(57)【要約】【課題】電気的な信頼性を向上させることができる液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａの上に設けられた第１配線６１と、第１配線６１上に第１絶縁層９１を介して設けられたガード配線６０及び第１素子側配線８１と、ガード配線６０及び第１素子側配線８１上に設けられた第２配線６２及び第２素子側配線８２と、を有し、ガード配線６０と第１配線６１とは第２配線６２を介して電気的に接続されており、第１素子側配線８１と第１配線６１とは第２素子側配線８２を介して電気的に接続されており、第２配線６２及び第２素子側配線８２と上層配線７５との間に設けられた第３絶縁層９３と、第３絶縁層９３に開口され第２素子側配線８２と上層配線７５とを接続するための第１コンタクトホールＣＮＴ７１と、第３絶縁層９３に開口され平面視で第２配線６２と重なる第２コンタクトホールＣＮＴ７２と、を含む。【選択図】図７
2014142385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材と、
前記第１基材の上に配置された第１配線と、
前記第１配線の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置されたガード配線及び第１素子側配線と、
前記ガード配線及び前記第１素子側配線の上に配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に配置された第２配線及び第２素子側配線と、
前記第２配線及び前記第２素子側配線の上に配置された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の上に配置された上層配線と、
を含み、
前記ガード配線と前記第１配線とは、前記第２配線を介して電気的に接続され、
前記第１素子側配線と前記第１配線とは、前記第２素子側配線を介して電気的に接続され、
前記第２素子側配線と前記上層配線とを接続するため、前記第３絶縁層を貫通するように第１コンタクトホールが配置され、
平面視で前記第２配線と重なるように、前記第３絶縁層を貫通するように第２コンタクトホールが配置されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
第１基材と、
前記第１基材の上に配置された第１配線と、
前記第１配線の上に配置された第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に配置されたガード配線及び第１素子側配線と、
前記ガード配線及び前記第１素子側配線の上に配置された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に配置された第２配線、第３配線、及び第２素子側配線と、
前記第２配線、前記第３配線及び前記第２素子側配線の上に配置された第３絶縁層と、
前記第３絶縁層の上に配置された上層配線と、
を含み、
前記第２配線と前記第１配線とは、前記ガード配線及び前記第３配線を介して電気的に接続され、
前記第１素子側配線と前記第１配線とは、前記第２素子側配線を介して電気的に接続され、
前記第２素子側配線と前記上層配線とを接続するため、前記第３絶縁層を貫通するように第１コンタクトホールが配置され、
平面視で前記第２配線と重なるように、前記第３絶縁層を貫通するように第２コンタクトホールが配置されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記第１配線のシート抵抗は、前記第１素子側配線、前記第２素子側配線、前記第２配線、及び前記上層配線のシート抵抗と比較して、大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２コンタクトホールの上に、第２上層配線が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記ガード配線は、隣り合う電気光学装置の間に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
第１基材の上に第１配線を形成する第１配線形成工程と、
前記第１配線及び前記第１基材上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層上にガード配線及び第１素子側配線を形成するガード配線形成工程と、
前記ガード配線及び前記第１素子側配線及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層上に、第２配線及び第２素子側配線を形成する第２配線形成工程と、
前記ガード配線及び前記第１配線と前記第２配線と平面視で重なる領域、及び、前記第１配線及び前記第１素子側配線と前記第２素子側配線と平面視で重なる領域、にコンタクトホールを形成し、前記ガード配線と前記第２配線と前記第１配線とを電気的に接続し、前記第１配線と前記第２素子側配線と前記第１素子側配線とを電気的に接続する接続工程と、
前記第２配線、前記第２素子側配線、及び前記第２絶縁層上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、
前記第３絶縁層において、前記第２素子側配線と平面視で重なる領域に第１コンタクトホールを形成し、前記第２配線と平面視で重なる領域に第２コンタクトホールを形成する、コンタクトホール形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
第１基材の上に第１配線を形成する第１配線形成工程と、
前記第１配線及び前記第１基材上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層上にガード配線及び第１素子側配線を形成するガード配線形成工程と、
前記ガード配線及び前記第１素子側配線及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層上に、第２配線、第３配線、及び第２素子側配線を形成する第２配線形成工程と、
前記第２配線及び前記第３配線と、前記ガード配線と平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、
