(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性の向上に有利な露光装置を提供する。【解決手段】基板を保持して移動するステージと、前記ステージに保持された基板のショット領域の計測対象箇所の高さを第１計測点及び第２計測点において計測する計測部と、前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御する制御部と、を有し、前記基板の１つのショット領域を露光するために前記ステージを移動させる期間は、前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、前記制御部は、前記計測部が前記加速期間に前記第１計測点において計測した前記計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果ＰＬ６に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記計測部が前記等速期間に前記第２計測点において計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得する。【選択図】図５
2014165284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクと基板とを走査しながら前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記ステージに保持された基板のショット領域の計測対象箇所の高さを第１計測点及び第２計測点において計測する計測部と、
前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御する制御部と、を有し、
前記基板の１つのショット領域を露光するために前記ステージを移動させる期間は、前記１つのショット領域を前記露光領域に近づけながら前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記加速期間に続いて前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、
前記制御部は、前記計測部が前記加速期間に前記第１計測点において計測した前記計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記計測部が前記等速期間に前記第２計測点において計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記計測部が前記等速期間に前記第２計測点において計測した前記計測対象箇所の高さと前記マスクのパターンの結像面との高さとの差分が閾値を超えた場合に、前記新たな補正値を取得することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記閾値は、前記等速期間における前記ステージの速度及び前記ステージに保持された基板の焦点深度の少なくとも一方に基づいて決定されていることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記計測部が前記等速期間に前記第２計測点において計測した前記計測対象箇所の高さ、及び、前記第２計測点において前記計測対象箇所の高さを計測したときの前記ステージの前記基板の高さ方向の位置に基づいて、前記新たな補正値を求めることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記差分が前記閾値を超えた回数が予め定められた回数を超えた場合に、前記新たな補正値を取得することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記基板のショット領域のうち前記差分が前記閾値を超えたショット領域への前記マスクのパターンの転写を中止することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項７】
前記補正値を記憶する記憶部を更に有し、
前記制御部は、前記新たな補正値を取得するたびに、前記記憶部に記憶された補正値を前記新たな補正値に更新することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項８】
マスクと基板とを走査しながら前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光方法であって、
前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御するステップを有し、
前記基板の１つのショット領域を露光するために前記基板を保持するステージを移動させる期間は、前記１つのショット領域を前記露光領域に近づけながら前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記加速期間に続いて前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、
前記ステップでは、前記加速期間に計測した前記基板のショット領域の計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記等速期間に計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
露光した前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ技術を用いて半導体デバイスなどを製造する際に、マスク（レチクル）と基板とを走査（スキャン）しながらマスクのパターンを基板に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置が使用されている。かかる露光装置においては、生産性を向上させるために、基板ステージに保持された基板の面位置（高さ）を、基板ステージが加速（又は減速）している間に計測する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
但し、基板ステージの加速中に基板の面位置を計測すると、基板ステージの加速によって装置本体の構造体や基板ステージが変形しているため、計測結果に誤差（計測誤差）が含まれてしまう。そこで、計測誤差を補正するための補正値（オフセット）を予め求めておき、基板ステージの加速中に計測された計測結果を補正値で補正しながら基板を露光している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２３８７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、計測誤差は、基板のショット領域のサイズ及び配置やショット領域の露光順序などのレイアウト条件、及び、基板ステージの速度や加速度などの駆動条件によって異なる。従って、レイアウト条件や駆動条件を変更するたびに、計測誤差を補正するための補正値を求めることが必要となる。
