(57)【要約】【課題】絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成することが可能な放電補助式レーザ孔加工装置。【解決手段】放電補助式レーザ孔加工において、第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する支持部によって区画された複数の凹部を有し、前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記凹部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔を介した吸引により前記第２の電極に吸着され、前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成する際に、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する凹部では、吸引孔を介した吸引が行われない。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
前記第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する支持部によって区画された複数の凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記凹部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔を介した吸引により前記第２の電極に吸着され、
前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成する際に、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する凹部では、吸引孔を介した吸引が行われないことを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項２】
前記吸引孔を有する凹部の少なくとも一つは、前記吸引孔を有しない凹部よりも前記第２の電極の中心側にある、請求項１に記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項３】
前記凹部は、前記中央部に、規則的に配列される、請求項１または２に記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項４】
前記支持部は、前記中央部に格子状に形成される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項５】
レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する複数の支持部を備える凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記支持部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔による吸引により、前記第２の電極に吸着されることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項６】
前記中央部には、単一の凹部が配置される、請求項５に記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項７】
前記支持部は、前記中央部に点状に配置される、請求項５または６に記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項８】
前記周囲部には、上面視、枠状の溝が形成され、前記周囲部の吸引孔は、前記溝内に設けられる、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項９】
前記周囲部の吸引孔は、等間隔に配置される、請求項１乃至８のいずれか一つに記載の放電補助式レーザ孔加工装置。
【請求項１０】
レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、
（１）略板状の第２の電極上に、第１および第２の表面を有する絶縁基板を、前記第２の表面が前記第２の電極と接近するように配置するステップであって、前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板と重なり合う周囲部および中央部を有し、該周囲部および中央部は、それぞれ、複数の吸引孔を有するステップと、
（２）前記吸引孔を介して前記絶縁基板を吸引し、前記絶縁基板を前記第２の電極に吸着させるステップと、
（３）前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成するステップであって、前記中央部の複数の吸引孔のうち、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する吸引孔を介しては、吸引が行われないステップと、
を有することを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電補助式レーザ孔加工装置および放電補助式レーザ孔加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁基板にレーザ光を照射することにより、絶縁基板に貫通孔を形成する技術が知られている。
【０００３】
また、最近では、レーザ溶融式放電除去技術を利用して、絶縁基板に貫通孔を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１）。このレーザ溶融式放電除去技術では、レーザ光照射と電極間放電現象とを組み合わせることにより、絶縁基板に貫通孔を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２０１１／０３８７８８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のレーザ溶融式放電除去方法では、しばしば、レーザ光照射後の放電の際に、適正な場所で放電が生じないという問題が生じ得る。例えば、貫通孔形成目標位置にレーザ光を照射して、電極間放電により、この貫通孔形成目標位置で放電を生じさせようとした際に、貫通孔形成目標位置では放電が生じず、既に形成された貫通孔（既貫通孔）を介して、放電が生じる場合がある。このような現象が生じた場合、貫通孔形成目標位置では放電が生じないため、貫通孔形成目標位置に貫通孔が形成されずに、該既貫通孔に余分なエネルギーが投入されてしまい、既貫通孔にクラックが生じるという問題が生じ得る。
【０００６】
また、絶縁基板に複数の貫通孔を形成しようとすると、絶縁基板の振動等の影響により、絶縁基板の位置がずれてしまうという問題が生じ得る。そして、絶縁基板の位置がずれてしまうと、所望の位置に貫通孔を形成することが難しくなってしまう。
【０００７】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、貫通孔にクラックが生じ難く、絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成することが可能な放電補助式レーザ孔加工装置の提供を目的とする。また、本発明では、貫通孔にクラックが生じ難く、絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成することが可能な放電補助式レーザ孔加工方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
