(57)【要約】  【課題】キャリア電子の移動度が高く、ヘイズ率が高く、特に赤外領域の波長域のヘイズ率が高く、かつ、シートキャリア電子密度が低いため、近赤外領域の光線吸収が少ない透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法の提供。  【解決手段】基体上に透明導電性酸化物膜が設けられた透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法であって、前記基体は、透明導電性酸化物膜の成膜面に、反応性イオンエッチングにより凹凸が形成されたガラス基板であり、前記成膜面の二乗平均粗さ（ＲＭＳ）が１００〜４００ｎｍであり、前記成膜面における前記凹凸のピッチが５００〜３０００ｎｍであり、前記成膜面における前記凹凸の最大高低差（Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ）が５００〜２０００ｎｍであり、前記透明導電性酸化物膜が、フッ素がドープされていない酸化スズ膜からなり、基体上に形成される第１層と、フッ素がドープされた酸化スズ膜からなり、該第１層上に形成される第２層と、を少なくとも含み、前記第１層および第２層は、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で形成され、前記第１層の膜厚が２０００ｎｍ以上であり、前記第２層の膜厚が１００ｎｍ以上であり、前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされていない酸化スズ膜の合計膜厚が２０００〜４０００ｎｍであり、前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされた酸化スズ膜の合計膜厚が１００〜６００ｎｍであることを特徴とする透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に透明導電性酸化物膜が設けられた透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法であって、
前記基体は、透明導電性酸化物膜の成膜面に、反応性イオンエッチング処理により凹凸が形成されたガラス基板であり、
前記成膜面の二乗平均粗さ（ＲＭＳ）が１００〜４００ｎｍであり、
前記成膜面における前記凹凸のピッチが５００〜３０００ｎｍであり、
前記成膜面における前記凹凸の最大高低差（Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ）が５００〜２０００ｎｍであり、
前記透明導電性酸化物膜が、フッ素がドープされていない酸化スズ膜からなり、基体上に形成される第１層と、フッ素がドープされた酸化スズ膜からなり、該第１層上に形成される第２層と、を少なくとも含み、
前記第１層および第２層は、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で形成され、
前記第１層の膜厚が２０００ｎｍ以上であり、前記第２層の膜厚が１００ｎｍ以上であり、
前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされていない酸化スズ膜の合計膜厚が２０００〜４０００ｎｍであり、
前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされた酸化スズ膜の合計膜厚が１００〜６００ｎｍであることを特徴とする透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項２】
ＣＶＤ法による前記第１層の形成時における基体温度が、３００〜４００℃である、請求項１に記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項３】
ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における基体温度が、３００〜４００℃である、請求項１または２に記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項４】
ＣＶＤ法による前記第１層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対する水の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００である、請求項１〜３のいずれかに記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項５】
ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対する水の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００である、請求項１〜４のいずれかに記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項６】
ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対するフッ化水素の量が流量比（ＨＦ／ＳｎＣｌ4）で４〜１６である、請求項１〜５のいずれかに記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法により製造される透明導電性酸化物膜付き基体。
【請求項８】
キャリア電子の移動度が５０（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上であり、シートキャリア電子密度が１．０×１０16（個／ｃｍ2）以下であり、波長１０００ｎｍのヘイズ率が６０％以上である、請求項７に記載の透明導電性酸化物膜付き基体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法に関する。具体的には、キャリア電子の移動度が高く、近赤外領域（波長８００〜２０００ｎｍ）の光線吸収が少なく、かつ、ヘイズ率が高い透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法に関する。本発明の方法により得られる透明導電性酸化物膜付き基体は、薄膜系太陽電池のような光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子である薄膜系太陽電池には、発電層の種類により、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系、多結晶シリコン系などがあるが、これらの薄膜シリコン系太陽電池には、その入射光側電極として透明導電性酸化物膜が使用されている。この透明導電性酸化物膜は、光電変換効率を高めるために低抵抗・高透明であり、かつ、光散乱性能が大きいことが要求されている。
