(57)【要約】【課題】ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。【解決手段】基板と、基板に形成された光導波路と、高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の両方において光導波路に沿って基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、高周波電気信号用相互作用部における凹部とＤＣバイアス用相互作用部における凹部とは略同じ深さで形成され、ＤＣバイアス用相互作用部には、バイアス電極が形成されたリッジ部の間の凹部に少なくとも１つの副リッジ部を設け、ＤＣバイアスの電気力線が当該副リッジ部を通過するようにした。【選択図】図２
2014142486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、
前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、
前記高周波電気信号用相互作用部と前記ＤＣバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、
前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記ＤＣバイアス用相互作用部における前記凹部とは、略同じ深さで形成され、
前記ＤＣバイアス用相互作用部では、前記リッジ部の上方に前記バイアス電極が形成され、当該バイアス電極が形成された前記リッジ部の間の前記凹部に少なくとも１つの副リッジ部を設けたことを特徴とする光変調器。
【請求項２】
前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記ＤＣバイアス用相互作用部における前記凹部とは、ドライエッチングにより同時に前記略同じ深さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
前記副リッジ部が存在することにより、前記ＤＣバイアス用相互作用部に印加する前記バイアス電圧値が前記副リッジ部が存在しない場合よりも低くなることを特徴とする請求項１または２に記載の光変調器。
【請求項４】
前記基板がｚ−カットＬＮ基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学効果を利用して、光導波路に入射した光を高周波電気信号で変調して光信号パルスとして出射し、ＲＦ駆動電圧とともにＤＣバイアス電圧が小さい光変調器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速、大容量の光通信システムが実用化されている。このような高速、大容量の光通信システムに組込むための高速、小型、低価格、かつ高安定な光変調器の開発が求められている。
【０００３】
このような要望に応える光変調器として、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3）のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板（以下、ＬＮ基板と略す）に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ光変調器と略す）がある。このＬＮ光変調器は、その優れたチャーピング特性から２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓの大容量光通信システムに適用されている。最近はさらに４０Ｇｂｉｔ／ｓの超大容量光通信システムにも適用が検討されている。
【０００４】
以下、従来、実用化され、又は提唱されてきたリチウムナイオベートの電気光学効果を利用したＬＮ光変調器について説明する。
【０００５】
（第１の従来技術）
特許文献１に開示された、ｚ−カットＬＮ基板を用いて構成した、いわゆるリッジ型ＬＮ光変調器を第１の従来技術の光変調器として図６に、その概略斜視図を示す。ここで、図７は図６の概略上面図であり、図８は図６と図７のＡ−Ａ´線における概略断面図である。
【０００６】
ｚ−カットＬＮ基板１上に光導波路３が形成されている。この光導波路３は、金属Ｔｉを１０５０℃で約１０時間熱拡散して形成した光導波路であり、マッハツェンダ干渉系（あるいは、マッハツェンダ光導波路）を構成している。したがって、光導波路３の電気信号と光が相互作用する部位（相互作用部と言う）には２本の相互作用光導波路３ａ、３ｂ、つまりマッハツェンダ光導波路の２本のアームが形成されている。
【０００７】
この光導波路３の上面にＳｉＯ2バッファ層２が形成され、このＳｉＯ2バッファ層２の上面に進行波電極４が形成されている。進行波電極４としては、１つの中心導体４ａと２つの接地導体４ｂ、４ｃを有するコプレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）を用いている。なお、通常、進行波電極４は貴金属材料であるＡｕにより形成されている。５はｚ−カットＬＮ基板１を用いて製作したＬＮ光変調器に特有の焦電効果に起因する温度ドリフトを抑圧するための導電層であり、通常はＳｉ導電層を用いる。中心導体４ａの幅は各種の値をとるが、多くの場合７μｍ程度であり、中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃの間のギャップも各種の値をとるが、１５μｍ〜６０μｍ程度であることが多い。なお、説明を簡単にするために、図６では図示した温度ドリフト抑圧のためのＳｉ導電層５を、図７や図８においては省略している。また、以下においてもＳｉ導電層５は省略して議論する。６は高周波電気信号（あるいは、マイクロ波）の給電線であり、高周波コネクタやマイクロ波線路である。７は高周波電気信号の出力線路であり、通常電気的終端が使われるが、高周波コネクタやマイクロ波線路でも良い。
