(57)【要約】  電子部品は、交互に積層された絶縁層および導体層を含む本体部を有する。絶縁層および導体層の一部は、本体部の積層方向に直交する方向の側面に露出する。本体部の側面には、積層方向に延在して、側面に露出する絶縁層および導体層を覆う金属膜を設けている。
2017199461.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交互に積層された絶縁層および導体層を含む本体部を備え、
前記絶縁層および前記導体層の一部は、前記本体部の積層方向に直交する方向の側面に露出し、
前記本体部の前記側面には、積層方向に延在して、前記側面に露出する前記絶縁層および前記導体層を覆う金属膜を設けている、電子部品。
【請求項２】
前記本体部の積層方向の一面に設けられ、前記導体層に電気的に接続された外部電極を有し、前記金属膜は、前記外部電極に接続する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記本体部は、前記外部電極と前記導体層の間に位置し、前記外部電極と前記導体層を電気的に接続する柱状電極を有し、
前記柱状電極の一部は、前記本体部の前記側面および前記一面に露出し、前記金属膜は、前記側面に露出する前記柱状電極を覆う、請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記本体部は、前記絶縁層に埋め込まれ、前記導体層に電気的に接続するビア電極を有し、
前記ビア電極の一部は、前記本体部の前記側面に露出し、前記金属膜は、前記側面に露出する前記ビア電極を覆う、請求項１から３の何れか一つに記載の電子部品。
【請求項５】
前記ビア電極の積層方向の一方側の幅は、前記ビア電極の積層方向の他方側の幅より小さい、請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記側面に露出する前記導体層は、積層方向に複数あり、
前記本体部は、前記積層方向に隣り合う導体層の間を接続するビア電極を有し、
前記金属膜は、前記積層方向に隣り合う導体層の間を接続する、請求項１から３の何れか一つに記載の電子部品。
【請求項７】
前記側面に露出する前記導体層は、積層方向に３層以上ある、請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記外部電極は、前記本体部の前記一面に、複数並列に配置され、前記金属膜は、前記本体部の前記側面に、複数並列に配置され、各外部電極は、各金属膜に接続されている、請求項２に記載の電子部品。
【請求項９】
前記導体層は、螺旋状の配線を構成する、請求項１から８の何れか一つに記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の一例としてのコイル部品には、特開２０１４−１９７５９０号公報（特許文献１）に記載されたものがある。この電子部品は、基板と、基板の上面に設けられた第１導体層と、第１導体層上に設けられた第１絶縁層と、基板の下面に設けられた第２導体層と、第２導体層下に設けられた第２絶縁層とを有する。第１絶縁層上に、第１外部電極および第２外部電極が設けられている。第１外部電極は、第１引出電極を介して、第１導体層に電気的に接続される。第２外部電極は、第２引出電極を介して、第２導体層に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１９７５９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、前記従来のコイル部品では、基板の両面に導体層を設けているが、低背化などのため、例えば、基板上に複数の導体層と複数の絶縁層を交互に設け、導体層間をビア電極で接続する構成（ビルドアップ構成）も考えられる。この場合、導体層間の絶縁層は導体層よりも熱膨張係数が高く、熱による膨張率の差異により、導体層間、例えば導体層とビア電極との界面などで層間剥離が発生するおそれがある。【０００５】
そこで、本発明の課題は、導体層間の層間剥離を低減できる電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため、本発明の電子部品は、
交互に積層された絶縁層および導体層を含む本体部を備え、
前記絶縁層および前記導体層の一部は、前記本体部の積層方向に直交する方向の側面に露出し、
前記本体部の前記側面には、積層方向に延在して、前記側面に露出する前記絶縁層および前記導体層を覆う金属膜を設けている。【０００７】
ここで、露出とは、電子部品の外部への露出だけではなく、他の部材への露出、つまり、他の部材との境界面での露出も含むものとする。覆うとは、部材の少なくとも一部を覆うことを含む。【０００８】
前記電子部品によれば、金属膜は、絶縁層および導体層の積層方向に延在して、本体部の側面の絶縁層および導体層を覆っているので、金属膜は、絶縁層および導体層の積層方向の移動を拘束する。したがって、電子部品に熱が加わっても、絶縁層および導体層の熱膨張係数の違いによる導体層間の層間剥離を低減できる。【０００９】
また、電子部品の一実施形態では、前記本体部の積層方向の一面に設けられ、前記導体層に電気的に接続された外部電極を有し、前記金属膜は、前記外部電極に接続する。【００１０】
前記実施形態によれば、金属膜は、外部電極に接続し、本体部の側面の絶縁層および導体層を覆っているので、金属膜は、外部電極と導体層を電気的にバイパスする。したがって、外部電極と導体層との電気抵抗（特に、直流電気抵抗Ｒｄｃ）を低減できる。【００１１】
