(57)【要約】【課題】センサー素子のオーバードライブを可能とすることで、バーンイン試験の時間短縮が可能な物理量センサー、並びに当該物理量センサーを用いた電子機器及び移動体を提供すること。【解決手段】物理量センサー１は、所定の物理量を検出するセンサー素子２０と、センサー素子２０の駆動信号を生成する駆動回路１１１と、センサー素子２０の出力信号に基づいて、駆動信号を基準電圧に応じた一定レベルに制御するＡＧＣ回路１１２と、を含み、当該基準電圧が可変である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の物理量を検出するセンサー素子と、
前記センサー素子の駆動信号を生成する駆動回路と、
前記センサー素子の出力信号に基づいて、前記駆動信号を基準電圧に応じた一定レベルに制御するＡＧＣ回路と、を含み、
前記基準電圧が可変である、物理量センサー。
【請求項２】
請求項１において、
第１の電圧信号を生成する基準電圧回路と、
制御信号に応じて、前記第１の電圧信号を含む複数の電圧信号の中から１つの電圧信号を選択して出力する選択回路と、を含み、
前記選択回路の出力信号を前記基準電圧とする、物理量センサー。
【請求項３】
請求項２において、
前記選択回路は、
前記制御信号に応じて、前記第１の電圧信号と外部端子から入力される第２の電圧信号のいずれかを選択して出力する、物理量センサー。
【請求項４】
請求項２において、
前記基準電圧回路は、
前記第１の電圧信号よりも高い第２の電圧信号をさらに生成し、
前記選択回路は、
前記制御信号に応じて、前記第１の電圧信号と前記第２の電圧信号のいずれかを選択して出力する、物理量センサー。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記選択回路は、
第１のモードでは前記第１の電圧信号を選択して出力し、第２のモードでは前記第１の電圧信号と前記第２の電圧信号のいずれかを選択して出力する、物理量センサー。
【請求項６】
請求項２において、
前記基準電圧回路は、
少なくとも一部が前記第１の電圧信号よりも高い第２〜第ｎ（ｎは３以上の整数）の電圧信号をさらに生成し、
前記選択回路は、
前記第１〜第ｎの電圧信号のいずれかを選択して出力する、物理量センサー。
【請求項７】
請求項６において、
前記選択回路は、
第１のモードでは前記第１の電圧信号を選択して出力し、第２のモードでは前記第１〜第ｎの電圧信号のいずれかを選択して出力する、物理量センサー。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記駆動信号を外部に出力させるためのスイッチ回路をさらに含む、物理量センサー。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の物理量センサーを含む、移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、様々なシステムや電子機器において、加速度を検出する加速度センサーや角速度を検出するジャイロセンサー等、種々の物理量を検出可能な物理量センサーが広く利用されている。近年、各種の物理量センサーが、自動車に搭載されるようになる等、極めて高い信頼性が要求されるようになってきている。
【０００３】
例えば、圧電振動子を用いたジャイロセンサーは、センサー素子が持つ微細な結晶欠陥や製造工程上で生じたマイクロクラック等の微細な損傷を持っている場合があり、時間の経過とともにこの欠陥や損傷部が起点となり、センサー素子の破損が発生する場合がある。出荷前の電気的特性検査で全ての不良を検出することは難しいため、高信頼性を要求される車載市場等に向けたジャイロセンサーにおいては通常の電気的特性試験に加え、この素子破損を検出する為、バーンイン試験に投入することが一般的である。また、このような素子の不良検出においては、圧電振動子のドライブレベルを通常の使用レベルより高いレベルに上げるオーバードライブという手法が一般的に使用されている。
【０００４】
特許文献１では、電源と発振回路の間に定電圧回路を設け、発振回路に一定電圧を供給するように構成した圧電発振器において、定電圧回路を無効にすることが出来るような構成が提案されている。この圧電発振器によれば、定電圧回路を無効に出来るため、電源電圧を変化させることでドライブレベルを変更することができる。
【０００５】
また、特許文献２では、発振回路に、容量値が可変の外部負荷コンデンサーを取り付け、外部負荷コンデンサーの容量変化による周波数変化量から良否判定を行うことが可能な水晶発振器が提案されている。この水晶発振器によれば、定電圧回路の機能を無効にするような付加回路が不要となる。
【０００６】
また、特許文献３では、圧電振動子と発振回路の間にスイッチ回路を設け、圧電振動子と発振回路を分離することを可能にした圧電発振器が提案されている。この圧電発振器によれば、異物除去等に用いるオーバードライブ処理時に、圧電振動子と発振回路を分離することが可能となる為、高電圧印加による発振回路の破壊を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−０７６４８号公報
【特許文献２】特開２００４−１２０５２３号公報
【特許文献３】特開２００４−３２８５０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、ジャイロセンサー等の物理量センサーは、出力感度を一定に保つ為にＡＧＣ（Auto Gain Control）回路を内蔵している場合もあり、通常よりも高い電源電圧を印加して動作させてもオーバードライブが出来ないため、特許文献１や特許文献２の手法をそのまま適用しても、センサー素子のドライブレベルが変化しない。従って、バーンイン試験の投入時間が長くなるため検査コストの削減が難しく、ドライブレベル特性を評価することも不可能である。また、特許文献３の手法は、外部から大振幅のＡＣ電圧を印加
することが必要となる為、屈曲振動を用いている音叉型振動子等への適用は単なる破壊試験になる可能性がある。
【０００９】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、センサー素子のオーバードライブを可能とすることで、バーンイン試験の時間短縮が可能な物理量センサー、並びに当該物理量センサーを用いた電子機器及び移動体を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、所定の物理量を検出するセンサー素子と、前記センサー素子の駆動信号を生成する駆動回路と、前記センサー素子の出力信号に基づいて、前記駆動信号を基準電圧に応じた一定レベルに制御するＡＧＣ回路と、を含み、前記基準電圧が可変である。
【００１２】
本適用例に係る物理量センサーは、例えば、加速度センサー、ジャイロセンサー（角速度センサー）、速度センサー等の慣性センサーであってもよいし、重力に基づいて傾斜角を計測する傾斜計であってもよい。
【００１３】
