(57)【要約】【課題】比較的簡易な構成で被加熱体の温度分布が均一になるように加熱可能な加熱搬送装置を提供すること。【解決手段】被加熱体を加熱するとともに搬送する加熱搬送装置ＡＰは、上面２２ａおよび下面２２ｂを有する加熱部２２、前記被加熱体が配される支持面２１ａを有して加熱部２２上に配置される熱伝導部２１および該熱伝導部２１の支持面２１ａから加熱部２２の下面２２ｂまで貫通する複数の貫通部２３を有する加熱部材２と、貫通部２３内を移動して熱伝導部２１上に配された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する回転体１１および加熱部２２の下方に位置して回転体１１を回転させる回転軸１２を有する搬送部材１０とを備えた。【選択図】図２
2014148712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱体を加熱するとともに搬送する加熱搬送装置であって、
上面および下面を有する加熱部、前記被加熱体が配される支持面を有して前記加熱部上に配置される熱伝導部および該熱伝導部の前記支持面から前記加熱部の前記下面まで貫通する複数の貫通部を有する加熱部材と、
前記貫通部内を移動して前記熱伝導部上に配された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する回転体および前記加熱部の下方に位置して前記回転体を回転させる回転軸を有する搬送部材とを備えた加熱搬送装置。
【請求項２】
前記熱伝導部は、前記支持面の反対側に位置する裏面を有し、該裏面のうち前記貫通部の周辺に、前記熱伝導部よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部材が設けられている、請求項１に記載の加熱搬送装置。
【請求項３】
前記熱伝導部は、前記支持面の反対側に位置する裏面を有し、該裏面のうち前記貫通部の周辺に、前記熱伝導部よりも熱の放射率の小さい低熱放射部材が設けられている、請求項１に記載の加熱搬送装置。
【請求項４】
前記熱伝導部は、前記支持面の反対側に位置する裏面を有し、該裏面のうち前記貫通部の周辺に、前記熱伝導部よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部材が設けられており、該低熱伝導部材上に、該低熱伝導部材よりも熱の放射率の小さい低熱放射部材が設けられている、請求項１に記載の加熱搬送装置。
【請求項５】
前記貫通部は、前記加熱部に位置する第１貫通部および前記熱伝導部に位置する第２貫通部を有しており、
前記熱伝導部の前記支持面に開口する前記第２貫通部の開口部の大きさが、前記加熱部の前記上面に開口する前記第１貫通部の開口部の大きさよりも小さい、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項６】
前記加熱部の前記下面側に熱反射部材がさらに設けられている、請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項７】
前記熱伝導部および前記加熱部は板状であり、
前記熱伝導部の外周部に位置する前記加熱部は、前記熱伝導部の側面に接触または近接する壁部を有する、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項８】
前記被加熱体が板状であり、前記熱伝導部は、前記支持面から突出して前記被加熱体の側面に接触または近接する突出部を有する、請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【請求項９】
隣り合う第１チャンバー内および第２チャンバー内に前記加熱部材がそれぞれ設けられており、前記被加熱体が前記第１チャンバー内から前記第２チャンバー内に搬送され、
