(57)【要約】【課題】オーバーハング状態の半導体チップのワイヤボンディング時におけるクラックや割れ等の発生を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置１は、回路基材上２に搭載された第１の半導体チップ４を備える第１のチップ群５と、第１のチップ群５上に積層された複数の第２の半導体チップ９を備える第２のチップ群１０とを具備する。第２の半導体チップ９は、最下段の第２の半導体チップ９Ａが第１のチップ群５から突出するように階段状に積層されている。配線基板２と第２の半導体チップ９とは、第２の金属ワイヤ１３で電気的に接続されている。第２の金属ワイヤ１３は、最下段の第２の半導体チップ９Ａの第２の電極パッド１１に対して１度のボールボンディングのみにより接続されている。【選択図】図１
2014187221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基材と、
第１の電極パッドを有する少なくとも１個の第１の半導体チップを備え、前記回路基材上に搭載された第１のチップ群と、
第２の電極パッドを有する３個以上の第２の半導体チップを備え、前記３個以上の第２の半導体チップは前記第２の電極パッドが露出し、かつ最下段の第２の半導体チップが前記第１のチップ群から突出するように、前記第１のチップ群上に階段状に積層されている第２のチップ群と、
前記回路基材と前記第１の半導体チップの前記第１の電極パッドとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、
前記回路基材と前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、
前記第１および第２のチップ群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する封止樹脂層とを具備し、
前記第２の金属ワイヤは、前記最下段の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドに対して、１度のボールボンディングのみにより接続されおり、
前記３個以上の前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドは、下段側の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドにボールボンディングされ、かつ上段側の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドにバンプを介してステッチボンディングされた前記第２の金属ワイヤにより順に電気的に接続されており、
前記最下段の第２の半導体チップを除く第２の半導体チップの前記第２の電極パッドのうちの１つは、前記第２の金属ワイヤを介して前記回路基材と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
回路基材と、
第１の電極パッドを有する少なくとも１個の第１の半導体チップを備え、前記回路基材上に搭載された第１のチップ群と、
第２の電極パッドを有する複数の第２の半導体チップを備え、前記複数の第２の半導体チップは前記第２の電極パッドが露出し、かつ最下段の第２の半導体チップが前記第１のチップ群から突出するように、前記第１のチップ群上に階段状に積層されている第２のチップ群と、
前記回路基材と前記第１の半導体チップの前記第１の電極パッドとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、
前記回路基材と前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、
前記第１および第２のチップ群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する封止樹脂層とを具備し、
前記第２の金属ワイヤは、前記最下段の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドに対して、１度のボールボンディングのみにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第２のチップ群は、前記第１のチップ群上に階段状に積層された３個以上の前記第２の半導体チップを備え、
前記３個以上の前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドは、前記第２の金属ワイヤにより順に電気的に接続されており、
前記最下段の第２の半導体チップを除く第２の半導体チップの前記第２の電極パッドのうちの１つは、前記第２の金属ワイヤを介して前記回路基材と電気的に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２のチップ群は、前記第１のチップ群上に階段状に積層された３個以上の前記第２の半導体チップを備え、
前記最下段の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドは、前記第２の金属ワイヤを介して前記回路基材と電気的に接続されており、
前記最下段の第２の半導体チップを除く第２の半導体チップの前記第２の電極パッドは、前記第２の金属ワイヤにより順に電気的に接続されており、かつ前記第２の電極パッドのうちの１つが前記第２の金属ワイヤを介して前記回路基材と電気的に接続されている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
回路基材を用意する工程と、
第１の電極パッドを有する少なくとも１個の第１の半導体チップを備える第１のチップ群を、前記回路基材上に搭載する工程と、
前記回路基材と前記第１の半導体チップの前記第１の電極パッドとを第１の金属ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
