(57)【要約】【課題】実装強度を向上させた半導体装置を効率的に製造する。【解決手段】リードフレームＬＦのリード４の上面４ａには、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬを跨ぐように、溝部４Ｔが形成されている。また、リードフレームＬＦのチップ搭載部上に半導体チップを搭載し、リード４と電気的に接続した後、リード４の上面４ａの一部が露出するように半導体チップおよびリード４を封止する本体樹脂部６ｍｂを形成する。この時、複数のリード４のうちの隣り合うリードと枠部ＬＦｓの間には、ダム内樹脂部が形成され、溝部４Ｔの内部には、溝内樹脂部６ｔが形成される。また、ダム内樹脂部および溝内樹脂部６ｔに、上面４ａ側からレーザ光５５を照射してダム内樹脂部および溝内樹脂部６ｔを除去した後、本体樹脂部６ｍｂから露出する部分にめっき法により、金属膜を形成する。【選択図】図３０
2014187308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）デバイス形成部と、前記デバイス形成部の周囲に位置する枠部と、を備えたリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記デバイス形成部は、第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有するチップ搭載部と、前記チップ搭載部の前記第１面と同じ方向を向く第３面および前記第３面とは反対側の第４面を有し、前記チップ搭載部の隣に配置され、かつ前記枠部とそれぞれ繋がる複数のリードと、を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第３面には、前記複数のリードと前記枠部のそれぞれの連結部を跨ぐように、溝部が形成されており、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部の前記第１面に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程； 
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードのそれぞれの前記第３面および前記第４面が露出するように、前記複数のリード、前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を樹脂で封止することで、前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を封止する本体樹脂部と、前記複数のリードのうちの互いに隣り合うリード間に形成され、かつ前記複数のリードのそれぞれの側面を覆うダム内樹脂部と、前記複数のリードのそれぞれの前記溝部内を覆う溝内樹脂部と、を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームのうちの前記本体樹脂部以外の部分に対してレーザ光を照射することで、前記ダム内樹脂部および前記溝内樹脂部を除去する工程；
ここで、
前記レーザ光を照射する工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記第３面側から前記第４面側に向かって前記レーザ光を照射し、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記リードフレームのうちの前記本体樹脂部から露出する部分に金属膜を形成する工程；
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記枠部から前記複数のリードのそれぞれを切り離す工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記複数のリードの延在方向に対して直交する方向の断面視において、前記第４面の幅が前記第３面の幅よりも大きい、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
（ｅ）工程では、前記レーザ光を前記第３面に対して、垂直な方向から照射する、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記（ｇ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記第３および第４面のそれぞれに金型を接触させた状態で、前記溝部の前記第４面側から前記第３面側に向かって、切断刃を前記複数のリードのそれぞれに挿入する、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記（ｇ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記第３および第４面のそれぞれに前記金型を接触させ、かつ前記溝部の底面に前記金型の一部を接触させた状態で、前記溝部の前記第４面側から前記第３面側に向かって、前記切断刃を前記複数のリードのそれぞれに挿入する、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記（ｇ）工程で前記第３面に接触させる前記金型には、前記リードの延在方向における一方の端部に、前記リードに向かって突出した突出壁が設けられ、
前記（ｇ）工程では、前記突出壁の先端面を前記溝部の前記底面と接触させた状態で、前記切断刃を挿入する、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｆ）工程では、めっき法により半田材からなる前記金属膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記本体樹脂部に封止されるインナ部と、前記本体樹脂部から露出するアウタ部と、を有しており、
前記枠部の厚さは、前記リードの前記インナ部の厚さと同じである、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記本体樹脂部に封止されるインナ部と、前記本体樹脂部から露出するアウタ部と、を有しており、
前記アウタ部には、前記溝部、および前記溝部と前記インナ部の間に設けられ、前記インナ部と同じ厚さに形成された、平坦部を有している、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｅ）工程では、
前記ダム内樹脂部のうち、前記本体樹脂部側の一部を残すように前記レーザ光を照射する、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項４において、
前記（ｇ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記第３および第４面のそれぞれに前記金型を接触させ、かつ前記溝部の底面には前記金型を接触させない状態で、前記溝部の前記第４面側から前記第３面側に向かって、切断刃を前記複数のリードのそれぞれに挿入し、前記複数のリードのそれぞれの切断された先端部を前記第３面側に向かって折り曲げる、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）デバイス形成部と、前記デバイス形成部の周囲に位置する枠部と、を備えたリードフレームを準備する工程；
ここで、
前記デバイス形成部は、第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有するチップ搭載部と、前記チップ搭載部の前記第１面と同じ方向を向く第３面および前記第３面とは反対側の第４面を有し、前記チップ搭載部の隣に配置され、かつ前記枠部とそれぞれ繋がる複数のリードと、を有し、
前記複数のリードのそれぞれの前記第３面には、前記複数のリードと前記枠部のそれぞれの連結部を跨ぐように、溝部が形成されており、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを、前記チップ搭載部の前記第１面に搭載する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードのそれぞれの前記第３面および前記第４面が露出するように、前記複数のリード、前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を樹脂で封止することで、前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を封止する本体樹脂部と、前記複数のリードのうちの互いに隣り合うリード間に形成され、かつ前記複数のリードのそれぞれの側面を覆うダム内樹脂部と、前記複数のリードのそれぞれの前記溝部内を覆う溝内樹脂部と、を形成する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記リードフレームのうちの前記本体樹脂部から露出する部分に金属膜を形成する工程；
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記枠部から前記複数のリードのそれぞれを切り離し、かつ、前記複数のリードのそれぞれの切断された先端部を前記第３面側に向かって折り曲げる工程。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記（ｆ）工程では、前記複数のリードのそれぞれの前記第３および第４面のそれぞれに金型を接触させ、かつ前記溝部の底面には前記金型を接触させない状態で、前記溝部の前記第４面側から前記第３面側に向かって、切断刃を前記複数のリードのそれぞれに挿入し、前記複数のリードのそれぞれの前記切断された先端部を前記第３面側に向かって折り曲げる、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記（ｅ）工程では、めっき法により半田材からなる前記金属膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記本体樹脂部に封止されるインナ部と、前記本体樹脂部から露出するアウタ部と、を有しており、
前記枠部の厚さは、前記リードの前記インナ部の厚さと同じである、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記本体樹脂部に封止されるインナ部と、前記本体樹脂部から露出するアウタ部と、を有しており、
前記アウタ部には、前記溝部、および前記溝部と前記インナ部の間に設けられ、前記インナ部と同じ厚さに形成された、平坦部を有している、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、例えば外部端子となるリードが封止体の下面において露出する半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００５−１９１２４０号公報（特許文献１）には、封止体の下面において複数のリードが露出する半導体装置が記載されている。また、特許文献１には、リードの実装面に凹部を形成することが記載されている。
【０００３】
また、特開２００８−１１２９６１号公報（特許文献２）や、米国特許第８０１７４４７号明細書（特許文献３）には、リードの実装面に凹部を形成する半導体装置の製造方法が記載されている。
【０００４】
また、国際公開第２０１１/００４７４６号（特許文献４）には、封止体の下面において露出する複数のリードのそれぞれが、平面視において外側に向かって突出している半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１９１２４０号公報
【特許文献２】特開２００８−１１２９６１号公報（図６Ａ〜図６Ｅ）
【特許文献３】米国特許第８０１７４４７号明細書（Ｆｉｇ３Ａ〜Ｆｉｇ３Ｄ）
