(57)【要約】  製品不良につながる欠陥の発生を抑制することにより製造コストを低減することが可能な非可逆回路素子（Ｐ１）は、磁性体（１０）と、磁性体固定筐体（２０）と、磁石（５０）とを備えている。磁性体固定筐体（２０）は磁性体（１０）を取り囲むように配置されている。磁石（５０）は磁性体（１０）の一方側に配置されている。磁性体固定筐体（２０）は、一方側に配置された一方の筐体主表面上の第１電極（２１）と、一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上の第２電極（２２）と、磁性体固定筐体（２０）を貫通し、第１電極（２１）と第２電極（２２）とを電気的に接続する貫通導体（２３）とを含む。第１電極（２１）は磁性体（１０）の一方側に配置された第１配線（３２）に接続される。
2017082178.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体と、
前記磁性体を取り囲むように配置された磁性体固定筐体と、
前記磁性体の一方側に配置された磁石とを備え、
前記磁性体固定筐体は、前記一方側に配置された一方の筐体主表面上の第１電極と、前記一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上の第２電極と、前記磁性体固定筐体を貫通し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する貫通導体とを含み、
前記第１電極は前記磁性体の前記一方側に配置された第１配線に接続される、非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第１配線は３本の導体端子を含み、
前記第１電極、第２電極および貫通導体の組は、３本の前記導体端子のそれぞれに電気的に接続されるように形成される、請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記磁石と前記磁性体との間の領域および、前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域の少なくとも一部に配置された薄葉基板をさらに備え、
前記薄葉基板は、前記磁性体側の薄葉基板主表面上のみに、前記第１配線としての導体薄膜を含む、請求項１または２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記磁性体固定筐体の平面視における中央部には前記磁性体を取り囲むように固定可能な固定可能部が形成され、
前記磁性体は、弾性接着剤を介して前記固定可能部の内壁面に接続されており、
前記薄葉基板と前記磁性体との間に接着部材が配置される、請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記磁性体固定筐体の前記第１電極と、前記第１配線とが平面視において互いに重畳する部分を含み、
前記重畳する部分における前記第１電極と前記第１配線との間には、前記第１電極と前記第１配線とを接続する導電性部材が配置される、請求項４に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記接着部材と前記導電性部材とは一体に構成されており、
前記導電性部材は、導電性に異方性を有しており、
前記導電性部材は、前記薄葉基板と前記磁性体との間の領域から、前記薄葉基板と前記磁性体固定筐体との間の領域まで延びる、請求項５に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記接着部材は絶縁性薄膜であり、
前記絶縁性薄膜の外縁は、平面視における前記第１電極との間に互いに間隔を有するように切れ込み部を有し、
前記導電性部材は、前記絶縁性薄膜と互いに間隔を有するように配置された導電性接着剤である、請求項５に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記接着部材は絶縁性を有する液体接着剤であり、
前記液体接着剤は前記薄葉基板と前記磁性体との間の領域のみに配置され、
前記導電性部材ははんだである、請求項５に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記磁性体固定筐体は、前記磁性体の平面視における外周部側から前記磁性体を取り囲むように配置された第１の磁性体固定筐体部分と、前記他方側から前記磁性体を覆うように配置された第２の磁性体固定筐体部分とを含み、
前記第１の磁性体固定筐体部分は前記固定可能部を有し、
前記第１の磁性体固定筐体部分と前記第２の磁性体固定筐体部分とにより前記固定可能部として形成される凹部内に、前記磁性体が配置される、請求項４〜８のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記磁性体固定筐体は、前記固定可能部を平面視における外周部側から取り囲むように配置された第１の部分と、前記他方側から前記固定可能部を覆うように配置された第２の部分とが一体として構成され、
前記磁性体は、前記固定可能部内に前記導電性部材が配置されていない状態で、前記第２の部分に固定される、請求項５〜８のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１１】
前記磁性体固定筐体はセラミック製である、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１２】
前記磁性体の前記他方側のみに配置された裏面導体と、
前記裏面導体の前記他方側の表面上、および前記他方の筐体主表面上に配置されたソルダレジストとをさらに備える、請求項１〜８のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１３】
前記磁性体は複数の磁性体層を含み、
前記複数の磁性体層を含む前記磁性体の前記他方側に、少なくとも１層の金属板が接合されている、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の非可逆回路素子における前記磁性体固定筐体の前記他方側の表面上に配置されたはんだボールをさらに備え、
前記はんだボールの前記他方側に接合された状態の回路基板が配置され、
前記回路基板は第２配線を含んでおり、
前記第２電極は前記磁性体の前記他方側に配置された第２配線に接続された、非可逆回路装置。
【請求項１５】
前記第２配線は接地電極を含む、請求項１４に記載の非可逆回路装置。
【請求項１６】
磁性体を準備する工程と、
前記磁性体を取り囲むように磁性体固定筐体を配置する工程と、
前記磁性体の一方側に磁石を配置する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側に配置された一方の筐体主表面上に第１電極を形成する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上に第２電極を形成する工程と、
前記磁性体固定筐体を貫通し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する貫通導体を形成する工程と、
前記第１電極を前記磁性体の前記一方側に配置された第１配線に接続する工程とを備える、非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１７】
前記他方側の薄葉基板主表面上のみに前記第１配線としての導体薄膜が配置された薄葉基板を形成する工程と、
前記磁性体および前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域の少なくとも一部を含むように前記薄葉基板を配置する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域から、平面視において前記磁性体と重なる領域まで、導電性に異方性を有する導電性部材の接着機能を利用して、前記薄葉基板と前記磁性体および前記磁性体固定筐体とを電気的に接続されるように接着固定する工程とをさらに備える、請求項１６に記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７のいずれかに記載の非可逆回路素子における前記磁性体固定筐体の前記他方側の表面上にはんだボールを配置する工程と、
前記はんだボールに回路基板を接合させる工程とをさらに備え、
前記回路基板は第２配線を含むように形成され、
前記第２電極は前記磁性体の前記他方側に配置された第２配線に接続される、非可逆回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は非可逆回路素子、非可逆回路装置およびこれらの製造方法に関し、特に表面実装型の非可逆回路素子、非可逆回路装置およびこれらの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波およびミリ波などの波長の短い高周波の電磁波を用いた高周波通信装置として、非可逆回路素子が知られている。非可逆回路素子としては、アイソレータおよびサーキュレータなどの高周波回路特有のものが挙げられる。非可逆回路素子は、高周波電気信号がフェライトなどの磁性体およびそれに隣接する領域を通過する際に発生するファラデー効果を利用して非可逆な回路が形成された素子である。【０００３】
近年の通信装置の小型化、軽量化および薄型化への要求は目覚ましく、この傾向は上記の非可逆回路素子においても例外ではない。このため非可逆回路素子は、従来よりも低コストとなり、信頼性に優れ、かつ他の高周波機器用電子部品と同様に回路基板に表面実装することができるよう小型化されることが求められている。【０００４】
そこでたとえば特開平９−１１６３０９号公報（特許文献１）においては、非可逆回路素子の表面実装を容易に実現するための方法が開示されている。具体的には、特開平９−１１６３０９号公報においては、磁性体内を貫通するスルーホールが形成され、スルーホール内に形成される導体材料により、磁性体としてのフェライト基板の表側の面上に形成された導体と、フェライト基板の裏側の面上の導体とが導通されている。これにより非可逆回路素子の表面実装が可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１１６３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしフェライトのような磁性体は酸化鉄を主成分とするセラミックスからなる。このため磁性体は、硬度が高く割れたり欠けたりしやすく、スルーホールの加工が困難であり、当該加工に高いコストを要する。また上記の磁性体の割れまたは欠けによる製品歩留まりの低下、およびスルーホールの壁面に対する銅めっき膜の付着力が弱く剥がれやすいことによる製品歩留まりの低下により、製造コストが高騰する可能性もある。【０００７】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、製品不良につながる欠陥の発生を抑制することにより製造コストを低減することが可能な非可逆回路素子、非可逆回路装置およびこれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の非可逆回路素子は、磁性体と、磁性体固定筐体と、磁石とを備えている。磁性体固定筐体は磁性体を取り囲むように配置されている。磁石は磁性体の一方側に配置されている。磁性体固定筐体は、一方側に配置された一方の筐体主表面上の第１電極と、一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上の第２電極と、磁性体固定筐体を貫通し、第１電極と第２電極とを電気的に接続する貫通導体とを含む。第１電極は磁性体の一方側に配置された第１配線に接続される。【０００９】
本発明の非可逆回路装置は、上記の非可逆回路素子における磁性体固定筐体の他方側の表面上に配置されたはんだボールをさらに備える。はんだボールの他方側に接合された状態の回路基板が配置される。回路基板は第２配線を含んでいる。第２電極は磁性体の他方側に配置された第２配線に接続されている。【００１０】
本発明の非可逆回路素子の製造方法は、まず磁性体が準備され、それを取り囲むように磁性体固定筐体が配置される。磁性体の一方側に磁石が配置される。磁性体固定筐体の一方側に配置された一方の筐体主表面上に第１電極が形成される。磁性体固定筐体の一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上に第２電極が形成される。磁性体固定筐体を貫通し、第１電極と第２電極とを電気的に接続する貫通導体が形成される。第１電極が磁性体の一方側に配置された第１配線に接続される。【００１１】
本発明の非可逆回路装置の製造方法は、上記の非可逆回路素子における磁性体固定筐体の他方側の表面上にはんだボールが配置される。はんだボールに回路基板が接合される。回路基板は第２配線を含むように形成される。第２電極は磁性体の他方側に配置された第２配線に接続される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、磁性体固定筐体内にこれを貫通するスルーホールおよび貫通導体が形成されるため、磁性体内にスルーホールを形成する必要がなくなる。このためスルーホールの形成加工が容易になり、欠陥不良が低減され、かつ製造コストを低減することが可能な非可逆回路素子、非可逆回路装置およびこれらの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の非可逆回路装置の概略斜視図である。
【図２】実施の形態１における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図３】図１および図２に示す、実施の形態１における非可逆回路装置を構成する各部材の組み立てられ方を示す概略斜視図である。
【図４】本発明の磁性体の概略斜視図である。
【図５】実施の形態１〜３における磁性体の概略上面図（Ａ）と、実施の形態１〜３における磁性体の概略下面図（Ｂ）と、実施の形態１〜３における磁性体の概略断面図（Ｃ）と、実施の形態１〜３における磁性体の構成の変形例（Ｄ）とである。
【図６】実施の形態１〜３の磁性体固定筐体の概略斜視図である。
【図７】実施の形態１〜３における磁性体固定筐体の概略上面図（Ａ）と、実施の形態１〜３における磁性体固定筐体の概略下面図（Ｂ）とである。
【図８】筐体下面電極と重なる領域におけるソルダレジストの配置態様の第１例を示す概略平面図および概略断面図（Ａ）と、上記配置態様の第２例を示す概略平面図および概略断面図（Ｂ）とである。
【図９】筐体下面電極と重なる領域以外の領域におけるソルダレジストおよび開口部の配置態様を示す概略断面図である。
【図１０】図７（Ａ）に磁性体を加えた概略上面図（Ａ）と、図７（Ｂ）に磁性体を加えた概略下面図（Ｂ）とである。
【図１１】本発明の薄葉基板の概略斜視図である。
【図１２】本発明の薄葉基板の概略上面図（Ａ）と、本発明の薄葉基板の概略下面図（Ｂ）とである。
【図１３】本発明の回路基板の概略上面図である。
【図１４】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、磁性体固定筐体に弾性接着剤を供給する工程を示す概略図である。
【図１５】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、磁性体固定筐体に磁性体を固定させる工程を示す概略図である。
【図１６】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、薄葉基板およびＡＣＦが配置される工程を示す概略斜視図である。
【図１７】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、図１６のように配置された各部材が接着固定された状態を上方から透視した図である。
【図１８】実施の形態１の製造方法に用いられるＡＣＦの接着固定前の状態を示す概略斜視図（Ａ）と、当該ＡＣＦの接着固定前の状態を示す概略上面図（Ｂ）と、当該ＡＣＦの接着固定前の状態を示す概略側面図または概略断面図（Ｃ）とである。
【図１９】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第１工程を示す概略断面図である。
【図２０】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第２工程を示す概略断面図である。
【図２１】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第３工程を示す概略断面図である。
【図２２】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第４工程を示す概略断面図である。
【図２３】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第５工程を示す概略断面図である。
【図２４】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第６工程を示す概略断面図である。
【図２５】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第７工程を示す概略断面図である。
【図２６】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、ボンダーを用いた薄葉基板と磁性体固定筐体との貼り合わせ工程の第８工程を示す概略断面図である。
【図２７】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、非可逆回路素子へのはんだボールの接着工程の第１工程を示す概略断面図である。
【図２８】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、非可逆回路素子へのはんだボールの接着工程の第２工程を示す概略断面図である。
【図２９】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、非可逆回路素子へのはんだボールの接着工程の第３工程を示す概略断面図である。
【図３０】実施の形態１の製造方法の一工程を示すものであり、非可逆回路素子へのはんだボールの接着工程の第４工程を示す概略断面図である。
【図３１】実施の形態１の変形例の非可逆回路装置に含まれる磁性体固定筐体の概略上面図である。
【図３２】実施の形態２における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図３３】実施の形態２の製造方法の一工程を示すものであり、薄葉基板、絶縁性接着フィルムおよび導電性接着剤が配置される工程を示す概略斜視図である。
【図３４】実施の形態２の製造方法の一工程を示すものであり、図３３のように配置された各部材が接着固定された状態を上方から透視した図である。
【図３５】実施の形態３における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図３６】実施の形態３の製造方法の一工程を示すものであり、薄葉基板、絶縁性液体接着剤およびプリコートはんだが配置される工程を示す概略斜視図である。
【図３７】実施の形態３の製造方法の一工程を示すものであり、図３６のように配置された各部材が接着固定された状態を上方から透視した図である。
【図３８】実施の形態３の製造方法の一工程を示すものであり、プリコートはんだの広がりによる短絡を抑制するための構成を上方から見た概略平面図である。
【図３９】実施の形態４における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図４０】実施の形態４における下側筐体の概略上面図である。
【図４１】実施の形態４〜６における磁性体の概略上面図（Ａ）と、実施の形態４〜６における磁性体の概略下面図（Ｂ）と、実施の形態４〜６における磁性体の概略断面図（Ｃ）とである。
【図４２】実施の形態５における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図４３】実施の形態６における図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本実施の形態について図に基づいて説明する。
実施の形態１．
まず本実施の形態の非可逆回路装置、および当該非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図１は非可逆回路装置全体の外観態様を示しており、図２はそのＩＩ−ＩＩ線に沿う部分で切った断面態様を示している。また図３は、非可逆回路装置を構成する各部材の配置態様を示している。なお図２における左右方向は、（特に非可逆回路素子Ｐ１の部分において）図１中の一点鎖線に沿う部分、すなわち後述する薄葉基板３０に形成された導体薄膜３２に含まれる、細長い導体端子の延びる方向に沿う方向に対応する。
【００１５】
