(57)【要約】【課題】より高精度にパターンを基板に形成することが可能な露光システムおよび露光方法を提供する。【解決手段】実施形態の露光システムは、基板を支持する支持台と、前記支持台の上側に設けられた複数のマスクと、前記複数のマスクを介して、前記基板に光を照射することが可能な光源と、を備え、前記複数のマスクは、遮光膜がパターニングされた第１マスクと、前記第１マスクの上側もしくは下側に設けられた第２マスクであり、前記遮光膜がパターニングされている前記第１マスクの前記遮光膜が存在しない第１領域に対向する第２領域に前記遮光膜がパターニングされていない前記第２マスクと、を含み、前記第２マスクの少なくとも前記第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する支持台と、
前記支持台の上側に設けられた複数のマスクと、
前記複数のマスクを介して、前記基板に光を照射することが可能な光源と、
を備え、
前記複数のマスクは、
遮光膜がパターニングされた第１マスクと、
前記第１マスクの上側もしくは下側に設けられた第２マスクであり、前記遮光膜がパターニングされている前記第１マスクの前記遮光膜が存在しない第１領域に対向する第２領域に前記遮光膜がパターニングされていない前記第２マスクと、
を含み、
前記第２マスクの少なくとも前記第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられ、
前記第２マスクは、前記第１マスクと同期して前記基板の上側で走査可能である露光システム。
【請求項２】
基板を支持する支持台と、
前記支持台の上側に設けられた複数のマスクと、
前記複数のマスクを介して、前記基板に光を照射することが可能な光源と、
を備え、
前記複数のマスクは、
遮光膜がパターニングされた第１マスクと、
前記第１マスクの上側もしくは下側に設けられた第２マスクであり、前記遮光膜がパターニングされている前記第１マスクの前記遮光膜が存在しない第１領域に対向する第２領域に前記遮光膜がパターニングされていない前記第２マスクと、
を含み、
前記第２マスクの少なくとも前記第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられた露光システム。
【請求項３】
基板を支持する支持台と、前記支持台の上側に設けられた複数のマスクと、前記複数のマスクを介して、前記基板に光を照射することが可能な光源と、を備え、前記複数のマスクは、遮光膜がパターニングされた第１マスクと、前記第１マスクの上側もしくは下側に設けられた第２マスクであり、前記遮光膜がパターニングされている前記第１マスクの前記遮光膜が存在しない第１領域に対向する第２領域に前記遮光膜がパターニングされていない前記第２マスクと、を含み、前記第２マスクの少なくとも前記第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられた露光システムによる露光方法であり、
（ａ）前記第１マスクを介して、前記基板に前記光を照射して前記基板の上にパターンを形成するステップと、
（ｂ）前記パターンの形状から、非線形成分に基づく第１ずれ成分と、光透過率に基づく第２ずれ成分と、を解析するステップと、
（ｃ）前記第２ずれ成分を低減させる修正値を算出するステップと、
（ｄ）前記第１ずれ成分を低減させる修正値を算出するステップと、
（ｅ）前記第２ずれ成分を低減させる修正値を用いて、前記第２マスクによって前記第２ずれ成分を補正するステップと、
（ｆ）前記第１ずれ成分を低減させる修正値を用いて、前記第１マスクによって前記第１ずれ成分を補正するステップと、
を備えた露光方法。
【請求項４】
前記（ｆ）ステップでは、前記第１マスクに前記複数の第１レーザ照射痕を形成することにより、前記第１マスクに基づく非線形成分のずれを低減させる請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記（ｅ）ステップでは、前記複数の第２レーザ照射痕を形成し前記第２マスクの前記光の透過率を調整する請求項３または４に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、露光システムおよび露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ技術では、一般的に露光システムが用いられる。露光システムの光学系は、露光のための光源と光源から供給された光を所望の照明光にする照明光学系と、ウェーハ上にパターン情報を供給するために遮光膜がパターニングされたマスクと、パターン情報を縮小するための投影レンズと、ウェーハを保持、移動するためのステージで構成されている。マスクを透過した光は、例えば、投影レンズを通り、半導体ウェーハ等の基板に結像される。
