(57)【要約】  亀裂が発生しにくく、抗折強度が高く、基板と表面電極との電極接合強度が高い多層セラミック基板を提供する。  セラミック層２が積層された積層体１を備え、セラミック層は１、４８〜７５重量％のＳｉＯ２、２０〜４０重量％のＢａＯ、５〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３を含有する主成分と、主成分１００重量部に対して、少なくとも、２．５〜２０重量部のＭｎＯを含有する副成分と、を含有するセラミック材料からなり、積層体１には、さらに、積層体１の内部、かつ、両主面からそれぞれ１００μｍ以内に、厚みの全てが存在する、または、厚みの一部が存在する、ガラスセラミック層３ａ、３ｂが積層されるようにした。
2017002434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の層間に内部電極が配置され、複数のセラミック層が積層された積層体を備えた積層セラミック基板であって、
前記セラミック層は、ＳｉＯ２に換算して４８〜７５重量％のＳｉ、ＢａＯに換算して２０〜４０重量％のＢａ、Ａｌ２Ｏ３に換算して５〜２０重量％のＡｌを含有する主成分と、前記主成分５０重量部に対して、少なくとも、ＭｎＯに換算して２．５〜２０重量部のＭｎを含有する副成分と、を含有するセラミック材料からなり、
前記積層体には、さらに、前記積層体の内部、かつ、両主面からそれぞれ１００μｍ以内に、厚みの少なくとも一部が存在する第１のガラスセラミック層が配置されている積層セラミック基板。
【請求項２】
前記第１のガラスセラミック層の層数が６層以下である、請求項１に記載された積層セラミック基板。
【請求項３】
前記第１のガラスセラミック層の層数が、１層または２層である、請求項２に記載された積層セラミック基板。
【請求項４】
前記積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在するガラスセラミック層を備えていない、請求項１ないし３のいずれか１項に記載された積層セラミック基板。
【請求項５】
前記積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在する第２のガラスセラミック層をさらに備え、
前記第１のガラスセラミック層および前記第２のガラスセラミック層の総層数が６層以下である、請求項１ないし３のいずれか1項に記載された積層セラミック基板。
【請求項６】
前記ガラスセラミック層が、前記積層体の一方の主面に近い第１のガラスセラミック層と、前記積層体の他方の主面に近い第２のガラスセラミック層の２層からなり、
前記積層体の一方の主面と、前記第１のガラスセラミック層との間に積層された前記セラミック層、および、前記積層体の他方の主面と、前記第２のガラスセラミック層との間に積層された前記セラミック層のガラス濃度が、前記第１のガラスセラミック層と前記第２のガラスセラミック層の間に積層された前記セラミック層のガラス濃度よりも高い、請求項１〜５のいずれか１項に記載された積層セラミック基板。
【請求項７】
所定の層間に内部電極が配置された複数のセラミック層が積層された積層体を備え、
前記セラミック層が、ＳｉＯ２に換算して４８〜７５重量％のＳｉ、ＢａＯに換算して２０〜４０重量％のＢａ、Ａｌ２Ｏ３に換算して５〜２０重量％のＡｌを含有する主成分と、前記主成分１００重量部に対して、少なくとも、ＭｎＯに換算して２．５〜２０重量部のＭｎを含有する副成分と、を含有するセラミック材料からなり、
前記積層体には、さらに、前記積層体の内部、かつ、両主面からそれぞれ１００μｍ以内に、厚みの少なくとも一部が存在する、第１のガラスセラミック層が積層された積層セラミック基板の製造方法であって、
前記セラミック層を形成するためのセラミックグリーンシートを用意する工程（ａ）と、  前記セラミックグリーンシートの所定のものの主面に、ガラスセラミックスラリーを塗布してガラスセラミック層を形成する工程（ｂ）と、
前記ガラスセラミック層が形成されていない前記セラミックグリーンシート、および、前記ガラスセラミック層が形成された前記セラミックグリーンシートの少なくとも一方の所定のものの主面に、導電性ペーストを所定の形状に塗布して内部電極層を形成する工程（ｃ）と、
前記ガラスセラミック層や前記導電性ペーストが塗布されたものを含む、前記セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、未焼成積層体を作製する工程（ｄ）と、
前記工程（ｄ）で得られた前記未焼成積層体の両主面を１対の拘束層で挟み、圧着する工程（ｅ）と、
前記工程（ｅ）の後、前記未焼成積層体に圧力を加えた状態で、前記未焼成積層体を焼成し、前記積層体を作製する工程（ｆ）と、
前記工程（ｆ）の後、前記積層体の両主面から、前記拘束層を除去する工程と、を備えた積層セラミック基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１のガラスセラミック層の層数が６層以下である、請求項７に記載された積層セラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１のガラスセラミック層の層数が、１層または２層である、請求項８に記載された積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
前記積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在するガラスセラミック層を備えていない、請求項７ないし９のいずれか１項に記載された積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在する第２のガラスセラミック層をさらに備え、
前記第１のガラスセラミック層および前記第２のガラスセラミック層の総層数が６層以下である、請求項７ないし９のいずれか1項に記載された積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記拘束層が拘束層グリーンシートであり、その厚みが１０μｍ以上である、請求項７ないし１１のいずれか１項に記載された積層セラミック基板の製造方法。
【請求項１３】
焼成前の、前記ガラスセラミック層の厚みが１μｍ以上、３０μｍ以下である、請求項７ないし１２のいずれか１項に記載された積層セラミック基板の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック基板に関し、さらに詳しくは、上下主面近傍に十分にガラス成分を含有しており、亀裂が発生しにくく、抗折強度が高く、基板と表面電極との電極接合強度が高い多層セラミック基板に関する。【０００２】
また、本発明は、上記した本発明の多層セラミック基板を製造するのに適した多層セラミック基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
低温焼結セラミック（LTCC：Low Temperature Cofired Ceramic）材料が、多層セラミック基板材料として広く利用されている。低温焼結セラミックを使用すれば、比較的安価で、かつ比抵抗が小さい、銀、銅などの低融点金属を内部電極、表面電極、ビア電極などの電極材料に使用し、同時焼成することができるため、高周波特性に優れた多層セラミック基板を安価に製造することができるからである。【０００４】
たとえば、特許文献１（特許第５５３３６７４号）には、４８〜７５重量％のＳｉＯ２、２０〜４０重量％のＢａＯ、５〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３を含有する主成分と、主成分１００重量部に対して、焼結助剤成分として２．５〜５．５重量部のＭｎＯ、その他の副成分を含む低温焼結セラミック材料が開示されている。【０００５】