前記被加熱体および前記熱伝導部が板状であり、前記第１チャンバー内および第２チャンバー内にそれぞれ設けられた前記加熱部材は、前記被加熱体の搬送方向に対して、前記熱伝導部の前記支持面に開口する前記貫通部の開口部が前記被加熱体に対応する位置が互いに異なっている、請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の加熱搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は加熱搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属層、透明導電層および半導体層等の薄膜を成膜する手法として、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法およびＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等が知られている。これらの手法を用いる装置には、インライン式またはループ式等の搬送機構が設けられている。また、これらの手法を用いて基板上に良質な薄膜を成膜するには、基板を均一に加熱するとよい。そこで、基板を加熱する際には、加熱部などの加熱手段上に均熱板を設けている。この均熱板には、搬送時に使用する回転体が通る貫通孔が設けられている。この貫通孔による温度のばらつきを改善すべく、均熱板の貫通孔を加熱部上の補完ブロックに嵌め込んだ後に基板を加熱する加熱搬送装置が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２４７９６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の加熱搬送装置は、均熱板の貫通孔が補完ブロックに配される動作を行なうため、均熱板に煩雑な動作をさせる機構を設ける必要がある。これにより、処理速度の低下が起こる場合があった。また、補完ブロックと均熱板との摺動が繰り返されることによって、均熱板および補完ブロックが摩耗し、長期的に基板の均熱化が図れなくなるおそれがあった。
【０００５】
本発明の一つの目的は、比較的簡易な構成で被加熱体の温度分布が均一になるように加熱可能な加熱搬送装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る加熱搬送装置は、上面および下面を有する加熱部、被加熱体が配される支持面を有して前記加熱部上に配置される熱伝導部および該熱伝導部の前記支持面から前記加熱部の前記下面まで貫通する複数の貫通部を有する加熱部材と、前記貫通部内を移動して前記熱伝導部上に配された前記被加熱体に当接して該被加熱体を搬送する回転体および前記加熱部の下方に位置して前記回転体を回転させる回転軸を有する搬送部材とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態に係る加熱搬送装置では、加熱部および熱伝導部が設置されていない領域を小さくすることができるため、被加熱体の温度分布の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る加熱搬送装置を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、一実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導部が配されていない加熱部材付近を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）のＸ−Ｘにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図３】一実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導部が配置された状態の加熱部材付近を模式的に示す平面図である。
【図４】（ａ）は、一実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導部を上面側からみた平面図であり、（ｂ）は、図４（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）は、被加熱体の搬送状態を模式的に示す側面図であり、（ｂ）は、被加熱体の搬送後の状態を模式的に示す側面図である。
【図６】（ａ）は、一実施形態に係る加熱搬送装置の低熱伝導部材が設けられた熱伝導部の下面図であり、（ｂ）は、一実施形態に係る加熱搬送装置の低熱放射部材が設けられた熱伝導部の下面図である。
【図７】（ａ）は、他の実施形態に係る加熱搬送装置の熱伝導部の下面図であり、（ｂ）は、図６（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す下面図である。