【０００３】
しかし、基板に形成するパターンの微細化に伴って、基板に形成されるパターンの寸法ばらつき、位置合わせのずれが問題になっており、特に位置合わせずれに関してはマスクの歪み成分等に基づくマスクの非線形成分が問題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−０９８２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、より高精度にパターンを基板に形成することが可能な露光システムおよび露光方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の露光システムは、基板を支持する支持台と、前記支持台の上側に設けられた複数のマスクと、前記複数のマスクを介して、前記基板に光を照射することが可能な光源と、を備え、前記複数のマスクは、遮光膜がパターニングされた第１マスクと、前記第１マスクの上側もしくは下側に設けられた第２マスクであり、前記遮光膜がパターニングされている前記第１マスクの前記遮光膜が存在しない第１領域に対向する第２領域に前記遮光膜がパターニングされていない前記第２マスクと、を含み、前記第２マスクの少なくとも前記第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本実施形態に係る露光システムを表す模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）は、本実施形態に係る露光システムのマスクの一部を模式的に表す模式的断面図であり、図２（ｂ）は、本実施形態に係る露光システムの制御部を表す模式図である。
【図３】図３は、参考例に係る露光システムを表す模式的断面図である。
【図４】図４（ａ）は、ショット内の寸法ばらつきを表す図であり、図４（ｂ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれを表す図である。
【図５】図５は、参考例に係るマスクの別の例を表す模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）は、ショット内の寸法ばらつきの補正後の様子を表す図であり、図６（ｂ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正の様子を表す図であり、図６（ｃ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正後の様子を表す図である。
【図７】図７は、本実施形態に係る露光方法を表すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００９】
図１は、本実施形態に係る露光システムを表す模式的断面図である。  
図１に表すように、本実施形態に係る露光システム１は、支持台１０と、複数のマスク（例えば、第１マスク２０、第２マスク３０）と、光源４０と、を備える。露光システム１は、このほか、照明光学系（例えば、集光レンズ（コンデンサレンズ））５０と、投影レンズ（プロジェクションレンズ）６０と、制御部８０と、を備える。
実施形態の露光システム１は、露光のための光源４０と光源４０から供給された光７０を所望の照明光にする照明光学系５０と、照明光学系５０と投影レンズ６０の間に複数のマスク２０，３０と、パターン情報を縮小するための投影レンズ６０と、基板１１を支持する、移動するための支持台１０と、を備える。
複数のマスク２０、３０は、遮光膜がパターニングされた第１マスク２０と、第１マスク２０の近傍及び、光軸上に設けられ、露光光の透過率をコントロールする少なくとも１つ以上の第２マスク３０であり、遮光膜がパターニングされていない第１マスクの第１領域に対向する第２マスク３０の第２領域には、複数のレーザ照射痕が設けられている。
【００１０】
基板１１は、支持台１０に支持される。支持台１０の移動は、制御部８０に接続されたウェーハステージ駆動系８２によって制御されている。基板１１は、半導体ウェーハ等である。第１マスク２０は、ここでは図示していない支持台により、支持および移動することができる。支持台１０の上側に設けられている。第１マスク２０は、フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトマスク（レチクル）である。
