(57)【要約】【課題】テープの裏面に洗浄液が付着することを防止すること。【解決手段】実施形態に係る洗浄装置は、フレーム保持部と、基板保持部と、回転機構と、液供給部と、リング部材とを備える。フレーム保持部は、基板が貼り付けられたテープの周縁部を固定する。基板保持部は、テープに貼り付けられた基板をテープを介して吸着保持する。回転機構は、フレーム保持部および基板保持部を一体的に回転させる。液供給部は、基板の表面へ向けて洗浄液を供給する。リング部材は、フレームの裏面に先端部が近接または接触する。そして、リング部材は、テープを取り囲むように配置される。【選択図】図３
2014165281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が貼り付けられたテープの周縁部を固定するフレームを保持するフレーム保持部と、
前記テープに貼り付けられた基板を前記テープを介して吸着保持する基板保持部と、
前記フレーム保持部および前記基板保持部を一体的に回転させる回転機構と、
前記基板の表面へ向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記フレームの裏面に先端部が近接または接触するリング部材と
を備え、
前記リング部材は、
前記テープを取り囲むように配置されること
を特徴とする洗浄装置。
【請求項２】
前記リング部材は、
前記先端部が前記フレームの裏面に近接して設けられ、前記先端部と前記フレームの裏面との間に前記洗浄液の液膜を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記リング部材は、
前記先端部が基端部よりも幅狭に形成されること
を特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記リング部材は、
前記先端部に凹部を有すること
を特徴とする請求項１または２に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記フレーム保持部は、
前記フレームの外周部を保持すること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記フレーム保持部は、
前記フレームの外周部に対して接離可能な複数の爪部を備え、前記複数の爪部を前記フレームの外周部に当接させることによって前記フレームの外周部を保持すること
を特徴とする請求項５に記載の洗浄装置。
【請求項７】
前記フレーム保持部および前記リング部材を支持する支持部
を備え、
前記回転機構は、
前記支持部を回転させることによって、前記フレーム保持部および前記リング部材を前記基板保持部と一体的に回転させること
を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の洗浄装置。
【請求項８】
前記リング部材の内側に配置され、前記回転機構によって回転して前記リング部材へ向かう気流を発生させるフィン
を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の洗浄装置。
【請求項９】
前記液供給部は、
前記基板の表面に付着した接着剤を溶かす溶剤を前記洗浄液として前記基板に供給すること
を特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の洗浄装置。
【請求項１０】
基板が貼り付けられたテープの周縁部を固定するフレームを保持するフレーム保持部によって、前記フレームを保持するフレーム保持工程と、
前記テープに貼り付けられた基板を前記テープを介して吸着保持する基板保持部によって、前記基板を前記テープを介して吸着保持する基板保持工程と、
前記フレーム保持部および前記基板保持部を一体的に回転させる回転工程と、
前記テープを取り囲むように配置されたリング部材の先端部を前記フレームの裏面に近接または接触させた状態で、前記基板の表面へ向けて洗浄液を供給する供給工程と
を含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項１１】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置と、
前記剥離装置によって剥離された前記第１基板の前記第２基板との接合面を洗浄する洗浄装置と
を備え、
前記洗浄装置は、
前記第１基板の非接合面が貼り付けられたテープの周縁部を固定するフレームを保持するフレーム保持部と、
前記テープに貼り付けられた第１基板を前記テープを介して吸着保持する基板保持部と、
前記フレーム保持部および前記基板保持部を一体的に回転させる回転機構と、
前記第１基板の接合面へ向けて洗浄液を供給する液供給部と、
前記フレームの裏面に先端部が近接または接触するリング部材と
を備え、
前記リング部材は、
前記テープを取り囲むように配置されること
を特徴とする剥離システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、洗浄装置、洗浄方法および剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、たとえば半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。
【０００３】
また、支持基板を半導体基板から剥離した後には、半導体基板の支持基板との接合面に付着した接着剤等を除去する洗浄処理が行われる。かかる洗浄処理は、半導体基板を回転させながら、半導体基板の接合面に洗浄液を供給することによって行われる（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体基板は、たとえばダイシングフレーム等のフレームにテープを介して保持される場合がある。かかる場合、上述した半導体基板の洗浄処理は、半導体基板にフレームが取り付けられた状態で行われることとなる。
【０００６】
しかしながら、フレームが取り付けられた状態で半導体基板の洗浄処理を行った場合、半導体基板に供給された洗浄液がフレームの表面から裏面に回り込んでテープの裏面に付着してしまうおそれがあった。テープの裏面に洗浄液が付着すると、テープが劣化するおそれがあるため、テープの裏面には洗浄液を付着させないことが好ましい。
【０００７】
実施形態の一態様は、テープの裏面に洗浄液が付着することを防止することのできる洗浄装置、洗浄方法および剥離システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の一態様に係る洗浄装置は、フレーム保持部と、基板保持部と、回転機構と、液供給部と、リング部材とを備える。フレーム保持部は、基板が貼り付けられたテープの周縁部を固定する。基板保持部は、テープに貼り付けられた基板をテープを介して吸着保持する。回転機構は、フレーム保持部および基板保持部を一体的に回転させる。液供給部は、基板の表面へ向けて洗浄液を供給する。リング部材は、フレームの裏面に近接または先端部が接触する。そして、リング部材は、テープを取り囲むように配置される。
【発明の効果】
【０００９】
実施形態の一態様によれば、テープの裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】図１Ａは、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、重合基板の模式側面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ｂにおけるダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る第１洗浄装置の模式側面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、回転保持部の模式平面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【図５】図５は、洗浄処理中のダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【図６Ａ】図６Ａは、リング部材の変形例を示す模式側面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、リング部材の変形例を示す模式側面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、リング部材の変形例を示す模式側面図である。
【図６Ｄ】図６Ｄは、リング部材の変形例を示す模式側面図である。
【図７】図７は、剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【図８Ａ】図８Ａは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図９Ａ】図９Ａは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図９Ｃ】図９Ｃは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図９Ｄ】図９Ｄは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図９Ｅ】図９Ｅは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第２の実施形態に係る回転保持部の模式平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第２の実施形態における洗浄処理中のダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【図１１】図１１は、第３の実施形態に係る第１洗浄装置の模式側面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、第３の実施形態における洗浄処理の動作例を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、第３の実施形態における洗浄処理の動作例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する洗浄装置、洗浄方法および剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図１Ｂは、重合基板の模式側面図である。
【００１３】
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１４】
図１Ａに示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図１Ｂ参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００１５】
以下では、図１Ｂに示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１６】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。  