低温焼結セラミック材料は、上述したように、銀、銅などの低融点金属と同時焼成できるという利点を有しているが、焼成時に基板が平面方向に大きく収縮してしまうという問題も有している。【０００６】
そこで、特許文献２（特許第５０２４０６４号公報）に開示された多層セラミック基板の製造方法では、低温焼結セラミック材料からなるセラミック層の各層間に、拘束層を挿入して積層体を形成し、焼成することにより、基板の平面方向の収縮を抑制するようにしている。拘束層には、たとえば、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）やＺｒＯ２（ジルコニア）などが用いられると記載されている（特許文献２の（００３５）段落参照）。また、拘束層に、ガラス成分が含有される場合もある旨が記載されている（特許文献２の（００５８）段落参照）。なお、拘束層は、多層セラミック基板が完成した後も積層体内に残存する。【０００７】
特許文献２に開示された多層セラミック基板の製造方法によれば、基板の平面方向の収縮を抑制することができる。しかしながら、作製された多層セラミック基板は、基板の厚み方向全般にわたって、収縮挙動の異なる２種類の材質からなるセラミック層と拘束層とが積層された構造になるため、基板の反り量が大きい、抗折強度が低い、基板と表面電極との電極接合強度が低いという問題があった。【０００８】
そこで、この問題に対策を講じた多層セラミック基板の製造方法として、特許文献３（特開１０-８４０５６公報）には、多層セラミック基板を構成する積層体自体は低温焼結セラミック層を積層して形成するが、積層体の焼成を、上下方向から拘束層により挟み込み、かつ圧力を加えておこなう方法が開示されている。拘束層には、たとえば、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２などが用いられると記載されている（特許文献３の（００２０）段落参照）。拘束層は、焼成後に多層セラミック基板の表面から除去される。【０００９】
特許文献３に開示された方法により作製された多層セラミック基板は、特許文献２に開示された方法により作製された多層セラミック基板が有する問題が解消されている。すなわち、特許文献３に開示された方法によれば、基板のセラミック部分が１種類の低温焼結セラミック材料により形成されるため、特許文献２に開示された方法による、基板が収縮挙動の異なる低温焼結セラミック層と拘束層とにより形成されることに起因する、反り量が大きい、抗折強度が低い、表面電極との電極接合強度が低いという問題が解消されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第５５３３６７４号公報
【特許文献２】特許第５０２４０６４号公報
【特許文献３】特開１０-８４０５６公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献３に開示された方法により作製された多層セラミック基板は、別の理由に起因して、抗折強度が低い、表面電極との電極接合強度が低いという問題があった。【００１２】
すなわち、特許文献３に開示された多層セラミック基板の方法には、焼成時に、積層体を上下から挟み込んで加圧する拘束層が、低温焼結セラミック材料により形成された積層体からガラス成分を吸引してしまうという問題があった。そして、積層体の上下主面からガラス成分が吸引されると、積層体の上下主面近傍はガラス成分が不足してしまい、圧縮応力を得ることができず、亀裂が発生しやすく、基板の抗折強度が低下し、かつ、基板と表面電極との電極接合強度が低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであり、その手段として、本発明の積層セラミック基板は、所定の層間に内部電極が配置され、複数のセラミック層が積層された積層体を備えた積層セラミック基板であって、セラミック層は、ＳｉＯ２に換算して４８〜７５重量％のＳｉ、ＢａＯに換算して２０〜４０重量％のＢａ、Ａｌ２Ｏ３に換算して５〜２０重量％のＡｌを含有する主成分と、主成分５０重量部に対して、少なくとも、ＭｎＯに換算して２．５〜２０重量部のＭｎを含有する副成分と、を含有するセラミック材料からなり、積層体には、さらに、積層体の内部、かつ、両主面からそれぞれ１００μｍ以内に、厚みの少なくとも一部が存在する第１のガラスセラミック層が配置されているものとした。なお、上記において、積層体の内部とは、積層体の主面の表面部分を除く意味である。また、上記において、１００μｍは、完成した積層体（焼成後の積層体）における距離である。また、積層体の厚みは、極めて小さい内部電極の厚みを除外して、セラミック層とガラスセラミック層の合計の厚みから算出する。  【００１４】
第１のガラスセラミック層の層数は６層以下とすることが好ましい。積層体の中のガラスセラミック層の総層数が６層を超えると、セラミック層の絶縁抵抗が低下する場合があるからである。【００１５】
第１のガラスセラミック層の層数は、たとえば、１層または２層とすることができる。この場合には、さらに、積層体全体に対するガラスセラミック層の割合が極めて小さいため、積層体が、収縮挙動の異なるセラミック層とガラスセラミック層とが積層されたことに起因して、基板が反ったり、抗折強度が低下したり、基板と表面電極との電極接合強度が低下したりすることがない。【００１６】
積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在するガラスセラミック層を備えていないものとすることができる。この場合には、積層体の中心部分にガラスセラミック層が存在していないため、収縮挙動の異なるセラミック層とガラスセラミック層とが積層されたことに起因して、基板が反ったり、抗折強度が低下したり、基板と表面電極との電極接合強度が低下したりすることがない。【００１７】
あるいは、積層体は、一方の主面から１００μｍより大きく離れ、かつ、他方の主面から１００μｍより大きく離れた領域に、厚みの全てが存在する第２のガラスセラミック層を備えたものとしても良いが、第１のガラスセラミック層および第２のガラスセラミック層の総層数は６層以下とすることが好ましい。積層体の中のガラスセラミック層の総層数が６層を超えると、セラミック層の絶縁抵抗が低下する場合があるからである。【００１８】
また、ガラスセラミック層が、積層体の一方の主面に近い第１のガラスセラミック層と、積層体の他方の主面に近い第２のガラスセラミック層の２層からなり、積層体の一方の主面と、第１のガラスセラミック層との間に積層されたセラミック層、および、積層体の他方の主面と、第２のガラスセラミック層との間に積層されたセラミック層のガラス濃度が、第１のガラスセラミック層と第２のガラスセラミック層の間に積層されたセラミック層のガラス濃度よりも高いものとすることができる。この場合には、基板の上下主面近傍のセラミック層が十分にガラス成分を含有しているため、基板の上下主面近傍の熱膨張係数が、基板の内部の熱膨張係数に比べて低くなる。そして、その結果、基板の上下主面それぞれに圧縮応力が働くため、基板に亀裂が発生しにくくなり、基板の抗折強度が高くなり、基板と表面電極との電極接合強度が高くなる。【００１９】