本適用例に係る物理量センサーによれば、ＡＧＣ回路の基準電圧が可変であるので、バーン試験を行う際、ＡＧＣ回路の基準電圧を高電圧にすることができる。これにより、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができるので、バーンイン試験の時間短縮が可能となる。
【００１４】
［適用例２］
上記適用例に係る物理量センサーは、第１の電圧信号を生成する基準電圧回路と、制御信号に応じて、前記第１の電圧信号を含む複数の電圧信号の中から１つの電圧信号を選択して出力する選択回路と、を含み、前記選択回路の出力信号を前記基準電圧としてもよい。
【００１５】
本適用例に係る物理量センサーによれば、選択回路が選択する電圧信号を変更することで、ＡＧＣ回路の基準電圧を容易に変更することができる。
【００１６】
［適用例３］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記選択回路は、前記制御信号に応じて、前記第１の電圧信号と外部端子から入力される第２の電圧信号のいずれかを選択して出力するようにしてもよい。
【００１７】
本適用例に係る物理量センサーによれば、バーンイン試験を行う際、選択回路が第２の電圧信号を選択するようにすることで、外部端子を介してＡＧＣ回路の基準電圧に高電圧を印加することができる。これにより、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができるので、バーンイン試験の時間短縮が可能となる。
【００１８】
また、本適用例に係る物理量センサーによれば、外部端子からＡＧＣ回路の基準電圧を任意に設定できるので、センサー素子の特性に応じて最適なオーバードライブ電圧を印加してバーンイン試験を行うことができる。従って、特性の異なる複数種類のセンサー素子に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うことができるので、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００１９】
さらに、本適用例に係る物理量センサーによれば、外部端子を介してＡＧＣ回路の基準電圧に外部から電圧を可変にしながら印加することでセンサー素子のＤＬＤ（Drive Level Dependence）検査を実施することも可能である。
【００２０】
［適用例４］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基準電圧回路は、前記第１の電圧信号よりも高い第２の電圧信号をさらに生成し、前記選択回路は、前記制御信号に応じて、前記第１の電圧信号と前記第２の電圧信号のいずれかを選択して出力するようにしてもよい。
【００２１】
本適用例に係る物理量センサーによれば、バーンイン試験を行う際、選択回路が第２の電圧信号を選択するようにすることで、ＡＧＣ回路の基準電圧に高電圧を印加することができる。これにより、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができるので、バーンイン試験の時間短縮が可能となる。
【００２２】
また、本適用例に係る物理量センサーでは、外部から電圧を印加することなくセンサー素子をオーバードライブすることができる。従って、設定電圧のミスや端子間のショートなどに起因する検査機の異常により、センサー素子が破損することを防ぐことが可能となる。
【００２３】
［適用例５］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記選択回路は、第１のモードでは前記第１の電圧信号を選択して出力し、第２のモードでは前記第１の電圧信号と前記第２の電圧信号のいずれかを選択して出力するようにしてもよい。
【００２４】
本適用例に係る物理量センサーによれば、第１のモードでは、ＡＧＣ回路の基準電圧に第１の電圧信号を印加することでセンサー素子のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、第２のモードでは、ＡＧＣ回路の基準電圧に第２の電圧信号を印加することができるので、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させ、バーンイン試験の時間短縮を図ることができる。
【００２５】
［適用例６］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基準電圧回路は、少なくとも一部が前記第１の電圧信号よりも高い第２〜第ｎ（ｎは３以上の整数）の電圧信号をさらに生成し、前記選択回路は、前記第１〜第ｎの電圧信号のいずれかを選択して出力するようにしてもよい。
【００２６】
本適用例に係る物理量センサーによれば、第２〜第ｎの電圧信号の少なくとも一部を第１の電圧信号よりも高く設定し、バーンイン試験を行う際、選択回路が第２〜第ｎの電圧信号の中から第１の電圧信号よりも高い電圧信号を選択するようにすることで、ＡＧＣ回路の基準電圧に高電圧を印加することができる。これにより、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができるので、バーンイン試験の時間短縮が可能となる。
【００２７】
また、本適用例に係る物理量センサーによれば、第２〜第ｎの電圧信号を、特性の異なるｎ−１種類のセンサー素子に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うためにＡＧＣ回路の基準電圧に印加すべきｎ−１種類の電圧とそれぞれ一致させることで、センサー素子の特性に応じて最適なオーバードライブ電圧を印加してバーンイン試験を行うことができる。従って、特性の異なる複数種類のセンサー素子に対してそれぞれ最適なバーンイン
試験を行うことができるので、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００２８】
また、本適用例に係る物理量センサーによれば、ＡＧＣ回路の基準電圧に第１〜第ｎの電圧信号を順次印加することでセンサー素子のＤＬＤ検査を実施することも可能である。
【００２９】
さらに、本適用例に係る物理量センサーでは、外部から電圧を印加することなくセンサー素子をオーバードライブすることができる。従って、設定電圧のミスや端子間のショートなどに起因する検査機の異常により、センサー素子が破損することを防ぐことが可能となる。
【００３０】
［適用例７］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記選択回路は、第１のモードでは前記第１の電圧信号を選択して出力し、第２のモードでは前記第１〜第ｎの電圧信号のいずれかを選択して出力するようにしてもよい。
【００３１】
