(57)【要約】【課題】本発明に係る輝度制御装置は、駆動電流を小さくすることができ、消費電力を低減することができる。【解決手段】駆動装置は、単一の信号線を介して入力されるパルスを検出する毎に輝度カウント値を１単調減少させ、輝度カウント値が１である場合にはＮに変更する検出部と、接続される可変抵抗の値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、駆動電流として供給する供給部とを備え、輝度制御装置は、目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、輝度カウント値を目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを信号線に対し出力する輝度制御部と、必要な数のパルスが出力される期間のうち、輝度カウント値が目標輝度値よりも大きくなる間において、可変抵抗の値を、目標輝度値を受け付けたときの抵抗値よりも大きくする負荷制御部を備える。【選択図】図１
2014165015.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置であって、
前記駆動装置は、
一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、
最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、
前記輝度制御装置は、
前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、
前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持しており、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御部と、
前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御部とを備える
ことを特徴とする輝度制御装置。
【請求項２】
前記現輝度値は、前記一の端値から前記他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変であり、
前記輝度制御部は、前記パルスを出力する毎に、前記現輝度値を、前記現輝度値が前記第１の端値である場合には前記第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる
ことを特徴とする請求項１記載の輝度制御装置。
【請求項３】
前記輝度制御部は、前記パルスを出力する毎に、前記現輝度値を、前記現輝度値が最低段階を示す値である場合には最高段階を示す値に変更し、前記現輝度値が最低段階を示す値でない場合には１段階減少させる
ことを特徴とする請求項２記載の輝度制御装置。
【請求項４】
前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値と同値になったときに、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値に戻す
ことを特徴とする請求項１記載の輝度制御装置。
【請求項５】
前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値より大きくなる間、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときよりも大きい値から前記目標輝度値を受け付けたときの値へと段階的に近づける
ことを特徴とする請求項４記載の輝度制御装置。
【請求項６】
前記負荷制御部は、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値へと段階的に近づけていく場合に、前記輝度制御部によりパルスが出力されるたびに前記最大電流設定手段に設定する値を減少させる
ことを特徴とする請求項５記載の輝度制御装置。
【請求項７】
前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値より大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくするのに代えて、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値の（目標輝度値／輝度カウント値）倍にする
ことを特徴とする請求項１記載の輝度制御装置。
【請求項８】
Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置が実行する輝度制御方法であって、
前記駆動装置は、
一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、
最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、
前記輝度制御方法は、
前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付ステップと、
前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持し、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御ステップと、
前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御ステップとを含む
ことを特徴とする輝度制御方法。
【請求項９】
Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置を備える携帯電話機であって、
前記駆動装置は、
一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、
最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、
前記輝度制御装置は、
前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、
前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持しており、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御部と、
前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御部とを備える
ことを特徴とする携帯電話機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に駆動電流を供給する駆動装置を制御する輝度制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光素子の一例であるＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を駆動する駆動装置として、１線デジタル制御インターフェース（ＵＰＩＣ：  Ｕｎｉ−ｐｏｒｔ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）を備えたデバイス（非特許文献１及び２参照）が多く用いられている。この駆動装置は、Ｎ（Ｎは３以上の自然数。特許文献１記載のＢＤ１７５４ＨＦＮの場合は、Ｎ＝６４）段階可変の駆動電流をＬＥＤに供給することによりＬＥＤを所望の輝度で発光させる。
【０００３】
駆動装置は、具体的には、ＵＰＩＣに入力されるパルスの立ち上がりエッジを検出するごとに、駆動電流を６４段階のうち１段階分ずつ減少させる。ただし、駆動電流が最小である場合に立ち上がりエッジを検出したときには、駆動電流を最大に戻す。すなわち、この駆動装置により供給される駆動電流は、ＵＰＩＣに入力されるパルスに同期し、最大値から１段階分ずつ単調減少して最小値に至り、最小値から最大値に戻り、そして１段階分ずつ減少していくという変化を繰り返す。このとき、ＬＥＤの輝度も、駆動電流と同様に変化する。
【０００４】
ＬＥＤの輝度を制御するため駆動装置に対し上述のパルスを出力する輝度制御装置は、ＬＥＤの輝度を現輝度から目標輝度へと変更する場合には、ＵＰＩＣに対し目標輝度と現輝度との差に相当する数のパルスを出力することになる。
