(57)【要約】【課題】露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体製造装置は、第１の光学系および第２の光学系を備えている。第１の光学系は、第１の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する。第２の光学系は、原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第２の光源からの光を原版に照射する。【選択図】図１
2014165460.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する第１の光学系と、
前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第２の光源からの光を前記原版に照射する第２の光学系とを備え、
前記原版は、第１の密度で形成されたパターンを有する第１の領域と、第２の密度で形成されたパターンを有する第２の領域とを含み、
前記第２の光学系は、前記第１の密度と前記第２の密度で定まる所定の比率に応じた光量を前記第１および第２の領域のそれぞれに照射することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記第１の密度をＤ１とし、前記第２の密度をＤ２とすると、
前記所定の比率は、
（１−Ｄ１）-1：（１−Ｄ２）-1
であることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
第１の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する第１の光学系と、
前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第２の光源からの光を前記原版に照射する第２の光学系とを備えた半導体製造装置。
【請求項４】
前記原版は、第１の密度で形成されたパターンを有する第１の領域と、第２の密度で形成されたパターンを有する第２の領域とを含み、
前記第２の光学系は、前記第１の密度と前記第２の密度との比率に応じた光量の光を前記第１および第２の領域のそれぞれに照射することを特徴とする請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記第２の光学系は、前記第１の密度と前記第２の密度で定まる所定の比率に応じた透過率を有する第１の透過領域と第２の透過領域とを含む照度調整素子を備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記第２の光学系は、前記第１の密度と前記第２の密度で定まる所定の比率に応じた反射率を有する第１の反射領域と第２の反射領域とを含む照度調整素子を備えていることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記第１および第２の光学系が前記原版へ照射する総光量は、前記原版の面内においてほぼ均等であることを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
前記第２の光学系は、前記第１の光学系からの光が照射される前記原版の領域に、前記第２の光学系からの光を減衰して照射する減衰部をさらに備えていることを特徴とする請求項３から請求項７のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項９】
前記第２の光学系は、露光時の前記原版の動作に合せて前記第２の光学系からの光の照射方向を変更するビームシフタをさらに備えていることを特徴とする請求項３から請求項８のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
第１の光源からの光を原版に照射する第１の光学系と、第２の光源からの光を前記原版に照射する第２の光学系とを用いた半導体装置の製造方法であって、
第１の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写し、
