(57)【要約】【課題】半導体基板の割れを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板１の第１の面２に複数の半導体素子が形成される。第１の方向において主に可撓性を有する第１の基板補強テープ４ａが、半導体基板の第１の面に貼り付けられる。第２の方向において主に可撓性を有する第２の基板補強テープ４ｂが、第２の方向が第１の基板補強テープの第１の方向に対して交差するように、第１の基板補強テープを介して半導体基板の第１の面上に貼り付けられる。半導体基板の第１の面に第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープを有する状態で、半導体基板の第１の面とは反対側の第２の面３が研磨される。電極が、第２の面上に形成される。第２の基板補強テープが、第２の基板補強テープの第２の方向に沿って剥がされる。第１の基板補強テープが、第１の基板補強テープの第１の方向に沿って剥がされる。【選択図】図５
2014045054.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の第１の面に複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に、第１の方向において主に可撓性を有する第１の基板補強テープを貼り付ける工程と、
第２の方向において主に可撓性を有する第２の基板補強テープを、前記第２の方向が前記第１の基板補強テープの前記第１の方向に対して交差するように、前記第１の基板補強テープを介して前記半導体基板の前記第１の面上に貼り付ける工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に前記第１の基板補強テープ及び前記第２の基板補強テープを有する状態で、前記半導体基板の前記第１の面とは反対側の第２の面を研磨する工程と、
前記半導体基板の前記第２の面を研磨する前記工程後、前記第２の基板補強テープを前記第２の基板補強テープの前記第２の方向に沿って剥がす工程と、
前記第１の基板補強テープを前記第１の基板補強テープの前記第１の方向に沿って剥がす工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に形成された複数の半導体素子を個々に切り出すように、前記半導体基板をダイシングする工程と、
を備え、
前記第１の基板補強テープの前記第１の方向は、前記第２の基板補強テープの前記第２の方向と直交し、
前記第１の基板補強テープは、
前記第１の方向と直交する方向に沿って延伸し前記第１の方向に配列された複数の凹部を前記半導体基板側に有するシート状の樹脂からなる第１の基材と、
前記第１の基材の前記半導体基板側に設けられた第１の粘着材と、
を含み、
前記第２の基板補強テープは、
前記第２の方向と直交する方向に沿って延伸し前記第２の方向に配列された複数の凹部を前記半導体基板側に有するシート状の樹脂からなる第２の基材と、
前記第２の基材の前記半導体基板側に設けられた第２の粘着膜と、
を含み、
前記第１の基板補強テープは、前記第１の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第１の基材の前記半導体基板側を平坦にする樹脂からなる第１の副基材を、前記第１の基材と前記第１の粘着材との間にさらに含み、
前記第２の基板補強テープは、前記第２の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第２の基材の前記半導体基板側を平坦にする樹脂からなる第２の副基材を、前記第２の基材と前記第２の粘着材との間にさらに含み、
前記第１の基材は、前記第１の副基材よりも高い弾性率を有し、
前記第２の基材は、前記第２の副基材よりも高い弾性率を有し、
前記第１の基材は、ポリエチレンテレフタレートからなり、
前記第２の基材は、ポリエチレンからなる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の第１の面に複数の半導体素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に、第１の方向において主に可撓性を有する第１の基板補強テープを貼り付ける工程と、
第２の方向において主に可撓性を有する第２の基板補強テープを、前記第２の方向が前記第１の基板補強テープの前記第１の方向に対して交差するように、前記第１の基板補強テープを介して前記半導体基板の前記第１の面上に貼り付ける工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に前記第１の基板補強テープ及び前記第２の基板補強テープを有する状態で、前記半導体基板の前記第１の面とは反対側の第２の面を研磨する工程と、
前記半導体基板の前記第２の面を研磨する前記工程後、前記第２の基板補強テープを前記第２の基板補強テープの前記第２の方向に沿って剥がす工程と、
前記第１の基板補強テープを前記第１の基板補強テープの前記第１の方向に沿って剥がす工程と、
前記半導体基板の前記第１の面に形成された複数の半導体素子を個々に切り出すように、前記半導体基板をダイシングする工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の基板補強テープの前記第１の方向は、前記第２の基板補強テープの前記第２の方向と直交する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の基板補強テープは、
前記第１の方向と直交する方向に沿って延伸し前記第１の方向に配列された複数の凹部を前記半導体基板側に有するシート状の樹脂からなる第１の基材と、
前記第１の基材の前記半導体基板側に設けられた第１の粘着材と、
を含み、
前記第２の基板補強テープは、
前記第２の方向と直交する方向に沿って延伸し前記第２の方向に配列された複数の凹部を前記半導体基板側に有するシート状の樹脂からなる第２の基材と、