また、電子部品の一実施形態では、
前記本体部は、前記外部電極と前記導体層の間に位置し、前記外部電極と前記導体層を電気的に接続する柱状電極を有し、
前記柱状電極の一部は、前記本体部の前記側面および前記一面に露出し、前記金属膜は、前記側面に露出する前記柱状電極を覆う。【００１２】
前記実施形態によれば、柱状電極の一部は、本体部の側面および一面に露出し、金属膜は、側面および一面に露出する柱状電極を覆う。ここで、電子部品の製造工程において、本体部の側面（カット面）においてダイシングする際、本体部の側面側における柱状電極を切削する負荷が大きくなる。柱状電極への負荷が大きくなると、柱状電極が導体層から剥離する恐れや、層間の電気抵抗が大きくなる恐れがある。しかし、金属膜は柱状電極を覆っているので、柱状電極の剥離を補強しつつ、層間の電気抵抗を小さくすることができる。【００１３】
また、電子部品の一実施形態では、
前記本体部は、前記絶縁層に埋め込まれ、前記導体層に電気的に接続するビア電極を有し、
前記ビア電極の一部は、前記本体部の前記側面に露出し、前記金属膜は、前記側面に露出する前記ビア電極を覆う。【００１４】
前記実施形態によれば、ビア電極の一部は、本体部の側面に露出し、金属膜は、側面に露出するビア電極を覆う。これにより、ビア電極の一部と金属膜とが接続され、熱による導体層とビア電極との層間剥離を低減できる。特に、電子部品が小型となり、ビア電極が一層小さくなっても、効果的に剥離を低減できる。【００１５】
また、電子部品の一実施形態では、前記ビア電極の積層方向の一方側の幅は、前記ビア電極の積層方向の他方側の幅より小さい。【００１６】
前記実施形態によれば、ビア電極の積層方向の一方側の幅は、ビア電極の積層方向の他方側の幅より小さい。この場合、ビア電極の一方側の導体層との接続面において層間剥離が発生しやすくなるため、金属膜による層間剥離の低減効果がより一層効果的となる。【００１７】
また、電子部品の一実施形態では、
前記側面に露出する前記導体層は、積層方向に複数あり、
前記本体部は、前記積層方向に隣り合う導体層の間を接続するビア電極を有し、
前記金属膜は、前記積層方向に隣り合う導体層の間を接続する。【００１８】
前記実施形態によれば、通常、ビア電極は小さく、導体層とビア電極との接続面の面積も小さくなるため、絶縁層の熱膨張により、当該接触面での層間剥離が発生しやすいが、金属膜は、積層方向に隣り合う導体層の間を接続するので、熱による導体層とビア電極との層間剥離を低減できる。【００１９】
また、電子部品の一実施形態では、前記側面に露出する前記導体層は、積層方向に３層以上ある。【００２０】
前記実施形態によれば、導体層が３層以上の場合、さらに層間剥離が発生しやすくなるが、金属膜により、層間剥離の低減効果がより一層効果的となる。【００２１】
また、電子部品の一実施形態では、前記外部電極は、前記本体部の前記一面に、複数並列に配置され、前記金属膜は、前記本体部の前記側面に、複数並列に配置され、各外部電極は、各金属膜に接続されている。【００２２】
前記実施形態によれば、外部電極は、本体部の一面に、複数並列に配置され、金属膜は、本体部の側面に、複数並列に配置され、各外部電極は、各金属膜に接続されている。このように、外部電極および金属膜の数量が増加すると、電子部品の大きさに制約があるため、導体層の他の部材との接続面が小さくなり、層間剥離が発生しやすくなるため、金属膜による層間剥離の低減効果がより一層効果的となる。【００２３】
また、電子部品の一実施形態では、前記導体層は、螺旋状の配線を構成する。【００２４】
前記実施形態によれば、導体層は、幅の細い配線を構成するため、導体層の他の部材との接続面が小さくなりやすく、層間剥離が発生しやすくなるため、金属膜による層間剥離の低減効果がより一層効果的となる。
【発明の効果】
【００２５】
上記態様の電子部品によれば、本体部の側面には、積層方向に延在して、側面に露出する絶縁層および導体層を覆う金属膜を設けているので、導体層の層間剥離を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】電子部品の第１実施形態を示す斜視図である。
【図２】電子部品のＸＺ断面図である。
【図３Ａ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｂ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｃ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｄ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｅ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｆ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｇ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｈ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｉ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｊ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図３Ｋ】電子部品の製造方法を説明する説明図である。
