(57)【要約】  ダイシングの際に半導体ウエハを良好に個片化することができ、パッケージングの際にパッケージクラックの発生を防止することができる半導体加工用テープを提供する。本発明の半導体加工用テープ１０は、基材フィルム１１と粘着剤層１２とを有するダイシングテープ１３と、前記粘着剤層１２上に設けられており、半導体チップの裏面を保護するための金属層１４と、前記金属層１４上に設けられており、前記金属層１４を半導体チップの裏面に接着するための接着剤層１５とを有し、前記金属層１４の十点平均粗さによる表面粗さＲｚＪＩＳが、０．５μｍ以上１０．０μｍ未満であることを特徴とする。
2017110202.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと粘着剤層とを有するダイシングテープと、
前記粘着剤層上に設けられた金属層と、
前記金属層上に設けられており、前記金属層を半導体チップの裏面に接着するための接着剤層とを有し、
前記金属層の十点平均粗さによる表面粗さＲｚＪＩＳが、０．５μｍ以上１０．０μｍ未満で
あることを特徴とする半導体加工用テープ。
【請求項２】
前記金属層が銅箔であることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用テープ。
【請求項３】
前記接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有し、前記（Ｄ）の含有量が前記（Ａ）〜（Ｄ）の合計に対して４０重量％以上６５重量％以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体加工用テープ。
【請求項４】
前記粘着剤層が、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されるアクリル系ポリマーを含有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体加工用テープに関し、特に、フェイスダウン（ｆａｃｅ  ｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの裏面を保護するための金属層を有する半導体加工用テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置及びそのパッケージの薄型化、小型化がより一層求められている。いわゆるフェイスダウン(ｆａｃｅ  ｄｏｗｎ)方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェイスダウン方式では、回路面に導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸状の電極が形成されてなる半導体チップを用い、回路面を反転（フェイスダウン）させて、電極を基板に接続する構造（いわゆるフリップチップ接続）となる。【０００３】
このような半導体装置では、半導体チップの裏面を半導体加工用テープにより保護し、半導体チップの損傷等を防止している場合がある（特許文献１参照）。さらに、半導体素子上に、金属層と接着層とからなる片面接着フィルムを、接着層を介して貼り付けることも知られている（特許文献２参照）。【０００４】
フリップチップ接続の代表的な手順としては、半導体加工用テープを接着した半導体チップ表面に形成された半田バンプ等をフラックスに浸漬し、その後バンプと基板上に形成された電極（必要に応じてこの電極上にも半田バンプが形成されている）とを接触させ、最後に半田バンプを溶融させて半田バンプと電極とをリフロー接続させる。フラックスは、半田付けの際の半田バンプの洗浄や酸化の防止、半田の濡れ性の改善等を目的として用いられている。以上の手順により、半導体チップと基板との間の良好な電気的接続を構築することができる。【０００５】
そこで、フラックスが付着してもシミの発生を防止することができ、外観性に優れる半導体装置を製造可能な半導体加工用テープとして、接着剤層と、この接着剤層上に積層された保護層とを備え、保護層をガラス転移温度が２００℃以上である耐熱性樹脂又は金属で構成したフリップチップ型半導体裏面用フィルムが提案されている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１５８０２６号公報
【特許文献２】特開２００７−２３５０２２号公報
【特許文献３】特開２０１２−０３３６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１のように、放射線硬化性成分又は熱硬化性成分を含んだ樹脂を放射線又は熱により硬化させて保護膜を形成する場合、硬化後の保護膜と半導体ウエハの熱膨張係数差が大きいため、加工途中の半導体ウエハや半導体チップに反りが生じるという問題があった。【０００８】
しかしながら、上記特許文献２や特許文献３では、金属の保護層と接着剤層との接着力が十分でなく、パッケージングの際に、保護層と接着剤層との間にパッケージクラックが発生し、信頼性が低下するという問題があった。また、特許文献３では、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングテープの粘着剤層上に、保護層および接着剤層を設けたフリップチップ型半導体裏面用フィルムも開示されている。このようなダイシングテープ一体型のフリップチップ型半導体裏面用フィルムを用いた場合、保護層と粘着剤層との接着力が十分でなく、半導体ウエハをチップ状に個片化するダイシングの際に、保護層と粘着剤層との間で剥離が生じ、半導体ウエハを良好に個片化することができないという問題があった。【０００９】
そこで、本発明は、ダイシングの際に半導体ウエハを良好に個片化することができ、パッケージングの際にパッケージクラックの発生を防止することができる半導体加工用テープを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以上の課題を解決するため、本発明に係る半導体加工用テープは、基材フィルムと粘着剤層とを有するダイシングテープと、前記粘着剤層上に設けられた金属層と、前記金属層上に設けられており、前記金属層を半導体チップの裏面に接着するための接着剤層とを有し、前記金属層の十点平均粗さによる表面粗さＲｚＪＩＳが、０．５μｍ以上１０．０μｍ未満であることを特徴とする。【００１１】
上記半導体加工用テープは、前記金属層が銅箔であることが好ましい。【００１２】
また、上記半導体加工用テープは、前記接着剤層が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有し、前記（Ｄ）の含有量が前記（Ａ）〜（Ｄ）の合計に対して４０重量％以上６５重量％以下であることが好ましい。【００１３】
