(57)【要約】  基板は、支持層と、柱状の第１のバンプと、第２のバンプとを有する。前記支持層は、主面を有する。前記第１のバンプは、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する。前記第２のバンプは、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う。前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続される。前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する。
2016189692.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する支持層と、
第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、
第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続され、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する
基板。
【請求項２】
前記第２のバンプは、前記側面および第１の面に対して第１の方向側にある第１の部分と、前記第１の面に対して第２の方向側にある第２の部分とを有し、
前記第１の面は、前記第１の上面に垂直であり、かつ前記側面に接続された面であり、
前記第１の方向は、前記側面に垂直であって、かつ前記第１のバンプから離れる方向であり、
前記第２の方向は、前記第１の方向と反対の方向であり、
前記第１の部分の第１の厚さは、前記第２の部分の第２の厚さよりも小さい
請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第１の厚さを前記第２の厚さで割った値は、０．０１以上０．５以下である
請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記第２のバンプは、第２の面に対して第３の方向側にある第３の部分と、前記第２の面に対して第４の方向側にある第４の部分とを有し、
前記第２の面は、前記第１の上面に平行であり、かつ前記第１の上面に接する平面であり、
前記第３の方向は、前記支持層から前記第１の上面に向かう方向であり、
前記第４の方向は、前記第３の方向と反対の方向であり、
前記第３の部分の高さは、前記側面において前記第３の方向の前記第４の部分の長さ以下である
請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記高さを前記長さで割った値は、０．０１以上０．５以下である
請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記複数の微細粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１μｍ以下である
請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有し、
前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有する
請求項１に記載の基板。
【請求項８】
複数の基板を有する半導体装置であって、
前記複数の基板の少なくとも１つは、
主面を有する支持層と、
第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、
第２の導電性金属の微細粒子の集合体であり、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続され、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有し、
前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有し、
前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有する
半導体装置。
【請求項９】
第１の基板を準備し、前記第１の基板は、第１の主面を有する支持層と、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、を有し、前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置された電極に接続される第１の工程と、
第２の主面を有する第２の基板を準備する第２の工程と、
第２の導電性金属の微細粒子と有機溶媒とを含む膜を前記第２の主面に形成する第３の工程と、
前記第１の主面と前記第２の主面とが対向する状態で前記第１のバンプと前記膜とを接触させる第４の工程と、
前記第４の工程の後、前記第１のバンプと前記膜とを離すことにより、第２のバンプを形成し、前記第２のバンプは、前記第２の導電性金属の複数の前記微細粒子と前記有機溶媒とを含み、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う第５の工程と、
前記第２のバンプから前記有機溶媒を除去する第６の工程と、
を有し、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する
基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板、半導体装置、および基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、２次元の集積率の向上により、性能向上が実現されている。しかしながら、微細化技術の限界と、微細化による性能向上の限界とが認識されている。このため、性能向上の１つの手段として、３次元の集積化が進められている。その手段として、チップオンボード（ＣＯＢ）、チップオンチップ（ＣＯＣ）、Ｃｈｉｐ  ｔｏ  Ｗａｆｅｒ（Ｃ２Ｗ）、およびＷａｆｅｒ  ｔｏ  Ｗａｆｅｒ（Ｗ２Ｗ）などの構造が検討されている。チップオンボードでは、半導体チップが配線基板上に直接実装される。チップオンチップでは、複数の半導体チップが積層される。【０００３】
実装方法として、フリップチップ法およびウエハ接合法などが用いられている。バンプ電極およびシリコン貫通電極（ＴＳＶ）などを用いて、複数の基板を縦方向に接続する方法が一般的に用いられている。例えば、接続電極を高密度に形成しながら複数の半導体基板を積層することにより、より高性能な半導体装置を実現することが試みられている。上記の事情に鑑みて、複数の半導体層を有する積層型構造のデバイス（半導体メモリおよび半導体撮像装置など）の開発が行われている。【０００４】
上記のような複数の基板の接続技術では、バンプ電極の高さのバラつきに対する対策が検討されている。例えば、実装時に圧力を加えることによりバンプ電極を押しつぶす方法がある。しかしながら、過度の加圧によりバンプ電極の内部に歪が残る。これが故障の原因となる恐れがある。このため、平坦化技術を用いてバンプ電極の表面を平坦化することにより、必要な圧力を低減する方法がある。【０００５】
