(57)【要約】【課題】一括モールド法により形成される半導体装置の製造歩留りを向上させる。【解決手段】配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯをダイシングブレードで切断する際、製品領域の周囲の製品外領域の配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯをダイシングブレードで切断して、製品外領域に隣接する半導体装置ＳＤ１を突き上げピンＳＰによって突き上げた際の半導体装置ＳＤ１の周囲のダイシングテープＤＴＣの張りを、製品外領域の分割された配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯによって抑える。これにより、突き上げステージＳＴとダイシングテープＤＴＣとの間の真空漏れが抑えられて、ダイシングテープＤＴＣを正常に真空引きすることができるので、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから確実に剥がすことができる。【選択図】図２２
2014187188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１辺および前記第１辺と交差する第２辺を備え、複数の製品部が行列状に配置された製品領域と、前記製品領域を囲むように配置された製品外領域と、を有する配線部材を準備する工程、
（ｂ）前記複数の製品部のそれぞれに半導体チップを搭載する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記製品領域、および前記製品外領域の一部を樹脂で一括封止して封止体を形成することにより、前記製品領域に複数の半導体装置を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記封止体が形成された前記配線部材をダイシングテープの上面に貼り付ける工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記配線部材および前記封止体をダイシングブレードで切断することにより、前記製品領域に形成された前記複数の半導体装置を個々に分割する工程、
（ｆ）前記複数の半導体装置を前記ダイシングテープから取り外す工程、
を含み、
前記（ｅ）工程は、さらに、
（ｅ１）前記製品領域の前記第１辺に従って前記配線部材および前記封止体を前記ダイシングブレードで切断することにより、第１ダイシングラインを形成する工程、
（ｅ２）前記製品領域の前記第１辺と前記配線部材の周縁との間の前記製品外領域の前記配線部材および前記封止体を、前記製品領域の前記第１辺と平行して前記ダイシングブレードで切断することにより、第２ダイシングラインを形成する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ２）工程は、前記（ｅ１）工程の後に行う、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、さらに、
（ｅ３）前記製品領域の前記第２辺に従って前記配線部材および前記封止体を前記ダイシングブレードで切断することにより、第３ダイシングラインを形成する工程と、
（ｅ４）前記製品領域の前記第２辺と前記配線部材の周縁との間の前記製品外領域の前記配線部材および前記封止体を、前記製品領域の前記第２辺と平行して前記ダイシングブレードで切断することにより、第４ダイシングラインを形成する工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ２）工程は、前記（ｅ３）工程の後に行う、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ４）工程は、前記（ｅ３）工程の後に行う、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程は、さらに、
（ｆ１）前記複数の半導体装置のうち、前記ダイシングテープから取り外す第１半導体装置が位置する前記ダイシングテープの部分の周囲を、前記ダイシングテープの前記上面とは反対側の下面側から真空引きする工程と、
（ｆ２）前記（ｆ１）工程の後、前記ダイシングテープを介して、前記ダイシングテープの前記下面側から前記上面側へ前記第１半導体装置を複数の突き上げピンにより突き上げる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程は、さらに、
（ｆ１）前記複数の半導体装置のうち、前記製品領域の前記第１辺と前記第２辺とで構成される角部に最も近い第１半導体装置が位置する前記ダイシングテープの部分の周囲を、前記ダイシングテープの前記上面とは反対側の下面側から真空引きする工程と、
（ｆ２）前記（ｆ１）工程の後、前記ダイシングテープを介して、前記ダイシングテープの前記下面側から前記上面側へ前記第１半導体装置を複数の突き上げピンにより突き上げる工程と、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ダイシングテープは、基材と前記基材の上面に形成された紫外線硬化型接着層とで構成されており、
前記（ｄ）工程の後、前記（ｅ）工程の前に、さらに、
（ｇ）前記ダイシングテープの前記紫外線硬化型接着層に紫外線を照射することにより、前記紫外線硬化型接着層を硬化させる工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記紫外線硬化型接着層と前記封止体とが対向して、前記封止体が形成された前記配線部材が前記ダイシングテープの前記上面に貼り付けられている、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｄ）工程において、環状のフレームが前記ダイシングテープに貼り付けられ、前記配線部材が前記フレームの環内に位置するように貼り付けられ、
前記フレームの前記環内の前記ダイシングテープの伸び量は、前記フレームの前記環内の中心から外側に向かって徐々に小さくなる、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程の後、前記（ｄ）工程の前に、さらに、
（ｇ）前記配線部材の前記封止体が形成された上面とは反対側の下面に複数の半田ボールを搭載する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線部材は配線基板である、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線部材はリードフレームである、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程の後、前記（ｃ）工程の前に、さらに、
（ｈ）前記半導体チップに形成された複数の電極パッドと、前記配線部材の複数の外部端子とを複数のワイヤによってそれぞれ電気的に接続する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１ダイシングラインと前記第２ダイシングラインのピッチは、０．５ｍｍから２ｍｍである、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３ダイシングラインと前記第４ダイシングラインのピッチは、０．５ｍｍから２ｍｍである、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、例えば一括モールドタイプの半導体装置の製造に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージの製造方法については、種々の製造方法が提案されている。
【０００３】
例えば特開２００３−７７９４７号公報（特許文献１）には、導電箔に形成されたブロック毎の導電パターンに回路素子を実装し、導電箔の周囲の残余部をモールド金型で挟み絶縁性樹脂でトランスファモールドした後、絶縁性樹脂を粘着シートに貼り付け、ダイシングにより分離する技術が記載されている。
【０００４】
また、特開２００４−２３００７号公報（特許文献２）には、一方の面が一括樹脂封止され、他方の面にリードが露出し、かつ切断溝が形成された半導体パッケージ用リードフレームにおいて、リードが露出した面を保護テープに貼り付け、ダイシングブレードにより樹脂封止体およびリードフレームを切断して、個片化する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−７７９４７号公報
