(57)【要約】【課題】パッケージの電極間の短絡を防ぎ、長期信頼性を向上させた電子部品パッケージ及び当該電子部品パッケージの製造方法を提供する。【解決手段】ガラスで形成される第一の基板と、前記第一の基板を貫通する複数の貫通電極と、前記貫通電極と電気的に接続する接続電極と、前記第一の基板と接合して前記第一の基板との間に格納部を形成する第二の基板と、前記格納部内に封止されるとともに、前記接続電極上に載置された電子部品と、を備える電子部品パッケージにおいて、少なくとも前記第一の基板の前記格納部側の面と反対側の面に形成された絶縁性の保護膜を有し、前記保護膜は、前記第一の基板において、それぞれの前記貫通電極の端面を含む領域を分断することを特徴とする【選択図】図１
2014165192.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスで形成される第一の基板と、前記第一の基板を貫通する複数の貫通電極と、前記貫通電極と電気的に接続する接続電極と、前記第一の基板と接合して前記第一の基板との間に格納部を形成する第二の基板と、前記格納部内に封止されるとともに、前記接続電極上に載置された電子部品と、を備える電子部品パッケージにおいて、
少なくとも前記第一の基板の前記格納部側の面と反対側の面に形成された絶縁性の保護膜を有し、
前記保護膜は、前記第一の基板において、それぞれの前記貫通電極の端面を含む領域を分断することを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記保護膜は、前記反対側の面において、前記貫通電極の端面の外周縁を囲い、それぞれの前記貫通電極の端面の間に形成されることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
請求項２に記載の電子部品パッケージであって、
前記保護膜は、前記貫通電極の端面の近傍に形成され、
前記貫通電極の端面から前記保護膜の貫通電極の端面の近傍に形成された部分まで覆って形成される導電性の電極膜を備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記保護膜は、前記第一の基板の前記格納部側の面と、前記反対側の面とを接続する複数の側面のうち１つの前記側面の前記格納部側の端から、前記反対側の面のそれぞれの前記貫通電極の端面の間を通って、他の前記側面の前記格納部側の端まで連続して形成されていることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項５】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記第一の基板と第二の基板との間に金属膜で形成される接合膜が配置され、前記第一の基板と前記第二の基板とは、前記接合膜を介して接合され、
前記保護膜は、さらに前記接合膜上に形成され、前記接合膜を覆うことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項６】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記貫通電極と前記接続電極が同じ材料からなることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項７】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記第二の基板がガラスからなることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項８】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記電子部品が水晶振動片であることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項９】
ガラスで形成される第一の基板に前記第一の基板を貫通する複数の貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、
前記貫通電極と電気的に接続する接続電極を形成する接続電極形成工程と、
前記接続電極上に電子部品を載置する電子部品載置工程と、
第二の基板と前記第一の基板を接合して、前記第一の基板と前記第二の基板に格納部を形成し、前記格納部内に電子部品を封止する接合工程と、
前記第一の基板においてそれぞれの前記貫通電極の端面を含む領域を分断する絶縁性の保護膜を少なくとも前記第一の基板の前記格納部側の面と反対側の面に形成する保護膜形成工程と、
を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、
前記保護膜形成工程において、前記保護膜は、前記貫通電極の端面の近傍に形成され、
前記貫通電極の端面から前記保護膜の貫通電極の端面の近傍に形成された部分まで覆う導電性の電極膜を形成する電極膜形成工程を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、
