(57)【要約】【課題】薄く研削されたウェーハから支持部材を剥離させる際のウェーハの破損を防止可能なウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】分割予定ラインに沿ってウェーハ（Ｗ）の表面（Ｗ１）側にレーザビームを照射し、ウェーハの仕上げ厚み（ｔ）より深い溝（Ｄ）を形成する溝形成工程と、樹脂（Ｒ）を塗布された金属製の支持部材（Ｓ）にウェーハの表面を対向させて押圧し、樹脂を硬化させてウェーハを支持部材に貼着固定するウェーハ貼着工程と、ウェーハの裏面（Ｗ２）を研削してウェーハを仕上げ厚みに薄化すると共に、溝を裏面側に表出させてウェーハを分割する裏面研削工程と、ウェーハの裏面にエキスパンドテープ（Ｔ２）を貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、樹脂を軟化させると共に、支持部材を湾曲させてウェーハから支持部材及び樹脂を剥離する剥離工程と、を備える構成とした。【選択図】図７
2014045145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面からウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して該分割予定ラインに沿って表面から、仕上げ厚みに薄化した際に分割される深さの溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程を実施した後に、金属性の支持部材に外部刺激により硬化する樹脂を塗布し、ウェーハの表面を対面させウェーハを該樹脂に埋没させてウェーハの外周全周に渡って該樹脂がウェーハの裏面まで隆起するまでウェーハを押圧して載置し、該樹脂に外部刺激を与えて硬化させウェーハを該支持部材上に貼着固定するウェーハ貼着工程と、
該ウェーハ貼着工程を実施した後に、該支持部材側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面を研削し該仕上げ厚みへと薄化するとともに、ウェーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、
該裏面研削工程を実施した後に、該裏面にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、
金属性の該支持部材は外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されており、該エキスパンドテープ貼着工程を実施した後に、該支持部材及び該樹脂を湾曲させてウェーハから剥離する剥離工程と、
を備えるウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイスウェーハなどのウェーハの加工方法に関し、特に、支持部材に貼着されたウェーハを研削して所定の厚みへと薄化するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、小型軽量な光デバイスを実現するために、光デバイスウェーハを薄化することが求められている。光デバイスウェーハは、表面の分割予定ラインで区画される各領域に光デバイスが形成された後、裏面を研削されることで薄化される。この薄化の際には、光デバイスを保護するために、光デバイスウェーハの表面に保護テープを貼着させるのが一般的である（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで、光デバイスウェーハの剛性は、薄化されるにつれて著しく低下する。このため、光デバイスウェーハは、研削処理の進行に伴い大きく反らされてしまい、割れやクラックなどの発生する可能性が高くなる。また、光デバイスウェーハの外周部がナイフエッジ化されて薄くなると、外周部においてクラックや割れ、欠けなどを生じる恐れもある。
【０００４】
