(57)【要約】【課題】誘電率が高く、耐薬品性及び耐ドライエッチング性に優れた樹脂膜を与える樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜を提供すること。【解決手段】水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ）と、分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ）と、前記エポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ）と、前記樹脂（Ａ）の水酸基及び前記硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有するトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）と、を含有する樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ）と、
分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ）と、
前記エポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ）と、
前記樹脂（Ａ）の水酸基及び前記硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有するトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）と、を含有する樹脂組成物。
【請求項２】
前記エポキシ化合物（Ｂ）が、分子内に２以上のエポキシ基を有する芳香族炭化水素構造含有エポキシ化合物である請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
前記硬化剤（Ｃ）の前記エポキシ基と反応する水酸基が、フェノール性水酸基である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【請求項４】
硬化触媒（Ｅ）をさらに含有する請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項５】
前記樹脂（Ａ）中に含有される水酸基と、シアノアルキル基との割合が、「水酸基：シアノアルキル基」のモル比で、５０：５０〜２：９８である請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及びゲート絶縁膜に係り、さらに詳しくは、誘電率が高く、耐薬品性及び耐ドライエッチング性に優れた樹脂膜を与える樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機材料を用いた有機ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）に関する研究が盛んに行われている。薄膜トランジスタは、基板上に、半導体層、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート絶縁膜を有するトランジスタであり、ボトムゲート型と、トップゲート型とに大別される。ボトムゲート型は、基板上にゲート電極を有し、その上にゲート絶縁膜を介して半導体層で連結されたソース電極とドレイン電極を有する構成とされる。一方、トップゲート型は、基板上に半導体層に接したソース電極とドレイン電極を有し、その上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を有する構成とされる。
【０００３】
このような薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜には、絶縁性や電気特性に優れていることが求められる。また、たとえばボトムゲート型では、絶縁膜上に半導体層やゲート電極、ソース電極を所定形状に形成するにあたり、例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いる場合がある。この場合には、絶縁膜に対して現像液やエッチング液が接触し得るため、絶縁膜には耐薬品性が求められる。また、半導体層としては、例えばＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含むアモルファス酸化物半導体（ＩＧＺＯ）を用いることができるが、この場合には、このＩＧＺＯをスパッタリング法により形成する場合があり、半導体層の下層にあたる絶縁膜には、耐スパッタリング性が求められる。
【０００４】
また、このようなゲート絶縁膜を形成するための樹脂として、例えば、特許文献１では、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）を用いてゲート絶縁膜を形成する技術が開示されている。しかしながら、この特許文献１のように、ポリビニルフェノールを用いた場合には、耐薬品性や耐ドライエッチング性にある程度優れたゲート絶縁膜を得ることができるものの、得られるゲート絶縁膜は、誘電率が著しく低いという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−５６１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、誘電率が高く、耐薬品性及び耐スパッタリング性に優れた樹脂膜を与える樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、ベースとなる樹脂として、水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂を用い、これに、特定のエポキシ化合物と、特定の硬化剤と、トリアジン構造含有架橋剤とを配合してなる樹脂組成物により、上記目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明によれば、
〔１〕水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ）と、分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ）と、前記エポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ）と、前記樹脂（Ａ）の水酸基及び前記硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有するトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）と、を含有する樹脂組成物、
〔２〕前記エポキシ化合物（Ｂ）が、分子内に２以上のエポキシ基を有する芳香族炭化水素構造含有エポキシ化合物である前記〔１〕に記載の樹脂組成物、
〔３〕前記硬化剤（Ｃ）の前記エポキシ基と反応する水酸基が、フェノール性水酸基である前記〔１〕又は〔２〕に記載の樹脂組成物、
〔４〕硬化触媒（Ｅ）をさらに含有する前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の樹脂組成物、
〔５〕前記樹脂（Ａ）中に含有される水酸基と、シアノアルキル基との割合が、「水酸基：シアノアルキル基」のモル比で、３０：７０〜２：９８である前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の樹脂組成物、ならびに、
〔６〕前記〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜、
が提供される。
なお、硬化剤（Ｃ）は、当該硬化剤（Ｃ）における２以上の水酸基のうち少なくとも１つの水酸基がエポキシ化合物（Ｂ）におけるエポキシ基と反応し得るものであればよい。また、トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）は、当該トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）における２以上の官能基のうち少なくとも１つの官能基が樹脂（Ａ）の水酸基および硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応し得るものであればよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、誘電率が高く、耐薬品性及び耐スパッタリング性に優れた樹脂膜を与える樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明に係る樹脂組成物からなるゲート絶縁膜を備える薄膜トランジスタの一例を示す断面図である。
【図２】図２は、図１に示す薄膜トランジスタの製造方法を示す図である。
【図３】図３は、本発明に係る樹脂組成物からなるゲート絶縁膜を備える薄膜トランジスタの他の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（樹脂組成物）
