(57)【要約】【課題】折り曲げ構造としても、アイソレーション特性の劣化を回避し、また、製造上の制約により結合線路インピーダンスが、各端子に接続される終端インピーダンスよりも低くなる場合でも、方向性が良好な方向性結合器を得る。【解決手段】主信号線導体１００１、および主信号線導体１００１と平行に配置された副信号線導体１０１１からなるブロードサイド結合線路１０３１と、主信号線導体１００１と端部同士が接続された主信号線導体１００２、および副信号線導体１０１１と端部同士が接続され、かつ主信号線導体１００２と平行に配置された副信号線導体１０１２からなるオフセット・ブロードサイド結合線路１０３２とを備え、ブロードサイド結合線路１０３１における結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも低く、オフセット・ブロードサイド結合線路１０３２における結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも高いことを特徴とする。【選択図】図１
2014197793.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主信号線導体、および該第１の主信号線導体と平行に配置された第１の副信号線導体からなる第１の結合部と、
前記第１の主信号線導体と端部同士が接続された第２の主信号線導体、および前記第１の副信号線導体と端部同士が接続され、かつ該第２の主信号線導体と平行に配置された第２の副信号線導体からなる第２の結合部とを備え、
前記第１の結合部における第１の結合線路インピーダンスは、
終端インピーダンスよりも低く、
前記第２の結合部における第２の結合線路インピーダンスは、
終端インピーダンスよりも高いことを特徴とする方向性結合器。
【請求項２】
前記第１の主信号線導体と前記第１の副信号線導体との間隔よりも広い間隔で、前記第２の主信号線導体と前記第２の副信号線導体が配置されたことを特徴とする請求項１記載の方向性結合器。
【請求項３】
前記第１の主信号線導体、前記第２の主信号線導体、前記第１の副信号線導体、および前記第２の副信号線導体のうちのいずれか１つ以上の信号線導体は、
少なくとも１つ以上の折り曲げ構造を有することを特徴とする請求項１記載の方向性結合器。
【請求項４】
主信号線導体、および該主信号線導体と平行に配置された第１の副信号線導体からなる第１の結合部と、
前記主信号線導体、および該主信号線導体と平行に配置された第２の副信号線導体からなる第２の結合部と、
前記第１の副信号線導体の一方の端部と該第１の副信号線導体のもう一方の端部側の前記第２の副信号線導体の端部とを接続する迂回信号線導体とを備え、
前記第１の結合部における第１の結合線路インピーダンスは、
終端インピーダンスよりも低く、
前記第２の結合部における第２の結合線路インピーダンスは、
終端インピーダンスよりも高いことを特徴とする方向性結合器。
【請求項５】
前記主信号線導体と前記第１の副信号線導体との間隔よりも広い間隔で、該主信号線導体と前記第２の副信号線導体が配置されたことを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【請求項６】
前記主信号線導体、前記第１の副信号線導体、および前記第２の副信号線導体のうちのいずれか１つ以上の信号線導体は、
少なくとも１つ以上の折り曲げ構造を有することを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【請求項７】
前記主信号線導体は、
少なくとも２つ以上の同じ方向に折り曲がる折り曲げ構造を有することを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【請求項８】
前記第２の副信号線導体は、
前記主信号線導体の外周に沿って配置されたことを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【請求項９】
前記第２の副信号線導体は、
前記主信号線導体の直下に沿って配置されたことを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【請求項１０】
前記迂回信号線導体は、
前記第１の副信号線導体、および前記第２の副信号線導体と異なる平面に配置されたことを特徴とする請求項４記載の方向性結合器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯などで使用される方向性結合器に関する。
【背景技術】
【０００２】
方向性結合器は、電力監視を行うために広く用いられる。
方向性結合器としては、２つの線路を上下に配置した構成がある（例えば、下記非特許文献１参照）。
このように、２つの線路を上下に配置することで、電気的に結合（ブロードサイド結合）が生じることから、方向性結合器を実現できる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】David M. Pozar、“Microwave Engineering - Second Edition”（pp.384，John Wiley & Sons. Inc，1998年出版）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の方向性結合器では、小型化のために結合している２つの線路を折り曲げると、折り曲げた部分で偶モード動作時と奇モード動作時の通過位相に差が生じ、方向性が劣化する課題がある。