前記第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する支持部によって区画された複数の凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記凹部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔を介した吸引により前記第２の電極に吸着され、
前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成する際に、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する凹部では、吸引孔を介した吸引が行われないことを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置が提供される。
【０００９】
ここで、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記吸引孔を有する凹部の少なくとも一つは、前記吸引孔を有しない凹部よりも前記第２の電極の中心側にあってもよい。
【００１０】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記凹部は、前記中央部に、規則的に配列されてもよい。
【００１１】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記支持部は、前記中央部に格子状に形成されてもよい。
【００１２】
さらに、本発明では、レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する複数の支持部を備える凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記支持部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔による吸引により、前記第２の電極に吸着されることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置が提供される。
【００１３】
本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記中央部には、単一の凹部が配置されてもよい。
【００１４】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記支持部は、前記中央部に点状に配置されてもよい。
【００１５】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記周囲部には、上面視、枠状の溝が形成され、前記周囲部の吸引孔は、前記溝内に設けられてもよい。
【００１６】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工装置において、前記周囲部の吸引孔は、等間隔に配置されてもよい。
【００１７】
さらに、本発明では、レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、
（１）略板状の第２の電極上に、第１および第２の表面を有する絶縁基板を、前記第２の表面が前記第２の電極と接近するように配置するステップであって、前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板と重なり合う周囲部および中央部を有し、該周囲部および中央部は、それぞれ、複数の吸引孔を有するステップと、
（２）前記吸引孔を介して前記絶縁基板を吸引し、前記絶縁基板を前記第２の電極に吸着させるステップと、
（３）前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成するステップであって、前記中央部の複数の吸引孔のうち、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する吸引孔を介しては、吸引が行われないステップと、
を有することを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、貫通孔にクラックが生じ難く、絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成することが可能な放電補助式レーザ孔加工装置を提供できる。また、本発明では、貫通孔にクラックが生じ難く、絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成することが可能な放電補助式レーザ孔加工方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】従来のレーザ溶融式放電除去装置を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置（第１の放電補助式レーザ孔加工装置）の一構成例を模式的に示した図である。
【図３】第１の放電補助式レーザ孔加工装置に使用される、第２の電極の模式的な上面図である。
【図４】図３に示した第２の電極のＡ−Ａ線での断面を模式的に示した図である。
【図５】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置（第２の放電補助式レーザ孔加工装置）の一構成例を模式的に示した図である。
【図６】第２の放電補助式レーザ孔加工装置に使用される、第２の電極の模式的な上面図である。
【図７】図６に示した第２の電極のＢ−Ｂ線での断面を模式的に示した図である。
【図８】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法の概略的なフローを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明について説明する。
【００２１】
（従来のレーザ溶融式放電除去技術について）
まず初めに、図１を参照して、レーザ溶融式放電除去技術について簡単に説明する。
【００２２】
図１には、一般的なレーザ溶融式放電除去装置の構成の一例を概略的に示す。
【００２３】
図１に示すように、このレーザ溶融式放電除去装置１００は、レーザ光源１１０と、レーザ光学系１２０と、直流高電圧電源１２５と、第１の電極１４０および第２の電極１４５とを有する。
【００２４】
レーザ光源１１０は、レーザ光学系１２０に向かってレーザ光１１３を照射する役割を有する。レーザ光学系１２０は、例えば１または２以上のレンズで構成される。レーザ光学系１２０は、レーザ光源１１０から照射されたレーザ光１１３を、絶縁基板１９０の照射領域１８３に収束させる役割を有する。
【００２５】
第１の電極１４０および第２の電極１４５は、それぞれ、導体１５０および１５５と電気的に接続されており、これらの導体１５０および１５５は、直流高電圧電源１２５と接続されている。
【００２６】
第１の電極１４０と第２の電極１４５は、形状および配置形態が異なっている。すなわち、第１の電極１４０は、針状の形状を有し、絶縁基板１９０から離して配置されている。これに対して、第２の電極１４５は、略板状の形状を有し、絶縁基板１９０の直下に、絶縁基板１９０と接するように配置されている。第２の電極１４５は、絶縁基板１９０を置載するステージとしての機能を兼ねることができる。
【００２７】
このようなレーザ溶融式放電除去装置１００を用いて、絶縁基板１９０に貫通孔を形成する際には、まず、絶縁基板１９０が両電極１４０、１４５の間に配置される。さらに、第２の電極１４５を水平方向に移動させることにより、絶縁基板１９０が所定の位置に配置される。
【００２８】
次に、レーザ光源１１０からレーザ光学系１２０に向かって、レーザ光１１３が照射される。レーザ光１１３は、レーザ光学系１２０により収束され、収束レーザ光１１５となる。この収束レーザ光１１５は、絶縁基板１９０の照射領域１８３に照射される。
