(57)【要約】  処理領域に悪影響を与えずに、断熱領域をパージすることができる技術を提供する。  基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、を有する。
2017037937.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、
前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、
前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、を有する反応管。
【請求項２】
前記第１排気部は、スリット状の複数の開口で構成される請求項１記載の反応管。
【請求項３】
前記第２排気部の開口面積は前記第１排気部の複数の開口のうち１つの開口面積より大きい請求項２記載の反応管。
【請求項４】
前記第１排気部の開口総面積は前記第２排気部の開口面積より大きい請求項２記載の反応管。
【請求項５】
前記第１排気部および前記第２排気部に連通する排気バッファ室をさらに有する請求項１記載の反応管。
【請求項６】
前記第２排気部の横幅は前記排気バッファ室の横幅以下である請求項５記載の反応管。
【請求項７】
前記反応管の下端に形成されたフランジ部と、
前記フランジ部に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第３排気部と、をさらに有する請求項５記載の反応管。
【請求項８】
前記第２排気部の開口面積は前記第３排気部の開口面積よりも大きい請求項７記載の反応管。
【請求項９】
前記フランジ部上に形成され、前記排気バッファ室に連通される排気ポートを有し、
前記第３排気部は前記排気ポートに連通するよう構成された請求項７記載の反応管。
【請求項１０】
前記第２排気部は、少なくとも前記第２排気部の開口領域の一部が前記排気ポートの開口領域と高さ方向において重なる位置に形成される請求項９記載の反応管。
【請求項１１】
基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有する反応管と、
前記処理領域の前記基板に対して処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管の側壁に形成され、前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、
前記断熱領域にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記反応管の側壁であって、前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、を備える基板処理装置。
【請求項１２】
前記パージガス供給部は前記断熱領域の下方位置から上方に向けて前記パージガスを供給するよう構成される請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記反応管の下端に形成されたフランジ部に前記断熱領域の雰囲気を排気する第３排気部をさらに有する請求項１２記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記第２排気部の開口面積は前記第３排気部の開口面積よりも大きい請求項１３記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記断熱領域に配置される断熱体と、をさらに有し、
前記断熱体は上下に所定の間隔をあけて分割された構成であり、前記第２排気部は、少なくとも前記第２排気部の開口の一部が前記所定の間隔の一部と高さ方向において重なる位置に形成される請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記断熱領域に配置される断熱体と、
前記断熱体を取り囲む円筒部と、をさらに有し、
前記パージガス供給部は前記円筒部内に前記パージガスを供給する請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１７】
前記基板と前記断熱体との間に、前記処理領域を加熱するヒータを有する請求項１６記載の基板処理装置。
【請求項１８】
反応管内の基板を処理する処理領域に前記基板を搬入する工程と、
前記処理領域の前記基板に対し処理ガスを供給し、反応管の側壁に形成された第１排気部より前記処理領域の雰囲気を排気し、前記基板を処理する工程と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置する断熱領域にパージガスを供給し、前記反応管の側壁であって前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成された第２排気部より前記断熱領域の雰囲気を排気し、前記断熱領域をパージする工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置（デバイス）の製造工程における基板の熱処理では、例えば縦型基板処理装置が使用されている。縦型基板処理装置では所定枚数の基板を垂直方向に配列して基板保持具に保持し、基板保持具を処理室内に装入し、処理室外に設置された側部ヒータによって基板を加熱した状態で処理室内に処理ガスを導入して、基板に対して薄膜形成処理等が行われる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述のような縦型基板処理装置においては、断熱領域をパージするパージガスが基板を処理する処理領域に流れてしまい、処理ガスが希釈され、成膜の均一性に悪影響を及ぼしてしまうことがある。【０００４】
本発明は、処理領域に悪影響を与えずに、断熱領域をパージすることができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、
前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、
前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、を有する技術が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、処理領域に悪影響を与えずに、断熱領域をパージすることができる技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図２】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の制御部の構成を説明するためのブロック図である。
【図３】本発明の第２の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面図で示す図である。
【図５】本発明の第３の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の断熱部を斜視図で示す図である。
【図６】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の排気部（排気口）を斜視図で示す図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の縦型処理炉と比較例とにおける処理炉内の処理ガスのモル分率を示す説明図である。
【図８】本発明の第４の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の断熱部周辺を縦断面図で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本発明の一実施形態について、図１を用いて説明する。
【０００９】
図１に示すように、本実施形態において、基板処理装置は、ＩＣの製造方法における熱処理工程を実施する縦型熱処理装置（バッチ式縦型熱処理装置）１０として構成されている。
【００１０】
処理炉１２は第１加熱手段（加熱機構）としてのヒータユニット（以下、ヒータと称する）であるヒータ１４を有する。ヒータ１４は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース１６に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ１４は、後述するようにガスを熱で活性化（励起）させる活性化機構（励起部）としても機能する。
【００１１】
ヒータ１４の内側には、反応容器（処理容器）を構成する反応管１８が配設されている。反応管１８は、例えば石英（ＳｉＯ2）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管１８は、ヒータ１４と同心円状に配設されている。反応管１８の外壁には、供給バッファ室としてのガス供給空間２４Ａと排気バッファ室としてのガス排気空間２４Ｂが対面するように備えられており、反応管１８の外方に突出するように形成されている。ガス供給空間２４Ａは、反応管１８の外壁と仕切り部１８Ａにより構成される。ガス排気空間２４Ｂは、反応管１８の外壁と仕切り部１８Ｂとにより構成される。仕切り部１８Ａおよび仕切り部１８Ｂは反応管１８の側壁（内壁）の一部として構成される。仕切り部１８Ｂの下端には、外周側に突出したフランジ部１８Ｃが形成されている。反応管１８は、下端を金属製のマニホールド２２により支持されている。
【００１２】
反応管１８の筒中空部には、処理室２４が形成されている。処理室２４は、基板としてのウエハＷを後述するボート２６によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。処理室２４は後述する処理領域Ａと断熱領域Ｂとを含む。