また、本発明の積層セラミック基板の製造方法は、所定の層間に内部電極が配置された複数のセラミック層が積層された積層体を備え、セラミック層が、ＳｉＯ２に換算して４８〜７５重量％のＳｉ、ＢａＯに換算して２０〜４０重量％のＢａ、Ａｌ２Ｏ３に換算して５〜２０重量％のＡｌを含有する主成分と、主成分１００重量部に対して、少なくとも、ＭｎＯに換算して２．５〜２０重量部のＭｎを含有する副成分と、を含有するセラミック材料からなり、積層体には、さらに、積層体の内部、かつ、両主面からそれぞれ１００μｍ以内に、厚みの少なくとも一部が存在する、第１のガラスセラミック層が積層された積層セラミック基板の製造方法であって、セラミック層を形成するためのセラミックグリーンシートを用意する工程（ａ）と、セラミックグリーンシートの所定のものの主面に、ガラスセラミックスラリーを塗布してガラスセラミック層を形成する工程（ｂ）と、ガラスセラミック層が形成されていないセラミックグリーンシート、および、ガラスセラミック層が形成されたセラミックグリーンシートの少なくとも一方の所定のものの主面に、導電性ペーストを所定の形状に塗布して内部電極層を形成する工程（ｃ）と、ガラスセラミック層や導電性ペーストが塗布されたものを含む、セラミックグリーンシートを所定の順番に積層し、未焼成積層体を作製する工程（ｄ）と、工程（ｄ）で得られた未焼成積層体の両主面を１対の拘束層で挟み、圧着する工程（ｅ）と、工程（ｅ）の後、未焼成積層体に圧力を加えた状態で、未焼成積層体を焼成し、積層体を作製する工程（ｆ）と、工程（ｆ）の後、積層体の両主面から、拘束層を除去する工程と、を備えるようにした。なお、上記において、積層体の内部とは、積層体の主面の表面部分を除く意味である。また、上記において、１００μｍは、完成した積層体（焼成後の積層体）における距離である。【００２０】
なお、拘束層として拘束層グリーンシートを使用する場合には、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。１０μｍ未満であると、積層セラミック基板に割れが発生する虞があるからである。【００２１】
また、焼成前のガラスセラミック層は、その厚みが１μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい。１μｍ未満であると、ガラス成分の供給量が不足する虞があるからである。また、３０μｍを超えると、積層体１の全体の厚みに対するガラスセラミック層３の厚みの割合が大きくなり過ぎてしまい、抗折強度と電極接合強度が低下してしまう虞があるからである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の積層セラミック基板は、第１のガラスセラミック層からガラス成分が供給され、基板の上下主面近傍のセラミック層が十分にガラス成分を含有しているため、基板の上下主面近傍の熱膨張係数が、基板の内部の熱膨張係数に比べて低くなっている。そして、その結果、本発明の積層セラミック基板は、基板の上下主面それぞれに圧縮応力が働き、基板に亀裂が発生しにくく、基板の抗折強度が高く、基板と表面電極との電極接合強度が高いものになっている。【００２３】
また、本発明の積層セラミック基板の製造方法によれば、第１のガラスセラミック層からガラス成分を供給し、基板の上下主面近傍のセラミック層に十分にガラス成分を含有させることができるため、製造された積層セラミック基板は、基板の上下主面近傍の熱膨張係数が、基板の内部の熱膨張係数に比べて低くなる。そして、その結果、本発明の積層セラミック基板の製造方法により製造された積層セラミック基板は、基板の上下主面それぞれに圧縮応力が働き、基板に亀裂が発生しにくく、基板の抗折強度が高く、基板と表面電極との電極接合強度が高いものになっている。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態にかかるセラミック多層基板１００を示す断面図である。
【図２】セラミック多層基板１００を使用して作製した電子モジュール２００を示す断面図である。
【図３】セラミック多層基板１００の製造方法の一例において施される工程を示す断面図である。
【図４】図３の続きであり、セラミック多層基板１００の製造方法の一例において施される工程を示す断面図である。
【図５】図４の続きであり、セラミック多層基板１００の製造方法の一例において施される工程を示す断面図である。
【図６】図５の続きであり、図６（Ａ）、図６（Ｂ）はそれぞれ、セラミック多層基板１００の製造方法の一例において施される工程を示す断面図である。
【図７】図６（Ｂ）の続きであり、図７は、セラミック多層基板１００の製造方法の一例において施される工程を示す断面図である。
【図８】実験例１における、実施例１にかかる積層セラミック基板と、比較例１にかかる積層セラミック基板を、それぞれ示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。なお、各実施形態は、本発明の実施の形態を例示的に示したものであり、本発明が実施形態の内容に限定されることはない。また、異なる実施形態に記載された内容を組合せて実施することも可能であり、その場合の実施内容も本発明に含まれる。また、図面は、実施形態の理解を助けるためのものであり、必ずしも厳密に描画されていない場合がある。たとえば、明細書に記載されている構成要素が、図面において省略されている場合や、個数や層数を変更して描画されている場合がある。また、描画された構成要素ないし構成要素間の寸法の比率が、明細書に記載されたそれらの寸法の比率と一致していない場合がある。
【００２６】
［実施形態］
図１に、本発明の実施形態にかかる多層セラミック基板１００を示す。ただし、図１は、多層セラミック基板１００の断面図である。
【００２７】
多層セラミック基板１００は、積層体１を備える。
【００２８】
積層体１は、複数のセラミック層２と、２層のガラスセラミック層３ａ、３ｂと、複数の内部電極４とが積層された構造からなる。
【００２９】
各セラミック層２は、４８〜７５重量％のＳｉＯ２、２０〜４０重量％のＢａＯ、５〜２０重量％のＡｌ２Ｏ３を含有する主成分と、主成分１００重量部に対して、少なくとも、２．５〜２０重量部のＭｎＯを含有する副成分と、を含有するセラミック材料を使用してセラミックグリーンシートを作製し、焼成したものからなる。
【００３０】
セラミック層２の所定の層間には、所定の形状からなる内部電極４が積層されている。本実施形態においては、セラミック層２とガラスセラミック層３ａ、３ｂとの層間に内部電極４は積層されていないが、セラミック層２とガラスセラミック層３ａ、３ｂとの層間に内部電極４を積層させるようにしても良い。
【００３１】
また、セラミック層２には、必要に応じて、表裏面を貫通して、所定の位置に、ビア電極５が形成されている。ビア電極５は、セラミック層２の表裏間の電気的導通をはかるためのものである。
【００３２】
ガラスセラミック層３ａは、積層体１の上側主面から１００μｍ以内に、厚みの全てが存在するように、あるいは、厚みの一部が存在するように積層されている。ガラスセラミック層３ｂは、積層体１の下側主面から１００μｍ以内に、厚みの全てが存在するように、あるいは、厚みの一部が存在するように積層されている。なお、主面からガラスセラミック層３ａ、３ｂまでの距離は、積層体１を焼成した後の距離である。
【００３３】
ガラスセラミック層３ａ、３ｂは、たとえば、４０〜６０重量部のＡｌ２Ｏ３に対して、ＢａＯ-Ａｌ２Ｏ３-ＳｉＯ２-Ｂ２Ｏ３-ＣａＯを主成分とするガラス成分を６０〜４０重量部含む材料を使用して、ガラスセラミックスラリーを作製し、上述したセラミックグリーンシートに塗布して焼成したものからなる。なお、ガラスセラミック層３ａ、３ｂは、ガラスセラミックスラリーをセラミックグリーンシートに塗布するのに代えて、ガラスセラミックスラリーを使用してガラスセラミックグリーンシートを作製し、焼成したものであっても良い。
