(57)【要約】【課題】相互接続構造を含む電子部品を提供する。【解決手段】電子部品（１０）は、第１の表面（１４）及び第２の表面（１６）を持つ基体絶縁層（１２）と、第１の表面（２０）及び第２の表面（２２）を持っていて、前記基体絶縁層に固定されている少なくとも１つの電子装置（１８）と、前記電子装置の第１の表面上に配置された少なくとも１つのＩ／Ｏコンタクト（２４）と、開口（４２）を画成しているフレーム・パネル（２６）とを含んでいる。前記電子装置は前記開口内に配置されており、また前記フレーム・パネルは、第１の材料で構成された第１の領域（２８）と、第２の材料で構成された第２の領域（３０）とを持つ多機能構造であり、前記第１の領域の表面は前記基体絶縁層に固定されており、前記第１の材料及び前記第２の材料が互いに異なる材料であって、前記基体絶縁層に対して異なる粘着力を持つ。【選択図】図１
2014187406.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品（１０）を製造する方法であって、
接着剤を用いて少なくとも１つの電子装置（１８）の第１の表面（２０）と、フレーム・パネル（２６）の第１の表面を基体絶縁層（１２）の第２の表面（１６）に固着するステップであって、前記フレーム・パネル（２６）の開口（４２）内には前記電子装置（１８）が配置されている、前記ステップと、
前記基体絶縁層（１２）の第１の表面（１４）から前記少なくとも１つの電子装置（１８）の前記第１の表面（２０）に配置された少なくとも１つのＩ／Ｏコンタクト（２４）まで延びる第１のバイア（４６）を形成するステップと、
前記第１のバイア（４６）内に配置され、前記Ｉ／Ｏコンタクト（２４）に接続した第１の電気導体（４４）を形成するステップと、
を含み、
前記フレーム・パネル（２６）は前記第１のバイア（４６）の形成及び／又は前記第１の電気導体（４４）の形成中に前記基体絶縁層（１２）を安定化する、
方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの電子装置（１８）を取り囲む、前記少なくとも１つの電子装置（１８）と前記フレーム・パネル（２６）との間の区域にカプセル封止材料（７０）を配置して、前記基体絶縁層（１２）及び前記少なくとも１つの電子装置（１８）をカプセル封止するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記相互接続組立体の第１の表面上に半田マスク材料（６８）を配置するステップを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記相互接続組立体の第１の表面上にコンタクト・パッドを画成するステップを含む、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相互接続構造に関する実施形態を含む。より具体的に述べると、本発明の実施形態は、フレーム・パネルを含む相互接続構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ、個別受動性素子、ＢＧＡ坦体又は他の電気素子のような電子装置を、印刷回路板、基板、相互接続構造又は可撓性回路に固着するには、一般に半田又は接着剤が用いられている。エリア・アレイ半田取り付け組立体では、電気的接続を作るために、温度を上昇させて半田を再流動させ、半田を冷却して固化させる。電子装置の熱膨張係数（ＣＴＥ）が、該電子装置を取り付ける基板のＣＴＥに密に整合していない用途では、熱サイクルが半田継手に応力を加えて、半田の疲れ破損を惹起することがある。この問題を克服する１つの方法は、半田継手の応力軽減のために充填エポキシのようなポリマー樹脂アンダーフィル(underfill) で半田継手を包むことである。これらのアンダーフィルは、構成部品の１つ以上の側面に液体樹脂を施して、該樹脂を毛細管作用で構成部品の下へ流れさせることによって、適用することができる。
【０００３】
