(57)【要約】【課題】基板の損傷を防止すること。【解決手段】実施形態に係る基板搬送装置は、複数のノズルと、本体部とを備える。複数のノズルは、基板の表面に向けて気体を噴出することによって基板を非接触で保持する。本体部は、複数のノズルが設けられる。また、ノズルは、少なくとも表面が樹脂で形成される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に向けて気体を噴出することによって前記基板を非接触で保持する複数のノズルと、
前記複数のノズルが設けられる本体部と
を備え、
前記ノズルは、少なくとも表面が樹脂で形成されること
を特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記樹脂は、前記本体部と熱膨張係数が同程度であること
を特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記本体部は、アルミニウムで形成され、
前記樹脂は、ＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）樹脂であること
を特徴とする請求項２に記載の基板搬送装置。
【請求項４】
前記ノズルは、先端面が面取りされること
を特徴とする請求項１、２または３に記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記ノズルは、前記本体部に対して円周状に並べて配置される第１ノズルと、前記第１ノズルよりも内周側において前記本体部に対して円周状に並べて配置される第２ノズルとを含み、前記第１ノズルのみ前記先端面が面取りされること
を特徴とする請求項４に記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記ノズルは、前記本体部に対してネジ止めされること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記ノズルは、前記ネジが挿通させるネジ孔を備え、
前記ネジのネジ頭が配置される前記ネジ孔の先端部が、前記ネジ頭よりも深く形成されること
を特徴とする請求項６に記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記ノズルよりも前記本体部の外周側に設けられ、前記基板の外周部へ向けて気体を噴出する気体噴出部と
を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記気体噴出部は、
前記ノズルから噴出される気体よりも少ない流量で前記気体を噴出すること
を特徴とする請求項８に記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置と、
前記剥離装置によって剥離された前記第１基板を非接触で保持して搬送する基板搬送装置と
を備え、
前記基板搬送装置は、
前記第１基板の表面に向けて気体を噴出することによって前記第１基板を非接触で保持する複数のノズルと、
前記複数のノズルが設けられる本体部と
を備え、
前記ノズルは、少なくとも表面が樹脂で形成されること
を特徴とする剥離システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、基板搬送装置および剥離システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェハや化合物半導体ウェハ等の基板を非接触で保持して搬送する基板搬送装置が知られている。
【０００３】
たとえば、特許文献１に記載の基板搬送装置は、気体を噴出する複数のノズルを備え、各ノズルから噴出する気体によってノズルと基板との間にベルヌーイ効果を生じさせて、基板を非接触状態で保持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７６６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板を非接触で保持して搬送する基板搬送装置は、基板とノズルとが接触しないことを前提としているが、たとえば基板が反っていたりすると基板がノズルに接触する可能性があり、基板が損傷するおそれがあった。
【０００６】
実施形態の一態様は、基板の損傷を防止することができる基板搬送装置および剥離システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係る基板搬送装置は、複数のノズルと、本体部とを備える。複数のノズルは、基板の表面に向けて気体を噴出することによって基板を非接触で保持する。本体部は、複数のノズルが設けられる。また、ノズルは、少なくとも表面が樹脂で形成される。
【発明の効果】
【０００８】
実施形態の一態様によれば、基板の損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図２】図２は、重合基板の模式側面図である。
【図３】図３は、第１の実施形態に係る第３搬送装置の模式側面図である。
【図４】図４は、第１の実施形態に係る第３搬送装置の模式斜視図である。
【図５Ａ】図５Ａは、ノズルの模式平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、ノズルの模式側断面図である。
【図６Ａ】図６Ａは、第１の実施形態の第１の変形例に係る第３搬送装置の模式平面図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、第１ノズルの模式側断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｃは、第２ノズルの模式側断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、第１の実施形態の第２の変形例に係るノズルの模式平面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、第１の実施形態の第２の変形例に係るノズルの模式側断面図である。
【図８】図８は、第１の実施形態の第３の変形例に係るノズルの模式側断面図である。
【図９】図９は、第２の実施形態に係る第３搬送装置の模式斜視図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、第２の実施形態に係る第３搬送装置による保持動作の説明図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、第２の実施形態に係る第３搬送装置による保持動作の説明図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｃは、第２の実施形態に係る第３搬送装置による保持動作の説明図である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１２Ａ】図１２Ａは、剥離システムの他の構成を示す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、被処理基板の反りと気体噴出部から噴出される気体の流量との関係を示す図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｃは、被処理基板の反りと気体噴出部の作動タイミングとの関係を示す図である。
