(57)【要約】      （修正有）【課題】樹脂材料を用いてマイクロレンズを形成したりマイクロレンズを貼り合わせたりすることなく、無機レンズ材料によって直接マイクロレンズを作り込めるようにし、これによって耐久性を向上した電気光学装置用基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１基板２２０と、画素電極２２８とを有する電気光学装置用基板２３０の製造方法である。第１基板２２０の一方の面に第１レンズ状凹部２３１を形成する工程と、第１レンズ状凹部２３１にペースト状の第１無機レンズ材料を充填する工程と、第１無機レンズ材料を焼成して第１レンズ状凹部内２３１に第１無機レンズ層２３３を形成する工程と、第１無機レンズ層２３３の上方に半導体層２２４ａを有するスイッチング素子２２４を形成する工程と、スイッチング素子２２４に対応させて画素電極２２８を形成する工程と、を含む。【選択図】図２
2014089229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と画素電極とを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、 前記第１基板の一方の面に第１レンズ状凹部を形成する工程と、 前記第１レンズ状凹部にペースト状の第１無機レンズ材料を充填する工程と、 前記第１無機レンズ材料を焼成して前記第１レンズ状凹部内に第１無機レンズ層を形成する工程と、 前記第１無機レンズ層の上方に半導体層を有するスイッチング素子を形成する工程と、  前記スイッチング素子に対応させて前記画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記スイッチング素子を形成する工程の前に、前記第１無機レンズ層を平坦化する工程を有することを特徴とする請求項１記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板の製造方法と、 第２基板の一方の面に第２レンズ状凹部を形成する工程と、 前記第２レンズ状凹部にペースト状の第２無機レンズ材料を充填する工程と、 前記第２無機レンズ材料を焼成して前記第２レンズ状凹部内に第２無機レンズ層を形成する工程と、 前記第２無機レンズ層の上方に対向電極を形成する工程と、 前記画素電極を形成した前記第１基板と、前記対向電極を形成した前記第２基板とを、前記対向電極と前記画素電極とが対向するようにして貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法および電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スクリーン上に画像を投影する表示装置として、投射型表示装置が知られている。  このような投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネル（液晶光シャッター）が用いられている。この液晶パネルは、例えば、各画素を制御する薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と画素電極とを有する液晶駆動基板（ＴＦＴ基板）と、ブラックマトリックスや対向電極等を有する液晶パネル用対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。このような構成の液晶パネル（ＴＦＴ液晶パネル）では、液晶パネル用対向基板の画素となる部分以外のところにブラックマトリックスが形成されているため、液晶パネルを透過する光の領域は制限される。このため、光の透過率が下がる。  
【０００３】
かかる光の透過率を高めるべく、液晶パネル用対向基板には、各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズが設けられたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。これにより、液晶パネル用対向基板を透過する光は、ブラックマトリックスに形成された開口に集光され、光の透過率が高まる。  しかし、特許文献１にかかるマイクロレンズ基板は、対向基板にのみ適用されたものであり、さらに、マイクロレンズを樹脂材料で形成しているため、十分な耐久性が得られなかった。  
【０００４】
これに対し、素子基板にマイクロレンズを形成する方法として、基板上にＴＦＴを形成した後、該基板の裏面を研磨し、マイクロレンズが形成された基板を貼り付ける方法が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２１７０２号公報
【特許文献２】特開２００３−３３０００６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の方法では、基板を高精度に研磨する必要がある上、樹脂層を介してマイクロレンズ基板を貼り付けるため、マイクロレンズを樹脂材料で形成している場合と同様に、充分な耐久性が得られない可能性が高い。  
【０００７】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、樹脂材料を用いてマイクロレンズを形成したりマイクロレンズを貼り合わせたりすることなく、無機レンズ材料によって素子基板に直接マイクロレンズを作り込めるようにし、これによって耐久性を向上した電気光学装置用基板および電気光学装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置用基板の製造方法は、第１基板と画素電極とを有する電気光学装置用基板の製造方法であって、 前記第１基板の一方の面に第１レンズ状凹部を形成する工程と、 前記第１レンズ状凹部にペースト状の第１無機レンズ材料を充填する工程と、 前記第１無機レンズ材料を焼成して前記第１レンズ状凹部内に第１無機レンズ層を形成する工程と、 前記第１無機レンズ層の上方に半導体層を有するスイッチング素子を形成する工程と、  前記スイッチング素子に対応させて前記画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。  
【０００９】
この電気光学装置用基板の製造方法によれば、第１レンズ状凹部に第１無機レンズ材料を充填し、該第１無機レンズ材料を焼成して第１無機レンズ層を形成するので、得られるマイクロレンズが無機材料からなる無機レンズ層となることで、耐熱性に優れたものとなる。したがって、該第１無機レンズ層の上方に高温プロセスでスイッチング素子を形成しても、第１無機レンズ層はこの高温プロセスに充分耐え得るものとなる。さらに、第１無機レンズ層は、高温環境下での使用にも、高強度の光照射を受ける過酷な環境での使用にも充分に耐え得るものとなるため、この製造方法によって得られる電気光学装置用基板は耐久性に優れたものとなる。  
【００１０】
