(57)【要約】【課題】  本発明は、多機能化した半導体部品を備えて、高速光信号の送受信を可能とする光半導体装置を実現する。【解決手段】  キャップとベースで構成される光半導体装置であって、ベースの外面から内面に貫通した複数の開口を有し、ベースの内面に端部が突出するリードとリードの側面を覆う絶縁体が各開口に挿入され、リードとベースが絶縁されている金属パッケージと、ベースの内面に裏面が接着され、表面に金属パターンが形成された絶縁フィルムと、ベース上または前記絶縁フィルム上に配置された半導体部品とを備え、絶縁フィルムが、リードの側面近傍まで開口をカバーしていることを特徴とする光半導体装置。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャップとベースとで構成され、前記キャップと前記ベースとの間に内部スペースを有する金属パッケージであって、
前記ベースの外面から内面に貫通した複数の開口に挿入され、前記スペースに端部が突出するリードと、
前記複数の開口のそれぞれに充填され前記リードの側面を覆う絶縁体と、
を有する金属パッケージと、
前記ベースの内面を覆い、前記リードの側面近傍まで前記絶縁体を覆う絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に配置された半導体部品と、
前記絶縁フィルム上において、前記半導体部品の周りに配置された受動部品と、
を備え、
前記半導体部品および前記受動部品の少なくともいずれか一方は、少なくともその一部が前記絶縁フィルムを介して前記絶縁体上に配置された光半導体装置。
【請求項２】
キャップとベースとで構成され、前記キャップと前記ベースとの間に内部スペースを有する金属パッケージであって、
前記ベースの外面から内面に貫通した複数の開口に挿入され、前記スペースに端部が突出するリードと、
前記複数の開口のそれぞれに充填され前記リードの側面を覆う絶縁体と、
を有する金属パッケージと、
前記ベースの内面上に配置された半導体部品と、
前記半導体部品が配置された部分を除く前記ベースの内面を覆い、前記リードの側面近傍まで前記絶縁体を覆う絶縁フィルムと、
前記絶縁フィルム上に配置された受動部品と、
を備え、
前記受動部品は、少なくともその一部が前記絶縁フィルムを介して前記絶縁体上に配置された光半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁フィルムは、前記ベースの内面とは反対側の表面に金属パターンを有し、
前記リードは、前記金属パターンを介して前記半導体部品に電気的に接続される請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁フィルムは、前記ベースの内面とは反対側の表面に金属パターンを有し、
前記金属パターンは、接地端子に電気的に接続される請求項１または２に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記受動部品は、前記金属パターン上に配置された請求項４記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体チップを金属パッケージに内蔵した光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光の送受信に使用される光半導体装置においては、半導体レーザーや発光ダイオード、フォトダイオード等の光半導体チップを金属パッケージ中に配置し、電気信号を外部に取り出すリードと光半導体チップを、金属パッケージ内において金属ワイヤで接続した構成を有する場合が多い。また、光半導体装置の金属パッケージとしては、光ファイバーとの接続が容易で、汎用性の高いＴＯ（Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ Ｏｕｔｌｉｎｅ）型パッケージが広く用いられている。
【０００３】
一方、近年のインターネット通信の需要増加に伴い、光ファイバー通信装置の高速化が図られている。光半導体装置においても、高速化に伴うＳ/Ｎ比の劣化を防ぎ高性能な光半導体素子を提供するために、光半導体チップと多機能を有する半導体部品を一つのパッケージに収容する技術が必要とされている。
【０００４】
特許文献１および２には、絶縁性のフレキシブル基板を用いて、複数の半導体部品を一つのパッケージに収容する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２３２５００号公報
