(57)【要約】【課題】メサ型半導体素子の製造効率向上、及び、歩留まりの向上を図れるようにする。【解決手段】半導体基板２の一方の主面２ａにメサ溝７が形成され、該メサ溝７の内面にガラス膜８を形成した半導体素子形成用基板１０において、前記メサ溝７の内面のうち底部にシリコン酸化膜９が形成され、前記シリコン酸化膜９の形成領域を除く前記メサ溝７の内面に前記ガラス膜８が形成されている半導体素子形成用基板１０を提供する。また、前記メサ溝７に沿って前記半導体素子形成用基板１０を切断する切断工程において、レーザー光Ｌを前記半導体基板２の一方の主面２ａ側から前記シリコン酸化膜９に照射するメサ型半導体素子の製造方法を提供する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面にメサ溝が形成され、該メサ溝の内面にガラス膜を形成した半導体素子形成用基板であって、
前記メサ溝の内面のうち底部にシリコン酸化膜が形成され、
前記シリコン酸化膜の形成領域を除く前記メサ溝の内面に前記ガラス膜が形成されていることを特徴とする半導体素子形成用基板。
【請求項２】
前記シリコン酸化膜の厚みが、前記ガラス膜の厚みよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子形成用基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体素子形成用基板の製造方法であって、
前記半導体基板の一方の主面に前記メサ溝を形成する溝形成工程と、
前記メサ溝の内面のうち底部にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、
該酸化膜形成工程後に、前記ガラス膜を前記メサ溝の内面に形成するガラス膜形成工程と、を備えることを特徴とする半導体素子形成用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス膜形成工程が、
電着によりガラス粉末をメサ溝の内面に付着する粉末付着工程と、
前記ガラス粉末を焼成して前記ガラス膜とする焼成工程と、を備えることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子形成用基板の製造方法。
【請求項５】
前記酸化膜形成工程が、
前記メサ溝の内面全体にシリコン酸化膜を形成する成膜工程と、
前記シリコン酸化膜上全体にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
フォトリソグラフィにより前記レジストが前記メサ溝の底部上にのみ残るように前記レジストをパターニングする露光現像工程と、
前記パターニングされた前記レジストをマスクとして前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、を備えることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体素子形成用基板の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト塗布工程において、霧状の前記レジストを前記メサ溝内に吹きつけることを特徴とする請求項５に記載の半導体素子形成用基板の製造方法。
【請求項７】
前記酸化膜形成工程において、酸素雰囲気中で前記メサ溝の底部にレーザー光を照射することで、前記シリコン酸化膜を形成することを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の半導体素子形成用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項３から請求項６のいずれか一項に記載の製造方法によって製造される半導体素子形成用基板を用いてメサ型半導体素子を製造するメサ型半導体素子の製造方法であって、
メサ溝に沿って前記半導体素子形成用基板を切断する切断工程を備え、
該切断工程において、レーザー光を前記半導体基板の一方の主面側から前記シリコン酸化膜に照射することを特徴とするメサ型半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法によって製造されるメサ型半導体素子であって、
