(57)【要約】【課題】明表示時の反射率が高いか、或いは暗表示時の反射率が低く、その結果、コントラスト比の高い電気光学装置を提供する事。【解決手段】電気光学装置は、表示領域Ｅと、表示領域Ｅの周囲に設けられたダミー領域Ｄと、を有する。表示領域Ｅには、画素電極１５が形成されており、ダミー領域Ｄには、ダミー電極１５ｄが形成されており、ダミー領域Ｄにおけるダミー電極１５ｄの面積割合（ダミー電極密度）は、表示領域Ｅにおける画素電極１５の面積割合（画素電極密度）よりも小さい。ダミー電極密度が低いので、ノーマリーブラックモードで駆動される反射型の電気光学装置のダミー領域で、黒表示時の反射率を低くする事ができる。【選択図】図５
2014092726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向配置された第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板とにより挟持された電気光学材料と、
を備え、
前記第一基板は、表示領域と、前記表示領域の周囲に設けられたダミー領域と、を有し、
前記表示領域には、スイッチング素子に電気的に接続された画素電極が形成されており、
前記ダミー領域には、第一電位が供給されるダミー電極が形成されており、
前記ダミー領域における前記ダミー電極の面積割合は、前記表示領域における前記画素電極の面積割合よりも小さい事を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記ダミー領域における前記ダミー電極の面積割合は前記画素電極密度の０．５倍よりも大きく、１倍よりも小さい事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記ダミー領域にて前記ダミー電極が形成されていない空隙の平面視での幅は、前記表示領域にて前記画素電極が形成されていない空隙の平面視での幅にほぼ等しい事を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第二基板は、開口領域と、前記開口領域の周囲に設けられた見切り領域と、を有し、前記開口領域と前記見切り領域との境界が、平面視にて前記ダミー領域に重なる事を特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記開口領域は透光性であり、前記見切り領域は遮光性である事を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターは、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置に光を照射し、これらの電気光学装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である。これは光源から発せられた光を電気光学装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成している。
【０００３】
反射型の液晶装置の一例が特許文献１に記載されている。特許文献１によると、液晶装置では、表示領域に画素電極が所定のピッチで行列状に配列され、表示領域を囲むダミー表示領域にダミー画素電極が設けられている。ダミー画素電極は画素電極に等しいサイズ及びピッチで島状に配列され、下層の配線を介して互いに相互接続されている。ダミー画素電極には所定の電位が供給され、ダミー表示領域を黒表示としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１０８４６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、ダミー表示領域を黒表示にする為に、回路構成や駆動方式を複雑にせざるを得ないという課題があった。図８は液晶装置の電圧−反射率特性を示す図で、（ａ）は理想状態、（ｂ）は理想から外れた状態を説明する図である。図８では、液晶層への印加電圧を横軸に取り、縦軸に最小反射率を０％とし最大反射率を１００％に規格化した相対反射率を示している。図８（ａ）に示される様に、ノーマリーブラックモードであれば、理想的には、電圧ゼロで反射率が０％となり、電圧が高くなるにつれて反射率が増大して行き、やがて１００％で飽和する。ところが、現実には、液晶特性や配向膜製造条件に依存するプレチルト角等、様々な要因によって、図８（ｂ）に示される様に、電圧ゼロではなく電圧Ｖｍで反射率が最小の０％になる場合がある。こうした場合、従来の液晶装置では、液晶層への印加電圧が＋Ｖｍになる電位と−Ｖｍになる電位とを、１フレーム毎に交互に切り替て、ダミー画素電極に供給していた。この様に、従来の液晶装置では、ダミー表示領域を黒表示とする為に、専用の回路を構成し、複雑な駆動方式を取らねばならないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
本適用例に係わる電気光学装置は、第一基板と、第一基板に対向配置された第二基板と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学材料と、を備え、第一基板は、表示領域と、表示領域の周囲に設けられたダミー領域と、を有し、表示領域には、スイッチング素子に接続された画素電極が形成されており、ダミー領域には、第一電位が供給されるダミー電極が形成されており、ダミー領域におけるダミー電極の面積割合（ダミー電極密度）は、表示領域における画素電極の面積割合（画素電極密度）よりも小さい事を特徴とする。