本発明の樹脂組成物は、水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ）と、分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ）と、前記エポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ）と、前記樹脂（Ａ）の水酸基及び前記硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有するトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）と、を含有する。
【００１２】
（水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ））
水酸基及びシアノアルキル基を含有する樹脂（Ａ）（以下、「水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）」とする。）としては、水酸基とシアノアルキル基とを含有する樹脂であればよく、特に限定されないが、例えば、水酸基を複数有する水酸基含有有機化合物を出発原料として用い、これをニトリルと反応させることにより、水酸基含有有機化合物に含まれる水酸基のうち一部を、シアノアルキル基で置換することにより得られたものなどが挙げられる。
【００１３】
水酸基含有有機化合物としては、例えば、ブドウ糖、果糖、ガラクトース等の単糖類；麦芽糖、ショ糖、乳糖等の二糖類；ソルビトール、キシリトール等の糖アルコール、セルロース、でんぷん、プルラン等の多糖類；メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース等のアルキルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ジヒドロキシプロピルセルロース等のヒドロキシアルキルセルロース；ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルメチルセルロース等のヒドロキシアルキルアルキルセルロース；ジヒドロキシプロピルプルラン等の多糖類誘導体；ポリビニルアルコール等；ポリビニルフェノール；ノボラック樹脂；ポリビニルフェノール；等が挙げられる。
【００１４】
これらのなかでも、ゲート絶縁膜とした場合における、誘電率の向上効果が高いという点より、プルラン、ポリビニルアルコールが好ましい。
【００１５】
また、水酸基含有有機化合物を置換するためのシアノアルキル基としては、特に限定されないが、一般式：−Ｒ−ＣＮ（Ｒは、炭素数２〜６のアルキレン基）で表される基が挙げられ、例えば、シアノエチル基、１−シアノプロピル基、１−シアノブチル基、１−シアノヘキシル基などが挙げられる。これらのなかでも、水酸基含有有機化合物への導入が比較的容易であり、汎用性が高いという点より、シアノエチル基が好ましい。また、本発明で用いる水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）は、２種以上のシアノアルキル基を有するものであってもよい。なお、このようなシアノアルキル基は、対応するニトリル化合物を用い、これを水酸基含有有機化合物と反応することにより導入することができる。シアノアルキル化率はＮＭＲや元素分析による窒素含有率から算出できる。
【００１６】
本発明で用いる水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）中における、水酸基と、シアノアルキル基との割合は、「水酸基：シアノアルキル基」のモル比で、好ましくは５０：５０〜２：９８であり、より好ましくは３０：７０〜２：９８、さらに好ましくは１５：８５〜２：９８である。水酸基の割合が低すぎると（シアノアルキル化率が高すぎると）、得られるゲート絶縁膜の耐薬品性が低下する傾向にある。一方、水酸基の割合が高すぎすると（シアノアルキル化率が低すぎると）、得られるゲート絶縁膜の誘電率が低下する傾向にある。
【００１７】
（分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ））
分子内に２以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物（Ｂ）（以下、単に「エポキシ化合物（Ｂ）」とする。）としては、エポキシ基を２以上有する化合物であればよく、特に限定されない。また、エポキシ基としては、末端エポキシ基、脂環式エポキシ基のいずれでもよい。
【００１８】
このようなエポキシ化合物（Ｂ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ポリフェノール型エポキシ化合物、環状脂肪族エポキシ化合物、グリシジルエーテル化合物、エポキシアクリレート重合体等が挙げられる。これらのなかでも、得られるゲート絶縁膜の耐ドライエッチング性をより向上させることができるという点より、芳香族炭化水素構造を有するエポキシ化合物が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ナフタレン構造又はフルオレン構造を有するエポキシ化合物がより好ましい。なお、これらは１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
【００１９】
エポキシ化合物（Ｂ）の具体例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名「ｊＥＲ８２７、ｊＥＲ８２８、ｊＥＲ８２８ＥＬ、ｊＥＲ８２８ＸＡ、ｊＥＲ８３４、ｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００２、ｊＥＲ１００３、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９、ｊＥＲ１０１０」（以上、三菱化学社製））、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物（商品名「エピクロンＨＰ４０３２、ＨＰ４０３２Ｄ、ＨＰ４７００、ＨＰ４７１０、ＨＰ４７７０、ＨＰ５０００」（以上、ＤＩＣ社製））、ビフェニルジメチレン型のエポキシ化合物（商品名「ＮＣ−３０００」、日本化薬社製）、芳香族アミン型エポキシ化合物（商品名「Ｈ−４３４」、東都化成工業社製）、クレゾールノボラック型エポキシ化合物（商品名「ＥＯＣＮ−１０２０」、日本化薬社製）、フェノールノボラック型エポキシ化合物（商品名「エピコート１５２、１５４」（以上、三菱化学社製））、フェノールアラルキル型エポキシ化合物（商品名「ＮＣ−２０００」、日本化薬社製）、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物（商品名「ｊＥＲ１５７Ｓ」、三菱化学社製）（２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）］エチル］フェニル］プロパン（商品名「ＮＣ−６０００」、日本化薬社製）、テトラキス（グリシジルオキシフェニル）エタン（商品名「ｊＥＲ１０３１Ｓ」、三菱化学社製、「ＴＥＰ‐Ｇ」旭有機材工業社製）ジヒドロアントラセン型エポキシ化合物（商品名「ＸＹ８８００」、三菱化学社製）等の芳香族炭化水素構造を有するエポキシ化合物；
【００２０】
ジシクロペンタジエンを骨格とする３官能性のエポキシ化合物（商品名「ＸＤ−１０００」、日本化薬社製）、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（シクロヘキサン骨格及び末端エポキシ基を有する１５官能性の脂環式エポキシ樹脂、商品名「ＥＨＰＥ３１５０」、ダイセル化学工業社製）、エポキシ化３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸ビス（３−シクロヘキセニルメチル）修飾ε−カプロラクトン（脂肪族環状３官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードＧＴ３０１」、ダイセル化学工業社製）、エポキシ化ブタンテトラカルボン酸テトラキス（３−シクロヘキセニルメチル）修飾ε−カプロラクトン（脂環式エポキシ基を有する脂肪族環状４官能性のエポキシ樹脂、商品名「エポリードＧＴ４０１」、ダイセル化学工業社製）、鎖状アルキル多官能エポキシ化合物（商品名「ＳＲ−ＴＭＰ」、阪本薬品工業株式会社製）、（３’，４’−エポキシシクロヘキサン）メチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート（商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」、ダイセル化学工業社製）等の芳香族炭化水素構造を有しないエポキシ化合物；等が挙げられる。
【００２１】
本発明の樹脂組成物中におけるエポキシ化合物（Ｂ）の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは５〜８０重量部であり、より好ましくは１０〜５０重量部である。エポキシ化合物（Ｂ）の含有量を上記範囲とすることにより、得られるゲート絶縁膜の耐薬品性及び耐ドライエッチング性を適切に高めることができる。