特許文献１には、基板上に形成されるバンプの高さばらつきを吸収するための技術が開示されている。この技術では、金属材料により充填された第１バンプ層が基板上に形成される。この第１バンプ層上に、金属粉末の焼結体で構成された第２バンプ層が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】日本国特開２００９−３０２５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示された技術では、第１バンプ層の上部のみに第２バンプ層が形成され、かつ、製造方法に起因して第２バンプ層の上面が平坦になる。このため、複数の基板の接合時に第２バンプ層を変形させるために、第２バンプ層の構造自体を変形させる圧力を印加する必要がある。この結果、接合時の圧力を低減することが困難である。【０００８】
本発明は、接合に必要な圧力が低減される基板、半導体装置、および基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、基板は、支持層と、柱状の第１のバンプと、第２のバンプとを有する。前記支持層は、主面を有する。前記第１のバンプは、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する。前記第２のバンプは、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う。前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続される。前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する。【００１０】
本発明の第２の態様によれば、第１の態様において、前記第２のバンプは、前記側面および第１の面に対して第１の方向側にある第１の部分と、前記第１の面に対して第２の方向側にある第２の部分とを有してもよい。前記第１の面は、前記第１の上面に垂直であり、かつ前記側面に接続された面であってもよい。前記第１の方向は、前記側面に垂直であって、かつ前記第１のバンプから離れる方向であってもよい。前記第２の方向は、前記第１の方向と反対の方向であってもよい。前記第１の部分の第１の厚さは、前記第２の部分の第２の厚さよりも小さくてもよい。【００１１】
本発明の第３の態様によれば、第２の態様において、前記第１の厚さを前記第２の厚さで割った値は、０．０１以上０．５以下であってもよい。【００１２】
本発明の第４の態様によれば、第１の態様において、前記第２のバンプは、第２の面に対して第３の方向側にある第３の部分と、前記第２の面に対して第４の方向側にある第４の部分とを有してもよい。前記第２の面は、前記第１の上面に平行であり、かつ前記第１の上面に接する平面であってもよい。前記第３の方向は、前記支持層から前記第１の上面に向かう方向であってもよい。前記第４の方向は、前記第３の方向と反対の方向であってもよい。前記第３の部分の高さは、前記側面において前記第３の方向の前記第４の部分の長さ以下であってもよい。【００１３】
本発明の第５の態様によれば、第４の態様において、前記高さを前記長さで割った値は、０．０１以上０．５以下であってもよい。【００１４】
本発明の第６の態様によれば、第１の態様において、前記複数の微細粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１μｍ以下であってもよい。【００１５】
本発明の第７の態様によれば、第１の態様において、前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有してもよい。前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有してもよい。【００１６】
本発明の第８の態様によれば、半導体装置は、複数の基板を有する。前記複数の基板の少なくとも１つは、支持層と、柱状の第１のバンプと、第２のバンプとを有する。前記支持層は、主面を有する。前記第１のバンプは、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する。前記第２のバンプは、第２の導電性金属の微細粒子の集合体であり、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う。前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続される。前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する。前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有する。前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有する。【００１７】
本発明の第９の態様によれば、基板の製造方法は、第１の工程と、第２の工程と、第３の工程と、第４の工程と、第５の工程とを有する。前記第１の工程は、第１の基板を準備する工程である。前記第１の基板は、第１の主面を有する支持層と、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、を有し、前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置される。または前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置された電極に接続される。前記第２の工程は、第２の主面を有する第２の基板を準備する工程である。前記第３の工程は、第２の導電性金属の微細粒子と有機溶媒とを含む膜を前記第２の主面に形成する工程である。前記第４の工程は、前記第１の主面と前記第２の主面とが対向する状態で前記第１のバンプと前記膜とを接触させる工程である。前記第５の工程は、前記第４の工程の後、前記第１のバンプと前記膜とを離すことにより、第２のバンプを形成する工程である。前記第２のバンプは、前記第２の導電性金属の複数の前記微細粒子と前記有機溶媒とを含み、かつ前記第１の上面と前記側面の一部とを覆う。前記第６の工程は、前記第２のバンプから前記有機溶媒を除去する工程である。前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有する。
【発明の効果】
【００１８】
