(57)【要約】      （修正有）【課題】信頼性の高い導波路型光デバイスモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】上方が開口した箱状でなる筐体パッケージ１２と、筐体パッケージ１２内に配置されている光チップと、光チップに光結合して接続固定される光ファイバアレイと、筐体パッケージ１２の開口部を塞ぐ蓋部１０ａとを含み、筐体パッケージ１２は壁部に貫通孔部を有し、光ファイバのファイバジャケット１６にフェルール１５が取り付けられ、フェルール１５が気密封止固定された光ファイバアレイ保持台座１４でなる第２光ファイバアレイが、貫通孔部の内部で当該貫通孔部と気密封止固定され、蓋部１０ａが筐体パッケージ１２の開口部に気密封止固定される。【選択図】図１
2014137544.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、
光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、
前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、
前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールにおいて、
前記筐体パッケージは、前記壁部に形成された貫通孔部を有し、
前記光ファイバアレイは、前記光ファイバの先端が素線の状態で固定されたファイバブロックでなる第１光ファイバアレイと、前記光ファイバのファイバジャケットにフェルールが取り付けられ、当該フェルールが気密封止固定された光ファイバアレイ保持台座でなる第２光ファイバアレイとでなっており、
前記第１光ファイバアレイは、前記筐体パッケージの前記貫通孔部から挿入されて前記光チップと前記光結合して接着固定され、
前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と気密封止固定され、
前記蓋部が、前記筐体パッケージの前記開口部に気密封止固定されることを特徴とする導波路型光デバイスモジュール。
【請求項２】
前記第２光ファイバアレイは、前記フェルールと前記光ファイバアレイ保持台座とが半田材もしくは接着剤で前記気密封止固定されていることを特徴とする請求項１に記載の導波路型光デバイスモジュール。
【請求項３】
前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と半田材もしくは接着剤で前記気密封止固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の導波路型光デバイスモジュール。
【請求項４】
壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、
光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、
前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、
前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールにおいて、
前記筐体パッケージは、前記壁部に形成された貫通孔部を有し、
前記光ファイバアレイは、前記光ファイバの先端が素線の状態で固定されたファイバブロックでなる第１光ファイバアレイと、前記光ファイバのファイバジャケットの複数を一体で気密封止固定するフェルールでなる第２光ファイバアレイとでなっており、
前記第１の光ファイバアレイは、前記筐体パッケージの前記貫通孔部から挿入されて前記光チップと前記光結合して接着固定され、
前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と気密封止固定され、
前記蓋部が、前記筐体パッケージの前記開口部に気密封止固定されることを特徴とする導波路型光デバイスモジュール。
【請求項５】
前記貫通孔部が、前記筐体パッケージの外部に向かって突出して形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュール。
【請求項６】
前記光チップが、光変調器であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュール。
【請求項７】
