(57)【要約】【課題】描画時の後方散乱を抑制し、描画パターンの微細化を向上できる転写用基板の作成方法及び該作成方法を用いて作成した転写用基板を提供すること。【解決手段】厚みが１０μｍ以下のメンブレンの表面に塗布されたレジストに電子ビームを照射し、線幅が２０ｎｍ以下のパターンを含む所望のパターンを描画する工程と、レジストを現像する工程と、現像したレジストをマスクにしてメンブレンをエッチングする工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚みが１０μｍ以下のメンブレンの表面に塗布されたレジストに電子ビームを照射し、線幅が２０ｎｍ以下のパターンを含む所望のパターンを描画する工程と、
前記レジストを現像する工程と、
現像したレジストをマスクにして前記メンブレンをエッチングする工程と、
を有する転写用基板の作成方法。
【請求項２】
前記メンブレンの裏面に支持基板を貼り付ける工程をさらに有する請求項１に記載の転写用基板の作成方法。
【請求項３】
前記現像前又は前記現像後に、前記メンブレンの裏面に支持基板を貼り付ける請求項２に記載の転写用基板の作成方法。
【請求項４】
エッチング後の前記メンブレンのエッチング面に支持基板を貼り付ける工程と、
前記メンブレンをマスクにして前記支持基板をエッチングする工程と、
をさらに有する請求項１に記載の転写用基板の作成方法。
【請求項５】
厚みが１０μｍ以下のメンブレンの表面に塗布されたレジストに電子ビームを照射し、線幅が２０ｎｍ以下のパターンを含む所望のパターンを描画した後、前記レジストを現像し、この現像したレジストをマスクにして前記メンブレンをエッチングして作成された転写用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、転写用基板の作成方法及び該作成方法を用いて作成された転写用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
マスク描画装置は、基板（主にガラス基板）及び該基板上に成膜された遮光膜（例えば、クロム（Ｃｒ））からなるマスク基板（ブランク）に電子ビームを照射して所望のパターンを描画する装置である。マスク基板の表面には、レジスト膜が形成されており、このレジスト膜を電子ビームで感光させて所望のパターンを描画する。
【０００３】
しかしながら、電子をマスク基板へ入射させると、すべての電子がマスク基板に吸収されるわけではなく、その一部は、マスク基板の遮光膜や基板の内部で反射され（後方散乱）、レジスト膜を感光させてしまう。この現象は、近接効果（proximity effect）と呼ばれ、本来感光すべきでない領域のレジスト膜が感光するため、描画パターンが所望の形状と異なる不具合が生じる。
【０００４】
そこで、現在では、上記近接効果を加味して、電子ビームによる描画を行うことにより、描画パターンが所望の形状となるように電子ビームの照射量を補正している。しかしながら、電子ビームを照射した領域（照射領域）と電子ビームを照射していない領域（非照射領域）とのコントラストの低下は、避けることが難しく、描画パターンのさらなる微細化、特に、２０ｎｍ以下のパターン寸法への微細化には限界が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１２９１９１号公報
【特許文献２】特開２００６−２４５４６２号公報
【特許文献３】特許第３２８４１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態は、描画時の後方散乱を抑制し、描画パターンの微細化を向上できる転写用基板の作成方法及び該作成方法を用いて作成した転写用基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る転写用基板の作成方法は、厚みが１０μｍ以下のメンブレンの表面に塗布されたレジストに電子ビームを照射し、線幅が２０ｎｍ以下のパターンを含む所望のパターンを描画する工程と、レジストを現像する工程と、現像したレジストをマスクにしてメンブレンをエッチングする工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係るマスク描画装置の模式図。
【図２】後方散乱の説明図。
【図３】電子ビームの照射量と実効照射量との関係を示した図。
【図４】実施形態で使用するマスク基板の断面図。