上記の各態様によれば、第２のバンプは、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ凸形状の第２の上面を有する。このため、複数の基板の接合時に荷重による圧力に応じて第２のバンプが徐々に変形する。この結果、接合に必要な圧力が低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１の実施形態の基板の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の基板の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の基板の写真である。
【図４】本発明の第１の実施形態の基板の断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態の基板の断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態の基板の製造方法を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態の半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態の半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の第４の実施形態の半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照し、本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態の基板１００の構成を示している。図１では基板１００の断面が示されている。図１に示すように、基板１００は、支持層１０１と、電極１３０と、第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０とを有する。図１では複数の電極１３０が存在するが、代表として１つの電極１３０の符号が示されている。図１では複数の第１のバンプ１４０が存在するが、代表として１つ第１のバンプ１４０の符号が示されている。図１では複数の第２のバンプ１５０が存在するが、代表として１つの第２のバンプ１５０の符号が示されている。
【００２２】
基板１００を構成する部分の寸法は、図１に示される寸法に従うわけではない。基板１００を構成する部分の寸法は任意であってよい。図１以外の断面図における寸法についても同様である。
【００２３】
支持層１０１は、半導体層１１０と配線層１２０とを有する。半導体層１１０と配線層１２０とは、半導体層１１０と配線層１２０との厚さ方向Ｄｒ１に積層されている。厚さ方向Ｄｒ１は、第１の面１２０ａに垂直な方向である。半導体層１１０と配線層１２０とは、互いに接触している。支持層１０１は、電極１３０と、第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０とを支持する。
【００２４】
半導体層１１０は、半導体材料で構成されている。例えば、半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ヒ素（Ａｓ）、およびホウ素（Ｂ）等の少なくとも１つである。半導体層１１０は、第１の面１１０ａと第２の面１１０ｂとを有する。第１の面１１０ａは、配線層１２０と接触している。第２の面１１０ｂは、支持層１０１の主面の１つを構成する。支持層１０１の主面は、支持層１０１の表面を構成する複数の面のうち最も広い面である。
【００２５】
配線層１２０は、配線１２１と、層間絶縁膜１２２とを有する。図１では複数の配線１２１が存在するが、代表として１つの配線１２１の符号が示されている。
【００２６】
配線１２１は、導電材料で構成されている。例えば、配線１２１を構成する導電材料は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等の金属である。配線層１２０は、第１の面１２０ａと第２の面１２０ｂとを有する。第１の面１２０ａは、複数の電極１３０と接触している。第１の面１２０ａは、支持層１０１の主面の１つを構成する。第２の面１２０ｂは、第１の面１１０ａと接触している。
【００２７】
配線１２１は、配線パターンが形成された薄膜である。配線１２１は、信号を伝送する。１層のみの配線１２１が形成されていてもよいし、複数層の配線１２１が形成されていてもよい。図１に示す例では、３層の配線１２１が形成されている。複数層の配線１２１は、ビアによって接続されている。
【００２８】
配線層１２０において、配線１２１以外の部分は、層間絶縁膜１２２で構成されている。層間絶縁膜１２２は、絶縁材料で構成されている。例えば、絶縁材料は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、炭化珪素の酸化物（ＳｉＣＯ）、および窒化珪素（ＳｉＮ）等の少なくとも１つである。
【００２９】
半導体層１１０と配線層１２０との少なくとも１つは、トランジスタ等の回路要素を有してもよい。
【００３０】
上記のように、支持層１０１は、半導体層１１０と、半導体層１１０に積層された配線層１２０とを有する。半導体層１１０または配線層１２０は、複数の電極１３０または複数の第１のバンプ１４０が配置される主面を有する。図１では、支持層１０１の主面は、第１の面１２０ａである。支持層１０１は、プリント配線基板またはインターポーザ基板であってもよい。
【００３１】
複数の電極１３０は、第１の面１２０ａに配置されている。電極１３０は、導電材料で構成されている。例えば、電極１３０を構成する導電材料は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の少なくとも１つである。電極１３０が配置されていることにより、第１のバンプ１４０が容易に形成される。電極１３０は、配線層１２０のビアに接続されている。このため、電極１３０は、配線層１２０のビアを介して配線１２１に電気的に接続されている。
【００３２】
複数の第１のバンプ１４０は、複数の電極１３０に配置されている。複数の第１のバンプ１４０は、複数の電極１３０と接触している。つまり、複数の第１のバンプ１４０は、複数の電極１３０に接続されている。第１のバンプ１４０は、第１の導電性金属により充填されている。第１のバンプ１４０において、第１のバンプ１４０を構成する第１の導電性金属の原子が規則的に配列されている。例えば、第１の導電性金属は、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、およびニッケル（Ｎｉ）等の少なくとも１つである。例えば、電極１３０と第１のバンプ１４０とは、同一の材料で構成されている。例えば、第１のバンプ１４０は、めっき法により形成される。第１のバンプ１４０は、蒸着法またはスパッタ法により形成されてもよい。
【００３３】
