(57)【要約】      （修正有）【課題】薄くて反りが少なく、ビア接続の信頼性の高いプリント配線板を提供する。【解決手段】樹脂絶縁層が補強層を含む非対称な樹脂フィルムから形成され、補強層は樹脂絶縁層の上面に寄っていると共に導体層に接している。そして、ビア導体は樹脂絶縁層の樹脂と補強層を貫通して導体層に至っている。【選択図】図１
2014045018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通しているスルーホール導体用の貫通孔と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体で形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第１面と前記第１導体層上に形成されていて、補強材と樹脂で形成されている上側の樹脂絶縁層と、
前記上側の樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と、
前記上側の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記上側の導体層とを接続している上側のビア導体とを有するプリント配線板であって、
前記上側の樹脂絶縁層は上面と前記上面と反対側の下面とを有し、前記上側の樹脂絶縁層の下面は前記絶縁基板の第１面と対向していて、
前記上側の樹脂絶縁層の補強材は前記上側の樹脂絶縁層の上面に寄っていると共に前記第１導体層に接触していて、前記上側のビア導体は前記上側の樹脂絶縁層の樹脂と補強材を貫通している。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１導体層の厚みは前記上側の導体層の厚みより厚い。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記絶縁基板の厚みと前記上側の樹脂絶縁層の厚みが同じである。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記スルーホール導体用の貫通孔は、前記絶縁基板の第１面に第１開口を有する第１開口部と前記絶縁基板の第２面に第２開口を有する第２開口部とからなり、前記第１開口部は前記絶縁基板の第１面から前記絶縁基板の第２面に向かってテーパーしているとともに前記第２開口部は前記絶縁基板の第２面から前記絶縁基板の第１面に向かってテーパーしていて、前記第１開口部と第２開口部は前記絶縁基板の内部で繋がっている。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記上側のビア導体は、前記第１導体層と前記上側のビア導体の界面に上側のビア導体のボトム径を有し、前記上側のビア導体のボトム径は２５μｍから６０μｍである。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板とコア基板上に交互に積層されている樹脂絶縁層と導体層とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１はキャリア付プリプレグや多層プリント配線板を開示している。特許文献１のプリプレグは、ガラスクロスなどのシート状基材とそのシート状基材を挟む第１の絶縁樹脂層と第２の絶縁樹脂層で形成されている。そして、特許文献１では、プリプレグがプリント配線板の内層回路上に積層されている。特許文献１のプリプレグは、第２の絶縁樹脂層とプリント配線板の内層回路が対向するように内層回路上に積層されている。また、特許文献１では、第２の絶縁樹脂層の厚みは内層回路の厚みや内層回路のめっき面積を考慮して決められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１２９８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は第２の絶縁樹脂層の厚みを図２や４４段落で説明している。それらによれば、特許文献１では内層回路とシート状基材との間に樹脂が存在している。内層回路とシート状基材との間に樹脂が存在すると、内層回路に至るビア導体用の開口は第１の絶縁樹脂層とシート状基材と第２の絶縁樹脂層の一部を貫通しなければならない。また、ビア導体と内層回路との接続部分に補強材が存在しない。そのため、ビア導体と内層回路間の接続信頼性が低下すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高いプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板と前記絶縁基板を貫通しているスルーホール導体用の貫通孔と前記絶縁基板の第１面上に形成されている第１導体層と前記絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層と前記貫通孔に形成されていて前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体で形成されているコア基板と、