前記第１の光源による照射と同時に、前記原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第２の光源からの光を前記原版に照射することを具備した半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明による実施形態は、半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細化された半導体装置を形成するために、極短紫外（ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet））光を用いた露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置ともいう）が開発されている。ＥＵＶ光は空気中で減衰するため、ＥＵＶ露光装置のチャンバの内部は真空に保たれている。真空チャンバ内にあるレチクルは、ＥＵＶ光を受けて加熱されやすい状態にあるため、レチクルステージを介して冷却する必要がある。しかし、レチクルステージに冷却機構を設けたとしても、レチクルの温度変化は大きく、熱収縮あるいは熱膨張によるオーバーレイ誤差が生じ易い。即ち、レチクルにおいて熱収差が生じやすい。従って、露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９８７５７号公報
【特許文献２】特開２００９−１０１３１号公報
【特許文献３】特開２００２−１００５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光装置においてレチクルの熱収差を抑制し、オーバーレイ誤差を低下させることができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本実施形態による半導体製造装置は、第１の光学系および第２の光学系を備えている。第１の光学系は、第１の光源からの光を原版に照射し、該原版に描かれたパターンを基板に転写する。第２の光学系は、原版に描かれたパターンの密度に応じた光量で第２の光源からの光を原版に照射する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す図。
【図２】レチクルＲのパターンを示す平面図。
【図３】レチクルＲ、第２の光源３２および第２の光学系５の関係を示す概略図。
【図４】照度調整素子５０のレイアウトパターンの一例を示す平面図。
【図５】第２の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す概略図。
【図６】第３の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す概略図。
【図７】第３の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す図である。尚、本実施形態は、ＥＵＶ露光装置１００に限らず、他の露光装置にも適用可能である。
【０００９】
ＥＵＶ露光装置１００は、真空チャンバ１と、レチクルステージ７と、ウェハステージ１０と、電磁チャック９、１２と、第１の光学系４と、第２の光学系５と、レチクル搬送アーム８と、ウェハ搬送アーム１１と、演算制御部２３と、真空装置２４と、第１の光源３１と、第２の光源３２とを備えている。
【００１０】
真空チャンバ１の内部は真空装置２４によって真空（例えば、１×１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気）に維持されている。レチクルステージ７、ウェハステージ１０、第１の光学系４および第２の光学系５は、真空チャンバ１内に設けられており、ＥＵＶ光による露光は真空チャンバ１内で実行される。
【００１１】
レチクルステージ７は、電磁チャック９を備え、半導体基板Ｗを露光するために回路パターンを形成した反射型レチクルＲを装着する。電磁チャック９は、レチクルＲを吸着し固定する。レチクルステージ７は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
【００１２】
ウェハステージ１０は、電磁チャック１２を備え、露光対象である半導体基板Ｗを搭載する。電磁チャック１２は、半導体基板Ｗを吸着し固定する。ウェハステージ１０は、露光時に走査方向に移動することができるように設けられている。
【００１３】
レチクル搬送アーム８は、ロードロックチャンバ１３からレチクルＲを真空チャンバ１内へ搬入し、そのレチクルＲをレチクルステージ７へ搬送する。
【００１４】