前記第３配線と前記第１配線と平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、
前記第２素子側配線と、前記第１配線及び前記第１素子側配線と、平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、
前記第２配線と前記ガード配線と前記第３配線と前記第１配線とを電気的に接続し、前記第１配線と前記第２素子側配線と前記第１素子側配線とを電気的に接続する接続工程と、
前記第２配線、前記第３配線、前記第２素子側配線、及び前記第２絶縁層上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、
前記第３絶縁層において、前記第２素子側配線と平面視で重なる領域に第１コンタクトホールを形成し、前記第２配線と平面視で重なる領域に第２コンタクトホールを形成する、コンタクトホール形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記コンタクトホール形成工程の後、前記第１コンタクトホールの上に上層配線を形成し、前記第２コンタクトホールの上に第２上層配線を形成する、上層配線形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置を構成する液晶パネルには、例えば、特許文献１に記載のように、製造過程において各配線パターンの電位差を無くすために、ショートリング（高抵抗配線）と呼ばれる配線が配置されている。
【０００４】
このショートリングは、例えば、一方が液晶パネルのゲート線と接続されており、他方が複数の液晶パネルが面付けされたマザー基板の全体に亘って引き回されたガードリングに電気的に接続されている。ショートリングは、最終的には回路から切り離され、完成品の段階では配線としての機能は有しない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２２０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、液晶パネルの配線（ソース線、ゲート線、電源配線など）間を接続するためにコンタクトホールを形成した際、ガードリングに溜まった過剰な静電気が、ショートリングに流れる。これにより、ショートリングが静電破壊を起こし、液晶パネルに影響を及ぼすという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、第１基材と、前記第１基材の上に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置されたガード配線及び第１素子側配線と、前記ガード配線及び前記第１素子側配線の上に配置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置された第２配線及び第２素子側配線と、前記第２配線及び前記第２素子側配線の上に配置された第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上に配置された上層配線と、を含み、前記ガード配線と前記第１配線とは、前記第２配線を介して電気的に接続され、前記第１素子側配線と前記第１配線とは、前記第２素子側配線を介して電気的に接続され、前記第２素子側配線と前記上層配線とを接続するため、前記第３絶縁層を貫通するように第１コンタクトホールが配置され、平面視で前記第２配線と重なるように、前記第３絶縁層を貫通するように第２コンタクトホールが配置されることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、素子（トランジスター）側の第２素子側配線に接続される第１コンタクトホールと、ガード配線側の第２配線に接続される第２コンタクトホールとを、第３絶縁層に開口するので、第２素子側配線などを含む電気光学装置側に溜まった静電気を第１コンタクトホールから逃がし、ガード配線に溜まった静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。言い換えれば、第１コンタクトホールとは別に、第２コンタクトホールを設けておくことにより、配線の面積が広いガード配線に蓄積された過剰な静電気が第１配線（ショートリング）に集中して流れ、第１配線が静電破壊することを抑えることができる。その結果、電気光学装置に影響を与えることを防ぐことができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、第１基材と、前記第１基材の上に配置された第１配線と、前記第１配線の上に配置された第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に配置されたガード配線及び第１素子側配線と、前記ガード配線及び前記第１素子側配線の上に配置された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置された第２配線、第３配線、及び第２素子側配線と、前記第２配線、前記第３配線及び前記第２素子側配線の上に配置された第３絶縁層と、前記第３絶縁層の上に配置された上層配線と、を含み、前記第２配線と前記第１配線とは、前記ガード配線及び前記第３配線を介して電気的に接続され、前記第１素子側配線と前記第１配線とは、前記第２素子側配線を介して電気的に接続され、前記第２素子側配線と前記上層配線とを接続するため、前記第３絶縁層を貫通するように第１コンタクトホールが配置され、平面視で前記第２配線と重なるように、前記第３絶縁層を貫通するように第２コンタクトホールが配置されることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、素子側の第２素子側配線に接続される第１コンタクトホールと、ガード配線側の第２配線に接続される第２コンタクトホールとを、第３絶縁層に開口するので、第２素子側配線などを含む電気光学装置側に溜まった静電気を第１コンタクトホールから逃がし、ガード配線に溜まった静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。