前記第２の基材の前記半導体基板側に設けられた第２の粘着膜と、
を含む請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の基板補強テープは、前記第１の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第１の基材の前記半導体基板側を平坦にする樹脂からなる第１の副基材を、前記第１の基材と前記第１の粘着材との間にさらに含み、
前記第２の基板補強テープは、前記第２の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第２の基材の前記半導体基板側を平坦にする樹脂からなる第２の副基材を、前記第２の基材と前記第２の粘着材との間にさらに含む、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の基材は、前記第１の副基材よりも高い弾性率を有し、
前記第２の基材は、前記第２の副基材よりも高い弾性率を有する、請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の基材は、ポリエチレンテレフタレートからなり、
前記第２の基材は、ポリエチレンからなる、請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の粘着材は、前記第１の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第１の基材の前記半導体基板側を平坦にするように設けられ、
前記第２の粘着材は、前記第２の基材の前記複数の凹部を埋め込んで前記第２の基材の前記半導体基板側を平坦にするように設けられている、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の粘着材は、少なくとも、前記第１の基材の前記複数の凹部の間の前記第１の基材上に直接設けられ、
前記第２の粘着材は、少なくとも、前記第２の基材の前記複数の凹部の間の前記第２の基材上に直接設けられている、請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の基板補強テープは、
全方向に可撓性を有する第１のフィルムと、
前記半導体基板側で前記第１のフィルム上に設けられ、前記第１の方向と直交する方向に延伸し前記第１の方向に配列された複数の第１の柱状体と、
前記半導体基板側で前記複数の第１の柱状体上に設けられた第１の粘着材と、を含み、
前記第２の基板補強テープは、
全方向に可撓性を有する第２のフィルムと、
前記半導体基板側で前記第２のフィルム上に設けられ、前記第２の方向と直交する方向に延伸し前記第２の方向に配列された複数の第２の柱状体と、
前記半導体基板側で前記複数の第２の柱状体上に設けられた第２の粘着材と、を含む請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体記憶装置、半導体集積回路、電力用半導体装置、半導体発光装置などの半導体装置、例えば、ディスクリート製品、メモリ製品、またはシステムＬＳＩなどの半導体装置において、半導体チップは、以下のように製造される。半導体基板の表面に半導体素子や各種配線構造を形成後、半導体基板の裏面を研磨して半導体基板を薄膜化する。その後、半導体基板の裏面に電極を形成後（裏面に電極を形成しない場合もある）、半導体チップが半導体基板からダイシングにより切り出される。各製品に応じた組み立て工程を経て、半導体チップを内部に有する半導体装置が完成する。上記製造工程において、薄膜化した半導体基板は、プロセス中に割れ易くなる。半導体基板が割れてしまうと、その後の製造工程を実施することができなくなる。このため、薄膜化した半導体基板の割れを防止するために、半導体基板の研磨前からダイシング用のシートに貼り付けるまでの間、基板の強度を補強するために、一般的に、半導体基板に基板補強材が貼り付けられる。半導体基板の割れを防止するためには、基板補強材が堅いことが望ましい。しかしながら、基板補強材が堅すぎると、基板補強材を半導体基板から剥がすときに、半導体基板が割れてしまう。このため、基板補強材を半導体基板から剥がす際は、基板補強材には可撓性が求められる。基板補強材は、半導体基板に張り付いているときは堅いことが望まれ、半導体基板から剥がされるときは可撓性があることが望まれる。しかしながら、このような基板補強材を見いだすことは困難である。基板補強材を半導体基板に貼り付けている時は半導体基板の割れが防止され、且つ、基板補強材を半導体基板から容易に剥がすことができる、半導体装置の製造方法が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−５４６２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体基板の割れを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の第１の面に複数の半導体素子を形成する工程と、半導体基板の第１の面に第１の基板補強テープを貼り付ける工程と、第２の基板補強テープを半導体基板の第１の面上に貼り付ける工程と、半導体基板を研磨する工程と、電極を形成する工程と、第２の基板補強テープを剥がす工程と、第１の基板補強テープを剥がす工程と、半導体基板をダイシングする工程と、を備える。第１の基板補強テープを貼り付ける工程では、半導体基板の第１の面に、第１の方向において主に可撓性を有する第１の基板補強テープを貼り付ける。第２の基板補強テープを半導体基板の第１の面上に貼り付ける工程では、第２の方向において主に可撓性を有する第２の基板補強テープを、第２の方向が第１の基板補強テープの第１の方向に対して交差するように、第１の基板補強テープを介して半導体基板の第１の面上に貼り付ける。半導体基板を研磨する工程では、半導体基板の第１の面に第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープを有する状態で、半導体基板の第１の面とは反対側の第２の面を研磨する。