【図４】電子部品の第２実施形態を示すＸ方向矢視図である。
【図５】電子部品の第３実施形態を示す斜視図である。
【図６Ａ】実施例のリフロー回数と電気抵抗との関係を示すグラフである。
【図６Ｂ】比較例のリフロー回数と電気抵抗との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の一態様を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は、電子部品の第１実施形態を示す斜視図である。図２は、電子部品のＸＺ断面図である。図１と図２に、電子部品の一例として、コイル部品１を示す。コイル部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジカメ、ＴＶ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載され、例えば全体として直方体形状の部品である。ただし、コイル部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角形柱状、円錐台形状、多角形錐台形状であってもよい。
【００２９】
図１と図２に示すように、コイル部品１は、交互に積層された絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２を含む本体部１０と、本体部１０の積層方向の一面１０３に設けられ、導体層２０１，２０２に電気的に接続された外部電極６１，６２とを有する。
ここで、積層方向とは、絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２が、延在する方向（ＸＹ方向）でなく、積み重なる方向（Ｚ方向）である。つまり、第１絶縁層４１、第１導体層２０１、第２絶縁層４２、第２導体層２０２および第３絶縁層４３が、順に、積層方向に積層される。
【００３０】
絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２の一部は、本体部１０の積層方向に直交する方向の側面１０１，１０２に露出する。本体部１０の側面１０１，１０２には、金属膜８０が設けられている。金属膜８０は、外部電極６１，６２に接続し、積層方向に延在して、側面１０１，１０２に露出する絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２を覆う。なお、図１では、分かりやすくするために、外部電極６１，６２を省略し、金属膜８０を二点鎖線にて描いている。
【００３１】
したがって、金属膜８０は、絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２の積層方向に延在して、本体部１０の側面１０１，１０２の絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２を覆っているので、金属膜８０は、絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２の積層方向の移動を拘束する。したがって、コイル部品１に熱が加わっても、絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２の熱膨張係数の違いによる導体層２０１，２０２の層間剥離を低減できる。なお、金属膜８０の代わりに、金属粉を含有する導電性樹脂を用いても、導電性樹脂は、絶縁層４１，４２，４３に近い熱膨張係数を有し、絶縁層４１，４２，４３の膨張収縮を拘束できないため、層間剥離を低減する効果は得られない。
【００３２】
また、金属膜８０は、外部電極６１，６２に接続し、本体部１０の側面１０１，１０２の絶縁層４１，４２，４３および導体層２０１，２０２を覆っているので、金属膜８０は、外部電極６１，６２と導体層２０１，２０２を電気的にバイパスする。したがって、外部電極６１，６２と導体層２０１，２０２との電気抵抗（特に、直流電気抵抗Ｒｄｃ）を低減できる。
【００３３】
さらに、コイル部品１の外部電極６１，６２を、はんだを介して、実装基板に実装したとき、はんだが、金属膜８０を伝って、積層方向の外部電極６１，６２と離れる方向に濡れ上がり、フィレット状になることで、コイル部品１の強度が向上する。これにより、はんだ接続の信頼性が向上し、例えばリフローなどの熱によって、はんだにクラックなどが発生することが抑制される。
【００３４】
また、前記コイル部品１では、本体部１０は、外部電極６１，６２と導体層２０１，２０２の間に位置し、外部電極６１，６２と導体層２０１，２０２を電気的に接続する柱状電極１１，１２を有する。柱状電極１１，１２の一部は、本体部１０の側面１０１，１０２および一面１０３に露出し、金属膜８０は、側面１０１，１０２に露出する柱状電極１１，１２を覆う。
【００３５】
ここで、コイル部品１の製造工程において、本体部１０の側面１０１，１０２（カット面）においてダイシングする際、本体部１０の側面１０１，１０２側における柱状電極１１，１２を切削する負荷が大きくなる。柱状電極１１，１２への負荷が大きくなると、柱状電極１１，１２が導体層２０１，２０２から剥離する恐れや、層間の電気抵抗が大きくなる恐れがある。しかし、金属膜８０は柱状電極１１，１２を覆っているので、柱状電極１１，１２の剥離を補強しつつ、層間の電気抵抗を小さくすることができる。
