(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】フリップチップ接続方式により、搭載された半導体チップ１０と配線基板の間に以下のように樹脂（アンダーフィル材）４ａを供給する。半導体チップ１０の表面は、複数のバンプ（突起電極）が第１の配置密度で規則的に配置される領域ＮＲ１と、第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で複数のバンプが配置される領域ＮＲ２を含んでいる。ここで、樹脂４ａを供給する工程では、領域ＮＲ１が樹脂４ａで満たされる前に、複数のバンプの配置密度が低い領域ＮＲ２に樹脂４ａを供給する。【選択図】図２９
2014045080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載面、前記チップ搭載面に形成された複数の端子を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）平面視において四角形を成す表面、前記表面に形成された複数の突起電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップを、前記表面が前記配線基板の前記チップ搭載面と対向するように前記配線基板上に配置し、前記複数の端子と前記複数の突起電極を電気的に接続する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップと前記配線基板の間にアンダーフィル材を供給する工程；
ここで、
前記半導体チップの前記表面および前記裏面は、
第１辺、前記第１辺と交差する第２辺、前記第１辺と交差し、かつ、前記第２辺と対向する第３辺、第１辺と対向する第４辺、前記第１辺と前記第２辺の交点である第１角部、前記第１辺と前記第３辺の交点である第２角部、前記第２辺と前記第４辺の交点である第３角部、および前記第３辺と前記第４辺の交点である第４角部を備え、
前記半導体チップの前記表面は、第１の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第１領域、前記第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第２領域、および前記第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第３領域を備え、
前記第２領域は、前記半導体チップの４つの辺のうち前記第２辺に最も近くなる位置に配置され、
前記第３領域は、前記半導体チップの４つの辺のうち前記第３辺に最も近くなる位置に配置され、
前記（ｃ）工程には、以下の工程が含まれる；
（ｃ１）前記アンダーフィル材を供給する供給装置の吐出口を、前記半導体チップの前記第１角部側から前記第２角部側に向かって、前記第１辺に沿って移動させながら、前記アンダーフィル材を吐出する工程；
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程；
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記吐出口を、前記第２辺側であって、かつ、前記（ｃ１）工程で前記第１辺側から供給された前記アンダーフィル材が既に充填されている第１位置まで移動させる工程；
（ｃ４）前記（ｃ３）工程の後、前記吐出口から前記アンダーフィル材の吐出を再開させて、前記第２辺側から前記アンダーフィル材を供給する工程；
（ｃ５）前記（ｃ４）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程；
（ｃ６）前記（ｃ５）工程の後、前記吐出口を、前記第３辺側であって、かつ、前記（ｃ１）工程で前記第１辺側から供給された前記アンダーフィル材が既に充填されている第２位置まで移動させる工程；
（ｃ７）前記（ｃ３）工程の後、かつ、前記アンダーフィル材が前記半導体チップの前記表面の前記第２領域に到達する前に、前記吐出口から前記アンダーフィル材の吐出を再開させて、前記第３辺側から前記アンダーフィル材を供給する工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２領域は、前記半導体チップの４つの角部のうち前記第３角部に最も近くなる位置に配置され、
前記第３領域は、前記半導体チップの４つの角部のうち前記第４角部に最も近くなる位置に配置される半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記半導体チップの前記表面は、前記第１の配置密度よりも低い第４の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第４領域をさらに備え、
前記第４領域は、前記半導体チップの４つの辺のうち前記第１辺に最も近くなる位置に配置される半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記（ｃ４）工程では、前記吐出口を前記第１角部側から前記第３角部側に向かって前記第２辺に沿って移動させ、
前記（ｃ７）工程では、前記吐出口を前記第２角部側から前記第４角部側に向かって前記第３辺に沿って移動させる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記（ｃ１）工程では、第１の供給量で前記第１辺側から前記アンダーフィル材を供給し、
前記（ｃ４）工程では、第１の供給量よりも少ない第２の供給量で前記第２辺側から前記アンダーフィル材を供給する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記（ｃ１）工程では、第１の供給量で前記第１辺側から前記アンダーフィル材を供給し、
前記（ｃ７）工程では、第１の供給量よりも少ない第３の供給量で前記第３辺側から前記アンダーフィル材を供給する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｃ１）工程では、第１の供給量で前記第１辺側から前記アンダーフィル材を供給し、
前記（ｃ４）工程では、第１の供給量よりも少ない第２の供給量で前記第２辺側から前記アンダーフィル材を供給し、
前記（ｃ７）工程では、第１の供給量よりも少ない第３の供給量で前記第３辺側から前記アンダーフィル材を供給する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記第３領域は、平面視において、前記半導体チップの前記第３辺に沿った第１方向の長さが、前記第１辺に沿った第２方向の長さよりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２領域は、平面視において、前記半導体チップの前記第２辺に沿った第１方向の長さが、前記第１辺に沿った第２方向の長さよりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
平面視において、前記半導体チップは四角形を成し、前記第１辺および前記第４辺の長さは、前記第２辺および前記第３辺よりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記半導体チップの前記表面には、
前記第１の配置密度よりも低い配置密度で前記複数の突起電極が配置される領域が、前記第２辺および前記第３辺に沿って、それぞれ３箇所以上設けられる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１において、
前記（ｃ４）工程では、前記吐出口を前記第１角部と前記第３角部の間で静止させた状態で前記アンダーフィル材を吐出させ、
前記（ｃ７）工程では、前記吐出口を前記第２角部と前記第４角部の間で静止させた状態で前記アンダーフィル材を吐出させる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１において、
前記第２領域および前記第３領域は、前記第２辺の中央部と前記第３辺の中央部を結ぶ仮想線上に配置され、
前記半導体チップは、平面視において長方形を成し、
前記第２辺および前記第３辺の長さは、前記第１辺および前記第４辺の長さよりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載面、前記チップ搭載面に形成された複数の端子を有する配線基板を準備する工程；
（ｂ）平面視において四角形を成す表面、前記表面に形成された複数の突起電極、および前記表面の反対側に位置する裏面を有する半導体チップを、前記表面が前記配線基板の前記チップ搭載面と対向するように前記配線基板上に配置し、前記複数の端子と前記複数の突起電極を電気的に接続する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップと前記配線基板の間にアンダーフィル材を供給する工程；
ここで、
前記半導体チップの前記表面および前記裏面は、
第１辺、前記第１辺と交差する第２辺、前記第１辺と交差し、かつ、前記第２辺と対向する第３辺、第１辺と対向する第４辺、前記第１辺と前記第２辺の交点である第１角部、前記第１辺と前記第３辺の交点である第２角部、前記第２辺と前記第４辺の交点である第３角部、および前記第３辺と前記第４辺の交点である第４角部を備え、
前記半導体チップの前記表面は、第１の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第１領域、および前記第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第２領域、を備え、
前記第２領域は、前記半導体チップの他の辺よりも前記第１辺に最も近くなる位置に配置され、
前記（ｃ）工程には、以下の工程が含まれる；
（ｃ１）前記アンダーフィル材を供給する供給装置の吐出口を、前記半導体チップの前記第１辺のうち、前記第２領域に沿った第１部分に沿って、前記第１辺の一部を移動させ、前記第１部分において前記吐出口から前記アンダーフィル材を吐出する工程；
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程；
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記半導体チップの前記第１角部から前記第２角部に向かって、かつ、前記半導体チップの前記第１辺に沿って、前記吐出口から前記アンダーフィル材を吐出する工程。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記半導体チップの前記表面は、前記第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第３領域、をさらに備え、
前記第３領域は、前記半導体チップの他の角部よりも前記第２角部に最も近くなる位置に配置され、
前記（ｃ）工程には、前記（ｃ２）工程と前記（ｃ３）工程の間に、更に以下の工程が含まれる；
（ｃ２１）前記アンダーフィル材を供給する供給装置の吐出口を、前記半導体チップの前記第１辺のうち、前記第３領域に沿った第２部分に沿って、前記第１辺の一部を移動させ、前記第２部分において前記吐出口から前記アンダーフィル材を吐出する工程；
（ｃ２２）前記（ｃ２１）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程。
【請求項１６】
請求項１４において、
前記半導体チップの前記表面は、前記第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第３領域、をさらに備え、
前記第３領域は、前記半導体チップの他の辺よりも前記第２辺に最も近くなる位置に配置され、
前記（ｃ）工程には、更に以下の工程が含まれる；
（ｃ４）前記（ｃ３）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程；
（ｃ５）前記（ｃ４）工程の後、前記吐出口を、前記第２辺側であって、かつ、前記第１辺側から供給された前記アンダーフィル材が既に充填されている第１位置まで移動させる工程；
（ｃ６）前記（ｃ４）工程の後、前記吐出口から前記アンダーフィル材の吐出を再開させて、前記第２辺側から前記アンダーフィル材を供給する工程。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記半導体チップの前記表面は、前記第１の配置密度よりも低い第４の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第４領域、をさらに備え、
前記第４領域は、前記半導体チップの他の辺よりも前記第３辺に最も近くなる位置に配置され、
前記（ｃ）工程には、更に以下の工程が含まれる；
（ｃ７）前記（ｃ６）工程の後、前記吐出口からの前記アンダーフィル材の吐出を停止させる工程；
（ｃ８）前記（ｃ７）工程の後、前記吐出口を、前記第３辺側であって、かつ、前記第１辺側から供給された前記アンダーフィル材が既に充填されている第２位置まで移動させる工程；
（ｃ９）前記（ｃ６）工程の後、かつ、前記アンダーフィル材が前記半導体チップの前記表面の前記第４領域に到達する前に、前記吐出口から前記アンダーフィル材の吐出を再開させて、前記第３辺側から前記アンダーフィル材を供給する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、半導体チップの電極形成面が配線基板の接続端子形成面と対向するように搭載する半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップをフリップチップ接続方式により基板上に搭載し、半導体チップと基板の間にアンダーフィル樹脂を注入する技術がある（例えば特許文献１（特開２０１０−２３２６７１号公報）や特許文献２（特開２００７−１５７８００号公報）を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２３２６７１号公報
【特許文献２】特開２００７−１５７８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
フリップチップ接続方式では、半導体チップの複数の電極パッドの形成面上に複数の突起電極（バンプ電極、バンプ）を形成する。そして、突起電極を配線基板側の端子と接続することで、半導体チップと配線基板を電気的に接続する。また、複数の突起電極に加わる応力を緩和して、半導体装置の信頼性を向上させる観点から、半導体チップと配線基板の間にアンダーフィルとして、例えば樹脂材料を配置することが好ましい。