【０００５】
また、方向性結合器をマイクロストリップ線路やトリプレート線路で構成する場合、基板厚や線路幅などの製造上の制約により、方向性結合器の反射特性やアイソレーション量が最小となり、かつ結合量が最大となる結合線路インピーダンスが、カプラの各端子に接続される終端インピーダンスよりも低くなる場合がある。
結合線路インピーダンスが終端インピーダンスよりも低い場合、偶モード動作時の通過位相は奇モード動作時の通過位相よりも進むため、偶／奇モード動作時で位相差が生じ、方向性が劣化するという課題がある。
【０００６】
本発明は、前記のような課題を解決するためになされたもので、折り曲げ構造としても、アイソレーション特性の劣化を回避し、また、製造上の制約により結合線路インピーダンスが、カプラの各端子に接続される終端インピーダンスよりも低くなる場合でも、方向性が良好な方向性結合器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の方向性結合器は、第１の主信号線導体、および該第１の主信号線導体と平行に配置された第１の副信号線導体からなる第１の結合部と、第１の主信号線導体と端部同士が接続された第２の主信号線導体、および第１の副信号線導体と端部同士が接続され、かつ該第２の主信号線導体と平行に配置された第２の副信号線導体からなる第２の結合部とを備え、第１の結合部における第１の結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも低く、第２の結合部における第２の結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも高いことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第１の結合部における第１の結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも低く、第２の結合部における第２の結合線路インピーダンスは、終端インピーダンスよりも高くした。
よって、第１の結合部のアイソレーションと第２の結合部のアイソレーションとの振幅は等しく、ほぼ逆相となるため、第１の結合部と第２の結合部のアイソレーションが打ち消し合うことから、折り曲げ構造としてもアイソレーション特性の劣化を回避でき、また、製造上の制約により結合線路インピーダンスが、方向性結合器の各端子に接続される終端インピーダンスよりも低くなる場合でも、方向性が良好な方向性結合器を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１による方向性結合器を示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１による方向性結合器を示す等価回路図である。
【図３】２つの結合線路のアイソレーションの振幅および位相を示す特性図である。
【図４】本発明の実施の形態１による他の方向性結合器を示す構成図である。
【図５】本発明の実施の形態１による他の方向性結合器を示す構成図である。
【図６】本発明の実施の形態２による方向性結合器を示す構成図である。
【図７】本発明の実施の形態２による方向性結合器を示す等価回路図である。
【図８】本発明の実施の形態３による方向性結合器を示す構成図である。
【図９】本発明の実施の形態３による他の方向性結合器を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
以下、本発明の方向性結合器の好適な実施の形態につき、図面を用いて説明するが、各図において、同一または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
【００１１】
図１は、本発明の実施の形態１による方向性結合器を示す構成図である。
図１（ａ）は上面透視図である。
図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図であり、実施の形態１による方向性結合器では、マイクロストリップ線路を用いている。
【００１２】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、実施の形態１による方向性結合器の構造は、誘電体基板１０００の上位層の同一平面上に設けられた主信号線導体１００１、および主信号線導体１００２と、誘電体基板１０００の中間層の同一平面上に設けられた副信号線導体１０１１、および副信号線導体１０１２と、誘電体基板１０００の下位層に設けられた接地導体１０２１から形成されている。
【００１３】
また、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１１、主信号線導体１００２と副信号線導体１０１２が、それぞれ電磁的に結合するように近接して配置され、主信号線導体１００１と主信号線導体１００１の直下に沿って配置された副信号線導体１０１１により、ブロードサイド結合線路１０３１を構成している。
さらに、主信号線導体１００２と主信号線導体１００２の直下から平行に移動させ、主信号線導体１００２に沿って配置した副信号線導体１０１２とにより、オフセット・ブロードサイド結合線路１０３２を構成している。
【００１４】
