(57)【要約】【課題】簡素な構成で損失低減と還流ダイオード等の破壊を防止可能なインバータ装置の提供。【解決手段】スイッチング素子１に逆並列接続された還流ダイオード２と、スイッチング素子制御信号生成部３と、スイッチング素子制御信号生成部の信号に応じた時間、電圧及び電流を前記スイッチング素子に供給する駆動部６と、スイッチング素子制御信号生成部の出力信号からインパルス信号を生成するインパルス生成部７と、インパルス生成部で生成されたインパルス信号のうち、負のインパルスをカットし、正のインパルスのみを通すダイオード８を備えた構成としてある。このような簡素な構成により、還流ダイオードの逆回復動作時における短絡電流を低減できるため、電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子及びダイオードの破壊を防止ができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電圧源に接続され誘導性負荷に電力を供給する上下一対のスイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードと、前記スイッチング素子を制御するための出力信号を生成するスイッチング素子制御信号生成部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の信号に応じた時間、電圧および電流を前記スイッチング素子に供給する駆動部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号からインパルス信号を生成するインパルス生成部と、前記インパルス生成部で生成されたインパルス信号のうち、負のインパルスをカットし、正のインパルスのみを通すダイオードを備え、前記スイッチング素子が動作を開始する前に、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号より生成したインパルス信号を還流ダイオードに印加することを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
スイッチング素子制御信号生成部から駆動部を介してスイッチング素子に供給される制御信号の時間を任意に設定できる遅延調整部を備えたことを特徴とする請求項１記載のインバータ装置。
【請求項３】
還流ダイオードに印加するインパルス信号の時間を任意に設定できる制御時間調整部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載のインバータ装置。
【請求項４】
還流ダイオードに印加するインパルス信号の振幅を任意に設定できる振幅調整部を備えたことを特徴とする請求項１、２または３記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘導性負荷、例えばモータへの駆動電力を出力するインバータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、誘導性負荷に電力を供給するインバータ装置、例えばブラシレスＤＣモータの駆動用電力を出力するインバータ装置は、上下一対のスイッチング素子を複数有し、これらの各スイッチング素子にそれぞれ逆並列接続されたダイオードを有し、各スイッチング素子の相互接続点がブラシレスＤＣモータの各相巻線に接続される。
【０００３】
スイッチング素子としては、最近、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴが多く採用されている。
【０００４】
ＭＯＳＦＥＴの場合、オン、オフ速度が速いため高周波スイッチングが可能というメリットがあり、また低電圧、低電流出力時のロスが小さいことからファンモータ等の出力の小さいモータを駆動する場合に多用される。
【０００５】
ただ、ＭＯＳＦＥＴは素子製造の過程において逆回復特性の悪い寄生ダイオードが素子上に作られてしまう。そのため、誘導負荷に蓄えられたエネルギーによる順方向電流がダイオードに流れる際に、他方のスイッチング素子のオンに伴い、ダイオードに大きな逆方向電流（短絡電流）が流れ、大きな電力損失を生じる。さらにスイッチング素子及びダイオードが破壊する恐れがある。
【０００６】
