(57)【要約】【課題】ゲート電極とコンタクトホールの間の寸法をより小さくできる半導体装置を提供する。【解決手段】第１のコンタクトホール２５は、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、第１長径方向の一方側の第４拡散層３２の端部５２と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部５１を結ぶ直線と当該ホール上面の端部５１からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、第２のコンタクトホール２７は、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状である。  Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）  Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）【選択図】図２
2014187243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に形成された第１導電型の第１拡散層と、
前記第１拡散層及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第１拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層と、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層と、
前記第１拡散層内に形成された第１導電型の第４拡散層と、
前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記第２拡散層及び前記第４拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホールと、
前記絶縁膜に形成され、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールと、
を具備し、
前記第１のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第１長径方向の一方側に前記第４拡散層が位置され、前記第１長径方向の他方側に前記第２拡散層が位置され、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１長径方向は、前記第１ゲート電極のチャネル長方向と交差する方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体層に形成された第２導電型の第５拡散層及び第１導電型の第６拡散層と、
前記第５拡散層及び前記第６拡散層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第５拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層と、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記第６拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層と、
前記第５拡散層内に形成され第２導電型の第９拡散層と、
前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に形成された前記絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記第７拡散層及び前記第９拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホールと、
前記絶縁膜に形成され、前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールと、
を具備し、
前記第３のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第２長径方向の一方側に前記第９拡散層が位置され、前記第２長径方向の他方側に前記第７拡散層が位置され、
前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式３）を満たす形状であり、
前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ４  ・・・（式４）
【請求項４】
請求項３において、
前記第２長径方向は、前記第２ゲート電極のチャネル長方向と交差する方向であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３または４において、
前記第１長径方向と前記第２長径方向とは平行であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３または４において、
前記第１長径方向と前記第２長径方向は直角に交わることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体層に形成された第１導電型の第１拡散層と、
前記第１拡散層及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第１拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層と、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層と、
前記第１拡散層内に形成された第１導電型の第４拡散層と、
前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記第２拡散層及び前記第４拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホールと、
前記絶縁膜に形成され、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールと、
を具備し、
前記第１のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第１長径方向の両端に前記第４拡散層が位置され、前記第１長径方向の中央に前記第２拡散層が位置され、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
【請求項８】
請求項７において、
前記半導体層に形成された第２導電型の第５拡散層及び第１導電型の第６拡散層と、
前記第５拡散層及び前記第６拡散層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第５拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層と、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記第６拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層と、
前記第５拡散層内に形成され第２導電型の第９拡散層と、
前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に形成された前記絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記第７拡散層及び前記第９拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホールと、
前記絶縁膜に形成され、前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールと、
を具備し、
前記第３のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第２長径方向の両端に前記第９拡散層が位置され、前記第２長径方向の中央に前記第７拡散層が位置され、
前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式３）を満たし、かつ前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式３'）を満たす形状であり、
前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４），（式４'）を満たす形状であり、
前記第１長径方向と前記第２長径方向は直角に交わることを特徴とする半導体装置。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ３  ・・・（式３'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ４  ・・・（式４）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ４  ・・・（式４'）
【請求項９】
半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記半導体層に第１導電型の第１拡散層を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、
前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、及び前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜をマスクとして不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記不純物が到達して前記第２拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、
前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に位置され、
