(57)【要約】【課題】解析効率が向上した半導体装置の不良解析システムを得る。【解決手段】実施形態の半導体装置の不良解析システム１００は、３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データ７０および前記半導体メモリセルの構成情報４１に基づいてフェイルビットマップを作成する画像データ作成ユニット１２と、初期表示する画像データの種類を記載した初期表示情報データを保持する初期表示情報保持ユニット５０と、を備える。実施形態の半導体装置の不良解析システムは、作成された前記フェイルビットマップの種類と前記初期表示情報データとを比較する比較ユニット３３と、前記比較ユニットの比較結果に基づいて前記フェイルビットマップの一部を初期表示する表示ユニット３６と、をさらに備える。【選択図】図９
2014038672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データおよび前記半導体メモリセルの構成情報に基づいてフェイルビットマップを作成する画像データ作成ユニットと、
初期表示する画像データの種類を記載した初期表示情報データを保持する初期表示情報保持ユニットと、
作成された前記フェイルビットマップの種類と前記初期表示情報データとを比較する比較ユニットと、
前記比較ユニットの比較結果に基づいて前記フェイルビットマップの一部を初期表示する表示ユニットと、
を備えることを特徴とする半導体装置の不良解析システム。
【請求項２】
前記初期表示情報データに記載された画像データの種類は、画像データを作成するレイヤである
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の不良解析システム。
【請求項３】
前記不良解析結果データは、不良発生頻度が高いレイヤの情報を含んでおり、前記初期表示情報データは当該不良発生頻度が高いレイヤの情報に基づいて作成される
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の不良解析システム。
【請求項４】
前記不良発生頻度が高いレイヤの情報は、半導体メモリセルに接続された不良解析用ユニットが出力するデータに基づいて生成される
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の不良解析システム。
【請求項５】
３次元構造を有する半導体メモリセルと、
レイヤ毎に得られた前記半導体メモリセルの不良解析結果の間の論理演算が可能な演算器と、
前記演算器の演算結果を保持する不良解析用レジスタと、
を備えた
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
前記演算器は、レイヤ毎に得られた前記半導体メモリセルの不良解析結果の間の論理和を演算する
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、半導体装置の不良解析システムおよび半導体記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化、高集積化、構造の複雑化に伴い、不良解析は益々困難な作業となっている。メモリデバイスにおいては、半導体検査装置においてビットの良否データ（フェイルビット：Fail Bit）を収集し、ＦＢＭ（フェイルビットマップ）を作成して解析する方法が一般的である。検査装置で収集したフェイルビットの論理アドレスを物理アドレスに変換し、その変換結果を元にＦＢＭ画像データを作成して保持する。そして解析者からの表示要求時にＦＢＭ画像データを表示する。また、複数のテストパターンおよびテスト条件のＦＢＭを重ね合わせて解析する方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６２４４９号公報
【特許文献２】特開２００２−２８８９９５号公報
【特許文献３】特開２０１２−１８０５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態は、解析効率を向上可能な半導体装置の不良解析システムおよび半導体記憶装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態の半導体装置の不良解析システムは、３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データおよび前記半導体メモリセルの構成情報に基づいてフェイルビットマップを作成する画像データ作成ユニットと、初期表示する画像データの種類を記載した初期表示情報データを保持する初期表示情報保持ユニットと、を備える。実施形態の半導体装置の不良解析システムは、作成された前記フェイルビットマップの種類と前記初期表示情報データとを比較する比較ユニットと、前記比較ユニットの比較結果に基づいて前記フェイルビットマップの一部を初期表示する表示ユニットと、をさらに備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、実施形態１にかかる半導体メモリのフェイルビットデータ表示の一例を示す図である。
【図２】図２は、実施形態１にかかる３次元（３Ｄ）メモリのフェイルビットマップの一例を示す図である。
【図３】図３は、実施形態１にかかる３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリの構造の一例を示す図である。
【図４】図４は、実施形態１にかかるレイヤ毎のＦＢＭ画像の一例を示す図である。
【図５】図５は、実施形態１にかかる３次元（３Ｄ） ＦＢＭ表示の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施形態１にかかるレイヤ重ね合わせＦＢＭ（２次元（２Ｄ））表示の一例を示す図である。
【図７】図７は、実施形態１にかかるフェイルビット形状による不良モード分類の一例を示す図である。
【図８】図８は、実施形態１にかかる不良モード毎のＦＢＭ画像の一例を示す図である。
【図９】図９は、実施形態１にかかる半導体装置の不良解析システムの構成の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、実施形態１にかかる画像作成マスタ（レイヤ）情報の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、実施形態１にかかる画像作成マスタ（不良モード）情報の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、実施形態１にかかるＦＢＭデータ管理テーブルの一例を示す図である。
【図１３】図１３は、実施形態１にかかるＦＢＭおよび不良モード別ＦＢＭの管理方法の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、実施形態１にかかる初期表示情報（レイヤ）の一例を示す図である。
