(57)【要約】【課題】  構造の簡素化が図られたセンシングユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明に係るセンシングユニット１０においては、支持部３２と可動部３４とを有するバネ部３０が導電性を有している。そして、バネ部３０の可動部に設けられたセンサ部４０の信号は、このバネ部３０を介して伝達される。従って、本発明に係るセンシングユニット１０は、必ずしもセンサ部４０ごとに配線を設ける必要がなく、部品点数の少ない簡素な構成となる。それにより、製作コストの削減及び作製の容易化等が実現される。【選択図】図１
2014038103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた支持部と、前記支持部によって前記基板に対して浮動可能に支持された可動部とを有し、且つ、導電性材料で構成されているバネ部と、
前記バネ部の可動部に設けられ、前記可動部における変位を検出し、前記変位に関する信号を前記バネ部を介して伝達するセンサ部と
を備える、センシングユニット。
【請求項２】
前記基板には凹部が形成され、
前記バネ部の支持部は前記凹部の縁部に位置し、且つ、前記バネ部の可動部は平板コイル状であって前記凹部上方に位置する、請求項１に記載のセンシングユニット。
【請求項３】
前記基板が鉛直方向に延在するように保持されている、請求項２に記載のセンシングユニット。
【請求項４】
前記基板が水平方向に延在するように保持されている、請求項２に記載のセンシングユニット。
【請求項５】
前記可動部の両端部が、一対の前記支持部によって支持されており、
前記可動部の一部が、前記一対の支持部の並び方向に延びており、且つ、前記並び方向に沿う方向に揺動する、請求項１に記載のセンシングユニット。
【請求項６】
前記バネ部がめっき成形によって形成されている、請求項１に記載のセンシングユニット。
【請求項７】
前記センサ部がＧＭＲセンサで構成されている、請求項１に記載のセンシングユニット。
【請求項８】
基板上に設けられた支持部と、前記支持部によって前記基板に対して浮動可能に支持された可動部とを有するバネ部と、前記バネ部の可動部に設けられ、前記可動部における変位を検出し、前記変位に関する信号を前記バネ部を介して伝達するセンサ部とを備えるセンシングユニットの製造方法であって、
前記バネ部の可動部が形成される第１の領域が、前記支持部が形成される第２の領域よりも低くなっている基板を準備する工程と、
前記第１の領域をレジスト層で埋めて前記基板を平坦にする工程と、
前記バネ部となるべきめっき層を、前記可動部となる部分が第１の領域の前記レジスト層上に位置し、前記支持部となる部分が前記第２の領域に位置するように形成する工程と、
前記可動部となる部分の前記めっき層に前記センサ部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と
を含む、センシングユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センシングユニット及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度センサ（加速度計：accelerometer）として、従来より、ＭＥＭＳ技術を用いたシリコン加速度センサが知られている。
【０００３】
このシリコン加速時センサのセンシングユニットは、一般的には、図１１に示すような工程を経て作製される。すなわち、シリコン加速度センサのセンシングユニット１１０を作製する際には、まず、図１１の（ａ）部分に示すように、シリコン基板１００上に平行に並ぶストライプパターンを有するフォトマスク１０２を形成する。そして、そのフォトマスク１０２を利用したディープエッチング（エッチング深さ２５〜３０μｍ）をおこない、平行に並ぶ複数のトレンチ１０４を形成する。さらに、図１１の（ｂ）部分に示すように、基板１００上面及びトレンチ１０４の内壁面にＳｉＯ２膜１０６を成膜する。その後、図１１の（ｃ）部分に示すように、トレンチ１０４の底面部分を等方性エッチングにより部分的に除去して、隣り合うトレンチ１０４同士をその底面部分で連通させる。その結果、隣り合うトレンチ１０４の間に、基板１００の面方向に平行な一方向（すなわち、並設方向）に往復動可能な片持ち梁（cantilever）部分１０８が形成される。
【０００４】