前記第１の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、
前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
【請求項１１】
半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記半導体層に第１導電型の第１拡散層及び第１導電型の第６拡散層を形成し、
前記半導体層に第２導電型の第５拡散層を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第５拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層を形成するとともに、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記第６拡散層内にソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層を形成し、
前記半導体層、前記第１拡散層、第１のゲート電極、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホール、前記第７拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホール及び前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記第１の不純物が到達して前記第２拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の一方側に前記第２の不純物が到達して前記第７拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、
前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に位置され、
前記第１の方向にイオン注入した第１の不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、
前記第７拡散層は、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の他方側に位置され、
前記第２の方向にイオン注入した第２の不純物は、前記第４のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、
前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であり、
前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式３）を満たす形状であり、
前記第２の方向は、前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ４  ・・・（式４）
【請求項１３】
半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記半導体層に第１導電型の第１拡散層を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、
前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、及び前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜をマスクとして不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に前記不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、
前記第４拡散層は、前記第１コンタクトホールのホール底部の第１長径方向の両端に位置され、
前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の中央に位置され、
前記第１の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、
前記第２の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、
前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２の方向は、前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
【請求項１５】
半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記半導体層に第１導電型の第１拡散層及び第１導電型の第６拡散層を形成し、
前記半導体層に第２導電型の第５拡散層を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、
前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、
前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第５拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層を形成するとともに、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記第６拡散層内にソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層を形成し、
前記半導体層、前記第１拡散層、第１のゲート電極、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホール、前記第７拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホール及び前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールを形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記第１の不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に前記第１の不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第３の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の一方側に前記第２の不純物が到達して前記第５拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第４の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の他方側に前記第２の不純物が到達して前記第５拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、
前記第４拡散層は、前記第１コンタクトホールのホール底部の第１長径方向の両端に位置され、
前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の中央に位置され、
前記第９拡散層は、前記第３コンタクトホールのホール底部の第２長径方向の両端に位置され、
前記第５拡散層は、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の中央に位置され、
前記第１の方向及び前記第２の方向それぞれにイオン注入した第１の不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、
前記第３の方向及び第４の方向それぞれにイオン注入した第２の不純物は、前記第４のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、
前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２の方向は、前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であり、
前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式３）を満たし、かつ前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式３'）を満たす形状であり、
前記第３の方向は、前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第４の方向は、前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、
前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４），（式４'）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ３  ・・・（式３'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ４  ・・・（式４）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ４  ・・・（式４'）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体装置を示す平面図であり、図７（Ａ）は図６（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図７（Ｂ）は図６（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【０００３】