【０００３】
透明導電性酸化物膜としては酸化スズ膜や酸化インジウム膜などが知られている。中でも酸化スズ膜は化学的に安定な材料であり、また低価格であることから、光電変換素子の入射光側電極として用いられる透明導電性酸化物膜として有用であり、特に、ドーパントとしてフッ素を含有するフッ素ドープ酸化スズ膜は、膜の光線吸収が少なく高透明であることから好ましい。
【０００４】
一般に、透明導電性酸化物膜では低抵抗、高透明であることが要求されるが、導電性を左右するキャリア電子密度を高くするにつれて近赤外から可視光域で徐々に光吸収が増加するという矛盾する側面をもっているため、低抵抗、高透明を両立させることは極めて困難である。しかし、光電変換素子の入射光側電極として用いられる透明導電性酸化物膜においては導電性をできるだけ高く維持したまま透明化を図ることが重要であるとされている。
フッ素ドープ酸化スズ膜は比抵抗が１０-4Ω・ｃｍ台まで到達し、導電性の高い膜が比較的容易に得られる反面、逆に透過率の高い膜は得にくい傾向があった。これはフッ素ドープ酸化スズ膜ではキャリア電子密度を比較的容易に増大することが低抵抗化を可能にしているのであるが、キャリア電子の増加は光学吸収を招くため透過率は低下してしまうためである。
【０００５】
フッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法としては、膜厚の制御のしやすさや被覆性の良さなどからＣＶＤ法が好ましく用いられる（特許文献１参照）。
特許文献１に記載されているように、フッ素ドープ酸化スズ膜の形成には、従来常圧ＣＶＤ法が用いられていた。
これに対し、１０ｋＰａ以下の圧力下にてＣＶＤ法を実施する減圧ＣＶＤ法を用いた場合、より不純物が少ないフッ素ドープ酸化スズ膜を形成することができることから、キャリア電子の移動度が高いフッ素ドープ酸化スズ膜を得ることができると考えられる。
非特許文献１では、減圧ＣＶＤ法を用いて形成したフッ素ドープ酸化スズ膜で７５．８ｃｍ2／Ｖ・ｓの移動度を達成している。
【０００６】
フッ素ドープ酸化スズ膜における別の問題点として、ヘイズ率を高めることが困難であることが挙げられる。特に、可視光線から近赤外域までのヘイズ率を高めることが望まれている。
薄膜系太陽電池における光電変換効率を高くするための一つの手段として、薄膜系太陽電池の入射光側電極として用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜に流れる電流を大きくすることが挙げられる。そのためには、ヘイズ率を高くすることが知られており、例えば、フッ素がドープされていない酸化スズ膜の上に、フッ素がドープされた酸化スズ膜が積層された積層膜とすることにより、該フッ素がドープされた酸化スズ膜の表面に凹凸を設ける方法が知られている（特許文献２参照。）。特許文献２では、積層膜の膜厚を６００〜１２００ｎｍとすることが好ましいとされている。
【０００７】
また、薄膜太陽電池において、太陽電池用基板上に形成される半導体薄膜の表面に凹凸を設ける方法として、サンドブラスト法等により、該半導体薄膜を形成する基板表面に凹凸を形成する方法がある（特許文献３参照）。特許文献３の実施例では、ガラス基板の表面にサンドブラスト法によって凹凸を形成している。そして、表面に凹凸が形成されたガラス基板上に透明導電膜を形成することで、表面に凹凸を有する透明導電膜を形成している。この方法において、透明導電膜を特許文献２に記載の積層膜とした場合、ガラス基板上に形成されるフッ素がドープされていない酸化スズ膜の表面に凹凸が形成され、さらに、該酸化スズ膜上に形成されるフッ素がドープされた酸化スズ膜の表面凹凸を設けることができる。特許文献３では、ガラス基板の表面に凹凸を形成する手段として、サンドブラスト法を用いているが、微細な凹凸を形成可能な他の方法を用いることもできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平２−１６８５０７号公報
【特許文献２】再表２００７／０５８１１８号公報
【特許文献３】特許第２５０４３７８号明細書
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】第三回革新的太陽光発電国際シンポジウム発表資料、“Full spectrum TCO -Improving mobility of SnO2:F by LP-CVD-”Masanobu Isshiki, Junich Okubo, Toru Ikeda and Satoru Takaki, ASAHI GLASS CO., LTD.”２０１０年１０月７日〜８日、開催場所：東工大蔵前会館（Tokyo Tech Front）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
可視光線から近赤外域まで広い波長域でヘイズ率を高めるためには、フッ素ドープ酸化スズ膜表面により大きな凹凸を形成することが必要である。特許文献３の方法を適用する場合、ガラス基板の表面により大きな凹凸を形成する必要がある。しかし、ガラス基板の表面により大きな凹凸を形成すると、その上に形成したフッ素ドープ酸化スズ膜のキャリア電子の移動度が低下するという問題が起きた。
また、特許文献２に記載の積層膜の場合、フッ素ドープ酸化スズ膜表面により大きな凹凸を形成するには、積層膜の膜厚を大きくする必要があるが、積層膜の膜厚を大きくすると、該積層膜での光線の吸収により、光線透過率が低下する問題が起きた。
【００１１】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、キャリア電子の移動度が高く、ヘイズ率が高く、特に赤外領域の波長域のヘイズ率が高く、かつ、シートキャリア電子密度が低いため、近赤外領域の光線吸収が少ない透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の方法により製造される透明導電性酸化物膜付き基体は、キャリア電子の移動度が５０（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上であり、波長１０００ｎｍでのヘイズ率が６０％以上であり、シートキャリア電子密度が１．０×１０16（個／ｃｍ2）以下であることが好ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願発明者らは、透明導電性酸化物膜として、フッ素がドープされていない酸化スズ膜と、フッ素がドープされた酸化スズ膜と、の積層膜を、それらの膜厚が所定の条件を満たすように、減圧ＣＶＤ法を用いて形成することで、表面に凹凸が形成されたガラス基板上に形成される透明導電性酸化物膜の膜厚を厚くした場合でも、シートキャリア電子密度の増加が抑制されることを見出した。
