(57)【要約】      （修正有）【課題】高い偏光消光比、均一な偏光方位および広い照射面積が可能な偏光光照射装置を提供する。【解決手段】偏光光照射装置は、紫外光を放出する光源部１０と、紫外光を集光する平行光形成部２０と、偏光光形成部３０と、を有する。偏光光形成部３０は、透明プレート３２ａの第１の面に設けられた誘電体多層膜３２ｂを有するプレート型偏光ビームスプリッタを有し、平行光形成部２０から放出され誘電体多層膜３２ｂの表面に斜め入射する紫外光のうちのｓ偏光成分を反射し、ｐ偏光成分を透過することにより、分離されたｓ偏光成分を照射ビームとして放出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
紫外光を放出する光源部と、
前記紫外光を集光する平行光形成部と、  
透明プレートの第１の面に設けられた誘電体多層膜を有するプレート型偏光ビームスプリッタを有し、前記平行光形成部から放出され前記誘電体多層膜の表面に斜め入射する前記紫外光のうちのｓ偏光成分を反射し、ｐ偏光成分を透過することにより、分離された前記ｓ偏光成分を照射ビームとして放出する偏光光形成部と、
を備えた偏光光照射装置。
【請求項２】
前記偏光光形成部は、ワイヤグリッド型偏光板をさらに有し、前記プレート型偏光ビームスプリッタで反射した前記紫外光を入射し、照射ビームとして放出する請求項１記載の偏光光照射装置。
【請求項３】
前記偏光光形成部は、第１および第２のプレート型偏光ビームスプリッタを有し、
前記第１のプレート型偏光ビームスプリッタの誘電体多層膜の一部と前記第２のプレート型誘電体多層膜の一部とは、互いに対向し、
前記平行光形成部から放出された前記紫外光は、前記第１のプレート型偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜の表面に入射し、
前記第１のプレート型偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜で反射されたｓ偏光光は、前記第２のプレート型偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜の表面に入射し、
前記第２のプレート型偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜で反射されたｓ偏光光は、前記照射ビームとされる請求項１または２に記載の偏光光照射装置。
【請求項４】
前記平行光形成部の光軸は、前記第１の偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜の前記表面の法線に対して７０±５度である請求項１〜３のいずれか１つに記載の偏光光照射装置。
【請求項５】
前記第１のプレート型偏光ビームスプリッタの前記誘電体多層膜の前記表面と前記第２のプレート型誘電体多層膜の前記表面とは、平行である請求項３または４に記載の偏光光照射装置。
【請求項６】
前記誘電体多層膜の平面形状は、平行四辺形である請求項１〜５のいずれか１つに記載の偏光光照射装置。
【請求項７】
前記透明プレートの断面は、くさび形である請求項１〜６のいずれか１つに記載の偏光光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、偏光光照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネル用の配向膜は、ポリイミド樹脂などの薄膜表面に紫外線波長の直線偏光光を照射することにより光配向することができる。
【０００３】
液晶パネルの高精細化や大型化に伴って、光配向膜用偏光光照射装置に対して、高い偏光消光比、偏光方位の均一化および照射領域の大面積化、などが要求される。
【０００４】
たとえば、屈折率が１．６の透明プレートを有する偏光子を用いて、１００：１以上の偏光消光比を有する透過光を得るには、積層する透明プレートの数が２００以上必要となり装置が大型となる。
【０００５】