また、半導体加工用テープは、前記粘着剤層が、ＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されるアクリル系ポリマーを含有することが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ダイシングの際に半導体ウエハを良好に個片化することができ、パッケージングの際にパッケージクラックの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体加工用テープの使用方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体加工用テープ１０を示す断面図である。この半導体加工用テープ１０は、基材フィルム１１と基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２とからなるダイシングテープ１３を有しており、粘着剤層１２上には、半導体チップＣ（図２参照）を保護するための金属層１４と、金属層１４上に設けられた接着剤層１５とが設けられている。
【００１８】
接着剤層１５は、金属層１４に接する面とは反対側の面がセパレータ（剥離ライナー）により保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまで接着剤層１５を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、半導体加工用テープ１０の製造過程において、ダイシングテープ１３の粘着剤層１２に金属層１４を貼合する際の支持基材として用いることができる。
【００１９】
ダイシングテープ１３、金属層１４及び接着剤層１５は、使用工程や装置に合わせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。さらに、本発明の半導体加工用テープ１０は、半導体ウエハＷ１枚分ごとに切断された形態であってもよいし、半導体ウエハＷ１枚分ごとに切断されたものが複数形成された長尺のシートを、ロール状に巻き取った形態であってもよい。以下に、各構成要素について説明する。
【００２０】
＜基材フィルム１１＞
基材フィルム１１としては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述の粘着剤層１２として放射線硬化性の材料を使用する場合には、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。
【００２１】
例えば、その材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、及びこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１１はこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。
【００２２】
基材フィルム１１の厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。
【００２３】
基材フィルム１１と粘着剤層１２との密着性を向上させるために、基材フィルム１１の表面に、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的表面処理を施してもよい。
【００２４】
また、本実施の形態においては、基材フィルム１１の上に直接的に粘着剤層１２を設けたが、密着性をあげるためのプライマ層や、ダイシング時の切削性向上ためのアンカー層、応力緩和層、静電防止層等を介して間接的に設けてもよい。
【００２５】
＜粘着剤層１２＞
粘着剤層１２に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができるが、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００２６】
アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００２７】
アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００２８】
更に、アクリル系ポリマーは、架橋されるため、多官能性モノマー等も必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００２９】
アクリル系ポリマーの調製は、例えば１種又は２種以上の成分モノマーの混合物に溶液重合方式や乳化重合方式、塊状重合方式や懸濁重合方式等の適宜な方式を適用して行うことができる。粘着剤層１２は、ウエハの汚染防止等の点より低分子量物質の含有を抑制した組成が好ましく、かかる点より重量平均分子量が３０万以上、特に４０万〜３００万のアクリル系ポリマーを主成分とするものが好ましいことから粘着剤は、内部架橋方式や外部架橋方式等による適宜な架橋タイプとすることもできる。
【００３０】
また、粘着剤層１２の架橋密度を制御してピックアップ性を向上させるため、例えば多官能イソシアネート系化合物、多官能エポキシ系化合物、メラミン系化合物、金属塩系化合物、金属キレート系化合物、アミノ樹脂系化合物、又は過酸化物等の適宜な外部架橋剤を用いて架橋処理する方式や、炭素−炭素二重結合を２個以上有する低分子化合物を混合してエネルギー線の照射等により架橋処理する方式等の適亘な方式を採用することができる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１重量部〜５重量部配合するのが好ましい。尚、粘着剤には、劣化防止等の観点から、必要により、前記成分のほかに、各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００３１】
粘着剤層１２を構成する粘着剤としては、放射線硬化型粘着剤が好適である。放射線硬化型粘着剤としては、前述の粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分や放射線硬化性のオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００３２】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらのモノマー成分は、１種又は２種以上併用できる。
【００３３】
また、放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５重量部〜５００重量部、好ましくは７０重量部〜１５０重量部程度である。
【００３４】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記添加型の放射線硬化型粘着剤の他に、ベースポリマーとして炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤も挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くを含まないため、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができるため好ましい。