【００３４】
ガラスセラミック層３ａは、積層体１の自身よりも上側に積層されたセラミック層２にガラス成分を供給し、積層体１の上主面近傍に十分にガラス成分を含有させるために積層されている。ガラスセラミック層３ｂは、積層体１の自身よりも下側に積層されたセラミック層２にガラス成分を供給し、積層体１の上主面近傍に十分にガラス成分を含有させるために積層されている。
【００３５】
なお、上述したとおり、ガラスセラミック層３ａ、３ｂは、それぞれ、積層体１のいずれかの主面から１００μｍ以内に、厚みの全てが存在するように、あるいは、厚みの一部が存在するように積層されている。１００μｍ以内としたのは、１００μｍよりも大きく離れて積層されると、積層体１の主面近傍にまで十分にガラス成分を供給することができなくなる虞があるからである。なお、本実施形態においては、上側主面の近くにガラスセラミック層３ａ、下側主面の近くにガラスセラミック層３ｂの２層を積層しているが、積層体１の厚みが２００μｍ前後よりも小さい場合は、ガラスセラミック層を１層にすることも可能である。
【００３６】
ガラスセラミック層３ａ、３ｂには、必要に応じて、表裏面を貫通して、所定の位置に、ビア電極５が形成されている。
【００３７】
積層体１の両主面には、必要に応じて、所定の位置に、所定の形状からなる表面電極６が形成されている。
【００３８】
内部電極４、ビア電極５、表面電極６は、たとえば、セラミック層２と同時に焼成することができる、銀、銅などの低融点金属を主成分とする導電性ペーストを焼成したものからなる。銀、銅などの低融点金属は、比較的安価で、かつ比抵抗が小さいため、これらを使用すれば、高周波特性に優れた多層セラミック基板を安価に製造することができる。ただし、内部電極４、ビア電極５、表面電極６に、必ずしも低融点金属を使用しなければならないことはなく、高融点金属を使用しても良い。
【００３９】
積層体１の内部には、内部電極４、ビア電極５により、必要な電気配線が形成されている。また、内部電極４、ビア電極５により、インダクタやキャパシタが形成される場合がある。また、積層体１内のセラミック層２の層間に抵抗体膜を設けたり、積層体１内に電子部品素子を内蔵させたりする場合がある。
【００４０】
上述した構造からなる多層セラミック基板１００に電子部品を実装すれば、電子部品モジュールを作製することができる。
【００４１】
図２に、一例として、多層セラミック基板１００を使用した電子部品モジュール２００を示す。ただし、図２は、電子部品モジュール２００の断面図である。
【００４２】
電子部品モジュール２００は、多層セラミック基板１００の上側主面に形成された表面電極６に、複数の電子部品７が実装されている。多層セラミック基板１００の下側主面に形成された表面電極６は、電子部品モジュール２００を基板などに実装する際の電極として使用される。
【００４３】
図３〜図７に、多層セラミック基板１００の製造方法の一例を示す。
【００４４】
まず、セラミック層２を形成するための、複数枚のセラミックグリーンシートを作製した。
【００４５】
具体的には、まず、図示しないが、出発原料として、ＳｉＯ２、ＢａＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏ、ＭｎＣＯ３、ＣｅＯ２の各粉末を用意した。
【００４６】
次に、ＳｉＯ２、ＢａＣＯ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｚｒ２Ｏの各粉末を、仮焼後において、ＳｉＯ２が５７．０重量％、ＢａＯが３１．０重量％、Ａｌ２Ｏ３が１２．０重量％となり、かつ、これらのＳｉＯ２、ＢａＯ、Ａｌ２Ｏ３の合計１００重量部に対して、ＺｒＯ２が０．５重量部となるように調合し、続いて、ボールミルにて純水を用いて湿式混合した。そして、混合後、蒸発乾燥させ、素材混合粉末を得た。
【００４７】
次に、得られた素材混合粉末を、大気中において、８４０℃の温度で２時間仮焼し、仮焼粉を得た。
【００４８】
次に、得られた仮焼粉に、ＭｎＣＯ３およびＣｅＯ２の各粉末を、焼成後において、ＳｉＯ２、ＢａＯ、Ａｌ２Ｏ３の合計１００重量部に対して、ＭｎＯが４．０重量部、ＣｅＯ２が３．０重量部となるように調合し、続いて、ボールミルにて有機溶剤を用いて湿式混合し、湿式混合物を得た。
【００４９】
次に、得られた湿式混合物に、ブチラール系樹脂と可塑剤（ＤＯＰ）とをそれぞれ所定量添加し、混合して、セラミックスラリーを得た。
【００５０】
次に、得られたセラミックスラリーを使用し、ドクターブレード法によって、厚さ２０μｍのセラミックグリーンシートを作製した。続いて、得られたセラミックグリーンシートを所望の寸法にカットし、複数枚のセラミックグリーンシート１２を得た。本実施形態においては、５０枚のセラミックグリーンシートを得た。
【００５１】
以上のセラミック層２を形成するためのセラミックグリーンシートの作製と並行して、ガラスセラミック層３ａ、３ｂを形成するためのガラスセラミックスラリーを作製した。
【００５２】
具体的には、まず、Ａｌ２Ｏ３粉末と、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＣａＯを主成分とするガラス粉末を用意した。
【００５３】
次に、Ａｌ２Ｏ３粉末５０重量部に対して、ガラス粉末が５０重量部となるように調合し、続いて、ブチラール系樹脂、可塑剤を添加し、混合して、ガラスセラミックスラリーを作製した。
【００５４】
次に、セラミックグリーンシート１２の中の２枚の主面全面に、ガラスセラミックスラリーを使用して、ドクターブレード法によって、厚さ４μｍのガラスセラミック層１３ａまたは１３ｂを形成した。
【００５５】
図３に、ガラスセラミック層の形成されていないセラミックグリーンシート１２と、ガラスセラミック層１３ａまたは１３ｂが形成されたセラミックグリーンシート１２を、後述する未焼成積層体１１内での積層順に示す。
【００５６】
図３から分かるように、後述する拘束層グリーンシート１８を除き（以下において、積層された層の順番の説明は、拘束層グリーンシート１８を除外しておこなっている）、未焼成積層体１１内において、最上層、上から３層目〜下から３層目、最下層に、それぞれ、無地のセラミックグリーンシート１２が積層される。そして、上から２層目に、ガラスセラミック層１３ａが上面に形成されたセラミックグリーンシート１２が積層され、下から２層目に、ガラスセラミック層１３ｂが下面に形成されたセラミックグリーンシート１２が積層される。なお、本実施形態においては、セラミックグリーンシート１２の総数を５０枚としたが、図３においては、見やすくするため、枚数を省略して示している（他の図においても同じ）。
【００５７】
次に、図４に示すように、ガラスセラミック層の形成されていないセラミックグリーンシート１２、ガラスセラミック層１３ａ、１３ｂが形成されたセラミックグリーンシート１２に、ビア電極５を形成するための孔１５を、レーザー加工機、パンチングマシーンなどを使用して形成した。
【００５８】
また、孔１５の形成と並行して、Ｃｕ粉末を主成分として含有する導電性ペーストを用意した。導電性ペーストは、Ｃｕに代えて、Ａｇなどを主成分として含有するものであっても良い。
【００５９】
次に、図５に示すように、ガラスセラミック層の形成されていないセラミックグリーンシート１２、ガラスセラミック層１３ａ、１３ｂが形成されたセラミックグリーンシート１２に、スクリーン印刷法などにより導電性ペーストを塗布した。
【００６０】
この結果、未焼成積層体１１内で最上層に積層されるセラミックグリーンシート１２の上側主面に、焼成後に表面電極６となる導電性ペースト膜１６が所望の形状に形成され、そのセラミックグリーンシート１２に形成された孔１５内にビア電極５を形成するための導電性ペースト２５が充填された。