第２の電極パッドを有する複数の第２の半導体チップを備える第２のチップ群を、前記第２の電極パッドが露出し、かつ最下段の第２の半導体チップが前記第１のチップ群から突出するように、前記第１のチップ群上に階段状に積層する工程と、
前記回路基材と前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドとを第２の金属ワイヤを介して電気的に接続する工程と、
前記第１および第２のチップ群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する封止樹脂層を形成する工程とを具備し、
前記第２の金属ワイヤを、前記最下段の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドに対して、１度のボールボンディングのみにより接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の小型化や高機能化を実現するために、１つのパッケージ内に複数の半導体チップを積層して封止した積層型の半導体装置が実用化されている。例えば、半導体記憶装置では高容量化を図るために、メモリチップを配線基板上に多段に積層している。ワイヤボンディングを適用して配線基板とメモリチップとを電気的に接続する場合、各メモリチップの電極パッドを露出させるように、複数のメモリチップを階段状に積層した構造が適用される。さらに、半導体記憶装置自体の小型化を図るために、複数のメモリチップを階段状に積層した複数のチップ群を、例えば階段方向を逆方向にして、もしくはスペーサ等を介在させた上で階段方向を同方向にして積層した構造が採用されている。
【０００３】
複数の半導体チップ群を積層した構造を有する半導体装置では、例えば下側の半導体チップ群を構成する複数の半導体チップの電極パッド間を金属ワイヤで順に接続した後、最下段の半導体チップの電極パッドと配線基板の接続パッドとを金属ワイヤで接続することによって、複数の半導体チップと配線基板とを電気的に接続している。上側の半導体チップ群も同様であり、複数の半導体チップの電極パッド間を金属ワイヤで順に接続すると共に、最下段の半導体チップの電極パッドと配線基板の接続パッドとを金属ワイヤで電気的に接続している。最下段の半導体チップの電極パッドには、ノーマルボンディングおよびリバースボンディングのいずれにおいても、バンプボンディング、バンプ上へのステッチボンディング、ボールボンディングの３回のボンディング工程が実施される。
【０００４】
複数の半導体チップ群を積層した構造において、上側の半導体チップ群における最下段の半導体チップは、下側の半導体チップ群から外側に突出した状態で配置されることになる。このような下側の半導体チップ群からオーバーハングした最下段の半導体チップにバンプボンディング、バンプ上へのステッチボンディング、さらにステッチ上へのボールボンディングの３回のボンディング工程を連続して実施すると、ボンディング時の衝撃が蓄積されるだけでなく、ボンディング時にオーバーハング部分が撓むおそれがあることから、最下段の半導体チップにクラックや割れ等が生じやすくなる。このようなことから、オーバーハング状態の半導体チップのワイヤボンディング時におけるクラックや割れ等の発生を抑制することを可能にしたワイヤボンディング構造が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１０９２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、オーバーハング状態の半導体チップのワイヤボンディング時におけるクラックや割れ等の発生を抑制することを可能にした半導体装置とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の半導体装置は、回路基材と、第１の電極パッドを有する少なくとも１個の第１の半導体チップを備え、前記回路基材上に搭載された第１のチップ群と、第２の電極パッドを有する複数の第２の半導体チップを備え、前記複数の第２の半導体チップは前記第２の電極パッドが露出し、かつ最下段の第２の半導体チップが前記第１のチップ群から突出するように、前記第１のチップ群上に階段状に積層されている第２のチップ群と、前記回路基材と前記第１の半導体チップの前記第１の電極パッドとを電気的に接続する第１の金属ワイヤと、前記回路基材と前記第２の半導体チップの前記第２の電極パッドとを電気的に接続する第２の金属ワイヤと、前記第１および第２のチップ群を前記第１および第２の金属ワイヤと共に封止する封止樹脂層とを具備する。前記第２の金属ワイヤは、前記最下段の第２の半導体チップの前記第２の電極パッドに対して、１度のボールボンディングのみにより接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置における第２のチップ群のワイヤボンディング構造の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図４】第２の実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【図５】図４に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図６】第３の実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【図７】図６に示す半導体装置の変形例を示す断面図である。
【図８】第４の実施形態による半導体装置の第１の例を示す断面図である。