【特許文献２】特開２００４−２３００７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＢＧＡ（Ball Grid Array）パッケージは、一括モールド法により製造することができる。しかし、その一括モールド法において、配線部材、および配線部材上の複数の半導体チップを封止する封止体をダイシングブレードで切断して個々の半導体装置に切り分けた後、個々の半導体装置をピックアップする際、ステージとダイシングテープとの間で真空漏れが起こり、半導体装置のピックアップに不具合が生じることが明らかとなった。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態によれば、配線部材、および配線部材の製品領域と製品外領域の一部とを一括封止した封止体をダイシングブレードで切断する際、製品外領域の配線部材および封止体をダイシングブレードで切断する。これにより、個々の半導体装置をピックアップする際、製品外領域の分割された配線部材および封止体によってダイシングテープの張りを抑える。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態によれば、一括モールド法により形成される半導体装置の製造歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１による半導体装置の一例を示す上面図である。
【図２】実施の形態１による半導体装置の一例を示す裏面図である。
【図３】実施の形態１による半導体装置の一例を示す断面図である。
【図４】実施の形態１による半導体ウエハの平面図である。
【図５】実施の形態１によるウエハダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図６】実施の形態１による配線基板の平面図である。
【図７】実施の形態１による図５に続く、ダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図８】実施の形態１による図７に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図９】実施の形態１による図８に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１０】実施の形態１による図９に続く、マーキング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１１】実施の形態１による図１０に続く、ボール付け工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図１２】実施の形態１による図１０に続く、ボール付け工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１３】実施の形態１による図１０に続く、ボール付け工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図１４】実施の形態１による図１１〜図１３に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１５】実施の形態１による図１４に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図１６】実施の形態１による図１５に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図１７】（ａ）および（ｂ）は個片ダイシング工程におけるダイシングラインの形成順序を説明する平面図である。
【図１８】（ａ）および（ｂ）は図１７（ａ）および（ｂ）に続く、個片ダイシング工程におけるダイシングラインの形成順序を説明する平面図である。
【図１９】実施の形態１による突き上げステージの上面図である。
【図２０】実施の形態１による突き上げステージの断面図である。
【図２１】実施の形態１による図１４〜図１８に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図２２】実施の形態１による図２１に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図２３】本願発明に先立って、本願発明者らが検討した製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図２４】（ａ）および（ｂ）はそれぞれダイシングテープの張り量を説明する平面図および側面図である。
【図２５】実施の形態１による図２２に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図２６】実施の形態１による図２５に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【図２７】実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【図２８】実施の形態２による半導体装置の一例を示す上面図である。
【図２９】実施の形態２による半導体装置の一例を示す裏面図である。
【図３０】図２９のＩ−Ｉ線に沿って切断した断面図である。
【図３１】図２９のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図３２】実施の形態２によるリードフレームの平面図である。
【図３３】実施の形態２によるリードフレームの断面図（図３２のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図）である。
【図３４】実施の形態２によるダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図３５】実施の形態２によるダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３４のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図）である。
【図３６】実施の形態２による図３４および図３５に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図３７】実施の形態２による図３４および図３５に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３６のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図）である。
【図３８】実施の形態２による図３６および図３７に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図３９】実施の形態２による図３６および図３７に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３８のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図）である。
【図４０】実施の形態２による図３８および図３９に続く、マーキング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図４１】実施の形態２による図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図４２】実施の形態２による図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図４１のＥ−Ｅ線に沿って切断した断面図）である。
【図４３】実施の形態２による図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図４４】実施の形態２による図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図４３のＦ−Ｆ線に沿って切断した断面図）である。
【図４５】実施の形態２による図４１〜図４４に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【図４６】実施の形態２による半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００１３】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００１４】
また、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１５】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。また、以下の実施の形態において、ウエハと言うときは、Ｓｉ（Silicon）単結晶ウエハを主とするが、それのみではなく、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）ウエハ、集積回路をその上に形成するための絶縁膜基板等を指すものとする。その形も円形またはほぼ円形のみでなく、正方形、長方形等も含むものとする。
【００１６】
また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
≪実施の形態１の半導体装置≫
