(57)【要約】【課題】  パターン導電体が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有する。【解決手段】  パターン導電体３０は、一つの配置面上に配置された金属製の線状導電体３１を備える。線状導電体３１は、その長手方向に直交する主切断面において、複数の金属結晶を含む。線状導電体３１の一つの主切断面において、配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、配置面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きい金属結晶を含む。当該金属結晶の、配置面に沿った長さｗ０に対する配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である。
2018012553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である、パターン導電体。
【請求項２】
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの半分よりも小さい、パターン導電体。
【請求項３】
前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含む、請求項１または２に記載のパターン導電体。
【請求項４】
複数の開口領域を画成するパターンで前記線状導電体が配置され、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／Ｗ）は、５０以上２００以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項５】
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項６】
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／Ｗ）は、５０以上１０００以下である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項７】
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である、請求項１〜３又は６に記載のパターン導電体。
【請求項８】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項９】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さｗ０に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均は、２以上である、請求項１〜８のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項１０】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均ｈは、４．０μｍ以上１１．５μｍ以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項１１】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のパターン導電体。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のパターン導電体と、
前記パターン導電体を支持する基材と、を備える、導電体付きシート。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載のパターン導電体、又は、請求項１１に記載の導電体付きシートを備える発熱板。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発熱板を備える乗り物。
【請求項１５】
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備えるパターン導電体の製造方法であって、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である、パターン導電体の製造方法。
【請求項１６】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程をさらに備える、請求項１５に記載のパターン導電体の製造方法。
【請求項１７】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていることを検査する工程を含む、請求項１６に記載のパターン導電体の製造方法。
【請求項１８】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均が２以上となっていることを検査する工程、
当該断面での前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下となっていることを検査する工程、および
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも１つをさらに含む、請求項１７に記載のパターン導電体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン導電体、このパターン導電体を有する導電体付きシート、パターン導電体または導電体付きシートを有する発熱板、および発熱板を有する乗り物に関する。また、本発明は、パターン導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、規則的または不規則的なパターンを有する導電体が、広く用いられている。例えば、車両のフロントウィンドウ（ｗｉｎｄｓｈｉｅｌｄ；風防ガラス）に用いられるデフロスタ（霜取り装置）や建築物の窓ガラス用の加熱電極、あるいはタッチパネルセンサの位置検知電極等に利用されている。これらに用いられているパターン導電体は、通電されることによって、発熱して霜取りや暖房器具として、またはセンサとして機能する。例えば、ＪＰ２０１３−１７３４０２Ａ及びＪＰ８−７２６７４Ａでは、パターン導電体が、透視性を有した発熱板に組み込まれて窓ガラスに利用されている。この発熱板において、パターン導電体は、通電によってその抵抗加熱により昇温する。発熱板からなる窓ガラスの昇温により、窓ガラスの曇りを取り除き、又は、窓ガラスに付着した雪や氷を溶かし、当該窓ガラスを介した透視性を確保することができる。【０００３】
このような用途に用いられるパターン導電体は、その機能の性質上、高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することも求められている。パターン導電体の導電性はパターン導電体を形成する線状導電体の断面積が大きいほど高くなり、パターン導電体の透視性はパターン導電体を形成する線状導電体の線幅が小さいほど良くなる。【０００４】
ところで、従来のパターン導電体では、パターン導電体を形成する線状導電体の長手方向に直交する断面（以下、これを「主切斷面」とも呼稱する）において、パターン導電体を支持する基材の面に沿った線状導電体の長さが基材の面の法線方向に沿って変化している。具体的な例としては、図１５及び図１６に示すように、パターン導電体を形成する線状導電体１３１の主切断面形状が台形形状になっている。そして、台形形状の長い方の底辺が、該パターン導電体の法線方向から視認され得る線状導電体の幅となる。主切断面が台形形状であることは、該断面が矩形の場合に比べて視認され得る幅が同じであっても其の断面積は小さくなり、図３の概念図に示す主切斷面が矩形のパターン導電体に比べて其の導電性が低くなる。また、主切断面が台形形状であることは、該断面が矩形の場合に比べてその断面積が同じであっても視認され得る線状導電体の幅が大きくなり、主切斷面が矩形のパターン導電体に比べて其の透視性を悪化させる。すなわち、断面が台形形状であることで、優れた透視性及び導電性を両立することができない。しかしながら、線状導電体の主切断面形状が台形形状になることは、パターン導電体の製造過程のエッチング工程に起因しており、線状導電体の主切断面を矩形とすることは困難であった。
【発明の開示】
【０００５】
本発明は、以上の点を考慮してなされたものであり、高い導電性を有するとともに、高い透視性を有するパターン導電体を提供することを目的とする。更には、このパターン導電体を有する導電体付きシート、パターン導電体または導電体付きシートを有する発熱板、およびこの発熱板を有する乗り物を提供することを目的とする。
【０００６】
本発明による第１のパターン導電体は、
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である。
【０００７】
本発明による第２のパターン導電体は、
一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備え、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、前記金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの平均の半分よりも小さい。
【０００８】
本発明によるパターン導電体において、
前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含んでもよい。
【０００９】
本発明によるパターン導電体において、
複数の開口領域を画成するパターンで前記線状導電体が配置され、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／Ｗ）は、５０以上２００以下であってもよい。
【００１０】
本発明によるパターン導電体において、
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下であってもよい。
【００１１】
本発明によるパターン導電体において、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／Ｗ）は、５０以上１０００以下であってもよい。
【００１２】
本発明によるパターン導電体において、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下であってもよい。
【００１３】
本発明によるパターン導電体において、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下であってもよい。
