(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を備えた表示装置において、画素の開口率を必要以上に小さくすることなく、隣接する素子間での電流のリークを抑制し、リーク電流に起因するクロストークを低減して、表示品質の向上及び超寿命化を図る。【解決手段】発光閾値電圧の差が最も小さいＲ発光素子３ＲとＧ発光素子３Ｇの第１電極間隔ｄ１を、Ｇ発光素子３ＧとＢ発光素子３Ｂ、及び、Ｂ発光素子３ＢとＲ発光素子３Ｂのそれぞれの第１電極間隔ｄ２，ｄ３よりも狭くし、後者には第３電極２０を配置して、該第３電極２０の電位を、陰極である第２電極１５の電位に設定する。【選択図】図５
2014197466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３色の異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を備え、
前記有機ＥＬ素子が有機ＥＬ素子毎に形成された第１電極と、複数の有機ＥＬ素子に共通の第２電極と、前記第１電極と第２電極とに挟持された有機ＥＬ層とを備え、
前記有機ＥＬ層が、少なくとも発光層と、前記発光層と前記第１電極との間に配置され複数の有機ＥＬ素子に共通の電荷輸送層とを備え、
前記有機ＥＬ素子は発光色によって発光閾値電圧が異なり、
隣り合う２つの異なる色を発する有機ＥＬ素子の組における第１電極の間隔のうち、発光閾値電圧の差が最も小さい組における第１電極の間隔が、他の隣り合う２つの異なる色を発する有機ＥＬ素子の組よりも狭いことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記発光閾値電圧の差が最も小さい組を除く組において、第１電極の間隙に前記電荷輸送層に電気的に接続された第３電極が配置され、前記第３電極の電位が、有機ＥＬ素子の非発光時の陽極電位よりも低い電位に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光閾値電圧の差が最も小さい組を除く組において、第１電極の間隙に絶縁層で覆われた第３電極を備え、
前記第３電極は、前記隣り合う２つの有機ＥＬ素子の発光時の陽極電位よりも高い電位に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記発光閾値電圧の差が最も小さい組を除く組において、第１電極の間隙に空隙を有し、
前記空隙が設けられた隣り合う２つの有機ＥＬ素子の間で前記電荷輸送層が電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記発光閾値電圧の差が最も小さい組を除く組において、第１電極の間隙に絶縁性の隔壁を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記隔壁によって、前記電荷輸送層が２つの有機ＥＬ素子間で遮断されている請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記隣り合う２つの有機ＥＬ素子の第１電極の間隔は３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記発光閾値電圧の差が最も小さい有機ＥＬ素子の組が、赤色発光の有機ＥＬ素子と緑色発光の有機ＥＬ素子との組であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子を用いたフルカラー表示の表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機ＥＬ層と、陰極とが積層された構成を有している。また、有機ＥＬ素子を用いたカラー表示装置としては、赤，緑，青の発光層が各色の画素形状にパターニングされた構成や、白色を発する発光層と各色の画素形状に合わせて設けられた赤、緑、青のカラーフィルターとを備えた構成が用いられる。このようなカラーの表示装置に使用される有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層の一部或いは全部の有機化合物層は、製造プロセスを容易にするため、二次元に並ぶ全ての素子にわたって連続して形成されることがある。
【０００３】
近年では表示装置の高精細化により、画素寸法が小さくなり、隣り合う２つの素子の電極の間隔が従来よりもより狭くなっている。そのため、全ての素子にわたって連続して形成された有機化合物層を介して、発光させたい素子の隣の素子にまで電流がリークし、隣の素子が発光してクロストークが発生してしまうという問題が生じている。
【０００４】
特許文献１では、隣り合う素子と素子との間隙に金属配線を形成し、該金属配線を連続して形成されている有機化合物層に電気的に接続し、その電位を素子が非発光時の陽極電位よりも低い電位に設定することでクロストークを抑制する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１５５９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法は、全ての素子の周囲を囲むように一定の幅を持つ金属配線を形成するために、画素領域における発光領域の占める比率（開口率）が小さくなってしまうという問題がある。開口率が小さくなると、同一の輝度を得るために素子に流れる電流密度を増大させる必要があり、素子の劣化を促進し、表示装置の寿命が短くなるという問題がある。
【０００７】
本発明の課題は、有機ＥＬ素子を備えた表示装置において、画素の開口率を必要以上に小さくすることなく、隣接する素子間での電流のリークを抑制し、クロストークを低減し、表示品質に優れ、長寿命の表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の表示装置は、少なくとも３色の異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を備え、
前記有機ＥＬ素子が有機ＥＬ素子毎に形成された第１電極と、複数の有機ＥＬ素子に共通の第２電極と、前記第１電極と第２電極とに挟持された有機ＥＬ層とを備え、
前記有機ＥＬ層が、少なくとも発光層と、前記発光層と前記第１電極との間に配置され複数の有機ＥＬ素子に共通の電荷輸送層とを備え、
前記有機ＥＬ素子は発光色によって発光閾値電圧が異なり、
