(57)【要約】【課題】  小型化が可能となる電子素子搭載用基板および電子装置を提供する。【解決手段】  枠部を含んでいる絶縁基体11と、枠部11ａの上面に設けられた複数の接続端子12と、枠部11ａ内において上下方向に設けられているとともに、複数の接続端子12に電気的に接続されており、枠部11ａの壁面において絶縁基体11から露出された複数のビア導体13とを有している電子素子搭載用基板１である。平面視において、複数のビア導体13のうち隣り合うビア導体13同士の壁面に平行な方向の幅寸法が異なっており、隣り合うビア導体13のうち幅寸法が小さい方のビア導体13は、隣り合うビア導体13のうち幅寸法が大きい方のビア導体13よりも奥行き長さが大きい。【選択図】  図１
2014165315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠部を含んでいる絶縁基体と、
前記枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、
前記枠部内において上下方向に設けられているとともに、前記複数の接続端子に電気的に接続されており、前記枠部の壁面において前記絶縁基体から露出された複数のビア導体とを備えており、
平面視において、前記複数のビア導体のうち隣り合うビア導体同士の前記壁面に平行な方向の幅寸法が異なっており、隣り合う前記ビア導体のうち前記幅寸法が小さい方のビア導体は、隣り合う前記ビア導体のうち前記幅寸法が大きい方のビア導体よりも奥行き長さが大きいことを特徴とする電子素子搭載用基板。
【請求項２】
平面視において、前記枠部は、前記幅寸法が小さい方の前記ビア導体における前記壁面に近い側の端部を保持する第１の保持部を有していることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項３】
平面視において、前記枠部は、前記幅寸法が大きい方の前記ビア導体における前記壁面に近い側の端部を保持する第２の保持部をさらに有していることを特徴とする請求項２に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項４】
前記幅寸法が小さい方の前記ビア導体は、前記幅寸法が大きい方の前記ビア導体との幅寸法の差以上に、前記幅寸法が大きい方の前記ビア導体よりも前記奥行き長さが大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項５】
前記複数のビア導体のぞれぞれは、前記幅寸法に応じた前記奥行き長さを有していることを特徴とする請求項４に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項６】
前記複数のビア導体は、前記幅寸法の小さい方のビア導体と前記幅寸法の大きい方のビア導体とが交互に配置されるように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項７】
前記複数のビア導体の幅寸法は、前記枠部の各辺の中央部分に向かうに従い小さくなり、前記奥行長さは枠部中央部に向かうに従い長くなっていることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項８】
前記複数のビア導体同士の間隔は、前記複数のビア導体の前記奥行き長さに応じた大きさであることを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
【請求項９】
請求項１に記載された電子素子搭載用基板と、
該電子素子搭載用基板に実装されており、前記複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）型またはＣＭＯＳ（Complementary  Metal  Oxide  Semiconductor）型等の撮像素子、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode
）等の発光素子が搭載される電子素子搭載用基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＣＤ型またはＣＭＯＳ型等の撮像素子、ＬＥＤ等の発光素子を電子素子搭載用基板に搭載した電子装置が知られている。このような電子装置として、枠部を有している電子素子搭載用基板と、枠部の内側もしくは枠部の上面に実装された電子素子とを有しているものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。電子素子搭載用基板は、枠部の内部にビア導体を有している。近年の電子装置の小型化に伴い、絶縁基体の枠部の幅が狭くなってきており、ビア導体が枠部の壁面において絶縁基体から露出された構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2006−201427号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ビア導体が枠部の壁面において絶縁基体から露出されていると、ビア導体が絶縁基体から剥がれる可能性があり、ビア導体と絶縁基体との接合強度を確保しつつ電子素子搭載用基板の更なる小型化を図ることが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、枠部を含んでいる絶縁基体と、枠部の上面に設けられた複数の接続端子と、枠部内において上下方向に設けられているとともに、複数の接続端子に電気的に接続されており、枠部の壁面において絶縁基体から露出された複数のビア導体とを有している。平面視において、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体同士の壁面に平行な方向の幅寸法が異なっており、隣り合うビア導体のうち幅寸法が小さい方のビア導体は、隣り合うビア導体のうち幅寸法が大きい方のビア導体よりも奥行き長さが大きい。
【０００６】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板と、電子素子搭載用基板に実装された電子素子とを有している。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一つの態様による電子素子搭載用基板は、平面視において、複数のビア導体のうち隣り合うビア導体同士の壁面に平行な方向の幅寸法が異なっており、隣り合うビア導体のうち幅寸法が小さい方のビア導体は、隣り合うビア導体のうち幅寸法が大きい方のビア導体よりも奥行き長さが大きいものである。これらによって、例えば、電子素子の実装時、または電子素子の動作時に熱が発生する場合に、ビア導体が絶縁基体から剥がれる可能性を低減しつつ、電子素子搭載用基板をさらに小型化できる。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板と、電子素子搭載用基板に実装されており、複数の接続端子に電気的に接続された電子素子とを有していることによって、小型化が可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態における電子装置を示す平面透視図である。
【図２】（ａ）は図１に示された電子装置のＡ−Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は図１に示された電子装置のＢ−Ｂ線における縦断面図である。
【図３】（ａ）は図１に示されたＣ部の拡大図であり、（ｂ）は（ａ）に示されたＣ部をＤ方向から見た平面図である。
【図４】（ａ）は図３に示されたＥ部の拡大図であり、（ｂ）は図３に示されたＦ部の拡大図である。
【図５】図３（ａ）に示された本発明の第１の実施形態における電子装置の変形例を示す平面透視図である。
【図６】図３（ａ）に示された本発明の第１の実施形態における電子装置の変形例を示す平面透視図である。
【図７】図３（ａ）に示された本発明の第１の実施形態における電子装置の変形例を示す平面透視図である。
【図８】（ａ）は図１に示された本発明の第２の実施形態における電子装置を示す平面透視図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子装置は、図１および図２に示された例のように、電子素子搭載用基板１と、電子素子搭載用基板１に実装された電子素子２とを有している。
【００１２】
電子素子搭載用基板１は、枠部11ａおよび基部11ｂを含んでいる絶縁基体11と、枠部11ａの上面に設けられた複数の接続端子12と、枠部11ａ内において上下方向に設けられており複数の接続端子12に電気的に接続された複数のビア導体13と、基部11ｂの内部および表面に設けられており複数のビア導体13に電気的に接続された配線導体14とを有している。また、図１および図２において、電子装置は、仮想のｘｙｚ空間内に設けられており、以下便宜的に「上方向」とは仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００１３】