研削に伴う上述の問題を解消するため、剛体の支持部材に被加工物である光デバイスウェーハを貼着して研削する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、剛体でなる支持部材で光デバイスウェーハを支持することにより光デバイスウェーハは補強されるので、研削時における光デバイスウェーハの反りなどを抑制して破損を防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１９８５４２号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の研削方法において、被加工物である光デバイスウェーハは、例えば、固定剤となる樹脂を介して支持部材の表面に固定され、所定の厚みまで研削される。研削後の光デバイスウェーハは、樹脂を軟化させた上で引き剥がすように支持部材から分離される。ところが、薄化後の光デバイスウェーハの剛性は極めて低くなっているので、支持部材を剥離させる際に光デバイスウェーハは破損される恐れがある。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、薄く研削されたウェーハから支持部材を剥離させる際のウェーハの破損を防止可能なウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のウェーハの加工方法は、表面に分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハを該分割予定ラインに沿って分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面からウェーハに対して吸収性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射して該分割予定ラインに沿って表面から、仕上げ厚みに薄化した際に分割される深さの溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程を実施した後に、金属性の支持部材に外部刺激により硬化する樹脂を塗布し、ウェーハの表面を対面させウェーハを該樹脂に埋没させてウェーハの外周全周に渡って該樹脂がウェーハの裏面まで隆起するまでウェーハを押圧して載置し、該樹脂に外部刺激を与えて硬化させウェーハを該支持部材上に貼着固定するウェーハ貼着工程と、該ウェーハ貼着工程を実施した後に、該支持部材側を保持テーブルで保持してウェーハの裏面を研削し該仕上げ厚みへと薄化するとともに、ウェーハを個々のデバイスに分割する裏面研削工程と、該裏面研削工程を実施した後に、該裏面にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、金属性の該支持部材は外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されており、該エキスパンドテープ貼着工程を実施した後に、該支持部材及び該樹脂を湾曲させてウェーハから剥離する剥離工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、金属製の支持部材でウェーハを支持させるので、研削時のウェーハの撓みは抑制されてウェーハを十分に薄く加工できる。また、金属製の支持部材は、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されているので、剥離時に支持部材を湾曲させて、ウェーハと支持部材との剥離性を高めることができる。よって、薄く加工されたウェーハから支持部材を剥離させる際のウェーハの破損を防止できる。さらに、ウェーハＷは、樹脂に埋没された状態で研削されて、個々のデバイスに分割されるので、分割の際のデバイスの動きは樹脂で抑制される。よって、デバイスの動きに起因する不具合を防止できる。また、ハンドリング時におけるデバイスの欠けなども防止できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、薄く研削されたウェーハから支持部材を剥離させる際のウェーハの破損を防止可能なウェーハの加工方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施の形態の溝形成工程においてウェーハに溝が形成される様子を示す図である。
