(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供する。【解決手段】フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する導電膜形成用組成物。マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は使用される金属粒子の種類などに応じて適宜調整されるが、形成される導電膜間でのイオンマグレーション抑制能がより優れると共に、導電膜の導電特性にもより優れる点で、２０質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、２５〜６０質量％がより好ましく、３０〜５５質量％がさらに好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する導電膜形成用組成物。
【請求項２】
前記マイグレーション抑制剤が、一般式（１）〜一般式（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、および、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
Ｐ−（ＣＲ1＝Ｙ）n−Ｑ          一般式（１）
（一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基は、そのうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
なお、Ｒ1〜Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。）
Ｒ7−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（２）
（一般式（２）中、Ｒ7は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。）
【化１】
2014197483.tif 000048
（一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ8〜Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
【化２】
2014197483.tif 000049
（一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｒ11〜Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。）
Ｚ−ＳＨ            一般式（５）
（一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。なお、Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子は、フッ素原子で置換されている。また、Ｚで表される基には、置換基が含まれていてもよい。）
【化３】
2014197483.tif 000050
（一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｌ1は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｌ3は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。Ｙ1およびＺ1は、単結合、−ＣＯ2−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ3−、−ＣＯＮＲ222−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2ＮＲ222−、または、−ＮＲ222−を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１〜５のアルキレン基を表す。Ｒ221は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖または分岐のアルキル基、またはＲｆ1−ＣＦＸ1−Ｌ1−Ｙ1―Ｌ2−Ｚ1−Ｌ3−を表す。
ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。）
【化４】
2014197483.tif 000051
（一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｙ2は、単結合、−ＣＯ−、または−ＣＯＯ−を表す。Ｒｆ2は、炭素数１〜２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。Ｙ2が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０表し、ｍは０〜６の整数を表す。Ｙ2が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、ｍは１から６の整数を表す。ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。）
【化５】
2014197483.tif 000052
（一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。＊は、結合位置を示す。
一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。＊は、結合位置を示す。）
【請求項３】
前記金属粒子に含まれる金属原子が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される請求項１または２に記載の導電膜形成用組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物から形成される導電膜。
【請求項５】
請求項４に記載の導電膜を備える配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜形成用組成物に係り、特にフッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を含む導電膜形成用組成物に関する。
また、本発明は、上記導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、導電膜を備える配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁基板表面上に金属配線（導電膜）が配置された配線基板が、電子部材や半導体素子などに広く用いられている。金属配線を構成する金属としては導電性が高い銀、銅がよく用いられるが、これら金属はイオンマイグレーションが発生しやすいという問題がある。
このような金属のイオンマイグレーションを防止する方法として、金属配線中に所定のマイグレーション抑制剤を導入する方法が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、半導体集積回路やチップ部品等の小型化により、金属配線の微細化が進んでいる。そのため、配線基板中の金属配線の幅および間隔はより狭小化しており、イオンマイグレーションによる回路の断線がさらに生じやすくなっている。このような状況の下、配線基板中の金属配線間の絶縁信頼性のより一層の向上が要求されている。
また、各種回路や部品の性能向上の点からは、金属配線の導電特性のより一層の向上も要求されている。
【０００５】
特許文献１に挙げられるような、所定のマイグレーション抑制剤を含む組成物を用いて細線状の導電膜を作製した場合に、マイグレーション抑制剤が導電膜中に均一に分散しており、導電膜間の絶縁信頼性を向上させようとして金属配線中に多くのマイグレーション抑制剤を含有させると、導電膜内においてマイグレーション抑制剤のドメインが数多く形成され、結果として導電膜の導電特性が低下する。
一方、導電膜の導電特性を考慮して、導電膜内におけるマイグレーション抑制剤の含有量を減らすと、導電特性は向上するものの導電膜間の絶縁信頼性が低下する。
このように、従来技術においては、導電膜の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能（言い換えると、導電膜間の絶縁信頼性）はトレードオフの関係にあることが多く、両者をより高いレベルで達成する技術が求められていた。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することを目的とする。
また、本発明は、該導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、該導電膜を備える配線基板を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討を行ったところ、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤を使用することにより、上記課題を解決できることを見出した。
つまり、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
【０００８】
（１）  フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤と、金属粒子とを少なくとも含有する導電膜形成用組成物。
（２）  マイグレーション抑制剤が、後述する一般式（１）〜一般式（５）で表される化合物、後述する一般式（２２）で表される化合物、後述する一般式（２３）で表される化合物、および、後述する一般式（２４）で表される基と後述する一般式（２５）で表される基とを有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも一つを含む、（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（３）  金属粒子に含まれる金属原子が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群から選択される（１）または（２）に記載の導電膜形成用組成物。
（４）  （１）〜（３）のいずれか１つに記載の導電膜形成用組成物から形成される導電膜。
（５）  （４）に記載の導電膜を備える配線基板。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、導電特性およびイオンマイグレーション抑制機能に優れる導電膜を形成することができる導電膜形成用組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、該導電膜形成用組成物より形成される導電膜、および、該導電膜を備える配線基板を提供することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の配線基板の第１の実施態様を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の配線基板の第２の実施態様を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の絶縁層付き配線基板の実施態様を示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明の導電膜形成用組成物の好適態様について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明の特徴点の一つとしては、フッ素原子を含有するマイグレーション抑制剤（以後、Ｆ含有マイグレーション抑制剤とも称する）を使用する点が挙げられる。本発明の導電膜形成用組成物を用いて基材上に導電膜を形成すると、Ｆ含有マイグレーション抑制剤の表面エネルギーが低さのため、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が導電膜の表面近傍に移動し、導電膜の露出表面（基材と接触していない表面）付近にＦ含有マイグレーション抑制剤が偏在し、通常トレードオフの関係にある導電膜の導電特性とイオンマイグレーション抑制機能との両者をより高いレベルで両立することができる。より具体的には、導電膜の外側露出表面付近に多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、導電膜の露出表面付近から外側に析出する金属イオンの拡散を効率よく抑制することができる。また、導電膜の外側表面付近に多くのＦ含有マイグレーション抑制剤を偏在させることにより、導電膜内部において金属以外の不純物の量を低減させることができ、結果として導電膜内部で導通路が形成され、優れた導電特性を達成することができる。
【００１２】
本発明の導電膜形成用組成物（以後、単に「組成物」とも称する）には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤と金属粒子とが少なくとも含まれる。
まず、組成物中に含まれる成分について詳述する。
【００１３】
＜Ｆ含有マイグレーション抑制剤＞
Ｆ含有マイグレーション抑制剤（Ｆ含有マイグレーション防止剤）は、フッ素原子を含有し、金属イオンのイオンマイグレーションを抑制する化合物である。
Ｆ含有マイグレーション抑制剤中のフッ素原子の含有率（フッ素含有率）は使用される金属粒子の種類などに応じて適宜調整されるが、形成される導電膜間でのイオンマグレーション抑制能がより優れると共に、導電膜の導電特性にもより優れる点（以後、単に「本発明の効果がより優れる点」とも称する）で、２０質量％以上６５質量％未満であることが好ましく、２５〜６０質量％がより好ましく、３０〜５５質量％がさらに好ましい。
なお、フッ素含有率とは、マイグレーション抑制剤の全分子量中におけるフッ素原子の占める質量の割合（含有率）を表したものである。
【００１４】
Ｆ含有マイグレーション抑制剤の種類は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、一般式（１）〜（５）で表される化合物、一般式（２２）で表される化合物、一般式（２３）で表される化合物、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物が好ましい。
以下、これらの化合物について詳述する。
【００１５】
（一般式（１）で表される化合物）
まず、一般式（１）で表される化合物について説明する。
Ｐ−（ＣＲ1＝Ｙ）n−Ｑ          一般式（１）
一般式（１）中、ＰおよびＱは、それぞれ独立に、ＯＨ、ＮＲ2Ｒ3またはＣＨＲ4Ｒ5を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両方がＣＨＲ4Ｒ5であることはなく、ＰおよびＱの両方がＯＨであることもない。Ｙは、ＣＲ6または窒素原子を表す。
【００１６】
一般式（１）中、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。
窒素原子に置換可能な基としては窒素原子に置換できる基であれば特に制限されないが、例えば、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、カルバモイル基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
【００１７】
さらに詳しくは、アルキル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族の複素環基である。例えば、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）を好ましい例として挙げることができる。
