(57)【要約】【課題】  対象物の処理精度を高める要求に応える流路部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに流路部材の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の一形態における流路部材１は、第１基板９および第１基板９の一主面に接合した第２基板１０を有する基体３と、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路４と、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路５とを備える。したがって、流路部材１の剛性の低下を抑制し、対象物２の処理精度を高めることができる。【選択図】図１
2014165405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板および該第１基板の一主面に接合した第２基板を有する基体と、
前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路と、
前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路とを備えたことを特徴とする流路部材。
【請求項２】
請求項１に記載の流路部材において、
前記基体は、前記第１基板および前記第２基板の間に介在した接合剤をさらに有し、
該接合剤は、一部が前記ダミー流路に入り込んでいることを特徴とする流路部材。
【請求項３】
請求項２に記載の流路部材において、
前記ダミー流路の少なくとも一部には、前記接合剤が充填されていることを特徴とする流路部材。
【請求項４】
請求項１に記載の流路部材において、
前記ダミー流路は、前記流路を取り囲んでいることを特徴とする流路部材。
【請求項５】
請求項１に記載の流路部材において、
前記ダミー流路は、前記基体の外周部および前記流路の間に位置していることを特徴とする流路部材。
【請求項６】
請求項１に記載の流路部材において、
前記ダミー流路の少なくとも一部は、隣接した前記流路の一部の長手方向に沿った長手方向を有することを特徴とする流路部材。
【請求項７】
請求項１に記載の流路部材において、
前記ダミー流路は前記流路に沿って配されており、前記ダミー流路と前記流路との距離は、前記流路の幅の２倍以下であることを特徴とする流路部材。
【請求項８】
請求項１に記載の流路部材において、
前記ダミー流路の少なくとも一部は、前記流路の一部および他の一部の間に位置することを特徴とする流路部材。
【請求項９】
請求項１に記載の流路部材において、
前記基体を厚み方向に貫通した貫通孔をさらに備え、
前記ダミー流路は、前記流路および前記貫通孔の間に位置していることを特徴とする流路部材。
【請求項１０】
請求項１に記載の流路部材において、
前記第１基板を厚み方向に貫通した吸引孔をさらに備え、
前記第１基板は、前記吸引孔が開口しているとともに対象物を真空吸着する吸着領域を他主面に有し、
前記吸引孔は、前記流路につながっており、かつ前記ダミー流路にはつながっていないことを特徴とする流路部材。
【請求項１１】
前記対象物を真空吸着する、請求項１０に記載の流路部材を有する吸着手段と、前記吸引孔および前記流路を介して前記吸着領域および前記対象物の間の前記流体を排気する排気手段とを備えたことを特徴とする真空吸着装置。
【請求項１２】
前記対象物を冷却する、請求項１ないし９のいずれかに記載の流路部材を有する冷却手段と、前記対象物を冷却する前記流体を前記流路に供給する流体供給手段とを備えたことを特徴とする冷却装置。
【請求項１３】
第１基板の一主面および第２基板の一主面の少なくとも一方に溝部を形成しつつ、前記第１基板の一主面および前記第２基板の一主面の少なくとも一方にダミー溝部を形成する工程と、
接合剤を介して前記第１基板の一主面および前記第２基板の一主面を接合して基体を形成することによって、前記溝部を、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路としつつ、前記ダミー溝部を、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路とする工程とを備えたことを特徴とする流路部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体集積回路や液晶表示装置の製造工程において、半導体ウエハやガラス基板等の対象物に処理を施す際に、対象物を吸着または冷却するために用いられる流路部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに流路部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハやガラス基板等の対象物を加工することによって、半導体集積回路や液晶表示装置が製造されている。この製造工程において、対象物に処理を施す際に、対象物を吸着または冷却するために流路部材が用いられている。
