(57)【要約】  キャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタを提供する。下記式（１）で表される繰り返し単位を含み、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を少なくとも２つ含む高分子化合物。  【化１】2017141932.tif 000045（式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表す。Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子、またはフッ素原子を含む１価の有機基を表す。Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表し、該２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｘは、酸素原子または−ＮＲ７−で表される基を表す。Ｒ７は、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ａは、０〜２０の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。）
2017141932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で表される繰り返し単位を含み、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を少なくとも２つ含む高分子化合物。
【化１】
2017141932.tif 000038
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表す。Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子、またはフッ素原子を含む１価の有機基を表す。Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表し、該２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｘは、酸素原子または−ＮＲ７−で表される基を表す。Ｒ７は、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ａは、０〜２０の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
【請求項２】
前記高分子化合物が、下記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位および下記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位をさらに含む高分子化合物である、請求項１に記載の高分子化合物。
【化２】
2017141932.tif 000039
【化３】
2017141932.tif 000040
（式（２）および（３）中、ＲＡ、ＲＢは、下記式（４）で表される１価の有機基および下記式（５）で表される１価の有機基からなる群より選ばれる少なくとも１種の１価の有機基を表す。）
【化４】
2017141932.tif 000041
【化５】
2017141932.tif 000042
（式（４）および（５）中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立に、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ｒは、１〜２０の整数を表す。）
【請求項３】
前記ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基が、下記式（６）で表される基または下記式（７）で表される基である、請求項１または２に記載の高分子化合物。
【化６】
2017141932.tif 000043
（式（６）中、Ｘａは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ２、Ｒ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。）
【化７】
2017141932.tif 000044
（式（７）中、Ｘｂは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、互いに異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の高分子化合物を含む組成物。
【請求項５】
活性水素を少なくとも２つ含む低分子化合物および活性水素を少なくとも２つ含む高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物をさらに含む、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
請求項４または５に記載の組成物を硬化した膜。
【請求項７】
請求項６に記載の膜を含む、電子デバイス。
【請求項８】
前記電子デバイスが有機薄膜トランジスタである、請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
請求項６に記載の膜をゲート絶縁層として含む、有機薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
請求項６に記載の膜をオーバーコート層としてさらに含む、請求項９に記載の有機薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層などの絶縁層に用いられる高分子化合物、該高分子化合物を含む組成物、かかる高分子化合物またはかかる組成物を用いた絶縁層および有機薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料を用いる有機薄膜電界効果トランジスタ（有機薄膜トランジスタ）は、無機材料を用いる無機電界効果トランジスタと比較して、より低温の製造プロセスで製造することができる。よって、有機薄膜トランジスタにおいては、基板としてプラスチック基板やプラスチックフィルムを用いることができ、結果として、より軽量で壊れにくいトランジスタを製造することができる。【０００３】
また、有機材料を含む液（溶液、分散液）の塗布や印刷により製造が可能な場合があり、この場合には大面積の有機薄膜トランジスタアレイを低コストで製造することが可能である。【０００４】
さらに、有機薄膜トランジスタの検討に用いることができる材料は、その種類が豊富であるため、分子構造の異なる種々の材料から適宜選択して用いれば、有機薄膜トランジスタの特性を根本的に変化させることが可能である。そのため、異なる機能を有する材料を適宜組み合わせることで、無機材料を用いる電界効果トランジスタでは不可能なほど多種多様な機能を有する有機薄膜トランジスタを備える電子デバイスを実現することも可能である。【０００５】
電界効果トランジスタでは、ゲート電極に印加される電圧（ゲート電圧）がゲート絶縁層を介して半導体層に作用して、ドレイン電流のオン、オフを制御する。そのため、有機薄膜トランジスタに用いられるゲート絶縁層の材料には、薄膜にしたときに高い絶縁破壊強度が要求される。【０００６】
また、特にボトムゲート型の有機薄膜トランジスタでは有機半導体層がゲート絶縁層に重なるように設けられるため、ゲート絶縁層の材料には、有機半導体層と良好な界面を形成させるために、有機半導体層との高い親和性が要求される。【０００７】
これまで、有機薄膜トランジスタに用いられる絶縁層の材料については、種々の材料について検討が行われてきた。【０００８】
例えば、下記特許文献１には、有機薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁層の材料としてフッ素原子を含有する熱硬化性樹脂組成物が記載されている。下記特許文献１には、この材料を用いて形成されたゲート絶縁層を備える有機薄膜トランジスタはヒステリシスが小さく、電気的特性が安定していることが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５４７９８１７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、有機薄膜トランジスタを、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）のような発光素子を駆動する駆動素子として用いることなどを考慮すると、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度をより向上させる必要がある。【００１１】
したがって、本発明の目的は、キャリア移動度がより高い有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
すなわち、本発明は下記［１］〜［１０］を提供する。【００１３】
［１］  下記式（１）で表される繰り返し単位を含み、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を少なくとも２つ含む高分子化合物。
【化１】
2017141932.tif 000003
（式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表す。Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子、またはフッ素原子を含む１価の有機基を表す。Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表し、該２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｘは、酸素原子または−ＮＲ７−で表される基を表す。Ｒ７は、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ａは、０〜２０の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。）
［２］  前記高分子化合物が、下記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位および下記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位をさらに含む高分子化合物である、［１］に記載の高分子化合物。
【化２】
2017141932.tif 000004
【化３】
2017141932.tif 000005
（式（２）および（３）中、ＲＡ、ＲＢは、下記式（４）で表される１価の有機基および下記式（５）で表される１価の有機基からなる群より選ばれる少なくとも１種の１価の有機基を表す。）
【化４】
2017141932.tif 000006
【化５】
2017141932.tif 000007
（式（４）および（５）中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立に、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ｒは、１〜２０の整数を表す。）
［３］  前記ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基が、下記式（６）で表される基または下記式（７）で表される基である、［１］または［２］に記載の高分子化合物。
【化６】
2017141932.tif 000008
（式（６）中、Ｘａは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ２、Ｒ３は、互いに異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。）
【化７】
2017141932.tif 000009
（式（７）中、Ｘｂは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、互いに異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。）
［４］  ［１］〜［３］のいずれか１つに記載の高分子化合物を含む組成物。
［５］  活性水素を少なくとも２つ含む低分子化合物および活性水素を少なくとも２つ含む高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物をさらに含む、［４］に記載の組成物。
［６］  ［４］または［５］に記載の組成物を硬化した膜。
［７］  ［６］に記載の膜を含む、電子デバイス。
［８］  前記電子デバイスが有機薄膜トランジスタである、［７］に記載の電子デバイス。
［９］  ［６］に記載の膜をゲート絶縁層として含む、有機薄膜トランジスタ。
［１０］   ［６］に記載の膜をオーバーコート層としてさらに含む、［９］に記載の有機薄膜トランジスタ。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高分子化合物、該高分子化合物を含む組成物を特にゲート絶縁層の材料として用いれば、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度をより高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態にかかるボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【図２】図２は、本発明の第２実施形態にかかるボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明の実施形態についてさらに詳細に説明する。なお、参照される各図面は、発明が理解できる程度に、構成要素の形状、大きさおよび配置が概略的に示されているに過ぎない。本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、各構成要素は本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。説明に用いられる図面において、同様の構成要素については同一の符号を付して示し、重複する説明については省略する場合がある。また、本発明の実施形態にかかる構成は、必ずしも図面に示された配置で、製造されたり、使用されたりするわけではない。
【００１７】
なお、本明細書において、「高分子化合物」とは、分子中に互いに異なっていてもよい複数の構造単位（繰り返し単位）を含む化合物を意味しており、いわゆる２量体も「高分子化合物」に含まれる。また、本明細書において、「低分子化合物」とは、分子中に複数の繰り返し単位を含んでいない化合物を意味する。
【００１８】
‐共通する用語の説明‐
本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
【００１９】
「炭素原子数１〜２０の１価の有機基」は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよく、飽和していても不飽和であってもよい。
【００２０】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基としては、例えば、炭素原子数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素原子数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素原子数３〜２０の環状炭化水素基、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜２０のアシル基、炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７〜２０のアリールオキシカルボニル基が挙げられ、好ましくは、炭素原子数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素原子数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素原子数３〜６の環状炭化水素基、炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜７のアシル基、炭素原子数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７〜２０のアリールオキシカルボニル基などである。
【００２１】
炭素原子数１〜２０の直鎖状炭化水素基、炭素原子数３〜２０の分岐状炭化水素基、炭素原子数３〜２０の環状炭化水素基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜２０のアシル基、炭素原子数２〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７〜２０のアリールオキシカルボニル基は、これらの基に含まれる水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２２】
炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基は、基中の水素原子が１価の有機基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２３】
炭素原子数１〜２０の１価の有機基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロペンチニル基、シクロヘキシニル基、トリフルオロメチル基、トリフルオロエチル基、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、エテニルナフチル基、メチルアントリル基、エチルアントリル基、ペンタフルオロフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、メトキシ基、エトキシ基、フェノキシ基、アセチル基、ベンゾイル基、メトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基などが挙げられる。
炭素原子数１〜２０の１価の有機基としては、アルキル基が好ましい。
【００２４】
「炭素原子数１〜２０の２価の有機基」は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよく、脂肪族炭化水素基であっても芳香族炭化水素基であってもよい。炭素原子数１〜２０の２価の有機基としては、例えば、炭素原子数１〜２０の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の２価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜２０の２価の環状炭化水素基、１価の有機基等で置換されていてもよい炭素原子数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基が挙げられる。中でも、炭素原子数１〜２０の２価の有機基としては、炭素原子数１〜６の２価の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の２価の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素原子数３〜６の２価の環状炭化水素基、アルキル基等で置換されていてもよい２価の炭素原子数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００２５】
