(57)【要約】  半導体積層体は、炭化珪素からなる基板と、基板上に配置され、炭化珪素からなるエピ層と、を備える。エピ層の、基板とは反対側の主面であるエピ主面は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である。エピ主面には、平面視で外形形状が長方形状である複数の第１凹部が形成されている。第１凹部内に形成され、第１凹部よりも深い凹部である第２凹部の密度は、エピ主面において１０ｃｍ−２以下である。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素からなる基板と、
前記基板上に配置され、炭化珪素からなるエピ層と、を備え、
前記エピ層の、前記基板とは反対側の主面であるエピ主面は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面であり、
前記エピ主面には、平面視で外形形状が長方形状である複数の第１凹部が形成されており、
前記第１凹部内に形成され、前記第１凹部よりも深い凹部である第２凹部の密度は、前記エピ主面において１０ｃｍ−２以下である、半導体積層体。
【請求項２】
前記第１凹部は、前記エピ層を厚み方向に貫通する貫通転位に接続される、請求項１に記載の半導体積層体。
【請求項３】
前記第２凹部の密度は、前記エピ主面において０ｃｍ−２を超えている、請求項１に記載の半導体積層体。
【請求項４】
前記第２凹部の密度は、前記エピ主面において０ｃｍ−２を超えている、請求項２に記載の半導体積層体。
【請求項５】
前記第１凹部の深さは１ｎｍ以下であり、
前記第２凹部の深さは１０ｎｍ以上である、請求項３または４に記載の半導体積層体。
【請求項６】
前記第２凹部の深さは２ｎｍ以上である、請求項５に記載の半導体積層体。
【請求項７】
前記第２凹部の密度は、前記エピ主面において１ｃｍ−２以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【請求項８】
前記基板の直径は１００ｍｍ以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体積層体に関するものである。【０００２】
本出願は、２０１５年１０月１３日出願の日本出願第２０１５−２０２０２４号に基づく優先権を主張し、前記日本出願に記載された全ての記載内容を援用するものである。
【背景技術】
【０００３】
特許文献１では、特定の材料からなる電極をＳｉＣ半導体装置に採用する場合において、絶縁膜の信頼性を向上させることにより動作の信頼性を向上させる方策が提案されている。
【特許文献１】特開２０１４−３８８９９号公報
【発明の概要】
【０００４】
本開示に従った半導体積層体は、炭化珪素からなる基板と、基板上に配置され、炭化珪素からなるエピ層と、を備える。エピ層の、基板とは反対側の主面であるエピ主面は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である。エピ主面には、平面視で外形形状が長方形状である複数の第１凹部が形成されている。第１凹部内に形成され、第１凹部よりも深い凹部である第２凹部の密度は、エピ主面において１０ｃｍ−２以下である。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】図１は、半導体積層体の構造の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、エピ主面の状態を示す概略平面図である。
【図３】図３は、図２の線分Ａ−Ａに沿う断面の一例を示す概略断面図である。
【図４】図４は、図２の線分Ａ−Ａに沿う断面の一例を示す概略断面図である。
【図５】図５は、半導体積層体の概略的な製造方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
［本願発明の実施形態の説明］