【図１３】図１３は、第３の実施形態に係る第３搬送装置の模式側面図である。
【図１４】図１４は、第３の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１５Ａ】図１５Ａは、第４の実施形態に係る第３搬送装置の模式平面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ｂは、ノズルと送気装置との接続関係を示す模式図である。
【図１６】図１６は、第４の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板搬送装置および剥離システムの実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態では、重合基板の剥離を行う剥離システムに対して本願の開示する基板搬送装置を適用する場合の例について説明するが、本願の開示する基板搬送装置は、剥離システム以外にも適用可能である。
【００１１】
（第１の実施形態）
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図２は、重合基板の模式側面図である。
【００１２】
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１に示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図２参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００１４】
以下では、図２に示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１５】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚みは、約２０〜５０μｍである。
【００１６】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜７５０μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約４０〜１５０μｍである。
【００１７】
剥離システム１は、図１に示すように、搬入出ステーション１０と、第１搬送領域２０と、剥離処理ステーション３０と、第２搬送領域４０と、制御装置５０とを備える。搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０は第１搬送領域２０を介してＹ軸方向に並べて配置される。また、搬入出ステーション１０、第１搬送領域２０および剥離処理ステーション３０のＸ軸負方向側には、第２搬送領域４０が配置される。
【００１８】
剥離システム１では、搬入出ステーション１０へ搬入された重合基板Ｔが第１搬送領域２０を介して剥離処理ステーション３０へ搬送され、剥離処理ステーション３０において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離される。剥離後の被処理基板Ｗは第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、剥離後の支持基板Ｓは第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送される。なお、剥離システム１では、不良となった被処理基板Ｗを第１搬送領域２０を介して搬入出ステーション１０へ搬送することもできる。
【００１９】
搬入出ステーション１０では、複数の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗ、複数の支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓおよび複数の重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔが剥離システム１の外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１０には、カセット載置台１１が設けられており、このカセット載置台１１に、カセットＣｗ，Ｃｓ，Ｃｔのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１２ａ〜１２ｃが設けられる。なお、カセットＣｗには、たとえば、不良品として剥離処理ステーション３０から搬送されてきた被処理基板Ｗが収容される。
【００２０】
第１搬送領域２０では、搬入出ステーション１０および剥離処理ステーション３０間における被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送が行われる。第１搬送領域２０には、被処理基板Ｗ、支持基板Ｓおよび重合基板Ｔの搬送を行う第１搬送装置２１が設置される。
【００２１】
第１搬送装置２１は、水平方向への移動、鉛直方向への移動および鉛直軸を中心とする旋回が可能な搬送アーム２２と、この搬送アーム２２の先端に取り付けられたフォーク２３とを備える搬送ロボットである。かかる第１搬送装置２１は、フォーク２３を用いて基板を保持するとともに、フォーク２３によって保持された基板を搬送アーム２２によって所望の場所まで搬送する。
【００２２】
剥離処理ステーション３０では、重合基板Ｔの剥離、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの洗浄等が行われる。この剥離処理ステーション３０には、剥離装置３１、受渡室３２、第１洗浄装置３３および第２洗浄装置３４が、Ｘ軸正方向に、第１洗浄装置３３、受渡室３２、剥離装置３１、第２洗浄装置３４の順で並べて配置される。
【００２３】
剥離装置３１は、第１搬送装置２１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理を行う。かかる剥離装置３１としては、たとえば、特開２０１３−００４８４５号公報に記載のものや特開２０１２−０６９９１４号公報に記載のものを用いることができる。
【００２４】
受渡室３２には、剥離装置３１によって重合基板Ｔから剥離された被処理基板Ｗを第１洗浄装置３３へ搬送する第２搬送装置１１０が設置される。
【００２５】
第１洗浄装置３３は、第２搬送装置１１０によって搬送された被処理基板Ｗの洗浄を行う。第１洗浄装置３３は、被処理基板Ｗを吸着保持しながら回転するスピンチャック２１０を備える。第１洗浄装置３３は、スピンチャック２１０を用いて被処理基板Ｗを回転させながら、被処理基板Ｗに対して洗浄液を吹き付けることによって被処理基板Ｗを洗浄する。
【００２６】
