(57)【要約】【課題】配線板の強度を向上させる。【解決手段】コンデンサ７０の厚みに比較して、ベース基板２０の厚みを大きくする。具体的には、コンデンサ７０の厚さを、ベース基板２０の厚さに対して、概ね０．５程度となるようにする。これにより、ベース基板２０の厚さは、コンデンサ７０の厚さの２倍程度となる。したがって、コンデンサ７０を収容するベース基板２０の厚さが、コンデンサ７０と比較して十分に厚くなり、結果的に配線板１０の強度が向上する。【選択図】図１
2014038890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成されたベース基板と、
前記ベース基板のキャビティに収容される電子部品と、
を有し、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である配線板。
【請求項２】
前記電子部品は、前記ベース基板の第１面との距離が、前記第１面とは異なる第２面との距離よりも小さくなるように配置される請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記電子部品の一側の面と、前記ベース基板の第１面とは、同一の面内に位置する請求項２に記載の配線板。
【請求項４】
前記ベース基板の第１面側に、集積回路が実装される請求項２又は３に記載の配線板。
【請求項５】
前記電子部品は、コンデンサである請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記ベース基板には、前記電子部品が収容されるキャビティが複数形成され、
前記キャビティには、前記電子部品と、前記ベース基板とほぼ同じ厚さの他の電子部品が収容される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記ベース基板の前記第１面側及び、前記第２面側には、導体層と絶縁層とが交互に積層される請求項２乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
前記ベース基板の前記第１面及び前記第２面のうちの少なくとも一方の面上には、前記キャビティを覆う絶縁層が形成される請求項２乃至７のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項９】
ベース基板にキャビティを形成することと、
前記キャビティに電子部品を収容することと、
を含み、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及び配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯通信端末に代表される小型の電子機器では、電子回路を構成する部品の実装スペースが限られる。このため、電子機器の処理回路や制御回路等は、複数の回路パターンが積層形成される配線板と、この配線板に実装される電子部品によって構成されるのが一般的である。
【０００３】
この種の電子機器に対しては、高機能化、多機能化への要求がますます高まっており、電子機器に用いられる配線板を多層化する技術や、配線板の回路パターンを微細化する技術が種々提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
上記特許文献１に開示された配線板では、ベース基板に設けられたキャビティにコンデンサが収容される。このため、基板表面にＣＰＵ（Central Processing Unit）等の演算素子や集積回路を実装するスペースを有効に確保することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−１００８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
配線板の反りに対する強度や、絶縁信頼性は、配線板の用途に応じて規定される。この種の配線板の強度は、当該配線板に用いられるベース基板の強度に依存する。
【０００７】
また、コンデンサ等の電子部品については改良が進み、近年では、小型で容量の大きなものが開発されている。このため、ベース基板に形成されたキャビティには、ごく薄い電子部品を収容する必要がある。
【０００８】
本発明は、上述の事情の下になされたもので、電子部品を収容するベース基板を備える配線板の強度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る配線板は、
キャビティが形成されたベース基板と、
前記ベース基板のキャビティに収容される電子部品と、
を有し、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である。
【００１０】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、
ベース基板にキャビティを形成することと、
前記キャビティに電子部品を収容することと、
