(57)【要約】【課題】本発明の課題は、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターン形成用のレジスト層の薄膜化装置において、緩慢で不均一な液流が原因で発生する、基板面内において、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができる、レジスト層の薄膜化装置を提供することである。【解決手段】薄膜化処理液によってレジスト層中の光架橋性樹脂成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液を供給するためのミセル除去液供給スプレーを有し、ミセル除去液スプレーが単一方向を向いていることを特徴とするレジスト層の薄膜化装置によって課題を解決できる。【選択図】図９
2014187352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜化処理液によってレジスト層中の光架橋性樹脂成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、
ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液を供給するためのミセル除去液供給スプレーを有し、
ミセル除去液スプレーが単一方向を向いていることを特徴とするレジスト層の薄膜化装置。
【請求項２】
ミセル除去液スプレーの噴射方向の下流側にミセル除去液回収用のドレンポケットが設置されている請求項１記載のレジスト層の薄膜化装置。
【請求項３】
ミセル除去液回収用のドレンポケットが、ミセル除去処理ユニットにおける搬送方向に対して最前列と最後列のミセル除去液スプレーの噴射方向の下流側に設置されている請求項２記載のレジスト層の薄膜化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト層の薄膜化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気及び電子部品の小型化、軽量化、多機能化に伴い、回路形成用のドライフィルムレジスト、ソルダーレジストをはじめとする感光性樹脂（感光性材料）には、プリント配線板の高密度化に対応するために、高解像度が要求されている。これらの感光性樹脂による画像形成は、感光性樹脂を露光後、現像することによって行われる。
【０００３】
プリント配線板の小型化、高機能化に対応するため、感光性樹脂が薄膜化される傾向がある。感光性樹脂には、液を塗布して使用するタイプのもの（液状レジスト）とドライフィルムタイプのもの（ドライフィルムレジスト）がある。最近では１５μｍ以下の厚みのドライフィルムレジストが開発され、製品化も進んでいる。しかし、このような薄いドライフィルムレジストでは、従来の厚さのレジストに比べて、密着性及び凹凸への追従性が不十分となり、剥がれやボイドなどが発生する問題があった。
【０００４】
また、ドライフィルムにて高解像度化を達成する方法としては、露光前に、感光性樹脂に備えられた支持フィルムを剥離し、支持フィルムを介さずに露光する方法がある。この場合、感光性樹脂にフォトツール（フォトマスク）を直接密着させる場合もある。しかしながら、感光性樹脂は、通常、ある程度の粘着性を有しているため、フォトツールを感光性樹脂に直接密着させて露光を行う場合、密着させたフォトツールの除去が困難となる。また、感光性樹脂によりフォトツールが汚染されたり、支持フィルムを剥離することにより感光性樹脂が大気中の酸素に曝されたりして、光感度が低下しやすくなる。
【０００５】
上述の点を改善するために、厚い感光性樹脂を使用しながら、高解像度が達成できる種々の手段が提案されている。例えば、サブトラクティブ法によって導電パターンを作製する方法において、絶縁層の片面又は両面に金属層が設けられてなる積層基板上にドライフィルムレジストを貼り付けてレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次に、回路パターンの露光工程、現像工程、エッチング工程を行うことを特徴とする導電パターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ソルダーレジストパターンを形成する方法において、導電性パターンを有する回路基板上にソルダーレジストからなるレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次にパターン露光工程を行い、再度レジスト層の薄膜化工程を行うことを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献２及び３参照）。
【０００６】
また、特許文献４には、レジスト層が形成された基板を高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）してレジスト層の成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理ユニット、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理ユニット、表面を水で洗浄する水洗処理ユニット、水洗水を除去する乾燥処理ユニットの四つの処理ユニットを少なくとも含むレジスト層の薄膜化装置が開示されている。
【０００７】
レジスト層の薄膜化装置の一部について、図１に示した概略断面図を用いて説明する。薄膜化処理ユニット１１では、投入口７からレジスト層が形成された基板３が投入される。基板３は、搬送ロール４対によって、ディップ槽２中の薄膜化処理液１に浸漬した状態で搬送され、レジスト層の薄膜化処理が行われる。その後に、基板３は、ミセル除去処理ユニット１２に搬送される。ミセル除去処理ユニット１２では、搬送ロール４対によって搬送されてきた基板３に対し、ミセル除去液供給管２０を通じてミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２が供給される。基板３上のレジスト層は、薄膜化処理ユニット１１内部のディップ槽２において、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１によって、レジスト層の成分のミセルが薄膜化処理液１に対して一旦不溶化されている。その後、ミセル除去液スプレー２２によってミセルが除去されることで、レジスト層が薄膜化される。特許文献４には、「ミセル除去は、ミセル除去液スプレー２２によって一挙に行うことが重要であり、一定以上の水圧と流量の条件で速やかに行うことが好ましい」との記述がある。
【０００８】
従来の各種の液処理方法及び装置において、スプレーを使用した液供給方法としては、固定式又は揺動式のスプレーノズルから基板表面に対して垂直に液を噴射する方法、首振り式のスプレーノズルによって基板表面に液の到達角度を絶えず変化させながら、液を噴射する方法等が一般的である。これら従来の液供給方法では、基板上の液流が緩慢で不均一になりやすい。そのため、これらの液供給方法でレジスト層の薄膜化工程におけるミセル除去処理を行った場合には、ミセル除去が不均一となり、レジスト層の薄膜化処理量が不均一になる場合があった。
【０００９】
このような問題を解決するために、特許文献５には、スプレーノズルを基板搬送方向に対して直角の幅方向に傾斜させ、その傾斜角度が３０〜７０度の範囲であることで、基板上のミセル除去液の液流を改善した薄膜化方法が開示されている。しかしながら、特許文献５には、スプレーノズルの傾斜角度は記載されているものの、スプレーノズルの向きに関する記載はない。そのため、角度を調整しただけでは、基板搬送方向に対して直交する右向きと左向きのミセル除去液の流れが発生する場合があり、依然として基板上のミセル除去液の液流が緩慢で不均一であり、レジスト層の薄膜化量が不均一になる場合があった。
【００１０】
