(57)【要約】【課題】半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体素子１３を埋設するように被覆し、半導体素子１３の電極側の表面に、所定の形状の凸部１２ａを有する被覆絶縁層２２の、電極１３ａ側の表面上に、樹脂被膜１７を形成し、その樹脂被膜１７の外表面側から被覆絶縁層２２にレーザ加工することにより、電極１３ａの表面に到達する凹部１８ａ、及び凸部１２ａ上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝１８ｂを含む回路パターン部１８を形成させ、その表面に、めっき触媒又はその前駆体１９を被着させた後に、樹脂被膜１７を剥離し、無電解めっきを施すことにより、ビア２０ａと回路２０ｂと同時に形成する半導体パッケージの製造方法を用いる。【選択図】図１
2014197570.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆し、前記半導体素子の電極側の表面に、所定の形状の凸部を有する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、
前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、
前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び前記凸部上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、
前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、
前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、
前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続され、前記凸部上にまで至る回路を形成するめっき処理工程とを備える半導体パッケージの製造方法。
【請求項２】
前記被覆工程が、
前記凸部に対応する凹部を有する支持体の表面に、第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記半導体素子の、前記電極が形成されている面が、前記第１絶縁層に接触するように、少なくとも１つ以上の前記半導体素子を、前記第１絶縁層に貼着する貼着工程と、
前記第１絶縁層に貼着された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、
前記封止樹脂を硬化させて、第２絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、
前記支持体を、前記被覆絶縁層から剥離する支持体剥離工程とを備える請求項１に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項３】
前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムである請求項２に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含む請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
前記凸部上に形成された回路上に、はんだバンプを形成する工程をさらに備える請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージ。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体パッケージを備え、
前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を１層以上備える半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの製造方法、前記製造方法により得られた半導体パッケージ、及び前記半導体パッケージを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージとしては、半導体チップ等の半導体素子の電極とプリント配線板等の基板の回路とをはんだバンプ等を介したフリップチップ実装により、半導体素子と基板との電気的な接続を確保したものが一般的であった。
【０００３】
このような半導体パッケージの場合、電気的な接続の信頼性を高めるために、半導体素子と基板との電気的な接続を取るためのはんだバンプを大きくすることが考えられる。すなわち、半導体素子と基板との電気的な接続の信頼性を高めるために、この接続を確保するための一定量以上のはんだ量が必要である。このため、半導体パッケージの微細化に伴い、はんだバンプを狭ピッチ化する際に、以下のような制約が考えられる。
【０００４】
具体的には、はんだバンプを狭ピッチ化するためには、隣り合うはんだバンプ同士が連結しやすくなる。このため、連結してしまわないように、はんだバンプを小さく、すなわち、はんだ量を少なくする必要がある。そうすると、はんだバンプを介した接続の信頼性が低下してしまう。このことにより、基板と半導体素子との電気的な接続が、維持しにくくなり、電気的な接続信頼性を低下してしまう。
【０００５】
さらに、半導体パッケージの、さらなる微細化が求められた場合であっても、半導体と基板との電気的な接続を確保するために、はんだ量を少なくするには限界があり、よって、はんだバンプを小さくすることに限界がある。
【０００６】
また、フリップチップ実装のリフロー時に、はんだバンプが溶融し、隣り合うはんだバンプが連結してしまうはんだブリッジが発生し、電気的短絡の発生しやすくなってしまう。このため、半導体チップのサイズに対するはんだバンプの数（端子数）に、限界がある。
【０００７】
さらに、フリップチップ実装による接続の場合、リフロー時に、高温での熱処理が施されるため、半導体パッケージを構成する部材による熱膨張率の相違により、半導体パッケージにそりが発生する。このそり発生による接続不良も、半導体パッケージの微細化により、はんだバンプを狭ピッチ化している場合には、発生しやすい傾向があった。
【０００８】
これらのことにより、はんだバンプの狭ピッチ化には限界があり、半導体パッケージの微細化に限界がある。
【０００９】
そこで、フリップチップ実装による半導体パッケージの製造方法以外の半導体パッケージの製造方法により、半導体パッケージを製造することが考えられる。
【００１０】
