(57)【要約】【課題】放熱性の高い電子制御装置を提供する。【解決手段】電子制御装置６１の基板１０は、制御部品１５が実装される制御領域１１、および、パワー部品２０が実装されるパワー領域１２を有する。筐体３０の基板固定部３１〜３４は、底部３５に立設され、基板１０が固定される。放熱部３６は、底部３５に立設される。ＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３６のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第１外側面３６３および第２外側面３６４に固定される。ＭＯＳ４１〜４４と、パワー部品２０との間には、放熱部３６が配置される。これにより、ＭＯＳ４１〜４４と、パワー部品２０との間の熱干渉を抑制することができるので、放熱性が向上する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御領域（１１）およびパワー領域（１２）を有する基板（１０）と、
前記基板の前記制御領域に実装される制御部品（１５）と、
前記基板の前記パワー領域に実装されるパワー部品（２０）と、
前記基板と対向する底部（３５）、前記底部に立設され前記基板が固定される基板固定部（３１〜３４、３９５）、および、前記底部に立設される放熱部（３６〜３９、８１、８２、８３）を有する筐体（３０）と、
前記放熱部に沿って配置され、前記パワー領域にて前記基板と接続する半導体モジュール（４１〜４４）と、
を備え、
少なくとも一部の前記半導体モジュールは、前記放熱部の前記パワー部品が配置される側と反対側の面である第１面（３６３、３６４、３７３、３７４、３８１、３９１、８１３、８１４、８２３、８２４、８３１）に固定されることを特徴とする電子制御装置（６１〜７３）。
【請求項２】
前記放熱部（３６〜３９、８２、８３）は、前記基板の前記パワー領域が固定される前記基板固定部（３１、３２、３９５）と一体に形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子制御装置（６１〜７０、７２、７３）。
【請求項３】
前記放熱部（８１〜８３）の前記半導体モジュールが配置される面（８１３、８１４、８２３、８２４、８３１、８３２）は、前記底部に対して傾斜して形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子制御装置（７１、７２、７３）。
【請求項４】
前記放熱部の前記半導体モジュールが配置される面（３６３、３６４、３７３、３７４、３８１、３８２、３９１、３９２）は、前記底部に対して垂直に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電子制御装置（６１〜７０）。
【請求項５】
前記基板、前記制御部品、前記パワー部品、前記放熱部、および、前記半導体モジュールを内部に収容するカバー部材（５０）をさらに備え、
前記第１面に固定される前記半導体モジュールは、前記放熱部と前記カバー部材とで挟まれた状態にて固定されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子制御装置（６２、６５、６６、６９、７０）。
【請求項６】
前記放熱部は、前記基板の２辺（１２１、１２２）に沿って形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子制御装置（６１、６２）。
【請求項７】
前記放熱部は、前記基板の１辺（１２１）に沿って形成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子制御装置（６３〜７０、７３）。
【請求項８】
全ての前記半導体モジュールは、前記第１面（３６１、３６２、３７１、３７２）に固定されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子制御装置（６１、６２）。
【請求項９】
前記半導体モジュールは、前記第１面（３８１、３９１）に固定される第１モジュール（４１、４３）、および、前記放熱部の前記パワー部品が配置される側の面である第２面（３８２、３９２）に固定される第２モジュール（４２、４４）からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子制御装置（６３〜７０）。
【請求項１０】
前記第１モジュールは、前記放熱部を挟んで前記第２モジュールと対向する位置に配置されることを特徴とする請求項９に記載の電子制御装置（６４、６６、６８、７０）。
【請求項１１】
前記放熱部を挟んで対向して配置される前記第１モジュールおよび前記第２モジュールは、前記放熱部に形成される貫通穴（４６５〜４６８）の両側に固定されることを特徴とする請求項１０に記載の電子制御装置。
【請求項１２】
前記第１モジュールは、前記放熱部を挟んで前記第２モジュールとずれた位置に配置されることを特徴とする請求項９に記載の電子制御装置（６３、６５、６７、６９）。
【請求項１３】
前記基板の前記パワー領域が固定される前記基板固定部（３１、３２）は、前記放熱部の端部または角部に形成されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電子制御装置（６１〜６６、７２、７３）。
【請求項１４】
前記基板の前記パワー領域が固定される前記基板固定部（３９５）は、前記放熱部の中間部に形成されることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一項に記載の電子制御装置（６７〜７０）。
【請求項１５】
高電位側に設けられる高電位側モジュール（４１、４３）は、前記第１面に固定されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電子制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、車両のモータ制御化が進み、モータとその制御を司る電子制御装置が増加傾向にある。また、走行安全機能等の多機能化に伴い、車両に搭載される部品点数が増加傾向にある。一方、ユーザに快適な空間を提供するために、車室内空間を拡げる試みがなされている。そのため、電子制御装置の小型化が重要になっている。
【０００３】
例えば、電動式パワーステアリングシステムに用いられる電子制御装置は、エンジンルームやインパネの奥部に配置される。ところが、電動式パワーステアリングシステムに用いられる電子制御装置は、大電流（例えば約８０Ａ）でモータを駆動するため、スイッチング機能を有する半導体モジュール等の発熱が大きくなる。そのため、部品そのものからの発熱量を抑制するためには、電子部品の大型化またはコストの高いハイスペック部品の使用等が挙げられる。そこで、電子制御装置を小型化かつ低コスト化するためには、放熱性の高い構造が必要となる。
【０００４】
