(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳディスプレイにおいて、基板上に浮かせたシャッター部等の構造物が製造工程にて変形し、シャッター設置位置の異常が生じる。【解決手段】ＴＦＴ基板５２表面に位置合わせ用の金属膜１３０を積層し、その上に絶縁膜１３２を積層する。絶縁膜１３２は位置合わせ領域に位置合わせの開口部１３４を形成される。金属膜１３０は少なくとも位置合わせ領域内に積層され、開口部１３４のみにて露出する。位置合わせ領域はシャッター部６０の平面形状の一部分だけと重複するように設定される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ画素に対応する光が通過する複数の光学開口部が形成された遮光膜と、
前記遮光膜に平行に配置された基板と、
前記基板上に前記画素ごとに設けられ、駆動されて前記光学開口部を開閉可能な複数のシャッターと、
前記基板上に前記画素ごとに設けられ、前記シャッターを基板表面から浮かせて支持及び駆動するアクチュエータと、
前記基板表面に積層された導電体と、
前記導電体上に積層された絶縁膜と、
を有し、
前記基板表面において、前記シャッターの直下の領域とは当該直下領域の一部分のみにて重複する位置合わせ領域を少なくとも１つ設定して、
前記絶縁膜は、前記位置合わせ領域が開口部として形成され、当該開口部のみにて前記導電体を露出させ、
前記導電体は、少なくとも前記位置合わせ領域内に積層されること、
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記位置合わせ領域は、前記シャッターの前記直下領域内に包含されること、を特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の表示装置において、
前記シャッター及び駆動力を発生していない前記アクチュエータはその駆動方向に直交する第１の対称面を有し、
前記位置合わせ領域は前記第１の対称面と前記基板表面との交線に対して対称に形成されること、
を特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の表示装置において、
前記シャッター及び駆動力を発生していない前記アクチュエータはその駆動方向に平行な第２の対称面を有し、
前記位置合わせ領域は前記第２の対称面と前記基板表面との交線に対して対称に形成されること、
を特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の表示装置において、
前記位置合わせ領域それぞれの重心は前記交線上に位置すること、を特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）は、液晶ディスプレイに取って代わると期待されているディスプレイである（特許文献１参照）。このディスプレイは、偏光を利用した液晶シャッター方式とは異なり、機械シャッター方式によって光が透過する開口部を開閉する。詳しくは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板には画素ごとにシャッターが設けられており、このシャッターを水平方向に動作させることで、ＴＦＴ基板に対向配置される基板の遮光膜に形成された開口部（固定開口）を開閉して画像を表示する。
【０００３】
図１０は画素ごとに設けられるシャッター機構１の模式的な平面図３Ａ及び垂直断面図４Ａであり、シャッター機構１及びそれが配置されるＴＦＴ基板２を含む構造が示されている。ここで示すシャッター機構１は、シャッター部５をその一方端だけにおいて支持する片持ち構造である。垂直断面図４Ａは平面図３ＡにおけるＣ−Ｃ線に沿った断面である。シャッター機構１は、シャッター部５、アクチュエータ部６ａ，６ｂを有している。アクチュエータ部６ａ，６ｂは互いに反対方向にシャッター部５を引き寄せる。アクチュエータ部６ａ，６ｂはそれぞれ第１バネ部１０、第２バネ部１１、第１アンカー部１２及び第２アンカー部１３を有する。
【０００４】
第１バネ部１０はその一方端をシャッター部５に連結され、他方端をＴＦＴ基板２に立設された第１アンカー部１２に連結される。第１アンカー部１２はシャッター部５及び第１バネ部１０をＴＦＴ基板２から浮かせて支持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
シャッター機構１の製造工程では、シャッター部５やバネ部１０，１１などのＴＦＴ基板２から浮いた構造体が形成された後、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法などのプラズマ放電を伴う処理が行われ得る。プラズマ放電処理は加工対象物の帯電を生じ、シャッター部５や第１バネ部１０などの基板上に浮いた構造体が静電気力によりＴＦＴ基板に引き寄せられ、変形し得るという問題があった。