【０００３】
例えば特許文献１には、基体（ベース部）と、本体の内部にて本体の主面方向に沿って形成され、対象物（ウェハ）を吸着するために流体（気体）が流れる流路（吸排気路）とを備えた流路部材（基板保持装置）が記載されている。
【０００４】
このような流路部材において、第１基板と第２基板とを接合して基体としつつ、第１基板と第２基板との間に流路を形成した場合には、流路を流れる流体の圧力が第１基板と第２基板との境界に繰り返し加わるため、第１基板と第２基板とが剥離することがある。流路部材は、剥離が生じた領域（剥離領域）において、第１基板と第２基板とが接合して厚みが増した状態と比較して剛性が低下するため、応力が加わった際に変形や歪みが生じることがある。その結果、対象物の位置精度が低下し、ひいては対象物の処理精度が低下しやすくなる。したがって、対象物の処理精度を高めた流路部材が要求されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３４３８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、対象物の処理精度を高める要求に応える流路部材、これを用いた真空吸着装置および冷却装置ならびに流路部材の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一形態における流路部材は、第１基板および該第１基板の一主面に接合した第２基板を有する基体と、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路と、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路とを備える。
【０００８】
本発明の一形態における真空吸着装置は、前記対象物を真空吸着する、前述した流路部材を有する吸着手段と、前記吸引孔および前記流路を介して前記吸着領域および前記対象物の間の前記流体を排気する排気手段とを備える。
【０００９】
本発明の一形態における冷却装置は、前記対象物を冷却する、前述した流路部材を有する冷却手段と、前記対象物を冷却する前記流体を前記流路に供給する流体供給手段とを備える。
【００１０】
本発明の一形態における流路部材の製造方法は、第１基板の一主面および第２基板の一主面の少なくとも一方に溝部を形成しつつ、前記第１基板の一主面および前記第２基板の一主面の少なくとも一方にダミー溝部を形成する工程と、接合剤を介して前記第１基板の一主面および前記第２基板の一主面を接合して基体を形成することによって、前記溝部を、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路としつつ、前記ダミー溝部を、前記第１基板および前記第２基板の間に位置するとともに前記基体の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路とする工程とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一形態における流路部材によれば、第１基板と第２基板との剥離が流体の流れないダミー流路に達すると、この剥離の進行が抑制されるため、第１基板と第２基板との剥離領域の拡大を抑制することができる。したがって、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。
【００１２】
本発明の一形態における真空吸着装置によれば、前述した流路部材を備えるため、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。
【００１３】
本発明の一形態における冷却装置によれば、前述した流路部材を備えるため、流路部材の剛性の低下を抑制し、対象物の処理精度を高めることができる。
【００１４】
本発明の一形態における流路部材の製造方法によれば、ダミー流路によって第１基板と第２基板との剥離領域の拡大を抑制し、対象物の処理精度に優れた流路部材を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態における流路部材を示す斜視図であり、（ｂ）は、図１（ａ）の流路部材が備える第１基板を示す斜視図であり、（ｃ）は、図１（ａ）の流路部材が備える第２基板を示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）の流路部材の上面図であり、（ｂ）は、図１（ｃ）の第２基板の上面図である。
【図３】（ａ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線における、対象物を吸着した流路部材の厚み方向に沿った断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）の流路部材が備えるダミー流路の長手方向に直交した断面図であり、（ｃ）は、ダミー流路の長手方向に直交した、（ｂ）とは異なる部分の断面図である。