【図５】実施形態のマスク基板を使用した場合のレジスト膜への電子ビームの照射量と実効照射量との関係を示した図。
【図６】他の例に係るマスク基板の断面図。
【図７】実施形態に係る転写用基板の作成方法を示した図。
【図８】実施形態の変形例に係る転写用基板の作成方法を示した図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１０】
（実施形態）
図１は、実施形態に係るマスク描画装置１０の模式図である。図１（ａ）は、マスク描画装置１０の平面図である。図１（ｂ）は、マスク描画装置１０の断面図である。以下、図１を参照して、マスク描画装置１０の構成について説明する。なお、図１（ａ）では、電子ビーム鏡筒５００の図示を省略している。
【００１１】
図１に示すように、マスク描画装置１０は、インターフェース（Ｉ／Ｆ）１００と、搬入出（Ｉ／Ｏ）チャンバ２００と、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００と、ライティングチャンバ（Ｗチャンバ）４００と、電子ビーム鏡筒５００と、制御機構６００と、ゲートバルブＧ１〜Ｇ３とを備える。なお、ロボットチャンバ（Ｒチャンバ）３００は、搬送チャンバを構成する。
【００１２】
Ｉ／Ｆ１００は、本実施形態で使用するマスク基板Ｗが収容された容器Ｃ（例えば、ＳＭＩＦＰｏｄ）を載置する載置台１１０と、マスク基板Ｗを搬送する搬送ロボット１２０とを備える。なお、図４を参照して後述するが、マスク基板Ｗは厚みが非常に薄い。このため、マスク基板Ｗは、ホルダーにより支持された状態で容器Ｃに収容されおり、該ホルダーごとマスク描画装置１０内に搬送される。
【００１３】
Ｉ／Ｏチャンバ２００は、Ｒチャンバ３００内を真空（低気圧）に保ったままマスク基板Ｗを搬入出するためのロードロックチャンバである。Ｉ／Ｏチャンバ２００には、Ｉ／Ｆ１００との間にゲートバルブＧ１が設けられており、真空ポンプ２１０と、ガス供給系２２０とを備える。真空ポンプ２１０は、例えば、ドライポンプやターボ分子ポンプ等であり、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする。ガス供給系２２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００を大気圧とする際にＩ／Ｏチャンバ２００内へベント用ガス（例えば、窒素ガスやＣＤＡ）を供給する。
【００１４】
Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際は、Ｉ／Ｏチャンバ２００に接続された真空ポンプ２１０を用いて真空引きする。また、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を大気圧に戻す際には、ガス供給系２２０からベント用ガスが供給され、Ｉ／Ｏチャンバ２００内が大気圧となる。なお、Ｉ／Ｏチャンバ２００内を真空引きする際及び大気圧とする際には、ゲートバルブＧ１，Ｇ２はＣｌｏｓｅ（閉）される。
【００１５】
Ｒチャンバ３００は、真空ポンプ３１０と、アライメント室３２０と、アース体収容室３３０と、搬送ロボット３４０とを備える。Ｒチャンバ３００は、ゲートバルブＧ２を介してＩ／Ｏチャンバ２００と接続されている。
【００１６】
真空ポンプ３１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ３１０は、Ｒチャンバ３００に接続されており、Ｒチャンバ３００内を真空引きして高真空を保つ。アライメント室３２０は、マスク基板Ｗを位置決め（アライメント）するためのチャンバである。アース体収容室３３０は、アース体Ｈを収容するチャンバである。
【００１７】
アース体Ｈは、複数（例えば、３本）のアースピンＨａと、額縁形状の枠体Ｈｂとを備える。アース体Ｈは、マスク基板Ｗ上にセットされた状態で、マスク基板Ｗ上に電子ビームによる描画が行われる。この際、アース体Ｈは、図示しないアースと接続されている。つまり、アース体Ｈは、電子ビームの照射によるマスク基板Ｗへの電荷の蓄積（チャージ）を防止する。搬送ロボット３４０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００、アライメント室３２０、アース体収容室３３０及びＷチャンバ４００間で、マスク基板Ｗを搬送する。
【００１８】