具体的には、例えば、以下のような製造方法が挙げられる。まず、半導体素子の、電極が形成されている面、すなわち回路面上に、絶縁層を形成する。その絶縁層に、半導体素子の電極の表面に到達する凹部を形成する。すなわち、半導体素子のランド上に層間ビアを形成する。そして、前記絶縁層表面に、回路を形成する。なお、このような絶縁層上に回路を形成することを再配線と称し、再配線により形成された回路を再配線回路と称する。そうすることによって、再配線回路と半導体素子との電気的な接続を形成することができる。
【００１１】
このような半導体パッケージの製造方法としては、例えば、特許文献１及び特許文献２に記載の製造方法が挙げられる。
【００１２】
特許文献１には、支持体の表面に第１絶縁層を積層する第１工程と、前記第１絶縁層に半導体チップの電極パッドと接続するための孔を加工する第２工程と、前記孔に前記半導体チップの電極パッドを一致させるように位置合わせを行って前記半導体チップを前記第１絶縁層の表面に貼り付ける第３工程と、前記半導体チップを被覆するように第２絶縁層を前記第１絶縁層に積層する第４工程と、前記支持体を前記第１絶縁層から除去する第５工程とを備える半導体装置の製造方法が記載されている。
【００１３】
特許文献２には、半導体の片面に形成された中間絶縁層と再配線層によるインターポーザ側に、熱可塑性樹脂による絶縁接着層を形成する工程と、前記再配線層に前記絶縁接着層の所定位置に前記再配線層に通ずる穴を形成する工程と、前記穴に電極部材をなす導電性材を充填する工程とを含む半導体パッケージの製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００５−３５３８３７号公報
【特許文献２】特開２００５−１９７２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
特許文献１によれば、第１絶縁層に半導体チップの電極パッドと接続するための孔を加工し、孔に半導体チップの電極パッドを一致させるように位置合わせを行って半導体チップを第１絶縁層の表面に貼り付けることにより、半導体チップの電極パッドと孔内に形成されるスタッドビアとの接続を高精度に行うことが可能になることが開示されている。そうすることによって、小型化が図れるとともに、ウエハレベルの再配線を行わないベアチップを使用してチップ搭載精度の高精度化を図れるので、製造コストを安価に抑えることができることが開示されている。
【００１６】
また、特許文献２によれば、配線基板との間に隙間なしに実装することができる半導体パッケージを得ることができる旨が開示されている。
【００１７】
このような絶縁層上に再配線する製造方法であれば、半導体チップ等の半導体素子の電極とプリント配線板等の基板の回路とをはんだバンプ等を介したフリップチップ実装を行わない。よって、フリップチップ実装による接続の場合において発生していた、上記のような問題の発生がしないと考えられる。
【００１８】
しかしながら、層間ビアを形成する工程と、再配線する工程とを別途行うので、それぞれにおいて位置合わせが必要となる。このことにより、それぞれの工程において、ずれが発生するので、両者のずれを合わせたずれは、大きくなる場合がある。このため、ずれが発生しても、再配線回路と半導体素子との電気的な接続を確保するために、再配線回路のビアと接続するランド部分や半導体素子の電極等を大きめに設定する必要がある。例えば、層間ビアの径よりも大きなものにすること等が考えられる。このため、半導体素子の電極や再配線の狭ピッチ化には限界がある。
【００１９】
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法、前記製造方法により得られた半導体パッケージ、及び前記半導体パッケージを備える半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一態様に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆し、前記半導体素子の電極側の表面に、所定の形状の凸部を有する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び前記凸部上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続され、前記凸部上にまで至る回路を形成するめっき処理工程とを備える。
【００２１】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、前記凸部に対応する凹部を有する支持体の表面に、第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記半導体素子の、前記電極が形成されている面が、前記第１絶縁層に接触するように、少なくとも１つ以上の前記半導体素子を、前記第１絶縁層に貼着する貼着工程と、前記第１絶縁層に貼着された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第２絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記被覆絶縁層から剥離する支持体剥離工程とを備えることが好ましい。
【００２２】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。
【００２３】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含むことが好ましい。
【００２４】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記凸部上に形成された回路上に、はんだバンプを形成する工程をさらに備えることが好ましい。
【００２５】
また、本発明の他の一態様に係る半導体パッケージは、前記半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージである。
【００２６】
また、本発明の他の一態様に係る半導体装置は、前記半導体パッケージを備え、前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を１層以上有する半導体装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。また、前記製造方法により得られた半導体パッケージ、及び前記半導体パッケージを備える半導体装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージを概略的に示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明に係る実施形態について説明するが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００３０】
