(57)【要約】【課題】リードエッチングためのエッチングレジストを剥離した後も、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面の反射率の低下を抑制可能で、高輝度を達成可能なＬＥＤ基板の製造方法を提供する。【解決手段】めっきリードを有する導体回路上の前記めっきリードを含む所定領域にめっきレジストを形成する工程（Ａ）と、前記めっきレジストを形成した領域以外の導体回路上に電解Ｎｉ／Ａｇめっきを形成する工程（Ｂ）と、前記めっきレジストを剥離する工程（Ｃ）と、前記電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面を覆い、前記めっきリードが露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジストを形成する工程（Ｄ）と、前記エッチングレジストから露出しためっきリードをエッチングにより除去する工程（Ｅ）と、前記エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）と、を有するＬＥＤ搭載用基板の製造方法。【選択図】図１
2014197605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっきリードを有する導体回路上の前記めっきリードを含む所定領域にめっきレジストを形成する工程（Ａ）と、
前記めっきレジストを形成した領域以外の導体回路上に電解Ｎｉ／Ａｇめっきを形成する工程（Ｂ）と、
前記めっきレジストを剥離する工程（Ｃ）と、
前記電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面を覆い、前記めっきリードが露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジストを形成する工程（Ｄ）と、
前記エッチングレジストから露出しためっきリードをエッチングにより除去する工程（Ｅ）と、
前記エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）と、
を有するＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、またはこれらの混合水溶液による現像性を有しないＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、インク状であって、有機溶剤を含まないＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３の何れかにおいて、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、加熱工程を用いずに形成されるＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４の何れかにおいて、エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）では、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液又はこれらの混合水溶液を用いるＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ搭載用基板の製造方法に関し、特には、ＬＥＤ素子が搭載される端子上に反射用の電解Ｎｉ／Ａｇめっきが形成されるＬＥＤ搭載要基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤを用いた照明装置には、高輝度が求められており、これに伴って、ＬＥＤ素子を搭載する配線基板には、搭載するＬＥＤ素子からの光に対する反射率の向上の要求が強くなっている。
【０００３】
ＬＥＤ搭載用基板においては、ＬＥＤ素子から発光される光の反射率を高めて高輝度化を図るために、ＬＥＤ素子を搭載する端子上に、電解Ｎｉ／Ａｇめっきが形成されるものが多く生産されている（例えば、特許文献１等）。電解Ｎｉ／Ａｇめっきとは、下地として形成した電解Ｎｉめっきの上に、電解Ａｇめっきを行なっためっきのことをいう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１８９００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような銀めっきが形成されたＬＥＤ搭載用基板においては、銀めっき表面の反射率を維持するため、銀めっきの表面の汚染を防止する必要があるが、この銀めっきの表面には、ＬＥＤ搭載用基板の製造プロセス上必要な処理がなされる。銀めっきの表面の反射率に影響を与える処理としては、銀めっき工程を行った後に、銀めっきを電気めっきで形成するためのリードを切断するリードエッチング工程がある。
【０００６】
リードエッチングの際に用いるエッチングレジストとして、一般的には、マスキングテープや現像型のフォトレジストが用いられるが、前者は工数がかかる問題や粘着剤成分の残留による銀めっき表面の変色の問題があり、後者はフォトレジストの成分や剥離に用いる薬液成分の侵食や残留等により銀めっき表面の反射率が低下する問題がある。このような反射率の低下は、金めっきを用いた従来のＬＥＤ搭載用基板ではそれほど問題視されてはいなかったが、特に近年、照明用途に用いられるＬＥＤ搭載用基板では、より高輝度の要求から、銀めっきが用いられるようになり、このような銀めっき表面への残渣による反射率の低下も大きな問題となってきた。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、リードエッチングためのエッチングレジストを剥離した後も、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面の反射率の低下を抑制可能で、高輝度を達成可能なＬＥＤ搭載用基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は以下を特徴とする。
