(57)【要約】  電力用半導体装置は、信号端子及び電力用半導体素子を備え、電力用半導体素子は基板の上に配置され、信号端子は、本体部と接合部とを有し、その一部が端子台により保持され、接合部は先端部と基部とを有し、先端部に、端子台から露出して信号配線が接続されるパッド部を有し、基部は、パッド部よりも上下方向の厚みが薄い薄肉部を有し、薄肉部の上面は、パッド部の上面よりも低い位置に設けられて、端子台を形成する樹脂材料で覆われている。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号端子及び電力用半導体素子を備えた電力用半導体装置であって、
前記電力用半導体素子は基板の上に配置され、
前記信号端子は、本体部と接合部とを有し、その一部が端子台により保持され、
前記接合部は先端部と基部とを有し、
前記先端部は前記端子台から露出して信号配線が接続されるパッド部を有し、
前記基部は前記パッド部よりも厚みが薄い薄肉部を有し、
前記薄肉部の上面は、前記パッド部の上面よりも低い位置に設けられて、前記パッド部の上面よりも低い位置まで前記端子台を形成する樹脂材料で覆われた、
電力用半導体装置。
【請求項２】
前記先端部に、前記パッド部より水平方向の幅が狭い幅狭部を備える、
請求項１に記載の電力用半導体装置。
【請求項３】
前記薄肉部に、上下方向に貫通する貫通穴を設け、
前記貫通穴は、前記端子台を形成する樹脂材料により充填された、
請求項１または２に記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
前記薄肉部に、
前記パッド部よりも、水平方向の幅が広げられた幅広部を備える、
請求項１から３のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記薄肉部に切欠き部を有し、
前記切欠き部は、前記端子台を形成する樹脂材料により充填された、
請求項１から４のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
前記基部に、前記信号端子の一部を露出させた露出面を備える、
請求項１から５のいずれか１項に記載の電力用半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電力用半導体装置の信号端子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤボンディングが行われる電力用半導体装置は、放熱部材に搭載された基板上に半導体素子が搭載され、その一部に、基板を覆うように端子台が配置される。端子台には、信号端子が複数設置される。信号端子は、電力用半導体装置の外部と半導体素子とを電気的に接続するための端子である。このような信号端子は、樹脂材料からなる端子台に、インサート成形または圧入により固定されている（例えば特許文献１の図６参照）。【０００３】
ここで、半導体素子のパターン部と、信号端子のパッド部とを、信号配線で接続するワイヤボンディング工程では、超音波信号を印加するため、信号端子を強固に保持することが不可欠である。ところが、信号端子を、単に端子台にインサート成形するだけ、または圧入するだけでは、超音波振動により信号端子が共振し、所望の超音波を印加できない場合がある。このため、特許文献１では、端子台に、信号端子のパッド部の一部を露出させる円錐状の開口部を設け、露出面の全周を樹脂材料で押さえることにより、パッド部の浮き上がりを防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１４２５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、信号端子のパッド部と開口部の樹脂材料とを、鉛直方向に密着させているだけである。よって、パッド部の水平方向の振動を抑制することはできない。【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたものであり、信号端子のパッド部の振動を抑制できる電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る電力用半導体装置は、基板と、基板上に配置される電力用半導体素子と、基板上に配置される端子台と、端子台を形成する樹脂材料により保持される信号端子と、信号端子及び電力用半導体素子に接続される、信号配線とを備え、信号端子は、本体部と接合部とを有し、接合部は、先端部と基部とを有し、先端部に、端子台から露出して信号配線が接続されるパッド部を設け、基部に、パッド部よりも上下方向の厚みが薄い薄肉部を設け、薄肉部の上面は、パッド部の上面よりも低い位置に設けられて、端子台を形成する樹脂材料で覆われている。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係る電力用半導体装置によれば、隣接する端子間の沿面絶縁距離を変えることなく、信号端子のパッド部の保持力を向上させることが出来る。これにより、信号端子のパッド部の振動を抑制することのできる、電力用半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明における実施の形態１の電力用半導体装置を、放熱部材に複数個実装した模式図である。
