(57)【要約】【課題】  無機バリア層を形成する際に、無機材料が電極の端子の開放面に堆積することを防止できる有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、帯状の支持基板２上に、陰極端子及び陽極端子を有する有機ＥＬ素子を複数形成する素子形成工程Ｂと、前記各有機ＥＬ素子の陰極端子の開放面及び陽極端子の開放面を、マスキング材によって被覆する被覆工程Ｃと、前記有機ＥＬ素子上に、気化した無機材料を堆積させることにより、前記有機ＥＬ素子上に無機バリア層を形成するバリア層形成工程Ｄと、前記無機バリア層の形成後に前記マスキング材を除去する除去工程Ｇと、を有する。【選択図】  図５
2014197474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の支持基板上に、陰極端子及び陽極端子を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を複数形成する素子形成工程と、
前記各有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極端子の開放面及び陽極端子の開放面を、マスキング材によって被覆する被覆工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に、気化した無機材料を堆積させることにより、前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に無機バリア層を形成するバリア層形成工程と、
前記無機バリア層の形成後に前記マスキング材を除去する除去工程と、
を有する、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項２】
前記バリア層形成工程において、螺旋状の搬送軌跡を描くように前記支持基板を搬送しながら前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に、気化した無機材料を重畳的に堆積させる、請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項３】
前記無機材料が、金属及び半金属の少なくとも何れか一方を含み、
前記バリア層形成工程において、前記無機材料を、物理気相成長法又は化学気相成長法によって前記有機エレクトロルミネッセンス素子上に堆積させる、請求項１または２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項４】
前記素子形成工程において、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を、前記帯状の支持基板の長手方向に並んで形成し、
前記被覆工程において、前記マスキング材として裏面に粘着層が設けられた帯状のシートを用い、その帯状のシートを、支持基板と同期させて搬送しながら複数の有機エレクトロルミネッセンス素子の隣接する端子に跨るように貼り付ける、請求項１乃至３の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項５】
前記素子形成工程において、前記各有機エレクトロルミネッセンス素子の陰極端子又は陽極端子を前記支持基板の短手方向一方側に配置し且つ陽極端子又は陰極端子を前記支持基板の短手方向反対側に配置して、前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する、請求項１乃至４の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記バリア層形成工程と除去工程との間において、前記無機バリア層上に封止層を形成する封止工程を有する、請求項１乃至５の何れか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、有機エレクトロルミネッセンスを「有機ＥＬ」と記す。
従来、支持基板と、前記支持基板上に設けられた有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子上に設けられたバリア層及び封止層と、を有する有機ＥＬ装置が知られている（特許文献１）。前記有機ＥＬ素子は、端子を有する第１電極と、端子を有する第２電極と、前記両電極の間に設けられた有機層と、を有する。
【０００３】
ロールツーロール方式により、有機ＥＬ素子を連続的に製造する方法が知られている。有機ＥＬ素子は、水分や酸素により劣化しやすいため、外気と遮断する封止が必要である。特許文献２には、ロールツーロール方式にて、支持基板上に有機ＥＬ素子の形成後、インラインにて有機ＥＬ素子上に防湿性のバリア層を形成することが開示されている。なお、前記インラインとは、ロールからフレキシブル基板を繰り出し、再びロール状に巻き取るまでの工程内を意味する。
【０００４】
ところで、前記バリア層は、蒸着法などを利用して、無機材料を有機ＥＬ素子上に堆積させることにより形成されるが、この際、前記無機材料が有機ＥＬ素子の端子に堆積しないように、その堆積領域を制御する必要がある。一般に、蒸着装置のような薄膜形成装置の防着板の開口幅を調整することによって前記無機材料が堆積する領域を制御するが、その制御を正確に行うことは困難である。
また、前記ロールツーロール方式に従い、支持基板上に蒸着法などによって有機ＥＬ素子を形成した後、（その基板をロール状に巻き取らずに）続いて、蒸着法などによってバリア層を形成する場合、有機ＥＬ素子を形成する材料の蒸着速度が、バリア層を形成する無機材料の蒸着速度よりも大きければ、所望の厚みのバリア層を形成するために（一般的に、有機ＥＬ素子の厚みよりも大きい厚みを有するバリア層が必要とされる）、大型の薄膜形成装置を準備する必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−０９７８０３号公報
【特許文献２】特許第４６９６８３２号（特開２００７−１０９５９２号）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１の目的は、無機材料が電極の端子に堆積することを簡単に防止でき、良好な無機バリア層を有する有機ＥＬ装置を製造する方法を提供することである。
本発明の第２の目的は、比較的小型の薄膜形成装置を用いて所望の厚みの無機バリア層を有する有機ＥＬ装置を製造する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、帯状の支持基板上に、陰極端子及び陽極端子を有する有機ＥＬ素子を複数形成する素子形成工程と、前記各有機ＥＬ素子の陰極端子の開放面及び陽極端子の開放面を、マスキング材によって被覆する被覆工程と、前記有機ＥＬ素子上に、気化した無機材料を堆積させることにより、前記有機ＥＬ素子上に無機バリア層を形成するバリア層形成工程と、前記無機バリア層の形成後に前記マスキング材を除去する除去工程と、を有する。
【０００８】
本発明の好ましい製造方法は、前記バリア層形成工程において、螺旋状の搬送軌跡を描くように前記支持基板を搬送しながら前記有機ＥＬ素子上に、気化した無機材料を重畳的に堆積させる。
本発明の好ましい製造方法は、前記無機材料が、金属及び半金属の少なくとも何れか一方を含み、前記バリア層形成工程において、前記無機材料を、物理気相成長法又は化学気相成長法によって前記有機ＥＬ素子上に堆積させる。
【０００９】
本発明の好ましい製造方法は、前記素子形成工程において、前記複数の有機ＥＬ素子を、前記帯状の支持基板の長手方向に並んで形成し、前記被覆工程において、前記マスキング材として裏面に粘着層が設けられた帯状のシートを用い、その帯状のシートを、支持基板と同期させて搬送しながら複数の有機ＥＬ素子の隣接する端子に跨るように貼り付ける。
本発明の好ましい製造方法は、前記素子形成工程において、前記各有機ＥＬ素子の陰極端子又は陽極端子を支持基板の短手方向一方側に配置し且つ陽極端子又は陰極端子を支持基板の短手方向反対側に配置して、前記複数の有機ＥＬ素子を形成する。
本発明の好ましい製造方法は、前記バリア層形成工程と除去工程との間において、無機バリア層上に、封止層を形成する封止工程を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の製造方法によれば、無機バリア層を形成する際に、端子に無機材料が堆積することを防止できる。本発明の製造方法を用いれば、有機ＥＬ素子上に無機バリア層が設けられ且つ陰極端子及び陽極端子が開放された有機ＥＬ装置を比較的簡単に得ることができる。
また、本発明の好ましい製造方法によれば、ロールツーロール方式により、比較的小型の薄膜形成装置を用いて所望の厚みの無機バリア層を有する有機ＥＬ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の１つの実施形態に係る帯状の有機ＥＬ装置の平面図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線で切断した拡大断面図（有機ＥＬ装置を短手方向で切断した拡大断面図）。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断した拡大断面図。
【図４】枚葉状の有機ＥＬ装置の平面図。