また、第１基板には、通常はその製造の過程等で生じる歪み等の影響で僅かながら反りが生じている。このような反りは、従来では高温プロセスによるスイッチング素子の形成工程において歪みがさらに大きくなるため、より一層大きくなる傾向にある。したがって、従来ではスイッチング素子形成後の平坦化工程において、ＣＭＰなどによる研磨処理の負担が大きくなっている。すなわち、反りが残ると光路ずれなどが生じるおそれがあり、特に素子基板と対向基板の双方にマイクロレンズを形成するダブルレンズ構造の場合に、このような反りに起因する光路ずれが顕著になるからである。 これに対し、本発明では、第１無機レンズ層を形成する際に第１無機レンズ材料の焼成を行うので、この焼成によって第１基板の歪みを軽減することができ、これによってその後のスイッチング素子の形成工程後に残る歪みを少なくし、この歪みに起因して生じる反りを少なくすることができる。  
【００１１】
また、前記電気光学装置用基板の製造方法においては、前記スイッチング素子を形成する工程の前に、前記第１無機レンズ層を平坦化する工程を有することが好ましい。  このようにすれば、第１無機レンズ層形成後に生じている第１基板の反りを平坦化工程で一旦無くすことができ、したがってその後のスイッチング素子の形成工程後に生じる反りの量を軽減することができる。  
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法は、前記電気光学装置用基板の製造方法と、 第２基板の一方の面に第２レンズ状凹部を形成する工程と、 前記第２レンズ状凹部にペースト状の第２無機レンズ材料を充填する工程と、 前記第２無機レンズ材料を焼成して前記第２レンズ状凹部内に第２無機レンズ層を形成する工程と、 前記第２無機レンズ層の上方に対向電極を形成する工程と、 前記画素電極を形成した前記第１基板と、前記対向電極を形成した前記第２基板とを、前記対向電極と前記画素電極とが対向するようにして貼り合わせる工程と、を含むことを特徴とする。  
【００１３】
この電気光学装置の製造方法によれば、対向電極を形成する第２基板についても第２無機レンズ層を形成するので、耐熱性に優れたものとなり、したがって第１基板と第２基板とが貼り合わされて形成される電気光学装置についても、耐久性に優れたものとなる。 また、画素電極を形成する第１基板と対向電極を形成する第２基板の双方にマイクロレンズを形成することで、得られる電気光学装置をダブルレンズ構造にできるので、光の利用効率向上を図ることができる。例えば、投射型表示装置（プロジェクター）では、入射光によっては垂直な光軸に対して角度が大きく、投射レンズののみこみ角度以上になる光もあることが、光の利用効率の落ちる一因となっている。これに対し、本製造方法によって得られる電気光学装置を投射型表示装置（プロジェクター）の光シャッター（例えば液晶パネル）に適用した場合に、前記したようにダブルレンズ構造となっているので、第２基板に形成した第２無機レンズ層によって光線角度を平行光に近づけることができ、これによってコントラストの向上および透過率の向上を図ることができる。さらに、第１基板の第１無機レンズ層によって入射光をより垂直光軸に近づけることができ、これによって前述したように光の利用効率向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】電気光学装置の一例として液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図３】図に示した液晶装置の電気的構成を示す配線図である。
【図４】（ａ）はレンズ層を形成した基材平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は基材に対する凹部の形成方法の一例を示す工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は無機ガラス材料の充填工程説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はＴＦＴアレイ基板の製造工程説明図である。
【図８】プロジェクターの光学系を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。なお、以下の図面においては、各部材を認識可能な大きさとするために、各部材の縮尺を適宜変更している。  まず、本発明の製造方法によって得られる電気光学装置の一例の概略構成を説明する。図１は、前記電気光学装置の一例としての、液晶装置（液晶パネル）１２０の概略構成を示す平面図、図２は、図１のＡ−Ａ線矢視断面図である。  
【００１６】
図１に示すように液晶装置１２０は、ＴＦＴアレイ基板２３０と対向基板２１０とが重ね合わされるとともに、両者の間に設けられたシール材５２によって貼り合わされた構成となっている。シール材５２によって区画された領域内には、液晶が封入されて液晶層２５０が形成されている。シール材５２の形成領域の内側には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。  
【００１７】
シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路４１および外部回路実装端子４２がＴＦＴアレイ基板２３０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路５４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２３０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路５４の間を接続するための複数の配線５５が設けられている。また、対向基板２１０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板２３０と対向基板２１０との間で電気的導通をとるための基板間導通材５６が配設されている。  
【００１８】
なお、データ線駆動回路４１および走査線駆動回路５４をＴＦＴアレイ基板２３０上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ基板とＴＦＴアレイ基板２３０の周辺部に形成された端子群とを、異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。  
【００１９】
図２に示すように対向基板２１０は、基材（第２基板）２００、光屈折層（第２無機レンズ層）２０１、遮光部２０３、保護層２０４、対向電極（共通電極）２０５及び配向膜２０６を有している。  基材２００は、例えばガラスや石英などの、光透過性を有する材料からなるもので、液晶層２５０側の第一面２００ａに複数の第一凹部（第２レンズ状凹部）２００ｂを形成している。複数の第一凹部２００ｂは、平面視で複数の画素の各々と重なり合うように配置されている。本実施形態では、複数の第一凹部２００ｂは、マトリクス状に配列された構成を有している。複数の第一凹部２００ｂの底部は、それぞれ曲面状に形成されている。  
【００２０】
光屈折層２０１は、複数の第一凹部２００ｂを含む基材２００の第一面２００ａの略全面に積層されている。光屈折層２０１は、例えば基材２００よりも光屈折率の高い材料（第２無機レンズ材料）を用いて形成されている。このような材料（第２無機レンズ材料）としては、後述するようにホウケイ酸ガラス等のガラスフリットなどが挙げられる。  
【００２１】
本実施形態では
