(57)【要約】【課題】複数のリソグラフィ装置を使用する場合に、複数のリソグラフィ装置間でのデータ授受を効率的に行うか、又は膨大な計算量が必要になる処理を効率的に実行する。【解決手段】リソグラフィシステムＤＭＳは、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ａを有し、レチクルを介してウエハを露光する露光装置ＥＸＡと、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ｂを有し、レチクルを介してウエハを露光する露光装置ＥＸＢと、データ処理部８Ａで行われるレチクルに関連する処理によって取得されたデータをデータ処理部８Ｂに転送する通信回線１２を備え、データ処理部８Ｂは、通信回線１２によって転送されたデータを記録する第２記憶部５０Ｂを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にパターンを形成するリソグラフィシステムであって、
マスクに関連する処理を行う第１データ処理部を有し、第１マスクを介して基板にパターンを形成する第１リソグラフィ装置と、
マスクに関連する処理を行う第２データ処理部を有し、第２マスクを介して基板にパターンを形成する第２リソグラフィ装置と、
前記第１データ処理部で行われる第３マスクに関連する処理によって取得されたデータのうち少なくとも一部の第１データを前記第２データ処理部に転送する転送部と、を備え、
前記第２データ処理部は、前記転送部によって転送された前記第１データを記憶する記憶部を有することを特徴とするリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記第２リソグラフィ装置は、前記第１データのうち少なくとも一部を用いて、基板にパターンを形成することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィシステム。
【請求項３】
前記転送部は、前記第２データ処理部で行われる第４マスクに関連する処理によって取得されたデータのうち少なくとも一部の第２データを前記第１データ処理部に転送し、
前記第１データ処理部は、前記転送部によって転送された前記第２データを記憶する記憶部を有することを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィシステム。
【請求項４】
前記第１リソグラフィ装置は、前記第２データのうち少なくとも一部を用いて、基板にパターンを形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項５】
前記第１データは、
前記第３マスクのパターンのフーリエ変換パターン、
前記第３マスクを照明する光源の情報、
前記第３マスクから射出される光をシミュレーションした光強度分布、
前記第３マスクから射出される光の光強度分布の計測結果、
前記第３マスクのパターンの３次元構造に関するデータ、
前記第３マスクを用いて露光したときの重ね合わせ誤差の計測結果、
前記第３マスクのパターンの像の線幅、
前記第３マスクのパターンが形成されたレジストの計測結果、
前記第３マスクのパターンでレジスト像を形成する際のレジスト応答シミュレーション結果、及び
前記第３マスク及び前記第１リソグラフィ装置の第１投影光学系を介して基板を露光するときの前記第１投影光学系の光学特性の変動状態を表すパラメータ
のうち少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項６】
基板にパターンを形成するリソグラフィシステムであって、
マスクに関連する処理を行う第１データ処理部を有し、第１マスクを介して基板にパターンを形成する第１リソグラフィ装置と、
マスクに関連する処理を行う第２データ処理部を有し、第２マスクを介して基板にパターンを形成する第２リソグラフィ装置と、
前記第１データ処理部と前記第２データ処理部との間で制御情報を含むデータを転送する転送部と、を備え、
前記第１データ処理部は、第３マスクに関連する処理のうち第１部分の情報を前記転送部を介して前記第２データ処理部に送信し、
前記第２データ処理部は、前記第１部分のうち少なくとも一部の処理を行うことを特徴とするリソグラフィシステム。
【請求項７】
前記第１データ処理部は、前記第３マスクに関連する処理のうち未処理の第２部分の処理を行うことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィシステム。
【請求項８】
前記第１リソグラフィ装置は、前記第１データ処理部に前記第３マスクに関連する処理の実行を開始させる制御情報を入力する入力部を有することを特徴とする請求項６または７に記載のリソグラフィシステム。
【請求項９】
前記転送部を介して転送される前記制御情報を含むデータは、
第４マスクのパターンのフーリエ変換パターン、
前記第４マスクを照明する光源の情報、
前記第４マスクから射出される光をシミュレーションした光強度分布、
前記第４マスクから射出される光の光強度分布の計測結果、
前記第４マスクのパターンの３次元構造に関するデータ、
前記第４マスクを用いて露光したときの重ね合わせ誤差の計測結果、
前記第４マスクのパターンの像の線幅、
前記第４マスクのパターンが形成されたレジストの計測結果、
前記第４マスクのパターンでレジスト像を形成する際のレジスト応答シミュレーション結果、及び
前記第４マスク及び前記第１リソグラフィ装置の第１投影光学系を介して基板を露光するときの前記第１投影光学系の光学特性の変動状態を表すパラメータ
のうち少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項６〜８のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１０】
前記第３マスクに関連する処理は、
前記第３マスクのパターンのフーリエ変換パターンを計算する処理、
前記第３マスクから射出される光の光路のシミュレーション、
前記第３マスクのパターンを３次元パターンとみなして、前記第３マスクのパターンから射出される光の光強度分布を計算する処理、及び
前記第３マスクを用いる露光時の投影光学系の収差変動量の計算
のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１１】
第１リソグラフィ装置及び前記第２リソグラフィ装置は、それぞれ露光装置またはコータ・デベロッパであることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１２】
前記第１リソグラフィ装置及び前記第２リソグラフィ装置は、それぞれ基板に露光を行う露光装置であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のリソグラフィシステム。
【請求項１３】
基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第１リソグラフィ装置を用いて、第１マスクを介して基板にパターンを形成することと、
第２リソグラフィ装置を用いて、第２マスクを介して基板にパターンを形成することと、
前記第１リソグラフィ装置で行われる第３マスクに関連する処理によって取得されたデータのうち少なくとも一部の第１データを前記第２リソグラフィ装置に転送することと、
前記第２リソグラフィ装置において、転送された前記第１データを記憶することと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１４】
前記第２リソグラフィ装置を用いて、前記第１データのうち少なくとも一部を用いて、基板にパターンを形成することを含む特徴とする請求項１３に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、
第１リソグラフィ装置を用いて、第１マスクを介して基板にパターンを形成することと、
第２リソグラフィ装置を用いて、第２マスクを介して基板にパターンを形成することと、
前記第１リソグラフィ装置が、第３マスクに関連する処理のうち第１部分の情報を前記第２リソグラフィ装置に送信することと、
前記第２リソグラフィ装置において、前記第１部分のうち少なくとも一部の処理を行うことと、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１６】
前記第１リソグラフィ装置が、前記第３マスクに関連する処理のうち未処理の第２部分の処理を行うことを含むことを特徴とする請求項１５に記載のパターン形成方法。
【請求項１７】
前記第２リソグラフィ装置は、前記第２マスクを介して基板にパターンを形成することと並行して、前記第１部分のうち少なくとも一部の処理を行うことを特徴とする請求項１５または１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１８】
前記第３マスクに関連する処理によって取得されるデータは、
前記第３マスクのパターンのフーリエ変換パターン、
前記第３マスクを照明する光源の情報、
前記第３マスクから射出される光をシミュレーションした光強度分布、
前記第３マスクから射出される光の光強度分布の計測結果、
前記第３マスクのパターンの３次元構造に関するデータ、
前記第３マスクを用いて露光したときの重ね合わせ誤差の計測結果、
前記第３マスクのパターンの像の線幅、
前記第３マスクのパターンが形成されたレジストの計測結果、
前記第３マスクのパターンでレジスト像を形成する際のレジスト応答シミュレーション結果、及び
前記第３マスク及び前記第１リソグラフィ装置の第１投影光学系を介して基板を露光するときの前記第１投影光学系の光学特性の変動状態を表すパラメータ
のうち少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項１３〜１７のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項１９】
前記第１リソグラフィ装置及び前記第２リソグラフィ装置の少なくとも一方は、マスクを介して基板を露光する露光装置であることを特徴とする請求項１３〜１８のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
【請求項２０】
マスク及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
マスクに関連する処理を行うデータ処理部を備え、
前記データ処理部は、
第１マスクに関連する処理を行うことにより取得したデータを記憶する記憶部を有し、前記データのうち少なくとも一部の第１データを他の露光装置に転送可能であるとともに、
他の露光装置で第２マスクに関する処理を行うことによって取得されたデータのうち、転送されてきた少なくとも一部の第２データを前記記憶部に記憶することを特徴とする露光装置。
【請求項２１】
前記第２データのうち少なくとも一部を用いて、基板にパターンを形成する露光制御部を備えることを特徴とする請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
マスク及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、
マスクに関連する処理を行うデータ処理部を備え、
前記データ処理部は、
第１マスクに関連する処理のうち第１部分の情報を他の露光装置に送信し、前記第１部分のうち少なくとも一部の処理を前記他の露光装置で実行可能とすることを特徴とする露光装置。
【請求項２３】
前記データ処理部は、
前記第１部分のうち少なくとも一部の処理を前記他の露光装置に実行させるとともに、前記第１マスクに関連する処理のうち未処理の第２部分の処理を行うことを特徴とする請求項２２に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記データ処理部に前記第１マスクに関連する処理の実行を開始させる制御情報を入力する入力部を備えることを特徴とする請求項２２または２３に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記第１マスクに関連する処理によって取得されるデータは、
前記第１マスクのパターンのフーリエ変換パターン、
前記第１マスクを照明する光源の情報、
前記第１マスクから射出される光をシミュレーションした光強度分布、
前記第１マスクから射出される光の光強度分布の計測結果、
前記第１マスクのパターンの３次元構造に関するデータ、
前記第１マスクを用いて露光したときの重ね合わせ誤差の計測結果、
前記第１マスクのパターンの像の線幅、
前記第１マスクのパターンが形成されたレジストの計測結果、
前記第１マスクのパターンでレジスト像を形成する際のレジスト応答シミュレーション結果、及び
前記第１マスク及び前記投影光学系を介して基板を露光するときの前記投影光学系の光学特性の変動状態を表すパラメータ
のうち少なくとも一つの情報を含むことを特徴とする請求項２０〜２４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項２６】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のリソグラフィシステムを用いてパターンを感光性基板の表面に形成することを含むデバイス製造方法。
【請求項２７】
請求項１３〜１９のいずれか一項に記載のパターン形成方法を用いてパターンを感光性基板の表面に形成することを含むデバイス製造方法。
【請求項２８】
請求項２０〜２５のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光することと、
前記所定のパターンが転写された前記感光性基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記感光性基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記感光性基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のリソグラフィ装置を有するリソグラフィシステム、複数のリソグラフィ装置を用いてパターンを形成するパターン形成技術、基板にパターンを形成する露光技術に関する。さらに、本発明は、そのリソグラフィシステム、パターン形成技術、又は露光技術を用いるデバイス製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイス等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造するためのデバイス製造工場では、通常、複数の製造ラインが設けられ、各製造ラインに露光装置が設けられている。そして、複数の露光装置及び他のコータ・デベロッパ等のリソグラフィ装置の工程管理等を行うためにホストコンピュータが設けられ、各リソグラフィ装置（露光装置を含む）の制御部がホストコンピュータに接続されている。