【図５】本発明の１つ実施形態に係る製造方法の各工程を示す模式図。
【図６】素子形成工程後に得られる、複数の有機ＥＬ素子が形成された帯状の支持基板（素子付き基板）を図５の矢印ＶＩ方向から見た平面図。
【図７】セパレータに仮貼付された帯状のマスキングシートの斜視図。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線で切断した拡大断面図。
【図９】被覆工程後に得られる、２つのマスキング材によって各端子がそれぞれ被覆された支持基板（被覆済み基板）を図５の矢印ＩＸ方向から見た平面図。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線で切断した拡大断面図。
【図１１】第１実施形態に係る薄膜形成装置の概略を示す正面図。
【図１２】同薄膜形成装置の左側面図。
【図１３】バリア層形成後に得られる、有機ＥＬ素子上に無機バリア層が積層された支持基板（バリア層付き基板）を短手方向で切断した拡大断面図。
【図１４】セパレータに仮貼付された帯状の封止シートの斜視図。
【図１５】図１４のＸＶ−ＸＶ線で切断した拡大断面図。
【図１６】封止工程後に得られる、無機バリア層上に封止シートが積層された支持基板（封止済み基板）を短手方向で切断した拡大断面図。
【図１７】封止済み基板からマスキングシートを除去するときの拡大断面図。
【図１８】第２実施形態に係る薄膜形成装置の概略を示す正面図。
【図１９】同薄膜形成装置の左側面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明について、図面を参照しつつ説明する。ただし、各図における厚み及び長さなどの寸法は、実際のものとは異なっていることに留意されたい。
また、本明細書において、用語の頭に、「第１」、「第２」を付す場合があるが、この第１などは、用語を区別するためだけに付加されたものであり、その順序や優劣などの特別な意味を持たない。「帯状」とは、一方向における長さが他方向における長さよりも十分に長い略長方形状を意味する。前記帯状は、例えば、前記一方向における長さが他方向における長さの１０倍以上の略長方形状であり、好ましくは３０倍以上であり、より好ましくは１００倍以上である。「長手方向」は、前記帯状の一方向（帯状の長辺と平行な方向）であり、「短手方向」は、前記帯状の他方向（帯状の短辺と平行な方向）である。「ＰＰＰ〜ＱＱＱ］という表記は、「ＰＰＰ以上ＱＱＱ以下」を意味する。
【００１３】
［有機ＥＬ装置の構成］
本発明の有機ＥＬ装置１は、図１乃至図３に示すように、帯状の支持基板２と、前記帯状の支持基板２の上に設けられた有機ＥＬ素子３と、前記有機ＥＬ素子３の上に設けられた無機バリア層４と、前記有機ＥＬ素子３の上に接着層６を介して設けられた封止層５と、を有する。前記有機ＥＬ素子３は、帯状の支持基板２の長手方向に所要間隔を開けて複数並んで形成されている。
前記有機ＥＬ素子３は、端子３１ａを有する第１電極３１と、端子３２ａを有する第２電極３２と、前記両電極３１，３２の間に設けられた有機層３３と、を有する。
支持基板２が導電性を有する場合には、電気的な短絡を防止するため、支持基板２と第１電極３１の間に絶縁層（図示せず）が設けられる。
【００１４】
前記有機ＥＬ素子３は、前記有機層３３を基準にして、第１電極３１の端子３１ａが第１側に配設され、且つ、第２電極３２の端子３２ａが第２側に配設されている。前記第１側と第２側は、相反する側であり、第１側は、例えば、前記支持基板２の短手方向一方側であり、第２側は、前記支持基板２の短手方向一方側とは反対側である。
第１電極３１は、陽極又は陰極の何れでもよい。例えば、前記第１電極３１は、陽極であり、この場合、第２電極３２は、陰極である。前記第１電極３１が陽極の場合、前記端子３１ａは、陽極端子であり、前記端子３２ａは、陰極端子である。
【００１５】
前記有機ＥＬ素子３は、例えば、平面略長方形状に形成されている。もっとも、有機ＥＬ素子３の平面形状は、略長方形状に限られず、例えば、略正方形状又は円形状などに形成されていてもよい。
前記有機ＥＬ素子３の有機層３３は、発光層を含み、必要に応じて、正孔輸送層及び電子輸送層などの各種機能層を有する。有機層３３の層構成は、後述する。
第１電極３１の端子３１ａを形成するため、有機層３３は、第１電極３１の第１側の端部（端子３１ａ）を除いて、第１電極３１の表面上に設けられている。
また、有機層３３の表面上には、有機層３３の表面を被覆するように第２電極３２が設けられているが、第２電極３２の端子３２ａを形成するため、第２電極３２の端部（端子３２ａ）は、有機層３３の端部から第２側に延出されている。
【００１６】
前記第１電極３１及び第２電極３２の各端子３１ａ，３２ａは、外部に接続する部分である。第１電極３１の端子３１ａは、第１電極３１の表面の一部分を露出させた開放面からなり、第２電極３２の端子３２ａは、第２電極３２の表面の一部分を露出させた開放面からなる。
前記無機バリア層４及び封止層５は、これらの端子３１ａ，３２ａを除いて、有機ＥＬ素子３の表面（図示例では端子３２ａ以外の第２電極３２の表面）を被覆するように、その上に積層接着されている。また、前記無機バリア層４は、図２及び図３に示すように、有機ＥＬ素子３の全ての側面も被覆している。従って、有機ＥＬ素子３は、各端子３１ａ，３２ａを除いて、無機バリア層４によって気密的に覆われている。なお、有機ＥＬ素子３の側面は、有機ＥＬ素子３の厚みを構成する面であり、平面略長方形状の有機ＥＬ素子３においては、その側面は、２つの長辺及び短辺に対応して、４つ存在する。
他方、前記封止層５は、無機バリア層４の表面上に硬化済みの接着層６を介して接着されている。前記接着層６は、接着剤が硬化した層である。なお、封止層５は、接着層６を用いず、無機バリア層４に直接固着されていてもよい（図示せず）。封止層５は、各端子３１ａ，３２ａを除いて、無機バリア層４と共に有機ＥＬ素子３の表面を被覆している。
【００１７】
前記帯状の有機ＥＬ装置１は、使用時に、隣接する有機ＥＬ素子３の境界部において適宜切断される。図１及び図３に、切断箇所を太矢印で示している。帯状の有機ＥＬ装置１を、前記のように加工することにより、図４に示すような、枚葉状の有機ＥＬ装置１０が得られる。
前記有機ＥＬ装置１，１０は、その１つ又は複数を組み合わせて、照明装置や画像表示装置などの発光パネルとして利用できる。
以下、有機ＥＬ装置の形成材料及び製造方法などを具体的に説明する。
【００１８】
［支持基板］
前記帯状の支持基板は、フレキシブルなシート状物である。前記帯状の支持基板の長さ（長手方向の長さ）は、特に限定されないが、例えば、１０ｍ〜１０００ｍである。また、前記支持基板の幅（短手方向の長さ）も特に限定されないが、例えば、１０ｍｍ〜３００ｍｍであり、好ましくは１０ｍｍ〜１００ｍｍである。
前記支持基板は、透明又は不透明の何れでもよい。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な支持基板が用いられる。なお、本明細書において、透明は、無色透明又は有色透明を意味する。前記透明の指標としては、例えば、全光線透過率７０％以上、好ましくは８０％以上が例示できる。ただし、前記全光線透過率は、ＪＩＳ  Ｋ７１０５（プラスチックの光学的特性試験方法）に準拠した測定法によって測定される。
【００１９】
前記支持基板は、好ましくは、水分や酸素などの侵入を防止できるガス及び水蒸気バリア性に優れた基板が用いられる。前記支持基板としては、例えば、金属シート、樹脂シート、ガラスシート、セラミックシートなどから適宜選択して用いることができる。なお、本明細書において、シートとは、一般にフィルムと呼ばれるものを含む。
前記金属シートは、特に限定されないが、例えば、ステンレス、銅、チタン、アルミニウム、合金などからなるフレキシブルな薄板が挙げられる。前記金属シートの厚みは、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。
前記樹脂シートは、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）等のポリエステル系樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のα−オレフィンをモノマー成分とするオレフィン系樹脂；ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）；酢酸ビニル系樹脂；ポリカーボネート（ＰＣ）；ポリフェニレンスルフィド（ＰＰＳ）；ポリアミド（ナイロン）、全芳香族ポリアミド（アラミド）等のアミド系樹脂；ポリイミド系樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などからなるフレキシブルな合成樹脂シートが挙げられる。前記樹脂シートの厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ〜５００μｍである。良好なガス及び水蒸気バリア性を付与できることから、前記樹脂シートの少なくとも一方面に上述の無機バリア層が積層されていてもよい。
また、駆動時に有機ＥＬ装置の温度上昇を防止するため、前記支持基板は、放熱性に優れていることが好ましい。なお、支持基板として、導電性基板（金属シートなど）を用いる場合には、対面する電極に対して絶縁するため、前記支持基板の表面に絶縁層が設けられる。
