(57)【要約】【課題】スリーブを設けることなく、リード端子の高さ位置を管理することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置は、金属ブロック１と、金属ブロック１の上面にロウ材１１により接合された半導体素子であるＩＧＢＴ２と、ＩＧＢＴ２の上面にロウ材１１と同じ種類のロウ材１２により接合されたリード端子５と、リード端子５の上面に接合されたＥ電極７と、金属ブロック１の上面にロウ材１１と同じ種類のロウ材１３により接合されたＣ電極６と、金属ブロック１の下面、Ｃ電極６およびＥ電極７の上面を露出させつつ、金属ブロック１、ＩＧＢＴ２、リード端子５、Ｃ電極６およびＥ電極７を覆うモールド樹脂１０とを備えている。リード端子５の延設方向の両端部は、金属ブロック１における水平方向の端から突出している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ブロックと、
前記金属ブロックの上面に接合材により接合された半導体素子と、
前記半導体素子の上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合されたリード端子と、
前記リード端子の上面に接合された第１電極と、
前記金属ブロックの上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合された第２電極と、
前記金属ブロックの下面および前記第１，第２電極の上面を露出させつつ、前記金属ブロック、前記半導体素子、前記リード端子、および前記第１，第２電極を覆うモールド樹脂と、
を備え、
前記リード端子の延設方向の両端部は、前記金属ブロックにおける水平方向の端から突出している、半導体装置。
【請求項２】
金属ブロックと、
前記金属ブロックの上面に接合材により接合された半導体素子と、
前記半導体素子の上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合されたリード端子と、
前記リード端子の上面に接合された第１電極と、
前記金属ブロックの上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合された第２電極と、
前記金属ブロックの下面および前記第１，第２電極の上面を露出させつつ、前記金属ブロック、前記半導体素子、前記リード端子、および前記第１，第２電極を覆うモールド樹脂と、
を備え、
前記金属ブロックにおいて、前記リード端子の中央部に対応する位置に穴部、もしくは前記リード端子における延設方向の両端部に対応する位置に切り欠き部が形成された、半導体装置。
【請求項３】
前記第１電極および前記リード端子は、前記第１電極と前記リード端子との間隔を一定に保持するように接合された、請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１電極の下面に、前記リード端子側に突出する第１突起部が形成された、請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記リード端子の上面における前記第１電極が配置される位置に、前記第１電極側に突出する第２突起部が形成された、請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１電極と前記リード端子は一体成形された、請求項３記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１電極は、前記半導体素子の上面における前記リード端子との接合部よりも、前記リード端子における延設方向の端部側に配置された、請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体素子はワイドバンドギャップ半導体素子である、請求項１〜７のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記リード端子における延設方向の両端部を用いて、治具により前記リード端子を予め定められた高さ位置に固定して前記モールド樹脂でモールドする工程を備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、