反射型の電気光学装置で画素電極とダミー電極とを入射光に対する反射板として利用した上で、この構成とすると、ダミー電極密度が低いので、ダミー領域に於ける平均反射率を低くする事ができる。電気光学装置では、画素電極やダミー電極と共通電極との間に電気光学材料が配置され、画素電極やダミー電極の電位と共通電極の電位との差が電気光学材料への印加電圧となる。ノーマリーブラックモードで駆動される電気光学装置の反射率が、電気光学材料への印加電圧がゼロボルトでない電圧Ｖｍにて最小の０％になる場合であっても、この構成とすると、ダミー電極の電位を単純に共通電極の電位と同じにするだけで、黒表示時の反射率を低くする事ができる。換言すると、専用の回路を構成しなくても、複雑な駆動方式を取らなくても、ダミー表示領域を反射率の低い黒表示とする事ができる。
【０００８】
上記適用例に係わる電気光学装置において、ダミー領域におけるダミー電極の面積割合（ダミー電極密度）は画素電極密度の０．５倍よりも大きく、１倍よりも小さい事が好ましい。
この構成とすると、電気光学装置を製造する際の最小デザインルールでダミー電極を形成する事ができる。
【０００９】
上記適用例に係わる電気光学装置において、ダミー領域にてダミー電極が形成されていない空隙の平面視での幅は、表示領域にて画素電極が形成されていない空隙の平面視での幅にほぼ等しい事が好ましい。
この構成とすると、電気光学装置を製造する際の最小デザインルールでダミー電極を形成する事ができる。
【００１０】
上記適用例に係わる電気光学装置において、第二基板は、開口領域と、開口領域の周囲に設けられた見切り領域と、を有し、開口領域と見切り領域との境界が、平面視にてダミー領域に重なる事が好ましい。
この構成とすると、開口領域と見切り領域との境界が黒表示しているダミー領域に設けられるので、開口領域と見切り領域との境界が利用者に認識され難くなる。即ち、表示品位の高い電気光学装置を実現する事ができる。
【００１１】
上記適用例に係わる電気光学装置において、開口領域は透光性であり、見切り領域は遮光性である事が好ましい。
この構成とすると、開口領域は表示領域と黒表示のダミー領域の一部とが含まれ、それ以外は見切り領域で遮光される。即ち、表示領域の周囲を黒表示のダミー領域と見切り領域とで遮光するので、表示領域だけを開口領域内に表示する事ができる。こうして、表示品位の高い電気光学装置を実現する事ができる。
【００１２】
上記適用例のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成とすると、表示品位の高い電気光学装置を備えた電子機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】液晶装置の構成を説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶装置の表示領域に於ける構造を示す断面図。
【図４】電気光学装置の入射光側からの平面視に於ける表示形状を説明する図。
【図５】画素電極とダミー電極との平面視における形状の一例を説明する図。
【図６】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図。
【図７】ダミー電極の平面視における形状の一例を説明する図。
【図８】液晶装置の電圧−反射率特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにする為、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１５】
（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は液晶装置の構成を説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図である。まず、電気光学装置の概要を、図１を参照して、説明する。本実施形態では、電気光学装置は反射型の液晶装置１００であり、液晶装置１００は、薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）３０を画素のスイッチング素子として備えている。尚、以下の説明で参照する図においては、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示す様に、電気光学装置（液晶装置１００）は、第一基板（素子基板１０）と、第一基板に対向配置された透光性の第二基板（対向基板２０）と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学材料（液晶層５０）と、を有する。
【００１７】
素子基板１０は、例えば透明な石英ガラスや無アルカリガラス或いは不透明なシリコン基板などを用いる事ができ、対向基板２０よりも一回り大きい。又、素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材４０を介して対向基板２０と接合されている。シール材４０によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。素子基板１０と対向基板２０との間への液晶の封入（充填）は、滴下方式（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ方式、ＯＤＦ方式）が用いられる。滴下方式とは、一方の基板（本実施形態では素子基板１０）の外周に沿ってシール材４０を配置し、配置されたシール材４０を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下し、次いで、減圧下で一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる方式である。シール材４０としては、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材４０には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持する為のスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００１８】