、第一凹部２００ｂの底部が曲面状に形成されているため、基材２００に入射して第一凹部２００ｂに到達した光は、基材２００と光屈折層２０１との間の光屈折率差により、平面視で第一凹部２００ｂの中央部側へ屈折する。このように、光屈折層２０１のうち、複数の複数の第一凹部２００ｂの内部に設けられる部分は、光を集光する第一マイクロレンズＭＬ１を構成している。各々の第一マイクロレンズＭＬ１は、平面視で複数の画素の各々と重なり合うように配置される。  
【００２２】
遮光部２０３は、光屈折層２０１の第二面２０１ａのうち、第一マイクロレンズＭＬ１同士の境界に平面視で重なる領域に形成されている。保護層２０４は、光屈折層２０１の第二面２０１ａ及び遮光部２０３を覆うように形成されたもので、該第二面２０１ａのほぼ全面に形成されている。対向電極２０５は、保護層２０４のほぼ全面に形成されている。配向膜２０６は、対向電極２０５を覆ってその全面に形成されている。  
【００２３】
ＴＦＴアレイ基板２３０は、基材（第１基板）２２０、下地層２２１、第一遮光層２２２（ブラックマトリクス）、第一絶縁層２２３、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）２２４、第二絶縁層２２５、第二遮光層２２６（ブラックマトリクス）、第三絶縁層２２７、画素電極２２８及び配向膜２２９を有して構成されている。このＴＦＴアレイ基板２３０には、平面視で画素電極２２８に重なる画素領域２３５と、該画素領域２３５から外れた画素間領域２３６とが設けられている。  
【００２４】
基材２２０は、前記基材２００と同様、例えばガラスや石英など、光透過性を有する材料を用いて形成されている。下地層２２１は、基材２２０の表面に形成されている。第一遮光層２２２は、下地層２２１の液晶層２５０側の表面２２１ａに設けられている。第一絶縁層２２３は、第一遮光層２２２を含む下地層２２１の表面２２１ａを覆って形成されている。  
【００２５】
ＴＦＴ２２４は、画素電極２２８を駆動するスイッチング素子であり、半導体層２２４ａ及び不図示のゲート電極を有して構成されている。半導体層２２４ａには、ソース領域、チャネル領域及びドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、又は、チャネル領域とドレイン領域との界面には、例えばＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。  
【００２６】
ゲート電極は、ＴＦＴアレイ基板２３０上において平面視で半導体層２２４ａのチャネル領域と重なる領域に、第二絶縁層２２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略しているが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線２４２（図３参照）にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２２４をオン／オフ制御している。  
【００２７】
第一遮光層２２２及び第二遮光層２２６は、前記対向基板２１０の遮光部２０３に平面視で重なるように格子状に形成されている。第一遮光層２２２及び第二遮光層２２６は、ＴＦＴアレイ基板２３０の厚さ方向において、ＴＦＴ２２４を挟むように配置されている。第一遮光層２２２及び第二遮光層２２６が設けられていることにより、ＴＦＴ２２４への光の入射が抑制されている。第一遮光層２２２に囲まれている矩形状の領域（開口部２２２ａ）、及び、第二遮光層２２６に囲まれている矩形状の領域（開口部２２６ａ）は、光が透過する領域となっている。  
【００２８】
画素電極２２８は、開口部２２２ａ及び開口部２２６ａに平面視で重なる領域に設けられている。ＴＦＴ２２４や該ＴＦＴ２２４に電気信号を供給する不図示の電極や配線５５（図１等参照）等は、第一遮光層２２２及び第二遮光層２２６に平面視で重なる領域に設けられている。なお、これらの電極や配線５５等が第一遮光層２２２及び第二遮光層２２６を兼ねた構成であっても構わない。また、配向膜２２９は、画素電極２２８を覆って形成されている。  
【００２９】
前記基材（第１基板）２２０のＴＦＴ２２４形成側の面には、平面視で主に画素電極２２８が形成された領域に、曲面状の凹部（第１レンズ状凹部）２３１が複数形成されている。これによって複数の凹部２３１は、平面視で複数の画素の各々と重なり合うように配置されており、したがって対向基板２１０の第一凹部２００ｂにそれぞれ対向して配置されている。  
【００３０】
凹部２３１の内部には、基材２２０よりも光屈折率の高い材料（第１無機レンズ材料）が充填されており、レンズ層（第１無機レンズ層）２３３が形成されている。レンズ層２３３を形成する材料としては、対向基板２１０の光屈折層（第２無機レンズ層）２０１と同様に、ホウケイ酸ガラス等のガラスフリットなどが好適に用いられている。レンズ層２３３のうち液晶層２５０側の面は、下地層２２１によって覆われている。  
【００３１】
凹部２３１が曲面状に形成されているため、画素電極２２８を透過してレンズ層２３３に入射した光は、レンズ層２３３と基材２２０との間の光屈折率差により、平面視でレンズ層２３３の中央部側へ屈折する。これにより、凹部２３１（レンズ層２３３）は光を集光する第二マイクロレンズＭＬ２を構成している。各々の第二マイクロレンズＭＬ２は、平面視で複数の画素の各々と重なり合うように配置されており、これによって第二マイクロレンズＭＬ２は、対向基板２１０の第一マイクロレンズＭＬ１とそれぞれ対向して配置されている。すなわち、本実施形態の液晶装置１２０はダブルレンズ構造となっている。  
【００３２】
液晶層２５０は、対向基板２１０側の配向膜２０６と、ＴＦＴアレイ基板２３０側の配向膜２２９との間に液晶が封入されたことにより、形成されている。  
【００３３】
図３は、液晶装置１２０の電気的な構成を示す回路図である。  図３に示すように、画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極２２８、及びＴＦＴ２２４が形成されている。ＴＦＴ２２４は、画素電極２２８に電気的に接続されており、液晶装置１２０の動作時において、画素電極２２８に対する画像信号の供給及び非供給を相互に切り替えるように、画素電極２２８をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線２４１は、ＴＦＴ２２４のソース領域に電気的に接続されている。  
【００３４】
ＴＦＴ２２４のゲートには走査線２４２が電気的に接続されている。液晶装置１２０は、所定のタイミングで、走査線２４２にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極２２８は、ＴＦＴ２２４のドレインに電気的に接続されている。画素電極２２８には、スイッチング素子であるＴＦＴ２２４を一定期間だけ閉じることにより、データ線２４１から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。  
