(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳディスプレイにおいて視野角特性の向上を図る。【解決手段】対向基板５４は、画像表示に用いる光を通過可能な開口部７２を画素に対応して複数形成される。ＴＦＴ基板５２は、開口部７２ごとに設けられ、駆動されて当該開口部７２を開閉可能なシャッター部７４を有する。シャッター部７４は、開口部７２を閉鎖したときにバックライトユニット８２からの光が入射する入射面を凹面に形成されている。【選択図】図８
2014142394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示に用いる光を通過可能な開口部が画素に対応して複数形成された基板と、
前記開口部ごとに設けられ、駆動されて当該開口部を開閉可能なシャッターと、
を有し、
前記シャッターは、前記光が入射する入射面を凹面に形成されていること、
を特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の表示装置において、
前記各開口部は、長手方向及び短手方向を有する細長い平面形状であり、
前記シャッターの前記入射面は、少なくとも前記短手方向に沿って凹んでいること、
を特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置において、
前記シャッターの前記入射面は前記開口部の前記長手方向に沿って、前記短手方向より小さい曲率で凹んでいること、を特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の表示装置において、
前記シャッターは前記長手方向に延在された溝又は梁を有すること、を特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の表示装置において、
画像の表示面から見て前記基板より後ろに配置され、前記光を前記基板へ向けて出射する光源を有し、
前記シャッターは、前記入射面を前記光源に向け、前記表示面から見て前記基板より手前に配置されること、
を特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の表示装置において、
画像の表示面に入射する外来光を前記光として用い、
前記シャッターは、前記表示面から見て前記基板より後ろに配置され、前記開口部を閉鎖したときに、前記開口部を通過する前記外来光を反射すること、
を特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳディスプレイ（Micro Electro Mechanical System Display）は、液晶ディスプレイに取って代わると期待されているディスプレイである（特許文献１参照）。このディスプレイは、偏光を利用した液晶シャッター方式とは異なり、機械シャッター方式によって光が透過する開口部を開閉する。詳しくは、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されたＴＦＴ基板には画素ごとにシャッターが設けられており、このシャッターを水平方向に動作させることで、ＴＦＴ基板に対向配置される基板の遮光膜に形成された開口部（固定開口）を開閉して画像を表示する。
【０００３】
シャッターは、固定開口が形成された遮光膜との間に間隙を設けて配置されることで駆動できるようになっている。シャッターが変位可能な距離は小さいため固定開口は細長い形状とし、その短手方向にシャッターを移動させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように固定開口とシャッターとの間には間隙が設けられている。そのためシャッターが閉状態の時に、シャッターと遮光膜との固定開口縁でのオーバーラップを充分に確保しないと、バックライト等の光源から遮光膜面に対し斜めに入射する光は、シャッターと遮光膜との間隙を通過し得る。この影響により、見る方向によって輝度が異なるという視野角特性の問題があった。また、この問題はシャッターの長手方向よりも短手方向のほうが、通過し得る光の割合が大きいため、より影響が大きくなる。
【０００６】
