(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化に対応させながら、はんだクラックの対応も行えるより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供する。【解決手段】収納部１０と外装部１４を有する矩形状セラミック積層基板により構成されたベース１と集積回路素子２と圧電振動素子３とを有しており、ベース１の底面には４角の実装外部端子ＧＴ１、ＧＴ２と長辺中央の一対の調整外部端子ＧＴ８とが構成され、ベースの長辺方向の側面中央には一対の測定外部端子が構成され、調整外部端子と測定外部端子とはベース１の底面の長辺から離隔した状態で形成されており、実装外部端子に接合材８を用いて回路基板７の配線パターン７１へ接合するとともに、調整外部端子ＧＴ８にも接合材８を用いて回路基板７のグランド用配線パターンへ接合する。【選択図】図１
2014165686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面実装型圧電発振器であって、
矩形状のセラミック基板が積層されて収納部と外装部とが構成され絶縁性のベースと、前記ベースの収納部に搭載される集積回路素子と圧電振動素子とを有しており、
前記ベースの外装部の底面には、４角と長辺に６つの外部端子が形成され、
前記４角の外部端子が実装外部端子として構成され、
前記長辺の一対の外部端子が、集積回路素子のデータ調整用の調整外部端子として構成されるとともに、前記ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されており、
前記ベースの外装部の長辺方向の側面には、前記圧電振動素子の励振電極と直接接続された一対の圧電振動素子の特性測定用の測定外部端子が構成されるとともに、前記ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されており、
前記実装外部端子に接合材を用いて回路基板の配線パターンへ接合するとともに、前記調整外部端子にも接合材を用いて回路基板のグランド用配線パターンへ接合することを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【請求項２】
特許請求項１記載の表面実装型圧電発振器であって、
前記ベースは、４角と長辺中央とにキャスタレーションが形成された３層以上の矩形状のセラミック基板が積層されて構成されており、
前記４つの実装外部端子は、それぞれの前記４角のキャスタレーションを介して底面層のセラミック基板の側面にも引き回し電極が形成され、
前記一対の測定外部端子は、前記長辺中央のキャスタレーションを介して中間層のセラミック基板の側面のみに形成されたことを特徴とする表面実装型圧電発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性のベース上に圧電振動素子と集積回路素子が実装された表面実装型圧電発振器に関するものであって、特に表面実装型圧電発振器のパッケージ構造を改善するものである。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動板等の圧電振動素子を用いた圧電発振器は、安定して精度の高い発振周波数を得ることができるため、電子機器等の基準周波数源として多種の分野で使用されている。表面実装型圧電発振器では、絶縁性のベースとしてセラミック多層基板を用い、当該ベースの収納部に発振回路用等の集積回路素子を配置するとともに、当該集積回路素子の上方に水晶振動板を支持固定し、蓋により気密封止を行ったものである。このような構成はＣ−ＭＯＳ等のインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子のカスタム化により比較的部品点数が少なく、シンプルな構成であり、低コスト化に寄与している。
【０００３】
このような表面実装型圧電発振器では、ワイヤボンディングに比較して小型化低背化が実現できることから、特許文献１にも示すように、セラミックのベースの収納部の配線パターンに集積回路素子のパッドを、金等の金属バンプを用いて超音波熱圧着によるフリップチップボンディング接合されることが近年多くなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２９１７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述のような表面実装型圧電発振器をはんだにより接合し搭載する回路基板には様々な材料のものがある。この材料によってはパッケージと回路基板との間で熱膨張差が生じて、パッケージと回路基板を接合するはんだにも応力が生じるため、クラックが発生することがある。特に、パッケージとしてアルミナ等のセラミック材料を用い、回路基板としてガラスエポキシ基板を用いた組み合わせ構成であれば、パッケージの熱膨張係数に対して回路基板の熱膨張係数が大きくなり、はんだから疲労破壊が生じやすくなる。また当該パッケージと回路基板とに衝撃が加わると、はんだクラック部分から剥離が生じるといった問題点もあった。