【００３５】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極２２８と対向基板２１０に形成された対向電極２０５との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号がリークするのを防止するため、画素電極２２８と容量線２４３との間に蓄積容量２７０が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。  
【００３６】
液晶層２５０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。  
【００３７】
図２に示すように、前記のように構成された液晶装置１２０において、例えば対向基板２１０の基材２００に入射した光Ｌ１（平行光）は、第一マイクロレンズＭＬ１によって開口部２０３ｂの中央部側へ屈折される。その後、液晶層２５０を通過した光Ｌ１は、液晶装置１２０の垂直方向に対して傾いた方向に進行する。この光Ｌ１は、ＴＦＴアレイ基板２３０のレンズ層２３３に入射し、第二マイクロレンズＭＬ２によって平面視でレンズ層２３３の内側へ屈折される。この光屈折により、光Ｌ１の進行方向は、液晶装置１２０の垂直方向に沿った方向に近づけられることになる。  
【００３８】
また、基材２００に入射した光Ｌ２については、第一マイクロレンズＭＬ１によって開口部２０３ｂの中央部側へ屈折される。この光屈折により、光Ｌ２の進行方向は、遮光部２０３から逸れた方向に屈折される。その後、液晶層２５０を通過した光Ｌ２は、液晶装置１２０の垂直方向に対して傾いた方向に進行するものの、第二マイクロレンズＭＬ２によって平面視でレンズ層２３３の内側へ屈折される。この光屈折により、光Ｌ２の進行方向は、液晶装置１２０の垂直方向に沿った方向に近づけられる。  
【００３９】
さらに、基材２００に入射した光Ｌ３については、第一マイクロレンズＭＬ１によって開口部２０３ｂの中央部側へ屈折され、液晶層２５０を通過した後、液晶装置１２０の垂直方向に対して傾いた方向に進行する。この光Ｌ３は、凹部２３１の垂直領域２３１ｃによって反射され、第二マイクロレンズＭＬ２によって平面視でレンズ層２３３の内側へ屈折される。この光屈折により、光Ｌ３の進行方向は、液晶装置１２０の垂直方向に沿った方向に近づけられる。  
【００４０】
このように液晶装置１２０は、対向基板２１０側に第一マイクロレンズＭＬ１（光屈折層２０１）を有し、ＴＦＴアレイ基板２３０側に第二マイクロレンズＭＬ２（レンズ層２３３）を有するダブルレンズ構造となっているので、対向基板２１０側からＴＦＴアレイ基板２３０側に向けて通過する光を、液晶装置１２０の垂直方向（厚さ方向）に近い方向へ射出することができる。このため、光の利用効率を高めることができる。  
【００４１】
次に、前記液晶装置１２０の製造方法に基づき、本発明にかかる電気光学装置用基板の製造方法、および電気光学装置の製造方法を説明する。  まず、電気光学装置用基板として、ＴＦＴアレイ基板２３０の製造方法を説明する。  ＴＦＴアレイ基板２３０用の基板、すなわち第１基板として、ガラスや石英などを用いて形成された基材２２０を用意する。  
【００４２】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、該基材２２０の表面（一方の面）にレンズ層２３３（第二マイクロレンズＭＬ２）を形成する。ここで、図４（ａ）はレンズ層２３３を形成した基材の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。  このようなレンズ層２３３を形成するには、まず、レンズ層２３３（第１無機レンズ層）を形成するための第１無機レンズ材料の分散液を調製する。材料としては、例えば微粒子状のガラスフリット（第１無機レンズ材料）と、ガラスフリットを繋ぐための主に樹脂成分からなるバインダーと、分散媒とが用いられる。なお、これら主材料以外にも、必要に応じて例えば可塑剤などを添加してもよい。そして、これらを混合してペースト状に調整することにより、第１無機レンズ材料の分散液が得られる。なお、この第１無機レンズ材料の分散液中には、第１無機レンズ材料であるガラスフリット以外に有機材料であるバインダーや分散媒が含まれるものの、後述するようにバインダーや分散媒は焼成工程によって蒸散し消失するため、前記分散液は最終的にガラスフリットからなる無機成分（第１無機レンズ材料）のみとなる。  
【００４３】
ガラスフリットとしては、特に限定されることはないものの、これから得られるレンズ層２３３の屈折率が、基材２２０の屈折率に比べて少なくとも０．１以上高いもの、すなわち屈折率差が０．１以上となる材料が用いられる。  
【００４４】
このようなガラスフリットとしては、例えばソーダガラス、結晶性ガラス、クラウンガラス、カリウムガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸ガラ
ス、ホウケイ酸ガラスと酸化ビスマスを主成分としたビスマス系ガラス、ホウケイ酸ガラスと酸化ゲルマニウムを主成分とした酸化ゲルマニウム系ガラス等の、各ガラスフリットを用いることもできる。本実施形態では、ホウケイ酸ガラスフリットが好適に用いられる。このホウケイ酸ガラスフリットは、酸化ケイ素と酸化ホウ素との混合物を焼成してガラス化した後、粉末化されたものであり、市販されているものを用いることができる。  
【００４５】
なお、本実施形態では、後述するようにレンズ層２３３の形成の後、高温プロセスによるＴＦＴ２２４の形成工程があるので、ガラスフリット（第１無機レンズ材料）としては軟化点が高く、耐熱性が高いものが好ましい。そのため、対向基板２１０に形成する光屈折層２０１（第２無機レンズ層：第一マイクロレンズＭＬ１）用の第２無機レンズ材料（ガラスフリット）に比べ、耐熱性が高くなるように、珪素分（ＳｉＯ２）を多くしたホウケイ酸ガラスフリットを用いるのが好ましい。  
【００４６】
ガラスフリットの粒径については、流動性を確保するため、１０μｍ以下であることが好ましい。一方、粒径をより微細化することは、製品製造上は好ましいものの、ガラス微粒子の製造上からは、装置コストや長い製造工程を経なければならないなど、コストが大幅に上昇し、また粒径の均一化もより困難となる。したがって、微粒子製造の制限から、１０ｎｍ以上の粒径であることが好ましい。  
【００４７】
バインダーとしては、樹脂成分であれば特に限定はされないものの、ガラスフリットを繋ぎ止める性能に加え、後述の焼成工程において確実に蒸散される性質を有する必要がある。このようなバインダーとしては、例えば、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）等が好適に用いられ、本実施形態ではセルロース系樹脂が用いられる。  
【００４８】
分散媒としては、低沸点タイプのエタノール、アセトン、中沸点タイプのブタノール、トルエン、高沸点タイプのイソホロン、ターピネオールなどが使用可能である。ただし、後述するように無機レンズ材料をペースト状に調製する必要上、この分散媒についてもペースト材料として好適なものを用いるのが好ましく、したがって高沸点タイプの溶剤などを単体、もしくは複数種を混合して用いるのが好ましい。本実施形態では、ペースト材料として好適なターピネオールを、分散媒として用いる。このターピネオールを用いることで、後述する無機レンズ材料の分散液の充填をスクリーン印刷（スキージ印刷）で容易に行うことができるようになる。  