【００２０】
［無機バリア層］
前記無機バリア層は、封止層と第２電極の間に介在されている。前記無機バリア層は、有機ＥＬ素子に、酸素や水蒸気などが浸入することを防止するための層である。前記無機バリア層は、前記各端子を除いて、有機ＥＬ素子の全体を気密的に覆っている。前記無機バリア層の形成材料は、特に限定されないが、例えば、無機材料が用いられる。前記無機材料としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸化窒化物、金属酸化炭化物、金属窒化炭化物及び金属酸化窒化炭化物、並びに、半金属酸化物、半金属窒化物、半金属炭化物、半金属酸化窒化物、半金属酸化炭化物、半金属窒化炭化物及び半金属酸化窒化炭化物からなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。特に、緻密なネットワーク構造（網目状の構造）を有し且つガスバリア性に優れた無機バリア層を形成できることから、金属及び半金属の少なくとも１種と炭素及び窒素とを含む無機材料がより好ましく、金属及び半金属の少なくとも１種と炭素、酸素及び窒素とを含む無機材料（代表的には金属又は半金属の酸化窒化炭化物）が特に好ましい。
前記金属としては、例えば、アルミニウム、チタン、インジウム、マグネシウムなどが挙げられる。前記半金属としては、例えば、ケイ素、ビスマス、ゲルマニウムなどが挙げられる。
具体例として、前記無機バリア層は、酸化炭化窒化ケイ素膜（ＳｉＯＣＮ）、酸化窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素膜（ＳｉＮ）などから形成される。
前記無機バリア層の厚みは、特に限定されないが、例えば、５０ｎｍ〜１０μｍである。
【００２１】
［封止層］
前記封止層は、有機ＥＬ素子に、酸素や水蒸気などが浸入することを防止するための層である。図１乃至図３に示す封止層は、帯状の封止シートによって形成されている。もっとも、封止層は、帯状の封止シートに限られず、無機バリア層の表面に直接堆積された無機材料又は樹脂材料から形成されていてもよい。封止層として帯状の封止シートを用いる場合には、それを有機ＥＬ素子に接着させるため、前記接着層が用いられる。
封止層として帯状の封止シートを用いる場合、その封止シートは、フレキシブルなシート状物である。前記帯状の封止シートは、特に限定されず、例えば、金属シート、樹脂シート、ガラスシート、セラミックシートなどから適宜選択して用いることができる。これらのシートの具体例は、上記支持基板に例示のものを適宜用いることができる。なお、図１に示す有機ＥＬ装置１は、支持基板２の短手方向の両側に端子３１ａ，３２ａが配置されているので、前記封止シートの幅は、前記支持基板の幅よりも少し小さい。
前記封止層は、透明又は不透明のいずれでもよい。トップエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な封止層が用いられる。
【００２２】
また、駆動時に有機ＥＬ装置の温度上昇を防止するため、前記封止層は、放熱性に優れていることが好ましい。
【００２３】
［接着層］
接着層は、従来公知の接着剤から形成される。前記接着剤としては、例えば、熱硬化型接着剤又は光硬化型接着剤を用いることができる。
前記熱硬化型接着剤としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。前記光硬化型接着剤としては、代表的には、紫外線硬化型の接着剤を用いることができる。紫外線硬化型接着剤としては、紫外線硬化性アクリル樹脂、紫外線硬化性ウレタンアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリエステルアクリレート樹脂、紫外線硬化性ポリウレタン樹脂、紫外線硬化性エポキシアクリレート樹脂、紫外線硬化性イミドアクリレート樹脂などを主成分とする接着剤が挙げられる。
前記接着層の厚みは、例えば、５μｍ〜５０μｍである。
【００２４】
［第１電極、有機層及び第２電極を有する有機ＥＬ素子］
前記第１電極は、例えば、陽極である。
前記第１電極（陽極）の形成材料は、特に限定されないが、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウム；金；白金；ニッケル；タングステン；銅；合金；などが挙げられる。ボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を形成する場合には、透明な第１電極が用いられる。
第１電極の厚みは、特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
【００２５】
有機層は、少なくとも２つの層からなる積層構造である。有機層の構造としては、例えば、（Ａ）正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の、３つの層からなる構造、（Ｂ）正孔輸送層及び発光層の、２つの層からなる構造、（Ｃ）発光層及び電子輸送層、の２つの層からなる構造、などが挙げられる。
前記（Ｂ）の有機層は、発光層が電子輸送層を兼用している。前記（Ｃ）の有機層は、発光層が正孔輸送層を兼用している。
本発明に用いられる有機層は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の何れの構造であってもよい。
以下、前記（Ａ）の構造を有する有機層について説明する。
【００２６】
正孔輸送層は、第１電極の表面に設けられる。もっとも、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させないことを条件として、第１電極と正孔輸送層の間にこれら以外の任意の機能層が介在されていてもよい。
例えば、正孔注入層が、第１電極の表面に設けられ、その正孔注入層の表面に正孔輸送層が設けられていてもよい。正孔注入層は、陽極から正孔輸送層へ正孔の注入を補助する機能を有する層である。
【００２７】
正孔輸送層の形成材料は、正孔輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。正孔輸送層の形成材料としては、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）−トリフェニルアミン（略称：ＴｃＴａ）などの芳香族アミン化合物；１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼンなどのカルバゾール誘導体；Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９’−スピロビスフルオレン（略称：Ｓｐｉｒｏ−ＮＰＢ）などのスピロ化合物；高分子化合物；などが挙げられる。正孔輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、正孔輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
正孔輸送層の厚みは、特に限定されないが、駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【００２８】
発光層は、正孔輸送層の表面に設けられる。
発光層の形成材料は、発光性を有する材料であれば特に限定されない。発光層の形成材料としては、例えば、低分子蛍光発光材料、低分子燐光発光材料などの低分子発光材料を用いることができる。
【００２９】
低分子発光材料としては、例えば、４，４’−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）−ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などの芳香族ジメチリデン化合物；５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾールなどのオキサジアゾール化合物；３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体；１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼンなどのスチリルベンゼン化合物；ベンゾキノン誘導体；ナフトキノン誘導体；アントラキノン誘導体；フルオレノン誘導体；アゾメチン亜鉛錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）などの有機金属錯体；などが挙げられる。
【００３０】
また、発光層の形成材料として、ホスト材料中に発光性のドーパント材料をドープしたものを用いてもよい。
前記ホスト材料としては、例えば、上述の低分子発光材料を用いることができ、これ以外に、１，３，５−トリス（カルバゾ−９−イル）ベンゼン（略称：ＴＣＰ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ピリジン、９，９−ジ（４−ジカルバゾール−ベンジル）フルオレン（略称：ＣＰＦ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチル−フルオレン（略称：ＤＭＦＬ−ＣＢＰ）などのカルバゾール誘導体などを用いることができる。
