(57)【要約】【課題】絶縁層と銅箔との密着性に優れ、絶縁層の放熱性に優れる金属ベース回路基板を与える積層板を提供する。【解決手段】金属板と、前記金属板上に設けられ、液晶ポリエステルを含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた銅箔とを有する積層板であって、前記絶縁層に接する前記銅箔の面の十点平均粗さが１０μｍ以上である積層板とする。液晶ポリエステルは、下記式（１）で表される繰返し単位と、下記式（２）で表される繰返し単位と、下記式（３）で表される繰返し単位とを有するものが好ましい。（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−（Ａｒ1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ａｒ2及びＡｒ3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板と、前記金属板上に設けられ、液晶ポリエステルを含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた銅箔とを有する積層板であって、前記絶縁層に接する前記銅箔の面の十点平均粗さが１０μｍ以上である積層板。
【請求項２】
前記銅箔の厚さが３５μｍ以上である請求項１に記載の積層板。
【請求項３】
前記液晶ポリエステルが、下記式（１）で表される繰返し単位と、下記式（２）で表される繰返し単位と、下記式（３）で表される繰返し単位とを有する液晶ポリエステルである請求項１又は２に記載の積層板。
（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−
（Ａｒ1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ａｒ2及びＡｒ3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基を表す。Ａｒ1、Ａｒ2又はＡｒ3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
（４）−Ａｒ4−Ｚ−Ａｒ5−
（Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。）
【請求項４】
前記液晶ポリエステルが、それを構成する全繰返し単位の合計量に対して、前記式（１
）で表される繰返し単位を３０モル％〜８０モル％、前記式（２）で表される繰返
し単位を１０モル％〜３５モル％、前記式（３）で示される繰返し単位を１０モル
％〜３５モル％有する液晶ポリエステルである請求項３に記載の積層板。
【請求項５】
Ｘ及び／又はＹがそれぞれイミノ基である請求項３又は４に記載の積層板。
【請求項６】
前記絶縁層が、さらに無機充填材を含む絶縁層である請求項１〜５のいずれかに記載の積層板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の積層板の前記銅箔をパターン化してなる金属ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層板及びこの積層板を用いてなる金属ベース回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気・電子機器の小型化、高性能化及びハイパワー化に伴い、回路基板には、実装された素子から発生する熱が放散し易いこと、すなわち放熱性に優れることが求められている。この要求に対応しうる回路基板として、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた回路パターンとを有する金属ベース回路基板が検討されている。この金属ベース回路基板は、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた銅箔とを有する積層板から、その銅箔をパターン化することにより、得られる。そして、前記絶縁層として、耐熱性に優れ、誘電損失が小さいことから、液晶ポリエステルを含む絶縁層が検討されている（特許文献１〜５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１０／１１７０２３号
【特許文献２】特開２０１１−  ７７２７０号公報
【特許文献３】特開２０１１−１８１８３３号公報
【特許文献４】特開２０１１−２１９７４９号公報
