(57)【要約】【課題】熱処理を効率的に行うことが可能な熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置は、加熱部と、該加熱部の上方で加熱部の上面に沿った第１方向に離れて並ぶ第１および第２被処理物を、第１方向に垂直な加熱部の上面に沿った第２方向に搬送する搬送機構とを備える。搬送機構は、第１方向に離れて順に配された第１〜３搬送部と該第１〜３搬送部を昇降させる昇降部とを有する。各搬送部は、第２方向に沿って配列された、第１方向に沿った軸を中心として回転する複数の回転体を含む。第１搬送部は、第１被処理物の第１方向の第１端部を支持する。第２搬送部は、第１被処理物の第１方向の第２端部を支持し、且つ第２被処理物の第１方向の第３端部を支持する。第３搬送部は、第２被処理物の第１方向の第４端部を支持する。昇降部は、各搬送部を、第１および第２被処理物を第２方向に搬送する位置と、加熱部の上面よりも下方の位置との間で昇降させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱部と、該加熱部の上方において該加熱部の上面に沿った第１方向に相互に離れて並べられている第１被処理物および第２被処理物を、前記１方向に垂直な前記加熱部の前記上面に沿った第２方向に搬送する搬送機構とを備え、
前記搬送機構は、前記第１方向に相互に離れて順に配されている第１搬送部、第２搬送部および第３搬送部、ならびに該第１搬送部、該第２搬送部および該第３搬送部を昇降させる昇降部を有しており、
前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部は、それぞれ前記第２方向に沿って配列された、前記第１方向に沿った回転軸を中心として回転する複数の回転体を含み、
前記第１搬送部は、前記第１被処理物の前記第１方向における第１端部を支持し、
前記第２搬送部は、前記第１被処理物の前記第１方向における前記第１端部とは逆の第２端部を支持するとともに、前記第２被処理物の前記第１方向における第３端部を支持し、
前記第３搬送部は、前記第２被処理物の前記第１方向における前記第３端部とは逆の第４端部を支持しており、
前記昇降部は、前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部を、前記第１被処理物および前記第２被処理物を前記第２方向に搬送する搬送位置と、前記加熱部の前記上面よりも下方の下降位置との間でそれぞれ下降および上昇させる熱処理装置。
【請求項２】
前記加熱部は、前記昇降部によって前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部が下降される際に各前記回転体が通過および配置される領域に沿って、凹部および孔部の一方を有している請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記加熱部は、前記第２搬送部が配されている前記第２方向に延在する間隙を挟んで前記第１方向に並べられている第１加熱部および第２加熱部を有している請求項１または請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記第１被処理物および前記第２被処理物が前記加熱部上に配された状態で、前記第１被処理物および前記第２被処理物の各上面に膜を形成する成膜部と、
前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部が前記下降位置に配された状態で、各前記回転体の少なくとも上部を覆う保護部とをさらに備えている請求項１から請求項３の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記第１被処理物および前記第２被処理物が前記加熱部上に配された状態において、平面視した場合に、前記加熱部は、前記第１被処理物および前記第２被処理物の前記第１方向の少なくとも１つの端縁部まで延在している幅広領域を含んでいる請求項１から請求項４の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記加熱部は、該加熱部の前記上面において、前記第１被処理物および前記第２被処理物の少なくとも一方が載置される領域を囲む凸部を有している請求項５に記載の熱処理装置。
【請求項７】
前記回転体は、該回転体の外周部において前記回転軸を中心とした環状の領域に沿って突起部および段差部の一方を有している請求項１から請求項６の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項８】
前記回転体は、該回転体を発熱させる発熱部を含んでいる請求項１から請求項７の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【請求項９】
各前記回転体の外周部を構成する素材は、前記加熱部の前記上面を構成する素材よりも、前記第１被処理物および前記第２被処理物の表面に対する摩擦係数が大きい請求項１から請求項８の何れか１つの請求項に記載の熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
被処理物上に薄膜を形成する際に、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition）装置および化学蒸着（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）装置等の表面処理装置が用いられる。
【０００３】
この表面処理装置には、例えば、直列に配列された複数のチャンバーを貫通する搬送機構によって、被処理物としての基板が搬送されるインライン式の装置がある（例えば、特許文献１等）。この装置では、基板がトレイに載置された状態で搬送されることで、トレイを介した加熱によって基板が略均一に加熱され得る。
【０００４】
しかしながら、トレイを用いる搬送方式では、基板よりも大きなトレイを搬送する機構、ならびに基板の搬送後にトレイを基板の搬送前の位置まで戻す機構が必要となり、表面処理装置の大型化を招く。また、トレイによる基板の搬送の繰り返しに応じて、トレイに付着した薄膜の除去が繰り返されることで、トレイの劣化および破損が生じる。
【０００５】
そこで、トレイが用いられることなく、チャンバーの側壁から突出するローラーによって、被処理物としての基板の左右の端部が支持されつつ、基板が搬送される技術が提案されている（例えば、特許文献２等）。この技術では、ホットプレートを貫通する十数本のピンの上昇によってローラー上から基板が持ち上げられて、チャンバーの側壁側にローラーが退避された後に、ピンの下降によって基板がホットプレート上に載置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１３５７０４号公報
【特許文献２】特表２０１０−５２０３６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献２の技術では、チャンバーの側壁から突出するローラーによって、複数の基板が１枚ずつ順に搬送される。このため、短時間において数多くの基板の搬送および処理が行われない。そして、このような問題は、基板等の被処理物に対して熱処理を施す熱処理装置一般に共通する。
【０００８】
そこで、熱処理を効率的に行うことが可能な熱処理装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、一態様に係る熱処理装置は、加熱部と、該加熱部の上方において該加熱部の上面に沿った第１方向に相互に離れて並べられている第１被処理物および第２被処理物を、前記１方向に垂直な前記加熱部の前記上面に沿った第２方向に搬送する搬送機構とを備えている。該熱処理装置では、前記搬送機構は、前記第１方向に相互に離れて順に配されている第１搬送部、第２搬送部および第３搬送部、ならびに該第１搬送部、該第２搬送部および該第３搬送部を昇降させる昇降部を有している。また、前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部は、それぞれ前記第２方向に沿って配列された、前記第１方向に沿った回転軸を中心として回転する複数の回転体を含んでいる。前記第１搬送部は、前記第１被処理物の前記第１方向における第１端部を支持している。前記第２搬送部は、前記第１被処理物の前記第１方向における前記第１端部とは逆の第２端部を支持するとともに、前記第２被処理物の前記第１方向における第３端部を支持している。前記第３搬送部は、前記第２被処理物の前記第１方向における前記第３端部とは逆の第４端部を支持している。そして、前記昇降部は、前記第１搬送部、前記第２搬送部および前記第３搬送部を、前記第１被処理物および前記第２被処理物を前記第２方向に搬送する搬送位置と、前記加熱部の前記上面よりも下方の下降位置との間でそれぞれ下降および上昇させる。
