、１００℃でさらに６時間攪拌した。反応溶液を室温まで冷却し、セライトろ過し、酢酸エチルでセライトを洗浄した。ろ液を減圧濃縮し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１９：１〜９：１）に供することで精製し、中間体５（３．２ｇ）を得た。【０２０４】
（中間体６の合成）
１）リチオ化剤（ＴＭＰＬｉ）の調製
窒素雰囲気下、２，２，６，６−テトラメチルピペリジン（２．４ｍＬ、１４ｍｍｏｌ）、および、脱水テトラヒドロフラン（１３ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。２．６Ｍのノルマルブチルリチウム  ヘキサン溶液（５．２ｍＬ、１３ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃まで昇温し、リチオ化剤（ＴＭＰＬｉ）を調製した。
２）中間体６の調製
窒素雰囲気下、中間体５（８００ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、および、脱水テトラヒドロフラン（３．６ｍＬ）を混合し、−７８℃に冷却した。上記で調製したリチオ化剤（４．１ｍＬ，４．２ｍｍｏｌ相当）を滴下した。−７８℃で１時間攪拌した後、１，２−ジブロモ−１，１，２，２−テトラクロロエタン（４３９ｍｇ、１．３ｍｍｏｌ）を加えた。その後、反応溶液を室温まで昇温し、１時間攪拌した後、水を加えて、反応を停止させた。反応溶液をヘキサンで抽出した後、有機層を１Ｍの塩酸、ついで飽和食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウム上で乾燥させ、ろ過し、減圧濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：ヘキサン／酢酸エチル＝１９：１〜９：１）に供することで精製し、中間体６（３９０ｍｇ）を得た。【０２０５】
（特定高分子化合物（６）の合成）
中間体６（１３０ｍｇ、９７μｍｏｌ）、５，５’−ビス（トリメチルスタンニル）−２，２’−ビチオフェン（４８ｍｇ、９７μｍｏｌ）、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン（２．４ｍｇ、７．７μｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（１．８ｍｇ、１．９μｍｏｌ）、および、脱水クロロベンゼン（３ｍＬ）を混合し、窒素雰囲気下、１３０℃で２４時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、メタノール（４０ｍＬ）／濃塩酸（２ｍＬ）混合液に注ぎ、２時間撹拌し、析出物をろ過、メタノール洗浄した。得られた粗生成物をメタノール、アセトン、および、ヘキサンで順次ソックスレー抽出し、可溶性の不純物を取り除いた。続いて、クロロベンゼンでソックスレー抽出し、得られた溶液を減圧濃縮した後、メタノールを添加し、析出した固形分をろ過、メタノール洗浄し８０℃で１２時間真空乾燥することで特定高分子化合物（６）（１３０ｍｇ）を得た（重量平均分子量  Ｍｗ＝５００００）。【０２０６】
【化４０】
2017086320.tif 000042
【０２０７】
【化４１】
2017086320.tif 000043
【０２０８】
【化４２】
2017086320.tif 000044
【０２０９】
【化４３】
2017086320.tif 000045
【０２１０】
＜有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）の作製＞
図１に示すボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタを作製した。基板１０として厚さ１ｍｍのドープシリコン基板（ゲート電極２０を兼ねる）を用い、その上にゲート絶縁膜３０を形成した。