ここで、目標輝度が現輝度よりも大きい場合には、ＬＥＤの輝度は、パルスに同期して、現輝度から単調減少して目標輝度に至るのではなく、現輝度から最小輝度までは１段階分ずつ単調減少するが、最小輝度から最大輝度にいきなり戻り、そして再び１段階分ずつ減少して目標輝度に至ることとなる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】ローム株式会社、ＢＤ１７５４ＨＦＮ  テクニカルノート  ２０１１．０６−Ｒｅｖ．Ｂ、２０１１年６月発行
【非特許文献２】Ｃａｔａｌｙｓｔ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ，Ｉｎｃ．  、ＣＡＴ４００４  ４−Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ  ＬＥＤ  Ｄｒｉｖｅｒ  ｗｉｔｈ  ＥＺＤｉｍTM  Ｄｏｃ．Ｎｏ．５０２４  Ｒｅｖ．Ａ、２００３年７月１５日発行
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のように、ＬＥＤの輝度を、現輝度より大きい目標輝度へと変更する場合、最大輝度から目標輝度に至るまでの間は、ＬＥＤが目標輝度より高い、必要以上の輝度で発光することとなり、必要以上の電力を消費していることとなる。
そこで、本発明は、係る問題に鑑みてなされたものであり、現輝度を目標輝度に変化させる場合の消費電力を可及的に低減できる輝度制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る輝度制御装置は、Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置であって、前記駆動装置は、一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、前記輝度制御装置は、前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持しており、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御部と、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御部とを備える。
【発明の効果】
【０００８】
上述の構成により、本発明に係る輝度制御装置は、駆動電流を小さくすることができ、消費電力を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係るＬＥＤ点灯システムの機能構成を示すブロック図
【図２】ＥＮ信号と状態値及び駆動電流との関係の一例を示す図
【図３】輝度制御処理を示すフローチャート
【図４】輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について示す図。（ａ）駆動電流、（ｂ）ＥＮ信号、（ｃ）信号ＳＷ、（ｄ）Ｄｗを初期値に維持した場合の駆動電流について示す図
【図５】本発明の変形例に係る輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について示す図。（ａ）駆動電流、（ｂ）ＥＮ信号、（ｃ）信号ＳＷ、（ｄ）Ｄｗを初期値に維持した場合の駆動電流について示す図
【図６】本発明の変形例に係る輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について示す図。（ａ）駆動電流、（ｂ）ＥＮ信号、（ｃ）信号ＳＷ、（ｄ）Ｄｗを初期値に維持した場合の駆動電流について示す図
【図７】本発明の変形例に係る輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について示す図。（ａ）駆動電流、（ｂ）ＥＮ信号、（ｃ）ＲISETの変化倍率、（ｄ）Ｄｗを初期値に維持した場合の駆動電流について示す図
【図８】本発明の変形例に係るＬＥＤ点灯システムの機能構成を示すブロック図
【図９】本発明の変形例に係る携帯電話機の外観を示す図。（ａ）正面図、（ｂ）背面図
【図１０】本発明の変形例に係るＥＮ信号と状態値及び駆動電流との関係の一例を示す図
【図１１】本発明の変形例に係る輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について示す図。（ａ）駆動電流、（ｂ）ＥＮ信号、（ｃ）信号ＳＷ、（ｄ）Ｄｗを初期値に維持した場合の駆動電流について示す図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
＜１．概要＞
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
本発明の一実施形態に係るＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）点灯システムは、携帯電話機等の電子機器にサーチライト、着信報知用のインジケータ等として組み込まれる。
【００１１】
図１は、本発明の一実施形態に係るＬＥＤ点灯システム１の機能構成を示すブロック図である。
ＬＥＤ点灯システム１は、ＬＥＤ２、ＬＥＤ２を駆動する駆動装置３、駆動装置３を用いてＬＥＤ２の輝度を制御する輝度制御装置４、及び、駆動装置３に接続され、かつ輝度制御装置４により抵抗値が変更される可変抵抗５を含んで構成される。
【００１２】
ＬＥＤ２は、自らに流れる駆動電流（以下、「ＩLED」ともいう。）の大きさに応じた輝度で発光するＬＥＤである。ＬＥＤ２のアノードは、輝度制御装置４が備える電源部４１に接続され、カソードは、駆動装置３が備える端子Ｌ１に接続される。
駆動装置３は、ＬＥＤ２に対しＮ段階可変（本実施形態では、Ｎは６４）の駆動電流を供給することによりＬＥＤ２を発光させるＬＥＤ制御ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）である。
【００１３】
駆動装置３は、輝度制御装置４によりＬＥＤ２の輝度を指定するためにＥＮ端子に入力される２値（Ｈレベル／Ｌレベル）のデジタル制御信号（以下、「ＥＮ信号」という。）を受信する。
駆動装置３は、ＥＮ信号の立ち上がりエッジを検出する毎に、ＬＥＤ２に供給するＩLEDを、最大電流値（ＩLED-MAX）から最小電流値（ＩLED-MIN）までを６４段階に分けたうちの１段階相当分ずつ単調減少させる。なお、駆動装置３がリセットされた時に供給するＩLEDの初期値は、最大電流値である。また、駆動装置３は、ＩLEDの大きさが最小電流値になっている状態で、ＥＮ信号の立ち上がりエッジを検出した場合には、ＩLEDを減少させずに代わりに最大電流値に戻す。以下では、最大電流値から最小電流値までを６４段階に分けたうちのｎ段階目の電流値を「ｎ段電流値」という。また、ＩLEDの大きさがｎ段電流値である状態を便宜上「ＩLEDがｎ段電流である」と表現する場合がある。
【００１４】
ＩLEDの変化は段階的であるため、ＩLEDにより駆動されるＬＥＤの輝度も段階的に変化することになる。駆動電流の変化の段数がＮであることから、ＬＥＤの輝度の変化の段数もＮとなる。
本実施形態では、ＬＥＤ２の輝度をルーメンなどの単位で表される大きさではなく、最大輝度から最小輝度までを６４段階に分けたうちの何段階目であるかによって表現する。具体的には、６４段階目の輝度が最大輝度であり、１段階目の輝度が最小輝度である。以下では、輝度がｎ段階目の大きさである場合を便宜上「輝度値がｎである」と表現する場合がある。
【００１５】
輝度制御装置４は、ＬＥＤ２の現在の輝度値を管理しており、外部（電子機器の制御部など）からＬＥＤ２の輝度を目標輝度値へと変更する要求である輝度変更要求を受け付ける。輝度変更要求を受け付けると、輝度制御装置４は、ＥＮ信号として、ＬＥＤ２の輝度値を目標輝度値に変更するために必要な個数のパルスを駆動装置３のＥＮ端子に対して出力する。
【００１６】