【特許文献５】特開２０１１−２４９６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前記従来の金属ベース回路基板は、絶縁層と銅箔との密着性が必ずしも十分でない。このため、銅箔が絶縁層から剥離し易いことがある。また、前記従来の金属ベース回路基板は、絶縁層の放熱性が必ずしも十分ではない。そこで、本発明の目的は、絶縁層と銅箔との密着性に優れ、絶縁層の放熱性に優れる金属ベース回路基板を与える積層板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するため、本発明は、金属板と、前記金属板上に設けられ、液晶ポリエステルを含む絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた銅箔とを有する積層板であって、前記絶縁層に接する前記銅箔の面の十点平均粗さが１０μｍ以上である積層板を提供する。また、本発明によれば、前記積層板の前記銅箔をパターニングしてなる金属ベース回路基板も提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の積層板は、絶縁層と銅箔との密着性に優れ、絶縁層の放熱性に優れるため、その銅箔をパターン化することにより、絶縁層と銅箔との密着性に優れ、絶縁層の放熱性に優れる金属ベース回路基板を得ることができる。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
本発明の積層板は、金属板と、その上に設けられた絶縁層と、その上に設けられた銅箔とを有する積層板である。
【０００８】
金属板の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄及び銅が挙げられ、アルミニウム合金やステンレス等の合金であってもよい。金属板は、炭素等の非金属を含んでいてもよく、例えば、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。金属板は、高い熱伝導率を有していることが好ましく、その熱伝導率は、６０Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1以上であることが好ましい。
【０００９】
金属板の厚さは、通常０．２〜５ｍｍである。金属板は、可撓性を有していてもよいし、可撓性を有していなくてもよい。金属板は、単層構造を有していてもよいし、多層構造を有していてもよい。
【００１０】
絶縁層は、金属板上に設けられており、液晶ポリエステルを含む。
【００１１】
液晶ポリエステルは、金属板と銅箔とを接着する接着剤としての役割と、絶縁層の表面を平坦にする役割とを果たしている。液晶ポリエステルは、電気絶縁性の材料であり、他の多くの樹脂より比抵抗が大きい。
【００１２】
液晶ポリエステルは、溶融状態で液晶性を示すポリエステルであり、４５０℃以下の温度で溶融する液晶ポリエステルであることが好ましい。なお、液晶ポリエステルは、液晶ポリエステルアミドであってもよいし、液晶ポリエステルエーテルであってもよいし、液晶ポリエステルカーボネートであってもよいし、液晶ポリエステルイミドであってもよい。液晶ポリエステルは、原料モノマーとして芳香族化合物のみを用いてなる全芳香族液晶ポリエステルであることが好ましい。
【００１３】
液晶ポリエステルの典型的な例としては、芳香族ヒドロキシカルボン酸と芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを重合（重縮合）させてなる液晶ポリエステル、複数種の芳香族ヒドロキシカルボン酸を重合させてなる液晶ポリエステル、芳香族ジカルボン酸と芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物とを重合させてなる液晶ポリエステル、及びポリエチレンテレフタレート等のポリエステルと芳香族ヒドロキシカルボン酸とを重合させてなる液晶ポリエステルが挙げられる。ここで、芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジカルボン酸、芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンは、それぞれ独立に、その一部又は全部に代えて、その重合可能な誘導体が用いられてもよい。
【００１４】
芳香族ヒドロキシカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸のようなカルボキシル基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、カルボキシル基をアルコキシカルボニル基又はアリールオキシカルボニル基に変換してなる誘導体（エステル）、カルボキシル基をハロホルミル基に変換してなる誘導体（酸ハロゲン化物）、及びカルボキシル基をアシルオキシカルボニル基に変換してなる誘導体（酸無水物）が挙げられる。芳香族ヒドロキシカルボン酸、芳香族ジオール及び芳香族ヒドロキシアミンのようなヒドロキシル基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、ヒドロキシル基をアシル化してアシルオキシル基に変換してなる誘導体（アシル化物）が挙げられる。芳香族ヒドロキシアミン及び芳香族ジアミンのようなアミノ基を有する化合物の重合可能な誘導体の例としては、アミノ基をアシル化してアシルアミノ基に変換してなる誘導体（アシル化物）が挙げられる。