【００１７】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
【００１８】
かかる重合基板Ｔには、ダイシングフレームが取り付けられる。ここで、ダイシングフレームの構成について図２Ａ〜図２Ｃを参照して説明する。図２Ａは、ダイシングフレームに保持された重合基板Ｔの模式平面図であり、図２Ｂは同模式側面図である。また、図２Ｃは、図２Ｂにおけるダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【００１９】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆ１が中央に形成された略環状の金属部材である。ダイシングフレームＦの厚みは、約１ｍｍである。
【００２０】
ダイシングフレームＦの開口部Ｆ１には、ダイシングテープＰと呼ばれる貼着部材が張設される。具体的には、ダイシングテープＰの周縁部がダイシングフレームＦの裏面に固定されることによって、ダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの開口部Ｆ１に張設された状態となる。
【００２１】
ダイシングテープＰの表面には粘着層が形成されており、かかる粘着層に重合基板Ｔが貼り付けられる。図２Ｃに示すように、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗの裏面すなわち非接合面ＷｎがダイシングテープＰの表面に貼り付けられる。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに保持された状態となる。
【００２２】
また、図２Ａに示すように、ダイシングフレームＦの外周の所定箇所には、平面視において直線的に形成される直線部Ｆ２と、Ｖ字状のノッチ部Ｆ３が形成されている。
【００２３】
なお、以下では、ダイシングフレームＦおよびダイシングテープＰの各面のうち、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊと同じ方向を向いた面を「表面」と呼び、これとは反対側の面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと同じ方向を向いた面を「裏面」と呼ぶ。
【００２４】
図１Ａに示すように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０は、第２処理ブロック２０および第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に並べて配置される。
【００２５】
第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板、具体的には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、待機ステーション１３と、エッジカットステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。
【００２６】
また、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されない基板、具体的には、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、受渡ステーション２１と、第２洗浄ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。
【００２７】
第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２３とは、Ｘ軸方向に並べて配置される。また、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側には、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３が、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の順でＸ軸方向に並べて配置され、第２搬送領域２３のＹ軸負方向側には、搬出ステーション２４が配置される。
【００２８】
また、第１搬送領域１２を挟んで搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の反対側には、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６が、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６の順でＸ軸方向に並べて配置される。また、第２搬送領域２３を挟んで搬出ステーション２４の反対側には、受渡ステーション２１および第２洗浄ステーション２２が、第２洗浄ステーション２２および受渡ステーション２１の順にＸ軸方向に並べて配置される。そして、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側には、エッジカットステーション１４が配置される。
【００２９】
まず、第１処理ブロック１０の構成について説明する。搬入出ステーション１１では、ダイシングフレームＦに保持された重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔおよび剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｔ，Ｃｗのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１１０ａ，１１０ｂが設けられる。
【００３０】
第１搬送領域１２では、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送が行われる。第１搬送領域１２には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置３１が設置される。
【００３１】
第１搬送装置３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第１搬送装置３１は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。
【００３２】
なお、第１搬送装置３１が備える基板保持部は、吸着あるいは把持等によりダイシングフレームＦを保持することによって、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを略水平に保持する。
【００３３】
待機ステーション１３には、ダイシングフレームＦのＩＤ（Identification）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。
【００３４】
この待機ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１３には、第１搬送装置３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
【００３５】
エッジカットステーション１４では、接着剤Ｇ（図１Ｂ参照）の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。かかるエッジカットステーション１４には、接着剤Ｇの溶剤に重合基板Ｔを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させるエッジカット装置が設置される。
【００３６】
剥離ステーション１５では、第１搬送装置３１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。かかる剥離ステーション１５には、剥離処理を行う剥離装置が設置される。かかる剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。
【００３７】
第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が設置される。かかる第１洗浄装置の具体的な構成については、後述する。
【００３８】
かかる第１処理ブロック１０では、待機ステーション１３においてダイシングフレームＦのＩＤ読取処理を行い、エッジカットステーション１４において重合基板Ｔのエッジカット処理を行った後で、剥離ステーション１５において重合基板Ｔの剥離処理を行う。また、第１処理ブロック１０では、第１洗浄ステーション１６において剥離後の被処理基板Ｗを洗浄した後、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する。その後、洗浄後の被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出される。
【００３９】
つづいて、第２処理ブロック２０の構成について説明する。受渡ステーション２１では、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。受渡ステーション２１には、剥離後の支持基板Ｓを非接触で保持して搬送する第３搬送装置３３が設置され、かかる第３搬送装置３３によって上記の受渡処理が行われる。
【００４０】
第２洗浄ステーション２２では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。かかる第２洗浄装置としては、たとえば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００４１】
第２搬送領域２３では、第２洗浄装置によって洗浄された支持基板Ｓの搬送が行われる。第２搬送領域２３には、支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置３２が設置される。
【００４２】
第２搬送装置３２は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第２搬送装置３２は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって搬出ステーション２４まで搬送する。なお、第２搬送装置３２が備える基板保持部は、たとえば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持するフォーク等である。
【００４３】
搬出ステーション２４では、支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが外部との間で搬入出される。かかる搬出ステーション２４には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｓが載置される複数のカセット載置板２４ａ，２４ｂが設けられる。
【００４４】