【００１４】
本発明によるパターン導電体において、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さｗ０に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均は、２以上であってもよい。
【００１５】
本発明によるパターン導電体において、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均ｈは、４．０μｍ以上１１．５μｍ以下であってもよい。
【００１６】
本発明によるパターン導電体において、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下であってもよい。
【００１７】
本発明による導電体付きシートは、上述した本発明によるパターン導電体のいずれかを備える。
【００１８】
本発明による発熱板は、上述した本発明によるパターン導電体のいずれか、または本発明による導電体付きシートのいずれかを備える。
【００１９】
本発明による乗り物は、上述した本発明による発熱板のいずれかを備える。
【００２０】
本発明のパターン導電体の製造方法は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を備えるパターン導電体の製造方法であって、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である。
【００２１】
本発明のパターン導電体の製造方法において、前記金属膜の金属結晶を検査する工程をさらに備えてもよい。
【００２２】
本発明のパターン導電体の製造方法において、
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていることを検査する工程を含んでもよい。
【００２３】
本発明のパターン導電体の製造方法において、
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均が２以上となっていることを検査する工程、
前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下となっていることを検査する工程、および
前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも１つをさらに含んでもよい。
【００２４】
本発明によれば、パターン導電体が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、発熱板を備えた乗り物を概略的に示す斜視図である。特に図１では、乗り物の例として、発熱板で構成されたフロントウィンドウを備えた自動車を概略的に示している。
【図２】図２は、図１の発熱板をその板面の法線方向から示す図である。
【図３】図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図１の発熱板に含まれるパターン導電体を示す平面図であって、パターン導電体を形成する線状導電体の配置パターンの一例を示す図である。
【図５】図５は、図１の発熱板に含まれるパターン導電体を示す平面図であって、パターン導電体を形成する線状導電体の配置パターンの他の一例を示す図である。
【図６】図６は、パターン導電体の作製に用いられる金属膜をその表裏面の法線方向に沿った断面で示す写真である。
【図７】図７は、パターン導電体の一例を示す主切断面に於ける断面図である。
【図８】図８は、パターン導電体（導電体付きシート）の製造方法の一例を説明するための図である。
【図９】図９は、パターン導電体（導電体付きシート）の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１０】図１０は、パターン導電体（導電体付きシート）の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１１】図１１は、パターン導電体（導電体付きシート）の製造方法の一例を説明するための図である。
【図１２】図１２は、図６の金属膜をパターニングすることで作製されたパターン導電体の線状導電体を、その主切断面にて示す写真である。
【図１３】図１３は、パターン導電体の作用を説明するための図である。
【図１４】図１４は、図６に対応する写真であって、従来のパターン導電体の作製に用いられる金属膜をその表裏面の法線方向に沿った断面で示す写真である。
【図１５】図１５は、図７に対応する、従来のパターン導電体の一例を示す主切断面の断面図である。
【図１６】図１６は、図１４の金属膜をパターニングすることで作製されたパターン導電体の線状導電体を、その主切断面にて、示す写真である。
【図１７】図１７は、図１３に対応する、従来のパターン導電体の作用を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００２７】
また、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」等の用語や長さや角度の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００２８】
図１乃至図１７は、本発明による一実施の形態およびその変形例を説明するための図である。このうち図１は、発熱板を備えた自動車を概略的に示す図であり、図２は、発熱板をその板面の法線方向から見た図であり、図３は、図２の発熱板の横断面図である。
【００２９】
図１に示されているように、乗り物の一例としての自動車１は、フロントウィンドウ、リアウィンドウ、サイドウィンドウ等の窓ガラスを有している。ここでは、フロントウィンドウ５が発熱板１０で構成されている例を説明する。また、自動車１は鉛蓄電池で代表されるバッテリー等の電源７を有している。
【００３０】
図２及び図３に示すように、本実施の形態における発熱板１０は、一対の基板１１，１２と、一対の基板１１，１２の間に配置された導電体付きシート２０と、各基板１１，１２と導電体付きシート２０とを接合する一対の接合層１３，１４と、を有している。なお、図１及び図２に示した例では、発熱板１０、基板１１，１２は湾曲しているが、他の図では、理解の容易のため、発熱板１０及び基板１１，１２を平板状にて図示している。
【００３１】
導電体付きシート２０は、基材２１と、基材２１に於ける第１基板１１に対面する面（これがパターン導電体３０の配置面２１Ｓに相当する）上に設けられ且つ線状導電体３１を含むパターン導電体３０と、パターン導電体３０に通電するための一対のバスバー２５と、を有する。
【００３２】
また、図２によく示されているように、発熱板１０は、パターン導電体３０に通電するための配線部１５を有している。図示された例では、バッテリー等の電源７によって、配線部１５から導電体付きシート２０のバスバー２５を介してパターン導電体３０に通電し、パターン導電体３０を抵抗加熱により発熱させる。パターン導電体３０で発生した熱は基板１１，１２に伝わり、基板１１，１２が温められる。これにより、基板１１，１２に付着した結露による曇りを取り除くことができる。また、基板１１，１２に雪や氷が付着している場合には、この雪や氷を溶かすことができる。したがって、乗員の視界が良好に確保される。
【００３３】
なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「導電体付きシート」は板やフィルムと呼ばれ得るような部材をも含む概念であり、したがって、「導電体付きシート」は、「導電体付き板（基板）」や「導電体付きフィルム」と呼ばれる部材と、呼称の違いのみにおいて区別され得ない。
【００３４】
以下、発熱板１０の各構成要素について説明する。
【００３５】
まず、基板１１，１２について説明する。基板１１，１２は、図１で示された例のように自動車のフロントウィンドウに用いる場合、乗員の視界を妨げないよう可視光透過率が高いものを用いることが好ましい。このような基板１１，１２の材質としては、ソーダライムガラスや青板ガラスが例示できる。基板１１，１２の可視光透過率は９０％以上であることが好ましい。ただし、基板１１，１２の一部または全体に着色するなどして、この一部分の可視光透過率を低くしてもよい。この場合、太陽光の直射を遮ったり、車外から車内を視認しにくくしたりすることができる。
【００３６】
また、基板１１，１２は、１ｍｍ以上５ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。このような厚みであると、強度及び光学特性に優れた基板１１，１２を得ることができる。一対の基板１１，１２は、同一の材料で同一に構成されていてもよいし、或いは、材料および構成の少なくとも一方において互いに異なるようにしてもよい。
【００３７】
次に、接合層１３，１４について説明する。第１接合層１３が、第１基板１１と導電体付きシート２０との間に配置され、第１基板１１と導電体付きシート２０とを互いに接合する。第２接合層１４が、第２基板１２と導電体付きシート２０との間に配置され、第２基板１２と導電体付きシート２０とを互いに接合する。
【００３８】
このような接合層１３，１４としては、種々の接着性または粘着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、接合層１３，１４は、可視光透過率が高いものを用いることが好ましい。典型的な接合層としては、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）からなる層を例示することができる。接合層１３，１４の厚みは、それぞれ０．１５ｍｍ以上１ｍｍ以下であることが好ましい。一対の接合層１３，１４は、同一の材料で同一に構成されていてもよいし、或いは、材料および構成の少なくとも一方において互いに異なるようにしてもよい。或いは、一対の接合層１３，１４の何れか一方又は両方に、ベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン化合物等の公知の紫外線吸收剤を０．０１〜１０質量％程度添加して、後述の紫外線遮蔽機能を賦与することも出來る。
【００３９】
なお、発熱板１０には、図示された例に限られず、特定の機能を発揮することを期待されたその他の機能層が設けられても良い。また、１つの機能層が２つ以上の機能を発揮するようにしてもよいし、例えば、発熱板１０の基板１１，１２、接合層１３，１４、後述する導電体付きシート２０の基材２１の、少なくとも一つに何らかの機能を付与するようにしてもよい。発熱板１０に付与され得る機能としては、一例として、反射防止（ＡＲ）機能、耐擦傷性を有したハードコート（ＨＣ）機能、赤外線遮蔽（反射）機能、紫外線遮蔽（反射）機能、防汚機能等を例示することができる。