埋込チップ・ビルドアップ（ＥＣＢＵ）又はチップ・ファースト・ビルドアップ（ＣＦＢＵ）技術と呼ばれている現在の埋込みチップ処理では、裸のチップが、周囲の又は周辺のＩ／Ｏパッドと共に、或いは半田接合又はワイヤボンドを必要とせずに頂部表面に亘って高密度相互接続構造の中に分布したＩ／Ｏパッドのアレイ（配列）と共に、パッケージ化されている。ＥＣＢＵ又はＣＦＢＵ処理は、印刷回路板のような基板レベルの組立体に適合可能であるより大きなコンタクト・パッドに対して複合半導体チップを相互接続するチップ担持体を形成するために使用することができる。相互接続構造は基体絶縁層を含むことができる。基体絶縁層は、該絶縁層の表面上に随意選択による金属化層を支持することができる。支持構造により基体絶縁層に剛性を与える場合、この支持構造は、応力、温度及び湿度に基づく試験のような相互接続構造についての信頼性試験に耐える必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７１８３６５８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、現在得ることのできるものとは異なる特性又は特徴を持つ電子装置を提供することが望ましと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施形態では、本発明は電子部品を提供する。この電子部品は、第１の表面及び第２の表面を持つ基体絶縁層と、第１の表面及び第２の表面を持っていて、前記基体絶縁層に固定されている少なくとも１つの電子装置と、前記電子装置の第１の表面上に配置された少なくとも１つのＩ／Ｏコンタクトと、開口を画成しているフレーム・パネルとを含んでいる。前記電子装置は前記開口内に配置されており、また前記フレーム・パネルは、第１の材料で構成された第１の領域と第２の材料で構成された第２の領域とを持つ多機能構造であり、前記第１の領域の表面は前記基体絶縁層に固定されており、前記第１の材料及び前記第２の材料が互いに異なる材料であって、前記基体絶縁層に対して異なる粘着力を持つ。
【０００７】
一実施形態では、電子部品が提供される。この電子部品は、第１の表面及び第２の表面を持つ基体絶縁層と、第１の表面及び第２の表面を持っていて、前記基体絶縁層に固定されている電子装置と、前記電子装置の第１の表面上に配置された第１のＩ／Ｏコンタクトと、開口を画成しているフレーム・パネルとを含んでいる。前記電子装置は前記開口内に配置されており、また前記フレーム・パネルは、ａ）前記基体絶縁層に固定されている第１の領域であって、前記基体絶縁層に対する比較的高い親和力又は粘着力によって規定されている第１の領域と、ｂ）前記基体絶縁層に対して比較的低い親和力又は粘着力を持ち、且つ前記第１の領域よりも比較的高い寸法安定性、或いは応力、温度又は湿度に対する抵抗性を持つ第２の領域とを持っている多機能構造である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に従って作られた相互接続構造の垂直断面図である。
【図２】図２（ａ）は、フレーム・パネルの上面図であり、また図２（ｂ）は、フレーム・パネルの垂直断面図である。
【図３】図３は、本発明の別の実施形態に従って作られた相互接続構造の垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、相互接続構造に関する実施形態を含む。より具体的に述べると、本発明の実施形態は、フレーム・パネルを含む相互接続構造に関する。
【００１０】
図１について説明すると、第１の表面１４及び第２の表面１６を持つ基体絶縁層１２を含む電子部品１０を示している。電子装置１８が基体絶縁層に固定されている。電子装置は第１の表面２０及び第２の表面２２を持つ。少なくとも１つのＩ／Ｏコンタクト２４が電子装置の第１の表面上に配置されている。フレーム・パネル２６が、第１の材料で構成されている第１の領域２８と、第２の材料で構成されている第２の領域３０とを含む。第１の材料と第２の材料とは互いから異なっている。フレーム・パネルの第１の領域の表面が基体絶縁層に固定されている。フレーム・パネルはまた、少なくとも１つの開口を含んでおり、該開口内には電子装置が配置されている。
【００１１】