【図４】（ａ）ないし（ｄ）は、図１（ａ）の流路部材の製造方法を説明する、図３（ａ）に相当する部分の断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の他の実施形態における流路部材が備えるダミー流路の長手方向に直交した断面図であり、（ｂ）は、本発明の他の実施形態における流路部材が備えるダミー流路の長手方向に直交した断面図であり、（ｃ）は、本発明の他の実施形態における流路部材が備えるダミー流路の長手方向に直交した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の一実施形態による流路部材について、図１ないし図３を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
本実施形態の流路部材１は、半導体集積回路の製造工程に用いられる露光装置や検査装置等の各種装置において、半導体ウェハ等の対象物２を真空吸着する真空チャック（吸着手段）として用いられるものである。流路部材１に吸着された対象物２は、各種装置にお
いて各種処理が施される。例えば、露光装置は、対象物２を吸着する流路部材１とこの流路部材１に吸着された対象物２に光を照射して露光する光源とを備えており、この露光によって対象物２に配線パターンを形成することができる。
【００１８】
この流路部材１は、図１ないし図３に示すように、基体３と、基体３の内部に位置する流路４と、基体３の内部に位置するダミー流路５と、基体３を厚み方向に貫通する貫通孔６と、流路４につながった吸引孔７と、ダミー流路５につながったダミー孔８とを備えている。
【００１９】
基体３は、流路部材１の主要部をなしており、対象物２を支持するものである。この基体３は、第１基板９と第１基板９の一主面に接合した第２基板１０と第１基板９および第２基板１０の間に介在した接合剤１１とを備えている。本実施形態の基体３は、円板状である。
【００２０】
第１基板９は、後述する第１吸引孔７ａが開口しているとともに対象物２を真空吸着する吸着領域１２を有しており、対象物２を吸着するものである。第１基板９は、セラミックスからなり、例えば炭化珪素質焼結体、アルミナ質焼結体または窒化珪素質焼結体等のセラミック質焼結体を含んでいる。第１基板９は、このセラミック質焼結体のみを含んでいても構わないし、セラミック質焼結体の表面に被着したセラミック膜をさらに含んでいても構わない。このセラミック膜は、セラミック質焼結体と同材質であることが望ましく、セラミック質焼結体が炭化珪素質焼結体である場合には、セラミック膜は、炭化珪素膜であることが望ましい。本実施形態の第１基板９は、円板状である。第１基板９の厚みは、例えば１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。第１基板９の幅（直径）は、例えば２００ｍｍ以上５００ｍｍ以下である。
【００２１】
基体３の吸着領域１２は、対象物２の形状に対応する環状部１３と、環状部１３の内側に位置する底面１４と、底面１４から突出した複数の突起部１５とを有している。対象物２は、環状部１３および突起部１５によって支持される。この際、対象物２と吸着領域１２との間の空間１６は、環状部１３によってシールされるため、空間１６の流体（気体）を吸引孔７および流路４を介して排気して、空間１６を真空状態にすることによって、対象物２を吸着領域１２に吸着させることができる。
【００２２】
第２基板１０は、一主面が第１基板９の一主面に接合することによって、第１基板９および第２基板１０の間に流路４およびダミー流路５を形成するものである。第２基板１０は、第１基板９と同様の材料、形状および特性を有する。
【００２３】
接合剤１１は、第１基板９の一主面と第２基板１０の一主面とを接合するものである。接合剤１１は、例えば、ガラス接合剤等の無機接合剤を用いることができる。このガラス接合剤は、例えば、酸化珪素を主成分として、酸化マグネシウム、酸化ナトリウムまたは酸化カルシウム等の副成分として含んでいる。第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面が、炭化珪素質焼結体または炭化珪素膜からなる場合に、ガラス接合剤を用いると、ガラス接合剤の酸化珪素が炭化珪素と結合し、第１基板９および第２基板１０を強固に接合できる。
【００２４】
流路４は、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有する。この流路４は、吸引孔７につながっており、空間１６から排気される流体が流れる。流路４は、主面方向において、例えば基体３の中央部から放射状に形成された複数の部分を有する。また、流路４は、基体３の厚み方向に沿った断面において、第２基板１０の一主面に形成された溝部１７と第１基板の一主面の平坦な領域とに囲まれている。流路４の長手方向に直交した断面は、例えば矩形状である。流路４の幅は、