かかる第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を介して第２洗浄ステーション２２へ搬送され、第２洗浄ステーション２２において洗浄される。その後、第２処理ブロック２０では、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送し、洗浄後の支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出される。
【００４５】
また、剥離システム１は、制御装置４０を備える。制御装置４０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置４０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、洗浄処理や剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
【００４６】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。  
【００４７】
次に、上述した剥離システム１の動作について説明する。まず、第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２に配置される第１搬送装置３１（図１Ａ参照）は、制御装置４０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する処理を行う。
【００４８】
具体的には、第１搬送装置３１は、基板保持部を搬入出ステーション１１へ進入させ、カセットＣｔに収容された重合基板Ｔを保持してカセットＣｔから取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する。  
【００４９】
つづいて、待機ステーション１３では、ＩＤ読取装置が、制御装置４０の制御に基づき、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置４０へ送信される。  
【００５０】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３から搬出し、エッジカットステーション１４へ搬送する。そして、エッジカットステーション１４では、エッジカット装置が、制御装置４０の制御に基づき、エッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去され、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。これにより、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【００５１】
第１の実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１４が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置３１を用いてエッジカットステーション１４へ直接搬入することができる。このため、剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。なお、剥離システム１は、必ずしもエッジカットステーション１４を備えることを要しない。
【００５２】
また、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１３に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００５３】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、エッジカット処理後の重合基板Ｔをエッジカットステーション１４から搬出して、剥離ステーション１５へ搬送する。そして、剥離ステーション１５では、剥離装置が、制御装置４０の制御に基づいて剥離処理を行う。
【００５４】
その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。
【００５５】
まず、第１処理ブロック１０では、第１搬送装置３１が、制御装置４０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。
【００５６】
そして、第１洗浄装置は、制御装置４０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００５７】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置から搬出して、搬入出ステーション１１へ搬送する被処理基板搬出処理を行う。その後、被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。  
【００５８】
一方、第２処理ブロック２０では、受渡ステーション２１に設置された第３搬送装置３３が、制御装置４０の制御に基づいて、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、第３搬送装置３３は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置から受け取り、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２の第２洗浄装置へ載置する。
【００５９】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置３３は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。そして、第３搬送装置３３は、保持した支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２へ搬入した後、支持基板Ｓを反転させて、第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置に載置される。そして、第２洗浄装置は、制御装置４０の制御に基づき、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する支持基板洗浄処理を行う。かかる支持基板洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００６０】
つづいて、第２搬送装置３２は、制御装置４０の制御に基づき、洗浄後の支持基板Ｓを第２洗浄装置から搬出して、搬出ステーション２４へ搬送する支持基板搬出処理を行う。その後、支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。
【００６１】
このように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板用のフロントエンド（搬入出ステーション１１および第１搬送装置３１）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板用のフロントエンド（搬出ステーション２４および第２搬送装置３２）とを備える構成とした。これにより、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。  
【００６２】
また、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とが、受渡ステーション２１によって接続される。これにより、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から直接取り出して第２処理ブロック２０へ搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓを第２洗浄装置へスムーズに搬送することができる。
【００６３】
したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。  
【００６４】
なお、ここでは、重合基板ＴがダイシングフレームＦによって保持された状態で搬入されることとしたが、これに限ったものではない。たとえば、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を第１処理ブロック１０に設け、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板Ｔを搬入して、剥離システム１の内部で、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けることとしてもよい。この場合、エッジカットステーション１４を第２処理ブロック２０に移動し、エッジカットステーション１４が設けられていた場所に前述のマウント装置を設ければよい。
【００６５】
＜２．第１洗浄装置の構成＞
次に、第１洗浄ステーション１６に設置される第１洗浄装置の構成について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る洗浄装置の模式側面図である。
【００６６】
図３に示すように、第１洗浄装置３は、処理容器５０と、回転保持部６０と、カップ７０と、液供給部８０とを備える。処理容器５０の側面には、被処理基板Ｗの搬入出口（図示せず）が形成され、かかる搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられる。なお、処理容器５０内には内部の雰囲気を清浄化するためのフィルタユニット（図示せず）が設けられる。
【００６７】
処理容器５０内の中央部には、回転保持部６０が配置される。回転保持部６０は、基板保持部６１と、回転機構６２と、シャフト６３と、支持部６４と、フレーム保持部６５と、リング部材６６とを備える。
【００６８】
基板保持部６１は、ダイシングフレームＦによって保持された被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して水平に吸着保持する。被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが鉛直上方（Ｚ軸正方向）を向くように基板保持部６１に吸着保持される。なお、基板保持部６１としては、たとえばポーラスチャックを用いることができる。
【００６９】
基板保持部６１の下方には、たとえばモータなどを備えた回転機構６２が配置される。回転機構６２は、鉛直方向に延在するシャフト６３を介して基板保持部６１と接続され、シャフト６３を鉛直軸回りに回転させることによって基板保持部６１を回転させる。シャフト６３は、軸受６３１を介して処理容器５０および後述するカップ７０に回転自在に支持される。
【００７０】
基板保持部６１の下面には、水平方向に延在する支持部６４が取り付けられる。そして、支持部６４の上面には、ダイシングフレームＦを保持するフレーム保持部６５と、ダイシングテープＰの裏面への洗浄液の回り込みを防ぐリング部材６６とが設けられる。これら支持部６４、フレーム保持部６５およびリング部材６６は、回転機構６２によって基板保持部６１と一体的に回転する。
【００７１】
回転保持部６０の構成について図４Ａおよび図４Ｂを参照してさらに説明する。図４Ａは、回転保持部６０の模式平面図である。また、図４Ｂは、ダイシングフレームＦ周辺の模式拡大図である。