【００４９】
このような材料を用いて分散液を調製するには、まず、分散媒にバインダー樹脂を加えたものをボールミル装置に入れ、充分な時間（例えば一昼夜）をかけて混合する。これにより、バインダー樹脂を分散媒に溶解させる。続いて、この溶液中にガラスフリットを投入し、引き続き三本ロールミル装置で混合することにより、ガラスフリットを分散させてなる分散液、すなわち無機レンズ材料の分散液を調製する。このようにして調製された分散液は、バインダー樹脂を溶解し、さらにガラスフリットを分散させていることで粘度が高くなり、ペースト状となっている。なお、ガラスフリットを分散させる処理については、数分から数十分程度行うことにより、ガラスフリットを充分均一に分散させることができる。  
【００５０】
分散媒、バインダー樹脂、ガラスフリットの各配合量については、バインダー樹脂を分散媒で良好に溶解させることができ、かつ、ガラスフリットを分散させた状態で所望の粘度、すなわち後述するスクリーン印刷に適した粘度となるように設定しておく。  
【００５１】
また、前述の第１無機レンズ材料の調製工程とは別に、基材２２０に対して凹部２３１（第１レンズ状凹部）を形成する。図５（ａ）〜（ｅ）に、基材２２０に対する凹部２３１の形成方法の一例を示す。  
【００５２】
＜マスク形成用膜形成工程＞  図５（ａ）に示すように、まず、均一な厚さで傷が無く、表面を清浄化した基材２２０を用意し、この基材２２０の表面にマスク形成用膜２１を形成する。このマスク形成用膜２１は、後の工程において開口部（初期孔）が形成されることにより、マスクとして機能するものである。後述するが、マスク形成用膜２１はレーザー照射により初期孔２２が形成され、続いてエッチングにより初期孔２２より基材２２０へ凹部を形成する。したがって、マスク形成用膜２１は、エッチングに対する耐性を有するものであることが好ましい。すなわち、マスク形成用膜２１のエッチングレートは基材２２０に比べて充分に小さくなっていることが好ましい。  
【００５３】
このことから、マスク形成用膜２１の材料としては、例えばＣｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の金属、もしくはこれらから選択される２種以上を含む合金、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ等の酸化物（金属酸化物）、シリコン、樹脂等が用いられる。また、ＣｕとＡｕ、あるいは酸化ＣｒとＣｒのように異なる材料からなる複数の積層構造としてもよい。マスク形成用膜２１の形成方法としては、特に限定されることなく、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などから膜材料に最適な方法が適宜選択され、用いられる。また、膜厚については、初期孔の形成条件ならびにエッチング条件によって適宜に設定されるものの、０．０１μｍ〜０．２μｍ程度に形成するのが好ましい。  
【００５４】
＜初期孔形成工程＞  マスク形成用膜２１を基材２２０の表面に形成した後、図５（ｂ）に示すようにマスク形成用膜２１に、後述するエッチングの際のマスク開口となる初期孔２２を、マイクロレンズ形成位置と対応する位置に形成する。これにより、所定の開口パターンを有するマスク２３が得られる。  
【００５５】
初期孔２２の形成方法としては、レーザー光照射、エッチング処理などが採用される。特に、位置精度を高く維持でき、隣接する初期孔２２同士の間隔を正確に制御することが可能となるため、レーザー光照射が好適に採用される。  
【００５６】
＜エッチング工程＞  次に、図５（ｃ）に示すように、マスク２３に形成された初期孔２２を通じてエッチングにより基材２２０に凹部２４を形成する。本実施形態では、ウエットエッチングによって凹部２４を形成する。エッチング液としては、特に限定されないものの、本実施形態ではガラスや石英からなる基材２２０を用いているため、フッ酸（フッ化水素）を含むフッ酸系エッチング液が用いられる。フッ酸系エッチング液を用いることにより、基材２２０をより選択的に食刻することができ、凹部２４を好適に形成することができる。  
【００５７】
初期孔２２を形成したマスク２３で被覆された基材２２０に対してエッチングを施すことにより、図５（ｃ）に示すように基材２２０は、マスク２３に形成された初期孔２２、すなわちマスク材が存在しない部分よりエッチング液によって食刻され、凹部２４が形成される。エッチングの時間などを制御して徐々に基材２２０を食刻することにより、図５（ｄ）に示すように所定深さの凹部２４、すなわち第１レンズ状凹部２３１を形成することができる。  
【００５８】
＜マスク除去工程＞  その後、マスク２３をエッチング等により除去することにより、図５（ｅ）に示すように多数の凹部２４（２３１）を有する基材２２０、すなわち図４（ａ）、（ｂ）に示した基材２２０のレンズ層形成前のものを得る。  
【００５９】
次に、基材２２０の凹部２３１内に、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように前述した第１無機レンズ材料の調製工程で得られたペースト状の第１無機レンズ材料、すなわち第１無機レンズ材料の分散液を充填する。  なお、図６（ａ）は凹部２３１形成面側から見た基材２２０を模式的に示す平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図、図６（ｃ）、図６（ｄ）は第１無機レンズ材料の充填処理の説明図である。  
【００６０】
まず、図６（ａ）、（ｂ）に示す凹部２３１を有する基材２２０に、必要に応じて洗浄・乾燥などの前処理を施しておく。  次に、前記ペースト状の第１無機レンズ材料を、スクリーン印刷法によって基材２２０の凹部２３１内に充填する。まず、図６（ｃ）に示すように基材２２０上に、そのレンズ形成領域にアライメントさせて金属製のスクリーン印刷版（メタルマスク）３０を配置する。  
【００６１】
スクリーン印刷版３０には、凹部２３１に対応する位置への第１無機レンズ材料３１の充填量に応じてメッシュパターン３０ａが形成されている。このメッシュパターン３０ａは、ペースト状の無機レンズ材料３１の流動性（粘性）や、基材２２０の凹部２３１の深さ大きさによって決定されるものであるが、最も簡便なパターンとしては、レンズ形成範囲全面に刷り込ませる、いわゆるベタパターンを形成するものであってもよい。このようなスクリーン印刷版３０としては、第１無機レンズ材料３１の固形分濃度によってその厚さが設定されるが、マスク洗浄などに対する耐久性を確保するため、例えば２５μｍ以上、好ましくは５０μｍ程度の厚さのものを用いる。  
【００６２】