【０００６】
このようなはんだクラックの問題については、表面実装型圧電発振器の小型化に伴って外部端子の面積も小さくなり対応が困難になってきている。特に、圧電振動子に比べて、機能する外部端子の数が多く、かつその機能する各外部端子の役割も多様となっている圧電発振器では、外部端子の面積だけでなく、各外部端子の役割に応じた配置にも制限が加わるため、より対応が困難になってきているのが現状である。
【０００７】
そこで、上記課題を解決するために、本発明は、小型化に対応させながら、はんだクラックの対応も行えるより信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の特許請求項１に示すように、矩形状のセラミック基板が積層されて収納部と外装部とが構成され絶縁性のベースと、前記ベースの収納部に搭載される集積回路素子と圧電振動素子とを有しており、
前記ベースの外装部の底面には、４角と長辺に６つの外部端子が形成され、
前記４角の外部端子が実装外部端子として構成され、
前記長辺の一対の外部端子が、集積回路素子のデータ調整用の調整外部端子として構成されるとともに、前記ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されており、
前記ベースの外装部の長辺方向の側面には、前記圧電振動素子の励振電極と直接接続された一対の圧電振動素子の特性測定用の測定外部端子が構成されるとともに、前記ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されており、
前記実装外部端子に接合材を用いて回路基板の配線パターンへ接合するとともに、前記調整外部端子にも接合材を用いて回路基板のグランド用配線パターンへ接合することを特徴とする。
【０００９】
上記構成により、表面実装型圧電発振器の製造段階でのみ利用し、製品化にはユーザー側で不要である前記調整外部端子は、回路基板のグランド用配線パターンに接合材を用いて接続しているので、この調整外部端子に対して不要な電圧が加わることがなくなるため、集積回路素子のデータが書き換わることがなくなる。そして、製品化された表面実装型圧電発振器としてユーザー側で必要な実装外部端子だけでなく、前記調整外部端子を回路基板へ搭載する際の接合補強用の外部端子として利用できる。つまり、製造時にはデータの入出力が可能な状態で不安定な調整外部端子であっても、当該調整外部端子を回路基板へ搭載する際にはデータを書き換えられない安定した接合補強用の外部端子として再利用できる。別途接合補強用の外部端子を設ける必要もなく、かつそれぞれ機能する各外部端子の役割を変更することもなく、規格に応じた外部端子の配置的な制限にも対応することができる。以上により、小型化に対応させながら、はんだクラックの対応も行えるより信頼性の高い外部端子の接続構造が得られる。
【００１０】
また、前記ベースの外装部の底面の調整外部端子と、前記ベースの外装部の長辺方向の側面中央の測定外部端子とは、前記ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されているため、表面実装型圧電発振器の小型化に対応させながら、各機能を有する調整外部端子と測定外部端子とでお互いに干渉することがなくなり、発振器を製造する際や製品化された後にも悪影響を与えることがない。加えて、各機能を有するお互いの外部端子の配置的な制限にも対応することができる。
【００１１】
また、上記構成において、前記ベースは、４角と長辺中央とにキャスタレーションが形成された３層以上の矩形状のセラミック基板が積層されて構成されており、
前記４つの実装外部端子は、それぞれの前記４角のキャスタレーションを介して底面層のセラミック基板の側面にも引き回し電極が形成され、
前記一対の測定外部端子は、前記長辺中央のキャスタレーションを介して中間層のセラミック基板の側面のみに形成されていてもよい。
この構成では、上述の構成に加えて、前記４角のキャスタレーションに形成された引き回し電極にも接合材が這い上がり、回路基板へ搭載する際の接合補強と接合材の塗布状態を認識するための部分として利用できる。また測定外部端子はセラミック基板の上面との絶縁を確保することができるため、メタライズの封止領域をセラミック基板に構成した場合にも短絡することがない。
【発明の効果】
【００１２】
