(57)【要約】      （修正有）【課題】スルーホールランドの薄膜化とスルーホールランドの平坦化の両立する製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板からなる出発基板２０にスルーホール導体用の貫通孔２８を形成することと、前記貫通孔内及び前記出発基板の表面にシード層３１を形成することと、前記シード層の表面にめっきレジスト４０を形成することと、前記めっきレジストから露出しているシード層上に電解めっき膜３６を形成すると共に前記スルーホール導体用の貫通孔内を前記電解めっき膜で充填することと、前記電解めっき膜の厚みを薄くすることと、前記めっきレジストを除去することと、前記電解めっき膜間のシード層を除去すること、とを有するプリント配線板の製造方法。【選択図】図１
2014045020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板からなる出発基板を準備することと、
前記出発基板にスルーホール導体用の貫通孔を形成することと、
前記貫通孔内及び前記出発基板の表面にシード層を形成することと、
前記シード層の表面にめっきレジストを形成することと、
前記めっきレジストから露出しているシード層上に電解めっき膜を形成すると共に前記スルーホール導体用の貫通孔内を前記電解めっき膜で充填することと、
前記電解めっき膜の厚みを薄くすることと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記電解めっき膜間のシード層を除去すること、とを有するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記電解めっき膜を薄くすることで得られる電解めっき膜の厚みを前記電解めっき膜の厚みで割ることで得られる値は０．５〜０．８３である。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記出発基板の厚みは５０μｍから２００μｍであって、前記スルーホール導体用の貫通孔の径は５０μｍから８０μｍである。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記スルーホール導体用の貫通孔を形成することは、前記出発基板の第１面にレーザを照射することにより前記出発基板の第１面から第２に向かってテーパーしている第１開口部を形成することと前記出発基板の第２面にレーザを照射することにより前記出発基板の第２面から第１に向かってテーパーしていて前記第１開口部に繋がる第２開口部を形成することを含む。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板の製造方法であって、前記スルーホール導体用の貫通孔の最小径が４０〜６０μｍである。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記シード層は無電解銅めっき膜である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記めっきレジストを除去することは、前記電解めっき膜の厚みを薄くすることより前に行われ、前記シード層を除去することと前記電解めっき膜の厚みを薄くすることは同時に行われる。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記電解めっき膜の厚みを薄くすることは、前記めっきレジストを除去することより前に行われ、前記シード層を除去することは前記めっきレジストを除去することより後に行われる。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記電解めっき膜を薄くすることで得られる電解めっき膜の厚みは５μｍから１０μｍである。
【請求項１０】
請求項８のプリント配線板の製造方法であって、前記シード層を除去することは前記電解めっき膜の厚みを薄くすることを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、出発基板上に電解めっき膜を形成することと、その電解めっき膜を薄くすることとを含むプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は回路板に砂時計形状の貫通孔を形成している。そして、特許文献１は、その貫通孔をめっきで充填している。その時、同時に、回路板の表面にめっき膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−４１４６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は、スルーホール導体用の貫通孔をめっきで充填すると共に回路板の表面にめっき膜を形成している。特許文献１では、その後、どのように導体回路が形成されるかは省略されている。特許文献１では、貫通孔がめっきで充填されているので回路板上のめっき膜の厚みは厚くなると考えられる。厚みは３５μｍ以上であると想像される。