第一基板は、表示領域Ｅと、表示領域Ｅの周囲に設けられたダミー領域（周辺領域）Ｄと、を有する。具体的には、第一基板でシール材４０の内側には、表示領域Ｅを取り囲む様にダミー領域Ｄが配置されている。表示領域Ｅには行列状に画素Ｐが複数配置されており、各画素Ｐにはスイッチング素子（ＴＦＴ３０）に接続された画素電極１５が形成されている。一方、ダミー領域Ｄにも行列状にダミー画素ＤＰが複数配置されており、ダミー画素ＤＰには第一電位が供給されるダミー電極（周辺電極）１５ｄが形成されている。表示領域Ｅとは、要するに、複数の画素Ｐが配置され、様々な画像を表示し得る領域である。これに対して、ダミー領域Ｄとは複数のダミー画素ＤＰが配置され、ダミー領域Ｄの全体で一定階調の表示を行う領域である。本実施形態では、ダミー領域Ｄは暗表示（黒表示）を行う。
【００１９】
素子基板１０の一辺部（図１（ａ）の下辺）と表示領域Ｅとの間に信号線駆動回路１０１が設けられている。下辺に沿ったシール材４０と信号線駆動回路１０１との一部が平面視で重なっている。又、この一辺部（図１（ａ）の下辺）に対向する他の一辺部（図１（ａ）の上辺）に沿ったシール材４０の内側で表示領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。更に、これらの一辺部（図１（ａ）の上辺及び下辺）と直交し互いに対向する他の二辺部（図１（ａ）の右辺及び左辺）に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。図１（ａ）の上辺部に沿ったシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これら信号線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線１０５は、下辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、上辺及び下辺に沿った方向をＸ方向とし、右辺及び左辺に沿った方向をＹ方向として説明する。この様にシール材４０の内側で表示領域Ｅの外側の領域には、信号線駆動回路１０１の一部や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、各種の配線１０５が素子基板１０に設けられており、この領域がダミー領域Ｄに相当する。即ち、断面構造として、信号線駆動回路１０１の一部や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、各種の配線１０５の上層にはダミー画素ＤＰが配置されている。尚、図１では、総ての画素Ｐやダミー画素ＤＰを描いている訳ではなく、説明を分かり易くする為に、これらの一部を描いてある。
【００２０】
図１（ｂ）に示す様に、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐ毎に設けられた光反射性を有する画素電極１５と、ダミー画素ＤＰ毎に設けられた光反射性を有するダミー電極１５ｄと、スイッチング素子としてのＴＦＴ３０と、各種の配線１０５と、画素電極１５とダミー電極１５ｄとを覆う平坦化絶縁膜１７（図３参照）と、配向膜１８とが形成されている。画素電極１５やダミー電極１５ｄは、光反射性の例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、或いはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成されており、両者とも同じ層上に同じ材質で同じ膜厚に形成されている。これにより、画素電極１５とダミー電極１５ｄとを覆う平坦化絶縁膜１７も配向膜１８も、素子基板１０のシール材４０の内側の領域で平坦となっている。要するに、液晶装置１００は、反射型の電気光学装置で、画素電極１５とダミー電極１５ｄとを第二基板側から入射した光に対する反射板として利用している。尚、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となる事を防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２１】
第二基板（対向基板２０）は、例えば、透明な石英ガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、本実施形態では石英ガラスが用いられている。第二基板は、開口領域Ａと、開口領域Ａの周囲に設けられた見切り領域Ｂと、を有している。開口領域Ａと見切り領域Ｂとの境界は、平面視にてダミー領域Ｄに重なっている。見切り領域Ｂには、対向基板２０の液晶層５０側の表面に見切り部２１が形成されている。対向基板２０の液晶層５０側の表面には、見切り部２１を覆って開口領域Ａを平坦としている透明絶縁膜２２と、少なくとも開口領域Ａに渡って透明絶縁膜２２を覆う様に設けられた透明導電膜２３と、透明導電膜２３を覆う配向膜２５とが形成されている。透明導電膜２３は、共通電極として機能している。この様に、電気光学装置では、画素電極１５やダミー電極１５ｄと共通電極（透明導電膜２３）との間に電気光学材料（液晶層５０）が配置され、画素電極１５やダミー電極１５ｄの電位と共通電極の電位との差が電気光学材料への印加電圧となる。この印加電圧に応じて電気光学材料の光学特性が変わり、表示が可能となる。
【００２２】
