(57)【要約】【課題】振動漏れを抑制し、振動効率の低下を抑制することができるＭＥＭＳ素子を得ることを目的とする。【解決手段】第１の軸と、前記第１の軸に直交する第２の軸と、を含む平面に沿った主面を備える基板と、前記主面に形成され、固定電極を含む第１導電層と、前記主面に沿って前記固定電極と離間して配置され、前記第１の軸に沿った振動が励振される振動体と、前記振動体から前記第２の軸方向に延出する少なくとも２本の支持腕と、前記支持腕と接続する支持部と、を備える第２導電層と、を備え、前記第１の軸と前記第２の軸とに直交する第３の軸方向における前記振動体の前記振動の最大変位量をδとし、前記支持腕と前記振動体との接合部は、前記振動体の前記第１の軸方向の任意の位置の前記第３の軸方向の変位量をａとした場合、｜ａ｜≦｜δ／２｜、となる前記第１の軸方向の領域に配置されているＭＥＭＳ素子。【選択図】図１
2014165700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の軸と、前記第１の軸に直交する第２の軸と、を含む平面に沿った主面を備える基板と、
前記主面に形成され、固定電極を含む第１導電層と、
前記主面に沿って前記固定電極と離間して配置され、前記第１の軸に沿った振動が励振される振動体と、前記振動体から前記第２の軸方向に前記振動体を挟んで離間する方向に延出する少なくとも２本の支持腕と、前記支持腕と接続する支持部と、を備える第２導電層と、を備え、
前記第１の軸と前記第２の軸とに直交する第３の軸方向における前記振動体の前記振動の最大変位量をδとし、前記支持腕と前記振動体との接合部は、前記振動体の前記第１の軸方向の任意の位置の前記第３の軸方向の変位量をａとした場合、
｜ａ｜≦｜δ／２｜
となる前記第１の軸方向の領域に配置されている、
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
前記支持腕の前記第１の軸方向の幅Ｗ、前記第２軸の方向の長さＬ、とした場合、
０≦Ｗ／Ｌ≦２．５
である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項３】
前記支持腕の長さＬは、前記振動体の前記第２の軸方向の幅Ｈとした場合、
０＜Ｌ≦Ｈ
である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子を備える、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子、または請求項４に記載の電子デバイスを備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子、または請求項４に記載の電子デバイス、または請求項５に記載の電子機器を備える、
ことを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ素子、電子デバイス、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、精密加工技術の一つとして半導体製造方法を用いたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子の利用が拡大してきている。例えば特許文献１に示すように、基板上に形成された第１電極と、第１電極に対向配置される梁部を備える第２電極と、を備え、梁部を第１電極と第２電極との間に発生する静電力によって振動させるＭＥＭＳ振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−８５０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に示すＭＥＭＳ振動子では、梁部の振動が梁部を支持する支持部を介して基板に漏れてしまう、いわゆる振動漏れを生じ、所望の振動効率が得られないという課題があった。
【０００５】
そこで、振動漏れを抑制し、振動効率の低下を抑制することができるＭＥＭＳ素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
〔適用例１〕本適用例のＭＥＭＳ素子は、第１の軸と、前記第１の軸に直交する第２の軸と、を含む平面に沿った主面を備える基板と、前記主面に形成され、固定電極を含む第１導電層と、前記主面に沿って前記固定電極と離間して配置され、前記第１の軸に沿った振動が励振される振動体と、前記振動体から前記第２の軸方向に前記振動体を挟んで離間する方向に延出する少なくとも２本の支持腕と、前記支持腕と接続する支持部と、を備える第２導電層と、を備え、前記第１の軸と前記第２の軸とに直交する第３の軸方向における前記振動体の前記振動の最大変位量をδとし、前記支持腕と前記振動体との接合部は、前記振動体の前記第１の軸方向の任意の位置の前記第３の軸方向の変位量をａとした場合、