本適用例に係る物理量センサーによれば、第１のモードでは、ＡＧＣ回路の基準電圧に第１の電圧信号を印加することでセンサー素子のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、第２のモードでは、ＡＧＣ回路の基準電圧に第１の電圧信号よりも高い電圧信号を印加することができるので、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させ、バーンイン試験の時間短縮を図ることができる。あるいは、第２のモードでは、ＡＧＣ回路の基準電圧に第１〜第ｎの電圧信号を印加することができるので、センサー素子のＤＬＤ検査が可能となる。
【００３２】
［適用例８］
上記適用例に係る物理量センサーは、前記駆動信号を外部に出力させるためのスイッチ回路をさらに含むようにしてもよい。
【００３３】
本適用例に係る物理量センサーによれば、駆動信号を外部からモニターしながらセンサー素子のＤＬＤ検査を容易に実施することができる。
【００３４】
［適用例９］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの物理量センサーを含む。
【００３５】
［適用例１０］
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの物理量センサーを含む。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態の物理量センサーの構成例を示す図。
【図２】第２実施形態の物理量センサーの構成例を示す図。
【図３】第３実施形態の物理量センサーの構成例を示す図。
【図４】第４実施形態の物理量センサーの構成例を示す図。
【図５】第５実施形態の物理量センサーの構成例を示す図。
【図６】本実施形態の電子機器の機能ブロック図。
【図７】本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。
【図８】本実施形態の移動体の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するもので
はない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３８】
１．物理量センサー
１−１．第１実施形態
図１は、第１実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図１に示すように、第１実施形態の物理量センサー１は、集積回路（ＩＣ）１０及びセンサー素子２０を含む。
【００３９】
図１では、センサー素子２０は、２本のＴ型の駆動振動腕とともにその間に１本の検出振動腕を有するいわゆるダブルＴ型の水晶振動片に２つの駆動電極と２つの検出電極が形成された、振動式の圧電型の角速度検出素子である。
【００４０】
センサー素子２０の２本の駆動振動腕は、駆動信号として交流電圧信号が与えられると、逆圧電効果によって、互いの先端が接近と離間を繰り返す屈曲振動（励振振動）をする。この２本の駆動振動腕の屈曲振動の振幅が等しければ、２本の駆動振動腕は検出振動腕に対して常に線対称な関係で屈曲振動をするので、検出振動腕は振動を起こさない。
【００４１】
この状態で、センサー素子２０の励振振動面に垂直な軸を回転軸とする角速度が加わると、２本の駆動振動腕は、屈曲振動の方向と回転軸の両方に垂直な方向にコリオリの力を得る。その結果、２本の駆動振動腕の屈曲振動の対称性が崩れ、検出振動腕は、バランスを保つように屈曲振動をする。このコリオリ力に伴う検出振動腕の屈曲振動と駆動振動腕の屈曲振動（励振振動）とは位相が９０°ずれている。そして、圧電効果によってこれらの屈曲振動に基づく逆位相（位相が１８０°異なる）の交流電荷が２つの検出電極に発生する。この交流電荷は、コリオリ力の大きさ（言い換えれば、センサー素子２０に加わる角速度の大きさ）に応じて変化する。
【００４２】
なお、センサー素子２０の振動片は、ダブルＴ型でなくてもよく、例えば、音叉型やくし歯型であってもよいし、三角柱、四角柱、円柱状等の形状の音片型であってもよい。また、センサー素子４の振動片の材料としては、水晶（ＳｉＯ2）の代わりに、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）等の圧電単結晶やジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスなどの圧電性材料を用いてもよいし、シリコン半導体を用いてもよい。また、例えば、シリコン半導体の表面の一部に、駆動電極に挟まれた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の圧電薄膜を配置した構造であってもよい。
【００４３】
また、センサー素子２０は、圧電型のセンサー素子に限らず、動電型、静電容量型、渦電流型、光学型、ひずみゲージ型等の振動式のセンサー素子であってもよい。あるいは、センサー素子２０の方式は、振動式に限らず、例えば、光学式、回転式、流体式であってもよい。また、センサー素子２０が検出する物理量は、角速度に限らず、角加速度、加速度、速度、力などであってもよい。
【００４４】
図１に示すように、本実施形態では、センサー素子２０の２つの駆動電極は、それぞれ集積回路（ＩＣ）１０のＤＳ端子とＤＧ端子に接続されている。また、センサー素子２０の２つの検出電極は、それぞれ集積回路（ＩＣ）１０のＳ１端子とＳ２端子に接続されている。
【００４５】
集積回路（ＩＣ）１０は、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３、電源電圧センサー１４、基準電圧回路１５、シリアルインターフェース回路１６、不揮発性メモリー１７、選択制御回路１８、選択回路１９を含んで構成されている。なお、本実施形態の集積回路（ＩＣ）１０は、図１に示した要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追
加した構成としてもよい。
【００４６】
基準電圧回路１５は、ＶＤＤ端子より供給される電源電圧から基準電圧ＶＲＥＦ（アナロググランド電圧）などの定電圧や定電流を生成し、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３及び選択回路１９に供給する。
【００４７】
シリアルインターフェース回路１６は、ＳＳ端子，ＳＣＬＫ端子，ＳＩ端子を介してそれぞれ選択信号、クロック信号、シリアル入力信号が入力される。シリアルインターフェース回路１６は、選択信号がイネーブルの時にシリアル入力信号をクロック信号でサンプリングし、シリアル入力信号に含まれているコマンドの解析処理やシリアル入力信号に含まれているシリアルデータをパラレルデータに変換する処理を行う。さらに、シリアルインターフェース回路１６は、コマンドに応じて、不揮発性メモリー１７や内部レジスター（図示せず）に対するデータの書き込み（設定）や読み出しの処理を行う。また、シリアルインターフェース回路１６は、不揮発性メモリー１７や内部レジスターから読み出したデータをシリアルデータに変換し、ＳＯ端子を介して外部に出力する処理を行う。
【００４８】