【０００８】
また、図７のＩとして示された領域では中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃとを伝搬する高周波電気信号と２本の相互作用光導波路３ａ、３ｂを伝搬する光とが相互作用するので高周波電気信号用相互作用部（あるいは簡単に相互作用部）と呼ばれる。
【０００９】
この第１の従来技術では、図８に示すように、ｚ−カットＬＮ基板１をエッチングなどで掘り込むことにより、凹部９ａ、９ｂ、及び９ｃ（あるいは、リッジ部８ａ、８ｂとも言える）を形成している。
【００１０】
このリッジ構造を採ることにより、高周波電気信号（あるいは、マイクロ波）の実効屈折率（あるいは、マイクロ波実効屈折率）、特性インピーダンス、変調帯域、駆動電圧などにおいて優れた特性を実現することができる。なお、図８では凹部９ａ、９ｂ、及び９ｃの深さ（あるいはリッジ部８ａ、８ｂの高さ）を強調して描いているが、実際には数μｍ程度の深さであり、中心導体４ａや接地導体４ｂ、４ｃの厚みである数十μｍに比較すると、その値は小さい。
【００１１】
次に、この第１の従来技術であるＬＮ光変調器の動作について説明する。このＬＮ光変調器を動作させるには、中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃ間にＤＣバイアス電圧と高周波電気信号とを印加する必要がある。
【００１２】
図９に示す電圧−光出力特性はＬＮ光変調器の電圧−光出力特性であり、Ｖｂはその際のＤＣバイアス電圧である。この図９に示すように、通常、ＤＣバイアス電圧Ｖｂは光出力特性の山と底の中点に設定される。この第１の従来技術では、高周波電気信号と光とが相互作用する相互作用部ＩにＤＣバイアス電圧も印加するので、高周波電気信号の出力部に設ける不図示の電気的終端にコンデンサーを具備させることによりバイアスＴの機能を持たせる必要があり、構造が複雑となってしまう。
【００１３】
（第２の従来技術）
図１０は第２の従来技術の上面図であって、第１の従来技術において必要であったバイアスＴを無くすために、不図示の電気的終端を抵抗のみとし、ＤＣバイアスを新たに設けたＤＣバイアス部ＩＩに印加する構造とした、いわゆるバイアス分離型構造の光変調器である。この構造では、高周波電気信号が相互作用光導波路３ａ、３ｂと相互作用する高周波電気信号用相互作用部Ｉと、ＤＣバイアス電圧が相互作用光導波路３ａ、３ｂに印加されるＤＣバイアス用相互作用部ＩＩを具備している。その一例が特許文献２に開示されている。
【００１４】
図１０のＢ−Ｂ´線とＣ−Ｃ´線における断面図を、各々図１１（ａ）と（ｂ）に示す。ここで、４ａ´は中心導体、４ｂ´と４ｃ´は接地導体である。９ａ´、９ｂ´、及び９ｃ´はＤＣバイアス用相互作用部の凹部であり、リッジ部８ａ´、８ｂ´を形成している。１１ａと１１ｂはＤＣバイアス電極である。
【００１５】
ここで、図１０と図１１に示した第２の従来技術の問題点について考察する。これまで、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂとＤＣバイアス用相互作用部ＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´はドライエッチングにより同時に形成されて来た。そのため、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiとＤＣバイアス用相互作用部ＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨB´は同じ高さ、
Ｈi  ＝  ＨB´                  （１）
である。つまり、一般的には、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部の高さＨiとＤＣバイアス用相互作用部のリッジ部の高さＨB´とを同じ高さに設定することが、高周波電気信号の電圧（つまり、ＲＦ駆動電圧、あるいはＲＦＶπ）とＤＣバイアス電圧（あるいはＤＣＶπ）の面から最も好適であると考えられていた。
【００１６】
ところが、本出願人は詳細なシミュレーションの結果、一般に高周波電気信号用相互作用部Ｉに要求される最適リッジ部の高さＨi,optとＤＣバイアス用相互作用部ＩＩに要求される最適リッジ部の高さＨB,optとは異なっていることを見出した。従って、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiとＤＣバイアス用相互作用部ＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨBとを同じ高さに設定する第２の従来技術では、ＲＦＶπとＤＣＶπとを同時に低減することはできないことがわかった。
【００１７】
（第３の従来技術）
この問題を解決するために、本出願人は第３の従来技術（特許文献３）を提案した。図１２にその第３の従来技術の上面図を示す。また図１２のＢ−Ｂ´線とＤ−Ｄ´線における断面図を各々図１３（ａ）と（ｂ）に示す。第２の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部ＩとＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
