(57)【要約】      （修正有）【課題】取得対象の導通格子領域の位置情報を取得する際の精度を向上する。【解決手段】ｍ個のＹセグメント及びｎ個のＸセグメントにより平面視においてｍ×ｎ個のセルが生成される電子筆記装置のＣＰＵは、外乱セル取得処理で検出した外乱セルが含まれるＹセグメントとＸセグメントとの接触抵抗値Ｒｔと、ペン位置セル及び外乱セルの両方が含まれる同一のＹセグメント上又は同一のＸセグメント上におけるペン位置セルのセル単位の位置と、当該Ｙセグメント上又は当該Ｘセグメント上におけるペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係とに基づいて、位置検出処理で取得したペン位置セルの当該Ｙセグメント上又は当該Ｘセグメント上に沿った方向のＸ座標又はＹ座標を補正する位置情報補正処理を実行する。【選択図】図２２
2014142723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置の前記制御手段に対し、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、
前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、
前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、
前記導通検出手順において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手順と、
前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手順と、
前記外乱導通格子領域取得手順で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手順が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手順と、
を実行させることを特徴とする接触検出処理プログラム。
【請求項２】
前記位置情報補正手順は、
前記外乱導通格子領域取得手順で複数の外乱導通格子領域を取得した場合、当該複数の外乱導通格子領域のそれぞれに対応した補正量を累積して補正することを特徴とする請求項１記載の接触検出処理プログラム。
【請求項３】
前記タッチパネル装置は、
前記接触抵抗値と前記格子領域単位の位置とに対応した前記位置情報への補正量の相関を記憶した記憶手段を有し、
前記位置情報補正手順は、
前記記憶手段の前記相関を参照して前記位置情報の補正を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の接触検出処理プログラム。
【請求項４】
前記位置検出手順は、
前記特定導通格子領域における前記導通点のＹ座標を検出する場合には、前記特定導通格子領域に対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の電圧を印加することにより、前記第１電極の一方により前記第１導電膜領域に生じる前記電位勾配に基づいて検出し、
前記特定導通格子領域における前記導通点のＸ座標を検出する場合には、前記特定導通格子領域に対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加することにより、前記第２電極の一方により前記第２導電膜領域に生じる前記電位勾配に基づいて検出する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の接触検出処理プログラム。
【請求項５】
前記位置情報補正手順は、
前記外乱導通格子領域における前記接触抵抗値を、
対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの第１電極側電圧と第２電極側電圧との比と、前記接地側に接続された一対の前記第２電極の一方を含む前記第２導電膜領域全体の抵抗値と、当該第２導電膜領域における前記導通点による分圧比と、を用いて算出するか、
若しくは、
対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の電圧を印加したときの第２電極側電圧と第１電極側電圧との比と、前記接地側に接続された一対の前記第１電極の一方を含む前記第１導電膜領域全体の抵抗値と、当該第１導電膜領域における前記導通点による分圧比と、を用いて算出する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の接触検出処理プログラム。
【請求項６】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置が実行する、接触検出処理方法であって、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、
前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、
前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、
前記導通検出手順において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手順と、
前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手順と、
前記外乱導通格子領域取得手順で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手順が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手順と、
を有することを特徴とする接触検出処理方法。
【請求項７】
互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、
各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、
前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、
各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、
前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、
を有し、
前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置であって、
前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手段と、
前記一次領域検出手段で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手段と、
前記二次領域検出手段において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手段と、
前記導通検出手段において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手段と、
前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手段と、
前記外乱導通格子領域取得手段で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手段が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手段と、
を有することを特徴とするタッチパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルを用いて接触点の位置を検出する接触検出処理プログラム、接触検出処理方法、及びタッチパネル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
接触点の位置を検出するタッチパネルの方式の１つとして、アナログ抵抗膜式が知られている。アナログ抵抗膜式のタッチパネルは、平面状の２つの部材を互いに近接対向させた配置でそれらの対向面に導電膜領域が設けられている。導電膜領域に電位勾配が形成され、導通による導通点（言い換えれば接触による接触点）で検出された電圧値に基づいて接触点の位置が検出される。近年では、複数の接触点の位置を個別に検出できるように、各平面部材で互いに直交する方向で導電膜領域を複数分割して設ける構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−９１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の構成の場合、対向する導電膜領域同士で重複する格子領域が、接触点の位置を検出する最小単位となる。そして、導通が確認された導通格子領域それぞれにおける、接触点の位置情報が取得される。しかしながら、上記の構成では、取得対象の導通格子領域と同一の導通膜領域上に他の導通格子領域が存在する場合、取得される位置情報に誤差が生じてしまう。
【０００５】
本発明の目的は、取得対象の導通格子領域の位置情報を取得する際の精度を向上できる接触検出処理プログラム、接触検出処理方法、及びタッチパネル装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本願発明は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置の前記制御手段に対し、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、前記導通検出手順において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手順と、前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手順と、前記外乱導通格子領域取得手順で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、前記同���の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手順が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手順と、を実行させることを特徴とする。