不揮発性メモリー１７は、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３に対する各種の調整データや補正データを保持している。不揮発性メモリー１７は、例えば、ＭＯＮＯＳ（Metal Oxide Nitride Oxide Silicon）型メモリーによって実現することができる。
【００４９】
駆動部１１は、駆動回路１１１、ＡＧＣ回路１１２、電荷増幅回路１１３及びフィルター回路１１４を含んで構成されている。
【００５０】
駆動回路１１１は、センサー素子２０を励振振動させるための交流の駆動信号を生成し、ＤＳ端子を介してセンサー素子２０の一方の駆動電極に供給する。駆動信号によりセンサー素子２０の振動片に流れた駆動電流は、ＤＧ端子を介して電荷増幅回路１１３に入力される。
【００５１】
電荷増幅回路１１３は、センサー素子２０の出力電流を交流電圧信号に変換し、さらに、この交流電圧信号を増幅して出力する。電荷増幅回路１１３の出力信号は、フィルター回路１１４を介してＡＧＣ回路１１２に入力される。
【００５２】
ＡＧＣ回路１１２は、フィルター回路１１４の出力信号のレベルに応じて、センサー素子に流れる駆動電流が一定になるように、駆動信号を基準電圧に応じた一定レベル（一定の振幅）に制御する。このＡＧＣ回路１１２により、電源電圧変動や温度変動等の外乱によらずセンサー素子２０のドライブレベルを一定に保つことができる。これにより、センサー素子２０の素子感度を一定に保ち、物理量センサー１の検出精度の低下を防止することができる。
【００５３】
検出部１２は、検出回路１２１及び出力回路１２２を含んで構成されている。
【００５４】
検出回路１２１は、Ｓ１端子とＳ２端子を介して、センサー素子２０の２つの検出電極の各々に発生する交流電荷（検出電流）がそれぞれ入力され、これらの交流電荷（検出電流）に含まれる角速度成分のみを検出し、角速度の大きさに応じた電圧レベルの信号（角速度信号）を生成する。
【００５５】
出力回路１２２は、検出回路１２１が生成した角速度信号をバッファリングしてＶＯ端子を介して外部に出力する。また、出力回路１２２が角速度信号をＡ／Ｄ変換し、Ａ／Ｄ変換されたデジタルデータ（角速度を表すデジタルデータ）を、シリアルインターフェース回路１６を介して外部に出力するようにしてもよい。あるいは、検出部１２は、はＳ１
、Ｓ２端子より入力された検出電流を電圧に変換し、さらにＡ／Ｄ変換した後、デジタル処理により検出信号（角速度信号）を生成し、シリアルインターフェース回路１６を介して外部に出力するようにしてもよい。
【００５６】
なお、検出部１２は、温度センサー１３の出力信号、電源電圧センサー１４の出力信号及び不揮発性メモリー１７に記憶されている補正データを用いて、角速度信号の０点電源電圧補正、０点温度補正及び感度温度補正等も行う。
【００５７】
特に、本実施形態では、ＡＧＣ回路１１２は、選択回路１９が出力する電圧を基準電圧として駆動信号の振幅を調整する。従って、この基準電圧が高いほど駆動信号の振幅が大きくなる。
【００５８】
選択回路１９は、選択制御回路１８が出力する制御信号に応じて、基準電圧回路１５が生成する基準電圧ＶＲＥＦ（第１の電圧信号一例）とＶＲ端子を介して外部から入力される電圧（第２の電圧信号一例）のいずれかを選択して出力する。
【００５９】
選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、選択回路１９による選択信号の切り替えを制御するための制御信号を出力する。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が、通常動作モード（第１のモード一例）では基準電圧ＶＲＥＦを選択し、テストモード（第２のモード一例）では内部レジスターの設定値に応じて、基準電圧ＶＲＥＦとＶＲ端子を介して外部から入力される電圧のいずれかを選択するように、選択回路１９の制御信号を生成してもよい。
【００６０】
なお、選択回路１９の制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。この場合は、選択制御回路１８は不要である。
【００６１】
以上に説明した第１実施形態の物理量センサーによれば、通常動作モードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に常に基準電圧ＶＲＥＦを印加することでセンサー素子２０のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、テストモードでは、ＶＲ端子を介してＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い電圧を印加することができるので、センサー素子２０をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができる。従って、バーンイン試験の時間短縮を図ることができ、検査コストの削減が可能となる。
【００６２】
さらに、第１実施形態の物理量センサーによれば、ＶＲ端子からＡＧＣ回路１１２の基準電圧を任意に設定できるので、センサー素子２０の特性に応じて最適なオーバードライブ電圧を印加してバーンイン試験を行うことができる。従って、特性の異なる複数種類のセンサー素子２０に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うために集積回路（ＩＣ）１０の設計を変更する必要がないので、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００６３】
１−２．第２実施形態
図２は、第２実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図２において、第１実施形態（図１）と同じ構成要素には同じ符号を付している。図２に示すように、第２実施形態の物理量センサー１は、その構成要素は第１実施形態（図１）と同様であるが、基準電圧回路１５及び選択制御回路１８の構成が第１実施形態（図１）と異なる。
【００６４】
第２実施形態の物理量センサー１では、基準電圧回路１５は、基準電圧ＶＲＥＦ１（第１の電圧信号の一例）と基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い基準電圧ＶＲＥＦ２（第２の電圧信号の一例）とを生成する。基準電圧ＶＲＥＦ１は、第１実施形態（図１）の基準電圧Ｖ
ＲＥＦと同じものであり、第１実施形態（図１）と同様に、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３及び選択回路１９に供給される。
【００６５】
