(57)【要約】【課題】樹脂モールドされた電子部品素子からの発熱をパッケージ本体裏面から効率的に放熱させて電子部品素子の機能低下を防止する電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１０は、１つの外部接続用リード１１の一方の端子側に設けるダイパッド１２に搭載される電子部品素子１３を備え、他の外部接続用リード１１ａ、１１ｂの一方の端子側に設けるワイヤボンドパッド１４と電子部品素子１３とをボンディングワイヤを介して電気的に接続すると共に、全ての外部接続用リード１１、１１ａ、１１ｂの他方の端子側を外部に突出させて樹脂モールドするパッケージ本体１６と、この裏面の外表面に露出するダイパッド１２の裏面を含めてパッケージ本体１６裏面にＡｌＮ、ＢＮ又はＡｌ２Ｏ３の少なくとも一種からなるセラミックフィラーを含有する接着樹脂１７を介して接合されるセラミック基板１８を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つの外部接続用リードの一方の端子側に設けるダイパッドに搭載される電子部品素子を備え、他の前記外部接続用リードの一方の端子側に設けるワイヤボンドパッドと前記電子部品素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続すると共に、全ての前記外部接続用リードの他方の端子側を外部に突出させて前記電子部品素子を含めて樹脂モールドするパッケージ本体と、該パッケージ本体裏面の外表面に露出する前記ダイパッドの裏面を含めて前記パッケージ本体裏面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一種からなるセラミックフィラーを含有する接着樹脂を介して接合されるセラミック基板を有することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品において、前記セラミック基板は、焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
請求項１又は２記載の電子部品において、前記セラミック基板は、少なくとも前記パッケージ本体裏面に前記接着樹脂を介して接合される側の表面が３０μｍ以下の平坦度を有することを特徴とする電子部品。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項記載の電子部品において、前記セラミック基板の外表面に当接すると共に、ねじ締めして取り付けられるヒートシンクを有することを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電力を取り扱うように設計されたＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のような作動時に大きな発熱を発する電子部品素子を収納してスイッチング電源や、ＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いるための電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
図２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来から、パッケージ本体５１にＭＯＳＦＥＴのような電子部品素子５２を収納する電子部品５０は、１つの外部接続用リード５３の一方の端子側のダイパッド５４に電子部品素子５２を搭載している。また、電子部品５０は、２本の他の外部接続用リード５３ａ、５３ｂのそれぞれの一方の端子側に設けるワイヤボンドパッド５５、５５ａと、電子部品素子５２とをボンディングワイヤ５６を介して電気的に接続している。そして、電子部品５０は、全ての外部接続用リード５３、５３ａ、５３ｂの他方の端子側を外部に突出させて電子部品素子５２も含めて樹脂モールドされるパッケージ本体５１を設けている。
【０００３】
上記の電子部品素子５２は、通常、ＭＯＳＦＥＴのように金属酸化膜半導体で作製された電解硬化型トランジスタであって、大電力を取り扱うように設計されている。そして、この電子部品素子５２は、下面側に設けるドレイン（Ｄ）の端子を外部接続用リード５３のダイパッド５４に直接接合させて電気的に接続状態とすると共に、上面側に設けるゲート（Ｇ）と、ソース（Ｓ）のそれぞれの端子をそれぞれの外部接続用リード５３ａ、５３ｂのワイヤボンドパッド５５、５５ａとそれぞれボンディングワイヤ５６を介して接続させて電気的に接続状態としている。この電子部品素子５２は、スイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高いので、２００Ｖ以下の領域でのスイッチング電源や、ＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いられるようになっている。
【０００４】
上記の電子部品５０は、作動時には電子部品素子５２から極めて高い発熱が発生することとなっているので、高熱による電子部品素子５２の機能低下を防止するために電子部品素子５２からの発熱を速やかに放熱させることが重要となっている。このために、通常、電子部品５０は、パッケージ本体５１裏面を金属板や、装置の筐体等に取り付けて金属板や、装置の筐体等をヒートシンク５７とし、このヒートシンク５７を介して大気中に放熱することができるようにしている。
