(57)【要約】【課題】第１絶縁層と第２絶縁層との位置ずれを許容できながら、第１絶縁層と第２絶縁層との剥離を抑制することができる配線回路基板を提供すること。【解決手段】  ベース絶縁層７と、ベース絶縁層７の上に形成される導体パターン８と、導体パターン８を被覆するようにベース絶縁層７の上に形成されるカバー絶縁層９とを備える回路付サスペンション基板１において、ベース絶縁層７の外周面１０を、上側から下側へ向かうに従って幅方向外側へ傾斜するように形成し、カバー絶縁層９を、その外周面１４の下端縁がベース絶縁層７の外周面１０における上端縁と下端縁との間に配置されるように形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側の表面上に形成される導体パターンと、前記導体パターンを被覆するように前記第１絶縁層の前記厚み方向一方側の表面上に形成される第２絶縁層とを備える配線回路基板であって、
前記第１絶縁層の前記厚み方向と直交する直交方向における外側端面は、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側へ向かうに従って前記直交方向外側へ傾斜するように形成され、
前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面の前記厚み方向他方側端縁は、前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面における前記厚み方向一方側端縁と前記厚み方向他方側端縁との間に配置されている
ことを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面は、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側へ向かうに従って前記直交方向外側に傾斜するように形成されている
ことを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面と、前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面とが形成する鈍角は、１２０°超過、１８０°未満である
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層の前記厚み方向他方側端面と、前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面とが形成する鋭角は、２０°以上、７０°以下である
ことを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、ハードディスクドライブなどの電子機器に好適に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ベース絶縁層と、ベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、導体パターンを被覆するようにベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを備える配線回路基板が知られている。
【０００３】
例えば、金属支持基板の上に形成される絶縁層と、絶縁層の上に形成された配線層と、配線層を覆うように形成されたカバー層とを備えるサスペンション用基板において、カバー層の下端部を、絶縁層の上端部に一致させるか、または、絶縁層の上端部よりも外側に配置させることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１４７５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、特許文献１に記載のサスペンション用基板では、カバー層の下端部を絶縁層の上端部に一致させる場合には、カバー層と絶縁層とを精度よく積層する必要がある。
【０００６】
カバー層と絶縁層とを精度よく積層できないと、カバー層と絶縁層とがずれて、カバー層の下端部の外側端部が絶縁層の上端部よりも内側に配置される。
【０００７】
すると、金属支持基板の外形を形成するときに、カバー層と絶縁層との間にエッチング液が浸み込み、カバー層と絶縁層とが剥離するおそれがある。
【０００８】