【発明の効果】
【００１０】
一態様に係る熱処理装置によれば、熱処理が効率的に行われ得る。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係る熱処理装置の概略構成を例示する模式図である。
【図２】制御部における機能的な構成を示すブロック図である。
【図３】処理室における成膜機能に係る構成を例示する模式図である。
【図４】第２搬送機構および加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図５】図４にて一点鎖線Ｖ−Ｖで示した位置に相当するＹＺ断面を示す図である。
【図６】第１〜３搬送部が下降位置まで下降した状態を示す模式図である。
【図７】ローラーを回転させる機構の一例を示す模式図である。
【図８】保護部を移動させる構成の一例を示す模式図である。
【図９】処理室における処理フローを例示する流れ図である。
【図１０】第１変形例に係る加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１１】第２変形例に係る加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１２】第３変形例に係る加熱部の一構成例を模式的に示す平面図である。
【図１３】図１２にて一点鎖線XIII−XIIIで示した位置に相当するＹＺ断面を示す図である。
【図１４】第４変形例に係るローラーの一構成例を模式的に示す図である。
【図１５】第４変形例に係るローラーの他の一構成例を模式的に示す図である。
【図１６】第５変形例に係るローラーの一構成例を模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態ならびに各種変形例を図面に基づいて説明する。図面においては同様な構成および機能を有する部分については同じ符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。なお、図１、図３から図８および図１０から図１６には、熱処理装置１において被処理物としての基板Ｓ１が搬送される方向（搬送方向とも言う）を＋Ｘ方向とし、且つ基板Ｓ１の盤面をＸＹ平面とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。但し、排気系２０、ガス供給系３０、給電系４０および制御部５０については、熱処理装置１の本体部１０に対する配置関係が描かれたものではない。
【００１３】
＜(１)一実施形態＞
＜(１−１)熱処理装置の概略構成＞
一実施形態に係る熱処理装置１は、低圧の処理室内で基板Ｓ１に対して熱処理を伴う化学蒸着を施すことで、基板Ｓ１の一主面上に薄膜を形成するＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemical Vaper Deposition）装置である。本実施形態において、基板Ｓ１は、略矩形の盤面を有する板状の基体の一主面上に、金属層および光電変換層が形成されたものである。また、薄膜は、例えば、透明導電膜である。なお、板状の基体は、例えば、ガラス板等であれば良い。金属層は、例えば、モリブデン（Ｍｏ）等の電気伝導性に優れた素材によって主に構成された層であれば良い。光電変換層は、例えば、一導電型を有する化合物半導体の層と一導電型とは逆の導電型を有するバッファ層とが積層された層であれば良い。また、透明導電膜は、例えば、ホウ素（Ｂ）を含有する酸化亜鉛（ＢＺＯ）等によって主に構成された薄膜であれば良い。
【００１４】
図１で示されるように、一実施形態に係る熱処理装置１は、本体部１０、排気系２０、ガス供給系３０、給電系４０および制御部５０を備えている。
【００１５】
本体部１０は、例えば、直列に順に配置されているゲートバルブＧ１、ロードロック室１１、ゲートバルブＧ２、処理室１２、ゲートバルブＧ３、アンロードロック室１３およびゲートバルブＧ４を備えている。また、本体部１０は、ロードロック室１１、処理室１２およびアンロードロック室１３を貫通する搬送機構１０ｃを備えている。つまり、熱処理装置１は、搬送機構１０ｃによって、ロードロック室１１から処理室１２を経てアンロードロック室１３まで基板Ｓ１が搬送されるインライン式の装置である。
【００１６】
排気系２０は、例えば、第１排気系２１、第２排気系２２、第３排気系２３および配管２１ｐ〜２３ｐを備えている。第１排気系２１は、配管２１ｐを介して、ロードロック室１１内の気体を排出する。第２排気系２２は、配管２２ｐを介して、処理室１２内の気体を排出する。第３排気系２３は、配管２３ｐを介して、アンロードロック室１３内の気体を排出する。なお、第１〜３排気系２３は、例えば、制御弁（ＣＶ）、自動圧力制御器（ＡＰＣ）、メカニカルブースターポンプ（ＭＢＰ）およびローターリーポンプ（ＲＰ）等を備えていれば良い。
【００１７】
ガス供給系３０は、例えば、第１ガス供給系３１、第２ガス供給系３２および配管３１ｐ，３２ｐを備えている。第１ガス供給系３１は、配管３１ｐを介して、処理室１２内に第１ガスＧａ１を供給する。第２ガス供給系３２は、配管３２ｐを介して、処理室１２内に第２ガスＧａ２を供給する。
【００１８】
給電系４０は、例えば、給電部４１および配線４０ｗを備えている。給電部４１は、配線４０ｗを介して、処理室１２の加熱部１２１等に電力を供給する。
【００１９】
制御部５０は、熱処理装置１の各部の動作を統括制御する部分である。制御部５０は、例えば、図２で示されるように、操作部５１、表示部５２、インターフェース（Ｉ／Ｆ）部５３、記憶部５４、入出力（Ｉ／Ｏ）部５５および処理部５６を備えている。操作部５１は、例えば、各種ボタン等を含む。表示部５２は、例えば、液晶ディスプレイ等を含む。Ｉ／Ｆ部５３は、例えば、通信回線を介して熱処理装置１の各部との間で信号の授受を行う。記憶部５４は、例えば、ハードディスク等を含み、プログラムＰｇ１等を格納する。Ｉ／Ｏ部５５は、例えば、ディスクドライブ等を備え、光ディスク等の記憶媒体Ｄｉ１を受け付けて該記憶媒体Ｄｉ１と処理部５６との間におけるデーターの授受を行う。処理部５６は、例えば、プロセッサーとして働くＣＰＵ５６ａおよび情報を一時的に記憶するメモリー５６ｂ等を含む。処理部５６は、記憶部５４に格納されているプログラムＰｇ１を読み込んで実行することで、熱処理装置１の動作を制御するための各種機能を実現する。
【００２０】
＜(１−２)本体部の主要な構成＞
搬送機構１０ｃは、複数の回転体としての複数のローラーによって基板Ｓ１の下面を支持している状態で、これら複数のローラーを回転させることによって、基板Ｓ１を＋Ｘ方向に搬送する。なお、搬送機構１０ｃは、例えば、ロードロック室１１における第１搬送機構１１ｃ、処理室１２における第２搬送機構１２ｃおよびアンロードロック室１３における第３搬送機構１３ｃを有している。
【００２１】
ロードロック室１１は、処理室１２を大気中に開放することなく、該処理室１２に基板Ｓ１を搬入するための真空予備室である。ここでは、ゲートバルブＧ１が開放され、且つゲートバルブＧ２が閉鎖された状態で、基板移載部Ｍ１によって、外部から搬送されてきた基板Ｓ１が、ロードロック室１１の搬送機構１１ｃ上に載置される。また、ゲートバルブＧ１，Ｇ２が閉鎖された状態で、第１排気系２１によって、ロードロック室１１内の空気が排気されることで、ロードロック室１１内が真空状態とされる。さらに、ゲートバルブＧ１が閉鎖され、且つゲートバルブＧ２が開放された状態で、搬送機構１１ｃによって、基板Ｓ１が処理室１２に搬出される。
【００２２】
