(57)【要約】【課題】フォトマスク上の多数箇所及び広域にある欠陥又はパターンの欠損を短時間で修正できるマスク修正方法を提供する。【解決手段】このフォトマスク修正方法は、フォトマスク上の回路パターン中の複数のパターンに跨る欠陥または該回路パターンの欠損部分の有無を確認し、欠陥を検出した場合、フォトマスクに描画されているマークを原点としたＸ−Ｙ直交座標系として、欠陥の座標を抽出し、該座標に基づいて、欠陥を包括的に含む最小の矩形エリアの座標を決定し、矩形エリア内に関して回路パターンの正規の描画データを抽出し、レジストをフォトマスクの面全体にわたって塗布し、矩形エリア内の、該回路パターンの正規の描画データが無い部分をレジストで被覆しないように、該レジストをパターニングし、該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことにより、欠陥を除去する。（ステップＳ１１〜Ｓ１７）【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に遮光性導電膜で形成された回路パターンを有するフォトマスクの修正方法であって、
前記回路パターン中の複数のパターンに跨る欠陥または前記回路パターンの欠損部分の有無を確認するステップと、
前記遮光性導電膜からなる前記欠陥を検出した場合、前記フォトマスクの前記回路パターンが形成された面を前記フォトマスクに描画されているマークを原点としたＸ−Ｙ直交座標系として、前記欠陥の座標を抽出し、該座標に基づいて、前記欠陥を包括的に含む最小の矩形エリアの座標を決定するステップと、
前記矩形エリア内に関して、前記欠陥が無い、前記回路パターンの正規の描画データを、前記マークを基準にして予め作成された前記回路パターンの正規の描画データから前記矩形エリアの座標に基づいて抽出するステップと、
前記フォトマスクの前記面全体にわたってレジストを塗布するステップと、
前記矩形エリア内の、前記回路パターンの正規の描画データが無い部分を前記レジストで被覆しないように、前記レジストをパターニングするステップと、
該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことにより、前記遮光性導電膜からなる前記欠陥を除去するステップと、
を含むフォトマスクの修正方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスクの修正方法であって、
前記欠陥を複数箇所において検出した場合、それぞれの前記欠陥に対して前記矩形エリアの座標を決定し、それぞれの前記矩形エリア内に関して前記回路パターンの正規の描画データを抽出し、前記レジストを前記フォトマスクの前記面全体にわたって塗布し、それぞれの前記矩形エリア内の、該回路パターンの正規の描画データが無い部分を前記レジストで被覆しないように、前記レジストをパターニングし、該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことを特徴とするフォトマスクの修正方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のフォトマスクの修正方法であって、
前記欠陥または前記欠損部分の有無を確認するステップで前記欠損部分を検出した場合、前記フォトマスクの前記面を前記Ｘ−Ｙ直交座標系として前記欠損部分の座標を抽出し、該座標に基づいて、前記欠損部分を包括的に含む最小の矩形エリアの座標を決定するステップと、
前記矩形エリア内に関して、前記欠損部分が無い、前記回路パターンの正規の描画データを、前記マークを基準にして予め作成された前記回路パターンの正規の描画データから前記矩形エリアの座標に基づいて抽出するステップと、
前記フォトマスクの前記矩形エリア内の全面に遮光性導電膜をＦＩＢあるいは電子ビームを用いて成膜するステップと、
前記フォトマスクの前記面全体にわたってレジストを塗布するステップと、