【図２】実施の形態１の電力用半導体装置の斜視図である。
【図３Ａ】実施の形態１の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図３Ｂ】実施の形態１の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図３Ｃ】実施の形態１の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う電力用半導体装置の断面図である。
【図５Ａ】実施の形態２の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図５Ｂ】実施の形態２の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図５Ｃ】実施の形態２の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図６】実施の形態２の電力用半導体装置の断面図である。
【図７】実施の形態２の電力用半導体装置における信号端子の変形例を示す上面図である。
【図８】実施の形態３の電力用半導体装置の斜視図である。
【図９Ａ】実施の形態３の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図９Ｂ】実施の形態３の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図９Ｃ】実施の形態３の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図１０】実施の形態３の電力用半導体装置の断面図である。
【図１１Ａ】実施の形態４の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図１１Ｂ】実施の形態４の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図１１Ｃ】実施の形態４の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図１２Ａ】実施の形態５の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図１２Ｂ】実施の形態５の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図１２Ｃ】実施の形態５の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図１３Ａ】実施の形態６の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図１３Ｂ】実施の形態６の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図１３Ｃ】実施の形態６の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図１４Ａ】実施の形態７の電力用半導体装置における信号端子の側面図である。
【図１４Ｂ】実施の形態７の電力用半導体装置における信号端子の上面図である。
【図１４Ｃ】実施の形態７の電力用半導体装置における信号端子の斜視図である。
【図１５Ａ】信号端子のワイヤボンディング工程において、超音波ツールを信号配線に加圧した状態を示す図である。
【図１５Ｂ】信号端子のワイヤボンディング工程において、超音波ツールを加振した状態を示す図である。
【図１５Ｃ】信号端子のワイヤボンディング工程において、超音波ツールを除荷した状態を示す図である。
【図１５Ｄ】信号端子のワイヤボンディング工程において、超音波ツールを移動させた状態を示す図である。
【図１５Ｅ】信号端子のワイヤボンディング工程において、信号配線にカッターを入れた状態を示す図である。
【図１５Ｆ】信号端子のワイヤボンディング工程において、カッターを後退させた状態を示す図である。