【特許文献４】国際公開第２０１１/００４７４６号（図２９、図３０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体装置のパッケージ態様として、外部端子であるリードを封止体の下面側（すなわち、実装面側）において露出させたパッケージがある。このようなパッケージとして、例えば、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）型やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）型などがある。上記のように、封止体の下面側でリードが露出するパッケージを実装基板に実装する場合、リードの露出面に、例えば半田などの接合材を接合することにより実装する。
【０００７】
しかし、半田（接合材）をリードの下面のみに接合する場合には、ＱＦＰ（Quad Flat  Package）型の半導体装置と比較して、実装強度が低い。そこで、本願発明者は、封止体の下面側でリードを露出させた半導体装置の実装強度を向上させる技術について検討を行った。また、半導体装置の実装強度を向上させた半導体装置を効率的に製造する製造技術について検討を行った。
【０００８】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
一実施の形態による半導体装置の製造方法では、実装面および上記実装面とは反対側の反対面を有し、チップ搭載部の隣に配置された複数のリードが枠部に繋がっているリードフレームを準備する。ここで、上記複数のリードのそれぞれの上記反対面には、上記複数のリードと上記枠部のそれぞれの境界を跨ぐように、溝部が形成されている。また、上記チップ搭載部上に半導体チップを搭載し、上記複数のリードと接続した後、上記複数のリードのそれぞれの上記反対面の一部が露出するように上記半導体チップおよび上記複数のリードを封止する本体樹脂部を形成する。この時、上記複数のリードのうちの隣り合うリードと枠部の間には、ダム内樹脂部が形成され、上記溝部の内部には、溝内樹脂部が形成される。また、上記ダム内樹脂部および上記溝内樹脂部に、上記反対面側からレーザを照射して上記ダム内樹脂部および上記溝内樹脂部を除去した後、上記本体樹脂部から露出する部分に金属膜を形成する。
【発明の効果】
【００１０】
上記一実施の形態によれば、実装強度を向上させた半導体装置を効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の実装面側を示す下面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。
【図５】図１に示すリード周辺の一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図８】図５のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図９】図５に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１０】図９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１１】図９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図１２】図９のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図１３】図１〜図６に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図１４】図１３に示す基材準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。
【図１５】図１４に示す複数のデバイス形成部のうちの一つの拡大平面図である。
【図１６】図１５に示す複数のリードのうちの一部を拡大して示す拡大平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図１８】図１６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図１９】図１６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図２０】図１５に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図２１】図２０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２２】図２０に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図２３】図２２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２４】図２２に示すリードフレームのデバイス形成部に、封止体を形成した状態を示す平面図である。
【図２５】図２４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２６】図１３に示す封止工程において、成形金型内にリードフレームを配置した状態を示す断面図である。
【図２７】図２４に示す複数のリードの一部の周辺を拡大して示す拡大平面図である。
【図２８】図２７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２９】図２７に示すダム内樹脂部および溝内樹脂部を取り除いた状態を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、レーザ照射により樹脂を除去中の状態を模式的に示す拡大断面図である。
【図３１】図２９に示すＢ−Ｂ線に沿った断面において、レーザ照射により樹脂を除去中の状態を模式的に示す拡大断面図である。
【図３２】図３０に示すリードフレームの樹脂からの露出面に金属膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図３３】電解めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【図３４】図１３に示す個片化工程において、デバイス形成部毎に個片化した状態を示す拡大平面図である。
【図３５】図１３に示す個片化工程において、リードと枠部の境界を切断した状態を示す拡大断面図である。
【図３６】図３５に示す上部ダイの形状を示す斜視図である。
【図３７】図３５に対する変形例である実施の形態の個片化工程において、リードと枠部の境界を切断した状態を示す拡大断面図である。
【図３８】図３７に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図３９】図３８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図４０】図３８のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図４１】図３８のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図４２】図４１に対する変形例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１３】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１４】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１５】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１６】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１７】
（実施の形態１）
以下の実施の形態で説明する技術はリードを封止体の下面側で露出させる種々のパッケージタイプの半導体装置に適用可能である。本実施の形態では、一例として、外部端子である複数のリードが、封止体の下面（実装面）において封止体から露出する、ＱＦＮ型の半導体装置に適用した実施態様を取り上げて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は、図１に示す半導体装置の実装面側を示す下面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。また、図４は、図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す透視平面図である。
【００１８】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置１の構成の概要について、図１〜図４を用いて説明する。本実施の形態の半導体装置１は、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２（図２〜図４参照）と、ダイパッド２上に接着材７（図３、図４参照）を介して搭載された半導体チップ３（図３、図４参照）と、を備えている。また、半導体装置１は、半導体チップ３（ダイパッド２）の周囲に配置された複数のリード（端子、外部端子）４と、半導体チップ３の複数のパッド（電極パッド、ボンディングパッド）ＰＤ（図４参照）と複数のリード４とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）５（図４参照）と、を有している。また、ダイパッド２には、複数の吊りリードＴＬが接続されている。また、半導体装置１は半導体チップ３、複数のワイヤ５、および複数のリード４の一部を封止する封止体（樹脂体）６を備えている。
【００１９】
＜外観構造＞
まず、半導体装置１の外観構造について説明する。図１に示す封止体（樹脂体）６の平面形状は四角形からなる。封止体６は上面６ａと、この上面６ａとは反対側の下面（裏面、実装面）６ｂ（図２参照）と、この上面６ａと下面６ｂとの間に位置する側面６ｃとを有している。側面６ｃは、図３に示すように、上面６ａおよび下面６ｂに対して直交しない、傾斜面となっている。
【００２０】
ここで、封止体６の角部６ｐとは、封止体６の四辺（四つの主辺）のうち、交差する任意の二辺（二つの主辺）の交点である角の周辺領域を含んでいる。なお、厳密には、図１および図２に示すように、封止体６の角部６ｐは、一部が面取り加工されているので、主辺の交点は封止体６の角部６ｐよりも外側に配置される。しかし、面取り加工部は、主辺の長さと比較して十分に小さいため、本願では、面取り加工部の中心を封止体６の角と見做して説明する。詳細には、角部６ｐは、図１および図２において、ドットパターンを付して示す領域であって、その境界は以下のように定義する。すなわち、半導体装置１は、封止体６の四辺に沿って、それぞれ複数のリード４が配列されている。この各辺に沿って配置される複数のリード４うち、封止体６の角（面取り加工部の中心）の隣に配置されるリード４までの領域を角部と定義する。本願において、封止体６の角部６ｐ、あるいはキャビティの角部と説明するときは、特に異なる意味、内容で用いている旨を明記した場合を除き、上記と同様の意味、内容として用いる。
【００２１】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１では、平面形状が四角形からなる封止体６の各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリード４が配置されている。複数のリード４は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属部材からなる。図１および図２に示す例では、例えば、幅０．２ｍｍの複数のリード４が、０．５ｍｍの配置ピッチ（中心線間距離）で各辺に沿って配置されている。また、リード４の厚さは、例えば、０．２ｍｍである。
【００２２】
複数のリード４の下面（図３に示すインナ部４ｉの下面、およびアウタ部４ｏの下面）は封止体６の下面６ｂにおいて、封止体６から露出している。また、複数のリード４の一部（アウタ部４ｏ）は、封止体６の側面６ｃからも露出している。詳細には、封止体６の各辺に沿って形成された複数のリード４のそれぞれの一部（アウタ部４ｏ）は、図３に示すように、封止体６の側面６ｃ（辺）から外側に向かって突出している。図３に示す例では、封止体６の側面６ｃから、例えば、０．３ｍｍ程度外側に向かって突出している。
【００２３】