【００１５】
液晶ポリエステルは、下記式（１）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（１）」ということがある。）を有することが好ましく、繰返し単位（１）と、下記式（２）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（２）」ということがある。）と、下記式（３）で表される繰返し単位（以下、「繰返し単位（３）」ということがある。）とを有することがより好ましい。
【００１６】
（１）−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−
（２）−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−
（３）−Ｘ−Ａｒ3−Ｙ−
【００１７】
（Ａｒ1は、フェニレン基、ナフチレン基又はビフェニリレン基を表す。Ａｒ2及びＡｒ3は、それぞれ独立に、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基又は下記式（４）で表される基を表す。Ｘ及びＹは、それぞれ独立に、酸素原子又はイミノ基（−ＮＨ−）を表す。Ａｒ1、Ａｒ2又はＡｒ3で表される前記基にある水素原子は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基又はアリール基で置換されていてもよい。）
【００１８】
（４）−Ａｒ4−Ｚ−Ａｒ5−
【００１９】
（Ａｒ4及びＡｒ5は、それぞれ独立に、フェニレン基又はナフチレン基を表す。Ｚは、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、スルホニル基又はアルキリデン基を表す。）
【００２０】
前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。前記アルキル基の例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基及びｎ−デシル基が挙げられ、その炭素数は、通常１〜１０である。前記アリール基の例としては、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基及び２−ナフチル基が挙げられ、その炭素数は、通常６〜２０である。前記水素原子がこれらの基で置換されている場合、その数は、Ａｒ1、Ａｒ2又はＡｒ3で表される前記基毎に、それぞれ独立に、通常２個以下であり、好ましくは１個以下である。
【００２１】
前記アルキリデン基の例としては、メチレン基、エチリデン基、イソプロピリデン基、ｎ−ブチリデン基及び２−エチルヘキシリデン基が挙げられ、その炭素数は通常１〜１０である。
【００２２】
繰返し単位（１）は、所定の芳香族ヒドロキシカルボン酸に由来する繰返し単位である。繰返し単位（１）としては、Ａｒ1がｐ−フェニレン基である繰返し単位（１）（ｐ−ヒドロキシ安息香酸に由来する繰返し単位）、及びＡｒ1が２，６−ナフチレン基である繰返し単位（１）（６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸に由来する繰返し単位）が好ましい。
【００２３】
繰返し単位（２）は、所定の芳香族ジカルボン酸に由来する繰返し単位である。繰返し単位（２）としては、Ａｒ2がｐ−フェニレン基である繰返し単位（２）（テレフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ2がｍ−フェニレン基である繰返し単位（２）（イソフタル酸に由来する繰返し単位）、Ａｒ2が２，６−ナフチレン基である繰返し単位（２）（２，６−ナフタレンジカルボン酸に由来する繰返し単位）、及びＡｒ2がジフェニルエ−テル−４，４’−ジイル基である繰返し単位（２）（ジフェニルエ−テル−４，４’−ジカルボン酸に由来する繰返し単位）が好ましい。
【００２４】
繰返し単位（３）は、所定の芳香族ジオール、芳香族ヒドロキシルアミン又は芳香族ジアミンに由来する繰返し単位である。繰返し単位（３）としては、Ａｒ3がｐ−フェニレン基である繰返し単位（３）（ヒドロキノン、ｐ−アミノフェノール又はｐ−フェニレンジアミンに由来する繰返し単位）が好ましい。
【００２５】