【図８】他の実施形態に係る加熱搬送装置の図３のＹ−Ｙに相当する部分における断面を模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）は、他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱付近を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図９（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図１０】（ａ）は、他の実施形態に係る加熱搬送装置の加熱付近を模式的に示す平面透視図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）のＹ−Ｙにおける断面を模式的に示す断面図である。
【図１１】他の実施形態に係る加熱搬送装置を模式的に示す断面図である。
【図１２】（ａ）は、他の実施形態に係る加熱搬送装置の第１チャンバー１ａ内に設けられた加熱部材２ａの平面図であり、（ｂ）は、他の実施形態に係る加熱搬送装置の第２チャンバー１ｂ内に設けられた加熱部材２ｂの平面図である。
【図１３】基板の搬送する状態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の加熱搬送装置の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
加熱搬送装置ＡＰは、図１に示すように、一直線上に配置された第１チャンバー１ａ、第２チャンバー１ｂおよび第３チャンバー１ｃを有している。第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃは、耐食性に優れたステンレス等で構成されている。第１チャンバー１ａおよび第２チャンバー１ｂ内には、被加熱体を加熱する加熱部材２に相当する第１加熱部材２ａ第２加熱部材２ｂがそれぞれ配置されている。第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃ内には、チャンバー内の圧力を調整するための排気管３ａ、３ｂ、３ｃおよび真空ポンプ４ａ、４ｂ、４ｃがそれぞれ配置されている。加熱搬送装置ＡＰでは、原料ガスが導入される導入管５、６が第２チャンバー１ｂに設けられている。それゆえ、本実施形態に係る加熱搬送装置ＡＰでは、第２チャンバー１ｂが成膜室としての機能を担う。また、成膜室となる第２チャンバー１ｂは、複数設けてもよい。また、第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃには、図１に示すように、ゲートバルブ７ａ〜７ｄが設けられている。これにより、各チャンバー内の圧力が各々別に調整可能となっている。また、第１チャンバー１ａおよび第３チャンバー１ｃには、チャンバー内の圧力を大気圧程度まで戻すために窒素などを供給する給気配管８ａ、８ｂがそれぞれ設けられている。また、第１〜第３チャンバー１ａ〜１ｃには、被加熱体を第１チャンバー１ａから第３チャンバー１ｃに向けて搬送する搬送部材１０が配されている。なお、以下では、被加熱体として縦方向の長さが約０．５〜１ｍ、横方向の長さが約１〜２ｍ、厚み方向の長さ約１〜５ｍｍ程度のソーダーライムガラス等からなる平板状の基板Ｓで説明する。
【００１１】
図２（ａ）は、熱伝導部２１が配置されていない状態の第２チャンバー１ｂ内に設けられた加熱部材２付近の平面模式図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＸ−Ｘ部分における断面図を示す。図３は、熱伝導部２１が配置された状態の加熱部材２付近を模式的に示す平面図である。
【００１２】
加熱部材２は、図２（ｂ）に示すように、熱伝導部２１を介して被加熱体を加熱する加熱面となる上面２２ａと、上面２２ａの裏面に相当する下面２２ｂとを有する加熱部２２を有している。また、加熱部材２には、図２および図３に示すように、複数の貫通部２３が設けられている。
【００１３】
加熱部２２は、例えば、ステンレス基材の内部にシーズ加熱部等などの発熱体を具備して構成されたものが利用できる。加熱部２２の厚みは、例えば、１０〜１５０ｍｍ程度であればよい。また、加熱部２２の全体の大きさは、基板Ｓの温度の均一性を向上させるために、加熱部周辺端部からの放熱の影響を考慮して、熱伝導部２１の大きさよりも４〜２０ｃｍ程度大きく形成してもよい。
【００１４】