ここで、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１１間の距離は、主信号線導体１００２と副信号線導体１０１２間の距離よりも短く、主信号線導体１００１および副信号線導体１０１１の線路長は、主信号線導体１００２および副信号線導体１０１２間の線路長よりも短い。
【００１５】
主信号線導体１００１は、接続部１０４１において、主信号線導体１００２の端部と接続され、主信号線導体１００１は、端子１０５１に、主信号線導体１００２は、端子１０５２にそれぞれ接続されている。
同様に、副信号線導体１０１１は、接続部１０４２において、副信号線導体１０１２の端部と接続され、副信号線導体１０１１は、端子１０５３に、副信号線導体１０１２は、端子１０５４にそれぞれ接続されている。
【００１６】
なお、図１では、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１，１００２、および副信号線路１０１１，１０１２に折り曲げ構造を有するものである。
【００１７】
ブロードサイド結合線路１０３１の結合線路インピーダンスは、各端子に接続される終端インピーダンスよりも低くなるように決定され、また、オフセット・ブロードサイド結合線路１０３２の結合線路インピーダンスは、各端子に接続される終端インピーダンスよりも高くなるように決定される。
なお、結合線路の各端子に接続された終端インピーダンスを変化させたときに、結合線路の反射特性やアイソレーション量が最小となる終端インピーダンスの値が、その結合線路の結合線路インピーダンスとなる。
【００１８】
一般的に、結合線路インピーダンスＺは、偶モード動作時のインピーダンスＺｅと、奇モード動作時のインピーダンスＺｏを用いて、式（１）により表される。
2014197793.tif 000003
【００１９】
図１に示した方向性結合器では、折り曲げ部で偶／奇モード動作時における通過位相に差が生じるため、端子１０５１に入力された電力は、ブロードサイド結合線路１０３１において、接続部１０４１および端子１０５３に出力され、接続部１０４２は、アイソレーション端子となるため、僅かな電力が出力される。
また、同様に、折り曲げ部の影響により、接続部１０４１からオフセット・ブロードサイド結合線路１０３２に入力された電力は、端子１０５２および接続部１０４２に出力され、端子１０５４は、アイソレーション端子となるため、僅かな電力が出力される。
【００２０】
次に、実施の形態１による方向性結合器について、等価回路を用いた説明をする。
図２は図１に示した方向性結合器に関する等価回路を示す。
【００２１】
図２において、図１に示した各信号線路は、主信号線導体１００１が信号線モデル２１０１、主信号線導体１００２が信号線モデル２１０２、副信号線導体１０１１が信号線モデル２１０１、副信号線導体１０１２が信号線モデル２１１２で表される。
また、信号線モデル２１０１と信号線モデル２１１１により、結合線路モデル２１３１を構成し、信号線モデル２１０２と信号線モデル２１１２により、結合線路モデル２１３２を構成する。
【００２２】
図２の等価回路では、図１における接続部１０４１を接続点２１４１が、図１における接続部１０４２を接続点２１４２が表す。
また、図１における端子１０５１、端子１０５２、端子１０５３、端子１０５４をそれぞれ端部２１５１、端部２１５２、端部２１５３、端部２１５４が表す。
ここで、各端部に接続される終端インピーダンスは、Ｚ０として、結合線路モデル２１３１の結合線路インピーダンスをＺ１として、結合線路モデル２１３２の結合インピーダンスをＺ２として示した。
【００２３】
Ｚ１＜Ｚ０＜Ｚ２の条件が成り立つとき、終端インピーダンスに比べ、結合線路モデル２１３１の結合インピーダンスは低いことから、低インピーダンス結合線路となり、また、終端インピーダンスに比べ、結合線路モデル２１３２の結合インピーダンスは高いことから、高インピーダンス結合線路となる。
このとき、２つの結合線路のアイソレーションに大きな位相差が生ずる。
【００２４】
また、２つの結合インピーダンスの差を調整することにより、２つの結合線路のアイソレーションの位相差を逆相に近づけることが可能である。
さらに、２つの結合線路の結合長を調整することにより、２つの結合線路のアイソレーション等振幅とすることが可能となる。
【００２５】
この条件の成り立つ場合の計算例として、２つの結合線路のアイソレーションの振幅を図３（ａ）に、位相を図３（ｂ）に示す。
各結合インピーダンスは、低インピーダンス結合線路では４４Ω、高インピーダンス結合線路では５９Ωとして、ともに電気長を１０ｄｅｇとして計算を行っている。
実線は低インピーダンス結合線路の特性を、破線は高インピーダンス結合線路の特性を表している。
これらの結果より、Ｚ１＜Ｚ０＜Ｚ２の条件が成り立つときに、２つの結合線路のアイソレーションは、およそ等振幅逆相となることがわかる。
【００２６】
以上のように、実施の形態１によれば、各端子の終端に接続される終端インピーダンスに対して、結合線路インピーダンスを結合線路１０３１はブロードサイド結合線路とすることで低く、結合線路１０３２はオフセット・ブロードサイド結合線路とすることで高くすることにより、２つの結合線路のアイソレーションの位相差を１８０度近くにすることができる。