Ｗチャンバ４００は、真空ポンプ４１０と、Ｘ−Ｙステージ４２０と、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂと、を備え、ゲートバルブＧ３を介してＲチャンバ３００と接続されている。
【００１９】
真空ポンプ４１０は、例えば、Ｃｒｙｏポンプやターボ分子ポンプ等である。真空ポンプ４１０は、Ｗチャンバ４００に接続されており、Ｗチャンバ４００内を真空引きして高真空を保つ。Ｘ−Ｙステージ４２０は、マスク基板Ｗを載置するための台である。駆動機構４３０Ａは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＸ方向に駆動する。駆動機構４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０をＹ方向に駆動する。
【００２０】
電子ビーム鏡筒５００は、電子銃５１０、アパーチャ５２０、偏向器５３０、レンズ５４０（照明レンズ（ＣＬ）、投影レンズ（ＰＬ）、対物レンズ（ＯＬ））、反射防止板ＡＲＦ等から構成される電子ビーム照射手段を備え、Ｘ−Ｙステージ４２０上に載置されたマスク基板Ｗに電子ビームを照射する。
【００２１】
制御機構６００は、例えば、コンピュータ等であり、マスク描画装置１０を制御する。
【００２２】
（後方散乱の説明）
図２は、電子ビームによる描画時に問題となる後方散乱の説明図である。図２に示すように、電子ビームＢをマスク基板Ｗへ照射すると、入射した電子ｅがマスク基板Ｗ内で散乱する。そして、一部の電子ｅが入射方向とは逆向きに散乱する。この現象を後方散乱という。後方散乱された電子ｅは、再度レジスト膜Ｗｂに入射し、レジスト膜を感光させる。
【００２３】
例えば、電子ビームＢの加速電圧を、描画時に一般的に使用される５０ｋｅＶとした場合、電子ビームＢの一部は、深さ１０μｍ程度の間で散乱し、照射ポイントから半径３０μｍ内の領域（３σの場合）のレジスト膜が感光してしまう。このため、マスク描画装置１０では、近接する描画領域から後方散乱される電子ｅの量を計算し、電子ビームＢの照射量を補正している。
【００２４】
図３は、レジスト膜への電子ビームの照射量と実効照射量との関係を示した図である。図３（ａ）は、描画のパターン（line and space(Ｌ／Ｓ)）を示している。図３（ｂ）は、電子ビームの照射量（縦軸）を示している。図３（ｃ）は、後方散乱を加味したレジスト層内の実効照射量（縦軸）を示している。
【００２５】
図３（ａ）、図３（ｂ）の領域Ｅは、電子ビームが照射される領域（照射領域）である。また、領域Ｎは、電子ビームが照射されない領域（非照射領域）である。また、図３（ｃ）のＰは、近接効果による照射量の増加分を示している。図３（ｃ）のＤは、電子ビームＢによる照射量を示している。図３（ｃ）で、図３（ｂ）のビームに比べてプロファイルが鈍っているのは、レジストとの相互作用などの影響である。
【００２６】
図３に示すように、後方散乱によるレジスト膜へのドーズ量を補正することで、各領域Ｅのドーズ量を略そろえることができる。しかしながら、電子ビームが照射される領域Ｅと電子ビームが照射されない領域Ｎとのコントラストの低下を避けることは難しい。このため、微細な寸法のパターン、特に、寸法が２０ｎｍ以下のパターンの描画には限界が生じている。
【００２７】
図４は、実施形態で使用するマスク基板Ｗの断面図である。図４に示すように、実施形態で使用するマスク基板Ｗは、厚みが１〜２μｍの非常に薄い膜（メンブレン）Ｗａ上にレジスト膜Ｗｂを形成している。メンブレンＷａの材質は、例えば、シリコン（Ｓｉ）が好ましい。なお、電子ビームＢの一部が深さ１０μｍ程度の間で散乱することを考慮すると、メンブレンＷａの厚みは１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
図２を参照して説明したように、電子ビームＢの加速電圧が５０ｋｅＶ程度であれば、電子の後方散乱は深さ１０μｍ程度の間で生じる。レジスト膜Ｗｂを形成する基板を厚みが１〜２μｍのメンブレンＷａとすることで、電子の後方散乱を効果的に抑制することできる。
【００２９】
図５は、図４を参照して説明したマスク基板Ｗを使用した場合のレジスト膜への電子ビームの照射量と実効照射量との関係を示した図である。図５（ａ）は、描画のパターン（line and space(Ｌ／Ｓ)）を示している。図５（ｂ）は、電子ビームの照射量（縦軸）を示している。図５（ｃ）は、後方散乱を加味したレジスト層内の実効照射量（縦軸）を示している。
【００３０】
