(57)【要約】      （修正有）【課題】ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる車両用回転電機を提供すること。【解決手段】ロードダンプ保護判定部１１１は、車両用発電機の出力電圧を監視し、出力電圧が第１のしきい値電圧を超えたときに、下アームを構成するＭＯＳトランジスタをオンする指示をドライバ１８２に対して行い、第１のしきい値電圧を超えた後に出力電圧が第１のしきい値電圧よりも低い第２のしきい値電圧よりも低くなったときに、ＭＯＳトランジスタを所定時間のオフの後にオンする指示をドライバ１８２に対して行うとともに、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４によって判定された励磁電流の状態に基づいて所定時間の長さを可変設定する。【選択図】図８
2014165983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転子の界磁極を磁化させる界磁巻線（４）と、
前記界磁極によって発生する回転磁界によって交流電圧を発生する多相巻線としての電機子巻線（２、３）を有する固定子と、
前記界磁巻線に供給する励磁電流を調整することにより出力電圧を制御する発電制御装置（７）と、
前記発電制御装置の制御によって前記界磁巻線に供給される励磁電流の状態を判定する励磁判定部（１２４）と、
スイッチング素子（５０、５１）によって複数の上アームおよび下アームを有するブリッジ回路が構成され、前記電機子巻線の誘起電圧を整流するスイッチング部（５、６）と、
前記スイッチング素子のオンオフを制御するスイッチング制御部（１００、１８０、１８２）と、
前記スイッチング部の出力電圧を監視し、前記出力電圧が第１のしきい値電圧を超えたときに、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオンする指示を前記スイッチング制御部に対して行い、前記第１のしきい値電圧を超えた後に前記出力電圧が前記第１のしきい値電圧よりも低い第２のしきい値電圧よりも低くなったときに、前記下アームを構成する前記スイッチング素子を所定時間のオフの後にオンする指示を前記スイッチング制御部に対して行うとともに、前記励磁判定部によって判定された励磁電流の状態に基づいて前記所定時間の長さを可変設定するロードダンプ保護判定部（１１１）と、
を備えることを特徴とする車両用回転電機。
【請求項２】
請求項１において、
前記ロードダンプ保護判定部は、励磁電流が多いときに前記所定時間を長く、反対に励磁電流が少ないときに前記所定時間を短く設定することを特徴とする車両用回転電機。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記励磁判定部は、出力電圧の低下速度に基づいて、励磁電流の通電量の程度を判定することを特徴とする車両用回転電機。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記発電制御装置は、前記界磁巻線が接続される励磁駆動端子を有しており、
前記励磁判定部は、前記励磁駆動端子から出力される信号に基づいて、励磁電流の通電量の程度を判定することを特徴とする車両用回転電機。
【請求項５】
請求項４において、
前記ロードダンプ保護判定部は、前記励磁駆動端子を介した励磁電流の供給が停止した後前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオンする指示を行うことを特徴とする車両用回転電機。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記電機子巻線の複数の出力端子のそれぞれに対応して設けられ、それぞれが前記励磁判定部、前記スイッチング部、前記ロードダンプ保護判定部を含む複数の整流器モジュールを備えることを特徴とする車両用回転電機。
【請求項７】
請求項６において、
前記発電制御装置は、前記電機子巻線の出力端子に接続された相電圧検出端子を有し、
前記整流器モジュールは、前記ロードダンプ保護判定部によるロードダンプ保護動作中に前記相電圧検出端子に向けて、回転検出が可能な回転検出信号を出力することを特徴とする車両用回転電機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、乗用車やトラック等に搭載される車両用回転電機に関する。
【背景技術】
【０００２】
車両用発電機は、出力端子に接続された充電線を介してバッテリや各種の電気負荷に充電電力や動作電力を供給している。この車両用発電機の発電動作時に出力端子やバッテリ端子が外れると、ロードダンプと称される過渡的な高電圧が発生する。このとき発生する電圧は、出力電流等にもよるが場合によっては１００Ｖ以上に達することがある。このようにして発生する高電圧は、電気負荷や車両用発電機内の各種素子の破損の原因になるため、何らかの対策（ロードダンプ保護）が必要になる。このような対策を行う従来技術としては、例えば車両用発電機のブリッジ回路のローサイド素子をＭＯＳトランジスタで構成し、ロードダンプ発生時に車両用発電機の出力電圧が基準電圧を超えたときにこれらのＭＯＳトランジスタをオンすることにより、高電圧の発生を抑制する保護動作を行うようにした車両用発電装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。この車両用発電装置では、ブリッジ回路のローサイド素子としての各ＭＯＳトランジスタをオンすることで出力電圧が再び基準電圧以下になると、各ＭＯＳトランジスタは再びオフされ、ブリッジ回路による通常の整流動作が再開されるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２１９９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に開示された車両用発電装置では、固定子に蓄積されたエネルギーが消滅するまでこのロードダンプ保護と解除が繰り返されるが、出力端子に接続されたノイズ除去用のコンデンサの容量が小さいとこの繰り返し回数が多くなって損失が蓄積され、ＭＯＳトランジスタ等が故障するおそれがある。特に、発電制御回路部によってフィールドコイルに励磁電流を供給していると、容量の小さいコンデンサから励磁電流が供給されるため、出力電圧が急激に低下する。その結果、発電制御回路部によって出力電圧が調整電圧以下と判定されるため、励磁電流の供給が停止せず、ロードダンプの収束に時間がかかる。
【０００５】
本発明は、このような点に鑑みて創作されたものであり、その目的は、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる車両用回転電機を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明の車両用回転電機は、界磁巻線、固定子、発電制御装置、励磁判定部、スイッチング部、スイッチング制御部、ロードダンプ保護判定部を備える。界磁巻線は、回転子の界磁極を磁化させる。固定子は、界磁極によって発生する回転磁界によって交流電圧を発生する多相巻線としての電機子巻線を有する。発電制御装置は、界磁巻線に供給する励磁電流を調整することにより出力電圧を制御する。励磁判定部は、発電制御装置の制御によって界磁巻線に供給される励磁電流の状態を判定する。スイッチング部は、スイッチング素子によって複数の上アームおよび下アームを有するブリッジ回路が構成され、電機子巻線の誘起電圧を整流する。スイッチング制御部は、スイッチング素子のオンオフを制御する。ロードダンプ保護判定部は、スイッチング部の出力電圧を監視し、出力電圧が第１のしきい値電圧を超えたときに、下アームを構成するスイッチング素子をオンする指示をスイッチング制御部に対して行う。また、ロードダンプ保護判定部は、第１のしきい値電圧を超えた後に出力電圧が第１のしきい値電圧よりも低い第２のしきい値電圧よりも低くなったときに、下アームを構成するスイッチング素子を所定時間のオフの後にオンする指示をスイッチング制御部に対して行う。さらに、ロードダンプ保護判定部は、励磁判定部によって判定された励磁電流の状態に基づいて所定時間の長さを可変設定する。
【０００７】
ロードダンプ発生時に、励磁電流の通電量が多い場合には出力電圧が第２のしきい値電圧以上の高い値となる時間を長くして、可能な限り界磁巻線に励磁電流が流れないようにすることができるため、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態の車両用発電機の構成を示す図である。
【図２】発電制御装置の詳細構成を示す図である。
【図３】整流器モジュールの構成を示す図である。
【図４】制御回路の詳細構成を示す図である。
【図５】上ＭＯＳ  ＶDS検出部による電圧比較の具体例を示す図である。
【図６】下ＭＯＳ  ＶDS検出部による電圧比較の具体例を示す図である。
【図７】温度検出部による温度検出結果の具体例を示す図である。
【図８】制御部の詳細構成を示す図である。
【図９】制御部によって行う同期整流制御（同期制御）の動作タイミング図である。
【図１０】同期制御開始判定を行うために必要な構成を示す図である。
【図１１Ａ】ロードダンプが発生していない通常時における相電圧を示す図である。
【図１１Ｂ】ロードダンプが発生した後のロードダンプ保護動作時の相電圧を示す図である。
【図１１Ｃ】ロードダンプ保護動作時のローサイド側のＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース間電圧を増幅した後の電圧波形を示す図である。