本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆し、前記半導体素子の電極側の表面に、所定の形状の凸部を有する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び前記凸部上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続され、前記凸部上にまで至る回路を形成するめっき処理工程とを備える。
【００３１】
まず、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における各工程を説明するための模式断面図である。
【００３２】
はじめに、図１（ａ）〜（ｇ）に示すように、主面上に電極１３ａを有する半導体素子１３を埋設するように被覆し、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面に、所定の形状の凸部１２ａを有する被覆絶縁層２２を形成する。この被覆絶縁層２２は、半導体素子１３を埋設するように被覆し、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面に、所定の形状の凸部１２ａを有する絶縁層であれば、特に限定されない。具体的には、図１（ｇ）に示すように、第１絶縁層１２と第２絶縁層１５とを含み、第１絶縁層１２が、所定の形状の凸部１２ａを有する絶縁層であるもの等が挙げられる。また、凸部１２ａは、特に限定されないが、例えば、後述するように、この凸部１２ａ上に回路２０ｂを形成し、その回路２０ｂ上にはんだバンプ２１を形成するための基台となるもの等が挙げられる。すなわち、この凸部１２ａ、回路２０ｂ、及びはんだバンプ２１からなる構造体が、半導体素子１３を接続するためのバンプとして働くような凸部等が挙げられる。なお、この工程は、被覆工程に相当する。そして、この被覆工程については、後述する。
【００３３】
次に、図１（ｈ）に示すように、被覆絶縁層２２の、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面上に、樹脂被膜１７を形成する。被覆絶縁層２２の、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面とは、被覆絶縁層２２の表面のうち、半導体素子１３の電極１３ａを被う第１絶縁層１２の表面である。なお、この工程は、被膜形成工程に相当する。
【００３４】
次に、図１（ｉ）に示すように、樹脂被膜１７の外表面側から被覆絶縁層２２にレーザ加工又は機械加工することにより、電極１３ａの表面に到達する凹部１８ａ、及び凸部１２ａ上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝１８ｂを含む回路パターン部１８を形成する。回路溝１８ｂの一部として、貫通孔や他の電子部品と電気的な接続を確保するためのランド部を形成するための凹部を形成してもよい。また、回路パターン部１８によって、無電解めっきによって無電解めっき膜が形成される部分、すなわち、電気回路が形成される部分が規定される。また、凹部１８ａを形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、樹脂被膜１７の外表面を基準として、樹脂被膜１７及び第１絶縁層１２の厚み分以上の切削を行う穴あけ加工である。また、回路溝１８ｂを形成させるためのレーザ加工又は機械加工は、樹脂被膜１７の外表面を基準として、樹脂被膜１７の厚み分を超えて切削する。なお、この工程は、回路パターン部形成工程に相当する。
【００３５】
次に、図１（ｊ）に示すように、回路パターン部１８の表面及び樹脂被膜１７の表面に、めっき触媒又はその前駆体１９を被着させる。なお、この工程は、触媒被着工程に相当する。
【００３６】
次に、図１（ｋ）に示すように、被覆絶縁層２２、具体的には、半導体素子１３の電極１３ａを被う第１絶縁層１２の表面から、回路パターン部１８を形成した後に残存している樹脂被膜１７を剥離する。そうすることによって、第１絶縁層１２の、回路パターン部１８にのみ、めっき触媒又はその前駆体１９を残存させることができる。すなわち、凹部１８ａには、その位置に対応するめっき触媒又はその前駆体１９ａを、回路溝１８ｂには、その位置に対応するめっき触媒又はその前駆体１９ｂを残存させることができる。一方、樹脂被膜１７の表面に被着されためっき触媒又はその前駆体は、樹脂被膜１７に担持された状態で、樹脂被膜１７とともに除去される。なお、この工程は、被膜剥離工程に相当する。
【００３７】
次に、樹脂被膜１７が剥離された被覆絶縁層２２の第１絶縁層１２に無電解めっきを施す。そうすることによって、図１（ｌ）に示すように、半導体素子１３の電極１３ａと電気的に接続され、凸部１２ａ上にまで至る回路が形成される。すなわち、凹部１８ａの位置に対応する無電解めっき膜２０ａを、回路溝１８ｂの位置に対応する無電解めっき膜２０ｂが形成される。なお、回路溝１８ｂの位置に対応する無電解めっき膜２０ｂは、第１絶縁層１２の凸部１２ａ上にも形成される。なお、この工程は、めっき処理工程に相当する。
【００３８】
この無電解めっきにより形成される、回路溝１８ｂの位置に対応する無電解めっき膜２０ｂが、そのまま電気回路になるものであってもよい。また、無電解めっき膜２０ｂが、そのまま電気回路になるものでなくてもよい。その場合、さらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、電気回路とすればよい。
【００３９】
また、この無電解めっきにより形成される、凹部１８ａの位置に対応する無電解めっき膜２０ａが、無電解めっき膜２０ｂと半導体素子１３の電極１３ａとの電気的な接続を確保するビアになるものであってもよいし、そのままビアになるものでなくてもよい。そのままビアになることができない場合、さらに無電解めっき（フィルアップめっき）を施して、ビアとすればよい。
【００４０】
このような製造方法によれば、半導体素子１３を被覆する被覆絶縁層２２の第１絶縁層１２上への回路２０ｂの形成、及び回路２０ｂと半導体素子１３の電極１３ａとを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる。
