(57)【要約】【課題】ファイヤースルー性に優れ、かつ、良好なｐ+層を得ることが可能なペースト組成物、そのペースト組成物を用いて電極を形成する太陽電池素子の製造方法、および、その裏面電極が形成された太陽電池素子を提供する。【解決手段】ペースト組成物は、太陽電池用電極を形成するためにパッシベーション膜の上に塗工されるペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機ビヒクルと、鉛を含まないガラス粉末とを含む。ガラス粉末が、ビスマスを含む第１のガラス粉末と、ビスマスを含まない第２のガラス粉末とからなる。太陽電池素子は、シリコン半導体基板１の受光面と反対側の裏面に形成されたパッシベーション膜３と、パッシベーション膜３を貫通するように形成された裏面電極８とを備え、裏面電極８は、上述の特徴を有するペースト組成物をパッシベーション膜３の上に塗工した後、焼成することにより形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池用電極を形成するためにパッシベーション膜の上に塗工されるペースト組成物であって、
アルミニウム粉末と、有機ビヒクルと、鉛を含まないガラス粉末とを含み、
前記ガラス粉末が、ビスマスを含む第１のガラス粉末と、ビスマスを含まない第２のガラス粉末とからなる、ペースト組成物。
【請求項２】
前記ガラス粉末が、７５０℃以下の軟化点を有する、請求項１に記載のペースト組成物。
【請求項３】
前記アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の短径に対する長径の比率が、１以上１．５以下である、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のペースト組成物。
【請求項４】
前記アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の平均粒径が、１μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のペースト組成物。
【請求項５】
前記アルミニウム粉末１００重量部に対して、前記第１のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、前記第２のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、前記有機ビヒクルを１０重量部以上３０重量部以下、含有する、請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のペースト組成物。
【請求項６】
太陽電池用シリコン基板の表面に形成されたパッシベーション膜の上に、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の前記ペースト組成物を塗工する塗工工程と、
前記塗工工程の後に前記太陽電池用シリコン基板を焼成する焼成工程と、
を備える、太陽電池素子の製造方法。
【請求項７】
太陽電池用シリコン基板の表面に形成されたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜を貫通するように形成された電極と、を備え、
前記電極は、請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載のペースト組成物を前記パッシベーション膜の上に塗工した後、焼成することにより形成されている、太陽電池素子。
【請求項８】
前記パッシベーション膜が前記太陽電池用シリコン基板の受光面と反対側の裏面に形成され、前記電極に対面する前記太陽電池用シリコン基板の領域にはＢＳＦ層が形成されている、請求項７に記載の太陽電池素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、一般的にはペースト組成物、太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子に関し、特定的には、太陽電池の表面または裏面に電極を形成するためにパッシベーション膜の上に塗工されるペースト組成物、そのペースト組成物を用いて裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法、および、その裏面電極が形成された太陽電池素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、結晶系太陽電池の受光面には入射光の表面反射率を低減するための反射防止膜が形成されている。代表的な反射防止膜としては、パッシベーション（不動態化処理ともいう）を兼ね備えた窒化シリコン膜が選ばれている。この反射防止膜を貫通するように、受光面に電極を形成する方法として、反射防止膜の上に銀（Ａｇ）粉末を含有する導電性ペーストを塗布した後、焼成する方法（ファイヤースルー法）が用いられている。
【０００３】