【００４０】
次に、導電体付きシート２０について説明する。導電体付きシート２０は、基材２１と、基材２１に於ける第１基板１１に対面する面上に設けられ且つ線状導電体３１を含むパターン導電体３０と、パターン導電体３０に通電するための一対のバスバー２５と、を有する。導電体付きシート２０は、基板１１，１２と略同一の平面寸法を有して、発熱板１０の全体にわたって配置されてもよいし、図１の例における運転席の正面部分等、発熱板１０の一部にのみ配置されてもよい。
【００４１】
基材２１は、パターン導電体３０を支持する基材として機能する。基材２１の一方の面は、配置面２１Ｓを形成する。基材２１は、可視光線波長帯域の波長（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）を透過する一般に言うところの透明である電気絶縁性のフィルムである。基材２１としては、可視光を透過し、パターン導電体３０を適切に支持し得るものであればいかなる材質のものでもよいが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、エチレングリコール−テレフタル酸−イソフタル酸共重合体等の線状乃至熱可塑性ポリエステル樹脂、ポリエチレンポリプロピレン、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル等を挙げることができる。また、基材２１は、光透過性や、パターン導電体３０の適切な支持性等を考慮すると、０．０３ｍｍ以上０．２０ｍｍ以下の厚みを有していることが好ましい。
【００４２】
なお、「透明」とは、当該発熱板を介して当該発熱板の一方の側から他方の側を透視し得る程度の透明性を有していることを意味しており、例えば、３０％以上、より好ましくは７０％以上の可視光透過率を有していることを意味する。可視光透過率は、分光光度計（（株）島津製作所製「ＵＶ−３１００ＰＣ」、ＪＩＳＫ０１１５準拠品）を用いて測定波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で測定したときの、各波長における透過率の平均値として特定される。特に、自動車のフロントウインドウを構成する発熱板の場合、可視光線透過率は図３の如き発熱板１０の形態に積層、複合された状態に於いて、７０％以上を要求される。其の為、パターン導電体３０單体の形態に於いては、其の可視光透過率は８０％以上であることが好ましい。
【００４３】
パターン導電体３０は、一対のバスバー２５の間に配置された線状導電体３１を有している。線状導電体３１は、バッテリー等の電源７から、配線部１５及びバスバー２５を介して通電され、抵抗加熱により発熱する。そして、この熱が接合層１３，１４を介して基板１１，１２に伝わることで、基板１１，１２が温められる。
【００４４】
線状導電体３１は、種々のパターンで配列することができる。図４に示された例では、パターン導電体３０は、パターン導電体３０の配置面２１Ｓの法線方向（図４に於いてはＺ軸方向であり、通常は発熱板１０の表面の法線方向と合致する）からの平面視形状は、線状導電体３１が多数の合同な正六角形の開口３３を画成するメッシュ状のパターンで平面内を隙間なく充填して配置されることによって形成されている。所謂ハニカム乃至は龜甲模様をなす。パターン導電体３０は、２つの分岐点３２の間を延びて、開口３３を画成する複数の接続要素３４を含んでいる。すなわち、パターン導電体３０の線状導電体３１は、両端において分岐点３２を形成する多数の接続要素３４の集まりとして構成されている。また、メッシュ状のパターンは、図４の如くの、各開口部の形状及び大きさが合同で平面内で開口部３３が一定の繰り返し周期をもつ周期格子には限定されず、各開口部の形状及び大きさが全て合同では無く、平面内で一定の繰り返し周期の無い不規則なメッシュパターンでもよい。
【００４５】
開口３３の重心間距離が大きすぎると、パターン導電体３０において発熱むらが発生するため、開口３３の重心間距離の平均は３０００μｍ以下となっていることが好ましい。また、開口３３の重心間距離が小さすぎると、透過率が悪化し、透視性が損なわれるため、開口３３の重心間距離の平均は５０μｍ以上となっていることが好ましい。
【００４６】
一方、図５に示された例のように、パターン導電体３０は、一対のバスバー２５を連結する複数の線状導電体３１からなっていてもよい。図５に示された例において、複数の線状導電体３１が、一方向に隙間３５を空けて配置されている。各線状導電体３１は、前記一方向と非平行な方向に延びている。なお、図５に示された例では、線状導電体３１は、一部のみが一方向と非平行な方向に延びているのではなく、パターン導電体３０の全体に亘って、一方向と非平行な方向に延びている。各線状導電体３１は、一方のバスバー２５から他方のバスバー２５へ延在している。そして、複数の線状導電体３１は、当該線状導電体３１の延在方向と非平行な方向に、互いから離間して配列されている。とりわけ、複数の線状導電体３１は、当該線状導電体３１の延在方向と直交する方向に配列されている。これにより、隣接する２つの線状導電体３１の間には、隙間３５が形成される。
【００４７】
隙間３５が大きすぎると、パターン導電体３０において発熱むらが発生するため、隙間３５の大きさ、すなわち隣り合う線状導電体３１の間の距離の平均は１２０００μｍ以下となっていることが好ましい。また、隙間３５が小さすぎると、透過率が悪化し、透視性が損なわれるため、隣り合う線状導電体３１の間の距離の平均は１００μｍ以上となっていることが好ましい。
【００４８】
このようなパターン導電体３０を構成するための材料としては、例えば、金、銀、銅、白金、アルミニウム、クロム、モリブデン、ニッケル、チタン、パラジウム、インジウム、タングステン、及び、これらの金屬の１種以上を含む合金の一以上を例示することができる。ただし、後述する金属結晶を安定して確保する観点から、線状導電体３１は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一方を含むこと、すなわち、銅、アルミニウム、及び、これらの金屬の１種以上を含む合金のうちのいずれかであることが好ましい。
【００４９】
パターン導電体３０は、上述したように不透明な金属材料を用いて形成され得る。その一方で、パターン導電体３０によって覆われていない基材２１上の領域の割合、すなわち非被覆率（開口率とも呼稱される）は、７０％以上９９％以下程度と高くなっている。また、線状導電体３１の線幅は、２μｍ以上２０μｍ以下程度となっている。このため、パターン導電体３０が設けられている領域は、全体として透明に把握され、パターン導電体３０の存在が発熱板１０の透視性を害さないようになっている。
【００５０】
図３に示された例では、線状導電体３１は、全体として矩形状の主切断面を有している。線状導電体３１の幅Ｗ、すなわち、発熱板１０の板面に沿った幅Ｗは２μｍ以上２０μｍ以下とし、高さ（厚さ）Ｈ、すなわち、発熱板１０の板面への法線方向に沿った高さ（厚さ）Ｈは１μｍ以上４０μｍ以下とすることが好ましい。このような寸法の線状導電体３１によれば、その線状導電体３１が十分に細線化されているので、パターン導電体３０を効果的に不可視化することができる。
【００５１】
なお、上述した材料からなる線状導電体は、優れた導電性を有する一方で、比較的高い反射率を有する。そして、パターン導電体３０の線状導電体３１によって光が反射されると、その反射した光が視認されるようになる。其の為、発熱板１０を透過して観察する背後の風景を鮮明に視認し難くなり、特に該パターン導電体３０を自動車等の乗物の窓に設置する用途では、乗員の視界を妨げる場合がある。また、外部から線状導電体３１が視認されると、意匠性が低下する場合がある。そこで、線状導電体３１が、上述した材料からなる導電金属層と、導電金属層を少なくとも部分的に覆う暗色層（図示せず）と、を有するようにしてもよい。暗色層は、導電性金属層よりも可視光の反射率が低い層であればよく、例えば黒色、濃灰色等の低明度無彩色、或いは褐色、紺色、濃緑色、濃紫色、臙脂色等の低明度有彩色等の暗色を呈する層である。又、暗色層の材料としては、黒色酸化鉄（Ｆe３Ｏ４）、カーボン（炭素）、酸化銅（酸化銅（ＩＩ）ＣｕＯ）、窒化銅、窒化酸化銅、銅−コバルト合金等を用いることが出來る。この暗色層によって、導電性金属層が視認されづらくなり、乗員の視界を良好に確保することができる。また、外部から見たときの意匠性の低下を防ぐことができる。
【００５２】
ところで、従来技術における課題として、線状導電体の主切断面形状における側面が傾斜してしまうことを既に説明した。図１５に示すように、線状導電体１３１の主切断面形状における側面１３１ａが、パターン導電体１３０が支持されている面（基材１２１の一方の表面）への法線方向（図示された例では、導電体付きシート１２０の法線方向）に対して傾斜すると、視認され得る幅に比較して主切断面積が小さくなり、其の結果、導電性を劣化させてしまう。あるいは、主切断面積を大きくすると視認され得る幅が大きくなり、透視性を劣化させてしまう。本実施の形態で説明するパターン導電体３０では、パターン導電体３０を形成する線状導電体３１の結晶構造を制御することで、図７に示すように、線状導電体３１の主切断面形状における側面３１ａが、パターン導電体３０が支持されている面（基材２１の一方の表面）への法線方向に対して大きく傾斜することを効果的に防止している。とりわけ後述するフォトリソグラフィー技術を用いたパターニングによりパターン導電体３０を作製することとの組み合わせにおいて、線状導電体３１が切り立った側面を安定して有するようになる。以下、線状導電体３１の結晶構造について説明する。
【００５３】