実施の形態１による半導体装置の構造を図１〜図３を用いて説明する。ここで説明する半導体装置の構造は、ＢＧＡパッケージである。
【００１８】
図１は半導体装置の一例を示す上面図である。図２は半導体装置の一例を示す裏面図である。図３は半導体装置の一例を示す断面図である。
【００１９】
図１〜図３に示すように、半導体装置ＳＤ１は、上面（表面）、およびこの上面とは反対側の下面（裏面）を有する。さらに、半導体装置ＳＤ１は、複数のバンプランド（電極パッド）ＢＲを有する配線基板（配線部材）ＭＳと、配線基板ＭＳの上面（表面）ＭＳｘ側に搭載された半導体チップＳＣと、半導体チップＳＣを封止する樹脂封止体（封止体）ＭＯと、配線基板ＭＳの下面（裏面）ＭＳｙ側に供給され、複数のバンプランドＢＲに接続された複数の半田ボール（外部端子）ＰＢと、を含む。
【００２０】
以下、配線基板ＭＳ、半導体チップＳＣ、樹脂封止体ＭＯ、および半田ボールＰＢについて説明する。
【００２１】
＜配線基板＞
配線基板ＭＳは、その厚さ方向と交差する平面形状が四角形になっている。
【００２２】
図３に示すように、配線基板ＭＳは多層配線構造から成り、実施の形態１では４つの配線層を有する配線基板ＭＳを例示している。詳細に説明すると、配線基板ＭＳは、コア材ＭＳａと、このコア材ＭＳａの表面（配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側）に形成された配線層Ｍ２（配線基板ＭＳにおける上から２番目の配線層）と、この配線層Ｍ２を覆うように形成された絶縁層ＩＳｘと、この絶縁層ＩＳｘの表面に形成された配線層Ｍ１（配線基板ＭＳにおける最上層の配線層）とを有している。配線層Ｍ２は、例えばグランド配線として用いる。ここで、最上層の配線層Ｍ１の一部からなる複数のボンディングリード（電極パッド、外部端子）ＢＬが、この最上層の配線層Ｍ１を覆うようにして形成された保護膜ＰＳｘから露出している。
【００２３】
また、配線基板ＭＳは、このコア材ＭＳａの表面と反対側に位置する裏面（配線基板ＭＳの下面ＭＳｙ側）に形成された配線層Ｍ３（配線基板ＭＳにおける上から３番目の配線層）と、この配線層Ｍ３を覆うように形成された絶縁層ＩＳｙと、この絶縁層ＩＳｙの表面に形成された配線層Ｍ４（配線基板ＭＳにおける最下層の配線層）とを有している。配線層Ｍ３は、例えば電源配線、配線層Ｍ４は、例えば信号配線として用いる。ここで、最下層の配線層Ｍ４の一部からなる複数のバンプランドＢＲが、この最下層の配線層Ｍ４を覆うようにして形成された保護膜ＰＳｙから露出している。
【００２４】
また、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘから下面ＭＳｙまたはコア材ＭＳａの表面から裏面に向かって複数の貫通孔（ビア）ＶＩａが形成されており、複数の貫通孔ＶＩａのそれぞれの内部（内壁）には導電性部材ＣＶＩが形成されている。例えば配線基板ＭＳに形成された最上層の配線層Ｍ１と最下層の配線層Ｍ４とは、貫通孔ＶＩａの内部に形成される導電性部材ＣＶＩによって電気的に接続される。また、絶縁層ＩＳｘ，ＩＳｙに形成された複数の接続孔ＶＩｂを介して、配線層Ｍ１と配線層Ｍ２とは電気的に接続され、配線層Ｍ３と配線層Ｍ４とは電気的に接続される。
【００２５】
コア材ＭＳａおよび各絶縁層ＩＳｘ，ＩＳｙは、例えばガラス繊維にエポキシ系またはポリイミド系の熱硬化性絶縁樹脂を含浸させた高弾性樹脂により形成されている。また、各配線層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４は、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする金属膜で形成されている。
【００２６】
配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側を被覆する保護膜ＰＳｘは、主に配線基板ＭＳの最上層の配線層Ｍ１を保護する目的で形成され、配線基板ＭＳの下面ＭＳｙ側を被覆する保護膜ＰＳｙは、主に配線基板ＭＳの最下層の配線層Ｍ４を保護する目的で形成されている。保護膜ＰＳｘ，ＰＳｙは、例えばエポキシ系またはポリイミド系の熱硬化性絶縁樹脂を主成分とするソルダーレジストにより形成されている。ソルダーレジストは絶縁機能を有し、さらに鉛フリー半田を溶融する際に配線基板ＭＳに加えられる温度（例えば２２０〜２４０℃程度）に耐え、かつ埃、熱、または湿度などの環境から配線層等を保護することができる。
【００２７】
なお、配線基板ＭＳは、ここではコア材ＭＳａを含む構造について説明したが、コア材ＭＳａを含まない、所謂コアレス基板であってもよい。
【００２８】
＜半導体チップ＞
図３に示すように、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側に接着剤（ダイボンド材）ＢＦを介して搭載された半導体チップＳＣは、その厚さ方向と交差する平面形状が四角形になっている。なお、実施の形態１で使用する接着剤ＢＦは、例えばペースト状またはフィルム状の接着剤である。
【００２９】
また、半導体チップＳＣは、これに限定されないが、主に、シリコンからなる半導体基板と、この半導体基板の主面（表面）に形成された複数の半導体素子（例えばコア電源回路を含む内部回路、入出力回路）と、半導体基板の主面において絶縁層と配線層とをそれぞれ複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜とを有する構成になっている。上記絶縁層は、例えば酸化シリコン膜で形成されている。上記配線層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）膜、タングステン（Ｗ）膜または銅（Ｃｕ）膜等の金属膜で形成されている。上記表面保護膜は、例えば酸化シリコン膜または窒化シリコン膜等の無機絶縁膜および有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。
【００３０】
半導体チップＳＣの主面には、上述した半導体素子と電気的に接続された複数のボンディングパッド（電極パッド、表面電極）ＢＰが半導体チップＳＣの各辺に沿って配置されている。これらボンディングパッドＢＰは、半導体チップＳＣの多層配線層のうちの最上層の配線からなり、半導体チップＳＣの表面保護膜にそれぞれのボンディングパッドＢＰに対応して形成された開口部により露出している。
【００３１】
また、半導体チップＳＣの主面に配置された複数のボンディングパッドＢＰと、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘに配置された複数のボンディングリードＢＬとが、複数の導電性ワイヤ（導電性部材）ＣＷによってそれぞれ電気的に接続されている。導電性ワイヤＣＷには、例えば金（Ａｕ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）等を用いる。導電性ワイヤＣＷは、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング（ボールボンディング）法により、半導体チップＳＣの主面に配置されたボンディングパッドＢＰと配線基板ＭＳの上面ＭＳｘに配置されたボンディングリードＢＬとに接続される。
【００３２】
＜樹脂封止体＞
図３に示すように、半導体チップＳＣおよび導電性ワイヤＣＷは、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側を被覆する樹脂封止体ＭＯによって封止されている。樹脂封止体ＭＯは、低応力化を図る目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー（例えばシリカ）等が添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂で形成されている。樹脂封止体ＭＯは、一括モールド法により形成される。
【００３３】
＜半田ボール（外部端子）＞
図２および図３に示すように、配線基板ＭＳの下面ＭＳｙに形成された複数のバンプランドＢＲには、複数の半田ボールＰＢがそれぞれ形成されている。複数のバンプランドＢＲは、配線基板ＭＳの下面ＭＳｙ側を被覆する保護膜ＰＳｙにそれぞれのバンプランドＢＲに対応して形成された開口部により露出しており、複数の半田ボールＰＢは、複数のバンプランドＢＲとそれぞれ電気的に、かつ機械的に接続されている。半田ボールＰＢの組成としては、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない鉛（Ｐｂ）フリー半田、例えばＳｎ−３［ｗｔ％］Ａｇ−０．５［ｗｔ％］Ｃｕ等の半田が用いられる。
【００３４】
≪実施の形態１の半導体装置の製造方法≫
実施の形態１による半導体装置の製造方法を図４〜図２７を用いて工程順に説明する。ここではＢＧＡ（図１〜図３に示した半導体装置ＳＤ１）の製造工程について説明する。
【００３５】