を含み、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、配線板のベース基板に収容される電子部品よりも、ベース基板を相対的に厚くすることができる。このため、配線板の反りを防止して、当該配線板の電気的な信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図３】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図４】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図５】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図６】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図７】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図８】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図９】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１３】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１４】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１５】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１６】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１７】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１８】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図１９】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２０】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２１】配線板の製造方法を説明するための図である。
【図２２】配線板の変形例を示す図である。
【図２３】配線板の変形例を示す図である。
【図２４】配線板の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しつつ説明する。なお、説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系を用いる。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る配線板１０のＸＺ断面図である。配線板１０は、ベース基板２０と、ベース基板２０の上面（＋Ｚ側の面）に形成されるビルドアップ層１１と、ベース基板２０の下面（−Ｚ側の面）に形成されるビルドアップ層１２とからなる。
【００１５】
ビルドアップ層１１は、ベース基板２０の上面に形成される導体パターン３１と、導体パターン３１を覆うようにベース基板２０の上面に形成される絶縁層２１と、絶縁層２１の上面に形成される導体パターン３３と、導体パターン３３を覆うように絶縁層２１の上面に形成されるソルダレジスト層２３とからなる。
【００１６】
ビルドアップ層１２は、ベース基板２０の下面に形成される導体パターン３２と、導体パターン３２を覆うようにベース基板２０の下面に形成される絶縁層２２と、絶縁層２２の下面に形成される導体パターン３４と、導体パターン３４を覆うように絶縁層２２の下面に形成されるソルダレジスト層２４とからなる。
【００１７】
ベース基板２０は、厚さが１０００μｍ程度の板材である。このベース基板２０は、例えばグラスファイバ、アラミドファイバ等の強化材に、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成される。図１に示されるように、このベース基板２０には、スルーホール導体用の貫通孔２０ａと、コンデンサ７０が収容されるキャビティ２０ｂが形成される。
【００１８】
貫通孔２０ａの内部には、スルーホール導体４０が形成される。このスルーホール導体４０は、銅めっきからなる。
【００１９】
コンデンサ７０は、長方形で、厚さが５００μｍ程度のチップコンデンサである。コンデンサ７０は、Ｘ軸方向両端に形成された一対の電極の上面が、ベース基板２０の上面に形成された導体パターン３１と同じ高さになるように、キャビティ２０ｂに収容される。この状態のときには、コンデンサ７０の上面は、ベース基板２０の上面と同一の面内に位置する。本実施形態では、コンデンサ７０の厚さをＤ１（＝５００μｍ）とし、ベース基板２０の厚さをＤ２（＝１０００μｍ）とすると、厚さの比Ｄ１／Ｄ２は、概ね０．５程度となる。
【００２０】
導体パターン３１は、ベース基板２０の上面に形成される。また、導体パターン３２は、ベース基板２０の下面に形成される。導体パターン３１，３２それぞれは、厚さが５〜３０μｍで、所定の形状にパターニングされる。これらの導体パターン３１，３２は、配線板１０の電子回路を構成し、スルーホール導体４０によって電気的に接続される。
【００２１】
絶縁層２１は、ベース基板２０の上面を覆うように形成される。絶縁層２１は、例えば硬化したプリプレグからなる。そして、ベース基板２０の上面に形成された導体パターン３１と、当該絶縁層２１の上面に形成された導体パターン３３とを電気的に絶縁する。
【００２２】
プリプレグは、例えばグラスファイバ又はアラミドファイバに、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を含浸させることにより形成される。配線板１０では、絶縁層２１の厚さは、１０〜６０μｍである。
