(57)【要約】【課題】共通の静電チャックを使用しつつ、さまざまな形状のウエハに対して精度よく電子ビーム露光を実施できる試料保持具及びこれを用いた電子ビーム露光方法を提供する。【解決手段】静電チャック７４と該静電チャック７４の上面よりも小さな試料５０との間に配置される試料保持具１０であって、前記静電チャック７４の上面と同じ大きさに形成された基板１１と、前記基板１１の上面であって前記試料５０が載置される試料載置部と、前記基板１１の上面の前記試料載置部以外の部分であって、導電材料１３が露出している周縁部と、を備える試料保持具１０を用いることで、周縁部のチャージアップを防ぐ。【選択図】図４
2014038928.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックと該静電チャックの上面よりも小さな試料との間に配置される試料保持具であって、
前記静電チャックの上面と同じ大きさに形成された基板と、
前記基板の上面であって前記試料が載置される試料載置部と、
前記基板の上面の前記試料載置部以外の部分であって、導電材料が露出している周縁部と、
を備えることを特徴とする試料保持具。
【請求項２】
前記試料載置部に、前記周縁部で露出している導電材料と電気的に絶縁された第１の電極を備えることを特徴とする請求項１に記載の試料保持具。
【請求項３】
前記試料載置部に、前記第１の電極を覆う絶縁部材を備えることを特徴とする請求項２に記載の試料保持具。
【請求項４】
前記試料は導体又は半導体よりなり、前記第１の電極は前記試料に静電分極を引き起こさせることで前記試料との間に静電的な吸着力を発生させることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の試料保持具。
【請求項５】
前記基板は導電体又は半導体よりなり、前記第１の電極は前記基板の上に形成された絶縁膜の上に形成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の試料保持具。
【請求項６】
前記基板は絶縁材料よりなり、前記第１の電極は前記基板の上に形成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の試料保持具。
【請求項７】
前記周縁部は導電材料よりなり、且つ前記第１の電極と分離して形成された帯電防止膜によって覆われていることを特徴とする請求項６に記載の試料保持具。
【請求項８】
前記基板の下面に、前記第１の電極から電気的に絶縁された第２の電極を備えることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の試料保持具。
【請求項９】
前記載置部の周囲に、前記試料を前記試料載置部上に位置決めする位置決め部材を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の試料保持具。
【請求項１０】
静電チャックの上面と同じ大きさに形成された基板と、前記基板の上面であって試料が載置される試料載置部と、前記基板の上面の前記試料載置部以外の部分であって、導電材料が露出している周縁部と、を備える試料保持具を用いた電子ビーム露光方法であって、
前記試料保持具に試料を載置する工程と、
前記試料が載置された試料保持具を静電チャック上に配置し、該静電チャックに電圧を印加して前記試料保持具を固定する工程と、
前記静電チャック上に配置された前記試料に電子ビームを照射してパターンの描画を行う工程と、
を有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【請求項１１】
前記試料保持具は、更に前記周縁部で露出している前記導電材料から電気的に絶縁された第１の電極を有し、
前記試料保持具に試料を載置する工程の後に、
前記第１の電極に電圧を印加して前記第１の電極と前記試料との間に静電的な吸着力を発生させる工程と、
前記第１の電極と前記試料との間に残留した電荷による吸着状態を維持した状態で前記試料保持具を静電チャック上に搬送する工程と、
を有することを特徴とする請求項１０に記載の電子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料と静電チャックとの間に配置して使用される試料保持具及びこれを用いた電子ビーム露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム露光装置では、露光対象となるウエハを静電チャックで静電吸着することで、ウエハの固定と平坦度の矯正を行っている。