図６（Ａ）に示す半導体装置及び図６（Ｂ）に示す半導体装置は同一基板上に形成されている。図６（Ａ）及び図７（Ａ）に示す半導体装置はＮチャネルＬＤＭＯＳ（Ｌａｔｅｒａｌ Ｄｉｆｆｕｓｅｄ ＭＯＳ）であり、図６（Ｂ）及び図７（Ｂ）に示す半導体装置はＰチャネルＬＤＭＯＳである。なお、ＬＤＭＯＳは例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
Ｐ型シリコン基板１１１にＮ型埋め込み層１１２を形成し、Ｐ型シリコン基板１１１にＮ型埋め込み層１１２上に位置するＮ型ウェル１１３を形成する。次いで、Ｎ型ウェル１１３の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜１１６を形成する。ＬＯＣＯＳ酸化膜１１６が形成されていない領域はソース及びドレインが形成されるアクティブ領域となる。次いで、ＬＯＣＯＳ酸化膜１１６が形成されていないＮ型ウェル１１３の表面にゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。
【０００５】
次いで、Ｎ型ウェル１１３にＰ型不純物を導入することにより、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１１３にＰ型ボディー拡散層１１４ａを形成し、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１１３にＰ−型ドリフト拡散層１１４ｂを形成する。次いで、Ｎ型ウェル１１３にＮ型不純物を導入することにより、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１１３にＮ型ボディー拡散層１１５を形成する。
【０００６】
次に、ＬＯＣＯＳ酸化膜１１６及びゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜を加工することにより、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域にリング状のゲート電極１１７ａを形成し、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域に２つのゲート電極１１７ｂを形成する。
【０００７】
次に、図示せぬフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして不純物をイオン注入する。これにより、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｐ型ボディー拡散層１１４ａにＮ＋型のソース拡散層１１８を形成し、Ｎ型ウェル１１３にＮ＋型のドレイン拡散層１１９を形成する。同時にＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｎ型ボディー拡散層１１５に接続するためのＮ＋型のボディーコンタクト領域１２３を形成する。このとき、ゲート電極１１７ｂとＮ＋型のボディーコンタクト領域１２３との間隔を一定以上確保するため、ゲート電極１１７ｂに対するフォトレジストの形成位置のばらつきを考慮し、ゲート電極１１７ｂとフォトレジストの間に第１の余裕を設ける必要がある。次いで、フォトレジストを除去する。
【０００８】
次に、図示せぬフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして不純物をイオン注入する。これにより、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｎ型ボディー拡散層１１５にＰ＋型のソース拡散層１２０を形成し、Ｐ−型ドリフト拡散層１１４ｂにＰ＋型のドレイン拡散層１２１を形成する。同時にＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｐ型ボディー拡散層１１４ａに接続するためのＰ＋型のボディーコンタクト領域１２２を形成する。このとき、ゲート電極１１７ａとＰ＋型のボディーコンタクト領域１２２の間隔を一定以上確保するため、ゲート電極１１７ａに対するフォトレジストの形成位置のばらつきを考慮し、ゲート電極１１７ａとフォトレジストの間に第２の余裕を設ける必要がある。次いで、フォトレジストを除去する。
【０００９】
次に、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域及びＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域の全面に層間絶縁膜１２４を形成する。次いで、層間絶縁膜１２４上に図示せぬフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして層間絶縁膜１２４をエッチング加工することにより、Ｐ＋型のボディーコンタクト領域１２２、Ｎ＋型のボディーコンタクト領域１２３、ソース拡散層１１８，１２０、及びドレイン拡散層１１９，１２１それぞれとコンタクトを取るためのコンタクトホール１２７を層間絶縁膜１２４に形成する。このときもコンタクトホール１２７がＰ＋型のボディーコンタクト領域１２２からはずれないように、ゲート電極１１７ａとコンタクトホール１２７の間に第３の余裕を設ける必要があり、またコンタクトホール１２７がＮ＋型のボディーコンタクト領域１２３からはずれないように、ゲート電極１１７ｂとコンタクトホール１２７の間に第４の余裕を設ける必要がある。次いで、フォトレジストを除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−１６１５５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように従来の半導体装置では、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において第２の余裕と第３の余裕の両方で余裕を持たせ、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において第１の余裕と第４の余裕の両方で余裕を持たせるため、半導体装置の高集積化、特にゲート電極１１７ａ，１１７ｂとコンタクトホール１２７の間の寸法を小さくすることの妨げとなっていた。
【００１２】
本発明の幾つかの態様は、半導体装置の高集積化、特にゲート電極とコンタクトホールの間の寸法をより小さくできる半導体装置及びその製造方法に関連している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一態様は、半導体層に形成された第１導電型の第１拡散層と、前記第１拡散層及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第１拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層と、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層と、前記第１拡散層内に形成された第１導電型の第４拡散層と、前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、前記第２拡散層及び前記第４拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホールと、前記絶縁膜に形成され、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールと、を具備し、前記第１のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第１長径方向の一方側に前記第４拡散層が位置され、前記第１長径方向の他方側に前記第２拡散層が位置され、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置である。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
【００１４】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくできることができる。
【００１５】
なお、上記の半導体層とは、半導体基板、エピタキシャル層、ウェルを含み、半導体基板または半導体層に形成された不純物拡散層も含む意味である。
【００１６】
また、上記本発明の一態様において、前記第１長径方向は、前記第１ゲート電極のチャネル長方向と交差する方向であるとよい。
【００１７】
また、上記本発明の一態様において、前記半導体層に形成された第２導電型の第５拡散層及び第１導電型の第６拡散層と、前記第５拡散層及び前記第６拡散層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第５拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層と、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記第６拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層と、前記第５拡散層内に形成され第２導電型の第９拡散層と、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に形成された前記絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、前記第７拡散層及び前記第９拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホールと、前記絶縁膜に形成され、前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールと、を具備し、前記第３のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第２長径方向の一方側に前記第９拡散層が位置され、前記第２長径方向の他方側に前記第７拡散層が位置され、前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式３）を満たす形状であり、前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４）を満たす形状であるとよい。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ４  ・・・（式４）
