(57)【要約】  本発明の課題は、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機ＥＬ素子を提供することである。  本発明の有機ＥＬ素子（１）は、支持基板上（２）に、少なくとも、下部透明電極（４）、発光層を含む有機機能層（６）、上部透明電極（８）、第１光学調整層（１０）及び第２光学調整層（１２）がこの順に積層された積層体（１４）と、発光層の発光領域（Ｌ）を被覆するようにして支持基板（２）と接着剤（１６）を介して貼合された封止基板（１８）と、を有し、第１光学調整層（１０）の屈折率が第２光学調整層（１２）の屈折率よりも大きく、上部透明電極（８）と第１光学調整層（１０）、及び、第１光学調整層（１０）と第２光学調整層（１２）が、それぞれ直接接して設けられていることを特徴とする。
2017056553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に、少なくとも、下部透明電極、発光層を含む有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層及び第２光学調整層がこの順に積層された積層体と、前記発光層の発光領域を被覆するようにして前記支持基板と接着剤を介して貼合された封止基板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも大きく、
前記上部透明電極と前記第１光学調整層、及び、前記第１光学調整層と前記第２光学調整層が、それぞれ直接接して設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記第２光学調整層と前記接着剤との間に、封止膜が設けられ、
前記封止膜が、前記第２光学調整層及び前記接着剤の両方に直接接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記上部透明電極が、金属薄膜であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記第１光学調整層に、含窒素化合物が含有されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを備えた照明装置に関する。より詳しくは、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを備えた照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、新しい照明装置として、建物の窓、自動車部品、ディスプレイ部品等に適用可能な透明な照明装置が求められている。
照明用途の電子デバイスとしては、有機エレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子が広く知られている。有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を陽極と陰極とで挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。【０００３】
例えば、特許文献１には、発光効率を向上させ、凹部又は凸部によるスジを視認されにくくすることを目的として、有機ＥＬ素子の一方の表面に対して平行な平坦面部と平坦面部に対して傾斜した斜面部とを有する凹凸構造を設けた両面発光型の有機ＥＬ素子に関する技術が開示されている。しかし、当該特許文献１に開示の技術は、発光領域と非発光領域との光透過率の差による視認の程度を解決するものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１３１４７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを備えた照明装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討する過程において、第１光学調整層の屈折率と第２光学調整層の屈折率よりも大きく、上部透明電極と第１光学調整層、及び、第１光学調整層と第２光学調整層がそれぞれ直接接して設けられていることにより、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子を提供できることを見出し、本発明に至った。【０００７】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。【０００８】
１．支持基板上に、少なくとも、下部透明電極、発光層を含む有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層及び第２光学調整層がこの順に積層された積層体と、前記発光層の発光領域を被覆するようにして前記支持基板と接着剤を介して貼合された封止基板と、を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記第１光学調整層の屈折率が、前記第２光学調整層の屈折率よりも大きく、
前記上部透明電極と前記第１光学調整層、及び、前記第１光学調整層と前記第２光学調整層が、それぞれ直接接して設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。【０００９】
２．前記第２光学調整層と前記接着剤との間に、封止膜が設けられ、
前記封止膜が、前記第２光学調整層及び前記接着剤の両方に直接接して設けられていることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１０】
３．前記上部透明電極が、金属薄膜であることを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１１】
４．前記第１光学調整層に、含窒素化合物が含有されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。【００１２】
５．第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の上記手段により、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを備えた照明装置を提供することができる。【００１４】
本発明の効果の発現機構・作用機構については明確になっていないが、以下のように推察している。【００１５】
本発明の有機ＥＬ素子は、第１光学調整層の屈折率と第２光学調整層の屈折率よりも大きく、上部透明電極と第１光学調整層、及び、第１光学調整層と第２光学調整層がそれぞれ直接接して設けられていることを特徴とする。すなわち、上部透明電極から第２光学調整層までの屈折率を規定することにより、光透過率を高くし、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率差を小さくすることができたものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の一例としての概略構成を示す断面図
【図２】本発明の有機ＥＬ素子の一例としての概略構成を示す平面図
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一例としての概略構成を示す平面図
【図４】本発明の有機ＥＬ素子の一例としての概略構成を示す断面図
【図５】真空紫外線照射装置の概要を示す正面図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板上に、少なくとも、下部透明電極、発光層を含む有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層及び第２光学調整層がこの順に積層された積層体と発光層の発光領域を被覆するようにして支持基板と接着剤を介して貼合された封止基板とを有し、第１光学調整層の屈折率が第２光学調整層の屈折率よりも大きく、上部透明電極と第１光学調整層、及び、第１光学調整層と第２光学調整層がそれぞれ直接接して設けられていることを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００１８】
本発明の実施態様としては、保存後の光透過率の変化量を小さくする観点から、第２光学調整層と接着剤との間に封止膜が設けられ、封止膜が第２光学調整層及び接着剤の両方に直接接して設けられていることが好ましい。
【００１９】
また、有機機能層に対するダメージを低減する観点から、上部透明電極が金属薄膜であることが好ましい。
【００２０】
また、保存後の光透過率の変化量を小さくする観点から、第１光学調整層に含窒素化合物が含有されていることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の有機ＥＬ素子は、照明装置として好適に用いることができる。
【００２２】
以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。
【００２３】
《有機ＥＬ素子の層構成》
本発明の有機ＥＬ素子は、支持基板上に、少なくとも、下部透明電極、発光層を含む有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層及び第２光学調整層がこの順に積層された積層体と、発光層の発光領域を被覆するようにして支持基板と接着剤を介して貼合された封止基板とを有することを特徴とする。これにより、光透過率を高くし、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差を小さくすることができる。
ここで、発光領域とは、平面視したときに、支持基板、下部透明電極、有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層、第２光学調整層及び封止基板とが重複する領域をいい、非発光領域とは、平面視したときに、支持基板、下部透明電極、有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層、第２光学調整層及び封止基板のうち、上部透明電極（又は下部透明電極）を除く、支持基板、下部透明電極（又は上部透明電極）、有機機能層、第１光学調整層、第２光学調整層及び封止基板のみが積層されている領域をいう。