前記矩形エリア内の、前記回路パターンの正規の描画データが無い部分を前記レジストで被覆しないように、前記レジストをパターニングするステップと、
該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことにより、前記欠損部分に前記遮光性導電膜からなるパターンを形成するステップと、
を含むフォトマスクの修正方法。
【請求項４】
請求項１に記載のフォトマスクの修正方法であって、
前記欠損部分を複数箇所において検出した場合、それぞれの前記欠損部分に対して前記矩形エリアの座標を決定し、それぞれの前記矩形エリア内に関して前記回路パターンの正規の描画データを抽出し、前記フォトマスクの前記矩形エリア内の全面に遮光性導電膜を成膜し、前記レジストを前記フォトマスクの前記面全体にわたって塗布し、それぞれの前記矩形エリア内の、該回路パターンの正規の描画データが無い部分を前記レジストで被覆しないように、前記レジストをパターニングし、該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことを特徴とするフォトマスクの修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に用いる縮小投影露光装置によるリソグラフィ工程で使用されるフォトマスク（以下、レチクルと表記する）の修正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造に用いられるリソグラフィ工程では、微細パターン形成に対応するため縮小投影露光装置が一般的に用いられている。縮小投影露光装置では、半導体基板表面に形成されるフォトレジスト（以下、レジストと略記する）パターンの、例えば４倍の大きさのパターンを有するレチクルが露光マスクとして用いられる。また、１枚のレチクルは、通常、１千万個以上の半導体装置の製造に用いられる。したがって、半導体装置の製造歩留まりは、レチクル上に形成されているパターンの良否が大きく影響する。パターンの良否は、主にパターン欠陥の有無で決まる。そのため、レチクルパターンの欠陥検査は半導体装置の製造歩留まり向上に欠かせない工程となっている。
【０００３】
また、近年の高集積半導体装置に用いられるレチクルは、より微細なパターンを形成するための位相シフト技術や光近接効果補正などのパターン補正技術が盛り込まれ、それを具体化するために膨大な情報処理が必要となっている。そのため、レチクルの製造コストは極めて高価となっている。このコスト増大を低減させるため、パターン欠陥を有するレチクルについて可能な限り修正が試みられ、使用可能な状態のレチクルとなるように労力が費やされている。
【０００４】
図１は、従来のレチクル欠陥の修正ステップを説明するためのフローチャートを示している。パターン形成が完了したレチクルは外観検査装置にセットされ、欠陥の有無が探索される（Ｓ１）。パターン欠陥が有ると、そのパターン欠陥の位置が特定される（Ｓ２）。続いて、そのパターン欠陥を修正可能か否かが判断される（Ｓ３）。多数のパターンに関連するような大きな欠陥が存在する場合には、修正不可（不合格）であると判定されて、そのレチクルは廃棄される（Ｓ４）。一方、修正可能と判定された場合には、パターン欠陥修正装置にセットされ、その修正条件が決定される（Ｓ５）。続いて、修正条件に基づきパターン欠陥の修正が施される（Ｓ６）。続いて、修正されたレチクルを、ウエハ露光装置と等価な性能が得られる照明光学系及び投影光学系を備えた光学顕微鏡型のウエハ露光光学系エミュレーションシステムにセットし、修正されたパターン欠陥部の像観察を行なう（Ｓ７）。上記のエミュレーションシステムの結像面で得られる光学情報は、レチクル上の欠陥が実際のウエハ露光装置を介してウエハ上に転写される光学像およびレジスト形状（転写像）に変換されて表示される。
【０００５】
