(57)【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】電極１１４は集積回路１１２に電気的に接続されている。半導体基板１１０の電極１１４が形成された面に、電極１１４を避けて樹脂層１１８が形成されている。配線１２２は、電極１１４に電気的に接続されており、樹脂層１１８の側面１２１と上面１２０の境目に形成された第１の部分１５０と、第１の部分１５０に接続されて樹脂層１１８の上面１２０に形成された第２の部分１５２と、を有する。第１の部分１５０は第２の部分１５２よりも広い幅で形成されている。外部端子１２４が配線１２２に電気的に接続されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続されており、前記樹脂層の側面と上面の境目に形成された第１の部分と、前記第１の部分に接続されて前記樹脂層の前記上面に形成された第２の部分と、を有し、前記第１の部分は前記第２の部分よりも広い幅で形成されてなる配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
を有する半導体装置。
【請求項２】
集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続された配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体基板に形成され、前記配線の少なくとも一部を覆うレジスト層と、
を有し、
前記レジスト層の底面は、角を有しない平面形状になっている半導体装置。
【請求項３】
集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
複数の外部端子と、
を有し、
前記外部端子のうち、少なくとも１つの外部端子は、前記電極と電気的に接続されずに設けられ、前記少なくとも１つの外部端子を除いた外部端子は、配線によって前記電極に電気的に接続されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記外部端子と前記半導体基板との間に形成されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップである半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体ウエハであって、複数の前記集積回路を有する半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項８】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、回路基板及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパッケージとして、ＣＳＰ（チップスケール／サイズパッケージ）の普及率が高まってきている。また、パッケージをウエハレベルで製造する技術（ウエハレベルパッケージ）が開発されている。この方法で製造されたパッケージ（例えばウエハレベルＣＳＰ）は、外部寸法が半導体チップ寸法になっているため、従来のパッケージとは構造が異なっているが、従来のパッケージと同等又はそれ以上の信頼性が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−５７２５１号公報
【特許文献２】特開２０００−２１６２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置、回路基板及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）参考例に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極を覆って形成され、前記電極よりも腐食しにくい材料で形成された配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
を有する。これによれば、電極が、電極よりも腐食しにくい配線によって覆われているので、電極の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。
【０００６】
（２）参考例に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された複数の電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
外部端子と、
を有し、
前記電極のうち、少なくとも１つの電極は、前記外部端子と電気的に接続されずに前記電極よりも腐食しにくい材料で形成された金属膜によって覆われ、前記少なくとも１つの電極を除く電極は、配線によって前記外部端子と電気的に接続されてなる。これによれば、外部端子と電気的に接続されない少なくとも１つの電極が、電極よりも腐食しにくい金属膜によって覆われているので、電極の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。
【０００７】
（３）参考例に係る半導体装置は、集積回路と、前記集積回路に電気的に接続された電極と、前記電極と同じ材料で形成されたマークと、を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続された配線と、
前記電極よりも腐食しにくい材料で前記マークを覆って形成された金属膜と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
