(57)【要約】【課題】本発明の課題は、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンディング性を有するダイシングフィルムを提供することである。【解決手段】本発明に係るダイシングフィルムは、基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることを特徴とするダイシングフィルムである。また、前記基材の８０℃における破断伸度は７５０％以下であることが好ましい。【選択図】図1
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂で構成される基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、
前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることを特徴とするダイシングフィルム。
【請求項２】
前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である請求項１に記載のダイシングフィルム。
【請求項３】
前記基材の２３℃における破断伸度が５０％以上である請求項１または２に記載のダイシングフィルム。
【請求項４】
前記基材の厚みが、５０〜２５０μｍである請求項１ないし３いずれか１項に記載のダイシングフィルム。
【請求項５】
前記粘着剤層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものである請求項１ないし４いずれか１項に記載のダイシングフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングフィルムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する工程において、半導体ウェハやパッケージ等の半導体部材を切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体部材を貼り付け、ダイシング（切断、個片化）し、さらに当該ダイシングフィルムのエキスパンディング等を行い、次いで切断された前記半導体部材をピックアップするために用いられるものである。
【０００３】
一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと、粘着剤層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、ＰＶＣ樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非ＰＶＣ樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
近年に見られる半導体部材の小型化・薄型化の動向により、半導体部材の汚染性に関してますます厳しいレベルが要求されている。
半導体基板を切断する際には、回転刃であるダイシングブレードが、目的のライン上を切断する方式がとられているが、半導体ウェハ等を完全に切断するためにダイシングフィルムの一部まで切り込みが発生することになる。このため、ダイシングの際、半導体ウェハ等の切削屑以外にダイシングフィルムの基材フィルム層が基材ヒゲと呼ばれる線状の屑となって半導体素子表面に付着することが半導体素子の汚染の原因となっている。
【０００５】
また、半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンディングを行うが、基材に十分な靭性および柔軟性がない場合、エキスパンディング時にダイシングフィルムが破断してしまう不具合が生じることがある。ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２５７８９３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンディング性を有するダイシングフィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）樹脂で構成される基材と、前記基材上に形成される粘着剤層とを有するダイシングフィルムであって、前記基材の２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることを特徴とするダイシングフィルム。
（２）前記基材の８０℃における破断伸度が７５０％以下である上記（１）に記載のダイシングフィルム。
（３）前記基材の２３℃における破断伸度が５０％以上である上記（１）または（２）に
記載のダイシングフィルム。
（４）前記基材の厚みが、５０〜２５０μｍである上記（１）ないし（３）いずれかに記載のダイシングフィルム。
（５）前記粘着剤層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものである上記（１）ないし（４）いずれかに記載のダイシングフィルム。 
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンディング性を有するダイシングフィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係るダイシングフィルムの一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のダイシングフィルムの一例を、図を参照しながら詳細に説明する。
【００１２】
本発明に係るダイシングフィルム１０は、図１に例示するように基材１と粘着剤層２とを有する。
【００１３】
以下、ダイシングフィルム１０の各部の構成について順次説明する。
【００１４】
（基材１）
基材１は、半導体ウェハ等の搬送時に安定させるため、並びにダイシング時に粘着剤層の下層まで切り込みを入れるため、またダイシング後のチップ間隔を広げるためのものである。
ここで、基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上である。
ダイシング工程において、半導体ウェハ等を切削する際、ダイシングブレードとダイシングフィルムとの間には摩擦熱が発生することがある。そのため、ダイシングブレードとの接触部は、高温に晒され、基材が溶融状態となり、柔らかく伸びやすく、基材由来の切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の基材１は、２００℃における溶融張力が８０ｍＮ以上であることにより、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程における基材ヒゲの発生を抑制することができるものである。
基材１の２００℃における溶融張力は８０ｍＮ以上であれば特に限定されないが、１００ｍＮ以上であることが好ましく、１２０ｍＮ以上であることがより好ましい。