一方、たとえば、特表２０１０‐５３８４６６号公報（以下、特許文献１という）に開示されているように、太陽電池の変換効率をさらに高めるために、太陽電池の受光面と反対側の裏面にも窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム等のパッシベーション膜を形成し、そのパッシベーション膜を貫通するように裏面電極を形成して、電子の再結合を防止することによって、変換効率のさらなる向上を図ることが検討されている。特許文献１には、アルミニウム粉末、ガラス粉末、有機ビヒクルを含む裏面ペーストを裏面パッシベーション層の上に塗布した後、焼成することにより、シリコン‐アルミニウム界面にアルミニウム‐シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金層を有し、かつ、裏面パッシベーション層を貫通する裏面電極を形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１０‐５３８４６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願発明者らが特許文献１に開示された裏面ペーストを用いて裏面パッシベーション層を貫通する裏面電極を形成することを試みた。しかしながら、ファイヤースルー性が低く、良好なｐ+層が得られないという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、ファイヤースルー性に優れ、かつ、良好なｐ+層を得ることが可能なペースト組成物、そのペースト組成物を用いて電極を形成する太陽電池素子の製造方法、および、その電極が形成された太陽電池素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者らは、ペースト組成物のファイヤースルー性を向上させる方法を種々検討した。その結果、ペースト組成物に特定のガラス粉末を組み合わせて添加することによって、良好かつ均一なファイヤースルー性が発現することを見出した。この知見に基づいて、本発明に従ったペースト組成物は、次のような特徴を備えている。
【０００８】
本発明に従ったペースト組成物は、太陽電池用電極を形成するためにパッシベーション膜の上に塗工されるペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機ビヒクルと、鉛を含まないガラス粉末とを含む。ガラス粉末が、ビスマスを含む第１のガラス粉末と、ビスマスを含まない第２のガラス粉末とからなる。
【０００９】
本発明のペースト組成物において、ガラス粉末は７５０℃以下の軟化点を有することが好ましい。
【００１０】
また、本発明のペースト組成物において、アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の短径に対する長径の比率は１以上１．５以下であることが好ましい。
【００１１】
さらに、本発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の平均粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末１００重量部に対して、第１のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、第２のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、有機ビヒクルを１０重量部以上３０重量部以下、含有することが好ましい。
【００１３】
本発明に従った太陽電池素子の製造方法は、太陽電池用シリコン基板の表面に形成されたパッシベーション膜の上に、上述のいずれかの特徴を有するペースト組成物を塗工する塗工工程と、塗工工程の後に太陽電池用シリコン基板を焼成する焼成工程とを備える。
【００１４】
本発明に従った太陽電池素子は、太陽電池用シリコン基板の表面に形成されたパッシベーション膜と、パッシベーション膜を貫通するように形成された電極とを備える。電極は、上述のいずれかの特徴を有するペースト組成物をパッシベーション膜の上に塗工した後、焼成することにより形成されている。
【００１５】
本発明の太陽電池素子において、パッシベーション膜が太陽電池用シリコン基板の受光面と反対側の裏面に形成され、電極に対面する太陽電池用シリコン基板の領域にはＢＳＦ層が形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、本発明のペースト組成物を用いることにより、ファイヤースルー性に優れ、かつ、良好なｐ+層を得ることができるので、太陽電池素子の変換効率をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】一つの実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
【図２】もう一つの実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
【図３】さらにもう一つの実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
【図４】別の実施の形態として本発明が適用される太陽電池素子の一般的な断面構造を模式的に示す図である。
【図５】本発明の実施例と比較例において作製された電極パターンを示す平面図である。