【００３５】
炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００３６】
アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の上で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００３７】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００３８】
内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の光重合性化合物を配合することもできる。当該光重合性化合物の配合量は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部以下の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲内である。
【００３９】
放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させることが好ましい。
【００４０】
上述のアクリル系ポリマーの中でも、特にＣＨ2＝ＣＨＣＯＯＲ（式中、Ｒは炭素数が４〜８のアルキル基である。）で表されるアクリル酸エステルと、ヒドロキシル基含有モノマーと、分子内にラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物とで構成されるアクリル系ポリマーＡが好ましい。
【００４１】
アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が４未満であると、極性が高く剥離力が大きくなり過ぎてピックアップ性が低下する場合がある。一方、アクリル酸アルキルエステルのアルキル基の炭素数が８を超えると、粘着剤層１２のタックが小さくなるので、金属層１５との接着性又は密着性が低下し、その結果、ダイシングの際に金属層１５の剥離が発生する場合がある。
【００４２】
上記アクリル系ポリマーＡは、必要に応じ、他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。
【００４３】
アクリル系ポリマーＡでは、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物が用いられる。すなわち、アクリルポリマーは、前記アクリル酸エステルやヒドロキシル基含有モノマー等のモノマー組成物によるポリマーに、二重結合含有イソシアネート化合物が付加反応された構成を有していることが好ましい。従って、アクリル系ポリマーは、その分子構造内に、ラジカル反応性炭素−炭素二重結合を有していることが好ましい。これにより、活性エネルギー線（紫外線など）の照射によって硬化する活性エネルギー線硬化型粘着剤層（紫外線硬化型粘着剤層など）とすることができ、金属層１５と粘着剤層１２との剥離力を低下させることができる。
【００４４】
二重結合含有イソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、アクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−アクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。二重結合含有イソシアネート化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
また、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、活性エネルギー線照射前の粘着力や、活性エネルギー線照射後の粘着力を調整する為、外部架橋剤を適宜に用いることもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。外部架橋剤の使用量は、一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、２０重量部以下（好ましくは０．１重量部〜１０重量部）である。更に、活性エネルギー線硬化型粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤、発泡剤等の添加剤が配合されていてもよい。
【００４６】
粘着剤層１２の厚みは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。また、粘着剤層１２は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。
【００４７】
＜金属層１４＞
金属層１４を構成する金属としては特に限定されず、例えば、アルミニウム、鉄、チタン、スズ、ニッケル及び銅からなる群より選択される少なくとも１種の金属および／またはそれらの合金であることがレーザーマーキング性の点から好ましい。これらの中でも、銅、アルミニウムまたはそれらの合金は熱伝導性が高く金属層を介した放熱の効果も得られる。また、銅、アルミニウム、鉄、ニッケルまたはそれらの合金は電子デバイスパッケージの反り抑制効果も得られる。
【００４８】
金属層１４の十点平均粗さによる表面粗さＲｚＪＩＳは、０．５μｍ以上１０．０μｍ未満である。表面粗さＲｚＪＩＳを０．５μｍ以上とすることにより、金属層１４と接着剤層１５との接触面積が大きくなり、金属層１４の表面の凹凸によるアンカー効果で、金属層１４と接着剤層１５とが物理的に強硬に密着するので、ダイシングブレードによる荷重や切削水の水流で金属層１４が剥離することを防止でき、また接着剤層の硬化後は強固に接合するので、パッケージングあるいは信頼性の試験の際にパッケージクラックが発生するのを防止することができる。さらに表面粗さＲｚＪＩＳは１．０μｍ以上が好ましく、２．０μｍ以上だとアンカー効果がより大きく発揮される点で好ましい。また、表面粗さＲｚＪＩＳが１０．０μｍ未満であると、金属層１４の表面の凹凸に接着剤や粘着剤が入り込むことができる。金属層１４の表面の凹凸に接着剤が入り込まないと、その部分がボイド（空隙）となり、このボイドがリフロー時あるいは信頼性の試験の際にポップコーン現象(水蒸気爆発)の起点となり、パッケージクラックが発生してしまう。なお、本明細書における表面粗さＲｚＪＩＳは、ＪＩＳ  Ｂ ０６０１：２０１３の附属書ＪＡに規定される十点平均粗さである。
【００４９】
金属層１４の厚さは、半導体ウエハＷあるいは半導体チップＣの取扱い性及び加工性等を考慮して適宜決定することができ、通常２〜２００μｍの範囲である。金属層は２００μｍ以下であると巻取り加工が容易であり、５０μｍ以下の場合、半導体パッケージの薄型化に寄与できる点で好ましい。一方、取扱い性の観点から最低でも２μｍ以上が必要である。
【００５０】
＜接着剤層１５＞
接着剤層１５は、接着剤を予めフィルム化したものである。
【００５１】