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の半導体積層体は、炭化珪素からなる基板と、基板上に配置され、炭化珪素からなるエピ層（エピタキシャル層）と、を備える。エピ層の、基板とは反対側の主面であるエピ主面（エピタキシャル層主面）は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である。エピ主面には、平面的に見て（平面視で）外形形状が長方形状である複数の第１凹部が形成されている。第１凹部内に形成され、第１凹部よりも深い凹部である第２凹部の密度は、エピ主面において１０ｃｍ−２以下である。
【０００７】
炭化珪素からなるエピ層を動作層として含む半導体装置においては、その動作の信頼性に問題が生じる場合がある。本発明者らはその原因について検討し、以下のような知見を得た。炭化珪素からなる基板上に炭化珪素からなるエピ層が形成された半導体積層体を用いてＳｉＣ半導体装置を製造する場合、エピ層上に二酸化珪素からなる絶縁膜や金属などの導電体からなる電極が形成される。本発明者らの検討によれば、エピ層を構成する炭化珪素結晶のｃ面（｛０００１｝面）に対するオフ角が４°以下のカーボン面であるエピ層の主面（エピ主面）には、平面的に見て外形形状が長方形状である複数の第１凹部が形成される。この第１凹部内には、第１凹部よりも深い凹部である第２凹部が存在する場合がある。そして、この第２凹部が多数存在する状態でエピ主面上に絶縁膜である酸化膜（たとえば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）のゲート酸化膜）を形成して半導体装置を製造した場合、酸化膜の厚みのばらつきに起因して電界集中が生じ、酸化膜の信頼性が低下する。その結果、上記第２凹部の存在が、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を低下させる。これに対し、エピ主面における上記第２凹部の密度を低減することにより、より具体的には１０ｃｍ−２以下とすることにより、動作の信頼性の低下を抑制することができる。
【０００８】
本願の半導体積層体においては、エピ主面における上記第２凹部の密度が１０ｃｍ−２以下とされている。その結果、本願の半導体積層体によれば、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を向上させることを可能とする半導体積層体を提供することができる。
【０００９】
なお、六方晶炭化珪素の｛０００１｝面（ｃ面）のうち、最表面に珪素原子が並ぶ面はシリコン面、炭素原子が並ぶ面はカーボン面と定義される。本願において、エピ主面が、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である状態とは、エピ主面が、カーボン面を主体とする結晶面から構成される面であって、｛０００１｝面とのなす角が４°以下である状態を意味する。
【００１０】
上記半導体積層体において、上記第１凹部は、上記エピ層を厚み方向に貫通する貫通転位に接続されていてもよい。このような第１凹部内に形成される第２凹部を低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を向上させることができる。
【００１１】
上記半導体積層体において、上記第２凹部の密度は、前記エピ主面において０ｃｍ−２を超えていてもよい。第２凹部の深さに応じて第２凹部の密度が０ｃｍ−２を超えることを許容することにより、エピ層の膜厚のバラツキを抑制することができる。
【００１２】
上記半導体積層体において、第１凹部の深さは１ｎｍ以下であってもよい。第２凹部の深さは１０ｎｍ以上であってもよい。深さ１ｎｍ以下の第１凹部内に形成された深さ１０ｎｍ以上の第２凹部を低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を向上させることができる。
【００１３】
上記半導体積層体において、上記第２凹部の深さは２ｎｍ以上であってもよい。深さ２ｎｍ以上の第２凹部を低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を一層向上させることができる。
【００１４】
上記半導体積層体において、上記第２凹部の密度は、上記エピ主面において１ｃｍ−２以下であってもよい。第２凹部の密度を１ｃｍ−２以下にまで低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を一層向上させることができる。
