(57)【要約】【課題】内部電極を有するセラミック素体の１つの面に複数の外部電極が形成された積層セラミック電子部品の製造方法であって、生産性を向上させながら、小型・大容量化を図ることができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】内部電極パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが積層され、内部電極パターンを１つの面の異なる位置に引き出すための複数の引出し電極パターンが形成されるとともに、引出し電極パターンが引き出された面以外の面において内部電極パターンの端部が露出した積層体チップ５０が準備される。積層体チップ５０の引出し電極パターンが引き出された面を吸着板５２で吸着し、吸着板５２で吸着された積層体チップ５０をセラミックペースト槽５４に浸漬することにより、内部電極パターンの露出部分がセラミックペーストで覆われる。【選択図】図６
2014187304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部において積層された複数の内部電極を有するセラミック素体と、前記セラミック素体の１つの面の異なる位置に前記内部電極を引き出すための複数の引出し電極と、前記セラミック素体の１つの面において前記引出し電極に接続される複数の外部電極とを含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、
内部電極パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが積層され、前記内部電極パターンを１つの面の異なる位置に引き出すための複数の引出し電極パターンが形成されるとともに、前記引出し電極パターンが引き出された面以外の面において前記内部電極パターンの端部が露出した積層体チップを準備する工程、
前記積層体チップの前記引出し電極パターンが引き出された面を吸着板で吸着する工程、および
前記吸着板で吸着された前記積層体チップをセラミックペースト槽に浸漬することにより前記内部電極パターンの露出部分をセラミックペーストで覆う工程を含む、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記内部電極パターンの露出部分をセラミックペーストで覆った前記積層体チップを焼成して前記内部電極と前記引出し電極とを有する前記セラミック素体を形成する工程、および
前記セラミック素体の１つの面に引き出された前記引出し電極に接続される前記外部電極を形成する工程を含む、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記セラミック素体の前記引出し電極が引き出された部分に電極ペーストを塗布・乾燥し焼き付けることにより、または、めっき法、スパッタ法により、前記外部電極が形成される、請求項２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品の製造方法に関し、特にたとえば、内部電極を有するセラミック素体の１つの面に複数の外部電極が形成された積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル電子機器の小型化が進んでいる。モバイル電子機器には、多数の積層セラミック電子部品が搭載されているが、モバイル電子機器の小型化に伴って、積層セラミック電子部品についても小型化が要求されている。さらに、内部電極を有するセラミック素体の両端面に外部電極を形成した積層セラミック電子部品では、回路基板の配線パターンに実装するために、外部電極と配線パターンとの間に山の裾野のように広がる半田フィレットを形成することが必要となる。そのため、積層セラミック電子部品の端面から半田フィレットの分だけ回路基板の配線パターンを大きく形成する必要があり、積層セラミック電子部品の実装スペースが大きくなる。ところが、モバイル電子機器の小型化に伴って、積層セラミック電子部品の小型化に加えて、回路基板に実装される部品同士の実装間隔を小さくして、その実装スペースを小さくすることも要求されている。
【０００３】
そこで、図１０に示すように、回路基板への実装面に垂直になるように内部電極２が形成され、実装面に形成された外部電極３に内部電極２が引き出された積層セラミック電子部品１がある。このような積層セラミック電子部品１では、１つの実装面に形成された外部電極３によって回路基板の配線パターンに実装することができるため、積層セラミック電子部品の端部から外側に広がる半田フィレットが不要であり、積層セラミック電子部品１の実装スペースを小さくすることができる（特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、積層セラミックコンデンサなどにおいては、部品の小型化や実装スペースの低減だけでなく、大容量化も要求されており、規格の寸法を変えることなく容量を大きくすることが求められている。