そして、図１１のような構造を有するセンシングユニット１１０においては、片持ち梁部分（可動部）１０８の揺動に伴う静電容量の変化に基づいて、加速度の測定がおこなわれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した従来のセンシングユニットにおいては、センサ部を設ける場合、センサ部ごとに配線を設ける必要があったため、部品点数が多くなり、その結果、構造が複雑になってしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、構造の簡素化が図られたセンシングユニット及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るセンシングユニットは、基板上に設けられた支持部と、支持部によって基板に対して浮動可能に支持された可動部とを有し、且つ、導電性材料で構成されているバネ部と、バネ部の可動部に設けられ、可動部における変位を検出し、変位に関する信号をバネ部を介して伝達するセンサ部とを備える。
【０００８】
このセンシングユニットにおいては、支持部と可動部とを有するバネ部が導電性を有している。そして、バネ部の可動部に設けられたセンサ部の信号は、このバネ部を介して伝達される。従って、本発明に係るセンシングユニットは、必ずしもセンサ部ごとに配線を設ける必要がなく、部品点数の少ない簡素な構成となる。それにより、製作コストの削減及び作製の容易化等が実現される。
【０００９】
また、基板には凹部が形成され、バネ部の支持部は凹部の縁部に位置し、且つ、バネ部の可動部は平板コイル状であって凹部上方に位置する態様でもよい。この場合、可動部は、基板面に平行ないずれの方向にも揺動可能となっている。その上、可動部は、その中心側の端部の振幅が最大となるように、基板の厚さ方向にも揺動可能となっている。従って、一方向にのみ揺動する従来のセンシングユニットよりも測定方向に関する自由度が高くなっている。
【００１０】
また、基板が鉛直方向に延在するように保持されている態様でもよく、基板が水平方向に延在するように保持されている態様でもよい。基板の延在方向を適宜決定することで、所望の方向における感度が高いセンシングユニットを得ることができる。
【００１１】
また、可動部の両端部が、一対の支持部によって支持されており、可動部の一部が、一対の支持部の並び方向に延びており、且つ、並び方向に沿う方向に揺動する態様でもよい。
【００１２】
また、バネ部がめっき成形によって形成されている態様でもよい。この場合、ディープエッチングによってバネ部の可動部を形成する場合に比べて、厚さの薄い可動部を形成することができる。
【００１３】
また、センサ部がＧＭＲセンサで構成されている態様でもよい。この場合、センサ部の小型化が実現され、それにより、センシングユニットの小型化を図ることができる。
【００１４】
本発明に係るセンシングユニットの製造方法は、基板上に設けられた支持部と、支持部によって基板に対して浮動可能に支持された可動部とを有するバネ部と、バネ部の可動部に設けられ、可動部における変位を検出し、変位に関する信号をバネ部を介して伝達するセンサ部とを備えるセンシングユニットの製造方法であって、バネ部の可動部が形成される第１の領域が、支持部が形成される第２の領域よりも低くなっている基板を準備する工程と、第１の領域をレジスト層で埋めて基板を平坦にする工程と、バネ部となるべきめっき層を、可動部となる部分が第１の領域のレジスト層上に位置し、支持部となる部分が第２の領域に位置するように形成する工程と、可動部となる部分のめっき層にセンサ部を形成する工程と、レジスト層を除去する工程とを含む。
【００１５】
このセンシングユニットの製造方法においては、導電性を有するバネ部は、めっき層で形成される。そして、バネ部の可動部となる部分に、バネ部を介して信号を伝達するセンサ部が形成される。従って、本発明に係るセンシングユニットの製造方法によれば、必ずしもセンサ部ごとに配線を設ける必要がなく、部品点数の少ない簡素な構成を有するセンシングユニットを得ることができる。それにより、センシングユニットの製作コストの削減及び作製の容易化等が実現される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、構造の簡素化が図られたセンシングユニットを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るセンシングユニットを示した概略斜視図である。
