(57)【要約】【課題】均一な結晶構造を有するＫＴＮ層を備えて、環境に優しい電気光学素子を提供する。【解決手段】下方に配置された基板２ａの上方にＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体（ＫＴＮ）層５が積層されているとともに、当該ＫＴＮ層５ａの両面側に薄膜状の電極（３ａ，６ａ）が配置されてなる電気光学素子１ａであって、前記基板は、所定の面方位を有するＳｒＴｉＯ３からなるとともに、当該基板上に形成された薄膜状の金属電極と、当該金属電極上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれか、あるいはその両方からなるシード層４ａと、当該シード層上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＫＴＮを積層してなるＫＴＮ層と、当該ＫＴＮ層の上に形成された透明電極とを備えている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下方に配置された基板の上方にＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体（ＫＴＮ）層が積層されているとともに、当該ＫＴＮ層の両面側に薄膜状の電極が配置されてなる電気光学素子であって、
前記基板は、所定の面方位を有するＳｒＴｉＯ３からなるとともに、
当該基板上に形成された薄膜状の金属電極と、
当該金属電極上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれか、あるいはその両方を含むシード層と、
当該シード層上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＫＴＮを積層してなるＫＴＮ層と、
当該ＫＴＮ層の上に形成された透明電極と、
を備えたことを特徴とする電気光学素子。
【請求項２】
請求項１において、前記シード層にＮｂあるいはＬｉが添加されていることを特徴とする電気光学素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の前記電気光学素子の製造方法であって、
上方に薄膜状の金属電極が形成されたＳｒＴｉＯ３からなる基板を用いるとともに、
前記金属電極上に、ＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれかのＭＯＤ溶液やゾルゲル溶液からなる化学溶液、あるいは両方の前記化学溶液を塗布するステップと、
前記化学溶液を乾燥させたのち、当該化学溶液が塗布された前記基板を熱処理し、当該基板上にＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれかの薄膜、あるいはその両方が含まれる薄膜からなるシード層を形成するステップと、
前記シード層上に前記ＫＴＮの化学溶液を塗布する第１ステップと、
前記シード層上に塗布された前記ＫＴＮの化学溶液を乾燥したのち、当該ＫＴＮの化学溶液が塗布された前記基板を熱処理し、前記シード層の上にＫＴＮ薄膜を形成する第２ステップと、
前記第１ステップにおけるＫＴＮの化学溶液を塗布した後、前記第２ステップにおける乾燥と熱処理を実行するステップを繰り返して前記ＫＴＮ薄膜を所定の厚さとなるまで積層して前記ＫＴＮ層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする電気光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ３を用いた電気光学素子に関する。また、電気光学素子の製造方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体であるチタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）は、外部電界によって物質の屈折率が変化する電気光学効果を有し、可変利得等価器などに組み込まれる電気光学素子として利用されている。そして、ＰＬＺＴを用いた電気光学素子は、薄膜状のＰＬＺＴ結晶の片面、あるいは両面に薄膜電極を配置した構造となっている。例えば、以下の特許文献１には強誘電体薄膜の製造方法に係る発明について記載されているとともに、その発明の一実施例として、その方法によって製造された電気光学素子について記載されている。