そこで、図１１に示すように、積層されたセラミックグリーンシート４の幅方向Ｗの寸法と内部電極パターン５の幅方向Ｗの寸法を同じにして、側面に内部電極パターン５の端部が露出したセラミック積層体６を用いて積層セラミックコンデンサを形成する方法がある。この方法においては、図１２に示すように、セラミック積層体６がホルダー７で保持されて、セラミック積層体６の幅方向Ｗの両側における内部電極パターン５の露出面にセラミックグリーンシート８を貼り付け、これを焼成することによりセラミック素体が形成される。得られたセラミック素体では、貼り付けられたセラミックグリーンシート８が焼成されたサイドマージン領域によって内部電極の端部の外側が覆われ、セラミック素体の幅方向の端部における絶縁性が確保される。ここで、サイドマージン領域の厚みを薄くすることにより、規格の寸法を有するセラミック素体であっても、内部電極を大きくすることができ、大容量の積層セラミックコンデンサを得ることができる（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２８９８３７号公報
【特許文献１】特開平６−３４９６６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、内部電極パターンの端部が露出した面にセラミックグリーンシートを貼り付ける方法では、外部電極が形成される面以外の内部電極パターンが露出した全ての面にセラミックグリーンシートを貼り付ける必用がある。たとえば、特許文献２のように、セラミック積層体の対向する両端面に外部電極が形成される場合、内部電極パターンの端部が露出するセラミック積層体の２つの対向側面にセラミックグリーンシートを貼り付ける必用があり、生産性が低下するという問題がある。
【０００７】
また、図１０に示すように、セラミック素体の１つの面に２つの外部電極を形成するために、セラミック積層体の１つの面に内部電極を引き出した積層セラミック電子部品において、３つの面に内部電極の端部が露出している場合、セラミック積層体の３つの面にセラミックグリーンシートを貼り付ける必要があり、さらに生産性が低下する。
【０００８】
それゆえに、この発明の主たる目的は、内部電極を有するセラミック素体の１つの面に複数の外部電極が形成された積層セラミック電子部品の製造方法であって、生産性を向上させながら、小型・大容量化を図ることができる積層セラミック電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、内部において積層された複数の内部電極を有するセラミック素体と、セラミック素体の１つの面の異なる位置に内部電極を引き出すための複数の引出し電極と、セラミック素体の１つの面において引出し電極に接続される複数の外部電極とを含む積層セラミック電子部品の製造方法であって、内部電極パターンが形成された複数のセラミックグリーンシートが積層され、内部電極パターンを１つの面の異なる位置に引き出すための複数の引出し電極パターンが形成されるとともに、引出し電極パターンが引き出された面以外の面において内部電極パターンの端部が露出した積層体チップを準備する工程と、積層体チップの引出し電極パターンが引き出された面を吸着板で吸着する工程と、吸着板で吸着された積層体チップをセラミックペースト槽に浸漬することにより内部電極パターンの露出部分をセラミックペーストで覆う工程とを含む、積層セラミック電子部品の製造方法である。
積層体チップの引出し電極パターンが引き出された面を吸着板で吸着し、吸着板で吸着された積層体チップをセラミックペースト槽に浸漬することにより、引出し電極パターンが引き出された面以外の内部電極パターンの露出面をセラミックペーストで覆うことができる。ここで、同じ寸法の積層体チップであっても、内部電極パターンの露出面を覆うセラミックペーストの層を薄くすることにより、内部電極パターンを大きくすることができる。したがって、この積層セラミック電子部品の製造方法を採用することにより、所定の寸法の積層セラミック電子部品であっても、大容量のものを得ることができる。
【００１０】
このような積層セラミック電子部品の製造方法において、さらに、内部電極パターンの露出部分をセラミックペーストで覆った積層体チップを焼成して内部電極と引出し電極とを有するセラミック素体を形成する工程と、セラミック素体の１つの面に引き出された引出し電極に接続される外部電極を形成する工程とを含む。
上述のような方法で作製された積層体チップを焼成することにより内部電極と引出し電極とを有するセラミック素体が形成され、引出し電極に接続される外部電極を形成することにより、積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００１１】
セラミック素体の引出し電極が引き出された部分に電極ペーストを塗布・乾燥し焼き付けることにより、または、めっき法、スパッタ法により、外部電極を形成することができる。