また、図１に示したレジスト層の薄膜化装置では、薄膜化処理ユニット１１内部のディップ槽２の出口ロール５対を通過した地点から、ミセル除去処理ユニット１２のミセル除去液スプレー２２によるミセル除去処理が開始されるまでの間に、１対の境界部の搬送ロール６対だけが存在する。図２は、レジスト層の薄膜化装置において、境界部の搬送ロール６対の拡大概略断面図である。境界部の搬送ロール６対を基板３が通過する際、基板３の厚み分だけ境界部の搬送ロール６対の上側ロールが持ち上げられて、下側ロールとの間に隙間２４ができる。ここで、境界部の搬送ロール６対を通過した地点から、ミセル除去液スプレー２２が基板３上のレジスト層表面に供給されると、ミセル除去液スプレー２２の液流は、レジスト層表面全体に広がり、境界部の搬送ロール６対の上側ロールと下側ロールの間にできた隙間２４を通じて薄膜化処理ユニット１１内に逆流する場合がある。基板３の厚みが大きい場合には、隙間２４も大きくなるため、逆流するミセル除去液の量が増える傾向がある。ミセル除去液１０が薄膜化処理ユニット１１内に逆流して、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１とミセル除去液１０が混合されると、薄膜化処理液１の濃度が低下し、薄膜化処理の処理ムラが発生しやすくなる場合があった。
【００１１】
このように、薄膜化されたレジスト層の厚みが不均一になって、薄膜化後のレジスト層に厚みの薄い部分があると、サブトラクティブ法における導電パターン形成では回路の断線の原因となり、ソルダーレジストのパターン形成では耐候性低下の原因となり、どちらも生産における歩留まりの低下につながるという問題があった。
【００１２】
さらに、図１に示したレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２内部の出口ロール３０対を通過した地点から、水洗処理ユニット３１の水洗液スプレー３７による水洗処理が開始されるまでの間に、１対の境界部の搬送ロール３３対だけが存在する。薄膜化処理ユニット１１とミセル除去処理ユニット１２の境界部の搬送ロール６対と同様に、境界部の搬送ロール３３対を基板３が通過する際、基板３の厚み分だけ境界部の搬送ロール３３対の上側ロールが持ち上げられて、下側ロールとの間に隙間ができる。この隙間を通じてミセル除去液スプレー２２が水洗処理ユニット３１内に流れ込むと、レジスト層の成分が溶解分散したミセル除去液１０によって水洗処理液３２が汚染され、薄膜化処理後の洗浄効率が低下する場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】国際公開第２００９／０９６４３８号パンフレット
【特許文献２】特開２０１１−１９２６９２号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／０４３２０１号パンフレット
【特許文献４】特開２０１２−２７２９９号公報
【特許文献５】特開２０１２−５９７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の課題は、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターン形成用のレジスト層の薄膜化装置において、緩慢で不均一な液流が原因で発生する、基板面内において、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができる、レジスト層の薄膜化装置を提供することである。
【００１５】
また、ミセル除去液が薄膜化処理ユニットに逆流し、薄膜化処理液と混ざって薄膜化処理液の濃度が低下することを防止し、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供することである。
【００１６】
さらに、ミセル除去液が水洗処理ユニットに流れ込み、レジスト層の成分が溶解分散したミセル除去液によって水洗処理液が汚染され、薄膜化処理後の洗浄効率が低下する問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らは、下記発明によって、これらの課題を解決できることを見出した。
【００１８】
（１）薄膜化処理液によってレジスト層中の光架橋性樹脂成分をミセル化させる薄膜化処理ユニットと、ミセル除去液によってミセルを除去するミセル除去処理ユニットとを備えてなるレジスト層の薄膜化装置において、
ミセル除去処理ユニットが、ミセル除去液を供給するためのミセル除去液供給スプレーを有し、
ミセル除去液スプレーが単一方向を向いていることを特徴とするレジスト層の薄膜化装置。
【００１９】
（２）ミセル除去液スプレーの噴射方向の下流側にミセル除去液回収用のドレンポケットが設置されている上記（１）記載のレジスト層の薄膜化装置。
（３）ミセル除去液回収用のドレンポケットが、ミセル除去処理ユニットにおける搬送方向に対して最前列と最後列のミセル除去液スプレーの噴射方向の下流側に設置されている上記（２）記載のレジスト層の薄膜化装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターン形成用のレジスト層の薄膜化装置において、緩慢で不均一な液流が原因で発生する、基板面内において、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができる、レジスト層の薄膜化装置を提供することができる。
【００２１】
また、ミセル除去液が薄膜化処理ユニットに逆流し、薄膜化処理液と混ざって薄膜化処理液の濃度が低下することを防止し、レジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供することができる。
【００２２】
さらに、ミセル除去液が水洗処理ユニットに流れ込み、レジスト層の成分が溶解分散したミセル除去液によって水洗処理液が汚染され、薄膜化処理後の洗浄効率が低下する問題を解決することができるレジスト層の薄膜化装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】レジスト層の薄膜化装置の一部を示す概略断面図である。
【図２】レジスト層の薄膜化装置において、境界部の搬送ロール対の拡大概略断面図である。
【図３】本発明のレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。
【図４】本発明のレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。
【図５】本発明のレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。
【図６】本発明のレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。
【図７】本発明のレジスト層の薄膜化装置の一例を示す概略図である。
【図８】本発明のレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液の液流の一例を示す概略図である。
【図９】本発明のレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図である。
【図１０】本発明のレジスト層の薄膜化装置において、ドレンポケットの配置例を示す概略図である。
【図１１】本発明のレジスト層の薄膜化装置において、ドレンポケットの一例を示す概略図である。
【図１２】本発明のレジスト層の薄膜化装置において、ドレンポケットの一例を示す概略図である。
【図１３】本発明外のレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図である。
【図１４】本発明外のレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図である。
【図１５】本発明外のレジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
＜薄膜化工程＞
本発明に係わる薄膜化処理液によるレジスト層の薄膜化工程とは、薄膜化処理液によってレジスト層中の成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする薄膜化処理、ミセル除去液スプレーによって一挙にミセルを溶解除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったレジスト層表面や残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理を含むこともできる。
【００２５】
