(57)【要約】  半導体装置は、主面側に複数の層が配置された炭化ケイ素の半導体層と、前記複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材が接続される電極接続面を有し、銀を主成分として構成された電極層と、前記複数の層のうちの前記電極層とは異なる１つの層であり、前記電極接続面が外部に露出されるようにして前記電極層に接合される第１接合面と、前記半導体層に電気的に接続される第２接合面とを有し、炭化チタンを主成分として構成された第１金属層とを備える。
2018055693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面側に複数の層が配置された炭化ケイ素の半導体層と、
前記複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材が接続される電極接続面を有し、銀を主成分として構成された電極層と、
前記複数の層のうちの前記電極層とは異なる１つの層であり、前記電極接続面が外部に露出されるようにして前記電極層に接合される第１接合面と、前記半導体層に電気的に接続される第２接合面とを有し、炭化チタンを主成分として構成された第１金属層と
を備える半導体装置。
【請求項２】
前記第１金属層と前記半導体層との間の層であり、前記第２接合面により前記第１金属層と接合し、且つ、前記半導体層に接して配置され、チタンを主成分として構成された第２金属層を備える
請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１金属層は、前記第１接合面を第１主面側に有し、前記第２接合面を、前記第１主面とは反対側の主面である第２主面側に有する
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１金属層は、前記第１接合面が、前記電極層が有する面のうちの前記電極接続面以外の面を覆うように前記電極層に接合されている
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１金属層は、前記第１接合面の接合面積が、前記電極接続面の面積より大きい
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電極層は、前記電極接続面に対向する対向面が、前記半導体層の厚み方向において、前記電極層が配置されている側の前記半導体層の主面よりも内側に配置されている
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記電極層は、前記電極接続面に、銅を主成分とする前記接続部材が接続される
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体層として炭化ケイ素（ＳｉＣ）が用いられた半導体装置は、バンドギャップが広く高温動作が可能であるため、広く普及している。従来の炭化ケイ素が用いられた半導体装置は、炭化ケイ素の半導体層の上に金属層が接合され、この金属層の上に電極層が接合される。金属層は、例えば、チタン（Ｔｉ）を主成分として構成され、電極層は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分として構成される。
通常、半導体装置は、流れる電流に対応して発熱する。また、上述した従来の半導体装置の場合には、各層のうちで電極層のアルミニウムの融点が最も低いため、電極層から半導体層に流すことが可能な許容電流は、アルミニウムにより構成される電極層が融解する温度未満になる電流値に制限されることになる。このため、従来の半導体装置においては、このような許容電流を増加させるために、アルミニウムに代えて、アルミニウムよりも融点の高い銀（Ａｇ）により電極層を構成することが行われている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−１２５９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来の半導体装置では、アルミニウムの代わりに銀により電極層を構成すると、この電極層に接合される金属層にはチタンが用いられているため、銀とチタンとの合金が生成される。銀とチタンの合金は、一般的に強度が低く、物理的にもろい合金として知られている。従来の半導体装置では、物理的にもろい銀とチタンとの合金が生成されることにより電極層と金属層との接合強度が低下する場合があった。そのため、従来の半導体装置では、電極層と金属層との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることが困難であった。【０００５】