接着剤層１５は、少なくとも熱硬化性樹脂により形成されており、少なくとも熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂とにより形成されていることが好ましい。
【００５２】
熱可塑性樹脂としては、例えば、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく応力緩和性に優れる点でアクリル樹脂が、可とう性と強度を両立して高靭性である点でフェノキシ樹脂が、それぞれの観点で半導体素子の信頼性を確保しやすくできるため、特に好ましい。
【００５３】
アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下（好ましくは炭素数４〜１８、更に好ましくは炭素数６〜１０、特に好ましくは炭素数８又は９）の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。すなわち、本発明では、アクリル樹脂とは、メタクリル樹脂も含む広義の意味である。前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、へキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基（ラウリル基）、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基等が挙げられる。
【００５４】
また、アクリル樹脂を形成するための他のモノマー（アルキル基の炭素数が３０以下のアクリル酸又はメタクリル酸のアルキルエステル以外のモノマー）としては、特に限定されるものではなく、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーなどが挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸とはアクリル酸及び／又はメタクリル酸をいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００５５】
また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂の他、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。熱硬化性樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好適である。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂を好適に用いることができる。
【００５６】
エポキシ樹脂としては、特に限定は無く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂若しくはグリシジルアミン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を用いることができる。
【００５７】
エポキシ樹脂としては、例示のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００５８】
更に、フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。フェノール樹脂は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００５９】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５当量〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８当量〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００６０】
また、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒が用いられていても良い。熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン−ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
【００６１】
エポキシ樹脂の硬化剤としては、上述のようにフェノール樹脂を用いることが好ましいが、イミダゾール類、アミン類、酸無水物類等の公知の硬化剤を使用することもできる。
【００６２】
接着剤層１５は、半導体ウエハの裏面（回路非形成面）に対して接着性（密着性）を有していることが重要である。そこで、接着剤層１５を予めある程度架橋させておくため、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておいてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００６３】
架橋剤としては、特に制限されず、公知の架橋剤を用いることができる。具体的には、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、メラミン系架橋剤、過酸化物系架橋剤の他、尿素系架橋剤、金属アルコキシド系架橋剤、金属キレート系架橋剤、金属塩系架橋剤、カルボジイミド系架橋剤、オキサゾリン系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン系架橋剤などが挙げられる。架橋剤としては、イソシアネート系架橋剤やエポキシ系架橋剤が好適である。また、前記架橋剤は単独で又は２種以上組み合わせて使用することができる。
【００６４】
なお、本発明では、架橋剤を用いる代わりに、あるいは、架橋剤を用いるとともに、電子線や紫外線などの照射により架橋処理を施すことも可能である。
【００６５】
接着剤層１５には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば、充填剤（フィラー）、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤の他、増量剤、老化防止剤、酸化防止剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００６６】
充填剤としては、無機充填剤、有機充填剤のいずれであってもよいが、無機充填剤が好適である。無機充填剤等の充填剤の配合により、接着剤層１５に熱伝導性の向上、弾性率の調節等を図ることができる。無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、又は合金類、その他カーボンなどからなる種々の無機粉末などが挙げられる。充填剤は単独で又は２種以上を併用して用いることができる。充填剤としては、なかでも、シリカまたはアルミナが、シリカとしては特に溶融シリカが好適である。なお、無機充填剤の平均粒径は０．１μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。無機充填剤の平均粒径は、例えば、レーザー回折型粒度分布測定装置によって測定することができる。