詳細は後述するが、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際には、リード４と実装基板側の端子とを、半田などの接続材を介して電気的に接続する。したがって、複数のリード４を、封止体６の下面６ｂに加えて側面６ｃからも露出させることで、接続材とリード４との接合面積が増加するので、接合強度を向上させることができる。
【００２４】
また、図１〜図３に示すように、複数のリード４の露出部の表面（およびアウタ部４ｏの下面、上面および側面）には、実装時にリード４と半田材（接合材）との接続性（濡れ性）を向上させるため、例えば半田からなる金属膜ＳＤが形成されている。これにより、実装時の接続材として半田材を用いた時に、半田材の濡れ性をさらに向上させることができる。
【００２５】
本実施の形態の金属膜ＳＤ（半田材）は、例えば、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。ここで、鉛フリー半田とは、鉛（Ｐｂ）の含有量が０．１ｗｔ％以下のものを意味し、この含有量は、ＲｏＨＳ（Restriction of Hazardous Substances）指令の基準として定められている。以下、本実施の形態において、半田材、あるいは半田成分について説明する場合には、特にそうでない旨明示した場合を除き、鉛フリー半田を指す。
【００２６】
また、図２に示すように、ダイパッド２の下面２ｂは、封止体６の下面６ｂにおいて、封止体６から露出している。つまり、半導体装置１は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。また、ダイパッド２は、封止体６よりも熱伝導率が高い金属材料からなり、図２に示す例では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属部材からなる。このように、ダイパッド露出型の半導体装置は、熱伝導率が封止体６よりも高い、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属部材（ダイパッド２）を露出させることで、ダイパッド２が露出しない半導体装置と比較して、パッケージの放熱性を向上させることができる。また、図２および図３に示す例では、ダイパッド２の下面２ｂには、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、上記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは上記したように例えばめっき法により形成されためっき膜（半田膜）である。
【００２７】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１は、封止体６の角部６ｐの外側において、吊りリードＴＬの一部が封止体６から露出している。詳しくは、図４に示すように、吊りリードＴＬの一方の端部は、ダイパッド２に接続され（一体に形成され）、他方の端部（露出部１１）は、封止体６から露出している。吊りリードＴＬは、ダイパッド２と一体に形成されるので、露出部（フィン、コーナリード）１１も含め、ダイパッド２と同じ金属材料からなる。このように吊りリードＴＬの一部を封止体６から露出させることにより、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、露出部１１を、実装基板側の端子と接合することができる。これにより、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。また、図１〜図３に示す例では、露出部１１の露出面に、例えば半田からなる金属膜ＳＤが形成されている。これにより、半導体装置１の実装強度を、さらに向上させることができる。ただし、変形例としては、図２に示すような吊りリードＴＬの露出部を設けない構造とすることができる。
【００２８】
＜内部構造＞
次に半導体装置１の内部構造について説明する。図４に示すように、ダイパッド２の上面（チップ搭載面）２ａは、平面形状が四角形（四辺形）からなる。本実施の形態では、例えば正方形である。また、図４に示す例では、半導体チップ３の外形サイズ（裏面３ｂの平面サイズ）よりも、ダイパッド２の外形サイズ（平面サイズ）の方が大きい。このように半導体チップ３を、その外形サイズよりも大きい面積を有するダイパッド２に搭載し、ダイパッド２の下面２ｂを封止体６から露出させることで、放熱性を向上させることができる。
【００２９】
また、図４に示すようにダイパッド２上には、半導体チップ３が搭載されている。半導体チップ３はダイパッド２の中央に搭載されている。図５に示すように半導体チップ３は、裏面３ｂがダイパッド２の上面２ａと対向した状態で、接着材７を介してダイパッド２上に搭載されている。つまり、複数のパッドＰＤが形成された表面（主面）３ａの反対面（裏面３ｂ）をチップ搭載面（上面２ａ）と対向させる、所謂、フェイスアップ実装方式により搭載されている。この接着材７は、半導体チップ３をダイボンディングする際の接着材であって、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などを使用することができる。
【００３０】
また、図４に示すように、ダイパッド２上に搭載される半導体チップ３の平面形状は四角形からなる。本実施の形態では、例えば、正方形である。また、図３に示すように、半導体チップ３は、表面（主面、上面）３ａと、表面３ａとは反対側の裏面（主面、下面）３ｂと、この表面３ａと裏面３ｂとの間に位置する側面３ｃとを有している。そして、図３および図４に示すように、半導体チップ３の表面３ａには、複数のパッド（ボンディングパッド）ＰＤが形成されており、本実施の形態では、複数のパッドＰＤが表面３ａの各辺に沿って形成されている。また、図示は省略するが、半導体チップ３の主面（詳しくは、半導体チップ３の基材（半導体基板）の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されている。また、複数のパッドＰＤは、半導体チップ３の内部（詳しくは、表面３ａと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。
【００３１】
半導体チップ３（詳しくは、半導体チップ３の基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる。また、表面３ａには、半導体チップ３の基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤのそれぞれの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）、あるいはアルミニウム（Ａｌ）を主体とする合金層からなる。
【００３２】
また、図４に示すように、半導体チップ３の周囲（詳しくは、ダイパッド２の周囲）には、例えば、ダイパッド２と同じ銅（Ｃｕ）からなる複数のリード４が配置されている。そして、半導体チップ３の表面３ａに形成された複数の電極パッド（ボンディングパッド）ＰＤは、封止体６の内部に位置する複数のリード４（インナ部４ｉ）と、複数のワイヤ（導電性部材）５を介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）から成り、ワイヤ５の一部（例えば一方の端部）が電極パッドＰＤに接合され、他部（例えば他方の端部）がインナ部４ｉのボンディング領域に接合されている。なお、図示は省略するが、インナ部４ｉのボンディング領域の表面（詳しくはニッケル（Ｎｉ）からなるめっき膜の表面）には、めっき膜が形成されている。めっき膜は例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）からなる。インナ部４ｉのボンディング領域の表面に、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）からなるめっき膜を形成することにより、金（Ａｕ）からなるワイヤ５との接合強度を向上させることができる。
【００３３】
また、図４に示すように、ダイパッド２には、複数の吊りリードＴＬが接続（連結）されている。複数の吊りリードＴＬは、それぞれ一方の端部がダイパッド２の角部（角）に接続されている。また複数の吊りリードＴＬはそれぞれ他方の端部が封止体６の角部６ｐ（図１参照）に向かって延び、角部６ｐの外側で封止体６から露出している。
【００３４】
吊りリードＴＬを封止体６の角部６ｐ（図１参照）に向かって、延ばすことにより、封止体６の各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリード４の配列を阻害することなく配置できるので、リード４の数、すなわち、半導体装置１の端子数を増加させることができる。
【００３５】
また、図４に示すように、吊りリードＴＬのうち、ダイパッド２と露出部１１を接続する部分（封止部）には、下面側からハーフエッチング加工が施され、下面側も封止体６により封止されている。これにより、吊りリードＴＬと封止体６をしっかりと固定することができるので、吊りリードＴＬが封止体６から抜け落ちることを防止することができる。
【００３６】
＜リードの詳細構造＞
次に、図１〜図４に示すリード４の詳細な構造について説明する。図５は、図１に示すリード周辺の一部を拡大して示す拡大平面図である。また、図６は図５のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図７は図５のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図、図８は図５のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。なお、図５は、図１に示す複数のリード４のうち、Ｘ方向に沿って配列された３つのリード４を拡大して示している。したがって、以下、リード４の構造の説明においては、リード４が延びるＹ方向はリード４の長さ方向、Ｙ方向に対して直交するＸ方向は、リード４の幅方向、ＸＹ平面に対して直交するＺ方向はリード４の厚さ方向として説明する。
【００３７】
図５〜図８に示すように、リード４は、ダイパッド２（図３参照）の上面２ａ（図３参照）と同じ、Ｚ方向（図３および図６参照）を向く、上面４ａ、および上面４ａとは反対側の下面４ｂ（図６〜図８参照）とを有している。また、リード４は、上面４ａと下面４ｂの間に位置し、かつ、封止体６の側面６ｃ（図５参照）の外側に向かって延びる側面４ｃ１および側面４ｃ２（図５、図７、図８参照）を有している。また、リード４は、封止体６の側面６ｃから最も遠い位置に配置されている、先端面（端部）４ｏｔ（図５、図６参照）を有している。先端面４ｏｔは、ダイパッド２（図３参照）と対向する内側面（端部）４ｉｔ（図６参照）の反対側に配置されている。
【００３８】
また、所謂、トランスファモールド方式により封止体６を形成した場合、封止体６の形成直後には、隣り合うリード４（図５参照）の間に、ダム内樹脂部６ｄが残っている。しかし、図５に示すように、本実施の形態では隣り合うリード４の間のダム内樹脂部６ｄの大部分が取り除かれている。なお、図５に示すようにダム内樹脂部６ｄの一部が残留している理由については後述する。このため、リード４の側面４ｃ１および側面４ｃ２は封止体６を構成する樹脂から露出している。そして、図７および図８に示すように、リード４の上面４ａ、下面４ｂおよび側面４ｃ１、４ｃ２を囲むように金属膜ＳＤが形成されている。このように、リード４のアウタ部４ｏの下面４ｂに加え、側面４ｃ１、４ｃ２を樹脂から露出させることにより、側面４ｃ１、４ｃ２を実装時の接合面として利用することができる。このため、側面４ｃ１、４ｃ２が樹脂に覆われた半導体装置と比較して、実装強度を向上させることができる。
【００３９】
