(57)【要約】【課題】本発明は、内部電極用導電性ペースト組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタに関する。【解決手段】本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、金属粉末と、上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末と、を含み、内部電極の焼成収縮温度を高くし、内部電極の連結性を向上させることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粉末と、
前記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末と
を含む、導電性ペースト組成物。
【請求項２】
前記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量は前記金属粉末１００重量部に対して１から２０重量部である、請求項１に記載の導電性ペースト組成物。
【請求項３】
前記金属粉末はＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択される一つ以上である、請求項１または２に記載の導電性ペースト組成物。
【請求項４】
前記金属粉末は平均粒径が５０から４００ｎｍである、請求項１から３の何れか１項に記載の導電性ペースト組成物。
【請求項５】
前記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は平均粒径が１０から１００ｎｍである、請求項１から４の何れか１項に記載の導電性ペースト組成物。
【請求項６】
セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成される内部電極層と
を含み、
前記内部電極層の内部には前記内部電極層を形成する金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末がトラップされる、積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記内部電極層の界面にクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層が存在する、請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は一部が酸化された形態である、請求項６または７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記金属粉末はＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択される一つ以上である、請求項６から８の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
前記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量は前記金属粉末１００重量部に対して１から２０重量部である、請求項６から９の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記金属粉末は平均粒径が５０から４００ｎｍである、請求項６から１０の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は平均粒径が１０から１００ｎｍである、請求項６から１１の何れか１項に記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内部電極用導電性ペースト組成物及びこれを含む積層セラミック電子部品に関し、より具体的には、金属粉末の焼結収縮を制御することができる内部電極用導電性ペースト組成物及びこれを含む積層セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、キャパシタ、インダクター、圧電素子、バリスター又はサーミスター等のセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック素体、素体の内部に形成された内部電極層及び上記内部電極層と接続されるようにセラミック素体の表面に設けられた外部電極を備える。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層、一つの誘電体層を介して対向配置される内部電極層、上記内部電極層に電気的に接続された外部電極を含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型であり且つ高容量が保障され実装が容易であるという長所によって、コンピューター、ＰＤＡ、携帯電話等の移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００５】
最近、電気、電子機器産業の高性能化及び軽薄短小化に従い、電子部品の小型化、高性能化及び低価格化も求められている。
【０００６】
特に、ＣＰＵの高速化、機器の小型軽量化、デジタル化及び高機能化の進展につれ、積層セラミックキャパシタ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌａｙｅｒ  Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｃａｐａｃｉｔｏｒ、以下、「ＭＬＣＣ」という）も小型化、薄層化、高容量化、高周波領域での低インピーダンス化等の特性を具現するための研究開発が活発に進められている。
【０００７】
積層セラミックキャパシタは、内部電極用導電性ペーストとセラミックグリーンシートをシート法や印刷法等により積層し、同時焼成して製造されることができる。
【０００８】