前記メサ溝に形成された前記ガラス膜の外周縁に前記シリコン酸化膜が形成されていることを特徴とするメサ型半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子形成用基板、その製造方法、メサ型半導体素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ダイオードやバイポーラトランジスタ、サイリスタ等のメサ型半導体素子には、例えば特許文献１，２のように、半導体基板（素子本体）の一方の主面の外周部にメサ溝を形成し、さらに、メサ溝にガラスからなるパッシベーション膜（ガラス膜）を形成したものがある。このようなメサ型半導体素子を製造する場合には、半導体基板（シリコンウェハ）の一方の主面に複数のメサ溝を形成することで一方の主面を複数の領域に区画し、次いで、メサ溝の内面にガラス膜を形成する。その後、メサ溝の底部に沿って半導体基板及びガラス膜を切断することにより、複数のメサ型半導体素子を同時に得ることができる。
従来、半導体基板及びガラス膜を切断する工程として、特許文献１には、ブレーキング（劈開）により半導体基板及びガラス膜を切断する手法が開示されている。また、特許文献２には、ブレードダイシングにより半導体基板及びガラス膜を切断する手法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２０４２３２号公報
【特許文献２】特開平１１−２９７９８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来のように半導体基板及びガラス膜を切断する場合、メサ型半導体素子の製造効率が低いという問題がある。例えば、半導体基板及びガラス膜をブレードダイシングにより切断する場合、切断時間が長いという問題がある。また、例えば半導体基板及びガラス膜を劈開により切断する場合には、予め半導体基板の他方の主面に、劈開の起点となる切り込みをレーザー光の照射あるいはダイシングにより形成する必要があり、さらに切り込みを形成する前にシリコン酸化膜等からなる切り込み形成用のガイドパターンを形成する必要もあるため、工程数が多いという問題がある。
【０００５】
また、半導体基板及びガラス膜を劈開により切断する場合には、ガラス膜にクラックが発生する可能性があり、歩留まりが低下する虞もある。さらに、切り込みの底部を起点として半導体基板を劈開する際には、半導体基板がその結晶方位に沿って割れるため、切断位置の制御が困難であり、その結果として歩留まりが低下する、という問題もある。なお、上記切り込みやガイドパターンはメサ溝と重なる位置に形成されることが好ましいが、実際にはメサ溝の形成位置に対してずれることが多いため、これに起因した歩留まり低下を招くこともある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、メサ型半導体素子の製造効率向上、及び、歩留まりの向上を図ることが可能な半導体素子形成用基板、その製造方法、メサ型半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために、本発明の半導体素子形成用基板は、半導体基板の一方の主面にメサ溝が形成され、該メサ溝の内面にガラス膜を形成した半導体素子形成用基板であって、前記メサ溝の内面のうち底部にシリコン酸化膜が形成され、前記シリコン酸化膜の形成領域を除く前記メサ溝の内面に前記ガラス膜が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のメサ型半導体素子の製造方法は、半導体素子形成用基板を用いてメサ型半導体素子を製造する方法であって、メサ溝に沿って前記半導体素子形成用基板を切断する切断工程を備え、該切断工程において、レーザー光を前記半導体基板の一方の主面側から前記シリコン酸化膜に照射することを特徴とする。
【０００９】
さらに、本発明のメサ型半導体素子は、前記製造方法によって製造されるものであり、前記メサ溝に形成された前記ガラス膜の外周縁に前記シリコン酸化膜が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記半導体素子形成用基板を用いて上記メサ型半導体素子を製造する際には、上記切断工程においてレーザー光を半導体基板の一方の主面側からメサ溝内に形成されたシリコン酸化膜に照射すればよい。これにより、シリコン酸化膜がレーザーエネルギーを吸収して溶融するため、レーザー光が半導体基板（メサ溝の内面）に到達し、半導体基板をメサ溝の底部に沿って切断することができる。なお、シリコン酸化膜はガラス膜によって覆われないため、ガラス膜にレーザー光が照射されることはなく、レーザー光がガラス膜において散乱してしまうこともない。
【００１１】
以上のように半導体素子形成用基板を容易に切断できるため、従来のように半導体基板の他方の主面にパターンや切り込みを形成する等の処理を施す必要がなくなり、半導体基板の一方の主面側からの処理のみで、メサ型半導体素子を製造することができる。すなわち、メサ型半導体素子を製造する工程数の削減し、製造効率の向上を図ることができる。