【図２】本実施の形態のウェーハ貼着工程において支持部材に樹脂が塗布される様子を示す図である。
【図３】本実施の形態のウェーハ貼着工程においてウェーハが押圧される様子を示す図である。
【図４】本実施の形態のウェーハ貼着工程において樹脂が硬化される様子を示す図である。
【図５】本実施の形態の裏面研削工程においてウェーハが研削される様子を示す図である。
【図６】本実施の形態のエキスパンドテープ貼着工程においてウェーハにエキスパンドテープが貼着される様子を示す図である。
【図７】本実施の形態の剥離工程においてウェーハから支持部材及び樹脂が剥離される様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下においては、光デバイスウェーハを加工対象とするウェーハの加工方法について説明するが、本発明の加工対象となるウェーハは、光デバイスウェーハに限定されるものではない。
【００１３】
本実施の形態のウェーハの加工方法は、溝形成工程、ウェーハ貼着工程、裏面研削工程、エキスパンドテープ貼着工程、及び剥離工程を含む。溝形成工程では、分割予定ラインに沿ってウェーハＷの表面Ｗ１側にレーザビームを照射し、ウェーハＷの仕上げ厚みｔより深い溝Ｄを形成する（図１参照）。ウェーハ貼着工程では、樹脂Ｒを塗布された金属製の支持部材ＳにウェーハＷの表面Ｗ１を対向させてウェーハＷを押圧し、樹脂Ｒを硬化させてウェーハＷを支持部材Ｓに貼着固定する（図２、図３、図４参照）。
【００１４】
裏面研削工程では、ウェーハＷの裏面Ｗ２を研削してウェーハＷを仕上げ厚みｔに薄化すると共に、溝Ｄを裏面Ｗ２側に表出させてウェーハＷをチップＣに分割する（図５参照）。エキスパンドテープ貼着工程では、ウェーハＷの裏面Ｗ２にエキスパンドテープＴ２を貼着する（図６参照）。剥離工程では、樹脂Ｒを軟化させると共に、支持部材Ｓを湾曲させてウェーハＷから支持部材Ｓ及び樹脂Ｒを剥離する（図７参照）。
【００１５】
本実施の形態で用いられる金属製の支持部材Ｓは、裏面研削工程において要求される高い支持性と、剥離工程において要求される高い剥離性とを併せ備えている。このため、本実施の形態に係るウェーハの加工方法により、ウェーハＷを薄く研削した上で支持部材Ｓを容易に剥離させることができる。また、本実施の形態のウェーハの加工方法において、ウェーハＷは、樹脂Ｒに埋没された状態で研削されると共に、個々のデバイスに分割されるので、分割の際のデバイスの動きは抑制されて不具合の発生を防止できる。以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法の詳細について説明する。
【００１６】
本実施の形態の加工方法の対象となるウェーハＷは、略円板形状を有するサファイア基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層された光デバイスウェーハである（図１、図２参照）。ウェーハＷの表面Ｗ１には、格子状の分割予定ライン（不図示）が設けられており、この分割予定ラインで区画された各領域にはデバイス（不図示）が形成されている。また、ウェーハＷの裏面Ｗ２には、環状のフレームＦ１に張られた保護テープＴ１が貼着されている（図１参照）。
【００１７】
本実施の形態に係るウェーハの加工方法では、まず、ウェーハＷに溝Ｄを形成するための溝形成工程が実施される。図１は、溝形成工程においてウェーハＷに溝Ｄが形成される様子を示す図である。図１に示すように、溝形成工程では、レーザ加工装置１のアブレーション加工により、ウェーハＷの表面Ｗ１側に仕上げ厚みｔより深い溝Ｄが形成される。レーザ加工装置１は、ポーラスセラミック材による吸着面を有する保持テーブル１１と、保持テーブル１１の上方の加工ヘッド１２とを備えている。
【００１８】