＜薄膜化処理＞
薄膜化処理液による薄膜化処理は、パドル処理、スプレー処理、ブラッシング、スクレーピング等の方法を用いることもできるが、浸漬処理によって行われることが好ましい。浸漬処理では、レジスト層が形成された基板を薄膜化処理液に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）する。浸漬処理以外の処理方法は、アルカリ水溶液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にレジスト層表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。スプレー処理等を使用する場合には、気泡が発生しないように、スプレー圧をできるだけ小さくしなければならない。
【００２６】
本発明において、レジスト層形成後の厚みとレジスト層が薄膜化された量で、薄膜化された後のレジスト層の厚みが決定される。また、本発明では、０．０１〜５００μｍの範囲でレジスト層の薄膜化量を自由に調整することができる。
【００２７】
＜レジスト＞
レジストとしては、アルカリ現像型のレジストが使用できる。また、液状レジストであってもよく、ドライフィルムレジストであってもよく、高濃度のアルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって薄膜化でき、かつ、薄膜化処理液よりも低濃度のアルカリ水溶液である現像液によって現像できるレジストであればいかなるものでも使用できる。アルカリ現像型レジストは光架橋性樹脂成分を含む。光架橋性樹脂成分は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性化合物から選ばれる少なくとも１種を含有し、さらに、光重合開始剤等を含有してなる。また、エポキシ化合物、エポキシ樹脂、熱硬化剤、無機フィラー等を含有させてもよい。
【００２８】
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。アルカリ可溶性樹脂としては、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体（重合性単量体）を重合（ラジカル重合等）して得られたものであることが好ましい。これらのアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で用いても、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２９】
エチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン等のスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル；ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）アクリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸モノエステル；マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体；フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。
【００３０】
光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物；グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート；γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フタレート等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ＥＯ、ＰＯ変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、ＥＯ及びＰＯは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、ＰＯ変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３１】
光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン、Ｍｉｃｈｌｅｒ  ｋｅｔｏｎｅ）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパノン−１等の芳香族ケトン；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；１，２−オクタンジオン，１−［４−（フェニルチオ）−，２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）］、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−，１−（０−アセチルオキシム）等のオキシムエステル；オキシフェニル酢酸、２−［２−オキソ−２−フェニルアセトキシエトキシ］エチルエステル、オキシフェニル酢酸、２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルエステル等のオキシフェニル酢酸エステル；ビス（η５−２，４−シクロペンタジエン−１−イル）−ビス（２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピロール−１−イル）−フェニル）チタニウム等のチタノセン化合物；Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物、等が挙げられる。上記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対称な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは��独で用いてもよいし、２種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【００３２】
エポキシ化合物やエポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる場合がある。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸と反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型ソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。無機フィラーを使用する場合もあり、例えば、タルク、硫酸バリウム、シリカ等が挙げられる。
【００３３】
基板の表面にレジスト層を形成する方法は、いかなる方法でもよいが、例えば、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、浸漬法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法が挙げられる。ドライフィルムレジストの場合は、ラミネート法が好適に用いられる。
【００３４】
＜基板＞
基板としては、プリント配線板、リードフレーム用基板；プリント配線板やリードフレーム用基板を加工して得られる回路基板が挙げられる。
【００３５】
プリント配線板用基板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。
【００３６】
フレキシブル基板の絶縁層の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属層が設けられて積層基板となっており、可撓性が大きい。絶縁層の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁層上に金属層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に樹脂液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
【００３７】