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに置換されていてもよい。
【００１８】
一般式（１）におけるＲ2およびＲ3で表されるアルキル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数１〜５０、さらに好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数１〜２０である。
好ましい例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔ−ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、シクロペンチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシル、トリアコンチルなどを挙げることができる。さらに好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルであり、特に好ましくは、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルである。
なお、アルキル基には、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。なお、アルキル基中に上記連結基が含まれる場合、その位置は特に制限されず、末端であってもよい。例えば、−Ｓ−Ｒx（Ｒx：アルキル基）であってもよい。
【００１９】
Ｒ2およびＲ3で表されるアルキル基は、さらに置換基を有していてもよい。
置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２０】
さらに詳しくは、置換基としては、ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
【００２１】
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
【００２２】
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
【００２３】
シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
【００２４】
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
【００２５】
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
【００２６】
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
【００２７】
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）を表わす。
【００２８】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基などが挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基などが挙げられる。
【００２９】
Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）などを挙げることができる。さらに好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル、であり、特に好ましくは、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルである。
Ｒ2およびＲ3で表されるアルケニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルケニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
【００３０】
Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基は、直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキニル基を表し、好ましくは炭素数２〜５０、さらに好ましくは炭素数２〜３０、特に好ましくは炭素数２〜２０である。好ましい例としては、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。
Ｒ2およびＲ3で表されるアルキニル基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、アルキニル基には、上記アルキル基と同様に、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−Ｏ−、−Ｓ−またはこれらを組み合わせた基などの連結基が含まれていてもよい。
【００３１】
Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基は、置換または無置換のアリール基を表し、好ましくは炭素数６〜５０、さらに好ましくは炭素数６〜３０、特に好ましくは炭素数６〜２０である。好ましい例としては、フェニル、２−メチルフェニル、３−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、３−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニル、２−メチルカルボニルフェニル、４−メチルカルボニルフェニルなどを挙げることができる。
さらに好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２−エチルフェニル、４−エチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、３−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができ、特に好ましくは、フェニル、２−メチルフェニル、４−メチルフェニル、２，４−ジメチルフェニル、２，６−ジメチルフェニル、２，４，６−トリメチルフェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、２−クロロフェニル、４−クロロフェニル、２−メトキシフェニル、４−メトキシフェニル、２−ベンジルフェニル、４−ベンジルフェニルなどを挙げることができる。
Ｒ2およびＲ3で表されるアリール基はさらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３２】
Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ4およびＲ5で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ4およびＲ5で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３３】
Ｒ1およびＲ6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ1およびＲ6で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、これらを組み合わせた基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ1およびＲ6で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００３４】
ｎは０〜５の整数を表す。ただし、ｎが０であるとき、ＰおよびＱの両者が共にＯＨであることはなく、ＣＨＲ4Ｒ5であることもない。ｎが２以上の数を表すとき、（ＣＲ1＝Ｙ）で表される複数の原子群は、同一であっても異なっていてもよい。
【００３５】
一般式（１）で表される化合物は、鎖状であっても環状であってもよく、環状である場合は、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、またはＲ6で表される基のうちの少なくとも二つの基が互いに結合して環を形成していてもよい。
なお、二つの基が結合する際には、単結合、二重結合および三重結合のいずれかの結合形式が含まれていてもよい。
【００３６】
なお、Ｒ1〜Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なお、フッ素原子は、フッ素含有率が上述した範囲となるように含有されることが好ましい。フッ素原子は、一般式（１）で表される化合物の任意の炭素原子に置換してもよい。
なお、Ｒ1〜Ｒ6の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、フッ素原子は、フルオロアルキル基（以下、Ｒf基もいう）またはＲf基で置換された基として含まれることが好ましい。つまり、Ｒ1〜Ｒ6の少なくとも一つの基中には、フルオロアルキル基が含まれることが好ましい。
Ｒf基は、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基、または、炭素原子数１ないし１４の直鎖もしくは分岐のパーフルオロアルキル基で置換された、炭素原子数２ないし２０の置換基であることが好ましい。
炭素原子数１ないし１４の直鎖または分岐鎖パーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3−、Ｃ2Ｆ5−、Ｃ3Ｆ7−、Ｃ4Ｆ9−、Ｃ5Ｆ11−、（ＣＦ3）2−ＣＦ−（ＣＦ2）2−、Ｃ6Ｆ13−、Ｃ7Ｆ15−、（ＣＦ3）2−ＣＦ−（ＣＦ2）4−、Ｃ8Ｆ17−、Ｃ9Ｆ19−、Ｃ10Ｆ21−、Ｃ12Ｆ25−およびＣ14Ｆ29−を挙げることができる。
炭素原子数１ないし１４のパーフルオロアルキル基により置換された炭素原子数２ないし２０の置換基の例としては、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2−、Ｃ9Ｆ19ＣＨ2−、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝ＯＣＨ2−、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝ＯＣＨ2−、Ｃ8Ｆ17ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2−、（ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2ＯＣ＝Ｏ（ＣＨ2）2−、（ＣＦ3）2ＣＦＯＣ2Ｆ4−、ＣＦ3ＣＦ2 ＣＦ2Ｏ〔ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ〕4−ＣＦ（ＣＦ3）−、などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Ｒf基は分子中に１ないし４個含まれることが好ましい。
なお、上述した一般式（１）で表される化合物は、２種以上使用してもよい。
【００３７】
一般式（１）で表される化合物は、一般式（６）〜一般式（２１）で表される化合物からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
なお、一般式（６）〜一般式（２１）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【００３８】
【化１】
2014197483.tif 000002
【００３９】
上記一般式（６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の化合物である。
一般式（６）において、Ｖ6は置換基を表す。ａは、１〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ6のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ6が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ6が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ6にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ6で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ6中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
Ｖ6で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（６）に複数のＶ6が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下、化合物の構造式に併記した百分率表示は、フッ素原子の質量含率（フッ素含有率）を示すものである。
【００４０】
【化２】
2014197483.tif 000003
【００４１】
上記一般式（７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（７）において、Ｖ7は置換基を表す。ａは、１〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。なお、Ｖ7のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ7が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ7が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ7にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ7中に上述したＲf基が含まれることが好ましい。
Ｖ7で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（７）に複数のＶ7が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
以下に、一般式（７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４２】
【化３】
2014197483.tif 000004
【００４３】
上記一般式（８）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（８）において、Ｖ8は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ8で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（８）に複数のＶ8が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００４４】
Ｒ81およびＲ82は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ8が複数ある場合、複数のＶ8、Ｒ81およびＲ82のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００４５】
以下に、一般式（８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
