(57)【要約】【課題】高精細の発光層パターンを、高い生産性をもって製造することができるレーザ転写装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係るレーザ転写装置は、真空雰囲気を維持可能な真空室と、ステージと、レーザ光学系と、制御部とを有する。上記ステージは、前記真空室内に設置され有機発光材料を支持する熱転写体が配置された基板を支持する。上記レーザ光学系は、光源と、分割素子と、走査機構とを有する。上記光源は、レーザ光を発光する。上記分割素子は、上記光源から発光されたレーザ光を複数の平行光に分割する。上記走査機構は、前記熱転写体の表面を前記分割素子により分割された複数のレーザ光により走査する。上記制御部は、前記複数のレーザ光を前記熱転写体の表面に照射させることにより、前記有機発光材料を所定パターンで前記基板上に転写させることが可能に構成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空雰囲気を維持可能な真空室と、
前記真空室内に設置され有機発光材料を支持する熱転写体が配置された基板を支持するステージと、
レーザ光を発光する光源と、前記光源から発光されたレーザ光を複数の平行光に分割する分割素子と、前記熱転写体の表面を前記分割素子により分割された複数のレーザ光により走査する走査機構とを有し、前記ステージに対向して配置されるレーザ光学系と、
前記複数のレーザ光を前記熱転写体の表面に照射させることにより、前記有機発光材料を所定パターンで前記基板上に転写させることが可能な制御部と
を具備するレーザ転写装置。
【請求項２】
請求項１に記載のレーザ転写装置であって、
前記ステージは、前記基板を第１の軸方向に沿って移動させる移動機構を有し、
前記走査機構は、
前記複数のレーザ光を反射する反射面を有し、前記反射面の角度が可変に構成される走査ミラー部と、
前記走査ミラー部を駆動することで前記反射面の角度を変更することが可能なミラー駆動部とを有し、
前記制御部は、
前記ミラー駆動部及び前記移動機構を制御することで、前記複数のレーザ光で前記熱転写体の表面を前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に沿って走査させることが可能に構成される
レーザ転写装置。
【請求項３】
請求項２に記載のレーザ転写装置であって、
前記第２の軸方向は、前記第１の軸方向と直交する
レーザ転写装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３のいずれか１項に記載のレーザ転写装置であって、
前記走査機構は、前記第２の軸方向に沿って配設された複数の走査部を有する
レーザ転写装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のレーザ転写装置であって、
前記レーザ光学系は、前記光源から発光されたレーザ光の強度分布を均一化する第１の光学ユニットをさらに有するレーザ転写装置。
【請求項６】
請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のレーザ転写装置であって、
前記レーザ光学系は、前記走査機構により前記第２の軸方向へ走査した複数のレーザ光を前記熱転写体の表面に垂直に入射させるための第２の光学ユニットをさらに有するレーザ転写装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のレーザ転写装置であって、
前記真空室は、前記ステージと対向し前記複数のレーザ光を透過させる透光部が形成された天面をさらに有し、
前記レーザ光学系は、前記天面の外側に設置されている
レーザ転写装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば有機ＥＬディスプレイに代表される有機発光デバイスの製造に用いられるレーザ転写装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬディスプレイの開発が進められ、一部の分野では既に実用化されている。有機ＥＬ素子は、主として、下部電極、有機発光層及び上部電極層の積層構造を有する。有機発光材料には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）等の発光色を有する種々の材料が知られており、基板上にＲ層、Ｇ層及びＢ層の各発光材料が各々規則的に配列されることで、フルカラーの有機ＥＬディスプレイが構成される。また、基板上に規則的に配列されたＲ層及びＧ層の上からＢ層がベタ状に形成されたものも知られている。
【０００３】
各色の発光層の配列パターンを基板上に形成する方法として、例えば蒸着法、転写法等が知られている。蒸着法は、各色の発光層に応じて用意された成膜マスクを用いて、基板上に各発光材料を蒸着させる方法である（例えば下記特許文献１参照）。一方、転写法は、基板に貼り合わされた発光体にレーザを照射することで、基板上に発光材料を転写する方法である（例えば下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２６０９３９号公報
【特許文献２】特開２００５−２３５７４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら蒸着法では、発光層のパターン精度が成膜マスクの形状精度に大きく依存するため、発光層のパターン精度を高くすることが困難である。一方、転写法では、発光層の高いパターン精度は得られるものの、処理効率を高めて生産性の向上を図ることが困難である。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高精細の発光層パターンを、高い生産性をもって製造することができるレーザ転写装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るレーザ転写装置は、真空雰囲気を維持可能な真空室と、ステージと、レーザ光学系と、制御部とを有する。
上記ステージは、前記真空室内に設置され有機発光材料を支持する熱転写体が配置された基板を支持する。
上記レーザ光学系は、光源と、分割素子と、走査機構とを有する。上記光源は、レーザ光を発光する。上記分割素子は、上記光源から発光されたレーザ光を複数の平行光に分割する。上記走査機構は、前記熱転写体の表面を前記分割素子により分割された複数のレーザ光により走査する。
上記制御部は、前記複数のレーザ光を前記熱転写体の表面に照射させることにより、前記有機発光材料を所定パターンで前記基板上に転写させることが可能に構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】有機発光デバイスの構成の一例を示す概略断面図である。
【図２】実施形態に係る有機発光デバイスの製造システムを示す概略平面図である。