また、カバー層の下端部を絶縁層の上端部よりも外側に配置させた場合には、金属支持基板の外形を形成するときに、絶縁層よりも外側に配置されるカバー層の端部に、エッチング液の圧力などが作用して、カバー層と絶縁層とが剥離するおそれがある。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、第１絶縁層と第２絶縁層との位置ずれを許容できながら、第１絶縁層と第２絶縁層との剥離を抑制することができる配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の厚み方向一方側の表面上に形成される導体パターンと、前記導体パターンを被覆するように前記第１絶縁層の前記厚み方向一方側の表面上に形成される第２絶縁層とを備える配線回路基板であって、前記第１絶縁層の前記厚み方向と直交する直交方向における外側端面は、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側へ向かうに従って前記直交方向外側へ傾斜するように形成され、前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面の前記厚み方向他方側端縁は、前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面における前記厚み方向一方側端縁と前記厚み方向他方側端縁との間に配置されていることを特徴としている。
【００１１】
また、本発明の配線回路基板では、前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面が、前記厚み方向一方側から前記厚み方向他方側へ向かうに従って前記直交方向外側に傾斜するように形成されていることが好適である。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板では、前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面と、前記第２絶縁層の前記直交方向外側端面とが形成する鈍角が、１２０°超過、１８０°未満であることが好適である。
【００１３】
また、本発明の配線回路基板では、前記第１絶縁層の前記厚み方向他方側端面と、前記第１絶縁層の前記直交方向外側端面とが形成する鋭角が、２０°以上、７０°以下であることが好適である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の配線回路基板によれば、第２絶縁層の直交方向外側端面の厚み方向他方側端縁は、第１絶縁層の直交方向外側端面における厚み方向一方側端縁と厚み方向他方側端縁との間に配置されている。
【００１５】
そのため、第１絶縁層の直交方向外側端面における厚み方向一方側端縁と厚み方向他方側端縁との距離の分、第１絶縁層の直交方向外側端面に対する第２絶縁層の直交方向外側端面のずれを許容することができる。
【００１６】
しかも、第２絶縁層の直交方向外側端面を、第１絶縁層の直交方向外側端面に対して密着させることができる。
【００１７】
その結果、第１絶縁層と第２絶縁層との位置ずれを許容しながら、第１絶縁層と第２絶縁層との剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、図２の要部拡大図である。
【図４】図４は、図１のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５は、回路付サスペンション基板の製造方法を説明する説明図であり、（ａ）は、金属支持基板を準備する工程を示し、（ｂ）は、金属支持基板の上に感光性合成樹脂前駆体のワニスを塗布して皮膜を形成し、その皮膜を露光する工程を示し、（ｃ）は、露光された皮膜を現像する工程を示し、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に導体パターンを形成する工程を示す。
【図６】図６は、図５に続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明する説明図であり、（ｅ）は、ベース絶縁層の上に感光性合成樹脂前駆体のワニスを塗布して皮膜を形成し、その皮膜を露光する工程を示し、（ｆ）は、露光された皮膜を現像する工程を示す。
【図７】図７は、カバー絶縁層がベース絶縁層に対して幅方向にずれて形成された場合を示す断面図である。
【図８】図８は、実施例において得られた回路付サスペンション基板の断面を示す走査型電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１に示すように、回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブのヘッドジンバルアッセンブリに搭載される回路付サスペンション基板である。
【００２０】
なお、図１において、紙面上側が、回路付サスペンション基板１の先側（長手方向（第１方向）における一方側）であり、紙面下側が、回路付サスペンション基板１の後側（長手方向における他方側）である。また、図１において、紙面左側が、回路付サスペンション基板１の幅方向（第２方向）における一方側であり、紙面右側が、回路付サスペンション基板１の幅方向における他方側である。また、図２において、紙面上側が、回路付サスペンション基板１の上側（厚み方向（第３方向）における一方側）であり、紙面下側が、回路付サスペンション基板１の下側（厚み方向における他方側）である。また、長手方向および幅方向は、厚み方向に直交する直交方向である。