【図１５Ｇ】信号端子のワイヤボンディング工程において、信号配線を切り離した状態を示す図である。
【図１６Ａ】信号端子の薄肉部の上面を覆う樹脂材料が、パッド部の上面よりも高い場合において、カッターを後退させた状態を示す図である。
【図１６Ｂ】信号端子の薄肉部の上面を覆う樹脂材料が、パッド部の上面よりも高い場合において、信号配線を切り離した状態を示す図である。
【図１７Ａ】信号端子の薄肉部の上面を覆う樹脂材料が、パッド部の上面よりも低い場合において、カッターを後退させた状態を示す図である。
【図１７Ｂ】信号端子の薄肉部の上面を覆う樹脂材料が、パッド部の上面よりも低い場合において、信号配線を切り離した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の電力用半導体装置の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明における電力用半導体装置１を、放熱部材１００に複数個実装した模式図である。図２は、本発明の実施の形態１における、電力用半導体装置１の斜視図である。図２に示すように、電力用半導体装置１は、基板６０と、端子台５０と、電力用半導体素子４０と、信号端子１０ａと、信号配線３０を有している。信号配線３０のワイヤボンディング工程では、図２のようにパッド部１２を上向きに露出させて信号配線３０を接合する。そのため、ここでは信号端子１０ａ側を上向きとして説明を行う。
【００１２】
電力用半導体素子４０は、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスター）とダイオードの組合せからなる。電力用半導体素子４０は、基板６０の配線パターン上に、ダイボンド材を用いて固着されている。電力用半導体素子４０の厚みは、ＩＧＢＴがＳｉ（ケイ素）の場合は、必要な耐電圧に応じて６０〜２００μｍ程度である。端子台５０は、基板６０上に接着剤により固着されている。端子台５０は、後工程のはんだ付けに耐え得るよう、耐熱性を有する樹脂を主成分とする樹脂材料７０により形成されている。
【００１３】
図３Ａ〜図３Ｃは、それぞれ、電力用半導体装置１の信号端子１０ａを示す側面図、上面図及び斜視図である。図４は、図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う電力用半導体装置１の断面図である。図３Ａに示すように、信号端子１０ａは、柱状の本体部１０１と、板状の接合部１０２とを有している。信号端子１０ａは、端子台５０の形成時にインサート成形される。信号端子１０ａは、本体部１０１の一部及び接合部１０２の一部が、端子台５０を形成する樹脂材料７０に覆われて、端子台５０に保持される。接合部１０２は、樹脂材料７０で覆われる基部Ｂと、パッド部１２を有する先端部Ａとからなる。パッド部１２の上面１２ａは、端子台５０から露出しており、信号配線３０が接合される。信号端子１０ａは、耐振動性及び後工程における熱の影響を考慮して、銅あるいは黄銅により形成される。また、信号端子１０ａは、酸化防止を目的として、Ｓｎめっき、Ｎｉめっきなどの表面処理が施されている。
【００１４】
信号配線３０は、電力用半導体素子４０の５種類の低圧系の端子と、信号端子１０ａとを接続している。５種類の低圧系の端子は、電力用半導体素子４０のＩＧＢＴ素子の、ゲート端子及びエミッタ端子と、電力用半導体素子４０に内蔵された温度センスダイオードの、アノード端子及びカソード端子と、電力用半導体素子４０に内蔵された電流センサ端子である。信号配線３０は、電力用半導体素子４０の表面に形成されたパターン部と、信号端子１０ａのパッド部１２に、ワイヤボンディングによって接合される。
【００１５】
ワイヤボンディングでは、電力用半導体素子４０のパターン部と、信号端子１０ａのパッド部１２に対し、信号配線３０を押し当てて、図３Ｂに示すＹ方向への超音波振動を加える。そして、パターン部及びパッド部１２と、信号配線３０間に新生面を発生させ、凝着させることにより接合を行っている。
【００１６】
このとき、端子台５０への信号端子１０ａの保持が不十分であると、超音波振動により、パッド部１２と信号配線３０とがＹ方向に共振してしまい、新生面が生じずに接合不良となる。したがって、パッド部１２が振動しないように信号端子１０ａを保持する必要がある。
【００１７】