以下、図面を用いて説明する。
【００２４】
図１に示すとおり、本発明の有機ＥＬ素子１は、支持基板２上に、積層体１４と当該積層体１４と接着剤１６を介して貼合された封止基板１８とを有している。
積層体１４は、支持基板２側から、下部透明電極４、有機機能層６、上部透明電極８、第１光学調整層１０、第２光学調整層１２がこの順に積層されている。
このとき、上部透明電極８と第１光学調整層１０、及び、第１光学調整層１０と第２光学調整層１２は、それぞれ直接接して設けられている。
支持基板２及び／又は封止基板１８の積層体側には、ガスバリアー層が設けられていてもよい。
図１に示す有機ＥＬ素子においては、符号Ｌで示される領域が発光領域、符号ＮＬで示される領域が非発光領域となる。
【００２５】
また、図２に示すとおり、支持基板２の一方の端部には、下部透明電極４の給電部４ａが設けられており、当該給電部４ａと対向する他方の端部には、上部透明電極８の給電部８ａが設けられている。
封止基板１８は、少なくとも、下部透明電極４、有機機能層６及び上部透明電極８が重複している発光領域を被覆するようにして設けられている。
【００２６】
給電部の配置態様としては、図１に示す有機ＥＬ素子１の積層順を維持しつつ、図３に示すように、下部透明電極４の給電部４ａを支持基板２の対向する両端部に設け、上部透明電極８の給電部８ａをそれとは異なる対向する両端部に設けることも可能である。
【００２７】
また、図４に示すように、本発明の有機ＥＬ素子１は、第２光学調整層１２と接着剤１６との間に封止膜２０が設けられていてもよい。
このとき、封止膜２０は、第２光学調整層１２及び接着剤１６の両方に直接接して設けられている。
【００２８】
以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各部材について、説明する。
【００２９】
《支持基板（２）》
本発明の有機ＥＬ素子に用いる支持基板は、ガラス、プラスチック等の種類には特に制限はなく、好ましくは、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましくは、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
【００３０】
樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムを挙げられる。
【００３１】
〈ガスバリアー層〉
有機ＥＬ素子は、素子内部に微量の水分や酸素が存在すると容易に性能劣化が生じてしまう。このため、支持基板を通して素子内部に水分や酸素が侵入することを防止するため、水分や酸素に対して高い遮蔽能を有するガスバリアー層を設けることが好ましい。
【００３２】
ガスバリアー層を形成した支持基板は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％における水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることが好ましく、更には、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）（ここで、１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである。）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％における水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下であることがより好ましい。
【００３３】
ガスバリアー層の組成や構造及びその形成方法には特に制限はなく、シリカ等の無機化合物による層を真空蒸着やＣＶＤ法により形成することができる。例えば、従来公知のケイ素含有ポリマー改質層やケイ素化合物層を、単独又は組み合わせてガスバリアー層を構成することができる。
【００３４】
ガスバリアー層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法及びコーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。また、ポリシラザン含有液を湿式塗布方式により塗布及び乾燥し、形成された塗布膜に波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ光）を照射して、形成した塗布膜に改質処理を施して、ガスバリアー層を形成する方法も好ましい。
【００３５】
ガスバリアー層の厚さは、１〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜３００ｎｍの範囲内である。ガスバリアー層の厚さが１ｎｍ以上であれば、所望のガスバリアー性能を発揮することができ、５００ｎｍ以下であれば、緻密な酸窒化ケイ素膜でのクラックの発生等の膜質劣化を防止することができる。
【００３６】
〈帯電防止層〉
本発明の有機ＥＬ素子においては、支持基板の一方の面に帯電防止層を有していてもよい。帯電防止層は、帯電防止剤と、帯電防止剤を保持するためのバインダー樹脂から構成される。
【００３７】
帯電防止層は、帯電防止剤として有機帯電防止剤を含有することが好ましい。
有機帯電防止剤としては、共役系ポリマー及びイオン性ポリマーから選ばれる１種以上を含むことが好ましい。また、帯電防止層は、その他の導電性ポリマーや帯電防止剤を含んで構成されていてもよい。
【００３８】
帯電防止層においては、積層時に脱着しやすい金属酸化物粒子を帯電防止剤として含有しないことが好ましい。このため、帯電防止層の全質量に対する金属酸化物粒子の含有量は、５質量％以下であることが好ましく、２質量％以下がより好ましく、金属酸化物粒子を含有しない構成が特に好ましい。帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子としては、例えば、ＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＭｏＯ２、Ｖ２Ｏ５等、又はこれらの複合酸化物を挙げることができる。ただし、ＳｉＯ２は帯電防止層に含有されないことが好ましい金属酸化物粒子の規定からは除外する。
【００３９】
（有機帯電防止剤）
有機帯電防止剤とは、基本的には帯電防止能を有する有機材料から構成されている。有機帯電防止剤は、帯電防止層を形成する際に、帯電防止層の裏面側のシート抵抗値を１×１０１１Ω／ｓｑ．以下、好ましくは１×１０１０Ω／ｓｑ．以下、更に好ましくは１×１０９Ω／ｓｑ．以下とすることができる材料である。
有機帯電防止剤としては、従来公知の界面活性剤型帯電防止剤、シリコーン系帯電防止剤、有機ホウ酸系帯電防止剤、高分子系帯電防止剤、帯電防止ポリマー材料等を挙げることができる。特に、有機帯電防止剤として、イオン導電性物質等を用いることが帯電防止層の帯電防止の観点から好ましい。イオン導電性物質は、電気伝導性を示すイオンを含有する物質である。イオン導電性物質としては、例えば、共役系ポリマーやイオン性ポリマーを挙げることができる。
【００４０】
（共役系ポリマー）
共役系ポリマーとしては、下記（１）〜（８）を、接続基を介して側鎖に持つポリマーのπ電子導電性ポリマー複合体等を挙げることができる。
（１）脂肪族共役系：ポリアセチレンのような炭素−炭素の共役系で交互に長く連なっているポリマーで、例えば、ポリアセチレン、ポリ（１，６−ヘプタジエン）等
（２）芳香族共役系：ポリ（パラフェニレン）のような芳香族炭化水素が長く結合する共役が発達したポリマーで、例えば、ポリパラフェニレン、ポリナフタレン、ポリアントラセン等
（３）複素環式共役系：ポリピロール、ポリチオフェンのような複素環式化合物が結合して共役系が発達したポリマーで、例えば、ポリピロールとその誘導体、ポリフランとその誘導体、ポリチオフェンとその誘導体、ポリイソチオナフテンとその誘導体、ポリセレノフェンとその誘導体等
（４）含ヘテロ原子共役系：ポリアニリンのような脂肪族又は芳香族の共役系をヘテロ原子で結合したポリマーで、ポリアニリンとその誘導体等、ポリ（パラフェニレンスルフィド）とその誘導体、ポリ（パラフェニレンオキシド）とその誘導体、ポリ（パラフェニレンセレニド）とその誘導体、また、脂肪族系では、ポリ（ビニレンスルフィド）、ポリ（ビニレンオキシド）、ポリ（ビニレンセレニド）等
（５）混合型共役系：ポリ（フェニレンビニレン）のような上記共役系の構成単位が交互に結合した構造を持つ共役系ポリマーで、例えば、ポリ（パラフェニレンビニレン）とその誘導体、ポリ（ピロールビニレン）とその誘導体、ポリ（チオフェンビニレン）とその誘導体、ポリ（フランビニレン）とその誘導体、ポリ（２，２′−チエニルピロール）とその誘導体等
（６）複鎖型共役系：分子中に複数の共役鎖を持つ共役系で、芳香族共役系に近い構造を有しているポリマーで、例えば、ポリペリナフタレン等
（７）金属フタロシアニン系：金属フタロシアニン類又はこれらの分子間をヘテロ原子や共役系で結合したポリマーで、例えば、金属フタロシアニン等
（８）導電性複合体：上記共役系ポリマー鎖を飽和ポリマーにグラフト共重合したポリマー及び飽和ポリマー中で上記共役系ポリマーを重合することで得られる複合体で、例えば、（３）のポリチオフェン（誘導体を含む。）、ポリピロール（誘導体を含む。）、（４）のポリアニリン（誘導体を含む。）等を、また、（５）のポリ（パラフェニレンビニレン）（その誘導体を含む。）、ポリ（チオフェンビニレン）（その誘導体を含む。）等
【００４１】
（イオン性ポリマー）
イオン性ポリマーとしては、下記（１）〜（３）等を挙げることができる。
（１）特公昭４９−２３８２８号公報、特公昭４９−２３８２７号公報、特公昭４７−２８９３７号公報等に見られるようなアニオン性高分子化合物
（２）特公昭５５−７３４号公報、特開昭５０−５４６７２号公報、特公昭５９−１４７３５号公報、特公昭５７−１８１７５号公報、特公昭５７−１８１７６号公報、特公昭５７−５６０５９号公報等に見られるような、主鎖中に解離基を持つアイオネン型ポリマー
