(57)【要約】【課題】Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料を製造する方法を提供する。【解決手段】０＜ｘ≦１であり、表面酸化膜（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）Ｏ２を有する（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子を、Ｍｇ蒸気と接触させることにより、Ｍｇ２（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子とＭｇＯナノ粒子とから成る複合ナノ粒子を形成する工程、および  上記複合ナノ粒子を焼結する工程を含むことを特徴とするＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法が提供される。【選択図】図１
2014165260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０＜ｘ≦１であり、表面酸化膜（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）Ｏ２を有する（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子を、Ｍｇ蒸気と接触させることにより、Ｍｇ２（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子とＭｇＯナノ粒子とから成る複合ナノ粒子を形成する工程、および
上記複合ナノ粒子を焼結する工程
を含むことを特徴とするＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、Ｓｉ，Ｇｅナノ粒子の粒径が１０〜１００ｎｍであり、表面酸化膜（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ２の厚さが０．３〜３５ｎｍであることを特徴とするＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノコンポジット熱電変換材料は、熱電変換材料をマトリクスとし、このマトリクス中にナノサイズのフォノン散乱粒子をナノオーダーの間隔で分散させたナノコンポジット構造を有する熱電変換材料である。
【０００３】
熱電変換材料の変換効率は下記の無次元性能指数ＺＴによって表される。また、α２×σ＝ＰＦは、出力因子あるいは電気特性と呼ばれる。
ＺＴ＝α２×σ×Ｔ／κ………変換効率（無次元性能指数）
α２×σ＝ＰＦ…………………出力因子（電気特性）
α：ゼーベック係数
σ：電気伝導率
κ：熱伝導率
Ｔ：絶対温度
【０００４】
最上式に示したように変換効率は熱伝導率κの逆数に比例するため、熱伝導率が小さいほど変換効率は高まる。ナノコンポジット熱電変換材料は、ナノサイズのフォノン散乱粒子をナノオーダーの間隔で配置してフォノン散乱を増強し、熱伝導率κのうちフォノン伝導分を低下させて熱伝導率κを低下させる。
【０００５】
熱電変換材料のＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）は、毒性がなく、資源が豊富であることから、それを活用したナノコンポジット熱電変換材料が着目されている。Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）から成るマトリクス中に、フォノン散乱粒子としてＭｇＯ等のセラミックスのナノ粒子をナノ間隔で分散させる。ナノ粒子の間隔をナノオーダーとするためには、間隔を埋めるＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリクス相もナノサイズとして相互混在させる必要がある。
【０００６】
一般に合金ナノ粒子を得るには、溶液中で各合金元素の塩を還元して各合金元素をナノ粒子として析出させ、これを水熱処理等により合金化する。この合金ナノ粒子を焼結して一体化し、ナノコンポジット熱電変換材料が形成される。
しかしＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）の場合、Ｍｇの標準還元電位が大きな負の値であるため、Ｍｇ塩からの還元によりＭｇナノ粒子を生成させることができない。
【０００７】
これに対し、溶解法で作製したＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）インゴットをボールミルで微細化する方法が考えられる。例えば、特許文献１には、Ｂｉ−Ｔｅ系等の熱電変換材料をボールミル等で粉砕してミクロンサイズに微細化する方法が開示されている。