見切り部２１は遮光性で、例えば金属或いは金属酸化物などからなり、図１（ｂ）に示す様に、平面的に信号線駆動回路１０１や検査回路１０３の一部と重なる位置に設けられている。即ち、開口領域Ａと見切り領域Ｂとの境界が、黒表示しているダミー領域Ｄに設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止していると共に、開口領域と見切り領域との境界が利用者に認識され難く構成されている。又、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しない様に遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。尚、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいて各画素Ｐを平面的に区分する遮光部やダミー領域Ｄにおいて各ダミー画素ＤＰを平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス、ＢＭ）が設けられている。
【００２３】
透明導電膜２３と透明絶縁膜２２とは、可視光波長にて高い光透過率を有する様に構成されている。この様に、開口領域Ａは透光性であり、見切り領域Ｂは遮光性である。尚、透明導電膜２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により、素子基板１０の配線に電気的に接続している。
【００２４】
素子基板１０の配向膜１８及び対向基板２０の配向膜２５は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されている。本実施形態では、酸化珪素（ＳｉＯｘ）などの無機材料が、物理気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）にて成膜され、配向膜１８や配向膜２５となっている。配向膜１８や配向膜２５により、液晶分子は、配向膜面に対して所定の方向にプレチルト角をなして配向する。
【００２５】
対向基板２０は、シール材４０と平面的に重なる部分が一定の深さで形成された凹部２０ａを有している。凹部２０ａは対向基板２０の見切り部２１の外側から基板外周に至って形成されている。透明絶縁膜２２や透明導電膜２３、配向膜２５は、それぞれ凹部２０ａにも形成されている。素子基板１０と対向基板２０とを液晶層５０を挟んで対向配置した際の液晶層５０の厚みをｄとすると、シール材４０には、凹部２０ａの深さを考慮して、液晶層５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサー（図示省略）が含まれている。対向基板２０に平坦化を担う透明絶縁膜２２が設けられ、素子基板１０にも画素電極１５とダミー電極１５ｄとを覆う平坦化絶縁膜１７が設けられているので、少なくとも開口領域Ａの全域に渡って液晶層５０の厚みばらつきが抑制されている。
【００２６】
「回路構成」
図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。次に、図２を参照して、回路構成を説明する。
【００２７】
図２に示す様に、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａと複数の信号線６ａと、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂとを有する。尚、容量線３ｂの配置はこれに限定されず、信号線６ａに対して平行する様に配置しても良い。
【００２８】
走査線３ａと信号線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００２９】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲート電極３０ｇ（図３参照）に電気的に接続され、信号線６ａはＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレイン領域に電気的に接続されている。
【００３０】
信号線６ａは信号線駆動回路１０１に接続されており、信号線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。信号線駆動回路１０１から信号線６ａに供給される画像信号Ｄ１からＤｎは、信号線６ａ毎に順次供給されても良いし、或いは複数の信号線６ａを幾つかのグループに分け、グループ毎に供給されても良い。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１からＳＣｍを供給し、複数の走査線３ａから一本或いは複数本の走査線３ａを順次選択する。
【００３１】
ｉ行ｊ列（ｉは１からｍの整数、ｊは１からｎの整数）に位置する画素Ｐでは、走査信号ＳＣｉが選択信号となっている期間（選択期間）にＴＦＴ３０がオン状態となり、信号線６ａからＴＦＴ３０を介して、画像信号Ｄｊが画素電極１５に供給される。こうして、画素電極１５には選択期間の画像信号Ｄｊに応じた電位が供給され、画素電極１５と共通電極との間の電位差に応じて、液晶層５０の光学状態が定められる。走査信号ＳＣｉが非選択信号となる期間（非選択期間）には、ＴＦＴ３０はオフ状態となり、画素電極１５の電位が保持される。非選択期間中の画素電極１５の電位変動を小さくすべく、保持容量１６が、画素電極１５と共通電極（透明導電膜２３）との間に形成される液晶容量と並列して、接続される。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３２】
図１（ａ）に示した検査回路１０３には、信号線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造工程中に、検査信号を検出する事で液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。又、検査回路１０３は、検査信号をサンプリングして信号線６ａに供給するサンプリング回路や、信号線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を検査信号に先行して供給するプリチャージ回路、を含む構成としても良い。
【００３３】