を有する。これによれば、電極と同じ材料で形成されたマークが、電極よりも腐食しにくい金属膜によって覆われているので、マークの腐食を防止することができる。
【０００８】
（４）参考例に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に前記電極を避けて形成され、上面が角を有しない平面形状になっている樹脂層と、
前記電極から前記樹脂層の前記上面に至るように形成された配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
を有する。これによれば、樹脂層の上面が角を有しない平面形状になっているので、樹脂層が収縮してもその上面の端部に突起が形成されない。一方、上面が角を有する平面形状であれば、樹脂層が収縮するとその上面の角付近に突起が形成される。
【０００９】
（５）本発明に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続されており、前記樹脂層の側面と上面の境目に形成された第１の部分と、前記第１の部分に接続されて前記樹脂層の前記上面に形成された第２の部分と、を有し、前記第１の部分は前記第２の部分よりも広い幅で形成されてなる配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
を有する。
【００１０】
本発明によれば、第１の部分は、樹脂層の側面と上面の境目に形成されて他の部分よりも断線しやすいとしても、第２の部分よりも広い幅で形成されているので、断線が抑えられる。
【００１１】
（６）本発明に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記電極に電気的に接続された配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体基板に形成され、前記配線の少なくとも一部を覆うレジスト層と、
を有し、
前記レジスト層の底面は、角を有しない平面形状になっている。
【００１２】
本発明によれば、レジスト層は、底面が角を有しない平面形状になっているので、剥離が生じにくくなっている。
【００１３】
（７）本発明に係る半導体装置は、集積回路と前記集積回路に電気的に接続された電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
複数の外部端子と、
を有し、
前記外部端子のうち、少なくとも１つの外部端子は、前記電極と電気的に接続されずに設けられ、前記少なくとも１つの外部端子を除いた外部端子は、配線によって前記電極に電気的に接続されてなる。
【００１４】
本発明によれば、外部端子の数が増えるので、外部端子に生じる応力を分散することが
でき、回路基板に実装された後の信頼性が向上する。
【００１５】
（８）この半導体装置において、
前記樹脂層は、前記外部端子と前記半導体基板との間に形成されていてもよい。
【００１６】
（９）この半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップであってもよい。
【００１７】
（１０）この半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体ウエハであって、複数の前記集積回路を有していてもよい。
【００１８】
（１１）本発明に係る回路基板は、上記半導体装置が実装されてなる。
【００１９】
（１２）本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【００２０】
（１３）参考例に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の集積回路に電気的に接続された電極が形成された面に、前記電極を避けて、上面が角を有しない平面形状になるように樹脂層を形成し、
前記電極から前記樹脂層の前記上面に至るように配線を形成し、
外部端子を、前記配線に電気的に接続して形成することを含む。これによれば、樹脂層をその上面が角を有しない平面形状になるように形成するので、樹脂層が収縮してもその上面の端部に突起が形成されない。一方、上面が角を有する平面形状であれば、樹脂層が収縮するとその上面の角付近に突起が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の一部を除外した平面図である。
【図３】図３は、図２に示す半導体装置の一部拡大図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の一部を除外した平面図である。
【図７】図７は、図６に示す半導体装置の一部拡大図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の一部（レジスト層３０及び被覆層３２）を取り除いた平面図であり、図３は、図２の一点鎖線で示す部分の一部拡大図である。
【００２４】
半導体装置は、半導体基板１０を有する。半導体基板１０は、半導体チップであってもよいし、半導体ウエハであってもよい。半導体基板１０には、１つ又は複数の集積回路１２が形成されている。半導体チップには、１つの集積回路１２が形成され、半導体ウエハには、複数の集積回路１２が形成されている。半導体基板１０には、１つの集積回路１２に電気的に接続された複数の電極（例えばパッド）１４が形成されている。電極１４は、例えばＡｌで形成されている。電極１４を避けて、半導体基板１０の表面（電極１４が形成された面）には、パッシベーション膜１６が形成されている。パッシベーション膜１６は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯなどから形成されている。