ブロードサイド結合線路１０３１において、接続部１０４２に出力されるアイソレーションは、副信号線導体１０１２を通り端子１０５４に出力されため、端子１０５４にはブロードサイド結合線路１０３１およびオフセット・ブロードサイド結合線路１０３２とのアイソレーションの合成が出力される。
ここで、２つの結合線路の結合長を調整することにより、合成される２つの結合のアイソレーションは、等振幅であり位相差が大きくなるため打ち消し合い、折り曲げ構造としてもアイソレーションの劣化を回避でき、特性が改善される。
そのため、ブロードサイド結合線路１０３１およびオフセット・ブロードサイド結合線路１０３２を有する方向性結合器は、方向性が改善される。
【００２７】
なお、実施の形態１では、誘電体基板１０００の最下層に接地導体１０２１が形成され、上位層に主信号線導体１００１，１００２が配置されたマイクロストリップ線路型結合線路について示した。
これに限るものではなく、主信号線導体１００１，１００２は、誘電体基板１０００の内層に配置されても良い。
図１（ｃ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図１（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図であり、図１（ｃ）に示すように、誘電体基板１０００の接地導体１０２１が形成された面と反対側の最上層に地導体１０２２を設け、ストリップ線路形式として用いても良い。
【００２８】
また、実施の形態１では、図１に示したように、オフセット・ブロードサイド結合線路１０３２において、副信号線導体１０１１に対して、副信号線導体１０１２を誘電体基板１０００の外縁側へ平行に移動させ、主信号線導体１００２に沿って配置した。
これに限るものではなく、副信号線導体１０１１に対して、副信号線導体１０１２を誘電体基板１０００の中心側へ平行に移動させ、主信号線導体１００２に沿って配置しても良い。
【００２９】
さらに、図４に示すように、オフセット・ブロードサイド結合線路１０３２において、副信号線導体１０１１に対して、副信号線導体１０１２を誘電体基板１０００の外縁側もしくは中心側へ平行に移動させずに配置した上で、主信号線導体１００１に対して、主信号線導体１００２を誘電体基板１０００の外縁側もしくは中心側へ平行に移動させ、副信号線導体１０１２に沿って配置しても良い。
なお、図４では、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１，１００２、および副信号線路１０１１，１０１２に折り曲げ構造を有するものである。
【００３０】
さらに、図５に示すように、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１，１００２、および副信号線路１０１１，１０１２が直線構造の場合に用いても良い。
【００３１】
さらに、実施の形態１では、図１に示したように、結合線路１０３１をブロードサイド結合線路とし、結合線路１０３２をオフセット・ブロードサイド結合線路とした。
これに限るものではなく、結合線路１０３１をオフセット・ブロードサイド結合線路とし、結合線路１０３２をブロードサイド結合線路として用いても良い。
【００３２】
さらに、実施の形態１では、図２において、結合線路インピーダンスを各端部に接続された終端インピーダンスＺ０と比較し、結合線路モデル２１３１を低インピーダンス結合線路とし、結合線路モデル２１３２を高インピーダンス結合線路として説明した。
これに限るものではなく、結合線路モデル２１３１を高インピーダンス結合線路とし、結合線路モデル２１３２を低インピーダンス結合線路として用いても良い。
【００３３】
さらに、実施の形態１では、主信号線導体１００１，１００２が副信号線導体１０１１，１０１２よりも、誘電体基板１０００の上位層に配置されている例について示した。
これに限るものではなく、主信号線導体１００１，１００２が副信号線導体１０１１，１０１２よりも、誘電体基板１０００の下位層に配置されても良い。
【００３４】
さらに、主信号線導体１００１，１００２と副信号線導体１０１１，１０１２は、同一層に配置しても良い。
このときは、結合線路１０３１をブロードサイド結合線路、結合線路１０３２をオフセット・ブロードサイド結合線路とするのではなく、主信号線導体１００１，１００２の同一面上の側部に副信号線導体１０１１，１０１２を配置し、主信号線導体１００１，１００２と副信号線導体１０１１，１０１２との間隔と、各信号線導体幅を調整することによって、端子に接続される終端インピーダンスに対して、２つの結合線路の結合インピーダンスの一方を高く、もう一方を低くしても良い。
【００３５】
なお、実施の形態１では、結合線路を高インピーダンス結合線路と低インピーダンス結合線路との２段構成にした形状について説明したが、構成する結合線路が３段以上の多段構成を用いてしても良い。
この場合は、各結合線路のアイソレーションが等振幅とならずとも、同相となる結合線路のアイソレーションの振幅を足合わせたものが、アイソレーションの位相が逆相となる結合線路の振幅と等しければ良い。
【００３６】
さらに、各結合線路をなす主信号線導体は、ビアにより異なる層に配置し用いられても良く、これと同様に副信号線導体も異なる層に配置しても良い。
【００３７】
さらに、実施の形態１では、誘電体基板を用いた方向性結合器を例として説明した。
これに限るものではなく、図２で示した等価回路に対応する方向性結合器であれば、どのような構成であっても良い。