【００３１】
前記ドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体；ペリレン誘導体；トリス（２−フェニルピリジル）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））などの有機イリジウム錯体などの燐光発光性金属錯体；などを用いることができる。
さらに、発光層の形成材料には、上述の正孔輸送層の形成材料、後述の電子輸送層の形成材料、各種添加剤などが含まれていてもよい。
発光層の厚みは、特に限定されないが、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【００３２】
電子輸送層は、発光層の表面に設けられる。もっとも、有機ＥＬ素子の発光効率を低下させないことを条件として、第２電極と電子輸送層の間にこれら以外の任意の機能層が介在されていてもよい。
例えば、電子注入層が、電子輸送層の表面に設けられ、電子注入層の表面に、第２電極が設けられていてもよい。電子注入層は、陰極から電子輸送層へ電子の注入を補助する機能を有する層である。
【００３３】
電子輸送層の形成材料は、電子輸送機能を有する材料であれば特に限定されない。電子輸送層の形成材料としては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）などの金属錯体；２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン（略称：Ｂｐｙ−ＦＯＸＤ）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、２，２’,２’'−(１，３，５−フェニレン)−トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール）（略称：ＴＰＢｉ）などの複素芳香族化合物；ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）などの高分子化合物；などが挙げられる。電子輸送層の形成材料は、１種単独で又は２種以上を併用してもよい。また、電子輸送層は、２層以上の多層構造であってもよい。
電子輸送層の厚みは、特に限定されないが、駆動電圧を下げるという観点から、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
【００３４】
第２電極は、例えば、陰極である。
前記第２電極の形成材料は、特に限定されないが、トップエミッション型の有機ＥＬ素子を形成する場合には、透明な第２電極が用いられる。透明及び導電性を有する第２電極の形成材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）；酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）；アルミニウムなどの導電性金属を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ａｌ）；マグネシウム−銀合金などが挙げられる。第２電極の厚みは、特に限定されないが、通常、０．０１μｍ〜１．０μｍである。
【００３５】
［有機ＥＬ装置の製造方法の第１実施形態］
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、帯状の支持基板上に、陰極端子及び陽極端子を有する有機ＥＬ素子を複数形成する素子形成工程と、前記各有機ＥＬ素子の陰極端子の開放面及び陽極端子の開放面を、マスキング材によって被覆する被覆工程と、前記有機ＥＬ素子上に、気化した無機材料を堆積させることにより、前記有機ＥＬ素子上に無機バリア層を形成するバリア層形成工程と、前記無機バリア層の形成後に前記マスキング材を除去する除去工程と、を有する。少なくとも前記素子形成工程、被覆工程及びバリア層形成工程は、ロールツーロール方式で実施されることが好ましい。
さらに、好ましい実施形態では、前記素子形成工程の前に、フレキシブルな帯状の支持基板を繰り出す繰出し工程を有し、さらに、バリア層形成工程と除去工程との間において、無機バリア層上に、封止層を形成する封止工程を有する。
【００３６】
図５は、第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造装置の模式図である。
図５において、符号Ａで示す部分は、帯状の支持基板の繰出し部であり、符号Ｂで示す部分は、素子形成部であり、符号Ｃで示す部分は、マスキング材にて両端子を被覆する被覆部であり、符号Ｄで示す部分は、バリア層形成部であり、符号Ｅで示す部分は、封止層を形成する封止部であり、符号Ｆで示す部分は、未硬化の接着層を硬化させる硬化部であり、符号Ｇで示す部分は、マスキング材を除去する除去部であり、符号Ｈで示す部分は、帯状の有機ＥＬ装置の巻取り部である。
前記素子形成部Ｂ、被覆部Ｃ、バリア層形成部Ｄ、封止部Ｅ、硬化部Ｆ、除去部Ｇ及び巻取り部Ｈは、チャンバー（図中の四角の線）を有する。各部のチャンバー間には、圧力調整部ｋ１，ｋ２，ｋ３，ｋ４，ｋ５が設けられている。前記各圧力調整部は、例えば、差圧排気によってチャンバー内の圧力を調整でき、これによって前記各チャンバー内は、各部の処理に適した真空度に調整される。
【００３７】
（繰出し工程）
帯状の支持基板２は、図５に示すように、ロール状に巻かれている。
繰出し部Ａには、支持基板２の搬送手段が具備されている。支持基板の搬送手段は、支持基板をその長手方向に搬送できるものであれば、特に限定されず、従来公知の装置を採用できる。
前記支持基板２の搬送速度は、形成される有機層の厚みなどを考慮して適宜設定でき、例えば、０．１〜２０ｍ／分である。
【００３８】
（素子形成工程）
有機ＥＬ素子の形成工程は、従来と同様にして行われる。
なお、図５の素子形成部Ｂにおいては、有機ＥＬ素子を形成するための装置類（例えば、蒸着装置）は図示していない。
簡単に説明すると、前記繰り出した支持基板２を、必要に応じて洗浄槽にて洗浄した後、乾燥する。洗浄乾燥後、その支持基板２の表面上に第１電極を形成する。
第１電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。例えば、金属によって第１電極を形成する場合には、蒸着法が用いられる。なお、予め第１電極がパターニングされた支持基板２を用いてもよい。予め第１電極が形成された支持基板２を用いる場合には、それをロールから繰り出し、洗浄乾燥する。
【００３９】
前記第１電極の表面上に、その端子を除いて、有機層を形成する。前記第１電極の表面に、例えば、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を順に形成することによって、有機層を形成できる。正孔輸送層及び電子輸送層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法、コート法などが挙げられる。発光層の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、通常、蒸着法によって形成され、好ましくは、近接蒸着法によって形成される。前記近接蒸着法は、蒸発源を支持基板に極めて近づけた状態（例えば、蒸発源の上端と支持基板の蒸着面との間隔を、数ｍｍ〜数十ｍｍとする）で有機材料を蒸着させる方法である。近接蒸着法を用いることにより、例えば、１０μｍ／分以上という比較的大きい製膜速度にて有機材料を蒸着させて、有機層を形成できる。
【００４０】
続いて、有機層の表面に、第２電極を形成する。第２電極は、第１電極の端子に重ならないように形成される。第２電極の形成方法は、その形成材料に応じて最適な方法を採用できるが、例えば、スパッタ法、蒸着法、インクジェット法などが挙げられる。
このようにして帯状の支持基板２の長手方向に、所要間隔を開けて複数の有機ＥＬ素子を順に形成していく。
前記複数の有機ＥＬ素子の間隔は、特に限定されず、適宜設定できる。例えば、前記間隔は、０．５ｍｍ〜５ｍｍである。
このように素子形成工程により、図６に示すように、前記複数の有機ＥＬ素子３が帯状の支持基板２の長手方向に並んで形成された素子付き基板２３が得られる。この素子付き基板２３は、第１電極の端子３１ａ（陽極端子又は陰極端子）が支持基板２の短手方向第１側に配置され、第２電極の端子３２ａ（陰極端子又は陽極端子）が支持基板の短手方向第２側に配置されている。従って、各有機ＥＬ素子３の端子３１ａは、支持基板２の長手方向に直線状に並んでおり、同様に、各有機ＥＬ素子３の端子３２ａは、支持基板２の長手方向に直線状に並んでいる。
【００４１】
（被覆工程）
被覆工程は、前記支持基板上に形成された有機ＥＬ素子の各端子の開放面を、マスキング材によって被覆する工程である。
陽極又は陰極となる端子３１ａ及び陰極又は陽極となる端子３２ａは、有機ＥＬ素子３の有機層３３の外側に延出されている。前記素子付き基板２３における各有機ＥＬ素子３の隣接する端子３１ａに跨がるように、各端子３１ａをマスキング材にて被覆する。同様に、前記各有機ＥＬ素子３の隣接する端子３２ａに跨がるように、各端子３２ａの開放面をマスキング材にて被覆する。