また、ガラス膜を切断する工程自体がないため、ガラス膜にクラックが発生することを防ぐことができる。さらに、半導体素子形成用基板の切断位置がずれることも防止できるため、メサ型半導体素子の歩留まり向上を図ることもできる。
【００１２】
なお、前記半導体素子形成用基板では、前記シリコン酸化膜の厚みが、前記ガラス膜の厚みよりも小さいとよい。
【００１３】
そして、本発明の半導体素子形成用基板の製造方法は、前記半導体素子形成用基板を製造する方法であって、前記半導体基板の一方の主面に前記メサ溝を形成する溝形成工程と、前記メサ溝の内面のうち底部にシリコン酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、該酸化膜形成工程後に、前記ガラス膜を前記メサ溝の内面に形成するガラス膜形成工程と、を備えることを特徴とする。
上記製造方法によれば、従来のように半導体基板の他方の主面にパターンや切り込みを形成する等の処理を施すことなく、半導体素子形成用基板を製造できるため、メサ型半導体素子を製造する工程数を削減し、製造効率の向上を図ることができる。
【００１４】
また、前記半導体素子形成用基板の製造方法では、前記ガラス膜形成工程が、電着によりガラス粉末をメサ溝の内面に付着する粉末付着工程と、前記ガラス粉末を焼成して前記ガラス膜とする焼成工程と、を備えることが好ましい。
シリコン酸化膜は電気絶縁性を有しているため、上記粉末付着工程を実施する際にはガラス粉末がシリコン酸化膜上に付着することを抑制できる。その結果、製造後の半導体素子形成用基板において、メサ溝内に形成されたシリコン酸化膜がガラス膜によって覆われることを防止できる。
【００１５】
さらに、前記半導体素子形成用基板の製造方法では、前記酸化膜形成工程が、前記メサ溝の内面全体にシリコン酸化膜を形成する成膜工程と、前記シリコン酸化膜上全体にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、フォトリソグラフィにより前記レジストが前記メサ溝の底部上にのみ残るように前記レジストをパターニングする露光現像工程と、前記パターニングされた前記レジストをマスクとして前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程と、を備えることが好ましい。
上記酸化膜形成工程は、メサ溝を形成する工程（溝形成工程）と同様であるため、これら溝形成工程及び酸化膜形成工程を同一の装置で実施でき、製造効率の向上をさらに図ることができる。
【００１６】
また、前記半導体素子形成用基板の製造方法では、前記レジスト塗布工程において、霧状の前記レジストを前記メサ溝内に吹きつけることが、さらに好ましい。
上記製造方法によれば、レジストをメサ溝の内面に成膜されたシリコン酸化膜上に均一の厚さで形成することが可能となる。すなわち、レジスト塗布工程においてメサ溝がレジストで埋まってしまうことを防止できる。
【００１７】
さらに、前記半導体素子形成用基板の製造方法では、前記酸化膜形成工程において、酸素雰囲気中で前記メサ溝の底部にレーザー光を照射することで、前記シリコン酸化膜を形成してもよい。
上記製造方法では、少ない工程数かつ短時間でシリコン酸化膜をメサ溝の底部に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、メサ型半導体素子の製造効率向上、及び、歩留まり向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第一実施形態に係るメサ型半導体素子を示す概略断面図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、溝形成工程後の状態を示す概略断面図である。
【図３】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、酸化膜形成工程を説明する拡大断面図である。
【図４】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、酸化膜形成工程を説明する拡大断面図である。
【図５】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、酸化膜形成工程を説明する拡大断面図である。
【図６】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、ガラス膜形成工程後の状態を示す拡大断面図である。
【図７】本発明の第一実施形態に係る半導体素子形成用基板の製造方法において、電極層形成工程後の状態を示す概略断面図である。