【０００６】
また、構造体や基板ステージの変形（変形量）は、温度変化に起因して経時的に変化する。構造体や基板ステージの変形量の経時的な変化は、計測結果に含まれる計測誤差の変化を引き起こすため、計測誤差を補正するための補正値を再度求めることが必要となる。
【０００７】
このような場合、例えば、ショット領域ごとに補正値を求めている場合には、かかる補正値を求めるために、１枚の基板に対する露光処理と同等な時間が必要となるため、生産性が著しく低下してしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、生産性の向上に有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクと基板とを走査しながら前記マスクのパターンを前記基板に転写する露光装置であって、前記基板を保持して移動するステージと、前記ステージに保持された基板のショット領域の計測対象箇所の高さを第１計測点及び第２計測点において計測する計測部と、前記基板を露光領域において露光する露光処理を制御する制御部と、を有し、前記基板の１つのショット領域を露光するために前記ステージを移動させる期間は、前記１つのショット領域を前記露光領域に近づけながら前記ステージを加速移動させる加速期間と、前記加速期間に続いて前記ステージを等速移動させる等速期間と、を含み、前記制御部は、前記計測部が前記加速期間に前記第１計測点において計測した前記計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、前記ステージを前記基板の高さ方向に移動させ、前記計測部が前記等速期間に前記第２計測点において計測した前記計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、前記設定された補正値に代わる新たな補正値を取得することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、生産性の向上に有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置の計測部が基板のショット領域に形成する計測点と、露光スリット（露光領域）との関係を示す図である。
【図３】図１に示す露光装置の計測部によるショット領域の計測対象箇所の高さの計測を説明するための図である。
【図４】図１に示す露光装置において、基板を露光する露光処理におけるショット領域の計測対象箇所の高さの計測を具体的に説明するための図である。
【図５】図１に示す露光装置において、計測部の計測結果に基づく基板ステージの制御を説明するための図である。
【図６】図１に示す露光装置における露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図７】基板の複数のショット領域の配列の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１００の構成を示す概略図である。露光装置１００は、マスク（レチクル）と基板とを走査しながらマスクのパターンを基板に転写する。具体的には、露光装置１００は、露光領域を矩形又は円弧のスリット形状とし、マスクと基板とを相対的に高速走査して大画角を高精度に露光する走査型露光装置（スキャナー）である。露光装置１００は、図１に示すように、投影光学系１０１と、マスクステージ１０３と、基板ステージ１０５と、照明光学系１０６と、主制御部１２７と、計測部ＭＵとを有する。
【００１５】
図１において、投影光学系１０１の光軸はＡＸで示され、投影光学系１０１の像面はＺ軸方向と垂直な関係にある。マスク１０２は、マスクステージ１０３に保持される。マスク１０２のパターンは、投影光学系１０１の倍率（例えば、１／４、１／２、１／５）で投影され、その像面（パターンの結像面）に像を形成する。
【００１６】
基板１０４は、例えば、その表面にレジスト（感光剤）が塗布されたウエハである。基板１０４には、先の露光処理で形成された同一のパターン構造を有する複数のショット領域が配列されている。基板ステージ１０５は、基板１０４を保持して移動するステージであって、基板１０４を吸着（固定）するチャックを有する。また、基板ステージ１０５は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに水平移動可能なＸＹステージを含み、投影光学系１０１の光軸ＡＸと平行なＺ軸方向（基板１０４の高さ方向）に移動することができる。更に、基板ステージ１０５は、Ｘ軸及びＹ軸の回りに回転可能なレベリングステージやＺ軸の回りに回転可能な回転ステージも含む。従って、基板ステージ１０５は、マスク１０２のパターンの像を基板１０４のショット領域に一致させるための６軸駆動系を構成している。基板ステージ１０５のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の位置は、基板ステージ１０５に配置されたバーミラー１２３と、干渉計１２４とによって常に計測されている。
【００１７】
計測部ＭＵは、基板１０４の表面位置（高さ）及び傾きを計測する機能を有し、本実施形態では、基板ステージ１０５に保持された基板１０４のショット領域の計測対象箇所の高さを複数の計測点において計測する。計測部ＭＵは、光源１１０と、コリメータレンズ１１１と、スリット部材１１２と、投光側光学系１１３と、投光側ミラー１１４と、受光側ミラー１１５と、受光側光学系１１６と、ストッパ絞り１１７と、補正光学系１１８と、光電変換素子１１９とを含む。
【００１８】
光源１１０は、ランプ又は発光ダイオードなどを含む。コリメータレンズ１１１は、光源１１０からの光を、断面の強度分布がほぼ均一な平行光に変換する。スリット部材１１２は、一対のプリズム（プリズム形状の部材）を互いの斜面が相対するように貼り合わせて構成され、かかる貼り合わせ面には、複数の開口（本実施形態では、１５個のピンホール）がクロムなどの遮光膜を用いて形成されている。投光側光学系１１３は、両側テレセントリック系であって、スリット部材１１２の１５個のピンホールを通過した光のそれぞれを、投光側ミラー１１４を介して、基板１０４（詳細には、ショット領域の１５個の計測対象箇所）に導光する。
【００１９】
投光側光学系１１３に対して、ピンホールが形成された平面（貼り合わせ面）と基板１０４の表面を含む平面とは、シャインプルーフの条件を満たすように設定されている。本実施形態において、投光側光学系１１３からの光の基板１０４への入射角（光軸ＡＸとなす角）Φは、７０度以上である。投光側光学系１１３を通過した１５個の光は、基板上の互いに独立した各計測対象箇所に入射して結像する。また、投光側光学系１１３からの光は、基板上の１５個の計測対象箇所が互いに独立して観察可能なように、Ｘ軸方向からＸＹ平面内でθ度（例えば、２２．５度）回転した方向から入射する。
