(57)【要約】【課題】影響領域の異なる２つの現象を考慮した照射量補正において、演算時間を短縮して出力するパターンデータの数を削減することが可能な、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供すること。【解決手段】パターンデータに基づいて近接効果を補正するための近接効果補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を演算し、前記パターンデータに付加された前記近接効果補正量と、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量を演算し、前記近接効果補正量と、前記かぶり効果補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する。【選択図】図３
2014165239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の異なる２つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画方法であって、
パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を演算する第１補正量演算工程と、
前記パターンデータに付加された前記第１補正量と、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い第２の効果を補正するための第２補正量を演算する第２補正量演算工程と、
前記第１補正量と、前記第２補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算工程とを含む、荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１補正量は、近接効果を補正するための近接効果補正量であり、
前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量は、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の近接効果補正量であり、
前記第２補正量は、かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量である、荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１補正量は、影響領域の狭い後方散乱の影響を補正するための補正量であり、
前記第２補正量は、影響領域の広い後方散乱の影響を補正するための補正量である、荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記第２補正量演算工程では、
前記近接効果補正量を含めたかぶり効果による蓄積エネルギー比率をＥｂｐｆｓとし、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量をＳｍｏｄｐｅｃ０とすると、次式に基づいて、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを演算する、荷電粒子ビーム描画方法。
【数１】
2014165239.tif 000016
但し、ηｂは、後方散乱係数であり、ηｆは、かぶり効果係数であり、Ｃ２は、解像閾値と照射量の関係を表す係数であり、Ｏｒｇｂは、後方散乱による蓄積エネルギー比率の基準であり、Ｏｒｇｆは、かぶり効果による蓄積エネルギー比率の基準である。
【請求項５】
荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の異なる２つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画装置であって、
パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を演算する第１補正量演算部と、
前記パターンデータに付加された前記第１補正量と、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い第２の効果を補正するための第２補正量を演算する第２補正量演算部と、
前記第１補正量と、前記第２補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部とを含む、荷電粒子ビーム描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の異なる２つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えばフォトマスクの製造工程において、フォトマスクブランクス上に形成されたレジスト膜に対して所定のパターンを電子ビームによって描画する電子ビーム照射法が用いられている。このような電子ビーム照射法では、近接効果やかぶり（Ｆｏｇｇｙ）効果の影響を補正するために電子ビームの照射量を調整している。
【０００３】
近接効果は、基板上に形成されたレジスト膜に入射した電子がレジスト膜中で前方散乱するとともに、レジスト膜を通過した後に基板に入射した電子が基板表面で後方散乱し、その結果、電子ビームの照射領域の周辺部まで前方散乱又は後方散乱した電子により照射されてしまうことにより、描画パターンの寸法精度が劣化してしまうという現象である。電子ビーム照射法において描画パターンの寸法精度を向上させるためには、電子ビームを照射する前に近接効果の影響を考慮して電子ビームの照射量を調整するという近接効果補正を行う必要がある。なお、加速電圧５０ｋＶの電子ビームを用いた場合、基板又はレジスト膜の材質等にもよるが、前方散乱半径は約０．０４μｍになり、後方散乱半径は約１０μｍになる。すなわち、近接効果の影響領域は、約１０μｍになる。なお、ここで言う前方散乱半径には、電子ビームがもつぼけとレジスト材質がもつぼけが含まれている。