リジッド基板は、紙基材又はガラス基材にエポキシ樹脂又はフェノール樹脂等を浸漬させた絶縁性基板を重ねて絶縁層とし、その片面もしくは両面に金属箔を載置し、加熱及び加圧により積層し、金属層が設けられた積層基板が挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント配線板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント配線板用基板の例は、「プリント回路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、１９８７年刊、日刊工業新聞社発刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット（Ｓｃａｒｌｅｔｔ）編、１９９２年刊、（株）近代化学社発刊）に記載されている。
【００３８】
リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
【００３９】
回路基板とは、絶縁性基板上に半導体チップ等の電子部品を接続するための接続パッドが形成された基板である。接続パッドは銅等の金属からなる。また、回路基板には、導体配線が形成されていてもよい。回路基板を作製する方法は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法では、例えば、上記のプリント配線板用基板にエッチングレジストパターンを形成し、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程を実施して回路基板が作製される。
【００４０】
＜薄膜化装置＞
図３〜図７は、本発明の薄膜化装置の一例を示す概略図であり、薄膜化装置を上方向から見た図である。本発明の薄膜化装置は、薄膜化処理液１によってレジスト層中の成分をミセル化させる薄膜化処理ユニット１１と、ミセル除去液スプレー２２によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２と水洗処理液スプレー３７によってレジスト層表面を洗浄する水洗処理ユニット３１とを備えてなるレジスト層の薄膜化装置である。
【００４１】
まず、従来技術における薄膜化装置と本発明の薄膜化装置において、共通する構造部分を図１を用いて説明する。薄膜化処理ユニット１１では、投入口７から投入されたレジスト層が形成された基板３が、搬送ロール４対によって、ディップ槽２中の薄膜化処理液１に浸漬された状態で搬送され、ディップ槽２の出口ロール５対を通過する。これらの処理によって、基板３上のレジスト層中の成分は薄膜化処理液１によってミセル化され、このミセルが薄膜化処理液１に対して不溶化される。
【００４２】
薄膜化処理液１は、薄膜化処理液貯蔵タンク１３中の薄膜化処理液吸込口１４から薄膜化処理液供給用ポンプ（図示せず）によって吸い込まれ、薄膜化処理液供給管１５を経てディップ槽２に供給される。ディップ槽２に供給された薄膜化処理液１は、オーバーフローし、薄膜化処理液回収管１６を通って薄膜化処理液貯蔵タンク１３に回収される。このようにして、薄膜化処理液１は、ディップ槽２と薄膜化処理貯蔵タンク１３との間を循環する。薄膜化処理液ドレン管１７からは、余剰分の薄膜化処理液１が排出される。
【００４３】
薄膜化処理液１として使用されるアルカリ水溶液に用いられるアルカリ性化合物としては、例えばリチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン、Ｃｈｏｌｉｎｅ）等の有機アルカリ性化合物が挙げられる。これらのアルカリ性化合物は、単独で用いてもよいし、混合物としても使用できる。薄膜化処理液１の媒体である水には、水道水、工業用水、純水等を用いることができるが、特に純水を使用することが好ましい。
【００４４】
アルカリ性化合物の含有量は、０．１質量％以上５０質量％以下で使用できる。また、レジスト層表面をより均一に薄膜化するために、薄膜化処理液１に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。
【００４５】
薄膜化処理液１のアルカリ性化合物としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物；ＴＭＡＨ、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物を好ましく使用することができる。これらのアルカリ性化合物は、単独で用いてもよいし、混合物としても使用できる。また、アルカリ性化合物の含有量が５〜２５質量％であるアルカリ水溶液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。アルカリ性化合物の含有量が５質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、アルカリ性化合物の析出が起こりやすくなる場合があり、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は７〜１７質量％がより好ましく、８〜１３質量％がさらに好ましい。薄膜化処理液１として使用されるアルカリ水溶液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。
【００４６】
薄膜化処理液１として使用されるアルカリ水溶液の温度は、１５〜３５℃が好ましく、さらに好ましくは２０〜３０℃である。温度が低すぎると、レジスト層へのアルカリ性化合物の浸透速度が遅くなる場合があり、所望の厚みを薄膜化するのに長時間を要する。一方、温度が高すぎると、レジスト層へのアルカリ性化合物の浸透と同時に溶解拡散が進行することにより、面内で膜厚ムラが発生しやすくなる場合がある。
【００４７】
ミセル除去処理ユニット１２では、薄膜化処理ユニット１１においてレジスト層が薄膜化処理液１に対して不溶化された基板３が搬送ロール４対によって搬送される。搬送されている基板３に対して、ミセル除去液スプレー２２によってミセル除去液１０が供給され、レジスト層の成分のミセルを一挙に溶解除去される。
【００４８】
ミセル除去液１０は、ミセル除去液貯蔵タンク１８中のミセル除去液吸込口１９からミセル除去液１０をミセル除去液供給用ポンプ（図示せず）で吸い込み、ミセル除去液供給管２０を経てミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２として噴射される。ミセル除去液スプレー２２は、基板３から流下した後、ミセル除去液貯蔵タンク１８に回収される。このようにして、ミセル除去液１０はミセル除去処理ユニット１２内を循環する。ミセル除去液ドレン管２３からは、余剰分のミセル除去液１０が排出される。
【００４９】
ミセル除去液１０としては、水を用いることもできるが、薄膜化処理液１よりも希薄なアルカリ性化合物を含有するｐＨ５〜１０の水溶液を用いることが好ましい。ミセル除去液１０によって、薄膜化処理液で不溶化されたレジスト層の成分のミセルが再分散されて除去される。ミセル除去液１０に使用される水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができるが、特に純水を使用することが好ましい。ミセル除去液１０のｐＨが５未満の場合、レジスト層の成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって、薄膜化後のレジスト層表面に付着する場合がある。一方、ミセル除去液１０のｐＨが１０を超えた場合、レジスト層が過度に溶解拡散し、面内で薄膜化されたレジスト層の厚みが不均一になり、処理ムラができる場合がある。また、ミセル除去液１０は、硫酸、リン酸、塩酸などを用いて、ｐＨを調整することができる。
【００５０】