【００２５】
半導体基板１０の電極１４が形成された面（例えばパッシベーション膜１６上）には、少なくとも１層からなる樹脂層１８が形成されている。樹脂層１８は、電極１４を避けて形成されている。樹脂層１８は、上面２０よりもその反対面（底面）が大きくなるように、側面が傾斜していてもよい。樹脂層１８は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層１８は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。樹脂層１８は、半導体基板１０と外部端子２４との間に形成されていてもよい。
【００２６】
図２に示すように、樹脂層１８の上面２０は、角を有しない平面形状（例えば、四角形の角を丸くした形状）になっている。したがって、樹脂層１８が収縮してもその上面２０の端部に突起が形成されない。なお、樹脂層１８を、上面が角を有する平面形状に形成した場合、樹脂層１８が収縮するとその上面の角付近に樹脂が集中して突起が形成される。
【００２７】
半導体装置は、１つ又は複数の配線２２を有する。各配線２２は、１層又は複数層で形成されている。配線２２は、１つ又は１グループの電極１４に電気的に接続されている。本実施の形態では、配線２２は、１つ又は１グループの電極１４を覆っている。配線２２は、電極１４の露出面（パッシベーション膜１６からの露出面）の全てを覆っていてもよい。配線２２は、電極１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。配線２２が複数層で形成されている場合、少なくとも１層を、電極１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。こうすることで、電極１４の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。
【００２８】
配線２２は、電極１４から樹脂層１８の上面２０に至るように形成されている。配線２２は、樹脂層１８の傾斜した側面にも形成される。上述したように、上面２０が角を有しない平面形状であり、樹脂層１８の上面２０の端部に突起が形成されないので、樹脂層１８の上面２０の端部を通る配線２２が滑らかな形状になってその断線が防止される。また、配線２２を形成するときにメッキを行う場合、樹脂層１８に突起が形成されるとレジストの付きが悪いので、突起にメッキがされてしまい、配線２２がショートすることが考えられるが、本実施の形態ではそれが防止される。
【００２９】
配線２２は、樹脂層１８の上面２０では、真っ直ぐに形成してもよいし、屈曲していてもよい。配線２２の屈曲部２３を、角を有しないように丸く形成することで断線が防止される。
【００３０】
半導体装置は、複数の外部端子２４を有する。外部端子２４は、配線２２に電気的に接続されている。外部端子２４は、配線２２のランド２６上に形成されていてもよい。外部端子２４は、導電性を有する金属（例えば合金）であって、溶融させて電気的な接続を図るためのもの（例えばハンダ）である。外部端子２４は、軟ろう（soft solder）又は硬ろう（hard solder）のいずれで形成されてもよい。外部端子２４は、球状をなしていてもよく、例えばハンダボールであってもよい。
【００３１】
少なくとも１つの電極（例えば検査用の電極）１４は、外部端子２４と電気的に接続されずに、金属膜２８によって覆われている。金属膜２８は、電極１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。こうすることで、電極１４の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。金属膜２８は、配線２２と同じ材料で形成してもよい。金属膜２８を構成する材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）は、電極１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりもレジスト層３０との密着性が高くてもよい。
【００３２】
半導体基板１０にはレジスト層３０が形成されている。レジスト層３０は、配線２２の少なくとも一部を覆っている。配線２２の、外部端子２４が設けられた部分を除いた部分を全てレジスト層３０で覆うことで、配線２２の酸化、腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。レジスト層３０は、配線２２のランド２６の少なくとも中央部を除いて形成されていてもよい。レジスト層３０は、ランド２６の周縁部を覆っていてもよい。また、レジスト層３０は、ランド２６から引き出されたライン２７を全て覆い、ライン２７とランド２６との接続部２９を覆っていてもよい。こうすることで、ライン２７とランド２６との接続部２９の断線を防止することができる。なお、ライン２７とランド２６との接続部２９を、ライン２７よりも広い幅を有するように形成してもよい。
【００３３】