前記絶縁基板の第１面と前記第１導体層上に形成されていて、補強材と樹脂で形成されている上側の樹脂絶縁層と、
前記上側の樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層と、
前記上側の樹脂絶縁層に形成され、前記第１導体層と前記上側の導体層とを接続している上側のビア導体とを有する。
そして、前記上側の樹脂絶縁層は上面と前記上面と反対側の下面とを有し、前記上側の樹脂絶縁層の下面は前記絶縁基板の第１面と対向していて、
前記上側の樹脂絶縁層の補強材は前記上側の樹脂絶縁層の上面に寄っていると共に前記第１導体層に接触していて、前記上側のビア導体は前記上側の樹脂絶縁層の樹脂と補強材を貫通している。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の応用例を示している断面図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の応用例を示している断面図。
【図４】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】本発明の第２実施形態のプリント配線板の断面図。
【図１１】樹脂フィルムの断面図。
【図１２】（Ａ）は図５（Ｃ）の一部の拡大図、（Ｂ）は図７（Ｂ）の一部の拡大図、（Ｃ）は参考例の一部の拡大図。
【図１３】スルーホール導体の模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が図１の断面図を参照して説明される。
第１実施形態のプリント配線板１０は、第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０とコア基板の第１面上の上側のビルドアップ層５００Ｆと上側のビルドアップ層上に形成されていて開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆと開口７１Ｆに形成されている上側の半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｆとコア基板の第２面上の下側のビルドアップ層５００Ｓと下側のビルドアップ層上に形成されていて開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓと開口７１Ｓに形成されている下側の半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｓを有する。上側の半田バンプ７６Ｆを介してプリント配線板１０上にＩＣチップ９０が搭載される（図２）。下側の半田バンプ７６Ｓを介して、プリント配線板はマザーボード９６に接続される（図３）。
【０００９】
コア基板３０は、第１面Ｆと、第１面Ｆとは反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０と絶縁基板２０の第１面上の第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上の第２導体層３４Ｓと絶縁基板２０を貫通し第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６で形成されている。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。絶縁基板の厚みは６０μｍから２５０μｍであり、第１実施形態の絶縁基板の厚みは１５５μｍである。
【００１０】