【００１５】
上記半導体積層体において、上記基板の直径は１００ｍｍ以上であってもよい。このようにすることにより、半導体積層体を用いたＳｉＣ半導体装置の製造を効率よく実施することができる。ＳｉＣ半導体装置の製造の効率を一層向上させる観点から、上記基板の直径は１５０ｍｍ以上であってもよい。
【００１６】
なお、エピ主面における第２凹部の密度は、たとえば以下のように測定することができる。レーザーテック社製のＳＩＣＡ  ６Ｘを用い、対物レンズの倍率を１０倍として、エピ主面全体を評価する。このとき、エピ主面に存在する凹部であって、第１凹部の深さ（たとえば１ｎｍ以下）よりも深い領域（すなわち第２凹部）を有するもののみを検出するように深さの閾値を設定し（たとえば深さ１０ｎｍ以上の領域を有するもののみを検出するように閾値を設定し）、平面的に見て外形形状が長方形状であるもののみを計数することで、内部に第２凹部が形成された第１凹部の密度、すなわち第２凹部の密度を算出することができる。このようにして算出されるエピ主面における第２凹部の密度が、本願の半導体積層体においては１０ｃｍ−２以下であり、１ｃｍ−２以下であることが好ましく、０．５ｃｍ−２以下であることがより好ましい。
【００１７】
［本願発明の実施形態の詳細］
次に、本発明にかかる半導体積層体の一実施の形態を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１８】
図１を参照して本実施の形態における半導体積層体について説明する。半導体積層体であるエピ基板１は、基板１０とエピ層２０とを備えている。基板１０およびエピ層２０は炭化珪素（ＳｉＣ）からなっている。より具体的には、基板１０およびエピ層２０は六方晶ＳｉＣ、たとえば４Ｈ−ＳｉＣからなっている。基板１０は、第１主面１１および第２主面１２を有している。第１主面１１および第２主面１２の、基板１０を構成するＳｉＣのｃ面（｛０００１｝面）とのなす角は４°以下である。第１主面１１はカーボン面である。第２主面１２はシリコン面である。
【００１９】
エピ層２０は、第１主面２１と第２主面２２とを有している。第１主面２１は、エピ基板１のエピ主面である。エピ層２０は、基板１０の第１主面１１に第２主面２２において接触して配置されている。エピ層２０は、基板１０の第１主面１１上にエピタキシャル成長により形成されたＳｉＣ層である。すなわち、エピ層２０は、基板１０の結晶構造が引き継がれたＳｉＣ層である。エピ層２０の、基板１０とは反対側の主面である第１主面２１は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である。
【００２０】
図２は、第１主面２１を、エピ層２０の厚み方向に離れた位置から見た状態を示す平面図である。図３および図４は、図２の線分Ａ−Ａに沿う断面の一例を示す概略断面図である。図２を参照して、エピ主面である第１主面２１には、平面的に見て外形形状が長方形状である複数の第１凹部３１が形成されている。図３を参照して、第１凹部３１内には、第１凹部３１よりも深い凹部である第２凹部３２が形成される場合がある。第２凹部３２の第１主面２１からの深さｄ２は、第１凹部３１の第１主面２１からの深さｄ１よりも大きい。本実施の形態のエピ基板１では、第２凹部３２の密度は、第１主面２１において１０ｃｍ−２以下である。本実施の形態のエピ基板１では、図３のように第２凹部３２が形成されている第１凹部３１に比べて、図４のように第２凹部３２が形成されていない第１凹部３１の割合が大きくなっている。
【００２１】
ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を低下させる第２凹部３２の密度が１０ｃｍ−２以下にまで低減されていることにより、本実施の形態のエピ基板１は、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を向上させることを可能とする半導体積層体となっている。
【００２２】
