(57)【要約】  塗布成膜に使用される電子材料組成物・インクに添加することにより、電子素子の発光効率及び、駆動安定性を低下することのない、新規複素環含有シロキサン重合体、該重合体を含有する組成物、電子材料組成物、ならびに電子素子を提供することを目的とする。  新規複素環含有シロキサン重合体、該重合体を含有する組成物、電子材料組成物から作製される電子素子は、発光効率及び、駆動安定性が改善されることを見出し、本発明を完成させるに至った。【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるモノマーと、少なくとも一般式（３）または一般式（４）で表されるモノマーを共重合してなる共重合体。
【化１】
2017104173.tif 000039
（一般式（１）中、Ａ１は重合性反応基であり、Ｌ１は単結合、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または縮合芳香族炭化水素基であり、Ｂ１が一般式（２）で表される。）
【化２】
2017104173.tif 000040
（一般式（２）中、Ｃｙ環は窒素原子を１〜３個、酸素原子を０〜１個含有する、芳香族５員環、６員環を表す。ｑ，ｒ，ｓは各々独立して０または１、ｎは０〜２の整数で、Ａｒは置換基として炭素原子数１〜８のアルキル基を有してもよいフェニル基またはビフェニル基であり、＊は一般式（１）中、Ｌ１との連結を表す。）
【化３】
2017104173.tif 000041
（一般式（３）、（４）中、ｎは１〜１０００を表し、Ｒ１及びＲ2はエーテル結合を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ3は、ビニル基またはビニル基を有する有機基を表す。）。
【請求項２】
前記一般式（２）中、Ａ環が下記一般式（５）〜（７）から選ばれる少なくとも１つである請求項１記載の共重合体。
【化４】
2017104173.tif 000042
（一般式（５）、（６）、（７）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３はそれぞれ独立して炭素、もしくは窒素原子。Ｙ１は炭素、もしくは窒素原子。Ｚ１は窒素、もしくは酸素原子を表す。）
【請求項３】
請求項１または２記載の重合体を含有することを特徴とする組成物。
【請求項４】
請求項１または２記載の重合体を含有することを特徴とする電子材料組成物。
【請求項５】
請求項３記載の組成物または請求項４記載の電子材料組成物を含有することを特徴とする電子素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複素環含有シロキサン重合体、さらにその重合体を含有する組成物、電子材料組成物、および電子材料組成物を含有することを特徴とする電子素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ、太陽電池、有機エレクトロルミネッセンス素子などの電子素子の研究が多岐にわたって、進められている。従来、これらの電子素子は真空成膜により作製されてきたが、近年は基板の大面積化や製品の低コスト化が求められているため、印刷による電子素子製造法が注目されている。【０００３】
この電子素子を材料の面から大別すると、低分子系材料と、高分子系材料に分類できる。【０００４】
低分子系電子材料に関しては、従来用いられてきた真空成膜に加え、近年、インクジェットやノズルジェット、フレキソ印刷、転写法等の種々の塗布方法を用いて電子材料含有層を成膜する技術の研究開発が行われている。一方、高分子系電子材料については、分子量が大きいため真空成膜に不向きなことから、低分子系材料と同様に既述の塗布方法が主に用いられている。【０００５】
塗布成膜で得られる半導体膜は、真空成膜に比べ平滑性が劣り、電子素子の特性を低下させることから、電子素子の平坦性に優れた半導体含有層を形成することができる有機半導体含有層形成用レベリング剤及びその使用方法、有機半導体含有層形成用組成物・インク、並びに、有機デバイスおよびその製造方法について検討されており、例えば、特許文献１では、ポリエーテル変性ポリシロキサン、アラルキル変性ポリシロキサン、シリコン変性（メタ）アクリルポリマー、または（メタ）アクリル変性ポリシロキサンを含有する有機半導体含有層形成用レベリング剤が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１４−２０５８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１に記載の発明によれば、レベリング効果として、得られる塗膜が一定の平坦性を有しうるが、電子素子において、ポリエーテル変性シロキサン及びアラルキル変性シロキサンはポリエーテル基及びアラルキル基が、（メタ）アクリルポリマーは極性基であるカルボニル基が、電荷移動を阻害しうるため、電子素子の発光効率や駆動安定性の低下が懸念される。その結果、得られる電子素子として所望の性能が得られないことがある。【０００８】
そこで、本発明は、塗布成膜に使用される電子材料組成物・インクに添加することにより、電子素子の発光効率及び、駆動安定性を低下することのない、新規複素環含有シロキサン重合体、該重合体を含有する組成物、電子材料組成物、ならびに電子素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく、鋭意研究を行った結果、本発明の新規複素環含有シロキサン重合体、該重合体を含有する組成物、電子材料組成物から作製される電子素子は、発光効率及び、駆動安定性が改善されることを見出し、本発明を完成させるに至った。【００１０】
すなわち、本発明は、新規モノマー、その重合体、該重合体を含有する組成物、電子材料組成物、および電子材料組成物を含有することを特徴とする電子素子に関する。【００１１】
一般式（１）で表されるモノマーと、少なくとも一般式（３）または一般式（４）で表されるモノマーを共重合してなる共重合体。【００１２】
【化１】
2017104173.tif 000002
【００１３】
（一般式（１）中、Ａ１は重合性反応基であり、Ｌ１は単結合、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または縮合芳香族炭化水素基であり、Ｂ１が一般式（２）で表される。）【００１４】
【化２】
2017104173.tif 000003
【００１５】
（一般式（２）中、Ｃｙ環は窒素原子を１〜３個、酸素原子を０〜１個含有する、芳香族５員環、６員環を表す。ｑ，ｒ，ｓは各々独立して０または１、ｎは０〜２の整数で、Ａｒは置換基として炭素原子数１〜８のアルキル基を有してもよいフェニル基またはビフェニル基であり、＊は一般式（１）中、Ｌ１との連結を表す。）【００１６】
【化３】
2017104173.tif 000004
【００１７】
（一般式（３）、（４）中、ｎは１〜１０００を表し、Ｒ１及びＲ2はエーテル結合を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ3は、ビニル基またはビニル基を有する有機基を表す。）。【００１８】
前記一般式（２）中、Ｃｙ環が下記一般式（５）〜（７）から選ばれる少なくとも１つである共重合体。【００１９】
【化４】
2017104173.tif 000005
【００２０】
（一般式（５）、（６）、（７）中、Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３はそれぞれ独立して炭素、もしくは窒素原子。Ｙ１は炭素、もしくは窒素原子。Ｚ１は窒素、もしくは酸素原子を表す。）【００２１】
前記重合体を含有することを特徴とする組成物。【００２２】
前記重合体を含有することを特徴とする電子材料組成物。【００２３】
前記記載の組成物または電子材料組成物を含有することを特徴とする電子素子。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、本発明の新規複素環含有シロキサン重合体を含有する組成物は、平滑な有機薄膜の作製が可能であり、これらの有機薄膜から得られる電子素子は、発光効率や駆動安定性が改善されることを見出した。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。
【００２６】
［複素環含有シロキサン重合体］
本形態に係る複素環含有シロキサン重合体は、一般式（１）で表される少なくとも１種の複素環含有モノマー、及びシロキサンモノマーを共重合させてなる共重合体である。前記複素環含有シロキサン重合体は、一般式（１）で表される少なくとも１種の複素環含有モノマー、シロキサンモノマー、及び一般式（１）以外のモノマーを共重合させてなる共重合体でもよい。この際、前記複素環含有シロキサン重合体は、重合開始剤に起因する成分等を含んでいてもよい。なお、本明細書において、「シロキサン」とは、「−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−」の構造（シロキサン構造）を意味する。
【００２７】
この際、本発明の複素環含有シロキサン重合体のレベリング性能を考慮して、複素環含有シロキサン重合体中のシロキサンモノマーと、複素環モノマーを含むその他モノマーを調整することが好ましい。
【００２８】
より詳細には、複素環含有シロキサン重合体中のケイ素含有率が、０．１質量％以上であることが好ましく、０．１〜８０．０質量％であることがより好ましく、３〜８０質量％であることがさらに好ましく、５〜８０質量％であることがさらに好ましい。複素環含有シロキサン重合体中のケイ素含有率が、０．１質量％以上であると、表面エネルギーを減少できることから好ましい。この際、重合体の合成条件、例えば、シロキサンモノマーの添加量を適宜調整することで、ケイ素含有率の値を制御することができる。なお、本明細書において、「ケイ素含有率」の値は、下記式で計算された値を採用するものとする。
【００２９】
【数１】
2017104173.tif 000006
【００３０】
複素環含有シロキサン重合体を有機発光素子用インクの発光層形成に用いる場合、発光層への電荷注入性を考慮して、複素環含有シロキサン重合体中の複素環モノマー含有率は０．１モル％以上であることが好ましく、０．１〜９９モル％であることがより好ましく、１〜９９モル％以上であることがさらに好ましい。複素環含有シロキサン重合体中の複素環モノマー含有率が０．１モル％以上であると、発光層への電荷注入を向上できることから好ましい。この際、重合体の合成条件、例えば、複素環モノマーの添加量を適宜調整することで、複素環モノマー含有率を制御することができる。
【００３１】
複素環含有シロキサン重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００〜１００，０００であることが好ましく、３，０００〜４０，０００であることがより好ましい。複素環含有シロキサン重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）が上記範囲にあると、膜厚不均一性を抑制でき、また、特に電子材料組成物の形成に使用する場合には、電子材料を均一に溶解・分散させうることから好ましい。なお、本明細書において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」の値は、実施例の測定方法により測定された値を採用するものとする。
【００３２】
また、複素環含有シロキサン重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、５００〜１００，０００であることが好ましく、３，０００〜４０，０００であることがより好ましい。複素環含有シロキサン重合体の数平均分子量（Ｍｎ）が上記範囲にあると、膜厚不均一性を抑制でき、また、特に電子材料組成物の形成に使用する場合には、電子材料を均一に溶解・分散させうることから好ましい。なお、本明細書において、「数平均分子量（Ｍｎ）」の値は、実施例の測定方法により測定された値を採用するものとする。
【００３３】
（複素環含有モノマー）
複素環含有モノマーは、下記一般式（１）で表される。
【００３４】
一般式（１）で表されるモノマーと、少なくとも一般式（３）または一般式（４）で表されるモノマーを共重合してなる共重合体。
【００３５】
【化５】
2017104173.tif 000007
【００３６】
（一般式（１）中、Ａ１は重合性反応基であり、Ｌ１は単結合、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または縮合芳香族炭化水素基であり、Ｂ１が一般式（２）で表される。）
【００３７】
【化６】
2017104173.tif 000008
【００３８】
（一般式（２）中、Ｃｙ環は窒素原子を１〜３個、酸素原子を０〜１個含有する、芳香族５員環、６員環を表す。ｑ，ｒ，ｓは各々独立して０または１、ｎは０〜２の整数で、Ａｒは置換基として炭素原子数１〜８のアルキル基を有してもよいフェニル基またはビフェニル基であり、＊は一般式（１）中、Ｌ１との連結を表す。）