その場合、回路板上に３０μｍ／３０μｍ（線幅／線間）以下の導体回路を形成することは難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、絶縁基板に形成されているスルーホール導体用の貫通孔をめっきで充填することが可能であって、絶縁基板上に微細な導体回路を形成することができるプリント配線板の製造方法を提供することである。別の目的は、厚みの薄いプリント配線板を製造するための製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有する絶縁基板からなる出発基板を準備することと前記出発基板にスルーホール導体用の貫通孔を形成することと前記貫通孔内及び前記出発基板の表面にシード層を形成することと前記シード層の表面にめっきレジストを形成することと前記めっきレジストから露出しているシード層上に電解めっき膜を形成すると共に前記スルーホール導体用の貫通孔内を前記電解めっき膜で充填することと前記電解めっき膜の厚みを薄くすることと前記めっきレジストを除去することと前記電解めっき膜間のシード層を除去することとを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図６】図５のプリント配線板の一部を拡大して示す断面図。
【図７】（Ａ）はコア基板の平面図、（Ｂ）はコア基板の断面図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す図。
【図９】参考例のプリント配線板を示す断面図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が図５に示されている。
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。第１導体層３４Ｆはスルーホールランド３６ＦＲを含み、第２導体層３４Ｓはスルーホールランド３６ＳＲを含む。第１導体層や第２導体層は複数の導体回路も含む。コア基板はさらに、絶縁基板２０ｚに形成されているスルーホール導体用の貫通孔２８をめっき膜で充填しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを接続している。スルーホールランドはスルーホール導体上とスルーホール導体の周りに形成されているめっき膜などの導体で形成されている。スルーホール導体上のスルーホールランドは絶縁基板から出ている部分の導体である。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【０００９】
コア基板３０の第１面Ｆ上に層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）５０Ｆが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体（最上のビア導体）６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆと導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで上側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。第１実施形態では、上側のビルドアップ層は１層である。
【００１０】
コア基板３０の第２面Ｓに層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ｓが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層（最下の導体層）５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体（最下のビア導体）６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで下側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。第１実施形態では、下側のビルドアップ層は１層である。
【００１１】
上側のビルドアップ層上に上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは、導体層５８Ｆやビア導体６０Ｆの上面を露出する開口７１Ｆを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、導体層５８Ｓやビア導体６０Ｓの上面を露出する開口７１Ｓを有する。
【００１２】
上側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出している部分はＣ４パッド７１ＦＰとして機能する。パッド７１ＦＰ上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）７６Ｆが形成されている。下側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓから露出している部分はＢＧＡパッド７１ＳＰとして機能する。ＢＧＡパッド７１ＳＰ上に半田バンプ（ＢＧＡバンプ）７６Ｓが形成されている。