図１および図２を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置１００は、非可逆回路素子Ｐ１と、被実装部Ｐ２とを有している。非可逆回路素子Ｐ１は、磁性体１０と、磁性体固定筐体２０と、薄葉基板３０と、ＡＣＦ４０と、磁石５０と、ヨーク６０と、接着フィルム７０とを主に有している。非可逆回路素子Ｐ１は、はんだボール８０により、回路基板９０としての被実装部Ｐ２の上に表面実装されている。これらの部材は、基本的に図３に示す位置に配置され組み立てられることにより、図１および図２に示すような非可逆回路装置１００の構成をなしている。以下、上記の各構成部材の構成等について説明する。
【００１６】
図４は磁性体１０の外観態様を示しており、図５（Ａ），（Ｂ）は磁性体１０の平面形状（磁性体１０に隣接する裏面導体１３などを含む）を示している。また図５（Ｃ）は図５（Ｂ）のＶＣ−ＶＣ線に沿う部分の概略断面図である。図１〜図３および図４〜図５を参照して、磁性体１０は、たとえば四角形（正方形）の平面形状を有する平板状の部材であり、たとえば平面視における横方向（図５（Ａ）の左右方向）の寸法が４ｍｍ、平面視における縦方向（図５（Ａ）の上下方向）の寸法が４ｍｍ、厚み方向（図５（Ｃ）の上下方向）の寸法が０．５ｍｍとなっている。ただし上記の磁性体１０の外形寸法および形状は一例であり、非可逆回路素子Ｐ１が使用される周波数帯域および耐電力性などの回路側の要求仕様によって変化してもよい。たとえば磁性体１０は、たとえば平面視において四角形以外の多角形状または円形状などを有していてもよい。
【００１７】
図５（Ｃ）などに示すように磁性体１０は１層のみからなるものであってもよい。しかし図５（Ｄ）を参照して、磁性体１０は複数の磁性体層１０Ｃ，１０Ｄを含み、これらが積層された構成を有していてもよい。図５（Ｄ）においては２つの磁性体層１０Ｃ，１０Ｄが積層されることで磁性体１０が構成されているが、これに限らず３層以上の磁性体層を含む構成であってもよい。
【００１８】
また磁性体層１０Ｃ，１０Ｄを含む磁性体１０の下側（他方側）、すなわち最も下側の磁性体層１０Ｄの下側に、たとえば下部ヨーク６１が接着固定されていてもよい。下部ヨーク６１は磁性体１０と同様の平面形状を有し、かつ後に詳述するヨーク６０と同一の素材（金属材料）により形成された金属板であり、ヨーク６０と同様の機能を有する。さらに下部ヨーク６１の下側には金属板６２が接着固定されていてもよい。この金属板６２は、非可逆回路装置１００が電気的に動作した際のエネルギのロスが原因となって副次的に発生する熱を一時的にため込むヒートシンクとしての機能を有している。ただし金属板６２を有さず磁性体層１０Ｃ，１０Ｄの下側に下部ヨーク６１のみが接着固定され、この下部ヨーク６１が金属板６２のヒートシンクとしての機能を兼ね備えるものであってもよい。
【００１９】
以上のように、本実施の形態においては、複数の磁性体層１０Ｃ，１０Ｄを含む磁性体１０の下側に、少なくとも１層の金属板が接合されていてもよい。
【００２０】
磁性体１０は、鉄を主成分とする金属材料、フェライト、磁性粉と樹脂とを混合した複合磁性材料からなる群から選択されるいずれかによって構成される。しかし磁性体１０の構成材料としてはフェライトが最も多用される。なお磁性体１０の構成材料としてフェライトを用いる場合には、たとえば高周波領域での磁気損失が小さい材料として知られる希土類ガーネット型フェライトが用いられてもよい。
【００２１】
図５（Ａ）に示すように、磁性体１０の上側（一方側）の磁性体主表面１０Ａは、磁性体１０を構成するたとえばフェライトの素地が露出している。これに対して磁性体１０の下側（他方側）の磁性体主表面１０Ｂを構成する磁性体１０のたとえばフェライトの素地のほぼ全面の上には、接地電位を有する薄膜層（電極）としての裏面導体１３が均一に形成されている。なお裏面導体１３は、磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂ上のみに配置されており、磁性体１０の上側の磁性体主表面１０Ａ上には配置されていない。これにより、磁性体主表面１０Ａ，１０Ｂの両面に裏面導体１３を形成する場合に比べて、その製造コスト等を削減することができる。なお図５（Ｄ）のような磁性体１０および下部ヨーク６１、金属板６２を有する場合には、これらのうち最下層である金属板６２の下側（他方側）上のみに裏面導体１３が配置されてもよい。
【００２２】
裏面導体１３はたとえば厚みが約３μｍの銅の薄膜と、その表面上に形成されたたとえば厚みが１μｍ以上２μｍ以下のニッケルの薄膜と、さらにその表面上に形成されたたとえば厚みが約０．０２μｍの金の薄膜とにより構成される。銅の薄膜の表面上のニッケルの薄膜および金の薄膜は、裏面導体１３の酸化防止およびはんだ濡れ性向上を目的として施されている。
【００２３】
特に図５（Ｂ）に示すように、磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂ上のみに、ソルダレジストＳＲが形成されている。上記のように磁性体主表面１０Ｂ上には裏面導体１３が形成されているため、ソルダレジストＳＲは裏面導体１３の下側（他方側すなわち回路基板９０側）の表面上に形成されている。ソルダレジストＳＲははんだボール８０を取り付けるための位置決め用に形成されるものであり、たとえば一般公知の樹脂材料により形成されている。はんだボール８０が接合する部分とほぼ重なる領域にはソルダレジストＳＲが配置されないソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成されている。図５中には示されないが後述するようにソルダレジスト開口部ＳＲＣにはパッド電極が形成されてもよい。
【００２４】
ソルダレジストＳＲは、クロムなどのはんだに濡れない金属材料の薄膜からなってもよいし、エポキシ樹脂系またはポリイミド系の樹脂からなってもよい。ただし本実施の形態においてはソルダレジストＳＲはエポキシ樹脂系またはポリイミド系（樹脂）からなることが特に好ましい。そのようにすれば、ソルダレジストＳＲの応力緩和効果を高めることができる。具体的には、樹脂からなるソルダレジストＳＲの厚みは３０μｍ以上４０μｍ以下程度であるが、この厚みは金属材料のソルダレジストＳＲの厚みに比べて厚くなる。またこの厚みにより、樹脂からなるソルダレジストＳＲははんだボール８０が取り付けられる部位を取り囲むように覆うことができる。これにより、ソルダレジストＳＲがはんだボール８０を取り囲む領域に生じる応力を緩和する効果が大きくなる。すなわち、外力または熱応力が加わった場合に磁性体１０に対して懸念されるチッピングまたはクラックなどの不良を抑制することができる。
【００２５】
図６は磁性体固定筐体２０の外観態様を示しており、図７は磁性体固定筐体２０の平面形状を示している。図１〜図３および図６〜図７を参照して、本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、たとえば四角形（正方形）の平面形状を有するように形成されている。本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、その平面視における中央部に、磁性体１０を固定可能とすべく磁性体１０の外径形状（正方形の平面形状）に合わせた形状の固定可能部２４が形成されている。本実施の形態の固定可能部２４は、磁性体固定筐体２０の上側（一方側）の筐体主表面２０Ａ（一方の筐体主表面）からそれとは反対側の下側（他方側）の筐体主表面２０Ｂ（他方の筐体主表面）まで磁性体固定筐体２０を貫通する開口部として形成されている。これにより磁性体固定筐体２０（固定可能部２４）は、磁性体１０を平面視において取り囲むように固定可能となっている。言い換えれば磁性体１０は、固定可能部２４において、磁性体固定筐体２０に嵌め込まれるように固定されている。
【００２６】
本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、これを貫通する開口部を有する枠体状を有している。磁性体固定筐体２０はプリント基板で、ここに固定される磁性体１０とほぼ同じ厚みを有している（磁性体固定筐体２０の本体の厚みは、ここに形成される後述の第１電極などの厚みの分だけ磁性体１０よりも薄くなっていてもよい）。なお磁性体固定筐体２０の外形の平面形状は図６に示した四角形状（正方形状）に限らず任意である。また磁性体固定筐体２０は、たとえば平面視における横方向（図７（Ａ）の左右方向）および縦方向（図７（Ａ）の上下方向）の寸法が７．４ｍｍ、厚みが０．５ｍｍとなっており、固定可能部２４は横方向および縦方向の寸法がたとえば４．４ｍｍで厚みが０．５ｍｍとなっている。
【００２７】
本実施の形態の磁性体固定筐体２０は市販のプリント基板であり、ここには非可逆回路素子Ｐ１全体に対して電気信号を入出力するための高周波回路が形成される。このため磁性体固定筐体２０は、高周波特性に優れた低誘電損失の材質、具体的にはたとえば低誘電損失の熱硬化性樹脂プリント基板、フッ素系樹脂プリント基板、液晶ポリマープリント基板からなる群から選択されるいずれかの誘電体材料により形成される。液晶ポリマープリント基板はフッ素系樹脂プリント基板に比べて誘電損失はやや高く、比誘電率もやや高い。
【００２８】
表面実装型の非可逆回路素子を実現する観点から、磁性体の一方側に配置された非可逆回路素子の第１配線を、磁性体の一方側と反対側の他方側であり非可逆回路素子が実装される側に配置された非可逆回路素子の第２配線までに引き回して被実装部の回路基板に接続されることが必要となる。磁性体固定筐体２０は、上記の高周波回路の構成部材として、筐体主表面２０Ａ上の筐体上面電極２１（第１電極）と、筐体主表面２０Ｂ上の筐体下面電極２２（第２電極）と、貫通導体２３とを有している。貫通導体２３は、筐体上面電極２１から筐体下面電極２２まで磁性体固定筐体２０を貫通しており、筐体上面電極２１と筐体下面電極２２とを電気的に接続している。すなわち貫通導体２３は、非可逆回路素子Ｐ１において貫通導体２３の上側に配置される各種配線を、貫通導体２３の下側の領域まで引き回し、回路基板９０と電気的に接続可能とするために形成されている。
【００２９】
特に図７（Ｂ）を参照して、磁性体固定筐体２０についても磁性体１０と同様に、下側の筐体主表面２０Ｂ上（実際には真下）のみに、ソルダレジストＳＲが形成されており、はんだボール８０が接合する部分とほぼ重なる領域にはソルダレジストＳＲが配置されないソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成されている。また筐体主表面２０Ｂ上には、筐体下面電極２２のほか、接地電極ＥＴＥが設けられている。磁性体固定筐体２０の接地電極ＥＴＥは、たとえば筐体下面電極２２と同一の層として形成されており、筐体主表面２０Ｂ上の領域を、その下方の回路基板９０に形成された接地電極ＥＴＥと同じ電位に保つためのものである。接地電極ＥＴＥが設けられることにより、非可逆回路素子Ｐ１の高周波回路の特性が向上するとともに、はんだボール８０の接続部における信頼性が向上する。ソルダレジスト開口部ＳＲＣは、筐体下面電極２２とはんだボール８０とを接続するためのものの他、接地電極ＥＴＥとはんだボール８０とを接続するためのものとしても形成されている。
【００３０】
図８（Ａ）は、図７（Ｂ）中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分すなわち筐体下面電極２２と重なる領域およびこれに隣接する領域のソルダレジストＳＲおよびソルダレジスト開口部ＳＲＣの平面形状および断面形状の第１例を示している。図８（Ｂ）は、図７（Ｂ）中のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う部分の平面形状および断面形状の第２例を示している。図９は、図７（Ｂ）中のＩＸ−ＩＸ線に沿う部分すなわち筐体下面電極２２と重なる領域以外の領域のソルダレジスト開口部ＳＲＣの断面形状の例を示している。
【００３１】
図８（Ａ），（Ｂ）および図９を参照して、実際には磁性体固定筐体２０の筐体主表面２０Ｂの下側の表面上のほぼ全域に導体材料の薄膜が形成されている。ただしこの導体材料の薄膜は矩形の枠状に形成された間隙部ＧＰにおいては存在せず、この間隙部ＧＰに囲まれた領域の導体材料の薄膜が島状の筐体下面電極２２として他の領域の導体材料の薄膜（接地電極ＥＴＥとして機能し得る）から独立した態様となっている。ただし図２においては筐体下面電極２２以外の上記導体材料の薄膜（接地電極ＥＴＥとして機能し得る）は省略されている。
【００３２】
磁性体固定筐体２０の筐体主表面２０Ｂの下側の表面上においても、上記導体材料の薄膜を覆うようにソルダレジストＳＲが形成される。図８（Ａ）の第１例においては、筐体下面電極２２内のソルダレジスト開口部ＳＲＣのみにおいてソルダレジストＳＲが配置されておらず、間隙部ＧＰ内を埋めるようにソルダレジストＳＲが配置されている。これに対して図８（Ｂ）の第２例においては、筐体下面電極２２内のソルダレジスト開口部ＳＲＣと、間隙部ＧＰ内との双方において、ソルダレジストＳＲが配置されていない。図８（Ａ），（Ｂ）のいずれの態様が採用されてもよい。また図示されないが、間隙部ＧＰ内の一部の領域のみにソルダレジストＳＲが配置された態様が採用されてもよい。図８、図９ともに、ソルダレジスト開口部ＳＲＣにおいてその下地の導体材料の薄膜が露出しており、当該露出している部分はパッド電極として機能している。
【００３３】
図１０は図７（Ａ），（Ｂ）の平面図で示す磁性体固定筐体２０の固定可能部２４内に、磁性体１０が固定された態様を示している。磁性体１０は、固定可能部２４の内壁面との間に配置される弾性接着剤１２により、固定可能部２４と接着固定されている。言い換えれば、磁性体１０は、弾性接着剤１２を介して固定可能部２４の内壁面に接続されている。固定可能部２４の内壁面と弾性接着剤１２とが互いに接着することにより、ヒートサイクルなどの機械的な負荷に対する両者間の機械的な強度を確保することができる。
【００３４】
磁性体１０と磁性体固定筐体２０とは構成部材の線膨張係数が異なっている。具体的にはたとえば希土類ガーネット型フェライトからなる磁性体１０の線膨張係数は約１０ｐｐｍ／Ｋであるのに対し、エポキシ樹脂製のプリント基板からなる磁性体固定筐体２０の線膨張係数は約１６ｐｐｍ／Ｋである。このため磁性体１０と磁性体固定筐体２０とを接着する工程の後に行なわれる実装工程において加えられる熱負荷および環境温度の変化などによって磁性体１０と磁性体固定筐体２０との間には熱応力が生じ、両者の間にクラックなどの損傷が生じる可能性がある。
【００３５】
そこで上記のように弾性接着剤１２により、磁性体１０と磁性体固定筐体２０とが互いに接着される。弾性接着剤１２は硬化後の接着層がゴム状弾性体となる材質により形成されることが好ましい。このようにすれば、磁性体１０と磁性体固定筐体２０との線膨張係数の不一致に起因して生じる熱応力を緩和することができる。
【００３６】
なお、図１０に示す磁性体１０内および磁性体固定筐体２０内の複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣの寸法はすべてほぼ等しい。このようにすれば、複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれに取り付けられるはんだボール８０の高さを揃えることができ、複数のはんだボール８０間の高さの際に起因する段差の発生を抑制することができる。
【００３７】
図１１は薄葉基板３０の外観態様を示しており、図１２は薄葉基板３０の平面形状を示している。図１〜図３および図１１〜図１２を参照して、薄葉基板３０は、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側（一方側）の領域の少なくとも一部に配置されており、磁石５０と磁性体１０との間に挟まれた領域に配置されている。
【００３８】
薄葉基板３０はたとえば平面視において四角形（正方形）状の基材よりなっており、たとえば平面視における横方向（図１２（Ａ）の左右方向）および縦方向（図１２（Ａ）の上下方向）の寸法が６．８ｍｍ、厚みが３００μｍとなっている。このように薄葉基板３０は、平面視における寸法が磁性体固定筐体２０の外縁の寸法よりもやや小さいことが好ましい。しかし上記の他の部材と同様に形状および寸法値はこれに限られない。
【００３９】
薄葉基板３０は誘電損失が小さい有機材料を主成分とした高い可撓性を有する平板状の部材である。具体的には薄葉基板３０は、低誘電損失の熱硬化性樹脂プリント基板、ポリイミドベースのフレキシブルプリント基板、フッ素系樹脂プリント基板、液晶ポリマープリント基板からなる群から選択されるいずれかの誘電体材料により形成される。薄葉基板３０の厚みはおよそ２５μｍ以上３００μｍ以下であることが好ましい。
【００４０】
特に図１１および図１２（Ａ），（Ｂ）を参照して、上記の他の部材と同様に、薄葉基板３０も上側（一方側）の薄葉基板主表面３０Ａおよび下側（他方側）の薄葉基板主表面３０Ｂを有している。薄葉基板主表面３０Ａはその全体が、薄葉基板３０を構成する材料の素地が露出している。薄葉基板主表面３０Ｂはその一部に導体薄膜３２が形成されている。導体薄膜３２は厚みが約６μｍ以上１８μｍ以下の銅を主成分とする薄膜と、その表面上に形成されたたとえば厚みが３μｍ以上５μｍ以下のニッケルの薄膜と、さらにその表面上に形成されたたとえば厚みが約０．０２μｍの金の薄膜とにより構成される。銅の薄膜の表面上のニッケルの薄膜および金の薄膜は、導体薄膜３２の酸化防止およびはんだ濡れ性向上を目的として施されている。
【００４１】
このように薄葉基板３０は、下側（磁性体１０側）の薄葉基板主表面３０Ｂ上のみに、導体薄膜３２が形成されている。したがって導体薄膜３２は、非可逆回路素子Ｐ１において、磁性体１０および磁性体固定筐体２０に対向するように配置されている。また導体薄膜３２は、非可逆回路装置１００において、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側（一方側）の第１配線として配置される。
【００４２】
特に図１２（Ｂ）を参照して、薄葉基板３０の導体薄膜３２は、薄葉基板主表面３０Ｂの平面視における中央部に形成された円形の中心導体と、中心導体から３方向に延びるように放散される、３本の導体端子としての直線状導体とを含んでいる。３つの直線状導体は、円形の中心導体の中心に対して互いに約１２０°の角度をなす方向に延びている。これら３つの直線状導体のそれぞれの一部または全部は、中心導体側と反対側の先端側において部分的に屈曲した領域を有していてもよい。
【００４３】
薄葉基板３０を構成する誘電体材料は、導体薄膜３２を支持する構造材としての役割を有している。また導体薄膜３２は、伝送線路の一部をなすという役割を有している。この伝送線路は、磁性体１０と磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０の導体薄膜３２とが一体化され、さらに磁性体１０の下側の接地電極ＥＴＥと相俟って構成される。さらに薄葉基板３０を構成する誘電体材料は、導体薄膜３２を進行する高周波信号が作る電磁界が、磁石５０の配置されている側（上側）に漏えいするのを抑制し、電気特性を向上させる役割を併せ持っている。このため薄葉基板３０は誘電損失が小さい材料により形成されることが好ましい。
【００４４】
上記の伝送線路の特性上、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側の主表面と、薄葉基板３０の導体薄膜３２とは可能な限り接近した状態で互いに接合していることが好ましい。
【００４５】
再度図１〜図３を参照して、この磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側の主表面と、薄葉基板３０の導体薄膜３２とを互いに可能な限り接近した状態で接合固定させているのが、薄葉基板３０と磁性体１０（磁性体固定筐体２０）との間に配置される接着部材としてのＡＣＦ４０である。
【００４６】
ＡＣＦ４０（Anisotropic  Conductive  Film）は、上記の他の部材と同様に、たとえば四角形（正方形）の平面形状を有するフィルム状の部材である。ＡＣＦ４０は、厚みが２０μｍ程度のフィルム状の接着層の内部に、径が１０μｍ程度以下の微細な金属粒子または、表面上に金属薄膜が形成された樹脂粒子を練り込むことにより形成された、半硬化の熱硬化性樹脂フィルムである。より具体的にはＡＣＦ４０は、一例として、表面にニッケルまたは金の薄膜（めっき膜）が形成された樹脂粒子が接着層に練り込まれたものであることが好ましく、ここでの樹脂粒子の径は約１０μｍ、樹脂硬化前の接着層の厚みは約２５μｍであることが好ましい。
【００４７】
ここで、磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１と、薄葉基板３０の導体薄膜３２とは、平面視において互いに重畳する部分を含んでいる。また、上記のように形成されたＡＣＦ４０は、接着部材としての役割とともに、導電性部材としての役割を有している。言い換えれば、ＡＣＦ４０においては、接着部材と導電性部材とが一体に構成されている。したがって、互いに接近した磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１（第１電極）と、その真上に重なる導体薄膜３２（第１配線）とは、これらの間に配置される接着部材および導電性部材としてのＡＣＦ４０が筐体上面電極２１と導体薄膜３２との双方に接する（接着する）ことにより、互いに電気的に接続される。またＡＣＦ４０は、その導電性に異方性を有している。