【図１５】図１５は、実施形態１にかかる初期表示情報（不良モード）の一例を示す図である。
【図１６】図１６は、実施形態１にかかるＦＢＭ作成フローを示す図である。
【図１７】図１７は、実施形態１にかかる不良モード分類フローを示す図である。
【図１８】図１８は、実施形態１にかかるＦＢＭ表示フローの一例を示す図である。
【図１９】図１９は、実施形態１にかかるレイヤ別ＦＢＭ表示の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、実施形態１にかかる不良モード別ＦＢＭ表示の一例を示す図である。
【図２１】図２１は、実施形態１にかかるレイヤ別不良モード別ＦＢＭ表示の一例を示す図である。
【図２２】図２２は、実施形態１にかかる半導体装置の不良解析システムの構成の別の例を示す図である。
【図２３】図２３は、実施形態２にかかるテスタ出力データにおける初期表示レイヤ情報の一例を示す図である。
【図２４】図２４は、実施形態２にかかるテスタ出力データにおける初期表示レイヤ情報の使用一例を示す図である。
【図２５】図２５は、実施形態２にかかる半導体メモリ装置の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体装置の不良解析システムおよび半導体記憶装置を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（実施形態１）
メモリデバイスにおいては、半導体検査装置においてビットの良否データ（フェイルビット：Fail Bit）を収集し、フェイルビットマップ（Fail Bit Map：ＦＢＭ）を作成して解析する方法が一般的である。検査装置で収集したフェイルビットの論理アドレスを物理アドレスに変換し、その変換結果を元にＦＢＭ画像データを作成して保持する。そして解析者からの表示要求時にＦＢＭ画像データを表示する。図１は、ＦＢＭ表示の一例である。高集積化によりウェハのグロスチップ数は数百チップにのぼるケースもあり、また１チップあたりのビットデータも数ギガビットのオーダーになっている。ＦＢＭ解析においては、まず、図１に示すように、ウェハマップを表示してウェハ上の不良の分布を確認し、次に着目する不良の発生しているチップを表示して詳細を確認する。チップを複数のブロックに分け、ブロック毎にフェイルビットを表示させて解析する。１ウェハのＦＢＭをＰＣ画面上に収まるように表示するため、高倍率で縮約した画像を使用しており、拡大表示しないと詳細は分かり難い。
【０００９】
図２は、３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリのＦＢＭデータ管理方法の一例である。Ｚ軸方向のサイズがＸ軸およびＹ軸方向と比較して小さいため、Ｚ軸方向をレイヤとし、Ｘ軸-Ｙ軸の２次元（２Ｄ） ＦＢＭをレイヤ数分保持する。図２は、レイヤ０からレイヤ３の４つのレイヤの２次元（２Ｄ）ＦＢＭから構成されている。３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリの構造の一例を図３に示す。
【００１０】
図３は、不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイの概略構成例を示す斜視図である。図３において、半導体基板ＳＢには回路領域Ｒ１が設けられ、回路領域Ｒ１上にはメモリ領域Ｒ２が設けられている。なお、回路領域Ｒ１が設けられる基板と、メモリ領域Ｒ２が設けられる基板とを別個にしてもよい。そして、回路領域Ｒ１において、半導体基板ＳＢ上には回路層ＣＵが形成されている。また、メモリ領域Ｒ２において、回路層ＣＵ上にはバックゲート層ＢＧが形成され、バックゲート層ＢＧには接続層ＣＰが形成されている。接続層ＣＰ上には、柱状体ＭＰ１、ＭＰ２（それぞれ絶縁膜に覆われた柱状半導体）が隣接して配置され、柱状体ＭＰ１、ＭＰ２の下端は接続層ＣＰを介して互いに接続されている。また、接続層ＣＰ上には、４層分のワード線ＷＬ４〜ＷＬ１が順次積層されるとともに、ワード線ＷＬ４〜ＷＬ１にそれぞれ隣接するように４層分のワード線ＷＬ５〜ＷＬ８が順次積層されている。ワード線ＷＬ４〜ＷＬ１と接する柱状体ＭＰ２の内部にはメモリセルが形成され、ワード線ＷＬ５〜ＷＬ８と接する柱状体ＭＰ１の内部にはメモリセルが形成されている。従って例えば、ワード線ＷＬ４およびＷＬ５を含む層に形成されているメモリセルを纏めたものが上記した１つのレイヤ、図２のレイヤ０に相当する。同様に、ワード線ＷＬ３およびＷＬ６を含む層に形成されているメモリセルを纏めたものがレイヤ１、ワード線ＷＬ２およびＷＬ７を含む層に形成されているメモリセルを纏めたものがレイヤ２、ワード線ＷＬ１およびＷＬ８を含む層に形成されているメモリセルを纏めたものがレイヤ３である。即ち、図３には柱状体ＭＰ１、ＭＰ２の延伸方向に並んだ並列する４つのレイヤが存在することになる。そして、ワード線ＷＬ５〜ＷＬ８が柱状体ＭＰ１にて貫かれるとともに、ワード線ＷＬ１〜ＷＬ４が柱状体ＭＰ２にて貫かれることで、ＮＡＮＤストリングＮＳが構成されている。また、柱状体ＭＰ１、ＭＰ２上には柱状体ＳＰ１、ＳＰ２がそれぞれ形成されている。最上層のワード線ＷＬ８上には、柱状体ＳＰ１にて貫かれたセレクトゲート電極ＳＧＤが形成され、最上層のワード線ＷＬ１上には、柱状体ＳＰ２にて貫かれたセレクトゲート電極ＳＧＳが形成されている。また、セレクトゲート電極ＳＧＳ上には、柱状体ＳＰ２に接続されたソース線ＳＣＥが設けられるとともに、ソース線ＳＣＥ上には、プラグＰＧを介して柱状体ＳＰ１に接続されたビット線ＢＬ１〜ＢＬ６がカラムごとに形成されている。なお、柱状体ＭＰ１、ＭＰ２は、ビット線ＢＬ１〜ＢＬ６とワード線ＷＬ１〜ＷＬ８との交点に配置することができる。なお、ここではメモリセルに着目したレイヤを扱っているが、上記したＳＧＤ、ＳＧＳ、およびＢＧなどをレイヤとして扱うことも可能である。
【００１１】
図４は、レイヤ０とレイヤ１のそれぞれのＦＢＭ画像の一例である。図４は、それぞれのレイヤ（X軸-Y軸の２次元平面）内のメモリセルでの不良の発生状況を示したものであり、黒い領域が各レイヤ内でのフェイル(不良)を示している（白い領域はパス（良）を示す）。なお、ここでは不良モードによらず、単に各セルがフェイル（不良）かパス（良）かを黒白で示している。３次元（３Ｄ）ＦＢＭは、図５のような３次元（３Ｄ）表示が可能である。図５におけるZ軸と垂直な各レイヤでの断面が図４である。図５のような表示は、全体のＦＢＭ形状を把握するのには適しているが、詳細の状況は確認し難い。従って、不良発生の詳細な状況を把握するためには、拡大／縮小機能、３次元（３Ｄ）表示−２次元（２Ｄ）（特定レイヤ）表示切替機能などが求められる。従って、３次元不良解析システムは、図６のように図４でレイヤ別に示したX軸-Y軸の２次元（２Ｄ）ＦＢＭを重ね合わせてフェイル(不良)の発生状況を表示することも可能である。３次元（３Ｄ）ＦＢＭのZ軸方向のサイズは、数十レイヤに及ぶ場合がある。レイヤ数が増えると、その数だけＦＢＭ画像を重ねて表示するため、表示時間がかかり問題である。その一方で、全レイヤのＦＢＭ画像を数十枚重ねて表示した場合、どのレイヤで不良が発生したか区別し辛い問題がある。