さらに、シャッターの変位量が制限されることから、シャッターは開状態にて固定開口の縁からの退避距離を大きくとれない。そのため、シャッターが固定開口を閉鎖する位置から退避している開状態において、画面に対して垂直に進む光や長手方向に沿って斜めに進む光は開口を通過するが、短手方向に沿って斜めに進む光は、固定開口脇に退避したシャッターで遮られ易く、この現象も視野角特性に大きな影響を与える。
【０００７】
図１８、図１９はこの様子を示す従来のＭＥＭＳディスプレイの垂直断面の模式図であり、固定開口の短手方向に沿った断面である。図１８において、ＴＦＴ基板１上にビーム等（不図示）で支持されたシャッター２は、対向基板３の遮光膜４に設けられた開口部５（固定開口）を閉鎖する位置にある。開口部５には対向基板３の上に配置されたバックライトユニット（不図示）から光が入射し、シャッター２が開放状態のときには当該光は図１８においてＴＦＴ基板１を下へ透過し表示面から出射する。一方、図１８に示すように閉状態では基本的にはバックライトユニットから開口部５に入射した光はシャッター２により表示面への透過を阻止される（光線１０ａ）。しかし、開口部５の垂線から傾斜を有する光線１０ｂは遮光膜４とシャッター２との間隙をシャッター２や遮光膜４で反射して、又は直接に通過してＴＦＴ基板１側に漏れ出て迷光１０ｃとなり得る。この迷光１０ｃに起因して画素の明るさが見る方向に依存して変化し、視野角特性を劣化させ得る。例えば、図１８に示した透過型のＭＥＭＳディスプレイでは、シャッター２で閉鎖され本来、黒表示となるべき画素が迷光１０ｃにより斜めからは明るく見え、画像のコントラスト低下を生じる。また、遮光膜４で反射した光は散乱光成分を含み、例えば画面を正面から見た場合にも黒浮きによるコントラストの低下を生じ得る。また、漏れ出た光はバックライトユニットへ戻されず表示光として再利用されないので光の利用効率が低くなる。
【０００８】
また、図１９はシャッター２が開状態の時の問題点を示したものである。バックライトユニット（不図示）から開口部５に垂直に入射した光１０ｄはそのままＴＦＴ基板１側に透過するが、開口部５の垂線から傾斜を持って入射される光線１０ｅはシャッター２に遮られ、ＴＦＴ基板１側に透過できない。この問題も視野角特性を劣化させる。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、ＭＥＭＳディスプレイにおいて視野角特性やコントラストの向上を図ること、或いは透過型のＭＥＭＳディスプレイにおいてバックライトユニットが発生する光の利用効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）本発明に係る表示装置は、画像表示に用いる光を通過可能な開口部が画素に対応して複数形成された基板と、前記開口部ごとに設けられ、駆動されて当該開口部を開閉可能なシャッターと、を有し、前記シャッターは、前記光が入射する入射面を凹面に形成されているものである。
【００１１】
（２）上記（１）に記載された表示装置において、前記各開口部は、長手方向及び短手方向を有する細長い平面形状であり、前記シャッターの前記入射面は、少なくとも前記短手方向に沿って凹んでいることを特徴としてもよい。
【００１２】
（３）上記（２）に記載された表示装置において、前記シャッターの前記入射面は前記開口部の前記長手方向に沿って、前記短手方向より小さい曲率で凹んでいることを特徴としてもよい。
【００１３】
（４）上記（３）に記載された表示装置において、前記シャッターは前記長手方向に延在された溝又は梁を有することを特徴としてもよい。
【００１４】
（５）上記（１）〜（４）に記載された表示装置において、さらに、画像の表示面から見て前記基板より後ろに配置され、前記光を前記基板へ向けて出射する光源を有し、前記シャッターは、前記入射面を前記光源に向け、前記表示面から見て前記基板より手前に配置されることを特徴としてもよい。
【００１５】