【００６７】
充填剤（特に無機充填剤）の配合量は、有機樹脂成分に対して８０重量％以下（０重量％〜８０重量％）であることが好ましく、特に０重量％〜７０重量％であることが好適である。
【００６８】
また、難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。難燃剤は、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。シランカップリング剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。イオントラップ剤は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００６９】
接着剤層１５は、接着性と信頼性の観点から、特に（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材を含有し、（Ｄ）の含有量が（Ａ）〜（Ｄ）の合計に対して４０重量％以上６５重量％以下であることが好ましい。
【００７０】
（Ａ）エポキシ樹脂を用いることにより、高い接着性、耐水性、耐熱性を得られる。エポキシ樹脂としては、上述の公知のエポキシ樹脂を用いることができる。（Ｂ）硬化剤は上述の公知の硬化剤を用いることができる。
【００７１】
（Ｃ）フェノキシ樹脂は、フェノキシ樹脂は分子鎖が長くエポキシ樹脂と構造が似ており、高架橋密度の組成物中で可とう性材料として作用し、高靭性を付与するので高強度でありながらタフネスな組成物が得られる。好ましいフェノキシ樹脂は、主骨格がビスフェノールＡ型のものであるが、その他にビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂、ビスフェノールＡ／Ｆ混合型フェノキシ樹脂や臭素化フェノキシ樹脂等市販のフェノキシ樹脂が好ましいものとして挙げられる。
【００７２】
（Ｄ）表面処理された無機充填材としては、シランカップリング剤で表面処理された無機充填剤が挙げられる。無機充填材としては、上述の公知の無機充填剤を用いることができるが、好ましくはシリカ、アルミナである。シランカップリング剤で表面処理されていることにより、無機充填剤の分散性が良好になる。このため、流動性に優れるので金属層との接着力を向上させることができる。また、無機充填剤を高充填させることができるようになるので、吸水率を下げ耐湿性を向上させることができる。
【００７３】
シランカップリング剤による無機充填材の表面処理は、公知の方法により、シランカップリング剤溶液中に無機充填材を分散させることにより、無機充填剤の表面に存在する水酸基とシランカップリング剤のアルコキシ基等の加水分解基が加水分解されたシラノール基とを反応させて無機充填剤の表面にＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を生成することにより行われる。
【００７４】
（Ｄ）表面処理された無機充填材の含有量を（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材の合計に対して４０重量％以上とすることにより、吸水率、飽和吸湿率を低下させることができ、また接着剤層の熱伝導性が向上し金属層を介して放熱の効果も得られる点で好ましい。（Ｄ）表面処理された無機充填材の含有量を（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フェノキシ樹脂、および（Ｄ）表面処理された無機充填材の合計に対して６５重量％以下とすることにより、樹脂成分による流動性も確保できるので金属層やウエハとの接着力に優れる点で好ましい。
【００７５】
接着剤層１５の厚さは特に制限されるものではないが、通常取扱い性の観点から、３μｍ以上が好ましく、５μｍ以上がより好ましく、半導体パッケージの薄型化に寄与するために１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましい。また、金属層１４の十点平均粗さによる表面粗さＲｚＪＩＳと同等以上の厚みを有することが好ましい。接着剤層１５の厚さが表面粗さＲｚＪＩＳと同等以上であることで、金属層１４の表面の凹凸に入り込みやすく、アンカー効果が得られやすい。また、接着剤層１５は単層で構成されても複数層で構成されていてもよい。
【００７６】
また、接着剤層１５は、Ｂステージ（未硬化状態または半硬化状態）において金属層１４との剥離力（２３℃、剥離角度１８０度、線速３００ｍｍ／分）が０．３Ｎ以上であることが好ましい。剥離力が０．３Ｎ未満であると、半導体ウエハＷのダイシングの際に、半導体ウエハＷや半導体チップＣと接着剤層１５との間あるいは接着剤層１５と金属層１４との間で剥離が生じて半導体チップＣにチッピング（欠け）が発生してしまうおそれがある。
【００７７】
接着剤層１５の吸水率は、１．５ｖｏｌ％以下であることが好ましい。吸水率の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で、１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを蒸留水に室温で２４時間浸してから取出し、サンプル表面をろ紙でふき取り、すばやく秤量してＭ２とする。吸水率は、次式（１）により算出される。
吸水率（ｖｏｌ％）＝［（Ｍ２‐Ｍ１）／（Ｍ１／ｄ）］×１００（１）
ここで、ｄはフィルムの密度である。
吸水率が１．５ｖｏｌ％を超えると、吸水した水分によりはんだリフロー時にパッケージクラックを生じるおそれがある。
【００７８】
接着剤層１５の飽和吸湿率は、１．０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。飽和吸湿率の測定方法は次の通りである。すなわち、直径１００ｍｍの円形の接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルを真空乾燥機中で１２０℃、３時間乾燥させ、デシケータ中で放冷後、乾燥質量を測定しＭ１とする。サンプルを８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽中で１６８時間吸湿してから取り出し、すばやく秤量してＭ２とする。飽和吸湿率は、次式（２）により算出される。
2017110202.tif 000003
ここで、ｄはフィルムの密度である。
飽和吸湿率が１．０ｖｏｌ％を超えると、リフロー時の吸湿により蒸気圧の値が高くなり、良好なリフロー特性が得られないおそれがある。
【００７９】
接着剤層１５の残存揮発分は、３．０ｗｔ％以下であることが好ましい。残存揮発成分の測定方法は次の通りである。すなわち、５０×５０ｍｍの大きさの接着剤層１５（フィルム状接着剤）をサンプルとし、サンプルの初期の質量を測定しＭ１とし、サンプルを熱風循環恒温槽中で２００℃、２時間加熱後、秤量してＭ２とする。残存揮発分は、次式（３）により算出される。