隣り合う２つの異なる色を発する有機ＥＬ素子の組における第１電極の間隔のうち、発光閾値電圧の差が最も小さい組における第１電極の間隔が、他の隣り合う２つの異なる色を発する有機ＥＬ素子の組よりも狭いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、リーク電流が発生しやすい有機ＥＬ素子の組の第１電極の間隔を相対的に広く、発生しにくい有機ＥＬ素子の組については第１電極の間隔を相対的に狭くすることで、必要以上に開口率を下げることなく、リーク電流によるクロストークを抑制することができる。また、第１電極の間隔を広げた領域に第３電極や絶縁性の隔壁、或いは空隙を配置することで、隣り合う有機ＥＬ素子へのリーク電流をさらに抑制することができる。よって、本発明によれば、リーク電流によるクロストークが抑制されて表示品質に優れ、より長寿命の表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の表示装置の実施形態１を示す図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）はその部分断面図である。
【図２】図１の実施形態１の画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図３】本発明の表示装置の周辺回路の構成を示す平面模式図である。
【図４】（ａ）は本発明の表示装置の画素回路を示す等価回路図であり、（ｂ）はタイミングチャートである。
【図５】本発明の表示装置の実施形態２の構成を示す図であり、（ａ）は断面模式図、（ｂ）は画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図６】図５に示した実施形態における、隣り合う三つの画素の等価回路図である。
【図７】図５とは異なる画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図８】図５とは異なる画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図９】図５とは異なる画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図１０】本発明の表示装置の実施形態３の構成を示す断面模式図である。
【図１１】本発明の表示装置の実施形態４の構成を示す断面模式図である。
【図１２】本発明の表示装置の実施形態５の構成を示す断面模式図である。
【図１３】本発明の実施例１及び比較例１における表示装置の色再現範囲を示す図である。
【図１４】比較例１の画素レイアウトを示す平面模式図である。
【図１５】比較例２の画素レイアウトを示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の実施形態を、図面を参照しながら具体的に説明する。尚、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。また以下に説明する実施形態は、発明の一つの実施形態であって、これらに限定されるものではない。
【００１２】
〔実施形態１〕
図１（ａ）は、本発明の表示装置の一実施形態の斜視図である。本実施形態の表示装置は、有機ＥＬ素子を備える画素１００を複数有している。そして、複数の画素１００はマトリックス状に配置され、表示領域１０１を形成している。尚、画素とは１つの有機ＥＬ素子の発光領域に対応した領域を意味している。本実施形態の表示装置では、画素１００のそれぞれに１つの発光色の有機ＥＬ素子が配置されている。有機ＥＬ素子の発光色としては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、黄、シアン、マゼンタ、白などが挙げられる。また、本実施形態の表示装置には、発光色の異なる複数の画素（例えば赤色発光（Ｒ発光）画素、緑色発光（Ｇ発光）画素、及び青色発光（Ｂ発光）画素）からなる画素ユニットが複数配列されている。画素ユニットとは、各画素の混色によって所望の色の発光を可能とする最小の単位を示す。
【００１３】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における部分断面模式図である。画素１００は、基板１０上に、第１電極（陽極）１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと、正孔輸送層１２と、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂと、電子輸送層１４と、第２電極（陰極）１５と、を備える有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂからなる。そして通常、各有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂは、外部の酸素や水分が侵入しないように、封止膜１６によって封止されている。
【００１４】
有機ＥＬ素子３Ｒは、Ｒ発光の有機ＥＬ素子（Ｒ発光素子）であり、素子内のＲ発光層１３Ｒが発光する。同様に、有機ＥＬ素子３Ｇ，３Ｂは、それぞれＧ発光の有機ＥＬ素子（Ｇ発光素子）、Ｂ発光の有機ＥＬ素子（Ｂ発光素子）であり、それぞれ素子内のＲ発光層１３Ｇ、Ｂ発光層１３Ｂが発光する。正孔輸送層１２と発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂと電子輸送層１４をまとめて有機ＥＬ層という。本発明では、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂとの間に、複数の有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに共通の電荷輸送層（本例では正孔輸送層１２）を備えており、係る電荷輸送層を経由するリーク電流の抑制を図ることを特徴とする。
【００１５】
第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、それぞれ有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ毎に分離されて形成されており、正孔輸送層１２、電子輸送層１４、第２電極１５は、全有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂにわたって連続的に形成されている。
【００１６】
全画素にわたって連続的に形成される正孔輸送層１２は、有機ＥＬ素子の駆動電圧を下げるために、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂよりもシート抵抗が小さい材料で構成されている。このため、発光させたい有機ＥＬ素子に電流を流すと、正孔輸送層１２を介して隣の画素にまで電流がリークし、隣の有機ＥＬ素子も発光してしまう。その結果、クロストークが発生する。特に、隣り合う有機ＥＬ素子が互いに異なる色を発する場合にクロストークが生じると、画素の色純度の低下を招き、カラー表示装置において色再現性が低下する。さらに、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの間の距離が小さくなると、有機ＥＬ素子内の抵抗に対する、基板１０の面内方向、つまり、隣り合う２つの有機ＥＬ素子間の抵抗の比が小さくなる。このため、基板１０の面内方向に電流がリークしやすくなり、クロストークがより顕著に表れる。
