(57)【要約】    【課題】  反りを抑制し、半導体素子を高い歩留まりで実装することを可能にする。    【解決手段】  第１ビルドアップ層５５Ｆにおける第１導体層の体積の和Ｖ１が、第２ビルドアップ層５５Ｓにおける第２導体層の体積の和Ｖ２よりも大きい場合、コア基板３０は、その厚み方向における中心線Ｃを境界として、第１面側に第２面側よりも樹脂量の大きい部位を有する。【選択図】  図１
2014045071.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂と無機繊維とを含み、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有するコア基板と、
該コア基板の第１面上に設けられて樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、
該コア基板の第２面上に設けられて樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、
を有するプリント配線板であって、
前記第１ビルドアップ層における前記第１導体層の体積の和Ｖ１は、前記第２ビルドアップ層における前記第２導体層の体積の和Ｖ２よりも大きく、
前記コア基板は、その厚み方向における中心線を境界として、前記第１面側に前記第２面側よりも樹脂量の大きい部位を有することを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって：
前記Ｖ２に対する前記Ｖ１の割合（Ｖ１／Ｖ２）が下記式（１）を満たすとき、
前記コア基板の第１面側の樹脂量と前記第２面側の樹脂量の差は、１０〜２０ｗｔ％であることを特徴とするプリント配線板。
１＜Ｖ１／Ｖ２≦１．２  ・・・・・・式（１）
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって：
前記コア基板は、樹脂と無機繊維とを含む複数の絶縁層からなり、該複数の絶縁層の厚みは略同じであることを特徴とするプリント配線板。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって：
前記コア基板を構成する複数の絶縁層において、前記第１面を有する第１絶縁層の樹脂量は、前記第２面を有する第２絶縁層の樹脂量よりも大きいことを特徴とするプリント配線板。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって：
前記第１ビルドアップ層を形成する最外層の第１導体層は、半導体素子を実装する実装パッドを有し、
前記第２ビルドアップ層を形成する第２導体層はインダクタパターンを含むことを特徴とするプリント配線板。
【請求項６】
請求項４のプリント配線板であって：
前記第１絶縁層に含有される無機繊維の厚みは、前記第２絶縁層に含有される無機繊維の厚みよりも薄いことを特徴とするプリント配線板。
【請求項７】
請求項４のプリント配線板であって：
前記第１絶縁層に含有される無機繊維の通気度は、前記第２絶縁層に含有される無機繊維の通気度よりも大きいことを特徴とするプリント配線板。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって：
前記コア基板は貫通孔を有し、該貫通孔の内部には、めっきが充填されることで前記コア基板の表裏を電気的に接続する接続導体が設けられていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって：
前記第１ビルドアップ層を形成する樹脂絶縁層、及び前記第２ビルドアップ層を形成する樹脂絶縁層は、無機繊維を含有しないことを特徴とするプリント配線板。
【請求項１０】
樹脂と無機繊維とを含み、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有するコア基板を設けることと、
該コア基板の第１面上に、樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層を設けることと、
該コア基板の第２面上に、樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層を設けることと、
を有するプリント配線板の製造方法であって、
前記第１ビルドアップ層における前記第１導体層の体積の和Ｖ１を、前記第２ビルドアップ層における前記第２導体層の体積の和Ｖ２よりも大きくし、
前記コア基板の厚み方向における中心線を境界として、前記第１面側に前記第２面側よりも樹脂量の大きい部位を設けることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０のプリント配線板の製造方法であって：
前記コア基板の形成時には下に凸の状態に反り、前記第１ビルドアップ層及び前記第２ビルドアップ層の形成時においても下に凸の状態に反ることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板と、コア基板の表裏に設けられているビルドアップ層とを有するプリント配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板に実装される半導体素子は、小型化、薄型化及び高集積度化が急速に進み、半導体素子の電極端子は狭ピッチ、多端子化の傾向がある。その結果、半導体素子を実装するプリント配線板も、薄型化が要求されている。このように、プリント配線板が薄くなるに連れ、反りやうねりが生じやすくなる。