【図１２】同期制御開始判定の動作タイミングを示す図である。
【図１３】下ＭＯＳオフタイミング演算部によって設定されたオフタイミングが遅れた場合の相電圧波形の具体例を示す図である。
【図１４】出力電圧変動と上アーム・オン期間および下アーム・オン期間の関係を示す図である。
【図１５】同期制御停止判定を行うために必要な構成を示す図である。
【図１６】ロードダンプ発生時の動作手順を示す流れ図である。
【図１７】ロードダンプ発生時の動作タイミングを示す図である。
【図１８】第２の実施形態の整流器モジュールに含まれる制御部の詳細構成を示す図である。
【図１９】第２の実施形態におけるロードダンプ発生時の動作手順を示す流れ図である。
【図２０】第２の実施形態におけるロードダンプ発生時の動作タイミングを示す図である。
【図２１】整流器モジュールの変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の車両用回転電機を適用した一実施形態の車両用発電機について、図面を参照しながら説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１に示すように、第１の実施形態の車両用発電機１は、２つの固定子巻線（電機子巻線）２、３、界磁巻線４、２つの整流器モジュール群５、６、発電制御装置７、ツェナーダイオード３０を含んで構成されている。２つの整流器モジュール群５、６がスイッチング部に対応する。
【００１１】
一方の固定子巻線２は、多相巻線（例えばＸ相巻線、Ｙ相巻線、Ｚ相巻線からなる三相巻線）であって、固定子鉄心（図示せず）に巻装されている。同様に、他方の固定子巻線３は、多相巻線（例えばＵ相巻線、Ｖ相巻線、Ｗ相巻線からなる三相巻線）であって、上述した固定子鉄心に、固定子巻線２に対して電気角で３０度ずらした位置に巻装されている。本実施形態では、これら２つの固定子巻線２、３と固定子鉄心によって固定子が構成されている。
【００１２】
界磁巻線４は、固定子鉄心の内周側に対向配置された界磁極（図示せず）に巻装されて回転子を構成している。励磁電流を流すことにより、界磁極が磁化される。界磁極が磁化されたときに発生する回転磁界によって固定子巻線２、３が交流電圧を発生する。
【００１３】
一方の整流器モジュール群５は、一方の固定子巻線２に接続されており、全体で三相全波整流回路（ブリッジ回路）が構成され、固定子巻線２に誘起される交流電流を直流電流に変換する。この整流器モジュール群５は、固定子巻線２の相数に対応する数（三相巻線の場合には３個）の整流器モジュール５Ｘ、５Ｙ、５Ｚを備えている。整流器モジュール５Ｘは、固定子巻線２に含まれるＸ相巻線に接続されている。整流器モジュール５Ｙは、固定子巻線２に含まれるＹ相巻線に接続されている。整流器モジュール５Ｚは、固定子巻線２に含まれるＺ相巻線に接続されている。
【００１４】
他方の整流器モジュール群６は、一方の固定子巻線３に接続されており、全体で三相全波整流回路（ブリッジ回路）が構成され、固定子巻線３に誘起される交流電流を直流電流に変換する。この整流器モジュール群６は、固定子巻線３の相数に対応する数（三相巻線の場合には３個）の整流器モジュール６Ｕ、６Ｖ、６Ｗを備えている。整流器モジュール６Ｕは、固定子巻線３に含まれるＵ相巻線に接続されている。整流器モジュール６Ｖは、固定子巻線３に含まれるＶ相巻線に接続されている。整流器モジュール６Ｗは、固定子巻線３に含まれるＷ相巻線に接続されている。
【００１５】
発電制御装置７は、Ｆ端子（励磁駆動端子）を介して接続された界磁巻線４に流す励磁電流を制御する励磁制御回路であって、励磁電流を調整することにより車両用発電機１の出力電圧（発電電圧、各整流器モジュールの出力電圧）ＶB が調整電圧Ｖreg になるように制御する。例えば、発電制御装置７は、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg よりも高くなったときに界磁巻線４への励磁電流の供給を停止し、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg よりも低くなったときに界磁巻線４に励磁電流の供給を行うことにより、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg になるように制御する。また、発電制御装置７は、Ｐ端子に印加される固定子巻線のいずれかの相電圧（例えばＸ相）に基づいて回転子の回転数を検出し、回転停止を検出したときに界磁巻線４への励磁電流の供給を停止あるいは低減する。さらに、発電制御装置７は、通信端子Ｌおよび通信線を介してＥＣＵ８（外部制御装置）と接続されており、ＥＣＵ８との間で双方向のシリアル通信（例えば、ＬＩＮ（Local Interconnect Network）プロトコルを用いたＬＩＮ通信）を行い、通信メッセージを送信あるいは受信する。
【００１６】
ツェナーダイオード３０は、２つの整流器モジュール群５、６の出力に並列接続されている。具体的には、車両用発電機１の出力端子側がカソード、アース側がアノードとなるようにツェナーダイオード３０が配置されている。
【００１７】
図２に示すように、発電制御装置７は、ＭＯＳトランジスタ７１、還流ダイオード７２、抵抗７３、７４、電圧比較回路７５、励磁電流制御回路７６、回転検出回路７７、通信回路７８、電源回路７９、コンデンサ８０を有している。通信回路７８は、ＥＣＵ８との間でシリアル通信を行う。これにより、ＥＣＵ８から送られてくる調整電圧Ｖreg 等のデータを受信することができる。
【００１８】
抵抗７３、７４は、分圧回路を構成し、車両用発電機１の発電電圧（出力電圧）を分圧した電圧を電圧比較回路７５に入力する。電圧比較回路７５は、抵抗７３、７４で分圧された発電電圧と、通信回路７８によって受信した調整電圧Ｖreg に対応する基準電圧とを比較する。例えば、比較結果として、基準電圧の方が発電電圧よりも高い場合にはハイレベルの信号が出力され、反対に発電電圧の方が基準電圧よりも高い場合にはローレベルの信号が出力される。
【００１９】
励磁電流制御回路７６は、電圧比較回路７５の出力（電圧比較結果）に基づいてＭＯＳトランジスタ７１をオンオフ制御することにより、界磁巻線４に対する励磁電流の供給および停止を行う。なお、界磁電流を「供給」するとは、ＭＯＳトランジスタ７１をオンして界磁巻線４に励磁電流を連続的に流す場合の他に、通常動作時（異常が発生していない状態）に出力電流の増加を意図してＭＯＳトランジスタ７１を高いオンデューティで断続的にオンして界磁巻線４に電流を流す場合を含んでいる。一方、界磁電流（の供給）を「停止」するとは、ＭＯＳトランジスタ７１を連続的にオフする場合の他に、通常動作時に出力電流の減少を意図してＭＯＳトランジスタ７１を低いオンデューティで断続的にオンして界磁巻線４に電流を流す場合を含んでいる。また、出力電流の急激な変動を抑えるために、界磁電流を徐々に変化させる徐励制御等を励磁電流制御回路７６によって行うようにしてもよい。
【００２０】
回転検出回路７７は、Ｐ端子および高インピーダンスの抵抗２０（図１、図２）を介して一方の固定子巻線２のＸ相巻線が接続されており、Ｘ相巻線の端部に現れる相電圧ＶP に基づいて、具体的には、相電圧と回転検出用の基準電圧の大小関係が周期的に変化することを検出して回転検出を行っている。整流器モジュール５Ｘや固定子巻線２などに短絡故障が発生していない正常時には、発電時にＰ端子には所定の振幅を有する相電圧ＶP が現れるため、この相電圧ＶP に基づく回転検出が可能となる。
【００２１】
励磁電流制御回路７６は、回転検出回路７７による回転検出結果が入力されており、回転検出中は発電動作に必要な励磁電流を界磁巻線４に供給するために必要な信号を出力するが、回転停止（回転検出不能）が検出されると、初期励磁に必要な信号を出力する。
【００２２】
電源回路７９は、発電制御装置７に含まれる各回路に動作電圧を供給する。コンデンサ８０は、整流器モジュール群５、６の出力端子から侵入するノイズを除去するためのものであり、例えば１μＦ程度の容量を有している。
【００２３】
本実施形態の車両用発電機１はこのような構成を有しており、次に、整流器モジュール５Ｘの詳細について説明する。なお、他の整流器モジュール５Ｙ、５Ｚ、６Ｕ、６Ｖ、６Ｗも同じ構成を有している。図３に示すように、整流器モジュール５Ｘは、２つのＭＯＳトランジスタ５０、５１、制御回路５４を備えている。
【００２４】
ＭＯＳトランジスタ５０は、ソースが固定子巻線２のＸ相巻線に接続され、ドレインが充電線１２を介して電気負荷１０やバッテリ９の正極端子に接続された上アーム（ハイサイド側）のスイッチング素子である。ＭＯＳトランジスタ５１は、ドレインがＸ相巻線に接続され、ソースがバッテリ９の負極端子（アース）に接続された下アーム（ローサイド側）のスイッチング素子である。これら２つのＭＯＳトランジスタ５０、５１からなる直列回路がバッテリ９の正極端子と負極端子の間に配置され、これら２つのＭＯＳトランジスタ５０、５１の接続点にＰ端子（相電圧検出端子）を介してＸ相巻線が接続されている。
【００２５】
ＭＯＳトランジスタ５０、５１のそれぞれのソース・ドレイン間にはダイオードが並列接続されている。このダイオードはＭＯＳトランジスタ５０、５１の寄生ダイオード（ボディダイオード）によって実現されるが、別部品としてのダイオードをさらに並列接続するようにしてもよい。なお、上アームおよび下アームの少なくとも一方を、ＭＯＳトランジスタ以外のスイッチング素子を用いて構成するようにしてもよい。
【００２６】