【００４８】
ＡＣＦ４０は、薄葉基板３０と磁性体１０との間の領域から、薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との間の領域まで延びている。これによりＡＣＦ４０は、薄葉基板３０よりやや小さいもののほぼ薄葉基板３０と同じ平面積を有し、磁性体１０と磁性体固定筐体２０との双方に接合固定させている。
【００４９】
なおＡＣＦ４０はフィルム材であるが、上記の異方性の導電材料としては、ＡＣＦ４０に限らず、たとえばフィルム材ではないＡＣＰ（Anisotropic  Conductive  Paste）などの材料が用いられてもよい。ＡＣＰは、未硬化の樹脂内に導電性粒子を分散させた材料である。ただし異方性の導電性を有し、接着部材としても用い得るという点においては、ＡＣＰはＡＣＦ４０と同様である。
【００５０】
これを用いた場合においても、薄葉基板３０を、磁性体１０と磁性体固定筐体２０との双方と十分な強度で接合固定させることができる。さらには上記の異方性の導電材料に代わって、金のバンプを加熱圧着した部材、または薄葉基板３０の導体薄膜３２およびこれに対向する磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１などを超音波接合により固相拡散接合され形成された接合層が適用されてもよい。
【００５１】
次に、磁石５０は、磁性体１０の真上（一方側すなわちヨーク６０側）に配置されている。非可逆回路素子Ｐ１は直流磁界を利用するため、磁石５０としては永久磁石が用いられる。本実施の形態においては磁石５０としてはサマリウムコバルト系磁石が用いられることが好ましい。このようにすれば、保持力の温度変化が小さいので良好な温度特性が得られ、キュリー温度が高いことから高温使用が可能となる。またサマリウムコバルト系磁石は耐蝕性に優れるため、磁石５０の表面処理が不要となる。
【００５２】
磁石５０は、たとえば平面視において円形を有する円柱形状を有し、当該円形の直径がたとえば約３．５ｍｍ、厚みがたとえば約１．２ｍｍであることが好ましい。ただし磁石５０の外観形状は円柱形状に限らず、たとえば平面視において多角形状を有していてもよい。
【００５３】
次に、ヨーク６０は、磁石５０からの磁力線の経路を制御するために配置されている。ヨーク６０は接着フィルム７０により、磁石５０の上側の表面上に接着固定されている。ヨーク６０は非可逆回路素子Ｐ１に求められる磁気特性の改善および、非可逆回路素子Ｐ１から生じる漏れ磁束が周辺の部品および実装時のマウンターなどに及ぼす磁気的な影響を抑制する機能を有することが好ましいが、これに限られない。
【００５４】
ヨーク６０は、鉄系材料であり透磁率および残留磁気特性などの磁気的な特性に優れた材料により形成されることが好ましい。具体的にはヨーク６０は、たとえば純鉄製であり、当該純鉄製のヨーク６０の表面には防錆のためにニッケルめっき膜が施されていることが好ましい。その他、ヨーク６０は、たとえば安価で入手しやすい一般構造用圧延鋼材（たとえばＳＳ４００）により形成されていてもよい。
【００５５】
ヨーク６０は、たとえば平面視において円形を有する円板形状を有し、当該円板形状の直径がたとえば４．３ｍｍ、厚みがたとえば１．２ｍｍであることが好ましい。ただしヨーク６０の外径形状は円板形状に限らず、たとえば平面視において多角形状を有していてもよいし、キャップのように磁石５０を上方からはめ込む形式であってもよい。
【００５６】
次に、接着フィルム７０は、ヨーク６０と磁石５０との間、および磁石５０と薄葉基板３０との間に挟まれることによりこれらを接着固定する。磁石５０とヨーク６０との間、および磁石５０と薄葉基板３０との間は電気的に接続される必要はない。このため接着フィルム７０としては絶縁性の接着剤が用いられる。具体的には、接着フィルム７０はたとえば熱硬化性エポキシ樹脂系接着剤により構成されることが好ましく、市販の熱硬化性エポキシ樹脂接着フィルムが用いられてもよい。この市販の熱硬化性エポキシ樹脂接着フィルムは、あらかじめフィルム状に成形された半硬化状態のエポキシ樹脂であり、型抜き加工および離型性のある台紙への貼り付けが可能であり、液状樹脂に比べて取扱いが容易である。
【００５７】
ただし接着フィルム７０としては、上記の他に、たとえば相当の接合強度を有する熱可塑性樹脂接着剤により構成されていてもよい。この熱可塑性樹脂接着剤としては、たとえば非可逆回路素子Ｐ１と被実装部Ｐ２との実装工程におけるはんだリフロー温度に耐えることができる熱可塑性フィルムを用いることもできる。
【００５８】
接着フィルム７０は、たとえば平面視において円形を有し、その直径がたとえば３．５ｍｍ、厚みがたとえば０．０５ｍｍのものが用いられることが好ましい。
【００５９】
以上の各部材からなる非可逆回路素子Ｐ１が、はんだボール８０により、被実装部Ｐ２すなわち回路基板９０上に表面実装される。すなわちはんだボール８０は、回路基板９０上に非可逆回路素子Ｐ１を表面実装する目的で配置される。はんだボール８０は、特にＢＧＡ（Ball  Grid  Array）を形成するための表面実装に用いられる。
【００６０】
非可逆回路素子Ｐ１の磁性体主表面１０Ｂ上および筐体主表面２０Ｂ上には、上記のようにソルダレジストＳＲが形成され、ソルダレジスト開口部ＳＲＣにはんだボール８０が配置されている。これによりＢＧＡが形成されている。はんだボール８０は、たとえばＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕの組成を有する合金材料により構成されることが好ましい。
【００６１】
はんだボール８０はほぼ球形であるが、その球形の直径の選択幅は広い。はんだボール８０の直径は、大きい方が非可逆回路素子Ｐ１と被実装部Ｐ２との段差および反りを吸収し低減することができるため製造面で有利である。またはんだボール８０の直径が大きい方がスタンドオフを大きく取れるので直径が小さい場合よりも信頼性の面で有利である。ここでスタンドオフとは、非可逆回路素子Ｐ１の最下面から被実装部Ｐ２の最上面までの上下方向に関する距離を意味する。一方、はんだボール８０の直径が小さい方が、互いに間隔をあけて並ぶ複数のはんだボール８０間のピッチがより狭くなるように配列することができるため、非可逆回路装置１００の小型化に有利である。またはんだボール８０の直径が小さい方が、非可逆回路素子Ｐ１と被実装部Ｐ２との接続距離を短くすることができるため電気特性面で有利である。
【００６２】
上記のようにはんだボール８０の直径を大きくした場合と小さくした場合との利点は互いにトレードオフの関係となるため、その直径は非可逆回路素子Ｐ１を適用する製品に応じて最適値が決定されることが好ましい。しかし基本的に、上記の非可逆回路素子Ｐ１を回路基板９０に実装するにあたっては、直径０．１５ｍｍ以上０．６５ｍｍ以下（特にたとえば０．５ｍｍ）のはんだボール８０が用いられることが好ましい。
【００６３】
最後に、はんだボール８０により非可逆回路素子Ｐ１が実装され非可逆回路素子Ｐ１と電気的に接続される回路基板９０は、上記の磁性体固定筐体２０と併せて高周波回路を形成している。回路基板９０は、はんだボール８０の下側（他方側すなわち磁性体１０と反対側）に接合するように固定配置されている。また回路基板９０は（図示されないが）、当該高周波回路に入出力するための信号処理回路および電源などの電気回路を収容している。
【００６４】
回路基板９０は、たとえば誘電損失の低い樹脂製（熱硬化性樹脂系）のプリント基板である。なお回路基板９０は磁性体固定筐体２０と同じ材質からなっていてもよい。
【００６５】
図１３は回路基板９０の平面形状を示している。図１〜図２および図１３を参照して、回路基板９０は、その上側の回路基板主表面９０Ａ上に、はんだボール８０を介して非可逆回路素子Ｐ１が実装される。このため回路基板９０の上側の回路基板主表面９０Ａ上にはソルダレジストＳＲが形成されており、はんだボール８０が接触する部分とほぼ重なる領域にはソルダレジストＳＲが配置されないソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成されている。ソルダレジスト開口部ＳＲＣは図１３中に点線で示すように回路基板９０の平面視におけるほぼ中央部の非可逆回路素子実装領域９５内に形成されている。
【００６６】
回路基板主表面９０Ａ上には３本の回路基板導体９１が形成されている。回路基板導体９１は薄葉基板３０に形成された伝送線路の一部としての導体薄膜３２と同様に、伝送線路の一部をなしている。３本の回路基板導体９１は、非可逆回路素子実装領域９５の中心に対して互いに約１２０°の角度をなす方向に延びている、平面視において直線状の伝送線路である。これら３本の直線状の回路基板導体９１のそれぞれの少なくとも一部は、平面視における非可逆回路素子実装領域９５の中心に対して反対側において部分的に屈曲した領域を有していてもよい。
【００６７】
回路基板９０についても図５の磁性体１０および図８の磁性体固定筐体２０と同様に、回路基板主表面９０Ａの上側の表面上のほぼ全域に導体材料の薄膜が形成されている。ただしこの導体材料の薄膜は矩形の枠状に形成された間隙部ＧＰにおいては存在せず、この間隙部ＧＰに囲まれた領域の導体材料の薄膜が島状の回路基板導体９１として他の領域の導体材料の薄膜（接地電極ＥＴＥとして機能し得る）から独立し露出した態様となっている。また上記導体材料の薄膜を覆うように、回路基板主表面９０Ａ上の多くの領域においてソルダレジストＳＲが形成されている。
【００６８】
図１３に示すように、回路基板導体９１が形成される部分についてはその一部の上のみにソルダレジストＳＲが形成されて導体上ソルダレジストＳＲＯとされている。また特に非可逆回路素子実装領域９５内においては、回路基板導体９１上およびその他の領域ともに、ソルダレジストＳＲにはソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成されている。ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内においてははんだボール８０と回路基板９０との間には、たとえば回路基板導体９１と同一の層としてのパッド電極または接地電極ＥＴＥが露出し、これがはんだボール８０と回路基板９０との双方に接するように配置されている。これは仮に回路基板導体９１（伝送線路）上の全面がソルダレジストＳＲで覆われれば、誘電体損が無視できなくなり、伝送線路としての機能が低下するためである。
【００６９】
ただし上記と同様な機能を発揮するようなソルダレジストＳＲの配置形状であれば、図１３に示す構造に限定されることはない。たとえば図１３の平面図において点線で囲まれた非可逆回路素子実装領域９５内において、（配線ではなく）ソルダレジストＳＲ（のみ）が平面的に連続して繋がっていてもよい。この場合においても、回路基板導体９１が露出している部分の態様は図１３とほぼ同様である。
【００７０】
以上のようにはんだボール８０と回路基板９０（回路基板導体９１）とが接続されることにより、非可逆回路素子Ｐ１の磁性体固定筐体２０の筐体下面電極２２は、磁性体１０の下方（他方側）の回路基板９０に第２配線として配置された回路基板導体９１に接続される。また磁性体１０の下側の裏面導体１３と、回路基板９０（回路基板導体９１）とについても、上記と同様に、はんだボール８０の介在により互いに接続される。このため筐体下面電極２２および裏面導体１３を含む非可逆回路素子Ｐ１と、回路基板導体９１を含む被実装部Ｐ２とが、伝送線路により電気的に接続される。
【００７１】
磁性体主表面１０Ｂ上に形成された裏面導体１３と、回路基板９０の接地電極ＥＴＥとがはんだボール８０を介して接続されることにより、磁性体主表面１０Ｂを、回路基板９０の接地電極ＥＴＥと同電位に保つことが可能となる。このため非可逆回路装置１００は非可逆回路素子Ｐ１を含む装置としての電気的性能を満足することができる。
【００７２】
なお回路基板導体９１は銅の薄膜により形成されることが好ましく、必要に応じてその銅の薄膜の表面上に、たとえば厚みが３μｍ以上５μｍ以下のニッケルの薄膜と、さらにその表面上のたとえば厚みが約０．０２μｍの金の薄膜とが形成されてもよい。これらのニッケルおよび金の薄膜は、銅の薄膜の酸化防止およびはんだ濡れ性向上を目的として施される。
【００７３】
また回路基板９０は、平面視においてたとえば四角形（正方形）状を有する平板状の部材であることが好ましく、平面視における横方向および縦方向の寸法がたとえば３０ｍｍ、厚みが０．７ｍｍであることが好ましい。
【００７４】
以上をまとめると、本実施の形態の非可逆回路装置１００においては、磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１が磁性体１０の上側の薄葉基板３０の導体薄膜３２に接着されており、磁性体固定筐体２０の筐体下面電極２２が磁性体１０の下側の回路基板９０の回路基板導体９１に接続されている。筐体下面電極２２が接続される回路基板９０の導体には、接地電極ＥＴＥが含まれている。これにより、非可逆回路素子Ｐ１の高周波回路の特性が向上するとともに、はんだボール８０の接続部における信頼性が向上する。磁性体固定筐体２０においては、筐体上面電極２１と筐体下面電極２２とが貫通導体２３により互いに電気的に接続されている。
【００７５】
非可逆回路素子Ｐ１は、磁性体１０に近接された磁石５０による一方向の磁界を利用して、導体薄膜３２に含まれる複数（３つ）の導体端子のうちいずれかを入力端子として進む高周波の電気信号を、隣接するいずれかの他の導体端子のみを出力端子として出力させることにより、非可逆な回路信号を供給することができる。
【００７６】
以下、図１４〜図３０を用い、かつ図３〜図１３を適宜用いながら、本実施の形態の非可逆回路装置１００の製造方法について説明する。
【００７７】
図４および図５を再度参照して、まずこれらの図に示すような上記の磁性体１０が準備される。図５（Ｂ）に示すように、磁性体主表面１０Ｂ上に裏面導体１３が形成される。裏面導体１３は金属薄膜であって、印刷、スパッタ、蒸着、めっきなどの成膜プロセスにより形成することができるが、これらの中でもめっきにより形成されることがより好ましい。すなわち、まずたとえば厚みが約３μｍの銅の薄膜が電解めっきにより形成され、その表面上にたとえば厚みが１μｍ以上２μｍ以下のニッケルの薄膜がめっきにより形成される。さらにその表面上にたとえば厚みが約０．０２μｍの金の薄膜がフラッシュめっきにより形成される。裏面導体１３は磁性体主表面１０Ｂの全面に形成されてもよいし、部分的に残存するようパターニングされてもよい。
【００７８】
次に、図５（Ｂ），（Ｃ）に示すように、裏面導体１３の表面には、はんだボール８０を取り付けるためのソルダレジストＳＲが積層形成される。このソルダレジストＳＲを部分的に除去してはんだボール８０を接合させるためのソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成される。このソルダレジスト開口部ＳＲＣの形成により、ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内においてはソルダレジストＳＲの下層の裏面導体１３がパッド電極として露出する。
【００７９】
ソルダレジストＳＲがクロムなどのはんだに濡れない金属材料の薄膜である場合には、スパッタ、蒸着などの成膜プロセスによって形成されることが好ましい。ソルダレジストＳＲがエポキシ樹脂系である場合には印刷法により形成することができる。またポリイミド系の樹脂ソルダレジストＳＲである場合にはスピンコートの後に通常のフォトリソグラフィにより形成することができる。
【００８０】
次に、再度図６および図７を参照して、磁性体固定筐体２０が準備される。枠体状を有する本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、その全体が平面視においてたとえば四角形状（正方形状）となるように加工され、中央部の開口部（固定可能部２４）も四角形状（正方形状）となるように加工される。固定可能部２４は、磁性体１０がその内部に嵌まり込むことが可能な寸法に加工される。すなわち固定可能部２４は、磁性体１０よりも平面視においてやや大きく、磁性体１０の外縁と固定可能部２４の内壁面との間に弾性接着剤１２が供給可能な程度の隙間が形成される程度の大きさであることが好ましい。
【００８１】
また磁性体固定筐体２０は、磁性体１０の厚みとほぼ同じであるか、後工程に支障を来さない程度に磁性体１０に対して厚みの差を有することが好ましい。
【００８２】
磁性体固定筐体２０の製造方法としては、まずプリント基板が準備され、そのプリント基板に対して、高周波回路を構成する筐体上面電極２１、筐体下面電極２２および貫通導体２３が形成される。
【００８３】
プリント基板の上側の筐体主表面２０Ａ上には、当該加工前のプリント基板の構成材料であるベタ銅箔が、通常のフォトリソグラフィ法により露光およびエッチングされることにより、筐体上面電極２１が形成される。場合によっては、アディティブ法を用いてプリント基板の基材上に直接筐体上面電極２１を形成してもよい。
【００８４】
磁性体固定筐体２０の下側の筐体主表面２０Ｂ上には、加工前のプリント基板の構成材料であるベタ銅箔が、通常のフォトリソグラフィ法により露光およびエッチングされることにより、筐体下面電極２２および接地電極ＥＴＥなどが形成される。
【００８５】
次に、筐体主表面２０Ａ上の筐体上面電極２１から筐体主表面２０Ｂ上の筐体下面電極２２まで磁性体固定筐体２０の本体を貫通するように延びるスルーホールが形成される。当該スルーホールは一般公知のドリルなどを用いることにより形成される。ドリルなどで磁性体固定筐体２０の本体を貫通するスルーホールが形成された後に当該スルーホールの内壁面に導電用の金属薄膜がたとえばめっきにより形成される。
【００８６】
この状態ではスルーホールの上下面は開口しており、金属薄膜で覆われた円筒状の貫通孔になっている。しかしこのままでは印刷直後の未硬化状態のソルダーレジストや、昇温して接合する際に溶融して広がったＡＣＦ４０の樹脂の当該貫通孔内への流れ込みが生じる場合がある。そこでこれを防止するために、スルーホールの開口部はその貫通部も含めて樹脂等によって穴埋めされてもよい。これにより内壁面の金属薄膜は、後に形成される筐体上面電極２１と筐体下面電極２２とを電気的に接続する貫通導体２３として形成される。
【００８７】
なお磁性体固定筐体２０についても、磁性体１０と同様に、筐体主表面２０Ｂ側には筐体下面電極２２を覆うようにソルダレジストＳＲが形成され、それが部分的に除去されソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成される。しかしこの具体的な処理は基本的に上記の磁性体１０に対する処理と基本的に同様であるため詳細な説明を省略する。
【００８８】
次に、磁性体１０を取り囲むように磁性体固定筐体２０が配置される。言い換えれば、図１４および図１５に示すように磁性体固定筐体２０の固定可能部２４内に嵌め込まれた磁性体１０と、固定可能部２４の内壁面との間の隙間を弾性接着剤１２で埋め込む工程である。
【００８９】
具体的には、図１４を参照して、まず固定可能部２４に磁性体１０が嵌めこまれる。このとき、磁性体１０のはんだボール８０の取り付けられる面が磁性体固定筐体２０の下側の筐体主表面２０Ｂ側を向くように、磁性体１０が嵌めこまれる。
【００９０】
次に、磁性体固定筐体２０の固定可能部２４内と、そこに嵌め込まれた磁性体１０との間に生じる隙間を埋め込むために弾性接着剤１２が供給される。弾性接着剤１２は熱硬化性樹脂でも熱可塑性樹脂でもゴム系樹脂（エラストマー）でもよい。いずれの場合においても弾性接着剤１２は液状であることが好ましく、硬化終了後にクッション機能を有する材料であることが好ましい。また弾性接着剤１２は、非可逆回路素子Ｐ１を被実装部Ｐ２に表面実装する際に使用されるリフロー工程の温度に耐え得る材料であることが好ましい。
【００９１】
また弾性接着剤１２はディスペンサＤＰを用いて供給されることが好ましい。このようにすれば作業性を向上させることができる。
【００９２】
図１５を参照して、固定可能部２４内に供給された弾性接着剤１２が硬化される。弾性接着剤１２は、加熱硬化または室温硬化のいずれにより硬化されてもよい。このようにして磁性体固定筐体２０に磁性体１０が固定され一体化される。なお図１５においては磁性体１０を見やすくするため磁性体固定筐体２０よりも少し厚く示している。
【００９３】
次に薄葉基板３０が形成され、これがＡＣＦ４０により磁性体１０などの上側に接着固定される。図１６〜図２６は当該工程について示す図面である。
【００９４】
まず薄葉基板３０が準備される。具体的には、図１１および図１２（Ａ），（Ｂ）を再度参照して、下側（他方側すなわち最終的に磁性体１０が配置される側）の薄葉基板主表面３０Ｂ上のみに導体薄膜３２のパターンが形成されることにより、薄葉基板３０が形成される。
【００９５】