【００１３】
図６に第１実施形態のプリント配線板の一部が拡大して示されている。
絶縁基板２０ｚの厚みｔ１は５０〜２００μｍである。スルーホール導体用の貫通孔２８は、絶縁基板の第１面に第１開口２８Ａを有する。その径ｄ５は５０〜８０μｍである。また、貫通孔２８は、絶縁基板の第２面に第２開口２８Ｂを有する。その径ｄ４は５０〜８０μｍである。第１開口と第２開口の内、大きな径が貫通孔の径である。貫通孔の形状が砂時計形状の場合、貫通孔の最少部分２８ｃの径ｄ３は４０〜６０μｍである。第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓの厚みｓ１は５〜１２μｍである（図６）。第１導体層３４Ｆや第２導体層３４Ｓの厚みが７〜１０μｍであると、薄くて電気特性に優れるプリント配線板が提供される。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓの厚みｔ２は１０〜３０μｍである。層間樹脂絶縁層の厚みは導体層の上面から層間樹脂絶縁層の上面までの距離である。
導体層５８Ｆ、５８Ｓの厚みｓ２は５〜１２μｍである。好適な範囲は７〜１０μｍである。ビア導体６０Ｆ、６０Ｓのトップ径ｄ１は３０〜６０μｍであり、ボトム径ｄ２は２０〜５０μｍである。ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの厚みｔ３は１０〜２０μｍである。トップ径、ボトム径は最上のビア導体を例として図６に示されている。
【００１４】
図７（Ａ）はコア基板の第１面Ｆの平面図であり、図７（Ｂ）はコア基板の断面図である。
スルーホール導体３６の端部とその周りにスルーホールランド３６ＦＲが形成されている。スルーホールランド３６ＦＲは第１導体層と接続しているスルーホールランド３６ＦＲＬとビア導体６０Ｆと接続しているスルーホールランド３６ＦＲＶを有する。スルーホールランド３６ＦＲＶ直上にビア導体６０Ｆが形成される。スルーホールランド３６ＦＲＬは絶縁基板の第１面上で第１導体層と接続している。
【００１５】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図４に示される
（１）第１面と第１面と反対側の第２面を有する出発基板２０が準備される。出発基板は両面銅張積層板であることが好ましい。両面銅張積層板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板２０ｚとその両面に積層されている金属箔２２、２２とからなる（図１（Ａ））。第１実施形態の出発基板は両面銅張積層板である。金属箔２２、２２の厚みは２μｍである。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。銅箔２２の表面に黒化処理が施される。
【００１６】
絶縁基板は樹脂と補強材で形成されていて、その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスはＴガラスであることが好ましい。樹脂としてエポキシ樹脂、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂などが挙げられる。さらに、樹脂中に水酸化物からなる粒子が含有されてもよい。水酸化物からなる粒子として水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。熱で分解されることで水酸化物から水が生成する。このため、水酸化物は、コア基板３０を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、絶縁基板２０ｚが水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。
【００１７】
（２）出発基板の第１面Ｆ（上面）にＣＯ２レーザが照射され、出発基板の第１面Ｆ側にスルーホール導体用貫通孔を形成するための第１開口部２８ａが形成される（図１（Ｂ））。ここで、第１開口部２８ａは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパしている。
【００１８】
（３）出発基板の第２面ＳにＣＯ２レーザが照射され、第１開口部２８ａに繋がる第２開口部２８ｂが形成される。スルーホール導体用貫通孔２８が形成される（図１（Ｃ））。ここで、第２開口部２８ｂは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパしている。第１開口部は出発材料の第１面に第１開口を有し、第２開口部は出発材料の第２面に第２開口を有する。出発材料が銅張積層板の場合、第１開口は絶縁基板の第１面に形成され、第２開口は絶縁基板の第２面に形成される。
【００１９】
（４）無電解めっき処理により出発材料の表面と貫通孔の内壁にシード層としての無電解めっき膜３１が形成される（図１（Ｄ））。
【００２０】
（５）シード層３１上に所定のパターンを有するめっきレジスト４０が形成される（図１（Ｅ））。