【００３６】
また、前記コイル部品１では、本体部１０は、絶縁層４２，４３に埋め込まれ、導体層２０１，２０２を電気的に接続するビア電極２７１，２７２，２７３を有する。ビア電極２７１，２７２の一部は、本体部１０の側面１０１，１０２に露出し、金属膜８０は、側面１０１，１０２に露出するビア電極２７１，２７２を覆う。
【００３７】
これにより、ビア電極２７１，２７２と金属膜８０とが接続され、熱による導体層２０１，２０２とビア電極２７１，２７２との層間剥離を低減できる。特に、コイル部品１が小型となり、ビア電極２７１，２７２が一層小さくなっても、効果的に剥離を低減できる。
【００３８】
以下、コイル部品１について詳細に説明する。
【００３９】
図１と図２に示すように、コイル部品１は、本体部１０と、本体部１０の一面１０３に設けられた第１外部電極６１および第２外部電極６２と、本体部１０の第１側面１０１および第２側面１０２に設けられた金属膜８０と、本体部１０に設けられ、第１外部電極６１に接続された第１柱状電極１１および第２外部電極６２に接続された第２柱状電極１２とを有する。
【００４０】
本体部１０は、略直方体状に形成され、長さと幅と高さを有する。本体部１０の長さ方向をＸ方向とし、本体部１０の幅方向をＹ方向とし、本体部１０の高さ方向をＺ方向とする。第１側面１０１と第２側面１０２とは、Ｘ方向に位置する。
【００４１】
本体部１０は、第１導体層２０１および第２導体層２０２と、第１、第２導体層２０１，２０２を覆う絶縁体４０と、絶縁体４０を覆う磁性体３０とを有する。絶縁体４０は、第１絶縁層４１、第２絶縁層４２および第３絶縁層４３から構成される。第１絶縁層４１、第１導体層２０１、第２絶縁層４２、第２導体層２０２および第３絶縁層４３は、下層から上層に順に積層される。なお、本明細書においては、コイル部品１における上下を、図１の紙面上下（Ｚ方向）と一致するものとして記載する。Ｚ方向は、層が積み重なる方向（積層方向）に一致する。
【００４２】
第１導体層２０１は、第１スパイラル配線２１を含む。第２導体層２０２は、第２スパイラル配線２２を含む。第１、第２スパイラル配線２１，２２は、それぞれ、平面においてスパイラル状に形成されている。第１スパイラル配線２１は、例えば、上方からみて、時計回りに旋回しながら中心に近づく渦巻き状に形成される。第２スパイラル配線２２は、例えば、上方からみて、時計回りに旋回しながら中心から遠ざかる渦巻き状に形成される。
【００４３】
第１、第２スパイラル配線２１，２２は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属によって構成される。好ましくは、セミアディティブ工法によって形成されるＣｕめっきを用いることで、低抵抗でかつ狭ピッチなスパイラル配線を形成できる。
【００４４】
第１スパイラル配線２１は、第１絶縁層４１上に積層される。第２絶縁層４２は、第１絶縁層４１上に積層され、第１スパイラル配線２１を覆う。第２スパイラル配線２２は、第２絶縁層４２上に積層される。第３絶縁層４３は、第２絶縁層４２上に積層され、第２スパイラル配線２２を覆う。このように、第１、第２スパイラル配線２１，２２と第１〜第３絶縁層４１，４２，４３とは、交互に積層される。言い換えると、第１、第２スパイラル配線２１，２２のそれぞれは、絶縁層上に積層されると共に、当該絶縁層より上層の絶縁層に覆われる。
【００４５】
第２スパイラル配線２２は、積層方向に延在する内周側の第３ビア電極２７３を介して、第１スパイラル配線２１に電気的に接続される。第３ビア電極２７３は、第２絶縁層４２内に設けられる。第１スパイラル配線２１の内周部２１ａと第２スパイラル配線２２の内周部２２ａとは、第３ビア電極２７３を介して、電気的に接続される。これにより、第１スパイラル配線２１及び第２スパイラル配線２２は一つのインダクタを構成する。
【００４６】
第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂと第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、積層方向からみて、絶縁体４０の両端側に位置する。第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂは、第１柱状電極１１側に位置し、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、第２柱状電極１２側に位置する。
【００４７】
第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂは、第２絶縁層４２内に設けられた外周側の第２ビア電極２７２と、第２絶縁層４２上に設けられた第１接続配線２５と、第３絶縁層４３内に設けられた外周側の第１ビア電極２７１とを介して、第１柱状電極１１に電気的に接続される。
【００４８】
第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、第３絶縁層４３内に設けられた第１ビア電極２７１を介して、第２柱状電極１２に電気的に接続される。なお、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂは、第２絶縁層４２内に設けられた第２ビア電極２７２を介して、第１絶縁層４１上に設けられた第２接続配線２６にも電気的に接続されるが、この構成は必須ではない。ただし、第２接続配線２６を設け、外周部２２ｂと接続することで、コイル部品１内の対称性を高め、電気的特性や信頼性のばらつきを低減することができる。