【０００５】
しかしながら、樹脂モールドされるパッケージ本体５１の表面、及び裏面の全てがモールド樹脂で覆われる電子部品５０の場合には、パッケージ本体５１裏面に、例え、ヒートシンク５７をねじ締めして取り付けたとしてもモールド樹脂の熱伝導率が低いので、ヒートシンク５７への熱伝導性が悪くなっている。大きな放熱性を必要とする電子部品素子５２をこの形態で作製した場合には、電子部品素子５２からの発熱を十分にヒートシンク５７から放熱させることが難しく、電子部品素子５２の機能低下を防止することができなくなっている。そこで、大きな放熱性を必要とする電子部品素子５２を搭載させる場合には、外部接続用リード５３のダイパッド５４の裏面をパッケージ本体５１裏面の外表面に露出させて放熱性を向上できるようにしている。
【０００６】
しかしながら、外部接続用リード５３のダイパッド５４の裏面をパッケージ本体５１裏面の外表面に露出させる場合には、ドレイン（Ｄ）の電気的導通が露出している状態となっているので、このダイパッド５４の裏面に他の導体物が接触することで電気的導通が形成されるのを防止することが必要となっている。そこで、この場合には、ダイパッド５４の裏面を含めてパッケージ本体５１裏面と、ヒートシンク５７との間に、電気絶縁性であるマイカ（雲母）板からなるインシュレータ５８を挟み込んだ状態でねじ締めして、ヒートシンク５７が取り付けられるようにしている。マイカ板には、天然鉱物の雲母を層状剥離させた雲母箔を所望の形状に加工したもの、あるいは、天然鉱物の雲母を粉砕し、紙状にして接着剤を含浸させて１又は複数枚を加熱圧縮した集成マイカ板に補強材を貼着して作製した集成マイカテープから所望の形状に加工したものがある。このマイカ板は、電気絶縁性や、耐熱、耐圧性等に優れており、インシュレータ５８として用いられてきた。なお、電子部品５０にインシュレータ５８及びヒートシンク５７をねじ締めして取り付けるために、電子部品５０、インシュレータ５８及びヒートシンク５７のそれぞれには、通常、重ね合わせて上下に連通する貫通孔５９、５９ａ、５９ｂが設けられている。
【０００７】
パワーモジュールとその製造方法という発明の名称のもとに、従来の電子部品には、発熱性の電子部品素子が電気的に接続された配線基板とヒートシンクとがインシュレータである熱伝導性電気絶縁部材を介して接続されたパワーモジュールであって、インシュレータである熱伝導性電気絶縁部材が、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、潜在性硬化剤及び無機フィラーを含む硬化組成物であり、熱伝導性電気絶縁部材は、発熱部品の形状および部品高さの不揃いに対して相補的に変形した状態で電子部品素子に接着しており、ヒートシンクにより電子部品素子から発生する熱を放熱するものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−５１５７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、前述したような従来の電子部品は、次のような問題がある。
（１）マイカ板のインシュレータを用いた電子部品は、マイカ板の熱伝導率が０．６７Ｗ／ｍＫ程度と低く、熱伝導性が悪いので、電子部品素子からの発熱を速やかにヒートシンクに伝熱させてヒートシンクから大気中に放熱させることができなくなっている。これにより、電子部品素子からの発熱が多い場合には、電子部品素子の機能低下を防止することができなくなっている。また、マイカ板は、非常に脆いので、取り扱いが難しく作業途中で破損したりする上に、パッケージ本体とヒートシンクとの間に挟み込んでねじ締めするときに亀裂が発生して電気絶縁信頼性に問題がある。
（２）特開２００３−５１５７３号公報で開示されるような電子部品は、ヒートシンクと、発熱部品である電子部品素子が、間に電子部品素子の形状や、高さの不揃いに追従して変形するインシュレータである熱伝導性電気絶縁部材を挟み込んで接合されているので、最も高さの高い電子部品素子に合わせて熱伝導性電気絶縁部材が充填されることとなり、高さの低い熱伝導性電気絶縁部材の厚みが厚くなってそれぞれの電子部品素子からの発熱を効率的にヒートシンクに伝熱させてヒートシンクから大気中に放熱させることができなくなっている。また、熱伝導性電気絶縁部材自体は、熱硬化性樹脂と、熱可塑性樹脂と、潜在性硬化剤及び無機フィラーを含む硬化組成物であって熱伝導率が低く、しかもその厚みが厚くなっているので、それぞれの電子部品素子からの発熱を効率的にヒートシンクに伝熱させてヒートシンクから大気中に放熱させることができなくなっている。
【００１０】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、樹脂モールドされた電子部品素子からの発熱をパッケージ本体裏面から効率的に放熱させて電子部品素子の機能低下を防止する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的に沿う本発明に係る電子部品は、１つの外部接続用リードの一方の端子側に設けるダイパッドに搭載される電子部品素子を備え、他の外部接続用リードの一方の端子側に設けるワイヤボンドパッドと電子部品素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続すると共に、全ての外部接続用リードの他方の端子側を外部に突出させて電子部品素子を含めて樹脂モールドするパッケージ本体と、パッケージ本体裏面の外表面に露出するダイパッドの裏面を含めてパッケージ本体裏面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一種からなるセラミックフィラーを含有する接着樹脂を介して接合されるセラミック基板を有する。