【００４１】
このことは、以下のことによる。
【００４２】
まず、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法が、上述のように、半導体素子を被覆する被覆絶縁層（単に「絶縁層」とも称する）に、半導体の電極の表面に到達する凹部や回路溝を含む回路パターン部を形成し、その回路パターン部を用いて、回路を形成するものである。このことにより、回路を形成する際に、被覆絶縁層（絶縁層）から半導体素子の電極に至るビアも同時に形成される。すなわち、絶縁層上に回路を形成することによって、同時にビアも形成される。このことにより、絶縁層上に回路パターン部を形成する際に、レーザ加工又は機械加工を施す位置決めを一回行えばよい。
【００４３】
これに対して、半導体素子を被覆する絶縁層上に、ビアと回路とを別個に形成する場合、ビアを形成するための位置決めと、回路を形成するための位置決めとをそれぞれ行う必要があり、位置決めを少なくとも２回行う必要がある。そうすると、それぞれの位置決めで、ずれが発生するので、両者のずれを合わせたずれは大きくなる場合がある。
【００４４】
上記のように、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法によれば、半導体素子を被覆する絶縁層（被覆絶縁層）上への回路の形成、及び回路と半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成とを同時に行うことができ、位置決めにより発生するずれを抑制することができる。よって、半導体素子を被覆する絶縁層（被覆絶縁層）上への回路の形成、及び回路と半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる。すなわち、半導体素子の電極と電気的に接続された回路を高精度に形成できる。
【００４５】
さらに、半導体素子を被覆する絶縁層上に、ビアと回路とを別個に形成する場合、上記のようなずれが発生した場合でも、ビアと回路とが電気的に接続するように、通常、回路の、ビアと連結する部分を大きくして、ランド部を形成している。
【００４６】
これに対して、本実施形態に係る製造方法の場合、ビアと回路とを同時に形成するので、ビアと回路とには、ずれの発生を抑制でき、ランド部を小さくすることができる。さらに、ランド部を形成しなくてもビアと回路との良好な電気的接続を確保できるので、いわゆるランドレスであってもよい。
【００４７】
また、本実施形態に係る製造方法の場合、ビアを形成するための凹部と回路溝とを同時レーザ加工又は機械加工により形成するので、ビアを形成するための凹部と回路溝との間には、ずれの発生を抑制できる。このため、この加工における位置合わせとして、各半導体素子の位置を基準に行うと、被覆工程で、多少のずれが発生しても、回路とビアとを高精度で行うことができる。
【００４８】
なお、本実施形態に係る製造方法は、無電解めっきを施した後にデスミア処理を施してもよい。フィルアップめっきを施す場合は、フィルアップめっきを施す前又は施した後に、デスミア処理を施してもよい。デスミア処理を施すことによって、無電解めっき膜に付着してしまった不要な樹脂を除去することができる。また、得られた半導体パッケージを備え、その半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を１層以上積層した多層の半導体装置を想定した場合、半導体パッケージの、回路が形成されていない箇所を粗し、この半導体パッケージに積層された配線層との密着性を高めることができる。また、デスミア処理は、特に限定されず、公知のデスミア処理を用いることができる。例えば、過マンガン酸溶液等への浸漬処理等が挙げられる。
【００４９】
最後に、半導体素子１３が２個以上ある場合は、隣り合う半導体素子の間で切断することによって、個片化させて、半導体パッケージとしてもよい。
【００５０】
また、図２に示すように、凸部１２ａ上に形成された回路２０ｂ上に、はんだバンプ２１を形成することが好ましい。そうすることによって、ビアや回路の形成をより高精度に行うことができる。このことは、半導体素子と他の電子部品との電気的接続を確保するためのはんだ量を低減することができることによると考えられる。すなわち、はんだバンプの狭ピッチ化等のために、このはんだバンプのはんだ量を少なくしても、半導体素子と他の電子部品との電気的接続を確保することができると考えられる。このことにより、隣り合うはんだバンプの連結によるはんだブリッジの発生を抑制し、よって、このはんだブリッジによる電気的短絡の発生を抑制できると考えられる。このことにより、ビアや回路の形成をより高精度に行うことができると考えられる。なお、図２は、本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージを概略的に示す模式断面図である。そして、この半導体パッケージは、はんだバンプ２１を形成したものである。
【００５１】
また、この半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を、半導体パッケージ上に形成することによって、いわゆる多層構造の半導体装置が得られる。すなわち、半導体パッケージを備え、この半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を１層以上有する半導体装置が得られる。
【００５２】
また、回路２０ｂは、図１（ｌ）に示すように、被覆絶縁層２２の第１絶縁層１２の表面に対して、半導体素子１３の主面に直交する方向に半導体素子１３を投影した形状の外縁より外側にまで形成されていることが好ましい。すなわち、回路２０ｂは、半導体素子１３の幅を超えて広く形成されていることが好ましい。そうすることによって、他の電子部品との電気的な接続が確保しやすくなったり、多層構造の半導体装置を製造する際、配線層の回路との電気的な接続が確保しやすくなる。
【００５３】
次に、被覆工程について説明する。
【００５４】
被覆工程は、半導体素子１３を埋設するように被覆し、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面に、所定の形状の凸部１２ａを有する被覆絶縁層２２を形成することができる工程であれば、特に限定されない。具体的には、以下のような工程が挙げられる。
【００５５】
本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法における被覆工程の一例を説明する。
【００５６】