第１のバンプ１４０は、第１の上面１４０ａと、側面１４０ｂと、底面１４０ｃとを有する。第１のバンプ１４０は、柱状である。底面１４０ｃは、電極１３０と接触している。第１の上面１４０ａと底面１４０ｃとは、厚さ方向Ｄｒ１の異なる位置にある面である。第１の上面１４０ａと支持層１０１（第１の面１２０ａ）との距離Ｄｓ１は、底面１４０ｃと支持層１０１（第１の面１２０ａ）との距離Ｄｓ２よりも大きい。例えば、第１の上面１４０ａと底面１４０ｃとは、第１の面１２０ａに対して平行である。側面１４０ｂは、第１の上面１４０ａと底面１４０ｃとを接続する。例えば、側面１４０ｂは、第１の面１２０ａに対して垂直である。つまり、第１の上面１４０ａに平行な第１のバンプ１４０の断面積は、厚さ方向Ｄｒ１における第１の上面１４０ａからの距離によらず、一定である。第１のバンプ１４０の断面積は、厚さ方向Ｄｒ１における第１の上面１４０ａからの距離に応じて、徐々に大きくなってもよい。つまり、側面１４０ｂは、第１の面１２０ａに対して傾斜していてもよい。
【００３４】
複数の第２のバンプ１５０は、第１の上面１４０ａと側面１４０ｂとに配置されている。複数の第２のバンプ１５０は、第１の上面１４０ａおよび側面１４０ｂと接触している。つまり、複数の第２のバンプ１５０は、複数の第１のバンプ１４０に接続されている。第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含む。つまり、第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子の集合体である。例えば、第２の導電性金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、および銅（Ｃｕ）等の少なくとも１つである。第２のバンプ１５０は、第１の上面１４０ａの全体と側面１４０ｂの一部とを覆う。第２のバンプ１５０は、凸形状の第２の上面１５０ａを有する。第２のバンプ１５０は、厚さ方向Ｄｒ１における第１の上面１４０ａからの距離に応じて、徐々に細くなる。つまり、第１の上面１４０ａに平行な第２のバンプ１５０の断面積は、厚さ方向Ｄｒ１における第１の上面１４０ａからの距離に応じて、徐々に小さくなる。
【００３５】
第２のバンプ１５０を構成する複数の微細粒子は、ファンデルワールス力により集合している。このため、第２のバンプ１５０の構造は安定している。複数の基板の接合時に熱と圧力とが第２のバンプ１５０に加わることにより、第２のバンプ１５０の硬化（焼結）が行われる。この結果、複数の微細粒子が結合する。複数の微細粒子のそれぞれの表面が、有機材料で構成される保護膜で覆われていてもよい。複数の微細粒子のそれぞれの表面が保護膜で覆われている場合、保護膜は第２のバンプ１５０の硬化（焼結）時に除去される。
【００３６】
半導体層１１０が配線層１２０の位置に配置され、かつ配線層１２０が半導体層１１０の位置に配置されてもよい。つまり、半導体層１１０は、複数の電極１３０が配置される主面を有してもよい。この場合、例えば貫通ビアが半導体層１１０に配置され、電極１３０は貫通ビアを介して配線層１２０に接続される。
【００３７】
本発明の各態様の基板は、図２に示す基板１０２であってもよい。図２は、基板１０２の構成を示している。図２では基板１０２の断面が示されている。図２に示すように、基板１０２は、支持層１０１と、第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０とを有する。
【００３８】
図２に示す構成について、図１に示す構成と異なる点を説明する。基板１０２は、電極１３０を有していない。複数の第１のバンプ１４０は、第１の面１２０ａに配置されている。複数の第１のバンプ１４０は、第１の面１２０ａと接触している。上記以外の点については、図２に示す構成は図１に示す構成と同様である。
【００３９】
上記のように、基板１００と基板１０２とは、支持層１０１と、柱状の第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０とを有する。支持層１０１は、第１の面１２０ａ（主面）を有する。第１のバンプ１４０は、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面１４０ａと側面１４０ｂとを有する。第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ第１の上面１４０ａと側面１４０ｂの一部とを覆う。第１のバンプ１４０は、第１の面１２０ａに配置されている。または、第１のバンプ１４０は、第１の面１２０ａに配置された電極１３０に接続されている。第２のバンプ１５０は、凸形状の第２の上面１５０ａを有する。
【００４０】
第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ凸形状の第２の上面１５０ａを有する。このため、第２のバンプ１５０は、金属で充填された構造を有するバンプよりも高い柔軟性を有する。複数の基板の接合時に荷重による圧力に応じて第２のバンプ１５０が徐々に変形する。この結果、接合に必要な圧力が低減される。
【００４１】
第２のバンプ１５０を構成する複数の微細粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１μｍ以下である。複数の微細粒子がより小さくなることにより、第２のバンプ１５０の柔軟性がより高まる。このため、平均粒径が１μｍ以下である微細粒子が使用される。また、複数の微細粒子の製造可能なサイズを考慮することにより、平均粒径が０．０１μｍ以上である微細粒子が使用される。
【００４２】
図３は、基板１００の写真である。図３に示すように、複数の電極１３０と、複数の第１のバンプ１４０と、複数の第２のバンプ１５０とが行列状に配置されている。図３では、代表として、１つの電極１３０と、１つの第１のバンプ１４０と、１つの第２のバンプ１５０との符号が示されている。第１の面１２０ａに平行な第１のバンプ１４０の断面は円である。第１のバンプ１４０の断面の形状は、多角形であってもよい。
【００４３】
図４と図５とは、基板１００の拡大図である。図４と図５とでは、基板１００の断面が示されている。図４と図５とでは、図１に示す基板１００の一部のみが示されている。
【００４４】
図４に示すように、第２のバンプ１５０は、側面１４０ｂおよび第１の面Ｓ１に対して第１の方向Ｄｒ２側にある第１の部分１５１と、第１の面Ｓ１に対して第２の方向Ｄｒ３側にある第２の部分１５２とを有する。第１の面Ｓ１は、第１の上面１４０ａに垂直であり、かつ側面１４０ｂに接続された面である。第１の面Ｓ１は、第１の上面１４０ａと側面１４０ｂとが接続されている部分において、側面１４０ｂに接続されている。図４では、第１の面Ｓ１の断面が直線で示されている。例えば、第１のバンプ１４０の断面が円である場合、第１の面Ｓ１は円筒状の面である。第１の方向Ｄｒ２は、側面１４０ｂに垂直であって、かつ第１のバンプ１４０から離れる方向である。つまり、第１の方向Ｄｒ２は、第１のバンプ１４０の外側に向かう方向である。第２の方向Ｄｒ３は、第１の方向Ｄｒ２と反対の方向である。つまり、第２の方向Ｄｒ３は、第１のバンプ１４０の内側に向かう方向である。第１の部分１５１の第１の厚さＴ１は、第２の部分１５２の第２の厚さＴ２よりも小さい。第１の厚さＴ１は、側面１４０ｂに垂直な方向の厚さである。第２の厚さＴ２は、第１の上面１４０ａに垂直な方向の厚さである。第２の部分１５２は、凸形状である。
