(57)【要約】【課題】レーザ光の吸収効率を高めたレーザ溶接により得られ、端子の圧着部を肥大させずに電線導体を外界から遮断することが可能な、端子の製造方法、端子、電線の終端接続構造体の製造方法、および電線の終端接続構造体を提供する。【解決手段】電線と圧着接合する管状かしめ部３０を有する端子１の製造方法であって、銅または銅合金からなる板材に対し、少なくとも前記管状かしめ部を形成する部分上にニッケル−スズ合金層を形成し、前記ニッケル−スズ合金層が形成された前記板材を、前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、前記端子基材の前記管状かしめ部を形成する部分となる管展開部を曲げ加工し、前記管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合（５０）し、前記管状かしめ部３０を形成する、各工程をこの順に有する端子の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材に対し、少なくとも前記管状かしめ部を形成する部分上にニッケル−スズ合金層を形成し、
前記ニッケル−スズ合金層が形成された前記板材を、前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の前記管状かしめ部を形成する部分となる管展開部を曲げ加工し、前記管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
【請求項２】
電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材を前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の管状かしめ部を形成する部分となる管展開部上にニッケル−スズ合金層を形成し、
前記管展開部を曲げ加工し、管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部に形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
【請求項３】
さらに、前記管状かしめ部のトランジション部側の端部をレーザ溶接によって閉塞することで先端封止部を形成する工程を有する請求項１または２に記載の端子の製造方法。
【請求項４】
前記ニッケル−スズ合金層をめっき処理により形成する請求項１から３のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項５】
前記板材の表面にスズ層を形成した後、その上に前記ニッケル−スズ合金層を形成する請求項１から４のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項６】
前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記レーザ溶接される側の表面に形成する請求項１から５のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項７】
前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記レーザ溶接される領域に形成する請求項１から６のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項８】
前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記対向する端部に形成する、請求項１から７のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項９】
前記ニッケル−スズ合金層がスズを３７〜５３質量％含む請求項１から８のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザ溶接は、発振波長が近赤外線領域のレーザ光を用いる請求項１から９のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【請求項１１】
電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子であって、
前記端子を形成する端子基材が銅または銅合金からなり、
前記管状かしめ部が前記端子基材の管展開部を曲げ加工してその対向する端部を突き合わせた突き合わせ部が形成され、前記突き合わせ部がレーザ溶接で接合されていて、
前記レーザ溶接された端子基材にニッケル−スズ合金層が形成されている端子。
【請求項１２】
前記レーザ溶接前に前記端子基材の管展開部表面にスズ層が形成され、前記スズ層上にニッケル−スズ合金層が形成されている請求項１１に記載の端子。
【請求項１３】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の端子の製造方法で作製された端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続する電線の終端接続構造体の製造方法であって、
端部から芯線を露出させた被覆電線を前記管状かしめ部内に挿入し、
前記管状かしめ部をかしめて前記被覆電線を前記管状かしめ部内に圧着接続する、電線の終端接続構造体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１または１２に記載の端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続した電線の終端接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ溶接性に優れた端子の製造方法、端子、電線の終端接続構造体の製造方法、および電線の終端接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車の燃費向上のために各構成部品の軽量化が求められている。そのため、自動車内のワイヤーハーネスなどに使用される電線の芯線を、銅もしくは銅合金より軽量の、アルミニウムもしくはアルミニウム合金に置き換えることが進められている。このアルミニウム電線またはアルミニウム合金電線（以下、単に「アルミニウム電線」という）の先端に圧着接続される端子は、通常、金属材料が使用されるので、電線の終端接続部ではこれらの接続を適切に行うことが必要となる。
【０００３】
一般に、機械的強度やばね性などの観点から、端子は銅または銅合金製である。端子の圧着部では、電線導体のアルミニウムもしくはアルミニウム合金が露出しているため、アルミニウム電線と端子の接続部分に水分等が付着すると、アルミニウム電線のアルミニウムもしくはアルミニウム合金と端子の銅もしくは銅合金とは、異種金属で電位差が異なるため、腐食（電食）し、腐食が進行すると欠損を生じる恐れがあった。また、腐食の進行によって、電線及び端子の接続部に割れや接触不良が生じ、製品寿命が短くなっていた。
これらの問題を防止するためには、アルミニウムもしくはアルミニウム導体（以下、単に「アルミニウム導体」と言う）を外界から遮断することが望ましい。その例として、端子の圧着部全体を樹脂によりモールドする方式（例えば、特許文献１参照。）があり、腐食を確実に防止することができる。また、金属製キャップを電線導体に被せた後に圧着する手法により、アルミニウム導体を外界から遮断する技術（例えば、特許文献２参照。）が開示されている。