【００１７】
一般に、有機ＥＬ素子間の抵抗を高めることでクロストークは緩和される。例えば、正孔輸送層１２をキャリア移動度の高くない材料で形成するという手段がある。また、正孔輸送層１２、電子輸送層１４を有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ毎に形成した場合には、共通に形成される場合に比べて抵抗は高くなる。従って、有機ＥＬ層のうち全画素で共通の層の数を減らすほど隣り合う有機ＥＬ素子間の抵抗は高くなる。
【００１８】
しかしながら、本発明者らの検討によれば、有機ＥＬ素子間の抵抗を高めるだけでは本質的にクロストークを完全に防ぐことはできない。発光閾値電圧の高い有機ＥＬ素子α（発光閾値電圧：Ｖαth）の隣に発光閾値電圧の低い有機ＥＬ素子β（発光閾値電圧：Ｖβth）が配置されている場合を例にとる。ここで、発光閾値電圧とは、有機ＥＬ素子が発光し始める時に、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと第２電極１５との間にかかる電位差のことである。
【００１９】
素子αにＶαの電圧を印加して発光させた時に、素子βに印加される電圧をＶβ、リークする電流をＩleak、両画素間の抵抗をＲとすると
Ｖα−Ｖβ＝ＲＩleak＞０    （１）
の関係が成り立つ。
【００２０】
仮に、素子αに発光閾値電圧Ｖαthを印加して発光させたとすると、いかにＲが大きな値であっても、素子βには
Ｉleak＝（Ｖαth−Ｖβ）／Ｒ，Ｖβth＜Ｖβ＜Ｖαth    （２）
というリーク電流が流れることになる。
【００２１】
一方、素子βに発光閾値電圧Ｖβthを印加して発光させた時に素子αにリークする電流をＩ’leakとすると、素子αには
Ｉ’leak＝（Ｖβth−Ｖα）／Ｒ，Ｖβth＜Ｖαth＜Ｖα    （３）
というリーク電流が流れる計算になるが、これは負の値であるため、素子αにはリーク電流が流れず発光しないことを意味する。即ち、このようなリーク電流Ｉ’leakは流れないことが分かる。
【００２２】
上記のように本発明者らは鋭意検討の末、有機ＥＬ素子の発光閾値電圧の大小関係によってクロストークの有無が決まり、その程度についても増減するということを見出した。このため、発光色の異なる有機ＥＬ素子間で発光閾値電圧は等しく揃っていることが好ましい。ところが、フルカラー発光を実現するためにＲ，Ｇ，Ｂの有機ＥＬ素子を組み合わせると、発する光の波長に応じて再結合エネルギーが異なるため、それぞれの有機ＥＬ素子の発光閾値電圧は異なるのが一般的である。具体的には、最も短波長で高エネルギーのＢ発光素子には大きな電圧を印加する必要がある。また、高い発光効率を得られる燐光材料は一般に、蛍光材料に比べて大きな電圧を印加する必要がある。これを特定の色にのみ採用した場合や、その他設計上の様々な要因で発光素子の発光閾値電圧は異なってしまうのが通常である。
【００２３】
そこで、本発明の表示装置は図１（ｂ）に示すように、隣り合う２つの有機ＥＬ素子の組のうち、発光閾値電圧の差が最も小さい組（本例では３Ｒと３Ｇの組）における第１電極の間隔が、他の組の第１電極の間隔よりも狭くなるようにする。本例ではＲ発光素子３Ｒの第１電極１１ＲとＧ発光素子３Ｇの第１電極１１Ｇとの間隔ｄ１が最も狭い。そして、Ｇ発光素子３Ｇの第１電極１１ＧとＢ発光素子３Ｂの第１電極１１Ｂとの間隔ｄ２、及び、Ｂ発光素子３Ｂの第１電極１１ＢとＲ発光素子３Ｒの第１電極１１Ｒとの間隔ｄ３は上記ｄ１よりも広い。図２は図１（ｂ）に示した表示装置の画素レイアウトを示す平面模式図であり、画素ユニット３０を２行×２列で配置した例を示している。尚、図２においては、便宜上、画素ユニット３０と第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのみを示している。図１（ｂ）、図２に示すように、発光閾値電圧の差が最も小さい組以外の組（本例では３Ｇと３Ｂ、３Ｂと３Ｒの組）における第１電極の間隔ｄ２、ｄ３は間隔ｄ１に比べて広い。尚、ｄ２とｄ３については、ｄ１よりも広ければ等しくても、異なっていてもよい。尚、ｄ２，ｄ３はいずれも３０μｍ以下の範囲で設定される。
【００２４】
先述のように、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ間の抵抗は第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの間隔に比例して大きくなる。本発明では、発光閾値電圧の差が大きく、クロストークが発生する有機ＥＬ素子の組の第１電極の間隔は広くすることでクロストークを緩和し、発光閾値電圧の差が小さく、クロストークの影響を無視できる有機ＥＬ素子の組の第１電極の間隔は狭くする。これにより、必要以上に有機ＥＬ素子の間隔を広げて発光領域を狭くしてしまうことがなく、開口率をより大きくとることができるので表示装置の長寿命化につながる。尚、本発明において、有機ＥＬ素子に印加する電圧は、第２電極１５に接続された固定電圧線の電位を基準とする。
【００２５】
正孔輸送層１２を介して発生するクロストークについて述べたが、有機ＥＬ層の一部、即ち電荷輸送層が隣り合う２つの第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂに接して形成された構成であれば、クロストークは生じる。つまり、隣り合う２つの第１電極１１に接して形成された電荷輸送層が電子輸送層１４であってもよい。
【００２６】
本実施形態は、基板１０側から第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ、正孔輸送層１２、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ、電子輸送層１４、第２電極１５の順で積層されているが、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ側の電荷輸送層が電子輸送層１４であってもよい。その場合、正孔輸送層１２は第２電極１５側に位置し、第１電極１１が陰極、第２電極１５が陽極となる。
【００２７】
また、本発明の表示装置は、基板１０側から有機ＥＬ素子の光が出射されるボトムエミッション型の表示装置でもいいし、基板１０とは反対側から有機ＥＬ素子の光が出射されるトップエミッション型の表示装置であってもよい。
【００２８】
次に、各部材に関して具体的に説明する。
【００２９】
基板１０は、石英、ガラス、プラスチック等の絶縁性の基板、金属基板、シリコン基板などを用いることができる。また、基板１０は、トランジスタやＭＩＭ素子等のスイッチング素子が上記絶縁性の基板やシリコン基板等に形成されていてもよい。また、その場合には、基板１０には、スイッチング素子の凹凸を平坦化するための平坦化膜を有していてもよい。