【００１２】
一方、不良ビットの発生形状により不良モードを分類して、不良原因を特定する解析も一般的である。不良モードは、不良原因を特定するために、設計・デバイス・プロセスの幅広い知識を持った専門家がその形状に着目して定義する。図７はフェイルビットの形状毎に不良モードを分類し、そのモード毎にフェイルビットを色分け表示した一例で、ビット不良とカラム不良が発生している。ビット不良と言っても、単独で発生する単ビット不良、縦方向に２ビット連続して発生する縦２ビット不良、横方向に２ビット連続して発生する横２ビット不良など、解析の目的に応じて細かく不良モードを定義して分類することもできる。この不良モード分類を自動化した不良モード分類システムが開発されている。
【００１３】
半導体構造の複雑化に伴い、数十種類の不良モードに分類して解析するケースがあり、不良多発時にはその数十種類の不良モードが発生することがある。図８は不良モード毎のＦＢＭ画像の一例で、カラム不良のＦＢＭ画像とビット不良のＦＢＭ画像である。不良モード毎にＦＢＭを色分け表示するために、予めＦＢＭ画像を不良モード毎に分けて作成し、保持する。発生不良モード数が数十と多くなると、その数だけＦＢＭ画像を重ねて表示するため、表示時間がかかり問題である。その一方で、画像データを数十枚重ねて表示すると、特に画像縮約率の高いＦＢＭにおいては色を識別することが難しく、着目している不良を見逃すケースも出てきてしまい問題である。
【００１４】
さらに、３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリの不良モード別ＦＢＭ色分け表示では、レイヤ×不良モードの数だけＦＢＭ画像データを重ねて表示しなければならず、表示時間がかかり問題である。
【００１５】
図９は、本発明の実施形態１にかかる半導体装置の不良解析システム１００の構成の一例を示す図である。不良解析システム１００はＦＢＭデータ６０を作成するＦＢＭ作成部１０、フェイルビットの発生形状毎にモード分類する不良モード分類部２０、およびＦＢＭを表示するＦＢＭ表示部３０を少なくとも具備する。不良解析システム１００はさらに、画像作成マスタやメモリ構成などの情報を保持する製品マスタ情報４０、初期表示に関する情報を保持するＦＢＭ初期表示情報保持ユニット５０、ＦＢＭ作成部１０が作成したＦＢＭ画像データ等を保持するＦＢＭデータ６０、および半導体検査装置により収集された不良解析結果データである電気的テスト結果７０を具備している。
【００１６】
ＦＢＭ作成部１０は、アドレス変換ユニット１１、画像データ作成ユニット１２、管理情報登録ユニット１３を具備する。各ユニットについて説明すると、アドレス変換ユニット１１は電気的テスト結果から検出した不良セルの（機能設計上の）論理アドレスをメモリ構成情報に従ってチップ上の物理アドレスに変換する機能を有する。画像データ作成ユニット１２はアドレス変換したＦＢＭ画像データを作成する機能を有し、管理情報登録ユニット１３は処理対象の製品情報毎に画像データを作成したレイヤ情報を登録する機能を有する。
【００１７】
不良モード分類部２０は、不良モード分類ユニット２１、画像データ作成ユニット２２、管理情報登録ユニット２３を具備する。不良モード分類ユニット２１はＦＢＭ画像データを入力して不良ビットの形状毎に不良モードを分類する機能を有する。画像データ作成ユニット２２と管理情報登録ユニット２３は、後で詳述するが、ＦＢＭ作成部１０の画像データ作成ユニット１２と管理情報登録ユニット１３と類似の機能を備える。
【００１８】
ＦＢＭ表示部３０は、マスタ情報読込ユニット３１、初期表示情報設定ユニット３２、表示情報比較ユニット３３、画像データ抽出ユニット３４、画像データ結合ユニット３５、ＦＢＭ−３Ｄ表示ユニット３６を具備する。マスタ情報読込ユニット３１は、製品マスタ情報４０内の画像作成マスタ(レイヤ)４３、画像作成マスタ（不良モード）４４から情報を読み込む機能を有する。初期表示情報設定ユニット３２は、ＦＢＭ初期表示情報保持ユニット５０に保持された初期表示についての情報である初期表示情報(レイヤ)５１および初期表示情報（不良モード）５２を読み込む機能を有する。表示情報比較ユニット３３は、画像作成マスタ情報と初期表示情報を比較し、表示するレイヤおよび不良モードを決定する機能を有する。画像データ抽出ユニット３４はＦＢＭデータ管理テーブル６２を参照して表示要求のあった製品情報を抽出する機能を有する。画像データ結合ユニット３５は画像データ抽出ユニット３４で抽出した製品情報を元に、表示対象の画像データを読み込み、結合する機能を有する。ＦＢＭ−３Ｄ表示ユニット３６はユーザインタフェースからの２次元（２Ｄ）表示、３次元（３Ｄ）表示、レイヤ切り替え、不良モード切り替えなどの要求に応じてＦＢＭを表示させる機能を有する。
【００１９】
図１０は、画像作成マスタ(レイヤ)４３の一例で、画像データを作成するレイヤを製品名毎に記したものである。製品“AAAAAAA”はカンマ区切りで複数のレイヤ情報を記述しており、０，１，２，３のそれぞれでレイヤ分割することを示す。製品“AAAAAAA”のメモリ構成としてZ軸方向にレイヤ４以上が存在しても、画像作成マスタ(レイヤ)４３に従いそれらの画像データは作成しない。製品“BBBBBBB”では、“０”はレイヤ０を１画像とし、記号“+”でレイヤ情報を繋いで記述している“１+２+３+４+５+６”はレイヤ１，２，３，４，５，６を重ねて１画像とし、“７”はレイヤ７を１画像とし、製品“BBBBBBB”では３枚のＦＢＭ画像データを作成することを示す。
【００２０】
図１１は、画像作成マスタ（不良モード）４４の一例で、画像データを作成する不良モード情報を製品毎に記したものである。製品“AAAAAAA”はカンマ区切りで複数の不良モード情報を記述しており、Mode1〜Mode10のそれぞれで分割して１０枚の画像データを作成することを示す。製品“BBBBBBB”は記号“＋”で不良モード情報を繋いで記述しており、“Mode1+Mode2+Mode3”はMode1、Mode2、Mode3の３不良モードのＦＢＭを重ねて１画像とし、“Mode4＋Mode5”はMode4とMode5の２不良モードのＦＢＭを重ねて１画像とし、製品“BBBBBBB”では２枚の不良モード別ＦＢＭ画像データを作成することを示す。
【００２１】