【図３】本発明に係る第１のレーザ転写装置を概略的に示す平面図である。
【図４】上記第１のレーザ転写装置を概略的に示す側断面図である。
【図５】上記製造システムの要部の概略側断面図である。
【図６】上記第１のレーザ転写装置のレーザ光の強度分布を示す図である。
【図７】上記第１のレーザ転写装置のレーザ光学系の分割素子を示す斜視図である。
【図８】図７に示すレーザ光学系の分割素子の光路を説明するための光路図である。
【図９】上記第１のレーザ転写装置の走査機構の一部を模式的に示す図である。
【図１０】上記製造システムにおける基板上への有機発光材料のレーザ転写工程を示す概略斜視図である。
【図１１】上記製造システムにおける基板上への有機発光材料のレーザ転写工程を示す概略平面図である。
【図１２】上記製造システムにおいて製造される有機発光デバイスの要部の平面図である。
【図１３】上記第１のレーザ転写装置におけるレーザ光学系の構成の変形例を概略的に示す側断面図である。
【図１４】上記第１のレーザ転写装置におけるレーザ光学系の分割素子の変形例を説明するための図である。
【図１５】上記第１のレーザ転写装置におけるレーザ光学系の分割素子の他の変形例を説明するための図である。
【図１６】上記第１，第２のレーザ転写装置において使用される熱転写体に対するレーザ光のスキャン照射例を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一実施形態に係るレーザ転写装置は、真空雰囲気を維持可能な真空室と、ステージと、レーザ光学系と、制御部とを有する。
上記ステージは、前記真空室内に設置され有機発光材料を支持する熱転写体が配置された基板を支持する。
上記レーザ光学系は、光源と、分割素子と、走査機構とを有する。上記光源は、レーザ光を発光する。上記分割素子は、上記光源から発光されたレーザ光を複数の平行光に分割する。上記走査機構は、前記熱転写体の表面を前記分割素子により分割された複数のレーザ光により走査する。
上記制御部は、前記複数のレーザ光を前記熱転写体の表面に照射させることにより、前記有機発光材料を所定パターンで前記基板上に転写させることが可能に構成される。
【００１０】
本発明によれば、レーザ転写装置のレーザ光学系は、光源と、分割素子と、走査機構とを有し、分割素子は、上記光源から発光されたレーザ光を複数の平行光に分割する。このため、制御部が、走査機構を制御することで、同時に複数のレーザ光を走査し熱転写体の表面に照射することができる。この結果、高精細の発光層パターンを、飛躍的に高い生産性をもって製造することができる。
【００１１】
上記ステージは、上記基板を第１の軸方向に沿って移動させる移動機構を有し、
上記走査機構は、
前記複数のレーザ光を反射する反射面を有し、前記反射面の角度が可変に構成される走査ミラー部と、
前記走査ミラー部を駆動することで前記反射面の角度を変更することが可能なミラー駆動部とを有し、
上記制御部は、
前記ミラー駆動部及び前記移動機構を制御することで、前記複数のレーザ光で前記熱転写体の表面を前記第１の軸方向と交差する第２の軸方向に沿って走査させることが可能に構成される。
【００１２】
これにより、基板を第１の軸方向に移動させながら、複数に分割されたレーザ光を熱転写体の表面において第１の軸方向と交差する第２の軸方向へ走査することができる。この結果、基板を移動させつつ第２の軸方向に延在するストライプ状の発光層を形成することが可能となり、生産性を向上させることができる。
【００１３】
また、上記第２の軸方向は、上記第１の軸方向と直交してもよい。
これにより、第１の軸方向と直交する方向に延在するストライプ状の発光層を形成することが可能となる。
【００１４】
また上記走査機構は、上記第２の軸方向に沿って配設された複数の走査部を有するようにしてもよい。これにより、複数に分割されているレーザ光を複数の走査部によって異なる位置で同時に走査することができるので、生産性をより向上させることができる。
【００１５】
上記レーザ光学系は、上記光源から発光されたレーザ光の強度分布を均一化する第１の光学ユニットをさらに有するようにしてもよい。
これにより、レーザ光の強度分布をトップハット型にすることができ、分割素子の全域にわたって等しい強度分布でレーザ光を照射することができる。この結果、分割素子で分割された複数のレーザ光のそれぞれのスポット形状を矩形状とすることができる。このため、複数のレーザ光で熱転写体の表面を走査するときに、熱転写体の表面への各レーザ光の照射量が均一になるので、より高精度に発光材料を基板上へ転写することができる。
【００１６】
上記レーザ光学系は、上記走査機構により上記第２の軸方向へ走査した複数のレーザ光を上記熱転写体の表面に垂直に入射させるための第２の光学ユニットをさらに有するようにしてもよい。
これにより、複数のレーザ光の熱転写体上でのスポット形状がそれぞれ異なる形状になることを防止することができるので、高精細の発光層パターンを形成することができる。
【００１７】
上記真空室は、上記ステージと対向し上記複数のレーザ光を透過させる透光部が形成された天面をさらに有し、上記レーザ光学系は、上記天面の外側に設置されているようにしてもよい。
これにより、レーザ光学系を真空室の外部に設置することができ、レーザ光学系の第１の光学ユニット、分割素子、走査部及び第２の光学ユニットのメンテナンス性を確保することができる。
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
【００１９】
［有機発光デバイスの構成］
図１は、有機発光デバイスの構成の一例を示す概略断面図である。図示する有機発光デバイス１は、基板２と、下部電極層３と、正孔注入層４と、発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂと、電子注入層６と、上部電極層７との積層構造を有する。
【００２０】
基板２は、例えばガラス基板、プラスチック基板等で構成される。下部電極層３は、陽極として、各色の発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに対応するように個々に形成され、上部電極層７は、陰極として、発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂに共通に形成される。正孔注入層４は、正孔輸送層を含み、下部電極層３から発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂへ正孔を注入する。電子注入層６は、電子輸送層を含み、上部電極層７から発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂへ電子を注入する。発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素を構成する。発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂは、各色に発光する有機発光材料で形成され、注入された正孔及び電子の再結合により発光する。発光層５Ｒ，５Ｇは、レーザ熱転写法によって所定のパターン形状に形成され、発光層５Ｂは蒸着法によって発光層５Ｒ，５Ｇを覆うように基板２のほぼ全面に形成される。