前記貫通電極形成工程及び前記接続電極形成工程は、同一の工程で行うことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子片や圧電素子に代表される電子部品パッケージ及び当該電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶振動子片は周波数特性に優れているため、デバイス、具体的にはプリント基板実装部品の一つとして多用されている。同様に、圧電素子は加速度センサとしてよく用いられている。ただし、これらの電子部品（水晶振動子片や圧電素子）の特性を安定させるには、密封容器に入れて外気の影響を遮断することが望ましい。さらに、近年の電子デバイスは小型化、集積化を要求されるため、ウェハレベルでこれら電子部品のパッケージングを行い、その後に必要に応じて個片化することが必要とされている。このようなパッケージ技術の例として、電子部品を載置したガラス基板と電子部品を格納する格納部を備えたガラスとを接合することによって電子部品の封止を行う技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、図８を用いて従来例の電子部品パッケージの概要を説明する。図８（ａ）は、電子部品パッケージの底面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。従来の電子部品パッケージでは、ガラスで形成され、貫通電極１１１を１つまたは複数備えた第一の基板１１０に、貫通電極と電気的に接続された状態で電子部品１０が接続電極１１２を介して載置されている。当該電子部品パッケージ１００は、その第一の基板１１０の上部へ、電子部品１０の周囲を覆うための格納部１２１が下端に形成されたガラス製の第二の基板１２０を接合し電子部品パッケージ１００が完成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−４４１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述の電子部品パッケージには、以下に示す課題がある。電子部品パッケージ１００を長時間湿度環境下に放置すると、ガラス中の成分、例えばＮａやＣａなどが第一の基板１１０の電子部品を載置する面と反対側のガラス部分の表面に析出する。そしてそれらが大気中の水分によって潮解し導電性をもつことで貫通電極間の絶縁性を劣化させ、各貫通電極が導通し短絡が生じてしまう。これにより、パッケージの長期信頼性を損ねることになる。本発明は、長期信頼性を向上させた電子部品パッケージ及び当該電子部品パッケージの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明は、ガラスで形成される第一の基板と、前記第一の基板を貫通する複数の貫通電極と、前記貫通電極と電気的に接続する接続電極と、前記第一の基板と接合して前記第一の基板との間に格納部を形成する第二の基板と、前記格納部内に封止されるとともに、前記接続電極上に載置された電子部品と、を備える電子部品パッケージにおいて、少なくとも前記第一の基板の前記格納部側の面と反対側の面に形成された絶縁性の保護膜を有し、前記保護膜は、前記第一の基板において、それぞれの前記貫通電極の端面を含む領域を分断することを特徴とする。
これにより、電子部品パッケージを湿度環境下に置いた場合でも、保護膜が形成された部分からのＮａやＣａなどのガラス含有成分の析出を防ぐことができる。この際、保護膜が貫通電極の端面を含む領域を分断しているため、複数の貫通電極の間の絶縁性を確保することができる。これによりパッケージの信頼性を向上させることができる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記保護膜は、前記反対側の面において、前記貫通電極の端面の外周縁を囲い、それぞれの前記貫通電極の端面の間に形成されることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の電子部品パッケージであって、前記保護膜は、前記貫通電極の端面の近傍に形成され、前記貫通電極の端面から前記保護膜の貫通電極の端面の近傍に形成された部分まで覆って形成される導電性の電極膜を備えることを特徴とする。
これにより、電極膜が、貫通電極の導通を確保するとともに、貫通電極の端面の近傍に露出する第１の基板を覆う。そのため、第一の基板の格納部側の面と反対側の面において、貫通電極と第一の基板の境界部分の劣化を防止し、耐久性を向上することが出来る。  