【図９】第４の実施形態による半導体装置の第２の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態の半導体装置とその製造方法について、図面を参照して説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態による半導体装置の構成を示す図である。図１に示す半導体装置１は、回路基材として配線基板２を具備している。配線基板２は、例えば絶縁樹脂基板やセラミックス基板等の表面や内部に配線網（図示せず）を設けたものであり、具体的にはガラス−エポキシ樹脂のような絶縁樹脂を使用したプリント配線板が挙げられる。回路基材としては、配線基板２に代えて、シリコンインターポーザやリードフレーム等を使用してもよい。配線基板２は、外部端子の形成面となる第１の表面２ａと、半導体チップの搭載面となる第２の表面２ｂとを有している。図１では図示を省略したが、配線基板２の第１の表面２ａにはＢＧＡパッケージ用の外部端子（半田ボール等による突起状端子）やＬＧＡパッケージ用の外部端子（金属めっき等による金属ランド）が形成される。
【００１１】
配線基板２の第２の表面２ｂには、ワイヤボンディング時のボンディング部となる接続パッド３Ａ、３Ｂが設けられている。接続パッド３Ａ、３Ｂの少なくとも一部は配線基板２の配線網（図示せず）を介して、配線基板２の第１の表面２ａに設けられる外部端子（図示せず）と電気的に接続されている。配線基板２の第２の表面２ｂには、第１の半導体チップ４Ａ、４Ｂ、４Ｃ、４Ｄが搭載されている。第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄは、第１のチップ群５を構成している。第１の半導体チップ４の搭載数は、特に限定されるものではなく、１個または２個以上のいずれであってもよい。第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄとしては、例えばＮＡＮＤ型フラッシュメモリのようなメモリチップが用いられるが、これに限られるものではない。後述する第２の半導体チップ９も同様である。
【００１２】
第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄは、それぞれ矩形状の同一形状を有し、トランジスタを含む回路等が形成された素子形成面に設けられた第１の電極パッド６を備えている。第１の電極パッド６は、第１の半導体チップ４の１つの外形辺に沿って配列されている。複数の第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄは、第１の電極パッド６が露出するように階段状に積層されている。すなわち、半導体チップ４Ａは配線基板２の第１の表面２ａに接着層７を介して接着されている。半導体チップ４Ｂ〜４Ｄは、それぞれ下段側の半導体チップ（４Ａ〜４Ｃ）の電極パッド６が露出するように、パッド配列辺と直交する方向にずらして下段側の半導体チップ（４Ａ〜４Ｃ）上に順に接着されている。
【００１３】
第１のチップ群５を構成する第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄの電極パッド６は、第１の金属ワイヤ（Ａｕワイヤ等）８を介して順に接続されている。さらに、第１のチップ群５における最下段の第１の半導体チップ４Ａの電極パッド６は、その近傍に位置する接続パッド３Ａと第１の金属ワイヤ８を介して電気的に接続されている。すなわち、第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄの電極パッド６は、金属ワイヤ８で順に中継ボンディングされ、さらに配線基板２の接続パッド３Ａと金属ワイヤ８を介して電気的に接続されている。
【００１４】
図１は第１の金属ワイヤ８による電極パッド６間および電極パッド６と接続パッド３Ａとの接続にリバースボンディングを適用した構造を示しているが、これに限られるものではない。第１の金属ワイヤ８はノーマルボンディングにより接続してもよい。リバースボンディングとは、下側に配置された接続部にボールボンディングし、金属ワイヤをルーピングした後に上側に配置された接続部にステッチボンディングする工程である。ノーマルボンディングとは、上側に配置された接続部にボールボンディングし、金属ワイヤをルーピングした後に下側に配置された接続部にステッチボンディングする工程である。
【００１５】
第１のチップ群５上には、複数の第２の半導体チップ９Ａ、９Ｂ、９Ｃ、９Ｄが積層されて搭載されている。第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、第２のチップ群１０を構成している。第２の半導体チップ９の積層数は複数であればよく、その数に限定されるものではない。ただし、半導体チップ９の積層数の増加による高容量化等の高機能化、さらに後述する中継ボンディングの構成的な特徴や効果等を得る上で、半導体チップ９の積層数は３個以上であることが好ましい。第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、それぞれ矩形状の同一形状を有し、素子形成面に設けられた第２の電極パッド１１を備えている。第２の電極パッド１１は、第２の半導体チップ９の１つの外形辺に沿って配列されている。
【００１６】
第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、第２の電極パッド１１が露出するように階段状に積層されている。第２のチップ群１０の階段方向は、第１のチップ群５の階段方向とは逆方向とされている。第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄのパッド配列辺は、第１のチップ群５を構成する半導体チップ４Ａ〜４Ｄのパッド配列辺とは反対方向を向いている。すなわち、半導体チップ９Ａはパッド配列辺を第１のチップ群５とは反対方向に向けて、第１のチップ群５上に接着層１２を介して接着されている。半導体チップ９Ｂ〜９Ｄは、それぞれ下段側の半導体チップ（９Ａ〜９Ｃ）の電極パッド１１が露出するように、パッド配列辺を半導体チップ９Ａと同方向に向け、かつパッド配列辺と直交する方向にずらして、下段側の半導体チップ（９Ａ〜９Ｃ）上に順に接着されている。