前記金属ブロックの前記穴部、もしくは前記金属ブロックの前記切り欠き部を用いて、治具により前記リード端子を予め定められた高さ位置に固定して前記モールド樹脂でモールドする工程を備えた、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気自動車、電車等のモータを制御するインバータおよび回生用コンバータに使用される半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置においては、金属ブロックの上面にロウ材、半導体素子、ロウ材、リード端子、ロウ材、電極の順に載せてから、これら全体を加熱しロウ材を溶融させることで、金属ブロック、リード端子および電極を接合するというロウ付け方法を用いて製造されていた。
【０００３】
また、半導体素子の下面に、アルミワイヤボンドによりバンプを形成してロウ材の最低厚みを確保することもあった。さらに、モールド時に電極の上端部にスリーブを装着し、電極の上面にモールド樹脂が回りこまないようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１２９８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置は、金属ブロックの上面にロウ材、半導体素子、ロウ材、リード端子、ロウ材、電極の順に載せてからこれら全体を加熱するため、ロウ材の厚みが不均一となって、特に電極の重みによってリード端子、半導体素子に傾きが発生したり、半導体素子の下面のロウ材がはみ出したりすることがあった。
【０００６】
上記のようにロウ材の厚みが不均一となることから、リード端子の高さ位置を管理することが難しく、リード端子の上面に搭載されている電極の上面の高さ位置がばらついていた。電極の上面の高さ位置が所定位置よりも低くなった場合、モールド時に電極と金型との間に隙間ができてモールド樹脂がその隙間に回りこむという問題があった。
【０００７】
また、電極を金型で押さえ込んだとき、半導体素子に過剰な負荷が掛かるという問題があった。ここで、半導体素子の下面のバンプは、ロウ材の最低厚みを確保するためのものであり、電極の高さ位置を管理することはできない。
【０００８】
また、特許文献１に記載の技術は、電極の上面の高さ位置が所定位置よりも低くなった場合にモールド樹脂が電極と金型との間の隙間に回りこむことを防止できるが、電極にスリーブを装着する必要があるため、半導体装置の製造コストが上昇してしまう。
【０００９】
そこで、本発明は、スリーブを設けることなく、リード端子の高さ位置を管理することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、金属ブロックと、前記金属ブロックの上面に接合材により接合された半導体素子と、前記半導体素子の上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合されたリード端子と、前記リード端子の上面に接合された第１電極と、前記金属ブロックの上面に前記接合材と同じ種類の接合材により接合された第２電極と、前記金属ブロックの下面および前記第１，第２電極の上面を露出させつつ、前記金属ブロック、前記半導体素子、前記リード端子、および前記第１，第２電極を覆うモールド樹脂とを備え、前記リード端子の延設方向の両端部は、前記金属ブロックにおける水平方向の端から突出しているものである。
【００１１】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記リード端子における延設方向の両端部を用いて、治具により前記リード端子を予め定められた高さ位置に固定して前記モールド樹脂でモールドする工程を備えたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、リード端子の延設方向の両端部は、金属ブロックにおける水平方向の端から突出しているため、モールド時、治具によりリード端子の延設方向の両端部を挟み込むことで、リード端子を予め定められた高さ位置に固定することができる。すなわち、リード端子の高さ位置を管理することができる。これにより、第１電極の重みによってリード端子が傾くことがなく、モールド後に第１電極の上面をモールド樹脂の表面に容易に露出させることができ、また、半導体素子の下面の接合材のはみ出しを防止できる。
【００１３】
さらに、リード端子の高さ位置を管理するに際して、スリーブを設ける必要がないため、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、リード端子における延設方向の両端部を用いて、治具によりリード端子を予め定められた高さ位置に固定する工程を備えたため、リード端子の高さ位置を管理することができる。これにより、第１電極の重みでリード端子が傾くことがなく、モールド後に第１電極の上面をモールド樹脂の表面に容易に露出させることができ、また、第１電極の自重による半導体素子の下面の接合材のはみ出しを防止できる。