【０００７】
本願発明の対象となるタッチパネル装置は、第１基材の第１配列面においてＹ方向（例えば縦方向）に伸びる第１導電膜領域がＸ方向（例えば横方向）に沿ってｍ個配列されると共に、第２基材の第２配列面においてＸ方向に伸びる第１導電膜領域がＹ方向に沿ってｎ個配列される。これにより、平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される。また、第１配列面に設けられたｍ対の第１電極により第１導電膜領域に対しＹ方向に沿った電位勾配が形成可能であり、第２配列面に設けられたｎ対の第２電極により第２導電膜領域に対しＸ方向に沿った電位勾配が形成可能である。そして、例えば操作者が所望の操作部位を押圧してその押圧箇所において第１導電膜領域と第２導電膜領域とが導通すると、制御手段がその導通部位を検出することで、上記操作が検出される。
【０００８】
上記の操作検出の際、本願発明では、処理の迅速化等の観点から、まず上記押圧箇所を含む格子領域の検出が行われた後、その検出された格子領域における上記導通部位の詳細な位置の検出が行われる。
【０００９】
すなわち、本願発明の接触検出処理プログラムが制御手段で実行されると、まず一次領域検出手順で、ｎ個の第２導電膜領域すべてのｎ対の第２電極が接地側に接続された状態で、ｍ個の第１導電膜領域の各対の第１電極に順次所定電圧が付加される。これにより、上記押圧箇所が含まれる第１導電膜領域では第１電極→第１導電膜領域→押圧による導通部位→第２導電膜領域→第２電極の経路で電流が流れることで、第１導電膜領域において電圧降下が生じる。したがって、制御手段は、この電圧降下を検知することで、押圧箇所が含まれる少なくとも１つの第１導電膜領域を検出し特定することができる。
【００１０】
このようにして押圧箇所が含まれる第１導電膜領域が特定されると、二次領域検出手順で、当該特定された少なくとも１つの第１導電膜領域すべての第１電極が接地側に接続された状態で、ｎ個の第２導電膜領域の各対の第２電極に順次所定電圧が付加される。これにより、上記押圧箇所が含まれる第２導電膜領域では第２電極→第２導電膜領域→押圧による導通部位→第１導電膜領域→第１電極の経路で電流が流れることで、第２導電膜領域において電圧降下が生じる。制御手段は、この電圧降下を検知することで、押圧箇所が含まれる少なくとも１つの第２導電膜領域を検出し特定することができる。この結果、平面視において、前述のように一次領域検出手順で特定された上記少なくとも１つの第１導電膜領域と、この二次領域検出手順で特定された上記少なくとも１つの第２導電膜領域とに重複する、略矩形領域が特定される。
【００１１】
この略矩形領域は、前述の操作による押圧箇所（すなわち第１導電膜領域と第２導電膜領域との導通部位）に対応する少なくとも１つの格子領域を、矩形状に包含する領域となる。したがって、本願発明では、この略矩形領域に含まれる各格子領域を検出すべき押圧箇所の候補とし、これ以降、各格子領域ごとに実際に押圧箇所であったかどうかの判定処理が行われる。
【００１２】
すなわち、次の導通検出手順では、各格子領域について、対応する一対の第２電極を接地側に接続しかつ対応する一対の第１電極に対し所定の電圧を印加する（あるいは、対応する一対の第１電極を接地側に接続しかつ対応する一対の第２電極に対し所定の電圧を印加する）。これにより、上記押圧が行われている格子領域では、第１電極→第１導電膜領域→押圧による導通部位→第２導電膜領域→第２電極の経路で電流が流れることで、第１導電膜領域において電圧降下が生じる（あるいは第２電極→第２導電膜領域→押圧による導通部位→第１導電膜領域→第１電極の経路で電流が流れることで、第２導電膜領域において電圧降下が生じる）。したがって、制御手段は、この電圧降下を検知することで、上記押圧箇所の候補となった格子領域のうち、実際に操作者による押圧がなされた格子領域を特定することができる。
【００１３】
その後、位置検出手順で、上記導通検出手順において導通があるとして特定された導通格子領域それぞれにおける、導通点のＸ方向における位置情報（すなわちＸ座標）と導通点のＹ方向における位置情報（すなわちＹ座標）とが取得される。しかし、この位置情報を取得する際には、当該取得対象の導通格子領域と同一の第１導電膜領域上又は第２導電膜領域上に他の導通格子領域が存在する場合、上記位置検出手順で取得した位置情報に誤差が生じてしまう。
【００１４】
そこで本願発明では、位置情報を取得する対象の導通格子領域を特定導通格子領域とし、外乱導通格子領域取得手順で上記他の導通格子領域を外乱導通格子領域として取得し、位置情報補正手順で当該外乱導通格子領域が与える上記誤差を算出してその分だけ特定導通格子領域の位置情報を補正する。
【００１５】
この誤差は、当該外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との間の電気的な接触抵抗値と、特定導通格子領域及び外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、その導電膜領域上において特定導通格子領域を境としたどちら側に外乱導通格子領域が位置しているかの前後配置関係とに相関する。
【００１６】
上記位置情報補正手順は、これら接触抵抗値、特定導通格子領域の位置、及び前後配置関係に基づいて特定導通格子領域の位置情報を補正する。この結果、取得対象の導通格子領域の位置情報を取得する際の精度を向上できる。
【００１７】
また、上記目的を達成するために、本願発明は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置が実行する、接触検出処理方法であって、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手順と、前記一次領域検出手順で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手順と、前記二次領域検出手順において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手順と、前記導通検出手順において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手順と、前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手順と、前記外乱導通格子領域取得手順で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領���単位の位置と、前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手順が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手順と、を有することを特徴とする。
【００１８】
また、上記目的を達成するために、本願発明は、互いに直交するＸ方向及びＹ方向を備えた第１配列面を有し、前記Ｙ方向に伸びる第１導電膜領域が当該第１配列面において前記Ｘ方向に沿ってｍ個配列される第１基材と、各第１導電膜領域に対応して前記第１配列面にそれぞれ設けられ、当該第１導電膜領域に対し前記Ｙ方向に沿った電位勾配を形成可能なｍ対の第１電極と、前記Ｘ方向及び前記Ｙ方向を備えると共に前記第１配列面と対向する第２配列面を有し、前記Ｘ方向に伸びる第２導電膜領域が当該第２配列面において前記Ｙ方向に沿ってｎ個配列される、第２基材と、各第２導電膜領域に対応して前記第２配列面にそれぞれ設けられ、当該第２導電膜領域に対し前記Ｘ方向に沿った電位勾配を形成可能なｎ対の第２電極と、前記ｍ対の前記第１電極及び前記ｎ対の前記第２電極への通電を制御する制御手段と、を有し、前記ｍ個の第１導電膜領域及び前記ｎ個の前記第２導電膜領域により平面視においてｍ×ｎ個の格子領域が生成される、タッチパネル装置であって、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の第２電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｍ個の前記第１導電膜領域それぞれに対応する前記ｍ対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第２導電膜領域と導通された少なくとも１つの前記第１導電膜領域を検出する、一次領域検出手段と、前記一次領域検出手段で導通が検出された前記少なくとも１つの前記第１導電膜領域それぞれに対応する各対の第１電極の一方を接地側に接続すると共に、前記ｎ個の前記第２導電膜領域それぞれに対応する前記ｎ対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位に接続することにより、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通が生じている少なくとも１つの格子領域を矩形状に包含する、略矩形領域を検出する二次領域検出手段と、前記二次領域検出手段において検出された略矩形領域に含まれる複数の格子領域それぞれについて、順次、対応する一対の前記第２電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第１電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続するか、若しくは、対応する一対の前記第１電極の一方を接地側に接続しかつ対応する一対の前記第２電極の一方に対し所定の抵抗を介した電位を接続することにより、各格子領域ごとに、前記第１導電膜領域と前記第２導電膜領域との導通の有無を検出する導通検出手段と、前記導通検出手段において導通があるとして検出された導通格子領域のうちの所定の１つの特定導通格子領域に対し、導通点の前記Ｘ方向における位置情報と前記Ｙ方向における位置情報とを取得する位置検出手段と、前記特定導通格子領域に対して、同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上に含まれる他の導通格子領域である少なくとも１つの外乱導通格子領域を取得する外乱導通格子領域取得手段と、前記外乱導通格子領域取得手段で取得した前記外乱導通格子領域が含まれる第１導電膜領域と第２導電膜領域との接触抵抗値と、前記特定導通格子領域及び前記外乱導通格子領域の両方が含まれる同一の第１導電膜領域上又は同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域の格子領域単位の位置と、前記同一の第���導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上における前記特定導通格子領域と前記外乱導通格子領域との前後配置関係と、に基づいて、前記位置検出手段が取得した前記特定導通格子領域の前記同一の第１導電膜領域上又は前記同一の第２導電膜領域上に沿った方向の位置情報を補正する位置情報補正手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、取得対象の導通格子領域の位置情報を取得する際の精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態のタッチパネル装置を備えた手書き入力システムの全体構成を表すシステム構成図である。
