(57)【要約】【課題】発光素子が形成されていない素子間領域の発光機能層の発光を抑制すること。【解決手段】本発明に係る表示装置２は、発光素子１６を有する画素１１が第１の方向及び第１の方向と交差する第２の方向に配列された表示領域１０を有し、選択された画素１１に表示信号を供給し、発光素子１６を発光させるアクティブ駆動方式の電気光学装置であって、発光素子１６は、画素１１毎に形成され表示信号が供給される画素電極３４と、画素電極３４に対向し第１の方向又は第２の方向のいずれか一方に配列された複数の画素１１に跨って配置された帯状の対向電極３７と、画素電極３４と帯状の対向電極３７とで挟まれ表示領域１０を覆って配置された発光機能層３６と、を備え、帯状の対向電極３７は表示領域１０に複数配置され、複数の帯状の対向電極３７は表示領域１０の周辺で互いに電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する画素が、第１の方向、及び前記第１の方向と交差する第２の方向に配列された表示領域を有し、選択された前記画素に表示信号を供給し、前記発光素子を発光させるアクティブ駆動方式の電気光学装置であって、
前記発光素子は、
前記画素毎に形成され、前記表示信号が供給される画素電極と、
前記画素電極に対向し、前記第１の方向又は前記第２の方向のいずれか一方に配列された複数の前記画素に跨って配置された帯状の対向電極と、
前記画素電極と前記帯状の対向電極とで挟まれ、前記表示領域を覆って配置された発光機能層と、を備え、
前記帯状の対向電極は前記表示領域に複数配置され、複数の前記帯状の対向電極は前記表示領域の周辺で互いに電気的に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記帯状の対向電極に対向する前記画素電極の配列方向と直交する方向において、前記帯状の対向電極の巾は、前記画素電極の巾と同等以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極の周縁部の少なくとも一部は絶縁膜で覆われ、
前記帯状の対向電極は、前記画素電極の前記絶縁膜で覆われていない領域に対向配置され、
前記帯状の対向電極に対向する前記画素電極の配列方向と直交する方向において、前記帯状の対向電極の巾は、前記画素電極の前記絶縁膜で覆われていない領域の巾と同等以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
隣り合う前記帯状の対向電極との間に、前記帯状の対向電極に沿う方向に配置された帯状の共通電極を有し、
前記帯状の共通電極は前記表示領域に複数配置され、複数の前記帯状の共通電極は前記表示領域の周辺で互いに電気的に接続され、前記帯状の対向電極より大きい電圧が供給されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記帯状の対向電極には、前記表示信号より小さい電圧が供給され、
前記帯状の共通電極には、前記表示信号の最大電圧から前記発光素子が発光する最低電圧を減じた電圧より大きい電圧が供給されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記帯状の対向電極及び前記帯状の共通電極は、同一材料で、前記発光機能層に接して形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記帯状の対向電極は、光透過性及び光反射性を有し、
前記帯状の共通電極は、遮光性を有していることを特徴とする請求項４又は５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記画素電極は、光透過性を有し、
前記帯状の対向電極は、光透過性及び光反射性を有し、
前記画素電極の前記帯状の対向電極と反対側には、光反射性を有する反射膜が配置され、前記帯状の対向電極と前記反射膜との間で前記発光機能層より発した光を共振させる光共振構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置を有していることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び当該電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特許文献１に記載されているように、デジタルカメラ等の電子機器に搭載可能な電子ビューファインダーが提案されている。特許文献１に記載の電子ビューファインダーは、液晶表示装置からなる非発光型表示装置であり、光源としてバックライトを備えている。
【０００３】
電子ビューファインダーのような１インチ未満の表示領域を有するマイクロディスプレイでは、薄型化や軽量化などの性能改善が重要となっている。上述した液晶表示装置は、光源としてのバックライトが必要であるため、機器の薄型化や軽量化に限界がある。そこで、例えば、特許文献２に記載の表示装置が提案されている。特許文献２に記載の表示装置は、発光素子を有する画素がマトリックス状に配列された自発光型表示装置である。当該発光素子は、いわゆる有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子であり、画素電極、対向電極、及び発光機能層などから構成されている。自発光型表示装置は、非発光型表示装置と比べて、光源としてのバックライトが不要となるため、薄型化及び軽量化の点で有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９６８００号公報
【特許文献２】特開２００７−１０８２４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載の表示装置を、上述したマイクロディスプレイに適用し、発光素子を発光させた場合に、発光素子が配置されていない非発光となるべき領域（素子間領域）も発光するという課題があった。
【０００６】