ロードロックチャンバ１３は、レチクル交換室１４と真空チャンバ１との間でレチクルＲの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ１３の内部は、真空装置２６によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ１３の両側にはゲート弁１６、１７が設けられている。ロードロックチャンバ１３がレチクルＲをレチクル交換室１４から受け取るとき、ゲート弁１６が閉鎖され、ゲート弁１７が開放される。このとき、ロードロックチャンバ１３の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ１３がレチクルＲを真空チャンバ１へ搬入するときには、ゲート弁１７は閉鎖され、ゲート弁１６が開放される。ゲート弁１７を閉じた後、ゲート弁１６を開放する前に、ロードロックチャンバ１３の内部は真空装置２６によって真空状態にされる。
【００１５】
レチクル交換室１４は、複数のレチクルＲを収納している。レチクル搬送アーム１５は、レチクル交換室１４とロードロックチャンバ１３との間においてレチクルＲの受け渡しを行なう。
【００１６】
ウェハ搬送アーム１１は、ロードロックチャンバ１８から半導体基板Ｗを真空チャンバ１内へ搬入し、その半導体基板Ｗをウェハステージ１０上に搭載する。
【００１７】
ロードロックチャンバ１８は、ウェハ交換室１９と真空チャンバ１との間で半導体基板Ｗの受け渡しを行なうために設けられている。ロードロックチャンバ１８の内部は、真空装置２７によって真空状態にすることができる。ロードロックチャンバ１８の両側にはゲート弁２１、２２が設けられている。ロードロックチャンバ１８が半導体基板Ｗをウェハ交換室１９から受け取るとき、ゲート弁２１が閉鎖され、ゲート弁２２が開放される。このとき、ロードロックチャンバ１８の内部は大気圧となっている。一方、ロードロックチャンバ１８が半導体基板Ｗを真空チャンバ１へ搬入するときには、ゲート弁２２は閉鎖され、ゲート弁２１が開放される。ゲート弁２２を閉じた後、ゲート弁２１を開放する前に、ロードロックチャンバ１８の内部は真空装置２７によって真空状態にされる。
【００１８】
ウェハ交換室１９は、複数の半導体基板Ｗを収納している。ウェハ搬送アーム２０は、ウェハ交換室１９とロードロックチャンバ１８との間において半導体基板Ｗの受け渡しを行なう。
【００１９】
第１の光源３１は、ＥＵＶ光を生成し、第１の光学系４へＥＵＶ光を供給する。第１の光学系４は、第１の光源３１からの光をレチクルステージ７に装着された露光原版としてのレチクルＲに照射し、該レチクルＲに描かれたパターンをウェハステージ１０上に搭載された半導体基板Ｗに露光転写する。露光時に、第１の光学系４は、ＥＵＶ光をレチクルＲへ照射し、レチクルＲで反射した露光光で半導体基板Ｗを露光する。即ち、第１の光学系４は、レチクルＲの照明および半導体基板Ｗへの投影を行なう。半導体基板Ｗの表面には、感光性材料（例えば、レジスト）が予め塗布されており、露光光（ＥＵＶ光）は、半導体基板Ｗ上の感光性材料を感光させる。
【００２０】
第２の光源３２は、第１の光源３１と同時に、ＥＵＶ光を生成し、第２の光学系５へＥＵＶ光を供給する。第２の光源３２は、ＥＵＶ光以外の赤外光等を生成してもよい。第２の光学系５は、第１の光学系４とは別経路で第２の光源３２からの光をレチクルＲへ照射する。第２の光源３２からの光は、露光のために用いられるのではなく、レチクルＲの熱収差を抑制するために用いられる。即ち、第２の光源３２からの光は、露光光ではなく、レチクルＲへの補充光である。以下、第２の光学系５からの光を、第１の光学系４からの露光光と区別するために補充光と呼ぶ。このとき、第２の光学系５は、後述するように、レチクルＲに描かれたパターンの密度に応じた照度で補充光をレチクルＲの全体あるいはその局所に照射する。第２の光学系５からの補充光は、第１の光学系４からの露光光と同時にレチクルＲへ照射される。補充光の反射光は、半導体基板Ｗに照射されないように、受光部（図示せず）において受光される。
【００２１】
演算制御部２３は、レチクルステージ７、ウェハステージ１０等のＥＵＶ露光装置１００の各構成要素の動作を制御する。例えば、演算制御部２３は、レーザ干渉計の計測結果およびフォーカスセンサの検出結果に基づきマスク位置を制御する。
【００２２】
冷却機構４０は、レチクルＲ、電磁チャック９およびレチクルステージ７の熱を吸収するためにレチクルステージ７に接続されている。
【００２３】
次に、レチクルＲに描かれたパターンの密度と第２の光学系５からの光の光量との関係を説明する。
【００２４】