【図８】図７に示す半導体素子形成用基板を用いたメサ型半導体素子の製造方法において、切断工程後の状態を示す概略断面図である。
【図９】図８に示す半導体素子形成用基板の要部拡大断面図であって、切断工程を説明する図である。
【図１０】図８の要部拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
〔第一実施形態〕
以下、図１〜１０を参照して本発明の一実施形態について説明する。
図１に示すように、この実施形態に係るメサ型半導体素子１はメサ型ダイオードであり、半導体基板２と、半導体基板２の両主面２ａ，２ｂに形成された電極層３，４と、を備えて大略構成されている。また、各電極層３，４上には、例えば半田層（不図示）が形成されていてもよい。
本実施形態の半導体基板２は、第一導電型（ｎ型及びｐ型の一方の導電型）及び第一導電型とは反対の第二導電型（ｎ型及びｐ型の他方の導電型）の半導体層（不図示）を半導体基板２の厚さ方向（図１において上下方向）に適宜重ねて構成されている。
【００２１】
また、半導体基板２は例えば平面視矩形状に形成され、その一方の主面２ａの外周縁にはメサ溝７が形成されている。メサ溝７の面（内面）は、半導体基板２の一方の主面２ａから側面２ｃに向けて凹状に湾曲して傾斜している。そして、メサ溝７の面には、第一導電型の半導体層と第二導電型の半導体層との接合界面（ＰＮ接合界面）が露出している。言い換えれば、メサ溝７は、ＰＮ接合界面よりも深く形成されている。
【００２２】
また、メサ溝７の面は、主にガラス膜８によって覆われている。ガラス膜８の厚さは、ほぼ均一となっている。本実施形態では、ガラス膜８が半導体基板２の一方の主面２ａ上まで延び、一方の主面２ａの外周縁領域も覆っている。言い換えれば、半導体基板２の一方の主面２ａに重ねて形成された第一電極層３は、ガラス膜８によって囲まれている。一方、半導体基板２の他方の主面２ｂに重ねて形成された第二電極層４は、他方の主面２ｂ全体を覆っている。
【００２３】
各電極層３，４は、例えば、半導体基板２の各主面２ａ，２ｂ上にニッケル・シリサイド膜（Ｎｉ−Ｓｉ膜）とニッケルめっき層とを順番に積層して構成されている。なお、図示例では、第一電極層３の厚みが、半導体基板２の一方の主面２ａにおけるガラス膜８の厚みよりも大きく設定されているが、例えばガラス膜８と同等あるいは小さく設定されてもよい。
【００２４】
さらに、図１に示すメサ型半導体素子１では、メサ溝７に形成されたガラス膜８の外周縁にシリコン酸化膜９が形成されている。具体的に説明すれば、シリコン酸化膜９は、メサ溝７の面のうち半導体基板２の側面２ｃに隣り合う領域に形成されている。また、図示例では、シリコン酸化膜９の厚さがガラス膜８の厚さよりも小さく、ガラス膜８とシリコン酸化膜９との間に段差がある。さらに、シリコン酸化膜９は、ガラス膜８によって覆われていない。
【００２５】
次に、上記構成のメサ型半導体素子１の製造方法について説明する。
メサ型半導体素子１を製造するためには、予め図７に示す半導体素子形成用基板１０を製造しておく必要がある。半導体素子形成用基板１０を製造する際には、はじめに、半導体基板２の一方の主面２ａ側や他方の主面２ｂ側に、第一導電型や第二導電型の不純物を拡散して、第一導電型や第二導電型の半導体層を形成する拡散工程を適宜実施した上で、図２に示すように、半導体基板２の一方の主面２ａにメサ溝７を形成する溝形成工程を実施する。
【００２６】
本実施形態の溝形成工程では、はじめに、半導体基板２の一方の主面２ａ全体にシリコン酸化膜（不図示）を形成し（成膜工程）、さらに、このシリコン酸化膜上全体に感光性樹脂からなるレジスト（不図示）を重ねて塗布する（レジスト塗布工程）。
その後、フォトリソグラフィによりレジストに所定パターンを形成し（露光現像工程）、パターン化されたレジストをマスクとして上記シリコン酸化膜をエッチングする（エッチング工程）。これにより、上記シリコン酸化膜にレジストと同様の所定パターンが形成される。なお、上述したシリコン酸化膜及びレジストの所定パターンは、一方の主面２ａのうちメサ溝７の形成予定領域が露出するように形成される。
【００２７】
最後に、一方の主面２ａに積層されたシリコン酸化膜及びレジストをマスクとして、半導体基板２を一方の主面２ａ側からエッチングすることにより、メサ溝７が形成される。このメサ溝７の形成後には、図２に示すように、上述したマスク用のシリコン酸化膜及びレジストを除去する。
なお、上記溝形成工程におけるエッチングは、ドライエッチングやウェットエッチングなどの任意のエッチングであってよい。
【００２８】
