(57)【要約】【課題】回路パターンと絶縁層に対する接着力を向上させ、信頼性を向上させることができるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプリント回路基板は、基板上の回路パターン２２０と絶縁層２１０との間に接着力向上のために介在されたＡＰ（Ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜２３０を含むものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の回路パターンと絶縁層との間に接着力向上のために介在されたＡＰ（Ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜を含むプリント回路基板。
【請求項２】
前記ＡＰ膜は第１ポリマー及び有機化合物を含み、
前記絶縁層はＳＲ（ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）層を含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項３】
前記ＡＰ膜は、第２ポリマーをさらに含む請求項１に記載のプリント回路基板。
【請求項４】
前記第１ポリマーは、アミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、及びピリジン系のポリマーのうち何れか一つまたは少なくとも二つを含む請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項５】
前記第２ポリマーは、熱硬化性合成樹脂を含む請求項３に記載のプリント回路基板。
【請求項６】
前記有機化合物は、芳香族化合物のうち何れか一つまたは少なくとも二つを含む請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項７】
前記芳香族化合物は、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、及びエチルビニルベンゼンを含む請求項６に記載のプリント回路基板。
【請求項８】
前記ＡＰ膜は、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ法（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）のうち何れか一つの方法を用いて、前記第１ポリマーを前記回路パターンに接着し、前記第２ポリマー及び有機化合物を絶縁層に接着することで形成される請求項２に記載のプリント回路基板。
【請求項９】
基板上の回路パターンと絶縁層との間に接着力向上のためのＡＰ膜を形成する段階を含むプリント回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ＡＰ膜を形成する段階は、
前記基板上に絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に前記回路パターンを形成する段階と、
前記回路パターンが形成された前記絶縁層上に前記ＡＰ膜を形成する段階と、
前記ＡＰ膜上に他の絶縁層を形成する段階と、
を含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記他の絶縁層は、ＳＲ（ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）層を含む請求項１０に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記ＡＰ膜を形成する段階は、
前記基板上に前記絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上に前記ＡＰ膜を形成する段階と、
前記ＡＰ膜上に銅メッキ層を形成する段階と、
前記銅メッキ層を回路パターンに形成するためのパターニング工程を行う段階と、
を含む請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記ＡＰ膜は、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ法（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）のうち何れか一つの方法を用いて、第１ポリマー、第２ポリマー、及び有機化合物のうち少なくとも何れか一つを含む膜に形成される請求項９に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１ポリマーは前記回路パターンに接着して形成され、前記第２ポリマー及び有機化合物は絶縁層に接着して形成される請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１ポリマーはアミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、及びピリジン系のポリマーのうち何れか一つまたは少なくとも二つのポリマーを含み、
前記第２ポリマーは熱硬化性合成樹脂を含み、
前記有機化合物は芳香族化合物のうち何れか一つまたは少なくとも二つを含む請求項１３に記載のプリント回路基板の製造方法。
【請求項１６】
前記芳香族化合物は、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、及びエチルビニルベンゼンを含む請求項１５に記載のプリント回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの一面または両面に銅箔で配線を施した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置固定し、これらの間に電気的な配線を具現し、絶縁体でコーティングしたものである。
【０００３】