【０００５】
しかしながら、上記のような半導体装置においては、半導体チップと配線基板の間に配置されるアンダーフィル材の内部に気泡（ボイド）が残ってしまう場合がある。そして、アンダーフィル材の内部に気泡が残ると、応力緩和機能が十分に発揮されない場合がある。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
【０００８】
すなわち、一態様である半導体装置の製造方法は、フリップチップ接続方式により、半導体チップと配線基板を電気的に接続する工程を含んでいる。また、前記半導体チップの表面側に形成された複数の突起電極と、前記配線基板のチップ搭載面に形成された複数の端子を電気的に接続した後、前記半導体チップと前記配線基板の間にアンダーフィル材を供給する工程を含んでいる。前記半導体チップの前記表面は、前記複数の突起電極が第１の配置密度で規則的に配置される第１領域と、前記第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で前記複数の突起電極が配置される第２領域を含んでいる。ここで、前記アンダーフィル材を供給する工程では、前記第１領域が前記アンダーフィル材で満たされる前に、前記複数の突起電極の配置密度が低い前記第２領域に前記アンダーフィル材を供給するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本願において開示される代表的な実施の形態によって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１０】
すなわち、本願において開示される代表的な実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施の形態の半導体装置の全体構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体装置の実装面側を示す平面図である。
【図３】図１に示す半導体装置のチップ搭載面側を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図５】図３に示す半導体チップの表面側を示す平面図である。
【図６】図５に示す半導体チップの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】図３に示す半導体チップおよびアンダーフィルを取り除いた状態で示す平面図である。
【図８】図４のＢ部の拡大断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の製造工程の概要を示す説明図である。
【図１０】図９に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図である。
【図１１】図１０のＢ部の拡大平面図である。
【図１２】図１１の一部の拡大断面図である。
【図１３】図９に示す集積回路形成工程で準備するウエハを示す平面図である。
【図１４】図１３に示すウエハの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図１５】図１４に示すヒューズを切断した状態を示す拡大断面図である。
【図１６】図１５に示すランド部上にバンプを接合した状態を示す拡大断面図である。
【図１７】図１１に示すチップ搭載領域上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１８】図１７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１９】図１７に示す半導体チップと配線基板の間にアンダーフィル材を供給した後の状態を示す拡大平面図である。
【図２０】図９に示す封止工程で、アンダーフィル材をノズルから供給する状態を示す拡大断面図である。
【図２１】図９に示すボールマウント工程で、複数のランド上に半田ボールを接合した状態を示す拡大断面図である。
【図２２】図１９に示す実施態様を単純化したモデルで、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。
【図２３】図２２とは異なる辺側から樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。
【図２４】図２３に対する変形例である半導体チップにおいて、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。
【図２５】図２３に対する他の変形例である半導体チップにおいて、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。
【図２６】図１９に示す実施態様における樹脂（アンダーフィル材）の供給方法の一例を模式的に示した説明図である。
【図２７】図２６とは別の供給方法の例を模式的に示した説明図である。
【図２８】図９に示す封止工程の詳細フローを示す説明図である。
【図２９】図２８のフローに対応する樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。
【図３０】突起電極の配置密度が低い領域の平面形状が長細い場合の例を模式的に示す説明図である。
【図３１】図３０に示す例における樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。
【図３２】図３１に対する変形例である樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。
【図３３】図３１に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【図３４】図３１に示す半導体チップに対する他の変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【図３５】図３４に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【図３６】図２３に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【図３７】図３１に示す樹脂の供給方法に対する変形例を示す説明図である。
【図３８】図３に対する変形例である半導体装置の上面側を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１３】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１４】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１５】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１６】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１７】
＜半導体装置＞
図１は本実施の形態の半導体装置の全体構造を示す斜視図である。また、図２は、図１に示す半導体装置の実装面側を示す平面図である。また、図３は、図１に示す半導体装置のチップ搭載面側を示す平面図、図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１８】
図１に示すように、本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ１０、および半導体チップ１０を搭載する基材であって、半導体チップ１０と電気的に接続される配線基板（基材、インタポーザ）３を有している。また、図１および図３に示すように半導体チップ１０と配線基板３の間には、例えば樹脂からなる、アンダーフィル（アンダーフィル樹脂、樹脂材、応力緩和部材）４が配置される。
【００１９】
また、図２に示すように、配線基板３の実装面である下面（面）３ｂには複数の外部端子となる複数の半田ボール５が配置されている。詳しくは、半田ボール５は、平面視において行列状（アレイ状、マトリクス状）に配置されている。半導体装置１のように外部端子である半田ボール５を、実装面において行列状に配置したパッケージは、エリアアレイ型の半導体装置と呼ばれる。エリアアレイ型の半導体装置１は、実装面となる配線基板３の下面３ｂを外部端子の配置スペースとして有効に活用することができるため、実装面積の増大を抑制しつつ、かつ、端子数を増加させることができる。
【００２０】
＜半導体チップの詳細＞
次に、図１に示す半導体チップ１０の詳細について説明する。図５は、図３に示す半導体チップの表面側を示す平面図、図６は図５に示す半導体チップの一部を拡大して示す拡大断面図である。
【００２１】
図４に示すように、半導体チップ１０は、表面１０ａ、表面１０ａの反対側に位置する裏面１０ｂを備えている。図３または図５に示すように、表面１０ａ（図５参照）および裏面１０ｂ（図３参照）は、それぞれ平面視において四角形を成す。言い換えれば、半導体チップ１０の表面１０ａおよび裏面１０ｂは、図３および図５に示すように、辺Ｈ１、辺Ｈ１と交差する辺Ｈ２、辺Ｈ１と交差し、かつ、辺Ｈ２と対向する辺Ｈ３、辺Ｈ１と対向する辺Ｈ４を備える。また、半導体チップ１０の表面１０ａおよび裏面１０ｂは、辺Ｈ１と辺Ｈ２の交点である角部Ｋ１、辺Ｈ１と辺Ｈ３の交点である角部Ｋ２、辺Ｈ２と辺Ｈ４の交点である角部Ｋ３、および辺Ｈ３と辺Ｈ４の交点である角部Ｋ４を備える。図３および図５に示す例では、表面１０ａおよび裏面１０ｂはそれぞれ、短辺（辺Ｈ１、Ｈ４）の長さが約６ｍｍ、長辺（辺Ｈ２、Ｈ３）の長さが約８ｍｍの長方形を成す。
【００２２】
また、図５に示すように、半導体チップ１０の表面１０ａには、半導体チップ１０の外部電極（外部機器との間で信号や電位の入出力を行う電極）である複数のバンプ（突起電極）１１が形成される。複数のバンプ１１は、例えば半田、金、および銅などの導電性材料（金属材料）から成り、複数のバンプ１１は半導体チップ１０の表面１０ａに規則的に配置される。言い換えれば、半導体チップ１０の外部電極配置は、複数のバンプ１１が表面１０ａ上に格子状に配置される、エリアアレイ型外部電極配置である。図５に示す例では、複数のバンプ１１は、千鳥格子状に配列されている。
【００２３】
一般に、半導体チップの外部電極は、外部電極形成面の周縁部に沿って配列され、外部電極形成面の中央部には配置されない。しかし、本実施の形態の半導体チップ１０のように表面１０ａの周縁部に加え、中央部（領域ＮＲ１）にも外部電極である複数のバンプ１１を配置する、エリアアレイ型の配置とすることで、単位面積当たりの外部電極の数を増加させることができる。言い換えれば、半導体チップ１０の表面１０ａを外部電極の配置スペースとして有効活用することで、半導体チップ１０の平面サイズを小型化できる。
【００２４】
ただし、複数のバンプ１１の配置密度は、表面１０ａ全体で一様ではなく、異なる配置密度の領域が存在する。すなわち、半導体チップ１０の表面１０ａは、第１の配置密度で複数のバンプ１１が規則的に配置される領域ＮＲ１を備える。領域ＮＲ１では、複数のバンプ１１が千鳥格子状に配置され、隣り合うバンプ１１の中心間距離は、例えばそれぞれ２８０μｍ程度である。また、半導体チップ１０の表面１０ａは、第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で複数のバンプ１１が配置される領域ＮＲ２を備える。領域ＮＲ２では、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、バンプ１１を配置すべき場所にバンプ１１が配置されていない。このため、領域ＮＲ２では、複数のバンプ１１の配置密度が、領域ＮＲ１よりも低く、例えば、隣り合うバンプ１１間の距離が、５６０〜８４０μｍとなっている。
【００２５】
また、半導体チップ１０の表面１０ａは、第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で複数のバンプ１１が配置される領域ＮＲ３を備える。領域ＮＲ３では、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、バンプ１１を配置すべき場所にバンプ１１が配置されていない。このため、領域ＮＲ３では、複数のバンプ１１の配置密度が、領域ＮＲ１よりも低く、例えば、隣り合うバンプ１１間の距離が、５６０〜８４０μｍとなっている。なお、図５に示す例では、領域ＮＲ２と領域ＮＲ３は、複数のバンプ１１が同じ配置密度で配置された例を示している。しかし、以下で説明する本実施の形態の半導体装置の製造技術は、領域ＮＲ２と領域ＮＲ３の配置密度が異なる例にも適用できる。
【００２６】
また、半導体チップ１０の表面１０ａは、第１の配置密度よりも低い第４の配置密度で複数のバンプ１１が配置される領域ＮＲ４を備える。また、半導体チップ１０の表面１０ａは、第１の配置密度よりも低い第５の配置密度で複数のバンプ１１が配置される領域ＮＲ５を備える。領域ＮＲ４、ＮＲ５では、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、バンプ１１を配置すべき場所にバンプ１１が配置されていない。このため、領域ＮＲ４、ＮＲ５では、複数のバンプ１１の配置密度が、領域ＮＲ１よりも低く、例えば、隣り合うバンプ１１間の距離が、５６０〜８４０μｍとなっている。なお、図５に示す例では、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれは、複数のバンプ１１が同じ配置密度で配置された例を示している。しかし、以下で説明する本実施の形態の半導体装置の製造技術は、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれの配置密度が異なる例にも適用できる。
【００２７】
また、図５に示す例では、領域ＮＲ１よりも配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５は、以下のように配置される。すなわち、領域ＮＲ２は、半導体チップ１０の４つの角部のうち角部Ｋ３に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ３は、半導体チップ１０の４つの角部のうち角部Ｋ４に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ４は、半導体チップ１０の４つの角部のうち角部Ｋ１に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ５は、半導体チップ１０の４つの角部のうち角部Ｋ２に最も近くなる位置に配置される。