【００２０】
受光側光学系１１６は、両側テレセントリック系である。基板１０４（各計測対象箇所）で反射された１５個の光（反射光）は、受光側ミラー１１５を介して、受光側光学系１１６に入射する。ストッパ絞り１１７は、受光側光学系１１６の内部に配置され、１５個の各計測対象箇所に対して共通に設けられている。ストッパ絞り１１７は、基板１０４に形成されたパターンによって発生する高次の回折光（ノイズ光）を遮断する。
【００２１】
受光側光学系１１６を通過した光は、光軸が互いに平行となっている。補正光学系１１８は、１５個の補正レンズを含み、受光側光学系１１６を通過した１５個の光を、光電変換素子１１９の光電変換面（受光面）に対して、互いに同一の大きさを有するスポット光として再結像する。また、受光側光学系１１６、ストッパ絞り１１７及び補正光学系１１８は、本実施形態では、基板上の各計測対象箇所と光電変換素子１１９の光電変換面とが互いに共役となるように倒れ補正を行っている。従って、基板上の各計測対象箇所の局所的な傾きに起因する光電変換面でのピンホール像の位置の変化はなく、各計測対象位置の光軸ＡＸと平行な方向での高さの変化に応じて、光電変換面でピンホール像が変化する。ここで、光電変換素子１１９は、例えば、１５個の１次元ＣＣＤラインセンサで構成されるが、２次元センサを複数個配置して構成してもよい。
【００２２】
上述したように、マスク１０２は、マスクステージ１０３に保持される。マスクステージ１０３は、投影光学系１０１の光軸ＡＸに垂直な面内で、Ｘ軸方向（矢印ＡＲ１の方向）に一定速度で走査される。この際、マスクステージ１０３は、マスクステージ１０３のＹ軸方向の位置が常に目標位置を維持するように走査（補正駆動）される。マスクステージ１０３のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置は、マスクステージ１０３に配置されたバーミラー１２０と、干渉計１２１とによって常に計測されている。
【００２３】
照明光学系１０６は、エキシマレーザーなどのパルス光を発生する光源からの光を用いて、マスク１０２を照明する。照明光学系１０６は、ビーム整形光学系、オプティカルインテグレータ、コリメータレンズ、ミラー及びマスキングブレードなどを含み、遠紫外領域のパルス光を効率的に透過又は反射する。ビーム整形光学系は、入射光の断面形状（寸法）を予め定められた形状に整形する。オプティカルインテグレータは、光の配光特性を均一にしてマスク１０２を均一な照度で照明する。マスキングブレードは、チップサイズに対応する矩形の照明領域を規定する。かかる照明領域で部分照明されたマスク１０２のパターンは、投影光学系１０１を介して、基板１０４に投影される。
【００２４】
主制御部１２７は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１００の全体（基板１０４を露光する露光処理）を制御する。ここで、基板１０４の１つのショット領域を露光するために基板ステージ１０５を移動させる期間は、加速期間と、等速期間と、を含む。加速期間とは、１つのショット領域を露光領域に近づけながら基板ステージ１０５を加速移動させる期間であり、等速期間とは、加速期間に続いて基板ステージ１０５を等速移動させる期間である。また、基板ステージ１０５の加速とは、基板ステージ１０５の減速（即ち、マイナスの加速度）も含むものとする。
【００２５】
主制御部１２７は、マスク１０２のパターンを反映する光を基板１０４の所定領域に結像させるために、マスク１０２を保持するマスクステージ１０３や基板１０４を保持する基板ステージ１０５を制御する。例えば、主制御部１２７は、マスクステージ１０３や基板ステージ１０５を介して、マスク１０２や基板１０４のＸＹ面内の位置（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の位置、及び、Ｚ軸に対する回転）やＺ軸方向の位置（Ｘ軸及びＹ軸のそれぞれに対する回転）を調整する。また、主制御部１２７は、マスクステージ１０３と基板ステージ１０５とを、投影光学系１０１に対して同期させて走査する。
【００２６】
マスクステージ１０３を矢印ＡＲ１の方向に走査する場合、基板ステージ１０５は、矢印ＡＲ２の方向に、投影光学系１０１の倍率（縮小倍率）だけ補正した速度で走査する。マスクステージ１０３の走査速度は、照明光学系１０６におけるマスキングブレードの走査方向の幅、及び、基板１０４の表面に塗布されたレジストの感度に基づいて、生産性が有利となるように決定される。
【００２７】
マスク１０２のパターンのＸＹ面内での位置合わせは、マスクステージ１０３の位置、基板ステージ１０５の位置、及び、基板１０４の位置に基づいて行われる。マスクステージ１０３の位置及び基板ステージ１０５の位置のそれぞれは、上述したように、干渉計１２１及び１２４によって計測され、基板１０４の位置は、アライメント光学系（不図示）から得られる。
【００２８】
マスク１０２のパターンのＺ軸方向の位置合わせ、即ち、投影光学系１０１の像面への位置合わせは、計測部ＭＵの計測結果に基づいて、基板ステージ１０５（に含まれるレベリングステージ）を制御することで実現される。
【００２９】
また、主制御部１２７は、後述するように、計測部ＭＵが基板ステージ１０５の加速期間に第１計測点において計測した基板１０４のショット領域の計測対象箇所の高さを設定された補正値で補正した補正結果に基づいて、基板ステージ１０５を制御する。具体的には、主制御部１２７は、かかる補正結果に基づいて、基板ステージ１０５を基板１０４の高さ方向に移動させる。この際、加速期間が終了するまでに基板ステージ１０５を移動させることが好ましい。そして、主制御部１２７は、計測部ＭＵが基板ステージ１０５の等速期間に第２計測点において計測した計測対象箇所の高さが許容範囲を外れた場合に、設定された補正値に代わる新たな補正値を取得する。
【００３０】
図２は、計測部ＭＵが基板１０４のショット領域ＳＲに形成する計測点ＭＰ３乃至ＭＰ１５と、露光スリット（露光領域）ＥＳとの関係を示す図である。露光スリットＥＳは、図２に破線で示す矩形領域である。計測点ＭＰ３、ＭＰ４及びＭＰ５は、露光スリットＥＳに形成された計測点である。計測点ＭＰ６、ＭＰ７及びＭＰ８、及び、計測点ＭＰ１２、ＭＰ１３及びＭＰ１４は、露光スリットＥＳから距離Ｌｐ１だけ離れた位置に形成された計測点である。計測点ＭＰ９、ＭＰ１０及びＭＰ１１、及び、計測点ＭＰ１５、ＭＰ１６及びＭＰ１７は、露光スリットＥＳから距離Ｌｐ２だけ離れた位置に形成された計測点である。ここで、距離Ｌｐ１と距離Ｌｐ２との関係は、Ｌｐ１＜Ｌｐ２である。
【００３１】