電極を形成する工程では、半導体基板の第２の面を研磨する工程後、第２の面上に電極を形成する。第２の基板補強テープを剥がす工程では、半導体基板の第２の面上に電極を形成する工程後、第２の基板補強テープを第２の基板補強テープの第２の方向に沿って剥がす。第１の基板補強テープを剥がす工程では、第１の基板補強テープを第１の基板補強テープの第１の方向に沿って剥がす。半導体基板をダイシングする工程では、半導体基板の第１の面に形成された複数の半導体素子を個々に切り出すように、半導体基板をダイシングする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程で用いる基板補強テープの要部模式断面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程で用いる基板補強テープの要部模式斜視図。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図５】（ａ）及び（ｂ）第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図６】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図７】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図８】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図９】第１の実施形態に係る半導体装置の製造工程の一部を示す要部模式斜視図。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体装置の製造工程で用いる基板補強テープの要部模式断面図。
【図１１】第３の実施形態に係る半導体装置の製造工程で用いる基板補強テープの要部模式断面図。
【図１２】第４の実施形態に係る半導体装置の製造工程で用いる基板補強テープの要部模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。実施形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１〜図９を用いて、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。ここでいう半導体装置は、半導体により構成された半導体装置全般を含み、例えば、高周波デバイス、パワーデバイス、若しくは光半導体などのディスクリート半導体装置、メモリーデバイスなどの半導体記憶装置、または、システムＬＳＩ等の半導体集積回路等を意味する。以後の実施例においても同様である。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における製造工程の一部を示す要部模式斜視図である。図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いる基板補強テープの要部模式断面図である。図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いる基板補強テープの要部模式斜視図である。図３のＡ−Ａ線における断面が図２である。図４〜図９は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法における製造工程の一部を示す要部模式斜視図である。
【０００９】
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を具体的に説明する。先ず、図１に示したように、複数の半導体素子が、半導体基板１の表面２（第１の面）に、リソグラフィ技術、エッチング技術、成膜技術、イオン注入技術、及び拡散技術などの半導体プロセス技術を用いて形成される。半導体素子は、上記の半導体装置全般に用いられる半導体チップを構成する。半導体基板１は、例えば、シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウム、サファイア、ガリウム砒素などから、半導体装置の種類に応じて適切に選択される。
【００１０】
次に、図２及び図３に示したような構造を有する、半導体基板１の強度を補強するための基板補強テープ４を用意する。基板補強テープ４は、基材５、副基材６、及び粘着材７を有する。基材５は、シート状の樹脂から構成される。基材５は、上面と上面と反対側の下面を有し、下面には複数の凸部５ａ及び複数の凹部５ｂを有する。なお、後述するように、基板補強テープ４が本実施形態にかかる半導体装置の製造方法で用いられるときは、基材５の下面が、前述の半導体基板１側に向く。他の実施形態に係る半導体装置の製造方法においても同様である。
【００１１】
複数の凹部５ｂは、基材５の下面から基材５の上面に向かって凹んでおり、基材５の上面に平行なＸ方向に沿って延伸し、基材５の上面に並行でＸ方向に直交するＹ方向に互いに離間して複数配列される。複数の凸部５ａは、基材５の下面の部分であって、複数の凹部５ｂのそれぞれの間に挟まれた部分である。
【００１２】
基材５の複数の凹部５ｂを埋め込むように、樹脂から構成される副基材６が基材５の下面側に形成される。これによって、基板補強テープ４の副基材６側の下面は平坦化される。粘着材７は、副基材６の基材５とは反対側の面に形成される。
【００１３】
基材５は、凹部５ｂが形成されていることにより、凹部５ｂを基点としてとしてＺ方向に曲がりやすくなっている。凹部５ｂは、特に上面側に向かって曲がりやすくなっている。すなわち、基材５は、Ｙ方向に沿って可撓性を有する。これに対して、複数の凹部５ｂが延伸するＸ方向においては、複数の凸部５ａが補強材として働くため、基材５は、Ｘ方向においてはほとんど可撓性を有しない。従って、基材５は、Ｙ方向において主に可撓性を有し、Ｙ方向からずれた方向では、ほとんど可撓性を有しない。