１．  めっきリードを有する導体回路上の前記めっきリードを含む所定領域にめっきレジストを形成する工程（Ａ）と、前記めっきレジストを形成した領域以外の導体回路上に電解Ｎｉ／Ａｇめっきを形成する工程（Ｂ）と、前記めっきレジストを剥離する工程（Ｃ）と、前記電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面を覆い、前記めっきリードが露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジストを形成する工程（Ｄ）と、前記エッチングレジストから露出しためっきリードをエッチングにより除去する工程（Ｅ）と、前記エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）と、を有するＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
２．  項１において、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、またはこれらの混合水溶液による現像性を有しないＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
３．  項１又は２において、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、インク状であって、有機溶剤を含まないＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
４．  項１から３の何れかにおいて、工程（Ｄ）のエッチングレジストが、加熱工程を用いずに形成されるＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
５．  項１から４の何れかにおいて、エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）では、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液又はこれらの混合水溶液を用いるＬＥＤ搭載用基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、リードエッチングためのエッチングレジストを剥離した後も、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面の反射率の低下を抑制可能で、高輝度を達成可能なＬＥＤ搭載用基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態のＬＥＤ搭載用基板に用いる基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態のＬＥＤ搭載用基板の製造工程を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明のＬＥＤ搭載用基板の製造方法の一実施形態を、図２（Ａ）〜（Ｆ）に示す。本実施の形態は、めっきリード７を有する導体回路６上の前記めっきリード７を含む所定領域にめっきレジスト１０を形成する工程（Ａ）と、前記めっきレジスト１０を形成した領域以外の導体回路６上に電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１を形成する工程（Ｂ）と、前記めっきレジスト１０を剥離する工程（Ｃ）と、前記電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１表面を覆い、前記めっきリード７が露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２を形成する工程（Ｄ）と、前記エッチングレジスト１２から露出しためっきリード７をエッチングにより除去する工程（Ｅ）と、前記エッチングレジスト１２を剥離する工程（Ｆ）と、を有している。
【００１２】
図１に、本実施の形態のＬＥＤ搭載用基板に用いた出発材料の基板２を示す。この基板２は、支持基板５となるアルミニウム基板上に絶縁性の接着剤４を介して銅箔３を貼り合せたものである。出発材料となる基板２としては、これに限られず、一般の配線基板で用いられるような、絶縁樹脂上に銅箔を貼り合せた銅張積層板を用いてもよいが、ＬＥＤ素子からの熱に対する放熱性が優れる点でアルミニウム基板を支持基板とする基板が好ましい。
【００１３】
図２（Ａ）は、めっきリード７を有する導体回路６上のめっきリード７を含む所定領域にめっきレジスト１０を形成する工程（Ａ）を示す。導体回路６は、めっきリード７、ＬＥＤ搭載部８、端子部９を含んでおり、図１で準備した基板２の銅箔３をエッチングして形成されている。
【００１４】
図２（Ｂ）は、めっきレジスト１０を形成した以外の導体回路６上に電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１を形成する工程（Ｂ）を示す。本実施の形態では、めっきレジスト１０として、マスキングテープを使用している。めっきレジスト１０としては、一般の配線基板で用いられるめっきレジスト１０を使用することができ、このようなものとして、現像型めっきレジスト、熱硬化型めっきレジスト、ＵＶ硬化型めっきレジスト等が挙げられる。現像型めっきレジストは、感光性のドライフィルムをＬＥＤ搭載用基板１にラミネートした後、ＵＶによる露光と現像を行なって所望のパターンのめっきレジスト１０を形成するものである。熱硬化型めっきレジストは、印刷によって所望のパターンをＬＥＤ搭載用基板１に塗布した後、加熱を行なうことでめっきレジスト１０形成するものである。ＵＶ硬化型めっきレジストは、印刷によって所望のパターンをＬＥＤ搭載用基板１に塗布した後、ＵＶを照射することでめっきレジスト１０を形成するものである。