【０００３】
そして、この特許文献１に記載の電気光学素子は、ＰＬＺＴ薄膜を層状に複数層積層させて得たＰＬＺＴ結晶の片面に電極を備えた構造であり、その製造手順は、まず、石英ガラス基板上に周知のゾルゲル法やＭＯＤ法などの化学溶液法によりチタン酸鉛（ＰＴ）からなるシード層と呼ばれるＰＬＺＴの結晶成長を促す膜を形成し、そのシード層上に化学溶液法を用いてＰＬＺＴの薄膜を積層させていく。そして、そのＰＬＺＴの層上に櫛形電極を形成している。なお、引用文献１に記載の電気光学素子では、光シャッターとして用いるため、基板、ＰＬＺＴの層、電極からなる積層体をクロスニコルの関係で配置された二枚の偏光板で挟持している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３５６３０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＰＬＺＴは、優れた電気光学効果を有し、とくに、光通信の分野における電気光学素子としてよく利用されている。しかし、このＰＬＺＴには鉛が含まれているため、近年の環境問題に鑑みると、今後は、電気光学素子に用いられる強誘電体を鉛を含まないものに置換させていく必要がある。そして、近年、ＰＬＺＴに代替する強誘電体としてＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ３の化学式で表される物質（以下、ＫＴＮ）が注目されている。
【０００６】
周知のごとく、ＫＴＮは、電気光学定数がＰＬＺＴよりも大きな材料であり、組成（上記化学式におけるｘ）により相転移温度が変化し、温度に応じて様々な結晶構造に相転移する。そして、ＫＴＮは、立方晶系のペロブスカイト構造であるときに電気光学素子として利用することができる。したがって、均一なＫＴＮ結晶からなる薄膜が得られれば環境に優しい電気光学素子を実現することが可能となる。
【０００７】
しかしながら、ＫＴＮは、温度に応じて様々な結晶構造に相転移するため、熱処理を要する化学溶液法では、結晶の面方位や結晶構造などの結晶性が均一となるように制御することが難しい、という問題がある。それ以前に、化学溶液法を用いて基板上にＫＴＮを均一に結晶成長させるための技術自体が開発途上であり、未知の部分が多い。スパッタリングなどの真空プロセスを用いることも考えられるが、この方法では、そもそも結晶の方位面を均一にすることが難しい。また、製造設備も含めて製造コストが嵩む。したがって、ＫＴＮの結晶性や結晶構造が均一となるように制御するためには、結局、ゾルゲル法やＭＯＤ法などの化学溶液法を用いた製造技術を基本として技術開発を進めた方が現実的である。  
そこで本発明は、均一な結晶構造を有するＫＴＮ層を備えて、環境に優しい電気光学素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は、下方に配置された基板の上方にＫＴａ１−ｘＮｂｘＯ３で表される強誘電体（ＫＴＮ）層が積層されているとともに、当該ＫＴＮ層の両面側に薄膜状の電極が配置されてなる電気光学素子であって、
前記基板は、所定の面方位を有するＳｒＴｉＯ３からなるとともに、
当該基板上に形成された薄膜状の金属電極と、
当該金属電極上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれか、あるいはその両方を含むシード層と、
当該シード層上に化学溶液法によって形成された薄膜状のＫＴＮを積層してなるＫＴＮ層と、
当該ＫＴＮ層の上に形成された透明電極と、
を備えた電気光学素子としている。  
また、前記シード層にＮｂあるいはＬｉが添加されている電気光学素子とすることもできる。
【０００９】
本発明は、上記前記電気光学素子の製造方法にも及んでおり、当該方法は、
上方に薄膜状の金属電極が形成されたＳｒＴｉＯ３からなる基板を用いるとともに、
前記金属電極上に、ＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれかのＭＯＤ溶液やゾルゲル溶液からなる化学溶液、あるいは両方の前記化学溶液を塗布するステップと、