以上のように、本発明は、小型化に対応させながら、はんだクラックの対応も行え、より信頼性の高い表面実装型圧電発振器を提供することを目的とする。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電発振器の回路基板への搭載状態を示す模式的な断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電発振器の底面図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電発振器の蓋を封止する前の平面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電発振器のベース単体の平面図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態を示す表面実装型圧電発振器の模式的な回路図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明による好ましい実施形態につきセラミック多層基板のベースを用いた表面実装型水晶発振器（表面実装型圧電発振器）を例にとり図面とともに説明する。
【００１５】
表面実装型水晶発振器６は、上部が開口した凹部を有する絶縁性のセラミック多層基板からなるベース１（以下、ベースと称する）と、当該ベースの中に収納される集積回路素子２と、同じく当該ベース中の上部に収納される圧電振動素子３と、ベースの開口部に接合される蓋４とからなる。この表面実装型水晶発振器では、ベース１と蓋４とが封止材５を用いて接合されて気密封止され、表面実装型水晶発振器６が構成されている。以下、この表面実装型水晶発振器６の各構成について説明する。
【００１６】
セラミック多層基板のベース１は全体として直方体で、最下層であるアルミナ等のセラミック材料からなる平面視矩形状の一枚板の底部１１と、この底部１１上に積層した中間層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１２と、最上層のセラミック材料の平面視枠形状の堤部１３とから構成され、収納部１０を有する断面凹形の箱状体（外装部１４）に形成されている。収納部１０は第１の収納部１０ａ（下部収納部）と第２の収納部１０ｂ（上部収納部）からなり、それぞれ集積回路素子２と圧電振動素子３が収納される。なお、セラミック多層基板として本形態のように３層構造のベースに限定されるものではなく、ベースの収納部の構造に応じて４層以上で構成してもよい。
【００１７】
前記セラミック多層基板のベース１の最上層である堤部１３の上面（端面）は平坦であり、後述する蓋４との接合領域（金属膜）１３ａである。この接合領域１３ａは、タングステンあるいはモリブデン等のメタライズ材料からなるメタライズ層と、このメタライズ層に積層されたニッケル層と、このニッケル層に積層された金層とから構成される。タングステンあるいはモリブデンは厚膜印刷技術を活用してメタライズ技術によりセラミック焼成時に一体的に形成され、メタライズ層上にニッケル層、金層の順でメッキ形成される。
【００１８】
ベース１の外周壁の４角には上下方向に伸長するキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４がそれぞれ形成され、ベース１の外周壁の長辺中央の一部には上下方向に伸長する半長円状のキャスタレーションＣ５，Ｃ６がそれぞれ形成されている。当該キャスタレーションはベースの外周壁に対して円弧状あるいは半長円状の切り欠きが上下方向に形成された構成である。なお、前記接合領域１３ａはベースの堤部１２，１３を上下に貫通接続する図示しない導電ビアやキャスタレーション上部に形成された図示しない配線パターンのいずれか少なくとも一方により、ベース底面側に形成された外部端子パッドＧＴ２の一部に電気的に導出されている。当該外部端子パッドＧＴ２をアース接続することにより、後述する金属製の蓋が接合領域１３ａ、導電ビアやキャスタレーション上部の配線パターンなどを介して接地され、表面実装型水晶発振器の電磁気的なシールド効果を得ることができる。
【００１９】
ベース１の内部において、下方面には前記堤部（側壁部）１２により構成され、集積回路素子２を収納する第１の収納部１０ａが形成され、当該第１の収納部の底面から上部に突き出し、後述する圧電振動素子の端部を保持する保持台１０ｃと、前記第１の収納部を介して前記保持台と対向位置する枕部１０ｄが形成されている。また前記第１の収納部１０ａの上方には前記堤部（側壁部）１３により構成された第２の収納部１０ｂが形成されている。
【００２０】
前記セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の上面（前記第１の収納部１０ａの内底面）には、図４に示すように、後述する集積回路素子２と接続される複数の配線パターンＨ１が並んで形成されている。
【００２１】