【００２１】
回路付サスペンション基板１は、長手方向に延びる平面視略矩形の平帯形状に形成されている。回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッド（図示せず）を備えるスライダ（図示せず）が搭載されるジンバル部２と、ハードディスクドライブの制御回路基板（図示せず）に電気的に接続される配線部３とを備えている。
【００２２】
ジンバル部２は、回路付サスペンション基板１の先端部に配置され、平面視略矩形状に形成されている。ジンバル部２は、アウトリガー部４とタング部５とを備えている。
【００２３】
アウトリガー部４は、ジンバル部２の外周を構成するように、平面視略矩形の枠形状に形成されている。
【００２４】
タング部５は、アウトリガー部４の内側（幅方向内側かつ長手方向内側）に配置されている。タング部５は、アウトリガー部４の先端部の後端縁から連続して後側へ延びるように、平面視略矩形状に形成されている。タング部５には、スライダ（図示せず）が搭載されるスライダ搭載領域Ｌが区画されている。
【００２５】
配線部３は、ジンバル部２の後端部の幅方向中央部から連続して後側へ延びる平面視略矩形の平帯形状に形成されている。
【００２６】
また、回路付サスペンション基板１は、図２および図４に示すように、金属支持基板６と、第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層７と、導体パターン８と、第２絶縁層の一例としてのカバー絶縁層９とを備えている。
【００２７】
金属支持基板６は、回路付サスペンション基板１の外形形状に対応して、長手方向に延びる平面視略矩形の平帯形状に形成されている（図１参照）。
【００２８】
ベース絶縁層７は、金属支持基板６の上面において、導体パターン８が形成される部分に形成されている。ベース絶縁層７は、上側から下側へ向かうに従って長手方向長さおよび幅方向長さが長くなるように、断面視略台形状に形成されている。つまり、ベース絶縁層７の外周面１０は、上側から下側へ向かうに従って、長手方向外側および幅方向外側へ傾斜している。
【００２９】
導体パターン８は、図１に示すように、ベース絶縁層７の上側において、所定のパターンに形成されている。導体パターン８は、複数（６つ）のヘッド側端子１２と、複数（６つ）の制御側端子１３と、複数（６つ）の配線１１とを備えている。
【００３０】
複数のヘッド側端子１２は、タング部５の先端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。ヘッド側端子１２は、平面視略矩形状に形成されている。ヘッド側端子１２は、スライダ（図示せず）の磁気ヘッド（図示せず）に電気的に接続される。
【００３１】
複数の制御側端子１３は、配線部３の後端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて並列配置されている。制御側端子１３は、平面視略矩形状に形成されている。制御側端子１３は、制御回路基板（図示せず）に電気的に接続される。
【００３２】
複数の配線１１のそれぞれは、複数のヘッド側端子１２のそれぞれと、複数の制御側端子１３のそれぞれとに接続されている。配線１１は、断面視略矩形状に形成されている。
【００３３】
カバー絶縁層９は、ベース絶縁層７の上側において、配線１１を被覆し、ヘッド側端子１２および制御側端子１３を露出するように形成されている。
【００３４】
また、カバー絶縁層９は、図２および図４に示すように、ベース絶縁層７の上側半分を被覆するように、上側から下側へ向かうに従って長手方向長さおよび幅方向長さが長くなる断面視略台形状に形成されている。つまり、カバー絶縁層９の外周面１４は、上側から下側へ向かうに従って、長手方向外側および幅方向外側へ傾斜している。
【００３５】
より詳しくは、図３に示すように、カバー絶縁層９の幅方向外側端部は、ベース絶縁層７の上端部の幅方向外側端部よりも幅方向外側に配置されている。カバー絶縁層９の幅方向外側端部は、ベース絶縁層７の外周面１０の上側半分の形状に応じて下側へ向かって突出するように形成されている。そして、カバー絶縁層９の幅方向外側端部は、ベース絶縁層７の外周面１０の上側半分に密着されている。つまり、カバー絶縁層９の幅方向外側端面（幅方向における外周面１４）の下端縁は、ベース絶縁層７の外周面１０における上端縁と下端縁との間に配置されている。
【００３６】
また、図４に示すように、カバー絶縁層９の長手方向外側端部も、幅方向外側端部と同様に、ベース絶縁層７の上端部の長手方向外側端部よりも長手方向外側に配置されている。カバー絶縁層９の長手方向外側端部は、ベース絶縁層７の外周面１０の上側半分の形状に応じて下側へ向かって突出するように形成されている。そして、カバー絶縁層９の長手方向外側端部は、ベース絶縁層７の外周面１０の上側半分に密着されている。つまり、カバー絶縁層９の長手方向外側端面（長手方向における外周面１４）の下端縁は、ベース絶縁層７の外周面１０における上端縁と下端縁との間に配置されている。