まず、線状導電体３１は、その長手方向に直交する断面、即ち主切断面において、複数の金属結晶を含む。図６は、パターニングしてパターン導電体３０を形成する前の本発明に係る金属膜２０ａをその法線方向に沿った断面にて示す写真である。本明細書において、金属結晶とは、結晶粒界によって分離された単結晶のことである。本実施例において、結晶粒界には双晶粒界を含まないものとする。双晶とは、２つの結晶が一定の結晶学的関係を保つように接合して一つの結晶固体となったものである。結晶粒界および金属結晶の形状や大きさは、日本電子社製のＳＥＭ（型番：ＪＳＭ−７００１Ｆ）とＴＳＬ社製のＥＢＳＤ（型番：ＯＴＭソフトウェアＶｅｒ．６．２）を用いて、測定することができる。一方、図７は、パターン導電体３０の線状導電体３１が位置する配置面への法線方向に沿った断面におけるパターン導電体３０を示す図であり、線状導電体３１、開口領域３３または隙間３５とともに、金属結晶を模式的に示している。なお、本実施の形態では基材２１の一方の表面が該配置面２１Ｓに相当する。同図は、又、線状導電体３１の長手方向に直交する断面、すなわち主切断面にもなっている。尚、パターン導電体３０が基材２１を伴わない場合は、配置面２１Ｓは仮想面となる。図７に示しているように、線状導電体３１は、その主切断面において、配置面２１Ｓへの法線方向に沿った高さＨ、配置面２１Ｓに沿った幅Ｗを有している。尚、線状導電体３１の高さＨとは、主切断面における線状導電体３１の配置面２１Ｓへの法線方向に沿った高さのうち、最小の高さのことをいう。また、配置面２１Ｓは図７等では平面として図示したが、パターン導電体３０が彎曲している場合には、配置面２１Ｓは曲面となる。
【００５４】
金属結晶は、線状導電体３１の主切断面において、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０、パターン導電体３０の配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０を有している。また、当該断面において、配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０が、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１を含む。そして、当該金属結晶２０ａ１は、例えば図７に示すように、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０に対する、配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０の比ｈ０／ｗ０の最小値が、１．２以上、好ましくは１．９以上、より好ましくは２．５以上、さらに好ましくは４．０以上となっている。
【００５５】
また、線状導電体３１の主切断面において、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１の、配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０の平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０の平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０に対する配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０の比の値ｈ０／ｗ０の平均が２以上、好ましくは４以上となっている。
【００５６】
あるいは、線状導電体３１の主切断面において、配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０が線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１について、金属結晶２０ａ１の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、高さＨの半分よりも小さくなっている。
【００５７】
また、線状導電体３１の主切断面において、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１の、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０の平均ｗに対する、線状導電体３１の幅Ｗの比の値Ｗ／ｗが２以上１０以下となっている。
【００５８】
ここで、パターン導電体３０が図４に示す複数の開口領域３３を画成するパターンで配置される場合を考える。図７に図示の如く、線状導電体３１の幅Ｗに対する、各開口領域３３の重心間距離の平均Ｄ１の比の値Ｄ１／Ｗが、５０以上２００以下となっている。さらに、線状導電体３１の主切断面において、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１の、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０の平均ｗに対する、各開口領域３３の重心間距離の平均Ｄ１の比の値Ｄ１／ｗが、４０以上５００以下となっている。
【００５９】
あるいは、パターン導電体３０が図５に示す一方向に隙間３５を空けるパターンで配置される場合を考える。図７に図示の如く、線状導電体３１の幅Ｗに対する、各隙間３５の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値Ｄ２／Ｗが、５０以上１０００以下となっている。さらに、線状導電体３１の主切断面において、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶２０ａ１の、配置面２１Ｓに沿った長さｗ０の平均ｗに対する、各隙間３５の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値Ｄ２／ｗが、２００以上２４００以下となっている。
【００６０】
なお、金属結晶の形状や配向は、その製造過程において制御することができる。詳細には、金属膜２０ａをパターニングすることでパターン導電体を作製する場合には、金属膜２０ａを作製する際の条件を調節することで、金属膜２０ａに含まれる金属結晶の形状や配向を制御することができる。一具体例として、金属膜２０ａは、銅の電解精製によって得られる膜とすることができる。電解精製によって得られる金属膜２０ａでは、金属膜中の金属結晶が電界精製による成長方向に伸長する。とりわけ、金属結晶が伸長する方向は、電界精製で用いる液（浴とも呼稱する）についての、銅化合物及び其の他の浴組成物の組成、及び／又は、電流密度、浴温度、浴攪拌条件の一以上を調節することで制御する事ができる。浴組成としては、硫酸銅浴、青化銅浴、ピロ燐酸銅浴等を用いることが出來る。硫酸銅浴を用いる場合は、硫酸銅五水和物の濃度（例えば、４５ｇ／ｌ以上２５０ｇ／ｌ以下）、硫酸ニッケルとして供給されるニッケルの濃度（例えば、２００ｍｇ／ｌ以上１００００ｍｇ／ｌ以下）、チオ硫酸又は其のナトリウム塩、カリウム塩等のチオ硫酸塩の濃度（例えば、１００ｍｇ／ｌ以上１００００ｍｇ／ｌ）、硫酸の濃度（例えば、３０ｇ／ｌ以上２５０ｇ／ｌ以下）、塩素イオンの濃度（例えば、５ｍｇ／ｌ以上８０ｍｇ／ｌ以下）、液温（例えば、１５℃以上３５℃以下）、電流密度（例えば、０．１Ａ／ｄｍ２以上６Ａ／ｄｍ２以下）の一以上を調節することで、制御することができる。また、金属膜２０ａを作製する際に、添加剤として水溶性タンパク質を加えてもよい。
【００６１】
図６及び図１４は、それぞれ、銅の電解精製により作製された厚さ１２μｍの金属膜のサンプル１及びサンプル２を示している。サンプル１及びサンプル２は、互いに異なる条件にて作製されており、互いに異なる結晶構造を有している。図６に示すサンプル１において、金属結晶は、同図に於ける上下方向（Ｚ軸方向）に長手方向を有しており、金属結晶の長手方向が金属膜２０ａの法線方向に沿う配向性を有している。一方、図１４に示すサンプル２は、従来技術のパターン導電体に用いられる金屬膜であり、図６のサンプル１に比べて明確な金属結晶の配向性および規則性を有していない。すなわち、サンプル１が上述した本実施の形態の実施例であり、サンプル２は本実施の形態に対する比較例である。
【００６２】
次に、図８〜図１１を参照して、パターン導電体３０を有する導電体付きシート２０の製造方法の一例について説明する。図８〜図１１は、パターン導電体３０を有する導電体付きシート２０の製造方法の一例を順に示す断面図である。
【００６３】
まず、図８に示すように、基材２１上に線状導電体３１を形成する金属膜２０ａを設ける。基材２１としては、前記例示の物の中から選定する。
【００６４】
金属膜２０ａは種々の公知の銅メッキ方法に於いて、作製する際の条件を調節することで、金属膜２０ａ中における金属結晶の形状及び配向を制御することができる。一具体例として、金属膜２０ａは金属電解精製によって得られる金属の膜とすることができる。上述したように電界精製に用いられる液に関連した条件等を調節することで、厚み方向への金属結晶が配向した金属膜を作製することができる。
【００６５】
次に、金属膜２０ａの金属結晶２０ａ１が上述の形状を満たすことが検査される。すなわち、金属膜２０ａの一つの断面に含まれる、金属膜２０ａの法線方向に沿った長さｈ０が、金属膜２０ａの法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶２０ａ１について、当該断面での金属膜２０ａに沿った金属結晶２０ａ１の長さｗ０に対する金属膜２０ａの法線方向に沿った金属結晶２０ａ１の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていること、当該断面での金属膜２０ａに沿った金属結晶２０ａ１の長さｗ０に対する金属膜２０ａの法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均が２以上となっていること、当該断面での金属膜２０ａの法線方向に沿った長さの平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下となっていること、および、当該断面での金属膜２０ａに沿った金属結晶２０ａ１の長さの平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となっていることを検査する。
【００６６】
なお、上述の検査工程は、金属膜２０ａが基材２１上に設けられる前に行われてもよい。すなわち、金属結晶の検査結果が良好であったものについてのみ、金属膜２０ａが基材２１上に設けられるようにしてもよい。
【００６７】
金属結晶の検査結果が良好であったものについて、図９に示すように、金属膜２０ａ上にレジストパターン４０を設ける。レジストパターン４０は、形成されるべきパターン導電体３０に対応した形となっているが、レジストパターン４０の幅は、形成されるパターン導電体３０の線状導電体３１の幅より広くなっている。例えば、幅５μｍの線状導電体３１を形成する場合、レジストパターン４０の幅は３０μｍとなっている。
【００６８】