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記保護膜は、前記第一の基板の前記格納部側の面と、前記反対側の面とを接続する複数の側面のうち１つの前記側面の前記格納部側の端から、前記反対側の面のそれぞれの前記貫通電極の端面の間を通って、他の前記側面の前記格納部側の端まで連続して形成されていることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記第一の基板と第二の基板との間に金属膜で形成される接合膜が配置され、前記第一の基板と前記第二の基板とは、前記接合膜を介して接合され、前記保護膜は、さらに前記接合膜上に形成され、前記接合膜を覆うことを特徴とする。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記貫通電極と前記接続電極が同じ材料からなることを特徴とする。
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記第二の基板がガラスからなることを特徴とする。
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の電子部品パッケージであって、前記電子部品が水晶振動片であることを特徴とする。
【００１２】
請求項９に記載の発明は、電子部品パッケージの製造方法において、ガラスで形成される第一の基板に前記第一の基板を貫通する複数の貫通電極を形成する貫通電極形成工程と、前記貫通電極と電気的に接続する接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極上に電子部品を載置する電子部品載置工程と、第二の基板と前記第一の基板を接合して、前記第一の基板と前記第二の基板に格納部を形成し、前記格納部内に電子部品を封止する接合工程と、前記第一の基板においてそれぞれの前記貫通電極の端面を含む領域を分断する絶縁性の保護膜を少なくとも前記第一の基板の前記格納部側の面と反対側の面に形成する保護膜形成工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、前記保護膜形成工程において、前記保護膜は、前記貫通電極の端面の近傍に形成され、前記貫通電極の端面から前記保護膜の貫通電極の端面の近傍に形成された部分まで覆う導電性の電極膜を形成する電極膜形成工程を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項１１に記載の発明は、請求項９又は１０に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、前記貫通電極形成工程及び前記接続電極形成工程は、同一の工程で行うことを特徴とする。
これにより、第一の基板に貫通電極と接続電極を同時に形成する工程を設けることにより、製造工程を簡略化することが出来る。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、電子部品パッケージを湿度環境下に置いた場合でも、保護膜が形成された部分からのＮａやＣａなどのガラス含有成分の析出を防ぐことができる。この際、保護膜が貫通電極の端面を含む領域を分断しているため、複数の貫通電極の間の絶縁性を確保することができる。これによりパッケージの信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態における電子部品パッケージ基板を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の変形例における電子部品パッケージ基板を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例における電子部品パッケージ基板を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の第２実施形態における電子部品パッケージ基板を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態における電子部品パッケージ基板を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態における第一の基板１１０の製造工程を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態における第一の基板１１０への電子部品１０の搭載工程を模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【図８】従来の電子部品パッケージを模式的に示した図であり、（ａ）は第一の基板側からみた平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（第１実施形態）
以下、本発明にかかる電子部品パッケージの第１実施形態を、図１を参照して説明する。ここで、図１（ａ）は、電子部品１０を搭載した電子部品パッケージ１００を第一の基板１１０側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【００１８】