【００１５】
さらに、リード端子の高さ位置を管理するに際して、スリーブを設ける必要がないため、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置におけるモールド後の平面図である。
【図２】半導体装置におけるモールド後の断面図である。
【図３】ロウ材接合後に治具を取り付けた状態の半導体装置の断面図である。
【図４】実施の形態２に係る半導体装置におけるロウ材接合後の断面図である。
【図５】ロウ材接合後に治具を取り付けた状態の半導体装置の断面図である。
【図６】変形例１に係る半導体装置のＥ電極とリード端子の接合部周辺の断面図である。
【図７】変形例２に係る半導体装置のＥ電極とリード端子の接合部周辺の断面図である。
【図８】変形例３に係る半導体装置のＥ電極とリード端子の境界部周辺の断面図である。
【図９】前提技術に係る半導体装置のモールド後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１について、図面を用いて以下に説明する。図１は、実施の形態１に係る半導体装置におけるモールド後の平面図であり、図２は、半導体装置におけるモールド後の断面図である。なお、図１の紙面に向かって左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向として説明する。
【００１８】
図１に示すように、半導体装置は、金属ブロック１と、ＩＧＢＴ２（半導体素子）と、フリーホイールダイオード３と、リード端子５と、第１電極であるＥ電極（エミッタ電極）７と、第２電極であるＣ電極（コレクタ電極）６と、中継基板８と、信号電極９と、モールド樹脂１０とを備えている。なお、図１では、金属ブロック１から上方（紙面に向かって手前側）のモールド樹脂１０は、図面を見やすくするために省略されている。
【００１９】
金属ブロック１の上面に、ＩＧＢＴ２およびフリーホイールダイオード３、リード端子５、Ｅ電極７が順に載置され、それぞれの部材は、接合材であるロウ材により接合されている。また、金属ブロック１の上面には、Ｃ電極６、中継基板８がそれぞれ搭載され、中継基板８の上面には信号電極９がロウ付けされ、中継基板８とＩＧＢＴ２はアルミワイヤ４により配線されている。
【００２０】
次に、部材の接合関係について具体的に説明する。図１と図２に示すように、金属ブロック１の上面の中央部分には、ロウ材１１によりＩＧＢＴ２と、ロウ材２１によりフリーホイールダイオード３が接合されている。また、金属ブロック１の上面のＹ方向端部寄りには、ロウ材１３によりＣ電極６が接合されているとともに、図示外のロウ材により中継基板８が接合されている。
【００２１】
ＩＧＢＴ２とフリーホイールダイオード３は、金属ブロック１の上面において、Ｘ方向にそれぞれ所定の間隔をあけて配置されている。金属ブロック１は、例えば矩形状に形成され、リード端子５は、その延設方向がＸ方向となるように配置されている。リード端子５におけるＸ方向（延設方向）の長さは、金属ブロック１におけるＸ方向の辺の長さよりも長く形成されている。すなわち、リード端子５のＸ方向の両端部は、金属ブロック１におけるＸ方向の辺の端（水平方向の端）から突出している。
【００２２】
ＩＧＢＴ２の上面には、ロウ材１２によりリード端子５のＸ方向における一端側が接合されるとともに、フリーホイールダイオード３の上面には、ロウ材２２によりリード端子５のＸ方向における他端側が接合されている。
【００２３】
Ｅ電極７とリード端子５は、Ｅ電極７とリード端子５との間隔を一定に保持するように接合されている。すなわち、Ｅ電極７とリード端子５は、それぞれ傾くことなく水平方向に対してほぼ平行に接合されている。リード端子５の上面におけるＥ電極７との接合部は、ＩＧＢＴ２の上面におけるリード端子５との接合部よりも、リード端子５のＸ方向における端部側に位置している。
【００２４】
ここで、ロウ材１１，１２，１３，１４，２１，２２、および中継基板８が接合されるロウ材は、同じ種類のロウ材である。すなわち、上記に説明した部材の接合に１種類のロウ材が使用されている。
【００２５】