前記光チップが、石英光導波路を含む当該光チップであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュール。
【請求項８】
壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、
光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、
前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、
前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールの製造方法であって、
先端が素線の状態であり、当該素線とファイバジャケットとの境界を含んだ範囲を覆ってフェルールが固定された複数本の前記光ファイバを準備する段階と、
ファイバブロックに前記光ファイバの前記素線を固定して第１光ファイバアレイとし、光ファイバアレイ保持台座に前記フェルールを気密封止固定して第２光ファイバアレイとし、当該第１光ファイバアレイと第２光ファイバアレイとで前記光ファイバアレイとする段階と、
前記筐体パッケージの前記壁部に形成された貫通孔部から、前記第１光ファイバアレイを内部に挿入し、前記第１光ファイバアレイと前記光チップとを光結合させた状態で接着する段階と、
前記筐体パッケージの前記貫通孔部の内部で前記第２光ファイバアレイを気密封止固定する段階と、
前記筐体パッケージの前記開口部に前記蓋部をシーム溶接して気密封止固定する段階と、を含むことを特徴とする導波路型光デバイスモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は製作の歩留まりが良く信頼性の高い光変調器モジュールなどの、導波路型光デバイスモジュールの分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
代表的な導波路型光デバイスモジュールとして、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ3）のように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板（以下、リチウムナイオベート基板をＬＮ基板と略す）に光導波路と進行波電極を形成した光チップである進行波電極型リチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ光変調器と略す）をモジュール化した、ＬＮ光変調器モジュール（光変調器モジュール）がある。このＬＮ光変調器は、その優れたチャーピング特性から２．５Ｇｂｉｔ/ｓ、１０Ｇｂｉｔ/ｓの大容量光伝送システムに適用されている。最近はさらに４０Ｇｂｉｔ/ｓの超大容量光伝送システムにも適用が検討されており、キーデバイスとして期待されている。
【０００３】
（第１の従来技術）
このＬＮ光変調器にはｚ−カット基板を使用するタイプとｘ−カット基板（あるいはｙ−カット基板）を使用するタイプがある。ここでは、従来技術としてｘ−カットＬＮ基板とコプレーナウェーブガイド（ＣＰＷ）進行波電極を使用したｘ−カット基板ＬＮ光変調器をとり上げ、その斜視図を図８に示す。図９は図８のＡ−Ａ´における断面図である。なお、以下の議論はｚ−カット基板でも同様に成り立つ。なお、ｚ−カットＬＮ基板の場合には図１０のような断面構造になる。
【０００４】
図８において、１はｘ−カットＬＮ基板、２は１．３μｍ、あるいは１．５５μｍなど光通信において使用する波長領域では透明な２００ｎｍから１μｍ程度の厚みのＳｉＯ2バッファ層、３はｘ−カットＬＮ基板１にＴｉを蒸着後、１０５０℃で約１０時間熱拡散して形成した光導波路であり、マッハツェンダ干渉系（あるいは、マッハツェンダ光導波路）を構成している。なお、３ａ、３ｂは電気信号と光が相互作用する部位（相互作用部と言う）における光導波路（あるいは、相互作用光導波路）、つまりマッハツェンダ光導波路の２本のアームである。ＣＰＷ進行波電極４は中心導体４ａ、接地導体４ｂ、４ｃからなっている。図１０の態様では、基板としてｚ−カットＬＮ基板１´を用いる。以下、ｘ−カットＬＮ基板１とｚ−カットＬＮ基板１´を総称してＬＮ基板と略す。なお、進行波電極は簡単に電極とも呼ばれる。
【０００５】
