(57)【要約】【課題】端子の通電能力を確保しつつ、端子の並び方向において、従来よりも体格を小型化することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体チップ（１２）と、半導体チップと電気的に接続された複数の端子（１４）と、各端子の一部分を半導体チップとともに封止する封止樹脂体（１６）と、を備える。また、封止樹脂体の同じ一面（１６ｃ，１６ｄ）から、複数の端子が外部に延出されるとともに、延出された複数の端子が、一方向に並んで配置されている。複数の端子の並び方向と端子の長手方向の両方向に直交する方向を高さ方向とすると、一面に配置される複数の端子の少なくとも１つは、封止樹脂体の内部から外部にわたって設けられた高背部（２２）と、長手方向において高背部と異なる位置に設けられ、高背部よりも高さの低い低背部（２４）と、を有する。そして、並び方向において、後背部のほうが低背部よりも幅が狭くされている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ（１２）と、
前記半導体チップと電気的に接続された複数の端子（１４）と、
各端子の一部分を前記半導体チップとともに封止する封止樹脂体（１６）と、を備え、
前記封止樹脂体の同じ一面（１６ｃ，１６ｄ）から、複数の前記端子が外部に延出されるとともに、延出された複数の前記端子が、一方向に並んで配置された半導体装置であって、
複数の前記端子の並び方向と前記端子の長手方向の両方向に直交する方向を高さ方向とすると、
前記一面に配置される複数の前記端子の少なくとも１つは、前記封止樹脂体の内部から外部にわたって設けられた高背部（２２）と、前記長手方向において前記高背部と異なる位置に設けられ、前記高背部よりも高さの低い低背部（２４）と、を有し、
前記並び方向において、前記後背部のほうが前記低背部よりも幅が狭くされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップ（１２）には、電力用半導体素子が形成され、
複数の前記端子（１４）として、主端子（１４ａ）と制御端子（１４ｂ）を含み、
前記一面（１６ｃ，１６ｄ）において、任意の前記主端子と、該主端子の隣に位置する前記端子との少なくとも一方が、前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記主端子（１４ａ）が、前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記制御端子（１４ｂ）が、前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有する端子（１４）は曲げ加工されており、
前記曲げ加工により、前記高背部の高さが前記低背部の高さよりも高くされるとともに、前記高背部の幅が前記低背部の幅よりも狭くされていることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有する端子（１４）として、前記高背部において折曲され、前記低背部に対して幅が狭められた端子を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有する端子（１４）として、前記高背部に隣接する捻り部（２６）を有し、前記高背部の板厚方向が、前記一面（１６ｃ，１６ｄ）に垂直な方向に直交しつつ、前記並び方向に対して平行若しくは傾くようにされた端子を含むことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有する端子（１４）として、内部に配置された一端と前記一面（１６ｃ，１６ｄ）との間の第１位置から、前記封止樹脂体（１６）の外部に位置する第２位置までの部分に、前記長手方向に延びるスリット（２８）を少なくも１つ有する端子を含み、
前記スリットにより複数に分割された脚部（３０）において、少なくとも一部が曲げ加工されていることを特徴とする請求項５〜７いずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記高背部（２２）及び前記低背部（２４）を有する端子は、前記高背部の高さが前記低背部の高さよりも高くされるとともに、前記高背部の幅が前記低背部の幅よりも狭くされた異形材からなることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップが封止樹脂体により封止され、封止樹脂体の同じ一面から、複数の端子が外部に延出されるとともに、延出された複数の端子が、一方向に並んで配置された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、半導体チップが封止樹脂体により封止され、封止樹脂体の同じ一面から、複数の端子が外部に延出されるとともに、延出された複数の端子が、一方向に並んで配置された半導体装置が知られている。
【０００３】
特許文献１では、複数の主回路端子（主端子）が端子台座に一列に配置されており、端子台座は、隣り合う主回路端子の間に凹部を有している。また、複数の制御端子が端子台座に一列に配置されており、端子台座は、制御端子を区画するように設けられたリブ状の絶縁隔壁を有している。