前記化学溶液を乾燥させたのち、当該化学溶液が塗布された前記基板を熱処理し、当該基板上にＳｒＴｉＯ３とＢａＴｉＯ３のいずれかの薄膜、あるいはその両方が含まれる薄膜からなるシード層を形成するステップと、
前記シード層上に前記ＫＴＮの化学溶液を塗布する第１ステップと、
前記シード層上に塗布された前記ＫＴＮの化学溶液を乾燥したのち、当該ＫＴＮの化学溶液が塗布された前記基板を熱処理し、前記シード層の上にＫＴＮ薄膜を形成する第２ステップと、
前記第１ステップにおけるＫＴＮの化学溶液を塗布した後、前記第２ステップにおける乾燥と熱処理を実行するステップを繰り返して前記ＫＴＮ薄膜を所定の厚さとなるまで積層して前記ＫＴＮ層を形成するステップと、
を含む電気光学素子の製造方法としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、結晶性が均一に制御されたＫＴＮの層を備えて、環境に優しい電気光学素子の実用化が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例に係る電気光学素子の一利用形態である可変利得等価器の構造を示す図である。
【図２】上記実施形例に係る電気光学素子の構造を示す図である。
【図３】上記実施例に係る電気光学素子の製造手順を示す図である。
【図４】上記実施例に係る電気光学素子のＸ線回折特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＝＝＝本発明に至る過程について＝＝＝
本発明に係る電気光学素子の用途として、光通信用途がある。そして光通信用途の電気光学素子では、上述した引用文献１に記載の電気光学素子のように強誘電体薄膜からなる層（強誘電体層）の片面に電極を形成するのではなく、強誘電体層を挟持するように形成することが多い。例えば、強誘電体層を備えた電気光学素子を、光波長分割多重通信網の伝送路の途上に介在する可変利得等価器、所謂「波長イコライザー」と呼ばれる装置の主要部品である空間光変調器（ＳＬＭ）として使用する場合には、必ず強誘電体層の両面側に電極を配置することになる。そのため、光通信用途の電気光学素子では、電極上に均一なＫＴＮ結晶を化学溶液法によって結晶成長させる技術を確立することが必須となる。そこで本発明者は、電極上に均一なＫＴＮを結晶成長させることを目標として鋭意研究を重ね、その結果、本発明に想到した。
【００１３】
＝＝＝実施例に係る電気光学素子＝＝＝
＜利用形態＞
図１は、本発明の実施例に係る電気光学素子の一利用形態である可変利得等価器１０の構成図である。この図１に示したように、光波長分割多重通信網を構成する伝送路Ｌを伝搬する光線は、光サーキュレーターＣによって分岐され、その分岐先の光ファイバーＦＢの末端から出射し、可変利得等価器１０へ案内される。そして、本実施例の電気光学素子は、この可変利得等価器１０を構成する空間光変調器（ＳＬＭ）１とほぼ同様の基本構成を備えている。以下に、可変利得等価器１０についての構造と動作について簡単に説明する。
【００１４】
可変利得等価器１０は、コリメートレンズ１１、回折格子１２、テレセントリックレンズ１５、ＳＬＭ１、およびＳＬＭ１を駆動するための駆動回路１６から構成されており、光サーキュレーターＣを経て光ファイバーＦＢより出射した光Ｌ１は、コリメートレンズ１１により平行光Ｌ２に変換され、その平行光Ｌ２が回折格子１２に入射する。
【００１５】
回折格子１２は、入射光Ｌ２に対して直交する方向（図中、紙面奥行き方向）に延長する溝１３が平行に配列された構造を有するとともに、その光の入射面１４が入射光Ｌ２に対して所定の角度で傾いている。そして、回折格子１２は、入射光Ｌ２に含まれる各波長成分の光Ｌ３を、溝１３の延長方向に対して直交する方向に波長に応じた角度で屈折させて出射する。回折格子１２にて分光された各波長成分の光Ｌ３は、テレセントリックレンズ１５に入射し、各波長のそれぞれに対応する多数の光束Ｌ４として出射される。そして、その出射光Ｌ４がＳＬＭ１に入射する。
【００１６】