ＬＮ光変調器においては、中心導体４ａと接地導体４ｂ、４ｃ間にバイアス電圧（通常はＤＣバイアス電圧）と高周波電気信号（ＲＦ電気信号とも言う）を重畳して印加する。５、６は高周波電気信号をＣＰＷ進行波電極４に対し入出力するマイクロ波ケーブルである。また、バッファ層２は高周波電気信号のマイクロ波実効屈折率ｎmを光導波路３ａ、３ｂを伝搬する光の実効屈折率ｎoに近づけることにより、光変調帯域を拡大するという重要な働きをしている。
【０００６】
なお、ＬＮ光変調器が箱状の筐体の内部に配置され、当該筐体の外部から光ファイバが挿通されて、ＬＮ光変調器モジュールを成すようになっている（不図示）。
【０００７】
次に、このように構成されるＬＮ光変調器の動作について説明する。図１１に示す電圧−光出力特性は、ある状態でのＬＮ光変調器の電圧−光出力特性であり、Ｖｂはその際のＤＣバイアス電圧である。この図１１に示すように、通常、ＤＣバイアス電圧Ｖｂは光出力特性の山と底の中点に設定される。
【０００８】
さて、図９や図１０において、中心導体４ａと接地導体４ｂの間には５Ｖ程度の電圧が印加されるが、これらのギャップは１５μｍ程度と小さい。従って、中心導体４ａと接地導体４ｂの間には約３×１０5Ｖ／ｍもの高電界が印加されている。そのため、筐体の内部に水分が入ると中心導体４ａと接地導体４ｂの間で電気的なショート状態が発生し、光変調器モジュールが壊れてしまう。
【０００９】
これを防ぐためには、光変調器モジュールを気密封止することが不可欠となる。そしてこの気密封止の手法としては、箱状のパッケージ筐体に対し上側から蓋部材をシーム溶接する、またファイバ部（あるいはファイバフェルール部）には半田材を用て封止するのが一般的である。図１２に示す特許文献１に開示された従来技術は、半田材による気密封止の例である。
【００１０】
ここで、１はＬＮ基板、７ｂは光変調器から光を取り出す単一モード光ファイバのファイバジャケット、８ｂは出力用の単一モード光ファイバの素線、１０はパッケージ筐体、１０ａは筐体の蓋（あるいは、リッド）、１０ｂは外側スリーブ、１０ｃはロー付け部、１０ｄは中間スリーブ、３０は接着補強ブロック、３１は接着補強キャピラリ（一般的にはガラスが用いられるのでガラスビーズと呼ばれる）、３２は金属の半田材、３８は内側スリーブ、３９は内側スリーブの内部と外部とで接着した接着剤である。図１２からわかるように、半田材３２を用いて気密封止を行っている。
【００１１】
なお、図１２に示した第１の従来技術では光ファイバ８ｂが１本であった。これは光の入力や出力が１つの光モジュールの場合である。光の入力や出力が２つ以上のいわゆる光ファイバアレイを有するモジュールにおいては、光ファイバ周りの構成が異なっているため、第１の従来技術の構造を適用することはできない。
【００１２】
（第２の従来技術）
図１３に、２本以上の光ファイバを含む光ファイバアレイ９０を含む光結合装置の概略斜視図を示す。
【００１３】
１０１はパッケージ筺体の一部であり台座と呼ばれる。１は光導波路４０ａ、４０ｂが表面に形成されたＬＮ基板（光チップ）、である。５０はＬＮなどからなるヤトイ、６０はＳｉなどの基板からなるファイバブロック、７０ａ、７０ｂはＶ溝、８０ａ、８０ｂは光ファイバ素線、１００はガラスブロックなどからなるヤトイである。光ファイバ素線８０ａ、８０ｂは接着剤によりＶ溝７０ａ、７０ｂに固定されている。なお、Ｖ溝７０ａ、７０ｂの深さを溝の長さ方向に２段階で構成し、光ファイバ素線８０ａ、８０ｂと同時に不図示の光ファイバジャケットを一緒にＶ溝に固定する場合もある。
【００１４】
なお、ヤトイ５０はＬＮ基板１に向かい合う面で接着されており、ヤトイ１００はファイバブロック６０に向かい合う面で接着されている。１１０は基板１とファイバブロック６０とを、また第１のヤトイ５０と第２のヤトイ１００とを対向しているそれらの端面で接着している接着剤であり、通常は光学接着剤が用いられる。この光学接着剤としては紫外線硬化接着剤（ＵＶ接着剤）が好適である。なお、光導波路４０ａ、４０ｂと光ファイバ素線８０ａ、８０とが光結合した状態で接着されていることは言うまでも無い。
【００１５】
図１４には、図１３に示した光結合装置を含む光ファイバモジュールに適用するパッケージ筐体１１について、その概略斜視図を示す。パッケージ筐体１１の内部には、光ファイバアレイ９０を含む光結合装置が配置されている（不図示）。光ファイバアレイ９０は少なくとも２本の光ファイバ素線８０ａ、８０ｂ（あるいは光ファイバジャケット）を固定したファイバブロック６０を有しているため、ファイバブロック６０を避けるための切り欠き３００が必要となっていた。