【特許文献２】特開平１０−４５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の特許文献１および２に開示された従来技術は、光半導体装置に用いられるパッケージとは異なる大型パケージに適用される技術であり、本発明とは、目的または課題が相違するものである。以下、本発明が解決しようとする課題について、図を用いて説明する。
【０００７】
図１は、ＴＯ型パッケージを用いた光半導体装置１と光ファイバー４０の接続を示した模式図である。ＴＯ型パッケージは、ベース３とキャップ２で構成される。キャップ２には、光ファイバー４０との間で光の送受信を行うためのレンズ５が設けられている。ＴＯ型パッケージの内部には光半導体チップが配置され、ベース３の外面から内面に貫通して挿入されているリード４との間で、電気的に接続される。
【０００８】
図２は、光信号を受信して電気信号に変換する光半導体装置のＡ-Ａ断面（図１参照）を示す模式図である。ベース３内面の部品配置面３ｂには、サブマウント７上にボンディングされたフォトダイオードチップ６が設置されている。サブマウント７の表面には金属配線が設けられており、フォトダイオードチップ６との間で電気的に接続されている。また、部品配置面３ｂ上には、プリアンプ、ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）等の半導体部品８、およびキャパシタ、抵抗等のパッシブ部品９が配置されている。
【０００９】
サブマウント７上にボンディングされているフォトダイオード６は、半導体部品８またはパッシブ部品９を介して、金属ワイヤ１０によりリード４に接続されている。光ファイバー４０からフォトダイオード６に入射された光は、フォトダイオード６で電気信号に変換され、半導体部品８で増幅され、リード４により外部に取り出される。リード４は、ベース３の外面から部品配置面３ｂへ貫通して設けられた開口４ｂに挿入されている。また、リード４は、絶縁性のガラス焼結体１２により、ベース３と絶縁されている。
【００１０】
図３は、図１に示したＴＯ型パッケージの部品配置を示した模式図である。図１および図２には示していないリードを含めて、５本のリード４が、ベース３の部品配置面３ｂ内に配置されている。ベース３に設けられた５つの開口４ｂには、リード４と、リード４の周りを覆うガラス焼結体１２が封着されている。また、フォトダイオード６をボンディングしたサブマウント７と半導体部品８およびパッシブ部品９が配置され、金属ワイヤ１０により接続されている。
【００１１】
上記の光半導体装置において高速光信号を受信するためには、半導体部品８を多機能化した半導体部品に置き換え、複数の機能素子間を電気信号が伝わる際の損失を無くすことが有効である。多機能化した半導体部品をＴＯ型パッケージに収容する場合には、多機能化のためにチップサイズが拡大した半導体部品、および新たに必要となるパッシブ部品を配置することが必要となる。そこで、ベース３の部品配置面３ｂの限られたスペース内に、これらの部品を配置するスペースを確保することが問題となる。
【００１２】
小型のＴＯ型パッケージにおいては、部品配置面３ｂに占めるガラス焼結体１２が封着された開口４ｂの面積が占める割合が大きくなる。一方、ガラス焼結体１２の上には部品を配置できない。このため、部品配置のための実質的なスペースが限られている。また、多機能化した半導体部品を収納するために、新たな入力端子としてリード４の数を増やすような場合には、さらにスペースが減少することになる。
【００１３】
また、収容する部品数が増えることにより、金属ワイヤによる配線が複雑となり、金属ワイヤ間の交差が無い部品の配置をすることが困難となる問題も生ずる。
【００１４】
そこで、本発明は、上記の問題を解決し、多機能化した半導体部品を備えて、高速光信号の送受信を可能とした光半導体装置を実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明に係る光半導体装置は、キャップとベースとで構成され、前記キャップと前記ベースとの間に内部スペースを有する金属パッケージを備える。前記金属パッケージは、前記ベースの外面から内面に貫通した複数の開口に挿入され、前記スペースに端部が突出するリードと、前記複数の開口のそれぞれに充填され前記リードの側面を覆う絶縁体と、を有する。さらに、前記ベースの内面を覆い、前記リードの側面近傍まで前記絶縁体を覆う絶縁フィルムと、前記絶縁フィルム上に配置された半導体部品と、前記絶縁フィルム上において、前記半導体部品の周りに配置された受動部品と、を備える。前記半導体部品および前記受動部品の少なくともいずれか一方は、少なくともその一部が前記絶縁フィルムを介して前記絶縁体上に配置される。
【００１６】