詳しくは、上述したマイクロディスプレイを構成する画素サイズは概略１０μｍ以下と小さいため、発光機能層を発光素子毎にパターニングすることが難しく、発光機能層は複数の発光素子に跨って（表示領域を覆う様に）形成されている。このため、発光素子と隣り合う発光素子との間、すなわち素子間領域にも発光機能層が形成されている。発光素子と隣り合う発光素子との間のスペースは数μｍ以下と小さくなっているため、当該発光素子の画素電極に供給される信号によっては、当該発光素子の画素電極と隣り合う発光素子の対向電極との間でリーク電流が流れ、設計上の非発光領域（素子間領域）の発光機能層が発光する場合があった。すなわち、画素電極に供給される信号によっては、素子間領域に形成されている発光機能層が発光し、表示コントラストの低下や色味の変化という不具合が発生するという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、発光素子を有する画素が第１の方向及び第１の方向と交差する第２の方向に配列された表示領域を有し、選択された画素に表示信号を供給し発光素子を発光させるアクティブ駆動方式の電気光学装置であって、発光素子は、画素毎に形成され表示信号が供給される画素電極と、画素電極に対向し第１の方向又は第２の方向のいずれか一方に配列された複数の画素に跨って配置された帯状の対向電極と、画素電極と帯状の対向電極とで挟まれ表示領域を覆って配置された発光機能層と、を備え、帯状の対向電極は表示領域に複数配置され、複数の帯状の対向電極は表示領域の周辺で互いに電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００９】
対向電極は、複数の画素に跨って配置された帯形状（ストライプ形状）となっており、表示領域には、対向電極が形成されていない領域が存在する。表示領域の全面に対向電極を形成した場合と比べて、表示領域に対向電極が形成されていない領域を設けることによって、複数の画素のうちの１の画素の画素電極と、当該画素に隣り合う対向電極との間の距離を長くすることができる。その結果、当該画素電極と隣り合う当該対向電極との間の抵抗成分が大きくなり、当該画素電極と隣り合う当該対向電極との間でリーク電流が流れにくくなる。従って、当該画素電極と隣り合う当該対向電極との間の発光機能層、すなわち発光素子と隣り合う発光素子との間の領域（素子間領域）の発光機能層の発光を抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置は、帯状の対向電極に対向する画素電極の配列方向と直交する方向において、帯状の対向電極の巾は、画素電極の巾と同等以下であることが好ましい。
【００１１】
帯状の対向電極の巾は、当該対向電極に対向配置された画素電極の巾に比べて同等以下と小さくなっているので、当該対向電極に対向配置された画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間の距離を大きくすることができる。このため、当該対向電極に対向配置された画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間のリーク電流を、小さくすることができる。従って、当該対向電極に対向配置された画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間の発光機能層、すなわち素子間領域の発光機能層の発光を、抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置は、画素電極の周縁部の少なくとも一部は絶縁膜で覆われ、帯状の対向電極は、画素電極の絶縁膜で覆われていない領域に対向配置され、帯状の対向電極に対向する画素電極の配列方向と直交する方向において、帯状の対向電極の巾は、画素電極の絶縁膜で覆われていない領域の巾と同等以下であることが好ましい。
【００１３】
帯状の対向電極の巾は、当該対向電極に対向配置された画素電極の絶縁膜で覆われていない領域の巾に比べて同等以下と小さくなっているので、当該対向電極に対向配置された絶縁膜で覆われていない領域の画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間の距離を大きくすることができる。このため、当該対向電極に対向配置された絶縁膜で覆われていない領域の画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間のリーク電流を、小さくすることができる。従って、当該対向電極に対向配置された絶縁膜で覆われていない領域の画素電極と、当該対向電極に隣り合う帯状の対向電極との間の発光機能層、すなわち素子間領域の発光機能層の発光を、抑制することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置は、隣り合う帯状の対向電極との間に帯状の対向電極に沿う方向に配置された帯状の共通電極を有し、帯状の共通電極は表示領域に複数配置され、複数の帯状の共通電極は表示領域の周辺で互いに電気的に接続され、帯状の対向電極より大きい電圧が供給されていることが好ましい。
【００１５】
画素電極と隣り合う対向電極との間、すなわち素子間領域には、対向電極より大きい電圧が供給されている共通電極が形成されているので、当該画素電極から隣り合う対向電極に発光機能層を発光させるキャリア（正孔）が流れにくくなっている。従って、素子間領域における発光機能層の発光を抑制することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置は、帯状の対向電極には表示信号より小さい電圧が供給され、帯状の共通電極には表示信号の最大電圧から発光素子が発光する最低電圧を減じた電圧より大きい電圧が供給されていることが好ましい。
【００１７】
共通電極には、画素電極に供給される表示信号の最大値（最大電圧）から、発光素子（発光機能層）が発光する電圧の最低値（最小電圧）を減じた電圧より大きい電圧が供給されているので、画素電極と共通電極との間の電圧は、画素電極に最大電圧が供給された場合においても、発光機能層が発光する最低電圧よりも小さくなる。よって、画素電極に供給される表示信号に関係なく、画素電極と当該共通電極との間の電圧は、発光機能層が発光しない電圧に維持される。従って、画素電極に供給される表示信号に関係なく、発光素子が形成されていない素子間領域の発光機能層の発光を抑制することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、帯状の対向電極及び帯状の共通電極は、同一材料で、発光機能層に接して形成されていることが好ましい。
【００１９】
帯状の対向電極及び帯状の共通電極は、同一材料によって形成されているので、新たな材料を追加するという工数の増加を招くことなく、例えば同一工程で対向電極と共通電極とを形成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置は、帯状の対向電極は、光透過性及び光反射性を有し、帯状の共通電極は、遮光性を有していることが好ましい。
【００２１】