また、第２マスク３０は、一例として、第１マスク２０の上側に設けられている。第２マスク３０は、第１マスク２０の下側に設けられてもよい。光源４０は、複数のマスク（例えば、第２マスク３０、第１マスク２０等）を介して、基板１１に光７０を照射することができる。光７０は、例えば、ＡｒＦ光、ＫｒＦ光、もしくはｉ線等である。光７０の波長は、１００ｎｍ〜４００ｎｍである。
【００１１】
露光システム１では、光源４０から発せされた光７０を照明光学系５０により所望の照明にし、第２マスク３０に供給される。第２マスク３０を透過した光７０は、第１マスク２０を介して、投影レンズ６０に供給される。第１マスク２０には、パターニングされた遮光膜が形成されており、遮光膜によって遮られない光７０が投影レンズ６０に達する。さらに、投影レンズ６０を通過した光７０は、基板１１の表面に結像される。第１マスク２０は、パターン情報を伝達する役目がある。
【００１２】
第２マスク３０は、第１マスク２０と同期して基板１１の上側で走査させることができる。例えば、露光システム１のなかの第１マスク２０および第２マスク３０のユニットは、露光中において一組になって図中の矢印の方向（Ｘ方向もしくはＹ方向）に走査させることができる。また、それと連動して支持台１０をＸ方向、Ｙ方向に走査させる。走査の制御は、制御部８０によって自動的に行われている。
【００１３】
また、光源４０については、必ずしも照明光学系５０の上方に配置する必要はない。すなわち、光源４０から発せられる光７０が光学系ユニット（図示しない）等を用いて適宜、照明光学系５０内に供給されればよい。
【００１４】
図２（ａ）は、本実施形態に係る露光システムのマスクの一部を模式的に表す模式的断面図であり、図２（ｂ）は、本実施形態に係る露光システムの制御部を表す模式図である。
【００１５】
図２（ａ）に表される第１マスク２０の透光性基板２２の表面２２ｓｓには、遮光膜２１がパターニングされている。遮光膜２１は、例えば、クロム（Ｃｒ）等の金属を含む膜である。また、第１マスク２０の透光性基板２２には、複数のレーザ照射痕２０ａが設けられていることもある。
【００１６】
第１マスク２０では、遮光膜２１が設けられたことにより、遮光膜２１が設けられてない第１マスク２０の領域２５において光７０が選択的に透過する。選択的に透過した光７０は、投影レンズ６０を介して基板１１にまで到達する。第１マスク２０の透光性基板２２の組成は、例えば、石英、ガラス等を含む。なお、第１マスク２０は、位相シフトマスクでもよい。
【００１７】
図２（ａ）に表される第２マスク３０においては、その第２領域３５または第２マスク３０の全域に、遮光膜２１がパターニングされていない。つまり、少なくとも第２領域３５には、遮光膜２１がパターニングされていない。第２領域３５は、遮光膜２１がパターニングされていない第１マスク２０の第１領域２５に対向している。第２マスク３０は、透光性基板である。第２マスク３０の組成は、石英、ガラス等である。第２マスク３０の少なくとも第２領域３５には、複数のレーザ照射痕３０ａが設けられることもある。レーザ照射痕３０ａは、第２領域３５に限らず、第２マスク３０の全域に設けてもよい。あるいは、レーザ照射痕３０ａは、第２マスク３０の一部に設けてもよい。
【００１８】
例えば、透光性基板２２の組成が石英である場合は、レーザ照射痕２０ａは石英の結晶性を破壊したものである。あるいは、透光性基板２２の組成がガラスである場合は、レーザ照射痕２０ａは、結晶性を上げたガラスあるいは結晶、または、結晶性を破壊したものである。あるいは、レーザ照射痕２０ａは、透光性基板２２を構成する基材の密度を変えたクラックであってもよい。
【００１９】
第２マスク３０の組成が石英である場合は、レーザ照射痕３０ａは石英の結晶性を破壊したものである。あるいは、第２マスク３０の組成がガラスである場合は、レーザ照射痕３０ａは、結晶性を上げたガラスあるいは結晶、または、結晶性を破壊したものである。あるいは、レーザ照射痕３０ａは、構成する基材の密度を変えたクラックでもよい。
【００２０】
すなわち、透光性基板２２において、同じ透過領域（第１領域２５）においても、レーザ照射痕２０ａの有り無しにより、構造、物性値（例えば、線膨張係数等）が異なっている。構造の相違には、このほか、線膨張係数、結晶構造、密度、屈折率、化学量論比等の相違が含まれる。レーザ照射痕２０ａは、例えば、フェムト秒レーザ光を照射することにより、所望の位置に形成される。
【００２１】