外部電極の形成方法としては、電極ペーストの焼き付け、めっき法、スパッタ法などの方法を採用することができる。
【００１２】
また、積層体チップを準備する工程は、所定の形状の導電性ペースト層を形成した複数のセラミックグリーンシートを積層することによりマザー積層体を形成する工程と、導電性ペースト層がない部分と導電性ペースト層が連続した部分とが交互に切断されるようにマザー積層体を切断することにより引出し電極パターンが露出した面が形成されるとともに、導電性ペースト層の連続した部分でマザー積層体を切断することにより内部電極パターンの端部が露出した面が形成された積層体チップを得る工程とを含むことができる。
所定の形状の導電性ペースト層を形成した複数のセラミックグリーンシートを積層することにより、マザー積層体を得ることができる。マザー積層体を切断することにより、内部電極パターンと引出し電極パターンとを有する積層体チップを得ることができる。このとき、導電性ペースト層のない部分を切断した面には導電性ペースト層の端部が露出せず、導電性ペースト層が連続した部分を切断した面には導電性ペースト層の端部が露出する。したがって、導電性ペースト層が連続した部分でマザー積層体を切断することにより、内部電極パターンの露出面および引出し電極パターンの露出面を形成することができる。
【００１３】
さらに、積層体チップを準備する工程において、隣接する内部電極パターンが引出し電極によって異なる２つの位置に引き出された積層体チップを準備することができる。
このような積層体チップを用いることにより、２つの外部電極間に静電容量が形成された積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、吸着板で吸着した積層体チップをセラミックペースト槽に浸漬するだけで、内部電極パターンが露出した全ての面をセラミックペーストで覆うことができ、積層セラミック電子部品の製造を容易に行うことができる。また、内部電極パターンの露出面を覆うセラミックペーストの層を薄くすることにより、内部電極パターンの大きい積層体チップとすることができ、大容量の積層セラミック電子部品を得ることができる。
【００１５】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、この発明の方法で製造される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す積層セラミックコンデンサの正面図である。
【図３】図３は、図１および図２に示す積層セラミックコンデンサの分解斜視図である。
【図４】図４は、図１ないし図３に示す積層セラミックコンデンサを製造するための導電性ペースト層が形成されたセラミックグリーンシートを示す平面図である。
【図５】図５（ａ）（ｂ）は、図４に示すセラミックグリーンシートを用いて作製される積層体チップを示す斜視図である。
【図６】図６は、図５に示す積層体チップの内部電極パターン露出面にセラミックペーストを塗布する工程を示す図解図である。
【図７】図７は、この発明の方法で製造される他の積層セラミックコンデンサの分解斜視図である。
【図８】図８は、図７に示す他の積層セラミックコンデンサを製造するための導電性ペースト層が形成されたセラミックグリーンシートを示す平面図である。
【図９】図９（ａ）（ｂ）は、図８に示すセラミックグリーンシートを用いて作製される積層体チップを示す斜視図である。
【図１０】図１０は、従来の積層セラミックコンデンサの一例を示す分解斜視図である。
【図１１】図１１は、従来の他の積層セラミックコンデンサを得るために用いられるセラミック積層体を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、図１１に示すセラミック積層体の内部電極パターン露出部にセラミックグリーンシートを貼り付ける工程を示す図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１はこの発明の方法で製造される積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを示す斜視図であり、図２はその正面図である。積層セラミックコンデンサ１０は、直方体状のセラミック素体１２を含む。セラミック素体１２は、長手方向に沿って、互いに対向する第１の主面１２ａと第２の主面１２ｂ、および互いに対向する第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄが形成され、長手方向の両端に、互いに対向する第１の端面１２ｅと第２の端面１２ｆが形成されている。セラミック素体１２のコーナー部および稜線部には、丸みが形成されていることが好ましい。
【００１８】