しかし、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）は活性が非常に高いため、ナノサイズに微細化するために高エネルギーで粉砕を行うと、粉砕用の溶媒と反応して炭素化合物の残留や粉末表面の酸化等が生じ、熱電特性が低下するという問題がある。
【０００８】
一方、特許文献２には、Ｍｇ蒸気をＳｉＯ２基板と反応させることにより、Ｍｇ２ＳｉとＭｇＯの複合体を生成することが開示されている。
しかし、この方法によって生成するＭｇＯは粗大であり、熱電性能向上に必要なナノサイズ（例えば５０ｎｍ未満）のＭｇＯがＭｇ２Ｓｉマトリクス中に分散したナノコンポジット構造は得られない。
更に、ＳｉＯ２とＭｇ蒸気との反応で生成するＭｇＯは生成量が多すぎるため（約３７vol％）、熱電性能の向上が達成できない。すなわち、熱電性能向上のために望ましいＭｇＯの割合はＭｇ２Ｓｉに対して５〜３０vol％である。フォノン散乱作用が働くにはＭｇＯ量は５vol％以上必要であるが、３０vol％を超えるとフォノン散乱効果が大きくなって熱伝導度の低下効果は高まるが、出力因子ＰＦが大きく低下し、むしろ熱電変換効率が低下してしまう。
【０００９】
このように従来は、ＭｇやＭｇを含む合金あるいは混合物をナノ粒子化することが極めて困難であっため、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料を製造することが実質的にできなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平９−７４２２９号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１６５７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記従来の限界を超えて、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、０＜ｘ≦１であり、表面酸化膜（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）Ｏ２を有する（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子を、Ｍｇ蒸気と接触させることにより、Ｍｇ２（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）ナノ粒子とＭｇＯナノ粒子とから成る複合ナノ粒子を形成する工程、および
上記複合ナノ粒子を焼結する工程
を含むことを特徴とするＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
表面酸化膜（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ２を有するＳｉ，Ｇｅナノ粒子とＭｇ蒸気との固気反応により、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）ナノ粒子とＭｇＯナノ粒子とから成る複合ナノ粒子が形成され、これを焼結することによりＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）マトリクス中にＭｇＯナノ粒子が分散したＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、実施例１における本発明法の過程を説明するための模式図であり、（１）表面酸化膜ＳｉＯ２を有するＳｉナノ粒子、（２）Ｍｇ蒸気との固気反応後の複合ナノ粒子、（３）焼結後のナノコンポジット構造を示す。
【図２】図２は、Ｍｇ２Ｓｉマトリクス中にＭｇＯナノ粒子が分散したモデル構造における原料Ｓｉナノ粒子の粒径およびその表面酸化膜ＳｉＯ２の厚さの望ましい範囲を導く考え方を示す図である。
【図３】図３は、実施例２、３における本発明法の過程を説明するための模式図であり、（１Ａ）表面酸化膜（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ２を有する（Ｓｉ，Ｇｅ）ナノ粒子、（１Ｂ）そのＴＥＭ像、（１Ｃ）その拡大像、（１Ｄ）そのＦＥＬＳライン分析チャート、（２）Ｍｇ蒸気との固気反応後の複合ナノ粒子、（３Ａ）焼結後のナノコンポジット構造、（３Ｂ）そのＴＥＭ像を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明において、（Ｓｉ，Ｇｅ）は、詳細には（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）〔０＜ｘ≦１〕であり、具体的には、ｘ＝１すなわち（Ｓｉ，Ｇｅ）がＧｅを含まないＳｉ単独である場合と、０＜ｘ＜１すなわち（Ｓｉ，Ｇｅ）がＳｉとＧｅを含む（ＳｉｘＧｅ１−ｘ）である場合とを表す。
【００１６】