この様な液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（出射側）に偏光素子が配置される。尚、画素Ｐが非駆動時とは、画素電極１５の電位と共通電極の電位とがほぼ等しく、液晶層５０への印加電圧がほぼゼロとなる状態である。
【００３４】
画素Ｐを暗表示とするには、図８に示す電圧−反射率特性で反射率がほぼゼロとなる電位を画素電極１５に供給する。即ち、図８（ａ）に示す様に、理想系では、画素Ｐを暗表示とするには、共通電極の電位とほぼ同じ電位を画像信号として画素電極１５に供給して、実効電圧（液晶層５０への印加電圧）をほぼゼロとする。図８（ｂ）に示す様に、ノーマリーブラックモードで駆動される電気光学装置の反射率が、電気光学材料への印加電圧がゼロボルトでない電圧Ｖｍにて最小の０％になる場合に、画素Ｐを暗表示とするには、共通電極の電位に対して＋Ｖｍの電位か−Ｖｍの電位かを画素電極１５に供給して、実効電圧をＶｍとする。こうして画素Ｐの暗表示時の反射率は最小の０％近辺の値となる。一方、本実施形態では、ダミー電極１５ｄに供給される第一電位を共通電極の電位と同一にする。即ち、ダミー電極に対する専用の回路を構成する訳でも無く、複雑な駆動方式を取る訳でもなく、ダミー電極１５ｄの電位を単純に共通電極の電位と同じにして、電気光学材料への印加電圧をゼロとしている。
【００３５】
「断面構造」
図３は液晶装置の表示領域に於ける構造を示す断面図である。液晶装置の断面構造は表示領域Ｅもダミー領域Ｄも殆ど同じなので、次に、図３を参照して、液晶装置の断面構造を詳述する。
【００３６】
図３に示す様に、表示領域Ｅでは、素子基板１０上には、走査線３ａと、走査線３ａを覆う第一層間絶縁膜１１と、ＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う第二層間絶縁膜１２と、画素電極１５と、画素電極１５を覆う平坦化絶縁膜１７と、配向膜１８とが順に形成されている。ダミー領域Ｄでは、各種の回路がＴＦＴ３０と同じ薄膜トランジスターにて形成され、画素電極１５の代わりにダミー電極１５ｄが形成されている。
【００３７】
走査線３ａは、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、或いはこれらが積層されたものを用いる事ができる。
【００３８】
ＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、チャンネル形成領域とソース領域とドレイン領域とを含んでいる。本実施形態では、半導体層３０ａは多結晶シリコン膜であり、チャンネル形成領域とドレイン領域との間に、燐等のドナー型元素を低濃度で含むライトリードープトドレイン（Ｌｉｇｈｔ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ、ＬＤＤ）構造をなしている。半導体層３０ａは第一層間絶縁膜１１上に形成されている。半導体層３０ａはゲート絶縁膜（図示省略）にて覆われ、ゲート絶縁膜上にゲート電極３０ｇが形成されている。ゲート絶縁膜を介して、ゲート電極３０ｇに対峙する半導体層３０ａがチャンネル形成領域となる。ゲート電極３０ｇと走査線３ａとは第一層間絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示省略）を介して電気的に接続されている。
【００３９】
半導体層３０ａのソース領域とドレイン領域との一方が、信号線６ａにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続され、半導体層３０ａのソース領域とドレイン領域との他方が、画素電極１５にコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続されている。トランジスターのソース領域とドレイン領域とは、電位に応じて入れ替わり得るので、本明細書では、便宜上、信号線６ａに接続する方をソース領域と呼び、画素電極１５に接続する方をドレイン領域と呼んでいる。即ち、信号線６ａがＴＦＴ３０のソース電極３１として機能し、画素電極１５がＴＦＴ３０のドレイン電極３２として機能している事になる。コンタクトホールＣＮＴ１とコンタクトホールＣＮＴ２とは第二層間絶縁膜１２に形成されている。
【００４０】
画素電極１５とダミー電極１５ｄとは、前述した様に、例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）又はこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成されており、光反射性を有している。画素電極１５とダミー電極１５ｄとの膜厚は、５０ｎｍから１００ｎｍの範囲にある。
【００４１】
画素電極１５とダミー電極１５ｄとを覆う平坦化絶縁膜１７は、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＰＳＧと称する）、或いは硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＳＧと称する）、或いは硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧと称する）等の酸化珪素膜とする。これらの添加物を含んだ酸化珪素膜は、シランガス（ＳｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。本実施形態では、平坦化絶縁膜１７としてＢＰＳＧ膜を使用している。これらの添加物を含んだ酸化珪素膜は平坦性に優れている。平坦化絶縁膜１７の膜厚は凡そ１００ｎｍである。
【００４２】
配向膜１８は、物理気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）を用いて、酸化珪素（ＳｉＯｘ）などの無機材料を成膜する事により形成される。配向膜１８の膜厚は凡そ７５ｎｍである。