【図２】図１に示したセンシングユニットのＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】めっき層上に形成されたセンサ部の概略構成を示した図である。
【図４】図１のＩＩ−ＩＩ線断面においてセンシングユニットを作製する手順を示した図である。
【図５】図１のＩＩ−ＩＩ線断面においてセンシングユニットを作製する手順を示した図である。
【図６】図１のＶＩ−ＶＩ線断面においてセンシングユニットを作製する手順を示した図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るセンシングユニットを示した概略平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面においてセンシングユニットを作製する手順を示した図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係るセンシングユニットを示した概略平面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係るセンシングユニットを示した概略平面図である。
【図１１】従来技術に係るセンシングユニットを作製する手順を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するにあたり最良と思われる形態について詳細に説明する。なお、同一又は同等の要素については同一の符号を付し、説明が重複する場合にはその説明を省略する。
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係るセンシングユニットとして、加速度センサに利用されるセンシングユニットについて説明する。このセンシングユニットは、所定の制御部に変位に関する信号を伝達することで、センシングユニットに加わる加速度を検出可能となっている。
（第１実施形態）
【００２０】
図１は、本発明の第１実施形態に係るセンシングユニット１０を示した概略斜視図である。図２は、図１に示したセンシングユニット１０のＩＩ−ＩＩ線断面図であり、（ａ）部分は伸長していない状態、（ｂ）部分は伸長した状態を示している。図１及び図２に示すように、センシングユニット１０は、基板２０と、その基板２０上に設けられたバネ部３０とを備えて構成されている。
【００２１】
基板２０は、例えばＡｌ２Ｏ３で構成されており、その表面２０ａが平坦な基板である。そして、基板２０の表面２０ａには、断面が略円形のホール（凹部）２２が設けられている。このホール２２の深さは、例えば、浅くする場合には０．５〜３．０μｍ程度、深くする場合には３．０〜１０μｍ程度である。
【００２２】
バネ部３０は、基板２０の基板面２０ａに平行に延在する薄膜部材であり、ＣｕやＮｉ等の導電性材料のめっき成形によって形成されている。そして、このバネ部３０は、支持部３２と可動部３４とによって構成されている。また、バネ部３０は、図３に示すように、めっき層５６が絶縁膜５４によって横並びに３つの領域（５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ）に分割された構成となっている。
【００２３】
バネ部３０のうちの支持部３２は、ホール２２の縁に位置する帯状部分であり、ホール２２からせり出すように延びている。バネ部３０のうちの可動部３４は、支持部３２のせり出した端部から連続的に設けられており、基板２０のホール２２の上方に位置している。この可動部３４は、ホール２２全体を覆う平板コイル状の形状を有しており、ホール２２の中心部周りを螺旋状に複数回だけ周回している。
【００２４】
上記構成を有するバネ部３０においては、可動部３４は、ホール上方において支持部３２により浮動可能に支持されており、且つ、弾性変形が生じやすい形状（すなわち、平板形状）及び構成材料（すなわち、ＣｕやＮｉ等の金属材料）となっている。そのため、可動部３４は、基板面２０ａの面方向（基板面に平行な全方向）に揺動することができ、且つ、図２の（ｂ）部分に示すように基板２０の厚さ方向に揺動（伸長）することができる。
【００２５】
そして、バネ部３０の可動部３４の中心側の端部には、他の部分に比べて幅広の重り部３６が形成されている。このような比較的体積の大きな重り部３６を中心側の端部に設けることで、可動部３４の揺動量の増大が図られている。なお、必要に応じて、この重り部３６の上面や下面に突起を設けて、さらなる重量増大を図り、可動部３４の揺動量を増すようにしてもよい。