具体的には、前記被覆工程が、前記凸部に対応する凹部を有する支持体の表面に、第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記半導体素子の、前記電極が形成されている面が、前記第１絶縁層に接触するように、少なくとも１つ以上の前記半導体素子を、前記第１絶縁層に貼着する貼着工程と、前記第１絶縁層に貼着された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第２絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記被覆絶縁層から剥離する支持体剥離工程とを備える工程が挙げられる。
【００５７】
はじめに、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、凸部１２ａに対応する凹部１１ａを有する支持体１１の表面に、第１絶縁層１２を形成する。この第１絶縁層１２の形成は、支持体１１の凹部１１ａの形状を転写された第１絶縁層１２を、支持体１１上に形成することができれば、特に限定されない。なお、この工程は、第１絶縁層形成工程に相当する。
【００５８】
この支持体１１は、凸部１２ａに対応する凹部１１ａを有するものであれば、特に限定されない。例えば、エッチング処理により、凹部１１ａが形成されたステンレス鋼（ＳＵＳ）板等の金属板、及び凹部１１ａが形成された有機基材等が挙げられる。また、支持体１１は、第１絶縁層１２からの離型性を高めるために、表面に離型処理されたものであってもよく、表面に離型性を有するコーティング剤を塗布したものであってもよい。
【００５９】
また、第１絶縁層１２は、貼着工程で、その表面上に半導体素子を貼着することができる絶縁層であれば、特に限定されない。この第１絶縁層１２は、樹脂層等が挙げられる。この樹脂層を構成する樹脂としては、具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニルエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、及びベンゾシクロブテン樹脂等が挙げられる。また、第１絶縁層１２は、樹脂だけではなく、充填材を含むことが好ましい。そうすることによって、得られた絶縁層が、他の絶縁層や半導体素子等とのそりの発生を抑制することができる。このことは、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を、含有される充填材によって、近似させることが可能であるためであると考えられる。そして、この充填材としては、特に限定されない。例えば、無機微粒子等の無機充填材や、有機微粒子等が挙げられる。また、充填材としては、無機充填材が好ましい。また、第１絶縁層１２に含まれる無機充填材は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を合わせるように調整可能なものであれば、特に限定されず、例えば、シリカ微粒子等の無機微粒子等が挙げられる。また、第１絶縁層１２に含まれる有機微粒子は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率の違いにより熱時に発生する応力を緩和可能なものであれば、特に限定されず、例えば、ゴム粒子等が挙げられる。
【００６０】
次に、図１（ｃ）に示すように、半導体素子１３の、電極１３ａが形成されている面が、第１絶縁層に接触するように、少なくとも１つ以上の半導体素子１３を、第１絶縁層１２に貼着する。なお、この工程は、貼着工程に相当する。
【００６１】
次に、図１（ｄ）及び図１（ｅ）に示すように、第１絶縁層１２に貼着された半導体素子１３を埋設するように、封止樹脂１５で被覆する。この工程は、封止樹脂被覆工程に相当する。この封止樹脂被覆工程は、封止樹脂を塗布する工程であってもよいが、図１（ｄ）及び図１（ｅ）に示すように、封止樹脂１５と、封止樹脂１５を支持する基材１６とからなる樹脂シート又は樹脂フィルム１４を被覆し、押圧することによって、第１絶縁層１２に貼着された半導体素子１３を埋設するように、封止樹脂１５で被覆する工程等が好ましく用いられる。このような樹脂シート又は樹脂フィルム１４を用いると、広い面積を容易に被覆することができるので、被覆可能な半導体素子の数を多くすることが可能である。すなわち、同時に製造できる半導体パッケージの数を増やすことが可能である。なお、封止樹脂としては、特に限定されず、すなわち、このような樹脂シート又は樹脂フィルムに限らず、例えば、粉封止材や液状封止材を用いることができる。また、この粉封止材や液状封止材は、封止樹脂被覆工程を、封止樹脂を塗布する工程で行う場合の、封止樹脂として用いることができる。
【００６２】
また、この封止樹脂１５は、第１絶縁層１２に貼着された半導体素子１３を埋設するように被覆させた後、硬化等によって、絶縁層を形成できるものであれば、特に限定されない。具体的には、この封止樹脂１５は、硬化等によって、図１（ｆ）に示すような第１絶縁層１５を形成できるもの等が挙げられる。また、封止樹脂１５は、硬化性樹脂を含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。このような封止樹脂であれば、上述したように、広い面積を容易に被覆することができるので、被覆可能な半導体素子の数を多くすることが可能である。また、封止樹脂１５は、封止樹脂だけではなく、充填材を含むことが好ましい。そして、この充填材としては、封止樹脂に含有される充填材であれば、特に限定されない。例えば、無機微粒子等の無機充填材や、有機微粒子等が挙げられる。また、充填材としては、無機充填材が好ましい。すなわち、封止樹脂２５は、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることがより好ましい。このような封止樹脂であれば、得られた絶縁層が、他の絶縁層や半導体素子等とのそりの発生を抑制することができる。このことは、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を、含有される無機充填材によって、近似させることが可能であるためであると考えられる。また、封止樹脂１５に含まれる硬化性樹脂が、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、及びビスマレイミド樹脂等の熱硬化性樹脂等が挙げられる。また、封止樹脂１５に含まれる無機充填材は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率を合わせるように調整可能なものであれば、特に限定されず、例えば、シリカ微粒子等の無機微粒子等が挙げられる。また、封止樹脂１５に含まれる有機微粒子は、他の絶縁層や半導体素子等との熱膨張率の違いにより熱時に発生する応力を緩和可能なものであれば、特に限定されず、例えば、ゴム粒子等が挙げられる。ここでの基材１６は、樹脂シート又は樹脂フィルム２４の押圧によって、形状を維持できるものであれば、特に限定されない。具体的には、ＰＥＴ基板等の有機基板、ガラス基板、及びＳＵＳ板等の金属板等が挙げられる。また、基板１６としては、封止樹脂１５からの離型性を高めるために、表面に離型処理されたものであってもよく、表面に離型性を有するコーティング剤を塗布したものであってもよい。