次に、Ｓ７で得られたパターン欠陥部のウエハ転写像から、当該光学像の最大光強度、最小光強度、コントラスト、光学傾斜の急峻度、さらに目標とするレジスト寸法値から一意に決まる光強度の閾値において算出される欠陥部の像寸法変動値を求め、これらの寸法変動値が製品の許容規格と比較して許容可能か否かを判断する（Ｓ８）。修正量不足により修正レベルが許容規格に未達と判断された場合には、再度Ｓ５に戻り、先のＳ５で設定した修正条件に対するＳ７の結果を対応させ、オペレーターの経験則に基づいて追加修正条件を設定する。その後、再びＳ６、Ｓ７を経て、再度修正結果を評価し、所望の修正レベルに達するまで一連の修正ルーチンを繰り返す。最新のＳ７後、Ｓ８で製品の許容規格を満たした場合に限り、合格を判定され、レチクルパターン欠陥修正を完了する（Ｓ９）。
【０００６】
一方、製品許容規格の許容限界レベルを超過して修正してしまい、過剰修正により初期状態へ回復する手段がないと判断された場合は、以後のレチクル製作を継続し難い事由が発生したとみなし、Ｓ４の不合格判定とする。上記のような、レチクルパターン欠陥検査および欠陥修復方法について、特許文献１（特表２００１−５１６８９８号公報）や特許文献２（特開２００４−０３７５７９号公報）に述べられている。
【０００７】
上記の修正対象となるレチクルパターン欠陥は、以下の２つのカテゴリに大別される。１つは、本来の素子パターンエッジから突出する突起欠陥や本来パターンが存在しない箇所に残存する孤立欠陥などの、一般的に「黒欠陥」と呼ばれるパターン欠陥である。他の１つは、パターンエッジ部の欠け欠陥（マウスバイト）やピンホールなどの微小な開口欠陥などの、一般的に「白欠陥」と呼ばれるパターン欠陥である。前者の黒欠陥の修正には、真空中でのＦＩＢ（Focus Ion Beam）によるスパッタエッチング加工法や、常圧での極微細針（カンチレバー）により物理的に欠陥部を破砕し破砕片を除去するマイクロマシニング法が用いられる。また、後者の白欠陥の修正には、ＦＩＢにより欠陥部に遮光膜を堆積させるイオンビームデポジション法が一般的に用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２００１-５１６８９８号公報
【特許文献２】特開２００４-０３７５７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ここで、図２〜図４に従来技術によるフォトマスク（レチクル）の修正方法を示す。図２は、フォトマスク１００上に欠陥（以降、マスク欠陥とも呼ぶ。）が形成された図であり、図３及び図４は該フォトマスク１００の一部の断面を拡大した図である。
【００１０】
図２に示すように、フォトマスク１００を作成するには、ベースとなるガラス基板１上に遮光性導電膜２を成膜し、感光性有機膜レジストを塗布し、電子ビームを照射することで、ＬＳＩパターンを描画し、それをエッチングすることで、遮光性導電膜２に該ＬＳＩ回路パターンを転写している。このとき、本来、ＬＳＩパターンとして、遮光性導電膜２が残ってはいけない部分にマスク欠陥３として遮光性導電膜が残ってしまうことがある。
【００１１】
このようにマスク欠陥３が残った場合は、図３に示すように、微細な修正針４を走査させて欠陥となっている異物パターンを除去する方法や、あるいは、図４に示すように、集光レンズ５にて、イオンビームもしくは電子ビーム６を集めて、マスク欠陥３に照射して化学的に昇華させて除去する方法が用いられていた。
【００１２】
これらの方法では、一箇所の欠陥を除去するのに要する時間は長く、多数の欠陥や広域にわたる欠陥をすべて除去することは困難という問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、ガラス基板上に遮光性導電膜で形成された回路パターンを有するフォトマスクの修正方法であって、以下のステップを含む。
【００１４】
該回路パターン中の複数のパターンに跨る欠陥または該回路パターンの欠損部分の有無を確認するステップ、