以上のように形成されるメサ溝７は、半導体基板２の一方の主面２ａから窪んで形成され、半導体基板２をなす第一導電型の半導体層と第二導電型の半導体層との接合界面（ＰＮ接合界面）よりも深くなるように形成される。すなわち、上記工程後の状態では、メサ溝７の内面にＰＮ接合界面が露出することになる。このメサ溝７は、一方の主面２ａを複数の領域に区画するように複数形成されている。
【００２９】
上記溝形成工程後には、図５に示すように、メサ溝７の内面のうち底部にシリコン酸化膜９を形成する酸化膜形成工程を実施する。本実施形態の酸化膜形成工程では、溝形成工程と同様の成膜工程、レジスト塗布工程、露光現像工程及びエッチング工程を順番に実施する。
最初の成膜工程では、図３に示すように、メサ溝７の内面全体にシリコン酸化膜９を形成する。次のレジスト塗布工程では、シリコン酸化膜９全体に感光性樹脂からなるレジスト１１を重ねて塗布する。
【００３０】
これら成膜工程及びレジスト塗布工程において形成されるシリコン酸化膜９及びレジスト１１の厚みは、半導体基板２の一方の主面２ａ側に露出するレジスト１１の表面の形状がメサ溝７の内面形状に倣う窪み形状となるように、メサ溝７の深さ寸法や幅寸法よりも小さく設定されることが好ましい。また、シリコン酸化膜９及びレジスト１１は、図示例のように均一となるように形成されることが好ましい。
【００３１】
本実施形態のレジスト塗布工程では、レジスト１１がメサ溝７の内面に成膜されたシリコン酸化膜９上に均一の厚さで形成されるように、スプレー等により霧状のレジストをメサ溝７内に吹き付ける。
なお、図３では、上記成膜工程及びレジスト塗布工程の実施により、シリコン酸化膜９及びレジスト１１が半導体基板２の一方の主面２ａ全体にも順次重ねて形成されているが、例えば一方の主面２ａに形成されなくてもよい。
【００３２】
その後の露光現像工程では、図４に示すように、レジスト１１がメサ溝７の底部上にのみ残るようにフォトリソグラフィによりレジスト１１をパターニングする。最後のエッチング工程では、図５に示すように、パターニングされたレジスト１１をマスクとしてシリコン酸化膜９をエッチングする。以上の工程を経て、シリコン酸化膜９がメサ溝７の底部のみに形成される。
上記酸化膜形成工程後には、上述したレジスト１１を除去する。
【００３３】
上記酸化膜形成工程後には、図６に示すように、メサ溝７の内面にガラス膜８を形成するガラス膜形成工程を実施する。本実施形態のガラス膜形成工程においては、ガラス膜８が以下の手順で形成される。
はじめに、電着によりガラス粉末をメサ溝７の内面に付着させる粉末付着工程を実施する。ここで、シリコン酸化膜９は電気絶縁性を有するため、上記工程においてガラス粉末はシリコン酸化膜９上に付着することが抑制され、シリコン酸化膜９の形成領域（メサ溝７の底部）を除くメサ溝７の内面に付着する。その後、ガラス粉末を焼成してガラス膜８とする焼成工程を実施することで、メサ溝７の底部を除くメサ溝７の内面にガラス膜８が形成される。
【００３４】
上記ガラス膜形成工程において形成されるガラス膜８のうち外部に露出する表面には、メサ溝７の内面形状に倣う窪み部８ａが形成されている。すなわち、メサ溝７の窪み形状はガラス膜形成工程後であっても維持されている。なお、図示例では、ガラス膜８が底部を除くメサ溝７の内面に加え、半導体基板２の一方の主面２ａのうちメサ溝７の開口部周縁にまで形成されているが、少なくともメサ溝７の内面のみに形成されればよい。
また、上記ガラス膜形成工程後の状態においては、シリコン酸化膜９がガラス膜８によって覆われていない。また、シリコン酸化膜９に隣り合う位置におけるガラス膜８の厚みが、シリコン酸化膜９の厚みよりも大きい。すなわち、シリコン酸化膜９とガラス膜８との間には段差が形成されている。
【００３５】
最後に、図７に示すように、メサ溝７によって区画された半導体基板２の一方の主面２ａの複数の領域にそれぞれ第一電極層３を形成すると共に、他方の主面２ｂ全体に第二電極層４を形成する電極層形成工程を実施することで、半導体素子形成用基板１０の製造が完了する。なお、上記電極層形成工程において形成される電極層３，４は、例えば各種めっき法や焼鈍処理、焼結処理などを実施することで形成することが可能である。
【００３６】
以上のように製造される本実施形態の半導体素子形成用基板１０は、図７，９に示すように、一方の主面２ａにメサ溝７を形成した半導体基板２と、メサ溝７の内面に形成されたガラス膜８とを備えている。また、本実施形態の半導体素子形成用基板１０は、半導体基板２の両主面２ａ，２ｂに形成された電極層３，４も備えている。
本実施形態の半導体基板２は、第一導電型（ｎ型及びｐ型の一方の導電型）及び第一導電型とは反対の第二導電型（ｎ型及びｐ型の他方の導電型）の半導体層（不図示）を半導体基板２の厚さ方向（図７において上下方向）に適宜重ねて構成されている。