【００１５】
また、基材１は、８０℃における破断伸度が７５０％以下であることが好ましく、６００％以下であることがより好ましく、４００％以下であることがより好ましい。
基材１の８０℃における破断伸度が上限値以下であることにより、ダイシング時に発生する摩擦熱が溶融温度以下の場合においても、基材ヒゲ発生を抑制することができる。
【００１６】
また、基材１は、２３℃における破断伸度が５０％以上であることが好ましい。
ダイシングフィルムは、基材に十分な靭性がないと、エキスパンディング時に基材が破断するといった問題が発生する場合があるところ、エキスパンディング工程が行われる常温付近の２３℃における基材１の破断伸度が５０％以上であることにより、エキスパンディング時に基材１が破断し難いものとなる。
基材１の２３℃における破断伸度は、５０％以上であれば特に限定されないが、１００％以上であることが好ましく、２００％以上であることがより好ましい。
【００１７】
また、ダイシングブレードとの摩擦熱が、８０℃を超える場合を考慮すれば、基材１は、８０℃を超える温度においても、低い破断伸度を有することが好ましく、例えば１００℃における判断伸度が、６００％以下であることが好ましく、４００％以下であることがより好ましい。
これにより、ダイシング工程おける基材ヒゲの発生をさらに抑制することができる。
【００１８】
基材１に含まれる樹脂としては、本発明の効果を損なわないものであれば、特に限定されないが、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂、エチレン・酢酸ビニル共重合体、アイオノマー、エチレン・(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン・(メタ)アクリル酸エステル共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリアルキレンテレフタレート系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の２種以上の混合物、エラストマーとの混合物等が挙げられる。
【００１９】
基材１の厚さは、特に限定されないが、５０〜２５０μｍであることが好ましく、７０〜２００μｍであることがより好ましく、８０〜１５０μｍであることがより一層好ましい。
基材１の厚さが前記下限値以上であることにより、エキスパンディング時に基材１がより破断しにくいものとなり、基材１の厚さが前記上限値以下であることにより、コスト面で優れる場合がある。
【００２０】
また基材１は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオ
レフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。
【００２１】
尚、溶融張力を上昇させる目的で、高溶融張力ポリオレフィンエラストマ―や、ポリテトラフルオロエチレン(ＰＴＦＥ)系などの改質剤等を添加することができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン系改質剤の場合、ポリテトラフルオロエチレンが有する高結晶性および低分子間力の特徴により、オレフィン系樹脂等への添加することで、ポリテトラフルオロエチレンが繊維状に分散し、疑似３次元ネットワークを形成することにより、基材１の溶融張力の向上に寄与することができる。
【００２２】
（粘着剤層２）
図１に例示するように本発明に係るダイシングフィルム１０の基材１上に粘着剤層２が形成されている。粘着剤層２は、ダイシングフィルム１０に被着体を保持する役割を有する。
粘着剤層２に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか１つ以上を含むものであることが好ましい。
また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有するものであることがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。
粘着剤層２が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント
時の気泡噛み込みや端材飛び、チッピングの抑制が特に好適なものとなる。
【００２３】
粘着剤層２の厚さは、特に限定されないが、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、ダイシングフィルムの半導体ウェハ切断用では５μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
また、パッケージ等の特殊部材切断用としては１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性およびコスト面で優れる場合がある。
【００２４】
＜ダイシングフィルムの製造方法の一例＞
本発明に係るダイシングフィルム１０の粘着剤層２は基材１、または基材１を含む樹脂フィルムに対して粘着剤層２として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
【００２５】
本発明に係るダイシングフィルム１０には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。
【実施例】
【００２６】
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
【００２７】
（実施例１）
＜基材の作成＞
基材１を構成する材料として低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．２）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備し、タンブラーミキサーにて予備混合した後、シリンダー温度２００℃に調整した２軸混練機で溶融混練、造粒し、樹脂混合物のペレットを得た。
得られたペレットを、ダイス温度２００℃に調整した押出し機でシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
【００２８】
＜粘着剤層の作成＞
粘着剤層のベースポリマーとして、アクリル酸２−エチルヘキシルを３０重量部と、酢酸ビニル７０重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量：３０万）４２重量％を用いた。
【００２９】
粘着剤層の硬化成分として、重量平均分子量が５０００、重合性官能基数が４であるウレタンアクリレートを４７重量％、粘着剤層の光重合開始剤として、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・ジャパン株式会社製）を３重量％準備した。粘着剤層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業株式会社製）を８重量％準備した。