平板形状を有する薄葉基板３０の本体は、たとえば型抜き加工により形成される。このとき、専用の打ち抜き型を用いることにより、バリのない精密なカットが可能となる。導体薄膜３２は、あらかじめ薄葉基板３０の基材上に貼り付けられた銅箔をエッチングすることにより形成してもよいし、アディティブ法を用いて薄葉基板３０の基材上に直接形成されてもよい。また当該銅箔の表面上にはめっきによりニッケルの薄膜および金の薄膜が形成されてもよい。
【００９６】
次に図１６を参照して、磁性体固定筐体２０の上側（一方側）の領域から、平面視において磁性体１０と重なる領域まで、接着機能を有し（接着部材として用いられ）、かつ導電性に異方性を有する導電性部材として、たとえばＡＣＦ４０が準備される。ただしここではＡＣＦ４０の代わりに上記のようにＡＣＰなどが用いられてもよい。
【００９７】
次に、図１６および図１７を参照して、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０の上側（一方側）にＡＣＦ４０が配置され、ＡＣＦ４０のさらに上側に薄葉基板３０が配置される。言い換えれば、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側の領域の少なくとも一部を含むように薄葉基板３０が配置される。さらに言い換えれば、図３に示すように、後にセットされる磁石５０と磁性体１０との間の領域および、磁性体固定筐体２０の上側（真上：平面視において重なる）の領域に、薄葉基板３０が配置される。ＡＣＦ４０は薄葉基板３０と、磁性体１０および磁性体固定筐体２０との間に挟まれるように配置される。すなわち薄葉基板主表面３０ＢとＡＣＦ上側主表面４０Ａとが互いに対向し、かつＡＣＦ下側主表面４０Ｂと筐体主表面２０Ａとが互いに対向するように、配置される。
【００９８】
図１７の透視図に示すように、これらの各部材は、互いにほぼ重なり合うように配置される。具体的には、導体薄膜３２の３本の導体端子のそれぞれと、筐体上面電極２１と、筐体下面電極２２とが互いに重なり合うように配置される。ただし、磁性体固定筐体２０の貫通導体２３と、薄葉基板３０の導体薄膜３２の直線状に延びる導体端子の先端部３２Ａとが互いに重なり合わないように、かつ当該導体端子の先端部３２Ａが筐体上面電極２１（および筐体下面電極２２）と互いに重なり合うように配置されることが好ましい。ただし図１７においては貫通導体２３と先端部３２Ａとは重なり合わないが、本実施の形態においてはこれらが互いに重なり合う構成としてもよい。このように配置されれば、筐体上面電極２１と貫通導体２３と筐体下面電極２２との電気的接続により、筐体上面電極２１と筐体下面電極２２と貫通導体２３との組は、導体薄膜３２の３本の導体端子のそれぞれに電気的に接続されるように形成される。
【００９９】
つまり、最終的に薄葉基板３０とＡＣＦ４０と磁性体固定筐体２０とが互いに接合固定されたときに、導体薄膜３２がＡＣＦ上側主表面４０Ａに接触し、筐体上面電極２１がＡＣＦ下側主表面４０Ｂに接触する。このためＡＣＦ４０の導通機能により、互いに重なる導体薄膜３２（先端部３２Ａを含む３本の導体端子のそれぞれ）と、筐体上面電極２１と筐体下面電極２２と貫通導体２３との組とが、互いに電気的に接続される。
【０１００】
このようにするためには、導体薄膜３２と筐体上面電極２１とが互いに位置ずれしないように、両者間を綿密に位置合わせする必要がある。ここでは先端部３２Ａが筐体上面電極２１（貫通導体２３と重ならない領域）に重なるように重畳されることにより、薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との間の位置合わせを容易にすることができ、導体薄膜３２と筐体上面電極２１との電気的な接続を容易にすることができる。仮に薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０とが互いに平面視において離れていて両者間に溝などが存在する場合には、導体薄膜３２と筐体上面電極２１とを電気的に接続するために両者間を橋渡しする導体（ワイヤボンドまたはリボンボンドなど）等が必要となる。しかし本実施の形態においては薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との導体同士（導体薄膜３２と筐体上面電極２１）が重なり合う構成となっているため、ＡＣＦ４０を介してこれらの導体間を容易に電気的に接続させることができる。
【０１０１】
なお図１６に示すように、元々は薄葉基板３０の平面視における寸法は、磁性体固定筐体２０の同寸法よりもやや小さく、かつＡＣＦ４０の平面視における寸法は、薄葉基板３０の同寸法よりもやや小さくなっていることが好ましい。このように薄葉基板３０およびＡＣＦ４０の寸法を調整するのは、後の加熱および加圧工程によりＡＣＦ４０が溶融して広がるためである。薄葉基板３０および磁性体固定筐体２０の外縁からＡＣＦ４０が漏えいすれば、非可逆回路素子Ｐ１に隣接する位置に実装される他の電子部品などとの距離が非常に狭くなり当該部品との間で短絡が起こるなどの不具合が起こり得る。またリフロー工程前に被実装部Ｐ２の表面上に非可逆回路素子Ｐ１を搭載する工程においてボンダーなどが非可逆回路素子Ｐ１の構成部材等をハンドリングする際にはみ出したＡＣＦ４０が障害となり得る。このような不具合を抑制する観点から、ＡＣＦ４０の漏えいを抑制することが好ましく、この観点から上記のように寸法が調整される。図１７に示すように、これらの各部材を貼り合わせ接着固定させた後においては、ＡＣＦ４０が当初より広がる結果、その平面積がやや大きくなっている。
【０１０２】
ただし図１６および図１７においては、ＡＣＦ４０と他の各部材との位置関係を示しているに過ぎず、実際には本工程において供給されるＡＣＦ４０はこれとは異なる態様を有している。以下、図１８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を用いてこのことについて説明する。
【０１０３】
図１８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）を参照して、本工程で用いられるＡＣＦ４０は、当初はその上側および下側の主表面上に貼り付けられたセパレータにより挟まれた構成を有している。ＡＣＦ４０の上側の主表面上には、ＡＣＦ４０と平面視における寸法がほぼ同じである重セパレータ４１が、ＡＣＦ４０の下側の主表面上には、ＡＣＦ４０よりも平面視における寸法が大きい軽セパレータ４２が、それぞれ貼り付けられている。つまり軽セパレータ４２、ＡＣＦ４０、重セパレータ４１の順に積層された３層構造を有する３層構造フィルム４３の一部として、ＡＣＦ４０が配置されている。
【０１０４】
重セパレータ４１とは、ＡＣＦ４０に対する剥離力が重い（密着強度が高く剥離しにくい）セパレータを意味している。重セパレータ４１の平面視における横方向および縦方向の寸法がたとえばＡＣＦ４０とほぼ同じ６．６ｍｍであり、厚みがたとえば５０μｍ（ＡＣＦ４０の厚みはたとえば２５μｍ）である。これに対して軽セパレータ４２はＡＣＦ４０に対する剥離力が軽い（密着強度が低く剥離しやすい）セパレータを意味している。軽セパレータ４２は、互いに間隔をあけて複数並ぶ重セパレータ４１およびＡＣＦ４０の並ぶ方向に長く延び、これらすべてと重なるように貼り付けられた部材である。したがって軽セパレータ４２の平面視における横方向および縦方向の寸法は、ＡＣＦ４０などよりも大きい。
【０１０５】
ＡＣＦ４０および重セパレータ４１が互いに貼り合わされたものが、あらかじめ複数の四角形の個片となるように型抜き加工される。それら複数の四角形の個片が、細長い軽セパレータ４２のフィルムの表面上に、互いに間隔をあけて並ぶように貼り付けられる。このようにして形成された３層構造フィルム４３がリールに巻き取られたものが出荷される。
【０１０６】
以上の構成を有する３層構造フィルム４３を用いた薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との貼り合わせにおいては、まず磁性体固定筐体２０および磁性体１０にＡＣＦ４０が仮接着され、次いでＡＣＦ４０が仮接着された磁性体固定筐体２０および磁性体１０と薄葉基板３０とが本接着される。このことにより磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１が、磁性体１０の上側に配置される薄葉基板３０の導体薄膜３２（第１配線）に接続される。以下、この貼り合わせ工程について、図１９〜図２６を用いて説明する。
【０１０７】
図１９を参照して、当該貼り合わせ工程においては、加熱と加圧とが同時に実施可能なボンダーが用いられる。具体的には、図１９に示すボンダーヘッド４４Ａと、図１９に示されない後述の加熱ステージと、図１９に示されない後述の位置決めカメラとを有するボンダーが用いられる。
【０１０８】
ボンダーヘッド４４Ａは、たとえば３層構造フィルム４３を真空吸着する機能と、真空吸着したたとえば３層構造フィルム４３を加熱および加圧する機能との双方を有する。また加圧環境下でのＡＣＦ４０の硬化工程を短時間で終了させる観点から、ボンダーヘッド４４Ａは加熱硬化と冷却とが短時間で可能なヒータツールを有するものを用いることが好ましい。具体的には、ボンダーヘッド４４Ａはセラミックヒータまたはパルスヒータを用いることが好ましい。
【０１０９】
ボンダーヘッド４４Ａの下側の表面が、リールから引き出された３層構造フィルム４３に上方から接近し、３層構造フィルム４３の最上層に配置される重セパレータ４１を真空吸着する。この状態でボンダーヘッド４４Ａが図中の矢印に示すように上方へ移動する。
【０１１０】
図２０を参照して、ボンダーヘッド４４Ａが上方へ移動すると、軽セパレータ４２が３層構造フィルム４３から分離する。これにより重セパレータ４１とＡＣＦ４０との積層された１個片のみがボンダーヘッド４４Ａに真空吸着された状態となる。
【０１１１】
図２１を参照して、ボンダーヘッド４４Ａとともにボンダー４４を構成する加熱ステージ４４Ｂ上に、磁性体１０が弾性接着剤１２により固定された磁性体固定筐体２０が載置され真空吸着される。その真上に、図２０の工程においてボンダーヘッド４４Ａに真空吸着された重セパレータ４１およびＡＣＦ４０の１個片が重なるように、ボンダー４４を構成する図示されない位置決めカメラを用いて位置決めされる。この時点では重セパレータ４１などは磁性体１０などに対して上下方向に互いに間隔をあけて配置される。
【０１１２】
図２２を参照して、上記の位置決めの後、ボンダーヘッド４４Ａが矢印に示す方向に下降することにより磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上に所定の圧力でＡＣＦ４０および重セパレータ４１が押しつけられる。ＡＣＦ４０は室温でも粘着性を有しているため、この時点で磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上に仮接着される。この工程においてボンダーヘッド４４Ａを昇温し、たとえばボンダーヘッド４４Ａの温度を８０℃に保ちながらボンダーヘッド４４Ａの下方への押圧力を１ＭＰａ、押圧時間を２秒間として加圧することにより、いっそう確実な仮接着が可能となる。このようにボンダーヘッド４４Ａは、加熱と加圧とを同時に行なうことがいっそう好ましい。
【０１１３】
図２３を参照して、ＡＣＦ４０の磁性体１０などへの仮接着の後、ＡＣＦ４０などを真空吸着したままの状態でボンダーヘッド４４Ａが矢印に示すように上昇する。これにより、ボンダーヘッド４４Ａに真空吸着されている重セパレータ４１はＡＣＦ４０から剥離してボンダーヘッド４４Ａとともに上昇する。重セパレータ４１はボンダーヘッド４４Ａから外されて廃却される。
【０１１４】
以上のＡＣＦ４０の磁性体１０などへの仮接着により、以降の工程にて発生し得る振動などによってＡＣＦ４０が磁性体１０などの表面から位置ずれしたり剥がれて脱落するなどの不具合を抑制することができる。
【０１１５】
仮接着は温度、荷重、時間とも後述する本接着よりも短いため、仮接着することによってＡＣＦ４０が流動したり変形する可能性が低減される。また各部材の外形寸法は仮接着の前後でほとんど変化しない。
【０１１６】
次に図２４を参照して、型抜き加工され導体薄膜３２が形成された薄葉基板３０がボンダーヘッド４４Ａの下側の表面上に真空吸着される。薄葉基板３０のボンダーヘッド４４Ａの下側の表面上への運搬は、専用のトレイ上の配列またはリール供給によりなされる。薄葉基板３０が吸着されたボンダーヘッド４４Ａは、加熱ステージ４４Ｂの真上に運ばれる。
【０１１７】
なお薄葉基板３０は、薄葉基板主表面３０Ａがボンダーヘッド４４Ａに接触吸着され、導体薄膜３２の形成された薄葉基板主表面３０Ｂが下側を向きＡＣＦ４０に対向するように、ボンダーヘッド４４Ａに吸着される。
【０１１８】
次に、ボンダーヘッド４４Ａに真空吸着された薄葉基板３０が、加熱ステージ４４Ｂに真空吸着固定された磁性体固定筐体２０、磁性体１０およびＡＣＦ４０に対して位置決めされる。
【０１１９】
当該位置決めは、ボンダー４４を構成する位置決めカメラ４４Ｃによりなされる。位置決めカメラ４４Ｃによる位置決めは、電気的な接続が必要な部位、すなわち筐体上面電極２１と導体薄膜３２の先端部３２Ａとの平面視における形状を利用してこれらの位置を互いに重ねることにより行なわれる（図１７参照）。ＡＣＦ４０は半透明であるため、ＡＣＦ４０の下方に仮接着された筐体上面電極２１の位置を上方からの平面視により確認することは容易である。なお必要に応じて、磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０とに専用の位置決めマークを設けてこれを補助的に用いて位置決めを行なってもよい。
【０１２０】
また、ＡＣＦ４０の外縁と磁性体１０の外縁との位置が僅かにずれている場合などにおいては、必要に応じて、お互いの画像のずれ量が最小になるように磁性体１０の位置（Ｘ横ずれ、Ｙ縦ずれ、θ回転ずれ）を、位置決めアルゴリズムに基づいて調整してもよい。
【０１２１】
図２５を参照して、以上の図２４の工程において位置決めカメラ４４Ｃなどを用いて薄葉基板３０のＡＣＦ４０などに対する位置を決めた後に、ボンダーヘッド４４Ａが矢印に示すように下降される。これにより、ＡＣＦ４０が仮接着された磁性体１０などと薄葉基板３０とが互いに接触するように重ね合わせられる。そして図２２の工程と同様に加熱されたボンダーヘッド４４Ａが下方へ押圧する。これにより、薄葉基板３０と磁性体１０および磁性体固定筐体２０とに挟まれた状態のＡＣＦ４０が加熱および加圧され硬化される。以上により磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０とＡＣＦ４０と薄葉基板３０とが互いに接着固定されるとともに、筐体上面電極２１と導体薄膜３２とが互いに電気的に接続される。
【０１２２】
この工程においてはたとえばボンダーヘッド４４Ａの加熱温度は１８０℃、ボンダーヘッド４４Ａの下方への押圧力は３ＭＰａ、ボンダーヘッド４４Ａの押圧時間は１０秒間である。
【０１２３】
図２６を参照して、図２５の工程により磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０とＡＣＦ４０と薄葉基板３０とが互いに本接着された後、ボンダーヘッド４４Ａが矢印の上方へ移動することにより薄葉基板３０から離れる。この本接着により、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０とは、これらの間に介在するＡＣＦ４０により強固に固着される。また導体薄膜３２と筐体上面電極２１との電気的な接続も確実になされる。
【０１２４】
このように、薄葉基板３０の導体薄膜３２の一部と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１の位置部とは、ＡＣＦ４０を用いた加熱および加圧により接着される。以上のようにして、磁性体１０の外側の磁性体固定筐体２０の上側の領域から、平面視において磁性体１０と重なる領域まで、導電性に異方性を有する導電性部材としてのＡＣＦ４０の接着機能を利用して、薄葉基板３０（導体薄膜３２）と、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０（筐体上面電極２１）とが、電気的に接続されるように接着固定される。
【０１２５】
次に、再度図３を参照して、磁石５０とヨーク６０とが準備され、これらが接着フィルム７０により接着される。具体的には、まず磁石５０が準備され、当該磁石５０の上に重畳するように接着フィルム７０が供給される。そして接着フィルム７０の上に重畳するようにヨーク６０が配置される。これらに対して加熱および加圧がなされることにより、磁石５０とヨーク６０とが接着される。
【０１２６】
上記の接着工程においては、図１９〜図２６に示すボンダー４４により加熱および加圧がなされてもよい。あるいは上記の接着工程においては、図示されないが所望の圧力を与えることが可能なバネ機構を有する治具を用いて、加熱乾燥炉中で処理がなされてもよい。
【０１２７】
次に再度図３を参照して、互いに接着された磁石５０およびヨーク６０が、先にＡＣＦ４０により磁性体１０などに固定された薄葉基板３０の薄葉基板主表面３０Ａの上側（磁性体１０と反対側）に接着される。これにより、磁性体１０の上側に、非可逆回路素子Ｐ１を機能させるための磁石５０が配置される。
【０１２８】
ここでは、薄葉基板３０の中央部の円形の中心導体（導体薄膜３２の一部）の幾何学的中心と磁石５０の幾何学的中心とが一致するように磁石５０が配置されることが理想的である。しかし磁石５０の磁力のばらつき等を考慮して微小な位置調整を行なう結果、上記中心導体と磁石５０との間に多少の位置ずれが生じることは製品製造上あり得る。
【０１２９】
上記の磁石５０とヨーク６０とを接着する工程と同様に、たとえば磁石５０と薄葉基板３０（中心導体と重なる領域の真上における薄葉基板主表面３０Ａ上）との間に接着フィルム７０が配置され、加熱および加圧により接着固定される。
【０１３０】
なお、上記の接着フィルム７０を用いる代わりに、液体または粘性材料からなる絶縁性接着剤が上記の薄葉基板主表面３０Ａ上および磁石５０上などに、一般公知の転写またはディスペンサＤＰ（図１４参照）を用いて供給される方法が用いられてもよい。
【０１３１】
以上により、非可逆回路素子Ｐ１の要部が完成される。次に、図２および図３を参照して、完成された非可逆回路素子Ｐ１を被実装部Ｐ２に表面実装してＢＧＡを形成するためのはんだボール８０が取り付けられる。
【０１３２】
たとえば図１０（Ｂ）を再度参照して、はんだボール８０は、非可逆回路素子Ｐ１における磁性体固定筐体２０の下側の筐体主表面２０Ｂの上および磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂ上のソルダレジスト開口部ＳＲＣに配置（搭載）され固着されることにより、非可逆回路素子Ｐ１に取り付けられる。
【０１３３】
すなわちはんだボール８０は基本的に磁性体１０の平面視における全体において互いに間隔をあけて複数行列状に配置されるとともに、磁性体固定筐体２０の平面視において縦方向および横方向に延びる領域の全体において複数互いに間隔をあけて配置される。したがって図３においては図の手前側のみにはんだボール８０が配置されるように示されているが、これは図を見やすくするために過ぎず、実際には図の奥側にもはんだボール８０が配置される。以下、この工程について、図２７〜図３０を用いて説明する。
【０１３４】
図２７を参照して、まず非可逆回路素子Ｐ１が、本来下側を向く筐体主表面２０Ｂおよび磁性体主表面１０Ｂが上側を向くように上下反転されて図示されない治具に収納される。上記のように先に筐体主表面２０Ｂ上および磁性体主表面１０Ｂ上にはソルダレジストＳＲおよびソルダレジスト開口部ＳＲＣが形成されている。
【０１３５】
非可逆回路素子Ｐ１の上方には磁石５０およびヨーク６０などの突起部材が含まれている。非可逆回路素子Ｐ１を上下反転させたときにはこれらの突起部材が下方に配置されることを考慮し、上記の上下反転された非可逆回路素子Ｐ１を収納する治具は、当該突起部材が収容できる窪みなどが設けられていることが好ましい。また非可逆回路素子Ｐ１には磁石５０が含まれるため、治具は非磁性体の金属材料または樹脂材料により形成されることが好ましい。
【０１３６】
筐体主表面２０Ｂ上に形成されたソルダレジスト開口部ＳＲＣと治具との上下方向に関する位置（高さ）がほぼ同じになるように、磁性体固定筐体２０などが治具に固定される。
【０１３７】
図２８を参照して、この状態で、複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれに、たとえばスクリーン印刷法により、はんだペーストＨＰが供給される。ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内においては、図２８には示されないが基本的に筐体下面電極２２または他の配線等が露出している。この露出された電極または配線等に接触する（覆う）ように、はんだペーストＨＰが印刷供給される。あるいは当該ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内に、スクリーン印刷法によりフラックスのみが供給されてもよい。