【００１３】
本発明は、上記の知見に基づいてなされたものであり、基体上に透明導電性酸化物膜が設けられた透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法であって、
前記基体は、透明導電性酸化物膜の成膜面に、反応性イオンエッチング処理により凹凸が形成されたガラス基板であり、
前記成膜面の二乗平均粗さ（ＲＭＳ）が１００〜４００ｎｍであり、
前記成膜面における前記凹凸のピッチが５００〜３０００ｎｍであり、
前記成膜面における前記凹凸の最大高低差（Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ）が５００〜２０００ｎｍであり、
前記透明導電性酸化物膜が、フッ素がドープされていない酸化スズ膜からなり、基体上に形成される第１層と、フッ素がドープされた酸化スズ膜からなり、該第１層上に形成される第２層と、を少なくとも含み
前記第１層および第２層は、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で形成され、
前記第１層の膜厚が２０００ｎｍ以上であり、前記第２層の膜厚が１００ｎｍ以上であり、
前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされていない酸化スズ膜の合計膜厚が２０００〜４０００ｎｍであり、
前記透明導電性酸化物膜に含まれる、フッ素がドープされた酸化スズ膜の合計膜厚が１００〜６００ｎｍであることを特徴とする透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法を提供する。
【００１４】
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法において、ＣＶＤ法による前記第１層の形成時における基体温度が、３００〜４００℃であることが好ましい。
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法において、ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における基体温度が、３００〜４００℃であることが好ましい。
【００１５】
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法において、ＣＶＤ法による前記第１層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対する水の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００であることが好ましい。
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法において、ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対する水の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００であることが好ましい。
【００１６】
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法において、ＣＶＤ法による前記第２層の形成時における原料ガス中の四塩化スズに対するフッ化水素の量が流量比（ＨＦ／ＳｎＣｌ4）で４〜１６であることが好ましい。
【００１７】
また、本発明は、本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法により製造される透明導電性酸化物膜付き基体を提供する。
【００１８】
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体は、キャリア電子の移動度が５０（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上であり、シートキャリア電子密度が１．０×１０16（個／ｃｍ2）以下であり、波長１０００ｎｍのヘイズ率が６０％以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の方法では、ＲＩＥ処理により所定の高さかつピッチの凹凸が形成されたガラス基板上、透明導電性酸化物膜として、フッ素がドープされていない酸化スズ膜と、フッ素がドープされた酸化スズ膜と、の積層膜を、それらの膜厚が所定の条件を満たすように、減圧ＣＶＤ法を用いて形成することで、キャリア電子の移動度が高く、シートキャリア電子密度が低く、かつ、ヘイズ率が高く、特に赤外領域の波長域のヘイズ率が高い透明導電性酸化物膜付き基体が得られる。具体的には、キャリア電子の移動度が５０（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上であり、シートキャリア電子密度が１．０×１０16（個／ｃｍ2）以下であり、波長１０００ｎｍのヘイズ率が６０％以上での透明導電性酸化物膜付き基体が得られる。
本発明の方法により得られる透明導電性酸化物膜付き基体は、シートキャリア電子密度が低いため、可視光から近赤外の波長域の光線吸収が少なく、特に、近赤外領域の波長域の光線吸収がフッ素ドープ酸化スズ膜を用いた従来の透明導電性酸化物膜付き基体で比べて少ない。また、透明導電性酸化物膜の膜厚を大きくできるため、Ｃ光源ヘイズ率が高く、特に、近赤外領域の波長域のヘイズ率が向上する。近赤外領域の波長域におけるこれらの光学特性により、アモルファスシリコンによる光電変換層と、微結晶シリコンによる光電変換層とを積層した、いわゆるタンデム型の太陽電池の入射光側電極として使用した場合に、光線の利用効率が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成されるフッ素ドープ酸化スズ膜について、フッ素ドープ酸化スズ膜のシートキャリア電子密度（個／ｃｍ2）と、５００ｎｍ、１０００ｎｍ、１５００ｎｍおよび２０００ｎｍの各波長ごとの光線吸収率（％）と、の関係を示したグラフである。