【００３０】
上記の粘着剤層のベースポリマー、硬化成分、光重合開始剤、架橋剤、さらにその合計の２倍量の酢酸エチルを常温で１５分間撹拌し、混合溶液を作製した。この混合溶液を、乾燥後の粘着剤層の厚みが１０μｍになるようにして基材にバーコート塗工した後、８０℃で５分間乾燥させて、所望のダイシングフィルムを得た。
【００３１】
（実施例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として
、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ３．７）９０重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ，スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）１０重量部を準備した。
【００３２】
（実施例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２３ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ３．７）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
【００３３】
（実施例４）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
【００３４】
（実施例５）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、密度９２２ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０）９８重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）２重量部を準備した。
【００３５】
（実施例６）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．４）６０重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部を準備した。
【００３６】
（実施例７）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１０ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．４）５９重量部、スチレン−イソプレン−スチレン・ブロック共重合体（ＳＩＳ、スチレン含有量１２％、ＭＦＲ０．５）４０重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
【００３７】
（比較例１）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ、密度９５４ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ１．４、商品名「サンテックＢ１６１」、旭化成ケミカルズ株式会社製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
【００３８】
（比較例２）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、直鎖状低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．０、商品名「ウルトゼックス２０２２Ｌ」、株式会社プライムポリマー製）を準備し、ダイス温度２００℃に調整した押出し機にてシート状に押し出し、厚み１００μｍのシートを得た。その後、粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
【００３９】
（比較例３）
下記以外については実施例１と同様にして、ダイシングフィルム１０を得た。基材として、ポリプロピレン（ＰＰ、密度９１９ｋｇ／ｍ３、ＭＦＲ２．５）９９重量部、粉末状ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）１重量部を準備した。
【００４０】
＜溶融張力の測定＞
溶融張力は上記で準備した混練後のペレットをサンプルとして、炉体径９．５５ｍｍ、キャピラリー長１０ｍｍ、キャピラリー径１ｍｍの毛管粘度計（商品名「キャピログラフ１Ｃ」、東洋精機製作所製）を用いて測定した。溶融張力は、炉内温度を２００℃、ピストンスピードを１０ｍｍ／ｍｉｎ、引取速度を５ｍ／ｍｉｎに設定し、引き取りに必要な荷重（ｍＮ）を溶融張力とした。
【００４１】
＜破断伸度（２３℃）の測定＞
２３℃における破断伸度は、２３℃環境下において、ＪＩＳＫ６７３４に準拠し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。
【００４２】
＜破断伸度（８０℃）の測定＞
８０℃における破断伸度は、８０℃環境下において、６ｍｍ幅、５０ｍｍ長さの短冊状サンプルを準備し、テンシロン万能試験機を用いて、ＭＤ方向、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎにて測定した。
【００４３】
＜基材ヒゲ評価＞
作製したダイシングフィルムに、４インチサイズのシリコンウェハ（厚み２００μｍ）を貼り付け、ダイシングソー（商品名「ＤＡＤ３３５０」、株式会社ディスコ製）を用いて下記条件でダイシングを行った後、シリコンウェハ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ１００μｍ以上の基材ヒゲの数をカウントした。
判定基準
◎  ：  ０〜５本
○  ：  ６−１０本
×  ：  １１本以上
【００４４】
＜ダイシング条件＞
ブレード          「ＮＢＣ−ＺＨ２０５０  ２７ＨＥＤＤ」、株式会社ディスコ製
ブレード回転数    ５５，０００ｒｐｍ
カット速度        ５０ｍｍ／ｓｅｃ
切込量            ダイシングフィルム表面から３０μｍ
カットサイズ      ３ｍｍ×３ｍｍ
ブレードクーラー  ２Ｌ／ｍｉｎ
【００４５】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明のダイシングフィルムはダイシング時の基材ヒゲの発生が少なく、ダイシングフィルムとして好適な強度と良好な外観を有するため半導体装置製造のダイシング工程において半導体部材固定用のフィルムとして好適に用いることができる。
【００４７】
１・・・基材
２・・・粘着剤層
１０・・・ダイシングフィルム
【図１】
2014165473.tif 000004