｜ａ｜≦｜δ／２｜
となる前記第１の軸方向の領域に配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例のＭＥＭＳ素子によれば、振動体の変位の少ない領域に支持腕が配置されることにより、振動体の屈曲振動による変位によって付加される支持腕の捩れ量も抑制することができる。すなわち、支持腕の捩れ量が抑制されることで、振動体の屈曲振動が支持腕および支持部を介して基板へ漏れる、いわゆる振動漏れを抑制することができる。従って、Ｑ値の高いＭＥＭＳ振動子を備えるＭＥＭＳ素子を得ることができる。
【０００９】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記支持腕の前記第１の軸方向の幅Ｗ、前記第２の軸方向の長さＬ、とした場合、
０≦Ｗ／Ｌ≦２．５
であることを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、支持腕の捩れ剛性を低減させることができ、振動体の屈曲振動によって支持腕が捩じれ易くなる。従って、振動漏れが抑制され、高いＱ値のＭＥＭＳ振動子を備えるＭＥＭＳ素子を得ることができる。
【００１１】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記支持腕の長さＬは、前記振動体の前記第２の軸方向の幅Ｈとした場合、
０＜Ｌ≦Ｈ
であることを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、支持腕の捩れ剛性を低減させることができ、振動体の屈曲振動によって支持腕が捩じれ易くなる。従って、振動漏れが抑制され、高いＱ値のＭＥＭＳ振動子を備えるＭＥＭＳ素子を得ることができる。
【００１３】
〔適用例４〕本適用例の電子デバイスは、上述のＭＥＭＳ素子を備えることを特徴とする。
【００１４】
本適用例の電子デバイスによれば、振動漏れが抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができる高いＱ値を有するＭＥＭＳ素子を備えることにより、所望の共振周波数を安定して取り出すことができる。
【００１５】
〔適用例５〕本適用例の電子機器は、上述のＭＥＭＳ素子、または上述の電子デバイスを備えることを特徴とする。
【００１６】
本適用例の電子機器によれば、振動漏れが抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができる高いＱ値を有するＭＥＭＳ素子を備える所望の共振周波数を安定して取り出すことができる電子デバイスを備え、安定した動作を得ることができる。
【００１７】
〔適用例６〕本適用例の移動体は、上述のＭＥＭＳ素子、または上述の電子デバイス、または上述の電子機器を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例の移動体によれば、振動漏れが抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができる高いＱ値を有するＭＥＭＳ素子を備える所望の共振周波数を安定して取り出すことができる電子デバイス、電子機器を備え、安定した動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部の断面図。
【図２】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子の、図１（ａ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図。
【図３】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子の動作を説明する、（ａ）は部分平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＤ−Ｄ´部の断面図。
【図４】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子の動作を説明する、（ａ）は部分平面図、（ｂ）はＥ−Ｅ´部の断面図。
【図５】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子の、図３（ａ）に示すＦ部の拡大平面図。
【図６】第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図。
【図７】第３実施形態に係る電子機器としてのスマートフォンを示す外観図。
