(57)【要約】内視鏡用撮像装置１０は、撮像光学系２０と、前記撮像光学系２０からの光が入射する直角プリズム３０と、前記直角プリズム３０が第１の主面６０ＳＡに接着されており、前記直角プリズム３０の下に受光部６１が形成されている、厚さが２０μm以上１００μm以下の平面視長方形の撮像基板６０と、を具備し、前記撮像基板６０の第２の主面６０ＳＢに溝６０Ｔが形成されており、前記溝６０Ｔの方向が短軸方向に対して４５度超傾斜している。
2016207940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像光学系と、
前記撮像光学系からの光が入射し光路を折り曲げる光路変換素子と、
前記光路変換素子が第１の主面に接着されており、前記光路変換素子で折り曲げられた光が入射する受光部が形成されている、厚さが２０μm以上１００μm以下の平面視長方形の撮像基板と、を具備する内視鏡用撮像装置であって、
前記撮像基板の第２の主面に少なくとも１本の溝が形成されており、前記溝の方向が前記撮像基板の短軸方向に対して４５度超傾斜していることを特徴とする内視鏡用撮像装置。
【請求項２】
前記溝が、前記短軸方向に直交していることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項３】
前記溝の深さが、前記撮像基板の厚さの１０％以上５０％以下であることを特徴とする請求項２に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項４】
前記溝が、前記第２の主面のうち、前記受光部の裏面に相当する領域以外に形成されていることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項５】
前記溝が、前記撮像基板の前記第２の主面の研削加工時のソーマークであることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項６】
前記第２の主面の前記溝に直交する方向の表面粗さＲｚが、１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項７】
前記光路変換素子が接着される領域以外と対向する前記第２の主面の領域の前記溝の方向が、薄層化のための研削加工時のソーマークの溝とは異なる方向であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の内視鏡用撮像装置。
【請求項８】
撮像光学系と、
前記撮像光学系からの光が入射し光路を折り曲げる光路変換素子と、
前記光路変換素子が第１の主面に接着されており、前記光路変換素子で折り曲げられた光が入射する受光部が形成されている、厚さが２０μm以上１００μm以下の平面視長方形の撮像基板と、を具備する撮像装置の製造方法であって、
半導体基板の第１の主面に複数の受光部を形成する工程と、
前記半導体基板を切断し複数の撮像基板を作製する工程と、
形成されるソーマークの方向が同じになるように、前記複数の撮像基板を研削加工機に配置する工程と、
前記複数の撮像基板の第２の主面を研削加工し、前記複数の撮像基板の短軸方向に対して４５度超傾斜している溝を形成する工程と、を具備することを特徴とする内視鏡用撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記研削加工が、センターレスインフィード研削加工であることを特徴とする請求項８に記載の内視鏡用撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像光学系と、前記撮像光学系からの光が入射する光路変換素子と、前記光路変換素子とが第１の主面に接着されている撮像基板と、を具備する内視鏡用撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＭＯＳ受光素子等の固体撮像素子を有する撮像装置を、挿入部の先端部に具備した電子内視鏡が普及している。医療用の内視鏡は、先端部に撮像装置が内蔵された可撓性を有する細長の挿入部を患者等の被検体の体腔内に挿入することによって、被検部位の観察等を行う。【０００３】