ここで、目標輝度値が現在の輝度値よりも大きい場合には、駆動装置３が供給するＩLEDは、現在の輝度値に対応する電流値から１段階ずつ最小電流値まで減少し、最大電流値に戻った後、再び１段階ずつ減少して目標輝度値に対応する電流値に到達することになる。この場合、ＩLEDが最大電流値から目標輝度値に対応する電流値まで変化する期間、換言するとＬＥＤ２の輝度が最大輝度値から目標輝度値まで変化する期間（以下、これらの期間を「抵抗値変更期間」という。）については、ＬＥＤ２の輝度が目標輝度を上回る。すなわち、抵抗値変更期間において、ＬＥＤ２が必要以上の輝度で発光してしまい、必要以上の電力消費がなされることとなってしまう。
【００１７】
ここで、駆動装置３が供給するＩLEDの最大電流値（「最大供給電流値」ともいう。）は、駆動装置３のＩＳＥＴ端子に接続される抵抗の抵抗値ＲISETに応じて変化する。なお、ＩＳＥＴ端子に接続される抵抗の大きさが基準値（本実施形態では、１２０ｋΩとする。）である場合の最大電流値を、以下、「基準電流値」という。本実施形態における、基準電流値は３２．０［ｍＡ］である。
【００１８】
本発明の一実施形態に係るＬＥＤ点灯システム１は、ＥＮ信号の制御と共にＲISETを適切に制御することで、消費電力を可及的に低減するものである。以下、本実施形態について、詳細に説明する。
＜２．構成＞
＜２−１．駆動装置３＞
駆動装置３について、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
駆動装置３は、ＬＥＤに対し駆動電流を供給することによりＬＥＤを発光させるＬＥＤ制御ＩＣで構成される。駆動装置３は、供給するＩLEDの電流値を、段階的（本実施形態では６４段階）に変化させる機能を有する。
駆動装置３は、周知のＩＣであり、本実施形態では一例としてローム製ＬＥＤドライバＩＣ（ＢＤ１７５４ＨＦＮ）で構成される。ＢＤ１７５４ＨＦＮの詳細は、上述の非特許文献１に記載されているので、以下では必要最小限の説明に留める。
＜端子＞
駆動装置３は、端子として、ＥＮ端子、Ｌ１〜Ｌ４端子、ＶＩＮ端子、ＩＳＥＴ端子、及びＧＮＤ端子を有する。
【００２０】
ＥＮ端子は、ＥＮ信号が入力される入力端子である。
ＩＳＥＴ端子は、外部抵抗が接続される端子である。本実施形態では、ＩＳＥＴ端子には、可変抵抗５が接続される。駆動装置３は、カレント・ミラー回路（図示せず）を備えており、このカレント・ミラー回路により、ＩLEDの電流値と、可変抵抗５に流れる電流（以下、「リファレンス電流」という。）の電流値とが一定の比率に保たれる。リファレンス電流の大きさは、可変抵抗５の抵抗値に比例する。
【００２１】
ＶＩＮ端子は、電源電圧の入力端子である。本実施形態では、ＶＩＮ端子には、後述の輝度制御装置４の有する電源部４１が接続される。なお、ＶＩＮ端子とグランドとの間には、図１に示すようにバイパスコンデンサＣｉｎ（本実施形態では、０．１μＦ）が接続される。
ＧＮＤ端子は、グランドプレーン（図示せず）等に接続される。
【００２２】
Ｌ１〜Ｌ４端子は、ＬＥＤのカソードが接続される端子である。本実施形態では、Ｌ１端子にＬＥＤ２のカソードが接続される。本実施形態では、ＬＥＤは１個のみ使用するので、Ｌ２〜Ｌ４端子は、グランドプレーン等に接続される。
駆動装置３は、機能構成としては、検出部３０、及び、駆動電流を供給する供給部としての電流源３１を含んで構成される。また、検出部３０は、ＵＰＩＣ３２、及びＤＡＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  ｔｏ  Ａｎａｌｏｇ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）３３を含んで構成される。以下、駆動装置３の機能構成について詳細に説明する。
＜電流源３１＞
電流源３１は、電流設定ＤＡＣ３３から入力される状態値（後述）に比例する大きさのＩLEDをシンクする６４段階可変の電流源である。電流源３１は、４系統の電流源３４ａ〜３４ｄから構成される。本実施形態では、電流源３４ｂ〜３４ｄは使用せず、電流源３４ａのみ使用する。
＜ＵＰＩＣ３２＞
ＵＰＩＣ３２は、ＥＮ端子に入力されるＥＮ信号を受信する１線デジタル制御インターフェースである。
【００２３】
図２は、ＥＮ信号と状態値及び駆動電流との関係の一例を示す図である。
ＥＮ信号は、図２に示すように、Ｈｉｇｈ期間（ＴＨＩ：０．０５μｓ〜１００μｓ）及びＬｏｗ期間（ＴＬＯ：０．３μｓ〜１００μｓ）から成るパルスにより構成される。但し、ＥＮ信号が１ｍｓ以上Ｌレベルである場合は、シャットダウン状態への移行指示を示している。ＵＰＩＣ３２がシャットダウン状態への移行指示を検出した場合、駆動装置３は、待機電流が少なく、ＬＥＤ２の輝度制御を行わないシャットダウン状態に移行する。このときＩLEDの大きさは０になる。
【００２４】
また、シャットダウン状態においてＥＮ信号がＨレベルにされた場合は、通常動作状態への移行指示を示す。ＵＰＩＣ３２が通常動作状態への移行指示を検出した場合、駆動装置３は、ＬＥＤの輝度制御を行う通常動作状態に移行する。
ＵＰＩＣ３２は、ＬＥＤ２の輝度値に相当する変数であり、Ｎ値で表現される輝度カウンタ値としての状態値Ｃ（Ｃは、１以上６４以下の自然数）を保持している。以下、「値がｎである状態値Ｃ」を「状態値Ｃｎ」ともいう。状態値Ｃがｎである場合に、駆動装置３は、ＬＥＤ２に対し、ｎ段電流を供給する。ＵＰＩＣ３２は、シャットダウン状態から通常動作状態になったときに、状態値Ｃを初期値である６４にする。
【００２５】
ＵＰＩＣ３２は、通常動作状態において、ＥＮ信号のパルスの立ち上がりエッジを検出するたびに、状態値Ｃを単調変化として１減少させる。状態値が、１（一の端値）であるときにＥＮ信号の立ち上がりエッジを検出したときには、ＵＰＩＣ３２は、状態値Ｃを６４（他の端値）に戻す。
すなわち状態値Ｃは、ＥＮ信号のパルスの立ち上がりエッジが検出されるたびに、Ｃ６４→Ｃ６３・・・Ｃ２→Ｃ１→Ｃ６４→Ｃ６３・・のように変化する。ＥＮ信号がＨレベルに維持されている間、Ｃｎも維持されることになる。
【００２６】
ＵＰＩＣ３２は、状態値Ｃが変更される毎に状態値Ｃを電流設定ＤＡＣ３３が備えるレジスタに設定する。
＜電流設定ＤＡＣ３３＞
電流設定ＤＡＣ３３は、レジスタを備えており、ＵＰＩＣ３２により状態値Ｃがレジスタに設定される。電流設定ＤＡＣ３３は、レジスタに設定される値に応じた大きさの電流の供給（本実施形態ではシンク）を電流源３４ａに行わせる。
【００２７】
ここで、レジスタに設定される値である状態値Ｃの値がｎである場合のＩLEDは、下式（１）で示される。
ＩLED［ｍＡ］＝ＩLED-MAX［ｍＡ］×ｎ／６４      （１）
また、ＩLED-MAXは、下式（２）で示される。
ＩLED-MAX［ｍＡ］＝６．４×６００[ｍＶ]／ＲISET［ｋΩ］      （２）
ＲISETは、後述の輝度制御装置４により制御される。
【００２８】
なお、上述のようにＲISETが一例として１２０［ｋΩ］である場合において、ｎが６４であるとき、ＩLED（＝ＩLED-MAX）は３２．０［ｍＡ］となる。また、ｎが６３の場合、ＩLEDは３１．５［ｍＡ］となり、ｎが６２の場合、ＩLEDは３１．０［ｍＡ］となる。このようにＩLED［ｍＡ］は、ｎの値が１減少するごとに０．５［ｍＡ］ずつ単調減少していく。ｎが１のとき、ＩLED（＝ＩLED-MIN）は、０．５［ｍＡ］となる。
＜１−２−２．可変抵抗５＞
可変抵抗５は、最大電流設定手段の一例としての、抵抗値が可変である抵抗で構成される。可変抵抗５は、本実施形態では一例として、抵抗５１（抵抗値Ｒ１）、抵抗５２（抵抗値Ｒ２）、トランジスタで構成されるスイッチ５３で構成される。本実施形態では、一例として、Ｒ１を１２０ｋΩとし、Ｒ２を１０００ｋΩとする。
【００２９】
可変抵抗５の抵抗値（より詳細には、デューティ比Ｄｗの１周期における平均抵抗値）は、スイッチ５３に入力される信号ＳＷのデューティ比Ｄｗにより定まる。可変抵抗５の抵抗値ＲISETは、信号ＳＷのデューティ比に応じてＲ１〜Ｒ１＋Ｒ２の間で変化する。
なお、本実施形態では、デューティ比Ｄｗとしては、高デューティ比ＤＨ（１００％）、及び低デューティ比ＤＬ（０％）の２種類を用いる。具体的には、信号ＳＷのデューティ比が、１（１００％）の場合、ＲISETはＲ１となる。信号ＳＷのデューティ比が、０（０％）の場合、ＲISETはＲ１＋Ｒ２となる。信号ＳＷのデューティ比が、０．５（５０％）の場合、可変抵抗５の抵抗値ＲISETは、Ｒ１＋０．５×Ｒ２となる。
＜１−２−３．輝度制御装置４＞