【００３８】
実施の形態２．
図６は、本発明の実施の形態２による方向性結合器を示す構成図である。
図６（ａ）は上面透視図である。
図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図であり、実施の形態２による方向性結合器では、マイクロストリップ線路を用いている。
【００３９】
図６に示した実施の形態２による方向性結合器の構造は、図１に示した実施の形態１による方向性結合器の構造と比べ、以下の点が異なる。
主信号線導体を、主信号線導体１００２を含む主信号線導体１００１のみとしている。
副信号線導体１０１２を、主信号線導体１００１の直下から誘電体基板１０００の中心側へ平行に移動させ、主信号線導体１００１に沿って配置している。
オフセット・ブロードサイド結合線路となる結合線路１０３２を、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１２とによって形成することで、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１を共有化している。
接続部１０４２を用いるのではなく、迂回信号線導体１０６１を用いて副信号線導体１０１１，１０１２を接続している。
端子１０５１がビアにより、終端インピーダンスに接続されている。
その他の構造については、前記実施の形態１と同様であり、その説明を省略する。
【００４０】
なお、図６では、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１１間の距離は、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１２間の距離よりも短い。
また、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１、および副信号線路１０１１，１０１２に折り曲げ構造を有するものである。
【００４１】
図７に、図６で示した実施の形態２による方向性結合器の等価回路を示す。
図７に示した実施の形態２による方向性結合器の等価回路は、図２に示した実施の形態１による方向性結合器の等価回路と比べ、以下の点が異なる。
信号線モデルを２１０１のみとし、結合線路モデル２１３１，２１３２で信号線モデル２１０１を共有化している。
迂回信号線モデル２１６１を用いて、信号線モデル２１１１，２１１２を接続している。
その他については、前記実施の形態１と同様であり、その説明を省略する。
【００４２】
前記実施の形態１と同様に、各端部に接続される終端インピーダンスは、Ｚ０として、結合線路モデル２１３１の結合線路インピーダンスをＺ１として、結合線路モデル２１３２の結合インピーダンスをＺ２として示す。
したがって、Ｚ１＜Ｚ０＜Ｚ２の条件が成り立つとき、終端インピーダンスに比べ、結合線路モデル２１３１の結合インピーダンスは低いことから、低インピーダンス結合線路となり、また、終端インピーダンスに比べ、結合線路モデル２１３２の結合インピーダンスは高いことから、高インピーダンス結合線路となる。
このとき、２つの結合線路のアイソレーションに大きな位相差が生ずる。
【００４３】
さらに、２つの結合線路の結合長を調整することにより、２つの結合線路のアイソレーション等振幅とすることが可能となる。
【００４４】
以上のように、実施の形態２によれば、結合線路１０３１でブロードサイド結合を、結合線路１０３２でオフセット・ブロードサイド結合部を構成することから、結合線路１０３１でのアイソレーションと結合線路１０３２でのアイソレーションが、等振幅・逆相とすることができるため、折り曲げ構造としてもアイソレーションの劣化を回避でき、前記実施の形態１と同様に、方向性が改善される。
また、前記実施の形態１による方向性結合器より、信号線導体を少なくすることができるため、同じ周波数帯域で用いる場合において、前記実施の形態１による方向性結合器より小型にすることができる。
【００４５】
なお、実施の形態２では、副信号線導体１０１１を主信号線導体１００１の直下に、副信号線導体１０１２を主信号線導体１００１の直下から誘電体基板１０００の外縁側へ平行に移動させ、主信号線導体１００１に沿って配置した。
これに限るものではなく、副信号線導体１０１１を主信号線導体１００１の直下から誘電体基板１０００の中心側へ平行に移動させ、主信号線導体１００１に沿って配置し、副信号線導体１０１２を主信号線導体１００１の直下に沿って配置しても良い。
【００４６】
また、実施の形態２では、主信号線導体を１００１のみとし、副信号線導体１０１１を主信号線導体１００１の直下に、副信号線導体１０１２を主信号線導体１００１の直下から誘電体基板１０００の外縁側へ平行に移動させ、主信号線導体１００１に沿って配置して、結合線路１０３１，１０３２において主信号線導体１００１を共有化した。
これに限るものではなく、副信号線導体を副信号線導体１０１２を含む副信号線導体１０１１のみとし、主信号線導体１００１を副信号線導体１０１１の直上に、主信号線導体１００２を副信号線導体１０１１の直上から誘電体基板１０００の中心側もしくは外縁側へ平行に移動させ、副信号線導体１０１１に沿って配置することで、結合線路１０３１，１０３２で副信号線導体１０１１を共有化しても良い。
【００４７】