上記に関して図７を参照し説明する。図７の”ａ”に示すようにＧＮＤからダイオードＤ２を介して誘導性負荷１０１にダイオードの順方向電流が流れている時、”ｂ”に示すように制御部１０２からスイッチング素子Ｔｒ１に制御信号が入力されると、”ｃ”に示すようにダイオードＤ２に直流電圧源が印加されダイオードＤ２が逆回復する間、直流電圧源１０３のプラス端子→スイッチング素子Ｔｒ１→ダイオードＤ２→直流電圧源１０３のマイナス端子（ＧＮＤ）の順で短絡電流が流れる。このため、大きな電力損失とスイッチング素子及びダイオードの破壊の恐れが生じる。
【０００７】
近年、スイッチング周波数の高速化や、素子の高耐圧化、また装置の高効率化が進むにつれ、上記インバータ装置を改良することで、スイッチング損失を低減する手法が提案されてきている（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
図８は特許文献１に記載されているインバータ装置で、スイッチング素子１０４にＭＯＳＦＥＴを用いてモータ駆動する。このインバータ装置は、スイッチング素子１０４に逆並列接続されたダイオード１０５に生じる逆方向電流による損失を低減するため、他方のスイッチング素子１０４のオンに先立ちダイオード１０５に逆電圧を印加する逆電圧印加回路１０６を設け、この逆電圧の印加によって他方のスイッチング素子１０４のオン時にダイオード１０５に流れる逆方向電流を低減することにより、インバータ装置の電力損失を低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１０−３２７５８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のように、従来のインバータ装置では、効率の改善を図るため、スイッチング素子の選定、逆回復における損失低減を図るための対策回路の付加等が行われている。そして、このような高価な素子及び逆回復における損失低減を図るための対策回路を設けると、対策回路が複雑で部品点数が多いため、効率低下、高コスト化を生じる。
【００１１】
そこで本発明は、上記課題を解決するもので、ダイオードの逆回復における損失低減を図ることで効率を向上させ、さらにスイッチング素子及びダイオードの破壊を防止し、かつ簡素な構成でコスト増大を抑制することができるインバータ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、直流電圧源に接続され誘導性負荷に電力を供給する上下一対のスイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードと、前記スイッチング素子を制御するための出力信号を生成するスイッチング素子制御信号生成部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の信号に応じた時間、電圧および電流を前記スイッチング素子に供給する駆動部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号からインパルス信号を生成するインパルス生成部と、前記インパルス生成部で生成されたインパルス信号のうち、負のインパルスをカットし、正のインパルスのみを通すダイオードを備え、前記スイッチング素子が動作を開始する前に、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号より生成したインパルス信号を還流ダイオードに印加する構成としてある。
【００１３】
これにより、還流ダイオードは直流電圧源の高電圧ではなくインパルス生成部からのインパルス信号で逆回復開始され、還流ダイオードを流れる短絡電流を低減し、かつ短絡電流が流れる時間を短縮することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るインバータ装置によれば、高価な素子や多くの部品を用いることなく還流ダイオードの逆回復動作時における短絡電流を低減できるため、電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子及びダイオードの破壊を防止し、かつ構成も簡素できてコスト増大を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインバータ装置の基本構成を示すブロック図
【図２】同実施の形態１におけるインバータ装置のインバータ装置の制御を示すタイムチャート
【図３】同実施の形態２におけるインバータ装置のブロック図
【図４】同実施の形態３におけるインバータ装置のブロック図
【図５】同実施の形態４におけるインバータ装置のブロック図
【図６】同実施の形態５における３相インバータ装置のブロック図