セラミック素体１２を構成するセラミック材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＺｒＯ3などを主成分とする誘電体セラミック材料を用いることができる。また、これらの主成分に、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を添加したものを用いてもよい。
【００１９】
なお、ここでは、積層セラミックコンデンサについて説明しているが、圧電体セラミックを用いた場合には積層セラミック電子部品は圧電部品として機能し、半導体セラミックを用いた場合には積層セラミック電子部品はサーミスタとして機能し、磁性体セラミックを用いた場合には積層セラミック電子部品はインダクタとして機能する。なお、積層セラミックコンデンサの場合、セラミックの代わりに、絶縁性樹脂その他の絶縁材料を用いた素体とすることができる。
【００２０】
セラミック素体１２の内部には、図３に示すように、第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂが形成される。第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂは、セラミック素体１２の第１の側面１２ｃおよび第２の側面１２ｄに対向する主面を有し、第１の側面１２ｃと第２の側面１２ｄとを結ぶ方向に積層されている。したがって、第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂは、セラミック素体１２の第１の主面１２ａおよび第２の主面１２ｂに垂直に配置される。第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂは、セラミック素体１２内において交互に積層され、第１の内部電極１４ａの主面と第２の内部電極１４ｂの主面とが互いに対向するように配置される。
【００２１】
第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂは、それぞれ第１の引出し電極１６ａおよび第２の引出し電極１６ｂによってセラミック素体１２の第２の主面１２ｂに引き出される。第１の引出し電極１６ａは、セラミック素体１２の第１の端面１２ｅ側に引き出される。なお、第１の引出し電極１６ａは、第１の端面１２ｅ側に近い位置に引き出されていることが好ましい。また、第２の引出し電極１６ｂは、第１の引出し電極１６ａと間隔を隔てて、セラミック素体１２の第２の端面１２ｆ側に引き出される。なお、第２の引出し電極１６ｂは、第２の端面１２ｆ側に近い位置に引き出されていることが好ましい。第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂは、セラミック素体１２の第１の主面１２ａ、両側面１２ｃ、１２ｄおよび両端面１２ｅ、１２ｆには露出していない。
【００２２】
内部電極１４ａ、１４ｂの材料としては、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。内部電極１４ａ、１４ｂの厚みは、０．３μｍ〜２．０μｍであることが好ましい。また、隣接する内部電極１４ａ、１４ｂ間の間隔は、０．５μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００２３】
セラミック素体１２の第２の主面１２ｂには、第１の引出し電極１６ａおよび第２の引出し電極１６ｂに接続されるようにして、第１の外部電極１８ａおよび第２の引出し電極１８ｂが形成される。第１の外部電極１８ａは、セラミック素体１２の第２の主面１２ｂにおいて、第１の端面１２ｅに沿って形成される。また、第２の外部電極１８ｂは、セラミック素体１２の第２の主面１２ｂにおいて、第１の外部電極１８ａと間隔を隔てて、第２の端面１２ｆに沿って形成される。
【００２４】
第１の外部電極１８ａおよび第２の外部電極１８ｂは、たとえば、下地層とめっき層とで構成される。下地層は、セラミック素体１２の第２の主面１２ｂにおいて、第１の引出し電極１６ａおよび第２の引出し電極１６ｂの露出部を覆うように形成される。下地層は、引出し電極１６ａ、１６ｂの露出部と電気的接合をとり、かつ、水分に対してシールする役割を果たす。下地層は、たとえば、電極ペースト膜の焼き付けによって形成することができるが、めっき法、スパッタ法などによって形成されてもよい。
【００２５】
電極ペースト膜の焼き付けにより下地層を形成する場合、導電性金属とガラスを含む電極ペーストを用いることが好ましい。下地層がガラスを含む電極ペーストを用いて形成される場合、下地層に含まれるガラス成分がセラミックの粒界に侵入して、セラミック素体１２と外部電極１８ａ、１８ｂとの接合強度を高めるため、外部電極１８ａ、１８ｂの固着力の向上、水分侵入の防止に寄与する。
【００２６】