ミセル除去処理におけるミセル除去液スプレー２２の条件（温度、スプレー圧、供給流量）は、薄膜化処理されるレジスト層の溶解速度に合わせて適宜調整される。具体的には、処理温度は１０〜５０℃が好ましく、より好ましくは１５〜３５℃である。また、スプレー圧は０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、より好ましくは０．１〜０．３ＭＰａである。ミセル除去液１０の供給流量は、レジスト層１ｃｍ２あたり０．０３０〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、０．０５０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがより好ましく、０．１０〜１．０Ｌ／ｍｉｎがさらに好ましい。供給流量がこの範囲であると、薄膜化後のレジスト層表面に不溶解成分を残すことなく、面内略均一に不溶化したレジスト層の成分のミセルを除去しやすい。レジスト層１ｃｍ２あたりの供給流量が０．０３０Ｌ／ｍｉｎ未満では、不溶化したレジスト層の成分の溶解不良が起こる場合がある。一方、供給流量が１．０Ｌ／ｍｉｎを超えると、供給のために必要なポンプ等の部品が巨大になり、大掛かりな装置が必要となる場合がある。さらに、１．０Ｌ／ｍｉｎを超えた供給量では、レジスト層の成分の溶解拡散に与える効果が変わらなくなることがある。
【００５１】
水洗処理ユニット３１では、ミセル除去処理ユニット１２において、レジスト層の成分のミセルが溶解除去された基板３が搬送ロール４対によって搬送される。搬送されている基板３に対して、水洗処理液スプレー３７によって水洗処理液３２が供給され、基板３が水洗処理される。
【００５２】
水洗処理ユニット３１では、ミセル除去処理後、さらに、除去しきれなかったレジスト層やレジスト層の表面に残存付着した薄膜化処理液及びミセル除去液を水洗処理によって洗い流す。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。水洗水としては、水道水、工業用水、純水等を用いることができる。このうち純水を使用することが好ましい。純水は、一般的に工業用に用いられるものを使用することができる。
【００５３】
本発明の薄膜化装置の特徴について、図面を用いて詳細に説明する。図３のレジスト層の薄膜化装置では、表面にレジスト層が形成された基板３を搬送する搬送ロール４対を有し、ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液１０を供給するためのミセル除去液供給スプレー２２が単一方向に傾斜された状態で設置されていることを特徴としている。図中の矢印４０は、ミセル除去液の流れ方向を示している。ミセル除去液スプレー２２の噴射位置を分かりやすくするために、本来設置されているべき上側のミセル除去液供給管２０及びミセル除去液用ノズル２１は図示していない。
【００５４】
本発明の特徴である「ミセル除去液スプレーが単一方向を向いている」ことによって、単一方向のミセル除去液の液流をレジスト層表面にスプレーしながらミセル除去処理を行うことについて説明する。図９は、本発明の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレー２２の配置例を示した概略図である。図９−１は、ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液スプレー２２の流れを薄膜化装置の上方向から見たときの状態図である。図９−２は、薄膜化装置の基板搬送方向の投入側から見たときのミセル除去液用ノズル２１の設置状態とミセル除去液スプレー２２の噴射状態を図示したものである。図中の矢印４４は、基板の搬送方向を示し、矢印４３はミセル除去液スプレーの噴射方向を示している。「単一方向のミセル除去液の液流によるミセル除去処理」とは、「基板３上を流れるミセル除去液１０がすべて単一の方向に流れている状態で行われるミセル除去処理」を指す。また、基板３上を流れるミセル除去液１０がすべて単一の方向に流れている状態を実現するためには、すべてのミセル除去液スプレー２２を同じ向きに傾ければよい。この状態は、搬送中の基板３を上方向から見た際に、すべてのミセル除去液スプレーの噴射方向４３が同じ方向を向くことになる（図９−１）。このように、すべてのミセル除去液スプレー２２を単一方向に傾けた状態でミセル除去処理を行うことにより、単一方向のミセル除去液１０の液流を基板３のレジスト層表面にスプレーすることができる（図９−２）。また、ミセル除去液スプレーの噴射方向４３は、ミセル除去処理を行うミセル除去処理ユニット１２の上流の設備（薄膜化処理ユニット１１）や下流の設備（水洗処理ユニット３１）にミセル除去液１０が流れ込むのを防ぐために、基板の搬送方向４４に直交する右向き又は左向きに統一して傾けるのが好ましい。これによって、ミセル除去液１０は、ミセル除去液スプレーの噴射方向４３の上流側から下流側（ミセル除去液の流れ方向４０）へ、単一方向に流れるため、緩慢で不均一な液流が原因で発生する基板３面内でレジスト層の薄膜化量が不均一になる問題を解決することができる。
【００５５】
ここで、ミセル除去処理ユニット１２において、より効率的に、ミセル除去液スプレーの噴射方向４３の上流側から下流側への単一方向の液流を作るため、基板３を搬送する搬送ロール４としてストレートタイプのロールを使用することが好ましい。ストレートタイプのロールは、表面に凹凸がなく、レジスト層表面に密着することが重要となる。レジスト層表面とストレートタイプのロールが密着しているため、ミセル除去液スプレー２２は、前後列の搬送ロール４間において無秩序に乱流となることなく、搬送ロール４に沿いながら、下流側まで多流量の直線的な液流を作ることができる。ストレートタイプのロールの種類としては、ゴムロール、スポンジロール、金属ロール、樹脂ロール等が挙げられる。その中でも、優れたゴム弾性（シール性、回復性）を有し、比重が小さく、軽量であり、低硬度から中硬度であり、レジスト層への接触による衝撃が少なく、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１への耐薬品性にも優れたオレフィン系熱可塑性エラストマーのロールが好ましい。オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、サーモラン（ＴＨＥＲＭＯＲＵＮ、登録商標）が挙げられる。
【００５６】
ミセル除去液スプレー２２を噴射するミセル除去液用ノズル２１のスプレーパターンは、充円錐タイプ、扇形タイプ、直線状タイプ、層状タイプ等から選ばれ、そのパターンに応じたスプレーノズルを使用することができる。スプレーパターンの流量分布の均一性の点では、均等分布の充円錐タイプや扇形タイプのスプレーノズルが好ましい。本発明におけるミセル除去スプレー２２は、単一方向の液流となることが重要であるため、ミセル除去液用ノズル２１が揺動式や首振り式ではなく、固定式のスプレーノズルであることが好ましい。そして、この固定式のスプレーノズルを単一方向に傾斜させて噴射させるのが好ましい。一方、揺動式や首振り式に対し、固定式のスプレーノズルでは、スプレーを万遍なく均一に噴射することが難しく、スプレーパターンが重ならない部分や緩衝する部分でスプレー圧力の強弱の分布ができやすい。このような点から、固定式のスプレーノズルを用いる場合には、広範囲に噴射できる均等分布の充円錐タイプのノズルを使用することが好ましく、スプレーパターンに応じて、ノズル間の距離及びレジスト層表面からの距離を適切に決めることが重要になる。また、固定式のスプレーノズルを用いる場合、スプレーパターンが常に均等になるように、スプレーノズルの傾斜角度は固定されていることが好ましい。固定する方法として、ミセル除去液用ノズル２１を所望の傾斜角度でミセル除去液供給管２０に直接取り付ければ、ミセル除去液用ノズル２１交換時に傾斜角度を調整する必要がなくなる。その他、ミセル除去液供給管２０に傾斜角度の調整が可能なアダプター（例えば、いけうち社製、商品名：ＵＴボールジョイント）を取り付けて、ミセル除去液用ノズル２１の傾斜角度を調整した後、固定する方法でもよい。
【００５７】
図４のレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、基板３の搬送方向に対して、ミセル除去液供給管２０のミセル除去液用ノズル２１の配置が、ミセル除去液供給管２０の前後列で千鳥位置になっていることを特徴としている。これによって、基板３の搬送方向の垂直方向におけるミセル除去液スプレー２２の噴射位置を均等化することができる。また、水洗処理ユニット３１においても同様に、基板３の搬送方向に対して、水洗処理液供給管３５の水洗処理液用ノズル３６の配置が、水洗処理液供給管３５の前後列で千鳥位置になっており、基板３の搬送方向の垂直方向における水洗処理液スプレー３７の噴射位置を均等化することができる。