【化４】
2014197483.tif 000005
【００４７】
一般式（９）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（９）において、Ｖ9は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ9で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（９）に複数のＶ9が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００４８】
Ｒ91およびＲ92は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ9が複数ある場合、複数のＶ9、Ｒ91およびＲ92のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００４９】
以下に、一般式（９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５０】
【化５】
2014197483.tif 000006
【００５１】
一般式（１０）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（１０）において、Ｖ10は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ10で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１０）に複数のＶ10が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５２】
Ｒ101およびＲ102は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ101およびＲ102で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ101およびＲ102が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００５３】
Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。なかでも、Ｖ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることが好ましい。
なお、Ｖ10が複数ある場合、複数のＶ10、Ｒ101およびＲ102のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００５４】
以下に、一般式（１０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００５５】
【化６】
2014197483.tif 000007
【００５６】
一般式（１１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＣＨＲ4Ｒ5であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１１）において、Ｖ11は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ11で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１１）に複数のＶ11が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５７】
Ｒ111およびＲ112は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
Ｒ111およびＲ112で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ111またはＲ112が置換基を表す場合、これらの基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００５８】
Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ11が複数ある場合、複数のＶ11、Ｒ111およびＲ112のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００５９】
以下に、一般式（１１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６０】
【化７】
2014197483.tif 000008
【００６１】
一般式（１２）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが２であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して二重結合を形成して環を形成した場合の一例である。
一般式（１２）において、Ｖ12は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ12で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１２）に複数のＶ12が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００６２】
Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
【００６３】
Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ12が複数ある場合、複数のＶ12、Ｒ121、Ｒ122、Ｒ123およびＲ124のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００６４】
以下に、一般式（１２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６５】
【化８】
2014197483.tif 000009
【００６６】
一般式（１３）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１３）において、Ｖ13は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ13で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１３）に複数のＶ13が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００６７】
Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
【００６８】
Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ13が複数ある場合、複数のＶ13、Ｒ131、Ｒ132、Ｒ133およびＲ134のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００６９】
以下に、一般式（１３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７０】
【化９】
2014197483.tif 000010
【００７１】
一般式（１４）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ６であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１４）において、Ｖ14は置換基を表す。ｃは、１〜２の整数（好ましくは１１）を表す。なお、Ｖ14のうち少なくとも一つにはフッ素原子が含まれる。つまり、Ｖ14が１つの場合、その置換基にはフッ素原子が含まれ、Ｖ14が２つ以上の場合、少なくとも１つのＶ14にフッ素原子が含まれていればよい。フッ素原子は、少なくとも１つのＶ14で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）に置換して導入されることが好ましい。なかでも、Ｖ14中に上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
Ｖ14で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１４）に複数のＶ14が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７２】
以下に、一般式（１４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７３】
【化１０】
2014197483.tif 000011
【００７４】
一般式（１５）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがＯＨ、ＱがＮＲ2Ｒ3であり、ＹがＣＲ6であり、ｎが１であり、Ｐに隣接する炭素原子上のＲ1およびＱに隣接する炭素原子上のＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１５）において、Ｖ15は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ15で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１５）に複数のＶ15が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７５】
Ｒ151およびＲ152は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
【００７６】
Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ15が複数ある場合、複数のＶ15、Ｒ151およびＲ152のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００７７】
以下に、一般式（１５）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７８】
【化１１】
2014197483.tif 000012
【００７９】
一般式（１６）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１６）において、Ｖ16は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ16で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１６）に複数のＶ16が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００８０】
Ｒ161およびＲ162は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
【００８１】
Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ16が複数ある場合、複数のＶ16、Ｒ161およびＲ162のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００８２】
以下に、一般式（１６）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８３】
【化１２】
2014197483.tif 000013
【００８４】
一般式（１７）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０であり、Ｒ2およびＲ3が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１７）において、Ｖ17は置換基を表す。ｄは、０または１を表す。Ｖ17で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１７）に複数のＶ17が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００８５】
Ｒ171、Ｒ172およびＲ173は、それぞれ独立に、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
【００８６】
Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ17が複数ある場合、複数のＶ17、Ｒ171、Ｒ172およびＲ173のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００８７】
以下に、一般式（１７）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００８８】
【化１３】
2014197483.tif 000014
【００８９】
一般式（１８）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが３であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１８）において、Ｖ18は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ18で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１８）に複数のＶ18が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００９０】
Ｒ181は、水素原子または置換基を表す。Ｒ181で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ181が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００９１】
Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ18およびＲ181の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ18およびＲ181のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ18が複数ある場合、複数のＶ18およびＲ181のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００９２】
以下に、一般式（１８）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９３】
【化１４】
2014197483.tif 000015
【００９４】
一般式（１９）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＯＨであり、ＹがＣＲ6および窒素原子であり、ｎが２であり、Ｒ1およびＲ6が互いに結合して環を形成した場合の一例である。
一般式（１９）において、Ｖ19は置換基を表す。ｂは、０〜４の整数（好ましくは１〜２の整数を表し、より好ましくは１）を表す。Ｖ19で表される置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。一般式（１９）に複数のＶ19が存在している場合、それぞれの基は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