説明を簡潔にするために、（Ｓｉ、Ｇｅ）がＳｉ単独である場合〔ｘ＝１〕を説明するが、（Ｓｉ、Ｇｅ）がＳｉとＧｅの両方を含む場合〔０＜ｘ＜１〕についても、対応部分において「Ｓｉ」単独を「Ｓｉ，Ｇｅ」共存に置き換えればそのまま同じ説明があてはまる。後に図３を参照して説明する。
【００１７】
本発明においては、図１（１）に示すように、表面に酸化膜ＳｉＯ２を有し、内部がＳｉから成るナノ粒子すなわちＳｉコアとＳｉＯ２シェルとから成るコア／シェル構造を有するナノ粒子を出発材料として用いる。
【００１８】
このＳｉ／ＳｉＯ２のコア／シェル構造のナノ粒子をＭｇ蒸気と反応（固気反応）させる。この反応により、図１（２）に示すように、表面酸化膜ＳｉＯ２の一部がＭｇ２Ｓｉとなり、表面酸化膜ＳｉＯ２の残部がＭｇＯになる。この反応を下式≪１≫≪２≫に示す。
Ｓｉコアの反応      ≪１≫Ｓｉ＋２Ｍｇ（蒸気）→Ｍｇ２Ｓｉ
ＳｉＯ２シェルの反応≪２≫ＳｉＯ２＋４Ｍｇ（蒸気）→Ｍｇ２Ｓｉ＋２ＭｇＯ
【００１９】
これにより、ＭｇＯは単独で粒子表面を連続的に覆わず、図１（２）に示すようにＭｇ２Ｓｉ相とＭｇＯ相との混合組織を形成する。したがって、コアとシェルの全体として、Ｍｇ２Ｓｉナノ粒子とＭｇＯナノ粒子との複合ナノ粒子を形成する。
【００２０】
そして、この複合ナノ粒子を焼結することにより、図１（３）に示すように、Ｍｇ２Ｓｉマトリクス中にＭｇＯナノ粒子が分散したナノコンポジット構造の熱電変換材料が得られる。
【００２１】
本発明法の特徴は、ＳｉＯ２シェルとＭｇ蒸気との反応で生成したＭｇＯは連続相ではなく、介在するＭｇ２Ｓｉ相で分断されていることである。そのため、同時に生成するＭｇ２Ｓｉコアの表面を連続して覆うＭｇＯシェルとはならず、離散状態のＭｇＯナノ粒子となる。その結果、焼結後にＭｇＯは、Ｍｇ２Ｓｉ結晶粒の絶縁性粒界相とはならないので導電性は低下させず、有効なフォノン散乱粒子としてＭｇ２Ｓｉマトリクス中に分散した状態になる。このナノコンポジット構造により、高い出力因子ＰＦを維持したまま、熱伝導率κを低減することが可能となり、熱電性能が顕著に向上する。
【００２２】
ＭｇＯの生成量と粒径は、出発材料であるＳｉの粒径と酸化膜の膜厚によって制御可能である。
すなわち、Ｓｉ粒径は１０〜１００ｎｍ、酸化膜厚は０．３〜３５ｎｍとすることで、Ｍｇ蒸気との固気反応および焼結を経た後のミクロ組織が、Ｍｇ２Ｓｉマトリクス中に粒径５０ｎｍ以下のＭｇＯナノ粒子が５〜３０vol％の量で分散したナノコンポジット組織となり、高い熱電性能が達成される。
【００２３】
このことを、図２を参照して説明する。
まず、図２（１）に一定のＭｇＯ生成量vol％に対するＭｇＯ粒子径ｄとＭｇＯ粒子間距離ｂの計算値における関係を示す。図２（２）は、ミクロ組織中におけるＭｇＯ粒子径ｄとＭｇＯ粒子間距離ｂとの配置を示すモデル図である。
【００２４】
図２（１）の斜線部分が、ＭｇＯ粒子径≦５０ｎｍ、５vol％≦ＭｇＯ量≦３０vol％の領域である。ＭｇＯ量ｂ＝５vol％でＭｇＯ粒子径ｄ≦５０ｎｍの場合、マトリクスを構成するＭｇ２Ｓｉ粒子の粒子径（＜ＭｇＯ間隔ｄ）は、少なくとも１２０ｎｍが必要と算出される。
【００２５】
ここで、記述の下記関係により、固気反応後のＭｇ２Ｓｉ粒径の１２０ｎｍは、出発材料Ｓｉ粒径に換算すると７０〜８０ｎｍとなる（図２（３）を参照）。
Ｓｉ＋２Ｍｇ→Ｍｇ２Ｓｉ
ＳｉＯ２＋４Ｍｇ→Ｍｇ２Ｓｉ＋２ＭｇＯ
ＭｇＯ生成量３０vol％→ＳｉＯ２酸化膜量８６vol％……Ｓｉ粒径＝７０ｎｍ
ＭｇＯ生成量５vol％→ＳｉＯ２酸化膜量１８vol％………Ｓｉ粒径＝８０ｎｍ
【００２６】
図２（４）に、一定のＭｇＯ生成量vol％に対するＳｉＯ２酸化膜厚とＳｉ粒径との計算値における関係を示す。同図から、Ｓｉ粒径が７０ｎｍ以下の場合、固気反応後のＭｇＯ生成量を３０vol％以下にするためには、固気反応前のＳｉ粒子の酸化膜厚は３５ｎｍ以下とする必要がある。
【００２７】
Ｓｉ粒径が細かすぎると酸化膜厚の制御が難しくなるため、Ｓｉ粒径は１０ｎｍ以上であることが望ましい。その場合、５vol％以上のＭｇＯ生成量を得るためには、酸化膜厚として０．３ｎｍ以上が必要である。
【００２８】
生成するＭｇＯの粒径は酸化膜厚によって制御可能である。酸化膜厚の５〜２０倍の粒径のＭｇＯが生成する。
【００２９】
Ｓｉ粒径が細かいと同じ量のＭｇＯを生成させるために必要な酸化膜厚が薄くなり、ＭｇＯ粒径も細かくなる。これは後述の実施例１、３と実施例２との対比にも表れている。
【実施例】
【００３０】
〔実施例１〕
本発明により、下記の手順および条件で、Ｍｇ２Ｓｉ／ＭｇＯナノコンポジット熱電変換材料を作製した。図１を参照。
【００３１】
＜出発材料の準備＞図１（１）参照
市販のＳｉ粉末（粒径約１０μｍ）を粉砕用メディア（粒径１ｍｍ）とともにボールミル容器内にセットした。エタノール溶媒中で遊星ボールミル装置にて回転数９００ｒｐｍでナノサイズ（粒径５０ｎｍ）にまで粉砕した。雰囲気は大気中であった。