【０００４】
このように、特許文献１では、端子台座（封止樹脂体）に凹部やリブ状の絶縁隔壁を設けることで、隣り合う端子の間で沿面距離を確保しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−５３０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成において、端子の通電能力を確保しつつ、複数の端子の並び方向において、半導体装置の体格を小型化しようとすると、凹部や絶縁隔壁を狭い幅としなければならない。しかしながら、封止樹脂体の強度、絶縁耐圧、加工精度の制限から、封止樹脂体に凹部や絶縁隔壁を設ける構成では、体格を小型化する効果が不十分である。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、端子の通電能力を確保しつつ、端子の並び方向において、従来よりも体格を小型化することのできる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体チップ（１２）と、半導体チップと電気的に接続された複数の端子（１４）と、各端子の一部分を半導体チップとともに封止する封止樹脂体（１６）と、を備え、封止樹脂体の同じ一面（１６ｃ，１６ｄ）から、複数の端子が外部に延出されるとともに、延出された複数の端子が、一方向に並んで配置された半導体装置であって、複数の端子の並び方向と端子の長手方向の両方向に直交する方向を高さ方向とすると、一面に配置される複数の端子の少なくとも１つは、封止樹脂体の内部から外部にわたって設けられた高背部（２２）と、長手方向において高背部と異なる位置に設けられ、高背部よりも高さの低い低背部（２４）と、を有し、並び方向において、後背部のほうが低背部よりも幅が狭くされていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、一面（１６ｃ，１６ｄ）に配置される複数の端子（１４）の少なくとも１つが、背の低い低背部（２４）だけでなく、低背部（２４）よりも背の高い高背部（２２）を有している。また、並び方向において、高背部（２２）のほうが低背部（２４）よりも幅が狭くされている。このため、高背部（２２）を有さない構成に較べて、沿面距離を確保しつつ並び方向の体格を小型化することができる。
【００１０】
また、高さは、高背部（２２）のほうが低背部（２４）よりも高くされ、一方、幅は、高背部（２２）のほうが低背部（２４）のよりも狭くされている。このように、本発明では、断面積を小さくすることで沿面距離を稼ぐのではなく、高さと幅を異ならせることで、通電能力を殆ど犠牲にせずに、沿面距離を稼ぐようにしている。したがって、端子（１４）の通電能力を確保しつつ、並び方向の体格を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の等価回路図である。
【図２】半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図３】各端子、半導体チップの位置関係を示す平面図である。
【図４】図２に破線で示す領域IVを拡大した斜視図である
【図５】領域IVを上面側から見た平面図である。
【図６】領域IVの第１側面に沿う断面図である。
【図７】端子の変形例（第１変形例）を示す図であり、（ａ）は上面側から見た平面図、（ｂ）は第１側面に沿う断面図である。図７（ａ）は図５に対応し、図７（ｂ）は図６に対応している。
【図８】端子の変形例（第２変形例）を示す図であり、（ａ）は上面側から見た平面図、（ｂ）は第１側面に沿う断面図である。図８（ａ）は図５に対応し、図８（ｂ）は図６に対応している。
【図９】第２実施形態に係る半導体装置において、領域IVを拡大した斜視図であり、図４に対応している。
【図１０】領域IVを上面側から見た平面図であり、図５に対応している。
【図１１】領域IVの第１側面に沿う断面図であり、図６に対応している。
【図１２】第３実施形態に係る半導体装置において、高背部及び低背部を有する端子の概略構成を示す平面図である。
【図１３】第４実施形態に係る半導体装置において、領域IVを拡大した斜視図であり、図４に対応している。
【図１４】半導体装置の変形例（第３変形例）を示す図であり、図６に対応している。
【図１５】半導体装置の変形例（第４変形例）を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。以下においては、半導体チップの厚み方向をＺ方向と示す。また、Ｚ方向に直交し、封止樹脂体の同一面から延出された端子の並び方向、をＸ方向と示す。また、Ｘ方向及びＺ方向の両方向に直交する方向をＹ方向と示す。また、平面形状とは、Ｘ方向及びＹ方向により規定される面に沿う形状とする。
【００１３】
（第１実施形態）
先ず、半導体装置１０に構成されたＰＷＭインバータ回路について説明する。図１に示すように、半導体装置１０は、６つの半導体チップ１２（１２ａ〜１２ｆ）と、該半導体チップ１２に対応する端子１４と、を備えている。このように、半導体装置１０は、所謂６ｉｎ１パッケージとなっている。
