(57)【要約】【課題】より確実な電流制御及び過電流保護を行うことができる電源回路及び照明装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータと過電流保護部とを備えた電源回路が提供される。ＤＣ−ＤＣコンバータは、第１直流電圧を第２直流電圧に変換して直流負荷に供給する。過電流保護部は、直流負荷に流れる電流を基に、ＤＣ−ＤＣコンバータをフィードバック制御する。ＤＣ−ＤＣコンバータは、ノーマリオン形のスイッチング素子を有する。スイッチング素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極との間に流れる電流を制御するための第３電極と、を含み、かつ、第１状態と、第１電極と第２電極との間に流れる電流が第１状態よりも小さい第２状態と、を有する。過電流保護部は、直流負荷に流れる電流が基準値よりも大きいときに、スイッチング素子を第２状態にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源供給経路から供給される第１直流電圧を絶対値の異なる第２直流電圧に変換して直流負荷に供給するＤＣ−ＤＣコンバータと、
前記直流負荷の低電位側の端部に電気的に接続され、前記直流負荷に流れる電流を基に、前記ＤＣ−ＤＣコンバータをフィードバック制御する過電流保護部と、
を備え、
前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、ノーマリオン形のスイッチング素子を有し、
前記スイッチング素子は、
前記電源供給経路に電気的に接続される第１電極と、
前記直流負荷に電気的に接続される第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を制御するための第３電極と、
を含み、かつ、
前記第１電極と前記第２電極との間に電流が流れる第１状態と、
前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流が前記第１状態よりも小さい第２状態と、
を有し、前記第３電極の電位を前記第２電極の電位よりも低下させることで、前記第１状態から前記第２状態に変化し、
前記過電流保護部は、前記第３電極に電気的に接続され、前記直流負荷に流れる電流が基準値よりも大きいときに、前記第３電極の電位を低下させることによって、前記スイッチング素子を前記第１状態から前記第２状態に変化させる電源回路。
【請求項２】
前記過電流保護部は、半導体素子を含み、
前記半導体素子は、
前記第３電極に電気的に接続される第４電極と、
前記第２電極の電位よりも低い電位に設定される第５電極と、
前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流を制御するための第６電極と、
を含み、かつ、
前記第４電極と前記第５電極との間に電流が流れる第３状態と、
前記第４電極と前記第５電極との間に流れる電流が前記第３状態よりも小さい第４状態と、
を有し、
前記過電流保護部は、前記半導体素子を前記第４状態にすることによって、前記スイッチング素子を前記第１状態とし、前記半導体素子を前記第３状態にすることによって、前記スイッチング素子を前記第２状態とし、
前記半導体素子は、前記ＤＣ−ＤＣコンバータへの前記第１直流電圧の供給開始時において、前記直流負荷に供給される電圧が前記第２直流電圧よりも低い所定値に達するよりも前に、前記第３状態に設定される請求項１記載の電源回路。
【請求項３】
前記半導体素子は、前記第６電極の電位を前記第５電極の電位よりも高くすることによって前記第４状態から前記第３状態に変化するノーマリオフ形であり、
前記過電流保護部は、前記電源供給経路と前記第６電極との間に電気的に接続され、前記第６電極に前記第１直流電圧に応じた直流電圧を入力する電圧入力経路を有する請求項２記載の電源回路。
【請求項４】
前記直流負荷は、順方向降下電圧を有する発光素子を含む照明負荷である請求項１〜３のいずれか１つに記載の電源回路。
【請求項５】
照明負荷と、
前記照明負荷に電力を供給する請求項１〜４のいずれか１つに記載の電源回路と、
を備えた照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電源回路及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置において、照明光源は白熱電球や蛍光灯から省エネルギー・長寿命の光源、例えば発光ダイオード（Light-emitting diode：ＬＥＤ）などの発光素子への置き換えが進んでいる。こうした光源に電力を供給する電源回路では、スイッチングによって電力を変換するスイッチング素子に、ノーマリオン形の素子が用いられている。ノーマリオン形のスイッチング素子を含む電源回路では、より確実な電流制御及び過電流保護を行うことが望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２３２６２５号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３４５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
より確実な電流制御及び過電流保護を行うことができる電源回路及び照明装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、ＤＣ−ＤＣコンバータと、過電流保護部と、を備えた電源回路が提供される。前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、電源供給経路から供給される第１直流電圧を絶対値の異なる第２直流電圧に変換して直流負荷に供給する。前記過電流保護部は、前記直流負荷の低電位側の端部に電気的に接続され、前記直流負荷に流れる電流を基に、前記ＤＣ−ＤＣコンバータをフィードバック制御する。前記ＤＣ−ＤＣコンバータは、ノーマリオン形のスイッチング素子を有する。前記スイッチング素子は、前記電源供給経路に電気的に接続される第１電極と、前記直流負荷に電気的に接続される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流を制御するための第３電極と、を含み、かつ、前記第１電極と前記第２電極との間に電流が流れる第１状態と、前記第１電極と前記第２電極との間に流れる電流が前記第１状態よりも小さい第２状態と、を有し、前記第３電極の電位を前記第２電極の電位よりも低下させることで、前記第１状態から前記第２状態に変化する。前記過電流保護部は、前記第３電極に電気的に接続され、前記直流負荷に流れる電流が基準値よりも大きいときに、前記第３電極の電位を低下させることによって、前記スイッチング素子を前記第１状態から前記第２状態に変化させる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の実施形態によれば、より確実な電流制御及び過電流保護を行うことができる電源回路及び照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】実施形態に係る照明装置を模式的に表すブロック図である。