【０００７】
図１１は図１０に示したシャッター機構１に当該変形が生じた状態の一例を示す模式的な平面図３Ｂ及び垂直断面図４Ｂであり、垂直断面図４Ｂは平面図３ＢにおけるＣ−Ｃ線に沿った断面である。この例では、ＴＦＴ基板２のアクチュエータ部６ａ寄りの表面に接地配線１５が形成されている。プラズマ放電処理を行うと、第１バネ部１０やシャッター部５が接地配線（ＧＮＤ配線）１５に引き寄せられ、第１バネ部１０やシャッター部５がＧＮＤ配線に接触したりシャッター部５が傾いたりする。当該変形は第１バネ部１０の塑性変形を伴い得、また第１バネ部やシャッター部５などの構造体とＴＦＴ基板２とが強い引力で当接するなどして固着されることも起こり得る。そのため、プラズマ処理が終わっても変形が復元せず、シャッターの設置位置の異常が生じることがあった。
【０００８】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ＭＥＭＳディスプレイにおいて、ＴＦＴ基板上に浮かせた構造物が製造工程にて変形し、シャッター設置位置の異常が生じることを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る表示装置は、それぞれ画素に対応する光が通過する複数の光学開口部が形成された遮光膜と、前記遮光膜に平行に配置された基板と、前記基板上に前記画素ごとに設けられ、駆動されて前記光学開口部を開閉可能な複数のシャッターと、前記基板上に前記画素ごとに設けられ、前記シャッターを基板表面から浮かせて支持及び駆動するアクチュエータと、前記基板表面に積層された導電体と、前記導電体上に積層された絶縁膜と、を有し、前記基板表面において、前記シャッターの直下の領域とは当該直下領域の一部分のみにて重複する位置合わせ領域を少なくとも１つ設定して、前記絶縁膜は、前記位置合わせ領域が開口部として形成され、当該開口部のみにて前記導電体を露出させ、前記導電体は、少なくとも前記位置合わせ領域内に積層される。
【００１０】
他の本発明に係る表示装置においては、前記位置合わせ領域は、前記シャッターの前記直下領域内に包含される。
【００１１】
別の本発明に係る表示装置においては、前記シャッター及び駆動力を発生していない前記アクチュエータはその駆動方向に直交する第１の対称面を有し、前記位置合わせ領域は前記第１の対称面と前記基板表面との交線に対して対称に形成される。
【００１２】
別の本発明に係る表示装置においては、前記シャッター及び駆動力を発生していない前記アクチュエータはその駆動方向に平行な第２の対称面を有し、前記位置合わせ領域は前記第２の対称面と前記基板表面との交線に対して対称に形成される。
【００１３】
さらに別の本発明に係る表示装置においては、前記位置合わせ領域それぞれの重心は前記交線上に位置する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＭＥＭＳディスプレイにおいてシャッター設置位置の異常発生率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る表示装置の模式的な平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る表示装置の断面構造を模式的に示す垂直断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る表示装置の概略の回路ブロック図である。
【図４】本発明の実施形態に係る表示装置のシャッター機構及びそれが配置されるＴＦＴ基板を含む構造の模式的な平面図及び垂直断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る表示装置における位置合わせ開口部のレイアウトの他の例を示す模式的な平面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る表示装置における位置合わせ開口部のレイアウトの他の例を示す模式的な平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る表示装置における位置合わせ開口部のレイアウトの他の例を示す模式的な平面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る表示装置における位置合わせ開口部のレイアウトの他の例を示す模式的な平面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る表示装置のシャッター機構及びそれが配置されるＴＦＴ基板を含む構造の他の例を示す模式的な平面図である。