【００２６】
さらに、上述したバネ部３０の可動部３４には、３つのセンサ部４０（４０Ａ〜４０Ｃ）が設けられている。センサ部４０は、ＧＭＲセンサ（巨大磁気抵抗効果センサ）であり、可動部３４の上面に一体的に実装されている。これらのセンサ部４０は、可動部３４が特定方向に変位（伸縮）した際に電気抵抗値が変化するものであり、その抵抗変化により可動部３４の変位量（揺動量）及び変位方向（揺動方向）を検出するものである。
【００２７】
センサ部４０は、例えば、図３に示すような構造を有している。図３は、めっき層５６上に形成されたセンサ部４０の概略構成を示した図である。すなわち、センサ部４０は、めっき層５６上に絶縁膜４１を介して、Ｆｅ−Ｎｉ合金（パーマロイ）からなるボトムシールド層４２とトップシールド層４３とが形成されており、その間にジャンクション部４４が上下に挟まれたサンドイッチ構造となっている。そして、そのジャンクション部４４を左右から挟むように一対の電極部４５，４６が形成されている。なお、図示は省略しているが、電極部４５，４６それぞれは異なるめっき層５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃと電気的に接続されている。
【００２８】
ここで、図１に示すように、３つのセンサ部４０のうち、センサ部４０Ａは、可動部３４のうちの支持部３２に近接する位置に設けられている。この位置は、可動部３４の中で最も変位量が大きいため、この位置にセンサ部４０Ａを設けることで、可動部３４のわずかな揺動を検出することができ、センサ部４０における測定精度の向上が図られる。
【００２９】
各センサ部４０は、変位に関する信号として電気抵抗値を、導電性を有する可動部３４を介して、図示しない制御部に伝達する。
【００３０】
また、センサ部４０は、バネ部３０の可動部３４の幅方向に関しては、中心部よりも端部側に配置することが好ましい。これは、可動部３４が揺動して部分的に湾曲する際、その中心部よりも端部の方が大きく伸縮するため、わずかな伸縮を検出でき、センサ部４０における測定精度が向上するためである。
【００３１】
すなわち、センシングユニット１０においては、バネ部３０の可動部３４は、基板２０に形成されたホール上方において浮動可能に支持されている。そのため、この可動部３４は、基板面２０ａに平行ないずれの方向にも揺動可能となっている。その上、可動部３４は、その中心側の端部の振幅が最大となるように、基板の厚さ方向にも揺動可能となっている。そして、この可動部３４にセンサ部４０が設けられている。そのため、センシングユニット１０は、一方向にのみ揺動する従来のセンシングユニットよりも測定方向に関する自由度が高くなっている。
【００３２】
また、バネ部３０が導電性材料で構成されているため、バネ部３０をセンサ部４０の信号伝達経路として利用することができる。つまり、このセンシングユニット１０においては、別途の配線を設けることなくセンサ部４０を設置することができる。そのため、部品点数の少ない簡素な構成となり、製作コストの削減及び作製の容易化が実現される。上述した実施形態においては、バネ部３０には３つの信号伝達経路（すなわち、めっき層５６Ａ、めっき層５６Ｂ及びめっき層５６Ｃ）が設けられており、センサ部４０にはその中から２つの信号伝達経路が利用される。
【００３３】
また、バネ部３０に含まれる絶縁膜５４はキャパシタとしての利用が可能であり、このようなキャパシタによりキャパシタンスブリッジを構成してもよい。さらに、バネ部３０がめっき成形によって形成されているため、ディープエッチングによってバネ部の可動部を形成する場合（図１１の（ｃ）部分に示したセンシングユニット１１０）に比べて、厚さの薄い可動部３４を形成することができる。
【００３４】
また、センサ部４０がＧＭＲセンサで構成されているため、センサ部の小型化が実現されており、それにより、センシングユニット１０の小型化が実現されている。さらに、可動部３４に３つセンサ部４０が設けられているため、センシングユニットの測定方向の多様化（例えば、２軸方向や３軸方向の測定）が実現でき、さらに、それらの検出信号から変位量の差分や平均を求めてより高い測定精度を実現することができる。
【００３５】