【図２】実施形態に係る電源回路を模式的に表す回路図である。
【図３】実施形態に係る別の電源回路を模式的に表す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００９】
図１は、実施形態に係る照明装置を模式的に表すブロック図である。  
図１に表したように、照明装置１０は、照明負荷１２（直流負荷）と、電源回路１４と、を備える。照明負荷１２は、例えば、発光ダイオード（Light-emitting diode：ＬＥＤ）などの照明光源１６を有する。照明光源１６は、例えば、有機発光ダイオード（Organic light-emitting diode：ＯＬＥＤ）などでもよい。照明光源１６には、例えば、順方向降下電圧を有する発光素子が用いられる。照明負荷１２は、電源回路１４からの出力電圧の印加及び出力電流の供給により、照明光源１６を点灯させる。出力電圧及び出力電流の値は、照明光源１６に応じて規定される。
【００１０】
電源回路１４は、交流電源２及び調光器３と接続されている。なお、本願明細書において、「接続」とは、電気的な接続を意味し、物理的に接続されていない場合や他の要素を介して接続されている場合も含むものとする。
【００１１】
交流電源２は、例えば、商用電源である。調光器３は、交流電源２の交流の電源電圧ＶＩＮから導通角制御した交流電圧ＶＣＴを生成する。電源回路１４は、調光器３から供給される交流電圧ＶＣＴを直流電圧に変換して照明負荷１２に出力することにより、照明光源１６を点灯させる。また、電源回路１４は、導通角制御された交流電圧ＶＣＴに同期して、照明光源１６の調光を行う。なお、調光器３は、必要に応じて設けられ、省略可能である。調光器３が設けられていない場合には、交流電源２の電源電圧ＶＩＮが、電源回路１４に供給される。
【００１２】
調光器３の導通角制御には、例えば、交流電圧のゼロクロスから交流電圧の絶対値が最大値となる期間において導通する位相を制御する位相制御（leading edge）の方式と、交流電圧の絶対値が最大値となってから交流電圧がゼロクロスする期間において遮断する位相を制御する逆位相制御（trailing edge)の方式とがある。
【００１３】
位相制御する調光器３は、回路構成が簡単であり、比較的大きな電力負荷を扱うことができる。しかし、トライアックが使用されている場合は、軽負荷動作が困難で、電源電圧が一時的に低下するいわゆる電源ディップが発生すると不安定動作に陥りやすい。また、容量性負荷を接続した場合は、突入電流が発生するため容量性負荷との相性が悪いなどの特徴がある。
【００１４】
一方、逆位相制御する調光器３は、軽負荷でも動作可能であり、容量性負荷を接続しても突入電流が発生せず、また電源ディップが発生しても動作が安定である。しかし、回路構成が複雑であり、温度が上昇し易いため、重負荷に向かない。また、誘導性負荷を接続した場合は、サージが発生するなどの特徴がある。
【００１５】
本実施形態では、調光器３として、電源電圧ＶＩＮを供給する一対の電源ラインの一方の端子４、６間に直列に挿入された構成を例示しているが、他の構成でもよい。
【００１６】
電源回路１４は、ＡＣ−ＤＣコンバータ２０と、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１と、制御部２２と、制御用電源部２３と、電流調整部２４と、過電流保護部２５と、を有する。ＡＣ−ＤＣコンバータ２０は、第１電源供給経路２６ａを介して供給される交流電圧ＶＣＴを第１直流電圧ＶＤＣ１に変換する。
【００１７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、第２電源供給経路２６ｂを介してＡＣ−ＤＣコンバータ２０と接続される。ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、第２電源供給経路２６ｂから供給される第１直流電圧ＶＤＣ１を照明負荷１２に応じた所定の電圧値の第２直流電圧ＶＤＣ２に変換して照明負荷１２に供給する。第２直流電圧ＶＤＣ２の絶対値は、第１直流電圧ＶＤＣ１の絶対値と異なる。第２直流電圧ＶＤＣ２の絶対値は、例えば、第１直流電圧ＶＤＣ１の絶対値よりも低い。この例において、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、降圧型のコンバータである。第２直流電圧ＶＤＣ２の供給により、照明負荷１２の照明光源１６が点灯する。
【００１８】
制御用電源部２３は、第１電源供給経路２６ａに接続された配線部２７を有する。配線部２７は、入力端子４に接続された配線２７ａと、入力端子５に接続された配線２７ｂと、を含む。制御用電源部２３は、配線部２７を介して入力される交流電圧ＶＣＴを制御部２２に応じた直流の駆動電圧ＶＤＤに変換して、その駆動電圧ＶＤＤを制御部２２に供給する。配線部２７は、例えば、第２電源供給経路２６ｂに接続してもよい。
【００１９】
電流調整部２４は、第１電源供給経路２６ａに電気的に接続された分岐経路２８を有し、第１電源供給経路２６ａを流れる電流の一部を分岐経路２８に流す導通状態と、流さない非導通状態と、を切り替え可能である。これにより、電流調整部２４は、例えば、第１電源供給経路２６ａに流れる電流を調整する。この例では、電流調整部２４の分岐経路２８が、制御用電源部２３を介して第１電源供給経路２６ａに接続されている。分岐経路２８は、制御用電源部２３を介することなく、第１電源供給経路２６ａに直接接続してもよい。なお、非導通状態には、動作に影響のない微小な電流が分岐経路２８に流れる場合も含む。非導通状態は、例えば、分岐経路２８に流れる電流が、導通状態よりも小さい状態である。分岐経路２８は、例えば、第２電源供給経路２６ｂに接続してもよい。