繰返し単位（１）の含有量は、全繰返し単位の合計量（液晶ポリエステルを構成する各繰返し単位の質量をその各繰返し単位の式量で割ることにより、各繰返し単位の物質量相当量（モル）を求め、それらを合計した値）に対して、通常３０モル％以上、好ましくは３０〜８０モル％、より好ましくは３０〜６０モル％、さらに好ましくは３０〜４０モル％である。繰返し単位（２）の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常３５モル％以下、好ましくは１０〜３５モル％、より好ましくは２０〜３５モル％、さらに好ましくは３０〜３５モル％である。繰返し単位（３）の含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常３５モル％以下、好ましくは１０〜３５モル％、より好ましくは２０〜３５モル％、さらに好ましくは３０〜３５モル％である。繰返し単位（１）の含有量が多いほど、耐熱性や強度・剛性が向上し易いが、あまり多いと、溶媒に対する溶解性が低くなり易い。
【００２６】
繰返し単位（２）の含有量と繰返し単位（３）の含有量との割合は、［繰返し単位（２）の含有量］／［繰返し単位（３）の含有量］（モル／モル）で表して、通常０．９／１〜１／０．９、好ましくは０．９５／１〜１／０．９５、より好ましくは０．９８／１〜１／０．９８である。
【００２７】
なお、液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）〜（３）を、それぞれ独立に、２種以上有してもよい。また、液晶ポリエステルは、繰返し単位（１）〜（３）以外の繰返し単位を有してもよいが、その含有量は、全繰返し単位の合計量に対して、通常１０モル％以下、好ましくは５モル％以下である。
【００２８】
液晶ポリエステルは、繰返し単位（３）として、Ｘ及び／又はＹがイミノ基である繰返し単位（３）を有すること、すなわち、所定の芳香族ヒドロキシルアミンに由来する繰返し単位及び／又は芳香族ジアミンに由来する繰返し単位を有することが、溶媒に対する溶解性が優れるので、好ましく、繰返し単位（３）として、Ｘ及び／又はＹがイミノ基である繰返し単位（３）のみを有することが、より好ましい。
【００２９】
液晶ポリエステルは、それを構成する繰返し単位に対応する原料モノマーを溶融重合させ、得られた重合物（プレポリマー）を固相重合させることにより、製造することが好ましい。これにより、耐熱性や強度・剛性が高い高分子量の液晶ポリエステルを操作性良く製造することができる。溶融重合は、触媒の存在下に行ってもよく、この触媒の例としては、酢酸マグネシウム、酢酸第一錫、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、三酸化アンチモン等の金属化合物や、４−（ジメチルアミノ）ピリジン、１−メチルイミダゾール等の含窒素複素環式化合物が挙げられ、含窒素複素環式化合物が好ましく用いられる。
【００３０】
液晶ポリエステルは、その流動開始温度が、通常２５０℃以上、好ましくは２５０℃〜３５０℃、より好ましくは２６０℃〜３３０℃である。流動開始温度が高いほど、耐熱性や強度・剛性が向上し易いが、あまり高いと、溶媒に対する溶解性が低くなり易かったり、液状組成物の粘度が高くなり易かったりする。
【００３１】
なお、流動開始温度は、フロー温度又は流動温度とも呼ばれ、毛細管レオメーターを用いて、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ2）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルから押し出すときに、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００ポイズ）の粘度を示す温度であり、液晶ポリエステルの分子量の目安となるものである（小出直之編、「液晶ポリマー−合成・成形・応用−」、株式会社シーエムシー、１９８７年６月５日、ｐ．９５参照）。
【００３２】
絶縁層に占める液晶ポリエステルの割合は、通常２０〜１００体積％であり、好ましくは３０〜８０体積％である。この割合をあまり小さくすると、絶縁層と銅箔との密着性が低下したり、絶縁層の表面平坦性が低下したりする。
【００３３】
絶縁層は、さらに無機充填材を含むことが好ましい。無機充填材の例としては、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化亜鉛、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム及びタルクが挙げられ、それらの２種以上を用いてもよい。中でも、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化ホウ素及び窒化アルミニウムが好ましい。
【００３４】