【図７】従来のインバータ装置におけるスイッチング素子に短絡電流が流れる様子を示す説明図
【図８】従来のインバータ装置を示すブロック図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
第１の発明は、直流電圧源に接続され誘導性負荷に電力を供給する上下一対のスイッチング素子と、前記スイッチング素子に逆並列接続された還流ダイオードと、前記スイッチング素子を制御するための出力信号を生成するスイッチング素子制御信号生成部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の信号に応じた時間、電圧および電流を前記スイッチン
グ素子に供給する駆動部と、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号からインパルス信号を生成するインパルス生成部と、前記インパルス生成部で生成されたインパルス信号のうち、負のインパルスをカットし、正のインパルスのみを通すダイオードを備え、前記スイッチング素子が動作を開始する前に、前記スイッチング素子制御信号生成部の出力信号より生成したインパルス信号を還流ダイオードに印加する構成としてある。
【００１７】
これにより、還流ダイオードは直流電圧源の高電圧ではなくインパルス生成部からのインパルス信号で逆回復開始され、還流ダイオードを流れる短絡電流を低減し、かつ短絡電流が流れる時間を短縮することができ、その結果、高価な素子や多くの部品を用いることなく電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子及びダイオードの破壊を防止し、かつ構成も簡素化できてコスト増大を抑制することができる。
【００１８】
第２の発明は、第１の発明において、スイッチング素子制御信号生成部から駆動部を介して前記スイッチング素子に供給される制御信号の時間を任意に設定でき遅延調整部を備えた構成としてある。
【００１９】
これにより、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子の動作開始時間を任意に変更することができ、その結果、さらなる電力損失の低減を図って効率を向上させ、かつスイッチング素子及び還流ダイオードの破壊をより効果的に防止できる。
【００２０】
第３の発明は、第１または第２の発明において、還流ダイオードに印加するインパルス信号の時間を任意に設定できる制御時間調整部を備えた構成としてある。
【００２１】
これにより、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子に印加するインパルス信号のＨの時間を任意に変更でき、その結果、さらなる電力損失の低減を図って効率を向上させ、かつさらに効率よくスイッチング素子及び還流ダイオードの破壊を防止することができる。
【００２２】
第４の発明は、第１、第２または第３の発明において、還流ダイオードに印加するインパルス信号の振幅を任意に設定できる振幅調整部を備えた構成としてある。
【００２３】
これにより、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子に印加するインパルス信号のＨの振幅を任意に変更でき、その結果、さらなる電力損失の低減を図ることで効率を向上させることができる。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、この実施の形態によって本発明が限定されるものではない。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係るインバータ装置の基本構成を示すブロック図で、３相インバータ装置におけるＵ相のみを図示したものである。図２は同実施の形態１におけるインバータ装置のインバータ装置の制御を示すタイムチャートである。
【００２６】
１はスイッチング素子であり、ここではＭＯＳＦＥＴを表記しており、スイッチング素子１ｕ＋は上アーム用のスイッチング素子で、スイッチング素子１ｕ−は下アーム用のスイッチング素子である。スイッチング素子１ｕ＋とスイッチング素子１ｕ−は、スイッチング素子１ｕ＋のソース端子とスイッチング素子１ｕ−ドレイン端子とが接続されている。尚、スイッチング素子１はＩＧＢＴ等の他のデバイスでも構わない。
【００２７】
２は還流ダイオードであり、還流ダイオード２ｕ＋のアノードとスイッチング素子１ｕ
