(57)【要約】本発明は、ポスト電極を下部電極上に所定の高さで突出形成できると共に、層間接続不良やショート欠陥を防止できる配線積層構造体の形成方法を提供することを課題とし、当該課題は、基材に設けられた下部電極2上に、インクジェットヘッド10のノズル11から吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極を形成する配線積層構造体の形成方法であって、導体インクが、ポスト電極に撥液性を発現させる撥液性導体インクであり、液滴が下部電極2上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で液滴を吐出することにより、下部電極2上にポスト電極を所定高さで突出するように形成することで解決される。
2017047323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材に設けられた下部電極上に、インクジェットヘッドのノズルから吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極を形成する配線積層構造体の形成方法であって、
前記導体インクが、前記ポスト電極に撥液性を発現させる撥液性導体インクであり、
前記液滴が前記下部電極上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で前記液滴を吐出することにより、前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出するように形成する配線積層構造体の形成方法。
【請求項２】
前記条件は、前記液滴の先頭速度を、４ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓとすることである請求項１記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項３】
前記条件は、前記液滴の先頭が前記下部電極に達したときの液柱最後端の速度又は前記分断滴の速度を、３ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓとすることである請求項１又は２記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項４】
前記条件は、前記インクジェットヘッドのノズル面と前記下部電極との間の距離を、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることである請求項１、２又は３記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項５】
前記条件は、前記撥液性導体インクが、粘度が１ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓの範囲であり、チキソトロピック係数が１．００〜１．０５の範囲であり、導電性粒子の平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であるものを使用することである請求項１〜４の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項６】
前記液滴を吐出する直前に、前記ノズル内のインクメニスカスを、吐出が生じない範囲で揺らす請求項１〜５の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項７】
前記下部電極上に前記液滴を吐出する前に、前記ノズルから前記液滴を試射して着弾位置を測定し、目標位置に対して着弾位置ずれがある場合に、該着弾位置が前記目標位置と一致する又は前記目標位置に近づくように、前記液滴の吐出条件を調整する請求項１〜６の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項８】
前記下部電極上に前記液滴を吐出する前に、前記ノズルから前記液滴を試射して着弾位置又は着弾形状を測定し、測定された着弾位置又は着弾形状が、目標位置又は目標形状に対して予め定めた許容範囲内にあることを確認した後、前記下部電極上に前記液滴を吐出する請求項１〜６の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項９】
試射された前記液滴の前記着弾形状の真円度（短径／長径）が、０．９５〜１．０である請求項８記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項１０】
前記撥液性導体インクは、焼成によって前記ポスト電極に表面撥液性を発現させる添加剤を含み、
前記下部電極上に、前記撥液性導体インクの液滴を付与した後、焼成することによって前記ポスト電極を形成する請求項１〜９の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出形成した後、前記基材上に絶縁体インクを付与して、前記ポスト電極の少なくとも一部が前記表面撥液性によって露出するように絶縁層を形成し、
次いで、前記絶縁層上に、該絶縁層から露出した前記ポスト電極と直接接触するように上部電極を形成する請求項１〜１０の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
【請求項１２】
基材に設けられた下部電極上に、インクジェットヘッドのノズルから吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極を形成する配線積層構造体の形成方法であって、
前記導体インクが、前記ポスト電極に撥液性を発現させる撥液性導体インクであり、
前記液滴が前記下部電極上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で前記液滴を吐出すると共に、前記下部電極上に着弾した前記液滴の着弾形状の真円度（短径／長径）を、０．９５〜１．０とすることにより、前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出するように形成する配線積層構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線積層構造体の形成方法に関し、詳しくは、ポスト電極を下部電極上に所定の高さで突出形成できると共に、層間接続不良やショート欠陥を防止できる配線積層構造体の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のプリンテッドエレクトロニクスの研究開発の進展に伴い、本発明者は、プリント基板（ＰＣＢ）、フレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の配線積層構造体において、基材上に絶縁層を介して上下に立体的に配置させた上下電極間を確実に電気的接続する層間接続方法について種々検討している。【０００３】
従来、層間接続方法として、特許文献１に記載の方法が知られている。この方法は、まず、下部電極上に撥液材料を含むインクを塗布して撥液部を形成した後、下部電極上の全面に絶縁インクを塗布する。そして、絶縁インクが撥液部によって弾かれた状態で該絶縁インクを硬化させ、撥液部に対応する位置にスルーホールを有する絶縁層を形成する。次いで、撥液部を除去した後、スルーホールに導電インクを充填して、ポスト電極を形成するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ポスト電極は、絶縁層を介して下部電極と上部電極を確実に層間接続する役割を果たすものであるから、所定の高さが必要である。【０００６】
しかし、特許文献１の技術は、絶縁層のスルーホールに導体インクを充填することによってポスト電極を形成するため、絶縁層によってスルーホールの高さが規定される。そのため、絶縁層の高さを超えてスルーホールの高さを高くすることが難しい。【０００７】
また、スルーホール内に充填した導体インクが乾燥等されることによって、ポスト電極になり得るが、乾燥等の過程で収縮が起こる場合がある。この場合、絶縁層上に設けられる上部電極に対してポスト電極を確実に接続することができない。収縮を考慮して導体インクを多めに付与しようとすれば、スルーホールからはみ出してしまい、はみ出した部分が収縮時に分断されてしまう懸念もある。特にインクジェット方式など、溶剤を多く含むインクでは顕著である。【０００８】
従って、特許文献１に記載の技術では、ポスト電極を介した上部電極及び下部電極間の層間接続不良を防止する観点で問題がある。【０００９】
液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーのような画像表示装置は、２次元マトリクス状に配列させた多数の画素からなる画素アレイを備えており、これらの画素を駆動するために、画素数に対応する多数の薄膜トランジスタを２次元マトリクス状に配列させた薄膜トランジスタアレイが用いられる。近年、画像表示装置における総画素数は増大しており、数百万（例えば１６００×１２００画素＝１９２００００画素）レベルから、４Ｋ、８Ｋディスプレイでは数千万レベルにも達する。【００１０】
このような画像表示装置では、下部電極と画素電極（上部電極）との接続の際、画素数に応じたポスト電極が必要となる。【００１１】
層間接続不良やショート欠陥を防止することは、不良画素の発生率を大幅に低減し、生産性を著しく向上する上で重要である。【００１２】