帯状の対向電極と隣り合う帯状の対向電極との間には、遮光性の共通電極が形成され、当該共通電極が不要な光を遮光する遮光膜（ブラックマトリックス）として機能するので、表示コントラストを向上させることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に記載の電気光学装置は、画素電極は光透過性を有し、帯状の対向電極は光透過性及び光反射性を有し、画素電極の帯状の対向電極と反対側には、光反射性を有する反射膜が配置され、帯状の対向電極と反射膜との間で発光機能層より発した光を共振させる光共振構造が形成されていることが好ましい。
【００２３】
帯状の対向電極と反射膜との間には、発光機能層より発した光を共振させる光共振構造が形成され、当該光共振構造において発光機能層で発した光を特定波長に共振させ、特定波長の光を効率的に取り出す（射出させる）ことができる。さらに、各画素で共振させる光の波長域を、光の３原色（赤、緑、青）に対応した波長域に設定し、各画素から赤、緑、青に対応した光を射出させることによって、フルカラー表示を提供することができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２５】
本適用例の電子機器は、素子間領域の発光機能層が発光することによる表示コントラストの低下や色味の変化という不具合が抑制された電気光学装置（マイクロディスプレイ）を備えているので、表示品位に優れた、例えばＨＭＤ（Head Mounted Display）やデジタルカメラなどの小型・軽量の電子機器を提供することができる。さらに、本発明の電気光学装置は、上述したＨＭＤやデジタルカメラの他に、モバイルコンピューター、車載機器、オーディオ機器、及び情報端末機器など各種電子機器の表示部に適用させることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】実施形態１に係る表示装置の構成を示す斜視図。
【図２】実施形態１に係る表示装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】実施形態１に係る表示装置の画素電極に印加された電圧と発光素子に流れる電流との関係を示した図。
【図４】図１のＡ−Ａ’線に沿った表示パネルの断面図。
【図５】図１の表示領域に対応した素子基板の平面図。
【図６】実施形態１に係る表示装置の対向電極及び共通電極の配線状態を示す等価回路図。
【図７】実施形態２に係る表示装置の断面図。
【図８】実施形態２に係る素子基板の平面図。
【図９】変形例１に係る表示装置の断面図。
【図１０】変形例２に係る表示装置の断面図。
【図１１】（ａ）は電子機器の一例としてのＨＭＤの概要を示す概略図。（ｂ）は電子機器の一例としてのデジタルカメラの概要を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２８】
（実施形態１）
「表示装置の概要」
図１は、実施形態１に係る表示装置の構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る表示装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、画素電極に印加された電圧と発光素子に流れる電流との関係を示した図である。なお、図２では、表示装置１の動作を分かりやすくするために、後述する共通電極３８（図４参照）の図示が省略されている。
まず、図１及び図２を参照して、表示装置１の概要を説明する。
【００２９】
本実施形態に係る表示装置１は、電気光学装置の一例であり、後述する発光素子１６（図２参照）を有する画素１１がマトリックス状に配列された自発光型の表示装置である。なお、図１の二点鎖線で囲まれた領域は、画素１１が配列された表示領域１０となる。
【００３０】
図１に示すように、表示装置１は、表示パネル５、フレキシブル基板２８などから構成されている。表示パネル５は、上述した表示領域１０を備えている。図１の右上に拡大して示すように、表示領域１０には、赤色（Ｒ）に発光する画素（Ｒ画素）１１Ｒ、緑色（Ｇ）に発光する画素（Ｇ画素）１１Ｇ、及び青色（Ｂ）に発光する画素（Ｂ画素）１１Ｂがストライプ状に配列されている。これらＲ画素１１Ｒ、Ｇ画素１１Ｇ、及びＢ画素１１Ｂに対応する３つの画素１１が、表示単位１２となってフルカラーの表示が提供されている。
【００３１】
以下、フレキシブル基板２８に近接した側の表示パネル５の１辺に沿った方向をＸ軸方向、当該１辺と交差し互いに対向する他の２辺に沿った方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する、表示パネル５の厚さ方向をＺ軸方向として説明する。
表示パネル５は、フルカラーの表示を提供する表示体であり、素子基板３０及び対向基板５０などで構成されている。なお、素子基板３０及び対向基板５０は、透光性樹脂（図示省略）で接着されている。
【００３２】
素子基板３０は、画素１１がＸ軸方向及びＹ軸方向にマトリックス状に配列された表示領域１０、画素１１を駆動する駆動回路（走査線駆動回路２４、データ線駆動回路２５）などを備えている。なお、画素１１が配列されたＸ軸方向は、第１の方向の一例であり、画素１１が配列されたＹ軸方向は、第２の方向の一例である。走査線駆動回路２４は、素子基板３０のＹ軸方向に延びる辺と表示領域１０との間に、及びデータ線駆動回路２５は、素子基板３０のフレキシブル基板２８が貼り合わされた側の辺と表示領域１０との間に配置されている。
【００３３】
対向基板５０は、上述した各画素１１に対応する位置に着色層（カラーフィルター）が形成された、カラーフィルター基板である。
【００３４】
素子基板３０の一辺は、対向基板５０から突出し、この突出した領域にフレキシブル基板２８が貼り合わされている。フレキシブル基板２８には、駆動用ＩＣ２９が設けられ、走査線駆動回路２４及びデータ線駆動回路２５を駆動する信号や電源などが、素子基板３０に供給されている。
【００３５】
図２に示すように、表示領域１０には、複数の走査線２１がＸ軸方向に延在し、複数のデータ線２２及び電源供給線２３がＹ軸方向に延在して、配置されている。走査線２１は走査線駆動回路２４に接続され、データ線２２はデータ線駆動回路２５に接続されている。走査線２１及びデータ線２２は互に交差し、走査線２１及びデータ線２２で区画された領域に画素１１が形成されている。
【００３６】