【００４５】
第１の厚さＴ１を第２の厚さＴ２で割った値は、０．０１以上０．５以下であってもよい。つまり、第１の厚さＴ１と第２の厚さＴ２とに関して、以下の式（１）が成立してもよい。
０．０１×（Ｔ２）＜Ｔ１＜０．５×（Ｔ２）  ・・・（１）
【００４６】
図５に示すように、第２のバンプ１５０は、第２の面Ｓ２に対して第３の方向Ｄｒ４側にある第３の部分１５３と、第２の面Ｓ２に対して第４の方向Ｄｒ５側にある第４の部分１５４とを有する。第２の面Ｓ２は、第１の上面１４０ａに平行であり、かつ第１の上面１４０ａに接する平面である。図５では、第２の面Ｓ２の断面が直線で示されている。第３の方向Ｄｒ４は、支持層１０１から第１の上面１４０ａに向かう方向である。第４の方向Ｄｒ５は、第３の方向Ｄｒ４と反対の方向である。第３の部分１５３の高さＨ１は、側面１４０ｂにおいて第３の方向Ｄｒ４の第４の部分１５４の長さＬ１以下である。高さＨ１は、第１の上面１４０ａに垂直な方向の高さである。高さＨ１は、第２の厚さＴ２と同一である。第３の部分１５３は、凸形状である。
【００４７】
高さＨ１を長さＬ１で割った値は、０．０１以上０．５以下であってもよい。つまり、高さＨ１と長さＬ１とに関して、以下の式（２）が成立してもよい。
０．０１×（Ｌ１）＜Ｈ１＜０．５×（Ｌ１）  ・・・（２）
【００４８】
図６から図１２は、基板１００の製造方法を示している。図６から図１２を参照し、基板１００の製造方法を説明する。図６と図９から図１２とでは、図１と同様に、基板１００を構成する各部分の断面が示されている。基板１００の製造方法は、第１の準備工程（第１の工程）と、第２の準備工程（第２の工程）と、成膜工程（第３の工程）と、転写工程（第４の工程）と、バンプ形成工程（第５の工程）と、除去工程（第６の工程）とを有する。
【００４９】
（第１の準備工程）
第１の準備工程は、図６に示す基板１０（第１の基板）を準備する工程である。図６に示すように、基板１０は、支持層１０１と、電極１３０と、柱状の第１のバンプ１４０とを有する。支持層１０１は、第１の面１２０ａ（第１の主面）を有する。支持層１０１の構造は、図１に示す支持層１０１の構造と同様である。第１のバンプ１４０は、第１の導電性金属により充填されている。第１のバンプ１４０は、第１の上面１４０ａと、側面１４０ｂと、底面１４０ｃとを有する。第１のバンプ１４０は、第１の面１２０ａに配置された電極１３０に接続されている。第１のバンプ１４０が第１の面１２０ａに配置されてもよい。
【００５０】
第１の準備工程は、支持層１０１の第１の面１２０ａに電極１３０を形成する工程と、電極１３０に第１のバンプ１４０を形成する工程とを含んでもよい。第１の準備工程は、支持層１０１を形成する工程を含んでもよい。支持層１０１を形成する工程は、半導体層１１０を構成する基板に配線層１２０を形成する工程を含む。第１の準備工程は、成膜工程の後であってもよい。
【００５１】
（第２の準備工程）
第２の準備工程は、図７に示す基板２０（第２の基板）を準備する工程である。図７は、基板２０の外観を示している。図７に示すように、基板２０は、面２０ａ（第２の主面）を有する。面２０ａは、基板２０の主面の１つを構成する。基板２０の主面は、基板２０の表面を構成する複数の面のうち最も広い面である。
【００５２】
（成膜工程）
成膜工程は、第２の導電性金属の微細粒子と有機溶媒とを含む膜を面２０ａに形成する工程である。図８に示すように、第２の導電性金属の微細粒子を含む有機溶媒３０が面２０ａに塗布される。基板２０が面２０ａに垂直な回転軸を中心に回転している状態で有機溶媒３０が面２０ａに塗布される。これにより、図９に示す膜３１が面２０ａに形成される。膜３１の厚さは、有機溶媒３０に含まれる粒子のサイズと、質量割合と、塗布条件とに依存する。第２の導電性金属の微細粒子の表面は保護膜で覆われている。
【００５３】
（転写工程）
転写工程は、第１の面１２０ａと面２０ａとが対向する状態で第１のバンプ１４０と膜３１とを接触させる工程である。図９に示すように、第１の面１２０ａと面２０ａとが対向するように基板１０と基板２０とが配置される。その後、第１のバンプ１４０が面２０ａと接触するように、基板１０と基板２０との少なくとも１つが移動する。図１０に示すように、基板１０が基板２０に押し付けられる。これによって、第１のバンプ１４０と膜３１とが接触する。この結果、第１の上面１４０ａと側面１４０ｂの一部とが膜３１で覆われる。膜３１の厚さＴ３は、第１のバンプ１４０の高さＨ２以下である。厚さＴ３は、面２０ａに垂直な方向の厚さである。高さＨ２は、第１の上面１４０ａに垂直な方向の高さである。例えば、厚さＴ３は、高さＨ２の半分以下である。
【００５４】
（バンプ形成工程）
バンプ形成工程は、転写工程の後、第１のバンプ１４０と膜３１とを離すことにより、第２のバンプ１５０を形成する工程である。図１１に示すように、第１の面１２０ａと面２０ａとの距離が大きくなるように、基板１０と基板２０との少なくとも１つが移動する。これによって、第１のバンプ１４０が膜３１から離れる。膜３１の一部が第１の上面１４０ａと側面１４０ｂとに残ることにより、第２のバンプ１５０が形成される。第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子と有機溶媒とを含み、かつ第１の上面１４０ａと側面１４０ｂの一部とを覆う。
【００５５】
（除去工程）
除去工程は、第２のバンプ１５０から有機溶媒を除去する工程である。例えば、除去工程では、微細粒子の保護膜が除去されない、かつ微細粒子の焼結が発生しない条件で真空加熱が行われる。これによって、図１２に示すように、第２のバンプ１５０から有機溶媒が除去され、かつ基板１００が形成される。第２のバンプ１５０は、凸形状の第２の上面１５０ａを有する。
【００５６】
第１の実施形態では、第２のバンプ１５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ凸形状の第２の上面１５０ａを有する。このため、複数の基板の接合時に荷重による圧力に応じて第２のバンプ１５０が徐々に変形する。この結果、接合に必要な圧力が低減される。
【００５７】
（第２の実施形態）
図１３は、本発明の第２の実施形態の半導体装置４０の構成を示している。図１３に示すように、半導体装置４０は、基板１００と、基板２００と、接続層３００とを有する。基板１００と基板２００とは、接続層３００を介して積層されている。
【００５８】
図１４は、半導体装置４０の構成を示している。図１４では半導体装置４０の断面が示されている。
【００５９】
図１４に示す基板１００は、図１に示す基板１００と同一である。図１４に示すように、基板２００は、支持層２０１と、電極２３０とを有する。図１４では複数の電極２３０が存在するが、代表として１つの電極２３０の符号が示されている。
【００６０】