【００４９】
ここで、第２接続配線２６および第１スパイラル配線２１は、第１導体層２０１を構成し、第１接続配線２５および第２スパイラル配線２２は、第２導体層２０２を構成する。
ただし、第１導体層２０１において、第２接続配線２６と第１スパイラル配線２１とは電気的に接続されておらず、第２導体層２０２において、第１接続配線２５と第２スパイラル配線２２とは電気的に接続されていない。
【００５０】
絶縁体４０は、無機フィラーおよび樹脂のコンポジット材料からなる。樹脂は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。無機フィラーは、ＳｉＯ２などの絶縁層である。なお、絶縁体４０は、コンポジット材料に限定されず、樹脂のみから構成されるようにしてもよい。絶縁体４０（第１、第２、第３絶縁層４１，４２，４３）の熱膨張係数は、通常、３０ｐｐｍ／ｋ以上であるが、この場合でも、金属膜８０により効果的に層間剥離を低減できる。絶縁体４０は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の内径よりも内側に、内径孔部４０ａを有する。
【００５１】
磁性体３０は、樹脂３５および金属磁性粉３６のコンポジット材料からなる。樹脂３５は、例えば、エポキシ系樹脂やビスマレイミド、液晶ポリマ、ポリイミドなどからなる有機絶縁材料である。金属磁性粉３６は、例えば、ＦｅＳｉＣｒなどのＦｅＳｉ系合金、ＦｅＣｏ系合金、ＮｉＦｅなどのＦｅ系合金、または、それらのアモルファス合金である。
【００５２】
磁性体３０は、内磁路３７ａと外磁路３７ｂを有する。内磁路３７ａは、第１、第２スパイラル配線２１，２２の内径および絶縁体４０の内径孔部４０ａに位置する。外磁路３７ｂは、第１、第２スパイラル配線２１，２２および絶縁体４０の上下に位置するとともに、絶縁体４０の外径側にも位置している（不図示）。
【００５３】
第１、第２柱状電極１１，１２は、第１、第２スパイラル配線２１，２２の積層方向の上方に設けられる。第１柱状電極１１は、本体部１０の第１側面１０１側に位置する。第２柱状電極１２は、本体部１０の第２側面１０２側に位置する。柱状電極１１，１２は、例えば、スパイラル配線２１，２２と同じ材料から構成される。
【００５４】
第１柱状電極１１は、第１柱状電極１１の一部が本体部１０の第１側面１０１および一面１０３に露出するように、本体部１０の磁性体３０に埋め込まれている。第２柱状電極１２は、第２柱状電極１２の一部が本体部１０の第２側面１０２および一面１０３に露出するように、本体部１０の磁性体３０に埋め込まれている。
【００５５】
第１柱状電極１１は、第１スパイラル配線２１に電気的に接続され、第２柱状電極１２は、第２スパイラル配線２２に電気的に接続される。第１柱状電極１１の上面には、第１外部電極６１が設けられ、第２柱状電極１２の上面には、第２外部電極６２が設けられる。第１、第２外部電極６１，６２は、コイル部品１を実装基板に実装する際に、実装基板の電極にはんだを介して接続される。
【００５６】
金属膜８０は、本体部１０の第１側面１０１において、第１柱状電極１１、第１ビア電極２７１、第１接続配線２５、第２ビア電極２７２、および、第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂに接触し、さらに、第１外部電極６１に接触する。金属膜８０は、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの低抵抗な金属によって構成される。金属膜８０は、例えば、電解めっき、無電解めっき、または、スパッタにより形成される。
【００５７】
同様に、金属膜８０は、本体部１０の第２側面１０２において、第２柱状電極１２、第１ビア電極２７１、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂ、第２ビア電極２７２および第２接続配線２６に接触し、さらに、第２外部電極６２に接触する。
【００５８】
次に、図３Ａから図３Ｋを用いてコイル部品１の製造方法について説明する。
【００５９】
図３Ａに示すように、基台５０を準備する。この実施形態では、１枚の基台５０により複数のコイル部品１を製造する。基台５０は、絶縁基板５１と、絶縁基板５１の両面に設けられたベース金属層５２とを有する。この実施形態では、絶縁基板５１は、ガラスエポキシ基板であり、ベース金属層５２は、Ｃｕ箔であり、上面が円滑面となっている。後述するように基台５０が剥離されることにより、基台５０の厚みは、コイル部品１の厚みに影響を与えないため、加工上のそりなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。
【００６０】
そして、図３Ｂに示すように、基台５０の一面上にダミー金属層６０を接着する。この実施形態では、ダミー金属層６０は、Ｃｕ箔である。ダミー金属層６０は、基台５０のベース金属層５２と接着されるので、ダミー金属層６０は、ベース金属層５２の円滑面に接着される。このため、ダミー金属層６０とベース金属層５２の接着力を弱くすることができて、後工程において、基台５０をダミー金属層６０から容易に剥がすことができる。好ましくは、基台５０とダミー金属層６０を接着する接着剤は、低粘着接着剤とする。また、基台５０とダミー金属層６０の接着力を弱くするために、基台５０とダミー金属層６０の接着面を光沢面とすることが望ましい。