図３Ｂに示すように、実施の形態１による信号端子１０ａは、接合部１０２の先端部Ａに、図１及び図２に示すＸ方向の幅を狭くした幅狭部１６を設けている。そして、幅狭部１６における、幅を狭めた部位に、端子台５０を形成する樹脂材料７０を充填する。これにより、パッド部１２の、Ｙ方向の振動を抑制している。さらに、信号端子１０ａは、接合部１０２の基部Ｂに、パッド部１２より上下方向の厚みを薄くした、薄肉部１４を設けている。そして、端子台５０を形成する樹脂材料７０により、薄肉部１４の上面１４ａを、パッド部１２の上面１２ａよりも低く覆うことにより、パッド部１２の、Ｙ方向の振動の抑制力を高めている。
【００１８】
ここで、薄肉部１４の上面１４ａを覆う樹脂材料７０の上面を、パッド部１２の上面１２ａよりも低くする理由について説明する。
【００１９】
信号配線３０のワイヤボンディングは、カッター２０１を有する超音波ツール２００を用いて行われる。図１５Ａから図１５Ｇは、信号配線３０のワイヤボンディングを行う一連の工程を順に示している。図１５Ａから図１５Ｇに示す各工程の内容は以下のとおりである。
（図１５Ａ）超音波ツール２００を用いて、信号端子１０ａのパッド部１２の上面１２ａに、信号配線３０を加圧させながら接触させる。
（図１５Ｂ）超音波ツール２００に発生させた超音波振動を印加して、パッド部１２の上面１２ａと信号配線３０とを接合する。
（図１５Ｃ）超音波ツール２００による加圧を除荷する。
（図１５Ｄ）超音波ツール２００を信号端子１０ａ側に移動させる。
（図１５Ｅ）カッター２０１を信号配線３０に当てる。カッター２０１の刃は、信号配線３０の直径の半分から７０％程度を目安として入れる。
（図１５Ｆ）カッター２０１を退避させる。カッター２０１を入れた部分の信号配線３０は変形し、信号端子１０ａ側の下部に、微小なバリ状の突起が生じる。
（図１５Ｇ）超音波ツール２００を上方に移動させる。そして、信号配線３０を引張り上げて切断する。
【００２０】
図１６Ａと図１６Ｂは、薄肉部１４の上面１４ａを覆う樹脂材料７０の上面が、パッド部１２の上面１２ａよりも高い場合の、図１５Ｆの工程と、図１５Ｇの工程を示している。一方、図１７Ａと図１７Ｂは、薄肉部１４の上面１４ａを覆う樹脂材料７０の上面が、パッド部１２の上面１２ａよりも低い場合の、図１５Ｆの工程と、図１５Ｇの工程を示している。
【００２１】
図１６Ａ及び図１６Ｂのように、樹脂材料７０の上面が、パッド部１２の上面１２ａよりも高い場合には、信号配線３０に発生した突起が、樹脂材料７０の角部と接触することがある。すると、樹脂材料７０が削り取られて飛散することがある。削り取られた樹脂材料７０が飛散すると、以降のワイヤボンディング工程における接合が阻害されるおそれがある。また、薄肉部１４において、必要な絶縁距離が保てなくなるおそれもある。
【００２２】
一方、図１７Ａ及び図１７Ｂのように、樹脂材料７０の上面を、パッド部１２の上面１２ａよりも低くしておけば、信号配線３０に発生した突起が、樹脂材料７０に接触することを防ぐことができる。これにより、削り取られた樹脂材料７０が飛散することを防止できる。よって、以降のワイヤボンディング工程における接合が阻害されることがなくなる。また、薄肉部１４において、必要な絶縁距離が保てなくなるおそれもなくなる。以上が、薄肉部１４の上面１４ａを覆う樹脂材料７０の上面を、パッド部１２の上面１２ａよりも低くする理由である。
【００２３】
なお、パッド部１２の上面１２ａから薄肉部１４の上面１４ａに至る角部にＣ面加工を施して、端子台５０を成形する金型の端部を、パッド部１２の上面１２ａよりも薄肉部１４の上面１４ａに近づけるとよい。これにより、薄肉部１４を覆う樹脂材料７０の上面を、確実にパッド部１２の上面１２ａよりも低くすることができる。
【００２４】
幅狭部１６の幅は、パッド部１２の幅より狭く形成されている。幅狭部１６の幅は、パッド部１２の幅の半分以下にするとよい。薄肉部１４の厚みは、パッド部１２の８５％以下として、上面１４ａを樹脂材料７０で覆う。薄肉部１４の厚みは、パッド部１２の５０〜７０％であると、さらによい。このように、実施の形態１における電力用半導体装置１によれば、隣接する信号端子１０ａ間の沿面絶縁距離を変えることなく、信号端子１０ａのＹ方向の振動を抑制することができる。なお、実施の形態１では、信号端子１０ａの接合部１０２に、幅狭部１６と薄肉部１４の両方を設けているが、薄肉部１４のみでもよい。
【００２５】
ここで、ワイヤボンディングの安定性は、端子台５０を形成する樹脂材料７０と信号端子１０ａとの密着力に寄与する。そこで、樹脂材料７０の種類及び信号端子１０ａの材質には、電力用半導体装置を使用する環境の最高温度、及びワイヤボンディグ後の加熱プロセスを考慮して、十分な耐熱性を備えたものを選択しなければならない。
【００２６】