【００１３】
ガス供給空間２４Ａ内には、ノズル２８が設けられている。ノズル２８は、例えば石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。ノズル２８には、ガス供給管３０ａが接続されている。ガス供給管３０ａには、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）３２ａおよび開閉弁であるバルブ３４ａが設けられている。ガス供給管３０ａのバルブ３４ａよりも下流側には、不活性ガスを供給するガス供給管３０ｂが接続されている。ガス供給管３０ｂには、上流方向から順に、ＭＦＣ３２ｂおよびバルブ３４ｂが設けられている。主に、ガス供給管３０ａ、ＭＦＣ３２ａ、バルブ３４ａにより、処理ガス供給系である処理ガス供給部が構成される。また、ガス供給管３０ｂ、ＭＦＣ３２ｂ、バルブ３４ｂにより、不活性ガス供給系である不活性ガス供給部が構成される。また、ガス供給管３０ｂ、ＭＦＣ３２ｂ、バルブ３４ｂを処理ガス供給部（処理ガス供給系）に含めて考えてもよい。
【００１４】
ノズル２８は、ガス供給空間２４Ａに、反応管１８の下部より上部に沿って、ウエハＷの配列方向上方に向かって立ち上がるように設けられている。すなわち、ノズル２８は、ウエハＷが配列されるウエハ配列領域の側方の、ウエハ配列領域を水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域に沿うように設けられている。ノズル２８は、Ｌ字型のロングノズルとして構成されており、その水平部はマニホールド２２の側壁を貫通するように設けられている。また、その垂直部は少なくともウエハ配列領域の一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。ノズル２８の側面には、ガスを供給するガス供給孔２８Ａが形成されている。ガス供給孔２８Ａは、反応管１８の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハＷに向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２８Ａは、反応管１８の下部から上部にわたって基板を処理する領域（ボート２６のウエハＷ載置領域、以下、処理領域Ａと記す。）に複数設けられている。ガス供給孔２８Ａは、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。
【００１５】
仕切り部１８Ａには、ガス供給孔２８Ａに対応するように横長スリット状のガス供給スリット３６Ａが仕切り部１８Ａの処理領域Ａの下部から上部にわたって複数設けられている。
【００１６】
図６に示すように、仕切り部１８Ｂには、第１排気部（第１排気口）としての横長スリット状のガス排気スリット３６Ｂが仕切り部１８Ｂの処理領域Ａの下部から上部にわたって複数設けられている。ガス排気スリット３６Ｂは、ガス排気空間２４Ｂとほぼ同一幅の複数列の開口で構成され、処理領域Ａに高さ方向に重なる位置に設けられている。また、ガス排気スリット３６Ｂは、ガス供給スリット３６Ａに対応する位置（処理領域Ａに対向する位置、すなわち、処理領域Ａに対面する位置）に設けられている。ガス排気スリット３６Ｂは、処理室２４とガス排気空間２４Ｂとを連通するように形成され、処理室２４内の処理領域Ａの雰囲気を排気する。
【００１７】
仕切り部１８Ｂのガス排気スリット３６Ｂの下方には、第２排気部（第２排気口）としての排気口６２が形成されている。排気口６２は、処理領域Ａの下方の領域（断熱部５４を含む領域、以下断熱領域Ｂと記す。）と高さ方向において重なる位置に形成されている。言い換えれば、排気口６２は断熱領域Ｂに対応する位置、つまり、断熱領域Ｂに対面する位置に形成される。すなわち、排気口６２は断熱領域Ｂに対向する位置に形成されているとも言える。排気口６２は長方形状に形成され、その開口面積はガス排気スリット３６Ｂの一つの開口面積よりも大きく、ガス排気スリット３６Ｂの開口総面積よりも小さい。また、排気口６２の長方形の長辺の幅はガス排気空間２４Ｂの幅以下に形成されている。このような構成とすることにより、特に、処理領域Ａと断熱領域Ｂとの境界部分において、パージガスがガス排気スリット３６Ｂから排気されるのを抑制することができ、パージガスが成膜領域である処理領域Ａに到達することによる成膜均一性の悪化を抑制することができる。排気口６２は、処理室２４とガス排気空間２４Ｂとを連通するように形成され、処理室２４内の断熱領域Ｂの雰囲気を排気する。すなわち、断熱領域Ｂに排気口６２を設けることにより、断熱部５４の周囲を流れたパージガスが処理領域Ａに拡散することが抑制され、処理領域Ａの処理ガスが希釈されることによる成膜均一性の悪化が抑制される。
【００１８】
反応管１８の下端には、ガス排気空間２４Ｂに連通する排気ポート１９が設けられている。この排気ポート１９に処理室２４内の雰囲気を排気する排気管３８が接続される。また、排気管３８には、処理室２４内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ４０および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ４２を介して、真空排気装置としての真空ポンプ４４が接続されている。ＡＰＣバルブ４２は、真空ポンプ４４を作動させた状態で弁を開閉することで、処理室２４内の真空排気および真空排気停止を行うことができ、更に、真空ポンプ４４を作動させた状態で、圧力センサ４０により検出された圧力情報に基づいて弁開度を調節することで、処理室２４内の圧力を調整することができるように構成されているバルブである。主に、排気管３８、ＡＰＣバルブ４２、圧力センサ４０により、排気系が構成される。真空ポンプ４４を排気系に含めて考えてもよい。
【００１９】
排気口６２の位置は、好ましくは、断熱部５４と高さ方向に重なる位置に形成される。また好ましくは、水平方向において、排気口６２の開口領域が、排気ポート１９（排気管３８）の開口領域に少なくとも一部が重なるような位置に形成される。このように構成されることにより、より効率的にパージガスを排気することができる。また、ガス排気空間２４Ｂ内に処理ガスやパージガスの淀みや滞留を発生させることなく、処理ガスおよびパージガスをスムーズに排気することができる。
【００２０】
マニホールド２２の下方には、マニホールド２２の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ４６が設けられている。シールキャップ４６は、例えばステンレスやＮｉ合金等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ４６の上面には、マニホールド２２の下端と当接するシール部材としてのＯリング４８が設けられている。また、シールキャップ４６の上面のうち、Ｏリング４８より内側領域にはシールキャップ４６を保護するシールキャッププレート５０が設置されている。シールキャッププレート５０は、例えば、石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料からなり、円盤状に形成されている。
【００２１】
シールキャップ４６は、マニホールド２２の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されており、反応管１８の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ５２によって垂直方向に昇降されるように構成されている。すなわち、ボートエレベータ５２は、シールキャップ４６を昇降させることで、ボート２６を処理室２４内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。言い換えれば、ボートエレベータ５２は、ボート２６すなわちウエハＷを、処理室２４内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。
【００２２】
基板保持具としてのボート２６は、複数枚、例えば２５〜２００枚のウエハＷを、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２６は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料からなる。
【００２３】
ボート２６の下部には断熱部５４が配設されている。断熱部５４は、例えば円筒形状に形成された石英キャップである。石英キャップに限らず、円板形状に形成された断熱板が水平姿勢で多段に複数枚支持されたものであっても良い。
【００２４】
反応管１８の外壁に沿って温度検出器としての温度検出部５６が設置されている。温度検出部５６により検出された温度情報に基づきヒータ１４への通電具合を調整することで、処理室２４内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。
【００２５】
断熱部５４の下部には、ボート２６を回転させる回転軸６０が固定されている。回転軸６０の下部であって、シールキャップ４６の処理室２４と反対側には、ボート２６を回転させる回転機構５８が設置されている。
【００２６】
回転機構５８は、上端が開口し、下端が閉塞した略円筒形状に形成されたハウジング５８Ａを備えている。ハウジング５８Ａには、ガス供給管３０ｃが接続されている。ガス供給管３０ｃには、上流方向から順に、ＭＦＣ３２ｃおよびバルブ３４ｃが設けられている。主に、ガス供給管３０ｃ、ＭＦＣ３２ｃ、バルブ３４ｃにより、断熱領域Ｂにパージガスを供給するパージガス供給系であるパージガス供給部が構成される。パージガス供給部は、断熱領域Ｂの下方位置から上方に向けてパージガスを供給するよう構成される。パージガスは、ガス供給管３０ｃからハウジング５８Ａ内、回転軸６０の周囲を介して断熱領域Ｂの下方位置から上方に向けて供給される。
