(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサ自体の構成によって鳴きを抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】積層体１１は、互いに積層された誘電体層１２ｋと誘電体層１２ｋの主面に沿って配置された内部電極１３，１５とを含むセラミック誘電素体１２と、絶縁性の基板１８とが接合されている。外部電極１４，１６は、積層体１１の端面１１ｓ，１１ｔを覆い、内部電極１３，１５に接続されている。積層セラミックコンデンサ１０は、基板１８が回路基板の実装面に対向する状態で、回路基板に実装する。【選択図】図２
2014187317.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミックを主成分とし互いに積層された誘電体層と、前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第１の端面まで延在する第１の内部電極と、前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第２の端面まで延在する第２の内部電極とを含むセラミック誘電素体と、絶縁性の基板とを有し、前記セラミック誘電素体の積層方向片側主面と前記基板の一方主面とが接合された積層体と、
前記誘電体層の前記第１の端面を含む前記積層体の第１の端面を覆い、前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記誘電体層の前記第２の端面を含む前記積層体の第２の端面を覆い、前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
を備えたことを特徴とする、積層セラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記基板がアルミナ基板であることを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
【請求項３】
回路基板に積層セラミックコンデンサが実装された積層セラミックコンデンサの実装構造体において、
前記回路基板は、第１及び第２のランドが形成された実装面を有し、
前記積層体は、
誘電体セラミックを主成分とし互いに積層された誘電体層と、前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第１の端面まで延在する第１の内部電極と、前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第２の端面まで延在する第２の内部電極とを含むセラミック誘電素体と、絶縁性の基板とを有し、前記セラミック誘電素体の積層方向片側主面と前記基板の一方主面とが接合された接合体と、
前記誘電体層の前記第１の端面を含む前記積層体の第１の端面を覆い、前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記誘電体層の前記第２の端面を含む前記積層体の第２の端面を覆い、前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
を備え、
前記積層体の前記基板が前記回路基板の前記実装面に対向した状態で、前記第１の外部電極が前記第１のランドに接合され、前記第２の外部電極が前記第２のランドに接合されていることを特徴とする、積層セラミックコンデンサの実装構造体。
【請求項４】
絶縁性の基板を準備する第１の工程と、
前記基板の一方主面側に、誘電体セラミックを含む絶縁性の感光性ペーストを塗布した後、露光、現像して誘電体層を形成する作業と、前記基板の前記一方主面側に、導電性の感光性ペーストを塗布した後、露光、現像して内部電極層を形成する作業とを繰り返すことによって、互いに積層された前記誘電体層と前記誘電体層の主面に沿って配置された前記内部電極層とを含む積層体要素の積層方向片側の主面と、前記基板の前記一方の主面とが接合された積層体を形成する第２の工程と、
前記積層体を焼成し前記誘電体セラミックを焼結させる第３の工程と、
を備えたことを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【請求項５】
絶縁性の基板を準備する第１の工程と、
互いに積層された未焼成セラミックグリーンシートと前記未焼成セラミックグリーンシートの主面に沿って配置された内部電極とを含むセラミック誘電素体の積層方向片側主面と、前記基板の一方の主面とが接合された積層体を形成する第２の工程と、
前記積層体を焼成し前記未焼成セラミックグリーンシートを焼結させる第３の工程と、