本発明者は、上記特許文献１の問題点を解消し、層間接続不良やショート欠陥を防止するために、絶縁層を形成する前に、インクジェット法により導体インクを下部電極上に付与して、ポスト電極を形成することを試みた。このとき、導体インクとして、ポスト電極に表面撥液性を付与可能な撥液性導体インクを用いることにより、該ポスト電極上に形成される絶縁層から該ポスト電極を確実に露出させることができる。これにより、ポスト電極を下部電極上に所定の高さで突出形成できると共に、層間接続不良やショート欠陥を防止できることを見出した。【００１３】
そこで、本発明の課題は、ポスト電極を下部電極上に所定の高さで突出形成できると共に、層間接続不良やショート欠陥を防止できる配線積層構造体の形成方法を提供することを課題とする。【００１４】
本発明の他の課題は、以下の記載によって明らかとなる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題は、以下の各発明によって解決される。【００１６】
１．
基材に設けられた下部電極上に、インクジェットヘッドのノズルから吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極を形成する配線積層構造体の形成方法であって、
前記導体インクが、前記ポスト電極に撥液性を発現させる撥液性導体インクであり、
前記液滴が前記下部電極上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で前記液滴を吐出することにより、前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出するように形成する配線積層構造体の形成方法。
２．
前記条件は、前記液滴の先頭速度を、４ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓとすることである前記１記載の配線積層構造体の形成方法。
３．
前記条件は、前記液滴の先頭が前記下部電極に達したときの液柱最後端の速度又は前記分断滴の速度を、３ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓとすることである前記１又は２記載の配線積層構造体の形成方法。
４．
前記条件は、前記インクジェットヘッドのノズル面と前記下部電極との間の距離を、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることである前記１、２又は３記載の配線積層構造体の形成方法。
５．
前記条件は、前記撥液性導体インクが、粘度が１ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓの範囲であり、チキソトロピック係数が１．００〜１．０５の範囲であり、導電性粒子の平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であるものを使用することである前記１〜４の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
６．
前記液滴を吐出する直前に、前記ノズル内のインクメニスカスを、吐出が生じない範囲で揺らす前記１〜５の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
７．
前記下部電極上に前記液滴を吐出する前に、前記ノズルから前記液滴を試射して着弾位置を測定し、目標位置に対して着弾位置ずれがある場合に、該着弾位置が前記目標位置と一致する又は前記目標位置に近づくように、前記液滴の吐出条件を調整する前記１〜６の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
８．
前記下部電極上に前記液滴を吐出する前に、前記ノズルから前記液滴を試射して着弾位置又は着弾形状を測定し、測定された着弾位置又は着弾形状が、目標位置又は目標形状に対して予め定めた許容範囲内にあることを確認した後、前記下部電極上に前記液滴を吐出する前記１〜６の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
９．
試射された前記液滴の前記着弾形状の真円度（短径／長径）が、０．９５〜１．０である前記８記載の配線積層構造体の形成方法。
１０．
前記撥液性導体インクは、焼成によって前記ポスト電極に表面撥液性を発現させる添加剤を含み、
前記下部電極上に、前記撥液性導体インクの液滴を付与した後、焼成することによって前記ポスト電極を形成する前記１〜９の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
１１．
前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出形成した後、前記基材上に絶縁体インクを付与して、前記ポスト電極の少なくとも一部が前記表面撥液性によって露出するように絶縁層を形成し、
次いで、前記絶縁層上に、該絶縁層から露出した前記ポスト電極と直接接触するように上部電極を形成する前記１〜１０の何れかに記載の配線積層構造体の形成方法。
１２．
基材に設けられた下部電極上に、インクジェットヘッドのノズルから吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極を形成する配線積層構造体の形成方法であって、
前記導体インクが、前記ポスト電極に撥液性を発現させる撥液性導体インクであり、
前記液滴が前記下部電極上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で前記液滴を吐出すると共に、前記下部電極上に着弾した前記液滴の着弾形状の真円度（短径／長径）を、０．９５〜１．０とすることにより、前記下部電極上に前記ポスト電極を所定高さで突出するように形成する配線積層構造体の形成方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ポスト電極を下部電極上に所定の高さで突出形成できると共に、層間接続不良やショート欠陥を防止できる配線積層構造体の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る配線積層構造体の形成方法によって形成される配線積層構造体の一例を示す断面図
【図２】（ａ）〜（ｃ）はインクジェットヘッドのノズルから吐出された撥液性導体インクの液滴の分断状態について模式的に説明する図
【図３】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ駆動信号の一例を説明する図
【図４】（ａ）〜（ｃ）はインクジェットヘッドにおけるインク射出時の動作を説明する図
【図５】（ａ）（ｂ）はポスト電極の形状について説明する図
【図６】（ａ）〜（ｅ）は薄膜トランジスタの製造方法の一例を説明する図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明を実施するための形態について説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る配線積層構造体の形成方法によって、下部電極上にポスト電極が形成された様子を示す断面図である。図中、１は基材、２は下部電極、３はポスト電極である。
【００２１】
ポスト電極は導体であり、これにより上下電極間の電気的接続を行うことができる。ポスト電極は、下部電極上に所定の高さで突出するように積層することができる。ポスト電極は、その先端部において他の電極（上部電極）と接触して、上下電極間の電気的接続を行うことができる。ポスト電極と他の電極（上部電極）との接触は、直接接触とすることができる。
【００２２】
本発明の配線積層構造体の形成方法は、ポスト電極の形成に一つの特徴を有する。基材１に設けられた下部電極２上に、インクジェットヘッドのノズルから吐出された導体インクの液滴を着弾させることにより、該導体インクによってポスト電極３を形成する。導体インクとして、ポスト電極３に撥液性を発現させる撥液性導体インクを使用する。そして、ノズルから吐出された液滴が下部電極２上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で液滴を吐出する。これにより、下部電極２上にポスト電極３を所定高さで突出形成することができる。
【００２３】
このように、ノズルから吐出された液滴が下部電極２上に着弾するまでの間に、液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下であるため、撥液性導体インクの液滴によって、撥液性を発現するポスト電極３を所定の高さとなるように突出形成することができる。これにより、後述するように、絶縁層を介して配置される上下電極間をポスト電極３によって電気的に接続させる際にも、撥液性の発現と相俟って、ポスト電極３の先端を絶縁層から容易に露出させることができ、上下電極間の確実な電気的接続（層間接続）が可能となる。
【００２４】
また、大面積、長時間の連続印刷を行なう場合においても、ポスト電極３による層間接続不良やショート欠陥を飛躍的に減らすことができ、電気的接続の信頼性を向上できる。特に、撥液性導体インク中に導電材料として金属ナノ粒子を分散させて用いる場合、この条件を満たすことにより、実用上の観点で、初めて信頼性のある層間接続を達成できる。
【００２５】
更に、高さの高いポスト電極３を下部電極２上の所定の位置に高精度に形成できるため、ポスト電極３を形成するために確保するスペースを削減でき、ポスト電極３の高密度化を実現することができる。
【００２６】
（撥液性導体インク）
ここで、撥液性導体インクとは、該インクにより形成される焼成後のポスト電極３に、導電性及び表面撥液性を付与できるインクをいう。撥液性導体インクには、導電性を発現するための導電材料と、表面撥液性を発現するための撥液添加剤とを含有することができる。
