(57)【要約】  ダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、糊残りが生じ難い半導体加工用粘着シート及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法を提供する。  本発明によれば、基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、前記粘着剤層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と、光重合性化合物が特定の成分であり、前記（メタ）アクリル酸エステル重合体の２〜２０質量％がカルボキシル基を有する単量体で、重量平均分子量が１０万〜７０万であり、前記光重合性化合物が、特定のアクリロイル基とメタクリロイル基の各々を少なくとも１つ以上、かつ合計４〜８つ有し、重量平均分子量が１０００〜５０００であることにより、ダイシング工程でのチップ飛び等を良好にする半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法を提供できる。【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記粘着剤層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と、光重合性化合物２０〜１５０質量部と、硬化剤１〜１０質量部と、光重合開始剤１〜１０質量部とを有し、
前記（メタ）アクリル酸エステル重合体の２〜２０質量％が、カルボキシル基を有する単量体で、重量平均分子量が１０万〜７０万であり、
前記光重合性化合物が、アクリロイル基とメタクリロイル基の各々を少なくとも１つ以上、かつ合計４〜８つ有し、重量平均分子量が１０００〜５０００である、半導体加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記カルボキシル基を有する単量体がアクリル酸であることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用粘着テープ
【請求項３】
半導体ウエハ又は基板と、リングフレームとに請求項１または２に記載の半導体加工用粘着テープを貼り付ける貼付工程と、
前記半導体ウエハ又は前記基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、
前記半導体加工用粘着テープに活性光線を照射する光照射工程と、
前記半導体チップ又は前記半導体部品同士の間隔を広げるため、前記半導体加工用粘着テープを引き伸ばすエキスパンド工程と
前記半導体加工用粘着テープから前記半導体チップ又は前記半導体部品をピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップ又は半導体部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ又は基板は、回路を形成後に粘着シートに貼合、素子小片に切断（ダイシング）、粘着シートの延伸（エキスパンディング）、粘着シートからの素子小片の剥離（ピックアップ）などの各工程に移される。これらの工程で使用される粘着シート（ダイシングテープ）は、ダイシング時には切断される素子小片（チップ）に対して充分な粘着力を有し、かつピックアップ時には糊残りしない程度に粘着力が減少していることが望まれる。【０００３】
粘着シートとして、紫外線と電子線の両方または紫外線と電子線のいずれか一方の活性光線に対し透過性を有する基材フィルムに、紫外線等により重合硬化反応をする粘着剤層を塗布したものがある。この粘着シートは、ダイシング工程後に紫外線等を粘着剤層に照射し、粘着剤層を重合硬化させて粘着力を低下させた後、切断されたチップをピックアップする工程に使用される。【０００４】
近年、電子部品の小型化、薄型化に伴い、チップサイズの小型化が進んでおり、半導体ウエハ又は基板のダイシング工程において、チップ飛びやチッピング（チップの欠け）が発生しやすくなり、歩留まり低下の要因となる場合があった。またピックアップ工程において、ニードルピンの突き上げにより粘着シートの粘着剤層に割れが発生することがあった。粘着剤層に割れが生じると、割れた粘着剤層がチップに付着（糊残り）し、汚染やマウンティング工程の不良の原因となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２５６７９３号公報
【特許文献２】特開２００７−２４６６３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、小型、薄型の電子部品においても、ダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、ピックアップ工程においても容易に剥離でき且つ糊残り等の汚染が生じ難い半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法を提供することを目的する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するために、以下の手段を採用する。