基体絶縁層は電気絶縁材料で形成される。更に、基体絶縁層は、導電性材料を固定することが可能であるポリマー・フィルムとすることができる。基体絶縁層として使用するための適当な材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、液晶ポリマー、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ、又はシリコーン（polyimide, polyetherimide, benzocyclobutene (BCB), liquid crystal polymer, bismaleimide-triazine resin (BT resin), epoxy, or silicone）の内の一種以上を含むことができる。基体絶縁層として使用するための適当な市販の材料としては、（デュポン社によって製造された）ＫＡＰＴＯＮ−Ｈポリイミド又はＫＡＰＴＯＮ−Ｅポリイミド、（鐘淵化学工業によって製造された）ＡＰＩＣＡＬ−ＡＶポリイミド、（宇部工業によって製造された）ＵＰＩＬＥＸポリイミド、及び（ゼネラル・エレクトリック社によって製造された）ＵＬＴＥＭポリエーテルイミド（KAPTON H polyimide or KAPTON E polyimide (manufactured by E. I. du Pont de Nemours & Co.), APICAL AV polyimide (manufactured by Kanegafugi Chemical Industry Company), UPILEX polyimide (manufactured by UBE Industries, Ltd.), and ULTEM polyetherimide (manufactured by General Electric Company)）を挙げることができる。例示の実施形態では、基体絶縁層はＫＡＰＴＯＮ−Ｈポリイミドとして完全に硬化される。
【００１２】
基体絶縁層は、相互接続構造、可撓性回路、回路板又は他の構造中に形成することができる。相互接続構造は１つ以上の電子装置を取り付けて、それらと相互接続することができる。一実施形態に関して、基体絶縁層についての選択特性には、弾性係数、並びに処理中に寸法変化を最小にする熱及び湿度膨張係数が含まれる。可撓性を維持するため、基体絶縁層の厚さを最小限にすることができる。基体絶縁層は、この基体絶縁層の第１及び第２の両方の表面上に随意選択により設けられる金属化層を支持するために（厚さ、支持構造又は材料特性のいずれかにより）充分な剛性を持っていなければならない。
【００１３】
基体絶縁層の厚さに関して、適当な厚さは、最終用途、電子装置の数及び種類などを参照して選択することができる。厚さは約１０マイクロメートルよりも大きくすることができる。また、厚さは約５０マイクロメートルよりも小さくすることができる。一実施形態では、基体絶縁層の厚さは、約１０マイクロメートル〜約２０マイクロメートルであり、又は約２０マイクロメートル〜約３０マイクロメートルであり、又は約３０マイクロメートル〜約４０マイクロメートルであり、又は約４０マイクロメートル〜約５０マイクロメートルであり、又は約５０マイクロメートルよりも大きい。基体絶縁層が回路板である一実施形態では、その適当な厚さは回路板内の層の数に基づいて定めることができる。回路板の層の数は、一般に約２〜約５０以上であり、各層は約１００マイクロメートルの厚さを持つ。
【００１４】
図１に示されているように、電子装置の第１の表面は、その上に１つ以上のＩ／Ｏコンタクトが配置される装置の能動表面であってよい。電子装置上に配置することのできるＩ／Ｏコンタクトの例としては、パッド、ピン、バンプ及び半田球体が挙げられる。例示の実施形態では、Ｉ／ＯコンタクトはＩ／Ｏパッドである。他の適当な電子装置は、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、ビデオ・プロセッサ又はＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）のようなパッケージ化された又はパッケージ化されていない半導体チップ、或いは個別受動性素子、或いはボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）担持体であってよい。一実施形態では、電子装置は、その第１の表面上に配置されたＩ／Ｏコンタクト・パッドのアレイを持つ半導体シリコン・チップである。
【００１５】