【００３９】
前記一般式（１）において、Ａ１はメタクリロキシ基、アクリロキシ基、ビニル基、ビニル基、又はビニル基を有する有機基であることが好ましく、メタクリロキシ基、ビニル基、ビニル基を有する有機基であることがさらに好ましい。
【００４０】
ビニル基を有する有機基としては、アリル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、５−ヘキセニル基、ブタジエニル基、２，４−ペンタジエニル基、３，５−ヘキサジエニル基、４，６−ヘプタジエニル基、５，７−オクタジエニル基等のビニル基を有する脂肪族炭化水素基類；ビニルオキシメチレン基、ビニルオキシエチレン基、ビニルオキシプロピレン基、ビニルオキシブチレン基等のビニルオキシアルキレン基類；スチリル基；スチリルメチレン基、スチリルエチレン基、スチリルプロピレン基、スチリルブチレン基等のビニル基を有するアラルキル基類；スチリルオキシメチレン基、スチリルオキシエチレン基、スチリルオキシプロピレン基、スチリルオキシブチレン基等のスチリルオキシアルキレン基類等が挙げられる。なかでも、重合性が優れることから、ビニル基を有する脂肪族炭化水素基、スチリル基、ビニル基を有するアラルキル基が好ましく、幅広い分子量の重合体の設計が容易であることから、ビニル基、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、スチリル基、ビニル基を有するアラルキル基であることが特に好ましい。
【００４１】
前記環形成炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クォーターフェニル基、フルオランテニル基、トリフェニレニル基、フェナントレニル基、ピレニル基、クリセニル基、フルオレニル基、９,９−ジメチルフルオレニル基が挙げられる。中でも環形成炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基又は縮合芳香族炭化水素基が好ましい。
【００４２】
前記Ｃｙ環としては、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジニル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル基、チエニル基、およびピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、インドール環、キノリン環、アクリジン環、ピロリジン環、ジオキサン環、ピペリジン環、モルフォリン環、ピペラジン環、カルバゾール環、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、オキサジアゾール環、ベンゾオキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、ベンゾチアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピラン環、ジベンゾフラン環から形成される基が挙げられる。中でもピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環、カルバゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環が好ましい。
【００４３】
前記一般式（１）で示される複素環含有モノマーとしては、例えば、次の化合物が具体例として挙げられる。
【００４４】
【化７】
2017104173.tif 000009
【００４５】
（シロキサンモノマー）
シロキサンモノマーが有するシロキサン基としては、特に制限されないが、下記式（３）または、下記式（４）で表されるものであることが好ましい。
【００４６】
【化８】
2017104173.tif 000010
【００４７】
（一般式（３）、一般式（４）中、ｎは１〜１０００を表し、Ｒ１及びＲ2はエーテル結合を有してもよい炭化水素基を表す。また、Ｒ3は、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ビニル基、またはビニル基を有する有機基を表す。）
【００４８】
Ｒ１としては、特に制限されないが、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ２〜Ｃ１０アルコキシアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルコキシアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリール基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基が挙げられる。
【００４９】
前記Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基としては、特に制限されないがメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基等が挙げられる。
【００５０】
前記Ｃ２〜Ｃ１０アルコキシアルキル基としては、特に制限されないが、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、プロポキシプロピル基、ブトキシプロピル基、ブトキシブチル基、ブトキシペンチル基、ペンチルオキシペンチル基等が挙げられる。
【００５１】
前記Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基としては、特に制限されないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、トリシクロ［５，２，１，０（２，６）］デシル基、アダマンチル基等が挙げられる。好ましくは、炭素原子数が３〜１８の基である。
【００５２】
前記Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルコキシアルキル基としては、特に制限されないが、シクロプロピルオキシメチル基、シクロブチルオキシエチル基、シクロペンチルオキシプロピル基、シクロヘキシルオキシプロピル基、シクロヘプチルオキシプロピル基、トリシクロ［５，２，１，０（２，６）］デシルオキシプロピル基、アダマンチルオキシプロピル基等が挙げられる。好ましくは、炭素原子数が３〜１８の基である。
【００５３】
前記Ｃ６〜Ｃ２０のアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、ビフェニル基等が挙げられる。
【００５４】
前記Ｃ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基としては、フェニルオキシ基、ナフチルオキシ基、アントラセニルオキシ基、ビフェニルオキシ基等が挙げられる。
【００５５】
この際、前記Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルコキシアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリール基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリールオキシ基を構成する水素原子の少なくとも１つは、前記記載のＣ１〜Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい。
【００５６】
これらのうち、Ｒ１は、レベリング性を向上するためには、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基であることが好ましく、溶媒との相溶性を高めるためには、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基であることがより好ましく、電子素子特性を改善するためには、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基であることがさらに好ましい。
【００５７】
Ｒ２としては、特に制限されないが、Ｃ１〜Ｃ１０アルキレン基、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレンオキシアルキレン基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン基、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルキレンオキシアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリーレン基、Ｃ７〜Ｃ２０のアリーレンオキシアルキレン基が挙げられる。
【００５８】
前記Ｃ１〜Ｃ１０アルキレン基としては、特に制限されないがメチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、ｉｓｏ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、デシレン基等が挙げられる。
【００５９】
前記Ｃ２〜Ｃ１０アルキレンオキシアルキレン基としては、特に制限されないが、メチレンオキシメチレン基、エチレンオキシメチレン基、エチレンオキシプロピレン基、プロピレンオキシエチレン基、プロピレンオキシプロピレン基、プロピレンオキシブチレン基、ブチレンオキシブチレン基、ブチレンオキシペンチレン基、ペンチレンオキシペンチレン基等が挙げられる。
【００６０】
前記Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン基としては、特に制限されないが、シクロプロピレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、シクロヘプチレン基等が挙げられる。好ましくは、炭素原子数が３〜１０の基である。
【００６１】
前記Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルキレンオキシアルキル基としては、特に制限されないが、シクロプロピレンオキシエチレン基、シクロブチレンオキシプロピレン基、シクロペンチレンオキシプロピレン基、シクロヘキシレンオキシプロピレン基、シクロヘプチレンオキシプロピレン基等が挙げられる。、好ましくは、炭素原子数が３〜１０の基である。
【００６２】
前記Ｃ６〜Ｃ２０のアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、アントラセニレン基、ビフェニレン基等が挙げられる。
【００６３】
前記Ｃ７〜Ｃ２０のアリーレンオキシアルキレン基としては、フェニレンオキシプロピレン基、ナフチレンオキシプロピレン基、アントラセニレンオキシプロピレン基、ビフェニレンオキシプロピレン基等が挙げられる。
【００６４】
この際、前記Ｃ１〜Ｃ１０アルキレン基、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレンオキシアルキレン基、Ｃ３〜Ｃ３０シクロアルキレン基、Ｃ４〜Ｃ３０シクロアルキレンオキシアルキレン基、Ｃ６〜Ｃ２０のアリーレン基、Ｃ７〜Ｃ２０のアリーレンオキシアルキレン基を構成する水素原子の少なくとも１つは、前記記載のＣ１〜Ｃ１０アルキル基で置換されていてもよい。
【００６５】
なかでも、Ｒ2は、レベリング性を向上するためには、Ｃ１〜Ｃ１０アルキレン基、Ｃ２〜Ｃ１０アルキレンオキシアルキレン基であることが好ましく、溶解性を向上するためには、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、ｉｓｏ−ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、メチレンオキシメチレン基、メチレンオキシエチレン基、エチレンオキシエチレン基、エチレンオキシプロピレン基、プロピレンオキシエチレン基、プロピレンオキシプロピレン基、プロピレンオキシブチレン基、ブチレンオキシブチレン基であることが特に好ましく、電子素子特性を改善するためには、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、エチレンオキシエチレン基、エチレンオキシプロピレン基、プロピレンオキシエチレン基、プロピレンオキシプロピレン基であることが更に好ましい。
【００６６】
Ｒ３は、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、ビニル基またはビニル基を有する有機基である。
【００６７】