【００５８】
図５のレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、基板３を搬送する搬送ロール対がリングタイプの搬送ロール４１対であることを特徴としている。リングタイプの搬送ロール４１を使用した場合、ミセル除去液スプレー２２が、前後列の搬送ロール４１間において、基板３の搬送方向にも多く拡散するようになる。そのため、図３及び図４に示したストレートタイプの搬送ロール４に比べて、多流量の直線的な液流が作りにくくなる。この欠点は、リングタイプの搬送ロール４１として、リングローラーの強度や耐久性を損なわない範囲で、ローラー断面がスポーク（ｓｐｏｋｅ）やメッシュ（ｍｅｓｈ）になっているもの、あるいは、貫通穴が開いているものを使用することによって、上流側から下流側への液流を一定量通過させることで解消することができる。そして、リングタイプの搬送ロール４１を使用した場合、基板３の搬送方向の垂直方向にリングローラーを一定の間隔で配置し、前後列の搬送ロール４１で、リングローラーの配置を千鳥位置にすれば、基板３の搬送方向に対して搬送ロール４１の間隔をリングローラーの直径以下にすることが可能となる。これによって、搬送中に基板３が落下するのを防止し、より板厚の薄い基板３の搬送が可能となるという利点がある。リングタイプのロールの種類としては、ゴムロール、スポンジロール、金属ロール、樹脂ロール等が挙げられる。その中でも、比重が小さく、軽量であり、レジスト層への接触による衝撃が少なく、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１への耐薬品性にも優れたポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリスチレン、硬質ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、フッ素樹脂（例えば、テフロン（ＴＥＦＬＯＮ、登録商標））等の他、オレフィン系熱可塑性エラストマーのロールを用いることができる。オレフィン系熱可塑性エラストマーとしては、サーモラン（ＴＨＥＲＭＯＲＵＮ、登録商標）が挙げられる。
【００５９】
図６のレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液の流れ方向４０の下流側における搬送ロールシャフトの軸受け側板３８の手前に、ミセル除去液１０を強制回収するためのドレンポケット３９が設置されていることを特徴としている。基板３の搬送方向に直交する向きに噴射されたミセル除去液スプレー２２は、図中の矢印で示されるミセル除去液の流れ方向４０に、液流となって流れ、下流側で基板３から流下し、下流側の搬送ロールシャフトの軸受け側板３８に衝突して四方八方に飛散する。ミセル除去液１０が飛散する程度は、液流の流量と流速に依存するが、薄膜化処理後のミセル除去処理では、液流の流量は多いほどよく、流速は速いほどよい。上述のような多流量の直線的なミセル除去液の流れ方向４０への液流が搬送ロールシャフトの軸受け側板３８に衝突し続けると、図８に示したように、飛散したミセル除去液１０は搬送ロールシャフトの軸受け側板３８に沿って液流となって流れる。図８において、矢印４２は、飛散したミセル除去液の流れ方向である。本発明に係わるドレンポケット３９は、矢印４０の液流だけでなく、このような搬送ロールシャフトの軸受け側板３８に沿って流れる矢印４２の液流も強制的に回収するためのものであり、これによって、ミセル除去処理ユニット１２の外部へミセル除去液１０が流れ込むことなく、ミセル除去液貯蔵タンク１８に回収され、ミセル除去液１０はミセル除去処理ユニット１２内を循環する。
【００６０】
図７のレジスト層の薄膜化装置では、ミセル除去処理ユニット１２において、ドレンポケット３９が、最前列と最後列のミセル除去液スプレー２２の噴射によるミセル除去液の流れ方向４０の下流側における搬送ロールシャフトの軸受け側板３８の手前に設置されていることを特徴としている。最前列のミセル除去液スプレー２２が薄膜化処理ユニット１１内に流れ込むと、薄膜化処理液１と混ざって、薄膜化処理液１のアルカリ性化合物濃度が低下し、レジスト層の成分のミセル化と同時に溶解拡散が起こり、面内において薄膜化処理量にばらつきが発生する場合がある。また、最後列のミセル除去液スプレー２２が水洗処理ユニット３１内に流れ込むと、レジスト層の成分が溶解分散したミセル除去液１０によって水洗処理液３２が汚染され、薄膜化処理後の洗浄効率が低下する場合がある。最前列と最後列のミセル除去液スプレー２２の噴射によるミセル除去液の流れ方向４０の下流側に設置されたドレンポケット３９によって、ミセル除去液１０がミセル除去処理ユニット１２の外部へ流れ込むのを防止することができる。
【００６１】
また、ミセル除去処理は、基板の搬送方向に対して、前列のミセル除去液スプレーからレジスト層表面にミセル除去液が供給され、レジスト層成分のミセルの溶解除去が一挙に進行する。つまり、前列と後列のミセル除去液スプレーによって溶解除去されるレジスト層成分の量は異なり、より前列のミセル除去液スプレーにおいて、溶解除去されたレジスト層の濃度がより高いミセル除去液となる。ここで、最前列のミセル除去液スプレーの噴射によるミセル除去液の流れ方向の下流側に設置されたドレンポケットで高濃度のミセル除去液を強制回収し、ミセル除去液貯蔵タンクに戻さずに、廃液として装置外に排出することによって、ミセル除去処理ユニット内で循環されるミセル除去液中のレジスト層成分濃度を低く維持することができる。
【００６２】
ドレンポケット３９の形状は、搬送ロールシャフトの軸受け側板３８に沿って液流となって流れる飛散したミセル除去液１０を強制回収できる形状であれば自由に決めることができる。例えば、図１１に示したように、搬送ロールシャフトの軸受け側板３８にミセル除去液スプレー２２の液流が衝突する位置において、その液流を受け止めて閉じ込めるボックス型構造であってもよい。または、図１２に示したように、ミセル除去液２２の液流を飛散させたくない方向だけに受け流すことができるコの字型構造であってもよい。さらに、Ｌ字型構造であってもよい。
【００６３】
ドレンポケット３９の材質としては、高濃度のアルカリ水溶液である薄膜化処理液１への耐薬品性のある各種材料を使用することができる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、硬質ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂（ＡＢＳ樹脂）、テフロン（登録商標）等の合成樹脂、ガラス繊維強化ポリプロピレン、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化プラスチック、チタン、ハステロイ（ＨＡＳＴＥＬＬＯＹ、登録商標）等の耐食性金属材料等を用いることができる。これらのうちでも、加工が容易であることから硬質ポリ塩化ビニル、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ）が好ましく用いられる。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００６５】
（実施例１）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００６６】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２とを備えてなるレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００６７】
図９−１（ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液スプレー２２を装置の上方向から見た場合の設置状態）及び図９−２（装置の基板搬送方向の上流側から見たときの設置状態）に示したように、ミセル除去処理ユニット１２において、すべてのミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して右側に４０度傾けて設置されている。すなわち、ミセル除去液スプレー２２はすべて単一方向を向いていて、図９−２において、基板に対する垂線４５とスプレーノズルの中心線４６によって形成される傾斜角度４７は４０度となる。