搬送部材１０は、基板Ｓを搬送する回転体１１ａ〜１１ｃおよび加熱部材２の下方に位置して回転体１１（１１ａ〜１１ｃ）を回転させる回転軸１２を有する。また、搬送部材１０は、図２（ｂ）に示すように、回転軸１２を支持する回転軸支持台１３と、回転軸支持台１３を支持するベースプレート１４を有する。回転体１１ａ〜１１ｃは、回転軸１２に固定されている。回転軸１２は、回転軸支持台１３にベアリングなどを介して支持されている。この回転軸１２は、ベルトまたはチェーン等を介して、シーケンサー等によって制御されたモーター等で駆動されて回転する。これにより、回転体１１ａ〜１１ｃが回転して基板Ｓが隣接するチャンバーに向けて搬送される。回転軸支持台１３は、ベースプレート１４にネジなどで固定されている。ベースプレート１４は、シーケンサー等によって制御されたエアーシリンダー（不図示）などで、所定のピッチで上下方向に動く機構を有している。このような構成であれば、貫通部２３を回転体１１が上方に移動して、基板Ｓに当接した後、回転体１１が回転して基板Ｓを搬送する場合、回転軸１２が通過する開口部が加熱部２２にないため、回転軸１２は常に加熱部２２に下にあるようになる。
【００１５】
回転体１１ａ〜１１ｃ、回転軸１２および回転軸支持台１３などは、耐食性に優れたステンレスなどの金属材料で構成される。また、回転体１１ａ〜１１ｃの外周面には、粗面加工を施してもよい。これにより、基板Ｓとの摩擦力が高まり、基板Ｓを効率良く搬送できる。なお、粗面加工に代えて、回転体１１ａ〜１１ｃの外周面に上記摩擦力を高める耐熱性のあるフッ素樹脂等を設けてもよい。回転体１１ａ〜１１ｃの大きさは、基板のサイズ、重量、希望する搬送速度、加熱部の厚みなどを考慮して決定すればよい。回転体１１ａ〜１１ｃの大きさの一例としては、半径が３０〜２００ｍｍ程度、厚みが３〜１０ｍｍ程度である。
【００１６】
熱伝導部２１は、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、支持面２１ａおよび下面２１ｂを有している。熱伝導部２１の支持面２１ａは、基板Ｓが配置され、支持される熱伝導部２１の上面部である。また、熱伝導部２１は、下面２１ｂが加熱部２２の加熱面に相当する上面２２ａと直接接触するように配置される。
【００１７】
熱伝導部２１は、比較的高い熱伝導率を有した材料、例えば、１００〜４００Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度の熱伝導率を有した材料で構成されればよい。このような材料としては、炭化珪素の他、窒化アルミニウムなどのセラミックスが挙げられる。また、他の材料としては、銅、アルミニウムなどの金属またはカーボンなどであってもよい。とりわけ、炭化珪素は、高い熱伝導率に加えて耐薬品性に優れているため、仮に基板Ｓに成膜されなかった膜が熱伝導部２１に堆積しても、エッチングなどで容易に除去できるため好適である。また、カーボンは、高い熱伝導率に加えて、ジエチル亜鉛などのガスに対し耐腐食性に優れているため好適である。
【００１８】
加熱部材２に設けられた複数の貫通部２３は、熱伝導部２１の支持面２１ａから加熱部
２２の下面２ｂｔまでを貫通するように設けられている。このとき、貫通部２３は、図２および図４に示すように、加熱部２２の上面２２ａから下面２２ｂにかけて貫通している部位を第１貫通部２３ａとし、熱伝導部２１の支持面２１ａから下面２１ｂにかけて貫通している部位を第２貫通部２３ｂとする。この貫通部２３内を回転体１１が移動する。この貫通部２３は、例えば、矩形状、円形状または楕円形状などで構成される。貫通孔２３の大きさは、回転体１１の大きさなどを考慮して適宜決定すればよいが、例えば、矩形状の場合には、短辺の長さが約５〜２５ｍｍ、長辺の長さが約５０〜１００ｍｍ程度である。
【００１９】
熱伝導部２１および加熱部２２は、図３に示すように、貫通部２３が回転体１１の直上に位置するように配置されている。これにより、回転体１１による基板Ｓの移動が可能となる。例えば、基板Ｓを熱伝導部２１上に載置する場合は、まず、図５（ａ）に示すように、回転体１１が貫通部２３内を上方向に移動した後、回転体１１が回転することによって、基板Ｓが所定方向に搬送される。基板Ｓを所定の距離搬送後、図５（ｂ）に示すように、回転体１１は回転を止め、下方向に移動して基板Ｓを熱伝導部２１上に載置する。また基板Ｓを熱伝導部２１上から、次のチャンバーに移動する場合は、回転体１１を上方向に移動させることにより、熱伝導部２１上に配置された基板Ｓ下面に当接し、熱伝導部２１から持ち上げた後、基板Ｓを回転体１１が回転することによって、基板Ｓが搬送される。基板Ｓを距離搬送後、回転体１１は回転を止め、下方向に移動する。
【００２０】