【０００４】
これに対して本願出願人は、銅合金板材から打ち抜き成形した端子基材の両端部をレーザ溶接によって突合せ溶接することにより端子の管状かしめ部を形成し、この管状かしめ部内にアルミニウム電線のアルミニウム導体を挿入した上でかしめることによって、前記導体を銅合金製端子内に収納して電気的導通を取るとともに、異種金属接合である導体と管状かしめ部の接続部分が外部の水分と接触しない構造とすることを提案している。
しかし、銅や銅合金をレーザ溶接しようとする場合、銅や銅合金は、溶接用レーザ光として広く用いられている近赤外レーザ光の反射率が９０％以上と高い（レーザ光の吸収性が低い）ためにレーザ溶接の効率が悪く、溶接速度を上げることができなかった（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２２２２４３号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７１７２号公報
【特許文献３】特開２０１１−１１７０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、モールド部が肥大するため、コネクタハウジングのサイズを大きくする必要が生じ、結果としてコネクタが肥大してしまう。そのため、このコネクタを用いた組み電線（例えば、自動車用ワイヤハーネスなど）全体を高密小型に成形することができなかった。また、モールド成形は圧着後に個々の圧着部に対して処理することが必要であり、組み電線製造の工程数が大きく増してしまい、かつ、個々の作業が煩雑であった。
また、特許文献２に記載された技術では、圧着前に個々の導体へ管体を装着する工程が煩雑である上に、また、圧着時に、ワイヤバレルにより管を破壊してしまい浸水経路が生じてしまう恐れがあった。
そこで、端子を形成する銅や銅合金の板材を突合せ溶接により管体に形成する場合、銅や銅合金の板材に対して、特にその管体形成部において、レーザ光の反射率を低くする（レーザ光の吸収性を良くする）処理を行うことで、簡便な溶接方法であるレーザ溶接によって端子の管体構造を効率よく形成する方法が求められていた。
【０００７】
本発明は、レーザ光の吸収効率を高めたレーザ溶接により得られ、圧着部を肥大させずに電線導体を外界から遮断することが可能な、端子の製造方法、端子、電線の終端接続構造体の製造方法、および電線の終端接続構造体を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、上記の課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、管体の端子に電線を挿入して圧着する構造を採用することで、圧着部を肥大させずに電線導体を外界から遮断するとともに、処理速度とコストの観点から銅合金をレーザ溶接し、銅合金の表面に所定の層を設けておくことでレーザ溶接性を改善したレーザ溶接方法を見出した。本発明はこれらの知見に基づきなされるに至ったものである。
【０００９】
すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。
（１）電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材に対し、少なくとも前記管状かしめ部を形成する部分上にニッケル−スズ合金層を形成し、
前記ニッケル−スズ合金層が形成された前記板材を、前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の前記管状かしめ部を形成する部分となる管展開部を曲げ加工し、前記管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部を形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
（２）電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子の製造方法であって、
銅または銅合金からなる板材を前記端子の展開図状に打ち抜くことで端子基材を形成し、
前記端子基材の管状かしめ部を形成する部分となる管展開部上にニッケル−スズ合金層を形成し、
前記管展開部を曲げ加工し、管展開部の対向する端部を互いに突き合わせて突き合わせ部を形成し、
前記突き合わせ部をレーザ溶接によって接合し、前記管状かしめ部に形成する
各工程をこの順に有する端子の製造方法。
（３）さらに、前記管状かしめ部のトランジション部側の端部をレーザ溶接によって閉塞することで先端封止部を形成する工程を有する（１）または（２）記載の端子の製造方法。
（４）前記ニッケル−スズ合金層をめっき処理により形成する（１）から（３）のいずれか１項記載の端子の製造方法。
（５）前記板材の表面にスズ層を形成した後、その上に前記ニッケル−スズ合金層を形成する（１）から（４）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
（６）前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記レーザ溶接される側の表面に形成する（１）から（５）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
（７）前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記レーザ溶接される領域に形成する（１）から（６）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
（８）前記ニッケル−スズ合金層を前記管展開部の前記対向する端部に形成する（１）から（７）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
（９）前記ニッケル−スズ合金層がスズを３７〜５３質量％含む（１）から（８）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
（１０）前記レーザ溶接は、発振波長が近赤外線領域のレーザ光を用いる（１）から（９）のいずれか１項に記載の端子の製造方法。
【００１０】
（１１）電線と圧着接合する管状かしめ部を有する端子であって、
前記端子を形成する端子基材が銅または銅合金からなり、
前記管状かしめ部が前記端子基材の管展開部を曲げ加工してその対向する端部を突き合わせた突き合わせ部が形成され、前記突き合わせ部がレーザ溶接で接合されていて、
前記レーザ溶接された端子基材にニッケル−スズ合金層が形成されている端子。
（１２）前記レーザ溶接前に前記端子基材の管展開部表面にスズ層が形成され、前記スズ層上にニッケル−スズ合金層が形成されている（１１）に記載の端子。
【００１１】
（１３）（１）から（１０）のいずれか１項に記載の端子の製造方法で作製された端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続する電線の終端接続構造体の製造方法であって、
端部から芯線を露出させた被覆電線を前記管状かしめ部内に挿入し、