レジスト層３０の底面（例えば半導体基板１０との密着面）は、角を有しない形状になっていてもよい。こうすることで、半導体基板１０のダイシング時のチッピングの影響を受けたり、応力が生じたりしても、レジスト層３０が半導体基板１０から剥離しにくくなる。レジスト層３０上には、被覆層３２を形成してもよい。被覆層３２は、外部端子２４の根本部（下端部）も覆っている。被覆層３２は、レジスト層３０上に形成された部分と、この部分から立ち上がって外部端子２４の根本部を覆う部分と、を有する。被覆層３２によって外部端子２４の少なくとも根本部が補強される。半導体装置が回路基板に実装された後に、被覆層３２によって外部端子２４への応力の集中を分散させることができる。
【００３４】
半導体基板１０が半導体チップである場合、半導体装置は、そのパッケージサイズが半導体チップにほぼ等しいので、ＣＳＰに分類することができ、あるいは、応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。
【００３５】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述したように構成されており、以下その製造方法を説明する。本実施の形態では、半導体基板１０の集積回路１２に電気的に接続された電極１４が形成された面に、電極１４を避けて、上面２０が角を有しない平面形状になるように樹脂層１８を形成する。電極１４から樹脂層１８の上面２０に至るように配線２２を形成する。外部端子２４を、配線２２に電気的に接続して形成する。半導体基板１０が半導体ウエハである場合、図４に示すように、半導体基板１０を、集積回路１２ごとに、例えばブレード４０によって切断する。半導体基板１０を切断して複数の半導体装置が得られる。これによれば、ウエハ単位でパッケージングがなされる。
【００３６】
本実施の形態では、樹脂層１８をその上面２０が角を有しない平面形状になるように形成する。上面２０が角を有する平面形状であれば、樹脂層１８が収縮するとその上面２０の角付近に突起が形成されるが、本実施の形態では、上面２０が角を有しないので、樹脂層１８が収縮しても上面２０の端部に突起が形成されない。その他の点につき、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法には、上述した半導体装置について説明した内容が該当する。
【００３７】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す断面図である。図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の一部（レジスト層１３０）を取り除いた平面図であり、図７は、図６の一点鎖線で示す部分の一部拡大図である。
【００３８】
半導体装置は、半導体基板１１０を有する。半導体基板１１０は、半導体チップであってもよいし、半導体ウエハであってもよい。半導体基板１１０には、１つ又は複数の集積回路１１２が形成されている。半導体チップには、１つの集積回路１１２が形成され、半導体ウエハには、複数の集積回路１１２が形成されている。半導体基板１１０には、１つの集積回路１１２に電気的に接続された複数の電極（例えばパッド）１１４が形成されている。電極１１４は、例えばＡｌで形成されている。電極１１４を避けて、半導体基板１１０の表面（電極１１４が形成された面）には、パッシベーション膜１１６が形成されている。パッシベーション膜１１６は、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＭｇＯなどから形成されている。
【００３９】
半導体基板１１０には、例えば電極１１４が形成された面にマーク１４０（図７参照）が形成されている。マーク１４０は、電極１１４と同様に、パッシベーション膜１１６から露出している。マーク１４０は、集積回路１１２に電気的に接続してもよいが、電気的に接続されなくてもよい。マーク１４０は、電極１１４と同じ材料（例えばＡｌ）で形成してもよい。マーク１４０は、半導体基板１１０のアライメントマーク（位置決めを行うためのマーク）であってもよい。
【００４０】
半導体基板１１０の電極１１４が形成された面（例えばパッシベーション膜１１６上）には、少なくとも１層からなる樹脂層１１８が形成されている。樹脂層１１８は、電極１１４を避けて形成されている。樹脂層１１８は、上面１２０よりもその反対面（底面）が大きくなるように、側面１２１が傾斜していてもよい。樹脂層１１８は、応力緩和機能を有してもよい。樹脂層１１８は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成することができる。樹脂層１１８は、半導体基板１１０と外部端子１２４との間に形成されていてもよい。
【００４１】
図７に示すように、樹脂層１１８の上面１２０は、角を有しない平面形状（例えば、四角形の角を丸くした形状）になっている。したがって、樹脂層１１８が収縮（例えば硬化収縮）してもその上面１２０の端部に突起が形成されない。なお、樹脂層１１８を、上面が角を有する平面形状に形成した場合、樹脂層１１８が収縮（例えば硬化収縮）するとその上面の角付近に樹脂が集中して突起が形成される。
【００４２】
半導体装置は、１つ又は複数の配線１２２を有する。各配線１２２は、１層又は複数層で形成されている。配線１２２は、１つ又は１グループの電極１１４に電気的に接続されている。本実施の形態では、配線１２２は、１つ又は１グループの電極１１４を覆っている。配線１２２は、電極１１４の露出面（パッシベーション膜１１６からの露出面）の全てを覆っていてもよい。配線１２２は、電極１１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。配線１２２が複数層で形成されている場合、少なくとも１層を、電極１１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。こうすることで、電極１１４の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。