次に、図１０に示すように、レジストパターン４０をマスクとして、金属膜２０ａをエッチングする。上述したように形成される線状導電体３１の幅に対してレジストパターン４０の幅が十分に大きいと、エッチング液は、まずレジストパターン４０の隙間から金属膜２０ａを溶解する。そして溶解した金属膜２０ａの部分にエッチング液が侵入して、図１０の矢印Ａで示すように、基材２１に沿った方向に、金属膜２０ａを溶解させる。すなわち、エッチングが金属膜２０ａの側方から進行する。本件発明者らが確認したところ、エッチングは金属結晶単位で進行する傾向があった。したがって、本実施形態のように金属膜２０ａ中の金属結晶２０ａ１の伸長方向が金属膜２０ａの法線方向を向いていると、エッチングによって形成される線状導電体３１は、その長手方向に直行する主切断面において、矩形に近い形状となる。これは、エッチングによる金属の腐食が、金属結晶単位で進むことから、エッチングにより形成された線状導電体３１の側面３１ａが、金属結晶２０ａ１の配向方向となる金属膜２０ａの法線方向に切り立つようになるためと推測される。具体的には、線状導電体３１の長手方向に直交する断面において、線状導電体３１の側面３１ａと配置面２１Ｓとがなす線状導電体３１の外側の角度θが約９０°、具体的には７０°≦θ≦１１０°、好ましくは８０°≦θ≦１００°の角度に切り立つようになる。
【００６９】
なお、エッチング工程は、温度が４０℃以上で、エッチング液を金属膜２０ａに垂直な方向、すなわち細長状の金属結晶２０ａ１の長手方向に沿った方向に０．１ＭＰａ以上のスプレー圧で噴出させて行うことが好ましい。このような場合、細長状の金属結晶の結晶粒界の間にエッチング液が入り込み、安定して伸長方向が金属膜の法線方向に沿った金属結晶２０ａ１ごとにエッチング工程を進行させることができる。なお、スプレー圧は、エッチング液を噴出させるスプレーに圧力計を設置することで測定することができる。
【００７０】
ここで、図１２は、図６の金属膜２０ａ（サンプル１に係る金属膜）をパターニングすることで作製されたパターン導電体３０（サンプル１に係るパターン導電体）の線状導電体３１を、その主切断面にて、示す写真である。また、図１６は、図１４の金属膜１２０ａ（サンプル２に係る金属膜）をパターニングすることで作製されたパターン導電体１３０（サンプル２に係るパターン導電体）の線状導電体１３１を、その主切断面にて、示す写真である。図１２に示すように、金属結晶の長手方向が厚さ方向に配向性を示す図６の金属膜２０ａ（サンプル１に係る金属膜）を用いた場合、作製されたパターン導電体３０（サンプル１に係るパターン導電体）の線状導電体３１の側面３１ａは切り立っており、配置面２１Ｓと該側面３１ａとのなす角度θは、図１２の左側及び右側の側面共に９３°となっている。主切断面が矩形に近い形状となっているため、図１２に示した線状導電体３１は、優れた透視性及び導電性を両立することができる。一方、図１６に示すように、金属結晶が長手方向を持たない図１４の金属膜１２０ａ（サンプル２に係る金属膜）を用いた場合、作製されたパターン導電体１３０（サンプル２に係るパターン導電体）の線状導電体１３１の側面１３１ａは、パターン導電体１３０が配置されている面の法線方向から大きく傾斜しており、配置面１２１Ｓと該側面１３１ａとのなす角度θは、図１６の左側では１１７°及び図１６の右側の側面では１１４°となっている。主切断面が台形形状となっているため、図１６に示した線状導電体は、図１２に示した線状導電体３１に比べて、優れた透視性及び導電性を両立できない。
【００７１】
また、以下の表１は、サンプル１（実施例１）に係るパターン導電体３０の線状導電体３１およびサンプル２（比較例）に係るパターン導電体１３０の線状導電体１３１に関し、高さＨが１２μｍ、幅Ｗが１０μｍとなる当該線状導電体３１，１３１の一断面に含まれる金属結晶について、金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径（等面積円直径、平均粒径）の平均、金属結晶のパターン導電体３０に対する配置面２１Ｓへの法線方向に沿った長さｈ０（縦の長さ）、金属結晶の配置面２１Ｓに沿った長さｗ０（横の長さ）、および、縦の長さｈ０の横の長さｗ０に対する比ｈ０／ｗ０の最大値、最小値および平均を計測した結果を示している。ここで、表１での金属結晶におけるこれらの値は、当該一断面において、縦の長さｈ０が、線状導電体３１の高さＨの３分の１より大きくなっている金属結晶についての調査結果のみを示している。
【００７２】
また、サンプル１と同様の条件にて作製された金属膜のサンプル３を用いて、サンプル１に係るパターン導電体３０の作製方法と同様にして、サンプル３に係るパターン導電体３０を作製した。すなわち、サンプル３は、サンプル１とは別の本実施の形態の実施例である。サンプル３（実施例２）に係るパターン導電体３０の線状導電体３１についても、高さＨが１２μｍ、幅Ｗが１０μｍとなる線状導電体３１の一断面に含まれる金属結晶について、サンプル１及びサンプル２と同様に調査を行った。サンプル３に係るパターン導電体３０の線状導電体３１についての結果を合わせて表１に示す。
【００７３】
【表１】
2018012553.tif 000003
【００７４】
サンプル１に係るパターン導電体３０においては、縦の長さｈ０が線状導電体３１の高さＨ（１２μｍ）の３分の１よりも大きくなっている金属結晶２０ａ１について、横の長さｗ０に対する縦の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていた。また、金属結晶２０ａ１の面積と同一の面積を有する円の直径（等面積円直径、平均粒径）の平均は、線状導電体３１の高さＨの半分よりも小さくなっていた。すなわち、細長状であって高さ（縦）方向に配向性を有する金属結晶２０ａ１が存在していた。とりわけ、本実施例においては、横の長さｗ０に対する縦の長さｈ０の比の値ｈ０／ｗ０の平均が、４．０となっていた。つまり、全体として、線状導電体３１中の金属結晶２０ａ１は、高さ（縦）方向に配向性を有していることが理解される。したがって、上述してきたように、エッチングが金属結晶単位で進行して、線状導電体３１の主切断面の形状が矩形に近い形状となっていた。主切断面が矩形に近い形状となると、透視性及び導電性がともに優れた線状導電体３１とすることができる。
【００７５】
また、サンプル３に係るパターン導電体３０においては、縦の長さｈ０は、線状導電体３１の高さＨ（１２μｍ）の３分の１よりも大きくなっている金属結晶２０ａ１について、横の長さｗ０に対する縦の長さｈ０の比の最小値が１．９以上となっていた。このような金属結晶２０ａ１を有する場合、上述したエッチングがより安定して金属結晶単位で進行するようになり、より安定して線状導電体３１の主切断面の形状が矩形に近い形状となる。具体的には、横の長さｗ０に対する縦の長さｈ０の比の最小値が１．９以上であると、線状導電体３１の長手方向に直交する断面における線状導電体３１の側面３１ａと配置面２１Ｓとがなす線状導電体３１の外側の角度θを７０°≦θ≦１１０°の角度に切り立つ形状にすることができる。主切断面がより矩形に近い形状となると、透視性及び導電性がともにより優れた線状導電体３１とすることができる。
【００７６】
一方、サンプル２に係るパターン導電体１３０においては、横の長さｗ０に対する縦の長さｈ０の比の値ｈ０／ｗ０の平均が、１．６となった。つまり、全体として、線状導電体１３１中の金属結晶は、ほとんど配向性を有していないことが理解される。したがって、エッチングが金属結晶単位で進行すると、線状導電体１３１の主切断面形状は台形形状になってしまう。上述したように、主切断面が台形形状であると、線状導電体の優れた透視性、導電性を両立できない。
【００７７】
以上のようなエッチング工程により、金属膜２０ａがパターンニングされてパターン導電体３０が作製される。なお、エッチング工程におけるエッチング方法は特に限られることはなく、公知の方法が採用できる。公知の方法としては、例えば、エッチング液を用いるウェットエッチングや、プラズマエッチングなどが挙げられる。
【００７８】
エッチング工程の次に、図１１に示すように、レジストパターン４０を除去するレジストパターン除去工程が実施され、導電体付きシート２０が得られる。以上に説明してきた各工程を経ることで、パターン導電体３０が製造される。なお、基材２１が不要である場合、図８示した金属膜２０ａと基材２１の間に剥離層を設けておくことで、後から基材２１を剥離することもできる。
【００７９】
従来のパターン導電体３０では、図１５に示したように、線状導電体３１の長手方向に直交する断面における線状導電体３１の側面３１ａと配置面２１Ｓとがなす線状導電体３１の外側の角度θが１１０°を超えている。このようなパターン導電体３０を含む発熱板１１０が図１７に示すような自動車のフロントウインドウ等に用いられると、図１７に示すように、自動車の後方からフロントウインドウに光Ｌ３が入射した際に、パターン導電体１３０の線状導電体１３１の外側の側面１３１ａで反射した光は、反射角が小さいために、発熱板１１０の内部で全反射して自動車の内部に向かう光Ｌ４となり得る。このような光Ｌ４は、自動車の乗員の視界を損ない得る。
【００８０】
一方、本実施の形態においては、図１２に示したように、線状導電体３１の長手方向に直交する断面における線状導電体３１の側面３１ａと配置面２１Ｓとがなす線状導電体３１の外側の角度θが７０°≦θ≦１１０°の角度に切り立つ。この場合、図１３に示すように、例えば一般的な自動車のフロントウインドウ５にパターン導電体３０を含む発熱板１０が用いられると、自動車の後方からフロントウインドウ５に光Ｌ１が入射した際に、パターン導電体３０の線状導電体３１の外側の側面３１ａで反射した光Ｌ１は、自動車の外部に抜ける光Ｌ２となりやすい。したがって、自動車の後方からフロントウインドウに光が入射しても、自動車の乗員の視界が損なわれにくい。とりわけ、線状導電体３１の側面３１ａと配置面２１Ｓとがなす線状導電体３１の外側の角度θが８０°≦θ≦１００°の角度に切り立つ場合、一般的な自動車に限らず、どのような乗り物の窓であっても、窓の一方から入射した光Ｌ１は、パターン導電体３０線状導電体３１の外側の側面３１ａで反射しても他方へ抜ける光Ｌ２となりやすい。したがって、乗り物の乗員の視界はより損なわれにくい。
【００８１】