【００２１】
（６）電解めっき処理により、めっきレジスト４０から露出するシード層上に電解めっき膜３２が形成される。同時に貫通孔２８がめっきにより充填されスルーホール導体３６が形成される（図１（Ｆ））。図８（Ａ）に図１（Ｆ）の拡大図が示されている。絶縁基板２０ｚの第１面と第２面上の電解めっき膜（めっき直後の電解めっき膜）３２の厚みｆ１が１０μｍ〜２０μｍになるように、電解めっき処理が行われる。例えば、電解めっき膜３２の厚みは１５μｍである。そのため、スルーホールランドの上面に形成されるリセス（凹み）３６ｒの深さ３６ｒＬが電解めっき膜の厚みｆ１の１／３以下となる。また、電解めっき膜の膜厚のバラツキが小さくなる。絶縁基板の厚みが５０μｍから２００μｍであって、貫通孔の径が５０μｍから８０μｍであると、スルーホールランドの上面がほぼ平坦になる。リセスの深さが電解めっき膜の厚みｆ１の１／５以下である場合、実施形態ではスルーホールランドの上面はほぼ平坦である。リセス３６ｒやリセスの深さ３６ｒＬは図９（Ｂ）に示されている。貫通孔の形状が砂時計の形状であり、最小径が４０μｍから６０μｍであると、スルーホールランドの上面の平坦度が増す。絶縁基板の厚みが５０μｍ未満であると、スルーホールランドの上面が凸になりやすい。電解めっき膜（めっき直後の電解めっき膜）３２の厚みｆ１は任意な５点のスルーホールランドの厚みと任意な５点の導体回路の厚みの平均値である。
【００２２】
電解めっき膜の厚みｆ１が２２μｍ以上であると、電解めっき膜の厚みｆ１のバラツキが大きくなる。例えば、スルーホールランドの厚みｆ６’と導体回路の厚みｆ６の差が大きくなる（図９（Ａ））。従って、後に形成される第１導体層や第２導体層の厚みのバラツキが大きくなる。ヒートサイクルで発生する応力が厚みの薄い導体回路に集中し、接続信頼性が低下する。
また、電解めっき膜の厚みｆ１が１０μｍ未満であると、スルーホールランドの中央部に電解めっき膜の厚みｆ１以上のリセス３６ｒが形成されやすい（図９（Ｂ））。スルーホールランドとそのスルーホールランド上に形成されるビア導体間の接続信頼性が低下する。リセス３６ｒの深さを小さくするため、電解めっき膜（めっき直後の電解めっき膜）３２の厚みｆ１は１４μｍ〜２０μｍであることが好ましい。
【００２３】
（７）エッチング等により電解めっき膜３２（めっき直後の電解めっき膜）が薄膜化される（図２（Ａ））。エッチング以外の薄膜化の方法として、ブラスト処理が挙げられる。図８（Ｂ）に図２（Ａ）の拡大図が示されている。電解めっき膜３２の厚みがエッチングで所定の範囲に調整される。薄膜化後の電解めっき膜（第２の電解めっき膜）３２０の厚みｆ２をめっき直後の電解めっき膜３２の厚みｆ１で割ることで得られる値（Ｘ）は０．５〜０．８３である。Ｘがこの範囲であると、スルーホールランド上のリセスもしくは凸の大きさが小さくなる。Ｘが上述の範囲であって、薄膜化後の電解めっき膜３２０の厚みｆ２が７〜１０μｍであると、スルーホールランドの厚みと絶縁基板上の導体回路の厚みの差が約２μｍ以下となる。
【００２４】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、貫通孔２８が電解めっきで充填される時、電解めっき膜は第１と第２導体層のターゲットの厚みより厚く形成される。そのため、貫通孔２８は電解めっき膜で充填されると共にスルーホールランドの上面がほぼ平坦となる。スルーホールランドの上面にリセスが形成され難い。その後、シード層上にめっきレジストが存在している状態で電解めっき膜３２が薄膜化される。ほぼターゲットの厚みを有する第１導体層や第２導体層が形成されるので、導体層の信頼性、及び、絶縁信頼性を高くすることができる。
【００２５】
（８）めっきレジスト４０が除去される（図８（Ｃ））。この時点で、電解めっき膜３２０は、銅箔２２と無電解めっき膜３１上に形成されている。銅箔２２の厚みは２μｍであって、無電解めっき膜３１の厚みは０．５μｍであるので、こららの合計の厚みｆ４が２．５μｍである。そして、薄膜化後の電解めっき膜３２０の厚みｆ２が７〜１０μｍである。めっきレジスト除去後の第１導体層や第２導体層に相当する部分の導体の厚みｓ１’が、９．５μｍ〜１２．５μｍである。
【００２６】
（９）電解めっき膜３２０間の無電解めっき膜３１と銅箔２２が除去され、第１導体層と第２導体層を有するコア基板３０が完成する（図２（Ｂ））。電解めっき膜３１と銅箔２２の除去はエッチングにより行われることが好ましい。
図８（Ｄ）に図２（Ｂ）の拡大図が示されている。電解めっき膜３２０間の銅箔２２と無電解めっき膜３１が除去される際、電解めっき膜３２０の厚みｆ２が薄くなる。電解めっき膜３２０の厚みは約２．５μｍ〜４．５μｍ減少する。従って、第１導体層や第２導体層を構成している電解めっき膜（第３の電解めっき膜）３２００の厚みｆ３は２．５〜７．５μｍに調整される。これにより、第１導体層や第２導体層３４Ｆ、３４Ｓの厚みｓ１が目標の５μｍ〜１０μｍに調整される。第１導体層や第２導体層の厚みが５μｍ〜１０μｍであると、層間樹脂絶縁層の厚みも薄くなる。プリント配線板の厚みが薄くなる。携帯機器の薄型化の要求に応えられる。第１や第２導体層の厚みｓ１は７〜１０μｍであることが好ましい。スルーホールランドの厚みと絶縁基板上の導体回路の厚みの差が小さい。接続信頼性が高くなる。その後、導体層３４Ｆ、３４Ｓの表面が粗化される。