例えば特許文献１では、プリント基板との距離が漸増する傾斜面を形成し、この傾斜面にスイッチングトランジスタを配置している。特許文献１では、スイッチングトランジスタのリードがプリント基板に近接する上方側となるように傾斜面に配置することで、リードの長さを短くしている。これにより、リード抵抗を小さく抑え、発熱を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３０９３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、スイッチングトランジスタと、電源平滑用コンデンサ、コイル、リレー等の比較的発熱量の大きい部品とが、対向して配置されている。特許文献１のように、スイッチングトランジスタと発熱量の大きい部品とが対向して配置された状態にて、大電流を通電すると、各部品自身の発熱による温度上昇に加え、部品間の熱干渉によりさらに温度が上昇する虞がある。
本発明は、上述の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、放熱性の高い構造を有する電子制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子制御装置は、基板と、制御部品と、パワー部品と、筐体と、半導体モジュールと、を備える。
基板は、制御領域およびパワー領域を有する。制御部品は、基板の制御領域に実装される。パワー部品は、基板のパワー領域に実装される。
筐体は、基板と対向する底部、基板固定部、および、放熱部を有する。基板固定部は、底部に立設され、基板が固定される。放熱部は、底部に立設される。
半導体モジュールは、放熱部に沿って配置され、パワー領域にて基板と接続する。
【０００８】
本発明では、比較的発熱量の大きいパワー部品および半導体モジュールは、基板のパワー領域に実装され、比較的発熱量の小さい制御部品は、基板の制御領域に実装される。パワー部品とは、例えば、コンデンサ、コイル、抵抗、リレー等であり、制御部品とは、例えば、ＩＣ、ＣＰＵ等である。これにより、制御部品は、パワー部品および半導体モジュールから空間的に隔離されるので、パワー部品および半導体モジュールにて発生する熱が制御部品に伝わりにくくなる。
【０００９】
また、少なくとも一部の半導体モジュールは、放熱部のパワー部品が配置される側と反対側の面である第１面に配置される。すなわち、放熱部の第１面に固定される半導体モジュールとパワー部品との間には、放熱部が配置される。これにより、放熱部の外側に固定される半導体モジュールとパワー部品との間の熱干渉を抑制することができるので、放熱性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図２】図１のＩＩ方向矢視図である。
【図３】本発明の第１実施形態による電子制御装置の回路図である。
【図４】本発明の第１実施形態による電子制御装置を電動式パワーステアリングシステムに適用した状態を示す概略図である。
【図５】本発明の第２実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図６】図５のＶＩ方向矢視図である。
【図７】本発明の第３実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ方向矢視図である。
【図９】本発明の第４実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１０】本発明の第５実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１１】図１０のＸＩ方向矢視図である。
【図１２】本発明の第６実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１３】本発明の第７実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ方向矢視図である。
【図１５】本発明の第８実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１６】本発明の第９実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ方向矢視図である。
【図１８】本発明の第１０実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図１９】本発明の第１１実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図２０】図１９のＸＸ方向矢視図である。
【図２１】本発明の第１２実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ方向矢視図である。
【図２３】本発明の第１３実施形態による電子制御装置の上面図である。
【図２４】図２３のＸＸＩＶ方向矢視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明による電子制御装置を図面に基づいて説明する。なお、以下、複数の実施形態において、実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による電子制御装置を図１〜図３に示す。電子制御装置６１は、図４に示す車両の電動式パワーステアリングシステム１００に適用され、操舵トルクおよび車速信号等に基づき、運転者による操舵をアシストするアシストトルクを発生するモータ２を駆動制御するものである。モータ２は、バッテリ３から電子制御装置６１を経由して供給される電力により駆動される。
【００１２】
図１および図２に示すように、電子制御装置６１は、基板１０、制御部品１５、パワー部品２０、筐体３０、半導体モジュール４１〜４４、および、カバー部材５０等を備える。なお、図１および図２は、いずれも模式的な図である。また、図中において、基板１０およびカバー部材５０については、他の部材の配置等を示すために、適宜省略したり、破線にて示したりしている。さらにまた、図２においてはコネクタ１９を省略している。他の実施形態に係る図についても同様である。
【００１３】
基板１０は、例えばガラス繊維とエポキシ樹脂からなるＦＲ−４等のプリント配線板であり、制御領域１１およびパワー領域１２を有する。本形態では、図１における一点鎖線Ｌの右側の両面が制御領域１１であり、一点鎖線Ｌの左側の両面がパワー領域１２である。本実施形態では、一点鎖線Ｌの箇所には、グランドラインが設けられており、制御領域１１とパワー領域１２とが基板１０上において切り離されている。なお、グランドラインを設けず、仮想線にて制御領域１１とパワー領域１２とを規定するように構成してもよい。
【００１４】
制御領域１１には、比較的発熱量の小さい制御部品１５が実装される。パワー領域１２には、比較的発熱量の大きいパワー部品２０が実装され、半導体モジュール４１〜４４が接続される。本形態の基板１０は、制御領域１１とパワー領域１２とに分離されているので、制御部品１５は、パワー部品２０および半導体モジュール４１〜４４と空間的に離して配置される。これにより、パワー部品２０および半導体モジュール４１〜４４からの熱が、制御部品１５に伝わりにくくなっている。
【００１５】
制御部品１５は、ＩＣ１６およびＣＰＵ１７から構成される。ＩＣ１６およびＣＰＵ１７は、モータ２の回転方向および回転トルクを検出し、コネクタ１９を経由して入力される操舵トルク信号および車速信号等に基づく駆動信号をプリドライバ１８から出力し、リレー２３や半導体モジュール４１〜４４のスイッチングを制御している。
本形態では、ＩＣ１６は、制御領域１１であって、上側面１０１に実装される。また、ＣＰＵ１７は、制御領域１１であって、下側面１０２に実装される。