【０００４】
かぶり効果は、基板上に形成されたレジスト膜や基板からの散乱電子が、基板上部に設けられている描画装置の鏡筒等に反射され、再びレジスト膜に到達し、その結果、電子ビームの照射領域の周辺部まで散乱した電子により照射されてしまうことにより、描画パターンの寸法精度が劣化してしまうという現象である。電子ビーム照射法において描画パターンの寸法精度を向上させるためには、電子ビームを照射する前にかぶり効果の影響を考慮して電子ビームの照射量を調整するというかぶり効果補正を行う必要がある。なお、かぶり効果の影響領域は、描画装置の構造にもよるが、約３０ｍｍになる。
【０００５】
近年、これら影響領域の異なる２つの現象を考慮した照射量補正の手法が開発されている。例えば、特許文献１では、近接効果とかぶり効果の両者を考慮した照射量補正を、以下の手法で行っている。まず、補正対象となる描画パターン領域をかぶり効果補正用の荒いメッシュと近接効果補正用の細かいメッシュで分割し、各メッシュに対して描画パターンの占める割合を求め、各メッシュに対する補正を全く行わない状態で照射した場合のかぶり効果及び近接効果による蓄積エネルギー比率を計算し、求められた蓄積エネルギー比率に基づいて、かぶり効果及び近接効果の影響が無視できるパターンに対して寸法が一致するような近接効果補正用のメッシュにおける照射量を求める初回計算を行う。次に、前回の計算によって求められた照射量に基づきかぶり効果及び近接効果による蓄積エネルギー比率を計算し、求められた蓄積エネルギー比率に基づいて、かぶり効果及び近接効果の影響が無視できるパターンに対して寸法が一致するような近接効果補正用のメッシュにおける照射量を求める再計算を行い、この再計算を、所望の寸法精度に達するまで繰り返すことにより、かぶり効果及び近接効果による描画パターンの寸法誤差を補正する補正量を求めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３１０３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の従来の手法では、影響範囲の異なるかぶり効果と近接効果の両方を補正するための補正量をパターンデータに付加してパターンデータディスクに格納するため、以下のような弊害があった。
【０００８】
すなわち、かぶり効果の影響領域は約３０ｍｍと広いため、隣接するパターンデータによる影響を受ける。例えば、図５（Ａ）に示すように、描画材料Ｍ上に同一のパターンデータ２００を２箇所に描画しようとした場合、図５（Ｂ）に示すように、パターンデータ２００に異なる補正量を付加した２つのパターンデータ２００ａ、２００ｂをパターンディスクに出力する必要がある。
【０００９】
また、図５（Ｃ）に示すように、パターン配置を変えた場合においては、隣接するパターンデータによる影響が変化するため、図５（Ｄ）に示すように、新たに異なる補正量を付加した２つのパターンデータ２００ｃ、２００ｄをパターンディスクに出力する必要がある。
【００１０】
すなわち、上記の従来の手法では、同一のパターンデータであっても、隣接するパターンデータとの位置関係に応じて、それぞれに補正量を割り当てる演算を行って異なる補正量を付加したパターンデータを出力する必要があるため、演算時間が長くなり、出力するパターンデータの数が増えてデータ量が増加するといった問題点があった。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、影響領域の異なる２つの現象を考慮した照射量補正において、演算時間を短縮して出力するパターンデータの数を削減することが可能な、荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）本発明は、荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の異なる２つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画方法であって、
パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を演算する第１補正量演算工程と、
前記パターンデータに付加された前記第１補正量と、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い第２の効果を補正するための第２補正量を演算する第２補正量演算工程と、
前記第１補正量と、前記第２補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算工程とを含む。
【００１３】
また本発明は、荷電粒子ビームを照射して試料上にパターンを描画する際に、影響領域の異なる２つの現象を考慮して荷電粒子ビームの照射量を補正する荷電粒子ビーム描画装置であって、
パターンデータに基づいて、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量を演算してパターンデータに付加するとともに、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を演算する第１補正量演算部と、
前記パターンデータに付加された前記第１補正量と、前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置データとに基づいて、影響領域の広い