【００２７】
（１０）コア基板３０の第１面Ｆ上及び第２面Ｓ上に、ガラスクロスとシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグと金属箔（銅箔）４８が順に積層される。金属箔の厚みは約２μｍである。その後、加熱プレスでプリプレグから層間樹脂絶縁層５０Ｆと層間樹脂絶縁層５０Ｓが形成される。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に銅箔４８が積層される（図２（Ｃ））。層間樹脂絶縁層として、補強材を含まないが無機粒子を含む層間樹脂絶縁層を用いることもできる。
【００２８】
（１１）次に、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓにそれぞれビア導体用の開口５１Ｆ，５１Ｓが形成される（図２（Ｄ））。
【００２９】
（１２）銅箔４８上と開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁に無電解めっき膜５２，５２が形成される（図２（Ｅ））。無電解めっき膜５２，５２の厚みは０．５μｍである。
【００３０】
（１３）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図３（Ａ））。
【００３１】
（１４）電解めっき処理により、めっきレジスト５４から露出している無電解めっき膜上に電解めっき膜５６が形成される。この時、開口５１Ｆ、５１Ｓは電解めっき膜５６で充填される。ビア導体６０Ｆ、６０Ｓが形成される（図３（Ｂ））。
【００３２】
（１５）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜５６から露出している金属箔４８と無電解めっき膜５２が除去される。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体層５８Ｆ、５８Ｓが形成される（図３（Ｃ））。導体層５８Ｆ、５８Ｓの厚みは７μｍ〜１０μｍである。上側と下側のビルドアップ層が完成する。導体層５８Ｆ、５８Ｓの表面が粗化される。
【００３３】
（１６）上側のビルドアップ層上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図４（Ａ））。上側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出する導体層やビア導体の上面はＣ４パッド７１ＦＰとして機能する。一方、下側の層間樹脂絶縁層７０Ｓの開口７１Ｓから露出する導体層やビア導体の上面はＢＧＡパッド７１ＳＰとして機能する。
【００３４】
（１７）Ｃ４パッド７１ＦＰ、ＢＧＡパッド７１ＳＰ上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図４（Ｂ））。ニッケル−金層の代わりにニッケル−パラジウム−金層やＯＳＰ膜が形成されてもよい。  
【００３５】
（１８）Ｃ４パッド７１ＦＰに半田ボール７６ｆが搭載され、ＢＧＡパッド７１ＳＰ上に半田ボール７６ｓが搭載される（図４（Ｃ））。
【００３６】
（１９）リフローにより、Ｃ４パッド７１ＦＰにＣ４バンプ７６Ｆが形成される。ＢＧＡパッド７１Ｓ上にＢＧＡバンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０が完成する（図５）。第１実施形態では、第１や第２導体層を構成する電解めっき膜（めっき直後の電解めっき膜）３２は、めっき直後の電解めっき膜間にめっきレジストが存在している状態で薄膜化される。シード層上にめっきレジストが存在している状態で電解めっき膜３２は薄膜化される。第２の電解めっき膜３２０が形成される。その後、めっきレジストが除去される。そして、めっきレジスト除去後、第２の電解めっき膜間のシード層が除去される時、第２の電解めっき膜が薄膜化される。第３の電解めっき膜が形成される。このように、めっき直後の電解めっき膜は複数の処理で薄膜化されるので、導体層の厚みのバラツキが小さくなる。めっき直後の電解めっき膜の厚みと第２電解めっき膜の厚みの差は、第２の電解めっき膜の厚みと第３の電解めっき膜の厚みの差より大きい。
【００３７】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板が図１２に示されている。
第２実施形態のプリント配線板１０はコア基板３０を有する。コア基板３０は、絶縁基板２０ｚと絶縁基材２０ｚの第１面Ｆ上に積層されている第１樹脂層２４Ｆと、第２面Ｓ上に積層されている第２樹脂層２４Ｓとから成る。絶縁基板２０ｚは補強材と無機粒子と樹脂で形成されている。第１樹脂層２４Ｆと第２樹脂層２４Ｓは、補強材を含まない。但し、第１、第２樹脂層は無機粒子を含んでもよいし、樹脂だけで形成されてもよい。樹脂層が無機粒子を含む場合、樹脂層の熱膨張係数が小さくなる。樹脂層が無機粒子を含まない場合、めっき工程で樹脂層からめっき液へ無機粒子が脱落しない。無機粒子がめっき液に混ざると、めっき膜の厚みのバラツキが発生しやすい。そのような不具合が発生しがたい。