【００２７】
図２に示すように、制御部（制御手段）であるコントローラ２００は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）２１２、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）２１４、記憶装置２１６、Ｉ／Ｏポート２１８を備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ２１４、記憶装置２１６、Ｉ／Ｏポート２１８は、内部バス２２０を介して、ＣＰＵ２１２とデータ交換可能なように構成されている。コントローラ２００には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置２２２が接続されている。
【００２８】
記憶装置２１６は、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置２１６内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ２００に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。ＲＡＭ２１４は、ＣＰＵ２１２によって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。
【００２９】
Ｉ／Ｏポート２１８は、上述のＭＦＣ３２ａ，３２ｂ，３２ｃ、バルブ３４ａ，３４ｂ，３４ｃ、圧力センサ４０、ＡＰＣバルブ４２、真空ポンプ４４、ヒータ１４、温度検出部５６、回転機構５８、ボートエレベータ５２等に接続されている。
【００３０】
ＣＰＵ２１２は、記憶装置２１６から制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置２２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置２１６からプロセスレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ２１２は、読み出したプロセスレシピの内容に沿うように、ＭＦＣ３２ａ，３２ｂ，３２ｃによる各種ガスの流量調整動作、バルブ３４ａ，３４ｂ，３４ｃの開閉動作、ＡＰＣバルブ４２の開閉動作および圧力センサ４０に基づくＡＰＣバルブ４２による圧力調整動作、真空ポンプ４４の起動および停止、温度検出部５６に基づくヒータ１４の温度調整動作、回転機構５８によるボート２６の回転および回転速度調節動作、ボートエレベータ５２によるボート２６の昇降動作等を制御するように構成されている。
【００３１】
コントローラ２００は、外部記憶装置（例えば、磁気テープ、フレキシブルディスクやハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ）２２４に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置２１６や外部記憶装置２２４は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置２１６単体のみを含む場合、外部記憶装置２２４単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置２２４を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。
【００３２】
次に、上述の基板処理装置１０を用い、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、基板上に膜を形成する処理（以下、成膜処理ともいう）のシーケンス例について説明する。ここでは、基板としてのウエハＷに対して、第１の処理ガス（原料ガス）と第２の処理ガス（反応ガス）とを交互に供給することで、ウエハＷ上に膜を形成する例について説明する。
【００３３】
以下、原料ガスとしてヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ3）ガスを用い、ウエハＷ上にシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜、以下、ＳｉＮ膜ともいう）を形成する例について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１０を構成する各部の動作はコントローラ２００により制御される。
【００３４】
本実施形態における成膜処理では、処理室２４内のウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給する工程と、処理室２４内からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程と、処理室２４内のウエハＷに対してＮＨ3ガスを供給する工程と、処理室２４内からＮＨ3ガス（残留ガス）を除去する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハＷ上にＳｉＮ膜を形成する。
【００３５】
本明細書では、この成膜シーケンスを、便宜上、以下のように示すこともある。なお、以下の変形例や他の実施形態の説明においても、同様の表記を用いることとする。
【００３６】
（ＨＣＤＳ→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＳｉＮ
【００３７】
本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのもの」を意味する場合や、「ウエハとその表面に形成された所定の層や膜等との積層体（集合体）」を意味する場合、すなわち、表面に形成された所定の層や膜等を含めてウエハと称する場合がある。また、本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）」を意味する場合や、「ウエハ上に形成された所定の層や膜等の表面、すなわち、積層体としてのウエハの最表面」を意味する場合がある。
【００３８】
従って、本明細書において「ウエハに対して所定のガスを供給する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等に対して、すなわち、積層体としてのウエハの最表面に対して所定のガスを供給する」ことを意味する場合がある。また、本明細書において「ウエハ上に所定の層（または膜）を形成する」と記載した場合は、「ウエハそのものの表面（露出面）上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合や、「ウエハ上に形成されている層や膜等の上、すなわち、積層体としてのウエハの最表面の上に所定の層（または膜）を形成する」ことを意味する場合がある。
【００３９】
また、本明細書において「基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。
【００４０】
（ウエハチャージおよびボートロード）
複数枚のウエハＷがボート２６に装填（ウエハチャージ）されると、ボート２６は、ボートエレベータ５２によって処理室２４内に搬入（ボートロード）される。このとき、シールキャップ４６は、Ｏリング４８を介してマニホールド２２の下端を気密に閉塞（シール）した状態となる。マニホールド２２の下端が気密に閉塞されると、バルブ３４ｃを開き、断熱領域Ｂへのパージガスの供給を開始する。断熱領域Ｂの下方位置から上方に向けて供給されたパージガスは、断熱部５４および断熱部５４の周囲を含む断熱領域Ｂをパージして、排気口６２から排気される。パージガスの断熱領域Ｂの下方から上方にむけての供給を維持し、断熱領域Ｂに面する側方に設けられた排気口６２から排気することで、断熱領域Ｂに供給されたパージガスが成膜領域に拡散することが抑制される。なお、ウエハチャージする前のスタンバイの状態から、バルブ３４ｃを開とし、断熱部５４に対するパージガスの供給を開始しても良い。この場合、ウエハチャージ中に外部より巻き込まれるパーティクルが制御部５４に付着することを防ぐことができる。
【００４１】
（圧力調整および温度調整）
処理室２４内が所定の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ４４によって真空排気（減圧排気）される。この際、処理室２４内の圧力は、圧力センサ４０で測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ４２が、フィードバック制御される。真空ポンプ４４は、少なくともウエハＷに対する処理が終了するまでの間は常時作動させた状態を維持する。
【００４２】
また、処理室２４内のウエハＷが所定の温度となるように、ヒータ１４によって処理室２４内が加熱される。この際、処理室２４内が所定の温度分布となるように、温度検出部５６が検出した温度情報に基づきヒータ１４への通電具合がフィードバック制御される。ヒータ１４による処理室２４内の加熱は、少なくともウエハＷに対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
【００４３】