（６）上記（１）〜（４）に記載された表示装置において、画像の表示面に入射する外来光を前記光として用い、前記シャッターは、前記表示面から見て前記基板より後ろに配置され、前記開口部を閉鎖したときに、前記開口部を通過する前記外来光を反射することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、視野角特性やコントラストが向上したＭＥＭＳディスプレイが提供される。また、透過型のＭＥＭＳディスプレイにおいてはバックライトユニットが発生する光の利用効率の向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態である表示装置の模式的な斜視図である。
【図２】本発明の実施形態である表示装置の模式的な平面図である。
【図３】本発明の実施形態である表示装置の表示領域の模式的な平面図である。
【図４】本発明の実施形態である表示装置の概略の回路ブロック図である。
【図５】本発明の実施形態である表示装置の画素ごとに設けられるシャッター機構の模式的な斜視図である。
【図６】本発明の実施形態である表示装置の画素ごとに設けられるシャッター機構の模式的な平面図である。
【図７】図６のVII−VII線に沿ったＴＦＴ基板の模式的な垂直断面図である。
【図８】図６のVIII−VIII線に沿った表示装置の模式的な垂直断面図である。
【図９】本発明の実施形態である表示装置における開口部及びシャッター部の模式的な垂直断面図である。
【図１０】本発明の実施形態である表示装置におけるシャッター部の一例の模式的な斜視図である。
【図１１】本発明の実施形態である表示装置におけるシャッター部の他の例の模式的な斜視図である。
【図１２】長手方向に溝を延在させたシャッター部の一例を示す模式的な斜視図である。
【図１３】長手方向に梁を延在させたシャッター部の一例を示す模式的な斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態である表示装置を製造する方法を説明する概略のプロセスフロー図である。
【図１５】本発明の実施形態である表示装置を製造する方法を説明する概略のプロセスフロー図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の変形例の模式的な垂直断面図である。
【図１７】本発明に係る反射型の表示装置の模式的な垂直断面図である。
【図１８】従来のＭＥＭＳディスプレイの垂直断面の模式図である。
【図１９】従来のＭＥＭＳディスプレイの垂直断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態（以下実施形態という）について、図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１は実施形態である表示装置５０の模式的な斜視図であり、図２は当該表示装置５０の模式的な平面図である。
【００２０】
表示装置５０は透過型のＭＥＭＳディスプレイであり、ＴＦＴ基板５２、対向基板５４及びバックライトユニット（不図示）を有する。ＴＦＴ基板５２、対向基板５４及びバックライトユニットはこの順に重ね合わされる。ＴＦＴ基板５２及び対向基板５４はガラス等の透明な基材からなる。ＴＦＴ基板５２の対向基板５４側の面には表示部５２ａ、駆動回路５２ｂ，５２ｃ、及び端子部５２ｄが形成される。
【００２１】
図３は表示装置５０の表示領域の模式的な平面図であり、対向基板５４側から見た図である。ＴＦＴ基板５２の表示部５２ａは表示領域に対応して設けられる。表示部５２ａには、ＭＥＭＳからなる複数のシャッター機構が画素に対応してマトリクス状に配列される。一方、対向基板５４のＴＦＴ基板５２側の面には遮光膜７０が積層され、当該遮光膜７０は表示領域内に画素に対応してマトリクス状に並ぶ複数の開口部７２を形成される。シャッター機構は開口部７２を開閉可能なシャッター部７４を備え、駆動回路５２ｂ，５２ｃ，５２ｄからの駆動信号に応じてシャッター部７４を駆動し変位させる。
【００２２】
図３において、ｘ方向がシャッター部７４の変位方向であり、これに直交する方向をｙ方向とする。開口部７２及びシャッター部７４はｘ方向を短手方向としｙ方向を長手方向とする細長い平面形状であり、その形状は長方形とすることができる。シャッター部７４は開口部７２を閉鎖できるように開口部７２より大きな平面形状とされる。なお、開口部７２及びシャッター部７４の短手方向の寸法はシャッター部７４の駆動幅に起因する制約を受け、例えば、長手方向の寸法は１００μｍ程度とすることができるのに対し短手方向の寸法は１０μｍ程度とされる。