図２および図３を参照して、長方形形状を有する第１凹部３１の一方の短辺に隣接するように第２凹部３２は形成される。図３および図４を参照して、第１凹部３１は、エピ層を厚み方向に貫通する貫通転位４１に接続されている。別の観点から説明すると、貫通転位４１に一対一で対応するように、第１凹部３１は形成されている。図３を参照して、第１凹部３１内に第２凹部３２が形成されている場合、貫通転位４１は第２凹部３２の底に接続されている。図４を参照して、第１凹部３１内に第２凹部３２が形成されていない場合、貫通転位４１は第１凹部３１の底に接続されている。いずれの場合においても、貫通転位４１は、長方形形状を有する第１凹部３１の一方の短辺に隣接する領域に接続されている。
【００２３】
なお、貫通転位４１は、格子面のずれによって発生する線状の欠陥である。貫通転位４１には、貫通刃状転位と貫通らせん転位の２種類が含まれる。貫通刃状転位は、結晶の変位方向を示すバーガースベクトルと転位線が直交する結晶欠陥である。貫通刃状転位の結晶欠陥の形状は、完全な結晶面に１枚の余剰な原子面が刃状に入り込んだ形状であり、転位線がｃ面を貫通する。一方、らせん転位は、バーガースベクトルと転位線が平行な結晶欠陥であり、原子面が転位線の周りでらせん状をなす。転位線は、貫通刃状転位と同様にｃ面を貫通する。また、大きなバーガースベクトルを持つ貫通らせん転位は、パイプ状の孔を形成するマイクロパイプとなる。
【００２４】
通常、炭化珪素基板には上述の２種類の欠陥（貫通刃状転位及び貫通らせん転位）が存在し、本実施形態に係るエピ基板１の基板１０にも、やはり上述の２種類の欠陥が存在する。例えば、基板１０に存在する貫通転位密度は、貫通刃状転位が２０００ｃｍ−２以下、貫通らせん転位が５００−１０００ｃｍ−２の範囲、マイクロパイプが１ｃｍ−２以下である。これらの貫通転位がエピ層２０に伝搬するため、かなりの数の貫通転位４１がエピ層２０に形成される。そして、貫通転位の種類により、第２凹部３２の深さが変化する。定性的には、第２凹部３２の深さは、貫通刃状転位＜貫通らせん転位＜マイクロパイプ、の順に深くなる。即ち、貫通刃状転位と貫通らせん転位とを比較すると、貫通らせん転位が形成されている方が第凹部３２の深さが深くなる。また、貫通らせん転位の中でも大きなバーガースベクトルを持つマイクロパイプが形成されていると、第２凹部３２の深さが更に深くなる。
【００２５】
このように、エピ層２０には、形成された貫通転位４１の種類に応じて、種々の深さの第２凹部３２が形成されている。
【００２６】
本実施の形態のエピ基板１において、第１凹部３１の深さｄ１は１ｎｍ以下である。また、第２凹部３２の深さｄ２は１０ｎｍ以上である。深さ１ｎｍ以下の第１凹部３１内に形成される深さ１０ｎｍ以上の第２凹部３２の密度を１０ｃｍ−２以下にまで低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を向上させることができる。
【００２７】
また、深さは２ｎｍ以上の第２凹部３２の密度を１０ｃｍ−２以下にまで低減することが好ましい。これにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を一層向上させることができる。
【００２８】
さらに、エピ基板１において、第２凹部３２の密度は、第１主面２１において１ｃｍ−２以下であることが好ましい。深さ１０ｎｍ以上、さらに深さ２ｎｍ以上の第２凹部３２の密度を１ｃｍ−２以下にまで低減することにより、ＳｉＣ半導体装置の動作の信頼性を一層向上させることができる。
【００２９】
また、基板１０の直径は１００ｍｍ以上であることが好ましく、１５０ｍｍ以上であることが好ましい。このようにすることにより、エピ基板１を用いたＳｉＣ半導体装置の製造を効率よく実施することができる。
【００３０】
次に、本実施の形態におけるエピ基板１の製造方法の一例について説明する。図５を参照して、本実施の形態のエピ基板１の製造方法では、まず工程（Ｓ１０）として基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、図１を参照して、たとえば所望の濃度でｎ型不純物を含む４Ｈ−ＳｉＣからなるインゴットがスライスされる。その後、表面の平坦化処理、洗浄等のプロセスを経て、基板１０が準備される。第１主面１１は、ｃ面に対するオフ角が４°以下であるカーボン面である。