第１洗浄装置３３によって洗浄された被処理基板Ｗは、第２搬送領域４０を介して後処理ステーションＭへ搬送され、後処理ステーションＭにおいて所定の後処理が施される。所定の後処理とは、たとえば被処理基板Ｗをマウントする処理や、被処理基板Ｗをチップ毎にダイシングする処理などである。
【００２７】
第２洗浄装置３４は、剥離装置３１において重合基板Ｔから剥離された支持基板Ｓの洗浄を行う。第２洗浄装置３４によって洗浄された支持基板Ｓは、第１搬送装置２１によって搬入出ステーション１０へ搬送される。
【００２８】
第２搬送領域４０は、剥離処理ステーション３０と後処理ステーションＭとの間に設けられる。第２搬送領域４０には、Ｘ軸方向に延在する搬送路４１上を移動可能な第３搬送装置１２０が設置され、この第３搬送装置１２０によって剥離処理ステーション３０および後処理ステーションＭ間における被処理基板Ｗの搬送が行われる。
【００２９】
また、第２搬送領域４０には、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４が、Ｘ軸負方向に、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４の順で並べて配置される。これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４は、たとえば第１洗浄装置３３と同様の構成の洗浄装置であり、スピンチャック２１０と同様のスピンチャック２２０，２３０をそれぞれ備える。被処理基板Ｗは、これら第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄されたうえで、後処理ステーションＭへ受け渡される。
【００３０】
さらに、第２搬送領域４０には、剥離システム１と後処理ステーションＭとの間で被処理基板Ｗの受け渡しを行うための受渡部４５が配置される。受渡部４５は、被処理基板Ｗを吸着保持するポーラスチャック２４０を備える。被処理基板Ｗは、第３洗浄装置４３および第４洗浄装置４４によって洗浄された後、第３搬送装置１２０によってポーラスチャック２４０上に載置され、ポーラスチャック２４０によって吸着保持される。
【００３１】
なお、ポーラスチャック２４０は、スピンチャック２１０，２２０，２３０と異なり回転機能を有しておらず、また、被処理基板Ｗの洗浄を行うものではないためスピンチャック２１０と比較して径が大きい。
【００３２】
制御装置５０は、剥離システム１の動作を制御する装置であり、たとえば搬送制御部５１を備える。搬送制御部５１は、第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０による重合基板Ｔや被処理基板Ｗ等の基板の搬送を制御する処理部である。
【００３３】
なお、制御装置５０は、たとえばコンピュータであり、図示しない記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置５０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体として、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００３４】
剥離後の被処理基板Ｗは、上述したように２０〜５０μｍと薄く、搬送の際に損傷を受け易い。このため、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０として、被処理基板Ｗを非接触で搬送するベルヌーイチャックを用いることとしている。
【００３５】
ここで、従来のベルヌーイチャックは、基板と接触しないことを前提としているが、たとえば基板が反っている場合には基板との接触が発生する可能性があり、基板を損傷させるおそれがある。
【００３６】
そこで、第１の実施形態に係る第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０は、上記のように基板との接触が生じ得ることを考慮し、仮に基板との接触が起こったとしても基板に損傷を与え難い構成とした。
【００３７】
以下では、かかる第２搬送装置１１０および第３搬送装置１２０の構成について具体的に説明する。なお、第２搬送装置１１０の構成と第３搬送装置１２０の構成は同様であるため、ここでは、第３搬送装置１２０の構成を例示して説明する。図３は、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０の模式側面図であり、図４は同模式斜視図である。
【００３８】
図３に示すように、第３搬送装置１２０は、本体部１２１と、複数のノズル１２２と、係止部１２４とを備える。本体部１２１は、被処理基板Ｗと略同径を有する円板状の部材である（図４参照）。かかる本体部１２１は、たとえばアルミニウムなどの金属で形成される。
【００３９】
複数のノズル１２２は、中央部に気体の噴出口を有する略円筒状の部材であり、被処理基板Ｗの表面に向けて気体を噴出することにより、ベルヌーイ効果を生じさせて被処理基板Ｗを非接触で保持する。
【００４０】
複数のノズル１２２は、図４に示すように、本体部１２１の主面に対して円周状に、かつ、内周側と外周側の二重に並べて配置される。
【００４１】
各ノズル１２２は、送気管１３１を介して送気装置１３２と接続され、送気装置１３２から送気管１３１を介して送気される気体を噴出する。各ノズル１２２から噴出される気体は、たとえば窒素等の不活性ガスあるいはドライエア等である。
【００４２】
係止部１２４は、本体部１２１の主面と直交する向きに突出する部材であり、本体部１２１の外周に対して所定の間隔を空けて複数設けられる。これらの係止部１２４によって、被処理基板Ｗは、本体部１２１からの脱落等が防止される。
【００４３】
なお、本体部１２１に設けられるノズル１２２および係止部１２４の数および配置は、図４に示したものに限定されない。
【００４４】
また、第３搬送装置１２０は、移動機構１４０を備える。移動機構１４０は、第１アーム１４１と、第２アーム１４２と、基部１４３とを備える。第１アーム１４１は、水平方向に延在し、先端部において本体部１２１を支持する。第２アーム１４２は、鉛直方向に延在し、先端部において第１アーム１４１の基端部を支持する。
【００４５】
基部１４３は、搬送路４１（図１参照）に固定され、第２アーム１４２を支持する。基部１４３には、モータ等の駆動機構が設けられており、かかる駆動機構によって第２アーム１４２は鉛直方向に昇降する。
【００４６】
なお、第２搬送装置１１０が備える移動機構の基部は、たとえば、受渡室３２の床面に固定される。
【００４７】
被処理基板Ｗは薄いため反りが生じ易い。被処理基板Ｗが反っている場合、特に、第３搬送装置１２０の本体部１２１に対して凸状に反っている場合には、被処理基板Ｗがノズル１２２に接触する可能性がある。従来のノズルは金属で形成されていたため、被処理基板Ｗと接触した場合に被処理基板Ｗを損傷させるおそれがあった。
【００４８】
そこで、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０では、ノズル１２２を樹脂で形成することとした。これにより、仮に、被処理基板Ｗがノズル１２２に接触したとしても被処理基板Ｗの損傷を防止することができる。