【００３０】
第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び第２電極１５は、導電性材料が用いられる。具体的には、酸化錫、酸化インジウム、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛などの透明酸化物導電層や、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｕ，Ｍｇ，Ｃｓなどの金属単体やそれらの合金からなる金属層などを用いることができる。更には、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び第２電極１５は、透明酸化物導電層と金属層の積層膜や、複数の金属層の積層膜で構成されていてもよい。
【００３１】
正孔輸送層１２は、公知の材料を好適に用いることができ、例えば、トリフェニルジアミン誘導体、オキソジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができる。この他に、酸化モリブデン、酸化タングステン等の酸化物、２，３，５−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）などの有機物、また、これらの混合物を用いることができる。正孔輸送層１２は、正孔注入性、正孔輸送性を備える有機化合物の単層又は複数の層からなる。また、必要に応じて、正孔輸送層１２として、発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇから陽極である第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ側に電子が移動するのを抑制するために、電子阻止層を設けることもできる。
【００３２】
発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇとしては、特に制限はなく公知の材料を適用することが可能である。発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇは、発光材料のみで構成されていてもよいし、発光ドーパント材料とホスト材料との混合層であってもよい。また、発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇは、発光ドーパント材料とホスト材料の他にアシストドーパント材料を含んでいてもよい。また、本発明において、ホスト材料とは、発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇ内の成分のうち最も重量濃度が多い材料のことをいう。また、発光材料、発光ドーパント材料は、蛍光材料、燐光材料のどちらでもよい。
【００３３】
電子輸送層１４は、公知の材料を好適に用いることができ、例えば、アルミキノリノール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、シロール誘導体、フェナントロリン誘導体等が挙げられる。この他に、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属、及びこれらの化合物を用いることができる。また、例示した材料の混合物も好適に用いることができる。電子注入性、電子輸送性を備える有機化合物の単層又は複数の層からなる。また、電子輸送層１４として、正孔阻止層を設けることもできる。
【００３４】
また、正孔輸送層１２、電子輸送層１４として、発光層１３Ｒ，１３Ｂ，１３Ｇで発生した励起子の拡散を抑制するための励起子阻止層を設けることもできる。尚、正孔輸送層１２と電子輸送層１４は、必須ではなく、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの構成によってはなくてもよい。
【００３５】
封止膜１６は、酸素や水分の有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに対する侵入を防ぐ機能を有しており、窒化ケイ素や酸化ケイ素、酸化アルミナなどの無機材料を使用することができる。また、封止膜１６は、２層以上の無機材料からなる積層膜で構成されていてもよいし、無機材料と樹脂材料の積層膜で構成されていてもよい。
【００３６】
また、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂを封止する構成であれば、封止膜１６の代わりに封止キャップを用いることもできる。封止キャップはガラスやプラスチックなどのキャップ状の部材を用いることができる。また、封止キャップは、例えばガラス板などの板状の部材と、この部材と基板１０とを接着するために表示領域１０１の周囲に配置されたシール剤と、で構成されてもよい。また、封止キャップと有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの第２電極１５との間の空間は、窒素やアルゴン等のガスが封入されていてもよいし、アクリル樹脂などの樹脂材料で充填されていてもよい。また、その空間には乾燥剤が配置されていてもよい。
【００３７】
〔表示装置の駆動方法〕
本発明の表示装置の駆動方法を、図３乃至図４を用いて説明する。
【００３８】
本発明の表示装置は、図３に示すように、画素１００がｍ行×ｎ列の２次元状に配列されて構成された表示領域１０１の外に、データ線駆動回路１０２と走査線駆動回路１０３と電源線駆動回路１０４とを備えている。データ線駆動回路１０２には、不図示の表示パネルコントローラから映像信号が入力され、データ線駆動回路１０２の各出力端子から映像信号に応じた階調表示データであるデータ電圧がｎ本のデータ線１０５に出力される。走査線駆動回路１０３には、不図示の表示パネルコントローラから制御信号が入力され、走査線駆動回路１０３の各出力端子から画素１００の動作を制御する制御電圧がｍ本の走査線１０６に出力される。また、電源線駆動回路１０４は、各走査線１０６と平行に配置された電源線１０７に電圧を印加する。
【００３９】
図４（ａ）は、ｉ行ｋ列目の画素回路を示したものである。画素回路は、ｎ型の選択トランジスタ２０１、ｐ型の駆動トランジスタ２０２、データ電圧を保持する保持容量２０３、有機ＥＬ素子３を有している。選択トランジスタ２０１のゲート電極は走査線１０６（ｉ）に接続され、ソース電極とドレイン電極の一方はデータ線１０５（ｋ）に、他方は駆動トランジスタ２０２のゲート電極に接続されている。尚、走査線１０６（ｉ）はｉ行目の走査線１０６を表し、データ線１０５（ｋ）は、ｋ列目のデータ線１０５を表している。また、駆動トランジスタ２０２のソース電極とドレイン電極の一方は電源線１０７に接続され、他方は有機ＥＬ素子３に接続されている。保持容量２０３は、一方の端子は駆動トランジスタ２０２のゲート電極に接続され、他方は電源線１０７に接続されている。尚、有機ＥＬ素子３の一端は駆動トランジスタ２０２に接続されているが、他端は固定電圧線１０８に接続されている。