【０００３】
ところが、静電チャックの上に静電チャックよりも小さな径のウエハを載せて露光を行うと、静電チャックの表面に露出した誘電体に電荷が溜まり、チャージアップが生じる。そして、このチャージアップによって生じた電界によって電子線が曲げられ、露光精度が低下するとう問題が生ずる。
【０００４】
そのため、従来の電子ビーム露光装置では露光対象となるウエハのサイズに合わせて静電チャックを作製することで、ウエハの周囲で誘電体が露出しないようにしている。
【０００５】
しかし、上記の方法では、異なるサイズの試料について露光を行いたい場合には、静電チャックを交換する必要があり、大掛かりな装置の改修が必要となってしまう。
【０００６】
そのため、従来の技術では、試作などで様々な形状の試料に対して電子ビーム露光を行いたいというニーズに容易に対応できないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２１６８６号公報
【特許文献２】特開２００４−１４０２９７号公報
【特許文献３】特開２０１０−２８２８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、共通の静電チャックを使用しつつ、さまざまな形状のウエハに対して精度よく電子ビーム露光を実施できる試料保持具及びこれを用いた電子ビーム露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
下記開示の一観点によれば、静電チャックと該静電チャックの上面よりも小さな試料との間に配置される試料保持具であって、前記静電チャックの上面と同じ大きさに形成された基板と、前記基板の上面であって前記試料が載置される試料載置部と、前記基板の上面の前記試料載置部以外の部分であって、導電材料が露出している周縁部と、を備える試料保持具が提供される。
【００１０】
また、別の一観点によれば、静電チャックの上面と同じ大きさに形成された基板と、前記基板の上面であって試料が載置される試料載置部と、前記基板の上面の前記試料載置部以外の部分であって、導電材料が露出している周縁部と、を備える試料保持具を用いた電子ビーム露光方法であって、前記試料保持具に試料を載置する工程と、前記試料が載置された試料保持具を前記静電チャック上に配置し、静電チャックに電圧を印加して前記試料保持具を固定する工程と、前記静電チャック上に配置された前記試料に電子ビームを照射してパターンの描画を行う工程と、を有することを特徴とする電子ビーム露光方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
上記観点によれば、試料保持具において、試料が載置される試料載置部の周縁部に導電材料が露出している。そのため、電子ビームを照射した際に発生した電荷を導電材料を介して外部に逃がすことができ、チャージアップを防止できる。これにより、静電チャックよりも小さな平面形状を有する試料に対して正確に電子ビームを用いた描画を行うことができる。
【００１２】
したがって、予め測定した試料の形状に応じた試料保持具を用意しておけば、電子ビーム露光装置の静電チャックを改修するなどの大掛かりな作業を行うことなく、様々な形状の試料に電子ビームを用いた露光を実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、電子ビーム露光装置のブロック図である。
【図２】図２は、静電チャックよりも小さな試料に電子ビームを照射したときに生じる問題を示す模式図である。
【図３】図３（ａ）は、第１実施形態に係る試料保持具の平面図であり、図３（ｂ）は第１実施形態に係る試料保持具の底面図である。
【図４】図４（ａ）は、第１実施形態に係る試料保持具の斜視図であり、図４（ｂ）は図３（ｂ）のＡＡ部分の断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は、第１実施形態に係る試料保持具を用いた電子ビーム露光方法を示す図である。
【図６】図６（ａ）及び図６（ｂ）は、第１実施形態の変形例に係る電子ビーム露光方法を示す図である。
【図７】図７（ａ）は、第２実施形態に係る試料保持具の断面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）の試料保持具で使用される試料の断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）に示す試料保持具による試料の固定方法を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）は、第３実施形態に係る試料保持具の平面図であり、図８（ｂ）は図８（ａ）のＢＢ部分の断面図である。