また、図６に示すように、リード４の先端面４ｏｔの一部は、金属膜ＳＤから露出している。詳細は後述するが、半導体装置１の製造工程において、金属膜ＳＤを形成した後で、リード４を切断して先端面４ｏｔを形成した場合には、先端面４ｏｔは金属膜ＳＤから露出する。また、半導体装置１の製造工程において、リード４の下面４ｂ側から上面４ａ側に向かって、図示しない切断加工治具を押し付けて切断した場合には、図６に示すように、先端面４ｏｔには、金属膜ＳＤの一部が切断加工金型に引き摺られることにより形成された部分ＳＤｔが形成される。そして、先端面４ｏｔの下面４ｂ側の一部は、下面４ｂとの交線から上面４ａ２に向かって延びる部分ＳＤｔに覆われている。
【００４０】
また、図７および図８に示すように、リード４は、リード４の延在方向に対して直交するＸ方向の断面視において、正台形の形状を成す。言い換えれば、リード４は、下面４ｂの幅（すなわちＸ方向の長さ）が上面４ａの幅よりも大きい。更に言い換えれば、平面視において、リード４の下面４ｂの面積は、上面４ａの面積よりも大きい。このように、リード４の断面形状を正台形にすることで、隣り合うリード４間の距離を低減しつつ、かつ、各リード４の実装面の面積を増加させることができる。また、詳細は後述するが、隣り合うリード４間に埋め込まれた樹脂（ダム内樹脂）を取り除く際にレーザを照射して除去する場合、リード４の側面４ｃ１、４ｃ２を傾斜面とすることで、側面４ｃ１、４ｃ２に対してレーザ光を照射し易くなる。
【００４１】
また、リード４が有するアウタ部４ｏは、先端面４ｏｔ側に段差部４Ｄを有している。図６に示す例では、リード４が有するアウタ部４ｏは、インナ部４ｉの上面４ａと同じ高さに位置する上面４ａ１を有する平坦部（部分）４Ｆと、インナ部４ｉの上面４ａよりも低く（下面４ｂ側に）位置する段差部（部分）４Ｄと、を有している。図７と図８を比較して判るように、段差部４Ｄは、段差部４Ｄ以外の部分よりも厚さが小さくなっている。図８に示す例では、例えば段差部４Ｄの厚さＴ１は、図７に示す部分の厚さＴ２の半分程度であって、例えば０．１ｍｍ程度である。つまり、段差部４Ｄの上面４ａ２は、段差部４Ｄ以外の平坦部４Ｆの上面４ａ１と下面４ｂの間の高さに位置している。
【００４２】
一方、図６に示すように、リード４の下面４ｂは、インナ部４ｉ、アウタ部４ｏの平坦部４Ｆおよび段差部４Ｄの下面４ｂは、それぞれ同じ高さに位置している。言い換えれば、リード４の下面４ｂ側には段差は設けられておらず、平坦面になっている。なお、下面４ｂが平坦面であるとは、上面４ａ側と比較して平坦度が高いことを意味し、例えば、下面４ｂに微細な凹凸が形成されているものを排除するものではない。
【００４３】
本実施の形態の半導体装置１は、リード４のアウタ部４ｏに段差部４Ｄを設けることにより、半導体装置１の実装強度を向上させることができる。以下、その理由について説明する。図９は図５に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大平面図である。また、図１０は図９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図１１は図９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図、図１２は図９のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。図９〜図１２では、図５および図６に示す半導体装置１を、実装基板２０に搭載する時に、リード４と実装基板２０の端子２１とを、半田材ＳＤｂを介して電気的に接続した状態を示している。
【００４４】
図９に示す実装基板（マザーボード、配線基板）２０は、電子部品搭載面である上面（搭載面）２０ａを有し、半導体装置１は、上面２０ａ上に搭載されている。上面２０ａには、実装基板側の端子である複数の端子２１が配置されている。
【００４５】
また、図１０に示すように、半導体装置１のリード４と実装基板２０の端子２１とは、半田材ＳＤｂを介して電気的に接続されている。半田材ＳＤｂは、鉛フリー半田からなる導電性接合材であって、一部が端子２１に接合され、他部がリード４の下面４ｂに接合されている。半田材ＳＤｂを介してリード４と端子２１を電気的に接続し、かつ、固定するためには、半田材ＳＤｂを加熱溶融させることにより、被接合部であるリード４および端子２１と接合させる、リフロー処理を施す。このリフロー処理において、図６〜図８を用いて説明したように、リード４の露出面に金属膜ＳＤが形成されている場合、半田材ＳＤｂの濡れ性を向上させることができる。また、金属膜ＳＤとして半田材を用いた場合には、図１０に示すように、金属膜ＳＤに含まれる半田成分は、半田材ＳＤｂと一体化する。
【００４６】
また、リフロー処理を行うと、溶融した半田材ＳＤｂが半田材自身の表面張力や重力の影響を受けて図１０〜図１２に示すように変形する。まず、アウタ部４ｏの平坦部４Ｆでは、図１１に示すように、半田材ＳＤｂがリード４の側面４ｃ１、４ｃ２に沿って這い上がり、半田フィレットが形成される。しかし、平坦部４Ｆの厚さＴ２は、例えば０．２ｍｍ程度と厚いため、半田材ＳＤｂは平坦部４Ｆの上面４ａ１までは到達せず、側面４ｃ１、４ｃ２の一部が半田材ＳＤｂから露出した状態になる。また、平坦部４Ｆの上面４ａ１に形成された金属膜ＳＤは、半田材ＳＤｂとは分離された状態で、平坦部４Ｆの上面４ａ１に残留する。
【００４７】
また、アウタ部４ｏの段差部４Ｄでは、図１２に示すように、半田材ＳＤｂがリード４の側面４ｃ１、４ｃ２に沿って這い上がり、半田フィレットが形成される。また、段差部４Ｄの厚さＴ１は、平坦部４Ｆ（図１１参照）の厚さＴ２（図１１参照）よりも小さいので、半田材ＳＤｂは段差部４Ｄの上面４ａ２まで到達させることができる。この結果、段差部４Ｄでは、下面４ｂ、上面４ａ２、側面４ｃ１および側面４ｃ２を連続的に囲むように一体化された半田材ＳＤｂが形成される。このため、段差部４Ｄでは、リード４と半田材ＳＤｂの接合面の剥離が生じ難くなるので、リード４の実装強度を向上させることができる。
【００４８】
ところで、実装基板２０に実装する際に端子２１上に配置する半田材の量を増やせば、半田材ＳＤｂを平坦部４Ｆの上面４ａ１まで到達させることができる。ただし、この場合、半田材の使用量が増加することにより、図９に示す隣り合うリード４同士、あるいは端子２１同士が、半田材ＳＤｂを介して電気的に接続されてしまう可能性がある。一方、本実施の形態によれば、段差部４Ｄのように、リード４のインナ部４ｉや平坦部４Ｆよりも厚さが小さい部分を設けることにより、リード４の一部において、半田材ＳＤｂが上面４ａ２まで到達するようにしている。このため、半田材ＳＤｂの使用量増加を抑制しつつ、かつ、実装強度を向上させる点で好ましい。
【００４９】
また、本実施の形態とは別の実施態様として、リード４全体の厚さを小さく（例えば０．１ｍｍ程度に）する方法も考えられる。ただし、この場合、リード４の厚さを薄くすることにより、個々のリード４の強度が低下する懸念がある。一方、本実施の形態によれば、リード４の一部、詳しくは、図６に示すように、平面視において封止体６の側面６ｃよりも外側に突出するアウタ部４ｏの一部分である段差部４Ｄの厚さを小さくしている。したがって、インナ部４ｉや平坦部４Ｆの厚さは、例えば図３に示すダイパッド２の厚さと同じである。このため、各リード４の強度低下を抑制し、かつ、リード４の実装強度を向上させることができる。
【００５０】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図６に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。本実施の形態における半導体装置１は、図１３に示す組立てフローに沿って製造される。図１３は、図１〜図６に示す半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【００５１】
１．基材準備工程；
まず、図１３に示す基材準備工程として、図１４に示すようなリードフレーム（基材）ＬＦを準備する。図１４は、図１３に示す基材準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図１５は、図１４に示す複数のデバイス形成部のうちの一つの拡大平面図である。また、図１６は、図１５に示す複数のリードのうちの一部を拡大して示す拡大平面図である。また、図１７は、図１６のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図１８は、図１６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図、図１９は図１６のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【００５２】
本工程で準備するリードフレームＬＦは、外枠ＬＦｆの内側に複数のデバイス形成部（製品形成部）ＬＦｄを備えている。図１４に示す例では、リードフレームＬＦは、行方向に１４個、列方向に５個のデバイス形成部ＬＦｄが、マトリクス状に配置され、合計７０個のデバイス形成部ＬＦｄを備えている。リードフレームＬＦは、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）、または銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に例えばニッケル（Ｎｉ）からなる金属膜（図示は省略）が形成された積層金属膜からなる。
【００５３】
また、各デバイス形成部ＬＦｄの周囲には、各デバイス形成部ＬＦｄの周囲をそれぞれ囲むように枠部ＬＦｓが配置されている。この枠部ＬＦｓは、後述する個片化工程（図１３参照）において、切断される領域である。また、図１５に示すように枠部ＬＦｓは、複数のリード４の周囲を囲むように形成されている。
【００５４】
また、図１５に示すように、各デバイス形成部ＬＦｄの中央部には、平面視において四角形を成すダイパッド２が形成されている。ダイパッド２の４つの角部には、それぞれ吊りリードＴＬの一方の端部が接続され、デバイス形成部ＬＦｄの角部に向かって延びるように配置されている。また、吊りリードＴＬの他方の端部は、枠部ＬＦｓに接続されている。ダイパッド２は吊りリードＴＬを介して枠部ＬＦｓに繋がっており、枠部ＬＦｓに支持されている。
【００５５】
また、ダイパッド２の周囲には、複数の吊りリードＴＬの間に、それぞれ複数のリード４が形成されている。また、複数のリード４は、ダイパッド２に対して、複数のリード４よりも外側に配置される枠部ＬＦｓにそれぞれ接続されている。枠部ＬＦｓは複数のリード４、吊りリードＴＬ、およびダイパッド２と一体に形成されている。
【００５６】
また、図１６に示すように、隣り合うリード４の間には、一方のリード４の側面４ｃ１と他方のリード４の側面４ｃ２と、枠部ＬＦｓと、に囲まれた隙間部であるダム部ＤＭが形成されている。ダム部ＤＭは、複数のリード４のそれぞれの間に形成されている。
【００５７】
また、図１６および図１７に示すように、複数のリード４（図１６参照）のそれぞれには、上面４ａ側に溝部（溝、段差部、窪み部、凹部）４Ｔが形成されている。この溝部４Ｔは、図５に示す段差部４Ｄになる部分である。本実施の形態では、図１６および図１７に示すように、溝部４Ｔは、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬを跨ぐように形成されている。これにより、図６に示すように、段差部４Ｄを、リード４の先端面４ｏｔと交差する位置に形成することができる。
【００５８】
なお、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬは、図１３に示す個片化工程において、枠部ＬＦｓから複数のリード４のそれぞれが切り離される予定領域の仮想線であって、明確な境界線が存在する必要はない。また、個片化工程において、切断治具の位置合わせ精度に応じて、多少のズレが生じる場合もある。したがって、切断治具の位置が多少ずれた場合でも、リード４の先端に段差部４Ｄを確実に設けることができるように、溝部４Ｔは、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬを含む連結部に、例えば０．２〜０．３ｍｍ程度の溝幅で形成されている。
【００５９】