【００２９】
これにより、絶縁基板１９０の照射領域１８３の温度が局部的に上昇し、この直下に溶融部が形成される。
【００３０】
レーザ光１１３の照射後、直流高電圧電源１２５を用いて、両電極１４０、１４５間に直流高電圧が印加される。これにより、電極１４０、１４５間において、放電が生じる。放電は、溶融部を介して生じる傾向にある。放電の発生により、溶融部が貫通孔１８５となる。
【００３１】
次に、第２の電極１４５を水平方向に移動させ、絶縁基板１９０を所定の場所に配置する。その後、同様の工程により、第２の貫通孔が形成される。
【００３２】
このような工程を繰り返すことにより、絶縁基板１９０に複数の貫通孔を形成できる。
【００３３】
なお、図１には、示されていないが、レーザ溶融式放電除去装置１００は、さらに、高周波高圧電源を有してもよい。高周波高圧電源の設置の目的は、放電が開始されるまでの間に、絶縁基板１９０の貫通孔１８５の部分およびその近傍の温度が低下することを抑制することである。すなわち、高周波高圧電源を用いて、絶縁基板１９０に対して高周波高電圧を印加することにより、収束レーザ光１１５の照射によって加熱された絶縁基板１９０の溶融部の高温状態を、放電開始まで確実に維持できる。ただし、高周波高圧電源の設置は、任意である。
【００３４】
ここで、このようなレーザ溶融式放電除去装置１００を用いて、絶縁基板１９０に複数の貫通孔１８５を形成しようとすると、絶縁基板１９０の振動等の影響により、絶縁基板１９０の位置がずれてしまうという問題が生じ得る。そして、絶縁基板１９０の位置がずれてしまうと、所望の位置に貫通孔１８５を形成することが難しくなってしまう。
【００３５】
これに対して、本願の第１の発明では、
レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
前記第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する支持部によって区画された複数の凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記凹部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔を介した吸引により前記第２の電極に吸着され、
前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成する際に、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する凹部では、吸引孔を介した吸引が行われないことを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置が提供される。
【００３６】
また、本願の第２の発明では、
レーザ光照射によって絶縁基板に第１の表面から第２の表面まで貫通する複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
前記第２の電極は、略板状であり、貫通孔形成用の絶縁基板の第２の表面に近い側に配置され、
前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板の第２の表面と重なり合う周囲部および中央部を有し、該中央部は、前記絶縁基板を支持する複数の支持部を備える凹部を有し、
前記第２の電極は、前記周囲部および少なくとも一つの前記支持部に、吸引孔を有し、前記絶縁基板は、前記吸引孔による吸引により、前記第２の電極に吸着されることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置が提供される。
【００３７】
このような本願の第１および第２の発明による放電補助式レーザ孔加工装置では、以降に詳しく説明するように、貫通孔形成処理の間、第２の電極により、絶縁基板を所定の位置に適正に固定することが可能となる。従って、本願の第１および第２の発明による放電補助式レーザ孔加工装置では、貫通孔形成処理中に、振動等により、絶縁基板の位置がずれてしまうという問題が有意に抑制される。また、これにより、本願の第１および第２の発明による放電補助式レーザ孔加工装置では、絶縁基板の所望の位置に、貫通孔を形成できる。
【００３８】
なお、本願において、「放電補助式レーザ孔加工技術」とは、以下に示すような、絶縁基板に対するレーザ光照射によって絶縁基板の照射領域に貫通孔を形成し、その後電極間放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する技術の総称を意味する。なお、孔形状の調整とは、レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成した際に生じるネッキングを低減することを意味する。ここで「ネッキング」とは、レーザ加工後に貫通孔内に形成され得る突出部分を意味する。
【００３９】
（本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置について）
次に、図２を参照して、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置（第１の放電補助式レーザ孔加工装置）について説明する。
【００４０】
図２には、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００の一構成例を模式的に示す。図２に示すように、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００は、基本的に、図１に示した従来のレーザ溶融式放電除去装置１００と同様の構成を有する。従って、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００において、図１に示した従来のレーザ溶融式放電除去装置１００と同様の部材には、図１において使用した参照符号に１００を加えた参照符号が付されている。
【００４１】
ただし、この第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００は、第２の電極２４５の構成が、図１に示したレーザ溶融式放電除去装置１００の第２の電極１４５の構成とは大きく異なっている。
【００４２】
以下、図３および図４を参照して、第２の電極２４５の構成について詳しく説明する。
図３には、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００に使用される、第２の電極２４５の模式的な上面図を示す。また、図４には、図３に示した第２の電極２４５のＡ−Ａ線での断面を模式的に示す。なお、図３には、寸法関係の明確化のため、第２の電極上に置載される絶縁基板２９０の寸法の一例も、破線で示されている。
【００４３】
図３および図４に示すように、第２の電極２４５は、略円盤ディスク状の形状を有する。第２の電極２４５は、上部に置載される加工用の絶縁基板２９０よりも大きな寸法を有する。
【００４４】
第２の電極２４５は、周囲部２６０および中央部２６５を有する。
【００４５】
第２の電極２４５の周囲部２６０と中央部２６５は、円周状の溝２６１によって分離されている。すなわち、円周状の溝２６１よりも内側の領域が中央部２６５に相当し、円周状の溝２６１を含む外側の領域が周囲部２６０に相当する。
【００４６】
第２の電極２４５上に配置された絶縁基板２９０を上部から見たとき、第２の電極２４５の中央部２６５全体、および第２の電極２４５の周囲部２６０の少なくとも一部は、絶縁基板２９０と重なり合うように配置される。
【００４７】