主制御部１２７は、露光スリットＥＳと各計測点ＭＰ３乃至ＭＰ１７との距離、及び、基板ステージ１０５の走査方向及び走査速度に基づいて、計測部ＭＰによる各計測点ＭＰ３乃至ＭＰ１７の計測タイミングを制御することができる。計測点ＭＰ３、ＭＰ６、ＭＰ９、ＭＰ１２及びＭＰ１５は、同一のＸ座標位置に形成されている。また、計測点ＭＰ４、ＭＰ７、ＭＰ１０、ＭＰ１３及びＭＰ１６は、同一のＸ座標位置に形成されている。更に、計測点ＭＰ５、ＭＰ８、ＭＰ１１、ＭＰ１４及びＭＰ１７は、同一のＸ座標位置に形成されている。従って、例えば、基板ステージ１０５をＹ軸方向に走査する場合には、各計測点ＭＰ３乃至ＭＰ１７の計測タイミングを調整することで、ショット領域ＳＲの同一の座標位置を、異なる計測点において計測することができる。
【００３２】
図３（ａ）乃至図３（ｄ）を参照して、計測部ＭＵによるショット領域ＳＲの計測対象箇所の高さの計測について説明する。図３（ａ）において、ＴＰ２、ＴＰ３及びＴＰ４は、ショット領域ＳＲの計測対象箇所である。ショット領域ＳＲの計測対象箇所は、ショット領域ＳＲの全体の高さを計測するために、Ｙ軸方向に対して複数箇所存在する。但し、図３（ａ）では、簡略化のために、計測対象箇所ＴＰ２、ＴＰ３及びＴＰ４のみを示している。
【００３３】
例えば、図３（ａ）に示すように、基板ステージ１０５を矢印Ｆに示す方向に走査し、ショット領域ＳＲの計測対象箇所ＴＰ２の高さを計測する場合を考える。図３（ｂ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ９において計測対象箇所ＴＰ２の高さを計測するように、計測タイミングを制御する。一定時間が経過し、図３（ｃ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ６において計測対象箇所ＴＰ２を計測するように、計測タイミングを制御する。更に、一定時間が経過し、図３（ｄ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ３において計測対象箇所ＴＰ２を計測するように、計測タイミングを制御する。
【００３４】
同様に、基板ステージ１０５を矢印Ｆに示す方向に走査し、ショット領域ＳＲの計測対象箇所ＴＰ３の高さを計測する場合を考える。図３（ｂ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ１０において計測対象箇所ＴＰ３の高さを計測するように、計測タイミングを制御する。一定時間が経過し、図３（ｃ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ７において計測対象箇所ＴＰ３を計測するように、計測タイミングを制御する。更に、一定時間が経過し、図３（ｄ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ４において計測対象箇所ＴＰ３を計測するように、計測タイミングを制御する。
【００３５】
同様に、基板ステージ１０５を矢印Ｆに示す方向に走査し、ショット領域ＳＲの計測対象箇所ＴＰ４の高さを計測する場合を考える。図３（ｂ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ１１において計測対象箇所ＴＰ４の高さを計測するように、計測タイミングを制御する。一定時間が経過し、図３（ｃ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ８において計測対象箇所ＴＰ４を計測するように、計測タイミングを制御する。更に、一定時間が経過し、図３（ｄ）に示す状態において、主制御部１２７は、計測部ＭＵが計測点ＭＰ５において計測対象箇所ＴＰ４を計測するように、計測タイミングを制御する。
【００３６】
主制御部１２７は、基板ステージ１０５を走査する方向（移動方向）に応じて、ショット領域ＳＲの計測対象箇所の高さの計測に用いる計測点を切り替える。例えば、図２を参照するに、基板ステージ１０５を矢印Ｆに示す方向に走査する場合、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ１１においてショット領域ＳＲの計測対象箇所の高さを計測する。一方、基板ステージ１０５を矢印Ｒに示す方向に走査する場合、計測点ＭＰ１２乃至ＭＰ１７においてショット領域ＳＲの計測対象箇所の高さを計測する。主制御部１２７は、これらの計測結果に基づいて、ショット領域ＳＲの計測対象箇所を含む露光対象領域の高さ（Ｚ軸方向の位置）を算出する。そして、主制御部１２７は、露光対象領域が露光スリットＥＳに到達するまでに、露光対象領域が最適露光位置（マスク１０２のパターンの結像面）に位置するように、基板ステージ１０５をＺ軸方向（基板１０４の高さ方向）に移動させる。
【００３７】
図４（ａ）乃至図４（ｄ）を参照して、基板１０４を露光する露光処理におけるショット領域の計測対象箇所の高さの計測について具体的に説明する。図４（ａ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は、露光スリットＥＳ、計測点ＭＰ３乃至ＭＰ１１、ショット領域ＳＲ１、ＳＲ２及びＳＲ３、計測対象箇所ＴＰ４’、ＴＰ５’及びＴＰ６’、及び、基板ステージ１０５の移動軌跡を示す図である。ショット領域ＳＲ２の計測対象箇所は、ショット領域ＳＲ２の全体の高さを計測するために、Ｙ軸方向に対して複数箇所存在する。但し、図４（ａ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）では、簡略化のために、計測対象箇所ＴＰ４’、ＴＰ５’及びＴＰ６’のみを示している。図４（ａ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）において、ショット領域ＳＲ１は、露光処理が行われたショット領域である。ショット領域ＳＲ２は、ショット領域ＳＲ１の次に露光処理を行うショット領域であり、ショット領域ＳＲ３は、ショット領域ＳＲ２の次に露光処理を行うショット領域である。また、図４（ａ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）において、破線で示す矢印は、基板ステージ１０５の移動軌跡である。図４（ｂ）は、基板ステージ１０５を図４（ａ）、図４（ｃ）及び図４（ｄ）に示す移動軌跡で移動させた場合において、基板ステージ１０５の速度（走査速度）と時間との関係を示す図である。
【００３８】
ショット領域ＳＲ１の露光処理が終了すると、基板ステージ１０５は、Ｙ軸方向に減速しながらＸ軸方向に移動し、次に露光処理を行うショット領域ＳＲ２に移動する。かかる期間（減速期間）は、図４（ｂ）に示す時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間に相当する。
【００３９】
基板ステージ１０５がＹ軸方向への加速開始点に到達する（即ち、Ｘ軸方向への移動が終了する）と、基板ステージ１０５を矢印Ｆに示す方向に加速移動させる。かかる期間（加速期間）は、図４（ｂ）に示す時刻ｔ２から時刻ｔ３までの期間に相当する。