【００２１】
次に、以上のように構成される有機発光デバイス１の製造装置及び製造方法について説明する。本実施形態では、基板２上への発光層５Ｒ，５Ｇの熱転写工程への適用例を説明する。
【００２２】
［有機発光デバイスの製造装置］
図２は、一実施形態に係る有機発光デバイスの製造システムを示す概略平面図である。本実施形態の製造システム１０は、第１の処理ユニット１１と、第２の処理ユニット１２と、搬送ユニット１３とを有する。また、図中のＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向は、相互に直交する３軸方向を示し、Ｘ軸方向は第１の軸方向、Ｙ軸方向は第２の軸方向を示す。
【００２３】
第１の処理ユニット１１は、基板２上に第１の有機発光層として発光層５Ｒを形成する第１のレーザ転写装置１１０を含む。第２の処理ユニット１２は、基板２上に第２の有機発光層として発光層５Ｇを形成する第２のレーザ転写装置１２０を含む。搬送ユニット１３は、第１のレーザ転写装置１１０と第２のレーザ転写装置１２０との間に設置された搬送室１３０と、第１のレーザ転写装置１１０から第２のレーザ転写装置１２０へ基板２を搬送する搬送機構１３１とを含む。
【００２４】
第１の処理ユニット１１、搬送ユニット１３及び第２の処理ユニット１２は、水平面において一軸方向（Ｘ軸方向）に配列されており、真空中で基板２をＸ軸方向に搬送しながら発光層５Ｒ，５Ｇを順次形成するインライン式のレーザ転写装置を構成している。
【００２５】
［第１の処理ユニット］
第１の処理ユニット１１は、本発明に係る第１のレーザ転写装置１１０と、第１のレーザ転写装置１１０へ搬送される基板を収容する第１の基板収容室１１１と、第１のレーザ転写装置１１０へ搬送される赤色有機発光材料の熱転写体を収容する第１の熱転写体収容室１１２とを有する。第１の基板収容室１１１は、正孔注入層４が成膜された基板２を収容する。第１の基板収容室１１１は、正孔注入層４等を成膜する成膜室２１等と接続されていてもよい。
【００２６】
図３は第１のレーザ転写装置１１０を概略的に示す平面図、図４はその概略側断面図である。第１のレーザ転写装置１１０は、真空室３１と、ステージ３２と、レーザ光学系３３と、制御部４５とを有する。
【００２７】
真空室３１は、図示しない真空ポンプに接続されており、内部を所定圧力の減圧雰囲気に維持することが可能に構成されている。真空室３１は、例えば直方体（六面体）形状のチャンバ構造を有しており、第１の基板収容室１１１に接続された第１の側面３１１と、第１の熱転写体収容室１１２に接続された第２の側面３１２と、搬送室１３０に接続される第３の側面３１３とを有する。第２の側面３１２は第１の側面３１１に隣接し、第３の側面３１３は第１の側面３１１とＸ軸方向に対向する。第１の側面３１１、第２の側面３１２及び第３の側面３１３は、ゲートバルブ等の仕切りバルブを介して第１の基板収容室１１１、第１の熱転写体収容室１１２及び搬送室１３０にそれぞれ接続されている。
【００２８】
図４に示すように、真空室３１はさらに天面３１４を有する。天面３１４には、レーザ光学系３３から出射されるレーザ光を透過する、石英等で構成された透光部３１５ａ，３１５ｂが設けられている。透光部３１５ａ，３１５ｂは、ステージ３２の支持面３２ａに対向し、Ｙ軸方向に隣接するように設けられている。透光部３１５ａ，３１５ｂは相互に分離して構成される例に限られず、一体的に構成されてもよい。
【００２９】
ステージ３２は、真空室３１の内部に設置されており、その上面には第１の基板収容室１１１から搬送された基板２及び熱転写体を支持するための支持面３２ａが形成されている。ステージ３２は機構部（移動機構）３２ｂをさらに有しており、機構部３２ｂを介して真空室３１内において水平面内で移動可能に構成されている。本実施形態においてステージ３２は、第１の基板収容室１１１から搬送室１３０へ向かうＸ軸方向に移動可能に構成されるが、さらにＹ軸方向及びＺ軸まわりの回転方向にも移動可能に構成されてもよい。これにより、基板面内の任意の位置に所望のパターン形状を有する発光層を形成することができる。
【００３０】
図５は、真空室３１と第１の熱転写体収容室１１２との関係を示す概略側面図である。第１の熱転写体収容室１１２には、熱転写体５０Ｒを第１の熱転写体収容室１１２と真空室３１との間で搬送する移載機構１１３が設置されている。移載機構１１３は、例えば多関節搬送ロボットで構成されている。熱転写体５０Ｒは、赤色有機発光材料層とこれを支持する例えばガラス製の基材との積層構造を有し、赤色有機発光材料層をステージ３２上の基板２側に向けて、基板２の上に配置される。熱転写体５０Ｒは、基板２の発光層形成領域を被覆する大きさの矩形状に形成される。
【００３１】
レーザ光学系３３は、図４に示すように真空室３１の上方に設置されている。これによりレーザ光学系３３を真空室３１の外部（大気）に設置することができ、レーザ光学系３３のメンテナンス性を確保することができる。なお上述の例に限られず、レーザ光学系３３は、真空室３１の内部に設置されてもよいし、真空室３１以外の大気とは異なる雰囲気（例えば減圧下の窒素雰囲気）に調整されたチャンバ内に設置されてもよい。
【００３２】
レーザ光学系３３は、光源３４と、第１の光学ユニット３４Ａと、分割素子３４Ｂと、走査機構３５と、光学レンズ部（第２の光学ユニット）３６とを有し、透光部３１５ａ，３１５ｂを介してステージ３２上の熱転写体５０Ｒへレーザ光を照射することで、基板２上に発光層をレーザ転写する。
【００３３】
光源３４は、Ｙ軸方向へレーザ光Ｌを出射する。レーザ光Ｌの発振波長は特に限定されず、熱転写体５０Ｒによって支持される有機発光材料の種類に応じて適宜設定される。本実施形態では、レーザ光Ｌとして赤外波長領域（例えば約１．１μｍ）の赤外線レーザが用いられる。また、レーザ光Ｌとしては、例えば大出力（４００Ｗ以上）のＣＷ（連続波）又はＱＣＷ（疑似連続波）のレーザ光が用いられる。
【００３４】
図６は、上記第１のレーザ転写装置１１０のレーザの強度分布を示す図である。
【００３５】
第１の光学ユニット３４Ａは、光源３４と、分割素子３４Ｂとの間に設けられている。通常のレーザ光の強度分布がガウス分布になるのに対して、第１の光学ユニット３４Ａは、光源３４からのレーザ光Ｌの強度分布を、図６に示すようないわゆるトップハット型にするように構成されている。
【００３６】
具体的には、第１の光学ユニット３４Ａは、非球面レンズ３５５と、位相補正レンズ３５６とを備える。非球面レンズ３５５は、レーザ光Ｌのパワー分布を均一化する。位相補正レンズ３５６は、入射したレーザ光Ｌの位相を補正して、レーザ光Ｌの位相を略同一とする。なお、非球面レンズ３５５の代わりに、例えば回折格子（ホモジェナイザ）を用いてもよい。