第２の電極２４５の周囲部２６０に形成された溝２６１内には、１または２以上の吸引孔２６３が設けられる。例えば、図３および図４の例では、第２の電極２４５の周囲部２６０の溝２６１内には、４つの吸引孔２６３が形成されている。各吸引孔２６３は、第２の電極２４５を厚さ方向に貫通している。各吸引孔２６３は、吸引装置（図示されていない）に接続される。
【００４８】
ここで、第２の電極２４５において、溝２６１は、必ずしも必要ではない。すなわち、図３および図４において、溝２６１内に形成されている吸引孔２６３は、周囲部２６０の平坦面に形成されてもよい。
【００４９】
なお、溝２６１が存在しない場合、各吸引孔２６３よりも内側の領域が「中央部」と称され、吸引孔２６３から外側の領域が「周囲部」と称される。この場合、両者の境界は、各吸引孔２６３の中心を、第２の電極の外端と相似形となるように結んだ曲線（または直線）となる。
【００５０】
第２の電極２４５の中央部２６５には、４行×４列＝１６個の凹部２７０が形成されており、各凹部２７０は、行方向（図３のＸ方向）および列方向（図３のＹ方向）に、格子状に延在する支持部２７２によって区画されている。
【００５１】
支持部２７２は、第２の電極２４５の上部に配置される絶縁基板２９０を支持する役割を有する。一方、凹部２７０は、第２の電極２４５の上に置載された絶縁基板２９０を上から見たとき、収束レーザ光２１５が照射され、貫通孔２８５が形成され得る領域となる。換言すれば、絶縁基板２９０の支持部２７２に当接する部分には、貫通孔２８５は、形成されない。同様に、第２の電極２４５の周囲部２６０には、貫通孔２８５は、形成されない。
【００５２】
なお、凹部２７０の数は、特に重要ではなく、凹部２７０の数は、例えば、４個、９個、または２５個など、いかなる数であってもよい。また、凹部２７０の形態は、図３のように、必ずしも上面視、正方形状である必要はなく、上面視、略三角形、略矩形、略円形、略楕円形、および略多角形状であってもよい。また、各凹部２７０の形状は、異なっていてもよい。
【００５３】
第２の電極２４５の凹部２７０のいくつかにも、吸引孔２７５が設けられる。例えば、図３および図４の例では、第２の電極２４５の中心に近い位置にある４つの凹部２７０が、吸引孔２７５を有する。
【００５４】
吸引孔２７５は、吸引孔２６３と同様、吸引装置（図示されていない）に接続される。
【００５５】
ここで、説明の明確化のため、吸引孔２７５を有する凹部２７０を、特に、第１の凹部２７０Ａと称し、吸引孔２７５を有さない凹部２７０を、特に、第２の凹部２７０Ｂと称することにする。例えば、図３および図４の例において、第２の電極２４５の中心に近い位置にある４つの凹部２７０は、第１の凹部２７０Ａに相当し、その他の１２の凹部２７０は、第２の凹部２７０Ｂに相当する。
【００５６】
なお、「吸引孔２７５を有する凹部２７０」／「吸引孔２７５を有さない凹部２７０」という用語は、その用語の通りに狭く解釈してはならない。例えば、図３および図４の例において、第２の電極２４５の中心から遠い位置にある１２の凹部２７０が吸引孔を有する場合であっても、それらの１２の凹部２７０の吸引孔が使用されなければ、凹部２７０は、依然として第２の凹部２７０Ｂと称される。
【００５７】
また、図３および図４の例では、第２の電極２４５の中心に近い位置にある４つの凹部２７０が、第１の凹部２７０Ａに相当する。しかしながら、これは単なる一例であって、第１の凹部２７０Ａ／第２の凹部２７０Ｂの配置パターンおよび相互の数の比は、特に限られないことに留意する必要がある。
【００５８】
ただし、少なくとも一つの第１の凹部２７０Ａは、第２の電極２４５の中心に近い位置にあることが好ましい。これにより、絶縁基板２９０をより安定に、第２の電極２４５上に固定できる。
【００５９】
次に、このような第２の電極２４５を有する第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００の動作について、説明する。なお、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００の動作の中には、前述の図１に示した放電補助式レーザ孔加工装置１００と一致する部分が多く含まれる。そこで、ここでは、特に、第２の電極２４５に関する動作を中心に説明する。
【００６０】
第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００を用いて、絶縁基板２９０に貫通孔を形成する際には、まず、第２の電極２４５上に絶縁基板２９０が置載され、収束レーザ光２１５および第１の電極２４０に対する絶縁基板２９０の位置が合わされる。
【００６１】
絶縁基板２９０は、第１の表面２９２および第２の表面２９４を有する。絶縁基板２９０は、第２の表面２９４の側が、第２の電極２４５の支持部２７２の上部と接するようにして、第２の電極２４５上に配置される。
【００６２】
次に、第２の電極２４５に設けられた各吸引孔２６３および２７５を介して、溝２６１および第１の凹部２７０Ａが、第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００の外部の吸引装置に接続される。また、この吸引装置により、各吸引孔２６３および２７５を介して、絶縁基板２９０が第２の電極２４５の方に吸引される。
【００６３】
これにより、絶縁基板２９０が第２の電極２４５上に吸着される。より具体的には、第２の電極２４５の周囲部２６０の溝２６１に設けられた吸引孔２６３によって、絶縁基板２９０の周囲が吸引されるとともに、第２の電極２４５の第１の凹部２７０Ａに設けられた吸引孔２７５によって、絶縁基板２９０の中央部分が吸引される。
【００６４】
このようにして、絶縁基板２９０は、第２の電極２４５上に固定、保持される。
【００６５】
次に、レーザ光源２１０からレーザ光学系２２０に向かって、レーザ光２１３が照射される。レーザ光２１３は、レーザ光学系２２０により収束され、収束レーザ光２１５となる。この収束レーザ光２１５は、絶縁基板２９０の第１の領域２８３に照射される。
【００６６】
これにより、絶縁基板２９０の第１の領域２８３の温度が局部的に上昇して絶縁材料が昇華し、ここに貫通孔２８５が形成される。
【００６７】
ここで、本発明による第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００では、第２の電極２４５に設けられた吸引孔２６３、２７５により、絶縁基板２９０は、第２の電極２４５上に固定、保持される。このため、収束レーザ光２１５の照射による貫通孔形成時に、絶縁基板２９０が振動等によって動くことが有意に抑制される。
【００６８】
ただし、貫通孔形成前の段階では、第２の電極２４５に設けられた吸引孔２６３、２７５により、絶縁基板２９０を固定することができたとしても、一旦貫通孔が形成されると、該貫通孔を介して、絶縁基板２９０の第１の表面２９２側と、第２の表面２９４側とで、気体連通が可能になる。そのため、吸引装置を使用しても、絶縁基板２９０に対して十分な吸引ができなくなり、絶縁基板２９０がずれるようになるおそれがある。
【００６９】
例えば、図３および図４に示した第２の電極２４５において、仮に、第２の凹部２７０Ｂを含む全ての凹部２７０が吸引孔によって吸引されている場合、いずれか一つの凹部２７０（対象凹部と称する）に対応する絶縁基板２９０の位置に貫通孔を形成すると、この対象凹部に存在する吸引孔２７５による吸引は、「無駄」になってしまう。また、これにより、吸引装置の負圧が低下し、吸引孔２７５を介した絶縁基板２９０の吸引効果が妨げられてしまう。その結果、絶縁基板２９０を第２の電極２４５に十分に固定することができなくなるという問題が生じ得る。
【００７０】