図１２は、ＦＢＭデータ管理テーブル６２の一例で、製品情報毎に画像作成したレイヤおよび不良モードを登録する。登録する内容としては、製品名、ロット番号、ウェハ番号などの製品情報と、画像作成したレイヤおよび不良モード情報である。図１２は、画像作成したレイヤおよび不良モードを管理テーブルに登録する方法だが、管理テーブルに登録しない方法もある。例えば図１３のように、画像データのファイル名に“Layer０．ｐｎｇ”などレイヤ情報を保持し、製品名、ロット番号、ウェハ番号毎にディレクトリを分けて管理する。不良モード別ＦＢＭの場合はさらに不良モード毎のディレクトリを追加して管理する。
【００２２】
図１４は、初期表示情報(レイヤ)５１の一例である。製品毎に初期表示するレイヤを定義する。初期表示するレイヤが複数ある場合は、カンマ区切りで記述する。初期表示情報は、システムで一括管理してもよいし、解析グループ毎に管理しても、ユーザ毎に個別に管理してもよい。
【００２３】
図１５は、初期表示情報（不良モード）５２の一例である。製品毎に初期表示する不良モードを定義する。初期表示する不良モードが複数ある場合は、カンマ区切りで記述する。レイヤ初期表示情報と同様に、初期表示情報は、システムで一括管理してもよいし、解析グループ毎に管理しても、個別に管理してもよい。
【００２４】
また、ウェハ毎に初期表示する不良モードを定義する方法もある。例えば、ウェハ毎に不良発生数が多い上位５つの不良モードを初期表示する方法で、この方法では、初期表示する不良モードがウェハにより異なる。
【００２５】
図１６は、本実施形態によるＦＢＭ作成フローの一例である。ステップＳ１０１で、ＦＢＭ作成部１０は、半導体検査装置が収集した図９の電気的テスト結果７０をフェイルビット情報（不良解析結果データ）として計算機メモリに読み込む。計算機メモリは図９には特に示していないが、不良解析システム１００は単一サーバーあるいは複数サーバーからなる分散システム上に構築されているので、例えばＦＢＭ作成部１０の機能を担うサーバーのメモリなどである。さらにＦＢＭ作成部１０は、ステップＳ１０２でチップXサイズ、チップYサイズ、チップZサイズなどのメモリ構成情報４１（図９）を読み込む。ステップＳ１０３で、アドレス変換ユニット１１が、メモリ構成情報４１が有する論理アドレスから物理アドレスへの変換情報に基づいて検出した不良セルの論理アドレスをチップ上の物理アドレスに変換する。以下のステップＳ１０４〜Ｓ１０８は画像データ作成ユニット１２により実行される。ステップＳ１０４で、画像作成マスタ(レイヤ)４３を参照し、対象製品の定義があるかどうかチェックする。もし画像作成マスタ(レイヤ)４３に対象製品の定義がなければ（ステップＳ１０４：Ｎｏ）、メモリ構成情報４１に記された全レイヤについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成する（ステップＳ１０５）。例えば、図１０において、製品“CCCCCCC”は画像作成マスタ(レイヤ)４３に製品定義がないため、製品“CCCCCCC”のメモリ構成情報においてチップZサイズが１６ならば、レイヤ０からレイヤ１５までの１６枚の画像を分けて作成する。もし画像作成マスタ(レイヤ)４３に対象製品の定義があれば（ステップＳ１０４：Ｙｅｓ）、画像作成マスタ(レイヤ)４３の定義において複数のレイヤを纏めて定義しているかどうかをさらにチェックする（ステップＳ１０６）。図１０の製品“BBBBBBB”の“１+２+３+４+５+６”のように記号“＋”を用いた定義は複数レイヤを纏めて定義したものである。もし複数のレイヤを纏めて定義していない場合（ステップＳ１０６：Ｎｏ）、例えば図１０の製品“AAAAAAA”の場合は、レイヤ“０，１，２，３”について、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成する（ステップＳ１０７）。複数レイヤを纏めて定義している場合（ステップＳ１０６：Ｙｅｓ）、纏めて定義しているレイヤを重ね合わせた画像データを作成し、初期表示用ＦＢＭ画像データとして保存する（ステップＳ１０８）。これにより、全レイヤについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成するという無駄を省くことができる。ステップＳ１０５、Ｓ１０７、Ｓ１０８の後は、管理情報登録ユニット１３がＦＢＭデータ管理テーブル６２に作成した画像データの（レイヤ）情報、具体的には、どのレイヤを複数纏めて画像データを作成したかについての情報等を登録する（ステップＳ１０９）。
【００２６】
図１７は、本実施形態の不良モード分類フローの一例である。ステップＳ２０１で、不良モード分類部２０は、レイヤ別ＦＢＭ画像データ６１から不良モード分類ユニット２１へＦＢＭ画像データを入力する。ステップＳ２０２で、不良モード分類ユニット２１は、チップXサイズ、チップYサイズ、チップZサイズなどのメモリ構成情報４１（図９）と不良モード分類情報４２（図９）を読み込む。ステップＳ２０３で、不良モード分類ユニット２１は、不良モード分類情報４２に従い不良モードを分類する。以下のステップＳ２０４〜Ｓ２０８は画像データ作成ユニット２２により実行される。ステップＳ２０４で、画像作成マスタ（不良モード）４４を参照し、対象製品の定義があるかどうかチェックする。もし定義がなければ（ステップＳ２０４：Ｎｏ）、不良モード分類情報４２の全不良モードについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成する（ステップＳ２０５）。もし画像作成マスタ（不良モード）４４に対象製品の定義があれば（ステップＳ２０４：Ｙｅｓ）、画像作成マスタ（不良モード）４４の定義において複数の不良モードを纏めて定義しているかをさらにチェックする（ステップＳ２０６）。図１１の製品“BBBBBBB”の“Mode1+Mode2+Mode3”のように記号“＋”を用いた定義は複数の不良モードを纏めて定義したものである。もし複数の不良モードを纏めて定義していない場合（ステップＳ２０６：Ｎｏ）、例えば図１１の製品“AAAAAAA”の場合は、“Mode１”から“Mode１０”の１０不良モードについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成する（ステップＳ２０７）。複数の不良モードを纏めて定義している場合（ステップＳ２０６：Ｙｅｓ）、纏めて定義されている不良モードＦＢＭ画像を重ね合わせた画像データを作成し初期表示用ＦＢＭ画像データとして保存する（ステップＳ２０８）。これにより、全不良モードについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成するという無駄を省くことができる。ステップＳ２０５、Ｓ２０７、Ｓ２０８の後は、管理情報登録ユニット２３がＦＢＭデータ管理テーブル６２に作成した画像データの（不良モード）情報、具体的には、どの不良モードを複数纏めて画像データを作成したかについての情報等を登録する（ステップＳ２０９）。
【００２７】