【００２３】
絶縁層２１には、複数のビアホール２１ａが形成される。ビアホール２１ａの内部には、ビア導体３３ａが形成される。このビア導体３３ａは、銅めっきからなる。
【００２４】
絶縁層２２は、ベース基板２０の下面を覆うように形成される。絶縁層２２は、絶縁層２１と同様に、例えば硬化したプリプレグからなる。そして、ベース基板２０の下面に形成された導体パターン３２と、当該絶縁層２２の下面に形成された導体パターン３４とを電気的に絶縁する。この絶縁層２２の厚さは、絶縁層２１と同様に、１０〜６０μｍである。
【００２５】
絶縁層２２には、複数のビアホール２２ａが形成される。ビアホール２２ａの内部には、ビア導体３４ａが形成される。このビア導体３４ａは、銅めっきからなる。
【００２６】
導体パターン３３は、絶縁層２１の上面に形成される。また、導体パターン３４は、絶縁層２２の下面に形成される。導体パターン３３，３４それぞれは、厚さが５〜２０μｍで、所定の形状にパターニングされる。そして、導体パターン３３は、絶縁層２１に形成されたビア導体３３ａによって、導体パターン３１、及びコンデンサ７０と電気的に接続される。また、導体パターン３４は、絶縁層２２に形成されたビア導体３４ａによって、導体パターン３２と電気的に接続される。
【００２７】
ソルダレジスト層２３は、絶縁層２１を覆うように形成される。また、ソルダレジスト層２４は、絶縁層２２を覆うように形成される。ソルダレジスト層２３，２４それぞれは、例えばアクリル−エポキシ系樹脂を用いた感光性樹脂、エポキシ樹脂を主体とした熱硬化性樹脂、又は紫外線硬化性の樹脂等からなる。
【００２８】
ソルダレジスト層２３には、配線板１０に実装される電子部品と導体パターン３３とを接続するための複数の開口２３ａが形成される。そして、開口２３ａの内部には、導体パターン３３の表面を被覆するニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成される。配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５１に半田５３を介して接続される。
【００２９】
同様に、ソルダレジスト層２４には、複数の開口２４ａが形成される。そして、開口２４ａの内部には、導体パターン３４の表面を被覆するための、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５２が形成される。配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５２に半田５４を介して接続される。
【００３０】
上述のように構成された配線板１０に対しては、主として上面にＩＣ等の集積回路が実装される。
【００３１】
次に、配線板１０の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、図２に示されるように、ベース基板２０と、当該ベース基板２０の上面及び下面にそれぞれ貼り付けられた銅箔２０２，２０１からなる銅張積層板２００を準備する。
【００３３】
次に、図３に示されるように、銅張積層板２００に、ドリル等を用いて、貫通孔２０ａを形成する。
【００３４】
次に、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする触媒を、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に付与する。その後、銅張積層板２００に、無電解銅めっきを施す。これにより、図４に示されるように、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に、シード層としての無電解めっき膜２０３が形成される。
【００３５】
次に、無電解めっき膜２０３が形成された銅張積層板２００に、電解銅めっきを施す。これにより、図５に示されるように、銅張積層板２００の表面にめっき膜２０４が形成され、貫通孔２０ａの内部にスルーホール導体４０が形成される。
【００３６】
次に、テンティング法などを実施して、銅箔２０２，２０１、及びめっき膜２０４をパターニングする。これにより、図６に示されるように、銅箔２０１及びめっき膜２０４からなる導体パターン３１、及び銅箔２０２及びめっき膜２０４からなる導体パターン３２が形成される。
【００３７】
次に、例えばルータ等を用いて、図７に示されるように、ベース基板２０にキャビティ２０ｂを形成する。そして、銅張積層板２００の下面側に粘着シート１０１を貼り付ける。
【００３８】
次に、図８に示されるように、キャビティ２０ｂにコンデンサ７０を収容する。
【００３９】
次に、図９に示されるように、銅張積層板２００の上面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２２を配置する。そして、フィルム２２２にラミネート処理を行い、銅張積層板２００にフィルム２２２を圧着する。これにより、図１０に示されるように、ベース基板２０の上面に、導体パターン３２を覆う絶縁層２２が形成される。また、ベース基板２０に形成されたキャビティ２０ｂには、フィルム２２２を構成する樹脂と、ベース基板２０から滲み出た樹脂が充填される。
【００４０】
次に、図１１に示されるように、絶縁層２２が形成された銅張積層板２００を上下反転させる。