画素１１には、スイッチング用薄膜トランジスター（以下、薄膜トランジスターをＴＦＴ（Thin Film Transistor）と称す）１３、保持容量１５、駆動用ＴＦＴ１４、及び発光素子１６などが形成されている。走査線駆動回路２４から走査線２１を介して走査信号がスイッチング用ＴＦＴ１３のゲート電極に供給され、スイッチング用ＴＦＴ１３がオン状態になると、データ線駆動回路２５からデータ線２２及びスイッチング用ＴＦＴ１３を介して、保持容量１５に信号が供給される。保持容量１５に保持された信号は、駆動用ＴＦＴ１４のゲート電極に供給され、駆動用ＴＦＴ１４がオン状態になると、電源供給線２３から駆動用ＴＦＴ１４を介して電流が画素電極３４に流れ、画素電極３４の電圧（電位）Ｖｐが変化する。換言すれば、電源供給線２３から駆動用ＴＦＴ１４を介して画素電極３４に表示信号（電圧Ｖｐ）が供給されている。また、画素電極３４に供給される表示信号は、保持容量に保持されるデータ線駆動回路２５からの信号によって変化する。その結果、画素電極３４の電圧Ｖｐは、０Ｖ〜５Ｖの範囲で変化するようになっている。
【００３７】
発光素子１６は、画素電極３４、発光機能層３６、及び対向電極３７で構成されている。対向電極３７には、画素電極３４の電圧Ｖｐよりも小さい基準電圧（０Ｖ）が供給されている。このように、対向電極の電圧Ｖｏは０Ｖ一定電圧となっている。その結果、発光機能層３６には、画素電極３４と対向電極３７との間で、画素電極３４の電圧Ｖｐが印加されている。
【００３８】
図３は、画素電極３４の電圧Ｖｐ（発光機能層３６に印加されている電圧）と、発光素子１６に流れる電流との関係を示している。図３の横軸は、画素電極３４の電圧Ｖｐを示している。図３の縦軸は、発光素子１６を流れる電流を示している。図中のＶｔｈは、発光機能層３６が発光する閾値電圧（最低電圧）を示している。発光機能層３６が発光する最低電圧Ｖｔｈは、概略３Ｖである。画素電極３４の電圧ＶｐがＶｔｈ（概略３Ｖ）よりも大きくなると、発光機能層３６は発光する。また、画素電極３４の電圧Ｖｐが大きくなるに従って、発光素子１６を流れる電流が増加し、発光機能層３６で発した光の輝度が大きくなる。
【００３９】
「表示パネルの概要」
図４は、図１の表示領域Ａ−Ａ’線に沿った表示パネルの断面図である。また、図４の矢印は光の射出方向を示している。
【００４０】
図４に示すように、表示パネル５で発した光は、Ｚ軸（＋）方向に射出されている。表示パネル５のＺ軸（＋）方向には、素子基板３０及び対向基板５０が、この順に積層されている。そして、素子基板３０のＺ軸（＋）方向には、素子基板本体３１、反射膜３２、絶縁膜３３、画素電極３４、絶縁膜３５、発光機能層３６、対向電極３７、共通電極３８、及び封止層３９が、この順に積層されている。また、対向電極３７と同層には共通電極３８が設けられている。
【００４１】
素子基板本体３１は、石英や無アルカリガラスなどの絶縁基板に、走査線２１、データ線２２、電源供給線２３、走査線駆動回路２４、データ線駆動回路２５、スイッチング用ＴＦＴ１３、保持容量１５、及び駆動用ＴＦＴ１４（図２参照）などが、公知技術によって形成されたトランジスター基板である。
【００４２】
反射膜３２は、発光機能層３６で発した光を反射する一対の反射層の中の一方の反射層である。反射膜３２は、反射率の高い材料によって形成され、画素１１毎に島状に形成されている。反射膜３２の形成材料としては、例えば、アルミニウム、銀、アルミニウムを主成分とする合金、及び銀を主成分とする合金などを使用することができる。
【００４３】
絶縁膜３３は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの光透過性の絶縁膜であり、素子基板本体３１の略全面に形成されている。絶縁膜３３には、反射膜３２の凹凸の影響を軽減するために、平坦化処理が施されている。
【００４４】
画素電極３４は、発光機能層３６に正孔を供給するための電極である。画素電極３４は、光透過性を有し、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性材料で形成され、反射膜３２と平面的に重なって、画素１１毎に配置されている。さらに、Ｒ画素１１Ｒの画素電極（Ｒ画素電極）３４Ｒ、Ｇ画素１１Ｇの画素電極（Ｇ画素電極）３４Ｇ、及びＢ画素１１Ｂの画素電極（Ｂ画素電極）３４Ｂは、それぞれ膜厚が異なっている。その結果、反射膜３２と対向電極３７との間の光透過性材料（絶縁膜３３、画素電極３４、発光機能層３６）の光学的距離が、Ｒ画素１１ＲにおいてはＲ光を共振させる光路長になっている。同様に、Ｇ画素１１ＧにおいてはＧ光を共振させる光路長、及びＢ画素１１ＧにおいてはＢ光を共振させる光路長になっている。
【００４５】
絶縁膜３５は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの光透過性の絶縁膜であり、画素電極３４の周縁部を覆って形成されている。その結果、画素電極３４の段差部は絶縁膜３５によって覆われている。
【００４６】
発光機能層３６は、表示領域１０を覆って形成されている。発光機能層３６は、電流が流れると白色に発光し、少なくとも有機発光層を有している。有機発光層は、赤色、緑色および青色の光成分を有する光を発する。有機発光層は、単層でもよいし、複数の層（例えば、電流が流れると主に青色で発光する青色発光層と、電流が流れると赤色と緑色を含む光を発する黄色発光層）で構成されていてもよい。図示を省略するが、発光機能層３６は、有機発光層のほかに、正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層などの層を有していてもよい。
【００４７】
対向電極３７は、発光機能層３６に電子を供給するための電極である。対向電極３７は、画素電極３４の絶縁膜３５で覆われていない領域（開口領域）に対向配置されている。対向電極３７は、光反射性及び光透過性（半透明半反射性）を有し、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金で構成されている。対向電極３７の構成材料は、ＭｇとＡｇとの合金の他に、Ａｌなどの金属膜を使用することができる。これら金属膜を１０ｎｍ以下に薄膜化することで、光反射性の機能に加えて、光透過性の機能を付与することができる。
【００４８】
対向電極３７は、発光機能層３６で発した光を反射する一対の反射層の中の他方の反射層である。その結果、発光機能層３６で発した光は、反射膜３２と対向電極３７との間で繰り返し反射される。上述したように、反射膜３２と対向電極３７との間の光学的距離は、画素１１ごとに特定波長域の光を共振させる光路長に設定されている。その結果、当該光共振構造によって、特定波長域の光は増幅され、特定波長域以外の光は減衰されるので、Ｒ画素１１ＲからはＲ光が、Ｇ画素１１ＧからはＧ光が、及びＢ画素１１ＢからはＢ光が、対向基板５０に射出されることになる。
【００４９】
このように、素子基板３０は、反射膜３２と対向電極３７との間で、発光機能層３６で発した光を共振させる光共振構造を有している。また、本実施形態では、絶縁膜３３の膜厚を一定とし、画素電極３４の膜厚を変化させたが、画素電極３４の膜厚を一定とし、絶縁膜３３の膜厚を変化させた構成であっても良い。