【００１６】
パワー部品２０は、アルミ電解コンデンサ２１、コイル２２、リレー２３およびシャント抵抗２４から構成される。アルミ電解コンデンサ２１、コイル２２、リレー２３およびシャント抵抗２４は、いずれも基板１０のパワー領域１２であって、下側面１０２に実装される。
【００１７】
アルミ電解コンデンサ２１は、電荷を蓄えることにより、半導体モジュール４１〜４４への電力供給を補助したり、サージ電圧などのノイズ成分を抑制したりする。
コイル２２は、ノイズを低減するために設けられる。リレー２３は、フェールセーフのために設けられる電源リレーやモータリレーである。シャント抵抗２４は、モータ２に通電される電流を検出するために設けられる。
【００１８】
筐体３０は、第１基板固定部３１、第２基板固定部３２、第３基板固定部３３、第４基板固定部３４、底部３５、および、放熱部３６等を有し、熱伝導性のよい金属等により形成される。本形態では、第１基板固定部３１、第２基板固定部３２、第３基板固定部３３、および、第４基板固定部３４が「基板固定部」に対応し、以下適宜、基板固定部３１〜３４という。
基板固定部３１〜３４は、基板１０と対向して形成される底部３５に立設される。基板固定部３１〜３４には、基板１０が載せ置かれ、基板固定ねじ３０１〜３０４にて基板１０が螺着される。これにより、基板１０は、筐体３０に固定される。
【００１９】
第１基板固定部３１および第２基板固定部３２は、基板１０のパワー領域１２側に形成され、第３基板固定部３３および第４基板固定部３４は、基板１０の制御領域１１側に形成される。また、第１基板固定部３１および第３基板固定部３３がコネクタ１９側に形成され、第２基板固定部３２および第４基板固定部３４がコネクタ１９の反対側に形成される。
【００２０】
放熱部３６は、基板１０のパワー領域１２が固定される第１基板固定部３１および第２基板固定部３２と連続して一体に形成され、底部３５に立設される。本形態では、放熱部３６は、パワー部品２０が実装される箇所よりも外側に形成される。
放熱部３６は、第１基板固定部３１と第２基板固定部３２との間に亘って形成される第１放熱部３６１、および、第２基板固定部３２から第４基板固定部３４側に突出して形成される第２放熱部３６２から構成される。これにより、放熱部３６は、全体として略Ｌ字形状に形成されている。換言すると、第１基板固定部３１は、放熱部３６の端部に形成されており、第２基板固定部３２は、放熱部３６の角部に形成されている、と捉えることもできる。
【００２１】
第１放熱部３６１は、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１に沿って略平行に形成される。第２放熱部３６２は、パワー領域１２の投影領域内であって、基板１０のコネクタ１９と反対側の辺１２２に沿って略平行に形成される。第２放熱部３６２は、第４基板固定部３４側の端部３６５が、パワー部品２０（本形態ではアルミ電解コンデンサ２１）の制御領域１１側の端部よりも制御領域１１側となるように形成される。
本形態の第１放熱部３６１および第２放熱部３６２は、第１基板固定部３１および第２基板固定部３２よりも内側となるように凹んで形成される。
【００２２】
半導体モジュール４１〜４４は、電界効果トランジスタの一種であるＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）である。以下適宜、半導体モジュール４１〜４４を、「ＭＯＳ４１〜４４」という。
【００２３】
ＭＯＳ４１〜４４は、ブリッジ接続され、ＭＯＳ４１、４３が高電位側に設けられ、ＭＯＳ４２、４４が低電位側に設けられる（図３参照）。高電位側に設けられるＭＯＳ４１、４３は、低電位側に設けられるＭＯＳ４２、４４よりも発熱量が大きい傾向にある。以下、必要に応じ適宜、高電位側に設けられる高電位側モジュールであるＭＯＳ４１、４３を「上ＭＯＳ４１、４３」といい、低電位側に設けられるＭＯＳ４２、４４を「下ＭＯＳ」という。
本実施形態では、制御部品１５によりＭＯＳ４１〜４４のオンオフ作動を制御することにより、モータ２の駆動を制御している。
【００２４】
ＭＯＳ４１、４２は、第１放熱部３６１のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第１外側面３６３に設けられる。本形態では、ＭＯＳ４１、４２は、放熱絶縁シート４７を挟んだ状態にて、ＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２により、第１放熱部３６１の第１外側面３６３に形成される固定穴４６１、４６２に螺着される。
【００２５】
ＭＯＳ４３、４４は、第２放熱部３６２のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第２外側面３６４に設けられる。本形態では、ＭＯＳ４３、４４は、放熱絶縁シート４７を挟んだ状態にて、ＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４により、第２放熱部３６２の第２外側面３６４に形成される固定穴４６３、４６４に螺着される。
本形態では、第１外側面３６３および第２外側面３６４が「第１面」および「半導体モジュールが配置される面」に対応する。なお、図中においては、固定穴４６１〜４６４を破線で示し、ＭＯＳ固定ねじ４５１〜４５４については頭部のみを示し、軸部は省略した。
本形態では、ＭＯＳ４１〜４４が配置される第１外側面３６３および第２外側面３６４は、底部３５に対して垂直に形成される。
【００２６】
ＭＯＳ４１〜４４は、リード４１１、４２１、４３１、４４１が基板１０側となるように放熱部３６に固定される。ＭＯＳ４１〜４４は、リード４１１、４２１、４３１、４４１により、パワー領域１２にて基板１０と電気的に接続される。本形態では、第１放熱部３６１および第２放熱部３６２が内側に凹んで形成されているので、ＭＯＳ４１〜４４は、基板１０の投影領域内に配置される。そのため、基板１０に接続するためにリード４１１、４２１、４３１、４４１を折り曲げる必要がなく、リード４１１、４２１、４３１、４４１の長さを短くすることができる。
【００２７】
本形態では、ＭＯＳ４１〜４４のうち、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１が第１放熱部３６１の第１基板固定部３１側に配置され、上ＭＯＳ４３が第２放熱部３６２の端部３６５側に設けられる。また、比較的発熱量の小さい下ＭＯＳ４２が第１放熱部３６１の第２基板固定部３２側に設けられ、下ＭＯＳ４４が第２放熱部３６２の第２基板固定部３２側に設けられる。
すなわち、本形態では、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３が両端に配置され、発熱箇所が分散されるので、放熱性が向上する。
【００２８】
カバー部材５０は、内部に基板１０、制御部品１５、パワー部品２０、基板固定部３１〜３４、放熱部３６、および、ＭＯＳ４１〜４４を内部に収容し、コネクタ１９を露出した状態にて、筐体３０の底部３５と嵌り合う。
本形態では、第１放熱部３６１および第２放熱部３６２が内側に凹んで形成されて、ＭＯＳ４１〜４４が基板１０の投影領域内に配置されており、ＭＯＳ４１〜４４とカバー部材５０とが接触しないように形成されている。
【００２９】