【００４０】
図４（ｂ）は、図４（ａ）の画素回路の駆動方法、及びｉ−１行目、ｉ＋１行目にある画素回路の駆動方法を示すタイミングチャートであり、線順次駆動の例を示す。あるフレームにおいて、ｉ行目の画素の書き込み期間Ａでは、ｉ行目の走査線１０６（ｉ）に印加される制御電圧Ｐ（ｉ）がＨレベルであるため、選択トランジスタ２０１が導通状態になる。そしてデータ線１０５（ｋ）から、データ電圧Ｖ（ｉ）が画素回路に印加され、データ電圧Ｖ（ｉ）に対応する電荷が保持容量２０３に保持される。その後、制御電圧Ｐ（ｉ）がＬレベルになり、選択トランジスタ２０１が非導通状態となる。発光期間Ｂでは、書き込み期間Ａで保持容量２０３に書き込まれたデータ電圧Ｖ（ｉ）に対応した電流が、駆動トランジスタ２０２を介して電源線１０７から有機ＥＬ素子３に流れる。そして、この電流量に対応した輝度で有機ＥＬ素子３が発光する。この書き込み期間Ａと発光期間Ｂを合わせたものが１フレームであり。発光期間Ｂが終わると、次のフレームの書き込み期間Ａ”が始まる。尚、厳密には、図４（ａ）の画素回路では、書き込み期間Ａ中も発光している。
【００４１】
また、ｉ−１行目、ｉ＋１行目の画素回路の駆動方法も同様である。ｉ−１行目の書き込み期間は、図４（ｂ）で、制御電圧Ｐ（ｉ−１）がＨレベルになっている期間であり、ｉ行目の書き込み期間Ａが始まる前に終了し、ｉ行目の前フレームの発光期間Ｂ’と重なっている。またｉ＋１行目の書き込み期間は、制御電圧Ｐ（ｉ＋１）がＨレベルになっている期間であり、ｉ行目の書き込み期間Ａの終了後に始まり、ｉ行目の現フレームの発光期間Ｂと重なる。このように、ｉ−１行目、ｉ行目、ｉ＋１行目の順に、各画素にデータ電圧が書き込まれ、そのデータ電圧に応じて、ｉ−１行目、ｉ行目、ｉ＋１行目の順に、有機ＥＬ素子が発光する。
【００４２】
〔画素レイアウト〕
本実施形態に係る表示装置の画素のレイアウトは特に限定されるものではなく、当該技術分野で既知のレイアウトを用いることができる。例えば図２に示したストライプ配置の他に、デルタ配置とすることもできる。また、１つの画素ユニット３０を３つの画素で構成してもよいし４つの画素で構成してもよい。４つの画素の場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂ，Ｇのように３色の発光素子で構成してもよいし、Ｒ，Ｇ，Ｂに白色（Ｗ）を加えた４色の発光素子で構成してもよい。
【００４３】
〔実施形態２〕
図５（ａ）は、本実施形態に係る表示装置の１画素ユニット分の断面模式図であり、図５（ｂ）はその画素レイアウトを示す平面模式図である。尚、図５（ｂ）においては、便宜上、画素ユニット３０と第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと第３電極２０のみを示している。
【００４４】
本例は、実施形態１の構成に加え、第１電極の間隔の広い部位に第３電極２０を形成したことを特徴とする。本例ではＧ発光素子３Ｇの第１電極１１ＧとＢ発光素子３Ｂの第１電極３Ｂの間隙、及び、Ｂ発光素子３Ｂの第１電極１１ＢとＲ発光素子３Ｒの第１電極１１Ｒの間隙に第３電極２０が形成されている。第３電極２０は正孔輸送層１２と電気的に接続されており、隣り合う２つの有機ＥＬ素子のいずれの非発光時の陽極電位（本例では第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）よりも低い電位に設定されている。
【００４５】
この構成により、発光閾値電圧の差が大きい組において、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから正孔輸送層１２を経て第３電極２０へという電流経路が生まれる。その結果、隣の有機ＥＬ素子への電流経路をなくす、或いは隣の有機ＥＬ素子へ流れる電流量を小さくすることが可能となる。このため、隣の有機ＥＬ素子では発光しなくなり、クロストークが抑制される。発光閾値電圧の差が大きく、クロストークの発生がある有機ＥＬ素子間には第３電極２０を形成することでクロストークを抑制し、比較的発光閾値電圧の差が小さく、クロストークの影響を無視できる有機ＥＬ素子間には第３電極は形成されない。このため、必要以上に画素に間隔をとって発光領域を狭くしてしまうことがなく、開口率を大きくとることができるので表示装置の長寿命化につながる。
【００４６】
「第３電極２０は、隣り合う２つの有機ＥＬ素子のいずれの非発光時の陽極電位よりも低い電位に設定される」とは、次の設定を意味する。図５で示すように、有機ＥＬ素子３Ｇと３Ｂの間に配置された第３電極２０は、有機ＥＬ素子３Ｇと３Ｂのいずれの非発光時の陽極電位（本例では第１電極１１Ｇ，１１Ｂ）よりも低い電位に設定される。同様に、有機ＥＬ素子３Ｂと３Ｒの間に配置された第３電極２０は、有機ＥＬ素子３Ｂと３Ｒのいずれの非発光時の陽極電位（本例では第１電極１１Ｂ，１１Ｒ）よりも低い電位に設定される。
【００４７】
更に、全ての第３電極２０を共通の電圧線（不図示）に接続し、いずれの第３電極２０にも、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ全ての非発光時の陽極電位よりも低い電位が設定される構成としてもよい。また、第３電極２０に印加される電圧は、隣り合う２つの有機ＥＬ素子それぞれの発光閾値電圧よりも小さい電圧であれば、固定電圧でなく、変動する電圧でもよい。また、全ての第３電極２０と第２電極１５とを電気的に接続して、同じ電圧が印加される構成にしてもよい。また、第３電極２０は、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと同層で形成され、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのパターニングと同じ工程で第３電極２０を形成することが望ましい。
【００４８】
〔表示装置の駆動方法〕
図６は、図５（ａ）に示した１画素ユニット分の画素回路を示す等価回路図である。本例では、各画素の画素回路は基本的に図４（ａ）と同じであるが、Ｂ発光とＲ発光、Ｒ発光とＢ発光のそれぞれの画素回路の間に第３電極２０が配置されている。そして、第３電極２０と有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの第１電極側とは抵抗３００を介して電気的に接続された等価回路となっている。ここで、抵抗３００は、隣り合う２つの有機ＥＬ素子の２つの第１電極に共通に接して形成された電荷輸送層（本例では正孔輸送層１２）の基板１０の面内方向の抵抗を表している。
【００４９】