支持層２０１は、半導体層２１０と配線層２２０とを有する。半導体層２１０と配線層２２０とは、半導体層２１０と配線層２２０との厚さ方向Ｄｒ６に積層されている。厚さ方向Ｄｒ６は、第１の面２２０ａに垂直な方向である。半導体層２１０と配線層２２０とは、互いに接触している。支持層２０１は、電極２３０を支持する。
【００６１】
半導体層２１０は、半導体材料で構成されている。半導体層２１０は、第１の面２１０ａと第２の面２１０ｂとを有する。第１の面２１０ａは、配線層２２０と接触している。第２の面２１０ｂは、支持層２０１の主面の１つを構成する。支持層２０１の主面は、支持層２０１の表面を構成する複数の面のうち最も広い面である。
【００６２】
配線層２２０は、配線２２１と、層間絶縁膜２２２とを有する。図１４では複数の配線２２１が存在するが、代表として１つの配線２２１の符号が示されている。
【００６３】
配線２２１は、導電材料で構成されている。配線層２２０は、第１の面２２０ａと第２の面２２０ｂとを有する。第１の面２２０ａは、複数の電極２３０と接触している。第１の面２２０ａは、支持層２０１の主面の１つを構成する。第２の面２２０ｂは、第１の面２１０ａと接触している。
【００６４】
配線２２１は、配線パターンが形成された薄膜である。配線２２１は、信号を伝送する。１層のみの配線２２１が形成されていてもよいし、複数層の配線２２１が形成されていてもよい。図１４に示す例では、３層の配線２２１が形成されている。複数層の配線２２１は、ビアによって接続されている。
【００６５】
配線層２２０において、配線２２１以外の部分は、層間絶縁膜２２２で構成されている。層間絶縁膜２２２は、絶縁材料で構成されている。
【００６６】
半導体層２１０と配線層２２０との少なくとも１つは、トランジスタ等の回路要素を有してもよい。
【００６７】
複数の電極２３０は、第１の面２２０ａに配置されている。電極２３０は、導電材料で構成されている。電極２３０は、配線層２２０のビアに接続されている。このため、電極２３０は、配線層２２０のビアを介して配線２２１に電気的に接続されている。電極２３０は、第２のバンプ１５０に接続されている。このため、基板１００と基板２００とは、電気的に接続されている。したがって、半導体装置４０は、基板１００と基板２００との間で信号を伝送することができる。複数の電極２３０が配置されていなくてもよい。つまり、第２のバンプ１５０が第１の面２２０ａと接触してもよい。
【００６８】
半導体層２１０が配線層２２０の位置に配置され、かつ配線層２２０が半導体層２１０の位置に配置されてもよい。この場合、例えば貫通ビアが半導体層２１０に配置され、電極２３０は貫通ビアを介して配線層２２０に接続される。第１のバンプ１４０および第２のバンプ１５０と同様の構造を有するバンプが電極２３０に配置されてもよい。
【００６９】
接続層３００は、配線層１２０と配線層２２０との間に配置されている。接続層３００は、樹脂で構成されている。例えば、樹脂は、エポキシ、ベンゾシクロブテン、ポリイミド、およびポリベンゾオキサゾール等の少なくとも１つである。接続層３００は、樹脂以外の絶縁材料で構成されてもよい。例えば、接続層３００は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、炭化珪素の酸化物（ＳｉＣＯ）、および窒化珪素（ＳｉＮ）等の少なくとも１つで構成されてもよい。接続層３００は、電極１３０と、第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０と、電極２３０との表面を覆う。
【００７０】
上記のように、半導体装置４０は、複数の基板すなわち基板１００と基板２００とを有する。半導体装置４０を構成する複数の基板の少なくとも１つの構成が基板１００の構成と同様であればよい。本発明の各態様の半導体装置は、電極１３０と電極２３０との少なくとも１つに対応する構成を有していなくてもよい。
【００７１】
第２の実施形態では、半導体装置４０は、第１のバンプ１４０と第２のバンプ１５０とを有する。このため、半導体装置４０を構成する基板１００と基板２００との接合に必要な圧力が低減される。
【００７２】
（第３の実施形態）
図１５は、本発明の第３の実施形態の半導体装置４１の構成を示している。図１５に示すように、半導体装置４１は、基板１００と、基板２０２と、接続層３００と、基板４００と、接続層５００とを有する。基板１００と基板２０２とは、接続層３００を介して積層されている。基板２０２と基板４００とは、接続層５００を介して積層されている。
【００７３】
図１６は、半導体装置４１の構成を示している。図１６では半導体装置４１の断面が示されている。
【００７４】
図１６に示す基板１００は、図１に示す基板１００と同一である。図１６に示すように、基板２０２は、支持層２０３と、電極２３０と、第１のバンプ２４０と、第２のバンプ２５０とを有する。図１６では複数の電極２３０が存在するが、代表として１つの電極２３０の符号が示されている。図１６では複数の第１のバンプ２４０が存在するが、代表として１つ第１のバンプ２４０の符号が示されている。図１６では複数の第２のバンプ２５０が存在するが、代表として１つの第２のバンプ２５０の符号が示されている。
【００７５】
支持層２０３は、半導体層２１１と、配線層２２０とを有する。半導体層２１１は、貫通ビア２１２を有する。貫通ビア２１２は、導電材料で構成されている。例えば、貫通ビア２１２を構成する導電材料は、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）等の金属である。貫通ビア２１２は、半導体層２１１を貫通し、かつ配線２２１に接続されている。また、貫通ビア２１２は、電極２３０に接続されている。半導体層２１１において、貫通ビア２１２以外の部分は、半導体材料で構成されている。図１６に示す配線層２２０は、図１４に示す配線層２２０と同一である。
【００７６】
図１６に示す電極２３０は、図１に示す電極１３０と同一である。複数の電極２３０が配置されていなくてもよい。つまり、第２のバンプ１５０が第１の面２２０ａと接触してもよい。複数の第１のバンプ２４０は、複数の電極２３０に配置されている。複数の第１のバンプ２４０は、複数の電極２３０と接触している。つまり、複数の第１のバンプ２４０は、複数の電極２３０に接続されている。第１のバンプ２４０は、第１の導電性金属により充填されている。例えば、電極２３０と第１のバンプ２４０とは、同一の材料で構成されている。
【００７７】
第１のバンプ２４０の形状は、第１のバンプ１４０の形状と同様である。つまり、第１のバンプ２４０は、第１の上面２４０ａと、側面２４０ｂと、底面２４０ｃとを有する。第１のバンプ２４０は、柱状である。
【００７８】