【００２３】
図３において、シャッター部７４ａは開口部７２脇に退避され、当該開口部７２は開状態でありバックライトユニットからの光を表示面側へ通過する。一方、シャッター部７４ｂは開口部７２を閉鎖し、バックライトユニットからの光が表示面側へ通過することを阻止する。
【００２４】
図４は表示装置５０の概略の回路ブロック図である。制御部８０は例えば、端子部５２ｄの端子５６及び図示しないフレキシブルプリント基板（Flexible printed circuit：ＦＰＣ）により表示装置５０に接続され、ＴＦＴ基板５２に形成された駆動回路５２ｂ，５２ｃ、及びバックライトユニット８２に駆動を制御する制御信号及び電源を供給する。
【００２５】
ＴＦＴ基板５２の表示部５２ａには画素ごとにシャッター及び駆動機構８４、ＴＦＴ８６及び保持容量８８が配置される。また、水平方向に並ぶ画素群（画素行）ごとにゲート線９０が設けられ、また垂直方向に並ぶ画素群（画素列）ごとにデータ線９２が設けられる。各ゲート線９０は対応する画素行に並ぶ各ＴＦＴ８６のゲートに共通に接続され、ゲート線駆動回路（駆動回路５２ｂ）からのゲート信号をＴＦＴ８６に印加する。各データ線９２は対応する画素列に並ぶ各ＴＦＴ８６のドレイン及びソースの一方に共通に接続され、データ線駆動回路（駆動回路５２ｃ）からのデータ信号をＴＦＴ８６に供給する。ゲート線駆動回路はゲート線へ出力するゲート信号によりＴＦＴ８６のオン／オフを制御し、オン状態のＴＦＴ８６はデータ線駆動回路から供給されるデータ信号をシャッター及び駆動機構８４へ印加する。
【００２６】
図５は画素ごとに設けられるシャッター及び駆動機構８４の模式的な斜視図であり、図６はシャッター及び駆動機構８４の模式的な平面図である。図において、シャッター部７４の変位方向をｘ方向、これに直交する方向をｙ方向とする。シャッター及び駆動機構８４は、シャッター部７４、第１アクチュエータ部１００ａ及び第２アクチュエータ部１００ｂを有している。
【００２７】
シャッター部７４は移動することにより開口部７２を開閉し、バックライトユニット８２から表示面へ光を透過させたり遮断したりする。
【００２８】
第１アクチュエータ部１００ａ及び第２アクチュエータ部１００ｂはｘ方向に沿ってシャッター部７４を挟んでｙ方向に対称に一対ずつ配置され、それぞれシャッター部７４を引き寄せる。第１アクチュエータ部１００ａ及び第２アクチュエータ部１００ｂはそれぞれ、第１ビーム部１０２、第２ビーム部１０４、第１アンカー部１０６及び第２アンカー部１０８を有する。
【００２９】
第１ビーム部１０２はその一方端をシャッター部７４に連結され、他方端をＴＦＴ基板５２に立設された第１アンカー部１０６に連結される。第１アンカー部１０６はシャッター部７４及び第１ビーム部１０２をＴＦＴ基板５２から浮かせて支持する。第１ビーム部１０２は屈曲した平面形状であり、ｘ方向の位置が第２アンカー部１０８とシャッター部７４との間でありｙ方向に伸びる作用部１１０を含む。
【００３０】
第２ビーム部１０４は、両端を第２アンカー部１０８に連結されたヘアピンのような平面形状であり、作用部１１０に対向して伸び、その折り返し部が作用部１１０に最も近づくように配置される。第２アンカー部１０８は第２ビーム部１０４をＴＦＴ基板５２から浮かせて支持する。
【００３１】
駆動時には、第１ビーム部１０２及び第２ビーム部１０４にそれぞれ第１アンカー部１０６及び第２アンカー部１０８から異なる電圧を印加する。第１ビーム部１０２及び第２ビーム部１０４は互いの電位差によって生じる静電気力で引き合う。第１ビーム部１０２が第２ビーム部１０４に引き寄せられることで、第１ビーム部１０２に固定されたシャッター部７４がｘ方向に移動する。
【００３２】
図７は図６のVII−VII線に沿ったＴＦＴ基板５２の模式的な垂直断面図である。シャッター部７４は例えば、構造体１２０と金属膜１２２との積層体、及び絶縁膜１２４を有する。構造体１２０は例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）で形成される。金属膜１２２は遮光の機能を有する材料で形成され、例えば、アルミニウム（Ａｌ）にシリコン（Ｓｉ）を少量混ぜたＡｌＳｉ合金を用いることができる。絶縁膜１２４はシャッター部７４、第１ビーム部１０２、第２ビーム部１０４及び第１アンカー部１０６相互間の電気的な短絡を防止するために設けられる。
