(57)【要約】【課題】  強度を保ちつつ、抵抗値を大きくできるチップ抵抗器を提供すること。【解決手段】  基板表面１１および基板裏面１２を有する、絶縁性の基板１と、基板表面１１に形成された抵抗体２と、抵抗体２および基板表面１１の間に介在している接合層３と、抵抗体２に導通している第１電極４と、抵抗体２に導通しており、第１電極４に対し、基板１の厚さ方向Ｚ１に直交する第１方向Ｘ１とは反対の第２方向Ｘ２側に位置する第２電極と、を備え、基板１は、第１方向Ｘ１を向いている第１基板側面１３を有し、第１電極４は、抵抗体２、第１基板側面１３、および、基板裏面１２を覆っている。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面および基板裏面を有する、絶縁性の基板と、
前記基板表面に配置された抵抗体と、
前記抵抗体および前記基板表面の間に介在している接合層と、
前記抵抗体に導通している第１電極と、
前記抵抗体に導通しており、前記第１電極に対し、前記基板の厚さ方向に直交する第１方向とは反対の第２方向側に位置する第２電極と、を備え、
前記基板は、前記第１方向を向いている第１基板側面を有し、
前記第１電極は、前記抵抗体、前記第１基板側面、および、前記基板裏面を覆っている、チップ抵抗器。
【請求項２】
前記第１電極は、下地層および連絡層を含み、
前記下地層は、前記基板裏面に形成され、前記連絡層は、前記下地層と、前記第１基板側面と、前記抵抗体と、を直接覆っている、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項３】
前記下地層は、前記連絡層と、前記基板裏面との間に介在している、請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
前記連絡層の厚さは、０．５〜１．０ｎｍである、請求項２または３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
前記連絡層は、ＰＶＤ、あるいは、ＣＶＤによって形成される、請求項２ないし４のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
前記ＰＶＤは、スパッタリングである、請求項５に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
前記抵抗体は、前記基板の厚さ方向視においてサーペンタイン状である、請求項１ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
前記抵抗体は、前記第１方向を向いている抵抗体側面を有し、
前記抵抗体側面は、前記連絡層に直接覆われている、請求項２ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
前記抵抗体は、前記基板表面の向く方向と同一方向を向く抵抗体表面を有し、
前記抵抗体表面は、前記連絡層に直接覆われている、請求項８に記載のチップ抵抗器。
【請求項１０】
前記接合層は、前記基板表面の向く方向と同一方向を向く接合層表面を有し、
前記接合層表面は、前記抵抗体に直接接している、請求項８または９に記載のチップ抵抗器。
【請求項１１】
前記接合層表面のうち、前記抵抗体側面よりも前記第１方向側に位置する領域は、前記連絡層に直接覆われている、請求項１０に記載のチップ抵抗器。
【請求項１２】
前記第１電極は、前記連絡層を覆うメッキ層を含む、請求項２ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項１３】
前記メッキ層は、前記連絡層を覆うＣｕ層と、前記Ｃｕ層を覆うＮｉ層と、前記Ｎｉ層を覆うＳｎ層と、を有する、請求項１２に記載のチップ抵抗器。
【請求項１４】
前記基板は、前記基板表面と鈍角をなすように前記厚さ方向に対して傾斜する第１傾斜面を有し、前記第１傾斜面は、前記基板表面および前記第１基板側面につながり、
前記第１傾斜面は、前記接合層に覆われている、請求項２ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項１５】
前記基板は、前記基板裏面と鈍角をなすように前記厚さ方向に対して傾斜する第２傾斜面を有し、前記第２傾斜面は、前記基板裏面および前記第１基板側面につながり、
前記第２傾斜面は、前記下地層に覆われている、請求項１４に記載のチップ抵抗器。
【請求項１６】
前記第１傾斜面の前記基板の厚さ方向における寸法は、前記第２傾斜面の前記基板の厚さ方向における寸法よりも大きい、請求項１５に記載のチップ抵抗器。
【請求項１７】
前記基板は、前記第２方向を向く第２基板側面を有し、
前記第２電極は、前記抵抗体、前記第２基板側面、および、前記基板裏面を覆っている、請求項１に記載のチップ抵抗器。
【請求項１８】
前記基板は、互いに反対側を向く第３基板側面および第４基板側面を有し、
前記第３基板側面は、前記基板の厚さ方向と前記第１方向とに直交する第３方向を向いており、
前記第３基板側面および前記第４基板側面はいずれも露出している、請求項１７に記載のチップ抵抗器。
【請求項１９】
前記抵抗体を覆う、絶縁性の保護膜を更に備え、前記保護膜は、前記第１電極および前記第２電極に直接接している、請求項１ないし１８のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２０】
前記下地層は、Ａｇよりなる、請求項２ないし６のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２１】