図４に示すように、制御回路５４は、制御部１００、出力電圧検出部１１０、上ＭＯＳ ＶDS検出部１２０、下ＭＯＳ ＶDS検出部１３０、上ＭＯＳ短絡故障確認部１４０、下ＭＯＳ ＶDS増幅部１４２、通電方向判定部１４４、温度検出部１５０、回転検出信号送信部１６０、電源１７０、ドライバ１８０、１８２を備えている。
【００２７】
電源１７０は、制御回路５４に含まれる各素子に動作電圧を供給する。この電源１７０の起動、停止は、制御部１００からの指示に応じて行われる。
【００２８】
ドライバ１８０は、出力端子（Ｇ１）がハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のゲートに接続されており、ＭＯＳトランジスタ５０をオンオフする駆動信号を生成する。同様に、ドライバ１８２は、出力端子（Ｇ２）がローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のゲートに接続されており、ＭＯＳトランジスタ５１をオンオフする駆動信号を生成する。
【００２９】
出力電圧検出部１１０は、例えば差動増幅器とその出力をデジタルデータに変換するアナログ−デジタル変換器によって構成されており、車両用発電機１（あるいは整流器モジュール５Ｘ）の出力端子（Ｂ端子）の電圧ＶB に対応するデータを出力する。なお、アナログ−デジタル変換器は、制御部１００側に設けるようにしてもよい。
【００３０】
上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０は、Ｂ端子とＰ端子に接続されており、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間電圧ＶDSを検出し、検出したドレイン・ソース間電圧ＶDSを所定のしきい値と比較してその大小に応じた信号を出力する。図５において、横軸はドレイン側の出力電圧ＶB を基準としたドレイン・ソース間電圧ＶDSを示している。また、縦軸は上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０から出力される信号の電圧レベルを示している。図５に示すように、相電圧ＶP が高くなって出力電圧ＶB よりも０．３Ｖ以上高くなるとＶDSが０．３Ｖ以上になるため、上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０の出力信号がローレベル（０Ｖ）からハイレベル（５Ｖ）に変化する。その後、相電圧ＶP が出力電圧ＶB よりも１．０Ｖ以上低くなるとＶDSが−１．０Ｖ以下になるため、上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０の出力信号がハイレベルからローレベルに変化する。
【００３１】
上述した出力電圧ＶB よりも０．３Ｖ高い値が図９のしきい値Ｖ１０に対応している。このしきい値Ｖ１０は、ダイオード通電期間の開始時点を確実に検出するためのものであり、出力電圧ＶB にオン時のＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間電圧ＶDSを加算した値よりも高く、出力電圧ＶB にＭＯＳトランジスタ５０と並列接続されたダイオードの順方向電圧ＶＦを加算した値よりも低い値に設定されている。また、上述した出力電圧ＶB よりも１．０Ｖ低い値が図９のしきい値Ｖ２０に対応している。このしきい値Ｖ２０は、ダイオード通電期間の終了時点を確実に検出するためのものであり、出力電圧ＶB よりも低い値に設定されている。相電圧ＶP がしきい値Ｖ１０に達した後にしきい値Ｖ２０に達するまでを上アームの「オン期間」としている。なお、このオン期間は、ＭＯＳトランジスタ５０がオフ状態のときに実際にダイオードに通電される「ダイオード通電期間」とは開始時点と終了時点がずれているが、本実施形態の同期制御はこのオン期間に基づいて行われる。
【００３２】
下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０は、Ｐ端子とグランド端子（Ｅ端子）に接続されており、ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のドレイン・ソース間電圧ＶDSを検出し、検出したドレイン・ソース間電圧ＶDSを所定のしきい値と比較してその大小に応じた信号を出力する。図６において、横軸はドレイン側のバッテリ負極端子電圧であるグランド端子電圧ＶGND を基準としたドレイン・ソース間電圧ＶDSを示している。また、縦軸は下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０から出力される信号の電圧レベルを示している。図６に示すように、相電圧ＶP が低くなってグランド電圧ＶGND よりも０．３Ｖ以上低くなるとＶDSが−０．３Ｖ以下になるため、下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号がローレベル（０Ｖ）からハイレベル（５Ｖ）に変化する。その後、相電圧ＶP がグランド電圧ＶGND よりも１．０Ｖ以上高くなるとＶDSが１．０Ｖ以上になるため、下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号がハイレベルからローレベルに変化する。
【００３３】
上述したグランド電圧ＶGND よりも０．３Ｖ低い値が図９のしきい値Ｖ１１に対応している。このしきい値Ｖ１１は、ダイオード通電期間の開始時点を確実に検出するためのものであり、グランド電圧ＶGND からオン時のＭＯＳトランジスタ５１のドレイン・ソース間電圧ＶDSを減算した値よりも低く、グランド電圧ＶGND からＭＯＳトランジスタ５１と並列接続されたダイオードの順方向電圧ＶＦを減算した値よりも高い値に設定されている。また、上述した出力電圧ＶGND よりも１．０Ｖ高い値が図９のしきい値Ｖ２１に対応している。このしきい値２１は、ダイオード通電期間の終了時点を確実に検出するためのものであり、グランド電圧ＶGND よりも高い値に設定されている。相電圧ＶP がしきい値Ｖ１１に達した後にしきい値Ｖ２１に達するまでを下アームの「オン期間」としている。なお、このオン期間は、ＭＯＳトランジスタ５１がオフ状態のときに実際にダイオードに通電される「ダイオード通電期間」とは開始時点と終了時点がずれているが、本実施形態の同期整流はこのオン期間に基づいて行われる。
【００３４】
温度検出部１５０は、例えばＭＯＳトランジスタ５０、５１に隣接配置された感温ダイオードの順方向電圧に基づいてＭＯＳトランジスタ５０、５１の温度を検出し、温度が高いときにハイレベル、低いときにローレベルの信号を出力する。この温度検出部１５０は、制御部１００に含ませるようにしてもよい。図７において、横軸は温度（°Ｃ）を示している。また、縦軸は温度検出部１５０から出力される信号の電圧レベルを示している。図７に示すように、温度が上昇していって２００°Ｃ以上になると、温度検出部１５０の出力信号がローレベル（０Ｖ）からハイレベル（５Ｖ）に変化する。その後、温度が低下していって１７０°Ｃよりも低くなると、温度検出部１５０の出力信号がハイレベルからローレベルに変化する。
【００３５】
上ＭＯＳ短絡故障確認部１４０は、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間の短絡故障が生じていないことを確認する。この短絡故障には、ＭＯＳトランジスタ５０自身が故障した場合の他に、このＭＯＳトランジスタ５０を駆動するドライバ１８０が故障してＭＯＳトランジスタ５０が常時オンされる場合も含まれる。ＭＯＳトランジスタ５０やドライバ１８０に故障が生じていない場合には、相電圧ＶP は、出力電圧ＶB とグランド電圧ＶGND の間で周期的に変化する。一方、ＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間が常時短絡された状態になると、相電圧ＶP は、出力電圧ＶB 近傍で固定される。上ＭＯＳ短絡故障確認部１４０は、相電圧ＶP が周期的に変化していることを検出することにより、ＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間の短絡故障が生じていないことを確認し、出力をローレベルとする。反対に、ＭＯＳトランジスタ５０のドレイン・ソース間の短絡故障が生じている場合には、上ＭＯＳ短絡故障確認部１４０は、出力をハイレベルにする。
【００３６】
下ＭＯＳ ＶDS増幅部１４２は、オン時のローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のドレイン・ソース間電圧ＶDSを、例えば５倍（−０．５Ｖ〜＋０．５Ｖ）に増幅する（図１１Ｃ）。通電方向判定部１４４は、下ＭＯＳ ＶDS増幅部１４２によって増幅された後のドレイン・ソース間電圧ＶDSに基づいて、ＭＯＳトランジスタ５１に流れる電流の向きを判定する。具体的には、通電方向判定部１４４は、例えば＋０．３５Ｖに設定されたしきい値電圧と、増幅後のドレイン・ソース間電圧ＶDSとを比較し、しきい値電圧の方が高いとき（図１１Ｃの範囲Ｗ）にハイレベルの信号を出力し、それ以外のときにローレベルの信号を出力する。
【００３７】
回転検出信号送信部１６０は、ロードダンプ保護動作時に擬似的な回転検出信号を生成し、ＲＰ端子を介して出力する。このようにしてＲＰ端子から出力される回転検出信号は、発電制御装置７のＰ端子に入力される（図２）。
【００３８】