【００４０】
図４（ｃ）に示すように、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１がショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’に到達すると、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１において計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測する。この際、基板ステージ１０５の加速期間に計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さを計測することになるため、上述したように、計測結果に計測誤差が含まれてしまう。そこで、主制御部１２７は、特許文献１に開示された技術などによって、計測誤差を補正するための補正値を予め取得（設定）し、かかる補正値で計測結果を補正する（即ち、計測結果に含まれる計測誤差を除去する）。そして、主制御部１２７は、計測結果を補正値で補正した結果（補正結果）に基づいて、露光対象領域が最適露光位置に位置するように、基板ステージ１０５（に含まれるレベリングステージ）の制御を開始する。具体的には、露光スリットＥＳが計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’を含む露光対象領域に到達したときに、基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置が最適露光位置となるように、基板ステージ１０５の制御を開始する。
【００４１】
基板ステージ１０５の速度（走査速度）が目標速度となると、露光スリットＥＳがショット領域ＳＲ２を通過するまで等速での移動を続ける。かかる期間（等速期間）は、図４（ｂ）に示す時刻ｔ３から時刻ｔ４までの期間に相当する。
【００４２】
図４（ｄ）に示すように、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８がショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’に到達すると、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８において計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測する。この際、基板ステージ１０５の等速期間に計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さを計測することになるため、計測結果に計測誤差が含まれることはない。従って、ショット領域ＳＲ２の計測対象箇所（不図示）の高さを順次計測しながら、主制御部１２７は、かかる計測結果に基づいて、露光対象領域が最適露光位置に位置するように、基板ステージ１０５を制御する。そして、露光スリットＥＳがショット領域ＳＲ２に到達したときに、主制御部１２７は、露光を開始し、計測対象箇所の高さの計測と基板ステージ１０５の制御とを繰り返しながらショット領域ＳＲ２の露光処理を行う。
【００４３】
露光スリットＥＳがショット領域ＳＲ２を通過すると（即ち、ショット領域ＳＲ２の露光処理が終了すると）、主制御部１２７は、ショット領域ＳＲ３を露光するための処理を開始する。具体的には、主制御部１２７は、基板ステージ１０５を、Ｙ軸方向に減速しながらＸ軸方向に移動させ、次に露光処理を行うショット領域ＳＲ３に移動させてＹ軸方向に加速させる。かかる期間は、図４（ｂ）に示す時刻ｔ４以降の期間に相当する。
【００４４】
図５（ａ）乃至図５（ｃ）を参照して、計測部ＭＵの計測結果に基づく基板ステージ１０５の制御について説明する。ここでは、図４に示すショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’を含む領域が最適露光位置に位置するように基板ステージ１０５を制御する場合を例に説明する。図５（ａ）乃至図５（ｃ）では、基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置を縦軸に採用し、時間を横軸に採用している。また、ＢＦは、最適露光位置を示している。
【００４５】
図５（ａ）乃至図５（ｃ）において、時刻ｔ５は、図４（ｃ）に示す状態となる時刻を示している。換言すれば、時刻ｔ５は、基板ステージ１０５の加速期間において、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１においてショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測する状態となる時刻である。また、時刻ｔ６は、図４（ｄ）に示す状態となる時刻を示している。換言すれば、時刻ｔ６は、基板ステージ１０５の等速期間において、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８においてショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測する状態となる時刻である。また、時刻ｔ７は、露光スリットＥＳがショット領域ＳＲ２に到達する時刻を示している。
【００４６】
図５（ａ）を参照するに、ＰＬ１は、時刻ｔ５において、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１においてショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測した結果を、計測誤差を補正するための補正値で補正した補正結果を示している。補正結果ＰＬ１と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ２は、ショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’を含む領域が最適露光位置に位置させるために必要となる基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動量に相当する。ＭＴ３は、補正結果ＰＬ１と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ２に基づいて、主制御部１２７が生成する基板ステージ１０５の移動軌跡を示している。主制御部１２７は、基板ステージ１０５が時刻ｔ７において最適露光位置ＢＦに位置するように、基板ステージ１０５の移動軌跡ＭＴ３を生成する。
【００４７】