【００４３】
配線１２２は、電極１１４から樹脂層１１８の上面１２０に至るように形成されている。配線１２２は、樹脂層１１８の傾斜した側面１２１にも形成される。上述したように、上面１２０が角を有しない平面形状であり、樹脂層１１８の上面１２０の端部に突起が形成されないので、樹脂層１１８の上面１２０の端部を通る配線１２２が滑らかな形状になってその断線が防止される。また、配線１２２を形成するときにメッキを行う場合、樹脂層１１８に突起が形成されるとレジストの付きが悪いので、突起にメッキがされてしまい、配線１２２がショートすることが考えられるが、本実施の形態ではそれが防止される。
【００４４】
配線１２２は、樹脂層１１８の上面１２０では、真っ直ぐに形成してもよいし、屈曲していてもよい。配線１２２の屈曲部１２３を、角を有しないように丸く形成することで断線が防止される。
【００４５】
図７に示すように、配線１２２は、樹脂層１１８の側面１２１と上面１２０の境目に形成された第１の部分１５０と、第１の部分１５０に接続されて樹脂層の上面１２０に形成された第２の部分１５２と、を有する。第１の部分１５０は第２の部分１５２よりも広い幅で形成されてなる。これによれば、第１の部分１５０は、樹脂層１１８の側面１２１と上面１２０の境目に形成されて他の部分よりも断線しやすいとしても、第２の部分１５２よりも広い幅で形成されているので、断線が抑えられる。
【００４６】
半導体装置は、複数の外部端子１２４，１２５を有する。外部端子１２４は、配線１２２に電気的に接続されている。外部端子１２４は、配線１２２のランド１２６上に形成されていてもよい。外部端子１２４は、導電性を有する金属（例えば合金）であって、溶融させて電気的な接続を図るためのもの（例えばハンダ）である。外部端子１２４は、軟ろう（soft solder）又は硬ろう（hard solder）のいずれで形成されてもよい。外部端子１２４は、球状をなしていてもよく、例えばハンダボールであってもよい。
【００４７】
少なくとも１つの外部端子１２５は、電極１１４と電気的に接続されずに設けられている。例えば、電極１１４に電気的に接続されないランド上に外部端子１２５を設けてもよい。外部端子１２５のそれ以外の内容は、外部端子１２４と同じ内容が該当する。外部端子１２４，１２５の配列をフルグリッド（Full Grid）にしてもよい。本実施の形態によれば、外部端子１２４に外部端子１２５を加えるので、その数が増え、外部端子１２４，１２５に生じる応力を分散することができ、回路基板に実装された後の信頼性が向上する。
【００４８】
少なくとも１つの電極（例えば検査用の電極）１１４は、外部端子１２４と電気的に接続されずに、金属膜１２８によって覆われている。金属膜１２８は、電極１１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。こうすることで、電極１１４の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。金属膜１２８は、配線１２２と同じ材料で形成してもよい。金属膜１２８を構成する材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）は、電極１１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりもレジスト層１３０との密着性が高くてもよい。
【００４９】
マーク１４０は、外部端子１２４と電気的に接続されずに、金属膜１４２によって覆われている。金属膜１４２は、電極１１４を構成する材料（例えばＡｌ）よりも腐食しにくい材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）で形成してもよい。こうすることで、マーク１４０の腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。金属膜１４２は、配線１２２と同じ材料で形成してもよい。金属膜１４２を構成する材料（例えば、Ｃｕ，ＴｉＷ，Ｃｒ）は、マーク１４０を構成する材料（例えばＡｌ）よりもレジスト層１３０との密着性が高くてもよい。
【００５０】
半導体基板１１０にはレジスト層１３０が形成されている。レジスト層１３０は、配線１２２の少なくとも一部を覆っている。配線１２２の、外部端子１２４が設けられた部分を除いた部分を全てレジスト層１３０で覆うことで、配線１２２の酸化、腐食を防止し、電気的不良を防止することができる。レジスト層１３０は、配線１２２のランド１２６の少なくとも中央部を除いて形成されていてもよい。レジスト層１３０は、ランド１２６の周縁部を覆っていてもよい。また、レジスト層１３０は、ランド１２６から引き出されたライン１２７を全て覆い、ライン１２７とランド１２６との接続部１２９を覆っていてもよい。こうすることで、ライン１２７とランド１２６との接続部１２９の断線を防止することができる。なお、ライン１２７とランド１２６との接続部１２９を、ライン１２７よりも広い幅を有するように形成してもよい。
【００５１】