複数の第２のバンプ２５０は、第１の上面２４０ａと側面２４０ｂとに配置されている。複数の第２のバンプ２５０は、第１の上面２４０ａおよび側面２４０ｂと接触している。つまり、複数の第２のバンプ２５０は、複数の第１のバンプ２４０に接続されている。第２のバンプ２５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子を含む。つまり、第２のバンプ２５０は、第２の導電性金属の複数の微細粒子の集合体である。第２のバンプ２５０は、第１の上面２４０ａの全体と側面２４０ｂの一部とを覆う。第２のバンプ２５０の形状は、第２のバンプ１５０の形状と同様である。つまり、第２のバンプ２５０は、凸形状の第２の上面２５０ａを有する。
【００７９】
図１６に示す接続層３００は、図１４に示す接続層３００と同一である。図１６に示すように、基板４００は、支持層４０１と、電極４３０とを有する。図１６では複数の電極４３０が存在するが、代表として１つの電極４３０の符号が示されている。
【００８０】
支持層４０１は、半導体層４１０と配線層４２０とを有する。半導体層４１０と配線層４２０とは、半導体層４１０と配線層４２０との厚さ方向Ｄｒ７に積層されている。厚さ方向Ｄｒ７は、第１の面４２０ａに垂直な方向である。半導体層４１０と配線層４２０とは、互いに接触している。支持層４０１は、電極４３０を支持する。
【００８１】
半導体層４１０は、半導体材料で構成されている。半導体層４１０は、第１の面４１０ａと第２の面４１０ｂとを有する。第１の面４１０ａは、配線層４２０と接触している。第２の面４１０ｂは、支持層４０１の主面の１つを構成する。支持層４０１の主面は、支持層４０１の表面を構成する複数の面のうち最も広い面である。
【００８２】
配線層４２０は、配線４２１と、層間絶縁膜４２２とを有する。図１６では複数の配線４２１が存在するが、代表として１つの配線４２１の符号が示されている。
【００８３】
配線４２１は、導電材料で構成されている。配線層４２０は、第１の面４２０ａと第２の面４２０ｂとを有する。第１の面４２０ａは、複数の電極４３０と接触している。第１の面４２０ａは、支持層４０１の主面の１つを構成する。第２の面４２０ｂは、第１の面４１０ａと接触している。
【００８４】
配線４２１は、配線パターンが形成された薄膜である。配線４２１は、信号を伝送する。１層のみの配線４２１が形成されていてもよいし、複数層の配線４２１が形成されていてもよい。図１６に示す例では、３層の配線４２１が形成されている。複数層の配線４２１は、ビアによって接続されている。
【００８５】
配線層４２０において、配線４２１以外の部分は、層間絶縁膜４２２で構成されている。層間絶縁膜４２２は、絶縁材料で構成されている。
【００８６】
半導体層４１０と配線層４２０との少なくとも１つは、トランジスタ等の回路要素を有してもよい。
【００８７】
複数の電極４３０は、第１の面４２０ａに配置されている。電極４３０は、導電材料で構成されている。電極４３０は、配線層４２０のビアに接続されている。このため、電極４３０は、配線層４２０のビアを介して配線４２１に電気的に接続されている。電極４３０は、第２のバンプ２５０に接続されている。このため、基板２０２と基板４００とは、電気的に接続されている。したがって、半導体装置４１は、基板２０２と基板４００との間で信号を伝送することができる。複数の電極４３０が配置されていなくてもよい。つまり、第２のバンプ２５０が第１の面４２０ａと接触してもよい。
【００８８】
半導体層４１０が配線層４２０の位置に配置され、かつ配線層４２０が半導体層４１０の位置に配置されてもよい。この場合、例えば貫通ビアが半導体層４１０に配置され、電極４３０は貫通ビアを介して配線層４２０に接続される。第１のバンプ１４０および第２のバンプ１５０と同様の構造を有するバンプが電極４３０に配置されてもよい。
【００８９】
接続層５００は、半導体層２１１と配線層４２０との間に配置されている。接続層５００は、樹脂で構成されている。接続層５００は、樹脂以外の絶縁材料で構成されてもよい。接続層５００は、電極２３０と、第１のバンプ２４０と、第２のバンプ２５０と、電極４３０との表面を覆う。
【００９０】
上記のように、半導体装置４１は、複数の基板すなわち基板１００と基板２０２と基板４００とを有する。半導体装置４１を構成する複数の基板の少なくとも１つの構成が基板１００の構成と同様であればよい。本発明の各態様の半導体装置は、４枚以上の基板を有してもよい。
【００９１】
第３の実施形態では、半導体装置４１は、第１のバンプ１４０と、第２のバンプ１５０と、第１のバンプ２４０と、第２のバンプ２５０とを有する。このため、半導体装置４１を構成する基板１００と基板２０２との接合に必要な圧力が低減される。同様に、半導体装置４１を構成する基板２０２と基板４００との接合に必要な圧力が低減される。
【００９２】
（第４の実施形態）
図１７は、本発明の第４の実施形態の半導体装置４２の構成を示している。半導体装置４２は、撮像機能を有する固体撮像装置である。図１７では半導体装置４２の断面が示されている。図１７に示すように、半導体装置４２は、基板１００と、基板２０４と、接続層３００と、マイクロレンズ６００と、カラーフィルタ６０１とを有する。基板１００と基板２０４とは、接続層３００を介して積層されている。
【００９３】
図１７に示す基板１００は、図１に示す基板１００と同一である。図１７に示すように、基板２０４は、支持層２０５と、電極２３０とを有する。図１７では複数の電極２３０が存在するが、代表として１つの電極２３０の符号が示されている。
【００９４】
支持層２０５は、半導体層２１３と、配線層２２０とを有する。半導体層２１３は、光電変換部２１４を有する。半導体層２１３は、半導体材料で構成されている。例えば、光電変換部２１４は、半導体層２１３を構成する半導体材料とは不純物濃度が異なる半導体材料で構成されている。図１７に示す配線層２２０は、図１４に示す配線層２２０と同一である。
【００９５】
図１７に示す電極２３０は、図１４に示す電極２３０と同一である。複数の電極２３０が配置されていなくてもよい。つまり、第２のバンプ１５０が第１の面２２０ａと接触してもよい。
【００９６】
半導体層２１３の表面にカラーフィルタ６０１が配置されている。カラーフィルタ６０１上にマイクロレンズ６００が配置されている。
【００９７】
半導体装置４２の光学的前方に配置された撮像レンズを通過した、被写体からの光がマイクロレンズ６００に入射する。マイクロレンズ６００は、撮像レンズを透過した光を結像する。カラーフィルタ６０１は、所定の色に対応した波長の光を透過させる。
【００９８】
マイクロレンズ６００とカラーフィルタ６０１とを透過した光は、半導体層２１３に入射する。半導体層２１３に入射した光は、半導体層２１３内を進んで光電変換部２１４に入射する。光電変換部２１４は、入射した光を信号に変換する。
【００９９】
図１７に示す接続層３００は、図１４に示す接続層３００と同一である。
【０１００】
上記のように、半導体装置４２は、複数の基板すなわち基板１００と基板２０４とを有する。半導体装置４２を構成する複数の基板の少なくとも１つの構成が基板１００の構成と同様であればよい。
【０１０１】
第４の実施形態では、半導体装置４２は、第１のバンプ１４０と第２のバンプ１５０とを有する。このため、半導体装置４２を構成する基板１００と基板２０４との接合に必要な圧力が低減される。