前記管状かしめ部をかしめて前記被覆電線を前記管状かしめ部内に圧着接続する、電線の終端接続構造体の製造方法。
（１４）（１１）または（１２）に記載の端子と、被覆電線とを、前記端子の管状かしめ部において圧着接続した電線の終端接続構造体。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の端子の製造方法によれば、
（１）銅合金同士の突き合わせ溶接による接合を高速溶接で行うことを可能にして、かしめ部を管状に形成することが安価に高速にでき、
（２）アルミニウム電線等の圧着接続において、端子の基材と電線の金属材との異種金属間腐食の防止に寄与する端子を、圧着部を肥大させずに提供することができ、
（３）銅合金表面にニッケル−スズ合金層を形成したことで、近赤外線のレーザ光の吸収を高めることができ、加工時の溶接割れを防ぐことができ、ブローホールを発生しにくくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の端子の好ましい一実施形態を示した斜視図である。
【図２】本発明に係る端子の管状かしめ部の長手方向断面を示した断面図である。
【図３】本発明の端子の好ましい別の態様を示した斜視図である。
【図４】本発明の端子の好ましいさらに別の態様を示した斜視図である。
【図５】本発明の端子を用いて形成される電線の終端接続構造を示した斜視図である。
【図６】本発明の端子の製造中の一状態を模式的に示した斜視図である。
【図７】板材を打抜きプレスして作製したメス端子の成形前の端子基材の展開した状態を示した平面図である。
【図８】端子基材を加工して管状かしめ部を形成した状態を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
この発明の好ましい一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す実施形態は一例であり、本発明の範囲において、種々の実施形態をとり得る。
【００１５】
図１は本発明の製造方法で製造される端子の好ましい一実施形態である端子１を示している。この端子１は、雌型端子のボックス部２０と、被覆電線（例えばアルミニウム電線）が挿入された後、圧着によって電線と端子１の基材（以下、端子基材ともいう。）とを接続する管状かしめ部３０を有し、これらのボックス部２０と管状かしめ部３０とを連結するトランジション部４０を有する。さらに、端子１は管状かしめ部３０にレーザ溶接部５０（第１レーザ溶接部）を有し、管状かしめ部３０のトランジション部４０側にレーザ溶接により閉塞された先端封止部５２（第２レーザ溶接部）を有する。端子１は、導電性と強度を確保するために基本的に金属材料（銅合金等）の端子基材で作製されている。また、レーザ溶接部５０の形状は特に制限はない。レーザ溶接部５０のように管状かしめ部３０の長手方向に帯形状に形成するのが好ましい。さらに、先端封止部５２の溶接形状は特に制限はない。
【００１６】
端子１を構成する端子基材は、好ましくは銅合金で形成されている。端子基材の厚さは０．０８〜０．６４ｍｍが好ましい。自動車用端子において電線径が小さい場合、０．２５ｍｍの厚さがよく使用される。また、端子基材の材料として、銅合金の代わりに銅（タフピッチ銅や無酸素銅など）を用いることもできる。端子基材に用いられる銅合金としては、例えば、黄銅（例えば、ＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）のＣ２６００、Ｃ２６８０）、りん青銅（例えば、ＣＤＡのＣ５２１０）、コルソン系銅合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−（Ｓｎ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｒ）系銅合金）等が挙げられ、この内、コルソン系銅合金が好ましい。
【００１７】
コルソン系銅合金の例としては、これらに限定されるものではないが、古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−６８０、ＦＡＳ−８２０（いずれも商品名）、三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ−３７５、ＭＡＸ２５１（いずれも商品名）などを用いることができる。また、ＣＤＡのＣ７０２５などを用いることもできる。
前記ＦＡＳ−６８０の合金組成の一例は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．５５質量％、およびマグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。
また、前記ＦＡＳ−８２０の合金組成の一例は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．６５質量％、マグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％、およびクロム（Ｃｒ）を０．１５質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。
【００１８】
また、他の銅合金組成の例としては、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｒ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｃｒ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ−Ｎｉ系銅合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｚｎ−Ｐ系銅合金などを挙げることができる。
ここで、以上に記載した必須元素以外に不可避不純物を含んでいても良いことは当然である。
【００１９】
端子基材上には、端子１の最表層としてニッケル−スズ合金層（以下、Ｎｉ−Ｓｎ合金層とも記す。）が形成されている。Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、層中にスズ（以下、Ｓｎとも記す。）を好ましくは３７〜５３質量％含み、より好ましくは４０〜５０質量％含み、さらに好ましくは４３〜４７質量％含み、残部がＮｉと不可避不純物からなる。その色は黒色もしくは黒色に近い灰色（鈍色）からなり、若干の青色、赤色、銀色、またはその他の色等の色味を有していてもよい。Ｎｉ−Ｓｎ合金層の厚さは、好ましくは０．１〜１．０μｍであり、０．２〜０．８μｍがより好ましく、０．２〜０．４μｍがさらに好ましい。Ｎｉ−Ｓｎ合金層が厚すぎると、Ｎｉ−Ｓｎ合金層がわれやすくなり、薄すぎるとレーザ光を吸収して熱に変換する量が少なくなり、溶接速度が低下する。Ｓｎの含有量はＸ線などによる定量分析によって測定が可能である。
【００２０】