制御部１００は、同期整流動作を開始および終了するタイミングの判定、同期整流を実施するためのＭＯＳトランジスタ５０、５１のオン／オフタイミングの設定、このオン／オフタイミングの設定に対応したドライバ１８０、１８２の駆動、ロードダンプ保護動作移行や過熱保護動作移行のタイミング判定および保護動作の実施、正常に整流動作が行われているか否かの判定、異常状態が発生しているか否かの判定などを行う。
【００３９】
図８に示すように、制御部１００は、回転数演算部１０１、同期制御開始判定部１０２、上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３、下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４、目標電気角設定部１０５、上ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０６、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７、下ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０８、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９、ロードダンプ保護判定部１１１、電源起動・停止判定部１１２、オフタイミング異常判定部１２１、同期制御停止判定部１２２、過熱保護部１２３、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４を備えている。これらの各構成は、例えばメモリ等に記憶された所定の動作プログラムをＣＰＵで実行することにより実現されるが、各構成をハードウエアを用いて実現するようにしてもよい。また、各構成の具体的な動作内容については後述する。
【００４０】
上述した制御部１００、ドライバ１８０、１８２がスイッチング制御部に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４が励磁判定部にそれぞれ対応する。本実施形態の整流器モジュール５Ｘ等はこのような構成を有しており、次にその動作を説明する。
【００４１】
（１）電源起動・停止判定
電源起動・停止判定部１１２は、Ｐ端子に接続されており、整流器モジュール５Ｘが接続された固定子巻線２のＸ相の相電圧（ピーク電圧）が所定値（例えば５Ｖ）を超えたことを検出したときに、電源１７０に起動を指示する。また、電源起動・停止判定部１１２は、この相電圧が所定値（５Ｖ）以下になった状態が所定時間（例えば１秒）継続したときに電源１７０に停止を指示する。このようにして車両用発電機１の発電時のみ整流器モジュール５Ｘ等を動作させており、発電せずに停止している場合に、必要最小限の回路しか動作させないため、暗電流を低減し、バッテリ上がりを防止することができる。
【００４２】
（２）同期制御動作
図９において、「上アーム・オン期間」は上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０の出力信号を、「上ＭＯＳオン期間」はハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のオン／オフタイミングをそれぞれ示している。また、「下アーム・オン期間」は下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号を、「下ＭＯＳオン期間」はローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のオン／オフタイミングをそれぞれ示している。また、ＴFB1 、ＴFB2 、目標電気角、ΔＴについては後述する。
【００４３】
上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３は、上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０の出力信号（上アーム・オン期間）を監視しており、この出力信号のローレベルからハイレベルへの立ち上がりをハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のオンタイミングとして判定し、ドライバ１８０に指示を送る。ドライバ１８０は、この指示に応じてＭＯＳトランジスタ５０をオンする。
【００４４】
上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７は、ＭＯＳトランジスタ５０がオンされてから所定時間経過後をＭＯＳトランジスタ５０のオフタイミングとして判定し、ドライバ１８０に指示を送る。ドライバ１８０は、この指示に応じてＭＯＳトランジスタ５０をオフする。
【００４５】
このオフタイミングを決定する所定時間は、上アーム・オン期間の終了時点（上ＭＯＳ  ＶDS検出部１２０の出力信号がハイレベルからローレベルに立ち下がる時点）よりも「目標電気角」だけ早くなるように、その都度可変設定される。
【００４６】
この目標電気角は、ＭＯＳトランジスタ５０を常時オフしてダイオードを通して整流を行う場合を考えたときに、このダイオード整流における通電期間の終了時点よりもＭＯＳトランジスタ５０のオフタイミングが遅くならないようにするためのマージンであり、目標電気角設定部１０５によって設定される。目標電気角設定部１０５は、回転数演算部１０１によって演算された回転数に基づいて目標電気角を設定する。この目標電気角は、回転数に関係なく一定でもよいが、より望ましくは、低回転領域および高回転領域において目標電気角を大きく、その中間領域において目標電気角を小さく設定するようにしてもよい。
【００４７】
回転数演算部１０１は、下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号の立ち上がり周期あるいは立ち下がり周期に基づいて回転数を演算している。下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号を用いることにより、車両用発電機１の出力電圧ＶB の変動に関係なく、安定した回転数検出が可能になる。
【００４８】
同様に、下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４は、下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号（下アーム・オン期間）を監視しており、この出力信号のローレベルからハイレベルへの立ち上がりをローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のオンタイミングとして判定し、ドライバ１８２に指示を送る。ドライバ１８２は、この指示に応じてＭＯＳトランジスタ５１をオンする。
【００４９】
下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９は、ＭＯＳトランジスタ５１がオンされてから所定時間経過後をＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングとして判定し、ドライバ１８２に指示を送る。ドライバ１８２は、この指示に応じてＭＯＳトランジスタ５１をオフする。
【００５０】
このオフタイミングを決定する所定時間は、下アーム・オン期間の終了時点（下ＭＯＳ  ＶDS検出部１３０の出力信号がハイレベルからローレベルに立ち下がる時点）よりも「目標電気角」だけ早くなるように、その都度可変設定される。
【００５１】
この目標電気角は、ＭＯＳトランジスタ５１を常時オフしてダイオードを通して整流を行う場合を考えたときに、このダイオード整流における通電期間の終了時点よりもＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングが遅くならないようにするためのマージンであり、目標電気角設定部１０５によって設定される。
【００５２】
ところで、実際には、上アーム・オン期間や下アーム・オン期間の終了時点は、ＭＯＳトランジスタ５０、５１をオフする時点ではわかっていないため、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７や下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９は、半周期前の情報をフィードバックすることにより、ＭＯＳトランジスタ５０やＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングの設定精度を上げている。
【００５３】
例えば、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０のオフタイミングは以下のようにして設定される。下ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０８は、半周期前のローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１をオフしてから下アーム・オン期間の終了時点までの時間（電気角）ＴFB2 （図９）を演算し、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７は、このＴFB2 から目標電気角を差し引いたΔＴを求める。回転等が安定していればＴFB2 と目標電気角とが等しくなってΔＴ＝０となるはずであるが、（１）車両の加減速に伴う回転変動、（２）エンジン回転の脈動、（３）電気負荷の変動、（４）所定のプログラムを実行して制御部１００を実現する場合の動作クロック周期の変動、（５）ドライバ１８０、１８２にＭＯＳトランジスタ５０、５１をオフする指示を出してから実際にオフされるまでのターンオフ遅れ、などに伴ってΔＴが０にならないことが多い。