を備えたことを特徴とする、積層セラミックコンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高性能化が急速に進み、これに対応して積層セラミックコンデンサの大容量化が進んでいる。大容量の積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック材料には、チタン酸バリウムなどの高誘電率セラミックスが使用されている。これらの高誘電率セラミックスは、圧電性、電歪性を有する。このため、高誘電率セラミックスによりセラミック素体が構成されている場合は、電圧（電界）の印加に伴って機械的な歪みが生じる。よって、この種の積層セラミックコンデンサに交流電圧又は交流成分が重畳された直流電圧が印加されると、セラミック素体に機械的な歪みに起因する振動が発生する。振動が回路基板に伝達されると回路基板が振動する。回路基板の振動によって発生する振動音が可聴周波数域である２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚであると、不快音として人の耳に聞こえる。この発音現象は、「鳴き（acoustic noise）」と呼ばれている。
【０００３】
このような「鳴き」を防止・低減するために従来様々な提案がなされている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、図８に示すように、回路基板２の表面２ａと裏面２ｂにそれぞれ同等仕様のセラミックコンデンサ１Ａ，１Ｂを面対称となるように配置することを提案している。この技術では、一方のコンデンサから回路基板に伝達した振動と他方のコンデンサから回路基板に伝達した振動とが打ち消し合うことによって、鳴きの発生を低減する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２３２０３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の実装形態では、同等仕様の二つの積層セラミックコンデンサを回路基板の表裏面に実装する必要があるので、回路基板の設計の自由度を失ってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、積層セラミックコンデンサ自体の構成によって鳴きを抑制することができる積層セラミックコンデンサを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、以下のように構成した積層セラミックコンデンサを提供する。
【０００９】
積層セラミックコンデンサは、積層体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。前記積層体は、セラミック誘電素体と、絶縁性の基板とを有する。前記セラミック誘電素体は、（ａ）誘電体セラミックを主成分とし互いに積層された誘電体層と、（ｂ）前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第１の端面まで延在する第１の内部電極と、（ｃ）前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第２の端面まで延在する第２の内部電極とを含む。前記積層体は、前記セラミック誘電素体の積層方向片側主面と前記基板の一方主面とが接合されている。前記第１の外部電極は、前記誘電体層の前記第１の端面を含む前記積層体の第１の端面を覆い、前記第１の内部電極に接続されている。前記第２の外部電極は、前記誘電体層の前記第２の端面を含む前記積層体の第２の端面を覆い、前記第２の内部電極に接続されている。
【００１０】
上記構成において、誘電体セラミックを主成分とする誘電体層は圧電効果を有するため、第１及び第２の内部電極間に電圧が印加されると、誘電体層が変形し、セラミック誘電素体に歪みが発生する。印加する電圧が変動すると、セラミック誘電素体の歪みが変動する。鳴きと呼ばれる現象は、積層セラミックコンデンサが実装された回路基板に伝達される歪みの振動が大きくなるほど、発生しやすい。
【００１１】
上記構成によれば、基板のヤング率はセラミック誘電素体のヤング率に比べて高いため、基板が回路基板の実装面に対向するように積層セラミックコンデンサを実装すると、セラミック誘電素体の歪みの振動が回路基板に伝わりにくくなる。そのため、鳴きを抑制できる。
【００１２】
また、セラミック誘電素体の第１及び第２の端面において、歪みは中央部で大きくなる。基板が回路基板の実装面に対向するように積層セラミックコンデンサを実装すると、半田フィレットが、セラミック誘電素体が基板の厚み分、回路基板から高い位置にあるため、セラミック誘電素体の第１及び第２の端面の中央部まで濡れ上がりにくくなり、セラミック誘電素体の歪みの振動が回路基板に伝わりにくくなる。そのため、鳴きを抑制できる。
【００１３】