また、本発明の別の態様では、光半導体装置は、キャップとベースとで構成され、前記キャップと前記ベースとの間に内部スペースを有する金属パッケージを備える。前記金属パッケージは、前記ベースの外面から内面に貫通した複数の開口に挿入され、前記スペースに端部が突出するリードと、前記複数の開口のそれぞれに充填され前記リードの側面を覆う絶縁体と、を有する。さらに、前記ベースの内面上に配置された半導体部品と、前記半導体部品が配置された部分を除く前記ベースの内面を覆い、前記リードの側面近傍まで前記絶縁体を覆う絶縁フィルムと、前記絶縁フィルム上に配置された受動部品と、を備える。前記受動部品は、少なくともその一部が前記絶縁フィルムを介して前記絶縁体上に配置される。
【００１７】
本発明によれば、絶縁フィルムによりリードの側面を覆う絶縁体がカバーされるので、ベースの内面において、部品を配置できるスペースが拡大される。これにより、チップサイズの大きな半導体部品や、複数のパッシブ部品の配置が可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る光半導体装置によれば、多機能化した半導体部品を備えて、高速光信号の送受信を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る光半導体装置と光ファイバーの接続を示した模式図である。
【図２】従来技術に係る光半導体装置のＡ-Ａ断面を示す模式図である。
【図３】従来技術に係る光半導体装置の部品配置を示した模式図である。
【図４】本発明に係る光半導体装置の部品配置を示した模式図である。
【図５】本発明に係る光半導体装置のＢ-Ｂ断面を示す模式図である。
【図６】本発明に係る光半導体装置のベースに絶縁フィルムを接着した状態を示す模式図である。
【図７】本発明に係る光半導体装置のＣ−Ｃ断面を示す模式図である。
【図８】本発明に係る光半導体装置の部品配置を示した模式図である。
【図９】本発明に係るインピーダンス整合のための計算モデルを示した模式図である。
【図１０】本発明に係る別の実施例を示す模式図である。
【図１１】本発明に係る光半導体装置のＤ-Ｄ断面を示す模式図である。
【図１２】本発明に係る別の実施例に使用される絶縁フィルムを示す模式図である。
【図１３】本発明に係る別の実施例に使用される絶縁フィルムを示す模式図である。
【図１４】本発明に係る別の実施例に使用される絶縁フィルムを示す模式図である。
【図１５】本発明に係る別の実施例に使用される絶縁フィルムを示す模式図である。
【図１６】本発明に係る別の実施例に使用される絶縁フィルムを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【００２１】
以下、本発明に係る好適な実施の形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２２】
図４は、本発明の光半導体装置に係るベース３内面の部品配置を示した模式図である。本発明においては、ベース３の部品配置面３ｂの全体を、絶縁フィルム１４がカバーしている。絶縁フィルム１４は、リード４の近傍までをカバーし、ガラス焼結体１２の大部分を覆っている。絶縁フィルム１４をベース３に接着する方法としては、樹脂系の接着剤を用いても良いし、導電ペーストで接着しても良い。また、後述するように、絶縁フィルム１４の接着面である裏面に金属パターンを形成し、ハンダによって接着することもできる。
【００２３】
図中に示すように、サブマウント７上にボンディングされたフォトダイオードチップ６、およびＴＩＡとＬＩＡ（Ｌｉｍｉｔｉｎｇ Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）の機能を有する半導体部品８ｂ、パッシブ部品９が、絶縁フィルム１４上に配置されている。フォトダイオードチップ６がボンディングされたサブマウント７も半導体部品であるが、以下の説明では区別して記載する。
【００２４】
本発明においては、ガラス焼結体１２が封着された開口４ｂの占める面積の大部分を、絶縁フィルム１４がカバーしている。これにより、部品配置が可能な領域が拡大し、多機能化しチップサイズの拡大した半導体部品８ｂおよび複数のパッシブ部品９の配置が可能となっている。
【００２５】
図５は、図４に示したベース３のＢ-Ｂ断面を模式的に示したものである。ベース３の部品配置面３ｂ上に絶縁フィルム１４が配置されている。リード４は、絶縁フィルム１４に設けられた開口１５を貫通して、絶縁フィルム１４の表面に端部を突出している。
【００２６】
本実施例において、開口１５の直径は約０．４ｍであり、リード４の直径は約０．２ｍｍである。したがって、リード４と開口１５の間に生じる隙間は約０．１ｍｍである。一方、ベース３に設けられた開口４ｂの直径は、約１．０ｍｍである。すなわち、直径０．２ｍｍのリード４と０．１ｍｍの隙間を除いた、開口４ｂの幅０．３ｍｍのドーナツ状の部分が、絶縁フィルム１４でカバーされている。