上側のビルドアップ層５００Ｆは絶縁基板２０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に形成されている上側の樹脂絶縁層５０Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆ上の上側の導体層５８Ｆと樹脂絶縁層５０Ｆに形成されていて上側の導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体とを接続する上側のビア導体６０Ｆとを有する。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は、更に、上側の樹脂絶縁層と上側の導体層５８Ｆ上に形成されている最上の樹脂絶縁層１５０Ｆと最上の樹脂絶縁層１５０Ｆ上の最上の導体層１５８Ｆと最上の樹脂絶縁層１５０Ｆに形成されていて最上の導体層１５８Ｆと上側の導体層５８Ｆとを接続する最上のビア導体１６０Ｆとを有する。
【００１１】
下側のビルドアップ層５００Ｓは絶縁基板２０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に形成されている下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓ上の下側の導体層５８Ｓと下側の樹脂絶縁層５０Ｓに形成されていて下側の導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体とを接続する下側のビア導体６０Ｓとを有する。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は、更に、下側の樹脂絶縁層５０Ｓと下側の導体層５８Ｓ上に形成されている最下の樹脂絶縁層１５０Ｓと最下の樹脂絶縁層１５０Ｓ上の最下の導体層１５８Ｓと最下の樹脂絶縁層１５０Ｓに形成されていて最下の導体層１５８Ｓと下側の導体層５８Ｓとを接続する最下のビア導体１６０Ｓとを有する。各導体層は複数の導体回路を含む。
【００１２】
各樹脂絶縁層はＢ−ステージの樹脂フィルムから形成される。樹脂絶縁層を形成するための樹脂フィルムが以下に記述されている。
樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ＦＦが図１１に示されている。樹脂フィルム５０ＦＦは第１面ＦＦとその第１面ＦＦと反対側の第２面ＳＳとを有する。樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ＦＦは第１樹脂層５０ＦＦ１と第２樹脂層５０ＦＦ２と第１樹脂層５０ＦＦ１と第２樹脂層５０ＦＦ２に挟まれている補強材（補強層）５０ＦＦ３で形成されている。第１樹脂層の上面が第１面ＦＦであって、第２樹脂層の下面が第２面ＳＳである。
補強材として例えばガラス織布やガラス不織布が挙げられる。補強材５０ＦＦ３の厚み（５０ＦＦ３Ｔ）は１０μｍから３５μｍである。日東紡や旭化成イーマテリアルズ株式会社などからガラスクロスは得られる。
【００１３】
第２樹脂層５０ＦＦ２の厚み（５０ＦＦ２Ｔ）は第１樹脂層５０ＦＦ１の厚み（５０ＦＦ１Ｔ）より厚い。
第２樹脂層５０ＦＦ２の厚みは５μｍから２０μｍであって第１樹脂層５０ＦＦ１の厚みは２．５μｍから１５μｍである。
補強材は樹脂フィルムの第１面ＦＦに寄っている。補強材の中心を通る線（中心線）ＣＬと第１面との間の距離Ｋ１は中心線ＣＬと第２面との間の距離Ｋ２より短い。
樹脂フィルムは、樹脂フィルムの第２面が導体層と対向するように樹脂絶縁層または絶縁基板上に積層される。
【００１４】
上側の樹脂絶縁層は上面とその上面と反対側の下面を有していて絶縁基板の第１面と第１導体層上に形成されている。上側の樹脂絶縁層の下面は絶縁基板の第１面と対向していて、絶縁基板の第１面との界面である。上側の樹脂絶縁層の補強材は第１導体層に接触していて、上側の樹脂絶縁層の補強材は上側の樹脂絶縁層の上面に寄っている（図１２（Ａ））。補強層の中心線ＣＬと上面との間の距離Ｋ１１は中心線ＣＬと下面との間の距離Ｋ２２より小さい。
そして、上側の樹脂絶縁層のビア導体が第１樹脂層（樹脂絶縁層の樹脂）と補強材を貫通し第１導体層に至っている（図１２（Ｂ））。特許文献１の技術で上側のビルドアップ層が形成されると、第１導体層上に第２樹脂層が存在するので、ビア導体は第１樹脂層と補強材と第２樹脂層を貫通し、第１導体層に至る（図１２（Ｃ））。図１２（Ｂ）と図１２（Ｃ）が比較されると、図１２（Ｂ）では、ビア導体用の開口の深さが図１２（Ｃ）のケースより浅くなる。そのため、第１実施形態では、ビア導体用の開口のボトム径ＤＯを大きくすることが出来る。ボトム径ＤＯは導体層上でのビア導体用の開口の径である。実施形態の樹脂絶縁層は図１１に示される非対称の樹脂フィルムから形成される。また、樹脂絶縁層中の補強層は上面に寄っている。そのため、プリント配線板がヒートサイクルを受けると、ビア導体と導体層との界面ＫＭに応力が集中しやすい。その応力でビア導体が導体層から剥がれることがある。第１実施形態では、導体層に補強材が接触しているため、ビア導体と導体層との間の界面が補強される。従って、第１実施形態では、ビア導体と導体層間の接続信頼性が高くなる。ボトム径は２５μｍから６０μｍであることが好ましい。ボトム径が２５μｍ未満であると、ヒートサイクルでビア導体が導体層から剥がれることがある。ボトム径が６０μｍを越えると、プリント配線板が大きくなるのでプリント配線板の反りが大きくなる。反りで補強材が導体層から離れる。そのため、ヒートサイクルでビア導体が導体層から剥がれることがある。