【００１２】
ここで、上記の電子部品は、セラミック基板が焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなるのがよい。
【００１３】
また、上記の電子部品は、セラミック基板は、少なくともパッケージ本体裏面に接着樹脂を介して接合される側の表面が３０μｍ以下の平坦度を有するのがよい。
【００１４】
更に、上記の電子部品は、セラミック基板の外表面に当接すると共に、ねじ締めして取り付けられるヒートシンクを有するのがよい。
【発明の効果】
【００１５】
上記の本発明に係るの電子部品は、１つの外部接続用リードの一方の端子側に設けるダイパッドに搭載される電子部品素子を備え、他の外部接続用リードの一方の端子側に設けるワイヤボンドパッドと電子部品素子とをボンディングワイヤを介して電気的に接続すると共に、全ての外部接続用リードの他方の端子側を外部に突出させて電子部品素子を含めて樹脂モールドするパッケージ本体と、パッケージ本体裏面の外表面に露出するダイパッドの裏面を含めてパッケージ本体裏面に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一種からなるセラミックフィラーを含有する接着樹脂を介して接合されるセラミック基板を有するので、ダイパッドに搭載される電子部品素子からの発熱を、パッケージ本体裏面の外表面に露出するダイパッドの裏面、これに接合される窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一種からなる熱伝導率の優れるセラミックフィラーを含有させて熱伝導性を向上させた接着樹脂、これに接合される熱伝導率に優れるセラミック基板の構成によって、速やかにセラミック基板側に伝熱させることができ、パッケージ本体裏面から効率的に放熱させて電子部品素子の機能低下を防止することができる。
【００１６】
特に、上記の電子部品は、セラミック基板が焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなるので、アルミナ基板の場合には、熱伝導率が２１Ｗ／ｍＫ程度、窒化アルミニウム基板の場合には、熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ程度といずれもマイカ基板より格段に優れており、電子部品素子からの発熱を速やかにセラミック基板側に伝熱させて通過させ、大気中に放熱させることで電子部品素子１３の機能低下を防止することができる。特に、セラミック基板が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなる場合には、これ自体の熱伝導率が非常に高いので、速やかな放熱が可能となっている。
【００１７】
また、特に、上記の電子部品は、セラミック基板は、少なくともパッケージ本体裏面に接着樹脂を介して接合される側の表面が３０μｍ以下の平坦度を有するので、セラミック基板とパッケージ本体裏面との間に薄い接着樹脂膜で、内部に空洞を少なくしてセラミック基板をパッケージ本体裏面に接合させることができ、接着樹脂による熱伝導性の低下を抑えて、電子部品素子からの発熱を速やかにセラミック基板側に伝熱させ、パッケージ本体裏面から効率的に放熱させて電子部品素子の機能低下を防止することができる。
【００１８】
更に、上記の電子部品は、セラミック基板の外表面に当接すると共に、ねじ締めして取り付けられるヒートシンクを有するので、セラミック基板側に伝熱させた電子部品素子からの発熱をヒートシンクに伝熱させると共に、ヒートシンクから速やかに大気中に放熱させることができる。また、セラミック基板の外表面が上記の３０μｍ以下の平坦度を有する場合には、セラミック基板とヒートシンクを密着させて当接させることができ、セラミック基板側に伝熱させた電子部品素子からの発熱を極めて速やかにヒートシンクに伝熱させることができ、効率的にヒートシンクから大気中に放熱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る電子部品の平面視する説明図、Ａ−Ａ’線縦断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来の電子部品の平面視する説明図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
続いて、添付した図面を参照しながら、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る電子部品１０は、１つの外部接続用リード１１の一方の端子側に設けるダイパッド１２に搭載される電子部品素子１３を備えている。また、電子部品１０は、上記の外部接続用リード１１を中央にして、両側にそれぞれ他の外部接続用リード１１ａ、１１ｂを備え、それぞれの一方の端子側にワイヤボンドパッド１４、１４ａを設けている。上記のダイパッド１２に搭載される電子部品素子１３は、通常、ＭＯＳＦＥＴのように金属酸化膜半導体で作製された電解硬化型トランジスタであって、大電力を取り扱うように設計されている。