【００１８】
上記本発明の一態様によれば、第２のゲート電極と第３のコンタクトホールの間の寸法をより小さくすることができる。
【００１９】
また、上記本発明の一態様において、前記第２長径方向は、前記第２ゲート電極のチャネル長方向と交差する方向であるとよい。また、上記本発明の一態様において、前記第１長径方向と前記第２長径方向とは平行であるとよい。また、上記本発明の一態様において、前記第１長径方向と前記第２長径方向は直角に交わるとよい。
【００２０】
本発明の一態様は、半導体層に形成された第１導電型の第１拡散層と、前記第１拡散層及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極と、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第１拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層と、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記半導体層に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層と、前記第１拡散層内に形成された第１導電型の第４拡散層と、前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、前記第２拡散層及び前記第４拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホールと、前記絶縁膜に形成され、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールと、を具備し、前記第１のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第１長径方向の両端に前記第４拡散層が位置され、前記第１長径方向の中央に前記第２拡散層が位置され、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であることを特徴とする半導体装置である。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
【００２１】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくできることができる。
【００２２】
また、上記本発明の一態様において、前記半導体層に形成された第２導電型の第５拡散層及び第１導電型の第６拡散層と、前記第５拡散層及び前記第６拡散層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極と、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側に形成され、前記第５拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層と、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側に形成され、前記第６拡散層内に形成されたソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層と、前記第５拡散層内に形成され第２導電型の第９拡散層と、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に形成された前記絶縁膜と、前記絶縁膜に形成され、前記第７拡散層及び前記第９拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホールと、前記絶縁膜に形成され、前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールと、を具備し、前記第３のコンタクトホールにおいて、ホール底部の第２長径方向の両端に前記第９拡散層が位置され、前記第２長径方向の中央に前記第７拡散層が位置され、前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式３）を満たし、かつ前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式３'）を満たす形状であり、前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４），（式４'）を満たす形状であり、前記第１長径方向と前記第２長径方向は直角に交わるとよい。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ３  ・・・（式３'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ４  ・・・（式４）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ４  ・・・（式４'）
【００２３】
上記本発明の一態様によれば、第２のゲート電極と第３のコンタクトホールの間の寸法をより小さくすることができる。
【００２４】
本発明の一態様は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、前記半導体層に第１導電型の第１拡散層を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、及び前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜をマスクとして不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記不純物が到達して前記第２拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に位置され、前記第１の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２５】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくできることができる。
【００２６】
また、上記本発明の一態様において、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であるとよい。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
【００２７】
本発明の一態様は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、前記半導体層に第１導電型の第１拡散層及び第１導電型の第６拡散層を形成し、前記半導体層に第２導電型の第５拡散層を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第５拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層を形成するとともに、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記第６拡散層内にソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層を形成し、前記半導体層、前記第１拡散層、第１のゲート電極、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホール、前記第７拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホール及び前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記第１の不純物が到達して前記第２拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の一方側に前記第２の不純物が到達して前記第７拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に位置され、前記第１の方向にイオン注入した第１の不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、前記第７拡散層は、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の他方側に位置され、前記第２の方向にイオン注入した第２の不純物は、前記第４のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００２８】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくでき、第２のゲート電極と第３のコンタクトホールの間の寸法をより小さくすることができる。
【００２９】
また、上記本発明の一態様において、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であり、前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であり、前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式３）を満たす形状であり、前記第２の方向は、前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４）を満たす形状であるとよい。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ４  ・・・（式４）