【００１５】
また、補強材が導体層に接触しているので、樹脂絶縁層の層間の厚みが均一になりやすい。層間の短絡が発生しがたい。樹脂絶縁層の上面が平坦になりやすいので、樹脂絶縁層上に微細な導体回路を形成することができる。樹脂絶縁層の層間の厚みＫＦは、図１２（Ｂ）に示されているように、導体層の上面から樹脂絶縁層の上面までの距離ＫＦである。導体回路と導体回路との間に樹脂Ｒ２が充填されている（図１）。その樹脂は樹脂フィルムの第２樹脂で形成されている。
【００１６】
下側の樹脂絶縁層、最上の樹脂絶縁層と最下の樹脂絶縁層は上側の樹脂絶縁層と同様に上面と下面を有する。各樹脂絶縁層の下面はコア基板の方を向いていて、各樹脂絶縁層の上面はソルダーレジスト層の方を向いている。各樹脂絶縁層の補強材は樹脂絶縁層の上面に寄っていて、下の層の導体層に接触している。各樹脂絶縁層のビア導体は、上側の樹脂絶縁層のビア導体と同様に第１樹脂層（樹脂絶縁層の樹脂）と補強材を貫通し導体層に至っている。各樹脂絶縁層に形成されているビア導体は上側のビア導体と同様に下の層の導体層から剥がれがたい。
【００１７】
各樹脂絶縁層で、補強材の中心線ＣＬから樹脂絶縁層の上面までの距離Ｋ１１は第１距離であり、補強材の中心線ＣＬから樹脂絶縁層の下面までの距離Ｋ２２は第２距離である（図１２（Ａ））。第２距離は中心線ＣＬと下の層の樹脂絶縁層の上面または絶縁基板の第１面（第２面）との間の距離である。第２距離は第１距離より大きい。各樹脂絶縁層の補強材は、各樹脂絶縁層の上面に寄っている。
【００１８】
最上の樹脂絶縁層１５０Ｆを形成するための樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みは上側の樹脂絶縁層を形成するための樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みより薄いことが好ましい。
最下の樹脂絶縁層１５０Ｓを形成するための樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みは、下側の樹脂絶縁層を形成するための樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みより薄いことが好ましい。最上と最下の樹脂絶縁層の補強層の厚みは、上側と下側の樹脂絶縁層の補強層の厚みより薄いことが好ましい。プリント配線板の反りが減る。
【００１９】
プリント配線板に反りが発生すると、外側に形成されている樹脂絶縁層は内側に形成されている樹脂絶縁層より多くの応力を受ける。最上の樹脂絶縁層の第２距離は上側の樹脂絶縁層の第２距離より小さいことが好ましい。最下の樹脂絶縁層の第２距離は下側の樹脂絶縁層の第２距離より小さいことが好ましい。補強材を含んでいない部分が少なくなるので、最上や最下の樹脂絶縁層の劣化が抑えられる。各樹脂絶縁層の第１距離は同じであることが好ましい。特定のビア導体に応力が集中しないため、各樹脂絶縁層に形成されているビア導体が導体層から剥がれ難い。第１実施形態では、最上と最下の樹脂絶縁層の第２距離は１７．５μｍであって、第１距離は１２．５μｍである。また、上側と下側の樹脂絶縁層の第２距離は２２．５μｍであって、第１距離は１２．５μｍである。
【００２０】
第１実施形態では、最上の樹脂絶縁層１５０Ｆの厚みＴ２を上側の樹脂絶縁層の厚みＴ１より薄くすることができる。また、最下の樹脂絶縁層１５０Ｓの厚みＴ５を下側の樹脂絶縁層５０Ｓの厚みＴ４より薄くすることができる。熱硬化タイプの樹脂絶縁層の収縮量が小さくなるので、プリント配線板の反りが小さくなる。プリント配線板の反りが少なる。Ｔ１、Ｔ２、Ｔ４、Ｔ５は導体層の上面から樹脂絶縁層の上面までの距離である（図１，図２）。
コア基板が補強材で挟まれるので、Ｚ方向のコア基板の伸びが抑制される。ガラスクロス等の補強材を含まないソルダーレジスト層のクラックが防止される。また、プリント配線板の半田バンプとＩＣチップが確実に接続される。ＩＣチップとプリント配線板間の接続信頼性が向上する。Ｚ方向は絶縁基板の第１面と垂直な方向である。