しかしながら、本発明による第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００では、絶縁基板２９０を上から見たとき、絶縁基板２９０の第１の領域２８３は、第２の電極２４５に設けられた１６個の凹部２７０のうち、１２個の第２の凹部２７０Ｂの一つに含まれるような位置から選定される。すなわち、絶縁基板２９０を上から見たとき、絶縁基板２９０の第１の領域２８３は、第１の凹部２７０Ａには含まれないような位置から選定される。
【００７１】
このように選定された第１の領域２８３に貫通孔２８５を形成した場合、貫通孔２８５によって、第２の電極２４５の第２の凹部２７０Ｂが、絶縁基板２９０の上部の環境と気体連通された後も、吸引孔２７５を介した吸引効果が妨げられることはない。第１の領域２８３が前述のように選定される限り、貫通孔の形成と、吸引孔による吸引とは、無関係なためである。
【００７２】
従って、本発明による第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００では、貫通孔２８５を形成する前から貫通孔２８５を形成した後まで、継続的に絶縁基板２９０を第２の電極２４５上に固定、保持できる。
【００７３】
その後、直流高電圧電源２２５を用いて、両電極２４０、２４５間に直流高電圧が印加される。これにより、電極２４０、２４５間において、放電が生じ、貫通孔２８５の深さ方向の形状が調整される。
【００７４】
以降は、同様の手順で、絶縁基板２９０を移動させ、絶縁基板２９０を所定の場所に配置してから、第２の領域に収束レーザ光２１５を照射し、放電を発現させることにより、第２の貫通孔が形成される。また、このような工程を繰り返すことにより、絶縁基板２９０に、複数の貫通孔を形成できる。
【００７５】
このように、本発明による第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００では、絶縁基板２９０の位置ずれを抑制した状態で、複数の貫通孔を形成できる。
【００７６】
（第２の電極２４５の詳細について）
次に、本発明による第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００に使用される、第２の電極２４５の詳細について説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、図３および図４に示した参照符号を使用する。
【００７７】
第２の電極２４５は、導電性を有する限り、いかなる材料で構成されてもよい。例えば、第２の電極２４５は、アルミニウム金属（アルミニウム合金を含む）でもよい。また、第２の電極２４５の形状は、略板状（ブロック状を含む）である限り、特に限られない。第２の電極２４５は、例えば、図３に示したような円盤形状の他、矩形状または多角形状の板等であってもよい。
【００７８】
第２の電極２４５の周囲部２６０に形成される吸引孔２６３の形状は、特に限られない。吸引孔２６３の形状は、延伸方向に垂直な方向の断面が、略円形、略楕円形、または略四角形等であっても良い。吸引孔２６３の寸法は、特に限られない。吸引孔２６３の延伸方向に垂直な方向の断面の最大寸法は、例えば、０．３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲であってもよい。
【００７９】
一方、吸引孔２６３の全長（深さ）は、特に限られないが、例えば、１ｍｍ〜１５ｍｍの範囲であってもよい。
【００８０】
吸引孔２６３の数は、特に限られない。吸引孔２６３の数は、例えば、２つ、３つ、または５つ以上であってもよい。なお、吸引孔２６３は、相互に等間隔に設置されることが好ましい。
【００８１】
第２の電極２４５の第１の凹部２７０Ａに形成される吸引孔２７５についても同様である。なお、吸引孔２６３と吸引孔２７５の寸法形状は、同一であっても、異なっていてもよい。
【００８２】
第２の電極２４５の周囲部２６０に形成される溝２６１の幅および深さは、特に限られない。溝２６１の幅は、例えば、０．３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲であってもよい。また、溝２６１の深さは、例えば、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であってもよい。
【００８３】
第２の電極２４５の中央部２６５に形成される凹部２７０の寸法形状は、特に限られない。例えば、凹部２７０は、支持部２７２の頂上部から、０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの深さを有してもよい。
【００８４】
また、上面視、支持部２７２の配置パターンは、特に限られない。支持部２７２は、例えば、図３に示したように、中央部２６５に、２方向に延伸する略格子状に配置されてもよい。この場合、それぞれの格子の幅は、例えば、０．３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲であってもよい。支持部２７２で構成される格子の幅が広くなればなる程、絶縁基板２９０を安定に支持できる。ただし、この場合、絶縁基板２９０の有効加工面積が低下する。格子同士のピッチは、特に限られないが、例えば、５ｍｍ〜８０ｍｍの範囲であってもよい。
【００８５】
（本発明の一実施例による別の放電補助式レーザ孔加工装置について）
次に、図５を参照して、本発明の一実施例による別の放電補助式レーザ孔加工装置（第２の放電補助式レーザ孔加工装置）について説明する。
【００８６】
図５には、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００の一構成例を模式的に示す。図５に示すように、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００は、基本的に、図２に示した第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００と同様の構成を有する。従って、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００において、図２に示した第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００と同様の部材には、図２において使用した参照符号に１００を加えた参照符号が付されている。
【００８７】
ただし、この第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００は、第２の電極３４５の構成が、図２に示した第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００の第２の電極２４５の構成とは異なっている。
【００８８】
以下、図６および図７を参照して、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００における第２の電極３４５の構成について、詳しく説明する。
【００８９】
図６には、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００に使用される、第２の電極３４５の模式的な上面図を示す。また、図７には、図６に示した第２の電極３４５のＢ−Ｂ線での断面を模式的に示す。なお、図６には、寸法関係の明確化のため、第２の電極上に置載される絶縁基板３９０の寸法の一例も、破線で示されている。
【００９０】
図６および図７に示すように、第２の電極３４５は、略円盤ディスク状の形状を有する。第２の電極３４５は、上部に置載される加工用の絶縁基板３９０よりも大きな寸法を有する。
【００９１】
第２の電極３４５は、周囲部３６０および中央部３６５を有する。
【００９２】