【図１０】従来のＭＥＭＳディスプレイのシャッター機構に関する部分の模式的な平面図及び垂直断面図である。
【図１１】図１０に示したシャッター機構に変形が生じた状態の一例を示す模式的な平面図及び垂直断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００１７】
図１は、実施形態に係る表示装置５０の模式的な平面図である。図２は、表示装置５０の断面構造を模式的に示す垂直断面図である。
【００１８】
表示装置５０は透過型のＭＥＭＳディスプレイであり、ＴＦＴ基板５２、対向基板５４及びバックライトユニット５６を有する。ＴＦＴ基板５２及び対向基板５４はそれぞれ例えばガラスなどの絶縁材からなる光透過性基板である。ＴＦＴ基板５２及び対向基板５４はスペーサ５８を間に挟んで間隔を設けて対向して配置される。
【００１９】
ＴＦＴ基板５２の表示領域には画素ごとにシャッター部６０及びアクチュエータ部（不図示）が設けられる。シャッター部６０はアクチュエータ部により駆動されて変位する。シャッター部６０は駆動開口６２を有する遮光板であり、駆動開口６２で光を通過させ、駆動開口６２以外の部分で光を遮断する。駆動開口６２はシャッター部６０の駆動方向に直交する方向に細長い形状になっている。
【００２０】
対向基板５４には遮光膜６４が形成され、遮光膜６４は画素ごとに固定開口６６を形成されている。シャッター部６０の駆動開口６２と遮光膜６４の固定開口６６とが連通するとバックライトユニット５６からの光が表示面側へ通過し、画素ごとの光により表示面に画像が形成される。一方、シャッター部６０によって遮光膜６４の固定開口６６が閉鎖されると表示面側への光の通過が遮断される。
【００２１】
なお、図２ではバックライトユニット５６はＴＦＴ基板５２側に配置され、対向基板５４側が表示面となるが、バックライトユニット５６を対向基板５４側に配置し、ＴＦＴ基板５２側を表示面とすることもできる。
【００２２】
ＴＦＴ基板５２の周辺領域にはアクチュエータ部を駆動するゲート線駆動回路及びデータ線駆動回路が形成される。これら駆動回路及びバックライトユニット５６はフレキシブルプリント基板（Flexible printed circuit：ＦＰＣ）６８により制御部（不図示）に接続される。
【００２３】
図３は表示装置５０の概略の回路ブロック図である。制御部８０はゲート線駆動回路８２、データ線駆動回路８４及びバックライトユニット５６に制御信号及び電源を供給する。
【００２４】
ＴＦＴ基板５２の表示領域５２ａには画素ごとにシャッター機構８６、ＴＦＴ８８及び保持容量９０が配置され、水平方向に並ぶ画素群（画素行）ごとにゲート線９２が設けられ、垂直方向に並ぶ画素群（画素列）ごとにデータ線９４が設けられる。各ゲート線９２は画素行に並ぶ複数のＴＦＴ８８のゲートに共通に接続される。各データ線９４は画素列に並ぶ複数のＴＦＴ８８のドレイン又はソースに共通に接続される。ゲート線駆動回路８２はゲート線９２へ出力するゲート信号により画素行ごとにＴＦＴ８８のオン／オフを制御し、データ信号を書き込む画素行（走査行）を選択する。データ線駆動回路８４は走査行のデータ信号を各データ線９４へ出力する。走査行の保持容量９０はデータ信号電圧に充電され、ＴＦＴ８８がオフすると当該電圧を保持する。シャッター機構８６は保持容量９０に保持されたデータ信号に基づいて動作する。
【００２５】
図４は表示装置５０におけるシャッター機構８６及びそれが配置されるＴＦＴ基板を含む構造の模式的な平面図１００及び垂直断面図１０２である。シャッター部６０の変位方向をｘ方向、これに直交する水平方向をｙ方向、またＴＦＴ基板５２の法線方向をｚ方向とする。シャッター機構８６はシャッター部６０をそのｙ方向の一方端だけにおいて支持する片持ち構造である。垂直断面図１０２はｘ方向に沿った断面であり、具体的には平面図１００におけるＣ−Ｃ線に沿った断面である。
【００２６】
シャッター機構８６は、シャッター部６０、第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂを有している。シャッター部６０のｘ方向の寸法はシャッター部６０の駆動幅に起因する制約を受ける。具体的には、シャッター部６０の輪郭はｘ方向を短手方向としｙ方向を長手方向とする平面形状であり、その形状は長方形とすることができる。既に述べたようにシャッター部６０は移動することにより固定開口６６（光学開口部）を開閉し、バックライトユニット５６から表示面へ光を透過させたり遮断したりする。第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂはシャッター部６０をＴＦＴ基板５２表面から浮かせて支持及び駆動する。