【０００３】
また、例えばある露光装置で使用された露光用のデータ（例えばあるレチクルに対して最適化された照明条件に関するデータ等）を他の露光装置で使用する場合には、一例として、前者の露光装置からホストコンピュータにその露光用のデータを送信して、ホストコンピュータのデータベースに登録していた。そして、後者の露光装置が必要に応じてそのホストコンピュータにアクセスし、そのデータベースからその露光用のデータを読み出して使用していた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−６４３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のように、複数の露光装置間で露光用のデータの授受を行う場合にホストコンピュータを介すると、ホストコンピュータの本来の作業（工程管理等）の支障になる恐れがあるとともに、データ授受のタイミングが遅れる恐れがあった。
また、最近の露光装置又は露光工程では、レチクルパターンのフーリエ変換パターンのように、例えば通常の１台のコンピュータではきわめて長い計算時間をかけて求められるデータを使用することが考えられている。しかしながら、このような計算を１台の露光装置で行うと、この露光装置の露光動作に影響する恐れがある。さらに、ホストコンピュータにおいてそのような計算を行うのものとすると、本来の作業により大きく影響する恐れがある。
【０００６】
本発明の態様は、このような事情に鑑み、複数のリソグラフィ装置（例えば露光装置）を使用する場合に、複数のリソグラフィ装置間でのデータ授受を効率的に行うか、又は膨大な計算量が必要になる処理を効率的に実行可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、基板にパターンを形成するリソグラフィシステムであって、マスクに関連する処理を行う第１データ処理部を有し、第１マスクを介して基板にパターンを形成する第１リソグラフィ装置と、マスクに関連する処理を行う第２データ処理部を有し、第２マスクを介して基板にパターンを形成する第２リソグラフィ装置と、その第１データ処理部で行われる第３マスクに関連する処理によって取得されたデータのうち少なくとも一部の第１データをその第２データ処理部に転送する転送部と、を備え、その第２データ処理部は、その転送部によって転送されたその第１データを記憶する記憶部を有するリソグラフィシステムが提供される。
【０００８】
また、第２の態様によれば、基板にパターンを形成するリソグラフィシステムであって、マスクに関連する処理を行う第１データ処理部を有し、第１マスクを介して基板にパターンを形成する第１リソグラフィ装置と、マスクに関連する処理を行う第２データ処理部を有し、第２マスクを介して基板にパターンを形成する第２リソグラフィ装置と、その第１データ処理部とその第２データ処理部との間で制御情報を含むデータを転送する転送部と、を備え、その第１データ処理部は、第３マスクに関連する処理のうち第１部分の情報をその転送部を介してその第２データ処理部に送信し、その第２データ処理部は、その第１部分のうち少なくとも一部の処理を行うリソグラフィシステムが提供される。
【０００９】
また、第３の態様によれば、基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、第１リソグラフィ装置を用いて、第１マスクを介して基板にパターンを形成することと、第２リソグラフィ装置を用いて、第２マスクを介して基板にパターンを形成することと、その第１リソグラフィ装置で行われる第３マスクに関連する処理によって取得されたデータのうち少なくとも一部の第１データをその第２リソグラフィ装置に転送することと、その第２リソグラフィ装置において、転送されたその第１データを記憶することと、を含むパターン形成方法が提供される。
【００１０】
また、第４の態様によれば、基板にパターンを形成するパターン形成方法であって、第１リソグラフィ装置を用いて、第１マスクを介して基板にパターンを形成することと、第２リソグラフィ装置を用いて、第２マスクを介して基板にパターンを形成することと、その第１リソグラフィ装置が、第３マスクに関連する処理のうち第１部分の情報をその第２リソグラフィ装置に送信することと、その第２リソグラフィ装置において、その第１部分のうち少なくとも一部の処理を行うことと、を含むパターン形成方法が提供される。
【００１１】
また、第５の態様によれば、マスク及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、マスクに関連する処理を行うデータ処理部を備え、そのデータ処理部は、第１マスクに関連する処理を行うことにより取得したデータを記憶する記憶部を有し、そのデータのうち少なくとも一部の第１データを他の露光装置に転送可能であるとともに、他の露光装置で第２マスクに関する処理を行うことによって取得されたデータのうち、転送されてきた少なくとも一部の第２データをその記憶部に記憶する露光装置が提供される。
【００１２】
また、第６の態様によれば、マスク及び投影光学系を介して基板を露光する露光装置であって、マスクに関連する処理を行うデータ処理部を備え、そのデータ処理部は、第１マスクに関連する処理のうち第１部分の情報を他の露光装置に送信し、その第１部分のうち少なくとも一部の処理をその他の露光装置で実行可能とする露光装置が提供される。
また、第７の態様によれば、本発明の態様のリソグラフィシステム又はパターン形成方法を用いてパターンを感光性基板の表面に形成することを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１３】
また、第８の態様によれば、本発明の態様の露光装置を用いて、所定のパターンを感光性基板に露光することと、その所定のパターンが転写されたその感光性基板を現像し、その所定のパターンに対応する形状のマスク層をその感光性基板の表面に形成することと、そのマスク層を介してその感光性基板の表面を加工することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の第１の態様、第３の態様、又は第５の態様によれば、複数のリソグラフィ装置又は露光装置を使用する場合に、複数のリソグラフィ装置又は露光装置間でのデータの授受を効率的に行うことができる。
また、本発明の第２の態様、第４の態様、又は第６の態様によれば、複数のリソグラフィ装置又は露光装置を使用する場合に、膨大な計算量が必要になる作業を効率的に処理することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係るリソグラフィシステムの外観を示す図である。
【図２】図１中の露光装置の機構部の概略構成を示す一部を断面で表した図である。
【図３】図１中の第１の露光装置の制御演算系及び第２の露光装置の制御演算系の要部を示すブロック図である。
【図４】第１の実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図５】（Ａ）は照明瞳面の光強度分布の一例を示す図、（Ｂ）は投影瞳面で計測される光強度分布の一例を示す図、（Ｃ）は投影瞳面の光強度分布の計算結果の一例を示す図、（Ｄ）は収差変動の一例を示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る露光方法における第１の露光装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】第２の実施形態に係る露光方法における第２の露光装置の動作を示すフローチャートである。
【図８】（Ａ）はレチクルのパターンの分割方法の一例を示す平面図、（Ｂ）は図８（Ａ）の第１の部分パターンのフーリエ変換パターンを示す図、（Ｃ）は図８（Ａ）の第２の部分パターンのフーリエ変換パターンを示す図、（Ｄ）は複数のフーリエ変換パターンを合成したパターンを示す図である。
【図９】電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の実施形態につき説明する。まず、本明細書において、リソグラフィ装置とは、例えば半導体デバイス又は液晶表示素子等の電子デバイス（又はマイクロデバイス）を製造するためのリソグラフィ工程で、基板にパターンを形成するために使用される任意の加工装置を含む。より具体的に、リソグラフィ装置とは、半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）又は表示装置用の平面パネル等の基板であってレジスト（感光材料）が塗布された感光性基板を露光して潜像のパターンを形成する露光装置、その基板に対するレジストの塗布及び／又は露光後のレジストの現像を行って潜像のパターンをマスクとしてレジストパターンを形成するコータ・デベロッパ、その基板に薄膜を形成する薄膜形成装置、又はレジストパターンをマスクとしてその基板のエッチングを行って回路パターンを形成するエッチング装置を含む。さらに、その複数のリソグラフィ装置のうち、第１のリソグラフィ装置が露光装置で、第２のリソグラフィ装置がコータ・デベロッパ等であるように、複数種類のリソグラフィ装置が混在していてもよい。また、その複数のリソグラフィ装置が複数の露光装置を含む場合、この複数の露光装置は、例えば第１の露光装置が一括露光型の露光装置（ステッパー）で、第２の露光装置が走査露光型の露光装置（スキャナー）等であるように、複数種類の露光装置（投影光学系を備える投影露光装置を含む）を含んでいてもよい。
【００１７】
また、リソグラフィシステムとは、複数のリソグラフィ装置を含む任意のシステムを含む。この際に、その複数のリソグラフィ装置は、同一のデバイス製造工場内で、共通の又は異なる複数の製造ラインに沿って配置されていてもよく、互いに異なる複数のデバイス製造工場内に配置されていてもよい。また、そのリソグラフィシステムは、複数のリソグラフィ装置及び必要に応じて他の加工装置の工程管理等を行うためのホストコンピュータを備えていてもよいが、ホストコンピュータを備えていなくともよい。また、通信回線とは、ＬＡＮ(Local Area Network)、ＷＡＮ(Wide Area Network)、電話回線、インターネット、又は携帯電話に使用される無線通信回線などの任意の回線を含むものとする。
【００１８】
［第１の実施形態］
以下、本発明の好ましい第１の実施形態につき図１〜図５を参照して説明する。
図１は、本実施形態に係るリソグラフィシステムＤＭＳを示す。図１において、リソグラフィシステムＤＭＳは、複数（図１では７台）の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥ，ＥＸＦ，ＥＸＧと、これらの露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧに接続されて露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間の情報の伝達を行う例えばＬＡＮなどの通信回線１２と、通信回線１２に接続されて工程管理等を行うホストコンピュータ（不図示）と、を備えている。一例として、リソグラフィシステムＤＭＳは、半導体デバイス等を製造するための製造工場に設置され、複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧはその製造工場内の複数の製造ラインに沿って配置されている。
【００１９】
また、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ，ＥＸＣ，ＥＸＤ，ＥＸＥ，ＥＸＦ，ＥＸＧは、それぞれ制御及び演算用のコンピュータ１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ，１０Ｆ，１０Ｇと、これらのコンピュータ１０Ａ〜１０Ｇにオペレータが制御情報等を入力するための例えばキーボードを含む入力装置１６と、コンピュータ１０Ａ〜１０Ｇが各種情報を表示するための表示装置１８と、を備えている。露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧのコンピュータ１０Ａ〜１０Ｇが通信回線１２に接続されており、コンピュータ１０Ａ〜１０Ｇは通信回線１２を介して情報の授受を行う。
【００２０】
図２は、図１中の露光装置ＥＸＡの機構部の概略構成を示し、図３は、露光装置ＥＸＡの制御演算系及び図１中の露光装置ＥＸＢの制御演算系の要部を示す。図２において、露光装置ＥＸＡは、一例としてスキャニングステッパー（スキャナー）よりなる走査露光型の投影露光装置である。露光装置ＥＸＡは、投影光学系ＰＬを備えている。以下、図２において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行にＺ軸を取り、これに直交する面（本実施形態ではほぼ水平面に平行な面）内でレチクルＲとウエハＷとが相対走査される方向にＹ軸を、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向にＸ軸を取って説明する。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸に平行な軸の回りの回転方向をθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明する。
【００２１】
露光装置ＥＸＡは、露光用の照明光（露光光）ＩＬを発生する露光用の光源（不図示）と、この光源からの照明光ＩＬを用いてレチクルＲＡ（マスク）を照明する照明光学系ＩＬＳと、レチクルＲＡを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、を備えている。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡから射出された照明光ＩＬでレジストが塗布されたウエハＷ（基板）を露光する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、図３に示すコンピュータ１０Ａと、を備えている。