選択回路１９は、選択制御回路１８が出力する制御信号に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１と基準電圧ＶＲＥＦ２のいずれかを選択して出力する。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が、通常動作モード（第１のモード一例）では基準電圧ＶＲＥＦ１を選択し、テストモード（第２のモード一例）では内部レジスターの設定値に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１と基準電圧ＶＲＥＦ２のいずれかを選択するように、選択回路１９の制御信号を生成してもよい。
【００６６】
なお、選択回路１９の制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。この場合は、選択制御回路１８は不要である。
【００６７】
第２実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態（図１）と同様であるため、その説明を省略する。
【００６８】
以上に説明した第２実施形態の物理量センサーによれば、通常動作モードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に常に基準電圧ＶＲＥＦ１を印加することでセンサー素子２０のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、テストモードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い基準電圧ＶＲＥＦ２を印加することができるので、センサー素子２０をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができる。従って、バーンイン試験の時間短縮を図ることができ、検査コストの削減が可能となる。
【００６９】
また、第２実施形態の物理量センサーでは、選択回路１９に、図１のＶＲ端子を介して外部から入力される電圧に代えて、基準電圧回路１５が生成する基準電圧ＶＲＥＦ２が入力されるので、外部から電圧を印加することなくセンサー素子２０をオーバードライブすることができる。従って、設定電圧のミスや端子間のショートなどに起因する検査機の異常により、センサー素子２０が破損することを防ぐことが可能となる。
【００７０】
１−３．第３実施形態
図３は、第３実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図３において、第１実施形態（図１）と同じ構成要素には同じ符号を付している。図３に示すように、第３実施形態の物理量センサー１は、その構成要素は第１実施形態（図１）と同様であるが、基準電圧回路１５、選択制御回路１８及び選択回路１９の構成が第１実施形態（図１）と異なる。
【００７１】
第３実施形態の物理量センサー１では、基準電圧回路１５は、ｎ（ｎ≧３）種類の基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎ（第１〜第ｎの電圧信号の一例）を生成する。基準電圧ＶＲＥＦ１は、第１実施形態（図１）の基準電圧ＶＲＥＦと同じものであり、第１実施形態（図１）と同様に、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３及び選択回路１９に供給される。基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎは、互いに異なり、いずれも基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い電圧である。
【００７２】
選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、選択回路１９による選択信号の切り替えを制御するための複数ビットの制御信号を出力する。選択回路１９は、選択制御回路１８が出力する制御信号に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎのいずれかを選択して出力する。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が、通常動作モード（第１のモード一例）では基準電圧ＶＲＥＦ１を選択し、テストモード（第２のモード一例）では内部レジスターの設定値
に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎのいずれかを選択するように、選択回路１９の制御信号を生成してもよい。
【００７３】
なお、選択回路１９の制御信号は、基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎの各々を選択可能な所定数の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。この場合は、選択制御回路１８は不要である。
【００７４】
第３実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態（図１）と同様であるため、その説明を省略する。
【００７５】
以上に説明した第３実施形態の物理量センサーによれば、通常動作モードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に常に基準電圧ＶＲＥＦ１を印加することでセンサー素子２０のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、テストモードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎのいずれかを印加することができるので、センサー素子２０をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができる。従って、バーンイン試験の時間短縮を図ることができ、検査コストの削減が可能となる。
【００７６】
また、第３実施形態の物理量センサーによれば、基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎを、特性の異なるｎ−１種類のセンサー素子２０に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うためにＡＧＣ回路１１２の基準電圧に印加すべきｎ−１種類の電圧とそれぞれ一致させることで、センサー素子２０の特性に応じて最適なオーバードライブ電圧を印加してバーンイン試験を行うことができる。従って、特性の異なる複数種類のセンサー素子２０に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うために集積回路（ＩＣ）１０の設計を変更する必要がないので、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００７７】
さらに、第３実施形態の物理量センサーでは、選択回路１９に、図１のＶＲ端子を介して外部から入力される電圧に代えて、基準電圧回路１５が生成する基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎが入力されるので、外部から電圧を印加することなくセンサー素子２０をオーバードライブすることができる。従って、設定電圧のミスや端子間のショートなどに起因する検査機の異常により、センサー素子２０が破損することを防ぐことが可能となる。