また、回転機構５８によるボート２６およびウエハＷの回転を開始する。回転機構５８により、回転軸６０を介してボート２６が回転されることで、ウエハＷが回転される。回転機構５８によるボート２６およびウエハＷの回転は、少なくとも、ウエハＷに対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
【００４４】
（成膜処理）
処理室２４内の温度が予め設定された処理温度に安定すると、次の２つのステップ、すなわち、ステップ１〜２を順次実行する。
【００４５】
［ステップ１］
このステップでは、処理室２４内のウエハＷに対し、ＨＣＤＳガスを供給する。
【００４６】
バルブ３４ａを開き、ガス供給管３０ａ内へＨＣＤＳガスを流す。ＨＣＤＳガスは、ＭＦＣ３２ａにより流量調整され、ノズル２８のガス供給孔２８Ａ、ガス供給空間２４Ａ、ガス供給スリット３６Ａを介して処理室２４内の処理領域Ａへ供給され、ガス排気スリット３６Ｂ、ガス排気空間２４Ｂを介して排気管３８から排気される。このとき、ウエハＷに対してＨＣＤＳガスが供給されることとなる。このとき、同時にバルブ３４ｂを開き、ガス供給管３０ｂ内へＮ2ガスを流す。Ｎ2ガスは、ＭＦＣ３２ｂにより流量調整され、ノズル２８のガス供給孔２８Ａ、ガス供給空間２４Ａ、ガス供給スリット３６Ａを介してＨＣＤＳガスと一緒に処理室２４内の処理領域Ａへ供給され、ガス排気スリット３６Ｂ、ガス排気空間２４Ｂを介して排気管３８から排気される。ウエハＷに対してＨＣＤＳガスを供給することにより、ウエハＷの最表面上に、第１の層として、例えば１原子層未満から数原子層の厚さのシリコン（Ｓｉ）含有層が形成される。
【００４７】
第１の層が形成された後、バルブ３４ａを閉じ、ＨＣＤＳガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ４２は開いたままとして、真空ポンプ４４により処理室２４内を真空排気し、処理室２４内に残留する未反応もしくは第１の層の形成に寄与した後のＨＣＤＳガスを処理室２４内から排出する。このとき、バルブ３４ｂを開いたままとして、Ｎ2ガスの処理室２４内への供給を維持する。Ｎ2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２４内に残留するガスを処理室２４内から排出する効果を高めることができる。
【００４８】
このとき、処理室２４内に残留するガスを完全に排出しなくてもよく、処理室２４内を完全にパージしなくてもよい。処理室２４内に残留するガスが微量であれば、その後に行われるステップ２において悪影響が生じることはない。処理室２４内へ供給するＮ2ガスの流量も大流量とする必要はなく、例えば、反応管１８（処理室２４）の容積と同程度の量のＮ2ガスを供給することで、ステップ２において悪影響が生じない程度のパージを行うことができる。このように、処理室２４内を完全にパージしないことで、パージ時間を短縮し、スループットを向上させることができる。Ｎ2ガスの消費も必要最小限に抑えることが可能となる。
【００４９】
［ステップ２］
ステップ１が終了した後、処理室２４内のウエハＷ、すなわち、ウエハＷ上に形成された第１の層に対してＮＨ3ガスを供給する。ＮＨ3ガスは熱で活性化されてウエハＷに対して供給されることとなる。
【００５０】
このステップでは、バルブ３４ａ，３４ｂの開閉制御を、ステップ１におけるバルブ３４ａ，３４ｂの開閉制御と同様の手順で行う。ＮＨ3ガスは、ＭＦＣ３２ａにより流量調整され、ノズル２８のガス供給孔２８Ａ、ガス供給空間２４Ａ、ガス供給スリット３６Ａを介して処理室２４内の処理領域Ａへ供給され、ガス排気スリット３６Ｂ、ガス排気空間２４Ｂを介して排気管３８から排気される。このとき、ウエハＷに対してＮＨ3ガスが供給されることとなる。ウエハＷに対して供給されたＮＨ3ガスは、ステップ１でウエハＷ上に形成された第１の層、すなわちＳｉ含有層の少なくとも一部と反応する。これにより第１の層は、ノンプラズマで熱的に窒化され、ＳｉおよびＮを含む第２の層、すなわち、シリコン窒化層（ＳｉＮ層）へと変化させられる（改質される）。なお、このとき、プラズマ励起させたＮＨ3ガスをウエハＷに対して供給し、第１の層をプラズマ窒化することで、第１の層を第２の層（ＳｉＮ層）へ変化させるようにしてもよい。
【００５１】
第２の層が形成された後、バルブ３０ａを閉じ、ＮＨ3ガスの供給を停止する。このとき、ＡＰＣバルブ４２は開いたままとして、真空ポンプ４４により処理室２４内を真空排気し、処理室２４内に残留する未反応もしくは第２の層の形成に寄与した後のＮＨ3ガスを処理室２４内から排出する。このとき、バルブ３４ｂを開いたままとして、Ｎ2ガスの処理室２４内への供給を維持する。Ｎ2ガスはパージガスとして作用し、これにより、処理室２４内に残留するガスを処理室２４内から排出する効果を高めることができる。このとき、処理室２４内に残留するガス等を完全に排出しなくてもよい点は、ステップ１と同様である。
【００５２】
（所定回数実施）
上述した２つのステップを非同時に、すなわち、同期させることなく行うサイクルを所定回数（ｎ回）行うことにより、ウエハＷ上に、所定組成および所定膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。なお、上述のサイクルは複数回繰り返すのが好ましい。すなわち、上述のサイクルを１回行う際に形成される第２の層（ＳｉＮ層）の厚さを所定の膜厚よりも小さくし、第２の層（ＳｉＮ層）を積層することで形成されるＳｉＮ膜の膜厚が所定の膜厚になるまで、上述のサイクルを複数回繰り返すのが好ましい。
【００５３】
成膜処理を行う際の処理条件としては、例えば、
処理温度（ウエハ温度）：２５０〜７００℃、
処理圧力（処理室内圧力）：１〜４０００Ｐａ、
ＨＣＤＳガス供給流量：１００〜２００ｓｃｃｍ、
ＮＨ3ガス供給流量：１０００〜２００００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス（断熱領域Ｂをパージするパージガス）供給流量：０〜５００ｓｃｃｍ、
Ｎ2ガス（処理領域Ａをパージするパージガス）供給流量：０〜１０００ｓｃｃｍ、
が例示される。それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値に設定することで、成膜処理を適正に進行させることが可能となる。好ましくは、断熱領域Ｂをパージするパージガスの供給流量は、処理ガスの供給流量以下に設定される。
【００５４】
（パージおよび大気圧復帰）
成膜処理が完了した後、バルブ３４ｂを開き、ガス供給管３０ｂからＮ2ガスを処理室２４内の処理領域Ａへ供給し、ガス排気スリット３６Ｂを介して排気管３８から排気することにより、処理室２４内に残留するガスや反応副生成物が処理室２４内から除去される（パージ）。その後、処理室２４内の雰囲気が不活性ガスに置換され（不活性ガス置換）、処理室２４内の圧力が常圧に復帰される（大気圧復帰）。
【００５５】
（ボートアンロードおよびウエハディスチャージ）
ボートエレベータ５２によりシールキャップ４６が下降され、マニホールド２２の下端が開口される。そして、処理済のウエハＷが、ボート２６に支持された状態で、マニホールド２２の下端から反応管１８の外部に搬出される（ボートアンロード）。処理済のウエハＷは、ボート２６より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００５６】
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態では、反応管１８の下端のフランジ部１８Ｃにさらに断熱領域Ｂの雰囲気を排気する第３排気部（第３排気口）を有する点が上述した実施形態と異なる。以下、図１で説明した要素と実質的に同一の要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００５７】
図３に示すように、排気口６２の下方の反応管１８のフランジ部１８Ｃに第３排気部（第３排気口）としての排気口６４を形成する。排気口６４は、処理室２４の下方がガス排気空間２４Ｂに連通するように形成される。ガス供給管３０ｃから供給されたパージガスは排気口６２及び排気口６４から排気され、断熱領域Ｂの雰囲気を排気する。すなわち、断熱部５４の周囲に供給されたパージガスが成膜領域に拡散することを抑制することができ、成膜領域の処理ガスが希釈されることによる成膜均一性の悪化を抑制することができる。また、断熱領域Ｂの、特に、マニホールド２２周辺の領域である炉口部まわりを直接的に排気することができるため、該領域にてパージガスの滞留や淀みの発生を防ぐことができる。
【００５８】
排気口６４の開口面積は、好ましくは、排気口６２の開口面積よりも小さく形成される。また好ましくは、排気口６４の横幅は、排気口６２の横幅よりも狭く形成される。このように構成されることにより、排気口６４の排気量よりも排気口６２の排気量の方を大きくすることができ、断熱部５４および断熱部５４の周囲にパージガスが到達する前に、排気口６４から多量のパージガスが排気されることを防ぐことができ、断熱部５４を適正にパージすることができる。
【００５９】
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態では、上述した第１の実施形態と断熱部の構成が異なり、上下に分割された断熱部６６を用いる。
【００６０】
図４及び図５に示されているように、断熱部６６は、円筒状の上部断熱体６６Ａと円筒状の下部断熱体６６Ｂとに分割されている。下部断熱体６６Ｂの上面周囲に例えば４本の円筒状の支持部６８が等間隔に設けられ、上部断熱体６６Ａは下部断熱体６６Ｂと所定の間隔Ｓをあけて支持部６８に支持されている。
【００６１】