一実施形態では、フレーム・パネルは第１の表面３２及び第２の表面３４を持つ。電子装置の第１の表面及びフレーム・パネルの第１の表面は基体絶縁層の第２の表面に固定される。基体絶縁層は、接着剤層３６を用いて、フレーム・パネル及び電子装置に固着することができる。接着剤層は熱硬化性接着剤で構成される。適当な接着剤としては、例えば、熱硬化性ポリマーを挙げることができる。適当な熱硬化性ポリマーとしては、エポキシ、シリコーン、アクリレート、ウレタン、ポリエーテルイミド又はポリイミド（an epoxy, silicone, acrylate, urethane, polyetherimide, or polyimide）を挙げることができる。適当な市販の熱硬化性接着剤としては、（チバ・ガイギー社によって製造された）ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ４１２、（アムコ・ケミカルズ社によって製造された）ＡＭＯＣＯ−ＡＩ−１０及び（デュポン社によって製造された）ＰＹＲＥ−ＭＩのようなポリイミド（a polyimide such as CIBA GEIGY 412 (manufactured by Ciba Geigy), AMOCO AI-10 (manufactured by Amoco Chemicals Corporation) and PYRE-MI (manufactured by E. I. du Pont de Nemours & Co.)）を挙げることができる。ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ４１２は、約３６０℃のガラス転移温度を持つ。他の適当な接着剤としては、熱可塑性接着剤、水硬化接着剤、空気硬化接着剤及び放射線硬化接着剤（thermoplastic adhesives, water cure adhesives, air cure adhesives, and radiation cure adhesives）を挙げることができる。
【００１６】
接着剤層は約５マイクロメートル以上の厚さを持つことができる。一実施形態では、接着剤層の厚さは、約５マイクロメートル〜約１０マイクロメートルであり、又は約１０マイクロメートル〜約２０マイクロメートルであり、又は約２０マイクロメートル〜約３０マイクロメートルであり、又は約３０マイクロメートル〜約４０マイクロメートルであり、又は約４０マイクロメートル〜約５０マイクロメートルであり、又は約５０マイクロメートルよりも大きい。
【００１７】
図２（ａ）及び２（ｂ）について説明すると、フレーム・パネルは、基体絶縁層上の各々の電子装置設置場所のために開口４２を画成する表面を持つ。フレーム・パネル内の各々の開口は、電子装置よりもｘ及びｙ寸法を約０．２ミリメートル（ｍｍ）〜約５ｍｍ大きくすることができる。
【００１８】
フレーム・パネルは相互接続構造の製造中に基体絶縁層を安定化し、また処理中に基体絶縁層のカプセル封止されていない表面の平面性を増大させることができる。フレーム・パネルは相互接続構造の比較的永久的な構成部品とすることができる。図２（ａ）に示されているように、フレーム・パネルは複数の開口を構成するのに充分な大きさにすることができ、この場合、各々の開口は基体絶縁層上の異なる電子装置設置場所のために設けられ、またこれによりフレーム・パネルは複数の電子装置設置場所のために安定性と増大した平面性を提供する。この代わりに、フレーム・パネルは単一の開口を構成して、基体絶縁層上の１つの電子装置設置場所のために安定性と増大した平面性を提供するような寸法にすることができる。
【００１９】
フレーム・パネルの第１の領域及び第２の領域は異なる材料で構成する。フレーム・パネルの第１の領域及び第２の領域は機能が異なり、これらの領域についての材料の選択はその規定された機能に基づいて定められる。一実施形態では、第１の領域は、基体絶縁層に対する親和力又は粘着力が第２の領域よりも相対的に高いものとして規定される。次いで、第１の領域についての材料の選択は、接着剤、基体絶縁層、接着方法、製造パラメータなどに基づいて定めることができる。第２の領域は、第１の領域よりも基体絶縁層に対して相対的に低い親和力又は粘着力を持つ。しかし、第２の領域は、比較的高い寸法安定性、或いは応力、温度又は湿度に対する抵抗性を持つ。第２の領域についての材料の選択は、処理条件、使用条件及び他の考慮事項に基づいて定めることができる。
【００２０】