（３）特公昭５３−１３２２３号公報、特公昭５７−１５３７６号公報、特公昭５３−４５２３１号公報、特公昭５５−１４５７８３号公報、特公昭５５−６５９５０号公報、特公昭５５−６７７４６号公報、特公昭５７−１１３４２号公報、特公昭５７−１９７３５号公報、特公昭５８−５６８５８号公報、特開昭６１−２７８５３号公報、特公昭６２−９３４６号公報等に見られるような、側鎖中にカチオン性解離基を持つカチオン性ペンダント型ポリマー
【００４２】
（導電性ポリマー）
帯電防止層を構成する導電性ポリマーとしては、特開平９−２０３８１０号公報に記載されているアイオネン導電性ポリマー又は分子間架橋を有する第４級アンモニウムカチオン導電性ポリマー等を挙げることができる。
【００４３】
（その他の帯電防止剤）
帯電防止層を構成するその他の帯電防止剤としては、例えば、特開２００６−２６５２７１号公報、特開２００７−７０４５６号公報、特開２００９−６２４０６号公報等に記載されている帯電防止ハードコート剤を用いることができる。また、市販品としても入手可能な、例えば、アイカ工業社の帯電防止剤等も適宜選択して用いることができる。
【００４４】
（バインダー樹脂）
帯電防止層において帯電防止剤を保持するためのバインダー樹脂としては、例えば、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートフタレート、又はセルロースナイトレート等のセルロース誘導体、ポリ酢酸ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、又はコポリブチレン／テレ／イソフタレート等のポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、ポリビニルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルベンザール等のポリビニルアルコール誘導体、ノルボルネン化合物を含有するノルボルネン系ポリマー、ポリメチルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリプロピルチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂、アクリル樹脂と他の樹脂との共重合体を用いることができる。特に、セルロース誘導体、及び、アクリル樹脂が好ましく、更にアクリル樹脂が最も好ましく用いられる。
【００４５】
帯電防止層に用いられるバインダー樹脂としては、重量平均分子量が４０万以上、ガラス転移温度が８０〜１１０℃の範囲内にある熱可塑性樹脂が好ましい。ガラス転移温度は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１に記載の方法にて求めることができる。ここで使用するバインダー樹脂は、帯電防止剤層を構成する全樹脂質量の６０質量％以上、更に好ましくは８０質量％以上であり、必要に応じて活性線硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を適用することもできる。
【００４６】
《積層体（１４）》
本発明に係る積層体は、支持基板上に、少なくとも、下部透明電極、有機機能層、上部透明電極、第１光学調整層及び第２光学調整層がこの順に積層されて構成されている。
【００４７】
〈上部透明電極（８）、下部透明電極（４）〉
本発明に係る上部透明電極及び下部透明電極は、陽極又は陰極として機能するものである。例えば、上部透明電極が陰極として機能する場合には、下部透明電極が陽極として機能する。
なお、上部透明電極及び下部透明電極における透明とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
【００４８】
上部透明電極は薄膜金属であることが好ましく、上部透明電極及び下部透明電極がともに薄膜金属であることがより好ましい。
【００４９】
（陽極）
陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．５ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ、Ａｇ等の金属、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、アンチモンドープ酸化亜鉛、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等の導電性透明材料が挙げられる。
陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
【００５０】
陽極は、光透過率向上の観点から、金属酸化物であることが好ましい。このような金属酸化物としては、特に制限されるものではないが、例えば、インジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＧＺＯ（ＧａドープＺｎＯ）、ＡＺＯ（ＡｌドープＺｎＯ）、アンチモンドープ酸化亜鉛、ＡＴＯ（ＳｂドープＳｎＯ）、ＩＺＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）、ＩＧＺＯ（インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物）等が挙げられる。
【００５１】
（陰極）
陰極としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
【００５２】
陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましい。膜厚は、通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内で選ばれる。
また、陰極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極との両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００５３】
陰極は、有機機能層にダメージを与えない観点から、蒸着できる金属を薄膜で設けることが好ましい。中でも、単位膜厚あたりの透過率が高いことから銀が好ましい。
陰極は、銀単独で構成されていてもよいし、あるいは銀を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム（Ａｇ・Ｍｇ）、銀・銅（Ａｇ・Ｃｕ）、銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐｄ）、銀・パラジウム・銅（Ａｇ・Ｐｄ・Ｃｕ）、銀・インジウム（Ａｇ・Ｉｎ）などが挙げられる。
このような陰極においては、銀（あるいは銀を含有する合金）から構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。
また、銀（あるいは銀を含有する合金）から構成される陰極は、膜厚が５〜１５ｎｍの範囲にあることが好ましい。膜厚が１５ｎｍより薄いと層の吸収成分又は反射成分が少なくなり、透明電極の透過率が向上するためより好ましい。また、膜厚が５ｎｍより厚いと層の導電性が十分になるため好ましい。
【００５４】
また、陰極材料として銀を用いる場合、駆動電圧を低減させるため、銀電極と電子注入層との間に、Ａｌ、Ｃａ、Ｌｉなどの層を設けることが好ましい。中でも、光透過率向上の観点から、Ｃａ、Ｌｉがより好ましい。
【００５５】
〈有機機能層〉
本発明に係る有機機能層の代表的な構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００５６】
（１）（陽極）／発光層／（陰極）
（２）（陽極）／発光層／電子輸送層／（陰極）
（３）（陽極）／正孔輸送層／発光層／（陰極）
（４）（陽極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（陰極）
（５）（陽極）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極）
（６）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（陰極）
（７）（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／（陰極）
【００５７】
上記の中でも、（７）の構成が好ましいが特に制限されない。
【００５８】
本発明に係る発光層は、複数層で構成されていてもよく、この場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
【００５９】
〈発光層〉
本発明に係る発光層は、電極、又は電子輸送層及び正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。
発光層の厚さの総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧が印加されることを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、好ましくは２ｎｍ〜５μｍの範囲内に調整され、更に好ましくは２〜２００ｎｍの範囲内に調整され、特に好ましくは５〜１００ｎｍの範囲内に調整される。
また、個々の発光層の厚さとしては、２ｎｍ〜１μｍの範囲内に調整することが好ましく、より好ましくは２〜２００ｎｍの範囲内に調整され、更に好ましくは３〜１５０ｎｍの範囲内に調整される。
【００６０】
発光層には、発光ドーパント（発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）と、ホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）とを含有することが好ましい。
【００６１】
（発光ドーパント）
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）と、リン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう）が好ましく用いられる。本発明においては、少なくとも１層の発光層がリン光発光ドーパントを含有することが好ましい。