【００３７】
図７は、上記第１のレーザ転写装置１１０のレーザ光学系３３の分割素子３４Ｂを示す斜視図、図８は、図７に示すレーザ光学系３３の分割素子３４Ｂの光路を説明するための光路図である。
【００３８】
分割素子３４Ｂは、第１の光学ユニット３４Ａと、走査機構３５との間に設けられている。分割素子３４Ｂは、第１の光学ユニット３４Ａから出射したレーザ光Ｌを複数の平行なレーザ光（ｎ本のレーザ光）Ｌｎに分割し、走査機構３５へ向けて出射する。本実施形態において、分割素子３４Ｂは１７本のレーザ光に分割することが可能に構成される。また分割素子３４Ｂは、全体としてＸＹ平面と平行な底面を有し、Ｚ軸方向に高さ方向を有する略三角柱状あるいは四角柱状に構成されており、例えばガラスなどの基材で形成されている。
【００３９】
分割素子３４Ｂは、複数の反射面３４１と、複数の非反射面３４２とを有する。各反射面３４１及び各非反射面３４２は、いずれもＺ軸方向に沿って延びる矩形状の面であり、Ｚ軸方向と直交する方向に沿って交互に配置される。複数の反射面３４１及び複数の非反射面３４２は、全体として分割素子３４Ｂの一側面を構成する。
【００４０】
複数の反射面３４１は、レーザ光Ｌの入射方向（本例ではＹ軸方向）に対して傾斜して設けられている。各反射面３４１は、ＹＺ平面に投影した際に、Ｙ軸方向に沿った長さが所定の長さＨ２であり、かつそれぞれ所定の長さＨ１だけ相互に離間して設けられている。各反射面３４１は、例えばクロム膜等のレーザ用ミラーで構成される。
【００４１】
一方、複数の非反射面３４２は、Ｘ軸方向に直交するように、すなわちレーザ光Ｌの入射方向であるＹ軸方向に平行となるように設けられている。これにより非反射面３４２にはレーザ光Ｌは入射せず、反射が起こらないように構成される。
【００４２】
これにより複数の反射面３４１は、図８に示すようにＹ軸方向に入射したほぼ全てのレーザ光ＬをＸ軸方向に反射する。すなわち分割素子３４Ｂは、入射したレーザ光Ｌのロスを最小限に抑え、複数のレーザ光Ｌｎに分割することが可能となる。さらに、分割後の複数のレーザ光Ｌｎの強度分布をトップハット型に保持することが可能となる。反射面３４１で反射された複数のレーザ光Ｌｎは、Ｙ軸方向に沿った幅が長さＨ２であり、Ｙ軸方向に長さＨ１だけ相互に離間する。
【００４３】
なお、分割素子３４Ｂの反射面の個数、形状、反射角度等はこれに限定されず適宜変更可能である。また長さＨ１，Ｈ２も特に限られないが、本実施形態において、非反射面３４２のＹ軸方向の長さＨ１は、例えば長さＨ２の約２倍に設定されている（図８参照）。
【００４４】
走査機構３５は、ステージ３２と対向して設置される。走査機構３５は、光源３４から出射され複数に分割されたレーザ光Ｌｎを真空室３１側に折り返しつつ、当該レーザ光Ｌｎを熱転写体５０Ｒ（基板２）の幅方向であるＹ軸方向に所定周期で走査するスキャナ（走査部）を有する。
【００４５】
本実施形態において、走査機構３５は、ハーフミラー３５１と、ミラー３５２，３５３，３５４と、走査部３５ａ，３５ｂとを有する。ハーフミラー３５１は、分割素子３４Ｂで平行に分割された複数のレーザ光Ｌｎをさらに２方向の複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２に分割する。すなわちハーフミラー３５１は、一方の複数のレーザ光Ｌｎ１をミラー３５３側に折り返し、他方の複数のレーザ光Ｌｎ２をミラー３５２へ出射する。ミラー３５３は、レーザ光Ｌｎ１を走査部３５ａへ向けて反射し、ミラー３５２は、レーザ光Ｌｎ２をミラー３５４を介して走査部３５ｂへ向けて反射する。
【００４６】
走査部３５ａ，３５ｂは、Ｙ軸方向に沿って配設され、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を熱転写体５０Ｒ（基板２）の幅方向であるＹ軸方向に所定周期で走査する。
【００４７】
図９は、走査部３５ａの構成を示す模式的な図である。走査部３５ａは、第１のガルバノミラー３５Ａと、第２のガルバノミラー３５Ｂと、第１のミラー駆動部３５Ｃとを有する。
【００４８】
第１及び第２のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂは、それぞれレーザ光Ｌｎ１を反射する反射面３５０Ａ，３５０Ｂを有し、反射面３５０Ａ，３５０Ｂの角度が可変に構成される。反射面３５０ＡはＺ軸のまわりに回動可能に設けられる。すなわち第１のガルバノミラー３５Ａは、複数のレーザ光Ｌｎ１をＸ軸方向に微小量スキャンする。第２の反射面３５０ＢはＸ軸のまわりに回動可能に設けられる。すなわち第２のガルバノミラー３５Ｂは、複数のレーザ光Ｌｎ１で熱転写体５０Ｒの表面をＹ軸方向にスキャンする。ミラー駆動部３５Ｃは、第１及び第２のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂを駆動することで反射面３５０Ａ，３５０Ｂの角度を変更させる。
【００４９】
走査部３５ｂは、走査部３５ａと同様の構成を有する。すなわち走査部３５ｂは、第３のガルバノミラー３５Ｄと、第４のガルバノミラー３５Ｅと、第２のミラー駆動部３５Ｆとを有する。第３及び第４のガルバノミラー３５Ｄ，３５Ｅは、それぞれレーザ光Ｌｎ２を反射する反射面３５０Ｄ，３５０Ｅを有し、反射面３５０Ｄ，３５０Ｅの角度が可変に構成される。反射面３５０Ｄは、Ｚ軸のまわりに回動可能に設けられており、第３のガルバノミラー３５Ｄは複数のレーザ光Ｌｎ２をＸ軸方向に微小量スキャンする。反射面３５０ＥはＸ軸のまわりに回動可能に設けられており、第４のガルバノミラー３５は複数のレーザ光Ｌｎ２で熱転写体５０Ｒの表面をＹ軸方向にスキャンする。ミラー駆動部３５Ｆは、第３及び第４のガルバノミラー３５Ｄ，３５Ｅを駆動することで反射面３５０Ｄ，３５０Ｅの角度を変更させる。
【００５０】
なお第１〜４のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｄ，３５Ｅは、本実施形態において「走査ミラー部」を構成する。
【００５１】
これにより、第１及び第３のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｄは、ステージ３２を移動させながらレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を走査する場合、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の出射方向をステージの移動速度に応じてそれぞれＸ軸方向に調整することが可能となる。したがって、第２及び第４のガルバノミラー３５Ｂ，３５Ｅは、ステージ３２がＸ軸方向に沿って移動している場合であっても、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２により熱転写体５０Ｒの表面をＹ軸方向に沿ってスキャンすることが可能となる。