【００１４】
基材５は、副基材６よりも高い弾性率を有する材料から構成される。この副基材６により、基板補強テープ４は、Ｙ方向において主に可撓性を有したまま、上面及び下面ともに平坦である。基材５は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）であり、副基材６は、ポリエチレン（ＰＥ）である。粘着材７は、例えば、アクリル系またはシリコン系の粘着材である。
【００１５】
次に、図２及び図３に示した基板補強テープ４を第１の基板補強テープ４ａとして用いる。図４に示したように、基材５の下面が半導体基板１側に向くようにして、第１の基板補強テープ４ａが、半導体基板１の複数の半導体素子が形成された表面２上に粘着材７により貼り付けられる。ここで、第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向（図２及び図３中のＹ方向）は、図中に示した矢印Ｂの方向に並行になっている。
【００１６】
次に、図２及び図３に示した基板補強テープを第２の基板補強テープ４ｂとして用いる。図５に示したように、第１の基板補強テープと同様に基材５の下面が半導体基板１側に向くようにして、第２の基板強テープ４ｂは、第１の基板補強テープ４ａ上に粘着材７により貼り付けられる。すなわち、第２の基板補強テープ４ｂは、半導体基板１の複数の半導体素子が形成された表面２上に、第１の基板補強テープ４ｂを介して貼り付けられる。ここで、第１の基板補強テープ４ａとは違い、図５（ａ）に示したように、第２の基板補強テープ４ｂの可撓性を有する方向が矢印Ｃで示された方向に並行になるように、第２の基板補強テープ４ｂは、第１の基板補強テープ４ａ上に貼り付けられる（図５（ｂ））。
【００１７】
本実施形態では、第２の基板補強テープ４ｂの可撓性を有する方向は、第１の基板補強テープ４ａの基材５の上面と平行な面内において、第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向と直交する。すなわち、図５中の水平面内で、矢印Ｃは矢印Ｂに直交する。しかしながら、これに限定されることはなく、第２の基板補強テープの可撓性を有する方向は、第１の基板補強テープ４ａの基材５の上面と平行な面内において、第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向に交差していればよい、または平行でなければよい。
【００１８】
第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂは、単体ではそれぞれ、一方向に可撓性を有する。しかしながら、第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向が第２の基板補強テープ４ｂの可撓性を有する方向と交差するように、第２の基板補強テープ４ｂが第１の基板補強テープ４ａに貼り付いているので、第１の基板補強テープ４ａと第２の基板補強テープ４ｂとの複合体は、どの方向にも可撓性を有しない。第１の基板補強テープ４ａと第２の基板補強テープ４ｂとの複合体は、半導体基板の強度を増強する。
【００１９】
次に、半導体基板１の複数の半導体素子が形成された表面２上に第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープを有したまま、半導体基板１の裏面３が研磨され、半導体基板１は所望の厚さを有するように薄膜化される。次に、半導体基板１の表面２上に第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂを有したまま、半導体基板１の裏面３に電極（図示省略）が形成される。なお、半導体基板の裏面から電極を取り出す必要が無い半導体装置では、半導体基板１の裏面３に電極を形成する工程は省略される。
【００２０】
その後、図６に示したように、半導体基板１は、表面２上に第１の基板補強テープ４ａと第２の基板補強テープ４ｂとを有したまま、半導体基板１の裏面３側でダイシングテープ８に貼り付けられる。ダイシングテープ８は、環状のフレーム９を有する。半導体基板１は、環状のフレーム９内で、ダイシングテープ８上に貼り付けられる。
【００２１】
次に、図７に示したように、半導体基板１は、ダイシングテープ８を介して吸着台１０に搭載される。半導体基板１は、真空吸着されて吸着台１０に固定される。
【００２２】
次に、半導体基板１の表面２上の第２の基板補強テープ４ｂに図示しない剥離用テープを粘着させる。図８に示したように、第２の基板補強テープ４ｂに粘着した剥離用テープを第２の基板補強テープ４ｂの可撓性を有する方向（矢印Ｃ方向）に沿って引っ張ることによって、第２の基板補強テープ４ｂは容易に第１の基板補強テープ４ａから引き剥がされる。第１の基板補強テープ４ａは、この剥離用テープを引っ張る方向には可撓性を有しないので、半導体基板１の表面２に張り付いたまま残る。
【００２３】
次に、半導体基板１の表面２上の第１の基板補強テープ４ａに別の図示しない剥離用テープを粘着させる。図９に示したように、第１の基板補強テープ４ａに粘着した剥離用テープを第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向（矢印Ｂ方向）に沿って引っ張ることによって、第１の基板補強テープ４ａは容易に半導体基板１の表面２から引き剥がされる。
【００２４】
この後は、図示及び詳細な説明は省略するが、半導体基板１をダイシングすることによって、半導体素子が形成されたチップが半導体基板１から切り出される。その後、組み立て工程等を経て、チップが樹脂でモールドされて半導体装置が完成する。なお、半導体装置は、チップが樹脂でモールドされた形態に限られず、他の回路基板等にチップのまま搭載された形態もとりうる。