ＳＬＭ１は、強誘電体層５の両面に薄膜電極（３，６）が配置された構成であり、この例では、光の入射側は透明電極６であり、各波長の光束Ｌ４に対応するセル電極が個別に形成されている。ＳＬＭ１において、光Ｌ４の入射側を前方とすると、強誘電体層５の後方には反射板を兼ねる金属電極３が配置されている。そして、駆動回路１６からの電気信号を電極間（３，６）に印加することによって強誘電体層５の電気光学特性が制御され、強誘電体層５の前後のそれぞれの面から反射した光の干渉状態が変化する。それによって、入射した各波長成分の光Ｌ４の利得が個別に調整され、その調整後の光が前方のテレセントリックレンズ１５方向に向けて出射する。そして、ＳＬＭ１からの出射光は、入射光Ｌ４と逆の光路（Ｌ４→Ｌ３→Ｌ２→Ｌ１）を辿り、最終的に光サーキュレーターＣを介して伝送路Ｌに戻される。
【００１７】
＜電気光学素子の構造＞
本発明の実施例に係る電気光学素子は、上述したＳＬＭ１への適用を想定した構成を備えている。すなわち、対面する二つの薄膜電極の一方を金属電極とし、他方を透明電極として、その薄膜電極間にＫＴＮを配置した構造を基本としている。しかし、本実施例の電気光学素子は、シード層を備え、さらに基板とシード層の構成に特徴を有して、ＫＴＮの結晶性が均一に制御されている。
【００１８】
図２は、本実施例に係る電気光学素子１ａの構造を示す断面図である。この電気光学素子１ａは、基板２ａを下方として、その基板２ａ上に薄膜状の金属電極（下側電極層）３ａが形成され、その下側電極層３ａ上にＫＴＮの結晶成長を促すシード層４ａが形成され、そのシード層４ａの上にＫＴＮの薄膜を積層してなるＫＴＮ層５ａが形成されている。そして、ＫＴＮ層５ａ上に透明電極（上側電極層）６ａが形成されている。
【００１９】
具体的には、基板２ａは、従来の電気光学素子においてよく用いられる石英ガラスではなく、ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）基板を用いている。そして、当該基板２ａ上にＴｉとＰｔとの合金（以下、Ｔｉ／Ｐｔ）からなる下側電極層３ａが積層され、その下側電極層３ａ上に基板２ａと同じ物質であるＳＴＯからなるシード層４ａが形成され、そのシード層４ａの上にＫＴＮ層５ａが形成されている。ＫＴＮ層５ａの上には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）などからなる薄膜状の透明な上側電極層６ａが形成されている。
【００２０】
＜電気光学素子の製造方法＞
つぎに、上記実施例に係る電気光学素子１ａの製造方法の一例を示す。図３に、上記実施例の電気光学素子１ａの製造手順を示した。当該製造方法では、ＫＴＮ層５ａにおける結晶性を均一に制御することを重視し、ＭＯＤ法やゾルゲル法などの化学溶液法を用いてＫＴＮ層５ａを形成することを基本としている。そして、当該製造方法では、まず、［１１０］方位のＳＴＯ基板２ａ上にＴｉ／Ｐｔの薄膜をスパッタリングなどの適宜な方法で製膜し下側電極層３ａを形成する（ｓ１）。そして、下側電極層３ａ上に６％濃度のＳＴＯのＭＯＤ溶液（例えばＳＴ−０６：株式会社高純度化学研究所）をスピンコート法により塗布し（ｓ２）、その塗布膜を１５０℃で乾燥させる（ｓ３）。さらに、７５０℃で熱処理を行いＳＴＯによるシード層４ａを形成する（ｓ４）。
【００２１】
次いで、ＫＴＮの化学溶液として、市販のゾルゲル溶液である、ＫＴａＯ３用スピンコート液とＫＮｂＯ３用スピンコート液を等量混合した溶液を用い、この混合溶液をスピンコートによりシード層４ａ上に塗布する（ｓ５）。そして、シード層４ａと同様に、１５０℃で乾燥した後、７５０℃で熱処理する（ｓ６，ｓ７）。それによって、一層分のＫＴＮ薄膜が形成される。なお、一層分のＫＴＮ薄膜は極めて薄いため、電気光学素子として機能させるために必要な厚さ（例えば１μｍ）になるまで、ＫＴＮのゾルゲル溶液の塗布から熱処理までの処理を繰り返す（ｓ８→ｓ５）。所定の厚さに相当する層数分のＫＴＮ薄膜（ＫＴＮ層）５ａが形成されたならば、そのＫＴＮ層５ａ上に透明の上側電極層６ａとなるＩＴＯ薄膜をスパッタリングなどにより形成する（ｓ８→ｓ９）。以上のようにして電気光学素子が完成する。なお、電気光学素子１ａを上記のＳＬＭ１などに用いる場合は、必要に応じ、上側電極層６ａをフォトリソグラフィ技術などを用いてパターンニングすればよい。
【００２２】
＝＝＝ＫＴＮの結晶性＝＝＝