近年、電子産業の発達に伴い、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増しており、これによってこのような電子部品を搭載するプリント回路基板にもまた高密度配線化及び薄板化が要求されている。
【０００４】
特に、プリント回路基板の製造方法において、アディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法またはＳＡＰ法（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）では、樹脂からなる絶縁層にデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理を施して粗さを高めた後にメッキしたり、または銅回路に粗さ処理を施した後に樹脂を塗布することで、樹脂とメッキ層との間の密着力を確保した。
【０００５】
しかし、このような方式で製造されたプリント回路基板は、高い粗さによって微細回路に形成することが難しく、信号送信損失が大きいという欠点がある。
【０００６】
このような欠点を解消するために、低い粗さを有する基板の製作が試みられたが、このような基板は、低い粗さによって樹脂と回路との間の密着力が低下し、プリント回路基板の信頼性が良好でないという欠点がある。
【０００７】
このような欠点を解消するために、特許文献１に開示されたように、接着液やスズめっき液などを用いて低い粗さで高密着力を確保する案が試みられている。
【０００８】
しかし、このような方法は、接着液やスズめっき液などを用いるウェットプロセス（ｗｅｔ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いるため、処理コストが高く、周期的な溶液管理が必要であるという欠点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００５０４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、前記の問題点を解消するために、回路パターンと絶縁材との間に接着力向上のＡＰ（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜を容易に備えたプリント回路基板を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、前記の問題点を解消するために、回路パターンと絶縁材との間に接着力向上のためのＡＰ（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜を容易に備え、低い粗さを有すると共に高い層間密着力を有するプリント回路基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施例によるプリント回路基板は、基板上の回路パターンと絶縁層との間に接着力向上のために介在されたＡＰ（Ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜を含む。
【００１３】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記ＡＰ膜は第１ポリマー及び有機化合物を含み、前記絶縁層はＳＲ（ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）層を含む。
【００１４】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記ＡＰ膜は、第２ポリマーをさらに含む。
【００１５】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記第１ポリマーは、アミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、及びピリジン系のポリマーのうち何れか一つまたは少なくとも二つを含む。
【００１６】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記第２ポリマーは、熱硬化性合成樹脂を含む。
【００１７】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記有機化合物は、芳香族化合物のうち何れか一つまたは少なくとも二つを含み、前記芳香族化合物は、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、及びエチルビニルベンゼンを含む。
【００１８】
本発明の一実施例によるプリント回路基板において、前記ＡＰ膜は、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ法（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）のうち何れか一つの方法を用いて、前記第１ポリマーを前記回路パターンに接着し、前記第２ポリマー及び有機化合物を絶縁層に接着することで形成される。
【００１９】
また、本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法は、基板上の回路パターンと絶縁層との間に接着力向上のためのＡＰ膜を形成する段階を含む。
【００２０】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記ＡＰ膜を形成する段階は、前記基板上に前記絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に前記回路パターンを形成する段階と、前記回路パターンが形成された前記絶縁層上に前記ＡＰ膜を形成する段階と、前記ＡＰ膜上に他の絶縁層を形成する段階と、を含む。