しかしながら、誘電体層を形成するためには、セラミックグリーンシートは約１１００℃以上の高温で焼成され、導電性ペーストはより低温で焼結収縮される。
【０００９】
したがって、セラミックグリーンシートの焼成中に内部電極層の過焼成が発生する可能性があり、これにより、内部電極層が凝集又は切断され、内部電極層の連結性が低下する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開１９９８−３２４９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、金属粉末の焼結収縮を制御することができる内部電極用導電性ペースト組成物及びこれを含む積層セラミック電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態は、金属粉末と、上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末と、を含む積層セラミック電子部品の内部電極用導電性ペースト組成物を提供する。
【００１３】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量は上記金属粉末１００重量部に対して１から２０重量部であることができる。
【００１４】
上記金属粉末はＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００１５】
上記金属粉末は平均粒径が５０から４００ｎｍであることができる。
【００１６】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は平均粒径が１０から１００ｎｍであることができる。
【００１７】
本発明の他の実施形態は、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成される内部電極層と、を含み、上記内部電極層の内部には上記内部電極層を形成する金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末がトラップされた積層セラミック電子部品を提供する。
【００１８】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は一部が酸化された形態であることができる。
【００１９】
上記内部電極層の界面にクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層が存在することができる。
【００２０】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は一部が酸化された形態であることができる。
【００２１】
上記金属粉末はＮｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択される一つ以上であることができる。
【００２２】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量は上記金属粉末１００重量部に対して１から２０重量部であることができる。
【００２３】
上記金属粉末は平均粒径が５０から４００ｎｍであることができる。
【００２４】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は平均粒径が１０から１００ｎｍであることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、内部電極の焼成収縮温度を高くし、内部電極の連結性を向上させることができる。
【００２６】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、金属粉末内に上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末が均一に分散されることができ、約１０００℃以上まで金属粉末の焼結が抑制されることができる。
【００２７】
本発明の一実施形態によると、焼成過程の昇温速度を調節する場合、内部電極用導電性ペースト組成物内の高融点金属粉末は金属粉末の間から抜け出ることなく金属粉末の粒子境界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にトラップされるため、内部電極の凝集現象が抑制されて内部電極の連結性を増加させることができる。
【００２８】
また、セラミック電子部品の誘電体層と内部電極層の界面の一領域にはクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末が存在することができる。
【００２９】
また、本発明の一実施形態によると、内部電極用導電性ペーストに高融点金属粉末を含み、内部電極層内に高融点金属粉末がトラップされるため、内部電極の連結性を向上させてより薄層化した内部電極層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図である。
【図２】図１のＡ‐Ａ'線に沿う積層セラミックキャパシタを示す概略的な断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による内部電極を概略的に示す一部拡大図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストの焼結収縮挙動を概略的に示す模式図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストの焼結収縮挙動を概略的に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００３２】
本発明の一実施形態はセラミック電子部品に関し、セラミック材料を用いる電子部品にはキャパシタ、インダクター、圧電体素子、バリスター又はサーミスター等がある。以下では、セラミック電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明する。