そこで、特許文献１に記載のプリント配線板では、一方向に整列された繊維に樹脂を含浸させてなる樹脂層を３層積層してなるコア基板が用いられている。そして、これらの樹脂層のうち中央に位置する樹脂層の単位長さ当たりの繊維本数を、他の樹脂層の単位長さ当たりの繊維本数よりも多くする。これにより、コア基板全体としての平面方向における熱膨張係数が均一化され、プリント配線板の反り及び表面におけるうねりを抑制することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−８５１０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、こうしたプリント配線板においては、コア基板の表面側に設けられている第１ビルドアップ層と、コア基板の裏面側に設けられている第２ビルドアップ層とで、導体の体積の差が大きくなることにより、反りが生じると考えられる。そして、このような反りは、ビルドアップ層を形成する過程で生じる可能性が高い。
コア基板を構成する最外層の樹脂層の樹脂率が同じである特許文献１のプリント配線板においては、ビルドアップ層を形成する過程で生じる熱応力に起因して反りが生じるおそれがある。
その結果、仮に、プリント配線板が半導体素子と逆方向に反っている場合、半導体素子とプリント配線板とで未接続が発生すると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、反りを抑制し、半導体素子を高い歩留まりで実装することが可能なプリント配線板及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、樹脂と無機繊維とを含み、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有するコア基板と、該コア基板の第１面上に設けられて樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層と、該コア基板の第２面上に設けられて樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ層における前記第１導体層の体積の和Ｖ１は、前記第２ビルドアップ層における前記第２導体層の体積の和Ｖ２よりも大きく、前記コア基板は、その厚み方向における中心線を境界として、前記第１面側に前記第２面側よりも樹脂量の大きい部位を有することを技術的特徴とする。
【０００７】
請求項１０に係る発明は、樹脂と無機繊維とを含み、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有するコア基板を設けることと、該コア基板の第１面上に、樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第１導体層とが交互に積層されてなる第１ビルドアップ層を設けることと、該コア基板の第２面上に、樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上の第２導体層とが交互に積層されてなる第２ビルドアップ層を設けることと、を有するプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ層における前記第１導体層の体積の和Ｖ１を、前記第２ビルドアップ層における前記第２導体層の体積の和Ｖ２よりも大きくし、前記コア基板の厚み方向における中心線を境界として、前記第１面側に前記第２面側よりも樹脂量の大きい部位を設けることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１のプリント配線板では、コア基板の表裏のビルドアップ層における導体体積の和が異なる。このようなプリント配線板においては、導体体積の和が小さい方のビルドアップ層（第２ビルドアップ層）の熱収縮量が相対的に大きくなり、反りが生じる。
しかしながら、請求項１のプリント配線板におけるコア基板では、その厚み方向における中心線を境界として、第１面側に第２面側よりも樹脂量の大きい部位を有している。このため、本発明のコア基板においては、第１面側の熱収縮量が相対的に大きくなり、反りが生じる。
すなわち、ビルドアップ層を形成する過程でのプリント配線板の反り方向とは逆の方向にコア基板を予め反らせておくことが可能となる。これにより、ビルドアップ層を形成する過程で第２ビルドアップ層の熱収縮を引き起こす熱応力が相殺されて弱められ、プリント配線板の反りが抑制されると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】コア基板の拡大図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態の構成のプリント配線板において、コア基板の第１樹脂層と第２樹脂層との樹脂量を調整して反り量をシミュレーションした結果を示す図表。
【図１０】反り量のシミュレーション結果を示すグラフ。
【図１１】第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１２】第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１３】第４実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１４】図１４（Ａ）は第２実施形態の第２絶縁層の心材を構成する織布の平面図であり、図１４（Ｂ）は第１絶縁層の心材を構成する織布の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
[第１実施形態]