【００２１】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記ＡＰ膜を形成する段階は、前記基板上に絶縁層を形成する段階と、前記絶縁層上に前記ＡＰ膜を形成する段階と、前記ＡＰ膜上に銅メッキ層を形成する段階と、前記銅メッキ層を回路パターンに形成するためのパターニング工程を行う段階と、を含む。
【００２２】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記ＡＰ膜は、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ法（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）のうち何れか一つの方法を用いて、第１ポリマー、第２ポリマー、及び有機化合物を含む膜に形成される。
【００２３】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記第１ポリマーは前記回路パターンに接着して形成され、前記第２ポリマー及び有機化合物は絶縁層に接着して形成される。
【００２４】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記第１ポリマーは、アミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、及びピリジン系のポリマーのうち何れか一つまたは少なくとも二つのポリマーを含み、前記第２ポリマーは、熱硬化性合成樹脂を含み、前記有機化合物は芳香族化合物のうち何れか一つまたは少なくとも二つを含む。
【００２５】
本発明の他の実施例によるプリント回路基板の製造方法において、前記芳香族化合物は、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、及びエチルビニルベンゼンを含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板は、回路パターンと絶縁層に対する接着力を向上させ、プリント回路基板の信頼性を向上させることができる効果を有する。
【００２７】
本発明によるプリント回路基板の製造方法は、低い粗さ値を有すると共に回路パターンとの接着力が向上したＡＰ膜を用いて、微細回路パターンを有するプリント回路基板を提供することができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施例によるＡＰ膜の形成を説明するための工程例示図である。
【図２】本発明の第１実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】本発明の第３実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ相違する図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００３０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３１】
図１は、本発明の一実施例によるＡＰ膜の形成を説明するための工程例示図である。
【００３２】
本発明の一実施例によるＡＰ（Ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜は、例えば、回路パターンと絶縁層との間、または回路パターンとＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）との間などの異種界面の間に対する接着力が要求される構造に介在され、従来の粗さ処理過程なしに、回路パターン、絶縁層、またはＳＲに対する接着力を向上させるように形成されるものである。
【００３３】
このようなＡＰ（ａｄｈｅｓｉｏｎ  ｐｒｏｍｏｔｅｒ）膜は、第１ポリマーと有機化合物を含む形態に形成され、選択的に第２ポリマーを追加して形成することができる。
【００３４】
具体的に、第１ポリマーは、アミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、またはピリジン系のポリマーなどを含み、第２ポリマーは、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂などのような熱硬化性合成樹脂を含み、有機化合物は、例えば、ジビニルベンゼン（ｄｉｖｉｎｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、スチレン（ｓｔｙｒｅｎｅ）、エチルビニルベンゼンなどのような芳香族化合物を含む。
【００３５】
ここで、ＡＰ膜の第１ポリマーは、例えば、回路パターンに接着して形成され、第２ポリマーと有機化合物は、混合されて絶縁層またはＳＲに接着して形成され、異種界面の間で両側の層に対する接着力を向上させることもできる。
【００３６】
このようなＡＰ膜は、ＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ｉＣＶＤ法（ｉｎｉｔｉａｔｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及びスピンコーティング法（Ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）を用いて、回路パターンと絶縁層との間、または回路パターンとＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）との間に形成することができる。
【００３７】
第一に、ＡＰ膜は、スピンコーティング法で回路パターンと絶縁層との間、または回路パターンと、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）との間に形成することもできる。
【００３８】
例えば、スピンコーティング法は、第１ポリマーまたは第２ポリマーを有機化合物と混合した材質をベンゼン、トルエンなどの揮発性有機溶剤に溶解したＡＰ溶液を、スピンコーターに装着させた基板の表面に液滴することができる。