（１）基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記粘着剤層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と、光重合性化合物２０〜１５０質量部と、硬化剤１〜１０質量部と、光重合開始剤１〜１０質量部とを有し、
前記（メタ）アクリル酸エステル重合体の２〜２０質量％が、カルボキシル基を有する単量体で、重量平均分子量が１０万〜７０万であり、
前記光重合性化合物が、アクリロイル基とメタクリロイル基の各々を少なくとも１つ以上、かつ合計４〜８つ有し、重量平均分子量が１０００〜５０００である半導体加工用粘着テープ。
（２）前記カルボキシル基を有する単量体がアクリル酸であることを特徴とする（１）に記載の半導体加工用粘着テープ
（３）半導体ウエハ又は基板と、リングフレームとに（１）または（２）に記載の半導体加工用粘着テープを貼り付ける貼付工程と、
前記半導体ウエハ又は前記基板をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にするダイシング工程と、
前記半導体加工用粘着テープに活性光線を照射する光照射工程と、
前記半導体チップ又は前記半導体部品同士の間隔を広げるため、前記半導体加工用粘着テープを引き伸ばすエキスパンド工程と
前記半導体加工用粘着テープから前記半導体チップ又は前記半導体部品をピックアップするピックアップ工程とを有する半導体チップ又は半導体部品の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明により、小型、薄型の電子部品においても、ダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、ピックアップが容易にでき、かつ糊残りが生じ難い半導体加工用粘着テープ及びそれを用いた半導体チップ又は半導体部品の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための好適な形態について説明する。なお、以下に説明する実施形態は、本発明の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本発明の範囲が狭く解釈されることはない。
【００１０】
＜用語の説明＞
本明細書において、（メタ）アクリル酸のように（メタ）を含む化合物は名称中に「メタ」を有する化合物と「メタ」を有さない化合物の総称である。
【００１１】
本発明に係る半導体加工用粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層を有する半導体加工用粘着テープであって、
前記粘着剤層を構成する粘着剤が（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部と、光重合性化合物２０〜１５０質量部と、硬化剤１〜１０質量部と、光重合開始剤１〜１０質量部とを有し、
前記（メタ）アクリル酸エステル重合体の２〜２０質量％が、カルボキシル基を有する単量体で、重量平均分子量が１０万〜７０万であり、
前記光重合性化合物が、アクリロイル基とメタクリロイル基の各々を少なくとも１つ以上、かつ合計４〜８つ有し、重量平均分子量が１０００〜５０００である、半導体加工用粘着テープである。
【００１２】
（（メタ）アクリル酸エステル共重合体）
本発明における（メタ）アクリル酸エステル共重合体としては、（メタ）アクリル酸等のカルボキシル基を有するモノマー及びそれらのエステルモノマーを重合させたポリマー、これらモノマーと共重合可能な不飽和単量体（例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル）を共重合させたコポリマーがある。本実施形態の粘着剤は、（メタ）アクリル酸エステル重合体中の２〜２０質量％がカルボキシル基含有単量体である。カルボキシル基含有単量体の配合比が２質量％より小さいと、被着体への粘着力が十分でなく、ダイシング時のチップ保持性が低下するため、チップ飛びが発生する。一方、カルボキシル基含有単量体の配合比が２０質量％より大きいと、弾性率が過剰に高くなり、粘着剤が被着体に十分に密着せず、ダイシング時のチップ飛びが発生する。
（メタ）アクリル酸エステル重合体の重量平均分子量は、１０万〜７０万であり、（メタ）アクリル酸エステル重合体の重量平均分子量が１０万より小さいと、弾性率が過剰に低下し、ダイシング時チッピングが発生する。一方、（メタ）アクリル酸エステル重合体の重量平均分子量が７０万より大きいと、弾性率が過剰に高くなり、粘着剤が被着体に十分に密着せず、ダイシング時のチップ飛びが発生する。
【００１３】
（メタ）アクリル重合体のエステルモノマーとしては、例えば、ブチル（メタ）アクリレート、２−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ミリスチル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００１４】
カルボキシル基を有する単量体としては、例えば、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、フマール酸、アクリルアミドＮ−グリコール酸、及びケイ皮酸等が挙げられ、メタクリル酸が好ましい。アクリル酸は、硬化剤を含有することによって、粘着力をより精密に調整することができるので特に好ましい。