【図８】第３実施形態に係る電子機器としてのデジタルスチルカメラを示す外観図。
【図９】第４実施形態に係る移動体としての自動車を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１に第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を示し、（ａ）は後述する被覆層および蓋部を除いた状態での平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部断面である。図１（ｂ），（ｃ）に示すように、本実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００は、ウエハー基板１１と、ウエハー基板１１の第１の軸としての図示するＸ軸と、第２の軸としてのＹ軸と、を含む平面に沿った主面１１ａに形成された第１酸化膜１２と、第１酸化膜１２上に形成された窒化膜１３と、により構成される基板１０を備えている。ウエハー基板１１は、シリコン基板であり、半導体製造装置および半導体製造方法を用いて、ＭＥＭＳ素子１００は製造される。
【００２２】
基板１０の主面１０ａ、すなわち窒化膜１３の表面１３ａ、には第１導電層２１と第２導電層２２とが形成されている。第１導電層２１は、図１（ａ）に示すように主面１０ａの表面に固定電極としての下部電極２１ａと、下部電極２１ａと図示しない外部配線とを接続する下部電極配線部２１ｂとを備えている。
【００２３】
第２導電層２２は、下部電極２１ａと離間し、対向配置される振動体としての上部電極２２ａと、Ｙ軸方向に上部電極２２ａから延設された支持腕２２ｂと、支持腕２２ｂと接続し主面１０ａ上に形成された支持部２２ｃと、支持部２２ｃと図示しない外部配線とを接続する上部電極配線部２２ｄと、を備えている。この第１導電層２１および第２導電層２２は、導電性のポリシリコンをフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成される。なお、第１導電層２１および第２導電層２２は、本実施形態ではポリシリコンを用いる例を示すが、これに限定されるものではない。
【００２４】
支持腕２２ｂは、本実施形態では上部電極２２ａから４本、延出されている。４本の支持腕２２ｂは、図１（ａ）に示すように上部電極２２ａを挟んでＹ軸方向に互いに離間するように上部電極２２ａより２本が１対となって延出され、支持腕２２ｂが２対、形成されている。支持腕２２ｂは、図１（ａ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図である図２に示すように、主面１０ａ上に形成された支持部２２ｃに接続される。言い換えると、上部電極２２ａは支持部２２ｃに支持腕２２ｂを介して接続され、上部電極２２ａが変位可能な空間としての間隙部Ｇを下部電極２１ａとの間に有して対向配置され、ＭＥＭＳ振動子２０が構成されている。そして、図示しない外部駆動装置からＭＥＭＳ振動子２０に交流の電荷が付加され、静電力によって上部電極２２ａが屈曲振動する。
【００２５】
本実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００の概略製造方法を、図１を参照し、説明する。ＭＥＭＳ振動子２０は、基板１０の主面１０ａ上に形成された空間Ｓに収容されるように形成されている。空間部Ｓは、次のように形成される。第１導電層２１および第２導電層２２が形成された後、第２酸化膜４０を形成する。第２酸化膜４０には、第２導電層２２の形成と同時にポリシリコンによる、後述する空間壁部３０の最下層３３と接続されるように最下層３３が露出される穴が形成され、第１配線層３１がフォトリソグラフィーによるパターニングにより形成される。
【００２６】
更に、第３酸化膜５０が第２酸化膜４０上に形成される。第３酸化膜５０には、第１配線層３１が露出する穴が形成され、第２配線層３２がフォトリソグラフィーによるパターニングにより形成される。第２配線層３２は、後述する空間壁部３０の最上層を構成する壁部３２ａと、ＭＥＭＳ振動子２０を収納する空間Ｓを構成する蓋部３２ｂと、を備えている。更に、第２配線層３２の蓋部３２ｂは、空間Ｓを形成するために製造過程で形成された空間Ｓの領域にある第２酸化膜４０および第３酸化膜５０をリリースエッチングするための開口３２ｃを備えている。
【００２７】
次に、第２配線層３２の開口３２ｃを露出させるように保護膜６０が形成され、開口３２ｃより第２酸化膜４０および第３酸化膜５０をエッチングするエッチング液が導入され、リリースエッチングにより空間Ｓが形成される。空間Ｓは、最下層３３と、第１配線層３１と、第２配線層３２と、によって形成される空間壁部３０に囲まれた領域である。
【００２８】