＋のソース、還流ダイオード２ｕ＋のカソードとスイッチング素子１ｕ＋のドレインが接続されている。還流ダイオード２ｕ−も還流ダイオード２ｕ＋と同様の接続で、スイッチング素子１ｕ−と接続されている。
【００２８】
３はスイッチング素子制御信号生成部であり、スイッチング素子１を制御するための制御信号を生成する。４は直流電圧源であり、商用交流電源を整流して生成されたものである。直流電圧源４のプラス端子は、スイッチング素子１ｕ＋のドレインと、マイナス端子（０ＶまたはＧＮＤ）は、スイッチング素子１ｕ−のソース端子と接続されている。５は誘導性負荷であり、例えばＤＣブラシレスモータのような誘導性負荷である。誘導性負荷５は、スイッチング素子１ｕ＋のソース端子とスイッチング素子１ｕ−ドレイン端子との接続点に接続されている。
【００２９】
６は駆動部であり、スイッチング素子制御信号生成部３の信号に応じた時間、電圧および電流をスイッチング素子１に供給する。７はインパルス生成部であり、スイッチング素子制御信号生成部３の出力信号からインパルス信号を生成する。８はダイオードであり、インパルス生成部７で生成されたインパルス信号のうち、負のインパルスをカットし、正のインパルスのみを通し、正のインパルス信号をスイッチング素子１のドレイン側に印加する。
【００３０】
次に具体的な制御について説明する。
【００３１】
図２は図１に示すインバータ装置の制御を示すタイムチャートで、図２のａ〜ｈに示す信号は、図１のａ〜ｈの箇所を通る信号と対応している。
【００３２】
初めに図１において、還流ダイオード２ｕ−の逆回復時におけるインバータ装置の制御を説明する。
【００３３】
図１および図２において、スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ａがＬ→Ｈに変わる。この時スイッチング素子１ｕ＋とスイッチング素子１ｕ−は、信号ａがＬの時は誘導性負荷５にはＧＮＤから還流ダイオード２ｕ−を介して電流が供給される。信号ａがＨの時は誘導性負荷５には直流電圧源４からスイッチング素子１ｕ＋を介して電流が供給される。
【００３４】
信号ａがＬ→Ｈに変わると、ａの信号はインパルス生成部７ｕ−に入力され、インパルス生成部７ｕ−からインパルス信号ｂが出力され、ダイオード８ｕ−に入力される。インパルス生成部７ｕ−は例えば、ハイパスフィルタ等によって構成される。
【００３５】
ダイオード８ｕ−では、入力された正と負のインパルス信号のうち正のインパルス信号のみを通過させ、信号ｃをスイッチング素子１ｕ−のドレイン側に出力する。スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ａは駆動部６にも入力され、駆動部６では、スイッチング素子制御信号生成部３からの信号ａに応じ、信号ｄがスイッチング素子１ｕ＋に供給される。
【００３６】
インパルス生成部７ｕ−とダイオード８ｕ−がない場合、スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ａがＬ→Ｈに変わる時、誘導性負荷５にはＧＮＤから還流ダイオード２ｕ−を介して電流が供給されている状態から、スイッチング素子１ｕ＋が動作を開始するため、還流ダイオード２ｕ−に逆電圧（カソードと直流電圧源４が接続、カソードとＧＮＤが接続）が印加される。還流ダイオード２ｕ−は、逆回復が開始され逆回復（ダイオードがＯＦＦになろうと）する間に直流電圧源４のプラス端子→スイッチング素子１ｕ＋→還流ダイオード２ｕ−→直流電圧源４のマイナス端子（ＧＮＤ）の順で大きな短
絡電流が流れる。
【００３７】
しかし、インパルス生成部７ｕ−とダイオード８ｕ−を備えることにより、スイッチング素子１ｕ＋のゲートソース間電圧ｄが印加される前に、インパルス信号ｃが印加されるため、還流ダイオード２ｕ−は直流電圧源４の電圧（例えば２８０Ｖ）ではなく、インパルス信号ｃ（例えば５Ｖ）で逆回復動作が開始され、小さな電圧が還流ダイオード２ｕ−に印加されるため、還流ダイオード２ｕ−を流れる電流も小さく、直流電圧源４のプラス端子→スイッチング素子１ｕ＋→還流ダイオード２ｕ−→直流電圧源４のマイナス端子（ＧＮＤ）の順で流れる短絡電流を低減し、かつ短絡電流が流れる時間を短縮することができ、その結果、電力損失の低減を図ることで効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成のためコスト増大を抑制することができる。
【００３８】
次に図１において、還流ダイオード２ｕ＋の逆回復時におけるインバータ装置の制御を説明する。