例えば、樹脂材料７０としては、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルファイド）、ＬＣＰ（液晶ポリマー）などが挙げられる。耐熱性を考慮するとＬＣＰが有利であるが、ＬＣＰはＰＰＳよりも、信号端子１０ａとの密着度が十分に得られない場合がある。実施の形態１の電力用半導体装置１では、信号端子１０ａに薄肉部１４を設けているので、樹脂材料７０と信号端子１０ａとの密着度を向上させることができる。
【００２７】
また、薄肉部１４を設けるとともに、ワイヤボンディングの設備側に押さえ爪を設け、ワイヤボンディング部の近傍を押さえ爪で押さえてもよい。これにより、さらに安定したワイヤボンディング状態を得ることができる。
【００２８】
実施の形態２．
図５Ａ〜図５Ｃは、それぞれ、実施の形態２の信号端子１０ｂを示す側面図、上面図及び斜視図である。図６は、信号端子１０ｂを用いた電力用半導体装置１の断面図である。実施の形態２の電力用半導体装置１は、信号端子１０ｂの形状が異なるほかは、実施の形態１と同様である。
【００２９】
図５Ａに示すように、実施の形態２における信号端子１０ｂは、柱状の本体部１０１と、板状の接合部１０２とを有している。そして、接合部１０２の先端部Ａには、図５Ｂに示すように、幅狭部１６が設けられ、基部Ｂには、薄肉部１４が設けられている。
【００３０】
実施の形態２による信号端子１０ｂには、薄肉部１４に、Ｚ方向に貫通する貫通穴１８が設けられている。この貫通穴１８の内部が、端子台５０を形成する樹脂材料７０により充填されることによって、信号端子１０ｂの基部Ｂは、ＸＹ平面内における移動が阻止される。したがって、信号端子１０ｂのパッド部１２は、ＸＹ平面内における全ての方向への振動が抑制される。
【００３１】
ここで、電力用半導体素子４０上の各接合部と、各信号端子１０のパッド部１２とを接続する各信号配線３０の角度は、製造装置及び製品品質の安定性を考慮すると、図２に示すように同一であることが好ましい。しかしながら、小型化が求められる電力用半導体装置１においては、信号配線３０の角度を同一とすると、小型化する上で寸法上の制約が生じてしまうので、各信号配線３０の角度を異ならせる場合がある。各信号配線３０の角度が異なる場合、ワイヤボンディングによる加振方向が、信号配線３０ごとに異なる。よって、パッド部１２ごとに異なる方向の振動が加わる。このように、実施の形態２による信号端子１０ｂによれば、各信号配線３０の角度が異なる場合であっても、ＸＹ平面内における、パッド部１２の全ての方向の振動を抑制することができる。よって、ワイヤボンディングの接合不良を低減させることができる。
【００３２】
なお、実施の形態２にでは、貫通穴１８の形状を円形としたが、これに限るものではない。例えば、貫通穴１８の形状は、楕円形状、長穴形状、三角形、四角形などの多角形としてもよい。貫通穴１８の形状を楕円形状または長穴形状とする場合、図７に示すように、ワイヤボンディングの加振方向であるＹ方向と、貫通穴１８の長軸方向とが、任意の角度θを有するように形成すると、より一層の振動抑制効果が得られる。
【００３３】
実施の形態３．
図８は、実施の形態３の電力用半導体装置１の模式図である。図９Ａ〜図９Ｃは、それぞれ、図８の信号端子１０ｃの側面図、上面図及び斜視図である。図１０は、実施の形態３の電力用半導体装置１の断面図である。実施の形態３の電力用半導体装置１は、信号端子１０ｃの形状が異なるほかは、実施の形態１と同様である。
【００３４】
図９Ａに示すように、信号端子１０ｃは、柱状の本体部１０１と、板状の接合部１０２とを有している。そして、接合部１０２には、図９Ｂに示すように、幅狭部１６と、薄肉部１４と、貫通穴１８とが設けられている。
【００３５】
電力用半導体装置１の製造工程では、検査用のプローブを用いて、電力用半導体素子４０の各配線の導通検査をする。しかしながら、導通検査をする際には、信号端子１０ａ及び信号端子１０ｂの本体部１０１に、Ｚ方向あるいはＹ方向からプローブを接触させるため、実施の形態１及び２のような電力用半導体装置１の場合、本体部１０１を曲げてしまうおそれがある。
【００３６】
そこで、実施の形態３による電力用半導体装置１では、信号端子１０ｃの基部Ｂに、端子台５０から露出する露出面２０を設け、プローブを露出面２０に接触させて検査を行うことができるようにしている。これにより、信号端子１０ｃの本体部１０１にプローブを接触させることなく、検査を行うことができる。また、露出面２０へのプローブのアクセス方向と、電力用半導体素子４０のパターン面４０ａへのプローブのアクセス方向とが、どちらもＺ方向となるので、検査設備を簡略化することができる。よって、検査工程の効率化をはかることができる。
【００３７】
実施の形態４．