【００２７】
導電材料としては、金属粒子や導電性ポリマー等を好ましく例示できる。導電材料を、例えば粒子（以下、導電性粒子ともいう）として撥液性導体インクに含有させることができる。
【００２８】
金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、鉄、ニッケル、クロム等の金属や、これらの金属を２種以上含む合金等を挙げることができる。金属は、１種を単独で用いてもよいし、複数種を混合して用いてもよい。金属ナノ粒子の平均粒径としては、原子スケールから１０００ｎｍの範囲のものが好ましく適用でき、平均粒径が３〜３００ｎｍであるものが好ましく、５〜１００ｎｍであるものがより好ましく用いられる。中でも、インクジェット法による吐出安定性の観点で、平均粒径３ｎｍ〜１００ｎｍの銀ナノ粒子が好ましい。
【００２９】
導電性ポリマーとしては、格別限定されるものではないが、π共役系導電性高分子とポリアニオンとを含有している導電性ポリマーを好ましく用いることができる。
【００３０】
π共役系導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン（基本のポリチオフェンを含む、以下同様）類、ポリピロール類、ポリインドール類、ポリカルバゾール類、ポリアニリン類、ポリアセチレン類、ポリフラン類、ポリパラフェニレンビニレン類、ポリアズレン類、ポリパラフェニレン類、ポリパラフェニレンサルファイド類、ポリイソチアナフテン類、ポリチアジル類等の鎖状導電性ポリマー等が挙げられる。
【００３１】
ポリアニオンの具体例としては、ポリビニルスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリアクリル酸エチルスルホン酸、ポリアクリル酸ブチルスルホン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルカルボン酸、ポリスチレンカルボン酸、ポリアリルカルボン酸、ポリアクリルカルボン酸、ポリメタクリルカルボン酸、ポリ−２−アクリルアミド−２−メチルプロパンカルボン酸、ポリイソプレンカルボン酸、ポリアクリル酸等が挙げられる。
【００３２】
導電性ポリマーは、これらの単独重合体であってもよいし、２種以上の共重合体であってもよい。
【００３３】
また、導電性ポリマーは、市販の材料も好ましく利用できる。例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）とポリスチレンスルホン酸からなる導電性ポリマー（略称ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等が市販されている。
【００３４】
撥液性導体インク中に含有される導電材料を分散状態で保持するために、分散剤を併用することは好ましいことである。分散剤としては、導電材料に対して結合性を有する基と、親水性基とを有する有機化合物を好ましく用いることができる。導電材料に対して結合性を有する基としては、例えば、チオール基やジスルフィド基等のような硫黄原子含有官能基、アミノ基やイミノ基等のような窒素原子含有官能基、又はリン酸基、水酸基若しくはカルボキシル基等が挙げられる。親水性基としては、例えば、カルボキシル基、アミノ基又は水酸基等が挙げられる。上記のような分散剤は、金属粒子と複合体形成させて用いることができる。分散剤は、上記の例に限定されず、導電材料の分散状態の保持に寄与するものであればよい。
【００３５】
また、撥液添加剤としては、フッ素系界面活性剤、フッ素樹脂等の含フッ素材料を好ましく例示することができる。
【００３６】
フッ素系界面活性剤としては、通常の界面活性剤において、疎水性基を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも一部がフッ素原子で置換されている化合物を好ましく用いることができる。具体的には、パーフルオロアルキル基を有するフッ素系界面活性剤が好ましい。フッ素系界面活性剤の市販品の例としては、ＤＩＣ社製「メガファックＦ」、旭硝子社製「サーフロン」、ミネソタ・マイニング・アンド・マニファクチュアリング・カンパニー社製「フルオラッドＦＣ」、インペリアル・ケミカル・インダストリー社製「モンフロール」、イー・アイ・デュポン・ネメラス・アンド・カンパニー社製「ゾニルス」、ファルベベルケ・ヘキスト社製「リコベットＶＰＦ」、ネオス社製「フタージェント」、ビックケミー社製「ＢＹＫ３４０（表面調整剤、フッ素変性ポリマー）」等が挙げられる。
【００３７】
フッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン（略称ＰＴＦＥ）等のような含フッ素ポリマーを好ましく用いることができる。
【００３８】
また、撥液添加剤として、導電材料に対して結合性を有する含フッ素材料あるいはシランカップリング材料等を用いることもできる。
【００３９】
導電材料に対して結合性を有する含フッ素材料としては、例えばＳＡＭ（Self Assembled Monolayer；自己組織化単分子膜）材料を好ましく用いることができる。ＳＡＭ材料としては、例えば含フッ素チオール化合物を好ましく用いることができる。含フッ素チオール化合物としては、例えば、ペンタフルオロベンゼンチオール（略称ＰＦＢＴ）等を好ましく用いることができる。また、含フッ素チオール化合物としては、例えば、フルオロアルキル基、特にパーフルオロアルキル基を有するチオール化合物等を用いることもできる。このような化合物としては、具体的には、トリフルオロメタンチオール、ペンタフルオロエタンチオール、ヘプタフルオロプロパンチオール、ノナフルオロブタンチオール等を好ましく挙げることができる。
【００４０】
また、ＳＡＭ材料は、チオール基を有するものに限定されず、金属等からなる導電材料に対して結合性を発揮できる官能基を有する含フッ素化合物を用いることができる。このような官能基として、例えばジスルフィド基等のような硫黄原子含有官能基、アミノ基やイミノ基等のような窒素原子含有官能基、又は、リン酸基、水酸基若しくはカルボキシル基等を好ましく例示できる。例えば、上述した含フッ素チオール化合物のチオール基をこれらの官能基で置き換えた化合物を好ましく用いることができる。
【００４１】
導電材料に対して結合性を有するシランカップリング材料としては、例えばアルキルシラン、アルキルジシラザン等があり、導電材料の種類に応じて、ハロゲン原子、アルコキシ基等の基が置換されたものを適宜用いることができる。また、フッ素含有アルキル基（フルオロアルキル基）を含有するシラン、アルキルシラザンを用いることもできる。
【００４２】
表面撥液性は、ポスト電極３に含まれる導電材料の焼結、好ましくは金属粒子の焼結に伴って、ポスト電極３の表面に撥液添加剤がブリードアウトすること等によって発現され得る。そのため、撥液添加剤は、ポスト電極３の焼成条件との関係で選択することも好ましく、ポスト電極３の焼成時に揮発したり分解したりしない材料を用いることが好ましい。
【００４３】
撥液性導体インクを構成する溶剤としては、水や有機溶剤から選ばれる１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。有機溶剤としては、メタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶剤、酢酸エチル、酢酸ブチル、３−メトキシブチルアセテート、３−メトキシ−３−メチル−ブチルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶剤、ｎヘキサン、イソオクタン、ｎオクタン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶剤等を挙げることができる。
【００４４】
また、撥液性導体インクの吐出安定性を向上する観点で、沸点１００℃以上の多価アルコールを含有することも好ましい。具体的には、例えばグリコール（グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール）やグリコール誘導体（エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート）等から選ばれる１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
（液滴の吐出条件）
かかる撥液性導体インクをインクジェットヘッドのノズルから下部電極２上に吐出する際、ノズルから吐出された液滴が下部電極２上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる条件で、液滴を吐出する。
【００４６】
この撥液性導体インクの液滴の分断状態について、図２を参照して説明する。
【００４７】
図２（ａ）は、インクジェットヘッド１０のノズル１１から下部電極２上に向けて吐出された撥液性導体インクの液滴Ｄが、ノズル面１２と下部電極２との間の距離（ギャップ）Ｌを飛翔する間で分断することなく、１滴のみにより構成されている例を示している。
【００４８】
図２（ｂ）も、吐出された液滴Ｄは、距離Ｌを飛翔する間で分断されていない。この場合では、液滴Ｄが吐出方向に長く伸びた状態（このような状態にある液滴を液柱という場合がある。）になっている。このような液柱の後端側で分断が生じると、図２（ｃ）に示すように、液滴（主滴）Ｄの後端側に、分断滴であるサテライト滴Ｄｓが生成される。
【００４９】