【００２２】
（エポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ））
本発明で用いるエポキシ基と反応する水酸基を分子内に２以上有する硬化剤（Ｃ）（以下、単に「硬化剤（Ｃ）」とする。）としては、エポキシ基と反応する水酸基を２つ以上有する化合物であればよく、特に限定されないが、エポキシ基と反応する水酸基がフェノール性水酸基である化合物が好ましい。硬化剤（Ｃ）として、エポキシ基と反応する水酸基がフェノール性水酸基である化合物を用いることで、得られるゲート絶縁膜の耐ドライエッチング性をより向上させることができる。硬化剤（Ｃ）は、エポキシ化合物（Ｂ）に対する硬化剤として作用する。
【００２３】
硬化剤（Ｃ）の具体例としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類とジシクロペンタジエンから共重合により合成される、ジシクロペンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂等のジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、パラキシリレン及び／又はメタキシリレン変性フェノール樹脂、メラミン変性フェノール樹脂、シクロペンタジエン変性フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、これら２種以上を共重合して得たフェノール樹脂などが挙げられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
本発明の樹脂組成物中における硬化剤（Ｃ）の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは３〜８０重量部であり、より好ましくは５〜５０重量部である。硬化剤（Ｃ）の含有量を上記範囲とすることにより、得られるゲート絶縁膜の強度をより適切なものとすることができる。
【００２５】
（トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ））
本発明で用いるトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）は、トリアジン構造を有し、かつ、上述した水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）の水酸基及び上述した硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有する化合物である。水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）の水酸基及び硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基としては、特に限定されないが、例えば、メチロール基、アルコキシメチロール基、アルキルカルバメート基、カルボキシル基、イソシアネート基などが挙げられる、これらのなかでも、反応性および保存安定性が良好であるという点より、アルコキシメチロール基、アルキルカルバメート基が好適である。トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）の水酸基及び硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応することで、架橋構造を形成する。
【００２６】
なお、本発明で用いるトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）としては、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）の水酸基及び硬化剤（Ｃ）の水酸基と反応する官能基を分子内に２以上有し、かつ、トリアジン構造を有するものであればよいが、メラミン構造を有するもの、又はグアナミン構造を有するものがより好ましく、メラミン構造を有するものが特に好ましい。
【００２７】
トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）の具体例としては、商品名「サイメル２０２、サイメル２０７、サイメル２１２、サイメル２５３、サイメル２５４、サイメルサイメル２７２、サイメル３００、サイメル３０１、サイメル３０３、サイメル３２５、サイメル３２７、サイメル３５０、サイメル３７０、サイメル７０１、サイメル７７１、サイリンク２０００、マイコート１０５、マイコート１０６、マイコート１３０、マイコート５０６、マイコート５０８」（以上、サイテックインダストリーズ社製）、「ニカラックＭＷ−３０ＨＭ、ニカラックＭＷ３９０、ニカラックＭＸ−７５０、ニカラックＭＸ−７０６」（以上、三和ケミカル社製）などが挙げられる。
【００２８】
本発明の樹脂組成物中におけるトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１００重量部、より好ましくは１〜５０重量部であり、より好ましくは３〜３０重量部である。トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）の含有量を上記範囲とすることにより、得られるゲート絶縁膜の耐薬品性をより適切なものとすることができる。
【００２９】
（硬化触媒（Ｅ））
また、本発明の樹脂組成物は、上述した水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）、エポキシ化合物（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及びトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）に加えて、硬化触媒（Ｅ）を含有していてもよい。硬化触媒（Ｅ）としては、たとえば、酸性基又は潜在性酸性基を有する化合物、および塩基性基又は潜在性塩基性基を有する化合物などが挙げられる。酸性基又は潜在性酸性基を有する化合物は、酸性基又は加熱や光により酸を生じる潜在性酸性基を有するものであればよく、特に限定されないが、好ましくは脂肪族化合物、芳香族化合物、複素環化合物であり、さらに好ましくは芳香族化合物、複素環化合物である。塩基性基又は潜在性塩基性基を有する化合物は、塩基性基又は加熱により塩基性基を生じる潜在性塩基性基を有するものであればよく、特に限定されないが、好ましくは脂肪族化合物、芳香族化合物、複素環化合物であり、さらに好ましくは芳香族化合物、複素環化合物である。硬化触媒（Ｅ）を配合することで、本発明の樹脂組成物を硬化させる際における硬化に要する加熱エネルギー（加熱時間及び加熱温度）を低減することができる。
【００３０】
酸性基を有する化合物の酸性基の数は、特に限定されないが、合計で２つ以上の酸性基を有するものが好ましい。酸性基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
酸性基としては、酸性の官能基であればよく、その具体例としては、スルホン酸基、リン酸基等の強酸性基；カルボキシ基、チオール基及びカルボキシメチレンチオ基等の弱酸性基；が挙げられる。これらの中でも、カルボキシ基、チオール基又はカルボキシメチレンチオ基が好ましく、カルボキシ基が特に好ましい。また、これらの酸性基の中でも、酸解離定数ｐＫａが３．５以上５．０以下の範囲にあるものが好ましい。なお、酸性基が２つ以上ある場合は第一解離定数ｐＫａ１を酸解離定数とし、第一解離定数ｐＫａ１が上記範囲にあるものが好ましい。また、ｐＫａは、希薄水溶液条件下で、酸解離定数Ｋａ＝［Ｈ３Ｏ＋］［Ｂ−］／［ＢＨ］を測定し、ｐＫａ＝−ｌｏｇＫａにしたがって、求められる。ここでＢＨは、有機酸を表し、Ｂ−は有機酸の共役塩基を表す。
なお、ｐＫａの測定方法は、例えばｐＨメータを用いて水素イオン濃度を測定し、該当物質の濃度と水素イオン濃度から算出することができる。
【００３１】
さらに、酸性基又は潜在性酸性基を有する化合物は、酸性基及び潜在性酸性基以外の置換基を有していてもよい。
このような置換基としては、アルキル基、アリール基等の炭化水素基のほか、ハロゲン原子；アルコキシ基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、ヘテロ環オキシ基；アルキル基又はアリール基又は複素環基で置換されたアミノ基、アシルアミノ基、ウレイド基、スルファモイルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基；アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基；等のプロトンを有しない極性基、これらのプロトンを有しない極性基で置換された炭化水素基、等を挙げることができる。
【００３２】