一方、図５（ｂ）を参照するに、ＰＬ６は、時刻ｔ５において、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１においてショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さをそれぞれ計測した結果を、計測誤差を補正するための補正値で補正した補正結果を示している。但し、補正結果ＰＬ６は、補正結果ＰＬ１と異なり、補正値が不適切である場合を示している。補正値が不適切となる場合は、例えば、基板ステージ１０５の速度（走査速度）が、かかる補正値を取得したときと時刻ｔ５とで異なる場合などが考えられる。図５（ｂ）では、補正結果ＰＬ６と最適露光位置ＢＦとの差分はＤＦ７となり、基板ステージ１０５の移動軌跡はＭＴ８となる。従って、補正値が不適切である場合（図５（ｂ））の差分ＤＦ７と補正値が適切である場合（図５（ａ））の差分ＤＦ２との差ＤＦ９だけデフォーカスが発生し、マスク１０２のパターンの解像不良を引き起こす原因となる。
【００４８】
上述したように、時刻ｔ６では、基板ステージ１０５の等速期間に計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さを計測することができるため、計測結果ＰＬ４に計測誤差が含まれていない。従って、時刻ｔ６では、計測誤差に影響されることなく、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０を求めることができる。
【００４９】
本実施形態では、基板ステージ１０５の等速期間に計測された計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０を用いて、時刻ｔ５における補正値の妥当性（補正値が適切であるのか、或いは、不適切であるのか）を判定する。換言すれば、基板ステージ１０５の等速期間に計測された計測結果ＰＬ４が許容範囲を外れていないかどうかを判定する。具体的には、主制御部１２７は、時刻ｔ６における計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０を算出する。そして、主制御部１２７は、計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０が予め定められた閾値を超えていない場合に、時刻ｔ５における補正値が適切であると判定する。一方、主制御部１２７は、計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０が予め定められた閾値を超えた場合には、時刻ｔ５における補正値が不適切であると判定する。そして、主制御部１２７は、計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分ＤＦ１０が予め定められた閾値を超えたショット領域の露光を中止し、特許文献１に開示された技術などによって、不適切と判定された補正値に代わる新たな補正値を取得する。
【００５０】
本実施形態によれば、ショット領域の露光対象領域が露光スリットＥＳに到達する前に、補正値の妥当性を判定することができるため、デフォーカスによるマスク１０２のパターンの解像不良を未然に防止することができる。また、露光処理の間に補正値の妥当性を判定することができるため、定期的な補正値の取得が不要となり、露光装置１００の生産性を向上させることができる。更に、基板１０４のショット領域ごとに補正値の妥当性を判定することができるため、補正値が不適切であるショット領域のみについて、新たな補正値を取得すればよく、露光装置１００の生産性を向上させることができる。
【００５１】
ここで、ショット領域ＳＲ２の計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’に異物が存在する場合を考える。この場合、時刻ｔ５における補正値が適切であっても、補正結果ＰＬ１に基づいて基板ステージ１０５を制御する際の基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動量が大きくなる。基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動量が大きくなると、時刻ｔ６における計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分が大きくなってしまう。その結果、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’に存在する異物の影響によって、時刻ｔ５における補正値が不適切であると誤判定する可能性がある。従って、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果から、異物などの影響による異常値（異常な計測結果）を除去するとよい。例えば、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果から近似曲線を求め、かかる近似曲線からの乖離が著しい場合には異常値と判断して除去する方法が考えられる。具体的には、まず、計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１において計測された計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果から、最小二乗法によって近似曲線を算出する。そして、算出した近似曲線と計測点ＭＰ９乃至ＭＰ１１のそれぞれにおける計測結果との差を求め、かかる差が予め定められた閾値を超えた場合に、その計測結果を異常値と判断して除去する。
【００５２】
また、ショット領域ＳＲ２の平坦度が他のショット領域よりも悪い場合を考える。この場合、時刻ｔ５における補正値が適切であっても、補正結果ＰＬ１に基づいて基板ステージ１０５を制御する際の基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動量が大きくなる。基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動量が大きくなると、図５（ｃ）に示すように、主制御部１２７によって生成された基板ステージ１０５の移動軌跡と、基板ステージ１０５の実際の移動軌跡ＭＴ１１との間に差が生じる。図５（ｃ）を参照するに、ＤＦ５は、基板ステージ１０５が移動軌跡ＭＴ３で移動する場合において、時刻ｔ６での計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分を示している。また、ＤＦ１３は、基板ステージ１０５が実際の移動軌跡ＭＴ１１で移動した場合において、時刻ｔ６での計測結果ＰＬ１２と最適露光位置ＢＦとの差分を示している。図５（ｃ）に示す差分ＤＦ５と差分ＤＦ１３との差は、基板ステージ１０５の制御偏差（移動偏差）に相当する。このような基板ステージ１０５の制御偏差の影響によって、時刻ｔ５における補正値が不適切であると誤判定する可能性がある。従って、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果から、基板ステージ１０５の制御偏差を除去する必要がある。なお、基板ステージ１０５の制御偏差は、主制御部１２７によって生成される基板ステージ１０５の移動軌跡ＭＴ３に基づく基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置、及び、干渉計１２４によって計測される基板ステージ１０５の位置から算出することができる。