残存揮発分（ｗｔ％）＝［（Ｍ２−Ｍ１）／Ｍ１］×１００    （３）
残存揮発分が３．０ｗｔ％を超えると、パッケージングの際の加熱により溶媒が揮発し、接着剤層１５の内部にボイドが発生して、パッケージクラックが発生するおそれがある。
【００８０】
金属層１４の線膨脹係数の接着剤層１５の線膨脹係数に対する比（金属層１４の線膨脹係数／接着剤層１５の線膨脹係数）は、０．２以上であることが好ましい。当該比が０．２未満であると、金属層１４と接着剤層１５との間で剥離が生じやすくなり、パッケージングの際にパッケージクラックが発生し、信頼性が低下するおそれがある。
【００８１】
（セパレータ）
セパレータは、接着剤層１５の取り扱い性をよくするとともに接着剤層１５を保護するためのものである。セパレータとしては、ポリエステル（ＰＥＴ、ＰＢＴ、ＰＥＮ、ＰＢＮ、ＰＴＴ）系、ポリオレフィン（ＰＰ、ＰＥ）系、共重合体（ＥＶＡ、ＥＥＡ、ＥＢＡ）系、またこれらの材料を一部置換して、更に接着性や機械的強度を向上したフィルム使用することができる。また、これらのフィルムの積層体であってもよい。
【００８２】
セパレータの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。
【００８３】
（半導体加工用テープ１０）
本実施の形態に係る半導体加工用テープ１０の製造方法について説明する。まず、接着剤層１５は、樹脂組成物を調製し、フィルム状の層に形成する慣用の方法を利用し形成することができる。具体的には、例えば、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記樹脂組成物を塗布して乾燥し（熱硬化が必要な場合などでは、必要に応じて加熱処理を施し乾燥して）、接着剤層１５を形成する方法等が挙げられる。前記樹脂組成物は、溶液であっても分散液であってもよい。次いで、得られる接着剤層１５と別途用意した金属層１４とを貼り合わせる。金属層１４としては、市販の金属箔を用いればよい。その後、接着剤層１５及び金属層１４を所定の大きさの円形ラベル形状に押切刃を用いてプリカットし、周辺の不要部分を除去する。
【００８４】
次に、ダイシングテープ１３を作製する。基材フィルム１１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。次に、基材フィルム１１上に粘着剤組成物を塗布し、乾燥させて（必要に応じて加熱架橋させて）粘着剤層１２を形成する。塗布方式としては、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。なお、粘着剤組成物を直接基材フィルム１１に塗布して、基材フィルム１１上に粘着剤層１２を形成してもよく、また、粘着剤組成物を表面に剥離処理を行った剥離紙等に塗布して粘着剤層１２を形成させた後、該粘着剤層１２を基材フィルム１１に転写させてもよい。これにより、基材フィルム１１上に粘着剤層１２が形成されたダイシングテープ１３が作製される。
【００８５】
その後、金属層１４と粘着剤層１２とが接するように、円形の金属層１４及び接着剤層１５が設けられたセパレータにダイシングテープ１３をラミネートし、場合によってはダイシングテープ１３も所定の大きさの円形ラベル形状等にプリカットすることにより、半導体加工用テープ１０が作られる。
【００８６】
＜使用方法＞
次に、本実施形態の半導体加工用テープ１０を使用して半導体装置を製造する方法について、図２を参照しながら説明する。
【００８７】
半導体装置の製造方法は、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０上に半導体ウエハＷを貼着する工程（マウント工程）と、半導体ウエハＷをダイシングして半導体チップＣを形成する工程（ダイシング工程）と、半導体チップＣを半導体加工用テープ１０とともに、ダイシングテープ１３の粘着剤層１２から剥離する工程（ピックアップ工程）と、半導体チップＣを被着体１６上にフリップチップ接続する工程（フリップチップ接続工程）とを少なくとも具備する。
【００８８】
［マウント工程］
先ず、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０上に任意に設けられたセパレータを適宜に剥離し、図２（Ａ）で示されるように、接着剤層１５に半導体ウエハＷを貼着して、これを接着保持させ固定する（マウント工程）。このとき接着剤層１５は未硬化状態（半硬化状態を含む）にある。また、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０は、半導体ウエハＷの裏面に貼着される。半導体ウエハＷの裏面とは、回路面とは反対側の面（非回路面、非電極形成面などとも称される）を意味する。貼着方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。
【００８９】
［ダイシング工程」
次に、図２（Ｂ）で示されるように、半導体ウエハＷのダイシングを行う。これにより、半導体ウエハＷを所定のサイズに切断して個片化（小片化）し、半導体チップＣを製造する。ダイシングは、例えば、半導体ウエハＷの回路面側から常法に従い行われる。また、本工程では、例えば、半導体加工用テープ１０まで切り込みを行うフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。本工程で用いるダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハＷは、半導体加工用テープ１０により優れた密着性で接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハＷの破損も抑制できる。なお、ダイシングテープ一体型の半導体加工用テープ１０のエキスパンドを行う場合、該エキスパンドは従来公知のエキスパンド装置を用いて行うことができる。
【００９０】
［ピックアップ工程］
図２（Ｃ）で示されるように、半導体チップＣのピックアップを行って、半導体チップＣを接着剤層１５及び金属層１４とともにダイシングテープ１３より剥離させる。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップＣを半導体加工用テープ１０の基材フィルム１１側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップＣをピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。なお、ピックアップされた半導体チップＣは、その裏面が金属層１４により保護されている。
【００９１】
［フリップチップ接続工程］