【００６１】
その後、基台５０に仮止めされたダミー金属層６０上に第１絶縁層４１を積層する。このとき、第１絶縁層４１を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。その後、内磁路（磁芯）に相当する第１絶縁層４１の中央部分を、レーザ等により除去し、開口部４１ａを形成する。
【００６２】
そして、図３Ｃに示すように、第１絶縁層４１上に、セミアディティブ工法を用いて、第１導体層２０１としての第１スパイラル配線２１および第２接続配線２６を積層する。
第１スパイラル配線２１および第２接続配線２６は、互いに接触しないように形成する。
第２接続配線２６は、外周部２１ｂと反対側に設ける。詳しくは、まず、第１絶縁層４１上に無電解メッキやスパッタリング、蒸着などにより給電膜を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼り付け、フォトリソグラフィーにより配線パターンを形成する。その後、電解めっきによって、第１スパイラル配線２１と第２接続配線２６に相当するメタル配線を形成する。メタル配線の形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去し、給電膜をエッチング除去する。なお、その後、さらにこのメタル配線を給電部として、追加のＣｕ電解メッキを施すことでより狭スペースな配線２１，２６を得ることが可能である。また、第１絶縁層４１の開口部４１ａ内のダミー金属層６０上に、セミアディティブ工法を用いて、内磁路に対応する第１犠牲導体７１を設ける。
【００６３】
そして、図３Ｄに示すように、第１絶縁層４１に第２絶縁層４２を積層して、第１スパイラル配線２１、第２接続配線２６及び第１犠牲導体７１を第２絶縁層４２で覆う。さらに、第２絶縁層４２を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。
【００６４】
そして、図３Ｅに示すように、第２絶縁層４２に、レーザ加工などにより、第２ビア電極２７２、第３ビア電極２７３を充填するためのビアホール４２ｂを形成する。また、内磁路（磁芯）に相当する第２絶縁層４２の部分を、レーザ等により除去し、開口部４２ａを形成する。
【００６５】
そして、図３Ｆに示すように、ビアホールに第２ビア電極２７２、第３ビア電極２７３を充填し、第２絶縁層４２上に、第２導体層２０２としての第２スパイラル配線２２および第１接続配線２５を積層する。第２スパイラル配線２２および第１接続配線２５は、互いに接触しないように形成する。第１接続配線２５は、外周部２２ｂと反対側に設ける。
また、第２絶縁層４２の開口部４２ａ内の第１犠牲導体７１上に、内磁路に対応する第２犠牲導体７２を設ける。このとき、第２ビア電極２７２、第３ビア電極２７３、第２スパイラル配線２２、第１接続配線２５及び第２犠牲導体７２は、第１スパイラル配線２１、第２接続配線２６及び第１犠牲導体７１と同様の処理にて設けることができる。
【００６６】
そして、図３Ｇに示すように、第２絶縁層４２に第３絶縁層４３を積層して、第２スパイラル配線２２、第１接続配線２５及び第２犠牲導体７２を第３絶縁層４３で覆う。さらに、第３絶縁層４３を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化する。
【００６７】
そして、図３Ｈに示すように、内磁路（磁芯）に相当する第３絶縁層４３の部分を、レーザ等により除去し、開口部４３ａを形成する。
【００６８】
その後、基台５０（ベース金属層５２）の一面とダミー金属層６０との接着面で基台５０をダミー金属層６０から剥がす。そして、ダミー金属層６０をエッチングなどにより取り除く。この際、第１、第２犠牲導体７１，７２をエッチングなどにより取り除いて、図３Ｉに示すように、絶縁体４０に、内磁路に対応する内径孔部４０ａを設ける。その後、第３絶縁層４３に、レーザ加工などにより、第１ビア電極２７１を充填するためのビアホール４３ｂを形成する。さらに、ビアホール４３ｂに第１ビア電極２７１を充填し、第３絶縁層４３上に、柱状の第１、第２柱状電極１１，１２を積層する。このとき、第１ビア電極２７１及び第１、第２柱状電極１１、１２は第１スパイラル配線２１と同様の処理にて設けることができる。
【００６９】
そして、図３Ｊに示すように、第１、第２柱状電極１１，１２および絶縁体４０の上下面側を磁性体３０で覆い、磁性体３０を、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着し熱硬化することにより、コイル基板５を形成する。この際、磁性体３０は、絶縁体４０の孔部４０ａにも充填される。
【００７０】
そして、図３Ｋに示すように、コイル基板５の上下の磁性体３０を研削工法により薄層化する。このとき、第１、第２柱状電極１１，１２の一部を露出させることで、第１、第２柱状電極１１，１２の上側面は、磁性体３０の上側面と同一平面上に位置する。そして、第１、第２柱状電極１１，１２の上側面に、第１、第２外部電極６１，６２（図２参照）を設ける。
【００７１】