【図２】タッチパネルでの押圧検出の原理を説明するための説明図である。
【図３】電子筆記装置の電気的構成を表す機能ブロック図である。
【図４】タッチパネルにおける各セグメントと電極の配置及び接続構成を説明するための模式図である。
【図５】タッチパネルにおけるセルの配置及び接続構成を説明するための模式図である。
【図６】押圧セル特定処理で用いる回路構成を説明するための平面視による模式図である。
【図７】位置検出処理で用いる回路構成を説明するための平面視による模式図である。
【図８】タッチパネルに右手を載せて筆記する状態を示す図である。
【図９】タッチパネルにおける押圧点の配置の一例を示す説明図である。
【図１０】一次領域検出処理での通電状態を示す説明図である。
【図１１】二次領域検出処理での通電状態を示す説明図である。
【図１２】導通検出処理での検出過程を示す説明図である。
【図１３】Ｘ座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す説明図である。
【図１４】Ｘ座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す説明図である。
【図１５】Ｙ座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す説明図である。
【図１６】Ｙ座標を検出する位置検出処理での検出過程を示す説明図である。
【図１７】ペン位置セルに対して外乱セルが存在しない押圧セルの配置の一例を示す説明図である。
【図１８】ペン位置セルに対して少なくとも１つの外乱セルが存在する押圧セルの配置の一例を示す説明図である。
【図１９】対象押圧点のＹ座標の検出において生じる誤差を示す説明図である。
【図２０】接触抵抗値算出処理で用いる回路構成を説明するための平面視による模式図である。
【図２１】補正量テーブルの一例を表す説明図である。
【図２２】ＣＰＵが実行する接触検出処理方法の概略的な制御手順を表すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２２】
＜システム概略＞
図１に、本実施形態のタッチパネル装置を備えた手書き入力システム１を示す。なお、以下の説明では、図１の紙面の上側、下側、右側、左側、手前側、奥行き側を、それぞれ、電子筆記装置２の上側、下側、右側、左側、手前側、奥行き側と定義して説明する。
【００２３】
図１に示すように、手書き入力システム１は、例えば通常のボールペンやシャープペンシル等の汎用のペン３により筆記される電子筆記装置２（タッチパネル装置）と、ディスプレイ４とを備えている。
【００２４】
＜電子筆記装置＞
電子筆記装置２は、平面視で上下方向に長い薄型の直方体状の形状を備えている。電子筆記装置２の下側には、電子筆記装置２の手前側の大部分を占めるように、凹部形状の載置部２４が設けられている。載置部２４には、例えば所定の用紙からなる紙媒体７０が載置される。
【００２５】
＜タッチパネル＞
このとき、電子筆記装置２には、載置部２４とほぼ同一の範囲となるように、タッチパネル２５が設けられている。タッチパネル２５は、ペン３の位置（ペン位置）を表す位置情報であるＸ−Ｙ座標（本実施形態では、タッチパネル２５（言い換えれば載置部２４）の左上部の座標（Ｘ，Ｙ）を原点（０，０）とし、右方向をＸ軸、下方向をＹ軸とするＸ−Ｙ座標系を用いる。詳細は後述）を検出する。そして、載置部２４は、紙媒体７０を、この例では紙媒体７０の左上の隅部が上記原点に一致する姿勢で保持する。
【００２６】
なお、タッチパネル２５の構成は、例えばＩＴＯ（インジウム・チン・オキサイド）による導電膜を用いた感圧方式とすることができる。この感圧方式では、公知技術であるアナログ抵抗膜センサによる感圧式構造の原理を応用して、ペン３で押した位置を電圧変化の測定により検知する。その内部構造は、図２に示すように、それぞれ例えばＩＴＯ導電層等の導電膜３０１を配置したガラス（フィルムでもよい）３０２（第２基材）及びフィルム３０３（第１基材）を、絶縁性の貼り合わせ材３０４を介して少しだけすき間を設けて貼り付けている。また、ガラス３０２及びフィルム３０３のいずれかの導電膜３０１の表面には、絶縁性のドットスペーサ３０５が所定間隔ごとに配置されている。操作者が通常の鉛筆やボールペンで文字を書く要領でペン３を用いて紙媒体７０に筆記を行うと、ペン３の先端（ペン先）による押圧が紙媒体７０を介してフィルム３０３に伝達され、当該フィルム３０３の押圧箇所において、フィルム３０３側とガラス３０２側との導電膜３０１，３０１同士が接触して導通する。このようにして、当該押圧箇所及びその押圧箇所における押圧力がタッチパネル２５により検出される。
【００２７】
＜Ｘ−Ｙ座標の検出＞
上記のようにしてタッチパネル２５において発生した導通信号は、タッチパネル２５から電極３０６を介してＣＰＵ２０１（後述の図３参照）へ導かれ、これに基づいてペン位置が離散的なＸ−Ｙ座標としてＣＰＵ２０１により検出される。すなわち、ＣＰＵ２０１は、操作者が上記筆記動作を行ったときのペン３の移動に対応する複数のＸ−Ｙ座標を検出し取得する。なお、前述したように、本実施形態では、タッチパネル２５（言い換えれば載置部２４）の左上部の座標（Ｘ，Ｙ）を原点（０，０）とし、右方向をＸ軸、下方向をＹ軸とするＸ−Ｙ座標系を用いる。すなわち、Ｘ座標がタッチパネル２５（言い換えれば載置部２４）における左右方向の位置を表し、Ｙ座標がタッチパネル２５（言い換えれば載置部２４）における上下方向の位置を表す。そして、上記取得された複数のＸ−Ｙ座標に基づき、ＣＰＵ２０１により、上記紙媒体７０に筆記された軌跡を示すストロークデータが生成される。
【００２８】
なお、ディスプレイ４は、電子筆記装置２に接続されており、操作者が電子筆記装置２の載置部２４に載置した紙媒体７０の外観に相当する画像データや、操作者による紙媒体７０への記載内容に相当する画像データ（ストロークデータの集合体）を表示することができる。
【００２９】
＜電子筆記装置の電気的構成＞
図３を参照して、電子筆記装置２の電気的構成について説明する。図３に示すように、電子筆記装置２は、電子筆記装置２全体の制御を行うＣＰＵ２０１と、ＲＯＭ２０２（記憶手段）と、種々のデータが一時的に記憶されるＲＡＭ２０３と、フラッシュメモリ２０４と、駆動回路２０９，２１０とを備えている。ＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、フラッシュメモリ２０４、及び駆動回路２０９，２１０は、ＣＰＵ２０１に電気的に接続されている。なお、ＣＰＵ２０１及び駆動回路２０９が、各請求項記載の制御手段として機能する。
【００３０】
ＲＯＭ２０２は、プログラム記憶領域２０２１と、画像データ記憶領域２０２３と、補正量テーブル記憶領域２０２４とを備えている。プログラム記憶領域２０２１には、ＣＰＵ２０１が電子筆記装置２を制御するために実行する各種プログラム（ＣＰＵ２０１に対し後述の図２２のフローに示す各手順を実行させるための接触検出処理プログラムを含む）が記憶されている。画像データ記憶領域２０２３には、例えば紙媒体７０のフォーマット情報に対応した画像データが記憶されている。補正量テーブル記憶領域２０２４には、補正量テーブル（後述）が記憶されている。
【００３１】
フラッシュメモリ２０４は、座標情報記憶領域２０４１を備えている。
【００３２】
駆動回路２０９は、タッチパネル２５を駆動するための電子回路である。駆動回路２１０は、ディスプレイ４に画像を表示させるための電子回路である。
【００３３】
＜タッチパネルの接続構成＞
図４を参照して、タッチパネル２５における導電膜３０１，３０１の配置及びそれらの接続構成について説明する。図４に示すように、タッチパネル２５は、フィルム３０３の第１配列面である対向内側面（下面）においてＹ方向（上述した上下方向）に伸びるＹセグメント（第１導電膜領域）の導電膜３０１がＸ方向（上述した左右方向）に沿ってｍ個配列されると共に、ガラス３０２の第２配列面である対向内側面（上面）においてＸ方向（上述した左右方向）に伸びるＸセグメント（第２導電膜領域）の導電膜３０１がＹ方向（上述した上下方向）に沿ってｎ個配列されている。なお、図中では、図示の煩雑をさけるために、ｍ＝ｎ＝３個の場合で略記している。
【００３４】
フィルム３０３の下面側に設けられたｍ対（図示する例では３対）の電極３０６であるＹ電極（第１電極）により、各Ｙセグメントの導電膜３０１に対しＹ方向に沿った電位勾配が形成可能である。また、ガラス３０２の上面側に設けられたｎ対（図示する例では３対）の電極３０６であるＸ電極（第２電極）により、各Ｘセグメントの導電膜３０１に対しＸ方向に沿った電位勾配が形成可能である。これらｍ対のＹ電極及びｎ対のＸ電極への通電は、上記駆動回路２０９により制御される。以下において、ｍ個のＹセグメントをＸ方向の原点側から順にＭｙ１，・・・，Ｍｙｍと表記し、各Ｙセグメントに設けたＹ方向原点側のＹ電極をＴｙ１−１，・・・，Ｔｙｍ−１、逆側のＹ電極をＴｙ１−２，・・・，Ｔｙｍ−２と表記する。同様にして、ｎ個のＸセグメントをＹ方向の原点側から順にＭｘ１，・・・，Ｍｘｎと表記し、各Ｘセグメントに設けたＸ方向原点側のＸ電極をＴｘ１−１，・・・，Ｔｘｎ−１、逆側のＸ電極をＴｘ１−２，・・・，Ｔｘｎ−２と表記する。