図１８は、本実施形態のＦＢＭ表示フローの一例である。ステップＳ３０１において、マスタ情報読込ユニット３１は、チップXサイズ、チップYサイズ、チップZサイズなどのメモリ構成情報４１（図９）を読み込む。次に、ステップＳ３０２において、ＦＢＭ表示部３０は、初期表示であるか否かを判定する。初期表示である場合は（ステップＳ３０２：Ｙｅｓ）、例えば図１４および図１５に示した初期表示情報(レイヤ)５１および初期表示情報（不良モード）５２をＦＢＭ初期表示情報保持ユニット５０から初期表示情報設定ユニット３２が読み込む（ステップＳ３０３）。図１４および図１５に示したような初期表示情報が存在しない場合（ステップＳ３０４：Ｎｏ）は、画像データ抽出ユニット３４がＦＢＭデータ管理テーブル６２に登録されている全レイヤ、全不良モードのＦＢＭ画像データを抽出する（ステップＳ３１４）。図１４および図１５に示したような初期表示情報が存在する場合（ステップＳ３０４：Ｙｅｓ）は、図１０および図１１に示したような画像作成マスタ(レイヤ)４３、画像作成マスタ（不良モード）４４を画像マスタ情報としてマスタ情報読込ユニット３１が読み込む（ステップＳ３０５）。そして、ステップＳ３０６において、画像作成マスタ(レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４と初期表示情報(レイヤ)５１および初期表示情報（不良モード）５２とを表示情報比較ユニット３３が比較し、画像作成マスタ(レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４のなかに対象製品の定義があるか（ヒットするか）どうかを判定する（ステップＳ３０７）。もし定義がなければ、即ちヒットデータが全くなければ（ステップＳ３０７：Ｎｏ）、画像データ抽出ユニット３４はＦＢＭデータ管理テーブル６２に登録されている全レイヤ、全不良モードのＦＢＭ画像データを抽出する（ステップＳ３１４）。即ち、全レイヤおよび全不良モードのＦＢＭ画像データおよび不良モード別ＦＢＭ画像データを抽出する。
【００２８】
もし定義があれば、即ちヒットデータがあれば（ステップＳ３０７：Ｙｅｓ）、画像作成マスタ情報と初期表示情報との比較結果（ヒットデータ）、即ち画像作成マスタ(レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４のなかに定義がある対象製品に基づいてＦＢＭデータ管理テーブル６２を検索して、画像データ抽出ユニット３４が抽出するＦＢＭ画像データを決定する（ステップＳ３０８）。ヒットデータの求め方の具体例を以下に示す。例えば、図１０の画像作成マスタ(レイヤ)４３と図１４の初期表示情報(レイヤ)５１を比較する場合、製品“AAAAAAA”の比較結果は“０”で、製品“BBBBBBB”については初期表示情報(レイヤ)５１の“５”は画像作成マスタ(レイヤ)４３における“１+２+３+４+５+６”に含まれるため、ヒットデータは“０，１+２+３+４+５+６”となる。また、図１１の画像作成マスタ（不良モード）４４と図１５の初期表示情報（不良モード）５２を比較する場合、製品“AAAAAAA”のヒットデータは“Mode１，Mode５，Mode１０”で、製品“BBBBBBB”については初期表示情報（不良モード）の“Mode６”は画像作成マスタ（不良モード）４４に存在しないため、ヒットデータは“Mode1+Mode2+Mode3”となる。この場合“Mode６”については表示されない。上記の例では、初期表示情報で示された定義が画像作成マスタで纏められている場合はそれを表示し、画像作成マスタに存在しない初期表示情報は表示できないとした例を示した。なお、画像作成マスタに初期表示情報が全く記載されていない場合、即ちヒットデータが全くない場合（ステップＳ３０７：Ｎｏ）は、上述したように、ステップＳ３１４に進む。ただし、このようなヒットデータの選定方法はあくまで一例であり必ずしもこのような選定方法に限定されるわけではない。そしてヒットデータを元にＦＢＭデータ管理テーブル６２を検索し、画像データ抽出ユニット３４が抽出するＦＢＭ画像データを決定する。
【００２９】
ステップＳ３０２において、初期表示でない場合は（ステップＳ３０２：Ｎｏ）、ステップＳ３０９において、ユーザ操作の有無が判定される。ユーザ操作がある場合（ステップＳ３０９：Ｙｅｓ）とは、例えば、ユーザがレイヤ選択画面、不良モード選択画面、あるいはその両者が表示されている画面において、選択項目を追加するなどのユーザ指定情報が与えられた場合である。この場合は、図１０および図１１に示したような画像作成マスタ(レイヤ)４３、画像作成マスタ（不良モード）４４を画像マスタ情報としてマスタ情報読込ユニット３１が読み込む（ステップＳ３１０）。そして、ステップＳ３１１においては、画像作成マスタ (レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４と上述したユーザ指定情報とを表示情報比較ユニット３３が比較し、画像作成マスタ (レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４のなかに対象製品の定義があるか（ヒットするか）どうかを判定する（ステップＳ３１２）。もし定義がなければ、即ちヒットデータがなければ（ステップＳ３１２：Ｎｏ）、画像データ抽出ユニット３４はＦＢＭデータ管理テーブル６２に登録されている全レイヤ、全不良モードのＦＢＭ画像データを抽出する（ステップＳ３１４）、即ち全レイヤおよび全不良モードのＦＢＭ画像データおよび不良モード別ＦＢＭ画像データを抽出する。
【００３０】
もし定義があれば、即ちヒットデータがあれば（ステップＳ３１２：Ｙｅｓ）、画像作成マスタ情報とユーザ指定情報との比較結果（ヒットデータ）、即ち画像作成マスタ (レイヤ)４３および画像作成マスタ（不良モード）４４のなかに定義がある対象製品に基づいてＦＢＭデータ管理テーブル６２を検索して、画像データ抽出ユニット３４が抽出するＦＢＭ画像データを決定する（ステップＳ３１３）。ヒットデータの求め方はステップＳ３０７で説明したのと同様な選定方法である。なお、ユーザ操作が無い場合（ステップＳ３０９：Ｎｏ）は、ステップＳ３０４に進む。
【００３１】
そして、ステップＳ３０８、Ｓ３１３およびＳ３１４の次には、画像データ抽出ユニット３４によって抽出されたＦＢＭ画像データを画像データ結合ユニット３５が重ね合わせ（ステップＳ３１５）、最後に重ね合わせたＦＢＭ画像データをＦＢＭ−３Ｄ表示ユニット３６が表示する（ステップＳ３１６）。
【００３２】
なお、本実施形態においては、まず図１６のＦＢＭ作成フローが実行され、次に図１７の不良モード分類フローが実行され、最後に図１８のＦＢＭ表示フローが実行される。しかし、各フローは独立して実行されてもかまわない。
【００３３】