図１は第１実施形態のプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、半導体素子（図示せず）が実装される側の第１面Ｆと該第１面の反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０を備える。図２はコア基板の拡大図である。コア基板３０は、中央部の中央絶縁層２０Ｚと、第１面Ｆ側の第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄから成る。中央絶縁層２０Ｚにはビア導体３６Ｚが形成され、第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃにはビア導体３６Ａ、３６Ｃが形成され、第２絶縁層２０Ｃ、２０Ｄにはビア導体３６Ｃ、３６Ｄが形成され、これらビア導体３６Ｚ、３６Ａ、３６Ｃ、３６Ｂ、３６Ｄにより、コア基板の第１面と第２面とを接続する接続導体３６が構成される。コア基板３０の第１面側には導体パターン３４Ｃが、第２面側には導体パターン３４Ｄが形成されている。
コア基板３０を形成する中央絶縁層、第１絶縁層、第２絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。この無機繊維補強材としては特に限定されないが、例えばガラスクロス、ガラス不織布、アラミドクロス、アラミド不織布等が挙げられる。
【００１１】
コア基板３０の第１面側には第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、第２面側には第２ビルドアップ層５５Ｓが形成されている。ビルドアップ層５５Ｆ，５５Ｓを形成する樹脂絶縁層の少なくとも一層は、無機繊維補強材を含んでいることが好ましい。この場合、プリント配線板に剛性が付与され、反りを抑制しやすくなる。
コア基板３０の第１面上の第１ビルドアップ層５５Ｆを形成する第１樹脂絶縁層５０Ａ上には第１導体層５８Ａが設けられている。第１導体層５８Ａと導体パターン３４Ｃとは第１ビア導体６０Ａにより接続されている。第１樹脂絶縁層５０Ａ及び第１導体層５８Ａ上には、第１樹脂絶縁層５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｇ、、５０Ｉ、５０Ｋ、５０Ｍが順次積層されている。第１樹脂絶縁層５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｇ、５０Ｉ、５０Ｋ、５Ｍ上には、それぞれ第１導体層５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍが形成されている。そして、上下の第１導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第１ビア導体６０Ｃ，６０Ｅ，６０Ｇ、６０Ｉ、６０Ｋ、６０Ｍによりそれぞれ接続されている。
【００１２】
一方、コア基板３０の第２面上の第２ビルドアップ層５５Ｓを形成する第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には第２導体層５８Ｂが設けられている。第２導体層５８Ｂと導体パターン３４Ｄとは第２ビア導体６０Ｂにより接続されている。第２樹脂絶縁層５０Ｂ及び第２導体層５８Ｂ上には、第２樹脂絶縁層５０Ｄ，５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎが順次積層されている。第２樹脂絶縁層５０Ｄ，５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎ上には、それぞれ第２導体層５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎが形成されている。そして、上下の第２導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第２ビア導体６０Ｄ，６０Ｆ，６０Ｈ、６０Ｊ、６０Ｌ、６０Ｎによりそれぞれ接続されている。第２ビルドアップ層には、第２導体層５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎから構成されるインダクタ１００が収容されている。
【００１３】
上面側の最外層の樹脂絶縁層５０Ｍ上には開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。開口７１Ｆの内部には半導体素子を接続するための半田バンプ７６Ｆが形成されている。下面側の最外層の樹脂絶縁層５０Ｎ上には開口７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。この開口７１Ｓの内部には、外部基板であるマザーボード等との接続用の半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板では、第１ビルドアップ層５５Ｆの第１導体層５０Ａ、５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍの体積（＝面積）は、第２ビルドアップ層５５Ｓの第２導体層５８Ｂ、５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎの体積（＝面積）よりも大きい。このため、第１ビルドアップ層５５Ｆ、及び、第２ビルドアップ層５５Ｓでは、第２ビルドアップ層５５Ｓが縮むように、中央部が膨らみ、端部が下がる方向（上に凸の状態）に熱収縮の際の応力が生じる。
【００１５】