その作用としては、次のように考えられる。まずＮｉ−Ｓｎ合金層がレーザ光のエネルギーによって溶融する。ついで、溶融したＮｉ−Ｓｎから熱エネルギーが伝播してその直下の端子基材の銅（Ｃｕ）が溶融する。レーザ光照射後には前記溶融したニッケル、スズおよび金属銅が凝固し、接合が完了する。この際、Ｎｉ−Ｓｎ合金層のニッケルとスズは、レーザ光照射によって溶融し、端子基材の銅または銅合金の銅（Ｃｕ）成分と合金や化合物を形成するなどによって、端子基材中に取り込まれるが、一部は表面に残存している場合もある。なお、溶融部の外側の熱影響部（Ｈｅａｔ  Ａｆｆｅｃｔｅｄ  Ｚｏｎｅ、ＨＡＺ）の表面にはＮｉ−Ｓｎ合金層が残存している。
【００２１】
Ｎｉ−Ｓｎ合金層の製造方法は、めっき処理によることが、コストの面で好ましい。めっき法としては、電気めっき、無電解めっきなどが可能である。また可能であれば、例えば、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学的気相成長法、等の種々の皮膜形成技術を採用することもできる。めっき処理で形成する場合、黒色めっき処理によりＮｉ−Ｓｎの黒色めっき皮膜を形成することが好ましい。
本明細書でいう「黒色」とは、上述したように、完全な黒だけではなく、黒に近い灰色も含み、さらに若干の色味も含む場合も黒色という。
なお、Ｎｉ−Ｓｎ合金層をめっき法で形成する際は、常法の前処理手段、例えば水酸化ナトリウムの水溶液におけるカソード電解脱脂、希硫酸浸漬による酸洗処理、活性化処理等を実施することで、密着性に優れためっき皮膜を形成することができる。
【００２２】
雌型端子のボックス部２０は、例えば雄型端子等の挿入タブの挿入を許容するボックス部である。本発明において、このボックス部の細部の形状は特に限定されない。すなわち、本発明の端子の他の実施形態ではボックス部を有さなくてもよく、例えば、前記ボックス部に替えて雄型端子の挿入タブであっても良い。また他の形態に係る端子の端部であっても良い。ここでは、本発明の端子を説明するために便宜的に雌型端子の例を示している。どのような接続端部を有する端子であっても、トランジション部４０を介し管状かしめ部３０を有していれば良い。また、その管状かしめ部３０に形成されたレーザ溶接部５０が、管状かしめ部を構成する端子基材よりも軟らかいことが好ましい。
【００２３】
管状かしめ部３０は、端子１と電線（図示せず）とを圧着接合する部位である。その一端はアルミニウム電線等の電線もしくはその導体を挿入することができる挿入口３１を有し、他端はトランジション部４０に接続されている。管状かしめ部３０は、そのトランジション部４０側で、例えばプレス加工等の潰し加工によって管状かしめ部３０の対向する２つの管壁（通常は上下の管壁）を潰した上で、例えばレーザ溶接などの溶接加工によって閉口されて、この閉口部を底部とし前記電線もしくは導体の挿入口３１で開口する「缶体」の構造を有している。管状かしめ部３０のトランジション部４０側は、閉口している。端子１の端子基材（銅合金など）とアルミニウム電線との接点に水分が付着すると、両金属の起電力の差からいずれかの金属（合金）が腐食してしまうので、管状かしめ部３０は外部より水分等が侵入しないように一端が閉じられた管体となっている。本発明の端子のかしめ部は、管体であれば腐食に対して一定の効果が得られる為、必ずしも長手方向に対して円筒である必要はなく、場合によっては楕円筒や矩形筒の管体であっても良い。また、径が一定である必要はなく、長手方向で半径が変化していても良い。
この端子１を用いれば、管状かしめ部３０が一端が閉じられた管体であることにより、アルミニウム電線と端子１の端子基材の接点に外部からの水分の付着がなされにくくなっている。
【００２４】
管状かしめ部３０では、管状かしめ部を構成する端子基材とアルミニウム（アルミニウム合金）電線とが機械的に圧着接合されることにより、同時に電気的な接合を確保する。かしめ接合は、端子基材や電線（芯線）の塑性変形によって接合が行われる。したがって、管状かしめ部３０は、かしめ接合をすることができるように肉厚を設計される必要があるが、人力加工や機械加工等で接合を自由に行うことができるので、特に限定されるものではない。
【００２５】
本発明の管状かしめ部３０は、板体の端子基材が突き合わされて構成されており、その突き合わせ部分を接合するレーザ溶接部５０を有する。すなわち、レーザ溶接部５０は、管状かしめ部３０の突き合わせ部分に沿って長手方向に連続的に設けられている。そして、トランジション部４０から挿入口３１にかけて直線状領域として設けられている。
またレーザ溶接部５０は、レーザ溶接前に、端子基材表面に黒色のＮｉ−Ｓｎ合金層が形成されたものであり、このＮｉ−Ｓｎ合金層によってレーザ溶接の際のレーザ光の吸収を高めることができる。
【００２６】
管状かしめ部３０の長手方向の断面図の一部を図２に示す。この図ではレーザ溶接部（つまり焼きなまし部）５０の表記を省略した。管状かしめ部３０は、先述したとおり、銅合金からなる端子基材３２により構成されている。また、管状かしめ部の内壁面３３には、電線との接触圧を保つための、電線係止溝３４ａもしくは３４ｂを有していても良い。電線の芯線であるアルミニウム及びアルミニウム合金は、銅合金と比較すると、銅の酸化膜より高い絶縁性を持つ酸化膜を表面に持つため、接続に不安がある。そこで、このような溝を設けることで、溝の山によって接圧を大きくすることが行われる。図２において、電線係止溝３４ａは矩形断面の溝であり、電線係止溝３４ｂは半円形断面の溝である。このような電線係止溝は、管状かしめ部３０を形成する前に、端子基材そのものに加工を施しておくと設けやすい。後述するファイバレーザ加工や機械による切削加工等で設けることができる。なお、管状かしめ部３０を形成する前に予めこのような電線係止溝を設けておくと、効率よく生産することができる。
【００２７】
なお、管状かしめ部には挿入口３１からアルミニウム電線もしくはその導体が挿入されるので、電線係止溝３４ａや３４ｂはアルミニウム芯線と接触する位置に設けられることが好ましい。アルミニウム電線は、通常アルミニウム芯線（導体）とこれを覆う絶縁被覆とからなっている。そして、電線と端子の電気的接合は、先端の絶縁被覆部を除去（皮むき）したアルミニウム芯線が端子の管状かしめ部と圧着接合されることで行われる。したがって接圧を十分に確保することが、電気的性能の維持につながるので、電線係止溝のような溝が必要となる。このような溝はセレーションとも呼ばれる。
そして、少なくとも一本以上の電線係止溝を管状かしめ部３０の内面に設けることによって、端子と電線とが確実に圧着されるので、長期信頼性により優れるものとすることができる。
【００２８】
以上、図１に示した態様を基に本発明の端子を説明してきたが、本発明の端子の態様は、これに限定されるものではない。
【００２９】
例えば、図３に示すように、電線と圧着される前の状態で、端子１００の管状かしめ部が内径の異なった複数の管体から構成される、段差状の管体であってもよい。具体的には、段差管状かしめ部８０は、前述の管状かしめ部３０（前記図１参照）と同様にレーザ溶接部５００を有し、トランジション部４０側が溶接による先端封止部５０２で閉塞された部材であって、不図示の電線の絶縁被覆と圧着される被覆圧着部８２と、挿入口８１側からトランジション部４０側に向かって縮径する縮径部８３と、電線の導体と圧着される導体圧着部８４と、挿入口８１側からトランジション部４０側に向かって更に縮径し、その端部が溶接により閉塞される縮径部８５とを有していてもよい。なお、図３では、管状部分が２種類（被覆圧着部８２、導体圧着部８４）であるが、用途や設計にあわせて３種類以上としても良い。