このような酸性基又は潜在性酸性基を有する化合物のうち、酸性基有する化合物の具体例としては、メタン酸、エタン酸、プロパン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、グリコール酸、グリセリン酸、エタン二酸（「シュウ酸」ともいう。）、プロパン二酸（「マロン酸」ともいう。）、ブタン二酸（「コハク酸」ともいう。）、ペンタン二酸、ヘキサン二酸（「アジピン酸」ともいう。）、１、２―シクロヘキサンジカルボン酸、２−オキソプロパン酸、２−ヒドロキシブタン二酸、２−ヒドロキシプロパントリカルボン酸、メルカプトこはく酸、ジメルカプトこはく酸、２，３−ジメルカプト−１−プロパノール、１，２，３−トリメルカプトプロパン、２，３，４−トリメルカプト−１−ブタノール、２，４−ジメルカプト−１，３−ブタンジオール、１，３，４−トリメルカプト−２−ブタノール、３，４−ジメルカプト−１，２−ブタンジオール、１，５−ジメルカプト−３−チアペンタン等の脂肪族化合物；
【００３３】
安息香酸、ｐ−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、o−ヒドロキシベンゼンカルボン酸、２−ナフタレンカルボン酸、メチル安息香酸、ジメチル安息香酸、トリメチル安息香酸、３−フェニルプロパン酸、ジヒドロキシ安息香酸、ジメトキシ安息香酸、ベンゼン−１，２−ジカルボン酸（「フタル酸」ともいう。）、ベンゼン−１，３−ジカルボン酸（「イソフタル酸」ともいう。）、ベンゼン−１，４−ジカルボン酸（「テレフタル酸」ともいう。）、ベンゼン−１，２，３−トリカルボン酸、ベンゼン−１，２，４−トリカルボン酸、ベンゼン−１，３，５−トリカルボン酸、ベンゼンヘキサカルボン酸、ビフェニル−２，２’−ジカルボン酸、２−(カルボキシメチル)安息香酸、３−(カルボキシメチル)安息香酸、４−(カルボキシメチル)安息香酸、２−(カルボキシカルボニル)安息香酸、３−(カルボキシカルボニル)安息香酸、４−(カルボキシカルボニル)安息香酸、２−メルカプト安息香酸、４−メルカプト安息香酸、ジフェノール酸、２−メルカプト−６−ナフタレンカルボン酸、２−メルカプト−７−ナフタレンカルボン酸、１，２−ジメルカプトベンゼン、１，３−ジメルカプトベンゼン、１，４−ジメルカプトベンゼン、１，４−ナフタレンジチオール、１，５−ナフタレンジチオール、２，６−ナフタレンジチオール、２，７−ナフタレンジチオール、１，２，３−トリメルカプトベンゼン、１，２，４−トリメルカプトベンゼン、１，３，５−トリメルカプトベンゼン、１，２，３−トリス（メルカプトメチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（メルカプトメチル）ベンゼン、１，３，５−トリス（メルカプトメチル）ベンゼン、１，２，３−トリス（メルカプトエチル）ベンゼン、１，２，４−トリス（メルカプトエチル）ベンゼン、１，３，５−トリス（メルカプトエチル）ベンゼン等の芳香族化合物；
【００３４】
ニコチン酸、イソニコチン酸、２−フロ酸、ピロール−２，３−ジカルボン酸、ピロール−２，４−ジカルボン酸、ピロール−２，５−ジカルボン酸、ピロール−３，４−ジカルボン酸、イミダゾール−２，４−ジカルボン酸、イミダゾール−２，５−ジカルボン酸、イミダゾール−４，５−ジカルボン酸、ピラゾール−３，４−ジカルボン酸、ピラゾール−３，５−ジカルボン酸等の窒素原子を含む五員複素環化合物；チオフェン−２，３−ジカルボン酸、チオフェン−２，４−ジカルボン酸、チオフェン−２，５−ジカルボン酸、チオフェン−３，４−ジカルボン酸、チアゾール−２，４−ジカルボン酸、チアゾール−２，５−ジカルボン酸、チアゾール−４，５−ジカルボン酸、イソチアゾール−３，４−ジカルボン酸、イソチアゾール−３，５−ジカルボン酸、１，２，４−チアジアゾール−２，５−ジカルボン酸、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジカルボン酸、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール、３，５−ジメルカプト−１，２，４−チアジアゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、３−（５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール−３−イルスルファニル）こはく酸、２−（５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−２−イルスルファニル）こはく酸、（５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール−３−イルチオ）酢酸、（５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオ）酢酸、３−（５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール−３−イルチオ）プロピオン酸、２−（５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオ）プロピオン酸、３−（５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール−３−イルチオ）コハク酸、２−（５−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−２−イルチオ）コハク酸、４−（３−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール−５−イル）チオブタンスルホン酸、４−（２−メルカプト−１，３，４−チアジアゾール−５−イル）チオブタンスルホン酸等の窒素原子と硫黄原子を含む五員複素環化合物；
【００３５】
ピリジン−２，３−ジカルボン酸、ピリジン−２，４−ジカルボン酸、ピリジン−２，５−ジカルボン酸、ピリジン−２，６−ジカルボン酸、ピリジン−３，４−ジカルボン酸、ピリジン−３，５−ジカルボン酸、ピリダジン−３，４−ジカルボン酸、ピリダジン−３，５−ジカルボン酸、ピリダジン−３，６−ジカルボン酸、ピリダジン−４，５−ジカルボン酸、ピリミジン−２，４−ジカルボン酸、ピリミジン−２，５−ジカルボン酸、ピリミジン−４，５−ジカルボン酸、ピリミジン−４，６−ジカルボン酸、ピラジン−２，３−ジカルボン酸、ピラジン−２，５−ジカルボン酸、ピリジン−２，６−ジカルボン酸、トリアジン−２，４−ジカルボン酸、２−ジエチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−ジプロピルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−ジブチルアミノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２−アニリノ−４，６−ジメルカプト−ｓ−トリアジン、２，４，６−トリメルカプト−ｓ−トリアジン等の窒素原子を含む六員複素環化合物；が挙げられる。
【００３６】
潜在性酸性基を有する化合物は、光や加熱により酸性の官能基を生じる基であればよく、その具体例としては、スルホニウム塩基、ベンゾチアゾリウム塩基、アンモニウム塩基、ホスホニウム塩基、ブロックカルボン酸基等が挙げられ、これらの中でも、スルホニウム塩基が好ましく、例えば、六フッ化リン系や六フッ化アンチモン系のスルホニウム塩基を用いることができる。このようなスルホニウム塩基としては、例えば、サンエイドＳＩシリーズ（１００Ｌ，１１０Ｌ，１５０、１８０Ｌ、三新化学工業社製）等を用いることができる。 
塩基性基としては、塩基性の官能基であればよく、その具体例としては、アミノ基、窒素含有複素環が挙げられる。アミノ基含有化合物としては、ヘキサメチレンジアミン等の脂肪族ポリアミン類；４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、ジアミノジフェニルスルフォン等の芳香族ポリアミン類が挙げられる。窒素含有複素環化合物としては、２−メチルイミダゾール（品名；２ＭＺ）、４−メチル−２−エチルイミダゾール（品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−フェニルイミダゾール（品名；２ＰＺ）、４−メチル−２−フェニルイミダゾール（品名；２Ｐ４ＭＺ）、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール（品名；１Ｂ２ＭＺ）、２−エチルイミダゾール（品名；２ＥＺ）、２−イソプロピルイミダゾール（品名；２ＩＺ）、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール（品名；２ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール（品名；２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール（品名；Ｃ１１Ｚ−ＣＮ）などがある。