以上のように、本実施の形態によれば、パターン導電体３０は、当該パターン導電体３０が位置している配置面２１Ｓ（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）上に配置された金属製の線状導電体３１を備え、線状導電体３１は、その主切断面において、複数の金属結晶を含み、線状導電体３１の一つの主切断面において、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０は、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶２０ａ１を含み、当該金属結晶２０ａ１の、パターン導電体３０が配置されている面に沿った長さｗ０に対するパターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値を、１．２以上としている。このようなパターン導電体３０によれば、金属結晶単位でパターニングが進行する。フォトリソグラフィー技術を用いたパターニングを行う場合、エッチングをする際に、金属結晶単位で金属膜２０ａのエッチングが進行し得る。この結果、作製された線状導電体３１の側面３１ａは、パターン導電体３０が配置されている面の法線方向に対して大きく傾斜することはない。パターン導電体を形成する線状導電体は、その主切断面において、矩形に近くなる。主切断面が矩形に近くなることで、断面積を大きくしながら、線状導電体３１の視認され得る幅を小さくすることができる。すなわち、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。
【００８２】
あるいは、本実施の形態によれば、パターン導電体３０は、当該パターン導電体３０が位置している配置面２１Ｓ（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）上に配置された金属製の線状導電体３１を備え、線状導電体３１は、その主切断面において、複数の金属結晶を含み、線状導電体３１の一つの主切断面において、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０は、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶２０ａ１を含み、当該一つの主切断面において、金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均を、パターン導電体が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの半分よりも小さくしている。このようなパターン導電体３０によっても、金属結晶単位でパターニングが進行し得る。この結果、作製された線状導電体３１の側面３１ａは、パターン導電体３０が配置されている面の法線方向に対して大きく傾斜することはない。パターン導電体を形成する線状導電体は、その主切断面において、矩形に近くなる。主切断面が矩形に近くなることで、断面積を大きくしながら、線状導電体３１の視認され得る幅を小さくすることができる。すなわち、前述のパターン導電体と同様に、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。
【００８３】
また、本実施の形態において、パターン導電体３０を形成する線状導電体３１は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含む。このようなパターン導電体３０によれば、線状導電体３１が安価で電気伝導性の良い金属からなっているので、パターン導電体３０の製造コストを下げるとともに、高い導電性を有することができる。
【００８４】
さらに、本実施の形態において、複数の開口領域３３を画成するパターンで線状導電体３１が配置され、線状導電体３１の線幅Ｗに対する、開口領域３３の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／Ｗ）は、５０以上２００以下である。このようなパターン導電体３０によれば、開口領域３３が線状導電体３１の幅より十分に大きいので、パターン導電体３０の透視性を十分に確保することができる。また、開口領域３３が線状導電体３１の幅に対して大きすぎないことで、パターン導電体３０の機能、例えばデフロスタとして用いる場合にムラなく発熱させる機能等を、損なうことなく発揮することができる。
【００８５】
また、本実施の形態において、線状導電体３１は、複数の開口領域３３を画成するパターンで配置され、線状導電体３１の長手方向に直交する一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０が、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての、当該主切断面でのパターン導電体が位置している配置面２１Ｓ（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）に沿った長さの平均ｗに対する、開口領域３３の重心間距離の直径の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である。このようなパターン導電体３０によれば、エッチングにおいて、形成される線状導電体３１の側方からエッチングが進行することになるのに十分な線状導電体の間隔となる。エッチングはまずレジストパターン４０の隙間から進行するが、Ｄ１／ｗが４０以上であれば金属膜を側方からエッチングにより浸食して、切り立った側面を有する線状導電体３１を形成することができる。また、線状導電体３１の間隔が大きすぎると、エッチングの制御が困難になり得る。したがって、Ｄ１／ｗが５００以下であることが好ましい。
【００８６】
さらに、本実施の形態におけるパターン導電体３０において、複数の線状導電体３１が、一方向に隙間３５を空けて配置され、各線状導電体３１は、一方向と非平行な方向に延び、線状導電体３１の線幅Ｗに対する、隙間３５の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／Ｗ）は、５０以上１０００以下である。このようなパターン導電体３０によれば、隙間３５が線状導電体３１の幅より十分に大きいので、パターン導電体３０の透視性を十分に確保することができる。また、隙間３５が線状導電体３１の幅に対して大きすぎないことで、パターン導電体３０の機能、例えばむらなく発熱させる機能等を、損なうことなく発揮することができる。
【００８７】
また、本実施の形態において、複数の線状導電体３１が、一方向に隙間３５を空けて配置され、各線状導電体３１は、一方向と非平行な方向に延び、線状導電体の一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０が、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての、当該断面でのパターン導電体３０が配置されている面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）に沿った長さの平均ｗに対する、隙間３５の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である。このようなパターン導電体３０によれば、エッチングにおいて、形成される線状導電体３１の側方からエッチングか進行することになるのに十分な線状導電体の隙間となる。エッチングはまずレジストパターン４０の隙間から進行するが、Ｄ２／ｗが２００以上であれば金属膜を側方からエッチングにより浸食して、切り立った側面を有する線状導電体３１を形成することができる。また、線状導電体３１の隙間３５が大きすぎると、エッチングの制御が困難になり得る。したがって、Ｄ２／ｗが２４００以下であることが好ましい。
【００８８】
さらに、本実施の形態において、線状導電体３１の一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０がパターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）に沿った長さの平均ｗに対する、線状導電体３１の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である。このようなパターン導電体３０によれば、線状導電体３１の幅に対して、十分な数の金属結晶が含まれていることになる。エッチングは、金属結晶単位で進行するので、十分に細かくエッチングを進行させることができる。したがって、エッチングを制御して、線状導電体３１の主切断面を矩形に近づけることができる。すなわち、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。また、線状導電体３１の幅に対して、金属結晶が細かくなりすぎていると、当該金属結晶が崩れやすくなってしまい、エッチングにおいて線状導電体３１の主切断面を矩形にすることができなくなってしまう。したがって、本実施の形態のように、Ｗ／ｗは、２以上１０以下であることが好ましい。
【００８９】
また、本実施の形態において、線状導電体３１の一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０が、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての、当該断面でのパターン導電体３０が配置されている面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）に沿った長さｗ０に対する、当該金属結晶についての当該断面での法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均は、２以上である。このようなパターン導電体３０によれば、当該断面において、大きな断面積を有する金属結晶の配向性が、当該断面でのパターン導電体３０が配置されている面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）の法線方向に沿っている。したがって、エッチングによって、線状導電体３１の主切断面を矩形に近づけることができる。すなわち、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。
【００９０】
さらに、本実施の形態において、線状導電体３１の一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０が、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての、当該断面での前記法線方向に沿った長さｈ０の平均ｈは、４．０μｍ以上１１．５μｍ以下である。このようなパターン導電体３０によれば、パターン導電体が配置されている面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）への法線方向に沿った金属結晶の長さｈ０がパターン導電体が配置されている面（図示された実施の形態において、基材の一方の表面）への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくしながら、当該金属結晶単位でエッチングを進行させることができる。したがって、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができる。