【００２８】
また、図６に示すように、半導体チップ１０は、主面（半導体素子形成面、表面）１２ａおよび主面１２ａの反対側に位置する主面（裏面）１２ｂを備え、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基材である半導体基板１２を有する。半導体基板１２の主面１２ｂは、半導体チップ１０の裏面１０ｂを構成する。半導体基板１２の主面１２ａには、半導体素子形成領域１２ｃが配置され、半導体素子形成領域１２ｃに、例えばトランジスタやダイオードなど、複数の半導体素子（図示は省略）が形成されている。
【００２９】
これらの半導体素子は、主面１２ａ上に形成された配線層（第１配線層、チップ配線層）１３を介して、配線層１３の最上層に形成されたパッド（電極パッド）ＰＤに電気的に接続されている。詳しくは、半導体素子は、配線層１３内に形成された複数の内部配線（配線）１３ａおよび配線層の最上層に形成された複数の表面配線（配線、最上層配線）１３ｂを介して、パッドＰＤに電気的に接続されている。なお、図６では、一つのパッドＰＤのみを示しているが、配線層１３の最上層には、複数のパッドＰＤが形成されている。また、パッドＰＤは表面配線１３ｂと一体に形成されている。
【００３０】
内部配線１３ａは、例えば銅（Ｃｕ）からなる埋め込み配線であり、配線層１３に形成される絶縁層１３ｃに溝あるいは孔を形成し、この溝あるいは孔に銅などの導電性金属材料を埋め込んだ後、表面を研磨して配線を形成する、所謂、ダマシン技術により形成される。絶縁層１３ｃは、例えば、炭素を含む酸化シリコン（ＳｉＯＣ）などの半導体化合物からなる無機絶縁層である。また、配線層１３は、複数の半導体素子を電気的に接続して集積回路を形成するが、この配線経路の引き回しスペースを確保するため、積層構造となっている。
【００３１】
配線層１３の最上層には、パッドＰＤ、パッドＰＤと一体に形成され、内部配線１３ａを介して複数のパッドＰＤと半導体素子とをそれぞれ電気的に接続する表面配線１３ｂが形成されている。パッドＰＤおよび表面配線１３ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなり、配線層１３を保護するパッシベーション膜となる絶縁層１３ｄに覆われている。この絶縁層１３ｄは、絶縁層１３ｃとの密着性を向上させる観点から、絶縁層１３ｃと同様に、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ）や、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの半導体化合物からなる無機絶縁層である。また、パッドＰＤの表面１０ａにおいて、絶縁層１３ｄには開口部が形成され、パッドＰＤは、該開口部において、絶縁層１３ｄから露出している。
【００３２】
また、本実施の形態の半導体チップ１０は、所謂、ＷＰＰ（Wafer Process Package）と呼ばれ、配線層１３上に、さらに再配線層（配線層、第２配線層）１４が形成される。再配線層１４は、配線層１３と対向する下面（主面、裏面）１４ｂおよび下面１４ｂとは反対側の上面（主面、表面）１４ａを有し、上面１４ａが半導体チップ１０の表面１０ａとなっている。再配線層１４の上面１４ａには、複数のランド部（バンプランド）１４ｃが形成され、再配線層１４に形成された複数の配線（再配線）１４ｄを介して、パッドＰＤと、それぞれ電気的に接続される。そして、各ランド部１４ｃのそれぞれには、バンプ１１が接合されている。
【００３３】
詳しくは、絶縁層１３ｄ上には、例えば、ポリイミド樹脂などの有機化合物からなる絶縁膜（有機絶縁膜）１４ｅが形成され、配線１４ｄは、絶縁膜１４ｅ上に形成される。そして、絶縁膜１４ｅにはパッドＰＤ上においてパッドＰＤを露出させる開口部が形成され、この開口部において、パッドＰＤと配線１４ｄが接合している。また、配線１４ｄおよび絶縁膜１４ｅは、例えば、ポリイミド樹脂などの有機化合物からなる絶縁膜（有機絶縁膜）１４ｆにより覆われる。絶縁膜１４ｆの配線１４ｄと重なる領域の一部には、開口部が形成され、ランド部１４ｃは、開口部において、絶縁膜１４ｆから露出している。このランド部１４ｃには、半導体チップ１０の外部電極となるバンプ１１が接合されている。
【００３４】
このように、ＷＰＰ型の半導体チップ１０は、パッドＰＤ上に再配線層１４を形成することにより、外部電極となるバンプ１１の平面位置をパッドＰＤと異なる位置に変更している。このため、例えば、一般的な半導体チップのルールに則って、複数のバンプを表面１０ａの周縁部に沿って形成した場合であっても、再配線層１４を設けることで、図５に示すように、千鳥格子状に外部電極であるバンプ１１を配置することができる。
【００３５】
しかし、半導体チップ１０の製造工程上の理由により、図５に示す領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のように、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、バンプ１１を配置すべき場所にバンプ１１が配置できない領域が発生する場合がある。例えば、ＷＰＰ型の半導体チップ１０の製造工程では、再配線層１４を形成した後で、図６に示すようにヒューズ１５を切断する、ヒューズブロー工程を施す。ヒューズブロー工程では、表面１０ａ側からレーザを照射することで、ヒューズ１５を切断する。このため、ヒューズ１５を切断する位置には、バンプ１１を配置することができない。図５に示す領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５は、例えば上記のような理由により、バンプ１１を配置することが出来なかった領域である。
【００３６】
なお、本実施形態のバンプ１１（および図２に示す半田ボール５）は、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビス膜（Ｓｎ−Ｂｉ）、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）、または錫−銀−銅（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨｓ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。
【００３７】
＜配線基板の詳細＞
次に、図１に示す配線基板３の詳細について説明する。図７は、図３に示す半導体チップおよびアンダーフィルを取り除いた状態で示す平面図である。また、図８は、図４のＢ部の拡大断面図である。
【００３８】
また、図４に示すように、半導体チップ１０は配線基板３に搭載される。配線基板３は、平面視においてそれぞれ四辺形を成す上面（チップ搭載面、表面）３ａ、上面３ａの反対側に位置する下面（実装面、裏面）３ｂを備えている。例えば図３に示す例では、配線基板３の平面形状は一辺の長さが１５ｍｍ〜３０ｍｍ程度の正方形である。また配線基板３は、上面３ａと下面３ｂの間に位置する側面３ｃを備えている。
【００３９】
図７に示すように、配線基板３の上面３ａには、複数の端子（ランド、ボンディングリード）６が配置される。配線基板３は、複数の配線層３ｄ（図８参照）が積層された、所謂多層配線基板であって、最上層に配置される配線層３ｄの上面は、ソルダレジスト膜（絶縁膜、保護膜）３ｆにより覆われる。そして、ソルダレジスト膜３ｆには、端子６が配置される位置に開口部が形成され、複数の端子６は、その開口部において、ソルダレジスト膜３ｆから露出している。複数の端子６は、平面視において、図５に示す半導体チップ１０の複数のバンプ１１の配列と同様に配列されている。すなわち、図８に示すように、半導体チップ１０を配線基板３上に搭載した時に、複数のバンプ１１と複数の端子６が対向するように配列されている。
【００４０】
また、図８に示すように、配線基板３は、複数の絶縁層３ｚを有し、絶縁層３ｚには複数の配線３ｈが形成される。この配線３ｈには、絶縁層３ｚの上面または下面に形成される導体パターン、および、絶縁層３ｚを貫通するように形成された埋め込み導体パターン（層間導電路）が含まれる。また、複数の配線層３ｄのうち、最下層（実装面である下面３ｂ側）の配線層３ｄには、半導体装置１の外部端子であるランド（外部端子）７が形成される。複数のランド７は、複数の配線３ｈを介して上面３ａ側に形成された複数の端子６と電気的に接続される。
【００４１】
また、ランド７が形成された配線層３ｄは、ソルダレジスト膜（絶縁膜、保護膜）３ｇより覆われる。そして、ソルダレジスト膜３ｇには、ランド７が配置される位置に開口部が形成され、複数のランド７は、その開口部において、ソルダレジスト膜３ｇから露出している。また、図８に示す例ではランド７には、ソルダレジスト膜３ｇからの露出において、半田ボール５が接合されている。
【００４２】
このように、配線基板３は、配線基板３が備える複数の配線層３ｄに形成された配線３ｈを介して、上面３ａ側に形成された複数の端子６と下面３ｂ側に形成された複数のランド７がそれぞれ電気的に接続される。そして、複数のバンプ１１を介して、半導体チップ１０と配線基板３の複数の端子６を電気的に接続することで、半導体チップ１０に形成された半導体素子と、配線基板３の複数のランド７（および半田ボール５）を電気的に接続することができる。
【００４３】
また、図７に示す複数の端子６のレイアウトと、図２に示す複数の半田ボール５のレイアウトを比較して判るように、平面視において、複数の端子６は複数の半田ボール５とは異なる位置に配置される。詳しくは、平面視において、複数の半田ボール５は複数の端子６よりも広範囲に分布するように配置される。また、複数の半田ボール５は複数の端子６よりも広い配置間隔（ピッチ）で配置される。つまり、配線基板３では、上面３ａ側には、半導体チップ１０の電極のレイアウトに対応させて端子６が配置され、下面３ｂ側には、図示しない実装基板の端子レイアウトに対応させて複数の半田ボール５を配置される。これにより、配線基板３は、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、端子のレイアウトを調整して中継する、インタポーザとして機能する。
【００４４】
また、図８に示すように、半導体チップ１０は、複数のバンプ１１が形成された表面１０ａと配線基板３のチップ搭載面である上面３ａとを対向させた状態で端子６とバンプ１１を接合する、所謂、フリップチップ接続方式（フェイスダウン実装方式）で搭載される。
【００４５】
半導体チップ１０と配線基板３を電気的に接続する他の方式として、金属細線であるワイヤを用いて接続するワイヤ接続方式が考えられる。本実施の形態で適用したフリップチップ接続方式は、ワイヤ接続方式と比較して、半導体チップ１０と配線基板３を電気的に接続する経路距離（伝送距離）を短くすることができるので、電気的特性を向上させることができる。また、前記したように半導体チップ１０の外部電極を表面１０ａに広く配置することができるので、端子数を増加させることができる。また、ワイヤ接続方式の場合、ワイヤを保護するために、半導体チップ全体を覆うように封止体を形成する必要があるがフリップチップ接続方式の場合、図４に示すように裏面１０ｂを露出させることができる。したがって、半導体装置１を薄型化することができる。
【００４６】
しかし、図８に示すように、フリップチップ接続方式の場合、半導体チップ１０と配線基板３を電気的に接続する距離が短い。このため、半導体装置１に外力が印加されると、バンプ１１に応力が集中し易い。例えば、半導体装置１を図示しない実装基板に実装した後、温度サイクル負荷（稼働時の高温状態の環境と停止時の低温状態の環境に繰り返し晒される事）が印加された時、半導体装置１の構成材料の線膨張係数の相違に起因する応力が発生する。そしてこの応力が、複数のバンプのうちの一部に集中する場合があり、一部のバンプ１１に応力が集中すると、バンプ１１が損傷する原因となる。損傷したバンプ１１においては、電気的特性の低下や電気的接続信頼性の低下が発生し易いので、半導体装置１の信頼性が低下する原因となる。
【００４７】
そこで、フリップチップ接続方式の場合、図１、図４、および図８に示すように、バンプ１１の周囲に、応力緩和材であるアンダーフィル４を埋め込むことが、半導体装置１の信頼性を向上させる観点から有効である。アンダーフィル４は、例えば、樹脂からなり、バンプ１１の近傍に伝わった応力を分散させて緩和する機能を有する。このため、個々のバンプ１１に印加される応力を低減することが可能となり、バンプ１１の損傷を防止または抑制することができる。
【００４８】
また、アンダーフィル４の応力緩和機能を十分に発揮させるためには、複数のバンプ１１に密着させ、隙間や気泡がアンダーフィル４内に残留することを出来る限り排除することが好ましい。隙間や気泡がアンダーフィル４内に残留した場合、半導体装置を実装基板に半田実装する際の高温リフロー（約２８０℃前後）により、バンプ１１の半田が再溶融し、前述の隙間や気泡に流れ込む場合がある。その結果、再溶融した半田と隣接するバンプ１１とが電気的短絡（ショート）を起こし、半導体装置の電気的特性の低下、および信頼性の低下を招いてしまう。このため、半導体装置の製造工程において、隙間や気泡が生じ難い状態でアンダーフィル４を形成する技術が重要となる。本願発明者は、アンダーフィル４を形成する際に、隙間や気泡が発生するメカニズムについて検討し、その対策方法を見出した。詳細については、後述する＜封止工程の詳細＞のセクションにおいて詳しく説明する。
【００４９】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図９に示すフローに沿って製造される。図９は、本実施の形態の半導体装置の製造工程の概要を示す説明図である。なお、本セクションでは、まず半導体装置１の製造工程の概要を図９に沿って説明した後、図９に示す封止工程の詳細について、詳しく説明する。
【００５０】
＜基板準備工程＞
まず、図９に示す基板準備工程では、図１０および図１１に示す配線基板２０を準備する。図１０は、図９に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図である。また、図１１は、図１０のＢ部の拡大平面図、図１２は図１１の一部の拡大断面図である。
【００５１】
図１０に示すように、本工程で準備する配線基板２０は、枠部（枠体）２０ｂの内側に複数の製品形成領域２０ａを備えている。詳しくは、複数（図１０では２７個）の製品形成領域２０ａが行列状に配置されている。配線基板２０は、図１に示す配線基板３に相当する複数の製品形成領域２０ａと、各製品形成領域２０ａの間にダイシングライン（ダイシング領域）２０ｃを有する、所謂、多数個取り基板である。このように、複数の製品形成領域２０ａを備える多数個取り基板を用いることで、製造効率を向上させることができる。