【００２２】
図３において、露光装置ＥＸＡのコンピュータ１０Ａは、複数のＣＰＵ（中央演算ユニット）又はＭＰＵ（マイクロプロセッシングユニット）と、半導体メモリと、ハードディスク装置等の大容量の記憶装置と、を備えている。また、コンピュータ１０Ａは、ソフトウェア上の機能として、コンピュータ１０Ａの全体の動作を統括的に制御する主制御部４０（例えばオペレーティングシステム）と、露光装置ＥＸＡの機構部の制御等を行う第１制御部４２と、第１制御部４２の制御のもとでレチクル及び露光に関する演算を行う第１演算部５２Ａと、後述の演算処理及び通信回線１２を介した他の露光装置との情報の授受等を行う第２制御部４４と、第２制御部４４の制御のもとでレチクル及び露光に関する演算を行う第２演算部５２Ｂと、に分かれている。第１制御部４２及び第２制御部４４にはそれぞれ第１記憶部５０Ａ及び大容量の第２記憶部５０Ｂが接続されている。記憶部５０Ａ，５０Ｂは、コンピュータ１０Ａ内の大容量の記憶装置を共用していてもよい。第２制御部４４、第２記憶部５０Ｂ、及び第２演算部５２Ｂより、データ処理部８Ａが構成されている。第２記憶部５０Ｂには、図１の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧにおいて共有可能な情報を記録するための共有ファイルＣＦＡが記憶されている。データ処理部８Ａの詳細な機能については後述する。
【００２３】
また、コンピュータ１０Ａは、DVD (digital versatile disk)又はフラッシュメモリ等の記録媒体３７に記録されたデータ及びプログラムを読み取るとともに、記録媒体３７にデータ等を書き込むことが可能な記録再生部３８と、他の露光装置及びホストコンピュータ（不図示）との間の情報の入出力を制御する入出力制御部（以下、ＩＯ制御部という）４８と、通信回線１２に接続されて情報の入出力を行うポート部（以下、ＩＯポート４６という）４６と、を備えている。主制御部４０は、ＩＯ制御部４８及びＩＯポート４６を介して通信回線１２に接続されている。本実施形態では、第２制御部４４もＩＯポート４６及び通信回線１２を介して他の露光装置のコンピュータ１０Ｂ〜１０Ｇと通信できる。
【００２４】
一例として、主制御部４０は、記録再生部３８を介して記録媒体３７から読み取ったプログラム、又は通信回線１２を介して送られて来たプログラムをコンピュータ１０Ａに実行させることによって、第１制御部４２、第１演算部５２Ａ、第２制御部４４、及び第２演算部５２Ｂの各種機能（手段）を実現できる。また、主制御部４０に表示装置１８及び入力装置１６が接続され、オペレータは主制御部４０に各種コマンド等を入力できるとともに、主制御部４０を介してデータ処理部８Ａにも各種コマンド等を入力できる。
【００２５】
他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＢＧのコンピュータ１０Ｂ〜１０Ｇの構成及び機能もコンピュータ１０Ａの構成及び機能と同様である。ただし、コンピュータ１０Ａ〜１０Ｇ内のＣＰＵ（又はＭＰＵ）の数及び／又は記憶装置の容量等は互いに異なっていてもよい。なお、図３には、露光装置ＥＸＢのコンピュータ１０Ｂの内のデータ処理部８Ｂ及びＩＯポート４６（通信回線１２に接続されている）のみを示す。データ処理部８Ｂの構成及び機能は露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの構成及び機能と同じであり、データ処理部８Ｂの第２記憶部５０Ｂにも共有ファイルＣＦＢが記憶されている。他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧもそれぞれデータ処理部８Ａと同様のデータ処理部を備え、共有ファイルＣＦＡと同様の共有ファイルを有する。
【００２６】
図２に戻り、露光装置ＥＸＡの照明光ＩＬとしては、一例としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられている。なお、照明光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザなど）の高調波、又は水銀ランプの輝線（ｉ線等）なども使用できる。照明光学系ＩＬＳは、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されるように、光源（不図示）から供給される照明光ＩＬを用いて瞳面（以下、照明瞳面という）に円形、輪帯状、又は複数極状等の可変の光強度分布（二次光源）を形成する空間光変調器等の光強度分布形成部と、その照明瞳面からの照明光ＩＬでレチクルＲＡのパターン面（レチクル面）のＸ方向に細長いスリット状の照明領域ＩＡＲを重畳して照明するコンデンサ光学系と、及び照明領域ＩＡＲの形状を規定する可変視野絞り等と、を有する。さらに、照明光学系ＩＬＳ内には、照明光ＩＬから分岐した光の光量を検出する光電センサよりなるインテグレータセンサ３６（図３参照）が設けられ、このインテグレータセンサの計測値が第１制御部４２に供給されている。第１制御部４２ではその計測値を積算することで、投影光学系ＰＬを通過する積算照射エネルギーをモニタできる。なお、積算照射エネルギーの代替情報として、露光継続時間を使用することも可能である。
【００２７】
レチクルＲＡはレチクルステージＲＳＴの上面に真空吸着等により保持され、レチクル面には、回路パターン等のデバイスパターンＲＰＡ及びアライメントマーク（不図示）が形成されている。レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含む図３のレチクルステージ駆動系３１によって、ＸＹ平面内で微少駆動可能であると共に、走査方向（Ｙ方向）に指定された走査速度で駆動可能である。
【００２８】
レチクルステージＲＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、レーザ干渉計よりなるレチクル干渉計２４によって、移動鏡２２（又は鏡面加工されたステージ端面）を介して例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計２４の計測値は、図３の第１制御部４２に送られる。第１制御部４２は、その計測値に基づいてレチクルステージ駆動系３１を制御することで、レチクルステージＲＳＴの位置及び速度を制御する。
【００２９】
また、投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで所定の投影倍率β（例えば１／４倍、１／５倍などの縮小倍率）を有する。投影光学系ＰＬの瞳面（以下、投影瞳面という。）ＰＬＰ又はこの近傍に開口絞りＡＳが設置されている。投影瞳面ＰＬＰは照明光学系ＩＬＳの瞳面（照明瞳面）と光学的に共役であり、投影瞳面ＰＬＰは、レチクルＲＡのパターン面（投影光学系ＰＬの物体面）に対して光学的なフーリエ変換面でもある。なお、投影光学系ＰＬは中間像を形成するタイプでもよい。さらに、投影光学系ＰＬは、屈折系でもよいが、反射屈折系であってもよい。照明光学系ＩＬＳからの照明光ＩＬによってレチクルＲＡのパターン面の照明領域ＩＡＲが照明されると、レチクルＲＡを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬを介して照明領域ＩＡＲ内のデバイスパターンの像が、ウエハＷの一つのショット領域の露光領域ＩＡ（照明領域ＩＡＲと光学的に共役な領域）に形成される。ウエハＷは、一例としてシリコン等の半導体よりなる直径が２００〜４５０ｍｍ程度の円板状の基材にレジスト（感光材料）を数１０〜２００ｎｍ程度の厚さで塗布したものを含む。
【００３０】
また、露光装置ＥＸＡにおいて、液浸法を適用した露光を行うため、投影光学系ＰＬを構成する最も像面側（ウエハＷ側）の光学素子の下端部の周囲を取り囲むように、局所液浸装置の一部を構成して、露光領域ＩＡを含む液浸領域で露光用の液体Ｌｑ（例えば純水）の供給及び回収を行うノズルユニット２８が設けられている。ノズルユニット２８は、液体Ｌｑを供給するための配管（不図示）を介して、液体供給装置３３及び液体回収装置３４（図３参照）に接続されている。なお、液浸タイプの露光装置としない場合には、上記の局所液浸装置は設けなくともよい。
【００３１】
また、投影光学系ＰＬには、内部の所定の複数のレンズの姿勢を制御してディストーション及び球面収差等の波面収差で表される結像特性を補正する結像特性補正装置３０が設けられている。そのような結像特性補正装置は、例えば米国特許出願公開第２００６／２４４９４０号明細書に開示されている。
さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡのアライメントマークの投影光学系ＰＬによる像の位置を計測する空間像計測系（不図示）、及びウエハＷのアライメントマークの位置を計測する例えば画像処理方式（ＦＩＡ系）のセンサを含むアライメント系ＡＬと、ウエハＷの表面の複数箇所のＺ位置を計測する斜入射方式の多点のオートフォーカスセンサ（以下、ＡＦセンサという）３５（図３参照）と、を備えている。アライメント系ＡＬ及びＡＦセンサ３５の計測値、並びに露光装置ＥＸＡ用の露光データファイル（露光レシピ）（露光装置ＥＸＡのみで使用される情報）は例えば第１記憶部５０Ａに記憶される。そのように記憶されたアライメント系ＡＬの計測値から例えばＥＧＡ方式でウエハＷのショット配列を求めるための演算、及びＡＦセンサ３５の計測値からウエハＷ表面のＺ位置の分布を求め、この分布からウエハＷのＺ方向の駆動量等を求めるための演算等（ウエハＷの露光ごとに必要になる演算）は、例えば第１演算部５２Ａで行われる。さらに、露光装置ＥＸＡは、レチクルローダ系（不図示）及びウエハローダ系（不図示）を備えている。
【００３２】
また、ウエハステージＷＳＴは、不図示の複数のエアパッド（不図示）を介して、ベース盤ＷＢのＸＹ面に平行な上面に非接触で支持されている。ウエハステージＷＳＴは、例えば平面モータ、又は直交する２組のリニアモータを含むステージ駆動系３２（図３参照）によってＸ方向及びＹ方向に駆動可能である。ウエハステージＷＳＴは、Ｘ方向、Ｙ方向に駆動されるステージ本体と、ステージ本体に設けられてウエハＷを真空吸着等で保持するウエハホルダＷＨと、ウエハＷのＺ位置、及びθｘ方向、θｙ方向のチルト角を制御するＺステージ機構（不図示）とを備えている。
【００３３】
そして、ウエハステージＷＳＴの位置情報を計測するためにレーザ干渉計よりなるウエハ干渉計２６が配置されている。なお、ウエハ干渉計２６の代わりに、回折格子と検出器とを組み合わせたエンコーダ方式の位置計測システムを使用してもよい。ウエハステージＷＳＴの移動面内の位置情報（Ｘ方向、Ｙ方向の位置、及びθｚ方向の回転角を含む）は、ウエハ干渉計２６によって例えば０．５〜０．１ｎｍ程度の分解能で常時検出され、その計測値は第１制御部４２に送られる。第１制御部４２は、その計測値に基づいてステージ駆動系３２を制御することで、ウエハステージＷＳＴの位置及び速度を制御する。
【００３４】
また、ウエハステージＷＳＴに投影瞳面ＰＬＰの光量分布（光強度分布）を計測できる計測装置２０が組み込まれている。計測装置２０は、ウエハＷの表面と同じ高さの表面を有し、その表面にピンホール２１Ａａが形成された平板状のガラス基板２１Ａと、ピンホール２１Ａａを通過した照明光を集光する受光光学系２１Ｂと、受光光学系２１Ｂで集光された照明光を受光するＣＣＤ又はＣＭＯＳ型の二次元の撮像素子２１Ｃと、これらの部材を保持する筐体２１Ｄとを有する。ピンホール２１Ａａを露光領域ＩＡ内に移動した状態で、受光光学系２１Ｂによって、投影瞳面ＰＬＰ（又は射出瞳）に対して撮像素子２１Ｃの受光面は光学的に共役になる。撮像素子２１Ｃの検出信号を例えば演算部５２Ａ又は５２Ｂで画像処理することによって、レチクルＲＡから射出された照明光ＩＬ（０次光及び１次以上の回折光を含む）の投影瞳面ＰＬＰ（又は入射瞳若しくは射出瞳）における光強度分布（光量分布）の画像を計測できる。計測された光強度分布の画像の情報は第１制御部４２又は第２制御部４４に供給される。
【００３５】
図１の他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧの機構部の構成も露光装置ＥＸＡと同様である。ただし、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧは互いに機種が異なっていてもよい。また、一例として、図２に示すように、露光装置ＥＸＢは露光装置ＥＸＡと同じ構成（機種）であるとする。露光装置ＥＸＢのレチクルステージＲＳＴにはレチクルＲＢがロードされている。
露光装置ＥＸＡによるウエハＷの露光時に、基本的な動作として、レチクルＲＡ及びウエハＷのアライメントが行われた後、ウエハステージＷＳＴのＸ方向、Ｙ方向への移動（ステップ移動）によって、ウエハＷの露光対象のショット領域が投影光学系ＰＬの露光領域の手前に移動する。そして、第１制御部４２の制御のもとで、レチクルＲのパターンの一部の投影光学系ＰＬによる像でウエハＷの当該ショット領域を露光しつつ、レチクルステージＲＳＴ及びウエハステージＷＳＴを同期駆動して、投影光学系ＰＬに対してレチクルＲ及びウエハＷを例えば投影倍率を速度比としてＹ方向に走査することによって、当該ショット領域の全面にレチクルＲのパターンの像が走査露光される。このようにステップ移動と走査露光とを繰り返すことによって、ステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷの複数のショット領域に対して順次レチクルＲＡのパターンの像が露光される。
【００３６】
このような露光を継続すると、レチクルＲＡのデバイスパターンから発生する回折光（０次光を含む）よりなる照明光ＩＬが投影光学系ＰＬを通過する際の積算照射エネルギーによって投影光学系ＰＬ内の複数の光学素子の温度が次第に上昇し、投影光学系ＰＬの収差（波面収差）が変動する。実際には投影光学系ＰＬには冷却機構（不図示）が設けられているため、それらの光学素子の温度分布は次第に飽和する。また、各光学素子は熱膨張率が極めて小さいため、変形量は小さいが、屈折率分布がその温度分布に応じてわずかに変化する。そのため、例えば計測装置２０を用いて投影瞳面ＰＬＰにおける光強度分布を計測し、この計測結果及び例えばインテグレータセンサ３６で計測される積算照射エネルギーから、各光学素子（又は収差の変動に最も大きく寄与する部分の光学素子）の屈折率分布を求めることで、露光中の各時点での投影光学系ＰＬの収差の変動量が計算できる。そして、この収差の変動量を相殺するように、結像特性補正装置３０を駆動して投影光学系ＰＬの収差を補正するためのパラメータ（以下、ＬＣパラメータという）を求め、このＬＣパラメータを用いて結像特性補正装置３０を駆動することによって、レチクルＲＡのパターンの像を常に高精度にウエハＷに露光できる。