【図２】図２は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成される透明導電性酸化物膜について、膜厚（ｎｍ）と、キャリア電子の移動度（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）と、の関係を示したグラフである。なお、透明導電性酸化物膜としては、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜の場合と、積層膜（ＳｎＯ2膜とフッ素ドープＳｎＯ2膜との積層膜）と、を示した。また、これらについて、ＲＩＥ処理有り無し両方のガラス基板の場合を示した。
【図３】図３は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成される透明導電性酸化物膜について、膜厚（ｎｍ）と、シートキャリア電子密度（個／ｃｍ2）と、の関係を示したグラフである。なお、透明導電性酸化物膜としては、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜の場合と、積層膜（ＳｎＯ2膜とフッ素ドープＳｎＯ2膜との積層膜）と、を示した。また、これらについて、ＲＩＥ処理有り無し両方のガラス基板の場合を示した。
【図４】図４は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成される透明導電性酸化物膜について、膜厚（ｎｍ）と、シート抵抗（Ω／□）と、の関係を示したグラフである。なお、透明導電性酸化物膜としては、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜の場合と、積層膜（ＳｎＯ2膜とフッ素ドープＳｎＯ2膜との積層膜）と、を示した。また、これらについて、ＲＩＥ処理有り無し両方のガラス基板の場合を示した。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法について説明する。
本発明の透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法は、基体上に透明導電性酸化物膜が設けられた透明導電性酸化物膜付き基体の製造方法である。
本発明の製造方法では、透明導電性酸化物膜の成膜面に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理により凹凸が形成されたガラス基板を基体として使用する。成膜面に凹凸が形成された基体を用いることで、該成膜面に形成される透明導電性酸化物膜のヘイズ率が向上する。
【００２２】
ＲＩＥ処理として、反応性イオンエッチング法を実施し、ガラス基板表面に凹凸を形成する。ＲＩＥ処理は、例えば、ＳＡＭＣＯ社製の装置を用い以下の条件で実施すればよい。
ＣＦ4ガス：１５ｓｃｃｍ
圧力：７Ｐａ
Ｐｏｗｅｒ：２００Ｗ
ＲＩＥ処理後、濃塩酸１：水９の体積割合で混合した溶液に一定時間浸し、その後５％フッ化水素（ＨＦ）の水溶液に短時間浸した後に、ガラス基板を洗浄することで、表面に凹凸が形成されたガラス基板を得ることができる。
【００２３】
ＲＩＥ処理するガラス基板としては、無色透明なソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス基板、無アルカリガラス基板、その他の各種ガラスからなる透明ガラス板を用いることができる。
太陽電池のような光電変換素子の入射光側電極として用いる場合、ガラス基板の厚さは０．２〜６．０ｍｍであることが好ましい。この範囲であると、ガラス基板の強度が強く、透過率が高い。また、十分絶縁性で、かつ化学的、物理的耐久性が高いことが望ましい。
また、ガラス基板の形状としては、平面で板状であるのが一般的であるが、必ずしも平面で板状である必要はなく、曲面でも異型状でもよい。
【００２４】
ソーダライムシリケートガラスなどのナトリウムを含有するガラスからなるガラス基板、または低アルカリ含有ガラスからなるガラス基板の場合には、ガラス基板上に形成される透明導電性酸化物膜へのアルカリ成分の拡散を最小限にするために、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウム膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリア層をガラス基板の成膜面に施してもよい。この場合、ガラス基板の成膜面にＲＩＥ処理を施した後、アルカリバリア層を形成する。
また、ガラス基板の表面に、ガラス基板の表面と、その上に設けられる層との屈折率の差異を軽減するための層を設けてもよい。この場合も、ガラス基板の成膜面にＲＩＥ処理を施した後、層を形成する。
【００２５】
本発明において、ＲＩＥ処理後のガラス基板の成膜面には凹凸が形成されており、該成膜面の表面性状は下記を満たす。
成膜面の二乗平均粗さ（ＲＭＳ）：１００〜４００ｎｍ
成膜面における凹凸のピッチ：５００〜３０００ｎｍ
成膜面における凹凸の最大高低差（Ｐｅａｋ  ｔｏ  Ｖａｌｌｅｙ）：５００〜２０００ｎｍ
上記の数値範囲にする理由は次のとおりである。
凹凸のピッチと同程度の波長の光が散乱されやすいことが知られている。薄膜シリコン太陽電池の発電に用いる光は４００〜１５００ｎｍ程度の波長範囲であるので、ピッチが５００〜３０００ｎｍであると、この波長範囲の光を散乱しやすい。
また、凹凸の高低差も光の散乱の程度と関係があると考えられる。凹凸の高低差が大きいほど光が強く散乱されるので、ヘイズ率を高めるためには凹凸の高低差が大きいほうが好ましい。しかしながら、ガラス基板上に形成される透明導電性酸化物膜の膜厚を大きく上回るほど凹凸の高低差が大きくなると、透明導電性酸化物膜の電気特性の劣化や、該透明導電性酸化物膜上に形成される半導体層の膜質劣化が起こる。以上から、凹凸の最大高低差が一定の範囲に収まることが好ましい。
ＲＭＳ値についても、一定の範囲に収まることが好ましい。
【００２６】
本発明の製造方法では、基体上に形成される透明導電性酸化物膜が、フッ素がドープされていない酸化スズ膜（ＳｎＯ2膜）からなり、基体上に形成される第１層と、フッ素がドープされた酸化スズ膜（フッ素ドープＳｎＯ2膜）からなり、該第１層上に形成される第２層と、を少なくとも含む。本発明の透明導電性酸化物膜において、上記の第１層および第２層が基体上に形成された積層膜をなす。なお、上記で第１層と、第２層と、を少なく含むと記載しているのは、第１層および第２層の積層膜上に、さらに、１組以上の積層膜（ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜をこの順に形成された積層膜）を形成する場合があるためである。
【００２７】