マスキング材は、耐熱性を有することが好ましい。なお、前記耐熱性を有するとは、後述するバリア層形成工程において、バリア層形成時の輻射熱によってガスが生じ難く、また、気化した無機材料が付着した際にマスキング材が破損又は脱落しない程度に耐熱性を有するという意味である。
前記マスキング材としては、帯状のシートなどを採用できる。帯状のシートからなるマスキング材を用いる場合、耐熱性を有する帯状のシートを、各端子に貼り付けることによって、各端子を被覆できる。
好ましくは、帯状のシートからなるマスキング材（マスキングシートという）が用いられる。
帯状のマスキングシートを用いる場合、それを端子の開放面（表面）に貼り付けるため、そのシートの裏面に粘着剤が設けられる。本実施形態では、前記帯状のマスキングシートの裏面に粘着剤からなる粘着層が設けられ、且つ、それがセパレータに仮貼付されたセパレータ付きシートが用いられている。
【００４２】
図７は、ロール状に巻かれたセパレータ付きシートの斜視図であり、図８は、セパレータ付きシートの断面図である。
図８において、マスキングシート８の裏面には、感圧型粘着剤からなる粘着層８１が積層されている。前記感圧型粘着剤は、常温で粘着性を有し、押さえることによって被着体に接着する粘着剤であって、剥離可能な粘着剤である。感圧型粘着剤としては、例えば、アクリル系粘着剤、酢酸ビニル系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ゴム系粘着剤などが挙げられる。
前記マスキングシート８は、耐熱性を有していれば特に限定されず、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどの耐熱性樹脂シート、又は、アルミニウム膜やシリコン膜などを積層した積層シートなどを用いることができる。マスキングシート８の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ〜４０μｍである。また、前記粘着層８１の厚みも特に限定されないが、例えば、５μｍ〜２０μｍである。
前記粘着層８１を帯状のセパレータ８２に仮貼付することにより、セパレータ８２、粘着層８１及びマスキングシート８からなるセパレータ付きシート８３が構成されている。前記セパレータ８２としては、粘着層８１と容易に剥離するように、表面に離型処理が施された帯状のシート状物が用いられる。前記帯状のセパレータ付きシート８３は、図７に示すように、通常、ロール状に巻かれており、そのロールから繰り出される。
【００４３】
図５に示す被覆部Ｃにおいて、ロール状に巻かれたセパレータ付きシート８３は、各端子及び各端子のそれぞれを独立して被覆できるように、２つ設けられている。ただし、参考的な模式図である図５には、一方のセパレータ付きシート８３のみが表されていることに留意されたい。第１端子３１ａに対応した帯状のセパレータ付きシート８３（第１のセパレータ付きシート８３という）及び端子３２ａに対応した帯状のセパレータ付きシート（第２のセパレータ付きシートという）は、それぞれロールから繰り出される。第１のセパレータ付きシート８３を、搬送される素子付き基板２３と同期させて搬送しながら、マスキングシートを素子付き基板２３の隣接する端子３１ａに跨がるように貼り付ける。同様に、第２のセパレータ付きシートを、搬送される素子付き基板２３と同期させて搬送しながら、マスキングシートを素子付き基板２３の隣接する端子３２ａに跨がるように貼り付ける。
具体的には、素子付き基板２３の搬送に同期して、第１のセパレータ付きシート８３がピールプレートｃ１へと送られる。前記ピールプレートｃ１の先端部において、セパレータ８２のみが反転されて回収ローラｃ２に回収される。図中、白抜き矢印は、セパレータ８２の回収方向を示す。ピールプレートｃ１の先端部でセパレータ８２が反転することにより、マスキングシート８が粘着層８１を伴ってセパレータ８２から離れる。粘着層８１が有機ＥＬ素子３の端子３１ａに接触することにより、第１のマスキングシート８が素子付き基板２３の各端子３１ａに貼り付く。これによって、各端子３１ａが第１のマスキングシート８によって被覆される。第２のセパレータ付きシートも、第１のセパレータ付きシート８３と同様にして貼り付けられ、第２のマスキングシートによって素子付き基板２３の各端子３２ａが被覆される。
粘着層８１を介して各端子３１ａ，３２ａに付着した各マスキングシート８は、ニップローラｃ３，ｃ３によって押圧される。
【００４４】
このようにして図９及び図１０に示すように、複数の有機ＥＬ素子３の隣接する端子３１ａが第１のマスキングシート８によって被覆され且つ複数の有機ＥＬ素子３の隣接する端子３２ａが第２のマスキングシート８によって被覆された被覆済み基板２４を得ることができる。
なお、第１のマスキングシート８（マスキング材）の縁が有機ＥＬ素子３の短手方向一方側の側面に接触しないように、且つ、第２のマスキングシート８（マスキング材）の縁が有機ＥＬ素子３の短手方向反対側の側面に接触しないように、第１及び第２のマスキングシート８，８（マスキング材）を配置させることが好ましい。つまり、図９及び図１０に示すように、第１及び第２のマスキングシート８，８の縁と有機ＥＬ素子３の短手方向両側の側面の間に、それぞれ僅かな隙間Ｓを有しながら、第１及び第２のマスキングシート８（マスキング材）によって各端子３１ａ，３２ａを被覆することが好ましい。この隙間Ｓは、無機バリア層の厚みとほぼ同じ又はその厚みより数十ｎｍ〜数百ｎｍ大きいことが好ましい。
【００４５】
（バリア層形成工程）
バリア層形成工程は、前記被覆済み基板の有機ＥＬ素子の開放面上に、気化した無機材料を堆積させることにより、無機バリア層を形成する工程である。
バリア層形成部Ｄにおいて、無機材料の堆積方法は、特に限定されず、例えば、物理気相成長法又は化学気相成長法などを利用できる。前記物理気相成長法としては、抵抗加熱蒸着や電子ビーム蒸着などの蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法などが挙げられる。前記化学気相成長法としては、熱ＣＶＤ、光ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、ＭＯＣＶＤなどが挙げられる。好ましくは、物理気相成長法を利用して無機材料を堆積させ、より好ましくは、蒸着法、イオンプレーティング法又はスパッタ法を利用して無機材料を堆積させる。無機バリア層は、堆積された無機材料から形成される。
バリア層形成部Ｄにおいて、螺旋状の搬送軌跡を描くように前記被覆済み基板を搬送しながら有機ＥＬ素子上に、気化した無機材料を重畳的に堆積させることが好ましい。無機材料を重畳的に堆積させることにより、所望の分厚いバリア層を形成することができる。
【００４６】
図１１及び図１２は、バリア層形成部Ｄにおいて用いられる第１実施形態に係る薄膜形成装置１００Ａを示す。この薄膜形成装置１００Ａは、１つのガイドローラ７１を用いて被覆済み基板２４（支持基板２）を螺旋状に搬送可能である。ここでは、プラズマアシスト蒸着法を用いて無機材料を有機ＥＬ素子に堆積（蒸着）する薄膜形成装置１００Ａを代表的に例示している。もっとも、蒸着法に限られず、他の形成方法を用いた薄膜形成装置を用いてもよい。
以下、薄膜形成装置を示す各図において、便宜上、水平面に直交する方向を「Ｚ方向」、前記Ｚ方向に直交する方向を「Ｘ方向」、前記Ｚ方向及びＸ方向に直交する方向を「Ｙ方向」という。また、Ｘ方向一方側を「Ｘ１側」、Ｘ方向反対側（前記一方側と反対側）を「Ｘ２側」といい、Ｙ方向一方側を「Ｙ１側」、Ｙ方向反対側（前記一方側と反対側）を「Ｙ２側」といい、Ｚ方向一方側を「Ｚ１側」、Ｚ方向反対側（前記一方側と反対側）を「Ｚ２側」という。
【００４７】
図１１は、Ｘ２側からＸ方向（Ｘ２からＸ１の方向）に薄膜形成装置１００Ａを見た正面図であり、図１２は、Ｙ１側からＹ方向（Ｙ１からＹ２の方向）に薄膜形成装置１００Ａを見た左側面図である。
この薄膜形成装置１００Ａは、内部を真空に保持できるチャンバー５１と、長尺帯状の被覆済み基板２４を連続的に送る搬送装置７と、プラズマを発生するプラズマ源５２と、無機材料を入れた蒸発源５３と、前記チャンバー５１内に反応ガスを供給する反応ガス供給装置５４と、前記チャンバー５１内に放電ガスを供給する放電ガス供給装置５５と、前記チャンバー５１内を真空状態にする真空ポンプ５６と、を有する。
前記搬送装置７Ａの主要部は、前記チャンバー５１内に備えられ、前記プラズマ源５２及び蒸発源５３は、前記チャンバー５１内に備えられている。
前記チャンバー５１は、製膜エリアと非製膜エリアとを有する。前記チャンバー５１内には、製膜エリアと非製膜エリアを区画する、隔壁５１１が設けられている。製膜エリアは、被着体（すなわち、長尺帯状の被覆済み基板２４）に無機材料を堆積させることができる、チャンバー５１内の一つの領域である。非製膜エリアは、被着体に無機材料を堆積させない、チャンバー５１内の他の領域である。図示例では、前記隔壁５１１を基準にして、隔壁５１１よりもＺ２側（下側）の領域が製膜エリアであり、隔壁５１１よりもＺ１側（上側）の領域が非製膜エリアである。もっとも、前記隔壁５１１は必ずしも設けられていなければならないわけではなく、隔壁５１１を省略することも可能である。