【００２１】
この電子部品素子１３は、通常、下面側に設けるドレイン（Ｄ）の端子を外部接続用リード１１のダイパッド１２に直接接合させて電気的に接続状態としている。また、電子部品素子１３は、これと共に、上面側に設けるゲート（Ｇ）の端子と、外部接続用リード１１ａのワイヤボンドパッド１４間、上面側に設けるソース（Ｓ）の端子と、外部接続用リード１１ｂのワイヤボンドパッド１４ａ間をそれぞれボンディングワイヤ１５を介して接続させて電気的に接続状態としている。
【００２２】
そして、電子部品１０は、電子部品素子１３のドレイン（Ｄ）の端子と接続状態となった外部接続用リード１１、ゲート（Ｇ）の端子と接続状態となった外部接続用リード１１ａ、及びソース（Ｓ）の端子と接続状態となった外部接続用リード１１ｂの全ての外部接続用リード１１、１１ａ、１１ｂの他方の端子側を外部に突出させて電子部品素子１３も含めて樹脂モールドされるパッケージ本体１６を設けている。この電子部品素子１３が実装された電子部品１０は、スイッチング速度が速く、低電圧領域での変換効率が高いので、２００Ｖ以下の領域でのスイッチング電源や、ＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いられるようになっている。このような電子部品１０は、装置に組み込んで装置が作動することで電子部品素子１３から極めて高い発熱が発生することとなっている。電子部品１０は、この電子部品素子１３から発生する高熱によって電子部品素子１３自体の機能低下が発生するので、電子部品素子１３から発生する高熱を速やかに大気中に放熱させることが極めて重要となっている。
【００２３】
上記の電子部品１０は、樹脂モールドして形成されたパッケージ本体１６裏面の外表面に、外部接続用リード１１のダイパッド１２の裏面をモールディング樹脂の表面と略面一にして露出させている。そして、電子部品１０は、ダイパッド１２の裏面を含めてパッケージ本体１６裏面に接着樹脂１７を介して密接して接合されるセラミック基板１８を有している。ここで用いる接着樹脂１７は、特に、樹脂材料を限定するものではなく、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、ポリオキシエーテル樹脂等を用いることができる。また、接着樹脂１７には、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化硼素（ＢＮ）又はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一種からなるセラミックフィラーを含有している。このセラミックフィラーは、いずれも熱伝導率が高くこれを上記のような樹脂に含有させることで、接着樹脂１７自体の熱伝導率を向上させることができるようにしている。
【００２４】
電子部品１０は、例えば、接着樹脂１７をエポキシ樹脂に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のセラミックフィラーを含有させた場合、エポキシ樹脂の熱伝導率が０．３Ｗ／ｍＫ程度と低いのを、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ程度と高いのを含有させることで、接着樹脂１７としての熱伝導率を高くするようにしている。また、電子部品１０は、接着樹脂１７を介して接合されるパッケージ本体１６裏面と、セラミック基板１８の接合面がいずれも平坦面であって、互いが当接するくらいの薄い接着樹脂１７でよく、しかも接着樹脂１７にはセラミックフィラーが含まれていることで熱伝導性がよく、電子部品素子１３からの発熱を速やかにセラミック基板１８側に伝熱することができるようにしている。なお、セラミックフィラーは、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ程度、窒化硼素（ＢＮ）の熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫ程度、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の熱伝導率が２１Ｗ／ｍＫ程度であり、樹脂に含有させることでいずれの場合も接着樹脂１７の熱伝導性を向上させることができる。
【００２５】
上記の電子部品１０におけるセラミック基板１８は、焼成されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなるのがよい。このアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板は、セラミック粉末と、バインダー等を混合した水溶液をスプレードライヤーで乾燥して作製した造粒粉末原料を上金型、下金型、及びダイス等からなる粉末プレス用金型を用いて所望の大きさ、形状にプレス成形して成形体を形成した後、所定の雰囲気の焼成炉で所定温度の高温で焼成した焼成体を用いている。あるいは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板は、セラミック粉末と、バインダーや溶剤等を混合、攪拌して作製したセラミックペーストをドクターブレード法でテープ状にしたセラミックグリーンシートを所望の大きさ、形状に切断して成形体を形成した後、所定の雰囲気の焼成炉で所定温度の高温で焼成した焼成体を用いている。このアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板、又は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなるセラミック基板１８は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）基板の熱伝導率が２１Ｗ／ｍＫ程度、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板の熱伝導率が１５０Ｗ／ｍＫ程度と高いので、電子部品素子１３からの発熱を速やかにセラミック基板１８側に伝熱させて通過させ、大気中に放熱させることで電子部品素子１３の機能低下を防止することができる。特に、セラミック基板１８が窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板からなる場合には、これ自体の熱伝導率が非常に高いので、速やかな放熱が可能となっている。
【００２６】
上記の電子部品１０におけるセラミック基板１８は、少なくともパッケージ本体１６裏面に接着樹脂１７を介して接合される側の表面が３０μｍ以下の平坦度を有するのがよい。セラミック基板１８は、パッケージ本体１６裏面に接合される側の表面の平坦度が３０μｍ以下によって、パッケージ本体１６裏面との間に接着樹脂１７の部分的溜まりを形成することなく、接着樹脂１７の薄い膜厚みでパッケージ本体１６裏面に密着させて接合でき、接着樹脂１７による熱伝導性の低下を抑えて、電子部品素子１３からの発熱を速やかにセラミック基板１８側に伝熱させ、パッケージ本体１６裏面から効率的に放熱させて電子部品素子１３の機能低下を防止することができる。また、セラミック基板１８は、接着樹脂１７膜の内部に空洞を少なくしてセラミック基板１８をパッケージ本体１６裏面に接合させることができ、接着樹脂１７による熱伝導性の低下を抑えて、電子部品素子１３からの発熱を速やかにセラミック基板１８側に伝熱させ、パッケージ本体１６裏面から効率的に放熱させて電子部品素子１３の機能低下を防止することができる。
【００２７】
なお、電子部品１０は、上記のセラミック基板１８の表面の平坦度が３０μｍを超える場合には、接合面の間にできる接着樹脂１７の部分的溜まりが大きくなって、接着樹脂１７による熱伝導性の低下が大きくなり、電子部品素子１３からの発熱の速やかなセラミック基板１８側への伝熱が難しくなって、パッケージ本体１６裏面からの効率的に放熱ができず電子部品素子１３の機能低下を発生させることとなる。また、電子部品１０は、上記のセラミック基板１８の表面の平坦度が３０μｍを超える場合には、接着樹脂１７膜の内部に空洞が多くなり、接着樹脂１７による熱伝導性の低下が大きくなり、電子部品素子１３からの発熱の速やかなセラミック基板１８側への伝熱が難しくなって、パッケージ本体１６裏面からの効率的に放熱ができず電子部品素子１３の機能低下を発生させることとなる。
【００２８】
上記の電子部品１０には、セラミック基板１８の外表面に当接すると共に、スクリューねじや、ボルト・ナット等のねじ１９でねじ締めして取り付けられるヒートシンク２０を有するのがよい。このヒートシンク２０には、金属板や、電子部品１０を実装して機器として用いる装置の筐体等がある。そして、金属板は、特に、その材質や、形状を限定するものでなく、材質では、アルミニウムや、銅等があり、形状では、板状や、フィンを設けたもの等がある。なお、電子部品１０にヒートシンク２０を、例えば、ボルト・ナットからなるようなねじ１９でねじ締めして取り付けるために、パッケージ本体１６、セラミック基板１８及びヒートシンク２０のそれぞれには、重ね合わせたとき上下で連通するような貫通孔が設けられている。ヒートシンク２０を取り付けた電子部品１０は、セラミック基板１８側に伝熱させた電子部品素子１３からの発熱をヒートシンク２０に伝熱させると共に、ヒートシンク２０から速やかに大気中に放熱させることができる。また、セラミック基板１８の外表面にも前記のような３０μｍ以下の平坦度を有する場合には、セラミック基板１８とヒートシンク２０を密着させて当接させることができ、セラミック基板１８側に伝熱させた電子部品素子１３からの発熱を極めて速やかにヒートシンク２０に伝熱させることができ、効率的にヒートシンク２０から大気中に放熱させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明の電子部品１０は、大電力を取り扱うように設計されたＭＯＳＦＥＴのような電子部品素子からの高温の発熱を速やかに放熱させて電子部品素子の機能を正常に維持できるスイッチング電源や、ＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いることができる。
【符号の説明】
【００３０】
１０：電子部品、１１、１１ａ、１１ｂ：外部接続リード、１２：ダイパッド、１３：電子部品素子、１４、１４ａ：ワイヤボンドパッド、１５：ボンディングワイヤ、１６：パッケージ本体、１７：接着樹脂、１８：セラミック基板、１９：ねじ、２０：ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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