米国特許第８９１３１１２号明細書（日本国特許第５０８０６９５号明細書）には、撮像光学系からの光が入射するプリズムが、撮像基板の受光面に接着されている内視鏡用撮像装置が開示されている。【０００４】
内視鏡の低侵襲化のために挿入部の細径化が求められている。このためには撮像基板を薄く加工することが有効である。【０００５】
しかし、撮像基板を薄くすると、製造中にクラック等が発生し撮像装置の製造歩留まりが低下するおそれがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第８９１３１１２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、製造歩留まりの高い細径の内視鏡用撮像装置、および前記内視鏡用撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の実施形態の内視鏡用撮像装置は、撮像光学系と、前記撮像光学系からの光が入射し光路を折り曲げる光路変換素子と、前記光路変換素子が第１の主面に接着されており、前記光路変換素子で折り曲げられた光が入射する受光部が形成されている、厚さが２０μm以上１００μm以下の平面視長方形の撮像基板と、を具備する内視鏡用撮像装置であって、前記撮像基板の第２の主面に少なくとも１本の溝が形成されており、前記溝の方向が前記撮像基板の短軸方向に対して４５度超傾斜している。【０００９】
また、別の実施形態の内視鏡用撮像装置の製造方法は、撮像光学系と、前記撮像光学系からの光が入射し光路を折り曲げる光路変換素子と、前記光路変換素子が第１の主面に接着されており、前記光路変換素子で折り曲げられた光が入射する受光部が形成されている、厚さが２０μm以上１００μm以下の平面視長方形の撮像基板と、を具備する撮像装置の製造方法であって、半導体基板の第１の主面に複数の受光部を形成する工程と、前記半導体基板を切断し複数の撮像基板を作製する工程と、形成されるソーマークの方向が同じになるように、前記複数の撮像基板を研削加工機に配置する工程と、前記複数の撮像基板の第２の主面を研削加工し、前記複数の撮像基板の短軸方向に対して４５度超傾斜している溝を形成する工程と、を具備する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、製造歩留まりの高い細径の内視鏡用撮像装置、および前記内視鏡用撮像装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態の内視鏡用撮像装置を含む内視鏡システムの外観図である。
【図２Ａ】実施形態の内視鏡用撮像装置の挿入部の先端部の長軸方向に平行方向の断面図である。
【図２Ｂ】実施形態の内視鏡用撮像装置の挿入部の先端部の長軸方向に垂直方向の断面図である。
【図３】第１実施形態の内視鏡用撮像装置の撮像基板の断面図である。
【図４】第１実施形態の内視鏡用撮像装置の撮像基板の斜視図である。
【図５Ａ】第１実施形態の内視鏡用撮像装置の撮像基板の側面図である。
【図５Ｂ】第１実施形態の内視鏡用撮像装置の撮像基板の第２の主面を示す図である。
【図６Ａ】第１実施形態の変形例１の内視鏡用撮像装置の撮像基板の側面図である。
【図６Ｂ】第１実施形態の変形例１の内視鏡用撮像装置の撮像基板の第２の主面を示す図である。
【図７Ａ】第１実施形態の変形例２の内視鏡用撮像装置の撮像基板の側面図である。
【図７Ｂ】第１実施形態の変形例２の内視鏡用撮像装置の撮像基板の第２の主面を示す図である。
【図８】第２実施形態の内視鏡用撮像装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】インフィード型の研削加工機を説明するための模式図である。
【図１０】インフィード型の研削加工機により形成されるソーマークの方向を示す図である。