【００５４】
そこで、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７は、半周期前に下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９で用いられた下ＭＯＳオン期間をΔＴに基づいて補正して上ＭＯＳオン期間を設定し、ＭＯＳトランジスタ５０のオフタイミングを決定している。具体的には、補正係数をαとしたときに、上ＭＯＳオン期間は、以下の式で設定される。
【００５５】
（上ＭＯＳオン期間）＝（半周期前の下ＭＯＳオン期間）＋ΔＴ×α
同様に、ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングは以下のようにして設定される。上ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０６は、半周期前のハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０をオフしてから上アーム・オン期間の終了時点までの時間（電気角）ＴFB1 （図９）を演算し、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９は、このＴFB1 から目標電気角を差し引いたΔＴを求める。下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９は、半周期前に上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７で用いられた上ＭＯＳオン期間をΔＴに基づいて補正して下ＭＯＳオン期間を設定し、ＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングを決定している。具体的には、補正係数をαとしたときに、下ＭＯＳオン期間は、以下の式で設定される。
【００５６】
（下ＭＯＳオン期間）＝（半周期前の上ＭＯＳオン期間）＋ΔＴ×α
このようにして、ダイオード整流を行う場合と同じ周期で、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０とローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１が交互にオンされ、ＭＯＳトランジスタ５０、５１を用いた低損失の同期整流動作が行われる。
【００５７】
（３）同期制御の開始判定
次に、上述した同期制御に移行するか否かの判定動作について説明する。整流器モジュール５Ｘ等が起動された直後や、何らかの異常が発生して同期制御を一旦停止した後は、所定の同期制御開始条件を満たす場合に同期制御に移行する。同期制御開始判定部１０２は、同期制御開始条件を満たすか否かの判定を行い、満たすと判断した場合にその旨の通知が上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３と下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４に送られる。以後、上述した同期制御が実施されて、ＭＯＳトランジスタ５０、５１が交互にオンされる。
【００５８】
同期制御開始条件としては、以下の（Ａ）〜（Ｆ）が用いられる。
（Ａ）上アーム・オン期間と下アーム・オン期間（図９）が上下連続して３２回発生する。なお、３２回は、８極の回転子を想定し、機械角２回転分に相当する値である。この値は、１回転に相当する値である１６や、３回転以上に相当する値、あるいは機械角１回転の整数倍に相当する値以外に変更してもよい。
（Ｂ）出力電圧ＶB が正常範囲である７Ｖより高く１８Ｖよりも低い範囲に含まれる。なお、１２Ｖ系の車両システムを想定して正常範囲の下限値を７Ｖ、上限値を１８Ｖとしたが、これらの下限値および上限値は適宜変更するようにしてもよい。また、２４Ｖ系等の車両システムでは、発電電圧に合わせて下限値および上限値を変更する必要がある。
（Ｃ）ＭＯＳトランジスタ５０、５１について過熱状態の判定がなされていない。
（Ｄ）ロードダンプ保護動作中でない。
（Ｅ）出力電圧ＶB の変動が０．５Ｖ／２００μ秒よりも小さい。なお、同期制御を開始したときにこの変動がどの程度許容されるかは、使用する素子やプログラムによって変化するため、この変動の許容値は、使用する素子等に応じて適宜変更するようにしてもよい。
（Ｆ）ＴFB1、ＴFB2がともに１５μ秒より長い。なお、これらの期間がどの程度以下になると異常といえるかは、異常の発生原因等によって変化するため、この許容値（１５μ秒）は、異常発生原因等に応じて適宜変更するようにしてもよい。また、ＴFB1、ＴFB2は、上ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０６、下ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０８によって同期制御動作中に演算されるものとして説明したが、同期制御開始前であってもこれらの演算は行われており、同期制御の開始判定に用いられる。
【００５９】
図１０において、ロードダンプ保護判定部１１１は、出力電圧ＶB が２０Ｖを超えたときに、車両用発電機１の出力端子やバッテリ端子が外れてサージ電圧が発生するロードダンプを検出し、ドライバ１８０、１８２に指示を送ってハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０をオフするとともに、ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１をオンするロードダンプ保護動作を開始する。また、ロードダンプ保護判定部１１１は、一旦２０Ｖ（第１のしきい値電圧Ｖ１）よりも高くなった出力電圧ＶB が低下して１７Ｖ（第２のしきい値電圧Ｖ２）より低くなったときに、所定期間のオフの後再度ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１をオンする。ロードダンプ保護動作を終了する。ロードダンプ保護判定部１１１は、ロードダンプ保護動作中はハイレベル、それ以外のときにローレベルとなる信号を同期制御開始判定部１０２に向けて出力する。
【００６０】
なお、ロードダンプ保護動作の開始あるいは終了時にＭＯＳトランジスタ５０、５１のオン／オフによって新たなサージ電圧が発生することを避けるため、ロードダンプ保護判定部１１１は、図９に示す下アーム・オン期間の間にロードダンプ保護動作の開始あるいは終了を行うようにしている。
【００６１】
同期制御が行われる通常時には、図１１Ａに示すように、相電圧ＶP は、出力電圧ＶB （バッテリ９の正極端子電圧）近傍の下限値とグランド端子電圧ＶGND 近傍の上限値との間で周期的に変化している。一方、ロードダンプ発生時には、ハイサイド側のＭＯＳトランジスタ５０がオフされ、ローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１がオンされ、この状態が維持される。したがって、図１１Ｂに示すように、相電圧ＶP は、グランド端子電圧ＶGND を中心に、ＭＯＳトランジスタ５１のオン時のドレイン・ソース間電圧ＶDSの範囲で周期的に変化するようになる。なお、図１１Ｂに示す例では、ＭＯＳトランジスタ５１のオン時のドレイン・ソース間電圧ＶDSが、例えば０．１Ｖとして図示されている。但し、このドレイン・ソース間電圧ＶDSは、使用するＭＯＳトランジスタ５１の仕様やゲート電圧等に応じて異なる。
【００６２】
図４に示した下ＭＯＳ ＶDS増幅部１４２は、オン時のＭＯＳトランジスタ５１のドレイン・ソース間電圧ＶDSを、例えば５倍（−０．５Ｖ〜＋０．５Ｖ）に増幅する（図１１Ｃ）。また、通電方向判定部１４４は、例えば＋０．３５Ｖに設定されたしきい値電圧と、増幅後のドレイン・ソース間電圧ＶDSとを比較し、しきい値電圧の方が高いとき（範囲Ｗ）にハイレベルの信号を出力し、それ以外のときにローレベルの信号を出力する。
【００６３】
図１１Ｃにおいて、Ｗで示された範囲は、通常時にローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１がオンされるタイミングにほぼ対応している。本実施形態では、このＷの範囲を、ロードダンプ保護動作を開始あるいは終了させるタイミングとしている。すなわち、このＷの範囲に含まれていれば、ロードダンプ保護動作を開始するためにローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１をオンしたときに、このＭＯＳトランジスタ５１に並列接続されたダイオードの順方向と同じ方向にＭＯＳトランジスタ５１を介して電流が流れることになるため、サージ電圧の発生を抑制することができる。また、このＷの範囲に含まれていれば、ロードダンプ保護動作を終了するためにローサイド側のＭＯＳトランジスタ５１をオフする前に、このＭＯＳトランジスタ５１を介して流れる電流の向きと、オフした後に、このＭＯＳトランジスタ５１に並列接続されたダイオードを介して流れる電流の向きが同じになるため、サージ電圧の発生を抑制することができる。
【００６４】
なお、上述したしきい値電圧にはヒステリシス特性を持たせるようにしてもよい。例えば、ドレイン・ソース間電圧ＶDSの方が低い場合のしきい値電圧を＋０．３５Ｖとし、ドレイン・ソース間電圧ＶDSの方が高くなった後のしきい値電圧を＋０．３Ｖとする場合が考えられる。これにより、ドレイン・ソース間電圧ＶDSがしきい値電圧付近で変更した場合に、通電方向判定部１４４の出力信号のレベルが頻繁に切り替わることを防止することができる。