このため、第１実施形態におけるコア基板３０は、コア基板の厚み方向における中心線ＣＣの第１面側の第１樹脂層２０Ａ、２０Ｃの樹脂量が、コア基板の厚み方向における中心線ＣＣの第２面側の第２樹脂層２０Ｂ、２０Ｄの樹脂量よりも１０．４％大きいように調整されている。即ち、第１樹脂層２０Ａ、２０Ｃの樹脂比率（含浸される樹脂重量）は７９％で有るのに対して、第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄの樹脂重量は６８．６％に設定されている。この樹脂重量差により、コア基板３０は、第１面側が縮む方向（下に凸の状態）に反るものと考えられる。すなわちコア基板３０は、ビルドアップ層を形成する過程でのプリント配線板の反り方向とは逆の方向に予め僅かに反っている。
【００１６】
図２を参照して上述したようにコア基板３０は、中央部の中央絶縁層２０Ｚと、第１面Ｆ側の第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄから成る。なお、第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄとの厚みは、製造工程の簡略化の観点から、同じであることが好ましい。
樹脂量の調整のため、第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃに含有される無機繊維の厚みが、第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｃに含有される無機繊維の厚みよりも薄い。即ち、無機繊維補強材として例えば用いられる、ガラスクロス、ガラス不織布、アラミドクロス、アラミド不織布等の１本当たりの太さが第１絶縁層、第２絶縁層で異なる、又は、無機繊維の含有量の違いから第１絶縁層、第２絶縁層で無機繊維の厚みが異なる。
【００１７】
上述したように第１ビルドアップ層５５Ｆにおける第１導体層５０Ａ、５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍの体積の和Ｖ１は、第２ビルドアップ層５５Ｓにおける第２導体層５８Ｂ、５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎの体積の和Ｖ２よりも大きい。
【００１８】
第２導体層の体積の和Ｖ２に対する第１導体層のＶ１の体積の和割合（Ｖ１／Ｖ２）が下記式（１）を満たすとき、
コア基板の第１面側の樹脂量と前記第２面側の樹脂量の差は、１０〜２０ｗｔ％であることが望ましい。
１＜Ｖ１／Ｖ２≦１．２  ・・・・・・式（１）
【００１９】
この場合、半導体素子の実装を容易とする所望の方向にプリント配線板を反らせることが可能となる。差が１０ｗｔ％未満の場合、ビルドアップ層を形成する過程で、双方の導体体積の差に起因する反りの影響を受けやすくなる。一方、差が２０ｗｔ％を超える場合、コア基板自体の反りが大きくなってしまい、ビルドアップ層を形成する過程での反りの抑制（低減）が困難となる。
【００２０】
コア基板を構成する中央部の中央絶縁層２０Ｚと、第１面Ｆ側の第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄの厚みは略同じである。コア基板を製造する際の絶縁層のプレス条件を統一することが可能となり、製造工程が煩雑にならない。
【００２１】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
図３〜図８は第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す。
ガラスクロス芯材にエポキシ系樹脂を含浸させたプリプレグからなる絶縁層２０Ｚの両面に銅箔２２Ｚ、２２Ｚが積層されてなる両面銅張り積層板（ＣＣＬ−ＨＬ８３２ＮＳＬＣ）を出発材料とする（図３（Ａ））。
【００２２】
レーザにより、片面側の銅箔２２Ｚ及び絶縁層２０Ｚを貫通するビア用開口２１Ｚが形成される（図３（Ｂ））。次いで、無電解めっき膜２３Ｚが形成される（図３（Ｃ））。電解めっき処理が行われ、電解めっき膜２５Ｚが表面、及び、開口２１Ｚ内に形成される（図３（Ｄ））。電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジスト２７Ｚが形成される（図３（Ｄ））。エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜２５Ｚ、無電解めっき膜２３Ｚ、銅箔２２Ｚが除去される（図３（Ｅ））。エッチングレジスト２７Ｚが除去され、銅箔２２Ｚ、無電解めっき膜２３Ｚ及び電解めっき膜２５Ｚから成るビア導体３６Ｚ、導体パターン３４Ｚが形成される（図３（Ｆ））。
【００２３】
絶縁層２０Ｚの上面に、第１絶縁層２０Ａが積層されるとともに、絶縁層２０Ｚの下面に、第２絶縁層２０Ｂが積層される（図３（Ｇ））。上述したように第１樹脂層２０Ａの樹脂比率は７９％で有るのに対して、第２絶縁層２０Ｂの樹脂重量は６８．６％に設定されている。レーザにより、第１絶縁層２０Ａ側にビア導体３６Ｚに至るビア用開口２１Ａが形成されるとともに、第２絶縁層２０Ｂ側に導体パターン２４Ｚに至るビア用開口２１Ｂが形成される（図４（Ａ））。無電解めっき膜２２Ａ、２２Ｂが形成される（図４（Ｂ））。電解めっき処理が行われ、電解めっき膜２５Ａ、２５Ｂが表面、及び、開口２１Ａ、２１Ｂ内に形成される（図４（Ｃ））。電解めっき膜上に所定パターンのエッチングレジスト２７Ａ、２７Ｂが形成される（図４（Ｄ））。エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜２５Ａ、２５Ｂ、無電解めっき膜２２Ａ、２２Ｂが除去され、エッチングレジストが剥離され、無電解めっき膜２２Ａ、２２Ｂ及び電解めっき膜２５Ａ、２５Ｂから成るビア導体３６Ａ、３６Ｂが形成される（図４（Ｅ））。
【００２４】