【００３０】
本発明の一態様は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、前記半導体層に第１導電型の第１拡散層を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極を形成し、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、前記半導体層、前記第１拡散層及び第１のゲート電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、及び前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜をマスクとして不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、前記絶縁膜をマスクとして不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に前記不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、前記第４拡散層は、前記第１コンタクトホールのホール底部の第１長径方向の両端に位置され、前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の中央に位置され、前記第１の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、前記第２の方向にイオン注入した不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００３１】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくできることができる。
【００３２】
また、上記本発明の一態様において、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２の方向は、前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であるとよい。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
【００３３】
本発明の一態様は、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、前記半導体層に第１導電型の第１拡散層及び第１導電型の第６拡散層を形成し、前記半導体層に第２導電型の第５拡散層を形成し、前記ゲート絶縁膜上に第１のゲート電極及び第２のゲート電極を形成し、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第１拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第２導電型の第２拡散層を形成するとともに、前記第１のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記半導体層にソース領域及びドレイン領域の他方の第２導電型の第３拡散層を形成し、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の一方側の前記第５拡散層内にソース領域及びドレイン領域の一方の第１導電型の第７拡散層を形成するとともに、前記第２のゲート電極のチャネル長方向の他方側の前記第６拡散層内にソース領域及びドレイン領域の他方の第１導電型の第８拡散層を形成し、前記半導体層、前記第１拡散層、第１のゲート電極、前記第５拡散層、前記第６拡散層及び第２のゲート電極上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜に、前記第２拡散層とコンタクトをとる第１のコンタクトホール、前記第３拡散層とコンタクトをとる第２のコンタクトホール、前記第７拡散層とコンタクトをとる第３のコンタクトホール及び前記第８拡散層とコンタクトをとる第４のコンタクトホールを形成し、前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第１の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の一方側に前記第１の不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、前記絶縁膜をマスクとして第１の不純物を第２の方向にイオン注入することにより、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の他方側に前記第１の不純物が到達して前記第１拡散層内に第１導電型の第４拡散層を形成し、前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第３の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の一方側に前記第２の不純物が到達して前記第５拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成し、前記絶縁膜をマスクとして第２の不純物を第４の方向にイオン注入することにより、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の他方側に前記第２の不純物が到達して前記第５拡散層内に第２導電型の第９拡散層を形成する半導体装置の製造方法であり、前記第４拡散層は、前記第１コンタクトホールのホール底部の第１長径方向の両端に位置され、前記第２拡散層は、前記第１のコンタクトホールのホール底部の第１長径方向の中央に位置され、前記第９拡散層は、前記第３コンタクトホールのホール底部の第２長径方向の両端に位置され、前記第５拡散層は、前記第３のコンタクトホールのホール底部の第２長径方向の中央に位置され、前記第１の方向及び前記第２の方向それぞれにイオン注入した第１の不純物は、前記第２のコンタクトホールのホール底部に到達せず、前記第３の方向及び第４の方向それぞれにイオン注入した第２の不純物は、前記第４のコンタクトホールのホール底部に到達しないことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００３４】
上記本発明の一態様によれば、第１のゲート電極と第１のコンタクトホールの間の寸法をより小さくでき、第２のゲート電極と第３のコンタクトホールの間の寸法をより小さくすることができる。
【００３５】
また、上記本発明の一態様において、前記第１のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部と前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であり、前記第１の方向は、前記第１長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の一方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２の方向は、前記第１長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第１長径方向の他方側の前記第４拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第２のコンタクトホールは、前記第１長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であり、前記第３のコンタクトホールは、ホール底部の長径をＳ３とし、ホール深さをＨとし、前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式３）を満たし、かつ前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部と前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部を結ぶ直線と当該ホール上面の端部からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式３'）を満たす形状であり、前記第３の方向は、前記第２長径方向の他方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の一方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第４の方向は、前記第２長径方向の一方側のホール上面の端部から前記第２長径方向の他方側の前記第９拡散層の端部へ向かう方向であり、前記第４のコンタクトホールは、前記第２長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ４とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式４），（式４'）を満たす形状であるとよい。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ３  ・・・（式３）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ３  ・・・（式３'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ４  ・・・（式４）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ４  ・・・（式４'）
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は本発明の一態様に係る半導体装置を示す平面図、（Ｃ）は変形例に係る半導体装置を示す平面図。