２価の脂肪族炭化水素基および２価の環状炭化水素基の具体例としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基、ジメチルプロピレン基、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などが挙げられる。
【００２６】
炭素原子数６〜２０の２価の芳香族炭化水素基の具体例としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントリレン基、ジメチルフェニレン基、トリメチルフェニレン基、エチレンフェニレン基、ジエチレンフェニレン基、トリエチレンフェニレン基、プロピレンフェニレン基、ブチレンフェニレン基、メチルナフチレン基、ジメチルナフチレン基、トリメチルナフチレン基、ビニルナフチレン基、エテニルナフチレン基、メチルアントリレン基、エチルアントリレン基などが挙げられる。
【００２７】
「ハロゲン原子」は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子である。
【００２８】
‐高分子化合物‐
本発明の高分子化合物は、下記式（１）で表される繰り返し単位を含み、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を少なくとも２つ含む高分子化合物である（以下、「高分子化合物（Ａ）」という場合がある。）。
【化８】
2017141932.tif 000010
【００２９】
式（１）中、Ｒ１は、水素原子またはメチル基を表す。Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒｆは、フッ素原子またはフッ素原子を含む１価の有機基を表す。Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表し、該２価の有機基中の水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。Ｘは、酸素原子または−ＮＲ７−で表される基を表す。Ｒ７は、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ａは、０〜２０の整数を表し、ｍは、１〜５の整数を表す。Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
【００３０】
＜高分子化合物（Ａ）＞
まず、高分子化合物（Ａ）について具体的に説明する。高分子化合物（Ａ）は、フッ素原子を含む繰り返し単位として、前記式（１）で表される繰り返し単位を含む。
【００３１】
（式（１）で表される繰り返し単位）
前記式（１）中、Ｒ１は水素原子、またはメチル基を表す。本発明の一実施形態では、Ｒ１は、メチル基であることが好ましい。
【００３２】
前記式（１）中、Ｒは、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
【００３３】
前記式（１）中、Ｒｆは、フッ素原子、またはフッ素原子を含む１価の有機基であって、フッ素原子または少なくとも１個の水素原子がフッ素原子で置換された、フッ素原子を含む炭素原子数１〜２０の１価の有機基である。本発明の一実施形態では、Ｒｆはフッ素原子であることが好ましい。Ｒｆが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
【００３４】
前記式（１）中、Ｒａは、炭素原子数１〜２０の２価の有機基を表す。該２価の有機基中の水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。ａは、０〜２０の整数を表す。本発明の一実施形態では、ａは１であることが好ましい。Ｒａが複数個ある場合、それらは互いに異なっていてもよい。
【００３５】
前記式（１）中、Ｘは、酸素原子または−ＮＲ７−で表される基を表す。ここでＲ７は、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。本発明の一実施形態では、Ｘは、酸素原子であることが好ましい。
【００３６】
ｍは、１〜５の整数を表す。本発明の一実施形態では、ｍは、５であることが好ましい。
【００３７】
（式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位および式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位）
高分子化合物（Ａ）は、下記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位および下記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位をさらに含む高分子化合物（Ａ−１）であることが好ましい。
【００３８】
【化９】
2017141932.tif 000011
【００３９】
【化１０】
2017141932.tif 000012
【００４０】
式（２）および（３）中、ＲＡ、ＲＢは、下記式（４）で表される１価の有機基および下記式（５）で表される１価の有機基からなる群より選ばれる少なくとも１種の１価の有機基を表す。
【００４１】
【化１１】
2017141932.tif 000013
【００４２】
【化１２】
2017141932.tif 000014
【００４３】
式（４）および（５）中、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに独立に、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。ｒは、１〜２０の整数を表す。
【００４４】
Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３である１価の有機基の定義、具体例等は、既に説明したＲにおける１価の有機基の定義、具体例等と同様である。式（４）および（５）において、一実施形態ではＲ８、Ｒ１１、Ｒ１２およびＲ１３は、水素原子であり、Ｒ９はメチル基であり、Ｒ１０はエチル基であり、ｒは４であることが好ましい。
【００４５】
前記式（４）で表される１価の有機基の例としては、メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、１−エトキシエチル基、２−エトキシエチル基、１−メトキシプロピル基、１−エトキシプロピル基が挙げられる。
【００４６】
前記式（５）で表される１価の有機基の例としては、オキシラニル基、オキセタニル基、ヒドロフラニル基、ヒドロピラニル基、ヒドロオキセピニル基、ヒドロオキソシニル基が挙げられ、これらの基は置換基を有していてもよい。
【００４７】
ここで、ヒドロフラニル基とは、ジヒドロフランまたはテトラヒドロフランの環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子１個を除いた基を意味する。ヒドロフラニル基が有していてもよい置換基の例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、水酸基が挙げられる。ヒドロフラニル基としては、例えば、ジヒドロフラニル基、テトラヒドロフラニル基が挙げられる。
【００４８】
ヒドロピラニル基とは、ジヒドロピランまたはテトラヒドロピランの環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子１個を除いた基を意味する。ヒドロピラニル基が有していてもよい置換基の例としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、水酸基が挙げられる。ヒドロピラニル基としては、例えば、ジヒドロピラニル基、テトラヒドロピラニル基、４−メトキシテトラヒドロピラニル基が挙げられる。
【００４９】
ヒドロオキセピニル基とは、２，３−ジヒドロオキセピン、２，３，４，５−テトラヒドロオキセピン、２，３，６，７−テトラヒドロオキセピンまたはヘキサヒドロオキセピンの環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子１個を除いた基を意味し、ヒドロオキセピニル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、水酸基が挙げられる。ヒドロオキセピニル基としては、例えば、２，３−ジヒドロオキセピニル基が挙げられる。
【００５０】
ヒドロオキソシニル基とは、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、５，６−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、７，８−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシン、５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシンまたはヘキサヒドロ−２Ｈ−オキソシンの環を構成する炭素原子に直接結合している水素原子１個を除いた基を意味する。ヒドロオキソシニル基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、水酸基が挙げられる。ヒドロオキソシニル基とは、例えば、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシニル基が挙げられる。
【００５１】
前記式（２）で表される有機基としては、例えば、メトキシメチルオキシ基、メトキシエトキシメチルオキシ基、１−エトキシエチルオキシ基、２−エトキシエチルオキシ基、１−メトキシプロピルオキシ基、１−エトキシプロピルオキシ基が挙げられる。
【００５２】
前記式（３）で表される有機基としては、例えば、オキシラニル−２−オキシカルボニル基、オキセタニル−２−オキシカルボニル基、２，３−ジヒドロフラニル−２−オキシカルボニル基、テトラヒドロフラニル−２−オキシカルボニル基、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラニル−２−オキシカルボニル基、３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラニル−２−オキシカルボニル基、テトラヒドロピラニル−２−オキシカルボニル基、２，３−ジヒドロオキセピニル−２−オキシカルボニル基、２，３，４，５−テトラヒドロオキセピニル−２−オキシカルボニル基、２，３，６，７−テトラヒドロオキセピニル−２−オキシカルボニル基、ヘキサヒドロオキセピニル−２−オキシカルボニル基、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基、５，６−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基、７，８−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基、３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基、５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基、ヘキサヒドロ−２Ｈ−オキソシニル−２−オキシカルボニル基が挙げられる。
【００５３】
（ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位）
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、前記のとおり分子内にブロック化イソシアナト基および／またはブロック化イソチオシアナト基を有する。
【００５４】
本発明にかかる高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）が有し得るブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基は、下記式（６）で表される基または下記式（７）で表される基であることが好ましい。
【００５５】
【化１３】
2017141932.tif 000015
【００５６】
【化１４】
2017141932.tif 000016
【００５７】
式（６）および式（７）中、Ｘａ、Ｘｂは、酸素原子または硫黄原子を表す。Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６は、互いに異なっていてもよく、水素原子または炭素原子数１〜２０の１価の有機基を表す。Ｒ２〜Ｒ６である１価の有機基の定義、具体例等は、既に説明したＲにおける１価の有機基の定義、具体例等と同様である。
【００５８】
本発明の一実施形態では、式（６）中のＲ２およびＲ３は、互いに独立に、メチル基およびエチル基からなる群から選択される基であることが好ましい。また他の実施形態では式（７）中のＲ４およびＲ６はメチル基であり、Ｒ５は水素原子であることが好ましい。
【００５９】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）が有し得るブロック化イソシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）カルボキシアミノ基、Ｏ−［１−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルカルボニル）アミノ基等が挙げられる。
【００６０】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）が有し得るブロック化イソチオシアナト基としては、例えば、Ｏ−（メチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−エチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−（１−メチルエチリデンアミノ）チオカルボキシアミノ基、Ｏ−［１−メチルプロピリデンアミノ］チオカルボキシアミノ基、（Ｎ−３，５−ジメチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３，５−ジエチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−プロピル−５−メチルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基、（Ｎ−３−エチル−５−プロピルピラゾリルチオカルボニル）アミノ基等が挙げられる。
【００６１】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）にかかる、ブロック化イソシアナト基およびブロック化イソチオシアナト基からなる群より選ばれる少なくとも１種の基（第１の官能基）としては、ブロック化イソシアナト基が好ましい。
【００６２】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）が有しているブロック化イソシアナト基および／またはブロック化イソチオシアナト基を第１の官能基とすると、この第１の官能基は活性水素と反応しない。しかしながら、第１の官能基に電磁波または熱が作用すると第２の官能基が生成し、生成した第２の官能基が活性水素と反応できるようになる。つまり、この第１の官能基は、電磁波または熱が作用することによりブロック化剤に由来する保護基が脱離して、活性水素と反応する第２の官能基を生成することができる官能基である。
【００６３】
ここで、活性水素とは、酸素原子、窒素原子および硫黄原子のような炭素原子以外の原子に結合した水素原子をいう。
【００６４】
活性水素と反応する第２の官能基は、組成物の貯蔵安定性を維持する観点から、ゲート絶縁層の形成工程が実施されるまでは保護（ブロック）されていることが好ましい。つまり、前記第１の官能基はゲート絶縁層の形成工程における電磁波による処理または加熱処理により脱離されて、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基であることが好ましい。このようにすれば、ゲート絶縁層の形成工程が実施されるまでは第１の官能基として組成物中に存在することになり、結果として、組成物の貯蔵安定性が向上する。
【００６５】
ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位の構造は、その原料となるモノマーの化学構造に基づく。
【００６６】
なお、高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、ブロック化イソシアナト基のみを有する繰り返し単位を含んでいても、ブロック化イソチオシアナト基のみを有する繰り返し単位を含んでいても、ブロック化イソシアナト基及びブロック化イソチオシアナト基の両方を有する繰り返し単位を含んでいても、ブロック化イソシアナト基のみを有する繰り返し単位、ブロック化イソチオシアナト基のみを有する繰り返し単位、並びにブロック化イソシアナト基およびブロック化イソチオシアナト基の両方を有する繰り返し単位の２種以上の組み合わせを含んでいてもよい。
【００６７】
以下にブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位の原料となるモノマーの例を示す。
【００６８】
ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基を有する重合性モノマーの例としては、ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有するモノマーが挙げられる。
【００６９】
ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する重合性モノマーは、イソシアナト基またはイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物とブロック化剤とを反応させることにより製造することができる。ここで不飽和結合としては、不飽和二重結合が好ましい。
【００７０】
分子内に不飽和二重結合とイソシアナト基とを有する化合物の例としては、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソシアネート等が挙げられる。分子内に不飽和二重結合とイソチオシアナト基とを有する化合物の例としては、２−アクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソチオシアネート、２−（２’−メタクリロイルオキシエチル）オキシエチルイソチオシアネート等が挙げられる。
【００７１】