【００４９】
かかる樹脂としては、本体部１２１と熱膨張係数が同程度のものを用いることが好ましい。このような樹脂を選択することで、温度変化によって本体部１２１とノズル１２２との間に歪みが生じてノズル１２２が破損することを防止することができる。
【００５０】
たとえば、本体部１２１がアルミニウムで形成される場合、ノズル１２２を形成する樹脂として、アルミニウムと同等の熱膨張係数を有するＰＢＩ（ポリベンゾイミダゾール）樹脂を用いることができる。ＰＢＩ樹脂の熱膨張係数は、アルミニウムの熱膨張係数が約２３．１×Ｅ−６（１／Ｋ）であるのに対し、約２３×Ｅ−６（１／Ｋ）である。また、ＰＢＩ樹脂は、耐熱性および耐薬品性にも優れているため、この点においても好ましい。なお、ノズル１２２を形成する樹脂の熱膨張係数は、本体部１２１の熱膨張係数の±３０％の範囲内であることが好ましい。
【００５１】
また、ノズル１２２を形成する樹脂として、上記のＰＢＩ樹脂に代えて、ＰＯＭ（ポリアセタール）樹脂を用いることも有効である。
【００５２】
次に、ノズル１２２の形状について図５Ａおよび図５Ｂを参照して説明する。図５Ａは、ノズル１２２の模式平面図であり、図５Ｂは同模式側断面図である。なお、図５Ｂは、図５ＡのＡ−Ａ’線断面図に相当する。
【００５３】
図５Ａに示すように、ノズル１２２は、中央部に気体の噴出口６１を有する。この噴出口６１は、内周面に図示しない連通孔を有しており、かかる連通孔に送気管１３１（図３参照）が接続される。送気装置１３２から送り出された気体は、送気管１３１および図示しない連通孔を介して噴出口６１の内部へ供給され、噴出口６１の内部において旋回流となって噴出口６１から噴出する。
【００５４】
また、ノズル１２２には、複数のネジ孔６２が形成される。複数のネジ孔６２は、噴出口６１の周囲を取り囲むように設けられる。これらのネジ孔６２にネジ１００を挿通することによって、ノズル１２２は本体部１２１に取り付けられる。
【００５５】
このように、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０では、ノズル１２２を本体部１２１に対してネジ止めする構成とすることで、ノズル１２２の交換容易性を高めている。
【００５６】
すなわち、第１の実施形態に係るノズル１２２は樹脂で形成されるため、被処理基板Ｗと接触したとしても被処理基板Ｗの損傷を防止することができるが、その一方で、金属製のノズルと比較して摩耗等の劣化が生じやすい。このため、劣化したノズル１２２を容易に交換できるように、ノズル１２２を本体部１２１に対してネジ止めする構成とした。これにより、メンテナンス性を向上させることができる。
【００５７】
ネジ１００のネジ頭が配置される先端部６２１は、ネジ頭よりも深く形成される。これにより、ネジ頭がネジ孔６２から露出しないため、ネジ頭が被処理基板Ｗに接触して被処理基板Ｗが損傷するおそれがない。なお、図５Ａでは、ノズル１２２に４個のネジ孔６２が形成される場合の例を示したが、ノズル１２２に形成されるネジ孔６２の数は、４個に限定されない。
【００５８】
ノズル１２２は、被処理基板Ｗとの対向面である先端面が面取りされている。これは、被処理基板Ｗが本体部１２１に対して凸状に沿っている場合に、被処理基板Ｗがノズル１２２の先端面の周縁部に最も接触しやすいためである。このように、ノズル１２２の形状を先端面が面取りされた形状とすることで、被処理基板Ｗがノズル１２２に接触し難くすることができる。また、仮に、被処理基板Ｗがノズル１２２に接触したとしても、ノズル１２２の先端面が面取りされているため、被処理基板Ｗは損傷し難い。
【００５９】
面取部６３を大きくする程、ノズル１２２の先端面（平坦面）の面積が小さくなり、ベルヌーイ効果が薄くなる、すなわち、被処理基板Ｗの保持力が低下する。このため、面取部６３のアールｄ１は、たとえばノズル１２２の径ｄ２の１０％未満とすることが好ましい。
【００６０】
次に、第３搬送装置１２０の変形例について説明する。まず、第１の変形例について図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明する。図６Ａは、第１の実施形態の第１変形例に係る第３搬送装置の模式平面図である。また、図６Ｂは、第１ノズルの模式側断面図であり、図６Ｃは、第２ノズルの模式側断面図である。
【００６１】
図６Ａに示すように、第１の変形例に係る第３搬送装置１２０Ａは、ノズル１２２Ａとして、本体部１２１の周縁部に円周状に並べて配置される第１ノズル１２２Ａａと、第１ノズル１２２Ａａよりも内周側において円周状に並べて配置される第２ノズル１２２Ａｂとを備える。
【００６２】
第１ノズル１２２Ａａは、上述したノズル１２２と同様の形状であり、図６Ｂに示すように、先端面に面取部６３を有する。一方、第２ノズル１２２Ａｂは、図６Ｃに示すように、上述したノズル１２２や第１ノズル１２２Ａａとは異なり、先端面が面取りされていない形状を有する。
【００６３】
被処理基板Ｗが本体部１２１に対して凸状に沿っている場合、被処理基板Ｗは、外周側に配置された第１ノズル１２２Ａａの先端面の周縁部に最も接触しやすい。そこで、第１の変形例に係る第３搬送装置１２０Ａでは、被処理基板Ｗとの接触が生じやすい第１ノズル１２２Ａａにのみ面取部６３を設け、被処理基板Ｗとの接触が生じ難い第２ノズル１２２Ａｂについては面取部を設けないこととした。これにより、保持力の低下を抑えつつ、被処理基板Ｗと第１ノズル１２２Ａａとの接触を生じ難くすることができる。
【００６４】
つづいて、第２の変形例について図７Ａおよび図７Ｂを参照して説明する。図７Ａは、第１の実施形態の第２の変形例に係るノズルの模式平面図である。また、図７Ｂは、第１の実施形態の第２の変形例に係るノズルの模式側断面図である。なお、図７Ｂは、図７ＡのＢ−Ｂ’線断面図に相当する。
【００６５】
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、第２の変形例に係るノズル１２２Ｂは、先端面の一部が面取りされた形状を有する。かかるノズル１２２Ｂは、面取部６３Ｂが本体部１２１の外周側を向いた状態で本体部１２１に設けられる。
【００６６】
このように、本体部１２１の外周側に面する部分にのみ面取部６３Ｂを設けることにより、保持力の低下をさらに抑えることができる。
【００６７】
なお、本体部１２１には、ノズル１２２Ｂを円周状に二重に並べて配置してもよいし、本体部１２１の周縁部に対してノズル１２２Ｂを円周状に並べて配置し、ノズル１２２Ｂよりも内周側に第２ノズル１２２Ａｂ（図６Ｃ参照）を円周状に並べて配置してもよい。
【００６８】
つづいて、第３の変形例について図８を参照して説明する。図８は、第１の実施形態の第３の変形例に係るノズルの模式側断面図である。
【００６９】
上述してきた例では、ノズル１２２、１２２Ａ、１２２Ｂの全てが樹脂で形成されることとしたが、ノズルは、少なくとも表面が樹脂で形成されていればよい。
【００７０】
たとえば、図８に示すノズル１２２Ｃのように、金属で形成されるノズル本体６５の表面を樹脂６４でコーティングしたものであってもよい。