【図１１】第２実施形態の内視鏡用撮像装置の製造方法における研削ワークの配置を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態の内視鏡用撮像装置の製造方法における研削ワークのソーマークの方向を説明するための図である。
【図１３Ａ】第２実施形態の内視鏡用撮像装置の撮像基板の側面図である。
【図１３Ｂ】第２実施形態の撮像基板の第２の主面のソーマークの方向を示す図である。
【図１４】第２実施形態の内視鏡用撮像装置の研削ワークの上面図である。
【図１５】第２実施形態の変形例の内視鏡用撮像装置の製造方法におけるソーマークの方向を説明するための図である。
【図１６】第２実施形態の変形例の内視鏡用撮像装置の製造方法における研削ワークの配置を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜第１実施形態＞
図１を用いて、本発明の第１実施形態の内視鏡用撮像装置（以下、「撮像装置」ともいう。）１０を有する内視鏡２を含む内視鏡システム１について説明する。
【００１３】
なお、図面は、模式的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、夫々の部分の厚みの比率などは現実のものとは異なることに留意すべきであり、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００１４】
図１に示すように、内視鏡システム１は、内視鏡２と、プロセッサ５Ａと、光源装置５Ｂと、モニタ５Ｃと、を具備する。内視鏡２は、細長い挿入部３を被検体の体腔内に挿入することによって、被検体の体内画像を撮像し撮像信号を出力する。
【００１５】
内視鏡２の挿入部３の基端側には、内視鏡２を操作する各種ボタン類が設けられた操作部４が配設されている。操作部４には、被検体の体腔内に生体鉗子、電気メスおよび検査プローブ等の処置具を挿入するチャンネル３Ｈ（図２参照）の処置具挿入口４Ａがある。
【００１６】
挿入部３は、撮像装置１０が配設されている先端部３Ａと、先端部３Ａの基端側に連設された湾曲自在な湾曲部３Ｂと、この湾曲部３Ｂの基端側に連設された可撓管部３Ｃとによって構成される。湾曲部３Ｂは、操作部４の操作によって湾曲する。
【００１７】
操作部４の基端部側に配設されたユニバーサルコード４Ｂには、先端部３Ａの撮像装置１０と接続された信号ケーブル７５が挿通している。
【００１８】
ユニバーサルコード４Ｂは、コネクタ４Ｃを介してプロセッサ５Ａおよび光源装置５Ｂに接続される。プロセッサ５Ａは内視鏡システム１の全体を制御するとともに、撮像装置１０が出力する撮像信号に信号処理を行い画像信号として出力する。モニタ５Ｃは、プロセッサ５Ａが出力する画像信号を表示する。
【００１９】
光源装置５Ｂは、例えば、白色ＬＥＤを有する。光源装置５Ｂが出射する白色光は、ユニバーサルコード４Ｂおよび挿入部３を挿通するライトガイド（不図示）を介して先端部３Ａに導光され、被写体を照明する。
【００２０】
次に、図２Ａおよび図２Ｂを用いて、内視鏡２の先端部３Ａの構成について説明する。
【００２１】
先端部３Ａには、撮像装置１０および処置具チャンネル３Ｈ等が配設されている。照明光を出射する照明光学系３Ｄも先端部３Ａに配設されている。
【００２２】
撮像装置１０は、光学ユニット５０と撮像基板６０とを含み、光学ユニット５０は、撮像光学系２０および光路変換素子であるプリズム３０を含む。撮像装置１０は封止樹脂７２により後端部が封止されている。
【００２３】
光学ユニット５０が表面実装された撮像基板６０は、配線板７０を介して、信号ケーブル７５と接続されている。なお、先端部３Ａの外周は、図示しない柔軟な被覆管によって被覆されている。
【００２４】
内視鏡２の先端部３Ａは、例えば直径が８ｍｍ以下と細径である。なお、実施形態の内視鏡としては、処置具チャンネル３Ｈが配設されていない、より細径の観察専用であってもよい。
【００２５】
＜撮像装置の構成＞
次に、図３および図４を用いて本実施形態の撮像装置１０の構成について詳細に説明する。
【００２６】