分子内に不飽和二重結合とブロック化イソシアナト基を有するモノマーの例としては、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート、２−〔Ｎ−［１’，３’−ジメチルピラゾリル］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート等が挙げられる。
【００７２】
ブロック化イソシアナト基を有する化合物またはブロック化イソチオシアナト基を有する化合物は、例えば、イソシアナト基またはイソチオシアナト基と反応しうる活性水素を１分子中に１個のみ有するブロック化剤とイソシアナト基またはイソチオシアナト基を有する化合物とを反応させることにより製造することができる。
【００７３】
ブロック化剤としては、イソシアナト基またはイソチオシアナト基と反応した後でも、１７０℃以下の温度でこれらの基から脱離させることができる化合物であることが好ましい。ブロック化剤としては、例えば、アルコ−ル化合物、フェノ−ル化合物、活性メチレン化合物、メルカプタン化合物、酸アミド化合物、酸イミド化合物、イミダゾール化合物、尿素化合物、オキシム化合物、アミン化合物、イミン化合物、重亜硫酸塩、ピリジン化合物、ピラゾール化合物等が挙げられる。これらのブロック化剤は、単独で使用してもよく、あるいは２種以上を混合して使用してもよい。好ましいブロック化剤の例としては、オキシム化合物、ピラゾール化合物が挙げられる。
【００７４】
以下、適用し得るブロック化剤について具体的に説明する。
ブロック化剤であるアルコ−ル化合物の例としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、２−エチルヘキサノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルカルビトール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール等が挙げられる。
【００７５】
ブロック化剤であるフェノール化合物の例としては、フェノール、クレゾール、エチルフェノール、ブチルフェノール、ノニルフェノール、ジノニルフェノール、スチレン化フェノール、ヒドロキシ安息香酸エステル等が挙げられる。
【００７６】
ブロック化剤である活性メチレン化合物の例としては、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセチルアセトン等が挙げられる。
【００７７】
ブロック化剤であるメルカプタン化合物の例としては、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタン等が挙げられる。
【００７８】
ブロック化剤である酸アミド化合物の例としては、アセトアニリド、酢酸アミド、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタム等が挙げられる。
【００７９】
ブロック化剤である酸イミド化合物の例としては、コハク酸イミド、マレイン酸イミド等が挙げられる。
【００８０】
ブロック化剤であるイミダゾール化合物の例としては、イミダゾール、２−メチルイミダゾール等が挙げられる。
【００８１】
ブロック化剤である尿素化合物の例としては、尿素、チオ尿素、エチレン尿素等が挙げられる。
【００８２】
ブロック化剤であるオキシム化合物の例としては、ホルムアルドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトオキシム、メチルエチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等が挙げられる。
【００８３】
ブロック化剤であるアミン化合物の例としては、ジフェニルアミン、アニリン、カルバゾール等が挙げられる。
【００８４】
ブロック化剤であるイミン化合物の例としては、エチレンイミン、ポリエチレンイミン等が挙げられる。
【００８５】
ブロック化剤である重亜硫酸塩の例としては、重亜硫酸ソーダ等が挙げられる。
【００８６】
ブロック化剤であるピリジン化合物の例としては、２−ヒドロキシピリジン、２−ヒドロキシキノリン等が挙げられる。
【００８７】
ブロック化剤であるピラゾール化合物の例としては、３，５−ジメチルピラゾール、３，５−ジエチルピラゾール等が挙げられる。
【００８８】
イソシアナト基またはイソチオシアナト基と不飽和結合とを分子内に有する化合物と、ブロック化剤とを反応させるにあたり、必要に応じて有機溶媒、触媒等を添加して反応させることができる。
【００８９】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）に含まれるフッ素原子の量は、高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）の質量に対して、好ましくは１〜６０質量％、より好ましくは５〜５０質量％、さらに好ましくは５〜４０質量％である。
【００９０】
特にフッ素原子の量を調節することにより、ゲート絶縁層の表面エネルギーを適切な範囲に調節することができ、結果として、有機半導体層との界面を良好な界面とすることができる。これにより有機薄膜トランジスタのキャリア移動度をより向上させることができる。
【００９１】
含まれるフッ素原子の量を１質量％以上とすることで、有機薄膜トランジスタのヒステリシス特性を十分に低下させることができ、６０質量％以下とすることで、有機半導体層との親和性を良好に保ち、有機半導体層とゲート絶縁層とを接合させたときに良好な界面を形成させることができる。
【００９２】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、重量平均分子量が３０００〜１００００００であることが好ましく、５０００〜５０００００であることがより好ましい。
【００９３】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、直鎖状、分岐状、環状のいずれの態様であってもよい。
【００９４】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）を構成する前記式（１）で表される繰り返し単位中には、前記のとおりフッ素原子が含まれている。そのために、高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）を含む組成物を硬化して形成される硬化物からなる有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層は、全体として極性が低く、ゲート電圧が印加されても分極し易い成分が少なく、ゲート絶縁層の分極が抑制されると考えられる。ゲート絶縁層の分極が抑制されると、有機薄膜トランジスタのヒステリシスが低下して、動作精度が向上する。
【００９５】
前記式（１）で表される繰り返し単位を含み、かつ、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を２つ以上含む高分子化合物としては、例えば、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］−コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］−コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−トリフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシルアミノ〕エチル−メタクリレート］）等が挙げられる。
【００９６】
前記式（１）で表される繰り返し単位、ならびに、前記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位および前記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位とからなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位とを含み、かつ、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位およびブロック化イソチオシアナト基からなる群より選ばれる少なくとも１種の繰り返し単位を２つ以上含む高分子化合物としては、例えば、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］−コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］−コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−４−トリフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシルアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］−コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−アクリロニトリル−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］  −コ−アリルトリメチルゲルマニウム）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（メチルメタクリレート−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−ペンタフルオロベンジルメタクリレート−コ−（２，２，２−トリフルオロエチルメタクリレート）−コ−［２−〔１’−（３’，５’−ジメチルピラゾリル）カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート］）、ポリ（スチレン−コ−４−（１−エトキシエチル）スチレン−コ−｛４−ビニル−（テトラヒドロ−２−ピラニル）ベンゾエート｝−コ−４−トリフルオロベンジルメタクリ���ート−コ−［２−〔Ｏ−（１’−メチルプロピリデンアミノ）カルボキシルアミノ〕エチル−メタクリレート］）等が挙げられる。
【００９７】
＜高分子化合物（Ａ）および高分子化合物（Ａ−１）の製造方法＞
高分子化合物（Ａ）は、例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となるモノマー（重合性モノマー）と、前記式（６）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーおよび前記式（７）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとからなる群より選ばれる少なくとも１種とを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することができる。
【００９８】
高分子化合物（Ａ−１）は、例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、前記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーおよび前記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとからなる群より選ばれる少なくとも１種と、前記式（６）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーおよび前記式（７）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーとからなる群より選ばれる少なくとも１種とを、光重合開始剤もしくは熱重合開始剤を用いて共重合させる方法により製造することができる。
【００９９】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）を製造するにあたり、分子内に不飽和二重結合とブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基とを有する重合性モノマーの仕込みモル比は、重合に関与する全てのモノマー中、通常、１モル％以上９９モル％以下であり、好ましくは５モル％以上６０モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以上５０モル％以下である。上記モノマーの仕込みモル比をこの範囲に調節することにより、本発明の組成物を硬化した硬化物であるゲート絶縁層の内部に架橋構造が十分に形成され、極性基の含有量をより少なくすることができ、結果として耐溶剤性が向上する。
【０１００】
前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの使用量は、要求される特性に応じて、高分子化合物（Ａ）に含まれるフッ素原子の量が適量になるように調節されることが好ましい。例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの仕込みモル比は、重合に関与する全てのモノマー中、通常、１モル％以上９９モル％以下であり、好ましくは５モル％以上９５モル％以下であり、より好ましくは１０モル％以上９０モル％以下である。
【０１０１】
以下、高分子化合物（Ａ）および高分子化合物（Ａ−１）の製造方法に用いられる重合性モノマーについて説明する。なお、「ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基とを有する重合性モノマー」は、既に説明したとおりである。
前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルアクリレート、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート、２−フルオロベンジルアクリレート、２−フルオロベンジルメタクリレート、３−フルオロベンジルアクリレート、３−フルオロベンジルメタクリレート、４−フルオロベンジルアクリレート、４−フルオロベンジルメタクリレート、４−トリフルオロメチルベンジルアクリレート、４−トリフルオロメチルベンジルメタクリレート等が挙げられる。
【０１０２】
前記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、４−（メトキシメトキシ）スチレン、４−（メトキシエトキシメトキシ）スチレン、４−（１−エトキシエトキシ）スチレン、２−（メトキシメトキシ）エチルアクリレート、２−（メトキシエトキシメトキシ）エチルアクリレート、２−（１−エトキシエトキシ）エチルアクリレート、２−（メトキシメトキシ）エチルメタクリレート、２−（メトキシエトキシメトキシ）エチルメタクリレート、２−（１−エトキシエトキシ）エチルメタクリレートが挙げられる。
【０１０３】
前記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーの例としては、２−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、２−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、２−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、２−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレン、３−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、３−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、３−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、３−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレン、４−（メトキシメトキシカルボニル）スチレン、４−（メトキシエトキシメチルオキシカルボニル）スチレン、４−（１−エトキシエチルオキシカルボニル）スチレン、４−（テトラヒドロピラニルオキシカルボニル）スチレン、メトキシメチルアクリレート、メトキシエトキシメチルアクリレート、１−エトキシエチルアクリレート、２−アクリロイルオキシオキシラン、２−アクリロイルオキシオキセタン、２−アクリロイルオキシ−２，３−ジヒドロフラン、２−アクリロイルオキシテトラヒドロフラン、２−アクリロイルオキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２−アクリロイルオキシ−３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２−アクリロイルオキシ−テトラヒドロピラン、２−アクリロイルオキシ−２，３−ジヒドロオキセピン、２−アクリロイルオキシ−２，３，４，５−テトラヒドロオキセピン、２−アクリロイルオキシ−２，３，６，７−テトラヒドロオキセピン、２−アクリロイルオキシ−ヘキサヒドロオキセピン、２−アクリロイルオキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−アクリロイルオキシ−５，６−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−アクリロイルオキシ−７，８−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−アクリロイルオキシ−３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−アクリロイルオキシ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−アクリロイルオキシ−ヘキサヒドロ−２Ｈ−オキソシン、メトキシメチル−メタクリレート、メトキシエトキシメチル−メタクリレート、１−エトキシエチル−メタクリレート、２−メタクリロイルオキシオキシラン、２−メタクリロイルオキシオキセタン、２−メタクリロイルオキシ−２，３−ジヒドロフラン、２−メタクリロイルオキシテトラヒドロフラン、２−メタクリロイルオキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２−メタクリロイルオキシ−３，６−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン、２−メタクリロイルオキシ−テトラヒドロピラン、２−メタクリロイルオキシ−２，３−ジヒドロオキセピン、２−メタクリロイルオキシ−２，３，４，５−テトラヒドロオキセピン、２−メタクリロイルオキシ−２，３，６，７−テトラヒドロオキセピン、２−メタクリロイルオキシ−ヘキサヒドロオキセピン、２−メタクリロイルオキシ−３，４−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−メタクリロイルオキシ−５，６−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−メタクリロイルオキシ−７，８−ジヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−メタクリロイルオキシ−３，４，５，６−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−メタクリロイルオキシ−５，６，７，８−テトラヒドロ−２Ｈ−オキソシン、２−メタクリロイルオキシ−ヘキサヒドロ−２Ｈ−オキソシンが挙げられる。