言い換えれば、第１コンタクトホールとは別に、第２コンタクトホールを設けておくことにより、例えば、配線の面積が広いガード配線に蓄積された過剰な静電気が第１配線に集中して流れ、第１配線が静電破壊することを抑えることができる。その結果、電気光学装置に影響を与えることを防ぐことができる。加えて、第３配線を介して、第１配線から離れた位置に第２コンタクトホールを配置することにより、第１配線周辺の狭い領域に第２コンタクトホールを設ける場合と比較して、第２配線を広く設けることが可能となり、確実に第２コンタクトホールを設けることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１配線のシート抵抗は、前記第１素子側配線、前記第２素子側配線、前記第２配線、及び前記上層配線のシート抵抗と比較して、大きいことが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１配線のシート抵抗が他の配線のシート抵抗より大きいので、例えば、ガード配線側から素子側に静電気が流れることを抑えることが可能となり、素子側の第１素子側配線や第２素子側配線などが静電破壊することを防ぐことができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２コンタクトホールの上に、第２上層配線が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、第２コンタクトホール上に第２上層配線が設けられているので、上層配線を形成する際に第２上層配線も残すことになり、第２上層配線下の第２配線にダメージが加わることを防ぐことができる。よって、ガード配線と第２上層配線とを確実に接続させることができ、その後の製造過程において過剰な静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記ガード配線は、隣り合う電気光学装置の間に設けられていることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、ガード配線が複数の電気光学装置に接続されており、ガード配線に過剰な静電気が蓄積された場合（大きな寄生容量をもった場合）でも、第１配線を介すことなく、第２コンタクトホールから静電気を逃がすことができる。よって、第１配線や電気光学装置を破壊することを防ぐことができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電気光学置の製造方法は、第１基材の上に第１配線を形成する第１配線形成工程と、前記第１配線及び前記第１基材上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上にガード配線及び第１素子側配線を形成するガード配線形成工程と、前記ガード配線及び前記第１素子側配線及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層上に、第２配線及び第２素子側配線を形成する第２配線形成工程と、前記ガード配線及び前記第１配線と前記第２配線と平面視で重なる領域、及び、前記第１配線及び前記第１素子側配線と前記第２素子側配線と平面視で重なる領域、にコンタクトホールを形成し、前記ガード配線と前記第２配線と前記第１配線とを電気的に接続し、前記第１配線と前記第２素子側配線と前記第１素子側配線とを電気的に接続する接続工程と、前記第２配線、前記第２素子側配線、及び前記第２絶縁層上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、前記第３絶縁層において、前記第２素子側配線と平面視で重なる領域に第１コンタクトホールを形成し、前記第２配線と平面視で重なる領域に第２コンタクトホールを形成する、コンタクトホール形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、素子側の第１コンタクトホールと、ガード配線側の第２コンタクトホールとを、第３絶縁層に開口するので、第２素子側配線などを含む電気光学装置側に溜まった静電気を第１コンタクトホールから逃がし、ガード配線に溜まった静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。言い換えれば、第１コンタクトホールとは別に、第２コンタクトホールを形成することにより、例えば、配線の面積が広いガード配線に蓄積された過剰な静電気が第１配線に集中して流れ、第１配線が静電破壊することを抑えることができる。その結果、液晶装置に影響を及ぼすことを防ぐことができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、第１基材の上に第１配線を形成する第１配線形成工程と、前記第１配線及び前記第１基材上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層上にガード配線及び第１素子側配線を形成するガード配線形成工程と、前記ガード配線及び前記第１素子側配線及び前記第１絶縁層上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層上に、第２配線、第３配線、及び第２素子側配線を形成する第２配線形成工程と、前記第２配線及び前記第３配線と、前記ガード配線と平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、前記第３配線と前記第１配線と平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、前記第２素子側配線と、前記第１配線及び前記第１素子側配線と、平面視で重なる領域にコンタクトホールを形成し、前記第２配線と前記ガード配線と前記第３配線と前記第１配線とを電気的に接続し、前記第１配線と前記第２素子側配線と前記第１素子側配線とを電気的に接続する接続工程と、前記第２配線、前記第３配線、前記第２素子側配線、及び前記第２絶縁層上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、前記第３絶縁層において、前記第２素子側配線と平面視で重なる領域に第１コンタクトホールを形成し、前記第２配線と平面視で重なる領域に第２コンタクトホールを形成する、コンタクトホール形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、素子側の第１コンタクトホールと、ガード配線側の第２コンタクトホールとを、第３絶縁層に開口するので、第２素子側配線などを含む電気光学装置側に溜まった静電気を第１コンタクトホールから逃がし、ガード配線に溜まった静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。