上記の方法によって作成した電気光学素子１ａ（以下、実施例）について、ＫＴＮ層５ａの結晶性をＸ線回折装置（以下、ＸＲＤ）を用いて解析した。また、上記実施例の特性を評価するために、図２に示した構造の電気光学素子１ａにおいて、シード層４ａを除いた電気光学素子（比較例１）と、シード層４ａを有するものの、基板２ａを石英ガラスに置換した電気光学素子（比較例２）と、シード層４ａが無く基板２ａを石英ガラスに置換した電気光学素子（比較例３）を作成し、これら比較例１〜３についても同様にＸＲＤによる解析を行った。
【００２３】
図４は、実施例と比較例１〜３についてのＸＲＤによるＸ回折強度の測定結果を示している。図４（Ａ）は、実施例と比較例１の測定結果であり、（Ｂ）は実施例１、比較例２、および比較例３の測定結果である。なお、（Ｂ）については縦軸（強度）のスケールを５倍に拡大している。すなわち、より小さな強度変化が解るようになっている。
【００２４】
まず、図４（Ａ）に示した解析結果より、比較例１に対する測定結果を示す曲線（以下、特性曲線）４０には、ペロブスカイト相に対応する［１１０］方位の結晶面を示すピーク４１の他に基板２ａの［１１０］方位とは異なる［１００］方位の結晶面を示すピーク４２があり、［１１０］方位を示すピーク４１における強度も低くなっている。すなわち、結晶成長の面方向が十分に制御されていないことが解る。
【００２５】
一方、実施例に対する特性曲線３０には、基板２ａと同じ［１１０］方位の結晶面に対するピーク３１のみが現れており、しかも、そのピーク３１を示す曲線形状が急峻で測定された強度も高い。すなわち、結晶性が均一に制御されていることが解る。なお、実施例１と比較例１は、基板２ａにおけるＳＴＯの［１１０］方位の結晶面に対するピーク３３が現れている。
【００２６】
また、実施例と比較例１について、１ｋＨｚ交流電界印加時の比誘電率εｒを測定したところ、実施例がεｒ＝３０００で、比較例１がεｒ＝２４００であった。実施例と比較例１の違いは、シード層４ａの有無であり、表１に示したように、シード層４ａの存在によって比誘電率εｒを増加することが確認できた。
【００２７】
つぎに、（Ｂ）に示した、比較例２、３のそれぞれに対する特性曲線（５０，６０）を見ると、まず、比較例３では、［１１０］方位を示すピークがほとんどない。比較例２では、［１１０］方位でのピーク５１がなだらかであり、強度も弱い。
【００２８】
また、比較例３では、強誘電体相であるペロブスカイト相ではなく、パイロクロア相を示すピーク（６２，６３）が顕著となっている。また、比較例２は、比較例３ほど顕著ではないが、パイロクロア相の存在を示すピーク（５２，５３）が存在している。そして、比較例２は、［１１０］方位でのピーク５１がなだらかであることから、実施例に対してペロブスカイト相の形成が十分でないことも解る。そして、これら比較例２，３に対し、実施例では、パイロクロア相に対応するピークが全くなく、結晶性がほぼ完全に［１１０］方位に制御されている。
【００２９】
以上の図４に示した結果より、比較例１は、実施例と同じＳＴＯ基板２ａを用いているものの、シード層４ａがないため、［１００］方位と［１１０］方位のＫＴＮが同等に結晶成長してしまったものと思われる。また、比較例２、３は、基板が実施例とは異なる石英ガラスを用いている。そして、基板とＳＴＯ、あるいは基板とＫＴＮとの熱膨張係数の差がより大きくなり、製造過程における熱サイクルにより、基板とＫＴＮとの間で歪みが生じ、その結果、ペロブスカイト相とは異なるパイロクロア相の結晶が現れたと思われる。なお、比較例２では、ペロブスカイト型酸化物であるＳＴＯのシード層４ａがあるためパイロクロア相の発生がある程度抑制されたものの、石英ガラスとＫＴＮとの熱膨張係数の差により、そのシード層４ａの結晶面方位が揃わず、その結果［１１０］方位の結晶成長も促進されなかったものと思われる。事実、図４（Ｂ）に示した比較例２の特性曲線５０には、実施例では存在するＳＴＯの［１１０］方位を示すピーク３３が存在しない。
【００３０】
一方、実施例では、シード層４ａが基板と同じＳＴＯであり、製造過程で基板２ａとシード層４ａとの間にひずみが生じにくく、均一なシード層４ａが形成され、そのシード層４ａの上にＫＴＮを結晶成長させたため、ＫＴＮ層５ａにおけるパイロクロア相の発生が抑制され、シード層４ａの結晶方位面も［１１０］方位に揃う。そして、ＳＴＯとＫＴＮとはその格子定数が近似しており、均一で格子定数が近似する結晶構造を有するシード層４ａの上にＫＴＮ層５ａを形成したため、結晶方位面と格子定数がともに制御され、その結果、極めて均一なＫＴＮ層５ａが形成されたものと思われる。