このように、本実施形態に係る加熱搬送装置ＡＰにおいては、回転体１１の上下方向の動作により、熱伝導部２１に対する基板の持ち上げや載置を回転体１１の上端部で行うことができ、回転体の他に基板Ｓを持ち上げるための上下方向に動作するピン等を加熱部２２面内に設けなくてもよくなる。これにより、加熱搬送装置ＡＰの構造を比較的簡易なものとすることができる。加えて、本実施形態では、回転体１１が移動可能な程度の大きさの貫通部２３を設ける構成であればよいため、加熱部２２および熱伝導部２１が設けられていない領域（貫通部２３）を小さくすることができるため、被加熱体の温度分布の均一性を向上できる。
【００２１】
また、熱伝導部２１は、図６（ａ）に示すように、下面２１ｂの貫通部２３の周辺に、熱伝導部２１よりも熱伝導率の小さい低熱伝導部材３１が設けられていてもよい。このような熱伝導部２１では、貫通部２３近傍からの放熱が低減される。これにより、基板Ｓの温度分布が略均一になるように基板Ｓを加熱することができる。その結果、金属または半導体等の薄膜を基板Ｓ上により均一に形成することができる。
【００２２】
低熱伝導部材３１の熱伝導率は、２〜８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であり、熱伝導部２１の熱伝導率よりも２０〜３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度小さければよい。低熱伝導部材３１の材質としては、熱伝導部２１に上述した炭化珪素などの材料で形成する場合には、例えば、ジルコニアまたはイットリアなどのセラミックス、ステンレスなどの金属が挙げられる。低熱伝導部材３１が、例えば、上記セラミックスであれば、蒸着法またはスパッタリング法などの薄膜形成方法を用いて０．１〜１μｍ程度の厚みに成膜しても良い。また、上記セラミックスであれば、溶射法を用いて０．１〜５ｍｍ程度の厚みに成膜してもよい。また、上記した材料以外に、例えば、ガラスウールを１〜５ｍｍ程度の厚さに成形した後に、セラミック系接着剤を用いて取り付けたものを用いてもよい。また、低熱伝導部材３１に上記金属を用いる場合もしくは板状のセラミックスを用いる場合は、例えば、０．５〜５ｍｍ程度の金属板、セラミックス板をネジなどで熱伝導部２１の所定の位置に固定すればよい。
【００２３】
また、熱伝導部２１は、図６（ｂ）に示すように、下面２１ｂの貫通部２３の周辺に、熱伝導部２１よりも熱の放射率の小さい低熱放射部材３２が設けられていてもよい。この
ような熱伝導部２１では、貫通部２３近傍からの熱放射による放熱を低減できる。その結果、基板Ｓの温度分布をより均一にすることができる。このような低熱放射部材３２には、例えば、アルミニウム、金、ニッケル、銀または銅などの金属を用いることができる。このような低熱放射部材３２は、例えば、低熱伝導部材３１の表面にスパッタリング法または蒸着法などを用いて形成できる。低熱放射部材３２の厚みは、例えば、０．１〜３μｍ程度であればよい。
【００２４】
また、熱伝導部２１は、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、上述の低熱伝導部材３１の下面に、低熱伝導部材３１よりも熱の放射率が小さい低熱放射部材３２が設けられていてもよい。このような熱伝導部２１では、基板Ｓの温度分布をより均一にすることができる。このような熱伝導部２１において、低熱伝導部材３１にジルコニアまたはイットリアなどのセラミックスを用いた場合では、低熱放射部材３２には、例えば、アルミニウム、金、ニッケル、銀または銅などの金属を用いることができる。このような低熱放射部材３２は、例えば、低熱伝導部材３１の表面にスパッタリング法または蒸着法などを用いて形成できる。低熱放射部材３２の厚みは、例えば、０．１〜３μｍ程度であればよい。
【００２５】
また、図８に示すように、加熱部材２の貫通部２３において、熱伝導部２１の支持面２１ａに開口する第２貫通部２３ｂの開口部の大きさＰが、加熱部２２の上面２２ａに開口する前記第１貫通部の開口部の大きさＱよりも小さくてもよい。ここで、第１貫通部２３ａおよび第２貫通部２３ｂの開口部の大きさは、基板Ｓの搬送方向における開口の長さに相当する。このような形態であれば、図８に示したような円状の回転体１１を用いた場合に、熱伝導部２１の第２貫通部２３ｂの開口面積をできるだけ小さくすることができる。その結果、基板Ｓの温度分布の均一性をより向上させることができる。
【００２６】