【００２７】
また、図５に示すように、半導体部品８ｂ、およびサブマウント７上にボンディングされたフォトダイオード６、パッシブ部品９が、絶縁フィルム１４上に配置されている。
【００２８】
図６は、金属パターン１７、１８を形成した絶縁フィルム１４を、ベース３の部品配置面３ｂに接着した状態を示す模式図である。図中の金属パターン１７はＧＮＤパターンであり、後述するスルーホール２１を介して裏面金属パターン２２およびベース３と電気的に接続されている。一方、金属パターン１８は、リード４と半導体部品８ｂの出力端子の間を配線するために設けられた配線パターンである。
【００２９】
図７は、図６に示したベース３のＣ−Ｃ断面を示した模式図である。ベース３の部品配置面３ｂ上に絶縁フィルム１４が接着されている。絶縁フィルム１４の裏面の全面に、裏面金属パターン２２が形成されている。ベース３の部品配置面３ｂと絶縁フィルム１４の裏面は、ハンダまたは導電ペーストで接着され、電気的に接続されている。ベース３の外面にはグランド端子２３が付設されており、光半導体装置の使用時には、ベース３および裏面金属パターン２２はグランド電位に保持される。
【００３０】
絶縁フィルム１４の表面に形成されたＧＮＤパターン１７は、スルーホール２１を介して裏面金属パターン２２と電気的に接続されている。したがって、光半導体装置の使用時に、ＧＮＤパターン１７はグランド電位となる。一方、絶縁フィルム１４の表面に形成された配線パターン１８と裏面金属パターン２２の間には、スルーホール２１は設けられていない。配線パターン１８は、絶縁フィルム１４を間に挟んで、裏面金属パターン２２に対向するマイクロストリップラインである。
【００３１】
絶縁フィルム１４の裏面全面に渡って裏面金属パターン２２を形成することにより、裏面全面がグランド電位に保持される。その結果、絶縁フィルム１４の表面に形成されるマイクロストリップラインの浮遊容量は、絶縁フィルム１４の厚さと誘電率で定まる一定の値となる。これにより、絶縁フィルム１４の表面に形成される電気回路の周波数特性が安定し、光半導体装置の性能が向上する。
【００３２】
図８は、図６に示した絶縁フィルム１４上に部品を配置し、金属ワイヤ１０で配線を行った状態を示す模式図である。サブマウント７上にボンディングされたフォトダイオード６と、半導体部品８ｂが配置されている。また、ＧＮＤパターン１７上にパッシブ部品９が配置され、リード４およびサブマウント７、半導体部品８ｂとの間を、金属ワイヤが接続している。これらの接続は、フォトダイオード６および半導体部品８ｂに対して、リード４から駆動電圧を供給するための配線である。
【００３３】
光ファイバーから光半導体装置に入射した光信号は、フォトダイオード６において電気信号に変換される。サブマウント７と半導体部品８ｂの間は、フォトダイオード６において変換した電気信号を半導体部品８ｂに伝達する金属ワイヤ１０により接続されている。半導体部品８ｂの信号出力端子８ｃと配線パターンの端部１８ａの間も、金属ワイヤ１０により接続されている。また、配線パターン１８の他方の端部１８ｂは、リード４に接続されている。
【００３４】
半導体部品８ｂの出力端子８ｃから出力される電気信号は、配線パターン１８を伝わり、リード４から外部へ出力される。この際に、配線パターン１８と半導体部品８ｂ、およびリード４との間において電気信号の反射を低減するために、インピーダンスの整合を取ることが可能である。これにより、電気信号の伝達損失を低減して、光半導体装置の性能を向上させることができる。
【００３５】
例えば、半導体部品８ｂをＴＩＡとＬＩＡの機能を備えた増幅器であるとすれば、その出力端子８ｃにおける特性インピーダンスは５０Ωに設計されている。したがって、配線パターンの端部１８ａにおいて、ストリップラインとしての特性インピーダンスが５０Ωとなるように配線パターン１８の形状を設計しておけば、インピーダンスの整合をとることができる。一方、リード４のインピーダンスは約３５Ωであるから、他方の端点１８ｂにおいて配線パターン１８の特性インピーダンスが３５Ωとなるように形状の設計をしておけば良い。
【００３６】
図９は、インピーダンスの計算に用いたモデルを示した模式図である。絶縁フィルム１４の表面に線幅Ｗの配線パターン（マイクロストリップライン）１８が配置され、裏面の全面に裏面金属パターン２２が設けられている。マイクロストリップライン１８の長さは、無限として計算する。
【００３７】
図９に示したモデルを用いてシュミレーションした結果を表１に示す。絶縁フィルム１４の厚さは５０μｍとし、誘電率はポリイミドフィルムの３．２を用いている。特性インピーダンスＺ（Ω）が、３５Ω、５０Ωとなるマイクロストリップライン１８の線幅Ｗは、それぞれ０．１８ｍｍと０．１ｍｍである。この結果より、リード４側の配線パターン１８の幅を０．１８ｍｍとし、半導体素子８ｂ（増幅器）側の配線パターン１８の幅を０．１ｍｍとすれば、インピーダンス整合が取れることがわかる。