図３（Ｇ）〜図４（Ｅ）中に示した処理が繰り返され、ビア導体３６Ｃ及び導体パターン３４Ｃを備える第１絶縁層２０Ｃと、ビア導体３６Ｄ及び導体パターン３４Ｄを備える第２絶縁層２０Ｄとが積層され、本実施形態のコア基板３０が完成する（図５（Ａ））。このとき、コア基板３０は、下に凸の状態に反っている。
【００２５】
コア基板２０の第１面上及び第２面上に、無機繊維補強材（ガラスクロス芯材など）を含む層間絶縁層用樹脂フィルムが積層され、熱硬化により樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図５（Ｂ））。
【００２６】
ＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層５０Ａの内部に開口５１Ａが設けられ、樹脂絶縁層５０Ｂの内部に開口５１Ｂが設けられる（図５（Ｃ））。クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表面が粗化される（図示せず）。
【００２７】
樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの表層にパラジウムなどの触媒が付与されて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させることにより、０．１〜５μｍの範囲で無電解めっき膜５２Ａ、５２Ｂが設けられる（図５（Ｄ））。
【００２８】
上記処理を終えた積層体に、市販の感光性ドライフィルムが貼り付けられ、フォトマスクフィルムを載置して露光した後、炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μｍのめっきレジスト５７Ａ、５７Ｂが設けられる（図６（Ａ））。電解めっき処理により電解めっき膜５５Ａ、５５Ｂが形成される（図６（Ｂ））。
【００２９】
めっきレジストが５％ＮａＯＨで剥離除去された後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜５２Ａ、５２Ｂがエッチングにて溶解除去される。これにより、無電解めっき膜５２Ａ、５２Ｂと電解めっき膜５５Ａ、５５Ｂとからなる、厚さ約１５μｍの導体パターン５８Ａ、５８Ｂとビア導体６０Ａ、６０Ｂとが形成される（図６（Ｃ））。そして、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、導体パターン５８Ａ、５８Ｂ及びビア導体６０Ａ、６０Ｂ表面が粗化される（図示せず）。
【００３０】
図５（Ｂ）〜図６（Ｃ）の処理が繰り返され、コア基板３０の第１面上に第１ビルドアップ層５５Ｆが設けられ、第２面上に第２ビルドアップ層５５Ｓが設けられる（図７）。
【００３１】
次に、市販のソルダーレジスト組成物が塗布され、これを露光・現像することで、第１ビルドアップ層５５Ｆ上に開口部７１Ｆを備えるソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、第２ビルドアップ層５５Ｓ上に開口部７１Ｓを備えるソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図８（Ａ））。
【００３２】
積層体が無電解ニッケルめっき液に浸漬され、開口部７１Ｆ、７１Ｓ内にニッケルめっき層７２が形成される。さらに、その積層体が無電解金めっき液に浸漬され、ニッケルめっき層７２上に、金めっき層７４が形成される（図８（Ｂ））。ニッケル−金層以外にも、ニッケル−パラジウム−金層を形成してもよい。
【００３３】
開口部７１の内部に半田ボールが搭載され、リフローを行うことで、上面側に半田バンプ７６Ｆが、裏面側に半田バンプ７６Ｓが形成される。これにより、プリント配線板１０が完成する（図１）。
第１実施形態のコア基板３０は、下に凸の状態に反っている。そして、第１ビルドアップ層５５Ｆにおける第１導体層５０Ａ、５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍの体積の和Ｖ１は、第２ビルドアップ層５５Ｓにおける第２導体層５８Ｂ、５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎの体積の和Ｖ２よりも大きい。この場合、ビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓを形成する過程で、導体体積の和が小さい方のビルドアップ層（第２ビルドアップ層５５Ｓ）の熱収縮量が相対的に大きくなり、上に凸の状態に反ると考えられる。しかしながら、本実施形態では、予め下に凸の状態に反っているコア基板３０上にビルドアップ層を形成していくため、熱収縮を引き起こす熱応力がコア基板３０によって相殺されて弱められる。その結果、プリント配線板１０の反りが抑制されるものと考えられる。
ここで、本実施形態では第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄとの厚みを同じとすることとしたが、これらの厚みは異なっていてもよい。すなわちこの場合、絶縁層の厚みを変更することで、第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃの樹脂量と第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄの樹脂量とが調整される。
【００３４】
[第２実施形態]