以上詳述したように、本形態の電子制御装置６１は、基板１０と、制御部品１５と、パワー部品２０と、筐体３０と、ＭＯＳ４１〜４４と、を備える。基板１０は、制御領域１１およびパワー領域１２を有する。制御部品１５は、基板１０の制御領域１１に実装される。パワー部品２０は、基板１０のパワー領域１２に実装される。
筐体３０は、基板１０と対向する底部３５、基板固定部３１〜３４、および、放熱部３６を有する。基板固定部３１〜３４は、底部３５に立設され、基板１０が固定される。放熱部３６は、底部３５に立設される。
ＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３６に沿って配置され、パワー領域１２にて基板１０と接続する。
ＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３６のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第１外側面３６３および第２外側面３６４に配置される。
【００３０】
（１）本形態では、比較的発熱量の大きいパワー部品２０およびＭＯＳ４１〜４４は、基板１０のパワー領域１２に実装され、比較的発熱量の小さい制御部品１５は、基板１０の制御領域１１に実装される。これにより、制御部品１５は、パワー部品２０およびＭＯＳ４１〜４４から空間的に隔離されるので、パワー部品２０およびＭＯＳ４１〜４４にて発生する熱が制御部品１５に伝わりにくくなる。これにより、制御部品１５に高温度保証の部品を使わなくていいので、コストを抑えることができる。
【００３１】
また、ＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３６の外側面３６３、３６４に固定される。すなわち、ＭＯＳ４１〜４４と、パワー部品２０との間には、放熱部３６が配置される。これにより、ＭＯＳ４１〜４４と、パワー部品２０との間の熱干渉を抑制することができるので、放熱性が向上する。
【００３２】
（２）放熱部３６は、基板１０のパワー領域１２が固定される第１基板固定部３１および第２基板固定部３２と一体に形成される。これにより、放熱部３６および基板固定部３１、３２を経由し、基板１０からも放熱可能となり、ＭＯＳ４１〜４４の放熱性が向上する。
（３）放熱部３６のＭＯＳ４１〜４４が配置される第１外側面３６３および第２外側面３６４は、底部３５に対して垂直に形成される。これにより、電子制御装置６１の幅方向（図１における紙面左右方向）および奥行き方向（図１における紙面上下方向）の体格を小型化できる。
【００３３】
（４）また、高電位側に設けられる上ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８の外側面３８１に固定される。比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３とパワー部品２０との間に放熱部３８が配置されるので、上ＭＯＳ４１、４３は、パワー部品２０における発熱の影響を受けにくくなり、熱干渉を低減することができる。
【００３４】
（５）特に本形態では、全てのＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３６の外側面３６３、３６４に固定される。これにより、全てのＭＯＳ４１〜４４とパワー部品２０との間に放熱部３６が配置されるので、ＭＯＳ４１〜４４とパワー部品２０との間の熱干渉をより抑制することができる。
【００３５】
（６）放熱部３６は、基板１０の２辺１２１、１２２に沿って形成される。これにより、放熱部３６の外側面３６３、３６４に半導体モジュールを固定可能な面積を広く確保することができる。
（７）また、放熱部３６と一体に形成される第１基板固定部３１および第２基板固定部３２は、放熱部３６の端部および角部に形成される。本形態では、第１基板固定部３１が放熱部３６の端部に固定され、第２基板固定部３２が放熱部３６の角部に形成される。これにより、基板固定部３１、３２の大きさ等によらず、放熱部３６の板厚を薄くすることができる。また、ＭＯＳ４１〜４４を固定可能な面積を広く確保することができる。
【００３６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態による電子制御装置を図５および図６に基づいて説明する。
本形態による電子制御装置６２の放熱部３７は、第１基板固定部３１と第２基板固定部３２との間に形成される第１放熱部３７１、および、第２基板固定部３２から第４基板固定部３４側に突出して形成される第２放熱部３７２から構成される。
【００３７】
第１放熱部３７１は、上記形態と同様、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１に沿って略平行に形成される。また、第２放熱部３７２は、上記形態と同様、パワー領域１２内であって、基板１０のコネクタ１９と反対側の辺１２２に沿って略平行に形成され、第４基板固定部３４側の端部３７５が、パワー部品２０の制御領域１１側の端部よりも制御領域１１側となるように形成される。
【００３８】
ＭＯＳ４１、４２は、第１放熱部３７１のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第１外側面３７３にＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２により固定される。また、ＭＯＳ４１、４２と第１放熱部３７１との間には、放熱絶縁シート４７が設けられる。すなわち、ＭＯＳ４１、４２は、放熱絶縁シート４７を挟んだ状態にて、第１放熱部３７１に固定される。
【００３９】
ＭＯＳ４３、４４は、第２放熱部３７２のパワー部品２０が配置される側と反対側の面である第２外側面３７４にＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４により固定される。また、ＭＯＳ４３、４４と第２放熱部３７２との間には、放熱絶縁シート４７が設けられる。すなわち、ＭＯＳ４３、４４は、放熱絶縁シート４７を挟んだ状態にて、第２放熱部３７２に固定される。
本形態では、第１外側面３７３および第２外側面３７４が「第１面」および「半導体モジュールが配置される面」に対応する。
【００４０】
本形態では、ＭＯＳ４１〜４４の放熱部３７と反対側の面は、それぞれ放熱絶縁シート４８を挟んで、カバー部材５０と共締めされる。これにより、ＭＯＳ４１〜４４にて生じた熱は、放熱部３７に加え、カバー部材５０側へも放熱されるので、ＭＯＳ４１〜４４の放熱性が高まる。
すなわち、本形態の放熱部３７は、ＭＯＳ４１〜４４をカバー部材５０と共締めするために、外側に膨らむように形成されている。放熱部３７の形状は、ＭＯＳ４１〜４４やカバー部材５０の形状等に応じ、ＭＯＳ４１〜４４とカバー部材５０とを共締め可能な形状とすればよい。
【００４１】
（８）本形態では、基板１０、制御部品１５、パワー部品２０、放熱部３７、および、ＭＯＳ４１〜４４を内部に収容するカバー部材５０を備える。また、放熱部３７の外側に配置されるＭＯＳ４１〜４４は、放熱部３７とカバー部材５０とで挟まれた状態にて固定される。これにより、ＭＯＳ４１〜４４にて生じた熱は、放熱部３７だけでなく、背面側に設けられるカバー部材５０側へも放熱可能である。すなわち、ＭＯＳ４１〜４４は、背面放熱を併用している、ということである。これにより、ＭＯＳ４１〜４４の放熱性がより高まる。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（７）と同様の効果を奏する。