処理室１２は、基板Ｓ１上に薄膜を形成するための成膜室である。ここでは、ゲートバルブＧ２が開放され、且つゲートバルブＧ３が閉鎖された状態で、基板Ｓ１が、第１搬送機構１１ｃ上から第２搬送機構１２ｃ上に移送されることで、処理室１２内に搬入される。また、ゲートバルブＧ２，Ｇ３が閉鎖された状態で、第２排気系２２によって、処理室１２内の空気が排気されることで、処理室１２内が真空状態とされる。さらに、処理室１２における基板Ｓ１上への薄膜の形成後に、ゲートバルブＧ２が閉鎖され、且つゲートバルブＧ３が開放された状態で、基板Ｓ１が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に移送されることで、アンロードロック室１３に搬出される。
【００２３】
ここで、処理室１２は、図１および図３で示されるように、主に、筐体１２ｂ、第２搬送機構１２ｃ、加熱部１２１および成膜部１２２を備えている。
【００２４】
筐体１２ｂは、外部と遮断して内部空間１２ｓを形成する箱状の部分である。
【００２５】
第２搬送機構１２ｃは、処理室１２内の下部に配されている。第２搬送機構１２ｃは、基板Ｓ１を＋Ｘ方向に搬送するとともに、基板Ｓ１を上下方向としての±Ｚ方向に昇降させる。基板Ｓ１は、第２搬送機構１２ｃによる下降によって、加熱部１２１上に載置され得る。
【００２６】
加熱部１２１は、処理室１２内の下部に配されている。加熱部１２１は、第１加熱部１２１１および第２加熱部１２１２を備えている。加熱部１２１では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上にそれぞれ載置された基板Ｓ１が加熱される。なお、第１および第２加熱部１２１１，１２１２としては、例えば、上面が平坦なホットプレート等が採用される。ホットプレートにおける加熱方式としては、例えば、電流の付与に応じて加熱する抵抗加熱の方式等が採用される。また、以下では、第１加熱部１２１１上に載置される基板Ｓ１を第１被処理物としての第１基板Ｓ１１と称し、第２加熱部１２１２上に載置される基板Ｓ１を第２被処理物としての第２基板Ｓ１２と称する。
【００２７】
成膜部１２２は、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上にそれぞれ配されている状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の上面としての＋Ｚ側の面に膜を形成する。成膜部１２２は、処理室１２内の上部に配されている。成膜部１２２は、第１および第２ガス導入部Ｓｗ１，Ｓｗ２を備えている。
【００２８】
第１ガス導入部Ｓｗ１は、例えば、ＸＹ平面に沿って櫛歯状に並べられている複数の配管を備えている。この複数の配管の下部には、多数のガス導入孔が配されている。ここでは、第１ガス供給系３１から配管３１ｐを介して第１ガス導入部Ｓｗ１に供給される第１ガスＧａ１が、多数のガス導入孔から内部空間１２ｓに導入される。第２ガス導入部Ｓｗ２は、例えば、ＸＹ平面に沿って櫛歯状に並べられている複数の配管を備えている。この複数の配管の下部には、多数のガス導入孔が配されている。ここでは、第２ガス供給系３２から配管３２ｐを介して第２ガス導入部Ｓｗ２に供給される第２ガスＧａ２が、多数のガス導入孔から内部空間１２ｓに導入される。
【００２９】
ここで、成膜部１２２によって形成される膜がＢＺＯを主に含む薄膜である場合、第１ガスＧａ１は、例えば、Ａｒ等の不活性ガスをキャリアガスとして、第１原料としてのジエチル亜鉛（ＤＥＺ）のガスを含有する第１混合ガスであれば良い。また、第２ガスＧａ２は、例えば、Ａｒ等の不活性ガスをキャリアガスとして、第２原料としての水蒸気を含有する第２混合ガスであれば良い。第１混合ガスは、例えば、ＤＥＺの液体をＡｒガスのバブリングによって気化させることで生成され得る。また、第２混合ガスは、例えば、水をＡｒガスのバブリングによって気化させることで生成され得る。さらに、例えば、第１ガスＧａ１および第２ガスＧａ２の少なくとも一方に、ドーパントとしてのＢがジボラン等の形態で含有されていれば良い。これにより、第１ガスＧａ１に含有されているＤＥＺと、第２ガスＧａ２に含有されている水とが反応して、酸化亜鉛が形成されるとともに、Ｂがドープされることで、ＢＺＯの薄膜が形成され得る。このとき、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）およびエタン（Ｃ２Ｈ６）が形成されて処理室１２外に排出される。
【００３０】
アンロードロック室１３は、処理室１２を大気中に開放することなく、該処理室１２から基板Ｓ１を搬出するための真空予備室である。ここでは、ゲートバルブＧ３，Ｇ４が閉鎖された状態で、第３排気系２３によって、アンロードロック室１３内の空気が排気されることで、アンロードロック室１３内が真空状態とされる。また、ゲートバルブＧ３が開放され、且つゲートバルブＧ４が閉鎖された状態で、基板Ｓ１が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に移送されることで、アンロードロック室１３に搬入される。さらに、ゲートバルブＧ３が閉鎖され、且つゲートバルブＧ４が開放された状態で、基板Ｓ１が、基板搬出部Ｍ２によって、アンロードロック室１３の第３搬送機構１３ｃ上から外部に搬出される。
【００３１】
＜(１−３)第２搬送機構および加熱部の構成＞
図４から図６で示されるように、第２搬送機構１２ｃは、第１搬送部１２ｃ１、第２搬送部１２ｃ２、第３搬送部１２ｃ３、昇降部１２ｃＭおよび保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３を備えている。
【００３２】
第１搬送部１２ｃ１、第２搬送部１２ｃ２および第３搬送部１２ｃ３は、第１方向としての＋Ｙ方向に相互に離れて順に配されている。そして、−Ｚ方向に平面視した場合、第１搬送部１２ｃ１と第２搬送部１２ｃ２との間に、第１加熱部１２１１が配され、第２搬送部１２ｃ２と第３搬送部１２ｃ３との間に、第２加熱部１２１２が配されている。別の観点から言えば、第１および第２加熱部１２１１，１２１２は、第２搬送部１２ｃ２が配されている＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている。なお、第１加熱部１２１１の＋Ｚ側の上面および第２加熱部１２１２の＋Ｚ側の上面は、例えば、ＸＹ平面に沿った略同一平面上に配されていれば良い。
【００３３】
第１搬送部１２ｃ１は、第２方向としての＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４を含んでいる。第２搬送部１２ｃ２は、＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ２１〜Ｒ２４を含んでいる。第３搬送部１２ｃ３は、＋Ｘ方向に沿って配列されている複数の回転体としての複数のローラーＲ３１〜Ｒ３４を含んでいる。ここでは、３つのローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ１を中心として回転する。また、３つのローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ２を中心として回転する。また、３つのローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３が、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ３を中心として回転する。さらに、３つのローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４は、＋Ｙ方向に沿った一直線上に配列されており、＋Ｙ方向に沿った回転軸Ａｘ４を中心として回転する。なお、本実施形態において、回転軸Ａｘ１〜Ａｘ４とは、各ローラーの回転方向を規定するための仮想の軸である。
【００３４】