下地層を形成するための電極ペーストに用いられる導電性金属としては、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどを用いることができる。また、この電極ペーストに用いられるガラス成分としては、例えば、Ｂ、Ｓｉ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｌｉ、Ｚｎなどを含むガラスを用いることができる。下地層は、焼成前のセラミック素体１２の端面に電極ペーストを塗布して焼成することにより、内部電極１４ａ、１４ｂを有するセラミック素体１２の形成と同時に外部電極１８ａ、１８ｂの下地層を形成するコファイアにより形成することができる。また、焼成後のセラミック素体１２の端面に電極ペーストを塗布して焼き付けるポストファイアによっても外部電極１８ａ、１８ｂの下地層を形成することができる。電極ペーストの焼き付けによって形成される下地層の厚みとしては、最も厚い部分で、１０μｍ〜５０μｍであることが好ましい。
【００２７】
めっき法によって下地層を形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることができる。下地層をめっき法により形成する場合には、下地層にガラス成分を含まないことが好ましく、めっき膜の金属割合は９９体積％以上であることが好ましい。たとえば、引出し電極１６ａ、１６ｂとしてＮｉを用いた場合、下地層としては、Ｎｉと接合性の良好なＣｕを用いることが好ましい。めっき法によって形成される下地層の厚みは、１〜１５μｍであることが好ましい。
【００２８】
スパッタ法によって下地層を形成する場合、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることができる。スパッタ法によって形成される下地層の厚みは、０．０１〜１．０μｍであることが好ましい。
【００２９】
下地層の上には、めっき層が形成される。めっき層の材料としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、ＢｉおよびＺｎからなる群から選ばれる１種の金属または当該金属を含む合金を用いることができる。また、めっき層は複数の層で形成されてもよく、好ましくは、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層の２層構造である。Ｎｉめっき層は半田バリア性能を有し、Ｓｎめっき層は半田濡れ性を向上させる。めっき膜１層当たりの厚みは、１〜１０μｍであることが好ましい。さらに、下地層とめっき層と間に、応力緩和用の導電性樹脂層が形成されてもよい。このように、第１の引出し電極１６ａおよび第２の引出し電極１６ｂを介して交互に積層された第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂのそれぞれに第１の外部電極１８ａおよび第２の外部電極１８ｂが接続されることにより、これらの外部電極１８ａ、１８ｂ間に静電容量が形成される。
【００３０】
このような積層セラミックコンデンサ１０を製造するために、セラミックグリーンシート、内部電極用導電性ペースト、外部電極用導電性ペーストが準備される。セラミックグリーンシートや各種導電性ペーストには、バインダおよび溶剤が含まれるが、公知の有機バインダや有機溶剤を用いることができる。
【００３１】
まず、主成分であるＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3またはＣａＺｒＯ3と、副成分であるＭｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物またはＮｉ化合物とを所定の比率で秤量してボールミルに投入し、湿式調合が行なわれる。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末が仮焼される。得られた仮焼粉末をボールミルで湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、誘電体セラミック粉末が得られる。この誘電体セラミック粉末に対して有機バインダおよび有機溶剤を加えて、ボールミルによる混合が行われる。このようにして得られたセラミックスラリーをドクターブレード法によってキャリアシート上にシート状に形成し、乾燥させることにより、セラミックグリーンシートが得られる。このセラミックグリーンシートの厚さは、０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００３２】
セラミックグリーンシート上に、例えば、スクリーン印刷などによって、所定のパターンで導電性ペーストを印刷し、導電性ペースト層が形成される。具体的には、セラミックグリーンシート上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ法などの方法で塗布することにより、導電性ペースト層が形成される。導電性材料からなるペーストは、例えば、金属粉末に有機バインダおよび有機溶剤が加えられたものである。