【表１】
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【００３８】
上記のインピーダンス整合は、図８に示す２つの配線パターン１８の両方において実施される。
【００３９】
また、図８に示す部品配置において、電気信号が伝達されるサブマウント７と半導体部品８ｂの間の配線、および半導体部品８ｂと配線パターン１８の間の配線、配線パターン１８とリード４の間の配線を形成する金属ワイヤ１０を短くする必要がある。金属ワイヤ１０が長くなると、その部分の特性インピーダンスが大きくなり電気信号の伝達損失が増える。また、部品間をつなぐ金属ワイヤのループ形状が区々となり、特性インピーダンスのバラツキが大きくなるために、高周波帯域における光半導体装置の性能が安定しないという問題を生じる。
【００４０】
本発明によれば、部品配置の自由度が大きいので、サブマウント７と半導体部品８ｂを、常に近接して配置することが可能となり、上記の問題を避けることができる。また、配線パターン１８を介在させることにより、配線パターン１８の端部１８ａと半導体部品８ｂの間、および配線パターン１８の他方の端部１８ｂとリード４の間を、短い金属ワイヤでつなぐことが可能となる。
【００４１】
半導体部品８ｂの出力端子８ｃとリード４の間を金属ワイヤ１０で直接接続する従来技術では、金属ワイヤ１０を短くするために、半導体部品８ｂの出力端子とリード４を近接して配置する必要があった。このためには、リード４の配置と半導体部品８ｂの配置位置を考慮して設計した高価な専用部品を使用しなければならなかった。一方、本発明においては、半導体部品８ｂに合わせて配線パターン１８を変更することで問題を回避でき、汎用部品の使用が可能となる。
【００４２】
図１０は、本発明の別の態様を示す模式図である。図中に示した符号に係る要素で、前述の図８と共通するものは説明を省略する。また、ＧＮＤパターン１７上に配置されるべきパッシブ部品９の表示も省略している。
【００４３】
ベース３の部品配置面３ｂ上に接着される絶縁フィルム１４は、本実施例の場合、２つの絶縁フィルム１４ａ、１４ｂを積層した多層フィルムである。絶縁フィルム１４ａと１４ｂの界面には、層間配線２５が設けられる。絶縁フィルム１４ｂの表面に形成された金属パターン２６と２７を接続する層間配線２５を、図中に破線で示している。
【００４４】
本実施例の半導体部品８ｂは汎用部品であり、電圧供給端子は図中３１で示した位置にある。一方、駆動電圧は、図中に示したリード４ｃから供給される。このような場合に、絶縁フィルム１４ｂの表面に配線パターンを形成しようとしても、サブマウント７または半導体部品８ｂが障害となって、適当なパターンを形成することができない。また、金属ワイヤにより接続するにしても、やはりサブマウント７または半導体部品８ｂが障害となる。そこで、多層フィルム中に設けられた層間配線２５を用いて配線することにより、問題を解決することができる。
【００４５】
図１１は、図１０に示した実施例におけるベース３のＤ-Ｄ断面を示した模式図である。ベース３の部品配置面３ｂ上に、絶縁フィルム１４ａ、１４ｂを積層した多層フィルム１４が配置されている。多層フィルム１４の裏面には、裏面金属パターン２２が設けられており、ハンダまたは導電ペーストを用いてベース３に接着されている。また、絶縁フィルム１４ａと１４ｂの界面には、層間配線２５が設けられており、絶縁フィルム１４ｂの表面に形成された金属パターン２６および２７と、スルーホール２１を介して電気的に接続されている。
【００４６】
さらに、金属パターン２６上にはパッシブ部品９が配置されている。（この場合のパッシブ部品９は、抵抗である。）パッシブ部品９は、金属ワイヤ１０によりリード４ｃと接続されている。一方、金属パターン２７は、金属ワイヤ１０により半導体部品８ｂの電圧供給端子３１と接続されている。これにより、サブマウント７または半導体部品８ｂの配置にかかわらず、リード４ｃと半導体部品８ｂの電圧供給端子３１との接続が可能となっている。
【００４７】
図１２〜１５は、本発明の別の実施例に使用される絶縁フィルム１４を示した模式図である。図中に示した符号に係る要素であって、前述の実施例と共通するものは説明を省略する。
【００４８】
図１２は、図６に示した絶縁フィルム１４に加えて、半導体部品８ｂを配置する部分に開口３２を設けたものである。開口３２は、半導体部品８ｂの外形よりひと回り大きく、ベース３の部品配置面３ｂに半導体部品８ｂを直接ボンディングするために設けられている。このような絶縁フィルム１４を用いるのは、半導体部品８ｂの裏面をグランド電位とする必要があり、さらにグランド電位の変動に半導体部品８ｂの性能が影響を受け易い場合である。