電子部品パッケージ１００は、ガラスで形成される第一の基板１１０と、第一の基板１１０を貫通する複数の貫通電極１１１と、貫通電極１１１と電気的に接続する接続電極１１２と、第一の基板１１０と接合して第一のガラス基板との間に格納部１２１を形成する第二の基板１２０と、格納部１２１内に載置されるとともに、接続電極１１２上に載置された電子部品１０と、を備える。また、電子部品パッケージ１００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面に形成された絶縁性の保護膜２００を有する。  第一の基板１１０は、絶縁性を有し、例えばソーダライムガラスやテンパックスガラスなどで形成される。  電子部品１０は、例えば、表面に電極が形成された水晶振動片や圧電素子などである。
【００１９】
貫通電極１１１は、導電性を有し、例えば導電樹脂、金属膜、金属ピンなどで形成される。貫通電極１１１は、第一の基板１１０を厚さ方向に貫通する電極である。すなわち、貫通電極１１１は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面から格納部１２１側の面と反対側の面まで貫通する。また、貫通電極１１１の端面は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面及び格納部１２１側の面と反対側の面から露出している。本実施形態において、２つの貫通電極１１１が配置されている。なお、貫通電極１１１は、電子部品１２１によっては、２つ以上配置されてもよい。また、貫通電極１１１は、電子部品１０と、図示しない外部と導通する外部電極とを電気的に接続する。
【００２０】
接続電極１１２は、例えば金属膜などで形成される。接続電極１１２は、電子部品１０と貫通電極１１１との間に配設されて双方を電気的に接続する。本実施形態においては、接続電極１１２は、それぞれの貫通電極１１１の第一の基板１１０の格納部１２１側の端面上に形成される。
【００２１】
第二の基板１２０は、例えばソーダライムガラスやパイレックス（登録商標）ガラスなどのガラス、シリコンなどの半導体、アルミナなどのセラミックス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂などで種々の材料で形成される。また、本実施形態において、第二の基板１２０は、第一の基板１１０と接合する側に凹部を有している。
【００２２】
格納部１２１は、この凹部と第一の基板とで構成される。この格納部１２１は、第一の基板１１０と第二の基板１２０とにより、気密封止されたキャビティである。なお、格納部１２１は、本実施形態に限定されず、第一の基板１１０と第二の基板１２０とにより形成され、電子部品を内部に格納していればよい。例えば、格納部１２１は第一の基板１１０の第二の基板１２０との接合する側に凹部を設けて、この凹部によりキャビティを構成するものでもよい。
【００２３】
保護膜２００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面において、貫通電極１１１の端面の外周縁を囲っている。これにより、保護膜２００は、それぞれの貫通電極１１１の端面の間に形成される。すなわち、保護膜２００は、前記第一の基板において、それぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断する。この場合、それぞれの領域には、１つの貫通電極１１１の端面が含まれる。また、保護膜２００は例えばＳｉＯ2、絶縁樹脂などからなる絶縁性の膜である。
【００２４】
これにより、電子部品パッケージ１００を湿度環境下に置いた場合でも、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面の保護膜２００が形成された部分からのＮａやＣａなどのガラス含有成分の析出を防ぐことができる。この際、保護膜２００が貫通電極１１１の端面を含む領域を分断しているため、複数の貫通電極１１１の間の絶縁性を確保することができる。これによりパッケージの信頼性を向上させることができる。なお、第一の基板１１０の格納部１２１側の面は、格納部１２１が気密封止されたキャビティであり、湿度環境下にならないため、この面でガラス含有成分の析出が生じない。
【００２５】
本実施形態において、保護膜２００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面において、それぞれの貫通電極１１１の端面の外周縁に沿って、外周縁を完全に囲っている。
【００２６】
また、本実施形態において、保護膜２００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面において、貫通電極１１０の端面及び貫通電極１１０の近傍以外の領域を覆っている。これにより、ガラス含有成分の析出を確実に防止することができる。なお、本実施形態に限らず、貫通電極１１１の端面の外周縁を囲う状態で、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面の一部を覆っていてもよい。