【００６５】
ＶB 範囲判定部１１３は、出力電圧検出部１１０によって検出された出力電圧ＶB が７〜１８Ｖの範囲に含まれているか否かを判定し、含まれている場合にはローレベル、含まれていない場合（７Ｖ以下か１８Ｖ以上の場合）にはハイレベルの信号を出力する。ＶB 変動判定部１１４は、出力電圧検出部１１０によって検出された出力電圧ＶB の変動が０．５Ｖ／２００μ秒よりも小さいか否かを判定し、小さい場合にはローレベル、大きい場合にはハイレベルの信号を出力する。ＴFB時間判定部１１５は、上ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０６によって検出されたＴFB1 と、下ＭＯＳ・ＴFB時間演算部１０８によって検出されたＴFB2 のそれぞれが１５μ秒よりも長いか否かを判定し、長い場合にはローレベル、以下の場合にハイレベルの信号を出力する。
【００６６】
過熱保護部１２３は、温度検出部１５０の出力信号に基づいて過熱状態発生の有無を判定するとともに、過熱状態発生時には過熱保護動作を行う。過熱状態になると、過熱保護部１２３は、その旨を示す過熱フラグをセットし、この過熱フラグに対応する出力信号をハイレベルにする。
【００６７】
なお、図１０では、ＶB 範囲判定部１１３、ＶB 変動判定部１１４、ＴFB時間判定部１１５を同期制御開始判定部１０２の外部に設けたが、同期制御開始判定部１０２に内蔵するようにしてもよい。また、上述した例では、（Ａ）〜（Ｆ）の全ての条件を満たす場合に同期制御を開始する場合を想定したが、（Ｂ）〜（Ｆ）の少なくとも一つと（Ａ）とを組み合わせて同期制御開始条件としてもよい。
【００６８】
図１２において、「カウント値」は上アーム・オン期間と下アーム・オン期間のそれぞれの立ち上がり（開始タイミング）に同期したカウント値を、「ＴFB時間フラグ」はＴFB時間判定部１１５の出力を、「電圧範囲フラグ」はＶB 範囲判定部１１３の出力を、「ＬＤフラグ」はロードダンプ保護判定部１１１の出力を、「過熱フラグ」は過熱保護部１２３の出力を、「電圧変動フラグ」はＶB 変動判定部１１４の出力をそれぞれ示している。
【００６９】
同期制御開始判定部１０２は、上アーム・オン期間と下アーム・オン期間のそれぞれの立ち上がりに同期したカウント動作を行い、このカウント動作のカウント値が「３２」に達したときに同期制御開始を示す信号（ローレベルが同期制御開始を示し、ハイレベルが同期制御停止を示している）を上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３および下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４に入力する。上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３および下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４では、同期制御開始を示す信号が入力されると、ＭＯＳトランジスタ５０、５１を交互にオンする同期制御を開始する。
【００７０】
ところで、同期制御開始判定部１０２は、上アーム・オン期間と下アーム・オン期間の立ち上がりの間隔が電気角で１周期以下であること、ＴFB時間判定部１１５、ＶB 範囲判定部１１３、ロードダンプ保護判定部１１１、過熱保護部１２３、ＶB 変動判定部１１４の各出力（ＴFB時間フラグ、電圧範囲フラグ、ＬＤフラグ、過熱フラグ、電圧変動フラグ）が全てローレベルであること、を条件に上述したカウント動作を継続する。反対に、同期制御開始判定部１０２は、カウント値が３２に達するまでに、上アーム・オン期間と下アーム・オン期間の立ち上がりの間隔が電気角で１周期を超えたり、ＴFB時間判定部１１５、ＶB 範囲判定部１１３、ロードダンプ保護判定部１１１、過熱保護部１２３、ＶB 変動判定部１１４のいずれかの出力がハイレベルになった場合には、カウント値を０にリセットし、カウント動作継続の条件を満たすようになってからカウント動作を再開する。
【００７１】
（４）同期制御の停止判定
次に、上述した同期制御中に同期制御を停止するか否かの判定動作について説明する。同期制御停止判定部１２２は、同期制御中に所定の同期制御停止条件を満たすか否かの判定を行い、満たすと判断した場合にその旨の通知が同期制御開始判定部１０２、上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３、下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９に送られる。以後、同期制御開始判定部１０２によって同期制御が開始されるまで同期制御が停止される。
【００７２】
同期制御停止条件としては、以下の（ａ）〜（ｅ）が用いられる。
（ａ）下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９によって設定されたＭＯＳトランジスタ５１のオフタイミングから、相電圧ＶP が上昇していって次にＭＯＳトランジスタ５０のオンタイミングを判定するために用いられた第１のしきい値に達するまでの時間が所定時間よりも短い。
【００７３】
この所定時間は、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９によってオフタイミングを指示してから実際にドライバ１８２によってＭＯＳトランジスタ５１がオフされるまでの時間、具体的には、ドライバ１８２によってＭＯＳトランジスタ５１をオフする際のＭＯＳトランジスタ５１の駆動能力に応じて設定される。オフタイミング異常判定部１２１は、この条件を満たす場合（所定時間よりも短い場合）にハイレベル、それ以外のときにローレベルとなる信号を出力する。
【００７４】
図１３に示すように、ＭＯＳトランジスタ５１をオフするタイミングが下アーム・オン期間の終了タイミングよりも遅くなると、その時点でＭＯＳトランジスタ５１を通して流れていた電流を遮断することになるため、サージ電圧が発生する。図１３では、サージ電圧がＳで示されている。このサージ電圧は、ＭＯＳトランジスタ５１をオフした直後に発生するものである。実際に下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９によってオフタイミングが指示されてからＭＯＳトランジスタ５１がオフされるまでに要する時間をｔ０（図１３）とすると、オフタイミング遅れに伴うサージ電圧の発生を検出するために、上述した所定時間は、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９によってオフタイミングを指示してから時間ｔ０よりもβだけ長く設定されている。このβは、時間ｔ０経過後に発生するサージ電圧が含まれる値であって、正常に同期制御を行っているとき（オフタイミング異常が発生していないとき）に、相電圧ＶP が上昇していってしきい値Ｖ１０に達するまでの時間よりも短い必要がある。
（ｂ）上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７によって設定されたＭＯＳトランジスタ５０のオフタイミングから、相電圧ＶP が低下していって次にＭＯＳトランジスタ５１のオンタイミングを判定するために用いられたしきい値Ｖ１１に達するまでの時間が所定時間よりも短い。
【００７５】
この所定時間は、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７によってオフタイミングを指示してから実際にドライバ１８０によってＭＯＳトランジスタ５０がオフされるまでの時間、具体的には、ドライバ１８０によってＭＯＳトランジスタ５０をオフする際のＭＯＳトランジスタ５０の駆動能力に応じて設定される。オフタイミング異常判定部１２１は、この条件を満たす場合（所定時間よりも短い場合）にハイレベル、それ以外のときにローレベルとなる信号を出力する。
【００７６】
なお、上述した（ａ）、（ｂ）で示された所定時間は、同じ値であってもよいが、異なる値を用いるようにしてもよい。また、これらの所定時間は、主にドライバ１８０、１８２の駆動能力に応じて設定するものであるため、回転数に関係なく一定値を用いることが望ましい。
（ｃ）出力電圧ＶB の変動が０．５Ｖ／２００μ秒よりも大きくなった。
【００７７】
なお、同期制御を継続する場合にこの変動がどの程度許容されるかは、使用する素子やプログラムによって変化するため、この同期制御の停止判定に用いられる許容値は、使用する素子等に応じて適宜変更するようにしてもよい。
【００７８】
例えば、出力電流が１５０Ａから１５Ａに急に減少すると、図１４に示すように、出力電圧ＶB が上昇する。この出力電圧の上昇に伴って、上アーム・オン期間は、出力変動がない場合の値Ｔ１０からＴ１１、Ｔ１２（＜Ｔ１０）に変化する。下アーム・オン期間についても同様である。このように、上アーム・オン期間あるいは下アーム・オン期間自体が短くなると、それまでと同じ手順でオフタイミングを設定しても、ＭＯＳトランジスタ５０、５１のオフタイミングが上アーム・オン期間あるいは下アーム・オン期間よりも遅くなる事態が生じるため、これを回避するために上述した許容値が用いられる。同期制御開始判定でも、同様の趣旨により同じ許容値が用いられているが、この許容値は、同期制御開始判定と同期制御停止判定で異なる値を用いるようにしてもよい。
（ｄ）ロードダンプ保護動作に移行した。
（ｅ）ＭＯＳトランジスタ５０、５１の過熱状態が発生した。