第２の電極３４５の周囲部３６０と中央部３６５の境界には、ループ状の壁３７９が設けられる。すなわち、ループ状の壁３７９よりも内側の領域が中央部３６５に相当し、ループ状の壁３７９よりも外側の領域が周囲部３６０に相当する。
【００９３】
ループ状の壁３７９の高さは、例えば０．１ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であってもよい。また、ループ状の壁３７９の幅は、例えば０．３ｍｍ〜１０ｍｍの範囲であってもよい。
【００９４】
第２の電極３４５上に配置された絶縁基板３９０を上部から見たとき、第２の電極３４５の中央部３６５全体、および第２の電極３４５の周囲部３６０の少なくとも一部は、絶縁基板３９０と重なり合うように配置される。
【００９５】
第２の電極３４５の周囲部３６０には、円周状の溝３６１が形成されている。この溝３６１内には、１または２以上の吸引孔３６３が設けられる。例えば、図６および図７の例では、第２の電極３４５の周囲部３６０の溝３６１内には、４つの吸引孔３６３が形成されている。各吸引孔３６３は、第２の電極３４５を厚さ方向に貫通している。各吸引孔３６３は、吸引装置（図示されていない）に接続される。
【００９６】
第２の電極３４５の中央部３６５には、単一の大きな凹部３７０が形成されている。また、この凹部３７０内には、複数の支持部３７２が設けられている。例えば、図６の例では、凹部３７０内に、合計２１個の支持部３７２が相互に等間隔で配置されている。
【００９７】
支持部３７２は、第２の電極３４５の上部に配置される絶縁基板３９０を支持する役割を有する。一方、凹部３７０は、第２の電極３４５の上に置載された絶縁基板３９０を上から見たとき、収束レーザ光３１５が照射され、貫通孔３８５が形成され得る領域となる。換言すれば、絶縁基板３９０の支持部３７２に当接する部分には、貫通孔３８５は、形成されない。同様に、第２の電極３４５の周囲部３６０およびループ状の壁３７９には、貫通孔３８５は形成されない。
【００９８】
なお、支持部３７２の配置形態および寸法は、特に重要ではない。同様に、支持部３７２の数は、特に重要ではなく、支持部３７２の数は、いかなる数であってもよい。また、各支持部３７２の形態は、必ずしも図６に示したような、上面視、略菱形形状である必要はなく、上面視、略三角形、略矩形、略円形、略楕円形、および略多角形状であってもよい。また、各支持部３７２の形状は、異なっていてもよい。
【００９９】
ただし、少なくとも一つの支持部３７２は、第２の電極２４５の中心に近い位置にあることが好ましい。これにより、絶縁基板３９０をより安定に、第２の電極３４５上に固定できる。また、各支持部３７２の上面の面積が大きくなればなるほど、絶縁基板３９０を、より安定に支持できる。
【０１００】
第２の電極３４５の支持部３７２のいくつかにも、吸引孔３７５が設けられる。例えば、図６および図７の例では、全ての支持部３７２に、吸引孔３７５が形成されている。吸引孔３７５は、支持部３７２の延伸方向に沿って、支持部の上部から底部まで、貫通するように形成されている。
【０１０１】
吸引孔３７５は、吸引孔３６３と同様、吸引装置（図示されていない）に接続される。
【０１０２】
次に、このような第２の電極３４５を有する第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００の動作について、説明する。なお、放電補助式レーザ孔加工装置の基本的な動作方法は、前述の図１を参照して、既に説明した。そこで、ここでは、特に、第２の電極３４５に関する動作を中心に説明する。
【０１０３】
第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００を用いて、絶縁基板３９０に貫通孔を形成する際には、まず、第２の電極３４５上に絶縁基板３９０が置載され、収束レーザ光３１５および第１の電極３４０に対する絶縁基板３９０の位置が合わされる。
【０１０４】
絶縁基板３９０は、第１の表面３９２および第２の表面３９４を有する。絶縁基板３９０は、第２の表面３９４の側が、第２の電極３４５の支持部３７２の上部と接するようにして、第２の電極３４５上に配置される。
【０１０５】
次に、第２の電極３４５に設けられた各吸引孔３６３および３７５を介して、溝３６１および支持部３７２が、第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００の外部の吸引装置に接続される。また、この吸引装置により、各吸引孔３６３および３７５を介して、絶縁基板３９０が第２の電極３４５の方に吸引される。
【０１０６】
これにより、絶縁基板３９０が第２の電極３４５上に吸着される。より具体的には、第２の電極３４５の周囲部３６０の溝３６１に設けられた吸引孔３６３によって、絶縁基板３９０の周囲が吸引されるとともに、第２の電極３４５の支持部３７２に設けられた吸引孔３７５によって、絶縁基板３９０の中央部分が吸引される。
【０１０７】
このようにして、絶縁基板３９０は、第２の電極３４５上に固定、保持される。
【０１０８】
次に、レーザ光源３１０からレーザ光学系３２０に向かって、レーザ光３１３が照射される。レーザ光３１３は、レーザ光学系３２０により収束され、収束レーザ光３１５となる。この収束レーザ光３１５は、絶縁基板３９０の第１の領域３８３に照射される。
【０１０９】
これにより、絶縁基板３９０の第１の領域３８３の温度が局部的に上昇して絶縁材料が昇華し、ここに貫通孔３８５が形成される。
【０１１０】
ここで、本発明による第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００では、第２の電極３４５に設けられた吸引孔３６３、３７５により、絶縁基板３９０は、第２の電極３４５上に固定、保持される。このため、収束レーザ光３１５の照射による貫通孔形成時に、絶縁基板２９０が振動等によって動くことが有意に抑制される。
【０１１１】
さらに、本発明による第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００では、絶縁基板３９０を上から見たとき、絶縁基板３９０の第１の領域３８３は、第２の電極３４５の凹部３７０に含まれる位置であって、支持部３７２以外の位置から選定される。
【０１１２】
このように選定された第１の領域３８３に貫通孔３８５を形成した場合、貫通孔３８５によって、第２の電極３４５の凹部３７０が、絶縁基板３９０の上部の環境と気体連通された後も、吸引孔３７５を介した吸引効果が妨げられることはない。第１の領域３８３が前述のように選定される限り、貫通孔の形成と、吸引孔による吸引とは、無関係なためである。
【０１１３】
従って、本発明による第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００においても、前述の効果が得られ、すなわち、貫通孔３８５を形成する前から貫通孔３８５を形成した後まで、継続的に絶縁基板３９０を第２の電極３４５上に固定、保持することが可能となる。
【０１１４】
また、これにより、本発明による第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００では、絶縁基板３９０の位置ずれを抑制した状態で、絶縁基板３９０の所望の位置に、複数の貫通孔を形成できる。
【０１１５】
本発明による第２の放電補助式レーザ孔加工装置３００では、第２の電極３４５の構造上、絶縁基板３９０のより広い領域を、貫通孔形成領域として利用できる。このため、絶縁基板３９０の有効加工面積が増加する。
【０１１６】
以上、第１および第２の放電補助式レーザ孔加工装置２００、３００を例に、本発明における放電補助式レーザ孔加工装置構成について説明した。しかしながら、これらの構成は、単なる一例であって、本発明における放電補助式レーザ孔加工装置には、その他の構成を採用してもよい。