【００４２】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態による電子制御装置を図７および図８に示す。
本形態による電子制御装置６３の放熱部３８は、第１基板固定部３１と第２基板固定部３２との間に設けられ、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１に沿って略平行に形成される。すなわち、放熱部３８は、上記形態の第２放熱部に対応する部分がないのでＬ字形状ではなく、直線的な形状となっている。これにより、上記形態と比較し、筐体容積を低減することができる。
本形態では、放熱部３８の外側面３８１に上ＭＯＳ４１、４３を固定する固定穴４６１、４６３が形成され、内側面３８２に下ＭＯＳ４２、４４を固定する固定穴４６２、４６４が形成される。
【００４３】
本形態では、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３が、放熱絶縁シート４７を挟んで放熱部３８の外側面３８１に固定され、下ＭＯＳ４２、４４が、放熱絶縁シート４７を挟んで放熱部３８の内側面３８２に固定される。これにより、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３と、アルミ電解コンデンサ２１等のパワー部品２０および下ＭＯＳ４２、４４との間に放熱部３８が設けられるので、上ＭＯＳ４１、４３は、パワー部品２０および下ＭＯＳ４２、４４における発熱の影響を受けにくくなり、熱干渉を低減することができる。
本形態では、外側面３８１および内側面３８２が「半導体モジュールが配置される面」に対応し、外側面３８１が「第１面」に対応し、内側面３８２が「第２面」に対応する。また、ＭＯＳ４１、４３が「第１モジュール」に対応し、ＭＯＳ４２、４４が「第２モジュール」に対応する。
【００４４】
本形態では、上ＭＯＳ４１と下ＭＯＳ４２とは、対向する位置から横方向（図７では紙面上下方向）にずれて配置される。同様に、上ＭＯＳ４３と下ＭＯＳ４４とは、対向する位置から横方向にずれて配置される。
【００４５】
（９）本形態では、放熱部３８は、基板１０の１辺１２１に沿って形成される。また、ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８の外側面３８１に固定され、ＭＯＳ４２、４４は、放熱部３８の内側面に固定される。
これにより、放熱部を基板１０の２辺に沿って形成する場合と比較し、筐体３０の容積を低減することができ、軽量化が可能である。
【００４６】
（１０）ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８を挟んで、ＭＯＳ４２、４４とずれた位置に配置される。これにより、発熱箇所が分散されるので、放熱性を向上することができる。また、ＭＯＳ４１〜４４を固定するための固定穴４６１〜４６４をずれて形成可能であるので、放熱部３８の板厚を薄くすることができる。これにより、筐体３０の容積を低減することができ、軽量化可能である。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（７）と同様の効果を奏する。
【００４７】
第４実施形態〜第６実施形態は、第３実施形態の変形例であって、第３実施形態と同様、放熱部３８の外側面３８１に上ＭＯＳ４１、４３が固定され、内側面３８２に下ＭＯＳ４２、４４が固定される。
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態による電子制御装置を図９に示す。なお、側面図は、第３実施形態と略同様である。
本形態による電子制御装置６４では、ＭＯＳ４１、４２は、放熱部３８を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６５の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２にて放熱部３８に螺着される。同様に、ＭＯＳ４３、４４は、放熱部３８を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６６の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４にて放熱部３８に螺着される。
【００４８】
（１１）本形態では、ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８を挟んで対向する位置に配置される。また、放熱部３８を挟んで対向して配置されるＭＯＳ４１とＭＯＳ４２、および、ＭＯＳ４３とＭＯＳ４４は、放熱部３８に形成される貫通穴４６５、４６６の両側に固定される。これにより、ＭＯＳ４１〜４４を固定するための穴部を加工する加工工数を低減することができる。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（７）、（９）と同様の効果を奏する。
【００４９】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態による電子制御装置を図１０および図１１に示す。
本形態による電子制御装置６５では、第３実施形態と同様、上ＭＯＳ４１と下ＭＯＳ４２とは、対向する位置から横方向（図１０では紙面上下方向）にずれて配置される。同様に、上ＭＯＳ４３と下ＭＯＳ４４とは、対向する位置から横方向にずれて配置される。
【００５０】
また本形態では、放熱部３８の外側面３８１に固定される上ＭＯＳ４１、４３は、放熱絶縁シート４８を挟んで、カバー部材５０と共締めされている。すなわち本形態では、上ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８だけでなく、背面側に設けられるカバー部材５０側へも放熱可能であり、背面放熱を併用している、といえる。これにより、外側面３８１に固定される上ＭＯＳ４１、４３の放熱性が高まる。
これにより、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（７）〜（１０）と同様の効果を奏する。
【００５１】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態による電子制御装置を図１２に示す。なお、側面図は、第５実施形態と略同様である。
本形態による電子制御装置６６では、第４実施形態と同様、ＭＯＳ４１、４２は、放熱部３８を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６５の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２にて放熱部３８に螺着される。同様に、ＭＯＳ４３、４４は、放熱部３８を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６６の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４にて放熱部３８に螺着される。
【００５２】