好ましくは、前記基板がアルミナ基板である。
【００１４】
アルミナ基板は、硬度が高く誘電体層の応力が基板に伝わりにくい。また、焼成する際、収縮しにくく形状が安定し、誘電体層と同時に焼成することができ、誘電体層との密着性に優れている。
【００１５】
また、本発明は、以下のように構成された積層セラミックコンデンサの実装構造体を提供する。
【００１６】
積層セラミックコンデンサの実装構造体は、回路基板に積層セラミックコンデンサが実装されている。前記回路基板は、第１及び第２のランドが形成された実装面を有する。積層セラミックコンデンサは、積層体と、第１の外部電極と、第２の外部電極とを備える。前記積層体は、セラミック誘電素体と、絶縁性の基板とを有する。前記セラミック誘電素体は、（ａ）誘電体セラミックを主成分とし互いに積層された誘電体層と、（ｂ）前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第１の端面まで延在する第１の内部電極と、（ｃ）前記誘電体層の主面に沿って配置され前記誘電体層の第２の端面まで延在する第２の内部電極とを含む。前記積層体は、前記セラミック誘電素体の積層方向片側主面と前記基板の一方主面とが接合されている。前記第１の外部電極は、前記誘電体層の前記第１の端面を含む前記積層体の第１の端面を覆い、前記第１の内部電極に接続されている。前記第２の外部電極は、前記誘電体層の前記第２の端面を含む前記積層体の第２の端面を覆い、前記第２の内部電極に接続されている。前記積層体の前記基板が前記回路基板の前記実装面に対向した状態で、前記第１の外部電極が前記第１のランドに接合され、前記第２の外部電極が前記第２のランドに接合されている。
【００１７】
上記構成によれば、基板が回路基板の実装面に対向するように積層セラミックコンデンサを実装することによって、鳴きを抑制できる。
【００１８】
また、本発明は、以下のように構成した積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【００１９】
積層セラミックコンデンサの製造方法は、（ｉ）絶縁性の基板を準備する第１の工程と、（ii）前記基板の一方主面側に、誘電体セラミックを含む絶縁性の感光性ペーストを塗布した後、露光、現像して誘電体層を形成する作業と、前記基板の前記一方主面側に、導電性の感光性ペーストを塗布した後、露光、現像して内部電極層を形成する作業とを繰り返すことによって、互いに積層された前記誘電体層と前記誘電体層の主面に沿って配置された前記内部電極層とを含む積層体要素の積層方向片側の主面と、前記基板の前記一方の主面とが接合された積層体を形成する第２の工程と、（iii）前記積層体を焼成し前記誘電体セラミックを焼結させる第３の工程とを備える。
【００２０】
上記方法によって、本発明の積層セラミックコンデンサの積層体を効率よく作製することができる。
【００２１】
また、本発明は、以下のように構成した積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【００２２】
積層セラミックコンデンサの製造方法は、（ｉ）絶縁性の基板を準備する第１の工程と、（ii）互いに積層された未焼成セラミックグリーンシートと前記未焼成セラミックグリーンシートの主面に沿って配置された内部電極とを含む積層体要素の積層方向片側主面と、前記基板の一方の主面とが接合された積層体を形成する第２の工程と、（iii）前記積層体を焼成し前記未焼成セラミックグリーンシートを焼結させる第３の工程とを備える。
【００２３】
上記方法によって、本発明の積層セラミックコンデンサの積層体を効率よく作製することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、積層セラミックコンデンサ自体の構成によって鳴きを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】積層セラミックコンデンサの実装構造体を示す斜視図である。（実施例１）
【図２】積層セラミックコンデンサの断面図である。（実施例１）
【図３】積層セラミックコンデンサの製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図４】積層セラミックコンデンサの製造工程を示す断面図である。（実施例１）
【図５】積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。（実施例１）
【図６】積層セラミックコンデンサの製造工程を示すフローチャートである。（変形例１）
【図７】音圧レベルの測定方法の説明図である。（実験例１）
【図８】積層セラミックコンデンサの実装構造体を示す断面図である。（従来例１）
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図７を参照しながら説明する。