【００３０】
このように管状かしめ部８０が段差形状を有することで、電線端部の被覆を除去して当該端部をこの段差形状の管状かしめ部８０に挿入したとき、電線の絶縁被覆が縮径部８３で係止され、これにより被覆圧着部８２の直下に絶縁被覆が位置し、導体圧着部８４の直下に電線導体が位置する。したがって、電線端部の位置決めを容易に行うことができ、被覆圧着部８２と絶縁被覆との圧着、および導体圧着部８４と導体の圧着を確実に行うことが可能となり、良好な止水性および電気的接続を両立して、優れた密着性を実現することができる。
【００３１】
また、図１の端子では、ボックス部２０を有する雌型端子の実施例を示しているが、これに限らず、他の端子との接続部が雄型の端子１０１であってもよい。具体的には、図４に示すように、不図示の電線を挿入する挿入口９１と、該電線と圧着される管状かしめ部９０と、管状かしめ部９０とトランジション部４０を介して一体的に設けられ、不図示の外部端子と電気的に接続される雄型接続部２１とを備えた端子であってもよい。管状かしめ部９０は、前述の管状かしめ部３０と同様にレーザ溶接部５０１と先端封止部５０３を有する。雄型接続部２１は、長尺状の挿入タブ２１ａを有しており、挿入タブ２１ａが外部端子である不図示の雌型端子（例えば、図１に示したようなボックス部２０を有する端子）に長手方向に沿って挿入されることで、電気的に接続される。また、雄型接続部２１を先端に有し、図３で示したような段差管状かしめ部を後端に有する端子も許容される。
【００３２】
図５に本発明の電線の終端接続構造１０の一例を示す。この例の終端接続構造１０は、図３に示した本発明の前記段差状の端子１００と、アルミニウム電線（６０）とが接続された構造を有している。終端接続構造１０は、端子１００と電線６０が管状かしめ部８０によって圧着接合されている。圧着の様態は特に限定されないが、図５では、被覆圧着部８２および導体圧着部８４からなっている。通常、圧着接合すると、管状かしめ部８０は塑性変形を起こして、元の径よりも縮径されることで、電線６０との圧着接合をなす。圧着接合の際、導体圧着部８４は、管状かしめ部８０の内側に凹むように強く圧着して、強圧着の圧着部とすることが好ましい。この場合、導体圧着部８４には凹部（不図示）が形成されてもよい。圧着接合は、２段階または３段階以上の縮径で行ってもよい。
なお、本発明の電線の終端接続構造（１０）は、本発明の端子として、図５に示した段差状の端子（１００）を用いて構成する以外に、図１に示した端子（１）や図４に示した端子（１０１）を用いて構成してもよい。
【００３３】
なお、電線６０は、絶縁被覆６１と図示しない電線の芯線とからなっている。電線６０は裸線であっても良いが、防食の観点から通常は絶縁被覆された電線を用いる。電線の芯線は、任意の金属材料を用いることができ、例えば、銅または銅合金や、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。本書の前記背景技術の項で説明したとおり、近年では軽量化のためにアルミニウムまたアルミニウム合金の芯線が用いられるようになってきている。ただし、本発明で用いられる電線６０の芯線（導体）はアルミニウムまたはアルミニウム合金に限られるものではない。どのような金属または合金種の組み合わせであっても、電線の芯線と端子との接続部の防水性は本発明の解決課題として挙げられるためである。
【００３４】
本発明の電線の終端接続構造は、特にアルミニウム系材料からなる電線と銅系材料からなる端子基材との異種金属間腐食の防止に寄与する。また、レーザ溶接部５０及びその周囲の熱影響部は、端子基材３２よりも柔らかい焼きなまし部ともすることができるため、電線と端子の圧着箇所のスプリングバックを防ぐことができ、この点からも長期信頼性に優れる。
上記スプリングバックとは、加工部分が元の形状に戻ろうとする現象である。すなわち、電線（図示せず）と圧着接合させた管状かしめ部の変形部分が弾性力等で元の形状に戻ろうとするため、管状かしめ部３０の内面と電線との間に隙間ができてしまう。このようなスプリングバックが端子の圧着部で起こると、電線６０と端子１との接点不良を招くことは勿論、間隙に水分の侵入を許しやすくなり腐食の原因となる恐れがある。
【００３５】
本発明の電線の終端接続構造１０を製造する場合、管状かしめ部３０のレーザ溶接部５０を積極的に塑性変形させる圧着接合が好ましい。端子１の管状かしめ部３０と電線６０とを圧着する場合は、専用の治具やプレス加工機等で行う。このとき、管状かしめ部３０の全体を縮径させても良いが、管状かしめ部を凹型のように部分的に強加工して圧着する場合もある。このときは、レーザ溶接部５０の塑性変形量が大きくなるように位置を調整すると良い。すなわち、レーザ溶接部５０の直上（外側）にプレス加工時の凸部先端があたるように調整すると、レーザ溶接部５０の変形量が大きくなる。このようにすると、比較的軟らかいレーザ溶接部５０が塑性変形の多くを担うことができるために、スプリングバックの低減に寄与することができる。
【００３６】
次に、端子１の製造方法について説明する。本発明の端子１は管状かしめ部３０を有し、この管状かしめ部３０にレーザ溶接部（前記図１参照。第１レーザ溶接部と第２レーザ溶接部）を有する端子であるので、この構成を達成し得るならば製造方法は限定されるものではない。
【００３７】
端子１は端子基材（銅合金など）からなる板材の管状かしめ部となる領域にＮｉ−Ｓｎめっき処理を施し、めっき処理を施した板材を平面展開した端子形状に打ち抜いた後に、曲げ加工によってボックス部２０や管状かしめ部３０を設ける。この時、管状かしめ部３０は平面からの曲げ加工ではＣ字型断面となっているので、この開放部分の端面を突き合わせて溶接することによって接合し、管状かしめ部３０とする。管状かしめ部３０の好ましい製造方法としては、近赤外線レーザ光を発振するファイバレーザ加工機を用いたレーザ溶接にて行う。
なお、板材からの打ち抜き加工により端子が長手方向に連なるよう（連鎖型）に端子を展開した形状にしてもよく、または板材から端子を個々に展開した形状に打ち抜いて（枚葉型）もよい。まためっき処理工程よりも先に打ち抜き工程を行ってもよく、めっき処理工程と打ち抜き工程の工程順は、適宜選択される。また、めっき処理は、板材の全面（表面および裏面）に形成しても、板材のレーザ光照射側の表面全面に形成しても、管状かしめ部とする部分のみあるいはその領域を含むようにストライプ状に形成しても、レーザ溶接部となる領域面にのみ形成してもよい。板材の全面にめっき処理する場合以外は、例えば、めっき処理を施さない面にマスクを形成して、めっき浴に浸漬してめっき処理すればよい。
【００３８】
通常、銅合金は発振波長が近赤外線領域のレーザ光の吸収効率が悪いため、溶接幅を細くできなかったり、熱影響部（ＨＡＺ）の幅を狭くできなかったりする場合がある。そこで、レーザ溶接部５０となる端子基材表面に近赤外レーザ光の吸収が銅合金よりもよいＮｉ−Ｓｎ合金層を形成すること、およびファイバレーザ光のようなエネルギー密度が高いレーザ光を用いることで、上記課題は克服される。また、ファイバレーザ光による溶接によって、管状かしめ部３０の突き合わせ部を溶接しながら、レーザ溶接部５０を焼きなまし部とすることもできる。このように、一工程で管状かしめ部３０の溶接加工と焼きなまし加工を行うことができるので、効率よく端子１を製造することができる。