【００１４】
半導体チップ１２ａには、ｎチャネル型のＩＧＢＴ素子と、該ＩＧＢＴ素子に逆並列に接続された還流用のＦＷＤ素子が形成されている。また、半導体チップ１２ｂには、ｎチャネル型のＩＧＢＴ素子と、該ＩＧＢＴ素子に逆並列に接続された還流用のＦＷＤ素子が形成されている。
【００１５】
半導体チップ１２ａにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極は、ＦＷＤ素子のカソード電極とともに、端子１４としての高電位電源端子１４ｐ（以下、Ｐ端子１４ｐと示す）に接続されている。一方、半導体チップ１２ｂにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極は、ＦＷＤ素子のアノード電極とともに、端子１４としての低電位電源端子１４ｎ（以下、Ｎ端子１４ｎと示す）に接続されている。
【００１６】
また、半導体チップ１２ａにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極及びＦＷＤ素子のアノード電極は、半導体チップ１２ｂにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極及びＦＷＤ素子のカソード電極と接続されている。そして、この接続点には、端子１４としてのＵ相出力端子１４ｕが接続されている。このように、半導体チップ１２ａ，１２ｂにより、Ｕ相の上下アーム回路が形成されている。
【００１７】
同様に、半導体チップ１２ｃにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極は、ＦＷＤ素子のカソード電極とともに、Ｐ端子１４ｐに接続されている。一方、半導体チップ１２ｄにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極は、ＦＷＤ素子のアノード電極とともに、Ｎ端子１４ｎに接続されている。
【００１８】
また、半導体チップ１２ｃにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極及びＦＷＤ素子のアノード電極は、半導体チップ１２ｄにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極及びＦＷＤ素子のカソード電極と接続されている。そして、この接続点には、端子１４としてのＶ相出力端子１４ｖが接続されている。このように、半導体チップ１２ｃ，１２ｄにより、Ｖ相の上下アーム回路が形成されている。
【００１９】
同様に、半導体チップ１２ｅにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極は、ＦＷＤ素子のカソード電極とともに、Ｐ端子１４ｐに接続されている。一方、半導体チップ１２ｆにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極は、ＦＷＤ素子のアノード電極とともに、Ｎ端子１４ｎに接続されている。
【００２０】
また、半導体チップ１２ｅにおけるＩＧＢＴ素子のエミッタ電極及びＦＷＤ素子のアノード電極は、半導体チップ１２ｆにおけるＩＧＢＴ素子のコレクタ電極及びＦＷＤ素子のカソード電極と接続されている。そして、この接続点には、端子１４としてのＷ相出力端子１４ｗが接続されている。このように、半導体チップ１２ｅ，１２ｆにより、Ｗ相の上下アーム回路が形成されている。
【００２１】
そして、各半導体チップ１２ａ〜１２ｆにおけるＩＧＢＴ素子のゲート電極には、端子１４としてのゲート端子１４ｇがそれぞれ接続されている。
【００２２】
次に、図２，図３を用いて、半導体装置１０の概略構成を説明する。
【００２３】
半導体装置１０は、上記した半導体チップ１２（１２ａ〜１２ｆ）と、主端子１４ａ及び制御端子１４ｂを含む端子１４と、封止樹脂体１６と、を備えている。
【００２４】
主端子１４ａは、上記した電源端子であるＰ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎと、三相インバータの出力端子であるＵ相出力端子１４ｕ、Ｖ相出力端子１４ｖ、Ｗ相出力端子１４ｗと、を備えている。
【００２５】
図３に示すように、各相の上アーム側の半導体チップ１２ａ，１２ｃ，１２ｅは、コレクタ電極及びカソード電極をＰ端子１４ｐに対向させて、Ｐ端子１４ｐの同一面上に配置されている。そして、コレクタ電極及びカソード電極は、図示しないはんだを介して、Ｐ端子１４ｐと電気的且つ機械的に接続されている。
【００２６】
一方、半導体チップ１２ａ，１２ｃ，１２ｅのエミッタ電極及びアノード電極には、図示しないはんだ及び金属ブロックを介して、中継端子１８（１８ｕ，１８ｖ，１８ｗ）が電気的且つ機械的に接続されている。詳しくは、エミッタ電極及びアノード電極、はんだ、金属ブロック、はんだ、中継端子１８の順で配置されている。金属ブロックは、制御端子１４ｂにボンディングワイヤ２０を打つための高さを確保する周知のものである。
【００２７】