図２（ｄ）は、ノズル１１から吐出された液滴Ｄの後端が、ノズル１１から完全に分離する前に、液滴Ｄの先端が下部電極２上に着弾することにより、ノズル１１と下部電極２とをつなぐように液柱Ｄｃを形成している。この場合も、吐出された液滴Ｄは、距離Ｌを飛翔する間で分断されていない。すなわち、本発明において、「液滴が分断されない」とは、図２（ａ）（ｂ）に示すものに限らず、図２（ｄ）に示すような液柱Ｄｃを形成する場合も含む。
【００５０】
高さの高いポスト電極３を小径に安定して形成する観点からは、液滴Ｄは分断が生じないものであることが最も好ましいが、分断されたサテライト滴Ｄｓが１個までであれば、ポスト電極３を好ましく形成できることが確認されている。
【００５１】
これに対して、サテライト滴Ｄｓが２個以上になると、主滴から分断された２個以上のサテライト滴Ｄｓが、例えば飛翔中の外部環境（風等）の影響やインクジェットヘッド１０と基材１との相対移動の影響等により、主滴である液滴Ｄの着弾位置からずれた位置に着弾し、ポスト電極３の高さや小径化に支障が出るようになり、層間接続の信頼性が得られ難くなる。サテライト滴Ｄｓが２個以上の状態とは、小サイズの失速した多数のミストが発生する場合も含む。
【００５２】
次に、ノズルから吐出された液滴が下部電極２上に着弾するまでの間に、該液滴が分断されないか又は分断された分断滴が１個以下となる好ましい条件について説明する。
【００５３】
まず、第１に、液滴Ｄの先頭速度を、４ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓとすることが挙げられる。
【００５４】
インクジェットヘッド１０のノズル１１から撥液性導体インクの液滴Ｄを吐出する際、吐出された液滴Ｄの速度が遅いと、直進性が低下し、ノズル面やインクに何らかの外的な作用（外乱）が生じた場合、着弾位置精度の低下やサテライト滴Ｄｓの発生等の異常につながり易くなる。このため、着弾精度を維持し、液滴Ｄが２個以上に分断することを防止する上で、液滴Ｄの速度は速い方が好ましいが、速すぎてもサテライト滴Ｄｓが発生し易くなる。上記のように液滴Ｄの先頭速度を４ｍ／ｓ〜７ｍ／ｓとすることで、直進性及び着弾位置精度が向上し、２個以上のサテライト滴Ｄｓやミストの発生を防止できて、小径で高さの高いポスト電極３を好ましく形成することができる。
【００５５】
第２に、液滴Ｄの先頭が下部電極２に達したときの液柱最後端の速度又は分断滴であるサテライト滴Ｄｓの速度を、３ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓとすることが挙げられる。
【００５６】
また、特に液滴Ｄが、図２（ｂ）に示すように液柱になる場合や、図２（ｃ）に示すように１個のみのサテライト滴Ｄｓを生じる場合、液滴Ｄの後端部の速度やサテライト滴Ｄｓの速度が遅いと、液滴の更なる分断やミスト発生、後端部やサテライト滴Ｄｓの着弾精度低下に伴う着弾液滴形状の劣化が発生し易くなる。液滴Ｄの先頭が下部電極２に達したときの液柱最後端の速度又はサテライト滴Ｄｓの速度が３ｍ／ｓ〜５ｍ／ｓとなるように吐出することにより、２個以上のサテライト滴Ｄｓやミストの発生を防止でき、液滴Ｄの着弾位置精度の低下や着弾液滴形状の劣化を防止できて、小径で高さの高いポスト電極３を好ましく形成することができる。また、このときの液滴Ｄの先頭速度を上記範囲とすれば、ポスト電極３をより好ましく形成することができる。
【００５７】
なお、液滴Ｄの速度は、例えば、吐出された液滴Ｄを撮像装置によって撮像し、その撮像画像を画像認識することにより測定することができる。
【００５８】
液滴速度の調整は、インクジェットヘッドに対して印加する駆動信号の調整、具体的には、駆動電圧の調整、パルス幅の調整等によって行うことができる。
【００５９】
第３に、インクジェットヘッド１０のノズル面１２と下部電極２との間の距離Ｌを、０．１ｍｍ〜１ｍｍとすることが挙げられる。
【００６０】
これにより、ノズル１１から吐出された液滴Ｄが飛翔中に２個以上に分断することを防止でき、小径で高さの高いポスト電極３を好ましく形成することができる。
【００６１】
更に、この距離Ｌは、図２（ｄ）に示したように、ノズル１１から吐出された液滴Ｄの液柱Ｄｃの後端がノズル１１から切り離されない状態で、該液柱Ｄｃの先端を下部電極２に到達させることができるように設定することも好ましい。
【００６２】
第４に、撥液性導体インクが、粘度が１ｍＰａ・ｓ〜１０ｍＰａ・ｓの範囲であり、チキソトロピック係数が１．００〜１．０５の範囲であり、導電性粒子の平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であるものを使用することである。
【００６３】
これにより、インクジェットヘッド１０のノズル１１から液滴Ｄとして吐出された際、下部電極２上に着弾するまでの間に液滴Ｄが２個以上に分断して飛散することをより効果的に防止できる。
【００６４】
ここで、粘度は、２５℃においてシェアレート１０００（１／ｓ）で測定される粘度である。チキソトロピック係数は、２５℃においてシェアレート１０（１／ｓ）で測定される粘度を、同じく２５℃においてシェアレート１０００（１／ｓ）で測定される粘度で割った値である。
【００６５】
平均粒径は、撥液性導体インクをキャストして得られる膜を透過型電子顕微鏡で観察し、無作為に選んだ導電性粒子１００個の長径を算術平均した値である。
【００６６】
上述した粘度、チキソトロピック係数及び平均粒径の条件を満たすことによる効果は、特に撥液性導体インクが撥液添加剤を含有する場合に顕著になる。即ち、撥液添加剤を単純に含有させるだけでは、吐出安定性が得られにくい場合がある。例えば、撥液添加剤が界面活性剤やポリマーであれば、液柱の長さが増大し、ミストが発生し易くなる場合がある。また、撥液添加剤が導電材料と結合性を持つ場合は、導電材料の分散安定性に影響して、インクの増粘、液柱の分断点の不安定化、ミスト発生が起こり易くなる場合がある。
【００６７】
これに対して、撥液添加剤を含有する場合において、上述した粘度、チキソトロピック係数及び平均粒径の条件を満たすことにより、吐出安定性を向上させて液滴Ｄの２個以上の分断を防止でき、小径で高さの高いポスト電極３の形成を好適に実現できる。
【００６８】
焼成後のポスト電極３に表面撥液性を付与でき、更に上述した粘度、チキソトロピック係数及び平均粒径の条件を満たす撥液性導体インクは、インク組成の調整、例えば導電材料、分散剤、溶剤、撥液添加剤の種類や添加量を適宜調整することによって得ることができる。
【００６９】
また、撥液性導体インクのインク物性が経時的に変動する場合は、インクを所定時間加熱することによりアニール処理を施し、所望のインク物性が経時的に安定に保たれるようにすることも好ましいことである。
【００７０】
さらに、メニスカス、マニホールド、ヘッド全体を通してインクを常時循環することも、インクのチキソトロピック性に起因した物性変動を抑える上で有効である。
【００７１】
（インクメニスカスの揺らし）
ノズル１１から吐出される撥液性導体インクの液滴Ｄの分断状態を上述のように適正化し、更に、液滴Ｄの着弾位置精度及び着弾液滴形状を安定化させる上で、インクジェットヘッド１０のノズル１１から液滴Ｄを吐出する直前に、ノズル１１内のインクメニスカスを、吐出が生じない範囲で揺らすこと（微振動という場合がある。）が好ましい。
【００７２】
ノズル１１内のインクメニスカスを微振動させてから吐出を行なうことにより、吐出初発から撥液性導体インクの飛翔が遅速となることを好適に防止して着弾位置精度を向上できる。更に液滴がノズル面１２に付着することを好適に防止でき、撥液性導体インクの誤吐出を抑制して、連続印刷適性を更に向上することができる。
【００７３】
ノズル１１内のインクメニスカスを吐出が生じない範囲で揺らすことは、インクジェットヘッド１０の駆動電極に対して、吐出のための駆動信号（射出パルス）の他に、インクメニスカスを揺らすための駆動信号（微振動パルス）を印加することによって実現することができる。
【００７４】
図３は、これら駆動信号の一例を示す図である。
【００７５】
図３（ａ）は、液滴Ｄを吐出させるための射出パルスの一例を示している。射出パルスＰ１は、インクジェットヘッド１０のチャネルの容積を膨張させる膨張パルスＰ１ａと、チャネルの容積を収縮させる収縮パルスＰ１ｂとからなる。
【００７６】
図３（ｂ）は、ノズル１１から液滴Ｄを吐出させない程度にノズル１１内のインクメニスカスを揺らすための微振動パルスの一例を示している。微振動パルスＰ２は、インクジェットヘッド１０のチャネルの容積を収縮させる収縮パルスＰ２ａのみによって構成されている。
【００７７】
まず、射出パルスＰ１が印加された際のインクジェットヘッド１０の動作の様子について、図４を用いて説明する。
【００７８】
ここでは、インクジェットヘッド１０として、隣接するチャネルを隔てている隔壁を圧電素子からなる駆動壁とし、この駆動壁をせん断変形させることによってチャネル内のインクをノズルから吐出させるせん断モードタイプのインクジェットヘッドを例に挙げて説明する。
【００７９】
図４において、インクジェットヘッド１０は、矢印で示すように分極処理されたＰＺＴ等の圧電材料からなる複数の駆動壁１３Ａ〜１３Ｄによって、チャネル１４Ａ〜１４Ｃが隔てられている。各チャネル１４Ａ〜１４Ｃには、撥液性導体インクが供給されている。各チャネル１４Ａ〜１４Ｃの内面に、駆動電極１５Ａ〜１５Ｃが形成されている。各駆動電極１５Ａ〜１５Ｃは駆動信号発生部２０に電気的に接続している。
【００８０】
駆動信号発生部２０は、各駆動壁１３Ａ〜１３Ｄを駆動させるための複数の駆動信号を生成し、各駆動電極１５Ａ〜１５Ｃに印加する。この駆動信号発生部２０で生成される駆動信号は、射出パルスＰ１の他に微振動パルスＰ２を含んでいる。
【００８１】