【００９５】
Ｒ191は、水素原子または置換基を表す。Ｒ191で表される置換基としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができ、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基であり、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ191が置換基を表す場合、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【００９６】
Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｖ19およびＲ191の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｖ19およびＲ191のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
なお、Ｖ19が複数ある場合、複数のＶ19およびＲ191のうち少なくとも１つの基に、フッ素原子が含まれる。
【００９７】
以下に、一般式（１９）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９８】
【化１５】
2014197483.tif 000016
【００９９】
一般式（２０）で表される化合物は、一般式（１）において、Ｐ、ＱがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（２０）において、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ201、Ｒ202、Ｒ203およびＲ204のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１００】
以下に、一般式（２０）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０１】
【化１６】
2014197483.tif 000017
【０１０２】
一般式（２１）で表される化合物は、一般式（１）において、ＰがそれぞれＮＲ2Ｒ3であり、ＱがＯＨであり、ｎが０である場合の一例である。
一般式（２１）において、Ｒ211およびＲ212は、それぞれ独立に、水素原子、または、窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ211およびＲ212の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ211およびＲ212のうち少なくとも１つには、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１０３】
以下に、一般式（２１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１０４】
【化１７】
2014197483.tif 000018
【０１０５】
また、一般式（１）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｘ１）で表される化合物が挙げられる。
【０１０６】
【化１８】
2014197483.tif 000019
【０１０７】
Ｒx1およびＲx2は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２のアルキル基を表す。アルキル基中の炭素数は、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる点で、好ましくは１〜８、より好ましくは１〜６、特に好ましくは１〜５である。アルキル基の好適な具体例としては、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、イソブチル、２，２−ジメチルプロピル、ヘキシル、シクロヘキシルなどが挙げられる。
【０１０８】
Ａは、炭素数１〜２のアルキレン基を表す。Ａとして好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、であり、より好ましくは、−ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１０９】
Ｘ11は、水酸基を含んでいてもよい炭素数１〜３のアルキレン基を表す。Ｘ11として好ましくは−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−であり、さらに好ましくは−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−であり、特に好ましくは−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１１０】
Ｙ11は、炭素数４〜１２の直鎖状のパーフルオロアルキル基を表す。好ましいパーフルオロアルキル基の例としては、Ｃ4Ｆ9−、Ｃ5Ｆ11−、Ｃ6Ｆ13−、Ｃ7Ｆ15−、Ｃ8Ｆ17−、Ｃ9Ｆ19−、Ｃ10Ｆ21−、Ｃ12Ｆ25−が挙げられる。炭素数が上記範囲内であれば、イオンマイグレーション抑制機能がより優れる。
上記Ｒx1、Ｒx2、Ａ、およびＸ11は、さらに上述した置換基を有していてもよい。
【０１１１】
（一般式（２）で表される化合物）
次に、一般式（２）で表される化合物について説明する。
Ｒ7−Ｃ（＝Ｏ）−Ｈ            一般式（２）
本発明において一般式（２）で表される化合物には、アルデヒド体とヘミアセタール体との間に平衡が存在することにより還元性を示す化合物（アルドースなど）や、ロブリー・ドブリュイン−ファン  エッケンシュタイン転位反応によるアルドース−ケトース間の異性化によりアルデヒド体を形成しうる化合物（フルクトースなど）も含有する。
【０１１２】
一般式（２）中、Ｒ7はアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。
Ｒ7がアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または、アリール基を表すとき、それぞれの好ましい例としては、前述のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ7が複素環基を表すとき、好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５または６員の芳香族または、非芳香族の複素環基である。好ましい例としては、２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、２−イミダゾリル、４−イミダゾリル、トリアゾリル、ベンゾトリアゾリル、チアジアゾリル、ピロリジニル、ピペリジニル、イミダゾリジニル、ピラゾリジニル、モルホリニル、テトラヒドロフラニル、テトラヒドロチエニルなどを挙げることができる。
Ｒ7としてさらに好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基であり、特に好ましくは、アルキル基、アリール基である。
Ｒ7で表されるアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
【０１１３】
Ｒ7で表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ7中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
また、Ｒ7で表される基中には、ヒドロキシル基、または、−ＣＯＯ−で表される基が含まれていてもよい。
【０１１４】
以下に、一般式（２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１５】
【化１９】
2014197483.tif 000020
【０１１６】
（一般式（３）で表される化合物）
次に、一般式（３）で表される化合物について説明する。
【０１１７】
【化２０】
2014197483.tif 000021
【０１１８】
一般式（３）中、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ8、Ｒ9およびＲ10で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ8〜Ｒ10の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ8〜Ｒ10の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１１９】
以下に、一般式（３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２０】
【化２１】
2014197483.tif 000022
【０１２１】
（一般式（４）で表される化合物）
次に、一般式（４）で表される化合物について説明する。
【０１２２】
【化２２】
2014197483.tif 000023
【０１２３】
一般式（４）中、Ｒ11およびＲ12は、それぞれ独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｒ11およびＲ12で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｒ11〜Ｒ12の少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｒ11〜Ｒ12の少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（４）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１２４】
以下に、一般式（４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２５】
【化２３】
2014197483.tif 000024
【０１２６】
（一般式（５）で表される化合物）
次に、一般式（５）で表される化合物について説明する。
Ｚ−ＳＨ            一般式（５）
一般式（５）中、Ｚは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、複素環基、または、これらの基を組み合わせた基を表す。アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基および複素環基の好ましい例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3の例を挙げることができる。
Ｚで表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
Ｚで表される基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）は、フッ素原子で置換されている。なかでも、Ｚ中には、上述したＲf基が含まれることが好ましい。なお、一般式（５）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１２７】
一般式（５）で表される化合物は、一般式（５１）ないし一般式（５４）で表される化合物であることが好ましい。
【０１２８】
【化２４】
2014197483.tif 000025
【０１２９】
一般式（５１）において、Ｒ511は、フッ素原子が含まれる置換基を表す。
置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ511で表される基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の例としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
なお、Ｒ511には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ511中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ511には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１３０】
以下に、一般式（５１）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３１】
【化２５】
2014197483.tif 000026
【０１３２】
一般式（５２）において、Ｒ521およびＲ522は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ523は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ521、Ｒ522およびＲ523は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ521、Ｒ522、およびＲ523のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１３３】
以下に、一般式（５２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３４】
【化２６】
2014197483.tif 000027
【０１３５】
一般式（５３）において、Ｒ531は、水素原子または置換基を表す。Ｒ532は、水素原子または窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。また、置換基としては、前述の一般式（１）においてＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。Ｒ531およびＲ532は同一であっても、異なっていてもよく、互いに結合して環を形成していてもよい。
Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ531およびＲ532のうち少なくとも一つの基中には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１３６】
以下に、一般式（５３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１３７】
【化２７】
2014197483.tif 000028
【０１３８】
一般式（５４）において、Ｒ541はフッ素原子が含まれる窒素原子に置換可能な基を表す。窒素原子に置換可能な基としては、前述の一般式（１）のＲ2およびＲ3に例示した基を好ましく挙げることができる。
Ｒ541には、フッ素原子が含まれる。なかでも、Ｒ541中の一部または全部の水素原子（好ましくは、炭素原子に結合している一部または全部の水素原子）が、フッ素原子で置換されていることが好ましい。また、Ｒ541には、上述したＲf基が含まれることがより好ましい。
【０１３９】
以下に、一般式（５４）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１４０】
【化２８】
2014197483.tif 000029
【０１４１】
また、一般式（５）で表される化合物の最好適態様としては、以下の一般式（Ｙ）で表される化合物が挙げられる。
【０１４２】
【化２９】
2014197483.tif 000030
【０１４３】