【００３７】
さらに、レチクルＲＡを他の露光装置（例えば露光装置ＥＸＢ）でも使用する場合、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータの情報を露光装置ＥＸＡから露光装置ＥＸＢに送信して、露光装置ＥＸＢでもその情報を共有できることが好ましい。これによって、露光装置ＥＸＢではレチクルＲＡのＬＣパラメータを求めるための計測及び演算を行う必要がなくなり、リソグラフィシステムＤＭＳ全体としてのスループット（生産性）を高めることができる。そのＬＣパラメータ以外にも、例えばレチクルＲＡからの回折光によって形成される投影瞳面ＰＬＰの光強度分布の計測結果、及びレチクルＲＡのデバイスパターンＲＰＡをＦＦＴ計算によってフーリエ変換して得られるフーリエ変換パターンの情報なども複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ又は全部の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで共有できることが好ましい。
【００３８】
なお、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間でそのように共有することが好ましい情報（以下、共有情報という）の受け渡しを行う際にホストコンピュータ（不図示）を介するものとすると、ホストコンピュータが他の工程管理処理等を行っている場合などに、その情報の受け渡しが迅速に行われない恐れがある。さらに、ホストコンピュータにはすでに多量の管理情報が記録されているため、例えばホストコンピュータでその共有情報を全部記憶しておくこととすると、ホストコンピュータの記憶装置の容量が不足する恐れもある。
【００３９】
そこで、本実施形態の露光装置ＥＸＡが備えている図３のデータ処理部８Ａ中の第２制御部４４は、複数の露光装置間で情報を共有するための情報共有機能５８を有する。情報共有機能５８は、他の露光装置に通信回線１２を介して情報を送信するデータ同期機能５９と、情報の発見機能６０と、情報の学習機能６１と、を含む。発見機能６０は、データ処理部８Ａ内の第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡに記録されていない情報であって、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等の共有ファイルＣＦＢ等に記録されている情報を通信回線１２を介した検索によって発見する機能である。学習機能６１は、そのように他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧの共有ファイルＣＦＢ等に記録されている情報を通信回線１２を介して取り込み、取り込んだ情報をデータ処理部８Ａ内の共有ファイルＣＦＡに記録する機能である。
【００４０】
さらに、第２制御部４４には、各機能５９〜６１が、ＩＯポート４６及び通信回線１２を介して他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等と情報の授受を行うための通信機能６４も設けられている。情報共有機能５８（機能５９，６０，６１）及び通信機能６４はコンピュータ１０Ａのソフトウェア上の機能（手段）であり、コンピュータ１０Ａにこれらの機能（手段）を実行させるためのプログラムは、一例として記録媒体３７から読み出されるものである。
【００４１】
また、レチクルＲＡのデバイスパターンＲＰＡが互いに形状が異なる多数の複雑な回路パターンを含むような場合、通常の１台のコンピュータでは、デバイスパターンＲＰＡの全面のフーリエ変換パターンを計算するには例えば１０時間を超えるような長い計算時間が必要になることがある。そこで、本実施形態の露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａ中の第２制御部４４は、複数の露光装置（複数のデータ処理部８Ａ，８Ｂ等）によってそのように膨大な計算量が必要となる計算を分散して実行するための計算分散機能５４を有する。計算分散機能５４は、マスター機能５５とスレーブ機能５６とを含む。
【００４２】
マスター機能５５は、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａがそのような計算を複数の部分計算に分割し、分割された部分計算の少なくとも一部を他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのスレーブ機能５６に振り分けて実行させる機能である。この際に、マスター機能５５は、その複数の部分計算のうちで他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧに振り分けられなかった部分計算を第２演算部５２Ｂに実行させる機能も有する。さらに、マスター機能５５は、ある計算を単独で（分散処理することなく）第２演算部５２Ｂに実行させる機能も有する。一方、スレーブ機能５６は、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのマスター機能５５から露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａに振り分けられた部分計算をデータ処理部８Ａ内の第２演算部５２Ｂに実行させる機能である。
【００４３】
マスター機能５５及びスレーブ機能５６も、通信回線１２を介して他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのスレーブ機能５６又はマスター機能５５と情報の授受を行う際に通信機能６４を使用する。なお、以下では通信回線１２を介する情報の授受に際しての通信機能６４の処理についての説明は省略する。計算分散機能５４（機能５５，５６）もコンピュータ１０Ａのソフトウェア上の機能（手段）であり、コンピュータ１０Ａにこれらの機能（手段）を実行させるためのプログラムは、一例として記録媒体３７から読み出されるものである。他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのコンピュータ１０Ｂ〜１０Ｇのデータ処理部８Ｂ等もそれぞれ計算分散機能５４及び情報共有機能５８を有する。
【００４４】
以下、本実施形態において、リソグラフィシステムＤＭＳの露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ等が必要な情報を共有しながら露光を行う動作の一例につき図４のフローチャートを参照して説明する。以下では、説明の便宜上、露光装置ＥＸＡを第１の露光装置、露光装置ＥＸＢを第２の露光装置と称する。また、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢで露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢをそれぞれ第１及び第２のレチクルと称する。一例として、第２の露光装置ＥＸＢは、ある半導体デバイスのウエハの第１層目のパターンを形成するために、そのウエハに第２のレチクルＲＢのパターンの像を露光し、第１の露光装置ＥＸＡは、その半導体デバイスのウエハの第２層目のパターンを形成するために、そのウエハに第１のレチクルＲＡのパターンの像を露光するものとする。この場合、レチクルＲＡ，ＲＢは互いに異なっており、レチクルＲＡのデバイスパターンＲＰＡと、レチクルＲＢのデバイスパターンＲＰＢとは互いに異なっている。
【００４５】
また、図４のステップ１０１Ａ〜１２６Ａは第１の露光装置ＥＸＡで実行される工程であり、ステップ１０１Ｂ〜１３６は第２の露光装置ＥＸＢで実行される工程である。他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧも露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢと並行して露光を行う。
まず、図４のステップ１０１Ａで、一例としてオペレータが第１の露光装置ＥＸＡの入力装置１６から主制御部４０に第１のレチクルＲＡを用いた露光を行うように制御情報を入力する。この第１のレチクルＲＡは露光装置ＥＸＡで初めて使用されるレチクルであり、レチクルＲＡに応じて結像特性補正装置３０を駆動するためのＬＣパラメータは露光装置ＥＸＡのコンピュータ１０Ａには記憶されていないものとする。これに応じて、コンピュータ１０Ａの第１制御部４２は、レチクルローダ系（不図示）を介してレチクルステージＲＳＴにレチクルＲＡをロードし、例えば露光データファイル中に記録されているレチクルＲＡ用の照明条件（照明瞳面の光強度分布）を照明光学系ＩＬＳに設定し、レチクルＲＡのアライメントを行う（ステップ１０２Ａ）。一例として、その照明条件は４極照明であり、図５（Ａ）に示すように、照明瞳面ＩＰＰにおける光強度分布７１は、円周７０の内部に光軸ＡＸを挟むように配置された４箇所の領域７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄで光強度が大きくなる分布であるとする。なお、円周７０は、コヒーレンスファクタ（いわゆるσ値）が１の領域を表している。
【００４６】
そして、主制御部４０は、コンピュータ１０Ａのデータ処理部８Ａの第２制御部４４の情報共有機能５８（ここでは発見機能６０）に、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧがレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを記憶しているかどうかを確認するように求める。これに応じて、発見機能６０は、通信回線１２を介して他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等の情報共有機能５８のデータ同期機能５９にそのＬＣパラメータを記憶しているかどうかを問い合わせて、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧからのレスポンス待ちの状態になる（ステップ１０４）。
なお、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのいずれかが記憶しているＬＣパラメータを常に露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで共有するようにしてもよい。このようにすることで、露光装置ＥＸＡによって、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧがＬＣパラメータを記憶しているかどうかの確認する処理が不要となる。
【００４７】
この際に、第２の露光装置ＥＸＢでは、ステップ１０１Ｂで、コンピュータ１０Ｂの主制御部（不図示）に第２のレチクルＲＢを用いた露光を行うように制御情報が入力され、レチクルＲＢがレチクルステージＲＳＴにロードされ、アライメントが行われる（ステップ１０２Ｂ）。第２のレチクルＲＢ用のＬＣパラメータは、コンピュータ１０Ｂのデータ処理部８Ｂの第２記憶部ＣＦＢの共有ファイルＣＦＢに記録されているものとする。このとき、共有ファイルＣＦＢから読み出されたレチクルＲＢ用のＬＣパラメータは、コンピュータ１０Ｂの第１制御部（不図示）に供給されて結像特性補正装置（不図示）の駆動に使用される。
【００４８】
そして、露光装置ＥＸＢのウエハステージＷＳＴにレジストが塗布された未露光のウエハをロードしてアライメントを行い（ステップ１１６Ｂ）、レチクルＲＢ用のＬＣパラメータを用いて投影光学系（不図示）の結像特性の補正を行いつつ、ウエハを露光し（ステップ１２２Ｂ）、露光後のウエハをアンロードする（ステップ１２４Ｂ）。アンロードされたウエハはコータ・デベロッパ（不図示）で現像される。また、次のウエハを露光する場合には（ステップ１２６Ｂ）、ステップ１１６Ｂに戻り、次のウエハへの露光を行う。また、露光装置ＥＸＢにおいて、ステップ１１６Ｂ〜１２６Ｂのウエハに対する露光動作と並列に、一例として、データ処理部８Ｂの情報共有機能５８中のデータ同期機能５９は、他の露光装置（ここでは露光装置ＥＸＡ，ＥＸＣ〜ＥＸＧ）からの通信回線１２を介した問い合わせ（分散処理の依頼を含む）を待つ状態にある（ステップ１３０）。
【００４９】
この状態で、ステップ１０４における露光装置ＥＸＡのデータ処理部８ＡからのレチクルＲＡのＬＣパラメータの記憶の有無の問い合わせが、通信回線１２を介して露光装置ＥＸＢ（データ処理部８Ｂ）のデータ同期機能５９に到達すると、データ同期機能５９は、レチクルＲＡのＬＣパラメータが第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＢに記録されているかどうか（第２記憶部５０Ｂに記憶されているかどうか、以下同様。）を確認する（ステップ１３２）。そして、共有ファイルＣＦＢにそのＬＣパラメータが記録されている場合には、データ同期機能５９は、他の露光装置（ここでは露光装置ＥＸＡ）のデータ処理部８Ａの発見機能６０に、通信回線１２を介してそのＬＣパラメータを保有している旨の情報を送信した後、そのＬＣパラメータの情報を送信する（ステップ１３４）。その後、データ処理部８Ｂはステップ１３０の問い合わせ待ちの状態に戻る。
【００５０】
一方、ステップ１３２で、共有ファイルＣＦＢにそのＬＣパラメータが記録されていない場合には、データ同期機能５９は、データ処理部８Ａの発見機能６０に、通信回線１２を介してそのＬＣパラメータを記憶していない（そのＬＣパラメータが共有ファイルＣＦＢに記録されていない）旨の情報を送信した後（ステップ１３６）、ステップ１３０の問い合わせ待ちの状態に戻る。
【００５１】