言い換えれば、第１コンタクトホールとは別に、第２コンタクトホールを形成することにより、例えば、配線の面積が広いガード配線に蓄積された過剰な静電気が第１配線に集中して流れ、第１配線が静電破壊することを抑えることができる。その結果、電気光学装置に影響を与えることを防ぐことができる。加えて、第３配線を介して、第１配線から離れた位置に第２コンタクトホールを形成することにより、第１配線周辺の狭い領域に第２コンタクトホールを形成する場合と比較して、第２配線を広く形成することが可能となり、確実に第２コンタクトホールを形成することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記コンタクトホール形成工程の後、前記第１コンタクトホールの上に上層配線を形成し、前記第２コンタクトホールの上に第２上層配線を形成する、上層配線形成工程を有することが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、第２コンタクトホール上に第２上層配線を形成するので、上層配線を形成する際に第２上層配線も残すことになり、第２上層配線の下の第２配線にダメージが加わることを防ぐことができる。よって、ガード配線と第２上層配線とを確実に接続させることができ、その後の製造過程において過剰な静電気を第２コンタクトホールから逃がすことができる。
【００２４】
［適用例９］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２５】
本適用例によれば、素子側配線を含む電気光学装置を過剰な静電気から保護することができ、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】電気光学装置としての液晶装置が複数面付けされたマザー基板の一部の構成を示す模式平面図。
【図２】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図４】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図６】図２に示す液晶装置の一部の構造を示す模式断面図。
【図７】図５に示す液晶装置の一部の構造を示す模式断面図。
【図８】液晶装置の製造方法のうちガード配線及び第１配線周辺の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置の製造方法のうちガード配線及び第１配線周辺の製造方法を示す模式断面図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１２】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２９】
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００３０】
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての液晶装置が複数面付けされたマザー基板の一部の構成を示す模式平面図である。図２は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図４は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図４を参照しながら説明する。
【００３１】
図１に示すように、マザー基板５００は、例えば、液晶装置１００を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリックス状に面付けされている。マザー基板５００の大きさは、例えば、８インチである。マザー基板５００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。マザー基板５００の材質は、例えば、石英である。以下、液晶装置１００の構成について説明する。
【００３２】
図２及び図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３４】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。図２及び図３では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３５】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３６】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３７】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３８】
図３に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
【００４０】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００４１】
遮光膜１８は、図２に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４２】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４３】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図２に示すように対向基板２０の四隅に設けられた導通部としての上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４４】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４５】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４６】