無機充填材の少なくとも一部として、液晶ポリエステルとの密着性を向上させるべく、表面処理を施した無機充填材を用いてもよい。この表面処理に使用可能な表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、ジルコニウムカップリング剤、長鎖脂肪酸、イソシアネート化合物、及び、エポキシ基、メトキシシリル基、アミノ基又はヒドロキシル基を有する高分子が挙げられる。
【００３５】
絶縁層に占める無機充填材の割合は、２種以上含まれる場合は合計で、通常０〜８０体積％であり、好ましくは２０〜７０体積％である。この割合をあまり大きくすると、絶縁層と銅箔との密着性が低下する。
【００３６】
絶縁層には、液晶ポリエステル及び無機充填材以外の成分、例えば、液晶ポリエステル以外の樹脂、有機充填材、添加剤等が含まれていてもよいが、その絶縁層に占める割合は、複数種含まれる場合は合計で、通常０〜１０体積％である。
【００３７】
液晶ポリエステル以外の樹脂の例としては、ポリプロピレン、ポリアミド、液晶ポリエステル以外のポリエステル、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルケトン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルイミド等の液晶ポリエステル以外の熱可塑性樹脂；及びフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。有機充填材の例としては、硬化エポキシ樹脂、架橋ベンゾグアナミン樹脂、架橋アクリル樹脂等の有機充填材が挙げられる。添加剤の例としては、レべリング剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤及び着色剤が挙げられる。
【００３８】
銅箔は、絶縁層上に設けられており、絶縁層を間に挟んで金属板と向き合っている。そして、本発明では、銅箔として、少なくとも一方の面が十点平均粗さ１０μｍ以上の粗面である銅箔を用い、この粗面が絶縁層に接するように積層する。これにより、絶縁層と銅箔との密着性及び絶縁層の放熱性に優れる積層板を得ることができる。
【００３９】
銅箔は、両面が十点平均粗さ１０μｍ以上の粗面であってもよいし、一方の面のみが十点平均粗さ１０μｍ以上の粗面であってもよいが、銅箔のエッチングのし易さから、一方の面が十点平均粗さ１０μｍ以上の粗面であり、もう一方の面は十点平均粗さ２μｍ以下の鏡面であることが好ましい。
【００４０】
粗面の十点平均粗さは、好ましくは１１μｍ以上、より好ましくは１３μｍ以上であり、これにより、絶縁層と金属箔との密着性がより向上する。また、粗面の十点平均粗さは、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下であり、これにより、銅箔をエッチングし易くなる。
【００４１】
ここで銅箔の面の十点平均粗さは、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に準拠した表面粗さパラメータである。
【００４２】
銅箔の厚さは、通常１８μｍ以上、好ましくは３５μｍ以上であり、これにより、絶縁層と銅箔との密着性がより向上する。また、銅箔の厚さは、通常１４０μｍ以下、好ましくは７０μｍ以下であり、これにより、積層板を曲げ加工し易くなる。
【００４３】
本発明の積層板の製造は、（Ａ）：まず、銅箔の粗面を貼合面として、銅箔と絶縁層との積層中間体を製造し、次いで、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属板と熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよいし、（Ｂ）：まず、金属板と絶縁層との積層中間体を製造し、次いで、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、銅箔の粗面と熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよいし、（Ｃ）：まず、絶縁層となる絶縁フィルムを製造し、次いで、この絶縁フィルムを、銅箔の粗面を貼合面として、銅箔と金属板とで挟んで、これらを熱圧着等により貼り合わせることにより行ってもよい。
【００４４】