図２は、レチクルＲのパターンを示す平面図である。レチクルＲは、第１の領域Ｒ１と、第２の領域Ｒ２とを含む。第１の領域Ｒ１は、第１の密度で形成されたパターンＰ１を有し、第２の領域Ｒ２は、第２の密度で形成されたパターンＰ２を有する。例えば、パターンＰ１は、パターンＰ２よりも単位面積当たりに含まれる素子が多く、第１の密度は第２の密度よりも高い。この場合、露光時に、第１の領域Ｒ１において反射する露光光は、第２の領域Ｒ２において反射する露光光よりも多くなる。換言すると、第２の領域Ｒ２に吸収される露光光の光量は、第１の領域Ｒ１に吸収される露光光の光量よりも多い。従って、第１の光学系４からのＥＵＶ光を考慮した場合、第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１よりも加熱されやすく、第１の領域Ｒ１よりも温度が高くなり易いと考えられる。
【００２５】
尚、レチクルＲのパターン面の単位面積Ｓ当たりにおける反射部の面積をＳｒｅｆとすると、レチクルＲのパターン密度Ｄは、式１のように表すことができる。
Ｄ＝Ｓｒｅｆ／Ｓ    （式１）
【００２６】
以下の第１の密度Ｄ１および第２の密度Ｄ２は、式１に従って導出され得る。
【００２７】
図３は、レチクルＲ、第２の光源３２および第２の光学系５の関係を示す概略図である。図３において、第１の光源３１および第１の光学系４の図示は省略されている。
【００２８】
第２の光学系５は、レチクルＲのパターンＰ１の密度（第１の密度）Ｄ１とパターンＰ２の密度（第２の密度）Ｄ２との比率（Ｄ１：Ｄ２）に応じた光量の補充光を第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２のそれぞれに照射する。そのために、第２の光学系５は、照度調整素子５０を備えている。照度調整素子５０は、半導体露光技術で広く使用される透過型マスクでよい。例えば、照度調整素子５０は、光を十分に透過するガラス基板に、クロムなどの遮光機能を持つ材料をマスクパターンとして形成したマスクでよい。
【００２９】
図４は、照度調整素子５０のレイアウトパターンの一例を示す平面図である。照度調整素子５０は、所望の光量の補充光を得るために、低密度のマスクパターンを有する第１の透過領域Ｔ１と高密度のマスクパターンを有する第２の透過領域Ｔ２と含む。代替的に、照度調整素子５０は、液晶の配向により透過率を制御する液晶パネルであってもよい。
【００３０】
本実施形態において、照度調整素子５０は、レチクルＲの第１の密度Ｄ１と第２の密度Ｄ２に応じた透過率を有する第１の透過領域Ｔ１と第２の透過領域Ｔ２とを含む。第１の透過領域Ｔ１および第２の透過領域Ｔ２のそれぞれの透過率をそれぞれＲｔ１およびＲｔ２とすると、第１の透過領域Ｔ１および第２の透過領域Ｔ２のそれぞれの透過率の比（Ｒｔ１：Ｒｔ２）は、レチクルＲの第１の密度Ｄ１および第２の密度Ｄ２に対して式２のような関係を有する。
Ｒｔ１：Ｒｔ２＝（１−Ｄ１）-1：（１−Ｄ２）-1  （式２）
【００３１】
一般に、レチクルＲのパターン密度Ｄの領域に強度Ｉの光を照射した場合、レチクルＲのパターンにおいて反射される光の強度はＤ×Ｉである。逆に、レチクルＲのパターンにおいて吸収される光の強度は（１−Ｄ）×Ｉである。ここで、レチクルＲの熱収差を抑制するためには、吸収される光の強度をパターン密度Ｄによらず一定に保つ必要がある。吸収される光の強度を一定に保つためには、レチクルＲのパターンに照射される光の強度を予め（１−Ｄ）-1×Ｉにしておけばよい。これにより、吸収される光の強度は、レチクルＲのパターン密度Ｄに依らず、Ｉ（＝（１−Ｄ）×（１−Ｄ）-1×Ｉ）に維持される。
【００３２】
例えば、照度調整素子５０は、レチクルＲの領域Ｒ１に照射する補充光の強度を、Ｒｔ１×Ｉ（＝（１−Ｄ１）-1×Ｉ）に調整する。照度調整素子５０は、レチクルＲの領域Ｒ２に照射する補充光の強度を、Ｒｔ２×Ｉ（＝（１−Ｄ２）-1×Ｉ）に調整する。これにより、露光光および補充光によるトータルの吸収光の光量がレチクルＲの第１および第２の領域Ｒ１、Ｒ２においてほぼ等しくなる。このように、照度調整素子５０の透過率の比（Ｒｔ１：Ｒｔ２）が式２を満たすことによって、レチクルＲにおける吸収光の強度は、密度Ｄ１、Ｄ２に依らず、一定に維持され得る。即ち、レチクルＲにおける吸収光（露光光および補充光の吸収光）の強度は、密度Ｄ１、Ｄ２に依らず、第１および第２の領域Ｒ１、Ｒ２においてほぼ一定に維持され得る。
【００３３】