また、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０は、ステップ１０４からステップ１０６に移行して、他の露光装置（ここでは露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧ）がレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを記憶しているかどうかを確認する。ステップ１３４で露光装置ＥＸＢがそのＬＣパラメータを記憶している旨の情報をデータ処理部８Ａの発見機能６０に送信したときには、データ処理部８Ａの動作はステップ１０８Ａに移行して、データ処理部８Ａ内の学習機能６１が露光装置ＥＸＢのデータ同期機能５９から送信されるレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを取得する。そして、データ処理部８Ａ内の学習機能６１は、取得した情報を第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡに記録させるとともに、その取得した情報を第１制御部４２に供給する（ステップ１１０Ａ）。その後、露光装置ＥＸＡの動作はステップ１１６Ａに移行する。
【００５２】
また、ステップ１３６で露光装置ＥＸＢがそのＬＣパラメータが記憶されていない旨の情報をデータ処理部８Ａの発見機能６０に送信したときには、この発見機能６０は、別の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧからのレスポンスを待つ。そして、別の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧ中にそのＬＣパラメータを記憶している露光装置がある場合には、ステップ１０８Ａに移行してその露光装置からそのＬＣパラメータを取得する。そして、データ処理部８Ａ内の学習機能６１は、取得した情報を第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡに記録させるとともに、その取得した情報を第１制御部４２に供給する（ステップ１１０Ａ）。その後、露光装置ＥＸＡの動作はステップ１１６Ａに移行する。
ところが、そのＬＣパラメータを記憶している露光装置がない場合には、データ処理部８Ａの動作はステップ１１２に移行して、データ処理部８Ａの発見機能６０は、コンピュータ１０Ａ内の主制御部４０を介して第１制御部４２に、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧはレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを記憶していない旨の情報を供給する。
【００５３】
これに応じて、コンピュータ１０Ａ内の第１制御部４２は、図２のウエハステージＷＳＴを駆動して計測装置２０の上面を投影光学系ＰＬの露光領域に移動して、照明光学系ＩＬＳからレチクルＲＡに照明光ＩＬを照射して、投影瞳面ＰＬＰの光強度分布を計測させる。さらに、計測装置２０の撮像素子２１Ｃの検出信号を第１演算部５２Ａで画像処理させることで、図５（Ｂ）に示すように、レチクルＲＡからの回折光（０次光を含む）によって投影瞳面ＰＬＰに形成される光強度分布の画像（以下、瞳画像という）７３が得られる。瞳画像７３は、一例として、図５（Ａ）のσ値が１の円周７０の内部と共役な有効領域（例えば開口絞りＡＳの開口の内側の領域）７０Ｐ内で、図５（Ａ）の領域７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃ，７２Ｄを０次光及び±１次回折光を含む複数の回折光に応じてシフトさせて重ね合わせた領域７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃ，７４Ｄで光強度が大きくなる像である。
【００５４】
その後、コンピュータ１０Ａ内の第１制御部４２は、取得された瞳画像７３を用いてコンピュータ１０Ａ内の第１演算部５２ＡによりレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを計算させる（ステップ１１４）。図５（Ｂ）の瞳画像７３及び投影光学系ＰＬを通過する積算照射エネルギーの想定値ΣＥｉより、一例として、図５（Ｄ）の曲線Ｄ１，Ｄ２に示すように、横軸の想定値ΣＥｉに対応する投影光学系ＰＬの収差の変動量ΔＡｂｅが計算できる。変動量ΔＡｂｅは指数関数的にある飽和値ＤＡに収束する。なお、照明光ＩＬがエキシマレーザ光のようなパルス光である場合、想定値ΣＥｉは、ｉ番目のパルスエネルギーＥｉを露光開始時点（ｔ＝０）から計算対象の経過時間ｔまで積算したものであり、想定値ΣＥｉの代わりに経過時間ｔを使用することもできる。また、時点ｔ１で照明光ＩＬの照射を停止したとすると、時点ｔ１までの曲線Ｄ１は加熱時のある時定数τ１の収差変動を表し、時点ｔ１からの曲線Ｄ２は冷却時のある時定数τ２の収差変動を表している。一例として、これらの収差の変動量ΔＡｂｅの飽和値ＤＡ、及び時定数τ１，τ２が、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータとして求められる。求められたＬＣパラメータは、データ処理部８Ａ内の第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡにレチクルＲＡ用のＬＣパラメータとして記録されるとともに、コンピュータ１０Ａ内の第１記憶部５０Ａにも記憶される。
【００５５】
その後、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａのデータ同期機能５９は、共有ファイルＣＦＡに記録されたレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを、通信回線１２を介して露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂのデータ同期機能５９に送信する（ステップ１３８）。これに応じて露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂのデータ同期機能５９では、送信されてきたＬＣパラメータを取得し（ステップ１０８Ｂ）、その取得したＬＣパラメータをデータ処理部８Ｂの第２記憶部５０Ｂ内の共有ファイルＣＦＢに記録する（ステップ１１０Ｂ）。この後、データ処理部８Ｂの動作はステップ１３０に戻る。これによって、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータが露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢで共有されたことになる。この際に、他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧ中に、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータが共有ファイルに記録されていない露光装置がある場合、データ処理部８Ａからこの露光装置にも通信回線１２を介してそのレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを送信してもよい。この後、データ処理部８Ａは、一例としてステップ１３０と同様に、他の露光装置からの問い合わせ待ちの状態になる。
【００５６】
これに対して、コンピュータ１０Ａの第１制御部４２の動作はステップ１１６Ａに移行する。ステップ１１６Ａにおいて、露光装置ＥＸＡのウエハステージＷＳＴにレジストが塗布された未露光のウエハＷをロードしアライメントを行う。そして、一例として、コンピュータ１０Ａの第１制御部４２は、インテグレータセンサ３６を用いて計測される積算照射エネルギー及び第１記憶部５０Ａから読み出したレチクルＲＡ用のＬＣパラメータの情報を第１演算部５２Ａに供給して、投影光学系ＰＬの結像特性（ここでは収差）の変動量を計算させる（ステップ１１８）。さらに、第１制御部４２は、その変動量の計算結果を相殺するように結像特性補正装置３０を駆動して投影光学系ＰＬの結像特性を補正する（ステップ１２０）。その後、照明光学系ＩＬＳからの照明光ＩＬでレチクルＲＡ及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを走査露光し（ステップ１２２Ａ）、露光後のウエハＷをアンロードする（ステップ１２４Ａ）。アンロードされたウエハはコータ・デベロッパ（不図示）で現像される。さらに、次のウエハを露光する場合には（ステップ１２６Ａ）、ステップ１１６Ａに戻り、次のウエハのロード、結像特性の補正、及び露光を繰り返す。
【００５７】
この露光動作によれば、ステップ１３２において、露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂの共有ファイルＣＦＢにレチクルＲＡ用のＬＣパラメータが記録されているときには、ステップ１０８で、そのデータ処理部８Ｂから通信回線１２を介して露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの学習機能６１にそのＬＣパラメータの情報が送信される。この送信されたＬＣパラメータは、ステップ１１８で投影光学系ＰＬの結像特性を補正する際に使用される。このとき、露光装置ＥＸＡでは、ステップ１１２，１１４の瞳画像の計測及びＬＣパラメータの計算の工程を省略でき、迅速にウエハの露光を行うことができる。さらに、露光装置ＥＸＢがレチクルＲＡを用いて露光を行う際にも、露光装置ＥＸＢでは、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータを求める工程を省略できる。このため、リソグラフィシステムＤＭＳ全体としてのスループット（生産性）が向上する。
【００５８】
上述のように、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳは、ウエハにパターンを形成するリソグラフィシステムであって、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ａ（第１データ処理部）を有し、レチクルＲＡ（第１マスク）を介してウエハのレジスト層に潜像のパターンを形成する露光装置ＥＸＡ（第１リソグラフィ装置）と、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ｂ（第２データ処理部）を有し、レチクルＲＢ（第２マスク）を介してウエハのレジスト層に潜像のパターンを形成する第２の露光装置ＥＸＢ（第２リソグラフィ装置）と、を備えている。さらに、リソグラフィシステムＤＭＳは、データ処理部８Ａで行われるレチクルＲＡ（第３マスク）に関連する処理によって取得されたＬＣパラメータ（第１データ）をデータ処理部８Ｂに転送する通信回線１２（転送部）を備え、データ処理部８Ｂは、通信回線１２によって転送されたそのＬＣパラメータを記録する共有ファイルＣＦＢが記憶された第２記憶部５０Ｂを有する。
【００５９】
また、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳを用いたパターン形成方法は、露光装置ＥＸＡを用いて、レチクルＲＡを介してウエハに潜像のパターンを形成するステップ１２２Ａと、露光装置ＥＸＢを用いて、レチクルＲＢを介してウエハに潜像のパターンを形成するステップ１２２Ｂと、露光装置ＥＸで行われるレチクルＲＡに関連する処理（ステップ１１２，１１４の瞳画像の計測及びＬＣパラメータの計算）によって取得されたレチクルＲＡ用のＬＣパラメータを露光装置ＥＸＢに転送するステップ１３８，１０８Ｂと、露光装置ＥＸＢにおいてそのＬＣパラメータを第２記憶部５０Ｂに記憶するステップ１１０Ｂと、を有する。
【００６０】
本実施形態によれば、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａで行われるレチクルＲＡに関連する処理によって取得されたデータを露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂに転送する通信回線１２を備えているため、複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢを使用する場合に、これらの露光装置間でのデータ授受を必要なタイミングで効率的に行うことができる。さらに、これらの露光装置間でレチクルに関連する処理の重複を防止することができ、露光工程のスループットを向上できる。
【００６１】
さらに、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ間のデータの授受をホストコンピュータを介することなく行うことができるため、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢにとって必要なタイミングで迅速にデータの授受を行うことができる。また、大容量のデータであっても効率的に授受を行うことができる。
また、本実施形態の露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡ及び投影光学系ＰＬを介してウエハＷを露光する露光装置であって、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ａを備えている。そして、データ処理部８Ａは、レチクルＲＡに関連する処理を行うことにより取得したデータを記憶する第２記憶部５０Ｂを有し、そのデータ（第１データ）を他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧに転送可能であるとともに、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧでレチクルに関する処理を行うことによって取得されたデータのうち、転送されてきたデータ（第２データ）を第２記憶部５０Ｂに記憶するものである。
【００６２】
本実施形態の露光装置ＥＸＡによれば、露光装置ＥＸＡと、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａと同じ機能を持つデータ処理部８Ｂ等を有する露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧとを含む複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧを使用する場合に、通信回線１２を設けるだけで、これらの露光装置間でのデータ授受を必要なタイミングで効率的に行うことができる。さらに、複数の露光装置間でのレチクルに関連する処理の重複を防止できる。
【００６３】
なお、本実施形態では次のような変形が可能である。