【図６】本発明の実施例と比較例において作製された電極構造の断面を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
＜太陽電池素子＞
図１に示すように、一つの実施の形態としてのｐ型の太陽電池素子１００は、たとえば、厚みが１８０〜２５０μｍのｐ型のシリコン半導体基板１を用いて構成される。シリコン半導体基板１の受光面側の表面には、厚みが０．３〜０．６μｍのｎ型不純物層としてｎ+層２と、その上に、たとえば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜（パッシベーション膜）３と、グリッド電極４とが形成されている。
【００１９】
また、シリコン半導体基板１の受光面と反対側の裏面には、たとえば、窒化シリコン膜からなる反射防止膜（パッシベーション膜）３が形成され、反射防止膜３を貫通するように所定のパターン形状に従ったアルミニウム電極層５が形成されている。アルミニウム電極層５は、本発明のペースト組成物をスクリーン印刷等によって塗布し、乾燥させた後、６６０℃（アルミニウムの融点）を超える温度にて短時間焼成すること（ファイヤースルー法）によって形成されている。本発明のペースト組成物は、アルミニウム粉末と、有機ビヒクルと、鉛を含まないガラス粉末とを含み、ガラス粉末が、ビスマスを含む第１のガラス粉末と、ビスマスを含まない第２のガラス粉末とからなる。この焼成の際にアルミニウムがシリコン半導体基板１の内部に拡散することにより、アルミニウム電極層５とシリコン半導体基板１との間にＡｌ−Ｓｉ合金層６が形成されると同時に、アルミニウム原子の拡散による不純物層としてｐ+層（ＢＳＦ層）７が形成される。このｐ+層７の存在により、電子の再結合を防止し、生成キャリアの収集効率を向上させるＢＳＦ（Back Surface Field）効果が得られる。このようにして、シリコン半導体基板１の裏面側には、アルミニウム電極層５とＡｌ−Ｓｉ合金層６とからなる裏面電極８が形成されている。このようにして、アルミニウム電極層５に対面するシリコン半導体基板１の領域にはＢＳＦ層７が形成されている。
【００２０】
図２に示すように、もう一つの実施の形態としてのｐ型の太陽電池素子２００では、ｐ型のシリコン半導体基板１の表面には、ｎ型不純物層としてｎ+層２およびローカルｎ++層２１と、その上に反射防止膜３と、ファイヤースルー法によってｎ++層２１の上に銀電極層９とが形成されている。ｎ++層２１は形成されていなくてもよい。シリコン半導体基板１の裏面には、ｐ型不純物層としてｐ+層７およびローカルｐ++層としてのｐ++層７１と、その上に反射防止膜３と、ｐ++層７１の上にアルミニウム電極層５とが形成されている。ｐ++層７１とアルミニウム電極層５は、上記の本発明のペースト組成物を用いて、ファイヤースルー法によって形成されている。このようにして、アルミニウム電極層５に対面するシリコン半導体基板１の領域にｐ++層７１が形成されている。
【００２１】
図３に示すように、さらにもう一つの実施の形態としてのｎ型の太陽電池素子３００では、ｎ型のシリコン半導体基板１の裏面には、ｎ型不純物層としてｎ+層２およびｎ++層２１と、その上に反射防止膜３と、ファイヤースルー法によってｎ++層２１の上に銀電極層９とが形成されている。ｎ++層２１は形成されていなくてもよい。シリコン半導体基板１の表面には、ｐ型不純物層としてｐ+層７およびｐ++エミッタ層としてのｐ++層７１と、その上に反射防止膜３と、ｐ++層７１の上にアルミニウム電極層５とが形成されている。ｐ++層７１とアルミニウム電極層５は、上記の本発明のペースト組成物を用いて、ファイヤースルー法によって形成されている。このようにして、アルミニウム電極層５に対面するシリコン半導体基板１の領域にｐ++層７１が形成されている。
【００２２】
図４に示すように、別の実施の形態としてのｎ型バックコンタクト構造の太陽電池素子４００では、ｎ型のシリコン半導体基板１の表面には、ｎ型不純物層としてｎ+層２と、その上に反射防止膜３とが形成されている。シリコン半導体基板１の表面には、ｐ型不純物層としてｐ+層７およびローカルｐ++層としてのｐ++層７１と、その上に反射防止膜３と、ｐ++層７１の上にアルミニウム電極層５とが形成されている。ｐ++層７１とアルミニウム電極層５は、上記の本発明のペースト組成物を用いて、ファイヤースルー法によって形成されている。このようにして、アルミニウム電極層５に対面するシリコン半導体基板１の領域にｐ++層７１が形成されている。
【００２３】
＜ペースト組成物＞
本発明のペースト組成物は、上記のアルミニウム電極層５を形成するために反射防止膜（パッシベーション膜）３の上に塗工されるペースト組成物であって、アルミニウム粉末と、有機ビヒクルと、鉛を含まないガラス粉末とを含み、ガラス粉末が、ビスマスを含む第１のガラス粉末と、ビスマスを含まない第２のガラス粉末とからなる。
【００２４】
＜アルミニウム粉末＞
ペースト組成物に含まれるアルミニウム粉末は、その導電性から電極としての効果を発揮する。また、アルミニウム粉末は、ペースト組成物を焼成した際にシリコン半導体基板１との間にＡｌ‐Ｓｉ合金層６とｐ+層７を形成するので、上述のＢＳＦ効果または所望のｐ+層が得られる。