【００１５】
（光重合性化合物）
本発明における光重合性化合物としてはウレタンアクリレートオリゴマーが用いられる。ウレタンアクリレートオリゴマーは、例えばアクリロイルオキシ基もしくはメタクリロイルオキシ基をもつ多価イソシアネートに、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートを反応させて得られる。
【００１６】
多価イソシアネート化合物には、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートなどが用いられる。
【００１７】
また、ヒドロキシ基を有する（メタ）アクリレートには、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、グリシドールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレートなどが用いられる。
【００１８】
光重合性化合物の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して２０〜１５０質量部であり、５０〜１００質量部がより好ましい。光重合性化合物の配合量が２０質量部より少ないと、光照射後の粘着シートの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、光重合性化合物の配合量が１５０質量部より多いと、光照射工程により粘着剤の弾性率が過剰に高くなり、ピックアップ工程で糊割れが生じてしまい、生産性低下の要因となる。
【００１９】
光重合性化合物の重量平均分子量は１０００〜５０００であり、アクリロイル基とメタクリロイル基の各々を少なくとも１つ以上、かつ合計４〜８つ有する。光重合性化合物の重量平均分子量が１０００より小さいと、ダイシング時に粘着剤が掻き上げられ、チップに糊残りが発生する。一方、光重合性化合物の重量平均分子量が５０００より大きいと、ＵＶ硬化により弾性率が過剰に高くなり、ピックアップ時にチップばらけが発生する。また、アクリロイル基とメタクリロイル基の合計が３つ以下では、紫外線等を照射後の粘着剤の硬化性が低下し、ピックアップ不良が生じやすく、合計が９つ以上では光照射工程により粘着剤が脆くなり、ピックアップ工程で糊割れが生じてしまい、生産性低下の要因となる。
【００２０】
（硬化剤）
硬化剤としては、多官能イソシアネート硬化剤、多官能エポキシ硬化剤、アジリン化合物、メラミン化合物等が挙げられる。
【００２１】
多官能イソシアネート硬化剤としては、例えば芳香族ポリイソシアネート硬化剤、脂肪族ポリイソシアネート硬化剤、脂環族ポリイソシアネート硬化剤があり、一般的にはアダクト型として二量体以上で使用される。
【００２２】
芳香族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４'−トルイジンジイソシアネート、２，４，６−トリイソシアネートトルエン、１，３，５−トリイソシアネートベンゼン、ジアニシジンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４'，４'−トリフェニルメタントリイソシアネート、ω，ω'−ジイソシアネート−１，３−ジメチルベンゼン、ω，ω'−ジイソシアネート−１，４−ジメチルベンゼン、ω，ω'−ジイソシアネート−１，４−ジエチルベンゼン、１，４−テトラメチルキシリレンジイソシアネート、及び１，３−テトラメチルキシリレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００２３】
脂肪族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えばトリメチレンジイソシアネート、テトラメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ペンタメチレンジイソシアネート、１，２−プロピレンジイソシアネート、２，３−ブチレンジイソシアネート、１，３−ブチレンジイソシアネート、ドデカメチレンジイソシアネート、及び２，４，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられる。
【００２４】
脂環族ポリイソシアネートは特に限定されず、例えば３−イソシアネートメチル−３，５，５−トリメチルシクロヘキシルイソシアネート、１，３−シクロペンタンジイソシアネート、１，３−シクロヘキサンジイソシアネート、１，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，４−シクロヘキサンジイソシアネート、メチル−２，６−シクロヘキサンジイソシアネート、４，４'−メチレンビス（シクロヘキシルイソシアネート）、１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサン、及び１，４−ビス（イソシアネートメチル）シクロヘキサンがある。
【００２５】