【００２０】
制御部２２は、交流電圧ＶＣＴの導通角を検出する。制御部２２は、検出した導通角に対応する調光信号ＤＭＳを生成し、その調光信号ＤＭＳを過電流保護部２５に入力する。また、制御部２２は、検出した導通角に応じて制御信号ＣＧＳを生成し、その制御信号ＣＧＳを電流調整部２４に入力することにより、電流調整部２４の導通状態と非導通状態との間の切り替えを制御する。このように、制御部２２は、検出した導通角に応じて電流調整部２４と過電流保護部２５とを制御することにより、調光器３の導通角制御に同期して、照明光源１６を調光する。制御部２２には、例えば、マイクロプロセッサが用いられる。
【００２１】
過電流保護部２５は、電源回路１４の低電位側の出力端子８に接続される。すなわち、過電流保護部２５は、照明負荷１２の低電位側の端部に接続される。過電流保護部２５は、照明負荷１２（照明光源１６）に流れる電流を検出する。過電流保護部２５は、制御部２２から入力された調光信号ＤＭＳと検出した電流とを基に、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１をフィードバック制御する。例えば、照明光源１６に過電流か過電流が流れている場合に、電流を小さくするようにＤＣ−ＤＣコンバータ２１をフィードバック制御する。これにより、過電流保護部２５は、照明光源１６に過電流が流れることを抑制する。
【００２２】
図２は、実施形態に係る電源回路を模式的に表す回路図である。  
図２に表したように、ＡＣ−ＤＣコンバータ２０は、整流回路３０と、平滑コンデンサ３２と、インダクタ３４と、フィルタコンデンサ３６と、を有する。
【００２３】
整流回路３０は、例えば、ダイオードブリッジである。整流回路３０の入力端子３０ａ、３０ｂは、一対の入力端子４、５に接続されている。整流回路３０の入力端子３０ａ、３０ｂには、調光器３を介して位相制御または逆位相制御された交流電圧ＶＣＴが入力される。整流回路３０は、例えば、交流電圧ＶＣＴを全波整流し、全波整流後の脈流電圧を高電位端子３０ｃと低電位端子３０ｄとの間に生じさせる。
【００２４】
平滑コンデンサ３２は、整流回路３０の高電位端子３０ｃと低電位端子３０ｄとの間に接続されている。平滑コンデンサ３２は、整流回路３０によって整流された脈流電圧を平滑化する。これにより、平滑コンデンサ３２の両端には、第１直流電圧ＶＤＣ１が現れる。
【００２５】
インダクタ３４は、入力端子４に直列に接続されている。インダクタ３４は、例えば、第１電源供給経路２６ａに対して直列に接続される。フィルタコンデンサ３６は、入力端子４、５の間に接続されている。フィルタコンデンサ３６は、例えば、第１電源供給経路２６ａに対して並列に接続される。インダクタ３４及びフィルタコンデンサ３６は、例えば、交流電圧ＶＣＴに含まれるノイズを除去する。
【００２６】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、平滑コンデンサ３２の両端に接続される。これにより、第１直流電圧ＶＤＣ１が、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１に入力される。ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、第１直流電圧ＶＤＣ１を絶対値の異なる第２直流電圧ＶＤＣ２に変換し、その第２直流電圧ＶＤＣ２を電源回路１４の出力端子７、８に出力する。照明負荷１２は、出力端子７、８に接続されている。照明負荷１２は、電源回路１４から供給された第２直流電圧ＶＤＣ２により、照明光源１６を点灯させる。
【００２７】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２１は、例えば、出力素子４０、定電流素子４１（スイッチング素子）、整流素子４２、インダクタ４３、出力素子４０を駆動する帰還巻き線（駆動素子）４４、結合コンデンサ４５、分圧抵抗４６、４７、出力コンデンサ４８、バイアス抵抗４９を有している。
【００２８】
出力素子４０及び定電流素子４１は、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、例えば高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：ＨＥＭＴ）であり、ノーマリオン形の素子である。
【００２９】
定電流素子４１のドレインは、出力素子４０を介して第２電源供給経路２６ｂに電気的に接続される。定電流素子４１のソースは、照明負荷１２に電気的に接続される。定電流素子４１のゲートは、定電流素子４１のドレイン−ソース間に流れる電流を制御するための電極である。すなわち、この例では、定電流素子４１のドレインが第１電極であり、定電流素子４１のソースが第２電極であり、定電流素子４１のゲートが第３電極である。
【００３０】
定電流素子４１は、ドレインとソースとの間に電流が流れる第１状態と、ドレインとソースとの間に流れる電流が第１状態よりも小さい第２状態と、を有する。第１状態は、例えば、オン状態であり、第２状態は、例えば、オフ状態である。第１状態は、オン状態に限らない。第２状態は、オフ状態に限らない。第１状態は、第２状態よりも相対的に流れる電流が大きいような任意の状態でよい。第２状態は、第１状態よりも相対的に流れる電流が小さいような任意の状態でよい。
【００３１】
ノーマリオン形の素子である定電流素子４１では、ゲートの電位をソースの電位よりも低下させることで、第１状態から第２状態に変化する。例えば、定電流素子４１は、ゲートの電位をソースの電位に対して相対的に負電位にすることにより、オン状態からオフ状態に変化する。
【００３２】
出力素子４０のドレインは、整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続される。出力素子４０のソースは、定電流素子４１のドレインに接続される。出力素子４０のゲートは、結合コンデンサ４５を介して、帰還巻き線４４の一端に接続される。
【００３３】
定電流素子４１のソースは、インダクタ４３の一端と帰還巻き線４４の他端とに接続される。定電流素子４１のゲートには、定電流素子４１のソース電位を分圧抵抗４６、４７で分圧した電圧が入力される。出力素子４０のゲートと定電流素子４１のゲートには、それぞれ保護ダイオードが接続される。
【００３４】