【００３５】
図示する例において、Ｙ電極Ｔｙ１−１，・・・，Ｔｙｍ−１のそれぞれには、＋３Ｖ（所定の電圧）の電源（電位）である＋３Ｖ電源への直接接続（以下、Ｈｉｇｈ接続という）と、１０ｋΩ抵抗（所定の抵抗）を介した＋３Ｖ電源への接続（以下、ＰｕｌｌＵｐ接続という）と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｙ１−１，・・・，Ｓｙｍ−１が接続されている。Ｙ電極Ｔｙ１−２，・・・，Ｔｙｍ−２のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＧＮＤ（接地）側への接続（以下、ＧＮＤ接続という）と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｙ１−２，・・・，Ｓｙｍ−２が接続されている。Ｘ電極Ｔｘ１−１，・・・，Ｔｘｎ−１のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＧＮＤ接続と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｘ１−１，・・・，Ｓｘｎ−１が接続されている。Ｘ電極Ｔｘ１−２，・・・，Ｔｘｎ−２のそれぞれには、Ｈｉｇｈ接続と、ＰｕｌｌＵｐ接続と、ＧＮＤ接続と、遮断とを切り替え可能なスイッチＳｘ１−２，・・・，Ｓｘｎ−２が接続されている（図中では、図示の都合上、それぞれ上下２つに分割して記載）。以上の各スイッチの切り替えは、上記駆動回路２０９により制御される。
【００３６】
また、Ｙ電極Ｔｙ１−１，・・・，Ｔｙｍ−１及びＸ電極Ｔｘ１−２，・・・，Ｔｘｎ−２のそれぞれは、上記駆動回路２０９内に設けられたＡ／Ｄコンバータ（特に図示せず）に接続されており、個別に電圧値（電位）を検出できる。
【００３７】
以上のように構成されたタッチパネル２５の導電膜３０１，３０１だけを上側から平面視すると、図５のようになる。この図５に示す例では、Ｙセグメントが１２個（つまりｍ＝１２）設けられ、Ｘセグメントが２０個（つまりｎ＝２０）設けられている。以下の説明においては、理解を容易にするために、この図５に示すセグメント配置を用いて簡略的に図示する。
【００３８】
いずれのセグメントも、その長手方向において電気的な抵抗密度が均等に分布しており、これにより各セグメントの両端の電極間で電圧をかけた場合には、形成される電位勾配も長手方向に沿って均等となる。また、この平面視において、ｍ個のＹセグメントとｎ個のＸセグメントとの組み合わせからｍ×ｎ個の矩形状の重複領域（格子領域）が配置されており、以下においてこれら重複領域をセルと呼称する。例えば、それぞれ原点Ｏに最も近いＹセグメントＭｙ１とＸセグメントＭｘ１との重複領域（図中の太線枠領域）を「セル（１，１）」と表記する。同様に、それぞれ原点Ｏからｉ番目のＹセグメントＭｙｉとｊ番目のＸセグメントＭｘｊとの重複領域を「セル（ｉ，ｊ）」と表記する。各セルは、ペン３を用いた通常の筆記操作において２点以上の押圧を受けることのない程度に十分狭い面積に設定されており、各セグメントもまた、それを実現できる程度に狭い幅で形成され互いに近接して配置されている。
【００３９】
＜電子筆記装置における基本的な検出形態＞
上記のように構成された電子筆記装置２においては、基本的に２種類の検出形態がある。１つ目の検出形態は、各セルにおいて単純に接触導通があるか否か、すなわち所定のＸセグメントとＹセグメントとの組み合わせにおける接触導通の有無のみを検出する形態である。
【００４０】
例えば、所定のセルにおいてＹセグメントに対するＸセグメントの接触導通の有無を検出する場合には、図６（ａ）に示す回路構成で検出が行われる。この図６（ａ）において、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御により、上側（原点Ｏに近い側）のＹ電極Ｔｙｉ−１がＰｕｌｌＵｐ接続されると共に駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続され、下側（原点Ｏから遠い側）のＹ電極Ｔｙｉ−２が遮断されている。また、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により、左側（原点Ｏに近い側）のＸ電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）のＸ電極Ｔｘｊ−２がＧＮＤ接続されている。
【００４１】
このような回路構成によれば、セル（ｉ，ｊ）が押圧されてない場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉとが離間したまま電気的導通がないため、Ｙ電極Ｔｙｉ−１に接続するＡ／Ｄコンバータには低いレベル（Ｌレベル）の電位が検出される。また、セル（ｉ，ｊ）が押圧されている場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉとが接触して電気的に導通するため、＋３Ｖ電源からＧＮＤへ向けて電流が流れ、Ｙ電極Ｔｙｉ−１に接続するＡ／Ｄコンバータには高いレベル（Ｈレベル）の電位が検出される。ただし、１０ｋΩ抵抗を介しているため、短絡にはならない。このようにして、Ａ／ＤコンバータにはＨ／Ｌの２値の電位が入力され、その内容によりセル（ｉ，ｊ）における接触導通の有無を検出できる。
【００４２】
なお、上記回路構成の拡張型として、所定の１つのＹセグメントＭｙｉのＹ電極Ｔｙｉ−１のみＰｕｌｌＵｐ接続し、全てのＸセグメントＭｘ１〜ＭｘｎのＸ電極Ｔｘ１−２〜Ｔｘｎ−２をＧＮＤ接続する構成もある（特に図示せず）。この場合には、当該１つのＹセグメントＭｙｉ上に配置する全てのセル（ｉ，１〜ｎ）のうちいずれか１つでも接触導通があるか否かを検出できる。
【００４３】
また、所定のセルにおいてＸセグメントに対するＹセグメントの接触導通の有無を検出する場合には、図６（ｂ）に示す回路構成で検出が行われる。この図６（ｂ）において、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御により、上側（原点Ｏに近い側）のＹ電極Ｔｙｉ−１が遮断され、下側（原点Ｏから遠い側）のＹ電極Ｔｙｉ−２がＧＮＤ接続されている。また、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により、左側（原点Ｏに近い側）のＸ電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）のＸ電極Ｔｘｊ−２がＰｕｌｌＵｐ接続されると共に駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されている。
【００４４】
このような回路構成によれば、セル（ｉ，ｊ）が押圧されてない場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉとが離間したまま電気的導通がないため、Ｘ電極Ｔｘｊ−２に接続するＡ／ＤコンバータにはＬレベルの電位が検出される。また、セル（ｉ，ｊ）が押圧されている場合、ＸセグメントＭｘｊとＹセグメントＭｙｉとが接触して電気的に導通するため、＋３Ｖ電源からＧＮＤへ向けて電流が流れ、Ｘ電極Ｔｘｊ−２に接続するＡ／ＤコンバータにはＨレベルの電位が検出される。ただし、１０ｋΩ抵抗を介しているため、短絡にはならない。このようにして、Ａ／ＤコンバータにはＨ／Ｌの２値の電位が入力され、その内容によりセル（ｉ，ｊ）における接触導通の有無を検出できる。
【００４５】
なお、上記回路構成の拡張型として、所定の１つのＸセグメントＭｘｊのＸ電極Ｔｘｊ−２のみＰｕｌｌＵｐ接続し、全てのＹセグメントＭｙ１〜ＭｙｍのＹ電極Ｔｙ１−２〜Ｔｙｍ−２をＧＮＤ接続する構成もある（特に図示せず）。この場合には、当該１つのＸセグメントＭｘｊ上に配置する全てのセル（１〜ｍ，ｊ）のうちいずれか１つでも接触導通があるか否かを検出できる。
【００４６】
次に２つ目の検出形態は、各セルにおける接触導通による導通点（言い換えれば押圧による押圧点）のＸ−Ｙ座標、すなわち所定のＸセグメントとＹセグメントとの組み合わせにおける押圧点での分圧電位を検出する形態である。
【００４７】
例えば、所定のセルにおいて押圧点のＸ座標を検出する場合には、図７（ａ）に示す回路構成で検出が行われる。この図７（ａ）において、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御により、上側（原点Ｏに近い側）のＹ電極Ｔｙｉ−１が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータだけに接続され、下側（原点Ｏから遠い側）のＹ電極Ｔｙｉ−２が遮断されている。また、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により、左側（原点Ｏに近い側）のＸ電極Ｔｘｊ−１がＨｉｇｈ接続され、右側（原点Ｏから遠い側）のＸ電極Ｔｘｊ−２がＧＮＤ接続されている。つまり、ＸセグメントＭｘｊの全体に３Ｖの電圧が付加され、Ｘ電極Ｔｘｊ−１から次第に離間する変位位置で電位が一定の降下率で連続的に降下する電位勾配が形成される。
【００４８】
このような回路構成によれば、セル（ｉ，ｊ）の領域内に押圧点が存在している場合、Ａ／Ｄコンバータには、ＸセグメントＭｘｊの全長に対するＸ電極Ｔｘｊ−１から当該押圧点までの距離の比に相当する分圧比での電位（０〜＋３Ｖのアナログ電位）が入力される。この入力された分圧電位に基づいて当該押圧点のＸ座標を検出できる。なお、全てのセルの大きさと当該セル（ｉ，ｊ）の位置が既知であるため、当該セル（ｉ，ｊ）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系における押圧点のｘ座標も検出できる（このｘ−ｙ座標系については後述の図１４及び図１６参照）。ここで、上述したように各セルは複数点で押圧されることがない程度に狭い面積に設定されているため、複数点による分圧比の誤差は生じない。また、ＹセグメントＭｙｉにも抵抗成分が存在するが、Ａ／Ｄコンバータ自体の内部抵抗が十分高いためにＹセグメントＭｙｉに電流が流れることがなく、電位降下させずに当該セル（ｉ，ｊ）の押圧点における分圧電位を検出できる。