本発明の製造方法では、上記第１層としてのＳｎＯ2膜、および、上記第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成にＣＶＤ法を用いる。その理由は、膜厚の制御のしやすさや被覆性の良さなどである。
但し、上記第１層としてのＳｎＯ2膜、および、上記第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成時において、２００Ｐａ以下の圧力下にてＣＶＤ法を用いる。以下、本明細書において、２００Ｐａ以下の圧力下で実施するＣＶＤ法のことを「減圧ＣＶＤ法」という。
ここで、減圧ＣＶＤ法を実施する際の雰囲気圧力は、１００Ｐａ以下であることがより好ましい。
但し、減圧ＣＶＤ法を実施する際の雰囲気圧力が低すぎると、基体表面に到達する膜材料（膜材料の原子の数）が減少してしまうため、成膜レートが低くなり実用的でない。このため、減圧ＣＶＤ法を実施する際の雰囲気圧力は１０Ｐａ以上であることが好ましく、２０Ｐａ以上であることがより好ましく、５０Ｐａ以上であることがさらに好ましい。
【００２８】
本発明では、上記第１層としてのＳｎＯ2膜、および、上記第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成を、２００Ｐａ以下の圧力下でＣＶＤを実施することにより、不純物が少ない、ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜を形成することができる。
【００２９】
特許文献２では、透明導電性酸化物膜を、フッ素がドープされた酸化スズ膜と、フッ素がドープされていない酸化スズ膜と、の積層膜とすることにより、透明導電性酸化物膜の厚さ方向において、ドープするフッ素の量の多い領域と少ない領域とを設け、フッ素量の多い領域において面方向の優れた導電性を担保しつつ、全体としてのフッ素量を減らして近赤外光の吸収量を少なくすることができる。なお、特許文献２の透明導電性酸化物膜は、同文献の図１に示すように、フッ素がドープされていない酸化スズ膜の上に、フッ素がドープされた酸化スズ膜が積層された積層膜として構成されている。
【００３０】
しかしながら、特許文献２では、透明導電性酸化物膜を、フッ素がドープされた酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜）と、フッ素がドープされていない酸化スズ層（ＳｎＯ2膜）と、の積層膜としているが、これらの酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜およびＳｎＯ2膜）の形成に常圧ＣＶＤ法を用いているため、形成される酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜およびＳｎＯ2膜）は不純物が多く含んだものとなる。このため、膜厚を大きくすると、光線吸収により可視光から近赤外の波長域の光線の透過率が低下するので、酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜およびＳｎＯ2膜）の膜厚を大きくすることができず、積層膜の合計膜厚の上限は１２００ｎｍとされている。また、特許文献２では、積層膜における、フッ素がドープされていない酸化スズ層（ＳｎＯ2膜）の厚さと、フッ素がドープされた酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜）の厚さとの比について、３／７〜７／３であるのが好ましい、と記載されているが、透明導電性酸化物膜のシート抵抗を低くするためには、フッ素がドープされていない酸化スズ層（ＳｎＯ2膜）よりも、フッ素がドープされた酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜）の厚さを大きくする必要がある。このため、同文献に記載の実施例では、フッ素がドープされた酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜）のほうが、厚さが大きくなっている。
【００３１】
これに対し、本願発明では、減圧ＣＶＤ法を用いることで、上記第１層としてのＳｎＯ2膜、および、上記第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の不純物が少なくなるので、膜厚を大きくしても、光線吸収による可視光から近赤外の波長域の光線の透過率の低下が少ない。
本願発明では、上記第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚を２０００ｎｍ以上とし、上記第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚を１００ｎｍ以上とする。したがって、積層膜の合計膜厚の上限が１２００ｎｍとされており、フッ素がドープされていない酸化スズ層（ＳｎＯ2膜）よりもフッ素がドープされた酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜）の厚さを大きくする必要がある特許文献２の積層膜とは、積層膜の構成が明らかに異なっている。
【００３２】
特許文献２の積層膜は、積層膜を構成する酸化スズ層（フッ素ドープＳｎＯ2膜およびＳｎＯ2膜）を常圧ＣＶＤ法で形成するため、不純物が多く含まれ、キャリア電子密度も高くなる傾向がある。透明酸化物導電膜において、近赤外の波長域の光線吸収はフリーキャリアによる吸収が主要因と分かっている。キャリア電子密度が高い常圧ＣＶＤ法で作成した膜の場合、膜厚を大きくするとフリーキャリアによる吸収が増加し光線透過率が低下するため、膜厚を大きくすることができなかった。一方本願発明では、減圧ＣＶＤ法を用いることから、上記第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚を２０００ｎｍ以上としても、該ＳｎＯ2膜に含まれる不純物が少なく、常圧ＣＶＤに比べてフリーキャリア吸収が低くなる。そのため、光線吸収による可視光から近赤外の波長域の光線透過率の低下も少なくなる。ここで、上記第１層としてのＳｎＯ2膜の結晶性は、膜厚を大きくするほど向上するので、膜厚が２０００ｎｍ以上のＳｎＯ2膜の表面付近は結晶性が高い状態となっている。第２層としての、フッ素ドープＳｎＯ2膜も膜厚を大きくするほど結晶性が向上するが、下地となるＳｎＯ2膜の表面付近が、結晶性が高い状態となっているため、第２層としての、フッ素ドープＳｎＯ2膜は、膜厚が小さくても、結晶性が高い状態となる。そして、フッ素ドープＳｎＯ2膜の結晶性が高いほど、キャリア電子の移動度が高くなる。よって、膜厚が２０００ｎｍ以上のＳｎＯ2膜上に、膜厚が１００〜６００ｎｍのフッ素ドープＳｎＯ2膜を積層することで、積層膜全体の平均キャリア電子密度が低くても、高いキャリア電子の移動度を達成できる。別の言い方をすると、キャリア電子の移動度を増加させるために、透明導電性酸化物膜の膜厚を厚くした場合でも、シートキャリア電子密度の増加が抑制されている。