【００６１】
また、未焼成積層体１１内で上から２層目に積層される、ガラスセラミック層１３ａが形成されたセラミックグリーンシート１２に形成された孔１５内に、ビア電極５を形成するための導電性ペースト２５が充填された。
【００６２】
また、未焼成積層体１１内で、上から３層目〜下から３層目までに積層される、ガラスセラミック層の形成されていないセラミックグリーンシート１２の上側主面に、必要に応じて、焼成後に内部電極４となる導電性ペースト膜１４が所望の形状に形成され、セラミックグリーンシート１２に形成された孔１５内にビア電極５を形成するための導電性ペースト２５が充填された。
【００６３】
また、未焼成積層体１１内で下から２層目に積層される、ガラスセラミック層１３ｂが形成されたセラミックグリーンシート１２に形成された孔１５内に、ビア電極５を形成するための導電性ペースト２５が充填された。
【００６４】
さらに、未焼成積層体１１内で最下層に配置されるセラミックグリーンシート１２の下側主面に、焼成後に表面電極６となる導電性ペースト膜１６が形成され、そのセラミックグリーンシート１２に形成された孔１５内にビア電極５を形成するための導電性ペースト２５が充填された。
【００６５】
次に、図６（Ａ）に示すように、ガラスセラミック層の形成されていないセラミックグリーンシート１２と、ガラスセラミック層１３ａ、１３ｂが形成されたセラミックグリーンシート１２と、さらに１対の拘束層である拘束層グリーンシート１８、１８を、所望の順番に積層し、加圧して、未焼成積層体１１を作製した。この状態で、未焼成積層体１１を上下から圧着して、圧着体を形成した。
【００６６】
拘束層グリーンシート１８、１８には、たとえば、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯなどを主成分とするセラミックグリーンシートを使用することができる。
【００６７】
次に、図６（Ｂ）に示すように、未焼成積層体１１を、さらに、上下から１対の加圧治具１９、１９で挟み込んだ。
【００６８】
続いて、加圧治具１９、１９により、拘束層グリーンシート１８、１８に圧力を加えた状態で、未焼成積層体１１を焼成した。加えた圧力は１０ｋｇｆ／ｃｍ２とした。焼成雰囲気は還元性とした。焼成温度は９８０℃とした。
【００６９】
焼成時に、拘束層グリーンシート１８、１８により、最上層および最下層に積層されたセラミックグリーンシート１２から、それぞれ、ガラス成分が吸収されるが、本実施形態においては、ガラスセラミック層１３ａから最上層に積層されたセラミックグリーンシート１２にガラス成分が供給され、ガラスセラミック層１３ｂから最下層に積層されたセラミックグリーンシート１２にガラス成分が供給されるため、最上層および最下層に積層されたセラミックグリーンシート１２は十分にガラス成分を含有した状態で焼成される。
【００７０】
次に、図７に示すように、全体を自然冷却した後、加圧治具１９、１９を取り外すとともに、焼成された積層体１の上下主面の拘束層（拘束層グリーンシート１８、１８）を除去した。
【００７１】
焼成により、厚み２０μｍのセラミックグリーンシート１２は、厚み１０μｍのセラミック層２となった。同様に、焼成により、厚み４μｍのガラスセラミック層１３ａ、１３ｂは、厚み２μｍのガラスセラミック層３ａ、３ｂとなった。
【００７２】
最後に、図示しないが、積層体１の両主面に形成された表面電極６の表面に、電解めっきにより、第１層としてＮｉめっき膜、第２層としてＡｕめっき膜を形成し、セラミック多層基板１００を完成させた。
【００７３】
本実施形態にかかる積層セラミック基板１００は、ガラスセラミック層３ａ、３ｂ（ガラスセラミック層１３ａ、１３ｂ）からガラス成分が供給されるため、積層体の上下主面近傍のセラミック層２が十分にガラス成分を含有している。そのため、積層セラミック基板１００の上下主面近傍の熱膨張係数は、積層体１の内部の熱膨張係数に比べて低い。この結果、積層セラミック基板１００の上下主面には圧縮応力が働くため、積層セラミック基板１００は亀裂が発生しにくく、抗折強度が高く、表面電極との電極接合強度が高いものになっている。
【００７４】
以上、本発明の実施形態について説明した。しかしながら、本発明がこれらの内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００７５】
たとえば、実施形態では、積層体１内に２層のガラスセラミック層３ａ、３ｂを形成しているが、ガラスセラミック層の層数は任意であり、積層体１の厚みが１００μｍ前後よりも小さい場合は、１層のガラスセラミック層で、積層体１の両主面側にガラス成分を供給することも可能である。
【００７６】
また、ガラスセラミック層３ａ、３ｂの材質や厚みも任意であり、上述した内容に限定されることはない。
【００７７】
また、セラミック層２の層数や厚みも任意であり、上述した内容に限定されることはない。
【００７８】
なお、ガラスセラミック層３ａとガラスセラミック層３ｂとの間に、さらに別のガラスセラミック層（第２のガラスセラミック層）を積層しても良いが、積層体1内のガラスセラミック層の総層数は６層以内とすることが好ましい。６層を超えると、セラミック層の絶縁抵抗が低下してしまう場合があるからである。
【００７９】
本発明の有効性を確認するために、以下の実験をおこなった。
【００８０】
［実験例１］
以下の要領で、実施例１にかかる積層セラミック基板と、比較例１にかかる積層セラミック基板を作製した。
【００８１】
まず、実施形態で使用した、複数のセラミックグリーンシート１２と、ガラスセラミックスラリーと、複数の拘束層グリーンシート１８を用意した。
【００８２】
セラミックグリーンシート１２は、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚み２０μｍとした。拘束層グリーンシート１８は、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍ、厚み１００μｍとした。
【００８３】
次に、セラミックグリーンシート１２の中の１枚の一方の主面全面に、ドクターブレード法により、ガラスセラミックスラリーを塗布し、厚み４μｍのガラスセラミック層１３を形成した。
【００８４】
実施例１にかかる積層セラミック基板を作製するために、最下層に拘束層グリーンシート１８を積層した。次に、その上に、４９枚の無地のセラミックグリーンシート１２を積層した。次に、その上に、ガラスセラミック層１３が形成されたセラミックグリーンシート１２を、ガラスセラミック層１３が下側になるように積層した。最後に、その上に、拘束層グリーンシート１８を積層し、実施例１にかかる未焼成積層体を作製した。
【００８５】
次に、実施例１にかかる未焼成積層体を、上下から加圧した状態で、実施形態と同じ条件で焼成し、実施例１にかかる積層セラミック基板を得た。
【００８６】
また、比較例１にかかる積層セラミック基板を作製するために、最下層に拘束層グリーンシート１８を積層した。次に、その上に、５０枚の無地のセラミックグリーンシート１２を積層した。最後に、その上に、拘束層グリーンシート１８を積層し、比較例１にかかる未焼成積層体を作製した。
【００８７】
次に、比較例１にかかる未焼成積層体を、上下から加圧した状態で、実施形態１と同じ条件で焼成し、比較例１にかかる積層セラミック基板を得た。
【００８８】
図８に、実施例１および比較例２にかかる積層セラミック基板をそれぞれ示す。ただし、図８は要部断面図であり、それぞれの積層セラミック基板の上層部分のみを示している。
【００８９】