図１９は、レイヤ別ＦＢＭ表示の一例である。画像作成マスタ(レイヤ)４３およびＦＢＭデータ管理テーブル６２にはLayer０〜Layer３が登録されているが、初期表示情報(レイヤ)５１には“Layer０”が登録されている。上図は初期表示のＦＢＭとレイヤ選択画面を示し、“Layer０”のＦＢＭが表示され、レイヤ選択画面では“Layer０”が選択されている。下図は、初期表示後、ユーザがレイヤ選択画面で“Layer１”を追加で選択してＦＢＭを再表示させた様子で、Layer０とLayer１のＦＢＭが重ねて表示されている。レイヤ選択画面で“Layer１”が追加で選択されると、図９の画像データ抽出ユニット３４はＦＢＭ画像データから“Layer１”の画像データを抽出し、画像データ結合ユニット３５は既抽出の“Layer０”画像データと“Layer１”の画像データを重ね合わせ、ＦＢＭ−３Ｄ表示ユニット３６は重ね合わせたＦＢＭを表示する。
【００３４】
図２０は、不良モード別ＦＢＭ表示の一例である。画像作成マスタ（不良モード）４４およびＦＢＭデータ管理テーブル６２にはブロック不良１、ロウ不良２、カラム不良３、ビット不良などが登録されているが、初期表示情報（不良モード）５２には“ブロック不良”が登録されている。上図は初期表示の不良モード別（色分け）ＦＢＭと不良モード選択画面を示し、“ブロック不良（赤）”のＦＢＭが表示され、不良モード選択画面では“ブロック不良（赤）”が選択されている。下図は、初期表示後、ユーザが不良モード選択画面で“ロウ不良（水）、カラム不良（黄）”を追加で選択してＦＢＭを再表示させた様子で、ブロック不良１、ロウ不良２、カラム不良３のＦＢＭが重ねて表示されている。図２０は実際には色分けで不良モードを区別する。
【００３５】
図２１は、レイヤ別不良モード別ＦＢＭ表示の一例である。画像作成マスタ(レイヤ)４３、画像作成マスタ（不良モード）４４およびＦＢＭデータ管理テーブル６２にはLayer０〜Layer３およびブロック不良１、ロウ不良２、カラム不良３、ビット不良などが登録されているが、初期表示情報(レイヤ)５１および初期表示情報（不良モード）５２には“Layer０およびブロック不良”が登録されている。この場合、初期表示では、初期表示情報(レイヤ)５１および初期表示情報（不良モード）５２とに基づいてレイヤおよび不良モードを指定してＦＢＭ表示する。上図は初期表示のＦＢＭ、レイヤ選択画面、及び不良モード選択画面を示し、“Layer０およびブロック不良”の不良モード別（色分け）ＦＢＭが表示され、レイヤ選択画面では“Layer０”が、不良モード選択画面では“ブロック不良（赤）”が選択されている。下図は、初期表示後、ユーザがレイヤ選択画面で“All Layer（全レイヤ）”を選択し、不良モード選択画面で“ロウ不良（水）、カラム不良（黄）”を追加で選択してＦＢＭを再表示させた様子で、全レイヤのブロック不良１、ロウ不良２、カラム不良３のＦＢＭが重ねて表示されている。３次元（３Ｄ）表示させると、全レイヤ表示されていることが確認できる。図２１は実際には色分けで不良モードを区別する。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態にかかる半導体装置の不良解析システム１００および不良解析方法においては、３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリのフェイルビットデータをZ軸方向のレイヤ別に分割してフェイルビットマップデータを作成し、その初期表示では単数または複数の特定レイヤの画像データのみを高速表示する。また、不良モード毎に色分けしたフェイルビットマップの初期表示では、全不良モードを重ねて表示せずに、単数または複数の特定不良モードの画像データのみを高速表示する。なお、図９に示した各機能ユニットは、分散サーバーあるいはクラウド上などに分散配置されていても構わない。即ち、本実施の形態にかかる半導体装置の不良解析システム１００は単一の装置のみならず複数の装置に各機能ユニットが分散配置されて実現されてもかまわない。
【００３７】
突発性の不良が発生した状況下および特異不良が多発した状況下では、不良モード別ＦＢＭ表示において既定の初期表示情報（不良モード）を使用せずに、不良数の多い不良モードを初期表示する方法が有効である。不良数の多い不良モードを初期表示するため、初期表示不良モードはウェハにより動的に変化する。
【００３８】
不良数の多い不良モードを初期表示するために、図９の半導体装置の不良解析システム１００の構成に構成要件を追加した一例を図２２に示す。図２２においては、半導体装置の不良解析システム１００の構成の製品マスタ情報４０内に不良数集計フラグ４５を、不良モード分類部２０の末尾に不良数集計ユニット２４を、ＦＢＭデータ６０内に不良モード集計データ６５を、ＦＢＭ表示部３０に不良モード初期表示切替ボタン３７を追加する。不良数集計フラグ４５がオフの場合は前記の通り既定の画像作成マスタ（不良モード）４４と初期表示情報（不良モード）５２に基づいて初期表示し、不良数集計フラグ４５がオンかつ不良モード初期表示切替ボタン３７を押下した場合は、以下のように不良数の多い不良モード上位５つを初期表示する。
【００３９】
不良数集計フラグ４５がオンの場合について詳細を記す。不良モード分類ユニット２１においてチップ毎のＦＢＭ画像データを入力して不良ビットの形状毎に不良モード分類する。画像データ作成ユニット２２においては、画像作成マスタ（不良モード）４４を参照せずに、不良モード分類情報の全不良モードについて、それぞれ分けてＦＢＭ画像データを作成し、管理情報登録ユニット２３において作成した画像データの情報を登録する。不良数集計ユニット２４において、同一ウェハ上の全チップの不良モード分類結果（不良モード毎の不良発生数）を不良モード毎に集計し、不良モード集計データ６５として“ウェハ識別子、上位５つの不良モード及びその不良発生数”を登録する。ＦＢＭ表示部３０における不良モード初期表示切替ボタン３７はユーザが指定したウェハの不良モード集計データ６５が存在する場合にアクティブとなり、切替ボタンを押下すると、不良モード集計データ６５に基づいて不良数の多い不良モード上位５つのＦＢＭを初期表示する。
【００４０】
（実施形態２）
実施形態１では、初期表示情報はシステム内で予め定義する。または不良の出方により動的に(例えば上位５不良モードを)設定した。初期表示レイヤおよび不良モードが複数設定された場合は、システム内で予めそれらを重ね合わせた画像データを作成したが、本実施形態においては、テスト時にエンジニアが明示的に初期表示情報をセットし、テスタ出力データに初期表示情報を含める。
【００４１】
即ち、テストした結果、不良が多い（不良発生頻度が高い）レイヤを初期表示レイヤとして出力データにセットするように、テストプログラムに組み込んでおき、テスト時にテスタ出力データに初期表示情報を含める。システムではテスタ出力データ内の初期表示情報に基づき、初期表示情報を設定する。
【００４２】
図２３は、テスタ出力データにおける初期表示レイヤ情報の一例である。例えばテスタにおいてテスト対象の製品情報、テスト名、テスト日付情報などをテキストファイルに出力するケースでは、その空欄（Filler部）の末尾１０桁を初期表示レイヤ情報として割り当てて使用する。