第２の効果を補正するための第２補正量を演算する第２補正量演算部と、
前記第１補正量と、前記第２補正量とに基づいて、荷電粒子ビームの照射量を演算する照射量演算部とを含む。
【００１４】
本発明によれば、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量を演算してパターンデータに付加しておき、描画動作の開始時に、影響領域の広い第２の効果を補正するための第２補正量を演算して、第１補正量と第２補正量に基づき照射量を補正することにより、同一パターンであれば、第１補正量のみを割り当てたパターンデータを演算して出力すれば済むようになるため、演算時間を短縮して出力するパターンデータの数を削減することが可能となる。
【００１５】
（２）また、本発明に係る荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置では、前記第１補正量は、近接効果を補正するための近接効果補正量であり、
前記第１の効果による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量は、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の近接効果補正量であり、
前記第２補正量は、かぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量であってもよい。
【００１６】
本発明によれば、影響領域の狭い近接効果を補正するための近接効果補正量を演算してパターンデータに付加しておき、描画動作の開始時に、影響領域の広いかぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量を演算して、近接効果補正量とかぶり効果補正量に基づき照射量を補正することにより、同一パターンであれば、近接補正量のみを割り当てたパターンデータを演算して出力すれば済むようになるため、演算時間を短縮して出力するパターンデータの数を削減することが可能となる。
【００１７】
（３）また、本発明に係る荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置では、
前記第１補正量は、影響領域の狭い後方散乱の影響を補正するための補正量であり、
前記第２補正量は、影響領域の広い後方散乱の影響を補正するための補正量であってもよい。
【００１８】
（４）また、本発明に係る荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置では、
前記第２補正量演算工程では（前記第２補正量演算部は）、
前記近接効果補正量を含めたかぶり効果による蓄積エネルギー比率をＥｂｐｆｓとし、前記後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量をＳｍｏｄｐｅｃ０とすると、次式に基づいて、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを演算してもよい。
【００１９】
【数１】
2014165239.tif 000003
【００２０】
但し、ηｂは、後方散乱係数であり、ηｆは、かぶり効果係数であり、Ｃ２は、解像閾値と照射量の関係を表す係数であり、Ｏｒｇｂは、後方散乱による蓄積エネルギー比率の基準であり、Ｏｒｇｆは、かぶり効果による蓄積エネルギー比率の基準である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１（Ａ）は、可変面積型電子ビーム描画における、近接効果によりレジストに蓄積するエネルギーの分布の一例を示す図であり、図１（Ｂ）は、近接効果及びかぶり効果によりレジストに蓄積するエネルギーの分布の一例を示す図である。
【図２】描画パターン領域を分割したセル（区画）について説明するための図である。
【図３】本実施形態に係る電子ビーム描画装置（荷電粒子ビーム描画装置）の構成の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係る電子ビーム描画装置（荷電粒子ビーム描画装置）の処理の一例を示すフローチャート図である。
【図５】従来技術について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２３】
１．手法
まず、本実施形態の手法について図面を用いて説明する。
【００２４】
本実施形態の荷電粒子ビーム描画方法では、かぶり効果と近接効果のように影響領域が異なる現象の両者を考慮した照射量補正において、影響領域のことなる前記２つの効果ごとに分けて補正量を演算することを可能にする。
【００２５】
図１（Ａ）は、可変面積型電子ビーム描画における、近接効果（前方散乱と後方散乱）によりレジストに蓄積するエネルギーの分布の一例を示す図である。図１（Ａ）において、縦軸はレジストに蓄積するエネルギーを示し、横軸は距離を示す。
【００２６】
図１（Ａ）では、前方散乱と後方散乱による蓄積エネルギーの和１００と、後方散乱による蓄積エネルギー１０１とを示しており、前方散乱と後方散乱による蓄積エネルギーの和１００が現像処理による解像閾値１０２を超えることで、描画パターンが形成される。すなわち、本モデルにおいては、前方散乱と後方散乱による蓄積エネルギーの和１００と、解像閾値１０２との交点の距離がパターン寸法となる。
【００２７】
次式（１）は、可変面積型電子ビーム描画装置の近接効果補正における、最適照射量を求めるための方程式を示している。
【００２８】
【数２】