さらに、図６（ｃ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図６（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図であり、実施の形態２は、図６（ｃ）に示すように、誘電体基板１０００の接地導体１０２１が形成された面と反対側の最上層に地導体１０２２を設け、ストリップ線路形式として用いても良い。
【００４８】
実施の形態３．
図８は、本発明の実施の形態３による方向性結合器を示す構成図である。
図８（ａ）は上面透視図である。
図８（ｂ）は図８（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図、図８（ｄ）は図８（ａ）におけるＢ１−Ｂ１’面についての断面図であり、実施の形態３による方向性結合器では、マイクロストリップ線路を用いている。
【００４９】
図８に示した実施の形態３による方向性結合器の構造は、図６に示した実施の形態２による方向性結合器の構造と比べ、以下の点が異なる。
副信号線導体１０１１をビア１０７１によって、副信号線導体１０１１の直下に配置された迂回信号線導体１０６１の一方の端部に接続しており、副信号線導体１０１２の直下に配置された迂回信号線導体１０６１のもう一方の端部をビア１０７２によって、副信号線導体１０１２に接続している。
端子１０５４がビアにより、終端インピーダンスに接続されていない。
その他の構造については、前記実施の形態２と同様であり、その説明を省略する。
【００５０】
なお、図８では、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１１間の距離は、主信号線導体１００１と副信号線導体１０１２間の距離よりも短い。
また、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１および副信号線路１０１１，１０１２を直線構造としている。
【００５１】
図８では、迂回信号線導体１０６１を、副信号線導体１０１１，１０１２が配置された層より下の層に設けた。
これに限るものではなく、迂回信号線導体１０６１を、１０１１，１０１２が配置された層より上の層に設けて用いても良い。
【００５２】
以上のように、実施の形態３によれば、前記実施の形態２と同様に、方向性が改善される。
また、前記実施の形態２による方向性結合器より、迂回信号線導体１０６１を、副信号線導体１０１１，１０１２と異なる平面に配置したことにより、レイアウト設計の自由度を高めることができる。
【００５３】
また、図８（ｃ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図８（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図、図８（ｅ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図８（ａ）におけるＢ１−Ｂ１’面についての断面図である。
実施の形態３は、図８（ｃ），（ｅ）に示すように、誘電体基板１０００の接地導体１０２１が形成された面と反対側の最上層に地導体１０２２を設け、ストリップ線路形式として用いても良い。
【００５４】
さらに、実施の形態３では、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１および副信号線路１０１１，１０１２を直線構造とした。
これに限るものではなく、図９に示すように、結合線路１０３１，１０３２において、主信号線導体１００１および副信号線路１０１１，１０１２に折り曲げ構造を有するものとしても良い。
図９（ａ）は上面透視図である。
図９（ｂ）は図９（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図、図９（ｄ）は図９（ａ）におけるＢ１−Ｂ１’面についての断面図である。
図９（ａ），（ｂ），（ｄ）による方向性結合器では、マイクロストリップ線路を用いている。
【００５５】
さらに、図９（ｃ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図９（ａ）におけるＡ１−Ａ１’面についての断面図、図９（ｅ）はストリップ線路形式として用いた場合の、図９（ａ）におけるＢ１−Ｂ１’面についての断面図である。
図９（ｃ），（ｅ）に示すように、誘電体基板１０００の接地導体１０２１が形成された面と反対側の最上層に地導体１０２２を設け、ストリップ線路形式として用いても良い。
【００５６】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０００  誘電体基板、１００１，１００２  主信号線導体、１０１１，１０１２  副信号線導体、１０２１  接地導体、１０２２  地導体、１０３１  ブロードサイド結合線路、１０３２  オフセット・ブロードサイド結合線路、１０４１，１０４２  接続部、１０５１〜１０５４  端子、１０６１  迂回信号線導体、１０７１，１０７２  ビア、２１０１，２１０２，２１１１，２１１２  信号線モデル、２１３１，２１３２  結合線路モデル、２１４１，２１４２  接続点、２１５１〜２１５４  端部、２１６１  迂回信号線モデル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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