【００２７】
第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂはｘ方向に沿ってシャッター部６０を挟んで１つずつ配置され、それぞれシャッター部６０を引き寄せる。第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂはそれぞれ、第１バネ部１１２、第２バネ部１１４、第１アンカー部１１６及び第２アンカー部１１８を有する。
【００２８】
第１バネ部１１２はその一方端をシャッター部６０の短辺に連結され、他方端をＴＦＴ基板５２に立設された第１アンカー部１１６に連結される。第１アンカー部１１６はシャッター部６０及び第１バネ部１１２をＴＦＴ基板５２から浮かせて支持する。第１バネ部１１２は屈曲した平面形状であり、ｘ方向の位置が第２アンカー部１１８とシャッター部６０との間でありｙ方向に伸びる作用部１２０を含む。
【００２９】
第２バネ部１１４は、両端を第２アンカー部１１８に連結されたヘアピンのような平面形状であり、作用部１２０に対向して伸び、その折り返し部が作用部１２０に最も近づくように配置される。第２アンカー部１１８は第２バネ部１１４をＴＦＴ基板５２から浮かせて支持する。
【００３０】
駆動時には、第１バネ部１１２及び第２バネ部１１４にそれぞれ第１アンカー部１１６及び第２アンカー部１１８から異なる電圧を印加する。第１バネ部１１２及び第２バネ部１１４は互いの電位差によって生じる静電気力で引き合う。第１バネ部１１２が第２バネ部１１４に引き寄せられることで、第１バネ部１１２に連結されたシャッター部６０がｘ方向に移動する。
【００３１】
シャッター機構８６下のＴＦＴ基板５２の表面には導電体が積層され、その上に絶縁膜が積層される。具体的には、導電体として金属膜が積層され、これをパターニングして位置合わせ用金属膜１３０が形成される。なお、本実施形態では、シャッター機構８６下の領域内のＴＦＴ基板５２表面に、図１１で示した従来技術の構成と同様、ＧＮＤ配線１５が配置されている例を示している。例えば、位置合わせ用金属膜１３０とＧＮＤ配線１５とは同じ金属膜から形成することができる。
【００３２】
金属膜をフォトリソグラフィ技術でパターニングして位置合わせ用金属膜１３０やＧＮＤ配線１５を形成した後、絶縁膜１３２が例えば、ＣＶＤ法などにより積層される。絶縁膜１３２はフォトリソグラフィ技術でパターニングされ、位置合わせ開口部１３４が形成される。
【００３３】
位置合わせ開口部１３４を形成する領域をここでは位置合わせ領域と称する。位置合わせ領域は１つ、又は複数設定される。位置合わせ領域は、シャッター部６０の直下の領域とは当該直下領域の一部分のみにて重複するように設定される。つまり、位置合わせ領域はシャッター部６０の直下領域の全体を包含しない。一方、少なくとも１つの位置合わせ領域はシャッター部６０の直下領域に包含されるように設定され得る。また、位置合わせ領域はシャッター部６０の直下領域外の部分を含むこともできるが、位置合わせ開口部１３４の後述する目的から、当該位置合わせ領域の平面形状の重心はシャッター部６０の直下領域に存在することが好適である。ここで、シャッター部６０の直下領域とは、シャッター部６０の形状をｚ方向に平行投影した領域を意味する。
【００３４】
位置合わせ用金属膜１３０は少なくとも位置合わせ領域内に形成され、位置合わせ開口部１３４内には位置合わせ用金属膜１３０が露出する。なお、位置合わせ領域に例えば、ＧＮＤ配線１５が存在する場合には、これを位置合わせ用金属膜１３０とすることができる。
【００３５】
絶縁膜１３２は位置合わせ開口部１３４のみにて導電体を露出させる。換言すれば、少なくともシャッター機構８６が配置される領域内において、位置合わせ開口部１３４以外の部分の導電体は絶縁膜１３２によって被覆される。
【００３６】
図４に示すシャッター機構８６は駆動方向（ｘ方向）に対称に構成される。すなわち、シャッター機構８６は第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂが駆動力を発生していない中立状態で、その駆動方向に直交する対称面１４０（第１の対称面）を有する。対称面１４０はｙ方向に沿いＴＦＴ基板５２に垂直な面（ｙｚ平面）であり、シャッター部６０の平面形状はシャッター部６０と当該対称面１４０との交線を対称軸として線対称である。図４では、位置合わせ開口部１３４は、シャッター部６０の直下領域に包含され、中心が当該対称軸上に位置する円形の領域である。その位置合わせ開口部１３４はシャッター部６０のｙ方向の２つの端部のうち第１バネ部１１２が連結される側とは反対側の端部の下に配置される。