【００４３】
図２４は、テスタ出力データにおける初期表示レイヤ情報を使用する一例である。テスタにおいてテスト時にエンジニアが明示的に初期表示情報をセットし、テスタ出力データに初期表示情報を含める。また、不良が多いレイヤを初期表示レイヤとして出力データにセットするように予めテストプログラムに組み込んでおき、テスト時にテスタ出力データに初期表示情報を含めてもよい。
【００４４】
システム側では、図９の半導体不良解析システムの構成のＦＢＭ作成部１０において、さらにＦＢＭデータ受信ユニット１５を追加で具備し、テスタ出力データ内の初期表示情報に基づき、初期表示情報を設定する。これにより、システム側で初期表示情報を設定するのではなく、テスト時の状況や不良の出方により、テスタ側で初期表示情報を設定することが可能となる。
【００４５】
さらに、デバイスに複数レイヤの重ね合わせデータを出力する回路を追加することにより、以下のような応用も可能となる。
【００４６】
即ち、テスト時に複数のレイヤのPass/Fail情報をそのまま出力せずに、例えばAND/ORなどの演算を実施してから出力させる回路を追加することで、複数レイヤの演算後のPass/Fail情報を出力させて、システムでＦＢＭ画像データを作成しその演算後のレイヤを初期表示する。
【００４７】
図２５、は半導体メモリ装置の一例である。この半導体メモリ装置は、複数のレイヤ毎のセルの良否データ（パス/フェイル情報）が入力される論理演算回路ALU(Arithmetic Logic Unit)２０２および不良解析用レジスタ２００（不良解析用ユニット）を備えている。通常は、論理演算回路ALU２０２は何も演算せずに、レイヤ毎に測定されたセルの良否データをそのまま不良解析用レジスタ２００に保持するようにする。この場合は、各レイヤのセルの良否データ（パス/フェイル情報）を不良解析用レジスタ２００（不良解析用ユニット）からテスタに出力する。
【００４８】
ここで、不良解析用レジスタ２００の前段に設置された論理演算回路ALU２０２において、複数のレイヤ毎のセルのパス/フェイル情報に対して、例えば論理積（AND）、論理和（OR）などの演算子を使用して演算した結果を不良解析用レジスタ２００に出力することで、半導体メモリ装置内で複数レイヤのパス/フェイル情報の演算結果をテスタに出力することが可能となる。具体的には、例えば、レイヤ０とレイヤ１で同一の２次元座標に位置するセルのフェイルについて論理積をとれば、両レイヤに跨る、即ちレイヤ間を貫通した不良を演算結果として得ることができる。また、レイヤ０とレイヤ１で同一の２次元座標に位置するセルのフェイルについて論理和をとれば、両レイヤの不良を重畳したデータ(例えば、図６に相当するデータ)が演算結果として得られる。このような演算は、不良解析時に各レイヤの同一の２次元座標に位置するセルのパス/フェイル情報が並列的に求められれば可能である。演算対象のレイヤおよび演算子は、テスタから入力してもよいし、演算対象のレイヤと演算子は演算式レジスタ２０３に予め保持し記憶させておいてもよい。この演算結果をテスタから出力時、図２３のテスタ出力データにおける初期表示レイヤ情報（末尾10桁）にレイヤ０とレイヤ１の論理積結果を初期表示情報とすることを示す“0and1”、或いはレイヤ０とレイヤ１の論理和結果を初期表示情報とすることを示す“0OR1”などと記載して出力する。これにより図２４に従い、ＦＢＭデータ受信ユニット１５で演算結果FBMを初期表示情報として登録し、次にアドレス変換ユニット１１で演算結果をFBMに変換して登録し、初期表示することが可能となる。すなわち、図２５の半導体メモリ装置の出力結果をそのまま初期表示とすることが可能となる。
【００４９】
３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリのフェイルビットマップ（ＦＢＭ）解析においては、まず最重要である最上層および最下層のフェイルビットマップを初期表示させてウェハの状況を把握し、その後に状況に応じて中間層のフェイルビットマップおよび、各レイヤのフェイルビットマップを表示させて詳細状況を把握する方法が特に有効である。また、３次元（３Ｄ）構造を有する半導体メモリのＦＢＭ不良モード解析においては、積層（Z軸)方向の不良原因に起因する、複数レイヤおよび全レイヤに跨る３次元（３Ｄ）不良モードを判定することも必要である。従って、最重要である３次元（３Ｄ）不良モードをまず初期表示させて、ボトルネックとなる不良を把握し、その後に必要に応じて２次元（２Ｄ）不良モードを表示させて詳細状況を把握する方法が有効である。以上説明した実施形態の半導体装置の不良解析システム１００により、最重要なレイヤおよび最重要な不良モードを初期表示設定することにより、フェイルビットマップ（ＦＢＭ）表示を高速化することが可能となる。さらに、このように初期表示を限定することにより重要な不良を見逃すリスクが低減し、また重要な不良を初期確認することによりデバイス解析時間が短縮し、引いてはプロセス条件などへ解析結果をフィードバックする迄の時間も短縮し、歩留りの急峻な立ち上げが可能となる。
【００５０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
（付記１）
３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データおよび前記半導体メモリセルの構成情報に基づいてフェイルビットマップを作成する画像データ作成ユニットと、
初期表示する画像データの種類を記載した初期表示情報データを保持する初期表示情報保持ユニットと、
作成された前記フェイルビットマップの種類と前記初期表示情報データとを比較する比較ユニットと、
前記比較ユニットの比較結果に基づいて前記フェイルビットマップの一部を初期表示する表示ユニットと、
を備えることを特徴とする半導体装置の不良解析システム。
（付記２）
前記初期表示情報データに記載された画像データの種類は、画像データを作成するレイヤである
ことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記３）
前記初期表示情報データに記載された画像データの種類は、画像データを作成する不良モードである
ことを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記４）
前記不良解析結果データは、不良発生頻度が高いレイヤの情報を含んでおり、前記初期表示情報データは当該不良発生頻度が高いレイヤの情報に基づいて作成される
ことを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記５）
前記不良発生頻度が高いレイヤの情報は、半導体メモリセルに接続された不良解析用ユニットが出力するデータに基づいて生成される