ウェーハＷは、裏面Ｗ２側の保護テープＴ１を介して保持テーブル１１に保持される。また、加工ヘッド１２の射出口がウェーハＷの分割予定ラインに位置付けられ、ウェーハＷの表面Ｗ１側にレーザビームが照射される。加工ヘッド１２は、吸収性を有する波長のレーザビームをウェーハＷに対して照射させると共に、ウェーハＷの表面Ｗ１から所定の深さ位置に集光させるように調整されている。レーザビームを発振させた状態でウェーハＷに対して加工ヘッド１２を相対移動させれば、ウェーハＷの表面Ｗ１側に仕上げ厚みｔより深い溝Ｄが形成される。
【００１９】
具体的には、まず、ウェーハＷにおいて第１方向に延びる分割予定ラインに沿ってレーザビームが照射され、第１方向に延びる溝Ｄが形成される。第１方向に延びる全ての分割予定ラインに沿って溝Ｄが形成された後には、ウェーハＷは加工ヘッド１２に対して９０°回転される。そして、第１方向に直交する第２方向に延びる分割予定ラインに沿ってレーザビームが照射され、第２方向に延びる溝Ｄが形成される。全ての分割予定ラインに沿って溝Ｄが形成されると、溝形成工程は終了する。なお、溝Ｄが形成された後には、保護テープＴ１はウェーハＷの裏面Ｗ２から剥離される。
【００２０】
溝形成工程の後には、ウェーハ貼着工程が実施される。図２は、ウェーハ貼着工程において樹脂Ｒが塗布される様子を示す図であり、図３は、ウェーハ貼着工程においてウェーハＷが押圧される様子を示す図であり、図４は、ウェーハ貼着工程において樹脂Ｒが硬化される様子を示す図である。
【００２１】
図２Ａに示すように、ウェーハ貼着工程では、まず、樹脂塗布装置２において支持部材Ｓの表面Ｓ１に樹脂Ｒが塗布される。樹脂塗布装置２は、下方に向けて液状物を吐出可能なノズル２１を備えており、このノズル２１から、ウェーハＷを支持部材Ｓに固定するための固定剤となる樹脂Ｒが吐出される。樹脂Ｒを塗布された後には、図２Ｂに示すように、支持部材Ｓの表面Ｓ１とウェーハＷの表面Ｗ１（図１参照）とが向き合うように、支持部材Ｓの上方にウェーハＷが位置付けられる。そして、ウェーハＷと支持部材Ｓとで樹脂Ｒが挟まれるように、樹脂Ｒの塗布された領域上にウェーハＷが重ねられる。
【００２２】
支持部材Ｓは、外力により湾曲可能な厚さに形成された略円板形状を有するアルミニウム板である。この支持部材Ｓは、ウェーハＷの全体を支持可能なように、ウェーハＷより大面積に構成されている。支持基板Ｓの表面Ｓ１の表面粗さは、光デバイスウェーハＷの表面Ｗ１の表面粗さより粗くなっている。このため、支持基板Ｓと樹脂Ｒとの接触面積は、光デバイスウェーハＷと樹脂Ｒとの接触面積より広くなり、樹脂Ｒは支持基板Ｓ側により強固に密着される。支持基板Ｓの表面粗さは、例えば、サンドブラストや粗い研削処理などで粗くできる。
【００２３】
樹脂Ｒは、紫外光を照射されることで硬化される無溶剤の光硬化樹脂（光硬化性樹脂）である。この樹脂Ｒは、図２Ａに示すように、樹脂塗布装置２のノズル２１から支持部材Ｓの表面Ｓ１の中央付近に滴下されるように塗布される。なお、本実施の形態では、光硬化樹脂を用いる例を示しているが、外部刺激により硬化する樹脂Ｒであれば、光硬化樹脂でなくとも良い。例えば、樹脂Ｒとして、熱硬化樹脂（熱硬化性樹脂）などを用いることもできる。
【００２４】
支持部材Ｓ上にウェーハＷを重ねた後には、図３に示すように、プレス装置３でウェーハＷを支持部材Ｓに押圧させる。プレス装置３は、ポーラスセラミック材による吸着面を有する保持テーブル３１を備えている。保持テーブル３１に支持部材Ｓの裏面Ｓ２を吸着させることで、ウェーハＷは、支持部材Ｓを介して保持テーブル３１上に保持される。保持テーブル３１の上方には、ウェーハＷの裏面Ｗ２を押圧する押圧部３２が上下動可能に設けられている。
【００２５】
押圧部３２でウェーハＷに下向きの力を加えると、ウェーハＷと支持部材Ｓとの間隔は狭まり、樹脂Ｒは塗布された位置から放射状に広がる。押圧部３２の押圧力をさらに強めると、図３に示すように、ウェーハＷは樹脂Ｒに埋没される。ウェーハＷを樹脂Ｒに埋没させると、ウェーハＷの外周全周において樹脂Ｒは隆起された状態になり、樹脂ＲはウェーハＷの裏面Ｗ２側にまで回り込む。隆起されて裏面Ｗ２側に回り込んだ状態の樹脂Ｒを硬化させることで、ウェーハＷを支持部材Ｓに強固に固定できる。