ポリイソシアネートのうち、１，３−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルジイソシアネート、１，４−フェニレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４'−トルイジンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネートが好適に用いられる。
【００２６】
多官能エポキシ硬化剤は、主にエポキシ基を２個以上、第３級窒素原子を１個以上有する化合物をいい、Ｎ・Ｎ−グリシジルアニリン、Ｎ・Ｎ−グリシジルトルイジン、ｍ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、ｐ−Ｎ・Ｎ−グリシジルアミノフェニルグリシジルエーテル、トリグリシジルイソシアヌレート、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'−テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン、Ｎ・Ｎ・Ｎ'・Ｎ'・Ｎ''−ペンタグリシジルジエチレントリアミンなどが挙げられる。
【００２７】
硬化剤の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体１００質量部に対して、１〜１０質量部であり、１．５〜５質量部であることがより好ましい。硬化剤の配合量が１質量部より少ないと、糊残りを生じやすくなる。一方、硬化剤の配合量を１０質量部より多いと粘着力の不足やチップばらけを生じてしまい、生産性低下の要因となる。
【００２８】
（光重合開始剤）
光重合開始剤としては、ベンゾイン、ベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン類、アントラキノン類、チオキサントン類、ケタール類、ベンゾフェノン類またはキサントン類などが用いられる。
【００２９】
ベンゾインとしては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテルなどがある。
【００３０】
アセトフェノン類としては、例えばベンゾインアルキルエーテル類、アセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−アセトフェノン、２，２―ジエトキシ−２−アセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノンなどがある。
【００３１】
アントラキノン類としては、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−ターシャリブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノンなどがある。
【００３２】
チオキサントン類としては、例えば２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントンなどがある。
【００３３】
ケタール類としては、例えばアセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルメタール、ベンジルジフエニルサルフアイド、テトラメチルチウラムモノサルフアイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどがある。
【００３４】
光重合開始剤の配合量は、（メタ）アクリル酸エステル重合体１００質量部に対して１〜１０質量部であり、１．５〜５質量部がより好ましい。配合量が１質量部より少ないと、光照射後の粘着シートからの剥離性が低下し、半導体チップのピックアップ不良を生じやすくなる。一方、配合量が１０量部より多いと、光重合開始剤が粘着剤表面へブリードアウトし、汚染の原因となる。
【００３５】
光重合開始剤には、必要に応じて従来公知の光重合促進剤を１種または２種以上を組合せて併用してもよい。
【００３６】
光重合促進剤には、安息香酸系や第三級アミンなどを用いることができる。第三級アミンとしては、トリエチルアミン、テトラエチルペンタアミン、ジメチルアミノエーテルなどが挙げられる。  
【００３７】
（粘着付与樹脂）
粘着付与樹脂として、テルペンフェノール樹脂を完全又は部分水添されたテルペンフェノール樹脂を添加してもよい。
【００３８】
（添加剤等）
粘着剤には、例えば、軟化剤、老化防止剤、充填剤、導電剤、紫外線吸収剤、及び光安定剤等の各種添加剤を添加してもよい。
【００３９】
粘着剤層の厚みは、３〜７μｍが好ましい。粘着剤層が厚過ぎるとチッピングが発生しやすくなる。また、粘着剤層が薄過ぎると粘着力が低くなり過ぎ、ダイシング時のチップ保持性が低下しチップ飛びが発生する場合や、リングフレームとシートとの間で剥離が生じる場合がある。
【００４０】
（基材フィルム）
基材フィルムの材料としては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸−アクリル酸エステルフィルム、エチレン−エチルアクリレート共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、プロピレン系共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、および、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体やエチレン−（メタ）アクリル酸−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等を金属イオンで架橋したアイオノマ樹脂などが挙げられる。基材フィルムは、これら樹脂の混合物又は共重合体であって良い。