図１１は第２実施形態のプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、半導体素子（図示せず）が実装される側の第１面Ｆと該第１面の反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０を備える。コア基板３０は、中央部の中央絶縁層２０Ｚと、第１面Ｆ側の第１絶縁層２０Ａと、第２面Ｓ側の絶縁層２０Ｂから成る。中央絶縁層２０Ｚにはビア導体３６Ｚが形成され、第１絶縁層２０Ａにはビア導体３６Ａが形成され、第２絶縁層２０Ｃにはビア導体３６Ｃが形成され、これらビア導体３６Ｚ、３６Ａ、３６Ｂにより、コア基板の第１面と第２面とを接続するスルーホール導体３６が構成される。コア基板３０の第１面側には導体パターン３４Ａが、第２面側には導体パターン３４Ｂが形成されている。コア基板３０を形成する中央絶縁層、第１絶縁層、第２絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。
【００３５】
コア基板３０の第１面側には第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、第２面側には第２ビルドアップ層５５Ｓが形成されている。ビルドアップ層５５Ｆ，５５Ｓを形成する樹脂絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。
コア基板３０の第１面上のビルドアップ層５５Ｆを形成する第１樹脂絶縁層５０Ａ上には第１導体層５８Ａが設けられている。第１導体層５８Ａと導体パターン３４Ｃとは第１ビア導体６０Ａにより接続されている。
【００３６】
一方、コア基板３０の第２面上の第２ビルドアップ層５５Ｓを形成する第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には第２導体層５８Ｂが設けられている。第２導体層５８Ｂと導体パターン３４Ｄとは第２ビア導体６０Ｂにより接続されている。
【００３７】
上層側の第１樹脂絶縁層５０Ａ上には開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。開口７１Ｆの内部には半導体素子を接続するための半田バンプ７６Ｆが形成されている。下面側の第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には開口７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。この開口７１Ｓの内部には、外部基板であるマザーボード等との接続用の半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００３８】
第１実施形態のプリント配線板では、第１ビルドアップ層５５Ｆの第１導体層５８Ａの体積（＝面積）は、第２ビルドアップ層５５Ｓの第２導体層５８Ｂの体積（＝面積）よりも大きい。このため、第１ビルドアップ層５５Ｆ、及び、第２ビルドアップ層５５Ｓでは、第２ビルドアップ層５５Ｓが縮むように、中央部が膨らみ、端部が下がる方向（上に凸の状態）に熱収縮の際の応力が生じる。
【００３９】
このため、第２実施形態においても、コア基板３０を形成する第１樹脂層２０Ａの樹脂量が、第２樹脂層２０Ｂの樹脂量よりも１０．４％大きいように調整されている。これにより、上述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４０】
図１４（Ａ）は第２実施形態の第２絶縁層の心材を構成する織布の平面図であり、図１４（Ｂ）は第１絶縁層の心材を構成する織布の平面図である。
第２絶縁層２０Ｂの心材を成す織布２８Ｂを構成する縦糸２８８ｖと横糸２８８ｈとで形成される隙間の幅ｄ１は、第１絶縁層２０Ａの心材を成す織布２８Ａを構成する縦糸２８９ｖと横糸２８９ｈとで形成される隙間の幅ｄ２よりも小さい。
【００４１】
第２実施形態のプリント配線板では、第１絶縁層２０Ａに含有される織布（無機繊維）の通気度は、第２絶縁層２０Ｂに含有される無機繊維の通気度よりも大きい。通気度は、ＪＩＳ Ｒ ３４２０に基づいて測定される。第２絶縁層に含有される無機繊維は、高開繊処理が施されていることが好ましく、高開繊処理としては，高度に開繊されれば通常の開繊に利用される処理でよく，例えば，水流による開繊，液体を媒体とした高周波の振動による開繊，ロールによる加圧での加工等を施すことにより糸の幅が広がり、織布基材中やガラス織布中の隙間が少なくなるような処理が挙げられるが，特に処理方法には限定されない。 
【００４２】
また、第１基材２８Ａと第２基材２８Ｂとは、同じ材料から形成されていることが好ましい。この構成によれば、対称性が確保され、プリント配線板１０の反りの抑制に効果的である。
【００４３】
[第３実施形態]
図１２は第３実施形態のプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、半導体素子（図示せず）が実装される側の第１面Ｆと該第１面の反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０を備える。コア基板３０は、第１面Ｆ側の第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃと、第２面Ｓ側の絶縁層２０Ｂ、２０Ｄから成る。第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃ、第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄは、接着剤層２２Ａ、２２Ｚ、２２Ｂを介して接続されている。コア基板３０には、第１絶縁層２０Ａ、２０Ｃ、第２絶縁層２０Ｂ、２０Ｄを挿通し、第１面と第２面とを接続するスルーホール導体３６が形成される。最外層の第１絶縁層２０Ｃには、ビア導体３８Ｃが形成され、最外層の第２絶縁層２０Ｄには、ビア導体３８Ｄが形成されている。コア基板３０の第１面側には導体パターン３４Ｃが、第２面側には導体パターン３４Ｄが形成されている。コア基板３０を形成する第１絶縁層、第２絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。