このようにしてスクリーン印刷版３０を配置した後、このスクリーン印刷版３０上に前記第１無機レンズ材料３１を配し、続いてスキージ３２によって第１無機レンズ材料３１をならす。これにより、ペースト状の第１無機レンズ材料３１を押圧して基材２２０の凹部２３１内およびその上に、第１無機レンズ材料３１を充填配置することができる。  ここで、充填配置する第１無機レンズ材料３１の量、すなわちその厚さについては、凹部２３１内に確実に充填され、かつ、後工程である平坦化工程において平坦化のための研磨代が１〜５μｍ程度に納まる範囲とされる。このように凹部２４内に無機レンズ材料３１を充填することにより、図６（ｄ）に示すように、第１無機レンズ材料３１が充填されてなる焼成前の基材２２０が得られる。  
【００６３】
次に、図６（ｄ）に示した焼成前の基材２２０を加熱焼成する。すなわち、この焼成工程では、凹部２３１に充填した第１無機レンズ材料３１を加熱し焼成し、図４（ａ）、（ｂ）に示したレンズ層２３３を形成する。その際、第１無機レンズ材料３１の分散液中の前記ガラスフリットの軟化点より高い温度、例えばガラスフリットの軟化点温度より５０℃〜１００℃程度高い温度で加熱焼成する。  
【００６４】
具体的には、まず、焼成前の基材２２０を３０分間程度、１００℃〜２００℃の雰囲気乾燥炉を用いて乾燥する。次に、乾燥させた焼成前の基材２２０を電気炉などの焼成炉によって焼成する。焼成シーケンスとしては、バインダー樹脂が蒸散する温度、すなわち脱バインダー温度まで１０℃／分の昇温速度で加熱温度を上げていく。本実施形態では、脱バインダー温度を４５０℃〜５００℃程度としている。そして、この脱バインダー温度に所定時間維持し、バインダー樹脂を確実に蒸散させる。  
【００６５】
このようにして脱バインダー処理を行った後、ガラスフリットの軟化点より高い温度まで、１０℃／分の昇温速度で加熱温度を上げていく。そして、この加熱温度（焼成温度）で１５分〜６０分程度維持し、ガラスフリットを軟化させてガラス化する。例えば、ガラスフリットとしてホウケイ酸ガラスフリットを用いた場合、その軟化点温度は７８０℃であるため、加熱温度を８５０℃まで上げていく。  
【００６６】
その後、自然冷却によって基材２２０を常温にまで戻す。これにより、凹部２３１内にレンズ層２３１を形成し、これによって第二マイクロレンズＭＬ３を形成した基材２２０が得られる。  なお、焼成炉としては電気炉に限定はされないものの、第１無機レンズ材料３１への影響を排除するため、活性ガスや煤などの不純物を発生しない装置で焼成を行う必要がある。  
【００６７】
このようにレンズ層２３３の形成のため焼成を行うので、この焼成によって基材２２０の歪みを軽減することができ、これによってその後のＴＦＴ（スイッチング素子）２２４の形成工程後に残る歪みを少なくし、この歪みに起因して生じる反りを少なくすることができる。すなわち、基材２２０には、通常はその製造の過程等で生じる歪み等の影響で僅かながら反りが生じているが、前記の焼成により、その歪みを軽減することができる
。  
【００６８】
また、このようにして得られたレンズ層２３３は、凹部２３１と反対の側の面が前記スキージ３２によってならされ、さらに焼成された面であるため、充分な平坦面とはなっていない。そこで、このレンズ層２３３を平坦化する。平坦化処理としては、ポリッシュ研磨法やＣＭＰ法（化学機械研磨法）などが好適に用いられる。  このようにして平坦化処理を行うと、レンズ層２３３の形成後に生じている基材２２０の反りを一旦無くすことができる。したがって、その後のＴＦＴ（スイッチング素子）２２４の形成工程後に生じる反りの量を軽減することができる。  
【００６９】
このようにしてレンズ層２３３を形成し、さらにその平坦化を行ったら、後は従来のＴＦＴアレイ基板の製造と同様にして、図７（ｂ）に示すように各層を順次形成する。ここで、図７（ｂ）は図７（ａ）の側断面図であり、図７（ａ）はレンズ層２３３の配置を示す模式平面図である。図７（ｂ）において、下地層２２１より下（特にレンズ層２３３の層）は図７（ａ）におけるＤ−Ｄ線矢視断面図であり、下地層２２１より上（特にＴＦＴ２２４の層）は図７（ａ）におけるＥ−Ｅ線矢視断面図である。  まず、レンズ層２３３を形成した基材２２０上に下地層２２１を形成する。下地層２２１を形成した後、該下地層２２１の表面２２１ａのうち平面視で前記構成における画素間領域２３６となる領域に第一遮光層２２２を形成する。  
【００７０】
次に、第一遮光層２２２を含む下地層２２１の表面２２１ａを覆うように第一絶縁層２２３を形成する。第一絶縁層２２３を形成した後、第一絶縁層２２３の表面２２３ａのうち第一遮光層２２２に平面視で重なる部分に、ＴＦＴ２２４を形成する。この工程においては、例えば１０００℃を超える高温プロセスにより、ＴＦＴ２２４の一部を構成する半導体層２２４ａを形成する。しかし、本実施形態では、先に形成したレンズ層２３３は第１無機レンズ材料（カラスフリット）からなる第１無機レンズ層となっているので、耐熱性が充分に高く、したがってこのような高温プロセスに晒されても熱応力等によって大きな歪みが生じたり、クラックが発生するおそれはない。  
【００７１】
半導体層２２４ａを形成した後、半導体層２２４ａを含む第一絶縁層２２３の表面２２３ａを覆うように第二絶縁層２２５を形成する。第二絶縁層形成工程では、例えば第一絶縁層２２３と同一の材料を用いて第二絶縁層２２５を形成する。なお、第二絶縁層２２５を平坦化層として機能させるべく、該第二絶縁層２２５をＣＭＰ法等によって平坦化処理してもよい。  第二絶縁層２２５を形成した後、該第二絶縁層２２５の表面２２５ａのうち少なくとも半導体層２２４ａに平面視で重なる部分に第二遮光層２２６を形成する。以上の工程を経て、図７に示す状態となる。  
【００７２】
次いで、図２に示したように第二遮光層２２６及び第二絶縁層２２５上に、第三絶縁層２２７や配線、電極などを形成し、さらに第三絶縁層２２７の表面に、前記ＴＦＴ２２４にそれぞれ対応させて該ＴＦＴ２２４に接続する画素電極２２８及びコンタクトホールなどを形成する。なお、前記第二絶縁層２２５に代えて第三絶縁層２２７を平坦化層として機能させるべく、該第三絶縁層２２７をＣＭＰ法等によって平坦化処理してもよい。  その後、画素電極２２８及び第三絶縁層２２７を覆うように配向膜２２９を形成することで、ＴＦＴアレイ基板２３０が製造される。  
【００７３】
一方、対向基板２１０の製造については、基本的にはＴＦＴアレイ基板２３０の製造方法から、ＴＦＴ２２４やその周辺の各層の形成工程を省略することで行うことができる。  すなわち、基材２００（第２基板）に対する光屈折層２０１（第２無機レンズ層）の形成については、図５、図６等に示した基材２２０（第２基板）に対するレンズ層２３３（第１無機レンズ層）の形成と同様にして行うことができる。なお、この光屈折層２０１の形成に際しても、液晶層２５０側となる面を、ＣＭＰ法等によって平坦化処理を行うことで平坦化する。  
【００７４】
また、光屈折層２０１形成工程後の、遮光部２０３、保護層２０４、対向電極２０５、配向膜２０６の各形成については、従来公知の対向基板の形成工程と同様にして行うことができる。  そして、このようにして形成した対向電極２１０と前記ＴＦＴアレイ基板２３０とを、従来の液晶装置の形成工程と同様にしてシール材５２を介して貼り合わせ、その後液晶を封入して液晶層２５０を形成することにより、図２に示した液晶装置１２０を得ることができる。  
【００７５】