前記基板は、セラミックあるいは樹脂よりなる、請求項１ないし２０のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２２】
前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる、請求項１ないし２１のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２３】
前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる、請求項１ないし２２のいずれかに記載のチップ抵抗器。
【請求項２４】
請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法であって、
絶縁性の基板シートのシート表面に、接合材によって、抵抗体部材を接合する工程を備える、チップ抵抗器の製造方法。
【請求項２５】
前記基板シートのシート裏面に、導電性の下地層を形成する工程を更に備える、請求項２４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２６】
前記下地層を形成する工程は、印刷により行われる、請求項２５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２７】
前記下地層は、Ａｇよりなる、請求項２５または２６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２８】
前記接合材は、接着シートあるいは液状の接着剤である、請求項２４ないし２７のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２９】
前記抵抗体部材を覆う、絶縁性の保護膜を形成する工程を更に備える、請求項２４ないし２８のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３０】
前記基板シートを分割し、複数のバーを形成する工程を備える、請求項２４ないし２９のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３１】
前記複数のバーはそれぞれ、長手状に延びるバー側面を有し、
前記バー側面に導電性材料を積層させる工程を更に備える、請求項３０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３２】
前記導電性材料を積層させる工程は、ＰＶＤ、あるいは、ＣＶＤによって行われる、請求項３１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３３】
前記ＰＶＤは、スパッタリングである、請求項３２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３４】
前記積層させる工程においては、前記各バーの前記バー側面に、一括して導電性材料を積層させる、請求項３１ないし３３のいずれかに記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３５】
前記基板シートのシート表面およびシート裏面にはそれぞれ、複数の溝が形成され、
前記複数のバーに分割する工程においては、前記複数の溝に沿って前記基板シートを分割する、請求項３０に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３６】
前記複数のバーを、前記複数のバーの短手方向に沿って固片に分割する工程を更に備える、請求項３５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３７】
前記固片に分割する工程の後、前記固片にメッキを行い、メッキ層を形成する工程を備える、請求項３６に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器、およびチップ抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電子機器に用いられるチップ抵抗器が知られている。たとえば特許文献１に開示のチップ抵抗器は、金属製の抵抗体と、２つの電極と、を備えている。２つの電極は互いに間隔を隔てて、抵抗体に設けられている。このチップ抵抗器においては、チップ抵抗器自体の強度を保つ必要があるので、金属製の抵抗体の厚さをあまり薄くできない。したがって、従来のチップ抵抗器では、抵抗値を十分に大きくすることができていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１８５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、強度を保ちつつ、抵抗値を大きくできるチップ抵抗器を提供することをその主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の側面によると、基板表面および基板裏面を有する、絶縁性の基板と、前記基板表面に配置された抵抗体と、前記抵抗体および前記基板表面の間に介在している接合層と、前記抵抗体に導通している第１電極と、前記抵抗体に導通しており、前記第１電極に対し、前記基板の厚さ方向に直交する第１方向とは反対の第２方向側に位置する第２電極と、を備え、前記基板は、前記第１方向を向いている第１基板側面を有し、前記第１電極は、前記抵抗体、前記第１基板側面、および、前記基板裏面を覆っている、チップ抵抗器が提供される。