図４は半導体ウエハの平面図である。図５はウエハダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【００３６】
図６は配線基板の平面図である。図７は図５に続く、ダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【００３７】
図８は図７に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【００３８】
図９は図８に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【００３９】
図１０は図９に続く、マーキング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【００４０】
図１１、図１２および図１３はそれぞれ図１０に続く、ボール付け工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図、平面図および側面図である。
【００４１】
図１４は図１１〜図１３に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図１５は図１４に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。図１６は図１５に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。図１７（ａ）、（ｂ）および図１８（ａ）、（ｂ）は個片ダイシング工程におけるダイシングラインの形成順序を説明する平面図である。
【００４２】
図１９および図２０はそれぞれ突き上げステージの上面図および断面図である。図２１は図１４〜図１８に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。図２２は図２１に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。図２３は本願発明に先立って、本願発明者らが検討した製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。図２４（ａ）および（ｂ）はそれぞれダイシングテープの張り量を説明する平面図および側面図である。図２５は図２２に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。図２６は図２５に続く、製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する側面図である。
【００４３】
図２７は半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【００４４】
＜ウエハダイシング工程：図２７のＳ１工程＞
まず、図４に示すように、半導体ウエハＳＷを準備する。半導体ウエハＳＷは単結晶シリコンからなり、その直径は、例えば２００ｍｍまたは３００ｍｍ、その厚さは、例えば０．７ｍｍ以上（製造工程への投入時の値）である。半導体ウエハＳＷは、主面、主面にマトリックス状に区画形成された複数のチップ領域ＣＡ、複数のチップ領域ＣＡの間に形成されたスクライブ領域ＤＬＷ、および主面とは反対側の裏面を有している。
【００４５】
半導体ウエハＳＷの主面の各チップ領域ＣＡには、これに限定されないが、複数の半導体素子と、絶縁層と配線層とをそれぞれ複数段積み重ねた多層配線層と、この多層配線層を覆うようにして形成された表面保護膜とから構成される集積回路が形成されている。
【００４６】
また、半導体ウエハＳＷの主面の各チップ領域ＣＡには、複数の半導体素子と電気的に接続された複数のボンディングパッド（前述の図３に示すボンディングパッドＢＰ）が配置され、これら複数のボンディングパッドは、多層配線層のうちの最上層の配線からなり、表面保護膜にそれぞれのボンディングパッドに対応して形成された開口部により露出している。
【００４７】
次に、半導体ウエハＳＷの裏面を、研削材を用いて研削することにより、半導体ウエハＳＷの厚さを所定の厚さまで薄くする。その厚さは、例えば０．１３ｍｍ程度である。
【００４８】
次に、図５に示すように、予めダイシングテープＤＴＷを貼り付けた環状のフレームＦＬＷを準備しておき、ダイシングテープＤＴＷの上面と半導体ウエハＳＷの裏面とを対向させて、ダイシングテープＤＴＷの上面に半導体ウエハＳＷを貼着する。
【００４９】
次に、例えばダイヤモンド微粒を貼り付けた極薄のダイシングブレードＤＢＷを用いて、半導体ウエハＳＷをスクライブ領域ＤＬＷに沿って縦、横に切断する。半導体ウエハＳＷは複数の半導体チップＳＣに個片化されるが、個片化された後も複数の半導体チップＳＣはダイシングテープＤＴＷを介してフレームＦＬＷに固定されているため、整列した状態を維持している。
【００５０】
次に、ダイシングテープＤＴＷの下面側から紫外線を照射して、接着剤の接着力を低下させることにより、各半導体チップＳＣがダイシングテープＤＴＷから剥がれやすくする。
【００５１】
＜ダイボンド工程：図２７のＳ２工程＞
次に、図６に示すように、配線基板ＭＳを準備する。配線基板ＭＳは、平面視において四角形状であり、１つの半導体チップが搭載される四角形状の製品部（チップ搭載部）ＤＩａが行列状（マトリックス状）に区画形成された多数個取り基板である。図６には、製品部ＤＩａを点線で示している。
【００５２】
さらに、行例状に配置された複数の製品部ＤＩａによって製品領域（有効領域）ＤＩが構成されており、製品領域ＤＩを囲むように製品外領域（無効領域、耳部）ＤＯが配置されている。図６には、製品外領域ＤＯをハッチングで示している。
【００５３】
従って、製品領域ＤＩは、製品領域ＤＩと製品外領域ＤＯとの境界上で配線基板ＭＳの一の周縁に沿って位置する第１辺Ｌ１と、製品領域ＤＩと製品外領域ＤＯとの境界上で配線基板ＭＳの上記一の周縁と直交する他の周縁に沿って位置する第２辺Ｌ２とを備えている。
【００５４】
さらに、隣り合う製品領域ＤＩの間の製品外領域ＤＯには、配線基板ＭＳの反りに対応するためのスリットＳＬが形成されている。
【００５５】
図６には、同じ方向に沿って配置された４つの製品領域ＤＩを有し、各製品領域ＤＩの周囲に製品外領域ＤＯが配置された配線基板ＭＳを例示しているが、製品領域ＤＩの数はこれに限定されるものではない。また、行方向に４個、列方向に５個、すなわち２０個（４行５列）の製品部ＤＩａが配置された製品領域ＤＩを例示しているが、製品部ＤＩａの行列数はこれに限定されるものではない。
【００５６】
次に、図７に示すように、半導体チップＳＣをダイシングテープＤＴＷから引き剥がしてピックアップした後、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘの所定の製品部ＤＩａに搬送する。続いて、接着剤（前述の図３に示す接着剤ＢＦ）を介して半導体チップＳＣを配線基板ＭＳの所定の製品部ＤＩａに搭載する。上記接着剤は、例えばペースト状またはフィルム状の接着剤である。その後、接着剤を硬化させるためのベーク処理を行う。
【００５７】
＜ワイヤボンド工程：図２７のＳ３工程＞
次に、図８に示すように、半導体チップＳＣの主面の各辺に沿って配置された複数のボンディングパッド（前述の図３に示すボンディングパッドＢＰ）と、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側に露出する複数のボンディングリードＢＬとを、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング法（ボールボンディング法）により、複数の導電性ワイヤＣＷを用いてそれぞれ電気的に接続する。具体的には、導電性ワイヤＣＷの先端をアーク放電により溶融して表面張力でボールを形成し、それをキャピラリ（円筒状の接続治具）により半導体チップＳＣのボンディングパッドおよび配線基板ＭＳのボンディングリードＢＬの表面に、例えば１２０ｋＨｚの超音波振動を加えながら熱圧着する。
【００５８】
導電性ワイヤＣＷの材料としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を挙げることができる。金（Ａｕ）の場合、例えば１５〜２０μｍφの金線を用いる場合が多い。
【００５９】
また、主として、正ボンディング方式（半導体チップＳＣのボンディングパッドと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、配線基板ＭＳのボンディングリードＢＬと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いるが、逆ボンディング方式（配線基板ＭＳのボンディングリードＢＬと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、半導体チップＳＣのボンディングパッドと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いても良い。