【００７２】
図４に示すように、支持部６４は、複数（ここでは、５個）のアーム体６４１を備える。各アーム体６４１は、基端部が基板保持部６１の下面に固定されており、それぞれダイシングフレームＦの直線部Ｆ２およびノッチ部Ｆ３へ向けて延在する。
【００７３】
フレーム保持部６５は、所謂メカニカルチャックであり、ダイシングフレームＦの外周部に対して接離可能な複数（ここでは、５個）の爪部６５１を備える。各爪部６５１は、上述したアーム体６４１の先端部にそれぞれ設けられており、図示しない移動機構によってダイシングフレームＦの外周部へ向けて移動し、ダイシングフレームＦの直線部Ｆ２またはノッチ部Ｆ３と当接する。これにより、ダイシングフレームＦは爪部６５１によって把持された状態となる。
【００７４】
このように、フレーム保持部６５は、ダイシングフレームＦの直線部Ｆ２やノッチ部Ｆ３を爪部６５１によって把持することで、ダイシングフレームＦをより確実に保持することができる。
【００７５】
なお、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３は、フレーム保持部６５を用いて被処理基板Ｗの位置ずれを吸収することも可能である。すなわち、ダイシングフレームＦに保持された被処理基板Ｗの位置が、規定の位置（たとえば、ダイシングフレームＦの開口部Ｆ１の中心）からずれている場合、被処理基板Ｗを正しい位置で基板保持部６１に保持させることができない。
【００７６】
そこで、制御装置４０は、たとえば被処理基板Ｗのずれ量をカメラ等によって検出し、検出したずれ量分だけダイシングフレームＦの保持位置がずれるように各爪部６５１の移動量を調整する。これにより、仮に、被処理基板Ｗが規定の位置からずれた状態でダイシングフレームＦに保持されていたとしても、かかる被処理基板Ｗを正しい位置で基板保持部６１に保持させることができる。
【００７７】
なお、フレーム保持部６５は、ダイシングフレームＦの直線部Ｆ２やノッチ部Ｆ３に爪部６５１が当接する構成であればよく、必ずしもメカニカルチャックであることを要しない。
【００７８】
リング部材６６は、アーム体６４１によって支持される。リング部材６６は、基板保持部６１の回転中心に対して略同心状に、かつ、ダイシングテープＰよりも外側に設けられている。つまり、リング部材６６は、ダイシングテープＰを取り囲むように配置されている。
【００７９】
また、リング部材６６は、図４Ｂに示すように、先端部６６１がダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに近接するように設けられる。これにより、リング部材６６は、ダイシングフレームＦの表面Ｆａから裏面Ｆｂに洗浄液が回り込んで来た際に、表面張力によって先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間に洗浄液を保持して洗浄液の液膜を形成することができる。
【００８０】
リング部材６６は、先端部６６１が基端部よりも幅狭に形成される。具体的には、図４Ｂに示すリング部材６６は、Ｚ軸に平行な鉛直面で切った場合の断面形状が二等辺三角形となる形状を有する。かかる形状とすることにより、上記の液膜を容易に形成することができる。なお、リング部材６６の先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間隔ｄ０は、１ｍｍ以下であることが好ましい。
【００８１】
なお、上述したように、フレーム保持部６５はダイシングフレームＦの外周部を保持する。このため、フレーム保持部として、たとえばダイシングフレームＦの裏面Ｆｂを吸着保持する真空チャック等を用いた場合と比較して、リング部材６６の設置スペースを十分に確保することができる。また、真空チャック等をフレーム保持部として用いた場合と異なり、洗浄液を吸引して故障するといった事象も生じない。
【００８２】
図３に戻り、第１洗浄装置３の構成について説明を続ける。回転保持部６０の周囲には、被処理基板Ｗから飛散又は落下する液体を受け止め、回収するカップ７０が配置される。かかるカップ７０の下面には、回収した液体を外部へ排出する排出管７１と、カップ７０内の雰囲気を排気する排気管７２とが接続される。
【００８３】
カップ７０の外側には、被処理基板Ｗに洗浄液を供給する液供給部８０が配置される。液供給部８０は、被処理基板Ｗの外方から被処理基板Ｗの上方に移動し、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに向けて洗浄液を供給する。具体的には、液供給部８０は、洗浄液を吐出するノズル８１と、ノズル８１を水平に支持するアーム８２と、アーム８２を旋回および昇降させる旋回昇降機構８３とを備える。
【００８４】
かかる液供給部８０は、洗浄液として、接着剤Ｇ（図１Ｂ参照）を除去するための有機溶剤を供給する。具体的には、液供給部８０には、バルブ８４を介して有機溶剤供給源８５が接続されている。そして、液供給部８０は、有機溶剤供給源８５から供給される有機溶剤をバルブ８４を介して被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ供給する。なお、有機溶剤は、たとえばシンナーである。
【００８５】
また、液供給部８０には、バルブ８６を介してリンス液供給源８７が接続される。そして、液供給部８０は、リンス液供給源８７から供給されるリンス液をバルブ８６を介して被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ供給する処理も行う。なお、リンス液は、たとえば純水やＩＰＡ（イソプロピルアルコール）である。
【００８６】
ここで、ダイシングテープＰの表面Ｐａ（図４Ｂ参照）は、耐薬品性を有する粘着層で覆われている。このため、液供給部８０から供給される有機溶剤がダイシングテープＰの表面Ｐａに付着したとしても、ダイシングテープＰが劣化したりダイシングフレームＦからはがれ落ちたりするおそれは少ない。
【００８７】
しかしながら、ダイシングテープＰの裏面Ｐｂ（図４Ｂ参照）には、粘着層が設けられていない。このため、液供給部８０から供給される有機溶剤がダイシングテープＰの裏面Ｐｂに付着してしまうと、ダイシングテープＰが劣化したりダイシングフレームＦからはがれ落ちたりするおそれがある。特に、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３では、接着剤Ｇを除去するための有機溶剤を洗浄液として用いることとしており、かかる有機溶剤がダイシングテープＰの裏面Ｐｂに付着すると、ダイシングテープＰの劣化やダイシングフレームＦからのはがれ落ちが生じるおそれがある。
【００８８】
第１の実施形態に係る第１洗浄装置３は、上述したようにリング部材６６を備えており、有機溶剤の回り込みをかかるリング部材６６によって防止することができる。したがって、リング部材６６よりも内側に配置されるダイシングテープＰの裏面Ｐｂに有機溶剤が付着することを防止することができる。
【００８９】
かかる点について、第１洗浄装置３が実行する洗浄処理の動作とともに具体的に説明する。剥離ステーション１５において重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が終了すると、剥離後の被処理基板Ｗが第１搬送装置３１によって第１洗浄装置３に搬入される。剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成および剥離処理の具体的な内容については後述する。
【００９０】
第１洗浄装置３は、搬入された被処理基板Ｗを図示しない受渡部を用いて第１搬送装置３１から受け取り、受渡部は、第１搬送装置３１から受け取った被処理基板Ｗを回転保持部６０へ渡す。回転保持部６０は、基板保持部６１を用いてダイシングテープＰを介して被処理基板Ｗを吸着保持し、フレーム保持部６５を用いてダイシングフレームＦの外周部を保持する。被処理基板Ｗは、接合面Ｗｊが上向きの状態で基板保持部６１に吸着保持される。
【００９１】
その後、回転機構６２によって基板保持部６１およびフレーム保持部６５が一体的に回転する。これにより、被処理基板ＷおよびダイシングフレームＦは、それぞれ基板保持部６１およびフレーム保持部６５に水平保持された状態でこれら基板保持部６１およびフレーム保持部６５とともに回転する。なお、被処理基板Ｗの回転数は、たとえば５０〜１２００ｒｐｍである。
【００９２】
つづいて、液供給部８０のノズル８１が被処理基板Ｗの中央上方まで移動する。その後、ノズル８１から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ洗浄液（有機溶剤）が供給される。被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ供給された洗浄液は、被処理基板Ｗの回転に伴う遠心力によって被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに広がる。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが洗浄液である有機溶剤によって除去される。
【００９３】
被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに供給された洗浄液は、被処理基板Ｗの回転に伴う遠心力によって被処理基板Ｗのさらに外方、すなわち、ダイシングテープＰの表面ＰａやダイシングフレームＦの表面Ｆａにも広がる。そして、ダイシングフレームＦの外周部に達した洗浄液は、被処理基板Ｗの回転によって外方に振り切られるか、あるいは、ダイシングフレームＦの表面Ｆａから裏面Ｆｂへと回り込むこととなる。
【００９４】
図５は、洗浄処理中のダイシングフレームＦ周辺の模式拡大図である。なお、図５では、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂへ洗浄液が回り込む様子を分かりやすく示すために、爪部６５１を破線で示している。
【００９５】
図５に示すように、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに回り込んで来た洗浄液Ｌは、表面張力によってリング部材６６の先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間に保持される。これにより、リング部材６６の先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間には、洗浄液Ｌの液膜が形成される。そして、かかる洗浄液Ｌの液膜によって洗浄液Ｌのさらなる回り込みが防止される。
【００９６】
すなわち、リング部材６６よりも内側に洗浄液が侵入することが防止されるため、リング部材６６よりも内側に配置されるダイシングテープＰの裏面Ｐｂに洗浄液Ｌが付着することを防止することができる。
【００９７】