遮光性導電膜からなる該欠陥を検出した場合、フォトマスクの該回路パターンが形成された面を該フォトマスクに描画されているマークを原点としたＸ−Ｙ直交座標系として、該欠陥の座標を抽出し、該座標に基づいて、該欠陥を包括的に含む最小の矩形エリアの座標を決定するステップ、
該矩形エリア内に関して、該欠陥が無い、該回路パターンの正規の描画データを、該マークを基準にして予め作成された該回路パターンの正規の描画データから該矩形エリアの座標に基づいて抽出するステップ、
該フォトマスクの面全体にわたってレジストを塗布するステップ、
該矩形エリア内の、該回路パターンの正規の描画データが無い部分を該レジストで被覆しないように、該レジストをパターニングするステップ、および、
該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことにより、該遮光性導電膜からなる該欠陥を除去するステップ。
【００１５】
さらに、他の態様は、以下のステップを含むフォトマスク修正方法を提供する。
【００１６】
上記回路パターンの欠損部分の有無を確認するステップにより該欠損部分を検出した場合、フォトマスクの該回路パターンが形成された面を該フォトマスクに描画されているマークを原点としたＸ−Ｙ直交座標系として、該欠損部分の座標を抽出し、該座標に基づいて、該欠損部分を包括的に含む最小の矩形エリアの座標を決定するステップ、
該矩形エリア内に関して、該欠損部分が無い、該回路パターンの正規の描画データを、該マークを基準にして予め作成された該回路パターンの正規の描画データから該矩形エリアの座標に基づいて抽出するステップ、
該フォトマスクの該矩形エリア内の全面に遮光性導電膜をＦＩＢあるいは電子ビームを用いて成膜するステップ、
該フォトマスクの面全体にわたってレジストを塗布するステップ、
該矩形エリア内の、該回路パターンの正規の描画データが無い部分を該レジストで被覆しないように、該レジストをパターニングするステップ、
該パターニングされたレジストを保護マスクとしてエッチングを行うことにより、該欠損部分に該遮光性導電膜からなるパターンを形成するステップ。
【発明の効果】
【００１７】
フォトマスクの製造工程において、基板上の一又は複数の箇所において複数のパターンに跨る大きな欠陥や複雑な形状のパターン領域にわたる欠陥、または広域のパターン欠損部分が検出された際、従来技術ではその修正に時間がかかり過ぎるためフォトマスクを作成途中で破棄していた。しかし、本発明ではそのような欠陥や欠損部分の全体を包括的に含む矩形エリアの座標を決め、その矩形エリア内に関して、回路パターンの正規の描画データを抽出し、該矩形エリアに対して、その描画データに基づいたフォトリソ及びエッチング加工で回路パターンを再度形成することにより、フォトマスク上の欠陥や欠損部分を短時間で完全に修正することができる。
【００１８】
したがって本発明によれば、１００％の歩留まりでフォトマスクを作成することが可能となり、製造工期の短縮ならびに製造コストの低減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来のレチクル欠陥の修正ステップを説明するためのフローチャート。
【図２】フォトマスク（レチクル）上に欠陥が形成された様子を示す平面図。
【図３】従来技術によるフォトマスクの修正方法を該フォトマスクの一部の断面を拡大して表した図。
【図４】従来技術によるフォトマスクの修正方法を該フォトマスクの一部の断面を拡大して表した図。
【図５】本発明の一実施形態によるフォトマスク（レチクル）の修正方法を示すフローチャート。
【図６】本発明を適用する、欠陥部のあるフォトマスクを示す平面図。
【図７】本発明を適用する、欠陥部のあるフォトマスクを示す断面図。
【図８】図６の欠陥部７を含む描画修正部を示す平面図である。
【図９】図７に示した欠陥部の修正工程を表した断面図。
【図１０】図７に示した欠陥部の修正工程を表した断面図。
【図１１】図７に示した欠陥部の修正工程を表した断面図。
【図１２】本発明を適用する、広域で複雑な形状の欠陥領域があるフォトマスクを示す平面図。