【００３３】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略的な斜視図であり、図２は図１のＡ‐Ａ'線に沿う積層セラミックキャパシタを示す概略的な断面図である。
【００３４】
図１及び図２を参照すると、本実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体１１０、上記セラミック素体の内部に形成された内部電極１２１、１２２、上記セラミック素体１１０の外表面に形成される外部電極１３１、１３２を含むことができる。
【００３５】
上記セラミック素体１１０の形状は特に制限されず、一般に直方体形状であることができる。また、その寸法は特に制限されず、例えば、０．６ｍｍ×０．３ｍｍのサイズを有することができ、２．２μＦ以上の高積層及び高容量の積層セラミックキャパシタであることができる。
【００３６】
上記セラミック素体１１０は、複数の誘電体層１１１が積層されて形成されることができる。上記セラミック素体１１０を構成する複数の誘電体層１１１は焼結された状態で、隣接する誘電体層間の境界は確認できない程度に一体化されていることができる。
【００３７】
上記誘電体層１１１は、セラミック粉末を含むセラミックグリーンシートの焼結によって形成されることができる。
【００３８】
上記セラミック粉末は、当業界で一般に用いられるものであれば特に制限されない。例えば、ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末を含むことができる。上記ＢａＴｉＯ３系セラミック粉末としては、特に制限されず、例えば、ＢａＴｉＯ３にＣａ、Ｚｒ等が一部固溶された（Ｂａ１−ｘＣａｘ）ＴｉＯ３、Ｂａ（Ｔｉ１−ｙＣａｙ）Ｏ３、（Ｂａ１−ｘＣａｘ）（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３又はＢａ（Ｔｉ１−ｙＺｒｙ）Ｏ３等がある。上記セラミック粉末の平均粒径は特に制限されず、例えば、１．０μｍ以下であることができる。
【００３９】
また、上記セラミックグリーンシートは、上記セラミック粉末と共に遷移金属、希土類元素、又はＭｇ、Ａｌ等を含むことができる。
【００４０】
上記一つの誘電体層１１１の厚さは、積層セラミックキャパシタの容量設計に合わせて適宜変わることができる。例えば、焼結後、隣接する内部電極１２１、１２２の間に形成された誘電体層１１１の厚さは１．０μｍ以下であることができるが、これに制限されるものではない。
【００４１】
上記セラミック素体１１０の内部には内部電極１２１、１２２が形成されることができる。上記内部電極１２１、１２２は一つの誘電体層上に形成されて積層され、焼結によって一つの誘電体層を介して上記セラミック素体１１０の内部に形成されることができる。
【００４２】
上記内部電極は互いに異なる極性を有する第１の内部電極１２１及び第２の内部電極１２２を一対とし、誘電体層の積層方向に沿って対向配置されることができる。上記第１及び第２の内部電極１２１、１２２の末端は、セラミック素体１１０の一面に交互に露出されることができる。
【００４３】
上記各内部電極１２１、１２２の厚さは、用途等により適切に決められる。例えば、１．０μｍ以下であるか、又は０．１から１．０μｍの範囲内で選択されることができる。
【００４４】
上記内部電極１２１、１２２は、本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストで形成されることができる。本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストは、金属粉末と、上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末を含むことができる。より詳細な内容は後述する。
【００４５】
図３は、本発明の一実施形態による内部電極１２１を概略的に示す一部拡大図である。図３を参照すると、本発明の一実施形態による内部電極１２１は、内部電極内にトラップ（ｔｒａｐ）された上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２を含むことができる。
【００４６】
上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、内部電極をなす金属粒子（ｇｒａｉｎ）の界面、即ち、粒界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にトラップされることができる。
【００４７】
また、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は、一部が酸化された形態であることができる。
【００４８】
上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、内部電極を形成する金属粉末より融点の高いもので、金属粉末の焼結過程で金属粒子の界面にトラップされることができる。
【００４９】
また、上記内部電極１２１の一表面の一領域、即ち、誘電体層１１１と内部電極１２１の界面の一領域には、上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層２２ａが形成されることができる。
【００５０】
また、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末は、一部が酸化された形態であることができる。
【００５１】
上記高融点金属層２２ａによって内部電極と誘電体層との結合力は強化されることができる。
【００５２】
上記高融点金属層２２ａは伝導体として作用することができるため、積層セラミックキャパシタの容量の低下は殆ど発生しない。