【００２７】
図２は、第１実施形態の変形例を示す図である。図２（ａ）は第一の基板側からみた平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。なお、第１実施形態に係る電子部品パッケージ１００と同様の構成は、説明を省略する。
【００２８】
図２において、保護膜２００は、それぞれの貫通電極１１１に対応して複数形成されている。保護膜２００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面において、貫通電極１１１の端面の外周縁に沿って、外周縁の周囲を完全に囲っている。これにより、保護膜２００は、それぞれの貫通電極１１１の端面の間に形成される。すなわち、保護膜２００は、前記第一の基板において、それぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断する。この場合、それぞれの領域には、１つの貫通電極１１１の端面が含まれる。この場合においても、電子部品パッケージ１００を湿度環境下に置いた場合でも、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面の保護膜２００が形成された部分からのＮａやＣａなどのガラス含有成分の析出を防ぐことができる。そのため、保護膜２００が貫通電極１１１の端面を含む領域を分断しているため、複数の貫通電極１１１の間の絶縁性を確保することができる。これによりパッケージの信頼性を向上させることができる。
【００２９】
なお、本実施形態においては、保護膜２００は、それぞれの貫通電極１１１と同数形成されているが、これに限られず、それぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断していればよい。例えば、複数の貫通電極１１１のうち、１つの貫通電極１１１は保護膜で囲まれていなくてもよい。
【００３０】
また、保護膜２００は、貫通電極１１１の端面の外周縁から離間した位置で外周縁を囲っている。このため、貫通電極１１１の外周縁近傍は、第一の基板１１０が露出している。このように、保護膜２００と貫通電極１１１の端面の外周縁とを離間させて形成する場合、貫通電極１１１を確実に露出させることができる。そのため、貫通電極１１１１の図示しない外部電極との電気的接続を確実にすることができる。
【００３１】
なお、これに限られず、保護膜２００は、貫通電極１１１の端面を露出する状態で、貫通電極１１１の端面の外周縁を囲っていればよい。例えば、保護膜２００は、貫通電極１１１と隣接する位置でその外周縁を囲ってもよい。この場合、ガラス含有成分の析出を確実に防止することができる。
【００３２】
図３は、第１実施形態の変形例を示す図である。図３（ａ）は第一の基板側からみた平面図であり、図３（ｂ）は側面図である。なお、第１実施形態に係る電子部品パッケージ１００と同様の構成は、説明を省略する。
【００３３】
図３において、保護膜２００は、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と、この面と反対側の面とを接続する複数の側面のうち、１つの側面の格納部１２１側の端から、第一の基板１１０の格納部１２１側の面と反対側の面のそれぞれの貫通電極１１１の端面の間を通って、他の側面の格納部１２１側の端まで連続して形成されている。
【００３４】
図３においては、保護膜２００は、図３（ｂ）に示す側面、第一の基板１１０の格納部１２１側の面、及び図３（ｂ）に示す側面に対向する側面に一直線状に連続して形成されている。これにより、保護膜２００は、それぞれの貫通電極１１１の端面の間に形成される。すなわち、保護膜２００は、前記第一の基板において、それぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断する。この場合、それぞれの領域には、１つの貫通電極１１１の端面が含まれる。本変形例の場合、それぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域は、第一の基板１１０の側面まで含む領域である。
【００３５】
この場合においても、電子部品パッケージ１００を湿度環境下に置いた場合でも、保護膜２００が形成された部分からのＮａやＣａなどのガラス含有成分の析出を防ぐことができる。そのため、保護膜２００が貫通電極１１１の端面を含む領域を分断しているため、複数の貫通電極１１１の間の絶縁性を確保することができる。
【００３６】
次に、本実施形態の電子部品パッケージ１００の製造方法について、図１、図６及び図７を参照して説明する。
【００３７】