【０１０４】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと、ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基を有する重合性モノマーとに加え、さらにこれら以外の「他の繰り返し単位」の原料となる「他のモノマー」を高分子化合物（Ａ）の製造時に添加して製造してもよい。ここで「他のモノマー」は、前記式（２）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマー、および、前記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位の原料となる重合性モノマーを含む。
【０１０５】
「他の繰り返し単位」の原料となる「他のモノマー」の仕込みモル比は、重合に関与する全てのモノマー中、通常、０モル％以上９８モル％以下であり、好ましくは０モル％以上８５モル％以下であり、より好ましくは０モル％以上７５モル％以下である。
【０１０６】
「他のモノマー」としては、例えば、アクリル酸エステルおよびその誘導体、メタアクリル酸エステルおよびその誘導体、スチレンおよびその誘導体、酢酸ビニルおよびその誘導体、メタアクリロニトリルおよびその誘導体、アクリロニトリルおよびその誘導体、有機カルボン酸のビニルエステルおよびその誘導体、有機カルボン酸のアリルエステルおよびその誘導体、フマル酸のジアルキルエステルおよびその誘導体、マレイン酸のジアルキルエステルおよびその誘導体、イタコン酸のジアルキルエステルおよびその誘導体、有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体、マレイミドおよびその誘導体、末端不飽和炭化水素およびその誘導体、有機ゲルマニウム誘導体等が挙げられる。
【０１０７】
「他のモノマー」の種類は、組成物の適用先に要求される特性、例えばゲート絶縁層に要求される特性に応じて適宜選択すればよい。優れた耐久性や小さいヒステリシスが優先される場合は、スチレンやスチレン誘導体のように分子密度が高く、硬い膜を形成することができるモノマーを選択すればよい。ゲート絶縁層として用いられ、ゲート電極の表面や基板の表面のような接合面に対する高い密着性を向上させ、良好な界面を形成できるので、「他のモノマー」としては、メタアクリル酸エステルおよびその誘導体、アクリル酸エステルおよびその誘導体のような柔軟性を付与することができるモノマーを用いることが好ましい。
【０１０８】
また、高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）は、フッ素原子を含むので、組成物の相溶性を向上させるために、ヒドロキシ基またはカルボキシ基を有する繰り返し単位の原料となるモノマーをさらに加えて製造し、ヒドロキシ基またはカルボキシ基を有する繰り返し単位をさらに含む高分子化合物としてもよい。
【０１０９】
ヒドロキシ基またはカルボキシ基を有する繰り返し単位の原料となるモノマーの例としては、４−ヒドロキシブチルアクリレート、メタクリル酸、ビニル安息香酸が挙げられる。
【０１１０】
例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位の原料となる重合性モノマーと「他のモノマー」であるスチレンまたはスチレン誘導体とを組み合わせて用いることにより、特に耐久性が高く、ヒステリシスが小さいゲート絶縁層が得られる。
【０１１１】
「他のモノマー」であるアクリル酸エステルおよびその誘導体としては、単官能のアクリレートや多官能のアクリレートを使用することができ、例えば、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸−ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸−ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸オクチル、アクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸デシル、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェニル、アクリル酸ベンジル、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル、アクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、アクリル酸−２−ヒドロキシブチル、アクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、アクリル酸−２−シアノエチル、エチレングリコールジアクリレート、プロピレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、２，２，２−トリフルオロエチルアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−テトラフルオロプロピルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、５Ｈ−オクタフルオロペンチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−ヘキサフルオロブチルアクリレート等が挙げられる。
【０１１２】
「他のモノマー」であるメタアクリル酸エステルおよびその誘導体としては、単官能のメタアクリレートや多官能のメタアクリレートを使用することができる。メタアクリル酸エステルおよびその誘導体としては、例えば、メタアクリル酸メチル、メタアクリル酸エチル、メタアクリル酸−ｎ−プロピル、メタアクリル酸イソプロピル、メタアクリル酸−ｎ−ブチル、メタアクリル酸イソブチル、メタアクリル酸−ｓｅｃ−ブチル、メタアクリル酸ヘキシル、メタアクリル酸オクチル、メタアクリル酸−２−エチルヘキシル、メタアクリル酸デシル、メタアクリル酸イソボルニル、メタアクリル酸シクロヘキシル、メタアクリル酸フェニル、メタアクリル酸ベンジル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシエチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−３−ヒドロキシプロピル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシブチル、メタアクリル酸−２−ヒドロキシフェニルエチル、メタアクリル酸−２−シアノエチル、エチレングリコールジメタアクリレート、プロピレングリコールジメタアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタアクリレート、ジエチレングリコールジメタアクリレート、トリエチレングリコールジメタアクリレート、トリメチロールプロパンジメタアクリレート、トリメチロールプロパントリメタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルメタアクリルアミド、Ｎ−アクリロイルモルフォリン、２，２，２−トリフルオロエチルメタアクリレート、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロブチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロブチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロヘキシル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロヘキシル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロオクチル）エチルメタアクリレート、３−パーフルオロオクチル−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロデシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）エチルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）エチルメタアクリレート、３−（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヒドロキシプロピルメタアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−テトラフルオロプロピルメタアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、５Ｈ−オクタフルオロペンチルメタアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、７Ｈ−ドデカフルオロヘプチルメタアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、９Ｈ−ヘキサデカフルオロノニルメタアクリレート、１Ｈ−１−（トリフルオロメチル）トリフルオロエチルメタアクリレート、１Ｈ、１Ｈ、３Ｈ−ヘキサフルオロブチルメタアクリレート、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルメタクリレート等が挙げられる。
【０１１３】
「他のモノマー」であるスチレンおよびその誘導体の例としては、スチレン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，５−ジメチルスチレン、２，６−ジメチルスチレン、３，４−ジメチルスチレン、３，５−ジメチルスチレン、２，４，６−トリメチルスチレン、２，４，５−トリメチルスチレン、ペンタメチルスチレン、ｏ−エチルスチレン、ｍ−エチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｏ−ブロモスチレン、ｍ−ブロモスチレン、ｐ−ブロモスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｏ−ヒドロキシスチレン、ｍ−ヒドロキシスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、２−ビニルビフェニル、３−ビニルビフェニル、４−ビニルビフェニル、１−ビニルナフタレン、２−ビニルナフタレン、４−ビニル−ｐ−ターフェニル、１−ビニルアントラセン、α−メチルスチレン、ｏ−イソプロペニルトルエン、ｍ−イソプロペニルトルエン、ｐ−イソプロペニルトルエン、２，４−ジメチル−α−メチルスチレン、２，３−ジメチル−α−メチルスチレン、３，５−ジメチル−α−メチルスチレン、ｐ−イソプロピル−α−メチルスチレン、α−エチルスチレン、α−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ジビニルビフェニル、ジイソプロピルベンゼン、４−アミノスチレン、４−［（１−エトキシ）エトキシ］スチレン等が挙げられる。
【０１１４】
「他のモノマー」であるアクリルニトリルおよびその誘導体としては、アクリロニトリル等が挙げられる。「他のモノマー」であるメタアクリルニトリルおよびその誘導体の例としては、メタクリロニトリル等が挙げられる。
【０１１５】
「他のモノマー」である有機カルボン酸のビニルエステルおよびその誘導体の例としては、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニル、アジピン酸ジビニル、４−ビニル安息香酸テトラヒドロピラニルエステル等が挙げられる。
【０１１６】
「他のモノマー」である有機カルボン酸のアリルエステルおよびその誘導体の例としては、酢酸アリル、安息香酸アリル、アジピン酸ジアリル、テレフタル酸ジアリル、イソフタル酸ジアリル、フタル酸ジアリル等が挙げられる。
【０１１７】
「他のモノマー」であるフマル酸のジアルキルエステルおよびその誘導体の例としては、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソプロピル、フマル酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、フマル酸ジイソブチル、フマル酸ジ−ｎ−ブチル、フマル酸ジ−２−エチルヘキシル、フマル酸ジベンジル等が挙げられる。
【０１１８】
「他のモノマー」であるマレイン酸のジアルキルエステルおよびその誘導体としては、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジイソプロピル、マレイン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、マレイン酸ジイソブチル、マレイン酸ジ−ｎ−ブチル、マレイン酸ジ−２−エチルヘキシル、マレイン酸ジベンジル等が挙げられる。
【０１１９】
「他のモノマー」であるイタコン酸のジアルキルエステルおよびその誘導体の例としては、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジイソプロピル、イタコン酸ジ−ｓｅｃ−ブチル、イタコン酸ジイソブチル、イタコン酸ジ−ｎ−ブチル、イタコン酸ジ−２−エチルヘキシル、イタコン酸ジベンジル等が挙げられる。
【０１２０】
「他のモノマー」である有機カルボン酸のＮ−ビニルアミド誘導体の例としては、Ｎ−メチル−Ｎ−ビニルアセトアミド等が挙げられる。
【０１２１】
「他のモノマー」であるマレイミドおよびその誘導体の例としては、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド等が挙げられる。
【０１２２】
「他のモノマー」である末端不飽和炭化水素およびその誘導体の例としては、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、ビニルシクロヘキサン、塩化ビニル、アリルアルコール等が挙げられる。
【０１２３】
「他のモノマー」である有機ゲルマニウム誘導体の例としては、アリルトリメチルゲルマニウム、アリルトリエチルゲルマニウム、アリルトリブチルゲルマニウム、トリメチルビニルゲルマニウム、トリエチルビニルゲルマニウム等が挙げられる。
【０１２４】
これらの「他のモノマー」のうちでは、アクリル酸アルキルエステル、メタアクリル酸アルキルエステル、スチレン、アクリロニトリル、メタアクリロニトリル、アリルトリメチルゲルマニウムが好ましい。
【０１２５】
高分子化合物（Ａ）の製造に用いられる光重合開始剤としては、例えば、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、４−イソプロピル−２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、ベンゾフェノン、メチル（ｏ−ベンゾイル）ベンゾエート、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、１−フェニル−１，２−プロパンジオン−２−（ｏ−ベンゾイル）オキシム、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾインオクチルエーテル、ベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジアセチル等のカルボニル化合物、メチルアントラキノン、クロロアントラキノン、クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン等のアントラキノンまたはチオキサントン誘導体、ジフェニルジスルフィド、ジチオカーバメート等の硫黄化合物が挙げられる。
【０１２６】
高分子化合物の製造に用いられる熱重合開始剤としては、ラジカル重合の開始剤であればよい。熱重合開始剤としては、例えば、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビスイソバレロニトリル、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）、４，４’−アゾビス（４−シアノバレリックアシッド）、１、１’−アゾビス（シクロヘキサンカルボニトリル）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロパン）、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミジン）２塩酸塩等のアゾ化合物、メチルエチルケトンパーオキシド、メチルイソブチルケトンパーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシド、アセチルアセトンパーオキシド等のケトンパーオキシド、イソブチルパーオキシド、ベンゾイルパーオキシド、２，４−ジクロロベンゾイルパーオキシド、ｏ−メチルベンゾイルパーオキシド、ラウロイルパーオキシド、ｐ−クロロベンゾイルパーオキシド等のジアシルパーオキシド、２，４，４−トリメチルペンチル−２−ヒドロパーオキシド、ジイソプロピルベンゼンパーオキシド、クメンヒドロパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド等のヒドロパーオキシド、ジクミルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルクミルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、トリス（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）トリアジン等のジアルキルパーオキシド、１，１−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシシクロヘキサン、２，２−ジ（ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ）ブタン等のパーオキシケタール、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシピバレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシヘキサヒドロテレフタレート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアゼレート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシトリメチルアジペート等のアルキルパーエステル、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシイソプロピルカーボネート等のパーカーボネートが挙げられる。
【０１２７】
‐組成物‐
本発明の組成物は、既に説明した高分子化合物（Ａ）を含む。本発明の組成物は、既に説明した高分子化合物（Ａ−１）を含むことが好ましい。
【０１２８】
＜化合物（Ｂ）＞