ゲート絶縁膜３０は以下のように形成した。
ポリ（４−ビニルフェノール）（日本曹達社製、商品名：ＶＰ−８０００、Ｍｎ１１０００、分散度１．１）を６．３ｇと、架橋剤として２，２−ビス（３，５−ジヒドロキシメチル−４−ヒドロキシ）プロパン２．７ｇとを、９１ｇの１−ブタノール／エタノール＝１／１の混合溶媒に室温で完全に溶解した。この溶解液をφ０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）製メンブランフィルタでろ過した。得られたろ液に酸触媒としてジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート塩０．１８ｇを加え、基板１０上に塗布し、乾燥して成膜した。その後、１００℃に加熱して架橋構造を形成させ、厚さ０．７μｍのゲート絶縁膜３０を形成した。
次いで、図１に示すようにソース電極４０及びドレイン電極４２として、くし型に配置されたクロム／金からなる電極（ゲート幅Ｗ＝１ｍｍ、ゲート長Ｌ＝１００μｍ）を、マスクを用いて真空蒸着により形成した。【０２１１】
続いて、下記第１表の組み合わせになるように高分子化合物４ｍｇと低分子化合物４ｍｇとをクロロベンゼン２ｍＬに溶解した各有機半導体組成物を、ソース電極及びドレイン電極を覆うようにスピンコートして成膜し、窒素雰囲気下で１７５℃１時間アニール処理を行い、図１に示される構造の有機薄膜トランジスタを作製した。なお、図１における封止層は設けなかった。
有機半導体層の厚さは２０ｎｍ〜５０ｎｍであった。【０２１２】
＜ＯＴＦＴの性能評価＞
得られた各ＯＴＦＴについて、キャリア移動度、閾値電圧の絶対値、ヒステリシスの絶対値、耐熱性を下記方法により評価することで、ＯＴＦＴの性能を調べた。【０２１３】
（キャリア移動度の評価）
ソース電極−ドレイン電極間に−４０Ｖの電圧を印加し、ゲート電圧を４０Ｖ〜−４０Ｖの範囲で変化させ、ドレイン電流Ｉｄを表わす下記式を用いてキャリア移動度μを算出した。評価基準は以下の通りである。
Ｉｄ＝（ｗ／２Ｌ）μＣｉ（Ｖｇ−Ｖｔｈ）２
（式中、Ｌはゲート長、ｗはゲート幅、Ｃｉは絶縁層の単位面積当たりの容量、Ｖｇはゲート電圧、Ｖｔｈは閾値電圧）
「Ｓ」：０．４ｃｍ２／Ｖｓ以上
「ＡＡ」：０．３ｃｍ２／Ｖｓ以上０．４ｃｍ２／Ｖｓ未満
「Ａ」：０．２ｃｍ２／Ｖｓ以上０．３ｃｍ２／Ｖｓ未満
「Ｂ」：０．２ｃｍ２／Ｖｓ未満【０２１４】
（閾値電圧の評価）
ソース電極−ドレイン電極間にかかる電圧を−４０Ｖに固定し、Ｖｇを４０Ｖから−４０Ｖの範囲で変化させ、閾値電圧Ｖｔｈ＋を求め、閾値電圧の絶対値を求めた。この値の絶対値が０に近いほど、閾値電圧に優れる。
「Ｓ」：０Ｖ以上７．５Ｖ未満
「Ａ」：７．５Ｖ以上１５Ｖ未満
「Ｂ」：１５Ｖ以上【０２１５】
（ヒステリシス）
上記と同様にソース電極−ドレイン電極間にかかる電圧を−４０Ｖに固定し、Ｖｇを−４０Ｖから４０Ｖへ変化させたときの閾値電圧Ｖｔｈ−を求め、上記の閾値電圧の評価で求めたＶｔｈ＋と、Ｖｔｈ−と、の差分の絶対値をヒステリシスの指標に用いた。絶対値が０に近いほど、ヒステリシスに優れる。
「Ｓ」：０Ｖ以上３Ｖ未満
「Ａ」：３Ｖ以上７Ｖ未満
「Ｂ」：７Ｖ以上【０２１６】
（耐熱性試験）
製造例１で得られたＯＴＦＴについて、窒素雰囲気下、２２０℃１時間加熱した後、上記と同様の方法で、キャリア移動度を評価した。
耐熱性試験におけるキャリア移動度の評価は、耐熱試験前のキャリア移動度の値に対する耐熱試験後のキャリア移動度の値［１００×（耐熱試験後のキャリア移動度）／（耐熱試験前のキャリア移動度）］（％）を求め、この値に基づいて以下の基準により評価した。以下の評価基準において、ＳまたはＡであることが好ましく、Ｓであることがより好ましい。
「Ｓ」：７５％以上
「Ａ」：２５％以上７５％未満
「Ｂ」：２５％未満【０２１７】