【図９】図９（ａ）及び図９（ｂ）は、第３実施形態に係る試料保持具を用いた電子ビーム露光方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、電子ビーム露光装置のブロック図である。
【００１５】
図１に示すように、電子ビーム露光装置１００は、電子ビーム生成部１３０と、マスク偏向部１４０と、基板偏向部１５０とを備えている。
【００１６】
電子ビーム生成部１３０では、電子銃１０１から放出された電子を第１電子レンズ１０２で収束させて、所定の電流密度の電子ビームＥＢとする。この電子ビームＥＢは、ビーム整形用マスク１０３の矩形アパーチャ１０３ａを通過することで断面形状が矩形状に形成される。
【００１７】
その後、電子ビームＥＢは、マスク偏向部１４０の第２電子レンズ１０５の収束作用を受けた後、第１静電偏向器１０４及び第２静電偏向器１０６で偏向されて、露光マスク１１０の所定のパターンＳiに結像される。露光マスク１１０の上下に配置された第３電磁レンズ１０８及び第４電子レンズ１１１は、電子ビームＥＢをウエハ上で結像させる役割を果たす。
【００１８】
電子ビームＥＢは、露光マスク１１０を通過することで断面形状がパターンＳｉの形状に整形される。
【００１９】
露光マスク１１０を通った電子ビームＥＢは、第３静電偏向器１１２及び第４静電偏向器１１３によって光軸Ｃに振り戻された後、第５電磁レンズ１１４によってそのサイズが縮小される。マスク偏向部１４０の静電偏向器１０４、１０６、１１２、１１３で発生する電子ビームＥＢの偏向収差は、第１補正コイル１０７及び第２補正コイル１０９によって補正される。
【００２０】
その後、電子ビームＥＢは、基板偏向部１５０の遮蔽板１１５のアパーチャ１１５ａを通過し、副偏向器１１９及び主偏向器１２０によってウエハ５０上の所定の位置に偏向される。第３補正コイル１１７及び第４補正コイル１１８では、これらの偏向器１１９、１２０によって生じる偏向収差の補正が行われる。また、第投影用電磁レンズ１１６及び第２投影用電磁レンズ１２１は、ウエハ５０の表面に電子ビームＥＢを結像させる役割を果たす。
【００２１】
ステージ７０は、後述する静電チャックによりウエハ５０を固定し、不図示の駆動機構により、ウエハ５０を所定の位置に移動させる。
【００２２】
図２は、静電チャックよりも小さな試料に電子ビームを照射したときに生じる問題を示す図である。
【００２３】
図２に示すように、静電チャック７４は、セラミックなどの絶縁材料よりなるベース部７１と、そのベース部材７１の上面に形成された電極７２と、ベース部材７１及び電極７２の上面を覆う誘電体層７３とを備えている。誘電体層７３の表面は平坦に形成されており、その誘電体層７３の上に露光対象とするウエハ（試料）５０が載置される。
【００２４】
そして、電極７２に、例えば２ｋＶといった所定の電圧を印加することで、誘電体層７３を介してウエハ５０に静電分極を起こさせ、ウエハ５０と電極７２に静電的な吸着力が作用することでウエハ５０が固定される。
【００２５】
このような静電的な吸着力によってウエハ５０の撓みが矯正され、ウエハ５０の厚み方向の位置が均一化されて高精度な露光が可能となる。
【００２６】
ところが、図示のように、静電チャック７４よりも小さなウエハ５０を載置すると、ウエハ５０の周囲に誘電体層７３が露出する。電子ビームＥＢは、ウエハ５０の表面の所定箇所に絞って照射されるが、その照射にともなって二次電子９１が発生し、その二次電子９１の一部が誘電体層７３に吸着される。これにより、ウエハ５０の周囲にチャージアップが発生し、電子ビームＥＢの照射位置の精度が低下するという問題が生じる。
【００２７】
そこで、本実施形態では以下に説明する試料保持具を介して静電チャック７４の上にウエハ５０を載置する。
【００２８】
図３（ａ）は、第１実施形態に係る試料保持具の平面図であり、図３（ｂ）は第１実施形態に係る試料保持具の底面図である。また、図４（ａ）は、図３（ａ）、（ｂ）に示す試料保持具の斜視図であり、図４（ｂ）は図３（ｂ）のＡＡ部分の断面図である。
【００２９】
図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る試料保持具１０は、電子ビーム露光装置１００の静電チャック７４とほぼ同じ形状に形成された基板１１を有している。基板１１は、例えばアルミナセラミックなどの絶縁材料よりなる。
【００３０】