前記セラミック多層基板のベース１の最下層である底部１１の下面（ベースの外装部の底面）には、４角と長辺中央に６つの外部端子ＧＴが形成されている。具体的には図２に示すように、前記４角の外部端子が実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４として構成される。実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４は、それぞれ４角のキャスタレーションＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４を介してベース１の最下層である底部１１の側面（底面層のセラミック基板の側面）にも引き回し電極ＧＴ１１，ＧＴ２１，ＧＴ３１，ＧＴ４１が形成されている。例えば、本形態では、実装外部端子ＧＴ１は電源端子（ＶＣＣ）、実装外部端子ＧＴ２は出力端子（ＯＵＴ）、実装外部端子ＧＴ３は接地端子（ＧＮＤ）、実装外部端子ＧＴ４は出力制御端子（ＯＥ）や周波数制御端子（ＶＣＯＮＴ）、ＮＣ端子などいずれかとして構成した。
【００２２】
前記長辺中央の一対の外部端子が後述する集積回路素子２のデータ調整用の調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８として構成される。例えば、本形態では、調整用外部端子ＧＴ７はデータ入出力端子（ＩＯ）、調整用外部端子ＧＴ８はデータ制御端子（ＣＳ）として構成した。
調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８は、底部１１の下面（ベースの外装部の底面）の長辺１５，１６から底部１１の中心方向へ離隔した状態で形成されている。
【００２３】
なお、実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４は、引き回し電極ＧＴ１１，ＧＴ２１，ＧＴ３１，ＧＴ４１を介して、複数の配線パターンＨ１のいずれかに電気的に導出されている。調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８は、上部に貫通接続する導電ビアＶ１，Ｖ２を介して、複数の配線パターンＨ１のいずれかに電気的に導出されている。
【００２４】
前記セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の上面（前記第２の収納部１０ｂの底面）には、後述する圧電振動素子３を搭載する保持台１０ｃが形成されており、その上面には後述する圧電振動素子３と接続される一対の配線パターンＨ２が形成されている。前記保持台１０ｃは堤部１２の一部が収納部１０の方に突出することで構成されている。この配線パターンＨ２は、下部に貫通接続する導電ビアＶ３を介して、複数の配線パターンＨ１のいずれかに電気的に導出されている。
【００２５】
セラミック多層基板のベース１の中間層である堤部１２の一対の長辺中央には、キャスタレーションＣ５，Ｃ６の一部がそれぞれ形成されている。これら堤部１２の長辺中央のキャスタレーションＣ５，Ｃ６の上部には、配線パターンＨ２と接続され、後述する圧電振動素子３の励振電極３１，３２と直接接続された一対の圧電振動素子の特性測定用の測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６が構成される。つまり、測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６は中間層である堤部１２の上面にのみ形成されているので、底部１１の下面（ベースの外装部の底面）の長辺１５，１６と、最上層である堤部１３の接合領域（金属膜）１３ａとから離隔した状態で形成されている。なお、前記一対の測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６に対して、圧電振動素子特性装置のコンタクトプローブを接触することで後述する圧電振動素子３単独の特性を測定することができる。
【００２６】
以上のような構成のベース１は周知のセラミック積層技術やメタライズ技術を用いて形成される。実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４、引き回し電極ＧＴ１１，ＧＴ２１，ＧＴ３１，ＧＴ４１、測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８、配線パターンＨ１、配線パターンＨ２は、接合領域１３ａの形成と同様にタングステンあるいはモリブデン等によるメタライズ層の上面にニッケルメッキ層、金メッキ層の各層が形成された構成である。
【００２７】
第１の収納部１０ａの内底面に搭載される集積回路素子２は、Ｃ−ＭＯＳなどのインバータ増幅器（発振用増幅器）を内蔵したワンチップの集積回路素子であり、図５に示すように、圧電振動素子３とともに発振回路を構成する。集積回路素子２の底面側には複数のパッドＰが形成されている。当該集積回路素子２は、例えば金などの金属バンプＣを介して、集積回路素子２の複数のパッドＰとベース１に形成された配線パターンＨ１とを例えばＦＣＢにより接続される。なお、本形態では、金属バンプにより接合した構成を例にしているが、金属ワイヤバンプを用いてもよい。
【００２８】