【００６０】
＜モールド（封止）工程：図２７のＳ４工程＞
次に、図９に示すように、複数の半導体チップＳＣが搭載された配線基板ＭＳを金型成型機にセットし、配線基板ＭＳの周囲を成形金型で挟んだ後、温度を上げて液状化した封止樹脂を金型成型機に圧送して流し込み、配線基板ＭＳの複数の半導体チップＳＣ等が搭載された上面ＭＳｘ側を樹脂で封入する。これにより、製品領域ＤＩと製品外領域ＤＯの一部とを一括封止する樹脂封止体ＭＯが形成される。図９には、樹脂封止体ＭＯをハッチングで示している。
【００６１】
樹脂封止体ＭＯは、低応力化を図ることを目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー（例えばシリカ）等が添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂からなる。
【００６２】
実施の形態１では、１つの製品領域ＤＩとその周囲の製品外領域ＤＯの一部に対して１つの樹脂封止体ＭＯを形成している。従って、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘ側には４つの樹脂封止体ＭＯが形成される。樹脂封止体ＭＯの厚さは、例えば０．５〜０．６ｍｍ程度である。
【００６３】
また、上述したように、樹脂封止体ＭＯは、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘの全領域には形成されず、製品領域ＤＩと製品外領域ＤＯの一部とを封止するように形成される。従って、配線基板ＭＳの上面ＭＳｘには、配線基板ＭＳの周縁から所定の距離を有する領域に樹脂封止体ＭＯは形成されていない。
【００６４】
次に、樹脂封止体ＭＯの更なる硬化促進を行い、配線基板ＭＳへの密着性向上等のために、樹脂封止体ＭＯに対してベーク処理を施す。ベーク処理の温度は、例えば１６０〜１９０℃程度である。これにより、複数の半導体チップＳＣおよび複数の導電性ワイヤＣＷが樹脂封止体ＭＯによって封止される。
【００６５】
＜マーキング工程：図２７のＳ５工程＞
次に、図１０に示すように、レーザーを用いて樹脂封止体ＭＯの表面に製品の型名およびロットＮｏ．等を刻印する。
【００６６】
＜ボール付け工程：図２７のＳ６工程＞
次に、図１１〜図１３に示すように、配線基板ＭＳの下面ＭＳｙ側に露出する複数のバンプランド（前述の図３に示すバンプランドＢＲ）の表面にフラックスを介して半田ボールＰＢを配置した後、リフロー処理を行う。リフロー処理の温度は、例えば２２０〜２４０℃である。
【００６７】
このリフロー処理により、半田ボールＰＢが溶融し、バンプランドの表面と電気的に、かつ機械的に接続する。半田ボールＰＢは、半導体装置と実装基板との間で電気的な信号の入出力を行うための伝導経路となる。
【００６８】
＜個片ダイシング工程：図２７のＳ７工程＞
次に、図１４に示すように、ダイシングテープＤＴＣを準備する。ダイシングテープＤＴＣの周縁部には、環状のフレームＦＬＣが貼り付けられている。ダイシングテープＤＴＣは、例えばポリオレフィンを基材とし、その厚さは、例えば１７０μｍ程度である。また、ダイシングテープＤＴＣの上面（樹脂封止体ＭＯが固定される面）には、接着層が形成されている。接着層は、例えばアクリル系紫外線硬化型の粘着剤であり、例えば紫外線照射前は２００ｇ／２５ｍｍ、紫外線照射後は１０〜２０ｇ／２５ｍｍの粘着力を有している。
【００６９】
続いて、樹脂封止体ＭＯとダイシングテープＤＴＣの上面とを対向させて、ダイシングテープＤＴＣの上面に、複数の半導体チップＳＣおよび複数の導電性ワイヤＣＷ等を封止した樹脂封止体ＭＯを有する配線基板ＭＳを固定する。配線基板ＭＳはフレームＦＬＣの環内に位置するように貼り付けられる。
【００７０】
次に、図１５および図１６に示すように、例えばダイヤモンド微粒を含有させたダイシングブレードＤＢＣを用いて、配線基板ＭＳの下面ＭＳｙ側から上面ＭＳｘ側へ向かって、配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯをスクライブ領域ＤＬＣ１，ＤＬＣ２に沿って縦、横に切断し、配線基板ＭＳの製品領域ＤＩに形成された複数の半導体装置ＳＤ１を個々に切り分ける。ダイシングブレードＤＢＣの幅は、例えば０．３５μｍ程度である。
【００７１】
配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯは複数の半導体装置ＳＤ１に個片化されるが、個片化された後も複数の半導体装置ＳＤ１はダイシングテープＤＴＣを介して固定されているため、整列した状態を維持している。
【００７２】
ここで、本実施の形態１のいくつか有る特徴のうち、主な特徴について説明する。
【００７３】
樹脂封止体ＭＯが形成された配線基板ＭＳには、製品領域ＤＩに配置された各製品部ＤＩａの周囲に設けられたスクライブ領域ＤＬＣ１と、製品外領域ＤＯに設けられたスクライブ領域ＤＬＣ２とがあり、製品領域ＤＩに設けられたスクライブ領域ＤＬＣ１および製品外領域ＤＯに設けられたスクライブ領域ＤＬＣ２に従って、配線基板ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯは切断される。
【００７４】
スクライブ領域ＤＬＣ１，ＤＬＣ２の切断は、例えば以下の順序によって行われる。
【００７５】
まず、図１７（ａ）に示すように、製品領域ＤＩの第１辺Ｌ１が延びる方向と同じ方向（第１方向）に、製品領域ＤＩのスクライブ領域Ｐ２〜Ｐ６（上記スクライブ領域ＤＬＣ１の一部）を切断する。すなわち、製品領域ＤＩの一方の第１辺Ｌ１に位置するスクライブ領域Ｐ２を切断してダイシングラインを形成する。続いて、一方の第１辺Ｌ１側から他方の第１辺Ｌ１側へ、製品領域ＤＩに設けられたスクライブ領域Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５を順次切断してダイシングラインを形成し、製品領域ＤＩの他方の第１辺Ｌ１に位置するスクライブ領域Ｐ６を切断してダイシングラインを形成する。
【００７６】
続いて、図１７（ｂ）に示すように、製品領域ＤＩの第２辺Ｌ２が延びる方向と同じ方向（第１方向とは直交する方向の第２方向）に、製品領域ＤＩのスクライブ領域Ｈ２〜Ｈ２５（上記スクライブ領域ＤＬＣ１の他部）を切断する。すなわち、製品領域ＤＩの一方の第２辺Ｌ２に位置するスクライブ領域Ｈ２を切断してダイシングラインを形成する。続いて、一方の第２辺Ｌ２側から他方の第２辺Ｌ２側へ、製品領域ＤＩに設けられたスクライブ領域Ｈ３〜Ｈ２４を順次切断してダイシングラインを形成し、製品領域ＤＩの他方の第２辺Ｌ２に位置するスクライブ領域Ｈ２５を切断してダイシングラインを形成する。
【００７７】
続いて、図１８（ａ）に示すように、製品領域ＤＩの第１辺Ｌ１が延びる方向と同じ方向（第１方向）に、製品外領域ＤＯのスクライブ領域Ｐ１，Ｐ７（上記スクライブ領域ＤＬＣ２の一部）を切断する。すなわち、製品領域ＤＩの一方の第１辺Ｌ１とこの一方の第１辺Ｌ１に近接する樹脂封止体ＭＯの周縁との間に位置するスクライブ領域Ｐ１を切断し、製品領域ＤＩの他方の第１辺Ｌ１とこの他方の第１辺Ｌ１に近接する樹脂封止体ＭＯの周縁との間に位置するスクライブ領域Ｐ７を切断する。
【００７８】
スクライブ領域Ｐ１に形成されるスクライブラインとスクライブ領域Ｐ２に形成されるスクライブラインのピッチ、およびスクライブ領域Ｐ６に形成されるスクライブラインとスクライブ領域Ｐ７に形成されるスクライブラインのピッチは、例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍであり、製品領域ＤＩのスクライブ領域Ｐ２〜Ｐ６に形成されるスクライブラインのピッチよりも小さい。
【００７９】
続いて、図１８（ｂ）に示すように、製品領域ＤＩの第２辺Ｌ２が延びる方向と同じ方向（第２方向）に、製品外領域ＤＯのスクライブ領域Ｈ１，Ｈ２６（上記スクライブ領域ＤＬＣ２の他部）を切断する。すなわち、製品領域ＤＩの一方の第２辺Ｌ２とこの一方の第２辺Ｌ２に近接する樹脂封止体ＭＯの周縁との間に位置するスクライブ領域Ｈ１を切断し、製品領域ＤＩの他方の第２辺Ｌ２とこの他方の第２辺Ｌ２に近接する樹脂封止体ＭＯの周縁との間に位置するスクライブ領域Ｈ２６を切断する。
【００８０】
スクライブ領域Ｈ１に形成されるスクライブラインとスクライブ領域Ｈ２に形成されるスクライブラインのピッチ、およびスクライブ領域Ｈ２５に形成されるスクライブラインとスクライブ領域Ｈ２６に形成されるスクライブラインのピッチは、例えば０．５ｍｍ〜２ｍｍであり、製品領域ＤＩのスクライブ領域Ｈ２〜Ｈ２５に形成されるスクライブラインのピッチよりも小さい。
【００８１】
なお、スクライブ領域ＤＬＣ１，ＤＬＣ２の切断の順序は、これに限定されるものではない。例えばスクライブ領域Ｐ１をはじめに切断し、続いてスクライブ領域Ｐ２、・・・、Ｐ５、Ｐ６をこの順序で切断してもよい。同様に、スクライブ領域Ｈ１をはじめに切断し、続いてスクライブ領域Ｈ２、・・・、Ｈ２５、Ｈ２６をこの順序で切断してもよい。