図４には、第２搬送機構１２ｃ上に配されている第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の外縁が破線で示されている。図４および図５で示されるように、第１搬送部１２ｃ１は、第１基板Ｓ１１の＋Ｙ方向における−Ｙ側の端部（第１端部とも言う）Ｅ１を下方から支持する。ここでは、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１が、ローラーＲ１１〜Ｒ１４によって支持される。また、第２搬送部１２ｃ２は、第１基板Ｓ１１の＋Ｙ方向における第１端部Ｅ１とは逆の＋Ｙ側の端部（第２端部とも言う）Ｅ２を下方から支持するとともに、第２基板Ｓ１２の＋Ｙ方向における−Ｙ側の端部（第３端部とも言う）Ｅ３を下方から支持する。ここでは、第１基板Ｓ１１の第２端部Ｅ２および第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３が、ローラーＲ２１〜Ｒ２４によって支持される。換言すれば、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４は、第１基板Ｓ１１を支持する機能と第２基板Ｓ１２を支持する機能とを兼備する。これにより、熱処理装置１のサイズおよび部品点数の増大が低減され、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。また、第３搬送部１２ｃ３は、第２基板Ｓ１２の＋Ｙ方向における第３端部Ｅ３とは逆の＋Ｙ側の端部（第４端部とも言う）Ｅ４を下方から支持する。ここでは、第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４が、ローラーＲ３１〜Ｒ３４によって支持される。なお、第１〜４端部Ｅ１〜Ｅ４の＋Ｙ方向における幅は、例えば、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｙ方向における幅の０．５％以上で且つ２％以下程度であれば良い。
【００３５】
ここで、第２搬送機構１２ｃによって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が支持されている状態では、第１基板Ｓ１１は、第１加熱部１２１１の上方としての＋Ｚ方向において該第１加熱部１２１１の上面としての＋Ｚ側の面に沿って配される。また、この状態では、第２基板Ｓ１２は、第２加熱部１２１２の上方としての＋Ｚ方向において該第２加熱部１２１２の上面としての＋Ｚ側の面に沿って配される。さらに、第１基板Ｓ１１および第２基板Ｓ１２は、＋Ｙ方向に相互に離れて並べられる。そして、第２搬送機構１２ｃによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、＋Ｙ方向に略垂直な第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面に沿った＋Ｘ方向に搬送される。これにより、短時間において数多くの基板Ｓ１が搬送および処理され得る。すなわち、熱処理等の処理が効率的に行われ得る。
【００３６】
昇降部１２ｃＭは、図５および図６で示されるように、第１搬送部１２ｃ１、第２搬送部１２ｃ２および第３搬送部１２ｃ３を、±Ｚ方向に昇降させる。これにより、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が、搬送位置Ｐｏ１と下降位置Ｐｏ２との間でそれぞれ下降および上昇する。搬送位置Ｐｏ１は、第１および２基板Ｓ１１，Ｓ１２を＋Ｘ方向に搬送する位置である。下降位置Ｐｏ２は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面よりも下方の位置である。
【００３７】
昇降部１２ｃＭは、例えば、ローラー支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４、ベースプレート１２Ｂｐおよび昇降機構１２ｓｈを備えている。なお、ここでは、昇降部１２ｃＭに、複数の昇降機構１２ｓｈが配されている例を挙げて説明するが、昇降部１２ｃＭには、少なくとも１つの昇降機構１２ｓｈが配されていれば良い。
【００３８】
ローラー支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４は、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４をそれぞれ回動自在に支持している。ローラー支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４は、ベースプレート１２Ｂｐ上に設けられている。ベースプレート１２Ｂｐは、例えば、板状の部材であれば良い。ここで、ローラー支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４およびベースプレート１２Ｂｐは、例えば、高い剛性を有する金属等で構成されていれば良い。また、複数の昇降機構１２ｓｈは、±Ｚ方向にベースプレート１２Ｂｐを昇降自在に支持している。複数の昇降機構１２ｓｈとしては、例えば、エアシリンダー等が採用される。各昇降機構１２ｓｈは、例えば、筐体１２ｂに固定されているチューブ部１２ｒｆと、該チューブ部１２ｒｆによって±Ｚ方向に摺動自在に支持されるピストンロッド１２ａｘとを有していれば良い。
【００３９】
ここでは、昇降機構１２ｓｈによってベースプレート１２Ｂｐが±Ｚ方向に上昇および下降されることで、ローラー支持部Ｃ１１〜Ｃ１４，Ｃ２１〜Ｃ２４，Ｃ３１〜Ｃ３４が±Ｚ方向に昇降する。これにより、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が同期して±Ｚ方向に昇降する。すなわち、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が同期して±Ｚ方向に昇降する。そして、図５および図６で示されるように、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が搬送位置Ｐｏ１から下降位置Ｐｏ２まで下降されると、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される。
【００４０】
また、図５および図６で示されるように、昇降部１２ｃＭには、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４を回転させるための駆動機構１２Ｍが設けられている。駆動機構１２Ｍは、＋Ｙ方向に一直線上に配列されている、ローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１の組、ローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２の組、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組およびローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４の組に対してそれぞれ設けられている。ここでは、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組に対して設けられている駆動機構１２Ｍの構成を一例として説明する。
【００４１】
駆動機構１２Ｍは、例えば、モーター部１２Ｍｐ、回転棒１２Ｍａおよび歯付ベルト１２Ｂｔを備えている。モーター部１２Ｍｐは、回転棒１２Ｍａを回転させる駆動力を生じる。回転棒１２Ｍａは、＋Ｚ方向に沿った仮想の軸を中心として回転し、歯車等を介して歯付ベルト１２Ｂｔに駆動力を伝達する。これにより、歯付ベルト１２Ｂｔが回転する。また、歯付ベルト１２Ｂｔは、回転棒１２Ｍａの外周部からローラー支持部Ｃ１３，Ｃ２３を経てローラー支持部Ｃ３３に至る領域に配されている。そして、歯付ベルト１２Ｂｔによって、ローラー支持部Ｃ１３，Ｃ２３，Ｃ３３内の回転棒を介して、各ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３に駆動力が伝達される。これにより、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３が同期して回転軸Ａｘ３を中心として回転する。
【００４２】