発光層中の発光ドーパントの濃度については、使用される特定のドーパント及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の膜厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明に係る発光ドーパントは、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なるドーパント同士の組み合わせや、蛍光発光性ドーパントとリン光発光性ドーパントとを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
【００６２】
（リン光発光性ドーパント）
本発明に係るリン光発光性ドーパントとは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。
【００６３】
リン光発光性ドーパントの発光原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つは、リン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。
いずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
本発明において使用できるリン光発光性ドーパントとしては、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【００６４】
本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
例えば、Ｎａｔｕｒｅ  ３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ  ２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明��書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、米国特許出願公開第２０１２／２２８５８３号明細書、米国特許出願公開第２０１２／２１２１２６号明細書、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１２−１９５５５４号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報、特開２００９−２３１５１６号公報、国際公開第２０１２／１１２８５３号、特許第５１２４９４２号公報、特許第４７８４６００号公報、特開２０１０−４７７６４号公報等である。
中でも、リン光発光性ドーパントとしては、Ｉｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
【００６５】
（蛍光発光性ドーパント）
蛍光発光性ドーパント（以下、蛍光ドーパントともいう。）について説明する。
蛍光ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。
【００６６】
蛍光ドーパントとしては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体または希土類錯体系化合物等が挙げられる。
【００６７】
また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。
遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、たとえば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１−２１３６４３号公報、特開２０１０−９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
【００６８】
（ホスト化合物）
本発明に係るホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
好ましくは室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物であり、更に好ましくはリン光量子収率が０．０１未満の化合物である。
また、発光層に含有される化合物のうちで、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。
また、ホスト化合物の励起状態エネルギーは、同一層内に含有されるリン光発光性ドーパントの励起状態エネルギーよりも高いことが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。
【００６９】
本発明で用いることができるホスト化合物としては、特に制限はなく、従来有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。低分子化合物でも繰り返し単位を有する高分子化合物でもよく、また、ビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。
【００７０】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、更に、有機ＥＬ素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好まし。好ましくはＴｇが９０℃以上であり、より好ましくは１２０℃以上である。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【００７１】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等である。
【００７２】
〈正孔輸送層〉
本発明における正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
正孔輸送層の総厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。
【００７３】
正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という）としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えばＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤに代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
【００７４】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．７２−７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１５，３１４８（２００３）、米国特許出願公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号明細書、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、欧州特許第６５０９５５号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許出願公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報、米国特許出願公開第２０１３／００４９５７６号明細書等である。
【００７５】
正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。
【００７６】
〈電子阻止層〉
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、電子阻止層として用いることができる。
電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
電子阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も電子阻止層に好ましく用いられる。
【００７７】
〈正孔注入層〉
正孔注入層（陽極バッファー層ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のように陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。
【００７８】
〈電子輸送層〉
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明の電子輸送層の総厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ〜５μｍの範囲内であり、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。
一方で、電子輸送層の厚さを大きくすると電圧が上昇しやすくなるため、特に厚さが大きい場合においては、電子輸送層の電子移動度は１×１０−５ｃｍ２／Ｖｓ以上であることが好ましい。
【００７９】
電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という。）としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、含窒素芳香族複素環誘導体（カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等）、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体（ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン等）等が挙げられる。
また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