集積回路素子２の上方で、収納部１０の同一空間である第２の収納部１０ｂには所定の間隔を持って圧電振動素子３が搭載される。圧電振動素子３は例えば矩形状のＡＴカット水晶振動板であり、その表裏面に対向して一対の矩形状励振電極３１，３２とこれらの引出電極が形成されている。これらの電極は、例えば、クロムまたはニッケルの下地電極層と、銀または金の中間電極層と、クロムまたはニッケルの上部電極層とから構成された積層薄膜、クロムやニッケルの下地電極層と、銀または金の上部電極層とから構成された積層薄膜である。これら各電極は真空蒸着法やスパッタリング法等の薄膜形成手段により形成することができる。
【００２９】
圧電振動素子３とベース１との接合は、例えばペースト状であり銀フィラー等の金属微小片を含有するシリコーン系の導電樹脂接着剤（導電性接合材）Ｓを用いている。図１に示すように、導電性樹脂接着剤Ｓは、一対の配線パターンＨ２のうちの一部の上面に塗布されるとともに、導電性樹脂接着剤Ｓを圧電振動素子３と保持台１０ｃの間に介在させ硬化させることで、お互いを電気的機械的に接合している。以上により、圧電振動素子３の一端部をベース１の第１の収納部１０ａの底面から隙間を設けながら、圧電振動素子３の対向する他端部をベースの保持台１０ｃに接合して、片持ち保持される。なお、本形態では、シリコーン系の導電樹脂接着剤により接合した構成を例にしているが、この導電性接合材として他の導電性樹脂接着剤や金属バンプ、金属メッキバンプなどを用いてもよい。
【００３０】
ベース１を気密封止する蓋４は、例えば、コバール等からなるコア材に金属ろう材（封止材）が形成された構成である。この金属ろう材からなる封止材５がベース１の接合領域（金属膜）１３ａと接合される構成となる。金属製の蓋４の平面視外形はセラミックベースの当該外形とほぼ同じであるか、若干小さい構成となっている。
【００３１】
収納部１０に集積回路素子２と圧電振動素子３が格納されたベース１の接合領域１３ａに対して金属製の蓋４にて被覆し、金属製の蓋４の封止材５とベースの接合領域１３ａを溶融硬化させ、気密封止を行うことで表面実装型水晶発振器６の完成となる。
【００３２】
このように構成された表面実装型水晶発振器６は、図１に示すように、回路基板７の配線パターン７１に対してはんだなどの接合材８を用いて接合される。つまり、実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４（図１ではＧＴ１，ＧＴ２のみ図示）に接合材８を用いて回路基板７の配線パターン７１へ接合する。調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８に（図１ではＧＴ８のみ図示）も接合材８を用いて回路基板７のグランド用配線パターン７２へ接合する。
【００３３】
上記実施形態により、製品化された表面実装型水晶発振器６としてユーザー側で必要な実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４だけでなく、表面実装型水晶発振器の製造段階でのみ利用し、製品化にはユーザー側で不要である調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８を回路基板７へ搭載する際の接合補強用の外部端子として利用できる。しかも、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８は、回路基板７のグランド用配線パターン７２に接合材８を用いて接続しているので、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８に対して不要な電圧が加わることがなくなるので集積回路素子２のデータが書き換わることがなくなる。
【００３４】
本形態では、調整用外部端子ＧＴ７はデータ入出力端子（ＩＯ）、調整用外部端子ＧＴ８はデータ制御端子（ＣＳ）として構成されているので、データ制御端子（ＣＳ）に特定の電圧を加えることで、データ入出力端子（ＩＯ）に対して特定の調整データを入力できるように構成されている。そこで、少なくとも前記データ制御端子（ＣＳ）に対して外部から特定の電圧が加わらないように、回路基板７のグランド用配線パターン７２に接合することで、データ入出力端子（ＩＯ）に不要な調整データが入力されることが一切なくなる。
【００３５】