【００７１】
上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、剥離装置３１と、第３搬送装置１２０，１２０Ａを備える。剥離装置３１は、被処理基板Ｗ（第１基板）と支持基板Ｓ（第２基板）とが接合された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。第３搬送装置１２０，１２０Ａは、剥離装置３１によって剥離された被処理基板Ｗを非接触で保持して搬送する。
【００７２】
また、第３搬送装置１２０，１２０Ａは、複数のノズル１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃと、本体部１２１とを備える。複数のノズル１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃは、被処理基板Ｗの表面に向けて気体を噴出することによって被処理基板Ｗを非接触で保持する。本体部１２１は、複数のノズル１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃが設けられる。そして、複数のノズル１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃは、少なくとも表面が樹脂で形成される。
【００７３】
したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、仮に、被処理基板Ｗがノズル１２２，１２２Ａ，１２２Ｂ，１２２Ｃに接触したとしても、これによる被処理基板Ｗの損傷を防止することができる。
【００７４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る第３搬送装置について説明する。図９は、第２の実施形態に係る第３搬送装置の模式斜視図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００７５】
図９に示すように、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃは、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０が備える各構成要素に加え、気体噴出部１２３をさらに備える。
【００７６】
気体噴出部１２３は、外周側に配置されるノズル１２２のさらに外周側において、ノズル１２２と同心円状に並べて配置され、被処理基板Ｗの周縁部に対して気体を噴出する部材である。各気体噴出部１２３は、図示しない送気管を介して図示しない送気装置と接続される。
【００７７】
なお、図９に示すように、各気体噴出部１２３は、外周側に配置されるノズル１２２同士の略中間にそれぞれ設けられる。これにより、ノズル１２２から噴出される気体と気体噴出部１２３から噴出される気体との干渉を防止することができる。
【００７８】
第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃは、かかる気体噴出部１２３から噴出される気体を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する。ここで、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃによる被処理基板Ｗの保持動作について、図１０Ａ〜図１０Ｃを参照して説明する。図１０Ａ〜図１０Ｃは、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０による保持動作の説明図である。
【００７９】
なお、第３搬送装置１２０Ｃによる保持動作は、制御装置５０が備える搬送制御部５１によって制御される。また、図１０Ａ〜図１０Ｃでは、一例として、第３搬送装置１２０Ｃが、第１洗浄装置３３のスピンチャック２１０から被処理基板Ｗを受け取る場合の例について説明する。
【００８０】
図１０Ａに示すように、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０上で凹状に反っているものとする。すなわち、被処理基板Ｗは、外周部がスピンチャック２１０の吸着保持部２１２から離れる方向に反っているものとする。
【００８１】
第３搬送装置１２０Ｃは、図１０Ｂに示すように、気体噴出部１２３から気体をＺ軸負方向（鉛直下向き）に噴出させながら、スピンチャック２１０上の被処理基板Ｗへ向けて降下する。
【００８２】
本体部１２１は、被処理基板Ｗとほぼ同径であり、気体噴出部１２３は、本体部１２１の外周部近傍に設けられる。このため、気体噴出部１２３から噴出される気体は、被処理基板Ｗの外周部に当たることとなる。この結果、被処理基板Ｗの外周部が鉛直下向きに押し下げられ、被処理基板Ｗの反りが矯正される。また、気体噴出部１２３によって反りが矯正されることで、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０の吸着保持部２１２全面で吸着保持されるようになる。
【００８３】
このようにして、第３搬送装置１２０Ｃは、気体噴出部１２３を被処理基板Ｗの反りを矯正しながら、ノズル１２２が被処理基板Ｗの保持を行う位置（以下、「受渡位置」と記載する）まで降下する。
【００８４】
そして、第３搬送装置１２０Ｃは、被処理基板Ｗの受渡位置に到達すると、ノズル１２２から気体を噴出して被処理基板Ｗを非接触で保持する。これにより、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０から第３搬送装置１２０Ｃへ受け渡される（図１０Ｃ参照）。なお、スピンチャック２１０による吸着保持は、第３搬送装置１２０Ｃが被処理基板Ｗを保持した後に解除される。
【００８５】
このように、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃは、気体噴出部１２３を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正しつつ、ノズル１２２を用いて被処理基板Ｗの保持を行う。このため、被処理基板Ｗとノズル１２２との接触をより生じ難くすることができる。また、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃによれば、被処理基板Ｗの反りを矯正することで、反りのある被処理基板Ｗの受け渡しおよび保持を適切に行うことができる。
【００８６】
なお、被処理基板Ｗが凸状に反っている場合、すなわち、被処理基板Ｗが図１０Ａとは逆方向に反っている場合には、スピンチャック２１０の上面が被処理基板Ｗによって覆われて略密閉状態となる。この結果、被処理基板Ｗは、スピンチャック２１０によって吸着され、反りが矯正されることとなる。このように、被処理基板Ｗが凸状に反っている場合には、第３搬送装置１２０Ｃの気体噴出部１２３を用いずとも、被処理基板Ｗの保持や受け渡しを比較的容易に行うことができる。
【００８７】