また、第５実施形態と同様、放熱部３８の外側面３８１に固定される上ＭＯＳ４１、４３は、放熱絶縁シート４８を挟んで、カバー部材５０と共締めされている。すなわち本形態では、上ＭＯＳ４１、４３は、放熱部３８だけでなく、背面側に設けられるカバー部材５０側へも放熱可能であり、背面放熱を併用している、といえる。これにより、外側面３８１に固定される上ＭＯＳ４１、４３の放熱性が高まる。
これにより、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（７）〜（９）、（１１）と同様の効果を奏する。
【００５３】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態による電子制御装置を図１３および図１４に示す。
本形態による電子制御装置６７では、放熱固定部３９が「基板固定部」としての機能と「放熱部」としての機能とを兼ね備えている。
【００５４】
放熱固定部３９は、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１とパワー部品２０が実装される箇所のとの間であって、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１に沿って略平行に形成される。本形態では、放熱固定部３９の略中央に第５基板固定部３９５が形成され、基板１０のパワー領域１２側が、基板固定ねじ３０５により固定される。
すなわち、上記形態では、基板１０のパワー領域１２側は、第１基板固定部３１および第２基板固定部３２の２箇所で筐体３０に固定されていたのに替えて、本形態では、基板１０のパワー領域１２側は、第５基板固定部３９５の１箇所にて筐体３０に固定される。
【００５５】
本形態では、放熱固定部３９の外側面３９１に上ＭＯＳ４１、４３を固定する固定穴４６１、４６３が形成され、内側面３９２に下ＭＯＳ４２、４４を固定する固定穴４６２、４６４が形成される。本形態では、第５基板固定部３９５が放熱固定部３９の略中央に形成されており、固定穴４６１、４６２と、固定穴４６３、４６４とは、第５基板固定部３９５の両側に形成される。
【００５６】
本形態では、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３が、ＭＯＳ固定ねじ４５１、４５３にて放熱絶縁シート４７を挟んで放熱固定部３９の外側面３９１に固定される。また、下ＭＯＳ４２、４４が、ＭＯＳ固定ねじ４５２、４５４にて放熱絶縁シート４７を挟んで放熱固定部３９の内側面３９２に固定される。
【００５７】
これにより、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３と、アルミ電解コンデンサ２１等のパワー部品２０および下ＭＯＳ４２、４４との間に放熱固定部３９が設けられるので、上ＭＯＳ４１、４３は、パワー部品２０および下ＭＯＳ４２、４４における発熱の影響を受けにくくなり、熱干渉を低減することができる。
【００５８】
また、上ＭＯＳ４１と下ＭＯＳ４２とは、対向する位置から横方向（図１３では紙面上下方向）にずれて配置される。同様に、上ＭＯＳ４３と下ＭＯＳ４４とは、対向する位置から横方向にずれて配置される。
【００５９】
（１２）本形態では、第５基板固定部３９５は、放熱固定部３９の中間部に形成される。放熱固定部３９の中間部の１箇所に第５基板固定部３９５を設けることにより、放熱部の両側にて基板１０を固定する場合と比較して、基板１０を固定するためのねじを１本省くことができるので、部品点数の低減が可能である。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（９）、（１０）と同様の効果を奏する。
【００６０】
本発明の第８実施形態〜第１０実施形態による電子制御装置を図１５〜図１８に示す。
第８実施形態〜第１０実施形態は、第７実施形態の変形例であって、第７実施形態と同様、放熱固定部３９が「基板固定部」としての機能と「放熱部」としての機能とを兼ね備えている。また、放熱固定部３９の外側面３９１に上ＭＯＳ４１、４３が固定され、内側面３９２に下ＭＯＳ４２、４４が固定される。また、第５基板固定部３９５は、放熱固定部３９の中間部に形成される。
【００６１】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態による電子制御装置を図１５に示す。なお、側面図は、第７実施形態と略同様である。
本形態による電子制御装置６８では、ＭＯＳ４１、４２は、放熱固定部３９を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６７の両側からＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２にて放熱固定部３９に固定される。また、ＭＯＳ４３、４４は、共通の貫通穴４６８の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４にて放熱固定部３９に固定される。
また、貫通穴４６７、４６８は、第５基板固定部３９５を挟んで両側に形成される。したがって、ＭＯＳ４１、４２と、ＭＯＳ４３、４４とは、第５基板固定部３９５を挟んで両側に配置される。
これにより、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（９）、（１１）、（１２）と同様の効果を奏する。
【００６２】
（第９実施形態）
本発明の第９実施形態による電子制御装置を図１６および図１７に示す。
本形態による電子制御装置６９では、第７実施形態と同様、上ＭＯＳ４１と下ＭＯＳ４２とは、対向する位置から横方向（図１６では紙面上下方向）にずれて配置される。同様に、上ＭＯＳ４３と下ＭＯＳ４４とは、対向する位置から横方向にずれて配置される。
【００６３】
また本形態では、放熱固定部３９の外側面３９１に固定される上ＭＯＳ４１、４３は、放熱絶縁シート４８を挟んで、カバー部材５０と共締めされる。すなわち本形態では、上ＭＯＳ４１、４３は、放熱固定部３９だけでなく、背面側に設けられるカバー部材５０側へも放熱可能であり、背面放熱を併用している、といえる。これにより、外側面３９１に固定される上ＭＯＳ４１、４３の放熱性が高まる。
これにより、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（８）、（９）、（１０）、（１１）と同様の効果を奏する。
【００６４】
（第１０実施形態）
本発明の第１０実施形態による電子制御装置を図１９に示す。なお、側面図は、第９実施形態と略同様である。
本形態による電子制御装置７０では、第８実施形態と同様、ＭＯＳ４１、４２は、放熱固定部３９を挟んで対向する位置に配置され、共通の貫通穴４６７の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５１、４５２にて放熱固定部３９に固定される。また、ＭＯＳ４３、４４は、共通の貫通穴４６８の両側から、ＭＯＳ固定ねじ４５３、４５４にて放熱固定部３９に固定される。
また、貫通穴４６７、４６８は、第５基板固定部３９５を挟んで両側に形成される。したがって、ＭＯＳ４１、４２と、ＭＯＳ４３、４４とは、第５基板固定部３９５を挟んで両側に配置される。
【００６５】