実施例１にかかる積層セラミック基板は、最上層に拘束層（拘束層グリーンシート１８）が、上から２層目にセラミック層２が、上から３層目にガラスセラミック層３が、上から４層目以下に複数のセラミック層２が積層されている。
【００９０】
一方、比較例１にかかる積層セラミック基板は、最上層に拘束層（拘束層グリーンシート１８）が、上から２層目以下に複数のセラミック層２が積層されている。
【００９１】
次に、実施例１にかかる積層セラミック基板の上から２層目のセラミック層２の点Ｘと、上から４層目のセラミック層２の点Ｙと、比較例１にかかる積層セラミック基板の上から２層目のセラミック層２の点Ｚについて、それぞれ、ＸＲＤ分析により、ＣａＯの強度を測定した。なお、ＣａＯは、ガラスセラミック層１３のガラス成分であるＢａＯ-Ａｌ２Ｏ３-ＳｉＯ２-Ｂ２Ｏ３-ＣａＯに含まれているが、セラミックグリーンシート１２には含まれていない。
【００９２】
表１に、点Ｘ、点Ｙ、点Ｚにおける、ＣａＯの強度比を示す。（点Ｘの強度を１．０として、点Ｙ、点Ｚの強度を比で示した。）
【００９３】
【表１】
2017002434.tif 000003
表１から分かるように、点ＸのＣａＯ強度と比較して、点ＹのＣａＯ強度は低い。また、比較例１の点ＸのＣａＯ強度は０．０であった。
【００９４】
これは、未焼成積層体を焼成する際に、最上層の拘束層グリーンシート１８が、上から２層目のセラミックグリーンシート１２からガラス成分を吸収するが、実施例１においては、それを補うために、上から３層目のガラスセラミック層１３から、上から２層目のセラミックグリーンシート１２へ、ガラス成分が供給されることを示しているものと考えられる。したがって、ガラスセラミックグリーンシート１２が十分にガラス成分を供給する機能を果たしている場合には、ガラスセラミック層３よりも基板の主面側に積層されたセラミック層２のガラス濃度は、ガラスセラミック層３よりも基板の内部側に積層されたセラミック層２のガラス濃度よりも高くなる。
【００９５】
以上より、発明によれば、積層セラミック基板の主面近傍のセラミック層に、十分にガラス成分を含有させることができることが分かった。
【００９６】
［実験例２］
以下の要領で、実施例２-１〜実施例２-６にかかる積層セラミック基板と、比較例３〜比較例６にかかる積層セラミック基板を作製した。
【００９７】
まず、実施形態で使用した、複数のセラミックグリーンシート１２と、ガラスセラミックスラリーと、導電性ペーストと、複数の拘束層グリーンシート１８を用意した。
【００９８】
セラミックグリーンシート１２の平面寸法は、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍとした。セラミックグリーンシート１２には、厚みの異なる複数種類のもの、たとえば、１０μｍのものと２０μｍのものを用意した。
【００９９】
拘束層グリーンシート１８の平面寸法は、縦５０ｍｍ、横５０ｍｍとした。拘束層グリーンシート１８の厚みは、１００μｍとした。
【０１００】
所定のセラミックグリーンシート１２の一方の主面全面に、ドクターブレード法により、ガラスセラミックスラリーを塗布し、厚み４μｍのガラスセラミック層１３（実施形態の製造方法の説明においては、上側のガラスセラミック層を符号１３ａ、下側のガラスセラミック層を符号１３ｂで示したが、以下の説明においては、説明が煩雑になるのを避けるため、両者とも符合１３で統一して示す）を形成した。
【０１０１】
また、所定のセラミックグリーンシート１２の一方の主面上に、導電性ペーストを、縦２ｍｍ、横２ｍｍの正方形状に、厚み２０μｍで塗布し、導電性ペースト膜１６を形成した。
【０１０２】
また、主面にガラスセラミック層１３を形成したセラミックグリーンシート１２のうちの一部のものについては、形成されたガラスセラミック層１３一方の主面上に、導電性ペーストを、縦２ｍｍ、横２ｍｍの正方形状に、厚み２０μｍで塗布し、導電性ペースト膜１６を形成した。
【０１０３】
これらの導電性ペースト膜１６は、完成した多層セラミック基板の主面に、電極接合強度を測定するための表面電極６を形成するためのものである。
【０１０４】
これらの材料を使い、まず、実施例２-１〜実施例２-６の未焼成積層体１１を作製した。
【０１０５】
実施例２-１〜実施例２-６の未焼成積層体１１は、下から順に、拘束層グリーンシート１８、導電性ペースト膜１６、セラミックグリーンシート１２、下側のガラスセラミック層１３、セラミックグリーンシート１２、上側のガラスセラミック層１３、セラミックグリーンシート１２、導電性ペースト膜１６、拘束層グリーンシート１８が積層された構造からなる。
【０１０６】
実施例２-１〜実施例２-６の未焼成積層体１１は、厚みの異なるセラミックグリーンシート１２を使い分けることにより、相互に、拘束層グリーンシート１８を除いた主面（以下において同じ）からガラスセラミック層１３までの距離が異なるように作製されている。表２に、焼成後の、各積層体１の主面からガラスセラミック層３までの距離を示す。なお、主面からガラスセラミック層３までの距離とは、主面から、ガラスセラミック層３の主面に近い側の面までの距離を意味する。
【０１０７】
【表２】
2017002434.tif 000004
次に、比較例３の未焼成積層体１１を作製した。
【０１０８】
比較例３の未焼成積層体１１は、実施例２-１〜実施例２-６の未焼成積層体１１と、ガラスセラミック層１３の位置が異なる。すなわち、比較例３の未焼成積層体１１においては、積層体の両主面に、主面に導電性ペースト膜１６が形成されたガラスセラミック層１３を積層した。したがって、比較例３の未焼成積層体１１は、主面からガラスセラミック層１３までの距離は０μｍである。
【０１０９】
次に、比較例４の未焼成積層体１１を作製した。
【０１１０】
比較例４の未焼成積層体１１は、実施例２-１〜実施例２-６の未焼成積層体１１と基本的な積層構造は同一であるが、主面からガラスセラミック層３までの距離を１５０μｍ（焼成後）と大きくした。
【０１１１】
以上の、実施例２-１〜実施例２-６、比較例３、比較例４の未焼成積層体１１は、いずれも、複数のセラミックグリーンシート１２の厚みの合計が１０００μｍになり、２層のガラスセラミック層１３の厚みの合計が８μｍになるように作製されている。
【０１１２】
次に、比較例５、比較例６の未焼成積層体１１を作製した。比較例５の未焼成積層体１１と、比較例６の未焼成積層体１１は、共通のものからなる。また、比較例５、比較例６の未焼成積層体１１は、特許文献２（特許第５０２４０６４号公報）に開示された未焼成積層体と類似した構造からなる。
【０１１３】
まず、主面に４μｍのガラスセラミック層１３が形成された厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート１２を４８枚用意した。また、主面に４μｍのガラスセラミック層１３が形成された厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート１２であって、さらにその表面に導電性ペースト膜１６が形成されたものを２枚用意した。
【０１１４】
次に、これらの材料を使い、下から順に、導電性ペースト膜１６側を下にして主面にガラスセラミック層１３と導電性ペースト膜１６とが形成されたセラミックグリーンシート１２を１枚、ガラスセラミック層１３側を下にして主面にガラスセラミック層１３が形成されたセラミックグリーンシート１２を２４枚、ガラスセラミック層１３側を上にして主面にガラスセラミック層１３が形成されたセラミックグリーンシート１２を２４枚、導電性ペースト膜１６側を上にして主面にガラスセラミック層１３と導電性ペースト膜１６が形成されたセラミックグリーンシート１２を１枚積層し、比較例５の未焼成積層体１１を得た。比較例６の未焼成積層体１１は、比較例５の未焼成積層体１１の上下にそれぞれ、さらに拘束層グリーンシート１８を積層した。