絶縁基体11は、図１および図２に示された例のように、電子素子２の搭載領域を含む上面を有しており平面視において矩形の板状の形状を有している基部11ｂと、基部11ｂ上に設けられており電子素子２の搭載領域を囲むような枠状の形状を有している枠部11ａとを含んでいる。絶縁基体11は、電子素子２を支持するための支持体として機能し、基部11ｂの上面中央部の搭載領域上に電子素子２が接着され固定される。
【００１４】
絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，炭化珪素質焼結体，窒化アルミニウム質焼結体，窒化珪素質焼結体，ガラスセラミックス焼結体等の電気絶縁性セラミックス、またはエポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂または四フッ化エチレン樹脂をはじめとするフッ素系樹脂等の樹脂（プラスティックス）から成る略四角形の絶縁層を複数上下に積層して形成されている。
【００１５】
複数の接続端子12は、絶縁基体11の枠部11ａの上面に設けられており、ボンディングワイヤ等の接続部材３によって電子素子２の各電極にそれぞれ電気的に接続されている。接続端子12は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等のメタライ
ズから成る。
【００１６】
また、接続端子12は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅（Ｃｕ），金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），モリブデン（Ｍｏ）またはチタン（Ｔｉ）およびそれらの合金等の金属材料から成る。
【００１７】
接続端子12は、図１および図２に示された例のように、枠部11ａの上面からビア導体13の上面にかけてビア導体13の上面を覆うように設けられ、ビア導体13に電気的に接続されている。
【００１８】
ビア導体13は、図１および図２に示された例のように、平面透視で半円形状等、円形の一部を分断した形状を有しており枠部11ａの壁面において絶縁基体11から露出されている。なお、ビア導体13は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合に用いた接続端子12と同様の材料から成る。また、ビア導体13は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、絶縁基体11が樹脂から成る場合に用いた接続端子12と同様の材料から成る。
【００１９】
ビア導体13は、図１および図２に示された例のように、平面視において、複数のビア導体13のうち隣り合うビア導体13同士の壁面に平行な方向の幅寸法が異なっている。なお、ここで幅寸法とはビア導体13の壁面に平行な幅のうち最も大きい部分のことである。隣り合うビア導体13のうち幅寸法が小さい方の第１のビア導体13ａは、隣り合うビア導体13のうち幅寸法が大きい方の第２のビア導体13ｂよりも奥行き長さが大きい。このような構成であることによって、幅寸法の小さい第１のビア導体13ａと絶縁基体11との接合面積を大きくできるので、幅寸法の小さい第１のビア導体13ａと絶縁基体11との接合強度を高めることによって、ビア導体13が絶縁基体11から剥がれる可能性を低減でき、電子素子搭載用基板１の小型化を図ることができる。
【００２０】
本実施形態においては、図３に示された例のように、平面視において、第１のビア導体13ａの幅寸法Ｒ１は第２のビア導体13ｂの幅寸法Ｒ２よりも小さく、第１のビア導体13ａの奥行き長さＷ１は第２のビア導体13ｂの奥行き長さＷ２よりも大きく、第１のビア導体13ａと第２のビア導体13ｂとは交互に並んで設けられている。このような構成であることによって、絶縁基体11と複数のビア導体13との熱膨張の差によって生じる熱応力が複数のビア導体の一部に集中することを低減できるので、複数のビア導体13が絶縁基体11から剥がれることを低減できる。
【００２１】
また、本実施形態においては、図３および図４(ａ)に示された例のように、平面視において枠部11ａは第１のビア導体13ａにおける壁面に近い側の端部を保持する第１の保持部11ｃを有している。第１の保持部11ｃによって第１のビア導体13ａが絶縁基体11に引っかかるように保持されているので、第１のビア導体13ａが絶縁基体11から剥がれることをより効果的に低減できる。なお第１の保持部11ｃは、第１のビア導体13ａの幅Ｒ１の10％（片側５％）以上であると、より確実に第１のビア導体13ａを保持できるため、より好ましい。
【００２２】