なお、可動部３４は平板形状であるため、図２の（ｂ）部分に示すように基板２０の厚さ方向に揺動しやすく、その結果、センシングユニット１０は上記厚さ方向に関する感度が高くなっている。そのため、基板２０が鉛直方向に延在するように保持することで、水平方向の揺動について高い感度を有するセンシングユニット１０を得ることができる。また、基板２０が水平方向に延在するように保持することで、鉛直方向の揺動について高い感度を有するセンシングユニット１０を得ることができる。
【００３６】
次に、上述したセンシングユニット１０を作製する手順について、図４〜図６を参照しつつ説明する。
【００３７】
ここで、図４は、図１のＩＩ−ＩＩ線断面においてセンシングユニット１０を作製する手順を示した図であり、その（ａ）〜（ｄ）部分は各工程段階における断面を示している。また、図５も、図１のＩＩ−ＩＩ線断面においてセンシングユニット１０を作製する手順を示した図であり、その（ａ）〜（ｃ）部分は各工程段階における断面を示している。さらに、図６は、図１のＶＩ−ＶＩ線断面においてセンシングユニット１０を作製する手順を示した図であり、その（ａ）及び（ｂ）部分は各工程段階における断面を示している。
【００３８】
センシングユニット１０を作製する際には、まず所定形状のＡｌ２Ｏ３基板２０を用意する。この基板２０は、バネ部３０の可動部３４が形成される第１の領域に、断面円形のホール２２が形成されている。つまり、ホール２２（第１の領域）は、支持部３２が形成されるホール２２の縁部（第２の領域）よりも、その表面高さが低くなっている。
【００３９】
そして、第１の領域のホール２２が完全に埋まって平坦になるようにフォトレジスト（レジスト層）５０を塗布成形した後、フォトレジスト５０が覆われるように基板２０全面にＡｌ２Ｏ３層５２を成膜する（図４の（ａ）部分参照）。
【００４０】
次に、化学機械研磨（ＣＭＰ）により、基板２０に達する位置まで研磨してホール２２を露出させる。それにより、基板２０に形成されたホール２２がフォトレジスト５０で埋められて平坦になる（図４の（ｂ）部分参照）。
【００４１】
続いて、平坦になった基板２０上にＡｌ２Ｏ３絶縁膜５４Ａを成膜し、断面矩形状の第１のめっき層５６Ａを、上述したバネ部３０と同様の形状となるようにめっき形成する。さらに、その第１のめっき層５６Ａを覆うようにして基板２０表面にＡｌ２Ｏ３絶縁膜５４Ｂを成膜し、上記第１のめっき層５６Ａの両側に、第１のめっき層５６Ａよりも高くなるように略矩形状の第２及び第３のめっき層５６Ｂ，５６Ｃをめっき形成する（図４の（ｃ）部分参照）。これらのめっき層５６（５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ）が、最終的に上述したバネ部３０となる。そのため、めっき層５６は、支持部３２となる部分がホール２２の縁部（第２の領域）に位置し、可動部３４となる部分がホール２２（第１の領域）内のフォトレジスト５０上に位置するように形成される。
【００４２】
その後、めっき層５６の形成領域以外のＡｌ２Ｏ３絶縁膜をエッチング除去し、さらに、ホール２２の対応領域にフォトレジスト（レジスト層）６０を形成して、その上からＡｌ２Ｏ３層６２で覆う（図４の（ｄ）部分参照）。
【００４３】
次に、ＣＭＰにより、第１のめっき層５６Ａが露出する位置まで、Ａｌ２Ｏ３層６２、フォトレジスト６０及びめっき層５６Ｂ，５６Ｃを研磨する（図５の（ａ）部分参照）。
【００４４】
続いて、基板２０のホール２２の対応領域に形成されたフォトレジスト６０及びフォトレジスト５０を除去して、めっき層５６の周囲及び下方に空間を形成する（図５の（ｂ）部分参照）。それにより、Ａｌ２Ｏ３絶縁膜５４（５４Ａ，５４Ｂ）で分離された３つのめっき層５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃからなるバネ部３０が形成される。
【００４５】
最後に、基板２０上のＡｌ２Ｏ３層６２を選択的にエッチング除去して、上述したセンシングユニット１０のバネ部３０の作製が完了する（図５の（ｃ）部分参照）。
【００４６】
なお、センサ部４０は、図５の（ａ）部分に示した段階で形成される。すなわち、図６の（ａ）部分に示すように、バネ部３０となるめっき層５６が、フォトレジスト６０，５０及びＡｌ２Ｏ３層６２で埋められて、基板表面が平坦になっている状態で、可動部３４となるめっき層５６上に絶縁膜４１を介してセンサ部４０を形成する。
【００４７】
そして、上記センサ部４０の作製が完了した後、上述したとおり、基板２０のホール２２の対応領域に形成されたフォトレジスト６０及びフォトレジスト５０を除去すると共に、基板２０上のＡｌ２Ｏ３層６２を選択的にエッチング除去して、センシングユニット１０の作製が完了する（図６の（ｂ）部分参照）。