例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。流路４の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。
【００２５】
ダミー流路５は、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有する。このダミー流路５は、吸着領域１２および吸引孔７につながっておらず、空間１６から排気される流体は流れない。また、ダミー流路５は、基体３の厚み方向に沿った断面において、第２基板１０の一主面に形成されたダミー溝部１８と第１基板９の一主面の平坦な領域とに囲まれている。ダミー流路５の長手方向に直交した断面は、例えば矩形状である。ダミー流路５の幅は、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。ダミー流路５の厚みは、例えば０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下である。
【００２６】
貫通孔６は、対象物２を移動させるためのリフトピン（図示しない）が挿入されるものである。この貫通孔６は、第１基板９および第２基板１０を厚み方向に貫通している。貫通孔６は、例えば円柱状である。この貫通孔６の幅は、例えば５ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。
【００２７】
吸引孔７は、第１基板９を厚み方向に貫通しているとともに流路４につながった第１吸引孔７ａと、第２基板１０を厚み方向に貫通しているとともに流路４につながった第２吸引孔７ｂとを有する。
【００２８】
第１吸引孔７ａは、第１基板９の他主面の吸着領域１２に開口している。第１吸引孔７ａは、例えば円柱状である。第１吸引孔７ａの幅（直径）は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。
【００２９】
第２吸引孔７ｂは、第２基板１０の他主面に開口した排気手段（図示しない）との接続部１９につながっている。第２吸引孔７ｂは、第１吸引孔７ａと同様の形状である。
【００３０】
接続部１９は、流体をシールしつつ、排気手段と接続される。この接続部１９は、流体をシールするために、ネジ穴が形成されていても構わないし、ヘリサートまたはシールリングが挿入されていても構わない。
【００３１】
ダミー孔８は、第２基板１０を厚み方向に貫通しているとともにダミー流路５につながっている。このダミー孔８は、第２基板１０の他主面に開口して外部とつながっているが、排気手段には接続されない。このようにダミー孔８が第２基板１０の他主面に開口しているため、ダミー孔が第１基板９の他主面に開口している場合と比較して、ダミー孔８内に残存したパーティクルが飛散して対象物２を汚染することを抑制できる。ダミー孔８は、例えば円柱状である。ダミー孔８の幅（直径）は、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。なお、ダミー孔８は、第２基板１０の他主面の開口が例えば接着剤等によって塞がっていることによって、外部とつながっていなくても構わない。
【００３２】
上述した流路部材１は、排気手段から吸引孔７および流路４を介して、対象物２と吸着領域１２との間の空間１６の流体を排気することによって、空間１６を真空状態とすることによって、対象物２を吸着することができる。この流路部材１は、露光装置や検査装置等の各種装置に用いられる真空吸着装置を構成している。この真空吸着装置は、対象物２を真空吸着する、流路部材１を有する吸着手段と、吸引孔７および流路４を介して吸着領域１２および対象物２の間の流体を排気する排気手段とを備えている。
【００３３】
ところで、流路４を流れる流体の圧力が第１基板９と第２基板１０との境界に繰り返し加わることによって、第１基板９と第２基板１０とが剥離することがある。
【００３４】
一方、本実施形態の流路部材１は、図１ないし図３に示すように、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路５を備えている。その結果、第１基板９と第２基板１０との剥離が流体の流れないダミー流路５に達すると、この剥離の進行が抑制されるため、第１基板９と第２基板１０との剥離領域の拡大を抑制することができる。したがって、流路部材１の剛性の低下を抑制することができるため、応力が加わった際の流路部材１における変形や歪みを抑制することができる。その結果、対象物２の位置精度を高め、ひいては対象物２の処理精度を高めることができる。
【００３５】
また、第１基板９および第２基板１０が基体３の流路４から外周部３ａに渡って剥離することを抑制できる。その結果、外周部３ａからの流路４の流体の漏れを抑制できるため、流路部材１による吸着機能の信頼性を高めることができる。