本発明では、第３電極２０を設けて、第３電極２０の設定電位を有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの非発光時の陽極電位よりも低い電位とすることで、リーク電流が第３電極２０に流れる。そのため、有機ＥＬ素子３Ｒと３Ｂ、３Ｇと３Ｂとの間でリーク電流によるクロストークが抑制される。また、第３電極２０には、表示装置が駆動している間、隣り合う２つの有機ＥＬ素子のいずれの非発光時の陽極電位よりも低い電位が設定されていることが好ましい。
【００５０】
〔画素レイアウト〕
本実施形態では、図５（ｂ）に示すように第３電極２０が島状ではなく、互いに接続されてストライプ状に形成されていることが好ましい。尚、各画素の大きさは、同じでもよいし寿命などの観点から異ならせてもよい。
【００５１】
本実施形態に係る表示装置の画素のレイアウトは図５（ｂ）に示したレイアウトに限定されるものではなく、当該技術分野で既知のレイアウトを用いることができる。例えば図７のように、４つの画素で一つの画素ユニット３０を形成し、Ｒ発光画素、Ｂ発光画素、２つのＧ発光画素の順にストライプ状に形成されていてもよい。この場合、第３電極２０はＢ発光画素の第１電極１１Ｂと２つのＧ発光画素の第１電極１１Ｇａ，１１Ｇｂの間にのみ設けられる。
【００５２】
また、本発明は、図８のように、１画素ユニット３０内でＲ発光画素、Ｂ発光画素、２つのＧ発光画素をデルタ配置しても良い。この場合も、第３電極２０はＢ発光画素の第１電極１１Ｂと２つのＧ発光画素の第１電極１１Ｇａ，１１Ｇｂの間にのみ設けられる。また、２つのＧ発光画素の一方を白色発光のＷ発光画素とした構成であってもよい。その他の色の組み合わせも可能である。尚、Ｒ発光画素、Ｂ発光画素、Ｇ発光画素は同じ大きさでもよい。
【００５３】
さらに、図９のようにＲ発光画素、Ｂ発光画素、Ｇ発光画素の３画素をデルタ配置し、且つ、Ｂ発光画素のみ面積を大きくしてもよい。この構成では、Ｂ発光画素の寿命を延ばすことができるため好ましい。
【００５４】
〔実施形態３〕
図１０（ａ）は、本実施形態に係る表示装置の１画素ユニット分の断面模式図である。本例の特徴は、実施形態１の構成に加えて、第１電極の間隔の広い部位に絶縁層４０で覆われた第３電極２０を形成したことにある。本例ではＧ発光素子３Ｇの第１電極１１ＧとＢ発光素子３Ｂの第１電極３Ｂの間隙、及び、Ｂ発光素子３Ｂの第１電極１１ＢとＲ発光素子３Ｒの第１電極１１Ｒの間隙にそれぞれ、絶縁層４０で覆われた第３電極２０，２０が形成されている。第３電極２０は正孔輸送層１２とは絶縁層４０を介して電気的に絶縁されており、隣り合う２つの有機ＥＬ素子の発光時のいずれの陽極電位（本例では第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）よりも高い電位に設定される。
【００５５】
この構成により、発光閾値電圧の差が大きい組において、第１電極の間で、第３電極２０から第２電極１５に向かう電界の成分が生じる。この電界の成分は、基板１０の面内方向への電界を弱めて、基板１０の面内方向におけるキャリア（正孔）の移動を妨げる役割を果たすため、隣の有機ＥＬ素子への電流リークを低減させることができる。このため、隣の有機ＥＬ素子は発光しなくなり、クロストークが抑制される。発光閾値電圧の差が大きく、クロストークの発生がある画素間には第３電極２０を形成することでクロストークを抑制し、比較的発光閾値電圧の差が小さく、クロストークの影響を無視してよい画素間には絶縁層４０で覆われた第３電極２０を形成しない。これにより、必要以上に画素に間隔をとって発光領域を狭くしてしまうことがなく、表示装置の長寿命化につながる。
【００５６】
尚、本実施形態では、絶縁層４０があるために、第３電極２０から正孔輸送層１２へ正孔が注入されることはない。
【００５７】
「第３電極２０には、隣り合う２つの有機ＥＬ素子の発光時のいずれの陽極電位よりも高い電位が設定される」とは、次のような設定を意味する。本例では、図１０（ａ）で示すように、Ｇ発光素子３ＧとＢ発光素子３Ｂとの間に配置された第３電極２０に、Ｇ発光素子３Ｇ及びＢ発光素子３Ｂのいずれの発光閾値電圧以上の電圧を印加する。同様に、Ｂ発光素子３ＢとＲ発光素子３Ｒとの間に配置された第２電極２０には、Ｂ発光素子３ＢとＲ発光素子３Ｒのいずれの発光閾値電圧以上の電圧を印加する。
【００５８】
さらに、全ての第３電極２０を共通の電圧線（不図示）に接続し、いずれの第３電極２０にも、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂ全ての発光時の陽極電位よりも高い電位が設定される構成としてもよい。また、第３電極２０には、隣り合う２つの有機ＥＬ素子のいずれの表示輝度の最大値に相当する陽極電位よりも高い電位に設定されることが望ましい。その理由は、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの間で、第３電極２０から第２電極１５に向かう電界が生じ、第３電極２０上では、基板１０の面内方向への電界がなくなる。このため、基板１０の面内方向へのキャリア（正孔）の移動を十分小さくすることができるからである。また、第３電極２０に設定される電位は、隣り合う２つの有機ＥＬ素子それぞれの発光時の陽極電位よりも高い電位であれば、固定でなく、変動してもよい。また、第３電極２０に設定する電位は、表示装置の配線間耐電圧以下に設定する。
【００５９】
また、第３電極２０は、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと同層で形成され、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂのパターニングと同じ材料、同じ工程で形成することが望ましい。また、第３電極２０は、隣り合う２つの第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂから等距離にある必要はなく、隣り合う２つの第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの間にあればよい。
【００６０】
また、図１０（ｂ）のように第３電極２０が、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが形成された基板１０の内部に形成されていてもよい。また、第１電極１１は、例えば、基板１０の一部の絶縁層（不図示）で覆われていてもよい。この絶縁層は、絶縁層４０と同じ材料を用いることができる。
【００６１】
〔画素レイアウト〕
本実施形態に係る表示装置においても、画素レイアウトは特に限定されるものではなく、当該技術分野で既知のレイアウトを用いることができる。実施形態２における第３電極２０が絶縁層４０に覆われているか、基板１０の一部に形成されているものが実施形態３であり、実施形態２で示した画素レイアウトが全て適用できる。
【００６２】
〔実施形態４〕