【００３７】
次いで、図５および図６を参照しながら、回路付サスペンション基板の製造方法を説明する。なお、回路付サスペンション基板の製造方法の説明においては、便宜的に、回路付サスペンション基板の幅方向断面（図１のＡ−Ａ断面）を基準として説明する。
【００３８】
回路付サスペンション基板１を製造するには、図５（ａ）に示すように、まず、金属支持基板６を準備する。なお、金属支持基板６には、回路付サスペンション基板１を形成するための複数の製品形成領域（図示せず）が区画されている。複数の製品形成領域（図示せず）のそれぞれは、後述する化学エッチング（ウェットエッチング）により、回路付サスペンション基板１の外形形状に加工される。
【００３９】
金属支持基板６は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料、好ましくは、ステンレスから形成されている。
【００４０】
金属支持基板６の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。
【００４１】
次いで、回路付サスペンション基板１を製造するには、金属支持基板６の上面にベース絶縁層７を形成する。
【００４２】
ベース絶縁層７は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂から形成する。好ましくは、ベース絶縁層７は、熱寸法安定性などの観点から、ポリイミドから形成する。
【００４３】
ベース絶縁層７を形成するには、まず、図５（ｂ）に示すように、感光性合成樹脂前駆体のワニスを、金属支持基板６の上面に塗工し、次いで、乾燥することにより、感光性合成樹脂の前駆体の皮膜２０を形成する。
【００４４】
ワニスの乾燥温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、９０℃以上であり、例えば、２００℃以下、好ましくは、１７０℃以下である。
【００４５】
その後、光を透過する透過部分２１ａと、光を遮る遮光部分２１ｂとを有するフォトマスク２１を用いて、皮膜２０を露光する。透過部分２１ａは、ベース絶縁層７の形状に応じた形状に形成されている。
【００４６】
詳しくは、皮膜２０におけるベース絶縁層７を形成する部分に透過部分２１ａを対向配置させ、皮膜２０におけるベース絶縁層７を形成しない部分に、遮光部分２１ｂを対向配置させる。
【００４７】
フォトマスク２１と皮膜２０との厚み方向距離Ｄ１は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。
【００４８】
そして、フォトマスク２１を介して皮膜２０を露光する。
【００４９】
露光のための照射光Ｌ１の波長は、例えば、３００ｎｍ以上、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、例えば、４５０ｎｍ以下、好ましくは、４３０ｎｍ以下である。
【００５０】
すると、フォトマスク２１の透過部分２１ａを通過した照射光Ｌ１は、透過部分２１ａを通過した後に長手方向および幅方向に拡がるように、皮膜２０に照射される（図５（ｂ）破線参照）。
【００５１】
透過部分２１ａに対向する皮膜２０の露光積算光量は、例えば、５０ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは、１００ｍＪ／ｃｍ２以上であり、例えば、１５００ｍＪ／ｃｍ２以下、好ましくは、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【００５２】
また、透過部分２１ａの周縁部における遮光部分２１ｂに対向する皮膜２０の露光積算光量は、透過部分２１ａから長手方向外側および幅方向外側に離れるに従って、透過部分２１ａに対向する皮膜２０の露光積算光量から徐々に低下する。
【００５３】
ここで、照射光Ｌ１の拡がりを調整するには、透過部分２１ａに対向する皮膜２０の露光積算光量を調整するか、または、フォトマスク２１と皮膜２０との厚み方向距離Ｄ１を調整する。
【００５４】
詳しくは、透過部分２１ａに対向する皮膜２０の露光積算光量を低下させることにより、照射光Ｌ１の拡がりを抑制することができる。また、透過部分２１ａに対向する皮膜２０の露光積算光量を増大させることにより、照射光Ｌ１をより拡げることができる。
【００５５】
また、フォトマスク２１と皮膜２０との厚み方向距離Ｄ１を縮小することにより、照射光Ｌ１の拡がりを抑制することができる。フォトマスク２１と皮膜２０との厚み方向距離Ｄ１を拡大することにより、照射光Ｌ１をより拡げることができる。
【００５６】
その後、図５（ｃ）に示すように、露光された皮膜２０を現像する。
【００５７】