図３および図４に示すように、撮像装置１０は、撮像光学系２０の光軸０が撮像基板６０の第１の主面６０ＳＡに対して平行な、いわゆる「横置き型」である。
【００２７】
光学ユニット５０は、レンズ枠４０により固定されている複数のレンズ２１Ａ〜２１Ｄおよびプリズム３０を含む。
【００２８】
第１の主面６０ＳＡと第２の主面６０ＳＢとを有する平面視長方形の撮像基板６０は、第１の主面６０ＳＡに受光部６１と信号処理回路６３とが形成されたシリコン等の半導体からなる。受光部６１は、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）型の半導体回路、またはＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）である。撮像基板６０の端部には、受光部６１と電気的に接続された複数の電極パッド６２が配設されている。電子部品７１が実装された配線板７０は、電極パッド６２と接合されている。配線板７０の後端部の複数の接続電極（不図示）が信号ケーブル７５と接合されている。これらの接合には、半田接合または超音波接合を用いる。
【００２９】
撮像装置１０の撮像光学系２０およびプリズム３０は、紫外線硬化型樹脂からなる接着層２５を介して、撮像基板６０の第１の主面６０ＳＡに接着されている。撮像光学系２０とプリズム３０との間にも、紫外線硬化型の透明樹脂が充填されている。
【００３０】
光学ユニット５０に入射した光は、撮像光学系２０によって集光され、光路変換素子であるプリズム３０に入射する。プリズム３０は、撮像光学系２０からの第１の主面６０ＳＡに平行な入射光の光路を反射して第１の主面６０ＳＡに垂直な方向に９０度変換し、受光部６１へ出射する。すなわち、光路変換素子であるプリズム３０は、撮像光学系２０から出射した光路を９０度折り曲げて受光部６１に入射させる光学的作用を有する。言い替えればプリズム３０は撮像光学系２０からの光が入射し光路を折り曲げる。なお、光路変換素子は直角プリズム３０に限られるものではなく、鏡（反射面）であってもよい。
【００３１】
受光部６１は、プリズム３０が反射した光を受光し、受光した光を撮像信号に変換する。撮像装置１０が出力する撮像信号は、配線板７０および信号ケーブル７５を経由して、プロセッサ５Ａに伝送される。
【００３２】
図４に示すように、撮像装置１０の撮像基板６０は、挿入部３の細径化のために、厚さＤ１が２０μm以上１００μm以下、例えば、約５０μｍに加工されている。例えば、これに対して平面視長方形の撮像基板６０の長軸方向の長さＬ１は約３０００μｍであり、短軸方向の幅Ｗ１は約１０００μｍである。このため製造中、特に先端部３Ａに挿入するときに、撮像基板６０に応力が印加されると長軸方向の側面にクラック等が発生し撮像装置１０の製造歩留まりが低下するおそれがあった。
【００３３】
図４、図５Ａ、図５Ｂに示すように、撮像基板６０には、第２の主面（底面／裏面）６０ＳＢに溝６０Ｔが形成されており、溝６０Ｔの方向が短軸方向（Ｙ方向）に対して直交している。言い替えれば、溝６０Ｔは平面視矩形の撮像基板６０の長軸方向（Ｘ方向）に平行で、短軸方向（Ｙ方向）に対して９０度傾斜している。
【００３４】
溝６０Ｔの深さＤ２は撮像基板６０の厚さＤ１の３０％であり、幅Ｗ２は撮像基板６０の幅Ｗ１の７０％である。
【００３５】
なお、溝６０Ｔの深さＤ２は撮像基板６０の厚さＤ１の１０％以上であれば効果が顕著で、５０％以下であれば、第１の主面側に形成された受光部６１等に悪影響をおよぼすおそれがない。溝６０Ｔの幅Ｗ２は、両側に撮像基板６０の幅Ｗ１の５％以上が残って入れば強度が担保され、幅Ｗ１の５０％以上あれば効果が顕著である。このため、溝６０Ｔの幅Ｗ２は、幅Ｗ１の５０％以上９０％以下であることが好ましい。
【００３６】
溝６０Ｔは研削等の機械的加工で形成することもできるが、複数の撮像基板を含むウエハ状態でレジストマスクを介したエッチング加工により形成することが好ましい。エッチングはドライエッチングでもウエットエッチングでもよい。
【００３７】