絶縁層の形成は、液晶ポリエステル、無機充填材及び必要に応じて他の成分と、溶媒とを含む液状組成物を、支持体に塗布し、得られた塗膜を乾燥（溶媒除去）することにより行うことが好ましい。その際、支持体として銅箔を用いることにより、前記（Ａ）における銅箔と絶縁層との積層中間体を製造することができる。また、支持体として金属板を用いることにより、前記（Ｂ）における金属板と絶縁層との積層中間体を製造することができる。また、支持体として銅箔及び金属板以外のもの、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂フィルム、ナイロンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等の樹脂フィルムを用いる場合は、支持体上に形成された絶縁層を支持体から銅箔に熱圧着等により転写することにより、前記（Ａ）における銅箔と絶縁層との積層中間体を製造することができ、支持体上に形成された絶縁層を支持体から金属板に熱圧着等により転写することにより、前記（Ｂ）における金属板と絶縁層との積層中間体を製造することができ、支持体上に形成された絶縁層を支持体から剥がすことにより、前記（Ｃ）における絶縁フィルムを製造することができる。
【００４５】
液状組成物の調製は、液晶ポリエステル及び必要に応じて他の成分を溶媒に溶解させてなる溶液に、無機充填材及び必要に応じて他の成分を分散させることにより行うことが好ましい。無機充填材は、ボールミル、３本ロール、遠心攪拌機、ビーズミル等により粉砕しつつ、前記溶液に分散させてもよい。また、前記溶液に、無機充填材を分散させるのに先立って、シランカップリング剤、チタンカップリング剤等のカップリング剤やイオン吸着剤を加えてもよい。
【００４６】
溶媒としては、用いる液晶ポリエステルが溶解可能な溶媒、具体的には５０℃にて１質量％以上の濃度（［液晶ポリエステル］／［液晶ポリエステル＋溶媒］）で溶解可能な溶媒が、適宜選択して用いられる。
【００４７】
溶媒の例としては、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素；ｐ−クロロフェノール、ペンタクロロフェノール、ペンタフルオロフェノール等のハロゲン化フェノール；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等のエーテル；アセトン、シクロヘキサノン等のケトン；酢酸エチル、γ−ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート；トリエチルアミン等のアミン；ピリジン等の含窒素複素環芳香族化合物；アセトニトリル、スクシノニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド、テトラメチル尿素等の尿素化合物；ニトロメタン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の硫黄化合物；及びヘキサメチルリン酸アミド、トリ−ｎ−ブチルリン酸等のリン化合物が挙げられ、それらの２種以上を用いてもよい。
【００４８】
溶媒としては、腐食性が低く、取り扱い易いことから、非プロトン性化合物、特にハロゲン原子を有しない非プロトン性化合物を主成分とする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める非プロトン性化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％である。また、前記非プロトン性化合物としては、液晶ポリエステルを溶解し易いことから、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミドを用いることが好ましい。
【００４９】
また、溶媒としては、液晶ポリエステルを溶解し易いことから、双極子モーメントが３〜５である化合物を主成分とする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める双極子モーメントが３〜５である化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％であり、前記非プロトン性化合物として、双極子モーメントが３〜５である化合物を用いることが好ましい。
【００５０】
また、溶媒としては、除去し易いことから、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を主成分とするとする溶媒が好ましく、溶媒全体に占める１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物の割合は、好ましくは５０〜１００質量％、より好ましくは７０〜１００質量％、さらに好ましくは９０〜１００質量％であり、前記非プロトン性化合物として、１気圧における沸点が２２０℃以下である化合物を用いることが好ましい。
【００５１】
液状組成物中の液晶ポリエステルの含有量は、液晶ポリエステル及び溶媒の合計量に対して、通常５〜６０質量％、好ましくは１０〜５０質量％、より好ましくは１５〜４５質量％であり、所望の粘度の液状組成物が得られるように、適宜調整される。
【００５２】