【００２６】
ウェーハＷを押圧した後には、図４に示すように、紫外光照射装置４で樹脂Ｒに紫外光ＵＶを照射させる。紫外光照射装置４は、支持部材Ｓの配置される保持テーブル４１と、保持テーブル４１の上方の紫外光源４２とを備えている。紫外光照射装置４の保持テーブル４１には支持部材Ｓが配置され、紫外光源４２からウェーハＷの裏面Ｗ２側に紫外光ＵＶが照射される。
【００２７】
ウェーハＷは、所定波長の紫外光ＵＶを透過させるサファイア基板で構成されているので、照射された紫外光ＵＶは、ウェーハＷを透過して樹脂Ｒに到達する。ウェーハＷを介して紫外光ＵＶの照射された樹脂Ｒは、化学反応により硬化され、ウェーハＷは支持部材Ｓに固定される。なお、硬化された樹脂Ｒは、後の裏面研削工程でウェーハＷと共に研削可能である。
【００２８】
ウェーハ貼着工程の後には、裏面研削工程が実施される。図５は、裏面研削工程においてウェーハＷが研削される様子を示す図である。裏面研削工程では、図５に示すように、研削装置５でウェーハＷの裏面Ｗ２側が研削される。研削装置５は、ポーラスセラミック材による吸着面を有する保持テーブル５１を備えている。保持テーブル５１の下方には回転機構（不図示）が設けられており、保持テーブル５１は回転軸Ｃ１の周りに回転される。ウェーハＷは、支持部材Ｓを介して保持テーブル５１に保持される。
【００２９】
保持テーブル５１の上方には、研削ホイール５２が上下動可能に設けられている。研削ホイール５２は回転機構（不図示）と連結されており、回転軸Ｃ２の周りに回転される。研削ホイール５２の下部には研削砥石５３が配置されている。図５Ａに示すように、研削砥石５３をウェーハＷの裏面Ｗ２に接触させた状態で保持テーブル５１と研削ホイール５２とを相対回転させることで、ウェーハＷの裏面Ｗ２側は研削される。この時、外周部において隆起された樹脂Ｒも同時に研削される。なお、研削ホイール５２は、保持テーブル５１より高速に回転される。
【００３０】
保持テーブル５１の近傍にはハイトゲージ（不図示）が設けられており、ウェーハＷの厚みを測定できるようになっている。このハイトゲージによりウェーハＷの厚みを測定しながら研削することで、図５Ｂに示すように、ウェーハＷは仕上げ厚みｔへと薄化される。仕上げ厚みｔへの薄化により、溝Ｄは裏面Ｗ２側に表出され、ウェーハＷは分割予定ラインに沿って各チップＣに分割される。上述のように、支持部材ＳでウェーハＷを支持させることにより、研削時のウェーハＷの撓みは抑制されてウェーハＷを十分に薄く加工できる。また、ウェーハＷの外周部は、樹脂Ｒにより補強されているので、ナイフエッジ化によるクラックや割れ、欠けなどの発生を防止できる。
【００３１】
裏面研削工程の後には、エキスパンドテープ貼着工程が実施される。図６は、エキスパンドテープ貼着工程においてウェーハＷにエキスパンドテープＴ２が貼着される様子を示す図である。エキスパンドテープ貼着工程では、図６に示すように、ウェーハＷの裏面Ｗ２に、リング状のフレームＦ２に張られたエキスパンドテープＴ２が貼着される。エキスパンドテープ貼着工程は、例えば、テープ貼着装置（不図示）によって行われるが、オペレータの手作業により行われても良い。
【００３２】
エキスパンドテープ貼着工程の後には、剥離工程が実施される。図７は、剥離工程においてウェーハＷから支持部材Ｓ及び樹脂Ｒが剥離される様子を示す図である。剥離工程では、まず、樹脂Ｒをヒーター（不図示）で加熱し、軟化させる。樹脂Ｒの軟化は、加水処理などで樹脂Ｒを膨潤させるようにして行っても良い。次に、図７に示すように、支持部材Ｓの一端を把持し、中心を挟んで対称な他端側に向けて支持部材Ｓを引っ張る。支持部材Ｓは、湾曲可能な厚さに形成されているので、このような引張力を加えられると湾曲される。
【００３３】
支持部材Ｓの表面Ｓ１の表面粗さは、ウェーハＷの表面Ｗ１の表面粗さより粗くなっており、樹脂Ｒは、ウェーハＷ側よりも支持部材Ｓ側に強固に密着される。このため、樹脂Ｒは、支持部材Ｓと共にウェーハＷから剥離される。このように、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成された金属製の支持部材Ｓを用いることで、剥離時に支持部材Ｓを湾曲させて、支持部材Ｓの剥離性を高めることができる。剥離工程は、例えば、剥離装置（不図示）によって行われるが、オペレータの手作業により行われても良い。