【００２５】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板１の裏面３を研磨する工程の直前から半導体基板１をダイシングする直前まで、それぞれの可撓性を有する方向が交差するように第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂを半導体基板１の表面２上に有することに特徴がある。一般に、半導体基板１が研磨されて薄膜化されると、半導体基板１の研磨工程中、または、研磨工程後の各工程中において半導体基板１が割れ易くなる。半導体基板１が製造工程中で割れてしまうと、半導体基板１はその後の工程に進むことができなくなってしまう。そのため、半導体素子の製造工程の歩留まりが大きく低下する。
【００２６】
しかしながら、本実施形態に係る半導体素子の製造工程では、半導体基板１は、半導体基板１の複数の半導体素子が形成された表面２上に第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂを有したまま、半導体基板１の裏面３が研磨されてその後の工程に進む。このため、半導体基板１の強度が補強されて、各製造工程及び工程間の運搬中において、半導体基板１の割れが大きく低減される。
【００２７】
半導体基板１の表面２上に、第１の基板補強テープ４ａまたは第２の基板補強テープ４ｂのいずれかしか設けられていない場合は、基材５の凸部５ａが補強材として働いても、基板補強テープ４は少なくとも一方向に可撓性を有するために、半導体基板１は割れやすい。しかしながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、第２の基板補強テープ４ｂの可撓性を有する方向を第１の基板補強テープ４ａの可撓性を有する方向と交差させて、第２の基板補強テープ４ｂを第１の基板補強テープ４ａにさらに貼り合わせている。このため、第２の基板補強テープ４ｂと第１の基板補強テープ４ａとの複合体は、いずれの方向にも可撓性を有しなくなる。すなわち、第１の補強テープ４ａの基材５の複数の凸部５ａ及び第２の補強テープ４ｂの基材５の複数の凸部５ａが格子状になって、水平面内の全方向に強度が増す。この結果、半導体基板１が薄膜化しても、割れが大きく低減される。
【００２８】
また、一般に電極が半導体基板１の裏面３に形成されると、大きな反りが発生する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体基板１の表面２に第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂを有した状態で、半導体基板１の裏面３に電極が形成されるので、電極形成後の反りもほとんど発生しない。
【００２９】
さらに、半導体基板１の表面２に半導体素子が形成された後は、半導体基板１がダイシングされるまで、半導体基板１の表面２を第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂが覆っているので、半導体基板１の表面２に形成された半導体素子は保護される。第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂは、基板補強材としての働きの他に、半導体基板の表面保護膜としても働く。
【００３０】
一般に基板補強材は、堅いほど半導体基板の強度を補強するので、堅いことが望ましい。そのため、基板補強材として、ガラス基板等がよく用いられる。しかしながら、基板補強材が堅すぎる場合は、半導体基板から基板補強材を剥がすことが非常に困難となる。そのため、基板補強材を半導体基板から剥離する際に、半導体基板が割れる割合が高い。基板補強材を半導体基板から剥離する際は、逆に、可撓性を有することが望ましい。しかしながら、一般の基板補強材では、これらは矛盾する性質である。
【００３１】
本実施形態では、前述のように基板補強材として、第１の基板補強テープ４ａと第２の基板補強テープ４ｂとをそれぞれの可撓性を有する方向が交差するように貼り合わせた複合体を用いている。このため、第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂの複合体が半導体基板に張り付いている時は、基板補強テープの複合体は水平方向の全方向に対して可撓性をほとんど有しないので、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。さらに、第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂを、それぞれ単独で半導体基板１から剥離すれば、個々の基板補強テープ４は一方向に可撓性を有するので、個々の基板補強テープは容易に剥離される。このため、第１の基板補強テープ４ａ及び第２の基板補強テープ４ｂの複合体を剥離する際においても、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００３２】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を図１０を用いて説明する。図１０は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いる基板補強テープ１４の要部模式断面図である。図１０は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４の図２に相当する図である。なお、第１の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第１の実施形態との相異点について主に説明する。
【００３３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じ製造工程を有する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる半導体基板１に貼り付ける基板補強テープ１４の構造が、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる基板補強テープ４と相異する。
【００３４】