モールド樹脂１０は、金属ブロック１の上面および側面と、ＩＧＢＴ２とフリーホイールダイオード３の上面および側面と、リード端子５の全面と、Ｃ電極６とＥ電極７の側面とを覆っている。また、モールド樹脂１０は、図示外の信号電極の側面も覆っている。すなわち、Ｃ電極６とＥ電極７の上面、信号電極の上面がモールド樹脂１０の表面に露出している。なお、図２に示すように、金属ブロック１の下面はモールド樹脂１の表面に露出することもあり、また、図示外の絶縁層でモールド樹脂１０の表面を覆うこともある。
【００２６】
次に、図３を用いて、半導体装置に対する治具１６の取り付けについて説明する。図３は、ロウ材接合後に治具１６を取り付けた状態の半導体装置の断面図である。最初に、半導体装置に取り付けられる治具１６について説明する。治具１６は、土台１６ａと、リード端子５のＸ方向における両端部を挟み込む一対の挟持部材１６ｂとを備えている。
【００２７】
リード端子５のＸ方向の両端部、すなわち、リード端子６の金属ブロック１より突出した部分は、金属ブロック１におけるＸ方向の辺の端から突出している。ロウ材接合後の半導体装置は治具１６の土台１６ａ上にセットされ、金属ブロック１の側面は治具１６の一対の挟持部材１６ｂの下部により固定されている。さらに、リード端子５のＸ方向における両端部は、治具１６の一対の挟持部材１６ｂの上部により、例えば上下方向に挟み込まれることで、リード端子５は予め定められた高さ位置に固定される。
【００２８】
次に、半導体装置は、治具１６を取り付けた状態で金型（図示省略）にセットされた後、金型内にモールド樹脂が充填される。この状態では、半導体装置において治具１６が取り付けられている部分がモールド樹脂１０で封止されないため、例えば、治具１６を取り付けた状態でモールド樹脂を充填した後、治具１６を半導体装置から取り外してから、再度半導体装置が金型にセットされる。そして、金型内にモールド樹脂が充填され、半導体装置において治具１６が取り付けられていた部分についてもモールド樹脂１０で封止される。ここで、実施の形態１に係る半導体装置の効果について、図９に示す前提技術に係る半導体装置の場合と対比して説明する。図９は、前提技術に係る半導体装置のモールド後の断面図である。
【００２９】
図９に示すように、前提技術に係る半導体装置では、リード端子３５は、金属ブロック１におけるＸ方向の辺よりも短く形成され、金属ブロック１におけるＸ方向の辺から突出していない。すなわち、前提技術に係る半導体装置は、治具１６を用いてリード端子２５のＸ方向における両端部を挟み込むことができない。
【００３０】
このため、Ｅ電極７の重みによってリード端子３５、ＩＧＢＴ２に傾きが発生したり、ＩＧＢＴ２の下面に接合されたロウ材１１ａがはみ出したりすることがあった。また、リード端子３５、ＩＧＢＴ２が傾くことでＥ電極７の上面とモールド樹脂１０との間に隙間３７が生じ、モールド樹脂１０が隙間３７に回り込むという問題があった。Ｅ電極７の上面がモールド樹脂１０の表面に露出しなくなることを防ぐために、Ｅ電極７の上端部にスリーブ３６を装着していた。
【００３１】
これに対して、実施の形態１に係る半導体装置では、リード端子５のＸ方向における両端部は、金属ブロック１におけるＸ方向の辺の端から突出しているため、これら突出した部分を治具１６の挟持部１６ｂにより挟み込むことで、リード端子５を予め定められた高さ位置に固定することができる。このため、Ｅ電極７の重みでリード端子５が傾くことがなく、Ｅ電極７の上面をモールド後にモールド樹脂１０の表面に容易に露出させることができ、また、Ｅ電極７の自重によるＩＧＢＴ２の下面のロウ材１１のはみ出しを防止できる。
【００３２】
以上のように、リード端子５のＸ方向における両端部は、金属ブロック１におけるＸ方向の端から突出しているため、モールド時、治具１６によりリード端子５のＸ方向における両端部を挟み込むことで、リード端子５を予め定められた高さ位置に固定することができる。すなわち、リード端子５の高さ位置を管理することができる。これにより、Ｅ電極７の重みによってリード端子５が傾くことがなく、モールド後にＥ電極７の上面をモールド樹脂１０の表面に容易に露出させることができ、また、ＩＧＢＴ２の下面のロウ材１１のはみ出しを防止できる。
【００３３】
さらに、リード端子５の高さ位置を管理するに際して、スリーブを設ける必要がないため、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。また、リード端子５が傾くことを防止できるため、半導体装置の品質が向上し、半導体装置の長期使用が可能となる。
【００３４】