レジスト層１３０の底面（例えば半導体基板１１０との密着面）は、角を有しない形状になっていてもよい。こうすることで、半導体基板１１０のダイシング時のチッピングの影響を受けたり、応力が生じたりしても、レジスト層１３０が半導体基板１１０から剥離しにくくなる。レジスト層１３０上には、被覆層（図示せず）を形成してもよい。被覆層は、外部端子１２４の根本部（下端部）も覆ってもよい。被覆層は、レジスト層１３０上に形成された部分と、この部分から立ち上がって外部端子１２４の根本部を覆う部分と、を有してもよい。被覆層によって外部端子１２４の少なくとも根本部を補強してもよい。半導体装置が回路基板に実装された後に、被覆層によって外部端子１２４への応力の集中を分散させることができる。
【００５２】
半導体基板１１０が半導体チップである場合、半導体装置は、そのパッケージサイズが半導体チップにほぼ等しいので、ＣＳＰに分類することができ、あるいは、応力緩和機能を備えるフリップチップであるということもできる。
【００５３】
本実施の形態に係る半導体装置は、上述したように構成されており、以下その製造方法を説明する。本実施の形態では、半導体基板１１０の集積回路１１２に電気的に接続された電極１１４が形成された面に、電極１１４を避けて、上面１２０が角を有しない平面形状になるように樹脂層１１８を形成する。電極１１４から樹脂層１１８の上面１２０に至るように配線１２２を形成する。外部端子１２４を、配線１２２に電気的に接続して形成する。半導体基板１１０が半導体ウエハである場合、半導体基板１１０を、集積回路１１２ごとに、例えばブレードによって切断する。半導体基板１１０を切断して複数の半導体装置が得られる。これによれば、ウエハ単位でパッケージングがなされる。
【００５４】
本実施の形態では、樹脂層１１８をその上面１２０が角を有しない平面形状になるように形成する。上面１２０が角を有する平面形状であれば、樹脂層１１８が収縮（例えば硬化収縮）するとその上面１２０の角付近に突起が形成されるが、本実施の形態では、上面１２０が角を有しないので、樹脂層１１８が収縮（例えば硬化収縮）しても上面１２０の端部に突起が形成されない。その他の点につき、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法には、上述した半導体装置について説明した内容が該当する。また、第２の実施の形態で説明した内容は、第１の実施の形態に適用することができる。
【００５５】
図８には、本発明の実施の形態に係る半導体装置１が実装された回路基板１０００が示されている。本発明の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器として、図９にはノート型パーソナルコンピュータ２０００が示され、図１０には携帯電話３０００が示されている。
【００５６】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００５７】
１０  半導体基板、  １２  集積回路、  １４  電極、  １８  樹脂層、  ２０  上面、  ２２  配線、  ２４  外部端子、  ２８  金属膜、  ３０  レジスト層、  １１０  半導体基板、  １１２  集積回路、  １１４  電極、  １１８  樹脂層、  １２０  上面、  １２１  側面、  １２２  配線、  １２４  外部端子、  １２５  外部端子、  １２８  金属膜、  １３０  レジスト層、  １４０  マーク、  １５０  第１の部分、  １５２  第２の部分。
【図１】
2014197710.tif 000003
【図２】
2014197710.tif 000004
【図３】
2014197710.tif 000005
【図４】
2014197710.tif 000006
【図５】
2014197710.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年8月1日(2014.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路と前記集積回路に電気的に接続された複数の電極とを有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記電極が形成された面に、前記電極を避けて形成された樹脂層と、
前記複数の電極のうち、少なくとも１つの電極上に形成された金属膜と、
前記複数の電極のうち、前記少なくとも１つの電極を除く電極に電気的に接続され、前記樹脂層上に形成された配線と、
前記配線に電気的に接続された外部端子と、
前記半導体基板に形成され、前記配線の、前記外部端子が設けられた部分を除いた部分、及び前記金属膜を覆うレジスト層と、
を有し、
前記少なくとも１つの電極は前記配線に電気的に接続されてなく、
前記レジスト層の底面は、角を有しない平面形状になっている半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記金属膜は、前記少なくとも１つの電極よりも腐食しにくい材料で形成されている半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の半導体装置において、
前記樹脂層は、前記外部端子と前記半導体基板との間に形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体チップである半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体基板は、半導体ウエハであって、複数の前記集積回路を有する半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置が実装されてなる回路基板。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置を有する電子機器。