撮像基板６０は厚さＤ１が薄いが溝６０Ｔがあるために、配線板７０を介して応力が印加されても、側面にクラック等が発生することがなく撮像装置１０の製造歩留まりが高い。
【００３８】
＜第１実施形態の変形例＞
次に第１実施形態の変形例１、２の内視鏡用撮像装置１０Ａ、１０Ｂについて説明する。内視鏡用撮像装置１０Ａ、１０Ｂは、内視鏡用撮像装置１０と類似しており同じ機能を有するため同じ構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００３９】
＜変形例１＞
図６Ａおよび図６Ｂに示すように、撮像装置１０Ａの撮像基板６０Ａの第２の主面６０ＳＢには、３本の溝６０ＴＡ（６０ＴＡ１、６０ＴＡ２、６０ＴＡ３）が形成されている。
【００４０】
また、溝６０ＴＡは、撮像基板６０Ａの短軸方向（Ｙ方向）に対しての傾斜角θは約６５度傾斜であり、長軸側面に開口はない。さらに溝６０ＴＡは断面形状が三角形のＶ溝である。
【００４１】
撮像基板６０Ａは、撮像基板６０と同じように厚さが薄いが溝６０ＴＡがあるために、応力が印加されても、側面にクラック等が発生することがなく、撮像装置１０Ａは製造歩留まりが高い。
【００４２】
すなわち、撮像基板には複数の溝が形成されていてもよいし、溝の断面形状は三角形のＶ溝に限られるものではなく、矩形、半円形、台形等でもよい。また、溝の方向は、長軸側面に開口がなく、かつ、傾斜角θが４５度超（１３５度未満）であれば、側面にクラックが発生するのを防止する効果がある。溝の傾斜角θは６０度以上（１２０度以下）が好ましく、８０度以上（１００度以下）がより好ましく、９０度が最も好ましい。なお、溝は曲線状でもよいし、複数の溝の傾斜角θが異なっていてもよい。
【００４３】
＜変形例２＞
図７Ａおよび図７Ｂに示すように、撮像装置１０Ｂの撮像基板６０Ｂの第２の主面６０ＳＢには、３本の溝６０ＴＢ（６０ＴＢ１、６０ＴＢ２、６０ＴＢ３）が形成されている。溝６０ＴＢは、撮像光学系２０（プリズム３０）が接着されている受光部６１と対向する領域、すなわち受光部６１の裏面に相当する領域には形成されていない。また、溝６０ＴＢ２は、溝６０ＴＢ１よりも深さが浅く、幅が広く、長さが短い。すなわち、複数の溝の形状等は同じである必要は無い。
【００４４】
第１の主面に撮像光学系２０が接着された状態の撮像装置では、撮像光学系２０は撮像基板６０Ｂの機械的強度を補強する機能を有する。このため、撮像基板６０Ｂは溝６０ＴＢが形成されていない部分があっても、先端部３Ａに挿入したりするときにクラックが発生しにくい。また、受光部６１と対向する領域には溝を形成しないため、受光部６１に悪影響を及ぼすことが無い。
【００４５】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態の内視鏡用撮像装置１０Ｃについて説明する。撮像装置１０Ｃは、第１実施形態の撮像装置１０と類似しているので同じ機能の構成要素には同じ符号を付し説明は省略する。
【００４６】
撮像装置１０Ｃの撮像基板６０Ｃ（図１３Ａ、図１３Ｂ参照）は、撮像基板６０と同じように、厚さが２０μm以上１００μm以下で平面視長方形である。そして、撮像基板６０Ｃの第２の主面には短軸方向に対して最大傾斜角θが４５度超（１３５度未満）の複数の溝６０ＴＣが形成されている。ここで、溝６０ＴＣは、撮像基板を薄くするための研削加工により形成されたソーマークである。
【００４７】
撮像装置１０Ｃは、撮像基板６０Ｃの厚さが薄いが複数の溝６０ＴＣがあるために、応力が印加されても、側面にクラック等が発生することがなく、製造歩留まりが高い。
【００４８】
なお、複数の溝６０ＴＣの傾斜角θが４５度超（１３５度未満）であれば、側面にクラックが発生するのを防止する効果がある。傾斜角θは６０度以上（１２０度以下）がより好ましい。
【００４９】
＜撮像装置の製造方法＞
次に、撮像装置１０Ｃの製造方法について図８のフローチャートに沿って簡単に説明する。
【００５０】
＜ステップＳ１０＞
複数の受光部６１および複数の信号処理回路６３等が、公知の半導体プロセスを用いて、シリコンウエハに形成される。なお、３００ｍｍφのシリコンウエハの厚さは、例えば、７７５μｍである。