バイアス抵抗４９は、出力素子４０のドレインと定電流素子４１のソースとの間に接続され、分圧抵抗４６、４７に直流電圧を供給する。その結果、定電流素子４１のゲートには、ソースよりも低い電位が供給される。
【００３５】
インダクタ４３と帰還巻き線４４とは、インダクタ４３の一端から他端に増加する電流が流れるとき、出力素子４０のゲートに正極性の電圧が供給される極性で磁気結合している。
【００３６】
整流素子４２は、定電流素子４１のソースと整流回路３０の低電位端子３０ｄとの間に、低電位端子３０ｄから定電流素子４１の方向を順方向として接続されている。
【００３７】
この例では、整流素子４２と定電流素子４１のソースとの間に、半導体素子５０が設けられている。半導体素子５０には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。半導体素子５０は、例えば、ノーマリオン形である。半導体素子５０のゲートは、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続される。これにより、半導体素子５０は、オン状態で保持される。
【００３８】
インダクタ４３の他端は、出力端子７に接続される。整流回路３０の低電位端子３０ｄは、出力端子８に接続される。出力コンデンサ４８は、出力端子７と出力端子８との間に接続される。照明負荷１２は、出力端子７と出力端子８との間に、出力コンデンサ４８と並列に接続される。
【００３９】
制御用電源部２３は、整流素子６１〜６３と、抵抗６４と、コンデンサ６５、６６と、レギュレータ６７と、ツェナーダイオード６８と、半導体素子７０と、を有している。
【００４０】
整流素子６１、６２は、例えば、ダイオードである。整流素子６１のアノードは、配線２７ａを介して整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続されている。整流素子４２のアノードは、配線２７ｂを介して整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。
【００４１】
半導体素子７０には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。以下では、半導体素子７０をＦＥＴとして説明を行う。この例において、半導体素子７０は、エンハンスメント型のｎチャネルＦＥＴである。半導体素子７０は、ソースと、ドレインと、ゲートと、を有する。ドレインの電位は、ソースの電位よりも高く設定される。ゲートは、ソースとドレインとの間に電流の流れる第１状態と、ソースとドレインとの間に流れる電流が第１状態よりも小さい第２状態と、を切り替えるために用いられる。第２状態では、ソースとドレインとの間に実質的に電流が流れない。半導体素子７０は、ｐチャネル形でもよいし、デプレッション型でもよい。例えば、半導体素子７０をｐチャネル形とする場合には、ソースの電位が、ドレインの電位よりも高く設定される。
【００４２】
半導体素子７０のドレインは、整流素子６１のカソード及び整流素子６２のカソードに接続されている。すなわち、半導体素子７０のドレインは、整流素子６１、６２を介して第１電源供給経路２６ａに接続されている。半導体素子７０のソースは、整流素子６３のアノードに接続されてる。半導体素子７０のゲートは、ツェナーダイオード６８のカソードに接続されている。また、半導体素子７０のゲートは、抵抗６４を介して整流回路３０の高電位端子３０ｃに接続されている。
【００４３】
整流素子６３のカソードは、コンデンサ６５の一端及びレギュレータ６７の入力端子に接続されている。レギュレータ６７の出力端子は、制御部２２及びコンデンサ６６の一端に接続されている。
【００４４】
交流電圧ＶＣＴの印加にともなう各極性の電流は、整流素子６１を介して半導体素子７０のドレインに流れる。これにより、半導体素子７０のドレインには、交流電圧ＶＣＴを全波整流した脈流の電圧が印加される。
【００４５】
ツェナーダイオード６８のカソードには、抵抗６４及び整流素子６１を介して、脈流の電圧が印加される。これにより、半導体素子７０のゲートには、ツェナーダイオード６８の降伏電圧に応じた実質的に一定の電圧が印加される。これにともない、半導体素子７０のドレイン−ソース間に、実質的に一定の電流が流れる。このように、半導体素子７０は、定電流素子として機能する。半導体素子７０は、配線部２７に流れる電流を調整する。
【００４６】
コンデンサ６５は、半導体素子７０のソースから整流素子６３を介して供給される脈流の電圧を平滑化し、脈流の電圧を直流電圧に変換する。レギュレータ６７は、入力された直流電圧から実質的に一定の直流の駆動電圧ＶＤＤを生成し、制御部２２に出力する。コンデンサ６６は、例えば、駆動電圧ＶＤＤのノイズの除去などに用いられる。これにより、駆動電圧ＶＤＤが制御部２２に供給される。
【００４７】
また、制御用電源部２３には、抵抗７１、７２が、さらに設けられている。抵抗７１の一端は、整流素子６１、６２のカソードに接続されている。抵抗７１の他端は、抵抗７２の一端に接続されている。抵抗７２の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗７１、７２の接続点は、制御部２２に接続されている。これにより、抵抗７１、７２の分圧比に応じた電圧が、交流電圧ＶＣＴの絶対値を検出するための検出電圧として制御部２２に入力される。
【００４８】
制御部２２は、例えば、検出電圧を基に、交流電圧ＶＣＴの導通角制御の有無や、導通角制御の種類（位相制御か逆位相制御か）の検出を行う。そして、制御部２２は、導通角制御が行われている場合に、その導通角の検出を行う。制御部２２は、この検出結果に基づいて、調光信号ＤＭＳを生成し、その調光信号ＤＭＳを過電流保護部２５に入力する。制御部２２は、例えば、検出した導通角に対応するＰＷＭ信号を調光信号ＤＭＳとして過電流保護部２５に入力する。
【００４９】
電流調整部２４は、抵抗７５、７６と、スイッチング素子７８と、を有している。スイッチング素子７８には、例えば、ＦＥＴやＧａＮ−ＨＥＭＴなどが用いられる。以下では、スイッチング素子７８をＦＥＴとして説明を行う。
【００５０】
抵抗７５の一端は、半導体素子７０のソースに接続されている。抵抗７５の他端は、スイッチング素子７８のドレインに接続されている。スイッチング素子７８のゲートは、抵抗７６を介して制御部２２に接続されている。制御部２２は、スイッチング素子７８のゲートに制御信号ＣＧＳを入力する。スイッチング素子７８には、例えば、ノーマリオフ形が用いられる。例えば、制御部２２から入力される制御信号ＣＧＳをＬｏからＨｉに切り替えることで、スイッチング素子７８が、オフ状態からオン状態に変化する。