【００９１】
また、本実施の形態において、前記一つの主切断面に含まれる、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った長さｈ０が、パターン導電体３０が配置されている面への法線方向に沿った線状導電体３１の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての、当該断面でのパターン導電体３０が配置されている面（図示された実施の形態において、基材２１の一方の表面）に沿った長さｗ０の平均ｗは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である。このようなパターン導電体３０によれば、比Ｗ／ｗが２以上１０以下のときに、線幅Ｗが２μｍ以上２０μｍ以下の線状導電体３１を、パターン導電体３０が高い導電性を有するとともに、高い透視性を有することができるように、作成することができる。
【００９２】
なお、上述した一実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。
【００９３】
図４に於いては、パターン導電体３０は、各開口部３３が全て合同な正六角形から構成されていたが、本発明に於いてはこれに限らない。パターン導電体３０の各開口部３３の全ての形状及び大きさが同一ではない、即ち、これら開口部３３のうちの少なくとも一部の形状、大きさ、或いは形状及び大きさが他の開口部３３と異なる形態でも良い。
【００９４】
例えば、パターン導電体３０の各開口部３３が四角形、五角形、六角形、七角形、及び八角形を含んで構成され、且つ各開口部３３の面積も一定では無く、ある上限値と下限値との間で分布を持つものでも良い。斯かるパターン導電体としては、例えば、特許第５２２４２０３号公報、特開２０１２−１７８５５６号公報等に開示のものを挙げることが出來る。
【００９５】
又、図３に於いては、導電体付きシート２０は基材２１の一方の面上にパターン導電体３０が積層形成されていたが、本発明に於いてはこれに限らない。例えば、基材２１が無く、パターン導電体３０のみ単層で構成された導電体付きシート２０が図３に於ける第１接合層１３と第２接合層１４との間に積層された形態（其の他の構成は図３と同樣）でも良い。
【００９６】
斯かる形態の発熱板１０の製造方法を挙げると、例えば、先ず、第１基板１１上に第１接合層１３及び図１１の如く基材２１の一方の面上にパターン導電体３０を積層した導電体付きシート２０を其のパターン導電体３０側を第１接合層１３側に対峙させた向きで重ね合せる。次いで、該重ね合せ体を加熱しながら加圧してこれら各層を積層一体化する。次いで、得られた積層体から基材２１のみ剥離除去して、第１基板１１上、第１接合層１３、及びパターン導電体３０を此の順で積層した積層体を得る。次いで、斯かる積層体のパターン導電体３０上に第２接合層１４及び第２基板１２を此の順位重ね合せる。而かる後、該重ね合せ体を加熱しながら加圧してこれら各層を積層一体化する。以上の工程により、第３図の積層体から基材２１のみ省いた構成の発熱板を得る。
【００９７】
パターン導電体３０は、発熱板１０に組み込まれて、自動車のフロントウィンドウ、サイドウィンドウやサンルーフに用いてもよい。また、自動車以外の、鉄道車輛、航空機、船舶、宇宙船等の乗り物の窓或いは透明な扉に用いてもよい。
【００９８】
また、パターン導電体３０が組み込まれた発熱板１０は、乗り物以外にも、特に室内と室外とを区画する箇所、例えばビルや店舗、住宅の窓或いは透明な扉等の建築物用窓に組み込まれるパターン導電体として使用することもできる。
【００９９】
更に、パターン導電体３０は、タッチパネルセンサに用いられる導電体としても使用することができる。
【符号の説明】
【０１００】
１    自動車
５    フロントウィンドウ
７    電源
１０    発熱板
１１    第１基板
１２    第２基板
１３    第１接合層
１４    第２接合層
１５    配線部
２０    導電体付きシート
２０ａ  金属膜
２０ａ１  金属結晶
２１    基材
２５    バスバー
３０    パターン導電体
３１    線状導電体
３１ａ  側面
３２    分岐点
３３    開口
３４    接続要素
３５    隙間
４０    レジストパターン
【図１】
2018012553.tif 000004
【図２】
2018012553.tif 000005
【図３】
2018012553.tif 000006
【図４】
2018012553.tif 000007
【図５】
2018012553.tif 000008
【図６】
2018012553.tif 000009
【図７】
2018012553.tif 000010
【図８】
2018012553.tif 000011
【図９】
2018012553.tif 000012
【図１０】
2018012553.tif 000013
【図１１】
2018012553.tif 000014
【図１２】
2018012553.tif 000015
【図１３】
2018012553.tif 000016
【図１４】
2018012553.tif 000017
【図１５】
2018012553.tif 000018
【図１６】
2018012553.tif 000019
【図１７】
2018012553.tif 000020
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月19日(2018.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体の長手方向に直交する断面において、前記線状導電体の側面と配置面とがなす線状導電体の外側の角度θが７０°≦θ≦１１０°で切り立つ、発熱板。
【請求項２】
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である、請求項１に記載の発熱板。
【請求項３】
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの半分よりも小さい、請求項１に記載の発熱板。
【請求項４】
前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項５】
複数の開口領域を画成するパターンで前記線状導電体が配置され、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／Ｗ）は、５０以上２００以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項６】
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項７】
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／Ｗ）は、５０以上１０００以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項８】
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である、請求項１〜４又は７のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項９】
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
隣り合う前記線状導電体の間の距離の平均は、１００μｍ以上１２０００μｍ以下である、請求項１〜４、７又は８のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１０】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１１】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さｗ０に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均は、２以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１２】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均ｈは、４．０μｍ以上１１．５μｍ以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１３】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１４】
前記パターン導電体の非被覆率は、７０％以上である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１５】
７０％以上の可視光透過率を有している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１６】
前記線状導電体の線幅は、２μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓。
【請求項１８】
請求項１７に記載の窓を備える乗り物。
【請求項１９】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓を備え、
複数の線状導電体が、水平方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、鉛直方向に離間した一対のバスバーの間を延びる、乗り物。
【請求項２０】
前記窓は、鉛直方向に対して傾斜している、請求項１８または１９に記載の乗り物。
【請求項２１】
パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上である、発熱板の製造方法。
【請求項２２】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程をさらに備える、請求項２１に記載の発熱板の製造方法。
【請求項２３】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていることを検査する工程を含む、請求項２２に記載の発熱板の製造方法。