【００３６】
本実施形態の接合剤１１は、図３（ｂ）に示すように、一部がダミー流路５に入り込んでいる。その結果、接合剤１１によって、第１基板９および第２基板１０の接合強度を高め、第１基板９および第２基板１０の剥離を抑制できる。この接合剤１１の一部は、ダミー流路５の内壁に接合していることが望ましい。その結果、第１基板９および第２基板１０の接合強度をより高めることができる。また、接合剤１１の一部は、ダミー流路５内において、第１基板９および第２基板１０の双方に接合していることが望ましい。その結果、第１基板９および第２基板１０の接合強度をより高めることができる。本実施形態の接合剤１１の一部は、ダミー流路５内において、第２基板１０の一主面におけるダミー溝部１８の内壁および第１基板９の一主面に接合している。
【００３７】
本実施形態のダミー流路５の少なくとも一部には、図３（ｃ）に示すように、接合剤１１が充填されている。その結果、第１基板９および第２基板１０の接合強度を高めることができる。
【００３８】
本実施形態のダミー流路５は、図２（ｂ）に示すように、流路４を取り囲んでいる。その結果、第１基板９と第２基板１０との剥離領域の拡大をより抑制することができる。また、第１基板９および第２基板１０が基体３の流路４から外周部３ａに渡って剥離することを抑制できる。
【００３９】
本実施形態のダミー流路５は、図２（ｂ）に示すように、基体３の外周部３ａおよび流路４の間に位置している。その結果、第１基板９および第２基板１０が基体３の流路４から外周部３ａに渡って剥離することを抑制できる。
【００４０】
本実施形態のダミー流路５の少なくとも一部は、図２（ｂ）に示すように、隣接した流路４の一部の長手方向に沿った長手方向を有する。その結果、流路４とダミー流路５との距離のばらつきを抑制することができる。したがって、流路４とダミー流路５との距離が大きくなり過ぎることを抑制して、第１基板９と第２基板１０との剥離領域の拡大を抑制することができる。さらに、流路４とダミー流路５との距離が小さくなり過ぎることを抑制して、流路４とダミー流路５とが容易につながってしまうことを抑制できる。
【００４１】
本実施形態のダミー流路５は、流路４に沿って配されており、ダミー流路５と流路４との間の距離は、流路４の幅の２倍以下である。その結果、流路４とダミー流路５との距離が大きくなり過ぎることを抑制して、第１基板９と第２基板１０との剥離領域の拡大を抑制することができる。
【００４２】
本実施形態のダミー流路５は、流路４に沿って配されており、ダミー流路５と流路４との間の距離は、流路４の幅の１倍以上である。その結果、流路４とダミー流路５との距離
が小さくなり過ぎることを抑制して、流路４とダミー流路５とが容易につながってしまうことを抑制できる。
【００４３】
本実施形態のダミー流路５の少なくとも一部は、図２（ｂ）に示すように、流路４の一部および他の一部の間に位置する。その結果、流路４の一部および他の一部の間においても、第１基板９と第２基板１０との剥離領域の拡大を抑制することができる。
【００４４】
本実施形態のダミー流路５は、図２（ｂ）に示すように、流路４および貫通孔６の間に位置している。その結果、第１基板９および第２基板１０が流路４から貫通孔６に渡って剥離することを抑制し、流路４の流体が貫通孔６から漏れることを抑制できる。
【００４５】
次に、上述した流路部材１の製造方法を、第１基板９および第２基板１０を炭化珪素質焼結体で形成した場合について、図４を参照しつつ詳細に説明する。
【００４６】
（１）図４（ａ）および（ｂ）に示すように、第１基板９および第２基板１０を準備する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００４７】
まず、炭化珪素粉末に純水と有機バインダーとを加えた後、ボールミルで湿式混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをスプレードライにて造粒する。次に、造粒した炭化珪素粒を種々の成形方法を用いて成形して成形体を作製した後、この成形体を切削加工することによって、所望の形状の成形体を作製する。次に、図４（ａ）に示すように、この成形体を例えば１９００℃以上２１００℃以下で焼成することによって、第１基板９および第２基板１０を作製する。次に、図４（ｂ）に示すように、ブラスト加工を用いて、第１基板９の他主面に、環状部１３、底面１４および突起部１５を含む吸着領域１２を形成する。また、研削加工を用いて、第２基板１０の一主面に、流路４に対応した形状の溝部１７、ダミー流路５に対応した形状のダミー溝部１８、第２吸引孔７ｂおよびダミー孔８を形成する。その結果、第１基板９および第２基板１０を準備することができる。
【００４８】