また、本実施形態においては、図３および図４(ｂ)に示された例のように、平面視において枠部11ａは第２のビア導体13ｂにおける壁面に近い側の端部を保持する第２の保持部11ｄを有している。第２の保持部11ｄによって第２のビア導体13ｂが絶縁基体11に引っかかるように保持されているので、第２のビア導体13ｂが絶縁基体11から剥がれることをより効果的に低減できる。なお第２の保持部11ｄは、第２のビア導体13ｂの幅Ｒ２の10％（片側５％）以上であると、より確実に第２のビア導体13ｂを保持できるため、より好ましい。
【００２３】
配線導体14は、基部11ｂの上面と枠部11ａの下面との間に設けられておりビア導体13に電気的に接続された内部配線14ａと、基部11ｂを厚み方向に貫通しており内部配線14ａに電気的に接続された貫通導体14ｂと、基部11ｂの下面に設けられており、貫通導体14ｂに電気的に接続された外部端子14ｃとを含んでいる。これにより、接続端子12がビア導体13および配線導体14を介して外部回路基板（図示せず）に電気的に接続される。なお、配線導体14は、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合には、絶縁基体11が電気絶縁性セラミックスから成る場合に用いた接続端子12と同様の材料から成る。また、配線導体14は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、絶縁基体11が樹脂から成る場合に用いた接続端子12と同様の材料から成る。
【００２４】
また、配線導体14は、上述の構成においては絶縁基体11の下面に導出されるように設けられているが、例えば絶縁基体11の側面または上面に導出されるように設けられていてもよい。
【００２５】
次に、本実施形態の電子素子搭載用基板１の製造方法について説明する。
【００２６】
絶縁基体11は、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体等の電気絶縁性セラミックスからなり、例えば枠部11ａおよび基部11ｂを有している。絶縁基体11は、主成分が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）である酸化アルミニウム質焼結体から成る場合、Ａｌ２Ｏ３の粉末に焼結助材としてシリカ（ＳｉＯ２），マグネシア（ＭｇＯ）またはカルシア（ＣａＯ）等の粉末を添加し、さらに適当なバインダ、溶剤および可塑剤を添加し、次にこれらの混合物を混錬してスラリー状となす。その後、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法によって多数個取り用のセラミックグリーンシートを得る。
【００２７】
このようなセラミックグリーンシートを用いて、以下の（１）〜（６）の工程により電子素子搭載用基板１が作製される。
【００２８】
（１）セラミックグリーンシートにビア導体13または貫通導体14ｂ用の貫通孔を形成した後、枠部11ａの壁面となる部位に形成されるビアホール導体であるビア導体13と、ビア導体13から絶縁基体11の内部および下面となる部位にかけて、内部配線14ａおよびビアホール導体等の貫通導体14ｂを含む配線導体14とをそれぞれ形成するための金属ペーストの印刷塗布工程。
【００２９】
（２）ビア導体13となる金属ペーストを枠部11ａとなるセラミックグリーンシートから露出するように形成するために、セラミックグリーンシートに貫通孔が形成される打ち抜き工程またはレーザー加工工程。
【００３０】
（３）接続端子12となる金属ペーストが、枠部11ａとなるセラミックグリーンシートの上面からビア導体13となる金属ペーストの上面となる箇所を覆うように印刷形成される印刷塗布工程。
【００３１】
（４）各絶縁層となるセラミックグリーンシートを積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する工程。
【００３２】
（５）セラミックグリーンシート積層体を約1500〜1800℃の温度で焼成して、枠部11ａの壁面、接続端子12およびビア導体13および配線導体14を有する電子素子搭載用基板１となる配線基板領域が複数配列された多数個取り配線基板を得る工程。
【００３３】
（６）焼成して得られた多数個取り配線基板に電子素子搭載用基板１の外縁となる箇所に沿って分割溝を形成しておき、分割溝に沿って破断して分割する方法、またはスライシング法等により電子素子搭載用基板１の外縁となる箇所に沿って切断する工程。
【００３４】