本実施形態に係る基板補強テープ１４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同じシート状の樹脂からなる基材５を有する。本実施形態に係る基板補強テープ１４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と違い、副基材を有しない。本実施形態に係る基板補強テープ１４では、粘着材７は直接基材５の複数の凹部５ｂを埋め込むように形成され、基材５の下面側は粘着材７により平坦となる。本実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、基材５の複数の凹部５ｂを有する下面側が、半導体基板１の表面２上にくるように、基板補強テープ１４が半導体基板１の表面に貼り付けられる。
【００３５】
本実施形態に係る基板補強テープ１４も、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同じように、基材５の構造により、一方向において主に可撓性を有し、それ以外の方向においてはほとんど可撓性を有しない。従って、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、基板補強材として、第１の基板補強テープと第２の基板補強テープとをそれぞれの可撓性を有する方向が交差するように貼り合わせた複合体を用いている。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体が半導体基板に張り付いている時は、基板補強テープの複合体は水平方向の全方向に対して可撓性をほとんど有しないので、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００３６】
さらに、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープを、それぞれ単独で半導体基板１から剥離すれば、個々の基板補強テープ１４は一方向に可撓性を有するので、個々の基板補強テープ１４は容易に剥離される。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体を剥離する際においても、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００３７】
本実施形態に係る基板補強テープ１４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と違い、副基材６を有しないので、基板補強テープ１４を安価に手に入れることができる。このため、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００３８】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を図１１を用いて説明する。図１１は第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いる基板補強テープ２４の要部模式断面図である。図１１は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４の図２に相当する図である。なお、第１の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第１の実施形態との相異点について主に説明する。
【００３９】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じ製造工程を有する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる半導体基板１に貼り付ける基板補強テープ２４の構造が、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる基板補強テープ４と相異する。
【００４０】
本実施形態に係る基板補強テープ２４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同じシート状の樹脂からなる基材５を有する。本実施形態に係る基板補強テープ２４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と違い、副基材を有しない。本実施形態に係る基板補強テープ２４では、粘着材７は直接基材５の複数の凹部５ｂの表面及び複数の凸部５ａの表面を覆うように形成され、基材５の下面の複数の凹部５ｂと複数の凸部５ａの形状は保持される。本実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、基材５の複数の凹部５ｂを有する下面側が、半導体基板１の表面２上にくるように、基板補強テープ１４が半導体基板１の表面に貼り付けられる。
【００４１】
本実施形態に係る基板補強テープ２４も、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同じように、基材５の構造により、一方向において主に可撓性を有し、それ以外の方向においてはほとんど可撓性を有しない。従って、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、基板補強材として、第１の基板補強テープと第２の基板補強テープとをそれぞれの可撓性を有する方向が交差するように貼り合わせた複合体を用いている。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体が半導体基板に張り付いている時は、基板補強テープの複合体は水平方向の全方向に対して可撓性をほとんど有しないので、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００４２】