【００３３】
導電性ペースト層としては、例えば図４に示すように、セラミックグリーンシート３０上に、所定の間隔で形成される長方形状の空白部３２を残して、導電性ペースト層３４が形成される。図４では、セラミックグリーンシートを積層した後の切断部が点線で示されている。セラミックグリーンシート３０の切断部は、空白部３２の中央部で交差するようにして、空白部３２および導電性ペースト層３４の連続した部分を交互に通過するように縦横に設定される。さらに、別の切断部が、複数の空白部３２の間における導電性ペースト層３４の連続した部分を通過するように縦横に設定される。
【００３４】
図４に示すような切断部でセラミックグリーンシート３０が切断されることにより、第１の内部電極１４ａとなる第１の内部電極パターン３６ａおよび第１の引出し電極１６ａとなる第１の引出し電極パターン３８ａが形成される第１領域４０ａと、第２の内部電極１４ｂとなる第２の内部電極パターン３６ｂおよび第２の引出し電極１６ｂとなる第２の引出し電極パターン３８ｂが形成される第２領域４０ｂとが形成される。第１領域４０ａにおいては、セラミックグリーンシート３０の切断部の１つの辺の一端側に第１の引出し電極パターン３８ａが引き出され、切断部の他の３つの辺にはその端部まで第１の内部電極パターン３６ａが形成されている。また、第２領域４０ｂにおいては、セラミックグリーンシート３０の切断部の１つの辺の他端側に第２の引出し電極パターン３８ｂが引き出され、切断部の他の３つの辺にはその端部まで第２の内部電極パターン３６ｂが形成されている。
【００３５】
これらの導電性ペースト層３４が形成されたセラミックグリーンシート３０を用いて、マザー積層体が形成される。マザー積層体は、導電性ペースト層が形成されていないセラミックグリーンシート３０を積層し、その上に導電性ペースト層３４が形成されたセラミックグリーンシート３０を積層し、さらに導電性ペースト層が形成されていないセラミッククグリーンシート３０を積層することによって形成される。このとき、導電性ペースト層３４の第１領域４０ａと第２領域４０ｂとが隣接して交互に重なるように、セラミックグリーンシート３０が積層される。この積層体を静水圧プレスなどの方法で積層方向にプレスすることにより、マザー積層体を得ることができる。
【００３６】
図４に示す切断部で積層されたセラミックグリーンシート３０が切断されるようにマザー積層体をカットすることにより、積層体チップ５０が形成される。ここで、導電性ペースト層３４の第１領域４０ａと第２領域４０ｂとが交互に積層されているため、図４に示す導電性ペースト層３４が形成されたセラミックグリーンシート３０を用いた場合、第１の内部電極パターン３６ａと第２の内部電極パターン３６ｂとが互いに対向し、第１の引出し電極パターン３８ａと第２の引出し電極パターン３８ｂとが１つの切断面の両端側に引き出された積層体チップ５０が得られる。この積層体チップ５０では、図５（ａ）（ｂ）に示すように、１つの切断面において、第１の引出し電極パターン３８ａと第２の引出し電極パターン３８ｂとが、積層方向において交互に引き出された構成となる。つまり、積層体チップ５０の１つの切断面の一端側において１層おきに第１の引出し電極パターン３８ａが引き出され、積層体チップ５０の１つの切断面の他端側において１層おきに第２の引出し電極パターン３８ｂが引き出された構成となる。積層体チップ５０の他の３つの切断面には、積層方向において第１の内部電極パターン３６ａおよび第２の内部電極パターン３６ｂが交互に露出している。
【００３７】
このようにして得られた積層体チップ５０の引出し電極パターン３８ａ，３８ｂが引き出された面は、図６に示すように、吸着板５２に吸着される。吸着板５２としては、例えば、粘着板やエアーによる吸引板などを用いることができる。吸着板５２に吸着された積層体チップ５０は、図６に示すように、セラミックペースト槽５４中のセラミックペーストに浸漬される。そののち、積層体チップ５０を引き上げることにより、吸着板５２によって吸着されている面以外の面にセラミックペーストが塗布される。それにより、積層体チップ５０の内部電極パターン３６ａ、３６ｂが露出している面がセラミックペーストで被覆される。ここで用いられるセラミックペーストとしては、セラミックグリーンシート３０を形成するために用いられたものと同じものを使用しても良いし、別に準備したセラミックペーストを使用しても良い。
【００３８】
セラミックペーストで被覆された積層体チップ５０から吸着板５２を取り外して焼成することにより、第１および第２の内部電極１４ａ、１４ｂと第１および第２の引出し電極１６ａ、１６ｂとを有するセラミック素体１２が形成される。セラミック素体１２の第２の主面１２ｂには、第１および第２の引出し電極１６ａ、１６ｂを覆うようにして、第１および第２の外部電極１８ａ、１８ｂのための下地層が形成される。
【００３９】