その後、ノズル８１から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ向けてリンス液を供給することにより、被処理基板Ｗ、ダイシングテープＰおよびダイシングフレームＦ上に残存する有機溶剤をリンス液に置換する。
【００９８】
その後、被処理基板Ｗの回転速度を所定時間増加させることによって被処理基板Ｗ、ダイシングテープＰおよびダイシングフレームＦに残存する洗浄液を振り切って、被処理基板Ｗ、ダイシングテープＰおよびダイシングフレームＦを乾燥させる。その後、被処理基板Ｗの回転が停止する。これにより、被処理基板Ｗの洗浄処理が完了する。洗浄後の被処理基板Ｗは、第１搬送装置３１によって第１洗浄装置３から搬出され、搬入出ステーション１１のカセットＣｗへ搬送される。
【００９９】
このように、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３によれば、先端部６６１がダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに近接するリング部材６６を、ダイシングテープＰを取り囲むように配置することにより、ダイシングテープＰの裏面Ｐｂに洗浄液が付着することを防止することができる。
【０１００】
ところで、リング部材６６の断面形状は、図４Ｂに示した形状に限定されない。そこで、以下では、リング部材６６の変形例について図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、リング部材６６の変形例を示す模式側面図である。
【０１０１】
たとえば、図６Ａに示すように、リング部材６６Ａは、先端部６６２の頂点が外側に寄った形状であってもよい。この場合、外周側の壁面が略垂直状となり、洗浄液Ｌの流れに対する抵抗力が大きくなるため、洗浄液Ｌは、リング部材６６Ａよりも内側へ侵入し難くなる。
【０１０２】
また、図６Ｂに示すように、リング部材６６Ｂは、先端部に円弧状の凹部６６３が形成された形状であってもよい。この場合、凹部６６３に洗浄液Ｌが溜まることによって、より大きな液膜を形成することができる。
【０１０３】
また、図６Ｃに示すように、リング部材６６Ｃは、先端部に複数の凹部６６４が形成された形状であってもよい。この場合、図６Ｂに示すリング部材６６Ｂよりも洗浄液Ｌとの接触面積を大きくすることができるため、洗浄液Ｌの液膜をより確実に形成することができる。
【０１０４】
なお、図６Ｄに示すように、リング部材６６Ｄは、先端部が平坦面６６５である形状であってもよい。かかる形状であっても、洗浄液Ｌの液膜を形成することができる。
【０１０５】
＜３．剥離装置の構成＞
次に、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成および剥離装置を用いて行われる重合基板Ｔの剥離動作について説明する。図７は、剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【０１０６】
図７に示すように、剥離装置５は処理部１００を備える。処理部１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、重合基板Ｔの処理部１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理部１００からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理部１００と他の領域とが仕切られ、パーティクルの進入が防止される。なお、搬入出口は、第１搬送領域１２に隣接する側面と受渡ステーション２１に隣接する側面とにそれぞれ設けられる。
【０１０７】
剥離装置５は、第１保持部１１０と、フレーム保持部１２０と、下側ベース部１３０と、回転昇降機構１４０と、第２保持部１５０と、上側ベース部１６０と、剥離誘引部１７０と、位置調整部１８０とを備える。これらは処理部１００の内部に配置される。
【０１０８】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持する。そして、第２保持部１５０は、保持した支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置５は、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。
【０１０９】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔを構成する被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。
【０１１０】
第１保持部１１０は、円盤状の本体部１１１と、本体部１１１を支持する支柱部材１１２とを備える。支柱部材１１２は、下側ベース部１３０に支持される。
【０１１１】
本体部１１１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部１１１の上面には、吸着面１１１ａが設けられる。吸着面１１１ａは、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。この吸着面１１１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
【０１１２】
本体部１１１の内部には、吸着面１１１ａを介して外部と連通する吸引空間１１１ｂが形成される。吸引空間１１１ｂは、吸気管１１３を介して真空ポンプなどの吸気装置１１４と接続される。
【０１１３】
かかる第１保持部１１０は、吸気装置１１４の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着面１１１ａに吸着させる。これにより、第１保持部１１０は被処理基板Ｗを保持する。なお、ここでは、第１保持部１１０がポーラスチャックである場合の例を示したが、第１保持部は、たとえば静電チャック等であってもよい。
【０１１４】
第１保持部１１０の外方には、ダイシングフレームＦを下方から保持するフレーム保持部１２０が配置される。かかるフレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着パッド１２１と、吸着パッド１２１を支持する支持部材１２２と、下側ベース部１３０に固定され、支持部材１２２を鉛直方向に沿って移動させる移動機構１２３とを備える。
【０１１５】
吸着パッド１２１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図３に示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。この吸着パッド１２１には、吸気口（図示せず）が形成され、真空ポンプなどの吸気装置１２５が支持部材１２２および吸気管１２４を介して上記の吸気口に接続される。
【０１１６】
フレーム保持部１２０は、吸気装置１２５の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着する。これにより、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを保持する。また、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを保持した状態で、移動機構１２３によって支持部材１２２および吸着パッド１２１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを鉛直方向に沿って移動させる。
【０１１７】
下側ベース部１３０は、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０の下方に配置され、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を支持する。下側ベース部１３０は、処理部１００の床面に固定された回転昇降機構１４０によって支持される。
【０１１８】
回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直軸回りに回転させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に回転する。また、回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直方向に移動させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に昇降する。
【０１１９】
第１保持部１１０の上方には、第２保持部１５０が対向配置される。第２保持部１５０は、第１吸着移動部１９０と、第２吸着移動部２００とを備える。第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、上側ベース部１６０に支持される。上側ベース部１６０は、処理部１００の天井部に取り付けられた固定部材１０１に支柱１０２を介して支持される。
【０１２０】
第１吸着移動部１９０は、支持基板Ｓの周縁部を吸着保持する。また、第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓの周縁部よりも支持基板Ｓの中央部寄りの領域を吸着保持する。そして、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、吸着保持した領域をそれぞれ独立に被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。
【０１２１】
第１吸着移動部１９０は、吸着パッド１９１と、支柱部材１９２と、移動機構１９３とを備える。また、第２吸着移動部２００は、吸着パッド２０１と、支柱部材２０２と、移動機構２０３とを備える。
【０１２２】
吸着パッド１９１，２０１は、ゴムなどの弾性部材によって形成される。各吸着パッド１９１，２０１には、吸気口（図示せず）が形成されており、それぞれの吸気口には、吸気管１９４，２０４を介して真空ポンプなどの吸気装置１９５，２０５が接続される。
【０１２３】
支柱部材１９２，２０２は、先端部において吸着パッド１９１，２０１を支持する。支柱部材１９２，２０２の基端部は、移動機構１９３，２０３によって支持される。移動機構１９３，２０３は、上側ベース部１６０の上部に固定されており、支柱部材１９２，２０２を鉛直方向に移動させる。
【０１２４】
第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、吸気装置１９５，２０５の吸気によって発生する負圧を利用して支持基板Ｓを吸着する。これにより、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓを保持する。
【０１２５】
また、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓを保持した状態で、それぞれ移動機構１９３，２０３によって支柱部材１９２，２０２および吸着パッド１９１，２０１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、支持基板Ｓを鉛直方向に沿って移動させる。