【００１８】
高周波電気信号用相互作用部Ｉに対応する図１３（ａ）からわかるように、第１の従来技術や第２の従来技術と同様に、中心導体４ａ´と接地導体４ｂ´、４ｃ´とからなる進行波電極を伝搬する高周波電気信号の実効屈折率が高周波電気信号用相互作用光導波路３ｂを伝搬する光の等価屈折率に近くなるように、リッジ部８ａ、８ｂの高さＨiは従来技術と同じ高さに設定されている。
【００１９】
一方、図１３（ｂ）からわかるように、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩにおけるリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨBは高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiよりも低く設定されている。つまり、
Ｈi  ＞  ＨB                  （２）
としている。
【００２０】
次に、この第３の従来技術の原理について説明する。図１４には、図１３におけるリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨBを変数とした際のＤＣＶπを左縦軸に、またリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiを変数とした際のＲＦＶπを右縦軸にとったグラフを示す。図に示すように、ＤＣＶπが最小となるリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨB,optと、ＲＦＶπが最小となるリッジ部８ａ、８ｂの高さＨi,optとは値が異なり、（２）式が成り立っていることがわかる。
【００２１】
この第３の従来技術は、ＲＦＶπとＤＣＶπとを独立に制御できるので光変調器を高性能化する上で重要な技術となる。しかしながら、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩにおけるリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨBを高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiよりも低くする必要があるために、製作工程がやや複雑となる。
【００２２】
つまり、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´と高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂとを別々に形成する。あるいは、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´と高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂとを同時にドライエッチングにより形成しつつ、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩのリッジ部８ａ´、８ｂ´の形成が終わった時点で一旦ドライエッチングを停止する。そして再度フォトレジスト工程によりＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩをレジストでカバーした後にドライエッチングを再開して、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiがＤＣバイアス用相互作用部ＩＩＩにおけるリッジ部８ａ´、８ｂ´の高さＨBよりも高くなるようにドライエッチングを継続する。これにより、高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂを完成させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２３】
【特許文献１】特開平４−２８８５１８号公報
【特許文献２】特開２００８−１２２７８６号公報
【特許文献３】特開２０１２−１５５０４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
以上のように、従来技術では高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部のリッジ部の高さとを同じ高さに設定していたので、高周波電気信号の電圧とＤＣバイアス電圧とを同時に充分に低減することはできなかった。また、高周波電気信号の電圧とＤＣバイアス電圧とを同時に充分に低減するために、高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さとＤＣバイアス用相互作用部のリッジ部の高さを異ならしめる構造においては製作が複雑になるという問題があった。