【００１５】
図２（Ｃ）は、めっきレジスト１０を剥離する工程（Ｃ）を示す。めっきレジスト１０を剥離する方法としては、マスキングテープの場合は、引き剥がせばよく、現像型レジスト、熱硬化型レジスト、ＵＶ硬化型レジストの場合は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム又はこれらの混合水溶液を用いて剥離を行なう。
【００１６】
図２（Ｄ）は、電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１表面を覆い、めっきリード７が露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２を形成する工程（Ｄ）を示す。本実施の形態では、エッチングレジスト１２として、ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２を使用している。ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２は、印刷によって所望のパターンをＬＥＤ搭載用基板１に塗布した後、ＵＶを照射することでエッチングレジスト１２を形成するものである。このように、ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２を用いると、有機溶剤を含んでおらず、樹脂分も現像型レジスト、熱硬化型レジストに比べて少ない。このため、後述するエッチングレジスト剥離工程（Ｆ）の後において、有機溶剤に溶け込んだエッチングレジスト１２の成分や、エッチングレジスト中に多く含まれる樹脂分を、除去しきれずに、ＬＥＤ搭載用基板１の電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１の表面に残留するといった問題を抑制できる。
【００１７】
一般の配線基板で用いられるエッチングレジストとしては、このＵＶ硬化型エッチングレジスト以外に、マスキングテープ、現像型エッチングレジスト、熱硬化型エッチングレジスト等が挙げられる。マスキングテープは、必要な箇所に張り合わせればよく、現像型エッチングレジストは、感光性のドライフィルムをＬＥＤ搭載用基板にラミネートした後、ＵＶによる露光と現像を行なって所望のパターンのエッチングレジストを形成するものである。熱硬化型エッチングレジストは、印刷によって所望のパターンをＬＥＤ搭載用基板に塗布した後、加熱を行なうことでエッチングレジスト形成するものである。しかしながら、マスキングテープの場合、エッチング液が、マスキングテープとＬＥＤ搭載用基板の隙間に侵入し、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面を汚染する場合がある。現像型エッチングレジスト及び熱硬化型エッチングレジストは、有機溶剤を含むため、有機溶剤中にエッチングレジストの成分が溶解している。また、比較的樹脂分が多く含まれている。このため、後述するエッチングレジスト剥離工程（Ｆ）の後においても、有機溶剤に溶け込んだエッチングレジストの成分や、多く含まれる樹脂分が、除去されにくく、ＬＥＤ搭載用基板の電解Ｎｉ／Ａｇめっきの表面に残留するといった問題が生じやすい。また、熱硬化型エッチングレジストは加熱工程を有するため、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面が酸化する心配もある。
【００１８】
図２（Ｅ）は、エッチングレジスト１２から露出しためっきリード７をエッチングにより除去する工程（Ｅ）を示す。めっきリード７のエッチングは、塩化銅エッチング液を用いて行なった。このリードエッチングは、塩化銅エッチンング液の他、一般の配線基板で用いられる公知のエッチング液を用いて、公知の方法により行なうことができる。
【００１９】
図２（Ｆ）は、エッチングレジスト１２を剥離する工程（Ｆ）を示す。本実施の形態では、ＵＶ硬化型レジストを、剥離液として、３質量％程度の水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離を行なった。剥離液としては、これ以外に、水酸化カリウム水溶液や水酸化ナトリウムと水酸化カリウムの混合水溶液を用いることができる。ＵＶ硬化型エッチングを用いているので、有機溶剤を含んでおらず、樹脂分も比較的少ないため、剥離後は、有機溶媒に溶解したエッチングレジスト１２の成分が、電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１の表面を汚染するのを抑制できる。
【００２０】
上記の工程（Ａ）〜（Ｆ）によれば、リードエッチングのためのエッチングレジスト１２を剥離した後も、電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１表面の反射率の低下を抑制可能で、高輝度を達成可能なＬＥＤ搭載用基板１の製造方法を提供することができる。
【００２１】