液状組成物を支持体に塗布する方法としては、例えば、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、ダイスコーター法及びコンマコータ法が挙げられ、連続式であってもよいし、単板式であってもよい。
【００５３】
塗膜の乾燥は、塗膜から溶媒を蒸発させることにより行うことが好ましい。支持体として銅箔及び金属板以外の支持体を用い、支持体上に形成された塗膜を乾燥後、支持体から銅箔又は金属板に熱圧着等により転写する場合は、溶媒の一部が乾燥後の塗膜中に残存するように行うことが好ましい。この場合、乾燥後の塗膜中の溶媒量は、好ましくは１〜２５質量％である。乾燥温度は、通常５０〜１８０℃、好ましくは８０〜１５０℃である。
【００５４】
支持体上に形成された乾燥後の塗膜や銅箔又は金属板に転写された乾燥後の塗膜を、熱処理することにより、液晶ポリエステルの分子量や結晶化度を調節することができ、接着性や熱伝導性に優れる絶縁層が得られる。熱処理は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下、通常２５０〜３５０℃、好ましくは２７０〜３２０℃で行われる。
【００５５】
こうして銅箔と絶縁層との積層中間体を得た場合、前記（Ａ）のとおり、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、金属板と熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。また、金属板と絶縁層との積層中間体を得た場合、前記（Ｂ）のとおり、この積層中間体を、その絶縁層面を貼合面として、銅箔の粗面と熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。また、支持体上に形成された絶縁層を支持体から剥がして絶縁フィルムを得た場合、前記（Ｃ）のとおり、この絶縁フィルムを、銅箔の粗面を貼合面として、銅箔と金属板とで挟んで、これらを熱圧着等により貼り合わせることにより、本発明の積層板が得られる。
【００５６】
本発明の積層板の銅箔をパターン化して、回路パターンを形成し、必要に応じて、切断、穴あけ等の加工を行うことにより、本発明の金属ベース回路基板が得られる。銅箔のパターン化は、例えば、銅箔上にマスクパターンを形成し、銅箔の露出部をエッチングで除去することにより行われる。
【実施例】
【００５７】
〔液晶ポリエステルの流動開始温度の測定〕
フローテスター（（株）島津製作所の「ＣＦＴ−５００型」）を用いて、液晶ポリエステル約２ｇを、内径１ｍｍ及び長さ１０ｍｍのノズルを有するダイを取り付けたシリンダーに充填し、９．８ＭＰａ（１００ｋｇ／ｃｍ2）の荷重下、４℃／分の速度で昇温しながら、液晶ポリエステルを溶融させ、ノズルから押し出し、４８００Ｐａ・ｓ（４８０００Ｐ）の粘度を示す温度を測定した。
【００５８】
〔液晶ポリエステル溶液の粘度の測定〕
Ｂ型粘度計（東機産業（株）の「ＴＶＬ−２０型」）を用いて、Ｎｏ．２１のローターにより、回転数２０ｒｐｍで測定した。
【００５９】
〔金属板の面の十点平均粗さの測定〕
金属板の面の十点平均粗さは、表面粗さ測定装置（ケーエルエー・テンコール（株）、算出規格ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）を用いて、測定速度：５μｍ／秒、評価長さ：１．０ｍｍの条件下で測定した。
【００６０】
〔銅箔〕
銅箔は、その片面が粗面で、もう一方の面が鏡面である次の銅箔を用いた。
銅箔（１）：ＬＳＭｔｒｏｎＬｔｄ．社の「ＬＳＵ−ＳＴ」（粗面の十点平均粗さ１２μｍ、厚さ３５μｍ）。
銅箔（２）：日本電解（株）の「ＧＰ−３５」（粗面の十点平均粗さ１４μｍ、厚さ３５μｍ）。
銅箔（３）：福田金属箔粉工業（株）の「ＣＦ−Ｔ８Ｇ−ＵＮ−３５」（粗面の十点平均粗さ９．５μｍ、厚さ３５μｍ）。
【００６１】
〔液晶ポリエステルの製造〕
攪拌装置、トルクメータ、窒素ガス導入管、温度計及び還流冷却器を備えた反応器に、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸１９７６ｇ（１０．５モル）、４−ヒドロキシアセトアニリド１４７４ｇ（９．７５モル）、イソフタル酸１６２０ｇ（９．７５モル）及び無水酢酸２３７４ｇ（２３．２５モル）を入れ、反応器内のガスを窒素ガスで置換した後、窒素ガス気流下、攪拌しながら、室温から１５０℃まで１５分かけて昇温し、１５０℃で３時間還流させた。次いで、副生酢酸及び未反応の無水酢酸を留去しながら、１５０℃から３００℃まで２時間５０分かけて昇温し、３００℃で１時間保持した後、反応器から内容物を取り出し、室温まで冷却した。得られた固形物を、粉砕機で粉砕して、粉末状のプレポリマーを得た。このプレポリマーの流動開始温度は、２３５℃であった。次いで、このプレポリマーを、窒素雰囲気下、室温から２２３℃まで６時間かけて昇温し、２２３℃で３時間保持することにより、固相重合させた後、冷却して、粉末状の液晶ポリエステルを得た。この液晶ポリエステルの流動開始温度は、２７０℃であった。