本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、簡単な製作工程により高周波電気信号の電圧とＤＣバイアス電圧とを同時に充分に低減した光変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の光変調器は、電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも２本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有し、前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、前記高周波電気信号用相互作用部と前記ＤＣバイアス用相互作用部の両方において前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成された凹部によりリッジ部をなす光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記ＤＣバイアス用相互作用部における前記凹部とは、略同じ深さで形成され、前記ＤＣバイアス用相互作用部では、前記リッジ部の上方に前記バイアス電極が形成され、当該バイアス電極が形成された前記リッジ部の間の前記凹部に少なくとも１つの副リッジ部を設けたことを特徴としている。
【００２６】
本発明の請求項２に記載の光変調器は、請求項１に記載の光変調器において、前記高周波電気信号用相互作用部における前記凹部と、前記ＤＣバイアス用相互作用部における前記凹部とは、ドライエッチングにより同時に前記略同じ深さで形成されることを特徴としている。
【００２７】
本発明の請求項３に記載の光変調器は、請求項１または２に記載の光変調器において、前記副リッジ部が存在することにより、前記ＤＣバイアス用相互作用部に印加する前記バイアス電圧値が前記副リッジ部が存在しない場合よりも低くなることを特徴としている。
【００２８】
本発明の請求項４に記載の光変調器は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光変調器において、前記基板がｚ−カットＬＮ基板であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る光変調器では、高周波電気信号用相互作用部のリッジ部とＤＣバイアス用相互作用部のリッジ部とを１回のドライエッチング工程により形成でき、かつ電気力線にとってＤＣバイアス用相互作用部のリッジ部を高周波電気信号用相互作用部のリッジ部の高さよりも等価的に低く感じるように設定できる。これを換言すると、高周波電気信号用相互作用部とＤＣバイアス用相互作用部の各々におけるリッジ部の高さを独立に制御できると表現できる。よって、高周波電気信号の電圧（ＲＦＶπ）を充分低くした場合においても、同時にＤＣバイアス電圧（ＤＣＶπ）を充分に低減することが可能となるという優れた利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施形態についての上面図
【図２】（ａ）図１のＢ−Ｂ´線における断面図、（Ｂ）図１のＥ−Ｅ´線における断面図
【図３】図２（ｂ）における電気力線の分布
【図４】図１３（ｂ）における電気力線の分布
【図５】本発明の効果を説明する図
【図６】第１の従来技術の光変調器についての概略構成を示す斜視図
【図７】第１の従来技術の光変調器についての概略構成を示す上面図
【図８】図７のＡ−Ａ´線における断面図
【図９】光変調器の動作原理を説明する図
【図１０】第２の従来技術の光変調器についての概略構成を示す上面図
【図１１】（ａ）図１０のＢ−Ｂ´線における断面図、（ｂ）図１０のＣ−Ｃ´線における断面図
【図１２】第３の従来技術の光変調器についての概略構成を示す上面図
【図１３】（ａ）図１２のＢ−Ｂ´線における断面図、（ｂ）図１２のＤ−Ｄ´線における断面図
【図１４】第３の従来技術の原理を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施形態について説明するが、図６から図１４に示した従来技術と同一の符号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一の符号を持つ機能部の説明を省略する。
【００３２】
（実施形態）
図１は本発明における実施形態の上面図である。図１のＢ−Ｂ´線とＥ−Ｅ´線における断面図を各々図２（ａ）と（ｂ）に示す。第２の従来技術や第３の従来技術と同様に、高周波電気信号用相互作用部ＩとＤＣバイアス用相互作用部ＩＶとを備えるバイアス分離型の光変調器である。
【００３３】
高周波電気信号用相互作用部Ｉに対応する図２（ａ）からわかるように、第１の従来技術から第３の従来技術と同様に、中心導体４ａ´と接地導体４ｂ´、４ｃ´とからなる進行波電極を伝搬する高周波電気信号の実効屈折率が高周波電気信号用相互作用光導波路３ｂを伝搬する光の等価屈折率に近くなるように、リッジ部８ａ、８ｂの高さＨiは従来技術と同じ高さに設定されている。
【００３４】
そして、本実施形態では、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＶにおけるリッジ部８ａ´´、８ｂ´´近傍に分布するＤＣバイアスの電気力線にとって、リッジ部８ａ´´、８ｂ´´の高さＨB´´が高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiよりも等価的に低くなるように、つまり電気力線にとって等価的に
Ｈi  ＞  ＨB                  （３）
と感じるように工夫をしている。
【００３５】
これを実現するために、図２（ｂ）に示すように、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＶの凹部である９ａ´´、９ｂ´´、９ｃ´´に新たなリッジ部８ｃ、８ｄ、８ｅ（副リッジ部）を形成している。