【００４３】
素子基板１０に対向配置された対向基板２０の液晶層５０側には、ブラックマトリックス（ＢＭ）を覆う透明絶縁膜２２と、透明導電膜２３と、配向膜２５とが順に形成されている。ブラックマトリックス（ＢＭ）は、画素Ｐやダミー画素ＤＰを区画する様に、対向基板２０において平面視でＸ方向とＹ方向とに延在する格子状に形成されており、見切り部２１と同時に形成される。ブラックマトリックスは、遮光性の例えばニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）などの金属やその化合物を用いて形成される。本実施形態ではＣｒをスパッター法により成膜して格子状にパターニングされている。その膜厚は凡そ７５ｎｍである。この他にも素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際に用いる合わせマークが成膜されたＣｒをパターニングして対向基板２０に形成されている。
【００４４】
対向基板２０の基材表面には、ブラックマトリックスや上述の合わせマークに起因する凹凸が生ずる。透明導電膜２３を形成するにあたり、この凹凸に依って透明導電膜２３の一部が損なわれたり、或いは変形されたりしない様に、更には、透明導電膜２３の平滑性が得られる様に、対向基板２０の表面を覆う透明絶縁膜２２が形成される。透明導電膜２３は共通電極として機能しており、導電性の多結晶膜である。本実施形態では、透明導電膜２３として多結晶性のインジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）が利用されている。又、透明絶縁膜２２は、先の平坦化絶縁膜１７と同様に、添加物を含んだ酸化珪素膜にて形成される。本実施形態では、透明絶縁膜２２はＢＰＳＧ膜からなる。
【００４５】
この様な反射型の液晶装置１００の表示領域Ｅでの明表示時には、対向基板２０側から入射した光（入射光ＩＬ）は、液晶層５０を透過し、画素電極１５によって反射されて第一反射光Ｒ１となる。第一反射光Ｒ１は、入射経路を遡り、再び液晶層５０を透過して対向基板２０側から出射されて出射光ＯＬとなる。一方、液晶装置１００の表示領域Ｅでの暗表示時（黒表示時）には、入射光ＩＬが液晶層５０で総て吸収されるのが理想的である。ダミー領域Ｄでは常に暗表示（黒表示）とされ、先と同様に、入射光ＩＬが液晶層５０で総て吸収されるのが理想的である。
【００４６】
「表示形態」
図４は電気光学装置の入射光側からの平面視に於ける表示形状を説明する図である。次に、図４を参照して、液晶装置１００での表示形態を説明する。
【００４７】
図４に示す様に、表示領域Ｅは画像領域Ｉｍｇと黒表示領域Ｂｌｋとを含んでいる。表示領域Ｅとは電気光学装置で画像を表示する事が可能な領域である。一方、画像領域Ｉｍｇは、表示領域Ｅ内で実際に画像が表示される領域である。又、黒表示領域Ｂｌｋとは表示領域Ｅ内で画像領域Ｉｍｇではなく、画素Ｐが黒表示を為している領域である。前述の如く、画素Ｐの黒表示は反射率が最小となっている。勿論、黒表示領域Ｂｌｋにも画像を表示する事は可能である。従って、表示領域Ｅは画像領域Ｉｍｇよりも大きく、表示領域Ｅの画素数は画像領域Ｉｍｇの画素数もよりも多い。具体的には、表示領域Ｅの縦の画素数を画像領域Ｉｍｇの縦の画素数よりも８の整数倍（本実施形態では１倍）だけ多くし、表示領域Ｅの横の画素数を画像領域Ｉｍｇの横の画素数よりも８の整数倍（本実施形態では２倍）だけ多くするのが好ましい。こうすると、信号処理が容易となるからである。例えば、本実施形態では、画像領域Ｉｍｇが縦１０８０画素×横１９２０画素のフルハイビジョン画像に対応しているので、表示領域Ｅは縦１０８８画素×横１９３６画素となっている。言い換えると、表示領域Ｅには、ｍ＝１０８８本の走査線３ａと、ｎ＝１９３６本の信号線６ａと、が設けられており、各表示領域内に縦１０８０画素×横１９２０画素のフルハイビジョン画像が表示される。こうすると、後述する様に、投射型表示装置等の電子機器に複数枚の電気光学装置が使用された場合、表示領域Ｅ内に設ける画像領域Ｉｍｇの位置を電気的に調整する事ができ、複数枚の電気光学装置による画像を、それらが一致する様に合わせる事が可能となる。
【００４８】
表示領域Ｅの外側には枠状にダミー領域Ｄが形成され、ダミー領域Ｄの外周と重なる様に見切り領域Ｂが形成されている。図４は液晶装置１００を入射光側から見た平面図であるので、見切り領域Ｂと重なっているダミー領域Ｄは描かれていない。見切り領域Ｂはブラックマトリックスでもあり、黒色を為している。従って、後述する投射型表示装置に電気光学装置が使用された場合、黒表示をなす。先に述べた様に、ダミー領域Ｄも常に暗表示（黒表示）とされている。又、黒表示領域Ｂｌｋも反射率が最小の黒表示である。こうすると、開口領域Ａは表示領域Ｅと黒表示のダミー領域Ｄの一部とを含み、それ以外は見切り領域Ｂで遮光される。即ち、表示領域Ｅの周囲を黒表示のダミー領域Ｄと見切り領域Ｂとで遮光するので、表示領域Ｅだけを開口領域Ａ内に表示する事ができる。
【００４９】
図８（ｂ）に示す様に、ノーマリーブラックモードで駆動される電気光学装置の反射率が、電気光学材料への印加電圧Ｖｍにて最小の０％になる場合に、ダミー電極１５ｄの電位を共通電極の電位と同一とすると、ダミー電極１５ｄでの暗表示時の反射率は最小の０％から異なった僅かに高い値となる。本実施形態では、ダミー電極１５ｄの形状を工夫する事で、ダミー電極１５ｄでの暗表示時の反射率は最小値から僅かに高い値であるが、ダミー領域Ｄ全体の平均反射率は黒表示領域Ｂｌｋ全体の平均反射率と同等若しくはそれ以下とする事ができる。次にこの事を説明する。
【００５０】
「ダミー電極形状」
図５は、画素電極とダミー電極との平面視における形状の一例を説明する図で、（ａ）は画素電極を説明し、（ｂ）はダミー電極を説明している。次に、図５を参照して、ダミー電極の平面視における形状を説明する。