ここで、歯付ベルト１２ＢｔからローラーＲ２３に駆動力を伝達する構成を一例として説明する。図７で示されるように、歯付ベルト１２Ｂｔは、ローラー支持部Ｃ２３に設けられている開口Ｏ１１，Ｏ１２を介して、ローラー支持部Ｃ２３を貫通するように配されている。ローラー支持部Ｃ２３内には、＋Ｚ方向に沿った仮想の軸１Ａｘを中心として回転する回転棒２３ｓｈが配されている。回転棒２３ｓｈは、ベアリングＢｒ１を介してベースプレート１２Ｂｐに回転自在に取り付けられている。回転棒２３ｓｈには、歯付ベルト１２Ｂｔの歯部と噛み合う歯車２３Ｇｒが設けられている。これにより、歯付ベルト１２Ｂｔの回転に応じて回転棒２３ｓｈが回転する。また、回転棒２３ｓｈの＋Ｚ方向の先端に設けられている歯車Ｔｔ１とローラーＲ２３の外周部Ｓｕ１に設けられている歯車Ｔｔ２とが、ゼロールかさ歯車の形態で噛み合っている。ローラーＲ２３は、ローラー支持部Ｃ２３に設けられている開口Ｏ２１，Ｏ２２を介して、ローラー支持部Ｃ２３を貫通するように配されている。そして、ローラーＲ２３は、ベアリングＢｒ２を介してローラー支持部Ｃ２３に回転自在に取り付けられている。このため、回転棒２３ｓｈの回転に応じてローラーＲ２３が回転する。
【００４３】
なお、ローラーＲ１１，Ｒ２１，Ｒ３１の組、ローラーＲ１２，Ｒ２２，Ｒ３２の組およびローラーＲ１４，Ｒ２４，Ｒ３４の組についても、ローラーＲ１３，Ｒ２３，Ｒ３３の組と同様な機構によって、３つのローラーが同期して回転する。そして、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４が、同期して同一方向に略同一速度で回転することで、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｘ方向に安定して搬送され得る。
【００４４】
また、ここでは、各ローラーの外周部Ｓｕ１の素材は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の上面を構成する素材よりも、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の表面に対する摩擦係数が大きい。これにより、ローラーによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｘ方向に安定して搬送され得る。なお、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の表面に対する摩擦係数が大きな外周部Ｓｕ１の素材としては、例えば、表面が粗い樹脂およびセラミックス等の素材が採用される。
【００４５】
保護部Ｐｐ１は、第１搬送部１２ｃ１が下降位置Ｐｏ２に配されている状態で、各ローラーＲ１１〜１４の上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ１１〜Ｒ１４毎に保護部Ｐｐ１が設けられている。保護部Ｐｐ２は、第２搬送部１２ｃ２が下降位置Ｐｏ２に配されている状態で、各ローラーＲ２１〜Ｒ２４の上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ２１〜Ｒ２４毎に保護部Ｐｐ２が設けられている。保護部Ｐｐ３は、第３搬送部１２ｃ３が下降位置Ｐｏ２に配されている状態で、各ローラーＲ３１〜Ｒ３４の上部を覆う部材である。本実施形態では、ローラーＲ３１〜Ｒ３４毎に保護部Ｐｐ３が設けられている。
【００４６】
ここでは、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３は、例えば、板状の部材であれば良い。また、例えば、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が下降位置Ｐｏ２まで下降されると、各保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４上に移動する構成が採用されれば良い。これにより、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際に、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３によって、各ローラーの上部が覆われる。このため、各ローラー上に薄膜が形成され難い。したがって、各ローラー上に形成された薄膜を除去することで、各ローラーが劣化する不具合が生じ難い。すなわち、本実施形態では、ローラーが消耗し難く、省資源化ならびにコストの低減が図られ得る。
【００４７】
ここで、ローラーＲ２３の上部を覆う保護部Ｐｐ２を例にとって、該保護部Ｐｐ２の移動機構の一例について説明する。図８で示されるように、例えば、保護部Ｐｐ２の＋Ｙ方向の一端部が搬送レールＲＬ１によって±Ｘ方向に摺動自在に保持されるとともに、保護部Ｐｐ２の−Ｙ方向の他端部が搬送レールＲＬ２によって±Ｘ方向に摺動自在に保持される。そして、図示を省略する駆動部によって、保護部Ｐｐ２が、搬送レールＲＬ１，ＲＬ２に対して±Ｘ方向に摺動することで、ローラーＲ２３の上部を覆う位置と、ローラーＲ２３の上方から退避した位置との間で移動し得る。
【００４８】
図４で示されるように、第１加熱部１２１１は、−Ｙ方向の端部において＋Ｙ方向に凹んでいる凹部Ｄ１１〜Ｄ１４を有し、＋Ｙ方向の端部において−Ｙ方向に凹んでいる凹部Ｄ２１〜Ｄ２４を有している。また、第２加熱部１２１２は、−Ｙ方向の端部において＋Ｙ方向に凹んでいる凹部Ｄ２５〜Ｄ２８を有し、＋Ｙ方向の端部において−Ｙ方向に凹んでいる凹部Ｄ３１〜Ｄ３４を有している。そして、凹部Ｄ１１〜Ｄ１４は、昇降部１２ｃＭによって第１搬送部１２ｃ１が下降される際にローラーＲ１１〜Ｒ１４が通過および配置される領域Ａ１１〜Ａ１４に沿って配されている。つまり、凹部Ｄ１１〜Ｄ１４の存在によって、第１加熱部１２１１が、領域Ａ１１〜Ａ１４を避けて配されているため、領域Ａ１１〜Ａ１４が確保されている。凹部Ｄ２１〜Ｄ２８は、昇降部１２ｃＭによって第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２１〜Ｒ２４が通過および配置される領域Ａ２１〜Ａ２４に沿って配されている。つまり、凹部Ｄ２１〜Ｄ２８の存在によって、第１および第２加熱部１２１１，１２１２が、領域Ａ２１〜Ａ２４を避けて配されているため、領域Ａ２１〜Ａ２４が確保されている。凹部Ｄ３１〜Ｄ３４は、昇降部１２ｃＭによって第３搬送部１２ｃ３が下降される際にローラーＲ３１〜Ｒ３４が通過および配置される領域Ａ３１〜Ａ３４に沿って配されている。つまり、凹部Ｄ３１〜Ｄ３４の存在によって、第２加熱部１２１２が、領域Ａ３１〜Ａ３４を避けて配されているため、領域Ａ３１〜Ａ３４が確保されている。
【００４９】
より具体的には、第１加熱部１２１１では、凹部Ｄ１１と凹部Ｄ２１とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配され、凹部Ｄ１２と凹部Ｄ２２とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配されている。また、凹部Ｄ１３と凹部Ｄ２３とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配され、凹部Ｄ１４と凹部Ｄ２４とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配されている。これにより、第１加熱部１２１１では、凹部Ｄ１１と凹部Ｄ２１との間、凹部Ｄ１２と凹部Ｄ２２との間、凹部Ｄ１３と凹部Ｄ２３との間、および凹部Ｄ１４と凹部Ｄ２４との間の各領域が、＋Ｙ方向の幅が相対的に狭い領域（幅狭領域とも言う）となっている。そして、これらの４つの幅狭領域が＋Ｘ方向に離れて配列されている。これにより、第１加熱部１２１１に、＋Ｙ方向における幅が相対的に広い領域（幅広領域とも言う）Ｗ１１〜Ｗ１３が配されている。このような幅広領域Ｗ１１〜Ｗ１３の存在により、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１のより広い領域が均一に加熱され得る。
【００５０】
第２加熱部１２１２では、凹部Ｄ２５と凹部Ｄ３１とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配され、凹部Ｄ２６と凹部Ｄ３２とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配されている。また、凹部Ｄ２７と凹部Ｄ３３とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配され、凹部Ｄ２８と凹部Ｄ３４とが＋Ｙ方向に沿った一直線上に配されている。これにより、第２加熱部１２１２では、凹部Ｄ２５と凹部Ｄ３１との間、凹部Ｄ２６と凹部Ｄ３２との間、凹部Ｄ２７と凹部Ｄ３３との間、および凹部Ｄ２８と凹部Ｄ３４との間の各領域が、＋Ｙ方向の幅が相対的に狭い領域（幅狭領域とも言う）となっている。そして、これらの４つの幅狭領域が＋Ｘ方向に離れて配列されている。これにより、第２加熱部１２１２では、＋Ｙ方向における幅が相対的に広い領域（幅広領域とも言う）Ｗ２１〜Ｗ２３が配されている。このような幅広領域Ｗ２１〜Ｗ２３の存在により、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２のより広い領域が均一に加熱され得る。