【００１７】
複数の第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄを第１のチップ群５上に階段方向を逆方向にして積層する場合、第１のチップ群５における最上段の第１の半導体チップ４Ｄの電極パッド６が露出するように、第２のチップ群１０はそのうちの最下段の第２の半導体チップ９Ａの電極パッド１１が設けられたパッド配列辺側の端部を、第１のチップ群５から外側に庇状に突出させた状態、いわゆるオーバーハングさせた状態で配置される。電極パッド１１の形成部位が第１のチップ群５、具体的にはそのうちの最上段の第１の半導体チップ４Ｄからオーバーハングした第２の半導体チップ９Ａは、電極パッド１１の下側が中空状態であり、電極パッド１１にワイヤボンディングした際に撓みやすいため、クラックや割れ等が生じる可能性が他の第２の半導体チップ９Ｂ〜９Ｄに比べて高い。
【００１８】
第１の実施形態の半導体装置１においては、最下段の半導体チップ９Ａのワイヤボンディング時におけるクラックや割れ等を抑制するために、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１には１度のボールボンディングにより第２の金属ワイヤ１３が接続されている。具体的には、図２にワイヤボンディング構造の一部を拡大して示すように、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１へのワイヤボンディングの前工程として、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１にバンプボンディングを実施して、電極パッド１１上にバンプ（Ａｕ等の金属ワイヤ１３の構成材料からなるバンプ）１４を形成する。次いで、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１に金属ワイヤ１３をボールボンディング（Ｂ）し、金属ワイヤ１３をルーピングした後に、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１上に形成されたバンプ１３にステッチボンディング（Ｓ）する。
【００１９】
最下段の半導体チップ９Ａと２段目の半導体チップ９Ｂとの接続工程と同様に、３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１上にバンプ１４を形成する。次いで、金属ワイヤ１３がステッチボンディング（Ｓ）された２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１に金属ワイヤ１３をボールボンディング（Ｂ）し、金属ワイヤ１３をルーピングした後に、３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１上に形成されたバンプ１３にステッチボンディング（Ｓ）する。さらに、３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１と４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１とを、同様にして金属ワイヤ１３で接続する。
【００２０】
このように、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１から最上段の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１まで順にリバースボンディングを実施することによって、半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１を金属ワイヤ１３で順に接続する。すなわち、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１から最上段の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１までを、金属ワイヤ１３で中継ボンディングする。ここで、ボールボンディングとは金属ワイヤ１３の先端に形成されたボール部を接続する工程である。ステッチボンディングとは、金属ワイヤ１３をバンプ１２に接続する工程である。バンプボンディングとは、金属ワイヤ１３の先端に形成されたボール部を接続した後に金属ワイヤ１３をボール部から切断してバンプ１３を形成する工程である。
【００２１】
中継ボンディングされた半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続は、最下段の半導体チップ９Ａを除く半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１を介して実施する。図１に示す半導体装置１において、配線基板２との接続用の金属ワイヤ１３の一端は、３段目の半導体チップ９Ｃからの金属ワイヤ１３がステッチボンディング（Ｓ）された４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１にボールボンディング（Ｂ）されており、他端は配線基板２の接続パッド３Ｂにステッチボンディング（Ｓ）されている。図１は半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続にノーマルボンディングを適用した状態を示している。
【００２２】
半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続は、ノーマルボンディングに限られるものではない。図３に示すように、半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続にリバースボンディングを適用してもよい。図３に示す半導体装置１において、配線基板２との接続用の金属ワイヤ１３の一端は、配線基板２の接続パッド３Ｂにボールボンディング（Ｂ）されており、他端は４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１のステッチボンディング（Ｓ）上に形成されたバンプ１３にステッチボンディング（Ｓ）されている。