また、第２マスク３０において、レーザ照射痕３０ａの有り無しにより、構造、物性値（例えば、透過率等）が異なっている。構造の相違には、このほか、線膨張係数、結晶構造、密度、屈折率、化学量論比等の相違が含まれる。レーザ照射痕３０ａは、例えば、フェムト秒レーザ光を照射することにより、所望の位置に形成される。
【００２２】
フェムト秒レーザは、短時間に高エネルギーを圧縮して発振を行うことができる。フェムト秒レーザ光が透光性基板に照射されると、レーザ光の焦点とその付近で、照射される前と構造、物性値等が変化する。例えば、レーザ光の焦点とその付近での相、密度、屈折率等が変わる。
【００２３】
このように、露光システム１では、照明光学系５０と投影レンズ６０との間において、露光の光軸に対して垂直方向（Ｚ方向）に、レーザ照射痕を含む複数のマスクが設置されている。
【００２４】
また、図２（ｂ）に表される制御部８０は、例えば、制御用のデータ等を記憶する記憶部８０ａおよびそのデータ等を演算、判断する演算部８０ｂを含む。また、レーザ照射痕については、ピクセル痕と呼称してもよい。
【００２５】
本実施形態の作用効果を説明する前に、参考例に係る露光システムの作用について説明する。参考例に係る露光システム、および参考例に係る露光システムを用いた実施形態も本実施形態に含まれる。
【００２６】
図３は、参考例に係る露光システムを表す模式的断面図である。  
図３に表す露光システム１００では、光源４０の表示が省略されている。参考例に係る露光システム１００の構成は、第２マスク３０が設けられていない以外は、露光システム１と同じである。また、この段階では、露光システム１００の第１マスク２０には、上述したレーザ照射痕２０ａが形成されていないとする。
【００２７】
露光では、基板１１の表面に形成するパターン（例えば、回路パターン）の微細化に伴って、１ショット内の寸法ばらつき、第１マスク２０による非線形成分の合わせずれがより顕著になる。ショットとは、基板１１上で、マスクを介して光が照射された領域である。
【００２８】
１ショット内の寸法ばらつきは、例えば、第１マスク２０の透過率が目的とする透過率と微妙にずれていることから生じる。すなわち、第１マスク２０を透過する光量が目的値よりずれると、基板１１上に形成されるパターンがばらついてしまう。例えば、光量の調整ずれによってレジストパターンの線幅がばらついてしまう。
【００２９】
また、第１マスク２０による非線形成分の合わせずれとは、例えば、第１マスク２０の歪み、撓みにより、露光装置で補正しきれない成分を意味する。
【００３０】
図４（ａ）は、ショット内の寸法ばらつきを表す図であり、図４（ｂ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれを表す図である。  
図４（ａ）には、１ショットあたりのショット内の寸法ばらつきの面内分布の様子が等高線で模式的に表されている。等高線の間隔が疎になるほど、寸法ばらつきが小さいことを意味する。図４（ａ）では、等高線の間隔が密になっている部分があり、露光システム１００では寸法ばらつきが生じていることが判る。
【００３１】
一方、図４（ｂ）には、マスクによる非線形成分の合わせずれがベクトルで表されている。ベクトルの長さが短く、それぞれのベクトルが同じ方向（例えば、Ｘ方向もしくはＹ方向）に揃うほど、非線形成分による合わせずれが小さくなる。しかし、図４（ｂ）から、露光システム１００では、局部的に非線形成分の合わせずれがあることが判る。
【００３２】
このようなショット内の寸法ばらつき、非線形成分により合わせずれを抑制するために、参考例では、以下の方策が施されている。
【００３３】
図５は、参考例に係るマスクの別の例を表す模式的断面図である。  
例えば、ショット内の寸法ばらつきは、複数のレーザ照射痕２０ｂを透光性基板２２に形成することにより抑制される。すなわち、透光性基板２２の結晶性を透光性基板２２の内部の所々で変えることにより、第１マスク２０の光透過率が所望の値に調整される。
【００３４】
また、合わせずれについても、複数のレーザ照射痕２０ａを透光性基板２２に形成することにより抑制される。複数のレーザ照射痕２０ａを透光性基板２２に形成することにより、第１マスク２０による局部的な非線形成分が補正される。
【００３５】
例えば、透光性基板２２に複数のレーザ照射痕２０ａを形成することにより、透光性基板２２の伸縮率が局部的に調整される。これにより、第１マスク２０による局部的な非線形成分のずれが補正される。
【００３６】