また、図１７に示すように、溝部４Ｔの底面に相当する上面４ａ２は、インナ部４ｉや平坦部４Ｆの上面４ａ１よりも低い所（下面４ｂ側）に位置している。これにより、図１２に示すように、実装時に、段差部４Ｄにおいて、下面４ｂ、上面４ａ２、側面４ｃ１および側面４ｃ２を連続的に囲むように一体化された半田材ＳＤｂを形成することができる。
【００６０】
一方、枠部ＬＦｓは、製造工程中において、リード４やダイパッド２（図１５参照）などの金属部材を支持する、支持部材としての機能を有しているので、支持強度を確保する観点から、溝部４Ｔよりも板厚を大きくすることが好ましい。したがって、図１７に示す例では、枠部ＬＦｓの上面ＬＦａの高さは、リード４のインナ部４ｉの上面４ａ１と同じ高さに位置している。言い換えれば、枠部ＬＦｓの厚さは、リード４のインナ部４ｉと同じ厚さである。また、枠部ＬＦｓの下面ＬＦｂの高さは、リード４の下面４ｂと同じ高さになっている。
【００６１】
溝部４Ｔは、例えば、エッチング処理、すなわち、化学反応を利用した除去処理により形成することができる。この場合、リードフレームＬＦの溝部４Ｔ以外の部分を図示しないマスクで覆った状態で、溝部４Ｔの金属板が、板厚の半分程度除去されるまでエッチング処理を行う、所謂ハーフエッチング処理により、形成することができる。
【００６２】
また、図１８および図１９に示すように、リード４は、リード４の延在方向（例えば図１７に示すＹ方向）に対して直交するＸ方向の断面視において、正台形の形状を成す。言い換えれば、リード４は、下面４ｂの幅（すなわちＸ方向の長さ）が上面４ａの幅よりも大きい。更に言い換えれば、平面視において、リード４の下面４ｂの面積は、上面４ａの面積よりも大きい。図１８や図１９に示すリード４の側面４ｃ１、４ｃ２は、例えば図示しない金型を用いてプレス加工を施すことにより、下面４ｂおよび上面４ａに対して傾斜させることができる。
【００６３】
２．半導体チップ搭載工程；
次に、図１３に示す半導体チップ搭載工程として、図２０および図２１に示すように半導体チップ３を、ダイパッド２上に接着材７を介して搭載する。図２０は、図１５に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図２１は、図２０のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００６４】
図２１に示す例では、半導体チップ３の裏面３ｂ（複数のパッドＰＤが形成された表面３ａの反対側の面）をダイパッド２の上面２ａと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。また、図２０に示すように、半導体チップ３はダイパッド２の中央部に、表面３ａの各辺が、ダイパッド２の各辺に沿って配置されるように搭載する。
【００６５】
本工程では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材７を介して半導体チップ３を搭載するが、接着材７は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材を接着材７として用いる場合には、まず、ダイパッド２上に、接着材７を塗布し、その後、半導体チップ３の裏面３ｂをダイパッド２の上面２ａに接着する。そして、接着後に、接着材７を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図２１に示すように、半導体チップ３は接着材７を介してダイパッド２上に接着固定される。
【００６６】
また、本工程では、複数のデバイス形成部ＬＦｄにそれぞれ設けられたダイパッド２上に接着材７および半導体チップ３をそれぞれ配置する。そして各デバイス形成部ＬＦｄにそれぞれ半導体チップ３を搭載する。
【００６７】
なお、本実施の形態では、接着材７に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ３の裏面３ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ３をダイパッド２上に搭載しても良い。
【００６８】
３．ワイヤボンディング工程；
次に、図１３に示すワイヤボンディング工程として、図２２および図２３に示すように、半導体チップ３の複数のパッドＰＤと複数のリード４とを、複数のワイヤ（導電性部材）５を介して、それぞれ電気的に接続する。図２２は、図２０に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図２３は、図２２のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００６９】
本工程では、例えば、各デバイス形成部ＬＦｄのダイパッド２上に半導体チップ３が搭載されたリードフレームＬＦを、ヒートステージ（リードフレーム加熱台）ＨＳ上に配置する。そして、半導体チップ３のパッドＰＤとリード４とを、ワイヤ５を介して電気的に接続する。本実施の形態では、例えば図示しないキャピラリを介してワイヤ５を供給し、超音波と熱圧着を併用してワイヤ５を接合する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ５を接続する。
【００７０】
リード４の一部（インナ部４ｉの先端に配置されたボンディング領域）には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）からなるめっき膜が形成されており、ワイヤ５の一部は、このめっき膜を介してリード４と電気的に接続されている。また、ワイヤ５は金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）からなる。
【００７１】
また、本実施の形態では、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤの一部（端部）を接続した後、ワイヤ５の他部をリード４におけるボンディング領域（リード４の上面４ａの一部）に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤを接続している。また、ボンディング領域の反対側に位置する下面４ｂは、ヒートステージＨＳの搭載面ＨＳａと接触している。つまり、リード４のうち、板厚の厚い部分にワイヤ５を接合することになるので、ワイヤ５をリード４に接合する際に十分な荷重を付与することができるので、接合強度を向上させることができる。
【００７２】
また、本工程では、複数のデバイス形成部ＬＦｄにそれぞれ設けられた複数のリード４にワイヤ５を接合する。これにより各デバイス形成部ＬＦｄにおいて、半導体チップ３と複数のリード４が複数のワイヤ５を介して電気的に接続される。
【００７３】
４．封止工程；
次に、図１３に示す封止工程として、図２４および図２５に示すように、封止体６を形成し、半導体チップ３（図２５参照）、複数のワイヤ５（図２５参照）、および複数のリード４のそれぞれ一部を封止する。図２４は、図２２に示すリードフレームのデバイス形成部に、封止体を形成した状態を示す平面図、図２５は図２４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図２６は、図１３に示す封止工程において、成形金型内にリードフレームを配置した状態を示す断面図である。また、図２７は、図２４に示す複数のリードの一部の周辺を拡大して示す拡大平面図である。また、図２８は、図２７のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【００７４】
本工程では、図２５に示すように、各デバイス形成部ＬＦｄに設けられた複数のリード４の下面４ｂがそれぞれ露出するように、封止体６を形成する。また、本実施の形態では、各デバイス形成部ＬＦｄに設けられたダイパッド２の下面２ｂがそれぞれ露出するように、封止体６を形成する。本工程では、例えば、図２６に示す成形金型５０でリードフレームＬＦを挟んだ状態で、成形金型５０内に軟化した樹脂を圧入した後、硬化させる、所謂トランスファモールド方式により封止体６を形成する。
【００７５】
成形金型５０は、リードフレームＬＦの上側に配置する上型（金型）５１と、リードフレームＬＦの下側に配置する下型（金型）５２とを備える。上型５１は、リードフレームＬＦを押さえるクランプ面（金型面、押し付け面、面）５１ａと、クランプ面５１ａの内側に形成されたキャビティ（窪み部）５１ｂを備える。また、下型５２は、クランプ面５１ａと対向するように配置されてリードフレームＬＦを押さえるクランプ面（金型面、押し付け面、面）５２ａを備える。なお、本実施の形態では、ＱＦＮ型のパッケージを製造するので、下型５２のクランプ面５２ａの内側にはキャビティは形成されていない。
【００７６】
封止工程では、キャビティ５１ｂに封止用の樹脂を圧入し、半導体チップ３、複数のワイヤ５、および複数のリード４のそれぞれ一部を封止する。そして、キャビティ５１ｂに供給した樹脂を熱硬化させることで、図２４に示す封止体６を形成する。
【００７７】
また、図２６に示す例では、リードフレームＬＦと下型５２の間には、樹脂フィルム（フィルム材）５３が配置される。リードフレームＬＦの下面側（裏面側、実装面側）には、樹脂フィルム５３を介して下型５２のクランプ面５２ａからの押圧力が付与される。このため、図２６に示すように、リード４の下面４ｂおよびダイパッド２の下面２ｂは、樹脂フィルム５３に密着し易い。そして樹脂フィルム５３を密着させることにより、リード４の下面４ｂおよびダイパッド２の下面２ｂに封止用の樹脂が回り込むことを抑制できる。つまり、リード４の下面４ｂおよびダイパッド２の下面２ｂを露出させることができる。
【００７８】
また、本実施の形態の成形金型５０は、複数のキャビティ５１ｂを備え、複数のキャビティ５１ｂのそれぞれが、複数のデバイス形成部ＬＦｄに対応するように配置した状態で封止体６を形成する、所謂、個片封止方式を適用している。言い換えれば、本実施の形態の封止工程では、複数のデバイス形成部ＬＦｄのそれぞれの周囲に、図２６に示す成形金型５０の上型５１のクランプ面５１ａが押し付けられる。
【００７９】
この場合、キャビティ５１ｂ内に形成される本体樹脂部６ｍｂの他、図２４に示すように、隣り合うリード４と枠部ＬＦｓに囲まれた隙間であるダム部ＤＭ（図２７参照）内に埋め込まれたダム内樹脂部６ｄが形成される。また、樹脂の供給口であるゲート部には、ゲート内樹脂部６ｇが形成される。また、ゲート部の対角に配置され、キャビティ５１ｂ（図２６参照）内の気体や余分な樹脂を外部に排出するベント部には、ベント内樹脂部６ｖが形成される。また、ゲート部に樹脂を供給する経路を構成するランナ部には、ランナ内樹脂部６ｒが形成される。
【００８０】
一方、本体樹脂部６ｍｂの周囲では、図２７に示すように、本体樹脂部６ｍｂの側面６ｃから外側に向かって突出するように、リード４のアウタ部４ｏが露出する。アウタ部４ｏは上面４ａおよび下面４ｂ（図２８参照）が封止体６から露出し、側面４ｃ１および側面４ｃ２がダム内樹脂部６ｄに封止されている。また、本実施の形態では、図２７に示すように、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬを跨ぐように、溝部４Ｔが形成されている。このため、本工程では、リード４の側面４ｃ１、側面４ｃ２および枠部ＬＦｓで囲まれたダム部ＤＭから溝部４Ｔ内に樹脂が流れ込んで、溝内樹脂部６ｔが形成される。つまり、図２８に示すように、リード４のアウタ部４ｏの上面４ａのうち、溝部４Ｔの底面に相当する、上面４ａ２は、溝内樹脂部６ｔに封止されている。
【００８１】
５．樹脂除去工程（レーザ照射工程）；
次に、図１３に示す樹脂除去工程として、図２７に示すダム内樹脂部６ｄおよび溝内樹脂部６ｔを取り除く。図２９は、図２７に示すダム内樹脂部および溝内樹脂部を取り除いた状態を示す拡大平面図である。また、図３０は、図２９に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、レーザ照射により樹脂を除去中の状態を模式的に示す拡大断面図、図３１は、図２９に示すＢ−Ｂ線に沿った断面において、レーザ照射により樹脂を除去中の状態を模式的に示す拡大断面図である。
【００８２】