更に、フレーム・パネルの第１の領域は、図１に示されているように、基体絶縁層に対するフレーム・パネルの固着を容易にする材料を含むことができる。一実施形態では、第１の領域はポリマー材料とすることができる。適当な無機材料としては、セラミック、ガラス、酸化物又は窒化物を挙げることができる。適当なポリマー材料としては、ポリイミド、エポキシ、エポキシ配合物、又はそれらの２種以上の組合せを挙げることができる。一実施形態では、第１の領域はポリイミドで構成される。ポリマー材料は１つ以上の補強充填材を含むことができる。このような充填材は、繊維又は小さい無機粒子を含むことができる。適当な繊維は、ガラス繊維又は炭素繊維であってよい。適当な粒子は、炭化シリコン、窒化硼素又は窒化アルミニウムを含むことができる。別の実施形態では、第１の領域は無機材料であってよい。（フレーム・パネル及び基体絶縁層の両方に対して）添加剤及び表面処理を用いることにより、フレーム・パネルの第１の領域と基体絶縁層との間の接着剤の相互作用に影響を与えて制御することができる。
【００２１】
フレーム・パネルの第２の領域は、一実施形態では、フレーム・パネルに強度及び耐久力を与えることのできる材料で構成される。第２の領域の材料は、フレーム・パネルが所望の熱膨張係数、剛性、弾性又は熱伝導性を持つことができるようにすることができる。第２の領域における適当な材料としては、金属又はセラミックを挙げることができる。一実施形態では、第２の領域は、チタン、鉄、銅、錫、又はそれらの２種以上の組合せから選択された金属で構成される。その代わりに、金属は、ステンレス鋼、又は［銅：インバール：銅］のような、合金又は金属複合材であってよい。一実施形態では、第２の領域は銅で構成される。フレーム・パネルの領域を形成する特定の組合せの材料は、フレーム・パネルの所望の熱膨張係数、弾性、熱伝導性、剛性、表面付着性、又は他の所望の機械的特性に基づいて、特定の設計のために選択することができる。
【００２２】
フレーム・パネルは、約３ｐｐｍ／℃よりも大きい熱膨張係数（ＣＴＥ）を持つことができる。フレーム・パネルは約２０ｐｐｍ／℃よりも小さい熱膨張係数（ＣＴＥ）を持つことができる。一実施形態では、フレーム・パネルは、電子装置の厚さに等しいか又はそれに近い厚さを持つことができる。
【００２３】
本発明の一実施形態では、フレーム・パネルの第１の領域及び第２の領域は、各々、１つの層の形態であり、それらの２つの層は一緒に固着される（図１及び２（ｂ）参照）。希望に応じて、フレーム・パネルは３つ以上の層で構成することができる。追加の層（１つ又は複数）は、第１及び第２の領域の層を構成する材料と同様な材料又は異なる材料で構成することができる。別の実施形態では、第２の領域は１つの層であり、第１の領域はその層の上の部分的又は全面的な被膜の形態である、別の実施形態では、第２の領域は１つの層であり、第１の領域は第２の領域の表面上に配置された複数のセグメントで構成される。その代わりに、第１の領域は第２の領域の層内に配置された複数のセグメントで構成することができ、この場合、複数のセグメントの内の１つ以上の表面がフレーム・パネルの第１の表面で露出する。別の実施形態では、第１の領域は１つの層の形態であり、第２の領域は第１の領域の層上又は第１の領域の層内に配置された複数のセグメントで構成される。上記の２つの実施形態では、第１の領域セグメントの表面が基体絶縁層と接触していて、付着力を与える。
【００２４】
第１の領域の表面はフレーム・パネルの第１の表面で露出させることができ、このため第１の領域の表面は基体絶縁層に固着させることができる。前に述べたように、第１の領域の表面は機械的に、化学的に又は物理的に変更して、基体絶縁層に対する付着のためのその能力を更に向上及び改善することができる。
【００２５】
フレーム・パネルの適当な厚さは、最終使用用途、所望の剛性度、電子装置の数及び種類などを参照して選択することができる。厚さは、約２マイクロメートルよりも大きくすることができる。フレーム・パネルの厚さは、約５０マイクロメートルよりも小さくすることができる。一実施形態では、フレーム・パネルの厚さは、約５０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルであり、又は約１００マイクロメートル〜約２００マイクロメートルであり、又は約２００マイクロメートル〜約４００マイクロメートルであり、又は約４００マイクロメートル〜約８００マイクロメートルであり、又は約８００マイクロメートルよりも大きい。