また、長方形の照射領域の長手方向に沿って直線偏光した光を大面積にわたって得るには、多数の透明プレートを重ねたパイル型偏光子では長手方向に透明プレートを傾斜させることが必要となる。このため、その境界領域から非偏光光が漏れることを抑制する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３１４６９９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
高い偏光消光比、均一な偏光方位および広い照射面積が可能な偏光光照射装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態にかかる偏光光照射装置は、紫外光を放出する光源部と、前記紫外光を集光する平行光形成部と、偏光光形成部と、を有する。前記偏光光形成部は、透明プレートの第１の面に設けられた誘電体多層膜を有するプレート型偏光ビームスプリッタを有し、前記平行光形成部から放出され前記誘電体多層膜の表面に斜め入射する前記紫外光のうちのｓ偏光成分を反射し、ｐ偏光成分を透過することにより、分離された前記ｓ偏光成分を照射ビームとして放出する。
【発明の効果】
【０００９】
高い偏光消光比、均一な偏光方位および広い照射面積が可能な偏光光照射装置が提供される。  
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
【図３】本発明の第３の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
【図４】偏光光形成部を説明する模式図である。
【図５】異なる屈折率を有する２つの媒質の境界面に入射したｐ偏光およびｓ偏光光の反射を説明する模式図である。
【図６】図６（ａ）は振幅反射率依存性のグラフ図、図６（ｂ）は入射角に対するｐおよびｓ偏光の振幅反射率依存性のグラフ図、である。
【図７】第１比較例にかかる偏光光照射装置に用いる偏光子の模式斜視図である。
【図８】図８（ａ）は第１〜第３の実施形態に用いるプレート型偏光ビームスプリッタを密に配列した偏光光形成部の模式斜視図である。
【図９】図９（ａ）は第２比較例にかかるプレート型偏光ビームスプリッタの模式斜視図、図９（ｂ）はこれを複数配列した模式斜視図、である。
【図１０】図１０（ａ）は第１〜第３の実施形態に用いるプレート型偏光ビームスプリッタの変形例の模式平面図、図１０（ｂ）は模式正面図、図１０（ｃ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、図１０（ｄ）は誘電体多層膜を部分拡大した模式断面図、である。
【図１１】図１１（ａ）はプレート型偏光ビームスプリッタの配列例、図１１（ｂ）はその変形例、である。
【図１２】第４の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
【図１３】図１３（ａ）は第５の実施形態にかかる偏光光照射装置の模式平面図、図１３（ｂ）は模式断面図、である。
【図１４】第６の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
偏光光照射装置は、光源部１０、平行光形成部２０および偏光光形成部３０を有する。光源部１０は、紫外光ランプ１２および集光鏡１４などを有する。偏光光形成部３０は、プレート型偏光ビームスプリッタ３２を有し、平行光形成部２０から放出された紫外光をｐ偏光成分およびｓ偏光成分に分離し、ｓ偏光成分を照射ビームとして放出する。なお、明細書において、「紫外光」の波長は、３９０ｎｍ以下であるものとし深紫外光を含む。
【００１２】
平行光形成部２０は光軸２４を有し、紫外光を光軸２４の周りに平行光化し、プレート型偏光ビームスプリッタ３２へ斜め入射させる。平行光形成部２０は、プレート型偏光ビームスプリッタ３２の表面の誘電体多層膜３２ｂの表面に垂直であり光軸２４を含む面内において、紫外光の広がりを光軸２４に対してプラスマイナス５度以内に平行光化することが好ましい。さらに、平行光形成部２０は、紫外光の広がりを実質的にゼロ（すなわち略平行）とすることがより好ましい。なお、光源部１０と平行光形成部２０の間に、光源部１０の光を集光する集光光学部をさらに設けてもよい。
【００１３】