Ｕ相中継端子１８ｕは、半導体チップ１２ａのエミッタ電極及びアノード電極に電気的に接続されるとともに、Ｕ相出力端子１４ｕにも、図示しないはんだを介して、電気的且つ機械的に接続されている。すなわち、Ｕ相中継端子１８ｕは、半導体チップ１２ａとＵ相出力端子１４ｕとを電気的に中継している。Ｖ相中継端子１８ｖは、半導体チップ１２ｃのエミッタ電極及びアノード電極に電気的に接続されるとともに、Ｖ相出力端子１４ｖにも、図示しないはんだを介して、電気的且つ機械的に接続されている。すなわち、Ｖ相中継端子１８ｖは、半導体チップ１２ｃとＶ相出力端子１４ｖとを電気的に中継している。Ｗ相中継端子１８ｗは、半導体チップ１２ｅのエミッタ電極及びアノード電極に電気的に接続されるとともに、Ｗ相出力端子１４ｗにも、図示しないはんだを介して、電気的且つ機械的に接続されている。すなわち、Ｗ相中継端子１８ｗは、半導体チップ１２ｅとＷ相出力端子１４ｗとを電気的に中継している。
【００２８】
Ｕ相出力端子１４ｕ上には、下アーム側の半導体チップ１２ｂが、コレクタ電極及びカソード電極を対向させて配置されている。そして、コレクタ電極及びカソード電極は、図示しないはんだを介して、Ｕ相出力端子１４ｕと電気的且つ機械的に接続されている。Ｖ相出力端子１４ｖ上には、下アーム側の半導体チップ１２ｄが、コレクタ電極及びカソード電極を対向させて配置されている。そして、コレクタ電極及びカソード電極は、図示しないはんだを介して、Ｖ相出力端子１４ｖと電気的且つ機械的に接続されている。Ｗ相出力端子１４ｗ上には、下アーム側の半導体チップ１２ｆが、コレクタ電極及びカソード電極を対向させて配置されている。そして、コレクタ電極及びカソード電極は、図示しないはんだを介して、Ｗ相出力端子１４ｗと電気的且つ機械的に接続されている。
【００２９】
そして、下アーム側の半導体チップ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆのエミッタ電極及びアノード電極には、図示しないはんだ及び金属ブロックを介して、Ｎ端子１４ｎが電気的且つ機械的に接続されている。詳しくは、エミッタ電極及びアノード電極、はんだ、金属ブロック、はんだ、Ｎ端子１４ｎの順で配置されている。金属ブロックは、上記同様の周知のものである。
【００３０】
このように、上アーム回路を構成する部分では、Ｚ方向の配置が、下面１６ｂ側から、Ｐ端子１４ｐ、半導体チップ１２ａ，１２ｃ，１２ｅ、図示しない金属ブロック、中継端子１８ｕ，１８ｖ，１８ｗの順となっている。一方、下アーム回路を構成する部分では、Ｚ方向の配置が、下面１６ｂ側から、出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗ、半導体チップ１２ｂ，１２ｄ，１２ｆ、図示しない金属ブロック、Ｎ端子１４ｎの順となっている。すなわち、上アーム回路と下アーム回路とで、Ｚ方向の並びが同じとなっている。
【００３１】
制御端子１４ｂは、少なくとも上記したゲート端子１４ｇを含んでいる。本実施形態では、図２及び図３に示すように、半導体チップ１２ごとに５本の制御端子１４ｂが配置されている。５本の制御端子１４ｂは、ゲート端子１４ｇの他に、温度測定ダイオード用が２本、電流センス用が１本、エミッタセンス用が１本を含んでいる。これら制御端子１４ｂは、ボンディングワイヤ２０により、対応する半導体チップ１２のパッド（ゲート電極含む）と電気的に接続されている。
【００３２】
封止樹脂体１６は、各半導体チップ１２ａ〜１２ｆ、Ｐ端子１４ｐの一部、Ｎ端子１４ｎの一部、各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗの一部、制御端子１４ｂの一部、各中継端子１８ｕ，１８ｖ，１８ｗの一部、及びボンディングワイヤ２０を、一体的に封止している。
【００３３】
本実施形態では、図２に示すように、平面略矩形状をなしており、Ｚ方向の面である上面１６ａから、Ｎ端子１４ｎ及び各中継端子１８ｕ，１８ｖ，１８ｗが露出されている。詳しくは、上面１６ａと面一の状態で露出されている。また、上面１６ａと反対の下面１６ｂから、Ｐ端子１４ｐ及び各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗが露出されている。詳しくは、下面１６ｂと面一の状態で露出されている。このように、本実施形態では、Ｐ端子１４ｐ、Ｎ端子１４ｎ、各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗ、及び各中継端子１８ｕ，１８ｖ，１８ｗが、ヒートシンクを兼ねている。そして、封止樹脂体１６の両面１６ａ，１６ｂから、半導体チップ１２（１２ａ〜１２ｆ）の熱を放熱することができるようになっている。
【００３４】
また、封止樹脂体１６の４つの側面のうち、Ｘ方向に略平行な側面の一方である第１側面１６ｃから、上記した主端子１４ａのうち、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎが引き出されている。また、第１側面１６ｃからは、上アーム側の半導体チップ１２ａ，１２ｃ，１２ｅに対応する制御端子１４ｂも引き出されている。詳しくは、Ｘ方向において、Ｐ端子１４ｐ、Ｎ端子１４ｎ、半導体チップ１２ａの制御端子１４ｂ、半導体チップ１２ｃの制御端子１４ｂ、半導体チップ１２ｅの制御端子１４ｂ、の順に並んで配置されている。