【００２５】
アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の短径に対する長径の比率が１以上１．５以下であることが好ましい。このような形状のアルミニウム粒子を含む粉末を用いることによって、アルミニウム電極層５におけるアルミニウム粒子の充填性が増し、電極としての電気抵抗を効果的に低下させることができる。また、シリコン半導体基板１とアルミニウム粒子との接点が増え、良好なＡｌ‐Ｓｉ合金層６を形成することができる。
【００２６】
アルミニウム粉末を構成するアルミニウム粒子の平均粒径は１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。アルミニウム粒子の平均粒径が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲内であれば、良好な分散性を得ることができる。平均粒子径が１μｍ未満では、アルミニウム粒子同士が凝集するおそれがある。平均粒子径が１０μｍを越えると、アルミニウム粒子の分散性が悪くなるおそれがある。
【００２７】
＜ガラス粉末＞
ガラス粉末は、アルミニウム粉末とシリコン半導体基板との反応と、アルミニウム粉末自身の焼結とを助ける作用があるとされている。特に、本発明では、鉛（Ｐｂ）を含まないガラス粉末が用いられるので、耐環境性能に優れている。
【００２８】
また、ガラス粉末は、ビスマス（Ｂｉ）を含む第１のガラス粉末と、ビスマス（Ｂｉ）を含まない第２のガラス粉末とからなる。このように２種類のガラス粉末を組み合わせることにより、ファイヤースルー性に優れ、かつ、良好なｐ+層を得ることができる。その結果、太陽電池素子の変換効率をさらに高めることができる。
【００２９】
第１のガラス粉末としては、ビスマス（Ｂｉ）を主成分とし、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、スズ（Ｓｎ）、リン（Ｐ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バナジウム（Ｖ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）および、ナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた１種または２種以上を含有してもよい。第１のガラス粉末の例としては、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ−Ｌｉ2Ｏ―ＣｕＯ、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＣｕＯ、Ｂｉ2Ｏ3-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｎａ2Ｏ−Ｌｉ2Ｏ―ＣｕＯ、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3―ＣｕＯ、Ｂｉ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3―ＳｎＯ2−Ｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3-Ｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2―ＳｎＯ2−Ｂ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＢａＯ、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＢａＯ、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3-ＺｒＯ2、Ｂｉ2Ｏ3−ＳｉＯ2―Ｓｂ2Ｏ3-Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3-ＺｎＯ、Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3等が挙げられる。
【００３０】
第２のガラス粉末としては、ビスマス（Ｂｉ）を含まず、ホウ素（Ｂ）、シリコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、バリウム（Ｂａ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、スズ（Ｓｎ）、リン（Ｐ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、バナジウム（Ｖ）、テルル（Ｔｅ）、アンチモン（Ｓｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ジルコニウム（Ｚｒ）および、ナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた１種または２種以上を含有してもよい。
【００３１】
また、ガラス粉末の軟化点は７５０℃以下であることが好ましい。軟化点が７５０℃を超えるガラス粉末では、特定のパッシベーション膜を用いた際にパッシベーション膜の性能を著しく損なわせてしまうおそれがある。