皮膜２０を現像するには、まず、露光された皮膜２０を加熱して硬化（不溶化）し、その後、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により現像する。
【００５８】
皮膜２０の加熱温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、４２℃以上であり、例えば、６０℃以下、好ましくは、５７℃以下である。
【００５９】
皮膜２０の加熱時間は、例えば、２分以上、好ましくは、３分以上であり、例えば、１０分以下、好ましくは、６分以下である。
【００６０】
これにより、皮膜２０において、遮光部分２１ｂと対向する部分が除去され、透過部分２１ａと対向する部分に、ベース絶縁層７が形成される。このとき、ベース絶縁層７の外周面１０は、上側から下側へ向かうに従って、長手方向外側および幅方向外側へ傾斜される。
【００６１】
ベース絶縁層７の厚み（透過部分２１ａを対向させた部分の厚み）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、１５μｍ以下である。
【００６２】
ベース絶縁層７における外周面１０と下面１５との角度θ１は、例えば、２０°以上、好ましくは、３０°以上であり、例えば、７０°以下、好ましくは、６０°以下である（図３参照）。
【００６３】
なお、ベース絶縁層７を形成するときには、製品形成領域（図示せず）外の領域において、金属支持基板６の上面に、ベース絶縁層７と同様の材料からなるアライメントマークを形成する。
【００６４】
次いで、回路付サスペンション基板１を製造するには、図５（ｄ）に示すように、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を形成する。
【００６５】
導体パターン８は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などの導体材料から形成される。好ましくは、導体パターン８は、光に対する反射特性の観点から、銅から形成される。
【００６６】
導体パターン８を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられ、好ましくは、アディティブ法が用いられる。
【００６７】
アディティブ法では、具体的には、まず、ベース絶縁層７を含む金属支持基板６の表面に、導体種膜を、スパッタリング法などにより形成する。次いで、その導体種膜の表面に、めっきレジストを、導体パターン８の反転パターンで形成する。その後、めっきレジストから露出する、ベース絶縁層７の導体種膜の表面に、電解めっきにより、導体パターン８を形成する。その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の導体種膜を除去する。
【００６８】
導体パターン８の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。また、配線１１の幅は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。また、互いに隣接する配線１１間の間隔は、同一または相異なっていてもよく、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。
【００６９】
次いで、回路付サスペンション基板１を製造するには、ベース絶縁層７の上に、導体パターン８を被覆するように、カバー絶縁層９を形成する。
【００７０】
カバー絶縁層９を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層７を形成する絶縁材料と同様の絶縁材料が挙げられ、好ましくは、ポリイミドが挙げられる。
【００７１】
カバー絶縁層９を形成するには、上記したベース絶縁層７と同様に、まず、図６（ｅ）に示すように、感光性合成樹脂前駆体のワニスを、金属支持基板６、ベース絶縁層７および導体パターン８の上面に塗工し、次いで、乾燥することにより、感光性合成樹脂の前駆体の皮膜３０を形成する。
【００７２】
ワニスの乾燥温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、９０℃以上であり、例えば、２００℃以下、好ましくは、１７０℃以下である。
【００７３】
その後、透過部分３１ａおよび遮光部分３１ｂを有するフォトマスク３１を用いて、皮膜３０を露光する。透過部分３１ａは、カバー絶縁層９の形状に応じた形状に形成されている。
【００７４】
詳しくは、金属支持基板６の表面に形成されるアライメントマークを基準として、フォトマスク３１を皮膜３０に対向させる。すると、皮膜３０におけるカバー絶縁層９を形成する部分に、透過部分３１ａが対向配置され、皮膜３０におけるカバー絶縁層９を形成しない部分に、遮光部分３１ｂが対向配置される。
【００７５】