【００８０】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても用いられているジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のｎ型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。
また、駆動電圧を下げるという点などから、金属フッ化物がドープされていることが好ましい。
【００８１】
本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第６５２８１８７号明細書、米国特許第７２３０１０７号明細書、米国特許出願公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許出願公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号明細書、米国特許出願公開第２００９／０３０２０２号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、欧州特許第２３１１８２６号明細書、特開２０１０−２５１６７５号公報、特開２００９−２０９１３３号公報、特開２００９−１２４１１４号公報、特開２００８−２７７８１０号公報、特開２００６−１５６４４５号公報、特開２００５−３４０１２２号公報、特開２００３−４５６６２号公報、特開２００３−３１３６７号公報、特開２００３−２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等である。
【００８２】
より好ましい電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体及びベンズイミダゾール誘導体が挙げられる。
【００８３】
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。
【００８４】
〈正孔阻止層〉
正孔阻止層とは、広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。
正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
正孔阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲内であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲内である。
【００８５】
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
【００８６】
〈電子注入層〉
電子注入層（陰極バッファー層ともいう。）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のように陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその厚さは０．１〜５ｎｍの範囲内が好ましい。また、構成材料が断続的に存在する不均一な膜であってもよい。
【００８７】
電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
【００８８】
上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また、複数種を併用して用いてもよい。
【００８９】
〈添加物〉
前述した本発明における有機機能層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば、臭素、ヨウ素、塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の添加量は、任意に決定することができるが、添加される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、更に好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
【００９０】
《有機機能層の形成方法》
本発明に係る有機機能層（正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）の形成方法について説明する。
有機機能層の形成方法としては、特に制限はなく、従来公知の、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセスともいう。）等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
有機機能層材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
【００９１】
成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１×１０−６〜１×１０−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、厚さ０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
有機機能層の形成は、１回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
【００９２】
〈第１光学調整層（１０）、第２光学調整層（１２）〉
本発明の有機ＥＬ素子において、光透過率を高くする観点から、第１光学調整層の屈折率が第２光学調整層の屈折率よりも大きくなっていることを特徴とする。
第１光学調整層の屈折率が第２光学調整層の屈折率より大きければ本発明の効果を得ることができるが、好ましくは屈折率差が０．３以上、より好ましくは０．６以上、最も好ましくは０．９以上である。
なお、本発明において、屈折率とは、２３℃・５５％ＲＨの環境下で測定した、波長５５０ｎｍにおける屈折率の値とする。屈折率は、市販のエリプソメーターを用いて測定して求めることができる。
【００９３】
第１光学調整層は、光透過率を高めるという点から、屈折率が高いほうが好ましい。
第１光学調整層の屈折率は、１．６以上が好ましく、２．０以上がより好ましく、２．３以上が最も好ましい。
【００９４】
第２光学調整層は、光透過率を高めるという点から、屈折率が低いほうが好ましい。
第２光学調整層の屈折率は、１．７以下が好ましく、１．６以下がより好ましく、１．４以下が最も好ましい。
【００９５】
第１光学調整層及び第２光学調整層の材料としては、上記屈折率の関係を満たす適当な屈折率が得られれば特に制限はなく、既存の化合物を利用できる。
有機ＥＬ素子の上部透明電極上に、ダメージなく成膜できるという点から、真空成膜できる化合物が好ましい。特に、加熱蒸着やＥＢ（電子銃）蒸着できる化合物が好ましい。
また、有機ＥＬ素子に用いられる材料も用いることができる。
第１光学調整層及び第２光学調整層の成膜範囲としては、有機ＥＬ素子の保存性の観点から、後述する封止基板や封止膜よりも狭い範囲とすることが好ましい。
【００９６】
第１光学調整層及び第２光学調整層の材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６）、ＣｅＯ３（屈折率２．２）、Ｇａ２Ｏ３（屈折率１．５）、ＨｆＯ２（屈折率２．０）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物、屈折率２．１）、インジウム亜鉛酸化物（屈折率２．１）、ＭｇＯ（屈折率１．７）、Ｎｂ２Ｏ５（屈折率２．３）、ＳｉＯ２（屈折率１．５）、Ｔａ２Ｏ５（屈折率２．２）、ＴｉＯ２（屈折率２．３〜２．５）、Ｙ２Ｏ３（屈折率１．９）、ＺｎＯ（屈折率２．１）、ＺｒＯ２（屈折率２．１）、ＡｌＦ３（屈折率１．４）、ＣａＦ２（屈折率１．２〜１．４）、ＣｅＦ３（屈折率１．６）、ＧｄＦ３（屈折率１．６）、ＬａＦ３（屈折率１．５９）、ＬｉＦ（屈折率１．３）、ＭｇＦ２（屈折率１．４）、ＮａＦ（屈折率１．３）等を用いることができる。
【００９７】
第２光学調整層は、保存後の光透過率が変化しにくいという点から、金属フッ化物であることが好ましい。
【００９８】
一方で、第１光学調整層においては、保存後の光透過率が変化しにくいという点から、含硫黄化合物、含窒素化合物であることが好ましい。
【００９９】
（含窒素化合物）
含窒素化合物としては、例えば、ヘキサンジアミン、イソシアネート、ポリアミド、ポリウレタン、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物、窒素原子を含有する低分子有機化合物等が挙げられる。中でも、芳香族性に関与しない非共有電子対を有する窒素原子を含む芳香族複素環化合物が好ましい。
【０１００】
〔窒素原子を含有する低分子有機化合物〕
窒素原子を含有する低分子有機化合物としては、融点が８０℃以上であり、かつ、分子量Ｍが１５０〜１２００の範囲内にある化合物が好ましい。また、窒素原子を含有する低分子有機化合物は、銀等との相互作用が大きい方が好ましく、例えば、含窒素複素環化合物、フェニル基置換アミン化合物が挙げられる。
【０１０１】
窒素原子を含有する有機化合物の分子量Ｍに対する［有効非共有電子対］の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］と定義すると、窒素原子を含有する低分子有機化合物とは、この［ｎ／Ｍ］が、２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］となるように選択された化合物であり、３．９×１０−３≦［ｎ／Ｍ］であることが更に好ましい。
【０１０２】
ここでいう［有効非共有電子対］とは、化合物に含有される窒素原子が有する非共有電子対のうち、芳香族性に関与せず、かつ金属に配位していない非共有電子対であることとする。
【０１０３】
ここでの芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ不飽和環状構造をいい、いわゆる「ヒュッケル則」に従う芳香族性であって、環上のπ電子系に含まれる電子の数が「４ｎ＋２」（ｎ＝０、又は自然数）個であることを条件としている。
【０１０４】