【００２７】
＜実施例１＞  本発明の実施の形態を示す実施例１の積層セラミックコンデンサ１０及びその実装構造体２０について、図１〜図５を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は、回路基板２２に積層セラミックコンデンサ１０が接合された実装構造体２０を示す斜視図である。図２は、図１の線Ａ−Ａに沿って積層セラミックコンデンサ１０を切断した断面を示す断面図である。
【００２９】
図２に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、セラミック誘電素体１２と基板１８とが接合された積層体１１と、第１及び第２の外部電極１４，１６とを備える。
【００３０】
セラミック誘電素体１２は、互いに積層された誘電体層１２ｋが一体に積層されており、誘電体層１２ｋの主面に沿って第１及び第２の内部電極１３，１５が配置されている。第１の内部電極１３は、誘電体層１２ｋの第１の端面１２ｉまで延在している。第２の内部電極１５は、誘電体層１２ｋの第２の端面１２ｊまで延在している。
【００３１】
図１及び図２に示すように、セラミック誘電素体１２は、直方体形状に形成され、誘電体層１２ｋの積層方向（図において上下方向）両側の主面１２ａ，１２ｂと、第１及び第２の端面１２ｓ，１２ｔと、第１及び第２の側面とを有する。基板１８も、直方体形状に形成され、第１及び第２の主面１８ａ，１８ｂと、第１及び第２の端面１８ｓ，１８ｔと、第１及び第２の側面とを有する。
【００３２】
図２に示すように、積層体１１は、セラミック誘電素体１２の第２の主面１２ｂと基板１８の第１の主面１８ａとが接合されている。セラミック誘電素体１２の第１の端面１２ｓと基板１８の第１の端面１８ｓとは同一面内に含まれるように揃えられ、積層体１１の第１の端面１１ｓを形成する。セラミック誘電素体１２の第２の端面１２ｔと基板１８の第２の端面１８ｔとは同一面内に含まれるように揃えられ、積層体１１の第２の端面１１ｔを形成する。
【００３３】
第１の外部電極１４は、積層体１１の第１の端面１１ｓ及びその近傍を覆い、第１の内部電極１３に接続されている。第２の外部電極１６は、積層体１１の第２の端面１１ｔ及びその近傍を覆い、第２の内部電極１５に接続されている。
【００３４】
誘電体層１２ｋの主成分は、誘電体セラミックであるＢａＴｉＯ３である。主成分は、ＣａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＣａＺｒＯ３等であってもよい。また、セラミック粉末の副成分として、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物等が添加されていてもよい。
【００３５】
第１及び第２の内部電極１３，１５は、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等である。
【００３６】
第１及び第２の外部電極１４，１６は、例えば、焼結金属層とめっき層からなり、焼結金属層は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ等のペーストを焼き付けることで形成される。焼結金属層上には、めっき層が形成され、例えば、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層が形成されている。めっき層は、Ｃｕめっき層やＡｕめっき層であってもよい。なお、第１及び第２の外部電極１４，１６は、焼結金属層がなく、めっき層のみで構成されていてもよい。
【００３７】
基板１８は、絶縁性を有するものであればよく、例えばアルミナ基板である。
【００３８】
図１に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、回路基板２２に実装される。回路基板２２は、第１及び第２のランド２４，２６が形成された実装面２２ｓを有する。積層セラミックコンデンサ１０の第１及び第２の外部電極１４，１６は、回路基板２２の第１及び第２のランド２４，２６に、それぞれ接合材（図示せず）を介して接合される。このとき、積層セラミックコンデンサ１０の基板１８が、回路基板２２の実装面２２ｓに対向している。
【００３９】
例えば、予めスクリーン印刷などの方法によって接合材である導電性接着剤もしくは半田ペーストが塗布されている第１及び第２のランド２４，２６に、積層セラミックコンデンサ１０を搭載した後、リフロー炉に通す。これによって、フィレットが形成され、積層セラミックコンデンサ１０が回路基板２２に固着される。
【００４０】