【００７８】
１−４．第４実施形態
図４は、第４実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図４において、第１実施形態（図１）と同じ構成要素には同じ符号を付している。図４に示すように、第４実施形態の物理量センサー１は、第１実施形態（図１）に対して、スイッチ回路２１が付加されており、さらに選択制御回路１８の構成が異なる。
【００７９】
第４実施形態の物理量センサー１では、選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、選択回路１９による選択信号の切り替えを制御するための第１制御信号を出力する。また、選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、スイッチ回路２１のオン／オフの切り替えを制御するための第２制御信号を出力する。
【００８０】
選択回路１９は、選択制御回路１８が出力する第１制御信号に応じて、基準電圧回路１５が生成する基準電圧ＶＲＥＦ（第１の電圧信号一例）とＶＲ端子を介して外部から入力される電圧（第２の電圧信号一例）のいずれかを選択して出力する。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が、通常動作モード（第１のモード一例）では基準電圧ＶＲＥＦを選択し、テストモード（第２のモード一例）では内部レジスターの設定値に応じて、基
準電圧ＶＲＥＦとＶＲ端子を介して外部から入力される電圧のいずれかを選択するように、第１制御信号を生成してもよい。
【００８１】
スイッチ回路２１は、選択制御回路１８が出力する第２制御信号に応じて、オン又はオフする。スイッチ回路２１がオンの時は、駆動回路１１１が出力する駆動信号がＭＯ端子を介して外部からモニター可能になる。一方、スイッチ回路２１がオフの時は、駆動回路１１１の出力はＭＯ端子から切り離され、第２実施形態の物理量センサー１は、第１実施形態（図１）と同様の構成になる。例えば、選択制御回路１８は、スイッチ回路２１が、通常動作モードでは常にオフし、テストモードでは内部レジスターの設定値に応じてオン又はオフするように、第２制御信号を生成してもよい。
【００８２】
第１制御信号と第２制御信号は、連動して変化するようにしてもよい。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が基準電圧ＶＲＥＦを選択する時はスイッチ回路２１がオフし、選択回路１９がＶＲ端子を介して外部から入力される電圧を選択する時はスイッチ回路２１がオンするように、第１制御信号と第２制御信号を生成してもよい。
【００８３】
なお、第１制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。また、第２制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。第１制御信号と第２制御信号がともに異なる外部端子から入力されるようにした場合は、選択制御回路１８は不要である。
【００８４】
第４実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態（図１）と同様であるため、その説明を省略する。
【００８５】
以上に説明した第４実施形態の物理量センサーは、第１実施形態の物理量センサーと同様の効果を奏する。
【００８６】
さらに、第４実施形態の物理量センサーによれば、ＭＯ端子を介して駆動信号をモニター可能な状態で、ＶＲ端子を介してＡＧＣ回路１１２の基準電圧に外部から電圧を可変にしながら印加することで、センサー素子２０の駆動電圧を変化させ、駆動電圧−駆動電流の関係、駆動電圧−発振周波数の関係等を測定することができる。従って、センサー素子２０のＤＬＤ検査を実施することも可能である。すなわち、第４実施形態の物理量センサーによれば、センサー素子２０のバーンイン試験とＤＬＤ検査をともに行うことができ、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００８７】
１−５．第５実施形態
図５は、第５実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図５において、第３実施形態（図３）と同じ構成要素には同じ符号を付している。図５に示すように、第５実施形態の物理量センサー１は、その構成要素は第３実施形態（図３）に対して、スイッチ回路２１が付加されており、さらに基準電圧回路１５及び選択制御回路１８の構成が異なる。
【００８８】
第５実施形態の物理量センサー１では、基準電圧回路１５は、ｎ（ｎ≧３）種類の基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎ（第１〜第ｎの電圧信号の一例）を生成する。基準電圧ＶＲＥＦ１は、第１実施形態（図１）の基準電圧ＶＲＥＦと同じものであり、第１実施形態（図１）と同様に、駆動部１１、検出部１２、温度センサー１３及び選択回路１９に供給される。基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎは、互いに異なり、基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｋ（ｋ＜ｎ）は基準電圧ＶＲＥＦ１よりも低く、ＶＲＥＦ（ｋ＋１）〜ＶＲＥＦｎは基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い。
【００８９】
選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、選択回路１９による選択信号の切り替えを制御するための複数ビットの第１制御信号を出力する。また、選択制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から所定の内部レジスターに書き込まれた設定値に応じて、スイッチ回路２１のオン／オフの切り替えを制御するための第２制御信号を出力する。
【００９０】
選択回路１９は、選択制御回路１８が出力する第１制御信号に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎのいずれかを選択して出力する。例えば、選択制御回路１８は、選択回路１９が、通常動作モード（第１のモード一例）では基準電圧ＶＲＥＦ１を選択し、テストモード（第２のモード一例）では内部レジスターの設定値に応じて、基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎのいずれかを選択するように、第１制御信号を生成してもよい。
【００９１】