【００４１】
次に、銅張積層板２００の上面側に貼り付けられた粘着シート１０１を剥離して、図１２に示されるように、銅張積層板２００の上面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２１を配置する。そして、フィルム２２１にラミネート処理を行い、銅張積層板２００にフィルム２２１を圧着する。これにより、図１３に示されるように、ベース基板２０の上面に、導体パターン３１を覆う絶縁層２１が形成される。また、ベース基板２０に形成されたキャビティ２０ｂには、フィルム２２１を構成する樹脂と、ベース基板２０から滲み出た樹脂が充填される。
【００４２】
次に、絶縁層２１及び絶縁層２２それぞれにレーザ光を照射して、図１４に示されるように、外側に向かって内径が大きくなるビアホール２１ａ，２２ａを形成する。そして、ビアホール２１ａ，２２ａの内部に残留するスミアを除去するためのデスミア処理を行う。
【００４３】
次に、銅張積層板２００を、Ｐｄ等を主成分とする触媒に浸漬する。これにより、絶縁層２１，２２の表面に触媒が付着する。続いて、銅張積層板２００を、無電解銅めっき液に浸漬する。これにより、図１５に示されるように、絶縁層２１の表面、及びビアホール２１ａの内壁に、無電解めっき膜２０５が形成される。また、絶縁層２２の表面、及びビアホール２２ａの内壁に、無電解めっき膜２０６が形成される。
【００４４】
次に、無電解めっき膜２０５，２０６の表面それぞれに、感光性ドライフィルムをラミネートする。そして、感光性ドライフィルムに、それぞれ所定のパターンが形成されたマスクフィルムを密着させた後に、感光性ドライフィルムを紫外線で露光する。続いて、感光性ドライフィルムに対して、アルカリ水溶液を用いた現像を行う。これにより、図１６に示されるように、感光性ドライフィルムに、導体パターン３３，３４が形成される部分が露出する開口３０１ａ，３０２ａが設けられる。この感光性ドライフィルムは、めっきレジスト３０１，３０２を構成する。
【００４５】
次に、めっきレジスト３０１，３０２を水洗いし、乾燥させる。そして、めっきレジスト３０１，３０２の開口３０１ａ，３０２ａから露出する無電解めっき膜２０５に電解銅めっきを施す。これにより、図１７に示されるように、めっきレジスト３０１，３０２それぞれから露出しためっき膜２０７，２０８が形成される。
【００４６】
次に、めっきレジスト３０１，３０２を除去する。そして、めっきレジスト３０１，３０２に覆われていた無電解めっき膜２０５，２０６を、エッチングすることにより除去する。これにより、図１８に示されるように、絶縁層２１の表面に導体パターン３３が形成され、ビアホール２１ａにビア導体３３ａが形成される。また、絶縁層２２の表面に導体パターン３４が形成され、ビアホール２２ａにビア導体３４ａが形成される。
【００４７】
次に、図１９に示されるように、導体パターン３３及び導体パターン３４を覆うように、絶縁層２１上及び絶縁層２２上にそれぞれソルダレジスト層２３，２４を形成する。
【００４８】
次に、図２０に示されるように、ソルダレジスト層２３に開口２３ａを形成し、導体パターン３３の一部を露出させる。さらに、ソルダレジスト層２４に開口２４ａを形成し、導体パターン３４の一部を露出させる。
【００４９】
次に、開口２３ａ，２４ａから露出する導体パターン３３，３４の表面に、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき処理を施す。これにより、図２１に示されるように、ソルダレジスト層２３の開口２３ａから露出する導体パターン３３の表面に、半田接続層５１が形成される。また、ソルダレジスト層２４の開口２４ａから露出する導体パターン３４の表面に、半田接続層５２が形成される。
【００５０】
次に、半田接続層５１，５２に半田５３，５４を塗布する。これにより、図１に示される配線板１０が完成する。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態に係る配線板１０では、コンデンサ７０の厚みに比べて、ベース基板２０の厚みが比較的大きい。具体的には、コンデンサ７０の厚さをＤ１、ベース基板２０の厚さをＤ２とすると、厚さの比Ｄ１／Ｄ２は、概ね０．５程度となる。このため、ベース基板２０の厚さは、コンデンサ７０の厚さの２倍程度となる。したがって、コンデンサ７０を収容するベース基板２０の厚さが、コンデンサ７０と比較して十分に厚くなり、結果的に配線板１０の強度が向上する。
【００５２】
本実施形態に係る配線板１０では、図１に示されるように、コンデンサ７０が、ベース基板２０の上面に近く、ベース基板２０の下面から遠くなるようにオフセットした状態で配置されている。このため、配線板１０の反る向きが一義的に決まる。これにより、配線板１０の反る方向を考慮した部品の実装が可能となる。
【００５３】
例えば、ベース基板に形成されたキャビティに、当該ベース基板の厚さと同等の厚さの電子部品を収容した場合には、キャビティに充填される樹脂の量が、電子部品の上面側と下面側で、ほぼ等しくなる。この場合には、配線板が、上面が凸になるように反るか、又は、下面が凸になるように反るかは、配線板の個体差や製造条件によってまちまちになる。
【００５４】