前記被覆済み基板２４は、前記チャンバー５１内において、有機ＥＬ素子３の表面を外側に向けて螺旋状に搬送される。つまり、前記被覆済み基板２４は、支持基板２の裏面（支持基板の、有機ＥＬ素子３が形成されていない側の面）をガイドローラ７１側に向けて、ガイドローラ７１に螺旋状に巻かれて搬送される。前記螺旋状に搬送される被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に通過させながら、有機ＥＬ素子３上に無機バリア層が積層される。
【００４８】
前記プラズマは、特に限定されず、例えば、アーク放電プラズマ、グロー放電プラズマなどを用いることができる。グロー放電プラズマなどとは異なり、非常に高い電子密度となることから、アーク放電プラズマを用いることが好ましい。アーク放電プラズマを用いることにより、材料の反応性を高めることができ、非常に緻密な無機バリア層を有機ＥＬ素子３上に形成できる。
【００４９】
アーク放電プラズマの発生源（プラズマ源５２）としては、例えば、圧力勾配型プラズマガン、直流放電プラズマ発生装置、高周波放電プラズマ発生装置などを利用できる。これらの中では、製膜中において高密度なプラズマを安定的に発生させることが可能であることから、プラズマ源５２として圧力勾配型プラズマガンを用いることが好ましい。
図示例では、プラズマ源５２として圧力勾配型プラズマガンが用いられている。そのプラズマ源５２は、図１１に示すように、例えば、チャンバー５１の第１側壁（Ｙ１側の側壁）に設けられている。前記圧力勾配型プラズマガンと対向するように、チャンバー５１の第２側壁（前記第１側壁とは反対側の、Ｙ２側の側壁）には、反射電極５７が設けられている。また、プラズマ源５２の周囲及び反射電極５７の周囲には、収束電極５８１，５８２，５８３，５８４が設けられている。プラズマ源５２は、反射電極５７に向かってプラズマビームを照射し、そのプラズマビームは、収束電極５８１，５８２，５８３，５８４によって所要の形状になるように制御される。各図において、プラズマビームを破線で示している。
【００５０】
蒸発源５３は、搬送装置７Ａと対向するように、チャンバー５１の底部に設置されている。蒸発源５３の上面には、無機材料が入れられている。搬送される支持基板と蒸発源５３の上面との間隔は、近接蒸着法を用いた場合よりも大きく、例えば、１００ｍｍ〜１０００ｍｍである。
前記蒸発源５３に入れられた無機材料を蒸発させる手段としては、前記プラズマを用いることができるが、抵抗加熱や電子ビームを用いてもよい。
前記蒸発源５３に入れられる無機材料としては、例えば、金属、半金属、これらの酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物及び酸化窒化炭化物から適宜選択できる。本実施形態のように、反応ガスの存在下で製膜する場合には、その反応ガスの成分を、前記蒸発源５３の材料に導入しながら無機バリア層を形成できる。
例えば、前記無機材料として金属及び半金属から選ばれる少なくとも１種を用いた場合でも、反応ガスの存在下でプラズマを発生させて製膜を行うことによって、前記酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物からなる無機バリア層を形成できる。もっとも、蒸発源５３に入れる無機材料として、金属又は半金属の酸化物、窒化物、炭化物、酸化窒化物、酸化炭化物、窒化炭化物又は酸化窒化炭化物を用いてもよい。
【００５１】
前記反応ガス供給装置５４は、例えば、チャンバー５１の第２側壁に設けられている。前記反応ガス供給装置５４には、反応ガスの数に対応した反応ガス収納ボンベ５４１，５４２，５４３が接続されており、反応ガス供給装置５４は、適度な圧力の反応ガスを、前記チャンバー５１内に供給する。
前記反応ガスとしては、酸素含有ガス、窒素含有ガス、炭化水素含有ガス、又はこれらの混合ガスなどが挙げられる。前記酸素含有ガスとしては、酸素（Ｏ２）、一酸化二窒素（Ｎ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）などが挙げられ、前記窒素含有ガスとしては、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化窒素（ＮＯ）などが挙げられ、前記炭化水素含有ガスとしては、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、ブタン（Ｃ４Ｈ１０）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）などが挙げられる。
【００５２】
前記放電ガス供給装置５５は、例えば、チャンバー５１の第２側壁に設けられている。前記放電ガス供給装置５５には、放電ガス収納ボンベ５５１が接続されており、放電ガス供給装置５５は、適度な圧力の放電ガスを、前記チャンバー５１内に供給する。前記放電ガスとしては、代表的には、アルゴンガスなどの不活性ガスを用いることができる。
前記真空ポンプ５６は、例えば、チャンバー５１の第２側壁に設けられている。前記真空ポンプ５６を作動させることにより、前記チャンバー５１内を真空状態に減圧できる。
【００５３】
前記搬送装置７Ａは、いわゆるロールツーロール方式にて長尺帯状の被覆済み基板２４をその長手方向に搬送する。本実施形態では、搬送装置７Ａは、前記被覆済み基板２４を螺旋状に搬送し、その被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に複数回導いていく。
本実施形態の搬送装置７Ａは、螺旋軌道を描きながら帯状の被覆済み基板２４を長手方向に送るため、１本のガイドローラ７１を有する。製膜エリアに被覆済み基板２４を導くため、前記ガイドローラ７１の下部は、製膜エリアに露出している。帯状の被覆済み基板２４は、有機ＥＬ素子３を前記ガイドローラ７１の外側にして、ガイドローラ７１の周面に螺旋状に巻回されている。従って、ガイドローラ７１に螺旋状に巻かれた被覆済み基板２４は、ガイドローラ７１の下部において、有機ＥＬ素子３の表面製膜エリアに向けながらそのエリアを通過し、ガイドローラ７１の上部において、非製膜エリアを通過する。ガイドローラ７１は、軸７２を中心とする円柱状のローラである。前記軸７２の延びる方向（軸方向）は、Ｘ方向と平行である。
ガイドローラ７１は、軸７２を中心に回転可能に構成されていてもよいし、軸７２に固定されていてもよい。また、被覆済み基板２４を円滑に送るため、ガイドローラ７１に周面に、案内溝や案内突起（図示せず）などが形成されていてもよい。図示例では、被覆済み基板２４は、螺旋状に搬送される間に、断続的に５回製膜エリアを通過するように、ガイドローラ７１に巻かれている。
【００５４】
なお、製膜エリアを通過する被覆済み基板２４の近傍には、製膜速度を計測及び制御するための水晶モニター５９が設けられている。水晶モニター５９は、被覆済み基板２４が製膜エリアに入る回数分に応じて、５個所定間隔を開けて設けられている。
また、必要に応じて、ガイドローラ７１に、温度制御手段（図示せず）を附属させてもよい。前記温度制御手段は、ガイドローラ７１の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
【００５５】
前記真空ポンプ５６を作動させることにより、チャンバー５１の内部が真空状態に保たれる。被覆済み基板２４に無機バリア層を形成する際のチャンバー５１内の圧力は、０．０１Ｐａ〜０．１Ｐａの範囲内であり、好ましくは０．０２Ｐａ〜０．０５Ｐａである。
前記チャンバー５１内の製膜エリアにおいては、アーク放電プラズマ発生源５２である圧力勾配型プラズマガンに、放電ガス供給装置５５から放電ガスを導入し、一定電圧を印加して、プラズマを反射電極５７に向かって照射する。プラズマビームの形状は、収束電極５８１，５８２，５８３，５８４によって所要の形状になるよう制御される。アーク放電プラズマの出力は、例えば、１〜１０ｋＷである。また、チャンバー５１内に、反応ガス供給装置５４から反応ガスを導入する。また、蒸発源５３に入れた無機材料に、例えば、電子ビーム５３１を照射し、前記無機材料を被覆済み基板２４に向かって蒸発させる。前記反応ガスの導入と前記プラズマの発生は、同時に行ってもよいし、或いは、前記反応ガスの導入後に前記プラズマを発生させてもよいし、或いは、前記プラズマの発生後に反応ガスを導入してもよい。反応ガスは、無機バリア層の形成時に製膜エリア内に存在すればよい。
なお、予め蒸発源５３と被覆済み基板２４の間に開閉シャッター（図示せず）を設けておき、材料の蒸発開始から製膜速度が安定化するまで前記シャッターを閉じ、製膜速度が安定した後、前記シャッターを開けて、被覆済み基板２４に材料を蒸着させることが好ましい。
前記無機材料の製膜速度は、適宜設定でき、例えば、１０〜１０００ｎｍ／分である。
【００５６】
被覆部Ｃを経て搬送される帯状の被覆済み基板２４は、Ｚ１側からＺ２側へ送られ、ガイドローラ７１の下部周面に巻かれた後、Ｚ２側からＺ１側へと送られ、やや傾斜させながら前記ガイドローラ７１の上部周面に巻かれる。被覆済み基板２４が前記ガイドローラ７１の下部周面を通っているときには、その被覆済み基板２４は、Ｙ１側からＹ２側（Ｙ方向）に送られている。また、被覆済み基板２４が前記外ガイドローラ７１の上部周面を通っているときには、その被覆済み基板２４は、Ｙ２側からＹ１側（Ｙ方向）に送られている。
さらに、前記長尺帯状の被覆済み基板２４は、前記ガイドローラ７１の上部周面に巻かれた後、同様に、ガイドローラ７１の下部周面から上部周面と順に螺旋軌跡を描きながら送られる。よって、搬送装置７Ａは、被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