スイッチ回路２１は、選択制御回路１８が出力する第２制御信号に応じて、オン又はオフする。スイッチ回路２１がオンの時は、駆動回路１１１が出力する駆動信号がＭＯ端子を介して外部からモニター可能になる。一方、スイッチ回路２１がオフの時は、駆動回路１１１の出力はＭＯ端子から切り離され、第５実施形態の物理量センサー１は、第３実施形態（図３）と同様の構成になる。例えば、選択制御回路１８は、スイッチ回路２１が、通常動作モードでは常にオフし、テストモードでは内部レジスターの設定値に応じてオン又はオフするように、第２制御信号を生成してもよい。
【００９２】
第１制御信号と第２制御信号は、連動して変化するようにしてもよい。例えば、選択制御回路１８は、通常動作モードでは選択回路１９が基準電圧ＶＲＥＦ１を選択するとともにスイッチ回路２１がオフし、テストモードでは、内部レジスターの設定値に応じて、選択回路１９が基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎを選択するとともにスイッチ回路２１がオンするように、第１制御信号と第２制御信号を生成してもよい。
【００９３】
なお、第１制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。また、第２制御信号は、所定の外部端子を介して外部から入力されるようにしてもよい。第１制御信号と第２制御信号がともに異なる外部端子から入力されるようにした場合は、選択制御回路１８は不要である。
【００９４】
第５実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第３実施形態（図３）と同様であるため、その説明を省略する。
【００９５】
以上に説明した第５実施形態の物理量センサーによれば、通常動作モードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に常に基準電圧ＶＲＥＦ１を印加することでセンサー素子２０のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、テストモードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦ１よりも高い基準電圧ＶＲＥＦ（ｋ＋１）〜ＶＲＥＦｎのいずれかを印加することができるので、センサー素子２０をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができる。従って、バーンイン試験の時間短縮を図ることができ、検査コストの削減が可能となる。
【００９６】
また、第５実施形態の物理量センサーによれば、基準電圧ＶＲＥＦ（ｋ＋１）〜ＶＲＥＦｎを、特性の異なるｎ−ｋ種類のセンサー素子２０に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うためにＡＧＣ回路１１２の基準電圧に印加すべきｎ−ｋ種類の電圧とそれぞれ一致させることで、センサー素子２０の特性に応じて最適なオーバードライブ電圧を印加してバーンイン試験を行うことができる。従って、特性の異なる複数種類のセンサー素子２０に対してそれぞれ最適なバーンイン試験を行うために集積回路（ＩＣ）１０の設計を変更する必要がないので、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００９７】
また、第５実施形態の物理量センサーによれば、ＭＯ端子を介して駆動信号をモニター可能な状態で、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦ１〜ＶＲＥＦｎを順次印加することで、センサー素子２０の駆動電圧を変化させ、駆動電圧−駆動電流の関係、駆動電圧−発振周波数の関係等を測定することができる。従って、センサー素子２０のＤＬＤ検査を実施することも可能である。すなわち、第５実施形態の物理量センサーによれば、センサー素子２０のバーンイン試験とＤＬＤ検査をともに行うことができ、信頼性の高い物理量センサーを低コストで実現することができる。
【００９８】
さらに、第５実施形態の物理量センサーでは、選択回路１９に、図４のＶＲ端子を介して外部から入力される電圧に代えて、基準電圧回路１５が生成する基準電圧ＶＲＥＦ２〜ＶＲＥＦｎが入力されるので、外部から電圧を印加することなくセンサー素子２０を異なる電圧でドライブすることができる。従って、設定電圧のミスや端子間のショートなどに起因する検査機の異常により、センサー素子２０が破損することを防ぐことが可能となる。
【００９９】
２．電子機器
図６は、本実施形態の電子機器の機能ブロック図である。また、図７は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
【０１００】
本実施形態の電子機器３００は、物理量センサー３１０、ＣＰＵ（Central Processing
Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０、音出力部３８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図６の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１０１】
物理量センサー３１０は、物理量を検出し、検出した物理量に応じたレベルの信号（物理量信号）を出力する装置であり、例えば、加速度、角速度、速度等の物理量の少なくとも一部を検出する慣性センサーであってもよいし、傾斜角を計測する傾斜計であってもよい。物理量センサー３１０として、例えば、上述の各実施形態の物理量センサー１を適用することができる。
【０１０２】
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、物理量センサー３１０が出力する物理量信号を用いて各種の計算処理や制御処理を行う。その他、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理、音出力部３８０に各種の音を出力させる処理等を行う。
【０１０３】
操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。
【０１０４】
ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０１０５】
ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０１０６】
通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０１０７】
表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、あるいは有機ＥＬディスプレイ等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０１０８】
音出力部３８０は、スピーカー等の音を出力する装置である。
【０１０９】