【００３９】
上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、近赤外線レーザ光の反射が銅合金表面よりも少ないため、近赤外線レーザ光の吸収性が良い。分光光度計を用いた近赤外光の反射率測定では、本発明に用いるＮｉ−Ｓｎ合金層は、２０〜４０％程度の反射率であり、９０％以上の反射率がある銅合金よりも低くなっている。このように近赤外レーザ光の吸収性が高いＮｉ−Ｓｎ合金層を形成した領域に近赤外レーザ光が照射されると、Ｎｉ−Ｓｎ合金層が溶融して溶融池を形成し、これによりレーザ光の吸収が高まり、その下地の端子基材表面が溶融し、さらにその溶融領域がレーザ光を吸収して端子基材の突き合わせ部分を溶融していくことで溶接が進行している。
【００４０】
また、端子基材とＮｉ−Ｓｎ合金層の間にＳｎ層を下地層として形成したものであってもよい。Ｓｎ層の厚さは、０．３〜１０μｍ、好ましくは０．４〜５μｍ、より好ましくは０．５〜３μｍである。Ｓｎ層が厚すぎると、生産性が悪くなり、薄すぎると溶接性を向上させる効果が低下する。
Ｓｎ層を形成することで、レーザ光がＮｉ−Ｓｎ合金層で吸収されて熱に変換され、その熱によってＮｉ−Ｓｎ合金層よりも融点が低いＳｎ層が溶融し、その溶融したＳｎが溶接に寄与するため、さらに溶接性が向上する。
なお、必要に応じて、端子基材とＳｎ層の間に金属層を設けても良い。この金属層は端子基材とＳｎ層の密着性を向上させるためや、互いの成分の拡散を防ぐために設けられる。この金属層は銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）またはこれらの合金からなるのが好ましい。金属層は複数の層で構成されても良い。
【００４１】
また、上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層は端子基材のレーザ光照射が行われる側の面のみ形成してもよい。同様にＳｎ層も端子基材のレーザ光照射が行われる側の面のみ形成してもよい。
また、上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層は、端子基材のレーザ光照射が行われる管状かしめ部３０を形成する領域のみに形成してもよい。同様にＳｎ層も端子基材のレーザ光照射が行われる管状かしめ部３０を形成する領域のみに形成してもよい。
この場合、銅合金からなる板材を打ち抜いて端子を展開した形状の端子基材を形成する際に、打ち抜き加工前に、レーザ光照射が行われる部分を含むように、すなわち、管状かしめ部３０となる部分を含むように、板材に上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層をストライプ状に形成する。通常、打ち抜き加工により１枚の板材を打ち抜いて複数の端子基材を作製するため、個々の端子基材ごとにＮｉ−Ｓｎ合金層の形成を行うことなく、複数の端子基材に対してまとめてＮｉ−Ｓｎ合金層の形成を行うことができるので、工程数の削減になる。
【００４２】
さらには、上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層は端子基材のレーザ光照射が行われる領域のみに形成してもよい。同様にＳｎ層も端子基材のレーザ光照射が行われる領域のみに形成してもよい。この場合、Ｎｉ−Ｓｎ合金層やＳｎ層を節約することができる。
上記Ｎｉ−Ｓｎ合金層の下層にＳｎ層を形成した場合も、Ｎｉ−Ｓｎ合金層やＳｎ層はレーザ溶接部５０において端子基材の銅合金の表層に溶け込んでいる。
【００４３】
端子１を構成する端子基材３２の材料によって変化するため一概に言うことはできないが、最表面にＮｉ−Ｓｎ合金層が形成された銅合金の端子基材３２ならば、近赤外線レーザ光照射によって、表面のＮｉ−Ｓｎ合金層がレーザ光を吸収し溶融して溶融池を形成する。さらに、その熱およびレーザ光照射によって光エネルギーが変換された熱エネルギーが伝播して、端子基材３２のＮｉ−Ｓｎ合金層と銅合金が溶融する。レーザ光照射後に溶融した金属ニッケル、金属スズおよび金属銅が凝固して、突き合わされた部分が接合されて、レーザ溶接部５０が形成される。したがって、端子基材３２が融点以上に昇温されることでレーザ溶接部５０が設けられる。具体的には管状かしめ部３０の突き合わせ部をＮｉ−Ｓｎ合金層を含めて端子基材３２を融点以上沸点以下の温度に上昇させ、必要により所定時間保持してレーザ溶接を施すことで、レーザ溶接部５０が形成される。通常、レーザ光は掃引されているので、掃引速度を適宜決定することで、レーザ光照射領域の温度がＮｉ−Ｓｎ合金層を形成した端子基材３２の融点以上になるようにすればよい。好ましくは、レーザ光照射によって端子基材３２が貫通溶融するように、レーザ光照射条件を調整する。
【００４４】
上記レーザ溶接では近赤外線レーザ光を用いている。近赤外線レーザ光は、発振波長が７００ｎｍ〜２．５μｍであり、好ましくは１０００ｎｍ〜２０００ｎｍの発振波長のレーザ光を用いる。このようなレーザ光としては、イットリビウム（Ｙｂ）ドープガラスファイバレーザ光（発振波長１０８４ｎｍ）、エルビウム（Ｅｒ）ドープガラスファイバレーザ光（発振波長１５５０ｎｍ）等がある。波長が１０００ｎｍ程度の小さい領域のほうが、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の反射率が低いことから、イットリビウムドープガラスファイバレーザ光がより好ましい。
【００４５】
上記溶接には、近赤外レーザ光を連続発振するファイバレーザ装置を用いるが、これとは異なるレーザ装置を用いた溶接により管状かしめ部３０を形成しても良い。例えば、連続発振するＹＡＧレーザ光発振装置、ガラスレーザ光発振装置等やパルス発振（好ましくは高速パルス発振）するレーザ光発振装置等が挙げられるが、拡がり角の狭さ、レーザ光のビーム径の細さ、レーザ連続発振の安定性等からファイバレーザ発振器を用いることが好ましい。
【００４６】
図６は、本発明の端子１の製造中の一状態を模式的に表した図である。
図６に示すように、近赤外線の波長１０８４ｎｍ±５ｎｍのレーザ光を発振するファイバレーザ溶接装置ＦＬから発せられたレーザ光Ｌが管状かしめ部３０の突き合わせ部３７を覆うように照射され、レーザ光のエネルギーが熱に変換されることによって、まず突き合わせ部３７が上のＮｉ−Ｓｎ合金層が溶融し、次いで、その溶融熱エネルギーも伝播して、突合せ部３７の端子基材（Ｃｕ）自体が溶融し、その後レーザ光照射が終了すると冷却してレーザ溶接部５０が形成される。レーザ溶接部５０は被溶接材料の融点以上のレーザ加熱処理によって設けることができる。ただし、ファイバレーザ光Ｌのエネルギーがあまりに高いと、またはエネルギー密度が低すぎる場合にレーザ光照射時間を長くすると、熱影響部が必要以上に広範囲で形成されてしまい、極端な場合には管状かしめ部３０全体が軟化してしまう。したがって、ファイバレーザ光Ｌは１００〜４００Ｗの出力で溶接するのが好ましい。また、掃引速度を調整することによって、レーザ溶接部５０を適切な範囲に設ける。
【００４７】
前記端子基材の幅は、例えばプレス加工に打ち抜くことができる幅であれば特に制限はない。例えば、１０〜６０ｍｍ、好ましくは１５〜４０ｍｍとする。