【００２６】
フレーム・パネルの第１の領域及び／又は第２の領域が１つの層の形態である場合、この第１又は第２の領域の層の厚さは約０．１マイクロメートルよりも大きくすることができる。また、厚さは約１００マイクロメートルよりも小さくすることができる。一実施形態では、その層の厚さは、約 ０．１マイクロメートル〜約１．０マイクロメートルであり、又は約１．０マイクロメートル〜約１０マイクロメートルであり、又は約１０マイクロメートル〜約１００マイクロメートルであり、又は約１００マイクロメートルよりも大きい。
【００２７】
一実施形態では、図１に示されているように、電子装置と基体絶縁層との間に電気接続部がある。詳しく述べると、電子装置上に配置されたＩ／Ｏコンタクト（１つ又は複数）と基体絶縁層上に配置された電気導体４４（１つ又は複数）との間に電気接続部が存在する。
【００２８】
図１を参照して説明すると、基体絶縁層上に配置することのできる適当な電気導体としては、パッド、ピン、バンプ及び半田球体が挙げられる。基体絶縁層と電子装置との間の電気接続部は、特定用途のパラメータに基づいて選択された構造であってよい。例えば、電気接続路を半田球体から形成することができる。電気接続部の別の例としては、基体絶縁層及び接着剤層を通り抜けて電子装置上の１つ以上のＩ／Ｏコンタクトへ至ることのできる開口、孔又はバイアホール４６が挙げられる。一実施形態では、バイアホールは、マイクロバイアホールを形成するような寸法にすることができる。希望によっては、導線、電力平面又はアース平面を基体絶縁層の第１の表面上に配置することができる。
【００２９】
参照数字４８で示している導電性材料を、バイアホール内に配置し、電子装置上のＩ／Ｏコンタクトまで且つ基体絶縁層の第１の表面上まで延在させることができる。導電性材料は金属又は導電性ポリマーとすることができる。適当な導電性材料の例としては、金属粒子充填材を取り入れたエポキシ、ポリスルフォン又はポリウレタンを挙げることができる。適当な金属粒子としては、銀及び金が挙げれられる。他の適当な金属としては、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ及びＴｉを挙げることができる。充填ポリマー材料よりはむしろ、本質的に伝導性のポリマーを用いることができる。適当な伝導性ポリマーとしては、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリ−３−ヘキシルチオフェン、ポリナフタレン、ポリ−ｐ−フェニレン・サルファイド、及びポリ−ｐ−フェニレン・ビニレン（polyacetylene, polypyrrole, polythiophene, polyaniline, polyfluorene, poly-3-hexylthiophene, polynaphthalenes, poly-p-phenylene sulfide, and poly-p-phenylene vinylene）が挙げられる。粘度及び安定性の問題に対処する場合、本質的に伝導性のポリマーに導電性充填材を充填して、導電率を更に向上させることができる。導電性材料が金属である場合、導電性材料は、基体絶縁層の第１の表面上と、電子装置上のＩ／Ｏコンタクトまで延在するバイアホールの露出表面上とに金属化パターンとして存在することができる（図１参照）。
【００３０】
マイクロプロセッサ、ビデオ・プロセッサ及びＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）のような半導体チップを含んでいる１つ以上の複合電子装置に対する相互接続は、必要なチップのＩ／Ｏコンタクトの全てを完全に経由するために追加の相互接続層を必要とすることがある。これらの電子装置では、基体絶縁層の第１の表面の上に１つ以上の追加の相互接続層を設けることができる。経路の複雑さが少ない一層簡単な電子装置の場合、唯一つの相互接続層しか必要とされないことがある。
【００３１】