【００３２】
さらに、ガラス粉末を構成するガラス粒子の平均粒径は、１μｍ以上３μｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
なお、本発明のペースト組成物中に含まれるガラス粉末の含有量は、特に限定されないが、アルミニウム粉末１００重量部に対して、第１のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、第２のガラス粉末を０．５重量部以上１０重量部未満、含有することが好ましい。第１のガラス粉末または第２のガラス粉末の含有量が０．５重量部未満では、ファイヤースルー性が低下するおそれがある。ガラス粉末の含有量が１０重量部以上では、形成されるアルミニウム電極層５の電気抵抗が増加してしまうおそれがある。
【００３４】
＜有機ビヒクル＞
有機ビヒクルとしては、溶剤に、必要に応じて各種添加剤および樹脂を溶解したものが使用される。溶剤としては公知のものが使用可能であり、具体的には、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等が挙げられる。各種添加剤としては、たとえば、酸化防止剤、腐食抑制剤、消泡剤、増粘剤、カップリング剤、静電付与剤、重合禁止剤、チキソトロピー剤、沈降防止剤等を使用することができる。具体的には、たとえば、ポリエチレングリコールエステル化合物、ポリエチレングリコールエーテル化合物、ポリオキシエチレンソルビタンエステル化合物、ソルビタンアルキルエステル化合物、脂肪族多価カルボン酸化合物、燐酸エステル化合物、ポリエステル酸のアマイドアミン塩、酸化ポリエチレン系化合物、脂肪酸アマイドワックス等を使用することができる。樹脂としては公知のものが使用可能であり、エチルセルロース、ニトロセルロース、ポリビニールブチラール、フェノール樹脂、メラニン樹脂、ユリア樹脂、キシレン樹脂、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フラン樹脂、ウレタン樹脂、イソシアネート化合物、シアネート化合物等の熱硬化樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリメタクリル酸メチル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルフォン、ポリイミド、ポリエーテルスルフォン、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリ４フッ化エチレン、シリコン樹脂等の二種以上を組み合わせて用いることができる。本発明のペースト組成物に含められる有機ビヒクルとして、溶剤に溶解させないで樹脂を用いてもよい。
【００３５】
なお、本発明のペースト組成物中に含まれる有機ビヒクルの含有量は、特に限定されないが、アルミニウム粉末１００重量部に対して、１０重量部以上３０重量部以下であることが好ましい。有機ビヒクルの含有量が１０重量部未満、または、３０重量部を越えると、ペースト組成物の印刷性が低下するおそれがある。
【００３６】
＜太陽電池素子の製造方法＞
本発明に従った太陽電池素子の製造方法は、太陽電池用シリコン基板の表面または裏面に形成されたパッシベーション膜の上に、上述の特徴を有するペースト組成物を塗工する塗工工程と、塗工工程の後に太陽電池用シリコン基板を焼成する焼成工程とを備える。なお、ここでいうパッシベーション膜とは、太陽電池用シリコン基板の表面または裏面に、たとえば、ＳｉＮ、ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、および、ＳｉＯ2からなる群より選ばれた１種または２種以上の化合物を含有する層であってもよい。
【００３７】
上記の塗工工程は、ペースト組成物を太陽電池用電極パターンの形状に塗工する工程であってもよい。塗工工程は、一般的には、公知慣用の塗工方法または印刷方法によって上記のペースト組成物をシリコン半導体基板の上に塗工または印刷することにより行われる。塗工方法としては、たとえば、ディップコート、あるいは、公知のロール塗工方法等を挙げることができ、具体的には、エアードクターコート、ブレードコート、ロッドコート、押し出しコート、エアーナイフコート、スクイズコート、含侵コート、リバースロールコート、トランスファーロールコート、グラビアコート、キスコート、キャストコート、スプレイコート等を挙げることができる。また、印刷方法としては、凹版印刷のように最適粘度領域が比較的低粘度領域にある印刷方法と、スクリーン印刷のように最適粘度領域が比較的高粘度領域にある印刷方法とを挙げることができ、具体的には、孔版印刷方法、凹版印刷方法、平版印刷方法等を挙げることができる。
【００３８】
上記の焼成工程は、ペースト組成物がパッシベーション膜を貫通する温度で太陽電池用シリコン基板を焼成する工程であってもよい。焼成温度は、たとえば、７００℃以上９５０℃以下の温度であることが好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例と比較例について説明する。