なお、（２）の工程と（３）の工程の順番はどちらが先であっても構わない。
【００３５】
また、ビア導体13は、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する導体がビアホール導体の場合は、ビア導体13用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填し、上述の打ち抜きまたはレーザー加工時に、ビアホール導体が露出するように枠部11ａ用の貫通孔を形成して、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって形成される。ビア導体13用の金属ペーストは、接続端子12に用いた金属ペーストと同様の材料および方法によって作製される。また、ビア導体13は、金属ペーストをセラミックグリーンシートに印刷することによって形成されるスルーホール導体または金属層であっても構わない。
【００３６】
上述の（２）の工程において、枠部11ａを含んでいる絶縁基体11を形成するには、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートのいくつかに、枠部11ａ用の貫通孔を金型、パンチングによる打ち抜きまたはレーザー加工等により形成しておけばよい。
【００３７】
上述の（３）の工程において、接続端子12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートに金属ペーストを、マスクを用いたスクリーン印刷法等によって所定形状で印刷して、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、複数の絶縁基体11のそれぞれの所定位置に形成される。このような金属ペーストは、タングステン，モリブデン，マンガン，銀または銅等の金属粉末に適当な溶剤およびバインダーを加えて混練することによって、適度な粘度に調整して作製される。なお、金属ペーストは、絶縁基体11との接合強度を高めるために、ガラス、セラミックスを含んでいても構わない。
【００３８】
上述の（６）の工程において、分割溝は、焼成後にスライシング装置により多数個取り配線基板の厚みより小さく切り込むことによって形成することができるが、多数個取り配線基板用の積層体にカッター刃を押し当てたり、スライシング装置により積層体の厚みより小さく切り込んだりすることによって形成してもよい。
【００３９】
また、配線導体14は、接続端子12と同様の材料および方法によって作製された配線導体14用の金属ペーストをスクリーン印刷法等によって所定形状に印刷した後、セラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体11の所定位置に形成される。配線導体14のうち、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する貫通導体14ｂは、金属ペーストを印刷することによってセラミックグリーンシートに形成した貫通孔を充填しておけばよい。このような金属ペーストは、ビア導体13に用いた金属ペーストと同様の材料および方法によって作製される。
【００４０】
なお、絶縁基体11が、例えば樹脂から成る場合は、所定の形状に成形できるような金型を用いて、トランスファーモールド法またはインジェクションモールド法等によって成形することによって形成することができる。また、例えばガラスエポキシ樹脂のように、ガラス繊維から成る基材に樹脂を含浸させたものであってもよい。このような場合は、ガラス繊維から成る基材にエポキシ樹脂の前駆体を含浸させ、このエポキシ樹脂前駆体を所定の温度で熱硬化させることによって形成できる。
【００４１】
また、接続端子12、ビア導体13および配線導体14は、絶縁基体11が樹脂から成る場合には、銅，金，アルミニウム，ニッケル，クロム，モリブデンまたはチタンおよびそれらの合金等の金属材料から成る。例えば、ガラスエポキシ樹脂から成る樹脂シート上に配線導
体の形状に加工した銅箔を転写し、銅箔が転写された樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。また、金属箔または金属柱を樹脂から成る絶縁基体に一体化させたり、絶縁基体11にスパッタリング法，蒸着法またはめっき法等を用いて被着させたりして形成される。また、ビア導体13および貫通導体14ｂは、金属ペーストの印刷またはめっき法によって樹脂シートに形成した貫通孔の内面に形成するか、貫通孔を充填して形成すればよい。
【００４２】