【０１１５】
次に、実施例２-１〜実施例２-６、比較例３〜比較例６の未焼成積層体１１を焼成した。
【０１１６】
実施例２-１〜実施例２-６、比較例３、比較例４、比較例６の未焼成積層体１１は、それぞれ、上下から加圧した状態で、実施形態１と同じ条件で焼成した。
【０１１７】
比較例５の未焼成積層体１１は、加圧しない状態で、実施形態１と同じ条件で焼成した。
【０１１８】
次に、得られた焼成された各積層体１の表面電極６の表面に、Ｎｉめっき膜、Ａｕめっき膜を形成し、実施例２-１〜実施例２-６、比較例３〜比較例６の積層セラミック基板をそれぞれ完成させた。
【０１１９】
次に、実施例２-１〜実施例２-６、比較例３〜比較例６の積層セラミック基板それぞれにつき、電極接合強度と抗折強度を測定した。
【０１２０】
電極接合強度は、各積層セラミック基板の主面に形成された表面電極６（Ｎｉめっき膜およびＡｕめっき膜あり）にリード端子をはんだ付けし、引っ張り強度試験機により測定した。
【０１２１】
抗折強度は、３点曲げ試験機により測定した。
【０１２２】
表２に、各積層セラミック基板の電極接合強度と抗折強度を示す。
【０１２３】
表２からわかるように、焼成後に、積層体の内部であって、主面から１００μｍ以内に、厚みの全てが存在する、または、厚みの一部が存在する、ガラスセラミック層を有する実施例２-１〜実施例２-６にかかる積層セラミック基板は、電極接合強度、抗折強度とも、良好な結果であった。
【０１２４】
これに対し、積層体の主面の表面部分にガラスセラミック層が形成された比較例３は、抗折強度は良好であったが、電極接合強度が低下してしまった。
【０１２５】
また、焼成後に、積層体の主面から１００μｍより大きく離れてガラスセラミック層が形成された比較例４にかかる積層セラミック基板は、電極接合強度が低下してしまい、抗折強度もやや低下してしまった。
【０１２６】
また、セラミックグリーンシートの各層間に、拘束層としてガラスセラミック層を挿入し、圧力を加えず焼成した比較例５にかかる積層セラミック基板、圧力を加えて焼成した比較例６にかかる積層セラミック基板は、いずれも、電極接合強度が低下してしまい、抗折強度もやや低下してしまった。
【０１２７】
以上より、発明によれば、積層セラミック基板と表面電極との電極接合強度を高め、かつ、積層セラミック基板の抗折強度を高めることが出来ることが分かった。
【０１２８】
［実験例３］
以下の要領で、実施例３-１〜実施例３-７にかかる積層セラミック基板と、比較例７にかかる積層セラミック基板を作製した。
【０１２９】
実施例３-１〜実施例３-７においては、未焼成積層体１１の上下に積層される拘束層グリーンシート１８の厚みを変化させた。すなわち、焼成前において、拘束層グリーンシート１８の厚みを、２μｍ、１０μｍ、２５μｍ、５０μｍ、１００μｍ、２００μｍ、３００μｍに変化させた。
【０１３０】
一方、比較例７については、上下に拘束層グリーンシート１８を積層しなかった。
【０１３１】
表３に、実施例３-１〜実施例３-７の各拘束層グリーンシート１８の厚みを示す。
【０１３２】
【表３】
2017002434.tif 000005
まず、各実施例および比較例の未焼成積層体１１を作製した。
【０１３３】
各実施例の未焼成積層体１１は、下から順に、所定の厚みからなる拘束層グリーンシート１８を１枚、導電性ペースト膜１６側を下にして導電性ペースト膜１６が形成された２０μｍのセラミックグリーンシート１２を１枚、ガラスセラミック層１３側を下にして４μｍのガラスセラミック層１３が形成された２０μｍセラミックグリーンシート１２を１枚、無地の２０μｍのセラミックグリーンシート１２を４６枚、ガラスセラミック層１３側を上にして４μｍのガラスセラミック層１３が形成された２０μｍセラミックグリーンシート１２を１枚、導電性ペースト膜１６側を上にして導電性ペースト膜１６が形成された２０μｍのセラミックグリーンシート１２を１枚、所定の厚みからなる拘束層グリーンシート１８を１枚、積層した構造とした。
【０１３４】
比較例の未焼成積層体１１は、実施例の未焼成積層体１１から上下の拘束層グリーンシート１８を除いたものからなる。
【０１３５】
次に、実施例３-１〜実施例３-７、比較例７の未焼成積層体１１を、それぞれ焼成した。
【０１３６】
実施例３-１〜実施例３-７の未焼成積層体１１については、上下から、拘束層グリーンシート１８を介して加圧治具で加圧した状態で、実施形態１と同じ条件で焼成した。
【０１３７】
比較例７の未焼成積層体１１については、上下から加圧治具で直接加圧して、実施形態１と同じ条件で焼成した。
【０１３８】
この結果、拘束層グリーンシート１８を積層しなかった比較例７の積層体と、２μｍの拘束層グリーンシート１８を積層した実施例３-１の積層体には、それぞれ割れが発生した。
【０１３９】
割れが発生しなかった実施例３-２〜実施例３-７の積層体につき、表面電極６の表面にＮｉめっき膜、Ａｕめっき膜を形成し、各積層セラミック基板を完成させた。
【０１４０】
表３に、完成した各積層セラミック基板の電極接合強度と抗折強度を示す。
【０１４１】
表３からわかるように、実施例３-２〜実施例３-７の積層セラミック基板全てにおいて、良好な電極接合強度、抗折強度が得られた。
【０１４２】
以上より、良好な電極接合強度、抗折強度、外観形状を得るためには、未焼成積層体１１の上下に拘束層グリーンシート１８を積層し、上下から加圧した状態で焼成する必要があることが分かった。また、拘束層グリーンシート１８の厚みは、２μｍでは不足し、１０μｍ以上にすることが望ましいことが分かった。
【０１４３】
［実験例４］
以下の要領で、実施例４-１〜実施例４-８にかかる積層セラミック基板を作製した。
【０１４４】
そして、実験例４においては、実施例４-１〜実施例４-８ごとに、ガラスセラミック層１３の厚みを変化させ、その影響を調べた。
【０１４５】
表４に、実施例４-１〜実施例４-８、それぞれの、ガラスセラミック層１３の厚みを示す。
【０１４６】
未焼成積層体１１における積層の順番は全て同じとし、下から順に、厚み１００μｍの拘束層グリーンシート１８を１枚、導電性ペースト膜１６側を下にして導電性ペースト膜１６が形成された２０μｍのセラミックグリーンシート１２を１枚、ガラスセラミック層１３側を下にして所定の厚みのガラスセラミック層１３が形成された２０μｍセラミックグリーンシート１２を１枚、無地の２０μｍのセラミックグリーンシート１２を４６枚、ガラスセラミック層１３側を上にして所定の厚みのガラスセラミック層１３が形成された２０μｍセラミックグリーンシート１２を１枚、導電性ペースト膜１６側を上にして導電性ペースト膜１６が形成された２０μｍのセラミックグリーンシート１２を１枚、厚み１００μｍの拘束層グリーンシート１８を１枚、積層した構造とした。
【０１４７】
次に、これらの未焼成積層体１１を、それぞれ、加圧した状態で、実施形態１と同じ条件で焼成した。
【０１４８】
次に、得られた焼成された各積層体１の表面電極６の表面に、Ｎｉめっき膜、Ａｕめっき膜を形成し、実施例４-１〜実施例４-７、比較例８の積層セラミック基板をそれぞれ完成させた。
【０１４９】
上述のとおり、表４には、それぞれのガラスセラミック層１３の厚みを示している。これに加えて、表４には、実施例４-１〜実施例４-８、それぞれの場合の、焼成後の完成した各積層セラミック基板における、積層体の厚みに対する、ガラスセラミック層１３の厚み合計の比率（％）を示している。
【０１５０】