【００７９】
図１５に示す構成は、図８に示した構成の中から同期制御停止判定に必要な構成を抜き出したものである。また、ＶB 変動判定部１１４については、図１０に示された同期制御開始判定用のＶB 変動判定部１１４がそのまま同期制御停止判定においても用いられている。
【００８０】
図１５に示すように、同期制御停止判定部１２２には、オフタイミング異常判定部１２１、ＶB 変動判定部１１４、ロードダンプ保護判定部１１１、過熱保護部１２３の各出力が入力されている。
【００８１】
オフタイミング異常判定部１２１からは、上述した同期制御停止条件（ａ）あるいは（ｂ）を満たしているときにハイレベルの信号が出力される。また、ＶB 変動判定部１１４からは、出力電圧検出部１１０によって検出された出力電圧ＶB の変動が０．５Ｖ／２００μ秒よりも大きく、上述した同期制御停止条件（ｃ）を満たしているときにハイレベルの信号が出力される。また、ロードダンプ保護判定部１１１からは、ロードダンプ動作中であって、上述した同期制御停止条件（ｄ）を満たしているときにハイレベルの信号が出力される。また、過熱保護部１２３からは、上述した同期制御停止条件（ｅ）を満たしているとき、具体的には、過熱状態が発生して過熱フラグがセットされたときにハイレベルの信号が出力される。
【００８２】
同期制御停止判定部１２２は、オフタイミング異常判定部１２１、ＶB 変動判定部１１４、ロードダンプ保護判定部１１１、過熱保護部１２３の各出力信号の中で一つでもハイレベルのものが含まれている場合には、同期制御停止条件を満たしていると判断し、同期制御を停止する旨の指示が同期制御開始判定部１０２、上ＭＯＳオンタイミング判定部１０３、下ＭＯＳオンタイミング判定部１０４、上ＭＯＳオフタイミング演算部１０７、下ＭＯＳオフタイミング演算部１０９に送られる。
（５）ロードダンプ保護動作
次に、出力端子から充電線１２が外れたり、バッテリ９や大きな電気負荷１０が急に切断されてロードダンプが発生した場合のロードダンプ保護動作を図１６に示した流れ図にしたがって説明する。図１７に示す動作タイミング図において、ＶB は車両用発電機１の出力電圧を、Ｖ１は第１のしきい値電圧を、Ｖ２は第２のしきい値電圧を、Ｖｆは界磁巻線４に印加されるＦ端子の電圧を、ＲＰは整流器モジュール５ＸのＲＰ端子の電圧をそれぞれ示している。また、ｖ１は出力電圧ＶB と第１のしきい値Ｖ１とを比較した結果（ＶB ＞Ｖ１のときがＨ（ハイレベル）に対応している）を、ｖ２は出力電圧ＶB と第２のしきい値Ｖ２とを比較した結果（ＶB ＞Ｖ２のときがＨに対応している）をそれぞれ示している。さらに、Ｇ２は整流器モジュール５Ｘ内の制御回路５４の出力端子Ｇ２から下アームのＭＯＳトランジスタ５１のゲートに入力される信号を示しており、ＨのときにＭＯＳトランジスタ５１がオンされ、Ｌ（ローレベル）のときにオフされる。
【００８３】
ロードダンプが発生していない通常時には同期整流（図９）が行われており（ステップ１００）、ロードダンプ保護判定部は、この整流動作と並行して出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１を超えたか否かを判定する（ステップ１０２）。超えていない場合には否定判断が行われ、ステップ１００に戻って整流動作が継続される。
【００８４】
また、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１を超えるとステップ１０２の判定において肯定判断が行われ、ロードダンプ保護判定部１１１は、ドライバ１８０に指示を送って上アームのＭＯＳトランジスタ５０をオフするとともに、ドライバ１８２に指示を送って下アームのＭＯＳトランジスタ５１をオンする（ステップ１０４）。
【００８５】
次に、ロードダンプ保護判定部１１１は、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１と第２のしきい値Ｖ２の両方を超えているか否かを判定し（ステップ１０６）、超えていない場合には否定判断が行われる。この場合には、ステップ１００に戻って整流動作が行われる。
【００８６】
また、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１と第２のしきい値Ｖ２の両方を超えている場合には、ステップ１０６の判定において肯定判断が行われる。次に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１よりも低くなったか否かを判定する（ステップ１０８）。出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１以上を維持している場合には否定判断が行われ、この判定が繰り返される。
【００８７】
また、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１よりも低くなると、ステップ１０８の判定において肯定判断が行われる。次に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低くなったか否かを判定する（ステップ１１０）。出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２以上を維持している場合には否定判断が行われ、ステップ１０８の判定が繰り返される。
【００８８】
また、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低くなると、ステップ１１０の判定において肯定判断が行われる。次に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１から第２のしきい値電圧Ｖ２まで低下する際に要した時間（電圧低下時間）Ｔを算出し（ステップ１１２）、この電圧低下時間Ｔが所定時間よりも短いか否かを判定する（ステップ１１４）。短い場合（出力電圧ＶB の低下の程度が激しい場合）には肯定判断が行われ、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、下アームのＭＯＳトランジスタ５１を一旦オフする所定時間Ｔoff をＴ１に設定する（ステップ１１６）。反対に、電圧低下時間Ｔが所定時間よりも長い場合（出力電圧ＶB の低下の程度が緩い場合）にはステップ１１４の判定において否定判断が行われ、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、下アームのＭＯＳトランジスタ５１を一旦オフする所定時間Ｔoff をＴ２（＜Ｔ１）に設定する（ステップ１１８）。
【００８９】
次に、ロードダンプ保護判定部１１１は、ドライバ１８２に指示を送って、ステップ１１６あるいは１１８において設定された所定時間Ｔoff の間、下アームのＭＯＳトランジスタ５１をオフする（ステップ１２０）。その後（所定時間Ｔoff 経過の後）、ステップ１０４に戻ってＭＯＳトランジスタ５１がオンされる。なお、このステップ１０４の次のステップ１０６の判定は、ロードダンプ保護動作の終了タイミングを判定するためのものであり、ＭＯＳトランジスタ５１を所定時間オフした後にオンした時点で出力電圧ＶB が第１のしきい値電圧Ｖ１を超えない場合にはステップ１０６の判定において否定判断が行われ、ロードダンプ保護動作が終了する。
【００９０】
ロードダンプが発生して、下アームのＭＯＳトランジスタ５１がオンされるロードダンプ保護動作中に、励磁電流の通電量が多いと、小さい容量の発電制御装置７内のコンデンサ８０の両端電圧が速やかに低下して調整電圧Ｖreg 以下になってしまうため、発電制御装置７はＭＯＳトランジスタ７１をオンして励磁電流の供給を継続しようとする。しかし、本実施形態の車両用発電機１では、このような励磁電流が多く、出力電圧ＶB の低下の程度が激しい場合には、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２を下回った後に一旦下アームのＭＯＳトランジスタ５１をオフする所定時間を長くしている。このため、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２以上の高い値となる時間を長くして、可能な限り界磁巻線４に励磁電流が流れないようにすることができ、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる。反対に、励磁電流の通電量が少ない場合には、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２を下回った後に一旦下アームのＭＯＳトランジスタ５１をオフする所定時間を短くしている。このため、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg 以上を維持する時間を長くすることができ、必要以上に界磁巻線４に励磁電流が流れないようにすることができ、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる。
【００９１】
また、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、出力電圧ＶB の低下速度（電圧低下時間Ｔ）に基づいて、励磁電流の通電量の程度を判定している。出力電圧ＶB に基づいて励磁電流の状態を判定することにより、専用の端子を設ける必要がないため、構造および配線の簡略化が可能であり、コストダウンを図ることができる。
【００９２】