【０１１７】
例えば、第２の電極に関して、図６の例では、各支持部３７２は、第２の電極３４５の中央部３６５の凹部３７０内に、いわば「点状」に配置されている。しかしながら、支持部３７２は、凹部３７０内に、例えば、図３に示したような格子状に配置されてもよい。あるいは、支持部３７２は、「点状」のものと、「線状」のものを含むパターンで構成されてもよい。
【０１１８】
また、前述の例では、第２の電極の周囲部および中央部に配置される各吸引孔は、略穴状の形状を有する。しかしながら、各吸引孔は、例えば、溝状であってもよい（すなわち貫通溝）。
【０１１９】
すなわち、本発明において重要なことは、吸引孔を介して絶縁基板を第２の電極に固定した状態で、絶縁基板に第１の表面の第１の開口から第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成する際に、第２の開口の下側に存在する第２の電極の凹部が吸引されていないことであり、これが満たされる限り、第２の電極における凹部、支持部、および吸引孔等の態様は、特に限られない。
【０１２０】
（本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法）
次に、図８を参照して、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法について説明する。
【０１２１】
図８には、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法の概略的なフロー図を示す。
【０１２２】
図８に示すように、この放電補助式レーザ孔加工方法は、
（１）略板状の第２の電極上に、第１および第２の表面を有する絶縁基板を、前記第２の表面が前記第２の電極と接近するように配置するステップであって、前記第２の電極は、厚さ方向から見たとき、前記絶縁基板と重なり合う周囲部および中央部を有し、該周囲部および中央部は、それぞれ、複数の吸引孔を有するステップ（ステップＳ１１０）と、
（２）前記吸引孔を介して前記絶縁基板を吸引し、前記絶縁基板を前記第２の電極に吸着させるステップ（ステップＳ１２０）と、
（３）前記絶縁基板のレーザ光照射領域に、前記第１の表面の第１の開口から前記第２の表面の第２の開口まで延在する貫通孔を形成するステップであって、前記中央部の複数の吸引孔のうち、前記第２の表面の前記第２の開口と気体連通する吸引孔を介しては、吸引が行われないステップ（ステップＳ１３０）と、
を有する。
【０１２３】
以下、各ステップについて説明する。
【０１２４】
なお、以降の記載では、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法は、一例として、前述の図２に示した第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００を使用して実施されるものとする。従って、各部材の説明には、図２に示した参照符号を使用する。
【０１２５】
（ステップＳ１１０）
まず、加工用の絶縁基板２９０が準備される。絶縁基板２９０の材質は、特に限られない。絶縁基板２９０は、例えばガラス基板であってもよい。また、絶縁基板２９０の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲であってもよい。
【０１２６】
また、第２の電極２４５が準備される。前述のように、第２の電極２４５は、上部に絶縁基板２９０を置載したとき、絶縁基板２９０と重なり合う周囲部２６０および中央部２６５を有し、該周囲部２６０および中央部２６５は、それぞれ、複数の吸引孔２６３、２７５を有する。
【０１２７】
次に、第２の電極２４５上に、絶縁基板２９０が配置される。絶縁基板２９０は、第２の表面２９４の側が第２の電極２４５と近接するようにして、第２の電極２４５上に配置される。
【０１２８】
（ステップＳ１２０）
次に、第２の電極２４５に設けられた吸引孔２６３、２７５を利用して、外部吸引装置により絶縁基板２９０が吸引される。これにより、絶縁基板２９０は、第２の電極２４５に吸着、固定される。
【０１２９】
外部吸引装置による吸引圧力は、特に限られないが、例えば、−０．１ｋＰａ〜−５０ｋＰａの範囲であってもよい。吸引圧力が−０．１ｋＰａより小さいとガラス吸着が不十分になるおそれがあり、吸引圧力が−５０ｋＰａより大きいと、支持部２７２の表面粗さにより貫通孔形成領域に負圧がリークしてしまい、貫通孔形成領域部に接している絶縁基板２９０がたわむおそれがある。したがって、ガラスがたわまない最低限の吸引圧力を選択するか、貫通孔形成部に、空気抜き孔を設け、吸引圧力が高くても、絶縁基板２９０をたわまないようにすることが好ましい。
【０１３０】
（ステップＳ１３０）
次に、レーザ光源２１０からのレーザ光２１３（またはその収束レーザ光２１５。以下同じ）が、絶縁基板２９０の第１の領域２８３に照射される。
【０１３１】
これにより、絶縁基板２９０の第１の位置２８３に、第１の表面２９２から第２の表面２９４まで延在する貫通孔２８５が形成される。
【０１３２】
ここで、ステップＳ１２０により、絶縁基板２９０は、第２の電極２４５上に固定、保持されている。このため、レーザ光２１３の照射による貫通孔形成時に、絶縁基板２９０の位置がずれるという問題が有意に抑制される。
【０１３３】
また、絶縁基板２９０の第１の領域２８３の下側に位置する第２の電極２４５の凹部２７０には、吸引孔２７５が存在しない。あるいは、第１の領域２８３の下側に位置する第２の電極２４５の凹部２７０は、吸引孔２７５を介した吸引が行われていない。
【０１３４】
そのため、絶縁基板２９０に貫通孔２８５が形成された後も、各吸引孔２６３、２７５を介した吸引は、支障なく継続できる。
【０１３５】
次に、直流高電圧電源２２５を用いて、両電極２４０、２４５間に直流高電圧が印加される。これにより、電極２４０、２４５間において、放電が生じ、貫通孔２８５の深さ方向の形状が調整される。
【０１３６】
その後、絶縁基板の第２の領域に、同様に貫通孔が形成される。また、このような処理を繰り返すことにより、絶縁基板２９０に複数の貫通孔が形成される。
【０１３７】
このように、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法では、貫通孔の形成中に、絶縁基板２９０の位置がずれることが有意に抑制され、絶縁基板２９０の所望の位置に、複数の貫通孔を形成できる。
【実施例】
【０１３８】
次に、本発明の実施例について説明する。
【０１３９】
（実施例１）
上面および下面を有する厚さ０．３ｍｍ、外径１５０φのガラス基板（無アルカリガラス）を準備し、これを第２の電極上に置載した。
【０１４０】
ここで、第２の電極には、前述の図３および図４に示したような構造のものを使用した。従って、以下の説明では、各部分や部材を説明する際に、図３および図４に示した参照符号を使用する。
【０１４１】
ディスク状の第２の電極２４５は、厚さ（最大部分）が１０ｍｍであり、アルミニウム製とした。
【０１４２】
第２の電極２４５の溝２６１の外径は、φ１４８ｍｍであり、溝２６１の内径は、φ１４４ｍｍである（従って、幅２ｍｍ）。また、溝２６１の深さは、０．５ｍｍとした。溝２６１内には、１２時、３時、６時、および９時の４方向に、吸引孔２６３を形成した。吸引孔の寸法は、φ１ｍｍである。
【０１４３】
第２の電極２４５の中央部２６５には、４行×４列の凹部２７０を配置した。各凹部の寸法は、縦２４ｍｍ×横２４ｍｍ×深さ０．５ｍｍとした。１６個の凹部２７０のうち、内側の４つを、第１の凹部２７０Ａとした。すなわち、これらの４つの第１の凹部２７０Ａの底部にのみ、φ２ｍｍの吸引孔２７５を形成した。残りの周囲の凹部２７０（１２個）は、第２の凹部２７０Ｂとした。