その後、コイル基板５（本体部１０）を、ダイシングやスクライブにより、カット面Ｃにて個片化する。このとき、カット面Ｃが、本体部１０の第１、第２側面１０１，１０２を構成する。つまり、第１柱状電極１１、第１ビア電極２７１、第１接続配線２５、第２ビア電極２７２、および、第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂが、本体部１０の第１側面１０１に露出する。第２柱状電極１２、第１ビア電極２７１、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂ、第２ビア電極２７２、および、第２接続配線２６が、本体部１０の第２側面１０２に露出する。
【００７２】
その後、本体部１０の第１、第２側面１０１，１０２に、金属膜８０（図２参照）を設ける。金属膜８０は、例えば、Ｃｕめっき処理により形成される。このめっき処理は、無電解めっき、電解めっきのいずれであってもよい。これにより、第１側面１０１において、金属膜８０は、第１外部電極６１、第１柱状電極１１、第１ビア電極２７１、第１接続配線２５、第２ビア電極２７２、および、第１スパイラル配線２１の外周部２１ｂを覆う。第２側面１０２において、金属膜８０は、第２外部電極６２、第２柱状電極１２、第１ビア電極２７１、第２スパイラル配線２２の外周部２２ｂ、第２ビア電極２７２、および、第２接続配線２６を覆う。このようにして、図２に示すコイル部品１を形成する。
【００７３】
なお、上記例示した製造方法では、基台５０の両面のうちの一面にコイル基板５を形成しているが、基台５０の両面のそれぞれにコイル基板５を形成するようにしてもよい。また、多数のコイル基板５を同時に形成できるように、基台５０の一面に、複数の第１、第２スパイラル配線２１，２２や絶縁体４０などを並列に形成し、これらを個片化してもよい。これにより、一つの基台５０を用いて、同時に複数のコイル部品１を形成することができ、高い生産性を得ることができる。
【００７４】
（第２実施形態）
図４は、本発明の電子部品の第２実施形態を示すＸ方向矢視図である。第２実施形態は、第１実施形態とは、ビア電極の構成が相違する。この相違する構成を以下に説明する。
なお、第２実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
【００７５】
図４に示すように、電子部品としてのコイル部品１Ａでは、第１ビア電極２７１Ａの積層方向の一方側の幅は、第１ビア電極２７１Ａの積層方向の他方側の幅より小さい。具体的に述べると、第１ビア電極２７１Ａの下端（Ｚ方向下方側）の幅は、第１ビア電極２７１Ａの上端（Ｚ方向上方側）の幅よりも小さい。つまり、第１ビア電極２７１Ａの形状は、Ｘ方向からみて、台形となる。この場合、接触面積の関係から、第１ビア電極２７１Ａの下端側（一方側）である第１接続配線２５との接続面において層間剥離が発生しやすくなる。
【００７６】
したがって、この構成では金属膜８０の層間剥離低減効果をより効果的に発揮させることができる。また、第２ビア電極２７２Ａについても、第１ビア電極２７１Ａと同様の構成である。また、第２側面１０２についても、第１側面１０１と同様の構成である。
【００７７】
なお、第１ビア電極の上端の幅は、第１ビア電極の下端の幅よりも小さくてもよい。また、第１、第２ビア電極の少なくとも一方が、上述の構成であってもよい。
【００７８】
（第３実施形態）
図５は、本発明の電子部品の第３実施形態を示す斜視図である。第３実施形態は、第１実施形態とは、外部電極および金属膜の数量が相違する。この相違する構成を以下に説明する。なお、第３実施形態において、第１実施形態と同一の符号は、第１実施形態と同じ構成であるため、その説明を省略する。
【００７９】
図５に示すように、電子部品としてのコイル部品１Ｂでは、第１外部電極６１は、本体部１０の一面１０３に、Ｙ方向に沿って、複数（この実施形態では、４つ）並列に配置されている。金属膜８０は、本体部１０の第１側面１０１に、Ｙ方向に沿って、複数（この実施形態では、４つ）並列に配置されている。各第１外部電極６１は、各金属膜８０に接続される。
【００８０】
同様に、第２外部電極６２は、本体部１０の一面１０３に、Ｙ方向に沿って、複数（この実施形態では、４つ）並列に配置されている。金属膜８０は、本体部１０の第２側面１０２に、Ｙ方向に沿って、複数（この実施形態では、４つ）並列に配置されている。各第２外部電極６２は、各金属膜８０に接続される。
【００８１】
このように、第１、第２外部電極６１，６２および金属膜８０の数量が増加すると、コイル部品１の大きさに制約があるため、柱状電極１１，１２、スパイラル配線２１，２２、ビア電極２７１，２７２、および、接続配線２５，２６が小さくなる。
【００８２】
しかし、第１実施形態で説明したように、金属膜８０は、柱状電極１１，１２、スパイラル配線２１，２２、ビア電極２７１，２７２、および、接続配線２５，２６を覆うので、これらの層間剥離を効果的に低減できる。
【００８３】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で設計変更可能である。例えば、第１から第３実施形態のそれぞれの特徴点を様々に組み合わせてもよい。
【００８４】
前記第１実施形態では、金属膜と外部電極とが別部材としているが、金属膜と外部電極とが同一部材（一体化）であってもよい。また、前記第１実施形態では、柱状電極を設けているが、柱状電極を省略するようにしてもよい。
【００８５】