まず、本実施形態では、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢが露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢは互いに異なっている。しかしながら、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢが露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢ（第１マスク及び第２マスク）は互いに同じレチクル、すなわち同じデバイスパターンが形成されたレチクル（デバイスパターンＲＰＡ，ＲＰＢが同一）でもよい。この場合、一例として、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢはある半導体デバイスの同じ層のパターンを形成するための異なるロットのウエハの露光に使用される。さらに、例えば露光装置ＥＸＡで使用されたレチクルＲＡを露光装置ＥＸＢで使い回して使用していてもよい。
【００６４】
また、本実施形態では、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａで行われる処理は、レチクルＲＡに関連する処理であるが、データ処理部８Ａで行われる処理はレチクルＲＢ（第２マスク）に関連する処理でもよく、さらに、レチクルＲＡ，ＲＢとは異なる第３のレチクルに関連する処理、例えば第３のレチクルのデバイスパターンのフーリエ変換パターンの計算でもよい。
【００６５】
また、本実施形態では、データ処理部８Ａで行われるレチクルＲＡに関連する処理によって取得されたＬＣパラメータの全部をデータ処理部８Ｂに転送している。これに対して、データ処理部８Ａで行われるレチクル（第３マスク）に関連する処理によって取得されたデータの一部をデータ処理部８Ｂに転送してもよい。
また、本実施形態では、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａで行われるレチクルに関連する処理によって取得されたデータのうち露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂに転送されるデータは、レチクルＲＡ用のＬＣパラメータ、すなわちレチクルＲＡ及び露光装置ＥＸＡの投影光学系ＰＬを介してウエハを露光するときの投影光学系ＰＬの光学特性としての結像特性の変動状態を表すパラメータである。このパラメータを求めることによって、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧでレチクルＲＡを用いた露光を行う際に、投影光学系ＰＬの結像特性を良好な状態に維持可能である。
【００６６】
なお、データ処理部８Ａで行われるレチクルに関連する処理によって取得されたデータのうちデータ処理部８Ｂに転送されるデータ（第１データ）、又は複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間の共有データは、上記のＬＣパラメータ（これを（ａ１）とする）及び以下の（ａ２）〜（ａ１０）の複数のデータのうちの少なくとも一つでもよい。
（ａ２）処理対象のレチクル（レチクルＲＡ，ＲＢ、又は別のレチクル。以下同様）のデバイスパターンのフーリエ変換パターン。
【００６７】
（ａ３）処理対象のレチクルを照明する光源（照明瞳面ＩＰＰの二次光源）の情報（光強度分布及び／又は偏光状態の分布等）。
（ａ４）処理対象のレチクルから射出される光をシミュレーションした光強度分布、例えばその処理対象のレチクルから射出される光の投影光学系ＰＬ内の光路を光線追跡によって求めた後、その光路から求められる投影瞳面ＰＬＰ又は投影光学系ＰＬの像面における光強度分布。
【００６８】
（ａ５）処理対象のレチクルから射出される光の投影瞳面ＰＬＰにおける光強度分布の計測装置２０による計測結果（瞳画像）。
（ａ６）処理対象のレチクルのデバイスパターンの３次元構造に関するデータ、例えばそのデバイスパターンが形成されている薄膜の構造（複数層の場合の各層の厚さ及び屈折率）、及び／又はその構造を持つ薄膜に形成されたデバイスパターン（又はこの中の一部のパターン）を厳密にマックスウェル方程式を解いて電磁場解析して得られる投影瞳面ＰＬＰの光強度分布。
【００６９】
（ａ７）処理対象のレチクルを用いて露光したときの重ね合わせ誤差の計測結果。
（ａ８）処理対象のレチクルのデバイスパターンの像（又はレジストパターン）の線幅の計算値、又は例えば走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭという）による計測結果。
（ａ９）処理対象のレチクルのデバイスパターンの像の露光によって形成されたレジストパターンの線幅及び／又は形状の例えばＳＥＭによる計測結果。
【００７０】
（ａ１０）処理対象のレチクルのデバイスパターンの露光によってレジスト像（レジストパターン）を形成する際のレジスト応答シミュレーション結果（露光量に応じた線幅の計算結果等）。
また、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳは、複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢを備えている。これに対して、リソグラフィシステムは、第１及び第２のリソグラフィ装置として例えばデータ処理部８Ａ，８Ｂを備える第１及び第２のコータ・デベロッパ（不図示）又はデータ処理部８Ａ，８Ｂを備える第１及び第２のエッチング装置を備えていてもよい。リソグラフィシステムが第１及び第２のコータ・デベロッパを備えている場合、データ処理部８Ａで行われるレチクルに関連する処理によって取得されて、データ処理部８Ｂに転送されるデータは、例えば上記のレジストパターンの線幅又は形状の計測結果である。リソグラフィシステムが第１及び第２のエッチング装置を備えている場合、データ処理部８Ａで行われるレチクルに関連する処理によって取得されて、データ処理部８Ｂに転送されるデータは、例えばエッチングによって形成されるパターンの線幅又は形状の計測結果である。
【００７１】
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態につき図６〜図８を参照して説明する。本実施形態においても、第１の実施形態と同じリソグラフィシステムＤＭＳを使用する。なお、図６及び図７において図４に対応する工程には同じ符号を付してその詳細な説明を省略する。
本実施形態では、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧが備えているコンピュータ１０Ａ〜１０Ｇのデータ処理部８Ａ，８Ｂ等の計算分散機能５４（マスター機能５５及びスレーブ機能５６）を使用して、通常の１台のコンピュータでは例えば１０時間以上の計算時間が必要になる膨大な計算量が必要となる計算を分散して効率的に実行する。
【００７２】
以下、本実施形態において、リソグラフィシステムＤＭＳの露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ等が分散処理を行いながら露光を行う動作の一例につき図６及び図７のフローチャートを参照して説明する。以下では、露光装置ＥＸＡ及びＥＸＢをそれぞれ第１及び第２の露光装置と称し、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢで露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢをそれぞれ第１及び第２のレチクルと称する。図６のフローチャートが第１の露光装置ＥＸＡの動作を表し、図７のフローチャートが第２の露光装置ＥＸＢの動作を表している。他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧも露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢと並行して露光を行う。
【００７３】
また、本実施形態では、第１の露光装置ＥＸＢにおいて、次の工程で使用するレチクルを図８（Ａ）に示すようなデバイスパターンＲＰＣが形成された第３のレチクルＲＣとする。第３のレチクルＲＣのデバイスパターンＲＰＣは、第１及び第２のレチクルＲＡ，ＲＢのデバイスパターンＲＰＡ，ＲＰＢとは異なっているものとする。そして、第１の露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａがマスターとなり、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等をスレーブとして、第３のレチクルＲＣのデバイスパターンＲＰＣの全面のフーリエ変換パターンをＦＦＴ（Fast Fourier Transform）計算によって計算する場合について説明する。
【００７４】
まず、図６のステップ１０２Ａにおいて、第１の露光装置ＥＸＡのコンピュータ１０Ａの主制御部４０に入力装置１６から第１のレチクルＲＡを用いた露光を行うように制御情報が入力され、レチクルＲＡがレチクルステージＲＳＴにロードされる。そして、レジストが塗布された未露光のウエハのロード（ステップ１１６Ａ）、レチクルＲＡ及び投影光学系ＰＬを介したウエハの走査露光（ステップ１２２Ａ）、露光後のウエハのアンロード（ステップ１２４Ａ）が行われる。アンロードされたウエハはコータ・デベロッパ（不図示）で現像される。また、次のウエハを露光する場合には（ステップ１２６Ａ）、ステップ１１６Ａ〜１２６Ａの動作が繰り返される。ステップ１０２Ａ〜１２６Ａのウエハへの露光動作と並行して、コンピュータ１０Ａのデータ処理部８Ａはステップ１４０〜１６６の動作を実行する。
【００７５】
すなわち、ステップ１４０において、一例としてオペレータが入力装置１６からコンピュータ１０Ａの主制御部４０に、第３のレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンを計算するように制御情報を入力する。これに応じて、主制御部４０は、データ処理部８Ａ中の情報共有機能５８の発見機能６０を起動させ、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等のデータ同期機能５９に、レチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンのデータが各共有ファイルＣＦＢ等に記録されているかどうか（そのデータの有無）の問い合わせを行わせる。なお、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間の情報の授受は通信回線１２を介して行われる。データ処理部８Ａの発見機能６０は、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧからのレスポンス待ちの状態になる。
【００７６】
この際に、第２の露光装置ＥＸＢでは、図７のステップ１０２Ｂで、コンピュータ１０Ｂの主制御部（不図示）に第２のレチクルＲＢを用いた露光を行うように制御情報が入力され、レチクルＲＢがレチクルステージＲＳＴにロードされる。そして、レジストが塗布された未露光のウエハのロード（ステップ１１６Ｂ）、レチクルＲＢ及び投影光学系ＰＬを介したウエハの走査露光（ステップ１２２Ｂ）、露光後のウエハのアンロード（ステップ１２４Ｂ）が行われる。アンロードされたウエハはコータ・デベロッパ（不図示）で現像される。次のウエハを露光する場合には（ステップ１２６Ｂ）、ステップ１１６Ｂ〜１２４Ｂの動作が繰り返される。露光装置ＥＸＢにおいても、ステップ１０２Ｂ〜１２６Ｂのウエハに対する露光動作と並列に、データ処理部８Ｂはステップ１３０〜１９０の動作を実行する。
【００７７】
すなわち、図７のステップ１３０において、データ処理部８Ｂの情報共有機能５８中のデータ同期機能５９は、他の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＣ〜ＥＸＧからの問い合わせ（分散処理の依頼を含む）を待つ状態にある。この状態で、図６のステップ１４０における露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａからの問い合わせが、データ処理部８Ｂのデータ同期機能５９に到達すると、データ同期機能５９は、レチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンが第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＢに記録されているかどうか（第２記憶部５０Ｂに記憶されているかどうか）を確認する（ステップ１６８）。そして、共有ファイルＣＦＢにそのフーリエ変換パターンが記録されている場合、データ同期機能５９は、他の露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０にそのフーリエ変換パターンが記憶されている旨の情報を送信した後、データ処理部８Ａの学習機能６１にそのフーリエ変換パターンの情報を送信する（ステップ１７２）。その後、データ処理部８Ｂはステップ１３０の問い合わせ待ちの状態に戻る。
なお、他の露光装置（ここでは露光装置ＥＸＢ）が記憶しているフーリエ変換パターンを常に露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで共有するようにしてもよい。このようにすることで、露光装置ＥＸＡによって、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧがそのフーリエ変換パターンを記憶しているかどうかの確認する処理が不要となる。
【００７８】
一方、ステップ１６８で、共有ファイルＣＦＢにそのフーリエ変換パターンが記録されていない場合、ステップ１７０に移行して、データ処理部８Ｂのデータ同期機能５９は、データ処理部８Ａの発見機能６０にそのフーリエ変換パターンを記憶していない旨の情報を送信する。
また、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０は、図６のステップ１４０からステップ１４２に移行して、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧがレチクルＲＣのフーリエ変換パターンを記憶しているかどうかを確認する。図７のステップ１７２で露光装置ＥＸＢがそのフーリエ変換パターンを記憶している旨の情報をデータ処理部８Ａの発見機能６０に送信したときには、データ処理部８Ａの動作は図６のステップ１５８に移行して、データ処理部８Ａ内の学習機能６１が露光装置ＥＸＢのデータ同期機能５９から送信されるレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンを取得する。その後、動作はステップ１６２に移行して、データ処理部８Ａ内の学習機能６１は、取得した情報を第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡに記録する。