排気口６２は、上部断熱体６６Ａと下部断熱体６６Ｂとの間隔Ｓと高さ位置の一部が重なる位置に形成されている。これにより、断熱部６６の周囲に供給されたパージガスが上部断熱体６６Ａと下部断熱体６６Ｂとの間隔Ｓを介して排気口６２へ排気される。すなわち、断熱部６６と排気口６２と反対側の排気管１８の内壁との狭い間隙を流れるパージガスは、排気口６２が近傍にないため排気され難く、処理領域Ａへ拡散しやすいことがあるが、間隔Ｓを形成することにより、間隔Ｓの方に流れるようになるため、パージガスを処理領域Ａに到達させることなく、より効率的に排気することができる。好ましくは、排気口６２の開口の少なくとも一部と間隔Ｓの少なくとも一部とが高さ方向において重なる位置に、排気口６２を形成する。このように構成することにより、間隔Ｓを通過するパージガスを直線的に排気口６２より排気することができ、淀みのない排気の流れを形成することができる。
【００６２】
図７には、第３の実施形態に係る排気口６２および中間排気のある断熱部６６（間隔Ｓを有する構造）を用いた反応管１８と比較例に係る排気口６２および中間排気のない断熱部を用いた反応管１８における反応管内の処理領域Ａ及び断熱領域Ｂの処理ガスのモル分率が示されている。図７に示されているように、比較例における反応管１８内の処理領域Ａでは、断熱部をパージしたパージガスが処理領域Ａに拡散されて処理ガスが希釈されてしまっている。特に、断熱領域Ｂのうち、反応管１８の炉口部付近で処理ガスのモル分率が小さくなっている。これに対し、中間排気のある断熱部６６では、断熱部６６の間隔Ｓを通過したパージガスが排気口６２から排気されるため、パージガスが処理領域Ａに拡散することが抑制され、処理領域Ａは全領域においてほぼ同じモル分率となっている。すなわち、断熱部６６を分割して間隔Ｓを設け、間隔Ｓを介して排気口６２からパージガスを排気することにより、断熱領域Ｂを通過したパージガスが処理領域Ａに拡散することが抑制され、処理領域Ａの処理ガスが希釈されることによる成膜均一性の悪化が抑制される。
【００６３】
なお、第３の実施形態では、円筒状の上部断熱体６６Ａと円筒状の下部断熱体６６Ｂとを用いる構成について説明したが、これに限らず、断熱体を複数の断熱板が積層した構成とし、断熱板の積層間に排気口６２と高さ位置が一部重なる間隔Ｓを有する構成にしてもよい。また、排気口６２のみならず、第２の実施形態で詳述した第３排気部（第３排気口）である排気口６４をさらに設けた構成にも適用される。
【００６４】
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、上述した第２の実施形態と断熱部と回転軸の構成が異なり、回転軸７２の内部にパージガス供給部が設けられている。
【００６５】
図８に示されているように、断熱部７０は、円盤形状の受け部７８と、積層した断熱体７４を保持する保持部８０と、積層した断熱体７４を覆う円筒部８２と、を有している。受け部７８の上面に、保持部８０と、円筒部８２が固定されている。
【００６６】
受け部７８は、例えば、ステンレス等の金属で形成されている。受け部７８には、中心に貫通孔が形成されている。また、受け部７８には、円筒部８２内を排気する排気孔７８Ａが所定の間隔で形成されている。排気孔７８Ａは、例えば、受け部７８の同心円上に沿って、等間隔に複数形成されている。
【００６７】
保持部８０は、円筒形状で、上下端が開口した貫通穴を有している。この保持部８０の貫通穴には、第２加熱手段（加熱機構）としてのヒータユニット（以下、サブヒータと称する）であるサブヒータ７６が垂直に挿通されている。サブヒータ７６は垂直に延伸する支柱部７６Ａと、支柱部７６Ａに対して水平に接続された発熱部７６Ｂとを備えている。発熱部７６Ｂは支持部７６Ａの上端と円筒部８２の内壁との間の領域に設置されている。これにより、サブヒータ７６の輻射熱が処理領域Ａ外に逃げることを抑制することができ、昇温時間を短縮することができる。また、発熱部７６Ｂは、ウエハＷの外径よりも小径の略環状に形成されており、ウエハＷと平行になるように支柱部７６Ａにより接続支持されている。発熱部７６Ｂの内部には、コイル状の発熱体である抵抗発熱線であるヒータ素線が封入されている。サブヒータ７６は、ボート２６と断熱体７４の間に配置されてウエハＷ（処理領域Ａ）を下方から加熱する。
【００６８】
保持部８０には、断熱体７４として反射板７４Ａと断熱板７４Ｂが設置されている。反射板７４Ａは保持部８０の上部に、例えば、溶接されることにより固定的に保持されている。断熱板７４Ｂは、保持部８０の中間部に、例えば、溶接されることによって固定的に保持されている。
【００６９】
反射板７４Ａは、ウエハＷの直径よりも小さい直径の円板形状で、例えば、不透明石英で形成されている。断熱板７４Ｂは、ウエハＷの外径よりも小さい外径の円板形状であって、熱容量が小さい材料により形成され、例えば、石英、シリコン（Ｓｉ）、ＳｉＣ等により形成される。
【００７０】
回転軸７２には、貫通穴が形成され、この貫通穴内にサブヒータ７６の支持部７６Ａが挿通されている。また、回転軸７２の上端部には、受け部７８が固定されている。
【００７１】
すなわち、回転軸７２、受け部７８、保持部８０の貫通穴内にサブヒータ７６の支持部７６Ａが挿通されている。
【００７２】
回転軸７２、受け部７８、保持部８０の貫通穴の内径は、サブヒータ７６の支持部７６Ａの外径よりも大きく構成されており、回転軸７２、受け部７８、保持部８０の内壁と支持部７６Ａの外壁との間には円環状の空間が形成されている。この回転軸７２、受け部７８、保持部８０の内壁と支持部７６Ａの外壁との間の円環状の空間（支持部７６Ａの周囲）に、パージガスを供給するパージガス供給路としての第１流路が形成される。
【００７３】
この円環状の空間にはガス供給管３０ｃが接続されている。ガス供給管３０ｃには、上流方向から順に、ＭＦＣ３２ｃおよびバルブ３４ｃが設けられている。保持部８０の上端が供給口８０Ａとして構成されている。供給口８０Ａは円環状の開口であって、供給口８０Ａから円筒部８２の内側上方に向けてパージガスが供給される。供給口８０Ａを円環状の開口とすることにより、円筒部８２の上端および円環状の平面径方向の全周方向にわたって均一にパージガスを供給することができる。
【００７４】
円筒部８２は、サブヒータ７６を内部に収納するように上端が閉塞した円筒形状に形成されている。
【００７５】
円筒部８２内の上端は凸状に形成されている。このような構成とすることにより、円筒部８２の天井部の厚さを薄くすることができ、サブヒータ７６による処理領域Ａ下方の加熱効率を向上させることが可能となる。また、円筒部８２内のガスの流れを良くすることができ、凸状の部分でガスが滞留することを防ぐことができる。さらに、供給口８０Ａから供給されたパージガスは、円筒部８２上面の内壁にぶつかり円周方向に流れたあと、円筒部８２内の側壁に沿って上方から下方へ流れるため、円筒部８２内でパージガスのダウンフローを形成しやすくすることができる。すなわち、第２流路においてダウンフローを形成することができる。
【００７６】
このように、円筒部８２内の、特に、サブヒータ７６の発熱部７６Ｂが設置される上端部（天井部）付近をパージガスで積極的にパージすることにより、発熱部７６Ｂに処理ガスが接触することを防ぐことができる。供給口８０Ａから供給されたパージガスは、保持部８０と円筒部８２の内壁との間の空間である第２流路を経由して排気孔７８Ａ、排気口６４を介して排気され、断熱部７０内の雰囲気を排気する。これにより、断熱部７０内を通過したパージガスが処理領域Ａに拡散することが抑制され、処理領域Ａの処理ガスが希釈されることによる成膜均一性の悪化が抑制される。
【００７７】
上述においては、便宜上、断熱部７０に円筒部８２を含めたが、主に断熱を行っているのはサブヒータ７６以下の領域、すなわち、断熱体７４の領域であることから、断熱体７４の領域を断熱部と称することもできる。この場合、サブヒータ７６はボート２６と断熱部との間に設けられていると考えることもできる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７９】
例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを用いる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、原料ガスとしては、ＨＣＤＳガスの他、モノクロロシラン（ＳｉＨ3Ｃｌ、略称：ＭＣＳ）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2、略称：ＤＣＳ）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ3、略称：ＴＣＳ）ガス、テトラクロロシランすなわちシリコンテトラクロライド（ＳｉＣｌ4、略称：ＳＴＣ）ガス、オクタクロロトリシラン（Ｓｉ3Ｃｌ8、略称：ＯＣＴＳ）ガス等の無機系ハロシラン原料ガスや、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］3Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）ガス、テトラキスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ3）2］4、略称：４ＤＭＡＳ）ガス、ビスジエチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（Ｃ2Ｈ5）2］2Ｈ2、略称：ＢＤＥＡＳ）ガス、ビスターシャリブチルアミノシラン（ＳｉＨ2［ＮＨ（Ｃ4Ｈ9）］2、略称：ＢＴＢＡＳ）ガス等のハロゲン基非含有のアミノ系（アミン系）シラン原料ガスを用いることができる。また、原料ガスとしては、モノシラン（ＳｉＨ4、略称：ＭＳ）ガス、ジシラン（Ｓｉ2Ｈ6、略称：ＤＳ）ガス、トリシラン（Ｓｉ3Ｈ8、略称：ＴＳ）ガス等のハロゲン基非含有の無機系シラン原料ガスを用いることができる。