【００４９】
また、所定のセルにおいて押圧点のＹ座標を検出する場合には、図７（ｂ）に示す回路構成で検出が行われる。この図７（ｂ）において、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御により、上側（原点Ｏに近い側）のＹ電極Ｔｙｉ−１がＨｉｇｈ接続され、下側（原点Ｏから遠い側）のＹ電極Ｔｙｉ−２がＧＮＤ接続されている。つまり、ＹセグメントＭｙｉの全体に３Ｖの電圧が付加され、Ｙ電極Ｔｙｉ−１から次第に離間する変位位置で電位が一定の降下率で連続的に降下する電位勾配が形成される。また、検出対象のセル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により、左側（原点Ｏに近い側）のＸ電極Ｔｘｊ−１が遮断され、右側（原点Ｏから遠い側）のＸ電極Ｔｘｊ−２が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータだけに接続されている。
【００５０】
このような回路構成によれば、セル（ｉ，ｊ）の領域内に押圧点が存在している場合、Ａ／Ｄコンバータには、ＹセグメントＭｙｉの全長に対するＹ電極Ｔｙｉ−１から当該押圧点までの距離の比に相当する分圧比での電位（０〜＋３Ｖのアナログ電位）が入力される。この入力された分圧電位に基づいて当該押圧点のＹ座標を検出できる。なお、全てのセルの大きさと当該セル（ｉ，ｊ）の位置が既知であるため、当該セル（ｉ，ｊ）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系における押圧点のｙ座標も検出できる（このｘ−ｙ座標系については後述の図１４及び図１６参照）。ここで、上述したように、複数点による分圧比の誤差は生じない。また、ＸセグメントＭｘｊにも抵抗成分が存在するが、Ａ／Ｄコンバータ自体の内部抵抗が十分高いためにＸセグメントＭｘｊに電流が流れることがなく、電位降下させずに当該セル（ｉ，ｊ）の押圧点における分圧電位を検出できる。
【００５１】
＜電子筆記装置におけるペン位置の検出シーケンス＞
以下、電子筆記装置２におけるペン位置の検出シーケンスについて説明する。この例では、図８に示すように、右利きの操作者がペン３を持った右手をタッチパネル２５上に載置し、筆記する状態を想定する。この筆記状態で、上記図５に示すセグメント配置のタッチパネル２５に図９に示す位置のセルが押圧されたとする。具体的には、タッチパネル２５の左上部の座標（Ｘ，Ｙ）を原点Ｏ（０，０）として右方向に向けてＸ軸、下方向に向けてＹ軸をそれぞれ配置したＸ−Ｙ座標系を設定し、横に１２個、縦に２０個の合計１２×２０＝２４０個のセルが配置されている。そのうち、ペン先がセル（５，４）の１点を押圧し、右手でセル（４，１６）、セル（４，１７）、セル（４，１８）、セル（４，１９）、セル（５，１６）、セル（５，１７）、セル（５，１８）、セル（５，１９）、セル（６，１６）、セル（６，１７）、セル（６，１８）、及びセル（６，１９）の１２点を押圧している。
【００５２】
ペン位置の検出シーケンスとしては、概略的に３つのシーケンス処理を実行する。まず、その時点で接触導通がある（言い換えれば押圧されている）押圧セル（導通格子領域）を特定する押圧セル特定処理を実行する。そして、特定された押圧セルのうち、配置の分布やバラツキ等に基づいて特にペン先により押圧されている（言い換えればペン位置に対応する）と推定される所定の１つのペン位置セル（特定導通格子領域）を特定するペン位置セル特定処理を実行する。なお、このペン位置セル特定処理は公知のパターン認識技術や推定技術等に基づいて行えばよく、ここでは詳細な説明を省略する。その後に、特定されたペン位置セル内に存在するペン先による押圧点（以下、対象押圧点という）のＸ−Ｙ座標を検出し取得する位置検出処理を実行する。以下においては、押圧セル特定処理及び位置検出処理についてのみ説明する。
【００５３】
＜検出シーケンス１：押圧セル特定処理について＞
押圧セル特定処理では、詳細には、一次領域検出処理、二次領域検出処理、及び導通検出処理の３つの処理を順に実行する。一次領域検出処理及び二次領域検出処理は、処理の迅速化の観点から、タッチパネル２５全体のうちで押圧点が存在する領域をセル単位の略矩形領域で検出するための処理である。
【００５４】
まず、一次領域検出処理として、上記図６（ａ）で説明した回路構成の拡張型により、所定のＹセグメントにおける各Ｘセグメントとの接触導通の有無を検出する。具体的には、図１０に示すように、全てのＸセグメントＭｘ１〜Ｍｘｎの右側のＸ電極Ｔｘ１−２〜Ｔｘｎ−２をＧＮＤ接続する。この状態で、ＹセグメントＭｙ１〜Ｍｙｍのうち１つのＹセグメントＭｙｉのＹ電極Ｔｙｉ−１のみをＰｕｌｌＵｐ接続し、かつＡ／Ｄコンバータへ導通状態の検出信号を入力する。なお、これ以外に図示せず、説明しない電極については全て遮断状態とする（以下同様）。この検出をタッチパネル２５の左右方向全体でｉ方向（Ｘ方向）に順次切り替えてトレースする。このようにして行う一次領域検出処理により、Ｘセグメントと導通された少なくとも１つのＹセグメント、つまり押圧点が少なくとも１つ含まれるＹセグメント（図示する例のＭｙ４〜Ｍｙ６；図中の濃い目の網掛け部分）を検出し特定できる。
【００５５】
次に、二次領域検出処理として、上記図６（ｂ）で説明した回路構成の拡張型により、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメントに対する所定のＸセグメントの接触導通の有無を検出する。具体的には、図１１に示すように、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメントの下側のＹ電極（図示する例ではＴｙ４−２〜Ｔｙ６−２）をＧＮＤ接続する。この状態で、ＸセグメントＭｘ１〜Ｍｘｎのうち１つのＸセグメントＭｘｊのＸ電極Ｔｘｊ−２のみをＰｕｌｌＵｐ接続し、かつＡ／Ｄコンバータへ導通状態の検出信号を入力する。この検出をタッチパネル２５の上下方向全体でｊ方向（Ｙ方向）に順次切り替えてトレースする。このようにして行う二次領域検出処理により、Ｙセグメントと導通された少なくとも１つのＸセグメント、つまり押圧点が少なくとも１つ含まれるＸセグメント（図示する例のＭｘ４、Ｍｘ１６〜Ｍｘ１９）を検出し特定できる。
【００５６】
この結果、タッチパネル２５の平面視において、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメント（図示する例のＭｙ４〜Ｍｙ６）と、この二次領域検出処理で特定されたＸセグメント（図示する例のＭｘ４、Ｍｘ１６〜Ｍｘ１９）とに重複する、略矩形領域（図中の濃い目の網掛け部分）を検出し特定できる。この略矩形領域は、ＹセグメントとＸセグメントとの接触導通が生じている少なくとも１つのセル、つまり押圧点に対応する少なくとも１つのセルを、矩形状に包含する領域となる。したがって、次に、導通検出処理で、上記二次領域検出処理で特定された略矩形領域に含まれる全てのセルのうち、実際に接触導通がある、つまり押圧されている押圧セルを検出し特定する。
【００５７】
この導通検出処理では、上記図６（ａ）及び図６（ｂ）のいずれの回路構成を用いてもよく、図１２に示すように、上記二次領域検出処理で特定された略矩形領域に含まれる全てのセルに対し順次トレースすることにより、略矩形領域に含まれる各セルごとに接触導通の有無を検出する。この結果、タッチパネル２５の全てのセルのうち実際に押圧されている押圧セルを検出し特定できる。
【００５８】
ここで、初めからタッチパネル２５の全てのセルに対して導通検出処理を実行して実際の押圧セルを特定することも可能ではある。しかしながら、タッチパネル２５では、Ｘセグメント及びＹセグメントの本数が多く、そのためにセルの設置数が膨大となっている。そのうち実際にペン３を用いた描画操作により押圧されるセルの数とその存在領域はタッチパネル２５全体で見て一部であり、それら少ない押圧セルを特定するためにタッチパネル２５の全てのセルに対して導通検出処理のトレースを行うことは処理時間の大幅な遅延を招く。これに対し本実施形態では、一次領域検出処理及び二次領域検出処理により高速に略矩形領域を特定し、この比較的狭い略矩形領域内だけに限定して導通検出処理のトレースを実行している。このため、タッチパネル２５全体で押圧セルの特定を行う押圧セル特定処理の全体の処理を迅速化できる。
【００５９】
そして、上述したように、上記押圧セル特定処理により特定された押圧セルのうちから、公知のパターン認識技術や推定技術等に基づくペン位置セル特定処理により、ペン先により押圧されていると推定されるペン位置セル（図示する例ではセル（５，４））が特定される（詳細な説明は省略）。
【００６０】
＜検出シーケンス２：位置検出処理について＞
位置検出処理では、上記ペン位置セル特定処理により特定されたペン位置セル内の対象押圧点のＸ−Ｙ座標を検出し取得する。この位置検出処理では、Ｘ方向とＹ方向とでそれぞれ個別に座標を検出し取得する。
【００６１】
まず、Ｘ方向の座標（Ｘ座標）検出を行う際には、上記図７（ａ）で説明した回路構成により、ペン位置セル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊにおける対象押圧点による分圧電位を検出する。具体的には、図１３に示すように、ペン位置セル（５，４）に対応するＸセグメントＭｘ４の左側のＸ電極Ｔｘ４−１がＨｉｇｈ接続されると共に、右側のＸ電極Ｔｘ４−２がＧＮＤ接続される。これにより、ＸセグメントＭｘ４の全体に渡ってＸ方向に均等に順降下する電位勾配が形成される。そして、ペン位置セル（５，４）に対応するＹセグメントＭｙ５の上側のＹ電極Ｔｙ５−１が、Ａ／Ｄコンバータへ分圧電位を入力する。この分圧電位は、ペン位置セル（５，４）の拡大図である図１４に示すように、ペン位置セル（５，４）の内部領域において高い精度で対象押圧点のＸ座標に対応して検出されるアナログ電位である。Ｘ座標検出では、この分圧電位に基づいて対象押圧点の正確なＸ座標を検出できる。なお、検出するＸ座標は、タッチパネル２５全体に設定したＸ−Ｙ座標系でのＰＸで検出してもよいし、ペン位置セル（５，４）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系（ペン位置セル（５，４）の左上部の座標（ｘ，ｙ）を原点Ｏｓとし、右方向をｘ軸、下方向をｙ軸とする座標系）でのＰｘで検出してもよい。