潜在性塩基性基を有する化合物としては、光や加熱により塩基性の官能基を生じる気であればよい。その具体例として、ＷＰＢＧ−０１８、ＷＰＢＧ−０２７、ＷＰＢＧ−０８２、ＷＰＢＧ−１４０（以上、和光純薬工業社製）などが挙げられる。
【００３７】
本発明の樹脂組成物中における硬化触媒（Ｅ）の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜５０重量部、より好ましくは０．１〜２０重量部であり、より好ましくは１〜１０重量部である。硬化触媒（Ｅ）の含有量を上記範囲とすることにより、樹脂組成物を硬化する際に硬化に要する熱エネルギーを効果的に低減することができ、これにより、製造コストを低減することができる。
【００３８】
（その他の配合剤）
本発明の樹脂組成物には、さらに、溶剤が含有されていてもよい。溶剤としては、特に限定されず、樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、３−オクタノン、４−オクタノンなどの直鎖のケトン類；ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類；γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロラクトンなどの飽和γ−ラクトン類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤は、単独でも２種以上を組み合わせて用いてもよい。溶剤の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは１０〜１００００重量部、より好ましくは５０〜５０００重量部、さらに好ましくは１００〜１０００重量部の範囲である。なお、樹脂組成物に溶剤を含有させる場合には、溶剤は、通常、ゲート絶縁膜形成後に除去されることとなる。
【００３９】
また、本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が阻害されない範囲であれば、所望により、酸化防止剤、界面活性剤、カップリング剤又はその誘導体、増感剤、光安定剤、消泡剤、顔料、染料、フィラー等のその他の配合剤；等を含有していてもよい。これらのうち、例えば、カップリング剤又はその誘導体、増感剤、光安定剤は、特開２０１１−７５６０９号公報に記載されたものなどを用いることができる。
【００４０】
酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、通常の重合体に使用されている、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤、ラクトン系酸化防止剤等が使用できる。酸化防止剤を含有させることにより、得られるゲート絶縁膜の耐光性、耐熱性を向上させることができる。
【００４１】
フェノール系酸化防止剤としては、従来公知のものが使用でき、例えば、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４−メチルフェニルアクリレート、２，４−ジ−ｔ−アミル−６−［１−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）エチル］フェニルアクリレートなどの特開昭６３−１７９９５３号公報や特開平１−１６８６４３号公報に記載されているアクリレート系化合物；２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、２，２’−メチレン− ビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス（６−ｔ −ブチル−ｍ−クレゾール）、４，４’−チオビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、ビス（３−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メタン、３，９−ビス〔２−［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル〕−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカン、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ペンタエリズリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］、トリエチレングリコール  ビス［３−（３−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオネート］、トコフェロールなどのアルキル置換フェノール系化合物；６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビス−オクチルチオ−１，３，５−トリアジン、６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルアニリノ）−２，４−ビス−オクチルチオ−１，３，５−トリアジン、６−（４−ヒドロキシ−３−メチル−５−ｔ−ブチルアニリノ）−２，４−ビス−オクチルチオ−１，３，５−トリアジン、２−オクチルチオ−４，６−ビス−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−オキシアニリノ）−１，３，５−トリアジンなどのトリアジン基含有フェノール系化合物；などを用いることができる。
【００４２】
リン系酸化防止剤としては、一般の樹脂工業で通常使用されているものであれば格別な制限はなく、例えば、トリフェニルホスファイト、ジフェニルイソデシルホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（２−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ホスファイト、トリス（シクロヘキシルフェニル）ホスファイト、２，２’−メチレンビス（４，６−ジ−ｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、１０ −（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイド、１０−デシロキシ−９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレンなどのモノホスファイト系化合物；４，４’−ブチリデン− ビス（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェニル−ジ−トリデシルホスファイト）、４，４’−イソプロピリデン−ビス［フェニル−ジ−アルキル（Ｃ１２ 〜Ｃ１５）ホスファイト］、４，４’−イソプロピリデン−ビス［ジフェニルモノアルキル（Ｃ１２ 〜Ｃ１５）ホスファイト］、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ジ−トリデシルホスファイト−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、テトラキス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）−４，４’−ビフェニレンジホスファイト、サイクリックネオペンタンテトライルビス（オクタデシルホスファイト）、サイクリックネオペンタンテトライルビス（イソデシルホスファイト）、サイクリックネオペンタンテトライルビス（ノニルフェニルホスファイト）、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，４−ジメチルフェニルホスファイト）、サイクリックネオペンタンテトライルビス（２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニルホスファイト）などのジホスファイト系化合物などを用いることができる。これらの中でも、モノホスファイト系化合物が好ましく、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ジノニルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトなどが特に好ましい。
【００４３】
イオウ系酸化防止剤としては、例えば、ジラウリル  ３，３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル  ３，３’−チオジプロピオネート、ジステアリル  ３，３’−チオジプロピオネート、ラウリルステアリル  ３，３’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−（β−ラウリル−チオ−プロピオネート）、３，９−ビス（２−ドデシルチオエチル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５，５］ウンデカンなどを用いることができる。
【００４４】
これらの中でもフェノール系酸化防止剤が好ましく、なかでも、ペンタエリズリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオナート］がより好ましい。