【００３３】
図８は図６のVIII−VIII線に沿った表示装置５０の模式的な垂直断面図である。本発明における表示装置５０の特徴は、シャッター部７４が、開口部７２を閉鎖したときにバックライトユニット８２からの光が入射する入射面を凹面に形成されていることにある。図７、図８に示す例では、当該入射面の垂直断面は放物線や円弧のように滑らかに湾曲している。
【００３４】
図９は開口部７２及びシャッター部７４の模式的な垂直断面図であり、シャッター部７４は開口部７２を閉鎖している。開口部７２を通過したバックライトユニット８２からの入射光１３０はシャッター部７４に当たって反射する。この反射光１３２は、開口部７２を通過してバックライトユニット８２に戻れば、バックライトユニット８２内の反射膜等で反射されて再び開口部７２を通過し画像表示に利用され得る。
【００３５】
ここで、シャッター部７４のバックライトユニット８２に向かう面は凹面に形成され、例えば、シャッター部７４の表面への平行光線の入射光を集光させるように反射する働きを有する。当該表面は斜めの入射光も当該表面が遮光膜７０に平行な平面である場合よりも開口部７２の中央寄りの方向に反射する。従って、入射面が凹面に形成されたシャッター部７４からの反射光１３２は開口部７２に戻されやすく、バックライトユニット８２から出射される光の再利用効率が向上する。換言すれば、シャッター部７４が開口部７２を閉鎖している状態にて遮光膜７０とシャッター部７４との間隙からの光の漏れ出しが少なくなり、望外に表示面から出射される迷光が減るので、従来課題とされていた上述の視野角特性の劣化を少なくすることができる。
【００３６】
図１０はシャッター部７４の一例の模式的な斜視図である。なお、図１０及び図１１において、白抜きの矢印はシャッター部７４の変位方向を表している。この例では、シャッター部７４の入射面はその短手方向（ｘ方向）と長手方向（ｙ方向）とに同じ曲率で湾曲した凹面である。後述するようにシャッター部７４は、基板上に積層された犠牲層の上に構造体１２０、金属膜１２２をＣＶＤ等により成膜しパターニングした後、犠牲層を除去する工程を経て形成される。シャッター部７４の湾曲は構造体１２０、金属膜１２２の積層膜の膜内の応力により生じさせることができ、当該湾曲は成膜条件により制御することができる。成膜時に生じる膜内の応力は基本的には等方的であり、その場合、シャッター部７４は本例のよう短手方向と長手方向とに基本的に同じ曲率で湾曲する。
【００３７】
図１１はシャッター部７４の他の例の模式的な斜視図である。この例では、シャッター部７４の入射面はその長手方向に沿って短手方向より小さい曲率で凹んでいる。図１０に示した短手方向と長手方向とに同じ曲率で湾曲するシャッター部７４は、短手方向の寸法に対する長手方向の寸法の比Ｒの値が大きくなるほど、長手方向の中央部での窪み量（窪みの深さ）が短手方向の中央部での窪み量（窪みの深さ）に比べて大きくなる。つまり、遮光膜７０とシャッター部７４との間隙がシャッター部７４の長辺の中央部にて拡大する。そのため、短手方向に傾いて入射する光が当該間隙から漏れ出て迷光となりやすくなる。そこで、比Ｒが大きい場合には、図１１のように長手方向の曲率を短手方向より小さくすることで、長手方向の中央部での窪み量を小さくし、迷光の減少を図ることが好適である。
【００３８】
また、同じ理由から、シャッター部７４の入射面は短手方向だけに湾曲させ長手方向には湾曲させない凹面としてもよい。
【００３９】
シャッター部７４の入射面の短手方向と長手方向とで曲率の差を設けることは、シャッター部７４の長手方向に溝又は梁を延在させて、シャッター部７４を長軸方向の曲げに対する強度を増すことにより可能である。図１２は長手方向に溝１４０を延在させたシャッター部７４の一例を示す模式的な斜視図である。図１３は長手方向に梁１４２を延在させたシャッター部７４の一例を示す模式的な斜視図である。図１２、図１３では溝１４０、梁１４２は１本だけの例を示しているが、溝１４０、梁１４２は複数本設けてもよい。シャッター部７４の長手方向の強度は溝１４０、梁１４２の断面形状や本数などで変えることができ、これにより長手方向の曲率を調整することができる。