【００１６】
図１４のＢ−Ｂ´における断面図を図１５に示す。なお、図１５にはそれに適用されるべき図１３に示した光結合装置（この方向からはＳｉなどのファイバブロック６０のみが見える）とリッド１０ａも示している。この図からわかるように、リッド１０ａをパッケージ筐体１１に固定すると、ファイバブロック６０の上面とパッケージ筐体１１の上面には段差３０１が生じてしまうため、気密ができないという大きな問題があった。そのため、石英光導波路の応用例であるアレイ導波路格子（ＡＷＧ）のように光ファイバアレイを有する光ファイバモジュールにおいては、気密を確保した生産品レベルの従来技術はこれまで存在していなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平７−１９８９９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
以上のように、光ファイバアレイを有する光ファイバモジュールにおいては、気密を確保するのが困難であった。そのため、より簡易な工程で、製品としての歩留まりの高い気密封止の開発が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の導波路型光デバイスモジュールは、壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記筐体パッケージは、前記壁部に形成された貫通孔部を有し、前記光ファイバアレイは、前記光ファイバの先端が素線の状態で固定されたファイバブロックでなる第１光ファイバアレイと、前記光ファイバのファイバジャケットにフェルールが取り付けられ、当該フェルールが気密封止固定された光ファイバアレイ保持台座でなる第２光ファイバアレイとでなっており、前記第１光ファイバアレイは、前記筐体パッケージの前記貫通孔部から挿入されて前記光チップと前記光結合して接着固定され、前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と気密封止固定され、前記蓋部が、前記筐体パッケージの前記開口部に気密封止固定されることを特徴としている
本発明の請求項２に記載の導波路型光デバイスモジュールは、請求項１に記載の導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記第２光ファイバアレイは、前記フェルールと前記光ファイバアレイ保持台座とが半田材もしくは接着剤で前記気密封止固定されていることを特徴としている。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の導波路型光デバイスモジュールは、請求項１または２に記載の導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と半田材もしくは接着剤で前記気密封止固定されていることを特徴としている。
【００２１】
本発明の請求項４に記載の導波路型光デバイスモジュールは、壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記筐体パッケージは、前記壁部に形成された貫通孔部を有し、前記光ファイバアレイは、前記光ファイバの先端が素線の状態で固定されたファイバブロックでなる第１光ファイバアレイと、前記光ファイバのファイバジャケットの複数を一体で気密封止固定するフェルールでなる第２光ファイバアレイとでなっており、前記第１の光ファイバアレイは、前記筐体パッケージの前記貫通孔部から挿入されて前記光チップと前記光結合して接着固定され、前記第２光ファイバアレイは、前記貫通孔部の内部で当該貫通孔部と気密封止固定され、前記蓋部が、前記筐体パッケージの前記開口部に気密封止固定されることを特徴としている。
【００２２】
本発明の請求項５に記載の導波路型光デバイスモジュールは、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記貫通孔部が、前記筐体パッケージの外部に向かって突出して形成されていることを特徴としている。
【００２３】
本発明の請求項６に記載の導波路型光デバイスモジュールは、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記光チップが、光変調器であることを特徴としている。