【００３５】
一方、第１側面１６ｃと反対の第２側面１６ｄから、上記した主端子１４ａのうち、各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗが引き出されている。また、第１側面１６ｃからは、上アーム側の半導体チップ１２ａ，１２ｃ，１２ｅに対応する制御端子１４ｂも引き出されている。詳しくは、Ｘ方向において、半導体チップ１２ｂの制御端子１４ｂ、Ｕ相出力端子１４ｕ、半導体チップ１２ｄの制御端子１４ｂ、Ｖ相出力端子１４ｖ、半導体チップ１２ｆの制御端子１４ｂ、Ｗ相出力端子１４ｗ、の順に並んで配置されている。
【００３６】
次に、半導体装置１０において、封止樹脂体１６の第１側面１６ｃ及び第２側面１６ｄから引き出された端子１４の構造、配置について説明する。
【００３７】
図４〜図６に示すように、第１側面１６ｃに配置される複数の端子１４の少なくとも１つは、高背部２２と、低背部２４と、を有している。高背部２２は、端子１４の長手方向であるＹ方向において、封止樹脂体１６の内部から外部にわたって設けられており、低背部２４よりもＺ方向の長さが長い、すなわち高さが高くされている。低背部２４は、Ｙ方向において高背部２２と異なる位置に設けられており、高背部２２よりも高さが低くされている。また、Ｘ方向における幅は、高背部２２のほうが低背部２４よりも狭くされている。
【００３８】
本実施形態では、第１側面１６ｃに配置される端子１４のうち、主端子１４ａであるＰ端子１４ｐとＮ端子１４ｎが、高背部２２と低背部２４を有している。一方、制御端子１４ｂは、Ｙ方向において厚さがほぼ均一の平板状となっている。
【００３９】
また、Ｐ端子１４ｐとＮ端子１４ｎは、Ｙ方向において断面積がほぼ一定の金属板を曲げ加工することで形成されている。すなわち、高背部２２と低背部２４を有しながらも、Ｙ方向全長で断面積がほぼ一定となっている。詳しくは、Ｙ方向を長手とする平面矩形状の平板において、Ｙ方向両端を曲げ加工せずに平板として残すことで、この部分が低背部２４となっている。また、両端の低背部２４に挟まれる部分、すなわち、高背部２２が形成される部分、のＸ方向両端を、Ｚ方向上面１６ａ側に略９０度の角度で折り曲げることで、断面コの字状の高背部２２が形成されている。このため、高背部２２は、底部２２ａと、底部２２ａにおけるＸ方向の両端からＺ方向に延びる壁部２２ｂと、を有している。
【００４０】
このように、本実施形態では、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎが高背部２２において折曲され、この折曲により、図６に示すように、高背部２２の高さＨ１が、低背部２４の高さＨ２よりも高くされている。なお、図６では、高背部２２との対比のため、参考として低背部２４を破線で示している。また、図５に示すように、高背部２２の幅Ｗ１が、低背部２４の幅Ｗ２よりも狭くされている。
【００４１】
なお、図示しないが、第２側面１６ｄにおいても、主端子１４ａである各相出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗは、第１側面１６ｃ側の主端子１４ａであるＰ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎと同じ構造を有している。一方、制御端子１４ｂは、Ｙ方向において厚さがほぼ均一の平板状となっている。
【００４２】
また、封止樹脂体１６の側面を取り囲むように、第１側面１６ｃ及び第２側面１６ｄから引き出された端子１４には、図示しない樹脂製のタイバーが設けられている。このようなタイバーは周知であり、これにより、封止樹脂体１６の成形時において、キャビティからの樹脂漏れを抑制することができる。
【００４３】
次に、上記した半導体装置１０の作用効果について説明する。
【００４４】
本実施形態では、封止樹脂体１６の第１側面１６ｃ及び第２側面１６ｄに配置される複数の端子１４の少なくとも１つが、背の低い低背部２４だけでなく、低背部２４よりも背の高い高背部２２を有している。また、Ｘ方向において、高背部２２のほうが低背部２４よりも幅が狭くされている。このため、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４とその隣の端子１４において、図５に示す沿面距離Ｌ１を確保しつつ、端子同士を近づけることができる。理想的には、空間絶縁距離Ｌ２まで端子同士を近づけることができる。したがって、高背部２２を有さない構成に較べて、沿面距離Ｌ１を確保しつつＸ方向の体格を小型化することができる。特に、本実施形態で示すように、共通の封止樹脂体１６により、６つの半導体チップ１２が封止された半導体装置１０では、第１側面１６ｃ及び第２側面１６ｄから延出される端子１４の本数が多い。しかしながら、上記構成を採用することで、電位が異なる端子１４間において沿面距離を確保しつつ、体格を小型化することができる。