【００５２】
また、各製品形成領域２０ａには、図１２に示すように、図１〜図８を用いて説明した配線基板３の構成部材がそれぞれ形成されている。ただし、図８に示す半田ボール５は未だ接合されていない。図１２に示すように、複数の配線層３ｄが積層された多層配線基板は、例えば、所謂、ビルドアップ工法により形成することができる。
【００５３】
また、図１１に示すように、製品形成領域２０ａの上面３ａの中央部には、図９に示すチップ搭載工程で半導体チップを搭載する予定領域であるチップ搭載領域ＣＴが設けられる。チップ搭載領域ＣＴ内では、前記した複数の端子６がソルダレジスト膜３ｆに設けられた開口部において、露出している。
【００５４】
チップ搭載領域ＣＴは、それぞれ平面視において四角形を成す。言い換えれば、チップ搭載領域ＣＴは、辺Ｈ１、辺Ｈ１と交差する辺Ｈ２、辺Ｈ１と交差し、かつ、辺Ｈ２と対向する辺Ｈ３、辺Ｈ１と対向する辺Ｈ４を備える。また、チップ搭載領域ＣＴは、辺Ｈ１と辺Ｈ２の交点である角部Ｋ１、辺Ｈ１と辺Ｈ３の交点である角部Ｋ２、辺Ｈ２と辺Ｈ４の交点である角部Ｋ３、および辺Ｈ３と辺Ｈ４の交点である角部Ｋ４を備える。
【００５５】
また、チップ搭載領域ＣＴ内に配置される複数の端子６は、図５を用いて説明した半導体チップ１０の複数のバンプ１１とそれぞれ接合されるので、バンプ１１と同様の配列になっている。すなわち、チップ搭載領域ＣＴ内には、第１の配置密度で複数の端子６が規則的に配置される領域ＮＲ１が存在する。領域ＮＲ１では、複数の端子６が規則的に（等間隔で）配置される。図１１に示す例では、領域ＮＲ１では複数の端子６は、千鳥格子状に配置され、隣り合う端子６の中心間距離は、例えばそれぞれ２８０μｍ程度である。また、チップ搭載領域ＣＴ内には、第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で複数の端子６が配置される領域ＮＲ２が存在する。領域ＮＲ２では、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、端子６を配置すべき場所に端子６が配置されていない。このため、領域ＮＲ２では、複数の端子６の配置密度が、領域ＮＲ１よりも低く、例えば、隣り合う端子６間の距離が、５６０〜８４０μｍとなっている。
【００５６】
また、チップ搭載領域ＣＴには、第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で複数の端子６が配置される領域ＮＲ３、および第１の配置密度よりも低い第４の配置密度で複数の端子６が配置される領域ＮＲ４が存在する。領域ＮＲ３、ＮＲ４のそれぞれでは、領域ＮＲ１に適用された配列規則では、端子６を配置すべき場所に端子６が配置されていない。このため、領域ＮＲ３、ＮＲ４では、複数の端子６の配置密度が、領域ＮＲ１よりも低く、例えば、隣り合う端子６間の距離が、５６０〜８４０μｍとなっている。なお、図１１に示す例では、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれは、複数の端子６が同じ配置密度で配置された例を示している。しかし、以下で説明する本実施の形態の半導体装置の製造技術は、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれの配置密度が異なる例にも適用できる。
【００５７】
また、図１１に示す例では、領域ＮＲ１よりも配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５は、以下のように配置される。すなわち、領域ＮＲ２は、チップ搭載領域ＣＴの４つの角部のうち角部Ｋ３に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ３は、チップ搭載領域ＣＴの４つの角部のうち角部Ｋ４に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ４は、チップ搭載領域ＣＴの４つの角部のうち角部Ｋ１に最も近くなる位置に配置される。また、領域ＮＲ５は、チップ搭載領域ＣＴの４つの角部のうち角部Ｋ２に最も近くなる位置に配置される。
【００５８】
なお、図１１および図１２では複数の端子６が露出した例を示しているが、図９に示すチップ搭載工程において、端子６とバンプ１１（図８参照）の接合性を向上させる観点から、以下の変形例を適用することができる。すなわち、複数の端子６のそれぞれの上に、半田材などの接合材を予め形成しておくことができる。これにより端子６の半田濡れ性が向上するので、図９に示すチップ搭載工程において端子６とバンプ１１（図８参照）を容易に接合することができる。
【００５９】
＜半導体チップ準備工程＞
図９に示す半導体チップ準備工程では、前記した図５および図６に示す半導体チップ１０を準備する。図１３は、図９に示す集積回路形成工程で準備するウエハを示す平面図である。また、図１４は、図１３に示すウエハの一部を拡大して示す拡大断面図、図１５は図１４に示すヒューズを切断した状態を示す拡大断面図である。また、図１６は、図１５に示すランド部上にバンプを接合した状態を示す拡大断面図である。
【００６０】
図５および図６に示す半導体チップ１０は、例えば以下のように製造される。まず、図９に示す集積回路形成工程では、図１３に示すウエハ（半導体ウエハ、半導体基板）２５を準備して、半導体基板１２（図１４参照）の主面１２ａ（図１４参照）上に集積回路を形成する。
【００６１】
本工程で準備するウエハ２５は、図１３に示すように略円形の平面形状を有する表面１０ａおよび表面１０ａの反対側に位置する裏面１０ｂを有している。また、ウエハ２５は、複数のチップ領域（デバイス領域）２５ａを有し、各チップ領域２５ａが、それぞれ図５に示す半導体チップ１０に相当する。また、隣り合うチップ領域２５ａの間には、スクライブライン（スクライブ領域）２５ｂが形成されている。スクライブライン２５ｂは格子状に形成され、ウエハ２５の表面１０ａを複数のチップ領域２５ａに区画する。また、スクライブライン２５ｂには、チップ領域２５ａ内に形成される半導体素子などが正しく形成されているか否かを確認するためのＴＥＧ（Test Element Group）やアライメントマークなどのパターンが複数形成されている。
【００６２】
本工程では、図１４に示すように、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る半導体基板１２の主面（素子形成面）１２ａに例えばトランジスタなどの複数の半導体素子（図示は省略）を形成する。また、主面１２ａ上に、配線層１３を積層し、配線層１３上にパッドＰＤを形成する。この時、配線層１３内、あるいは配線層１３上に、ヒューズ１５を形成する。図１４ではパッドＰＤと同層にヒューズ１５を形成する例を示している。また、配線層１３を覆うように絶縁層１３ｄを形成し、絶縁層１３ｄの一部にパッドＰＤを露出させるための開口部を形成する。図１４では代表的に、一つのパッドＰＤを示しているが、配線層１３上には複数のパッドＰＤが形成され、複数の内部配線１３ａを介して複数の半導体素子と、それぞれ電気的に接続されている。
【００６３】
また、本実施の形態では、前記したようにＷＰＰ型の半導体チップ１０（図６参照）を取得するので、配線層１３を保護するパッシベーション膜となる絶縁層１３ｄ上に、さらに再配線層１４を形成する。
【００６４】
再配線層１４は、例えば以下の方法により形成する。絶縁層１３ｄ上にポリイミド樹脂からなる絶縁膜１４ｅを形成し、パッドＰＤの一部が露出するように絶縁膜１４ｅの一部に開口部を形成する。次に、絶縁膜１４ｅ上に配線（再配線）１４ｄおよびランド部１４ｃを形成し、パターニングする。次に、配線１４ｄおよびランド部１４ｃを覆うようにポリイミド膜からなる絶縁膜１４ｆを形成する。そして、ランド部１４ｃの一部が露出するように、絶縁膜１４ｆに開口部を形成することで、図１４に示す再配線層１４が得られる。
【００６５】
次に、図９に示すウエハテスト工程では、ランド部１４ｃに図示しないテスト端子を接触させることにより、ランド部１４ｃに接続される回路の電気的試験を行う。また、図９でウエハテスト工程の次に記載されるヒューズブロー工程では、ウエハテスト工程の結果に基づいて、図１４に示すヒューズ１５を切断する。これにより、ウエハテスト工程で、一部回路の破損が発見された時に、破損した回路を記憶させることができる。
【００６６】
ヒューズブロー工程では、図１５に示すように、ウエハ２５の表面１０ａ側からレーザＬｚを照射してヒューズ１５を切断する。したがって、レーザＬｚを照射する予定領域にはランド部１４ｃを配置していない。このため、図５および図６を用いて説明したように、半導体チップ１０の表面１０ａには、第１の配置密度で複数のバンプ１１が規則的に配置される領域ＮＲ１が存在する。また、半導体チップ１０の表面１０ａには、第１の配置密度よりも低い配置密度で複数のバンプ１１が配置される領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４が存在することになる。
【００６７】
次に、図９に示す突起電極形成工程では、図１６に示すように複数のランド部１４ｃ上にそれぞれバンプ１１を形成する。本実施の形態では、バンプ１１は半田から成るので、ランド部１４ｃ上に半田材を配置（例えば塗布）して、加熱することによりバンプ１１が形成される。なお、図９では、突起電極形成工程をウエハテスト工程およびヒューズブロー工程の後で行う例について示しているが、変形例として、突起電極形成工程を行った後で、ウエハテスト工程およびヒューズブロー工程を行うことができる。この場合、図示しないテスト端子をバンプ１１と接触させることで、バンプ１１の形状が変形する場合がある。しかしバンプ１１を半田で形成する場合には、加熱することにより容易に修復することができる。
【００６８】
次に、図９に示す分割工程では、図１６に示すウエハ２５をチップ領域２５ａ毎に分割（個片化）し、図５および図６に示す半導体チップ１０を複数個取得する。本工程では、図１３に示すスクライブライン２５ｂに沿ってウエハ２５を切断し、分割する。切断方法は特に限定されないが、ダイシングブレード（回転刃）を用いた切断方法やレーザを照射する切断方法を用いることができる。
【００６９】
なお、図９では図示を省略したが、半導体チップ１０の厚さを薄くする場合には、必要に応じ、図９に示す各工程に加えて、裏面研削工程としてウエハ２５の裏面１０ｂ側に研削加工を施しても良い。この裏面研削工程は、例えば集積回路形成工程の後で行う。
【００７０】
＜チップ搭載工程＞
図９に示すチップ搭載工程では、図１８に示すように、半導体チップ１０を、表面１０ａが配線基板２０の上面３ａと対向するように配線基板２０上に配置し、複数の端子６と複数のバンプ１１を電気的に接続する。図１７は図１１に示すチップ搭載領域上に半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１８は図１７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００７１】
本工程では、まず、半導体チップ１０を、表面１０ａが配線基板２０の上面３ａと対向するように配線基板２０上に配置する（半導体チップ配置工程）。この時、図１７および図１８に示すように、複数のバンプ１１の位置と複数の端子６の位置が平面視において重なるように配置する。そして、バンプ１１と端子６を接触させた状態でバンプ１１の融点以上まで加熱処理を施すことで、バンプ１１を構成する半田材が端子６に接合される。そして、半田材が冷却されて硬化すれば、半導体チップ１０は配線基板２０上に固定される。この時、半導体チップ１０の表面１０ａと配線基板２０上面３ａの距離（ギャップ、クリアランス）Ｇ１は、例えば７０μｍ程度である。
【００７２】
＜封止工程＞
次に、図９に示す封止工程では、図２０に示すように、半導体チップ１０の表面１０ａと、配線基板２０の上面３ａの間にアンダーフィル４ａを供給して、パッドＰＤと端子６の接合部を封止する。図１９は、図１７に示す半導体チップと配線基板の間にアンダーフィル材を供給した後の状態を示す拡大平面図である。また、図２０は図９に示す封止工程で、アンダーフィル材をノズルから供給する状態を示す拡大断面図である。
【００７３】
本工程では、例えば半導体チップ１０の側面１０ｃの外側に、樹脂（アンダーフィル材）４ａの供給装置３０が備える筒状の吐出口であるノズル３１を配置する。図２０に示すノズル３１は、内径が例えば、６００μｍの筒体であって半導体チップ１０の側面１０ｃの隣に配置される。図２０に示す例では、ノズル３１の中心から半導体チップ１０の側面１０ｃまでの距離は、例えば８００μｍである。また、ノズル３１の先端は、配線基板２０の上面３ａから、例えば３８０μｍの位置に配置されるので、半導体チップ１０の表面１０ａよりも高い位置に配置される。
【００７４】
また、樹脂４ａは、例えば熱硬化性樹脂であって、供給時には液状の性状を成す。ノズル３１は、図２０に示す例では、ノズル３１には、予め決定された一定の速度で樹脂４ａを吐出する吐出速度調整部（図示は省略）が接続され、所定の吐出速度で樹脂４ａを吐出することができる。図２０に示す例では、例えば、２．２ｍｇ±０，３ｍｇ／秒の吐出速度でノズル３１から樹脂４ａが吐出されるように設定されている。
【００７５】
また、ノズル３１には、ノズル３１の位置を移動させる駆動部（図示は省略）が接続され、予め設定された方向に、予め設定された速度でノズル３１の先端（吐出口）を移動させることができる。図２０に示す例では、ノズル３１は、例えば２ｍｍ／秒程度の速度で、移動可能となっている。なお、ノズル３１の移動速度は、可変式であって、例えば１ｍｍ／秒〜１０ｍｍ／秒程度の範囲で任意に移動速度を変更可能である。
【００７６】
ノズル３１から樹脂４ａを吐出すると、図２０に矢印ＪＨを付して示すように、半導体チップ１０と配線基板２０の間の隙間に吸い込まれる。そして、樹脂４ａは、所謂、毛細管現象により半導体チップ１０と配線基板２０の間の隙間を進行し、半導体チップ１０と配線基板２０の間の隙間は、樹脂４ａで満たされる。
【００７７】
その後、樹脂４ａを硬化させることで、前記したように、バンプ１１に加わる応力を緩和する応力緩和層として機能するアンダーフィル４（図１９参照）が形成される。本工程の詳細は、後述する。
【００７８】
＜ボールマウント工程＞