例えば図４中の中央のチャネル１４Ｂから吐出を行う場合、駆動電極１５Ｂに射出パルスＰ１を印加し、その両隣の駆動電極１５Ａ、１５Ｃを接地する。すると、まず、駆動電極１５Ｂには射出パルスＰ１の膨張パルスＰ１ａが印加される。これにより、図４（ａ）に示す中立状態の駆動壁１３Ｂ、１３Ｃは、図４（ｂ）に示すように、チャネル１４Ｂの容積を膨張させるように変形する。
【００８２】
膨張パルスＰ１ａの印加後、駆動電極１５Ｂには、引き続いて収縮パルスＰ１ｂが印加される。これにより、駆動壁１３Ｂ、１３Ｃは、図４（ｃ）に示すように、チャネル１４Ｂの容積を収縮させるように変形する。このとき、チャネル１４Ｂ内のインクに圧力が付与される。この圧力が、ノズル１１から液滴が吐出される程に大きくなると、ノズル１１から液滴が吐出される。
【００８３】
一方、例えば図４中のチャネル１４Ｂに連通するノズル１１内のインクメニスカスを揺らす場合、駆動電極１５Ｂに微振動パルスＰ２を印加し、その両隣の駆動電極１５Ａ、１５Ｃを接地する。すると、中立状態にある駆動壁１３Ｂ、１３Ｃは、微振動パルスＰ２の収縮パルスＰ２ａによって、図４（ｃ）に示すように、チャネル１４Ｂの容積を収縮させるように変形する。このとき、ノズル１１内のインクメニスカスは、押し出される方向に移動するが、ノズル１１から液滴が吐出されるには至らない。その後、微振動パルスＰ２の印加終了によって駆動壁１３Ｂ、１３Ｃが中立状態に戻ることにより、インクメニスカスは再び引き込まれる方向に移動する。これにより、ノズル１１内のインクメニスカスは微振動し、吐出が生じない範囲で揺らされる。
【００８４】
図３（ｃ）は、インクジェットヘッド１０のノズル１１から液滴Ｄを吐出する直前に、ノズル１１内のインクメニスカスを揺らすために、上述の射出パルスＰ１の直前に、上述の微振動パルスＰ２を組み合わせた駆動信号の一例を示している。このように微振動パルスＰ２を射出パルスＰ１の直前に組み合わせた駆動信号を使用することにより、撥液性導体インクを吐出する直前に、ノズル１１内のインクメニスカスを吐出が生じない範囲で揺らすことができる。
【００８５】
なお、常に安定した液滴吐出を可能とする観点から、液滴Ｄを吐出しない非吐出のノズルには、図３（ｂ）に示すように、微振動パルスＰ２のみからなる駆動信号を使用することにより、ノズル１１内のインクメニスカスを吐出が生じない範囲で揺らすことが好ましい。
【００８６】
また、微振動パルスＰ２は、射出パルスＰ１の直前に又は非吐出ノズルに対して、１個のみ印加するものに限らず、複数個を連続して印加するようにしてもよく、また好ましい。
【００８７】
（下部電極の表面処理）
小径で高さの高いポスト電極３を安定的に形成する上では、ポスト電極３の下地となる下部電極２に、適宜表面処理を施すことも好ましいことである。特に下部電極２には、撥液性導体インクの濡れ広がりを抑制する表面処理を施すことが好ましい。
【００８８】
このような表面処理としては、被処理面における撥液性導体インクの接触角を、処理前の表面と比較して大きくすることができる表面処理を好ましく適用できる。これにより、下部電極２上に形成されるポスト電極３の径（幅）に対する高さの比率（アスペクト比という場合がある。）を大きくすることができる。その結果、所定の高さを有するポスト電極３を、より狭い領域内に形成できるため、更なる高解像度化を実現できる。
【００８９】
具体的には、下部電極２の表面に、上述したＳＡＭを形成する表面処理を挙げることができる。上述したＳＡＭ材料を含む溶液に下部電極２を所定時間浸漬することによって、下部電極２の表面にＳＡＭを形成することができる。
【００９０】
（ポスト電極の形状）
層間接続の信頼性をより向上させる上では、上記した液滴Ｄの分断状態に加えて、ポスト電極３の形状も重要である。撥液性導体インクの液滴Ｄがインクジェットヘッド１０のノズル１１から、吐出曲がりや着弾位置ずれ等がなく、上記した条件で正常に吐出される限り、ポスト電極３は設計値通りの所定の形状で形成される。ポスト電極３の形状は、該ポスト電極３を平面視した際の真円度及び側面視した際のアスペクト比によって評価することができる。ポスト電極３を平面視した際の真円度は、液滴Ｄが下部電極２上に着弾した後の着弾形状の真円度と等価である。
【００９１】
図５（ａ）は、ポスト電極３を平面視した様子を示している。ポスト電極３の形状は、平面視した際に真円に近い程好ましい。同じ液滴量でも、真円に近い程高さの高いポスト電極３を形成できるからである。
【００９２】
真円度は、ポスト電極３を平面視した際における短径ｂ／長径ａの比によって評価できる。具体的には、この比が１に近いほど真円度が高く、ポスト電極３を形成する上で好ましいと評価できる。使用する撥液性導体インク、下部電極２の材料等によって好ましい真円度は異なるが、短径ｂ／長径ａの比が０．７以上であることが好ましく、０．９５〜１．０が特に好ましい。ポスト電極３の真円度が高いことにより、ポスト電極３の撥液性、層間接続性を向上させることができる。なお、ポスト電極３の真円度は、焼成後の値である。
【００９３】
図５（ｂ）は、ポスト電極３を側面視した様子を示している。ポスト電極３のアスペクト比は、ポスト電極３の高さｃ／長径ａの比で表すことができる。本発明によれば、特にアスペクト比が大きい場合においても、所定のアスペクト比を精度良く実現できる効果が得られる。具体的なアスペクト比の範囲は、下部電極２の表面物性、絶縁層６の塗布性と塗布膜厚、塗布乾燥条件、ポスト電極３の表面の径、撥液性により依存する。このため設計事項ではあるが、小径で高さの高いポスト電極３を精度良く形成できる効果をより顕著に奏する観点では、例えば１：１００〜１：１０（ポスト電極高さ：直径）の範囲とすることが好ましい。なお、ポスト電極３のアスペクト比は、焼成後の値である。
【００９４】
インクジェット法によりポスト電極３を形成することによって、液滴量等に応じてポスト電極３の径を適宜制御することができる。そのため、本発明に係る形成方法を採用することにより、スクリーン印刷やグラビアオフセット、反転印刷など、他の印刷方式と比較して、ポスト電極３の径を小さく、且つ高さを大きく制御すること、即ち、アスペクト比を大きくすることが容易である。これにより、高解像度のデバイス作製や、厚みの厚い絶縁膜あるいは２層以上の絶縁層を介した層間接続を実現できる。
【００９５】
（クリーニング）
液滴Ｄの着弾位置ずれが無い場合においても、ポスト電極３の真円度が低下している場合は、着弾位置ずれと同様、何等かのノズル異常が原因であると考えられるため、特に液滴Ｄを連続吐出する際に異常が生じる場合がある。よって、このような場合は、予め定めた真円度、好ましくは短径ｂ／長径ａの比が０．７以上となるまで、更に好ましくは０．９５以上となるまで、ノズル面１２のクリーニングを行うことが好ましい。
【００９６】
ノズル面１２をクリーニングするための具体的手段は特に限定されず、適宜公知の手段を採用できる。一例として、ゴムブレードや多孔質部材等を用いてノズル面１２をワイピングすることが挙げられる。
【００９７】
（液滴吐出前の確認）
実際に撥液性導体インクの液滴Ｄを下部電極２上に吐出する前に、予め別のテスト用基材上にノズル１１毎に液滴Ｄを試射し、そのノズル１１毎のインク着弾位置を測定し、目標位置（着弾理想位置）との位置ずれ量を求め、目標位置に対して着弾位置ずれがある場合に、着弾位置が目標位置と一致する又は近づくように、液滴Ｄの吐出条件を調整することにより、着弾位置ずれを補正する工程を有することが好ましい。
【００９８】
液滴Ｄの着弾位置精度は、目標位置と一致することが最も好ましいが、特に高精度が要求される薄膜トランジスタ等の電気デバイスでは、位置ずれ量が目標位置に対して１０μｍ以下に収まるように着弾することが要求される。この着弾位置精度のレベルでは、インクの物性変動、環境温度、装置駆動による温度変動、ノズル表面状態等の微妙な変化が影響を及ぼす。予めテスト用基材を用いて液滴Ｄの着弾位置ずれを補正しておくことにより、着弾位置精度を向上させ、小径で高さの高いポスト電極３の安定形成を実現できる。
【００９９】
着弾位置ずれ量は、着弾した液滴形状の重心を求め、目標位置に対する重心位置のずれ量として測定することができる。
【０１００】
液滴Ｄの吐出条件の調整は、ノズル１１毎の駆動電圧値の調整（液滴速度の調整）、吐出タイミングの調整、インクジェットヘッド１０と基材１との相対移動速度の調整等が挙げられる。
【０１０１】
撥液性導体インクを吐出する前に、予めテスト用基材上にノズル１１毎に液滴Ｄを試射し、そのノズル１１毎の着弾位置又は着弾形状を測定し、測定された着弾位置又は着弾形状が、目標位置又は目標形状に対して予め定めた許容範囲内にあることを確認した後、下部電極２上に液滴Ｄを吐出するようにすることも好ましい。
【０１０２】
液滴Ｄの着弾位置ずれ量が目標位置に対して許容範囲を超えて大きくなった場合、または着弾形状が目標形状である真円形状から許容範囲を超えて大きく歪んだ場合は、何等かのノズル異常が生じていることを示す。着弾位置ずれが目標位置から大きく外れたノズル１１は、飛翔曲りが生じているか、もしくは大きな速度変動を起こしていることを意味する。原因としては、ノズルメニスカス周辺へのインク析出・乾燥固化や、インク詰まり、インク濡れがある。このようなノズル１１は、たとえ許容範囲内の着弾位置精度があったとしても、連続して吐出を続けると、より大きな飛翔曲りや、ノズル欠、ミストによる故障に繋がる。着弾位置ずれ量が目標位置に対して予め定めた許容範囲から大きく外れたノズル１１が発生している場合は、許容範囲内となるまで、ワイピング等のノズル面１２のクリーニングを行うことが好ましい。試射された液滴の着弾形状の真円度（短径／長径）は、０．７以上であることが好ましく、０．９５〜１．０であることが特に好ましい。例えば、かかる真円度の条件を着弾形状の許容範囲として設定してもよい。
【０１０３】