また、第９実施形態と同様、放熱固定部３９の外側面３９１に固定される上ＭＯＳ４１、４３は、放熱絶縁シート４８を挟んで、カバー部材５０と共締めされる。すなわち本形態では、上ＭＯＳ４１、４３は、放熱固定部３９だけでなく、背面側に設けられるカバー部材５０側へも放熱可能であり、背面放熱を併用している、といえる。これにより、外側面３９１に固定される上ＭＯＳ４１、４３の放熱性が高まる。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）〜（４）、（８）、（９）、（１１）、（１２）と同様の効果を奏する。
【００６６】
（第１１実施形態）
本発明の第１１実施形態による電子制御装置を図１９および図２０に基づいて説明する。なお、以下の図においては、カバー部材５０および基板固定ねじ３０１〜３０４は、適宜省略した。
本形態の電子制御装置７１の放熱部８１は、底部３５から基板１０側に立設される。
放熱部８１は、第１放熱部８１１、および、第２放熱部８１２から構成される。
第１放熱部８１１は、パワー領域１２の投影領域内であって、基板１０のコネクタ１９と反対側の辺１２２に沿って略平行に形成される。
【００６７】
第２放熱部８１２は、第１放熱部８１１の第４基板固定部３４側の端部からコネクタ１９側に略垂直に延びて形成される。また、第２放熱部８１２は、パワー領域１２の投影領域内であって、パワー部品２０の制御領域１１側の端部よりも制御領域１１側となる箇所に設けられる。
本形態では、第１放熱部８１１と第２基板固定部３２との間には空間が形成されており、放熱部８１と基板固定部３１〜３４とは、別体に形成されている。ここでは、放熱部８１および基板固定部３１〜３４は、共に底部３５に立設されているが、底部３５以外にて不連続に形成されていることを「別体」としている。
【００６８】
第１放熱部８１１のパワー部品２０が配置される側と反対側には、第１外側面８１３が形成される。また、第２放熱部８１２のパワー部品２０が配置される側と反対側には、第２外側面８１４が形成される。本形態では、第１外側面８１３および第２外側面８１４は、底部３５に対して傾斜して形成される。具体的には、第１外側面８１３および第２外側面８１４は、底部３５側が外側、基板１０側がパワー部品２０の設けられる側となるように傾斜して形成される。これにより、第１外側面８１３および第２外側面８１４は、基板１０の下側面１０２側に向くように形成される。
【００６９】
第１外側面８１３には、ＭＯＳ４１、４２が配置され、第２外側面８１４には、ＭＯＳ４３、４４が配置される。
ＭＯＳ４１は、リード４１１が基板１０側となるように第１外側面８１３に配置され、ＭＯＳ固定ねじ４５１にて固定される。ＭＯＳ４２は、リード４２１が基板１０側となるように第１外側面８１３に配置され、ＭＯＳ固定ねじ４５２にて固定される。
ＭＯＳ４１、４２は、一部が基板１０の投影領域外となるように配置される。
【００７０】
ＭＯＳ４３は、リード４３１が基板１０側となるように第２外側面８１４に配置され、ＭＯＳ固定ねじ４５３にて固定される。ＭＯＳ４４は、リード４４１が基板１０側となるように第２外側面８１４に配置され、ＭＯＳ固定ねじ４５４にて固定される。
ＭＯＳ４３、４４は、全体が基板１０の投影領域内となるように配置される。またＭＯＳ４３、４４は、一部がパワー領域１２の投影領域内であって、残部が制御領域１１の投影領域内となるように配置される。
図１９および図２０では、ＭＯＳ４４がコネクタ１９側に配置されているが、ＭＯＳ４３がコネクタ１９側となるように配置し、第１実施形態のように、比較的発電量が大きい高電位側のＭＯＳ４１、４３を両端に配置し、放熱箇所を分散するようにしてもよい。
【００７１】
ＭＯＳ４１〜４４は、リード４１１、４２１、４３１、４４１により、パワー領域１２にて基板１０と電気的に接続される。
なお、ＭＯＳ４３、４４は、一部が制御領域１１の投影領域内であるが、図２０に示すように、ＭＯＳ４３、４４は、パワー領域１２にて基板１０と接続される。また、ＭＯＳ４３、４４と基板１０の下側面１０２に実装されるＩＣ１６とは、投影領域としては一部が重複しているが、ＭＯＳ４３、４４とＩＣ１６との間には、空間が形成される。そのため、ＭＯＳ４３、４４にて発生する熱は、ＩＣ１６に伝わりにくい。
なお、第１外側面８１３および第２外側面８１４が、「第１面」および「半導体モジュールが配置される面」に対応する。
【００７２】
（１３）本形態では、放熱部８１の半導体モジュール４１〜４４が配置される面である第１外側面８１３および第２外側面８１４は、底部３５に対して傾斜して形成される。これにより、電子制御装置７１の高さ方向の体格を小型化できる。
また、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）、（４）、（５）と同様の効果を奏する。
【００７３】
（第１２実施形態）
本発明の第１２実施形態による電子制御装置を図２１および図２２に基づいて説明する。
本形態の電子制御装置７２は、第１１実施形態の変形例である。
電子制御装置７２の放熱部８２は、第１放熱部８２１、および、第２放熱部８２２から構成される。本形態の第１放熱部８２１は、第２基板固定部３２と一体に形成される。また、第２基板固定部３２は、放熱部８２の端部に形成される、と捉えることもできる。本形態の第１放熱部８２１は、第２基板固定部３２と一体に形成される点を除き、第１１実施形態の第１放熱部８１１と同様である。また、第２放熱部８２２は、第１１実施形態の第２放熱部８１２と同様である。
【００７４】
また、第１放熱部８２１のパワー部品２０が配置される側と反対側には、第１外側面８２３が形成され、第２放熱部８２２のパワー部品２０が配置される側と反対側には第２外側面８２４が形成される。第１外側面８２３および第２外側面８２４は、第１１実施形態と同様、底部３５に対して傾斜して形成される。
また、ＭＯＳ４１〜４４の配置等は、第１１実施形態と同様であるので、説明を省略する。
これにより、上記形態と同様の効果を奏し、特に（１）、（２）、（４）、（５）、（７）、（１３）と同様の効果を奏する。
【００７５】
（第１３実施形態）
本発明の第１３実施形態による電子制御装置を図２３および図２４に基づいて説明する。
本形態の電子制御装置７３の放熱部８３は、基板１０のパワー領域１２側の辺１２１に沿って略平行に形成される。すなわち、放熱部８３は、上記形態の第２放熱部に対応する部分がないので、直線的な形状となっている。これにより、上記形態と比較し、筐体容積を低減することができる。
【００７６】
放熱部８３は、外側面８３１および内側面８３２を有する。外側面８３１および内側面８３２は、底部３５に対して傾斜して設けられる。具体的には、外側面８３１は、底部３５側が外側、基板１０側が内側をとなるように形成される。また内側面８３２は、底部３５側が内側、基板１０側が外側となるように形成される。これにより、外側面８３１および内側面８３２は、基板１０の下側面１０２側を向くように形成される。
【００７７】
本形態では、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３が、放熱絶縁シート４７を挟んで放熱部８３の外側面８３１に固定される。上ＭＯＳ４１、４３は、一部が基板１０の投影領域外となるように配置される。
また、比較的発熱量の小さい下ＭＯＳ４２、４４が、放熱絶縁シート４７を挟んで放熱部８３の内側面８３２に固定される。下ＭＯＳ４２、４４は、全体が基板１０の投影領域内となるように配置される。