【００５１】
そして、本実施形態では、第１基板Ｓ１１が第１加熱部１２１１上に配された状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、第１加熱部１２１１の幅広領域Ｗ１１〜Ｗ１３は、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１および第２端部Ｅ２まで延在している。これにより、第１加熱部１２１１によって、第１基板Ｓ１１は、第１端部Ｅ１から第２端部Ｅ２にかけて、より均一に加熱され得る。また、第２基板Ｓ１２が第２加熱部１２１２上に配された状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、第２加熱部１２１２の幅広領域Ｗ２１〜Ｗ２３は、第２基板Ｓ１２の第３端部Ｅ３および第４端部Ｅ４まで延在している。これにより、第２加熱部１２１２によって、第２基板Ｓ１２は、第３端部Ｅ３から第４端部Ｅ４にかけて、より均一に加熱され得る。
【００５２】
また、本実施形態では、加熱部１２１が、第２搬送部１２ｃ２が配されている＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている第１および第２加熱部１２１１，１２１２に分割されている形態を有している。これにより、成膜部１２２によって加熱部１２１の上面において膜が形成される領域が低減され得る。このため、加熱部１２１の上面に形成された膜を除去する際に生じる粉塵による汚染が生じ難い。また、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のうち、近接して配置される第２端部Ｅ２および第３端部Ｅ３において、他の端部における放熱の態様と類似した放熱の態様が生じ易い。その結果、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の広い領域が均一に加熱され得る。
【００５３】
＜(１−４)熱処理装置の動作＞
図９は、処理室１２における処理フローを例示する流れ図である。本処理フローは、制御部５０によって実現される。
【００５４】
ステップＳｐ１では、ゲートバルブＧ１，Ｇ３が閉鎖され、且つゲートバルブＧ２が開放された状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１搬送機構１１ｃ上から第２搬送機構１２ｃ上に搬送される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、処理室１２内に搬入される。このとき、例えば、第２搬送機構１２ｃによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が予め設定された所定位置まで搬送されて、ゲートバルブＧ２が閉鎖されれば良い。ここで、所定位置は、第１および第２加熱部１２１１，１２１２の真上の位置であれば良い。
【００５５】
ステップＳｐ２では、第２排気系２２による排気によって、処理室１２内が真空状態とされる。
【００５６】
ステップＳｐ３では、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が搬送位置Ｐｏ１から下降位置Ｐｏ２まで下降する。このとき、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される。
【００５７】
ステップＳｐ４では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２による第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の加熱が開始される。なお、第１および第２加熱部１２１１，１２１２における発熱が開始された後に、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の下降によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される態様が採用されても良い。この場合、ステップＳｐ３，Ｓｐ４の処理が並行して行われる。
【００５８】
ステップＳｐ５では、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の上方の位置まで移動される。これにより、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３によって、成膜部１２２からローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４に至る経路が遮蔽される。
【００５９】
ステップＳｐ６では、成膜部１２２から処理室１２内に第１および第２ガスＧａ１，Ｇａ２が導入されることで、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上にＢＺＯを主に含む透明導電膜が形成される。そして、所望の厚みの透明導電膜を形成した後、処理室１２内への第１および第２ガスＧａ１，Ｇａ２の導入が終了される。
【００６０】
ステップＳｐ７では、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の上方の位置から退避される。
【００６１】
ステップＳｐ８では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２による第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の加熱が終了される。
【００６２】
ステップＳｐ９では、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が下降位置Ｐｏ２から搬送位置Ｐｏ１まで上昇する。このとき、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上から持ち上げられて、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３上に載置された状態となる。なお、第１および第２加熱部１２１１，１２１２における発熱が終了される前に、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の上昇によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上から持ち上げられる態様が採用されても良い。この場合、ステップＳ８，Ｓ９の処理が並行して行われる。
【００６３】
ステップＳｐ１０では、ゲートバルブＧ２，Ｇ４が閉鎖され、且つゲートバルブＧ３が開放された状態で、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、第２搬送機構１２ｃ上から第３搬送機構１３ｃ上に搬送される。これにより、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、処理室１２内から搬出される。
【００６４】
＜(１−５)一実施形態のまとめ＞