【００２１】
第１実施形態のプリント配線板では、コア基板の導体層の厚みをビルドアップ層の導体層の厚みより厚くすることができる。これにより、上側と下側の樹脂絶縁層の第２距離を最上と最下の樹脂絶縁層の第２距離より大きくすることが出来る。
第１実施形態のスルーホール導体は貫通孔２８をめっきで充填することで形成されている。貫通孔をめっきで完全に埋めることは難しいので、スルーホール導体の上面に凹部が形成されやすい（図１３）。凹部が形成されても、凹部が第２樹脂層で充填されるので、上側と下側の樹脂絶縁層の上面が平坦となる。最上と最下の樹脂絶縁層の第２距離が短いので、最上と最下の樹脂絶縁層にクラックが入りがたい。
【００２２】
プリント配線板１０の製造方法が図４〜図９を参照して説明される。
（１）補強材と樹脂とからなる絶縁基板２０とその絶縁基板２０の両面に積層されている金属箔２２Ｆ、２２Ｓで形成されている両面銅張積層板２０ｚが用意される（図４（Ａ））。絶縁基板２０は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する。絶縁基板２０の厚みは１５５μｍである。金属箔の厚みは３μｍから１２μｍである。出発材料として、住友ベークライト株式会社製の４７８５ＧＳシリーズを用いることができる。
【００２３】
補強材としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスはＴガラス（日東紡社製）が好ましい。樹脂としては、エポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。さらに、樹脂中にシリカ等からなる無機粒子が含有されている。絶縁基板２０の樹脂中に水酸化物からなる粒子が含有されてもよい。水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。熱で分解されることで水酸化物から水が生成する。このため、水酸化物は、コア基板３０を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。コア基板３０が水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。銅箔２２Ｆ、２２Ｓの表面に黒化処理が施される（図示せず）。
【００２４】
（２）絶縁基板２０の第１面Ｆ側から両面銅張積層板２０ｚにＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板２０の第１面Ｆ側に第１開口２８ＦＯを有し、第２面に向かってテーパーしている第１開口部２８Ｆが形成される（図４（Ｂ））。
【００２５】
（３）絶縁基板２０の第２面Ｓ側から両面銅張積層板２０ｚにＣＯ２レーザが照射される。コア基板の第２面Ｓ側に第２開口２８ＳＯを有し、第１面に向かってテーパーしている第２開口部２８Ｓが形成される（図４（Ｃ））。砂時計形状の貫通孔２８は、第１面Ｆに第１開口２８ＦＯを有する第１開口部２８Ｆと第２面Ｓに第２開口２８ＳＯを有する第２開口部２８Ｓとからなり、第１開口部２８Ｆは第１面から第２面に向かってテーパーしている。第２開口部２８Ｓは第２面から第１面に向かってテーパーしている。第１開口部２８Ｆと第２開口部２８Ｓはコア基板内で繋がっている。
【００２６】
（４）絶縁基板２０の表面及びスルーホール導体用の貫通孔２８の内壁に無電解めっき膜３１が形成される（図４（Ｄ））。
【００２７】
（５）無電解めっき膜３１の表面に所定パターンのめっきレジスト４０が形成される（図４（Ｅ））。
【００２８】
（６）めっきレジストから露出する無電解めっき膜３１上に電解めっき膜３２が形成される（図４（Ｆ））。コア基板３０に形成されている砂時計形状の貫通孔２８に無電解めっき膜３１と電解めっき膜３２から成るスルーホール導体３６が形成される。
【００２９】
（７）めっきレジストが除去され、電解めっき膜間の無電解めっき膜３１、銅箔２２Ｆ、２２Ｓがエッチングで除去される。第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓが形成される（図５（Ａ））。第１導体層や第２導体層は、銅箔２２Ｆ、２２Ｓ、無電解めっき膜３１、電解めっき膜３２から成る。第１導体層の厚みＬ３は１５μｍであり、第２導体層の厚みＬ４は１５μｍである。
【００３０】