図３について説明すると、複数の相互接続層が協働して、相互接続組立体５０を形成している。各々の追加の相互接続層は、第１の表面５４及び第２の表面５６を持つ追加の絶縁層５２を有する。各々の追加の相互接続層は、接着剤層５８を介して前の相互接続層に固着される。例えば、追加の絶縁層５２は基体絶縁層の第１の表面に固着される。本発明で使用するための適当な接着剤としては、前に適当な接着剤材料として示した材料が挙げられる。
【００３２】
代替の態様では、追加の絶縁層５２は、前の相互接続層の上表面に直接固着する粘着性のポリマーとすることができる。適当な粘着性のポリマーはエポキシを含む。更に、追加の絶縁層は、液体の形態で適用され且つ所定の場所で硬化して、前の相互接続層に直接固着するポリマーとすることができる。粘着性の追加の絶縁層として使用するための適当な材料は、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、液晶ポリマー、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ又はシリコーン（polyimide, polyetherimide, benzocyclobutene (BCB), liquid crystal polymer, bismaleimide-triazine resin (BT resin), epoxy, or silicone）の内の１種以上を含むことができる。
【００３３】
追加の絶縁層上の電気導体４４（１つ又は複数）は、前の絶縁層上の電気導体（１つ又は複数）に電気接続される。例えば、バイアホールが、図３に示されているように、追加の絶縁層を貫通し且つ接着剤層５８を貫通して基体絶縁層上の選択された電気導体まで延在することができる。導電性材料を、前に述べたように、バイアホール内に配置して、基体絶縁層の電気導体まで及び追加の絶縁層の第１の表面まで延在させることができる。一実施形態では、導電性材料は、最初の相互接続層について前に述べたように、追加の絶縁層上に金属化パターンとして存在する。
【００３４】
相互接続組立体は第１の表面６２及び第２の表面６４を持つ。任意の金属導線を不動態化するため、及び組立体又はパッケージのＩ／Ｏコンタクトのために使用されるコンタクト・パッドを画成するために、相互接続組立体の第１の表面上に誘電体又は半田マスク材料６８を配置することができる（図１及び３参照）。パッケージのＩ／Ｏコンタクトは、より頑丈なＩ／Ｏコンタクトを提供するために露出したコンタクト・パッドに適用されるＴｉ：Ｎｉ：Ａｕのような追加の金属堆積物を持つことができる。Ｉ／Ｏコンタクト・パッドは、ピン、半田球体、或いはそれらに取り付けられ又はパッド・アレイを生成するときに残されるリード線を持つことができる。図３は、ボール・グリッド・アレイのためのような半田球体６９のアレイを持つ相互接続組立体を描いている。他の相互接続構造も用いることができる。例えば、相互接続組立体はピン・グリッド・アレイのためのようなピンのアレイを持つことができる。
【００３５】
図１及び３に例示されているように、電子装置を取り囲む区域にカプセル封止材料７０を配置することにより、電子装置及び相互接続構造を湿気及び熱機械的応力から保護することができる。基体絶縁層及び露出した電子装置をカプセル封止材料でカプセル封止することにより、基体絶縁層及び電子装置を完全に埋め込むことができる。別の実施形態では、基体絶縁層及び露出した電子装置を部分的にカプセル封止することにより、基体絶縁層及び電子装置の一部分を埋め込むことができる。
【００３６】
用いることのできるカプセル封止材料としては、熱可塑性及び熱硬化性ポリマーが挙げられる。適当な脂肪族及び芳香族ポリマーには、ポリエーテルイミド、アクリレート、ポリウレタン、ポリプロピレン、ポリスルフォン、ポリテトラフルオロエチレン、エポキシ、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、室温加硫（ＲＴＶ）シリコーン及びウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリカーボネート、シリコーンなど（polyetherimides, acrylates, polyurethanes, polypropylene, polysulfone, polytetrafluoroethylenes, epoxies, benzocyclobutene (BCB), room temperature vulcanizable (RTV) silicones and urethanes, polyimides, polyetherimides, polycarbonates, silicones, and the like）が含まれる。