【００３３】
シートキャリア電子密度は、透明導電性酸化物膜の光線吸収に大きく関係がある。本願発明では、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜が、上述のようにキャリア電子密度が低いために、透明導電性酸化物膜の膜厚全体でみた、シートキャリア電子密度も低くなる。
図１は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成されるフッ素ドープ酸化スズ膜について、フッ素ドープ酸化スズ膜のシートキャリア電子密度ｎ＿ｓｈｅｅｔ（個／ｃｍ2）と、５００ｎｍ、１０００ｎｍ、１５００ｎｍおよび２０００ｎｍの各波長ごとの光線吸収率（％）と、の関係を示したグラフである。
ここで、減圧ＣＶＤ法は下記条件で実施した。また、フッ素ドープ酸化スズ膜を形成する基体は、後述する実施例と同様の基体、すなわち、無アルカリガラス基板を用いた。
原料ガス流量
ＳｎＣｌ4：２ｓｃｃｍ
Ｈ2Ｏ    ：４００ｓｃｃｍ
ＨＦ    ：０〜８ｓｃｃｍ
雰囲気圧力：１００Ｐａ
基板温度：３６０℃
成膜時間：２０分（膜厚８００ｎｍ相当）
図１に示したように、シートキャリア電子密度ｎ＿ｓｈｅｅｔが増加すると、波長１０００ｎｍ、１５００ｎｍおよび２０００ｎｍの近赤外領域の光線吸収が増加する。
なお、図１は、膜厚が約８００ｎｍのフッ素ドープＳｎＯ2膜の結果を示しているが、シートキャリア電子密度の値が決まると、フッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚が異なる場合や、積層膜の場合同様の光線吸収を示す。このため、シートキャリア電子密度を下げることが透明導電性酸化物膜の吸収率、特に近赤外領域の光線吸収の抑制に効果があることが確認できる。
【００３４】
図２は、減圧ＣＶＤ法を用いて形成される透明導電性酸化物膜について、膜厚（ｎｍ）と、キャリア電子の移動度（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）と、の関係を示したグラフであり、図３は、膜厚（ｎｍ）と、シートキャリア電子密度（個／ｃｍ2）と、の関係を示したグラフであり、図４は、膜厚（ｎｍ）と、シート抵抗（Ω／□）と、の関係を示したグラフである。ここで、透明導電性酸化物膜としては、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜の場合と、積層膜（ＳｎＯ2膜とフッ素ドープＳｎＯ2膜との積層膜）と、を示している。また、これらについて、ＲＩＥ処理有り無し両方のガラス基板の場合を示している。
ここで、減圧ＣＶＤ法は下記条件で実施した。透明導電性酸化物膜を形成するガラス基板には無アルカリガラス基板を使用した。ＲＩＥ処理有りの場合は、上記と同様の条件で実施した。
原料ガス流量
ＳｎＣｌ4：２ｓｃｃｍ
Ｈ2Ｏ    ：４００ｓｃｃｍ
ＨＦ    ：０ｓｃｃｍ（ＳｎＯ2膜）、８ｓｃｃｍ（フッ素ドープＳｎＯ2膜）
雰囲気圧力：１００Ｐａ
基板温度：３６０℃
ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜の成膜時間を変えることで、積層膜におけるこれらの膜の膜厚を変化させた。積層膜の合計膜厚は、約１３００ｎｍから約２９００ｎｍの範囲であり、ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚は、それぞれ、約１１２０ｎｍから約２６４０ｎｍ、および、約１９０ｎｍから約２３０ｎｍの範囲であった。
単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜の場合も、成膜時間を変えることにより、膜厚を約１０００ｎｍから約２９００ｎｍの範囲で変化させた。
【００３５】
図２に示したように、積層膜（第１層としてのＳｎＯ2膜と、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜と、の積層膜）、および、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜のどちらの場合も、透明導電性酸化物膜の膜厚を厚くすると、キャリア電子の移動度が上昇した。
一方、図３に示すように、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜では、膜厚を厚くすると、シートキャリア電子密度が著しく上昇するのに対して、積層膜（第１層としてのＳｎＯ2膜と、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜と、の積層膜）の場合、膜厚を厚くしても、シートキャリア電子密度の上昇は軽微である。
また、図４に示すように、積層膜（第１層としてのＳｎＯ2膜と、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜と、の積層膜）の場合、単層のフッ素ドープＳｎＯ2膜のように、膜厚を厚くしても、シート抵抗が過剰に低くなることがない。
【００３６】
次に、積層膜を構成する第１層および第２層の膜厚について記載する。
本発明では、第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚を２０００ｎｍ以上とする。第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚が２０００ｎｍ未満だと、成膜面に形成された凹凸の形状に沿って形成されたＳｎＯ2膜にＶ型の谷が生じてキャリア電子の移動度が低下する。第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚を２０００ｎｍ以上であれば、成膜面に形成された凹凸の高低差に対して、第１層の膜厚が十分に厚くなるため、第１層の表面に形成される凹凸の高低差は、成膜面に形成された凹凸の高低差に比べて小さくなる。そのため、第１層の上に形成される第２層も比較的平坦になるため、キャリア電子移動度の低下が抑制できると考えられる。
第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚は、２４００ｎｍ以上であることが好ましく、２８００ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００３７】