【００５０】
共通電極３８は、対向電極３７と隣り合う対向電極３７との間に形成されている。共通電極３８及び対向電極３７は、同じ材料（ＭｇとＡｇとの合金）によって、発光機能層３６に接して（同じ層に）形成されている。すなわち、共通電極３８及び対向電極３７は、同じ工程で形成されている。なお、図中の網掛け領域が、共通電極３８である。
【００５１】
封止層３９は、発光機能層３６や対向電極３７の劣化を抑制するパッシベーション膜であり、ＳｉＮや酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）などの絶縁膜によって、表示領域１０を覆って形成されている。封止層３９は、酸素や水分を遮断し、発光機能層３６や対向電極３７の劣化を抑制している。
【００５２】
次に、対向基板５０の構成を説明する。
対向基板５０は、対向基板本体５１、カラーフィルター５２、及び遮光膜５５で構成されている。
【００５３】
対向基板本体５１は、例えば、石英、無アルカリガラスなどの光透過性材料で構成されている。Ｒ画素１１Ｒに対応する位置にはＲ光を透過するカラーフィルター（Ｒフィルター）５２Ｒが、Ｇ画素１１Ｇに対応する位置にはＧ光を透過するカラーフィルター（Ｇフィルター）５２Ｇが、Ｂ画素１１Ｂに対応する位置にはＢ光を透過するカラーフィルター（Ｂフィルター）５２Ｂが形成されている。Ｒフィルター５２Ｒ、Ｇフィルター５２Ｇ、及びＢフィルター５２Ｂは、素子基板３０から発したＲ光、Ｇ光、及びＢ光の色純度を高める役割を有している。遮光膜５５は、例えばＣｒなどの遮光性材料で形成され、各カラーフィルター５２の間隙に形成されている。遮光膜５５は、いわゆる不要な光を遮光するブラックマトリックスであり、表示領域１０で表示された画像の表示コントラストを高める機能を有している。
なお、本実施形態ではカラーフィルター５２を対向基板５０側に形成しているが、カラーフィルター５２を素子基板３０側に形成する構成であっても良い。
【００５４】
「素子基板の概要」
図５は、本実施形態に係る素子基板における、図１の右上に拡大して示された表示領域の平面図である。図５では、素子基板３０の構成を分かりやすくするために、封止層３９及び発光機能層３６の図示が省略されている。また、図中で発光素子１６が形成された領域はハッチング領域で、共通電極３８は網掛け領域で図示されている。以下、図５を参照して、素子基板３０の概要を説明する。
【００５５】
上述したように、発光素子１６は、画素電極３４、発光機能層３６、及び対向電極３７で構成されている。画素電極３４から正孔が供給され、対向電極３７から電子が供給され、発光機能層３６の中で正孔と電子とが再結合することで、発光機能層３６が発光する。
図５に示すように、画素電極３４は画素１１毎に島状に形成されている。画素電極３４の周縁部は絶縁膜３５で覆われており、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４が、発光機能層３６に正孔を供給する電極（陽極）になる。図中のＷ２は、絶縁膜で覆われていない領域の画素電極３４の巾（Ｘ軸方向の長さ）を示している。以下、絶縁膜で覆われていない領域の画素電極３４を、陽極と称する場合がある。
【００５６】
発光機能層３６は、表示領域１０を覆って形成されている、すなわち隣り合う画素１１に跨って形成されている（図４参照）。
【００５７】
対向電極３７は、画素電極３４の絶縁膜３５で覆われていない領域に対向配置され、Ｙ軸方向に配列された複数の画素電極３４に跨って形成されている。対向電極３７は、Ｙ軸（＋）方向に延在する帯状の電極となっており、表示領域１０に複数配置されている。図中のＷ１は、対向電極３７の巾（Ｘ軸方向の長さ）を示している。Ｗ１（対向電極３７の巾）は、Ｗ２（陽極の巾）とは略同じ寸法になっている。
なお、本明細書において、同じ寸法とは製造プロセス上生じる誤差を含む。
【００５８】
発光素子１６は、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、対向電極３７とが平面的に重なった領域に形成されている。図中のハッチング領域が、発光素子１６が形成されている領域（以下、発光素子１６と称す）となる。
発光素子１６は、Ｙ軸方向に横長となった矩形状になっている。発光素子１６の短辺側の辺（Ｘ軸方向に沿った辺）と、隣り合う発光素子１６の短辺側の辺との間には、画素電極３４と駆動用ＴＦＴ１４（図２参照）とを電気的に接続するコンタクト領域１７が配置されている。
【００５９】
対向電極３７と隣り合う対向電極３７との間、すなわち発光素子１６と隣り合う発光素子１６との間の領域（以下、素子間領域と称す）には共通電極３８が形成されている。仮に、画素電極３４と共通電極３８との間の電圧が、発光機能層３６が発光する最低電圧Ｖｔｈ（概略３Ｖ）より大きくなると、素子間領域の発光機能層３６が発光するおそれがある。また、画素電極３４と共通電極３８との間の電圧が、発光機能層３６が発光する最低電圧Ｖｔｈ（概略３Ｖ）より小さくなると、素子間領域の発光機能層３６の発光が抑制される。
本実施形態では、共通電極３８に素子間領域の発光を抑制するために好適な電圧が供給されている。以下に、その詳細を説明する。
【００６０】
上述したように、隣り合う帯状の対向電極３７の間には、帯状の対向電極３７に沿う方向に（Ｙ軸方向に延在して）帯状の共通電極３８が配置されている。共通電極３８には、５Ｖの一定電圧が供給されている。以下、共通電極３８の電圧を符号Ｖｃで示す。
【００６１】
共通電極３８及び対向電極３７は、同一工程で、同じ材料（ＭｇとＡｇとの合金）で発光機能層３６の上に形成（微細加工）されている。発光機能層３６は水分で劣化しやすいので、対向電極３７及び共通電極３８を微細加工する工程では、水の使用は好ましくない。すなわち、対向電極３７及び共通電極３８は、水を使用しないドライプロセスで微細加工することが好ましい。
【００６２】
例えば、対向電極３７及び共通電極３８を形成しない領域に細線（ワイヤーマスク）が配置された状態でＭｇとＡｇとの合金を蒸着し、その後で当該ワイヤーマスクを剥離することで、上述した帯状の対向電極３７及び帯状の共通電極３８を形成することができる。または、ＭｇとＡｇとの合金を蒸着した後に、対向電極３７及び共通電極３８を形成しない領域にレーザービームを照射し、ＭｇとＡｇとの合金を蒸発させる、いわゆるレーザーアブレーション法によっても、上述した帯状の対向電極３７及び帯状の共通電極３８を形成することができる。あるいは、上述した帯状の対向電極３７及び帯状の共通電極３８は、イオンビームを利用した微細加工法（膜の選択的な除去、または膜の選択的な堆積）によっても形成することができる。