【００２３】
第１および第２のチップ群５、１０が搭載された配線基板２の第２の表面２ｂ上には、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いた封止樹脂層１５がモールド成形されている。すなわち、第１のチップ群５を構成する第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄおよび第２のチップ群１０を構成する第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、第１および第２の金属ワイヤ８、１３等と共に封止樹脂層１５で一体的に封止されている。これら各構成要素によって、第１の実施形態の半導体装置１が構成されている。
【００２４】
第１の実施形態の半導体装置１においては、半導体チップ９Ａの電極パッド１１から半導体チップ９Ｄの電極パッド１１までの中継ボンディングにリバースボンディングを適用し、その上で中継ボンディングされた半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続に、最下段の半導体チップ９Ａを除く半導体チップ９Ｂ〜９Ｄのいずれかの電極パッド１１、具体的には最上段の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１を使用している。第１のチップ群５からオーバーハングした最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１には、中継ボンディング時における１度のボールボンディングが実施されている。すなわち、金属ワイヤ１３は最下段の半導体チップ９Ａの第２の電極パッド１１に１度のボールボンディングにより接続されている。
【００２５】
オーバーハングした最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１に対する金属ワイヤ１３のボンディング工程（ボールボンディング、ステッチボンディング、およびバンプボンディングを含む金属ワイヤ１３の全てのボンディング工程）を１度とすることによって、最下段の半導体チップ９Ａのボンディング時における衝撃が緩和される。さらに、ボンディング時における最下段の半導体チップ９Ａの撓みの影響も小さくなる。すなわち、ボンディング時に半導体チップ９Ａが繰り返し撓むことで、疲労等が蓄積することが防止される。従って、ワイヤボンディング時における最下段の半導体チップ９Ａのクラックや割れ等の発生を抑制することが可能となる。言い換えると、階段方向が逆方向の複数のチップ群５、１０を備える半導体装置１を歩留りよく製造することができ、さらに半導体装置１の信頼性を高めることが可能になる。
【００２６】
加えて、ワイヤボンディング時における半導体チップ９Ａの撓みは、その厚さを５０μｍ以下、さらには３０μｍ程度というように薄肉化した場合に顕著になる。そこで、オーバーハングチップ（第２の半導体チップ９Ａ）のワイヤボンディング時における撓みを抑制するために、第２のチップ群１０内のオーバーハングチップ９Ａの厚さのみを厚くする場合がある。ただし、オーバーハングチップ９Ａの厚さを厚くすることで、第２のチップ群１０の厚さ、ひいては半導体装置１の厚さも厚くなる。これは半導体装置１の小型化や薄型化を阻害する要因となる。実施形態の半導体装置１においては、オーバーハングした半導体チップ９Ａのボンディング時における衝撃や撓みが軽減されるため、半導体チップ９Ａの厚さを他の半導体チップ９Ｂ〜９Ｄと同等（例えば３０〜５０μｍ程度）とした場合においても、半導体チップ９Ａのクラックや割れ等を抑制することができる。従って、半導体装置１のより一層の小型化や薄型化を図ることが可能になる。
【００２７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態による半導体装置２１の構成を、図４および図５を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。第２の実施形態による半導体装置２１は、第１の実施形態と同様に、中継ボンディングされた半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続を、最下段の半導体チップ９Ａを除く半導体チップ９Ｂ〜９Ｄのいずれかの電極パッド１１を介して実施している。ただし、第２の実施形態では配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続に、最下段の半導体チップ９Ａと最上段の半導体チップ９Ｄとの間の半導体チップ（９Ｂ、９Ｃ）の電極パッド１１を使用している。
【００２８】
図４および図５は２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１を配線基板２の接続パッド３Ｂと金属ワイヤ１３を介して電気的に接続した状態を示している。３段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１を使用する場合も、後述する中継ボンディングにおけるリバースボンディングとノーマルボンディングの切替え位置が変わるだけで、基本的には同様な構成を適用して３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとを電気的に接続することができる。第２の実施形態の半導体装置２１において、配線基板２や第１のチップ群５の構成は第１の実施形態と同一である。
【００２９】