【０１２６】
剥離装置５は、移動機構１９３を移動機構２０３よりも先に動作させることにより、すなわち、支持基板Ｓを周縁部から先に引っ張ることにより、支持基板Ｓを、その周縁部から中央部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離させる。この動作の具体的内容については、後述する。
【０１２７】
第２保持部１５０の外方には、剥離誘引部１７０が配置される。剥離誘引部１７０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位を重合基板Ｔの側面に形成する。
【０１２８】
剥離誘引部１７０は、鋭利部材１７１と、移動機構１７２とを備える。鋭利部材１７１は、たとえば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構１７２に支持される。なお、鋭利部材１７１は、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。
【０１２９】
移動機構１７２は、Ｙ軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材１７１を移動させる。剥離装置５は、移動機構１７２を用いて鋭利部材１７１を移動させることにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を当接させる。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）を重合基板Ｔの側面に形成する。
【０１３０】
また、移動機構１７２は、位置調整部１８０によって上方から支持される。位置調整部１８０は、たとえば上側ベース部１６０の下部に固定され、移動機構１７２を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、鋭利部材１７１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置を調整することができる。
【０１３１】
ここで、剥離誘引部１７０を用いて行われる剥離誘引処理の内容について図８Ａ〜図８Ｃを参照して具体的に説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【０１３２】
なお、図８Ａ〜図８Ｃに示す剥離誘引処理は、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが第１保持部１１０（図７参照）によって保持された後、かつ、支持基板Ｓが第２保持部１５０によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。また、剥離装置５は、制御装置４０の制御に基づき、図８Ａ〜図８Ｃに示す剥離誘引処理を行う。  
【０１３３】
剥離装置５は、位置調整部１８０を用いて鋭利部材１７１の高さ位置を調整した後、移動機構１７２（図７参照）を用いて鋭利部材１７１を重合基板Ｔの側面へ向けて移動させる。具体的には、図８Ａに示すように、重合基板Ｔの側面のうち、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材１７１を略水平に移動させる。  
【０１３４】
「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」とは、支持基板Ｓの側面のうち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置ｈ１よりも接合面Ｓｊ寄りの側面である。すなわち、支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されており、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、鋭利部材１７１と接合面Ｓｊとのなす角度を０度とした場合における鋭利部材１７１とのなす角度θが０度以上９０度未満の側面である。
【０１３５】
剥離装置５は、まず、鋭利部材１７１を予め決められた位置まで前進させる（予備前進）。その後、剥離装置５は、鋭利部材１７１をさらに前進させて鋭利部材１７１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部１７０には、たとえばロードセル（図示せず）が設けられており、剥離装置５は、かかるロードセルを用いて鋭利部材１７１にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材１７１が支持基板Ｓに当接したことを検出する。
【０１３６】
上述したように支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材１７１が支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接することにより、支持基板Ｓには、上方向きの力が加わることとなる。
【０１３７】
つづいて、図８Ｂに示すように、剥離装置５は、鋭利部材１７１をさらに前進させる。これにより、支持基板Ｓは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Ｓの一部が接着剤Ｇから剥離して剥離開始部位Ｍが形成される。
【０１３８】
なお、支持基板Ｓは第２保持部１５０によって保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Ｓの上方への移動が阻害されることがない。本処理において、鋭利部材１７１を前進させる距離ｄ１は、たとえば２ｍｍ程度である。
【０１３９】
つづいて、図８Ｃに示すように、剥離装置５は、回転昇降機構１４０（図７参照）を用いて第１保持部１１０を降下させつつ、鋭利部材１７１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗおよび接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材１７１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Ｍが拡大する。
【０１４０】
なお、本処理において、鋭利部材１７１を前進させる距離ｄ２は、たとえば１ｍｍ程度である。
【０１４１】
このように、剥離装置５は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を突き当てることにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成することができる。
【０１４２】
支持基板Ｓは、接着剤Ｇの約５〜１５倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材１７１を接着剤Ｇに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材１７１の鉛直方向の位置制御が容易である。
【０１４３】
また、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１７１を当接させることによって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力（すなわち、上向きの力）を支持基板Ｓに加えることができる。しかも、支持基板Ｓの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。
【０１４４】
また、鋭利部材１７１を接着剤Ｇに突き当てる場合と比較して、鋭利部材１７１が被処理基板Ｗに接触する可能性を低下させることができる。
【０１４５】
なお、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、より好ましくは、図８Ａに示すように、支持基板Ｓの接合面Ｓｊから支持基板Ｓの厚みの１／４の位置ｈ２までの側面、すなわち、鋭利部材１７１とのなす角度θが０度以上４５度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材１７１とのなす角度θが小さいほど、支持基板Ｓを持ち上げる力を大きくすることができるためである。
【０１４６】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的弱い場合には、図８Ａに示すように、鋭利部材１７１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Ｍを形成することができる。このような場合、剥離装置５は、図８Ｂおよび図８Ｃに示す動作を省略することができる。
【０１４７】
次に、剥離動作の具体的な内容について図９Ａ〜図９Ｅを参照して説明する。図９Ａ〜図９Ｅは、剥離装置５による剥離動作の説明図である。
【０１４８】
まず、剥離装置５は、第１搬送装置３１によって剥離ステーション１５へ搬入された重合基板ＴのダイシングフレームＦをフレーム保持部１２０を用いて下方から吸着保持する。このとき、重合基板Ｔは、フレーム保持部１２０によってのみ保持された状態である（図９Ａ参照）。
【０１４９】
つづいて、剥離装置５は、移動機構１２３（図７参照）を用いてフレーム保持部１２０を降下させる。これにより、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが、ダイシングテープＰを介して第１保持部１１０に当接する（図９Ｂ参照）。その後、剥離装置５は、第１保持部１１０を用い、被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。これにより、重合基板Ｔは、第１保持部１１０によって被処理基板Ｗが保持され、フレーム保持部１２０によってダイシングフレームＦが保持された状態となる。
【０１５０】
その後、剥離装置５は、図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明した剥離誘引処理を行う。これにより、重合基板Ｔの側面に剥離開始部位Ｍ（図８Ｂ参照）が形成される。  
【０１５１】
つづいて、剥離装置５は、第１吸着移動部１９０の吸着パッド１９１および第２吸着移動部２００の吸着パッド２０１を降下させる。これにより、吸着パッド１９１，２０１が支持基板Ｓの非接合面Ｓｎ（図２Ｃ参照）に当接する（図９Ｃ参照）。
【０１５２】
その後、剥離装置５は、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００を用いて支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着保持する。このとき、第１吸着移動部１９０は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を吸着保持し、第２吸着移動部２００は、支持基板Ｓの中央部を吸着保持する。
【０１５３】