【００３９】
図１および図２において、スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ｅがＬ→Ｈに変わる。この時スイッチング素子１ｕ＋とスイッチング素子１ｕ−は、信号ｅがＬの時は誘導性負荷５から還流ダイオード２ｕ＋を介して直流電圧源４のプラス端子に電流が流れる。信号ｂがＨの時は誘導性負荷５→スイッチング素子１ｕ−→ＧＮＤの順で電流が流れる。
【００４０】
信号ｅがＬ→Ｈに変わると、ｅの信号はインパルス生成部７ｕ＋に入力され、インパルス生成部７ｕ＋からインパルス信号ｆが出力され、ダイオード８ｕ＋に入力される。インパルス生成部７ｕ＋は例えば、ハイパスフィルタによって構成される。
【００４１】
ダイオード８ｕ＋では、入力された正と負のインパルス信号のうち正のインパルス信号のみを通過させ、信号ｇをスイッチング素子１ｕ＋のドレイン側に出力する。スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ｅは駆動部６にも入力され、駆動部６では、スイッチング素子制御信号生成部３からの信号ｅに応じ、信号ｈがスイッチング素子１ｕ−に供給される。
【００４２】
インパルス生成部７ｕ＋とダイオード８ｕ＋がない場合、スイッチング素子制御信号生成部３から出力される信号ｅがＬ→Ｈに変わる時、誘導性負荷５→還流ダイオード２ｕ＋→直流電圧源４の順で電流が流れている状態から、スイッチング素子１ｕ−が動作を開始するため、還流ダイオード２ｕ−に逆電圧（カソードと直流電圧源４が接続、カソードとＧＮＤが接続）が印加される。還流ダイオード２ｕ−は、逆回復が開始され逆回復（ダイオードがＯＦＦになろうと）する間に直流電圧源４のプラス端子→還流ダイオード２ｕ＋→スイッチング素子１ｕ−→直流電圧源４のマイナス端子（ＧＮＤ）の順で大きな短絡電流が流れる。
【００４３】
しかし、インパルス生成部７ｕ＋とダイオード８ｕ＋を備えることにより、スイッチング素子１ｕ−のゲートソース間電圧ｈが印加される前に、インパルス信号ｇが印加されるため、還流ダイオード２ｕ−は直流電圧源４の電圧（例えば２８０Ｖ）ではなくインパルス信号ｇ（例えば５Ｖ）で逆回復開始され、小さな電圧が還流ダイオード２ｕ＋に印加される。そのため、還流ダイオード２ｕ−を流れる電流も小さく、直流電圧源４のプラス端子→還流ダイオード２ｕ＋→スイッチング素子１ｕ−→直流電圧源４のマイナス端子（ＧＮＤ）の順で流れる短絡電流を低減し、かつ短絡電流が流れる時間を短縮することができ、その結果、電力損失の低減を図ることで効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成なためコスト増大を抑制すること
ができる。
【００４４】
なお、図２のｄとｈが同時にＨになることで、スイッチング素子１ｕ＋とスイッチング素子１ｕ−が同時にＯＮなり、短絡電流が流れてしまうことがないようにデットタイムを設けている。
【００４５】
（実施の形態２）
図３は本発明の実施の形態２に係るインバータ装置の構成の一例を示すブロック図である。
【００４６】
図３において、実施の形態２に係るインバータ装置は、図１の駆動部６とスイッチング素子１ｕ＋および１ｕ−との間に遅延調整部９を２つ備える。すなわち第１の実施形態と比較して、スイッチング素子制御信号生成部３から駆動部６を介して、スイッチング素子１に供給される、図２におけるｄおよびｈの制御信号の時間を任意に変更することができる。なお、遅延調整部９は例えば、抵抗によって構成される。他のブロックは図１と同様であるため、説明を省略する。
【００４７】
以上のように構成した本発明の第２の実施形態にかかるインバータ装置は、スイッチング素子１および還流ダイオード２の特性、誘導性負荷５の条件等に応じて、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子１の動作開始時間を任意に変更することができる。その結果、さらなる電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成なためコスト増大を抑制することができる。
【００４８】
（実施の形態３）
図４は本発明の実施の形態に係るインバータ装置の構成の一例を示すブロック図である。
【００４９】