【０００６】
好ましくは、前記第１電極は、下地層および連絡層を含み、前記下地層は、前記基板裏面に形成され、前記連絡層は、前記下地層と、前記第１基板側面と、前記抵抗体と、を直接覆っている。
【０００７】
好ましくは、前記下地層は、前記連絡層と、前記基板裏面との間に介在している。
【０００８】
好ましくは、前記連絡層の厚さは、０．５〜１．０ｎｍである。
【０００９】
好ましくは、前記連絡層は、ＰＶＤ、あるいは、ＣＶＤによって形成される。
【００１０】
好ましくは、前記ＰＶＤは、スパッタリングである。
【００１１】
好ましくは、前記抵抗体は、前記基板の厚さ方向視においてサーペンタイン状である。
【００１２】
好ましくは、前記抵抗体は、前記第１方向を向いている抵抗体側面を有し、前記抵抗体側面は、前記連絡層に直接覆われている。
【００１３】
好ましくは、前記抵抗体は、前記基板表面の向く方向と同一方向を向く抵抗体表面を有し、前記抵抗体表面は、前記連絡層に直接覆われている。
【００１４】
好ましくは、前記接合層は、前記基板表面の向く方向と同一方向を向く接合層表面を有し、前記接合層表面は、前記抵抗体に直接接している。
【００１５】
好ましくは、前記接合層表面のうち、前記抵抗体側面よりも前記第１方向側に位置する領域は、前記連絡層に直接覆われている。
【００１６】
好ましくは、前記第１電極は、前記連絡層を覆うメッキ層を含む。
【００１７】
好ましくは、前記メッキ層は、前記連絡層を覆うＣｕ層と、前記Ｃｕ層を覆うＮｉ層と、前記Ｎｉ層を覆うＳｎ層と、を有する。
【００１８】
好ましくは、前記基板は、前記基板表面と鈍角をなすように前記厚さ方向に対して傾斜する第１傾斜面を有し、前記第１傾斜面は、前記基板表面および前記第１基板側面につながり、前記第１傾斜面は、前記接合層に覆われている。
【００１９】
好ましくは、前記基板は、前記基板裏面と鈍角をなすように前記厚さ方向に対して傾斜する第２傾斜面を有し、前記第２傾斜面は、前記基板裏面および前記第１基板側面につながり、前記第２傾斜面は、前記下地層に覆われている。
【００２０】
好ましくは、前記第１傾斜面の前記基板の厚さ方向における寸法は、前記第２傾斜面の前記基板の厚さ方向における寸法よりも大きい。
【００２１】
好ましくは、前記基板は、前記第２方向を向く第２基板側面を有し、前記第２電極は、前記抵抗体、前記第２基板側面、および、前記基板裏面を覆っている。
【００２２】
好ましくは、前記基板は、互いに反対側を向く第３基板側面および第４基板側面を有し、前記第３基板側面は、前記基板の厚さ方向と前記第１方向とに直交する第３方向を向いており、前記第３基板側面および前記第４基板側面はいずれも露出している。
【００２３】
好ましくは、前記抵抗体を覆う、絶縁性の保護膜を更に備え、前記保護膜は、前記第１電極および前記第２電極に直接接している。
【００２４】
好ましくは、前記下地層は、Ａｇよりなる。
【００２５】
好ましくは、前記基板は、セラミックあるいは樹脂よりなる。
【００２６】
好ましくは、前記接合層は、エポキシ系の材料よりなる。
【００２７】
好ましくは、前記抵抗体は、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、あるいは、Ｆｅ−Ｃｒ合金よりなる。
【００２８】
本発明の第２の側面によると、本発明の第１の側面によって提供されるチップ抵抗器の製造方法であって、絶縁性の基板シートのシート表面に、接合材によって、抵抗体部材を接合する工程を備える、チップ抵抗器の製造方法が提供される。
【００２９】
好ましくは、前記基板シートのシート裏面に、導電性の下地層を形成する工程を更に備える。
【００３０】
好ましくは、前記下地層を形成する工程は、印刷により行われる。
【００３１】
好ましくは、前記下地層は、Ａｇよりなる。
【００３２】
好ましくは、前記接合材は、接着シートあるいは液状の接着剤である。
【００３３】
好ましくは、前記抵抗体部材を覆う、絶縁性の保護膜を形成する工程を更に備える。
【００３４】
好ましくは、前記基板シートを分割し、複数のバーを形成する工程を備える。
【００３５】
好ましくは、前記複数のバーはそれぞれ、長手状に延びるバー側面を有し、前記バー側面に導電性材料を積層させる工程を更に備える。
【００３６】
好ましくは、前記導電性材料を積層させる工程は、ＰＶＤ、あるいは、ＣＶＤによって行われる。
【００３７】
好ましくは、前記ＰＶＤは、スパッタリングである。
【００３８】
好ましくは、前記積層させる工程においては、前記各バーの前記バー側面に、一括して導電性材料を積層させる。
【００３９】
好ましくは、前記基板シートのシート表面およびシート裏面にはそれぞれ、複数の溝が形成され、前記複数のバーに分割する工程においては、前記複数の溝に沿って前記基板シートを分割する。
【００４０】
好ましくは、前記複数のバーを、前記複数のバーの短手方向に沿って固片に分割する工程を更に備える。
【００４１】
好ましくは、前記固片に分割する工程の後、前記固片にメッキを行い、メッキ層を形成する工程を備える。
【００４２】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（一部透視化）である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図１から第１電極および第２電極を省略した平面図（一部透視化）である。
【図５】図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。