工程（Ｄ）のエッチングレジストは、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、またはこれらの混合水溶液による現像性を有しない。本実施の形態で用いたＵＶ硬化型のエッチングレジストは、印刷法で所望のパターンに塗布され、ＵＶ露光と現像によってエッチングレジストを形成する現像型ではないため、有機溶剤を含んでおらず、樹脂分も比較的少ないので、有機溶剤に溶け込んだエッチングレジストの成分や多く含まれる樹脂分が、エッチングレジスト剥離工程（Ｆ）によっても除去しきれずに、ＬＥＤ搭載用基板の電解Ｎｉ／Ａｇめっきの表面に残留するといった問題が生じにくい。
【００２２】
工程（Ｄ）のエッチングレジストは、インク状であって、有機溶剤を含まない。本実施の形態で用いたエッチングレジストは、有機溶剤を含んでいないので、有機溶剤に溶け込んだエッチングレジストの成分が、ＬＥＤ搭載用基板の電解Ｎｉ／Ａｇめっきの表面に残留するといった問題が生じにくい。
【００２３】
工程（Ｄ）のエッチングレジストが、加熱工程を用いずに形成されるのが望ましい。本実施の形態で用いたＵＶ硬化型のエッチングレジストは、加熱処理で硬化する熱硬化型ではなく、ＵＶ照射によって硬化するものであるため、有機溶剤を含んでいないので、有機溶剤に溶け込んだエッチングレジストの成分が、ＬＥＤ搭載用基板の電解Ｎｉ／Ａｇめっきの表面に残留するといった問題が生じにくい。また、加熱によって、電解Ｎｉ／Ａｇめっき表面が酸化するのを避けることができる。
【００２４】
エッチングレジストを剥離する工程（Ｆ）では、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、またはこれらの混合水溶液を用いるのが望ましい。これにより、エッチングレジストが、ＵＶ硬化型のエッチングレジストであっても、ＬＥＤ搭載用基板の電解Ｎｉ／Ａｇめっきの表面にエッチングレジストの成分を残留させることなく、エッチングレジストを剥離できる。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明は本実施例に限定されるものではない。
【００２６】
図１に示すように、出発材料の基板２として、支持基板５となるアルミニウム基板上に絶縁性の接着剤４を介して銅箔３を貼り合せたものを準備した。
【００２７】
図２（Ａ）に示すように、めっきリード７を有する導体回路６上のめっきリード７を含む所定領域にめっきレジスト１０を形成した。導体回路６は、めっきリード７、ＬＥＤ搭載部８、端子部９を含んでおり、図１で準備した基板２の銅箔３をエッチングして形成した。
【００２８】
図２（Ｂ）に示すように、めっきレジスト１０を形成した以外の導体回路６上に電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１を形成した。めっきレジスト１０として、マスキングテープを使用した。
【００２９】
図２（Ｃ）に示すように、めっきレジスト１０を剥離した。めっきレジスト１０を剥離する方法は、マスキングテープを引き剥がすことで行なった。
【００３０】
図２（Ｄ）に示すように、電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１表面を覆い、めっきリード７が露出するように、ＵＶ硬化型のエッチングレジスト１２（互応化学工業株式会社製、商品名：ＰＥＲ−５２Ｂ−３）を形成した。
【００３１】
図２（Ｅ）に示すように、エッチングレジスト１２から露出しためっきリード７をエッチングにより除去した。めっきリード７のエッチングは、塩化銅エッチング液を用いて行なった。
【００３２】
図２（Ｆ）に示すように、エッチングレジスト１２を剥離した。ＵＶ硬化型レジストを、剥離液として、３質量％程度の水酸化ナトリウム水溶液を用いて剥離を行なった。エッチングレジストを剥離した後の電解Ｎｉ／Ａｇめっき１１の表面には、目視では汚染は観察されなかった。
【００３３】
上記の工程（Ａ）〜（Ｆ）により製造した、実施例のＬＥＤ搭載用基板のＮｉ／Ａｇめっき表面の反射率を測定した結果、４６０±１０ｎｍの波長範囲で約９０％であり、電解Ｎｉ／Ａｇめっき形成直後（図２（Ｃ））での反射率（４６０±１０ｎｍの波長範囲で約９０％）と同等であった。なお、反射率の測定は、４６０±１０ｎｍの波長域について、分光測色計（商品名：ＣＭ−５０８ｄ、ミノルタ株式会社製）を用いて測定した。
【００３４】
（比較例１）
図２（Ｄ）のエッチングレジスト形成において、熱硬化型のエッチングレジスト（山栄化学株式会社製、商品名：ＳＥＲ−４２０Ｃ−３１）を形成したこと以外は、実施例と同様にしてＬＥＤ搭載用基板を作製した。
【００３５】
上記のようにして製造した、比較例１のＬＥＤ搭載用基板のＮｉ／Ａｇめっき表面の反射率を測定した結果、４６０±１０ｎｍの波長範囲で約８０％であり、電解Ｎｉ／Ａｇめっき形成直後（図２（Ｃ））での反射率（４６０±１０ｎｍの波長範囲で約９０％）に比べて低下した。
【００３６】
（比較例２）
図２（Ｄ）のエッチングレジスト形成において、現像型のエッチングレジスト（日立化成株式会社、商品名：ＳＬ−１３２９）を形成したこと以外は、実施例と同様にしてＬＥＤ搭載用基板を作製した。
【００３７】
上記のようにして製造した、比較例１のＬＥＤ搭載用基板のＮｉ／Ａｇめっき表面の反射率を測定した結果、４６０±１０ｎｍの波長範囲で約８０％であり、電解Ｎｉ／Ａｇめっき形成直後（図２（Ｃ））での反射率（４６０±１０ｎｍの波長範囲で約９０％）に比べて低下した。
【符号の説明】
【００３８】
１．ＬＥＤ搭載用基板
２．基板
３．銅箔
４．接着剤
５．支持基板
６．導体回路
７．めっきリード
８．ＬＥＤ搭載部
９．端子部
１０．めっきレジスト
１１．Ｎｉ／Ａｇめっき
１２．エッチングレジスト
１３．ＬＥＤ素子
１４．ボンディングワイヤ
【図１】
2014197605.tif 000003
【図２】
2014197605.tif 000004