（８）コア基板３０の第１面Ｆ上及び第２面Ｓ上に、樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは、図１１に示されているように、ガラスクロスなどの補強材（補強層）とその補強材を挟む第２樹脂層と第１樹脂層で形成されている。コア基板の第１面上に積層される樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ＦＲ１は上側の樹脂フィルムであって、上側の補強層５０ＦＫと上側の補強層を挟む上側の第１樹脂層５０ＦＲ１１と上側の第２樹脂層５０ＦＲ１２で形成されている。コア基板の第２面上に積層される樹脂絶縁層用の樹脂フィルム５０ＳＲ１は下側の樹脂フィルムであって、下側の補強層５０ＳＫと下側の補強層を挟む下側の第１樹脂層５０ＳＲ１１と下側の第２樹脂層５０ＳＲ１２で形成されている。上側と下側の第２樹脂層がコア基板と対向している。
【００３１】
第１実施形態の上側と下側の補強層の厚みは１５μｍであり、上側と下側の第１樹脂層の厚みは５μｍであり、上側と下側の第２樹脂層の厚みは１２．５μｍである。第１樹脂層と第２樹脂層は、エポキシなどの樹脂とシリカなどの無機粒子とで形成されている。第２樹脂層がコア基板と対向するように、樹脂絶縁層用の樹脂フィルムはコア基板上に積層される。樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが硬化され、コア基板の両面に上側と下側の樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓがそれぞれ形成される（図５（Ｃ））。上側の樹脂絶縁層の補強材は第１導体層に接触している。下側の樹脂絶縁層の補強材は第２導体層に接触している。上側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みは第１導体層の厚み未満であることが好ましい。下側の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムの第２樹脂層の厚みは第２導体層の厚み未満であることが好ましい。樹脂絶縁層の補強材が導体層に接触する。
【００３２】
（９）次に、ＣＯ２ガスレーザにて上側と下側の樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓにそれぞれビア導体用の開口５１Ｆ，５１Ｓが形成される（図６（Ａ））。
【００３３】
（１０）樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓの表面とビア導体用の開口５１Ｆ，５１Ｂの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される（図６（Ｂ））。
【００３４】
（１１）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図６（Ｃ））。
【００３５】
（１２）めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される（図７（Ａ））。
【００３６】
（１３）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜がエッチングで除去されることで、複数の導体回路を有する上側と下側の導体層５８Ｆ，５８Ｓ及び上側と下側のビア導体６０Ｆ，６０Ｓが形成される（図７（Ｂ））。上側と下側の導体層５８Ｆ、５８Ｓは、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６とからなり、それらの厚みＬ２、Ｌ５は１０μｍである。
【００３７】
（１４）上側の樹脂絶縁層及び上側の導体層上に最上の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムが積層される。最上の樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは、ガラスクロスなどの最上の補強層１５０ＦＫと最上の補強層を挟む最上の第２樹脂層１５０ＦＲ１２と最上の第１樹脂層１５０ＦＲ１１とからなる。上側の樹脂絶縁層上に積層される樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは最上の樹脂フィルムであって、最上の補強層１５０ＦＫと最上の補強層を挟む最上の第１樹脂層１５０ＦＲ１１と最上の第２樹脂層１５０ＦＲ１２で形成されている。下側の樹脂絶縁層上に積層される樹脂絶縁層用の樹脂フィルムは最下の樹脂フィルムであって、最下の補強層１５０ＳＫと最下の補強層を挟む最下の第１樹脂層１５０ＳＲ１１と最下の第２樹脂層１５０ＳＲ１２で形成されている。最上の第２樹脂層が上側の樹脂絶縁層と対向している。最下の第２樹脂層が下側の樹脂絶縁層と対向している。最上と最下の補強層１５０ＦＫ、１５０ＳＫの厚みは１５μｍであり、最上と最下の第２樹脂層の厚みは７．５μｍであり、最上と最下の第１樹脂層は５μｍである（図８（Ａ））。