【００５１】
スイッチング素子７８をオン状態にすると、例えば、整流素子６１、６２、及び半導体素子７０を介して、第１電源供給経路２６ａを流れる電流の一部が、分岐経路２８に流れる。すなわち、スイッチング素子７８をオン状態にすることによって、電流調整部２４が導通状態となり、スイッチング素子７８をオフ状態にすることによって、電流調整部２４が非導通状態となる。
【００５２】
制御部２２は、例えば、交流電圧ＶＣＴの導通角制御の有無及びその種類の検出結果に応じて制御信号ＣＧＳを生成する。例えば、位相制御方式の導通角制御が行われている場合には、所定値以下の交流電圧ＶＣＴにおいて、トライアックをオンするために必要な保持電流を電流調整部２４（分岐経路２８）に流すようにする。これにより、例えば、調光器３の動作を安定させることができる。一方、逆位相制御方式の導通角制御が行われている場合には、導通状態から遮断状態に切り替わるタイミングにおいて、フィルタコンデンサ３６などに蓄積された電荷を電流調整部２４に引き抜くようにする。これにより、例えば、導通角の検出精度をより高めることができる。
【００５３】
過電流保護部２５は、差動増幅回路８０と、半導体素子１００と、を有する。この例において、半導体素子１００は、ｎｐｎトランジスタである。半導体素子１００は、ノーマリオフ形の素子である。半導体素子１００は、ｐｎｐトランジスタやＦＥＴなどでもよい。半導体素子１００は、ノーマリオン形でもよい。
【００５４】
差動増幅回路８０は、例えば、オペアンプ８１と、抵抗８２と、コンデンサ８３と、を有する。抵抗８２は、オペアンプ８１の出力端子と、オペアンプ８１の反転入力端子と、の間に接続されている。コンデンサ８３は、抵抗８２に対して並列に接続されている。すなわち、差動増幅回路８０は、負帰還を有する。
【００５５】
オペアンプ８１の非反転入力端子は、抵抗８４の一端に接続されている。抵抗８４の他端は、抵抗８５の一端、抵抗８６の一端、及び、コンデンサ８７の一端に接続されている。コンデンサ８７の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗８５の他端は、出力端子７に接続されている。抵抗８６の他端は、出力端子８及び抵抗８８の一端に接続されている。抵抗８８の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。
【００５６】
これにより、オペアンプ８１の非反転入力端子には、出力端子７、８の間に印加される第２直流電圧ＶＤＣ２を抵抗８５、８６で分圧した直流の電圧が、検出電圧として入力される。すなわち、オペアンプ８１の非反転入力端子は、照明負荷１２の低電位側の端部に接続される。これにより、照明光源１６に流れる電流を検出することができる。照明光源１６にＬＥＤなどの発光素子が用いられている場合、照明光源１６の電圧は、順方向降下電圧に応じて実質的に一定である。従って、照明光源１６にＬＥＤなどの発光素子が用いられている場合には、照明負荷１２の低電位側の端部に接続することで、照明光源１６に流れる電流を適切に検出することができる。
【００５７】
オペアンプ８１の反転入力端子は、抵抗９０の一端に接続されている。抵抗９０の他端は、抵抗９１の一端、及び、コンデンサ９２の一端に接続されている。コンデンサ９２の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。抵抗９１の他端は、制御部２２に接続されている。このように、オペアンプ８１の反転入力端子は、抵抗９０、９１を介して制御部２２に接続されている。オペアンプ８１の反転入力端子には、制御部２２からの調光信号ＤＭＳが入力される。
【００５８】
例えば、ＰＷＭ信号をコンデンサ９２で平滑化した直流の電圧が、調光信号ＤＭＳとしてオペアンプ８１の反転入力端子に入力される。オペアンプ８１の反転入力端子には、例えば、調光器３の調光度に応じた直流の電圧が、調光信号ＤＭＳとして入力される。調光信号ＤＭＳに電圧レベルは、非反転入力端子に入力される検出電圧の電圧レベルに対応して設定される。より詳しくは、例えば、所望の調光度に対応する調光信号ＤＭＳの電圧レベルが、その調光度に対応する輝度で照明光源１６が発光した場合の検出電圧の電圧レベルと実質的に同じとなるように設定される。
【００５９】
このように、オペアンプ８１の非反転入力端子には、照明光源１６に流れる電流に対応する検出電圧が入力され、オペアンプ８１の反転入力端子には、調光信号ＤＭＳが入力される。これにより、オペアンプ８１の出力端子からは、検出電圧と調光信号ＤＭＳとの差分に対応した信号が出力される。検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きくなるに従って、オペアンプ８１の出力も大きくなる。すなわち、照明光源１６に過電流が流れている場合に、オペアンプ８１の出力が大きくなる。このように、この例においては、調光信号ＤＭＳが基準値として用いられる。なお、調光を行わない場合には、基準値となる実質的に一定の直流電圧を、オペアンプ８１の反転入力端子に入力してもよい。
【００６０】
半導体素子１００のコレクタは、分圧抵抗４７の一端に接続されている。半導体素子１００のコレクタは、分圧抵抗４７を介して定電流素子４１のゲートに電気的に接続される。半導体素子１００のエミッタは、抵抗１０１の一端に接続されている。抵抗１０１の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。これにより、半導体素子１００のエミッタは、定電流素子４１のソースの電位よりも低い電位に設定される。半導体素子１００のベースは、オペアンプ８１の出力端子に接続されている。これにより、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間に流れる電流は、オペアンプ８１からの出力によって制御される。すなわち、この例では、半導体素子１００のコレクタが第４電極であり、半導体素子１００のエミッタが第５電極であり、半導体素子１００のベースが第６電極である。
【００６１】