【００３４】
以上のように、本実施の形態に係るウェーハの加工方法によれば、金属製の支持部材ＳでウェーハＷを支持させるので、研削時のウェーハＷの撓みは抑制されてウェーハＷを十分に薄く加工できる。また、金属製の支持部材Ｓは、外部からの力により湾曲可能な厚さに形成されているので、剥離時に支持部材Ｓを湾曲させて、樹脂Ｒと支持部材Ｓとの剥離性を高めることができる。よって、薄く加工されたウェーハＷから支持部材Ｓを剥離させる際のウェーハＷの破損を防止できる。
【００３５】
さらに、ウェーハＷは、樹脂Ｒに埋没された状態で個々のデバイスに相当するチップＣに分割されるので、分割の際のチップＣの水平方向の動きは樹脂Ｒで抑制される。その結果、チップＣの動きに起因する不具合を防止できる。また、ハンドリング時におけるチップＣの欠けなども防止できる。
【００３６】
なお、本発明は上記実施の形態の記載に限定されず、種々変更して実施可能である。例えば、上記実施の形態では、支持部材側に樹脂を塗布する方法を示しているが、ウェーハ側に樹脂を塗布するようにしても良い。この場合、支持部材の表面には、ウェーハの表面に塗布された光硬化樹脂が間接的に塗布される。
【００３７】
また、上記実施の形態では、薄化される加工対象としてサファイア基板からなる光デバイスウェーハを用いる場合を示しているが、加工対象はこれに限られない。例えば、シリコンウェーハ、ガリウム砒素（GaAs）基板、シリコンカーバイド（SiC）基板、窒化ガリウム（GaN）基板などの各種半導体基板、セラミック基板やガラス基板などの各種絶縁体基板などを用いても良い。
【００３８】
また、上記実施の形態では、支持部材としてアルミニウム板を用いる場合を示しているが、支持部材はこれに限られない。裏面研削工程における高い支持性と、剥離工程における高い剥離性とを併せ備えていれば、どのような基板を用いても良い。例えば、高い剛性を備えるステンレス板や銅板などを適切な厚さに加工して用いることが可能である。また、支持部材の形状も円板形状であることに限定されず、任意の形状とすることができる。
【００３９】
また、上記実施の形態では、溝形成工程でウェーハの仕上げ厚みより深い溝を形成する場合を示しているが、形成される溝の深さは特に限定されない。裏面研削工程における仕上げ厚みへの薄化でウェーハを各チップに分割できるのであれば、溝形成工程で形成される溝の深さは、ウェーハの仕上げ厚みより浅くても良い。
【００４０】
その他、上記実施の形態に係る構成、方法などは、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、光デバイスウェーハなどを研削して所定の厚みへと加工する際に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１  レーザ加工装置
２  樹脂塗布装置
３  プレス装置
４  紫外光照射装置
５  研削装置
１１  保持テーブル
１２  加工ヘッド
２１  ノズル
３１  保持テーブル
３２  押圧部
４１  保持テーブル
４２  紫外光源
５１  保持テーブル
５２  研削ホイール
５３  研削砥石
Ｆ１，Ｆ２  フレーム
Ｃ  チップ
Ｃ１，Ｃ２  回転軸
Ｄ  溝
Ｒ  樹脂
Ｓ  支持部材
Ｓ１，Ｗ１  表面
Ｓ２，Ｗ２  裏面
Ｔ１  保護テープ
Ｔ２  エキスパンドテープ
ＵＶ  紫外光
Ｗ  ウェーハ
ｔ  仕上げ厚み
【図１】
2014045145.tif 000003
【図２】
2014045145.tif 000004
【図３】
2014045145.tif 000005
【図４】
2014045145.tif 000006
【図５】
2014045145.tif 000007
【図６】
2014045145.tif 000008
【図７】
2014045145.tif 000009