ことを特徴とする付記４に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記６）
前記画像データ作成ユニットは、画像作成マスタデータに基づいて複数のレイヤについて纏めたフェイルビットマップを作成する
ことを特徴とする付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記７）
前記画像データ作成ユニットは、画像作成マスタデータに基づいて複数の不良モードについて纏めたフェイルビットマップを作成する
ことを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記８）
どのレイヤを複数纏めて画像データを作成したかについての情報を管理する管理情報登録ユニットをさらに備え、
前記比較ユニットは前記管理情報登録ユニットが管理する情報を用いて比較する
ことを特徴とする付記６に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記９）
どの不良モードを複数纏めて画像データを作成したかについての情報を管理する管理情報登録ユニットをさらに備え、
前記比較ユニットは前記管理情報登録ユニットが管理する情報を用いて比較する
ことを特徴とする付記７に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記１０）
３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データ、前記半導体メモリセルの構成情報、および不良モードの種類に基づいてフェイルビットマップを作成する画像データ作成ユニットと、
前記不良解析結果データに基づいて不良モード毎の不良発生数を記録する不良数集計ユニットと、
前記不良モード毎の不良発生数に基づいて、発生頻度の高い不良モードにかかる前記フェイルビットマップの一部を初期表示する表示ユニットと、
を備えることを特徴とする半導体装置の不良解析システム。
（付記１１）
前記表示ユニットは、不良モード毎にフェイルビットマップを色分けして表示する
ことを特徴とする付記１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析システム。
（付記１２）
３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データを作成する工程と、
前記不良解析結果データおよび前記半導体メモリセルの構成情報に基づいてフェイルビットマップを作成する工程と、
作成された前記フェイルビットマップの種類と初期表示する画像データの種類を記載した初期表示情報データとを比較する工程と、
前記比較の結果に基づいて前記フェイルビットマップの一部を初期表示する工程と、
を含む
ことを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
（付記１３）
前記初期表示情報データに記載された画像データの種類は、画像データを作成するレイヤである
ことを特徴とする付記１２に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記１４）
前記初期表示情報データに記載された画像データの種類は、画像データを作成する不良モードである
ことを特徴とする付記１２または１３に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記１５）
前記不良解析結果データを作成する工程において、前記不良解析結果データに不良発生頻度が高いレイヤの情報を含めて作成し、
前記不良発生頻度が高いレイヤの情報に基づいて、前記初期表示情報データを作成する
ことを特徴とする付記１２に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記１６）
前記フェイルビットマップを作成する工程において、画像作成マスタデータに基づいて複数のレイヤについて纏めたフェイルビットマップを作成する
ことを特徴とする付記１２乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記１７）
前記フェイルビットマップを作成する工程において、画像作成マスタデータに基づいて複数の不良モードについて纏めたフェイルビットマップを作成する
ことを特徴とする付記１２乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記１８）
３次元構造を有する半導体メモリセルの不良解析結果データを作成する工程と、
前記不良解析結果データ、前記半導体メモリセルの構成情報、および不良モードの種類に基づいてフェイルビットマップを作成する工程と、
前記不良解析結果データに基づいて不良モード毎の不良発生数を記録する工程と、
前記不良モード毎の不良発生数に基づいて、発生頻度の高い不良モードにかかる前記フェイルビットマップの一部を初期表示する工程と、
を含む
ことを特徴とする半導体装置の不良解析方法。
（付記１９）
前記初期表示する工程において、不良モード毎にフェイルビットマップを色分けして初期表示する
ことを特徴とする付記１２乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置の不良解析方法。
（付記２０）
３次元構造を有する半導体メモリセルと、
レイヤ毎に得られた前記半導体メモリセルの不良解析結果の間の論理演算が可能な演算器と、
前記演算器の演算結果を保持する不良解析用レジスタと、
を備えた
ことを特徴とする半導体記憶装置。
（付記２１）
前記演算器は、レイヤ毎に得られた前記半導体メモリセルの不良解析結果の間の論理和を演算する
ことを特徴とする付記２０に記載の半導体記憶装置。
（付記２２）
前記演算器は、レイヤ毎に得られた前記半導体メモリセルの不良解析結果の間の論理積を演算する
ことを特徴とする付記２０に記載の半導体記憶装置。
（付記２３）
前記演算器の演算対象のレイヤおよび演算子を保持するレジスタ
をさらに備える
ことを特徴とする付記２０乃至付記２２のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。 
【符号の説明】
【００５１】
１  ブロック不良、２  ロウ不良、３  カラム不良、１０  ＦＢＭ作成部、２０  不良モード分類部、３０  ＦＢＭ表示部、１００  半導体装置の不良解析システム。
【図１】
2014038672.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014038672.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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