(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光による電子部品の樹脂部への影響をなくしつつ、電子部品のリードと半田ランドを確実に半田付けが行え、電子部品等の搭載部品との間隔を少なくすることができ、基板上で電子部品の搭載面積を少なくし、回路基板を小型化する。【解決手段】半田ランド３は、スルーホール２が偏心した位置に配置されることにより短手部３ａと長手部３ｂを有しており、絶縁性基板１の端部１ａに設けられると共に、長手部３ｂ側が絶縁性基板１の端部１ａ側に位置した構成にすることにより、他の電子部品と半田ランド３の間隔を少なくすることができるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールを有する絶縁性基板の前記スルーホールの周囲に設けられる半田ランドにおいて、
前記半田ランドは、前記スルーホールが偏心した位置に配置されることにより短手部と長手部を有しており、前記絶縁性基板の端部に設けられると共に、前記長手部側が前記絶縁性基板の端部側に位置していることを特徴とする半田ランド。
【請求項２】
前記半田ランドは、角丸長方形であり、前記スルーホールが前記半田ランドの長手方向の一方に偏心した位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半田ランド。
【請求項３】
電子部品のリードと絶縁性基板のスルーホール周囲に設けられた半田ランドとをレーザー光を用いて半田付けするレーザー半田付け方法において、
前記半田ランドは、前記スルーホールが偏心した位置に配置されることにより短手部と長手部が形成されており、
前記絶縁性基板の端部に設けられると共に、
前記半田ランドの長手部側を前記絶縁性基板の端部側に位置させ、
前記レーザー光を前記半田ランドの前記スルーホールが偏心した方向又はその反対側の上部から前記半田ランドに照射することを特徴とするレーザー半田付け方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーを用いて電子部品等のリードをスルーホールを有する絶縁性基板に設けた半田ランドに半田付けを行う際の半田ランド及びレーザー半田付け方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁性基板に形成した内面に導電性材料によるメッキがされたスルーホールに電子部品のリードを挿入し、このスルーホールの周囲に設けられた導電性材料による半田ランドをレーザー光により半田付けすることが知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
このレーザー光により半田付けを行う際、図３に示すようにスルーホール１０２直上から半田ランド１０３にレーザー照射装置１１０よりレーザー光１１１を照射すると、スールーホール１０２を通してレーザー光１１１が電子部品１０４の樹脂部に達してしまう場合があり、電子部品１０４に損傷を及ぼす可能性がある。そのため、特許文献１のように、レーザー光１１１を斜めから照射することにより、スルーホール１０２を通してレーザー光１１１が電子部品１０４に達しないようにされている。
【０００４】
また、図４に示すように、レーザー光１１１を斜めより照射することにより、レーザー光１１１のスポット光が楕円形状となるため、特許文献２に記載のようなオバール形状（角丸長方形）の半田ランド１０７を採用することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１９２５７０号公報
【特許文献２】特開２０１１−０２９６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１においては、図３に示すように、レーザー光１１１を斜め上方から半田ランド１０３に向けて照射するものであるため、レーザー光１１１のスポットが略長円形状となる。このため、半田ランド１０３もレーザー光１１１のスポット形状に合わせ、略角丸長方形とする必要があり、この半田ランド１０３が長くなる分、他の電子部品１０４との間隔を設ける必要が生じ、電子部品１０４を搭載する面積が大きなものとなり、絶縁性基板１０１自体が大型化してしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、レーザー光による電子部品の樹脂部への影響をなくしつつ、電子部品のリードと半田ランドを確実に半田付けが行え、電子部品等の搭載部品との間隔を少なくすることができ、基板上で電子部品の搭載面積を少なくし、基板を小型化することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、スルーホールを有する絶縁性基板の前記スルーホールの周囲に設けられる半田ランドにおいて、前記半田ランドは、前記スルーホールが偏心した位置に配置されることにより短手部と長手部を有しており、前記絶縁性基板の端部近傍に設けられると共に、前記長手部側が前記絶縁性基板の端部側に位置していることを特徴とするものである。
【０００９】
さらに、上記の構成に加えて、前記半田ランドは、角丸長方形であり、前記スルーホールが前記半田ランドの長手方向の一方に偏心した位置に配置されていても良いものである。
【００１０】
また、さらに本発明は、電子部品のリードと絶縁性基板のスルーホール周囲に設けられた半田ランドとをレーザー光を用いて半田付けするレーザー半田付け方法において、前記半田ランドは、前記スルーホールが偏心した位置に配置されることにより短手部と長手部が形成されており、前記絶縁性基板の端部に設けられると共に、前記半田ランドの長手部側を前記絶縁性基板の端部側に位置させ、前記レーザー光を前記半田ランドの前記スルーホールが偏心した方向又はその反対側の上部から前記半田ランドに照射することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電子部品のリードと半田ランドを確実に半田付け行え、電子部品どうしの間隔を少なくすることができ、回路基板上で電子部品の搭載面積を少なくし、回路基板を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態である半田ランドを示した回路基板の上面図である。（ｂ）は本発明の第１の実施形態である半田ランドを示した回路基板の概略断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施形態である半田ランドを示した回路基板の上面図である。（ｂ）は本発明の第２の実施形態である半田ランドを示した回路基板の概略断面図である。
【図３】（ａ）は従来の半田ランドを示した回路基板の上面図である。（ｂ）は従来の半田ランドを示した回路基板の概略断面図である。