【図１３】本発明を適用する、回路パターンが単純でないロジックパターンに、又は、複数箇所に欠陥があるフォトマスクを示す平面図。
【図１４】本発明の他の実施形態によるフォトマスクの修正方法（本来あるべきＬＳＩパターンが欠損した場合）を説明するための平面図。
【図１５】他の実施形態によるフォトマスクの修正方法を説明するための平面図。
【図１６】他の実施形態によるフォトマスクの修正方法を説明するための平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２１】
（実施例１）
図５は、本発明の一実施形態によるフォトマスク（レチクル）の修正方法を示すフローチャートである。
【００２２】
欠陥検査において外観検査装置を用い、先ずフォトマスク上の欠陥を確認し（Ｓ１１）、マスク欠陥を検出した場合、その欠陥の全てを含む包括的な矩形領域のＸ座標とＹ座標を全て抽出する（Ｓ１２）。この場合の欠陥は、本来パターンを必要としない箇所に形成されたパターンとする。
【００２３】
次に、抽出した座標と描画データベースを照合し（Ｓ１３）、矩形領域内における、欠陥のないＬＳＩパターンのみの描画データを抽出する（Ｓ１４）。
【００２４】
その後、ポジトーンレジストをフォトマスク全面に塗布する（Ｓ１５）。それから、欠陥が含まれる矩形領域に関して、上記欠陥のないＬＳＩパターンのみの描画データを用いて該描画データを白黒反転し、欠陥を露出させるように該レジストをパターニングする（Ｓ１６）。そして、欠陥を露出させる開口を持ったレジストを保護マスクとして、欠陥をエッチングした後、該レジストを除去する（Ｓ１７）。
【００２５】
上記外観検査装置は、例えば、光学エミュレーションシステムと画像処理ユニットを備えている（不図示）。その光学エミュレーションシステムは、光源からの照明光をフォトマスクに導入する照明光学系と、該フォトマスクを透過した照明光を受光部に結像するように投影させる投影光学系と、該受光部に設けられた受光素子とを備える。前記照明光学系と前記投影光学系は、フォトマスク上のパターンを半導体基板表面に転写する場合の光学特性と等価な光学特性を有する必要がある。
【００２６】
前記画像処理ユニットは、前記受光素子が受光した光の像をディスプレイに表示する表示機能を備えている。さらに、この外観検査装置は、予め与えられている前記フォトマスクの正規のパターンデータと、前記ディスプレイに表示する画像データとを比較して前記フォトマスク上の欠陥部を検出する機能を持つ。
【００２７】
以下に具体的な欠陥修正方法を説明する。
【００２８】
図６は本発明を適用する、欠陥部７のあるフォトマスク１００の平面図を示し、図７は欠陥部７のあるフォトマスク１００の断面図を示している。図８は欠陥部７を含む描画修正部を示す平面図である。図９〜図１１は、図７に示した欠陥部の修正工程を断面図で示している。
【００２９】
図６、図７を参照すると、フォトマスク１００は、ベースとなるガラス基板１と、その上にＬＳＩパターンを描画した遮光性導電膜２とで構成されている。
【００３０】
欠陥検査にて、フォトマスク１００上に図６に示すような複数のパターンに跨る大きな欠陥部７が検出された場合、欠陥部７が全て含まれる最小の矩形エリア（長方形又は正方形のエリア）の輪郭座標となるＸ軸方向の座標Ｘ１，Ｘ２およびＹ軸方向の座標Ｙ１，Ｙ２を決定し、この矩形エリアを修正エリアとする。フォトマスクには通常、フォトマスク製造時にその加工精度を測定するためにマスク寸法検査マークが備えられており、上記ＸＹ座標は該マスク寸法検査マークを基準（原点）としたＸ−Ｙ直交２軸座標系において設定される。
【００３１】
この矩形エリアの座標を抽出するには、複数のパターンに跨る欠陥部７を輪郭とする図８に示すような欠陥領域８の位置（座標）をフォトマスク１００上のマスク寸法検査マーク（不図示）を原点として抽出し、この欠陥領域８の輪郭の座標（Ｘ軸方向およびＹ軸方向における最小値および最大値）に基づいて、欠陥領域８を包囲できる最小輪郭となる矩形エリアのＸ軸方向の座標Ｘ１，Ｘ２およびＹ軸方向の座標Ｙ１，Ｙ２を決定する。