前記第１実施形態では、柱状電極およびビア電極を側面に露出させているが、柱状電極およびビア電極を側面に露出させないで、導体層のみを側面に露出させてもよい。このとき、金属膜は、絶縁層の両側の導体層からめっき成長して、絶縁層を跨ぐように形成される。この結果、金属膜は、導体層間の絶縁層を覆う。つまり、ビア電極を絶縁層で覆って本体部の側面に露出させないようにしてもよい。この場合、側面に露出する導体層は、積層方向に複数あり、本体部は、積層方向に隣り合う導体層の間を接続するビア電極を有し、金属膜は積層方向に隣り合う導体層の間を接続する構成となる。ここで、金属膜が無い場合、通常、ビア電極は導体層よりも小さく、導体層とビア電極との接続面の面積も小さくなるため、絶縁層の熱膨張により、当該接触面での層間剥離が発生しやすくなる。一方、上記構成では、金属膜は、積層方向に隣り合う導体層の間を接続するので、熱による導体層の間の絶縁層の膨張圧縮を拘束する。よって、ビア電極を本体部の側面に露出させない構成、すなわち金属膜とビア電極とが接触していない構成であっても、導体層とビア電極との層間剥離を低減できる。
【００８６】
前記第２実施形態では、金属膜、柱状電極および台形のビア電極の構成を説明しているが、金属膜および台形のビア電極の構成のみでもよい。
【００８７】
前記第３実施形態では、複数の金属膜、複数の外部電極、柱状電極およびビア電極の構成を説明しているが、複数の金属膜および複数の外部電極の構成のみでもよい。
【００８８】
前記第１実施形態では、２層のスパイラル配線を含んでいるが、３層以上のスパイラル配線を含んでいてもよい。つまり、導体層を２層としているが、３層以上としてもよく、導体層が３層以上になると、絶縁層が多数積層されることで、熱による膨張収縮が大きくなり、より層間剥離が発生しやすいため、金属層による層間剥離の低減効果がより一層効果的である。また、絶縁層を３層としているが、４層以上としてもよい。
【００８９】
前記第１実施形態では、電子部品を、コイル部品としているが、コンデンサなどとしてもよい。コイル部品の場合、導体層が、螺旋状の配線、すなわち幅の細い配線を構成するため、導体層の他の部材との接続面が小さくなりやすく、層間剥離が発生しやすくなるため、金属膜による層間剥離の低減効果がより一層効果的となる。
【００９０】
（実施例）
次に、第１実施形態の実施例について説明する。
【００９１】
図６Ａは、第１実施形態の実施例であるコイル部品について、はんだを介して実装基板に実装するときの、リフロー回数と直流電気抵抗Ｒｄｃとの関係を示す。なお、直流電気抵抗Ｒｄｃは外部電極間（コイル部品１における外部電極６１、６２間）の直流電気抵抗値（単位：Ω）として測定した。図６Ａに示すように、実施例では、リフロー前後において、直流電気抵抗Ｒｄｃはほとんど変化しなかった。
【００９２】
図６Ｂは、第１実施形態の比較例である金属膜を設けないコイル部品について、リフロー回数と直流電気抵抗Ｒｄｃとの関係を示す。なお、直流電気抵抗Ｒｄｃの測定方法は図６Ａと同様とした。図６Ｂに示すように、比較例では、リフロー前後において、直流電気抵抗Ｒｄｃが増加した。これはリフロー時の熱による導体層間の層間剥離が発生していることを意味している。
【００９３】
このように、金属膜を設けた実施例では、導体層間の層間剥離を低減できる。なお、実施例では、比較例に対し、リフロー前の直流電気抵抗Ｒｄｃも低い結果となった。これは、実施例では外部電極と導体層との間に金属膜を経由する経路ができ、該経路では直流電気抵抗Ｒｄｃが高くなりやすい導体層とビア電極との界面を経由しないため、直流電気抵抗Ｒｄｃが小さくなったものと考えられる。したがって、実施例の構成は、外部電極と導体層との間の直流電気抵抗を小さくする効果も有する。
【符号の説明】
【００９４】
１，１Ａ，１Ｂ  コイル部品（電子部品）
１０  本体部
１０１  第１側面
１０２  第２側面
１０３  一面
１１  第１柱状電極
１２  第２柱状電極
２１  第１スパイラル配線
２１ａ  内周部
２１ｂ  外周部
２２  第２スパイラル配線
２２ａ  内周部
２２ｂ  外周部
２５  第１接続配線
２６  第２接続配線
３０  磁性体
４０  絶縁体
４１  第１絶縁層
４２  第２絶縁層
４３  第３絶縁層
６１  第１外部電極
６２  第２外部電極
８０  金属膜
２０１  第１導体層
２０２  第２導体層
２７１  第１ビア電極
２７２  第２ビア電極
Ｃ  カット面
【図１】
2017199461.tif 000003
【図２】
2017199461.tif 000004
【図３Ａ】
2017199461.tif 000005
【図３Ｂ】
2017199461.tif 000006
【図３Ｃ】
2017199461.tif 000007
【図３Ｄ】
2017199461.tif 000008
【図３Ｅ】
2017199461.tif 000009
【図３Ｆ】
2017199461.tif 000010
【図３Ｇ】
2017199461.tif 000011
【図３Ｈ】
2017199461.tif 000012
【図３Ｉ】
2017199461.tif 000013
【図３Ｊ】
2017199461.tif 000014
【図３Ｋ】
2017199461.tif 000015
【図４】
2017199461.tif 000016
【図５】
2017199461.tif 000017
【図６Ａ】
2017199461.tif 000018
【図６Ｂ】
2017199461.tif 000019
【国際調査報告】
2017199461.tif 000020
2017199461.tif 000021
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