ビニル基を有する有機基としては、アリル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、５−ヘキセニル基、ブタジエニル基、２，４−ペンタジエニル基、３，５−ヘキサジエニル基、４，６−ヘプタジエニル基、５，７−オクタジエニル基等のビニル基を有する脂肪族炭化水素基類；ビニルオキシメチレン基、ビニルオキシエチレン基、ビニルオキシプロピレン基、ビニルオキシブチレン基等のビニルオキシアルキレン基類；スチリル基；スチリルメチレン基、スチリルエチレン基、スチリルプロピレン基、スチリルブチレン基等のビニル基を有するアラルキル基類；スチリルオキシメチレン基、スチリルオキシエチレン基、スチリルオキシプロピレン基、スチリルオキシブチレン基等のスチリルオキシアルキレン基類等が挙げられる。
【００６８】
なかでも、重合性が優れることから、メタクリロキシ基、ビニル基、ビニル基を有する脂肪族炭化水素基、スチリル基、ビニル基を有するアラルキル基が好ましく、幅広い分子量の重合体の設計が容易であることから、メタクリロキシ基、ビニル基、ブタジエニル基、ペンタジエニル基、スチリル基、ビニル基を有するアラルキル基であることが特に好ましく、得られる重合体が電子素子の駆動安定性を改善することから、ビニル基、ブタジエニル基２，４−ペンタジエニル基、スチリル基、スチリルメチレン基であることが更に好ましい。
【００６９】
一般式中、ｎは、１〜１０００であり、電子材料組成物・インクから得られる塗膜の平滑性が優れることから３〜５００であることが好ましく、電子素子の駆動安定性が向上することから、５〜２００であることがより好ましい。
【００７０】
シロキサンモノマーの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。
【００７１】
【化９】
2017104173.tif 000011
【００７２】
【化１０】
2017104173.tif 000012
【００７３】
（一般式（１）以外のモノマー）
一般式（１）以外のモノマーは、特に制限されることなく例えば、公知慣用の（メタ）アクリレートモノマー、スチリルモノマー、ビニルエーテルモノマー、アリルモノマー等を使用することができる。
【００７４】
（メタ）アクリレートモノマーとしては、特に制限されないが、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸―ｎ―ブチル、（メタ）アクリル酸―ｔ―ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル、（メタ）アクリル酸ドコシル等のアルキル（メタ）アクリル酸エステル類；（メタ）アクリル酸シクロヘキシル、（メタ）アクリル酸イソボニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニル、（メタ）アクリル酸ジシクロペンタニルオキシエチル等のシクロアルキル（メタ）アクリル酸エステル類；（メタ）アクリル酸ベンゾイルオキシエチル、（メタ）アクリル酸ベンジル、（メタ）アクリル酸フェニルエチル、（メタ）アクリル酸フェノキシエチル、（メタ）アクリル酸フェノキシジエチルグリコール、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシ―３―フェノキシプロピル等のアリール（メタ）アクリル酸エステル類等が挙げられる。
【００７５】
スチリルモノマーとしては、特に制限されないが、スチレン；α−メチルスチレン、α―エチルスチレン、α―ブチルスチレンまたは、４−メチルスチレン等のアルキル置換スチレン類クロロスチレンなどのスチレンおよびスチレン誘導体等が挙げられる。
【００７６】
ビニルエーテルモノマーとしては、特に制限されないが、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニルエーテル、ｓｅｃ−ブチルビニルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、ｎ−アミルビニルエーテル、イソアミルビニルエーテル等のアルキルビニルエーテル類；シクロペンチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、シクロヘプチルビニルエーテル、シクロオクチルビニルエーテル、２−ビシクロ［２.２.１］ヘプチルビニルエーテル、２−ビシクロ［２.２.２］オクチルビニルエーテル、８−トリシクロ［５.２.１.０（２，６）］デカニルビニルエーテル、１−アダマンチルビニルエーテル、２−アダマンチルビニルエーテル等のシクロアルキルビニルエーテル類；フェニルビニルエーテル、４−メチルフェニルビニルエーテル、４−トリフルオロメチルフェニルビニルエーテル、４−フルオロフェニルビニルエーテル等のアリールビニルエーテル類；ベンジルビニルエーテル、４−フルオロベンジルビニルエーテル等のアリールビニルエーテル類；等が挙げられる
【００７７】
アリルモノマーとしては、特に制限されないが、メチルアリルエーテル、エチルアリルエーテル、プロピルアリルエーテル、ブチルアリルエーテル等のアルキルアリルエーテル類；フェニルアリルエーテル等のアリールアリルエーテル類；酢酸アリル、アリルアルコール、アリルアミンが挙げられる。
【００７８】
特にこれらの（メタ）アクリレートモノマー、スチリルモノマー、ビニルエーテルモノマー、アリルモノマーは、疎水性基を含むことが好ましい。本明細書において、「疎水性基」とは、疎水性基が水素原子と結合してなる分子の水への溶解度（２５℃、２５％ＲＨ）が１００ｍｇ／Ｌ以下のものを意味する。
【００７９】
前記疎水性基としては、特に制限されないが、Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ３０のアリール基が挙げられる。
【００８０】
前記Ｃ１〜Ｃ１８アルキル基としては、特に制限されないがメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、オクタデシル基、２−エチルヘキシル基等が挙げられる。
【００８１】
前記Ｃ３〜Ｃ２０シクロアルキル基としては、特に制限されないが、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、トリシクロ［５，２，１，０（２，６）］デシル基、アダマンチル基等が挙げられる。
【００８２】
前記Ｃ６〜Ｃ３０のアリール基としては、フェニル、ナフチル、アントラセニル、ビフェニル等が挙げられる。
【００８３】
このような疎水性基を有するモノマーとしては、前記記載アルキル（メタ）アクリル酸エステル類、シクロアルキル（メタ）アクリル酸エステル類、アリール（メタ）アクリル酸エステル類、スチレン、アルキル置換スチレン類、アルキルビニルエーテル類、シクロアルキルビニルエーテル類、アリールビニルエーテル類、アルキルアリルエーテル類、アリールアリルエーテル類が挙げられる。
【００８４】
前記の疎水性基を有するモノマーの中でも、一般式（１）で表されるモノマーとの共重合性が良く、幅広い分子量の重合体を得ることができるため、前記記載アルキル（メタ）アクリル酸エステル類、シクロアルキル（メタ）アクリル酸エステル類、アリール（メタ）アクリル酸エステル類、スチレン、アルキル置換スチレン類、アルキルビニルエーテル類、シクロアルキルビニルエーテル類、アリールビニルエーテル類が好ましい。更に、得られる重合体のレベリング性の向上効果がより好適に得られる観点から、アリール（メタ）アクリル酸エステル類、スチレン、アルキル置換スチレン類、アリールビニルエーテル類などのアリール基を含む芳香族含有モノマーを用いることが好ましく、電子素子の駆動安定性の観点から、スチレン、アルキル置換スチレン類、アリールビニルエーテル類であることが更に好ましく、スチレン、アルキル置換スチレン類、フェニルビニルエーテル、ベンジルビニルエーテルの場合に特に本発明の効果が著しい。
【００８５】
なお、上述のモノマーは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８６】
本発明の重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５００〜１００，０００であることが好ましく、平滑性の観点から、３，０００〜４０，０００であることがより好ましい。なお、本明細書において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」の値は、実施例の測定方法により測定された値を採用するものとする。
【００８７】
また、本発明の重合体の数平均分子量（Ｍｎ）は、５００〜１００，０００であることが好ましく、平滑性の観点から、３，０００〜４０，０００であることがより好ましい。なお、本明細書において、「数平均分子量（Ｍｎ）」の値は、実施例の測定方法により測定された値を採用するものとする。
【００８８】
[重合体の製造方法]
本発明の重合体を得るには、上述のモノマーと重合開始剤とを用いて、公知慣用の方法で重合（共重合）させれば良く、ランダム共重合体、ブロック共重合体、グラフト共重合体等のいずれでもよい。
【００８９】
重合方法としては、ラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合等が挙げられる。
【００９０】
ラジカル重合としては、反応条件が特に限定されるものではないが、例えば、モノマーとラジカル重合開始剤を用いて、溶媒中で重合することができる。
【００９１】
ラジカル重合開始剤として一般的に知られるものが使用でき、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）等のアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシエチルヘキサノエイト、１，１’−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン、ｔ−アミルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート等の有機過酸化物及び過酸化水素等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【００９２】
また、ラジカル重合開始剤の使用量は、特に制限されず、一般的にはモノマー１００質量部に対して、０．００１〜１質量部である。前述の好ましい重量平均分子量の範囲で本発明の重合体を得るためにはラジカル重合開始剤の使用量は、モノマー１００質量部に対して、０．００５〜０．５質量部であることが好ましく、０．０１〜０．３質量部であることがさらに好ましい。
【００９３】
ラジカル重合に用いることができる溶媒として代表的なものを挙げれば、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチルイソプロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチル−ｎ−アミルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジエチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、ジ−ｎ−プロピルケトン、ジイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ホロン等のケトン系溶媒；エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ジイソアミルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコール、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸−ｎ−ブチル、酢酸エチル、酢酸−ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸−ｎーブチル、酢酸−ｎ−アミル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル−３−エトキシプロピオネート等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ジアセトンアルコール、３−メトキシ−１−プロパノール、３−メトキシ−１−ブタノール、３−メチル−３−メトキシブタノール等のアルコール系溶媒；トルエン、キシレン、ソルベッソ１００、ソルベッソ１５０、スワゾール１８００、スワゾール３１０、アイソパーＥ、アイソパーＧ、エクソンナフサ５号、エクソンナフサ６号等の炭化水素系溶媒が挙げられる。
【００９４】
これらの溶媒は単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。
【００９５】
ラジカル重合反応における溶媒の使用量は、特に制限されないが、モノマーの仕込み量１００質量部に対して、攪拌性の観点から、０〜３０００質量部であることが好ましく、反応性の観点から、１０〜１０００質量部であることがより好ましく、分子量制御の観点から、１０〜５００質量部であることがさらに好ましい。
【００９６】
アニオン重合としては、反応条件が特に限定されるものではないが、例えば、モノマーとアニオン重合開始剤を用いて、溶媒中で重合することができる。