【００６３】
次に、封止樹脂１５を硬化させて、第２絶縁層１５を形成する。そうすることにより、第１絶縁層１２及び第２絶縁層１５からなる被覆絶縁層２２が形成される。封止樹脂１５を硬化させる条件は、特に限定されない。封止樹脂１５に含まれる硬化性樹脂が熱硬化性樹脂であれば、その樹脂が硬化できる加熱条件であればよい。なお、この工程は、硬化工程に相当する。その後、図１（ｆ）に示すように、樹脂シート又は樹脂フィルム１４の基材１６を剥離してもよい。基材１６は、剥離しなくてもよく、また、支持体剥離工程の後に剥離してもよい。
【００６４】
最後に、図１（ｇ）に示すように、支持体１１を、被覆絶縁層２２の第１絶縁層１２から剥離する。そうすることによって、被覆絶縁層２２が形成される。なお、この工程は、支持体剥離工程に相当する。
【００６５】
被覆工程として、このような被覆工程を適用することにより、被覆工程を容易に行うことができる。すなわち、所定の凸部を有する被覆絶縁層を容易に形成することができる。よって、本実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。
【００６６】
また、半導体素子１３を、被覆絶縁層２２を構成する一方の絶縁層、具体的には、第１絶縁層１２に貼着させた状態で、もう一方の絶縁層である第２絶縁層１５を形成して、被覆絶縁層２２を形成するので、半導体素子１３のずれの発生を抑制できる。また、半導体素子１３を、第１絶縁層１２に固着させた状態で、被覆工程を行うので、第１絶縁層１２の存在により、半導体素子を被覆絶縁層で被覆された構造物にそりが発生することも抑制できる。
【００６７】
以下、本実施形態に係る製造方法における、被覆工程以外の工程について説明する。
【００６８】
＜被膜形成工程＞
被膜形成工程は、上述したように、被覆絶縁層２２の、半導体素子１３の電極１３ａ側の表面、すなわち、第１絶縁層１２の表面上に、樹脂被膜１７を形成する工程である。
【００６９】
（樹脂被膜）
樹脂被膜１７は、被膜剥離工程で剥離除去可能なものであれば、特に限定されない。具体的には、例えば、有機溶剤やアルカリ溶液により容易に溶解しうる可溶型樹脂や、後述する所定の液体（膨潤液）で膨潤しうる樹脂からなる膨潤性樹脂被膜等が挙げられる。これらの中では、正確な除去が容易である点から膨潤性樹脂被膜が特に好ましい。また、膨潤性樹脂被膜としては、例えば、液体（膨潤液）に対する膨潤度が５０％以上であることが好ましい。なお、膨潤性樹脂被膜には、液体（膨潤液）に対して実質的に溶解せず、膨潤により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜だけではなく、液体（膨潤液）に対して膨潤し、さらに少なくとも一部が溶解し、その膨潤や溶解により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜や、液体（膨潤液）に対して溶解し、その溶解により被覆絶縁層表面から容易に剥離するような樹脂被膜も含まれる。
【００７０】
樹脂被膜１７の形成方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、被覆絶縁層の表面に、樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される樹脂被膜を被覆絶縁層の表面に転写する方法等が挙げられる。なお、液状材料を塗布する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、従来から知られたスピンコート法やバーコータ法等が挙げられる。
【００７１】
樹脂被膜１７の厚みとしては、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。一方、樹脂被膜１７の厚みとしては、０．１μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましい。樹脂被膜１７の厚みが厚すぎる場合には、回路パターン部形成工程におけるレーザ加工又は機械加工によって形成される回路溝や凹部等の精度が低下する傾向がある。また、樹脂被膜１７の厚みが薄すぎる場合は、均一な膜厚の樹脂被膜を形成しにくくなる傾向がある。
【００７２】
次に、樹脂被膜１７として好適な膨潤性樹脂被膜を例に挙げて説明する。
【００７３】
膨潤性樹脂被膜としては、膨潤液に対する膨潤度が５０％以上である樹脂被膜が好ましく用いられうる。さらに、膨潤液に対する膨潤度が１００％以上である樹脂被膜がより好ましい。なお、膨潤度が低すぎる場合には、被膜剥離工程において膨潤性樹脂被膜が剥離しにくくなる傾向がある。
【００７４】
膨潤性樹脂被膜の形成方法は、特に限定されず、上述した樹脂被膜１７の形成方法と同様の方法であればよい。具体的には、例えば、被覆絶縁層の表面に、膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料を塗布した後、乾燥させる方法や、支持基板に液状材料を塗布した後、乾燥することにより形成される膨潤性樹脂被膜を被覆絶縁層の表面に転写する方法等が挙げられる。
【００７５】
膨潤性樹脂被膜を形成しうる液状材料としては、例えば、エラストマーのサスペンジョン又はエマルジョン等が挙げられる。エラストマーの具体例としては、例えば、スチレン−ブタジエン系共重合体等のジエン系エラストマー、アクリル酸エステル系共重合体等のアクリル系エラストマー、及びポリエステル系エラストマー等が挙げられる。このようなエラストマーによれば、サスペンジョン又はエマルジョンとして分散されたエラストマー樹脂粒子の架橋度又はゲル化度等を調整することにより所望の膨潤度の膨潤性樹脂被膜を容易に形成することができる。
【００７６】