ピックアップした半導体チップＣは、図２（Ｄ）で示されるように、基板等の被着体１６に、フリップチップボンディング方式（フリップチップ実装方式）により固定させる。具体的には、半導体チップＣを、半導体チップＣの回路面（表面、回路パターン形成面、電極形成面などとも称される）が被着体１６と対向する形態で、被着体１６に常法に従い固定させる。例えば、まず半導体チップＣの回路面側に形成されている接続部としてのバンプ１７にフラックスを付着させる。次いで、半導体チップＣのバンプ１７を被着体１６の接続パッドに被着された接合用の導電材１８（半田など）に接触させて押圧しながらバンプ１７及び導電材１８を溶融させることにより、半導体チップＣと被着体１６との電気的導通を確保し、半導体チップＣを被着体１６に固定させることができる（フリップチップボンディング工程）。このとき、半導体チップＣと被着体１６との間には空隙が形成されており、その空隙間距離は、一般的に３０μｍ〜３００μｍ程度である。尚、半導体チップＣを被着体１６上にフリップチップボンディング（フリップチップ接続）した後は、半導体チップＣと被着体１６との対向面や間隙に残存するフラックスを洗浄除去し、該間隙に封止材（封止樹脂など）を充填させて封止する。
【００９２】
被着体１６としては、リードフレームや回路基板（配線回路基板など）等の各種基板を用いることができる。このような基板の材質としては、特に限定されるものではないが、セラミック基板や、プラスチック基板が挙げられる。プラスチック基板としては、例えば、エポキシ基板、ビスマレイミドトリアジン基板、ポリイミド基板等が挙げられる。また、他の半導体チップを被着体１６とし、上記半導体チップＣをフリップチップ接続することにより、チップオンチップ構造とすることもできる。
【００９３】
＜実施例＞
次に、本発明の効果をさらに明確にするために、実施例および比較例について詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９４】
（１）ダイシングテープの作製
＜ダイシングテープ（１）＞
官能基を有するアクリル系共重合体として、２−エチルヘキシルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートおよびメタクリル酸からなり、２−エチルヘキシルアクリレートの比率が６０モル％、質量平均分子量７０万の共重合体を調製した。次に、ヨウ素価が２０となるように、２−イソシアナトエチルメタクリレートを添加して、ガラス転移温度−５０℃、水酸基価１０ｍｇＫＯＨ／ｇ、酸価５ｍｇＫＯＨ／ｇのアクリル系共重合体（ａ−１）を調製した。
【００９５】
ラジカル重合法によって合成されたエチレン−メタアクリル酸共重合体の亜鉛アイオノマー（メタクリル酸含有量１３％、軟化点７２℃、融点９０℃）の樹脂ビーズを１４０℃で溶融し、押出機を用いて厚さ１００μｍの長尺フィルム状に成形して基材フィルムを作製した。
【００９６】
アクリル系共重合体（ａ−１）１００質量部に対して、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、東ソー株式会社製）を５質量部加え、光重合開始剤としてＥｓａｃｕｒｅ  ＫＩＰ  １５０（商品名、Ｌａｍｂｅｒｔｉ社製）を３質量部加えた混合物を、酢酸エチルに溶解させ、攪拌して粘着剤組成物を調製した。
【００９７】
調製した粘着剤層組成物を、離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなる剥離ライナーに、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗工し、１１０℃で３分間乾燥させた後、上記基材フィルムと貼り合わせ、基材フィルム上に粘着剤層が形成されたダイシングテープ（１）を作製した。
【００９８】
（２）接着剤層の作製
【００９９】
（接着剤組成物ｂ−１）
エポキシ樹脂として「１００２」（商品名、三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量６００）２０質量部、エポキシ樹脂として「８０６」（商品名、三菱化学株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０、比重１．２０）５５質量部、硬化剤として「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」（商品名、明和化成株式会社製、ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂）７０質量部、シリカフィラーとして「ＳＯ−Ｃ２」（商品名、アドマファイン株式会社製、平均粒径０．５μｍ）２００質量部、及び、シリカフィラーとして「アエロジルＲ９７２」（商品名、日本アエロジル株式会社製、一次粒径の平均粒径０．０１６μｍ）３質量部からなる組成物にメチルエチルケトンを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂として「ＹＸ６９５４」（商品名、三菱化学株式会社製、質量平均分子量３８，０００）１００質量部、カップリング剤として「ＫＢＭ−８０２」（商品名、信越シリコーン株式会社製、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．６質量部、並びに、硬化促進剤として「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」（商品名、四国化成株式会社製、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度２３０℃）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物ｂ−１のワニスを得た。
【０１００】
（接着剤組成物ｂ−２）
エポキシ樹脂として「１００２」（商品名、三菱化学株式会社製、固形ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量６００）４０質量部、エポキシ樹脂として「８０６」（商品名、三菱化学株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１６０、比重１．２０）１００質量部、硬化剤として「Ｄｙｈａｒｄ１００ＳＦ」（商品名、Ｄｅｇｕｓｓａ社、ジシアンジアミド）５質量部、シリカフィラーとして「ＳＯ−Ｃ２」（商品名、アドマファイン株式会社製、平均粒径０．５μｍ）３５０質量部、及び、シリカフィラーとして「アエロジルＲ９７２」（商品名、日本アエロジル株式会社製商品名、一次粒径の平均粒径０．０１６μｍ）３質量部からなる組成物にメチルエチルケトンを加え、攪拌混合し、均一な組成物とした。