【００３２】
上記の粉砕中に、溶媒のエタノール中に僅かに存在する水分および雰囲気の大気中の酸素とＳｉ粉末粒子とが反応し、微細化されながらＳｉ粒子表面に酸化膜ＳｉＯ２（膜厚１．５ｎｍ）が形成された。
【００３３】
＜Ｍｇ蒸気との固気反応＞図１（２）参照
上記準備した出発材料すなわち〔Ｓｉコア／ＳｉＯ２シェル〕構造のナノ粒子を
Ａｒ雰囲気で６５０℃に加熱し、Ｍｇ蒸気中で３ｈｒ保持した。なお、加熱は６００℃〜８００℃で行うことができる。
【００３４】
これにより、ＳｉコアおよびＳｉＯ２シェルがＭｇ蒸気と反応し、図示したようにＭｇ２Ｓｉナノ粒子およびＭｇＯナノ粒子（粒径２０ｎｍ）が複合した複合ナノ粒子が生成した。
【００３５】
＜焼結＞
複合ナノ粒子（粉末）をカーボンダイス中にセットし８５０℃で焼結した。
これにより、Ｍｇ２Ｓｉマトリクス中にＭｇＯナノ粒子が１５vol％分散したナノコンポジット熱電変換材料が得られた。なお、焼結は７００〜１０００℃で行うことができる。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００３６】
〔実施例２〕
本発明により、下記の手順および条件で、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）／ＭｇＯナノコンポジット熱電変換材料を作製した。作製過程を図３に示す。
【００３７】
＜出発材料の準備＞図３（１Ａ）〜（１Ｄ）参照
本実施例においては、図３（１Ａ）に示すように、表面に酸化膜（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ２を有し、内部が（Ｓｉ，Ｇｅ）から成るナノ粒子すなわち（Ｓｉ，Ｇｅ）コアと（Ｓｉ，Ｇｅ）Ｏ２シェルとから成るコア／シェル構造を有するナノ粒子を出発材料として用いた。
【００３８】
原料として市販の（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）粉末（粒径約１０μｍ）を粉砕用メディア（粒径１ｍｍ）とともにボールミル容器内にセットした。エタノール溶媒中で遊星ボールミル装置にて回転数９００ｒｐｍでナノサイズ（粒径１００ｎｍ）にまで粉砕した。雰囲気は大気中であった。
【００３９】
上記の粉砕中に、溶媒のエタノール中に僅かに存在する水分および雰囲気の大気中の酸素と（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）粉末粒子とが反応し、微細化されながら（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）粒子表面に酸化膜（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）Ｏ２（膜厚４ｎｍ）が形成された。
【００４０】
図３（１Ｂ）〜（１Ｄ）に、（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）コアと酸化膜（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）Ｏ２シェルから成るコア／シェル構造について、（１Ｂ）ＴＥＭ像、（１Ｃ）その拡大像、（１Ｄ）ＦＥＬＳライン分析チャート（（１Ｃ）の線Ａ−Ｂ上）を示す。
【００４１】
＜Ｍｇ蒸気との固気反応＞図３（２）参照
上記準備した出発材料すなわち〔（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）コア／（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）Ｏ２シェル〕構造のナノ粒子をＡｒ雰囲気で６５０℃に加熱し、Ｍｇ蒸気中で３ｈｒ保持した。なお、加熱は６００℃〜８００℃で行うことができる。
【００４２】
これにより、（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）コアおよび（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）Ｏ２シェルがＭｇ蒸気と反応し、図示したようにＭｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）ナノ粒子およびＭｇＯナノ粒子（粒径４０ｎｍ）が複合した複合ナノ粒子が生成した。
【００４３】
＜焼結＞
複合ナノ粒子（粉末）をカーボンダイス中にセットし８５０℃で焼結した。
これにより、図３（３Ａ）、（３Ｂ）に示すように、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）マトリクス中にＭｇＯナノ粒子が１０vol％分散したナノコンポジット熱電変換材料が得られた。なお、焼結は７００〜１０００℃で行うことができる。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００４４】