＜評価結果＞
上記評価試験の結果を第１表に示す。【０２１８】
【表１】
2017086320.tif 000046
【０２１９】
第１表に示すように、実施例のＯＴＦＴは、高いキャリア移動度を維持しつつ、優れたヒステリシス特性をもつことが示された。また、実施例のＯＴＦＴは、閾値電圧および耐熱性にも優れていることが示された。
実施例１〜８の対比から、上記式（３）〜（５）に該当する特定高分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例３〜８）は、キャリア移動度がより優れたものになることが示された。特に、上記式（３）（より詳細には上記式（６））に該当する特定高分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例３〜６）は、キャリア移動度がより一層優れたものになることが示された。
また、実施例９〜１６の対比、実施例１７〜２４の対比についても、実施例１〜８の対比と同様の傾向がみられた。
実施例１〜８と、実施例９〜１６と、実施例１７〜２４と、の対比から、上記式（２Ｂ）に該当する特定低分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例９〜１６：特定低分子化合物（２）、実施例１７〜２４：特定低分子化合物（３））は、耐熱性がより優れたものになることが示された。さらに、上記式（２Ｂ）のＡ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１およびＣ１において、３〜４つの環がチオフェン環であり、かつ、チオフェン環同士の連結数が２つである特定低分子化合物（実施例９−１６：特定低分子化合物（２））を用いることで、閾値電圧およびヒステリシスがより一層優れたものになることが示された。
また、実施例１〜８と、実施例９〜１６と、実施例１７〜２４と、の対比から、上記式（２Ａ）で表される部分構造を有する特定低分子化合物を用いて作製されたＯＴＦＴ（実施例９〜１６：特定低分子化合物（２））は、閾値電圧およびヒステリシスがより優れたものになることが示された。【０２２０】
一方、比較例のＯＴＦＴは、特定低分子化合物または特定高分子化合物を用いて作製されなかったため、所望の性能が得られないことが示された。【０２２１】
＜実施例２５〜２７＞
第２表に示した量の高分子化合物（５）と低分子化合物（２）とを、クロロベンゼン２ｍＬに溶解した有機半導体組成物を用いた以外は、実施例１３と同様にしてＯＴＦＴを作製し（実施例２５〜２７）、上述した方法でキャリア移動度を算出した。
そして、実施例１３のＯＴＦＴのキャリア移動度に対する、実施例２５〜実施例２７の各キャリア移動度の比率（（実施例２５〜２７におけるキャリア移動度）／（実施例１３のキャリア移動度））を求めた。
評価結果を第２表に示す。【０２２２】
【表２】
2017086320.tif 000047
【０２２３】
第２表に示すように、特定低分子化合物の含有量が特定高分子化合物１００質量部に対して５０質量部以下であることで（実施例２５〜２８）、移動度がより優れたものになることが示された。
なお、実施例２５〜２８のＯＴＦＴについて、上述した閾値電圧、ヒステリシスおよび耐熱性に関する評価を行ったところ、実施例１３と同様の結果であった。
【符号の説明】
【０２２４】
１０  基板
２０  ゲート電極
３０  ゲート絶縁膜
４０  ソース電極
４２  ドレイン電極
５０有機半導体膜
６０  封止層
１００、２００  有機薄膜トランジスタ
【図１】
2017086320.tif 000059
【図２】
2017086320.tif 000060
【国際調査報告】
2017086320.tif 000061
2017086320.tif 000062
2017086320.tif 000063
2017086320.tif 000064