【００３２】
続いて、座標（Ｘ１，Ｙ１）、（Ｘ２，Ｙ１），（Ｘ１，Ｙ２）、（Ｘ２，Ｙ２）で囲まれる上記矩形エリア内に関して欠陥部７が無い、ＬＳＩパターン（正規の配線パターン９）のみの描画データを作成する。フォトマスク１００に描画するＬＳＩパターン（正規の配線パターン９）のデータは上記マスク寸法検査マークを基準にした座標データとしてデータベース化されており、外観検査装置に予め与えられている。そのため、上記矩形エリアを成すＸＹ座標に基づき、上記矩形エリア内の正規の配線パターン９の描画データを容易に抽出することができる。
【００３３】
次に、図９に示すようにポジトーンレジスト１１をフォトマスク１００上全面に塗布し、上記矩形エリア内の正規の配線パターン９の描画データが無い部分に電子ビーム１２をビーム描画法で照射し、欠陥部７上のポジトーンレジスト１００を感光し、レジスト感光部（レジスト溶解部）１３を形成する。さらに、図１０に示すように、レジスト感光部１３が溶解・除去されたポジトーンレジスト１０をエッチング保護マスクとし、欠陥部７の遮光性導電膜２をエッチングして除去する。その後、図１１に示すようにポジトーンレジスト１１を除去する。これで、欠陥部７が完全に修正された。
【００３４】
つまり、図８に示すように欠陥領域８内の、正規の配線パターン９を除いた部分が描画修正部１０であるため、欠陥領域８を包括的に含む矩形エリア内の、正規の配線パターン９が無い部分には描画修正部１０が含まれていることになる。このため、上記矩形エリア内の正規の配線パターン９が無い部分を該正規の配線パターン９と該矩形エリアとの座標データから特定し、この部分以外をマスクするレジストを形成し、上記矩形エリア内の正規の配線パターン９が無い部分をエッチングすることにより、描画修正部１０の欠陥部７を除去することができる。
【００３５】
図１２は、広域で複雑な形状の欠陥領域８ａがあるフォトマスクの平面図である。
この場合でも、図１２に示される欠陥領域８ａの輪郭の座標に基づいて、欠陥領域８ａ全体が含まれる最小の矩形エリアとなるＸ軸方向の座標Ｘ１，Ｘ２およびＹ軸方向の座標Ｙ１，Ｙ２を決定する。そして、特定した４か所のＸＹ座標で囲まれる矩形エリアに関して、描画修正部１０の欠陥を上述したようにレジストを使ったエッチングで修正することで、単純な形状の欠陥領域（図６）と同様に、広域で複雑な形状の欠陥領域８ａも修正することができる。
【００３６】
また、図１３に示すように、フォトマスク上のＬＳＩパターンが単純でないロジックパターンであっても、又は、フォトマスクに第１の欠陥領域８ａ及び第２の欠陥領域８ｂといった複数箇所の欠陥があっても、本発明を適用することが出来る。その場合、第１の欠陥領域８ａの輪郭の座標に基づいて、第１の欠陥領域８ａ全体が含まれる最小の矩形エリアとなるＸ軸方向の座標Ｘ１，Ｘ２およびＹ軸方向の座標Ｙ１，Ｙ２を決定する。同時に、第２の欠陥領域８ｂの輪郭の座標に基づいて、第２の欠陥領域８ａ全体が含まれる最小の矩形エリアとなるＸ軸方向の座標Ｘ３，Ｘ４およびＹ軸方向の座標Ｙ３，Ｙ４を決定する。そして、それぞれの矩形エリアに関して、描画修正部１０の欠陥を上述したようにレジストを使ったエッチングで修正することで、複数の欠陥領域８ａ，８ｂを修正することができる。
【００３７】
フォトマスク上の一又は複数箇所において複数のパターンに跨る大きな欠陥や複雑な形状のパターン領域にわたる欠陥に関して、従来技術ではその修正時間がかかり過ぎてフォトマスクを破棄するしかなかったが、上述した実施例の修正方法によればそのような欠陥を短時間で修正することができる。この修正方法により、１００％の歩留まりでフォトマスクを作成することが可能となり、製造工期の短縮ならびに製造コストの低減を図ることができる。
【００３８】
（実施例２）
図１４〜図１６は、本発明の他の実施形態によるフォトマスク修正方法を示しており、特に、ＬＳＩパターンが複雑なロジックパターンで、本来あるべきＬＳＩパターンが欠損した場合の修正方法を平面図で示している。