【００６８】
薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が３０秒になるように薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理ユニット１２で、ミセル除去液１０として、炭酸ナトリウムを含んだｐＨ＝８の水溶液（液温度２５℃）を用いて、ミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２を基板３に供給し、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。レジスト層１ｃｍ２あたりのミセル除去液の供給流量は０．２Ｌ／ｍｉｎであり、スプレー圧は０．２ＭＰａであった。その後、水洗処理及び乾燥処理を行った。
【００６９】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１３．０μｍであり、最小値は１１．０μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。
【００７０】
（実施例２）
図６に示したように、ミセル除去液の流れ方向４０の下流側における搬送ロールシャフトの軸受け側板３８の手前に、ミセル除去液１０を強制回収するためのドレンポケット３９（厚さ５ｍｍの透明アクリル樹脂板製）が設置されている以外は、実施例１と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。図１０は、レジスト層の薄膜化装置を基板搬送方向の上流側から見たときのドレンポケット３９の設置状態を示した概略図である。図１０に示したように、ミセル除去処理ユニット１２において、すべてのミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して右側に４０度傾けて設置されており、単一方向を向いている。ミセル除去液スプレー２２の下流側に設置されたボックス型構造のドレンポケット３９が、ミセル除去液スプレー２２からの液流を強制回収する。
【００７１】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１３．０μｍであり、最小値は１１．０μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。
【００７２】
（実施例３）
図７に示したように、ミセル除去処理ユニット１２において、最前列と最後列のミセル除去液スプレー２２の噴射によるミセル除去液の流れ方向４０の下流側における搬送ロールシャフトの軸受け側板３８の手前に、ミセル除去液１０を強制回収するためのドレンポケット３９（厚さ５ｍｍの透明アクリル樹脂板製）が設置されている以外は、実施例１と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。図１０に示したように、ミセル除去処理ユニット１２において、すべてのミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して右側に４０度傾けて設置されており、単一方向を向いている。ミセル除去液スプレー２２の下流側に設置されたボックス型構造のドレンポケット３９が、最前列と最後列のミセル除去液スプレー２２からの液流を強制回収する。
【００７３】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１３．０μｍであり、最小値は１１．０μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。
【００７４】
（実施例４〜６）
ミセル除去処理ユニット１２におけるミセル除去液のスプレー処理について、レジスト層１ｃｍ２あたりのミセル除去液の供給流量を１．０Ｌ／ｍｉｎ、スプレー圧を０．３ＭＰａとした以外は、実施例１〜３と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。
【００７５】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１２．５μｍであり、最小値は１１．５μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。
【００７６】
（実施例７）
連続して薄膜化を行った場合の安定性を調べるため、１０枚連続で処理を行った以外は、実施例４と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。
【００７７】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１５．０μｍであり、最小値は１１．０μｍであり、平均厚みは１３．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。ただし、レジスト層のない基板の銅表面に、薄膜化処理後の水洗不足に起因する銅の酸化（液焼け）が見られた。
【００７８】
（実施例８）
連続して薄膜化を行った場合の安定性を調べるため、１０枚連続で処理を行った以外は、実施例５と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。
【００７９】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１２．５μｍであり、最小値は１１．５μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。また、レジスト層のない基板の銅表面に、銅の酸化（液焼け）は見られなかった。
【００８０】
（実施例９）
連続薄膜化処理の安定性を調べるため、１０枚連続で処理を行った以外は実施例６と同じ方法でレジスト層を薄膜化した。
【００８１】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１２．５μｍであり、最小値は１１．５μｍであり、平均厚みは１２．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラのない平滑な薄膜化面であることが確認された。また、レジスト層のない基板の銅表面に、銅の酸化（液焼け）は見られなかった。
【００８２】
（比較例１）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００８３】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２とを備えてなるレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００８４】
図１３は、レジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図であり、基板の搬送方向の上流側から見たときのミセル除去液スプレー２２の設置状態を表している。ミセル除去処理ユニット１２において、すべてのミセル除去液スプレー２２が基板表面に対して垂直に設置されていて、基板に対する垂線４５とスプレーノズルの中心線４６が重なっている。
【００８５】
薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が３０秒になるように薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理ユニット１２で、ミセル除去液１０として、炭酸ナトリウムを含んだｐＨ＝８の水溶液（液温度２５℃）を用いて、ミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２を基板３に供給し、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。レジスト層１ｃｍ２あたりのミセル除去液の供給流量は０．２Ｌ／ｍｉｎであり、スプレー圧は０．２ＭＰａであった。その後、水洗処理及び乾燥処理を行った。