図４に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４７】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量としての容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４９】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図２参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図２参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００５０】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００５１】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００５２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５３】
図５は、図１に示すマザー基板のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。図６は、図２に示す液晶装置の一部の構造を示す模式断面図である。図７は、図５に示す液晶装置の一部の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図５〜図７を参照しながら説明する。なお、図６及び図７は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５４】
図５に示すように、マザー基板５００は、上記したように、複数の液晶装置１００がマトリックス状に面付けされている。隣り合う液晶装置１００の境界には、マザー基板５００に面付けされた複数の液晶装置１００と電気的に接続されたガード配線６０が設けられている。言い換えれば、ガード配線６０は、マザー基板５００の全体に亘って引き回されている。よって、ガード配線６０の面積は、他の配線の面積と比較して極端に広い。つまり、製造過程において、ガード配線６０は大きな寄生容量を有する恐れがある。
【００５５】
ガード配線６０は、製造過程において、各配線パターンの電位差を無くすために用いられる。具体的には、ガード配線６０は、例えば、液晶装置１００のゲート線と、第１配線６１（ショートリングや高抵抗配線ともいう。）を介して電気的に接続されている。第１配線６１は、マザー基板５００におけるスクライブライン６４の領域に設けられている。よって、最終的には、回路から切り離され、完成品の段階では配線としての機能は有しない。
【００５６】
また、スクライブライン６４には、ガード配線６０に蓄積された過剰な静電気を逃がすための第２コンタクトホールＣＮＴ７２が設けられている。ガード配線６０や第２コンタクトホールＣＮＴ７２についての詳細は、後述する。以下、液晶装置１００の断面構造について説明する。
【００５７】
＜電気光学装置の構成＞
図６に示すように、第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５８】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５９】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００６０】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００６１】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂには、平面視で半導体層３０ａの端部と重なる位置に、２つのコンタクトホールＣＮＴ４１，ＣＮＴ４２が設けられている。
【００６２】
具体的には、コンタクトホールＣＮＴ４１及びコンタクトホールＣＮＴ４２を埋めると共に、第１層間絶縁層１１ｂを覆うようにＡｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ４１、コンタクトホールＣＮＴ４２、及びコンタクトホールＣＮＴ４２を介して画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに繋がる中継配線５１が形成される。
【００６３】
中継配線５１は、後述するデータ線６ａと共にＴＦＴ３０を遮光している。更に、中継配線５１は、ＴＦＴ３０及び画素電極２７間の一部を電気的に接続している。
【００６４】
中継配線５１上には、中継配線５１及び第１層間絶縁層１１ｂを覆うようにして、第２層間絶縁層１１ｃが設けられている。第２層間絶縁層１１ｃには、平面的にコンタクトホールＣＮＴ４１の一部と重なるようにコンタクトホールＣＮＴ４３が設けられ、更に、中継配線５１の一部と重なるようにコンタクトホールＣＮＴ４４が設けられている。
【００６５】
具体的には、コンタクトホールＣＮＴ４３，ＣＮＴ４４を埋めると共に第２層間絶縁層１１ｃを覆うように、Ａｌ（アルミニウム）などの遮光性の導電部材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることにより、データ線６ａ、コンタクトホールＣＮＴ４３，ＣＮＴ４４、中継配線５２が形成される。
【００６６】
データ線６ａは、第２層間絶縁層１１ｃ及び第１層間絶縁層１１ｂに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ４３，４１を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６７】