製膜エリアにおいて無機材料の堆積を促すため、被覆済み基板２４の表面温度は、例えば２０℃〜２００℃とされており、好ましくは５０℃〜１５０℃とされる。
【００５７】
被覆済み基板２４の搬送速度は、製膜速度及び形成される無機バリア層の厚みなどを考慮して適宜設定できるが、通常、素子形成工程における支持基板２の搬送速度とほぼ同じに設定される（例えば、０．１〜２０ｍ／分）。
前記被覆済み基板２４が順次製膜エリアを通過する際（つまり、被覆済み基板２４がガイドローラ７１の下部を通る際）、被覆済み基板２４に無機材料が堆積されていき、無機バリア層が形成される。
具体的には、被覆済み基板２４がガイドローラ７１の周面を通って製膜エリアを通過した際には、被覆済み基板２４の表面に、無機材料が堆積し、第１層が形成される。第１層が形成された被覆済み基板２４は、ガイドローラ７１の上部周面を通って非製膜エリアを通過した後、再び、ガイドローラ７１の周面を通って、製膜エリアに導かれる。その際、第１層の表面に、無機材料が堆積し、第２層が形成される。以後同様に、前記第２層の表面に、第３層が形成され、前記第３層の表面に、第４層が形成され、前記第４層の表面に、第５層が形成される。このように重畳的に無機材料が堆積されていくことによって、無機バリア層（本実施形態の場合には、無機バリア層は、前記第１層乃至第５層からなる）が形成される。被覆済み基板２４が製膜エリアを通過する回数、それが製膜エリアを通過する時間（この時間は、被覆済み基板２４の搬送速度及びガイドローラ７１の周長などによって設定できる）、無機材料の選択、及び製膜温度などを適宜設定することにより、所望の厚みの無機バリア層を形成できる。
【００５８】
このようにして、図１３に示すように、有機ＥＬ素子３の表面上に無機バリア層４が積層されたバリア層付き基板２５が得られる。
上述のように、第１及び第２のマスキングシート８，８の縁と有機ＥＬ素子３の側面の間に僅かな隙間Ｓを有しているので、その隙間Ｓに無機材料が堆積する。このため、図１３に示すように、有機ＥＬ素子３の短手方向両側の側面にまで無機バリア層４を形成することができる。
なお、無機材料は、有機ＥＬ素子３の表面だけでなく、マスキングシート８の表面上にも堆積するが、マスキングシート８によって被覆された端子３１ａ，３２ａの開放面（表面）には、無機材料は堆積しない。
【００５９】
（封止工程）
封止工程は、前記有機ＥＬ素子上に形成された無機バリア層の上に、封止層を形成する工程である。
封止層は、ガス及び水蒸気バリア性を有することを条件として特に限定されず、適宜なものを使用できる。前記封止層としては、無機膜、帯状のシートなどを採用できる。無機膜からなる封止層は、無機材料を蒸着法などによって無機バリア層上に堆積させることによって形成できる。帯状のシートからなる封止層は、ガス及び水蒸気バリア性を有する帯状のシートを無機バリア層上に貼り付けることによって形成できる。
好ましくは、帯状のシートからなる封止層（封止シート）が用いられる。
帯状の封止シートを用いる場合、それを無機バリア層の表面に貼り付けるため、シートの裏面に接着剤が設けられる。本実施形態では、前記帯状の封止シートの裏面に、未硬化の熱硬化型接着剤又は光硬化型接着剤からなる接着層が設けられ、且つ、それがセパレータに仮貼付されたセパレータ付き封止シートが用いられている。熱硬化型接着剤又は光硬化型接着剤としては、上述したものを適宜用いることができる。
【００６０】
図１４は、ロール状に巻かれたセパレータ付き封止シートの斜視図であり、図１５は、セパレータ付き封止シートの断面図である。
図１５において、封止シート９の裏面には、未硬化の熱硬化型接着剤又は光硬化型接着剤からなる接着層９１が積層されている。封止シート９の厚みは、特に限定されないが、封止シート９として金属シートを用いる場合には、その厚みは、例えば、１０μｍ〜１００μｍであり、樹脂シートを用いる場合には、その厚みは、例えば、１０μｍ〜２００μｍである。
前記接着層９１を帯状のセパレータ９２に仮貼付することにより、セパレータ９２、未硬化の接着層９１及び封止シート９からなるセパレータ付き封止シート９３が構成されている。前記帯状のセパレータ付き封止シート９３は、図１４に示すように、通常、ロール状に巻かれており、そのロールから繰り出される。
【００６１】
図５に示す封止部Ｅにおいて、ロール状に巻かれたセパレータ付き封止シート９３は、ロールから繰り出される。セパレータ付き封止シート９３を、バリア層付き基板２５と同期させて搬送しながら、封止シート９をバリア層付き基板２５の有機ＥＬ素子３に対応する無機バリア層４の表面上に貼り付ける。
具体的には、バリア層付き基板２５の搬送に同期して、セパレータ付き封止シート９３がピールプレートｅ１へと送られる。前記ピールプレートｅ１の先端部において、セパレータ９２のみが反転されて回収ローラｅ２に回収される。図中、白抜き矢印は、セパレータ９２の回収方向を示す。ピールプレートｅ２の先端部でセパレータ９２が反転することにより、封止シート９が未硬化の接着層９１を伴ってセパレータ９２から離れる。前記接着層９１が無機バリア層４に接触することにより、無機バリア層４上に封止シート９が貼り付く。前記接着層９１を介して無機バリア層４に付着した各マスキングシート８は、ニップローラｅ３，ｅ３によって押圧される。
このようにして、図１６に示すように、無機バリア層４の上に封止シート９が付着した封止済み基板２６が得られる。
【００６２】
（接着層の硬化工程）
硬化工程は、前記未硬化の接着層を硬化させる工程である。
図５において、硬化部Ｆには、硬化処理装置ｆ１が設けられている。前記硬化処理装置ｆ１は、未硬化の接着層９１を構成する接着剤の種類に応じて、適宜設定される。接着剤が熱硬化型である場合には、前記硬化処理装置として加熱装置が用いられる。接着剤が光硬化型である場合には、前記硬化処理装置として紫外線照射装置などの光照射装置が用いられる。前記接着層９１を硬化させることにより、封止シート９が無機バリア層４上に固着される。
前記加熱装置の温度及び加熱時間などの加熱条件は、未硬化の接着剤が硬化するように設定される。前記光照射装置の光の波長、光の強度及び照射時間などの照射条件は、未硬化の接着剤が硬化するように設定される。
【００６３】
（除去工程）
除去工程は、マスキング材を除去する工程である。
前記第１及び第２のマスキングシート８，８は、粘着層８１を介して各端子上に貼り付けられている。図１７に示すように、これらのマスキングシート８，８を粘着層８１と共に端子３１ａ，３２ａの表面から剥離し、各端子３１ａ，３２ａの表面を開放する。なお、剥離したマスキングシート８は、図５の除去部Ｇにおいて、回収ローラｇ１に巻き取られて回収される。
マスキング材を除去することにより、図１乃至図３に示すような、帯状の有機ＥＬ装置１が得られる。
【００６４】
（巻取り工程）
図５の巻取り部Ｈにおいて、前記得られた帯状の有機ＥＬ装置１は、ロール状に巻き取られる。
【００６５】
本発明の製造方法は、陰極端子及び陽極端子をマスキング材によって被覆した後、気化した無機材料を有機ＥＬ素子の表面に堆積させる。かかるマスキング材によって保護された各端子の開放面には、無機材料が堆積しないので、バリア層形成工程において、無機材料が有機ＥＬ素子の表面のみに堆積するように制御しなくてよい。つまり、図１３に示すように、無機材料が有機ＥＬ素子３の表面からはみ出してマスキング材（マスキングシート８）の表面に堆積しても、図１７に示すように、そのマスキングシート８を除去することにより、各端子３１ａ，３２ａの表面を開放できる。このため、被覆済み基板２４の搬送途中で、有機ＥＬ素子３の表面側に気化した無機材料を堆積させるだけで、最終的に有機ＥＬ素子３上に良好な無機バリア層４が設けられ且つ端子３１ａ，３２ａが開放された有機ＥＬ装置１を得ることができる。このため、本発明によれば、比較的簡易に良好な無機バリア層を有する有機ＥＬ装置を製造できる。
【００６６】
さらに、バリア層形成工程において、被覆済み基板（支持基板）を螺旋状に搬送しながら無機材料を堆積させるので、薄膜形成装置の大型化を招かない。
具体的には、例えば、上述のように、有機層を近接蒸着法で形成した場合には、製膜速度が比較的大きくなる。他方、無機バリア層を同様に近接蒸着法で形成することもできるが、近接蒸着法は蒸発源と被着体の間隔が小さいので、近接蒸着法にて無機材料を有機ＥＬ素子の表面に堆積させると、有機ＥＬ素子が熱損傷を受けるおそれがある。このため、無機バリア層を形成する際には、蒸発源から支持基板を比較的大きく離して、無機材料を堆積させることが好ましい。このように蒸発源から支持基板を大きく離して無機バリア層を形成した場合、無機材料の製膜速度が、近接蒸着法で行った場合よりも小さくなる。
また、無機バリア層の製膜速度が有機層の製膜速度と同じ又はそれよりも大きい場合であっても、通常、無機バリア層は有機層の厚みよりも分厚く形成される。
このような要因から、有機層の形成時間よりも、無機バリア層の形成時間の方が長くなる。従って、有機層と無機バリア層をロールツーロール方式にて一連に形成する場合、有機層を形成するための薄膜形成装置内を通過する時間よりも、無機バリア層を形成するための薄膜形成装置内を通過する時間が長くなるように、支持基板を搬送する必要がある。この点、支持基板を上述のように螺旋状に搬送することにより、無機バリア層を形成するための薄膜形成装置が長大化せず、比較的小さな薄膜形成装置を用いて無機バリア層を形成できる。