たとえば、実施例４−７では、５０枚の厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート１２と、２層の厚さ３０μｍのガラスセラミック層１３が積層されて、５０層の厚さ１０μｍのセラミック層と、２層の厚さ１５μｍのガラスセラミック層３が積層された積層セラミック基板が作製されるため、比率は、（１５×２）／（１０×５０+１５×２）≒５．６６％となる。
【０１５１】
また、実施例４−８では、５０枚の厚さ２０μｍのセラミックグリーンシート１２と、２層の厚さ４０μｍのガラスセラミック層１３が積層されて、５０層の厚さ１０μｍのセラミック層と、２層の厚さ２０μｍのガラスセラミック層３が積層された積層セラミック基板が作製されるため、比率は、（２０×２）／（１０×５０+２０×２）≒７．４１％となる。
【０１５２】
表４に、完成した各積層セラミック基板の電極接合強度と抗折強度を示す。
【０１５３】
【表４】
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表４からわかるように、１μｍ〜３０μｍのガラスセラミック層１３を使用した実施例４-２〜実施例４-７にかかる積層セラミック基板は、電極接合強度、抗折強度とも、良好な結果であった。特に、実施例４-７は、ガラスセラミックグ層１３の厚みを３０μｍとし、積層体１の全体の厚みに対するガラスセラミック層３の厚みの割合が、５．６６％と比較的大きかったが、良好な電極接合強度と抗折強度を得ることができた。
【０１５４】
これに対し、ガラスセラミック層１３の厚みを０．５μｍとした実施例４-１は、抗折強度、電極接合強度ともに低下してしまった。ガラスセラミックグリーンシート２３の厚みが小さく、ガラス成分の供給量が不足してしまったものと考えられる。
【０１５５】
また、ガラスセラミック層１３の厚みを４０μｍにした実施例４-８は、抗折強度、電極接合強度ともに低下してしまった。積層体１の全体の厚みに対するガラスセラミック層３の厚みの割合が、７．４１％と大きくなり過ぎてしまい、抗折強度と電極接合強度が低下してしまったものと考えられる。
【０１５６】
以上より、積層体１の全体の厚みに対するガラスセラミック層３の厚みの割合が、６％以下程度であれば、良好な電極接合強度と抗折強度を得ることができることが分かった。
【０１５７】
［実験例５］
実験例５では、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数が、積層体１（セラミック層２）の絶縁抵抗に与える影響を調べた。
【０１５８】
次の内容からなる、実施例５-１〜実施例５-１５にかかる積層セラミック基板を作製した。各実施例の製造方法は、特に断りがない限り、実施形態において説明した製造方法によった。
【０１５９】
各実施例は、積層体１に、２層、４層、６層、８層、１０層のいずれかから選ばれるガラスセラミック層３を備える。各実施例において、これらのガラスセラミック層３のうち、１層は一方の主面から１００μｍ以内に、他の1層は他方の主面から１００μｍ以内に、厚みの全てが存在するように配置した。ガラスセラミック層３の総層数が４層以上の場合は、残りのガラスセラミック層３を、いま説明した主面から１００μｍ以内に配置された２層のガラスセラミック層３の間に、等間隔で配置した。
【０１６０】
また、各実施例は、積層体１に、１０層、４０層、８０層のいずれかから選ばれるセラミック層２を備える。
【０１６１】
なお、各実施例において、各ガラスセラミック層３の厚みは２μｍ（焼成前のガラスセラミック層１３の段階で４μｍ）とした。また、セラミック層の厚みは１０μｍ（セラミックグリーンシート１２の段階で２０μｍ）とした。
【０１６２】
また、各実施例には、絶縁抵抗を測定するための内部電極４および外部電極を形成した。具体的には、積層体１の積層方向の真ん中付近に隣接して配置される２層のセラミック２用のグリーンシート１２の各主面にＣｕを主成分とした導電性ペースト膜１４を塗布しておき、１対の内部電極４を形成した。また、焼成後の積層体１の両端に、Ｃｕを主成分とした導電性ペースト膜を塗布し、焼付け、１対の外部電極を形成した。１対の内部電極４は、それぞれ、１対の外部電極のいずれか一方に接続されている。
【０１６３】
実施例５-１〜実施例５-１５にかかる積層セラミック基板それぞれに対し、温度８５℃、湿度８５％の条件で、１０００時間の１００Ｖ負荷の試験を実施した。そして、試験後に、各実施例の外部電極間の絶縁抵抗を測定した。
【０１６４】
表５に、実施例５-１〜実施例５-１５それぞれの絶縁抵抗（Ω（常用対数））を示す。
【０１６５】
【表５】
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表５から分かるように、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数は、積層体１（セラミック層２）の絶縁抵抗に影響を与えた。一方、積層体１の内部におけるセラミック層２の総層数は、積層体１（セラミック層２）の絶縁抵抗に影響を与えなかった。
【０１６６】
具体的には、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数が、２層、４層、６層の場合は、セラミック層２の総層数のいかんにかかわらず、絶縁抵抗は１２Ωであった。これに対し、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数が８層の場合は、セラミック層２の総層数のいかんにかかわらず、絶縁抵抗は８Ωに低下した。さらに、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数が１０層の場合は、セラミック層２の総層数のいかんにかかわらず、絶縁抵抗は６Ωにさらに低下した。
【０１６７】
本件発明者において、詳しいメカニズムについては研究中である。ガラスセラミック層３の総層数が６層を超えると、焼成時に、セラミックグリーンシート１２に含まれるバインダーや、ガラスセラミック層１３に含まれるバインダーの蒸発が妨げられ、層中にバインダーが残存しやすくなる。焼成後に、層中のバインダーが徐々に揮発することにより、欠陥が発生しやすくなり、絶縁抵抗が低下するのではないかと考えられる。
【０１６８】
以上より、高い絶縁抵抗を維持するためには、積層体１の内部におけるガラスセラミック層３の総層数を、６層以下にすれば良いことが分かった。なお、本実施例では、積層体の主面から１００μｍより離れた領域にガラスセラミック層が存在する形態を説明した。しかし、全てのガラスセラミック層が積層体の主面から１００μｍ以内に存在していても、ガラスセラミック層１３の層数が６層以下であれば絶縁抵抗が低下しにくい傾向は同じであると考えられる。
【符号の説明】
【０１６９】
１・・・積層体
２・・・セラミック層
３ａ、３ｂ・・・ガラスセラミック層
４・・・内部電極
５・・・ビア電極
６・・・表面電極
７・・・電子部品
１１・・・未焼成積層体
１２・・・セラミックグリーンシート
１３ａ、１３ｂ・・・ガラスセラミック層（焼成前）
１４、１６・・・導電性ペースト膜
１５・・・孔（ビア電極５形成用）
１８・・・拘束層（拘束層セラミックグリーンシート）
１９・・・加圧治具
２５・・・導電性ペースト（孔１５に充填されたもの）
１００・・・積層セラミック基板
２００・・・電子モジュール 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【国際調査報告】
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