また、治具１６によってリード端子５のＸ方向における両端部が挟み込まれているため、リード端子５上に搭載されたＥ電極７の重みをリード端子５と治具１６とで受けることができる。このため、リード端子５がＩＧＢＴ２の上面および下面のロウ材１１，１２を押し潰すこともなく、ＩＧＢＴ２の下面のロウ材１１ははみ出すことがない。さらに、リード端子５を支持する治具１６の高さ位置を管理することにより、容易にリード端子５の高さ位置を管理することができる。
【００３５】
また、半導体装置では、複数の接合部が存在するが、使用するロウ材は１種類であるため、複数の接合部について同時接合が可能となる。
【００３６】
Ｅ電極７とリード端子５は、Ｅ電極７とリード端子５との間隔を一定に保持するように接合されたため、Ｅ電極７の上面の高さ位置の精度を向上させることができる。
【００３７】
Ｅ電極７は、ＩＧＢＴ２の上面におけるリード端子５との接合部よりも、リード端子５におけるＸ方向の端部側に配置されたため、モールド時、上金型がＥ電極７を押さえ込んだ場合に、上金型がＥ電極７に接触したときに発生する応力を、リード端子５によって吸収させることができ、ＩＧＢＴ２へのダメージを軽減することができる。
【００３８】
＜実施の形態２＞
次に、実施の形態２に係る半導体装置について説明する。図４は、実施の形態２に係る半導体装置におけるロウ材接合後の断面図であり、図５は、ロウ材接合後に治具１７を取り付けた状態の半導体装置の断面図である。なお、実施の形態２において、実施の形態１で説明したものと同一の構成要素については同一符号を付して説明は省略する。
【００３９】
実施の形態２に係る半導体装置は、金属ブロック１Ａと、ＩＧＢＴ２と、フリーホイールダイオード３と、リード端子５Ａと、Ｅ電極７と、Ｃ電極６と、中継基板８と、信号電極９と、モールド樹脂１０（図１参照）とを備えている。金属ブロック１Ａにおいて、リード端子５Ａにおける延設方向（Ｘ方向）の両端部に対応する位置に一対の切り欠き部１ａ、リード端子５Ａの中央部に対応する位置に貫通穴１ｂ（穴部）が形成されている。リード端子５ＡのＸ方向の長さは、金属ブロック１ＡのＸ方向の辺よりも短く形成されている。
【００４０】
次に、半導体装置に対する治具１７の取り付けについて説明する。最初に、半導体装置に取り付けられる治具１７について説明する。図５に示すように、治具１７は、土台１７ａと、リード端子５ＡのＸ方向における両端部を挟み込む一対の挟持部材１７ｂと、リード端子５ＡのＸ方向における中央部を下側から支持する支持部材１７ｃとを備えている。挟持部材１７ｂの下部は、金属ブロック１Ａの切り欠き部１ａと当接するように形成され、金属ブロック１Ａの側面は一対の挟持部材１７ｂの下部により固定されている。
【００４１】
挟持部材１７ｂの下部が金属ブロック１Ａの切り欠き部１ａに当接した状態では、治具１７の一対の挟持部材１７ｂの上部はリード端子５ＡのＸ方向における両端部を挟み込むことが可能な位置に位置し、リード端子５ＡのＸ方向における両端部は一対の挟持部材１７ｂの上部により、例えば上下方向に挟み込まれている。
【００４２】
支持部材１７ｃは、金属ブロック１Ａの貫通穴１ｂに挿通可能に形成されている。支持部材１７ｃは、支持部材１７ｃを貫通穴１ｂに挿通させた状態でリード端子５Ａの下面の中央部に支持部材１７ｃの上端が当接している。
【００４３】
次に、半導体装置は、治具１７を取り付けた状態で金型にセットされた後、金型内にモールド樹脂が充填される。この状態では、半導体装置において治具１７が取り付けられている部分がモールド樹脂１０で封止されないため、例えば、治具１７を取り付けた状態でモールド樹脂を充填した後、治具１７を半導体装置から取り外してから、再度半導体装置が金型にセットされる。そして、金型内にモールド樹脂が充填され、半導体装置において治具１７が取り付けられていた部分についてもモールド樹脂１０で封止される。
【００４４】
このように、半導体装置に治具１７を取り付けることで、リード端子５Ａを予め定められた高さ位置に固定することができる。なお、金属ブロック１Ａには、必ずしも切り欠き部１ａと貫通穴１ｂの両方が形成されている必要がなく、どちらか一方のみが形成されていてもよく、この場合にも、治具１７を用いてリード端子５Ａを予め定められた高さ位置に固定することができる。
【００４５】