【００５３】
これは、後述する内部電極用導電性ペースト組成物及び内部電極の形成過程でより明確になる。
【００５４】
本発明の一実施形態によると、セラミック素体１１０の外表面には外部電極１３１、１３２が形成され、上記外部電極１３１、１３２は内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる。より具体的には、上記セラミック素体１１０の一面に露出された第１の内部電極１２１と電気的に連結された第１の外部電極１３１と、上記セラミック素体１１０の他面に露出された第２の内部電極１２２と電気的に連結された第２の外部電極で構成されることができる。
【００５５】
なお、図示されてはいないが、第１及び第２の内部電極は、セラミック素体の少なくとも一つ以上の面に露出されることができる。また、第１及び第２の内部電極は、セラミック本体の同一面に露出されることができる。
【００５６】
上記外部電極１３１、１３２は、導電材を含む導電性ペーストで形成されることができる。上記導電性ペーストに含まれる導電材としては、特に制限されず、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ又はこれらの合金を用いることができる。上記外部電極１３１、１３２の厚さは用途等により適切に決められ、例えば、１０から５０μｍ程度であることができる。
【００５７】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の内部電極用導電性ペースト組成物について説明する。
【００５８】
図４ａ及び図４ｂは本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストの焼結収縮挙動を概略的に示す模式図であり、これらを参照して説明する。
【００５９】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、金属粉末２１と、上記金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２を含むことができる。
【００６０】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、内部電極の焼成収縮温度を高くし、内部電極の連結性を向上させることができる。
【００６１】
上記導電性ペースト組成物に含まれる金属粉末２１としては、その種類に特別な制限はなく、例えば、卑金属（ｂａｓｅ  ｍｅｔａｌ）を用いることができる。
【００６２】
例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ａｌ又はこれらの合金があり、これらを一つ以上含むことができるが、これに制限されるものではない。
【００６３】
また、上記金属粉末２１の平均粒径は特に制限されず、例えば、４００ｎｍ以下であることができる。
【００６４】
より具体的には、上記金属粉末２１の平均粒径は５０から４００ｎｍであることができる。
【００６５】
上記導電性ペースト組成物に含まれる上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２としては上記金属粉末２１より融点の高いものを用いることができる。
【００６６】
例えば、これらを１種以上混合して用いることができるが、これに制限されるものではない。
【００６７】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、上記金属粉末２１より平均粒径が小さい。
【００６８】
例えば、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の平均粒径は１０から１００ｎｍであることができるが、これに制限されるものではない。
【００６９】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、平均粒径が上記金属粉末２１より小さいものを用いることにより、上記金属粉末２１の間に分布されることができる。
【００７０】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、金属粉末２１の焼結収縮開始温度を低くし、金属粉末２１の焼結収縮を抑制することができる。
【００７１】
より具体的には、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、金属粉末２１の焼結収縮時に金属粉末間の接触を防止して金属粉末の粒成長を抑制することができる。
【００７２】
例えば、クロム（Ｃｒ）は融点が１８９０℃程度であり、コバルト（Ｃｏ）は融点が１７６８℃程度であり、その酸化物の場合、例えば、クロム酸化物（Ｃｒ２Ｏ３）の場合は融点が２４３５℃程度と金属形態の場合より融点が高い。
【００７３】
したがって、上記金属粉末２１の焼結収縮を抑制するのにより効果的であることが分かる。
【００７４】
本発明の一実施形態によると、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２の含量は、上記金属粉末２１  １００重量部に対して１から２０重量部であることができる。
【００７５】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２の含量が１重量部未満の場合は、電極連結性が低下する恐れがあり、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２の含量が２０重量部を超える場合は、内部電極と誘電体層の界面に存在する酸化物形態の金属の量が増加して静電容量を低下させる恐れがある。
【００７６】
本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペースト組成物は、分散剤、バインダー、溶剤等をさらに含むことができる。