一方、図１に示されるように、ベース基板２０に形成されたキャビティ２０ｂに収容されたコンデンサ７０が上面側にオフセットしている場合には、配線板１０の温度が外気温に等しい常温である場合には、上面が凸になるように反り、配線板１０の温度が上昇するに従って徐々に反りが解消されることがわかっている。このため、本実施形態に係る配線板１０については、主として上面が凸になるように反ることを予測することができる。したがって、予測結果に応じて配線板１０に部品を実装することで、配線板１０に対する実装精度を向上させることができる。その結果、配線板１０と当該配線板１０に実装される部品からなる製品の信頼性を向上させることができる。
【００５５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態によって限定されるものではない。
【００５６】
例えば、上記実施形態では、コンデンサ７０の厚さをＤ１、ベース基板２０の厚さをＤ２としたときの厚さの比Ｄ１／Ｄ２が０．５程度となる場合について説明した。これに限らず、厚さの比Ｄ１／Ｄ２は、０．３以上で０．７以上であればよい。
【００５７】
上記実施形態では、コンデンサ７０の上面とベース基板２０の上面とが同一の面内に位置する場合について説明した。これに限らず、コンデンサ７０は、コンデンサ７０からベース基板２０の上面までの距離が、コンデンサ７０からベース基板２０の下面までの距離よりも小さくなるように配置されていればよい。
【００５８】
この場合にも、配線板１０が、上面が凸となるように反ることを予測することができる。したがって、予測結果に応じて配線板１０に部品を実装することで、同様に、配線板１０に対する実装精度を向上させることができる。
【００５９】
また、上記実施形態では、コンデンサ７０の上面とベース基板２０の上面とが同一の面内に位置する場合について説明した。これに限らず、コンデンサ７０の下面とベース基板２０の下面とが同一の面内に位置することとしてもよい。或いは、コンデンサ７０は、コンデンサ７０からベース基板２０の下面までの距離が、コンデンサ７０からベース基板２０の上面までの距離よりも小さくなるように配置されてもよい。
【００６０】
要するに、ベース基板２０に形成されたキャビティ２０ｂに配置されるコンデンサ７０は、ベース基板２０の上面側或いは下面側にオフセットされた状態で配置されていればよい。この場合には、配線板１０が、上面が凸となるように反るか、或いは下面が凸となるように反るかを予測することができる。したがって、予測結果に応じて配線板１０に部品を実装することで、同様に、配線板１０に対する実装精度を向上させることができる。
【００６１】
上記実施形態では、ベース基板２０のキャビティ２０ｂにコンデンサ７０が収容される場合について説明した。これに限らず、ベース基板２０のキャビティ２０ｂには、リアクトル６０等のコンデンサ以外の電子部品が収容されることとしてもよい。
【００６２】
上記実施形態では、ベース基板２０に１つのコンデンサ７０が収容される場合について説明した。これに限らず、一例として図２２に示されるように、ベース基板２０に複数のキャビティ２０ｂ，２０ｃを設け、一方のキャビティ２０ｂにコンデンサ７０を収容し、他方のキャビティ２０ｃにリアクトル６０等の電子部品を収容することとしてもよい。また、ベース基板２０に、３つ以上のキャビティを形成し、コンデンサ７０や、このコンデンサ７０とは別の複数の電子部品を収容することとしてもよい。
【００６３】
上記実施形態では、ベース基板２０の上面に導体パターン３１が形成され、ベース基板２０の下面に導体パターン３２が形成される場合について説明した。これに限らず、一例として２３に示されるように、キャビティ２０ｂ，２０ｃにコンデンサ７０，７１を収容する場合には、ベース基板２０の上面及び下面のうちのいずれか一方の面にのみ導体パターンを形成し、他方には絶縁層を形成することとしてもよい。
【００６４】
本実施形態では、図１に示されるように、ベース基板２０の上面に導体パターン３１，３３と絶縁層２１が積層され、ベース基板２０の下面に導体パターン３２，３４と絶縁層２２が積層される場合について説明した。これに限らず、図２４に示されるように、ベース基板２０の上面に、３以上の導体パターン３１，３３，３５，３７と、２以上の絶縁層２１，２５，２７が形成され、ベース基板２０の下面に、３以上の導体パターン３２，３４，３６，３８と、２以上の絶縁層２２，２６，２８が形成されることとしてもよい。
【００６５】
無電解めっきの材料として、ニッケルや、チタン、クロム等を採用してもよい。無電解めっき以外に、ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜を用いることもできる。ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜の場合、触媒は不要である。
【００６６】
同様に、電解めっき膜の材料として、ニッケルや、チタン、クロム等を採用してもよい。
【００６７】
めっきとは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出した導体（例えば金属層）をいう。また、めっきには、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。
【００６８】
導体パターン３１〜３８の形成方法、パターニング方法は限定されるものではなく、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などを、配線板１０の用途に応じて適宜選択することができる。