【００３１】
具体的には、シード層４ａ上に最初のＫＴＮの薄膜を形成する際、そのシード層４ａが均一な結晶性を有し、かつ格子定数もＫＴＮと近似しているため、その最初のＫＴＮ薄膜は、結晶面がほぼ完全に［１１０］方位に揃い、かつ格子定数も安定したものとなる。そして、以後は、その最初のＫＴＮ薄膜の上にＫＴＮ薄膜をさらに積層させていくため、各ＫＴＮ薄膜は、ゾルゲル法による製膜過程において、自身よりも下層のＫＴＮ薄膜の結晶構造に従った構造となるように結晶成長し、その結果、均一な［１１０］方位の結晶のみのＫＴＮ層５ａが形成されたものと考えられる。
【００３２】
＝＝＝その他の実施例＝＝＝
ところで、上記実施例において、シード層４ａを構成するＳＴＯは常誘電体でキュリー点を持たない。一方、ＫＴＮは上述したように、温度によって様々な結晶構造に相転移する。そこで、シード層４ａを、ＫＴＮと同じ強誘電体で、キュリー点以下で安定したペロブスカイト相となり、しかも格子定数もＫＴＮに近似したＢａＴｉＯ３（ＢＴＯ）に置換することも考えられる。あるいは、ＳＴＯとＢＴＯのゾルゲル溶液の混合溶液を用いて、ＳＴＯとＢＴＯをともに含むシード層とすることも考えられる。それによって、シード層上に最初のＫＴＮ薄膜を形成する際、熱処理後に冷却されるとき、シード層に含まれるＢＴＯがペロブスカイト相に相転移すると、それ以下の温度では、ＢＴＯの結晶構造が安定するので、ＫＴＮは他の結晶相に転移しにくくなる。そのため、パイロクロア相など不要な結晶構造の発生確率を極めて低くすることが期待できる。
【００３３】
また、シード層の厚さは、ゾルゲル溶液の濃度やスピンコート時の基板回転数などによって調整することが可能であるが、薄すぎれば、基板面積に対して実際にシード層が形成されている面積の比（基板被服率）が下がり、ＫＴＮを結晶成長させる機能が不十分となる。厚すぎれば、ＫＴＮ以外の電気光学効果に寄与しない層の厚さが増すことになり、十分な電気化学定数を得ることができない。なお、本発明の想到過程における経験から、シード層の厚さは２５ｎｍ〜１００ｎｍであれば、ほぼ均一なＫＴＮ層を形成することができ、誘電率も表１に示した数値と大きく変わらなかった。
【００３４】
電気光学素子では、電気光学効果を奏する強誘電体層に印加される電界によって屈折率が変化する。そのため、シード層とＫＴＮ層が積層された実施例の電気光学素子では、電極間に電界を印加した場合、電極間の電圧がシード層とＫＴＮ層とに分割されることになる。そのため、シード層の誘電率が低い場合、ＫＴＮ層に十分に電界が印加されなくなる可能性がある。そこで、シード層に導電性物質であるＮｂやＬｉを添加して、シード層に導電性を付与し、ＫＴＮ層に効果的に電界が印加されるようにしてもよい。
【００３５】
また、上記実施例では、シード層やＫＴＮ層を形成するために、入手が容易な市販の化学溶液を用いていた。すなわち、ＳＴＯからなるシード層についてはＭＯＤ溶液を用い、ＫＴＮ層についてはゾルゲル溶液を用いていた。もちろん、シード層をゾルゲル法で形成したり、ＫＴＮ層をＭＯＤ法で形成したりしてもよい。いずれにしても、シード層とＫＴＮ層をＭＯＤ溶液やゾルゲル溶液などの化学溶液を用いた化学溶液法によって形成すればよい。
【００３６】
なお、当然のことながら、本発明に係る電気光学素子の用途はＳＬＭ途に限るものではない。金属電極や透明電極の素材、あるいはＳＴＯ基板の面方位などについても上記実施例に限るものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、光通信における可変利得等価器などの利用に適している。
【符号の説明】
【００３８】
１  ＳＬＭ、１ａ  電気光学素子、２ａ  基板、３，３ａ  金属電極（下側電極層）、
４ａ  シード層、５  強誘電体層  ５ａ  ＫＴＮ層、
６，６ａ  透明電極（上側電極層）、１０  可変利得等価器
【図１】
2014089340.tif 000003
【図２】
2014089340.tif 000004
【図３】
2014089340.tif 000005
【図４】
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