接続端子12、ビア導体13、配線導体14を保護して酸化防止するために、接続端子12、ビア導体13、配線導体14の露出した表面には、厚さ0.5〜10μｍのＮｉめっき層および厚さ0.5〜３μｍの金（Ａｕ）めっき層からなるめっき層が順次被着されていてもよい。
【００４３】
このようにして形成された電子素子搭載用基板１と、電子素子搭載用基板１の枠部11ａの内側に位置した基部11ｂ上に実装された電子素子２とを有する電子装置を外部回路基板に搭載することで、電子素子２が接続端子12、ビア導体13、配線導体14を介して外部回路基板に電気的に接続される。電子素子２は例えば、ＣＣＤ型撮像素子またはＣＭＯＳ型撮像素子、半導体素子、ＬＥＤ等の発光素子等である。なお、電子素子２の各電極は、ボンディングワイヤ等の接続部材３等により電子素子搭載用基板１の接続端子12に電気的に接続されている。
【００４４】
次に、本実施形態の電子素子搭載用基板１の変形例について説明する。
【００４５】
図５に示された本実施形態の変形例においては、第１のビア導体13ａは、第２のビア導体13ｂとの幅寸法の差以上に、第２のビア導体13ｂよりも奥行き長さが大きい。すなわち、第１のビア導体13ａの幅Ｒ１と第２のビア導体13ｂの幅Ｒ２との差よりも、第１のビア導体13ａの奥行き長さＷ１と第２のビア導体13ｂの奥行き長さＷ２との差Ｈ１が大きい。このような構成にすることによって、第２のビア導体13ｂに比べて絶縁基体11から剥がれやすい第１のビア導体13ａが、絶縁基体11から剥がれることをより有効に低減できる。
【００４６】
また、図５に示された例においては、第１のビア導体13ａの幅寸法Ｒ１よりも小さい幅寸法Ｒ３を有しており、第１のビア導体13ａの奥行き長さＷ１よりも大きい奥行き長さＷ３を有する第３のビア導体13ｃがさらに設けられている。図５に示された例においては、複数のビア導体13のそれぞれは、幅寸法に応じた奥行き長さを有しており、複数のビア導体13は幅寸法が小さいものほど奥行き長さの大きい。このような構成とすることによって、幅寸法の小さいビア導体13であっても、絶縁基体11から剥がれることをより有効に低減できる。
【００４７】
図６に示された本実施形態の変形例においては、複数のビア導体13の幅寸法は絶縁基体11の枠部11ａの各辺の中央部に向かうに従って小さくなっており、複数のビア導体13の奥行き長さは絶縁基体11の枠部11ａの各辺の中央部に向かうに従って長くなっている。なお、図６に示された例においては複数のビア導体13は枠部11ａの壁面に平行な方向に５つ設けられている。このような構造であると、幅寸法の小さいビア導体13と絶縁基体11との接合面積を増加させて、ビア導体13が絶縁基体11から剥がれることをさらに低減できる。また、例えば絶縁基体11の熱膨張率がビア導体13の熱膨張率よりも大きい場合には、電子素子２の作動時の熱や電子素子２の実装時の熱履歴によってビア導体13の熱膨張量よりも大きく膨張した絶縁基体11が収縮する際に、幅寸法の大きいビア導体13を枠部11ａの各辺の外周側へ配置させることによって絶縁基体11の変形を低減できる。このように、絶縁基体11の変形を低減させることによって、絶縁基体11が複数のビア導体13を保持する力が低下することを低減できるので、ビア導体13のはがれをより効果的に低減できる。
【００４８】
図７に示された本実施形態の変形例においては、複数のビア導体13同士の間隔は、複数
のビア導体13の奥行き長さに応じた大きさである。すなわち、図７に示された例で、第１のビア導体13ａと第３のビア導体13ｃとを比較すると、第３のビア導体13ｃの奥行き長さＷ３が第１のビア導体13ａの奥行き長さＷ１よりも大きいので、第１のビア導体13ａと第３のビア導体13ｃとの間の長さＧ２は、第１のビア導体13ａと第２のビア導体13ｂとの間の長さＧ１よりも大きい。したがって、幅寸法が小さく、奥行き長さが大きいビア導体13の周囲の絶縁基体11の幅を厚くできる。なお、図７に示された例においては複数のビア導体13は枠部11ａの壁面に平行な方向に５つ設けられている。このような構造であると、例えば絶縁基体11の熱膨張率がビア導体13の熱膨張率よりも小さい場合に、電子素子２の作動時の熱や電子素子２の実装時の熱履歴によって、熱膨張したビア導体13の温度が下がり収縮するときに、絶縁基体11がビア導体13を保持することが可能となり、ビア導体13が絶縁基体11から剥がれることを低減できる。これは、絶縁基体11とビア導体13とが熱膨張する際にビア導体13から絶縁基体11に加わる熱応力による絶縁基体11の変形量が低減されるので、絶縁基体11とビア導体13とが熱収縮する際に絶縁基体11とビア導体13との間に大きな隙間が生じる可能性を低減できるためである。