これらの酸化防止剤は、それぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
本発明の樹脂組成物中における酸化防止剤の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは０．１〜１０重量部であり、より好ましくは１〜５重量部である。酸化防止剤の含有量が上記範囲にあると、得られるゲート絶縁膜の耐光性及び耐熱性を良好なものとすることができる。
【００４６】
界面活性剤は、ストリエーション（塗布筋あと）の防止等の目的で使用される。界面活性剤としては、例えば、シリコーン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、ポリオキシアルキレン系界面活性剤、メタクリル酸共重合体系界面活性剤、アクリル酸共重合体系界面活性剤などを挙げることができる。
【００４７】
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、商品名「ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ２９ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ８０ＰＡ、ＳＴ８３ＰＡ、ＳＴ８６ＰＡ、ＳＦ８４１６、ＳＨ２０３、ＳＨ２３０、ＳＦ８４１９、ＳＦ８４２２、ＦＳ１２６５、ＳＨ５１０、ＳＨ５５０、ＳＨ７１０、ＳＨ８４００、ＳＦ８４１０、ＳＨ８７００、ＳＦ８４２７」（以上、東レ・ダウコーニング社製）、商品名「ＫＰ−３２１、ＫＰ−３２３、ＫＰ−３２４、ＫＰ−３４０、ＫＰ−３４１」（以上、信越化学社製）、商品名「ＴＳＦ４００、ＴＳＦ４０１、ＴＳＦ４１０、ＴＳＦ４４４０、ＴＳＦ４４４５、ＴＳＦ４４５０、ＴＳＦ４４４６、ＴＳＦ４４５２、ＴＳＦ４４６０」（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、商品名「ＢＹＫ３００、ＢＹＫ３０１、ＢＹＫ３０２、ＢＹＫ３０６、ＢＹＫ３０７、ＢＹＫ３１０、ＢＹＫ３１５、ＢＹＫ３２０、ＢＹＫ３２２、ＢＹＫ３２３、ＢＹＫ３３１、ＢＹＫ３３３、ＢＹＫ３７０、ＢＹＫ３７５、ＢＹＫ３７７、ＢＹＫ３７８」（以上、ビックケミー・ジャパン社製）などを挙げることができる。
【００４８】
フッ素系界面活性剤としては、例えば、フロリナート「ＦＣ−４３０、ＦＣ−４３１」（以上、住友スリーエム社製）、サーフロン「Ｓ−１４１、Ｓ−１４５、Ｓ−３８１、Ｓ−３９３」（以上、旭硝子社製）、エフトップ「ＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５１、ＥＦ３５２」（以上、ジェムコ社製）、メガファック「Ｆ１７１、Ｆ１７２、Ｆ１７３、Ｒ−３０」（以上、ＤＩＣ社製）などを挙げることができる。
ポリオキシアルキレン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレートポリオキシエチレンジアルキルエステル類などを挙げることができる。
これらの界面活性剤は、それぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４９】
本発明の樹脂組成物中における界面活性剤の含有量は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは０．０１〜０．５重量部であり、より好ましくは０．０２〜０．２重量部である。界面活性剤の含有量が上記範囲にあると、ストリエーション（塗布筋あと）の防止効果をより高めることができる。
【００５０】
本発明の樹脂組成物の調製方法は、特に限定されず、樹脂組成物を構成する各成分を公知の方法により混合すればよい。
混合の方法は特に限定されないが、樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散して得られる溶液又は分散液を混合するのが好ましい。これにより、樹脂組成物は、溶液又は分散液の形態で得られる。
【００５１】
樹脂組成物を構成する各成分を溶剤に溶解又は分散する方法は、常法に従えばよい。具体的には、攪拌子とマグネティックスターラーを使用した攪拌、高速ホモジナイザー、ディスパー、遊星攪拌機、二軸攪拌機、ボールミル、三本ロール等を使用して行なうことができる。また、各成分を溶剤に溶解又は分散した後に、例えば、孔径が０．５μｍ程度のフィルター等を用いて濾過してもよい。
【００５２】
（ゲート絶縁膜）
次いで、本発明のゲート絶縁膜について、説明する。本発明のゲート絶縁膜は、上述した本発明の樹脂組成物からなり、通常、薄膜トランジスタに用いられる。
【００５３】
以下においては、本発明のゲート絶縁膜を、ボトムゲート型の薄膜トランジスタに適用した場合を例示して説明する。ここで、図１は、本発明のゲート絶縁膜が適用される薄膜トランジスタの一例としてのボトムゲート型の薄膜トランジスタ１の断面図を示す。
【００５４】
図１に示すように、本発明のゲート絶縁膜が適用される薄膜トランジスタの一例としてのボトムゲート型の薄膜トランジスタ１は、基板２上に、ゲート電極３、上述した本発明の樹脂組成物からなるゲート絶縁膜４、半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７、保護層８を有する。なお、図１においては、単一の薄膜トランジスタ１を示したが、基板２上に複数の薄膜トランジスタ１が形成されているような構成（例えば、アクティブマトリックス基板など）であってもよい。
【００５５】
基板２としては、特に限定されず、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、脂環式オレフィンポリマーなどの柔軟性のあるプラスチックからなるフレキシブル基板、石英、ソーダガラス、無機アルカリガラスなどのガラス基板、シリコンウェハなどのシリコン基板などを挙げることができる。
【００５６】
ゲート電極３は、導電性材料で形成されている。導電性材料としては、例えば、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト及びカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が挙げられる。またドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン（ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体など）が挙げられる。これらのなかでも、クロム及びモリブデンが好ましく、クロムがより好ましい。
【００５７】
ゲート絶縁膜４は、上述した本発明の樹脂組成物から構成されるものであり、所定パターンでゲート電極３を形成した基板２上に、上述した本発明の樹脂組成物を塗布し、必要に応じて溶剤を除去した後に、硬化することにより形成される。
【００５８】
半導体層５は、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎのうち少なくとも１種の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなるスパッタ膜である。アモルファス酸化物半導体としては、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎのうち少なくとも１種の元素を含むものであればよいが、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）、アルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）などが挙げられる。
【００５９】
ソース電極６及びドレイン電極７は、導電性材料で形成されている。導電性材料としては、上述のゲート電極３と同様のものを用いることができる。
保護層８は、基板２、ゲート電極３、ゲート絶縁膜４、半導体層５、ソース電極６及びドレイン電極７を含む各構成要素の露出表面を被覆して保護する層である。保護層８を構成する材料としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮｘ、ＳｉＮｘ、およびＡｌ２Ｏ３などが挙げられる。なお、この保護層８は単層でもよいし、多層としてもよい。なお、本実施形態に係る薄膜トランジスタ１は、保護層８を備えて構成したが、備えていなくてもよい。
【００６０】
次いで、図１に示す薄膜トランジスタ１の製造方法について説明する。図２は、薄膜トランジスタ１の製造工程を示す図である。
【００６１】
まず、基板２上に、ゲート電極３を形成するための導電性材料からなる層を、スパッタリング法などにより基板２上に形成する。次いで、フォトリソグラフィ法によりレジストパターン（不図示）を形成し、レジストパターンをマスクにして、導電性材料からなる層について、ウェットエッチング法によりエッチングを行い、次いで、レジストパターンを剥離することで、図２（Ａ）に示すように、基板２上に、ゲート電極３を形成する。