【図６】図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。
【図７】図１に示したチップ抵抗器の正面図である。
【図８】図１に示したチップ抵抗器の背面図である。
【図９】図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。
【図１０】図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。
【図１１】図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す平面図である。
【図１２】図１に示したチップ抵抗器の製造方法における一工程を示す裏面図である。
【図１３】図１２に続く一工程を示す裏面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う断面図である。
【図１５】図１４に続く一工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に続く一工程を示す平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。
【図１８】図１６に続く一工程を示す平面図である。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿う断面図である。
【図２０】図１８に続く一工程を示す平面図である。
【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。
【図２２】図２０に続く一工程を示す斜視図である。
【図２３】図２２の断面図である。
【図２４】図２３に続く一工程を示す断面図である。
【図２５】図２４に続く一工程を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００４５】
＜第１実施形態＞
図１〜図２５を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。
【００４６】
図１は、本発明の第１実施形態にかかるチップ抵抗器の平面図（一部透視化）である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。図４は、図１から第１電極および第２電極を省略した平面図（一部透視化）である。図５は、図１に示したチップ抵抗器の右側面図（一部透視化）である。図６は、図１に示したチップ抵抗器の左側面図（一部透視化）である。図７は、図１に示したチップ抵抗器の正面図である。図８は、図１に示したチップ抵抗器の背面図である。図９、図１０は、図２に示したチップ抵抗器の部分拡大断面図である。
【００４７】
これらの図に示すチップ抵抗器１００は、基板１と、抵抗体２と、接合層３と、第１電極４と、第２電極５と、保護膜６と、を備える。
【００４８】
基板１は板状である。基板１は絶縁性である。基板１はたとえば、セラミックあるいは樹脂よりなる。このようなセラミックとしては、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、およびＳｉＣが挙げられる。抵抗体２にて発生した熱をチップ抵抗器１００の外部に放熱しやすくするため、基板１を構成する材料としては熱伝導率が大きいものを用いることが好ましい。基板１は、基板表面１１と、基板裏面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第３基板側面１５と、第４基板側面１６と、を有する。基板表面１１と、基板裏面１２と、第１基板側面１３と、第２基板側面１４と、第３基板側面１５と、第４基板側面１６はいずれも、平坦である。図２に示すように、同図の上下方向を基板１の厚さ方向Ｚ１とする。そして、図１に示すように、同図の右方向を第１方向Ｘ１とし、左方向を第２方向Ｘ２とし、上方向を第３方向Ｘ３とし、下方向を第４方向Ｘ４とする。基板１の厚さ（厚さ方向Ｚ１の寸法）は、たとえば、１００〜５００μｍである。
【００４９】
なお、チップ抵抗器１００の第１方向Ｘ１における寸法は、たとえば、５〜１０ｍｍであり、チップ抵抗器１００の第３方向Ｘ３における寸法は、たとえば、２〜１０ｍｍである。
【００５０】
基板表面１１および基板裏面１２は互いに反対側を向く。第１基板側面１３は第１方向Ｘ１を向いている。第２基板側面１４は第２方向Ｘ２を向いている。すなわち第１基板側面１３および第２基板側面１４は互いに反対側を向いている。第３基板側面１５は第３方向Ｘ３を向いている。第４基板側面１６は第４方向Ｘ４を向いている。すなわち第３基板側面１５および第４基板側面１６は互いに反対側を向いている。
【００５１】
図２、図３、図９、図１０に示すように、本実施形態においては、基板１は、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａおよび第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂを有する。第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａはいずれも、基板表面１１と鈍角をなすように厚さ方向Ｚ１に対して傾斜している。第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂはいずれも、基板裏面１２と鈍角をなすように厚さ方向Ｚ１に対して傾斜している。第１傾斜面１３ａは、基板表面１１および第１基板側面１３につながっている。