【００９７】
アニオン重合開始剤としては一般的に知られるものが使用でき、例えば、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、イソプロピルリチウム、ｎ−プロピルリチウム、イソプロピルリチウムフェニルリチウム、ベンジルリチウム、ヘキシルリチウム、ブチルナトリウム、ブチルカリウム等の有機アルカリ金属；  メチルマグネシウムクロリド、メチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムヨージド、エチルマグネシウムブロミド、プロピルマグネシウムブロミド、フェニルマグネシウムクロリド、フェニルマグネシウムブロミド、ジブチルマグネシウム等の有機アルカリ土類金属；リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；ジエチル亜鉛、ジブチル亜鉛、エチルブチル亜鉛等の有機亜鉛；トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、メチルビスフェノキシアルミニウム、イソプロピルビスフェノキシアルミニウム、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノキシ）メチルアルミニウム、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ）メチルアルミニウム等の有機アルミニウム等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。 
【００９８】
また、アニオン重合開始剤の使用量は、特に制限されないが、モノマー１００質量部に対して、０．００１〜１質量部であることが好ましく、０．００５〜０．５質量部であることがより好ましく、０．０１〜０．３質量部であることがさらに好ましい。
【００９９】
アニオン重合に用いることができる溶媒としては、上述のものが上げられる。
【０１００】
アニオン重合反応における溶媒の使用量は、特に制限されないが、モノマーの仕込み量１００質量部に対して、攪拌性の観点から、０〜３０００質量部であることが好ましく、反応性の観点から、１０〜１０００質量部であることがより好ましく、分子量制御の観点から、１０〜５００質量部であることがさらに好ましい。
【０１０１】
カチオン重合としては、反応条件が特に限定されるものではないが、例えば、モノマーとカチオン重合開始剤を用いて、溶媒中で重合することができる。
【０１０２】
カチオン重合開始剤としては一般的に知られるものが使用でき、例えば、塩酸、硫酸、過塩素酸、トリフルオロ酢酸、メタンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、クロロスルホン酸、フルオロスルホン酸などのプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、塩化第二スズ、塩化第二鉄などのルイス酸等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。 
【０１０３】
また、カチオン重合開始剤の使用量は、特に制限されず、一般的には、モノマー１００質量部に対して、０．００１〜１質量部である。前述の好ましい重量平均分子量の範囲で本発明の重合体を得るためには、カチオン重合開始剤の使用量はモノマー１００質量部に対して、０．００５〜０．５質量部であることが好ましく、０．０１〜０．３質量部であることがさらに好ましい。
【０１０４】
カチオン重合に用いることができる溶媒としては、上述のラジカル重合に使用できる溶媒が挙げられる。
【０１０５】
カチオン重合反応における溶媒の使用量は、特に制限されないが、モノマーの仕込み量１００質量部に対して、攪拌性の観点から、０〜３０００質量部であることが好ましく、反応性の観点から、１０〜５１０００質量部であることがより好ましく、分子量制御の観点から、１０〜５００質量部であることがさらに好ましい。
【０１０６】
なお、上述のラジカル重合、アニオン重合、カチオン重合は、リビング重合でもよく、例えば、「季刊  化学総説  Ｎｏ．１８，１９９３  精密重合  日本化学会編（学会出版センター）」に記載の方法を用いることができる。
【０１０７】
［組成物］
本発明の重合体を含有する組成物は、成膜後のレベリング性を向上する機能を有することから、熱や光による硬化組成物、インク組成物、コーティング組成物、電子材料組成物などが挙げられるが、これらに限定されるのもではない。なかでも、本発明の重合体は、電子素子の電気特性を低下させないことから電子材料組成物に有用である。
【０１０８】
［電子材料組成物］
本発明の重合体を含有する電子材料組成物は、有機半導体材料、本発明の重合体（レベリング剤）、および溶媒を含む。なお、前記電子材料組成物には、その他、必要に応じて、界面活性剤等が含まれていてもよい。
【０１０９】
有機半導体材料の含有量は、電子材料組成物全量に対して、０．０１〜１０質量％であることが好ましく、電気特性の観点から、０．０１〜５質量％であることがより好ましい。
【０１１０】
本発明の重合体の含有量は、電子材料組成物全量に対して、０．００１〜５．０質量％であることが好ましく、レベリング性の観点から、０．００１〜１．０質量％であることがより好ましい。
【０１１１】
溶媒の含有量は、電子材料組成物全量に対して、９０〜９９質量％であることが好ましく、成膜性の観点から、９５〜９９質量％がより好ましい。
【０１１２】
（有機半導体材料）
有機半導体材料としては、有機ＴＦＴ材料、有機太陽電池材料、有機ＥＬ材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１３】
有機ＴＦＴ材料としては、有機ＴＦＴ素子を構成する層に使用される材料であれば特に制限されないが、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン等の、置換基のついてもよいアセン類、例として１，４−ビススチリルベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−メチルスチリル）ベンゼン（４ＭＳＢ）、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ポリフェニレンビニレン等Ｃ６Ｈ５−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ５で表されるスチリル構造を有する化合物、このような化合物のオリゴマーやポリマー、α−４Ｔ、α−５Ｔ、α−６Ｔ、α−７Ｔ、α−８Ｔの誘導体等の置換基を有してもよいチオフェンオリゴマー、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル−コ−ビチオフェン）等のチオフェン系高分子等のチオフェン系高分子、ビスベンゾチオフェン誘導体、α，α’−ビス（ジチエノ［３，２−ｂ：２’，３’−ｄ］チオフェン）、ジチエノチオフェン−チオフェンのコオリゴマー、ペンタチエノアセン等の縮合オリゴチオフェン特にチエノベンゼン骨格又はジチエノベンゼン骨格を有する化合物、[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ][１]ベンゾチオフェン誘導体、また、セレノフェンオリゴマー、無金属フタロシアニン、銅フタロシアニン、鉛フタロシアニン、チタニルフタロシアニン、白金ポルフィリン、ポルフィリン、ベンゾポルフィリン等のポルフィリン類、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体等、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、１１，１１，１２，１２−テトラシアノナフト−２，６−キノジメタン（ＴＣＮＮＱ）らのキノイドオリゴマー、Ｃ６０、Ｃ７０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド、Ｎ，Ｎ’−ジオクチル−３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド（Ｃ８−ＰＴＣＤＩ）、ＮＴＣＤＡ、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボキシルジイミド（ＮＴＣＤＩ）等のテトラカルボン酸類等が挙げられる。
【０１１４】
有機太陽電池材料としては、有機太陽電池素子を構成する層に使用される材料であれば特に制限されないが、例えば、Ｃ６０及びＣ７０のフラーレン、フラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、ペリレン誘導体、多環キノン、キナクリドン等、高分子系ではＣＮ−ポリ（フェニレン−ビニレン）、ＭＥＨ−ＣＮ−ＰＰＶ、−ＣＮ基又はＣＦ３基含有ポリマー、それらの−ＣＦ３置換ポリマー、ポリ（フルオレン）誘導体等を挙げることができる。
【０１１５】
有機ＥＬ材料としては、有機ＥＬ素子を構成する層に使用される材料であれば特に制限されない。一実施形態において、電子材料組成物が含有しうる有機ＥＬ材料としては、発光層に使用される発光材料、正孔注入層に使用される正孔注入材料、正孔輸送層に使用される正孔輸送材料、電子輸送層に使用される電子輸送材料、が挙げられる。
【０１１６】
（発光材料）
発光材料は、ホスト材料およびドーパント材料を含む。
【０１１７】
ホスト材料とドーパント材料の組成比は、これに限定されるものではないが、ホスト１００質量部に対して、ドーパントは１〜５０質量部が好ましく、発光効率の観点から、５〜２０質量部が更に好ましい。
【０１１８】
前記ホスト材料は、高分子ホスト材料および低分子ホスト材料に分類される。なお、本明細書において、「低分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００以下のものを意味する。一方、本明細書において、「高分子」とは、重量平均分子量（Ｍｗ）が５，０００超のものを意味する。この際、本明細書において、「重量平均分子量（Ｍｗ）」は、ポリスチレンを標準物質としたゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定された値を採用するものとする。
【０１１９】
高分子ホスト材料としては、特に制限されないが、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、およびこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。
【０１２０】
高分子ホスト材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００超５，０００，０００以下であることが好ましく、成膜性の観点から、５，０００超１，０００，０００以下であることがより好ましい。
【０１２１】
低分子ホスト材料としては、特に制限されないが、４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾリル）−２，２’−ジメチルビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾリル−１，４−ジメチルベンゼン（ＤＣＢ）、１，３−ジカルバゾリルベンゼン（ｍＣＰ）、３，５−ビス（９−カルバゾリル）テトラフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ）、９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、４，４‘−ジ（ジ（トリフェニルシリル）−ビフェニル（ＢＳＢ）、９-(４-ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−３,６-ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール（ＣｚＳｉ）、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）などのシラン誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）などの金属錯体、２，７−ビス（ジフェニルホスフィンオキシド）−９，９−ジメチルフルオレセン（Ｐ０６）などのホスフィンオキシド誘導体、１，３，５−トリス［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ＴＤＡＰＢ）などのアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などの複素環化合物などが挙げられる。
【０１２２】
低分子ホスト材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００〜５，０００であることが好ましく、成膜性の観点から、３００〜５，０００であることがより好ましい。
【０１２３】