【００２４】
本発明の請求項７に記載の導波路型光デバイスモジュールは、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスモジュールにおいて、前記光チップが、石英光導波路を含む当該光チップであることを特徴としている。
【００２５】
本発明の請求項８に記載の導波路型光デバイスモジュールの製造方法は、壁部を持ち、上方が開口した箱状でなる筐体パッケージと、光導波路を具備し、前記筐体パッケージ内に配置されている光チップと、前記光チップに光結合して接続固定される、複数本の光ファイバを含む光ファイバアレイと、前記筐体パッケージの前記開口部を塞ぐ蓋部と、を含む導波路型光デバイスモジュールの製造方法であって、先端が素線の状態であり、当該素線とファイバジャケットとの境界を含んだ範囲を覆ってフェルールが固定された複数本の前記光ファイバを準備する段階と、ファイバブロックに前記光ファイバの前記素線を固定して第１光ファイバアレイとし、光ファイバアレイ保持台座に前記フェルールを気密封止固定して第２光ファイバアレイとし、当該第１光ファイバアレイと第２光ファイバアレイとで前記光ファイバアレイとする段階と、前記筐体パッケージの前記壁部に形成された貫通孔部から、前記第１光ファイバアレイを内部に挿入し、前記第１光ファイバアレイと前記光チップとを光結合させた状態で接着する段階と、前記筐体パッケージの前記貫通孔部の内部で前記第２光ファイバアレイを気密封止固定する段階と、前記筐体パッケージの前記開口部に前記蓋部をシーム溶接して気密封止固定する段階と、を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、高い歩留まり、優れた製造性、及び高い気密性を有する優れた光ファイバモジュール、即ち導波路型光デバイスモジュール、および導波路型光デバイスモジュールの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施形態の模式的な斜視図
【図２】図１において使用されているファイバ部品の拡大図
【図３】図１のＣ−Ｃ´線における断面図
【図４】第１の実施形態の製造工程を説明する図
【図５】第１の実施形態の製造工程を説明する図
【図６】第１の実施形態の製造工程を説明する図
【図７】本発明の第２の実施形態の模式的な斜視図
【図８】第１の従来技術に係る光変調器の斜視図
【図９】第１の従来技術のＡ−Ａ´線における断面図（ｘ−カット基板の場合）
【図１０】第１の従来技術のＡ−Ａ´線における断面図（ｚ−カット基板の場合）
【図１１】第１の従来技術に係る光変調器の動作を説明する図
【図１２】第１の従来技術に係る光変調器の模式的な断面構造
【図１３】第２の従来技術におけるアレイファイバの構成例
【図１４】第２の従来技術におけるパッケージ筐体の模式的な斜視図
【図１５】図１４のＢ−Ｂ´線における断面図
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態について説明するが、図８から図１５に示した従来技術と同一番号は同一機能部に対応しているため、ここでは同一番号を持つ機能部の説明を省略する。
【００２９】
（第１の実施形態）
本発明に係る導波路型光デバイスモジュールとして、２本の光ファイバを用いるアレイ型光変調器モジュールを採り上げる。
【００３０】
図１に本発明の第１の実施形態について概略斜視図を示す。図２にファイバ部の詳細構造（光ファイバアレイ９１）を示す。図２は図１と同方向から見た状態における光ファイバアレイ９１のみを示している。光ファイバアレイ９１は、第１光ファイバアレイ９１ａと第２光ファイバアレイ９１ｂとから構成される。
【００３１】
図３には図１のＣ−Ｃ´部の断面図を示す。１２はパッケージ筐体であり、底面部と、底面部に直立した壁部を有した箱状で形成されている。１３はパッケージ筐体１２に取り付けられた（あるいは作りつけられた）、パッケージ筐体１２の内部にまで孔が開いた筒状の外部ホルダ（貫通孔部）である。フェルール１５には光ファイバジャケット１６が接着剤により固定されている。光ファイバ素線８０ａ、８０ｂはファイバブロック６０にヤトイ１００とともに固定されている（第１光ファイバアレイ９１ａ）。ファイバブロック６０には、光ファイバ素線が８０ａ、８０ｂが嵌まり込む深さのＶ溝が形成されている。