【０１３８】
図２９を参照して、図示されないはんだボール搭載装置により、図２８の工程においてはんだペーストＨＰまたはフラックスが供給された複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれにはんだボール８０が供給される。供給されたはんだボール８０は、はんだペーストＨＰまたはフラックスの粘着力によって筐体主表面２０Ｂに対して仮固定される。必要に応じて図２９の上方からはんだボール８０に対して押圧力を与えてもよく、このようにすれば仮固定がより確実になされる。なお自重または上記の押圧力により図２９の下方に力を加えるはんだボール８０により、図２９に示すように、はんだペーストＨＰはその一部が押されてソルダレジスト開口部ＳＲＣの外側にはみ出る場合もある。
【０１３９】
図３０を参照して、まず上記のはんだボール８０が供給された非可逆回路素子Ｐ１が、図２７〜図２９と同様に上下反転された状態で保持可能である耐熱性の治具等（図示せず）に保持される。その状態で当該非可逆回路素子Ｐ１はリフロー炉内に投入され、リフロー炉内の高温環境を通過する。これによりはんだボール８０およびはんだペーストＨＰが互いに絡み合うように溶融し、リフロー炉の高温環境を通過した後に冷却されて固化する。これにより、磁性体固定筐体２０の筐体主表面２０Ｂ（ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内の電極または配線など）とはんだボール８０とが一体化するように接合固定される。なおリフロー炉内を通過する工程の後は、はんだボール８０とはんだペーストＨＰとは一体化され両者は区別されなくなる。
【０１４０】
次に、はんだボール８０および非可逆回路素子Ｐ１の構成部材の一部の表面上に付着または残留したフラックス残渣が洗浄により除去される。ただし最終製品である非可逆回路装置１００の電気特性および信頼性に影響を及ぼさない程度に当該残渣の量が少ないことが確認できれば、この洗浄および除去の工程は省略されてもよい。以上によりはんだボール８０が非可逆回路素子Ｐ１に接着固定される。
【０１４１】
なお図２７〜図３０は磁性体固定筐体２０に形成されたソルダレジスト開口部ＳＲＣに対するはんだボール８０の接着固定工程についてのみ示しているが、これと同様の手順により磁性体１０に形成されたソルダレジスト開口部ＳＲＣに対するはんだボール８０も接着固定される。磁性体固定筐体２０へのはんだボール８０の固定と磁性体１０へのはんだボール８０の固定とは、施される処理が同一であり基本的に同時になされる。このため磁性体１０のソルダレジスト開口部ＳＲＣへのはんだボール８０の接着工程については詳細な説明を省略する。
【０１４２】
次に、図２を参照して、非可逆回路素子Ｐ１に接着固定されたはんだボール８０の下側に、被実装部Ｐ２としての回路基板９０が接合される。これにより被実装部Ｐ２としての回路基板９０に非可逆回路素子Ｐ１が表面実装される。またこれにより磁性体固定筐体２０の筐体下面電極２２が、磁性体１０の下側に配置される回路基板９０の回路基板導体９１および接地電極ＥＴＥなど（第２配線）に接続される。
【０１４３】
具体的には、再度図１３を参照して、まず上側の回路基板主表面９０Ａ上（および回路基板導体９１、接地電極ＥＴＥなどの上）にソルダレジストＳＲおよびソルダレジスト開口部ＳＲＣなどが形成された回路基板９０が準備される。ソルダレジストＳＲなどの形成方法は基本的に上記の磁性体１０および磁性体固定筐体２０と同様の手順であるため説明を省略する。
【０１４４】
基本的に図２８の工程と同様に、複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれに、たとえばスクリーン印刷法により、はんだペーストＨＰが供給される。ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内においては、基本的に回路基板導体９１または接地電極ＥＴＥ等が露出している。この露出された導体または電極等に接触する（覆う）ように、はんだペーストＨＰが印刷供給される。あるいは当該ソルダレジスト開口部ＳＲＣ内に、スクリーン印刷法によりフラックスのみが供給されてもよい。
【０１４５】
次に、基本的に図２９の工程と同様に、はんだペーストＨＰまたはフラックスが供給された複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれにはんだボール８０が供給される。
【０１４６】
次に、基本的に図３０の工程と同様に、非可逆回路素子Ｐ１および図示されない他の電子部品（図示されない）が搭載された回路基板９０がリフロー炉内に投入され、リフロー炉内の高温環境を通過する。これによりはんだボール８０は上記と同様に回路基板９０の導体などに接合される。なお後工程としてのフラックス残渣の洗浄および除去工程は、上記と同様に省略できる場合がある。
【０１４７】
以上により、本実施の形態の非可逆回路装置１００（図２参照）が形成される。
次に、本実施の形態に想到するに至った背景および課題について補足しつつ、本実施の形態の作用効果について説明する。
【０１４８】
本実施の形態においては、磁性体１０の代わりに、磁性体固定筐体２０に貫通導体２３が形成され、この貫通導体２３により、磁性体１０の上側（一方側）の導体薄膜３２（第１配線）と、磁性体１０の下側（他方側）の回路基板導体９１（第２配線）とが電気的に接続される。これらにより伝送経路が形成される。このため、スルーホールを磁性体１０の内部を貫通するように形成する必要がなくなり、かつ磁性体１０の外表面を覆うように第１配線と第２配線とを接続する導体材料を形成する必要もなくなる。
【０１４９】
フェライトなどの磁性体１０内にスルーホールを形成する場合、その硬度に起因して、磁性体１０に局所的にマイクロクラックまたはチッピングが発生し、それがより大きな割れ、欠けなどの製品不良を招来し、製品歩留まりが低下する可能性がある。また磁性体１０は硬いため、そもそもスルーホールの形成加工自体が困難である。このため磁性体１０へスルーホールを形成するためのにレーザー加工およびサンドブラスト加工が必要となり、加工費が非常に高価になる。
【０１５０】
また磁性体１０の上面、下面および側面などの表面上に、磁性体１０の上方の配線と下方の配線とを接続するための貫通導体２３と同等の機能を有する導体材料を形成する工程は、貫通導体をその延びる方向に沿う切断面を有するようにたとえば半分に分割する処理を要する。このためそのような加工は非常に困難であり、切断面の導体材料が剥がれるなどの不具合を来す可能性がある。さらに磁性体１０の上面、下面および側面などの表面上に、磁性体１０の上方の配線と下方の配線とを接続するための貫通導体２３と同等の機能を有する導体材料を、折り曲げ加工した金属を取り付けることにより形成することも可能であるが、この工程も非常に難易度の高い処理を要する。
【０１５１】
そこで本実施の形態のように樹脂材料からなる磁性体固定筐体２０にスルーホールおよびその内部の貫通導体２３を形成する方法を採用すれば、通常の大量生産されているプリント基板または多層セラミック基板と同じ工程でスルーホールおよび貫通導体２３を形成可能なため、加工が容易になる。磁性体１０にスルーホールまたは上記の外表面を覆う導体材料を形成する工程を行なわないことにより、上記のようなマイクロクラックまたはチッピングなどの発生を低減することができるとともに、製造コストを大幅に低減することができる。
【０１５２】
また、本実施の形態においてはフェライトなどからなる磁性体１０にスルーホールを形成しないため、スルーホールの内壁面への貫通導体２３としての銅などのめっき膜の付着が容易になる。つまりフェライトに形成されたスルーホールへのめっき膜は、スルーホールの内壁面に対する付着力が弱く剥がれやすいが、磁性体固定筐体２０のスルーホールへのめっき膜の形成工程は通常の大量生産されているプリント基板または多層セラミック基板と同じ工程であるため、加工が容易である。
【０１５３】
さらに本実施の形態においては、磁性体１０の代わりに、磁性体固定筐体２０に筐体上面電極２１および筐体下面電極２２が形成され、これらが非可逆回路素子Ｐ１の高周波回路および伝送経路を構成する。このため、磁性体１０の上面、下面などの表面上に直接電極などの導体を形成する必要がなくなる。
【０１５４】
磁性体１０の上面、下面などの表面上に直接導体材料を形成する工程は、たとえばメタライズ工程およびエッチング工程が通常よりも困難であり、その加工費が非常に高価になる。この加工においても（磁性体１０へのスルーホールの加工時と同様に）、磁性体１０に局所的にマイクロクラックまたはチッピングが発生し、それがより大きな割れ、欠けなどの製品不良を招来し、製品歩留まりが低下する可能性がある。
【０１５５】
しかし本実施の形態のように樹脂材料からなる磁性体固定筐体２０に筐体上面電極２１および筐体下面電極２２を形成する方法を採用すれば、通常の大量生産されているプリント基板または多層セラミック基板と同じ工程でスルーホールおよび貫通導体２３を形成可能なため、加工が容易になる。磁性体１０の上面、下面などの表面上に直接電極などの導体を形成する工程を行なわないことにより、上記のようなマイクロクラックまたはチッピングなどの発生を低減することができるとともに、加工が容易であるため製造コストを大幅に低減することができる。
【０１５６】
さらに本実施の形態においては磁性体１０にスルーホールが形成されない分だけ、磁性体１０の外形寸法を縮小することができる。磁性体１０を構成するフェライトなどの材料は高価であるため、これの寸法を縮小することにより、製造コストを削減することができる。
【０１５７】
磁性体１０の寸法を縮小することにより、また磁性体１０に代わって高周波回路が形成される磁性体固定筐体２０が形成されることにより、表面実装型の非可逆回路装置１００を使用する際に懸念される、これを構成する各部材間の線膨張係数差の影響を小さくすることができる。これは回路基板９０との線膨張係数差の大きい磁性体１０の寸法を小さくし、かつ回路基板９０と同一材料または類似材料により形成される磁性体固定筐体２０が用いられることにより実現できる。このようにすれば、大きな熱応力による破損などの可能性を低減することができるため、信頼性を向上することができる。
【０１５８】
本実施の形態においては、磁性体１０が平面視におけるほぼ中央部に配置され、それを取り囲むように枠体状の磁性体固定筐体２０が配置される。このような場合一般的に、磁性体１０と磁性体固定筐体２０とからなる平面上において磁性体１０が配置される中央部から外側に向かって離れるほど熱応力が大きくなる。しかし本実施の形態においては非可逆回路素子Ｐ１が実装される回路基板９０との線膨張係数差が大きい磁性体１０が中央部に、回路基板９０とほぼ同じ線膨張係数を有する磁性体固定筐体２０がその外側に配置される。このため本実施の形態においては、このような構成を有さない場合に比べて発生する熱応力を小さくすることができ、信頼性を向上することができる。
【０１５９】
以上により、本実施の形態の、磁性体固定筐体２０に筐体上面電極２１、筐体下面電極２２および貫通導体２３が形成され、筐体上面電極２１が磁性体１０の上方の導体薄膜３２ｂに、筐体下面電極２２が磁性体１０の下方の回路基板導体９１に接続された、非可逆回路素子Ｐ１の構成が実現できる。当該非可逆回路素子Ｐ１は製造コストおよび製造不良が低減され、信頼性が向上するとともに、その加工を容易にすることができる。
【０１６０】
次に、本実施の形態においては、磁石５０と磁性体１０との間の領域に薄葉基板３０を設けることにより、従来磁石５０と磁性体１０との間に薄葉基板３０のような配線を形成する部材とは別の部材（スペーサ）として設けていた誘電体部品を、当該薄葉基板３０で代替することができる。すなわち本実施の形態においては薄葉基板３０を、磁性体１０の上側の第１配線の形成部材として配置させるとともに、上記スペーサに相当する低誘電損失の誘電材料としての機能を有させるために配置させている。
【０１６１】
薄葉基板３０の真上に直接磁石５０を配置させることができるため、上記スペーサに相当する部材を別途配置する必要がなくなる。これは薄葉基板３０を構成する誘電体材料は上記のように伝送線路の一部をなしており、高周波回路に流れる信号による電磁界が磁石５０側に漏えいするのを抑制する機能を併せ持つためである。この機能は本来、上記スペーサが有する機能であるため、薄葉基板３０は当該スペーサに代替する部材として機能させることができる。したがって、非可逆回路素子Ｐ１を構成する部材数を削減することができ、非可逆回路素子Ｐ１の構成を単純化させることができる。
【０１６２】
また薄葉基板３０は、上記磁石５０と磁性体１０との間の領域のみならず、磁性体固定筐体２０の上側の領域にも配置されている。言い換えれば薄葉基板３０は、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の双方の上側の領域を含むように配置されている。特に磁性体固定筐体２０の真上の領域に配置される薄葉基板３０は、その下側の薄葉基板主表面３０Ｂ上のみに導体薄膜３２が形成されることにより、高周波回路を構成する筐体上面電極２１と、その上方の導体薄膜３２とを電気的に容易に接続することができる。導体薄膜３２は磁性体１０が配置される側の主表面すなわち薄葉基板主表面３０Ｂ上のみに形成されればよく、薄葉基板主表面３０Ａ上には形成されなくてもよい。このため、薄葉基板３０の両側の主表面３０Ａ，３０Ｂに導体薄膜を形成する必要がある場合に比べて、装置構成を単純化させ、製造コストを低減することができる。
【０１６３】
次に、本実施の形態においては薄葉基板３０と磁性体１０との間に配置された接着部材としてのＡＣＦ４０により、両者間を高い強度で密着させている。ＡＣＦ４０が薄葉基板３０と磁性体１０との間の領域から薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との間の領域まで延びることから、薄葉基板３０のほぼ全面をＡＣＦ４０により磁性体１０などと接着固定させることができる。
【０１６４】
またこのＡＣＦ４０は異方性を有する導電性を有し、磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１と薄葉基板３０の導体薄膜３２との重畳部分におけるこれらの間に配置されている。このため、たとえば図１６および図１７に示すように、導体薄膜３２と筐体上面電極２１とが互いに重畳するように位置決めしたうえで両者の間にＡＣＦ４０を挟み密着させることにより、磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０との接合固定および電気的な接続の双方を同時に達成することができる。
【０１６５】
ＡＣＦ４０が接着性とともに導電性を併せ持つことにより、導体薄膜３２と筐体上面電極２１との間の電気的な接続がなされるため、従来これらの間の電気的な接続のために別途必要であった導体材料を形成する必要がなくなる。このため、装置構成および工程をより簡素化させることができる。
【０１６６】
さらにＡＣＦ４０は導電性に異方性を有している。言い換えればＡＣＦ４０は、導電性粒子が捕捉された部分のみに導通が生じるという性質を有する。このため、導通を必要とする電極同士（すなわち導体薄膜３２と筐体上面電極２１）を正確に位置決めさえすれば、ＡＣＦ４０自体の位置決め精度をさほど高くする必要はないという利点を有する。
【０１６７】
また本実施の形態においては裏面導体１３の表面上にソルダレジストＳＲを有している。このソルダレジストＳＲが樹脂製である場合、磁性体１０の表面のうちほとんどの部分が樹脂材料の被膜に覆われることになる。このため磁性体１０に外力または熱応力が加わった場合においても、ソルダレジストＳＲを含む樹脂の層により磁性体１０が保護される効果が高められる。このように磁性体１０が保護されることにより、磁性体主表面１０Ｂおよび筐体主表面２０ＢがソルダレジストＳＲに覆われることにより、実装工程にて磁性体１０に発生し得るチッピングまたはクラックなどの不良を抑制することができる。この結果、非可逆回路装置１００の製造歩留りを向上させ低コスト化させることができる。
【０１６８】
次に、本実施の形態においては非可逆回路素子Ｐ１の最下面にはんだボール８０が形成され、これにより回路基板９０が接合されている。はんだボール８０は球形であるため、これに加わる熱応力が低減される。したがってはんだボール８０に接触する各部材の機械的耐性を向上させることができ、高い信頼性を得ることができる。またはんだボール８０を用いたＢＧＡ実装方式を用いることにより、非可逆回路素子Ｐ１を被実装部Ｐ２に対して安定に表面実装させることができる。
【０１６９】
本実施の形態においては非可逆回路装置１００がはんだボール８０を用いたＢＧＡ構造であるため、回路基板９０上に実装される非可逆回路素子Ｐ１以外の他の表面実装用電子部品と同時に非可逆回路素子Ｐ１を回路基板９０上に搭載、実装することができる。このため作業時間を短縮することができる。
【０１７０】
最後に、仮に上記のようにたとえば磁性体１０の上方と下方の配線を、折り曲げ加工した金属の取り付けにより形成する場合、形成される複数の折り曲げ加工された金属端子同士の形状が互いにばらつく可能性がある。このように金属端子の形状が互いにばらつけば、そのことにより非可逆回路装置１００の電気特性がばらつく可能性が高くなる。その場合においても、本実施の形態のようにはんだボール８０を用いたＢＧＡ構造を採用することにより、非可逆回路装置１００の電気特性がばらつく可能性を低減することができる。
【０１７１】
実施の形態１．の変形例
上記の実施の形態１においては、１つの磁性体１０が１つの磁性体固定筐体２０の固定可能部２４内に組み込まれることにより非可逆回路素子Ｐ１が形成されている。しかし製造コストを下げる観点から、同時に複数の磁性体を複数の磁性体固定筐体２０のそれぞれに組み込ませることにより同時に複数の非可逆回路素子Ｐ１を形成可能とする方が好ましい。
【０１７２】
図３１は、上記の製造方法を可能とする大型筐体２９の例である。図３１を参照して、大型筐体２９は、上記と同様に中央部に固定可能部２４が形成された磁性体固定筐体２０が複数並んだもの同士が互いにジョイント部２５で接続された構成を有している。この大型筐体２９が、たとえば図２の非可逆回路装置１００に含まれる磁性体固定筐体２０と同様に、非可逆回路装置を構成している。
【０１７３】
図３１においては、図の左右方向に３列、図の上下方向に３列の磁性体固定筐体２０が、互いに間隔をあけて行列状に配置されている。そしてこれらすべての磁性体固定筐体２０を外側から矩形状（枠状）に囲むように外枠２６が配置されている。個々の磁性体固定筐体２０間の隙間、および外枠２６と磁性体固定筐体２０との間の隙間にはジョイント部２５が接続されている。また平面視における外枠２６の矩形状のそれぞれの角部には位置決めピン穴２７が設けられている。
【０１７４】
図３１に示す大きな平面積を有する大型筐体２９に含まれる複数の磁性体固定筐体２０のそれぞれにより、図２に示すような非可逆回路素子Ｐ１が複数同時に形成され、当該非可逆回路素子Ｐ１が図３１の磁性体固定筐体２０のように行列状に複数並ぶ非可逆回路装置１００が形成される。図３１に示す大型筐体２９を用いた処理は、平面積の大きな加熱プレス装置（大型プレス装置）を用いることによりなされることが好ましい。この大型プレス装置は、面精度および平行度が、通常のプレス装置（たとえば図２１〜図２６に示すボンダー４４）よりも高精度である。
【０１７５】
当該非可逆回路素子の製造工程においては、（図示されないが）まず大型筐体２９に含まれるすべての固定可能部２４内に磁性体１０が配置され、上記と同様に弾性接着剤１２で固定される。その後、上記大型プレス装置にこれがセットされ、以降は図１９〜図２６の各工程と同様の処理が大型プレス装置によりなされる。これにより、大型筐体２９上に薄葉基板３０が接合固定される。なおここで用いられる薄葉基板３０としては、図３１の大型筐体２９のほぼ全体を上方から覆うような、実施の形態１よりも大型のものが用いられてもよい。
【０１７６】
なお図２４に示すような位置決めカメラ４４Ｃに相当する装置等を用いて位置合わせを行なうことが困難な場合には、大型筐体２９と、薄葉基板およびＡＣＦ（図示せず）との位置合わせは位置決めピン穴２７によりなされることが好ましい。
【０１７７】
上記の本実施の形態の変形例のように大型筐体２９が形成される場合、多数個の非可逆回路素子が同時に形成できるため、製造効率が向上し製造コストが削減できるとともに、磁性体１０に段差および傾きが生じにくい構造とすることができる。
【０１７８】
上記の実施の形態１においては、非可逆回路装置１００に形成される個々の非可逆回路素子Ｐ１の仕上がり後の上下方向の厚みが僅かに異なるばらつきが生じる可能性がある。このような厚みのばらつきが生じれば、個々の非可逆回路素子Ｐ１に含まれる磁性体１０の電気特性に影響を及ぼす可能性がある。しかし図３１の大型筐体２９を含む非可逆回路装置１００を形成した場合には、このような上下方向の厚みのばらつきを抑制することができるため、個々の非可逆回路素子Ｐ１を均質化させることができる。
【０１７９】
実施の形態２．