線形成分による合わせずれは、ショットの縦横の倍率調整で容易に補正が可能である。しかし、非線形成分による合わせずれの補正は線形成分による合わせずれの補正に比べて難しい。そこで、透光性基板２２に複数のレーザ照射痕２０ａを形成することにより非線形成分による合わせずれの補正を行っている。
【００３７】
なお、複数のレーザ照射痕２０ａ、２０ｂは、上述したように、フェムト秒レーザ光を透光性基板２２に照射することにより形成される。
【００３８】
図６（ａ）は、ショット内の寸法ばらつきの補正後の様子を表す図であり、図６（ｂ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正の様子を表す図であり、図６（ｃ）は、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正後の様子を表す図である。
【００３９】
図６（ａ）には、１ショットあたりのショット内の寸法ばらつきの面内分布の様子が等高線で模式的に表されている。図６（ａ）に表されるように、補正後のショット内の寸法ばらつきは、図４（ａ）に比べて減少していることが判る。また、図４（ｂ）の合わせずれに基づいて、図６（ｂ）のように補正を行う。すると、図６（ｃ）のように非線形成分が減少して、合わせずれがＸ方向に揃い、線形性になっていることが判る。この後は、ショットの縦横の倍率調整で容易に光学的な補正が可能になる。
【００４０】
しかし、参考例では、レーザ照射痕２０ｂと、レーザ照射痕２０ａと、を同じ透光性基板２２に形成している。このため、ショット内の寸法ばらつきの補正およびマスクによる非線形成分の合わせずれの補正のそれぞれが互いに干渉する場合がある。この干渉は、パターンの微細化が進むほど顕著になる。
【００４１】
例えば、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正の後に、ショット内の寸法ばらつきの補正をする際には、レーザ照射痕２０ｂを形成する際に、既にレーザ照射痕２０ａが透光性基板２２に形成されている。レーザ照射痕２０ｂの結晶性および大きさと、レーザ照射痕２０ａの結晶性および大きさと、が近似している場合には、ショット内の寸法ばらつきの補正では、レーザ照射痕２０ｂとレーザ照射痕２０ａとの判別がつかず、レーザ照射痕２０ａはレーザ照射痕２０ｂの影響を受けてしまう。つまり、参考例では、補正作業もずれの起因になっている。
【００４２】
これに対し、本実施形態の露光システム１は、マスクとして、第１マスク２０と、第２マスク３０と、を備えている。そして、以下の手順で補正を行っている。
【００４３】
図７は、本実施形態に係る露光方法を表すフロー図である。  
図７に表す露光方法は、露光システム１を用いた露光方法である。
【００４４】
まず、第１マスク２０を介して基板１１に光７０を照射してパターンが形成される（ステップＳ１０）。
次に、基板１１上に形成されたパターンの寸法測定及び合わせズレ測定を、図示されていない寸法測定システム及び合わせズレ測定器で測定し、データを解析する。これらのデータを使用して、寸法ばらつき成分（第２ずれ成分）と合わせずれ成分（第１ずれ成分）とが解析される（ステップＳ２０）。すなわち、補正を行う前に補正用のデータが計測される。
【００４５】
上記ずれ成分のなかで、非線形成分に基づく第１ずれ成分と、光透過率に基づく第２ずれ成分と、が自動的に解析される。第１ずれ成分と、第２ずれ成分と、は補正をすべき値そのものである。第１ずれ成分と、第２ずれ成分と、は、前記図示されていない寸法測定のシステム及び合わせズレ測定器で、予めデータを取得し、当該データをコンピュータ等の装置で解析して求められる。第１ずれ成分と光透過率との関係、および第２ずれ成分と合わせずれとの関係は、予め実験、シミュレーションによって求められ、そのデータ、はコンピュータ等の装置に格納されている。
【００４６】
次に、寸法ばらつき成分（第２ずれ成分）を低減するための修正値が算出される（ステップＳ３０）。
次に、合わせずれ成分（第１ずれ成分）を低減するための修正値が算出される（ステップＳ４０）。
次に、第２ずれ成分を低減させる修正値を用いて、第２マスク３０によって第２ずれ成分が補正される（ステップＳ５０）。すなわち、複数のレーザ照射痕３０ａを形成し第２マスク３０の第２領域３５の光の透過率を調整することにより、第２ずれ成分が低減する。つまり、第２マスク３０の第２領域３５に、複数のレーザ照射痕３０ａを形成することにより、第２ずれ成分を低減する第２の補正が行われる。