上述のホスト材料のうち、ホスト材料としては、低分子ホスト材料を用いることが好ましく、４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などの複素環化合物を用いることがより好ましく、４，４’−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾール、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体などの複素環化合物を用いることがさらに好ましい。
【０１２４】
上述のホスト材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１２５】
前記ドーパント材料は、通常、高分子ドーパント材料および低分子ドーパント材料に分類される。
【０１２６】
高分子ドーパント材料としては、特に制限されないが、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、シアノポリフェニレンビニレン（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（フルオレニレンエチニレン）（ＰＦＥ）、ポリフルオレン（ＰＦＯ）、ポリチオフェンポリマー、ポリピリジン、およびこれらのモノマー単位を含む共重合体等が挙げられる。
【０１２７】
高分子ドーパント材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００超５，０００，０００以下であることが好ましく、発光効率の観点から、５，０００超１，０００，０００以下であることがより好ましい。
【０１２８】
低分子ドーパント材料としては、特に制限されないが、蛍光発光材料、燐光発光材料等が挙げられる。
【０１２９】
前記蛍光発光材料としては、ナフタレン、ペリレン、ピレン、クリセン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼン、キナクリドン、クマリン、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３等のアルミニウム錯体等、ルブレン、ペリミドン、ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン（ＤＣＭ）、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテン、アザベンゾチオキサンテン、およびこれらの誘導体等が挙げられる。
【０１３０】
前記燐光発光材料としては、周期表第７族〜第１１族の中心金属と、前記中心金属に配位した芳香族系配位子とを含む錯体が挙げられる。
【０１３１】
前記周期表第７族〜第１１族の中心金属としては、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、金、白金、銀、銅等が挙げられる。これらのうち、発光効率の観点から、中心金属は、イリジウムであることが好ましい。
【０１３２】
前記配位子としては、フェニルピリジン、ｐ−トリルピリジン、チエニルピリジン、ジフルオロフェニルピリジン、フェニルイソキノリン、フルオレノピリジン、フルオレノキノリン、アセチルアセトン、およびこれらの誘導体が挙げられる。これらのうち、配位子は、フェニルピリジン、ｐ−トリルピリジン、およびこれらの誘導体であることが好ましく、成膜性の観点から、ｐ−トリルピリジンおよびその誘導体であることがより好ましい。
【０１３３】
具体的な燐光発光材料としては、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］ルテニウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］パラジウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］白金、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］オスミウム、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【０１３４】
上述のうち、ドーパント材料は、低分子ドーパント材料であることが好ましく、発光効率の観点から、燐光発光材料であることが好ましい。
【０１３５】
低分子ドーパント材料の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００〜５，０００であることが好ましく、１００〜３，０００であることがより好ましい。
【０１３６】
上述のドーパント材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１３７】
上述のうち、発光材料としては、より高い発光効率が得られうる観点から、低分子発光材料を用いることが好ましく、低分子ホスト材料および低分子ドーパント材料を用いることがより好ましい。
【０１３８】
（正孔注入材料）
正孔注入材料としては、特に制限されないが、銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物；４，４’，４”-トリス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］トリフェニルアミン等のトリフェニルアミン誘導体；１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル、２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノ−キノジメタン等のシアノ化合物；酸化バナジウム、酸化モリブデン等の酸化物；アモルファスカーボン；ポリアニリン（エメラルディン）、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリピロール等の高分子が挙げられる。これらのうち、正孔注入材料は、成膜性の観点から、高分子であることが好ましい。
【０１３９】
上述の正孔注入材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４０】
（正孔輸送材料）
正孔輸送材料としては、特に制限されないが、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’ジアミン）、α−ＮＰＤ（４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；下記化学式ＨＴ−２で表されるトリフェニルアミン誘導体に置換基を導入して重合した高分子化合物等が挙げられる。これらのうち、正孔輸送材料は、正孔輸送性の観点から、トリフェニルアミン誘導体、トリフェニルアミン誘導体に置換基を導入して重合した化５で表されるＨＴ−２の如き高分子化合物であることが好ましい。
【０１４１】
上述の正孔輸送材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４２】
【化１１】
2017104173.tif 000013
【０１４３】
（電子輸送材料）
電子輸送材料としては、特に制限されないが、トリス（８−キノリラート）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラート）アルミニウム（Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム（ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（Ｚｎｑ）等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＯＸ）２）等のベンズオキサゾリン骨格を有する金属錯体；ビス［２−（２’−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラート］亜鉛（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）ベンゾチアゾリン骨格を有する金属錯体；２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］カルバゾール（ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）等のポリアゾール誘導体；化６で表されるＥＴ−１の如きベンゾイミダゾール誘導体；キノリン誘導体；ペリレン誘導体；ピリジン誘導体；ピリミジン誘導体；トリアジン誘導体；キノキサリン誘導体；ジフェニルキノン誘導体；ニトロ置換フルオレン誘導体等が挙げられる。これらのうち、電子輸送材料は、電子輸送性の観点から、ベンゾイミダゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体であることが好ましい。
【０１４４】
【化１２】
2017104173.tif 000014
【０１４５】
上述の電子輸送材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい
【０１４６】
（溶媒）
溶媒としては、特に制限されず、適宜公知のものが使用できる。具体的には、芳香族系溶媒、アルカン系溶媒、エーテル系溶媒、アルコール系溶媒、エステル系溶媒、アミド系溶媒、他の溶媒等が挙げられる。
【０１４７】
前記芳香族系溶媒としては、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、クメン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、メシチレン、ジフェニルメタン、ジメトキシベンゼン、フェネトール、メトキシトルエン、アニソール、メチルアニソール、ジメチルアニソール等の単環式芳香族溶媒；シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、ナフタレン、メチルナフタレン等の縮合環式芳香族溶媒；メチルフェニルエーテル、エチルフェニルエーテル、プロピルフェニルエーテル、ブチルフェニルエーテル等のエーテル系芳香族溶媒；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル等のエステル系芳香族溶媒等が挙げられる。
【０１４８】
前記アルカン系溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロヘキサン等が挙げられる。
【０１４９】
前記エーテル系溶媒としては、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート、テトラヒドロフラン等が挙げられる。
【０１５０】
前記アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等が挙げられる。
【０１５１】
前記エステル系溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、乳酸ブチル等が挙げられる。
【０１５２】
前記アミド系溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等が挙げられる。
【０１５３】
前記他の溶媒としては、水、ジメチルスルホキシド、アセトン、クロロホルム、塩化メチレン等が挙げられる。
【０１５４】
これらのうち、溶媒としては、有機半導体材料の溶解性の観点から、芳香族系溶媒であることが好ましく、レベリング性の観点から、縮合環式芳香族溶媒、エーテル系芳香族溶媒、およびエステル系芳香族溶媒からなる群から選択される少なくとも１つを含むことがより好ましく、成膜性の観点から、縮合環式芳香族溶媒および／またはエーテル系芳香族溶媒を用いることがさらに好ましい。
【０１５５】
なお、上述の溶媒は単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１５６】
本形態に係る電子材料組成物を塗布して塗膜を形成すると、レベリング剤となる本発明の重合体はシロキサン構造を有することから塗膜表面に配向して表面張力を低下させる。そして、かような状態で得られた塗膜を乾燥することで、乾燥に基づくうねりの発生を防止することができ、高度に平坦性を実現した層、ひいては高い性能を有する有機機能層を得ることができる。
【０１５７】
また、一実施形態において、電子材料組成物を有機ＥＬ素子の発光層の形成に使用する場合には、有機ＥＬ素子の駆動安定性を向上させる機能をも発現させうる。このような機能は、本発明の重合体中に、複素環構造を有するため電荷であると考えられる。
【０１５８】
より詳細に説明すると、一実施形態において、発光材料はホスト材料およびドーパント材料を含む。そして、発光層において、ホスト材料により正孔および／または電子が輸送され、ドーパント材料が輸送された正孔および電子の再結合により生じるエネルギーを利用することで、発光層は発光する。したがって、発光層中で正孔と電子の輸送が効率よく起これば、効率的な発光が可能となり、駆動安定性が向上する。