〔実施例３〕
本発明により、実施例２と同様の手順および条件で、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）／ＭｇＯナノコンポジット熱電変換材料を作製した。
ただし、＜出発材料の準備＞において、遊星ボールミル装置による粉砕を、粉採用メディア粒径５ｍｍで４００ｒｐｍおよび粉砕用メディア粒径１ｍｍで９００ｒｐｍの２段階で行い、実施例と同じく粒径５０ｎｍまで行った。
【００４５】
上記の粉砕中に、（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）粒子表面に実施例２より薄い酸化膜（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）Ｏ２（膜厚２ｎｍ）が形成された。
【００４６】
実施例２と同一条件の＜Ｍｇ蒸気との固気反応＞により、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）ナノ粒子および実施例２より細かいＭｇＯナノ粒子（粒径３０ｎｍ）が複合した複合ナノ粒子が生成した。
【００４７】
実施例２と同一条件の＜焼結＞により、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）マトリクス中にＭｇＯナノ粒子が実施例２より多い１０vol％分散したナノコンポジット熱電変換材料が得られた。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００４８】
≪比較例≫
比較のために、下記の比較例試料を作製した。
〔比較例１〕
フォノン散乱粒子としてのＭｇＯナノ粒子を含まず、実施例１のマトリクスＭｇ２Ｓｉのみから成る熱電変換材料を作製した。下記＜出発材料の準備＞以外は実施例１と同一条件であった。
【００４９】
＜出発材料の準備＞
遊星ボールミルによる粉砕を、溶媒としてシクロヘキサン（無水）を用い窒素ガス雰囲気中で行った。これによりＳｉナノ粒子の表面に酸化膜は形成しなかった。結局、出発材料はＳｉナノ粒子（粒径５０ｎｍ：実施例１と同サイズ）であった。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００５０】
〔比較例２〕
フォノン散乱粒子としてのＭｇＯナノ粒子を含まず、実施例２のマトリクスＭｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）のみから成る熱電変換材料を作製した。下記＜出発材料の準備＞以外は実施例２と同一条件であった。
【００５１】
＜出発材料の準備＞
遊星ボールミルによる粉砕を、溶媒としてシクロヘキサン（無水）を用い窒素ガス雰囲気中で行った。これによりＳｉナノ粒子の表面に酸化膜は形成しなかった。結局、出発材料は（Ｓｉ０．５Ｇｅ０．５）ナノ粒子（粒径１００ｎｍ：実施例２と同サイズ）であった。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００５２】
〔比較例３〕
出発材料として、Ｍｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）マトリクス材粒子（５０μｍ）およびフォノン散乱粒子材ＭｇＯナノ粒子（２０ｎｍ、１０vol％）を用いて、固気反応は行わずに、実施例３と同じマトリクス／フォノン散乱粒子の組み合わせのＭｇ２（Ｓｉ０．６Ｇｅ０．４）／ＭｇＯナノコンポジット熱電変換材料を作製した。
【００５３】
遊星ボールミルによる粉砕を、実施例３と同じ粉砕用メディアおよび回転数で、溶媒としてシクロヘキサン（無水）を用い窒素ガス雰囲気中で行った。
後掲の表１に、作製条件とともに、得られた試料の詳細を示す。
【００５４】
【表１】
2014165260.tif 000003
【００５５】
表１に示すように、本発明による実施例１〜３は、比較例１〜３に対して熱伝導率κが低減し、出力因子ＰＦが向上しており、高い熱電性能が達成された。
出発原料として、Ｓｉを用いた実施例１に比べて、（Ｓｉ，Ｇｅ）を用いた実施例２、３は、Ｍｇ２Ｓｉより高い熱電性能を発揮するＭｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）を熱電変換材料マトリクスとしたナノコンポジット熱電変換材料を作製することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明によれば、Ｍｇ２（Ｓｉ，Ｇｅ）系ナノコンポジット熱電変換材料を製造する方法が提供される。
【図１】
2014165260.tif 000004
【図２】
2014165260.tif 000005
【図３】
2014165260.tif 000006