半導体素子１００は、コレクタとエミッタとの間に電流が流れる第３状態と、コレクタとエミッタとの間に流れる電流が第３状態よりも小さい第４状態と、を有する。第３状態は、例えば、オン状態であり、第４状態は、例えば、オフ状態である。第３状態は、オン状態に限らない。第４状態は、オフ状態に限らない。第３状態は、第４状態よりも相対的に流れる電流が大きいような任意の状態でよい。第４状態は、第３状態よりも相対的に流れる電流が小さいような任意の状態でよい。
【００６２】
この例では、半導体素子１００が、ノーマリオフ形であり、ベースの電位をエミッタの電位よりも高くすることによって、第４状態から第３状態に変化する。例えば、ベースの電位をエミッタの電位よりも高くすることによって、半導体素子１００が、オフ状態からオン状態に変化する。
【００６３】
前述のように、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きい場合に、オペアンプ８１の出力が大きくなる。従って、半導体素子１００は、例えば、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きい場合に、オン状態となり、検出電圧が調光信号ＤＭＳ以下の場合に、オフ状態となる。例えば、検出電圧が調光信号ＤＭＳよりも大きくなるに従って、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間の電流が大きくなる。
【００６４】
また、半導体素子１００のコレクタは、抵抗１０２の一端、及び、コンデンサ１０３の一端に、さらに接続されている。抵抗１０２の他端は、半導体素子１００のベースに接続されている。コンデンサ１０３の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。半導体素子１００のベースは、抵抗１０４の一端に、さらに接続されている。抵抗１０４の他端は、整流回路３０の低電位端子３０ｄに接続されている。このように、過電流保護部２５の基準電位は、整流回路３０の低電位端子３０ｄの電位に設定される。すなわち、過電流保護部２５の基準電位は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１の基準電位と共通である。過電流保護部２５の基準電位は、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１の基準電位と実質的に同じである。
【００６５】
次に、電源回路１４の動作について説明する。  
まず、調光器３の調光度がほぼ１００％に設定され、入力される電源電圧ＶＩＮがほぼそのまま伝達される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２１に最も高い第１直流電圧ＶＤＣ１が入力される場合について説明する。
【００６６】
電源電圧ＶＩＮが、電源回路１４に供給されるとき、出力素子４０及び定電流素子４１は、ノーマリオン形の素子であるため、いずれもオンしている。そして、出力素子４０、定電流素子４１、インダクタ４３、出力コンデンサ４８の経路で電流が流れ、出力コンデンサ４８が充電される。出力コンデンサ４８の両端の電圧、すなわち出力端子７、８の間の電圧は、第２直流電圧ＶＤＣ２として、照明負荷１２の照明光源１６に供給される。なお、出力素子４０及び定電流素子４１がオンしているため、整流素子４２には、逆電圧が印加される。整流素子４２には、電流は流れない。
【００６７】
第２直流電圧ＶＤＣ２が所定電圧に達すると、照明光源１６に電流が流れ、照明光源１６が点灯する。このとき、出力素子４０、定電流素子４１、インダクタ４３、出力コンデンサ４８及び照明光源１６の経路で電流が流れる。例えば、照明光源１６がＬＥＤの場合、この所定電圧は、ＬＥＤの順方向降下電圧であり、照明光源１６に応じて定まる。また、照明光源１６が消灯した場合、電流が流れないため、出力コンデンサ４８は、出力電圧の値を保持する。
【００６８】
ＤＣ−ＤＣコンバータ２１に入力される第１直流電圧ＶＤＣ１は、第２直流電圧ＶＤＣ２と比較して十分に高い。すなわち、入出力間の電位差ΔＶは、十分に大きい。このため、インダクタ４３を流れる電流は増加していく。帰還巻き線４４は、インダクタ４３と磁気結合しているため、帰還巻き線４４には、結合コンデンサ４５側を高電位とする極性の起電力が誘起される。そのため、出力素子４０のゲートには、結合コンデンサ４５を介してソースに対して正の電位が供給され、出力素子４０はオンの状態を維持する。
【００６９】
定電流素子４１を流れる電流が上限値を超えると、定電流素子４１のドレイン−ソース間電圧は、急激に上昇する。そのため、出力素子４０のゲート−ソース間電圧がしきい値電圧よりも低くなり、出力素子４０はオフする。上限値は、定電流素子４１の飽和電流値であり、定電流素子４１のゲートに入力される電位により規定される。定電流素子４１のゲート電位は、バイアス抵抗４９を介して分圧抵抗４６、４７に供給される直流電圧、照明光源１６の電圧、分圧抵抗４６、４７の分圧比、及び、半導体素子１００のエミッタ−コレクタ間の電流によって設定される。なお、上記のとおり、定電流素子４１のゲート電位は、ソースに対して負電位のため、飽和電流値を適正値に制限することができる。
【００７０】
インダクタ４３は、整流素子４２、出力コンデンサ４８及び照明負荷１２の経路で電流を流し続ける。このとき、インダクタ４３は、エネルギーを放出するため、インダクタ４３の電流は、減少していく。このため、帰還巻き線４４には、結合コンデンサ４５側を低電位とする極性の起電力が誘起される。出力素子４０のゲートには、結合コンデンサ４５を介してソースに対して負の電位が供給され、出力素子４０はオフの状態を維持する。
【００７１】
インダクタ４３に蓄積されていたエネルギーがゼロになると、インダクタ４３を流れる電流はゼロになる。帰還巻き線４４に誘起される起電力の方向が再び反転し、結合コンデンサ４５側を高電位とする起電力が誘起される。これにより、出力素子４０のゲートにソースよりも高い電位が供給され、出力素子４０が再びオンする。これにより、上記の所定電圧に達した状態に戻る。
【００７２】
以後、上記の動作を繰り返す。これにより、出力素子４０のオン及びオフへの切替が自動的に繰り返されて、照明光源１６には電源電圧ＶＩＮを降下した第２直流電圧ＶＤＣ２が供給される。すなわち、電源回路１４においては、出力素子４０のスイッチング周波数が、分圧抵抗４６、４７及び過電流保護部２５によって設定される。また、照明光源１６に供給される電流は、定電流素子４１により上限値の制限された定電流となる。そのため、照明光源１６を安定に点灯させることができる。
【００７３】