偏光光照射装置は、偏光光形成部３０から放出されたｓ偏光成分を照射領域５０に向けて反射する落射鏡４０を有してもよい。照射領域５０は、搬送部５４の上に配置された被照射体の表面となる。被照射体は、たとえば、透明基板の表面に設けられ樹脂などからなる配向膜５２などとすることができる。配向膜５２は、直線偏光光が照射されると所定の偏光方向に沿った光配向膜となる。このような光配向膜は、液晶パネルや視野角補償フィルムなどに用いることができる。
【００１４】
また、偏光光照射装置は、直線に沿って連続または間歇的に配向膜５２を移動する搬送部５４をさらに有することができる。このようにすると、たとえば、照射領域５０を長方形としその長手方向を直線偏光方向とすることにより、光配向膜を高い生産性で製造することができる。
【００１５】
図２は、本発明の第２の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
偏光光照射装置は、光源部１０、平行光形成部２０および偏光光形成部３０を有する。偏光光形成部３０は、プレート型偏光ビームスプリッタ３２とワイヤグリッド型偏光板３３とを有し、プレート型偏光ビームスプリッタ３２により平行光形成部２０から放出された紫外光をｐ偏光成分およびｓ偏光成分に分離し、さらにワイヤグリッド型偏光板３３によりプレート型偏光ビームスプリッタ３２で分離されたｓ偏光成分を入射・透過し、照射ビームとして放出する。ワイヤグリッド型偏光板３３は、たとえば、石英板の表面にアルミニウムからなる金属線を等間隔かつ平行に設けてなる偏光素子である。
【００１６】
図３は、本発明の第３の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
偏光光照射装置は、光源部１０、平行光形成部２０および偏光光形成部３０を有する。偏光光形成部３０は、２つのプレート型偏光ビームスプリッタ３２、３４を有し、平行光形成部２０から放出された紫外光をｐ偏光成分およびｓ偏光成分に分離し、ｓ偏光成分を照射ビームとして放出する。  
【００１７】
図４は、第３の実施形態の偏光光形成部を説明する模式図である。
偏光光形成部３０は、たとえば、第１のプレート型偏光ビームスプリッタ３２および第２のプレート型偏光ビームスプリッタ３４を有するものとする。第１のプレート型偏光ビームスプリッタ３２は、透明プレート３２ａ、およびその第１の面に設けられ、異なる屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体を含む誘電体多層膜３２ｂを有する。
【００１８】
また、第２のプレート型偏光ビームスプリッタ３４は、透明プレート３４ａ、およびその第１の面に設けられ、異なる屈折率を有する少なくとも２種類の誘電体を含む誘電体多層膜３４ｂを有する。第１および第２のプレート型偏光ビームスプリッタ３２、３４を同一の形状および材質とすると材料効率を高めることができる。また、透明プレート３２、３４の材質は、合成石英などとすることができる。なお、透明プレート３２、３４はくさび形断面として表しているが、上面と下面とは平行であってもよい。
【００１９】
図４において、紫外光のうち共通波面を形成する光線群である同族光束を３つ表すものとする。第１の偏光ビームスプリッタ３２へ入射する同族光束Ｇ１、Ｇ２およびＧ３のうち、平行光形成部３０の絞り２２の中心を通る光線を主光線とよび、ｇ１、ｇ２およびｇ３でそれぞれ表す。主光線ｇ１、ｇ２、ｇ３の広がりは、照射ビームの断面において、平行光形成部３０の光軸２４に対してプラスマイナス５度以内であることが好ましく、平行（広がりがゼロ）であることがより好ましい。
【００２０】
第１のプレート型偏光ビームスプリッタ３２の誘電体多層膜３２ｂの一部と第２のプレート型偏光ビームスプリッタ３４の誘電体多層膜３４ｂの一部とは、互いに対向する領域を有するように配置される。平行光形成部２０から放出された紫外光の主光線ｇ１、ｇ２およびｇ３は、第１の偏光ビームスプリッタ３２に斜め入射する（入射角θ）。また、透過光は透明プレート３２ａの裏面から出射する。他方、反射光は、第２のプレート型偏光ビームスプリッタ３４に斜め入射する。この場合も、透過光は透明プレート３４ａの裏面から出射し、反射光は照射ビームとして偏光光形成部３０から放出される。第２の偏光ビームスプリッタ３４から放出された同族光束をＧ１１、Ｇ１２およびＧ１３で表している。たとえば、第１の偏光ビームスプリッタ３２の誘電体多層膜３２ｂの表面と、第２の偏光ビームスプリッタ３４の誘電体多層膜３４ｂの表面と、を略平行とすると、斜め入射により効率よく照射ビームを取り出すことができる。