次に、搬送制御部５１が実行する流量制御処理の処理手順について図１１を用いて説明する。図１１は、流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１１には、気体噴出部１２３から気体を噴出させる処理を開始してから、第３搬送装置１２０Ｃによって被処理基板Ｗが保持されるまでの処理手順を示している。
【００８８】
図１１に示すように、搬送制御部５１は、まず、気体噴出部１２３から気体を噴出させる（ステップＳ１０１）。たとえば、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｃがスピンチャック２１０へ向けて降下を開始したときにステップＳ１０１の処理を実行する。このとき、ノズル１２２からの気体の噴出は未だ行われない。
【００８９】
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｃのノズル１２２が受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ１０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ１０２，Ｙｅｓ）、ノズル１２２からの気体噴出を開始し（ステップＳ１０３）、その後、気体噴出部１２３からの気体噴出を停止する（ステップＳ１０４）。
【００９０】
なお、被処理基板Ｗは薄いため、かかる被処理基板Ｗの反りを矯正するための力は、比較的小さくてよい。このため、気体噴出部１２３から噴出される気体の流量は、ノズル１２２から噴出される気体の流量よりも少なく設定される。
【００９１】
つづいて、搬送制御部５１は、ノズル１２２が被処理基板Ｗを保持した後、スピンチャック２１０をオフして（ステップＳ１０５）、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ１０２において第３搬送装置１２０Ｃのノズル１２２が受渡位置に到達していない場合（ステップＳ１０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｃが受渡位置に到達するまで、ステップＳ１０２の判定処理を繰り返す。
【００９２】
このように、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃは、ノズル１２２よりも被処理基板Ｗの外周部側に設けられ、被処理基板Ｗの外周部に対して気体を噴出する気体噴出部１２３をさらに備える。したがって、第２の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｃによれば、被処理基板Ｗとノズル１２２との接触をより生じ難くすることができる。また、反りのある被処理基板Ｗの受け渡しおよび保持を容易に行うことができる。
【００９３】
なお、ここでは、ノズル１２２からの気体噴出を開始した後、気体噴出部１２３からの気体噴出を停止することとしたが、ノズル１２２によって被処理基板Ｗを保持させた後も、気体噴出部１２３からの気体噴出を継続させてもよい。これにより、第３搬送装置１２０Ｃによる被処理基板Ｗの搬送中においても被処理基板Ｗの反りが気体噴出部１２３によって矯正され続けるため、被処理基板Ｗと第３搬送装置１２０Ｃとの接触等をより確実に防止することができる。
【００９４】
ところで、第３搬送装置１２０Ｃは、気体噴出部１２３から噴出される気体の流量を被処理基板Ｗの反り具合に応じて変更することとしてもよい。かかる場合の変形例について図１２Ａおよび図１２Ｂを用いて説明する。図１２Ａは、第２の実施形態の変形例を示す図である。また、図１２Ｂは、被処理基板Ｗの反りと気体噴出部１２３から噴出される気体の流量との関係を示す図である。
【００９５】
図１２Ａに示すように、たとえば第１洗浄装置３３には、ＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラなどの撮像装置１５０がさらに設けられる。撮像装置１５０は、スピンチャック２１０によって吸着保持された被処理基板Ｗを撮像する。撮像装置１５０によって撮像された被処理基板Ｗの画像データは、図示しない通信線を介して搬送制御部５１へ入力される。なお、撮像装置１５０としては、防水性を有するものを用いることが好ましい。
【００９６】
搬送制御部５１は、撮像装置１５０から取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて、被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて気体噴出部１２３から噴出される気体の流量を変更する。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、気体噴出部１２３の流量を多くする。
【００９７】
たとえば、図１２Ｂに示すように、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」、「中」、「小」の３段階で判定する。そして、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、気体噴出部１２３の流量を「多」に設定し、被処理基板Ｗの反り具合を「中」と判定した場合には、気体噴出部１２３の流量を「多」よりも少ない「中」に設定する。また、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、気体噴出部１２３の流量を「中」よりも少ない「少」に設定する。
【００９８】
このように、第３搬送装置１２０Ｃは、被処理基板Ｗの反りが大きいほど気体噴出部１２３の流量を多くすることで、被処理基板Ｗの反りをより適切な流量で矯正することができる。
【００９９】
また、第３搬送装置１２０Ｃは、気体噴出部１２３の流量だけでなく、気体噴出部１２３の作動タイミング、すなわち、気体噴出部１２３から気体を噴出させるタイミングを被処理基板Ｗの反り具合に応じて変更してもよい。かかる点について図１２Ｃを用いて説明する。図１２Ｃは、被処理基板Ｗの反りと気体噴出部１２３の作動タイミングとの関係を示す図である。
【０１００】
図１２Ｃに示すように、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、気体噴出部１２３を作動させるタイミングを早くする。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、気体噴出部１２３の作動タイミングを「早」に設定し、被処理基板Ｗの反り具合を「中」と判定した場合には、気体噴出部１２３の作動タイミングを「早」よりも遅い「中」に設定する。また、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、気体噴出部１２３の作動タイミングを「中」よりも遅い「遅」に設定する。
【０１０１】
被処理基板Ｗの反りが大きいほど、被処理基板Ｗの外周部がより高い位置に位置することとなり、被処理基板Ｗと第３搬送装置１２０Ｃとの干渉タイミングが早くなる。このため、第３搬送装置１２０Ｃは、被処理基板Ｗの反りが大きいほど気体噴出部１２３の作動タイミングを早めることで、第３搬送装置１２０Ｃと被処理基板Ｗとの接触を確実に防止することができる。