また、整流器モジュール５Ｘは、ロードダンプ保護動作時には、回転検出信号送信部１６０によって回転検出信号を生成してＲＰ端子から出力しており、この信号が発電制御装置７のＰ端子に入力されている。これにより、発電制御装置７による回転検出不能状態を回避することができ、回転停止時の初期励磁状態に移行することを防止することができるため、ロードダンプ保護動作時の不要な励磁電流の供給をなくしてロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせることが可能となる。
【００９３】
（第２の実施形態）
上述した第１の実施形態では、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４は、出力電圧ＶB の低下速度に基づいて励磁電流の通電量の程度を判定したが、励磁電流の通電量の程度を界磁巻線４が接続されるＦ端子から出力される信号に基づいて判定するようにしてもよい。
【００９４】
図１８に示す第２の実施形態の制御部１００Ａは、図８に示した第１の実施形態の制御部１００に対して、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４が励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａに置き換えられている。この励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、Ｆ端子（このＦ端子は、発電制御装置７のＦ端子に接続されている）に接続されており、発電制御装置７のＦ端子から出力される信号に基づいて励磁電流の通電量の程度を判定する。なお、車両用発電機１全体の構成は、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａ以外については第１の実施形態と基本的に同じであり、詳細な説明は省略する。
【００９５】
次に、第２の実施形態におけるロードダンプ保護動作を図１９に示した流れ図にしたがって説明する。図２０に示す動作タイミング図において、ＶB 、Ｖ１、Ｖ２、Ｖｆ、ＲＰ、ｖ１、ｖ２、Ｇ２は、図１７に示したこれらと同じ内容を示している。また、図２０において、Ｆは、発電制御装置７のＦ端子から出力されて整流器モジュール５ＸのＦ端子に入力される信号を示している。また、図１９に示す動作手順は、図１６に示した動作手順のステップ１０８〜１１４をステップ２００、２０２に置き換えた点が異なっている。以下では、これらの置き換わったステップに着目して説明を行う。
【００９６】
ステップ１０６の判定において肯定判断が行われると、次に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低くなったか否かを判定する（ステップ２００）。出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２以上を維持している場合には否定判断が行われ、この判定が繰り返される。
【００９７】
また、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低くなると、ステップ２００の判定において肯定判断が行われる。次に、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、発電制御装置７のＦ端子から出力される信号のローレベルの時間Ｔreg offを取得し、この時間Ｔreg offが所定時間よりも短いか否かを判定する（ステップ２００）。
【００９８】
なお、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg よりも高くなると、発電制御装置７は、ＭＯＳトランジスタ７１をオフしてＦ端子から界磁巻線４に供給する励磁電流を停止するため、このＦ端子から出力される信号はローレベル固定となる。しかし、出力電圧ＶB が調整電圧Ｖreg よりも高くなった時点で、発電制御装置７が直ちにその旨を認識できるわけではなく、実際には１〜２ｍｓ程度の遅れが生じる。図２０に示した例では、その遅れ時間を利用し、出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低下したときに、Ｆ端子から出力された信号がそれ以前にハイレベルからローレベルに変化した時点から次にハイレベルに変化する時点（ハイレベルに変化していない場合にはステップ２０２を実施する時点）までの時間を時間Ｔreg offとして計測しておいて、ステップ２０２ではこの時間Ｔreg offを取得している。
【００９９】
時間Ｔreg offが所定時間よりも短い場合（出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低下する直前の励磁電流の供給量が多い場合）にはステップ２０２の判定において肯定判断が行われ、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、下アームのＭＯＳトランジスタ５１を一旦オフする所定時間Ｔoff をＴ１に設定する（ステップ１１６）。反対に、時間Ｔreg offが所定時間よりも長い場合（出力電圧ＶB が第２のしきい値電圧Ｖ２よりも低下する直前の励磁電流の供給量が少ない場合）にはステップ２０２の判定において否定判断が行われ、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、下アームのＭＯＳトランジスタ５１を一旦オフする所定時間Ｔoff をＴ２（＜Ｔ１）に設定する（ステップ１１８）。
【０１００】
このように、第２の実施形態の車両用発電機では、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、発電制御装置７のＦ端子から出力される信号に基づいて励磁電流の通電量の程度を判定しており、励磁電流の状態を確実に判定することができる。特に、図２０に示すように、ロードダンプ保護判定部１１１は、発電制御装置７のＦ端子を介した励磁電流の供給が停止した後に、一旦オフした下アームのＭＯＳトランジスタ５１を再びオンする指示を行っている。これにより、ＭＯＳトランジスタ５１をオンすることによる出力電圧ＶB の急激な低下が起きないため、発電制御装置７の制御による励磁電流の供給動作を確実に止めることができる。
【０１０１】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では、図１において抵抗２０を整流器モジュール５Ｘに対して接続したが、他の整流器モジュール５Ｙ等に接続するようにしてもよい。また、この抵抗２０は、６個あるいはその一部の整流器モジュール５Ｘ等の配線と取り付けを兼ねた端子台（図示せず）に内蔵する場合の他に、整流器モジュール５Ｘ等に内蔵するようにしてもよい（図２１）。また、上述した実施形態では、整流器モジュール５ＸのＰ端子とＲＰ端子の両方を発電制御装置７に接続したが、これらのＰ端子とＲＰ端子を別々の整流器モジュールに設けるようにしてもよい。
【０１０２】
また、上述した実施形態では、２つの固定子巻線２、３と２つの整流器モジュール群５、６を備えるようにしたが、一方の固定子巻線２と一方の整流器モジュール群５を備える車両用発電機についても本発明を適用することができる。
【０１０３】
また、上述した実施形態では、各整流器モジュール５Ｘ等を用いて整流動作（発電動作）を行う場合について説明したが、ＭＯＳトランジスタ５０、５１のオン／オフタイミングを変更することにより、バッテリ９から印加される直流電流を交流電流に変換して固定子巻線２、３に供給して電動動作を行わせる車両用回転電機に本発明を適用することができる。
【０１０４】
また、上述した実施形態では、２つの整流器モジュール群５、６のそれぞれに３つの整流器モジュールを含ませるようにしたが、整流器モジュールの数は３以外であってもよい。
【０１０５】
また、上述した第２の実施形態では、励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部１２４Ａは、発電制御装置７のＦ端子から出力される信号のローレベルの時間Ｔreg offに基づいて励磁電流の通電量の程度を判定したが、この信号を平滑して（例えばローパスフィルタを通して）、その電圧値に基づいて励磁電流の通電量の程度を判定するようにしてもよい。Ｆ端子から出力される信号のオンデューティが高いほど、この信号を平滑した電圧値が高くなるため、所定時間Ｔoff を長く設定すればよい。
【０１０６】
また、上述した実施形態では、所定時間Ｔoff を２段階に設定したが、３段階以上、あるいは励磁電流の通電量の程度に応じて連続的に可変設定するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
上述したように、本発明によれば、ロードダンプ発生時に、励磁電流の通電量が多い場合には出力電圧が第２のしきい値電圧以上の高い値となる時間を長くして、可能な限り界磁巻線に励磁電流が流れないようにすることができるため、ロードダンプ時の高電圧発生を迅速に終わらせて信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【０１０８】
２、３  固定子巻線
４  界磁巻線
５、６  整流器モジュール群
７  発電制御装置
５０、５１  ＭＯＳトランジスタ
１００  制御部
１１１  ロードダンプ保護判定部
１２４  励磁ＯＮ／ＯＦＦ判定部
１８０、１８２  ドライバ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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