2014165239.tif 000004
【００２９】
ここで、Ｄｏｓｅは、電子ビームの照射量であり、Ｓｍｏｄｐｅｃは、近接効果を補正するための補正量（近接効果補正量）であり、Ｃ２は、解像閾値と照射量の関係を表す係数であり、ηｂは、後方散乱係数（前方散乱に対する後方散乱のエネルギー比）であり、Ｅｂｐｂは、後方散乱による蓄積エネルギー比率である。
【００３０】
この方程式では、描画パターンの粗密に応じて変化する後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂに対し、図１（Ａ）に示すように、Ｃ２分の前方散乱による蓄積エネルギー（式（１）の第１項）と後方散乱による蓄積エネルギー（式（１）の第２項）の和が一定となるように、近接効果を補正するための補正量Ｓｍｏｄｐｅｃを与えている。
【００３１】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のモデルに対し、かぶり効果による蓄積エネルギーを含めたモデルを示す図である。図１（Ｂ）では、前方散乱と後方散乱とかぶり効果による蓄積エネルギーの和１０３と、後方散乱とかぶり効果による蓄積エネルギーの和１０４と、かぶ
り効果による蓄積エネルギー１０５とを示している。
【００３２】
次式（２）は、式（１）に対し、かぶり効果による蓄積エネルギー（式（２）の第３項）を含めた式である。
【００３３】
【数３】
2014165239.tif 000005
【００３４】
ここで、ηｆは、かぶり効果係数（前方散乱に対するかぶり効果のエネルギー比）であり、Ｅｂｐｆは、かぶり効果による蓄積エネルギー比率である。なお、かぶり効果による蓄積エネルギーにより、定数であるＣ２は変化する。すなわち、式（２）におけるＣ２’は、かぶり効果による蓄積エネルギーに応じて変化する値である。
【００３５】
式（２）において、かぶり効果を補正するためには、かぶり効果による蓄積エネルギーに応じて変化するＣ２’を、かぶり効果による蓄積エネルギーに応じて変化しないＣ２とする必要がある。そこで、Ｃ２’を定数とするために、かぶり効果を補正するための補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを式（２）に乗じると、次式（３）が得られる。
【００３６】
【数４】
2014165239.tif 000006
【００３７】
式（３）より、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃについて解くと、次式（４）が得られる。
【００３８】
【数５】
2014165239.tif 000007
【００３９】
ここで、かぶり効果による蓄積エネルギー比率の基準をＯｒｇｆとし、後方散乱による蓄積エネルギー比率の基準をＯｒｇｂとすると、Ｃｏｎｓｔ．は、式（５）で表され、式（４）は、式（６）となる。
【００４０】
【数６】
2014165239.tif 000008
【００４１】
式（６）より、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを求めるには、後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂとかぶり効果による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｆを求めることが必要であることがわかる。
【００４２】
以下、後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂを用いずに、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを求める方法について説明する。
【００４３】
式（６）には、次式（７）が含まれている。ここで、式（７）は、式（１）と一致し、式（１）で実施されるように、Ａ＝Ｃｏｎｓｔ．となるように、近接効果補正が実施されている。つまり、後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂを用いずとも、Ｅｂｐｂ＝０であっても、Ｅｂｐｂ＝１であっても、Ａ＝Ｃｏｎｓｔ．となるように、近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃによって近接効果補正が実施されている。そこで、Ｅｂｐｂを用いずとも、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを求めるために、Ｅｂｐｂ＝０とすると、式（７）を式（８）とすることができる。
【００４４】
【数７】
2014165239.tif 000009
【００４５】
ここで、式（８）におけるＳｍｏｄｐｅｃ０は、後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂが０となる場合の近接効果補正量である。
【００４６】
式（６）に含まれる式（７）に式（８）を代入すると、次式（９）が得られる。
【００４７】
【数８】
2014165239.tif 000010
【００４８】
式（９）においては、かぶり効果による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｆと、近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃ＋１が乗算されているが、近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃは、かぶり効果による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｆを算出する区画内で変化する補正量であるから、式（９）を次式（１０）とする。