輝度制御装置４について、図１を参照しながら説明する。輝度制御装置４は、ＬＥＤの輝度を６４段階で変化させるための制御を行うＩＣで構成される。
【００３０】
輝度制御装置４は、主な機能として、輝度制御機能、及び負荷制御機能を有する。
輝度制御機能は、駆動装置３に対しＥＮ信号を出力することにより状態値Ｃ（ひいては状態値Ｃに応じて変化するＩLED）の大きさを変更するよう指示する機能である。負荷制御機能は、ＲISETを変化させることにより上述のリファレンス電流、及びそのミラー電流であるＩLEDの大きさを調整する機能である。各機能の詳細は、後述する。
【００３１】
輝度制御装置４は、機能構成としては、電源部４１、輝度制御部４２、及び負荷制御部４３を含んで構成される。輝度制御装置４は、プロセッサ及びメモリを含んで構成されており、輝度制御部４２及び負荷制御部４３の各機能は、メモリに記憶されているプログラムをプロセッサが実行することにより実現される。
＜電源部４１＞
電源部４１は、ＬＥＤ２及び駆動装置３に対し電力を供給する電源回路で構成される。電源部４１による供給電圧は、一例として３．６Ｖである。
＜負荷制御部４３＞
負荷制御部４３は、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更することにより可変抵抗５の抵抗値ＲISETを変更する上述の負荷制御機能を有する。負荷制御機能として、負荷制御部４３は、本実施形態では、抵抗値変更期間において、デューティ比Ｄｗを高デューティ比ＤＨ（１００％）にし、抵抗値変更期間以外の期間において、デューティ比Ｄｗを低デューティ比ＤＬ（０％）にする。すなわち、可変抵抗５の抵抗値は、抵抗値変更期間以外の期間ではＲ１になり、抵抗値変更期間では、Ｒ１より大きい（Ｒ１＋Ｒ２）になる。なお、負荷制御部４３は、抵抗値変更期間の開始及び終了時を、輝度制御部４２から抵抗値変更期間の開始及び終了を示す割り込み通知を受けるなどして認識する。
＜輝度制御部４２＞
輝度制御部４２は、上述の輝度制御機能を有する。以下、輝度制御機能について説明する。
【００３２】
輝度制御部４２は、上述した状態値Ｃに相当する変数であって、ＬＥＤ２の現在の輝度を示す現輝度値Ｂを保持している。現輝度値Ｂは、輝度制御部４２によりＥＮ信号のパルスを用いて駆動装置３に通知され、駆動装置３により状態値Ｃとして保持されることになる。
輝度制御部４２は、ＬＥＤ点灯システム１の外部（一例として、ＬＥＤ点灯システム１が組み込まれる情報機器の制御部など）から、輝度変更要求を受信する。輝度変更要求は、目標輝度値Ｔを含む。目標輝度値Ｔは、上述の状態値Ｃ、現輝度値Ｂなどと同様にＮ値で表現される。以下、値がｍ（ｍは１以上Ｎ以下の値）である目標輝度値Ｔを「目標輝度値Ｔｍ」ともいう。
【００３３】
輝度変更要求を受信すると、輝度制御部４２は、ＥＮ信号として、ＬＥＤ２の輝度値を目標輝度値に変更するために必要な個数のパルスを駆動装置３のＥＮ端子に対して出力する。ここで、目標輝度値が現在の輝度値よりも大きい場合には、抵抗値変更期間において、ＥＮ信号を駆動装置３へと出力するとともに、ＥＮ信号に同期して信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを制御するよう負荷制御部４３に指示する（図３を参照）。この指示は、例えば、上述のように、輝度制御部４２が負荷制御部４３に対して抵抗値変更期間の開始及び終了を示す割り込み通知をするなどして行う。抵抗値変更期間は、状態値Ｃの値が６４〜（（ｍ−１）である期間に一致する。
＜３．動作＞
以下、上述のように構成されたＬＥＤ点灯システム１が行う輝度制御処理について説明する。
＜３−１．輝度制御処理＞
図３は、輝度制御処理を示すフローチャートである。
【００３４】
まず、輝度制御装置４における輝度制御部４２は、目標輝度値Ｔを外部から取得する（Ｓ３０１）。輝度制御部４２は、保持している現輝度値Ｂが目標輝度値Ｔと一致するか否か判断する（Ｓ３０２）。現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致している場合は（Ｓ３０２でＹＥＳ）、ＬＥＤ２の輝度を変更する必要はないため、輝度制御処理を終了する（ＥＮＤ）。
【００３５】
輝度制御部４２は、現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致していない場合、現輝度値Ｂが最小輝度値（端値）と一致するか否か判断する（Ｓ３０３）。本実施形態では、最小輝度値は１である。
現輝度値Ｂが最小輝度値と一致しない場合（Ｓ３０３でＮＯ）、現輝度値Ｂの値を１減少させ（Ｓ３０４）、Ｓ３２１に移行する。
【００３６】
一方、現輝度値Ｂが最小輝度値と一致する場合（Ｓ３０３でＹＥＳ）、現輝度値を最大輝度値（端値）に変更する（Ｓ３１１）。本実施形態では、最大輝度値はＮである。そして、輝度制御部４２は、現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致しているか否かを判断し（Ｓ３１２）、一致しない場合には（Ｓ３１２でＮＯ）、ＰＷＭ制御を行うか否かを示すフラグであるＰＷＭフラグをオンに設定し（Ｓ３１３）、Ｓ３２１に移行する。なお、ＰＷＭフラグがオンになっている期間が、上述の抵抗値変更期間に相当する。
【００３７】
Ｓ３２１において、現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致するか否か判断する（Ｓ３２１）。現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致していない場合は（Ｓ３２１でＮＯ）、ＥＮ信号として１パルス出力する（Ｓ３２１）。このとき、駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２は、ＥＮ信号における立ち上がりエッジを１個検出して、保持している状態値Ｃを１減少させる。これにより、状態値Ｃは、輝度制御部４２が保持している現輝度値Ｂと一致することとなる。そして、ＵＰＩＣ３２は、状態値Ｃを電流設定ＤＡＣ３３が備えるレジスタに設定する。電流設定ＤＡＣ３３は、設定された状態値Ｃの値に応じた大きさの電流シンクを行うよう電流源３４ａに指示する。電流源３４ａは、状態値Ｃの大きさに応じたＩLEDをＬＥＤ２に供給する。ＩLEDの大きさは、上述の式（１）及び（２）に応じた値になる。
【００３８】
ここで、ＰＷＭフラグがオンの場合（Ｓ３２３でＹＥＳ）、Ｓ３２２と並行して、負荷制御部４３は、ＳＷのＰＷＭ制御を実行する（Ｓ３２４）。より具体的には、Ｓ３２４において、輝度制御部４２が負荷制御部４３に対し、ＳＷのデューティ比Ｄｗを低デューティ比ＤＬに変更するよう指示する。この指示を受けた負荷制御部４３は、ＳＷのＰＷＭ制御として、ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬに変更する。なお、ＰＷＭフラグがオフの場合には（Ｓ３２３でＮＯ）、負荷制御部４３はＳＷのデューティ比Ｄｗを初期値（１００％）にし、ＰＷＭ制御は行わない。ＰＷＭ制御が行われた場合、ＲISETがデューティ比Ｄｗに応じて変化し、ＩLEDの大きさは、上述の式（１）及び（２）に応じた値になる。Ｓ３２２〜Ｓ３２４のＥＮ信号出力制御及びＰＷＭ制御によるＩLEDの変化については、次節で詳細に説明する。
【００３９】
Ｓ３２３でＮＯの場合、及び、Ｓ３２４の後には、Ｓ３２４に移行する。
一方で、Ｓ３２１において現輝度値Ｂと目標輝度値Ｔとが一致する場合は（Ｓ３２１でＹＥＳ）、ＥＮ信号をＬレベルからＨレベルに変化させて、すなわち立ち上がりエッジを出力して、その後Ｈレベルを維持する（Ｓ３３１）。このとき、駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２は、ＥＮ信号における立ち上がりエッジを１個検出するので、保持している状態値Ｃを１減少させる。これにより、状態値Ｃは、輝度制御部４２が保持している現輝度値Ｂ及び目標輝度値Ｔと一致することとなる。そして、ＵＰＩＣ３２は、状態値Ｃを電流設定ＤＡＣ３３が備えるレジスタに設定する。電流設定ＤＡＣ３３は、設定された状態値Ｃの値に応じた大きさの電流シンクを行うよう電流源３４ａに指示する。電流源３４ａは、状態値Ｃ及び目標輝度値Ｔの大きさに応じたＩLEDをＬＥＤ２に供給する。
【００４０】