【請求項２４】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均が２以上となっていることを検査する工程、
当該断面での前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下となっていることを検査する工程、および
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも１つをさらに含む、請求項２３に記載の発熱板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年4月12日(2018.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である、発熱板。
【請求項２】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である、発熱板。
【請求項３】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの半分よりも小さく、
前記線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である、発熱板。
【請求項４】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの半分よりも小さく、
複数の線状導電体が、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である、発熱板。
【請求項５】
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／Ｗ）は、５０以上２００以下である、請求項１または３のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項６】
前記線状導電体の線幅Ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／Ｗ）は、５０以上１０００以下である、請求項２または４のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項７】
隣り合う前記線状導電体の間の距離の平均は、１００μｍ以上１２０００μｍ以下である、請求項２，４または６のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項８】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項９】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体はその長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、発熱板。
【請求項１０】
パターン導電体を備える発熱板であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
前記線状導電体は、その長手方向に直交する断面において、複数の金属結晶を含み、
前記線状導電体の長手方向に直交する一つの断面において、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の面積と同一の面積を有する円の直径の平均は、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの半分よりも小さく、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、発熱板。
【請求項１１】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さｗ０に対する、当該金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均は、２以上である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１２】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記法線方向に沿った長さの平均ｈは、４．０μｍ以上１１．５μｍ以下である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１３】
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗは、０．５μｍ以上５．０μｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１４】
前記パターン導電体の非被覆率は、７０％以上である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１５】
７０％以上の可視光透過率を有している、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１６】
前記線状導電体の線幅は、２μｍ以上２０μｍ以下である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１７】
前記線状導電体は、銅及びアルミニウムのうちの少なくとも一つを含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１８】
前記パターン導電体を支持する基材をさらに備える、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項１９】
一対の基板と、
前記一対の基板と前記パターン導電体とを接合する接合層と、をさらに備える、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の発熱板。
【請求項２０】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓。
【請求項２１】
請求項２０に記載の窓を備える乗り物。
【請求項２２】
請求項２，４，６または７のいずれか一項に記載の発熱板を含む窓を備え、
複数の線状導電体が、水平方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、鉛直方向に離間した一対のバスバーの間を延びる、乗り物。
【請求項２３】
前記窓は、鉛直方向に対して傾斜している、請求項２１または２２に記載の乗り物。
【請求項２４】
パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで形成される複数の線状導電体は、複数の開口領域を画成するパターンで配置され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記開口領域の重心間距離の平均Ｄ１の比の値（Ｄ１／ｗ）は、４０以上５００以下である、発熱板の製造方法。
【請求項２５】
パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで形成される複数の線状導電体は、一方向に隙間を空けて配置され、各線状導電体は、前記一方向と非平行な方向に延び、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記隙間の一方向に沿った寸法の平均Ｄ２の比の値（Ｄ２／ｗ）は、２００以上２４００以下である、発熱板の製造方法。
【請求項２６】
パターン導電体を備える発熱板の製造方法であって、
前記パターン導電体は、一つの配置面上に位置するように設けられた金属製の線状導電体を有し、
基材上に金属膜を設ける工程と、
前記金属膜上にレジストパターンを設け、前記レジストパターンをマスクとして前記金属膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、を備え、
前記金属膜の一つの断面において、前記金属膜は、当該金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が当該金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶を含み、当該金属結晶の、前記配置面に沿った長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が、１．２以上であり、
前記金属膜がエッチングされることで複数の線状導電体が形成され、
前記一つの断面に含まれる、前記配置面への法線方向に沿った長さｈ０が、前記配置面への法線方向に沿った前記線状導電体の高さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶についての当該断面での前記配置面に沿った長さの平均ｗに対する、前記線状導電体の線幅Ｗの比の値（Ｗ／ｗ）は、２以上１０以下である、発熱板の製造方法。
【請求項２７】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程をさらに備える、請求項２４〜２６のいずれか一項に記載の発熱板の製造方法。
【請求項２８】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比（ｈ０／ｗ０）の最小値が１．２以上となっていることを検査する工程を含む、請求項２７に記載の発熱板の製造方法。
【請求項２９】
前記金属膜の金属結晶を検査する工程は、前記一つの断面に含まれ、前記金属膜の法線方向に沿った長さｈ０が前記金属膜の法線方向に沿った厚さＨの３分の１よりも大きくなっている金属結晶について、
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さｗ０に対する前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さｈ０の比の値（ｈ０／ｗ０）の平均が２以上となっていることを検査する工程、
当該断面での前記金属膜の法線方向に沿った当該金属結晶の長さの平均ｈが４．０μｍ以上１１．５μｍ以下となっていることを検査する工程、および
当該断面での前記金属膜に沿った当該金属結晶の長さの平均ｗが０．５μｍ以上５．０μｍ以下となっていることを検査する工程、のうち少なくとも１つをさらに含む、請求項２８に記載の発熱板の製造方法。
【国際調査報告】
2018012553.tif 000021
2018012553.tif 000022
2018012553.tif 000023
2018012553.tif 000024