第１傾斜面１４ａは、基板表面１１および第２基板側面１４につながっている。第１傾斜面１５ａは、基板表面１１および第３基板側面１５につながっている。第１傾斜面１６ａは、基板表面１１および第４基板側面１６につながっている。第２傾斜面１３ｂは、基板裏面１２および第１基板側面１３につながっている。第２傾斜面１４ｂは、基板裏面１２および第２基板側面１４につながっている。第２傾斜面１５ｂは、基板裏面１２および第３基板側面１５につながっている。第２傾斜面１６ｂは、基板裏面１２および第４基板側面１６につながっている。本実施形態においては、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａの厚さ方向Ｚ１における寸法は、第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂの厚さ方向Ｚ１における寸法よりも、大きい。
【００５２】
本実施形態とは異なり、基板１に、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａや、第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂが形成されてなくてもよい。
【００５３】
図２に示すように、抵抗体２は基板１に配置されている。具体的には抵抗体２は基板１の基板表面１１に配置されている。抵抗体２の厚さ（厚さ方向Ｚ１方向における寸法）は、たとえば、５０〜２００μｍである。本実施形態では、抵抗体２は厚さ方向Ｚ１視において、サーペンタイン状である。抵抗体２がサーペンタイン状であることは、抵抗体２の抵抗値を大きくできる点において好ましい。本実施形態とは異なり、抵抗体２がサーペンタイン状ではなく、たとえば、Ｘ１−Ｘ２方向に延びる帯状であってもよい。抵抗体２は、金属抵抗材料よりなり、このような金属抵抗材料としては、たとえば、マンガニン、ゼラニン、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｕ−Ｎｉ合金、および、Ｆｅ−Ｃｒ合金が挙げられる。
【００５４】
図２、図３に示すように、抵抗体２は、第１抵抗体側面２１と、第２抵抗体側面２２と、抵抗体表面２４と、を有する。第１抵抗体側面２１は第１方向Ｘ１を向いている。本実施形態では、第１抵抗体側面２１は、第１基板側面１３よりも第２方向Ｘ２側に位置している。第２抵抗体側面２２は第２方向Ｘ２を向いている。本実施形態では、第２抵抗体側面２２は第２基板側面１４よりも第１方向Ｘ１側に位置している。抵抗体表面２４は、基板表面１１の向く方向と同一方向（すなわち、図２の上方向）を向いている。
【００５５】
接合層３は基板１および抵抗体２の間に介在している。具体的には、接合層３は基板１における基板表面１１と、抵抗体２との間に介在している。接合層３は、抵抗体２を基板表面１１に接合している。接合層３は絶縁性の材料よりなることが好ましい。このような絶縁性の材料としては、エポキシ系の材料が挙げられる。接合層３を構成する材料の熱伝導率は大きい方が好ましい。抵抗体２にて発生した熱を、接合層３および基板１を経由して、チップ抵抗器１００の外部に放出しやすくするためである。接合層３を構成する材料の熱伝導率は、たとえば、１〜１５Ｗ／（ｍ・Ｋ）である。接合層３の厚さ（厚さ方向Ｚ１における寸法）は、たとえば、３０〜１００μｍである。図２、図３に示すように、本実施形態においては、接合層３は基板表面１１の全面を覆っている。本実施形態においては更に、接合層３は、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａを覆っている。
【００５６】
本実施形態とは異なり、接合層３が基板表面１１の一部のみに形成されていてもよい。たとえば、接合層３が、基板表面１１のうち抵抗体２と重なる領域のみに形成されていてもよい。
【００５７】
図２、図３に示すように、接合層３は接合層表面３１を有する。接合層表面３１は、基板表面１１の向く方向と同一方向（すなわち、図２の上方向）を向いている。接合層表面３１は抵抗体２に直接接している。
【００５８】
第１電極４は抵抗体２に導通している。第１電極４は、抵抗体２と、第１基板側面１３と、基板裏面１２とを覆っている。第１電極４は、チップ抵抗器１００が搭載される配線基板（図示略）から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。
【００５９】
図９に示すように、第１電極４は、第１下地層４１と、第１連絡層４２と、第１メッキ層４３と、を含む。
【００６０】
第１下地層４１は、基板裏面１２に形成されている。後述もするが、第１下地層４１はたとえば印刷により形成される。第１下地層４１を構成する材料としては、たとえばＡｇあるいはＣｕよりなる。大気中にて第１下地層４１を形成できるという観点からは、第１下地層４１がＡｇよりなることが好ましい。第１下地層４１は、基板裏面１２においてＸ３−Ｘ４方向の全体にわたって、形成されている。本実施形態においては、第１下地層４１は、第２傾斜面１３ｂと、第２傾斜面１５ｂの一部と、第２傾斜面１６ｂの一部と、に形成されている。
【００６１】