つまり、小型化された表面実装型水晶発振器であっても、製品化後に必要な実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４だけでなく、製造時にはデータの入出力が可能な状態で不安定な調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８であっても、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８を回路基板へ搭載する際にはデータを書き換えられない安定した接合補強用の外部端子として再利用することができるようになる。実装外部端子や調整外部端子以外に別途接合補強用の外部端子を設ける必要がない。また、それぞれ機能する各実装外部端子や調整外部端子の役割を変更することもなく、規格に応じた外部端子の配置的な制限にも対応することができる。以上により、小型化に対応させながら、はんだクラックの対応も行え、より信頼性の高い外部端子の接続構造が得られる。また、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８を、底部１１の下面（ベースの外装部の底面）の長辺１５，１６の中央の位置にそれぞれ形成している。このため、回路基板７の反り等の影響に対しても、実装外部端子ＧＴ１，ＧＴ２，ＧＴ３，ＧＴ４、および調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８と回路基板の配線パターンとを接合する接合材８に生じる応力もより均等に分散させることができる。結果として、より強固なはんだクラック対応が実現できる。
【００３６】
また、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８と、測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６とは、ベースの外装部の底面の長辺から離隔した状態で形成されているため、表面実装型水晶発振器の小型化に対応させながら、各機能を有するお互いの外部端子間（実装外部端子と調整外部端子、調整外部端子と測定外部端子、測定外部端子と実装外部端子、実装外部端子と調整外部端子と測定外部端子）で干渉することがなくなり、発振器を製造する際や製品化された後にも悪影響を与えることがない。加えて、各機能を有するお互いの外部端子の配置的な制限にも対応することができる。
【００３７】
また、引き回し電極ＧＴ１１，ＧＴ２１，ＧＴ３１，ＧＴ４１にも接合材８が這い上がり、回路基板７へ搭載する際の接合補強と接合材８の塗布状態を認識するための部分として利用できる。測定外部端子ＧＴ５，ＧＴ６は、調整外部端子ＧＴ７，ＧＴ８や接合領域１３ａとの絶縁が確保できるので、お互いに短絡することがない。
【００３８】
なお、上記した本実施例では、圧電振動素子としてＡＴカット水晶振動板を用いているが、これに限定されるものでなく、音叉型水晶振動片であってもよい。また、圧電振動素子として水晶を材料としているが、これに限定されるものではなく、圧電セラミックスやＬｉＮｂＯ3等の圧電単結晶材料を用いてもよい。すなわち、任意の圧電振動素子が適用可能である。また、圧電振動素子を片持ち保持するものを例にしているが、圧電振動素子の両端を保持する構成であってもよい。また導電性接合材として、シリコーン系の導電樹脂接着剤を例にしているが、他の導電性樹脂接着剤でもよく、金属バンプや金属メッキバンプのバンプ材、ろう材等を用いてもよい。
【００３９】
また、本実施例では、圧電振動素子３と集積回路素子２とを用いているが、これに限定されるものではなく、圧電振動素子３の個数は任意に設定可能であり、さらに集積回路素子２に加えて他の回路部品を搭載してもよい。すなわち、用途にあわせてベースに搭載する部材を設定変更することができる。また、集積回路素子とベースとの電気的接続は、フリップチップボンディング工法に限らず、ワイヤボンディング工法などを採用してもよい。発振用増幅器としてＣ−ＭＯＳのインバータ増幅器を内蔵したワンチップの集積回路素子を用いた発振回路構成を例にしているが、他の発振用増幅器を含む発振回路構成でもよい。
【００４０】
また、本実施例では、金属ろう材による封止を例にしたが、これに限定されるものではなく、シーム封止、ビーム封止（例えば、レーザビーム、電子ビーム）やガラス封止等でも適用することができる。
【００４１】
また、本実施例では、表面実装型圧電発振器として上部のみが開口した凹部を有するベース１の内底面に集積回路素子２を収納し、その上部に圧電振動素子３を収納した積層型配置のもののみを開示しているが、上部と下部が開口した凹部を有するベースの下部凹部の内底面に集積回路素子２を収納し、上部凹部の内底面に圧電振動素子３を収納したＨ型配置のものなどに適用してもよい。
【００４２】
本発明は、その思想または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、表面実装型圧電振動発振器に適用できる。
【符号の説明】
【００４４】
１  ベース
２  集積回路素子
３  圧電振動素子
４  蓋
５  封止材
６  表面実装型水晶発振器
７  回路基板
８  接合材
Ｓ  導電樹脂接着剤（導電性接合材）
Ｃ  金属バンプ
Ｖ  導電ビア
【図１】
2014165686.tif 000003
【図２】
2014165686.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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