【００４１】
基材フィルムは、上記材料からなる単層あるいは多層のフィルムあるいはシートであってよく、異なる材料からなるフィルム等を積層したものであってもよい。基材フィルムの厚さは５０〜２００μｍが好ましく、７０〜１５０μｍがより好ましい。
【００４２】
基材フィルムには、帯電防止処理を施すことが好ましい。帯電防止処理としては、基材フィルムに帯電防止剤を配合する処理、基材フィルム表面に帯電防止剤を塗布する処理、コロナ放電による処理がある。
【００４３】
帯電防止剤としては、例えば四級アミン塩単量体などを用いることができる。四級アミン塩単量体としては、例えばジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、メチルエチルアミノエチル（メタ）アクリレート四級塩化物、ｐ−ジメチルアミノスチレン四級塩化物、およびｐ−ジエチルアミノスチレン四級塩化物が挙げられる。このうち、ジメチルアミノエチルメタクリレート四級塩化物が好ましい。
【００４４】
滑り剤及び帯電防止剤の使用方法は特に限定されないが、例えば基材フィルムの片面に粘着剤を塗布し、その裏面に滑り剤と帯電防止剤の両方もしくは一方を塗布してもよく、滑り剤と帯電防止剤の両方もしくはいずれか一方を基材フィルムの樹脂に練り込んでシート化しても良い。
【００４５】
基材フィルムの片面に粘着剤を積層し、他方の面は平均表面粗さ（Ｒａ）が０．３〜１．５μｍのエンボス面とすることが可能である。エキスパンド装置の機械テーブル側にエンボス面を設置することにより、ダイシング後のエキスパンド工程で基材フィルムを容易に拡張することができる。
【００４６】
ダイシング後のエキスパンド性を向上させるために、基材フィルムの粘着剤非接触面に滑り剤を塗付したり、基材フィルムに滑り剤を練り込むことができる。
【００４７】
滑り剤は、粘着シートとエキスパンド装置の摩擦係数を低下させる物質であれば特に限定されず、例えばシリコーン樹脂や（変性）シリコーン油等のシリコーン化合物、フッ素樹脂、六方晶ボロンナイトライド、カーボンブラック、及び二硫化モリブデン等が挙げられる。これらの摩擦低減剤は複数の成分を混合してもよい。電子部品の製造はクリーンルームで行われるため、シリコーン化合物又はフッ素樹脂を用いることが好ましい。シリコーン化合物の中でも特にシリコーンマクロモノマ単位を有する共重合体は帯電防止層との相溶性が良く、帯電防止性とエキスパンド性のバランスが図れるため、好適に用いられる。
【００４８】
本発明に係る電子部品の製造方法の工程を説明する。
【００４９】
（１）貼付工程
貼付工程において、半導体加工用粘着テープを半導体ウエハ又は基板と、リングフレームに貼り付ける。ウエハは、シリコンウエハ、ガリウムナイトライドウエハ、炭化ケイ素ウエハあるいはサファイアウエハなどの従来汎用のウエハであってよい。基板は樹脂でチップを封止したパッケージ基板、ＬＥＤパッケージ基板、セラミック基板などの汎用の基板であってよい。
【００５０】
（２）ダイシング工程
ダイシング工程において、シリコンウエハ等をダイシングして半導体チップ又は半導体部品にする。
【００５１】
（３）光照射工程
光照射工程において、基材フィルム側から光硬化型粘着剤層に紫外線等の活性光線を照射する。紫外線の光源としては、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、メタルハライドランプ、ブラックライトを用いることができる。また、紫外線に代えて電子線を用いてもよく、電子線の光源としてはα線、β線、γ線を用いることができる。
【００５２】
光照射により粘着剤層は三次元網状化して硬化し、粘着剤層の粘着力が低下する。本発明に係る半導体加工用粘着テープは加温してもウエハ等に過度に密着することがないため、紫外線等の照射により十分な接着力の低下が得られる。
【００５３】
（４）エキスパンド・ピックアップ工程
エキスパンド・ピックアップ工程において、半導体チップ同士の間隔を広げるため粘着シートを引き伸ばし、チップ又は部品をニードルピン等で突き上げる。その後、チップ又は部品を真空コレットまたはエアピンセット等で吸着し、半導体加工用粘着テープの粘着剤層から剥離してピックアップする。本発明に係る粘着シートでは紫外線等の照射により粘着剤の弾性率を維持しつつ十分な接着力の低下が得られているため、チップ又は部品と粘着剤層との間の剥離が容易となり、ピックアップが良好であり、糊残りなどの不良が生じることもない。
【００５４】
＜半導体加工用粘着テープの製造＞
基材フィルム上に粘着剤層を塗布して半導体加工用粘着テープとする。方法としては、例えばグラビアコーター、コンマコーター、バーコーター、ナイフコーター又はロールコーターといったコーターで基材フィルム上に粘着剤を直接塗布する方法や、剥離フィルムに粘着剤を塗布／乾燥後に基材フィルムに貼り合わせる方法がある。凸板印刷、凹板印刷、平板印刷、フレキソ印刷、オフセット印刷、又はスクリーン印刷等で基材フィルム上に粘着剤を印刷してよい。
【００５５】