第２の実施形態の半導体装置２１は、第１の実施形態と同様に、第２の電極パッド１１を露出させるように、階段状に積層された複数の第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄを有する第２のチップ群１０を備えている。第２のチップ群１０における半導体チップ９Ａ〜９Ｄの積層構造等は第１の実施形態と同様であり、第２のチップ群１０の階段方向は第１のチップ群５の階段方向とは逆方向とされている。第２のチップ群１０における最下段の半導体チップ９Ａは、電極パッド１１が設けられたパッド配列辺側の端部が第１のチップ群５から外側に庇状に突出した状態、いわゆるオーバーハングした状態で配置されている。従って、最下段の半導体チップ９Ａにおける電極パッド１１の形成部位は、第１のチップ群５（最上段の第１の半導体チップ４Ｄ）からオーバーハングしている。
【００３０】
第２の実施形態の半導体装置２１においても、最下段の半導体チップ９Ａのワイヤボンディング時におけるクラックや割れ等を抑制するために、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１には１度のボールボンディングにより第２の金属ワイヤ１３が接続されている。すなわち、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１とは、リバースボンディングにより接続されている。最上段の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１から２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１までは、ノーマルボンディングで順に接続されている。その上で、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとが電気的に接続されている。
【００３１】
最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１とのリバースボンディングは、第１の実施形態と同様に実施する。具体的には、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１にバンプボンディングを実施して、電極パッド１１上にバンプ１４を形成する。最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１に金属ワイヤ１３をボールボンディング（Ｂ）し、金属ワイヤ１３をルーピングした後に、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１上に形成されたバンプ１４にステッチボンディング（Ｓ）する。４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１から２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１までのノーマルボンディングは以下のように実施する。
【００３２】
すなわち、３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１にバンプボンディングしてバンプ１４を形成する。次いで、４段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１に金属ワイヤ１３をボールボンディング（Ｂ）し、金属ワイヤ１３をルーピングした後に、３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１上に形成されたバンプ１４にステッチボンディング（Ｓ）する。３段目の半導体チップ９Ｃの電極パッド１１と２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１とを、同様にして金属ワイヤ１３で接続する。２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１に対するステッチボンディング（Ｓ）は、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１に接続された金属ワイヤ１３のステッチボンディング（Ｓ）上に実施する。最下段の半導体チップ９Ａからのステッチボンディング（Ｓ）上にバンプを形成した後に、３段目の半導体チップ９Ｂからのステッチボンディング（Ｓ）を実施してもよい。
【００３３】
最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１との間をリバースボンディングで接続し、４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１から２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１までをノーマルボンディングにより順に接続することによって、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１から４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１までを中継ボンディングする。そして、中継ボンディングされた半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとを、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１を介して電気的に接続する。
【００３４】