【００３７】
図４に示す例では位置合わせ用金属膜１３０のｘ方向の寸法は、中立状態のシャッター部６０の直下領域より小さく、位置合わせ開口部１３４より大きい。またｙ方向については、位置合わせ開口部１３４を中心として、ほぼシャッター部６０の寸法の２倍の大きさを有する。
【００３８】
上述したシャッター機構８６は、位置合わせ用金属膜１３０、絶縁膜１３２及び位置合わせ開口部１３４を形成した後、ＴＦＴ基板５２上に形成される。具体的には、絶縁膜１３２の上に、犠牲層となるフォトレジストを塗布、パターニングしてシャッター機構８６の立体形状に沿った凹凸面を形成する。そして、当該凹凸面にシャッター機構８６の構造体となる層、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）膜や金属膜を積層し、フォトリソグラフィ技術でパターニングして、当該構造体層のうちシャッター機構８６の各部など、必要な部分だけを残す。しかる後、シャッター部６０、第１バネ部１１２、第２バネ部１１４などの下から犠牲層のフォトレジストを除去する。その後、構造体層の表面に絶縁膜が形成される。当該絶縁膜はシャッター部６０、第１バネ部１１２、第２バネ部１１４、第１アンカー部１１６及び第２アンカー部１１８の相互間の電気的な短絡を防止するために設けられる。例えば、当該絶縁膜の形成はプラズマＣＶＤ法で行われる。
【００３９】
シャッター機構８６の構造物の形成過程のうち犠牲層の除去後、つまりシャッター部６０等が浮いた状態とされた後に行われるプラズマ放電処理において、シャッター部６０や第１バネ部１１２は帯電する。しかし、本発明においては、ＴＦＴ基板５２の表面に形成されるＧＮＤ配線１５などの導電体は基本的に絶縁膜１３２で覆われているので、当該導電体との間に生じ得る静電的な引力は弱められる。一方、位置合わせ開口部１３４に露出した位置合わせ用金属膜１３０との間に生じ得る静電的な引力は周囲と比べて大きい。よって、プラズマ放電処理にて、シャッター部６０及び第１バネ部１１２のＴＦＴ基板５２表面上での位置は中立状態での位置に安定し易い。つまり、シャッター部６０や第１バネ部１１２の平面形状を歪ませるような変形が起こりにくくなる。具体的には本来、対称面１４０に対して対称であるべきシャッター部６０や第１バネ部１１２が図１１に示したように、ｘ方向のどちらかに傾いたり引き寄せられたりしにくくなる。
【００４０】
また、シャッター部６０が位置合わせ開口部１３４に露出した位置合わせ用金属膜１３０に引き寄せられても、シャッター部６０は位置合わせ開口部１３４内には入らないので、位置合わせ用金属膜１３０に直接接触しない。つまり、絶縁膜１３２がシャッター部６０と位置合わせ用金属膜１３０との距離を保つことで両者の接近によるクーロン力の増加が制限される。よって、シャッター部６０等がＴＦＴ基板５２側に固着しにくく、プラズマ放電処理が終わるとＴＦＴ基板５２から浮いた状態に復元し易い。
【００４１】
また、位置合わせ開口部１３４の面積を小さくすればシャッター部６０等と位置合わせ用金属膜１３０との間の静電気力は弱まるので、シャッター部６０等を中立状態での位置に保ちつつ、ＴＦＴ基板５２側への接触が回避されるような強度のクーロン力が生じるように位置合わせ開口部１３４を設計することも可能である。
【００４２】
シャッター部６０の駆動幅は小さいことから、固定開口６６や駆動開口６２は基本的には駆動方向に直交する方向の寸法に比べ駆動方向の寸法が小さい。そのため、シャッター部６０の駆動方向の位置は比較的高い精度を必要とする。この点、上述の実施形態のように、シャッター部６０及び駆動力を発生していないアクチュエータ部１１０がその駆動方向（ｘ方向）に直交する対称面（ｙｚ平面）を有する場合には、位置合わせ開口部１３４を当該対称面とＴＦＴ基板５２表面との交線に対して対称な位置、形状に形成することが好適である。この構成により、位置合わせ開口部１３４に露出する位置合わせ用金属膜１３０が及ぼす静電気力に起因してシャッター部６０等のｘ方向に沿った変位が生じにくくなる。つまり、駆動方向に沿った位置ずれを伴う変形が防止される効果が得られる。
【００４３】
また、シャッター部６０及び駆動力を発生していないアクチュエータ部１１０がその駆動方向に平行な対称面（ｘｚ平面）を有する場合には、位置合わせ開口部１３４を当該対称面とＴＦＴ基板５２表面との交線に対して対称な位置、形状に形成することが好適である。この構成により、位置合わせ開口部１３４に露出する位置合わせ用金属膜１３０が及ぼす静電気力に起因してシャッター部６０等のｙ方向に沿った変位が生じにくくなる。つまり、駆動方向に直交する方向に沿った位置ずれを伴う変形が防止される効果が得られる。