【００３６】
ここで、本実施形態では、図１２と図１３（ａ）、（ｂ）に示した第３の従来技術と異なり、ＤＣバイアス用相互作用部ＩＶにおけるリッジ部８ａ´´、８ｂ´´の高さＨB´´を高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂの高さＨiと同じ、つまり
Ｈi  ＝  ＨB´´                  （４）
で構成している。このことは、本実施形態ではＤＣバイアス用相互作用部ＩＶにおけるリッジ部８ａ´´、８ｂ´´と高周波電気信号用相互作用部Ｉのリッジ部８ａ、８ｂとを１回のドライエッチングで形成でき、本実施形態による光変調器の製作性に極めて優れることを意味している。
【００３７】
次に、図３と図４を用いて本発明の原理を説明する。図３は図２（ｂ）と同じ断面図であり、２００はＤＣバイアスの電気力線である。また、参考のために、図４には第３の従来技術である図１３（ｂ）と同じ断面図を示し、２０１はＤＣバイアスの電気力線を示している。
【００３８】
図４に示した第３の従来技術では、一部の電気力線２０１が適量のｚ−カットＬＮ基板１を通過するようにしてＤＣＶπが最も低くなるようにしていた。一方、本実施形態ではＤＣバイアス用相互作用部ＩＶに新たなリッジ部８ｃ、８ｄ、８ｅを設けることにより、ＤＣバイアスの電気力線２００に適度にｚ−カットＬＮ基板１を通過させ（つまり新たなリッジ部８ｃ、８ｄ、８ｅを通過させ）、その結果、ＤＣバイアスの電気力線２００と光導波路３ａ、３ｂを伝搬する不図示の導波光との相互作用の効率を高めてＤＣＶπを最も低くなるようにしている。つまり、第３の従来技術と本発明とは製作過程は異なるものの、得られる作用効果は同じであると言える。
【００３９】
図５は図２（ｂ）の新たに設けたリッジ８ｄ（あるいは、８ｃや８ｅ）の幅ＷRとリッジ間のギャップＧとの比Ｒ（Ｒ＝ＷR／Ｇ）を横軸に、ＤＣＶπを縦軸に示す。Ｒ＝０は図１０と図１１に示した第２の従来技術に、またＲ＝１はリッジ構造を有しない所謂プレーナ構造に対応する。図５からわかるように、ＲにはＤＣＶπが最も低くなる最適点Ｒoptがあることがわかる。
【００４０】
なお、新たに設けるリッジ部８ｃ、８ｄ、８ｅはＤＣバイアス電極１１ａや１１ｂの間にあるギャップの中間位置に来るように設定する必要はないことは言うまでもない。さらに、これらの新たなリッジ部８ｃ、８ｄ、８ｅは必ずしも全てが必要というわけではないし、逆に数を増やしても良い。
【００４１】
（各実施形態）
以上の説明では、分岐光導波路の例としてマッハツェンダ光導波路を用いたが、方向性結合器などその他の分岐合波型の光導波路にも本発明を適用可能であることは言うまでもない。また光導波路の形成法としてはＴｉ熱拡散法の他に、プロトン交換法など光導波路の各種形成法を適用できるし、バッファ層としてＡｌ2Ｏ3等のＳｉＯ2以外の各種材料も適用できる。
【００４２】
また、本発明はＤＣバイアス用相互作用部の電極構造に依存せず、ＣＰＷ構造や非対称コプレーナストリップ（ＡＣＰＳ）構造、あるいは対称コプレーナストリップ（ＣＰＳ）構造など、各種の電極構造について成り立つことはいうまでもない。
【００４３】
また、図１と図２においては、高周波電気信号用相互作用部におけるリッジ部のギャップとＤＣバイアス用相互作用部におけるリッジ部のギャップとを等しく図示しているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４４】
なお、本発明においては光導波路を形成した２つのリッジの間に新たにリッジを設けるものである。そのため、光導波路を形成したリッジ間の基板表面での距離が長くなっている。これにより、基板表面方向の抵抗が増したことになり、ＤＣドリフトが小さくなるという利点もある。
【符号の説明】
【００４５】
１：ｚ−カットＬＮ基板（ＬＮ基板）
２：ＳｉＯ2バッファ層（バッファ層）
３：マッハツェンダ光導波路（光導波路）
３ａ、３ｂ：マッハツェンダ光導波路を構成する相互作用光導波路
４：進行波電極
４ａ、４ａ´：中心導体
４ｂ、４ｂ´、４ｃ、４ｃ´：接地導体
５：Ｓｉ導電層
６：高周波電気信号給電線
７：高周波電気信号出力線
８ａ、８ａ´、８ａ´´、８ｂ、８ｂ´、８ｂ´´：リッジ部
８ｃ、８ｄ、８ｅ：新たなリッジ部（副リッジ部）
９ａ、９ａ´、９ａ´´、９ｂ、９ｂ´、９ｂ´´、９ｃ、９ｃ´、９ｃ´´：凹部
１１ａ、１１ｂ：ＤＣバイアス電極
Ｉ：高周波電気信号用相互作用部
ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ：ＤＣバイアス用相互作用部
【図１】
2014142486.tif 000003
【図２】
2014142486.tif 000004
【図３】
2014142486.tif 000005
【図４】
2014142486.tif 000006
【図５】
2014142486.tif 000007
【図６】
2014142486.tif 000008
【図７】
2014142486.tif 000009
【図８】
2014142486.tif 000010
【図９】
2014142486.tif 000011
【図１０】
2014142486.tif 000012
【図１１】
2014142486.tif 000013
【図１２】
2014142486.tif 000014
【図１３】
2014142486.tif 000015
【図１４】
2014142486.tif 000016