フォトマスク３１と皮膜３０との厚み方向距離Ｄ２は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、４００μｍ以下である。
【００７６】
そして、フォトマスク３１を介して皮膜３０を露光する。
【００７７】
露光のための照射光の波長は、例えば、３００ｎｍ以上、好ましくは、３５０ｎｍ以上であり、例えば、４５０ｎｍ以下、好ましくは、４３０ｎｍ以下である。
【００７８】
すると、フォトマスク３１の透過部分３１ａを通過した照射光Ｌ２は、透過部分３１ａを通過した後に長手方向および幅方向に拡がるように、皮膜３０に照射される（図６（ｅ）破線参照）。
【００７９】
透過部分３１ａに対向する皮膜３０の露光積算光量は、例えば、５０ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは、１００ｍＪ／ｃｍ２以上であり、例えば、１５００ｍＪ／ｃｍ２以下、好ましくは、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【００８０】
また、透過部分３１ａの周縁部における遮光部分３１ｂに対向する皮膜３０の露光積算光量は、透過部分３１ａから長手方向外側および幅方向外側に離れるに従って、透過部分３１ａに対向する皮膜３０の露光積算光量から徐々に低下する。
【００８１】
ここで、照射光Ｌ２の拡がりを調整するには、透過部分３１ａに対向する皮膜３０の露光積算光量を調整するか、または、フォトマスク３１と皮膜３０との厚み方向距離Ｄ２を調整する。
【００８２】
詳しくは、透過部分３１ａに対向する皮膜３０の露光積算光量を低下させることにより、照射光Ｌ２の拡がりを抑制することができる。また、透過部分３１ａに対向する皮膜３０の露光積算光量を増大させることにより、照射光Ｌ２をより拡げることができる。
【００８３】
また、フォトマスク３１と皮膜３０との厚み方向距離Ｄ２を縮小することにより、照射光Ｌ２の拡がりを抑制することができる。フォトマスク３１と皮膜３０との厚み方向距離Ｄ２を拡大することにより、照射光Ｌ２をより拡げることができる。
【００８４】
その後、図６（ｆ）に示すように、露光された皮膜３０を現像する。
【００８５】
皮膜３０を現像するには、まず、露光された皮膜３０を加熱して硬化（不溶化）し、その後、例えば、アルカリ現像液などの公知の現像液を用いて、浸漬法やスプレー法などの公知の方法により現像する。
【００８６】
皮膜３０の加熱温度は、例えば、４０℃以上、好ましくは、４２℃以上であり、例えば、６０℃以下、好ましくは、５７℃以下である。
【００８７】
皮膜３０の加熱時間は、例えば、２分以上、好ましくは、３分以上であり、例えば、１０分以下、好ましくは、６分以下である。
【００８８】
これにより、皮膜３０において、遮光部分３１ｃと対向する部分が除去され、透過部分３１ａと対向する部分に、カバー絶縁層９が形成される。このとき、カバー絶縁層９の外周面１４は、上側から下側へ向かうに従って、長手方向外側および幅方向外側へ傾斜される。
【００８９】
カバー絶縁層９の厚み（透過部分３１ａを対向させた部分の厚み）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００９０】
カバー絶縁層９の外周面１４（後述する実施例では、カバー絶縁層９の下面１６を含む仮想平面I（図３参照）より下側の外周面１４）と、ベース絶縁層７の外周面１０との角度θ２は、例えば、１２０°超過、好ましくは、１３０°以上であり、例えば、１８０°未満、好ましくは、１７０°以下である（図３参照）。
【００９１】
その後、金属支持基板６を、化学エッチング（ウェットエッチング）など公知のエッチング方法によって外形加工して、回路付サスペンション基板１を得る。
【００９２】
この回路付サスペンション基板１によれば、図３に示すように、カバー絶縁層９の外周面１４の下端縁は、ベース絶縁層７の外周面１０における上端縁と下端縁との間に配置されている。
【００９３】
そのため、図７に示すように、カバー絶縁層９を露光するためのフォトマスク３１（図６（ｅ）参照）がアライメントマークに対してずれて対向配置された場合など、カバー絶縁層９がベース絶縁層７に対してずれて形成された場合であっても、最も外側の配線１１を確実に被覆することができる。
【００９４】
また、カバー絶縁層９の外周面１４と、ベース絶縁層７の外周面１０との角度θ２も鈍角に維持することができる。
【００９５】
つまり、ベース絶縁層７の外周面１０における上端縁と下端縁との距離の分、ベース絶縁層７の外周面１０に対するカバー絶縁層９のずれを許容することができる。
【００９６】
しかも、カバー絶縁層９の長手方向外側端部および幅方向外側端部を、ベース絶縁層７の外周面１０に対して密着させることができる。
【００９７】
その結果、ベース絶縁層７とカバー絶縁層９との位置ずれを許容しながら、ベース絶縁層７とカバー絶縁層９との剥離を抑制することができる。
【実施例】