式（１）中、Ｒy1およびＲy2は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。ｎ１は１または２を表し、好ましくは２を表す。ｎ１が２であるとき、複数のＣＲy1Ｒy2で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｒy1およびＲy2がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは１〜６であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲy1Ｒy2）n1で表される構造として、好ましくは−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、であり、特に好ましくは−ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１４４】
Ｒy3およびＲy4は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ｍ１は１〜６の整数を表す。ｍ１が２以上であるとき、複数のＣＲy3Ｒy4で表される単位の構造は、同一であっても異なっていてもよい。また、Ｒy3およびＲy4は、互いに結合して環を形成していてもよい。なお、置換基の定義は、上述の通りである。
【０１４５】
（ＣＲy3Ｒy4）m1で表される構造として、好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、であり、特に好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、である。
【０１４６】
ｌ１は、１〜６の整数を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、２〜５が好ましく、３〜４がより好ましい。
【０１４７】
ｑ１は０または１を表し、ｐ１は２または３を表し、ｐ１＋ｑ１は３を表す。なかでも、フッ素系樹脂との相溶性により優れる点で、ｑ１が１で、ｐ１が２であることが好ましい。
【０１４８】
Ｒy5は、炭素数１〜１４のパーフルオロアルキル基を表す。パーフルオロアルキル基は、直鎖状でも分岐鎖状でもよい。
炭素原子数１〜１４の直鎖状または分岐鎖状のパーフルオロアルキル基の例としては、ＣＦ3−、Ｃ2Ｆ5−、Ｃ3Ｆ7−、Ｃ4Ｆ9−、Ｃ5Ｆ11−、Ｃ6Ｆ13−、Ｃ7Ｆ15−、Ｃ8Ｆ17−、Ｃ9Ｆ19−、Ｃ10Ｆ21−、Ｃ12Ｆ25−、Ｃ14Ｆ29−などが挙げられる。
【０１４９】
（一般式（２２）で表される化合物）
次に、一般式（２２）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２２）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１５０】
【化３０】
2014197483.tif 000031
【０１５１】
一般式（２２）中、Ｒｆ1は、エーテル性酸素原子を有してもよい水素原子の少なくとも一つがフッ素原子に置換された炭素数２２以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。
上記フルオロアルキル基中の水素原子はフッ素原子以外の他のハロゲン原子に置換されていてもよい。他のハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。また、エーテル性酸素原子（−Ｏ−）は、フルオロアルキル基の炭素−炭素結合環に存在してもよく、フルオロアルキル基の末端に存在してもよい。また、フルオロアルキル基の構造は、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環を有する構造が挙げられ、直鎖構造が好ましい。
Ｒｆ1としては、ペルフルオロアルキル基または水素原子１個を含むポリフルオロアルキル基であることが好ましく、ペルフルオロアルキル基が特に好ましい（ただし、エーテル性酸素原子を有するものを含む。）。
Ｒｆ1としては、炭素原子数が４〜６のペルフルオロアルキル基、または、エーテル性酸素原子を有する炭素原子数が４〜９のペルフルオロアルキル基が好ましい。
Ｒｆ1の具体例としては、以下が挙げられる。
−ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＦ3、−ＣＦ2ＣＨＦ2、−（ＣＦ2）2ＣＦ3、−（ＣＦ2）3ＣＦ3、−（ＣＦ2）4ＣＦ3、−（ＣＦ2）5ＣＦ3、−（ＣＦ2）6ＣＦ3、−（ＣＦ2）7ＣＦ3、−（ＣＦ2）8ＣＦ3、−（ＣＦ2）9ＣＦ3、−（ＣＦ2）11ＣＦ3、−（ＣＦ2）15ＣＦ3、−ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2）5ＣＦ3、−ＣＦ2Ｏ（ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）pＣＦ3（ｐは１〜８の整数）、−ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）qＣ6Ｆ13（ｑは１〜４の整数）、−ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ（ＣＦ2ＣＦ（ＣＦ3）Ｏ）rＣ3Ｆ7（ｒは１〜５の整数）。
Ｒｆ1としては、特に−（ＣＦ2）ＣＦ3または−（ＣＦ2）5ＣＦ3が好ましい。
【０１５２】
Ｘ1は、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、トリフルオロメチル基が好ましい。
【０１５３】
Ｌ1は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
Ｌ2は、単結合、または、水酸基若しくはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
Ｌ3は、単結合または炭素数１〜６のアルキレン基を表す。なかでも、単結合または炭素数１〜２のアルキレン基が好ましい。
【０１５４】
Ｙ1およびＺ1は、単結合、−ＣＯ2−、−ＣＯ−、−ＯＣ（＝Ｏ）Ｏ−、−ＳＯ3−、−ＣＯＮＲ222−、−ＮＨＣＯＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2ＮＲ222−、または、−ＮＲ222−を表す。Ｒ222は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基を表す。
なかでも、−ＣＯ2−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2ＮＲ222−、または、−ＣＯＮＲ222−が好ましい。
【０１５５】
Ｒ221は、水素原子、炭素数１〜８に直鎖若しくは分岐のアルキル基、またはＲｆ1−ＣＦＸ1−Ｌ1−Ｙ1―Ｌ2−Ｚ1−Ｌ3−を表す。
ただし、Ｙ1およびＺ1がいずれも単結合以外の場合、Ｌ2はフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜６のアルキレン基を表す。
【０１５６】
以下に、一般式（２２）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１５７】
【化３１】
2014197483.tif 000032
【０１５８】
（一般式（２３）で表される化合物）
次に、一般式（２３）で表される化合物について説明する。なお、一般式（２３）で表される化合物には、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１５９】
【化３２】
2014197483.tif 000033
【０１６０】
一般式（２３）中、Ｒ231およびＲ232は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｒ231およびＲ232がアルキル基を表すとき、好ましくは炭素数１〜３０、さらに好ましくは炭素数１〜１５、特に好ましくは１〜６であり、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、クロロメチル、ヒドロキシメチル、アミノエチル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノメチル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−ヒドロキシエチル、２−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）エチル、２−エチルヘキシルなどが好ましく挙げられる。
（ＣＲ231Ｒ232）nで表される構造として、好ましくは−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、であり、さらに好ましくは−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、であり、特に好ましくは−ＣＨ2ＣＨ2−である。
【０１６１】
Ｒ233およびＲ234は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
（ＣＲ233Ｒ234）mで表される構造として、好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ2ＯＨ）−であり、さらに好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、であり、特に好ましくは、−ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2−、である。
【０１６２】
Ｙ2は、単結合、−ＣＯ−、または−ＣＯＯ−を表す。
Ｙ2が単結合または−ＣＯ−のとき、ｎは０を表し、ｍは０〜６の整数を表す。なかでも、ｍは０〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
Ｙ2が−ＣＯＯ−のとき、ｎは１または２を表し、好ましくは２を表す。ｍは１〜６の整数を表し、１〜４が好ましく、１〜２がより好ましい。
【０１６３】
Ｒｆ2は、炭素数１〜２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロアルキレン基、または、炭素数１〜２０の直鎖若しくは分岐のパーフルオロエーテル基を表す。
パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロアルキレン基の具体例としては、例えば、−Ｃ4Ｆ8−、−Ｃ5Ｆ10−、−Ｃ6Ｆ12−、−Ｃ7Ｆ14−、−Ｃ8Ｆ16−、−Ｃ9Ｆ18−、−Ｃ10Ｆ20−、−Ｃ12Ｆ24−などが挙げられる。
パーフルオロエーテル基とは、上記パーフルオロアルキレン基中の１箇所以上の炭素−炭素原子間、またはパーフルオロアルキレン基の結合末端にエーテル性酸素原子（−Ｏ−）が挿入された基を意味する。パーフルオロアルキレン基の炭素数は１〜２０であるが、２〜１５が好ましく、３〜１２がより好ましい。パーフルオロエーテル基の具体例としては、−（ＣgＦ2gＯ）h−（式中、ｇはそれぞれ独立に１〜２０の整数であり、ｈは１以上の整数であり、ｇ×ｈ≦２０以下の関係を満たす。）で表されるパーフルオロエーテル基が挙げられる。
【０１６４】
ｐは２〜３の整数を表し、ｌは０〜１の整数を表し、ｐ＋ｌ＝３の関係を満たす。なかでも、ｐが３で、ｌが０であることが好ましい。
【０１６５】
以下に、一般式（２３）で表される化合物の具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６６】
【化３３】
2014197483.tif 000034
【０１６７】
（一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物）
次に、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物（以後、化合物Ｘとも称する）について説明する。なお、化合物Ｘには、上述したフッ素含有率を満たすフッ素原子が含まれることが好ましい。
【０１６８】
【化３４】
2014197483.tif 000035
【０１６９】
一般式（２４）中、Ｒ241、Ｒ242、Ｒ243、およびＲ244は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。なかでも、置換基としてはアルキル基が好ましく、特に、Ｒ242およびＲ243がアルキル基（特に、tert−ブチル基）であることが好ましい。Ｒ241およびＲ244は、水素原子であることが好ましい。
＊は、結合位置を示す。
【０１７０】
一般式（２５）中、Ｘは、水素原子、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基を表す。なかでも、フッ素原子、またはトリフルオロメチル基が好ましい。
Ｒｆは、エーテル性酸素原子を有していてもよい水素原子の少なくとも１つがフッ素原子に置換された炭素原子数２０以下のフルオロアルキル基、またはフッ素原子を表す。Ｒｆの定義は、炭素原子数が異なる点を除いて上記Ｒｆ1と同義であり、好適態様も同義である。
＊は、結合位置を示す。
【０１７１】
化合物Ｘの好適態様としては、以下の一般式（２６）で表される繰り返し単位および一般式（２７）で表される繰り返し単位を有するポリマーＡが挙げられる。
【０１７２】
【化３５】
2014197483.tif 000036
【０１７３】
一般式（２６）および一般式（２７）中、Ｒ261およびＲ262は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
Ｚ2は、単結合、エステル基、アミド基、またはエーテル基を表す。
Ｌ4は、単結合または２価の有機基を表す。Ｌ4で表される有機基としては、直鎖、分岐、若しくは環状のアルキレン基、芳香族基、またはこれらを組み合わせた基であることが好ましい態様の１つである。該アルキレン基と芳香族基とを組み合わせた基は、さらに、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、ウレア基を介していてもよい。なかでも、Ｌ4中の総炭素数が１〜１５であることが好ましい。なお、ここで、総炭素数とは、例えば、Ｌ4で表される置換若しくは無置換の２価の有機基に含まれる総炭素原子数を意味する。具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、フェニレン基、及びこれらの基が、メトキシ基、ヒドロキシル基、塩素原子、臭素原子、フッ素原子等で置換されたもの、更には、これらを組み合わせた基が挙げられる。
Ｌ5は、単結合、または、炭素数１〜６のフッ素を有さない２価の有機基を表す。なかでも、炭素数２〜４のアルキレン基であることが好ましい。
なお、一般式（２６）および一般式（２７）中のＲ241〜Ｒ244、ＸおよびＲｆの定義は、上述の通りである。
【０１７４】
ポリマーＡ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜９０モル％が好ましく、１０〜７０モル％がより好ましい。
ポリマーＡ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜９５モル％が好ましく、３０〜９０モル％がより好ましい。
ポリマーＡの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００〜５００，０００が好ましく、５，０００〜１００，０００がより好ましい。
【０１７５】
化合物Ｘの他の好適態様としては、以下の一般式（２８）で表される基がさらに含まれることが好ましい。＊は、結合位置を示す。