図５（ａ）、図５（ｂ）の領域Ｅは、電子ビームが照射される領域（照射領域）である。また、領域Ｎは、電子ビームが照射されない領域（非照射領域）である。また、図５（ｃ）のＤは、電子ビームＢによる照射量を示している。図５（ｃ）で、図５（ｂ）のビームに比べてプロファイルが鈍っているのは、レジストとの相互作用などの影響である。
【００３１】
図５に示すように、図４を参照して説明した本実施形態のマスク基板Ｗの場合、基板であるメンブレンＷａの厚みが非常に薄い。このため、マスク基板Ｗに入射した電子ｅは、そのままメンブレンＷａを通過し、後方散乱がほとんど生じない。このため、電子ビームが照射された領域Ｅと電子ビームが照射されていない領域Ｎとのコントラストがほとんど低下しない。この結果、微細な寸法のパターン、特に、２０ｎｍ以下のパターンについても描画が可能となる。
【００３２】
図６は、他の例に係るマスク基板Ｗの断面図である。メンブレンＷａは、厚みが１〜２μｍと非常に薄いため、広い面積を支持することが難しい。そこで、図６（ａ）に示すように、電子ビームを照射しないとわかっている領域Ｎについては、電子ビームを照射する領域ＥよりもメンブレンＷａの厚みを厚くして梁のようにしてもよい。また、図６（ｂ）に示すように、マスク基板Ｗの周端部の厚みを厚くしてもかまわない。このようにマスク基板Ｗを構成すれば、支持できる面積が広くなるため、より面積の広い転写用基板を作成することができる。
【００３３】
（マスク基板Ｗへの描画）
次に、マスク描画装置１０を使用したマスク基板Ｗへの描画について説明する。なお、以下に説明するマスク描画装置１０の動作は、制御機構６００により制御される。
【００３４】
初めに、図４を参照して説明したマスク基板Ｗを収容した容器Ｃを載置台１１０に載置する。搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃから取り出す。次に、Ｉ／Ｏチャンバ２００が大気圧とされ、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎ（開）する。
【００３５】
搬送ロボット１２０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内に載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。Ｉ／Ｏチャンバ２００内が所定の圧力まで真空引きされた後、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎする。
【００３６】
次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内から取り出す。その後、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアライメント室３２０へ搬送する。アライメント室３２０で、マスク基板Ｗの位置決め（アライメント）が行われた後、搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアース体収容室３３０内へ搬送する。
【００３７】
次に、搬送ロボット３４０は、アース体収容室３３０に収容されたアース体Ｈを、マスク基板Ｗ上にセットする。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＷチャンバ４００内のＸ−Ｙステージ４２０上に載置する。搬送ロボット３４０はＷチャンバ４００内から退避した後、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。
【００３８】
駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、電子ビーム鏡筒５００から電子ビームがマスク基板Ｗへ照射され、所望のパターンがレジスト膜に描画される。
【００３９】
マスク基板Ｗへの描画が終了すると、駆動機構４３０Ａ，４３０Ｂは、Ｘ−Ｙステージ４２０を所定の位置に移動させる。次に、ゲートバルブＧ３がＯｐｅｎする。搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＷチャンバ４００から取り出す。
【００４０】
次に、ゲートバルブＧ３がＣｌｏｓｅする。搬送ロボット３４０は、マスク基板Ｗをアース体収容室３３０内へ搬送し、マスク基板Ｗ上にアース体Ｈをセットした時とは逆の手順で、アース体Ｈをアース体収容室３３０内へ収容する。