【０１４４】
各凹部２７０を仕切る支持部２７２の幅は、１．５ｍｍとした。
【０１４５】
各吸引孔２６３、２７５を介して、溝２６１および第１の凹部２７０Ａを、真空ポンプ（ＯＲＩＯＮ  ＤＲＹ−ＰＵＭＰ  ＭＯＤＥＬ  ＫＲＦ０４Ａ−Ｖ−０１）に接続した。真空ポンプの作動により、ガラス基板が吸引され、第２の電極に固定された。真空ポンプの圧力は、−０．５ｋＰａとした。
【０１４６】
次に、ガラス基板に、レーザ光を照射し、ガラス基板に複数の貫通孔を形成した。
【０１４７】
貫通孔の形成には、前述の図２に示したような第１の放電補助式レーザ孔加工装置２００を使用した。レーザ光源は、ＣＯ２レーザとし、レーザ出力は、５０Ｗとした。また、レーザ光照射時間は、８００μ秒とし、印加直流電圧は、５０００Ｖとした。なお、高周波電圧（ＨＦ）印加は、実施していない。
【０１４８】
レーザ光の焦点スポット径は、約７０μｍとした。
【０１４９】
貫通孔は、ガラス基板を上から見たとき、第２の電極２４５の第２の凹部２７０Ｂに相当する１２箇所のそれぞれの位置に形成した。各第２の凹部２７０Ｂには、２０行×２０列のマトリクス状に、４００個の貫通孔を形成した。
【０１５０】
貫通孔の配置ピッチは、Ｘ方向およびＹ方向とも、２００μｍとした。
【０１５１】
これにより、ガラス基板に合計４００個×１２箇所＝４８００個の貫通孔が形成された。
【０１５２】
なお、貫通孔の形成を開始してから完了するまでの間、吸引装置における負圧の測定を実施した。その結果、負圧の値は、加工中−０．５ｋＰａのまま一定であった。また、処理後のガラス基板のＳＥＭ観察の結果から、各貫通孔は、ガラス基板の所定の位置に形成されており、クラック等の異常も認められないことが確認された。
【０１５３】
これらの結果から、実施例１では、加工中にガラス基板に対する吸引効果が低下して、加工中にガラス基板がずれたりすることがなく、適正な位置に、各貫通孔が形成されることがわかった。
【０１５４】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に４８００個の貫通孔を形成した。ただし、この実施例２では、貫通孔の配置ピッチは、Ｘ方向およびＹ方向とも、１５０μｍとした。
【０１５５】
その他の加工条件は、実施例１と同様である。
【０１５６】
貫通孔の形成を開始してから完了するまでの間、吸引装置における負圧の測定を実施した。その結果、負圧の値は、加工中−０．５ｋＰａのまま一定であった。また、処理後のガラス基板のＳＥＭ観察の結果から、各貫通孔は、ガラス基板の所定の位置に形成されており、クラック等の異常も認められないことが確認された。
【０１５７】
これらの結果から、実施例２では、加工中にガラス基板に対する吸引効果が低下して、加工中にガラス基板がずれたりすることがなく、適正な位置に、各貫通孔が形成されることがわかった。
【０１５８】
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に４８００個の貫通孔を形成した。ただし、この実施例３では、貫通孔の配置ピッチは、Ｘ方向およびＹ方向とも、１２５μｍとした。
【０１５９】
その他の加工条件は、実施例１と同様である。
【０１６０】
貫通孔の形成を開始してから完了するまでの間、吸引装置における負圧の測定を実施した。その結果、負圧の値は、加工中−０．５ｋＰａのまま一定であった。また、処理後のガラス基板のＳＥＭ観察の結果から、各貫通孔は、ガラス基板の所定の位置に形成されており、クラック等の異常も認められないことが確認された。
【０１６１】
これらの結果から、実施例３では、加工中にガラス基板に対する吸引効果が低下して、加工中にガラス基板がずれたりすることがなく、適正な位置に、各貫通孔が形成されることがわかった。
【０１６２】
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に対して複数の貫通孔の形成を試みた。ただし、この比較例１では、吸引孔による吸引を全く実施しなかった。
【０１６３】
その他の加工条件は、実施例１と同様である。
【０１６４】
しかしながら、比較例１では、貫通孔の形成を開始してまもなく、ガラス基板の位置がずれてしまい、それ以降、処理を継続することは不可能であった。
【０１６５】
（比較例２）
実施例３と同様の方法により、ガラス基板に対して複数の貫通孔の形成を試みた。ただし、この比較例２では、第２の電極の１６個の凹部の全てを、第１の凹部とした。すなわち、全凹部の底部に、φ２ｍｍの吸引孔を形成し、これらの吸引孔を介して、絶縁基板を吸引した。
【０１６６】
その他の加工条件は、実施例１と同様である。
【０１６７】
処理中、吸引装置における負圧の測定を実施した。その結果、負圧の値は、加工中に、加工前の−０．５ｋＰａから０ｋＰａまで低下した。
【０１６８】
負圧の値が０ｋＰａになったところで、貫通孔の形成処理を中断し、ガラス基板を観察した。その結果、ガラス基板には、大きなクラックが発生していることが確認された。
【０１６９】
これらの結果から、比較例１では、処理の途中で負圧が低下し、吸引装置によるガラス基板の吸引ができなくなることが確認された。なお、クラックは、ガラス基板の吸引が不十分なことによる、ガラス基板の位置ずれと微小振動、また、貫通孔から負圧がもれる際に生じるガラスの微小振動が生じた結果、発生したものと推定される。すなわち、クラックは、貫通孔形成によってもたらされるガラス保持力低下により、生じたものと予想される。
【０１７０】
以上のように、実施例１〜実施例３の方法では、比較例１〜比較例２の方法とは異なり、適正な位置に各貫通孔が形成される上、加工後にクラックも生じ難いことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明は、ガラス基板などの絶縁基板に貫通孔を形成する技術等に利用できる。
【符号の説明】
【０１７２】
１００    従来のレーザ溶融式放電除去装置
１１０    レーザ光源
１１３    レーザ光
１１５    収束レーザ光
１２０    レーザ光学系
１２５    直流高電圧電源
１４０    第１の電極
１４５    第２の電極
１５０、１５５  導体
１８３    照射位置
１８５    貫通孔
１９０    絶縁基板
２００    第１の放電補助式レーザ孔加工装置
２１０    レーザ光源
２１３    レーザ光
２１５    収束レーザ光
２２０    レーザ光学系
２２５    直流高電圧電源
２４０    第１の電極
２４５    第２の電極
２５０、２５５  導体
２６０    周囲部
２６１    溝
２６３    吸引孔
２６５    中央部
２７０    凹部
２７０Ａ  第１の凹部
２７０Ｂ  第２の凹部
２７２    支持部
２７５    吸引孔
２８３    第１の領域
２８５    貫通孔
２９０    絶縁基板
２９２    第１の表面
２９４    第２の表面
３００    第２の放電補助式レーザ孔加工装置
３１０    レーザ光源
３１３    レーザ光
３１５    収束レーザ光
３２０    レーザ光学系
３２５    直流高電圧電源
３４０    第１の電極
３４５    第２の電極
３５０、３５５  導体
３６０    周囲部
３６１    溝
３６３    吸引孔
３６５    中央部
３７０    凹部
３７２    支持部
３７５    吸引孔
３７９    ループ状の壁
３８３    第１の領域
３８５    貫通孔
３９０    絶縁基板
３９２    第１の表面
３９４    第２の表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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