また、膨潤性樹脂被膜としては、特に、膨潤度が膨潤液のｐＨに依存して変化するような被膜であることが好ましい。このような被膜を用いた場合には、触媒被着工程における液性条件と、被膜剥離工程における液性条件とを異なるものにすることにより、触媒被着工程におけるｐＨにおいては膨潤性樹脂被膜は被覆絶縁層に対する高い密着力を維持し、被膜剥離工程におけるｐＨにおいては容易に膨潤性樹脂被膜を剥離させることができる。
【００７７】
さらに具体的には、例えば、触媒被着工程が、例えば、ｐＨ１〜３の範囲の酸性めっき触媒コロイド溶液（酸性触媒金属コロイド溶液）中で処理する工程を備え、被膜剥離工程がｐＨ１２〜１４の範囲のアルカリ性溶液中で膨潤性樹脂被膜を膨潤させる工程を備える場合には、膨潤性樹脂被膜は、酸性めっき触媒コロイド溶液に対する膨潤度が５０％未満、さらには４０％以下であり、アルカリ性溶液に対する膨潤度が５０％以上、さらには１００％以上、さらには５００％以上であるような樹脂被膜であることが好ましい。
【００７８】
このような膨潤性樹脂被膜の例としては、所定量のカルボキシル基を有するエラストマーから形成されるシートや、プリント配線板のパターニング用のドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲとも呼ぶ）等に用いられる光硬化性のアルカリ現像型のレジストを全面硬化して得られるシートや、熱硬化性やアルカリ現像型シート等が挙げられる。
【００７９】
＜回路パターン部形成工程＞
回路パターン部形成工程は、樹脂被膜１７の外表面側から被覆絶縁層２２の第１絶縁層１２にレーザ加工又は機械加工することにより、半導体素子１３の電極１３ａの表面に到達する凹部１８ａ、及び所望の形状及び深さの回路溝１８ｂを含む回路パターン部１８を形成する工程である。
【００８０】
回路パターン部１８を形成する方法としては、特に限定されない。具体的には、レーザ加工、及びダイシング加工等の切削加工や型押加工等の機械加工等が挙げられる。高精度の微細な回路を形成する場合には、レーザ加工を用いることが好ましい。レーザ加工によれば、レーザの出力等を変化させることにより、切削深さ等を自由に調整することができる。また、型押加工としては、例えば、ナノインプリントの分野において用いられるような微細樹脂型による型押加工が好ましく用いられうる。
【００８１】
＜触媒被着工程＞
触媒被着工程は、回路パターン部１８の表面、及び回路パターン部１８が形成されなかった樹脂被膜１７の表面に、めっき触媒又はその前駆体１９を被着させる工程である。
【００８２】
めっき触媒又はその前駆体１９は、めっき処理工程において無電解めっきにより無電解めっき膜を形成したい部分にのみ無電解めっき膜を形成させるために付与される触媒である。めっき触媒としては、無電解めっき用の触媒として知られたものであれば、特に限定なく用いられうる。また、予めめっき触媒の前駆体を被着させ、樹脂被膜の除去後にめっき触媒を生成させてもよい。めっき触媒の具体例としては、例えば、金属パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）等、または、これらを生成させるような前駆体等が挙げられる。
【００８３】
めっき触媒又はその前駆体１９を被着させる方法としては、例えば、ｐＨ１〜３の酸性条件下で処理される酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド溶液で処理した後、酸溶液で処理するような方法等が挙げられる。具体的には、例えば、次のような方法が挙げられる。
【００８４】
はじめに、回路パターン部１８が形成された被覆絶縁層２２の表面に付着している油分等を界面活性剤の溶液（クリーナー・コンディショナー）中で所定の時間湯洗する。次に、必要に応じて、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤でソフトエッチング処理する。そして、ｐＨ１〜２の硫酸水溶液や塩酸水溶液等の酸性溶液中でさらに酸洗する。次に、濃度０．１％程度の塩化第一錫水溶液等を主成分とするプリディップ液に浸漬して被覆絶縁層の表面に塩化物イオンを吸着させるプリディップ処理を行う。その後、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む、ｐＨ１〜３の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイド等の酸性めっき触媒コロイド溶液にさらに浸漬することによりＰｄ及びＳｎを凝集させて吸着させる。そして、吸着した塩化第一錫と塩化パラジウムとの間で、酸化還元反応（ＳｎＣｌ２＋ＰｄＣｌ２→ＳｎＣｌ４＋Ｐｄ↓)を起こさせる。これにより、めっき触媒である金属パラジウムが析出する。
【００８５】
なお、酸性めっき触媒コロイド溶液としては、公知の酸性Ｐｄ−Ｓｎコロイドキャタリスト溶液等が使用でき、酸性めっき触媒コロイド溶液を用いた市販のめっきプロセスを用いてもよい。このようなプロセスは、例えば、ローム・アンド・ハース電子材料株式会社からシステム化されて販売されている。
【００８６】
このような触媒被着処理によって、回路パターン部１８の表面、及び回路パターン部１８が形成されなかった樹脂被膜１７の表面にめっき触媒又はその前駆体１９を被着させることができる。
【００８７】
＜被膜剥離工程＞
被膜剥離工程は、被覆絶縁層２２の表面から、回路パターン部１８を形成した後に残存している樹脂被膜１７を剥離する工程である。
【００８８】
樹脂被膜１７を除去する方法としては、特に限定されない。具体的には、例えば、所定の溶液（膨潤液）で樹脂被膜１７を膨潤させた後に、被覆絶縁層２２から樹脂被膜１７を剥離させる方法、所定の溶液（膨潤液）で樹脂被膜１７を膨潤させ、さらに一部を溶解させた後に、被覆絶縁層２２から樹脂被膜１７を剥離させる方法、及び所定の溶液（膨潤液）で樹脂被膜１７を溶解させて除去する方法等が挙げられる。前記膨潤液としては、樹脂被膜１７を膨潤させることができるものであれば、特に限定されない。また、前記膨潤又は溶解は、樹脂被膜１７で被覆された被覆絶縁層２２を膨潤液に所定時間浸漬させること等によって行う。そして、その浸漬中に超音波照射することにより除去効率を高めてもよい。なお、膨潤させて剥離するときには、軽い力で引き剥がしてもよい。
【００８９】
また、樹脂被膜１７として、膨潤性樹脂被膜を用いた場合について、説明する。
【００９０】
膨潤性樹脂被膜を膨潤させる液体（膨潤液）としては、被覆絶縁層２２、及び前記めっき触媒又はその前駆体１９を実質的に分解又は溶解させることなく、膨潤性樹脂被膜を膨潤又は溶解させることができる液体であれば特に限定なく用いられうる。また、膨潤性樹脂被膜を容易に剥離される程度に膨潤させうる液体が好ましい。このような膨潤液は、膨潤性樹脂被膜の種類や厚みにより適宜選択されうる。