【００４９】
【数９】
2014165239.tif 000011
【００５０】
ここで、Ｅｂｐｆｓは、近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃを含めたかぶり効果による蓄積エネルギー比率である。Ｅｂｐｆｓは、描画するパターンを均一な大きさの格子状に分割したときのセル（区画）ごとに算出される（図２を参照）。各セル（ｍ，ｎ）のＥｂｐｆｓｍ，ｎは、次式（１１）より求められる。
【００５１】
【数１０】
2014165239.tif 000012
【００５２】
ここで、Ｅｉｓｍ，ｎは、次式（１２）に示すように、分割されたセル内に含まれるｋ個の描画パターンに対し、個々の描画パターンがセル内に占める割合ＰａｔｔｅｒｎＡｒｅａ（ｋ）／ＣｅｌｌＡｒｅａに、それぞれの近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃ（ｋ）＋１を乗算した値の総和を表している。また、ＥＩＤｆｉ，ｊは、かぶり効果による蓄積エネルギーの強度分布であり、ｒは、かぶり効果による蓄積エネルギー比率の計算領域である。ＥＩＤｆｉ，ｊは、例えば式（１３）に示すように、かぶり効果半径βｆの範囲をもつＧａｕｓｓｉａｎ等で表される。
【００５３】
【数１１】
2014165239.tif 000013
【００５４】
このように、後方散乱による蓄積エネルギー比率Ｅｂｐｂを用いずに、式（１０）〜（１２）により、近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃと、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の近接効果補正量Ｓｍｏｄｐｅｃ０とを用いて、かぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃを求めることができる。
【００５５】
なお、ここまでの説明では、初回計算時におけるかぶり効果補正量Ｓｍｏｄｆｅｃについて詳細に述べているが、再計算時におけるかぶり効果補正量について同様にして解くと、次式（１４）が得られる。
【００５６】
【数１２】
2014165239.tif 000014
【００５７】
ここで、Ｓｍｏｄｆｅｃｌは、ｌ回目の再計算時におけるかぶり効果補正量である。また、Ｅｂｐｆｓｌは、ｌ回目の再計算時におけるかぶり効果による蓄積エネルギー比率であり、次式（１５）により求められる。
【００５８】
【数１３】
2014165239.tif 000015
【００５９】
ここで、Ｓｍｏｄｆｅｃｌ−１は、ｌ−１回目の再計算で得られたかぶり効果補正量である。
【００６０】
２．構成
図３は、本実施形態に係る可変面積型電子ビーム描画装置（荷電粒子ビーム描画装置の一例）の構成を示す図である。なお本実施形態の電子ビーム描画装置は図３の構成要素（各部）の一部を省略した構成としてもよい。
【００６１】
図３に示すように、電子ビーム描画装置は、電子ビーム描画装置本体１、データ転送回路４０、制御装置４６、パターンデータを記憶するパターンデータディスク５２、近接効果補正量演算装置５４を含む。電子ビーム描画装置本体１は、電子ビームＢを発生する電子銃１０、電子ビームのブランキングを行うブランカー１２、照射レンズ１４、第１成形スリット１６、成形偏向器１８、成形レンズ２０、第２成形スリット２２、縮小レンズ２４、対物レンズ２６、位置決め偏向器２８、描画材料Ｍが載置されるステージ３０を含む。
【００６２】
電子銃１０から発生した電子ビームＢは、照射レンズ１４を介して第１成形スリット１６上に照射される。第１成形スリット１６の開口像は、成形レンズ２０により、第２成形スリット２２上に結像されるが、その結像の位置は、成形偏向器１８により変えることができる。第２成形スリット２２により成形された像は、縮小レンズ２４、対物レンズ２６を経て描画材料Ｍ上に照射される。描画材料Ｍへの照射位置は位置決め偏向器２８により変えることができる。
【００６３】
電子ビーム描画装置は、ブランカー１２を制御するブランカー制御回路３２、成形偏向器１８を駆動する成形偏向器駆動回路３４、位置決め偏向器２８を駆動する位置決め偏向器駆動回路３６、ステージ３０を駆動するステージ駆動回路３８を含む。
【００６４】
近接効果補正量演算装置５４（第１補正量演算部）は、パターンデータディスク５２に格納されたパターンデータに基づき近接効果補正量（第１補正量）を算出し、算出した近接効果補正量をパターンデータに付加する。また、近接効果補正量演算装置５４は、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量も算出する。
【００６５】
制御装置４６は、かぶり効果補正量を演算するかぶり効果補正量演算部５０を含み、また、パターンデータを描画材料Ｍ上のどの部分に描画するかを指定するためのパターン配置情報４８を記憶している。
【００６６】
かぶり効果補正量演算部５０（第２補正量演算部）は、パターンデータディスク５２から読み出した近接効果補正量が付加されたパターンデータと、蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置情報４８とに基づいて、かぶり効果補正量（第２補正量）を算出する。近接効果補正量が付加されたパターンデータと、かぶり効果補正量はデータ転送回路４０に供給される。
【００６７】