【００３８】
（１５）図６（Ａ）から図７（Ｂ）に示されている工程が繰り返され、最上の樹脂絶縁層１５０Ｆ上に最上層の導体層１５８Ｆが形成される。最下の樹脂絶縁層上に最下の導体層１５８Ｓが形成される。最上の樹脂絶縁層のビア導体用の開口に最上のビア導体１６０Ｆが形成される。このビア導体で最上と上側の導体層が接続される。最下の樹脂絶縁層のビア導体用の開口に最下のビア導体１６０Ｓが形成される。このビア導体で最下と下側の導体層が接続される（図８（Ｂ））。最上と最下の導体層１５８Ｆ、１５８Ｓは、無電解めっき膜１５２と電解めっき膜１５６とからなり、それらの厚みＬ１、Ｌ６は１０μｍである。
最上の樹脂絶縁層の補強層は上側の導体層に接していて、最下の樹脂絶縁層の補強層は下側の導体層に接している。上側と下側のビルドアップ層が完成する。
【００３９】
（１６）上側と下側のビルドアップ層上に、開口７１Ｆ、７１Ｓを有するソルダーレジスト膜７０Ｆ、７０Ｓが形成される（図９（Ａ））。ソルダーレジスト層７０Ｆが上側のソルダーレジスト層であり、ソルダーレジスト層７０Ｓが下側のソルダーレジスト層である。
【００４０】
（１７）ソルダーレジスト層の開口７１Ｆ、７１Ｓ内にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図９（Ｂ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が形成されてもよい。
【００４１】
（１８）この後、ＵＳ７４７５８０３Ｂ２に開示されている方法で開口７１Ｆ、７１Ｓ上にＳｎ／Ａｇなどの半田ボールが搭載される。その後、上側のビルドアップ層上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｆが形成される。下側のビルドアップ層上に半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｓが形成される（図１）。
【００４２】
（１９）半田バンプ７６Ｆを介してプリント配線板１０にＩＣチップ９０が実装される（図２）。その後、ＩＣチップが実装されている第１実施形態のプリント配線板はリフローでマザーボード９６に搭載される（図３）。
樹脂絶縁層の補強材が導体層に接しているため、リフロー時、プリント配線板の反りが抑えられる。このため、プリント配線板にＩＣチップを搭載する歩留りが向上する。また、マザーボードにプリント配線板を搭載する歩留りが向上する。プリント配線板とＩＣチップ間やプリント配線板とマザーボード間の接続信頼性が向上する。第１実施形態のプリント配線板において、最上の補強層の厚みを最下の補強層の厚みより厚くすることができる。また、上側の補強層の厚みを下側の補強層の厚みより厚くすることができる。プリント配線板にＩＣチップが実装されるときや、プリント配線板がマザーボードに搭載される時、プリント配線板の反りが減る。実装温度での反りが減る。
【００４３】
[第２実施形態]
図１０は第２実施形態に係るプリント配線板の断面を示す。
第２実施形態では、コア基板を構成する絶縁基板２０の厚みＴ３が、樹脂絶縁層の厚みＴ１、Ｔ２、Ｔ４、Ｔ５と等しい。
【００４４】
第２実施形態のプリント配線板では、プリント配線板の厚みを薄くすることができる。
【符号の説明】
【００４５】
２０  絶縁基板
２８  貫通孔
３０  コア基板
３１  無電解めっき膜
３３  電解めっき膜
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、５０Ｓ  上側と下側の樹脂絶縁層
５０ＦＫ、５０ＳＫ  上側と下側の補強層
５８Ｆ、５８Ｓ  上側と下側の導体層
６０Ｆ、６０Ｓ  上側と下側のビア導体
１５０Ｆ、１５０Ｓ  最上と最下の樹脂絶縁層
１５０ＦＫ、１５０ＳＫ  最上と最下の補強層
１５８Ｆ、１５８Ｓ  最上と最下の導体層
１６０Ｆ、１６０Ｓ  最上と最下のビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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