第１連絡層４２は、第１下地層４１と、第１基板側面１３と、抵抗体２とを直接覆っている。第１連絡層４２は、第１下地層４１と、抵抗体２とを電気的に接続している。第１連結層４２は、第１基板側面１３上にメッキによって第１メッキ層４３を形成するために、形成されている。第１連絡層４２と基板裏面１２との間には、第１下地層４１が介在している。また、第１連絡層４２は、抵抗体２における、第１抵抗体側面２１と、抵抗体表面２４と、を直接覆っている。本実施形態においては、第１連絡層４２は、接合層表面３１のうち、第１抵抗体側面２１よりも第１方向Ｘ１方向側に位置する領域を、直接覆っている。本実施形態においては更に、第１連絡層４２は、接合層３のうち第１傾斜面１３ａに形成された部分と、第１下地層４１のうち第２傾斜面１３ｂに形成された部分と、を直接覆っている。第１連絡層４２は、第１基板側面１３においてＸ３−Ｘ４方向の全体にわたって、形成されている。第１連絡層４２は、たとえば、ＮｉやＣｒを含む。第１連絡層４２の厚さは、たとえば、０．５〜１．０ｎｍである。
【００６２】
第１メッキ層４３は、第１下地層４１および第１連絡層４２を直接覆っている。第１メッキ層４３は、第１基板側面１３と抵抗体２とに形成されている。第１メッキ層４３は外部に露出している。本実施形態においては具体的には、第１メッキ層４３は、Ｃｕ層４３ａと、Ｎｉ層４３ｂと、Ｓｎ層４３ｃと、を有する。Ｃｕ層４３ａは第１下地層４１および第１連絡層４２を直接覆っている。Ｎｉ層４３ｂは、Ｃｕ層４３ａを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは、Ｎｉ層４３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層４３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器１００の実装の際には、Ｓｎ層４３ｃにはハンダが付着する。Ｃｕ層４３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層４３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層４３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。
【００６３】
図１０に示すように、第２電極５は抵抗体２に導通している。第２電極５は、抵抗体２と、第２基板側面１４と、基板裏面１２とを覆っている。第２電極５は、チップ抵抗器１００が搭載される配線基板（図示略）から抵抗体２へと電力を供給するためのものである。
【００６４】
第２電極５は、第２下地層５１と、第２連絡層５２と、第２メッキ層５３と、を含む。
【００６５】
第２下地層５１は、基板裏面１２に形成されている。後述もするが、第２下地層５１はたとえば印刷により形成される。第２下地層５１を構成する材料としては、たとえばＡｇあるいはＣｕよりなる。大気中にて第２下地層５１を形成できるという観点からは、第２下地層５１がＡｇよりなることが好ましい。第２下地層５１は、基板裏面１２においてＸ３−Ｘ４方向の全体にわたって、形成されている。本実施形態においては、第２下地層５１は、第２傾斜面１４ｂと、第２傾斜面１５ｂの一部と、第２傾斜面１６ｂの一部と、に形成されている。
【００６６】
第２連絡層５２は、第２下地層５１と、第２基板側面１４と、抵抗体２とを直接覆っている。第２連絡層５２は、第２下地層５１と、抵抗体２とを電気的に接続している。第２連絡層５２は、第２基板側面１４上にメッキによって第２メッキ層５３を形成するために、形成されている。第２連絡層５２と基板裏面１２との間には、第２下地層５１が介在している。また、第２連絡層５２は、抵抗体２における、第２抵抗体側面２２と、抵抗体表面２４と、を直接覆っている。本実施形態においては、第２連絡層５２は、接合層表面３１のうち、第２抵抗体側面２２よりも第２方向Ｘ２方向側に位置する領域を、直接覆っている。本実施形態においては更に、第２連絡層５２は、接合層３のうち第１傾斜面１４ａに形成された部分と、第２下地層５１のうち第２傾斜面１４ｂに形成された部分と、を直接覆っている。第２連絡層５２は、第２基板側面１４においてＸ３−Ｘ４方向の全体にわたって、形成されている。第２連絡層５２の厚さは、たとえば、０．５〜１．０ｎｍである。
【００６７】
第２メッキ層５３は、第２下地層５１および第２連絡層５２を直接覆っている。第２メッキ層５３は、第２基板側面１４と抵抗体２とに形成されている。第２メッキ層５３は外部に露出している。本実施形態においては具体的には、第２メッキ層５３は、Ｃｕ層５３ａと、Ｎｉ層５３ｂと、Ｓｎ層５３ｃと、を有する。Ｃｕ層５３ａは第２下地層５１および第２連絡層５２を直接覆っている。Ｎｉ層５３ｂは、Ｃｕ層５３ａを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは、Ｎｉ層５３ｂを直接覆っている。Ｓｎ層５３ｃは外部に露出している。チップ抵抗器１００の実装の際には、Ｓｎ層５３ｃにはハンダが付着する。Ｃｕ層５３ａの厚さは、たとえば１０〜５０μｍであり、Ｎｉ層５３ｂの厚さは、たとえば１〜１０μｍであり、Ｓｎ層５３ｃの厚さは、たとえば１〜１０μｍである。
【００６８】
保護膜６は、絶縁性であり、抵抗体２を覆っている。本実施形態においては、保護膜６は接合層３（具体的には、接合層３の接合層表面３１）を直接覆っている。保護膜６は、第１電極４および第２電極５に接している。保護膜６は、たとえば熱硬化性の材料よりなる。保護膜６の最大厚さ（厚さ方向Ｚ１における最大寸法）は、たとえば、１００〜２５０μｍである。
【００６９】
図７、図８に示すように、チップ抵抗器１００においては、第３基板側面１５および第４基板側面１６には、第１電極４や第２電極５や保護膜６が形成されていない部分を有する。そのため、第３基板側面１５の少なくとも一部（本実施形態では全体）および第４基板側面１６の少なくとも一部（本実施形態では全体）は露出している。
【００７０】