【００３９】
その後、このような基板を装着したスピンコーターの回転力によって、回路パターンまたは絶縁層を備えた基板全体にＡＰ溶液を塗布することができる。
【００４０】
次に、塗布されたＡＰ溶液に対して硬化処理を施し、揮発性有機溶剤が揮発して除去されると、回路パターンまたは絶縁層を備えた基板にＡＰ膜を形成する。
【００４１】
第二に、ＡＰ膜は、ポリマーを用いて回路パターンと絶縁層との間、または回路パターンとＳＲとの間などに形成されるため、ｉＣＶＤ法を利用することが好ましい。
【００４２】
具体的に、ｉＣＶＤ法は、図１に図示されたように、チャンバ内にＡＰ膜を成すポリマーのモノマー（Ｍｏｎｏｍｅｒ；Ｍ）を気化して、ポリマーの重合反応と成膜工程を同時に行う気相重合反応により、ポリマー薄膜Ｐを形成することができる。このようなｉＣＶＤ法は、開始剤（Ｉｎｉｔｉａｔｏｒ；Ｉ）とモノマーＭを気化して気相で自由ラジカル（ｆｒｅｅ  ｒａｄｉｃａｌ；Ｒ）を用いた連鎖重合反応を行うようにすることで、ポリマー薄膜Ｐを回路パターンまたは絶縁層を備えた基板２００の表面に蒸着することができる。
【００４３】
開始剤ＩとモノマーＭを単純に混合した時には、重合反応が生じないが、ｉＣＶＤチャンバ内に位置した高温のフィラメント１１０によって開始剤Ｉが分解され、ラジカルＲが生成されると、これによって、モノマーＭが活性化し、連鎖重合反応が行われる。
【００４４】
開始剤Ｉとしては、ＴＢＰＯ（ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｅｒｏｘｉｄｅ）またはＴＡＰＯ（ｔｅｒｔ−ａｍｙｌ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ）などの過酸化物（ｐｅｒｏｘｉｄｅ）が主に用いられる。このような開始剤Ｉは、１１０℃程度の沸点を有する揮発性物質であって、約１５０℃前後で熱分解される。
【００４５】
従って、ｉＣＶＤチャンバで用いられる高温のフィラメント１１０が２００〜２５０℃前後に維持されると、容易に連鎖重合反応を誘導することができる。ここで、フィラメント１１０の温度は、過酸化物の開始剤Ｉを熱分解するには十分高い温度であるが、ｉＣＶＤ法に用いられるモノマーＭを含むほとんどの有機物は、このような温度では熱分解されない。
【００４６】
開始剤Ｉの分解により形成された自由ラジカルＲは、モノマーＭに伝達されて連鎖反応を起こし、ポリマーＰを形成することができる。このように形成されたポリマーＰは、低温に維持された基板２００上に蒸着され、ＡＰ膜を形成することができる。
【００４７】
以下、本発明の実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法について、図２から図４を参照して説明する。
【００４８】
図２は、本発明の第１実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図であり、図３は、本発明の第２実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図であり、図４は、本発明の第３実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００４９】
図２の（ａ）に図示されたように、本発明の第１実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法は、基板上の絶縁層２１０に回路パターン２２０を形成した状態に適用する。
【００５０】
このような回路パターン２２０を備えた絶縁層２１０上に、図２の（ｂ）に図示されたように、ＣＶＤ法、ｉＣＶＤ法及びスピンコーティング法のうち何れか一つの方法でＡＰ膜２３０を、０．０１〜１μｍの厚さに形成する。
【００５１】
具体的に、ＡＰ膜２３０は、第１ポリマーまたは第２ポリマーと有機化合物とからなる膜であって、第１ポリマーは、アミン系のポリマー、イミダゾール系のポリマー、及びピリジン系のポリマーのうち何れか一つまたは混合物を含み、第２ポリマーは、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂などの熱硬化性合成樹脂を含み、有機化合物は、例えば、ジビニルベンゼン、スチレン、エチルビニルベンゼンのうち何れか一つの芳香族化合物を含むことができる。
【００５２】
特に、ＡＰ膜２３０は、回路パターン２２０の方向に第１ポリマーが先ず接着形成され、第１ポリマーの上に第２ポリマーと有機化合物を含有する膜を形成することができる。
【００５３】
図２の（ｃ）に図示されたように、ＡＰ膜２３０の上部面に上部絶縁層２４０を形成する。
【００５４】
このように形成されたＡＰ膜２３０は、第１ポリマーを用いて回路パターン２２０に対する接着力を向上させ、第２ポリマーと有機化合物を用いて上部絶縁層２４０に対する接着力を向上させることができる。
【００５５】
従って、本発明の第１実施例によるＡＰ膜２３０を備えたプリント回路基板は、回路パターン２２０と上部絶縁層２４０に対する接着力を向上させ、プリント回路基板の信頼性が向上する。
【００５６】
また、本発明の第２実施例によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の製造方法は、図３の（ａ）に図示されたように、基板上に絶縁層３１０を備えた状態に適用する。
【００５７】
このような絶縁層３１０上に、図３の（ｂ）に図示されたように、ＣＶＤ法、ｉＣＶＤ法及びスピンコーティング法のうち何れか一つの方法を用いてＡＰ膜３３０を形成する。
【００５８】
ＡＰ膜３３０は、前記のように、第１ポリマー、第２ポリマー、及び有機化合物を含んで形成された膜であって、ＣＶＤ法、ｉＣＶＤ法及びスピンコーティング法のうち何れか一つの方法を用いて、０．０１〜１μｍの厚さに形成することができる。ここで、ＡＰ膜３３０は、ｉＣＶＤ法で形成されることが好ましい。
【００５９】