【００５２】
光学レンズ部３６は、レンズ３６ａ，３６ｂと、透光部３１５ａ，３１５ｂとを有する。レンズ３６ａ，３６ｂは、凸部が非球面の平凸レンズで構成され、透光部３１５ａ，３１５ｂとＺ軸方向にそれぞれ対向している。透光部３１５ａ，３１５ｂもまた平凸レンズで構成されており、非球面状の凸部がレンズ３６ａ，３６ｂの凸部と光軸を揃えて対向している。光学レンズ部３６は、走査部３５ａ，３５ｂで走査された複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２をＺ軸方向に平行な光に変換し、真空室３１内の熱転写体５０Ｒに照射する。
【００５３】
光源３４、第１の光学ユニット３４Ａ、分割素子３４Ｂ及び走査機構３５は、真空室３１の直上に設置された図示しない架台に支持されている。走査機構３５の各走査部３５ａ，３５ｂは、真空室３１の天面の各透光部３１５ａ，３１５ｂの直上位置に、それぞれ配置されている。光学レンズ部３６は、走査部３５ａ，３５ｂで走査されたレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の光軸をＺ軸と平行な方向に変換する。光学レンズ部３６は単数又は複数の球面あるいは非球面レンズ、あるいは球面レンズと非球面レンズとの組み合わせで構成することができる。
【００５４】
透光部３１５ａ，３１５ｂは、Ｙ軸方向に走査されるレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の光路を形成するのに十分な大きさを有していればよく、例えば、光入射面は中心から端部に向かって薄くなり、裏側の光出射面は平面である、いわゆるシリンドリカルレンズの形状に形成されてもよい。一方、透光部３１５ａ，３１５ｂは、真空室３１の天面の一部を構成するため、真空室３１の強度を確保する観点から、透光部３１５ａ，３１５ｂは平面的に見て円板状であってもよい。これらの透光部３１５ａ，３１５ｂの直径は特に限られないが、例えば６５０ｍｍ以上である。
【００５５】
次に、制御部４５は、製造システム１０の動作の全体を制御する。制御部４５は、典型的にはコンピュータで構成され、製造システム１０の各部における基板２に対する各種処理を制御する。制御部４５は、第１の処理ユニット１１に関しては、後述するように、第１の基板収容室１１１から第１のレーザ転写装置１１０への基板の搬送、第１の熱転写体収容室１１２から第１のレーザ転写装置１１０への熱転写体５０Ｒの搬送、第１のレーザ転写装置１１０におけるステージ３２、レーザ光学系３３等の各種動作を制御する。
【００５６】
具体的には、制御部４５は、第１及び第２のミラー駆動部３５Ｃ，３５Ｆ及び機構部３２ｂを制御することで、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２で熱転写体５０Ｒの表面をＹ軸方向に沿って走査させることが可能に構成される。すなわち制御部４５は、第１のミラー駆動部３５Ｃを駆動し、第１及び及び第２のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂの反射面３５０Ａ，３５０Ｂの角度を制御する。同様に制御部４５は、第２のミラー駆動部３５Ｆを駆動し、第３及び第４のガルバノミラー３５Ｄ，３５Ｅの反射面３５０Ｄ，３５０Ｅの角度を制御する。
【００５７】
このとき制御部４５は、ステージ３２のＸ軸方向へ移動と、第１〜４のガルバノミラー３５Ａ、３５Ｂ、３５Ｄ、３５Ｅの動きとを同期させる。これにより制御部４５は、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を熱転写体５０Ｒの表面に照射させ、有機発光材料を所定パターンで基板上に転写させることが可能となる。また本実施形態に係る「所定パターン」とは、Ｘ軸方向に沿って配列しＹ軸方向に沿って延在するストライプ状の転写パターンである。
【００５８】
［第２の処理ユニット］
第２の処理ユニット１２は、図２に示すように、第２のレーザ転写装置１２０と、第２のレーザ転写装置１２０から搬送される基板を収容する第２の基板収容室１２１と、第２のレーザ転写装置１２０へ搬送される緑色有機発光材料の熱転写体を収容する第２の熱転写体収容室１２２とを有する。第２の基板収容室１２１は、発光層５Ｒ，５Ｇが形成された基板２を収容する。第２の基板収容室１２１は、発光層５Ｂを成膜する成膜室２２等と接続されていてもよい。
【００５９】
第２のレーザ転写装置１２０は、第１のレーザ転写装置１１０と同様に構成され、真空室、ステージ、レーザ光学系、制御部等を有する。第２の熱転写体収容室１２２は、熱転写体５０Ｇを第２の熱転写体収容室１２２と上記真空室の間で搬送する移載機構１２３を有する。移載機構１２３は、例えば多関節搬送ロボットで構成されている。熱転写体５０Ｇは、緑色有機発光材料層とこれを支持する例えばガラス製の基材との積層構造を有し、緑色有機発光材料層を上記ステージ上の基板２側に向けて、基板２の上に配置される。熱転写体５０Ｇは、基板２の発光層形成領域を被覆する大きさの矩形状に形成される。
【００６０】
［搬送ユニット］
搬送ユニット１３は、搬送室１３０と、搬送機構１３１とを有する。搬送室１３０は、図示しない真空ポンプに接続されており、内部を所定圧力の減圧雰囲気に維持することが可能に構成されている。搬送室１３０は、例えば直方体（六面体）形状のチャンバ構造を有しており、第１のレーザ転写装置１１０と第２のレーザ転写装置１２０との間に設置される。搬送機構１３１は、例えば多関節ロボットで構成されており、搬送室１３０を介して、第１のレーザ転写装置１１０から第２のレーザ転写装置１２０へ基板２を搬送する。
【００６１】
搬送機構１３１は、搬送室１３０だけでなく、第１の基板収容室１１１及び第２の基板収容室１２１に設置されてもよい。制御部は、これら搬送機構１３１の動作を制御する。制御部４５は、第２の処理ユニット１２に関して、第２のレーザ転写装置１２０への基板２の搬送、第２の熱転写体収容室１２２から第２のレーザ転写装置１２０への熱転写体５０Ｇの搬送、第２のレーザ転写装置１２０におけるステージ、レーザ光学系等の各種動作を制御する。
【００６２】
［製造システムの動作例］
次に、以上のように構成される製造システム１０の一動作例を説明する。
【００６３】
第１の処理ユニット１１、搬送ユニット１３及び第２の処理ユニット１２の各室は、所定の真空度に維持されている。基板２は、第１の基板収容室１１１から第１のレーザ転写装置１１０へ搬送される。基板２にはあらかじめ、例えば成膜室２１において下部電極層３、正孔注入層４が形成されている。
【００６４】
第１のレーザ転写装置１１０へ搬送された基板２は、ステージ３２の支持面３２ａ上に位置決め配置される。次に、移載機構１１３により、第１の熱転写体収容室１１２から第１のレーザ転写装置１１０へ熱転写体５０Ｒが搬送される。移載機構１１３は、図５に示すように、支持面３２ａに支持された基板２の上に熱転写体５０Ｒを位置決め配置する。