データ線６ａ及び中継配線５２上には、データ線６ａ、中継配線５２、及び第２層間絶縁層１１ｃを覆うように、第３層間絶縁層１１ｄが設けられている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０などを覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理を施してもよい。平坦化処理の方法としては、例えば、化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６８】
第３層間絶縁層１１ｄ上には、容量素子１６を構成する第１容量電極１６ａがパターニングされて設けられている。第１容量電極１６ａ上には、容量素子１６を構成する誘電体膜１６ｂがパターニングされて積層されている。
【００６９】
誘電体膜１６ｂとしては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。
【００７０】
誘電体膜１６ｂの上層には、容量素子１６を構成する第２容量電極１６ｃがパターニングされて積層されている。第２容量電極１６ｃは、誘電体膜１６ｂを介して第１容量電極１６ａに重なって配置されており、第１容量電極１６ａ及び誘電体膜１６ｂと共に容量素子１６を構成している。
【００７１】
具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての第２容量電極１６ｃの一部とが、誘電体膜１６ｂを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００７２】
なお、第１容量電極１６ａ及び第２容量電極１６ｃは、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等から構成してもよいし、或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００７３】
また、第１容量電極１６ａの端部は、平面的に中継配線５２の一部と重なっており、第３層間絶縁層１１ｄに設けられたコンタクトホールＣＮＴ４５を介して中継配線５２の延在部と電気的に接続されている。
【００７４】
第２容量電極１６ｃ上には、第２容量電極１６ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄを覆うように、絶縁層としての第４層間絶縁層１１ｅが設けられている。第４層間絶縁層１１ｅは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、配線や電極などを覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施されることが多い。
【００７５】
第４層間絶縁層１１ｅ上には、ＩＴＯ膜などからなる透光性の画素電極２７が設けられている。画素電極２７は、第４層間絶縁層１１ｅに設けられたコンタクトホールＣＮＴ７０を介して第１容量電極１６ａの延在部と電気的に接続されている。
【００７６】
このようにして、画素電極２７及び第１容量電極１６ａは、中継配線５２、コンタクトホールＣＮＴ４４、中継配線５１、コンタクトホールＣＮＴ４２を介して、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００７７】
画素電極２７及び第４層間絶縁層１１ｅ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている（図３参照）。配向膜２８上には、シール材１４により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている（図３参照）。
【００７８】
＜ガード配線及び第１配線の周辺の構成＞
次に、図７を参照しながら、ガード配線及び第１配線の周辺の構造について説明する。なお、第１基材１０ａ〜第１配線６１の下層までを、説明の便宜上、第１基材１０ａと称して説明する。
【００７９】
液晶装置１００の第１基材１０ａ上には、第１配線６１が設けられている。第１配線６１のシート抵抗は、その周辺の配線（例えば、第１素子側配線８１、第２素子側配線８２などの配線）のシート抵抗よりも大きい抵抗を有する。第１配線６１の抵抗値としては、例えば、１ＭΩである。
【００８０】
第１配線６１、及び第１基材１０ａ上には、第１絶縁層９１が設けられている。第１絶縁層９１上には、ポリシリコンなどの導電材料からなるガード配線６０と、第１素子側配線８１とが設けられている。ガード配線６０は、上記したように、マザー基板５００に面付けされた複数の液晶装置１００と電気的に接続するために、マザー基板５００の全体に亘って引き回されている。このようにガード配線６０を用いることによって、製造過程において、各配線パターンの電位差を無くすことができる。
【００８１】
また、第１素子側配線８１は、例えば、走査線３ａと同層に設けられている。なお、走査線３ａに限定されず、遮光膜３ｃなどと同層に設けられていてもよい。ガード配線６０及び第１素子側配線８１上には、第２絶縁層９２が設けられている。
【００８２】
第２絶縁層９２上には、平面視でガード配線６０と重なる位置に、２つのコンタクトホールＣＮＴ７３，７４が設けられている。また、第２絶縁層９２には、平面視で第１素子側配線８１と重なる位置にコンタクトホールＣＮＴ７７が設けられている。更に、第１絶縁層９１及び第２絶縁層９２を貫通するように、第１配線６１と平面視で重なる位置に２つのコンタクトホールＣＮＴ７５，７６が設けられている。
【００８３】
第２絶縁層９２上には、アルミニウムなどの導電材料を用いて、コンタクトホールＣＮＴ７３，７４，７５，７６，７７を埋めると共に、第２配線６２、第３配線６３、第２素子側配線８２をパターニングする。
【００８４】
第２配線６２、第３配線６３、第２素子側配線８２、及び第２絶縁層９２上には、第３絶縁層９３が設けられている。第３絶縁層９３には、平面視で第２素子側配線８２と重なる位置に第１コンタクトホールＣＮＴ７１が設けられている。また、第３絶縁層９３には、平面視で第２配線６２と重なる位置に第２コンタクトホールＣＮＴ７２が設けられている。
【００８５】
これにより、第１コンタクトホールＣＮＴ７１は、第２素子側配線８２及びコンタクトホールＣＮＴ７６を介して、第１配線６１と接続される。また、第２コンタクトホールＣＮＴ７２は、第２配線６２、コンタクトホールＣＮＴ７３、ガード配線６０、コンタクトホールＣＮＴ７４、第３配線６３、コンタクトホールＣＮＴ７５を介して、第１配線６１と接続される。