【００８０】
また、例えば、上述の実施形態では、反応ガスとしてＮＨ3ガスを用いる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、反応ガスとしては、ＮＨ3ガスの他、ジアゼン（Ｎ2Ｈ2）ガス、ヒドラジン（Ｎ2Ｈ4）ガス、Ｎ3Ｈ8ガス等の窒化水素系ガスや、これらの化合物を含むガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリエチルアミン（（Ｃ2Ｈ5）3Ｎ、略称：ＴＥＡ）ガス、ジエチルアミン（（Ｃ2Ｈ5）2ＮＨ、略称：ＤＥＡ）ガス、モノエチルアミン（Ｃ2Ｈ5ＮＨ2、略称：ＭＥＡ）ガス等のエチルアミン系ガスや、トリメチルアミン（（ＣＨ3）3Ｎ、略称：ＴＭＡ）ガス、ジメチルアミン（（ＣＨ3）2ＮＨ、略称：ＤＭＡ）ガス、モノメチルアミン（ＣＨ3ＮＨ2、略称：ＭＭＡ）ガス等のメチルアミン系ガス等を用いることができる。また、反応ガスとしては、トリメチルヒドラジン（（ＣＨ3）2Ｎ2（ＣＨ3）Ｈ、略称：ＴＭＨ）ガス等の有機ヒドラジン系ガス等を用いることができる。
【００８１】
また、例えば、上述の実施形態では、原料ガスとしてＨＣＤＳガスを用い、反応ガスとしてＮＨ3ガスのような窒素（Ｎ）含有ガス（窒化ガス）を用い、ＳｉＮ膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、これらの他、もしくは、これらに加え、酸素（Ｏ2）ガス等の酸素（Ｏ）含有ガス（酸化ガス）、プロピレン（Ｃ3Ｈ6）ガス等の炭素（Ｃ）含有ガス、三塩化硼素（ＢＣｌ3）ガス等の硼素（Ｂ）含有ガス等を用い、例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ＳｉＯ膜、ＳｉＯＮ膜、ＳｉＯＣＮ膜、ＳｉＯＣ膜、ＳｉＣＮ膜、ＳｉＢＮ膜、ＳｉＢＣＮ膜等を形成することができる。なお、各ガスを流す順番は適宜変更することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８２】
（３ＤＭＡＳ→Ｏ3）×ｎ ⇒ ＳｉＯ
【００８３】
（ＨＣＤＳ→ＮＨ3→Ｏ2）×ｎ ⇒ ＳｉＯＮ
【００８４】
（ＨＣＤＳ→Ｃ3Ｈ6→Ｏ2→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣＮ
【００８５】
（ＨＣＤＳ→ＴＥＡ→Ｏ2）×ｎ ⇒ ＳｉＯＣ
【００８６】
（ＨＣＤＳ→Ｃ3Ｈ6→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＳｉＣＮ
【００８７】
（ＨＣＤＳ→ＢＣｌ3→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＳｉＢＮ
【００８８】
（ＨＣＤＳ→Ｃ3Ｈ6→ＢＣｌ3→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＳｉＢＣＮ
【００８９】
また、例えば、上述の実施形態では、ＳｉＮ膜等のシリコン系絶縁膜を形成する例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、本発明は、ウエハＷ上に、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の金属元素を含む膜、すなわち、金属系膜を形成する場合においても、好適に適用可能である。
【００９０】
例えば、本発明は、ウエハＷ上に、ＴｉＮ膜、ＴｉＯ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＣＮ膜、ＴｉＢＮ膜、ＴｉＢＣＮ膜、ＺｒＮ膜、ＺｒＯ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＣＮ膜、ＺｒＢＮ膜、ＺｒＢＣＮ膜、ＨｆＮ膜、ＨｆＯ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＣＮ膜、ＨｆＢＮ膜、ＨｆＢＣＮ膜、ＴａＮ膜、ＴａＯ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＣＮ膜、ＴａＢＮ膜、ＴａＢＣＮ膜、ＮｂＮ膜、ＮｂＯ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＣＮ膜、ＮｂＢＮ膜、ＮｂＢＣＮ膜、ＡｌＮ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＣＮ膜、ＡｌＢＮ膜、ＡｌＢＣＮ膜、ＭｏＮ膜、ＭｏＯ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＣＮ膜、ＭｏＢＮ膜、ＭｏＢＣＮ膜、ＷＮ膜、ＷＯ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＣ膜、ＷＣＮ膜、ＷＢＮ膜、ＷＢＣＮ膜等を形成する場合にも、好適に適用可能である。またこれらの他、これらのいずれかに他の元素をドープ（添加）した膜、例えば、ＴｉＡｌＮ膜、ＴａＡｌＮ膜、ＴｉＡｌＣ膜、ＴａＡｌＣ膜、ＴｉＳｉＮ、ＴｉＳｉＣ膜等を形成する場合にも、好適に適用可能である。
【００９１】
金属系膜を形成する場合、原料ガスとして、例えば、チタニウムテトラクロライド（ＴｉＣｌ4）ガス、チタニウムテトラフルオライド（ＴｉＦ4）ガス、ジルコニウムテトラクロライド（ＺｒＣｌ4）ガス、ジルコニウムテトラフルオライド（ＺｒＦ4）ガス、ハフニウムテトラクロライド（ＨｆＣｌ4）ガス、ハフニウムテトラフルオライド（ＨｆＦ4）ガス、タンタルペンタクロライド（ＴａＣｌ5）ガス、タンタルペンタフルオライド（ＴａＦ5）ガス、ニオビウムペンタクロライド（ＮｂＣｌ5）ガス、ニオビウムペンタフルオライド（ＮｂＦ5）ガス、アルミニウムトリクロライド（ＡｌＣｌ3）ガス、アルミニウムトリフルオライド（ＡｌＦ3）ガス、モリブデンペンタクロライド（ＭｏＣｌ5）ガス、モリブデンペンタフルオライド（ＭｏＦ5）ガス、タングステンヘキサクロライド（ＷＣｌ6）ガス、タングステンヘキサフルオライド（ＷＦ6）ガス等の金属元素およびハロゲン元素を含む無機金属原料ガスを用いることができる。また、原料ガスとして、例えば、トリメチルアルミニウム（Ａｌ（ＣＨ3）3、略称：ＴＭＡ）ガス等の金属元素および炭素を含む有機金属原料ガスを用いることもできる。反応ガスとしては、上述の実施形態と同様なガスを用いることができる。
【００９２】
例えば、以下に示す成膜シーケンスにより、ウエハＷ上に、ＴｉＮ膜、ＴｉＯ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＣＮ膜、ＴｉＡｌＣ膜、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ膜等を形成することができる。
【００９３】
（ＴｉＣｌ4→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＴｉＮ
【００９４】
（ＴｉＣｌ4→Ｏ2）×ｎ ⇒ ＴｉＯ
【００９５】
（ＴｉＣｌ4→ＮＨ3→Ｏ2）×ｎ ⇒ ＴｉＯＮ
【００９６】
（ＴｉＣｌ4→Ｃ3Ｈ6→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＴｉＣＮ
【００９７】
（ＴｉＣｌ4→ＴＭＡ）×ｎ ⇒ ＴｉＡｌＣ
【００９８】
（ＴｉＣｌ4→ＴＭＡ→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＴｉＡｌＮ
【００９９】
（ＴｉＣｌ4→ＨＣＤＳ→ＮＨ3）×ｎ ⇒ ＴｉＳｉＮ
【０１００】
なお、各ガスを流す順番は適宜変更することができる。これらの成膜を行う場合においても、上述の実施形態と同様な処理条件にて成膜を行うことができ、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０１】
すなわち、本発明は、半導体元素や金属元素等の所定元素を含む膜を形成する場合に好適に適用することができる。
【０１０２】
また、上述の実施形態では、ウエハＷ上に膜を堆積させる例について説明した。しかしながら、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、ウエハＷやウエハＷ上に形成された膜等に対して、酸化処理、拡散処理、アニール処理、エッチング処理等の処理を行う場合にも、好適に適用可能である。
【０１０３】
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１０４】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、付記として本発明の態様を記す。
(付記１)
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを内部に有する反応管と、
前記処理領域の前記基板に対して処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
前記反応管に形成され、前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、
前記断熱領域にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記反応管に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、を備え、
前記第２排気部は前記第１排気部よりも下方に形成される基板処理装置が提供される。
(付記２)
付記１記載の装置であって、好ましくは、