以上のように、一実施形態に係る熱処理装置１では、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が、搬送方向に対して略垂直な方向に相互に離れて並べられた状態で、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって搬送される。これにより、短時間において数多くの基板Ｓ１が搬送および処理され得る。すなわち、熱処理が効率的に行われ得る。また、ここでは、第２搬送部１２ｃ２のローラーＲ２１〜Ｒ２４が、第１基板Ｓ１１を支持および搬送する機能と、第２基板Ｓ１２を支持および搬送する機能とを兼備する。このため、熱処理装置１のサイズおよび部品点数の増大が低減され得る。これにより、省資源化ならびに熱処理装置１の製造コストの低減が図られ得る。また、ここでは、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が搬送位置Ｐｏ１と下降位置Ｐｏ２との間で昇降し、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３の下降によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１および第２加熱部１２１１，１２１２上に載置される。このため、上記特許文献２の技術とは異なり、加熱部１２１を貫通する多数のピン等の基板Ｓ１を保持よび移動させる別部材を配置しなくても良い。これにより、第１および第２加熱部１２１１，１２１２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２がより均一に加熱され得る。そして、本実施形態のように、例えば、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２に対して、加熱とともに薄膜の形成が行われる場合には、薄膜がより均一に形成され得る。
【００６５】
＜(２)変形例＞
なお、本発明は上述の一実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００６６】
＜(２−１)第１変形例＞
上記一実施形態では、第１および第２加熱部１２１１，１２１２に凹部Ｄ２１〜Ｄ２８等の凹部が設けられていたが、これに限られない。例えば、図１０で示されるように、第１および第２加熱部１２１１，１２１２が、上記凹部を有しない第１および第２加熱部１２１１Ａ，１２１２Ａに置換されても良い。但し、第１および第２加熱部１２１１，１２１２のように、上記凹部が設けられれば、第１および第２加熱部１２１１，１２１２によって、第１基板Ｓ１１および第２基板Ｓ１２のより広い領域が均一に加熱され得る。
【００６７】
＜(２−２)第２変形例＞
上記一実施形態では、加熱部１２１が、第２搬送部１２ｃ２が配されている＋Ｘ方向に延在する間隙１２ｇを挟んで＋Ｙ方向に並べられている第１および第２加熱部１２１１，１２１２に分割されている形態を有していたが、これに限られない。例えば、加熱部１２１が、複数の領域に分割されていない１つの加熱部１２１Ｂに置換されても良い。この場合、例えば、図１１で示されるように、昇降部１２ｃＭによって第２搬送部１２ｃ２が下降される際にローラーＲ２１〜Ｒ２４が通過および配置される領域Ａ２１〜Ａ２４に沿って、凹部Ｄ２１Ｂ，Ｄ２４Ｂおよび貫通孔Ｔ２２，Ｔ２３が配されていれば良い。このとき、凹部Ｄ２１Ｂ，Ｄ２４Ｂおよび貫通孔Ｔ２２，Ｔ２３の存在によって、加熱部１２１Ｂが領域Ａ２１〜Ａ２４を避けて配されているため、領域Ａ２１〜Ａ２４が確保される。ここでは、ローラーＲ２１が通過および配置される領域Ａ２１に沿って、＋Ｘ方向に凹んでいる凹部Ｄ２１Ｂが配され、ローラーＲ２２が通過および配置される領域Ａ２２に沿って、＋Ｚ方向に貫通する貫通孔Ｔ２２が配されている。また、ローラーＲ２３が通過および配置される領域Ａ２３に沿って、＋Ｚ方向に貫通する貫通孔Ｔ２３が配され、ローラーＲ２４が通過および配置される領域Ａ２４に沿って、−Ｘ方向に凹んでいる凹部Ｄ２４Ｂが配されている。このように、例えば、加熱部１２１，１２１Ｂの形態によって、領域Ａ２１〜Ａ２４に合わせて、種々の形態の凹部および貫通孔の一方が設けられれば良い。
【００６８】
また、加熱部１２１Ｂでは、加熱部１２１において＋Ｙ方向に沿って一直線上に配列される幅広領域Ｗ１１と幅広領域Ｗ２１とが＋Ｙ方向に連結されて、幅広領域Ｗ１１Ｂとされている。加熱部１２１において＋Ｙ方向に沿って一直線上に配列される幅広領域Ｗ１２と幅広領域Ｗ２２とが＋Ｙ方向に連結されて、幅広領域Ｗ１２Ｂとされている。加熱部１２１において＋Ｙ方向に沿って一直線上に配列される幅広領域Ｗ１３と幅広領域Ｗ２３とが＋Ｙ方向に連結されて、幅広領域Ｗ１３Ｂとされている。そして、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が加熱部１２１Ｂ上に配されている状態において、−Ｚ方向に平面視した場合、各幅広領域Ｗ１１Ｂ〜Ｗ１３Ｂは、第１基板Ｓ１１の第１端部Ｅ１から第２基板Ｓ１２の第４端部Ｅ４に至るまで延在している。これにより、加熱部１２１Ｂによって、第１基板Ｓ１１が、第１端部Ｅ１から第２端部Ｅ２にかけて、より均一に加熱され、第２基板Ｓ１２が、第３端部Ｅ３から第４端部Ｅ４にかけて、より均一に加熱され得る。
【００６９】
なお、−Ｚ方向に平面視した場合、加熱部１２１Ｂのうち、ローラーＲ２１〜Ｒ２４の隣り合うローラーの間の部分に、スリットおよび貫通孔の少なくとも一方が設けられれば、成膜部１２２によって加熱部１２１Ｂの上面に膜が形成される領域が低減され得る。これにより、加熱部１２１の上面に形成された膜を除去する際に生じる粉塵による汚染が生じ難い。
【００７０】
＜(２−３)第３変形例＞
第１および第２加熱部１２１１，１２１２は、上面において、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の少なくとも一方が載置される領域を囲む凸部を有していても良い。このような凸部の存在により、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の＋Ｘ方向の両端部および＋Ｙ方向の両端部における放熱がそれぞれ低減され得る。その結果、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のより広い領域が均一に加熱され得る。
【００７１】
具体的には、例えば、図１２および図１３で示されるように、第１加熱部１２１１が、該第１加熱部１２１１の上面Ｕｓ１に凸部Ｐｒ１〜Ｐｒ４が配されている第１加熱部１２１１Ｃに置換された形態が考えられる。具体的には、凸部Ｐｒ１，Ｐｒ２が、＋Ｙ方向に沿って延在しており、凸部Ｐｒ３，Ｐｒ４が、＋Ｘ方向に沿って延在している。但し、凸部Ｐｒ３，Ｐｒ４は、凹部Ｄ１１〜Ｄ１４，Ｄ２１〜Ｄ２４の存在によって、＋Ｘ方向に沿って断続的に延在している。
【００７２】
＜(２−４)第４変形例＞
各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４は、外周部Ｓｕ１において回転軸Ａｘ１〜Ａｘ４を中心とした環状の領域（環状領域とも言う）Ｃａ１に沿って突起部Ｐｔ１および段差部Ｓｔ１の一方を有していても良い。この場合、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって＋Ｘ方向に搬送される際に、突起部Ｐｔ１または段差部Ｓｔ１によって、＋Ｙ方向における第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のずれ（横ずれとも言う）が生じ難い。
【００７３】
図１４には、本変形例の一構成として、ローラーＲ２３の外周部Ｓｕ１において回転軸Ａｘ１を中心とした第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿って第１および第２突起部Ｐｔ１１，Ｐｔ１２が設けられたローラーＲ２３Ｄが例示されている。ここで、第１環状領域Ｃａ１１は、ローラー支持部Ｃ２３よりも−Ｙ方向に位置している。そして、第１突起部Ｐｔ１１は、第１環状領域Ｃａ１１に沿って延在しているとともに、ローラーＲ２３の径方向に沿って設けられている。また、第２環状領域Ｃａ１２は、ローラー支持部Ｃ２３よりも＋Ｙ方向に位置している。そして、第２突起部Ｐｔ１２は、第２環状領域Ｃａ１２に沿って延在しているとともに、ローラーＲ２３の径方向に沿って設けられている。なお、第１および第２突起部Ｐｔ１１，Ｐｔ１２は、第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿ってそれぞれ連続的あるいは断続的に設けられていれば良い。
【００７４】