【００６２】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、ゲート電極３を形成した基板２に、本発明の樹脂組成物を塗布し、必要に応じて溶剤を除去した後に、硬化することにより、ゲート絶縁膜４を形成する。本発明の樹脂組成物を塗布する方法としては、例えば、スプレー法、スピンコート法、ロールコート法、ダイコート法、ドクターブレード法、回転塗布法、バー塗布法、スクリーン印刷法等の各種の方法を採用することができる。また、硬化温度（架橋温度）は、通常、１００〜３００℃、好ましくは１００〜２５０℃、より好ましくは１００〜２３０℃、硬化時間は、通常、０．５〜３００分間、好ましくは１〜１５０分間、より好ましくは１〜６０分間である。ゲート絶縁膜４の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１００〜２０００ｎｍ、より好ましくは１００〜１０００ｎｍ、さらに好ましくは１００〜５００ｎｍである。
【００６３】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、ゲート電極３及びゲート絶縁膜４を形成した基板２のゲート絶縁膜４上に半導体層５を形成する。具体的には、まず、ゲート絶縁膜４上にスパッタリング法を用いて、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎのうち少なくとも１種の元素を含むアモルファス酸化物半導体からなる層（以下、「アモルファス酸化物半導体層」とする。）を、ゲート絶縁膜４の表面全体に形成する。アモルファス酸化物半導体層は、例えば、半導体層５をインジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）により形成する場合には、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）をそれぞれ等モルずつ混合して焼結したターゲットを用い、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング法により成膜する。なお、スパッタリングは、チャンバ内に、流量１００〜３００ｓｃｃｍのアルゴン（Ａｒ）ガスと、流量５〜２０ｓｃｃｍの酸素（Ｏ２）ガスを導入して行うことができる。また、このときの基板温度を１５０〜４００℃とする。なお、アモルファス酸化物半導体層を形成した後、２００〜５００℃の大気雰囲気中で、１〜２時間程度のアニールを行なってもよい。次いで、形成したアモルファス酸化物半導体層の表面に所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとしてアモルファス酸化物半導体層をドライエッチング法によりエッチングし、その後、レジストパターンを剥離することで、図２（Ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜４上に半導体層５を形成する。
【００６４】
次いで、図２（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜４及び半導体層５上に、ソース電極６及びドレイン電極７を形成する。具体的には、まず、スパッタリング法を用いて、基板２、ゲート絶縁膜４及び半導体層５の上面の全面に渡り、ソース電極６及びドレイン電極７を形成する異なる導電性材料からなる層を形成する。次いで、形成した導電性材料からなる層の上に、フォトリソグラフィ法を用いて、ソース電極６及びドレイン電極７の形状に対応するレジストパターンを形成する。そして、形成したレジストパターンをマスクにして、ドライエッチング法により、導電性材料からなる層をエッチングし、その後、レジストパターンを剥離することで、図２（Ｄ）に示すように、ソース電極６及びドレイン電極７を形成する。
【００６５】
次いで、ゲート絶縁膜４、半導体層５、ソース電極６、及びドレイン電極７の上面（露出面）の全体を覆うように保護層（パッシベーション膜）８を形成して、図１に示すようなボトムゲート型（チャネルエッチ型）の薄膜トランジスタ１を製造する。保護層８は、前述の材料等を用いて、たとえば、プラズマＣＶＤ法などにより形成することができる。以上のようにして、図１に示すボトムゲート型の薄膜トランジスタ１は製造される。
【００６６】
本発明においては、このようなボトムゲート型の薄膜トランジスタ１などの電子部品などに用いられるゲート絶縁膜を、上述した本発明の樹脂組成物で形成するものであり、該樹脂組成物は、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）、エポキシ化合物（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及びトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）を含有し、誘電率が高く、耐薬品性及び耐スパッタリング性に優れた樹脂膜を与えるものである。そのため、本発明によれば、図１に示す薄膜トランジスタ１のゲート絶縁膜４を、本発明の樹脂組成物で形成することにより、ゲート絶縁膜４上に、半導体層５を形成する際に、スパッタリングを行った場合や、半導体層５やソース電極６、ドレイン電極７を形成する際に、現像液やエッチング液に晒された場合でも、その優れた耐スパッタリング性や耐薬品性により、劣化による膜厚変動を有効に防止することができる。特に、本発明の樹脂組成物を用いて得られるゲート絶縁膜４は、このように、劣化による膜厚変動を有効に防止しながら、高誘電率を達成することができるため、これにより、得られる薄膜トランジスタ１などの電子部品の高性能化が可能となる。
【００６７】
なお、上記においては、図１に示すボトムゲート型の薄膜トランジスタ１を例示して説明を行ったが、本発明のゲート絶縁膜は、このようなボトムゲート型の薄膜トランジスタ１に限定されず、図２に示すようなトップゲート型の薄膜トランジスタ１ａをはじめ、各種電子部品のゲート絶縁膜として好適に用いることができる。なお、図２に示すトップゲート型の薄膜トランジスタ１ａは、基板２上に、ソース電極６、ドレイン電極７、半導体層５、上述した本発明の樹脂組成物からなるゲート絶縁膜４、及びゲート電極３を有する。
【実施例】
【００６８】
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の部及び％は、特に断りのない限り、重量基準である。
なお、各特性の定義及び評価方法は、以下のとおりである。
【００６９】
＜誘電率＞
各実施例及び各比較例において作製した樹脂膜試料を用いて、ＪＩＳ Ｃ６４８１に準じて、１０ｋＨｚ（室温）で、樹脂膜の誘電率を測定した。
【００７０】
＜耐薬品性＞
各実施例及び各比較例において作製した樹脂膜試料を、アセトン中に、２５℃で１５分間浸漬し、浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率を測定することで、耐薬品性の評価を行った。なお、浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率は、「浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率（％）＝（｜浸漬後の樹脂膜の厚み−浸漬前の樹脂膜の厚み｜／浸漬前の樹脂膜の厚み）×１００」に従って算出した。また、耐薬品性は、以下の基準で評価した。
Ａ：浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率が３％未満
Ｂ：浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率が３％以上、１０％未満
Ｃ：浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率が１０％以上、２０％未満
Ｄ：浸漬前後の樹脂膜の厚みの変化率が２０％以上
【００７１】
＜耐スパッタリング性＞
ここで、前述の通り、ボトムゲート型の薄膜トランジスタでは、その製造プロセスにおいて、スパッタリングによって半導体層をゲート絶縁膜上に形成することがあるが、この場合には、スパッタリングによる半導体層の形成処理が、ゲート絶縁膜に対するドライエッチング処理に相当すると見做すことができる。このため、樹脂膜試料に対してドライエッチング処理を施し、この際、処理後の樹脂膜試料の厚みがどの程度減少するかを指標とすることにより耐スパッタリング性を評価できる。そこで、耐スパッタリング性は下記の基準により評価した。
すなわち、各実施例及び各比較例において作製した樹脂膜試料に対して、（研究開発用スパッタリング装置「ＣＦＳ−４ＥＰ−ＬＬ（ｉ−ｍｉｌｌｅｒ）」、芝浦メカトロニクス社製）を用いて、室温下でアルゴン流量２０ｓｃｃｍ、ＲＦ出力１００Ｗのプラズマにて１８０秒間ドライエッチング処理した。ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率を、「ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率（％）＝（｜ドライエッチング処理後の樹脂膜の厚み−ドライエッチング処理前の樹脂膜の厚み｜／ドライエッチング処理前の樹脂膜の厚み）×１００」に従って算出した。