【００６２】
〔液晶ポリエステル溶液の調製〕
液晶ポリエステル３０００ｇを、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド７０００ｇに加え、１００℃で２時間加熱して、液晶ポリエステル溶液を得た。この溶液の粘度は３２０ｃＰであった。
【００６３】
実施例１
〔銅箔と絶縁層との積層中間体の製造〕
液晶ポリエステル溶液を、銅箔（１）の粗面に塗布した後、１００℃で３０分乾燥した。得られた銅箔と乾燥塗膜との積層中間体を、窒素ガス雰囲気下、３００℃で３時間熱処理し、銅箔と絶縁層との積層中間体を得た。
【００６４】
〔積層板の製造〕
銅箔と絶縁層との積層中間体を、その絶縁層面が接触するように、厚さ１．５ｍｍの金属板（アルミニウム合金板：熱伝導率１４０Ｗ・ｍ-1・Ｋ-1）と重ね合わせ、積層中間体の銅箔と金属板の両方の面にそれぞれ、ＳＵＳプレート（日本ケム・テック（株）の「ＦＲ−ＨＴ・５３０」、ＳＵＳ４２０Ｊ２プレート、厚さ５ｍｍ）及びポリ（パラフェニレンベンゾビスオキサゾール）製の緩衝材（（株）イチカワテクノファブリクスの「ＫＧ３３１Ｃ３Ｇタイプ」、厚さ５ｍｍ）をこの順に重ね、この状態で、高温真空プレス機（北川精機（株）の「ＫＶＨＣ−ＰＲＥＳＳ」、縦３００ｍｍ、横３００ｍｍ）を用いて、３４０℃、５ＭＰａの条件で、減圧下、２０分間加熱プレスして一体化させることにより、積層板を得た。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは３５μｍであった。
【００６５】
実施例２
銅箔として、銅箔（２）を用いたこと以外は、実施例１と同様に積層板を製造した。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは３５μｍであった。
【００６６】
実施例３
液晶ポリエステル溶液に、窒化ホウ素（Ｃｈａｎｇｓｕｎｇ(株)の「ＫＢＮ」、平均体積粒径１０μｍ）と酸化アルミニウム（住友化学（株）の「ＡＡ−３」、平均体積粒径３μｍ）とを添加して、分散液を得た。その際、窒化ホウ素及び酸化アルミニウムの添加量は、液晶ポリエステル、窒化ホウ素及び酸化アルミニウムの合計量に対して、それぞれ、１５体積％及び４３体積％となるようにした。この分散液を、遠心攪拌脱泡機を用いて５分間攪拌して脱泡した。この脱泡後の分散液の粘度は７５００ｃＰであった。液晶ポリエステル溶液に替えて、得られた脱泡後の分散液を用いたこと以外は、実施例１と同様に積層板を製造した。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは８５μｍであった。
【００６７】
実施例４
銅箔として、銅箔（２）を用いたこと以外は、実施例３と同様に積層板を製造した。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは８５μｍであった。
【００６８】
比較例１
銅箔として、銅箔（３）を用いたこと以外は、実施例１と同様に積層板を製造した。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは３５μｍであった。
【００６９】
比較例２
銅箔として、銅箔（３）を用いたこと以外は、実施例３と同様に積層板を製造した。なお、得られた積層板の絶縁層の厚さは８５μｍであった。
【００７０】
〔銅箔のピール強度の測定〕
実施例１〜４並びに比較例１及び２で得られた積層板の銅箔をエッチングにより部分的に除去して、幅１０ｍｍの銅箔パターンを形成した。この銅箔パターンの一端を掴み、銅箔パターンのうち剥離した部分が金属板の主面に対して垂直となるように力を加えながら、銅箔パターンを５０ｍｍ／分の速度で金属板から引き剥がした。このとき、銅箔パターンに加えた力をピール強度とした。
【００７１】
〔積層板の熱抵抗の測定〕
実施例１〜４並びに比較例１及び２で得られた積層板の銅箔をエッチングにより部分的に除去して、１４ｍｍ×１０ｍｍのランドを形成した。このランドに半田を用いてトランジスタ（（株）東芝の「ＴＯ２２０」）を取り付けた後、これを、金属基板がシリコーングリース層を介して冷却装置の冷却面と向き合うように水冷却装置にセットした。次いで、トランジスタに３０Ｗの電力Ｐを供給して、トランジスタの温度Ｔ１と冷却装置の冷却面の温度Ｔ２とを測定した。このようにして得られた温度Ｔ１と温度Ｔ２との差Ｔ１−Ｔ２を求め、この差Ｔ１−Ｔ２と供給した電力Ｐとの比（Ｔ１−Ｔ２）／Ｐを熱抵抗として算出した。
【００７２】
【表１】
2014165485.tif 000002