【０１０２】
なお、上述してきた例では、気体噴出部１２３から噴出される気体の向きを鉛直下向きとしたが、気体噴出部１２３から噴出される気体の向きは、鉛直下向きに限定されない。たとえば、気体噴出部１２３は、被処理基板Ｗの反りに基づいてあらかじめ決定された角度で取り付けられてもよい。これにより、気体を鉛直下向きに向けて噴出する場合と比較して、より少ない流量で効果的に被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。
【０１０３】
また、気体噴出部１２３の角度をモータ等の駆動部により変更可能に構成し、被処理基板Ｗの反り具合に応じて気体噴出部１２３から噴出される気体の角度を調整してもよい。かかる場合、搬送制御部５１は、撮像装置１５０（図１２Ａ参照）から取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて、被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて気体噴出部１２３による気体の噴出角度を変更する。具体的には、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合が大きいほど、噴出角度を大きくする。噴出角度は、気体噴出部１２３が本体部１２１の外周側を向くほど大きくなり、中央部を向くほど小さくなるものとする。
【０１０４】
このように、被処理基板Ｗの反りが大きいほど気体噴出部１２３から噴出される気体の角度を被処理基板Ｗの外周部へ向けて大きくしてもよい。これにより、被処理基板Ｗの外周部に対して気体噴出部１２３から噴出される気体をより効果的に当てることができる。
【０１０５】
また、気体噴出部１２３は、鉛直下向きに取り付けられた第１噴出部と、被処理基板Ｗの反りに基づいてあらかじめ決定された角度で取り付けられた第２噴出部とを備える構成であってもよい。第１噴出部と第２噴出部とはそれぞれ異なる送気管を介して異なる送気装置に接続される。
【０１０６】
そして、搬送制御部５１は、撮像装置１５０から取得した被処理基板Ｗの画像データに基づいて被処理基板Ｗの反り具合を判定し、判定結果に応じて、第１噴出部および第２噴出部のうち使用する気体噴出部を切り替えてもよい。
【０１０７】
たとえば、搬送制御部５１は、被処理基板Ｗの反り具合を「小」と判定した場合には、使用する気体噴出部を第１噴出部に切り替え、被処理基板Ｗの反り具合を「大」と判定した場合には、使用する気体噴出部を第２噴出部に切り替える。このようにすることで、気体の噴出角度を変更する機構を本体部に設けることなく、被処理基板Ｗの反りに応じた噴出角度で気体を噴出させることができる。
【０１０８】
なお、被処理基板Ｗの反り具合の判定方法は、撮像装置１５０によって撮像された画像データを用いる方法に限定されない。たとえば、測距センサや超音波センサを用いて被処理基板Ｗまでの距離を測定し、かかる距離に応じて被処理基板Ｗの反り具合を判定してもよい。
【０１０９】
（第３の実施形態）
ところで、上述してきた第２の実施形態では、第３搬送装置１２０Ｃに対して気体噴出部１２３を設け、かかる気体噴出部１２３を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例について説明した。しかし、被処理基板Ｗの反りを矯正する方法は、上記の例に限ったものではなく、たとえば、ノズル１２２を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正することもできる。以下では、ノズル１２２を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例について説明する。
【０１１０】
図１３は、第３の実施形態に係る第３搬送装置の模式側面図である。なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１１１】
図１３に示すように、第３の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｄは、第１の実施形態に係る第３搬送装置１２０が備える各構成要素に加え、流量調整部１３５をさらに備える。流量調整部１３５は、送気管１３１の中途部に設けられており、送気装置１３２から供給される気体の流量を調整する。流量調整部１３５の動作は、制御装置５０の搬送制御部５１によって制御される。搬送制御部５１は、かかる流量調整部１３５を制御することによって、各ノズル１２２から噴出される気体の流量を調整する。
【０１１２】
ここで、第３の実施形態に係る流量制御処理の内容について図１４を用いて説明する。図１４は、第３の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１４には、ノズル１２２からの気体噴出を開始してから、第３搬送装置１２０Ｄによって被処理基板Ｗが保持されるまでの処理手順を示している。
【０１１３】
図１４に示すように、搬送制御部５１は、まず、流量調整部１３５を制御してノズル１２２の流量を「反り矯正用流量」に調節する（ステップＳ２０１）。「反り矯正用流量」とは、被処理基板Ｗの反りを矯正するための流量であり、ノズル１２２が被処理基板Ｗを保持するために必要な流量である「保持用流量」よりも少ない流量である。
【０１１４】
このように、第３搬送装置１２０Ｄが受渡位置に到達する前から、ノズル１２２から気体を噴出させておくことで、ノズル１２２から噴出される気体によって被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。また、ノズル１２２から噴出させる気体の流量を「保持用流量」よりも少ない「反り矯正用流量」とすることで、第３搬送装置１２０Ｄが、受渡位置よりも手前で被処理基板Ｗを保持してしまう事態を防止することができる。
【０１１５】
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｄのノズル１２２が受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ２０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ２０２，Ｙｅｓ）、ノズル１２２の流量を「保持用流量」に調整する（ステップＳ２０３）。これにより、被処理基板Ｗは、第３搬送装置１２０Ｄによって非接触で保持される。
【０１１６】
ステップＳ２０３の処理を終えると、搬送制御部５１は、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ２０２において第３搬送装置１２０Ｄが受渡位置に到達していない場合（ステップＳ２０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｄが受渡位置に到達するまで、ステップＳ２０２の判定処理を繰り返す。