【００５３】
基板ステージ１０５の制御精度を向上させるために、主制御部１２７は、基板ステージ１０５の移動軌跡の生成方法をショット領域ごとに変更する場合がある。例えば、基板ステージ１０５の移動軌跡を余弦波などの非線形にすることや、基板ステージ１０５の移動軌跡にローパスフィルタなどのフィルタを適用することがある。従って、基板ステージ１０５の移動軌跡の生成方法によって、時刻ｔ６での計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果が変化することになる。このような場合には、基板ステージ１０５の移動軌跡の生成方法の違いによる計測結果の変化を除去するとよい。例えば、基板１０４の露光処理を行う前に、基板ステージ１０５の移動軌跡の生成方法ごとに、時刻ｔ６での計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果を取得する。具体的には、露光処理において最も高い頻度で用いられる生成方法を基準として、計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果のそれぞれの差をオフセットとして求める。そして、露光処理において実際に用いる生成方法に応じて、オフセットに基づいて計測対象箇所ＴＰ４’乃至ＴＰ６’の高さの計測結果を補正する。
【００５４】
また、補正値の妥当性を判定するための閾値は、例えば、等速期間における基板ステージ１０５の速度（走査速度）及び基板ステージ１０５に保持された基板１０４の焦点深度の少なくとも一方に基づいて決定する。具体的には、時刻ｔ６における計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分と、露光結果のデフォーカス量との関係を予め取得する。そして、基板１０４の焦点深度から許容可能なデフォーカス量を決定し、かかるデフォーカス量に基づいて閾値を決定する。
【００５５】
また、図５（ａ）乃至図５（ｃ）に示す時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間における基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動可能量は、時刻ｔ６から時刻ｔ７に至るまでの時間によって変化する。時刻ｔ６から時刻ｔ７に至るまでの時間は、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８と露光スリットＥＳとの距離、及び、基板ステージ１０５の速度に依存する。計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８と露光スリットＥＳとの距離は、計測点ＭＰ６乃至ＭＰ８と露光スリットＥＳとの位置関係が一定であるため、固定値である。一方、基板ステージ１０５の速度は、基板１０４の表面に塗布されたレジストの感度などによって異なる。換言すれば、基板ステージ１０５の速度によって、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間における基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動可能量が変化する。例えば、基板ステージ１０５の速度が速い場合と比較して、基板ステージ１０５の速度が遅い場合には、時刻ｔ６から時刻ｔ７までの期間における基板ステージ１０５のＺ軸方向への移動可能量は増加する。換言すれば、時刻ｔ６における計測結果ＰＬ４と最適露光位置ＢＦとの差分が大きい場合であっても基板ステージ１０５の速度が遅ければ、時刻ｔ７において、基板ステージ１０５を最適露光位置ＢＦに移動させることが可能となる。従って、基板ステージ１０５の速度に基づいて、補正値の妥当性を判定するための閾値を決定してもよい。
【００５６】
図６を参照して、露光装置１００における動作、即ち、露光処理について説明する。かかる露光処理は、上述したように、主制御部１２７が露光装置１００の各部を統括的に制御することで行われる。
【００５７】
Ｓ６０２において、露光装置１００に基板１０４を搬入する。具体的には、搬送ハンド（不図示）によって基板１０４を搬送し、かかる基板を基板ステージ１０５に保持させる。
【００５８】
Ｓ６０４において、グローバルアライメントのためのプリアライメント（事前計測及び補正）を行う。具体的には、グローバルアライメントで用いる高倍視野アライメント顕微鏡（不図示）の計測範囲に基板１０４の上のアライメントマークが収まるように、低倍視野アライメント顕微鏡（不図示）を用いて基板１０４の回転誤差などのずれ量を計測して補正する。
【００５９】
Ｓ６０６において、グローバルチルトを行う。具体的には、図７に示すように、基板１０４の複数のショット領域のうちサンプルショット領域ＳＳＲの高さ（面位置）を計測部ＭＵによって計測する。そして、計測部ＭＵによって計測されたサンプルショット領域ＳＳＲの高さに基づいて、基板１０４の全体的な傾きを算出して補正する。
【００６０】
Ｓ６０８において、露光中（マスクステージ１０３や基板ステージ１０５の走査中）における基板１０４の高さ計測のための事前調整を行う。事前調整は、例えば、計測部ＭＵの光源１１０の光量の調整や基板１０４のショット領域におけるパターン段差の記憶などを含む。また、特許文献１に開示された技術などによって、基板ステージ１０５の加速期間に基板１０４のショット領域の対象計測箇所を計測する際に生じる計測誤差を補正するための補正値を求める。
【００６１】
Ｓ６１０において、投影光学系１０１の調整を行う。具体的には、基板ステージ１０５に配置された光量センサ及び基準マーク（不図示）やマスクステージ１０３に配置された基準プレート（不図示）を用いて、投影光学系１０１の傾きや像面湾曲などを求める。例えば、基板ステージ１０５をＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に走査したときの露光光の光量の変化を、基板ステージ１０５に配置された光量センサで計測する。そして、露光光の光量の変化に基づいて、基準プレートに対する基準マークのずれ量を求めて投影光学系１０１を調整する。
【００６２】