【００４１】
次に、ゲートバルブＧ２がＯｐｅｎし、搬送ロボット３４０は、マスク基板ＷをＩ／Ｏチャンバ２００内へ載置した後、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ２がＣｌｏｓｅする。ガス供給系２２０からベント用ガスが供給されＩ／Ｏチャンバ２００内が大気圧まで昇圧された後、ゲートバルブＧ１がＯｐｅｎする。
【００４２】
搬送ロボット１２０は、Ｉ／Ｏチャンバ２００内からマスク基板Ｗを取り出して、Ｉ／Ｏチャンバ２００内から退避する。次に、ゲートバルブＧ１がＣｌｏｓｅする。次に、搬送ロボット１２０は、マスク基板Ｗを容器Ｃ内へ収容する。
【００４３】
（転写用基板（ＮＩＬテンプレート）の作成）
図７は、実施形態に係る転写用基板Ｔの作成方法を示した図である。以下、図７を参照して転写用基板Ｔの作成方法について説明する。
【００４４】
初めに、マスク描画装置１０で電子ビームによる描画が終了したマスク基板Ｗを現像する（図７（ａ）参照）。この現像により、レジスト膜Ｗｂがポジ型であれば電子ビームを照射した領域（感光領域）のレジスト膜Ｗｂが除去される。また、レジスト膜Ｗｂがネガ型であれば、電子ビームを照射していない領域（非感光領域）のレジスト膜Ｗｂが除去される。
【００４５】
次に、現像後のマスク基板Ｗを下地基板Ｓに貼り付ける（図７（ｂ）参照）。この時、マスク基板ＷのメンブレンＷａが下地基板Ｓと接するように貼り付ける。
【００４６】
メンブレンＷａと下地基板Ｓの材質は、熱膨張係数が近いものであることが好ましい。熱膨張の違いによるメンブレンＷａと下地基板Ｓとの剥がれ等を防止するためである。このため、下地基板Ｓの材質は、メンブレンＷｂと同じもの（例えば、シリコン（Ｓｉ））が好ましい。なお、マスク基板Ｗを下地基板Ｓに貼り付けた後、マスク基板Ｗを現像してもよい。
【００４７】
次に、マスク基板Ｗのレジスト膜Ｗｂをマスクにして、メンブレンＷａをエッチングし、メンブレンＷａに溝ｎを形成する（図７（ｃ）参照）。なお、エッチングは、等方性のウェットエッチングよりも異方性に優れるドライエッチング（例えば、reactive ion etching(RIE)）のほうが好ましい。
【００４８】
その後、メンブレンＷａ上に残っているレジスト膜Ｗｂを剥離した後、ＲＣＡ等による洗浄を行い、転写用基板Ｔが完成する（図７（ｄ））。
【００４９】
以上のように、実施形態では、厚みが１〜２μｍの非常に薄い膜（メンブレン）Ｗａ上にレジスト膜Ｗｂを形成したマスク基板Ｗを使用している。このため、電子ビームによる描画の際に、電子の後方散乱を効果的に抑制することできる。その結果、電子ビームを照射した領域（照射領域）と電子ビームを照射していない領域（非照射領域）とのコントラストの低下を抑制することができ、微細な寸法のパターン、特に、２０ｎｍ以下のパターンについても描画することができる。
【００５０】
また、後方散乱による補正を考量する必要がなくなるため、描画時の演算処理の負荷を少なくすることができる。さらに、後方散乱によりマスク基板Ｗから飛び出す電子が少ないため、通常、対物レンズに取り付ける反射防止板を省略することができ、マスク描画装置１０の製造コストを低減することができる。
【００５１】
（実施形態の変形例）
図８は、実施形態の変形例に係る転写用基板Ｔの作成方法を示した図である。図７を参照して説明した実施形態に係る転写用基板Ｔの作成方法では、メンブレンＷａに転写面を形成しているが、この変形例では、下地基板Ｓに転写面を形成する実施形態について説明する。なお、マスク基板の描画については、実施形態と同じであるため重複した説明を省略し、転写用基板の作成についてのみ説明する。
【００５２】
（転写用基板（ＮＩＬテンプレート）の作成）
図８は、実施形態の変形例に係る転写用基板Ｔの作成方法を示した図である。以下、図８を参照して転写用基板Ｔの作成方法について説明する。
【００５３】
初めに、マスク描画装置１０で電子ビームによる描画が終了したマスク基板Ｗを現像する（図８（ａ）参照）。この現像により、レジスト膜Ｗｂがポジ型であれば電子ビームを照射した領域（感光領域）のレジスト膜Ｗｂが除去される。また、レジスト膜Ｗｂがネガ型であれば、電子ビームを照射していない領域（非感光領域）のレジスト膜Ｗｂが除去される。
【００５４】