【００４８】
以上で説明した製造方法によれば、３つの導電経路（すなわち、第１のめっき層５６Ａ、第２のめっき層５６Ｂ及び第３のめっき層５６Ｃ）に分割されたバネ部３０が作製される。このように、バネ部３０が複数の導電経路を有する場合には、複数のうちの２つを適宜選択することで、別途の配線を設けることなくセンサ部４０の信号がバネ部３０を介して制御部に伝達される。なお、導電経路が分割されていないバネ部（すなわち、１つのめっき層のみで構成されたバネ部）であっても、別途に１つの配線のみを設けるだけで、センサ部４０の信号を伝達できるようになるため、この場合でも、１対の配線が必要な絶縁性のバネ部を有する従来のセンシングユニットに比べて、部品点数の少ない簡素な構成のセンシングユニットが得られる。
（第２実施形態）
【００４９】
次に、本発明の第２実施形態に係るセンシングユニット１０Ａについて説明する。図７は、センシングユニット１０Ａを示した概略平面図である。
【００５０】
図７に示すように、センシングユニット１０Ａは、基板２０Ａには、２つの台座部２４（例えば、高さ約０．５〜〜１０μｍ）が設けられており、これら台座部２４の間に、導電性を有するバネ部３０Ａが掛架されている。バネ部３０Ａは、上述したバネ部３０同様、基板２０Ａの基板面２０ａに平行に延在する薄膜部材であり、ＣｕやＮｉ等の導電性材料のめっき成形によって形成されている。
【００５１】
バネ部３０Ａは、基板２０Ａの台座部２４上に設けられた一対の支持部３２と、その間に位置する可動部３４とによって構成されている。そのため、バネ部３０Ａの可動部３４が形成された領域（第１の領域）が、支持部３２が形成された領域（第２の領域）よりも低くなっている。
【００５２】
そして、バネ部３０Ａの可動部３４は、一対の支持部３２の並び方向に平行な仮想線Ｌ１上に沿って延びる中央部３４ａと、上記並び方向から傾斜して延びる両側の連結部３４ｂとによって構成されている。従って、このセンシングユニット１０Ａにおいては、バネ部３０Ａは、可動部３４の中央部３４ａが支持部３２の並び方向（図７のＸ方向）に沿う方向に揺動可能な状態で支持されている。
【００５３】
可動部３４のうちの中央部３４ａに、上述したセンサ部と同様のセンサ部４０が設けられている。そのため、このセンサ部４０は、可動部３４の中央部３４ａにおけるＸ方向の揺動を検出する。
【００５４】
第２実施形態に係るセンシングユニット１０Ａの製造方法は、用いる基板２０Ａが異なる点以外は第１実施形態と同様である。ここで、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面においてセンシングユニット１０Ａを作製する手順を示した図であり、その（ａ）〜（ｄ）部分は各工程段階における断面を示している。
【００５５】
すなわち、センシングユニット１０Ａを作製する際には、まず所定形状のＡｌ２Ｏ３基板２０Ａを用意する。この基板２０Ａの表面２０ａには、バネ部３０Ａの支持部３２が形成される領域に台座部２４が設けられている（図８の（ａ）部分参照）。この台座部２４は、基板２０Ａのエッチング成形により一体的に設けてもよく、また基板材料とは異なる材料で成膜成形してもよい。
【００５６】
次に、バネ部３０Ａの可動部３４が形成される領域（台座部の残余領域）を、フォトレジスト（レジスト層）８０で埋めて基板を平坦にする（図８の（ｂ）部分参照）。この平坦化処理は、上述したセンシングユニット１０の製造方法と同様に、Ａｌ２Ｏ３層で一旦フォトレジスト８０を覆った後、ＣＭＰにより台座部２４の上端面が露出する位置まで研磨する。
【００５７】
続いて、平坦になった基板２０Ａ上に、断面矩形状のめっき層５６を、上述したバネ部３０Ａと同様の形状となるようにめっき形成する（図８の（ｃ）部分参照）。このとき、めっき層５６を、支持部３２となる部分が台座部２４上に位置し、可動部３４となる部分がフォトレジスト８０上に位置するように形成する。
【００５８】
その後、上述したセンシングユニット１０の製造方法と同様の手順に従って、可動部３４の中央部３４ａに対応する部分のめっき層５６上にセンサ部４０を形成すると共に、フォトレジスト８０を除去して、センシングユニット１０Ａの作製が完了する（図８の（ｄ）部分参照）。
【００５９】