【００４４】
上記実施形態では位置合わせ開口部１３４は第１の対称面とＴＦＴ基板５２表面との交線上に配置した。この構成は、位置合わせ開口部１３４に露出する位置合わせ用金属膜１３０が生じる静電気力の極大点を第１の対称面内に生じさせることが容易である。一方、位置合わせ開口部１３４は第１の対称面の両側に配置することもできる。その場合は、複数の位置合わせ開口部１３４に露出する位置合わせ用金属膜１３０それぞれが生じる静電気力の合力が第１の対称面の位置にて極大となるように位置合わせ開口部１３４の位置、形状を設計することが好適である。
【００４５】
同様に第２の対称面についても位置合わせ開口部１３４を当該対称面とＴＦＴ基板５２表面との交線上に配置することもできるし、その両側に配置することもできる。
【００４６】
以下、位置合わせ開口部１３４の配置の具体例を図を参照して説明する。
【００４７】
[位置合わせ開口部１３４の配置例]
図５〜図８は上記実施形態と同じシャッター機構８６を有する表示装置において、位置合わせ開口部１３４のレイアウトが異なる例を示している。図５〜図８の構成では、位置合わせ開口部１３４の平面形状の重心は、上述した第１の対称面とＴＦＴ基板５２表面との交線上に配置される。
【００４８】
図５に示す構成では、円形の位置合わせ開口部１３４がシャッター部６０のｙ方向の２つの端部のうち第１バネ部１１２が連結される側の端部の下に配置される。
【００４９】
図６に示す構成では、円形の位置合わせ開口部１３４がシャッター部６０のｙ方向の２つの端部の両方の下に配置される。
【００５０】
図７に示す構成では、位置合わせ開口部１３４の平面形状が矩形である点が図４に示した構成と相違する。第１の対称面に位置する位置合わせ開口部１３４の平面形状は、当該対称面に対称な他の形状とすることもできる。そして、図５、図６に示す位置合わせ開口部１３４の位置にそのような円形以外の位置合わせ開口部１３４を設けることもできる。
【００５１】
図８に示す構成では、円形の位置合わせ開口部１３４が第１の対称面に対して互いに対称な２個所に配置される。
【００５２】
本発明はシャッター部６０を駆動方向の両側端部で支持する両持ち構造のシャッター機構を有する表示装置５０にも適用することができる。図９は当該表示装置５０におけるシャッター機構１５０及びそれが配置されるＴＦＴ基板を含む構造の模式的な平面図である。図９においてシャッター機構８６と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
【００５３】
シャッター機構１５０はｘ方向に沿ってシャッター部６０を挟んで第１アクチュエータ部１１０ａ及び第２アクチュエータ部１１０ｂをそれぞれ一対ずつ備える。一対の第１アクチュエータ部１１０ａの第１バネ部１１２はシャッター部６０の一方の長辺に連結され、一対の第２アクチュエータ部１１０ｂの第１バネ部１１２はシャッター部６０の他方の長辺に連結される。シャッター機構１５０はｘ方向及びｙ方向に対称に構成される。すなわち、シャッター機構１５０はシャッター機構８６と同様、アクチュエータ部１１０ａ，１００ｂが駆動力を発生していない中立状態で、その駆動方向に直交する第１の対称面１４０を有する。また、シャッター機構１５０はその駆動方向に沿った第２の対称面１５２を有する。
【００５４】
図９に示す構成では、位置合わせ開口部１３４が対称面１４０に対して対称、かつ対称面１５２に対して対称に形成される。具体的には、矩形をなすシャッター部６０の各辺の中点に位置合わせ開口部１３４が配置される。なお、シャッター部６０の平面形状の中心が駆動開口６２とされない場合には、１つの位置合わせ開口部１３４だけを当該中心の下に配置する構成とすることができる。
【符号の説明】
【００５５】
５０  表示装置、５２  ＴＦＴ基板、５４  対向基板、５６  バックライトユニット、５８  スペーサ、６０  シャッター部、６２  駆動開口、６４  遮光膜、６６  固定開口、６８  ＦＰＣ、８０  制御部、８２  ゲート線駆動回路、８４  データ線駆動回路、８６  シャッター機構、８８  ＴＦＴ、９０  保持容量、９２  ゲート線、９４  データ線、１１０ａ  第１アクチュエータ部、１１０ｂ  第２アクチュエータ部、１１２  第１バネ部、１１４  第２バネ部、１１６  第１アンカー部、１１８  第２アンカー部、１２０  作用部、１３０  位置合わせ用金属膜、１３２  絶縁膜、１３４  位置合わせ開口部、１５０  シャッター機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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