【００６５】
制御部４５は、光源３４を駆動する。これにより、光源３４からレーザ光Ｌが射出される。光源３４から射出されたレーザ光Ｌは、第１の光学ユニット３４Ａの非球面レンズ３５５に入射する。非球面レンズ３５５は、入射したレーザ光Ｌの強度分布をトップハット型に変換する。非球面レンズ３５５を透過したレーザ光Ｌは、位相補正レンズ３５６に入射する。位相補正レンズ３５６は、入射したレーザ光Ｌの位相を補正する。位相補正レンズ３５６を透過したレーザ光Ｌは、分割素子３４Ｂに入射する。
【００６６】
分割素子３４Ｂは、入射したレーザ光Ｌを例えば１７本の平行なレーザ光Ｌｎに分割する。具体的には、図８に示すように、分割素子３４ＢにＹ軸方向に入射したレーザ光Ｌは、複数の反射面３４１でＸ軸方向に反射する。これにより、分割素子３４Ｂに入射したレーザ光Ｌは、複数の平行光に分割される。複数に分割されたレーザ光Ｌｎは、Ｙ軸方向に所定の長さＨ１だけ相互に離間した平行な光線となる。
【００６７】
分割素子３４Ｂで分割された複数のレーザ光Ｌｎは、例えば図示しないミラーでＹ軸方向に反射されハーフミラー３５１に入射する。ハーフミラー３５１は、レーザ光Ｌｎのうちの一部のレーザ光Ｌｎ１をミラー３５３側へ折り返し、かつレーザ光Ｌｎのうちの他のレーザ光Ｌｎ２をミラー３５２方向へ出射する。つまり、ハーフミラー３５１は、入射した複数のレーザ光Ｌｎをミラー３５３に向かう複数のレーザ光Ｌｎ１と、ミラー３５２に向かう複数のレーザ光Ｌｎ２とに分割する。ミラー３５３は、入射した複数のレーザ光Ｌｎ１を第１のガルバノミラー３５Ａに向けて反射する。
【００６８】
制御部４５は、第１のミラー駆動部３５Ｃを駆動することで、第１及び第２のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂの反射面３５０Ａ，３５０Ｂの角度を制御する。第１のガルバノミラー３５Ａは、入射したレーザ光Ｌｎ１を第２のガルバノミラー３５Ｂに向けて反射する。第２のガルバノミラー３５Ｂは、入射したレーザ光Ｌｎ１を光学レンズ部３６のレンズ群３７１に向けて反射する。
【００６９】
レンズ群３７１は、入射したレーザ光Ｌｎ１をレンズ３６ａに向けて屈折する。続いてレンズ３６ａは、入射したレーザ光Ｌｎ１を透光部３１５ａに向けて屈折する。さらに透光部３１５ａは、入射したレーザ光Ｌｎ１を屈折し、熱転写体５０Ｒの表面に垂直に入射させる。
【００７０】
一方、ミラー３５２は、入射したレーザ光Ｌｎ２をミラー３５４に向けて反射する。続いてミラー３５４は、入射したレーザ光Ｌｎ２を走査部３５ｂの第３のガルバノミラー３５Ｄに向けて反射する。制御部４５は、第２のミラー駆動部３５Ｆを駆動することで、第３及び第４のガルバノミラー３５Ｄ，３５Ｅの反射面の角度を制御する。第３のガルバノミラー３５Ｄは、入射したレーザ光Ｌｎ２を第４のガルバノミラー３５Ｅに向けて反射する。第４のガルバノミラー３５Ｅは、入射したレーザ光Ｌｎ２を光学レンズ部３６のレンズ群３７２に向けて反射する。
【００７１】
レンズ群３７２は、入射したレーザ光Ｌｎ２をレンズ３６ｂに向けて屈折する。続いてレンズ３６ｂは、入射したレーザ光Ｌｎ２を透光部３１５ｂに向けて屈折する。さらに透光部３１５ｂは、入射したレーザ光Ｌｎ２を屈折し、熱転写体５０Ｒの表面に垂直に入射させる。
【００７２】
一方で制御部４５は、レーザ光学系３３の制御と同期して、ステージ３２の機構部３２ｂを駆動し、基板２を熱転写体５０ＲとともにＸ軸方向へ所定速度で移動させる。
【００７３】
図１０及び図１１は、基板２への有機発光材料のレーザ転写工程を示す概略図である。上述のように熱転写体５０Ｒは、基材と有機発光材料層との積層構造を有し、有機発光材料層が基板２側に位置するように、基板２と重ね合わされる。有機発光材料層は基板２の表面に接触してもよいし、基板２の表面に所定の間隔をあけて配置されてもよい。熱転写体５０Ｒの基材にレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２が照射されると、そのレーザ照射領域に対応する形状のパターン形状で有機発光材料が基板２上に転写される。
【００７４】
図１１は、熱転写体５０Ｒに照射される各レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の形状を擬似的に示す。基材に照射される各レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の形状は、例えば走査方向（Ｙ軸方向）の長さＳ１が３００μｍ、走査方向に交差（直交）するＸ軸方向の長さＳ２が４０μｍになっている。
【００７５】
本実施形態では、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２は、走査部３５ａ，３５ｂによってＹ軸方向及びＸ軸方向に走査される。また、基板２及び熱転写体５０Ｒは、ステージ３２によりＸ軸方向に搬送されるため、これにより基板２の表面には、図９に示すようにＹ軸方向に平行なストライプ状の複数の発光層５Ｒが基板２の搬送方向に沿って順次形成される。発光層５Ｒ各々の間隔（ピッチ）は特に限定されず、各々の間に発光層５Ｇ及び発光層５Ｂを配置できる程度の大きさに設定される。
【００７６】
また本実施形態では、走査部３５ａ，３５ｂがＹ軸方向に２つ離間して配置されているため、図１０及び図１１に示すように基板２の進行方向（Ｘ軸方向）に関して基板２の表面を２分割したそれぞれの領域に対して、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２による有機発光材料のレーザ転写が同時に実施される。これにより処理能力が倍増し、大型基板に対しても十分に対応することが可能となる。なお、図１１の「side A」はレーザ光Ｌｎ１により走査される基板２上の領域を示し、「side B」はレーザ光Ｌｎ２により走査される基板２上の領域を示す。
【００７７】
このとき、走査部３５ａ，３５ｂに入射するレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２はそれぞれ複数に分割されているので、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の本数と同一の本数のストライプ状の発光層５Ｒを同時に形成することができる。なお、図１０及び図１１では、図面を見易くするためにレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２をそれぞれ４本ずつ図示したが、実際にはレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２はそれぞれ１７本に分割されて熱転写体５０Ｒに照射されている。
【００７８】
レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２のＹ軸方向への走査は、ステージ３２をＸ軸方向へ間欠的に移動させながら行ってもよいが、本実施形態では、ステージ３２をＸ軸方向へ連続的に移動させながら、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２がＹ軸方向へ走査される。これにより処理能力が向上し、生産性が高められる。
【００７９】
ステージ３２を移動させながらレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を走査する場合、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を、そのスキャン速度ベクトルとステージの移動速度ベクトルとの合成ベクトルで走査する。つまり、レーザ光Ｌｎ１には、第１のガルバノミラー３５ＡのＺ軸方向の回動によりステージの移動速度ベクトルに相当する速度成分が付与され、第２のガルバノミラー３５ＢのＸ軸方向に回動によりスキャン速度ベクトルに相当する速度成分が付与される。同様にレーザ光Ｌｎ２には、第３のガルバノミラー３５ＤのＺ軸方向の回動によりステージの移動速度ベクトルに相当する速度成分が付与され、第４のガルバノミラー３５ＤのＸ軸方向に回動によりスキャン速度ベクトルに相当する速度成分が付与される。この結果、Ｘ軸方向に移動する基板２にＹ軸方向に平行なストライプ状の複数の発光層５Ｒを形成することができる。
【００８０】
また本実施形態においては、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の走査方向の往路又は復路で複数の発光層５Ｒが基板２上に形成されるように、光源３４に対するレーザ光Ｌの出射が制御される。これに代えて、往路及び復路のそれぞれで複数の発光層５Ｒが形成されてもよい。
【００８１】
複数の発光層５Ｒの形成後、熱転写体５０Ｒは移載機構１１３により基板２から取り外される。基板２への熱転写体５０Ｒの重ね合わせ前後で真空室３１の内圧に変動はないため、熱転写体５０Ｒを基板２から容易に取り外すことができる。その後、第１のレーザ転写装置１１０から第２のレーザ転写装置１２０へ搬送室１３０を介して基板２が搬送される。
【００８２】
第２のレーザ転写装置１２０に搬送された基板２は、第１のレーザ転写装置１１０における処理と同様の処理が施される。すなわち、移載機構１２３により、第２の熱転写体収容室１２２から第２のレーザ転写装置１２０へ緑色有機発光材料を支持する熱転写体５０Ｇが搬送され、ステージ上の基板２の表面に位置決め配置される。その後、レーザ光学系を介して熱転写体５０Ｇがレーザ照射され、基板２の表面に個々の発光層５Ｒに隣接するストライプ状の複数の発光層５Ｇが形成される。
【００８３】
なお本実施形態において、分割された複数のレーザ光のＹ軸方向に相互に離間する幅Ｈ１は、各レーザ光の幅Ｈ２の約２倍である。すなわち、基板２上に形成される各色の発光層５Ｒ，５Ｇ，５ＢのＸ軸方向の周期は、これらの各発光層５Ｒ，５Ｇ，５ＢのＸ軸方向に沿った幅の約３倍に設定される。したがって、発光層５Ｒに隣接して発光層５Ｇがストライプ状に形成されることで、略均等な幅のＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の画素を構成することが可能となる。
【００８４】
複数の発光層５Ｇの形成後、熱転写体５０Ｇが基板２から取り外される。そして、第２のレーザ転写装置１２０から第２の基板収容室１２１へ基板２が搬送される。図１２は、発光層５Ｒ及び発光層５Ｇを備えた基板２の平面図である。後工程で、発光層５Ｇと発光層５Ｒとの間に発光層５Ｂが形成される。発光層５Ｂは、例えば成膜室２２において成膜される。発光層５Ｂは、例えば真空蒸着法で形成されるが、上述のようにレーザ転写法によって形成されてもよい。また、各発光層５Ｒ，５Ｇ，５Ｂを所定の画素サイズに加工する工程が追加されてもよい。
【００８５】
以上のように本実施形態によれば、第１，第２のレーザ転写装置１１０，１２０は、光源３４と分割素子３４Ｂと走査部３５ａ，３５ｂとを有するレーザ光学系３３と、制御部４５とを備えている。このため、光源３４からのレーザ光Ｌを分割素子３４Ｂで複数の平行光に分割することができる。また、制御部４５により走査部３５ａ，３５ｂの第１，第２のミラー駆動部３５Ｃ，３５Ｆの駆動を制御することで、第１〜第４のガルバノミラー３５Ａ，３５Ｂ，３５Ｄ，３５Ｅの反射面３５０Ａ，３５０Ｂ，３５０Ｄ，３５０Ｅの角度を変更することができる。したがって、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２により熱転写体５０ＲをＹ軸方向に走査することができる。この結果、処理能力が飛躍的に増し、大型基板に対しても十分に対応することが可能となる。
【００８６】
レーザ光学系３３は、光源３４から発光されたレーザ光Ｌの強度分布を均一化することでトップハット型に制御する第１の光学ユニット３４Ａを備えている。このため、分割素子３４Ｂの複数の反射面３４１の全域にわたって、等しい強度分布でレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を照射することができる。このため、より高精度に複数の発光層５Ｒを形成することができる。
【００８７】
また、分割素子３４の複数の反射面３４１は、それぞれレーザ光Ｌの入射方向（Ｙ軸方向）及び反射方向（Ｘ軸方向）に直交する方向（Ｚ軸方向）に長手方向を有した矩形状を有する。このため、複数の反射面３４１で反射されて形成される複数のレーザ光Ｌｎの熱転写体上でのスポット形状（あるいは強度分布）がそれぞれ図１１に示すような矩形状となる。つまり、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の熱転写体上でのスポット形状が走査方向（Ｙ軸方向）に長い矩形状となる。これにより、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２がＹ軸方向に走査するときに、単位面積当たりに照射されるレーザ光の量をより均一にすることができる。この結果、高精細の発光層パターンを形成することができる。
【００８８】
さらに、レーザ光学系３３は、走査機構３５ａ，３５ｂによりＹ軸方向へ走査した複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を熱転写体５０Ｒの表面に垂直に入射させるための光学レンズ部３６を備える。このため、複数のレーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２の熱転写体５０Ｒ上でのスポット形状がそれぞれ異なる形状になることを防止することができるので、高精細の発光層パターンを形成することができる。
【００８９】