＊−（Ｒ281Ｏ）qＲ282      一般式（２８）
Ｒ281は、炭素数１〜４のアルキレン基を表す。
Ｒ282は、水素原子または置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基を表す。なかでも、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。置換基の例としては、前述のＲ2およびＲ3で表されるアルキル基の置換基を挙げることができる。
ｑは、１〜２１０の整数を表す。
一般式（２８）で表される基の好適態様としては、以下の一般式（２８−１）で表される基が挙げられる。
＊−（Ｒ283Ｏ）k（Ｒ284Ｏ）jＲ282      一般式（２８−１）
Ｒ283は、エチレン基を表す。Ｒ284は、炭素数３〜４のアルキレン基を表す。
ｋは、０〜１００の整数を表す。なかでも、１〜５０が好ましく、２〜２３がより好ましい。
ｊは、０〜１００の整数を表す。なかでも、０〜５０が好ましく、０〜２３がより好ましい。
なお、ｋ＋ｊは２≦ｋ＋ｊ≦１００を満たす。
【０１７６】
化合物Ｘの好適態様としては、上記一般式（２６）で表される繰り返し単位、上記一般式（２７）で表される繰り返し単位、および、一般式（２９）で表される繰り返し単位を有するポリマーＢが挙げられる。
一般式（２６）および一般式（２７）の説明は、上述の通りである。
【０１７７】
【化３６】
2014197483.tif 000037
【０１７８】
一般式（２９）中、Ｒ263は、水素原子、または、炭素数１〜４の置換若しくは無置換のアルキル基を表す。
Ｌ6は、単結合または炭素数１〜１０のフッ素原子を有しない２価の有機基である。Ｌ6が上記有機基である場合、直鎖構造、分岐構造、環構造、部分的に環を有する構造の炭素数１〜１０のオキシアルキレン基であることが好ましい。オキシアルキレン基として具体的には、ＣＨ2ＣＨ10ＣＨ2Ｏ（式中、Ｃ6Ｈ10は、シクロヘキシレン基である。）、ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ（ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、Ｃ（ＣＨ3）2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ3）ＣＨ2Ｏ、ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ3）Ｏ、ＣＨ2（ＣＨ2）3ＣＨ2Ｏ、ＣＨ（ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）2）Ｏなどが挙げられる。なかでも、炭素数２〜４のオキシアルキレン基であることが好ましい。
なお、一般式（２９）中、Ｒ281、Ｒ282、ｑの定義は、上述の通りである。
【０１７９】
ポリマーＢ中における一般式（２６）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、５〜８０モル％が好ましく、１０〜６０モル％がより好ましい。
ポリマーＢ中における一般式（２７）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜８５モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましい。
ポリマーＢ中における一般式（２９）で表される繰り返し単位の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、ポリマー中の全繰り返し単位に対して、１０〜８５モル％が好ましく、２０〜７０モル％がより好ましい。
ポリマーＢの重量平均分子量は特に制限されないが、イオンマイグレーション抑制能がより優れる点で、３，０００〜５００，０００が好ましく、５，０００〜１００，０００がより好ましい。
【０１８０】
以下に、化合物Ｘの具体例を示す。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１８１】
【化３７】
2014197483.tif 000038
【０１８２】
【化３８】
2014197483.tif 000039
【０１８３】
組成物中におけるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、本発明の効果がより優れる点で、後述する金属粒子全質量に対して、０．０５〜５質量％が好ましく、０．１〜３質量％がより好ましい。
【０１８４】
＜金属粒子＞
組成物中に含まれる金属粒子は、導電膜を構成する金属成分となる。より具体的には、本発明の組成物を基板上に塗布して、必要に応じて加熱処理を施すことにより、金属粒子同士が融着してグレインを形成し、さらにグレイン同士が接着・融着して導電膜が形成される。
金属粒子を構成する金属原子の種類は特に制限されず、用途に応じて適宜最適な金属の種類が選択される。なかでも、プリント配線基板などの配線回路としての点から、金、銀、銅、アルミニウム、ニッケルまたはこれらの合金などが挙げられる。
【０１８５】
金属粒子の平均粒径は特に制限されず、主に、マイクロオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属マイクロ粒子とも称する）、または、ナノオーダーの平均粒径を有する金属微粒子（以後、金属ナノ粒子とも称する）の２種が使用される。
金属マイクロ粒子の平均粒径は特に制限されず、導電膜の導電特性がより優れる点で、０．５〜１０μｍが好ましく、１〜５μｍがより好ましい。
金属ナノ粒子の平均粒径は特に制限されず、導電膜の導電特性がより優れる点で、５〜１００ｎｍが好ましく、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
なお、金属粒子の平均粒径は、金属粒子を電子顕微鏡（ＳＥＭ若しくはＴＥＭ）により観察して、２０個以上の金属粒子の一次粒径（直径）を測定して、それらを算術平均して得られる平均値である。
【０１８６】
なお、必要に応じて、金属粒子の表面は保護剤により被覆されていてもよい。保護剤により被覆されることにより、組成物中での金属粒子の保存安定性が向上する。
使用される保護剤の種類は特に制限されず、公知のポリマー（例えば、ポリビニルピロリドンなど側鎖に自由電子を有する官能基を有するポリマー）や、公知の界面活性剤などが挙げられる。
なかでも、金属ナノ粒子の場合、その表面が保護剤で覆われていることが好ましく、特に、熱重量測定（ＴＧＡ）において１６０℃まで加熱した際の重量減少率が３０％以上である保護剤を使用することが好ましい。このような保護剤であれば、加熱処理を施して導電膜を形成した際に、保護剤が導電膜中に残存しにくく、導電特性に優れた導電膜が得られる。
【０１８７】
組成物中における金属粒子の含有量は特に制限されないが、塗布性および組成物の保存安定性の点から、組成物全質量に対して、３０〜８５質量％が好ましく、４０〜８０質量％がより好ましい。
【０１８８】
＜その他の成分＞
組成物には、必要に応じて、Ｆ含有マイグレーション抑制剤および金属粒子以外に他の成分が含まれていてもよい。
例えば、組成物には、樹脂バインダーが含まれていてもよい。樹脂バインダーが含まれることにより、機材と導電膜との密着性がより向上する。使用される樹脂バインダーの種類は特に制限されないが、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドン、またはシランカップリング剤の反応物などが挙げられる。
【０１８９】
また、組成物には、溶媒が含まれていてもよい。使用される溶媒の種類は特に制限されず、水または有機溶媒が挙げられる。
なお、使用される有機溶媒としては、例えば、アルコール系溶媒（例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、sec-ブタノール、カルビトール、２−ヘプタノール、オクタノール、２−エチルヘキサノール、α―テルピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル）、ケトン系溶媒（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン）、炭化水素系溶媒（例えば、ヘプタン、オクタン、ドデカン）芳香族炭化水素溶媒（例えば、トルエン、キシレン）、アミド系溶媒（例えば、ホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルプロピレンウレア）、ニトリル系溶媒（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル）、エステル系溶媒（例えば、酢酸メチル、酢酸エチル）、カーボネート系溶媒（例えば、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート）、エーテル系溶媒、ハロゲン系溶媒などが挙げられる。これらの溶媒を、２種以上混合して使用してもよい。
組成物中に溶媒が含まれる場合、溶媒の含有量は、組成物の塗布性および保存安定性に優れる点で、組成物全質量に対して、１０〜７０質量％が好ましく、１５〜５５質量％がより好ましい。
【０１９０】
＜導電膜の製造方法＞
上記組成物を用いて導電膜を製造することができる。
導電膜の製造方法は特に制限されず、上記組成物を基材上に塗布して、必要に応じて、硬化処理を施して導電膜を製造方法が挙げられる。
組成物が塗布される基材の種類は特に制限されず、使用目的に応じて最適な基材が選択される。例えば、樹脂基材、ガラス基材、セラミック基材などが挙げられる。配線基板への応用の点からは、絶縁性の基材（絶縁性基材）を使用することが好ましい。
【０１９１】
組成物との塗布方法は特に制限されず、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、オフセット印刷法、フレキソ印刷法など公知の方法が挙げられる。
なお、組成物の塗布後、必要に応じて、溶媒を除去するために、塗布後に乾燥処理を実施してもよい。乾燥処理の際の加熱条件は特に制限されないが、生産性の点から、５０〜１５０℃（好ましくは８０〜１２０℃）で５分〜２時間（好ましくは、１０分〜１時間）程度加熱することが好ましい。
【０１９２】
組成物を塗布して得られる塗膜に対して施される硬化処理の方法は特に制限されず、例えば、加熱処理または光照射処理が実施される。
加熱処理の条件は、使用される金属粒子の種類によって適宜最適な条件が選択される。なかでも、短時間で、導電性により優れる導電膜を形成することができる点で、加熱温度は１５０〜４００℃が好ましく、１５０〜２５０℃がより好ましく、また、加熱時間は５〜１２０分が好ましく、１０〜６０分がより好ましい。
なお、加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
【０１９３】
光照射処理は、上述した加熱処理とは異なり、室温にて塗膜が付与された部分に対して光を短時間照射することで焼結が可能となり、長時間の加熱による基板の劣化が起こらず、導電膜の基板との密着性がより良好となる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
具体的な態様としては、赤外線レーザーによる走査露光、キセノン放電灯などの高照度フラッシュ露光、赤外線ランプ露光などが好適に挙げられる。
光照射は、フラッシュランプによる光照射が好ましく、フラッシュランプによるパルス光照射であることがより好ましい。高エネルギーのパルス光の照射は、塗膜を付与した部分の表面を、極めて短い時間で集中して加熱することができるため、基材への熱の影響を極めて小さくすることができる。
パルス光の照射エネルギーとしては、１〜１００Ｊ／ｃｍ2が好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ2がより好ましく、パルス幅としては１μ秒〜１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射時間は、１〜１００ｍ秒が好ましく、１〜５０ｍ秒がより好ましく、１〜２０ｍ秒が更に好ましい。
【０１９４】
上記加熱処理および光照射処理は、単独で実施してもよく、両者を同時に実施してもよい。また、一方の処理を施した後、さらに他方の処理を施してもよい。
【０１９５】
＜導電膜＞
上記の手順によって形成された導電膜においては、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が導電膜の表層部分に偏在する。以下、図１を用いてより詳細に詳述する。
図１は、配線基板の第１の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１０は、基材１２と、基材１２上の全面に渡って配置された導電膜１４とを備える。なお、後述するように、導電膜１４の形状は図１の態様に限定されず、パターン状（例えば、ストライプ状、格子状）に配置されていてもよい。
導電膜１４は、基材１２上に配置される層で、導体部として機能する。
導電膜１４は、上述したように金属粒子に由来する金属で構成される共に、Ｆ含有マイグレーション抑制剤が含有される。
【０１９６】
図１に示すように、導電膜１４は、内部領域１４ａと、内部領域１４ａ上に配置された表層領域１４ｂとを有する。表層領域１４ｂは、内部領域１４ａの基材１２と接していない表面を覆っている。なお、表層領域１４ｂとは、導電膜１４の露出表面から導電膜１４の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域に該当する。つまり、表層領域１４ｂの厚みは、導電膜１４の厚みＴ２の１／１０に相当する。なお、導電膜１４の全体厚みは、５箇所以上の任意点の導電膜１４の全体厚みを測定して、それらを算術平均したものである。
上記Ｆ含有マイグレーション抑制剤は、図１中の表層領域１４ｂ内に偏在して存在する。より具体的には、導電膜１４にはＦ含有マイグレーション抑制剤が含まれ、表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙは、内部領域１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘよりも大きい。つまり、質量Ｙ＞質量Ｘの関係（質量Ｘ／質量Ｙが１未満の関係）を満たす。上記関係を満たしていれば、導電膜１４からのイオンマイグレーションが抑制されると共に、導電膜１４の導電特性も優れる。なかでも、イオンマイグレーション抑制機能と導電特性とのバランスがより優れる点で、内部領域１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘと、表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）は０．２０以下がさらに好ましく、０．１０以下がより好ましい。下限は特に制限されないが、０が最も好ましく、実用上は０．００１以上であってもよい。
比（Ｘ／Ｙ）の測定方法は特に制限されず、例えば、基材１２表面に対して垂直な方向の導電膜１４の垂直断面を電子顕微鏡（ＳＥＭまたはＴＥＭ）で観察して、内部領域１４ａに相当する領域と表層領域１４ｂに相当する領域とに含まれる成分の元素分析を行い、Ｆ含有マイグレーション抑制剤由来の元素の量を比較して、比（Ｘ／Ｙ）を求めることができる。
【０１９７】
導電膜１４全体に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、導電膜１４の導電特性の観点から、導電膜１４全質量に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．１〜５質量％がより好ましい。