（２）図４（ｃ）に示すように、接合剤１１を介して第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合して基体３を形成する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００４９】
まず、第２基板１０の一主面における溝部１７およびダミー溝部１８以外の領域に、例えばガラス接合剤である接合剤１１を塗布する。次に、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を重ね合わせる。この際、第２基板１０の一主面の溝部１７を第１基板９の一主面の平坦な領域に重ね合わせつつ、第２基板１０の一主面のダミー溝部１８を第１基板９の一主面の平坦な領域に重ね合わせる。次に、１６００℃以下で焼成をすることによって、接合剤１１を溶融させつつ、接合剤１１を介して第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する。その結果、基体３を形成することができる。
【００５０】
本実施形態においては、第１基板９の一主面には接合剤１１を塗布せずに、第２基板１０の一主面における溝部１７およびダミー溝部１８以外の領域に接合剤１１を塗布する。その結果、溝部１７に接合剤１１が入り込むことを抑制することができる。
【００５１】
本実施形態においては、接合剤１１を介して第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合して基体３を形成することによって、溝部１７を、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れる流路４としつつ、ダミー溝部１８を、第１基板９および第２基板１０の間に位置するとともに基体３の主面方向に沿った長手方向を有し、かつ流体が流れないダミー流路５とする。その結果、上述した流路４およびダミー流路５を形成することができる。
【００５２】
ところで、第１基板９の一主面と第２基板１０の一主面とを接合する際に、溶融した接合剤１１が流動することがある。特に、溝部１７の一部と他の一部との間や溝部１７と第１基板９および第２基板１０の外周部との間においては、第１基板９および第２基板１０の接合領域が大きくなりやすく、流動する接合剤１１の量が多くなりやすい。
【００５３】
一方、本実施形態においては、第１基板９と第２基板１０とを接合する際に、ダミー溝部１８が第１基板９および第２基板１０の間に位置する。したがって、溶融した接合剤１１がダミー溝部１８に入り込むため、接合剤１１の溝部１７への入り込みを抑制できる。その結果、接合剤１１による流路４の詰まりが抑制できるため、流路４における流体の流れやすさを維持しつつ、流路部材１の吸着機能の信頼性を高めることができる。
【００５４】
また、第１基板９と第２基板１０とを接合する際に、溶融した接合剤１１をダミー溝部１８に入り込ませることによって、接合剤１１の一部をダミー流路５に入り込ませることができ、さらには、ダミー流路５の少なくとも一部に接合剤１１を充填することができる。
【００５５】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー溝部１８は、溝部１７を取り囲んでいる。その結果、溝部１７の全体に渡って接合剤１１の入り込みを抑制できるため、接合剤１１による流路４の詰まりを良好に抑制できる。また、溝部１７の一部と他の一部との間や溝部１７と第１基板９および第２基板１０の外周部との間に形成された接合領域から接合剤１１が溝部１７に入り込むことを抑制できる。
【００５６】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー溝部１８は、第１基板９および第２基板１０の外周部と溝部１７との間に位置している。その結果、溝部１７と第１基板９および第２基板１０の外周部との間に形成された接合領域から接合剤１１が溝部１７に入り込むことを抑制できる。
【００５７】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー溝部１８の少なくとも一部は、隣接した溝部１７の一部の長手方向に沿った長手方向を有する。その結果、溝部１７とダミー溝部１８との距離のばらつきを抑制することによって、溝部１７への接合剤１１の入り込みを良好に抑制することができる。
【００５８】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー溝部１８は、溝部１７に沿って配されており、ダミー溝部１８と溝部１７との間の距離は、溝部１７の幅の２倍以下である。その結果、溝部１７の一部と他の一部との間や溝部１７と第１基板９および第２基板１０の外周部との間に形成された接合領域から接合剤１１が溝部１７に入り込むことを抑制できる。
【００５９】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー溝部１８の少なくとも一部は、溝部１７の一部および他の一部の間に位置する。その結果、溝部１７の一部と他の一部との間に形成された接合領域から接合剤１１が溝部１７に入り込むことを抑制できる。