【０１５９】
電子材料組成物に含有される従来のレベリング剤は、インク組成物を塗布して得られた塗膜の表面に配向して表面張力を低下させ、平滑な塗膜の作製が可能であるが、レベリング剤構造中に、電荷アラルキル基やポリエーテル基、カルボニル基などの電子注入を阻害しうる官能基を有するため、発光層内の電荷バランスが悪化し、素子の発光効率、駆動安定性が損なわれうる。すなわち、従来のレベリング剤を使用すると、うねりの防止効果は一定程度得られるものの、その代償として発光効率、駆動安定性が低下しうるのである。
【０１６０】
これに対し、レベリング剤中に複素環を含有すると、従来のレベリングより電子注入障壁が低下するため、電荷輸送の阻害を抑制することができる。その結果、発光層中で電荷が効率よく輸送され、素子の発光効率、駆動安定性が向上しうる。
【０１６１】
［電子素子］
次に、本発明の電子素子について説明する。本発明の重合体を含有する組成物または電子材料組成物をいかなる形態でも含有している電子素子である。電子素子の具体例として、太陽電池や受光素子などの光電変換素子、電界効果型トランジスタや静電誘導型トランジスタやバイポーラトランジスタ等のトランジスタ、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略する）、温度センサー、ガスセンサー、湿度センサー、放射線センサーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１６２】
一例として、以下、有機ＥＬ素子について説明する。
【０１６３】
＜有機ＥＬ素子＞
本発明の一形態によれば、陽極、発光層、および陰極を含む有機ＥＬ素子が提供される。この際、前記発光層が、電子材料組成物から形成されることを特徴とする。
【０１６４】
なお、前記有機ＥＬ素子は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層等の他の層を１以上含んでいてもよい。また、封止部材等の公知のものを含んでいてもよい。
【０１６５】
また、別の一実施形態によれば、陽極、発光層、および陰極と、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層からなる群から選択される少なくとも１つの層と、を含む有機ＥＬ素子が提供される。この際、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、および電子輸送層からなる群から選択される少なくとも１つの層が、本発明の重合体（レベリング剤）を含むことを特徴とする。
【０１６６】
すなわち、有機ＥＬ素子は、陽極、発光層、および陰極を最小構成単位とし、さらに、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、および電子注入層からなる群から選択される少なくとも１つの層を任意の構成単位として含む場合がある。この場合、レベリング剤は、発光層のみに含まれていてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、および電子輸送性からなる群から選択される少なくとも１つの層にのみ（例えば、正孔輸送層のみ、正孔輸送層および電子輸送層）に含まれていてもよいし、発光層、並びに正孔注入層、正孔輸送層、および電子輸送層の少なくとも１つの層に含まれていてもよい。このうち、発光層および／または正孔輸送層がレベリング剤を含むことが好ましく、発光層がレベリング剤を含むことがより好ましい。
【０１６７】
以下、有機ＥＬ素子の各構成について詳細に説明する。
【０１６８】
［陽極］
陽極としては、特に制限されないが、金（Ａｕ）等の金属、ヨウ化銅（ＣｕＩ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等が用いられうる。これらの材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１６９】
陽極の膜厚としては、特に制限されないが、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、１０〜２００ｎｍであることがより好ましい。
【０１７０】
陽極は、蒸着やスパッタリング等の方法により形成されうる。この際、フォトリソグラフィー法やマスクを用いた方法によりパターン形成を行ってもよい。
【０１７１】
［正孔注入層］
正孔注入層は、有機発光素子において任意の構成要素であり、陽極から正孔を取り入れる機能を有する。通常、陽極から取り入れた正孔は、正孔輸送層または発光層に輸送される。
【０１７２】
正孔注入層に用いられうる材料は、上述したものと同様のものが用いられうることからここでは説明を省略する。
【０１７３】
正孔注入層の膜厚としては、特に制限されないが、０．１ｎｍ〜５μｍであることが好ましい。
【０１７４】
正孔注入層は、単層であっても、２以上が積層されたものであってもよい。
【０１７５】
正孔注入層は、湿式成膜法および乾式成膜法により形成することができる。
【０１７６】
正孔注入層を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の有機発光素子用インク組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥する工程を含む。この際、塗布の方式としては、特に制限されないが、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
【０１７７】
また、正孔注入層を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スピンコート法等が適用されうる。
【０１７８】
［正孔輸送層］
正孔輸送層は、有機発光素子において任意の構成要素であり、正孔を効率的に輸送する機能を有する。また、正孔輸送層は、正孔の輸送を防止する機能を有しうる。正孔輸送層は、通常、陽極または正孔注入層から正孔を取り入れ、発光層に正孔を輸送する。
【０１７９】
正孔輸送層に用いられうる材料は、上述したものと同様のものが用いられうることからここでは説明を省略する。
【０１８０】
正孔輸送層の膜厚としては、特に制限されないが、１ｎｍ〜５μｍであることが好ましく、５ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、１０〜５００ｎｍであることがさらに好ましい。
【０１８１】
正孔輸送層は、単層であっても、２以上が積層されたものであってもよい。
【０１８２】
正孔輸送層は、湿式成膜法および乾式成膜法により形成することができる。
【０１８３】
正孔輸送層を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の有機発光素子用インク組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥する工程を含む。この際、塗布の方式としては、特に制限されないが、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
【０１８４】
また、正孔輸送層を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スピンコート法等が適用されうる。
【０１８５】
［発光層］
発光層は、発光層に注入された正孔および電子の再結合により生じるエネルギーを利用して発光を生じさせる機能を有する。
【０１８６】
発光層に用いられうる材料は、上述したものと同様のものが用いられうることからここでは説明を省略する。
【０１８７】
発光層の膜厚としては、特に制限されないが、２〜１００ｎｍであることが好ましく、２〜２０ｎｍであることがより好ましい。
【０１８８】
発光層は湿式成膜法および乾式成膜法により形成することができる。
【０１８９】
発光層を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の有機発光素子用インク組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥する工程を含む。この際、塗布の方式としては、特に制限されないが、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
【０１９０】
また、発光層を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スピンコート法等が適用されうる。
【０１９１】
［電子輸送層］
電子輸送層は、有機発光素子において任意の構成要素であり、電子を効率的に輸送する機能を有する。また、電子輸送層は、電子の輸送を防止する機能を有しうる。電子輸送層は、通常、陰極または電子注入層から電子を取り入れ、発光層に電子を輸送する。
【０１９２】
電子輸送層に用いられうる材料は、上述したものと同様のものが用いられうることからここでは説明を省略する。
【０１９３】
電子輸送層の膜厚としては、特に制限されないが、５ｎｍ〜５μｍであることが好ましく、５〜２００ｎｍであることがより好ましい。
【０１９４】
電子輸送層は、単層であっても、２以上が積層されたものであってもよい。
【０１９５】
電子輸送層は、湿式成膜法および乾式成膜法により形成することができる。
【０１９６】
電子輸送層を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の有機発光素子用インク組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥する工程を含む。この際、塗布の方式としては、特に制限されないが、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
【０１９７】
また、電子輸送層を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スピンコート法等が適用されうる。
【０１９８】
［電子注入層］
電子注入層は、有機発光素子において任意の構成要素であり、陰極から電子を取り入れる機能を有する。通常、陰極から取り入れた電子は、電子輸送層または発光層に輸送される。
【０１９９】
電子注入材料としては、特に制限されないが、リチウム、カルシウム等のアルカリ金属；ストロンチウム、アルミニウム等の金属；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム等のアルカリ金属塩；８−ヒドロキシキノリラートリチウム等のアルカリ金属化合物；フッ化マグネシウム等のアルカリ土類金属塩；酸化アルミニウム等の酸化物等が挙げられる。これらのうち、電子注入材料は、アルカリ金属、アルカリ金属塩、アルカリ金属化合物であることが好ましく、アルカリ金属塩、アルカリ金属化合物であることがより好ましい。
【０２００】
上述の電子注入材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２０１】
電子注入層の膜厚としては、特に制限されないが、０．１ｎｍ〜５μｍであることが好ましい。
【０２０２】
電子注入層は、単層であっても、２以上が積層されたものであってもよい。
【０２０３】
電子注入層は、湿式成膜法および乾式成膜法により形成することができる。
【０２０４】
電子注入層を湿式成膜法で形成する場合には、通常、上述の有機発光素子用インク組成物を塗布し、得られた塗膜を乾燥する工程を含む。この際、塗布の方式としては、特に制限されないが、インクジェット印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ノズルプリント印刷法等が挙げられる。
【０２０５】
また、電子注入層を乾式成膜法で形成する場合には、真空蒸着法、スピンコート法等が適用されうる。
【０２０６】
［陰極］
陰極としては、特に制限されないが、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの材料は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【０２０７】
陰極は、通常、蒸着やスパッタリング等の方法により形成されうる。
【０２０８】
陰極の膜厚としては、特に制限されないが、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、１０〜２００ｎｍであることがより好ましい。
【０２０９】
一実施形態において、上述の電子材料組成物を用いて形成された層を含む有機ＥＬ素子は、形成される層の膜厚不均一性を好適に防止することができる。これにより、得られる有機ＥＬ素子は、輝度のばらつきを防止できる等の高い性能を有する。
【０２１０】
また、別の一実施形態において、上述の電子材料組成物を用いて発光層を形成する場合には、得られる有機ＥＬ素子は、優れた発光効率、駆動安定性を実現することができる。
【実施例】