Ａ：ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率が５％未満
Ｂ：ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率が５％以上、１０％未満
Ｃ：ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率が１０％以上、１５％未満
Ｄ：ドライエッチング処理前後の樹脂膜の厚みの変化率が１５％以上
【００７２】
《実施例１》
水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）として、シアノエチル化プルラン（商品名「シアノレジンＣＲ−Ｓ」、信越化学工業社製、水酸基：シアノエチル基＝１０：９０（モル比））１００部、エポキシ化合物（Ｂ）として、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物（商品名「エピクロンＨＰ４７００」、ＤＩＣ社製）３０部、硬化剤（Ｃ）として、フェノール−アラルキル型樹脂（商品名「ＫＡＹＡＨＡＲＤ ＧＰＨ−６５」、日本化薬社製）１０部、トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）として、メラミン系架橋剤（商品名「サイメル３５０」、サイテックインダストリーズ社製）５部、硬化触媒（Ｅ）として、イミダゾール系硬化触媒（商品名「２ＰＺ」、四国化成工業社製）２部、及び溶剤として、γ‐ブチロラクトン９３０部を混合し、溶解させた後、孔径０．２μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターでろ過して樹脂組成物を調製した。
【００７３】
次いで、上記にて得られた樹脂組成物を用いて、樹脂組成物をシリコンウェハ上にスピンコートした後、ホットプレートを用いて１１０℃で２分間プリベークして、樹脂膜を形成した。次いで、窒素中において１８０℃で１時間加熱することにより、５００ｎｍ厚の樹脂膜が形成されたシリコンウェハからなる樹脂膜試料を得た。
【００７４】
そして、上記にて得られた樹脂組成物及び樹脂膜試料を用いて、誘電率、耐薬品性及び耐スパッタリング性の各試験・評価を行った。結果を表１に示す。
【００７５】
《実施例２〜９》
樹脂組成物を調製する際に、表１に示す各化合物を、表１に示す配合量にて用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物及び樹脂膜試料を調製し、同様に試験・評価を行った。結果を表１に示す。
【００７６】
《実施例１０》
樹脂組成物を調製する際に、表１に示す各化合物を、表１に示す配合量にて用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物を調製し、プリベーク後に窒素中において加熱する際の加熱温度を、１８０℃から２３０℃に変更した以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物及び樹脂膜試料を調製し、同様に試験・評価を行った。結果を表１に示す。
【００７７】
《比較例１〜３》
樹脂組成物を調製する際に、表１に示す各化合物を、表１に示す配合量にて用いた以外は、実施例１と同様にして、樹脂組成物及び樹脂膜試料を調製し、同様に試験・評価を行った。結果を表１に示す。
【００７８】
《比較例４》
樹脂組成物を調製する際に、表１に示す各化合物を、表１に示す配合量にて用いた以外は、実施例１と同様にして樹脂組成物及び樹脂膜試料を調製し、同様に試験・評価を行った。結果を表１に示す。
【００７９】
なお、表１中、各化合物は以下の通りである。
・「シアノエチル化ポリビニルアルコール」は、シアノエチル化ポリビニルアルコール（商品名「シアノレジンＣＲ−Ｖ」、信越化学工業社製、水酸基：シアノエチル基＝１５：８５（モル比）、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ））
・「ポリビニルフェノール」は、ポリビニルフェノール（商品名「マルカリンカーＭ」、丸善石油化学社製、水酸基を含有するが、シアノアルキル基を含有しない樹脂）
・「エポキシ化合物（エピクロンＨＰ５０００）」は、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物（商品名「エピクロンＨＰ５０００」、ＤＩＣ社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「エポキシ化合物（エピクロンＨＰ４０３２）」は、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物（商品名「エピクロンＨＰ４０３２」、ＤＩＣ社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「エポキシ化合物（ＮＣ−３０００）」は、ビフェニルジメチレン型のエポキシ化合物（商品名「ＮＣ−３０００」、日本化薬社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「エポキシ化合物（ＮＣ−６０００）」は、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）］エチル］フェニル］プロパン（商品名「ＮＣ−６０００」、日本化薬社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「エポキシ化合物（ｊＥＲ１０３１Ｓ）」は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名「ｊＥＲ１０３１Ｓ」、三菱化学社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「エポキシ化合物（ｊＥＲ１０１０）」は、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物（商品名「ｊＥＲ１０１０」、三菱化学社製、エポキシ化合物（Ｂ））
・「硬化剤（ＰＡＰＳ−ＰＮ４）」は、ノボラック型フェノール樹脂（商品名「ＰＡＰＳ−ＰＮ４」、旭有機材工業社製、硬化剤（Ｃ））
・「硬化剤（ＴＤ−２１３１）」は、ノボラック型フェノール樹脂（商品名「ＴＤ−２１３１」、ＤＩＣ社製、硬化剤（Ｃ））
・「トリアジン構造含有架橋剤（サイメル３７０）」は、メラミン系架橋剤（商品名「サイメル３７０」、サイテックインダストリーズ社製、トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ））
・「トリアジン構造含有架橋剤（サイリンク２０００）」は、メラミン系架橋剤（商品名「サイリンク２０００」、サイテックインダストリーズ社製、トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ））
・「ＰＦ６−系スルホニウム塩系硬化触媒（ＳＩ−１１０Ｌ）」は、ＰＦ６−系スルホニウム塩（商品名「サンエイドＳＩ−１１０Ｌ」、三新化学工業社製、硬化触媒（Ｅ））である。
【００８０】
【表１】
2014165415.tif 000002
【００８１】
表１に示すように、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）、エポキシ化合物（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及びトリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）を含有する本発明の樹脂組成物からなる樹脂膜は、いずれも誘電率が高く、耐薬品性及び耐スパッタリング性に優れており、各種電子部品のゲート絶縁膜用途、特に、ボトムゲート型の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜用途に好適なものであった（実施例１〜１０）。
【００８２】
一方、水酸基−シアノアルキル基含有樹脂（Ａ）の代わりに、ポリビニルフェノール（水酸基を含有する一方で、シアノアルキル基を含有しない樹脂）を用いた場合には、得られる樹脂膜の誘電率が低くなる結果となった（比較例１）。
また、トリアジン構造含有架橋剤（Ｄ）を配合しない場合や、エポキシ化合物（Ｂ）を配合しない場合には、得られる樹脂膜は、耐薬品性及び耐スパッタリング性に劣るものであった（比較例２，３）。
さらに、硬化剤（Ｃ）を配合しない場合には、硬化が不十分であり、各評価を行える程度に十分な強度を有する樹脂膜を得ることができなかった（比較例４）。
【符号の説明】
【００８３】
１，１ａ…薄膜トランジスタ
２…基板
３…ゲート電極
４…ゲート絶縁膜
５…半導体層
６…ソース電極
７…ドレイン電極
８…保護層
【図１】
2014165415.tif 000003
【図２】
2014165415.tif 000004
【図３】
2014165415.tif 000005