本発明の組成物は、活性水素を少なくとも２つ含む低分子化合物および活性水素を少なくとも２つ含む高分子化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物（Ｂ）をさらに含み得る。
【０１２９】
化合物（Ｂ）が有する活性水素としては、典型的にはアミノ基、ヒドロキシ基またはメルカプト基等に含まれる水素原子が挙げられる。活性水素としては、上述した反応性官能基、中でもイソシアナト基、イソチオシアナト基との反応を良好に進行させることができるフェノール性ヒドロキシ基中のヒドロキシ基に含まれる水素原子、芳香族アミノ基中のアミノ基に含まれる水素原子が好適である。
【０１３０】
活性水素を少なくとも２つ含む低分子化合物である化合物（Ｂ）の具体例としては、２つ以上の活性水素を有する基が低分子（単量体）構造に結合した構造を有する化合物が挙げられる。この低分子構造としては、例えば、アルキル構造やベンゼン環構造が挙げられる。活性水素を少なくとも２つ含む低分子化合物である化合物（Ｂ）の具体例としては、アミン化合物、アルコール化合物、フェノール化合物またはチオール化合物等の低分子化合物が挙げられる。
【０１３１】
化合物（Ｂ）であるアミン系化合物としては、例えば、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラアミノエチルエチレンジアミン、オルト−フェニレンジアミン、メタ−フェニレンジアミン、パラ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、メラミン、２，４，６−トリアミノピリミジン、１，５，９−トリアザシクロドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、３−（２−アミノエチルアミノプロピル）トリス（トリメチルシロキシ）シラン、１，３−ビス（３’−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２−ジトリフルオロメチルベンジジン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，４−ビス（３−アミノプロピルジメチルシリル）ベンゼン、３−（２−アミノエチルアミノプロピル）トリス（トリメチルシロキン）シラン等が挙げられる。
【０１３２】
化合物（Ｂ）であるアルコール化合物としては、例えば、エチレングリコール、１，２−ジヒドロキシプロパン、グリセロール、１，４−ジメタノールベンゼン等が挙げられる。フェノール系化合物としては、１，２−ジヒドロキシベンゼン、１，３−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，２−ジヒドロキシナフタレン、レゾルシン、フルオログリセロール、２，３，４−トリヒドロキシベンズアルデハイド、３，４，５−トリヒドロキシベンズアミド、ジ（４−ヒドロキシ−３−ニトロフェニル）エーテル等が挙げられる。
【０１３３】
化合物（Ｂ）であるチオール化合物としては、例えば、エチレンジチオール、パラ−フェニレンジチオール等が挙げられる。
【０１３４】
化合物（Ｂ）である、活性水素を少なくとも２つ含む高分子化合物としては、活性水素は、高分子化合物を構成する主鎖に直接結合していてもよく、所定の基を介して結合していてもよい。また、活性水素は、高分子化合物を構成する繰り返し単位に含まれていてもよい。活性水素が繰り返し単位に含まれている場合には、活性水素は、各繰り返し単位に含まれていてもよく、一部の繰り返し単位にのみ含まれていてもよい。さらに、活性水素は、高分子化合物の末端にのみ結合していてもよい。
【０１３５】
化合物（Ｂ）である高分子化合物の具体例としては、２個以上の活性水素を有する基が高分子（重合体）構造に結合した構造を有する化合物が挙げられる。化合物（Ｂ）である高分子化合物は活性水素を有する基および二重結合等の不飽和結合を分子内に有する単量体化合物（モノマー）を、単独で重合させるか、他の共重合性化合物と共重合させて重合体を形成することによって得ることができる。重合の際には、光重合開始剤や熱重合開始剤を用いてもよい。なお、重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤としては、高分子化合物（Ａ）の説明において既に説明した重合性モノマー、光重合開始剤、熱重合開始剤を用いることができる。
【０１３６】
活性水素を有する基および不飽和結合を分子内に有するモノマーとしては、例えば、アミノスチレン、ヒドロキシスチレン、ビニルベンジルアルコール、アミノエチルメタクリレート、エチレングリコールモノビニルエーテル等が挙げられる。
【０１３７】
また、化合物（Ｂ）である高分子化合物としては、フェノール化合物と、ホルムアルデヒドとを、酸触媒の存在下で縮合させることによって得られた、ノボラック樹脂も好適である。さらに、高分子化合物としては、有機ケイ素化合物を酸触媒の存在下で縮合させることによって得られたポリシルセスキオキサン化合物も好適である。該ポリシルセスキオキサン化合物の例としては、ポリ｛ジメチル−２−（４’−ヒドロキシフェニル）エチルシリルシルセスキオキサン｝等が挙げられる。
【０１３８】
化合物（Ｂ）である、分子内に活性水素を有する基を２個以上有する高分子化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、１０００〜１００００００であることが好ましく、３０００〜５０００００であることがより好ましい。該高分子化合物の重量平均分子量をこのような範囲とすれば、本発明の組成物を硬化した硬化物である絶縁層の平坦性および均一性を良好にすることができる。
【０１３９】
高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）に加え、化合物（Ｂ）をさらに含む組成物は、特に有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層用の組成物として好適である。高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）と、化合物（Ｂ）との混合割合は、高分子化合物（Ａ）または高分子化合物（Ａ−１）のうちの活性水素と反応する官能基（第２の官能基）と化合物（Ｂ）の活性水素を有する基とがモル比で、好ましくは６０／１００〜１５０／１００、より好ましくは７０／１００〜１２０／１００、さらに好ましくは９０／１００〜１１０／１００となるように調節される。この割合は、ヒステリシスを十分に低下させる観点から、６０／１００以上であることが好ましく、活性水素と反応する官能基が過剰になることを防ぐことで閾値電圧の絶対値を下げる観点から、１５０／１００以下であることが好ましい。
【０１４０】
高分子化合物（Ａ−１）を用いれば、化合物（Ｂ）を混合することなく好適なゲート絶縁層用の組成物が得られる。例えば加熱処理を行うことにより、前記式（２）および前記式（３）中のＲＡおよびＲＢが分解して脱離することで、水酸基が生成し、高分子化合物（Ａ−１）中の活性水素と反応する官能基と反応することで架橋構造が形成される。
【０１４１】
高分子化合物（Ａ−１）中の活性水素と反応する官能基を有する繰り返し単位と前記式（２）または前記式（３）で表される有機基を有する繰り返し単位とは、モル比で、好ましくは６０／１００〜１５０／１００、より好ましくは７０／１００〜１２０／１００、さらに好ましくは９０／１００〜１１０／１００となるように調節される。
【０１４２】
高分子化合物（Ａ−１）と化合物（Ｂ）とを混合してゲート絶縁層用の組成物を得る場合、高分子化合物（Ａ−１）中の活性水素と反応する官能基と、前記式（２）または前記式（３）で表される有機基と化合物（Ｂ）の活性水素を有する基の総量、とがモル比で、好ましくは６０／１００〜１５０／１００、より好ましくは７０／１００〜１２０／１００、さらに好ましくは９０／１００〜１１０／１００となるように調節される。
【０１４３】
＜高分子化合物（Ｃ）＞
本発明の組成物は、前記式（１）で表される繰り返し単位を含まず、ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位を含む高分子化合物（Ｃ）１種以上をさらに含んでいてもよい。高分子化合物（Ｃ）を含む本発明の組成物によれば、有機半導体層との親和性を容易に制御できるという効果を得ることができる。
【０１４４】
高分子化合物（Ｃ）は、既に説明した、ブロック化イソシアナト基またはブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位の材料となる重合性モノマーを用いて製造することができる。
【０１４５】
本発明の組成物は、２種以上の高分子化合物（Ａ）、例えば、前記式（１）で表される繰り返し単位、ブロック化イソシアナト基を有する繰り返し単位、ブロック化イソチオシアナト基を有する繰り返し単位以外に含まれる「他の繰り返し単位」が互いに異なる２種以上の高分子化合物（Ａ）を含んでいてもよい。
【０１４６】
また、本発明の組成物は、前記高分子化合物（Ａ）および前記高分子化合物（Ａ−１）からなる群より選ばれる少なくとも２種以上の高分子化合物を含んでいてもよい。
【０１４７】
本発明の組成物において、高分子化合物（Ａ）の含有量は、組成物全体に対して、通常、１質量％〜５０質量％である。
【０１４８】
本発明の組成物は、混合や粘度調節のための溶媒、高分子化合物を架橋させる際に架橋剤と組み合わせて通常用いられる添加剤などを含んでいてもよい。
【０１４９】
用いられる溶媒の例としては、テトラヒドロフランやジエチルエーテルなどのエーテル溶媒、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素溶媒、シクロヘキサンなどの脂環式炭化水素溶媒、ペンテン等の不飽和炭化水素溶媒、キシレンなどの芳香族炭化水素溶媒、アセトンなどのケトン溶媒、ブチルアセテートなどのアセテート溶媒、イソプロピルアルコールなどのアルコール溶媒、クロロホルムなどのハロゲン化物溶媒およびこれらの混合溶媒が挙げられる。また、添加剤としては、架橋反応を促進するための触媒、レべリング剤、粘度調節剤などを用いることができる。添加剤の使用量は、組成物中の高分子化合物（Ａ）の含有量を１００重量部とした場合、通常、０．１重量部〜１０重量部である。
【０１５０】
‐組成物を硬化した膜‐
本発明の組成物を硬化した膜は、既に説明した本発明の組成物を、例えば形成対象である基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程と、塗布層を硬化する工程とを含む製造方法により形成することができる。
【０１５１】
組成物を硬化した膜の製造方法は、本発明の組成物に、さらに要すれば溶媒（有機溶媒）などを含ませて膜の形成用の塗布液を調製し、調製された塗布液を基材の表面に塗布し、形成された塗布層を硬化させることにより、本発明の組成物を硬化した膜を得ることができる。
【０１５２】
塗布液の調製に用いることができる有機溶媒としては、組成物に含まれる高分子化合物、架橋剤等の成分を溶解させる有機溶媒であれば特に制限は無く、好ましくは、常圧での沸点が１００℃〜２００℃である有機溶媒である。好適な有機溶媒の例としては、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。膜の形成用の塗布液には、必要に応じてレベリング剤、界面活性剤、硬化触媒等を含ませることができる。
【０１５３】
有機溶媒を用いる場合、塗布液に含まれる有機溶媒の量は、塗布液全体に対し、３０質量％〜９５質量％であることが好ましく、５０質量％〜９５質量％であることが更に好ましい。
【０１５４】
膜の形成用の塗布液は、従来公知のスピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法等の塗布法により基材上に塗布することができる。
【０１５５】
膜の製造方法における塗布層の乾燥ステップは、塗布法により基材上に形成された塗布層中の溶媒を除去することを目的としている。硬化ステップは塗布層中の高分子化合物が有する反応性の官能基による架橋反応を進行させて組成物が硬化した硬化物である膜を形成することを目的として行われる。
【０１５６】
本発明の組成物の硬化ステップは、第１段階として、ブロック化イソシアナト基および／またはブロック化イソチオシアナト基からブロック化剤に由来する保護基が脱離されて活性水素と反応することができるイソシアナト基および／またはイソチオシアナト基が生成する段階、次いで、第２段階として、生成したイソシアナト基および／またはイソチオシアナト基が、活性水素を含むヒドロキシ基および／またはカルボキシ基と反応する段階を含んでいる。
【０１５７】
第１段階と第２段階とを比較すると、第１段階の反応は第２段階の反応よりも反応速度が遅い。よって、一旦第１段階を進行させると、第２段階は自動的に進行する。そのため、本発明の組成物を硬化させるためには、前記第１段階を進行させればよい。
【０１５８】
前記第１段階を進行させるためには、塗布層に対し、例えば電磁波もしくは熱を作用させる。塗布層に対し電磁波もしくは熱を作用させるには、具体的には、塗布層に対し電磁波を照射したり、塗布層を焼成したりすることが含まれる。
【０１５９】
電磁波の照射は、例えば、半導体装置の製造に従来使用されている露光装置やＵＶ硬化性樹脂を硬化させるために使用されているＵＶランプを用いて行うことができる。
焼成は、例えば、８０℃〜３００℃、好ましくは１２０℃〜２５０℃の温度で５分間〜２時間、好ましくは１０分間〜１時間程度加熱処理することにより行うことができる。ブロック化イソシアナト基および／またはブロック化イソチオシアナト基からブロック化剤に由来する保護基を脱離させるための電磁波の照射条件および焼成条件は、ブロック化イソシアナト基および／またはブロック化イソチオシアナト基の種類および量等に応じて適宜決定することができる。
【０１６０】
‐電子デバイス‐
本発明の「組成物を硬化した膜」を含む電子デバイスについて説明する。本発明の既に説明した組成物を硬化した膜は、有機薄膜トランジスタ、有機ＬＥＤ、センサーなどの種々の電子デバイスに用いることができる。
【０１６１】
既に説明したとおり、本発明の「組成物を硬化した膜」を含む電子デバイスとしては、有機薄膜トランジスタが好適である。本発明の「組成物を硬化した膜」を、有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として含むことが好適である。
【０１６２】
「組成物を硬化した膜」を特に有機薄膜トランジスタのゲート絶縁層として用いれば、有機薄膜トランジスタのキャリア移動度を効果的に向上させることができる。
【０１６３】
また、本発明の「組成物を硬化した膜」は、絶縁性、封止性、密着性、耐溶剤性に優れるので、有機薄膜トランジスタのオーバーコート層、アンダーコート層などの保護層として用いることもできる。
【０１６４】
本発明の有機薄膜トランジスタは、例えば、本発明の組成物を硬化した膜であるゲート絶縁層に加え、さらに本発明の組成物を硬化した膜をオーバーコート層として備えていてもよい。
【０１６５】
以下、本発明の「組成物を硬化した膜」を好適に適用できる有機薄膜トランジスタについて説明する。
【０１６６】
＜有機薄膜トランジスタ＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、既に説明した組成物を硬化した膜を含む。
以下、図面を参照して、本発明の組成物の好適な適用先である有機薄膜トランジスタの実施形態について説明する。
【０１６７】
図１は、本発明の第１実施形態にかかるボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【０１６８】
図１に示されるように、第１実施形態の有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、基板１の主表面に接合するように設けられたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように基板１に設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３に接合しており、ゲート電極２の直上を覆うように設けられた有機半導体層４と、有機半導体層４に接合するように設けられ、チャネル領域を挟み、かつ基板１の厚さ方向にみたときに（平面視で）チャネル領域がゲート電極２と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極５およびドレイン電極６と、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うように設けられたオーバーコート層７とを備えている。
【０１６９】
図２は、本発明の第２実施形態にかかるボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタの構造を模式的に示す概略的な図である。
【０１７０】
図２に示されるように、第２実施形態の有機薄膜トランジスタ１０は、基板１と、基板１の主表面に接合するように設けられたゲート電極２と、ゲート電極２を覆うように基板１に設けられたゲート絶縁層３と、ゲート絶縁層３に接合しており、チャネル領域を挟み、かつ基板１の厚さ方向にみたときに（平面視で）チャネル領域がゲート電極２と重なるように互いに離間させて設けられたソース電極５およびドレイン電極６と、ソース電極５およびドレイン電極６にまたがるように、かつソース電極５およびドレイン電極６の一部分およびチャネル領域を含むゲート絶縁層３の一部分を覆うように設けられた有機半導体層４と、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うように設けられたオーバーコート層７とを備えている。
【０１７１】
＜有機薄膜トランジスタの製造方法＞
前記第１実施形態のボトムゲートトップコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０は、例えば、基板１の主表面にゲート電極２を形成し、ゲート電極２を覆うようにゲート電極２が設けられた基板１（基材）の表面にゲート絶縁層３を形成し、ゲート絶縁層３上に有機半導体層４を形成し、有機半導体層４に接合するようにソース電極５およびドレイン電極６を形成し、さらに要すれば、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うようにオーバーコート層７を形成することで製造することができる。
【０１７２】
前記第２実施形態のボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ１０は、例えば、基板１の主表面にゲート電極２を形成し、ゲート電極２を覆うようにゲート電極２が設けられた基板１（基材）の表面にゲート絶縁層３を形成し、ゲート絶縁層３上にソース電極５およびドレイン電極６を形成し、ソース電極５およびドレイン電極６にまたがるように、かつソース電極５およびドレイン電極６の一部分およびチャネル領域を含むゲート絶縁層３の一部分を覆うように有機半導体層４を形成し、さらに要すれば、基板１に設けられたゲート電極２、ゲート絶縁層３、有機半導体層４、ソース電極５およびドレイン電極６を覆うようにオーバーコート層７を形成することで製造することができる。
【０１７３】
本発明の有機薄膜トランジスタ１０のゲート絶縁層３の製造方法（形成工程）は、既に説明した「組成物を硬化した膜」の製造方法と同様である。