図１１（ａ）は、本実施形態に係る表示装置の１画素ユニット分の断面模式図である。本例の特徴は、実施形態１の構成に加えて、第１電極の間隔の広い部位に絶縁性の隔壁５０を形成したことにある。本例ではＧ発光素子３Ｇの第１電極１１ＧとＢ発光素子３Ｂの第１電極３Ｂの間隙、及び、Ｂ発光素子３Ｂの第１電極１１ＢとＲ発光素子３Ｒの第１電極１１Ｒの間隙にそれぞれ絶縁性の隔壁５０が形成されている。本例では、正孔輸送層１２は、全ての有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに共通に、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び隔壁５０を覆って形成されている。
【００６３】
この構成により、発光閾値電圧の差が大きい組において、正孔輸送層１２を含む有機ＥＬ層は隔壁５０上を回りこむように成膜されるため、隔壁５０のない場合に比べて高抵抗の層となっている。発光閾値電圧の差が大きく、クロストークの発生がある有機ＥＬ素子間を高抵抗化することでクロストークを緩和し、比較的発光閾値電圧の差が小さく、クロストークの影響を無視できる有機ＥＬ素子間には隔壁５０は形成されない。そのため、必要以上に画素に間隔をとって発光領域を狭くしてしまうことがなく、開口率を大きくとることができるので表示装置の長寿命化につながる。
【００６４】
また、図１１（ｂ）のように隔壁５０上で正孔輸送層１２等の有機ＥＬ層が段切れを起こして電気的に絶縁されるように隔壁５０の高さを調節してもよい。また、隔壁５０上を正孔輸送層１２等の有機ＥＬ層が回りこむように成膜した後に、隔壁５０上に形成された有機ＥＬ層を除去してもよい。有機ＥＬ層を除去する方法は限定されるものではなく、例えば、拭き取る方法でもよいし、粘着性物質に接触させる方法でもよいし、レーザアブレーションでもよい。このようにすることで、より効果的にリーク電流を遮断することができ、クロストークを抑制することができる。
【００６５】
以下、隔壁５０を形成する工程を説明する。先ず、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが形成された基板１０上に感光性絶縁樹脂を塗布する。次に、この感光性絶縁樹脂をパターン露光し、現像して隔壁５０のパターンを形成する。これを焼成した後、光照射等により親水化させ、隔壁５０を形成する。隔壁５０となる感光性樹脂は、ポジ型レジスト、ネガ型レジストのどちらでもよく、絶縁性を有する感光性樹脂を用いる。具体的には、ポリイミド系、アクリル樹脂系、ノボラック樹脂系、フロオレン系等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００６６】
〔画素レイアウト〕
本実施形態に係る表示装置においても、画素のレイアウトは特に限定されるものではなく、当該技術分野で既知のレイアウトを用いることができる。実施形態２における第３電極２０を隔壁５０に置き換えたものが実施形態４であり、実施形態２で示した画素レイアウトが全て適用できる。
【００６７】
〔実施形態５〕
図１２は、本実施形態に係る表示装置の１画素ユニット分の断面模式図である。本例の特徴は、実施形態１の構成に加えて、第１電極の間隔の広い部位に空隙６０を形成したことにある。本例ではＧ発光素子３Ｇの第１電極１１ＧとＢ発光素子３Ｂの第１電極３Ｂの間隙、及び、Ｂ発光素子３Ｂの第１電極１１ＢとＲ発光素子３Ｒの第１電極１１Ｒの間隙にそれぞれ絶縁性の空隙６０が形成されている。本例では、正孔輸送層１２は、全ての有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂに共通に、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び空隙６０を覆って形成されている。
【００６８】
空隙を形成する手段としては、発光層１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂまたは電子輸送層１４までを形成した後、レーザアブレーションにより特定の画素間に位置する有機ＥＬ層を切断する手段がある。また、有機ＥＬ層をマスク蒸着法により形成する際に、特定の画素間が電気的に接続しないように塗り分けて成膜する手段を用いてもよい。また、フォトリソグラフィー法を用いて、各色の有機ＥＬ素子毎に正孔輸送層１２から発光層１３または電子輸送層１４までを形成し、特定の画素間が電気的に接続しないように成膜する手段を用いてもよい。
【００６９】
空隙６０は絶縁性であるため、リーク電流を抑制してクロストークを抑制する効果を得ることが可能である。尚、電子輸送層１４の成膜時に空隙６０に成膜材料が入り込んでも、電子輸送層１４は絶縁体ではないが、正孔輸送層１２や発光層１３との接触抵抗が大きくなるためクロストークを抑制できる。さらに電子輸送層１４が正孔輸送層１２や発光層１３よりも高抵抗の層であればより効果的である。
【００７０】
この構成により、発光閾値電圧の差が大きい組においては、正孔輸送層１２等の有機ＥＬ層が接しないため、リーク電流を抑制することができる。発光閾値電圧の差が大きく、クロストークの発生がある有機ＥＬ素子間を電気的に接続しない構成とすることでクロストークの発生を抑制し、比較的発光閾値電圧の差が小さく、クロストークの影響を無視できる有機ＥＬ素子間に構造物は形成されない。このため、必要以上に画素に間隔をとって発光領域を狭くしてしまうことがなく、開口率を大きくとることができるので表示装置の長寿命化につながる。
【００７１】
〔画素レイアウト〕
本実施形態に係る表示装置においても、画素のレイアウトは特に限定されるものではなく、当該技術分野で既知のレイアウトを用いることができる。実施形態２における第３電極２０を空隙６０に置き換えたものが実施形態５であり、実施形態２で示した画素のレイアウトが全て適用できる。
【実施例】
【００７２】
実施例１として、本発明の実施形態２に対応する構成の表示装置を作製した。先ず、シリコン基板上に画素回路（不図示）を形成し、その上に酸化珪素からなる層間絶縁膜を形成して、図５（ａ）に示す基板１０を作製した。この基板１０上にＴｉ膜をスパッタリング法にて５０ｎｍの厚さで形成した。続いて、Ｔｉ膜を画素毎にパターニングして第１電極（陽極）１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ及び第３電極２０を形成した。Ｂ発光素子３Ｂを構成する第１電極１１Ｂ、Ｇ発光素子３Ｇを構成する第１電極１１Ｇ、Ｒ発光素子３Ｒを構成する第１電極１１Ｒは、それぞれ複数個ずつ形成した。第３電極２０は、Ｒ発光素子３Ｒの第１電極１１ＲとＧ発光素子３Ｇの第１電極１１Ｇとの間には形成されていない。これは、各色の有機ＥＬ素子の発光閾値電圧を比較した時に、Ｒ発光素子３Ｒが約２．４Ｖ、Ｇ発光素子３Ｇが約２．４Ｖ、Ｂ発光素子３Ｂが約２．７Ｖであったためである。画素レイアウトは図５（ｂ）に示す通りであり、画素ユニット３０のサイズがＬ１＝Ｌ２＝９４．５μｍ、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１ＢのサイズがＬ３＝７０．０μｍ、Ｌ４＝１５．８μｍとした。また、第１電極の間隔は、最も狭い１１Ｒと１１Ｇとの間隔ｄ１＝７μｍ、１１Ｇと１１Ｂ、１１Ｂと１１Ｒの間隔ｄ２＝ｄ３＝２０μｍとした。