次に、図９に示すボールマウント工程では、図２１に示すように、配線基板２０の下面３ｂに形成された複数のランド７に複数の半田ボール５を接合する。図２１は、図９に示すボールマウント工程で、複数のランド上に半田ボールを接合した状態を示す拡大断面図である。本工程では、図２１に示すように配線基板２０を反転させた後、配線基板２０の下面３ｂにおいて露出する複数のランド７のそれぞれの上に半田ボール５を配置した後、加熱することで複数の半田ボール５とランド７を接合する。本工程により、複数の半田ボール５は、配線基板２０を介して半導体チップ１０と電気的に接続される。ただし、本実施の形態で説明する技術は、半田ボール５を接合した、所謂ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置に限って適用させるものではない。例えば、本実施の形態に対する変形例としては、半田ボール５を形成せず、ランド７を露出させた状態、あるいはランド７に半田ボール５よりも薄く半田ペーストを塗布した状態で出荷する、所謂ＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置に適用することができる。
【００７９】
＜個片化工程＞
次に、図９に示す個片化工程では、配線基板２０を図１０に示す製品形成領域２０ａ毎に分割する。本工程では、図１０に示すダイシングライン（ダイシング領域）２０ｃに沿って配線基板２０を切断し、個片化された複数の半導体装置１（図１参照）を取得する。切断方法は特に限定されないが、例えばダイシングブレード（回転刃）を用いて配線基板を切削切断する方法を用いることができる。
【００８０】
以上の各工程により、図１〜図８を用いて説明した半導体装置１が得られる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは、図示しない実装基板に実装する。
【００８１】
＜封止工程の詳細＞
次に、図９に示す封止工程の詳細について説明する。
【００８２】
前記したように、アンダーフィル４の応力緩和機能を十分に発揮させるためには、複数のバンプ１１に密着させ、隙間や気泡がアンダーフィル４内に残留することを出来る限り排除することが好ましい。ところが、本願発明者が検討した結果、前記した封止工程において、単に半導体チップ１０の一辺に沿って図２０に示すノズル３１を移動させた場合、半導体チップ１０と配線基板２０の間に気泡が残ることが判った。そこで、本願発明者がさらに調査した所、気泡は、図６に示すように、領域ＮＲ１よりもバンプ１１の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５で発生し易いことが判った。
【００８３】
以下、本願発明者が見出した気泡発生のメカニズム、およびその対策について順に説明する。なお、本セクションでは、図１９に示す実施態様において適用するアンダーフィル材の供給方法を説明する前に、突起電極の配置を単純化した実施態様を用いて説明する。図２２は、図１９に示す実施態様を単純化したモデルで、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。なお、図２２では見易さのため、図１９に示す配線基板２０、バンプ１１および端子６は図示を省略する。また、樹脂４ａは平面視において、半導体チップＭ１の周辺領域にも広がるが、図２２では図示を省略する。以下、重複する説明は省略するが、図２２と同様に、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図では、図１９に示す配線基板２０、バンプ１１および端子６は図示を省略する。同様に、図２２と同様に、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図では、半導体チップの周辺領域に広がる樹脂４ａの図示を省略する。
【００８４】
図２２に示す半導体チップＭ１は、複数の突起電極が第１の配置密度で規則的に配置される領域ＮＲ１と、第１の配置密度よりも低い第２の配置密度で配置される領域ＮＲ２のみを有する点で、図１９に示す半導体チップ１０と相違する。また、図２２に示す矢印ＪＨ１は、樹脂４ａの供給口であるノズル３１の軌跡、言い換えれば樹脂４ａを供給するノズル３１の移動方向を示している。つまり、図２２に示す供給方法では、ノズル３１を半導体チップＭ１の角部Ｋ１から角部Ｋ２に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する例を示している。以下、図２２と同様に樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示す説明図においては、ノズル３１の軌跡（樹脂４ａの供給順序）を矢印ＪＨ１、ＪＨ２、ＪＨ３で模式的に示す。
【００８５】
図２２に示すように、辺Ｈ１に沿ってノズル３１を移動させながら樹脂４ａを供給すると、まず、図２２の上段に記載される（ａ）に示すように、樹脂４ａは、辺Ｈ１側から辺Ｈ４側に向かって隙間を埋めながら進行する。樹脂４ａは、主として毛細管現象により進行し、一般的に突起電極の配置間隔が狭くなるにつれ、樹脂４ａの浸透速度は上がる傾向にある。これは、浸透している樹脂４ａは、その先端が突起電極に接触した瞬間、突起電極の周囲を瞬時に回り込もうとする（突起電極を瞬時に濡らそうとする）ので、そこで浸透速度が上がる。突起電極の配置間隔が狭くなれば、樹脂４ａが突起電極に接触する回数が増え、樹脂４ａ全体が引っ張られて、浸透速度が上がっていく。そのため、突起電極が一定間隔で配置される領域ＮＲ１では、樹脂４ａの進行速度は略一定である。
【００８６】
ところが、図２２の中段に記載される（ｂ）に示すように、樹脂４ａの一部が突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２に到達すると、隣り合う突起電極間の間隔が広くなるため、領域ＮＲ２内では、前述の浸透メカニズムで説明できるように、樹脂４ａの進行速度が低下する。一方、領域ＮＲ１では、樹脂４ａは、一定の進行速度が維持される。
【００８７】
この結果、図２２の下段に記載される（ｃ）に示すように、領域ＮＲ２内が樹脂４ａで満たされる前に、領域ＮＲ２の周囲が樹脂４ａに囲まれてしまう場合がある。言い換えれば、領域ＮＲ２の一部に樹脂４ａが未充填である未充填領域ＫＨが残った状態で、未充填領域ＫＨの周囲が樹脂４ａに囲まれる。この場合、未充填領域ＫＨ内の気体を半導体チップＭ１の周辺に排出するための排出経路がなくなるため、未充填領域ＫＨは気泡として半導体チップＭ１と配線基板２０（図１９参照）の間に残留する。
【００８８】
図２２に示すメカニズムでは、樹脂４ａの進行速度が遅くなる領域ＮＲ２を領域ＮＲ１よりも前に樹脂４ａで満たすことが出来れば、気泡の発生を防止ないしは抑制できる。そこで、本願発明者は、領域ＮＲ１が樹脂４ａで満たされる前に複数の突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２に樹脂４ａを供給する技術について検討した。
【００８９】
まず、図２３は、図２２とは異なる辺側から樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。図２３に示す供給方法は、ノズル３１を領域ＮＲ２に近い辺Ｈ４側に配置して辺Ｈ４側から樹脂４ａを供給している点で図２２に示す供給方法とは相違する。つまり、図２３に示す供給方法では、ノズル３１を半導体チップＭ１の角部Ｋ３から角部Ｋ４に向かって、辺Ｈ４に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する例を示している。その他の点は、図２２と同様である。
【００９０】
図２３に示すように、領域ＮＲ２に近い辺Ｈ４側から樹脂４ａを供給する場合、図２２に示す未充填領域ＫＨは形成され難くなる。これは以下の理由によると考えられる。すなわち、前記したように、隣り合う突起電極の配置間隔が狭い領域ＮＲ１では、樹脂４ａの進行速度を決定する要因として、所謂、毛細管現象の影響が支配的である。このため、隣り合う突起電極の配置間隔が相対的に広い領域ＮＲ２では毛細管現象による樹脂４ａの進行速度は図２２と同様に低下する。
【００９１】
しかし、領域ＮＲ２では空間体積が広いため、樹脂４ａの供給圧力（注入圧力）の影響が大きくなる。この供給圧力が樹脂４ａの進行速度に与える影響は、樹脂４ａの供給源であるノズル３１までの距離が近い程高くなる。つまり、図２３の（ａ）に示すように、領域ＮＲ２は、樹脂４ａの供給源であるノズル３１の近くに配置されるため、領域ＮＲ２内において、樹脂４ａの進行速度が低下し難くなる。
【００９２】
この結果、図２３の（ｂ）や（ｃ）に示すように、領域ＮＲ１が樹脂４ａで満たされるよりも前に、領域ＮＲ２が樹脂４ａで満たされることになる。言い換えれば図２２に示す未充填領域（気泡）ＫＨが形成され難くなる。つまり、図２３に示すように領域ＮＲ２に近い辺Ｈ４側から樹脂を供給すれば、気泡の発生を防止または抑制することができる。
【００９３】
なお、領域ＮＲ２は、角部Ｋ３に最も近い位置に配置されるので、辺Ｈ４および辺Ｈ２が領域ＮＲ２に最も近い辺となる。したがって、図示は省略するが、ノズル３１を領域ＮＲ２に近い辺Ｈ３側に配置して辺Ｈ２側から樹脂４ａを供給する場合でも気泡の発生を抑制できる。つまり、ノズル３１を半導体チップＭ１の角部Ｋ３から角部Ｋ１に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する例の場合にも図２３と同様の効果が得られる。このように、領域ＮＲ２が半導体チップＭ１の四つの角部のうちのいずれかに近い位置に配置される場合、辺Ｈ２または辺Ｈ４のいずれかに沿って樹脂４ａを供給すれば気泡の発生を抑制できる。このため、辺Ｈ２または辺Ｈ４のいずれか一方にノズル３１を配置できない要因がある場合でも、他方にノズル３１を配置すれば良い。
【００９４】
次に、領域ＮＲ１よりも突起電極の配置密度が低い領域が２箇所ある場合のモデルについて説明する。図２４は、図２３に対する変形例である半導体チップにおいて、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。図２４に示す半導体チップＭ２は、領域ＮＲ１、ＮＲ２に加え、第１の配置密度よりも低い第３の配置密度で配置される領域ＮＲ３を有する点で、図２３に示す半導体チップＭ１と相違する。その他の点は、樹脂４ａの供給方法を含め、図２３を用いて説明した樹脂４ａの供給方法と同様である。
【００９５】
図２４に示す実施態様では、半導体チップＭ２が備える四辺のうち、領域ＮＲ２および領域ＮＲ３に最も近い位置には、辺Ｈ４が配置される。このようにバンプの配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３が辺Ｈ４側に寄せて配置される場合には、図２４に示すようにノズル３１を辺Ｈ４側に配置して辺Ｈ４側から樹脂４ａを供給することで、気泡の発生を抑制できる。つまり、ノズル３１を半導体チップＭ２の角部Ｋ３から角部Ｋ４に向かって、辺Ｈ４に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。この時、図２４の（ｂ）に示すように、領域ＮＲ２および領域ＮＲ３の大部分が樹脂４ａで満たされるまで、樹脂４ａの供給を継続する。これにより、領域ＮＲ３に樹脂４ａが注入される際にも樹脂４ａの供給圧力の影響により、樹脂４ａの進行速度の低下を抑制することができるので、図２２に示すような未充填領域ＫＨの発生を抑制することができる。
【００９６】
また、図２５に示すように、領域ＮＲ２が辺Ｈ２に最も近い位置に配置され、領域ＮＲ４が辺Ｈ１に最も近い位置に配置される場合には、辺Ｈ２側、および辺Ｈ１側から順次樹脂４ａを供給することで気泡の発生を抑制できる。図２５は、図２３に対する他の変形例である半導体チップにおいて、樹脂（アンダーフィル材）が充填される様子を模式的に示した説明図である。図２５に示す半導体チップＭ３は、領域ＮＲ１、ＮＲ２に加え、第１の配置密度よりも低い第４の配置密度で配置される領域ＮＲ４を有する点で、図２３に示す半導体チップＭ１と相違する。
【００９７】
図２５に示すモデルでは、半導体チップＭ２が備える四辺のうち、領域ＮＲ２に最も近い位置には辺Ｈ２が配置され、領域ＮＲ４に最も近い位置には辺Ｈ１が配置される。この場合、まず、図２５の（ａ）に示すように、ノズル３１を半導体チップＭ３の角部Ｋ３から角部Ｋ１に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。これにより、図２５の（ｂ）に示すように領域ＮＲ２に樹脂４ａが満たされる。続いて、（ｂ）に矢印ＪＨ２を付して示すように、ノズル３１を半導体チップＭ３の角部Ｋ１から角部Ｋ２に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。これにより、図２５の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ４に樹脂４ａが満たされる。なお、図２５では、判り易さのため、辺Ｈ２に沿ったノズル３１の軌跡（矢印ＪＨ１）と、辺Ｈ１に沿ったノズル３１の軌跡（矢印ＪＨ２）を分割して記載したが、矢印ＪＨ１から矢印ＪＨ２に移行する時には、ノズル３１からの樹脂４ａの供給は停止せず、連続的に供給し続けることが好ましい。
【００９８】
上記したように、ノズル３１を配置する辺に制約が無く、かつ、領域ＮＲ１よりも突起電極の配置密度が低い領域（領域ＮＲ２と領域ＮＲ３、または、領域ＮＲ２と領域ＮＲ４）が２箇所である場合には、突起電極の配置密度が低い領域に近い辺に沿って樹脂４ａを供給すれば良い。ところが、図１９に示す半導体チップ１０のように、四つの辺Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４のそれぞれの近くにバンプ１１の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５が配置される場合、いずれかの領域で未充填領域が形成され易くなる。図２６は、図１９に示す実施態様における樹脂（アンダーフィル材）の供給方法の一例を模式的に示した説明図である。また、図２７は、図２６とは別の供給方法の例を模式的に示した説明図である。
【００９９】