（基材）
基材１としては絶縁性を有するものを好ましく適用でき、目的に応じて適宜公知の材料を用いることができる。例えば、ガラス基材、セラミックス基材、金属基材（例えば金属薄膜基材）のような比較的硬質、高耐熱な基材の他、紙フェノール基材、紙エポキシ基材、ナノセルロースファイバー紙、ガラスコンポジット基材、ガラスエポキシ基材のような２種の混合物からなる基材でもよく、また、樹脂基材であってもよい。樹脂基材の樹脂としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルスルホン等が挙げられる。基材１は単層構成でも多層構成でもよく、絶縁コートされた導電性材料等を用いることもできる。
【０１０４】
また、本発明の効果を顕著に奏する観点で、基材１はフィルム等のような可撓性を有する基材（フレキシブル基材ともいう。）であることも好ましい。特に、ポスト電極３の表面撥液性によって、後述する絶縁層を介して層間接続を行う際に、絶縁層から好適に露出することができるため、絶縁層上に設けられる上部電極との接続の信頼性が向上し、基材１の可撓性によって変形が生じても、層間接続が保持され易いからである。
【０１０５】
（下部電極）
下部電極２は、導電材料を有機溶媒及び又は水に溶解あるいは分散したインクを、基材１上に塗布又は印刷することにより形成することができる。
【０１０６】
下部電極２を塗布形成する方法としては、例えば、ディッピング、スピンコート、ナイフコート、バーコート、ブレードコート、スクイズコート、リバースロールコート、グラビアロールコート、カーテンコート、スプレーコート、ダイコート等の自体公知の塗布方法を用いることができる。
【０１０７】
また、下部電極２を印刷形成する方法としては、例えば、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、インクジェット印刷等の自体公知の印刷方法を用いることができる。中でも、オフセット印刷方法が好ましい。オフセット印刷方法としては、格別限定されないが、マイクロコンタクト印刷法、反転印刷法などは塗膜の平坦性が良好で高解像度の印刷にも対応できることから好適である。この他、下部電極２は、フォトリソ法等によって形成してもよい。
【０１０８】
下部電極２を構成する導電材料は格別限定されず、例えば、銀、金、白金、パラジウム、クロム、セレン、ニッケル等の金属、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、酸化亜鉛等の酸化物導電材料、導電性高分子等を用いることができる。
【０１０９】
下部電極２の導電性を良好にする観点から、下部電極２を形成した後に焼成を行うことも好ましいことである。
【０１１０】
（配線積層構造体の具体例）
本発明に係る配線積層構造体の形成方法は、例えば、フレキシブルプリント基板、プリント回路板（単にプリント基板ともいう）、薄膜トランジスタ、集積回路等の電気デバイスを製造する際に好ましく適用することができる。
【０１１１】
特に、薄膜トランジスタを製造する場合に好適に用いられる。例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーのような画像表示装置は、２次元マトリクス状に配列させた多数の画素からなる画素アレイを備えており、これらの画素を駆動するために、画素数に対応する多数の薄膜トランジスタを２次元マトリクス状に配列させた薄膜トランジスタアレイが用いられる。
【０１１２】
近年、画像表示装置における総画素数は増大しており、数百万（例えば１６００×１２００画素＝１９２００００画素）レベルから、４Ｋ、８Ｋディスプレイでは数千万レベルにも達するが、上述したポスト電極３を形成することにより、層間接続不良やショート欠陥を防止できるため、薄膜トランジスタに起因する不良画素の発生率を大幅に低減し、生産効率を向上できる効果が得られる。
【０１１３】
以下、配線積層構造体の具体例として、画像表示装置に用いられる薄膜トランジスタを製造する場合を例に挙げて、その製造方法の一例について図６を用いて説明する。薄膜トランジスタでは、下部電極がドレイン電極により構成され、上部電極が画素電極により構成される。画素電極は、画像表示装置が備える画素を駆動するための電極である。
【０１１４】
ａ．ソース電極及びドレイン電極形成工程
まず、基材１上に、下部電極であるドレイン電極２とソース電極４を、塗布又は印刷により形成する。塗布又は印刷することにより、これら電極２、４を一工程で同時に形成することができる。（図６（ａ））。
【０１１５】
ｂ．ポスト電極形成工程
次いで、インクジェットヘッドを用いて、ノズルから撥液性導体インクの液滴を吐出させ、該液滴をドレイン電極２上に着弾させた後、着弾した液滴を焼成することにより、表面撥液性を有するポスト電極３を形成する（図６（ｂ））。
【０１１６】
着弾した液滴を焼成することにより、導電性に優れた小径で高さの高いポスト電極３を形成することができる。
【０１１７】
ｃ．半導体層形成工程
次いで、ドレイン電極２とソース電極４とに跨るように半導体層５を形成する（図６（ｃ））。
【０１１８】
半導体層５は、半導体インクを用いた印刷方式により形成することが好ましい。印刷方式としては、一般的に知られている方法を用いることができる。例えば、インクジェット方式、スクリーン印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法等を好ましく例示できる。特にインクジェット方式が好適である。
【０１１９】
半導体インクに含有される半導体材料は、格別限定されるものではないが、有機半導体材料であることが好ましい。有機半導体材料としては、分子量が１００００以上の高分子の有機半導体材料、分子量が１００００未満の低分子の有機半導体材料を例示することができる。
【０１２０】
高分子の有機半導体材料として用いられる化合物は、格別限定されないが、例えば、ポリチオフェンや、主鎖中にチオフェン環を有する化合物、又はこれら化合物に例えばアルキル基等を有する側鎖を付与した誘導体などを好ましく例示できる。具体例としては、Ｐｏｌｙ［（９，９−ｄｉ−ｎ−ｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｙｌ−２，７−ｄｉｙｌ）−ａｌｔ−２，２’−ｂｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−５，５’−ｄｉｙｌ］（略称Ｆ８Ｔ２）、Ｐｏｌｙ［ｂｉｓ（３−ｄｏｄｅｃｙｌ−２−ｔｈｉｅｎｙｌ）−２，２’−ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−５，５’−ｄｉｙｌ］（略称ＰＱＴ−１２）、Ｐｏｌｙ［２，５−ｂｉｓ（３−ｄｏｄｅｃｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎ−２−ｙｌ）ｔｈｉｅｎｏ［３，２−ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］（略称ＰＢＴＴＴ−Ｃ１２）、Ｐｏｌｙ［２，５−ｂｉｓ（３−ｔｅｔｒａｄｅｃｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎ−２−ｙｌ）ｔｈｉｅｎｏ［３，２−ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］（略称ＰＢＴＴＴ−Ｃ１４）、Ｐｏｌｙ［２，５−ｂｉｓ（３−ｈｅｘａｄｅｃｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎ−２−ｙｌ）ｔｈｉｅｎｏ［３，２−ｂ］ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ］（略称ＰＢＴＴＴ−Ｃ１６）等を好ましく例示できる。
【０１２１】
低分子の有機半導体材料として用いられる化合物は、格別限定されないが、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペンタセン、ベンゾペンタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ナフトペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ナノアセン、フルオレン、フルオランテン、フェナントレン、クリセン、トリフェニレン、テトラフェン、ピセン、フルミレン、テトラフェン、ピレン、アンタンスレン、ペロピレン、コロネン、ベンゾコロネン、ジベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、ペリレン、テリレン、ジペリレン、クオテリレン、トリナフチレン、ヘプタフェン、オバレン、ルビセン、ビオラントロン、イソビオラントロン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランス、ケクレン、トラキセン、フラーレン（例えば、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ６０−ＰＣＢＭ、Ｃ７０−ＰＣＢＭ等）およびこれらの化合物の誘導体が挙げられる。
【０１２２】