これに、フェノキシ樹脂として「ＰＫＨＨ」（商品名、ＩＮＣＨＥＭ社製、質量平均分子量５２，０００、ガラス転移温度９２℃）１００質量部、カップリング剤として「ＫＢＭ−８０２」（商品名、信越シリコーン株式会社製、メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．６質量部、並びに、硬化促進剤として「キュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ」（商品名、四国化成株式会社製、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、分解温度２３０℃）０．５質量部を加え、均一になるまで攪拌混合した。更にこれを１００メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより、接着剤組成物ｂ−２のワニスを得た。
【０１０１】
＜接着剤層（１）＞
離型処理したポリエチレン−テレフタレートフィルムよりなるセパレータに、接着剤組成物ｂ−１を、乾燥後の厚さが５μｍになるように塗工し、１１０℃で５分間乾燥させて、セパレータ上に接着剤層が形成された接着フィルムを作製した。
【０１０２】
＜接着剤層（２）＞
接着剤組成物ｂ−１に代えて接着剤組成物ｂ−２を用いた以外は接着剤層（１）と同様の方法で、接着剤層（２）を得た。
【０１０３】
＜接着剤層（３）＞
乾燥後の厚さが２０μｍになるように塗工した以外は接着剤層（１）と同様の方法で、接着剤層（３）を得た。
【０１０４】
（３）金属層
金属層として以下のものを準備した。
＜金属層（１）＞
ＴＱ−Ｍ４−ＶＳＰ（商品名、三井金属鉱業株式会社製、厚さ１２μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ０．６ｕｍ）
＜金属層（２）＞
Ｆ０−ＷＳ（商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ１２μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ１．３ｕｍ）
＜金属層（３）＞
Ｆ３−ＷＳ（商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ１２μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ２．８ｕｍ）
＜金属層（４）＞
ＤＴ−ＧＬＤ−ＳＴＤ（商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ１８μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ９．０ｕｍ）
＜金属層（５）＞
ＧＨＹ５−ＨＡ（商品名、ＪＸ日鉱日石金属株式会社製、厚さ１８μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ０．３μｍ）
＜金属層（６）＞
ＧＴＳ−ＭＰ（商品名、古河電気工業株式会社製、銅箔、厚さ３５μｍ、表面粗さＲｚＪＩＳ１１．０μｍ）
【０１０５】
（４）半導体加工用テープの作製
＜実施例１＞
以上のようにして得られた接着剤層（１）と金属層（１）とを貼り合わせ角度１２０°、圧力０．２ＭＰａ、速度１０ｍｍ／ｓの条件で貼り合わせ片面接着フィルムを作製した。ダイシングテープ（１）をリングフレームに貼合できる形状に、片面接着フィルムをウエハを覆うことのできるような形状にプリカットし、前記ダイシングテープ（１）の粘着剤層と前記片面接着フィルムの金属層側とを、片面接着フィルムの周囲に粘着剤層が露出するように貼り合わせ、実施例１の半導体加工用テープを作製した。
【０１０６】
＜実施例２〜５、比較例１〜２＞
ダイシングテープ、接着剤組成物、金属層の組合せを表１に記載の組合せにした以外は、実施例１と同様の手法により、実施例２〜５、比較例１〜２の半導体加工用テープを作製した。
【０１０７】
実施例１〜５及び比較例１〜２に係る半導体加工用テープについて以下の評価を行った
。その結果を表１に示す。
【０１０８】
（ダイシング性）
厚み２００μｍのシリコンウエハの裏面に各実施例および各比較例に係る半導体加工用テープの接着剤層を貼り付け、ダイシングを行い、７．５ｍｍ×７．５ｍｍの評価用チップに分割した。ダイシング後のチップ付き半導体加工用テープについて、接着剤層付きの評価用チップの金属層からの脱離、または、接着剤層および金属層付きの評価用チップの粘着剤層からの脱離の有無を観察した。いずれの脱離も発生していないものを良品として○、一か所でも脱離が発生したものを不良品として×として評価した。
【０１０９】
厚み６５０μｍのシリコンウエハを一般的な従来のダイシング・ダイボンディングフィルム（日立化成工業株式会社製のＦＨ−９００−２０）を用いて、７．５ｍｍ×７．５ｍｍにダイシングして評価用素子とした。この評価用素子を銀メッキ処理されたリードフレーム上にダイボンドして評価用基板とした。上記ダイシング性評価に記載の手法で得られた各実施例および各比較例にかかる評価用チップを評価用基板の評価用素子上に、温度１６０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１秒の条件でマウントし、各実施例および各比較例に係るチップオンチップ構造の信頼性サンプルを２０個作製した。
【０１１０】
各信頼性サンプルを８５℃／８５％ＲＨの恒温恒湿層で１６８時間処理した後、サンプル表面の最高温度が２６０℃で２０秒になるよう設定したＩＲ（赤外線）リフロー炉にサンプルを通し、室温放置により冷却する処理を３回繰り返した。各実施例および各比較例において、上記のような処理を行った２０個のサンプルについて、接着剤層と金属層の剥離を観察し、剥離が発生していなかったものを良品として○、１つのサンプルでも剥離が発生していたものを不良品として×とした。なお、各サンプルについて剥離の有無を観察する際には、超音波探査装置（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ：ＳＡＴ）を使用し反射法にて観察した。
【０１１１】
【表１】
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【０１１２】
表１に示すように、実施例１〜５に係る半導体加工用テープは、金属層の表面粗さＲｚＪＩＳが、０．６μｍ以上９．０μｍ以下と請求項に規定の０．５μｍ以上１０．０μｍ未満であるため、ダイシング性、信頼性とも良好な結果となった。
【０１１３】
これに対して、比較例１に係る半導体加工用テープは、金属層の表面粗さＲｚＪＩＳが、０．５μｍ未満であるため、ダイシング性、信頼性とも劣る結果となった。また、比較例２に係る半導体加工用テープは、金属層の表面粗さＲｚＪＩＳが、１０．０μｍ以上であるため、信頼性に劣る結果となった。
【符号の説明】
【０１１４】
１０：半導体加工用テープ
１１：基材フィルム
１２：粘着剤層
１３：ダイシングテープ
１４：金属層
１５：接着剤層
【図１】
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【図２】
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【国際調査報告】
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