電極層３，４は、例えば、半導体基板２の各主面２ａ，２ｂ上にニッケル・シリサイド膜（Ｎｉ−Ｓｉ膜）とニッケルめっき層とを順番に積層して構成されている。
【００３７】
メサ溝７の内面には、半導体基板２を構成する第一導電型の半導体層と第二導電型の半導体層との接合界面（ＰＮ接合界面）が露出している。言い換えれば、メサ溝７は、ＰＮ接合界面よりも深く形成されている。また、メサ溝７は、半導体基板２の一方の主面２ａに沿って延びる線状に形成され、半導体基板２の一方の主面２ａを複数の領域に区画するように複数形成されている。
【００３８】
このメサ溝７の内面のうち底部には、シリコン酸化膜９が形成されている。そして、このシリコン酸化膜９の形成領域（メサ溝７の底部）を除くメサ溝７の内面に、ガラス膜８が形成されている。外部に露出するガラス膜８の表面には、メサ溝７の内面形状に倣う窪み部８ａが形成されている。
また、本実施形態の半導体素子形成用基板１０では、シリコン酸化膜９がガラス膜８によって覆われていない。さらに、本実施形態では、シリコン酸化膜９の厚みが、これと隣り合う位置におけるガラス膜８の厚みよりも小さい。すなわち、シリコン酸化膜９とガラス膜８との間には、段差が形成されている。
【００３９】
そして、上記のように構成される半導体素子形成用基板１０を用いて図１に示すメサ型半導体素子１を製造する場合には、図８〜１０に示すように、メサ溝７に沿って半導体素子形成用基板１０を切断し、半導体基板２を素子単位に分割する切断工程を実施すればよい。
この切断工程においては、図９に示すように、レーザー光Ｌを半導体基板２の一方の主面２ａ側からシリコン酸化膜９に照射する。この際、シリコン酸化膜９がレーザーエネルギーを吸収して溶融するため、レーザー光Ｌが半導体基板２（メサ溝７の底部）に到達し、半導体基板２をメサ溝７に沿って切断することができる。なお、本実施形態では、シリコン酸化膜９がガラス膜８によって覆われないため、ガラス膜８にレーザー光Ｌが照射されることはなく、レーザー光Ｌがガラス膜８において散乱することもない。
そして、本実施形態ではレーザー光Ｌの照射によって第二電極層４も切断される。なお、図９において二点鎖線で囲まれる領域ＣＡは、レーザー光Ｌによる半導体素子形成用基板１０の切断部分の一例を示している。
【００４０】
上記切断工程においては、レーザー光Ｌのレーザーエネルギーがシリコンからなる半導体基板２及びシリコン酸化膜９に吸収されやすいように、ＹＡＧレーザーを使用することが好ましい。
また、上記切断工程においては、レーザー光Ｌによる半導体素子形成用基板１０の切断部分の外側に位置するガラス膜８が過剰に溶けたり変性しないように、また、半導体基板２全体が過剰に加熱されないように、メサ溝７の長手方向に移動するレーザー光Ｌの移動速度を調整するとよい。
【００４１】
以上のように製造される本実施形態のメサ型半導体素子１では、例えば図１，１０に示すように、メサ溝７に形成されたガラス膜８の外周縁にシリコン酸化膜９が形成される。このような構成のメサ型半導体素子１は、前述した切断工程においてシリコン酸化膜９の一部だけが溶融された場合、すなわちシリコン酸化膜９が切断された場合に得られる。
また、例えば切断工程においてシリコン酸化膜９が全て溶融された場合、製造後のメサ型半導体素子１においてはガラス膜８の外周縁にシリコン酸化膜９が存在しない。なお、この場合には、切断工程においてガラス膜８のうちシリコン酸化膜９に隣接する部分が溶融されるため、ガラス膜８の切断面の表面粗さが、ガラス膜８の他の面よりも粗く、また、従来のように半導体素子形成用基板１０を劈開により切断した場合のガラス膜８の切断面よりも粗くなる。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態の半導体素子形成用基板１０、及び、これを用いたメサ型半導体素子１の製造方法によれば、メサ溝７の底部にシリコン酸化膜９が形成されることで、レーザー光Ｌを半導体基板２の一方の主面２ａ側から照射するだけで半導体素子形成用基板１０を容易に切断できるため、従来のように半導体基板２の他方の主面２ｂに処理を施す必要がなくなる。すなわち、半導体基板２の一方の主面２ａ側からの処理のみでメサ型半導体素子１を製造できる。したがって、メサ型半導体素子１を製造する工程数を削減し、製造効率の向上を図ることができる。
また、切断工程においてガラス膜８を切断する工程自体がないため、ガラス膜８にクラックが発生することを防ぐことができる。さらに、劈開の場合と比較して半導体素子形成用基板１０の切断位置がずれることも抑制できるため、メサ型半導体素子１の歩留まり向上を図ることもできる。
【００４３】