次に、第１ずれ成分を低減させる修正値を用いて、第１マスク２０によって第１ずれ成分が補正される（ステップＳ６０）すなわち、第１マスク２０に複数のレーザ照射痕２０ａを形成することにより、第１ずれ成分を低減する第１の補正が行われる。すなわち、第１マスクに複数のレーザ照射痕２０ａを形成することにより、第１マスクに基づく非線形成分のずれが低減する。
【００４７】
なお、複数のレーザ照射痕３０ａと光透過率補正との関係、および複数のレーザ照射痕２０ａと合わせずれ補正との関係は、予め実験、シミュレーションによって求められ、そのデータ、はコンピュータ等の装置に格納されている。
次に、露光がされて、それぞれの修正値に問題があるかないかを確認、判断する。例えば、修正値が規定値内か否かが判断される（ステップＳ７０）。規定値外の場合は、再度、修正が施される。規定値内であり問題がない場合は、実際に露光が行われる（ステップＳ８０）。
【００４８】
本実施形態では、第２マスク３０は、第１マスク２０に供給する光のエネルギー量を制御するために使用する。具体的には、第２マスク３０にレーザ照射痕３０ａを作成し、第２マスク３０において、光透過率が部分的に制御されている。光透過率が補正された光７０は、第１マスク２０に供給される。第１マスク２０では、マスクの非線形成分による合わせずれが抑制される。具体的には、透光性基板２２にレーザ照射痕２０ａを作成して、局部的な非線形成分のずれが補正されている。
【００４９】
このような方法によれば、ショット内の寸法ばらつきの補正と、マスクによる非線形成分による合わせずれの補正と、をそれぞれ別のマスクで実施することができる。その結果、ショット内の寸法ばらつきの補正と、マスクによる非線形成分の合わせずれの補正と、が互いに干渉しないことになる。従って、基板１１に形成するパターンの微細化が進んでも、その都度、基板１１上に高精度に所望のパターンを形成することができる。
【００５０】
なお、レーザ照射痕は、外部のレーザ照射手段によって形成される。第１マスク２０および第２マスク３０のそれぞれに形成すべきレーザ照射痕の数、大きさ、ピッチ、分布等は、予めデータが解析用データ測定器で取得され、当該データをコンピュータ等の装置で解析して求められている。この計算に基づき、第１マスク２０および第２マスク３０のそれぞれに所望のレーザ照射痕が形成される。
【００５１】
例えば、予め実験データもしくはシミュレーションによって、第１マスク２０および第２マスク３０のそれぞれに形成すべきレーザ照射痕の数、大きさ、ピッチ、分布等を求めておく。次いで、レーザ照射痕の形成を、露光システム１外に設けられた図示されていないレーザ照射手段に依ってもよい。
【００５２】
また、ステップＳ３０とステップＳ４０との順序を入れ替えても同じ作用効果がえられる。また、ステップＳ５０とステップＳ６０との順序を入れ替えても同じ作用効果がえられる。
【００５３】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００５４】
また、「部位Ａは部位Ｂの上に設けられている」という場合の「の上に」とは、部位Ａが部位Ｂに接触して、部位Ａが部位Ｂの上に設けられている場合と、部位Ａが部位Ｂに接触せず、部位Ａが部位Ｂの上方に設けられている場合との意味で用いられている。
【００５５】
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
【００５６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５７】
１、１００  露光システム、  １０  支持台、  １１  基板、  ２０  第１マスク、  ２０ａ、２０ｂ、３０ａ  レーザ照射痕、  ２１  遮光膜、  ２２  透光性基板、  ２２ｓｓ  表面、  ２５  第１領域、  ３０  第２マスク、  ３５  第２領域、  ４０  光源、  ５０  照明光学系、  ６０  投影レンズ、  ７０  光、  ８０  制御部、  ８０ａ  記憶部、  ８０ｂ  演算部、  ８２  ウェーハステージ駆動系
【図１】
2014187076.tif 000003
【図２】
2014187076.tif 000004
【図３】
2014187076.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014187076.tif 000007
【図７】
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【図６】
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