そして、ＰＷＭフラグがオンの場合には（Ｓ３３２でＹＥＳ）、ＰＷＭフラグをオフにする（Ｓ３３３）。このとき、負荷制御部４３はＳＷのデューティ比Ｄｗを初期値（１００％）にし、ＰＷＭ制御は行わない。これにより、ＰＷＭ制御が行われていたときには、デューティ比Ｄｗに応じて変化していたＩLEDの大きさが、基準電流値を基準とした大きさに戻されることになる。
【００４１】
ここで、ＥＮ信号と、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗの変更のタイミングとの関係について補足説明する。Ｓ３２３に関し、負荷制御部４３が、実際に信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬにするタイミング、すなわち、スイッチ４７をオフにするタイミングは、ＥＮ信号としてＣ６４に対応する立ち上がりエッジを出力するときである。このタイミングは、輝度制御部４２が、ＥＮ信号の立ち上がりエッジの出力に同期できるように負荷制御部４３に対し通知するものとする。
【００４２】
また、ＥＮ信号としてのパルスを出力するときに、ＳＷについてＰＷＭ制御を実行しない場合には、負荷制御部４３は、ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＨに固定するものとする。なお、輝度制御部４２は、負荷制御部４３に対しＥＮ信号の立ち上がりエッジのタイミングを通知している。負荷制御部４３は、ＳＷのデューティ比を変更する場合には、輝度制御部４２から通知されるタイミングに同期してＳＷのデューティ比を変更する。
＜３−２．輝度制御処理によるＬＥＤ２における輝度変化（ＩLEDの変化）の一例＞
以下、図３を用いて説明した輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例について、図４を用いて具体例により説明する。ここでは、特に、状態値Ｃ、ＥＮ信号、ＳＷのデューティ比Ｄｗ、及びＩLEDの相互の関係を中心に説明する。ＬＥＤ２、駆動装置３及び輝度制御装置４の構成要件、及びこれらの連携動作については、既に、図３を用いて説明済みであるので説明は省略する。
【００４３】
図４（ａ）〜（ｄ）の横軸は、駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２が保持している状態値Ｃを表している。
図４（ａ）は、状態値ＣとＩLEDとの関係を示す。
図４（ｂ）は、状態値Ｃと、ＥＮ信号との関係を示す。
図４（ｃ）は、状態値Ｃと、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗとの関係を模式的に示す図である。
【００４４】
図４（ｄ）は、仮に信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＨに維持した場合の、状態値ＣとＩLEDとの関係を示した図である。図４（ｄ）は、単に図４（ａ）と比較するために掲載したものである。
以下の説明の前提として、現輝度値Ｂは１であるとする。また、輝度制御部４２に対し、目標輝度値Ｔとしてｍ（本例ではｍ＝６１）が指定されたものとする。
【００４５】
現輝度値Ｂが１であるとき、すなわちＣ１に関し、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗは１（１００％）であるので、ＲISETはＲ１となる。このとき、ＩLED-MAXは、基準電流値３２ｍＡに一致する。Ｃ１におけるＩLEDは、図４（ａ）に示すように０．５ｍＡとなる。
輝度制御部４２は、現輝度値Ｂを１から６１に変更するために、図４（ｂ）に示すように、駆動装置３に対しＥＮ信号として４つのパルス（Ｃ６４〜Ｃ６１に対応）を出力する。負荷制御部４３は、Ｃ６４に対応するパルスの立ち上がりエッジに同期したタイミングで（Ｓ３１１〜Ｓ３１３、及び、Ｓ３２１〜Ｓ３２２に相当）、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬ（０％）にする（図４（ｃ）のＣ６４。図３のＳ３２３、Ｓ３２４に相当）。そうすると、ＲISETはＲ１＋Ｒ２となる。すなわち、ＲISETが（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ１になるので、ＩLED-MAXは、基準電流値のＲ１／（Ｒ１＋Ｒ２）倍になる（式（２）参照）。なお、本実施形態では、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）は、約０．１である。
【００４６】
この場合、Ｃ６４のＩLEDは、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しなかった場合の３２ｍＡから、その約０．１倍の電流に低減されることとなる（図４（ａ）のＣ６４参照）。
Ｃ６３についても、負荷制御部４３は、Ｃ６３に対応する信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬ（０％）に維持する（図４（ｃ）のＣ６３。図３のＳ３２３、Ｓ３２４に相当）。そうすると、ＩLED-MAXは、基準電流値のＲ１／（Ｒ１＋Ｒ２）倍になる（式（２）参照）。よって、ＩLEDは、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しなかった場合の３１．５ｍＡから、その０．１倍の電流に低減されたものとなる（図４（ａ）〜（ｃ）のＣ６３参照）。
【００４７】
Ｃ６２についてもＣ６３の場合と同様に、ＩLEDは、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しないとする場合の３１．０ｍＡから、その０．１倍の電流に低減されたものとなる（図４（ａ）〜（ｃ）のＣ６２参照）。
そして、Ｃ６１に対応するパルスの立ち上がりエッジに同期したタイミングで、負荷制御部４３は、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＨ（１００％）に戻す。この場合（Ｃ６１）、ＲISETはＲ１となる。そうすると、ＩLED-MAXは、基準電流値３２ｍＡに戻る。そして、ＩLEDは、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しなかった場合の電流値である３０．５ｍＡとなる。
【００４８】
一方で、仮に、Ｃ６４〜Ｃ６２についてＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しない場合には、Ｃ６４〜Ｃ６２におけるＩLEDは、それぞれ３２．０ｍＡ、３１．５ｍＡ、３１．０ｍＡとなる（図４（ｄ）参照）。
以上のように、本実施形態に係る輝度制御処理により、抵抗値変更期間（本実施形態では、Ｃ６４〜Ｃ６２）におけるＩLEDをＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しない場合に比べて小さくできる。すなわち、抵抗値変更期間における消費電力を低減することができる。
＜４．変形例＞
以上、本発明に係るＬＥＤ点灯システムの実施形態を説明したが、例示したＬＥＤ点灯システムを以下のように変形することも可能であり、本発明が上述の実施形態で示した通りのＬＥＤ点灯システムに限られないことは勿論である。
【００４９】
（１）上記実施形態では、負荷制御部４３が、抵抗値変更期間において、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬにすることとしたが、抵抗値変更期間における消費電力を低減できれば足りる。
例えば、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬ（０）ではなく０．１などとしてもよい。
図５は、本変形例に係る、ディーティ比Ｄｗを０．１にした場合の、上記実施形態における図４に対応する図である。
【００５０】
図５（ａ）〜（ｄ）の横軸は、駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２が保持している状態値Ｃを表している。
図５（ａ）は、状態値ＣとＩLEDとの関係を示す。
図５（ｂ）は、状態値Ｃと、ＥＮ信号との関係を示す。