前記第１排気部および前記第２排気部に連通する排気バッファ室をさらに有する。
(付記３)
付記１または２記載の装置であって、好ましくは、
前記反応管内を複数の空間に区画する第１仕切り部を有し、
前記第１排気部は複数の横長のスリット状の開口で構成される。
(付記４)
付記３記載の装置であって、好ましくは、
前記第１排気部の開口総面積は前記第２排気部の開口面積より大きい。
(付記５)
付記１乃至４のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記反応管の下端に形成されたフランジ部に前記断熱領域の雰囲気を排気する第３排気部をさらに有する。
(付記６)
付記５記載の装置であって、好ましくは、
前記第２排気部の横幅は前記第３排気部の横幅よりも広い。
(付記７)
付記５または６記載の装置であって、好ましくは、
前記排気バッファ室に連通し、前記フランジ部上に形成された排気ポートを有し、
前記第３排気部と前記排気ポートは連通する。
(付記８)
付記７記載の装置であって、好ましくは、
前記第２排気部は、前記排気ポートの開口領域に少なくとも前記第２排気部の開口の一部が重なる高さ位置に形成される。
(付記９)
付記２乃至８のいずれかに記載の装置であって、好ましくは、
前記パージガス供給部を収容する供給バッファ室をさらに備える。
(付記１０)
本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理領域と前記処理領域の下方に位置する断熱領域とを含む処理室を内部に有し、
前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気部と、
前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気する第２排気部と、有する反応管が提供される。
（付記１１）
本発明のさらに他の態様によれば、
反応管内の基板を処理する処理領域に前記基板を搬入する工程と、
前記処理領域の前記基板に対し処理ガスを供給し、反応管に形成された第１排気部より前記処理領域の雰囲気を排気し、前記基板を処理する工程と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置する断熱領域にパージガスを供給し、前記第１排気部よりも下方に形成された第２排気部より前記断熱領域の雰囲気を排気し、前記断熱領域をパージする工程と、を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
(付記１２)
本発明のさらに他の態様によれば、
反応管内の基板を処理する処理領域に前記基板を搬入する手順と、
前記処理領域の前記基板に対し処理ガスを供給し、反応管に形成された第１排気部より前記処理領域の雰囲気を排気し、前記基板を処理する手順と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置する断熱領域にパージガスを供給し、前記第１排気部よりも下方に形成された第２排気部より前記断熱領域の雰囲気を排気し、前記断熱領域をパージする手順と、をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
（付記１３）
本発明のさらに他の態様によれば、
反応管内の基板を処理する処理領域に前記基板を搬入する手順と、
前記処理領域の前記基板に対し処理ガスを供給し、反応管の側壁に形成された第１排気部より前記処理領域の雰囲気を排気し、前記基板を処理する手順と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置する断熱領域にパージガスを供給し、前記反応管の側壁であって前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成された第２排気部より前記断熱領域の雰囲気を排気し、前記断熱領域をパージする手順と、をコンピュータに実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【符号の説明】
【０１０５】
１０        基板処理装置
１２        処理炉
１４        ヒータ
１８        反応管
１８Ａ，１８Ｂ    仕切り部
１９        排気ポート
２４        処理室
２４Ａ        ガス供給空間（供給バッファ室）
２４Ｂ        ガス供給空間（排気バッファ室）
３８        排気管
５４，６６，７０      断熱部
２００      コントローラ
【図１】
2017037937.tif 000003
【図２】
2017037937.tif 000004
【図３】
2017037937.tif 000005
【図４】
2017037937.tif 000006
【図５】
2017037937.tif 000007
【図６】
2017037937.tif 000008
【図７】
2017037937.tif 000009
【図８】
2017037937.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成29年11月21日(2017.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に所定間隔で配列して保持するボートと、
前記ボートの下方に配置される断熱部と、
上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され、前記ボートが配置される処理領域と前記断熱部が配置される断熱領域とを含む処理室を内部に構成する反応管と、
前記反応管の下端に外周側に突出した形成されたフランジと、
前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された供給バッファ室と、
前記供給バッファ室と対面するように前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された排気バッファ室と、
前記反応管と前記排気バッファ室とを仕切るとともに前記反応管の側壁の一部を構成する仕切り部に形成され、前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気口と、
前記排気バッファ室に連通する排気ポートと、
前記断熱領域にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記仕切り部の、前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気バッファ室へ排気する第２排気口と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記断熱部は円筒形状に形成され、前記断熱部の周囲には、反応管の内壁との間に、前記パージガスが前記処理領域へ流れることができる狭い間隙が存在する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
下端に開口を有し、前記フランジを支持するマニホールドと、
前記マニホールドの開口を気密に閉塞可能な円盤状の炉口蓋体と、
前記炉口蓋体の前記処理室と反対側には設置され、前記ボートを回転させる回転機構と、を更に備え、
前記パージガス供給部は、前記回転機構に接続され、前記パージガスを前記断熱領域の下方から上方にむけて供給する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記フランジに、前記処理室の下方を前記排気バッファ室に連通させ、前記断熱領域の雰囲気を排気する第３排気口を設けた請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２排気口の開口面積は前記第３排気口の開口面積よりも大きい請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第２排気口は、前記排気ポートの開口領域に少なくとも前記第２排気口の開口の一部が重なる高さ位置に形成される請求項３乃至５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記断熱部は、円筒状の上部断熱体と円筒状の下部断熱体とに分割され、前記上部断熱体は、前記下部断熱体と所定の間隔を空けて支持部により支持されるように構成され、
前記第２排気口は、少なくとも前記第２排気口の開口の一部が、空けられた前記所定の間隔の一部と高さ方向において重なる位置に形成される請求項１乃至３記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１排気口は、前記処理領域の下部から上部にわたって複数設けられた横長の排気スリットで構成される請求項３乃至６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記反応管と前記供給バッファ室とを仕切るとともに前記反応管の側壁の一部を構成する仕切り部に、前記処理領域の下部から上部にわたって横長の供給スリットが複数形成された請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記供給バッファ室に設けられ、前記処理領域に複数の種類の処理ガス及び不活性ガスを供給するノズルを更に備え、
前記ノズルの側面には、前記複数の供給スリットに対応する位置で、前記反応管の中心を向くようにそれぞれ開口した複数のガス供給孔が形成された請求項３乃至８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