【００８２】
しかし、製品領域ＤＩにおける切断の位置精度等を考慮すると、前述の図１７および図１８を用いて説明したように、まず、製品領域ＤＩのスクライブ領域ＤＬＣ１（スクライブ領域Ｐ２〜Ｐ６、Ｈ２〜Ｈ２５）を切断し、その後、製品外領域ＤＯのスクライブ領域ＤＬＣ２（スクライブ領域Ｐ１，Ｐ７，Ｈ１，Ｈ２６）を切断する順序が望ましい。
【００８３】
また、前述の図１７および図１８を用いて説明したスクライブ領域ＤＬＣ１，ＤＬＣ２の切断では、製品領域ＤＩの第１辺Ｌ１に位置するスクライブ領域Ｐ２，Ｐ６の外側の製品外領域ＤＯ、および製品領域ＤＩの第２辺Ｌ２に位置するスクライブ領域Ｈ２，Ｈ２５の外側の製品外領域ＤＯには、それぞれ１本のダイシングラインを形成したが、２本以上のダイシングラインを形成してもよい。
【００８４】
次に、ダイシングテープＤＴＣの下面側から紫外線を照射して接着層を硬化させて、接着層の接着力を低下させる。これにより、各半導体装置ＳＤ１がダイシングテープＤＴＣから剥がれやすくなる。
【００８５】
＜製品収納工程：図２７のＳ８工程＞
次に、図１９および図２０に示す突き上げステージＳＴを用いて、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから剥離する。突き上げステージＳＴは、平面視において円形状である場合が多く、その直径は、例えば３０ｍｍ程度である。また、突き上げステージＳＴには、一部が複数の突き上げピンＳＰのそれぞれが貫通し、それ以外の部分がダイシングテープＤＴＣの下面を真空吸着する複数の穴ＳＨが形成されており、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘには、互いに直径の異なる複数の同心円状の溝ＳＭが形成されている。
【００８６】
突き上げピンＳＰは、突き上げステージＳＴの下面側ＳＴｙから上面側ＳＴｘに向かって突き上げられ、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘから突出する。突き上げピンＳＰの直径は、例えば０．７ｍｍ程度であり、突き上げステージＳＴには、例えば４本の突き上げピンＳＰが備わっている。
【００８７】
次に、図２１に示すように、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘとダイシングテープＤＴＣとを対向させて、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘに、複数の半導体装置ＳＤ１が固定されたダイシングテープＤＴＣを配置する。続いて、突き上げステージＳＴの下面ＳＴｙ（前述の図２０参照）側から真空を引いて、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘに複数の半導体装置ＳＤ１が固定されたダイシングテープＤＴＣを真空吸着させる。
【００８８】
次に、図２２に示すように、真空引きをした状態で、突き上げステージＳＴの下面ＳＴｙ側から上面ＳＴｘ側へ４本の突き上げピンＳＰを突き上げて、１つの半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから剥離する。
【００８９】
この際、半導体装置ＳＤ１が貼り付けられていたダイシングテープＤＴＣの部分が、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘから持ち上がるため、半導体装置ＳＤ１の周囲のダイシングテープＤＴＣも伸びて持ち上がる。
【００９０】
しかし、突き上げピンＳＰによって突き上げられた半導体装置ＳＤ１の隣りに、他の半導体装置ＳＤ１が在る箇所（図２２に示すＡ部）では、隣りの他の半導体装置ＳＤ１の重みによってダイシングテープＤＴＣが突き上げステージＳＴに真空吸着された状態が保持されるので、ダイシングテープＤＴＣが張ってしまうことを抑えることができる。これにより、隣りの他の半導体装置ＳＤ１が貼り付けられているダイシングテープＤＴＣの部分は、突き上げステージＳＴの上面から持ち上がらない。
【００９１】
また、突き上げピンＳＰによって突き上げられた半導体装置ＳＤ１の隣りに、スクライブラインが形成された製品外領域ＤＯの樹脂封止体ＭＯが在る箇所（図２２に示すＢ部）では、スクライブラインによって複数に切断（分割）された樹脂封止体ＭＯによってダイシングテープＤＴＣが伸びた部分の形状を円弧を有するような形状とすることができる。これにより、ダイシングテープＤＴＣが張ってしまうことを抑えることができる。
【００９２】
従って、突き上げピンＳＰにより半導体装置ＳＤ１を突き上げた時に半導体装置ＳＤ１の周囲のダイシングテープＤＴＣが伸びても、真空漏れが抑えられるので、ダイシングテープＤＴＣを安定して真空引きすることができる。その結果、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから確実に剥がすことができる。
【００９３】
ところが、図２３に示すように、突き上げピンＳＰによって突き上げられた半導体装置ＳＤ１の隣りに、スクライブラインを形成しない製品外領域ＤＯの樹脂封止体ＭＯが在る場合は、製品外領域ＤＯの樹脂封止体ＭＯが貼り付けられているダイシングテープＤＴＣの部分が張ってしまう。このため、配線基板ＭＳの周縁とダイシングテープＤＴＣの上面とが接触する部分（図２３に示すＣ部）を基点に、製品外領域ＤＯの樹脂封止体ＭＯが貼り付けられているダイシングテープＤＴＣの部分が持ち上がり（図２３に示すＤ部）、真空圧の低下による吸着力の低下が生じてしまう。
【００９４】
また、図２４（ａ）および（ｂ）に示すように、ダイシングテープＤＴＣの中心部の張りは弱くたわみ量が大きい（矢印の長さがたわみ量を示す）。これに対して、中心部から外側に向かって、すなわちフレームＦＬＣに近づくに従いダイシングテープＤＴＣの張りは徐々に強くなる。このため、フレームＦＬＣに近いダイシングテープＤＴＣほど持ち上がりやすくなり、真空圧の低下による吸着力の低下が生じやすい。特に、図２４（ａ）に示すＥ領域の半導体装置ＳＤ１は、他の領域の半導体装置ＳＤ１に比べて、ダイシングテープＤＴＣの張りが強いことから、ダイシングテープＤＴＣからの剥離不良が発生しやすい。
【００９５】
しかし、本実施の形態１によれば、フレームＦＬＣに近く、製品外領域ＤＯに隣接する半導体装置ＳＤ１を突き上げピンＳＰによって突き上げた場合であっても、この半導体装置ＳＤ１の周囲のダイシングテープＤＴＣの張りを、製品外領域ＤＯの配線部材ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯを分割することにより抑えることができる。これにより、突き上げステージＳＴとダイシングテープＤＴＣとの間の真空圧の低下による吸着力の低下が抑えられるので、ダイシングテープＤＴＣに貼られた位置の影響を受けにくくなり、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから確実に剥がすことができる。
【００９６】
次に、図２５に示すように、半導体装置ＳＤ１の樹脂封止体ＭＯが形成された面とは反対側の面をコレットＣＯによって吸着、保持した後、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣからピックアップする。ダイシングテープＤＴＣの正常な真空引きおよび接着層の接着力の低下により、半導体装置ＳＤ１はダイシングテープＤＴＣから剥がれて、確実にピックアップすることができる。コレットＣＯは、例えば長方形の外形を有し、その材質は、例えば超硬合金で構成されている。
【００９７】
次に、図２６に示すように、収納トレイＴＲを準備する。収納トレイＴＲには１つの半導体装置ＳＤ１が搭載されるポケットＰＯがマトリックス状に区画形成されている。次に、ピックアップされた半導体装置ＳＤ１を収納トレイＴＲのポケットにＰＯに搬送し、収納する。
【００９８】
＜検査工程：図２７のＳ９工程＞
次に、複数の半導体装置ＳＤ１は製品規格に沿って順次検査（特性選別）される。検査において不良と判断された半導体装置ＳＤ１は取り除かれる。検査において良と判断された半導体装置ＳＤ１は、さらに外観、例えばレーザマークおよび傷の有無等が検査される。
【００９９】
このように、実施の形態１によれば、ダイシングテープＤＴＣから半導体装置ＳＤ１を剥がす際、製品外領域ＤＯに隣接する半導体装置ＳＤ１を突き上げピンＳＰによって突き上げた場合であっても、この半導体装置ＳＤ１の周囲のダイシングテープＤＴＣの張りを、製品外領域ＤＯの配線部材ＭＳおよび樹脂封止体ＭＯを分割することにより抑えることができる。これにより、突き上げステージＳＴにおける真空漏れが抑えられて、ダイシングテープＤＴＣを安定して真空引きすることができるので、半導体装置ＳＤ１をダイシングテープＤＴＣから確実に剥がすことができる。