【実施例】
【００４８】
以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
図７に示すように、銅合金板材５に、表１に記載の通りＮｉ−Ｓｎ合金層（図示せず）を、管状かしめ部とする領域を含むようにストライプ状に形成した後、その板材５を打ち抜いて、その長手方向に連なるよう（連鎖型）に端子を展開した形状に加工し、複数の端子基材３２を作製した。さらに管状かしめ部展開部３０ａの突き合わせ部となる端面３０Ｓ同士を突き合わせ、管状かしめ部形成部３０ｂを作製した（図８参照。）。このとき端面３０Ｓ同士が付き合わされて突き合わせ部３７となる。そして、前記図６を参照して説明したように、その突き合わせ部分にそってその両側に近赤外線レーザ光を照射するレーザ溶接で１０ｍｍの長さを貫通溶接することで接合し、管状かしめ部を有する端子サンプルを作製した。なお、ここで言う端子サンプルとは、先端封止をまだしておらず、レーザ溶接部（第１レーザ溶接部）５０のみを備えた管状かしめ部を有する端子のことを指す。なお、この溶接により、管状かしめ部に焼きなまし部も得た。また、各種条件を変化させることで、溶接性として、ブローホール数を評価した。
【００５０】
本実施例では割愛したが、上記の端子サンプルに対して、さらに次の工程を行うことで端子を得る。まず、管状かしめ部のトランジション部側の端部を閉塞させるために管状体の端部の基材同士を重ね合わせ、その重ね合わせ部分を溶接（重ね合わせ溶接）し、先端封止部（第２レーザ溶接部）５２を設ける。さらに、端子をキャリア３８から切り離すことで独立した端子となる。
【００５１】
（実施例１〜５）
端子基材として、古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−６８０（商品名、厚さ０．２５ｍｍ、Ｈ材）を用いた。
ＦＡＳ−６８０の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．５５質量％、およびマグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＦＡＳ−６８０の融点は１０７８℃（液相）、比熱は３７７Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．７×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４０％ＩＡＣＳである。また、引張強さは６００〜７００Ｎ／ｍｍ２、伸び（引張破断伸び、以下同様。）は１５％以上、０．２％耐力は５００〜６００Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは１６０〜２２０Ｈｖである。
【００５２】
電解脱脂、活性化処理を行った後、Ｎｉ−Ｓｎ黒色めっき処理によって、端子基材表面にＮｉ−Ｓｎ合金層を層中のＳｎの含有量を変えて形成した。
【００５３】
実験条件は下記の通りである。
＜めっき前処理（電解脱脂処理、酸浸漬処理）＞
電解脱脂槽、水洗槽、酸洗槽、水洗槽に順次通してめっき前処理を行った。
（電解脱脂処理）
処理液：  １０％水酸化ナトリウム水溶液
処理温度：  ６０℃
陰極電流密度：  ３．５Ａ／ｄｍ２
処理時間：  ３０秒
（酸浸漬処理）
処理液：  １０％硫酸水溶液
処理温度：  ２５℃
浸漬処理時間：  ３０秒
【００５４】
＜Ｎｉ−Ｓｎめっき処理＞
処理液：ノーブロイＳＮＣ（株式会社シミズ製）
処理温度：４０℃
電流密度：０．２〜５Ａ／ｄｍ２
めっき処理時間を調整し、めっき厚が０．３μｍ±０．１μｍのＮｉ−Ｓｎめっき層を形成した。
【００５５】
なお、Ｎｉ−Ｓｎめっき処理において、Ｎｉ−Ｓｎ合金層中のＳｎ濃度の調整は、めっき処理中の電流密度の調整によって行うことができる。すなわち、電流密度を変化させることで、めっき皮膜中のＳｎの共析率を変化させることができる。これは単体として考えた場合、Ｎｉに比べＳｎが貴なためである。電流密度以外にも共析率を変化させる術はあるが、実験の手段においては電流密度を振り、条件を変化させることが良い。また、共析率を細かく変化させる必要があるため、電流密度、めっき時間以外の要素は変更しないことが望ましい。それぞれの電流密度において望みのめっき厚になるように処理時間を変更した。狙いのめっき厚±０．１μｍ以内になっているサンプルを採用した。なお、電流密度を上げるとＳｎの方がつき易く（濃度が高く）なる。
【００５６】
（実施例６〜８、１０、１１）
端子サンプルとして、実施例１〜５において、めっき処理によってＮｉ−Ｓｎ合金層を形成する前に、めっき処理によって下地層としてＳｎ層を形成したものであり、これ以外は実施例１〜５と同様に作製した。
【００５７】
＜Ｓｎめっき処理＞
処理液：硫酸スズ  ８０ｇ／リットル、硫酸  ５０ミリリットル／リットル
処理温度：２５℃
電流密度：３Ａ／ｄｍ２
めっき時間を調整し、めっき厚が０．６μｍ±０．１μｍの下地Ｓｎめっき層を形成した。
【００５８】
（実施例１２）
端子基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−８２０（商品名）を用いた以外は実施例３と同様に端子サンプルを作製した。
ＦＡＳ−８２０の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．６５質量％、マグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％、およびクロム（Ｃｒ）を０．１５質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＦＡＳ−８２０の融点は１０７８℃（液相）、比熱は３７７Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１５７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．５×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率３８％ＩＡＣＳである。また、引張強さは７３０〜８３０Ｎ／ｍｍ２、伸びは７％以上、０．２％耐力は６７５〜７７５Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは２２０〜２６０Ｈｖである。
【００５９】
（実施例１３）
端子サンプルとして、実施例１２において、めっき処理によってＮｉ−Ｓｎ合金層を形成する前に、めっき処理によって下地層としてＳｎ層を形成したものであり、これ以外は実施例１２と同様に作製した。Ｓｎめっきは、実施例６と同様の条件で行った。
【００６０】
（実施例１４）
端子基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ２５１（商品名）を用いた以外は実施例３と同様に端子サンプルを作製した。