【００４０】
図１４、図１５は表示装置５０の製造方法を説明する概略のプロセスフロー図である。図１４、図１５はシャッター部７４に溝１４０を有する表示装置５０の主な製造工程における模式的な垂直断面図を示しており、当該垂直断面図は表示装置５０のＴＦＴ基板５２及び対向基板５４の図６のVII−VII線に沿った部分の断面を含んでいる。ＴＦＴ基板５２はその表面に第１の犠牲層１５０となるレジストを塗布される（工程ａ）。当該レジストは露光・現像工程によりパターニングされ、アンカー部を形成する部分などから当該レジストが除去される（工程ｂ）。その上に第２の犠牲層１５２となるレジストが塗布され（工程ｃ）、当該レジストは露光・現像工程によりパターニングされ、溝１４０を形成する部分などから当該レジストが除去される（工程ｄ）。
【００４１】
このように形成された２層構造の犠牲層１５０，１５２の表面に構造体１２０を構成するＣＶＤ膜１５４、及び図７の金属膜１２２となる金属膜１５６が順番に積層される（工程ｅ）。例えば、ＣＶＤ膜１５４として、α−Ｓｉ膜が化学気相成長（Chemical Vapor Deposition：ＣＶＤ）法で形成される。また金属膜１５６としてＡｌＳｉ膜が蒸着される。
【００４２】
さらにその上にレジスト１５８が塗布され（工程ｆ）、当該レジスト１５８は露光・現像工程によりパターニングされ、第１ビーム部１０２、第２ビーム部１０４を形成する部分などから当該レジストが除去される（工程ｇ）。
【００４３】
パターニングされたレジスト１５８をマスクとして用い、まず金属膜１５６をエッチングして除去し（工程ｈ）、さらにＣＶＤ膜１５４をエッチングする（工程ｉ）。ここで、ＣＶＤ膜１５４のエッチングの方法及びエッチング量は、第１の犠牲層１５０の上面や第２の犠牲層１５２の上面に積層されたＣＶＤ膜１５４を除去しつつ、第２の犠牲層１５２の段差部の側面に積層されたＣＶＤ膜１５４を残存させるように設計される。例えば、異方性エッチングにより第２の犠牲層１５２の段差部の側面にＣＶＤ膜１５４を残存させることが可能である。
【００４４】
レジスト１５８からなるエッチングマスクの開口領域におけるＣＶＤ膜１５４の残存部分１６０は第１ビーム部１０２及び第２ビーム部１０４となる。一方、シャッター部７４や第１アンカー部１０６となる部分はレジスト１５８で覆われ、ＣＶＤ膜１５４及び金属膜１５６はエッチングされずに残る。
【００４５】
しかる後、アッシング処理を行って第１の犠牲層１５０及び第２の犠牲層１５２を形成するレジストを除去する（工程ｊ）。さらに図には示していないが、ＣＶＤ法により絶縁膜１２４が形成される。
【００４６】
以上の工程を経て、ＴＦＴ基板５２上に第１ビーム部１０２、第２ビーム部１０４、第１アンカー部１０６、第２アンカー部１０８及びスペーサ１６２が形成される。ここで、シャッター部７４はその下の第１の犠牲層１５０及び第２の犠牲層１５２を除去されると、それ自身の応力により変形する。ＣＶＤ膜１５４及び金属膜１５６の成膜条件はこの変形によりシャッター部７４の入射面が凹面になるように設定される。例えば、金属膜１５６が引っ張り応力を生じるように形成され、これによりシャッター部７４を凹面に反らせることが可能である。また、シャッター部７４の長手方向に伸びる溝１４０を形成することで長手方向の反りを短手方向より小さくすることができる。
【００４７】
一方、対向基板５４はその表面に遮光膜７０及び反射防止膜１６４を積層され、これら膜に開口部７２が形成される。この開口部７２が形成された対向基板５４がＴＦＴ基板５２に貼り合わせられる（工程ｋ）。ＴＦＴ基板５２と対向基板５４との間にはスペーサ１６２，１６６により間隔が設けられ、ＴＦＴ基板５２と対向基板５４との間の空間内にてシャッター及び駆動機構８４が動作し、シャッター部７４を変位させる。
【００４８】
[変形例]
（１）上述の実施形態では、溝１４０や梁１４２はシャッター部７４の長手方向だけに設けられているが、短手方向の反りの曲率を制御するために短手方向に伸びる溝１４０や梁１４２を設けてもよい。
【００４９】