以上で説明した第２実施形態においては、第１実施形態同様、センシングユニット１０Ａのバネ部３０Ａが導電性材料で構成されているため、バネ部３０Ａをセンサ部４０の信号伝達経路として利用することができる。つまり、このセンシングユニット１０Ａにおいても、別途の配線を設けることなくセンサ部４０を設置することができる。そのため、部品点数の少ない簡素な構成となり、製作コストの削減及び作製の容易化が実現される。
（第３実施形態）
【００６０】
次に、本発明の第３実施形態に係るセンシングユニット１０Ｂについて説明する。図９は、センシングユニット１０Ｂを示した概略平面図である。
【００６１】
図９に示すように、センシングユニット１０Ｂは、上述したセンシングユニット１０Ａと相似の構成を有しており、センシングユニット１０Ｂのバネ部３０Ｂは、上述したバネ部３０，３０Ａ同様、導電性材料のめっき成形によって形成されている。このセンシングユニット１０Ｂでは、基板２０Ｂの台座部２４は、上記Ｘ方向に直交するＹ方向に並んでいる。そして、バネ部Ｂの可動部３４の中央部３４ａは、台座部２４に設けられた一対の支持部３２の並び方向（Ｙ方向）に平行な仮想線Ｌ２上に沿って延びている。従って、このセンシングユニット１０Ｂにおいては、バネ部３０Ｂは、可動部３４の中央部３４ａが支持部３２の並び方向（図９のＹ方向）に沿う方向に揺動可能な状態で支持されている。
【００６２】
従って、可動部３４のうちの中央部３４ａに設けられたセンサ部４０は、可動部３４の中央部３４ａにおけるＹ方向の揺動を検出する。
【００６３】
このようなセンシングユニット１０Ｂは、単独で用いてもよく、センシングユニット１０Ａと合わせて用いてもよい。センシングユニット１０Ｂとセンシングユニット１０Ａとの両方を利用した場合には、センサ部４０の検出信号から、基板２０Ａ，２０ＢのＸ−Ｙ面における全方位の加速度を検出することができる。
（第４実施形態）
【００６４】
次に、本発明の第４実施形態に係るセンシングユニット１０Ｃについて説明する。図１０は、センシングユニット１０Ｃを示した概略平面図である。
【００６５】
図１０に示すように、センシングユニット１０Ｃはバネ部３０Ｃを有しており、バネ部３０Ｃは、上述したバネ部３０，３０Ａ，３０Ｂ同様、導電性材料のめっき成形によって形成されている。このバネ部３０Ｃは、Ｙ方向に関して鏡像関係にある一対のバネ部３１Ａ，３１Ｂによって構成されている。各バネ部３１Ａ，３１Ｂは、上述したセンシングユニット１０Ａが連続した形状であり、Ｘ方向に等間隔で並ぶ３つの台座部２４によってそれぞれ支持されている。このバネ部３０Ｃを構成する各バネ部３１Ａ，３１Ｂは、２つの支持部２４の間の構成は第２実施形態のバネ部３０Ａと同一であるため、センサ部４０によってＸ方向における揺動が検出される。
【００６６】
本実施形態においては、複数のセンサ部４０により、測定精度の向上等を図ることができる。例えば、各センサ部４０の検出信号から変位量の差分や平均を求めてより高い測定精度を実現することができる。
【００６７】
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、センサ部は、ＧＭＲセンサに限らず、公知のセンサ（ＭＲセンサ等）に適宜変更してもよい。また、導電性を有するバネ部は、必要に応じてその断面を絶縁膜で複数に分割してもよい。
【符号の説明】
【００６８】
１０，１０Ａ…センシングユニット、２０，２０Ａ…基板、２２…ホール（凹部）、３０，３０Ａ…バネ部、３２…支持部、３４…可動部、４０（４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ）…センサ部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月24日(2013.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた支持部と、前記支持部によって前記基板に対して浮動可能に支持された可動部とを有し、且つ、導電性材料で構成されているバネ部と、
前記バネ部の可動部に設けられ、前記可動部における変位を検出し、前記変位に関する信号を前記バネ部を介して伝達するセンサ部と
を備え、
前記可動部の両端部が、一対の前記支持部によって支持されており、
前記可動部の一部が、前記一対の支持部の並び方向に延びており、且つ、前記並び方向に沿う方向に揺動する、センシングユニット。
【請求項２】
前記バネ部がめっき成形によって形成されている、請求項１に記載のセンシングユニット。
【請求項３】
前記センサ部がＧＭＲセンサで構成されている、請求項１または２に記載のセンシングユニット。