【００６２】
同様にしてＹ方向の座標（Ｙ座標）検出を行う際には、上記図７（ｂ）で説明した回路構成により、ペン位置セル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉにおける対象押圧点による分圧電位を検出する。具体的には、図１５に示すように、ペン位置セル（５，４）に対応するＹセグメントＭｙ５の上側のＹ電極Ｔｙ５−１がＨｉｇｈ接続されると共に、下側のＹ電極Ｔｙ５−２がＧＮＤ接続される。これにより、ＹセグメントＭｙ５の全体に渡ってＹ方向に均等に順降下する電位勾配が形成される。そして、ペン位置セル（５，４）に対応するＸセグメントＭｘ４の右側のＸ電極Ｔｘ４−２が、Ａ／Ｄコンバータへ分圧電位を入力する。この分圧電位は、ペン位置セル（５，４）の拡大図である図１６に示すように、ペン位置セル（５，４）の内部領域において高い精度で対象押圧点のＹ座標に対応して検出されるアナログ電位である。Ｙ座標検出では、この分圧電位に基づいて対象押圧点の正確なＹ座標を検出できる。なお、検出するＹ座標は、タッチパネル２５全体に設定したＸ−Ｙ座標系でのＰＹで検出してもよいし、ペン位置セル（５，４）内に設定した相対的なｘ−ｙ座標系（ペン位置セル（５，４）の左上部の座標（ｘ，ｙ）を原点Ｏｓとし、右方向をｘ軸、下方向をｙ軸とする座標系）でのＰｙで検出してもよい。
【００６３】
以上の押圧セル特定処理、ペン位置セル特定処理、及び位置検出処理を実行するシーケンスにより、その時点におけるタッチパネル２５上でのペン位置のＸ−Ｙ座標が高い精度で検出される。
【００６４】
＜ペン位置検出における誤差の発生とその対策＞
電子筆記装置２は、基本的に上述したペン位置検出シーケンスによりペン位置のＸ−Ｙ座標を検出する。しかし、タッチパネル２５の構成に起因して、ペン先により１つのセルが押圧されるのと同時に例えば操作者の手等により当該セルと同一のセグメント上の他のセルが押圧された場合に、ペン位置のＸ−Ｙ座標の検出おいて誤差が生じる可能性がある。以下、その原因と対策について詳細に説明する。
【００６５】
すなわち、ペン先により１つのセルが押圧されるのと同時に例えば操作者の手等により当該セルと同一のＸセグメント上又は同一のＹセグメント上の他のセルが押圧されると、ペン位置セルに対して、同一のＸセグメント上又は同一のＹセグメント上に含まれる他の押圧セルである少なくとも１つの外乱セル（外乱導通格子領域）が存在することになる。
【００６６】
この場合、ペン位置セルに対応するＸセグメント全体又はＹセグメント全体に流れる電流に加えて、当該セグメントにおける外乱セル内の押圧点（以下、外乱押圧点という）が存在する区間を、接触導通されたＹセグメント又はＸセグメントによりバイパスして流れる電流が新たに生じる。これにより、ペン位置セルに対応するＸセグメント又はＹセグメントにおける外乱押圧点が存在する区間の抵抗成分が、外乱セルが存在しない場合に比べて減少するので、当該セグメント全体の抵抗値が、外乱セルが存在しない場合から変化する可能性がある。この結果、上記位置検出処理において、ペン位置セルに対応するＸセグメント又はＹセグメントにおける対象押圧点による分圧電位が、実際のＸセグメント又はＹセグメントにおけるペン位置を正確に反映せず、ペン位置のＸ座標又はＹ座標の検出において誤差が生じる可能性がある。
【００６７】
本願発明者は、上記誤差が、外乱セルが含まれるＸセグメントとＹセグメントとの間の接触抵抗値Ｒｔ（以下、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔという）に相関することを知見した。すなわち、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが小さいほど上記誤差が大きくなり、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが大きいほど上記誤差が小さくなる。
【００６８】
また、本願発明者は、上記誤差が、ペン位置セル及び外乱セルの両方が含まれる同一のＸセグメント上又は同一のＹセグメント上におけるペン位置セルのセル単位の位置である絶対セル位置（セグメント全体のうち何番目のセルか）と、当該Ｘセグメント上又は当該Ｙセグメント上におけるペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係（セグメント上のペン位置セルの位置を境として外乱セルがどちら側に位置するか）とに相関することも知見した。
【００６９】
さらに、本願発明者は、ペン位置セルに対して複数の外乱セルが存在する場合、各外乱セルの存在がペン位置のＸ座標又はＹ座標の検出に与える誤差の影響が、それぞれ線形的な関係にあることも知見した。
【００７０】
ここで、まず、ペン位置セルに対して外乱セルが存在しない押圧セルの配置、例えば、上記図９に示す押圧セルの配置におけるセル（５，１６）、セル（５，１７）、セル（５，１８）、及びセル（５，１９）が押圧されていない図１７に示す押圧セルの配置で、上記位置検出処理により、対象押圧点のＹ座標を検出する場合を考える。
【００７１】
この場合、図１７に示すように、上記図７（ｂ）で説明した回路構成により、ペン位置セル（５，４）に対応するＹセグメントＭｙ５における対象押圧点による分圧電位が検出される。具体的には、ペン位置セル（５，４）に対応するＹセグメントＭｙ５の上側のＹ電極Ｔｙ５−１がＨｉｇｈ接続されると共に、下側のＹ電極Ｔｙ５−２がＧＮＤ接続される。これにより、ＹセグメントＭｙ５全体に電流が流れる。そして、ペン位置セル（５，４）に対応するＸセグメントＭｘ４の右側のＸ電極Ｔｘ４−２が、Ａ／Ｄコンバータへ、ＹセグメントＭｙ５全体の抵抗値ＲＹに対する、ＹセグメントＭｙ５の対象押圧点からＹ電極Ｔｙ５−１までの区間分の抵抗値Ｒａの比（Ｒａ／ＲＹ）に相当する、ＹセグメントＭｙ５における対象押圧点による分圧比Ｃｙ、での電位である分圧電位を入力する。これにより、その入力された分圧電位に基づいて、対象押圧点のＹ座標が正確に検出される。
【００７２】
次に、ペン位置セルに対して少なくとも１つの外乱セルが存在する押圧セルの配置、例えば、上記図１７に示す押圧セルの配置におけるセル（５，１５）及びセル（５，１６）が押圧されている図１８に示す押圧セルの配置で、上記位置検出処理により、対象押圧点のＹ座標を検出する場合を考える。
【００７３】
この場合、図１８に示すように、上記図１７と同様にして、ペン位置セル（５，４）に対応するＹセグメントＭｙ５における対象押圧点による分圧電位が検出されるが、ペン位置セル（５，４）に対して外乱セル（５，１５）及び外乱セル（５，１６）が存在するので、ＹセグメントＭｙ５全体の抵抗値ＲＹが、外乱セルが存在しない場合に比べて減少する。この結果、ＹセグメントＭｙ５における対象押圧点による分圧比Ｃｙが、外乱セルが存在しない場合に比べて大きくなり、ペン位置セル（５，４）に対応するＸセグメントＭｘ４の右側のＸ電極Ｔｘ４−２がＡ／Ｄコンバータへ入力する、ＹセグメントＭｙ５における対象押圧点による分圧電位が、外乱セルが存在しない場合に比べて大きくなる。この結果、図１９に示すように、対象押圧点のＹ座標が実際のＹ座標よりも下側にズレて検出される。
【００７４】
そこで本実施形態では、上記ペン位置セル特定処理によりペン位置セルが特定された後に、外乱セル取得処理を実行し、上記押圧セル特定処理により特定された押圧セルのうちから、ペン位置セルに対する少なくとも１つの外乱セルを検出（取得）する。その後、位置情報補正処理を実行し、上記外乱セル取得処理により検出された外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔと、上記ペン位置セルの絶対セル位置と、上記ペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係とに基づき、外乱セルが与える上記位置検出処理での対象押圧点のＸ座標又はＹ座標の検出における誤差を補正できる補正量、つまり上記位置検出処理で取得された対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求めて、対象押圧点のＸ座標又はＹ座標を補正する。以下、この位置情報補正処理について詳しく説明する。
【００７５】
＜位置情報補正処理について＞
位置情報補正処理では、詳細には、接触抵抗値算出処理、補正量算出処理、及び補正処理の３つの処理を順に実行する。
【００７６】
まず、接触抵抗値算出処理で、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出する。外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出する場合には、例えば、図２０（ａ）に示す回路構成が用いられる。この図２０（ａ）において、算出対象の外乱セル（ｉ，ｊ）に対応するＹセグメントＭｙｉは、駆動回路２０９の切り替え制御により、上側（原点Ｏに近い側）のＹ電極Ｔｙｉ−１が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されてＹ電極側電圧Ｚ１（ＧＮＤとの間の電位差に相当）を入力し、下側（原点Ｏから遠い側）のＹ電極Ｔｙｉ−２がＨｉｇｈ接続されている。また、算出対象の外乱セル（ｉ，ｊ）に対応するＸセグメントＭｘｊは、駆動回路２０９の切り替え制御により、左側（原点Ｏに近い側）のＸ電極Ｔｘｊ−１がＧＮＤ接続され、右側（原点Ｏから遠い側）のＸ電極Ｔｘｊ−２が駆動回路２０９内の上記Ａ／Ｄコンバータに接続されてＸ電極側電圧Ｚ２（ＧＮＤとの間の電位差に相当）を入力する。
【００７７】