図３に示すように、第２の光源３２からの補充光は、照度調整素子５０を通過してレチクルＲへ照射される。このとき、第１の透過領域Ｔ１を通過した補充光は、レチクルＲの第１の領域Ｒ１に照射され、第２の透過領域Ｔ２を通過した補充光は、レチクルＲの第２の領域Ｒ２に照射される。第１および第２の透過領域Ｔ１、Ｔ２は、それぞれ式２を満たす透過率Ｒｔ１、Ｒｔ２を有する。従って、第２の光学系５は、式２で表されるようにレチクルＲのパターン密度Ｄ１、Ｄ２で定まる比（（１−Ｄ１）-1：（１−Ｄ２）-1）の補充光をレチクルＲの第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２に対して照射する。これにより、レチクルＲにおける吸収光の光量は、密度Ｄ１、Ｄ２に依らず、第１および第２の領域Ｒ１、Ｒ２においてほぼ一定に維持される。
【００３４】
レチクルＲに対する補充光の照射角度は、特に限定しないが、反射光が半導体基板Ｗに照射されないような角度とし、上述のように受光部に照射されるようにする。
【００３５】
上述の通り、パターンＰ１の密度がパターンＰ２の密度より高い場合、第１の光学系４からの露光光は、レチクルＲの第１の領域Ｒ１よりも第２の領域Ｒ２において多く吸収される。しかし、本実施形態では、第２の光学系５は、露光光の照射と同時に、パターンＰ１およびＰ２の密度に応じて定まる比率で、第２の光源３２からの光を透過させている。その結果、第２の光学系５は、第２の領域Ｒ２よりも第１の領域Ｒ１に多くの補充光を照射している。これにより、第２の光学系５からの補充光が、レチクルＲの面内における露光光の吸収差を補うように照射される。即ち、第２の光学系５からの補充光をレチクルＲへ照射することによって、レチクルＲにおいて第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との温度差が抑制される。さらに換言すると、第２の光学系５からの補充光が、レチクルＲの面内における熱収差の相違（レチクルＲにおける熱収差の面内差）を抑制することができる。これにより、本実施形態によるＥＵＶ露光装置１００は、レチクルＲの温度の面内ばらつきを抑制し、レチクルＲの面内の温度をほぼ均一に保持することができる。その結果、ＥＵＶ露光装置１００は、レチクルＲの熱収差を抑制（相殺）し、結像性能を向上させ、かつ、オーバーレイ誤差を低下させることができる。これは半導体装置の歩留まり向上に繋がる。
【００３６】
（第２の実施形態）
図５は、第２の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す概略図である。第２の実施形態において、第２の光学系５は、照度調整素子５０とレチクルＲとの間に設けられたアッテネータ７０をさらに備えている。減衰部としてのアッテネータ７０は、第１の光学系４からの露光光が照射されるレチクルＲの領域Ｒ１０に第２の光学系５からの補充光を減衰して照射する、あるいは、補充光を遮蔽する。
【００３７】
露光光がレチクルＲの領域Ｒ１０に照射される場合、アッテネータ７０は、領域Ｒ１０に照射される補充光を減衰させる。第２の光学系５は、領域Ｒ１０以外の領域には、補充光を照射する。第２の実施形態のその他の構成は、第１の実施形態の対応する構成と同様でよい。
【００３８】
このように、第１の光学系４が露光光をレチクルＲの一部の領域Ｒ１０に照射する場合に、第２の光学系５は、領域Ｒ１０の補充光を減衰させ、領域Ｒ１０以外の領域に補充光を減衰せずに照射する。領域Ｒ１０に照射される露光光および補充光の総光量は、領域Ｒ１０以外の領域に照射される露光光および補充光の総光量にほぼ等しくする。これにより、レチクルＲに照射される光量は、レチクルＲの面内においてほぼ均等になる。
【００３９】
尚、もし、領域Ｒ１０以外に照射される補充光の強度が領域Ｒ１０に照射される露光光の強度にほぼ等しい場合、アッテネータ７０は、レチクルＲの面内に照射される光量をほぼ均等にするために補充光を遮断すればよい。
【００４０】
さらに、露光光が照射される領域Ｒ１０においては、第１の実施形態を適用してもよい。即ち、露光光が照射される領域Ｒ１０には、第１の実施形態と同様に、領域Ｒ１０のパターン密度で定まる比の補充光を照射すればよい。例えば、領域Ｒ１０がパターン密度Ｄ１およびＤ２の部分を有する場合、アッテネータ７０は、領域Ｒ１０内におけるパターン密度Ｄ１、Ｄ２で定まる比率に応じた光量で第２の光源からの光を領域Ｒ１０に照射する。即ち、アッテネータ７０は、上記式２に従って領域Ｒ１０に部分的に減衰率を相違させて補充光を照射すればよい。これにより、露光装置１００は、レチクルＲの全体にはほぼ等しい光量の光を照射しつつ、領域Ｒ１０内においてはパターン密度に応じた補充光を照射することができる。これにより、第２の実施形態も第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４１】