図１５には、本変形例の他の一構成として、第１および第２環状領域Ｃａ１１，Ｃａ１２に沿って第１および第２段差部Ｓｔ１１，Ｓｔ１２が設けられたローラーＲ２３Ｅが例示されている。ここで、第１段差部Ｓｔ１１は、第１環状領域Ｃａ１１に沿って延在している。第２段差部Ｓｔ１２は、第２環状領域Ｃａ１２に沿って延在している。また、第１段差部Ｓｔ１１は、ローラー支持部Ｃ２３から−Ｙ方向に進んだ場合に、ローラーＲ２３の径が小さくなっている部分である。このため、ローラーＲ２３Ｅの径は、第１段差部Ｓｔ１１の＋Ｙ側よりも−Ｙ側において小さい。また、第２段差部Ｓｔ１２は、ローラー支持部Ｃ２３から＋Ｙ方向に進んだ場合に、ローラーＲ２３Ｅの径が小さくなっている部分である。このため、ローラーＲ２３Ｅの径は、第２段差部Ｓｔ１２の−Ｙ側よりも＋Ｙ側において小さい。なお、第１および第２段差部Ｓｔ１１，Ｓｔ１２では、ローラーＲ２３Ｅの径が、連続的あるいは段階的に変化していれば良い。ローラーＲ２３Ｅの径の段階的な変化は、１段階以上の変化であれば良い。
【００７５】
＜(２−５)第５変形例＞
各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４は、ローラーを発熱させる発熱部Ｒｅ１を含んでいても良い。この場合、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２の各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の真上に位置する部分も含めて、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２のより広い領域が均一に加熱され得る。なお、この場合、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の外周部Ｓｕ１の素材としては、例えば、フッ素ゴムおよびシリコンゴム等の耐熱性を有する樹脂ならびにセラミックス等の耐熱性を有する他の素材が採用され得る。
【００７６】
図１６には、本変形例の一構成として、ローラーＲ２３の内部に発熱部Ｒｅ１が付加されたローラーＲ２３Ｆが例示されている。ここでは、発熱部Ｒｅ１における加熱方式としては、例えば、電流の付与に応じて加熱する抵抗加熱の方式等が採用される。この場合、発熱部Ｒｅ１は、例えば、ニクロム線等の高い比抵抗を有する金属の配線であれば良い。そして、例えば、発熱部Ｒｅ１には、給電部４１から配線４０ｗを介して電流が供給されれば良い。
【００７７】
＜(２−６)その他の変形例＞
例えば、上記一実施形態および上記各変形例では、被処理物として基板Ｓ１が用いられたが、これに限られない。例えば、基板Ｓ１以外のその他の物体であっても良い。
【００７８】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が＋Ｙ方向に並べられた状態で搬送されたが、これに限られない。例えば、ｎ＋１個（ｎは２以上の整数）の搬送部によって、ｎ個の被処理物が＋Ｙ方向に並べられた状態で搬送されても良い。この場合、ｎ＋１個の搬送部の＋Ｙ方向の両端に位置する２つの搬送部は、それぞれ１つの被処理物の一端部を支持し、残余の搬送部は、隣り合う２つの被処理物の対向する２つの端部を支持すれば良い。
【００７９】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が直接支持されたが、これに限られない。例えば、複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４によって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が別部材を介して間接的に支持されても良い。ここで、別部材としては、例えば、ローラーＲ１１〜Ｒ１４の周囲に配される第１ベルト、ローラーＲ２１〜Ｒ２４の周囲に配される第２ベルト、およびローラーＲ３１〜Ｒ３４の周囲に配される第３ベルト等が採用され得る。この場合、第１〜３ベルトによって、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が支持される。また、この場合、複数のローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４は、例えば、滑車等の第１〜３ベルトを回転させるローラー以外の各種の形態を有する回転体であっても良い。
【００８０】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が板状の部材であったが、これに限られない。例えば、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の外周部Ｓｕ１を囲む筒状の部材等であっても良い。この場合、成膜部１２２によって第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２上に薄膜が形成される際に、各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４上に薄膜がさらに形成され難い。なお、この場合、例えば、第１〜３搬送部１２ｃ１〜１２ｃ３が下降位置Ｐｏ２まで下降された状態で、保護部Ｐｐ１〜Ｐｐ３が、＋Ｙ方向または−Ｙ方向から各ローラーＲ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ３１〜Ｒ３４の周囲を覆う位置まで移動されれば良い。
【００８１】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、ロードロック室１１とアンロードロック室１３との間に１つの処理室１２が配されていたが、これに限られない。例えば、ロードロック室１１とアンロードロック室１３との間に、２以上の処理室が直列に配列されていても良い。この場合、隣り合う処理室の間が、例えば、ゲートバルブ等によって遮断可能であれば良い。
【００８２】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、熱処理装置１がＬＰＣＶＤ装置であったが、これに限られない。例えば、熱処理装置１は、被処理物に対して熱処理あるいは熱処理を伴う処理を施す装置であれば良い。
【００８３】
また、上記一実施形態および上記各変形例では、加熱部１２１に、ホットプレートが適用されたが、これに限られない。例えば、加熱部１２１に、ホットプレート以外のその他の形態の加熱部が適用されても良い。例えば、加熱部１２１は、＋Ｚ方向に貫通する空間を環状に囲むフレーム部と、該フレーム部の下方に配置された光源とを備えるものであっても良い。この場合、フレーム部上には、第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が載置されれば良い。また、光源は、例えば、フレーム部を＋Ｚ方向に貫通する空間に向けて赤外線等を照射するものであれば良い。これにより、フレーム部上に載置された第１および第２基板Ｓ１１，Ｓ１２が加熱され得る。
【００８４】
なお、上記一実施形態および各種変形例をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００８５】
１  熱処理装置
１２  処理室
１２ｃ  第２搬送機構
１２ｃ１〜１２ｃ３  第１〜３搬送部
１２ｃＭ  昇降部
１２ｇ  間隙
１２１，１２１Ｂ  加熱部
１２１１，１２１１Ａ，１２１１Ｃ  第１加熱部
１２１２，１２１２Ａ  第２加熱部
１２２  成膜部
Ａ１１〜Ａ１４，Ａ２１〜Ａ２４，Ａ３１〜Ａ３４  領域
Ａｘ１〜Ａｘ４  回転軸
Ｃａ１１，Ｃａ１２  環状領域
Ｄ１１〜Ｄ１４，Ｄ２１〜Ｄ２８，Ｄ２１Ｂ，Ｄ２４Ｂ，Ｄ３１〜Ｄ３４  凹部
Ｅ１〜Ｅ４  第１〜４端部
Ｐｏ１  搬送位置
Ｐｏ２  下降位置
Ｐｐ１〜Ｐｐ３  保護部
Ｐｒ１〜Ｐｒ４  凸部
Ｐｔ１  突起部
Ｒ１１〜Ｒ１４，Ｒ２１〜Ｒ２４，Ｒ２３Ｄ，Ｒ２３Ｅ，Ｒ２３Ｆ，Ｒ３１〜Ｒ３４  ローラー
Ｒｅ１  発熱部
Ｓ１  基板
Ｓ１１  第１基板
Ｓ１２  第２基板
Ｓｔ１  段差部
Ｓｕ１  外周部
Ｔ２２，Ｔ２３  貫通孔
Ｕｓ１  上面
Ｗ１１〜Ｗ１３，Ｗ１１Ｂ〜Ｗ１３Ｂ，Ｗ２１〜Ｗ２３  幅広領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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