【図４】（ａ）は第２の従来の半田ランドを示した回路基板の上面図である。（ｂ）は第２の従来の半田ランドを示した回路基板の概略断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態について、図１を参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態である半田ランドを設けた回路基板１０を示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線概略断面図である。
【００１４】
図１に示されるように、本発明の第１の実施形態における回路基板１０は、絶縁性基板１と、絶縁性基板１に形成されたスルーホール２と、このスルーホール２の周囲に形成された半田ランド３と、電子部品２０とから構成されている。また、電子部品２０は素子部２１とリード部２２を有しており、前記スルーホール２にリード部２２が挿入され、半田付けが行われるものである。さらに、レーザー照射装置３０は、半田付けに必要となるレーザー光３１を半田ランド３に向けて照射するものである。
【００１５】
半田ランド３は略角丸長方形となっており、スルーホール２が長手方向の一方に偏心した位置に配置されている。これにより半田ランド３は半田ランド３の端部とスルーホール２が近接した短手部３ａとその他端部の長手部３ｂを有している。なお、角丸長方形とは、長方形の長手方向の両端部を円弧として形成した図１（ａ）に示した半田ランド３の形状をいうものである。
【００１６】
また、半田ランド３は絶縁性基板１の端部１ａの近傍に、前記長手部３ｂを向けて配置している。逆に、半田ランド３の短手部３ａは絶縁性基板１の中心部側に向けて配置されるものとなる。
【００１７】
前記スルーホール２には、電子部品２０のリード２２が挿入され、半田付けがされるものである。この際の半田付けには、レーザー照射装置３０からレーザー光３１を照射し、半田を溶融して行うものである。
【００１８】
このレーザー光の照射の際には、絶縁性基板１の垂直方向から行うとスルーホール２を通して、レーザー光３１が電子部品２０の素子部２１に達する場合があり、素子部２１が樹脂等で形成されている場合には損傷する可能性があるので、レーザー光３１がスルーホール２を介して樹脂部２１に達しないよう、レーザー光３１をスルーホールの真上からではなく、前記スルーホール２の例えば、短手部３ａ側の斜め上方から照射するようにレーザー照射装置３０が位置するものとなる。
【００１９】
これにより、絶縁性基板１上でのレーザー光３１の照射パターンは略楕円形となるためこれに併せた半田ランド３の形状が必要となる。本第１実施形態の場合、半田ランド３は前記したように略角丸長方形としており、レーザー光３１の照射パターンに合った形状となっている。この半田ランド３には前記したとおりスルーホール２が偏心した位置に配置されており、半田ランド３の短手部３ａを絶縁性基板１の中心側、判断ランド３の長手部３ｂが絶縁性基板１の端部１ａ側に位置している。
【００２０】
次に、上記半田ランド３の形状及び作用について説明を行う。
【００２１】
半田ランド３の長手部３ｂは、前記したように絶縁性基板１の端部に位置している。これは、通常、絶縁基板１の端部１ａは、図１（ａ）に点線で示すような所定の幅、電子部品２０を実装してはならない電子部品実施禁止区域が設けられるため、この区域に半田ランド３の長手部３ｂを位置させることにより絶縁基板１上の搭載面積を有効利用できるようにしたものである。このようにすると、この長手部３ｂとはスルーホール２に対して反対側に位置する短手部３ａは、半田ランド３に対してスルーホール２が偏心しているため、半田ランド３の面積が小さいものとなっているため、その分他の電子部品２０を搭載することができるものとなるため、この半田ランド３と他の電子部品２０の搭載距離を少なくするとこができ、絶縁性基板１の面積を少ないものとすることができる。
【００２２】
レーザー光３１を照射して半田付けを行う際に、この短手部３ａ側の上部からレーザー照射装置３０により斜めにレーザー光３１を照射するようにした場合、スルーホール２の位置が半田ランド３の中心にあるものと比べて、スルーホール２の位置を同じ位置とした場合には、半田ランド３が絶縁性基板１の端部に位置しているため、レーザー光を照射する位置も基板端部側へ移動し、その分、絶縁性基板１上の他の電子部品２０を搭載できる面積を広げることが可能となる。そのため、絶縁性基板１上での電子部品２０の搭載面積を少なくし、回路基板１０を小型化することが可能となる。 
【００２３】
図２は本発明の第２の実施形態である半田ランドを示した回路基板１０を示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ線概略断面図である。
【００２４】
図２は、上記した第１の実施形態とは、半田ランド３の形状を変えたものである。本第２の実施形態の場合、半田ランド３は略円形であり、従来の半田ランドと同様である。しかし、この半田ランド３に対して、スルーランド２の位置は偏心されており、これにより半田ランド３は半田ランド３の端部とスルーホール２が近接した短手部３ａとその他端部の長手部３ｂを有している。
【００２５】
半田ランド３は、第１の実施形態と同様に絶縁性基板１の端部１ａの近傍に、前記長手部３ｂを向けて配置している。逆に、半田ランド２の短手部３ａは絶縁性基板１の中心部側に向けて配置されるものとなる。なお、この場合でも、半田ランド３の大きさを調整することにより略円形でも、レーザー光３１を適切に半田ランド３に照射することができる。
【００２６】
他の構成については、第１の実施形態で説明したものと同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００２７】
本第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様に絶縁性基板１上での他の電子部品を搭載できる面積を広げることが可能となり、これにより、回路基板１０を小型化することが可能となるものである。
【００２８】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々に変形して実施をすることが可能である。
【符号の説明】
【００２９】
１        絶縁性基板
１ａ      基板端部
２        スルーホール
３        半田ランド
３ａ      短手部
３ｂ      長手部
１０      回路基板
２０      電子部品
２１      素子部
２２      リード
３０      レーザー光照射装置
３１      レーザー光
【図１】
2014197618.tif 000003
【図２】
2014197618.tif 000004
【図３】
2014197618.tif 000005
【図４】
2014197618.tif 000006