【００５１】
図５（ａ）に示す様に、表示領域Ｅにて画素電極１５は、同一形状で、同一ピッチで規則的に配列している。表示領域Ｅにおける画素電極１５の面積割合を画素電極密度と称する。画素電極密度は一つの画素Ｐの中で画素電極１５が占める面積の割合である。表示領域Ｅにて画素電極１５が形成されていない空隙は平面視での幅Ｓを有する。この空隙の平面視での幅Ｓは電気光学装置を製造する際の最小デザインルールで定められ、画素電極密度を極大とする様に設計されている。尚、一つの画素電極１５と隣の画素電極１５との間の空隙とは、画素電極１５を形成するアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）又はこれらの金属の合金や酸化物などの化合物で構成された導電膜が存在しないとの意味で、実際は、一つの画素電極１５と隣の画素電極１５との間には平坦化絶縁膜１７が存在している。
【００５２】
図５（ｂ）に示す様に、ダミー領域Ｄにてダミー電極１５ｄは、同一形状で、同一ピッチで規則的に配列している。ダミー領域Ｄにおけるダミー電極１５ｄの面積割合をダミー電極密度と称する。ダミー電極密度は一つのダミー画素ＤＰの中でダミー電極１５ｄが占める面積の割合である。本実施形態では、画素Ｐとダミー画素ＤＰとは同一形状で、共に正方形をなし、同一面積である。ダミー画素ＤＰには、ダミー電極１５ｄの間を分ける空隙の他に、ダミー画素ＤＰの内部にも空隙が設けられている。この空隙とは、先と同様に、ダミー電極１５ｄを形成するアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）又はこれらの金属の合金や酸化物などの化合物で構成された導電膜が存在しないとの意味で、実際には、一つのダミー電極１５ｄ間の空隙には平坦化絶縁膜１７が存在している。この結果、ダミー電極密度は画素電極密度よりも小さくなっている。こうすると、ダミー電極密度が画素電極密度よりも低くなっているので、画素電極１５とダミー電極１５ｄに同電位を印加した場合、ダミー領域Ｄに於ける平均反射率を表示領域Ｅの平均反射率より低くする事ができる。即ち、ノーマリーブラックモードで駆動される電気光学装置の反射率が、電気光学材料への印加電圧Ｖｍにて最小の０％になる場合に、ダミー電極１５ｄの電位を共通電極の電位と同一としても、ダミー電極密度が画素電極密度よりも小さいので、ダミー領域Ｄ全体の平均反射率は黒表示領域Ｂｌｋ全体の平均反射率と同等若しくはそれ以下とする事ができる。
【００５３】
ダミー電極密度は画素電極密度の０．５倍よりも大きく、１倍よりも小さい。ダミー電極密度は画素電極密度よりも小さいので、当然１倍よりも小さくなる。一方、図５（ｂ）に示す様に、ダミー領域Ｄにてダミー電極１５ｄが形成されていない空隙も平面視での幅Ｓを有する。即ち、表示領域Ｅにて画素電極１５が形成されていない空隙の平面視での幅Ｓと、ダミー領域Ｄにてダミー電極１５ｄが形成されていない空隙の平面視での幅Ｓとは、ほぼ等しい。この為、ダミー領域Ｄにてダミー電極１５ｄが形成されていない空隙の平面視での幅Ｓは電気光学装置を製造する際の最小デザインルールで定められる事になる。ダミー領域Ｄ全体の平均反射率を低くするには、低いダミー電極密度が好ましいが、最小デザインルールにてダミー電極１５ｄが形成されていない空隙を形成するには、ダミー電極密度を０．５倍以上にせねばならない。即ち、ダミー電極密度を画素電極密度の０．５倍よりも大きくすると、最小デザインルールにてダミー電極１５ｄが形成されていない空隙を形成する事ができ、１倍よりも小さくすると、ダミー電極密度を画素電極密度よりも小さくする事ができる。尚、図５（ｂ）で、ダミー画素ＤＰの中央部に、空隙によって孤立されている正方形の島状のダミー電極１５ｄは下層の配線によりその他のダミー電極１５ｄに接続されており、ダミー電極１５ｄ全体は常に同電位である。本実施形態では、前述の如く、ダミー電極１５ｄ全体は、共通電極の電位に等しくされている。平坦化絶縁膜１７の平坦性を維持する為に、ダミー電極密度をゼロにする事（ダミー電極１５ｄをなくす事）は好ましくない。ダミー電極密度がゼロでないので（ダミー電極１５ｄが存在するので、）平坦化絶縁膜１７の平坦性が確保され、セルギャップ（液晶層５０の厚みｄ）が開口領域Ａの全体で均一とされ、品位の高い表示がなされる事になる。
【００５４】
「電子機器」
図６は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。次に、図６を参照して、本実施形態の電子機器を説明する。
【００５５】
図６に示す様に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００５６】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００５７】
偏光照明装置１１００から出射された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光Ｒを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光Ｇと青色光Ｂとを反射する。
【００５８】