【００４５】
また、高背部２２の高さＨ１が低背部２４の高さＨ２よりも高くされ、高背部２２の幅Ｗ１が低背部２４の幅Ｗ２よりも狭くされている。このように、本実施形態では、断面積を小さくすることで沿面距離Ｌ１を稼ぐのではなく、高さを異ならせることで、通電能力を殆ど犠牲にせずに、沿面距離Ｌ１を稼ぐようにしている。したがって、端子１４の通電能力を確保しつつ、Ｘ方向の体格を小型化することができる。特に本実施形態では、主端子１４ａの断面積がＹ方向全長でほぼ一定となってるため、通電能力を犠牲にせずに、沿面距離Ｌ１を稼ぐことができる。しかしながら、Ｈ１＞Ｈ２、且つ、Ｗ１＜Ｗ２を満たすようにすれば、Ｈ１≦Ｈ２、且つ、Ｗ１＜Ｗ２、すなわち断面積を小さくすることで沿面距離Ｌ１を稼ぐ構成に較べて、端子１４の通電能力を確保しつつ、Ｘ方向の体格を小型化することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、Ｘ方向において、主端子１４ａ及び該主端子１４ａに隣り合う端子１４の少なくとも一方を、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４としている。これら端子１４間は電位差が大きいため、他の端子間に較べて長い沿面距離Ｌ１を確保しなければならない。これに対し、電位差が大きい端子間において高背部２２及び低背部２４を有する構成とすることで、電子差が小さい端子間において高背部２２及び低背部２４を設けるよりも、沿面距離Ｌ１を確保しつつ、より小型化することができる。なお、通電能力も確保することができる。特に本実施形態では、主端子１４ａを、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４としている。制御端子１４ｂに較べ、大電流が流れる主端子１４ａのほうが断面積が大きいため、Ｘ方向の体格をより小型化することができる。なお、すべての主端子１４ａを、高背部２２及び低背部２４を有する端子とせずに、複数の主端子１４ａの少なくとも１つを、高背部２２及び低背部２４を有する端子としても良い。
【００４７】
また、本実施形態では、主端子１４ａが、曲げ加工により、高背部２２及び低背部２４を有している。このように、曲げ加工を採用すると、圧延法などを用いて異形材を形成するよりも、コストを低減することができる。特に本実施形態では、高背部２２において折曲されている。これによれば、曲げ角度等を管理しやすい。
【００４８】
本実施形態では、断面コの字状の高背部２２の例を示したが、高背部２２の曲げ構造は、上記例に限定されるものではない。例えば図７（ａ），（ｂ）に示す第１変形例のように、断面Ｖ字状の高背部２２を採用することもできる。また、図８（ａ），（ｂ）に示す第２変形例のように、断面Ｎ字状の高背部２２を採用することもできる。なお、図７（ａ），（ｂ）及び図８（ａ），（ｂ）では、Ｐ端子１４ｐについて例示している。
【００４９】
（第２実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００５０】
本実施形態では、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４が、高背部２２に隣接する部位として捻り部２６を有している。そして、高背部２２の板厚方向が、該端子１４の引き出された側面１６ｃ，１６ｄに垂直な方向、すなわちＹ方向に直交しつつ、Ｘ方向に対して平行若しくは傾いて配置されている点を特徴とする。それ以外の点は、第１実施形態と同じである。
【００５１】
図９〜図１１に示す例では、第１側面１６ｃから引き出された端子１４のうち、主端子１４ａであるＰ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎが、捻り部２６を有している。一方、制御端子１４ｂは、捻り部２６を有しておらず、第１実施形態同様、平板状をなしている。
【００５２】
捻り部２６は、図９に示すように、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎの長手方向であるＹ方向において、高背部２２の両端にそれぞれ隣接して設けられている。すなわち、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎは、それぞれ捻り部２６を２箇所有している。封止樹脂体１６の外部に位置する第１捻り部２６ａは、封止樹脂体１６の外部において、高背部２２と低背部２４とを連結している。封止樹脂体１６の内部に位置する第２捻り部２６ｂは、封止樹脂体１６の内部において、高背部２２と低背部２４を連結している。
【００５３】
第１捻り部２６ａは、低背部２４に対して高背部２２の板厚方向を略９０度変えるように、捻られている。第２捻り部２６ｂは、封止樹脂体１６の外部に位置する捻り部２６と反対方向に、略９０度捻られている。すなわち、第２捻り部２６ｂは、第１捻り部２６ａの捻りをもとに戻すように、捻られている。このため、封止樹脂体１６の内外において、低背部２４の板厚方向は、Ｚ方向にほぼ一致しており、高背部２２の板厚方向は、Ｘ方向にほぼ一致している。