【００３１】
次に、工程（Ｓ２０）としてエピタキシャル成長工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、図１を参照して、工程（Ｓ１０）において準備された基板１０の第１主面１１上にエピタキシャル成長により炭化珪素からなるエピ層２０が形成される。エピ層２０は、たとえば所望の濃度のｎ型不純物を含むように形成される。具体的には、工程（Ｓ１０）において準備された基板１０が炉内において適切な温度に加熱されつつ、炉内に炭化珪素およびｎ型不純物の原料ガスが供給されることにより、エピ層２０が形成される。これにより、基板１０上にエピ層２０が形成された構造体が得られる。
【００３２】
このとき、本発明者らの検討によれば、ｃ面に対するオフ角が４°以下のカーボン面であるエピ層２０の第１主面２１には、図３に示すように、平面的に見て外形形状が長方形状である複数の第１凹部３１が形成される。また、第１凹部３１内には、第１凹部よりも深い凹部である第２凹部３２が形成される。第１凹部３１の深さｄ１は、たとえば１ｎｍ以下である。また、平面視における外形形状が長方形状である第１凹部３１の長辺の長さは、たとえば２０μｍ以上３０μｍ以下である。
【００３３】
次に、工程（Ｓ３０）として酸化膜形成工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、工程（Ｓ２０）において得られた構造体が、たとえば熱酸化される。これにより、エピ層２０の第１主面２１を含むように酸化膜が形成される。
【００３４】
次に、工程（Ｓ４０）として酸化膜除去工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、工程（Ｓ３０）において形成された酸化膜が、たとえばフッ酸により除去される。ここで、本発明者らの検討によれば、工程（Ｓ３０）を工程（Ｓ２０）の条件を考慮した適切な条件で実施したうえで、工程（Ｓ４０）を実施することで第２凹部３２の密度を有効に低減することができる。
【００３５】
第２凹部３２の深さｄ２は、工程（Ｓ２０）におけるエピ層２０の成長条件に依存する。そして、工程（Ｓ４０）における酸化膜の除去によって第２凹部３２の密度を有効に低減するためには、工程（Ｓ３０）における酸化膜の厚さおよび酸化膜の形成速度が重要である。具体的には、まず、工程（Ｓ２０）において形成された第２凹部３２の深さｄ２に対して十分に厚い酸化膜を工程（Ｓ３０）において形成する必要がある。たとえば、第２凹部３２の深さｄ２が１０ｎｍ程度である場合、エピ層２０の第１主面２１を含むように形成される酸化膜の厚みは、深さｄ２以上、すなわち１０ｎｍ以上とする必要がある。熱酸化による酸化膜の形成においては、基板１０の第２主面１２を含む領域にも酸化膜が形成されることから、トータルの酸化膜の厚みとしては、深さｄ２の２倍以上、すなわち２０ｎｍ以上とする必要がある。より確実に第２凹部３２の密度を低減するためには、トータルの酸化膜の厚みは、深さｄ２の３倍以上、すなわち３０ｎｍ以上とすることが好ましい。
【００３６】
さらに、上記酸化膜の厚みの条件が適切であることに加えて、酸化膜の形成速度も重要である。本発明者らの検討によれば、酸化膜の形成速度が不十分な場合、上記酸化膜の厚みの条件が適切であっても、第２凹部３２の密度を有効に低減することはできない。酸化膜の形成速度は、たとえば熱酸化の温度を上昇させることにより大きくすることができる。
【００３７】
このように、工程（Ｓ３０）における酸化膜の厚さおよび酸化膜の形成速度を適切に設定することにより、第２凹部３２の密度を有効に低減することができる。エピ層２０の第１主面２１において、図３のように第２凹部３２が形成されている第１凹部３１に比べて、図４のように第２凹部３２が形成されていない第１凹部３１の割合が大きくなる。その結果、第２凹部３２の密度を１０ｃｍ−２以下にまで低減した本実施の形態のエピ基板１を製造することができる。
【００３８】