ＭＥＭＳ振動子２０に設けられている間隙部Ｇは、上述した空間Ｓの形成時におけるリリースエッチングにより形成される。すなわち、第１導電層２１および支持部２２ｃの図示しない下層部が形成された後、下部電極２１ａ上に図示しない第４酸化膜が形成され、第４酸化膜上に上部電極２２ａ、支持腕２２ｂおよび支持腕２２ｂが繋がる支持部２２ｃの上層部が形成される。そして、第４酸化膜がリリースエッチングによって、第２酸化膜４０および第３酸化膜５０とともに除去され、間隙部Ｇが形成される。なお、上述したリリースエッチングによって除去される空間Ｓに相当する領域の第２酸化膜４０および第３酸化膜５０、そして第４酸化膜は、犠牲層と呼ばれている。
【００２９】
リリースエッチングが終了し、空間Ｓが形成されると被覆層７０が形成され、保護膜６０に覆われていない第２配線層３２の蓋部３２ｂを覆い、開口３２ｃが封止される。これにより空間Ｓは密閉される。
【００３０】
図３はＭＥＭＳ振動子２０の駆動状態を説明する概念図であり、（ａ）はＭＥＭＳ振動子２０の平面図（Ｚ方向矢視図）、（ｂ）は（ａ）に示すＤ−Ｄ´部の断面図である。なお、説明の便宜上、想像線（２点鎖線）での描画を多用している。
【００３１】
図３（ｂ）に示すように、上部電極２２ａと下部電極２１ａとには交流の電荷が付加され、静電力によって上部電極２２ａは下部電極２１ａに図示する矢印Ｒ方向に引き寄せられ上部電極２２ａ´に示すように変形し、電荷が付加されない状態では定常位置の上部電極２２ａの形態となる。これを交流の電荷を付加することで繰り返し、屈曲振動が励振される。本実施形態に係るＭＥＭＳ振動子２０では、図示するようにＸ軸に沿ってＺ軸方向の屈曲振動（Ｒ方向の屈曲）が励起される。この屈曲振動において、任意の位置での上部電極２２ａの撓み量を変位量ａとした場合、変位量の最大値が、２本の支持腕２２ｂの中間位置近傍でａmax＝δ1が生じる場合を図３（ｂ）に示す。
【００３２】
ａmax＝δ1である場合、支持腕２２ｂからＺ軸方向に（ａmax／２）の位置、すなわちδ1／２の位置と屈曲後の上部電極２２ａ´との交点位置ｐ１，ｐ２およびｐ３，ｐ４によって定義される図３（ａ）のＸ軸方向の領域Ｍ１，Ｍ２の範囲内に、支持腕２２ｂと上部電極２２ａとの接合部が配置されることが好ましい。一般的に、上部電極２２ａにおける支持腕２２ｂの配置は対称位置に配置されることが多く、その場合にはＭ１＝Ｍ２となる。
【００３３】
上述した、Ｍ１，Ｍ２の領域に上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの接続部を配置することにより、上部電極２２ａの振動が支持腕２２ｂおよび支持部２２ｃを介して基板１０に漏れること、いわゆる振動漏れが抑制され、高いＱ値のＭＥＭＳ振動子２０を備えるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。
【００３４】
図４に、ａmaxが上部電極２２ａのＸ軸方向の端部に生じる場合を示す。図４はＭＥＭＳ振動子２０の駆動状態を説明する概念図であり、（ａ）はＭＥＭＳ振動子２０の平面図（Ｚ方向矢視図）、（ｂ）は（ａ）に示すＥ−Ｅ´部の断面図である。なお、説明の便宜上、想像線（２点鎖線）での描画を多用している。図４に示す駆動状態は、図４（ｂ）に示すように、任意の位置での上部電極２２ａの撓み量を変位量ａとした場合、変位量の最大値が、上部電極２２ａのＸ軸方向の端部でａmax＝δ2が生じる形態である。
【００３５】
ａmax＝δ2である場合、支持腕２２ｂからＺ軸方向に（ａmax／２）の位置、すなわちδ2／２の位置と屈曲後の上部電極２２ａ´との交点位置ｐ５，ｐ６およびｐ７，ｐ８によって定義される図４（ａ）のＸ軸方向の領域Ｍ３，Ｍ４の範囲内に、支持腕２２ｂと上部電極２２ａとの接合部が配置されることが好ましい。一般的に、上部電極２２ａにおける支持腕２２ｂの配置は対象位置に配置されることが多く、その場合にはＭ３＝Ｍ４となる。
【００３６】
上述した、Ｍ３，Ｍ４の領域に上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの接続部を配置することにより、上部電極２２ａの振動が支持腕２２ｂおよび支持部２２ｃを介して基板１０に漏れること、いわゆる振動漏れが抑制され、高いＱ値のＭＥＭＳ振動子２０を備えるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。すなわち、屈曲振動する上部電極２２ａの最大変位量δ1あるいはδ2に対して、変位後の上部電極２２ａ´面とＺ軸方向のａmax／２との交点位置のＸ位置で定義される領域であるＭ１，Ｍ２領域あるいはＭ３，Ｍ４領域に上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの接続部を配置することにより、振動漏れが抑制され、高いＱ値のＭＥＭＳ振動子２０を備えるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。