反射した赤色光Ｒは反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光Ｇと青色光Ｂとは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光Ｇを反射し、青色光Ｂを透過する。反射した緑色光Ｇは液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光Ｂは液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００５９】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光Ｒがクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射する様に配置されている。又、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光Ｒの入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光Ｒの出射側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。尚、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略する事も可能である。この様な反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００６０】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６１】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上述の反射型の液晶装置１００が適用されている。
【００６２】
この様な投射型表示装置１０００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、明るい画像を投射可能であると共に高速駆動が可能な反射型の投射型表示装置１０００を提供できる。
【００６３】
以上述べてきた様に、本実施形態の電気光学装置では、ダミー電極に対する専用の回路を構成する必要も無く、複雑な駆動方式を取る必要もなく、ダミー電極１５ｄの電位を単純に共通電極の電位と同じにしても、ダミー領域Ｄ全体の平均反射率を黒表示領域Ｂｌｋ全体の平均反射率と同等若しくはそれ以下とする事ができる。即ち、表示品位の高い電気光学装置を容易に実現する事ができる。
【００６４】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこの電気光学装置を適用する電子機器も又本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００６５】
（変形例１）
図４を用いて本変形例を説明する。上記実施形態では、ダミー電極１５ｄの形状はダミー領域Ｄの全体で同一であり、ダミー電極密度もダミー領域Ｄにおいて一定であったが、これらは場所に応じて異なっていても良い。即ち、ダミー電極１５ｄの形状が場所に応じて異なっていたり、或いはダミー電極密度がダミー領域Ｄ内の場所の関数であったりしても良い。電気光学装置は製造方法（例えば配向膜１８の形成方法）等に依存して、ダミー領域Ｄや表示領域Ｅの一部の領域で表示状態が異なる事がある。例えば、配向方法によっては、図４に示す表示形状で、右上ＵＲと左下ＬＬとの近傍で暗表示時に黒表示の反射率が高くなり、右下ＬＲと左上ＵＬとの近傍で暗表示時に黒表示の反射率が低くなる様な事がある。この様な場合、右上ＵＲと左下ＬＬとの近傍と言った暗表示時に黒表示の反射率が高くなるダミー領域Ｄでは、右下ＬＲと左上ＵＬとの近傍と言った暗表示時に黒表示の反射率が低くなるダミー領域Ｄよりも、ダミー電極密度を低くしても良い。この様にダミー電極密度をダミー領域Ｄ内で変えて、暗表示時の黒表示の反射率をダミー領域Ｄ内で均一とする事もできる。
【００６６】
（変形例２）
図７は、ダミー電極の平面視における形状の一例を説明する図である。本発明が適用される電気光学装置でのダミー電極１５ｄの形状は図５に限定されず、様々な形状が可能である。例えば、図７に示される様に、縦格子状にしても良いし、その他の形状としても良い。
【００６７】
（変形例３）
本発明が適用される電気光学装置の液晶層５０における液晶分子の配向制御は垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）に限定されない。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）やＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）などにも適用可能である。
【００６８】
（変形例４）
上記実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、又は電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型或いはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いる事ができる。
【符号の説明】
【００６９】
Ａ…開口領域、Ｂ…見切り領域、Ｂｌｋ…黒表示領域、Ｄ…ダミー領域、ＤＰ…ダミー画素、Ｅ…表示領域、Ｉｍｇ…画像領域、Ｐ…画素、３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…信号線、１０…素子基板、１１…第一層間絶縁膜、１２…第二層間絶縁膜、１５…画素電極、１５ｄ…ダミー電極、１６…保持容量、１７…平坦化絶縁膜、１８…配向膜、２０…対向基板、２１…見切り部、２２…透明絶縁膜、２３…透明導電膜、２５…配向膜、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｇ…ゲート電極、３１…ソース電極、３２…ドレイン電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０１…信号線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続用端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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