図４に示す半導体装置２１において、配線基板２との接続用の金属ワイヤ１３の一端は、最下段の半導体チップ９Ａからの金属ワイヤ１３および３段目の半導体チップ９Ｃからの金属ワイヤ１３がステッチボンディング（Ｓ）された２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１にボールボンディング（Ｂ）されており、他端は配線基板２の接続パッド３Ｂにステッチボンディング（Ｓ）されている。図４は半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続にノーマルボンディングを適用した状態を示している。図５に示すように、半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続にリバースボンディングを適用してもよい。
【００３５】
第１および第２のチップ群５、１０が搭載された配線基板２の第２の表面２ｂ上には、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いた封止樹脂層１５がモールド成形されている。すなわち、第１のチップ群５を構成する第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄおよび第２のチップ群１０を構成する第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、第１および第２の金属ワイヤ８、１３等と共に封止樹脂層１５で一体的に封止されている。これら各構成要素によって、第２の実施形態の半導体装置２１が構成されている。
【００３６】
第２の実施形態の半導体装置２１においては、半導体チップ９Ａの電極パッド１１から半導体チップ９Ｄの電極パッド１１までを中継ボンディングし、その上で中継ボンディングされた半導体チップ９Ａ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的な接続に、最下段の半導体チップ９Ａを除く半導体チップ９Ｂ〜９Ｄのいずれかの電極パッド１１、具体的には２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１を使用している。第１のチップ群５からオーバーハングした最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１には、中継ボンディング時における１度のボールボンディングが実施されている。
【００３７】
オーバーハングした半導体チップ９Ａの電極パッド１１に対する金属ワイヤ１３のボンディング工程を１度とすることによって、最下段の半導体チップ９Ａのボンディング時における衝撃が緩和され、さらに撓みの繰り返しによる疲労の蓄積が防止される。従って、ワイヤボンディング時における最下段の半導体チップ９Ａのクラックや割れ等の発生を抑制することが可能となる。言い換えると、階段方向が逆方向の複数のチップ群５、１０を備える半導体装置２１を歩留りよく製造することができ、さらに半導体装置２１の信頼性を高めることが可能になる。加えて、最下段の半導体チップ９Ａの厚さを他の半導体チップ９Ｂ〜９Ｄと同等（例えば３０〜５０μｍ程度）とした場合においても、半導体チップ９Ａのクラックや割れ等を抑制することができる。従って、半導体装置２１のより一層の小型化や薄型化を図ることが可能になる。
【００３８】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態による半導体装置３１の構成を、図６および図７を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。第３の実施形態による半導体装置３１は、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１から４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１までを中継ボンディングし、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と中継ボンディングした半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１とを、別々に配線基板２の接続パッド３Ｂとの電気的に接続した構造を有している。なお、第２の実施形態と同様に、第３の実施形態の半導体装置３１における配線基板２や第１のチップ群５の構成、さらに第２のチップ群１０におけるオーバーハング構造を含む半導体チップ９Ａ〜９Ｄの積層構造等は、第１の実施形態と同一である。
【００３９】
図６に示す半導体装置３１において、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとは、金属ワイヤ１３のノーマルボンディングにより接続されている。すなわち、金属ワイヤ１３の一端は、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１にボールボンディング（Ｂ）されており、他端は配線基板２の接続パッド３Ｂにステッチボンディング（Ｓ）されている。一方、４段目の半導体チップ９Ｄの電極パッド１１から２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１までは、金属ワイヤ１３のノーマルボンディングにより中継ボンディングされている。中継ボンディングにおけるノーマルボンディングは、第２の実施形態と同様にして実施される。
【００４０】
中継ボンディングされた半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとは、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１を介して電気的に接続される。図６に示す半導体装置３１において、２段目の半導体チップ９Ｂの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとは、ノーマルボンディングされた金属ワイヤ１３により接続されている。すなわち、半導体チップ９Ｄ〜９Ｂの電極パッド１１および配線基板２の接続パッド３Ｂは、金属ワイヤ１３のノーマルボンディングで順に接続されている。配線基板２の接続パッド３Ｂと半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１との接続には、図７に示すように金属ワイヤ１３のリバースボンディングを適用してもよい。図７に示す半導体装置３１において、配線基板２の接続パッド３Ｂおよび半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１は、金属ワイヤ１３のリバースボンディングで順に接続されている。