【００６３】
Ｘ軸方向において、複数配列されている画素のうちの１の画素１１ａの画素電極３４ａと、隣り合う画素１１ｂの対向電極３７ｂとの間には、共通電極３８が形成されている。ここで、画素電極３４ａと隣り合う共通電極３８との間の電圧をＶｐｃ、及び共通電極３８と隣り合う対向電極３７ｂとの間の電圧をＶｃｏとする。
画素電極３４ａと隣り合う共通電極３８との間の電圧Ｖｐｃは、以下に示す式（１）で表される（画素電極３４ａの電圧はＶｐ、共通電極３８の電圧はＶｃ）。
Ｖｐｃ＝Ｖｐ−Ｖｃ…式（１）
また、共通電極３８と隣り合う対向電極３７ｂとの間の電圧Ｖｃｏは、以下に示す式（２）で表される（対向電極３７ｂの電圧はＶｏ）。
Ｖｃｏ＝Ｖｃ−Ｖｏ…式（２）
【００６４】
本実施形態では、Ｖｐ＝０〜５Ｖ、Ｖｃ＝５Ｖであるので、Ｖｐｃ＝０〜−５Ｖとなる。画素電極３４ａの電圧Ｖｐの値に関係なく、画素電極３４ａと隣り合う共通電極３８間の電圧をＶｐｃは、発光機能層３６が発光する最低電圧Ｖｔｈ（概略３Ｖ）より小さくなっている。従って、画素電極３４ａと隣り合う共通電極３８との間の発光機能層３６、すなわち素子間領域の発光機能層３６は、画素電極３４ａと共通電極３８との間の電圧に起因して発光することがない。
【００６５】
また、本実施形態では、Ｖｃ＝５Ｖ、Ｖｏ＝０Ｖであるので、Ｖｃｏ＝５Ｖとなる。共通電極３８と隣り合う対向電極３７ｂとの間の電圧Ｖｃｏ（５Ｖ）によって、共通電極３８と対向電極３７ｂとの間でリーク電流が流れたとしても、共通電極３８及び対向電極３７ｂと接する発光機能層３６の表面層に電流が流れ、発光機能層３６のうちの有機発光層まで到達しないので、発光機能層３６の発光は抑制される。
【００６６】
画素電極３４ａに供給される最大電圧をＶｐ（Ｍａｘ）とすると、以下に示す式（３）の関係を満足すれば、画素電極３４ａと隣り合う共通電極３８ｂとの間の電圧Ｖｐｃは、画素電極３４ａの電圧Ｖｐに関係なく、発光機能層３６が発光する最低電圧Ｖｔｈよりも小さくなり、発光機能層３６の発光が抑制される。
Ｖｐｃ＝Ｖｐ（Ｍａｘ）−Ｖｃ＜Ｖｔｈ…式（３）
式（３）より、共通電極３８の電圧Ｖｃが以下に示す式（４）を満足すれば、画素電極３４ａの電圧Ｖｐに関係なく、発光機能層３６の発光が抑制される。
Ｖｐ（Ｍａｘ）−Ｖｔｈ＜Ｖｃ…式（４）
【００６７】
このように、共通電極３８の電圧Ｖｃを、画素電極３４ａの最大電圧Ｖｐ（Ｍａｘ）から発光素子１６（発光機能層３６）が発光する最低電圧Ｖｔｈを減じた電圧より大きくすると、画素電極３４ａの電圧Ｖｐの値に関係なく、画素電極３４ａと共通電極３８との間の発光機能層３６、すなわち素子間領域の発光機能層３６の発光が抑制される。
さらに、対向電極３７ｂよりも高い電圧が印加された、画素電極３４ａと共通電極３８とが作る電界によっても、発光機能層３６を発光させるキャリア（主に正孔）が横方向に流れることが抑制される。従って、画素電極３４ａと共通電極３８とが作る電界によっても、素子間領域における発光機能層３６の発光が抑制される。
【００６８】
共通電極３８は、発光素子１６の長辺（Ｙ軸方向に沿った辺）に沿って形成され、発光素子１６の長辺に近接した側の素子間領域の発光機能層３６の発光が抑制されている。なお、発光素子１６の短辺（Ｘ軸方向に沿った辺）に近接した側の素子間領域には、共通電極３８が形成されていないので、画素電極３４ａの電圧Ｖｐによっては、発光素子１６の短辺に近接した側の素子間領域の発光機能層３６が発光する場合がある。但し、発光素子１６の短辺側では、素子間領域の発光面積は小さくなっているので、目立ちにくく、仮に発光したとしても表示への影響は小さい。
【００６９】
「対向電極及び共通電極の配線」
図６は、本実施形態に係る表示装置の対向電極及び共通電極の配線状態を示す等価回路図である。図６では、対向電極３７及び共通電極３８の配線状態を分かりやすくする為に、対向電極３７及び共通電極３８の配線に関与しない構成要素の図示が省略されている。
【００７０】
図６に示すように、表示領域１０においては、帯状の対向電極３７及び帯状の共通電極３８は、交互に配列されたストライプ配列になっている。そして、帯状の対向電極３７及び帯状の共通電極３８は、表示領域１０の周辺、すなわち表示領域１０と素子基板３０の外縁との間で表示領域１０に近接した領域まで延在している。
【００７１】
表示領域１０の周辺には、対向電極幹配線４１が配置され、複数の帯状の対向電極３７が対向電極幹配線４１に接続されている。すなわち、複数の帯状の対向電極３７は、表示領域１０の周辺で互いに電気的に接続されている。換言すれば、複数の帯状の対向電極３７と対向電極幹配線４１とによって、表示領域１０の周辺で分岐した櫛歯状の電極が形成されている。
【００７２】
例えば、対向電極幹配線４１は、対向電極３７と同じ材料（ＭｇとＡｇとの合金）であって、対向電極３７と同一工程で形成しても良い。例えば、対向電極幹配線４１は、反射膜３２と同じ材料であって、コンタクトホールを介して帯状の対向電極３７に接続する構成であっても良い。例えば、対向電極幹配線４１は、素子基板本体３１に形成されているＴＦＴ１３，１４を構成する金属膜であって、コンタクホールを介して帯状の対向電極３７に接続する構成であっても良い。
【００７３】
同様に、表示領域１０の周辺には、共通電極幹配線４２が配置され、複数の帯状の共通電極３８が共通電極幹配線４２に接続されている。すなわち、複数の帯状の共通電極３８は、表示領域１０の周辺で互いに電気的に接続されている。換言すれば、複数の帯状の共通電極３８と共通電極幹配線４２とによって、表示領域１０の周辺で分岐した櫛歯状の電極が形成されている。
【００７４】
例えば、共通電極幹配線４２は、共通電極３８と同じ材料（ＭｇとＡｇとの合金）であって、共通電極３８と同一工程で形成しても良い。例えば、共通電極幹配線４２は、反射膜３２と同じ材料であって、コンタクトホールを介して帯状の共通電極３８に接続する構成であっても良い。例えば、共通電極幹配線４２は、素子基板本体３１に形成されているＴＦＴ１３，１４を構成する金属膜であって、コンタクホールを介して帯状の共通電極３８に接続する構成であっても良い。
【００７５】
なお、対向電極幹配線４１及び共通電極幹配線４２は、表示領域１０の一辺に配置されているが、これに限定されず、例えば表示領域１０の対向する二辺にそれぞれ配置する構成であっても良く、例えば表示領域１０を囲むように配置する構成であっても良い。
【００７６】
以上述べたように、本実施形態に係る表示装置１によれば、以下の効果を得ることができる。