【０１７４】
ゲート絶縁層３の製造方法（形成工程）は、本発明の組成物を、基材の表面に塗布して塗布層を形成する工程と、塗布層を硬化する工程とを含む。
【０１７５】
ゲート絶縁層３の形成工程は、本発明の組成物に、さらに要すれば溶媒（有機溶媒）などを含ませてゲート絶縁層３の形成用の塗布液を調製し、調製された塗布液をゲート電極２が設けられた基板１に塗布し、形成された塗布層を乾燥させ、硬化させ、組成物が硬化した膜を形成することにより実施することができる。
【０１７６】
ゲート絶縁層３の純水に対する接触角は、組成物中の高分子化合物が有するフッ素原子、疎水性官能基および親水性官能基の量を考慮して、ゲート絶縁層３の表面の親水性を増減させることにより、適宜調節することができる。ゲート絶縁層３の表面の親水性の増減は、加熱処理が行われる雰囲気の成分を調節することにより行うことができる。例えば、ゲート絶縁層３を形成する際に行われる乾燥ステップおよび硬化ステップ（加熱または焼成）等を、酸素を含む雰囲気中で行うとゲート絶縁層３の表面の親水性は増大し、不活性ガス雰囲気中で行うとゲート絶縁層３の表面の親水性は低下する。酸素を含む雰囲気中で加熱を行う場合は、温度を高くするとゲート絶縁層３の表面の親水性はより増大する。
【０１７７】
ゲート絶縁層３の有機半導体層４側の表面には、自己組織化単分子層を形成してもよい。この自己組織化単分子層は、例えば、有機溶媒にアルキルクロロシラン化合物もしくはアルキルアルコキシシラン化合物を１〜１０質量％溶解した溶液でゲート絶縁層３を処理することにより形成することができる。
【０１７８】
自己組織化単分子層を形成するためのアルキルクロロシラン化合物としては、例えば、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、ブチルトリクロロシラン、デシルトリクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン等が挙げられる。
【０１７９】
自己組織化単分子層を形成するためのアルキルアルコキシシラン化合物としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【０１８０】
基板１、ゲート電極２、ソース電極５、ドレイン電極６および有機半導体層４は、従来公知の有機薄膜トランジスタの製造方法に通常使用される材料および方法により構成することができる。例えば、基板１としては、樹脂基板または樹脂フィルム、プラスチック基板またはプラスチックフィルム、ガラス基板、シリコン基板などが用いられる。ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６の材料の例としては、クロム、金、銀、アルミニウム等が挙げられる。ゲート電極２、ソース電極５およびドレイン電極６は、蒸着法、スパッタ法、インクジェット印刷法などの塗布法等の公知の方法で形成することができる。
【０１８１】
有機半導体層４の材料である有機半導体化合物としては、π共役ポリマーが広く用いられる。π共役ポリマーとしては、例えば、ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアニリン類、ポリアリルアミン類、フルオレン類、ポリカルバゾール類、ポリインドール類、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）類などを用いることができる。
【０１８２】
また、有機半導体層４の材料である有機半導体化合物としては、有機溶媒への溶解性を有する低分子化合物を用いることができる。このような低分子化合物としては、例えば、ペンタセンなどの多環芳香族の誘導体、フタロシアニン誘導体、ペリレン誘導体、テトラチアフルバレン誘導体、テトラシアノキノジメタン誘導体、フラーレン類、カーボンナノチューブ類などが挙げられる。このような低分子化合物の例としては、具体的には、９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン−２，７−ジ（エチレンボロネート）と５，５’−ジブロモ−２，２’−バイチオフェンとの縮合物等が挙げられる。
【０１８３】
有機半導体層４の形成工程は、例えば、有機半導体化合物に、要すれば溶媒などを添加して有機半導体層４の形成用の塗布液を調製し、これをゲート絶縁層３、ソース電極５およびドレイン電極６に塗布し、塗布層を乾燥させることにより行う。本発明では、ゲート絶縁層３を構成する高分子化合物がフェニル部分またはカルボニル部分を有し、有機半導体化合物と親和性がある。それゆえ、上記塗布ステップおよび乾燥ステップによって、有機半導体層４とゲート絶縁層３との間に均一で平坦な界面を形成することができる。
【０１８４】
有機半導体層４の形成工程に使用することができる溶媒としては有機半導体化合物を溶解または分散させることができる溶媒であれば特に制限は無い。このような溶媒としては、常圧での沸点が５０℃〜２００℃の溶媒が好ましい。このような溶媒の例としては、クロロホルム、トルエン、アニソール、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等が挙げられる。有機半導体層４の形成用の塗布液は、既に説明した絶縁層３の形成用の塗布液と同様に、公知のスピンコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法によりゲート絶縁層３上に塗布することができる。
【０１８５】
オーバーコート層７（保護層）は、既に説明したゲート絶縁層３の形成工程と同様にして、既に説明した本発明の絶縁層用組成物を用いて形成することができる。
【０１８６】
また、図示されていないアンダーコート層についてもオーバーコート層７と同様にして形成することができる。
【０１８７】
＜有機薄膜トランジスタの用途＞
本発明の組成物を用いて製造した有機薄膜トランジスタを用いて、有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を製造することができる。また該有機薄膜トランジスタを含むディスプレイ用部材を用いて、ディスプレイ用部材を備えるディスプレイを製造することができる。
【０１８８】
本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、ＯＦＥＴセンサに用いることもできる。ＯＦＥＴセンサは、入力信号を電気信号に変換して出力する信号変換素子として有機薄膜トランジスタ（有機電界効果トランジスタ：ＯＦＥＴ）を用いたセンサであり、電極、絶縁層および有機半導体層のいずれかの構造中に、感応性機能または選択性機能を付与したものである。ＯＦＥＴセンサとしては、例えば、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサが挙げられる。
【０１８９】
例えばバイオセンサは、上記のとおりの構成を有する有機薄膜トランジスタを備える。有機薄膜トランジスタは、チャネル領域および／またはゲート絶縁層に、標的物質と特異的に相互作用するプローブ（感応性領域）を有している。標的物質の濃度が変化すると、プローブの電気的特性が変化することにより、バイオセンサとして機能させることができる。
【０１９０】
被検試料中の標的物質を検出する方法としては、例えば、核酸、タンパク質等の生体分子、または、人工的に合成した官能基を固相担体の表面に固定して、これらをプローブとして用いる方法が挙げられる。
【０１９１】
この方法では、相補的な配列を有する核酸鎖の相互作用、抗原−抗体反応、酵素−基質反応、受容体−リガンドの相互作用等の物質同士または官能基同士の特異的な親和性を利用して、標的物質を固相担体のプローブで捕捉する。そのため、標的物質に対して特異的な親和性を有する物質または官能基が、プローブとして選択される。
【０１９２】
プローブは、選択されたプローブの種類や固相担体の種類に応じた方法により、固相担体の表面に固定される。また、固相担体の表面でプローブを合成することもできる。具体的には、プローブを、例えば、核酸伸長反応により合成することができる。いずれの場合も、固相担体の表面に固定されたプローブと被検試料とを接触させ、適当な条件下で処理することにより、固相担体の表面でプローブ−標的物質複合体が形成される。有機薄膜トランジスタのチャネル領域および／またはゲート絶縁層自体が、プローブとして機能してもよい。
【０１９３】
ガスセンサは、上記のとおりの構成を備える有機薄膜トランジスタを備える。この場合の有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル領域および／またはゲート絶縁層が、ガス感応部として機能する。ガス感応部に被検知ガスが接触した際に、ガス感応部の電気的な特性（導電率、誘電率等）に変化が生じることにより、ガスセンサとして機能させることができる。
【０１９４】
被検知ガスとしては、例えば、電子受容性ガス、電子供与性ガスが挙げられる。電子受容性ガスとしては、例えば、Ｆ２、Ｃｌ２等のハロゲンガス、窒素酸化物ガス、硫黄酸化物ガス、酢酸等の有機酸ガスが挙げられる。電子供与性ガスとしては、例えば、アンモニアガス、アニリン等のアミン類ガス、一酸化炭素ガス、水素ガスが挙げられる。
【０１９５】
本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、圧力センサの製造に用いることもできる。圧力センサは、上記のとおりの構成を備える有機薄膜トランジスタを備える。この場合、有機薄膜トランジスタにおいては、チャネル領域および／またはゲート絶縁層が、感圧部として機能する。感圧部に応力が加わった場合に、感圧部の電気的な特性に変化が生じることにより、感圧センサとして機能させることができる。
【０１９６】
チャネル領域が感圧部として機能する場合、チャネル領域に含有される有機半導体の結晶性をより高めるため、有機薄膜トランジスタはさらに配向層を有していてもよい。配向層としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のシランカップリング剤を用いてゲート絶縁層に接合するように設けられた単分子層が挙げられる。
【０１９７】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、電導度変調型センサの製造に用いることもできる。電導度変調型センサは、入力信号を電気信号に変換して出力する信号変換素子として電導度計測素子を用いている。具体的には、本発明の組成物を含有する膜、または、本発明の組成物を含有する膜に、検出対象の入力に対する感応性機能または選択性機能を付与している。電導度変調型センサは、検出対象の入力を、本発明の組成物の電導度の変化として検出する。電導度変調型センサとしては、例えば、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサが挙げられる。
【０１９８】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサからの出力信号を増幅するための、有機薄膜トランジスタを含む増幅回路の製造に用いることもできる。
【０１９９】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサが複数個集積されたセンサアレイの製造に用いることもできる。
【０２００】
また、本発明の組成物を用いて形成された有機薄膜トランジスタは、バイオセンサ、ガスセンサ、イオンセンサ、湿度センサ、圧力センサ等の各種センサが複数個集積され、各センサからの出力信号を個別に増幅するための、有機薄膜トランジスタを含む増幅回路付きセンサアレイの製造に用いることもできる。
【実施例】
【０２０１】
以下、本発明を実施例により説明する。本発明は下記の実施例により限定されない。下記の実施例の説明において示される式中の括弧の添え数字は繰り返し単位のモル分率を表している。【０２０２】
合成例１
スチレン（和光純薬工業社製）１．６９ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）４．３２ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）１．３０ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）２．０３ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）２２．０３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で２４時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２０３】
【化１５】
2017141932.tif 000017
【０２０４】
得られた高分子化合物（１）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、７７０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２０５】
合成例２
スチレン（和光純薬工業社製）１．８４ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）４．７０ｇ、４−アミノスチレン（東京化成工業社製）０．７０ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）２．２１ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）２２．２５ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で２４時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（２）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２０６】
【化１６】
2017141932.tif 000018
【０２０７】
得られた高分子化合物（２）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、６６０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２０８】
合成例３
下記のスキームに沿って、高分子化合物（３）を合成した。
反応容器内の気体を窒素ガスで置換した後に、化合物Ｂ−１（２８６．８ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、化合物Ａ−２（７７．６ｍｇ、０．２００ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフランを１９ｍＬ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウムを７．３ｍｇ、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスホニウムテトラフルオロボレートを９．３ｍｇ加えて、撹拌した。得られた反応溶液に、３ｍｏｌ／Ｌのリン酸カリウム水溶液を１．０ｍＬ滴下し、３時間還流させた。得られた反応溶液に、フェニルボロン酸を２４．４ｍｇ加えて、１時間還流させた。得られた反応溶液に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物を０．１ｇ加えて、３時間還流させた。得られた反応溶液を水に注ぎ、トルエンを加え、トルエン層を抽出した。得られたトルエン溶液を、酢酸水溶液および水で洗浄した後、シリカゲルカラムを用いて精製した。得られたトルエン溶液をアセトンに滴下したところ、析出物が得られた。得られた析出物を、アセトンを溶媒として用いてソックスレー洗浄し、下記式で表される繰り返し単位を含む高分子化合物（３）を得た。得量は２４４ｍｇであった。【０２０９】
【化１７】
2017141932.tif 000019
【０２１０】
得られた高分子化合物（３）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、６５００００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２１１】
合成例４
スチレン（和光純薬工業社製）２．６０ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ製）４．８５ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）２．００ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）３．１３ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０６ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）８．４３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で２４時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（４）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２１２】
【化１８】
2017141932.tif 000020
【０２１３】
得られた高分子化合物（４）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、２８９０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２１４】
合成例５
スチレン（和光純薬工業社製）１．３１ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）２．４５ｇ、４−アミノスチレン（東京化成社製）０．５０ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）１．５８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０６ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１３．７５ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で２４時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（５）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２１５】
【化１９】
2017141932.tif 000021
【０２１６】
得られた高分子化合物（５）の標準ポリスチレンから求めた重量平均分子量は、１４９０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２１７】
合成例６