また、低分子の有機半導体材料として用いられる化合物は、ヘテロ原子を含む化合物であってもよい。ヘテロ原子を含む化合物としては、例えば、ベンゾジチオフェン、ナフトジチオフェン、アントラジチオフェン、テトラジチオフェン、ペンタジチオフェン、ヘキサジチオフェン、ジベンゾチオフェン、ベンゾチエノベンゾチオフェン、ジナフトチエノチオフェン、チエノチオフェン、ジチエノチオフェン、テトラチエノアセン、ペンタチエノアセン、ジベンゾフラン、カルバゾール、ジベンゾシロール、ベンゾジチアアゾール、ナフトジチアアゾール、アントラジチアアゾール、テトラジチアアゾール、ペンタジチアアゾール、ヘキサジチアアゾール、チアゾロチアゾール、テトラチアフルバレン、ジベンゾチアフルバレン、ジチオフェンチアフルバレン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノナフトキノジメタン、ナフタレンテトラカルボキシリックジイミド、ペリレンテトラカルボキシリックジイミドおよびこれらの化合物の誘導体が挙げられる。また、フタロシアニン、ポルフィリン、テトラベンゾポルフィリンなどの金属を含む化合物、トリフェニルアミンおよびこれらの化合物の誘導体もヘテロ原子を含む化合物に含まれる。例示したヘテロ原子を含む化合物のヘテロ原子は、他のヘテロ原子に置き換えられてもよい。
【０１２３】
これら化合物の誘導体としては、例えば、ハロゲン原子または、アルキル基、脂肪族不飽和炭化水素基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アミノ基、カルボニル基、ニトロ基、ヒドロキシル基、シアノ基、アリールアルキル基、アリールオキシ基、ヘテロアリールアルキル基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルシリル基等から選ばれる置換基を有する化合物、および、化合物のキノン誘導体などが挙げられる。
【０１２４】
ｄ．絶縁層形成工程
次いで、ドレイン電極２、ソース電極４、ポスト電極３及び半導体層５が形成された領域に、絶縁体インクを付与して、ポスト電極３の一部が表面撥液性によって露出するように絶縁層６を形成する（図６（ｄ））。
【０１２５】
このように形成された絶縁層６とポスト電極３の表面との間には、ポスト電極３に表面撥液性を付与している撥液添加剤が介在する。これにより、ポスト電極３は表面撥液性を発現する。このため、ポスト電極３が設けられたドレイン電極２を含む基材１の一面の全面に絶縁体インクを付与した際、絶縁体インクはポスト電極３の表面から弾かれる。これにより、ポスト電極３の先端部３１を、絶縁体インクによって形成された絶縁層６の表面から容易に露出させることができる。即ち、表面撥液性を有するポスト電極３自体によって、絶縁層６にポスト電極３を貫通させるためのスルーホールが自発的に形成される。
【０１２６】
表面撥液性を有さないポスト電極の場合、ポスト電極は絶縁層に埋没され易くなる。特に薄膜トランジスタは基材上に数多くのポスト電極が形成されるため、表面撥液性を有さないポスト電極では、ポスト電極毎の高さのばらつき等によって、絶縁層から露出し得ないポスト電極が発生するおそれがあり、層間接続不良の発生につながってしまう。このため、絶縁層の厚みを厳密に調整する必要が生じる。しかし、本発明に係る形成方法によってドレイン電極２上に表面撥液性を有する小径で高さの高いポスト電極３を形成することにより、基材１上の全てのポスト電極３の先端部３１を絶縁層６の表面から容易に露出させることができる。絶縁層６の厚みを厳密に管理する必要なく、層間接続の信頼性の向上を図ることができる。
【０１２７】
絶縁層６を形成するための絶縁体インクの好ましい付与方法としては、塗布又は印刷を挙げることができる。このとき、乾燥前の絶縁体インクの塗膜からポスト電極３の先端部３１が露出するようにしてもよいし、乾燥あるいは焼成の進行に伴って絶縁体インクの塗膜からポスト電極３の先端部３１が露出するようにしてもよい。絶縁体インクの塗布又は印刷の具体的な方法としては、上述した下部電極２について説明した方法を用いることができる。
【０１２８】
絶縁体インクを構成する絶縁材料としては、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の無機材料、ポリビニルフェノール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック樹脂等の有機材料を用いることができる。絶縁体インクは、かかる絶縁材料を、有機溶媒及び又は水に溶解あるいは分散した状態で含有することができる。また、絶縁体インクには、更に硬化剤や架橋助剤などを適宜含有させることができる。好ましいインクの例としては、ポリビニルフェノール樹脂、エポキシ樹脂及び架橋助剤を、該ポリビニルフェノール樹脂を溶解可能な有機溶剤に含有させたインク等を挙げることができる。
【０１２９】
安定した絶縁層６とする観点から、このように絶縁層６を形成した後、絶縁層６の焼成を行うことも好ましい。
【０１３０】
また、絶縁体インクを所望の厚みとなるように複数回に分けて付与することにより、複数の層によって形成された絶縁層６を形成することも好ましい。この場合、複数の層からなる絶縁層６は、最上層からポスト電極３の先端部３１が露出するように形成される。
【０１３１】
複数の層からなる厚みの厚い絶縁層６を形成しても、本発明に係る形成方法によってポスト電極３を形成することにより、絶縁層６から先端部３１を露出させ得るだけのアスペクト比を容易に得ることができる。このため、厚みの厚い絶縁層６としても、確実な層間接続と絶縁層６によるショート防止効果を確実に実現することができる。
【０１３２】
更に、ポスト電極３が表面撥液性を有することにより、複数の層からなる絶縁層６を設ける場合であっても、これら複数の層からなる絶縁層６からポスト電極３の先端部３１を好適に露出させることができる。複数の層からなる絶縁層６を形成する際、層毎に焼成を行うことが好ましい。
【０１３３】
ｅ．上部電極形成工程
次いで、絶縁層６上に、ゲート電極７及び上部電極である画素電極８を形成する。画素電極８は、絶縁層６から露出したポスト電極３の先端部３１と直接接触するように形成する（図６（ｅ））。
【０１３４】
ポスト電極３の先端部３１が、表面撥液性によって絶縁層６から好適に露出することにより、絶縁層６上に設けられる画素電極８をポスト電極３と直接接触させることができ、電気的接続の信頼性が向上する。ゲート電極７及び画素電極８の形成方法は、上述した下部電極２について説明した形成方法を用いることができる。
【０１３５】
ゲート電極７及び画素電極８の導電性を良好にする観点から、ゲート電極７及び画素電極８を形成した後に焼成を行うことも好ましい。
【０１３６】
以上のようにして薄膜トランジスタを製造することにより、ポスト電極３による上下電極間の接続不良やショート欠陥が飛躍的に低減され、ドレイン電極２と画素電極８との電気的接続の信頼性に優れる効果を奏する。特に、薄膜トランジスタアレイが備える１×１０６個以上の薄膜トランジスタを形成する際に、ポスト電極３によってドレイン電極２−画素電極８間が接続されない薄膜トランジスタの数、及び、ポスト電極３によってソース電極４−ドレイン電極２間がショートする薄膜トランジスタの数を、それぞれ全体の１％以下にすることができる。
【０１３７】
以上の説明では、ポスト電極形成工程の後に半導体層形成工程を有する場合について示したが、半導体層形成工程の後にポスト電極形成工程を有してもよい。
【０１３８】
また、以上の説明では、薄膜トランジスタの積層構造が、トップゲート・ボトムコンタクト型の場合について主に示したが、これに限定されるものではない。
【実施例】
【０１３９】
以下に、本発明の実施例について説明するが、本発明はかかる実施例により限定されない。【０１４０】
（実施例１）
１．撥液性導体インクの調製【０１４１】
まず、特開２０１０−８００９５号公報に記載の「実施例１インキ」において、精製グリセリンの配合量を２０ｇに減らしたこと以外は同様にして、導体インクを調製した。【０１４２】
具体的には、分岐状ポリエチレンイミン鎖と親水性ポリエチレングリコール鎖の比が１：３の高分子化合物０．９４ｇに、銀ナノ粒子原料としての硝酸銀水溶液を加え、導電性粒子として平均粒径３０ｎｍの銀２９質量％を含む銀粒子エタノール分散液１００ｇを得た。更に、精製グリセリン２０ｇ、サイメル３２５（日本サイディックインダストリーズ社製、イミノタイプのメラミン樹脂）８０質量％のイソブタノール溶液１．１ｇを配合し、分散攪拌機にて１０分間撹拌し、導体インクを得た。【０１４３】
得られた導体インク１００部に、撥液添加剤として、ポリテトラフルオロエチレン（略称ＰＴＦＥ）の水分散体（ダイキン社製「ポリフロンＰＴＦＥ  Ｄ−２１０」、ＰＴＦＥ粒子の粒子径＝約０．２μｍ）２部を混合し、孔径０．５μｍのメンブレンフィルターで濾過して濾液を回収し、撥液性導体インク１とした。【０１４４】
撥液性導体インク１の粘度は８．０ｍＰａ・ｓ、チキソトロピック係数は１．０２、導電性粒子の平均粒径は３５ｎｍであった。【０１４５】
２．配線積層構造体の作製
図６に示した例と同様にして、トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタを作製した。具体的には、１６００×１２００画素＝１９２００００画素を駆動するための１９２００００個の薄膜トランジスタを基材上に備える薄膜トランジスタアレイを作製した。【０１４６】
（１）ソース電極及びドレイン電極（下部電極）の形成
まず、反転印刷法によって、ポリエチレンナフタレート（略称ＰＥＮ）からなる基材上に、銀ナノ粒子を含むインクをパターン印刷し、１８０℃で焼成してソース電極及びドレイン電極を形成した（図６（ａ））。焼成後のソース電極及びドレイン電極の厚さは２００ｎｍであった。【０１４７】
（２）ソース電極及びドレイン電極の表面処理
次いで、ソース電極及びドレイン電極をＰＦＢＴのＩＰＡ溶液（１００ｍＭ）に１０分間浸漬して表面処理し、これら電極のＡｇ表面に電荷注入層としてＳＡＭを形成した。【０１４８】
（３）ポスト電極の形成