図４（ｂ）の断面図に示すように、その基板１１の上面のウエハ５０が載置される試料載置部Ｒ1には、導電材料よりなる第１の電極１２ａが形成され、その第１の電極１２ａの上に誘電体材料よりなる誘電体板（絶縁部材）１５が接着等の方法で固定されている。
【００３１】
第１の電極１２ａは、試料載置部Ｒ1よりも僅かに小さく形成されており、周縁部Ｒ2に形成された帯電防止膜１３から分離されている。また、誘電体板１５は、図４（ａ）に示すように、載置されるウエハ５０とほぼ同じ形状に形成されている。誘電体板１５としては、例えばサファイヤ基板等の誘電体材料を用いることができる。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、基板１１には、貫通穴１１ａが形成されており、第１の電極１２ａは貫通孔１１ａの内周面に形成された導体膜１２ｂを介して基板１１ｂの底面に形成された給電パッド１２ｃと電気的に接続されている。
【００３３】
また、図３（ａ）及び図４（ｂ）に示すように、基板１１の上面の試料載置部Ｒ1の外側の周縁部Ｒ2及び基板１１の側面は、帯電防止膜１３で覆われている。この帯電防止膜１３は、導電材料によって形成されてなり、第１の電極１２ａとは電気的に絶縁されている。
【００３４】
基板１１の底面には、図３（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、第２の電極１４が形成されている。この第２の電極１４は、基板１１の底面の大部分を覆っているが、帯電防止膜１３及び給電パッド１２ｃとは分離されている。これにより、第２の電極１４は第１電極１２ａ及び帯電防止膜１３と電気的に絶縁されている。
【００３５】
なお、第１の電極１２ａ、帯電防止膜１３、給電パッド１２ｃ及び第２の電極１４は、基板１１の全面に例えば窒化チタン膜（ＴｉＮ）等の導電材料の膜を形成した後、所定箇所をエッチング法などで除去することで形成できる。
【００３６】
さらに、図３（ａ）に示すように、基板１１の試料載置部の周囲には、ウエハ５０を位置決めするためのピン１７及びレバー機構１６を備えた位置決め機構が設けられている。レバー機構１６は、軸１６ｂを中心に矢印に示す方向に回転し、レバー１６ａの部分がバネによる付勢力によってウエハ５０を押圧する。これにより、ウエハ５０がピン１７及びレバー機構１６とにより抑え付けられてウエハ５０が所定位置に位置決めされる。
【００３７】
以下、上記の試料保持具１０の作用について、試料保持具１０を用いた電子ビーム露光方法と共に説明する。
【００３８】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、試料保持具１０を用いた電子ビーム露光方法を示す図である。
【００３９】
まず、図５（ａ）に示すように、本実施形態に係る試料保持具１０を、ウエハ配置用のステージ６０の上に配置する。ステージ６０には、試料保持具１０の給電パッド１２ｃに対応する部分に電極端子６１が設けられており、電極端子６１と給電パッド１２ｃとが電気的に接続される。
【００４０】
次いで、試料保持具１０の誘電体板１５の上にウエハ５０を配置する。そして、電極端子６１及び給電パッド１２ｃを介して試料保持具１０の第１の電極１２ａに所定の電圧（例えば２ｋＶ）を印加する。
【００４１】
これにより、誘電体板１５を介してウエハ５０が静電分極し、第１の電極１２ａとウエハ５０との間に静電的な吸着力が働く。これにより、ウエハ５０が誘電体板１５に押し付けられて厚み方向の撓みが矯正されるとともに、ウエハ５０が試料保持具１０の上に固定される。
【００４２】
その後、図５（ｂ）に示すように、例えば搬送装置を用いて試料保持具１０をステージ６０から外す。このとき、試料保持具１０の第１の電極１２ａに残留した電荷によって、ウエハ５０に静電的な吸着力が作用し続ける。そのため、ウエハ５０を試料保持具１０上に安定して保持した状態で、試料保持具１０を搬送することができる。
【００４３】
次に、図５（ｃ）に示すように、試料保持具１０を電子ビーム露光装置１００のステージ１３の静電チャック７４の上に配置する。これにより、静電チャック７４の誘電体層７３の上方がウエハ５０及び帯電防止膜１３で覆われる。
【００４４】
次に、静電チャック７４の電極７２に所定の電圧を印加する。これにより、試料保持具１０の第２の電極１４と静電チャック７４の電極７２との間に静電的な吸着力が働き、試料保持具１０の撓みが矯正される。ウエハ５０は、第１の電極１２に残留する電荷によってウエハに吸着されているため、試料保持具１０の撓みの矯正によって、ウエハ５０の平坦性がさらに向上する。
【００４５】