【００４９】
図１３は、フォトダイオード６をボンディングしたサブマウント７と、半導体部品８ｂの両方を、ベース３の部品配置面３ｂにボンディングするための開口３３を設けた絶縁フィルム１４の模式図である。フォトダイオード６の端子を接続するグランド電位と、半導体部品８ｂの裏面のグランド電位との間に電位差が生じることが原因となり光半導体装置の性能が変動するような場合に、フォトダイオード６の端子と半導体部品８ｂの裏面を同じグランド電位に保持することを目的として、図１３に示す絶縁フィルム１４を使用する。
【００５０】
図１４は、絶縁フィルム１４の表面に配線パターン１８および３５が設けられた絶縁フィルム１４を示す模式図である。配線パターン３５を用いて複数の部品間の配線を行う目的で使用される。図中に破線で示すように、半導体部品に対するパッシブ部品９の相互配置が離れて、金属ワイヤの配線長が長くなる場合や、部品の数が増える場合に有効である。
【００５１】
図１５は、位置合せマーク３７を配置した絶縁フィルム１４を示す模式図である。部品の配置や金属ワイヤのボンディングを、自動機を使用して実施する場合の位置合せの目当てとなる位置合せマーク３７が配置されている。
【００５２】
図１６は、半導体部品８ｂとリード４を配線する配線パターン１８のみを使用する実施例に係る絶縁フィルム１４を示している。半導体部品８ｂおよびリード４と配線パターン１８の間を短い金属ワイヤ１０で配線し、半導体部品８ｂおよびリード４と配線パターン１８の間においてインピーダンスの整合を取ることにより所望の性能が得られる場合に、簡便に使用することができる。
【００５３】
本発明に係る絶縁フィルム１４の材料としては、ポリイミドフィルム、ＬＰＣ（液晶ポリマー）フィルム等が使用できる。ＬＰＣフィルムは、高周波信号の誘電損失が少ないので、高周波帯域の電気信号には好ましいが、耐熱性において劣るので使用できるハンダが限定される問題がある。
【００５４】
絶縁フィルム１４は、以下の方法で製作することができる。両面に銅箔が積層されたポリイミド等の絶縁フィルムに、マイクロドリルによりスルーホール２１を形成する。表裏の銅箔を電気的に接続するために、銅メッキによるＴＨ（スルーホール）メッキを施す。次に、フォトリソグラフィーおよびエッチングによりパターンを形成する。さらに、マイクロドリルを用いてリード４を挿入する開口１５を加工し、最後に打ち抜き加工により外形抜きを行う。
【００５５】
上記の実施例で説明した金属ワイヤとは、例えば金ワイヤである。また、フォトダイオードと半導体部品（増幅器）を備える光半導体装置の実施例について述べたが、面発光レーザーや発光ダイオードとドライバーＩＣの組合せに係る光半導体装置であっても実施することができる。
【００５６】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る光半導体装置は、上述した実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  光半導体装置
２   キャップ
３  ベース
３ｂ  部品配置面
４  リード
４ｂ  開口
６  フォトダイオード
７  サブマウント
８、８ｂ  半導体部品
９  パッシブ部品
１０  金属ワイヤ
１２  ガラス焼結体
１４  絶縁フィルム（多層フィルム）
１７  金属パターン（ＧＮＤパターン）
１８  金属パターン（配線パターン、マイクロストリップライン）
２１  スルーホール
２２  裏面金属パターン
２５  層間配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2014187400.tif 000007
【図５】
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【図６】
2014187400.tif 000009
【図７】
2014187400.tif 000010
【図８】
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【図９】
2014187400.tif 000012
【図１０】
2014187400.tif 000013
【図１１】
2014187400.tif 000014
【図１２】
2014187400.tif 000015
【図１３】
2014187400.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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