炉口蓋体の上面に、マニホールドの下端と当接するシール部材と、
シール部材より内側の領域に設置され炉口蓋体を保護する円盤状の保護プレートと、
を更に備えた請求項３乃至８記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記断熱部は、複数の板状の断熱体と、前記断熱体を取り囲む円筒部と、を有し、
前記基板と前記断熱体との間に、前記処理領域を加熱するヒータを更に備え、
前記パージガス供給部は前記円筒部内に前記パージガスを供給する請求項２又は３記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記断熱部は、
中心に貫通孔が形成された円板形状を有し、前記回転機構の中空の回転軸の上に固定される受け部と、
複数の反射板及び複数の断熱板を積層して構成される断熱体と、
上下端が開口した筒形状を有し、前記受け部の上面に配置され、前記断熱体を保持する保持部と、
上端が閉塞した円筒形状を有し、前記受け部７８の上面に配置され、前記断熱体を覆う円筒部と、
保持部の内側に挿通される支持部と、前記支持部の上端と円筒部の内壁の間の空間に水平に配置される発熱部とを有するサブヒータと、を有し、
前記保持部の内面と支持部の外面との間の空間が、前記パージガスを供給路を構成する請求項３記載の基板処理装置。
【請求項１３】
複数枚の基板を、前記基板を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に所定間隔で配列して保持するボートに保持させて、反応管内の前記基板を処理する処理領域に搬入する工程と、
前記処理領域の前記基板に対し、前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された供給バッファ室に設けたノズルから複数の処理ガスを交互に供給するとともに、前記供給バッファ室と対面するように前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された排気バッファ室へ、前記反応管と前記排気バッファ室との仕切り部に形成された第１排気口を介して前記処理領域の雰囲気を排気することにより前記基板を処理する工程と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置し、円筒形の断熱部が設けられる断熱領域にパージガスを供給するとともに、前記断熱部に面するように前記仕切り部に開口した第２排気口を介して、前記反応管と前記断熱部との間の間隙の雰囲気を排気することにより前記断熱領域をパージする工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成30年2月7日(2018.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に所定間隔で配列して保持するボートと、
前記ボートの下方に配置される断熱部と、
上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成され、前記ボートが配置される処理領域と前記断熱部が配置される断熱領域とを含む処理室を内部に構成する反応管と、
前記反応管の下端に外周側に突出した形成されたフランジと、
前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された供給バッファ室と、
前記供給バッファ室と対面するように前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された排気バッファ室と、
前記反応管と前記排気バッファ室とを仕切るとともに前記反応管の側壁の一部を構成する仕切り部に形成され、前記処理領域の雰囲気を排気する第１排気口と、
前記排気バッファ室に連通する排気ポートと、
前記断熱領域にパージガスを供給するパージガス供給部と、
前記仕切り部の、前記断熱領域と高さ方向において重なる位置に形成され、前記断熱領域の雰囲気を排気バッファ室へ排気する第２排気口と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
前記断熱部は円筒形状に形成され、前記断熱部の周囲には、反応管の内壁との間に、前記パージガスが前記処理領域へ流れることができる狭い間隙が存在する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
下端に開口を有し、前記フランジを支持するマニホールドと、
前記マニホールドの開口を気密に閉塞可能な円盤状の炉口蓋体と、
前記炉口蓋体の前記処理室と反対側には設置され、前記ボートを回転させる回転機構と、を更に備え、
前記パージガス供給部は、前記回転機構に接続され、前記パージガスを前記断熱領域の下方から上方にむけて供給する、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記フランジに、前記処理室の下方を前記排気バッファ室に連通させ、前記断熱領域の雰囲気を排気する第３排気口を設け、
前記第３排気口の開口面積は前記第２排気口の開口面積よりも小さい請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第２排気口は、前記排気ポートの開口領域に少なくとも前記第２排気口の開口の一部が重なる高さ位置に形成される請求項３又は４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記断熱部は、円筒状の上部断熱体と円筒状の下部断熱体とに分割され、前記上部断熱体は、前記下部断熱体と所定の間隔を空けて支持部により支持されるように構成され、
前記第２排気口は、少なくとも前記第２排気口の開口の一部が、空けられた前記所定の間隔の一部と高さ方向において重なる位置に形成される請求項３記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１排気口は、前記処理領域の下部から上部にわたって複数設けられた横長の排気スリットで構成される請求項３乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記反応管と前記供給バッファ室とを仕切るとともに前記反応管の側壁の一部を構成する仕切り部に、前記処理領域の下部から上部にわたって横長の供給スリットが複数形成された請求項７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記供給バッファ室に設けられ、前記処理領域に複数の種類の処理ガス及び不活性ガスを供給するノズルを更に備え、
前記ノズルの側面には、前記複数の供給スリットに対応する位置で、前記反応管の中心を向くようにそれぞれ開口した複数のガス供給孔が形成された請求項３乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
炉口蓋体の上面に、マニホールドの下端と当接するシール部材と、
シール部材より内側の領域に設置され炉口蓋体を保護する円盤状の保護プレートと、
を更に備えた請求項３乃至８のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記断熱部は、複数の板状の断熱体と、前記断熱体を取り囲む円筒部と、を有し、
前記基板と前記断熱体との間に、前記処理領域を加熱するヒータを更に備え、
前記パージガス供給部は前記円筒部内に前記パージガスを供給する請求項３記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記断熱部は、
中心に貫通孔が形成された円板形状を有し、前記回転機構の中空の回転軸の上に固定される受け部と、
複数の反射板及び複数の断熱板を積層して構成される断熱体と、
上下端が開口した筒形状を有し、前記受け部の上面に配置され、前記断熱体を保持する保持部と、
上端が閉塞した円筒形状を有し、前記受け部の上面に配置され、前記断熱体を覆う円筒部と、
保持部の内側に挿通される支持部と、前記支持部の上端と円筒部の内壁の間の空間に水平に配置される発熱部とを有するサブヒータと、を有し、
前記保持部の内面と支持部の外面との間の空間が、前記パージガスを供給路を構成する請求項３記載の基板処理装置。
【請求項１３】
複数枚の基板を、前記基板を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で垂直方向に所定間隔で配列して保持するボートに保持させて、反応管内の前記基板を処理する処理領域に搬入する工程と、
前記処理領域の前記基板に対し、前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された供給バッファ室に設けたノズルから複数の処理ガスを交互に供給するとともに、前記供給バッファ室と対面するように前記反応管の側壁の外方に突出して垂直方向に形成された排気バッファ室へ、前記反応管と前記排気バッファ室との仕切り部に形成された第１排気口を介して前記処理領域の雰囲気を排気することにより前記基板を処理する工程と、
前記反応管内の前記処理領域の下方に位置し、円筒形の断熱部が設けられる断熱領域にパージガスを供給するとともに、前記断熱部に面するように前記仕切り部に開口した第２排気口を介して、前記反応管と前記断熱部との間の間隙の雰囲気を排気することにより前記断熱領域をパージする工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【国際調査報告】
2017037937.tif 000011
2017037937.tif 000012
2017037937.tif 000013
2017037937.tif 000014