つづいて、剥離装置５は、吸着パッド１９１，２０１のうち吸着パッド１９１のみを上昇させる。すなわち、剥離装置５は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を引っ張る。これにより、支持基板Ｓが、その周縁部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める（図９Ｄ参照）。  
【０１５４】
なお、吸着パッド１９１は、吸着パッド２０１よりも吸着面積が小さく形成される。これは、吸着パッド１９１を小さく形成することで、剥離開始部位Ｍが形成された部分に対応する支持基板Ｓの周縁部のみを吸着して引き上げることができるためである。これにより、剥離開始部位Ｍが形成されていない周縁部まで吸着して引き上げることで剥離力が低下することを防止することができる。
【０１５５】
その後、剥離装置５は、吸着パッド２０１を上昇させる。すなわち、剥離装置５は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの周縁部を引っ張りつつ、支持基板Ｓの中央部をさらに引っ張る。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する（図９Ｅ参照）。  
【０１５６】
その後、剥離装置５は、第２吸着移動部２００のみを上昇させ、あるいは、第１吸着移動部１９０のみを降下させることによって支持基板Ｓを水平にし、鋭利部材１７１を後退させて、剥離処理を終了する。
【０１５７】
このように、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１吸着移動部１９０が支持基板Ｓの周縁部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させた後で、第２吸着移動部２００が支持基板Ｓの中央部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させることとした。  
【０１５８】
これにより、支持基板Ｓに対して大きな負荷をかけることなく、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離することができる。
【０１５９】
すなわち、たとえば特表２００７−５２６６２８号公報に記載の技術のように、重合基板の一方の周縁部を支点とし他方の周縁部に引張力を加えることによって重合基板を剥離する場合、剥離が進むに連れて支持基板が大きく反ってしまうという問題がある。これに対し、剥離装置５によれば、支持基板Ｓの周縁部を吸着保持する第１吸着移動部１９０と、支持基板Ｓの中央部を吸着保持する第２吸着移動部２００とを用いて剥離動作を行うことで、支持基板Ｓの変形を抑えつつ剥離を進めることができる。
【０１６０】
また、剥離装置５によれば、第１吸着移動部１９０のみを用いる場合と比較して、重合基板Ｔを短時間で剥離することができる。
【０１６１】
なお、剥離装置５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離した後、回転昇降機構１４０を用いて第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を回転させてもよい。これにより、仮に、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに跨って貼り付いた接着剤Ｇが存在する場合に、かかる接着剤Ｇをねじ切ることができる。
【０１６２】
剥離装置５が剥離処理を終えると、第３搬送装置３３（図１Ａ参照）は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置５から受け取り、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２（図１Ａ参照）の第２洗浄装置へ載置する。
【０１６３】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、第１吸着移動部１９０および第２吸着移動部２００によって非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置３３は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。このように、第２保持部１５０は、剥離後の支持基板Ｓを第３搬送装置３３へ受け渡す受渡部としても機能する。第１の実施形態では、第２吸着移動部２００が支持基板Ｓの中央部を吸着することとしたため、剥離後の支持基板Ｓを安定して保持しておくことができる。
【０１６４】
また、第１搬送装置３１（図１Ａ参照）は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。このとき、剥離後の被処理基板Ｗは、図９Ｅに示すように、洗浄すべき接合面Ｗｊが上面に位置した状態で、第１保持部１１０に保持されている。このため、第１搬送装置３１は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出した後、かかる被処理基板Ｗを反転させることなくそのまま第１洗浄ステーション１６へ搬送することができる。
【０１６５】
このように、剥離装置５では、第１保持部１１０が被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０が重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持するため、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がなく、剥離処理を効率化させることができる。  
【０１６６】
上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗ（第１基板）と支持基板Ｓ（第２基板）とが接合された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離装置５と、剥離装置５によって剥離された被処理基板Ｗにおける支持基板Ｓとの接合面Ｗｊを洗浄する第１洗浄装置３とを備える。
【０１６７】
第１洗浄装置３は、フレーム保持部６５と、基板保持部６１と、回転機構６２と、液供給部８０と、リング部材６６とを備える。フレーム保持部６５は、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎが貼り付けられたダイシングテープＰの周縁部を固定するダイシングフレームＦを保持する。基板保持部６１は、ダイシングテープＰに貼り付けられた被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。回転機構６２は、フレーム保持部６５および基板保持部６１を一体的に回転させる。液供給部８０は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ向けて洗浄液を供給する。リング部材６６は、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに先端部６６１が近接する。そして、リング部材６６は、ダイシングテープＰを取り囲むように配置される。
【０１６８】
したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、ダイシングテープＰの裏面Ｐｂに洗浄液が付着することを防止することができる。
【０１６９】
また、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３は、フレーム保持部６５およびリング部材６６を支持する支持部６４を備え、回転機構６２が支持部６４を回転させることによって、フレーム保持部６５およびリング部材６６が一体的に回転することとした。このように、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３によれば、リング部材６６とダイシングフレームＦとが一体的に回転するため、リング部材６６の先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間に洗浄液の液膜が形成された状態を安定的に維持することができる。
【０１７０】
なお、上述した第１の実施形態では、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂにリング部材６６の先端部６６１を近接させ、かかる先端部６６１とダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとの間に洗浄液の液膜を形成することで、リング部材６６よりも内側への洗浄液の侵入を防止することとした。しかし、リング部材６６よりも内側への洗浄液の侵入を防止する手段は、上述した例に限られない。
【０１７１】
すなわち、第１の実施形態では、リング部材６６とダイシングフレームＦとが一体的に回転することとしている。そこで、リング部材６６の先端部６６１をダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに接触させることによって、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとリング部材６６の先端部６６１との隙間を塞いで、リング部材６６よりも内側への洗浄液の侵入を防止することとしてもよい。
【０１７２】
この場合、リング部材６６の先端部に凹部を設けて（たとえば、図６Ｂに示した形状とし）、かかる凹部にＯリング等の封止部材を取り付けることとしてもよい。これにより、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂとリング部材６６の先端部６６１との密閉性を高めることができる。
【０１７３】
（第２の実施形態）
ところで、第１洗浄装置３は、リング部材６６よりも内側の圧力を外側の圧力（大気圧）よりも高くすることによって、洗浄液がリング部材６６よりも内側へ侵入することを防止することとしてもよい。以下、かかる点について図１０Ａおよび図１０Ｂを参照して説明する。図１０Ａは、第２の実施形態に係る回転保持部６０Ａの模式平面図であり、図１０Ｂは、第２の実施形態における洗浄処理中のダイシングフレームＦ周辺の模式拡大図である。
【０１７４】
図１０Ａに示すように、第２の実施形態に係る回転保持部６０Ａは、複数のフィン６７をさらに備える。複数のフィン６７は、基板保持部６１の周面に所定の間隔で設けられており、基板保持部６１の回転に伴って回転することによって、図１０Ｂに示すように、基板保持部６１の周面からリング部材６６へ向かう気流を発生させる。
【０１７５】
これにより、リング部材６６よりも内側の圧力が外側の圧力（大気圧）よりも高くなるため、洗浄液Ｌは、リング部材６６の内側へさらに侵入し難くなる。
【０１７６】
なお、回転保持部６０Ａは、第１の実施形態に係る回転保持部６０と同様、支持部６４が複数のアーム体６４１で構成されている。すなわち、フィン６７の下方が開放された状態となっているため、容易に気流を発生させることができる。
【０１７７】