データ転送回路４０は、照射量演算部４２と、ビーム図形分割処理部４４を含む。ビーム図形分割処理部４４は、制御装置４６から供給されたパターンデータを、最大ビーム寸法以下のビーム図形に分割し、ビーム図形データを成形偏向器駆動回路３４と位置決め偏向器駆動回路３６に供給する。ビーム図形分割処理部４４からのビーム図形データに基づいて、成形偏向器駆動回路３４は成形偏向器１８を駆動し、位置決め偏向器駆動回路３６は位置決め偏向器２８を駆動する。
【００６８】
照射量演算部４２は、制御装置４６から供給された近接効果補正量とかぶり効果補正量に基づき照射量を算出し、算出した照射量に基づき照射時間データを算出し、照射時間データをブランカー制御回路３２に供給する。ブランカー制御回路３２は、照射量演算部４２からの照射時間データに基づいて、ビーム照射のＯＮ−ＯＦＦを制御するブランキング信号をブランカー１２に供給する。
【００６９】
このように、近接効果補正量が付加されたパターンデータとかぶり効果補正量に基づいて、成形偏向器１８により電子ビームの断面が単位パターン形状に成形され、その単位パターンはブランカー１２により照射時間が制御され、順々に描画材料Ｍ上に照射されて、所望の形状のパターン描画が行われる。
【００７０】
更に、描画材料Ｍ上の異なる領域への描画の際には、制御装置４６からステージ駆動回路３８に制御信号が供給されて、ステージ３０は所定の距離だけ移動させられる。なお、ステージ３０の移動距離は、レーザ測長器（図示省略）により監視されており、このレーザ測長器からの測長結果に基づきステージ３０の位置は正確に制御される。
【００７１】
２．処理
次に、本実施形態の電子ビーム描画装置の処理の一例について図４のフローチャートを用いて説明する。
【００７２】
描画動作に先立って、近接効果補正量演算装置５４は、パターンデータディスク５２に格納されたパターンデータに基づいて、式（７）により、近接効果補正量を算出し（ステップＳ１０）、算出した近接効果補正量をパターンデータに付加してパターンデータディスク５２に出力する（ステップＳ１２）。
【００７３】
次に、近接効果補正量演算装置５４は、式（８）により、後方散乱による蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量を算出してパターンデータディスク５２に出力する（ステップＳ１４）。
【００７４】
描画動作が開始されると、かぶり効果補正量演算部５０は、近接効果補正量が付加されたパターンデータと、蓄積エネルギー比率が０となる場合の補正量と、パターン配置情報とに基づいて、式（１０）、式（１４）により、かぶり効果補正量を算出する（ステップＳ１６）。制御装置４６は、近接効果補正量が付加されたパターンデータとかぶり効果補
正量を、データ転送回路４０に出力する。
【００７５】
次に、制御装置４６から出力された近接効果補正量が付加されたパターンデータとかぶり効果補正量に基づいて描画が行われる（ステップＳ１８）。すなわち、ビーム図形分割処理部４４は、パターンデータをビーム図形に分割して成形偏向器駆動回路３４及び位置決め偏向器駆動回路３６を制御し、照射量演算部４２は、設定した照射量Ｄｏｓｅに、近接効果補正量とかぶり効果補正量を適用して、照射量＝Ｄｏｓｅ×（Ｓｍｏｄｐｅｃ＋１）×（Ｓｍｏｄｆｅｃ＋１）により照射量を算出し、算出した照射量に基づき照射時間データを生成してブランカー制御回路３２を制御する。
【００７６】
このように、本実施形態によれば、影響領域の狭い近接効果を補正するための近接効果補正量を演算してパターンデータに付加しておき、描画動作の開始時に、影響領域の広いかぶり効果を補正するためのかぶり効果補正量を演算して、近接効果補正量とかぶり効果補正量に基づき照射量を補正することにより、同一パターンであれば、近接補正量のみを割り当てたパターンデータを演算して出力すれば済むようになるため、演算時間を短縮して出力するパターンデータの数を削減することが可能となる。
【００７７】
３．変形例
なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【００７８】
例えば、上記実施形態では、影響領域の狭い第１の効果を補正するための第１補正量として近接効果補正量を演算し、影響領域の広い第２の効果を補正するための第２補正量としてかぶり効果補正量を演算する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、前記第１補正量として、影響領域の狭い後方散乱（short-range backscattering）の影響を補正するための補正量を演算し、前記第２補正量として、影響領域の広い後方散乱（long-range backscattering）の影響を補正するための補正量を演算してもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１  電子ビーム描画装置本体、１０  電子銃、１２  ブランカー、１４  照射レンズ、１６  第１成形スリット、１８  成形偏向器、２０  成形レンズ、２２  第２成形スリット、２４  縮小レンズ、２６  対物レンズ、２８  位置決め偏向器、３０  ステージ、３２
ブランカー制御回路、３４  成形偏向器駆動回路、３６  位置決め偏向器駆動回路、３８  ステージ駆動回路、４０  データ転送回路、４２  照射量演算部、４４  ビーム図形分割処理部、４６  制御装置、４８  パターン配置情報、５０  かぶり効果補正量演算部、５２  パターンデータディスク、５４  近接効果補正量演算装置、Ｂ  電子ビーム、Ｍ
描画材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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