【００３９】
図１４を参照すると、フォトマスク１００上にＬＳＩパターンを描画している遮光性導電膜２において、本来あるべきＬＳＩパターンが欠損している部分（欠損パターン１４）がある。
【００４０】
欠陥検査にて、図１４に示すように、複雑なロジックパターンの遮光性導電膜２を持つフォトマスク１００上に欠損パターン１４が検出された場合、欠損パターン１４が包括的に含まれる最小の矩形エリアとなるＸ軸方向の座標Ｘ１，Ｘ２およびＹ軸方向の座標Ｙ１，Ｙ２を決定し、この矩形エリアを修正エリアとする。上記ＸＹ座標は、実施例１で説明したマスク寸法検査マークを基準としたＸ−Ｙ直交２軸座標系において設定される。
【００４１】
次に、上記矩形エリア内全体に遮光性導電膜１５をＦＩＢにより成膜する（イオンビームデポジション法）。このデポジションでは該ＦＩＢの代わりに電子ビームを用いても良い。
【００４２】
続いて、特定した４か所のＸＹ座標で囲まれる矩形エリア内に関して欠損パターン１４が無い、ＬＳＩパターン（正規の配線パターン９）の描画データを作成する。フォトマスク１００に描画するＬＳＩパターン（正規の配線パターン９）のデータは上記マスク寸法検査マークを基準にした座標データとしてデータベース化されており、外観検査装置に予め与えられている。そのため、上記矩形エリアを成すＸＹ座標に基づいて、上記矩形エリア内の正規の配線パターン９の描画データを容易に抽出することができる。
【００４３】
次に、ポジトーンレジスト（不図示）をフォトマスク１００上全面に塗布し、上記矩形エリア内に関して、正規の配線パターン９の描画データのとおりに該ポジトーンレジストをビーム照射でパターニングする。
【００４４】
その後、パターニングされた前記ポジトーンレジストをエッチング保護マスクにして、上記矩形エリア内の前記ポジトーンレジストで被覆されていない部分（描画修正部１０）の遮光性導電膜１５をエッチングした後、該ポジトーンレジストを除去する。これで、欠損パターン１４の修正を完了する。
【００４５】
なお、上記矩形エリアは、欠損パターン１４が全て含まれ、かつ、正規の配線パターン９の描画データに基づいて欠損パターン１４の最外周ラインＥ１，Ｅ２にイオンビームもしくは電子ビームポジションのデポジション精度以上のマージンΔＥを付加した領域とするのが望ましい。
【００４６】
フォトマスク上のＬＳＩパターンにおいて本来あるべきパターンが欠損している部分（欠損パターン）に関して、従来技術ではその修正時間がかかり過ぎてフォトマスクを破棄するしかなかったが、上述した実施例の修正方法によればそのような欠損パターンを短時間で修正することができる。この修正方法により、１００％の歩留まりでフォトマスクを作成することが可能となり、製造工期の短縮ならびに製造コストの低減を図ることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１００    フォトマスク
１    ガラス基板
２、１５    遮光性導電膜
３    マスク欠陥
４    修正針
５    集光レンズ
６    イオンビームもしくは電子ビーム
７    欠陥部
８、８ａ、８ｂ    欠陥領域
９    正規の配線パターン
１０、１０ａ、１０ｂ    描画修正部（図中の黒塗り部全て）
１１    ポジトーンレジスト
１２    電子ビーム
１３    レジスト感光部（レジスト溶解部）
１４    欠損パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１０】
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【図１１】
2014089237.tif 000012
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図９】
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