【００２１】
図５は、異なる屈折率を有する２つの誘電体媒質の境界面に入射したｐ偏光およびｓ偏光の反射を説明する模式図である。
媒質１は屈折率がｎ１、媒質２は屈折率がｎ２であるものとする。入射光が境界面Ｓ１に入射し、反射光と透過光からを生じる。入射光、反射光および透過光を含み、境界面Ｓ１に垂直な面を入射面をＳ２とする。また、入射光の電場ベクトルは入射光の進行方向に直交する面内に存在し、それぞれ直交する２つの電場ベクトルに分解できる。特に入射面Ｓ２に平行な成分と垂直な成分に分解すると都合がよいことから、前者をｐ偏光成分、後者をｓ偏光成分と呼ぶ。
【００２２】
この場合、ｐ偏光成分の振幅反射率ｒｐと振幅透過率ｔｐ、およびｓ偏光成分の振幅反射率ｒｓと振幅透過率ｔｓは、式（１）〜式（４）のフレネルの公式で表すことができる。
【００２３】
【数１】
2014089355.tif 000003
【００２４】
【数２】
2014089355.tif 000004
【００２５】
【数３】
2014089355.tif 000005
【００２６】
【数４】
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【００２７】
式（１）〜（４）のフレネルの公式は、ｓ偏光の振幅反射率ｒｓは、ｐ偏光の振幅反射率ｒｐよりも常に高いことを表している。この結果、反射光はｓ偏光に偏り、透過光はｐ偏光に偏る。また、式（１）の分子がゼロとなるとき、ｐ偏光の振幅反射率ｒｐは略ゼロ（振幅透過率ｔｐは略１００％）とできるが、この入射角は、ブリュースタ角と呼ばれる。
また、入射角θ２と屈折角θ１との関係は、式（５）のスネルの式で表される。
【００２８】
【数５】
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【００２９】
図６（ａ）は第１の実施形態における紫外光の波長に対するプレート型偏光ビームスプリッタの振幅反射率依存性のグラフ図、図６（ｂ）は入射角に対するｐおよびｓ偏光の振幅反射率依存性のグラフ図、である。
図６（ａ）において、縦軸は振幅反射率（％）、横軸は波長（ｎｍ）、である。透明プレートの屈折率を１．６とし、プレート型偏光ビームスプリッタの一段あたりの振幅反射率を表す。
【００３０】
誘電体多層膜構造では斜め入射におけるｐ偏光の有効屈折率とｓ偏光の有効屈折率とが異なる。シミュレーションなどを用いることにより、所望の紫外光の波長域において、所望の反射率に対する多層膜を構成するそれぞれの材質および膜厚の最適値を決定することができる。たとえば、図５（ａ）に表すように、波長２５４ｎｍにおいて、ｓ偏光振幅反射率を９６％以上とし、偏光消光比を２０：１以上とすることができる。
【００３１】
また、図６（ｂ）において、縦軸は振幅反射率（％）、横軸は入射角（度）、である。平行光形成部２０の光軸２４が、誘電体多層膜３２ｂの表面の法線となす角度を入射角θとする。この入射角が７０±５度においてｓ偏光の振幅反射率を９６％以上、偏光消光比を２０：１以上とできる。なお、発明者らの実験によれば、Ｓｉ化合物や金属酸化物などからなり、紫外光に対して透明な誘電体を用いると、その材質によらず図４（ａ）、（ｂ）に表す反射特性が得られることが判明した。
【００３２】
第２の実施形態では、プレート型偏光ビームスプリッタを２つ有しているので、２回以上の反射を生じることができる。このため、偏光消光比は４００：１以上に高めることができる。また、３回反射とすると、偏光消光比は、８０００：１以上とできる。また、ｓ偏光成分は、透明プレート３２ａ、３４ａを通過しないので、プレート型偏光ビームスプリッタ内において応力複屈折率により楕円偏光を抑制できる。このため、偏光消光比を高く保つことができる。
【００３３】
図７は、第１比較例にかかる偏光光照射装置に用いる偏光子の模式斜視図である。
比較例における偏光子は、複数の透明プレート１００を、間隔を空けて平行に積み重ね、透過光のｐ偏光への偏りを強めたパイル型偏光子である。パイル型偏光子の偏光消光比（ＥＲ：１）は、プレートの数をｍ、プレートの屈折率をｎとすると、式（６）で表すことができる。