また、本実施形態では、図８に示すように、加熱部２２の下面２２ｂ側に、複数の熱反射部材３３が設けられていてもよい。これにより、加熱部２２の下面側２２ｂからの放熱を低減できる。その結果、基板Ｓの温度分布の均一性を向上させることができると共に装置の省エネルギーも図ることができる。この熱反射部材３３は、例えば、加熱部２２の下面２２ｂから３〜５ｃｍ程度離れた位置に設けられる。また、熱反射部材３３としては、例えば、厚みが２〜５ｍｍ程度のステンレス等からなる金属板を用いることができる。また、図８に示したように、熱反射部材３３を複数枚設ければ、加熱部２２に対する熱の反射効果がより高まる。なお、図８において、熱伝導部２１は、図６aに示した形態のもの
を用いたが、図３、図６bおよび図７に開示された熱伝導部２１を用いてもよい。
【００２７】
また、熱伝導部２１および加熱部２２が板状である場合、熱伝導部２１の外周部に位置する加熱部２２の周端部には、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、熱伝導部２１の側面に接触または近接する壁部２２ｗが設けられていてもよい。このような加熱部２２を用いれば、熱伝導部２１の側面からの放熱が低減されやすくなる。その結果、熱伝導部２１の均熱性を維持することができるため、基板Ｓの温度分布をより均一にすることができる。なお、壁部２２ｗは、例えば、加熱部２２の外周部の一部を屈曲させて一体的に形成してもよい。一方で、壁部２２ｗは、加熱部２２と同じ材質の板状部材を、加熱部２２の外周部にネジまたは溶接等で取り付けてもよい。なお、壁部２２ｗの高さは、熱伝導部２１と基板Ｓとの積層体の高さよりも大きくすれば、より上記放熱を低減できる。一方で、壁部２２ｗの最大高さは、基板Ｓの搬送を妨げない程度に設定すればよい。
【００２８】
また、基板Ｓが板状である場合、熱伝導部２１は、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、支持面２１ａから突出して基板Ｓの側面に接触または近接する突出部２１ｃを有する構造としてもよい。このような熱伝導部２１を用いれば、突出部２１ｃによって基板Ｓの側面部からの放熱が低減されやすくなる。その結果、基板Ｓの温度分布をより均一にすることができる。このような突出部２１ｃは、例えば、炭化珪素またはカーボンなどからなる板状部材を形成した後、該板状部材の中央部を機械加工またはサンドブラスト加工などで削り取ることによって板状部材の周囲に突出部２１ｃができるようにすればよい。また、突出部２１ｃは、上記板状部材の周辺部に、該板状部材と同材質の枠状の部材を取り付けることで形成してもよい。また、突出部２１ｃの高さは、基板Ｓの厚みよりも大きくすれば、上記放熱をより低減できる。なお、図１０（ａ）、（ｂ）において、突出部２１ｃは、熱伝導部２１の外周部を全て囲うように設けられているが、この形態に限られない。例えば、基板Ｓの搬送時に通過する熱伝導部２１の外周部には突出部２１ｃを設けないようにしてもよい。
【００２９】
次に、本発明の他の実施形態に係る基板加熱装置について説明する。本実施形態における基板加熱装置ＡＰ１は、成膜室となる第２チャンバー１ｂを複数設けている。基板加熱装置ＡＰ１では、図１１に示すように、第２チャンバー１ｂ１と第２チャンバー１ｂ２とは、互いに近接して隣り合うように配置されており、第２チャンバー１ｂ１内から第２チャンバー１ｂ２内に基板Ｓが搬送されるようになっている。
【００３０】
図１２（ａ）は、第２チャンバー１ｂ１内に設けられた第２加熱部材２ｂ１の平面図であり、図１２（ｂ）は、第２チャンバー１ｂ２内に設けられた第２加熱部材２ｂ２の平面図である。そして、基板Ｓおよび熱伝導部２１が板状である場合に、第２加熱部材２ｂ１と第２加熱部材２ｂ２の熱伝導部２１の支持面２１ａに開口する貫通部２３の開口部の位置が、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、基板Ｓの搬送方向Ｚに対して、互いに異なるように設けられている。これにより、第２チャンバー１ｂ１内および第２チャンバー１ｂ２内にそれぞれ設けられた基板Ｓに対応する貫通部２３の位置は、第２加熱部材２ｂ１と第２加熱部材２ｂ２とで異なる位置となる。このような形態であれば、第２チャンバー１ｂ１で基板Ｓの貫通部２３に対応する部位において温度が低くなり、周辺よりも成膜される薄膜の膜厚が薄くなった場合であっても、第２チャンバー１ｂ２で基板Ｓは当該部位を第２加熱部材２ｂ２で加熱することができ、膜厚がさらに薄くなることを軽減することができる。これにより、基板Ｓの貫通部２３における温度低下の影響を小さくすることができる。