【００７７】
上記バインダーとしては、特に制限されず、ポリビニルブチラール、セルロース系樹脂等を用いることができる。上記ポリビニルブチラールは、接着力の強い特性を有するため、内部電極用導電性ペーストとセラミックグリーンシートの接着強度を向上させることができる。
【００７８】
上記セルロース系樹脂は、椅子型構造を有するものに変形が発生した場合、弾性による回復が速い特性を有している。セルロース樹脂を含むことにより、平坦な印刷面の確保が可能となる。
【００７９】
上記溶剤としては、特に制限されず、例えば、ブチルカルビトール、ケロシン又はテルピネオール系溶剤を用いることができる。
【００８０】
一般に、内部電極用導電性ペースト組成物は、セラミックグリーンシートに印刷され、積層等の過程を経た後、セラミックグリーンシートと同時に焼成されることができる。
【００８１】
また、内部電極に卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行うと、内部電極が酸化される可能性がある。
【００８２】
したがって、セラミックグリーンシートと内部電極の同時焼成は還元性雰囲気で行われることが好ましい。
【００８３】
積層セラミックキャパシタの誘電体層は、約１１００℃以上の高温でセラミックグリーンシートを焼成して形成されることができる。
【００８４】
内部電極にＮｉ等の卑金属を用いる場合、４００℃の低温から酸化が起こって焼結収縮され、１０００℃以上で急激に焼成される可能性がある。内部電極が急激に焼成されると、内部電極の過焼成によって電極が凝集又は切断され、内部電極の連結性及び容量が低下する可能性がある。また、焼成後、クラックのような積層セラミックキャパシタの内部構造欠陥が発生する可能性がある。
【００８５】
したがって、４００から５００℃の比較的低い温度で焼結が始まる金属粉末の焼結開始温度をできるだけ遅延させて誘電体との収縮率の差異を最小化する必要がある。
【００８６】
図４ａ及び図４ｂは、本発明の一実施形態による内部電極用導電性ペーストの焼結収縮挙動を概略的に示す模式図である。図４ａは、焼成工程の初期を示すもので、金属粉末２１の焼結収縮が開始される前であり、図４ｂは、温度が上昇して金属粉末２１の焼結収縮が進められている状態を概略的に示したものである。
【００８７】
図４ａ及び図４ｂのセラミック粉末１１は焼結過程を経て図２に示された誘電体層１１１を形成することができる。
【００８８】
図４ａ及び図４ｂを参照すると、焼成工程の初期段階で金属粉末２１が収縮し、クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は金属粉末の間から抜け出てセラミック粉末１１の方に移動することができる。
【００８９】
一般に、セラミック粉末が収縮する前に金属粉末が焼結されて内部電極を形成し、セラミック粉末が収縮される過程で内部電極が凝集して内部電極の連結性が低下する可能性がある。
【００９０】
しかしながら、本発明の一実施形態により、焼成温度が金属粉末２１より高い微粒のクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２を金属粉末２１内に均一に分散させると、約１０００℃以上まで金属粉末２１の焼結が抑制されることができる。約１０００℃まで金属粉末２１の焼結ができるだけ抑制され、セラミック粉末１１の焼結が開始されることができる。
【００９１】
セラミック粉末１１の緻密化が進行されると、内部電極の緻密化も開始されて急速で焼結が進行される。この際、昇温速度を調節すると、クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、金属粉末の間から抜け出ることなく、図３に示されたように金属粉末２１の粒子境界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にトラップされて金属粉末２１の粒成長を妨害する。これにより、内部電極の凝集現象が抑制されて内部電極の連結性を増加させることができる。
【００９２】
また、クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２の一部は、内部電極の表面に押し出されて誘電体層１１１と内部電極１２１の界面に少量分布することができる。上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末が誘電体層１１１と内部電極１２１の界面に存在する場合、電極連結性に優れて有効電極面積が増加することができる。
【００９３】
また、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２は、金属層２２ａを形成することができる。
【００９４】
上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層２２ａは上記金属の含量比率により伝導体として作用することができ、クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量を調節する場合、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の一部が酸化物の形で存在しても積層セラミックキャパシタの容量の低下は殆ど発生しない。
【００９５】
最近、積層セラミックキャパシタが小型化及び軽量化されるにつれ、内部電極はさらに薄層化されている。薄層の内部電極を形成するためにより微粒の金属粉末を用いることができるが、この場合、金属粉末の焼結収縮の制御及び内部電極の連結性の確保が困難となる。
【００９６】
しかしながら、本発明の一実施形態によると、上述したように内部電極用導電性ペーストに金属粉末より融点の高いクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末を含むことにより、内部電極を形成する金属粉末の焼結収縮抑制効果が得られる。