なお、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのいずれかが記憶しているフーリエ変換パターンを常に露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで共有するようにしてもよい。このようにすることで、露光装置ＥＸＡによって、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧがそのフーリエ変換パターンを記憶しているかどうかの確認する処理が不要となる。
【００７９】
この後、データ処理部８Ａ内のデータ同期機能５９は、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンのデータを他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧ（レチクルＲＣのフーリエ変換パターンを記憶していない露光装置）のデータ処理部の学習機能６１に送信し、これに応じて、他の露光装置の学習機能６１はそのフーリエ変換パターンをデータ処理部の共有ファイルに記録する（ステップ１６４）。ただし、ステップ１５８からステップ１６２に移行した場合には、露光装置ＥＸＢの共有ファイルＣＦＢには既にレチクルＲＣのフーリエ変換パターンが記録されているため、露光装置ＥＸＡから露光装置ＥＸＢにレチクルＲＣのフーリエ変換パターンを送信する必要はない。ステップ１６４に続いて、データ処理部８Ａの動作は他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧからの問い合わせ待ちになる（ステップ１６６）。
【００８０】
また、ステップ１４２の問い合わせに応じて、図７のステップ１７０で露光装置ＥＸＢからそのフーリエ変換パターンを記憶していない旨の情報がデータ処理部８Ａの発見機能６０に送信され、他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧからもそのフーリエ変換パターンを記憶していない旨の情報が送信されたとき、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの動作は図６のステップ１４４に移行する。そして、データ処理部８Ａの発見機能６０は、通信回線１２を介して他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等のマスター機能５５に、第３のレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンの計算中であるかどうかを問い合わせる。そして、その発見機能６０は、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧからのレスポンス待ちの状態になる。
【００８１】
ステップ１４４の問い合わせに応じて、露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂの処理は図７のステップ１７０からステップ１７４に移行する。そして、データ処理部８Ｂのマスター機能５５は、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中（露光装置ＥＸＢ単独で計算している場合、又は複数の露光装置で分散して計算している場合を含む）であるときには、ステップ１８６に移行して、他の露光装置ＥＸＡの発見機能６０に、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中である旨の情報を送信する。その後、データ処理部８Ｂのマスター機能５５は、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算（ＦＦＴ計算）が終了したかどうかを判定し（ステップ１８８）、その計算が終了したときには、ステップ１９０に移行して、その計算結果をデータ処理部８Ｂの第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＢに記録する。さらに、データ処理部８Ｂのマスター機能５５は、その計算が終了した旨の情報を露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０に送信し、データ処理部８Ｂのデータ同期機能５９が、その計算されたレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンのデータをデータ処理部８Ａの学習機能６１に送信する。この後、データ処理部８Ｂの動作はステップ１３０に戻る。
【００８２】
一方、図６のステップ１４４の問い合わせに応じて、図７のステップ１７４で、露光装置ＥＸＢではレチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算を行っていない場合、動作はステップ１７６に移行して、露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂのマスター機能５５から露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０に、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中ではない旨の情報を送信する。
【００８３】
図７のステップ１７４で、露光装置ＥＸＢのマスター機能５５から露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａの発見機能６０に、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中ではない旨の情報が送信され、他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧのマスター機能５５からも露光装置ＥＸＡの発見機能６０に、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中ではない旨の情報が送信されたとき、データ処理部８Ａの動作は図６のステップ１４４からステップ１４６に移行する。そして、データ処理部８Ａのマスター機能５５が起動して、マスター機能５５は、図８（Ａ）の第３のレチクルＲＣのデバイスパターンＲＰＣを分散処理に参加する露光装置（ここでは露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧとする）の数と同じ複数（ここでは７つ）の部分パターン７８Ａ，７８Ｂ，７８Ｃ，７８Ｄ，７８Ｅ，７８Ｆ，７８Ｇに分割する。さらに、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、８個の部分パターン７８Ａ〜７８Ｇのうち、第２〜第７の部分パターン７８Ｂ〜７８Ｇのデータをそれぞれ露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのデータ処理部８Ｂ等のスレーブ機能５６に送信し、これらのスレーブ機能５６に、それぞれその送信された部分パターン７８Ｂ〜７８Ｇのフーリエ変換パターンの計算（ＦＦＴ計算）を行うように依頼する（ステップ１４８）。
なお、ある計算を複数の露光装置（ここでは露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧのいずれか）で分散処理する場合、その分散処理（分散計算）には、必ずしもすべての露光装置が参加しなくてもよい。
また、各露光装置の計算処理能力に応じて、計算量を変えて、複数の露光装置で分散処理を行うこともできる。
【００８４】
その後、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、部分パターン７８Ａ〜７８Ｇのうち残された第１の部分パターン７８Ａのデータをデータ処理部８Ａ内の第２演算部５２Ｂに供給し、第２演算部５２Ｂに第１の部分パターン７８Ａのフーリエ変換パターンの計算（ＦＦＴ計算）を行わせる（ステップ１５０）。また、ステップ１５０の動作と並行して、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧで部分パターン７８Ｂ〜７８ＧのＦＦＴ計算が終了したかどうかを待つ状態になる（ステップ１５２）。
【００８５】
ステップ１４８におけるデータ処理部８Ａのマスター機能５５からの第２の部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算の依頼に対応して、図７のステップ１７６に続くステップ１７８において、露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂのスレーブ機能５６がその部分パターン７８Ｂのデータを取得する。そして、データ処理部８Ｂのスレーブ機能５６は、その第２の部分パターン７８Ｂのデータをデータ処理部８Ｂ内の第２演算部５２Ｂに供給し、この第２演算部５２Ｂにその部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算を開始させる。この後、データ処理部８Ｂのスレーブ機能５６は、データ処理部８Ｂの第２演算部５２Ｂで部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算が終了したかどうかを待つ状態になる（ステップ１８０）。そして、データ処理部８Ｂの第２演算部５２Ｂで部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算が終了したとき、動作はステップ１８２に移行して、データ処理部８Ｂのスレーブ機能５６は、露光装置ＥＸＡのマスター機能５５に部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算が終了した旨の情報を送信し、そのマスター機能５５に部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算結果のデータを送信する。そして、データ処理部８Ｂはデータ処理部８Ａからのレスポンス待ちとなる。
【００８６】
また、ステップ１８２における露光装置ＥＸＢのスレーブ機能５６から露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａのマスター機能５５に対する、部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算が終了した旨の情報の送信に応じて、データ処理部８Ａの動作は図６のステップ１５２からステップ１５４に移行する。そして、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、露光装置ＥＸＢのスレーブ機能５６から部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算の結果（フーリエ変換パターン）を取得する。同様に、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧのスレーブ機能５６からも部分パターン７８Ｃ〜７８ＧのＦＦＴ計算の結果を取得する。この段階では、ステップ１５０のＦＦＴ計算も終了しているものとする。
【００８７】
この後、データ処理部８Ａの動作はステップ１６０に移行して、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧから取得した部分パターン７８Ｂ〜７８ＧのＦＦＴ計算の結果をデータ処理部８Ａの第２演算部５２Ｂに供給し、第２演算部５２Ｂに全部の部分パターン７８Ａ〜７８ＧのＦＦＴ計算の結果を統合（本実施形態では積算）させて、第３のレチクルＲＣのデバイスパターンＲＰＣの全面の投影瞳面ＰＬＰにおけるフーリエ変換パターンを求めさせる。
【００８８】
具体的に、レチクルＲＣの第１の部分パターン７８ＡのＦＦＴ計算結果が、図８（Ｂ）のフーリエ変換パターンＦＰＡであり、第２の部分パターン７８ＢのＦＦＴ計算結果が、図８（Ｃ）のフーリエ変換パターンＦＰＢであるとする。図８（Ａ）において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ上の大きいドットパターン７９Ａは０次光、２つの小さいドットパターン７９Ｂ，７９Ｃは粗い周期（ピッチ）のＸ方向の周期パターンからの±１次回折光、２つの大きいドットパターン７９Ｄ，７９Ｅは小さい周期のＸ方向の周期パターンからの±１次回折光である。フーリエ変換パターンＦＰＢは、主にＹ方向の周期パターンを含む部分パターン７８Ｂからの回折光であるため、Ｙ方向に沿って配列されている。さらに、この計算の段階では、図８（Ａ）〜（Ｃ）の投影瞳面ＰＬＰの有効領域７０Ｐの外部に入射する回折光のパターンも求めることができる。そして、レチクルＲＣのデバイスパターンＲＰＣの全面のフーリエ変換パターンＦＴＰは、図８（Ｄ）に示すように、フーリエ変換パターンＦＰＡ，ＦＰＢ及び他のフーリエ変換パターン（不図示）を積算したパターンとなっている。
【００８９】
その後、データ処理部８Ａの動作はステップ１６２に移行し、データ処理部８Ａのマスター機能５５は、データ処理部８Ａの第２記憶部５０Ｂの共有ファイルＣＦＡにレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンＦＴＰのデータを記録する。なお、ステップ１５８からステップ１６２に移行した場合には、共有ファイルＣＦＡにレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンのデータを記録するのはデータ処理部８Ａのデータ同期機能５９である点が異なっている。
【００９０】