表層領域１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の含有量は特に制限されないが、導電膜１４の導電特性の観点から、マイグレーション抑制剤全質量に対して、５０〜１００質量％が好ましく、７０〜１００質量％がより好ましい。
【０１９８】
導電膜１４には、本発明の効果を損なわない範囲で、金属とマイグレーション抑制剤以外の成分が含まれていてもよい。例えば、バインダー樹脂（エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルピロリドンなど）が含まれていてもよい。
【０１９９】
次に、本発明の配線基板の第２の実施態様について、図面を参照して詳述する。
図２は、配線基板の第２の実施態様の模式的断面図を示し、配線基板１００は、基材１２と、基材１２上に配置された２つの細線状の導電膜１１４とを備える。図２に示すような、パターン状の導電膜の製造方法は特に制限されず、上述したインクジェット法により基材上の所定の位置に導電膜形成用組成物を吐出する方法が挙げられる。
導電膜１１４は、内部領域１１４ａと内部領域１１４ａの基材１２と接していない表面を覆う表層領域１１４ｂとを有する。
導電膜１１４は、図１に示す配線基板１０中の導電膜１４に相当して同様の構成を有し、その形状のみが異なる。つまり、内部領域１１４ａは図１に示す配線基板１０中の内部領域１４ａに相当し、表層領域１１４ｂは図１に示す配線基板１０中の表層領域１４ｂに相当する。
より具体的には、導電膜１１４を構成する金属の種類の好適態様は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
また、表層領域１１４ｂの厚みＴ１は、上述した第１の実施形態の場合と同様に、導電膜１１４の全体厚みＴ２の１／１０の厚みに相当する。
また、表層領域１１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｙは、第１の実施形態の場合と同様に、内部領域１１４ａに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘより大きく、その好適態様も同じである。
さらに、導電膜１１４全体に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量の好適範囲、および、表層領域１１４ｂに含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量の好適範囲は、上述した第１の実施形態の場合と同じである。
【０２００】
図２において、内部領域１１４ａは細線状であり、内部領域１１４ａを覆うように（内部領域の上面部分１６と２つの側面部分１８を覆うように）表層領域１１４ｂが存在する。
なお、図２においては、導電膜１１４は垂直断面が矩形状の層であるが、特にその形状は制限されず任意の形状であってもよい。
【０２０１】
図２において、２つの導電膜１１４がストライプ状に配置されているが、その数および配置パターンは特に制限されない。
導電膜１１４の幅Ｗは、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１００００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
導電膜１１４間の間隔Ｄは、配線基板の高集積化の点から、０．１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜３００μｍがより好ましく、０．１〜１００μｍがさらに好ましく、０．２〜５０μｍが特に好ましい。
導電膜１１４の厚みＴ２は、配線基板の高集積化の点から、０．００１〜１００μｍが好ましく、０．０１〜３０μｍがより好ましく、０．０１〜２０μｍがさらに好ましい。
【０２０２】
上述した導電膜を備える配線基板は、種々の用途および構造に対して使用することができる。例えば、プリント配線基板、プラズマディスプレイパネル用パネル基板、太陽電池電極用基板、メンブレン配線板、タッチパネル電極用基板などが挙げられる。
また、配線基板は、電子機器に含まれることが好ましい。電子機器とは、タッチパネルもしくはメンブレンスイッチやそれらを搭載したテレビ・モバイル通信機器・パーソナルコンピューター・ゲーム機器・車載表示機器・ネット通信機器、照明・表示用ＬＥＤ、太陽電池制御に関する電子配線機器、ＲＦＩＤなどの無線通信デバイス、あるいは半導体配線基板や有機ＴＦＴ配線基板で駆動制御された機器類を指す。
【０２０３】
本発明の配線基板の導電膜側上には、必要に応じて、さらに絶縁層を設けてもよい。
例えば、図３に示すように、上述した配線基板１００の導電膜１１４側上には、必要に応じて、さらに導電膜１１４を覆うように絶縁層２０を設けて、絶縁層付き配線基板２００を形成してもよい。絶縁層２０を設けることにより、導電膜１１４間の絶縁特性がより向上する。
絶縁層２０の材料としては、公知の絶縁性の材料を使用することができる。例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アクリレート樹脂など挙げられる。
また、絶縁層２０として、いわゆる光学用透明粘着シート（ＯＣＡ）を使用してもよい。ＯＣＡは市販品を用いてもよく、例えば、３Ｍ（株）製８１７１ＣＬシリーズ、８１４６シリーズなどが挙げられる。
また、絶縁層２０として、いわゆるソルダーレジスト層を使用してもよい。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製 ＳＲ７２００Ｇなどが挙げられる。
【実施例】
【０２０４】
以下、実施例により、本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２０５】
＜比較例１：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ−１＞
Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，３−ジアミノプロパン（東京化成、特級）２．０４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）と、ｎ−オクチルアミン（花王、純度９８％）１．９４ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）と、ｎ−ドデシルアミン（関東化学、特級）０．９３ｇ（５．０ｍｍｏｌ）とを混合し、この混合溶液にシュウ酸銀〔硝酸銀（関東化学、一級）とシュウ酸アンモニウム一水和物またはシュウ酸二水和物（関東化学、特級）から合成したもの〕６．０８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加え、３分間撹拌し、シュウ酸イオン・アルキルアミン・アルキルジアミン・銀錯化合物を調製した。これを９５℃で２０〜３０分加熱撹拌すると、二酸化炭素の発泡を伴う反応が完結し、青色光沢を呈する懸濁液へと変化した。これにメタノール（関東化学、一級）１０ｍＬを加え、遠心分離により得られた沈殿物を自然乾燥すると、青色光沢の被覆銀超微粒子の固体物４．６２ｇ（銀基準収率９７．０％）が得られた。この固体物をｎ−ブタノール（関東化学、特級）とｎ−オクタン（関東化学、特級）の混合溶媒（４／１：ｖ／ｖ）に６．９３ｇに分散し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ−１を得た。
【０２０６】
＜比較例２：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ−２＞
Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ−２として、ポリマー型導電性ペーストＬＳ−４５０−７Ｈ（アサヒ化学研究所製）を用いた。
【０２０７】
＜比較例３：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電性インクＡ−３＞
Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ａ−３として、フローメタルＳＷ−１０２０（バンドー化学製）を用いた。
【０２０８】
＜比較例４：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ｂ−９＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、ＩＲＧＡＮＯＸ１１３５（ＢＡＳＦ製）（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、導電膜形成用組成物Ｂ−９を得た。
なお、導電膜形成用組成物Ｂ−９には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤は含まれない。
【０２０９】
＜比較例５：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物Ｂ−１０＞
比較例２の導電膜形成用組成物Ａ−２（１０ｇ）に対し、ベンゾトリアゾール（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、導電膜形成用組成物Ｂ−１０を得た。
なお、導電膜形成用組成物Ｂ−１０には、Ｆ含有マイグレーション抑制剤は含まれない。
【０２１０】
（合成例１：化合物Ｍ−１）
反応容器に、３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸（３．５ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、ジクロロメタン（２０ｍｌ）、２，２，３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，９，９，１０，１０，１０−ノナデカフルオロデカン−１−オール（６．３ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（１０ｍｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（２．４ｇ，１２．６ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．０５ｇ，０．４ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。
反応溶液を室温で３時間攪拌した後、反応溶液に１Ｎ塩酸（５０ｍｌ）を加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、減圧濃縮し、白色の粗結晶を得た。メタノールで再結晶を行い、化合物Ｍ−１を６．０ｇ得た（収率６３％）。
得られた化合物Ｍ−１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
６．９８（２Ｈ，ｓ）、５．０９（１Ｈ，ｓ）、４．５９（２Ｈ，ｔ）、２．９０（２Ｈ，ｔ）、２．７１（２Ｈ，ｔ）、１．４３（９Ｈ，ｓ）
1Ｈ−ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ−１であると同定した。
【０２１１】
【化３９】
2014197483.tif 000040
【０２１２】
（合成例２：化合物Ｍ−２）
反応容器に、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。その後、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，８，８，８−ドデカフルオロ−７−（トリフルオロメチル）オクチル（１２．５ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間かけて反応溶液に滴下した。反応溶液を６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、反応溶液を減圧濃縮した。反応溶液にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１６ｇを得た。粗結晶のうち８ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１〜１／１）にて精製し、本発明の化合物Ｍ−２を６ｇ得た（収率７２％）。
得られた化合物Ｍ−２の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルは以下の通りである。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）
１１．１（１Ｈ，ｂｒ）、４．４４（２Ｈ，ｔ）、３．４０（２Ｈ，ｔ）、２．８５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
1Ｈ−ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ−２であると同定した。
【０２１３】
【化４０】
2014197483.tif 000041
【０２１４】
（合成例３：化合物Ｍ−３）
反応容器に、１Ｈ−ベンゾトリアゾール−５−カルボン酸（１．５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（２７ｍｌ）、ジメチルホルムアミド（３ｍｌ）、３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−１−オクタノール（３．３５ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（１．７６ｇ，９．１９ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジン（０．１１ｇ，０．９１ｍｍｏｌ）をこの順に加えた。７０℃で２４時間攪拌した後、水５０ｍｌを加え、酢酸エチル１００ｍｌで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。固形分をろ別した後、溶液を減圧濃縮した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１）にて精製し、化合物Ｍ−３を３．１ｇ得た（収率６６％）。
【０２１５】
【化４１】
2014197483.tif 000042
【０２１６】
（合成例４：化合物Ｍ−４）
下記スキームに従って、化合物Ｍ−４Ａを合成した。
【０２１７】
【化４２】
2014197483.tif 000043
【０２１８】
反応容器に、１，３，４−チアジアゾール−２，５−ジチオール（和光純薬製）（４．０ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン（８０ｍｌ）を加えて完溶させた。アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロオクチル（１１．１３ｇ，２６．６ｍｍｏｌ）を、滴下漏斗から０．５時間掛けて滴下した。６５℃で６時間攪拌後、室温まで冷却し、溶液を減圧濃縮した。反応混合物にヘキサン２００ｍＬを添加し、氷浴にて冷却して、粗結晶１５ｇを得た。粗結晶のうち７．５ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１〜１／１）にて精製し、化合物Ｍ−４Ａを６ｇ得た（収率７９％）。
【０２１９】
次に、得られた化合物Ｍ−４Ａを用いて、下記スキームに従って、化合物Ｍ−４を合成した。