まず本実施の形態の非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図３２は実施の形態１の図２に、図３３は実施の形態１の図１６に、図３４は実施の形態１の図１７に、それぞれ対応する。
【０１８０】
図３２〜図３４を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置２００は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００と同様の構成を有するため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。ただし非可逆回路装置２００においては、薄葉基板３０と磁性体１０との間に配置される接着部材として、ＡＣＦ４０の代わりに、絶縁性薄膜としての絶縁性接着フィルム４９が配置されている。
【０１８１】
絶縁性接着フィルム４９は、平面視においてほぼＡＣＦ４０と同じ寸法を有している。ただし絶縁性接着フィルム４９を用いる場合、薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１とを電気的に接続させるためには、導体薄膜３２とこれに重なる筐体上面電極２１との間にはこれら双方に接するように絶縁性接着フィルム４９が配置されるべきではない。また筐体上面電極２１を含む高周波回路などにおける導通不良を抑制する観点から、筐体上面電極２１などの電導に起因する絶縁性接着フィルム４９の溶融および周囲への流出を抑制する必要がある。以上により、絶縁性接着フィルム４９の平面視における外縁の一部には、平面視において筐体上面電極２１との間に互いに間隔を有するように切れ込み部４８が形成されている。この切れ込み部４８により、少なくとも筐体上面電極２１（および導体薄膜３２）と重なる領域およびそれに隣接するごく狭い領域には、絶縁性接着フィルム４９が配置されない態様となっている。
【０１８２】
そして平面視における切れ込み部４８の外側において、絶縁性接着フィルム４９と互いに間隔を有するように別途準備された導電性部材としての導電性接着剤４７が配置される。この導電性接着剤４７は薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１との双方に接するようにこれらの間に設けられている。この導電性接着剤４７により、導体薄膜３２と筐体上面電極２１とが電気的に接続されている。
【０１８３】
導電性接着剤４７は、これに接続される導体薄膜３２および筐体上面電極２１などの電極の面積に対応させて細片化されたエポキシ樹脂系の導電性接着フィルム、細片化されたＡＣＦもしくは導電性の液状樹脂、またはペースト状の粘性体であることが好ましい。
【０１８４】
一般的に導電性接着剤４７は、なるべく接触抵抗を下げる観点から、当該導電性接着剤４７に含まれる接着剤の内部に充填される導電性粒子の含有量を増すことによりその導電性を高めている。このため導電性接着剤４７は、接着剤の部分の含有量が相対的に少なく、接着後の機械的な接着強度は高くない。このため本実施の形態においては、導電性接着剤４７の低い接着強度を補う観点から、接着性を有する絶縁性薄膜としての絶縁性接着フィルム４９が併用される。絶縁性接着フィルム４９の平面積は比較的大きいため、これと導電性接着剤４７との接着強度により、薄葉基板３０と磁性体固定筐体２０との間の充分な接着強度を確保することができる。
【０１８５】
次に、今度は図３３〜図３４を製造工程を示す図として参照しながら、本実施の形態の非可逆回路装置２００の製造方法について説明する。
【０１８６】
本実施の形態の非可逆回路装置２００の製造方法は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００の製造方法と同様であるため、同様の製造方法についてはその説明を繰り返さない。
【０１８７】
上記のように、本実施の形態は実施の形態１と比較して、薄葉基板３０と磁性体１０および磁性体固定筐体２０との接着固定の態様が異なっている。このため以下においては主にこれらの接着工程について説明する。
【０１８８】
図３３を参照して、絶縁性接着フィルム４９および導電性接着剤４７が準備される。当初の薄葉基板３０の平面視における寸法は、磁性体固定筐体２０の同寸法よりもやや小さく、かつ絶縁性接着フィルム４９（切れ込み部４８を無視して考える）の平面視における寸法は、薄葉基板３０の同寸法よりもやや小さくなっていることが好ましい。具体的な絶縁性接着フィルム４９の寸法は、当該絶縁性接着フィルム４９の特性を考慮の上決定されることが好ましい。
【０１８９】
絶縁性接着フィルム４９の外縁の一部には、上記のようにこれが導体薄膜３２および筐体上面電極２１と重なることを抑制するために切れ込み部４８が形成される。切れ込み部４８は図３３および図３４においては導体薄膜３２および筐体上面電極２１と重なる領域を避けることが可能な矩形状を有しているが、切れ込み部４８の形状はこれに限られない。
【０１９０】
絶縁性接着フィルム４９は、いわゆるＢステージの状態のエポキシ樹脂系フィルムであることが好ましい。ただし絶縁性接着フィルム４９は必ずしもエポキシ樹脂系フィルムである必要はなく、それ以外の熱硬化性樹脂であってもよいし、熱可塑性樹脂であってもよい。また絶縁性接着フィルム４９の配置される箇所は高周波の伝送線路に近い場所であるため、絶縁性接着フィルム４９はなるべく誘電損失の低い材料により形成されることが好ましい。当初の絶縁性接着フィルム４９の平面視における横方向および縦方向の寸法（切れ込み部４８を無視して考える）は、実施の形態１のＡＣＦ４０と同じほぼ６．６ｍｍであり、厚みは３０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
【０１９１】
導電性接着剤４７としては、たとえば予め銀などの導電性粒子が混入された、いわゆるＢステージの状態のエポキシ樹脂系の導電性接着フィルムが用いられる。ただし導電性接着剤４７は上記のようにフィルム状である必要はなく、たとえば液状樹脂であってもよく、ペースト状の粘性体であってもよい。ペースト状の粘性体の導電性接着剤４７は、たとえばスクリーン印刷法、転写工法(スタンピング）またはディスペンサＤＰ（図１４参照）を用いる方法により、薄葉基板主表面３０Ｂ上の所望の箇所に供給される。また液状樹脂としての導電性接着剤４７は、たとえばディスペンサＤＰを用いることにより所望の箇所に供給される。当該導電性接着フィルムの厚みはたとえば３０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。導電性接着剤４７は、筐体上面電極２１と導体薄膜３２とが平面的に重なる部分において両者の間に挟まり両者に接触することが可能な程度に細片化されることが好ましい。
【０１９２】
絶縁性接着フィルム４９が磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上に仮接着される。この工程は、具体的には、図１９〜図２３に示す３層構造フィルム４３に含まれるＡＣＦ４０を絶縁性接着フィルム４９に置き換えたものを用いて、図１９〜図２２の工程と同様に説明可能である。すなわち図１８（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）と同様に軽セパレータ４２、絶縁性接着フィルム４９、重セパレータ４１の順に積層された３層構造フィルムがボンダーヘッド４４Ａに吸着される。軽セパレータ４２の３層構造フィルム４３からの分離後、図２２の工程と同様に、ボンダーヘッド４４Ａの下降および押圧により、加熱ステージ４４Ｂ上に真空吸着された磁性体１０および磁性体固定筐体２０上に、絶縁性接着フィルム４９が仮接着される。図２３のように重セパレータ４１が分離することにより、図３３に示すように、絶縁性接着フィルム４９のフィルム下側主表面４９Ｂが磁性体１０などの表面に接合し、これと対向するフィルム上側主表面４９Ａが上側を向くように仮接着される。絶縁性接着フィルム４９の仮接着時の密着力向上のため、磁性体１０および磁性体固定筐体２０は絶縁性接着フィルム４９の加熱硬化温度以下の温度で適宜加温されてもよい。絶縁性接着フィルム４９の仮接着についてはここでは上記の説明に留め、これ以上の詳細な説明を省略する。
【０１９３】
次に導電性接着剤４７が仮接着される時点においては、既に磁性体１０および磁性体固定筐体２０上に絶縁性接着フィルム４９が仮接着されている。このため、図２４の工程と同様にボンダーヘッド４４Ａに真空吸着された薄葉基板３０の薄葉基板主表面３０Ｂ上の所望の箇所に導電性接着剤４７が仮接着される。この薄葉基板主表面３０Ｂ上への導電性接着剤４７の仮接着も、ボンダー４４を用いてなされることが好ましい。
【０１９４】
ただし実施の形態１においては図２４の工程において、ＡＣＦ４０が半透明であることを利用して、その真下に透けて見える筐体上面電極２１に導体薄膜３２を位置合わせするのに対し、本実施の形態においては薄葉基板３０側に仮接着された導電性接着剤４７の半透明性を利用して導体薄膜３２を位置合わせしてもよい。導電性接着剤４７が半透明性でない場合は、導体薄膜３２の外形寸法よりも小さい導電性接着剤４７を用いることで位置合わせしてもよい。ただしこのような処理が困難な場合には、たとえば磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０とに専用の位置決めマークを設け、これを用いて両者が位置決めされてもよい。
【０１９５】
このように、導電性接着剤４７を用いて導体薄膜３２（薄葉基板３０）が位置決めされる点において実施の形態１と異なるが、薄葉基板３０の接着時には基本的に図２４〜図２６の工程と同様の処理がなされる。以上により導電性接着剤４７および薄葉基板３０が、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０および絶縁性接着フィルム４９とともに本接着される。導電性接着剤４７の仮接着についてはここでは上記の説明に留め、これ以上の詳細な説明を省略する。
【０１９６】
以上に述べた各点において本実施の形態は実施の形態１と異なっているが他の点においては基本的に実施の形態１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０１９７】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態１と同様の作用効果の他、以下の作用効果を奏する。
【０１９８】
本実施の形態においては、実施の形態１のＡＣＦ４０の代わりに絶縁性接着フィルム４９が用いられる。これにより、材料コストが高価なＡＣＦを用いずに実施の形態１の非可逆回路装置１００と同様の性能の非可逆回路装置２００を製造することができる。
【０１９９】
またＡＣＦ４０の代わりに絶縁性接着フィルム４９を用いることにより、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０と、薄葉基板３０との接着強度を実施の形態１よりもいっそう向上させることができる。
【０２００】
実施の形態２．の変形例
上記のように、本実施の形態においては基本的に実施の形態１と同様にボンダー４４を用いて絶縁性接着フィルム４９などが接着される。つまりボンダー４４が加熱と加圧とを同時に行なうことにより接着がなされる。しかし加熱せずに室温条件下で絶縁性接着フィルム４９を加圧により磁性体１０などに接着させることも可能である。この場合には絶縁性接着フィルム４９として、図３３のフィルム上側主表面４９Ａとフィルム下側主表面４９Ｂとの両面に粘着性を有する絶縁性両面粘着フィルムが用いられることが好ましい。ただしこの場合には、絶縁性両面粘着フィルムとして、非可逆回路素子Ｐ１を回路基板９０上にリフロー実装する際の温度に耐え得る材料を選択することが好ましい。
【０２０１】
実施の形態３．
まず本実施の形態の非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図３５は実施の形態１の図２に、図３６は実施の形態１の図１６に、図３７は実施の形態１の図１７に、それぞれ対応する。
【０２０２】
図３５〜図３７を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置３００は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００と同様の構成を有するため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。ただし非可逆回路装置３００においては、薄葉基板３０と磁性体１０との間に配置される接着部材として、ＡＣＦ４０の代わりに、絶縁性を有する液体接着剤としての絶縁性液体接着剤４６が配置されている。ただしここでの液体接着剤とは、硬化される前の初期状態において液体であることを意味している。
【０２０３】
本実施の形態においても実施の形態２と同様にＡＣＦ４０は用いられないため、薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１とを電気的に接続させるためには、これらの重なる領域には絶縁性接着フィルム４９が配置されるべきではなく、導電性部材が配置されるべきである。そこで本実施の形態においては、薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１とが導電性部材としてのプリコートはんだ４５（はんだ）により電気的に接続されている。
【０２０４】
プリコートはんだ４５（はんだ）は基本的に、実施の形態２での導電性部材である導電性接着剤４７よりも接合強度が高い。このため本実施の形態においては、実施の形態２よりも高強度に、薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１とを接着させることができる。したがって本実施の形態においては、薄葉基板３０とその下側の磁性体１０および磁性体固定筐体２０とを接着すべき領域の面積を、実施の形態２よりも小さくすることができる。
【０２０５】
ここで本実施の形態における上記接着すべき領域の面積とは、高周波回路の電気特性上両者を接着することが必要な領域の面積を意味している。この領域は、上記の伝送線路が形成される部分に相当する。この観点に基づけば、基本的に磁性体１０とその真上の薄葉基板３０とが可能な限り接近した状態で接着されていることが好ましく、上記接着すべき領域の面積とは、磁性体１０の平面視における面積（以下）であるといえる。また互いに接着される磁性体１０と薄葉基板３０との間には空隙などが存在しないことが好ましい。
【０２０６】
そこで本実施の形態においては、絶縁性液体接着剤４６が、薄葉基板３０と磁性体１０との間の領域のみに配置されている。すなわち磁性体固定筐体２０と薄葉基板３０との接着は、筐体上面電極２１と導体薄膜３２との接着がプリコートはんだ４５によってなされている領域以外の領域においてはなされていない。したがって絶縁性液体接着剤４６の平面視における面積は、たとえば実施の形態２の導電性接着剤４７（および実施の形態１のＡＣＦ４０）に比べてかなり小さい。
【０２０７】
絶縁性液体接着剤４６は、たとえばエポキシ樹脂系接着剤からなることが好ましい。絶縁性液体接着剤４６としてのエポキシ樹脂系接着剤は、主剤と硬化剤とが別々に分けられた２液混合型よりも、あらかじめ主剤と硬化剤とが混練されシリンジにより供給可能である１液性エポキシ樹脂が用いられることが好ましい。このようにすれば、絶縁性液体接着剤４６の取り扱いが容易となり、作業性に優れる。より具体的には、絶縁性液体接着剤４６として、半導体用ダイボンド樹脂またはアンダーフィル樹脂を用いることができ、事前評価を実施したうえでこれらを使用することができる。
【０２０８】
次に、今度は図３６〜図３７を製造工程を示す図として参照しながら、本実施の形態の非可逆回路装置３００の製造方法について説明する。また図３８は、プリコートはんだ４５の流動を抑制するための機構を示している。
【０２０９】
本実施の形態の非可逆回路装置３００の製造方法は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００の製造方法と同様であるため、同様の製造方法についてはその説明を繰り返さない。
【０２１０】
上記のように、本実施の形態は実施の形態１と比較して、薄葉基板３０と磁性体１０および磁性体固定筐体２０との接着固定の態様が異なっている。このため以下においては主にこれらの接着工程について説明する。
【０２１１】
図３６を参照して、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０の形成後、磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１上には、はんだプリコート法により予め固形のプリコートはんだ４５が必要量だけ供給される。このように本実施の形態においては、絶縁性液体接着剤の供給に先立って、プリコートはんだ４５が供給される。
【０２１２】
プリコートはんだ４５は、はんだペーストを、たとえばスクリーン印刷法、転写工法（スタンピング）またはディスペンサＤＰ（図１４参照）を用いる方法により、筐体上面電極２１上の所望の箇所に供給される。プリコートはんだ４５は、筐体上面電極２１上のうち、その真下の貫通導体２３と重なる領域以外の領域に供給されることが好ましい。その後、当該磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０をリフロー炉内に投入し加熱することにより、供給されたはんだペーストが溶融し、リフロー炉の高温環境を通過した後に冷却固化される。これにより筐体上面電極２１上に固形のはんだ層がプリコートはんだ４５として供給される。
【０２１３】
図３５および図３８を参照して、筐体上面電極２１上においては、貫通導体２３と重なる領域以外の領域の一部にプリコートはんだ４５が供給され、当該プリコートはんだ４５の供給領域と貫通導体２３と重なる領域との間の領域にソルダレジストＳＲが形成された構成とされることが好ましい。ここでのソルダレジストＳＲは、実施の形態１におけるソルダレジストＳＲと同様の材質により形成されたものである。このようにすれば、ソルダレジストＳＲは、プリコートはんだ４５が溶融した際にこれが磁性体固定筐体２０のスルーホール内に流入することを抑制するためのダムとして機能する。
【０２１４】
次に、プリコートはんだ４５の供給を終えた後、絶縁性液体接着剤４６を用いて、磁性体１０に薄葉基板３０が接着される。
【０２１５】
磁性体１０の上側の磁性体主表面１０Ａ上には、上記のはんだペーストの供給時と同様に、たとえばスクリーン印刷法、転写工法(スタンピング）またはディスペンサＤＰ（図１４参照）を用いる方法により、予め定められた量の絶縁性液体接着剤４６が供給される。しかし最も作業性を良くする観点からは、ディスペンサＤＰを用いて絶縁性液体接着剤４６が供給されることが最も好ましい。絶縁性液体接着剤４６の供給される量は、接着時に当該絶縁性液体接着剤４６がはみ出すことにより他の領域に影響を及ぼさないように決定された最適値を適用することが好ましい。
【０２１６】
この後、実施の形態１の図２４〜図２６に示した各工程と同様にボンダー４４を用いた処理を行なうことにより、薄葉基板３０が磁性体１０の上に接着固定される。なお本実施の形態においては筐体上面電極２１の最外部にはＡＣＦ４０などが重畳されていないため、筐体上面電極２１を見ながら薄葉基板３０を位置合わせすることができる。
【０２１７】
また本実施の形態においてもボンダー４４を用いて加熱と加圧とを同時に行なうことにより、薄葉基板３０を磁性体１０の上に接着させることができる。しかし本実施の形態においては、必要に応じて上記のボンダー４４に加え、加熱プレス、ばね、重石など外部から荷重を与えることが可能な装置または治具などを用いて加熱および加圧を補いながら、加熱乾燥炉中などで上記の接着工程をが行われてもよい。このようにすれば、絶縁性液体接着剤４６がより確実に加熱硬化され、いっそう強固な接着が可能となる。
【０２１８】
次に、絶縁性液体接着剤４６が硬化した後に、筐体上面電極２１上のプリコートはんだ４５が加熱溶融され、筐体上面電極２１と薄葉基板３０とがはんだ接合される。この工程においては実施の形態１のボンダー４４の加熱ステージ４４Ｂを用いて磁性体１０および磁性体固定筐体２０が１００℃以上に予熱された上で、薄葉基板３０の上方からボンダーヘッド４４Ａの加熱により薄葉基板３０の上側から入熱されてもよい。ただしこの工程においては、たとえば上記のボンダー４４を用いずに、局所加熱が可能なはんだごてなどの加熱ツールを用いてプリコートはんだ４５が加熱溶融されてもよい。
【０２１９】
なお上記においては先に絶縁性液体接着剤４６が加熱硬化され、その後にプリコートはんだ４５による接続がなされているが、これらの順序を逆にしてもよい。また特に上記のボンダー４４を用いる場合には、絶縁性液体接着剤４６の加熱硬化とプリコートはんだ４５の加熱溶融とが同時になされ、両者により同時に接合されてもよい。
【０２２０】