【００５１】
＜ステップＳ１１＞
シリコンウエハが切断されることで、それぞれに受光部６１および信号処理回路６３等が形成された複数の撮像基板６０Ｃ１が作製される。
【００５２】
＜ステップＳ１２＞
撮像基板６０Ｃ１は厚さが７７５μｍと厚い。挿入部３の細径化のために、撮像基板６０Ｃ１は、厚さＤ１が２０μm以上１００μm以下に加工する必要がある。
【００５３】
撮像基板６０Ｃ１の薄層化には製造効率の観点から研削加工が好ましい。図９に研削加工機８０の一例を示す。インフィード型の研削加工機８０は、ワークである撮像基板６０Ｃ１が配置される保持盤８１と、保持盤８１に配置された撮像基板６０Ｃ１を研削加工する研削盤８２とを備えている。研削盤８２には、例えばダイヤモンド砥粒を含む複数の砥石が配設されている。撮像基板６０Ｃ１は保護テープ等により保持盤８１に固定される。研削加工機８０は、保持盤８１の回転軸Ｏ１と研削盤８２の回転軸Ｏ１とが一致しないセンターレス型である。
【００５４】
研削加工機８０では、図１０に示すように放射状のソーマーク（溝８１Ｔ）が保持盤８１のワークに形成される。
【００５５】
本実施形態の撮像装置１０Ｃの製造方法では、図１１に示すように、複数の撮像基板６０Ｃ１は、長軸方向がソーマークの形成方向と平行になるように保持盤８１に配置される。すなわち、従来の撮像装置の製造方法では複数の撮像基板を含む半導体基板（シリコンウエハ）の状態で研削加工が行われていた。これに対して実施形態の撮像装置１０Ｃの製造方法では、シリコンウエハが切断され、撮像基板６０Ｃ１の再配置が行われる。
【００５６】
＜ステップＳ１３＞
撮像基板６０Ｃ１は、厚さが２０μm以上１００μm以下で、第２の主面６０ＳＢのソーマーク（溝）の方向に直交する方向の表面粗さ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０：十点平均粗さ、測定長１ｍｍ）Ｒｚが、１μｍ以上５μｍ以下になるように研削加工される。表面粗さＲｚは、２μｍ以下であることがより好ましい。
【００５７】
表面粗さが前記範囲以上であれば、クラック等の発生を防止する効果が顕著で、前記範囲以下であれば、ソーマークに起因する問題が発生することがない。
【００５８】
図１２、図１３Ａおよび図１３Ｂに示すように研削加工された複数の撮像基板６０Ｃには、いずれも同じように短軸方向に対して４５度超傾斜している複数の溝６０ＴＣが形成される。
【００５９】
表面粗さが前記範囲以内で、かつ、複数の溝６０ＴＣの方向が４５度超（１３５度未満）であれば、側面にクラックが発生するのを防止する効果がある。溝６０ＴＣの傾斜角θは６０度以上（１２０度以下）が好ましく、８０度以上（１００度以下）がより好ましい。なお、溝６０ＴＣは曲線であるが、その全ての範囲において傾斜角θが前記範囲内とする。
【００６０】
＜ステップＳ１４＞
撮像光学系２０およびプリズム３０等が仕様に従って作製される。例えば、レンズ２１およびプリズム３０は、ガラスまたは透明樹脂からなり、レンズ枠４０は金属からなる。
【００６１】
そして、吸着ツールで保持されたプリズム３０等が、紫外線硬化型の透明樹脂からなる接着剤が塗布された受光部６１に位置合わせされる。そして、紫外線が照射されると、接着剤が硬化するため、プリズム３０は接着層２５を介して撮像基板６０に接着される。
【００６２】
＜ステップＳ１５＞
撮像基板６０Ｃに配線板７０が接続される。例えば、電極パッド６２は配線板７０の電極と半田接合される。さらに、配線板７０に信号ケーブル７５が接合される。信号ケーブル７５が接合された配線板７０が撮像基板６０Ｃに接合されてもよい。
【００６３】
＜ステップＳ１６＞
プリズム３０等が接着された撮像基板６０Ｃが先端部３Ａに挿入される。このとき、撮像基板６０Ｃは応力が印加されても長軸方向の側面にクラック等が発生することがないため、撮像装置１０Ｃの製造歩留まりが高い。
【００６４】