ここでは、複数のフィン６７を基板保持部６１の周面に取り付ける場合の例を示したが、複数のフィン６７の取り付け位置は、基板保持部６１の周面に限られない。たとえば、複数のフィン６７は、リング部材６６と基板保持部６１との間に位置する各アーム体６４１の上面に取り付けられてもよい。このように、複数のフィン６７は、リング部材６６よりも内側に配置されて、回転機構６２によって回転してリング部材６６へ向かう気流を発生させるものであればよい。
【０１７８】
また、リング部材６６よりも外側かつダイシングフレームＦの外周部よりも内側に位置する各アーム体６４１の上面にフィン６７を取り付けてもよい。かかる場合、フィン６７によって発生する気流がダイシングフレームＦの外周部へ向かうように、フィン６７を所定の角度でアーム体６４１に取り付ける。これにより、フィン６７によって発生する気流により、ダイシングフレームＦの表面Ｆａから裏面Ｆｂへの洗浄液Ｌの回り込み自体を抑制することができる。
【０１７９】
（第３の実施形態）
第３の実施形態では、第１洗浄装置が備える液供給部の変形例について図１１を参照して説明する。図１１は、第３の実施形態に係る第１洗浄装置の模式側面図である。
【０１８０】
図１１に示すように、第１洗浄装置３Ａは、第１の実施形態に係る液供給部８０に代えて、液供給部８０Ａを備える。なお、その他の構成は、第１の実施形態に係る第１洗浄装置３と同様である。
【０１８１】
液供給部８０Ａは、略円板形状を有している。液供給部８０Ａの下面には、少なくとも被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを覆うように供給面８０１が形成されている。供給面８０１は、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊとほぼ同じ大きさである。
【０１８２】
液供給部８０Ａの中央部には、供給面８０１と接合面Ｗｊとの間の隙間８０２に対して、洗浄液である有機溶剤、有機溶剤のリンス液、及び不活性ガスが吐出される第１の吐出口８５０が設けられている。第１の吐出口８５０は、液供給部８０Ａの厚み方向に貫通している。
【０１８３】
第１の吐出口８５０には、供給管８５１が接続されている。供給管８５１には、洗浄液である有機溶剤、有機溶剤のリンス液、不活性ガスの流れを切り替えるバルブ８５２が設けられている。バルブ８５２には、有機溶剤供給源８５３に連通する供給管８５４、リンス液供給源８５５に連通する供給管８５６、不活性ガス供給源８５７に連通する供給管８５８が接続されている。各供給管８５４、８５６、８５８には、それぞれ有機溶剤、リンス液、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群８５９、８６０、８６１が設けられている。なお、不活性ガスには、例えば窒素ガスが用いられる。
【０１８４】
液供給部８０Ａの外周部には、隙間８０２に供給された有機溶剤やリンス液（後述する混合液）を吸引する、吸引口８７０が設けられている。吸引口８７０は、液供給部８０Ａの厚み方向に貫通して設けられている。また吸引口８７０は、液供給部８０Ａの外周部に沿って環状に形成されている。吸引口８７０には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置８７１に連通する吸気管８７２が接続されている。
【０１８５】
液供給部８０Ａの外縁部、すなわち吸引口８７０の外側には、気体が吐出される第２の吐出口８８０が設けられている。第２の吐出口８８０は、液供給部８０Ａの厚み方向に貫通して設けられている。また第２の吐出口８８０は、液供給部８０Ａの外縁部に複数、例えば２箇所に配置されている。第２の吐出口８８０には、気体供給源８８１に連通する供給管８８２が接続されている。供給管８８２には、気体の流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群８８３が設けられている。
【０１８６】
次に、第３の実施形態に係る第１洗浄装置３Ａが実行する洗浄処理の動作について図１２Ａおよび図１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａおよび図１２Ｂは、第３の実施形態における洗浄処理の動作例を示す図である。
【０１８７】
基板保持部６１によって被処理基板Ｗが吸着保持され、フレーム保持部６５によってダイシングフレームＦが保持されると、図示しない昇降機構によって液供給部８０Ａが所定の位置まで降下する。このとき、液供給部８０Ａの供給面８０１と被処理基板Ｗの接合面Ｗｊが対向するように液供給部８０Ａが配置される。また、供給面８０１と接合面Ｗｊとの間隔は、後述するように供給面８０１と接合面Ｗｊとの間の隙間８０２において、洗浄液である有機溶剤が表面張力によって拡散できる程度の間隔とすることが好ましい。
【０１８８】
その後、被処理基板ＷおよびダイシングフレームＦを回転させながら、図１２Ａに示すように、第１の吐出口８５０から被処理基板Ｗの接合面Ｗｊへ向けて洗浄液である有機溶剤を吐出する。有機溶剤は、第１の吐出口８５０から供給面８０１と接合面Ｗｊとの間の隙間８０２に供給され、当該隙間８０２において被処理基板Ｗの回転による遠心力により、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。こうして、図１２Ｂに示すように、隙間８０２において有機溶剤が被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に供給される。
【０１８９】
また、有機溶剤を接合面Ｗｊ上で拡散させる際、吸引口８７０が有機溶剤の吸引を行うと共に、第２の吐出口８８０から気体の供給を行う。これにより、有機溶剤がダイシングテープＰの表面Ｐａに付着することが防止される。
【０１９０】
その後、第１の吐出口８５０から不活性ガスを吐出させることによって、第１の吐出口８５０内の有機溶剤が排出される。
【０１９１】
その後、被処理基板Ｗの回転を引き続き行った状態で、液供給部８０Ａを所定の位置、すなわち隙間８０２にリンス液を供給できる位置まで上昇させる。続いて、第１の吐出口８５０にリンス液を供給する。リンス液は、第１の吐出口８５０から隙間８０２に供給されて有機溶剤と混合されつつ、当該隙間８０２において遠心力（及び表面張力）により、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊ上を拡散する。こうして、隙間８０２において有機溶剤とリンス液との混合液が、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊの全面に供給される。
【０１９２】
その後、被処理基板Ｗの回転を引き続き行った状態で、液供給部８０Ａを所定の位置まで下降させる。そして、第１の吐出口８５０を介して隙間８０２に不活性ガスが供給される。この不活性ガスによって、隙間８０２に充填されていた混合液は被処理基板Ｗの外周部側に押し流され、吸引口８７０から吸引される。こうして、隙間８０２の混合液が除去される。
【０１９３】
隙間８０２の混合液が除去された後も、被処理基板Ｗの回転と、隙間８０２への不活性ガスの供給を引き続き行う。これにより、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊが乾燥される。こうして、第１洗浄装置３Ａにおいて被処理基板Ｗの洗浄処理が終了する。
【０１９４】
このように、第３の実施形態に係る第１洗浄装置３Ａによれば、液供給部８０Ａを用いることで、ダイシングテープＰの裏面Ｐｂだけでなく表面Ｐａに洗浄液が付着することを防止することができる。また、ダイシングフレームＦの裏面Ｆｂに回り込む洗浄液の量が減るため、ダイシングテープＰの裏面Ｐｂに洗浄液が付着することをより確実に防止することができる。
【０１９５】
なお、上述してきた各実施形態では、フレーム保持部６５とリング部材６６とが支持部６４によって支持されることとしたが、フレーム保持部６５とリング部材６６とは、それぞれ異なる支持部によって支持されてもよい。
【０１９６】
また、上述してきた各実施形態では、支持部６４が複数のアーム体６４１で構成される場合の例を示したが、支持部６４は、たとえば一枚の板状部材で構成されてもよい。
【０１９７】
また、上述してきた各実施形態では、ダイシングフレームＦおよびダイシングテープＰを用いる場合の例について説明した。しかし、重合基板Ｔの保持に用いられるフレームおよびテープは、ダイシングフレームＦおよびダイシングテープＰと同様の機能を有するものであればよく、必ずしもダイシングフレームＦおよびダイシングテープＰであることを要しない。
【０１９８】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１９９】
１  剥離システム
５  剥離装置
１０  第１処理ブロック
１５  剥離ステーション
１６  第１洗浄ステーション
２０  第２処理ブロック
４０  制御装置
５０  処理容器
６０  回転保持部
６１  基板保持部
６２  回転機構
６３  シャフト
６４  支持部
６５  フレーム保持部
６６  リング部材
７０  カップ
８０  液供給部
６６１  先端部
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｐ  ダイシングテープ
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
【図１Ａ】
2014165281.tif 000003
【図１Ｂ】
2014165281.tif 000004
【図２Ａ】
2014165281.tif 000005
【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
2014165281.tif 000007
【図３】
2014165281.tif 000008
【図４Ａ】
2014165281.tif 000009
【図４Ｂ】
2014165281.tif 000010
【図５】
2014165281.tif 000011
【図６Ａ】
2014165281.tif 000012
【図６Ｂ】
2014165281.tif 000013
【図６Ｃ】
2014165281.tif 000014
【図６Ｄ】
2014165281.tif 000015
【図７】
2014165281.tif 000016
【図８Ａ】
2014165281.tif 000017
【図８Ｂ】
2014165281.tif 000018
【図８Ｃ】
2014165281.tif 000019
【図９Ａ】
2014165281.tif 000020
【図９Ｂ】
2014165281.tif 000021
【図９Ｃ】
2014165281.tif 000022
【図９Ｄ】
2014165281.tif 000023
【図９Ｅ】
2014165281.tif 000024
【図１０Ａ】
2014165281.tif 000025
【図１０Ｂ】
2014165281.tif 000026
【図１１】
2014165281.tif 000027
【図１２Ａ】
2014165281.tif 000028
【図１２Ｂ】
2014165281.tif 000029