【００９１】
膨潤性樹脂被膜を膨潤させる方法としては、膨潤液に所定の時間浸漬する方法が挙げられる。また、剥離性を高めるために、浸漬中に超音波照射することが特に好ましい。なお、膨潤のみにより剥離しない場合には、必要に応じて軽い力で引き剥がしてもよい。
【００９２】
＜めっき処理工程＞
めっき処理工程は、樹脂被膜１７が剥離された第１絶縁層１２に無電解めっきを施す工程である。
【００９３】
無電解めっき処理の方法としては、部分的にめっき触媒又はその前駆体１９が被着された被覆絶縁層２２を無電解めっき液に浸漬して、めっき触媒又はその前駆体１９が被着された部分のみに無電解めっき膜（めっき層）を析出させるような方法等が用いられうる。
【００９４】
無電解めっきに用いられる金属としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。これらの中では、Ｃｕを主成分とするメッキが導電性に優れている点から好ましい。また、Ｎｉを含む場合には、耐食性や、はんだとの密着性に優れる点から好ましい。
【００９５】
めっき処理工程により、被覆絶縁層２２表面のめっき触媒又はその前駆体１９が残留する部分のみに無電解めっき膜が析出する。そのために、回路やビアを形成したい部分のみに正確に導電層を形成することができる。一方、回路パターン部を形成していない部分に対する無電解めっき膜の析出を抑制することができる。従って、狭いピッチ間隔で線幅が狭いような微細な回路を複数本形成するような場合でも、隣接する回路間に不要なめっき膜が残らない。そのために、短絡の発生やマイグレーションの発生を抑制することができる。
【００９６】
本明細書は、上述したように様々な態様の技術を開示しているが、そのうち主な技術を以下に纏める。
【００９７】
本発明の一態様に係る半導体パッケージの製造方法は、主面上に電極を有する半導体素子を埋設するように被覆し、前記半導体素子の電極側の表面に、所定の形状の凸部を有する被覆絶縁層を形成する被覆工程と、前記被覆絶縁層の、前記半導体素子の電極側の表面上に、樹脂被膜を形成する被膜形成工程と、前記樹脂被膜の外表面側から前記被覆絶縁層にレーザ加工又は機械加工することにより、前記電極の表面に到達する凹部、及び前記凸部上にまで至る、所望の形状及び深さの回路溝を含む回路パターン部を形成する回路パターン部形成工程と、前記回路パターン部の表面及び前記樹脂被膜の表面に、めっき触媒又はその前駆体を被着させる触媒被着工程と、前記被覆絶縁層から前記樹脂被膜を剥離する被膜剥離工程と、前記樹脂被膜が剥離された前記被覆絶縁層に無電解めっきを施すことにより、前記電極と電気的に接続され、前記凸部上にまで至る回路を形成するめっき処理工程とを備える。
【００９８】
このような構成によれば、上述したように、半導体素子を被覆する絶縁層上への回路の形成、及び前記回路と前記半導体素子の電極とを電気的に接続するためのビアの形成を高精度に行うことができる半導体パッケージの製造方法を提供することができる。
【００９９】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記被覆工程が、前記凸部に対応する凹部を有する支持体の表面に、第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記半導体素子の、前記電極が形成されている面が、前記第１絶縁層に接触するように、少なくとも１つ以上の前記半導体素子を、前記第１絶縁層に貼着する貼着工程と、前記第１絶縁層に貼着された半導体素子を埋設するように、封止樹脂で被覆する封止樹脂被覆工程と、前記封止樹脂を硬化させて、第２絶縁層を形成することにより、前記被覆絶縁層を形成する硬化工程と、前記支持体を、前記被覆絶縁層から剥離する支持体剥離工程とを備えることが好ましい。
【０１００】
このような構成によれば、上述したように、被覆工程を容易に行うことができる。よって、半導体パッケージの製造方法を容易に行うことができる。
【０１０１】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記封止樹脂が、硬化性樹脂と無機充填材とを含む、樹脂シート又は樹脂フィルムであることが好ましい。
【０１０２】
このような構成によれば、ずれやそりの発生をより抑制した半導体パッケージを製造することができる。
【０１０３】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記回路が、前記被覆絶縁層の表面に対して、前記半導体素子の主面に直交する方向に前記半導体素子を投影した形状の外縁より外側に形成されている回路を含むことが好ましい。
【０１０４】
このような構成によれば、他の電子部品との電気的な接続が確保しやすくなったり、多層構造の半導体装置を製造する際、配線層の回路との電気的な接続が確保しやすい半導体パッケージを製造することができる。
【０１０５】
また、前記半導体パッケージの製造方法において、前記凸部上に形成された回路上に、はんだバンプを形成する工程をさらに備えることが好ましい。
【０１０６】
このような構成によれば、ビアや回路の形成をより高精度に行うことができる。このことは、上述したように、はんだブリッジの発生を抑制できることによると考えられる。
【０１０７】
また、本発明の他の一態様に係る半導体パッケージは、前記半導体パッケージの製造方法により得られた半導体パッケージである。
【０１０８】
このような構成によれば、回路やビアが高精度に形成された半導体パッケージが得られる。
【０１０９】
また、本発明の他の一態様に係る半導体装置は、前記半導体パッケージを備え、前記半導体パッケージの回路と電気的に接続された回路を有する配線層を１層以上有する半導体装置である。
【０１１０】
このような構成によれば、回路やビアが高精度に形成された半導体パッケージを用いて、多層化するので、電気的接続に不良が少ない等の好適な半導体装置が得られる。
【符号の説明】
【０１１１】
１１  支持体
１１ａ  凹部
１２  第１絶縁層
１２ａ  凸部
１３  半導体素子
１３ａ  電極
１４  樹脂シート又は樹脂フィルム
１５  封止樹脂（第２絶縁層）
１６  基材
１７  樹脂被膜
１８  回路パターン部
１８ａ  凹部
１８ｂ  回路溝
１９  めっき触媒又はその前駆体
２０ａ  ビア
２０ｂ  回路
２１  はんだバンプ
２２  被覆絶縁層
【図１】
2014197570.tif 000003
【図２】
2014197570.tif 000004