実施例、比較例に係る粘着剤組成物及び半導体加工用粘着テープを次の処方で製造した。配合と結果を表１〜３に示す。
【００５６】
【表１】
2017018270.tif 000002
【００５７】
【表２】
2017018270.tif 000003
【００５８】
【表３】
2017018270.tif 000004
【００５９】
表１〜３中の（メタ）アクリル酸エステル重合体、光重合性化合物、硬化剤、光開始剤についての数値は、（メタ）アクリル酸エステル共重合体を１００部としたときの質量部等を示す。また、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、光重合性化合物、硬化剤、光重合開始剤の詳細は、以下の通りである。
＜（メタ）アクリル酸エステル重合体＞
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ａ〜ｄ：
２−エチルへキシルアクリレート３８質量％、メチルアクリレート６０質量％、アクリル酸２質量％の共重合体、重量平均分子量を１０万、３０万、５０万、７０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｅ〜ｈ：
２−エチルへキシルアクリレート３２質量％、メチルアクリレート６０質量％、アクリル酸８質量％の共重合体、重量平均分子量を１０万、３０万、５０万、７０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｉ〜ｌ：
２−エチルへキシルアクリレート１８質量％、メチルアクリレート６８質量％、アクリル酸１４質量％の共重合体、重量平均分子量を１０万、３０万、５０万、７０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｍ〜ｐ：
２−エチルへキシルアクリレート２０質量％、メチルアクリレート６０質量％、アクリル酸２０質量％の共重合体、重量平均分子量を１０万、３０万、５０万、７０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｑ〜ｓ：
２−エチルへキシルアクリレート２２質量％、メチルアクリレート６８質量％、アクリル酸１０質量％の共重合体、重量平均分子量を４０万、５万、８０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｔ：
２−エチルへキシルアクリレート３９質量％、メチルアクリレート６０質量％、アクリル酸１質量％の共重合体、重量平均分子量を４０万に調整。
・（メタ）アクリル酸エステル重合体ｕ：
２−エチルへキシルアクリレート３５質量％、メチルアクリレート６０質量％、アクリル酸２１質量％の共重合体、重量平均分子量を４０万に調整。
＜光重合性化合物＞
・光重合性化合物ａ：アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基をそれぞれ１つずつ有するジイソシアネート化合物（ＢＡＳＦ社製Ｌａｒｏｍｅｒ  ＬＲ９０００）に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基およびヒドロキシ基をそれぞれ１つずつ有する化合物(共栄社化学製ライトエステルＧ−２０１Ｐ)を反応させた、アクリロイル基が３つ、メタクリロイル基が３つ、重量平均分子量が３，０００のウレタンアクリレート。
・光重合性化合物ｂ：アクリロイルオキシ基を２つ有するジイソシアネート化合物に、メタクリロイルオキシ基とヒドロキシ基をそれぞれ１つずつ有する化合物(三菱ガス化学製２−ヒドロキシエチルメタクリレート)を反応させた、アクリロイル基が２つ、メタクリロイル基が２つ、重量平均分子量が１，０００のウレタンアクリレート。
・光重合性化合物ｃ：アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基をそれぞれ２つずつ有するジイソシアネート化合物に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基およびヒドロキシ基をそれぞれ１つずつ有する化合物(共栄社化学製ライトエステルＧ−２０１Ｐ)を反応させた、アクリロイル基が４つ、メタクリロイル基が４つ、重量平均分子量が５，０００のウレタンアクリレート。
・光重合性化合物ｄ：アクリロイルオキシ基を１つ有するジイソシアネート化合物に、メタクリロイルオキシ基とヒドロキシ基をそれぞれ１つずつ有する化合物(三菱ガス化学製２−ヒドロキシエチルメタクリレート)を反応させた、アクリロイル基が１つ、メタクリロイル基が２つ、重量平均分子量が５００のウレタンアクリレート。
・光重合性化合物ｅ：アクリロイルオキシ基を２つおよびメタクリロイルオキシ基を３つ有するジイソシアネート化合物に、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基およびヒドロキシ基をそれぞれ１つずつ有する化合物(共栄社化学製ライトエステルＧ−２０１Ｐ)を反応させた、アクリロイル基が４つ、メタクリロイル基が５つ、重量平均分子量が８，０００のウレタンアクリレート。
＜硬化剤＞
・硬化剤ａ：２，４−トリレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体（東ソー製コロネートＬ−４５Ｅ）。