【００４４】
コア基板３０の第１面側には第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、第２面側には第２ビルドアップ層５５Ｓが形成されている。
コア基板３０の第１面上のビルドアップ層５５Ｆを形成する第１樹脂絶縁層５０Ａ上には第１導体層５８Ａが設けられている。第１導体層５８Ａと導体パターン３４Ｃとは第１ビア導体６０Ａにより接続されている。第１樹脂絶縁層５０Ａ及び第１導体層５８Ａ上には、第１樹脂絶縁層５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｇ、５０Ｉ、５０Ｋ、５０Ｍが順次積層されている。第１樹脂絶縁層５０Ｃ，５０Ｅ，５０Ｇ、５０Ｉ、５０Ｋ、５Ｍ上には、それぞれ第１導体層５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍが形成されている。そして、上下の第１導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第１ビア導体６０Ｃ，６０Ｅ，６０Ｇ、６０Ｉ、６０Ｋ、６０Ｍによりそれぞれ接続されている。
【００４５】
一方、コア基板３０の第２面上の第２ビルドアップ層５５Ｓを形成する第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には第２導体層５８Ｂが設けられている。第２導体層５８Ｂと導体パターン３４Ｄとは第２ビア導体６０Ｂにより接続されている。第２樹脂絶縁層５０Ｂ及び第２導体層５８Ｂ上には、第２樹脂絶縁層５０Ｄ，５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎが順次積層されている。第２樹脂絶縁層５０Ｄ，５０Ｆ，５０Ｈ、５０Ｊ、５０Ｌ、５０Ｎ上には、それぞれ第２導体層５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎが形成されている。そして、上下の第２導体層同士は、各樹脂絶縁層の内部に設けられている第２ビア導体６０Ｄ，６０Ｆ，６０Ｈ、６０Ｊ、６０Ｌ、６０Ｎによりそれぞれ接続されている。
【００４６】
上面側の最外層の樹脂絶縁層５０Ｍ上には開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。開口７１Ｆの内部には半導体素子を接続するための半田バンプ７６Ｆが形成されている。下面側の最外層の樹脂絶縁層５０Ｎ上には開口７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。この開口７１Ｓの内部には、外部基板であるマザーボード等との接続用の半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００４７】
第１実施形態のプリント配線板では、第１ビルドアップ層５５Ｆの第１導体層５０Ａ、５８Ｃ，５８Ｅ，５８Ｇ、５８Ｉ、５８Ｋ、５８Ｍの体積（＝面積）は、第２ビルドアップ層５５Ｓの第２導体層５８Ｂ、５８Ｄ，５８Ｆ，５８Ｈ、５８Ｊ、５８Ｌ、５８Ｎの体積（＝面積）よりも大きい
。このため、第１ビルドアップ層５５Ｆ、及び、第２ビルドアップ層５５Ｓでは、第２ビルドアップ層５５Ｓが縮むように、中央部が膨らみ、端部が下がる方向に熱収縮の際の応力が生じる。
【００４８】
このため、第１実施形態では、コア基板３０が、第１樹脂層２０Ａ、２０Ｃの樹脂量が、第２樹脂層２０Ｂ、２０Ｄの樹脂量よりも１０．４％大きいように調整されている。これにより、上述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４９】
[第４実施形態]
図１３は第４実施形態のプリント配線板の断面図である。
プリント配線板１０は、半導体素子（図示せず）が実装される側の第１面Ｆと該第１面の反対側の第２面Ｓとを有するコア基板３０を備える。コア基板３０は、第１面Ｆ側の第１層２０ａと、第２面Ｓ側の第２層２０ｂとから成る絶縁基材２０ｚを有する。コア基板３０の第１面側には導体パターン３４Ｆが、第２面側には導体パターン３４Ｓが形成されている。さらにコア基板３０は、導体パターン３４Ｆと導体パターン３４Ｓとを接続する接続導体３６が形成されている。コア基板３０を形成するコア基材２０ｚの第１層２０ａは、１枚の心材（無機繊維補強材）１９ａの両面に樹脂層を設けてなる１層プリプレグが硬化した部位で、第２層２０ｂは、１枚の心材１９ｂの両面に樹脂層を設けてなる２層プリプレグが硬化した部位である。
【００５０】
コア基板３０の第１面側には第１ビルドアップ層５５Ｆが形成され、第２面側には第２ビルドアップ層５５Ｓが形成されている。ビルドアップ層５５Ｆ，５５Ｓを形成する樹脂絶縁層は無機繊維補強材を含んでいる。
コア基板３０の第１面上のビルドアップ層５５Ｆを形成する第１樹脂絶縁層５０Ａ上には第１導体層５８Ａが設けられている。第１導体層５８Ａと導体パターン３４Ｃとは第１ビア導体６０Ａにより接続されている。
【００５１】
一方、コア基板３０の第２面上の第２ビルドアップ層５５Ｓを形成する第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には第２導体層５８Ｂが設けられている。第２導体層５８Ｂと導体パターン３４Ｄとは第２ビア導体６０Ｂにより接続されている。
【００５２】