【００６７】
［有機ＥＬ装置の製造方法の第２実施形態］
第２実施形態の製造方法は、バリア層形成工程が上記第１実施形態と異なり、その他の工程は上記第１実施形態と同様である。
以下、第２実施形態を説明するが、第１実施形態と同様な構成は、それを説明したものとみなしてその説明を省略し、用語及び符号をそのまま援用する。
第２実施形態において、無機バリア層を形成するための薄膜形成装置は、２つのガイドローラを用いて、被覆済み基板（支持基板）を螺旋状に搬送する。
【００６８】
図１８は、Ｘ２側からＸ方向に第２実施形態の製造装置を見た正面図であり、図１９は、Ｙ１側からＹ方向に同製造装置を見た左側面図である。
この薄膜形成装置１００Ｂは、上記第１実施形態と同様に、チャンバー５１と、搬送装置７と、プラズマ源５２と、反射電極５７と、収束電極５８１，５８２，５８３，５８４と、蒸着源５３と、反応ガス供給装置５４と、放電ガス供給装置５５と、真空ポンプ５６と、を有する。
本実施形態の搬送装置７Ｂは、螺旋状の搬送軌跡を描きながら帯状の被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に導くことができる複数のガイドローラ７３１，７４１を有する。前記複数のガイドローラのうちの幾つかは、製膜エリアに設けられている。
搬送装置７Ｂは、前記被覆済み基板２４を螺旋状に搬送し、その被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に導いていく。
その搬送装置７Ｂの基本構成は、図１８及び図１９に示すように、帯状の被覆済み基板２４を搬送可能な、一対のガイドローラ７３１，７４１を複数組有する。
一対のガイドローラの一方は、製膜エリアに配置され、その他方は、非製膜エリアに配置されている。以下、製膜エリアに配置されたガイドローラを、便宜上、「内ガイドローラ」といい、非製膜エリアに配置されたガイドローラを、「外ガイドローラ」といい、複数のガイドローラを区別するため、第１、第２などの接頭語を付す。
図示例の薄膜形成装置１００Ｂは、被覆済み基板２４に無機材料の第１乃至第５層を積層することができる装置であり、その層数と同じ内ガイドローラ（第１乃至第５内ガイドローラ７３１，７３２，７３３，７３４，７３５）が製膜エリアに設けられている。
なお、製膜エリアに設けられた内ガイドローラ７３１，…（第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５）は、その全体が製膜エリア内に収められていてもよいし、図示したように、その一部分が製膜エリアに含まれるように配置されていてもよい。
他方、外ガイドローラ７４１，…は、内ガイドローラ７３１よりもＺ１側に配置されており、その数は、内ガイドローラ７３１よりも１つ少ない。
【００６９】
第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５は、例えば、それぞれ同径同幅のローラを用いることができる。第１乃至第４外ガイドローラ７４１，７４２，７４３，７４４も、例えば、それぞれ同径同幅のローラを用いることができる。
第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５は、軸７３に回転可能に取り付けられており、第１乃至第４外ガイドローラ７４１乃至７４４も軸７４に回転可能に取り付けられている。これらの軸７３，７４の延びる方向（軸方向）は、いずれもＸ方向と平行である。第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５は、所要の間隔を開けて軸７３に並列されており、第１乃至第４外ガイドローラ７４１乃至７４４も同様に、所要の間隔を開けて軸７４に並列されている。装置を小型化できることから、隣接する内ガイドローラ７３１，…及び外ガイドローラ７４１，…の各間隔は、出来るだけ小さいことが好ましい。
各ガイドローラに被覆済み基板２４を螺旋状に送るため、第１乃至第４外ガイドローラ７４１乃至７４４は、軸７４に対して若干傾斜した状態でそれに回転可能に取り付けられている。
【００７０】
なお、第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５の近傍には、蒸着速度を計測及び制御するための水晶モニター５９が設けられている。
また、必要に応じて、第１乃至第５内ガイドローラ７３１乃至７３５に、温度制御手段（図示せず）を附属させてもよい。前記温度制御手段は、内ガイドローラ７３１の表面温度を調整するために設けられる。前記温度制御手段としては、例えば、シリコーンオイルなどを循環させる熱媒循環装置などが挙げられる。
【００７１】
被覆部Ｃを経て搬送される帯状の被覆済み基板２４は、Ｚ１側からＺ２側へ送られ、第１内ガイドローラ７３１の下部周面に巻かれた後、Ｚ２側からＺ１側へと送られ、第１外ガイドローラ７４１の上部周面に巻かれる。被覆済み基板２４が前記第１内ガイドローラ７３１の下部周面を通っているときには、その被覆済み基板２４は、Ｙ１側からＹ２側（Ｙ方向）に送られている。また、被覆済み基板２４が前記第１外ガイドローラ７４１の上部周面を通っているときには、その被覆済み基板２４は、Ｙ２側からＹ１側（Ｙ方向）に送られている。
そして、前記帯状の被覆済み基板２４は、前記第１外ガイドローラ７４１の上部周面に巻かれた後、同様に、第２内ガイドローラ７３２、第２外ガイドローラ７４２、第３内ガイドローラ７３３、第３外ガイドローラ７４３、第４内ガイドローラ７３４、第４外ガイドローラ７４４、第５内ガイドローラ７３５に順に巻かれた後、Ｚ２側からＺ１側へと送られる。
従って、複数の内ガイドローラ７３１，…及び外ガイドローラ７４１，…を通じて、被覆済み基板２４は螺旋状に送られる。よって、搬送装置７Ｂは、被覆済み基板２４を製膜エリアと非製膜エリアに交互に通過させながら送るように構成されている。
【００７２】
そして、上記第１実施形態と同様に、被覆済み基板２４がチャンバー５１内の製膜エリアを通過した際に、その被覆済み基板２４の表面に、無機材料が堆積する。製膜エリアを通過する回数に対応して、堆積した無機材料の層が重畳的に形成され、図１３に示すような、有機ＥＬ素子３の表面上に無機バリア層４が積層されたバリア層付き基板２５が得られる。以後、上記第１実施形態と同様に、そのバリア層付き基板２５に、封止工程や除去工程を行うことにより、帯状の有機ＥＬ装置１を得ることができる。
【００７３】
［有機ＥＬ装置の製造方法の他の実施形態］
本発明の製造方法は、上記第１及び第２実施形態に限られず、本発明の意図する範囲で様々な態様に変更できる。
例えば、上記第１及び第２実施形態の製造方法では、繰出し工程、素子形成工程、被覆工程、バリア層形成工程、封止工程、硬化工程、除去工程、巻取り工程の順で実施されているが、この順序に限定されない。
例えば、繰出し工程、素子形成工程、被覆工程、バリア層形成工程、除去工程、封止工程、硬化工程、巻取り工程の順で実施してもよい。或いは、繰出し工程、素子形成工程、被覆工程、バリア層形成工程、封止工程、除去工程、硬化工程、巻取り工程の順で実施してもよい。
また、上記第１及び第２実施形態では、支持基板を一連に搬送している間に有機ＥＬ装置を製造しているが、例えば、素子形成工程から除去工程の間において、一旦、支持基板を巻き取ってもよい。このように有機ＥＬ装置の製造途中で支持基板を一旦ロール状に巻き取る場合の順序としては、例えば、繰出し工程、素子形成工程、被覆工程、バリア層形成工程、除去工程、巻取り工程を順に行った後、再び、繰出し工程、封止工程、硬化工程、巻取り工程の順で実施することなどが例示できる。
【００７４】
また、上記第１及び第２実施形態では、封止工程において、帯状の封止シートが用いられているが、これに代えて、枚葉状の封止シートを用いることもできる。枚葉状の封止シートは、端子３１ａ，３２ａを除く有機ＥＬ素子３の表面と略同じ形状に形成されている封止シートである。この枚葉状の封止シートの複数が、セパレータに仮貼付されて製造ラインに供給される。そして、セパレータから各枚葉状の封止シートが剥離され、個々の有機ＥＬ素子に固着することにより、封止層を形成できる。
【符号の説明】
【００７５】
１，１０  有機ＥＬ装置
２  支持基板
３  有機ＥＬ素子
３１ａ  陽極端子（又は陰極端子）
３２ａ  陰極端子（又は陽極端子）
４  無機バリア層
５  封止層
６  接着層
７Ａ，７Ｂ  支持基板を螺旋状に搬送する搬送装置
８  マスキングシート
８１  粘着層
９  封止シート
９１  未硬化の接着層
１００Ａ，１００Ｂ  薄膜形成装置
【図１】
2014197474.tif 000003
【図２】
2014197474.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2014197474.tif 000018
【図１７】
2014197474.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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