以上のような［有効非共有電子対］は、その非共有電子対を備えた窒素原子自体が、芳香環を構成するヘテロ原子であるか否かにかかわらず、窒素原子が有する非共有電子対が芳香族性と関与しているか否かによって選択される。例えば、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子であっても、その窒素原子が芳香族性に関与しない非共有電子対を有していれば、その非共有電子対は［有効非共有電子対］の一つとしてカウントされる。
【０１０５】
これに対して、ある窒素原子が芳香環を構成するヘテロ原子でない場合であっても、その窒素原子の非共有電子対の全てが芳香族性に関与していれば、その窒素原子の非共有電子対は［有効非共有電子対］としてカウントされることはない。
【０１０６】
なお、各化合物において、上述した［有効非共有電子対］の数ｎは、［有効非共有電子対］を有する窒素原子の数と一致する。
【０１０７】
窒素原子を有する有機化合物が、複数の化合物を用いて構成されている場合、例えば、化合物の混合比に基づき、これらの化合物を混合した混合化合物の分子量Ｍを求め、この分子量Ｍに対しての［有効非共有電子対］の合計の数ｎを、有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］の平均値として求め、この値が上述した所定範囲であることが好ましい。
【０１０８】
以下に、窒素原子を含有する低分子有機化合物として、上述した有効非共有電子対含有率［ｎ／Ｍ］が２．０×１０−３≦［ｎ／Ｍ］を満たす化合物として、以下の例示化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４３を示す。
【０１０９】
なお、下記に示す例示化合物Ｎｏ．３１の銅フタロシアニンにおいては、窒素原子が有する非共有電子対のうち、銅に配位していない非共有電子対が［有効非共有電子対］としてカウントされる。
【０１１０】
【化１】
2017056553.tif 000003
【０１１１】
【化２】
2017056553.tif 000004
【０１１２】
【化３】
2017056553.tif 000005
【０１１３】
【化４】
2017056553.tif 000006
【０１１４】
【化５】
2017056553.tif 000007
【０１１５】
【化６】
2017056553.tif 000008
【０１１６】
上記した化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４３について、［有効非共有電子対］の個数（ｎ）、分子量（Ｍ）及び有効非共有電子対含有率（ｎ／Ｍ）を表１に示す。
【０１１７】
【表１】
2017056553.tif 000009
【０１１８】
窒素原子を含有する低分子有機化合物として、更に上記した化合物Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４３の他に、下記化合物Ｎｏ．４４及びＮｏ．４５を挙げることができる。
【０１１９】
【化７】
2017056553.tif 000010
【０１２０】
（含硫黄化合物）
本発明に係る第１光学調整層は、硫黄原子を含む化合物（含硫黄化合物）を含有することが好ましい。
【０１２１】
〔硫黄原子を含有する有機化合物〕
硫黄原子を含有する有機化合物としては、分子内にスルフィド結合（チオエーテル結合ともいう。）、ジスルフィド結合、メルカプト基、スルホン基、チオカルボニル結合等を有していればよく、特に、スルフィド結合、メルカプト基であることが好ましい。
【０１２２】
具体的には、下記一般式（１）〜一般式（４）で表される含硫黄化合物を挙げることができる。
【０１２３】
【化８】
2017056553.tif 000011
【０１２４】
【化９】
2017056553.tif 000012
【０１２５】
【化１０】
2017056553.tif 000013
【０１２６】
【化１１】
2017056553.tif 000014
【０１２７】
上記一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、置換基を表す。
【０１２８】
Ｒ１及びＲ２で表される置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す。）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）、２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基等）、ホスホノ基等が挙げられる。
【０１２９】
上記一般式（２）において、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立に、置換基を表す。
Ｒ３及びＲ４で表される置換基としては、Ｒ１及びＲ２と同様の置換基が挙げられる。
【０１３０】
上記一般式（３）において、Ｒ５は、置換基を表す。
Ｒ５で表される置換基としては、Ｒ１及びＲ２と同様の置換基が挙げられる。
【０１３１】
上記一般式（４）において、Ｒ６は、置換基を表す。
Ｒ６で表される置換基としては、Ｒ１及びＲ２と同様の置換基が挙げられる。
【０１３２】
以下に、本発明に係る第１光学調整層に適用可能な硫黄原子を含有する有機化合物の具体例を挙げる。
【０１３３】
【化１２】
2017056553.tif 000015
【０１３４】
【化１３】
2017056553.tif 000016
【０１３５】
【化１４】
2017056553.tif 000017
【０１３６】
【化１５】
2017056553.tif 000018
【０１３７】
【化１６】
2017056553.tif 000019
【０１３８】
第１光学調整層及び第２光学調整層の厚さは、適宜調整することができるが、光透過率向上という点から、第１光学調整層の厚さは、１０〜５００ｎｍの範囲内が好ましく、２０〜２５０ｎｍの範囲内がより好ましく、３０〜１５０ｎｍの範囲内が最も好ましい。同様に、光透過率向上という点から、第２光学調整層の厚さは、１０〜５００ｎｍの範囲内が好ましく、２０〜４００ｎｍの範囲内がより好ましく、５０〜２００ｎｍの範囲内が最も好ましい。
【０１３９】
《封止》
本発明の有機ＥＬ素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止基板と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止基板としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、電気絶縁性は特に限定されない。
封止基板としては、具体的には、前述の支持基板に用いられるのと同様の材料を用いることができる。
封止基板は、支持基板と同様に、ガスバリアー層を設けることが好ましい。また、封止基板には、帯電防止層を設けてもよい。
【０１４０】
本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということからポリマーフィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０−３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％）が、１×１０−３ｇ／（ｍ２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。
【０１４１】
接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（２液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機ＥＬ素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温（２５℃）から８０℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止基板への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０１４２】
また、有機機能層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機機能層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
封止膜と接着剤との屈折率差は、透過率を高めるという点から、小さいほうが好ましい。
【０１４３】
さらに、該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。
【０１４４】
《用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。
発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これに限定されるものではなく、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
【実施例】
【０１４５】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。【０１４６】
［実施例１］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子１０１の作製〉
（１）支持基板の準備
両面を表面活性化処理した、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ社製のルミラー（登録商標）Ｕ４８）の一方の面に、下記の方法で有機帯電防止剤を含む帯電防止層を形成した。【０１４７】
（１．１）帯電防止層（有機帯電防止剤１）の形成
下記の方法に従って、コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を調製し、このコロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を用いて、有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を調製した。そして、この有機帯電防止剤を用いて帯電防止層を形成した。【０１４８】
（コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）の調製）
溶媒として酢酸エチルを用いて分散したコロイダルシリカ（ＳｉＯ２成分３０質量％、平均粒子径２０ｎｍ、日産化学（株）製）の１３０質量部に、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）（分子量１５５、昭和電工（株）製）の３０質量部と、触媒としてジラウリン酸ジ−ｎ−ブチル錫（ＤＢＴＤＬ）を０．１質量部加えて、室温（２５℃）で２４時間撹拌した。赤外分光法によりイソシアネート基の反応の確認を行い、エバボレーターで溶媒である酢酸エチルを除去して、コロイダルシリカ含有単量体（Ａ）を得た。【０１４９】
（帯電防止ハードコート剤（Ａ）の調製）
上記で製造したコロイダルシリカ含有単量体（Ａ）（不揮発分：３６質量％）の１００質量部に、Ｌｉ＋／ＣＦ３ＳＯ３−のメチルエチルケトン溶液（不揮発分：５０質量％、三光化学工業（株）製）の５質量部を混合して撹拌した。開始剤としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７（ＢＡＳＦジャパン社製）を１質量部加え、有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を調製した。【０１５０】
（帯電防止層の形成）
次に、支持基板上に、調製した有機帯電防止剤である帯電防止ハードコート剤（Ａ）を、硬化後の厚さが１０μｍとなる条件で、塗布及び乾燥した。この後、８０Ｗ／ｃｍの水銀灯を用い、３００ｍＪの条件で紫外線照射処理を行い、有機帯電防止剤からなる帯電防止層を形成した。【０１５１】
（１．２）下地層の形成
次に、ＰＥＴフィルムのもう一方の面に厚さ２μｍの下地層を形成した。具体的には、ＵＶ硬化型樹脂オプスター（登録商標）Ｚ７５２７（ＪＳＲ社製）を、乾燥後の厚さが２μｍとなるように塗布した。塗膜を８０℃で乾燥した後、大気下で高圧水銀ランプを用いて照射エネルギー量が０．５Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射する硬化処理を施した。【０１５２】
（１．３）ガスバリアー層の形成
下地層を形成したＰＥＴフィルムを１２０ｍｍ×１００ｍｍの大きさで切り出し、下地層上に、ケイ素含有ポリマー改質層を、以下のようにして形成した。【０１５３】
無触媒のパーヒドロポリシラザンの２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＮ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン）を固形分の５質量％含有するパーヒドロポリシラザン２０質量％ジブチルエーテル溶液（アクアミカＮＡＸ１２０−２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）とを、４：１の割合で混合し、更に厚さの調整のためにジブチルエーテルで適宜希釈して、塗布液を調製した。【０１５４】
下地層上に調製した塗布液をダイコーターで乾燥後の厚さが１００ｎｍとなるように塗布し、８０℃で２分間乾燥した。図５に示す真空紫外線照射装置に波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用いて、この真空紫外線照射装置により、乾燥後の塗膜に、２．５ｍＪ／ｃｍ２の真空紫外線を照射する改質処理を施して、ケイ素含有ポリマー改質層を形成した。真空紫外線の照射時、酸素濃度が０．１体積％の雰囲気となるように、窒素による置換を行った。また、ＰＥＴフィルムを設置するステージの温度を８０℃とし、ステージの搬送速度を０．５ｍ／ｍｉｎとした。【０１５５】
図５に示す真空紫外線照射装置１００は、ステージ１０４上に樹脂フィルム（支持基板）２を載せてチャンバー１０２内を搬送する。チャンバー１０２内は、排気によって水蒸気が除去され、不活性ガスの導入により酸素濃度が一定に調整されている。ステージ１０４はヒーターを内蔵し、樹脂フィルム２を加熱することが可能である。
チャンバー１０２内は、遮蔽板１０６によって樹脂フィルム２の搬送方向Ｖに三つのゾーンに分けられ、中央のゾーンには複数のＸｅエキシマランプ１０８が設置されている。Ｘｅエキシマランプ１０８は、電源を内蔵するホルダー１１０によって支持され、点灯制御される。ケイ素含有ポリマーの塗膜が形成された樹脂フィルム２を、このＸｅエキシマランプ１０８が設置されたゾーン内を通過させることにより、真空紫外線を照射することができる。【０１５６】
続いて、厚さ３００ｎｍのケイ素化合物層をプラズマＣＶＤ法によりそれぞれ形成し、ガスバリアー層付き支持基板を得た。
ケイ素化合物層の成膜条件は、以下のとおりである。【０１５７】
原料ガス（ヘキサメチルジシロキサン：ＨＭＤＳＯ）の供給量：５０ｓｃｃｍ（Ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｕｂｉｃ  Ｃｅｎｔｉｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  Ｍｉｎｕｔｅ）
酸素ガス（Ｏ２）の供給量：５００ｓｃｃｍ
真空チャンバー内の真空度：３Ｐａ
プラズマ発生用電源からの印加電力：１．２ｋＷ
プラズマ発生用電源の周波数：８０ｋＨｚ
フィルムの搬送速度：０．５ｍ／ｍｉｎ【０１５８】
さらに、ケイ素含有ポリマー改質層を上記と同様にして、３００ｎｍの膜厚で塗布、紫外線硬化した。【０１５９】
（２）陽極（下部透明電極）の形成
市販のスパッタ装置に、Ｉｎ２Ｏ３：ＺｎＯ（９０質量％：１０質量％）のターゲットを取り付け、以下の条件にて、厚さ２５０ｎｍのＩＺＯからなる陽極を形成した。【０１６０】
全圧：０．４ＭＰａ
アルゴン流量：９９ｓｃｃｍ
酸素流量：１ｓｃｃｍ
出力：５Ｗ／ｃｍ２【０１６１】
（３）有機機能層の形成
作製した陽極上に、以下のようにして、各種有機層を形成した。【０１６２】
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、それぞれ素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼは、モリブデン製又はタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。【０１６３】
真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、下記化合物Ｍ−２の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で陽極上に蒸着し、厚さ４０ｎｍの正孔注入輸送層を形成した。【０１６４】
【化１７】
2017056553.tif 000020
【０１６５】
次いで、下記化合物ＢＤ−１及び下記化合物Ｈ−１を、化合物ＢＤ−１が５質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの青色発光を呈する蛍光発光層を形成した。【０１６６】
【化１８】
2017056553.tif 000021
【０１６７】
次いで、下記化合物ＧＤ−１、下記化合物ＲＤ−１及び下記化合物Ｈ−２を、化合物ＧＤ−１が１７質量％、化合物ＲＤ−１が０．８質量％の濃度になるように蒸着速度０．１ｎｍ／秒で共蒸着し、厚さ１５ｎｍの黄色を呈するリン光発光層を形成した。【０１６８】
【化１９】
2017056553.tif 000022
【０１６９】
その後、下記化合物ＥＴ−１を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ３０ｎｍの電子輸送層を形成した。【０１７０】
【化２０】
2017056553.tif 000023
【０１７１】
さらに、ＬｉＦを厚さ１．５ｎｍにて電子注入層を形成した後に、アルミニウム０．６ｎｍを蒸着した。【０１７２】
（４）陰極（上部透明電極）の形成
続いて、銀を蒸着速度０．３ｎｍ／秒で８ｎｍ蒸着し、陰極とした。【０１７３】
（５）光学調整層の形成
続いて、アントラセンを０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ４５ｎｍの光学調整層（第１光学調整層とする。）を形成した。【０１７４】
（６）封止
（６．１）接着剤組成物の調製
ポリイソブチレン系樹脂（Ａ）として「オパノールＢ５０（ＢＡＳＦ製、Ｍｗ：３４万）」１００質量部、ポリブテン樹脂（Ｂ）として「日石ポリブテン  グレードＨＶ−１９００（新日本石油社製、Ｍｗ：１９００）」３０質量部、ヒンダードアミン系光安定剤（Ｃ）として「ＴＩＮＵＶＩＮ７６５（ＢＡＳＦ・ジャパン製、３級のヒンダードアミン基を有する）」０．５質量部、ヒンダードフェノール系酸化防止剤（Ｄ）として「ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン製、ヒンダードフェノール基のβ位が二つともターシャリーブチル基を有する）」０．５質量部、及び環状オレフィン系重合体（Ｅ）として「Ｅａｓｔｏｔａｃ  Ｈ−１００Ｌ  Ｒｅｓｉｎ（イーストマンケミカル．Ｃｏ．製）」５０質量部を、トルエンに溶解し、固形分濃度約２５質量％の接着剤組成物を調製した。【０１７５】
（６．２）封止基板の作製
上記で作製したガスバリアー付き支持基板を用意し、これをそのまま封止基板とした。次に、調製した上記接着剤組成物の溶液を乾燥後に形成される接着層の厚さが２０μｍとなるように封止基板の陰極側（ガスバリアー層側）となる表面に塗工し、１２０℃で２分間乾燥させて接着層を形成した。次に、形成した接着層面に対して、剥離シートとして、厚さ３８μｍの剥離処理をしたポリエチレンテレフタレートフィルムの剥離処理面を貼付して、封止基板を作製した。【０１７６】
上述の方法で作製した封止基板を、窒素雰囲気下２４時間以上放置した。
放置後、剥離シートを除去し、８０℃に加熱した真空ラミネーターで有機発光素子の陰極を覆う形でラミネートした。更に、１２０℃で３０分加熱し封止し、有機ＥＬ素子１０１を作製した。【０１７７】