過電流保護部２５の差動増幅回路８０は、照明光源１６に流れる電流に対応する検出電圧と、調光信号ＤＭＳとの差に応じて、半導体素子１００のベース電位を変化させる。差動増幅回路８０は、例えば、照明光源１６に過電流が流れ、調光信号ＤＭＳの電圧レベルに対して、検出電圧の電圧レベルが所定値以上高い場合に、半導体素子１００のベースに高い電位を設定し、半導体素子１００を実質的にオン状態とする。
【００７４】
半導体素子１００がオン状態になると、定電流素子４１のゲート電位が、例えば、整流回路３０の低電位端子３０ｄに設定される。すなわち、定電流素子４１のゲート電位に負電位が設定され、定電流素子４１がオフ状態になる。これにより、照明光源１６に流れる電流が小さくなり、照明光源１６に過電流が流れることが抑制される。このように、この例では、過電流保護部２５が、検出電圧と調光信号ＤＭＳとを基に、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１をフィードバック制御する。
【００７５】
調光器３の調光度が１００％よりも小さい値に設定され、入力される交流電圧ＶＣＴが導通角制御されて伝達される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２１に高い第１直流電圧ＶＤＣ１が入力される場合についても、出力素子４０が発振を継続できる場合は、上記と同様である。調光器３の調光度に応じて、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１に入力される第１直流電圧ＶＤＣ１の値が変化して、出力電流の平均値を制御することができる。従って、調光度に応じて、照明負荷１２の照明光源１６を調光することができる。
【００７６】
また、調光器３の調光度がさらに小さい値に設定される場合、すなわちＤＣ−ＤＣコンバータ２１に入力される第１直流電圧ＶＤＣ１がさらに低い場合には、出力素子４０がオンしてもインダクタ４３の両端の電位差が小さいため、インダクタ４３を流れる電流が増加することができない。したがって、出力素子４０は、オフの状態にならず、一定の直流電流を出力する。すなわち、電源回路１４は、調光器３の調光度が小さい場合、すなわち、入出力間の電位差ΔＶが小さい場合、シリーズレギュレータのような動作をする。
【００７７】
このように、電源回路１４は、電位差ΔＶが所定値よりも大きいとスイッチング動作し、電位差ΔＶが小さいと、シリーズレギュレータのような動作をする。電位差ΔＶが大きい場合は、電位差ΔＶと電流との積が大きく、シリーズレギュレータの動作を行うと損失が大きくなる。したがって、電位差ΔＶが大きい場合に、スイッチング動作をすることは、低消費電力化に適する。また、電位差ΔＶが小さい場合は、損失は小さいため、シリーズレギュレータとして動作をすることは問題ない。
【００７８】
また、電源回路１４では、電位差ΔＶが所定値よりも小さいときは、出力素子４０はオフの状態にならずにオンの状態を継続したまま電流が振動して、電流の平均値で照明負荷１２の照明光源１６を点灯させる。また、電位差ΔＶがさらに小さいときは、出力素子４０は、オンの状態を継続したまま、直流電流を照明負荷１２に出力して照明光源１６を点灯させる。その結果、電源回路１４では、出力電流をゼロまで連続的に変化させることができる。例えば、照明装置１０において、照明負荷１２の照明光源１６をスムーズに消灯させることができる。
【００７９】
電源回路１４では、電位差ΔＶに応じて、出力素子４０のスイッチング動作時における最大値から、出力素子４０のオンの状態を継続したまま直流電流を出力する際の最小値まで出力電流を連続的に変化させることができる。例えば、照明装置１０において、照明光源１６を連続的に０〜１００％の範囲で調光することができる。
【００８０】
電源回路１４では、過電流保護部２５を照明負荷１２の低電位側の端部に接続し、照明光源１６に流れる電流を検出し、その検出結果に応じてＤＣ−ＤＣコンバータ２１の動作をフィードバック制御している。照明光源１６の電圧は、電源電圧ＶＩＮや交流電圧ＶＣＴなどの入力電圧が歪んでも、ある程度安定する。従って、上記のように、過電流保護部２５を照明負荷１２の低電位側の端部に接続して照明光源１６に流れる電流を検出することにより、例えば、電流の検出精度を高めることができる。例えば、過電流が発生した場合に、照明光源１６に流れる電流を即座に停止させることができる。さらには、ノーマリオン形の定電流素子４１のゲートに対して、負電位を容易に設定することもできる。これにより、電源回路１４では、より確実な電流制御及び過電流保護を行うことができる。
【００８１】
また、電源回路１４では、過電流保護部２５の基準電位が、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１の基準電位と共通である。これにより、例えば、出力電圧である第２直流電圧ＶＤＣ２の変動を抑制することができる。
【００８２】
図３は、実施形態に係る別の電源回路を模式的に表す回路図である。  
図３に表したように、この例の電源回路１１４では、過電流保護部２５に電圧入力経路１０５が設けられている。電圧入力経路１０５の一端は、第２電源供給経路２６ｂに接続されている。電圧入力経路１０５の一端は、例えば、平滑コンデンサ３２の高電位側の端部に接続される。電圧入力経路１０５の他端は、半導体素子１００のベースに接続されている。このように、電圧入力経路１０５は、第２電源供給経路２６ｂと半導体素子１００のベースとの間に電気的に接続される。
【００８３】
この例では、電圧入力経路１０５が、抵抗１０６を有する。例えば、抵抗１０６の一端が、第２電源供給経路２６ｂに接続され、抵抗１０６の他端が、半導体素子１００のベースに接続される。これにより、電圧入力経路１０５は、第１直流電圧ＶＤＣ１に応じた直流電圧を半導体素子１００のベースに入力する。第１直流電圧ＶＤＣ１に応じた直流電圧とは、例えば、第１直流電圧ＶＤＣ１自体でもよいし、第１直流電圧ＶＤＣ１を分圧した直流電圧でもよい。
【００８４】
電源回路１１４では、例えば、電源電圧ＶＩＮの供給開始時（電源投入時）において、差動増幅回路８０が動作する前、かつ、照明光源１６の点灯する前に、半導体素子１００のベースに電圧が印加される。すなわち、電源回路１１４では、差動増幅回路８０が動作する前、かつ、照明光源１６の点灯する前に、半導体素子１００をオン状態にすることができる。従って、電源回路１１４では、電源電圧ＶＩＮの供給開始時において、照明光源１６の点灯する前に、定電流素子４１をオフ状態とすることができる。照明光源１６の点灯する前とは、例えば、照明光源１６に順方向降下電圧が印加される前である。例えば、出力コンデンサ４８に所定の電圧が蓄積される前である。