上層側の第１樹脂絶縁層５０Ａ上には開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。開口７１Ｆの内部には半導体素子を接続するための半田バンプ７６Ｆが形成されている。下面側の第２樹脂絶縁層５０Ｂ上には開口７１Ｓを有するソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。この開口７１Ｓの内部には、外部基板であるマザーボード等との接続用の半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００５３】
第１実施形態のプリント配線板では、第１ビルドアップ層５５Ｆの第１導体層５８Ａの体積（＝面積）は、第２ビルドアップ層５５Ｓの第２導体層５８Ｂの体積（＝面積）よりも大きい。このため、第１ビルドアップ層５５Ｆ、及び、第２ビルドアップ層５５Ｓでは、第２ビルドアップ層５５Ｓが縮むように、中央部が膨らみ、端部が下がる方向に熱収縮の際の応力が生じる。
【００５４】
このため、第１実施形態では、コア基板３０が、第１絶縁部２０ａの樹脂量が、第２絶縁部２０ｂの樹脂量よりも１０．４％大きいように調整されている。これにより、上述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
図９は、第１実施形態の構成のプリント配線板において、コア基板の第１樹脂層２０Ａと第２樹脂層２０Ｂとの樹脂量を調整して反り量を検証した結果を示す図表である。ここでは、各実施例及び比較例ともに、第１ビルドアップ層及び第２ビルドアップ層は同じ構成が採用されている。
【００５６】
図９に示すように、第１樹脂層と第２樹脂層との樹脂量が各々６８．６％で同一の比較例においては（差０％）、プラス方向に６．９μｍの反りが生じる。ここで、プラス方向とは、図１０（Ａ）に示されるようにプリント配線板１０の中央部が下がり、端部が上がることを意味する。一方、マイナス方向とは、図１０（Ｂ）に示されるようにプリント配線板１０の中央部が上がり、端部が下がることを意味する。
【００５７】
実施例１においては、第１樹脂層の樹脂量が７２．５％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差３．９％）。この場合、プリント配線板１０にはプラス方向に５．９μｍの反りが生じる。
【００５８】
実施例２においては、第１樹脂層の樹脂量が７５．０％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差６．４％）。この場合、プリント配線板１０にはプラス方向に５．４μｍの反りが生じる。
【００５９】
実施例３においては、第１樹脂層の樹脂量が７７．０％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差８．４％）。この場合、プリント配線板１０にはプラス方向に５．１μｍの反りが生じる。
【００６０】
実施例４においては、第１樹脂層の樹脂量が７９．０％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差１０．４％）。この場合、プリント配線板１０にはマイナス方向に５．５μｍの反りが生じる。
【００６１】
実施例５においては、第１樹脂層の樹脂量が８０．０％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差１１．４％）。この場合、プリント配線板１０にはマイナス方向に５．６μｍの反りが生じる。
【００６２】
実施例６においては、第１樹脂層の樹脂量が８２．５％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差１３．９％）。この場合、プリント配線板１０にはマイナス方向に６．１μｍの反りが生じる。
【００６３】
実施例７においては、第１樹脂層の樹脂量が８４．９％、第２樹脂層の樹脂量が６８．６％である（差１６．３％）。この場合、プリント配線板１０にはマイナス方向に６．５μｍの反りが生じる。
【００６４】
一般に、厚みの薄い半導体素子はマイナス方向に数μｍの範囲で反ると考えられている。このため、実施例４〜７のプリント配線板のように、ＩＣチップと同じ方向（マイナス方向）に反りが生じることが好ましい。
【符号の説明】
【００６５】
１０  プリント配線板
２０Ａ  第１樹脂層
２０Ｂ  第２樹脂層
３０  コア基板
３４Ｆ、３４Ｓ  導体パターン
３６  スルーホール導体
５０Ｆ  第１樹脂絶縁層
５０Ｓ  第２樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体層
５８Ｓ  第２導体層
７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
Ｃ  中心線
【図１】
2014045071.tif 000003
【図２】
2014045071.tif 000004
【図３】
2014045071.tif 000005
【図４】
2014045071.tif 000006
【図５】
2014045071.tif 000007
【図６】
2014045071.tif 000008
【図７】
2014045071.tif 000009
【図８】
2014045071.tif 000010
【図９】
2014045071.tif 000011
【図１０】
2014045071.tif 000012
【図１１】
2014045071.tif 000013
【図１２】
2014045071.tif 000014
【図１３】
2014045071.tif 000015
【図１４】
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