【００３４】
【数６】
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【００３５】
たとえば、透明プレート１００の屈折率を１．６とすると、１００：１の偏光消光比を得るには２０８枚の透明プレート１００が必要である。また、透明プレート１００の屈折率を１．８とすると、１００：１の偏光消光比を得るには１２８枚の透明プレート１００が必要である。たとえば、透明プレート１００の厚さを１ｍｍ、間隔を１００μｍとすると、パイル型偏光子の全体の厚さは、それぞれ、２３ｃｍ以上、１４ｃｍ以上と大きくなる。また、透明プレート１００内で生じる楕円偏光により、偏光消光比が低下することがある。
【００３６】
これに対して、第３の実施形態では、ｓ偏光成分の反射を繰り返すので、楕円偏光などによる偏光消光比の低下が抑制できる。
【００３７】
図８は、第１〜第３の実施形態に用いたプレート型偏光ビームスプリッタを密に配列した偏光光形成部の模式斜視図である。
プレート型偏光ビームスプリッタ６０は、非偏光光６２のうち分離されたｓ偏光成分により照射領域５０を照射する。このため、ｓ偏光の偏光方向に沿って照射領域５０を広げることができる。たとえば配向膜を搬送方向に連続的または間歇的に搬送することにより、ｓ偏光されたビームが配向膜に照射され光配向膜を形成することができる。ただし、１枚の誘電体多層膜のサイズを大面積化することは困難である。
【００３８】
すなわち、誘電体多層膜は、高い厚さ精度を有する膜を積層する必要がある。真空蒸着装置では、膜厚分布が同心円状となるので、偏光特性が同心円状に分布する。特性分布を低減するには、サイズの小さく均一な特性を有する多層膜を並列に配置して大面積とすることがよい。このようにすると、偏光方位は、照射領域５０の面内にわたり、０．０１度以下と均一にできる。
【００３９】
この場合、プレート型偏光ビームスプリッタ６０の隙間領域には強い非偏光光６２が入射する。しかし、非偏光光６２は、透明プレートを透過するので照射領域５０を照射することはない。
【００４０】
図９（ａ）は第２比較例にかかる偏光ビームスプリッタの模式斜視図、図９（ｂ）はこれを複数配列した模式斜視図、である。
第２比較例では、偏光ビームスプリッタは、ワイヤグリッド偏光子（ＷＧＰ）とされる。ＷＧＰは、基板１６０ａおよびその表面に設けられた金属細線１６０ａを有する。金属細線１６０ａと平行な偏光成分は反射され、直交する偏光成分は透過されることにより偏光が分離される。
【００４１】
ＷＧＰの表面は、約５０％の面積が金属で覆われているので、透過偏光と同じ向きの偏光光を照射した時の透過率（偏光透過率と呼ぶことにする）は、１００％に遠く及ばない。また偏光消光比はワイヤグリッドのピッチＤを小さくするほど高くできるが、深紫外域では、数十：１が限界である。偏光消光比を高めようとすると偏光透過率が低下するので、多段化は効果的とは言えない。また、深紫外域では、高いエネルギーのため金属細線が酸化し偏光消光比が低下することがある。
【００４２】
図９（ｂ）に表すようにＷＧＰからなる偏光ビームスプリッタを複数配列する場合、
隙間領域から非偏光光１６２が透過する。このため、所望の光配向膜を形成できない領域を生じることがある。このため、たとえば、隙間領域に遮光帯を設けることなどが必要になる。これに対して図８に表す実施形態では、遮光帯を設ける必要がない。一方で、図２のように、プレート型偏光ビームスプリッタにより反射分離されたｓ偏光成分をワイヤグリッド型偏光板に入射・透過するようにすれば、ワイヤグリッド型偏光板に入射する前にすでに非偏光光はほとんど存在しない状態であるので、この実施形態でも遮光帯を設けることなく、偏光消光比をさらに高めることができる。
【００４３】
図１０（ａ）は第１の実施形態に用いるプレート型偏光ビームスプリッタの変形例の模式平面図、図１０（ｂ）は模式正面図、図１０（ｃ）はＣ−Ｃ線に沿った模式断面図、図１０（ｄ）は誘電体多層膜の表面領域ＳＵを部分拡大した模式断面図、である。