本工程では、図３０および図３１に示すように、リードフレームＬＦのうちの本体樹脂部６ｍｂ（図３０参照）以外の部分に対してレーザ光５５を照射することで、ダム内樹脂部６ｄ（図３１参照）および溝内樹脂部６ｔ（図３０参照）を除去する。詳しくは、図３０に示すように、リードフレームＬＦの上面ＬＦａ側、すなわち、実装面の反対側に位置するチップ搭載面側にレーザ光５５の光源であるレーザ照射装置５６を配置し、上面ＬＦａ側から溝部４Ｔに向かってレーザ光５５を照射する。また、図３１に示すように、リードフレームＬＦの上面ＬＦａ側にレーザ光５５の光源であるレーザ照射装置５６を配置し、上面ＬＦａ側からダム部ＤＭに向かってレーザ光５５を照射する。
【００８３】
レーザ光５５は、例えば、イットリウム、アルミニウムおよびガーネットの結晶を用いたＹＡＧレーザであって、基本波長は１０６４ｎｍ（ナノメートル）の近赤外光である。また、レーザ光５５は、例えば４０Ｗ（ワット）程度の出力であり、２０ｋＨｚ（キロヘルツ）程度のパルス動作により出力される。またレーザ光５５の焦点は、除去対象物である樹脂部の表面に合わせる。また、レーザ光５５の線幅およびレーザ間隔は、例えば４０μｍ（マイクロメートル）程度であって、例えば、３００ｍｍ／秒（毎秒３００ミリメートル）程度の走査速度で、図２９に示す本体樹脂部６ｍｂの周囲をスキャンする。スキャン回数は、例えば３回程度である。
【００８４】
近赤外光は、被照射物を加熱する熱源となり、被照射物である樹脂を熱的に除去することができる。本工程での除去対象物であるダム内樹脂部６ｄ（図３１参照）および溝内樹脂部６ｔ（図３０参照）は、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、硬化剤、およびシリカなど、多数のフィラ粒子を主成分とする絶縁性の樹脂体であって、上記以外にも多くの副原材料を含んでいる。したがって、近赤外光であるレーザ光５５を照射することにより、除去対象物を材料選択性の少ない熱作用により除去することができる。
【００８５】
また、図３１に示すように、本実施の形態では、複数のリード４のそれぞれは、延在方向に対して直交する方向に切断した断面において、上面４ａの幅が下面４ｂの幅よりも小さく、側面４ｃ１および側面４ｃ２が傾斜面となる、正台形の断面形状を成す。このようにリード４の側面４ｃ１、４ｃ２を傾斜面とすることにより、本工程において、レーザ光５５を、例えば上面４ａに対して、垂直な方向から照射した場合でも、側面４ｃ１、４ｃ２に照射され易くなる。この結果、ダム内樹脂部６ｄの除去信頼性が向上する。また、本工程において、ダム内樹脂部６ｄを確実に除去し、側面４ｃ１、４ｃ２を露出させることができれば、図１３に示すめっき工程において側面４ｃ１、４ｃ２を覆うように金属膜を形成することができるので、半導体装置を実装する際に、リード４と半田材との濡れ性を向上させることができる。
【００８６】
なお、図示は省略するが、レーザ照射の容易性を向上させる観点からは、図３１に対する変形例として、上面４ａの幅が下面４ｂの幅よりも大きく、側面４ｃ１および側面４ｃ２が傾斜面となる、逆台形の断面形状も考えられる。この場合、リードフレームＬＦの下面ＬＦｂ側、すなわち、実装面側にレーザ照射装置５６を配置し、下面ＬＦｂ側からダム部ＤＭに向かってレーザ光５５を照射することで、側面４ｃ１、４ｃ２にレーザ光５５を照射させ易くする。
【００８７】
ただし、リード４の主たる実装面である下面４ｂの面積を大きくして、実装強度を向上させる観点を考慮すると、本実施の形態のように正台形の形状が好ましい。したがって、図３１に示すように、本工程では、リードフレームＬＦの上面ＬＦａ側からレーザ光５５を照射することが好ましい。また、この場合、本実施の形態のように、リード４の上面４ａ側に溝部４Ｔ（図３０参照）を設けている場合には、図３１に示すダム内樹脂部６ｄの除去と、図３０に示す溝内樹脂部６ｔの除去は、それぞれ同じ方向から（上面ＬＦａ側から）レーザ光５５を照射するので、これらの除去を同じ工程内で一括して行うことができる。したがって、上面ＬＦａ側と下面ＬＦｂ側の両方向からレーザ光５５を照射する場合と比較して、樹脂除去工程に要する時間を短縮し、製造効率を向上させることができる。言い換えると、本実施の形態のようにリード４の上面側に溝部４Ｔを形成する場合には、リード４の断面形状が正台形とすることで、製造効率を向上させることができる。
【００８８】
また、本工程では、図２９に示すように、リード４のアウタ部４ｏにおいて、本体樹脂部６ｍｂ側のダム内樹脂部６ｄの一部を残すように除去しても良い。本実施の形態のように、樹脂を熱的に除去する方式の場合、ダム内樹脂部６ｄの全てを取り除くために、本体樹脂部６ｍｂとの境界までレーザ光５５（図３０参照）を照射すると、本体樹脂部６ｍｂが熱影響により劣化する懸念がある。そこで、図２９に示すように、ダム内樹脂部６ｄのうち、本体樹脂部６ｍｂ近傍の一部を残すようにレーザ光５５を照射すれば、本体樹脂部６ｍｂに対する熱影響を低減できる点で好ましい。
【００８９】
一方、溝部４Ｔは、図５や図６に示す段差部４Ｄを形成するための部分なので、図１３に示すめっき工程において、金属膜ＳＤ（図６参照）を確実に形成するためには、図３０に示す溝内樹脂部６ｔの除去精度を向上させることが好ましい。本実施の形態では、上記したように、溝部４Ｔは、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬを跨ぐように形成されている。つまり、溝部４Ｔは、デバイス形成部ＬＦｄのうち、本体樹脂部６ｍｂから最も遠い位置に形成されている。このため、溝部４Ｔ全体にレーザ光５５を照射した場合でも、本体樹脂部６ｍｂに対する熱影響を低減することができる。
【００９０】
６．めっき工程；
次に、図１３に示すめっき工程として、図３２に示すように、複数のリード４の本体樹脂部６ｍｂからの露出面に金属膜ＳＤを形成する。図３２は、図３０に示すリードフレームの樹脂からの露出面に金属膜を形成した状態を示す拡大断面図、図３３は、電解めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【００９１】
本工程では、電解めっき法により、樹脂から露出した金属部材の表面に、例えば半田からなる金属膜ＳＤ（図３２参照）を形成する。電解めっき法では、図３３に示すように、被めっき加工物であるリードフレームＬＦを、めっき液６１が入っためっき槽６０内に配置する。このとき、被加工物をめっき槽６０内の陰極６２に接続する。例えば、図３３に示す例ではリードフレームＬＦの外枠ＬＦｆを陰極６２と電気的に接続する。そして、この陰極６２と、同じくめっき槽６０内に配置された陽極６３との間に例えば直流電圧をかけることによって、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｆと接続された金属部材の露出面に金属膜ＳＤ（図３２参照）を形成する。つまり、本実施の形態では所謂、電解めっき法により金属膜ＳＤを形成する。
【００９２】
本実施の形態の金属膜ＳＤは、上記したように、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。このため、本めっき工程で使用するめっき液６１は、例えばＳｎ２＋、あるいはＢｉ３＋などの金属塩が含まれる、電解めっき液である。なお、以下の説明では、鉛フリー半田めっきの例としてＳｎ−Ｂｉの合金化金属めっきについて説明するが、ＢｉをＣｕやＡｇなどの金属に置き換えることができる。
【００９３】
本実施の形態では、上記したように、複数のリード４が枠部ＬＦｓを介して外枠ＬＦｆと電気的に接続された状態で、めっき工程を行う。また、ダイパッド２は、枠部ＬＦｓおよび吊りリードＴＬ（図１５参照）を介して外枠ＬＦｆと電気的に接続されている。したがって、リードフレームＬＦをめっき液６１に浸した状態で、図３１に示す陽極６３と陰極６２の間に電圧をかけると、両電極間（陽極６３と陰極６２の間）で通電する。上記したように、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｆは陰極６２と電気的に接続されているので、めっき液６１中のＳｎ２＋、およびＢｉ３＋が所定の割合で図３２に示すリード４の露出面に析出し、金属膜ＳＤが形成される。
【００９４】
上記のように電解めっき法によれば、樹脂から露出した金属部材の表面に金属膜ＳＤが形成される。したがって、本実施の形態では、封止体６の本体樹脂部６ｍｂの外側に露出するリード４のアウタ部４ｏの上面４ａ、およびリード４の下面４ｂを覆うように、金属膜ＳＤが形成される。また、本実施の形態では、めっき工程の前に樹脂除去工程を行い、図３２に示すように、リード４の溝部４Ｔの底面に相当する、上面４ａ２を露出させることにより、溝部４Ｔの表面を覆うように、金属膜ＳＤを形成することができる。また、図７および図８に示すようにリード４の側面４ｃ１、４ｃ２を覆うように、金属膜ＳＤを形成することができる。言い換えれば、図２９に示すダム部ＤＭ内は図７または図８に示す金属膜ＳＤにより覆われる。また、図３２に示すように、本工程では、リードフレームＬＦの枠部ＬＦｓにも金属膜ＳＤが形成される。また、図２５に示すように本実施の形態では、ダイパッド２の下面２ｂが封止体６から露出している。したがって、本工程では、図３に示すように、ダイパッド２の下面２ｂを覆うように、金属膜ＳＤが形成される。金属膜ＳＤの膜厚は、製品仕様に応じて変更することができるが、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度の膜を成膜する。
【００９５】
７．個片化工程；
次に、図１３に示す個片化工程として、図３４に示すように、複数のリード４および吊りリードＴＬが連結されている枠部ＬＦｓを切断し、複数のデバイス形成部ＬＦｄを、それぞれ個片に分割する。図３４は、図１３に示す個片化工程において、デバイス形成部毎に個片化した状態を示す拡大平面図である。また、図３５は、図１３に示す個片化工程において、リードと枠部の境界を切断した状態を示す拡大断面図である。また、図３６は、図３５に示す上部ダイの形状を示す斜視図である。
【００９６】
本工程では、例えば図３５に示すように、切断加工用のプレス金型（金型）である、パンチ（カットパンチ、切断刃）６５とダイ（押さえ部材、金型）６６を用いて、プレス加工により複数のリード４のそれぞれを、枠部ＬＦｓから切り離す。
【００９７】
詳しくは、プレス加工時の押さえ部材であるダイ６６は、リード４の上面４ａ側に配置する上部ダイ（金型）６６ａと、リード４の下面４ｂ側に配置する下部（金型）ダイ６６ｂを有している。そして、上部ダイ６６ａは、少なくともリード４の上面４ａ１に、下部ダイ６６ｂは、リード４の下面４ｂに、それぞれ接触させた状態で、リード４の切断箇所の周辺を押さえる。リード４の切断箇所は、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬである。ただし、リード４の切断箇所は、少なくとも、溝部４Ｔと重なる位置で図３０に示す境界ＢＬとは異なる位置であっても良い。
【００９８】
また、プレス加工時の切断刃であるパンチ６５は、リードフレームＬＦの厚さ方向に移動可能になっており、図３５に模式的に示すように、ダイ６６に挟まれてリード４が固定された状態で、パンチ６５をリード４の下面４ｂ側から上面４ａ側に向かって挿入する。これにより、リード４は、境界ＢＬにおいて厚さ方向にせん断され、枠部ＬＦｓから切り離される。
【００９９】
また、本実施の形態では、リード４と枠部ＬＦｓの境界ＢＬには、溝部４Ｔが形成されているので、リード４は、溝部４Ｔの途中で切断され、図６を用いて説明した、段差部４Ｄが形成される。また、リード４の切断面には、金属膜ＳＤの一部がパンチ６５に引き摺られることにより、下面４ｂから上面４ａ２に向かって延びる部分ＳＤｔが形成される。
【０１００】
ここで、上記した図１２に示すように、半導体装置１を実装する際に、半田材ＳＤｂを段差部４Ｄの上面４ａ２まで到達させるためには、上面４ａ２の位置を、下面４ｂに近づけることが好ましい。また、実装時にリード４の下面４ｂ側に回り込む半田材ＳＤｂの量が多くなると、リード４の側面４ｃ１、４ｃ２を覆う半田材ＳＤｂの量が相対的に少なくなるので、半田材ＳＤｂが段差部４Ｄの上面４ａ２まで到達し難くなる。したがって、個片化工程においては、リード４の先端部分、すなわち、段差部４Ｄが形成された部分の変形を抑制することが好ましい。