【０１０２】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこれら実施形態およびその変形例に限定されることはない。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、構成の付加、省略、置換、およびその他の変更が可能である。また、本発明は前述した説明によって限定されることはなく、添付のクレームの範囲によってのみ限定される。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の各実施形態によれば、接合に必要な圧力が低減される。
【符号の説明】
【０１０４】
１０，２０，１００，１０２，２００，２０２，２０４，４００  基板
４０，４１，４２  半導体装置
１０１，２０１，２０３，２０５，４０１  支持層
１１０，２１０，２１１，２１３，４１０  半導体層
１２０，２２０，４２０  配線層
１２１，２２１，４２１  配線
１２２，２２２，４２２  層間絶縁膜
１３０，２３０，４３０  電極
１４０，２４０  第１のバンプ
１５０，２５０  第２のバンプ
２１２  貫通ビア
２１４  光電変換部
３００，５００  接続層
６００  マイクロレンズ
６０１  カラーフィルタ
【図１】
2016189692.tif 000003
【図２】
2016189692.tif 000004
【図３】
2016189692.tif 000005
【図４】
2016189692.tif 000006
【図５】
2016189692.tif 000007
【図６】
2016189692.tif 000008
【図７】
2016189692.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【手続補正書】
【提出日】平成28年9月26日(2016.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面を有する支持層と、
第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、
第２の導電性金属の複数の微細粒子を含み、かつ前記第１の上面を覆う第３の部分と前記側面の一部を覆う第４の部分とを有する第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続され、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有し、
前記第１の上面に垂直な方向における前記第４の部分の高さは、前記第１のバンプの高さよりも小さい
基板。
【請求項２】
前記第２のバンプは、前記側面および第１の面に対して第１の方向側にある第１の部分と、前記第１の面に対して第２の方向側にある第２の部分とを有し、
前記第１の面は、前記第１の上面に垂直であり、かつ前記側面に接続された面であり、
前記第１の方向は、前記側面に垂直であって、かつ前記第１のバンプから離れる方向であり、
前記第２の方向は、前記第１の方向と反対の方向であり、
前記第１の部分の第１の厚さは、前記第２の部分の第２の厚さよりも小さい
請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記第１の厚さを前記第２の厚さで割った値は、０．０１以上０．５以下である
請求項２に記載の基板。
【請求項４】
前記第２のバンプは、第２の面に対して第３の方向側にある前記第３の部分と、前記第２の面に対して第４の方向側にある前記第４の部分とを有し、
前記第２の面は、前記第１の上面に平行であり、かつ前記第１の上面に接する平面であり、
前記第３の方向は、前記支持層から前記第１の上面に向かう方向であり、
前記第４の方向は、前記第３の方向と反対の方向であり、
前記第３の部分の高さは、前記側面において前記第３の方向の前記第４の部分の長さ以下である
請求項１に記載の基板。
【請求項５】
前記高さを前記長さで割った値は、０．０１以上０．５以下である
請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記複数の微細粒子の平均粒径は０．０１μｍ以上１μｍ以下である
請求項１に記載の基板。
【請求項７】
前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有し、
前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有する
請求項１に記載の基板。
【請求項８】
複数の基板を有する半導体装置であって、
前記複数の基板の少なくとも１つは、
主面を有する支持層と、
第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、
第２の導電性金属の微細粒子の集合体であり、かつ前記第１の上面を覆う第３の部分と前記側面の一部を覆う第４の部分とを有する第２のバンプと、
を有し、
前記第１のバンプは、前記主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記主面に配置された電極に接続され、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有し、
前記第１の上面に垂直な方向における前記第４の部分の高さは、前記第１のバンプの高さよりも小さく、
前記支持層は、半導体層と、前記半導体層に積層された配線層とを有し、
前記半導体層または前記配線層は、前記主面を有する
半導体装置。
【請求項９】
第１の基板を準備し、前記第１の基板は、第１の主面を有する支持層と、第１の導電性金属により充填され、かつ第１の上面と側面とを有する柱状の第１のバンプと、を有し、前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置され、または前記第１のバンプは、前記第１の主面に配置された電極に接続される第１の工程と、
第２の主面を有する第２の基板を準備する第２の工程と、
第２の導電性金属の微細粒子と有機溶媒とを含む膜を前記第２の主面に形成する第３の工程と、
前記第１の主面と前記第２の主面とが対向する状態で前記第１のバンプと前記膜とを接触させる第４の工程と、
前記第４の工程の後、前記第１のバンプと前記膜とを離すことにより、第２のバンプを形成し、前記第２のバンプは、前記第２の導電性金属の複数の前記微細粒子と前記有機溶媒とを含み、かつ前記第１の上面を覆う第３の部分と前記側面の一部を覆う第４の部分とを有する第５の工程と、
前記第２のバンプから前記有機溶媒を除去する第６の工程と、
を有し、
前記第２のバンプは、凸形状の第２の上面を有し、
前記第１の上面に垂直な方向における前記第４の部分の高さは、前記第１のバンプの高さよりも小さい
基板の製造方法。
【国際調査報告】
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