本実施形態におけるＴＦＴアレイ基板２３０の製造方法よれば、凹部２３１（第１レンズ状凹部）に第１無機レンズ材料を充填し、該第１無機レンズ材料を焼成してレンズ層２３３（第１無機レンズ層）を形成するので、得られるレンズ層２３３（第二マイクロレンズＭＬ２）が無機材料からなる無機レンズ層となることで、耐熱性に優れたものとなる。したがって、このレンズ層２３３の上方に高温プロセスでＴＦＴ２２４（スイッチング素子）を形成しても、レンズ層２３３はこの高温プロセスに充分耐え得るものとなる。  
【００７６】
さらに、レンズ層２３３は、高温環境下での使用にも、高強度の光照射を受ける過酷な環境での使用にも充分に耐え得るものとなるため、この製造方法によって得られるＴＦＴアレイ基板２３０は耐久性に優れたものとなり、投射型表示装置（プロジェクター）用の液晶パネル（液晶光シャッター）のＴＦＴアレイ基板として好適なものとなる。  
【００７７】
また、基材２２０（第１基板）には、通常はその製造の過程等で生じる歪み等の影響で僅かながら反りが生じている。このような反りは、従来では高温プロセスによるＴＦＴ２２４の形成工程において歪みがさらに大きくなるため、より一層大きくなる傾向にある。 したがって、従来ではＴＦＴ形成後の平坦化工程において、ＣＭＰなどによる研磨処理（平坦化処理）の負担が大きくなっている。すなわち、反りが残ると光路ずれなどが生じるおそれがあり、本実施形態のようにＴＦＴアレイ基板２３０（素子基板）と対向基板２１０の双方にマイクロレンズを形成するダブルレンズ構造の場合に、このような反りに起因する光路ずれが顕著になるからである。 これに対し、本実施形態では、レンズ層２３３を形成する際に第１無機レンズ材料の焼成を行うので、この焼成によって基材２２０の歪みを軽減することができ、これによってその後のＴＦＴ２２４の形成工程後に残る歪みを少なくし、この歪みに起因して生じる反りを少なくすることができる。  
【００７８】
また、ＴＦＴ２２４を形成する工程の前にレンズ層２３３を平坦化する工程を有しているので、レンズ層２３３形成後に生じている基材２２０の反りを平坦化工程で一旦無くすことができ、したがってその後のＴＦＴ２２４の形成工程後に生じる反りの量を軽減することができる。  
【００７９】
また、液晶装置１２０（電気光学装置）の製造方法にあっては、対向電極２０５を形成する基材２００（第２基板）についてもガラスフリット（無機材料）によって光屈折層２０１（第２無機レンズ層）を形成するので、対向基板２１０も耐熱性に優れたものに形成することができる。したがって、ＴＦＴアレイ基板２３０と対向基板２１０とを貼り合わせて形成する電気光学装置についても、優れた耐久性を有するものとなる。  
【００８０】
また、画素電極２２８を形成するＴＦＴアレイ基板２３０と対向電極２０５を形成する対向基板２１０の双方にマイクロレンズ（ＭＬ２、ＭＬ１）を形成することで、得られる液晶装置１２０をダブルレンズ構造にできるので、光の利用効率向上を図ることができる。例えば、投射型表示装置（プロジェクター）では、入射光によっては垂直な光軸に対して角度が大きく、投射レンズののみこみ角度以上になる光もあることが、光の利用効率の落ちる一因となっている。  
【００８１】
これに対し、本製造方法によって得られる液晶装置１２０を投射型表示装置（プロジェクター）の光シャッターに適用した場合に、前記したようにダブルレンズ構造となっているので、対向基板２１０に形成した光屈折層２０１によって光線角度を平行光に近づけることができ、これによってコントラストの向上および透過率の向上を図ることができる。さらに、ＴＦＴアレイ基板２３０のレンズ層２３３によって入射光をより垂直光軸に近づけることができ、これによって前述したように光の利用効率向上を図ることができる。  
【００８２】
［使用例］  前記実施形態によって得られる液晶装置１２０は、投射型表示装置における液晶ライトバルブ（光シャッター）となる液晶パネルに好適に使用される。  図８は、液晶装置１２０が好適に用いられるプロジェクター１００（投射型表示装置）の光学系を示す模式図である。  図８に示すようにプロジェクター１００は、光源装置１０１と、インテグレーター１０４と、偏光変換素子１０５と、色分離導光光学系１０２と、光変調装置としての液晶光変調装置１１０Ｒ，液晶光変調装置１１０Ｇ， 液晶光変調装置１１０Ｂと、クロスダイクロイックプリズム１１２及び投射光学系１１４と、を具備して構成されている。液晶光変調装置１１０Ｒ、１１０Ｇ及び１１０Ｂには、後述するように、液晶装置１２０Ｒ、１２０Ｇ及び１２０Ｂが設けられている。これら液晶装置１２０Ｒ、１２０Ｇ及び１２０Ｂとして、例えば前記実施形態において説明した液晶装置１２０が用いられる。  
【００８３】
光源装置１０１は、第１色光である赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、第２色光である緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び第３色光である青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する。光源装置１０１としては、例えば超高圧水銀ランプを用いることができる。  
【００８４】
インテグレーター１０４は、光源装置１０１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子１０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えば色分離導光光学系１０２の反射面に対してｓ偏光したｓ偏光光に変換される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離導光光学系１０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒに入射する。  
【００８５】
色分離導光光学系１０２は、Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒと、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇと、３枚の反射ミラー１０７と、２枚のリレーレンズ１０８と、を具備して構成されている。  Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー１０７に入射する。  反射ミラー１０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、Ｒ光用液晶光変調装置１１０Ｒに入射する。Ｒ光用液晶光変調装置１１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。  
【００８６】
Ｒ光用液晶光変調装置１１０Ｒは、λ／２位相差板１２３Ｒ、ガラス板１２４Ｒ、第１偏光板１２１Ｒ、液晶装置１２０Ｒ、及び第２偏光板１２２Ｒを有する。λ／２位相差板１２３Ｒ及び第１偏光板１２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板１２４Ｒに接する状態で配置される。なお、図８において、第２偏光板１２２Ｒは独立して設けられているが、液晶装置１２０Ｒの射出面や、クロスダイクロイックプリズム１１２の入射面に接する状態で配置してもよい。  