図５（ｃ）は、状態値Ｃと、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗとの関係を模式的に示す図である。
【００５１】
図５（ｄ）は、仮に信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを初期値に維持した場合の、状態値ＣとＩLEDとの関係を示した図である。
本変形例では、図５（ｃ）に示すように、ＳＷについて、Ｃｎで示した期間における最初の１０％の期間をＨにし、残りの９０％の期間をＬにしている。これにより、ＲISETは、Ｃｎで示した期間のうち、最初の１０％の期間がＲ１となり、残りの期間がＲ１＋Ｒ２になる。
【００５２】
よって、例えば、Ｃ６４の期間のうち最初の１０％の期間において、ＩLEDが基準電流である３２ｍＡとなる（図５（ａ）の５０１）。また、残りの９０％の期間においてＩLEDが、基準電流の０．１倍になる。この場合、Ｃ６４におけるＩLEDの平均は、３２×０．１＋３２×０．１×０．９＝約６．１ｍＡ（図５（ａ）の５１１）となる。すなわち、仮にＣ６４についてＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しない場合（図５（ｄ）の５２１）に比べ、Ｃ６４のＩLEDは、１／５程度（６．１ｍＡ／３２．０ｍＡ）に低減される。
【００５３】
同様にして、Ｃ６３、Ｃ６２におけるＩLEDの平均もＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しない場合（図５（ｄ）の５２２、５２３）に比べ１／５程度に低減される（図５（ａ）の５０２、５０３、５１２、及び５１３）。なお、破線５１１は、Ｃ６４の期間におけるＩLEDの平均を模式的に示したものである。同様に、破線５１２、破線５１３は、Ｃ６３、Ｃ６２の期間におけるＩLEDの平均を模式的に示したものである。
【００５４】
本変形例における信号ＳＷのデューティ比Ｄｗは０．１であり、上記実施形態と比較すると、消費電力が若干増加することと引き替えに、ＬＥＤ２の輝度が若干明るくなる。
ここで、抵抗値変更期間は、短期間であるため、この期間中にＬＥＤ２の輝度が低い場合であっても、ユーザが顕在的に違和感を覚えることは少ないと考えられる。しかし、抵抗値変更期間におけるＬＥＤ２の輝度値と、目標輝度値との差が少ないほど、ユーザが潜在的に覚える違和感が減る場合も有ると考えられ、このような場合であれば、本変形例は、上記実施形態よりも有利なものとなる。
【００５５】
また、デューティ比Ｄｗについては、０や０．１に限るものではなく、ユーザが覚える違和感の度合いと、低消費電力化の要請とを満たす最適なデューティ比Ｄｗをシミュレーション、実験などから導出し、これを用いてもよい。
（２）上記変形例（１）では、抵抗値変更期間において、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを一定値としていたが、抵抗値変更期間における消費電力を低減できれば足りる。例えば、抵抗値変更期間におけるデューティ比Ｄｗを、現輝度値Ｂが目標輝度値Ｔの値ｍに近づくにつれて、大きくすることとしてもよい。
【００５６】
一例として、抵抗値変更期間におけるＤｗを、１／ｑ、２／ｑ、・・・ｐ−１／ｑ、ｐ／ｑのように変化させてもよい。但し、ｐ＝（６４−ｍ）、ｑ＝６４−（ｍ−１）である。
例えば、ｍが６１の場合、Ｄｗは、１／４、２／４、３／４である（図６（ｃ）のＣ６４〜Ｃ６２参照）。
【００５７】
この場合、抵抗値変更期間において、Ｃ６４から目標輝度値Ｔに近づくにつれて、ＩLEDも大きくなって目標輝度値Ｔに対応する電流値に近づいていくことになる（図６（ａ）の６１１〜６１３）。なお、図６（ａ）の破線５１１は、Ｃ６４の期間におけるＩLEDの平均値を表している。同様に、破線５１２、５１３は、それぞれＣ６３、Ｃ６２の期間におけるＩLEDの平均値を表している。
【００５８】
このようにすると、輝度が目標輝度値Ｔに変化するとき、図４（ａ）の例におけるＣ６２からＣ６１（目標輝度値Ｔ＝６１）に遷移するときのような、ＩLEDの急激な変化を低減し、ユーザが潜在的に覚え得る違和感を低減することができる。但し、本変形例の場合、違和感の低減と引き替えに、上記実施形態の場合より消費電力が大きくなる。よって、ユーザが覚える違和感の度合いと、低消費電力化の要請を考慮し、最適なデューティ比Ｄｗを定めるシミュレーション、実験などから導出してこれを用いるのがより望ましい。
【００５９】
（３）上記変形例では、抵抗値変更期間におけるＬＥＤ２の輝度を、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しない場合よりも低減することで、省電力化と、ユーザが潜在的に覚え得る違和感の低減を図っていたが、違和感の低減が実現できれば足りる。例えば、ＬＥＤ２の輝度を現輝度値から目標輝度値に変更するようにＲISETを制御することとしてもよい。
この場合、現輝度値Ｂ及び状態値Ｃの値ｎが、目標輝度値Ｔの値ｍと一致するまで、ＲISETがＲ１の（ｎ／ｍ）倍になるよう制御すればよい。Ｒ１は、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％のときの抵抗値であり、これを「基準抵抗値」ともいう。
【００６０】
このようにすると、状態値ＣそれぞれにおけるＩLEDは、基準電流の（ｍ／ｎ）倍になる（式（１）及び（２））。よって、状態値Ｃそれぞれにおける輝度値も、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の輝度のｍ／ｎ倍となり、目標輝度値Ｔｍにおける輝度値と常に一致することになる。
具体例として、現輝度値Ｂが３０であり（Ｃ３０）、目標輝度値Ｔが６２である場合について図７を用いて説明する。
【００６１】
図７（ａ）〜（ｄ）の横軸は、駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２が保持している状態値Ｃの変化を表している。
図７（ａ）は、状態値ＣとＩLEDとの関係を示す。
図７（ｂ）は、状態値Ｃと、ＥＮ信号との関係を示す。
図７（ｃ）は、状態値Ｃと、本変形例の負荷制御部４３がＲISETをＲ１の何倍にするかを示す倍率ｓ（＝ｎ／ｍ）との関係を模式的に示す図である。
【００６２】
図７（ｄ）は、仮に信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを初期値に維持した場合の、状態値ＣとＩLEDとの関係を示した図である。図７（ｄ）は、単に図７（ａ）と比較するために掲載したものである。
まず、Ｃ３０において、負荷制御部４３は、ＲISETを基準抵抗値と同値になるよう制御している（図７（ｃ）のＣ３０）。このとき、ＩLEDは、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合におけるＣ３０に対応する電流値である。
【００６３】
次に、Ｃ２９においては、負荷制御部４３は、ＲISETを基準抵抗値の２９／６２になるよう制御する（図７（ｃ）のＣ２９）。
すると、ＩLEDは、Ｃ２９における信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値（図７（ａ）のＣ２９に該当）の６２／２９倍、すなわち、Ｃ６２において信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値となる。この場合のＬＥＤ２の輝度は、目標輝度値Ｔに一致することになる。
【００６４】
同様の制御により、Ｃ２８において、ＩLEDは、Ｃ２８における信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値（図７（ａ）のＣ２８に該当）の６２／２８倍、すなわち、Ｃ６２において信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値となる。この場合のＬＥＤ２の輝度は、目標輝度値Ｔに一致することになる。
また、Ｃ６３においても、上記と同様の制御により、ＩLEDは、Ｃ６３における信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値（図７（ａ）のＣ６３に該当）の６２／６３倍、すなわち、Ｃ６２において信号ＳＷのデューティ比Ｄｗが１００％である場合の電流値となる。この場合のＬＥＤ２の輝度は、目標輝度値Ｔに一致することになる。