なお、上記では、シリコンウエハを個々の撮像基板６０Ｃ１に個片化してから研削加工する場合を例に説明した。しかし、図１４に示すように、複数の撮像基板６０Ｃ１からなるワーク６０ＣＳに切断し、ワーク６０ＣＳを研削加工し、その後に撮像基板６０Ｃに個片化してもよい。
【００６５】
ワーク６０ＣＳは含まれる全ての撮像基板６０Ｃ１に形成される複数の溝６０ＴＣ（ソーマーク）の方向が所定方向になるように保持盤８１に配置される。
【００６６】
＜第２実施形態の変形例＞
研削加工機として、
クリープフィード型加工機を用いて撮像基板６０Ｃ１を薄層化してもよい。
【００６７】
クリープフィード型加工機では、図１５に示すソーマーク８０ＴＤが保持盤８１Ｄに形成される。
【００６８】
このため、図１６に示すように、変形例１の撮像装置１０Ｄの複数の撮像基板６０Ｄ１は、形成されるソーマークの方向が所定の同じになるように保持盤８１Ｄに配置される。
【００６９】
撮像装置１０は、撮像基板６０Ｄ１の溝の方向が短軸方向に対して４５度超傾斜しているため、長軸方向の側面にクラック等が発生することがないため、製造歩留まりが高い。
【００７０】
すなわち、実施形態の内視鏡用撮像装置の製造方法において、研削加工方法はセンターレスインフィード研削加工が生産性の観点が好ましい。しかしインフィード研削加工に限られるものでは無く、ソーマークの方向が短軸方向に対して４５度超傾斜するように加工できればクリープフィード型加工機等であってもよい。
【００７１】
また、形成されるソーマークの方向を考慮しないで研削加工を行ってから、撮像光学系２０（プリズム３０）が接着されていない領域と対向する領域にだけ、更に研削加工を行い、短軸方向に対して４５度超傾斜しているソーマークを形成してもよい。
【００７２】
上述した実施形態では内視鏡を医療用として説明したが、これに限られず、細径の工業用内視鏡にも適用可能であることは言うまでもない。
【００７３】
さらに、撮像基板６０は平面視長方形と説明したが、正確な長方形の形状に限定するものではなく、例えば、四隅を面取りした形状でも構わない。
【００７４】
本発明は上述した実施形態等に限定されるものではなく、本発明の要旨を変えない範囲において、種々の変更、改変等ができる。
【符号の説明】
【００７５】
１…内視鏡システム
３…挿入部
３Ａ…先端部
１０、１０Ａ〜１０Ｃ…内視鏡用撮像装置
２０…撮像光学系
３０…プリズム
５０…光学ユニット
６０…撮像基板
６０Ｔ…溝
６１…受光部
６２…電極パッド
６３…信号処理回路
７０…配線板
８０…研削加工機
８１…保持盤
８２…研削盤
【図１】
2016207940.tif 000003
【図２Ａ】
2016207940.tif 000004
【図２Ｂ】
2016207940.tif 000005
【図３】
2016207940.tif 000006
【図４】
2016207940.tif 000007
【図５Ａ】
2016207940.tif 000008
【図５Ｂ】
2016207940.tif 000009
【図６Ａ】
2016207940.tif 000010
【図６Ｂ】
2016207940.tif 000011
【図７Ａ】
2016207940.tif 000012
【図７Ｂ】
2016207940.tif 000013
【図８】
2016207940.tif 000014
【図９】
2016207940.tif 000015
【図１０】
2016207940.tif 000016
【図１１】
2016207940.tif 000017
【図１２】
2016207940.tif 000018
【図１３Ａ】
2016207940.tif 000019
【図１３Ｂ】
2016207940.tif 000020
【図１４】
2016207940.tif 000021
【図１５】
2016207940.tif 000022
【図１６】
2016207940.tif 000023
【国際調査報告】
2016207940.tif 000024
2016207940.tif 000025
2016207940.tif 000026
2016207940.tif 000027