【００６０】
本実施形態においては、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、第２基板１０には、厚み方向に貫通しているとともにダミー溝部１８につながったダミー孔８が形成されている。その結果、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面を接合する際に、ダミー孔８を介してダミー溝部１８内の空気を外部へ逃がすことができるため、焼成時にダミー溝部１８内の空気が膨張することに起因した基体３におけるクラックの発生を抑制できる。また、ダミー孔８を介してダミー溝部１８内の空気を外部へ逃
がすことができるため、ダミー溝部１８内に接合剤１１の一部が良好に入り込ませることができる。
【００６１】
（３）図４（ｄ）に示すように、例えば研削加工を用いて、基体３に第１吸引孔７ａおよび貫通孔６を形成することによって、流路部材１を作製する。
【００６２】
以上のようにして、流路部材１を作製することができる。
【００６３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【００６４】
例えば、上述した実施形態においては、半導体集積回路の製造工程に用いられる流路部材１を例に説明したが、流路部材１は液晶表示装置の製造工程に用いられても構わない。この場合には、対象物２は例えば四角板状のガラス基板となり、流路部材１としては対象物２に対応した四角板状のものを用いることができる。
【００６５】
また、上述した実施形態においては、流路部材１を、真空吸着装置を構成する真空チャック（吸着手段）として用いた構成を例に説明したが、流路部材１を、冷却装置を構成する冷却手段として用いても構わない。この冷却装置は、対象物２を冷却することによって、対象物２の温度調節を行なうものである。冷却装置は、対象物２を冷却する流路部材１を有する冷却手段と、対象物２を冷却する流体を流路４に供給する流体供給手段とを備えている。対象物２を冷却する流体としては、例えば水等の液体を用いることができる。また、冷却手段として用いられる流路部材１は、冷却機能を備えた静電チャックであっても構わない。
【００６６】
また、上述した実施形態においては、ダミー溝部１８が第２基板１０の一主面に形成されていた構成を例に説明したが、ダミー溝部１８は、図５（ａ）に示すように、第１基板９の一主面に形成されていても構わないし、図５（ｂ）に示すように、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面のそれぞれの対応する位置に形成されていても構わない。
【００６７】
また、上述した実施形態においては、ダミー流路５の長手方向に直交した断面が矩形状である構成を例に説明したが、ダミー流路５の長手方向に直交した断面は、他の形状でもよく、図５（ｃ）に示すように、例えば台形状であっても構わない。
【００６８】
また、上述した実施形態においては、溝部１７が第２基板１０の一主面に形成されていた構成を例に説明したが、溝部１７は、第１基板９の一主面に形成されていても構わないし、第１基板９の一主面および第２基板１０の一主面のそれぞれの対応する位置に形成されていても構わない。
【００６９】
また、上述した実施形態においては、流路４の長手方向に直交した断面が矩形状である構成を例に説明したが、流路４の長手方向に直交した断面は、他の形状でもよく、例えば台形状であっても構わない。
【００７０】
また、上述した実施形態においては、吸引孔７が第２吸引孔７ｂを有する構成を例に説明したが、吸引孔７が第２吸引孔７ａを有していなくても構わない。この場合には、例えば流路４が基体３の側面に開口しており、この開口が排気手段に接続されても構わない。
【００７１】
また、上述した実施形態においては、工程（２）において、第２基板１０の一主面における溝部１７およびダミー溝部１８以外の領域に接合剤１１を塗布した構成を例に説明したが、第１基板９の一主面に接合剤１１を塗布しても構わないし、第１基板９の一主面お
よび第２基板１０の一主面の双方に接合剤１１を塗布しても構わない。
【符号の説明】
【００７２】
１  流路部材
２  対象物
３  基体
３ａ  外周部
４  流路
５  ダミー流路
６  貫通孔
７  吸引孔
７ａ  第１吸引孔
７ｂ  第２吸引孔
８  ダミー孔
９  第１基板
１０  第２基板
１１  接合剤
１２  吸着領域
１３  環状部
１４  底面
１５  突起部
１６  対象物と吸着領域との間の空間
１７  溝部
１８  ダミー溝部
１９  接続部
【図１】
2014165405.tif 000003
【図２】
2014165405.tif 000004
【図３】
2014165405.tif 000005
【図４】
2014165405.tif 000006
【図５】
2014165405.tif 000007