このように、本実施形態に係るエピ基板１においては、第２凹部３２の密度の上限を１０ｃｍ−２以下とするが、下限は特に無く、理想的には０ｃｍ−２であることが好ましい。しかしながら、第２凹部３２の密度を０ｃｍ−２にしようとすると、第２凹部３２の深さ最大値を考慮して酸化膜の厚みを決定する必要があり、上述の工程（Ｓ３０）において、酸化膜の厚さを相当に厚くする必要がある。つまり、トータルの酸化膜の厚みを、第２凹部３２の深さｄ２の４倍以上の４０ｎｍ以上、５倍以上の５０ｎｍ以上とする必要が生じる可能性もある。
【００３９】
しかしながら、あまりに酸化膜の膜厚を厚くすると、膜厚バラツキが生じ易くなる。その後、酸化膜は除去されるため、最終的にはエピ層２０の膜厚にバラツキが生じ易くなる。その結果、後にエピ基板１にデバイスを作製したときに、デバイス特性にバラツキが生じるおそれがある。つまり、第２の凹部３２の密度を０ｃｍ−２にしようとすると、エピ層２０の膜厚のバラツキ、更にはデバイス特性のバラツキという副作用が発生するおそれがある。よって、第２凹部３２の深さによっては、即ち、第２凹部３２が深い場合には、第２凹部３２の密度が０ｃｍ−２を超えるようにエピ基板１の製造プロセスを実施してもよい。このように、第２凹部３２の深さを考慮し、第２凹部３２の深さが相当に深い場合には、最初から第２凹部３２の密度が０ｃｍ−２を超えるようなプロセス目標で、プロセス条件を設定してもよい。これにより、エピ主面２１における第凹部３２の密度を確実に１０ｃｍ−２以下とする製造プロセスを実現することができる。
【００４０】
第２凹部の密度を低減するための熱酸化の条件について検討する実験を行った。実験の手順は以下の通りである。
【００４１】
まず、同一条件で上記工程（Ｓ１０）および（Ｓ２０）を実施し、３つのサンプルを作製した。次に、得られたサンプルに対して異なった熱酸化の条件で工程（Ｓ３０）を実施した。その後、同一条件で工程（Ｓ４０）を実施した。そして、エピ表面であるエピ層２０の第１主面２１における第２凹部３２の存在をＡＦＭにより確認した。得られた結果は以下の通りである。
【００４２】
工程（Ｓ３０）を実施する前における第２凹部３２の深さは、最大で２０ｎｍであった。そして、工程（Ｓ３０）において、酸化温度１１５０℃および１３５０℃の２つの条件でトータルの厚み（エピ層２０の第１主面２１側の厚みと基板１０の第２主面１２側の厚みとの和）が６０ｎｍの酸化膜を形成した。その後、フッ酸を用いて酸化膜を除去した後（工程（Ｓ４０））、ＡＦＭにてエピ層２０の第１主面２１を観察したところ、第２凹部３２の存在は確認されなかった。一方、別のサンプルについて、酸化温度１０５０℃の条件でトータルの厚み８０ｎｍの酸化膜を形成する工程（Ｓ３０）を実施した。そして、フッ酸を用いて酸化膜を除去した後（工程（Ｓ４０））、ＡＦＭにてエピ層２０の第１主面２１を観察したところ、深さ４ｎｍ程度の第２凹部３２の存在が確認された。
【００４３】
以上の実験結果から、工程（Ｓ３０）において形成される酸化膜の厚みが十分であることに加えて、酸化膜の形成速度（熱酸化の温度）を十分に高くすることも重要であるといえる。そして、酸化膜の形成条件を適切に設定した上記実施の形態における製造方法により、深さ１ｎｍ以下の第１凹部３１内に形成された深さ１０ｎｍ以上（または２ｎｍ以上）の第２凹部３２の密度が１０ｃｍ−２以下（または１ｃｍ−２以下）にまで低減された本実施の形態のエピ基板１が製造可能であることが確認される。
【００４４】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、請求の範囲によって規定され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４５】
１  エピ基板
１０  基板
１１  第１主面
１２  第２主面
２０  エピ層
２１  第１主面
２２  第２主面
３１  第１凹部
３２  第２凹部
４１  貫通転位
【図１】
2017064913.tif 000003
【図２】
2017064913.tif 000004
【図３】
2017064913.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【国際調査報告】
2017064913.tif 000008
2017064913.tif 000009
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