図２６に示す供給方法では、まず、図２６の（ａ）に示すように、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ３から角部Ｋ１に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。これにより、図２６の（ｂ）に示すように領域ＮＲ２および領域ＮＲ５に樹脂４ａが満たされる。続いて、（ｂ）に矢印ＪＨ２を付して示すように、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ１から角部Ｋ２に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。これにより、図２６の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ４に樹脂４ａが満たされる。続いて、図２６の（ｃ）に矢印ＪＨ３を付して示すように、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ２から角部Ｋ４に向かって、辺Ｈ３に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。
【０１００】
ところが、図２６の（ｂ）に示すように、領域ＮＲ４が樹脂４ａで満たされるよりも前に、辺Ｈ２側から供給した樹脂４ａが、領域ＮＲ３に到達している。領域ＮＲ３に樹脂４ａが到達する（ｂ）の時点では、ノズル３１は辺Ｈ１に沿った位置に配置される。そして、辺Ｈ１から領域ＮＲ３までの距離が遠いので、領域ＮＲ３においては、樹脂４ａの進行速度に対する影響は毛細管現象による影響が支配的になる。この結果、図２２を用いて説明したのと同様の現象が発生し、領域ＮＲ３の近傍で、未充填領域ＫＨが発生し易くなる。
【０１０１】
一方、図２７に示す供給方法では、まず、図２７の（ａ）に示すように、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ３から角部Ｋ１に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。これにより、図２７の（ｂ）に示すように領域ＮＲ２および領域ＮＲ５に樹脂４ａが満たされる。この点は図２６の供給方法と同様である。次に、ノズル３１からの樹脂４ａの供給を一旦停止して、図２７の（ｂ）に示すようにノズル３１を辺Ｈ３側（角部Ｋ４の近傍）に移動させる。そして、（ｂ）に矢印ＪＨ３を付して示すように、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ４から角部Ｋ２に向かって、辺Ｈ３に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。つまり、図２７に示す供給方法では、辺Ｈ２側、および辺Ｈ２と対向する辺Ｈ３側の２方向から樹脂４ａを供給する。
【０１０２】
図２７のように、対向する２辺の双方から独立して樹脂４ａを供給する場合、半導体チップ１０と配線基板２０（図１９参照）の間の空間内において、空間内に存在した気体（空気）と樹脂４ａの流れ方向が不安定になる。このため、図２７の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ１内の一部の空間が樹脂４ａで満たされる前に、空間の周囲で樹脂４ａが合体する。この結果、空間内に存在した気体が樹脂４ａに囲まれてしまい、未充填領域ＫＨが形成されてしまう。
【０１０３】
このように、図２６や図２７に示す供給方法の場合、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれに近い辺から樹脂４ａを充填しても、結局、領域ＮＲ１、ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のどこかに、未充填領域ＫＨが形成され易いことが判った。そこで本願発明者は、領域ＮＲ１が樹脂４ａで満たされるよりも前に、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれを樹脂４ａで満たす供給方法を検討し、図２８および図２９に示す方法を見出した。図２８は、図９に示す封止工程の詳細フローを示す説明図である。また、図２９は、図２８のフローに対応する樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。
【０１０４】
図２８に示す封止工程では、まず、第１辺供給工程（Ｓ１）として、図２９の（ａ）に示すように、辺Ｈ１に沿って樹脂４ａを供給する。本工程では、供給装置３０のノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ１側から角部Ｋ２側に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。本工程により、領域ＮＲ１および領域ＮＲ４には、樹脂４ａが順次進行し、樹脂４ａで満たされる。
【０１０５】
次に、図２８に示す吐出停止工程（Ｓ２）として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。続いて、図２８に示すノズル移動工程（Ｓ３）として、ノズル３１を辺Ｈ２側に移動させる。本工程では、ノズル３１からの樹脂４ａの供給は停止した状態でノズル３１を移動させる。
【０１０６】
ここで、第１辺供給工程（Ｓ１）で、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を開始してから、ノズル移動工程（Ｓ３）でノズル３１を移動させるまでの間に、樹脂４ａは辺Ｈ１側から辺Ｈ２側に向かって進行する。このため、辺Ｈ１に引き続いて辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給した場合、辺Ｈ２側では樹脂４ａが領域ＮＲ２に到達してしまう場合がある。
【０１０７】
そこで、本実施の形態では、第１辺供給工程（Ｓ１）で、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を開始した位置（角部Ｋ１近傍）に近い辺Ｈ２側から先に樹脂４ａを供給する。このため、吐出停止工程（Ｓ２）で、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させ、停止状態でノズル３１を移動させる。
【０１０８】
また、ノズル３１からの樹脂４ａの供給を再開する位置は、図２９の（ａ）に示すように、第１辺供給工程（Ｓ１）で辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａが既に充填されている位置Ｐ１であることが好ましい。樹脂４ａが未だ充填されていない位置から樹脂４ａの供給を再開すると、図２７を用いて説明したように樹脂４ａを２方向から独立して供給することになり、樹脂４ａの進行方向が不安定になり易い。一方、図２９の（ａ）に示す位置Ｐ１から充填を再開すれば、樹脂４ａの進行方向に向かって新たな樹脂４ａを供給することになるので、樹脂４ａの進行方向が安定する。したがって、図２７に示すような未充填領域ＫＨが形成されることを抑制する観点から、ノズル移動工程（Ｓ３）では、図２９の（ａ）に示す位置Ｐ１にノズル３１を移動させることが好ましい。
【０１０９】
また、図２９の（ａ）に示すように、位置Ｐ１は、角部Ｋ１と樹脂４ａの先端の間の範囲内の任意の位置に設定することができる。ただし、本工程に続いて行う、第２辺供給工程（Ｓ４）で、領域ＮＲ２に樹脂４ａを素早く供給する観点からは、角部Ｋ１と樹脂４ａの先端の中央よりも先端側に設定することが好ましい。
【０１１０】
次に、図２８に示す第２辺供給工程（Ｓ４）として、図２９の（ｂ）に示すように、辺Ｈ２側から樹脂４ａを供給する。本工程では、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ１側から角部Ｋ３側に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。なお、本工程に対する変形例として、図２９の（ａ）に示す位置Ｐ１にノズル３１を静止させた状態で、樹脂４ａを供給することもできる。この場合でも位置Ｐ１と領域ＮＲ２の距離が近ければ領域ＮＲ２に樹脂４ａを注入することができる。また、この場合、第２辺側から供給された樹脂４ａが辺Ｈ４側を回り込んで、未充填領域が形成されることを確実に防止できる。ただし、領域ＮＲ２に素早く樹脂４ａを供給する観点からは、図２９の（ｂ）に示すように、ノズル３１を角部Ｋ１側から角部Ｋ３側に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給することが好ましい。本工程により、領域ＮＲ２に樹脂４ａが進行し、領域ＮＲ２は樹脂４ａで満たされる。
【０１１１】
次に、図２８に示す吐出停止工程（Ｓ５）として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。続いて、図２８に示すノズル移動工程（Ｓ６）として、ノズル３１を辺Ｈ３側に移動させる。本工程では、ノズル３１からの樹脂４ａの供給は停止した状態でノズル３１を移動させる。
【０１１２】
図２６を用いて説明したように、樹脂４ａの進行速度を決定する要因として、毛細管現象の影響が支配的となっている場合には、突起電極の配置密度が狭い領域では樹脂４ａの進行速度が低下する。したがって、図２９の（ｂ）に示すように、樹脂４ａが領域ＮＲ３に到達する前に、領域ＮＲ３に最も近い、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給することが好ましい。このため、吐出停止工程（Ｓ５）で、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させ、停止状態でノズル３１を辺Ｈ３側に移動させる。
【０１１３】
また、ノズル３１からの樹脂４ａの供給を再開する位置は、図２９の（ｂ）に示すように、第１辺供給工程（Ｓ１）で辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａが既に充填されている位置Ｐ２であることが好ましい。樹脂４ａが未だ充填されていない位置から樹脂４ａの供給を再開すると、図２７を用いて説明したように樹脂４ａを２方向から独立して供給することになり、樹脂４ａの進行方向が不安定になり易い。一方、図２９の（ｂ）に示す位置Ｐ２から充填を再開すれば、樹脂４ａの進行方向に向かって新たな樹脂４ａを供給することになるので、樹脂４ａの進行方向が安定する。したがって、図２７に示すような未充填領域ＫＨが形成されることを抑制する観点から、ノズル移動工程（Ｓ６）では、図２９の（ｂ）に示す位置Ｐ２にノズル３１を移動させることが好ましい。
【０１１４】
また、図２９の（ｂ）に示すように、位置Ｐ１は、角部Ｋ２と樹脂４ａの先端の間の範囲内の任意の位置に設定することができる。ただし、本工程に続いて行う、第３辺供給工程（Ｓ７）で、領域ＮＲ３に樹脂４ａを素早く供給する観点からは、角部Ｋ１と樹脂４ａの先端の中央よりも先端側に設定することが好ましい。
【０１１５】
次に、図２８に示す第３辺供給工程（Ｓ７）として、図２９の（ｃ）に示すように、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給する。前記したように、本工程では、樹脂４ａが領域ＮＲ３に到達する前に、領域ＮＲ３に最も近い、辺Ｈ３側からの樹脂４ａの供給を再開する。これにより、図２９の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ１の全体が樹脂４ａで満たされる前に、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５を樹脂４ａで満たすことができる。
【０１１６】
また、本工程では、ノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ２側から角部Ｋ４側に向かって、辺Ｈ２に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。なお、本工程に対する変形例として、図２９の（ｂ）に示す位置Ｐ２にノズル３１を静止させた状態で、樹脂４ａを供給することもできる。この場合でも位置Ｐ２と領域ＮＲ３の距離が近ければ領域ＮＲ２に樹脂４ａを注入することができる。また、この場合、第３辺側から供給された樹脂４ａが辺Ｈ４側を回り込んで、未充填領域が形成されることを確実に防止できる。ただし、領域ＮＲ３に素早く樹脂４ａを供給する観点からは、図２９の（ｃ）に示すように、ノズル３１を角部Ｋ２側から角部Ｋ４側に向かって、辺Ｈ３に沿って移動させながら樹脂４ａを供給することが好ましい。
【０１１７】
次に、図２８に示す吐出停止工程（Ｓ８）として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。そして、半導体チップ１０と配線基板２０（図１９参照）の間が樹脂４ａで満たされたら、例えば図４に示すように半導体チップ１０の側面１０ｃに濡れ上がるフィレットの形状を整えるため、半導体チップ１０の周縁部に沿って樹脂４ａ（図２０参照）を供給しても良い。
【０１１８】
次に、図２８に示す樹脂硬化工程（Ｓ９）として、樹脂４ａ（図２９参照）を硬化させれば、図１９に示すアンダーフィル４が得られる。樹脂４ａの硬化方法は、例えば、加熱処理による熱硬化を用いることができる。
【０１１９】
＜変形例＞
次に、上記した実施態様の変形例を含め、好ましい態様について説明する。
【０１２０】
まず、樹脂４ａを供給する際の樹脂４ａの供給量について説明する。前記＜封止工程の詳細＞のセクションで説明した樹脂４ａの供給量は、各辺（辺Ｈ１、Ｈ２および辺Ｈ３）において一定の供給量とすることができる。しかし、図２９を用いて説明したように、樹脂４ａが領域ＮＲ３に到達する前に、領域ＮＲ３に最も近い、辺Ｈ３側からの樹脂４ａの供給を再開する観点から、各辺から異なる供給量で樹脂４ａを供給することが好ましい。
【０１２１】
まず、図２８に示す第１辺供給工程（Ｓ１）では、図２９の（ａ）に示すように、辺Ｈ１に沿って第１の供給量で樹脂４ａを供給する。本工程では、領域ＮＲ５および領域ＮＲ４を、樹脂４ａで確実に満たす観点から、相対的に供給量を多くすることが好ましい。上述した条件においては、例えば、９ｍｇ程度を辺Ｈ１から供給する。
【０１２２】
次に、図２８に示す第２辺供給工程（Ｓ４）では、図２９の（ｂ）に示すように、辺Ｈ２側から樹脂４ａを供給する。本工程では、前記したように領域ＮＲ２を速やかに樹脂４ａで満たすために、辺Ｈ２側から樹脂４ａを供給する。ここで、辺Ｈ２側から供給した樹脂４ａが領域ＮＲ３に到達するのを抑制する観点から、辺Ｈ２側からの供給量は前記第１の供給量よりも少なくすることが好ましい。上述した条件においては、例えば、４ｍｇ〜７ｍｇ程度を辺Ｈ１から供給する。
【０１２３】