上記図２０（ａ）の回路構成を側面から見ると、図２０（ｂ）の等価回路で示すことができる。この図２０（ｂ）において、主に電流が通過する経路は、Ｙ電極Ｔｙｉ−２→ＹセグメントＭｙｉ→外乱セル（ｉ，ｊ）における接触抵抗→ＸセグメントＭｘｊ→Ｘ電極Ｔｘｊ−１である（図中の破線枠参照）。すなわち、上記電圧Ｚ１は、電流通過方向での外乱セル（ｉ，ｊ）における接触抵抗の上流側直前点での電位に相当し、上記電圧Ｚ２は、電流通過方向での外乱セル（ｉ，ｊ）における接触抵抗の下流側直後点での電位に相当する。なお、上述したように電位入力されるＡ／Ｄコンバータの内部抵抗が十分高いために、上記電流通過経路以外でのＹセグメントＭｙｉ及びＸセグメントＭｘｊの抵抗成分は無視できる。したがって、ＸセグメントＭｘｊの外乱押圧点からＸ電極Ｔｘｊ−１までの区間分の抵抗値Ｒｘが分かれば、外乱セル（ｉ，ｊ）における接触抵抗値Ｒｔを以下の式により導ける。
Ｒｔ＝Ｒｘ×（Ｚ１／Ｚ２−１）  ・・・（式１）
【００７８】
本実施形態では、処理の迅速化の観点から、各Ｘセグメントの各位置に対応した抵抗値Ｒｘの相関が予め記録されているＲｘテーブル（図示せず）を用いて、ＸセグメントＭｘｊの外乱押圧点からＸ電極Ｔｘｊ−１までの区間分の抵抗値Ｒｘを求める。そして、上記図２０（ａ）の回路構成により検出した電圧Ｚ１，Ｚ２と、上記Ｒｘテーブルから求めた抵抗値Ｒｘとを、上記（式１）に代入することにより、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出することができる。
【００７９】
次に、補正量算出処理で、上記接触抵抗値算出処理で算出した外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔと、例えば上記ペン位置セル特定処理の処理結果を参照して求めた上記ペン位置セルの絶対セル位置と、例えば上記ペン位置セル特定処理の処理結果と上記外乱セル取得処理の取得結果とを参照して求めた上記ペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係とに基づき、対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求める。なお、上記外乱セル取得処理において複数の外乱セルが検出された場合には、この補正量算出処理では、複数の外乱セルのそれぞれについて対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求め、その求めた複数の外乱セルのそれぞれに対応した補正量を累積して（足し合わせて）、累積補正量を算出する。
【００８０】
本実施形態では、処理の迅速化の観点から、上記ＲＯＭ２０２の補正量テーブル記憶領域２０２４に記憶された、接触抵抗値Ｒｔとペン位置セルの絶対セル位置とに対応したＸ座標又はＹ座標への補正量の相関が予め記録されている補正量テーブル（例えば後述の図２１参照）を用いて、対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求める。なお、後述の図２１に示す補正量テーブル内の値は、タッチパネル２５のＸ方向及びＹ方向の分解能が４０９６ドット（１２ビット）であり、かつＹセグメントが１２個設けられＸセグメントが２０個設けられた場合、つまり１セルのＸ方向の分解能が３４１ドットでありＹ方向の分解能が２０４ドットである場合を想定したものの一例である。
【００８１】
また、補正量テーブルは、ペン位置セルの絶対セル位置の項目が、Ｘセグメント上の絶対セル位置を表すものと、Ｙセグメント上の絶対セル位置を表すものとで別々に用意されている。さらに、ペン位置セルの絶対セル位置の項目がＸセグメント上の絶対セル位置を表す補正量テーブルは、Ｘセグメント上のペン位置セルの位置を境として外乱セルが左側に位置する場合のものと、右側に位置する場合のものとで別々に用意され、ペン位置セルの絶対セル位置の項目がＹセグメント上の絶対セル位置を表す補正量テーブルは、Ｙセグメント上のペン位置セルの位置を境として外乱セルが上側に位置する場合のものと、下側に位置する場合のものとで別々に用意されている。
【００８２】
例えば、ペン位置セル（５，３）に対して、同一のＹセグメントＭｙ５上における当該ペン位置セル（５，３）を境として下側に１つの外乱セルが存在し、上記のようにして算出した当該外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが１００Ωであった場合を考える。この場合、図２１に示す、ペン位置セルの絶対セル位置の項目がＸセグメント上の絶対セル位置を表し、かつＹセグメント上のペン位置セルの位置を境として外乱セルが下側に位置する場合の補正量テーブルから、対象押圧点のＹ座標への補正量＝７．２８ドットが求められる。この場合、次の補正処理では、この補正量＝７．２８ドットを用いて、対象押圧点のＹ座標を補正する。
【００８３】
また例えば、ペン位置セル（５，１０）に対して、同一のＹセグメントＭｙ５上における当該ペン位置セル（５，１０）を境として下側に１つの外乱セルが存在し、上記のようにして算出した当該外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが１００Ωであった場合を考える。この場合、上記図２１に示す補正量テーブルから、対象押圧点のＹ座標への補正量＝１８．８ドットが求められる。この場合、次の補正処理では、この補正量＝１８．８ドットを用いて、対象押圧点のＹ座標を補正する。
【００８４】
一方、例えば、ペン位置セル（５，１０）に対して、同一のＹセグメントＭｙ５上における当該ペン位置セル（５，１０）を境として下側に２つの外乱セルが存在し、上記のようにして算出した一方の外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが１００Ωであり他方の外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔが１１０であった場合を考える。この場合、上記図２１に示す補正量テーブルから、一方の外乱セルに対応した対象押圧点のＹ座標への補正量＝１８．８ドットが求められ、他方の外乱セルに対応した対象押圧点のＹ座標への補正量＝１７．７ドットが求められる。そして、一方の外乱セルに対応した補正量＝１８．８ドットと他方の外乱セルに対応した補正量＝１７．７ドットとを足し合わせて、累積補正量＝３６．５ドットが算出される。この場合、次の補正処理では、この累積補正量＝３６．５ドットを用いて、対象押圧点のＹ座標を補正する。
【００８５】
＜制御フロー＞
上記の手法を実現するために、電子筆記装置２のＣＰＵ２０１がＲＯＭ２０２に記憶された接触検出処理プログラムに基づき実行する接触検出処理方法の概略的な制御手順を、図２２により説明する。図２２において、このフローに示す処理は、例えば、電子筆記装置２の電源がオンされることを契機に開始される。
【００８６】
まず、ステップＳ５において、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ａ）で説明した回路構成の拡張型により、所定のＹセグメントにおける各Ｘセグメントとの接触導通の有無を検出する一次領域検出処理を実行する。なお、この一次領域検出処理を実行するステップＳ５が、各請求項記載の一次領域検出手順に相当すると共に、一次領域検出手段として機能する。
【００８７】
その後、ステップＳ１０に移り、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ｂ）で説明した回路構成の拡張型により、上記一次領域検出処理で特定されたＹセグメントに対する所定のＸセグメントの接触導通の有無を検出する二次領域検出処理を実行する。なお、この二次領域検出処理を実行するステップＳ１０が、各請求項記載の二次領域検出手順に相当すると共に、二次領域検出手段として機能する。
【００８８】
そして、ステップＳ１５で、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ１０で略矩形領域を検出し特定できたか否かを判定する。略矩形領域が特定されなかった場合には、ステップＳ１５の判定は満たされず、上記ステップＳ５に戻り同様の手順を繰り返す。一方、略矩形領域が特定された場合には、ステップＳ１５の判定が満たされて、ステップＳ２０に移る。
【００８９】
ステップＳ２０では、ＣＰＵ２０１は、上記図６（ａ）及び図６（ｂ）のいずれの回路構成を用いて、上記ステップＳ１０で特定された略矩形領域に含まれる全てのセルに対し順次トレースすることにより、実際に押圧されている押圧セルを検出し特定する導通検出処理を実行する。なお、この導通検出処理を実行するステップＳ２０が、各請求項記載の導通検出手順に相当すると共に、導通検出手段として機能する。
【００９０】
その後、ステップＳ２５に移り、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ２０で特定された押圧セルのうちから、配置の分布やバラツキ等に基づいて特にペン先により押圧されていると推定されるペン位置セルを特定するペン位置セル特定処理を実行する。
【００９１】
そして、ステップＳ３０で、ＣＰＵ２０１は、Ｘ方向とＹ方向とでそれぞれ個別に、上記ステップＳ２５で特定されたペン位置セル内の対象押圧点のＸ−Ｙ座標を検出し取得する位置検出処理を実行する。なお、この位置検出処理を実行するステップＳ３０が、各請求項記載の位置検出手順に相当すると共に、位置検出手段として機能する。
【００９２】
その後、ステップＳ３５に移り、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ２０で特定された押圧セルのうちから、上記ステップＳ２５で特定されたペン位置セルに対する少なくとも１つの外乱セルを検出する外乱セル取得処理を実行する。なお、この外乱セル取得処理を実行するステップＳ３５が、各請求項記載の外乱導通格子領域取得手順に相当すると共に、外乱導通格子領域取得手段として機能する。
【００９３】