【００８６】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１４．０μｍであり、最小値は８．０μｍであり、平均厚みは１１．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、ミセル除去液スプレー２２の設置間隔と同じ位置に、ミセル除去液１０の液流の悪さが原因となって発生したと見られる処理ムラが発生していた。
【００８７】
（比較例２）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００８８】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２とを備えたレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００８９】
図１４は、レジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図である。図１４−１は、ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液スプレー２２の流れを薄膜化装置の上方向から見たときの状態図である。図１４−２は、薄膜化装置の基板搬送方向の投入側から見たときのミセル除去液用ノズル２１の設置状態とミセル除去液スプレー２２の噴射状態を図示したものである。ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液スプレー２２のうち、基板の搬送方向４４に対して右半分のミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して左側に４０度傾けて設置されている。また、基板の搬送方向４４に対して左半分のミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して右側に４０度傾けて設置されている。すなわち、図１４−２において、基板に対する垂線４５とスプレーノズルの中心線４６によって形成される傾斜角度４７は４０度であり、ミセル除去液スプレー２２は、基板の搬送方向４４に対して直交する方向において中心を向くように傾いている。
【００９０】
薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が３０秒になるように薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理ユニット１２で、ミセル除去液１０として、炭酸ナトリウムを含んだｐＨ＝８の水溶液（液温度２５℃）を用いて、ミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２を基板３に供給し、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。レジスト層１ｃｍ２あたりのミセル除去液の供給流量は０．２Ｌ／ｍｉｎであり、スプレー圧は０．２ＭＰａであった。その後、水洗処理及び乾燥処理を行った。
【００９１】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１４．０μｍであり、最小値は６．０μｍであり、平均厚みは９．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、基板の搬送方向に対して中央部と両端部でミセル除去液１０の液流の悪さが原因となって発生したと見られる処理ムラが発生していた。
【００９２】
（比較例３）
ガラス基材エポキシ樹脂基板（面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ  ＧＡＳ  ＣＨＥＭＩＣＡＬ  ＣＯＭＰＡＮＹ，  ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成社（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層を形成した。
【００９３】
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、ディップ槽２を備えた薄膜化処理ユニット１１とミセル除去液１０によってミセルを除去するミセル除去処理ユニット１２とを備えたレジスト層の薄膜化装置により、レジスト層を薄膜化した。
【００９４】
図１５は、レジスト層の薄膜化装置において、ミセル除去液スプレーの配置例を示す概略図であり、ミセル除去処理ユニット１２内部のミセル除去液スプレー２２の流れを薄膜化装置の上方向から見たときの状態図である。ミセル除去処理ユニット１２において、ミセル除去液スプレー２２のうち基板の搬送方向４４の上流側から奇数列のミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して左側に４０度傾けて設置され、基板の搬送方向４４の上流側から偶数列のミセル除去液スプレー２２が基板の搬送方向４４に対して右側に４０度傾けて設置されている。すなわち、図１５において、ミセル除去液スプレー２２は、基板の搬送方向４４に対して一列ずつ交互に左右方向に傾いている。
【００９５】
薄膜化処理液１（アルカリ水溶液）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、薄膜化処理ユニット１１のディップ槽２における浸漬処理時間が３０秒になるように薄膜化処理を行った。その後、ミセル除去処理ユニット１２で、ミセル除去液１０として、炭酸ナトリウムを含んだｐＨ＝８の水溶液（液温度２５℃）を用いて、ミセル除去液用ノズル２１からミセル除去液スプレー２２を基板３に供給し、不溶化したミセルを除去し、レジスト層を薄膜化した。レジスト層１ｃｍ２あたりのミセル除去液の供給流量は０．２Ｌ／ｍｉｎであり、スプレー圧は０．２ＭＰａであった。その後、水洗処理及び乾燥処理を行った。
【００９６】
水洗処理及び乾燥処理の後に、レジスト層の薄膜化部の厚みを１０点測定したところ、最大値は１４．０μｍであり、最小値は８．０μｍであり、平均厚みは１１．０μｍだった。また、薄膜化されたレジスト層の表面を光学顕微鏡で観察したところ、ミセル除去液スプレー２２の設置間隔と同じ位置に、ミセル除去液１０の液流の悪さが原因となって発生したと見られる処理ムラが発生していた。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明のレジスト層の薄膜化装置は、プリント配線板やリードフレームにおける回路基板の作製、又はフリップチップ接続用の接続パッドを備えたパッケージ基板の作製において、レジストパターンを形成させる用途に適用できる。
【符号の説明】
【００９８】
１  薄膜化処理液
２  ディップ槽
３  基板
４  搬送ロール
５  ディップ槽の出口ロール
６  境界部の搬送ロール（ストレートタイプ）
７  投入口
１０  ミセル除去液
１１  薄膜化処理ユニット
１２  ミセル除去処理ユニット
１３  薄膜化処理液貯蔵タンク
１４  薄膜化処理液吸込口
１５  薄膜化処理液供給管
１６  薄膜化処理液回収管
１７  薄膜化処理液ドレン管
１８  ミセル除去液貯蔵タンク
１９  ミセル除去液吸込口
２０  ミセル除去液供給管
２１  ミセル除去液用ノズル
２２  ミセル除去液スプレー（充円錐タイプ）
２３  ミセル除去液ドレン管
２４  隙間
３０  ミセル除去処理ユニットの出口ロール（ストレートタイプ）
３１  水洗処理ユニット
３２  水洗処理液
３３  境界部の搬送ロール
３４  水洗処理液吸込口
３５  水洗処理液供給管
３６  水洗処理液用ノズル
３７  水洗処理液スプレー（扇形タイプ）
３８  搬送ロールシャフトの軸受け側板
３９  ドレンポケット
４０  ミセル除去液の流れ方向
４１  搬送ロール（リングタイプ）
４２  飛散したミセル除去液の流れ方向
４３  スプレーの噴射方向
４４  基板の搬送方向
４５  基板に対する垂線
４６  スプレーノズルの中心線
４７  傾斜角度
【図１】
2014187352.tif 000003
【図２】
2014187352.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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