本発明は、上記問題を解決すべくなされたもので、その目的は、電極層と金属層との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題を解決するために、本発明の一態様は、主面側に複数の層が配置された炭化ケイ素の半導体層と、前記複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材が接続される電極接続面を有し、銀を主成分として構成された電極層と、前記複数の層のうちの前記電極層とは異なる１つの層であり、前記電極接続面が外部に露出されるようにして前記電極層に接合される第１接合面と、前記半導体層に電気的に接続される第２接合面とを有し、炭化チタンを主成分として構成された第１金属層とを備える半導体装置である。【０００７】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記第１金属層と前記半導体層との間の層であり、前記第２接合面により前記第１金属層と接合し、且つ、前記半導体層に接して配置され、チタンを主成分として構成された第２金属層を備えてもよい。【０００８】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記第１金属層は、前記第１接合面を第１主面側に有し、前記第２接合面を、前記第１主面とは反対側の主面である第２主面側に有してもよい。【０００９】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記第１金属層は、前記第１接合面が、前記電極層が有する面のうちの前記電極接続面以外の面を覆うように前記電極層に接合されていてもよい。【００１０】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記第１金属層は、前記第１接合面の接合面積が、前記電極接続面の面積より大きくてもよい。【００１１】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記電極層は、前記電極接続面に対向する対向面が、前記半導体層の厚み方向において、前記電極層が配置されている側の前記半導体層の主面よりも内側に配置されていてもよい。【００１２】
また、本発明の一態様は、上記の半導体装置において、前記電極層は、前記電極接続面に、銅を主成分とする前記接続部材が接続されていてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、導電性の接続部材が接続される電極接続面を有する電極層が、銀を主成分として構成される。また、第１金属層が、電極接続面が外部に露出されるようにして電極層に接合される第１接合面と、半導体層に電気的に接続される第２接合面とを有し、炭化チタンを主成分として構成される。従来の電極層であるアルミニウムよりも電気伝導率が高い銀により電極層が構成されていることにより、電極層から半導体層に流れる電流による熱が生じ難くい。さらに、このように熱が生じ難くい上、電極層の銀及び第１金属層の炭化チタンの融点は、従来の電極層であるアルミニウムの融点よりも高いため、許容電流を増加させることができる。また、炭化チタンの第１金属層は、電極層の銀との間に、銀とチタンの合金のような物理的にもろい合金が生成されないため、物理的にもろい合金により電極層と金属層との接合強度が低下することがない。よって、本発明による半導体装置は、電極層と金属層との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図２】第２の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図３】第３の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図４】第４の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図５】第５の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図６】第６の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図７】第７の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図８】第８の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図９】第９の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図１０】第１０の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図１１】第１１の実施形態による半導体装置の一例を示す主面側平面構成図である。
【図１２】第１１の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【図１３】第１２の実施形態による半導体装置の一例を示す主面側平面構成図である。
【図１４】第１２の実施形態による半導体装置の一例を示す断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態による半導体装置について、図面を参照して説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１に示すように、第１の実施形態による半導体装置１は、半導体層１０と、第１金属層２１と、第２金属層２２と、電極層３０と、接続部材４０とを備える。半導体装置１は、炭化ケイ素（以下、ＳｉＣと表記することがある）の半導体基板を用いた半導体素子であり、例えば、サイリスタ、トランジスタ、ダイオードなどである。