下地層を形成するために、例えば、第１および第２の引出し電極１６ａ、１６ｂの露出部に電極ペーストが塗布されて焼き付けられる。このとき、焼き付け温度は、７００〜９００℃であることが好ましい。なお、必用に応じて、下地層上に１層以上のめっき膜を形成して、第１および第２の外部電極１８ａ、１８ｂが形成される。
【００４０】
また、下地層を形成するために、第１および第２の引出し電極１６ａ、１６ｂの露出部にめっき処理を施してもよい。めっき処理を行うにあたって、電解めっきおよび無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっき法を用いることが好ましい。なお、必用に応じて、下地層上に１層以上のめっき膜を形成して、第１および第２の外部電極１８ａ、１８ｂが形成される。
【００４１】
さらに、下地層を形成するために、スパッタ法を採用してもよい。この場合、形成する下地層の形状に孔を形成したマスクを準備し、孔に引出し電極１６ａ、１６ｂの露出面を合わせて積層体チップ５０が配置され、それが真空チャンバ内に設置される。そして、真空チャンバ内が真空にされ、その後真空チャンバ内にアルゴンガスが注入されて、高電界をかけてターゲットの金属が積層体チップ５０に付着させられる。ここで、時間などのスパッタ条件を調整することにより、下地層の厚みが調整される。なお、必用に応じて、下地層上に１層以上のめっき膜を形成して、第１および第２の外部電極１８ａ、１８ｂが形成される。
【００４２】
このようにして積層セラミックコンデンサ１０が得られるが、セラミック素体１２を得るために、積層体チップ５０の第１および第２の引出し電極パターン３８ａ、３８ｂの露出面を吸着板５２で吸着し、積層体チップ５０をセラミックペースト槽５４に浸漬させることにより、一度に第１および第２の内部電極パターン３６ａ、３６ｂの露出面をセラミックペーストで覆うことができる。したがって、第１および第２の内部電極パターン３６ａ、３６ｂの複数の露出面にセラミックグリーンシートを貼着する場合のように手間がかからず、積層セラミックコンデンサ１０の生産性を向上させることができる。
【００４３】
さらに、第１および第２の内部電極パターン３６ａ、３６ｂを覆うセラミックペーストの厚みを薄くすることにより、所定の大きさの積層セラミックコンデンサ１０を得る場合に、積層体チップ５０を大きくすることができる。それにより、第１および第２の内部電極パターン３６ａ、３６ｂを大きくして対向面積を大きくすることができ、所定の大きさであっても、大容量の積層セラミックコンデンサ１０を得ることができる。
【００４４】
もちろん、この積層セラミックコンデンサ１０では、セラミック素体１２の１つの面に第１の外部電極１８ａおよび第２の外部電極１８ｂが形成されているため、回路基板への実装時に、セラミック素体１２の端部に半田フィレットを形成する必要がない。そのため、隣接する素子との間隔を小さくすることができ、素子の実装面積を小さくすることができる。
【００４５】
なお、図７に示すように、第１の内部電極１４ａおよび第１の引出し電極１６ａと同じ層に第１のダミー電極２０ａが形成され、第２の内部電極１４ｂおよび第２の引出し電極１６ｂと同じ層に第２のダミー電極２０ｂが形成されてもよい。第１のダミー電極２０ａは隣接して積層される第２の引出し電極１６ｂに対応する位置に形成され、第２のダミー電極２０ｂは隣接して積層される第１の引出し電極１６ａに対応する位置に形成される。ここで、第１のダミー電極２０ａおよび第２のダミー電極２０ｂは、第１の内部電極１４ａおよび第２の内部電極１４ｂには接続されておらず、静電容量の形成には寄与しないものである。
【００４６】
このような積層セラミックコンデンサ１０では、第１の引出し電極１６ａおよび第２のダミー電極２０ｂに接続されるように、第１の外部電極１８ａが形成される。また、第２の引出し電極１６ｂおよび第１のダミー電極２０ａに接続されるように、第２の外部電極１８ｂが形成される。
【００４７】
このような積層セラミックコンデンサ１０を得るために、マザー積層体５０を形成する際に、図８に示すように、セラミックグリーンシート３０上に、矩形波状の空白部３２を残して、導電性ペースト層３４が形成される。このような導電性ペースト層３４が形成されている場合、矩形波状の空白部３２の山の中央部を結ぶ切断部および谷の中央部を結ぶ切断部が設定され、ここでは、導電性ペースト層のない部分と導電性ペースト層３４が連続する部分とが交互に切断される。また、矩形波状の空白部３２の立上がり部および立下り部の中央部を結ぶ切断部が設定され、ここでは、導電性ペースト層のない部分と導電性ペースト層３４が連続した部分とが交互に切断される。さらに、別の切断部が、矩形波状の空白部３２の間の導電性ペースト層３４が連続した部分を通過するように設定される。
【００４８】