電子部品パッケージ１００の製造方法は、第一の基板１１０に第一の基板１１０を貫通する複数の貫通電極１１１を形成する貫通電極形成工程と、貫通電極１１１と電気的に接続する接続電極１１２を形成する接続電極形成工程と、接続電極１１２上に電子部品１０を載置する電子部品載置工程と、第二の基板１２０と第一の基板１１０を接合して、第一の基板１１０と第二の基板１２０に格納部１１２を形成し、格納部１１２内に電子部品１０を封止する接合工程と、第一の基板１１０においてそれぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断する絶縁性の保護膜２００を少なくとも第一の基板１１０の格納部側の面と反対側の面に形成する保護膜形成工程と、を備える。
【００３８】
まず、貫通電極形成工程を行う。第一の基板１１０に、厚さ方向に貫通する複数の貫通電極１１１を形成する。ここで、貫通電極１１１は、サンドブラストやホットプレス加工、プラズマドライエッチング、ウェットエッチングなどの加工法によって第一の基板１１０に貫通孔を形成した後に、導電性材料を充填する方法や、加熱しながらピン状の導電性材料を差し込む方法によって作製できる。
【００３９】
次に、接続電極形成工程を行う。図６は、接続電極形成工程を示す図であり、図６（ａ）は第一の基板側からみた平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【００４０】
本実施形態においては、貫通電極１１１の上部に接続電極１１２を配設する。接続電極１１２は、バンプボンディングによって形成する。また、接続電極１１２は、ソルダーペースト印刷、スパッタ、蒸着などの薄膜作成法により、第一の基板１１０の接続電極を形成する面の全面に導電性膜を成膜した後、リフトオフ、フォトリソグラフィー、ウェットエッチング、ドライエッチングなどの工程を組み合わせることにより導電性膜をパターニングして配設することが出来る。また、導電性ペーストをパターニングして接続電極１１２を配設することができる。
【００４１】
次に、電子部品載置載置工程を行う。図７は、電子部品載置載置工程を示す図であり、図７（ａ）は第一の基板側からみた平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。
【００４２】
電子部品１０と接続電極１１２の平面位置を合わせて、電子部品１０を接続電極１１２に接合する。これにより、第一の基板１１０に電子部品１０を載置する。このときの接合方法としては、接続電極１１２に導電性ペーストを使用した場合、電子部品１０を接続電極１１２に載置した後にリフローを行う方法がある。また、フリップチップボンディング、熱圧着工程などにより電子部品１０を接続電極１１２と接合する方法がある。
【００４３】
次いで、接合工程を行う。まず、第二の基板に凹部を形成する。凹部はエッチングやサンドブラスト、ホットプレスなどの加工方法を用いて形成することが出来る。
【００４４】
次に、真空下、窒素雰囲気下又は大気下など周辺環境で、第一の基板１１０の電子部品１０が搭載された側の表面に、第二の基板１２０を図１に示したように重ね合わせて、密接させる。この状態で、第一の基板１１０と第二の基板１３０を接合する。このときの接合方法としては、陽極接合や直接接合や金属共晶接合、熱圧着接合などの方法を用いることができる。なお、電子部品の種類や第二の基板の材質により、周辺環境、接合方法を選択する。また、第一の基板と第二の基板とは、金属膜で形成される図示しない接合膜を介して接合してもよい。このとき、接合膜は、第一の基板及び第二の基板のそれぞれの接合面上に配置される。
【００４５】
なお、第二の基板１２０は、第一の基板１１０と同一のガラスを用いて陽極接合できる。第一の基板１１０と第二の基板１２０に同一の材料を用いた場合、材料の膨張係数を一致させることで耐熱性等を向上させることが出来る。
【００４６】
次に、保護膜形成工程を行う。図１に示すように、絶縁性の保護膜２００を第一の基板１１０の格納部側の面と反対側の面に形成する。このとき、保護膜２００は、第一の基板１１０においてそれぞれの貫通電極１１１の端面を含む領域を分断する。保護膜２００はＣＶＤやスパッタ法など薄膜成膜法で、第一の基板１１０の格納部側の面と反対側の面の全面に絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィーとエッチングを組み合わせてパターニングして形成する。また、貫通電極１１１の端面を含む保護膜２００を形成しない領域にフォトレジストを形成した後、上述の成膜方法で絶縁膜の成膜を行い、フォトレジスト及びフォトレジスト上の絶縁膜を脱離するリフトオフなどを利用して保護膜２００を形成することが出来る。
【００４７】
このようにして電子部品パッケージ１００を製造することが出来る。なお、保護膜形成工程後に、貫通電極１１１の第一の基板１１０の格納部側の面と反対側の面において露出している端面に電気的に接続する外部電極を形成してもよい。
【００４８】
（第２実施形態）