なお、図１において、紙面上の左右方向をＸ軸方向、紙面に直角な方向をＹ軸方向、紙面上の上下方向（半導体層１０の厚み方向）をＺ軸方向とする。
【００１７】
半導体層１０は、半導体基板の一部であり、ＳｉＣにより構成される。半導体層１０は、主面ＳＦ側に複数の層（例えば、複数の金属層）が配置されている。
なお、上述した複数の層には、第１金属層２１と、第２金属層２２と、電極層３０とが含まれる。
【００１８】
電極層３０は、上述した複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有している。電極層３０は、例えば、銀（以下、Ａｇと表記することがある）を主成分として構成されている。電極層３０は、後述する第１金属層２１の外側に形成されている。ここで、第１金属層２１の外側とは、半導体層１０から厚み方向（Ｚ軸方向）の＋（プラス）方向に向いて遠い側のことであり、図１の紙面上の上下方向の上方向側のことである。電極層３０は、上述した複数の層のうちの最も外側に配置されている。また、電極層３０の電極接続面ＭＦには、接続部材４０が接続される。
【００１９】
第１金属層２１は、上述した複数の層のうちの電極層３０とは異なる１つの層であり、電極層３０と後述する第２金属層２２との間に配置されている金属層である。第１金属層２１は、例えば、炭化チタン（以下、ＴｉＣと表記することがある）を主成分として構成されている。また、第１金属層２１は、電極接続面ＭＦが外部に露出されるようにして電極層３０に接合される第１接合面ＪＦ１と、半導体層１０に電気的に接続される第２接合面ＪＦ２とを有している。
【００２０】
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０と第１金属層２１との接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと平行になるように形成されている接合面である。また、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層２１と、第２金属層２２との接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと平行になるように形成されている接合面である。
【００２１】
第１金属層２１は、第１接合面ＪＦ１を外側（第１主面側）に有し、第２接合面ＪＦ２を、第１主面とは反対側の主面である内側（第２主面側）に有する。なお、本実施形態において、第１金属層２１は、第２接合面ＪＦ２及び第２金属層２２を介して、半導体層１０に電気的に接続されている。ここで、内側とは、Ｚ軸＋方向の近い側である。
【００２２】
第２金属層２２は、上述した複数の層のうちの１つの層であり、半導体層１０の主面ＳＦ上に形成された金属層である。第２金属層２２は、例えば、チタン（以下、Ｔｉと表記することがある）を主成分として構成されている。第２金属層２２は、第１金属層２１と半導体層１０との間の層であり、第２接合面ＪＦ２により第１金属層２１と接合し、且つ、半導体層１０に接して配置されている。また、第２金属層２２は、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００２３】
接続部材４０は、電極層３０と、半導体装置１の外部（例えば、実装基板やパッケージのリードフレームなど）とを電気的に接続する導電性の部材であり、例えば、銅（以下、Ｃｕと表記することがある）を主成分として構成される。接続部材４０は、例えば、銅配線（銅ワイヤー）などである。
【００２４】
このように、本実施形態による半導体装置１は、ＳｉＣの半導体層１０の主面ＳＦから外側（Ｚ軸＋方向の遠い側）に向って、Ｔｉの第２金属層２２、ＴｉＣの第１金属層２１、及びＡｇの電極層３０の順に配置されている。また、電極層３０の電極接続面ＭＦには、Ｃｕの接続部材４０が接続され、半導体装置１の外部と接続される。
【００２５】
また、半導体装置１に外部から流れる電流は、Ｃｕの接続部材４０、Ａｇの電極層３０、ＴｉＣの第１金属層２１、及びＴｉの第２金属層２２を経由して、ＳｉＣの半導体層１０に流れる。
【００２６】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１は、半導体層１０と、電極層３０と、第１金属層２１とを備える。半導体層１０は、主面ＳＦ側に複数の層が配置されたＳｉＣ（炭化ケイ素）により構成される。電極層３０は、複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、Ａｇ（銀）を主成分として構成される。第１金属層２１は、複数の層のうちの電極層３０とは異なる１つの層であり、電極接続面ＭＦが外部に露出されるようにして電極層３０に接合される第１接合面ＪＦ１と、半導体層１０に電気的に接続される第２接合面ＪＦ２とを有し、ＴｉＣ（炭化チタン）を主成分として構成される。
【００２７】