スチレン（和光純薬社製）２．０６ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）２．４３ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）１．００ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０６ｇ、２−ヘプタノン（東京化成社製）１４．０６ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で１６時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（６）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２１８】
【化２０】
2017141932.tif 000022
【０２１９】
得られた高分子化合物（６）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１６９０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２２０】
合成例７
４−アミノスチレン（アルドリッチ社製）３．５０ｇ、２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）１３．３２ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０８ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）２５．３６ｇを、１２５ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で４８時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（７）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２２１】
【化２１】
2017141932.tif 000023
【０２２２】
得られた高分子化合物（７）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、２４３０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２２３】
合成例８
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）４．９９ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）０．５０ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１２．９４ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、６０℃のオイルバス中で２４時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（８）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２２４】
【化２２】
2017141932.tif 000024
【０２２５】
得られた高分子化合物（８）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、５６０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２２６】
合成例９
２，３，４，５，６−ペンタフルオロスチレン（アルドリッチ社製）７．２８ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名：カレンズＭＯＩ−ＢＭ）１．００ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０８ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１９．５１ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（９）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２２７】
【化２３】
2017141932.tif 000025
【０２２８】
得られた高分子化合物（９）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、２７０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２２９】
合成例１０
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）４．９３ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）０．５０ｇ、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルメタクリレート（和光純薬工業社製）０．１１ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１３．０７ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１０）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２３０】
【化２４】
2017141932.tif 000026
【０２３１】
得られた高分子化合物（１０）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、２５０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２３２】
合成例１１
１００ｍＬ平衡型滴下ロート、３方コックを付けたジムロートを取り付けた３００ｍＬ３つ口フラスコの内部を窒素ガスで置換した。３つ口フラスコに２−（２−イソシアナトエチルオキシ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＥＧ」）１００ｇ、脱水テトラヒドロフラン（和光純薬工業社製）５０ｍＬ、撹拌子を入れ、マグネチックスターラーで撹拌しながら常温で２−ブタノンオキシム（和光純薬工業社製）４１．５９ｇを平衡型滴下ロートからゆっくりと滴下して反応させた。滴下終了後、常温で２４時間撹拌を続けてさらに反応させた。反応終了後、イオン交換水１０ｍＬを加えて未反応のイソシアネートをクエンチして反応混合物を得た。反応混合物にアセトン１００ｍＬを加え、無水硫酸マグネシウムをさらに加えて一晩静置して反応混合物を乾燥させた。乾燥した反応混合物から不溶物をろ別し、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮して目的物質である下記式で表される２−｛２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチルオキシ）｝エチル−メタクリレートを粘調な液体として得た。得量は１３９ｇであった。【０２３３】
【化２５】
2017141932.tif 000027
【０２３４】
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）４．１９ｇ、合成された２−｛２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチルオキシ）｝エチル−メタクリレート０．５０ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０５ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１１．０４ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１１）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２３５】
【化２６】
2017141932.tif 000028
【０２３６】
得られた高分子化合物（１１）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、６２０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２３７】
合成例１２
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）８．２８ｇ、前記合成例１１で合成された２−｛２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチルオキシ）｝エチル−メタクリレート１．００ｇ、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルメタクリレート（和光純薬工業社製）０．１９ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０９ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）２２．３０ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１２）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２３８】
【化２７】
2017141932.tif 000029
【０２３９】
得られた高分子化合物（１２）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、６４０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２４０】
合成例１３
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）２．７９ｇ、前記合成例１１で合成された２−｛２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチルオキシ）｝エチル−メタクリレート１．００ｇ、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ヘプタデカフルオロデシルメタクリレート（和光純薬工業社製）０．３７ｇ、スチレン（純正化学社製）２．１１ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０６ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１４．７８ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１３）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２４１】
【化２８】
2017141932.tif 000030
【０２４２】
得られた高分子化合物（１３）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、４００００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２４３】
合成例１４
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト製）１．５５ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）０．７０ｇ、スチレン（純正化学社製）０．９１ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）１．４６ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３ｇ、２−ヘプタノン（東京化成社製）１０．８９ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１４）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２４４】
【化２９】
2017141932.tif 000031
【０２４５】
得られた高分子化合物（１４）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、７４０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２４６】
合成例１５
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）１．７９ｇ、４−アミノスチレン（アルドリッチ社製）０．４０ｇ、スチレン（純正化学社製）１．０５ｇ、２−シアノエチルアクリレート（東京化成工業社製）１．６８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３ｇ、２−ヘプタノン（東京化成社製）１１．６０ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１５）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２４７】
【化３０】
2017141932.tif 000032
【０２４８】
得られた高分子化合物（１５）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、８６０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２４９】
合成例１６
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）３．７２ｇ、前記合成例１１で合成された２−｛２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチルオキシ）｝エチル−メタクリレート２．００ｇ、４−［（１−エトキシ）エトキシ］スチレン（東ソー有機化学社製）４．０３ｇ、２−シアノエクルアクリレート（東京化成工業社製）３．５０ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０７ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）２０．０７ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１６）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２５０】
【化３１】
2017141932.tif 000033
【０２５１】
得られた高分子化合物（１６）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、２８３０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２５２】
合成例１７
３方コックを上部に付けたジムロートを取り付けた２００ｍＬ３つ口フラスコに、４−ビニル安息香酸（アルドリッチ社製）２５．４５ｇ、３、４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン５０ｇ、触媒量の濃塩酸、攪拌子を入れ、３つ口フラスコの内部の空気を窒素ガスで置換した。３つ口フラスコを５０℃のオイルバス中に浸し、マグネティックスターラー及び攪拌子で攪拌しながら２時間反応させた。反応終了後、反応混合物を３００ｍＬ分液ロートに移し、ジエチルエーテル１００ｍＬを加えた後、水酸化ナトリウム水溶液を加えて水層がアルカリ性になるまで有機層を水洗し、有機層を分液した。５０ｍＬのイオン交換水で得られた有機層の水洗を３回繰り返した後、有機層を分液し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。有機層から無水硫酸マグネシウムを濾別した後、濾液をロータリーエバポレーターを用いて濃縮し、下記式で表される４−ビニル安息香酸テトラヒドロピラニルエステルを無色透明の液体として得た。得量は３８．２５ｇであり、収率は９６％であった。【０２５３】
【化３２】
2017141932.tif 000034
【０２５４】
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）０．６５ｇ、合成された４−ビニル安息香酸テトラヒドロピラニルエステル１．７０ｇ、４−［（１−エトキシ）エトキシ］スチレン（東ソー有機化学社製）０．９４ｇ、２−シアノエクルアクリレート（東京化成工業社製）１．２２ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０３ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）６．８３ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１７）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２５５】
【化３３】
2017141932.tif 000035
【０２５６】
得られた高分子化合物（１７）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、１２１０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２５７】
合成例１８
２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンジルメタクリレート（シンクエスト社製）７．１０ｇ、２−〔Ｏ−［１’−メチルプロピリデンアミノ］カルボキシアミノ〕エチル−メタクリレート（昭和電工社製、商品名「カレンズＭＯＩ−ＢＭ」）０．８０ｇ、４−ヒドロキシブチルアクリレート（日本化成社製）０．４８ｇ、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオニトリル）０．０４ｇ、２−ヘプタノン（東京化成工業社製）１９．７４ｇを、５０ｍＬ耐圧容器（ＡＣＥ  ＧＬＡＳＳ社製）に入れ、窒素ガスでバブリングした後、密栓し、８０℃のオイルバス中で１０時間重合させて、下記の繰り返し単位および組成を有する高分子化合物（１８）が溶解している粘稠な２−ヘプタノン溶液を得た。【０２５８】
【化３４】
2017141932.tif 000036
【０２５９】
得られた高分子化合物（１８）の標準ポリスチレン換算の重量平均分子量は、７３０００であった（島津製作所製ＧＰＣ、Ｔｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  ＨＭ−Ｈ（１本）およびＴｓｋｇｅｌ  ｓｕｐｅｒ  Ｈ２０００（１本）を用い、移動相としてＴＨＦを用いた。）。【０２６０】
実施例１
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、２−ヘプタノン２９．６５ｇを１２５ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１）を調製した。【０２６１】