また本実施の形態のプリコートはんだ４５による接続部には、フラックスは用いられないことが好ましい。このようにすればフラックス残渣に起因する筐体上面電極２１および導体薄膜３２の腐食またはマイグレーションの発生を抑制することができる。このようにフラックスを用いないが高信頼性を有するはんだ付けは、導体薄膜３２の表面に金の薄膜がフラッシュめっきされることにより可能となる。
【０２２１】
以上に述べた各点において本実施の形態は実施の形態１と異なっているが他の点においては基本的に実施の形態１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０２２２】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態１と同様の作用効果の他、以下の作用効果を奏する。
【０２２３】
本実施の形態においては、上記のようにプリコートはんだ４５を用いることにより、実施の形態１，２よりも高強度に、薄葉基板３０の導体薄膜３２と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１とを接着させることができる。これにより、薄葉基板３０とその下側の磁性体１０および磁性体固定筐体２０とを接着すべき領域の面積を、実施の形態２よりも小さくすることができる。
【０２２４】
ここで、（筐体上面電極２１を除き）磁性体１０のみを用いて薄葉基板３０と接着することにより、磁性体１０と磁性体固定筐体２０との双方を薄葉基板３０と接着させる場合に比べて、磁性体１０と薄葉基板３０とをより接近した状態で安定に接着させることができる。
【０２２５】
このような固定は、絶縁性液体接着剤４６により可能である。絶縁性液体接着剤４６を用いれば、たとえば本実施の形態の絶縁性液体接着剤４６と同じ大きさ（磁性体１０の大きさ以下）のＡＣＦ４０または絶縁性接着フィルム４９を用いる場合に比べて、磁性体１０と薄葉基板３０との密着性がより良好になる。これは絶縁性液体接着剤４６は、ＡＣＦ４０および絶縁性接着フィルム４９よりも接着強度が高いためである。
【０２２６】
また、絶縁性液体接着剤４６を用いることにより、当該接着部材の平面視における面積を実施の形態１，２よりも小さくすることができる。つまり接着部材の製造に用いる材料の量が少なくなる分だけ接着部材の製造コストを削減することができる。
【０２２７】
なおそもそも絶縁性液体接着剤４６は、ＡＣＦ４０および絶縁性接着フィルム４９よりも安価であるため、この観点からも絶縁性液体接着剤４６の使用により接着部材の製造コストを削減することができるといえる。
【０２２８】
また本実施の形態においては、接着部材が磁性体１０上のみに配置され磁性体固定筐体２０上には配置されない。このため実施の形態１，２のように磁性体固定筐体２０上にも接着部材が配置される場合に比べて、接着部材を用いた接着後に当該接着部材がはみ出すなどの不具合の発生を抑制することができる。このため製造上または寸法上の自由度を向上させることができる。
【０２２９】
実施の形態３．の変形例
ただし材料コストは上記の場合よりも高騰するが、本実施の形態において、上記の絶縁性液体接着剤４６の代わりに、実施の形態２に述べた絶縁性接着フィルム４９または室温で接着可能な絶縁性両面粘着フィルムが用いられ、かつ導電性部材としては上記同様にプリコートはんだ４５が用いられてもよい。
【０２３０】
また上記の説明においては筐体上面電極２１と導体薄膜３２とを接着する導電性部材としてプリコートはんだ４５が用いられる。しかしプリコートはんだ４５と同等の接着強度を確保できる場合、その他強度的に問題がない場合には、はんだ以外の導電性部材を用いて筐体上面電極２１と導体薄膜３２とを接着することもできる。たとえば、はんだの代わりに金などの金属細線で作ったスタッドバンプを超音波接合または加熱加圧圧着することによっても、筐体上面電極２１と導体薄膜３２とを接着することができる。
【０２３１】
実施の形態４．
まず本実施の形態の非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図３９は実施の形態１の図２に対応する図面であり、図４０は実施の形態１の図７および図１０と同様の観点から示された図面である。また図４１は実施の形態１の図５に対応する。
【０２３２】
図３９を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置４００は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００と同様の構成を有するため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。ただし非可逆回路装置４００においては、磁性体固定筐体２０が、第１の磁性体固定筐体部分としての上側筐体２０Ｕと、第２の磁性体固定筐体部分としての下側筐体２０Ｌとにより構成されている。つまり本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、２つのプリント基板の組み合わせにより構成されている。この点において本実施の形態の磁性体固定筐体２０は、単一のプリント基板として構成される実施の形態１〜３の磁性体固定筐体２０とは異なっている。
【０２３３】
上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとはいずれも平面視においてたとえば四角形（正方形）の平面形状を有するように形成されており、いずれもほぼ同じ外形寸法を有している。このため上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとは平面視においてほぼ重なるように配置される。また上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとはいずれも同じ素材からなり、いずれも実施の形態１〜３の磁性体固定筐体２０と同じ素材により構成されている。
【０２３４】
上側筐体２０Ｕは実施の形態１〜３の磁性体固定筐体２０と同様に固定可能部２４を有し、当該固定可能部２４内に配置された磁性体１０を平面視における外周部側から取り囲むように配置されている。これに対し下側筐体２０Ｌは、磁性体１０の下側（他方側）から磁性体１０を覆う（取り囲む）ように配置されている。
【０２３５】
図３９および図４０を参照して、上側筐体２０Ｕの上側の主表面上には筐体上面電極２１が、下側筐体２０Ｌの下側の主表面上には筐体下面電極２２が、それぞれ形成されている。そして上側筐体２０Ｕの下側の主表面には介在下面電極２２Ｉが、下側筐体２０Ｌの上側の主表面には介在上面電極２１Ｉが、それぞれ形成されている。介在下面電極２２Ｉと介在上面電極２１Ｉとは、基本的にほぼ同じ形状、寸法を有し、同じ材質により形成されることが好ましい。
【０２３６】
上側筐体２０Ｕにおいては、筐体上面電極２１から介在下面電極２２Ｉまで上側筐体２０Ｕを貫通する貫通導体２３が形成されている。下側筐体２０Ｌにおいては、介在上面電極２１Ｉから筐体下面電極２２まで下側筐体２０Ｌを貫通する貫通導体２３が形成されている。また介在下面電極２２Ｉと介在上面電極２１Ｉとは互いに間隔をあけて対向していることが好ましい。
【０２３７】
下側筐体２０Ｌは上側筐体２０Ｕとは異なり、固定可能部２４のような開口部を有していない。上記のように上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとは平面視においてほぼ重なるように配置されるが、これにより磁性体１０の真下の領域には下側筐体２０Ｌ本体を構成する一部分が配置される。
【０２３８】
上側筐体２０Ｕに保持される磁性体１０の真下の領域における下側筐体２０Ｌの最上面には、介在上面電極２１Ｉと同一の層としての接地電極ＥＴＥが形成されている。介在上面電極２１Ｉおよび接地電極ＥＴＥは、図５の磁性体１０および図８の磁性体固定筐体２０と同様に、下側筐体２０Ｌの上側の表面上に形成された導体材料の薄膜がパターニングにより形成されたものである。また当該磁性体１０の真下の領域における下側筐体２０Ｌの最下面には、筐体下面電極２２と同一の層としての接地電極ＥＴＥが形成されている。筐体下面電極２２および接地電極ＥＴＥは、図５の磁性体１０および図８の磁性体固定筐体２０と同様に、下側筐体２０Ｌの下側の表面上に形成された導体材料の薄膜がパターニングにより形成されたものである。これらの接地電極ＥＴＥ間を貫通するように、磁性体１０の真下の領域における下側筐体２０Ｌには貫通導体２３が形成されている。
【０２３９】
このように下側筐体２０Ｌが磁性体１０の真下の領域において（スルーホール内を除き）下側筐体２０Ｌを構成する素材で充填されている。下側筐体２０Ｌの当該真下の領域の最上面（介在上面電極２１Ｉと同一の層の接地電極ＥＴＥが形成される面）と、その真上の上側筐体２０Ｕに形成された固定可能部２４の内壁面とにより、磁性体固定筐体２０には凹部が形成されている。つまりこの凹部は固定可能部２４と一致するように（固定可能部２４として）形成されている。凹部は介在上面電極２１Ｉと同一の層の接地電極ＥＴＥが形成される面を底面として有することにより、固定可能部２４内（凹部内）に配置される磁性体１０はその側方のみならず、その下方からも支持可能な構成となっている。
【０２４０】
上側筐体２０Ｕの介在下面電極２２Ｉを含む最下面と、下側筐体２０Ｌの介在上面電極２１Ｉを含む最上面とは互いに対向しており、両者間には実施の形態１と同様のＡＣＦ４０が配置されている。このＡＣＦ４０により、上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとは互いに接合されて一体となっている。またこのＡＣＦ４０により、たとえば互いに対向する介在下面電極２２Ｉと介在上面電極２１Ｉとは電気的に接続されている。
【０２４１】
さらにこのＡＣＦ４０により、磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂと、下側筐体２０Ｌの最上面の接地電極ＥＴＥなどとが電気的および機械的に接続されている。したがって本実施の形態においては、実施の形態１〜３のように磁性体１０の直下に裏面導体１３を介してはんだボール８０が接続されているわけではなく、磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂ上にはソルダレジストＳＲ、ソルダレジスト開口部ＳＲＣおよび裏面導体１３は形成されていない。
【０２４２】
図４１（Ａ），（Ｂ）は本実施の形態における磁性体１０の平面形状を示しており、図４１（Ｃ）は図４１（Ｂ）のＸＬＩＣ−ＸＬＩＣ線に沿う部分の概略断面図である。図４１を参照して、本実施の形態においては、磁性体１０の上側（一方側）の磁性体主表面１０Ａ、磁性体１０の下側（他方側）の磁性体主表面１０Ｂともに、磁性体１０を構成するたとえばフェライトの素地が露出している。一方、下側筐体２０Ｌの最下面ははんだボール８０に直接接続されるため、この下側筐体２０Ｌの最下面に図５（Ｂ）の磁性体主表面１０Ｂと同様に、ソルダレジストＳＲ、ソルダレジスト開口部ＳＲＣおよび裏面導体（と同一の層としての接地電極ＥＴＥ）が形成されている。はんだボール８０の最下部は、他の実施の形態と同様に、回路基板導体９１と同一の層としての接地電極ＥＴＥに接続されている。
【０２４３】
図３９の非可逆回路装置４００においては、薄葉基板３０と磁性体１０および上側筐体２０Ｕとの接着は実施の形態１と同様にＡＣＦ４０によりなされている。しかし本実施の形態においても、薄葉基板３０と磁性体１０および上側筐体２０Ｕとの接着が実施の形態２，３の非可逆回路装置２００，３００と同様の態様によりなされてもよい。また本実施の形態においても実施の形態１と同様に、伝送線路の特性上、磁性体１０および磁性体固定筐体２０の上側の主表面と、薄葉基板３０の導体薄膜３２とは可能な限り接近した状態で互いに接合していることが好ましい。
【０２４４】
次に、本実施の形態の非可逆回路装置４００の製造方法について説明する。
本実施の形態の非可逆回路装置４００の製造方法は、基本的には実施の形態１の非可逆回路装置１００の製造方法と同様であるため、同様の製造方法についてはその説明を繰り返さない。
【０２４５】
上記のように、本実施の形態は実施の形態１と比較して、磁性体固定筐体２０が上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとを有しこれらが貼り合わせられた構成を有する点において異なっている。このため以下においては主に磁性体固定筐体２０の形成方法について説明する。
【０２４６】
実施の形態１と同様に、上側筐体２０Ｕの固定可能部２４内に磁性体１０が配置され、弾性接着剤１２により上側筐体２０Ｕに固定される。次に実施の形態１の図１９〜図２６に示す工程と同様の処理により、ボンダー４４および３層構造フィルム４３（ＡＣＦ４０を含む）を用いて、上側筐体２０Ｕと下側筐体２０ＬとがＡＣＦ４０で固定され一体化する。
【０２４７】
ただし本実施の形態においては、まず上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌと磁性体１０とが同時にＡＣＦ４０により図１９〜図２６と同様のボンダー４４を用いて接着され、当該接着の完了後に上側筐体２０Ｕの固定可能部２４と磁性体１０との隙間に弾性接着剤１２を注入して磁性体１０と上側筐体２０Ｕとを固定する方法が用いられてもよい。
【０２４８】
なおＡＣＦ４０は加熱加圧加工時における粘度低下が液状樹脂材料に比べて小さい。このため上記のような接着時に予めスルーホールを穴埋めする処理などを行なう必要がないという利点を有する。
【０２４９】
以上に述べた各点において本実施の形態は実施の形態１と異なっているが他の点においては基本的に実施の形態１と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０２５０】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態１と同様の作用効果の他、以下の作用効果を奏する。
【０２５１】
本実施の形態においては、上側筐体２０Ｕの固定可能部２４に取り囲まれ保持された磁性体１０は、固定可能部２４の内壁面とその下側の下側筐体２０Ｌの表面とにより形成される凹部内に収納される。このため実施の形態１〜３においては磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂ上には裏面導体１３およびソルダレジストＳＲなどが直接形成されていない。これにより、磁性体１０を形成するための製造コストを大幅に削減することができる。
【０２５２】
このことについて、本実施の形態の非可逆回路装置４００のコスト分析の結果、とりわけ磁性体１０へのスルーホールの形成加工およびソルダレジストＳＲの形成加工は、非可逆回路装置４００全体の製造に要するコストの８０％以上のコストを要する場合があることがわかっている。つまり本実施の形態のようにたとえ磁性体固定筐体２０の構成を実施の形態１〜３より複雑にしたとしても、それ以上に磁性体主表面１０Ｂ上に裏面導体１３およびソルダレジストＳＲを形成する工程を排除することにより、全体の製造コストを削減することができるといえる。この理由は、磁性体１０を構成するフェライトなどの材料は、硬くて加工が困難であり、割れや欠けなどの不良を発生しやすいことと、めっき膜および樹脂膜の付着力が弱いこととにある。
【０２５３】
実施の形態５．
まず本実施の形態の非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図４２は実施の形態１の図２に対応する。
【０２５４】
図４２を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置５００は、基本的には実施の形態４の非可逆回路装置４００と同様の構成を有するため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。ただし非可逆回路装置５００においては、実施の形態４の磁性体固定筐体２０に相当する磁性体固定筐体２０Ｃが、第１の部分と、第２の部分とを有し、これらが一体として構成されている。第１の部分は、磁性体固定筐体２０Ｃのうち、固定可能部２４が形成されており、当該固定可能部２４を平面視における外周部側から取り囲むように配置された部分であり、実施の形態４の上側筐体２０Ｕに相当する部分である。すなわち第１の部分は、上側筐体２０Ｕと同様の位置に配置されており、かつ当該上側筐体２０Ｕと同様の形状を有している。また第２の部分は、固定可能部２４を含む第１の部分をその下側（他方側すなわち回路基板９０側）から覆う（取り囲む）ように配置されかつ第１の部分と一体化している部分であり、実施の形態４の下側筐体２０Ｌに相当する部分である。すなわち第２の部分は、下側筐体２０Ｌと同様の位置に配置されており、かつ当該下側筐体２０Ｌと同様の形状を有している。
【０２５５】
したがって第２の部分は、第１の部分の固定可能部２４のような開口部を有さず、概ね平板形状を有している。第２の部分の最上面と、その真上に配置される第１の部分の固定可能部２４の内壁面とにより、磁性体固定筐体２０には凹部が形成されている。この凹部内に磁性体１０が収納されており、磁性体１０は弾性接着剤１２により凹部内（固定可能部２４）に固定されている。
【０２５６】
磁性体固定筐体２０Ｃは、上記の磁性体１０を収納可能な凹部を有する筐体として構成されている。
【０２５７】
凹部内における上記第２の部分の最上面に相当する表面上には、接地電極ＥＴＥが形成されている。この接地電極ＥＴＥは、実施の形態４と同様に、その真下の第２の部分を貫通する貫通導体２３を介して、第２の部分の最下部の（筐体下面電極２２と同一の層である）接地電極ＥＴＥと電気的に接続されている。また本実施の形態においては第１の部分と第２の部分とが一体となっているため、平面視における磁性体１０の外周部側においては、筐体上面電極２１と筐体下面電極２２とが貫通導体２３を介して直接電気的に接続されている。つまり本実施の形態においては、実施の形態４における上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとを接続するＡＣＦ４０は配置されていない。
【０２５８】
ただし本実施の形態においては、固定可能部２４内には導電性部材が配置されておらず、固定可能部２４（凹部）内の磁性体１０は、絶縁性液体接着剤４６により、その下側において磁性体固定筐体２０Ｃの第２の部分に固定されている。ここでの絶縁性液体接着剤４６は、実施の形態３で用いられる絶縁性液体接着剤４６と同様の組成を有している。
【０２５９】
次に、本実施の形態の非可逆回路装置５００の製造方法について説明する。
本実施の形態の非可逆回路装置５００の製造方法は、基本的には実施の形態４の非可逆回路装置４００の製造方法と同様であるため、同様の製造方法についてはその説明を繰り返さない。
【０２６０】
上記のように、本実施の形態は実施の形態４と比較して、磁性体固定筐体２０Ｃが実施の形態４の上側筐体２０Ｕに相当する第１の部分と実施の形態４の下側筐体２０Ｌに相当する第２の部分とが一体化された構成を有する点において異なっている。この２つの部分が一体化された部材としての磁性体固定筐体２０Ｃはたとえば以下のように形成される。
【０２６１】
たとえば第２の部分としてのプリント基板の上に第１の部分としてのプリント基板が積層されプレス加工された多層プリント基板が形成される。その後、第１の部分としてのプリント基板の一部（特に平面視における中央部）にエンドミルなどを用いて切削加工がなされることにより、開口部としての固定可能部２４が形成される。
【０２６２】
形成された磁性体固定筐体２０Ｃへの磁性体１０の収納および固定は、以下の手順によりなされる。上記のように本実施の形態においては固定可能部２４内には絶縁性液体接着剤４６が供給されるため、磁性体１０とその真下の接地電極ＥＴＥとは電気的に導通されない。しかし本実施の形態においても他の実施の形態と同様に、磁性体１０と薄葉基板３０の導体薄膜３２とは可能な限り接近した状態であり、両者の間に空隙などが存在しない状態とされることが好ましい。
【０２６３】
まず磁性体固定筐体２０Ｃの固定可能部２４内（固定可能部２４の底面）の接地電極ＥＴＥの表面上に絶縁性液体接着剤４６が供給される。ここでは実施の形態３における転写工法(スタンピング）またはディスペンサＤＰ（図１４参照）を用いる方法により、絶縁性液体接着剤４６が供給されることが好ましい。ただしこれらの中でもディスペンサＤＰを用いて絶縁性液体接着剤４６が供給されることが特に好ましい。
【０２６４】
以上により絶縁性液体接着剤４６が供給された後、磁性体固定筐体２０Ｃが実施の形態１と同様のボンダー４４（図２１〜図２６参照）にセットされ、磁性体１０が固定可能部２４内に配置される。その後ボンダー４４のたとえば加熱ステージ４４Ｂにより絶縁性液体接着剤４６が加熱硬化される。
【０２６５】
以降、実施の形態１と同様にボンダー４４を用いて磁性体１０と磁性体固定筐体２０Ｃ（固定可能部２４）とを接着させる。ただしここでも実施の形態３で説明したように、必要に応じて上記のボンダー４４に加え、加熱プレス、ばね、重石など外部から荷重を与えることが可能な装置または治具などを用いて加熱および加圧を補いながら、加熱乾燥炉中などで上記の接着工程をが行われてもよい。このようにすれば、絶縁性液体接着剤４６がより確実に加熱硬化され、いっそう強固な接着が可能となる。