【００５４】
なお、図示しないが、第２側面１６ｄから引き出された主端子１４ａである各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗも、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎと同様の構造を有している。
【００５５】
このように、本実施形態においても、主端子１４ａが曲げ加工され、この曲げ加工によって、図１１に示すように、高背部２２の高さＨ１が低背部２４の高さＨ２よりも高くされている。また、図１０に示すように、高背部２２の幅Ｗ１が低背部２４の幅Ｗ２よりも狭くされている。したがって、第１実施形態に記載の効果を奏することができる。
【００５６】
また、本実施形態では、主端子１４ａにおいて、高背部２２に曲げ部があるのではなく、高背部２２に隣接する部位として捻り部２６を有している。したがって、高背部２２の寸法精度を向上し、ひいては沿面距離の精度も向上することができる。
【００５７】
なお、本実施形態では、主端子１４ａが捻り部２６を２箇所有する例を示した。しかしながら、捻り部２６は少なくとも１箇所に設けられれば良い。例えば、図９に示す構成において、第１捻り部２６ａのない構成としても良い。この場合、封止樹脂体１６の外部には、高背部２２のみが存在することとなる。ただし、高背部２２の両端に捻り部２６を有し、第２捻り部２６ｂが第１捻り部２６ａの捻りを戻す構成とすると、半導体チップ１２や、他部材との接続がしやすくなる。
【００５８】
また、捻り部２６の角度は、略９０度に限定されるものではない。捻り部２６によって低背部２４とは板厚方向が異なり、Ｈ１＞Ｈ２、且つ、Ｗ１＜Ｗ２を満たすような捻り角度であれば良い。また、高背部２２の板厚方向は、Ｘ方向に対して平行に限らず、Ｘ方向に対して傾いていても良い。
【００５９】
また、すべての主端子１４ａを、捻り部２６を有する端子とせずに、複数の主端子１４ａの少なくとも１つを、捻り部２６を有する端子としても良い。
【００６０】
（第３実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００６１】
本実施形態では、第１実施形態又は第２実施形態に記載の構成に加え、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４が、スリット２８を少なくも１つ有している。このスリット２８は、内部に配置された端子１４の一端と、慨歎し１４が引き出された側面１６ｃ，１６ｄとの間の第１位置から、封止樹脂体１６の外部に位置する第２位置までの部分に、Ｙ方向に延びて形成されている。そして、スリット２８により複数に分割された各部分において、少なくとも一部が曲げ加工されている。それ以外の点は、第１実施形態と同じである。
【００６２】
図１２に示す例では、Ｐ端子１４ｐがスリット２８を１本有している。このスリット２８は、封止樹脂体１６の内部に配置された一端と第１側面１６ｃとの間の第１位置から、封止樹脂体１６の外部に配置された他端（第２位置）まで、Ｙ方向に延びている。そして、スリット２８により分割された２本の脚部３０は、封止樹脂体１６の内部であって、低背部２４側のスリット２８の根元付近に、捻り部２６をそれぞれ有している。この捻り部２６により、捻り部２６よりも封止樹脂体１６の外部に配置された端部側の部分が、高背部２２となっている。このようなＰ端子１４ｐは、平面矩形状の金属板にスリット２８を設け、２本の脚部３０それぞれに曲げ加工（捻り）を施すことで、形成することができる。図１２では、曲げ加工前と後の状態を示している。また、位置の参考として、第１側面１６ｃを破線で示している。
【００６３】
なお、図示しないが、Ｐ端子１４ｐ以外の主端子１４ａであるＮ端子１４ｎ及び各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗも、Ｐ端子１４ｐと同様の構造を有している。
【００６４】
本実施形態では、曲げ加工する端子１４にスリット２８を設けるため、曲げ加工しやすくすることができる。また、Ｘ方向において幅を狭くしつつ、Ｚ方向の曲げ高さも抑制することができる。したがって、Ｚ方向における体格の増大を抑制することもできる。
【００６５】
なお、すべての主端子１４ａを、スリット２８を有する端子とせずに、複数の主端子１４ａの少なくとも１つを、スリット２８を有する端子としても良い。
【００６６】
また、本実施形態では、封止樹脂体１６の外部に配置された端部を第２位置とし、スリット２８が第２位置まで延設される例を示した。しかしながら、端子１４のうち、封止樹脂体１６の外部に配置された端部と、該端子１４が引き出された側面１６ｃ，１６ｄとの間に、第２位置を設定しても良い。すなわち、Ｙ方向において、端子１４の両端に低背部２４を有する構成としても良い。
【００６７】
また、本実施形態では、曲げ加工として捻りの例を示したが、折曲を採用することもできる。
【００６８】
（第４実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した半導体装置１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００６９】