【０１１７】
このように、第３の実施形態では、搬送制御部５１が、ノズル１２２が被処理基板Ｗの保持を行う位置に到達するまでの間、被処理基板Ｗとの間で負圧を発生させる流量である保持用流量よりも少ない反り矯正用流量でノズル１２２から気体を噴出させることとした。これにより、第３の実施形態に係る第３搬送装置１２０Ｄによれば、気体噴出部１２３のような専用部材をあらたに付加することなく、既存の部材を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。
【０１１８】
（第４の実施形態）
上述した第３の実施形態では、各ノズル１２２の流量制御を一律に行う場合の例について説明したが、ノズル１２２を複数のエリアで分割し、このエリアごとに流量制御を行うこととしてもよい。
【０１１９】
以下では、吸着保持部の流量制御をエリアごとに行う場合の例について説明する。図１５Ａは、第４の実施形態に係る第３搬送装置の模式平面図である。また、図１５Ｂは、ノズルと送気装置との接続関係を示す模式図である。
【０１２０】
図１５Ａに示すように、第３搬送装置１２０Ｅは、ノズル１２２Ｅとして、第１ノズル１２２Ｅａと第２ノズル１２２Ｅｂとを備える。
【０１２１】
第１ノズル１２２Ｅａは、ノズル１２２Ｅのうち、本体部１２１の周縁部に円周状に並べて配置され、第２ノズル１２２Ｅｂは、第１ノズル１２２Ｅａよりも内周側に円周状に並べて配置される。第１ノズル１２２Ｅａおよび第２ノズル１２２Ｅｂは、たとえば図６Ｂに示した第１ノズル１２２Ａａおよび図６Ｃに示した第２ノズル１２２Ａｂとそれぞれ同一形状としてもよい。
【０１２２】
図１５Ｂに示すように、第１ノズル１２２Ｅａは、送気管１３１Ｅａを介して第１送気装置１３２Ｅａに接続され、第２ノズル１２２Ｅｂは、送気管１３１Ｅｂを介して第２送気装置１３２Ｅｂに接続される。また、送気管１３１Ｅａには、第１送気装置１３２Ｅａから供給される気体の流量を調整するための流量調整部１３５Ｅａが設けられ、送気管１３１Ｅｂには、第２送気装置１３２Ｅｂから供給される気体の流量を調整するための流量調整部１３５Ｅｂが設けられる。これら流量調整部１３５Ｅａ，１３５Ｅｂは、搬送制御部５１によって制御される。
【０１２３】
次に、第４の実施形態に係る流量調整処理の内容について図１６を用いて説明する。図１６は、第４の実施形態に係る流量制御処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１６には、ノズル１２２Ｅからの気体噴出を開始してから、第３搬送装置１２０Ｅによって被処理基板Ｗが保持されるまでの処理手順を示している。
【０１２４】
図１６に示すように、搬送制御部５１は、まず、第２ノズル１２２Ｅｂをオフとしつつ、第１ノズル１２２Ｅａから「反り矯正用流量」で気体を噴出させる（ステップＳ３０１）。これにより、第１ノズル１２２Ｅａから噴出される気体によって被処理基板Ｗの反りを矯正することができる。
【０１２５】
本体部１２１の中央部に配置される第２ノズル１２２Ｅｂは、被処理基板Ｗの反りの矯正には直接的には寄与し難い。このため、第１ノズル１２２Ｅａが「反り矯正用流量」で気体を噴出している間、第２ノズル１２２Ｅｂの流量をゼロとすることで、気体の無駄な噴出を抑えることができる。
【０１２６】
つづいて、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｅが受渡位置に到達したか否かを判定する（ステップＳ３０２）。そして、搬送制御部５１は、受渡位置に到達したと判定すると（ステップＳ３０２，Ｙｅｓ）、第１ノズル１２２Ｅａおよび第２ノズル１２２Ｅｂから「保持用流量」で気体を噴出させる（ステップＳ３０３）。これにより、被処理基板Ｗは、第３搬送装置１２０Ｅによって非接触で保持される。
【０１２７】
ステップＳ３０３の処理を終えると、搬送制御部５１は、流量制御処理を終了する。なお、ステップＳ３０２において第３搬送装置１２０Ｅが受渡位置に到達していない場合（ステップＳ３０２，Ｎｏ）、搬送制御部５１は、第３搬送装置１２０Ｅが受渡位置に到達するまで、ステップＳ３０２の判定処理を繰り返す。
【０１２８】
このように、第４の実施形態では、搬送制御部５１が、第３搬送装置１２０Ｅが受渡位置に到達するまでの間、第１ノズル１２２Ｅａのみから「反り矯正用流量」で気体を噴出させることとした。これにより、気体の無駄な噴出を防止することができる。
【０１２９】
なお、上述した第２の実施形態では、気体噴出部１２３から噴出する気体を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例を、第３の実施形態および第４の実施形態では、ノズル１２２，１２２Ｅから噴出する気体を用いて被処理基板Ｗの反りを矯正する場合の例を、それぞれ示した。しかし、これに限ったものではなく、気体噴出部１２３およびノズル１２２，１２２Ｅの双方を用いて被処理基板Ｗの反りの矯正を行ってもよい。
【０１３０】
上述してきた各実施形態では、第３搬送装置１２０，１２０Ａ，１２０Ｃ〜１２０Ｅが、第１洗浄装置３３との間で被処理基板Ｗの受け渡しを行う場合の例について説明した。しかし、これに限らず、第３搬送装置１２０，１２０Ａ，１２０Ｃ〜１２０Ｅは、第３洗浄装置４３、第４洗浄装置４４および受渡部４５との間においても同様の保持動作を行う。また、第３搬送装置１２０，１２０Ａ，１２０Ｃ〜１２０Ｅに限らず、第２搬送装置１１０も、第３搬送装置１２０，１２０Ａ，１２０Ｃ〜１２０Ｅと同様の保持動作を剥離装置３１や第１洗浄装置３３等との間で行う。
【０１３１】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０１３２】
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
Ｓ  支持基板
１  剥離システム
１０  搬入出ステーション
２０  第１搬送領域
３０  剥離処理ステーション
３１  剥離装置
３２  受渡室
３３  第１洗浄装置
４０  第２搬送領域
４１  搬送路
５０  制御装置
５１  搬送制御部
６１  噴出口
６２  ネジ孔
６３  面取部
１２０  第３搬送装置
１２１  本体部
１２２  ノズル
１２３  気体噴出部
１２４  係止部
１３１  送気管
１３２  送気装置
１４０  移動機構
【図１】
2014165217.tif 000003
【図２】
2014165217.tif 000004
【図３】
2014165217.tif 000005
【図４】
2014165217.tif 000006
【図５Ａ】
2014165217.tif 000007
【図５Ｂ】
2014165217.tif 000008
【図６Ａ】
2014165217.tif 000009
【図６Ｂ】
2014165217.tif 000010
【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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