【図２】（Ａ）は図１（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図１（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図、（Ｃ），（Ｄ）は図１（Ａ）に示すＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成するイオン注入方法を示す断面図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一態様に係る半導体装置を示す平面図。
【図４】（Ａ）は図３（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図３（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【図５】（Ａ）は第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）に示すＣ−Ｃ線に沿った断面図。
【図６】（Ａ），（Ｂ）は従来の半導体装置を示す平面図。
【図７】（Ａ）は図６（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｂ）は図６（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３８】
［実施の形態１］
図１（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一態様に係る半導体装置を示す平面図であり、図２（Ａ）は図１（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図２（Ｂ）は図１（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図２（Ｃ），（Ｄ）は、図１（Ａ）に示す高濃度拡散層であるＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成するためのイオン注入方法を示す断面図である。
【００３９】
図１（Ａ）に示す半導体装置及び図１（Ｂ）に示す半導体装置は同一基板上に形成されている。図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示す半導体装置はＮチャネルＬＤＭＯＳであり、図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示す半導体装置はＰチャネルＬＤＭＯＳである。
【００４０】
Ｐ型シリコン基板１１にＮ型埋め込み層１２を形成し、Ｐ型シリコン基板１１にＮ型埋め込み層１２上に位置するＮ型ウェル１３を形成する。次いで、Ｎ型ウェル１３の表面にＬＯＣＯＳ酸化膜１６を形成する。ＬＯＣＯＳ酸化膜１６が形成されていない領域はソース及びドレインが形成されるアクティブ領域となる。次いで、ＬＯＣＯＳ酸化膜１６が形成されていないＮ型ウェル１３の表面にゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。
【００４１】
次いで、Ｎ型ウェル１３にＰ型不純物を導入することにより、図２（Ａ）のＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１３にＰ型ボディー拡散層１４ａを形成し、図２（Ｂ）のＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１３にＰ−型ドリフト拡散層１４ｂを形成する。次いで、Ｎ型ウェル１３にＮ型不純物を導入することにより、図２（Ｂ）のＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域のＮ型ウェル１３にＮ型ボディー拡散層１５を形成する。
【００４２】
次に、ＬＯＣＯＳ酸化膜１６及びゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜を加工することにより、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域にリング状のゲート電極１７ａを形成し、ＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域に２つのゲート電極１７ｂを形成する。
【００４３】
次に、図２（Ａ）のＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｐ型ボディー拡散層１４ａにＮ＋型のソース拡散層１８を形成し、Ｎ型ウェル１３にＮ＋型のドレイン拡散層１９を形成する。この際、後でＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成する部分にＮ＋型の不純物を導入しないでおいてもよいし、Ｎ＋型の不純物を導入してもよい。次いで、図２（Ｂ）のＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｎ型ボディー拡散層１５にＰ＋型のソース拡散層２０を形成し、Ｐ−型ドリフト拡散層１４ｂにＰ＋型のドレイン拡散層２１を形成する。この際、後で高濃度拡散層であるＮ＋型のボディーコンタクト領域３３を形成する部分にＰ＋型の不純物を導入しないでおいてもよいし、Ｐ＋型の不純物を導入してもよい。
【００４４】
次に、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域及びＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域の全面に層間絶縁膜２４を形成する。次いで、層間絶縁膜２４上に図示せぬフォトレジストを形成し、このフォトレジストをマスクとして層間絶縁膜２４をエッチング加工することにより、層間絶縁膜２４に第１のコンタクトホール２５、第２のコンタクトホール２７及び第３のコンタクトホール２６を形成する。第１のコンタクトホール２５は、図２（Ａ）のＮ＋型のソース拡散層１８とコンタクトをとるホールである。第２のコンタクトホール２７は、図２（Ａ）のＮ＋型のドレイン拡散層１９または図２（Ｂ）のＰ＋型のドレイン拡散層２１とコンタクトをとるホールである。第３のコンタクトホール２６は、図２（Ｂ）のＰ＋型のソース拡散層２０とコンタクトをとるホールである。また、第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向は平行である。
【００４５】
なお、本明細書において「平行」とは、完全な平行状態に限定されない。本発明の作用効果を阻害しない範囲で、完全な平行状態からずれた場合も含む。例えば、第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向が平行状態から５°ずれた場合も含み意味である。
【００４６】
また、第１のコンタクトホール２５及び第３のコンタクトホール２６それぞれの平面形状は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように長方形である。ただし、この長方形の形状に限定されるものではなく、長方形に近い形状であれば他の形状でもよく、例えば長方形に近い長円形でもよい。また、第２のコンタクトホール２７の平面形状は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように正方形である。ただし、この正方形の形状に限定されるものではなく、正方形に近い形状であれば他の形状でもよく、例えば円形でも楕円形でもよい。
【００４７】
次に、層間絶縁膜２４をマスクとして不純物をイオン注入することにより、Ｎ＋型のソース拡散層１８内に部分的にＰ型ボディー拡散層１４ａに接続するためのＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成する。この際のイオン注入方法を図２（Ｃ），（Ｄ）を参照しつつ以下に説明する。
【００４８】
イオン注入は、第１のコンタクトホール２５下において、ホール底部の長径方向の一方側にＰ＋型のボディーコンタクト領域３２が位置されるように行われる。そのためには、第１のコンタクトホール２５は、図２（Ｃ）に示すように、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、当該長径方向の一方側のＰ＋型のボディーコンタクト領域３２の端部５２と当該長径方向の他方側のホール上面の端部５１を結ぶ直線と当該ホール上面の端部５１からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθとした場合に下記（式１）を満たす形状であるとよい。さらに、第２のコンタクトホール２７は、図２（Ｄ）に示すように、前記長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２）を満たす形状であるとよい。また、第３のコンタクトホール２６は、第１のコンタクトホール２５と同一形状を有し、長径方向の向きも同一である。
Ｈｔａｎθ＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ＞Ｓ２  ・・・（式２）
【００４９】
なお、本実施の形態では、第３のコンタクトホール２６のホール底部の径を第１のコンタクトホール２５のホール底部の径と同一としているが、これに限定されるものではなく、第３のコンタクトホール２６のホール底部の径は第１のコンタクトホール２５のホール底部の径と同一でなくてもよい。
【００５０】
また、本実施の形態では、図１（Ｂ）の第２のコンタクトホール２７のホール底部の径を図１（Ａ）の第２のコンタクトホール２７の径と同一としているが、これに限定されるものではなく、図１（Ｂ）の第２のコンタクトホール２７のホール底部の径は図１（Ａ）の第２のコンタクトホール２７のホール底部の径と同一でなくてもよい。
【００５１】