本実施形態では、高背部２２及び低背部２４を有する端子１４が、異形材（異形条）からなる点を特徴とする。それ以外の点は、第１実施形態と同じである。
【００７０】
図１３に示す例では、第１側面１６ｃから引き出された主端子１４ａであるＰ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎが、曲げ加工せず、部分的に高さ（厚み）が異なる異形材を所定形状に打ち抜くことで、高背部２２及び低背部２４を有している。そして、高背部２２の高さＨ１が低背部２４の高さＨ２よりも高くされ、高背部２２の幅Ｗ１が低背部２４の幅Ｗ２よりも狭くされている。なお、符号３２は、低背部２４と高背部２２とを繋ぐ繋ぎ部である。この繋ぎ部３２は、Ｙ方向において高背部２２に近づくほど、幅が狭く且つ高さが高くなっており、Ｙ方向において低背部２４に近づくほど、幅が広く且つ高さが低くなっている。これにより、主端子１４ａの全長で、断面積がほぼ一定となっている。
【００７１】
なお、図示しないが、第２側面１６ｄから引き出された主端子１４ａである各出力端子１４ｕ，１４ｖ，１４ｗも、Ｐ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎと同様の構造を有している。
【００７２】
このように、異形材を用いることによっても、高背部２２及び低背部２４を有する主端子１４ａを形成することができる。これによれば、曲げ加工を不要とすることができるので、精度よく沿面距離を確保することができる。
【００７３】
なお、すべての主端子１４ａを、異形材を用いた端子とせずに、複数の主端子１４ａの少なくとも１つを、異形材を用いた端子としても良い。
【００７４】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００７５】
上記実施形態では、主端子１４ａが高背部２２及び低背部２４を有する例を示した。しかしながら、制御端子１４ｂが高背部２２及び低背部２４を有する構成としても良い。図１４に示す第３変形例では、主端子１４ａであるＰ端子１４ｐ及びＮ端子１４ｎには高背部２２が設けられず、制御端子１４ｂに高背部２２が設けられている。
【００７６】
なお、図１４では、全ての制御端子１４ｂが高背部２２を有する例を示したが、一部の制御端子１４ｂのみが高背部２２を有する構成としても良い。また、主端子１４ａの少なくとも１つと、制御端子１４ｂの少なくとも１つが、高背部２２を有する構成としても良い。また、図１４では、制御端子１４ｂが折曲による高背部２２を有しているが、捻り部２６による高背部２２を採用することもできる。
【００７７】
上記実施形態では、半導体装置１０として、６ｉｎ１パッケージの例を示した。しかしながら、例えば図１５に示すように、２ｉｎ１パッケージの半導体装置１０にも上記した構成を適用することができる。また、１ｉｎ１パッケージの半導体装置１０にも上記した構成を適用することができる。
【００７８】
図１５の半導体装置１０は、２つの半導体チップ１２ｇ，１２ｈを有している。符号１８は、出力端子１４ｘと上アーム側の半導体チップ１２ｇとを電気的に接続する中継端子である。封止樹脂体１６の第１側面１６ｃから、主端子１４ａである出力端子１４ｘ、Ｎ端子１４ｎ、Ｐ端子１４ｐ、が引き出されている。主端子１４ａは、Ｘ方向において、出力端子１４ｘ、Ｎ端子１４ｎ、Ｐ端子１４ｐの順に配置されている。また、第１側面１６ｃと反対の第２側面１６ｄから、２つの半導体チップ１２ｇ，１２ｈに対応する制御端子１４ｂがそれぞれ引き出されている。そして、すべての主端子１４ａが、高背部２２及び低背部２４を有する端子となっている。なお、図１５では、一例として、第１実施形態同様、断面コの字状の高背部２２となっている。
【符号の説明】
【００７９】
１０・・・半導体装置、１２，１２ａ〜１２ｈ・・・半導体チップ、１４・・・端子、１４ａ・・・主端子、１４ｂ・・・制御端子、１４ｇ・・・ゲート端子、１４ｐ・・・高電位電源端子、１４ｎ・・・低電位電源端子、１４ｕ・・・Ｕ相出力端子、１４ｖ・・・Ｖ相出力端子、１４ｗ・・・Ｗ相出力端子、１４ｘ・・・出力端子、１６・・・封止樹脂体、１６ａ・・・上面、１６ｂ・・・下面、１６ｃ・・・第１側面、１６ｄ・・・第２側面、１８・・・中継端子、１８ｕ・・・Ｕ相中継端子、１８ｖ・・・Ｖ相中継端子、１８ｗ・・・Ｗ相中継端子、２０・・・ボンディングワイヤ、２２・・・高背部、２２ａ・・・底部、２２ｂ・・・壁部、２４・・・低背部、２６・・・捻り部、２６ａ・・・第１捻り部、２６ｂ・・・第２捻り部、２８・・・スリット、３０・・・脚部、３２・・・繋ぎ部、Ｌ１・・・沿面距離、Ｌ２・・・空間絶縁距離、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2014165452.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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