【００８６】
つまり、配線の面積が広いガード配線６０に、過剰な静電気が蓄積された場合、第１コンタクトホールＣＮＴ７１と同じ工程で第２コンタクトホールＣＮＴ７２を開口することにより、過剰な静電気を第２コンタクトホールＣＮＴ７２側から逃がすことができる。よって、第２コンタクトホールＣＮＴ７２を開けない場合のように、過剰な静電気が第１配線６１に流れることを防ぐことが可能となり、第１配線６１が静電破壊することを防ぐことができる。
【００８７】
第３絶縁層９３上には、アルミニウムなどの導電材料を用いて、第１コンタクトホールＣＮＴ７１及び第２コンタクトホールＣＮＴ７２を埋めると共に、第１コンタクトホールＣＮＴ７１上に上層配線７５をパターニングして形成する。
【００８８】
＜電気光学装置の製造方法＞
図８及び図９は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法のうち、ガード配線及び第１配線周辺の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００８９】
まず、図８（ａ）に示す工程（第１配線形成工程、第１絶縁層形成工程、ガード配線形成工程）では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上に、周知の成膜技術、フォトグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１配線６１を形成する。第１配線６１の抵抗値としては、例えば、１ＭΩである。次に、第１配線６１及び第１基材１０ａ上に、シリコン酸化膜等からなる第１絶縁層９１を成膜する。第１絶縁層９１の製造方法としては、例えば、ＣＶＤ法（化学気相成長法：Chemical Vapor Deposition）を用いる。
【００９０】
その後、第１絶縁層９１上に、ガード配線６０と、第１素子側配線８１と、を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ポリシリコンなどからなるガード配線６０及び第１素子側配線８１を形成する。
【００９１】
図８（ｂ）に示す工程（第２絶縁層形成工程、第２配線形成工程）では、コンタクトホールＣＮＴ７３，７４，７５，７６，７７、第２配線６２、第３配線６３、及び第２素子側配線８２を形成する。具体的には、まず、ガード配線６０、第１素子側配線８１、及び第１絶縁層９１を覆うように、シリコン酸化膜などからなる第２絶縁層９２を成膜する。
【００９２】
その後、第２絶縁層９２にコンタクトホールＣＮＴ７３〜７７を形成する。そして、コンタクトホールＣＮＴ７３と電気的に接続される第２配線６２、また、コンタクトホールＣＮＴ７４，７５と電気的に接続される第３配線６３、更に、コンタクトホールＣＮＴ７６，７７と電気的に接続される第２素子側配線８２を、第２絶縁層９２上に形成する。
【００９３】
図９（ｃ）に示す工程（第３絶縁層形成工程、接続工程）では、第１コンタクトホールＣＮＴ７１及び第２コンタクトホールＣＮＴ７２を形成する。具体的には、まず、第２配線６２、第３配線６３、第２素子側配線８２、及び第２絶縁層９２を覆うように、シリコン酸化膜などからなる第３絶縁層９３を成膜する。次に、第３絶縁層９３に、第２素子側配線８２と接続される第１コンタクトホールＣＮＴ７１、また、第２配線６２と接続される第２コンタクトホールＣＮＴ７２を形成する。
【００９４】
これにより、第１コンタクトホールＣＮＴ７１は、第２素子側配線８２及びコンタクトホールＣＮＴ７６を介して、第１配線６１と接続される。また、第２コンタクトホールＣＮＴ７２は、第２配線６２、コンタクトホールＣＮＴ７３、ガード配線６０、コンタクトホールＣＮＴ７４、第３配線６３、及びコンタクトホールＣＮＴ７５を介して、第１配線６１と接続される。
【００９５】
つまり、製造過程において、配線の面積が広いガード配線６０に過剰な静電気が蓄積された場合、第１コンタクトホールＣＮＴ７１と同じ工程で第２コンタクトホールＣＮＴ７２を開口することにより、過剰な静電気を第２コンタクトホールＣＮＴ７２側から逃がすことができる。よって、第２コンタクトホールＣＮＴ７２を開けない場合のように、過剰な静電気が第１配線６１に流れることを防ぐことが可能となり、第１配線６１が静電破壊することを防ぐことができる。
【００９６】
図９（ｄ）に示す工程では、第３絶縁層９３上に上層配線７５を形成する。具体的には、まず、第３絶縁層９３上にアルミニウムなどの導電材料を成膜して第１コンタクトホールＣＮＴ７１及び第２コンタクトホールＣＮＴ７２に埋め込むと共に、第１コンタクトホールＣＮＴ７１上に上層配線７５をパターニングして形成する。なお、その後のスクライブ・ブレイク工程によって、第１配線６１が分断され、ガード配線６０から液晶装置１００が分離する。
【００９７】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９８】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９９】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１００】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０１】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０２】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【０１０３】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１０５】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【０１０６】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【０１０７】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０８】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、ＴＦＴ３０側の第２素子側配線８２に接続される第１コンタクトホールＣＮＴ７１と、ガード配線６０側の第２配線６２に接続される第２コンタクトホールＣＮＴ７２とを、第３絶縁層９３に開口するので、第２素子側配線８２などを含む液晶装置１００に溜まった静電気を第１コンタクトホールＣＮＴ７１から逃がし、ガード配線６０に溜まった静電気を第２コンタクトホールＣＮＴ７２から逃がすことができる。