図４において、実施の形態３に係るインバータ装置は、図１のダイオード８ｕ＋および８ｕ−とスイッチング素子１ｕ＋および１ｕ−の間に制御時間調整部１０を２つ備える。すなわち実施の形態１と比較して、図２におけるスイッチング素子１に供給するｃおよびｇのインパルス信号のＨ信号の時間を任意に変更することができる。なお、制御時間調整部１０は例えばオペアンプ等により構成される。他のブロックは図１と同様であるため、説明を省略する。
【００５０】
以上のように構成した実施の形態３にかかるインバータ装置は、スイッチング素子１および還流ダイオード２の特性、誘導性負荷５の条件等に応じて、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子１ｕ＋と１ｕ−のドレインに印加するインパルス信号のＨの時間を任意に変更できる。その結果、さらなる電力損失の低減を図ることで効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成なためコスト増大を抑制することができる。
【００５１】
（実施の形態４）
図５は本発明の実施の形態４に係るインバータ装置の構成の一例を示すブロック図である。
【００５２】
図５において、実施の形態４に係るインバータ装置は、図１のダイオード８ｕ＋および８ｕ−とスイッチング素子１ｕ＋および１ｕ−との間に振幅調整部１１を２つ備える。すなわち実施の形態１と比較して、図２におけるスイッチング素子１に供給するｃおよびｇのインパルス信号のＨ信号の振幅を任意に変更することができる。なお、制御時間調整部
１０は例えば抵抗等により構成される。他のブロックは図１と同様であるため、説明を省略する。
【００５３】
以上のように構成した実施の形態４にかかるインバータ装置は、スイッチング素子１および還流ダイオード２の特性、誘導性負荷５の条件等に応じて、短絡電流が最小になるようにスイッチング素子１ｕ＋と１ｕ−のドレインに印加するインパルス信号のＨの振幅を任意に変更できる。その結果、さらなる電力損失の低減を図ることで効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成なためコスト増大を抑制することができる。
【００５４】
（実施の形態５）
図６は本発明の実施の形態５に係るインバータ装置の構成の一例を示すブロック図で、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の３相インバータ装置を示した図である。
【００５５】
図６において、実施の形態５に係るインバータ装置は、図１にＶ相およびＷ相用のスイッチング素子１ｖ＋，１ｖ−，１ｗ＋，１ｗ−、還流ダイオード２ｖ＋，２ｖ−，２ｗ＋，２ｗ−、インパルス生成部７ｖ＋，７ｖ−，７ｗ＋，７ｗ−、ダイオード８ｖ＋，８ｖ−，８ｗ＋，８ｗ−を備える。すなわち第１の実施形態と比較して、３相全ての制御を行うことができる。他のブロックは図１と同様であるため、説明を省略する。
【００５６】
以上のように構成した実施の形態５にかかるインバータ装置は、実施の形態５と同様の制御でＵ相、Ｖ相、Ｗ相の３相全ての制御を行うことにより、さらなる電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子１及び還流ダイオード２の破壊を防止でき、かつ簡素な構成なためコスト増大を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上のように本発明は、電力損失の低減を図って効率を向上させ、さらにスイッチング素子及びダイオードの破壊を防止し、かつコスト増大を抑制することができ、各種機器のインバータ装置として幅広く適用することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１（１ｕ＋、１ｕ−、１ｗ＋、１ｗ−）  スイッチング素子
２（２ｕ＋、２ｕ−、２ｗ＋、２ｗ−）  還流ダイオード
３  スイッチング素子制御信号生成部
４  直流電圧源
５  誘導性負荷
６  駆動部
７（７ｕ＋、７ｕ−、７ｗ＋、７ｗ−）  インパルス生成部
８（８ｕ＋、８ｕ−、８ｗ＋、８ｗ−）  ダイオード
９  遅延調整部
１０  制御時間調整部
１１  振幅調整部
【図１】
2014045563.tif 000003
【図２】
2014045563.tif 000004
【図３】
2014045563.tif 000005
【図４】
2014045563.tif 000006
【図５】
2014045563.tif 000007
【図６】
2014045563.tif 000008
【図７】
2014045563.tif 000009
【図８】
2014045563.tif 000010