【００６５】
上記の制御を実現するための、本変形例に係るＬＥＤ点灯システム１の機能構成は、図８に示すようになる。
図８は、上記実施形態に係る機能構成を示す図１と比較して、可変抵抗５の構成が異なる。
図１の可変抵抗５では、ＲISETをＲ１よりも小さくすることのみ可能であったが、本変形例では、Ｒ１よりも大きくもできる。
【００６６】
本変形例に係る可変抵抗５では、抵抗５１（抵抗値Ｒ１）と抵抗５２（抵抗値Ｒ２）とが直列に接続され、抵抗５２と並列にスイッチ５３が設けられている。この点は、上記実施形態に係る構成と同じである。ここで、本変形例では、抵抗５１と並列に抵抗５４（抵抗値Ｒ３）がスイッチ５５を介して並列に設けられている。ここでは、Ｒ３を、一例としてＲ１と同じ１０００ｋΩとする。
【００６７】
ここで、スイッチ５３のオン／オフ切り替えを制御する信号ＳＷ１をオン状態にし、スイッチ５５のオン／オフを制御する信号ＳＷ２をオンにすることにより、ＲISETを、Ｒ１のＲ１・Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ３）倍（本実施形態では、１０００×１２０／（１０００＋１２０）倍＝約１０７倍）にまですることができる。この場合、ＩLEDは、ＳＷ１をオフ状態にしている場合の１０７分の１になる。
【００６８】
このように、信号ＳＷ２のデューティ比Ｄｗ２を適切に制御することで、ＩLEDを、信号ＳＷ２のデューティ比Ｄｗを制御しない場合の（１０００×Ｄｗ２×１２０／（１０００×Ｄｗ２＋１２０））分の１にすることができる。
以上のように、図８の構成によれば、デューティ比Ｄｗ１及びＤｗ２を制御することにより、ＲISETを、基準抵抗の、１０７分の１〜９倍程度（１１２０／１２０）まで自由に変化させることができる。
【００６９】
デューティ比Ｄｗ１及びＤｗ２を適切に設定することで、ＲISETを本変形例に係る図７（ｃ）に示した倍率ｓにすることができる。
（４）上記実施形態では、ＵＰＩＣ３２は、ＥＮ信号のパルスの立ち上がりエッジを検出するたびに、状態値Ｃを単調変化として１減少させるものであったが、これに限らず、単調変化として１増加させるものであってもよい。この場合にも、上記実施形態と同様の構成及び処理によって、消費電力の低減を図ることができる。以下の説明は、主に上記実施形態と異なる点について行い、上記実施形態と同様の事項については説明を省略する。
【００７０】
図１０は、本変形例に係るＥＮ信号と状態値及び駆動電流との関係の一例を示す図であり、上記実施形態の図２に対応する。本変形例の場合、状態値Ｃは、ＥＮ信号のパルスの立ち上がりエッジが検出されるたびに、Ｃｎは、Ｃ１→Ｃ２・・・Ｃ６３→Ｃ６４→Ｃ１→Ｃ２のように変化する。ＩLEDもＣｎの値に応じて変化する。
ここで、上記実施形態の場合、目標輝度値が現輝度値よりも大きい場合において、ＬＥＤ２の輝度が最大輝度値から目標輝度値まで変化する期間に、ＬＥＤ２の輝度が目標輝度を上回ることとなっていた。しかしながら、本変形例では、目標輝度値が現輝度値よりも小さい場合において、現輝度値から最大輝度値まで変化する期間（以下、「本変形例に係る抵抗値変更期間」という。）にＬＥＤ２の輝度が目標輝度を上回ることになる。
【００７１】
本変形例では、本変形例に係る抵抗値変更期間において、負荷制御部４３が、上記実施形態として説明した負荷制御機能により、ＲISETを目標輝度値を受け取ったときよりも大きくなるよう変化させる。
図１１は、本変形例に係る輝度制御処理によるＩLEDの変化の一例を示す図であり、上記実施形態における図４に対応する。
【００７２】
図１１（ａ）〜（ｄ）の横軸は、本変形例に係る駆動装置３におけるＵＰＩＣ３２が保持している状態値Ｃを表している。
図１１（ａ）は、状態値ＣとＩLEDとの関係を示す。
図１１（ｂ）は、状態値Ｃと、ＥＮ信号との関係を示す。
図１１（ｃ）は、状態値Ｃと、信号ＳＷのデューティ比Ｄｗとの関係を模式的に示す図である。
【００７３】
図１１（ｄ）は、仮に信号ＳＷのデューティ比Ｄｗを初期値に維持した場合の、状態値ＣとＩLEDとの関係を示した図である。図１１（ｄ）は、単に図１１（ａ）と比較するために掲載したものである。
以下の説明の前提として、現輝度値ＢはＣ６１であるとする。また、輝度制御部４２に対し、目標輝度値Ｔとしてｍ（本例ではｍ＝２）が指定されたものとする。
【００７４】
輝度制御部４２は、現輝度値Ｂを６１から２に変更するために、図１１（ｂ）に示すように、駆動装置３に対しＥＮ信号として５つのパルス（Ｃ６２〜Ｃ２に対応）を出力する。ここで、Ｃ６２〜Ｃ１が、上述の本変形例に係る抵抗値変更期間に相当する。
負荷制御部４３は、Ｃ６２に対応するパルスの立ち上がりエッジに同期したタイミングで、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬ（０％）にする（図１１（ｃ）のＣ６２）。そうすると、ＲISETはＲ１＋Ｒ２となる。すなわち、ＲISETが（Ｒ１＋Ｒ２）／Ｒ１になるので、ＩLED-MAXは、基準電流値のＲ１／（Ｒ１＋Ｒ２）倍になる（式（２）参照）。なお、上記実施形態と同様、Ｒ１／（Ｒ１＋Ｒ２）は、約０．１である。
【００７５】
この場合、Ｃ６２のＩLEDは、ＳＷのデューティ比Ｄｗを変更しなかった場合の３１ｍＡから、その約０．１倍の電流に低減されることとなる（図１１（ａ）のＣ６２参照）。
そして、Ｃ６３〜Ｃ１についても、負荷制御部４３は、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＬに維持する。この期間は、信号ＳＷのデューティ比ＤｗをＤＨにしている場合に比べ、駆動電流が０．１倍に低減されることになる。このように、本変形例に係る抵抗値変更期間における消費電力を低減することができることになる。
【００７６】
（５）上述の実施形態では、最大電流設定手段の一例として可変抵抗を用いていたが、これには限らず、最大電流設定手段に設定される値に応じて、最大供給電流値が定まれば足りる。
例えば、それぞれ抵抗値の異なる複数の抵抗をスイッチで切り替えて用いるようなものであってもよい。
【００７７】
（６）上述の実施形態で示した輝度制御処理などを輝度制御装置４のプロセッサ、及びそのプロセッサに接続された各種回路に実行させるための機械語或いは高級言語のプログラムコードからなる制御プログラムを、記録媒体に記録すること、又は各種通信路等を介して流通させ頒布することもできる。このような記録媒体には、ＩＣカード、ハードディスク、光ディスク、フレキシブルディスク、ＲＯＭ、フラッシュメモリ等がある。流通、頒布された制御プログラムはプロセッサに読み出され得るメモリ等に格納されることにより利用に供され、そのプロセッサがその制御プログラムを実行することにより各実施形態で示したような各機能が実現されるようになる。なお、プロセッサは、制御プログラムを直接実行する他、コンパイルして実行或いはインタプリタにより実行してもよい。
【００７８】
（７）上述の実施形態及び変形例で示した各機能構成要素（電源部４１、輝度制御部４２、負荷制御部４３など）は、その機能を実行する回路として実現されてもよいし、１又は複数のプロセッサによりプログラムを実行することで実現されてもよい。
なお、上述の各機能構成要素は典型的には集積回路であるＬＳＩとして実現される。これらは個別に１チップされてもよいし、一部又は全てを含むように１チップ化されてもよい。ここでは、ＬＳＩとしたが、集積度の違いにより、ＩＣ、システムＬＳＩ、スーパーＬＳＩ、ウルトラＬＳＩと呼称されることもある。また、集積回路化の手法はＬＳＩに限るものではなく、専用回路又は汎用プロセッサで実現してもよい。ＬＳＩ製造後に、プログラムすることが可能なＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）や、ＬＳＩ内部の回路セルの接続や設定を再構成可能なリコンフィギュラブル・プロセッサを利用してもよい。更には、半導体技術の進歩又は派生する別技術によりＬＳＩに置き換わる集積回路化の技術が登場すれば、当然、その技術を用いて機能ブロックの集積化を行ってもよい。バイオ技術の適応等が可能性としてありえる。
【００７９】
（８）本発明は、上記に示す方法であるとしてもよい。