次に、チップ抵抗器１００の製造方法について説明する。
【００７１】
まず、図１１、図１２に示すように、基板シート８１０を用意する。図１１は、基板シート８１０のシート表面８１１を示し、図１２は、基板シート８１０のシート裏面８１２を示す。基板シート８１０は上述の基板１になるものである。基板シート８１０は絶縁材料よりなる。基板シート８１０はセラミックあるいは樹脂よりなる。セラミックとしては、たとえば、Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、およびＳｉＣが挙げられる。基板シート８１０には、溝８１６および溝８１７が形成されている。溝８１６および溝８１７は碁盤の目状に形成されている。溝８１６は基板シート８１０のシート表面８１１に形成されている。溝８１６の内面（図１１では図示略）が、上述の第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａになる。一方、溝８１７は基板シート８１０のシート裏面８１２に形成されている。溝８１７の内面（図１２では図示略）が、上述の第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂになる。本実施形態においては、溝８１６の深さの方が、溝８１７の深さよりも深い（後述の図１４参照）。そのため、上述のように、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａの厚さ方向Ｚ１における寸法が、第２傾斜面１３ｂ，１４ｂ，１５ｂ，１６ｂの厚さ方向Ｚ１における寸法よりも、大きくなっている。
【００７２】
次に、図１３、図１４に示すように、基板シート８１０のシート裏面８１２に、下地層８５０を形成する。下地層８５０は導電性の材料よりなり、上述の第１下地層４１および第２下地層５１になるものである。下地層８５０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成する。下地層８５０は、たとえば印刷および焼成を経て形成される。なお、下地層８５０の一部は、溝８１７に形成される。そのため、上述のように、第１下地層４１が、第２傾斜面１３ｂと、第２傾斜面１５ｂの一部と、第２傾斜面１６ｂの一部と、に形成されることとなる。また、同様に、第２下地層５１が、第２傾斜面１４ｂと、第２傾斜面１５ｂの一部と、第２傾斜面１６ｂの一部と、に形成されることとなる。
【００７３】
次に、図１５に示すように、基板シート８１０のシート表面８１１に接合材８３０を接合する。接合材８３０は、上述の接合層３になるものである。本実施形態においては基板シート８１０は熱伝導性の接着シートである。そして、図１５に示した状態では、基板シート８１０のシート表面８１１に接合材８３０が仮熱圧着されている。なお、接合材８３０の一部は、溝８１６に充填される。そのため、上述のように、接合層３が、第１傾斜面１３ａ，１４ａ，１５ａ，１６ａを覆うこととなる。
【００７４】
次に、図１６、図１７に示すように、シート表面８１１に、接合材８３０によって、抵抗体部材８２０を接合する。本実施形態では、図１６、図１７に示した状態では、抵抗体部材８２０は接合材８３０に仮圧着されている。抵抗体部材８２０は、上述の抵抗体２となるべき部分を複数有している。本実施形態では、サーペンタイン状の抵抗体２を形成するべく、抵抗体部材８２０をシート表面８１１に接合する前に、エッチングあるいは打ち抜き金型で抵抗体部材８２０に複数のサーペンタイン状の部分が形成されている。次に、抵抗体部材８２０にトリミング処理を施す（図示略）。抵抗体２の抵抗値の調整のためである。トリミング処理はたとえば、レーザや、サンドブラストや、ダイサーや、グラインダー等を用いて行われる。
【００７５】
本実施形態とは異なり、基板シート８１０のシート表面８１１に抵抗体部材８２０を接合するのに、接合材８３０としてシート状の部材を用いずに、液状の接着剤を用いてもよい。
【００７６】
次に、図１８、図１９に示すように、絶縁性の保護膜８６０を形成する。保護膜８６０は、上述の保護膜６になるものである。保護膜８６０は、一方向に沿って延びる複数の帯状に形成される。保護膜８６０は、たとえば印刷あるいは塗布によって形成される。次に、図示しないが、図１８、図１９に示した中間品を、たとえば、１５０〜１７０℃にて硬化させる。
【００７７】
次に、図２０、図２１に示すように、基板シート８１０を分割し、複数のバー８８１を形成する。各バー８８１は、長手状に延びるバー側面８８２を有している。バー側面８８２は、主として上述の第１基板側面１３あるいは第２基板側面１４になる部分である。本実施形態において、基板シート８１０を分割するには、上述の復数の溝８１６および溝８１７に沿って基板シート８１０を折り曲げることにより、基板シート８１０を分割する。
【００７８】
次に、図２２、図２３に示すように、複数のバー８８１を重ねるように配置する。次に、図２４に示すように、バー側面８８２に導電性材料８４０を積層させる。導電性材料８４０は、上述の第１連絡層４２あるいは第２連絡層５２になるものである。この導電性材料８４０を積層させる工程は、ＰＶＤあるいはＣＶＤを用いる、導電性材料８４０を積層させるために用いるＰＶＤとしては、たとえばスパッタリングが挙げられる。本実施形態においては、導電性材料８４０を積層させる工程では、各バー８８１のバー側面８８２に、一括して導電性材料８４０を積層させる。導電性材料８４０は、たとえば、ＮｉやＣｒである。
【００７９】