また、本実施形態の第１，第２のレーザ転写装置１１０，１２０は、真空雰囲気中で基板２上に熱転写体を配置する移載機構１１３，１２３と、熱転写体５０Ｒ，５０Ｇ上の有機発光材料を基板２上にレーザ転写するレーザ光学系３３とを備え、基板２上の熱転写体５０Ｒ，５０Ｇの配置処理とレーザ転写処理とを共通の真空室３１内で行うように構成されている。これにより、微細なパターン形状を有する発光層を高精度に形成することができる。また、基板２を大気へ取り出すことなく有機発光材料をレーザ転写することができるので、有機発光デバイスの生産性の向上を図ることが可能となる。
【００９０】
また、基板２と熱転写体５０Ｒ，５０Ｇとの貼り合わせ工程と、熱転写体５０Ｒ，５０Ｇへのレーザ照射工程とがいずれもステージ３２上で行われるため、基板２への熱転写体５０Ｒ，５０Ｇへの貼り合わせ後、速やかにレーザ転写工程に移行することができる。これにより、処理効率が高まり、生産性を向上させることができる。
【００９１】
さらに、真空雰囲気中で基板２上に有機発光材料をレーザ転写する第１及び第２の処理ユニット１１，１２を備えているので、微細なパターン形状を有する発光層５Ｒ，５Ｇを高精度に形成することができる。また、複数の第１，第２の処理ユニット１１，１２間において基板２を真空雰囲気中で搬送する搬送ユニット１３を備えているので、基板２を大気へ取り出すことなく基板２上に各色の発光層５Ｒ，５Ｇを形成することができる。これにより、有機発光デバイスの生産性の向上を図ることが可能となる。
【００９２】
また、発光層だけでなく、下部電極層、正孔注入層、電子注入層及び上部電極層を成膜する成膜室を当該製造システム１０の上流側及び下流側に適宜設置することで、真空一貫で有機発光デバイス１を連続的に製造することが可能となる。
【００９３】
本実施形態の製造システム１０においては、第１の基板収容室１１１から第２の基板収容室１２１へ一軸方向（Ｘ軸方向）に基板２を搬送しながら発光層５Ｒ，５Ｇを順次形成するように構成されている。これにより各処理室のレイアウトの効率化を図ることができる。
【００９４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００９５】
例えば以上の実施形態では、インライン型の製造システムを例に挙げて説明したが、これに代えて、クラスタ型の製造システムを構築してもよい。この場合、基板の搬送室を中心として、当該搬送室の周囲に各発光層のレーザ転写室を設置することができる。
【００９６】
また以上の実施形態では、基板２の搬送機構、熱転写体５０Ｒ，５０Ｇの移載機構に、多関節ロボットを採用したが、これに限られず、コンベヤ式あるいは吊り下げ式の搬送機構が用いられてもよい。
【００９７】
さらに、レーザ光学系として図４に示すような構成を説明したが、例えば図１３に示すように、レーザ光Ｌｎ１，Ｌｎ２を各々独立して出射する２つの光源３４ａ，３４ｂを有するレーザ光学系３３０が採用されてもよい。これにより、走査部３５ａ，３５ｂの構成の簡素化を図ることができる。
【００９８】
また、分割素子３４Ｂとして図７に示すような構成を説明したが、例えば図１４に示すように、レーザ光を透過可能なガラス等で構成された基材２０１と、基材２０１の設置平面２０３に所定の間隔で設けられた複数のミラー２０２とを備える分割素子２００を用いるようにしてもよい。この所定の長さとは、例えば複数のミラー２０２が配設される配設方向（矢印Ｔ方向）におけるミラー２０２の長さ（幅）Ｍの２倍の長さである。この配設方向は、設置平面２０３に平行な方向である。この場合にも同様に、分割素子２００により、入射したレーザ光を複数の平行光に分割することができる。
【００９９】
また、分割素子３４Ｂに替えて、図１５に示す面発光素子３００（液晶素子）を用いるようにしてもよい。この面発光素子３００は、例えば反射型の液晶素子であり、液晶をマトリックス駆動することで、光入射面内における光の反射位置Ｐを制御し、入射光を反射位置Ｒで反射することが可能に構成されている。面発光素子３００の光入射面に入射したレーザ光の反射光が複数の平行線分になるように、面発光素子３００を制御する。これにより、面発光素子３００に入射したレーザ光を複数のレーザ光に分割することができる。この場合にも、例えば面発光素子３００に入射したレーザ光を１７本以上に分割することができる。
【０１００】
さらに、分割素子は、入射したレーザ光を複数のレーザ光に分割することができる構成であれば、上記の構成に限られない。
【０１０１】
以上の実施形態においては、有機発光材料の転写された所定パターンとして、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向に沿ったストライプ状が採用されると説明したが、Ｙ軸方向はＸ軸方向と直交している方向に限られず、例えばＸ軸方向と鋭角をなして交差する方向としてもよい。これにより、Ｘ軸方向と鋭角をなして交差する方向に沿ったストライプ状のパターンを形成することができる。さらに所定パターンとして、例えば島状や、ドット状なども採用することも可能である。
【０１０２】
さらに、第１，第２のレーザ転写装置１１０，１２０において、一枚の熱転写体５０Ｒ，５０Ｇで、複数枚の基板２に対して有機発光材料のレーザ転写処理を行ってもよい。例えば図１６に模式的に示すように、１枚の熱転写体５０を第１の領域５１と、第２の領域５２と、第３の領域とに複数に分割し、一枚目の基板に対しては第１の領域５１をレーザ照射して有機発光材料を基板上に転写する。２枚目の基板に対しては、当該基板に対する熱転写体５０の貼り合わせ位置をＸ軸方向に所定ピッチずらし、第２の領域５２をレーザ照射して有機発光材料を各々の基板上に転写する。そして、３枚目の基板に対しては熱転写体５０の貼り合わせ位置を上述と同様にＸ軸方向に所定ピッチずらすことで、第３の領域５３をレーザ照射する。これにより、熱転写体５０上の有機発光材料を効率よく使用することが可能となる。
【符号の説明】
【０１０３】
２…基板
５Ｒ，５Ｇ…発光層
１１…第１の処理ユニット
１２…第２の処理ユニット
３１…真空室
３２…ステージ
３２ｂ…機構部（移動機構）
３３…レーザ光学系
３４…光源
３４Ａ…第１の光学ユニット
３４Ｂ…分割素子
３５…走査機構
３５ａ，３５ｂ…走査部
３５Ａ…第１のガルバノミラー
３５Ｂ…第２のガルバノミラー
３５Ｃ…第１のミラー駆動部
３５Ｄ…第３のガルバノミラー
３５Ｅ…第４のガルバノミラー
３５Ｆ…第２のミラー駆動部
３６…光学レンズ部（第２の光学ユニット）
４５…制御部
５０Ｒ，５０Ｇ…熱転写体
１１０…第１のレーザ転写装置
１２０…第２のレーザ転写装置
１１３，１２３…移載機構
３１５ａ，３１５ｂ…透光部
３１４…天面
３５０Ａ，３５０Ｂ，３５０Ｃ，３５０Ｄ…反射面
Ｌ，Ｌｎ，Ｌｎ１，Ｌｎ２…レーザ光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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