（９）上述の実施形態及び各変形例を、部分的に組み合せてもよい。
＜５．補足＞
以下、更に本発明の一実施形態としての輝度制御装置の構成及びその変形例と効果について説明する。
（１）本発明の一実施形態に係る輝度制御装置は、Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置であって、前記駆動装置は、一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、前記輝度制御装置は、前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持しており、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御部と、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御部とを備える。
【００８０】
また、前記現輝度値は、前記一の端値から前記他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変であり、前記輝度制御部は、前記パルスを出力する毎に、前記現輝度値を、前記現輝度値が前記第１の端値である場合には前記第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させることとしてもよい。
この構成により、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、駆動電流が前記最大電流設定手段に設定する値を変更しない場合に比べて小さくなり、この間の消費電力を低減することができる。
（２）また、前記輝度制御部は、前記パルスを出力する毎に、前記現輝度値を、前記現輝度値が最低段階を示す値である場合には最高段階を示す値に変更し、前記現輝度値が最低段階を示す値でない場合には１段階減少させることとしてもよい。
【００８１】
この構成により、前記輝度カウント値を減少させる駆動装置を用いて消費電力を低減することができる。
（３）また、前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値と同値になったときに、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値に戻すこととしてもよい。
【００８２】
この構成により、前記輝度カウント値が前記目標輝度値に達した以降、駆動電流の階調制御を、前記パルスを用いて簡便に行うことができる。
（４）また、前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値より大きくなる間、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときよりも大きい値から前記目標輝度値を受け付けたときの値へと段階的に近づけることとしてもよい。
【００８３】
この構成により、前記輝度カウント値が前記目標輝度値より大きくなる間の駆動電流の変化を、目標の電流値へと段階的に近づくようにすることができる。これにより、駆動電流が急激に変化することにより輝度が急激に変化する場合に、ユーザが潜在的に覚えうる違和感を低減することができる。
（５）また、前記負荷制御部は、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値へと段階的に近づけていく場合に、前記輝度制御部によりパルスが出力されるたびに前記最大電流設定手段に設定する値を減少させることとしてもよい。
【００８４】
この構成により、パルスの出力に同期し、駆動電流を規則的に変化させ、輝度が不規則的なタイミングで変化する場合にユーザが潜在的に覚えうる違和感を低減することができる。
（６）また、前記負荷制御部は、前記輝度カウント値が前記目標輝度値より大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくするのに代えて、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値の（目標輝度値／輝度カウント値）倍にすることとしてもよい。
【００８５】
この構成により、目標輝度値を受け付けてから可及的速やかに、発光素子の輝度を、目標輝度へと変化させることができる。
（７）本発明の一実施形態に係る輝度制御方法は、Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置が実行する輝度制御方法であって、前記駆動装置は、一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、前記輝度制御方法は、前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付ステップと、前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持し、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御ステップと、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御ステップとを含む。
【００８６】
また、本発明の一実施形態に係る携帯電話機は、Ｎ（Ｎは３以上の自然数）階調の駆動電流を発光素子に供給する駆動装置を制御する輝度制御装置を備える携帯電話機であって、前記駆動装置は、一の端値から他の端値までのＮ個の整数値の範囲で可変な輝度カウント値を保持しており、信号線を介して入力されるパルスを検出し、パルスを検出する毎に前記輝度カウント値を、前記輝度カウント値が前記両端値のうち第１の端値である場合には第２の端値に変更し、前記第１の端値でない場合には単位数ずつ変化させる検出部と、最大電流設定手段に設定された値に応じて定まる最大供給電流の、（輝度カウント値／Ｎ）倍の電流を、前記駆動電流として前記発光素子に供給する供給部とを備えており、前記輝度制御装置は、前記Ｎ個の整数値の中から目標輝度値の指定を受け付ける受付部と、前記輝度カウント値に相当する現輝度値を保持しており、前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値を参照して、前記輝度カウント値を前記目標輝度値と同値に変更するのに必要な数のパルスを前記信号線に対し出力する輝度制御部と、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、前記最大電流設定手段に設定する値を、前記目標輝度値を受け付けたときの値よりも大きくする負荷制御部とを備える。
【００８７】
この構成により、前記必要な数のパルスが出力される期間のうち、前記輝度カウント値が少なくとも前記目標輝度値及び前記目標輝度値を受け付けたときの現輝度値の双方よりも大きくなる間において、駆動電流が前記最大電流設定手段に設定する値を変更しない場合に比べて小さくなり、この間の消費電力を低減することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の一形態に係る輝度制御装置は、発光素子を発光させる際の消費電力を低減できるものであり、発光素子を搭載する電子機器等に用いるのに好適である。
【符号の説明】
【００８９】
１    ＬＥＤ点灯システム
２    ＬＥＤ
３    駆動装置
４    輝度制御装置
５    可変抵抗
３１    電流源
３２    ＵＰＩＣ
３３    電流設定ＤＡＣ
４１    電源部
４２    輝度制御部
４３    負荷変更部
【図１】
2014165015.tif 000003
【図２】
2014165015.tif 000004
【図３】
2014165015.tif 000005
【図４】
2014165015.tif 000006
【図５】
2014165015.tif 000007
【図６】
2014165015.tif 000008
【図７】
2014165015.tif 000009
【図８】
2014165015.tif 000010
【図９】
2014165015.tif 000011
【図１０】
2014165015.tif 000012
【図１１】
2014165015.tif 000013