なお、ファイバブロック６０は、パッケージ筐体１２の内部で、図１３の態様と同様にＬＮ光変調器（光チップ）１に接着固定されている（図２ではＬＮ光変調器は不図示）。１４は光ファイバアレイ保持台座であり、金属もしくはセラミックスのフェルール１５が半田材２１により固定されている（第２光ファイバアレイ９１ｂ）。光ファイバアレイ保持台座１４には、フェルール１５が嵌まり込む深さのＵ字状のガイド溝が形成されている。そして、金属あるいはセラミックからなる光ファイバアレイ保持台座１４は半田材２２により外部ホルダ１３に気密封止固定されている。光ファイバアレイ保持台座１４の外形は、図３のように外部ホルダ１３の内径よりも小さい大きさとなっており、好適には僅かな隙間をあけて嵌まり込む大きさとなっている。そしてリッド１０ａが、パッケージ筐体１２の開口部にシーム溶接される。つまり、半田材２１、２２とリッド１０ａにより完全に気密封止固定を実現できる。
【００３２】
本実施形態には、第２の従来技術である図１４と図１５に３００として示した切り欠きは存在しない。そのため、リッド１０ａを上からパッケージ筐体１２にシーム溶接する際、図１５のような段差３０１は生じない。
【００３３】
次に、２本の光ファイバを含む光ファイバアレイの場合について、本実施形態の製作手順について説明する。なお、本数がより多くなっても手順は同じである。
（１）図４に示すようにフェルール１５にファイバ素線８０ａとファイバジャケット１６を通し、ファイバ素線８０ａを半田材２５０などにより、またファイバジャケット１６を接着剤によりフェルール１５に固定する。２本の光ファイバアレイの場合には図４の構造を２本製作する。半田材２５０も光部品モジュールとしての気密を確保するのに役立っている。
（２）図５に示すように、図４で製作した２本のファイバ部品をファイバブロック６０にヤトイ１００とともに固定し、光ファイバ素線８０ａ、８０ｂの端面をファイバブロック６０とヤトイ１００とともに鏡面研磨する。
（３）図３と図６に示すように、フェルール１５を光ファイバアレイ保持台座１４に半田固定する。
（４）手順（３）で完成したユニット（光ファイバアレイ９１）を、外部ホルダ１３の孔を介して第１光ファイバアレイ９１ａ側からパッケージ筐体１２の内部に挿入し、パッケージ筐体１２内部に配置されているＬＮ基板１とファイバブロック６０とを光結合させた状態で接着する（不図示；図１３と同様）。なお、図面においては第１光ファイバアレイ９１ａが外部ホルダ１３の孔を通過できない大きさに見えるが、これは模式図のためこのような大きさで図示しているのであって、実際には第１光ファイバアレイ９１ａは第２光ファイバアレイ９１ｂよりも小さい大きさで構成されている。
（５）外部ホルダ１３と光ファイバアレイ保持台座１４とを、図１，３のように、外部ホルダ１３の内部に配置した状態で半田材２２で固定する。
（６）図１に示すように、パッケージ筐体１２の上方の開口部側からリッド１０ａを配置し、シーム溶接をする。
【００３４】
以上の手順により、半田材２１、２２、２５０とリッド１０ａにより完全にモジュールの気密封止が可能となる。
【００３５】
これまでの説明でわかるように、本発明では光ファイバアレイ用の外部ホルダ１３を設けるとともに、光ファイバアレイを一括して取り扱うことのできる光ファイバアレイ保持台座１４を用いている。これにより、リッド１０ａとパッケージ筐体１２のシーム面に段差が存在しないにもかかわらず、光ファイバ素線８０ａ、８０ｂが固定されたファイバブロック６０やヤトイ１００という大きな構造体（光ファイバアレイ９１）をパッケージ筐体１２の外部からその内部に挿入することができるという大きな特徴がある。そしてこの特徴により、量産の観点からこれまで実現されていなかった光ファイバアレイを有する導波路型光デバイスモジュールの気密封止が可能となった。
【００３６】
なお、本実施形態では壁部に外部に突出した筒状の外部ホルダを備える構成で説明してきたが、壁部が所定厚さを有し、壁部のみにて第２光ファイバアレイ９１ｂの気密封止固定が可能であれば、突出構成としなくてもよい。
【００３７】
（第２の実施形態）
図７に本発明の第２の実施形態に適用する光ファイバアレイ９２を示す。本図は、第１の実施形態における図２に対応している。図７の態様においては、一体型のフェルール１４´を適用している（第２光ファイバアレイ９２ｂ）。つまり、この一体型のフェルール１４´は、いわば第１の実施形態で示した図２におけるフェルール１５とアレイファイバ保持台座１４とを兼ねていると言うことができる。