このようなパターンの導電性ペースト層３４が形成されている場合、第１領域４０ａにおいては、セラミックグリーンシート３０の切断部の１つの辺の一端側に第１の引出し電極パターン３８ａが引き出され、他端側に第１の引き出し電極パターン３８ａと同様の形状の第１のダミー電極パターン４２ａが引き出される。さらに、切断部の他の３つの辺にはその端部まで第１の内部電極パターン３６ａが形成されている。また、第２領域４０ｂにおいては、セラミックグリーンシート３０の切断部の１つの辺の一端側に第２の引出し電極パターン３８ｂが引き出され、他端側に第２の引き出し電極パターン３８ｂと同様の形状の第２のダミー電極パターン４２ｂが引き出される。さらに、切断部の他の３つの辺にはその端部まで導電性ペースト層３４の第２の内部電極パターン３６ｂが形成されている。
【００４９】
このような導電性ペースト層３４が形成されたセラミックグリーンシート３０を用いた場合、第１の内部電極パターン３６ａと第２の内部電極パターン３６ｂとが互いに対向し、第１の引出し電極パターン３８ａ、第２の引出し電極パターン３８ｂ、第１のダミー電極パターン４２ａおよび第２のダミー電極パターン４２ｂが１つの切断面の両端側に引き出された積層体チップ５０が得られる。この積層体チップ５０では、図９（ａ）（ｂ）に示すように、１つの切断面の一端側において、第１の引出し電極パターン３８ａと第２のダミー電極パターン４２ｂとが交互に引き出され、同じ切断面の他端側において、第２の引出し電極パターン３８ｂと第１のダミー電極パターン４２ａとが交互に引き出された構成となる。したがって、図５に示す積層体チップ５０に比べて、図９に示す積層体チップ５０では、１つの切断面の両端側において、引き出された電極パターンの密度が２倍になっている。積層体チップ５０の他の３つの切断面には、積層方向において第１の内部電極パターン３６ａおよび第２の内部電極パターン３６ｂが交互に露出している。
【００５０】
この積層体チップ５０も、第１および第２の引出し電極パターン３８ａ、３８ｂおよび第１および第２のダミー電極パターン４２ａ、４２ｂが引き出された面が吸着板５２で吸着され、セラミックペースト槽５４に浸漬される。それにより、第１の内部電極パターン３６ａおよび第２の内部電極パターン３６ｂの全ての露出面に一度にセラミックペーストを塗布することができる。
【００５１】
このようにしてセラミックペーストが塗布された積層体チップ５０を焼成することにより、第１および第２の内部電極１４ａ、１４ｂ、第１および第２の引出し電極１６ａ、１６ｂ、第１および第２のダミー電極２０ａ、２０ｂを有するセラミック素体１２を得ることができる。そして、第１の引出し電極１６ａおよび第２のダミー電極２０ｂに接続されるように第１の外部電極１８ａを形成し、第２の引出し電極１６ｂおよび第１のダミー電極２０ａに接続されるように第２の外部電極１８ｂを形成することにより、積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００５２】
このように、第１および第２のダミー電極２０ａ、２０ｂを形成したセラミック素体１２を用いた場合においても、生産性が良好で、大容量の積層セラミックコンデンサ１０を得ることができる。このようなセラミック素体１２を用いれば、第１の引出し電極１６ａと第２のダミー電極２０ｂの間隔が小さく、第２の引出し電極１６ｂと第１のダミー電極２０ａの間隔が小さい。そのため、特に、めっき法によって外部電極１８ａ、１８ｂの下地層を形成するときに、めっき析出しやすくなり、外部電極１８ａ、１８ｂの形成に有利である。
【符号の説明】
【００５３】
１０    積層セラミックコンデンサ
１２    セラミック素体
１４ａ  第１の内部電極
１４ｂ  第２の内部電極
１６ａ  第１の引出し電極
１６ｂ  第２の引出し電極
１８ａ  第１の外部電極
１８ｂ  第２の外部電極
２０ａ  第１のダミー電極
２０ｂ  第２のダミー電極
３０    セラミックグリーンシート
３４    導電性ペースト層
３６ａ  第１の内部電極パターン
３６ｂ  第２の内部電極パターン
３８ａ  第１の引出し電極パターン
３８ｂ  第２の引出し電極パターン
４０ａ  第１の領域
４０ｂ  第２の領域
４２ａ  第１のダミー電極パターン
４２ｂ  第２のダミー電極パターン
５０    積層体チップ
５２    吸着板
５４    セラミックペースト槽
【図１】
2014187304.tif 000003
【図２】
2014187304.tif 000004
【図３】
2014187304.tif 000005
【図４】
2014187304.tif 000006
【図５】
2014187304.tif 000007
【図６】
2014187304.tif 000008
【図７】
2014187304.tif 000009
【図８】
2014187304.tif 000010
【図９】
2014187304.tif 000011
【図１０】
2014187304.tif 000012
【図１１】
2014187304.tif 000013
【図１２】
2014187304.tif 000014