〈有機ＥＬ素子１０２の作製〉
有機ＥＬ素子１０１の作製において、（第１）光学調整層及び第２光学調整層を以下のようにして形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０２を作製した。【０１７８】
（第１光学調整層の形成）
陰極上に、電子銃蒸着用のるつぼにセットしておいたフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）を電子銃を用いて蒸着し、第１光学調整層を形成した。蒸着速度は、約１ｎｍ／ｓｅｃとした。【０１７９】
（第２光学調整層の形成）
第１光学調整層上に、アントラセンを０．１ｎｍ／秒で蒸着し、厚さ４５ｎｍの第２光学調整層を形成した。【０１８０】
〈有機ＥＬ素子１０３〜１１１の作製〉
有機ＥＬ素子１０２の作製において、第１光学調整層及び第２光学調整層の材料及び厚さを表２に記載のように変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子１０３〜１１１を作製した。
表２に記載の各材料を用いた光学調整層の形成方法は、以下に示すとおりである。【０１８１】
ＭｏＯ３：蒸着速度約０．２ｎｍ／ｓｅｃで加熱蒸着した。
Ｎｂ２Ｏ５：電子銃を用いて、蒸着速度約１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着した。
ＴｉＯ２：電子銃を用いて、蒸着速度約１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着した。
ＣａＦ２：電子銃を用いて、蒸着速度約１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着した。
ＭｇＦ２：電子銃を用いて、蒸着速度約１ｎｍ／ｓｅｃで蒸着した。
ＮａＦ：蒸着速度約０．２ｎｍ／ｓｅｃで加熱蒸着した。
有機化合物Ａ：蒸着速度約０．１ｎｍ／ｓｅｃで加熱蒸着した。【０１８２】
【化２１】
2017056553.tif 000024
【０１８３】
《評価》
〈光透過率の測定〉
作製した各有機ＥＬ素子について、このサンプルの全光線透過率（％）を、日本電色工業株式会社製ＮＤＨ７０００を用いて、ＪＩＳ  Ｋ  ７３６１準拠して測定した。【０１８４】
また、目視評価にて、発光領域と非発光領域（陰極のみが形成されていない領域）との見た目の差を下記評価基準に従って評価した。【０１８５】
Ａ：発光領域と非発光領域との光透過率差（透明性の差）があまり見られない。
Ｂ：発光領域と非発光領域との光透過率差がやや見られる。
Ｃ：発光領域と非発光領域との光透過率差が見られるが、実用上問題ない。
Ｄ：発光領域と非発光領域との光透過率差が大きく実用上問題ある。【０１８６】
評価結果を表２に示す。なお、有機ＥＬ素子１０２〜１１１の光透過率は、有機ＥＬ素子１０１の光透過率を１００とする相対値で示している。【０１８７】
【表２】
2017056553.tif 000025
【０１８８】
表２から明らかなように、本発明の有機ＥＬ素子は、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、光透過率が高く、発光領域と非発光領域との視覚上の差が小さいことが示された。
以上から、第１光学調整層の屈折率が第２光学調整層の屈折率よりも大きく、上部透明電極と第１光学調整層、及び、第１光学調整層と第２光学調整層がそれぞれ直接接して設けられていることが、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との視覚上の差が小さい（発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい）有機ＥＬ素子を提供することに有用であることがわかる。【０１８９】
［実施例２］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子２０１の作製〉
実施例１の有機ＥＬ素子１０３の作製において、第２光学調整層と接着剤との間に以下のようにして封止膜を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子２０１を作製した。【０１９０】
（封止膜の形成）
以下の条件で、窒化ケイ素膜をデポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置によって成膜し、封止膜を形成した。窒化ケイ素膜の膜厚は、３００ｎｍとした。【０１９１】
窒化ケイ素膜は、基材に対面するように設けられた電極と、この電極にプラズマ励起電力を供給する高周波電源と、基材を保持する保持部材に対してバイアス電力を供給するバイアス電源と、電極に向けてキャリアガスや原料ガスを供給するガス供給手段と、を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置で成膜した。
成膜ガスは、シランガス（ＳｉＨ４）、アンモニアガス（ＮＨ３）、窒素ガス（Ｎ２）及び水素ガス（Ｈ２）を用いた。これらのガスの供給量は、シランガスが１００ｓｃｃｍ、アンモニアガスが２００ｓｃｃｍ、窒素ガスが５００ｓｃｃｍ、水素ガスが５００ｓｃｃｍとした。
また、成膜圧力は、５０Ｐａとした。
電極には、高周波電源から周波数１３．５ＭＨｚで３０００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。さらに、保持部材には、バイアス電源から５００Ｗのバイアス電力を供給した。【０１９２】
《評価》
〈光透過率の測定〉
実施例１と同様にして、光透過率を測定した。
測定結果を表３に示す。なお、有機ＥＬ素子２０１の光透過率は、有機ＥＬ素子１０１の光透過率を１００とする相対値で示している。【０１９３】
〈保存性〉
作製した各有機ＥＬ素子について、６０℃・相対湿度９０％の環境下に１００時間静置した後の光透過率を測定し、保存性試験前後での光透過率の変化率（％）を下記式に従って算出した。
評価結果を表３に示す。【０１９４】
光透過率の変化率（％）＝（保存後の光透過率／保存前の光透過率）×１００【０１９５】
【表３】
2017056553.tif 000026
【０１９６】
表３から明らかなように、有機ＥＬ素子２０１は、有機ＥＬ素子１０３と比較して、保存性試験前後での光透過率の変化率が小さいことが示された。
以上から、第２光学調整層と接着剤との間に封止膜が設けられ、当該封止膜が第２光学調整層及び接着剤の両方に直接接して設けられていることが、保存性に優れた有機ＥＬ素子を提供することに有用であることがわかる。【０１９７】
［実施例３］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子３０１〜３０３の作製〉
実施例２の有機ＥＬ素子２０１の作製において、第１光学調整層の材料を表４に記載のように変更した以外は同様にして、有機ＥＬ素子３０１〜３０３を作製した。
表４に記載の各材料を用いた光学調整層の形成方法は、以下に示すとおりである。【０１９８】
含窒素化合物１〜３：蒸着速度約０．１ｎｍ／ｓｅｃで加熱蒸着した。【０１９９】
【化２２】
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【０２００】
《評価》
実施例１及び実施例２と同様にして、光透過率及び保存性を評価した。
評価結果を表４に示す。なお、有機ＥＬ素子３０１〜３０３の光透過率は、有機ＥＬ素子１０１の光透過率を１００とする相対値で示している。【０２０１】
【表４】
2017056553.tif 000028
【０２０２】
表４から明らかなように、有機ＥＬ素子３０１〜３０３は、有機ＥＬ素子２０１と比較して、保存性試験前後での光透過率の変化率が小さいことが示された。
以上から、第１光学調整層に含窒素化合物が含有されていることが、保存性に優れた有機ＥＬ素子を提供することに有用であることがわかる。【０２０３】
［実施例４］
《有機ＥＬ素子の作製》
〈有機ＥＬ素子４０１及び４０２の作製〉
実施例３の有機ＥＬ素子３０２の作製において、電子注入層と陰極との間に、アルミニウム（厚さ０．６ｎｍ）に代えて、リチウム（厚さ１．５ｎｍ）、カルシウム（厚さ１．５ｎｍ）をそれぞれ蒸着した以外は同様にして、有機ＥＬ素子４０１及び４０２を作製した。【０２０４】
《評価》
実施例１及び実施例２と同様にして、光透過率及び保存性を評価した。
評価結果を表５に示す。なお、有機ＥＬ素子４０１及び４０２の光透過率は、有機ＥＬ素子１０１の光透過率を１００とする相対値で示している。【０２０５】
【表５】
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【０２０６】
表５から明らかなように、有機ＥＬ素子４０１及び４０２は、有機ＥＬ素子３０２と比較して、光透過率が高く、発光領域と非発光領域との光透過率の比が小さいことが示された。
以上から、電子注入層と陰極との間にＬｉ、Ｃａからなる層を設けることが、光透過率が高い有機ＥＬ素子を提供することに有用であることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０２０７】
本発明は、光透過率が高く、かつ、発光領域と非発光領域との光透過率の差が小さい有機ＥＬ素子を提供することに、特に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【０２０８】
１  有機ＥＬ素子
２  支持基板
４  下部透明電極
４ａ  給電部
６  有機機能層
８  上部透明電極
８ａ  給電部
１０  第１光学調整層
１２  第２光学調整層
１４  積層体
１６  接着剤
１８  封止基板
２０  封止膜
１００  真空紫外線照射装置
１０２  チャンバー
１０４  ステージ
１０６  遮蔽板
１０８  Ｘｅエキシマランプ
１１０  ホルダー
Ｌ  発光領域
ＮＬ  非発光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
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