【００８５】
すなわち、電源回路１１４では、ＤＣ−ＤＣコンバータ２１への第１直流電圧ＶＤＣ１の供給開始時において、照明負荷１２に供給される電圧が第２直流電圧ＶＤＣ２よりも低い所定値（例えば、順方向降下電圧）に達するよりも前に、半導体素子１００が第３状態に設定される。
【００８６】
抵抗１０５の抵抗値は、例えば、順方向降下電圧以下の状態における照明光源１６の内部抵抗の抵抗値よりも低い。これにより、照明光源１６の点灯の前に、半導体素子１００をオン状態にすることができる。
【００８７】
例えば、上記の電源回路１４では、出力素子４０及び定電流素子４１がノーマリオン形であるため、電源電圧ＶＩＮの供給開始時に、過電流保護部２５の起動の前に、照明光源１６に電圧が印加されてしまう場合がある。この場合、高い電圧が照明光源１６に印加され、一時的に意図しない高い輝度で照明光源１６が点灯してしまう。
【００８８】
これに対して、電源回路１１４では、照明光源１６の点灯の前に半導体素子１００をオン状態にし、定電流素子４１をオフ状態にする。これにより、過電流保護部２５の起動の前に、照明光源１６に電圧が印加されてしまうことを抑制することができる。例えば、電源電圧ＶＩＮの供給開始時（第１直流電圧ＶＤＣ１の供給開始時）において、意図しない高い輝度での照明光源１６の一時的な点灯を抑制することができる。
【００８９】
なお、この例では、抵抗１０６を用いた電圧入力経路１０５を示しているが、電圧入力経路１０５は、これに限らない。電圧入力経路１０５は、電源電圧ＶＩＮの供給開始時に半導体素子１００をオン状態にできる任意の回路でよい。
【００９０】
例えば、半導体素子１００をｐｎｐトランジスタなどのノーマリオン形の素子としてもよい。この場合には、抵抗１０５などを設けることなく、電源電圧ＶＩＮの供給開始時において、半導体素子１００をオン状態とすることができる。
【００９１】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明したが、それらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００９２】
例えば、出力素子４０及び定電流素子４１はＧａＮ系ＨＥＭＴには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）やダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体（ワイドバンドギャップ半導体）を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約１．４ｅＶのヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）よりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが１．５ｅＶ以上の半導体、リン化ガリウム（ＧａＰ、バンドギャップ約２．３ｅＶ）、窒化ガリウム（ＧａＮ、バンドギャップ約３．４ｅＶ）、ダイアモンド（Ｃ、バンドギャップ約５．２７ｅＶ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ、バンドギャップ約５．９ｅＶ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、耐圧を等しくする場合、シリコン半導体素子よりも小さくできるために寄生容量が小さく、高速動作が可能なため、スイッチング周期を短くすることができ、巻線部品やコンデンサなどの小形化が可能となる。
【００９３】
上記実施形態では、出力素子４０と定電流素子４１とをカスコード接続し、出力素子４０でスイッチングを行い、定電流素子４１で電流の制御を行っている。これに限ることなく、例えば、定電流素子４１のみで、スイッチングと電流の制御とを行ってもよい。
【００９４】
なお、照明光源１６はＬＥＤに限らず、例えば、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）やＯＬＥＤ（Organic light-emitting diode）などでもよい。照明負荷１２には、複数の照明光源１６が直列又は並列に接続されていてもよい。
【００９５】
上記実施形態では、直流負荷として、照明負荷１２を示しているが、これに限ることなく、例えば、ヒータなどの他の直流負荷でもよい。上記実施形態では、電源回路として、照明装置１０に用いられる電源回路１４を示しているが、これに限ることなく、直流負荷に対応する任意の電源回路でよい。
【００９６】
本発明のいくつかの実施形態および実施例を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００９７】
２…電源、  ３…調光器、  １０…照明装置、  １２…照明負荷、  １４、１１４…電源回路、  １６…照明光源、  ２０…ＡＣ−ＤＣコンバータ、  ２１…ＤＣ−ＤＣコンバータ、  ２２…制御部、  ２３…制御用電源部、  ２４…電流調整部、  ２５…過電流保護部、  ２６ａ…第１電源供給経路、  ２６ｂ…第２電源供給経路、  ２７…配線部、  ２８…分岐経路、  ３０…整流回路、  ３２…平滑コンデンサ、  ３４…インダクタ、  ３６…フィルタコンデンサ、  ４０…出力素子、  ４１…定電流素子、  ４２…整流素子、  ４３…インダクタ、  ４４…帰還巻き線、  ４５…結合コンデンサ、  ４６、４７…分圧抵抗、  ４８…出力コンデンサ、  ４９…バイアス抵抗、５０…半導体素子、  ６１〜６３…整流素子、  ６４…抵抗、  ６５、６６…コンデンサ、  ６７…レギュレータ、  ６８…ツェナーダイオード、  ７０…半導体素子、  ７１、７２…抵抗、  ８０…差動増幅回路、  ８１…オペアンプ、  ８２、８４〜８６、８８、９０、９１…抵抗、  ８３、８７、９２…コンデンサ、  １００…半導体素子、  １０１、１０２、１０３、１０４、１０６…抵抗、  １０３…コンデンサ、  １０５…電圧入力経路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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