続いて、データ処理部８Ａ内のデータ同期機能５９は、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンＦＴＰのデータを他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧ（レチクルＲＣのフーリエ変換パターンを記憶していない露光装置）のデータ処理部の学習機能６１に送信し（ステップ１６４）、データ処理部８Ａの動作は他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧからの問い合わせ待ちになる（ステップ１６６）。また、ステップ１６４でデータ処理部８Ａのデータ同期機能５９から露光装置ＥＸＢのデータ処理部８Ｂの学習機能６１にフーリエ変換パターンＦＴＰのデータが送信されると、図７のステップ１８２に続くステップ１８４では、データ処理部８Ｂの学習機能６１はそのフーリエ変換パターンＦＴＰのデータをデータ処理部８Ｂの共有ファイルＣＦＢに記録する。同様に他の露光装置ＥＸＣ〜ＥＸＧでも共有ファイルにそのフーリエ変換パターンＦＴＰのデータを記録する。これによって、レチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンのデータが全部の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで共有されたことになる。
【００９１】
その後、例えば露光装置ＥＸＡにおいて、第３のレチクルＲＣを用いて露光を行う場合、照明条件（照明瞳面ＩＰＰの光強度分布）として図５（Ａ）の光強度分布７１を使用するものとする。このとき、レチクルＲＣから射出される回折光（０次光を含む）によって投影瞳面ＰＬＰに形成される光強度分布７５（図５（Ｃ）参照）は、図５（Ａ）の光強度分布７１の像と、レチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンＦＴＰとのコンボリューション演算によって容易に求めることができる。図５（Ｃ）の光強度分布７５は、光強度分布７１からの光束の０次光７１Ｚと、光強度分布７１からの光束のＸ方向、Ｙ方向の±１次回折光７１ＤＡ，７１ＤＢ，７１ＤＣ，７１ＤＤ等との積算となる。この場合には、計測装置２０による光強度分布の計測工程（図４のステップ１１２）を省略できるとともに、そのコンボリューション演算によって求めた光強度分布７５を用いてレチクルＲＣ用のＬＣパラメータを計算できるため（ステップ１１４）、積算照射エネルギーによる結像特性の変動を高精度に補正できる。
【００９２】
さらに、照明瞳面ＩＰＰの光強度分布の形状を変更しながら、レチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンＦＴＰとのコンボリューション演算によって投影瞳面ＰＬＰの光強度分布を求めることによって、レチクルＲＣ用の照明条件の最適化を行うことも可能となる。
この露光動作によれば、膨大な計算量を持つレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンの計算を、複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで分散処理することによって、そのフーリエ変換パターンの計算を効率的に短時間に行うことができる。１台の通常のコンピュータでレチクルＲＣの全面のフーリエ変換パターンの計算を行うのに例えば２４時間程度の時間が必要であるとすると、７台の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧで分散処理することによって、その計算を３時間程度で行うことができる。また、リソグラフィシステムＤＭＳ内の複数の露光装置（リソグラフィ装置）の台数が増加するほど、その計算時間を短縮できる。
【００９３】
また、この露光動作では、図６のステップ１４０で、露光装置ＥＸＡのデータ処理部８Ａから他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧに、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの有無を問い合わせ、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのいずれかがそのフーリエ変換パターンを保有しているときには、露光装置ＥＸＡではそのフーリエ変換パターンを計算することなく、他の露光装置からそのフーリエ変換パターンを取得している。従って、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間での計算の重複を防止できる。さらに、図６のステップ１４４で、露光装置ＥＸＡから他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧに、レチクルＲＣのフーリエ変換パターンの計算中かどうかを問い合わせ、他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧのいずれかがそのフーリエ変換パターンの計算中であるときには、露光装置ＥＸＡではそのフーリエ変換パターンを計算することなく、他の露光装置での計算終了後に、この露光装置からそのフーリエ変換パターンを取得している。従って、露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧ間での計算の重複をより確実に防止できる。
【００９４】
上述のように、本実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳは、ウエハ（基板）にパターンを形成するリソグラフィシステムであって、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ａを有し、レチクルＲＡ（第１マスク）を介してウエハに潜像のパターンを形成する露光装置ＥＸＡ（第１リソグラフィ装置）と、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ｂを有し、レチクルＲＢ（第２マスク）を介してウエハに潜像のパターンを形成する露光装置ＥＸＢ（第２リソグラフィ装置）と、データ処理部８Ａ，８Ｂ間で制御情報を含むデータを転送する通信回線１２（転送部）と、を備えている。そして、データ処理部８Ａは、レチクルＲＣ（第３マスク）に関連する処理のうちデバイスパターンＲＰＣの部分パターン７８Ｂ（第１部分）の情報を通信回線１２を介してデータ処理部８Ｂに送信し、データ処理部８Ｂは、部分パターン７８Ｂの処理（フーリエ変換パターンの計算）を行う。
【００９５】
また、リソグラフィシステムＤＭＳを用いたパターン形成方法は、露光装置ＥＸＡを用いて、レチクルＲＡを介してウエハに潜像のパターンを形成するステップ１２２Ａと、露光装置ＥＸＢを用いて、レチクルＲＢを介してウエハに潜像のパターンを形成するステップ１２２Ｂと、露光装置ＥＸＡがレチクルＲＣに関連する処理のうち部分パターン７８Ｂの情報を露光装置ＥＸＢに送信するステップ１４８と、露光装置ＥＸＢにおいて、部分パターン７８Ｂの処理を行うステップ１７８，１８０と、を有する。
【００９６】
本実施形態によれば、露光装置ＥＸＢ（データ処理部８Ｂ）が部分パターン７８Ｂの処理を行っているため、複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ等を使用する場合に、膨大な計算量が必要になる処理であっても、分散処理によってその処理を効率的に実行できる。
さらに、本実施形態の露光装置ＥＸＡは、レチクルＲＡ及び投影光学系ＰＬを介してウエハを露光する露光装置であって、レチクルに関連する処理を行うデータ処理部８Ａを備え、データ処理部８Ａは、レチクルＲＣ（第１マスク）に関連する処理のうち部分パターン７８Ｂ〜７８Ｇ（第１部分）の情報を他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧに送信し、その部分パターン７８Ｂ〜７８Ｇの処理（フーリエ変換パターンの計算）を他の露光装置ＥＸＢ〜ＥＸＧで実行可能としている。この露光装置ＥＸＡによれば、膨大な計算量が必要になる処理であっても、複数の露光装置ＥＸＡ〜ＥＸＧによる分散処理によってその処理を効率的に実行できる。
【００９７】
なお、本実施形態では次のような変形が可能である。
まず、本実施形態では、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢが露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢは互いに異なっている。しかしながら、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢが露光に使用するレチクルＲＡ，ＲＢ（第１マスク及び第２マスク）は互いに同じレチクル、すなわち同じデバイスパターンが形成されたレチクル（デバイスパターンＲＰＡ，ＲＰＢが同一）でもよい。この場合、例えば露光装置ＥＸＡで使用されたレチクルＲＡを露光装置ＥＸＢで使い回して使用していてもよい。
【００９８】
また、本実施形態では、露光装置ＥＸＡ（データ処理部８Ａ）から露光装置ＥＸＢ（データ処理部８Ｂ）に送信される情報は、レチクルＲＡ，ＲＢと異なるレチクルＲＣ（第３マスク）に関連する処理で使用される部分パターン７８Ｂのデータである。しかしながら、露光装置ＥＸＡから露光装置ＥＸＢに送信される情報は、レチクルＲＡ又はＲＢに関連する処理（例えばフーリエ変換パターンの計算）で使用される一部のパターンのデータでもよい。また、本実施形態では、露光装置ＥＸＢ（データ処理部８Ｂ）は送信された部分パターン７８Ｂのフーリエ変換パターンを計算しているが、例えば露光装置ＥＸＢに２つの部分パターン７８Ｂ，７８Ｃ（第１部分の他の例）の情報を送信し、露光装置ＥＸＢは、その一部の部分パターン７８Ｂのフーリエ変換パターンの計算を行うようにしてもよい。
【００９９】
また、本実施形態で、露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ間で通信回線１２を介して転送される前記制御情報を含むデータは、上記の第１の実施形態の（ａ１）〜（ａ１０）の情報のうち少なくとも一つの情報でもよい。
また、本実施形態で、露光装置ＥＸＡ（データ処理部８Ａ）から露光装置ＥＸＢ（データ処理部８Ｂ）に一部の情報が送信される処理（第３マスクに関連する処理）は、本実施形態のレチクルのデバイスパターンのフーリエ変換パターンの計算（これを処理（ｂ１）とする）、及び以下の（ｂ２）〜（ｂ４）の処理のうちの少なくとも一つでもよい。
【０１００】
（ｂ２）レチクルから射出される光の光路のシミュレーション（光線追跡等）によって、レチクルから射出される光の投影瞳面ＰＬＰの光強度分布又は投影光学系ＰＬの像面の光強度分布を計算する処理。
（ｂ３）レチクルのパターンを３次元パターンとみなして、例えばマックスウェル方程式を解くことによって、そのレチクルのパターンから射出される光の投影瞳面ＰＬＰ又は像面の光強度分布を計算する処理。
【０１０１】
（ｂ４）レチクルを用いる露光時の投影光学系ＰＬの収差変動量の計算。
また、上記の各実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ若しくは露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ、又はこれらを用いたパターン形成方法（露光方法）を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、この電子デバイスは、図９に示すように、デバイスの機能・性能設計を行うステップ２２１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２２２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップ２２３、前述した実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ等又はパターン形成方法等によりマスクのパターンを基板に露光する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップ２２４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２２５、並びに検査ステップ２２６等を経て製造される。
【０１０２】
言い替えると、上記のデバイスの製造方法は、上記の実施形態のリソグラフィシステムＤＭＳ等又はパターン形成方法（露光方法）を用いて、マスクのパターンを介して基板（ウエハ）を露光する工程と、その露光された基板を処理する工程（即ち、基板のレジストを現像し、そのマスクのパターンに対応するマスク層をその基板の表面に形成する現像工程、及びそのマスク層を介してその基板の表面を加工（加熱及びエッチング等）する加工工程）と、を含んでいる。
【０１０３】
このデバイス製造方法によれば、複数の露光装置ＥＸＡ，ＥＸＢ等（リソグラフィ装置）間での情報の授受を効率的に行うことができるか、又は露光等に必要な計算を分散処理で効率的に行うことができるため、電子デバイスを高いスループットで高精度に製造できる。
なお、上記の実施形態のリソグラフィシステムが備える露光装置は、ステッパー型の露光装置等でもよい。さらに、その露光装置は、露光光として波長１００ｎｍ以下の極端紫外光（Extreme Ultraviolet Light:以下、ＥＵＶ光という）を用いる露光装置（ＥＵＶ露光装置）等であってもよい。
【０１０４】
また、本実施形態のデバイス製造方法では、特に半導体デバイスの製造方法について説明したが、本実施形態のデバイス製造方法は、半導体材料を使用したデバイスの他、例えば液晶パネルや磁気ディスクなどの半導体材料以外の材料を使用したデバイスの製造にも適用することができる。
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得る。
【符号の説明】
【０１０５】
ＥＸＡ〜ＥＸＧ…露光装置、ＲＡ，ＲＢ，ＲＣ…レチクル、ＰＬ…投影光学系、Ｗ…ウエハ、８Ａ，８Ｂ…データ処理部、１０Ａ〜１０Ｇ…コンピュータ、２０…光強度分布の計測装置、３０…結像特性補正装置、４０…主制御部、４２…第１制御部、４４…第２制御部、５０Ｂ…第２記憶部、５２Ｂ…第２演算部、５４…計算分散機能、５５…マスター機能、５６…スレーブ機能、５８…情報共有機能、５９…データ同期機能、６０…発見機能、６１…学習機能
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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