【０２１１】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載内容になんら制限されるものではない。【０２１２】
＜複素環含有モノマーの合成＞
[合成例１]（Ａ−１の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２１３】
【化１３】
2017104173.tif 000015
【０２１４】
ＴＨＦ（１５ｍＬ）に炭酸カリウム２Ｍ水溶液（７．６ｍＬ）を加え、窒素雰囲気下、２−ブロモピリジン（２．３ｇ，１４．８ｍｍｏｌ）、４−ビニルフェニルボロン酸（１．５ｇ，１０．３ｍｍｏｌ）をさらに加えた。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９．５ｍｇ，８．２μｍｏｌ）を加えて８０℃で１２時間撹拌した。反応液を常温まで冷却し、ジクロロメタン及び水を加え、有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥後、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、複素環含有モノマーＡ−１（１．０ｇ，５３％）を得た。【０２１５】
[合成例２]（Ａ−２の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２１６】
【化１４】
2017104173.tif 000016
【０２１７】
２−ブロモピリジンを３−ブロモピリジンに変更した以外は、合成例１と同様にして複素環含有モノマーＡ−２（０．８１ｇ，４４％）を得た。【０２１８】
[合成例３]（Ａ−３の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２１９】
【化１５】
2017104173.tif 000017
【０２２０】
２−ブロモピリジンを３−ブロモピリジンに変更した以外は、合成例１と同様にして複素環含有モノマーＡ−３（０．８ｇ，４３％）を得た。【０２２１】
[合成例４]（Ａ−４の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２２２】
【化１６】
2017104173.tif 000018
【０２２３】
０℃、乾燥窒素雰囲気下の脱水ＴＨＦ（２０．８ｍＬ）にｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（１．０２ｇ，９．１５ｍｍｏｌ）、メチルトリフェニルホスホニウムブロミド（３．１１ｇ，８．７１ｍｍｏｌ）を加え、１５分間撹拌後、脱水ＴＨＦ（２０．８ｍＬ）に溶解させたＮ−（４−ホルミルフェニル）カルバゾール（１．２０ｇ，４．３６ｍｍｏｌ）を滴下し、０℃で３時間撹拌した。次いで、室温で４時間撹拌後、塩化アンモニウム水溶液及びジクロロメタンを加え、有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥後、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、複素環含有モノマーＡ−５（０．４３ｇ，３６％）を得た。【０２２４】
[合成例５]（Ａ−５の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２２５】
【化１７】
2017104173.tif 000019
【０２２６】
（Ｍ−１の合成）
乾燥窒素雰囲気下の脱水ＴＨＦ（３５．０ｍＬ）に２−（４−ブロモフェニル）−１−フェニルベンゾイミダゾール （３．００ｇ，８．５９ｍｍｏｌ）を加え、−７８℃に冷却後、ｎ−ブチルリチウム１．６ＭＴＨＦ溶液（６．４ｇ，１０．３１ｍｍｏｌ）を滴下した。２時間撹拌後、脱水ＤＭＦ（４．０ｍＬ）を加え、２５℃で１時間撹拌した。次いで、１時間還流後、室温まで冷却し、塩化アンモニウム水溶液及びジクロロメタンを加え、有機層を分離した。硫酸マグネシウムで有機層を乾燥後、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、中間体モノマーＭ−１（１．１８ｇ，４６％）を得た。【０２２７】
（Ａ−５の合成）
Ｎ−（４−ホルミルフェニル）カルバゾールをＭ−１（１．１８ｇ，３．９５ｍｍｏｌ）に変更した以外は、合成例４と同様にして、複素環含有モノマーＡ−６（０．４５ｇ，３８％）を得た。【０２２８】
[合成例６]（Ａ−６の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２２９】
【化１８】
2017104173.tif 000020
【０２３０】
２−（４−ブロモフェニル）−１−フェニルベンゾイミダゾールを１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾールに変更した以外は、合成例５と同様にして、複素環含有モノマーＡ−６（０．３６ｇ，３０％）を得た。【０２３１】
[合成例７]（Ａ−７の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２３２】
【化１９】
2017104173.tif 000021
【０２３３】
２−ブロモピリジンを１−（４−ブロモフェニル）−２−フェニルベンゾイミダゾールに変更した以外は合成例１と同様にして複素環含有モノマーＡ−７（２．５ｇ，４６％）を得た。【０２３４】
[合成例８]（Ａ−８の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２３５】
【化２０】
2017104173.tif 000022
【０２３６】
（Ｍ−２の合成）
ピリジン（１４ｍＬ）にベンゾイルクロライド（０．９６ｇ，４．８８ｍｍｏｌ）を加え、次いで、５−（４−ブロモフェニル）−１Ｈ−テトラゾール（１．０ｇ，４．４４ｍｍｏｌ）を加えた。１００℃で８時間撹拌後、常温まで冷却し、水を加えて析出物をろ過した。ろ過物をエタノールにて再結晶することで中間体モノマーＭ−２（０．８ｇ，５２％）を得た。【０２３７】
（Ａ−８の合成）
ＴＨＦ（１０ｍＬ）に炭酸カリウム２Ｍ水溶液（２．０ｍＬ）を加え、窒素雰囲気下、Ｍ−２（０．８ｇ，２．３１ｍｍｏｌ）、４−ビニルフェニルボロン酸（０．２６ｇ，１．７６ｍｍｏｌ）をさらに加えた。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９．５ｍｇ，８．２μｍｏｌ）を加えて８０℃で１２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、ジクロロメタン及び水を加え、有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥後、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、複素環含有モノマーＡ−８（０．３８ｇ，４３％）を得た。【０２３８】
[合成例９]（Ａ−９の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２３９】
【化２１】
2017104173.tif 000023
【０２４０】
４−ｔｅｒｔ−ブチル安息香酸メチル（１．８ｇ，９ｍｍｏｌ）をエタノール（２５ｍＬ）に溶解し、ヒドラジン一水和物（１０ｇ，２０ｍｍｏｌ）を加えて１０時間加熱還流した。得られた反応混合物を水中に投入し、固体を濾取して乾燥した。この固体にピリジン２０ｍＬおよび４−ブロモベンゾイルクロライド（２．２ｇ，１０ｍｍｏｌ）を加えて、室温で５時間撹拌した。得られた溶液を水中に投入し、固体を濾取して乾燥した。この固体にｏ−ジクロロベンゼン１０ｍＬ、アニリン（０．９ｇ，９．５ｍｍｏｌ）および三塩化リン（３．３ｇ，２３．５ｍｍｏｌ）を加えて３時間加熱還流した。反応液を水中に投入してクロロホルムで有機物を抽出した。抽出液を減圧留去後、１，２−ジメトキシエタン（２５ｍＬ）、４−ビニルフェニルボロン酸（１．５ｇ，１０ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０．１２ｇ，０．１０ｍｍｏｌ）および炭酸ナトリウム（３．２ｇ，２９．５ｍｍｏｌ）水溶液５０ｍＬを加えて、３時間加熱還流した。反応液を室温にまで冷却後、有機層を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製して、化合物Ａ−９（１．４ｇ，３４％）を得た。【０２４１】
[合成例１０]（Ａ−１０の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２４２】
【化２２】
2017104173.tif 000024
【０２４３】
（Ｍ−３の合成）
４−ブロモベンズアルデヒド（２５ｇ，１３５ｍｍｏｌ）、アセトフェノン（１６．２ｇ，１３５ｍｍｏｌ）をエタノールに加え、さらに３Ｍ水酸化カリウム水溶液（６０ｍＬ）を加えて室温で７時間撹拌した。析出した固体をろ過紙、この固体をメタノールで洗浄することでＭ−３（２５．５ｇ，６６％）を得た。【０２４４】
（Ｍ−４の合成）
Ｍ−３（５ｇ，１７．４ｍｍｏｌ）、フェナシルピリジニウムブロミド（７．６ｇ，２７．３ｍｍｏｌ）、酢酸アンモニウム（２７ｇ）、酢酸（１２０ｍＬ）、Ｎ，Ｎ-ジメチルホルムアミド（１２０ｍＬ）を加熱還流下、８時間還流した。反応液を氷水中に投入し、析出した沈殿をろ過し、メタノールで洗浄した。得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、Ｍ−４（２．３ｇ，４４％）を得た。【０２４５】
（Ａ−１０の合成）
ＴＨＦ（１０ｍＬ）に炭酸カリウム２Ｍ水溶液（２．０ｍＬ）を加え、窒素雰囲気下、Ｍ−４（２．３ｇ，６．０ｍｍｏｌ）、４−ビニルフェニルボロン酸（０．８ｇ，５．６ｍｍｏｌ）をさらに加えた。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（９．５ｍｇ，８．２μｍｏｌ）を加えて８０℃で１２時間撹拌した。反応液を室温まで冷却し、ジクロロメタン及び水を加え、有機層を分離し、硫酸マグネシウムで乾燥後、有機溶媒を減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、複素環含有モノマーＡ−１０（１．０ｇ，４１％）を得た。【０２４６】
[合成例１１]（Ａ−１１の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２４７】
【化２３】
2017104173.tif 000025
【０２４８】
（Ｍ−５の合成）
Ｍ−３（５ｇ，１７．４ｍｍｏｌ）、ベンズアミジン塩酸塩（２．７ｇ，１７．４ｍｍｏｌ）をエタノール（７５ｍＬ）に加え、さらに水酸化ナトリウム（１．４ｇ，３５ｍｍｏｌ）を加えて８時間加熱還流した。析出した固体をろ過し、この固体をヘキサンで洗浄することでＭ−５（２．３ｇ，３５％）を得た。【０２４９】
（Ａ−１１の合成）
Ｍ−４をＭ−５に変更した以外は実施例１０と同様にして、複素環含有モノマーＡ−１１（１．０ｇ，４１％）を得た。【０２５０】
[合成例１２]（Ａ−１２の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２５１】
【化２４】
2017104173.tif 000026
【０２５２】
アセトフェノンを４‘−ヘキシルアセトフェノンに変更した以外は実施例１０と同様にして、複素環含有モノマーＡ−１２（０．８ｇ，９％）を得た。【０２５３】
[合成例１３]（Ａ−１３の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２５４】
【化２５】
2017104173.tif 000027
【０２５５】
アセトフェノンを４‘−ｔｅｒｔ−アセトフェノンに変更した以外は実施例１０と同様にして、複素環含有モノマーＡ−１３（１．０ｇ，１２％）を得た。【０２５６】
[合成例１４]（Ａ−１４の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２５７】
【化２６】
2017104173.tif 000028
【０２５８】
４−ブロモベンゾイルクロリド（２．２ｇ，１０ｍｍｏｌ）およびベンゾニトリル（３．１ｇ，３０ｍｍｏｌ）をジクロロエタン５０ｍＬに溶解し、塩化アルミニウム（１．３ｇ，１０ｍｍｏｌ）およびアンモニウムクロリド（２．１ｇ，４０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流を２４時間行った。室温まで冷却した後、１０％塩酸に注ぎいれ、１時間攪拌した。クロロホルムを用いて抽出し、カラムクロマトグラフィーにより精製を行い、Ｍ−６（１．６ｇ，４０％）を得た。【０２５９】
Ｍ−６（１．４ｇ，３．６ｍｍｏｌ）、ビニルホウ酸ジブチルエステル（０．６１ｇ，３．３ｍｍｏｌ）およびテトラブチルアンモニウムブロミド（０．４２ｇ，１.５ｍｍｏｌ）を１００ｍＬナス型フラスコに入れ、さらにトルエン４５ｍＬおよび２Ｍ炭酸カリウム水溶液３０ｍｌを加えた。重合禁止剤を少量加え、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０．１７ｇ，０．１５ｍｍｏｌ）加え、加熱還流を３時間行った。室温まで冷却した後、酢酸エチルを用いて抽出し、カラムクロマトグラフィー、再結晶化操作を行い、複素環モノマーＡ−１４（０．５３ｇ，４８％））を得た。【０２６０】