物理量センサー３１０として上述した各実施形態の物理量センサー１を組み込むことにより、より信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【０１１０】
このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、ノート型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、携帯電話機などの移動体端末、ディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０１１１】
３．移動体
図８は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図８に示す移動体４００は、物理量センサー４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０、バッテリー４７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図８の構成要素（各部）の一部を省略又は変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１１２】
物理量センサー４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０は、バッテリー４７０から供給される電源電圧で動作する。
【０１１３】
物理量センサー４１０，４２０，４３０は、物理量を検出し、検出した物理量に応じたレベルの信号（物理量信号）を出力する装置であり、それぞれ、例えば、角速度センサー、加速度センサー、速度センサー、傾斜計等である。
【０１１４】
コントローラー４４０，４５０，４６０は、それぞれ、物理量センサー４１０，４２０，４３０が出力する物理量信号の一部又は全部を用いて、姿勢制御システム、横転防止システム、ブレーキシステム等の各種の制御を行う。
【０１１５】
物理量センサー４１０，４２０，４３０として、上述の各実施形態の物理量センサー１を適用することができ、これにより高い信頼性を確保することができる。
【０１１６】
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０１１７】
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１１８】
上述した各実施形態は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態を適宜組み合わせることも可能である。
【０１１９】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２０】
１  物理量センサー、１０  集積回路（ＩＣ）、１１  駆動部、１２  検出部、１３  温度センサー、１４  電源電圧センサー、１５  基準電圧回路、１６  シリアルインターフェース回路、１７  不揮発性メモリー、１８  選択制御回路、１９  選択回路、２０  センサー素子、２１  スイッチ回路、１１１  駆動回路、１１２  ＡＧＣ回路、１１３  電荷増幅回路、１１４  フィルター回路、１２１  検出回路、１２２  出力回路、３００  電子機器、３１０  物理量センサー、３２０  ＣＰＵ、３３０  操作部、３４０  ＲＯＭ、３５０  ＲＡＭ、３６０  通信部、３７０  表示部、３８０  音出力部、４００  移動体、４１０，４２０，４３０  物理量センサー、４４０，４５０，４６０  コントローラー、４７０  バッテリー
【図１】
2014190941.tif 000003
【図２】
2014190941.tif 000004
【図３】
2014190941.tif 000005
【図４】
2014190941.tif 000006
【図５】
2014190941.tif 000007
【図６】
2014190941.tif 000008
【図７】
2014190941.tif 000009
【図８】
2014190941.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月14日(2014.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本適用例に係る物理量センサーによれば、ＡＧＣ回路の基準電圧が可変であるので、バーンイン試験を行う際、ＡＧＣ回路の基準電圧を高電圧にすることができる。これにより、センサー素子をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができるので、バーンイン試験の時間短縮が可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
なお、センサー素子２０の振動片は、ダブルＴ型でなくてもよく、例えば、音叉型やくし歯型であってもよいし、三角柱、四角柱、円柱状等の形状の音片型であってもよい。また、センサー素子２０の振動片の材料としては、水晶（ＳｉＯ2）の代わりに、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）等の圧電単結晶やジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスなどの圧電性材料を用いてもよいし、シリコン半導体を用いてもよい。また、例えば、シリコン半導体の表面の一部に、駆動電極に挟まれた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の圧電薄膜を配置した構造であってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
以上に説明した第１実施形態の物理量センサーによれば、通常動作モードでは、ＡＧＣ回路１１２の基準電圧に常に基準電圧ＶＲＥＦを印加することでセンサー素子２０のドライブレベルを最適な一定値に保つことができる。一方、テストモードでは、ＶＲ端子を介してＡＧＣ回路１１２の基準電圧に基準電圧ＶＲＥＦよりも高い電圧を印加することができるので、センサー素子２０をオーバードライブして高い負荷の状態で動作させることができる。従って、バーンイン試験の時間短縮を図ることができ、検査コストの削減が可能
となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
スイッチ回路２１は、選択制御回路１８が出力する第２制御信号に応じて、オン又はオフする。スイッチ回路２１がオンの時は、駆動回路１１１が出力する駆動信号がＭＯ端子を介して外部からモニター可能になる。一方、スイッチ回路２１がオフの時は、駆動回路１１１の出力はＭＯ端子から切り離され、第４実施形態の物理量センサー１は、第１実施形態（図１）と同様の構成になる。例えば、選択制御回路１８は、スイッチ回路２１が、通常動作モードでは常にオフし、テストモードでは内部レジスターの設定値に応じてオン又はオフするように、第２制御信号を生成してもよい。