素子基板３０は、反射膜３２と対向電極３７との間で、発光機能層３６で発した光を共振させる光共振構造を有し、画素１１から特定波長域の光（Ｒ光、Ｇ光、Ｂ光）が増幅され対向基板５０側に射出されるようになっている。さらに、対向基板５０には素子基板３０から射出された光の色純度を高めるカラーフィルター５２が形成されている。従って、表示装置１から発した光は、色純度に優れ、鮮やかなフルカラー表示を提供することができる。
【００７７】
帯状の対向電極３７と隣り合う帯状の対向電極３７との間、すなわち素子間領域には共通電極３８が配置され、共通電極３８と画素電極３４との間の電圧が、画素電極３４の電圧Ｖｐに関係なく、発光機能層３６を発光させる最低電圧Ｖｔｈよりも小さくなっているので、素子間領域の発光機能層３６の発光を抑制することができる。従って、素子間領域の発光機能層３６の発光による表示コントラスト低下や表示色（色味）の変化などの不具合が抑制され、高品質の表示を提供することができる。
【００７８】
本発明の表示装置１は、画素１１と隣り合う画素１１との間隙が極めて小さい、１インチ未満の表示サイズのマイクロディスプレイ（超小型表示装置）における表示の高品質化に好適な構成を有しているが、１インチ以上の表示サイズの表示装置に適用させても、同様の効果を得ることができる。
【００７９】
（実施形態２）
図７は、実施形態２に係る表示装置の断面図であり、図４に対応している。図８は、素子基板の平面図であり、図５に対応している。図７では、素子基板３０の構成を分かりやすくするために、封止層３９及び発光機能層３６の図示が省略されている。
以下、図７乃至図８を参照して、本実施形態に係る表示装置２を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００８０】
本実施形態に係る表示装置２は、表示パネル５の構成が実施形態１と異なっている。詳しくは、実施形態１の表示パネル５では、対向電極３７と同層に共通電極３８が形成されていたが、本実施形態の表示パネル５では、共通電極３８が形成されていない。この点が実施形態１との主な相違点である。
【００８１】
「表示パネルの概要」
図７に示すように、表示パネル５のＺ軸（＋）方向には、素子基板３０及び対向基板５０が、この順に積層されている。そして、素子基板３０のＺ軸（＋）方向には、素子基板本体３１、反射膜３２、絶縁膜３３、画素電極３４、絶縁膜３５、発光機能層３６、対向電極３７、及び封止層３９が、この順に積層されている。
【００８２】
図８に示すように、対向電極３７は、画素電極３４の絶縁膜３５で覆われていない領域に対向配置され、Ｙ軸方向に配列された複数の画素電極３４に跨って形成されている。対向電極３７の巾（Ｘ軸方向の長さ）Ｗ１は、絶縁膜で覆われていない領域の画素電極３４の巾Ｗ２よりも小さくなっている。
【００８３】
実施形態１ではＷ１＝Ｗ２であったが、本実施形態ではＷ１＜Ｗ２という関係にあり、この点も実施形態１と異なっている。Ｗ１＜Ｗ２という関係にあるため、Ｘ軸方向において、対向電極３７と隣り合う対向電極３７との間隔（スペース）Ｗ３は、実施形態１と比べて大きくなっている。
【００８４】
発光素子１６は、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、対向電極３７とが平面的に重なった領域に形成されている。Ｗ１＜Ｗ２という関係にあるので、Ｘ軸方向において、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４は、発光素子１６からはみ出して形成されている。
【００８５】
絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間のリーク電流によって、発光素子１６が形成されていない素子間領域の発光機能層３６が発光する場合がある。本実施形態では、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間の間隔Ｗ３が長くなっている。すなわち、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間の抵抗成分が大きくなっているので、画素電極３４と隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間でリーク電流が流れにくくなっている。よって、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間の発光機能層３６、すなわち素子間領域の発光機能層３６の発光を抑制することができる。
従って、共通電極３８を形成しなくても、対向電極３７と隣り合う対向電極３７との間の間隔Ｗ３を大きくすることで、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間のリーク電流が小さくなり、素子間領域の発光機能層３６の発光を抑制することができる。
【００８６】
なお、発光素子１６の短辺（Ｘ軸方向に沿った辺）に近接した側の素子間領域は、対向電極３７で覆われているので、画素電極３４の電圧Ｖｐによっては、発光素子１６の短辺に近接した側の素子間領域の発光機能層３６が発光する場合がある。但し、発光素子１６の短辺に近接した側では、素子間領域の発光面積は小さくなっているので、目立ちにくく、仮に発光したとしても表示への影響は小さい。
【００８７】
以上述べたように、本実施形態に係る表示装置２によれば、共振構造＋カラーフィルター５２によって表示装置１から発する光の色純度を高めることができるという実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と、隣り合う発光素子１６の対向電極３７との間の間隔Ｗ３が長くなっているので、共通電極３８を形成しなくても、絶縁膜３５で覆われていない領域の画素電極３４と隣り合う発光機能層３６の対向電極３７との間の発光機能層３６、すなわち素子間領域の発光機能層３６の発光を抑制することができる。従って、素子間領域の発光機能層３６の発光による表示コントラスト低下や表示色（色味）の変化などの不具合が抑制され、高品質の表示を提供することができる。
【００８８】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００８９】
（変形例１）
図９は、変形例１に係る表示装置の断面図であり、図４に対応している。
本変形例に係る表示装置３は、着色層（カラーフィルター）が対向基板５０に形成されていない点が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。以下、図９を参照して、実施形態１との相違点を中心に、本変形例に係る表示装置３の概要を説明する。
【００９０】