【００７８】
これにより、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳ４１、４３と、アルミ電解コンデンサ２１等のパワー部品２０との間に放熱部８３が設けられるので、上ＭＯＳ４１、４３は、パワー部品２０および下ＭＯＳ４２、４４における発熱の影響を受けにくくなり、熱干渉を低減することができる。
本形態では、外側面８３１および内側面８３２が「半導体モジュールが配置される面」に対応し、外側面８３１が「第１面」に対応し、内側面８３２が「第２面」に対応する。また、ＭＯＳ４１、４３が「第１モジュール」に対応し、ＭＯＳ４２、４４が「第２モジュール」に対応する。
これにより、上記実施形態と同様の効果を奏し、特に（１）、（２）、（４）、（７）、（９）、（１３）と同様の効果を奏する。
【００７９】
（他の実施形態）
（ア）上記実施形態では、半導体モジュールは、ＭＯＳＦＥＴである。他の実施形態では、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）や、トランジスタ、サイリスタや、その他どのようなものであってもよい。
【００８０】
（イ）上記実施形態では、半導体モジュールは、４つである。他の実施形態では、半導体モジュールは４つに限らず、いくつであってもよい。
また、第１実施形態および第２実施形態では、半導体モジュールは、放熱部の第１外側面および第２外側面に２つずつ配置され、第３実施形態〜第６実施形態では、放熱部の外側面および内側面に２つずつ配置されていた。他の実施形態では、半導体モジュールは、放熱部に対し、対称配置に限らず、どのように配置してもよい。例えば、第１実施形態および第２実施形態の例では、放熱部の第１外側面または第２外側面の一方に全ての半導体モジュールを配置してもよいし、一方に３つ、他方に１つとしてもよい。また、第１実施形態および第２実施形態の放熱部の内側面に一部の半導体モジュールを配置してもよい。同様に、第３実施形態〜第６実施形態の例では、放熱部の外側面に全ての半導体モジュールを配置してもよいし、外側面および内側面の一方に３つ、他方に１つとしてもよい。
【００８１】
（ウ）第１実施形態および第２実施形態では、比較的発熱量の大きい上ＭＯＳが両端となるように配置した。他の実施形態では、第２基板固定部に近い側に上ＭＯＳを配置するようにしてもよい。上ＭＯＳを第２基板固定部側に配置し、２つの上ＭＯＳの間、例えば第２基板固定部にサーミスタ等の温度検出部を設け、検出された温度を用いて制御を行うことにより、制御性が向上する。
また、上記第３実施形態〜第６実施形態では、放熱部の外側面に上ＭＯＳを配置し、内側面に下ＭＯＳを配置していた。他の実施形態では、放熱箇所を分散させるべく、上ＭＯＳが隣り合わず、かつ、対向しないように、分散させて配置するようにしてもよい。
これに限らず、半導体モジュールの配置は、どのようであってもよい。
【００８２】
また、上記第４、６、８、１０実施形態では、外側面のＭＯＳと内側面のＭＯＳとが対向する位置に配置される場合、共通の貫通穴の両側にＭＯＳが固定される。他の実施形態では、外側面のＭＯＳと内側面のＭＯＳとが対向する位置に配置される場合であっても、貫通穴に替えて、ＭＯＳごとに固定穴を設けるようにしてもよい。
【００８３】
（エ）上記実施形態では、半導体モジュールは、ＭＯＳ固定ねじにより放熱部に螺着される。他の実施形態では、半導体モジュールは、どのような方法で放熱部に固定してもよい。また、上記実施形態では、基板は、基板固定ねじにより筐体の基板固定部に螺着される。他の実施形態では、基板は、どのような方法で筐体の基板固定部に固定してもよい。
【００８４】
（オ）上記実施形態では、半導体モジュールと放熱部との間には、放熱絶縁シートが設けられている。他の実施形態では、放熱絶縁シートに替えて、放熱ゲルや放熱グリス等でもよい。また、放熱機能または絶縁機能の一方を備える部材としてもよいし、放熱絶縁シートを省いてもよい。半導体モジュールとカバー部材との間に設けられる放熱絶縁シートについても同様である。
【００８５】
（カ）上記実施形態では、制御部品は、ＩＣおよびＣＰＵにより構成された。他の実施形態では、各種装置の制御演算に用いられる比較的発熱量の小さい部品であれば、どのようなものであってもよい。
また、上記実施形態では、パワー部品は、アルミ電解コンデンサ、コイル、リレー、および、シャント抵抗により構成された。他の実施形態では、アルミ電解コンデンサに替えて、どのようなコンデンサを用いてもよい。また、パワー部品は、コンデンサ、コイル、リレー、および、抵抗の少なくとも１つが含まれていれば、一部の部品を省略してもよい。また、パワー部品は、コンデンサ、コイル、リレー、および、抵抗以外の電子部品により構成してもよい。
また、上記実施形態では、ＣＰＵが上側面に実装され、他の電子部品が下側面に実装された。他の実施形態では、制御部品が制御領域、パワー部品がパワー領域に実装されていれば、各電子部品がどちら側の面に実装されていてもよい。
【００８６】
（キ）第１実施形態および第２実施形態では、基板固定部は放熱部の端部および角部に形成された。他の実施形態では、第４基板固定部側の端部にさらに別の基板固定部を設けてもよい。また、上記第１実施形態〜第５実施形態の基板固定部に加え、放熱部の中間部に基板固定部を形成してもよい。さらにまた、第６実施形態において、放熱固定部の端部に基板固定部をさらに形成してもよい。
また、放熱部の形状は、略Ｌ字形状、直線状に限らず、どのような形状としてもよい。
【００８７】
（ク）第１１実施形態〜第１３実施形態では、半導体モジュールが配置される面が傾斜して形成される。他の実施形態では、例えば第１実施形態のように、基板の２辺に沿って形成される放熱部等、どのような形状の放熱部における半導体モジュールが配置される面を傾斜させて形成してもよい。
【００８８】
また上記実施形態では、半導体モジュールが配置される面が、基板側を向くように形成される。他の実施形態では、半導体モジュールが配置される面が、底面側を向くように形成してもよい。
さらにまた、放熱部が傾斜して形成される場合であっても、カバー部材を放熱部に応じた形状に形成することにより、半導体モジュールを放熱部とカバー部材とで挟んだ状態にて固定し、背面放熱を併用してもよい。
（ケ）第１１実施形態では、放熱部と基板固定部とが別体で形成される。他の実施形態では、例えば第１実施形態〜第６実施形態の放熱部と基板固定部とを別体としてもよい。
【００８９】
（コ）上記実施形態では、電子制御装置は、電動式パワーステアリングシステムに適用される。他の実施形態では、電動式パワーステアリングシステムに限らず、どのような装置に適用してもよい。
以上、本発明は、上記実施形態になんら限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００９０】
１０・・・基板
１１・・・制御領域
１２・・・パワー領域
１５・・・制御部品
２０・・・パワー部品
３０・・・筐体
３１〜３４・・・基板固定部
３６〜３９、８１〜８３・・・放熱部
４１〜４４・・・ＭＯＳ（半導体モジュール）
６１〜７３・・・電子制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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