図１１Ａ〜図１１Ｃは、それぞれ、実施の形態４における信号端子１０ｄを示す側面図、上面図及び斜視図である。図１１Ａ及び図１１Ｂに示すように、信号端子１０ｄは、接合部１０２に、幅狭部１６と薄肉部１４が設けられている。また、図１１Ｂに示すように、信号端子１０ｄの薄肉部１４には、Ｘ方向の幅をパッド部１２の幅よりも広くした、幅広部２２が設けられている。
【００３８】
幅広部２２は、薄肉部１４に設けられるため、端子台５０を形成する樹脂材料７０によって、その周囲が覆われる。電力用半導体装置１としての外観は、図２に示す、信号端子１０ａを用いた電力用半導体装置１と同じになる。したがって、隣接する信号端子１０ｄ間の沿面絶縁距離は変わらない。これにより、隣接する信号端子１０ｄ間の沿面絶縁距離を変えることなく、信号端子１０ｄのパッド部１２のＹ方向の振動をさらに抑制することができる。なお、幅広部２２の幅は、パッド部１２の幅の１．１倍以上とすることが好ましい。
【００３９】
実施の形態５．
図１２Ａ〜図１２Ｃは、それぞれ、実施の形態５における信号端子１０ｅを示す側面図、上面図及び斜視図である。実施の形態５における信号端子１０ｅは、接合部１０２に、幅狭部１６と、薄肉部１４及び貫通穴１８が設けられている。そして、図１２Ｂに示すように、信号端子１０ｅの薄肉部１４には、Ｘ方向の幅をパッド部１２の幅よりも広くした幅広部２２が設けられている。
【００４０】
実施の形態６．
図１３Ａ〜図１３Ｃは、それぞれ、実施の形態６における信号端子１０ｆを示す、側面図、上面図及び斜視図である。信号端子１０ｆには、接合部１０２に、幅狭部１６と、薄肉部１４と、Ｚ方向に貫通する貫通穴１８と、端子台５０から一部が露出する露出面２０が設けられている。そして、図１２Ｂに示すように、信号端子１０ｆの薄肉部１４には、Ｘ方向の幅をパッド部１２の幅よりも広くした幅広部２２が設けられている。
【００４１】
実施の形態７．
図１４Ａ〜図１４Ｃは、それぞれ、実施の形態７における信号端子１０ｇ〜１０ｉを示す斜視図である。信号端子１０ｇ〜１０ｉは、実施の形態２における信号端子１０ｂの貫通穴１８にかえて、薄肉部１４の両側面に、それぞれ、半円、三角形、四角形の切欠き部２４を設けている。信号端子１０ｇ〜１０ｉは、切欠き部２４を設けることにより、薄肉部１４の幅が部分的に狭くなっている。
【００４２】
なお、実施の形態７では、実施の形態２における信号端子１０ｂの貫通穴１８にかえて切欠き部２４を設けたが、貫通穴１８に加えて、切欠き部２４を設けてもよい。さらに、実施の形態７では、パッド部１２と水平方向（Ｙ方向）の幅が等しい薄肉部１４に切欠き部２４を設けたが、図１１Ｂに示す信号端子１０ｄの、幅広部２２に切欠き部２４を設けてもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１  電力用半導体装置、１０ａ〜１０ｉ  信号端子、１０１  本体部、１０２  接合部、１２  パッド部、１２ａ  上面、１４  薄肉部、１４ａ  上面、１６  幅狭部、１８  貫通穴、２０  露出面、２２  幅広部、２４  切欠き部、３０  信号配線、４０  電力用半導体素子、５０  端子台、６０  基板、７０  樹脂材料、Ａ  先端部、Ｂ  基部。
【図１】
2018047659.tif 000003
【図２】
2018047659.tif 000004
【図３Ａ】
2018047659.tif 000005
【図３Ｂ】
2018047659.tif 000006
【図３Ｃ】
2018047659.tif 000007
【図４】
2018047659.tif 000008
【図５Ａ】
2018047659.tif 000009
【図５Ｂ】
2018047659.tif 000010
【図５Ｃ】
2018047659.tif 000011
【図６】
2018047659.tif 000012
【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１５Ｄ】
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【図１５Ｅ】
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【図１５Ｆ】
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【図１５Ｇ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【国際調査報告】
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