【００８７】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｒで反射された、Ｇ光とＢ光とは光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇで反射されたＧ光は、Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇに入射する。Ｇ光用液晶光変調装置１１０ＧはＧ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇは、液晶装置１２０Ｇ、第１偏光板１２１Ｇ及び第２偏光板１２２Ｇを有する。  
【００８８】
Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇに入射し
たｓ偏光光は、第１偏光板１２１Ｇをそのまま透過し、液晶装置１２０Ｇに入射する。液晶装置１２０Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光がｐ偏光光に変換される。液晶装置１２０Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第２偏光板１２２Ｇから射出される。このようにして、Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇで変調されたＧ光は、クロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。  
【００８９】
Ｂ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ１０８と、２枚の反射ミラー１０７とを経由して、Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂに入射する。  Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂは、λ／２位相差板１２３Ｂ、ガラス板１２４Ｂ、第１偏光板１２１Ｂ、液晶装置１２０Ｂ、及び第２偏光板１２２Ｂを有する。  
【００９０】
Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板１２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＢ光は、ガラス板１２４Ｂ及び第１偏光板１２１Ｂをそのまま透過し、液晶装置１２０Ｂに入射する。液晶装置１２０Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｂ光がｓ偏光光に変換される。液晶装置１２０Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第２偏光板１２２Ｂから射出される。Ｂ光用液晶光変調装置１１０Ｂで変調されたＢ光は、クロスダイクロイックプリズム１１２に入射する。  
【００９１】
このように、色分離導光光学系１０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー１０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー１０６Ｇとは、光源装置１０１から供給される光を、第１色光であるＲ光と、第２色光であるＧ光と、第３色光であるＢ光とに分離する。  
【００９２】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム１１２は、２つのダイクロイック膜１１２ａ、１１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜１１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜１１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム１１２は、Ｒ光用液晶光変調装置１１０Ｒ、Ｇ光用液晶光変調装置１１０Ｇ、及びＢ光用液晶光変調装置１１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。  
【００９３】
投射光学系１１４は、クロスダイクロイックプリズム１１２で合成された光をスクリーン１１６に投射する。これにより、スクリーン１１６上でフルカラー画像を得ることができる。  
【００９４】
このような構成のプロジェクター１００にあっては、耐久性に優れた液晶装置１２０Ｒ、１２０Ｇ、１２０Ｂ（液晶装置１２０）を備えているので、プロジェクター１００自体も耐久性に優れたものとなる。  また、液晶装置１２０Ｒ、１２０Ｇ及び１２０Ｂ（液晶装置１２０）の垂直方向に近い方向に光が射出されるようになるため、投射光学系１１４におけるのみこみ角度を超える光が射出されるのを低減することができる。これにより、光の利用効率を高めることができる。  
【００９５】
なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  例えば、前記実施形態においては、電気光学装置として液晶装置１２０を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されることなく、電気泳動素子をＴＦＴアレイ基板（素子基板）と対向基板とで挟持した電気泳動表示装置や、ＴＦＴアレイ基板（素子基板）に有機ＥＬ層が形成された有機ＥＬ装置など、他の電気光学装置に対しても、本発明の適用は可能である。  
【００９６】
また、本発明は、投射画像を観察する側から投射するフロント投射型プロジェクターに適用する場合にも、投射画像を観察する側とは反対の側から投射するリア投射型プロジェクターに適用する場合にも、適用することができる。  
【００９７】
また、このような電気光学装置を備える電子機器としては、マルチメディア対応のパーソナルコンピューター（ＰＣ）、およびエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話、ワープロ、テレビ、ビューファインダー型またはモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどを挙げることができる。
【符号の説明】
【００９８】
１２０…液晶装置（電気光学装置）、２００…基材（第２基板）、２００ｂ…第１凹部（第２レンズ状凹部）、２０１…光屈折層（第２無機レンズ層）、２０５…対向電極、２１０…対向基板  ２２０…基材（第１基板）、２２４…ＴＦＴ（スイッチング素子）、２２４ａ…半導体層、２２８…画素電極、２３０…ＴＦＴアレイ基板（電気光学装置用基板）、２３１…凹部（第１レンズ状凹部）、２３３……レンズ層（第１無機レンズ層）、ＭＬ１…第一マイクロレンズ、ＭＬ２…第二マイクロレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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