次に、図２５に示すように、複数のバー８８１を、複数のバー８８１の短手方向（図２５の横方向）に沿って固片８８６に分割する。固片８８６に分割する工程においては、上述の溝８１６および溝８１７に沿ってバー８８１を折り曲げることにより、バー８８１を分割する。固片８８６に分割する工程により、上述の第３基板側面１５および第４基板側面１６が形成される。
【００８０】
次に、固片８８６に、図９、図１０に示した第１メッキ層４３（Ｃｕ層４３ａ、Ｎｉ層４３ｂ、およびＳｎ層４３ｃ）、および、第２メッキ層５３（Ｃｕ層５３ａ、Ｎｉ層５３ｂ、およびＳｎ層５３ｃ）を形成する。第１メッキ層４３および第２メッキ層５３を形成するには、たとえばバレルメッキを用いる。以上の工程を経ることにより、チップ抵抗器１００の製造が完成する。
【００８１】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００８２】
本実施形態においては、チップ抵抗器１００は、絶縁性の基板１と、抵抗体２と、接合層３と、を備える。抵抗体２は、基板１の基板表面１１に配置されている。接合層３は、抵抗体２および基板表面１１の間に介在している。このような構成によると、抵抗体２の厚みを薄くしても、基板１がチップ抵抗器１００の強度を保つことができる。これにより、チップ抵抗器１００の強度を保ちつつ、抵抗体２の抵抗値（チップ抵抗器１００の抵抗値）を大きくすることができる。
【００８３】
本実施形態においては、第１電極４は、第１下地層４１および第１連絡層４２を含む。第１下地層４１は、基板裏面１２に形成され、第１連絡層４２は、第１下地層４１と、第１基板側面１３と、抵抗体２と、を直接覆っている。このような構成によると、第１電極４のうち、基板裏面１２側の面積を大きくすることができる。これにより、抵抗体２にて発生した熱を、第１電極４のうち、基板裏面１２側の部分を経由させて、チップ抵抗器１００の外部に放出することができる。これにより、チップ抵抗器１００の放熱性の向上を図ることができる。
【００８４】
同様に、本実施形態においては、第２電極５は、第２下地層５１および第２連絡層５２を含む。第２下地層５１は、基板裏面１２に形成され、第２連絡層５２は、第２下地層５１と、第２基板側面１４と、抵抗体２と、を直接覆っている。このような構成によると、第２電極５のうち、基板裏面１２側の面積を大きくすることができる。これにより、抵抗体２にて発生した熱を、第２電極５のうち、基板裏面１２側の部分を経由させて、チップ抵抗器１００の外部に放出することができる。これにより、チップ抵抗器１００の放熱性の向上を図ることができる。
【００８５】
本実施形態においては、第１連絡層４２の厚さは、０．５〜１．０ｎｍである。このような構成は、ＰＶＤやＣＶＤ等の薄膜形成技術を用いたことに起因するものである。ＰＶＤやＣＶＤ等の薄膜形成技術を用いると、第１連絡層４２を構成する材料に樹脂が含まれることを極力回避できる。これにより、第１連絡層４２が意図しない抵抗を有することを防止できる。その結果、所望の抵抗値のチップ抵抗器１００を好適に製造できる。
【００８６】
同様に、本実施形態においては、第２連絡層５２の厚さは、０．５〜１．０ｎｍである。このような構成は、ＰＶＤやＣＶＤ等の薄膜形成技術を用いたことに起因するものである。ＰＶＤやＣＶＤ等の薄膜形成技術を用いると、第２連絡層５２を構成する材料に樹脂が含まれることを極力回避できる。これにより、第２連絡層５２が意図しない抵抗を有することを防止できる。その結果、所望の抵抗値のチップ抵抗器１００を好適に製造できる。
【００８７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【００８８】
１００  チップ抵抗器
１  基板
１１  基板表面
１２  基板裏面
１３  第１基板側面
１４  第２基板側面
１５  第３基板側面
１６  第４基板側面
１３ａ  第１傾斜面
１３ｂ  第２傾斜面
１４ａ  第１傾斜面
１４ｂ  第２傾斜面
１５ａ  第１傾斜面
１５ｂ  第２傾斜面
１６ａ  第１傾斜面
１６ｂ  第２傾斜面
２  抵抗体
２１  第１抵抗体側面
２２  第２抵抗体側面
２４  抵抗体表面
３  接合層
３１  接合層表面
４  第１電極
４１  第１下地層
４２  第１連絡層
４３  第１メッキ層
４３ａ  Ｃｕ層
４３ｂ  Ｎｉ層
４３ｃ  Ｓｎ層
５  第２電極
５１  第２下地層
５２  第２連絡層
５３  第２メッキ層
５３ａ  Ｃｕ層
５３ｂ  Ｎｉ層
５３ｃ  Ｓｎ層
６  保護膜
８１０  基板シート
８１１  シート表面
８１２  シート裏面
８１６  溝
８１７  溝
８２０  抵抗体部材
８３０  接合材
８４０  導電性材料
８５０  下地層
８６０  保護膜
８８１  バー
８８２  バー側面
８８６  固片
Ｚ１  厚さ方向
Ｘ１  第１方向
Ｘ２  第２方向
Ｘ３  第３方向
Ｘ４  第４方向
【図１】
2014165368.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014165368.tif 000009
【図８】
2014165368.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2014165368.tif 000014
【図１３】
2014165368.tif 000015
【図１４】
2014165368.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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