次いで、インクジェットヘッド（コニカミノルタ社製「ＫＭ５１２Ｓヘッド」、標準液滴量：４ｐＬ）から撥液性導体インク１の液滴を下記の条件で吐出し、ドレイン電極上に着弾させた。着弾までの間に分断滴（以下、サテライトともいう）が１個発生した。液滴を着弾させた後、１８０℃にて焼成を行い、表面撥液性を有するポスト電極を形成した（図６（ｂ））。【０１４９】
＜ギャップ設定＞
インクジェットヘッドのノズル面と液滴着弾面であるドレイン電極表面とのギャップ（図２参照）を０．５ｍｍに設定した。【０１５０】
＜着弾位置補正＞
着弾位置補正として、ドレイン電極上への液滴吐出を行う前に、テスト用基材上に、インクジェットヘッドが備えるノズル毎に液滴を吐出し、そのノズル毎の着弾位置を測定した。その後、設計値に対する位置ずれ量を求め、より設計値に近い着弾位置に着弾させるよう、ノズル毎に吐出タイミングの補正を行った。【０１５１】
＜ヘッド駆動条件＞
駆動電圧１３Ｖで、図３（ａ）に示す駆動信号（射出パルス）によりインクジェットヘッドを駆動して液滴の吐出を行った。【０１５２】
＜クリーニング＞
ドレイン電極上への液滴吐出を行う前に、インクジェットヘッドのノズル面をブレードでワイピングすることによりクリーニングを行った。【０１５３】
（４）半導体層の形成
インクジェット方式により、ソース電極及びドレイン電極に跨るように、高分子系の有機半導体材料を含む半導体インクを塗布して、半導体層を形成した（図６（ｃ））。【０１５４】
（５）絶縁層の形成
スピンコート法により、有機絶縁材料を含む絶縁体インクを塗布し、乾燥させた後、焼成して絶縁層を形成した（図６（ｄ））。このプロセスで、ポスト電極上の絶縁層は弾かれ、ポスト電極の先端部が絶縁層の表面から露出した状態になった。【０１５５】
（６）ゲート電極及び画素電極（上部電極）の形成
次いで、反転印刷法により、絶縁層上に、銀ナノ粒子を含むインクをパターン印刷し、１８０℃で焼成してゲート電極及び画素電極を形成し、薄膜トランジスタを得た（図６（ｅ））。【０１５６】
３．測定方法及び評価方法
（１）飛翔状態
インクジェットヘッド（コニカミノルタ社製「ＫＭ５１２Ｓヘッド」、標準液滴量：４ｐＬ）に駆動信号として、図３（ａ）に示す射出パルスＰ１を印加して、ポスト電極形成に用いる撥液性導体インク１を吐出し、ノズル面から所定のギャップを隔てて配置したドレイン電極に主滴先頭が到達した時点での主滴速度、後続するサテライト滴及びミストの発生状態を確認した。その結果を表２に示す。【０１５７】
（２）補正後の着弾精度
テスト用基材に液滴を着弾させ、繰り返し同じ描画を行った場合の設計値に対する着弾位置ずれ量を、着弾形状の重心値からのずれとして測定を行い、そのときの最大のずれ量を求めた。その結果を表２に示す。【０１５８】
（３）連続吐出性
１６００×１２００画素の薄膜トランジスタアレイを構成する各薄膜トランジスタのドレイン電極に、撥液性導体インク１を用いて液滴を吐出して印刷を行なった。これを１０枚連続印刷した後、着弾位置ずれ量を測定し、印刷前のテスト用基材を用いて着弾位置ずれを補正した際の位置ずれ補正量に対する変動（初期着弾ずれ変動）の大きさ（倍数）を求め、以下の評価基準で評価した。その結果を表２に示す。【０１５９】
＜評価基準＞
Ａ：初期着弾ずれ変動が２倍未満である
Ｂ：初期着弾ずれ変動が２〜３倍の範囲である
Ｃ：初期着弾ずれ変動が３倍を超える【０１６０】
（４）層間接続良品率
１６００×１２００画素の薄膜トランジスタアレイを構成する薄膜トランジスタのうち２５６点を任意に選択し、オートプローバーを用いてドレイン電極−画素電極間の導通を確認し、導通不良箇所数を数え、以下の評価基準で評価した。その結果を表２に示す。【０１６１】
＜評価基準＞
Ａ：全数導通
Ｂ：不良箇所が２箇所以下である
Ｃ：不良箇所が２箇所を超える【０１６２】
（５）ショート欠陥率
１６００×１２００画素の薄膜トランジスタアレイを構成する薄膜トランジスタのうち２５６点を任意に選択し、オートプローバーを用いてソース電極−ドレイン電極ライン間の導通を確認した。ショートが生じた箇所について光学顕微鏡にて状態を確認し、撥液性導体インクの着弾異常によるショート箇所数を数え、以下の評価基準で評価した。その結果を表２に示す。【０１６３】
＜評価基準＞
Ａ：ショート無し
Ｂ：ショート箇所が２箇所以下である
Ｃ：ショート箇所が２箇所を超える【０１６４】
（実施例２）
実施例１において、ポスト電極の形成に際して、ギャップ設定を１ｍｍに変更し、サテライトが無かったこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１６５】
（比較例１）
実施例１において、ポスト電極の形成に際して、駆動電圧を１４Ｖに変更し、ミストが発生してサテライトが２個以上になったこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１６６】
（実施例３）
実施例１において、ポスト電極の形成に際して、ギャップ設定を１ｍｍに変更し、更に駆動電圧を１５Ｖに変更し、液柱分断が無かったこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１６７】
（比較例２）
実施例１において、ポスト電極の形成に際して、撥液性導体インク１に代えて下記撥液性導体インク２を用い、ミストが発生してサテライトが２個以上になったこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１６８】
＜撥液性導体インク２の調製＞
実施例１で得られた導体インク１００部に、ペンタフルオロベンゼンチオール（略称ＰＦＢＴ）のイソプロピルアルコール（略称ＩＰＡ）溶液（ＰＦＢＴ濃度＝１００ｍＭ）３部を混合し、孔径０．５μｍのメンブレンフィルターで濾過して濾液を回収し、撥液性導体インク２とした。【０１６９】
撥液性導体インク２の粘度は８．５ｍＰａ・ｓ、チキソトロピック係数は１．１０、平均粒径は４０ｎｍであった。【０１７０】
（実施例４）
比較例２において、ポスト電極の形成に際して、駆動電圧を１２Ｖに変更し、サテライトが１個になったこと以外は比較例２と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１７１】
（実施例５）
実施例４において、ポスト電極の形成に際して、下記ヘッド駆動条件でインクジェットヘッドを駆動し、サテライトが１個であったこと以外は実施例４と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１７２】
＜ヘッド駆動条件＞
駆動電圧１２Ｖで、図３（ｃ）に示す駆動信号（微振動パルス＋射出パルス）によりインクジェットヘッドを駆動して液滴の吐出を行った。また、吐出前に、図３（ｂ）に示す駆動信号（微振動パルス）を１０００回以上印加して、ノズル内のインクメニスカスを微振動させた。【０１７３】
（実施例６）
実施例１において、ポスト電極の形成に際して、撥液性導体インク１に代えて下記撥液性導体インク３を用い、更に実施例５と同様のヘッド駆動条件でインクジェットヘッドを駆動し、サテライトが１個であったこと以外は実施例１と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１７４】
＜撥液性導体インク３の調製＞
上記撥液性導体インク２の調製において、メンブレンフィルターで濾過する前に、混合物を６０℃で２４時間アニールしたこと以外は同様にして、撥液性導体インク３を得た。【０１７５】
撥液性導体インク３の粘度は８．７ｍＰａ・ｓ、チキソトロピック係数は１．０５、平均粒径は４４ｎｍであった。【０１７６】
（実施例７）
実施例６において、ポスト電極の形成に際して、撥液性導体インク３に代えて下記撥液性導体インク４を用い、サテライトが無かったこと以外は実施例６と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１７７】
＜撥液性導体インク４の調製＞
上記撥液性導体インク２の調製において、ＰＦＢＴのＩＰＡ溶液の配合量を１部にしたこと以外は同様にして、撥液性導体インク４を得た。【０１７８】
撥液性導体インク４の粘度は８．３ｍＰａ・ｓ、チキソトロピック係数は１．０３、平均粒径は３８ｎｍであった。【０１７９】
（実施例８）
実施例７において、ポスト電極の形成に際して、着弾位置補正及びノズルクリーニングを省略し、サテライトが無かったこと以外は実施例７と同様にして、薄膜トランジスタを作製した。【０１８０】
撥液性導体インク１〜４の組成を表１に示す。【０１８１】
【表１】
2017047323.tif 000003
【０１８２】
実施例１〜８及び比較例１、２の結果を表２に示す。【０１８３】
【表２】
2017047323.tif 000004
【符号の説明】
【０１８４】
１：基材
２：下部電極（ドレイン電極）
３：ポスト電極
３１：先端部
４：ソース電極
５：半導体層
６：絶縁層
７：ゲート電極
８：画素電極（上部電極）
１０：インクジェットヘッド
１１：ノズル
１２：ノズル面
Ｄ：液滴
Ｄｓ：サテライト滴（分断滴）
【図１】
2017047323.tif 000005
【図２】
2017047323.tif 000006
【図３】
2017047323.tif 000007
【図４】
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【図５】
2017047323.tif 000009
【図６】
2017047323.tif 000010
【国際調査報告】
2017047323.tif 000011
2017047323.tif 000012
2017047323.tif 000013
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