例えば、ＡＰ膜３３０は、絶縁層３１０の上部面に先ず第２ポリマーと有機化合物からなる膜を接着して形成され、このような第２ポリマーと有機化合物の膜の上部に第１ポリマーを含有した膜を形成することができる。
【００６０】
ＡＰ膜３３０を形成した後、図３の（ｃ）に図示されたように、ＡＰ膜３３０の上部面に銅メッキ層３５０を形成する。ここで、銅メッキ層３５０は、例えば、無電解銅メッキ法で形成することができる。
【００６１】
このように形成された銅メッキ層３５０は、リソグラフィ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）及びエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程を含むパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）工程を経て、微細回路パターンを形成することができる。
【００６２】
この際、ＡＰ膜３３０は、粗さ（Ｒａ）が、例えば、０．１μｍの低い粗さ値を有しながらも銅メッキ層３５０との接着力が向上されるため、銅メッキ層３５０を微細回路パターンに形成することができる。
【００６３】
これにより、本発明の第２実施例によるプリント回路基板の製造方法は、低い粗さ値を有しながらも銅メッキ層３５０との接着力が向上したＡＰ膜３３０を用いて、微細回路パターンを有するプリント回路基板を提供することができる。
【００６４】
また、本発明の第３実施例によるプリント回路基板の製造方法は、図４に図示されたように、回路パターン４２０とＳＲ層４４０との間にＡＰ膜４３０を介在して回路パターン４２０とＳＲ層４４０に対する接着力を向上させることができる。
【００６５】
本発明の第３実施例によるプリント回路基板の製造方法は、図４の（ａ）に図示されたように、基板上の絶縁層４１０に回路パターン４２０を形成した状態に適用する。
【００６６】
このような回路パターン４２０を備えた絶縁層４１０上に、図４の（ｂ）に図示されたように、ＣＶＤ法、ｉＣＶＤ法及びスピンコーティング法のうち何れか一つの方法を用いてＡＰ膜４３０を、０．０１〜１μｍの厚さに形成する。
【００６７】
この際、ＡＰ膜４３０は、回路パターン４２０の方向に第１ポリマーを先ず接着形成させ、第１ポリマーの上に第２ポリマーと有機化合物を含有した膜を成長して形成させることができる。
【００６８】
このように形成されたＡＰ膜４３０上部面に、図４の（ｃ）に図示されたように、ＳＲ層４４０を形成する。
【００６９】
この際、ＡＰ膜４３０は、第１ポリマーを用いて回路パターン４２０に対する接着力を向上させ、第２ポリマーと有機化合物を用いてＳＲ層４４０に対する接着力を向上させることができる。
【００７０】
従って、本発明の第３実施例によるプリント回路基板の製造方法によると、ＡＰ膜４３０を用いて回路パターン４２０とＳＲ層４４０に対する接着力を向上したプリント回路基板を提供することができる。
【実施例】
【００７１】
以下、本発明によるＡＰ膜を備えたプリント回路基板の特性を、次の実施例及び比較例によってより詳細に説明する。ここで、以下の実施例及び比較例は、本発明の内容を例示するものに過ぎず、発明の範囲は実施例及び比較例によって限定されない。
【００７２】
（実施例１）
実施例１は、本発明の図３の（ｃ）に図示された構造の形態に基づき、層間絶縁材からなる絶縁層３１０、ＡＰ膜３３０、銅メッキ層３５０を備える。
【００７３】
この際、ＡＰ膜３３０は、第１ポリマーとしてピリジン系のポリマーのうち４−ビニルピリジンポリマー、第２ポリマーとしてエポキシ樹脂、及びジビニルベンゼンの有機化合物をｉＣＶＤ法で、０．２μｍの厚さに形成する。
【００７４】
（実施例２）
実施例２は、本発明の図３の（ｃ）に図示された構造の形態に基づき、層間絶縁材からなる絶縁層３１０、ＡＰ膜３３０、及び銅メッキ層３５０を順に備える。
【００７５】
この際、ＡＰ膜３３０は、第１ポリマーとしてピリジン系のポリマーのうち４−ビニルピリジンポリマー、及び第２ポリマーとしてエポキシ樹脂をｉＣＶＤ法で、０．２μｍの厚さに形成する。
【００７６】
従って、実施例２は、実施例１のジビニルベンゼンの有機化合物成分を省略し、ＡＰ膜３３０を形成するという点において差がある。
【００７７】
（比較例）
比較例は、図３の（ｃ）において、ＡＰ膜３３０なしに層間絶縁材からなる絶縁層３１０の上部面に直接銅メッキ層３５０を形成した構造で形成する。
【００７８】
このような実施例１、実施例２、及び比較例によるそれぞれの構造に対してＳＡＩＣＡＳ装備を用いて剥離強度（ｐｅｅｌ  ｓｔｒｅｎｇｔｈ）を測定すると、以下の表１に記載されたように、実施例１が最も高い剥離強度を有することが分かる。
【００７９】
【表１】
2014038998.tif 000003
【００８０】
従って、本発明によるプリント回路基板は、ＡＰ膜３３０を用いて絶縁層３１０と回路パターンに形成される銅メッキ層３５０との間の接着力を向上させることができるため、従来の粗さ処理を施すための別の工程を必要とせず、ＡＰ膜３３０により回路パターンと絶縁層との間または回路パターンとＳＲ層との間の接着力を向上させることができる。
【００８１】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００８２】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００８４】
Ｉ  開始剤
Ｍ  モノマー
Ｒ  ラジカル
Ｐ  ポリマー
１１０  フィラメント
２００  基板
２１０、３１０、４１０  絶縁層
２２０、４２０  回路パターン
２３０、３３０、４３０  ＡＰ膜
２４０  上部絶縁層
３５０  銅メッキ層
４４０  ＳＲ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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