但し、第１層としてのＳｎＯ2膜の膜厚が大きすぎると、光線吸収が増加し、可視光から近赤外の波長域の光線透過率が低下するため、ＳｎＯ2膜の膜厚は４０００ｎｍ以下とする。ここで、第１層および第２層の積層膜上に、さらに、１組以上の積層膜（ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜をこの順に形成された積層膜）を形成する場合は、全てのＳｎＯ2膜の合計膜厚を４０００ｎｍ以下とする。
ＳｎＯ2膜の合計膜厚は、３５００ｎｍ以下であることが好ましく、３２００ｎｍ以下であることがより好ましく、３０００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３８】
本発明では、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜を１００ｎｍ以上とする。第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜が１００ｎｍ未満だと、キャリア電子の移動度が低下する。
第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚は、２００ｎｍ以上であることが好ましく、３００ｎｍ以上であることがより好ましい。
【００３９】
但し、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚が大きすぎると、光線吸収が増加し、可視光から近赤外の波長域の光線透過率が低下するため、フッ素ドープＳｎＯ2膜の膜厚は６００ｎｍ以下とする。ここで、第１層および第２層の積層膜上に、さらに、１組以上の積層膜（ＳｎＯ2膜およびフッ素ドープＳｎＯ2膜をこの順に形成された積層膜）を形成する場合は、全てのフッ素ドープＳｎＯ2膜の合計膜厚を６００ｎｍ以下とする。
フッ素ドープＳｎＯ2膜の合計膜厚は、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４０】
第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜におけるフッ素の含有量は、ＳｎＯ2に対するフッ素の含有量で、０．０１〜４ｍｏｌ％であることが、キャリア電子密度が適度になるので好ましい。
フッ素ドープＳｎＯ2膜におけるフッ素の含有量は、ＳｎＯ2に対するフッ素の含有量で、０．０１〜２ｍｏｌ％であることがより好ましく、０．０２〜１ｍｏｌ％であることがさらに好ましい。
【００４１】
次に、透明導電性酸化物膜を形成する基体や、第１層としてのＳｎＯ2膜、および、第２層としてのフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成に使用する減圧ＣＶＤ法の実施条件について、さらに記載する。
【００４２】
＜減圧ＣＶＤ法によるＳｎＯ2膜の形成＞
減圧ＣＶＤ法によるＳｎＯ2膜の形成は以下の手順で実施すればよい。
チャンバ内を２００Ｐａ以下の所定の圧力に保持した状態で、該チャンバ内の所定の位置に配置された基体を所定の基体温度に保持し、原料ガスである四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）、および、水（Ｈ2Ｏ）を、窒素、アルゴン等のキャリアガスとともに原料ガス供給ノズルから同時に吹き付けることで、基体上にＳｎＯ2膜を形成することができる。
【００４３】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）に対する水（Ｈ2Ｏ）の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００であることが好ましい。Ｈ2ＯはＳｎＣｌ4からＳｎＯ2への酸化反応を進行させるための酸化剤として作用する。そのため、Ｈ2Ｏが少なすぎると酸化反応が不十分になり、形成される膜が着色する場合があるので、流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００以上とすることが好ましい。一方、Ｈ2Ｏが多い場合、形成される膜の特性的には問題はないが、設備上大量のＨ2Ｏを供給することは困難となるため、流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で２００以下であることが好ましい。
流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）が１２０〜２００であることがより好ましく、１５０〜２００であることがさらに好ましい。
【００４４】
減圧ＣＶＤ法実施時において、基体温度は３００〜４００℃であることが好ましい。基体温度が３００℃よりも低くなると、ＳｎＯ2膜の成膜レートが低くなり、かつ、形成されるＳｎＯ2膜のキャリア電子密度が高くなるので、形成される透明導電性酸化物膜のシートキャリア電子密度が高くなる。基体温度が４００℃よりも高くなると、形成される透明導電性酸化物膜のキャリア電子の移動度が低下する。
基体温度は３４０〜３９０℃であることがより好ましく、３６０〜３８０℃であることがさらに好ましい。
【００４５】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）に対するキャリアガス（例えば、窒素）の量が流量比（キャリアガス／ＳｎＣｌ4）で１〜５０であることが好ましい。
【００４６】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の水（Ｈ2Ｏ）に対するキャリアガス（例えば、窒素）の量が流量比（キャリアガス／Ｈ2Ｏ）で０．２〜５であることが好ましい。
【００４７】
＜減圧ＣＶＤ法によるフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成＞
減圧ＣＶＤ法によるフッ素ドープＳｎＯ2膜の形成は以下の手順で実施すればよい。
チャンバ内を２００Ｐａ以下の所定の圧力に保持した状態で、上記の手順でＳｎＯ2膜が形成された基体を、該チャンバ内の所定の位置に配置し、該基体を所定の基体温度に保持し、原料ガスである四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）、および、水（Ｈ2Ｏ）、および、フッ化水素（ＨＦ）を、窒素、アルゴン等のキャリアガスとともに原料ガス供給ノズルから同時に吹き付けることで、ＳｎＯ2膜上にフッ素ドープＳｎＯ2膜を形成することができる。