さらに、本実施形態の半導体素子形成用基板１０の製造方法では、酸化膜形成工程を実施した後の粉末付着工程において電着によりガラス粉末をメサ溝７の内面に付着させるため、ガラス粉末がシリコン酸化膜９上に付着することを抑制できる。すなわち、製造後の半導体素子形成用基板１０において、メサ溝７内に形成されたシリコン酸化膜９がガラス膜８によって覆われることを防止できる。したがって、切断工程においてレーザー光Ｌを直接シリコン酸化膜９に照射することができ、効率よくメサ型半導体素子１を製造することができる。
【００４４】
また、本実施形態の半導体素子形成用基板１０の製造方法では、シリコン酸化膜９を形成する酸化膜形成工程が、メサ溝形成工程と同様の成膜工程、レジスト塗布工程、露光現像工程及びエッチング工程を備えるため、メサ溝７の形成及びシリコン酸化膜９の形成を同一の装置で実施でき、製造効率の向上をさらに図ることができる。
【００４５】
さらに、本実施形態の半導体素子形成用基板１０の製造方法では、酸化膜形成工程のレジスト塗布工程において霧状のレジストをメサ溝７内に吹きつけてレジスト１１を形成しているため、メサ溝７の内面に成膜されたシリコン酸化膜９上に均一の厚さで形成することが可能となる。すなわち、レジスト塗布工程においてメサ溝７がレジスト１１で埋まってしまうことを防止できる。
【００４６】
〔第二実施形態〕
次に、本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態では、第一実施形態と比較して、半導体素子形成用基板１０の一部製造工程のみが異なっており、その他については、第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同様の構成については同一符号を付す等して、その説明を省略する。
【００４７】
本実施形態における半導体素子形成用基板１０の製造方法では、第一実施絵形態と同様の拡散工程、溝形成工程、酸化膜形成工程、ガラス膜形成工程及び電極形成工程を順番に実施すればよい。ただし、本実施形態の酸化膜形成工程では、酸素雰囲気中でメサ溝７の底部に向けてレーザー光を照射することで、シリコン酸化膜９が形成される。具体的に説明すれば、この工程では、レーザー光によって加熱されたメサ溝７の底部が酸化し、この酸化部分がシリコン酸化膜９となる。
【００４８】
以上のように形成されるシリコン酸化膜９は、第一実施形態の場合と同様に、メサ溝７の内面から突出するように形成されてもよいが、例えば突出せずに形成されてもよい。また、シリコン酸化膜９が突出していなくても、第一実施形態と同様のガラス膜形成工程を実施すれば、第一実施形態の場合と同様に、シリコン酸化膜９の形成領域を除くメサ溝７の内面にガラス膜８を形成することは可能である。
したがって、上記製造方法によって得られる半導体素子形成用基板１０、及び、これを用いて製造されるメサ型半導体素子１は、第一実施形態と同様となる。
【００４９】
第二実施形態の半導体素子形成用基板１０の製造方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、本実施形態の半導体素子形成用基板１０の製造方法では、酸化膜形成工程においてレーザー光の照射によりシリコン酸化膜９を形成するため、第一実施形態のようにフォトリソグラフィ等を利用したシリコン酸化膜９の形成と比較して、少ない工程数かつ短時間でシリコン酸化膜９をメサ溝７の底部に形成することができる。
【００５０】
以上、二つの実施形態により本発明の詳細を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えばシリコン酸化膜９の厚みは、ガラス膜８の厚みより小さいことに限らず、例えばガラス膜８の厚み以上であってもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、シリコン酸化膜９がガラス膜８によって覆われていないが、例えば覆われてもよい。ただし、この場合には、切断工程においてガラス膜８におけるレーザー光Ｌの散乱を抑制できるように、シリコン酸化膜９を覆うガラス膜８の厚みは薄い方が好ましい。
さらに、上記実施形態の半導体素子形成用基板１０及びメサ型半導体素子１は、電極層３，４を備えているが、例えば備えていなくてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１  メサ型半導体素子
２  半導体基板
２ａ  一方の主面
２ｂ  他方の主面
７  メサ溝
８  ガラス膜
９  シリコン酸化膜
１０  半導体素子形成用基板
Ｌ  レーザー光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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