[合成例１５]（Ａ−１５の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２６１】
【化２７】
2017104173.tif 000029
【０２６２】
Ｍ−４をＭ−６に変更した以外は、実施例１０と同様にして、複素環含有モノマーＡ−１５（３．０ｇ，４２％）を得た。【０２６３】
[合成例１６]（Ａ−１６の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２６４】
【化２８】
2017104173.tif 000030
【０２６５】
ベンゾニトリルを４−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾニトリルに変更した以外は合成例１４と同様にして複素環含有モノマーＡ−１６（０．７ｇ，１９％）を得た。【０２６６】
[合成例１７]（Ａ−１７の合成）
合成スキームを以下に示す。【０２６７】
【化２９】
2017104173.tif 000031
【０２６８】
Ｍ−４をＭ−７に変更した以外は、合成例１０と同様にして、複素環含有モノマーＡ−１７（１．３ｇ，４１％）を得た。【０２６９】
[合成例１８]
＜シロキサンモノマーＢ−１の合成＞
合成スキームを以下に示す。【０２７０】
１００ｇのサイラプレーンＦＭ−０４１１（ＪＮＣ株式会社製）と１６．８ｇのカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドを１００ｇのテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）が挿入されたアルゴンガスで置換した５００ｍＬの三口フラスコに投入し、室温で１時間攪拌した。そこに、１１．８ｇの５−ブロモ−１，３−ペンタジエンを滴下し、室温で１８時間攪拌した。その後、ＴＨＦを減圧留去し、トルエンで抽出、水で３回洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。その後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、シロキサンモノマーＢ−１を得た。収量は１８ｇであった。【０２７１】
シロキサンモノマーＢ−１の構造を以下に示す。【０２７２】
【化３０】
2017104173.tif 000032
【０２７３】
＜重合体の合成＞
[実施例１〜１９]
５００ｍｇの複素環モノマーＡ−１〜１９とサイラプレーンＦＭ−０７１１（ＪＮＣ株式会社製）、１９．７ｍｇのパーブチルＺ（日本油脂株式会社製）、２．４ｇのシクロヘキサノンを１０ｍＬの三口フラスコに入れ、窒素ガス封入下、１１０℃で３０時間攪拌した。得られた反応液をメタノールに滴下し、重合体を沈殿させた後、ろ取、乾燥させることにより、本発明の重合体Ｐ−１〜１９を得た。【０２７４】
【化３１】
2017104173.tif 000033
【０２７５】
[実施例２０〜２９]
サイラプレーンＦＭ−０７１１をシロキサンモノマーＢ−１に変更した以外は実施例１と同様にして重合体Ｐ―２４〜３１を得た。【０２７６】
[実施例３０〜３３]
５００ｍｇの複素環モノマーを、２５０ｍｇの複素環モノマーと２５０ｍｇの第３のモノマーに変更した以外は、実施例２０と同様にして重合体Ｐ−３０〜３３を得た。【０２７７】
各モノマーの仕込み量と得られた重合体Ｐ１〜３１の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）を下記表１に示す。なお、数平均分子量および重量平均分子量は、高速ＧＰＣ装置（東ソー株式会社製）を用いてポリスチレンを標準物質として測定した。【０２７８】
＜ホスト材料の合成＞
［合成例１９］中間体１の合成【０２７９】
【化３２】
2017104173.tif 000034
【０２８０】
２５０ｍＬ四つ口フラスコに１，２，３，４−テトラヒドロカルバゾール（１２ｇ，７２ｍｍｏｌ）、活性炭（１２ｇ）、１，２−ジクロロベンゼン１２０ｍＬを順次加え、空気を５００ｍＬ／分で加えながら１５０℃で１５時間反応液を攪拌した。室温まで反応液を冷却した後、反応液をろ過、有機溶媒を減圧除去し、カラムクロマトグラフィーにて精製した。有機溶媒を減圧除去した後、黄色固体（中間体１）３．２ｇ（収率：１０％）を得た。【０２８１】
［合成例２０］９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾールの合成【０２８２】
【化３３】
2017104173.tif 000035
【０２８３】
アルゴン雰囲気下、２００ｍＬ三つ口フラスコに中間体１（０．８３６ｇ，  ２．５２ｍｍｏｌ）、１−ブロモ４−ｔ−ブチルベンゼン（１．２８７ｇ，  ６．０４ｍｍｏｌ）、トリス（ジベンジリデン）ジパラジウム（０．１３０ｇ，  ０．１３ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（０．０７６ｇ，  ０．３８ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔ−ブトキシド（０．７２５ｇ，  ７．５５ｍｍｏｌ）、トルエン５０ｍＬを順次加え、８時間加熱還流した。室温まで反応液を冷却した後、水を加えて分液ロートにて有機層を回収した。有機溶媒を減圧除去後、シリカゲルクロマトグラフィーにて精製し、白色固体（化合物６）０．９ｇ（収率６０％）を得た。【０２８４】
＜電子材料組成物の製造＞
実施例１〜３１で得られた本発明の重合体Ｐ−１〜３３、並びにＢＹＫ−３２３（アラルキル変性ポリシロキサン，ビックケミー・ジャパン社製）を使用し、有機ＥＬ材料として発光材料を用いた電子材料組成物を製造した。【０２８５】
［実施例３４］
実施例１で合成した重合体Ｐ−１  ０．００１ｇを溶媒であるテトラリン９．９ｇに溶解させた。得られた溶液に、０．０４ｇのトリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）３）（Ｌｕｍｔｅｃ社製）と、合成例２０で合成した０．２６ｇの９，９’−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３−ビスカルバゾールを添加し、６０℃で加熱することで、電子材料組成物を製造した。【０２８６】
［実施例３５〜６６］
重合体Ｐ−１を実施例１〜３３で合成した重合体Ｐ−２〜３３に変更したことを除いては、実施例３４と同様の方法で電子材料組成物を製造した。【０２８７】
［比較例１］
重合体Ｐ−１をＢＹＫ−３２３に変更した以外は実施例３４と同様にして、電子材料組成物を製造した。【０２８８】
＜評価＞
実施例３４〜６６および比較例で製造した電子材料組成物について以下の各種評価を行った。【０２８９】
[発光効率評価]
有機ＥＬ素子を作製し、得らえた有機発光素子についての発光効率を評価した。【０２９０】
有機ＥＬ素子は、以下のように作製した。【０２９１】
すなわち、洗浄したＩＴＯ基板にＵＶ／Ｏ３を照射し、スピンコートによりポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を４５ｎｍ成膜し、大気中で１８０℃、１５分間加熱し、正孔注入層を形成した。次いで、下記式で表されるＨＴ−２の０．３重量％キシレン溶液を、正孔注入層上にスピンコートにより１０ｎｍ成膜し、窒素雰囲気下にて２００℃で３０分間乾燥させることで、正孔輸送層を形成した。次に、実施例３４〜６６および比較例で得られた電子材料組成物を、正孔輸送層上にスピンコートにより成膜し、２５℃、１Ｔｏｒｒで３分間減圧乾燥後、窒素雰囲気下にて１１０℃で１５分間乾燥させることで、３０ｎｍの発光層を形成した。そして、５×１０−３Ｐａの真空条件下で、電子輸送層として下記式で表されるＥＴ−１を４５ｎｍ、電子注入層としてフッ化リチウムを０．５ｎｍ、陰極としてアルミニウムを１００ｎｍ順次成膜した。最後に、グローブボックスに基板を搬送し、ガラス基板にて封止することで有機発光素子を作製した。【０２９２】
【化３４】
2017104173.tif 000036
【０２９３】
［発光効率］
作製した有機ＥＬ素子を用いて、発光効率を評価した。【０２９４】
より詳細には、作製した有機ＥＬ素子に対し、外部電源に接続して、有機ＥＬ素子からの発光をＢＭ−９（株式会社トプコン製）にて測光した。この際、電流値から１０ｍＡ／ｃｍ２のときの発光効率を算出した。【０２９５】
[駆動安定性] 
駆動安定性評価として、作製した有機ＥＬ素子を用いて、寿命を評価した。【０２９６】
より詳細には、作製した有機ＥＬ素子に対し、１０ｍＡ／ｃｍ２の電流を印加し、フォトダイオード式寿命測定装置（システム技研株式会社製）にて輝度半減寿命を測定した。【０２９７】
得られた結果を下記表２に示す。比較例１の発光効率および寿命を基準として１００と設定し、比を％表示した。【０２９８】
【表１】
2017104173.tif 000037
【０２９９】
【表２】
2017104173.tif 000038
【０３００】
上記表２の結果からも明らかなように、比較例と対比して、実施例３４〜６６の電子材料組成物を用いて塗膜を形成した場合には発光効率、及び素子寿命が向上した。すなわち、本発明の電子材料組成物を用いることで、素子は優れた発光効率、駆動安定性を示すことが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月9日(2018.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料、一般式（１）で表されるモノマーと、少なくとも一般式（３）または一般式（４）で表されるモノマーを共重合してなる共重合体及び溶媒を含んでなる電子材料組成物。
2017104173.tif 000043
（一般式（１）中、Ａ１は重合性反応基であり、Ｌ１は単結合、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または縮合芳香族炭化水素基であり、Ｂ１が一般式（２）で表される。）
【化１】
2017104173.tif 000044
（一般式（２）中、Ｃｙ環は窒素原子を１〜３個、酸素原子を０〜１個含有する、芳香族５員環、６員環を表す。ｑ，ｒ，ｓは各々独立して０または１、ｎは０〜２の整数で、Ａｒは置換基として炭素原子数１〜８のアルキル基を有してもよいフェニル基またはビフェニル基であり、＊は一般式（１）中、Ｌ１との連結を表す。）
【化２】
2017104173.tif 000045
【化３】
2017104173.tif 000046
（一般式（３）、（４）中、ｎは１〜１０００を表し、Ｒ１及びＲ２はエーテル結合を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ３は、ビニル基またはビニル基を有する有機基を表す。）。
【請求項２】
前記一般式（２）中、Ａ環が下記一般式（５）〜（７）から選ばれる少なくとも１つである請求項１記載の電子材料組成物。
【化４】
2017104173.tif 000047
2017104173.tif 000048
2017104173.tif 000049
（一般式（５）、（６）、（７）中、Ｘ１，Ｘ２  はそれぞれ独立して炭素、もしくは窒素原子。Ｙ１は炭素、もしくは窒素原子。Ｚ１は窒素、もしくは酸素原子を表す。）
【請求項３】
有機半導体材料、一般式（１）で表されるモノマーと、少なくとも一般式（３）または一般式（４）で表されるモノマーを共重合してなる共重合体を含有することを特徴とする電子素子。
2017104173.tif 000050
（一般式（１）中、Ａ１は重合性反応基であり、Ｌ１は単結合、又は、置換もしくは無置換の炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基または縮合芳香族炭化水素基であり、Ｂ１が一般式（２）で表される。）
【化１】
2017104173.tif 000051
（一般式（２）中、Ｃｙ環は窒素原子を１〜３個、酸素原子を０〜１個含有する、芳香族５員環、６員環を表す。ｑ，ｒ，ｓは各々独立して０または１、ｎは０〜２の整数で、Ａｒは置換基として炭素原子数１〜８のアルキル基を有してもよいフェニル基またはビフェニル基であり、＊は一般式（１）中、Ｌ１との連結を表す。）
【化２】
2017104173.tif 000052
【化３】
2017104173.tif 000053
（一般式（３）、（４）中、ｎは１〜１０００を表し、Ｒ１及びＲ２はエーテル結合を有してもよい炭化水素基を表し、Ｒ３は、ビニル基またはビニル基を有する有機基を表す。）。
【国際調査報告】
2017104173.tif 000054
2017104173.tif 000055
2017104173.tif 000056
2017104173.tif 000057