【００４８】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）に対する水（Ｈ2Ｏ）の量が流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００〜２００であることが好ましい。Ｈ2ＯはＳｎＣｌ4からＳｎＯ2への酸化反応を進行させるための酸化剤として作用する。そのため、Ｈ2Ｏが少なすぎると酸化反応が不十分になり、形成される膜が着色する場合があるので、流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で１００以上とすることが好ましい。一方、Ｈ2Ｏが多い場合、形成される膜の特性的には問題はないが、設備上大量のＨ2Ｏを供給することは困難となるため、流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）で２００以下であることが好ましい。
流量比（Ｈ2Ｏ／ＳｎＣｌ4）が１２０〜２００であることがより好ましく、１５０〜２００であることがさらに好ましい。
【００４９】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）に対するフッ化水素（ＨＦ）の量が流量比（ＨＦ／ＳｎＣｌ4）で４〜１６であることが好ましい。ドーパントの原料であるＨＦが少なすぎると、形成される膜中のキャリア濃度が低くなるので、流量比（ＨＦ／ＳｎＣｌ4）で４以上であることが好ましい。ＨＦが多すぎるとキャリアを作るドーパントとして働かず、単なる不純物として取り込まれるフッ素が増加し、移動度低下の要因となるので、流量比（ＨＦ／ＳｎＣｌ4）で１６以下であることが好ましい。
【００５０】
減圧ＣＶＤ法実施時において、基体温度は３００〜４００℃であることが好ましい。基体温度が３００℃よりも低くなると、フッ素ドープＳｎＯ2膜の成膜レートが極端に低下し、かつ、反応が十分に進まないため、膜中に残留する不純物量が増加してしまう。基体温度が４００℃よりも高くなると、理由は不明であるが、形成される透明導電性酸化物膜の移動度が低下なる傾向があることが発明者等の経験上分かっている。
基体温度は３４０〜３９０℃であることがより好ましく、３６０〜３８０℃であることがさらに好ましい。
【００５１】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の四塩化スズ（ＳｎＣｌ4）に対するキャリアガス（例えば、窒素）の量が流量比（キャリアガス／ＳｎＣｌ4）で１〜５０であることが好ましい。
【００５２】
減圧ＣＶＤ法実施時において、原料ガス中の水（Ｈ2Ｏ）に対するキャリアガス（例えば、窒素）の量が流量比（キャリアガス／Ｈ2Ｏ）で０．２〜５であることが好ましい。
【００５３】
上記した手順で得られる本発明の透明導電性酸化物膜付基体は、キャリア電子の移動度が高く、後述する実施例に記載の手順で測定されるキャリア電子の移動度が５０［ｃｍ2／Ｖ・ｓ］以上、シートキャリア電子密度が１．０×１０16（個／ｃｍ2）以下となる。
この結果、近赤外領域の波長域における光線吸収率が低くなる。
【００５４】
また、上記した手順で得られる本発明の透明導電性酸化物膜付基体は、近赤外領域の波長域におけるヘイズ率が高くなる。具体的には、後述する実施例に記載の手順で測定される波長１０００ｎｍのヘイズ率が６０％以上となる。
また、Ｃ光源ヘイズ率も高く、８０〜９９％となる。
【実施例】
【００５５】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
ガラス基板にコーニング社の７０５９を用い、ＲＩＥ処理を３０分行いガラス基板表面に凹凸を形成した。ＲＩＥ処理は、ＳＡＭＣＯ社製の装置を用い以下の条件を用いた。
ＣＦ4ガス：１５ｓｃｃｍ
圧力：７Ｐａ
Ｐｏｗｅｒ：２００Ｗ
ＲＩＥ処理後、濃塩酸１：水９の体積割合で混合した溶液に４０分間浸し、その後５％フッ化水素（ＨＦ）水溶液に１０秒間浸した後に、ガラス基板を洗浄した。
上記と同一条件のＲＩＥ処理を行ったガラス基板表面を、走査型電子顕微鏡で確認した。ＲＩＥ処理の条件が同一であると、基板表面に形成される凹凸形状も同一であると仮定した。ＲＩＥ処理後の基板の表面性状は以下の通り。
ＲＭＳ：１００〜４００ｎｍ
凹凸のピッチ：５００〜３０００ｎｍ
凹凸の最大高低差：５００〜２０００ｎｍ
【００５６】
次に、ＲＩＥ処理されたガラス基板に、第１層として、フッ素がドープされていない酸化スズ膜を以下の成膜条件で成膜した。
ＳｎＣｌ4：２ｓｃｃｍ
Ｈ2Ｏ    ：４００ｓｃｃｍ
ＨＦ    ：０ｓｃｃｍ
雰囲気圧力：１００Ｐａ
基板温度：３６０℃
次に、第２層として、フッ素がドープされた酸化スズ膜を以下の成膜条件で成膜した
ＳｎＣｌ4：２ｓｃｃｍ
Ｈ2Ｏ    ：４００ｓｃｃｍ
ＨＦ    ：８ｓｃｃｍ
雰囲気圧力：１００Ｐａ
基板温度：３６０℃
得られた透明導電性酸化物膜付き基体について、キャリア電子の移動度、キャリア電子密度およびシート抵抗は、サンプルを１ｃｍ×１ｃｍに切断し、ＢｉｏＲａｄ社製  ＨＬ５５００を用いて、Ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｐａｕｗ法を用いた測定を行うことで求めた。
なお、膜厚は、事前に上記と同一条件で、ＲＩＥ処理をしなかったガラス基板に、第１層および第２層を成膜したものを、Ｖｅｅｃｏ社製  触針式表面形状測定器  ＤＥＫＴＡＫ１５０にて測定した。
結果を表１に示す。
【００５７】
同様に実施例２，３、比較例４は、第１層および第２層の膜厚を表１のように変えて成膜した。また、比較例１〜３は、ＲＩＥ処理をしなかったガラス基板を使用し、第１層および第２層の膜厚を表１のように変えて成膜した。
【表１】
2014038807.tif 000002
＊１：ＲＩＥ処理後のガラス基板の表面性状が下記条件を満たしているか評価した。
ＲＭＳ：１００〜４００ｎｍ
凹凸のピッチ：５００〜３０００ｎｍ
凹凸の高低差（Ｐ−Ｖ値）：５００〜２０００ｎｍ
表１の結果より、実施例では、キャリア電子の移動度が高く５０（ｃｍ2／Ｖ・ｓ）以上であり、特に近赤外の波長域のヘイズ率が高く、波長１０００ｎｍでのヘイズ率が６０％以上であった。
また、シートキャリア電子密度が低いため、近赤外の波長域の光線吸収が少なくなる。特に波長１５００ｎｍの光線吸収は図１から推定すると８％以下になると考えられる。
【図１】
2014038807.tif 000003
【図２】
2014038807.tif 000004
【図３】
2014038807.tif 000005
【図４】
2014038807.tif 000006