【００４１】
第１および第２のチップ群５、１０が搭載された配線基板２の第２の表面２ｂ上には、例えばエポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を用いた封止樹脂層１５がモールド成形されている。すなわち、第１のチップ群５を構成する第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄおよび第２のチップ群１０を構成する第２の半導体チップ９Ａ〜９Ｄは、第１および第２の金属ワイヤ８、１３等と共に封止樹脂層１５で一体的に封止されている。これら各構成要素によって、第３の実施形態の半導体装置３１が構成されている。
【００４２】
第３の実施形態の半導体装置３１においては、最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとを金属ワイヤ１３のノーマルボンディングにより接続し、その上で中継ボンディングされた半導体チップ９Ｂ〜９Ｄの電極パッド１１と配線基板２の接続パッド３Ｂとを、最下段の半導体チップ９Ａとは別に金属ワイヤ１３で接続している。第２のチップ群１０におけるオーバーハングした最下段の半導体チップ９Ａの電極パッド１１には、配線基板２の接続パッド３Ｂとのワイヤボンディング時における１度のボールボンディングが実施されている。
【００４３】
オーバーハングした半導体チップ９Ａの電極パッド１１に対する金属ワイヤ１３のボンディング工程を１度とすることによって、最下段の半導体チップ９Ａのボンディング時における衝撃が緩和され、さらに撓みの繰り返しによる疲労の蓄積が防止される。従って、最下段の半導体チップ９Ａのクラックや割れ等の発生を抑制することが可能となる。言い換えると、階段方向が逆方向の複数のチップ群５、１０を備える半導体装置３１を歩留りよく製造することができ、さらに半導体装置３１の信頼性を高めることが可能になる。加えて、半導体チップ９Ａの厚さを他の半導体チップ９Ｂ〜９Ｄと同等（例えば３０〜５０μｍ程度）とした場合においても、半導体チップ９Ａのクラックや割れ等が抑制される。従って、半導体装置３１のより一層の小型化や薄型化を図ることが可能となる。
【００４４】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態による半導体装置４１の構成を、図８および図９を参照して説明する。なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。第１ないし第３の実施形態では、第２のチップ群１０の階段方向を第１のチップ群５の階段方向を逆にした構造を説明したが、第２のチップ群１０における最下段の半導体チップ９Ａが第１のチップ群５からオーバーハングする構造は、これに限られるものではない。第４の実施形態による半導体装置４１は、第１のチップ群５上にスペーサ層４２（４２Ａ、４２Ｂ）を介して第２のチップ群１０を積層した構造を備えている。
【００４５】
図８に示す半導体装置４１はスペーサ層４２として、第１の半導体チップ４Ａ〜４Ｄの電極パッド１１（特に最上段の半導体チップ４Ｄの電極パッド１１）に接続された金属ワイヤ８を取り込むことが可能な絶縁樹脂層４２Ａを備えている。絶縁樹脂層４２Ａはスペーサ層としての機能に加えて、第２のチップ群１０における最下段の半導体チップ９Ａの接着層として機能を併せ持つものである。スペーサ層４２は、図８に示す絶縁樹脂層４２Ａに代えて、図９に示すように一般的なチップスペーサ４２Ｂであってもよい。第４の実施形態による半導体装置４１は、スペーサ層４２（４２Ａ、４２Ｂ）を介在させることによって、第１のチップ群５と第２のチップ群１０との階段方向を同一としている。
【００４６】
上述したチップ群５、１０の積層構造においても、第２のチップ群１０における最下段の半導体チップ９Ａは、電極パッド１１が設けられたパッド配列辺側の端部が第１のチップ群５から外側にオーバーハングした状態で配置される。第１ないし第３の実施形態で詳述した構造、すなわちオーバーハングした半導体チップ９Ａの電極パッド１１に１度のボールボンディングが実施されるボンディング構造は、第１のチップ群５と第２のチップ群１０とを、スペーサ層４２を介して積層した場合においても有効に適用される。従って、第１ないし第３の実施形態と同様な効果を得ることができる。なお、図８および図９には第２のチップ群１０のボンディング構造として第１の実施形態と同様な構造を示したが、当然ながら第２および第３の実施形態のボンディング構造であってもよい。
【００４７】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同時に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４８】
１，２１，３１，４１…半導体装置、２…配線基板、３Ａ，３Ｂ…接続パッド、４Ａ，４Ｂ，４Ｃ，４Ｄ…第１の半導体チップ、５…第１のチップ群、６，１１…電極パッド、８…第１の金属ワイヤ、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，９Ｄ…第２の半導体チップ、１０…第２のチップ群、１３…第２の金属ワイヤ、１４…バンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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