Ｓ６１２において、グローバルアライメントを行う。具体的には、高倍視野アライメント顕微鏡を用いて基板１０４のアライメントマークを計測し、基板１０４の全体のずれ量及び各ショット領域で共通なずれ量を求める。アライメントマークを高精度に計測するためには、アライメントマークのコントラストがベストコントラストとなる位置（ベストコントラスト位置）にアライメントマークがなければならない。ベストコントラスト位置の計測には、計測部ＭＵ及びアライメント顕微鏡を用いればよい。例えば、予め定められた高さ（Ｚ軸方向の位置）に基板ステージ１０５を移動させ、アライメント顕微鏡でコントラストを計測するとともに、計測部ＭＵで基板１０４の高さを計測することを繰り返す。この際、基板ステージ１０５のＺ軸方向の各位置に応じたコントラストの計測結果と基板１０４の高さの計測結果とを対応づけて保存する。そして、複数のコントラストの計測結果に基づいて、コントラストが最も高くなる基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置を求めてベストコントラスト位置とする。
【００６３】
Ｓ６１４において、基板１０４の露光対象ショット領域の露光を行う。具体的には、計測部ＭＵによって露光対象ショット領域の計測対象箇所の高さを計測し、かかる計測結果に基づいて、基板ステージ１０５を最適露光位置に移動させながら露光対象ショット領域を露光する。上述したように、基板ステージ１０５の加速期間に計測対象箇所の高さを計測した場合には、Ｓ６０８で求めた補正値で計測結果を補正する。そして、基板ステージ１０５の等速期間に計測可能な計測点で、基板ステージ１０５の加速期間に計測した計測対象箇所（即ち、同一の計測対象箇所）を計測する。基板ステージ１０５の等速期間に計測した計測対象箇所の高さと最適露光位置との差分が閾値を超えた場合には、補正値が不適切であると判断し、露光対象ショット領域の露光を中止する。また、かかるショット領域に対して、特許文献１に開示された技術などによって、Ｓ６０８で求めた補正値に代わる新たな補正値を取得する。新たな補正値を取得した後、露光対象ショット領域の露光を再度実施する。
【００６４】
Ｓ６１６において、露光装置１００から基板１０４を搬出する。具体的には、露光された基板１０４を、搬送ハンド（不図示）によって基板ステージ１０５から受け取って露光装置１００の外部に搬送する。
【００６５】
本実施形態では、基板ステージ１０５の等速期間に計測した計測対象箇所の高さと最適露光位置との差分が閾値を超えた場合には、露光対象ショット領域の露光を中止して、新たな補正値を取得している。但し、差分が閾値を超えるショット領域が数多く存在する場合には、差分が閾値を超えるたびに新たな補正値を取得すると、露光装置１００の生産性が低下することがある。そこで、差分が閾値を超えたショット領域を記憶して、全てのショット領域の露光が終了した後で、記憶したショット領域に対して、新たな補正値を取得してもよい。
【００６６】
また、差分が閾値を超えたショット領域と基板とを関連づけて記憶し、複数の基板間において同一のショット領域で差分が閾値を超えた場合に、記憶したショット領域に対して、新たな補正値を取得してもよい。換言すれば、差分が閾値を超えた回数をショット領域ごとに記憶し、かかる回数が予め定められた回数を超えた場合に、新たな補正値を取得してもよい。
【００６７】
また、基板ステージ１０５の加速期間に基板１０４のショット領域の対象計測箇所を計測する際に生じる計測誤差を補正するための補正値は、例えば、主制御部１２７のメモリなどの記憶部に記憶される。そして、主制御部１２７は、新たな補正値を取得するたびに、記憶部に記憶された補正値を新たな補正値に更新する。
【００６８】
本実施形態では、基板ステージ１０５の等速期間に計測した計測対象箇所の高さと最適露光位置との差分が閾値を超えた場合には、露光対象ショット領域の露光を中止している。但し、露光対象ショット領域の露光を完全に中止するのではなく、基板ステージ１０５の移動及び計測部ＭＵによる計測は継続し、かかる計測結果に基づいて新たな補正値を取得してもよい。この場合、基板ステージ１０５の移動及び計測部ＭＵによる計測は、かかるショット領域を露光するときと同一条件で行い、基板１０４への露光光の照射は行わない。また、新たな補正値は、以下の式（１）で求めることができる。
Ｃｏｍｐ＝（Ｆｏｃ２−Ｆｏｃ１）−（Ｓｔｇ２−Ｓｔｇ１）    ・・・（１）
式（１）において、Ｃｏｍｐは、新たな補正値であり、Ｆｏｃ１及びＦｏｃ２は、基板ステージ１０５の等速期間に計測可能な計測点で計測した計測対象箇所の高さの計測結果である。また、Ｓｔｇ１及びＳｔｇ２は、計測対象箇所の高さを計測したときの基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置である。なお、Ｆｏｃ１及びＦｏｃ２の計測対象箇所は、同一である。
【００６９】
式（１）を図５（ａ）に示す状態にあてはめると、Ｆｏｃ１は、時刻ｔ５での計測結果ＰＬ１から補正値を除去したものに相当する。Ｆｏｃ２は、時刻ｔ６での計測結果ＰＬ４に相当する。Ｓｔｇ１は、時刻ｔ５での基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置に相当する。Ｓｔｇ２は、時刻ｔ６での基板ステージ１０５のＺ軸方向の位置に相当する。
【００７０】
このように、露光中に計測された計測対象箇所の高さ、及び、基板ステージ１０５のＺ軸方向（基板１０４の高さ方向）の位置に基づいて、新たな補正値を求めることができる。従って、新たな補正値を取得するために基板ステージ１０５を別途移動させることが不要となり、露光装置１００の生産性を向上させることができる。
【００７１】
また、基板ステージ１０５の等速期間に計測した計測対象箇所の高さと最適露光位置との差分が閾値を超えた場合に、露光対象ショット領域の露光を中止せずに継続し、上述した式（１）によって新たな補正値を求めてもよい。ショット領域ごとに補正値を取得している場合には、次に露光される基板に対して、適切な補正値が反映されることになる。従って、現在露光されている基板の露光対象ショット領域は、デフォーカスして露光されることになる。そのため、閾値は、デフォーカスによる解像不良が発生しない値に設定しておくとよい。
【００７２】
本実施形態の露光装置１００によれば、基板ステージ１０５の加速期間に基板１０４のショット領域の対象計測箇所を計測する際に生じる計測誤差を補正するための補正値の取得に要する時間を低減し、生産性を向上させることができる。従って、露光装置１００は、高いスループットで経済性よく高品位なデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）など）を提供することができる。かかるデバイスは、露光装置１００を用いてフォトレジスト（感光剤）が塗布された基板（ウエハ、ガラスプレート等）を露光する工程と、露光された基板を現像する工程と、その他の周知の工程と、を経ることによって製造される。
【００７３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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