【０１０１】
そこで、本実施の形態では、溝部４Ｔの上面４ａ２にも上部ダイ６６ａを接触させた状態でリード４を押さえる。言い換えれば、リード４の平坦部４Ｆの上面４ａ１と下面４ｂに加え、溝部４Ｔの上面４ａ２も押さえた状態で切断加工を施す。このため、切断箇所の近傍を押さえることができるので、リード４の先端部、すなわち、段差部４Ｄが形成された部分の変形を抑制し、安定的に段差部４Ｄの形状を形成することができる。
【０１０２】
上記のように、切断加工を施す際に、平坦部４Ｆの上面４ａ１、および溝部４Ｔの上面４ａ２の両方に上部ダイ６６ａを接触させる場合には、上部ダイ６６ａの接触面の形状を、リード４の平坦部４Ｆおよび溝部４Ｔの形状に倣うようにする必要がある。このため、本実施の形態では、上部ダイ６６ａは、平坦部４Ｆの上面４ａ１と接触させる押さえ面（接触面）である、面６６ａ１と、溝部４Ｔの上面４ａ２と接触させる押さえ面（接触面）である、面６６ａ２と、を有している。面６６ａ１と面６６ａ２の境界は、図３５および図３６に示すように、段差面になっており、面６６ａ１と面６６ａ２は、リード４の厚さ方向（Ｚ方向）に対して、異なる高さに位置している。図３５に示す例では、面６６ａ２は面６６ａ１よりも低い位置に配置されている。
【０１０３】
言い換えれば、本実施の形態の上部ダイ６６ａは、リード４の延在方向（図３５に示す例ではＹ方向）における一方の端部に、リード４に向かって突出した突出壁６６ｗが設けられている。この突出壁６６ｗの先端面が、溝部４Ｔの上面４ａ２と接触させる押さえ面（接触面）である、面６６ａ２になっている。また、突出壁６６ｗ以外の部分の下面が、平坦部４Ｆの上面４ａ１と接触させる押さえ面（接触面）である、面６６ａ１になっている。このように、上部ダイ６６ａの一方の端部に突出壁６６ｗを設けることで、個片化工程において、上部ダイ６６ａをリード４の平坦部４Ｆの上面４ａ１と、溝部４Ｔの上面４ａ２の両方と同時に接触させることができる。
【０１０４】
ところで、本実施の形態では、切断加工を施す際に、平坦部４Ｆの上面４ａ１、および溝部４Ｔの上面４ａ２の両方に上部ダイ６６ａを接触させるために上部ダイ６６ａに突出壁６６ｗを設けているので、突出壁６６ｗの形状は、リード４の溝部４Ｔ（または、切断後に形成される段差部４Ｄ）の形状に倣っている必要がある。まず、突出壁６６ｗの幅（リード４の延在方向の長さであって図３５に示す例ではＹ方向の幅）は、溝部４Ｔの溝幅（リード４の延在方向の長さであって、図３５に示す例ではＹ方向の幅）よりも小さくする必要がある。突出壁６６ｗの幅は、例えば、０．１ｍｍ未満である。また、突出壁６６ｗの高さ（厚さ方向（Ｚ方向）の長さ）は、溝部４Ｔの深さと同じであって、例えば０．１ｍｍ程度である。このように、上部ダイ６６ａのリード４との接触面側に、突出壁６６ｗを高精度で形成することにより、リード４の平坦部４Ｆの上面４ａ１と下面４ｂに加え、溝部４Ｔの上面４ａ２も押さえた状態で切断加工を施すことができる。この結果、個片化工程におけるリード４の変形を抑制できる。
【０１０５】
なお、上部ダイ６６ａの形状は、図３４に示す複数のリード４のそれぞれに対応させて、突出壁６６ｗ（図３５参照）を設けることもできるが、図３６に示すように、リード４（図３４参照）の配列方向（例えば、Ｘ方向）に沿って長手方向を有する突出壁６６ｗを設けても良い。この場合、複数のリード４を一つの上部ダイ６６ａで一括して押さえることができる。
【０１０６】
本工程の後、外観検査、電気的試験など、必要な検査、試験を行い、合格したものが、図１に示す完成品の半導体装置１となる。そして、半導体装置１は出荷され、あるいは図示しない実装基板に実装される。
【０１０７】
（実施の形態２）
上記実施の形態１では、例えば図１２に示すように、リード４の先端部分に段差部４Ｄを設け、実装時に、段差部４Ｄの下面４ｂ、上面４ａ２、側面４ｃ１および側面４ｃ２を連続的に囲むように一体化された半田材ＳＤｂを形成することで、半導体装置の実装強度を向上させる技術について説明した。本実施の形態では、上記実施の形態１に対する変形例として、個片化工程において、リード４の先端部分を実装面の反対方向に変形させることにより、半導体装置の実装強度を向上させる技術について説明する。
【０１０８】
本実施の形態は、半導体装置の製造工程のうち、個片化工程が上記実施の形態１と相違する。また、得られる半導体装置の段差部４Ｄの形状が上記実施の形態１と相違する。上記相違点を除き、本実施の形態の半導体装置、および半導体装置の製造方法は、上記実施の形態１と同じなので、本実施の形態では、上記実施の形態１との相違点を中心に説明し、重複する説明は、原則として省略し、必要に応じて図１〜図３６を引用して説明する。
【０１０９】
上記したように、半導体装置１を実装する際に、半田材ＳＤｂを段差部４Ｄの上面４ａ２まで到達させるためには、上面４ａ２の位置を、下面４ｂに近づけることが好ましい。したがって、上記した個片化工程においては、リード４の先端部分、すなわち、段差部４Ｄが形成された部分の変形を抑制することが好ましい。また、上記した個片化工程で説明した図３５に示すように、段差部４Ｄが形成された部分の変形を抑制するためには、上部ダイ６６ａの周縁部に突出壁６６ｗを設けることが好ましい。
【０１１０】
しかし、突出壁６６ｗを溝部４Ｔの上面と接触させるためには、突出壁６６ｗの幅（リード４の延在方向の長さであって図３５に示す例ではＹ方向の幅）は、溝部４Ｔの溝幅（リード４の延在方向の長さであって、図３５に示す例ではＹ方向の幅）よりも小さくする必要がある。例えば、突出壁６６ｗの幅を０．１ｍｍよりも小さくして、この突出壁６６ｗの下面を、複数のリード４にそれぞれ形成された溝部４Ｔの上面４ａ２に接触させる必要がある。したがって、個片化工程において、上部ダイ６６ａとリードフレームＬＦの位置合わせを、高精度で行う必要がある。
【０１１１】
そこで、本願発明者は、個片化工程の簡略化について検討を行い、溝部４Ｔの上面４ａ２に上部ダイ６６ａを接触させない状態で、リード４を切断する実施態様について検討した。図３７は、図３５に対する変形例である、本実施の形態の個片化工程において、リードと枠部の境界を切断した状態を示す拡大断面図である。
【０１１２】
図３７に示すように、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、プレス加工時の押さえ部材であるダイ６６のうち、リードフレームＬＦの上面側に配置する上部ダイ（金型）６６ｃの形状が、上記した図３５に示す上部ダイ６６ａとは異なる。詳しくは、図３７に示す上部ダイ６６ｃには、図３５に示すような突出壁６６ｗが形成されず、リード４との接触面である面６６ａ１は、段差や窪みが無い一様な平坦面になっている。
【０１１３】
図３７に示すように、接触面が平坦面になっている上部ダイ６６ｃを用いて切断加工を施す場合、パンチ６５で切断する際に、溝部４Ｔの上面４ａ２は、上部ダイ６６ｃと接触しない。言い換えれば、本実施の形態では、個片化工程において、切断箇所である境界ＢＬから離れた位置（例えば０．１ｍｍ程度離れた位置）を押さえ、切断箇所が配置される溝部４Ｔの上面４ａ２側は押さえないことになる。このように、溝部４Ｔの上面４ａ２側を押さえない状態でパンチ６５を挿入すると、パンチ６５の挿入圧力により生じた応力が、溝部４Ｔと平坦部４Ｆの境界付近に集中し、溝部４Ｔと平坦部４Ｆの境界付近を基点として、溝部４Ｔがチップ搭載面側、すなわち上面４ａ側に折れ曲がり易くなる。
【０１１４】
言い換えると、本実施の形態により形成されるリード４の下面４ｂは、異なる角度を持つ下面４ｂ１と下面４ｂ２を有している。下面４ｂ１は、リード４のインナ部４ｉおよび平坦部４Ｆの上面４ａ１の反対側に位置する面であって、本体樹脂部６ｍｂの下面６ｂと同じ方向（図３７に示す例ではＺ方向）を向いている。一方、下面４ｂ２は、リード４の段差部４Ｄの上面４ａ２の反対側に位置する面であって、上面４ａ２および下面４ｂ２は、それぞれ封止体６の本体樹脂部６ｍｂの下面６ｂに対して傾斜した傾斜面になっている。
【０１１５】
上記のように、本実施の形態では、個片化工程において、溝部４Ｔの上面４ａ２に上部ダイ６６ｃを接触させずに切断加工を施す。したがって、上部ダイ６６ｃに要求される加工精度は、図３５に示す上記実施の形態の上部ダイ６６ａに要求される加工精度よりも余裕度が大きい。また、本実施の形態の上部ダイ６６ｃとリードフレームＬＦの位置合わせ精度は、図３５に示す上記実施の形態の上部ダイ６６ａとリードフレームＬＦの位置合わせ精度よりも低くても良い。つまり、本実施の形態では、上記実施の形態よりも簡単に個片化工程を行うことができる。
【０１１６】
一方、本実施の形態の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置１Ａは、図３７に示すように、リード４のアウタ部４ｏの先端部分が実装面の反対側に向かって折れ曲がっている。以下、半導体装置１Ａを実装基板に実装した場合の実装強度について説明する。
【０１１７】
＜半導体装置の実装強度について＞
図３８は、図３７に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大平面図である。また、図３９は図３８のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図４０は図３８のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図、図４１は図３８のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。また、図４２は、図４１に対する変形例を示す拡大断面図である。図３８〜図４１では、図３７に示す半導体装置１Ａを、実装基板２０に搭載する時に、リード４と実装基板２０の端子２１とを、半田材ＳＤｂを介して電気的に接続した状態を示している。
【０１１８】
図３９に示すようにリード４のアウタ部４ｏの先端部分が実装面の反対方向に折れ曲がっている場合、段差部４Ｄと端子２１の上面２１ａとの間に配置される半田材ＳＤｂの厚さＴ３は、インナ部４ｉと端子２１の上面２１ａとの間に配置される半田材ＳＤｂの厚さＴ４よりも厚くなる。したがって、実装時に端子２１上に塗布する半田材の量が少ない場合、図４１に示すように、アウタ部４ｏの先端面４ｏｔ（図３９参照）の近傍では、段差部４Ｄの上面４ａ２まで半田材ＳＤｂが濡れ上がらず、上面４ａ１を覆う金属膜ＳＤと半田材ＳＤｂが分離してしまう場合がある。
【０１１９】
しかし、図３９に示すように、本実施の形態では、リード４の段差部４Ｄは、段差部４Ｄと平坦部４Ｆの境界付近を基点として折れ曲がるので、段差部４Ｄと平坦部４Ｆの境界近傍では、図１２を用いて説明したように、下面４ｂ、上面４ａ２、側面４ｃ１および側面４ｃ２を連続的に囲むように一体化された半田材ＳＤｂが形成される。したがって、段差部４Ｄを設けない場合と比較すると、実装強度を向上させることができる。
【０１２０】
また、半導体装置１Ａを実装基板２０に実装した後、温度サイクル負荷（加熱と冷却が繰り返されることにより生じる熱的負荷）が印加された場合、図３９に示すリード４の先端面４ｏｔと下面４ｂ２が交差する部分の接合界面において、温度サイクル負荷に起因する応力が最も大きくなる。言い換えると、半導体装置１Ａのリード４と端子２１との電気的な接続状態が、温度サイクル負荷によって破断する場合、リード４の先端面４ｏｔと下面４ｂ２が交差する部分を基点として破断が生じ易い。
【０１２１】
ここで、本実施の形態の半導体装置１Ａは、最も応力が大きくなる部分に配置される半田材ＳＤｂの厚さＴ３が図１０に示す半導体装置１の場合の半田材ＳＤｂの厚さ（図３９に示す厚さＴ４に対応する厚さ）よりも大きくすることができる。このため、半田材ＳＤｂの温度サイクル負荷に対する耐性が向上し、温度サイクル寿命（温度サイクル負荷に起因して損傷するまでの温度サイクル数）を延長することができる。つまり、半導体装置１Ａは、上記実施の形態１で説明した半導体装置１よりも、温度サイクル寿命を延長できる点で、実装信頼性が高くなる。