表示装置３の構成要素である素子基板３０は、反射膜３２と対向電極３７との間で特定波長域の光を共振させる共振構造が形成されている。詳しくは、反射膜３２と対向電極３７との間の光学的距離は、画素１１ごとに特定波長域の光を共振させる光路長に設定され、特定波長域の光は増幅され、特定波長域以外の光は減衰されるので、Ｒ画素１１ＲからはＲ光が、Ｇ画素１１ＧからはＧ光が、及びＢ画素１１ＢからはＢ光が、対向基板５０側（Ｚ軸（＋）方向）に射出される。その結果、カラーフィルターを形成しなくても、Ｒ画素１１ＲからはＲ光、Ｇ画素１１ＧからはＧ光、及びＢ画素１１からはＢ光がＺ軸（＋）方向に射出され、フルカラーの表示が提供される。
【００９１】
本変形例に係る表示装置３によれば、素子間領域の発光機能層３６の発光が抑制されるという実施形態１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
画素１１で発した光は、カラーフィルターを通過せずに外部に直接射出されるので、カラーフィルターにおける光の吸収が解消される。その結果、カラーフィルター５２を有する実施形態１の表示装置１と比べて、より明るい表示を提供することができる。
【００９２】
（変形例２）
図１０は、変形例２に係る表示装置の断面図であり、図９に対応している。
本変形例に係る表示装置４は、素子基板３０の共通電極３８が遮光性を有している点及び対向基板５０に遮光膜５５が形成されていない点が、上述した変形例１と異なる。
【００９３】
対向電極３７及び共通電極３８は、同一材料（ＭｇとＡｇとの合金）で構成されている。ＭｇとＡｇとの合金を１０ｎｍ以下に薄膜化すると、光を反射する性質（反射性）に加えて光を透過する性質（光透過性）が付与される。また、ＭｇとＡｇとの合金を数十ｎｍ以上に厚膜化すると、光を反射する性質（反射性）に加えて光を遮光する性質（遮光性）が付与される。本変形例では、対向電極３７の膜厚は１０ｎｍ以下、及び共通電極３８の膜厚は数十ｎｍ以上となっている。その結果、共通電極３８には、光透過性及び光反射性という性質が付与され、共通電極３８には、光遮光性及び光反射性という性質が付与されている。
【００９４】
共通電極３８は、発光機能層３６が発光しない素子間領域に形成され、素子間領域を遮光している。その結果、対向基板５０に遮光膜（ブラックマトリックス）を形成しなくても、共通電極３８によって不要な光を遮光することができる。すなわち、共通電極３８はブラックマトリックスとしての機能を有している。
【００９５】
このような対向電極３７及び共通電極３８は、ＭｇとＡｇとの合金を複数回に分けて蒸着することで形成することができる。最初に、第１層のＭｇとＡｇとの合金を蒸着し、共通電極３８以外の領域にレーザービームを照射し、共通電極３８以外の領域のＭｇとＡｇとの合金を蒸発させる。次に、対向電極３７の膜厚条件で、第２層のＭｇとＡｇとの合金を蒸着し、対向電極３７及び共通電極３８以外の領域にレーザービームを照射し、対向電極３７及び共通電極３８以外の領域のＭｇとＡｇとの合金を蒸発させる。その結果、対向電極３７は第２層のＭｇとＡｇとの合金によって形成され、共通電極３８は第１層のＭｇとＡｇとの合金及び第２層のＭｇとＡｇとの合金の積層膜によって形成することができる。
なお、対向電極３７及び共通電極３８は、同じ材料で構成しても良いし、異なる材料で構成しても良い。
【００９６】
本変形例に係る表示装置４によれば、変形例１での効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
共通電極３８は遮光膜（ブラックマトリックス）として機能しているので、対向基板５０に遮光膜を形成しなくても不要な光を遮光し、表示コントラストを向上させることができる。
【００９７】
＜電子機器＞
次に、本実施形態に係る電子機器について、図１１を参照して説明する。図１１（ａ）はヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）を示す斜視図であり、図１１（ｂ）はデジタルカメラを示す概略平面図である。
【００９８】
図１１（ａ）に示すように、電子機器としてのＨＭＤ１００は、観測者の頭部に装着するための環状の支持部１０１と、観測者の左右の眼に対して画像を表示する表示部１０２とを有している。表示部１０２には、上記実施形態または変形例に係る表示装置１〜表示装置４のいずれかが搭載されている。
【００９９】
図１１（ｂ）に示すように、本実施形態の他の電子機器としてのデジタルカメラ２００は、撮像素子などの光学系を有する本体２０１を有している。本体２０１には、撮像した画像などを表示するモニター２０２と、被写体を視認するための電子ビューファインダー２０３とが設けられている。電子ビューファインダー２０３には、上記実施形態または変形例に係る表示装置１乃至表示装置４のいずれかが搭載されている。
表示部１０２及び電子ビューファインダー２０３は、いずれも同程度の画素密度を有するマイクロディスプレイであり、微細な画素が配置されている。表示部１０２及び電子ビューファインダー２０３には、本実施形態または本変形例に係る表示装置１〜表示装置４が適用されているので、素子間領域の発光機能層３６の発光による表示コントラスト低下や表示色（色味）の変化などの不具合が抑制され、高品質の表示が提供される。
【０１００】
さらに、本発明の表示装置は、上述したＨＭＤまたはデジタルカメラの他に、モバイルコンピューター、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、及び情報端末機器など各種電子機器の表示部に適用させることもできる。
【符号の説明】
【０１０１】
１，２，３，４…表示装置、５…表示パネル、１０…表示領域、１１…画素、１２…表示単位、１３…スイッチング用ＴＦＴ、１４…駆動用ＴＦＴ、１５…保持容量、１６…発光素子、１７…コンタクト領域、２１…走査線、２２…データ線、２３…電源供給線、２４…走査線駆動回路、２５…データ線駆動回路、２８…フレキシブル基板、２９…駆動用ＩＣ、３０…素子基板、３１…素子基板本体、３２…反射膜、３３…絶縁膜、３４…画素電極、３５…絶縁膜、３６…発光機能層、３７…対向電極、３８…共通電極、３９…封止層、４１…対向電極幹配線、４２…共通電極幹配線、５０…対向基板、５１…対向基板本体、５２…カラーフィルター、５５…遮光膜、１００…ＨＭＤ、１０１…支持部、１０２…表示部、２００…デジタルカメラ、２０１…本体、２０２…モニター、２０３…電子ビューファインダー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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