【００３７】
支持腕２２ｂは、図３（ａ）に示す支持腕長さＬ、および支持腕幅Ｗの関係が、
０≦Ｗ／Ｌ≦２．５      （１）
であることが好ましい。更に、支持腕長さＬは、上部電極２２ａのＹ軸方向の幅Ｈに対して、
０＜Ｌ≦Ｈ
であることが好ましい。
【００３８】
支持腕長さＬを長くすることにより、上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの接合部と、支持腕２２ｂと支持部２２ｃとの接合部と、の間における上部電極２２ａの屈曲振動時に生じる捩れに対して、捩れ剛性をより小さくすることができる。すなわち、上部電極２２ａの屈曲振動による変位が、支持腕２２ｂの捩れ易さにより支持部２２ｃへ振動伝達、すなわち振動漏れが吸収され、振動漏れが抑制されたＭＥＭＳ振動子２０を得ることができる。しかし、支持腕長さＬを長くしすぎることにより、ＭＥＭＳ素子１００の小型化を阻害することになるため、Ｌ≦Ｈの範囲で支持腕２２ｂの長さＬを設計することが好ましい。
【００３９】
また、上述した支持腕２２ｂの捩れ剛性を低減させるためには、支持腕幅Ｗは小さい方が好ましい。しかし、上部電極２２ａの支持強度等から所定の支持腕幅Ｗは設計される。従って、支持腕幅Ｗに対する支持腕長さＬを、上述した式（１）の条件の範囲で適宜、決定され、振動漏れの抑制された高いＱ値を有するＭＥＭＳ振動子２０を備えるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。
【００４０】
図５は、図３（ａ）に示すＦ部の拡大平面図である。図５（ａ）に示すように、第２導電層２２Ａは、上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの接続部にヒレ部２２ｅが形成されている。ヒレ部２２ｅと支持腕２２ｂのＹ軸方向となす角θ１が、
１０°≦θ１≦４５°
であることが好ましい。このようにヒレ部２２ｅを形成することにより、上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの屈曲振動時の捩れ応力を分散させることができる。
【００４１】
また、図５（ｂ）に示すように曲線状のヒレ部２２ｆが形成された第２導電層２２Ｂとすることが、なお好ましい。第２導電層２２Ｂのヒレ部２２ｆは、支持腕２２ｂとヒレ部２２ｆとの交点もしくは接点からＹ軸方向となす角θ２が、
１０°≦θ２≦４５°
となる領域内に形成されることが好ましい。このようにヒレ部２２ｆを形成することにより、上部電極２２ａと支持腕２２ｂとの屈曲振動時の捩れ応力を分散させることができる。
【００４２】
なお、図５に示す第２導電層２２Ａ，２２Ｂにおいては、ヒレ部２２ｅ，２２ｆと上部電極２２ａとの接合幅Ｗａ，Ｗｂが図３に示す領域Ｍ１，Ｍ２、もしくは図４に示す領域Ｍ３，Ｍ４の範囲に形成されることが好ましい。
【００４３】
本実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００に備えるＭＥＭＳ振動子２０では、支持腕２２ｂを４本備える形態であるが、これに限定はされない。また、本実施形態では振動体としての上部電極２２ａは矩形状として説明したが、これに限定されず、例えばトラック状、円形、楕円形などの形状であっても良い。
【００４４】
（第２実施形態）
図６に第２実施形態に係る電子デバイスとして、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００と、半導体装置と、を１チップに構成した形態を示す。図５に示す電子デバイスとしての発振器１０００は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００と、発振回路あるいは制御回路を含む電子回路が構成された半導体装置２００（以下、ＩＣ２００という）と、が一体的に形成されている。
【００４５】
ＭＥＭＳ素子１００は、半導体製造装置を用い、半導体製造方法によって製造することができる微細装置であることから、ＩＣ２００をＭＥＭＳ素子１００と同一のウエハー基板１１に容易に形成することができる。ＩＣ２００には、ＭＥＭＳ素子１００を駆動する発振回路、およびＭＥＭＳ素子１００の周波数変動に対する駆動あるは外部への出力信号の制御を行う制御回路、などを備えている。このように、ＩＣ２００を、ＭＥＭＳ素子１００と１チップに形成することにより、小型の発振器１０００を得ることができる。また、ＩＣ２００に、ＭＥＭＳ振動子２０の振動から加速度を演算する演算回路を含ませることにより、小型のジャイロセンサー２０００を容易に得ることができる。