・硬化剤ｂ：ヘキサメチレンジイソシアネートのトリメチロールプロパンアダクト体（東ソー製コロネートＨＬ）。
＜光重合開始剤＞
・光開始剤ａ：１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ製ＩＲＧＡＣＵＲＥ１８４）。
・光重合開始剤ｂ：ベンジルジメチルケタール（ＢＡＳＦ製ＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１）。
【００６０】
（１）重量平均分子量
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）により、測定した。
装置：ＧＰＣ−８０２０  ＳＥＣ  システム（東ソー社製）
カラム：ＴＳＫ  Ｇｕａｒｄ  ＨＺ−Ｌ  ＋  ＨＺＭ−Ｎ  ６．０×１５０ｍｍ×３
流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ−８０２０
濃度：０．２ｗｔ／Ｖｏｌ％
注入量：２０μＬ
カラム温度：４０℃
システム温度：４０℃
溶媒：ＴＨＦ
検量線：標準ポリスチレン（ＰＬ社製）を用いて作成。
重量平均分子量（Ｍｗ）：ポリスチレン換算値。
【００６１】
（２）チッピング、チップ保持性、ピックアップ性及び汚染性の評価
半導体加工用粘着テープをダミーの回路パターンを形成した直径８インチ×厚み０．１５ｍｍのシリコンウエハとリングフレームに貼り合わせ、ダイシング、ピックアップを行った。
【００６２】
ダイシング工程の条件は以下の通りとした。
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ社製ＤＡＤ３４１
ダイシングブレード：ＤＩＳＣＯ社製ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｏ−２７ＨＥＥＥ
ダイシングブレード形状：外径５５．５６ｍｍ、刃幅３５μｍ、内径１９．０５ｍｍ
ダイシングブレード回転数：４０、０００ｒｐｍ
ダイシングブレード送り速度：１００ｍｍ／秒
ダイシングサイズ：１．０ｍｍ角
粘着シートへの切り込み量：３０μｍ
切削水温度：２５℃
切削水量：１．０リットル／分
【００６３】
ピックアップ工程の条件は以下の通りとした。
ピックアップ装置：キヤノンマシナリー社製ＣＡＰ−３００ＩＩ
エキスパンド量：８ｍｍ
ニードルピン形状：７０μｍＲ
ニードルピン数：１本
ニードルピン突き上げ高さ：０．５ｍｍ
【００６４】
ダイシング工程およびピックアップ工程において、以下の評価を行った。
【００６５】
（２−１）チッピング
チッピングは、ピックアップしたチップを無作為に５０個選択し、チップの裏面の４辺を５００倍の顕微鏡にて観察し、最大の欠けの大きさについて以下の基準により評価した。
◎（優）：最大の欠けの大きさが２５μｍ未満
○（良）：最大の欠けの大きさが２５μｍ以上５０μｍ未満
×（不可）：最大の欠けの大きさが５０μｍ以上
【００６６】
（２−２）チップ保持性
チップ保持性は、ダイシング工程後において、半導体チップが粘着シートに保持されている半導体チップの残存率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）：チップ飛びが５％未満
○（良）：チップ飛びが５％以上１０％未満
×（不可）：チップ飛びが１０％以上
【００６７】
（２−３）ピックアップ性
ピックアップ性は、ピックアップ工程において、半導体チップがピックアップできた率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）：チップのピックアップ成功率が９５％以上
○（良）：チップのピックアップ成功率が８０％以上９５％未満
×（不可）：チップのピックアップ成功率が８０％未満  
【００６８】
（２−４）汚染性
粘着シートをシリコン製ミラーウエハに貼り付けて、２０分後に高圧水銀灯で紫外線を１５０ｍＪ／ｃｍ２照射した後、粘着シートを剥離した。シリコン製ミラーウエハの貼り付け面上に残留した０．２８μｍ以上の粒子数をパーティクルカウンターにて測定した。
◎（優）：パーティクルが５００個以下
○（良）：パーティクルが５０１個以上２０００個未満。
×（不可）：パーティクルが２０００個以上。
【００６９】
（２−５）チップばらけ
チップばらけは、ピックアップ工程において、ピックアップしようとした半導体チップの隣接する半導体チップがピン突き上げの衝撃によりばらけてしまった率に基づき、以下の基準により評価した。
◎（優）：チップばらけが１％未満
○（良）：チップばらけが１％以上３％未満
×（不可）：チップばらけが３％以上  
【００７０】
（２−６）総合判定
上記のチッピングからチップばらけまでの評価において、最も悪い評価結果を総合判定とした。
【００７１】
表１、２および３の結果から、本発明の実施例の半導体加工用粘着テープはダイシング工程でのチップ飛び及びチッピングを抑制でき、ピックアップ工程においても容易に剥離でき且つ糊残り等の汚染が生じ難いことが分かった。
【国際調査報告】
2017018270.tif 000005
2017018270.tif 000006
2017018270.tif 000007
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