【００９７】
また、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末が内部電極内にトラップされるため、内部電極の連結性を向上させてより薄層化した内部電極を形成することができる。
【００９８】
以下、本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造方法を説明する。
【００９９】
本発明の一実施例により、まず、複数のセラミックグリーンシートを製造することができる。上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、溶剤等を混合してスラリーを製造し、上記スラリーをドクターブレード法により数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状にして製作されることができる。上記セラミックグリーンシートは以後焼結されて図２に示されたように一つの誘電体層１１１を形成することができる。
【０１００】
次に、上記セラミックグリーンシート上に内部電極用導電性ペーストを塗布して内部電極パターンを形成することができる。上記内部電極パターンは、スクリーン印刷法又はグラビア印刷法により形成されることができる。
【０１０１】
上記内部電極用導電性ペースト組成物としては本発明の一実施形態によるものを用いることができ、具体的な成分及び含量は上述と同様である。
【０１０２】
以後、上記複数のセラミックグリーンシートを積層し、積層方向から加圧して、積層されたセラミックグリーンシートと内部電極ペーストを互いに圧着させることができる。このようにして、セラミックグリーンシートと内部電極が交互に積層されたセラミック積層体を製造することができる。
【０１０３】
次に、セラミック積層体を一つのキャパシタに対応する領域ごとに切断してチップ化することができる。この際、内部電極パターンの一端が側面から交互に露出されるように切断することができる。以後、チップ化した積層体を焼成してセラミック素体を製造することができる。上述したように、上記焼成工程は還元雰囲気で行われることができる。また、昇温速度を調節して上記焼成工程を行うことができる。上記昇温速度は３０℃／６０ｓから５０℃／６０ｓであることができるが、これに制限されるものではない。
【０１０４】
次に、セラミック素体の側面を覆い、セラミック素体の側面に露出された内部電極と電気的に連結されるように外部電極を形成することができる。以後、外部電極の表面にニッケル、スズ等のメッキ処理を行うことができる。
【０１０５】
上述したように、内部電極１２１の粒子境界（ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）にクロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末２２がトラップされることにより、内部電極の連結性が向上することができる。
【０１０６】
また、誘電体層１１１と内部電極１２１の界面の一領域には、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層２２ａが形成されることができる。上記金属層２２ａは伝導体として作用することができるため、積層セラミックキャパシタの容量の低下は殆ど発生しない。
【０１０７】
本発明の一実施例により内部電極用導電性ペースト組成物を製造し、これを用いて積層セラミックキャパシタを製造した。上記導電性ペースト組成物は金属粉末としてニッケル粉末を用い、高融点金属の具体的な種類及びその含量を下記表１に示した。
【０１０８】
[評価]
積層セラミックキャパシタの電極連結性は、内部電極の一端面における内部電極の全長さに対する空隙を除いた内部電極の長さの比を計算した値で、下記の基準で評価してその結果を下記表１に示した。
◎：最良（電極連結性が８５％以上）
○：良好（電極連結性が７５％以上〜８５％未満）
×：不良（電極連結性が７５％未満）
【０１０９】
積層セラミックキャパシタの電気的特性は、目標とする容量、ＤＦとＢＤＶ、ＩＲ、加速寿命等の耐電圧特性が具現されるかを基準として評価した。１００個のチップに対して測定し、基準に適したチップの個数により下記の基準で評価してその結果を下記表１に示した。
◎：最良（基準に適したチップの個数が８５個以上）
○：良好（基準に適したチップの個数が７５個以上〜８５個未満）
×：不良（基準に適したチップの個数が７５個未満）
【０１１０】
【表１】
2014038820.tif 000003
【０１１１】
上記表１を参照すると、高融点金属粉末の種類によって含量を調節し、上記クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末の含量が金属粉末１００重量部に対して１．０から２０重量部のとき、７５％以上の電極連結性を具現し、電気的特性に優れることが確認できた。
【０１１２】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有するものには明らかである。
【符号の説明】
【０１１３】
１１０  セラミック素体
１１１  誘電体層
１２１、１２２  内部電極
１３１、１３２  外部電極
１１  セラミック粉末
２１  金属粉末
２２  高融点クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末
２２ａ  内部電極の界面に形成された高融点クロム（Ｃｒ）又はコバルト（Ｃｏ）粉末で形成された金属層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
2014038820.tif 000007
【図４ｂ】
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