【００３８】
なお、この第２の実施形態では２本のファイバジャケット１６（あるいは光ファイバ素線８０ａ、８０ｂ）を同時に扱わねばならないので、歩留まりが悪くなる可能性があるが、本発明の主眼である光ファイバアレイにおける気密封止の作用効果を奏することに変わりはない。
【００３９】
（各実施形態について）
例えば、図３に示した半田材２１と２２は同じ種類であっても良いし、またＡｕＳｎとＳｎＡｇＣｕのように溶融温度の異なる材料としても良い。また、第１の実施形態においては光ファイバアレイ保持台座の上にフェルールを上方から配置する構造としたが、光ファイバアレイ保持台座を上下に２分割して上下からフェルールを挟み込む構造としても良いことは言うまでもない。また、封止を半田材で行うとしたが、気密性を確保できる接着剤があればそれを用いても良い。
【００４０】
進行波電極としてはＣＰＷ電極を例にとり説明したが、非対称コプレーナストリップ（ＡＣＰＳ）や対称コプレーナストリップ（ＣＰＳ）などの各種進行波電極、あるいは集中定数型の電極でも良いことは言うまでもない。また、光導波路としてはマッハツェンダ型光導波路の他に、方向性結合器や直線など、その他の光導波路でも良いことは言うまでもない。
【００４１】
また、以上の実施形態においては、ｘ−カット、ｙ−カットもしくはｚ−カットの面方位、即ち、基板表面（カット面）に対して垂直な方向に結晶のｘ軸、ｙ軸もしくはｚ軸を持つ基板でも良いし、以上に述べた各実施形態での面方位を主たる面方位とし、これらに他の面方位が副たる面方位として混在しても良いし、ＬＮ基板のみでなく、リチウムタンタレート、さらには半導体などその他の基板でも良いことは言うまでもない。
【００４２】
以上は、ＬＮ基板のみで構成されたＬＮ光変調器（図８）で説明してきたが、光導波路の一部（例えば、入出力光導波路のみ）を石英光導波路で構成したＬＮ光変調器でも本発明は適用可能である。また、本発明はＬＮ光変調器モジュールのみならず、気密性が要求されるその他の導波路型光デバイスモジュールにも適用可能である。フォトダイオードモジュールのような入力光ファイバのみを有する導波路型光デバイスや先球ファイバを用いた半導体レーザモジュールのように出力光ファイバのみを有する導波路型光デバイスにも適用可能である。
【００４３】
さらには、本発明は、入力用光ファイバ／出力用光ファイバのいずれの場合にも適用可能である。図１４のように筐体パッケージの両側（例えば一方側が入力用、他方側が出力用）に光ファイバアレイが配置されるようなモジュールでは、両光ファイバアレイそれぞれで本発明を適用可能であるし、また例えば図２の８０ａが入力用光ファイバ、８０ｂが出力用光ファイバであって、筐体パッケージ１２に光ファイバアレイ用の入出力口１３が１箇所の場合であっても本発明を適用可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１：ｘ−カットＬＮ基板（ＬＮ基板）
１´：ｚ−カットＬＮ基板（ＬＮ基板）
２：ＳｉＯ2バッファ層（バッファ層）
３、４０ａ、４０ｂ：光導波路
３ａ、３ｂ：相互作用部の光導波路（光導波路）
４：進行波電極
４ａ：中心導体
４ｂ、４ｃ：接地導体
５：マイクロ波給電用ケーブル
６：マイクロ波出力用ケーブル
７ａ、７ｂ：単一モード光ファイバのファイバジャケット
８ａ、８ｂ、８０ａ、８０ｂ：光ファイバ素線
９ａ、９ｂ：内部ホルダ
１０、１１、１２：パッケージ筐体
１０ａ：パッケージ筐体の蓋（あるいは、リッド）
１０ｃ：ロー付け部
１０ｂ：外側スリーブ
１０ｄ：中間スリーブ
１３：外部ホルダ（貫通孔部）
１４：光ファイバアレイ保持台座
１４´：一体型フェルール
１５：フェルール
１６：ファイバジャケット
３０：接着補強ブロック
３１：接着補強キャピラリ
２１、２２、３２、２５０：半田材
３６：メタライズ部
３８：内側スリーブ
３９：接着剤
５０、１００：ヤトイ
６０：ファイバブロック
７０ａ、７０ｂ：Ｖ溝
９０、９１、９２：光ファイバアレイ
９１ａ：第１光ファイバアレイ
９２ａ、９２ｂ：第２光ファイバアレイ
１０１：台座
１１０：光学接着剤
３００：切り欠き
３０１：段差
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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