次いで、試料保持具１０の周縁部１３に形成された帯電防止膜１３を接地する。
【００４６】
その後、ステージ１３を駆動させてウエハ５０を所定の位置に移動させた後、電子ビーム露光装置１００により電子ビームを試料表面に照射してパターンの描画を行う。
【００４７】
本実施形態の電子ビーム露光方法によれば、静電チャック７４の誘電体層７３が試料保持具１０の帯電防止膜１３により覆われている。そのため、電子ビームの照射によって発生した二次電子を帯電防止膜１３を介して外部に逃がすことができ、ウエハ５０の周辺のチャージアップを防止できる。
【００４８】
そのため、本実施形態によれば、静電チャック７４の改修などの大掛かりな作業を行うことなく、静電チャック７４よりも小さなウエハ５０に対して精度よく電子ビームを用いた露光を行うことができる。
【００４９】
なお、以下の変形例で説明するように、本実施形態の電子ビーム露光方法において、静電チャック７４による試料保持具１０の吸着と、試料保持具１０によるウエハ５０の吸着とを同時に行ってもよい。
【００５０】
（第１実施形態の変形例）
図６（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の変形例に係る電子ビーム露光方法を示す図である。
【００５１】
本変形例では、まず図６（ａ）に示すように試料保持具１０の誘電体板１５の上にウエハ５０を載置する。ここでは、第１の電極１２ａに電圧を印加せずにウエハ５０を載置した試料保持具１０を静電チャック７５の上に搬送する。
【００５２】
次に、図６（ｂ）に示すように、静電チャック７５の上に試料保持具１０を載置する。本変形例の静電チャック７５では、試料保持具１０の給電パッド１２ｃに対応する部分に電極端子６１が設けられており、電極端子６１と給電パッド１２ｃとが電気的に接触する。
【００５３】
次に、静電チャック７５の電極７２に例えば１．２ｋＶの電圧を印加するとともに、電極端子６１及び給電パッド１２ｃとを介して試料保持具１０の第１の電極１２ａに例えば０．８ｋＶの電圧を印加する。
【００５４】
これにより、試料保持具１０及びウエハ５０の撓みが矯正されウエハ５０の平坦性が向上する。
【００５５】
その後、試料保持具１０の帯電防止膜１３を接地した上で、ウエハ５０の所定部位に電子ビームを照射して描画を行う。
【００５６】
以上の本変形例によっても、図５（ａ）〜図５（ｃ）を参照しつつ説明した電子ビーム露光方法と同様な効果が得られる。
【００５７】
（第２実施形態）
図７（ａ）は、第２実施形態に係る試料保持具の断面図であり、図７（ｂ）は第２実施形態で使用される試料の断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）に示す試料保持具を用いて、図７（ｂ）に示す試料を固定する方法を示す断面図である。
【００５８】
図７（ａ）に示すように、本実施形態の試料保持具２０は、第１の電極１２ａの上に誘電体板１５（図４（ｂ）参照）が配置されていない点を除いて、図３（ａ）〜図４（ｂ）に示す試料保持具１０と同様である。なお、試料保持具２０において、試料保持具１０と同様の構成については同一符号を付してその詳細な説明は省略する。
【００５９】
図７（ｂ）に示すように、本実施形態では、誘電体板１５の代わりに、ウエハ５０の裏面側に誘電体膜５１を形成する。この誘電体膜５１は、例えばポリイミド等の樹脂をスピンコート法等でウエハ５０の裏面に塗布して形成される。
【００６０】
上記のウエハ５０は、図７（ｃ）に示すように、誘電体膜５１が形成された面を下にして試料保持具２０の上に載置される。そして、給電パッド１２ｃを介して第１の電極１２ａに所定の電圧を印加することで、誘電体膜５１を介してウエハ５０に静電分極を起こさせることで、ウエハ５０を試料保持具２０に吸着さされる。
【００６１】
その後、図５（ｂ）及び図５（ｃ）で説明した方法で、静電チャック７４上に試料保持具２０を吸着させることで、電子ビーム露光を行うことができる。
【００６２】
本実施形態によっても、静電チャック７４の改修などの大掛かりな作業を行うことなく、静電チャック７４よりも小さなウエハ５０に対して精度よく電子ビームを用いた露光を行うことができる。
【００６３】
（第３実施形態）
図８（ａ）は、第３実施形態に係る試料保持具３０の平面図であり、図８（ａ）のＢＢ部分の断面図である。
【００６４】
本実施形態の試料保持具３０は、図８（ａ）に示すように、基板３１として例えばシリコン基板などの導電性を有する材料を用いる点で、図３〜図４を参照しつつ説明した試料保持具１０と異なる。基板３１は、使用する静電チャック７４と同じ形状に形成されており、その周縁部には基板３１が露出している。また、ウエハ５０が載置される試料載置領域は、第２の絶縁膜３４で覆われている。