さらに、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープを、それぞれ単独で半導体基板１から剥離すれば、個々の基板補強テープ１４は一方向に可撓性を有するので、個々の基板補強テープ１４は容易に剥離される。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体を剥離する際においても、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００４３】
本実施形態に係る基板補強テープ２４は、第２の実施形態に係る基板補強テープ１４と同様に、副基材６を有しないので、基板補強テープ２４を安価に手に入れることができる。このため、半導体装置の製造コストを低減できる。
【００４４】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を図１２を用いて説明する。図１２は第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法において用いる基板補強テープ３４の要部模式断面図である。図１２は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４の図２に相当する図である。なお、第１の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第１の実施形態との相異点について主に説明する。
【００４５】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同じ製造工程を有する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる半導体基板１に貼り付ける基板補強テープ３４の構造が、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法で用いる基板補強テープ４と相異する。
【００４６】
本実施形態に係る基板補強テープ３４は、フィルム１１、樹脂からなる複数の柱状体１２、粘着材７を有する。フィルム１１は、柱状体１２よりも低い弾性率を有し、全方向に対して可撓性に優れている材料により構成される。柱状体１２は、図中のＸ方向に沿って延伸しＹ方向に沿って配列される。これにより、本実施形態に係る基板補強テープ３４は、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同様に、フィルム１１の隣合う柱状体１２間の部分が基点となってＺ方向に曲がりやすくなる。すなわち、本実施形態に係る基板補強テープ３４も、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同様に、Ｙ方向に沿って可撓性を有する。
【００４７】
フィルム１１は、例えば、ポリオレフィン（ＰＯ）により構成される。柱状体１２は、例えば、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）から構成される。しかしながら、フィルム１１より高い弾性率を有する材料であれば、柱状体１２として用いることが可能である。粘着材７は、柱状体１２のフィルム１１とは反対側の下面に形成される。粘着材７は、例えば、アクリル系またはシリコン系の粘着材である。本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、複数の柱状体１２が半導体基板１の表面２上にくるように、基板補強テープ３４が半導体基板１の表面に貼り付けられる。
【００４８】
本実施形態に係る基板補強テープ３４も、第１の実施形態に係る基板補強テープ４と同じように、一方向において主に可撓性を有し、それ以外の方向においてはほとんど可撓性を有しない。従って、本実施形態に係る半導体装置の製造方法においても、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様に、基板補強材として、第１の基板補強テープと第２の基板補強テープとをそれぞれの可撓性を有する方向が交差するように貼り合わせた複合体を用いている。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体が半導体基板に張り付いている時は、基板補強テープの複合体は水平方向の全方向に対して可撓性をほとんど有しないので、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００４９】
さらに、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープを、それぞれ単独で半導体基板１から剥離すれば、個々の基板補強テープ３４は一方向に可撓性を有するので、個々の基板補強テープ３４は容易に剥離される。このため、第１の基板補強テープ及び第２の基板補強テープの複合体を剥離する際においても、半導体基板１の割れがほとんど発生しない。
【００５０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５１】
１  半導体基板
２  表面
３  裏面
４、４ａ、４ｂ、１４、２４、３４  基板補強テープ
５  基材
５ａ  基材の凸部
５ｂ  基材の凹部
６  副基材
７  粘着材
８  ダイシングテープ
９  フレーム
１０  吸着台
１１  フィルム
１２  柱状体
【図１】
2014045054.tif 000003
【図２】
2014045054.tif 000004
【図３】
2014045054.tif 000005
【図４】
2014045054.tif 000006
【図５】
2014045054.tif 000007
【図６】
2014045054.tif 000008
【図７】
2014045054.tif 000009
【図８】
2014045054.tif 000010
【図９】
2014045054.tif 000011
【図１０】
2014045054.tif 000012
【図１１】
2014045054.tif 000013
【図１２】
2014045054.tif 000014