【０２２０】
【化４３】
2014197483.tif 000044
【０２２１】
反応容器に、化合物Ｍ−４Ａ（３．０ｇ，５．２８ｍｍｏｌ）、酢酸エチル（２０ｍｌ）を加えて完溶させた。ヨウ化ナトリウム（７９．１ｍｇ，０．５２８ｍｍｏｌ）と３０％過酸化水素（２２．１１ｍｍｏｌ，２．３９ｇ）をこの順で加えて、室温で１時間撹拌した。析出した結晶を１００ｍｌの水で洗浄し、得られた粗結晶２．７ｇをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（移動相：ヘキサン／酢酸エチル＝２／１〜１／１）にて精製し、化合物Ｍ−４を２．４ｇ得た（収率８０％）。
得られた本発明の化合物Ｍ−４のＮＭＲスペクトルは以下の通りであった。
1Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム、基準：テトラメチルシラン）：４．４３（２Ｈ，ｔ）、３．６０（２Ｈ，ｔ）、２．９５（２Ｈ，ｔ）、２．４９（２Ｈ，ｍ）
1Ｈ−ＮＭＲのデータにおいて、各プロトンのピークが特徴的な位置に観察されることから、化合物Ｍ−４であると同定した。
【０２２２】
【化４４】
2014197483.tif 000045
【０２２３】
（合成例５：化合物Ｍ−５）
３００ｍＬの三口フラスコに、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）２７．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７,８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル３７．６ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．４２ｇ、Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）０．９２ｇ、４−メチル−２−ペンタノン（和光純薬工業（株）製）６３．８ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．３４ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２１ｇを加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、ヘキサン５００ｍｌ、酢酸エチル５００ｍｌを加え、有機層を５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、５％アンモニア水溶液３００ｍｌで洗浄した。さらに５％クエン酸水溶液３００ｍｌで洗浄後、水３００ｍｌで洗浄した。有機層を減圧濃縮後、ヘキサンで再沈を行い、減圧化で乾燥し、化合物Ｍ−５（Ｍｗ＝７，０００）を３０ｇ得た。なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
化合物Ｍ−５は、一般式（２４）で表される基と一般式（２５）で表される基とを有する化合物に該当する。
【０２２４】
（合成例６：化合物Ｍ−６）
３００ｍＬの三口フラスコに、１−メトキシ−２−プロパノール（和光純薬工業（株）製）１４．３ｇを入れ、窒素気流下、８０℃まで加熱した。そこへ、アクリル酸３，３，４，４，５，５，６，６，７，７，８，８，８−トリデカフルオロ−オクチル４．８１ｇ、グリシジルメタクリレート（東京化成工業（株）製）１．５６ｇ、ブレンマーＡＥ−４００(日本油脂社製)１４．０９ｇ、Ｖ−６０１（和光純薬工業（株）製）０．４６ｇ、１−メトキシ−２−プロパノール（和光純薬工業（株）製）３３．４ｇ溶液を、４時間かけて滴下した。滴下終了後、２時間撹拌後、９０℃に昇温し、さらに２時間攪拌した。上記の反応溶液に、３−（３，５−ジ−tert−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸３．６７ｇ、ジメチルドデシルアミン（和光純薬工業（株）製）０．２３ｇ、を加え、１２０℃に加熱し２４時間反応させた。反応終了後、減圧濃縮後し水２００ｇで希釈した。反応液をフィルターろ過した後、６０℃に加熱し、分離したポリマー溶液を取り出し、化合物Ｍ−６（Ｍｗ＝８，０００）の３５ｗ％水溶液４５ｇ得た。
重量平均分子量は、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）法で測定されたポリスチレン換算値である。重量平均分子量のＧＰＣ法による測定は、ポリマーをテトラヒドロフランに溶解させ、東ソー（株）製高速ＧＰＣ（ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＺ４０００（ＴＯＳＯＨ製、４．６ｍｍＩ．Ｄ．×１５ｃｍ）を用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて行った。
化合物Ｍ−６は、一般式（２４）で表される基と、一般式（２５）で表される基と、一般式（２８）で表される基とを有する化合物に該当する。
【０２２５】
＜実施例１：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−１＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、合成例１で得られた化合物Ｍ−１（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−１を得た。
【０２２６】
＜実施例２：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−２＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、合成例２で得られた化合物Ｍ−２（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−２を得た。
【０２２７】
＜実施例３：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−３＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、合成例３で得られた化合物Ｍ−３（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−３を得た。
【０２２８】
＜実施例４：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−４＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、合成例４で得られた化合物Ｍ−４（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−４を得た。
【０２２９】
＜実施例５：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−５＞
比較例１で得られた導電膜形成用組成物Ａ−１（１１．５５ｇ）に対し、合成例５で得られた化合物Ｍ−５（高分子型）（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−５を得た。
【０２３０】
＜実施例６：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−６＞
比較例２の導電膜形成用組成物Ａ−２（１０ｇ）に対し、合成例１で得られた化合物Ｍ−１（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−６を得た。
【０２３１】
＜実施例７：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−７＞
比較例２の導電膜形成用組成物Ａ−２（１０ｇ）に対し、合成例３で得られた化合物Ｍ−３（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−７を得た。
【０２３２】
＜実施例８：Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−８＞
比較例３の導電膜形成用組成物Ａ−３（１０ｇ）に対し、合成例６で得られた化合物Ｍ−６（０．１２ｇ）を添加して、攪拌し、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含有する導電膜形成用組成物Ｂ−８を得た。
【０２３３】
＜インクジェットによる配線形成＞
マテリアルプリンターＤＭＰ−２８３１（ＦＵＪＩＦＩＬＭ  Ｄｉｍａｔｉｘ社製）を用い、吐出量：１０ｐＬ、吐出間隔：５０μｍの条件で、ガラス基板上へ導電膜形成用組成物をＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に描画を行い、これを２層分重ねて描画を行った。その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「ＩＪ」と表記する。
【０２３４】
＜スクリーン印刷による配線形成＞
ＤＰ―３２０型スクリーン印刷機（ニューロング精密工業株式会社製）を用いて、ガラス基板上へ導電膜形成用組成物をＬ／Ｓ＝７５／７５μｍの櫛形状に印刷を行い（３００メッシュスクリーンを使用）、その後、オーブンで２３０℃、１時間ベークを行い、試験用配線基板を作製した。本方法は、表１の「配線形成方法」欄において「スクリーン」と表記する。
【０２３５】
＜試験用配線膜厚測定方法＞
作製した試験用配線基板をエポキシ樹脂で包埋し、研磨による断面出しを行った後、Ｓ−３０００Ｎ（ＨＩＴＡＣＨＩ社製ＳＥＭ）を用いて断面を観察、導電膜の厚みの測定を行った。結果を表１にまとめて示す。
なお、各試験用配線基板中の導電膜の露出表面から導電膜の全体厚みの１／１０に相当する深さ位置までの領域を表層領域として、残りの部分を内部領域とした。
【０２３６】
＜内部領域に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤の質量Ｘと、表層領域に含まれるＦ含有マイグレーション抑制剤との質量Ｙとの比（Ｘ／Ｙ）の測定方法＞
前述のＳＥＭ写真と、ＩＮＣＡ  ＰｅｎｔａＦＥＴｘ３（ＯＸＦＯＲＤ社製ＥＤＸ）を用い、Ｆ含有マイグレーション抑制剤の存在部の検出を行い、内部領域と表層領域における検出強度、面積比より質量Ｘと質量Ｙの比（Ｘ／Ｙ）を求めた。結果を表１にまとめて示す。
【０２３７】
＜導電性評価方法＞
得られた試験用配線基板の導電性評価を抵抗率計ロレスタＥＰ  ＭＣＰ−Ｔ３６０（三菱化学アナリテック社製）を用いて行った。
評価方法として、作製した試験用配線基板の抵抗測定値をＲ１、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物のみで作製した比較用配線基板の抵抗測定値をＲ２とし、その変化割合Ｒ１／Ｒ２を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｒ１／Ｒ２≦１．１の場合
「Ｂ」：１．１＜Ｒ１／Ｒ２≦１．２５の場合
「Ｃ」：１．２５＜Ｒ１／Ｒ２≦２．０の場合
「Ｄ」：２．０＜Ｒ１／Ｒ２の場合
なお、実施例１〜５並びに比較例１および４では、導電膜形成用組成物Ａ−１を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
また、実施例６〜７並びに比較例２および５では、導電膜形成用組成物Ａ−２を用いて上記スクリーン印刷にて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
また、実施例８および比較例３では、導電膜形成用組成物Ａ−３を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
【０２３８】
＜絶縁信頼性評価方法＞
得られた試験用配線基板を用いて、湿度８５％、温度８５度、圧力１．０ａｔｍ、電圧８０Ｖの条件で寿命測定（使用装置：エスペック（株）社製、ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を行った。
評価方法としては、まず、作製した試験用配線基板上に高透明性接着剤転写テープ８１４６−２（３Ｍ社製）貼り合せて、逆側にガラス基板を張り合わせて作製された絶縁信頼性試験用基板を用いて上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ１を測定した。
次に、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない導電膜形成用組成物のみで作製した比較用配線基を用いて同様の方法で絶縁信頼性試験用基板を作製し、上記条件で寿命測定を行い、配線層間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ２を測定した。
得られた時間Ｔ１および時間Ｔ２を用いて寿命の改善効果（Ｔ１／Ｔ２）を計算した。以下の基準に従って、評価した。結果を表１にまとめて示す。尚、実用上はＣ以上が使用可能であり、Ｂ以上が好ましい。
「Ａ」：Ｔ１／Ｔ２≧５の場合
「Ｂ」：５＞Ｔ１／Ｔ２≧２の場合
「Ｃ」：２＞Ｔ１／Ｔ２＞１の場合
「Ｄ」：１≧Ｔ１／Ｔ２の場合
なお、実施例１〜５並びに比較例１および４では、導電膜形成用組成物Ａ−１を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
また、実施例６〜７並びに比較例２および５では、導電膜形成用組成物Ａ−２を用いて上記スクリーン印刷にて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
また、実施例８および比較例３では、導電膜形成用組成物Ａ−３を用いて上記インクジェットにて作製した比較用配線基板を用いて、上記評価を行った。
【０２３９】
【表１】
2014197483.tif 000046
【０２４０】
【表２】
2014197483.tif 000047
【０２４１】
表１に示すように、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を使用した実施例１〜８においては、導電膜中においてＦ含有マイグレーション抑制剤が表層領域に偏在していることが確認され、導電膜が導電特性に優れると共に、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）も優れていた。
一方、Ｆ含有マイグレーション抑制剤を含まない比較例１〜５においては、導電性、または、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）に劣っていた。例えば、マイグレーション抑制剤が含まれない比較例１〜３においては、導電特性は優れるが、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）が劣っていた。また、フッ素原子を含有しないマイグレーション抑制剤を含む比較例４〜５においては、絶縁信頼性（イオンマイグレーション抑制能）は優れるものの、マイグレーション抑制剤の偏在化が起こらないため導電特性に劣っていた。
【符号の説明】
【０２４２】
１０，１００  配線基板
１２  基材
１４，３４，１１４  導電膜
１４ａ，１１４ａ  内部領域
１４ｂ，１１４ｂ  表層領域
１６  上面部分
１８  側面部分
２０  絶縁層
２００  絶縁層付き配線基板
【図１】
2014197483.tif 000053
【図２】
2014197483.tif 000054
【図３】
2014197483.tif 000055