誘電体セラミックを主成分とする誘電体層１２ｋは圧電効果を有するため、第１及び第２の内部電極１３，１５間に電圧が印加されると、誘電体層１２ｋが変形し、セラミック誘電素体１２に歪みが発生する。印加する電圧が変動すると、セラミック誘電素体１２の歪みが変動する。鳴きと呼ばれる現象は、積層セラミックコンデンサが実装された回路基板に伝達される歪みの振動が大きくなるとほど、発生しやすい。
【００４１】
基板１８のヤング率はセラミック誘電素体１２のヤング率に比べて高いため、基板１８が回路基板２２の実装面２２ｓに対向するように積層セラミックコンデンサ１０を実装すると、セラミック誘電素体１２の歪みの振動が回路基板２２に伝わりにくくなる。そのため、鳴きを抑制できる。
【００４２】
また、セラミック誘電素体１２の第１及び第２の端面１２ｓ，１２ｔにおいて、歪みは中央部で大きくなる。基板１８が回路基板２２の実装面２２ｓに対向するように積層セラミックコンデンサ１０を実装すると、半田フィレットが、セラミック誘電素体１２の第１及び第２の端面１２ｓ，２１ｔの中央部に濡れ上がりにくくなるため、セラミック誘電素体１２の歪みの振動が回路基板２２に伝わりにくくなる。そのため、鳴きを抑制できる。
【００４３】
基板１８にアルミナ基板を用いると、アルミナ基板は硬度が高いため、歪みの振動が回路基板に伝わりにくい。また、形状が安定しており、誘電体層と同時に焼成することができ、誘電体層との密着性に優れている。
【００４４】
次に、積層セラミックコンデンサ１０を製造する工程について、図３〜図５を参照しながら説明する。図３及び図４は、積層セラミックコンデンサ１０の製造工程を示す断面図である。図５は、積層セラミックコンデンサ１０の製造工程を示すフローチャートである。
【００４５】
（工程０）  まず、図３（ａ）に示すように、絶縁性を有する基板１８を準備する（ステップＳ１０）。
【００４６】
（工程１）  次いで、図３（ｂ）に示すように、基板上に、感光性スラリーである誘電体セラミックを含むスラリーを全面に塗布した後、誘電体スラリーを乾燥し、露光することで硬化させることで誘電体層を形成する（ステップＳ２０）。
【００４７】
（工程２）次いで、図３（ｃ）に示すように、誘電体層の上に、導電性の感光性スラリーである内部電極ペーストを全面に塗布し、乾燥させる（ステップＳ３０）。
【００４８】
（工程３）  次いで、図３（ｄ）に示すように、内部電極となる部分に光があたるようなマスク１４ｋを介して露光する（ステップＳ３２)。
【００４９】
（工程４）  次いで、図３（ｅ）に示すように、現像液をふりかけることで現像し、内部電極となる部分以外の導電性の感光性スラリーを除去し、内部電極を形成する（ステップＳ３４)。
【００５０】
（工程５）  次いで、上記工程１〜工程４を繰り返すことで、基板の集合体と、内部電極及び誘電体層を積層したセラミック誘電素体の集合体とが接合されたマザーブロックを形成する（ステップＳ５０)。
【００５１】
（工程６）  次いで、マザーブロックを積層方向にプレスする（ステップＳ５２)。
【００５２】
（工程７）  次いで、内部電極が露出するように、マザーブロックをチップ状の積層体に分割する（ステップＳ５４)。
【００５３】
（工程８）  次いで、積層体を焼成する（ステップＳ５６)。
【００５４】
（工程８）  次いで、積層体の内部電極が露出した端面に、外部電極を形成し、焼結することで、焼結金属層を端面に形成する（ステップＳ５８)。
【００５５】
（工程９）  次いで、焼結金属層にＮｉめっき、Ｓｎめっきを行う（ステップＳ６０)。
【００５６】
以上の工程によって、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０が完成する（ステップＳ６２)。
【００５７】
＜変形例１＞  セラミックグリーンシートを用いて積層セラミックコンデンサ１０を製造する変形例１の製造工程について、図６のフローチャートを参照しながら説明する。
【００５８】
（工程０）  まず、絶縁性を有する基板を準備する（ステップＳ１０）。
【００５９】
（工程１）  次いで、セラミックグリーンシートを準備し、一部のセラミックグリーンシート上に、スクリーン印刷により導電性ペーストを塗布するなどの方法によって、内部電極を形成する（ステップ４０）。
【００６０】
（工程３）  次いで、セラミック誘電素体と基板とが接合された積層体を形成する（ステップＳ５０）。例えば、基板の集合体上に、内部電極がマトリックス状に形成されたセラミックグリーンシートを積層し、次いで内部電極が形成されていないセラミックグリーンシートを積層することによって、セラミック誘電素体の集合体を形成する。あるいは、セラミックグリーンシートを適宜な順序で積層することによってセラミック誘電素体の集合体だけを作製した後、セラミック誘電素体の集合体と基板の集合体とを貼り合わせることによって、マザーブロックを形成してもよい。なお、貼り合わせる際は、セラミック誘電素体の集合体と基板の集合体との間に接着剤を塗布しておいても良い。