【００６５】
周縁部に設けられたピン１７及びレバー機構１６については、図３（ａ）〜図４（ｂ）を参照して説明した試料保持具１０のピン１７及びレバー機構１６と同様である。
【００６６】
図８（ｂ）に示すように、試料保持具３０の基板３１の上面の試料載置領域Ｒ1には、第１の誘電体膜３２が形成されており、その第１の誘電体膜３２の上に第１の電極３３ａが形成される。
【００６７】
第１の誘電体膜３２は、載置されるウエハ５０と同じ形状に形成されている。一方、また、第１の電極３３は、第１の誘電体膜３２及び第２の誘電体膜３４よりも小さな径となっており、試料載置領域Ｒ1の側部から第１の電極３３が露出しないように形成されている。
【００６８】
但し、第１の誘電体３２及び第１の電極３３の一部は、試料載置領域Ｒ1からはみ出した延在部３２ａ、３３ａとなっている。この延在部３３ａにおいて第１の電極３３が露出しており、外部の電極端子を第１の電極３３に接続できるようになっている。
【００６９】
試料載置領域Ｒ1の第１の誘電体膜３２及び第１の電極３３の上は、第２の誘電体膜３４で覆われている。この第２の誘電体膜３４は、載置されるウエハ５０と同じ形状に形成されている。
【００７０】
第１の誘電体膜３２、第１の電極３３及び第２の誘電体膜３４は、例えば、所定形状に形成された樹脂フィルム又は金属箔を順次、基板３１の上に貼着する方法で形成できる。なお、成膜プロセス及びマスクを用いたエッチングプロセスを繰り返して作製してもよい。
【００７１】
以下、本実施形態に係る試料保持具３０を用いた電子ビーム露光方法について説明する。
【００７２】
図９（ａ）、（ｂ）は、試料保持具３０を用いた電子ビーム露光方法を示す断面図である。
【００７３】
まず、図９（ａ）に示すように、試料保持具３０の上にウエハ５０を載置する。次いで、延在部３３ａを介して第１の電極３３に所定の電圧（例えば２ｋＶ）を印加してウエハ５０を試料保持具３０上に吸着して固定させる。これにより、ウエハ５０の撓みが矯正される。
【００７４】
次いで、図９（ｂ）に示すように、ウエハ５０が固定された試料保持具３０を静電チャック７４上に配置し、静電チャック７４の電極７２に電圧を印加する。これにより、試料保持具３０を静電チャック７４上に吸着され、試料保持具３０と共にウエハ５０の撓みが矯正され平坦性がさらに向上する。
【００７５】
なお、静電チャック７４の上面の誘電体層７３は、シリコンよりなる基板３１で覆われる。
【００７６】
その後、シリコン基板３１を接地した後、ウエハ５０の所定部位に電子ビームを照射して露光を行う。
【００７７】
本実施形態では、静電チャック７４の表面の誘電体膜７３が試料保持具３０のシリコン基板３１によって覆われている。これにより、電子ビームの照射によって発生した二次電子を、基板３１を通じて外部に逃がすことができ、ウエハ５０の周囲でのチャージアップの発生を防止できる。
【００７８】
そのため、精度よくウエハ５０の露光を行うことができる。
【００７９】
なお、上記の説明では試料保持具３０の基板３１としてシリコンを用いる例を示したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、基板３１としてシリコン以外の導電性を有する金属や半導体などを用いてもよい。
【００８０】
また、本実施形態において、電子ビーム露光の精度が低くてよく、ウエハ５０の撓みの矯正を行う必要がない場合には、第１の誘電体膜３２、第１の電極３３及び第２の誘電体膜３４を設けなくてもよい。この場合には、基板３１の上に直接ウエハ５０を載置するだけでもウエハ５０周辺のチャージアップを防止できる。
【符号の説明】
【００８１】
１０、２０、３０…試料保持具、１１…基板、１１ａ…貫通穴、１２ａ、３３…第１の電極、１２ｂ…導体膜、１２ｃ…給電パッド、１３…帯電防止膜、１４…第２の電極、１５…誘電体板、１６…レバー機構、１７…ピン、３１…シリコン基板、３２…第１の誘電体膜、３２ａ、３３ａ…延在部、３４…第２の誘電体膜、５０…ウエハ、５１…誘電体膜、６０、７０…ステージ、６１…電極端子、７１…ベース部材、７２…電極、７３…誘電体層、７４、７５…静電チャック、１００…電子ビーム露光装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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