次に、マスク基板Ｗのレジスト膜Ｗｂをマスクにして、メンブレンＷａをエッチングし、メンブレンＷａに溝ｎを形成する（図８（ｂ）参照）。なお、エッチングは、等方性のウェットエッチングよりも異方性に優れるドライエッチング（例えば、reactive ion etching(RIE)）のほうが好ましい。エッチングの後は、レジスト膜Ｗｂを剥離する。
【００５５】
次に、エッチング後のメンブレンＷａを下地基板Ｓに貼り付ける（図８（ｃ）参照）。この時、メンブレンＷａのエッチング面（溝ｎが形成されている面）が下地基板Ｓと接するように貼り付ける。
【００５６】
メンブレンＷａと下地基板Ｓの材質は、熱膨張係数が近いものであることが好ましい。熱膨張の違いによるメンブレンＷａと下地基板Ｓとの剥がれ等を防止するためである。このため、下地基板Ｓの材質は、メンブレンＷａと同じもの（例えば、シリコン（Ｓｉ））が好ましい。
【００５７】
次に、メンブレンＷａをマスクにして、下地基板Ｓをエッチングして、下地基板Ｓに溝ｍを形成する（図８（ｄ）参照）。エッチングは、等方性のウェットエッチングよりも異方性に優れるドライエッチング（例えば、reactive ion etching(RIE)）のほうが好ましい。また、エッチングによりメンブレンＷａに形成された溝ｎが露出する位置（図８（ｃ）の線分Ｌ−Ｌの位置）までchemical mechanical polishing（ＣＭＰ）で研磨した後、エッチングを行ってもよい。
【００５８】
なお、メンブレンＷａのエッチング面が下地基板Ｓと接するように貼りつける理由は、メンブレンＷａに形成されているパターンをより正確に下地基板Ｓに転写するためである。図８に示した溝ｎの形状からはわかりにくいが、メンブレンＷａに形成される溝ｎの深幅と幅の比（アスペクト比）は、実際には非常に高く、アスペクト比が２０以上のものもある。
【００５９】
通常、このような高アスペクト比のパターンに対してエッチングを行うと溝ｎが先細り形状となる。また、溝ｎの底部と、メンブレンＷａの表面とでエッチングレートが異なってくる。このため、メンブレンＷａのエッチングされていない面を下地基板Ｓと接するように貼りつけた状態で下地基板Ｓをエッチングした場合、メンブレンＷａに形成されているパターンを正確に下地基板Ｓに転写することが難しくなる。
【００６０】
そこで、この実施形態の変形例では、メンブレンＷａのエッチング面が下地基板Ｓと接するように貼りつけた状態で、下地基板Ｓをエッチングし、メンブレンＷａに形成されているパターンがより正確に下地基板Ｓに転写されるようにしている。
【００６１】
次に、下地基板Ｓ上に残っているメンブレンＷａを剥離した後、ＲＣＡ等による洗浄を行い、転写用基板Ｔが完成する（図８（ｅ））。
【００６２】
以上のように、この実施形態の変形例では、シリコン（Ｓｉ）を材質とするメンブレンＷａをマスクとして使用しているので、レジスト膜Ｗｂをマスクとする上記実施形態に比べて、エッチング時の選択比が向上する。このため、より微細なパターンを得ることができる。なお、その他の効果については、実施形態と同じであるため重複した説明を省略する。
【００６３】
（その他の実施形態）
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、上記実施形態は、例示であり、本発明を上記実施形態に限定することを意図するものではない。上記実施形態は、その他の様々な形態で実施することが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０…マスク描画装置、１１０…載置台、１２０…搬送ロボット、２００…チャンバ、２１０…真空ポンプ、２２０…ガス供給系、３００…チャンバ、３１０…真空ポンプ、３２０…アライメント室、３３０…アース体収容室、３４０…搬送ロボット、４００…チャンバ、４１０…真空ポンプ、４２０…ステージ、４３０Ａ，４３０Ｂ…駆動機構、５００…電子ビーム鏡筒、５１０…電子銃、５２０…アパーチャ、５３０…偏向器、５４０…レンズ、６００…制御機構、Ｂ…電子ビーム、Ｃ…容器、ｅ…電子、Ｅ…照射領域、Ｇ１-Ｇ３…ゲートバルブ、Ｈ…アース体、Ｈａ…アースピン、Ｈｂ…枠体、Ｎ…非照射領域、Ｓ…下地基板、Ｔ…転写用基板、Ｗ…マスク基板、Ｗａ…メンブレン、Ｗｂ…レジスト膜。
【図１】
2014038203.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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