一実施形態では、カプセル封止材料は、比較的低い硬化温度が利用できることにより熱硬化性ポリマーである。カプセル封止材料は充填材料を含むことができる。用いる充填材料の種類、大きさ及び量により、熱伝導性、熱膨張係数、粘度及び吸湿性のような様々なモールド成型材料特性を調整することができる。例えば、これらの材料は、粒子、繊維、スクリーン、マット、又は無機粒子のプレートを含むことができる。適当な充填材料としては、ガラス、シリカ、セラミック、炭化シリコン、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化硼素、ガリウム、或いは他の金属、金属酸化物、金属炭化物、金属窒化物又は金属シリサイド（glass, silica, ceramic, silicon carbide, alumina, aluminum nitride, boron nitride, gallium, or other metals, metal oxide, metal carbides, metal nitrides, or metal silicides）を挙げることができる。その他の適当な充填材料としては、炭素ベースの材料を挙げることができる。
【００３７】
各々のフレーム・パネルの開口の内縁と、該開口内に配置された電子装置の外縁との間に隙間又は堀形状の領域が存在することがある。この隙間は充填しない状態にしておくか、或いはカプセル封止材料を完全に又は部分的に充填することができる。フレーム・パネルの開口の内縁と電子装置の外縁との間の隙間は、完全充填の約１０％〜約９０％になるように部分的に充填することができる。
【００３８】
図３について説明すると、蓋／熱拡散体７２を電子装置の第２の表面に固着して、電子装置に対する熱保護を提供することができる。蓋／熱拡散体は熱インターフェース材料（ＴＩＭ）７４に固着される。蓋／熱拡散体はまた接着剤層７６を介してフレーム・パネルの第２の表面に固着することができる。この代わりに、電子装置の背面を露出したままにして、消費電力が約５ワット〜約１００ワット以上であるより高電力の装置の場合に、装置動作中での熱除去を容易にすることができる。
【００３９】
本書で述べた実施形態は、「特許請求の範囲」に記載された本発明の要素に対応する要素を持つ組成、構造及びシステムの具体例である。本明細書により、当業者は「特許請求の範囲」に記載された本発明の要素に同様に対応する代替の要素を持つ実施形態を作成し使用することができよう。従って、本発明の範囲は、「特許請求の範囲」の文字通りの記載から差異のない組成、構造及びシステムを含み、更に「特許請求の範囲」の文字通りの記載から実質的に差異のない他の組成、構造及びシステムを含む。本書では、特定の特徴及び実施形態のみを例示し説明したが、当業者には種々の修正及び変更をなし得よう。特許請求の範囲はこの様な全ての修正及び変更を包含する。
【符号の説明】
【００４０】
１０  電子部品
１２  基体絶縁層
１４  基体絶縁層の第１の表面
１６  基体絶縁層の第２の表面
１８  電子装置
２０  電子装置の第１の表面
２２  電子装置の第２の表面
２４  Ｉ／Ｏコンタクト
２６  フレーム・パネル
２８  フレーム・パネルの第１の領域
３０  フレーム・パネルの第２の領域
３２  フレーム・パネルの第１の表面
３４  フレーム・パネルの第２の表面
３６  接着剤層
４２  開口
４４  電気導体
４６  バイアホール
５０  相互接続組立体
５２  追加の絶縁層
５４  追加の絶縁層の第１の表面
５６  追加の絶縁層の第２の表面
５８  接着剤層
６２  相互接続組立体の第１の表面
６４  相互接続組立体の第２の表面
６８  半田マスク材料
６９  半田球体
７０  カプセル封止材料
７２  蓋／熱拡散体
７４  熱インターフェース材料
７６  接着剤層
【図１】
2014187406.tif 000003
【図２】
2014187406.tif 000004
【図３】
2014187406.tif 000005