そして、ステップＳ４０で、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ３５で外乱セルを検出できたか否かを判定する。外乱セルが検出されなかった場合には、ステップＳ４０の判定は満たされず、上記ステップＳ３０で取得された対象押圧点のＸ−Ｙ座標を補正せずに、上記ステップＳ５に戻り同様の手順を繰り返す。一方、外乱セルが検出された場合には、ステップＳ４０の判定が満たされて、ステップＳ４５に移る。
【００９４】
ステップＳ４５では、ＣＰＵ２０１は、上記図２０（ａ）に示す回路構成、上記Ｒｘテーブル、及び上記（式１）を用いて、上記ステップＳ３５で検出された外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出する接触抵抗値算出処理を実行する。
【００９５】
その後、ステップＳ５０に移り、ＣＰＵ２０１は、ＲＯＭ２０２の補正量テーブル記憶領域２０２４に記憶された補正量テーブルのうち、例えば上記ステップＳ２５の処理結果を参照して求めたペン位置セルの絶対セル位置と、例えば上記ステップＳ２５の処理結果と上記ステップＳ３５の取得結果とを参照して求めたペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係とに対応する補正量テーブルを参照して、上記ステップＳ４５で算出された外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔと、上記ペン位置セルの絶対セル位置とに対応した、上記ステップＳ３０で取得された対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求める補正量算出処理を実行する。なお、上記ステップＳ３５で複数の外乱セルが検出された場合には、このステップＳ５０では、複数の外乱セルのそれぞれについて対象押圧点のＸ座標又はＹ座標への補正量を求め、その求めた複数の外乱セルのそれぞれに対応した補正量を累積して（足し合わせて）、累積補正量を算出する。
【００９６】
そして、ステップＳ５５で、ＣＰＵ２０１は、上記ステップＳ５０で求めた補正量又は累積補正量を用いて、上記ステップＳ３０で取得された対象押圧点のＸ座標又はＹ座標を補正する補正処理を実行する。その後、上記ステップＳ５に戻り同様の手順を繰り返す。なお、上記補正量算出処理を実行するステップＳ５０と、この補正処理を実行するステップＳ５５とが、各請求項記載の位置情報補正手順に相当すると共に、位置情報補正手段として機能する。また、このフローに示す処理は、例えば、電子筆記装置２の電源がオフされることを契機に終了される。
【００９７】
以上説明したように、本実施形態においては、Ｘ−Ｙ座標の取得対象の押圧セルをペン位置セルとし、外乱セル取得処理で、当該ペン位置セルと同一のＸセグメント上又はＹセグメント上の他の押圧セルを外乱セルとして検出し、位置情報補正処理で、当該外乱セルが与える上述の誤差を算出してその分だけペン位置セル内の対象押圧点のＸ座標又はＹ座標を補正する。具体的には、位置情報補正処理では、上述の誤差に相関する外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔ、ペン位置セルの絶対セル位置、及び、ペン位置セルと外乱セルとの前後配置関係に基づいて、ペン位置セル内の対象押圧点のＸ座標又はＹ座標を補正する。この結果、取得対象の押圧セルのＸ−Ｙ座標を取得する際の精度を向上できる。
【００９８】
また、本実施形態では特に、位置情報補正処理で、各外乱セルごとに算出した上述の誤差を累積することで、そのままペン位置セルのＸ座標又はＹ座標を直接的に補正できる補正量が得られ、ペン位置セルのＸ−Ｙ座標の取得精度を向上できる。
【００９９】
また、本実施形態では特に、ＲＯＭ２０２の補正量テーブル記憶領域２０２４に、接触抵抗値Ｒｔとペン位置セルの絶対セル位置とに対応したＸ座標又はＹ座標への補正量の相関が記憶されている。そして、位置情報補正処理で、このＲＯＭ２０２の補正量テーブル記憶領域２０２４に記憶された相関を参照して、ペン位置セルのＸ座標又はＹ座標の補正を行う。これにより、位置情報補正処理では、２つのパラメータ（接触抵抗値Ｒｔとペン位置セルの絶対セル位置）に基づいて、電子筆記装置２の製造固体による特性のバラツキをも反映させた正確な補正量を迅速に求めることができ、ペン位置セルのＸ−Ｙ座標の取得精度及び取得速度を向上できる。
【０１００】
また、本実施形態では特に、位置検出処理では、ペン位置セル内の対象押圧点のＹ座標を検出する場合には、ペン位置セルに対応する上側のＹ電極に対し＋３Ｖの電圧を印加することにより、上側のＹ電極によりＹセグメントに生じる電位勾配に基づいて検出し、ペン位置セル内の対象押圧点のＸ座標を検出する場合には、ペン位置セルに対応する左側のＸ電極に対し＋３Ｖの電圧を印加することにより、左側のＸ電極によりＸセグメントに生じる電位勾配に基づいて検出する。これにより、電子筆記装置２の構成に対応したペン位置セル内の対象押圧点のＸ−Ｙ座標の検出を簡易かつ高い精度で行える。
【０１０１】
なお、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、その趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で種々の変形が可能である。
【０１０２】
すなわち、上記実施形態においては、算出対象の外乱セルに対応するＸセグメントの外乱押圧点から左側（ＧＮＤ接続側）のＸ電極までの区間分の抵抗値Ｒｘを、各Ｘセグメントの各位置に対応した抵抗値Ｒｘの相関が予め記録されているＲｘテーブルを用いて求めて、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出したが、本発明はこれに限られない。例えば、算出対象の外乱セルに対応するＹセグメントの外乱押圧点から上側（ＧＮＤ接続側）のＹ電極までの区間分の抵抗値Ｒｙを、各Ｙセグメントの各位置に対応した抵抗値Ｒｙの相関が予め記録されているＲｙテーブル（図示せず）を用いて求めて、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを算出することも可能である。
【０１０３】
他にも、算出対象の外乱セルに対応するＹセグメント全体の抵抗値ＲＹと、当該Ｙセグメントにおける外乱押圧点による分圧比Ｃｙ（つまり、外乱押圧点のＹ座標に対する当該Ｙセグメントの全長の比）が既知であるとき、Ｒｙ＝ＲＹ×Ｃｙであるから、当該Ｙセグメントの上側のＹ電極に対し＋３Ｖの電圧を印加したときのＹ電極側電圧Ｚ１とＸ電極側電圧Ｚ２との比と、当該Ｙセグメント全体の抵抗値ＲＹと、当該Ｙセグメントにおける外乱押圧点による分圧比Ｃｙとを用いて、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを以下の式により導ける。
Ｒｔ＝ＲＹ×Ｃｙ×（Ｚ１／Ｚ２−１）  ・・・（式２）
この場合、電子筆記装置２の構成に対応した外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔの検出を簡易かつ高い精度で行える。
【０１０４】
あるいは、算出対象の外乱セルに対応するＸセグメント全体の抵抗値ＲＸと、当該Ｘセグメントにおける外乱押圧点による分圧比Ｃｘ（つまり、外乱押圧点のＸ座標に対する当該Ｘセグメントの全長の比）が既知であるとき、Ｒｘ＝ＲＸ×Ｃｘであるから、当該Ｘセグメントの左側のＸ電極に対し＋３Ｖの電圧を印加したときのＸ電極側電圧Ｚ３とＹ電極側電圧Ｚ４との比と、当該Ｘセグメント全体の抵抗値ＲＸと、当該Ｘセグメントにおける外乱押圧点による分圧比Ｃｘとを用いて、外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔを以下の式により導くことも可能である。
Ｒｔ＝ＲＸ×Ｃｘ×（Ｚ３／Ｚ４−１）  ・・・（式３）
この場合も、電子筆記装置２の構成に対応した外乱セルにおける接触抵抗値Ｒｔの検出を簡易かつ高い精度で行える。
【０１０５】
なお、以上では、操作者から見た左右方向をＸ方向、上下方向をＹ方向としたが、これに限らずに逆の関係でもよい。
【０１０６】
また、図３、図６、図７、図１０、図１１、図１３、図１５、図１７、図１８、及び図２０中に示す矢印は、信号の流れの一例を示すものであり、信号の流れ方向を限定するものではない。
【０１０７】
また、図２２に示すフローチャートは、本発明を図示する手順に限定するものではなく、発明の趣旨及び技術的思想を逸脱しない範囲内で手順の追加・削除又は順番の変更等をしてもよい。
【０１０８】
また、以上既に述べた以外にも、上記実施形態等による手法を適宜組み合わせて利用してもよい。
【０１０９】
その他、一々例示はしないが、本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更が加えられて実施されるものである。
【符号の説明】
【０１１０】
２                      電子筆記装置（タッチパネル装置）
２０１                  ＣＰＵ
２０２                  ＲＯＭ（記憶手段）
２０９                  駆動回路
３０２                  ガラス（第２基材）
３０３                  フィルム（第１基材）
Ｍｘ１〜Ｍｘｎ          Ｘセグメント（第２導電膜領域）
Ｍｘｊ                  Ｘセグメント（第２導電膜領域）
Ｍｙ１〜Ｍｙｍ          Ｙセグメント（第１導電膜領域）
Ｍｙｉ                  Ｙセグメント（第１導電膜領域）
Ｔｘ１−１〜Ｔｘｎ−１  Ｘ電極（第２電極）
Ｔｘｊ−１              Ｘ電極（第２電極）
Ｔｘ１−２〜Ｔｘｎ−２  Ｘ電極（第２電極）
Ｔｘｊ−２              Ｘ電極（第２電極）
Ｔｙ１−１〜Ｔｙｍ−１  Ｙ電極（第１電極）
Ｔｙｉ−１              Ｙ電極（第１電極）
Ｔｙ１−２〜Ｔｙｍ−２  Ｙ電極（第１電極）
Ｔｙｉ−２              Ｙ電極（第１電極）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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