【０１００】
（実施の形態２）
≪実施の形態２の半導体装置≫
実施の形態２による半導体装置の構造を図２８〜図３１を用いて説明する。ここで説明する半導体装置の構造は、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）である。
【０１０１】
図２８は半導体装置の一例を示す上面図である。図２９は半導体装置の一例を示す裏面図である。図３０は図２９のＩ−Ｉ線に沿って切断した断面図、図３１は図２９のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【０１０２】
図２８〜図３１に示すように、半導体装置ＳＤ２は、半導体チップＳＣを搭載するための板状のダイパッド（チップ搭載部、タブ）ＬＥｄの上面上に搭載された半導体チップＳＣが樹脂封止体ＭＯによって樹脂封止され、かつ半導体チップＳＣが金属製のリード（外部端子）ＬＥａと導電性ワイヤＣＷを介して電気的に接続されてなるリードフレームタイプの半導体パッケージである。
【０１０３】
さらに、半導体チップＳＣの周囲に配置された複数のリードＬＥａは、それぞれ外部端子として樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙの周縁部に露出している。
【０１０４】
半導体チップＳＣは、その裏面とダイパッドＬＥｄの上面とを対向させて、例えば銀ペースト等のダイボンド材を介してダイパッドＬＥｄの上面上に配置され、固着（固定、接着）されている。さらに、半導体チップＳＣの主面には、集積回路の一部と電気的に接続された複数のボンディングパッドＢＰが形成されている。これら複数のボンディングパッドＢＰと複数のリードＬＥａとは、それぞれ複数の導電性ワイヤＣＷによって電気的に接続されている。複数のリードＬＥａのそれぞれは、上面とその反対側の下面とを有しており、上面に導電性ワイヤＣＷが接続され、一方、下面は、樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙの周縁部に露出している。
【０１０５】
また、ここでは、半導体チップＳＣが固着されたダイパッドＬＥｄについても、上面の反対側の下面が樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙから露出している。すなわち、半導体装置ＳＤ２は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。
【０１０６】
また、半導体装置ＳＤ２には、ダイパッドＬＥｄを支持する吊りリードＬＥｇが設けられている。ここでは、４本の吊りリードＬＥｇがダイパッドＬＥｄの角部を支持している。これらの吊りリードＬＥｇは、ハーフエッチングによって、そのリード厚さが薄くなっている。つまり、吊りリードＬＥｇの下面は、ハーフエッチングによって形成された面である。４本の吊りリードＬＥｇのそれぞれは、下面側がハーフエッチング加工により削られて、ダイパッドＬＥｄの約１／２程度の厚さになっている。そのため、４本の吊りリードＬＥｇのそれぞれは、下面が樹脂封止体ＭＯによって覆われており、樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙには露出していない。
【０１０７】
また、樹脂封止体ＭＯは、基板等に対する実装面となる下面ＭＯｙと、その反対側の平坦な上面ＭＯｘと、さらにこれら上面ＭＯｘと下面ＭＯｙとの間に位置する４つの側面ＭＯｓとを有している。さらに、各側面ＭＯｓには、複数のリードＬＥａそれぞれの切断面ＬＥａｄと、これら切断面ＬＥａを挟むように両端に配置された複数の吊りリードＬＥｇの切断面ＬＥｇｄとが露出している。
【０１０８】
ここで、半導体チップＳＣは、例えばシリコンによって形成され、さらに導電性ワイヤＣＷは、例えば金（Ａｕ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）ワイヤ、もしくはアルミニウム（Ａｌ）ワイヤ等である。また、樹脂封止体ＭＯを形成する樹脂は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂である。さらに、各リードＬＥａ、吊りリードＬＥｇ、およびダイパッドＬＥｄは、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）系の合金もしくは銅（Ｃｕ）合金等である。
【０１０９】
≪実施の形態２の半導体装置の製造方法≫
実施の形態２による半導体装置の製造方法を図３２〜図４６を用いて工程順に説明する。ここではＭＡＰ（Matrix Array Package）方式を採用したＱＦＮ（図２８〜図３１に示した半導体装置ＳＤ２）の製造方法について説明する。つまり、ＱＦＮは、ＢＧＡパッケージと同様に、その組み立てにおいて、複数の半導体チップが一括して樹脂封止され、その後、個片ダイシングを行うことにより組み立てられる。
【０１１０】
図３２はリードフレームの平面図である。図３３はリードフレームの断面図（図３２のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図）である。
【０１１１】
図３４はダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図３５はダイボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３４のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図）である。
【０１１２】
図３６は図３４および図３５に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図３７は図３４および図３５に続く、ワイヤボンド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３６のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図）である。
【０１１３】
図３８は図３６および図３７に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図３９は図３６および図３７に続く、モールド工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図３８のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図）である。
【０１１４】
図４０は図３８および図３９に続く、マーキング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【０１１５】
図４１は図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図４２は図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図４１のＥ−Ｅ線に沿って切断した断面図）である。図４３は図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する平面図である。図４４は図４０に続く、個片ダイシング工程における半導体装置の製造方法を説明する断面図（図４３のＦ−Ｆ線に沿って切断した断面図）である。
【０１１６】
図４５は図４１〜図４４に続く製品収納工程における半導体装置の製造方法を説明する概略図である。
【０１１７】
図４６は半導体装置の製造方法を説明する工程図である。
【０１１８】
＜フレーム投入工程：図４６のＰ１工程＞
まず、図３２および図３３に示すように、半導体装置の形成領域であるデバイス領域ＬＥｊが複数個マトリクス配列で形成された薄板状のリードフレーム（配線部材）ＬＥを準備する。リードフレームＬＥは、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）系の合金もしくは銅（Ｃｕ）合金等からなる金属フレームである。
【０１１９】
各デバイス領域ＬＥｊは、タイバーＬＥｉによって区分けされており、さらに、各デバイス領域ＬＥｊには、その中央付近に設けられたダイパッドＬＥｄと、ダイパッドＬＥｄの周囲に配置された複数のリードＬＥａと、ダイパッドＬＥｄをその角部で支持する４本の吊りリードＬＥｇとが設けられている。
【０１２０】
また、４本の吊りリードＬＥｇは、それぞれダイパッドＬＥｄ側と反対側の先端付近で二股に分岐し、タイバーＬＥｉに連結している。さらに、それぞれの吊りリードＬＥｇは、それぞれの下面ハーフエッチング加工によって薄く形成されている。吊りリードＬＥｇのリード厚は、ダイパッドＬＥｄの約１／２程度の厚さになっている。
【０１２１】
また、複数のリードＬＥａは、それぞれタイバーＬＥｉに連結されており、タイバーＬＥｉによって支持されている。
【０１２２】
＜ダイボンド工程：図４６のＰ２工程＞