【００７３】
パターニングされた第１電極１１が形成された基板面に、Ｂ発光層１３Ｂを含む複数の有機化合物層からなる有機ＥＬ層を真空蒸着法にて成膜した。Ｂ発光素子３Ｂを構成する第１電極１１Ｂが形成された基板面のみに成膜するためにシャドウマスクを用い、先ず、正孔輸送層１２を形成した。正孔輸送層１２は、第１正孔輸送層と第２正孔輸送層とからなる。第１正孔輸送層は、下記の化合物１に示すホスト材料に、ＮＤＰ９（ＮＯＶＡＬＥＤ社製）を０．５質量％ドープし、厚さ１５ｎｍで成膜した。第１正孔輸送層の上に、化合物１の材料を２０ｎｍの厚さで成膜して第２正孔輸送層を形成した。その後、Ｂ発光層１３Ｂを厚さ３０ｎｍで順次形成した。
【００７４】
次に、Ｒ発光層１３Ｒを含む複数の有機化合物層からなる有機ＥＬ層を真空蒸着法にて成膜した。Ｒ発光素子３Ｒを構成する第１電極１１Ｒが形成された基板面のみに成膜するために、Ｂ発光素子３Ｂの有機ＥＬ層の形成に用いたシャドウマスクの位置を移動させた。Ｂ発光素子３Ｂの第１，第２正孔輸送層と同じ材料で第１，第２正孔輸送層を、それぞれ１５ｎｍ、４０ｎｍの膜厚で形成した後、公知の赤発光材料を含むＲ発光層１３Ｒを膜厚３０ｎｍで成膜した。
【００７５】
次に、Ｇ発光層１３Ｇを含む複数の層からなる有機ＥＬ層を、真空蒸着法にて成膜した。Ｇ発光素子３Ｇを構成する第１電極１１Ｇが形成された基板面のみに成膜するためにＲ発光素子３Ｒの有機ＥＬ層の形成に用いたシャドウマスクを移動させた。Ｒ発光素子３Ｒの第１，第２正孔輸送層と同じ材料で第１，第２正孔輸送層を、それぞれ１５ｎｍ、３０ｎｍの膜厚で形成した後、公知の緑発光材料を含むＧ発光層１３Ｇを膜厚３０ｎｍで成膜した。
【００７６】
上記Ｂ発光層、Ｒ発光層、Ｇ発光層の上に、電子輸送層１４として第１電子輸送層と第２電子輸送層とを全画素にわたって共通で形成した。化合物２に示す材料からなる第１電子輸送層を２０ｎｍで形成した。その上に、第２電子輸送層としては、層中のセシウム濃度が８．０質量％となるような化合物を化合物２に示すホスト材料とＣｓ2ＣＯ3とを共蒸着して１０ｎｍで形成した。本例では幾つかの材料を例示したが、これに限るものではなく正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層は、公知の材料から選択することが可能である。
【００７７】
【化１】
2014197466.tif 000003
【００７８】
その上に、第２電極１５として酸化インジウム亜鉛を５００ｎｍで成膜し、さらに、第２電極１５の上に窒化ケイ素の封止膜３０を４μｍの厚さで成膜した。
【００７９】
上記のようにして作製した表示装置を駆動して所定の画像を表示した。この表示装置の各画素の画素回路は図６で示すものであった。
【００８０】
第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂは、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが発光する時には、輝度に応じて発光閾値電圧以上の所定の電圧が印加され、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂには駆動トランジスタ２０２を介して電流が流れた。一方、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂが発光しない時は、画素回路と電流の供給が遮断された。
【００８１】
第２電極１５には、全画素にわたって共通で形成されており、表示装置が駆動している間は常に０Ｖを印加した。
【００８２】
第３電極２０は第２電極１５と表示領域の外で接続されており、常に０Ｖ、つまりいずれの有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの非発光時の陽極電位よりも低い電位が設定された。
【００８３】
図１３は、上記のように第３電極２０にいずれの有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂの非発光時の陽極電位よりも低い電位を設定した場合の、表示装置の色再現性を示した結果である。具体的には、先ず、有機ＥＬ素子３Ｒ，３Ｇ，３Ｂのうち、Ｂ発光素子３Ｂのみを所望の輝度で発光させ、他の２素子３Ｒ，３Ｇは発光させない場合の色度の測定を行った。そして、低輝度から高輝度までの所定の輝度でこの色度の測定を行った。次に、Ｒ発光素子３Ｒ、Ｇ発光素子３Ｇでも同様に色度の測定を行った。各色、複数の輝度での色度のデータから、ＮＴＳＣ色座標系を１００％としてそれに対する割合を算出し図１３の結果を得た。
【００８４】
また、比較例１として、図１４に示すように、第３電極２０を設けず、第１電極１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂの間隔ｄ１，ｄ２，ｄ３をいずれも等しく７．１μｍとした以外は、実施例１と同じサイズの表示装置を構成し、同様の色再現性を算出し、図１３にプロットした。
【００８５】
図１３より、比較例１の表示装置に比べて、実施例１の表示装置の方が、いずれの輝度でも色再現性が抑制されていることが分かる。また、実施例１の表示装置は、いずれの輝度でも、色再現性がほぼ一定に保たれていた。これらのことは、画素間で生じるクロストークが抑制された結果だと考えられる。
【００８６】
また、比較例２として、図１５に示すように、全ての画素間に第３電極２０を設け、ｄ１，ｄ２，ｄ３を等しく２０．０μｍとした以外は、実施例１と同じサイズの表示装置を構成し、画素寸法毎の開口率を比較した。その結果、実施例１の開口率は３７％、比較例２の開口率は２７％となり、実施例１の方が開口率の点で有利であることが分かる。このため、同じ輝度で表示装置を駆動させた時には実施例１の方が有機ＥＬ素子に流す電流密度が約３０％小さくなるので、実施例１に示した表示装置の方が長寿命であるといえる。
【符号の説明】
【００８７】
３Ｒ，３Ｂ，３Ｇ：有機ＥＬ素子、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ：第１電極、１３Ｒ，１３Ｇ，１３Ｂ：発光層、１５：第２電極、２０：第３電極、４０：絶縁層、５０：隔壁、６０：空隙
【図１】
2014197466.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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