【００４０】
（ペースト組成物の準備）
実施例１〜１０と比較例１〜１３のペースト組成物を次のようにして準備した。公知のアトマイズ法により製造された、純度が９９．７％以上で、アルミニウム粒子の短径に対する長径の比率が１以上１．５以下であるアルミニウム粉末を１００重量部に対して、以下の表１に示す種類の第１ガラス粉末と第２ガラス粉末をそれぞれ表１に示す添加量で添加し、さらに有機ビヒクルを２０重量部添加し、周知の混合機にて混合した。
【００４１】
なお、表１に示すガラス粉末の種類Ａ〜Ｅの各々の組成は次に示すとおりである。
【００４２】
Ａ：Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3−ＣｕＯ
（モル比率）３１．５：２４．３：２８．６：１５．６
Ｂ：Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ-Ｂ2Ｏ3
（モル比率）５８．９：２７．８：１３．３
Ｃ：ＺｎＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＢａＯ−Ｋ2Ｏ
（モル比率）３６．２：１０．６：２５．１：１３．１：１５．０
Ｄ：ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ−Ｎａ2Ｏ
（モル比率）１３．７：３６．９：１２．６：１８．６：１８．２
Ｅ：ＰｂＯ-ＳｉＯ2-Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3
（モル比率）６０．０：１．４：２３．９：１４．７
【００４３】
（アルミニウム電極層の形成）
まず、図６に示すように、片面に厚みが６０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜からなるパッシベーション膜３が形成された厚みが１８０μｍのシリコン半導体基板１を準備した。次に、図５に示すように、パッシベーション膜３（図６）が予め形成されたシリコン半導体基板１の上に、上記で得られた実施例１〜１０と比較例１〜１３の各ペースト組成物を、スクリーン印刷機を用いて、厚みが２０μｍ、幅が５００μｍ、長さが３０ｍｍの線状パターン１０で、線間隔が１ｍｍとなるように等間隔で塗布した。そして、ペースト組成物が塗布されたシリコン半導体基板１を、１００℃の温度で１０分間乾燥させた後、ベルト炉にて、空気雰囲気中で焼成した。焼成では、ベルト炉の焼成ゾーンの温度を８２０℃の温度に設定し、基板の滞留時間（焼成時間）を６〜１０秒に設定した。この焼成により、図６に示すようにアルミニウム電極層５が形成された。
【００４４】
以上のようにして実施例１〜１０と比較例１〜１３の焼成基板の試料を作製した。
【００４５】
（コンタクト抵抗の評価）
日置電機株式会社製の抵抗測定器（製品名：mΩ HiTESTER 3540）を用いて、得られた焼成基板の各試料の電気抵抗を測定し、ＴＬＭ(Transmission line method)法により、アルミニウム電極層５とシリコン半導体基板１とのコンタクト抵抗を算出した。
【００４６】
（ファイヤースルー性：ｐ+層の評価）
また、各試料の断面を光学顕微鏡（２００倍）で観察し、シリコン半導体基板１にＡｌ−Ｓｉ合金層が形成されている割合を算出した。算出されたＡｌ−Ｓｉ合金層の形成割合からｐ+層の形成割合を評価した。評価方法としては、ペースト組成物を塗工した位置におけるシリコン半導体基板の界面幅に対する、Ａｌ−Ｓｉ合金層が形成された界面幅の比率を算出することにより、Ａｌ−Ｓｉ合金層の形成割合を評価した。Ａｌ−Ｓｉ合金層の形成割合が７５％以上であったものを「◎」、７５％未満〜５０％以上であったものを「○」、５０％未満〜２５％以上であったものを「△」、２５％未満であったものを「×」とした。
【００４７】
以上の評価結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１から、本発明のペースト組成物を用いた実施例１〜１０では、アルミニウム電極層５は、シリコン半導体基板１とのコンタクト抵抗が低く、パッシベーション膜３を良好に貫通するように形成されたこと（ファイヤースルー性）と、良好なｐ+層が形成されたことがわかる。
【００５０】
以上に開示された実施の形態や実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考慮されるべきである。本発明の範囲は、以上の実施の形態や実施例ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての修正や変形を含むものと意図される。
【符号の説明】
【００５１】
１：シリコン半導体基板、２：ｎ+層、３：反射防止膜（パッシベーション膜）、４：グリッド電極、５：アルミニウム電極層、６：Ａｌ‐Ｓｉ合金層、７：ｐ+層、８：裏面電極、９：銀電極層、２１：ｎ++層、７１：ｐ++層、１００，２００，３００，４００：太陽電池素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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