言い換えれば、第１コンタクトホールＣＮＴ７１とは別に、第２コンタクトホールＣＮＴ７２を新たに設けておくことにより、例えば、配線の面積が広いガード配線６０に蓄積された過剰な静電気が第１配線６１に集中して流れ、第１配線６１が静電破壊することを抑えることができる。これにより、液晶装置１００に影響を与えることを防ぐことができる。加えて、第３配線６３を介して、第１配線６１から離れた位置に第２コンタクトホールＣＮＴ７２を配置することにより、第２配線６２を広く設けることが可能となり、確実に第２コンタクトホールＣＮＴ７２を設けることができる。
【０１０９】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、ガード配線６０によって複数の液晶装置１００が接続されており、ガード配線６０に過剰な静電気が蓄積された場合（大きな寄生容量をもった場合）でも、第１配線６１を介すことなく、第２コンタクトホールＣＮＴ７２から静電気を逃がすことができる。また、第１配線６１のシート抵抗が他の配線のシート抵抗より大きいので、ガード配線６０側からＴＦＴ３０側に静電気が流れることを抑えることができる。
【０１１０】
（３）本実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、ＴＦＴ３０側の第１コンタクトホールＣＮＴ７１と、ガード配線６０側の第２コンタクトホールＣＮＴ７２とを、第３絶縁層９３に同時に形成するので、第２素子側配線８２などを含む液晶装置１００側に溜まった静電気を第１コンタクトホールＣＮＴ７１から逃がし、ガード配線６０に溜まった静電気を第２コンタクトホールＣＮＴ７２から逃がすことができる。よって、第１配線６１が静電破壊することを防ぐことができる。
【０１１１】
（４）本実施形態の電子機器によれば、第２素子側配線８２を含む液晶装置１００側を過剰な静電気から保護することができ、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１１２】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１３】
（変形例１）
上記したように、液晶装置１００の第１配線６１近傍の構造は、図７に示すような構造であることに限定されず、例えば、図１１及び図１２に示すような構造でもよい。図１１及び図１２は、変形例の液晶装置１０１，１０２の構造を示す模式断面図である。
【０１１４】
図１１に示す液晶装置１０１は、ガード配線６０と第１配線６１とを接続するのに第３配線６３を介さず、第２配線６２を直接介して接続されている点が、上記実施形態と異なっている。第２配線６２は、第３絶縁層９３に設けられたコンタクトホールＣＮＴ７２と接続されている。
【０１１５】
これによれば、平面視で第１配線６１の近傍において静電気開放用の第２コンタクトホールＣＮＴ７２を設けることになるものの、ガード配線６０に蓄積された過剰な静電気をコンタクトホールＣＮＴ７２から逃がすことができる。よって、第１配線６１が静電破壊されることを防ぐことができる。
【０１１６】
図１２に示す液晶装置１０２は、上記変形例の液晶装置１０１の構造に加えて、第２コンタクトホールＣＮＴ７２上に島状の第２上層配線７６を設けている点が異なっている。これによれば、第２コンタクトホールＣＮＴ７２と接続される第２上層配線７６を形成する際、第２配線６２が過剰にエッチングされる（ダメージが加わる）ことを防ぐことができる。つまり、ガード配線６０と第１配線６１とが分断されることを防ぐことができる。
【０１１７】
また、画素電極２７が形成される層まで、第２上層配線７６と電気的に接続されるように、コンタクトホール及び配線を用いて繋げるようにするようにしてもよい。これによれば、コンタクトホールＣＮＴ７２（第２上層配線７６）以降の配線形成工程において、上記同様に、静電気破壊の発生リスクを低減させることができる。
【０１１８】
（変形例２）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【０１１９】
（変形例３）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００を用いることに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１２０】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…第４層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…誘電体膜、１６ｃ…第２容量電極、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域（ソース領域）、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、ＣＮＴ４１，４２，４３，４４，４５…コンタクトホール、５１，５２…中継配線、６０…ガード配線、６１…第１配線、６２…第２配線、６３…第３配線、６４…スクライブライン、６５…外部接続用端子、ＣＮＴ７１…第１コンタクトホール、ＣＮＴ７２…第２コンタクトホール、ＣＮＴ７０，７３，７４，７５，７６，７７…コンタクトホール、７５…上層配線、７６…第２上層配線、８１…第１素子側配線、８２…第２素子側配線、９１…第１絶縁層、９２…第２絶縁層、９３…第３絶縁層、１００，１０１，１０２…液晶装置、５００…マザー基板、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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