得られた塗布液（１）を孔径０．２μｍのメンブレンフィルターを用いてろ過した。クロム層が設けられたガラス基板を用意し、クロム層をフォトリソグラフィ工程およびエッチング工程によりパターニングしてゲート電極を形成した。ゲート電極が形成されたガラス基板のゲート電極側にスピンコート法により塗布液（１）を塗布した後、ホットプレート上で１８０℃で３０分間焼成し、ゲート絶縁層を形成した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６５０ｎｍであった。【０２６２】
次に、ゲート絶縁層が形成されたガラス基板のゲート絶縁層側に蒸着法により金の層をパターン形成することでソース電極およびドレイン電極を形成した。ここでチャネル長を２０μｍとし、チャネル幅を２ｍｍとした。【０２６３】
次いで、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極およびドレイン電極が形成されたガラス基板をペンタフルオロベンゼンチオールのイソプロピルアルコール希釈液に２分間浸漬することにより、ゲート絶縁層上に形成されたソース電極およびドレイン電極の表面を修飾した。【０２６４】
次に、高分子化合物（３）を溶媒であるトルエンに溶解して、濃度が０．５質量％である溶液（有機半導体組成物）を調製し、これをメンブランフィルターでろ過して塗布液（２）とした。【０２６５】
得られた塗布液（２）を、表面が修飾されたソース電極およびドレイン電極が設けられたゲート絶縁層にスピンコート法により塗布し、ホットプレート上で１２０℃で３０分間加熱処理して乾燥させることで、約６０ｎｍの厚さを有する活性層を形成し、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１）を製造した。【０２６６】
得られた有機トランジスタ（１）を評価した。具体的には、有機薄膜トランジスタ（１）のゲート電極に電圧を印加してゲート電圧Ｖｇを２０Ｖ〜−４０Ｖに変化させ、ソース・ドレイン間電圧Ｖｓｄを０Ｖ〜−４０Ｖに変化させる条件で、そのトランジスタ特性を真空プロ−バ（ＢＣＴ２２ＭＤＣ−５−ＨＴ−ＳＣＵ；Ｎａｇａｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔｓ  Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｃｏ．，  ＬＴＤ製）を用いて測定し、評価した。結果を下記表１に示す。有機薄膜トランジスタ（１）のキャリア移動度は、０．４６ｃｍ２／Ｖｓであった。【０２６７】
実施例２
前記合成例８で得た高分子化合物（８）の２−ヘプタノン溶液４．００ｇ、前記合成例７で得た高分子化合物（７）の２−ヘプタノン溶液２．００ｇを１０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（３）を調製した。【０２６８】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（３）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（２）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６３０ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２６９】
実施例３
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液５．００ｇ、前記合成例８で得た高分子化合物（８）の２−ヘプタノン溶液０．５０ｇ、２−ヘプタノン２．７５ｇを２０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解することにより均一な塗布液（４）を調製した。【０２７０】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（４）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（３）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６９０ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２７１】
実施例４
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液５．００ｇ、前記合成例９で得た高分子化合物（９）の２−ヘプタノン溶液０．５０ｇ、２−ヘプタノン２．７５ｇを２０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解することにより均一な塗布液（５）を調製した。【０２７２】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（５）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（４）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６５０ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２７３】
実施例５
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、前記合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、前記合成例９で得た高分子化合物（９）の２−ヘプタノン溶液５．９３ｇ、２−ヘプタノン３２．６１ｇを１５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（６）を調製した。【０２７４】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（６）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（５）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６１０ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２７５】
実施例６
前記合成例１０で得た高分子化合物（１０）の２−ヘプタノン溶液４．００ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを１０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（７）を調製した。【０２７６】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（７）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（６）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。形成されたゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２７７】
実施例７
前記合成例１１で得た高分子化合物（１１）の２−ヘプタノン溶液４．００ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを１０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（８）を調製した。【０２７８】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（８）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（７）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２７９】
実施例８
前記合成例１２で得た高分子化合物（１２）の２−ヘプタノン溶液４．００ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを１０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（９）を調製した。【０２８０】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（９）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（８）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２８１】
実施例９
前記合成例１３で得た高分子化合物（１３）の２−ヘプタノン溶液４．００ｇ、２−ヘプタノン２．００ｇを１０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることで均一な塗布液（１０）を調製した。【０２８２】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１０）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（９）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２８３】
実施例１０
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、前記合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、前記合成例１０で得た高分子化合物（１０）の２−ヘプタノン溶液５．９３ｇ、２−ヘプタノン３２．６１ｇを１５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１１）を調製した。【０２８４】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１１）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１０）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２８５】
実施例１１
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、前記合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、前記合成例１１で得た高分子化合物（１１）の２−ヘプタノン溶液５．９３ｇ、２−ヘプタノン３２．６１ｇを１５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１２）を調製した。【０２８６】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１２）を用いた以外は前記実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１１）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２８７】
実施例１２
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、前記合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、前記合成例１２で得た高分子化合物（１２）の２−ヘプタノン溶液５．９３ｇ、２−ヘプタノン３２．６１ｇを１５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１３）を調製した。【０２８８】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１３）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１２）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２８９】
実施例１３
前記合成例１で得た高分子化合物（１）の２−ヘプタノン溶液３０．７２ｇ、前記合成例２で得た高分子化合物（２）の２−ヘプタノン溶液２８．５７ｇ、前記合成例１３で得た高分子化合物（１３）の２−ヘプタノン溶液５．９３ｇ、２−ヘプタノン３２．６１ｇを１５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１４）を調製した。【０２９０】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１４）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１３）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２９１】
実施例１４
前記合成例１４で得た高分子化合物（１４）の２−ヘプタノン溶液１５．０６ｇ、前記合成例１５で得た高分子化合物（１５）の２−ヘプタノン溶液１３．９１ｇ、前記合成例１０で得た高分子化合物（１０）の２−ヘプタノン溶液２．９０ｇ、２−ヘプタノン１５．９３ｇを１００ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１５）を調製した。【０２９２】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１５）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１４）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２９３】
実施例１５
前記合成例１４で得た高分子化合物（１４）の２−ヘプタノン溶液１５．０６ｇ、前記合成例１５で得た高分子化合物（１５）の２−ヘプタノン溶液１３．９１ｇ、前記合成例１３で得た高分子化合物（１３）の２−ヘプタノン溶液２．９０ｇ、２−ヘプタノン１５．９３ｇを１００ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１６）を調製した。【０２９４】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１６）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１５）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２９５】
実施例１６
前記合成例１６で得た高分子化合物（１６）の２−ヘプタノン溶液３．２３ｇ、前記合成例１７で得た高分子化合物（１７）の２−ヘプタノン溶液１．０５ｇ、前記合成例１０で得た高分子化合物（１０）の２−ヘプタノン溶液０．５７ｇ、ＭＢＺ−１０１（スルホン酸エステル化合物）（みどり化学社製）０．０５ｇ、２−ヘプタノン４．５７ｇを２０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１７）を調製した。【０２９６】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１７）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１６）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２９７】
実施例１７
前記合成例１６で得た高分子化合物（１６）の２−ヘプタノン溶液３．２３ｇ、前記合成例１７で得た高分子化合物（１７）の２−ヘプタノン溶液１．０５ｇ、前記合成例１３で得た高分子化合物（１３）の２−ヘプタノン溶液０．５７ｇ、ＭＢＺ−１０１（スルホン酸エステル化合物）（みどり化学社製）０．０５ｇ、２−ヘプタノン４．５７ｇを２０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１８）を調製した。【０２９８】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１８）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１７）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０２９９】
実施例１８
前記合成例１８で得た高分子化合物（１８）の２−ヘプタノン溶液３．００ｇ、２−ヘプタノン１．５０ｇを２０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（１９）を調製した。【０３００】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（１９）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１８）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０３０１】
比較例１
前記合成例４で得た高分子化合物（４）の２−ヘプタノン溶液８．６５ｇ、前記合成例５で得た高分子化合物（５）の２−ヘプタノン溶液１１．９４ｇ、２−ヘプタノン２９．２４ｇを１００ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解させることにより均一な塗布液（２０）を調製した。【０３０２】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（２０）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（１９）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６００ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０３０３】
比較例２
前記合成例６で得た高分子化合物（６）の２−ヘプタノン溶液４．３０ｇ、前記合成例７で得た高分子化合物（７）の２−ヘプタノン溶液２．５５ｇ、２−ヘプタノン１１．７５ｇを５０ｍＬサンプル瓶に入れ、攪拌して溶解することにより均一な塗布液（２１）を調製した。【０３０４】
ゲート絶縁層の形成に塗布液（２１）を用いた以外は実施例１と同様にして、ボトムゲートボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタ（２０）を製造し、トランジスタ特性を測定し、評価した。ゲート絶縁層の厚さは、６３０ｎｍであった。結果を下記表１に示す。【０３０５】
【表１】
2017141932.tif 000037
【０３０６】
表１から明らかなように、本発明にかかる実施例１〜１８によれば、本発明の組成物を用いない比較例１および２と比較してキャリア移動度をより高くすることができた。
【符号の説明】
【０３０７】
１  基板
２  ゲート電極
３  ゲート絶縁層
４  有機半導体層
５  ソース電極
６  ドレイン電極
７  オーバーコート層
１０  有機薄膜トランジスタ
【図１】
2017141932.tif 000046
【図２】
2017141932.tif 000047
【国際調査報告】
2017141932.tif 000048
2017141932.tif 000049
2017141932.tif 000050
2017141932.tif 000051