以上のように、実施の形態２に係る半導体装置では、金属ブロック１Ａにおいて、リード端子５Ａの中央部に対応する位置に貫通穴１ｂ、もしくはリード端子５ＡにおけるＸ方向の両端部に対応する位置に切り欠き部１ａが形成されたため、モールド時、治具１７によりリード端子５Ａの下面の中央部を支持、もしくはリード端子５ＡのＸ方向の両端部を挟み込むことで、リード端子５Ａを予め定められた高さ位置に固定することができる。すなわち、リード端子５Ａの高さ位置を管理することができる。これにより、Ｅ電極７の重みによってリード端子５Ａが傾くことがなく、モールド後にＥ電極７の上面をモールド樹脂１０の表面に容易に露出させることができ、また、ＩＧＢＴ２の下面に接合されたロウ材１１のはみ出しを防止できる。
【００４６】
さらに、リード端子５Ａの高さ位置を管理するに際して、スリーブを設ける必要がないため、半導体装置の製造コストの上昇を抑制できる。
【００４７】
また、リード端子５Ａを金属ブロック１ＡのＸ方向の端から突出させる必要がないため、金属ブロック１ＡのＸ方向の長さよりも短いリード端子を使用することが可能となり、金属ブロック１Ａの外形の制約などによりリード端子を使い分けることが可能となる。
【００４８】
さらに、半導体装置では、複数の接合部が存在するが、使用するロウ材は１種類であるため、複数の接合部について同時接合が可能となる。
【００４９】
次に、実施の形態１，２の変形例について説明する。ＩＧＢＴ２は、シリコン（Ｓｉ）を基板とする半導体素子によって構成されていてもよいし、炭化シリコン（ＳｉＣ）などのワイドバンドギャップ半導体を基板とする半導体素子によって構成されていてもよい。ＩＧＢＴ２がワイドバンドギャップ半導体素子である場合は、ＩＧＢＴ２の下面のロウ材１１の厚み、およびＩＧＢＴ２の上面のロウ材１２の厚みがそれぞれ均一化され、熱的信頼性が向上することで、高温への対応が可能となる。
【００５０】
また、Ｅ電極とリード端子については種々の構造が採用可能であり、以下、図６〜図８を用いて、Ｅ電極とリード端子の構造について説明する。図６は、変形例１に係る半導体装置のＥ電極７Ａとリード端子５の接合部周辺の断面図である。図６に示すように、Ｅ電極７Ａの下面にリード端子５側に突出する、例えば複数の第１突起部７ａが形成されている。第１突起部７ａの高さは、ロウ材１４の狙いの厚みとする。第１突起部７ａによりＥ電極７Ａの上面の高さ位置の精度を向上させることができる。
【００５１】
図７は、変形例２に係る半導体装置のＥ電極７とリード端子５Ｂの接合部周辺の断面図である。図７に示すように、リード端子５Ｂの上面におけるＥ電極７が配置される位置に、Ｅ電極７側に突出する例えば複数の第２突起部５ａが形成されている。第２突起部５ａの高さは、ロウ材１４の狙いの厚みとする。第２突起部５ａによりＥ電極７の上面の高さ位置の精度を向上させることができる。
【００５２】
図８は、変形例３に係る半導体装置のＥ電極７とリード端子５の境界部周辺の断面図である。図８に示すように、Ｅ電極７とリード端子５は一体成形されている。ロウ材を使用せずにＥ電極７とリード端子５を一体成形したことにより、Ｅ電極７の上面の高さ位置は、ロウ材の厚みに左右されないため、Ｅ電極７の上面の高さ位置の精度を向上させることができる。また、接合箇所が減るため、半導体装置の信頼性および組み立て性を向上させることができる。
【００５３】
以上説明した図６〜図８に示す構造を採用することで、リード端子に対するＥ電極の高さ位置を管理できるため、金属ブロック下面からＥ電極上面までの寸法を精度よく組み立てることが可能になる。その結果、金型にセットしたときにＥ電極上面と金型は、隙間ができることなく、また、過剰に押し付けることもない。
【００５４】
また、実施の形態１，２では、金属ブロックを使用する構造について説明したが、半導体素子の実装は回路付きのセラミックまたは樹脂製絶縁基板であっても同様の効果が得られる。
【００５５】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１Ａ  金属ブロック、１ａ  切り欠き部、１ｂ  貫通穴、２  ＩＧＢＴ、５，５Ａ，５Ｂ  リード端子、５ａ  第２突起部、６  Ｃ電極、７，７Ａ  Ｅ電極、７ａ  第１突起部、１０  モールド樹脂。
【図１】
2014187245.tif 000003
【図２】
2014187245.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2014187245.tif 000007
【図６】
2014187245.tif 000008
【図７】
2014187245.tif 000009
【図８】
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【図９】
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