次に、図２８に示す第３辺供給工程（Ｓ７）では、図２９の（ｃ）に示すように、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給する。本工程では、前記したように領域ＮＲ３を速やかに樹脂４ａで満たすために、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給する。ただし、図２９を用いて説明した例では、本工程を開始する段階では、領域ＮＲ４、ＮＲ５、および領域ＮＲ２の大部分は樹脂４ａで満たされている。したがって、本工程での樹脂４ａの供給量（第３の供給量）は領域ＮＲ３に未充填領域が形成されることを抑制できる程度の量が確保できれば良い。ただし、領域ＮＲ３が樹脂４ａで満たされる前に図２９に示す辺Ｈ４側で樹脂４ａが合体することを抑制する観点からは、辺Ｈ３からの供給量（第３の供給量）を辺Ｈ１からの供給量（第１の供給量）よりも少なくすることが好ましい。上述した条件においては、例えば、４ｍｇ〜７ｍｇ程度を辺Ｈ１から供給する。
【０１２４】
このように、辺Ｈ２からの供給量（第２の供給量）を辺Ｈ１からの供給量（第１の供給量）よりも少なくすることにより、領域ＮＲ３に未充填領域が形成されることを抑制できる。また、辺Ｈ３からの供給量（第３の供給量）を辺Ｈ１からの供給量（第１の供給量）よりも少なくすることにより、領域ＮＲ３が樹脂４ａで満たされる前に辺Ｈ４側で樹脂４ａが合体して未充填領域が形成されることを抑制できる。
【０１２５】
また、最初に樹脂４ａを供給する辺Ｈ１側からの樹脂４ａの供給量を最も多くすることにより、図２９に示す樹脂４ａが領域ＮＲ２および領域ＮＲ１の近傍まで到達する時間を短縮することができる。このため、図２８に示す第１辺供給工程（Ｓ１）の開始から第２辺供給工程（Ｓ４）の開始までの時間を短縮することができる。つまり、封止時間に要する処理時間を短縮することができる。
【０１２６】
また、辺Ｈ１側からの樹脂４ａの供給量を最も多くすることにより、図２９に示す領域ＮＲ５および領域ＮＲ４に樹脂４ａを埋め込む際の供給圧力を大きくすることができる。この結果、領域ＮＲ５および領域ＮＲ４に未充填領域が形成され難くなる。
【０１２７】
なお、樹脂４ａの供給量は、単位領域（例えば、半導体チップ１０の各辺）に供給される樹脂４ａの量であって、（樹脂４ａの吐出速度）／（ノズル３１の移動速度）で定義される。例えば、図２０に示すノズル３１からの吐出速度を一定にした場合、ノズル３１の移動速度が遅い程、供給量が増加する。一方、ノズル３１の移動速度を一定にした場合、吐出速度が増加する程、供給量が増加する。
【０１２８】
また、前記したように、図２８に示す第２辺供給工程（Ｓ４）の開始位置である位置Ｐ１は、図２９の（ａ）に示すように、角部Ｋ１と樹脂４ａの先端の間の範囲内の任意の位置に設定することができる。しかし、第２辺供給工程（Ｓ４）で、領域ＮＲ２に樹脂４ａを素早く供給する観点からは、角部Ｋ１と樹脂４ａの先端の中央よりも先端側に設定することが好ましい。そこで、第２辺供給工程（Ｓ４）の開始位置である位置Ｐ１を出来る限り領域ＮＲ２に近づける観点から、図２９に示す辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａの先端が、辺Ｈ２の中央を越えてから図２８に示す第２辺供給工程（Ｓ４）を開始することが好ましい。同様に、第３辺供給工程（Ｓ７）の開始位置である位置Ｐ２を出来る限り領域ＮＲ３に近づける観点から、図２９に示す辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａの先端が、辺Ｈ３の中央を越えてから図２８に示す第３辺供給工程（Ｓ７）を開始することが好ましい。
【０１２９】
第２辺供給工程（Ｓ４）を開始する前に、図２９に示す辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａの先端が辺Ｈ２の中央を越えるまでの時間は、樹脂４ａの供給圧力と、樹脂４ａが供給される領域内の突起電極の分布が揃っていれば、ある程度の再現性が確保できる。したがって、各辺（辺Ｈ１、Ｈ２および辺Ｈ３）からの樹脂４ａの供給量は同じであっても、第２辺供給工程（Ｓ４）および第３辺供給工程（Ｓ７）の開始時間を調整することで、位置Ｐ１、Ｐ２を辺Ｈ２、Ｈ３の中央よりも辺Ｈ４側とすることができる。
【０１３０】
ただし、半導体チップ１０の平面寸法によっては、第２辺供給工程（Ｓ４）および第３辺供給工程（Ｓ７）の開始時間を厳密に管理しなければならない場合がある。したがって、最初に樹脂４ａを供給する辺Ｈ１からの樹脂４ａの供給量を、他の辺Ｈ２、Ｈ３からの樹脂４ａの供給量よりも多くすることで、位置Ｐ１、Ｐ２を辺Ｈ２、Ｈ３の中央よりも辺Ｈ４側とすることが好ましい。
【０１３１】
また、ノズル３１からの樹脂４ａの供給を再開する位置は、図２９の（ａ）に示すように、第１辺供給工程（Ｓ１）で辺Ｈ１側から供給された樹脂４ａが既に充填されている位置Ｐ１であることが好ましい。樹脂４ａが未だ充填されていない位置から樹脂４ａの供給を再開すると、図２７を用いて説明したように樹脂４ａを２方向から独立して供給することになり、樹脂４ａの進行方向が不安定になり易い。一方、図２９の（ａ）に示す位置Ｐ１から充填を再開すれば、樹脂４ａの進行方向に向かって新たな樹脂４ａを供給することになるので、樹脂４ａの進行方向が安定する。したがって、図２７に示すような未充填領域ＫＨが形成されることを抑制する観点から、ノズル移動工程（Ｓ３）では、図２９の（ａ）に示す位置Ｐ１にノズル３１を移動させることが好ましい。
【０１３２】
また、図２２〜図２９では、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５が、それぞれ平面視において円形を成す例を示しているが、図３０に示すように、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５のそれぞれが、長細い形状を成す場合がある。図３０は、突起電極の配置密度が低い領域の平面形状が長細い場合の例を模式的に示す説明図である。また、図３１は、図３０に示す例における樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。図３１に示す例では、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５は、辺Ｈ２、Ｈ３に沿った方向（Ｘ方向）の長さが、辺Ｈ１に沿った方向（Ｙ方向）の長さよりも長い。このように突起電極の配置密度が低い、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５の平面形状が長細くなるケースは起こり得る。例えば、図１９に示す例でも同様に、領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５は、辺Ｈ２、Ｈ３に沿った方向（Ｘ方向）の長さが、辺Ｈ１に沿った方向（Ｙ方向）の長さよりも長い。
【０１３３】
図３０に示すように、平面視において領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５が細長い形状を成す場合には、長手方向に対して交差する方向（図３０ではＹ方向）から樹脂４ａを供給した方が、樹脂４ａの供給圧力による影響が大きくなる。つまり、樹脂４ａの供給方向に対する開口面積が広くなるので、静圧抵抗が低下し、樹脂４ａを埋め込みやすくなる。特に、図３１に示すように、最初に樹脂４ａを供給する辺である辺Ｈ１から遠い位置に存在する領域ＮＲ２では、辺Ｈ２側から樹脂４ａ（図３０参照）を供給することで、領域ＮＲ２に未充填領域が形成され難くなる。同様に、最初に樹脂４ａを供給する辺である辺Ｈ１から遠い位置に存在する領域ＮＲ３では、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給することで、領域ＮＲ３に未充填領域が形成され難くなる。
【０１３４】
また、図３１では、平面視において、長方形を成す半導体チップ１０の４つの辺のうち、短辺である辺Ｈ１側から先に樹脂４ａ（図３０参照）を供給する例を示した。しかし、図３２に示すように、長辺側から先に樹脂４ａ（図３０参照）を供給することができる。図３２は、図３１に対する変形例である樹脂（アンダーフィル材）の供給方法を模式的に示した説明図である。
【０１３５】
図３２に示す例では、辺Ｈ１、Ｈ４が長辺になっており、辺Ｈ２、Ｈ３が短辺になっている。つまり、平面視において、長方形を成す半導体チップ１０の４つの辺のうち、長辺である辺Ｈ１側から先に樹脂４ａ（図３０参照）を供給する点で、図３１に示す供給方法とは相違する。図３２に示すように先に長辺側から樹脂４ａ（図３０参照）を供給する場合、図３１に示す例と比較して、領域ＮＲ２と領域ＮＲ３の距離が遠くなるので、図２８に示す第２辺供給工程（Ｓ４）の後、第３辺供給工程（Ｓ７）までの間に、樹脂４ａが領域ＮＲ３に到達し難くなる。したがって、例えば、第２辺供給工程（Ｓ４）において、樹脂４ａの供給量を多くしても、領域ＮＲ３に樹脂４ａが到達する前に第３辺供給工程（Ｓ７）を開始することができる。
【０１３６】
また、図２９から図３２では、突起電極の配置密度が低い領域が４箇所ある例について説明したが、変形例として、突起電極の配置密度が低い領域が４箇所以外の場合にも適用できる。図３３は、図３１に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。また、図３４は、図３１に示す半導体チップに対する他の変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【０１３７】
図３３に示す半導体チップＭ４では、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２および領域ＮＲ３を備え、図３１に示す領域ＮＲ４および領域ＮＲ５は有しない。また、半導体チップＭ４の領域ＮＲ２は、半導体チップＭ４の４つの辺のうち辺Ｈ２に最も近くなる位置に配置され、かつ、辺Ｈ２の中央部に配置される。また、半導体チップＭ４の領域ＮＲ３は、半導体チップＭ４の４つの辺のうち辺Ｈ３に最も近くなる位置に配置され、かつ、辺Ｈ３の中央部に配置される。言い換えれば、領域ＮＲ２および領域ＮＲ３は、辺Ｈ２の中央部と辺Ｈ３の中央部を結ぶ線（仮想線）上に配置される。また、半導体チップＭ４は、平面視において長方形を成し、辺Ｈ２、Ｈ３の長さが、辺Ｈ１、Ｈ４の長さよりも長い。つまり、半導体チップＭ４は、領域ＮＲ２、ＮＲ３が辺Ｈ１、Ｈ４の双方から遠い位置に配置される。
【０１３８】
図３３に示す半導体チップＭ４の場合、図２７を用いて説明したように、領域ＮＲ２に近い辺Ｈ２および領域ＮＲ３に近い辺Ｈ３からそれぞれ樹脂４ａを供給する方法が考えられる。しかしこの場合、図２７を用いて説明したように、対向する２辺の双方から独立して樹脂４ａを供給することとなる。このため、半導体チップＭ４と配線基板２０（図１９参照）の間の空間内において、空間内に存在した気体（空気）と樹脂４ａ（図２７参照）の流れ方向が不安定になる。このため、図２７の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ１内の一部の空間が樹脂４ａで満たされる前に、空間の周囲で樹脂４ａが合体する。この結果、空間内に存在した気体が樹脂４ａに囲まれてしまい、未充填領域ＫＨが形成されてしまう。
【０１３９】
そこで、図３３に示すように、突起電極の配置密度が低い領域が、領域ＮＲ２および領域ＮＲ３の２箇所のみの場合であっても、図３３に矢印ＪＨ１、ＪＨ２、ＪＨ３を付して示すように、辺Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の順で、順次樹脂４ａ（図２７参照）を供給することが好ましい。これにより、図２７に示すような未充填領域ＫＨが形成されることを防止または抑制できる。
【０１４０】
また、図３４に示す半導体チップＭ５は、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４および領域ＮＲ５に加え、第１の配置密度よりも低い第６の配置密度を有する領域ＮＲ６を備えている点で図３１に示す半導体チップ１０と相違する。図３４は、図３１に示す半導体チップに対する他の変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。図３４に示す半導体チップＭ５は、領域ＮＲ５と領域ＮＲ４の間に領域ＮＲ６が配置されている。言い換えれば、半導体チップＭ５では、４辺のうちの少なくとも１辺（図３４では辺Ｈ１）に沿って、３箇所以上に、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ４、ＮＲ５、ＮＲ６が設けられている。このような場合には、図３４に示すように、最初に領域ＮＲ４、ＮＲ５、ＮＲ６が配置される辺Ｈ１に沿って樹脂４ａを供給することが好ましい。
【０１４１】
また、図３５に示す半導体チップＭ６は、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５および領域ＮＲ６に加え、第１の配置密度よりも低い第７の配置密度を有する領域ＮＲ７を備えている点で図３４に示す半導体チップＭ５と相違する。図３５は、図３４に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。図３５に示す半導体チップＭ６は、辺Ｈ２に沿って配置される領域ＮＲ２と領域ＮＲ５の間に領域ＮＲ６が配置されている。また、半導体チップＭ６は、辺Ｈ３に沿って配置される領域ＮＲ４と領域ＮＲ３の間に領域ＮＲ７が配置されている。言い換えれば、半導体チップＭ６では、４辺のうちの少なくとも互いに対向する２辺（図３５では辺Ｈ２、辺Ｈ３）に沿って、それぞれ３箇所以上に、突起電極の配置密度が低い領域が設けられている。この場合、領域ＮＲ６に未充填領域が形成されることを防ぐ観点からは、辺Ｈ２側から樹脂４ａ（図２７参照）を供給することが好ましい。また、領域ＮＲ７に未充填領域が形成されることを防ぐ観点からは、辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給することが好ましい。
【０１４２】
つまり、図３５に示す場合には、互いに対向する辺Ｈ２側および辺Ｈ３側のそれぞれから樹脂４ａ（図２７参照）を供給することが好ましい。そこで、図３５に矢印ＪＨ１、ＪＨ２、ＪＨ３を付して示すように、辺Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３の順で、順次樹脂４ａ（図２７参照）を供給することが好ましい。これにより、図２７に示すような未充填領域ＫＨが形成されることを防止または抑制できる。