【００３１】
次に、加熱搬送装置ＡＰの動作について、透明導電膜の一種である酸化亜鉛（ＺｎＯ）の形成を例に説明する。
【００３２】
まず、図１に示すゲートバルブ７ａを開けて、搬送部材１０を動かすことにより、基板Ｓを第１チャンバー１ａ内の熱伝導部２１上に載置する。次いで、ゲートバルブ７ａを閉じた後、真空ポンプ４ａを作動させて排気管３ａから余分な気体を排気し、第１チャンバー１ａの内部の圧力を１００〜５００Ｐａ程度に減圧する。次に、第１加熱部材２ａの加熱部２２に通電して、基板Ｓを加熱する。このとき基板Ｓの温度は、酸化亜鉛の成膜時の温度よりも５〜３０℃程度高い温度とすればよい。
【００３３】
次いで、真空ポンプ４ｂを作動させて排気管３ｂから第２チャンバー１ｂ内の余分な気体を排気する。これにより、第１チャンバー１ａおよび第２チャンバー１ｂの内部の圧力がほぼ等しくなる。次に、ゲートバルブ７ｂを開けて、基板Ｓを第２チャンバー１ｂ内部に搬送する。
【００３４】
基板Ｓを搬送するときには、図１２に示すように、まずベースプレート１４を上方向に移動させる。これにより、回転体１１ａ〜１１ｃが貫通部２３内を移動するようになる。これに伴い、回転体１１ａ〜１１ｃの上端部分が熱伝導部２１の上面よりも高い位置に配置される。次に、回転軸１２を回転させることによって回転体１１ａ〜１１ｃを回転させ、基板Ｓを熱伝導部２１の支持面１１ａの上に搬送する。このとき、基板Ｓが所定の位置まで移動したら、回転体１１ａ〜１１ｃの回転を停止させるとともに、ベースプレート１４を元の位置に戻す。以上の動作によって、基板Ｓは、熱伝導部２１の所定の位置に載置される。なお、基板Ｓの位置決めは、機械式または光学式のセンサーなどを用いて制御すればよい。このような搬送機構では、基板Ｓを回転体１１ａ〜１１ｃで持ち上げた後、回転体１１ａ〜１１ｃを回転させることになるため、迅速に基板Ｓを移動させることができる。さらに、図２で示したように、基板Ｓは、両端部だけでなく中央部などでも回転体１１によって保持しつつ、駆動させることが可能となる。これにより、被加熱体として比較的大型の基板Ｓを用いても、自重で凹状にたわみにくくなり、安定して搬送させることができる。
【００３５】
次いで、ゲートバルブ７ｂを閉じた後に、第２加熱部材２ｂの加熱部２２に通電して、基板Ｓを成膜時の所定の温度、例えば１５０〜２３０℃程度まで加熱し、維持する。次に、原料ガスの導入管５から水蒸気を基板Ｓ上に供給するとともに、別の原料ガスの導入管６からアルキル亜鉛含有化合物ガスおよびドーパント含有化合物ガスの混合ガスを第２チャンバー１ｂ内に供給することによって、酸化亜鉛膜を成膜する。
【００３６】
次いで、所定の厚みに酸化亜鉛膜を成膜後、原料ガスの供給を止めるとともに、第２チャンバー１ｂ内の残留ガスを排気する。次に、真空ポンプ４ｃを作動させて排気管３ｃから第３チャンバー１ｃ内の余分な気体を排気する。これにより、第２チャンバー１ｂおよび第３チャンバー１ｃの内部の圧力がほぼ等しくなる。次いで、ゲートバルブ７ｃを開けて、基板Ｓを第３チャンバー１ｃ内に移動する。次に、ゲートバルブ７ｃを閉じて排気を止め、次いで、給気配管８ｂから窒素などを供給して第３チャンバー１ｃの内部の圧力をほぼ大気圧まで戻す。最後に、基板Ｓが十分に冷却された後に、ゲートバルブ７ｄを開けて、基板Ｓを加熱搬送装置ＡＰから取り出す。
【００３７】
このように、加熱搬送装置ＡＰでは、基板Ｓの加熱搬送装置ＡＰ内部への導入、加熱工程および成膜、取り出しを異なるチャンバーで行なっているため、連続して成膜することができ、タクトタイムを短縮でき、効率良く成膜できる。
【符号の説明】
【００３８】
ＡＰ；加熱搬送装置
１ａ〜１ｃ；チャンバー
２；加熱部材
２ａ；第１加熱部材
２ｂ；第２加熱部材
２ｗ；壁部
３ａ、３ｂ、３ｃ；排気管
４ａ、４ｂ、４ｃ；真空ポンプ
５、６；導入管
７ａ〜７ｄ；ゲートバルブ
８ａ、８ｂ；給気配管
１０；搬送部材
１１、１１ａ〜１１ｃ：回転体
１２；回転軸
１３；回転軸支持台
１４；ベースプレート
２１；熱伝導部
２１ａ；支持面
２１ｂ；下面
２１ｃ；突出部
２２；加熱部
２３；貫通部
２３ａ；第1貫通部
２３ｂ；第２貫通部
３１；低熱伝導部材
３２；低熱放射部材
３３；熱反射部材
Ｓ；基板
Ｚ；搬送方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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