図１０（ａ）に表すように、プレート型偏光ビームスプリッタの平面形状は平行四辺形とすることができる。また、図１０（ｃ）に表すように、上面と下面とは略５度のテーパ角を有するくさび形断面とすることができる。略５度のテーパを設けることにより、非偏光光６２が７０度で入射し、反射したｓ偏光６３と、透明プレート６０に入射し裏面側で反射したｓ偏光６５と、は略２２度ずれるので、表面上の離間した位置では偏光分離ができる。また表面側のすべての稜には幅０．５ｍｍなどの面取り（Ｃ０．５）を施すことができる。
【００４４】
図１０（ｄ）に表すように、誘電体多層膜６１は、表面に保護膜６１ａを含むことができる。保護膜６１ａを、たとえばＳｉＯ２（屈折率：略１．５）などとすると、エネルギーの高い紫外光の照射により表面６１ｂに有機物などが堆積することを抑制することができる。さらに、誘電体多層膜６１の振幅反射率を保ちつつ保護膜６１ａの厚さを大きくすると、表面６１ｂをクリーニングし振幅反射率を安定化できる。  
【００４５】
図１１（ａ）はプレート型偏光ビームスプリッタの配列例、図１１（ｂ）はその変形例、である。
図１１（ａ）では、表面に面取りが施された４枚の平行四辺形のプレート型偏光ビームスプリッタ７０が配列される。２つのプレート型偏光ビームスプリッタ７０の境界である１ｍｍ幅の面取り領域７１は、被照射体の搬送方向に対して傾斜しているので、境界領域もビームが照射される。また、正方形や長方形のプレート型偏光ビームスプリッタ７３を回転することによりずらして配置してもよい。
【００４６】
図１２は、第４の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
光源部１０は、超高圧水銀ランプ（ショートアークランプ）１２を有する。平行光形成部２０は、たとえば、楕円鏡９０、複数の平凸・両凸レンズからなるリレーレンズ９１、フライアイレンズ（インテグレータ）９２、平面ミラー９３および球面ミラー９４などを組み合わせて紫外光を平行光化する。平行光化された紫外光を同族光束Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ１１、Ｇ１２およびＧ１３で表すものとする。同族光束のうち主光線ｇ１、ｇ２、ｇ３、ｇ１１、ｇ１２、ｇ１３のビーム断面内の広がりは、平行光形成部２０の光軸２４に対して、プラスマイナス５度以内とすることが好ましく、平行（テレセントリック光学系）であることがより好ましい。
【００４７】
図１３（ａ）は第５の実施形態にかかる偏光光照射装置の模式平面図、図１３（ｂ）は線に沿った模式断面図、である。
光源部１０は、高圧水銀ランプなどの棒状光源部（ロングアークランプ）１３を含む。平行光形成部２０は、光源部１０からの不要光束を遮蔽する２つのスリット９５、およびスリット９５からの出射光の主光線ｇ１、ｇ２およびｇ３を平行光とするシリンダーレンズ９６などを含む。偏光光照射装置からの照射ビームの主光線ｇ１１、ｇ１２およびｇ１３は、平行に近づけることができる。
【００４８】
図１４は、第６の実施形態にかかる偏光光照射装置の構成図である。
プレート型偏光ビームスプリッタを３つ以上配列し、３回以上の反射を行うと、偏光消光比をより高めることができる。この場合、入射光の主光線は、発散角が小さく平行光に近いことが好ましい。特に２５４〜３１３ｎｍの深紫外波長領域では、入射角の変化幅は、１０度以下程度と狭くすることが好ましい。また、この波長範囲では、可視光の場合のように、入射角が４５度近傍では十分な偏光消光比を得ることができず、７０度近傍の斜め入射とすることが好ましい。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  光源部、２０  平行光形成部、２４  （平行光形成部の）光軸、３０  偏光光形成部、３２、３４、３６、７０、７３  プレート型偏光ビームスプリッタ、３２ａ，３４ａ  透明プレート、３２ｂ、３４ｂ  誘電体多層膜、３３  ワイヤグリッド型偏光板、５２  配向膜、５４  搬送部、９５スリット、９１、９２、９６  レンズ、Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３  同族光束
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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