上記のような形状の第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６を有する層間絶縁膜２４をマスクとして不純物をＰ型シリコン基板１１の表面の垂直方向から角度θだけ傾斜させた第１の方向（図２（Ｃ），（Ｄ）に示す矢印の方向）にイオン注入する。これにより、第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向の一方側にイオン注入の不純物が到達し、Ｎ＋型のソース拡散層１８内にＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成する。この時、第２のコンタクトホール２７ではホール底部の径Ｓ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない（図２（Ｄ）参照）。また、第３のコンタクトホール２６では、図２（Ｃ）と同様にホール底部の長径方向の一方側にイオン注入の不純物が到達し、図２（Ｂ）のＰ＋型のソース拡散層２０にＰ型不純物が導入される。
【００５２】
次に、Ｐ型シリコン基板１１の中心を回転軸として１８０°回転させ、その位置で層間絶縁膜２４をマスクとして不純物を上記の第１の方向にイオン注入する。これにより、第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向の他方側にイオン注入の不純物が到達し、図１（Ｂ），図２（Ｂ）のＰ＋型のソース拡散層２０内に部分的にＮ型ボディー拡散層１５に接続するためのＮ＋型のボディーコンタクト領域３３を形成する。この時、第２のコンタクトホール２７ではホール底部の長さＳ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない（図２（Ｄ）参照）。また、第１のコンタクトホール２５では、ホール底部の長径方向の他方側にイオン注入の不純物が到達し、図２（Ａ）のＮ＋型のソース拡散層１８にＮ型不純物が導入される。
【００５３】
次に、第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６内及び層間絶縁膜２４上に導電膜（図示せず）を形成し、この導電膜をエッチング加工することにより層間絶縁膜２４上に配線（図示せず）を形成する。
【００５４】
なお、本実施の形態において、Ｎ型ウェル１３を半導体層と読み替え、Ｐ型ボディー拡散層１４ａを第１拡散層と読み替え、Ｎ＋型のソース拡散層１８を第２拡散層と読み替え、Ｎ＋型のドレイン拡散層１９を第３拡散層と読み替え、Ｐ＋型のボディーコンタクト領域３２を第４拡散層と読み替え、Ｎ型ボディー拡散層１５を第５拡散層と読み替え、Ｐ−型ドリフト拡散層１４ｂを第６拡散層と読み替え、Ｐ＋型のソース拡散層２０を第７拡散層と読み替え、Ｐ＋型のドレイン拡散層２１を第８拡散層と読み替え、Ｎ＋型のボディーコンタクト領域３３を第９拡散層と読み替え、図２（Ａ）のゲート電極１７ａを第１のゲート電極と読み替え、図２（Ｂ）のゲート電極１７ｂを第２のゲート電極と読み替え、図２（Ａ）の第２のコンタクトホール２７を第２のコンタクトホールと読み替え、図２（Ｂ）の第２のコンタクトホール２７を第４のコンタクトホールと読み替えてもよい。
【００５５】
本実施の形態によれば、第１のコンタクトホール２５のホール底部の第１長径方向及び第３のコンタクトホール２６のホール底部の第２長径方向それぞれにはホール底部までイオンが到達可能な角度で、かつ第２のコンタクトホール２７のホール底部にはイオンが到達しない角度で斜め方向からのイオン注入を行う。その結果、第１及び第３のコンタクトホール２５，２６の底部の一部にＰ＋型のボディーコンタクト領域３２及びＮ＋型のボディーコンタクト領域３３を形成する。このように自己整合的にＰ＋型のボディーコンタクト領域３２及びＮ＋型のボディーコンタクト領域３３を形成するため、第１のゲート電極１７ａと第１のコンタクトホール２５の間の寸法及び第２のゲート電極１７ｂと第３のコンタクトホール２６の間の寸法を、従来技術に比べて小さくすることができる。
【００５６】
また、上述したように、Ｐ＋型のボディーコンタクト領域３２及びＮ＋型のボディーコンタクト領域３３をフォトリソグラフィ工程無しで形成するため、工程を簡素化してコスト低減を図ることができる。
【００５７】
なお、本実施の形態では、図１（Ａ）に示すＮチャネルＬＤＭＯＳ及び図１（Ｂ）に示すＰチャネルＬＤＭＯＳを同一基板上に形成し、図１（Ａ）の第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と図１（Ｂ）の第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向が平行になるように配置しているが、これに限定されるものではなく、次のような変形例を実施してもよい。
【００５８】
図１（Ａ）に示すＮチャネルＬＤＭＯＳ及び図１（Ｃ）に示すＰチャネルＬＤＭＯＳを同一基板上に形成し、図１（Ａ）の第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と図１（Ｃ）の第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向が直角に交わるように配置する。図１（Ｃ）に示すＰチャネルＬＤＭＯＳは、図１（Ｂ）に示すＰチャネルＬＤＭＯＳを９０°回転させて配置した点以外は図１（Ｂ）に示すＰチャネルＬＤＭＯＳと同一である。従って、図１（Ｃ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図は、図２（Ｂ）と同一である。
【００５９】
なお、本明細書において「直角」とは、完全な直角に限定されない。本発明の作用効果を阻害しない範囲で、直角からずれた場合も含む。例えば第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向が交わって作られる角度が８５°〜９５°を含む意味である。
【００６０】
本変形例による半導体装置の製造方法は、本実施の形態と次の工程が異なり、それ以外は同一である。
【００６１】
第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６を有する層間絶縁膜２４をマスクとして不純物を第１の方向（図２（Ｃ），（Ｄ）に示す矢印の方向）にイオン注入することにより、Ｎ＋型のソース拡散層１８内にＰ＋型のボディーコンタクト領域３２を形成する。この時、第２のコンタクトホール２７ではホール底部の長さＳ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達せず、第３のコンタクトホール２６でもホール底部の短径方向の長さが短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない。
【００６２】
次に、Ｐ型シリコン基板１１の中心を回転軸として９０°回転させ、その位置で層間絶縁膜２４をマスクとして不純物を上記の第１の方向にイオン注入する。これにより、第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向の他方側にイオン注入の不純物が到達し、図１（Ｃ），図２（Ｂ）のＰ＋型のソース拡散層２０内に部分的にＮ型ボディー拡散層１５に接続するためのＮ＋型のボディーコンタクト領域３３を形成する。この時、第２のコンタクトホール２７ではホール底部の長さＳ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達せず、第１のコンタクトホール２５でもホール底部の短径方向の長さが短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない。
【００６３】
［実施の形態２］
図３（Ａ），（Ｂ）は、本発明の一態様に係る半導体装置を示す平面図であり、図４（Ａ）は図３（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図４（Ｂ）は図３（Ｂ）に示すＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【００６４】
図３（Ａ）に示す半導体装置及び図３（Ｂ）に示す半導体装置は同一基板上に形成されている。図３（Ａ）及び図４（Ａ）に示す半導体装置はＮチャネルＬＤＭＯＳであり、図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示す半導体装置はＰチャネルＬＤＭＯＳである。
【００６５】
Ｐ型シリコン基板１１に、実施の形態１と同様に、Ｎ型埋め込み層１２、Ｎ型ウェル１３、ＬＯＣＯＳ酸化膜１６、ゲート絶縁膜、Ｐ型ボディー拡散層１４ａ、Ｐ−型ドリフト拡散層１４ｂ、Ｎ型ボディー拡散層１５、リング状のゲート電極１７ａ、２つのゲート電極１７ｂを形成する。
【００６６】
次に、図４（Ａ）のＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｐ型ボディー拡散層１４ａにＮ＋型のソース拡散層１８を形成し、Ｎ型ウェル１３にＮ＋型のドレイン拡散層１９を形成する。この際、後で高濃度拡散層であるＰ＋型のボディーコンタクト領域２２を形成する部分にはＮ＋型の不純物を導入していない。次いで、図４（Ｂ）のＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域において、Ｎ型ボディー拡散層１５にＰ＋型のソース拡散層２０を形成し、Ｐ−型ドリフト拡散層１４ｂにＰ＋型のドレイン拡散層２１を形成する。この際、後で高濃度拡散層であるＮ＋型のボディーコンタクト領域２３を形成する部分にはＰ＋型の不純物を導入していない。
【００６７】
次に、実施の形態１と同様に、ＮチャネルＬＤＭＯＳ形成領域及びＰチャネルＬＤＭＯＳ形成領域の全面に層間絶縁膜２４を形成し、層間絶縁膜２４に第１のコンタクトホール２５、第２のコンタクトホール２７及び第３のコンタクトホール２６を形成する。第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向は直角に交わる（図３参照）。
【００６８】