次に、図３４および図３５に示すように、リードフレームＬＥの複数のダイパッドＬＥｄのそれぞれの上面上にダイボンド材を介して半導体チップＳＣを搭載する。
【０１２３】
＜ワイヤボンド工程：図４６のＰ３工程＞
次に、図３６および図３７に示すように、複数の半導体チップＳＣのそれぞれの主面に配置された複数のボンディングパッドＢＰ（前述の図３０参照）と複数のリードＬＥａとをそれぞれ導電性ワイヤＣＷにより電気的に接続する。これにより、半導体チップＳＣとリードＬＥａとが導電性ワイヤＣＷによって電気的に接続される。
【０１２４】
複数の導電性ワイヤＣＷは、金（Ａｕ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）ワイヤ、もしくはアルミニウム（Ａｌ）ワイヤ等である。
【０１２５】
＜モールド（封止）工程：図４６のＰ４工程＞
次に、図３８および図３９に示すように、複数の半導体チップＳＣを樹脂封止体ＭＯにより一括封止する。封止時には、樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙからダイパッドＬＥｄの下面が露出するように行う。
【０１２６】
さらに、それぞれの吊りリードＬＥｇの下面がハーフエッチング加工によって薄く形成されているため、樹脂を吊りリードＬＥｇの下面側に回り込ませて、吊りリードＬＥｇの下面を樹脂封止体ＭＯで覆うように樹脂封止する。
【０１２７】
これにより、一括封止後は、樹脂封止体ＭＯの下面ＭＯｙ側にダイパッドＬＥｄ（ダイパッドＬＥｄの下面）、複数のリードＬＥａ（複数のリードＬＥａの下面）、およびタイバーＬＥｉが露出した状態となっている。
【０１２８】
ここで、前述した実施の形態１と同様に、樹脂封止体ＭＯは、リードフレームＬＥの上面の全領域には形成されず、複数のデバイス領域ＬＥｊからなる製品領域ＤＩと製品外領域ＤＯ（図３８にハッチングで示す領域）の一部とを封止するように形成される。従って、リードフレームＬＥの上面には、リードフレームＬＥの周縁から所定の距離を有する領域に樹脂封止体ＭＯは形成されていない。
【０１２９】
＜マーキング工程：図４６のＰ５工程＞
次に、図４０に示すように、レーザーを用いて樹脂封止体ＭＯの表面に製品の型名およびロットＮｏ．等を刻印する。
【０１３０】
＜個片ダイシング工程：図４６のＰ６工程＞
次に、図４１および図４２に示すように、樹脂封止体ＭＯとダイシングテープＤＴＣの上面とを対向させて、ダイシングテープＤＴＣの上面に、複数の半導体チップＳＣおよび複数の導電性ワイヤＣＷ等を封止した樹脂封止体ＭＯを有するリードフレームＬＥを固定する。ダイシングテープＤＴＣの周縁部には、環状のフレームＦＬＣが貼り付けられている。
【０１３１】
次に、ダイシングブレードＤＢＣを用いて、リードフレームＬＥの下面側から製品領域ＤＩのリードフレームＬＥおよび樹脂封止体ＭＯをスクライブ領域ＤＬＬ１に従って縦、横に切断し、製品領域ＤＩに形成された複数の半導体装置ＳＤ２を個々に切り分ける。さらに、製品外領域ＤＯのリードフレームＬＥおよび樹脂封止体ＭＯをスクライブ領域ＤＬＬ２に従って切断する。
【０１３２】
そして、図４３および図４４に示すように、複数のリードＬＥａおよび樹脂封止体ＭＯを切断して、複数の半導体装置ＳＤ２に個片化する。
【０１３３】
リードフレームＬＥおよび樹脂封止体ＭＯは複数の半導体装置ＳＤ２に個片化されるが、個片化された後も複数の半導体装置ＳＤ２はダイシングテープＤＴＣを介して固定されているため、整列した状態を維持している。
【０１３４】
ここで、前述した実施の形態１と同様に、樹脂封止体ＭＯが形成されたリードフレームＬＥには、製品領域ＤＩに設けられたスクライブ領域ＤＬＬ１と、製品外領域ＤＯに設けられたスクライブ領域ＤＬＬ２とがあり、製品領域ＤＩに設けられたスクライブ領域ＤＬＬ１および製品外領域ＤＯに設けられたスクライブ領域ＤＬＬ２に従って、リードフレームＬＥおよび樹脂封止体ＭＯは切断される。
【０１３５】
次に、ダイシングテープＤＴＣの下面側から紫外線を照射して接着層を硬化させて、接着層の接着力を低下させる。これにより、各半導体装置ＳＤ２がダイシングテープＤＴＣから剥がれやすくなる。
【０１３６】
＜製品収納工程：図４６のＰ７工程＞
次に、図４５に示す突き上げステージＳＴを用いて、半導体装置ＳＤ２をダイシングテープＤＴＣから剥離する。
【０１３７】
真空引きをした状態で、突き上げステージＳＴの下面ＳＴｙ側から上面ＳＴｘ側へ突き上げピンＳＰを突き上げて、１つの半導体装置ＳＤ２をダイシングテープＤＴＣから剥離する。
【０１３８】
この際、半導体装置ＳＤ２が貼り付けられていたダイシングテープＤＴＣの部分が、突き上げステージＳＴの上面ＳＴｘから持ち上がるため、半導体装置ＳＤ２の周囲のダイシングテープＤＴＣも伸びて持ち上がる。
【０１３９】
しかし、突き上げピンＳＰによって突き上げられた半導体装置ＳＤ２の隣りに、他の半導体装置ＳＤ２が在る箇所（図４５に示すＥ部）では、隣りの他の半導体装置ＳＤ２の重みによってダイシングテープＤＴＣが突き上げステージＳＴに真空吸着された状態が保持されるので、ダイシングテープＤＴＣが張ってしまうことを抑えることができる。これにより、隣りの他の半導体装置ＳＤ２が貼り付けられているダイシングテープＤＴＣの部分は、突き上げステージＳＴの上面から持ち上がらない。
【０１４０】
また、突き上げピンＳＰによって突き上げられた半導体装置ＳＤ２の隣りに、スクライブラインが形成された製品外領域ＤＯの樹脂封止体ＭＯが在る箇所（図４５に示すＦ部）では、スクライブラインによって複数に切断（分割）された樹脂封止体ＭＯによってダイシングテープＤＴＣが伸びた部分の形状を円弧を有するような形状とすることができる。これにより、ダイシングテープＤＴＣが張ってしまうことを抑えることができる。
【０１４１】
従って、突き上げピンＳＰにより半導体装置ＳＤ２を突き上げた時に半導体装置ＳＤ２の周囲のダイシングテープＤＴＣが伸びても、真空漏れが抑えられるので、ダイシングテープＤＴＣを安定して真空引きすることができる。その結果、半導体装置ＳＤ２をダイシングテープＤＴＣから確実に剥がすことができる。
【０１４２】
その後、半導体装置ＳＤ２の樹脂封止体ＭＯが形成された面とは反対側の面をコレットによって吸着、保持した後、半導体装置ＳＤ２をダイシングテープＤＴＣからピックアップする。ダイシングテープＤＴＣの正常な真空引きおよび接着層の接着力の低下により、半導体装置ＳＤ２はダイシングテープＤＴＣから剥がれて、確実にピックアップすることができる。続いて、ピックアップされた半導体装置ＳＤ２を搬送し、収納する。
【０１４３】
このように、実施の形態２によれば、ＱＦＮにおいても実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【０１４４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１４５】
ＢＦ  接着剤（ダイボンド材）
ＢＬ  ボンディンリード（電極パッド、外部端子）
ＢＰ  ボンディングパッド（電極パッド、表面電極）
ＢＲ  バンプランド（電極パッド）
ＣＡ  チップ領域
ＣＯ  コレット
ＣＶＩ  導電性部材
ＣＷ  導電性ワイヤ（導電性部材）
ＤＢＣ，ＤＢＷ  ダイシングブレード
ＤＩ  製品領域（有効領域）
ＤＩａ  製品部（チップ搭載部）
ＤＬＣ１，ＤＬＣ２  スクライブ領域
ＤＬＬ１，ＤＬＬ２  スクライブ領域
ＤＬＷ  スクライブ領域
ＤＯ  製品外領域（無効領域、耳部）
ＤＴＣ，ＤＴＷ  ダイシングテープ
ＦＬＣ，ＦＬＷ  フレーム
Ｈ１〜Ｈ２６  スクライブ領域
ＩＳｘ，ＩＳｙ  絶縁層
Ｌ１  第１辺
Ｌ２  第２辺
ＬＥ  リードフレーム（配線部材）
ＬＥａ  リード（外部端子）
ＬＥａｄ  切断面
ＬＥｄ  ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
ＬＥｇ  吊りリード
ＬＥｇｄ  切断面
ＬＥｉ  タイバー
ＬＥｊ  デバイス領域
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４  配線層
ＭＯ  樹脂封止体（封止体）
ＭＯｘ  上面
ＭＯｙ  下面
ＭＯｓ  側面
ＭＳ  配線基板（配線部材）
ＭＳａ  コア材
ＭＳｘ  上面（表面）
ＭＳｙ  下面（裏面）
Ｐ１〜Ｐ７  スクライブ領域
ＰＢ  半田ボール（外部端子）
ＰＯ  ポケット
ＰＳｘ，ＰＳｙ  保護膜
ＳＣ  半導体チップ
ＳＤ１，ＳＤ２  半導体装置
ＳＨ  突き上げピン用の穴
ＳＬ  スリット
ＳＭ  溝
ＳＰ  突き上げピン
ＳＴ  突き上げステージ
ＳＴｘ  上面
ＳＴｙ  下面
ＳＷ  半導体ウエハ
ＴＲ  収納トレイ
ＶＩａ  貫通孔（ビア）
ＶＩｂ  接続孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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