【０１２２】
また、本実施の形態のように、段差部４Ｄの下面４ｂ２が傾斜面になっている場合、段差部４Ｄと端子２１の間の空間が広くなる。このため、半導体装置１Ａを実装する際に塗布する半田材の量を増やせば、図４２に変形例として示すように、リード４の先端面４ｏｔ（図３９参照）の近傍であっても、段差部４Ｄの上面４ａ２まで半田材ＳＤｂを濡れ上がらせることができる。つまり、段差部４Ｄにおいて、下面４ｂ２、上面４ａ２、側面４ｃ１および側面４ｃ２を連続的に囲むように一体化された半田材ＳＤｂを形成することができる。また、本実施の形態の場合には、段差部４Ｄと端子２１の間に広い空間を確保することができるので、半田材の量を増やしても、図４２に示すように、隣り合う端子２１同士を電気的に分離することができる。
【０１２３】
また、図３９に示すように本実施の形態の半導体装置１Ａは、リード４の先端面４ｏｔと段差部４Ｄの下面４ｂ２が交差する部分が、インナ部４ｉの下面４ｂ１よりも高い位置にある。このため、先端面４ｏｔから更に外側に広がる半田フィレットの形状を上記実施の形態１よりも大きくすることができる。したがって、本実施の形態によれば、半導体装置１Ａを実装した後、半田材ＳＤｂの濡れ上がり状態を、実装面の反対側からの目視検査、あるいはイメージセンサなどの撮像装置を用いた外観検査により、容易に確認することができる。
【０１２４】
上記の通り、本実施の形態では、個片化工程において、溝部４Ｔの上面４ａ２には、上部ダイ６６ｃを接触させない状態でパンチ６５をリード４の下面４ｂ側から上面４ａ２側に向かって挿入する。これにより、リード４を切断し、かつ、先端面４ｏｔ側の先端部を上面４ａ２側に向かって折り曲げる。これにより、個片化工程を簡略化することができる。また、リード４の先端部において、半田材ＳＤｂの配置スペースを大きくすることができる。この個片化工程を簡略化する効果、および半田材ＳＤｂの配置スペースを確保する効果、に着目すれば、以下の変形例が考えられる。
【０１２５】
すなわち、段差部４Ｄの上面４ａ２まで半田材ＳＤｂが濡れ上がることによる実装強度の向上を考慮しなければ、段差部４Ｄの上面４ａ２の一部、または全部が、溝内樹脂部６ｔ（図２７参照）が除去されていなくても良い。この場合、図１３に示す樹脂除去工程の処理時間を短縮できる。
【０１２６】
また、リード４の先端部を折り曲げることにより、半導体装置を実装した後、半田材ＳＤｂの濡れ上がり状態を容易に確認することができる。したがって、隣り合うリード４の間のダム内樹脂部６ｄ（図２７参照）の一部または全部が除去されていなくても良い。この場合、図１３に示す樹脂除去工程を省略することができる。
【０１２７】
ただし、図２７に示すダム内樹脂部６ｄや溝内樹脂部６ｔの全てが除去されていない状況で、図３９を用いて説明した個片化工程を実施した場合、ダム内樹脂部６ｄや溝内樹脂部６ｔが、曲げ加工に対する抵抗になって、安定的にリード４が折り曲げ難いことが懸念される。また、個片化工程において、ダム内樹脂部６ｄや溝内樹脂部６ｔの一部にクラックが発生し、このクラックが進展すると、本体樹脂部６ｍｂが損傷する懸念がある。
【０１２８】
＜変形例＞
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１２９】
（変形例１）
例えば、上記実施の形態では、平面視において四角形からなる封止体６の四つの主辺に沿って、それぞれ複数のリード４が配列された、所謂クワッド（Quad）タイプの半導体装置を取り上げて説明した。しかし、変形例として、例えば平面視において四角形を成す封止体の、互いに対向する二辺に沿って、複数のリード４が配列された、ＳＯＮ型の半導体装置に適用することができる。
【０１３０】
（変形例２）
また例えば、上記実施の形態では、ダイパッド２の下面２ｂが封止体６から露出する、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置を取り上げて説明した。しかし、変形例として、ダイパッドが封止体の内部に封止された半導体装置に適用することができる。この場合、ダイパッド２の下面２ｂをエッチングにより予め薄くしておく方法、あるいは吊りリードＴＬに曲げ加工を施して、ダイパッド２の下面２ｂがリード４の下面４ｂよりも高い位置に配置されるように、オフセットする方法を用いることができる。
【０１３１】
（変形例３）
また例えば、上記実施の形態では、リード４の延在方向に直交する方向における断面形状が正台形を成すように、側面４ｃ１、４ｃ２を上面４ａおよび下面４ｂに対して傾斜面にした実施態様を取り上げて説明した。これは、図１３に示す樹脂除去工程において、リード４の上面４ａに対して垂直な方向からレーザ光５５を照射した場合に、側面４ｃ１、４ｃ２にレーザ光５５が当たり易くなるようにしたものである。したがって、変形例として、側面４ｃ１、４ｃ２が上面４ａおよび下面４ｂに対して直交面になっていた場合であっても、ダム内樹脂部６ｄが除去できない訳ではない。また、スキャン中に角度を変更する必要が生じるが、レーザ光５５をリード４の側面４ｃ１、４ｃ２に対して傾斜させた方向から照射することもできる。
【０１３２】
（変形例４）
また例えば、上記実施の形態では、溝部４Ｔは、エッチング処理、すなわち、化学反応を利用した除去処理により形成する実施態様を取り上げて説明した。しかし、変形例として、例えば金型を用いたせん断加工、あるいはブレードなどの切削加工治具を用いた切削加工など、機械的作用により形成することもできる。
【０１３３】
（変形例５）
また例えば、上記実施の形態では、図１３に示す基材準備工程で、予め溝部４Ｔが形成されたリードフレームＬＦを準備する実施態様を取り上げて説明した。しかし、変形例として、めっき工程の前の任意のタイミングで、溝部４Ｔを形成することができる。ただし、リードフレームＬＦに部品が搭載された状態で溝部４Ｔを形成する場合には、化学的処理を行う場合も、機械的処理を行う場合も、搭載された部品を保護する必要があり、作業が煩雑になる。したがって、半導体チップ３を搭載する前に、予め溝部４Ｔを形成しておくことが特に好ましい。
【０１３４】
（変形例６）
また例えば、上記実施の形態では、半導体チップ３は、所謂フェイスアップ実装方式によりダイパッド２上に搭載されている例を取り上げて説明した。しかし、変形例として、リード４のボンディング領域と半導体チップ３のパッドＰＤを対向配置して、所謂、フェイスダウン実装方式により実装することができる。この場合、リード４と半導体チップ３のパッドＰＤを電気的に接続する導電性部材として、ワイヤ５に代えて、図示しないバンプ電極を用いることができる。このような接続方式は、フリップチップ接続方式と呼ばれる。
【０１３５】
（変形例７）
また例えば、上記実施の形態では、封止工程において、リードフレームＬＦと下型５２の間に樹脂フィルム５３を配置する実施態様を取り上げて説明した。しかし、変形例として、樹脂フィルム５３を介さず、リードフレームＬＦを下型５２上に直接配置することができる。
【０１３６】
（変形例８）
また例えば、上記実施の形態では、めっき工程において、電解めっき法により金属膜ＳＤを形成する実施態様を取り上げて説明した。しかし、変形例として、無電解めっき法により金属膜ＳＤを形成することができる。
【０１３７】
（変形例９）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１３８】
その他、上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【０１３９】
〔付記１〕
第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有するチップ搭載部と、
前記チップ搭載部の前記第１面と同じ方向を向く第３面および前記第３面とは反対側の第４面を有し、前記チップ搭載部の隣に配置される複数のリードと、
表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記チップ搭載部の前記第１面側に搭載されている半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードを、それぞれ電気的に接続する複数の導電性部材と、
前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を封止する本体樹脂部と、
を有し、
前記複数のリードのそれぞれには、前記本体樹脂部から最も離れた位置の前記第３面側に、段差部が形成されており、
前記複数のリードのうち、前記本体樹脂部から露出する部分の前記第３面および前記第４面は、金属膜で覆われている、半導体装置。
【０１４０】
〔付記２〕
第１面および前記第１面とは反対側の第２面を有するチップ搭載部と、
前記チップ搭載部の前記第１面と同じ方向を向く第３面および前記第３面とは反対側の第４面を有し、前記チップ搭載部の隣に配置される複数のリードと、
表面、前記表面に形成された複数の電極パッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記チップ搭載部の前記第１面側に搭載されている半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードを、それぞれ電気的に接続する複数の導電性部材と、
前記半導体チップおよび前記複数の導電性部材を封止する本体樹脂部と、
を有し、
前記複数のリードのそれぞれには、前記本体樹脂部から最も離れた位置の前記第３面側に、段差部が形成されており、
前記段差部は、前記第４面側から前記第３側に向かって折り曲げられており、
前記複数のリードのうち、前記本体樹脂部から露出する部分の前記第４面は、金属膜で覆われている、半導体装置。
【符号の説明】
【０１４１】
１、１Ａ  半導体装置
２  ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
２ａ  上面（チップ搭載面）
２ｂ  下面（実装面）
３  半導体チップ
３ａ  表面（主面、上面）
３ｂ  裏面（主面、下面）
３ｃ  側面
４  リード（端子、外部端子）
４ａ、４ａ１、４ａ２  上面
４ｂ、４ｂ１、４ｂ２  下面
４ｃ１、４ｃ２  側面
４Ｄ  段差部（部分）
４Ｆ  平坦部（部分）
４ｉ  インナ部（部分）
４ｉｔ  内側面（端部）
４ｏ  アウタ部（部分）
４ｏｔ  先端面（端部）
４Ｔ  溝部（溝、段差部、窪み部、凹部）
５  ワイヤ（導電性部材）
６  封止体（樹脂体）
６ａ  上面
６ｂ  下面（裏面、実装面）
６ｃ  側面
６ｄ  ダム内樹脂部
６ｇ  ゲート内樹脂部
６ｍｂ  本体樹脂部
６ｐ  角部
６ｒ  ランナ内樹脂部
６ｔ  溝内樹脂部
６ｖ  ベント内樹脂部
７  接着材
１１  露出部（フィン、コーナリード）
２０  実装基板（マザーボード、配線基板）
２０ａ  上面（搭載面）
２１  端子
２１ａ  上面
５０  成形金型
５１  上型（金型）
５１ａ  クランプ面（金型面、押し付け面、面）
５１ｂ  キャビティ（窪み部）
５２  下型（金型）
５２ａ  クランプ面（金型面、押し付け面、面）
５３  樹脂フィルム（フィルム材）
５５  レーザ光
５６  レーザ照射装置
６０  めっき槽
６１  めっき液
６２  陰極
６３  陽極
６５  パンチ（カットパンチ、切断刃）
６６  ダイ（押さえ部材、金型）
６６ａ、６６ｃ  上部ダイ（金型）
６６ａ１、６６ａ２  面
６６ｂ  下部ダイ（金型）
６６ｗ  突出壁
ＢＬ  境界
ＤＭ  ダム部
ＨＳ  ヒートステージ（リードフレーム加熱台）
ＨＳａ  搭載面
ＬＦ  リードフレーム（基材）
ＬＦａ  上面
ＬＦｂ  下面
ＬＦｄ  デバイス形成部（製品形成部）
ＬＦｆ  外枠
ＬＦｓ  枠部
ＰＤ  パッド（ボンディングパッド、電極パッド）
ＳＤ  金属膜
ＳＤｂ  半田材
ＳＤｔ  部分
ＴＬ  吊りリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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