（第３の実施形態）
図６および図７は、第３の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００の構成例を示す概略図である。第３の実施形態に従ったＥＵＶ露光装置１００は、レチクルＲおよび半導体基板Ｗ（図１参照）をスキャン方向Ｄｓへ走査させながら露光を実行する走査型露光装置である。即ち、第３の実施形態においてＥＵＶ露光装置１００は、所謂、スキャン露光を実行する。
【００４２】
第３の実施形態において、第２の光学系５は、照度調整素子５０とアッテネータ７０との間に設けられたビームシフタ８０をさらに備えている。ビームシフタ８０は、露光時のレチクルＲの動作に追随して第２の光学系５からの補充光の照射方向を変更する。これにより、ビームシフタ８０は、露光時に補充光をレチクルＲの全体に照射するように補充光の照射角度を調節することができる。
【００４３】
スキャン露光では、第１の光学系４からの露光光は移動せず、レチクルＲおよび半導体基板Ｗが移動する。従って、アッテネータ７０の位置は固定されている。露光光が照射される領域Ｒ２０は、レチクルＲの移動に合せてレチクルＲ上を移動する。
【００４４】
スキャン露光を行なうＥＵＶ露光装置１００であっても、ビームシフタ８０を用いることによって、第２の光学系５は、移動するレチクルＲの全面に補充光を継続的に照射することができる。このとき、アッテネータ７０は、露光光が照射される領域Ｒ２０において補充光を減衰させる。一方、第２の光学系５は、領域Ｒ２０以外の領域には補充光を減衰させることなく照射する。これにより、レチクルＲに照射される光量が、レチクルＲの面内においてほぼ均等になる。従って、第３の実施形態も第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００４５】
（第１〜第３の実施形態の変形例）
上記実施形態において、照度調整素子５０は、光を透過させる透過型素子である。しかし、照度調整素子５０は、光を反射させる反射型素子であってもよい。この場合、照度調整素子５０は、第１の密度Ｄ１と第２の密度Ｄ２に応じた反射率を有する第１の反射領域と第２の反射領域とを含む。第１の反射領域および第２の反射領域のそれぞれの反射率をそれぞれＲｒ１およびＲｒ２とすると、第１の反射領域および第２の反射領域のそれぞれの反射率の比（Ｒｒ１：Ｒｒ２）は、レチクルＲの第１の密度Ｄ１および第２の密度Ｄ２に対して式３のような関係を有する。
Ｒｒ１:Ｒｒ２＝（１−Ｄ１）-1：（１−Ｄ２）-1   （式３）
【００４６】
これにより、照度調整素子５０が反射型素子であっても、上記実施形態の効果を得ることができる。
【００４７】
このように、光学系５は、第２の光源３２から発した光を照度調整素子５０で反射させる反射光学系であってもよい。その場合、第１から第３の実施形態における照度調整素子５０の透過率に代えて、照度調整素子５０の反射率を用いればよい。
【００４８】
また、上記実施形態において、光学系５および照度調整素子５０は、転写原版（例えば、レチクルＲ）に補充光を照射することによって、その転写原版の熱収差を低減させている。しかし、上記実施形態は、露光装置の光学系中に存在する転写原版以外の任意の素子についても、熱収差を低減させるために適用してもよい。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５０】
１００・・・ＥＵＶ露光装置、１・・・真空チャンバ、７・・・レチクルステージ、１０・・・ウェハステージ、９、１２・・・電磁チャック、４・・・第１の光学系、５・・・第２の光学系、８・・・レチクル搬送アーム、１１・・・ウェハ搬送アーム、２３・・・演算制御部、２４・・・真空装置、３１・・・第１の光源、３２・・・第２の光源、Ｒ・・・レチクル、Ｗ・・・半導体基板、５０・・・照度調整素子、７０・・・アッテネータ、８０・・・ビームシフタ
【図１】
2014165460.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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