【００９８】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００９９】
実施例
（回路付サスペンション基板の製造）
厚み２５μｍのステンレスからなる金属支持基板を準備した（図５（ａ）参照）。
【０１００】
次いで、金属支持基板の表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、１００℃で乾燥して、感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図５（ｂ）参照）。
【０１０１】
そして、透過部分および遮光部分を有するフォトマスクを、皮膜に対して、２００μｍの厚み方向間隔を隔てて対向させた。
【０１０２】
その後、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの照射光で、透過部分に対向する皮膜の露光積算光量が９００ｍＪ／ｃｍ２となるように皮膜を露光した（図５（ｂ）参照）。
【０１０３】
次いで、露光された皮膜を４６℃で５分間加熱して硬化（不溶化）させ、その後、現像し、ベース絶縁層を形成した（図５（ｃ）参照）。
【０１０４】
ベース絶縁層の幅方向外面は、幅方向外側へ向かうに従って下側へ傾斜されるように形成された。
【０１０５】
また、ベース絶縁層の厚み（幅方向外側端部および長手方向外側端部以外の厚み）は、５μｍであった。
【０１０６】
また、ベース絶縁層を形成すると同時に、ベース絶縁層と同様の材料からなるアライメントマークを金属支持基板上に形成した。
【０１０７】
次いで、金属支持基板を含むベース絶縁層の表面に、導体薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成した。続いて、導体パターンと反転パターンのめっきレジストを、導体薄膜の表面に形成し、その後、めっきレジストから露出する導体薄膜の表面に、厚み１０μｍの導体パターンを、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の導体薄膜を、化学エッチングにより除去し、ベース絶縁層の上に導体パターンを形成した（図５（ｄ）参照）。
【０１０８】
次いで、金属支持基板、ベース絶縁層および導体パターンの表面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、１００℃で乾燥して、感光性ポリアミック酸樹脂の皮膜を形成した（図６（ｅ）参照）。
【０１０９】
そして、透過部分および遮光部分を有するフォトマスクを、アライメントマークを基準として、皮膜に対して、２００μｍの厚み方向間隔を隔てて対向させた。透過部分の外周縁は、ベース絶縁層の外周面の上側に形成された皮膜に対向された。
【０１１０】
その後、波長３５０ｎｍ〜４５０ｎｍの照射光で、透過部分に対向する皮膜の露光積算光量が２６０ｍＪ／ｃｍ２となるように皮膜を露光した（図６（ｅ）参照）。
【０１１１】
次いで、露光された皮膜を４５℃で３分間加熱して硬化（不溶化）させ、その後、現像し、カバー絶縁層を形成した（図６（ｆ）参照）。
【０１１２】
カバー絶縁層の幅方向外側端部の下端縁は、ベース絶縁層の幅方向外面（幅方向における外周面）における上端縁と下端縁との間に配置された。また、カバー絶縁層の幅方向外面は、幅方向外側へ向かうに従って下側へ傾斜されるように形成された。
【０１１３】
また、カバー絶縁層の長手方向外側端部の下端縁は、ベース絶縁層の長手方向外面（長手方向における外周面）における上端縁と下端縁との間に配置された。また、カバー絶縁層の長手方向外面は、長手方向外側へ向かうに従って下側へ傾斜されるように形成された。
【０１１４】
また、カバー絶縁層の厚み（幅方向外側端部および長手方向外側端部以外の厚み）は、５μｍであった。
【０１１５】
その後、金属支持基板を、化学エッチング（ウェットエッチング）によって外形加工して、回路付サスペンション基板を得た。
【０１１６】
得られた回路付サスペンション基板の断面の走査型電子顕微鏡写真を図８に示す。
【０１１７】
図８に示すように、カバー絶縁層の幅方向外面と、ベース絶縁層の幅方向外面との角度（θ２）は、１５０°であった。また、ベース絶縁層における幅方向外面と下面との角度（θ１）は、４５°であった。
【０１１８】
得られた回路付サスペンション基板において、カバー絶縁層とベース絶縁層との剥離は見られなかった。
【符号の説明】
【０１１９】
１      回路付サスペンション基板
７      ベース絶縁層
８      導体パターン
９      カバー絶縁層
１０    ベース絶縁層の外周面
１４    カバー絶縁層の外周面
１５    ベース絶縁層の下面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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