（２）上述の実施形態では、シャッター及び駆動機構８４は第１アクチュエータ部１００ａ及び第２アクチュエータ部１００ｂをそれぞれ一対ずつ備え、各対の第１ビーム部１０２をシャッター部７４の長辺の中央部に連結する構成であった。しかし、シャッター及び駆動機構８４は当該構成に限定されない。例えば、シャッター及び駆動機構８４は第１アクチュエータ部１００ａ及び第２アクチュエータ部１００ｂをそれぞれ１つずつ備え、それらの第１ビーム部１０２をシャッター部７４の一方の短辺に連結する構成であってもよい。
【００５０】
（３）図１６は本発明に係る表示装置５０の変形例の模式的な垂直断面図である。上述の実施形態ではバックライトユニット８２は対向基板５４側に配置されていた。これに対し、図１６に示す構成では、バックライトユニット８２はＴＦＴ基板５２側に配置される。すなわち、バックライトユニット８２から光は、ＴＦＴ基板５２のシャッター及び駆動機構８４等が形成される面とは反対側の面からＴＦＴ基板５２に入射し、対向基板５４の開口部７２を通過して表示面から出射する。
【００５１】
この構成においても、バックライトユニット８２からの光が入射するシャッター部７４の入射面は凹面に形成される。但し、当該入射面はＴＦＴ基板５２側を向く点が上述の実施形態と相違する。
【００５２】
（４）上述の実施形態の表示装置５０は、バックライトユニット８２からの出射光を画像表示に用いる透過型の表示装置であった。一方、本発明はバックライトユニット８２からの光ではなく外界からの光を画像表示に用いる反射型の表示装置に適用することもできる。
【００５３】
図１７は本発明に係る反射型のＭＥＭＳディスプレイである表示装置２００の模式的な垂直断面図である。表示装置２００において上記表示装置５０と同様の構成要素には同一の符号を付す。表示装置２００において、対向基板５４は画像表示面側に配置され、ＴＦＴ基板５２は背面側に配置される。シャッター部７４により開口部７２が閉鎖されている画素では、開口部７２を通過した外来光２０２はシャッター部７４で反射されて再び開口部７２を通過して表示面からの出射光２０４となる。シャッター部７４の光の入射面、つまり対向基板５４側を向く面は凹面に形成される。これにより、開口部７２から入射した外来光２０２は開口部７２に戻されやすく画像表示に有効に利用され、コントラストが向上する。
【００５４】
上述した透過型の表示装置５０の実施形態では、シャッター部７４の入射面を凹面に形成することでバックライトユニット８２からの斜め入射光１３０が迷光になりにくく反射光１３２が開口部７２に戻されやすいと説明した。これは見方を変えると反射光１３２の向かう方向から入射した光は入射光１３０がやってきた方向へ反射されるということである。このことから反射型の表示装置２００においては、シャッター部７４の入射面が凹面である場合はそれが平面である場合よりも、開口部７２への入射光が開口部７２から斜め方向へ出射されやすいと言える。すなわち、シャッター部７４の入射面を凹面とすることで視野角特性が向上する。
【００５５】
なお、図１７に示した表示装置２００とはＴＦＴ基板５２及び対向基板５４の配置を逆にして、ＴＦＴ基板５２のシャッター及び駆動機構８４等が形成された面とは反対側の面を画像表示面側に向けて配置した反射型の表示装置も考えられる。この構成では外来光はシャッター部７４のＴＦＴ基板５２側を向く面に入射し、この入射面が凹面に形成される。
【符号の説明】
【００５６】
５０，２００  表示装置、５２  ＴＦＴ基板、５２ａ  表示部、５２ｂ，５２ｃ  駆動回路、５２ｄ  端子部、５４  対向基板、５６  端子、７０  遮光膜、７２  開口部、７４  シャッター部、８０  制御部、８２  バックライトユニット、８４  シャッター及び駆動機構、９０  ゲート線、９２  データ線、１００ａ  第１アクチュエータ部、１００ｂ  第２アクチュエータ部、１０２  第１ビーム部、１０４  第２ビーム部、１０６  第１アンカー部、１０８  第２アンカー部、１１０  作用部、１２０  構造体、１２２  金属膜、１２４  絶縁膜、１４０  溝、１４２  梁、１５０  第１の犠牲層、１５２  第２の犠牲層、１５４  ＣＶＤ膜、１５６  金属膜、１５８  レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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