【０１４３】
また、前記したように図２０に示す樹脂４ａの供給量は、単位領域（例えば、半導体チップ１０の各辺）に供給される樹脂４ａの量であって、（樹脂４ａの吐出速度）／（ノズル３１の移動速度）で定義できる。しかし、図３６に示すように、同じ辺から複数回に亘って樹脂４ａを供給することにより、供給量をさらに増加させることができる。図３６は、図２３に示す半導体チップに対する変形例における樹脂の供給方法を示す説明図である。
【０１４４】
図３６に示す半導体チップＭ７は、領域ＮＲ２が、辺Ｈ１に最も近い位置に配置される。また、図３６に示す樹脂４ａの供給方法では、辺Ｈ１側から樹脂４ａを、２回供給している点で図２３に示す供給方法とは異なる。図３６に示す例では、樹脂４ａの供給量を増加させることにより、供給圧力を増加させることができる点に着目し、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２の近傍で、局所的に樹脂の供給量を増加させた実施態様である。
【０１４５】
図３６に示す封止工程では、以下のように樹脂４ａを供給する。まず、予備供給工程として、図３６の（ａ）に示すように、ノズル３１を半導体チップＭ７の、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。ここで、図３６の（ａ）に矢印ＪＨ１を付して示すように、本工程では、角部Ｋ１から角部Ｋ２まで辺Ｈ１全体に樹脂４ａを供給するのではなく、辺Ｈ１の一部に樹脂４ａを供給する。詳しくは、半導体チップＭ７の辺Ｈ１のうち、領域ＮＲ２に沿った部分Ｂ１において、ノズル３１から樹脂４ａを吐出する。言い換えれば、本工程では、領域ＮＲ２に沿ってノズル３１を移動させながら、樹脂４ａを供給する。これにより、図３６の（ａ）に示すように樹脂４ａは、領域ＮＲ２、および領域ＮＲ２よりも辺Ｈ１側の領域に広がる。
【０１４６】
次に、吐出停止工程として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。この吐出停止工程は、図２８を用いて説明した吐出停止工程（Ｓ２）と同様である。続いて、ノズル移動工程として、ノズル３１を次の吐出開始位置まで移動させる。本工程では、ノズル３１からの樹脂４ａの供給は停止した状態でノズル３１を移動させる。ここで、図３６に示す変形例では、次に行う第１辺供給工程で、再び辺Ｈ１に沿って吐出するので、ノズル移動工程では、辺Ｈ１の一方の端部（図３６に示す例では角部Ｋ１）に移動させる。
【０１４７】
次に、第１辺供給工程として、図３６の（ｂ）に示すように、辺Ｈ１に沿って樹脂４ａを供給する。本工程では、供給装置３０のノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ１側から角部Ｋ２側に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。この時、領域ＮＲ２に沿った部分Ｂ１には既に樹脂４ａが供給されているため、部分Ｂ１では、局所的に樹脂４ａの供給量が増加することになる。このため、領域ＮＲ２に供給される樹脂４ａの供給圧力が増大し、この結果、図３６の（ｃ）に示すように、領域ＮＲ２をより確実に樹脂４ａで満たすことができる。言い換えれば、領域ＮＲ２の近傍における未充填領域の発生を抑制できる。
【０１４８】
また、図３６では、樹脂４ａの供給方法の変形例を適用した例として、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２が１箇所に設けられた例を取り上げて説明したが、突起電極の配置密度が低い領域が複数カ所に設けられた場合にも適用することができる。つまり、図２３〜図３５を用いて説明した樹脂４ａの供給方法と図３６を用いて説明した樹脂４ａの供給方法を組み合わせて適用することができる。一例として、図３１に示す例と組み合わせて適用した場合の例を取り上げて説明する。図３７は、図３１に示す樹脂の供給方法に対する変形例を示す説明図である。
【０１４９】
図３７に示す半導体チップ１０に図３６で示した樹脂４ａの供給方法を適用する場合、特に、辺Ｈ１側から領域ＮＲ５、領域ＮＲ４に樹脂４ａを供給する場合に適用して有効である。平面視において、領域ＮＲ４、ＮＲ５の形状は、長辺である辺Ｈ２、Ｈ３に沿って長細くなっている。この場合、辺Ｈ１側から樹脂４ａを供給すると、辺Ｈ２または辺Ｈ３側から樹脂４ａを供給した場合と比較して、樹脂４ａが領域ＮＲ４、ＮＲ５内に注入され難い。
【０１５０】
そこで、図３７に示す実施態様では、辺Ｈ１側から複数回に亘って樹脂４ａを供給する。すなわち、図３７に示す例では、まず、第１予備供給工程として、ノズル３１を半導体チップ１０の、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。ここで、矢印ＪＨ１を付して示すように、本工程では、角部Ｋ１から角部Ｋ２まで辺Ｈ１全体に樹脂４ａを供給するのではなく、辺Ｈ１の一部に樹脂４ａを供給する。詳しくは、半導体チップ１０の辺Ｈ１のうち、領域ＮＲ５に沿った部分Ｂ１において、ノズル３１から樹脂４ａを吐出する。言い換えれば、本工程では、領域ＮＲ５に沿ってノズル３１を移動させながら、樹脂４ａを供給する。これにより、樹脂４ａは、領域ＮＲ５、および領域ＮＲ５よりも辺Ｈ１側の領域に広がる。
【０１５１】
次に、吐出停止工程として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。この吐出停止工程は、図２８を用いて説明した吐出停止工程（Ｓ２）と同様である。続いて、ノズル移動工程として、ノズル３１を次の吐出開始位置まで移動させる。図３７に示す例では、辺Ｈ１に沿って、突起電極の配置密度が低い領域が２箇所（領域ＮＲ４、ＮＲ５）に設けられている。このため、本工程では、半導体チップ１０の辺Ｈ１のうち、領域ＮＲ４に沿った部分Ｂ２にノズル３１を移動させる。
【０１５２】
次に第２予備供給工程として、ノズル３１を半導体チップ１０の、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。ここで、矢印ＪＨ２を付して示すように、本工程では、辺Ｈ１の一部、詳しくは、半導体チップ１０の辺Ｈ１のうち、領域ＮＲ５に沿った部分Ｂ１において、ノズル３１から樹脂４ａを吐出する。言い換えれば、本工程では、領域ＮＲ３に沿ってノズル３１を移動させながら、樹脂４ａを供給する。これにより、樹脂４ａは、領域ＮＲ４、および領域ＮＲ５よりも辺Ｈ１側の領域に広がる。
【０１５３】
次に、吐出停止工程として、ノズル３１からの樹脂４ａの吐出を停止させる。続いて、ノズル移動工程として、ノズル３１を次の吐出開始位置まで移動させる。本工程では、ノズル３１からの樹脂４ａの供給は停止した状態でノズル３１を移動させる。ここで、次に行う第１辺供給工程で、再び辺Ｈ１に沿って吐出するので、ノズル移動工程では、辺Ｈ１の一方の端部（図３７に示す例では角部Ｋ１）に移動させる。
【０１５４】
次に、第１辺供給工程として、矢印ＪＨ３を付して示すように、辺Ｈ１に沿って樹脂４ａを供給する。本工程では、供給装置３０のノズル３１を半導体チップ１０の角部Ｋ１側から角部Ｋ２側に向かって、辺Ｈ１に沿って移動させながら樹脂４ａを供給する。この時、領域ＮＲ５に沿った部分Ｂ１、および領域ＮＲ４に沿った部分Ｂ２には既に樹脂４ａが供給されているため、部分Ｂ１、Ｂ２では、それぞれ局所的に樹脂４ａの供給量が増加することになる。このため、領域ＮＲ５、ＮＲ４に供給される樹脂４ａの供給圧力が増大し、この結果、辺Ｈ１側からであっても、領域ＮＲ５、ＮＲ４をより確実に樹脂４ａで満たすことができる。言い換えれば、領域ＮＲ５、ＮＲ４の近傍における未充填領域の発生を抑制できる。
【０１５５】
以降の工程は、図３７に矢印ＪＨ４、ＪＨ５を付して示すように、辺Ｈ２側および辺Ｈ３側から順次樹脂４ａを供給する。これらの工程の詳細は、図２８および図２９を用いて説明した第２辺供給工程（Ｓ４）以降の工程と同様である。したがって重複する説明は省略する。
【０１５６】
上記の通り、図２３〜図３５を用いて説明した樹脂４ａの供給方法と図３６を用いて説明した樹脂４ａの供給方法を組み合わせて適用することにより、未充填領域の発生をさらに確実に抑制することができる。
【０１５７】
＜その他の変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１５８】
例えば、前記実施の形態では、例えば図２４を用いて説明したように、突起電極の配置密度が低い領域が半導体チップＭ２の一辺（図２４では辺Ｈ４）側に固まって配置される場合、領域ＮＲ２、ＮＲ３の最も近くに配置される辺Ｈ４側から樹脂４ａを供給することが好ましい。しかし、配線基板上のレイアウトによっては、樹脂４ａを供給する辺を自由に選択できない場合がある。例えば図３８に示す半導体装置４０は、半導体チップ１０の辺Ｈ４側の隣に部材４１が配置されているため、辺Ｈ４側から樹脂４ａを供給することが困難になっている。図３８は、図３に対する変形例である半導体装置の上面側を示す平面図である。図３８に示す部材４１は、例えば半導体チップ、あるいは半導体チップ以外の電子部品であっても良い。また、図３８では、部材４１を一つの部品として示しているが、複数の部品が部材４１として示す領域に搭載されていても良い。
【０１５９】
図３８に示す場合、突起電極の配置密度が低い領域ＮＲ２、ＮＲ３が、いずれも辺Ｈ４に最も近い位置に配置されていても、辺Ｈ４側から樹脂を供給することが困難である。したがって、図２９を用いて説明した樹脂の供給方法を適用することで、未充填領域が形成されることを防止または抑制できる。
【０１６０】
また例えば、前記実施の形態では、図５および図６を用いて説明したように、半導体チップ１０の表面１０ａ側に、複数のバンプ（突起電極）１１が規則的に配置されている例として、ＷＰＰ型の半導体チップ１０を取り上げて説明した。しかし、半導体チップ１０の周縁部、および周縁部よりも内側の中央部にパッドＰＤ（図６参照）を形成し、パッドＰＤの直上に突起電極（バンプ）を形成する場合がある。平面視において半導体チップの中央部は、コア領域と呼ばれ、例えば演算回路などのコア回路が形成される。また、コア領域上に形成される突起電極は、エリアバンプと呼ばれ、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）からなる導体をパッドＰＤに接合することで形成する。このため、コア領域にパッドＰＤおよび突起電極を形成する場合には、コア回路の損傷抑制の観点からコア回路との位置関係を考慮してパッドＰＤおよび突起電極の形成位置を決定する必要がある。したがって、半導体チップの表面上において、エリアバンプの配置密度が高い領域と低い領域が発生する。つまり、前記実施の形態で例示的に説明したＷＰＰ型の半導体チップ１０と同様の課題が発生する。したがって、前記実施の形態で説明した樹脂４ａの供給方法を適用することで、未充填領域の発生を防止または抑制することができる。
【０１６１】
また、前記実施の形態では、所謂、多数個取り基板である配線基板２０を用いる実施態様について説明した。しかし、変形例として、図３に示す配線基板３のように、製品１個分に対応する個片の配線基板を基板準備工程で準備することができる。この場合、個片化工程を省略することができる。
【０１６２】
また、前記実施の形態では、多数の変形例について説明したが、その要旨を逸脱しない範囲で各変形例を組み合わせて適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６３】
半導体チップをフリップチップ接続方式で基板に接続する半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０１６４】
１  半導体装置
３  配線基板（基材、インタポーザ）
３ａ  上面（チップ搭載面、表面）
３ｂ  下面（実装面、裏面）
３ｃ  側面
３ｄ  配線層
３ｆ  ソルダレジスト膜（絶縁膜、保護膜）
３ｇ  ソルダレジスト膜（絶縁膜、保護膜）
３ｈ  配線
３ｚ  絶縁層
４  アンダーフィル（アンダーフィル樹脂、樹脂材、応力緩和部材）
４ａ  樹脂（アンダーフィル材）
５  半田ボール
６  端子（ランド、ボンディングリード）
７  ランド（外部端子）
１０、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６、Ｍ７  半導体チップ
１０ａ  表面
１０ｂ  裏面
１０ｃ  側面
１１  バンプ（突起電極）
１２  半導体基板
１２ａ  主面（半導体素子形成面、表面）
１２ｂ  主面（裏面）
１２ｃ  半導体素子形成領域
１３  配線層（第１配線層、チップ配線層）
１３ａ  内部配線（配線）
１３ｂ  表面配線（配線、最上層配線）
１３ｃ、１３ｄ  絶縁層
１４  再配線層（配線層、第２配線層）
１４ａ  上面（主面、表面）
１４ｂ  下面（主面、裏面）
１４ｃ  ランド部（バンプランド）
１４ｄ  配線（再配線）
１４ｅ  絶縁膜（有機絶縁膜）
１４ｆ  絶縁膜（有機絶縁膜）
１５  ヒューズ
２０  配線基板
２０ａ  製品形成領域
２０ｂ  枠部（枠体）
２０ｃ  ダイシングライン（ダイシング領域）
２５  ウエハ（半導体ウエハ、半導体基板）
２５ａ  チップ領域（デバイス領域）
２５ｂ  スクライブライン（スクライブ領域）
３０  供給装置
３１  ノズル
４０  半導体装置
４１  部材
Ｂ１、Ｂ２  部分
ＣＴ  チップ搭載領域
Ｇ１  距離（ギャップ、クリアランス）
Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３、Ｈ４  辺
ＪＨ  矢印
ＪＨ１、ＪＨ２、ＪＨ３、ＪＨ４、ＪＨ５  矢印（軌跡）
Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４  角部
ＫＨ  未充填領域（気泡）
Ｌｚ  レーザ
ＮＲ１  領域（突起電極の配置密度が高い領域）
ＮＲ２、ＮＲ３、ＮＲ４、ＮＲ５、ＮＲ６、ＮＲ７  領域（突起電極の配置密度が低い領域）
Ｐ１、Ｐ２  位置（供給再開位置）
ＰＤ  パッド（電極パッド）
Ｓ１  第１辺供給工程
Ｓ２  吐出停止工程
Ｓ３  ノズル移動工程
Ｓ４  第２辺供給工程
Ｓ５  吐出停止工程
Ｓ６  ノズル移動工程
Ｓ７  第３辺供給工程
Ｓ８  吐出停止工程
Ｓ９  樹脂硬化工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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