第１樹脂層と第２樹脂層の表面に粗面が形成されている。その粗面を介して第１、第２導体層は第１、第２樹脂層上に形成される。それ以外、第１実施形態のプリント配線板と第２実施形態のプリント配線板は同様である。
【００３８】
[第２実施形態のプリント配線板の製造方法]
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１０〜図１１に示される。
（１）第１面と第１面と反対側の第２面を有する出発基板２０が準備される（図１０（Ａ））。出発基板２０は、絶縁基板２０ｚと絶縁基材２０ｚの第１面Ｆ上に積層されている第１樹脂層２４Ｆと、第２面Ｓ上に積層されている第２樹脂層２４Ｓとから成る。
【００３９】
（２）出発基板の第１面Ｆ（上面）にＣＯ２レーザが照射され、出発基板の第１面Ｆ側にスルーホール導体用貫通孔を形成するための第１開口部２８ａが形成される（図１０（Ｂ））。ここで、第１開口部２８ａは、第１Ｆ面から第２面Ｓに向かってテーパしている。
【００４０】
（３）出発基板の第２面ＳにＣＯ２レーザが照射され、第１開口部２８ａに繋がる第２開口部２８ｂが形成される。スルーホール導体用貫通孔２８が形成される（図１０（Ｃ））。ここで、第２開口部２８ｂは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパしている。
【００４１】
（４）無電解めっき処理により出発材料の表面と貫通孔の内壁にシード層としての無電解めっき膜３１が形成される（図１０（Ｄ））。
【００４２】
（５）シード層３１上に所定のパターンを有するめっきレジスト４０が形成される（図１０（Ｅ））。
【００４３】
（６）電解めっき処理により、めっきレジスト４０から露出するシード層上に電解めっき膜３２が形成される。同時に貫通孔２８がめっきにより充填されスルーホール導体３６が形成される（図１０（Ｆ））。
第２実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、貫通孔２８が電解めっきで充填される時、電解めっき膜は第１と第２の導体層のターゲットの厚みより厚く形成される。そのため、貫通孔２８は電解めっき膜で充填されると共にスルーホールランドの上面がほぼ平坦となる。スルーホールランドの上面にリセスが形成され難い。めっき直後の電解めっき膜の厚みや第１、第２導体層の厚みは第１、第２実施形態で同様である。
【００４４】
（７）めっきレジスト４０が除去される（図１１（Ａ））。
【００４５】
（８）エッチングにより電解めっき膜３２が薄膜化されると共に、電解めっき膜３２間のシード層３１が除去される（図１１（Ｂ））。これにより、電解めっき膜（薄膜化後の電解めっき膜）３２０の厚みｆ２がエッチングで所定の範囲に調整される。第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓを有するコア基板３０が完成する。以降の工程は、図２（Ｃ）〜図４に示されている工程でプリント配線板が製造される。
【００４６】
第２実施形態では、電解めっき膜間のシード層を除去するとき、めっき直後の電解めっき膜が薄膜化される。めっきレジストが存在している状態で電解めっき膜は薄膜化されない。１つの工程で、電解めっき膜３２の薄膜化と導体層の形成が行われる。
第２実施形態では、めっきレジストが存在しない状態でたくさんの導体が除去されるので、導体層の幅の制御が難しい。また、電解めっき膜下の金属箔や無電解めっき膜が過剰にエッチングされることもある。第１実施形態と第２実施形態が比較されると、第２実施形態は工程が簡単である。第１実施形態は、微細な導体回路の製造に適する。第１実施形態では薄くて高密度なプリント配線板が製造される。貫通孔２８がめっきで充填されていて、２５μｍ／２５μｍ（線幅／線間のスペース）以下の導体回路を有するプリント配線板が製造される。また、第１実施形態の製法によれば、第３の電解めっき膜の下のシード層が過剰にエッチングされ難い。また、第１実施形態の製造方法によれば、第３の電解めっき膜の下のシード層が過剰にエッチングされない。第１導体層や第２導体層と絶縁基板間の密着強度が高い。各実施形態の無電解めっきや電解めっきには銅めっきが好ましい。
【符号の説明】
【００４７】
１０  プリント配線板
３０  コア基板
３１  無電解めっき膜
３２  電解めっき膜
３４Ｆ  第１導体層
３４Ｓ  第２導体層
３６  スルーホール導体
３６ＦＲ、３６ＳＲ  スルーホールランド
４０  めっきレジスト
５０Ｆ、５０Ｓ  層間樹脂絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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