本発明にかかる第２実施形態の電子部品パッケージについて図４を用いて説明する。図４（ａ）は、第一の基板側からみた平面図、図４（ｂ）は図４（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。なお、第１実施形態に係る電子部品パッケージ１００と同様の構成は、説明を省略する。
【００４９】
本実施形態においては、第一の基板１１０と第二の基板１２０との間に金属膜で形成される図示しない接合膜が配置される。この接合膜を介して、第一の基板１１０と第二の基板１２０とが接合される。
接合膜は、アルミニウムの他にシリコン、クロム、その他の導電材料又はこれら材料のいずれかを含む複合物を使用することができる。
【００５０】
さらに、保護膜２００は、図４に示すように、図１の保護膜２００が形成された領域に加え、接合膜上に形成され、接合膜を覆っている。また、本実施形態においては、第一の基板１１０及び第二の基板１２０の側面全体を覆っている。この場合、側面において、保護膜２００のパターニングの必要がないため、保護膜２００を容易に形成できる。ただし、本実施形態に限られず、保護膜２００は、第１実施形態の形成領域に加え、接合膜を覆って形成されていればよい。例えば接合膜にアルミニウムを用いた場合、接合膜は外面に露出している部分から水分と反応し、腐食する。このとき、格納部１２１の気密性が悪くなる。本実施形態により、接合膜は、外面へ露出しないため、接合膜の腐食を防止することができる。
【００５１】
（第３実施形態）
本発明にかかる第３実施形態の電子部品パッケージについて図５を用いて説明する。図５（ａ）は第一の基板側からみた平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）に示すＡ―Ａ断面線に沿った縦断面図である。なお、第１実施形態に係る電子部品パッケージ１００と同様の構成は、説明を省略する。本実施形態において、保護膜２００は、図１と同様に、貫通電極１１１の端面の近傍に形成される。
【００５２】
また、導電性の電極膜１１３が、貫通電極１１１の端面から保護膜２００の貫通電極１１１の端面の近傍に形成された部分まで覆って形成されている。電極膜１１３の材料としては、接続膜１１２と同様の材料を用いることができる。
【００５３】
これにより、電極膜１１３が、貫通電極１１１の導通を確保するとともに、貫通電極１１１の端面の近傍に露出する第１の基板を覆う。そのため、第一の基板１１０の格納部側の面と反対側の面において、貫通電極１１１と第一の基板１１０の境界部分の劣化を防止し、耐久性を向上することが出来る。
【００５４】
ここで第３実施形態に係る電子部品パッケージ１００の製造方法を説明する。保護膜形成工程までは第１実施形態と同様である。
【００５５】
保護膜形成工程後、電極膜形成工程を行う。本実施形態においては、保護膜２００を形成した後、導電性の金属等からなる電極膜１１３を形成する。電極膜１１３は、バンプボンディングによって形成する。また、接続電極１１２は、ソルダーペースト印刷、スパッタ、蒸着などの薄膜作成法により、第一の基板１１０の保護膜２００を形成した面及び保護膜２００の全面に導電性膜を成膜した後、リフトオフ、フォトリソグラフィー、ウェットエッチング、ドライエッチングなどの工程を組み合わせることにより導電性膜をパターニングして配設することが出来る。また、導電性ペーストをパターニングして電極膜１１３を配設することができる。また、電極膜１１３は、無電解メッキ等の方法を用いて配設することが出来る。
なお、電子部品１００の製造方法は、各実施形態に限定されない。
【００５６】
例えば、貫通電極形成工程と接続電極形成工程を同一工程で行ってもよい。この場合、導電性材料を第一の基板の貫通孔に充填するとともに、その導電性材料で第一の基板の表面の貫通孔上からその周辺の接続電極を形成する部分までを覆うことができる。また、第一の基板の貫通孔の表面及び接続電極を形成する面に導電性膜を成膜し、その後、導電性膜上に電解メッキ、無電解メッキによってメッキ膜を形成してもよい。この際、メッキ膜は、貫通孔を埋め、貫通電極を形成するのと同時に接続電極を形成することが出来る。これにより、製造工程の簡略化ができる。なお、この場合、貫通電極と接続電極とは、同一の材料で形成される。
【符号の説明】
【００５７】
１０      電子部品
１００    電子部品パッケージ
１１０    第一の基板
１１１    貫通電極
１１２    接続電極
１１３    電極膜
１２０    第二の基板
１２１    格納部
２００    保護膜
【図１】
2014165192.tif 000003
【図２】
2014165192.tif 000004
【図３】
2014165192.tif 000005
【図４】
2014165192.tif 000006
【図５】
2014165192.tif 000007
【図６】
2014165192.tif 000008
【図７】
2014165192.tif 000009
【図８】
2014165192.tif 000010