【０２６６】
その後、実施の形態１の図１４に示す工程と同様に、固定可能部２４の内壁面と磁性体１０との間にディスペンサＤＰにより弾性接着剤１２が供給され、これが硬化される。
【０２６７】
以上に述べた各点において本実施の形態は実施の形態４と異なっているが他の点においては基本的に実施の形態４と同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０２６８】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態４と同様の作用効果の他、以下の作用効果を奏する。
【０２６９】
本実施の形態においては磁性体固定筐体２０Ｃが、実施の形態４の上側筐体２０Ｕに相当する第１の部分と下側筐体２０Ｌに相当する第２の部分とが一体化され、１つの部材としての構成を有している。このため実施の形態４のように磁性体固定筐体２０が上側筐体２０Ｕと下側筐体２０Ｌとの２つの部材に分かれている場合に比べて製造工程を削減することができ、磁性体固定筐体２０Ｃを単一の部材として調達することができる。
【０２７０】
また本実施の形態においては磁性体１０は固定可能部２４内に導電性部材が配置されない状態で、磁性体固定筐体２０Ｃの第２の部分に固定される。つまり上記の他の実施の形態において磁性体１０の下側の磁性体主表面１０Ｂに必ず存在していた導電性部材の配置がなされていない。このため本実施の形態においても実施の形態４と同様に、磁性体主表面１０Ｂ上にソルダレジストＳＲを形成する工程を排除することができる。このため実施の形態４で説明したとおり、磁性体１０に対する加工コストを大幅に削減することができ、全体の製造コストを削減することができる。
【０２７１】
また本実施の形態においては磁性体固定筐体２０Ｃが第１の部分と第２の部分との積層により形成された多層プリント基板となる。このため磁性体固定筐体２０が単層のプリント基板である場合に比べて、強固なシールド構造とすることができる。
【０２７２】
実施の形態５．の変形例
本実施の形態においても、たとえば絶縁性液体接着剤４６の代わりにＡＣＦ４０を用いて磁性体１０と磁性体固定筐体２０Ｃとを接着してもよい。しかしＡＣＦ４０の材料コストの高騰が問題となる場合においては、ＡＣＦ４０の代わりにたとえば実施の形態２の絶縁性接着フィルム４９または室温で接着可能な絶縁性両面粘着フィルムが用いられてもよい。
【０２７３】
あるいは最初に磁性体１０を固定可能部２４の最下面に接着させる工程においても、これを固定可能部２４の内壁面に接着させる工程と同様に弾性接着剤１２を用いてもよい。つまり磁性体１０と磁性体固定筐体２０Ｃとの固定が、その全体において弾性接着剤１２のみにより賄われた構成としてもよい。
【０２７４】
実施の形態６．
まず本実施の形態の非可逆回路装置に含まれる非可逆回路素子の構成について説明する。図４３は実施の形態１の図２に対応する。
【０２７５】
図４３を参照して、本実施の形態の非可逆回路装置６００は、基本的には実施の形態５の非可逆回路装置５００と同様の構成を有するため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。ただし非可逆回路装置６００においては、実施の形態５における磁性体固定筐体２０Ｃと同一形状および同一機能を有する磁性体固定筐体２０ＬＴが、実施の形態５における有機樹脂材料の代わりにセラミック材により形成されている。
【０２７６】
磁性体固定筐体２０ＬＴは、たとえばＬＴＣＣ（Low  Temperature  Co-fired  Ceramics）により形成されていることが好ましい。あるいは磁性体固定筐体２０ＬＴは、たとえばＨＴＣＣ（High  Temperature  Co-fired  Ceramics）により形成されていてもよい。
【０２７７】
なお実施の形態１〜４においても磁性体固定筐体２０は基本的に有機樹脂材料により形成されているが、実施の形態１〜４の磁性体固定筐体２０が本実施の形態のようにセラミック製となってもよい。つまり本実施の形態は、実施の形態１〜４の磁性体固定筐体２０がセラミック製の磁性体固定筐体２０ＬＴとなった例を含んでいる。
【０２７８】
本実施の形態の非可逆回路装置６００の製造方法は、実施の形態５の樹脂製の磁性体固定筐体２０Ｃがセラミック製の磁性体固定筐体２０ＬＴに置き換わっているものの、基本的には実施の形態５と同様の手順であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
【０２７９】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。本実施の形態は、実施の形態５と同様の作用効果の他、以下の作用効果を奏する。
【０２８０】
本実施の形態においては、セラミック製の磁性体固定筐体２０ＬＴが用いられる。これにより、樹脂製の磁性体固定筐体２０，２０Ｃに比べて製造が容易になるという効果が得られる。
【０２８１】
またセラミック製の磁性体固定筐体２０ＬＴが用いられることにより、非可逆回路装置６００の信頼性および放熱性を向上させることができる。以下、このことについて説明する。
【０２８２】
まず信頼性については、上記のようにたとえば希土類ガーネット型フェライトからなる磁性体１０の線膨張係数は約１０ｐｐｍ／Ｋであるのに対し、セラミック製（たとえばＬＴＣＣ製）の磁性体固定筐体２０ＬＴの線膨張係数は約７ｐｐｍ／Ｋである。このため両者の差は約３ｐｐｍ／Ｋである。上記の実施の形態１におけるエポキシ樹脂製のプリント基板からなる磁性体固定筐体２０の線膨張係数は約１６ｐｐｍ／Ｋであり、磁性体１０の線膨張係数との差は約６ｐｐｍ／Ｋである。したがって磁性体固定筐体をセラミック製とすることにより、磁性体１０との線膨張係数の差を、磁性体固定筐体が樹脂製である場合の約半分にすることができる。このため磁性体１０と磁性体固定筐体との線膨張係数の差に起因する熱応力を小さくすることができ、熱応力に起因する損傷の可能性を低減することができる。したがって非可逆回路装置６００の信頼性を向上させることができる。
【０２８３】
次に放熱性については、樹脂材料よりも放熱性の高いセラミック材料を磁性体固定筐体２０ＬＴに用いることにより、非可逆回路素子Ｐ１の稼働時に発する熱を速やかに回路基板９０側に伝えることができる。このため、非可逆回路装置６００をより安定に動作させることができる。なお、この回路基板９０側への放熱の経路は、具体的にはたとえば発熱源である薄葉基板３０の導体薄膜３２から磁性体１０を通じて磁性体固定筐体２０ＬＴへと伝熱し、その真下の貫通導体２３を通じてはんだボール８０から回路基板９０に至る経路である。
【０２８４】
以上に述べた各実施の形態（に含まれる各例）に記載した特徴を、技術的に矛盾のない範囲で適宜組み合わせるように適用してもよい。
【０２８５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０２８６】
１０  磁性体、１０Ａ，１０Ｂ  磁性体主表面、１２  弾性接着剤、１３  裏面導体、２０，２０Ｃ，２０ＬＴ  磁性体固定筐体、２０Ａ，２０Ｂ  筐体主表面、２０Ｌ  下側筐体、２０Ｕ  上側筐体、２１  筐体上面電極、２１Ｉ  介在上面電極、２２  筐体下面電極、２２Ｉ  介在下面電極、２３  貫通導体、２４  固定可能部、２５  ジョイント部、２６  外枠、２７  位置決めピン穴、２９  大型筐体、３０  薄葉基板、３０Ａ，３０Ｂ  薄葉基板主表面、３２  導体薄膜、３２Ａ  先端部、４０  ＡＣＦ、４０Ａ  ＡＣＦ上側主表面、４０Ｂ  ＡＣＦ下側主表面、４１  重セパレータ、４２  軽セパレータ、４３  ３層構造フィルム、４４  ボンダー、４４Ａ  ボンダーヘッド、４４Ｂ  加熱ステージ、４４Ｃ  ボンダー、４５  プリコートはんだ、４６  絶縁性液体接着剤、４７  導電性接着剤、４８  切れ込み部、４９  絶縁性接着フィルム、４９Ａ  フィルム上側主表面、４９Ｂ  フィルム下側主表面、５０  磁石、６０  ヨーク、７０  接着フィルム、８０  はんだボール、９０  回路基板、９０Ａ  回路基板主表面、９１  回路基板導体、９５  非可逆回路素子実装領域、１００，２００，３００，４００，５００  非可逆回路装置、ＧＰ  間隙部、ＨＰ  はんだペースト、Ｐ１  非可逆回路素子、Ｐ２  被実装部、ＳＲ  ソルダレジスト、ＳＲＣ  ソルダレジスト開口部、ＳＲＯ  導体上ソルダレジスト。
【図１】
2017082178.tif 000003
【図２】
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【図３】
2017082178.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2017082178.tif 000008
【図７】
2017082178.tif 000009
【図８】
2017082178.tif 000010
【図９】
2017082178.tif 000011
【図１０】
2017082178.tif 000012
【図１１】
2017082178.tif 000013
【図１２】
2017082178.tif 000014
【図１３】
2017082178.tif 000015
【図１４】
2017082178.tif 000016
【図１５】
2017082178.tif 000017
【図１６】
2017082178.tif 000018
【図１７】
2017082178.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
2017082178.tif 000023
【図２２】
2017082178.tif 000024
【図２３】
2017082178.tif 000025
【図２４】
2017082178.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2017082178.tif 000032
【図３１】
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【図３２】
2017082178.tif 000034
【図３３】
2017082178.tif 000035
【図３４】
2017082178.tif 000036
【図３５】
2017082178.tif 000037
【図３６】
2017082178.tif 000038
【図３７】
2017082178.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
2017082178.tif 000043
【図４２】
2017082178.tif 000044
【図４３】
2017082178.tif 000045
【手続補正書】
【提出日】平成30年3月16日(2018.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体と、
前記磁性体を取り囲むように配置された磁性体固定筐体と、
前記磁性体の一方側に配置された磁石とを備え、
前記磁性体固定筐体は、前記一方側に配置された一方の筐体主表面上の第１電極と、前記一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上の第２電極と、前記磁性体固定筐体を貫通し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する貫通導体とを含み、
前記第１電極は前記磁性体の前記一方側に配置された第１配線に接続され、
前記磁石と前記磁性体との間の領域および、前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域の少なくとも一部に配置された薄葉基板をさらに備え、
前記薄葉基板は、前記磁性体側の薄葉基板主表面上に、前記第１配線としての導体薄膜を含む、非可逆回路素子。
【請求項２】
前記磁性体固定筐体の平面視における中央部には前記磁性体を取り囲むように固定可能な固定可能部が形成され、
前記磁性体は、弾性接着剤を介して前記固定可能部の内壁面に接続されており、
前記薄葉基板と前記磁性体との間に接着部材が配置される、請求項１に記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記磁性体固定筐体の前記第１電極と、前記第１配線とが平面視において互いに重畳する部分を含み、
前記重畳する部分における前記第１電極と前記第１配線との間には、前記第１電極と前記第１配線とを接続する導電性部材が配置される、請求項２に記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記接着部材と前記導電性部材とは一体に構成されており、
前記導電性部材は、導電性に異方性を有しており、
前記導電性部材は、前記薄葉基板と前記磁性体との間の領域から、前記薄葉基板と前記磁性体固定筐体との間の領域まで延びる、請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項５】
前記接着部材は絶縁性薄膜であり、
前記絶縁性薄膜の外縁は、平面視における前記第１電極との間に互いに間隔を有するように切れ込み部を有し、
前記導電性部材は、前記絶縁性薄膜と互いに間隔を有するように配置された導電性接着剤である、請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項６】
前記接着部材は絶縁性を有する液体接着剤であり、
前記液体接着剤は前記薄葉基板と前記磁性体との間の領域のみに配置され、
前記導電性部材ははんだである、請求項３に記載の非可逆回路素子。
【請求項７】
前記磁性体固定筐体は、前記磁性体の平面視における外周部側から前記磁性体を取り囲むように配置された第１の磁性体固定筐体部分と、前記他方側から前記磁性体を覆うように配置された第２の磁性体固定筐体部分とを含み、
前記第１の磁性体固定筐体部分は前記固定可能部を有し、
前記第１の磁性体固定筐体部分と前記第２の磁性体固定筐体部分とにより前記固定可能部として形成される凹部内に、前記磁性体が配置される、請求項２〜６のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項８】
前記磁性体固定筐体は、前記固定可能部を平面視における外周部側から取り囲むように配置された第１の部分と、前記他方側から前記固定可能部を覆うように配置された第２の部分とが一体として構成され、
前記磁性体は、前記固定可能部内に前記導電性部材が配置されていない状態で、前記第２の部分に固定される、請求項３〜６のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項９】
前記磁性体固定筐体はセラミック製である、請求項４〜８のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１０】
前記磁性体の前記他方側のみに配置された裏面導体と、
前記裏面導体の前記他方側の表面上、および前記他方の筐体主表面上に配置されたソルダレジストとをさらに備える、請求項１〜６のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１１】
前記磁性体は複数の磁性体層を含み、
前記複数の磁性体層を含む前記磁性体の前記他方側に、少なくとも１層の金属板が接合されている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の非可逆回路素子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の非可逆回路素子における前記磁性体固定筐体の前記他方側の表面上に配置されたはんだボールをさらに備え、
前記はんだボールの前記他方側に接合された状態の回路基板が配置され、
前記回路基板は第２配線を含んでおり、
前記第２電極は前記磁性体の前記他方側に配置された第２配線に接続された、非可逆回路装置。
【請求項１３】
前記第２配線は接地電極を含む、請求項１２に記載の非可逆回路装置。
【請求項１４】
磁性体を準備する工程と、
前記磁性体を取り囲むように磁性体固定筐体を配置する工程と、
前記磁性体の一方側に磁石を配置する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側に配置された一方の筐体主表面上に第１電極を形成する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上に第２電極を形成する工程と、
前記磁性体固定筐体を貫通し、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する貫通導体を形成する工程と、
前記第１電極を前記磁性体の前記一方側に配置された第１配線に接続する工程とを備える、非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１５】
前記他方側の薄葉基板主表面上に前記第１配線としての導体薄膜が配置された薄葉基板を形成する工程と、
前記磁性体および前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域の少なくとも一部を含むように前記薄葉基板を配置する工程と、
前記磁性体固定筐体の前記一方側の領域から、平面視において前記磁性体と重なる領域まで、導電性に異方性を有する導電性部材の接着機能を利用して、前記薄葉基板と前記磁性体および前記磁性体固定筐体とを電気的に接続されるように接着固定する工程とをさらに備える、請求項１４に記載の非可逆回路素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５のいずれかに記載の非可逆回路素子における前記磁性体固定筐体の前記他方側の表面上にはんだボールを配置する工程と、
前記はんだボールに回路基板を接合させる工程とをさらに備え、
前記回路基板は第２配線を含むように形成され、
前記第２電極は前記磁性体の前記他方側に配置された第２配線に接続される、非可逆回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の非可逆回路素子は、磁性体と、磁性体固定筐体と、磁石とを備えている。磁性体固定筐体は磁性体を取り囲むように配置されている。磁石は磁性体の一方側に配置されている。磁性体固定筐体は、一方側に配置された一方の筐体主表面上の第１電極と、一方側とは反対側の他方側に配置された他方の筐体主表面上の第２電極と、磁性体固定筐体を貫通し、第１電極と第２電極とを電気的に接続する貫通導体とを含む。第１電極は磁性体の一方側に配置された第１配線に接続される。磁石と磁性体との間の領域および、磁性体固定筐体の一方側の領域の少なくとも一部に配置された薄葉基板をさらに備える。薄葉基板は、磁性体側の薄葉基板主表面上に、第１配線としての導体薄膜を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、図１０に示す磁性体１０内および磁性体固定筐体２０内の複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣの寸法はすべてほぼ等しい。このようにすれば、複数のソルダレジスト開口部ＳＲＣのそれぞれに取り付けられるはんだボール８０の高さを揃えることができ、複数のはんだボール８０間の高さの差異に起因する段差の発生を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、磁石５０は、磁性体１０の真上（一方側すなわちヨーク６０側）に配置されている。非可逆回路素子Ｐ１は直流磁界を利用するため、磁石５０としては永久磁石が用いられる。本実施の形態においては磁石５０としてはサマリウムコバルト系磁石が用いられることが好ましい。このようにすれば、保磁力の温度変化が小さいので良好な温度特性が得られ、キュリー温度が高いことから高温使用が可能となる。またサマリウムコバルト系磁石は耐蝕性に優れるため、磁石５０の表面処理が不要となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
このように、薄葉基板３０の導体薄膜３２の一部と磁性体固定筐体２０の筐体上面電極２１の一部とは、ＡＣＦ４０を用いた加熱および加圧により接着される。以上のようにして、磁性体１０の外側の磁性体固定筐体２０の上側の領域から、平面視において磁性体１０と重なる領域まで、導電性に異方性を有する導電性部材としてのＡＣＦ４０の接着機能を利用して、薄葉基板３０（導体薄膜３２）と、磁性体１０が固定された磁性体固定筐体２０（筐体上面電極２１）とが、電気的に接続されるように接着固定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３７】
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【国際調査報告】
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2017082178.tif 000048
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