ＭＡＸ２５１の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を１質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２質量％、およびシリコン（Ｓｉ）を０．５質量％含有し、かつ銅（Ｃｕ）を９５質量％以上含有し、および残部が不可避不純物である。ＭＡＸ２５１の融点は１０８５℃（液相）、比熱は３８２Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１９４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．１×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４８％ＩＡＣＳである。また、引張強さは５００〜６００Ｎ／ｍｍ２、伸びは６％以上、０．２％耐力は４４０〜５８０Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは１４０〜２００Ｈｖである。
【００６１】
（実施例１５）
端子サンプルとして、実施例１４において、めっき処理によってＮｉ−Ｓｎ合金層を形成する前に、めっき処理によって下地層としてＳｎ層を形成したものであり、これ以外は実施例１４と同様に作製した。Ｓｎめっき処理は、実施例６と同様の条件で行った。
【００６２】
（実施例１６）
端子基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ−３７５（商品名）を用いた以外は実施例３と同様に端子サンプルを作製した。
ＭＡＸ−３７５の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．８５質量％、およびシリコン（Ｓｉ）を０．７質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＭＡＸ−３７５の融点は１０８５℃（液相）、比熱は３８２Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．１×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４０％ＩＡＣＳである。また、引張強さは７５０〜８５０Ｎ／ｍｍ２、伸びは６％以上、０．２％耐力は７１０〜８３０Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは２１０〜２７０Ｈｖである。
【００６３】
（実施例１７）
端子サンプルとして、実施例１６において、めっき処理によってＮｉ−Ｓｎ合金層を形成する前に、めっき処理によって下地層としてＳｎ層を形成したものであり、これ以外は実施例１６と同様に作製した。Ｓｎめっき処理は、実施例６と同様の条件で行った。
【００６４】
（実施例１８）
端子基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりにタフピッチ銅（古河電気工業（株）製、Ｃ１１００（ＪＩＳ））を用いた以外は実施例３と同様に端子サンプルを作製した。
【００６５】
（実施例１９）
端子サンプルとして、実施例１８において、めっき処理によってＮｉ−Ｓｎ合金層を形成する前に、めっき処理によって下地層としてＳｎ層を形成したものであり、これ以外は実施例１８と同様に作製した。Ｓｎめっき処理は、実施例６と同様の条件で行った。
【００６６】
（比較例１、２）
実施例１と同様にしてＮｉ−Ｓｎ合金層を形成したが、めっき条件を変更することにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層中のＳｎの含有量を変更した。それ以外は実施例１と同様に端子サンプルを作製した。
（比較例３、４）
実施例６と同様にしてＮｉ−Ｓｎ合金層を形成したが、めっき条件を変更することにより、Ｎｉ−Ｓｎ合金層中のＳｎの含有量を変更した。それ以外は実施例６と同様に端子サンプルを作製した。
（比較例５）
実施例１において、Ｎｉ−Ｓｎ合金層の代わりに、めっき処理によってＳｎ層を形成した以外は実施例１と同様に端子サンプルを作製した。
（比較例６）
実施例１において、Ｎｉ−Ｓｎ合金層を形成せず、それ以外は実施例１と同様に端子サンプルを作製した。
【００６７】
上記いずれの場合も、端子形状に曲げ加工した後（図８参照）、端子サンプルの管状かしめ部となる対向する端面同士を突き合わせて、下記の近赤外線レーザ光を照射するレーザ溶接で接合することで管状かしめ部を備えた端子サンプルを形成した。
【００６８】
レーザ溶接条件は下記の通りである。
（１）レーザ溶接装置：古河電気工業株式会社製  シングルモードファイバレーザ  ＡＳＦ１Ｊ２２１（商品名）
レーザ光の光源：Ｙｂドープガラスファイバレーザ発振器
レーザ光発振波長：１０８４±５ｎｍ
レーザ光最大出力：５００Ｗ（連続発振）
【００６９】
（２）レーザ光照射条件
レーザ光出力：  ４００Ｗ（連続発振で使用）
レーザ光掃引速度：  ９０〜４５０ｍｍ／ｓｅｃで調整
レーザ光掃引距離：  １０ｍｍ
全条件ジャストフォーカスでレーザ光照射（照射位置のスポット径サイズ：２０μｍ）
【００７０】
レーザ溶接後のレーザ溶接部（第１レーザ溶接部）５０の溶接性について、「溶接性（ブローホール数）」を評価した。
「（溶接性）ブローホール数」は、溶接欠陥の指標となるもので、その数を数えることで評価した。ブローホール数が少ないほうが溶接性に優れる。
ブローホール数は、レーザ溶接後、レーザ溶接部の透過Ｘ線写真を撮影し、溶接を施した範囲のブローホール数を数えた。本実施例では、その掃引面積内のブローホール数を数えた。なお、同条件で試作された１０サンプルのブローホール数を平均化し、一の位を有効数字として小数点以下を四捨五入した値を採用した。ブローホール数が２０個を超えると、溶接部表面の荒れの増加、溶接内部欠陥などが多くなるため、それを閾値として、０〜５個を「Ａ（優）」と表し、６〜１０個を「Ｂ（良）」で表し、１１〜２０個を「Ｃ（可）」で表し、２０個を超える場合を「Ｄ（劣）」で表し、３０個より多い場合もしくは溶接ができなかった場合を「Ｅ（不可）」と表して評価した。
【００７１】
上記各種試験結果および評価結果を表１に示す。
【００７２】
【表１】
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【００７３】
表１から明らかなように、実施例１〜８、１０〜１９は、いずれもブローホールが２０個以下（Ａ「優」、Ｂ「良」またはＣ「可」）であり、良好な溶接性を有していた。
一方、比較例１〜６は、いずれもブローホール数が２０個を超えており（Ｄ「劣」、Ｅ「不可」）、溶接性が劣っていた。
【符号の説明】
【００７４】
１，１００，１０１  端子
５  板材
１０  終端接続構造
２０  ボックス部
３０，８０，９０  管状かしめ部
３０Ｓ  端面
３１，８１，９１  挿入口
３２  端子基材
３３  管状かしめ部の内壁面
３４ａ，３４ｂ  電線係止溝
３７  突き合わせ部
３８  キャリア
４０  トランジション部
５０，５００，５０１  レーザ溶接部（第１レーザ溶接部）
５２，５０２，５０３  先端封止部（第２レーザ溶接部）
６０  被覆電線
６１  絶縁被覆
８２  被覆圧着部
８３，８５  縮径部
８４  導体圧着部
ＦＬ  ファイバレーザ溶接装置
Ｌ  ファイバレーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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