【００６９】
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。
【符号の説明】
【００７０】
１０  配線板
１１，１２  ビルドアップ層
２０  ベース基板
２０ａ  貫通孔
２０ｂ  キャビティ
２０ｃ  キャビティ
２１，２２，２５〜２８  絶縁層
２１ａ  ビアホール
２２ａ  ビアホール
２３，２４  ソルダレジスト層
２３ａ，２４ａ  開口
３１〜３８  導体パターン
３３ａ，３４ａ  ビア導体
４０  スルーホール導体
５１，５２  半田接続層
５３，５４  半田
６０  リアクトル
７０，７１  コンデンサ
１０１  粘着シート
２００  銅張積層板
２０１，２０２  銅箔
２０３，２０５，２０６  無電解めっき膜
２０４，２０７，２０８  めっき膜
２２１，２２２  フィルム
３０１，３０２  めっきレジスト
３０１ａ，３０２ａ  開口
【図１】
2014038890.tif 000003
【図２】
2014038890.tif 000004
【図３】
2014038890.tif 000005
【図４】
2014038890.tif 000006
【図５】
2014038890.tif 000007
【図６】
2014038890.tif 000008
【図７】
2014038890.tif 000009
【図８】
2014038890.tif 000010
【図９】
2014038890.tif 000011
【図１０】
2014038890.tif 000012
【図１１】
2014038890.tif 000013
【図１２】
2014038890.tif 000014
【図１３】
2014038890.tif 000015
【図１４】
2014038890.tif 000016
【図１５】
2014038890.tif 000017
【図１６】
2014038890.tif 000018
【図１７】
2014038890.tif 000019
【図１８】
2014038890.tif 000020
【図１９】
2014038890.tif 000021
【図２０】
2014038890.tif 000022
【図２１】
2014038890.tif 000023
【図２２】
2014038890.tif 000024
【図２３】
2014038890.tif 000025
【図２４】
2014038890.tif 000026
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係る配線板は、
キャビティが形成されたベース基板と、
前記ベース基板のキャビティに収容される電子部品と、
を有し、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下であり、
前記電子部品は、前記ベース基板の第１面との距離が、前記第１面とは異なる第２面との距離よりも小さくなるように配置される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、
ベース基板にキャビティを形成することと、
前記キャビティに電子部品を、前記電子部品と前記ベース基板の第１面との距離が、前記電子部品と前記第１面とは異なる第２面との距離よりも小さくなるように、収容することと、
を含み、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティが形成されたベース基板と、
前記ベース基板のキャビティに収容される電子部品と、
を有し、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下であり、
前記電子部品は、前記ベース基板の第１面との距離が、前記第１面とは異なる第２面との距離よりも小さくなるように配置される配線板。
【請求項２】
前記電子部品の一側の面と、前記ベース基板の第１面とは、同一の面内に位置する請求項１に記載の配線板。
【請求項３】
前記ベース基板の第１面側に、集積回路が実装される請求項１又は２に記載の配線板。
【請求項４】
前記電子部品は、コンデンサである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項５】
前記ベース基板には、前記電子部品が収容されるキャビティが複数形成され、
前記キャビティには、前記電子部品と、前記ベース基板とほぼ同じ厚さの他の電子部品が収容される請求項１乃至４のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項６】
前記ベース基板の前記第１面側及び、前記第２面側には、導体層と絶縁層とが交互に積層される請求項１乃至５のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項７】
前記ベース基板の前記第１面及び前記第２面のうちの少なくとも一方の面上には、前記キャビティを覆う絶縁層が形成される請求項１乃至６のいずれか一項に記載の配線板。
【請求項８】
ベース基板にキャビティを形成することと、
前記キャビティに電子部品を、前記電子部品と前記ベース基板の第１面との距離が、前記電子部品と前記第１面とは異なる第２面との距離よりも小さくなるように、収容することと、
を含み、
前記ベース基板の厚さに対する前記電子部品の厚さの比は、０．３以上で０．７以下である配線板の製造方法。