【００４６】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る電子機器として、第２実施形態に係る発振器１０００もしくはジャイロセンサー２０００を備えるスマートフォンおよびデジタルスチルカメラについて説明する。
【００４７】
図７はスマートフォン３０００を示す外観図である。スマートフォン３０００には基準クロックの発振源としての図示しない発振器１０００と、スマートフォン３０００の姿勢を検出するジャイロセンサー２０００と、が組み込まれている。ジャイロセンサー２０００が組み込まれることにより、いわゆるモーションセンシングが実施され、スマートフォン３０００の姿勢を検出することができる。ジャイロセンサー２０００の検出信号は、例えばマイクロコンピューターチップ３１００（以下、ＭＰＵ３１００という）に供給され、ＭＰＵ３１００はモーションセンシングに応じてさまざまな処理を実行することができる。その他、モーションセンシングは、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ゲームコントローラー、カーナビゲーションシステム、ポインティングシステム、ヘッドマウンティングディスプレイ、タブレットパソコン等の電子機器でジャイロセンサー２０００を組み込むことにより、利用することができる。
【００４８】
図８はデジタルスチルカメラ４０００（以下、カメラ４０００という）を示す外観図である。カメラ４０００には基準クロックの発振源としての図示しない発振器１０００と、カメラ４０００の姿勢を検出するジャイロセンサー２０００と、が組み込まれている。組み込まれたジャイロセンサー２０００の検出信号は手ぶれ補正装置４１００に供給される。手ぶれ補正装置４１００はジャイロセンサー２０００の検出信号に応じて、例えばレンズセット４２００内の特定のレンズを移動させ、手ぶれによる画像不良を抑制することができる。また、デジタルビデオカメラへジャイロセンサー２０００および手ぶれ補正装置４１００を組み込むことによりカメラ４０００と同様に手ぶれの補正をすることができる。
【００４９】
（第４実施形態）
第２実施形態に係る発振器１０００、もしくはジャイロセンサー２０００を備える第４実施形態としての移動体の具体例として、自動車について説明する。図９は、第４実施形態に係る自動車５０００の外観図である。図９に示すように、自動車５０００にはジャイロセンサー２０００が組み込まれている。ジャイロセンサー２０００は車体５１００の姿勢を検出する。ジャイロセンサー２０００の検出信号は車体姿勢制御装置５２００に供給される。車体姿勢制御装置５２００は供給された信号に基づき車体５１００の姿勢状態を演算し、例えば車体５１００の姿勢に応じた緩衝装置（いわゆるサスペンション）の硬軟を制御したり、個々の車輪５３００の制動力を制御したりすることができる。このようなジャイロセンサー２０００を用いた姿勢制御は、二足歩行ロボット、航空機、あるいはラジコンヘリコプターなどの玩具に利用することができる。
【００５０】
また図９の自動車５０００は、搭載されている図示しない各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロックを発生するタイミングデバイスとして、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００を用いている。また、第２実施形態に係る発振器１０００、もしくは第３実施形態に係る電子機器を備える移動体としては、上記自動車５０００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、航空機、人工衛星などを含む移動体のタイミングデバイスあるいはタイミング装置として好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態で説明した効果が反映された移動体を提供することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０…基板、２０…ＭＥＭＳ振動子、３０…空間壁部、４０…第２酸化膜、５０…第３酸化膜、６０…保護膜、７０…被覆層、１００…ＭＥＭＳ素子。
【図１】
2014165700.tif 000003
【図２】
2014165700.tif 000004
【図３】
2014165700.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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