次に、層間絶縁膜２４をマスクとして不純物をイオン注入することにより、Ｎ＋型のソース拡散層１８内に部分的にＰ型ボディー拡散層１４ａに接続するためのＰ＋型のボディーコンタクト領域２２を形成する。この際のイオン注入方法について図５を参照しつつ以下に説明する。
【００６９】
図５（Ａ）は、第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６を示す平面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示すＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００７０】
イオン注入は、第１のコンタクトホール２５下において、ホール底部の長径方向の両端にＰ＋型のボディーコンタクト領域２２が位置されるように行われる。そのためには、第１のコンタクトホール２５は、図５（Ｂ）に示すように、ホール底部の長径をＳ１とし、ホール深さをＨとし、当該長径方向の一方側のＰ＋型のボディーコンタクト領域２２の端部５５と当該長径方向の他方側のホール上面の端部５４を結ぶ直線と当該ホール上面の端部５４からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ１とした場合に下記（式１）を満たし、かつ当該長径方向の他方側のＰ＋型のボディーコンタクト領域２２の端部５７と当該長径方向の一方側のホール上面の端部５６を結ぶ直線と当該ホール上面の端部５６からホール底部に下ろした垂線とで作られる角度をθ２とした場合に下記（式１'）を満たす形状であるとよい。さらに、第２及び第３のコンタクトホール２７，２６それぞれは、図５（Ｂ）に示すように、前記長径方向と平行方向のホール底部の径をＳ２とし、ホール深さをＨとした場合に下記（式２），（式２'）を満たす形状であるとよい。また、第３のコンタクトホール２６は第１のコンタクトホール２５と同一形状を有するが、第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向は第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向と直角で交わる（図５（Ａ）参照）。
Ｈｔａｎθ１＜Ｓ１  ・・・（式１）
Ｈｔａｎθ２＜Ｓ１  ・・・（式１'）
Ｈｔａｎθ１＞Ｓ２  ・・・（式２）
Ｈｔａｎθ２＞Ｓ２  ・・・（式２'）
【００７１】
なお、本実施の形態では、第３のコンタクトホール２６のホール底部の径を第１のコンタクトホール２５のホール底部の径と同一としているが、これに限定されるものではなく、第３のコンタクトホール２６のホール底部の径は第１のコンタクトホール２５のホール底部の径と同一でなくてもよい。
【００７２】
また、本実施の形態では、第１のコンタクトホール２５の短径と第２のコンタクトホール２７の径Ｓ２と第３のコンタクトホール２６の短径Ｓ２を同一としているが、これに限定されるものではなく、これらの径は同一でなくてもよい。
また、θ１とθ２は同一でもよいし、同一でなくてもよい。
【００７３】
上記のような形状の第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６を有する層間絶縁膜２４をマスクとして不純物をＰ型シリコン基板１１の表面の垂直方向から角度θ１だけ傾斜させた第１の方向（図５（Ａ），（Ｂ）に示す矢印の方向）にイオン注入する。これにより、第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向の一方側にイオン注入の不純物が到達し、Ｐ型ボディー拡散層１４ａ内にＰ＋型のボディーコンタクト領域２２を形成する。この時、第２及び第３のコンタクトホール２７，２６ではホール底部の径Ｓ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない（図５（Ｂ）参照）。
【００７４】
次に、Ｐ型シリコン基板１１の中心を回転軸として１８０°回転させ、その位置で層間絶縁膜２４をマスクとして不純物をＰ型シリコン基板１１の表面の垂直方向から角度θ２だけ傾斜させた第２の方向（図５（Ａ），（Ｂ）に示す矢印の方向）にイオン注入する。これにより、第１のコンタクトホール２５のホール底部の長径方向の他方側にイオン注入の不純物が到達し、Ｎ＋型のソース拡散層１８内にＰ＋型のボディーコンタクト領域２２を形成する。この時、第２及び第３のコンタクトホール２７，２６ではホール底部の径Ｓ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない（図５（Ｂ）参照）。
【００７５】
次に、Ｐ型シリコン基板１１の中心を回転軸として９０°回転させ、その位置で層間絶縁膜２４をマスクとして不純物を上記の第３の方向に（図５（Ａ）に示す第３のコンタクトホール２６内の矢印の方向）にイオン注入する。これにより、第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向の一方側にイオン注入の不純物が到達し、Ｎ型ボディー拡散層１５内に部分的にＮ＋型のボディーコンタクト領域２３を形成する。この時、第１及び第２のコンタクトホール２５，２７ではホール底部の径Ｓ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない。
【００７６】
次に、Ｐ型シリコン基板１１の中心を回転軸として１８０°回転させ、その位置で層間絶縁膜２４をマスクとして不純物を上記の第４の方向（図５（Ａ）に示す第３のコンタクトホール２６内の矢印の方向）にイオン注入する。これにより、第３のコンタクトホール２６のホール底部の長径方向の他方側にイオン注入の不純物が到達し、Ｎ型ボディー拡散層１５内に部分的にＮ＋型のボディーコンタクト領域２３を形成する。この時、第１及び第２のコンタクトホール２５，２７ではホール底部の径Ｓ２が短いためにホール底部にイオン注入の不純物が到達しない。
【００７７】
次に、第１〜第３のコンタクトホール２５，２７，２６内及び層間絶縁膜２４上に導電膜（図示せず）を形成し、この導電膜をエッチング加工することにより層間絶縁膜２４上に配線（図示せず）を形成する。
【００７８】
なお、本実施の形態において、Ｎ型ウェル１３を半導体層と読み替え、Ｐ型ボディー拡散層１４ａを第１拡散層と読み替え、Ｎ＋型のソース拡散層１８を第２拡散層と読み替え、Ｎ＋型のドレイン拡散層１９を第３拡散層と読み替え、Ｐ＋型のボディーコンタクト領域２２を第４拡散層と読み替え、Ｎ型ボディー拡散層１５を第５拡散層と読み替え、Ｐ−型ドリフト拡散層１４ｂを第６拡散層と読み替え、Ｐ＋型のソース拡散層２０を第７拡散層と読み替え、Ｐ＋型のドレイン拡散層２１を第８拡散層と読み替え、Ｎ＋型のボディーコンタクト領域２３を第９拡散層と読み替え、図４（Ａ）のゲート電極１７ａを第１のゲート電極と読み替え、図４（Ｂ）のゲート電極１７ｂを第２のゲート電極と読み替え、図４（Ａ）の第２のコンタクトホール２７を第２のコンタクトホールと読み替え、図４（Ｂ）の第２のコンタクトホール２７を第４のコンタクトホールと読み替えてもよい。
【００７９】
本実施の形態によれば、第１のコンタクトホール２５のホール底部の第１長径方向にホール底部までイオンが到達可能な角度で、かつ第２及び第３のコンタクトホール２７，２６のホール底部にはイオンが到達しない角度で斜め方向からのイオン注入を行い、第１のコンタクトホール２５の底部の一部にＰ＋型のボディーコンタクト領域２２を形成する。また、第３のコンタクトホール２６のホール底部の第２長径方向にホール底部までイオンが到達可能な角度で、かつ第１及び第２のコンタクトホール２５，２７のホール底部にはイオンが到達しない角度で斜め方向からのイオン注入を行い、第３のコンタクトホール２６の底部の一部に及びＮ＋型のボディーコンタクト領域２３を形成する。このように自己整合的にＰ＋型のボディーコンタクト領域２２及びＮ＋型のボディーコンタクト領域２３を形成するため、第１のゲート電極１７ａと第１のコンタクトホール２５の間の寸法及び第２のゲート電極１７ｂと第３のコンタクトホール２６の間の寸法を、従来技術に比べて小さくすることができる。
【００８０】
また、上述したように、Ｐ＋型のボディーコンタクト領域２２及びＮ＋型のボディーコンタクト領域２３をフォトリソグラフィ工程無しで形成するため、工程を簡素化してコスト低減を図ることができる。
【００８１】
なお、上記の実施の形態１と実施の形態２を適宜組合せて実施してもよい。
【００８２】
なお、本発明において、特定のＡ（以下「Ａ」という）の上（または下）に特定のＢ（以下「Ｂ」という）を形成する（Ｂが形成される）というとき、Ａの上（または下）に直接Ｂを形成する（Ｂが形成される）場合に限定されない。Ａの上（または下）に本発明の作用効果を阻害しない範囲で、他のものを介してＢを形成する（Ｂが形成される）場合も含む。
【符号の説明】
【００８３】
１１…Ｐ型シリコン基板、１２…Ｎ型埋め込み層、１３…Ｎ型ウェル、１４ａ…Ｐ型ボディー拡散層、１４ｂ…Ｐ−型ドリフト拡散層、１５…Ｎ型ボディー拡散層、１６…ＬＯＣＯＳ酸化膜、１７ａ…リング状のゲート電極、１７ｂ…ゲート電極、１８…Ｎ＋型のソース拡散層、１９…Ｎ＋型のドレイン拡散層、２０…Ｐ＋型のソース拡散層、２１…Ｐ＋型のドレイン拡散層、２２…Ｐ＋型のボディーコンタクト領域、２３…Ｎ＋型のボディーコンタクト領域、２４…層間絶縁膜、２５…第１のコンタクトホール、２６…第３のコンタクトホール、２７…第２のコンタクトホール、３２…Ｐ＋型のボディーコンタクト領域、３３…Ｎ＋型のボディーコンタクト領域、５１…ホール上面の端部、５２…Ｐ＋型のボディーコンタクト領域の端部、５３，５４…ホール上面の端部、５５…Ｐ＋型のボディーコンタクト領域の端部、５６…ホール上面の端部、５７…Ｐ＋型のボディーコンタクト領域２２の端部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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