【００６１】
（工程４）  次いで、マザーブロックを積層方向にプレスする（ステップＳ５２）。
【００６２】
（工程５）  次いで、マザーブロックを焼成する（ステップＳ５３）。セラミック誘電素体と基板を一体焼成することで基板とセラミック誘電素体との固着力があがる。
【００６３】
（工程６）  次いで、焼成後の積層体を、端面に内部電極が露出するように、チップ状の積層体に分割する（ステップＳ５５）。
【００６４】
（工程６）  次いで、内部電極が露出した端面を、導電性ペーストに浸漬し、乾燥させた後に焼結することによって、焼結金属層を端面に形成する（ステップＳ５８）。
【００６５】
（工程７）  次いで、焼結金属層に、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきを施す（ステップ６０）。
【００６６】
以上の工程によって、図１に示した積層セラミックコンデンサ１０が完成する（ステップＳ６２)。
【００６７】
セラミックグリーンシートは、焼成時に収縮しやすく、収縮により縦横の直線上（マトリックス状）に形成された内部電極の位置がマザーブロック内で変動する。マザーブロックをチップ状の積層体に分割する際、直線上の切断刃で切断することになるが、マザーブロック内で内部電極が変動すると、積層体から内部電極が露出したり、内部電極と積層体の表面間の距離が一定以上保てなくなる。しかし、本発明の製造工程を経ると、アルミナ基板とアルミナ基板上のセラミック誘電素体とが一体となっており、アルミナ基板は収縮しにくいため、内部電極の位置がマザーブロック内で変動しにくいという効果がある。
【００６８】
＜実験例＞  積層セラミックコンデンサ１０が実装された回路基板２２の鳴きを測定した実験例について、図７の説明図を参照しながら説明する。
【００６９】
図９に示すように、回路基板２２に積層セラミックコンデンサ１０が実装された試料２８を準備し、無響箱７２内に試料２８を設置し、３ｋＨｚの周波数及び１Ｖｐ−ｐの電圧を有する交流電圧を積層セラミックコンデンサ１０に印加した。集音マイク７４を回路基板２２に対向するように配置して集音し、集音計７６及びＦＦＴアナライザ７８を用いて、集音された音圧レベルを測定した。
【００７０】
試料２８は、回路基板２２の実装面２２ｓに形成されたランド２４，２６上に半田ペーストを塗布し、積層セラミックコンデンサ１０を搭載した後、リフロー炉に通して、積層セラミックコンデンサ１０を回路基板２２に固着させることによって作製した。
【００７１】
実施例１の試料として、長さ（端面間の寸法）が１．０ｍｍ、幅（側面間の寸法）が０．５ｍｍ、厚み（主面間の寸法）が０．５ｍｍのセラミック誘電素体と、厚み（主面間の寸法）が０．１ｍｍのアルミナ基板とが接合され、外部電極が形成された積層セラミックコンデを作製した。比較例１の試料として、実施例１の試料のセラミック誘電素体と同じ寸法のセラミック誘電素体のみに外部電極が形成され、アルミナ基板を備えていない積層セラミックコンデンサを作製した。ここで実施例１の試料においては、半田フィレットは、セラミック誘電素体の第１および第２の端面の中央部にまでは濡れ上がらなかった。
【００７２】
実施例１の試料が実装された回路基板と、比較例１の試料が実装された回路基板とについて、音圧レベルを測定した結果、実施例１の試料が実装された回路基板の音圧レベルは、比較例１の試料が実装された回路基板の音圧レベルよりも小さかった。
【００７３】
以上のように、基板が接合された積層セラミックコンデンサは、積層セラミックコンデンサ自体の構成によって鳴きを抑制することができる。
【００７４】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変更を加えて実施することが可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０  積層セラミックコンデンサ
１１  積層体
１１ｓ  第１の端面
１１ｔ  第２の端面
１２  セラミック誘電素体
１２ａ  第１の主面
１２ｂ  第２の主面
１２ｉ  第１の端面
１２ｊ  第２の端面
１２ｋ  誘電体層
１２ｍ  第１の側面
１２ｎ  第２の側面
１２ｓ  第１の端面
１２ｔ  第２の端面
１３  第１の内部電極
１４  第１の外部電極
１５  第２の内部電極
１６  第２の外部電極
１８  基板
１８ａ  第１の主面
１８ｂ  第２の主面
１８ｓ  第１の端面
１８ｔ  第２の端面
２０  実装構造体
２２  回路基板
２２ｓ  実装面
２４  第１のランド
２６  第２のランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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