【００４９】
また、一般にボンディングワイヤはビア導体13と重なる領域に接合すると接合強度が低下するため、ビア導体13と重ならない領域（ワイヤーボンディングの有効領域）に接合する。図７に示された例のように、複数のビア導体13同士の間隔は、複数のビア導体13の奥行き長さに応じた大きさとしておくと、ビア導体13の奥行き長さが大きい箇所において複数のビア導体13同士の間にワイヤーボンディングの有効領域を確保できる。
【００５０】
本実施形態の電子素子搭載用基板１は、枠部11ａを含んでいる絶縁基体11と、枠部11ａの上面に設けられた複数の接続端子12と、枠部11ａ内において上下方向に設けられているとともに、複数の接続端子12に電気的に接続されており、枠部11ａの壁面において絶縁基体11から露出された複数のビア導体13とを有しており、平面視において、複数のビア導体13のうち隣り合うビア導体13同士の壁面に平行な方向の幅寸法が異なっており、隣り合うビア導体13のうち幅寸法が小さい方のビア導体13は、隣り合うビア導体13のうち幅寸法が大きい方のビア導体13よりも奥行き長さが大きい。これらによって、例えば、電子素子２の実装時、または電子素子２の動作時に熱が発生する場合に、幅寸法の小さいビア導体13ｂと絶縁基体11との接合面積を大きくできるので、ビア導体13が絶縁基体11から剥がれることを低減できる。
【００５１】
本実施形態の電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板１と、電子素子搭載用基板１に実装されており、複数の接続端子12に電気的に接続された電子素子２とを有していることによって、小型化が可能となるものである。
【００５２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による電子装置について、図８を参照しつつ説明する。
【００５３】
本実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、図８に示された例のように、絶縁基体11の基部11ｂに枠部11ａと同じ大きさの貫通孔を設けて、絶縁基体11が枠部11ａと基部11ｂとにつながった貫通孔を有している点である。電子素子２は、貫通孔の上面にフリップチップ実装されて、電子素子２の各電極が金バンプ、はんだ等の接続部材３によって接続端子12に電気的に接続されている。図８に示された例においては、電子素子２が例えばＣＣＤ型撮像素子またはＣＭＯＳ型撮像素子の場合、電子装置の下方からの光を電子素子２で受光できる。なお、例えば枠部11ａの上面または下面にはチップコンデンサ、抵抗素子、半導体素子、ＬＥＤ等の発光素子等の他の電子部品が実装されていてもよい。また、電子素子２または電子部品をフリップチップ実装した部位にいわゆるアンダーフィルとして例えばエポキシ樹脂等の樹脂からなる接合材を用いていると、電気的接続をより確実にできる。なお、電子素子２または電子部品の各電極と複
数の接続端子12とを導電性樹脂（異方性導電樹脂等）から成る接続部材３によって電気的に接続していてもよい。
【００５４】
なお、本発明は上記の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば平面視において、ビア導体13は、枠部11ａの内壁面に接しており枠部11ａの内壁面に対して略垂直な直線状の形状を有する領域と、枠部11ａの外周側に設けられた円弧状の形状を有する領域とを有していてもよい。枠部11ａの貫通孔の位置がずれたとしても、ビア導体13が絶縁基体11から露出する幅の変化量を小さくできる。
【００５５】
また、枠部11ａの貫通孔は円形状または多角形状等の他の形状であってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・・電子素子搭載用基板
11・・・・絶縁基体
11ａ・・・枠部
11ｂ・・・基部
11ｃ・・・第１の保持部
11ｄ・・・第２の保持部
12・・・・接続端子
13・・・・ビア導体
13ａ・・・第１のビア導体
13ｂ・・・第２のビア導体
14・・・・配線導体
14ａ・・・内部配線
14ｂ・・・貫通導体
14ｃ・・・外部端子
２・・・・電子素子
３・・・・接続部材
４・・・・外部回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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