これにより、本実施形態による半導体装置１は、従来の電極層であるアルミニウムよりも電気伝導率が高いＡｇにより電極層３０が構成されていることにより、電極層３０から半導体層１０に流れる電流による熱が生じ難くすることができる。さらに、本実施形態による半導体装置１は、このように熱が生じ難くい上、電極層３０のＡｇの融点（約９６１．８℃）及び第１金属層２１のＴｉＣの融点（約３１７０℃）が、従来の電極層３０であるアルミニウムの融点（約６６０．３℃）よりも高いため、電極層３０から半導体層１０に流せる電流を増加させることができる。
【００２８】
また、ＴｉＣの第１金属層２１は、電極層３０のＡｇとの間に、ＡｇとＴｉの合金のような物理的にもろい合金が生成されないため、本実施形態による半導体装置１は、物理的にもろい合金により電極層３０と金属層（例えば、第１金属層２１）との接合強度が低下することがない。本実施形態による半導体装置１は、例えば、電極層３０に接続部材４０を接続する際にかかる荷重（ストレス、応力）により、電極層３０と金属層（例えば、第１金属層２１）とが剥がれるなどの製造トラブルの発生を低減することができる。
よって、本発明による半導体装置１は、電極層３０と金属層（第１金属層２１）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００２９】
また、第１金属層２１は、例えば、接続部材４０のＣｕ及び電極層３０のＡｇが、半導体層１０に拡散することを防ぐバリアメタルとして機能するため、本発明による半導体装置１は、Ｃｕ及びＡｇの拡散により性能が低下することを抑制することができる。
【００３０】
また、本実施形態による半導体装置１は、第１金属層２１と半導体層１０との間の層であり、第２接合面ＪＦ２により第１金属層２１と接合し、且つ、半導体層１０に接して配置され、Ｔｉ（チタン）を主成分として構成された第２金属層２２を備える。
これにより、第２金属層２２も第１金属層２１と同様に、本実施形態による半導体装置１は、バリアメタルとして機能するため、本発明による半導体装置１は、Ｃｕ及びＡｇの拡散により性能が低下することをさらに抑制することができる。
【００３１】
また、本実施形態では、第１金属層２１は、第１接合面ＪＦ１を外側（第１主面側）に有し、第２接合面ＪＦ２を、第１主面とは反対側の主面である内側（第２主面側）に有する。
これにより、ＴｉＣの第１金属層２１が、電極層３０と半導体層１０との間に配置されるため、本発明による半導体装置１は、電極層３０と金属層（第１金属層２１）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００３２】
また、本実施形態では、電極層３０は、電極接続面ＭＦに、Ｃｕ（銅）を主成分とする接続部材４０が接続される。
これにより、Ｃｕの融点（約１０８５℃）は、アルミニウムの融点（約６６０．３℃）よりも高いため、電極層３０から半導体層１０に流せる電流を増加させることができる。また、Ｃｕと電極層３０のＡｇとは、接続（接合）の相性がよく、ＡｇとＴｉの合金のような物理的にもろい合金が生成されない。そのため、本実施形態による半導体装置１は、物理的にもろい合金により電極層３０と接続部材４０との接合強度が低下することがない。
【００３３】
［第２の実施形態］
次に、図２を参照して、本発明の第２の実施形態による半導体装置１ａについて説明する。
【００３４】
図２に示すように、第２の実施形態による半導体装置１ａは、半導体層１０と、第１金属層２１ａと、第２金属層２２と、電極層３０ａと、接続部材４０とを備える。なお、図２において、図１と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、第１金属層２１ａが、電極層３０ａの電極接続面ＭＦ以外の面を覆うように配置されている点が、第１の実施形態と異なる。
【００３５】
電極層３０ａは、複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ａは、電極接続面ＭＦを除く面を、第１金属層２１ａに覆われて形成されている。すなわち、電極層３０ａは、電極接続面ＭＦのみが露出するように、第１金属層２１ａに埋められており、この露出した電極接続面ＭＦに対して、接続部材４０が接続される。
【００３６】
第１金属層２１ａは、複数の層のうちの電極層３０ａとは異なる１つの層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ａは、電極層３０ａを覆うように形成されている。例えば、第１金属層２１ａは、第１接合面ＪＦ１が、電極層３０ａが有する面のうちの電極接続面ＭＦ以外の面を覆うように電極層３０ａに接合されている。
【００３７】
なお、第１接合面ＪＦ１には、第１金属層２１ａの外側（半導体層１０から遠い側）の主面ＳＦと平行な面と、厚み方向（Ｚ軸方向）に平行な側面とが含まれる。
また、第１金属層２１ａは、第２接合面ＪＦ２及び第２金属層２２を介して、半導体層１０に電気的に接続されている。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ａは、半導体層１０と、電極層３０ａと、第１金属層２１ａと、第２金属層２２とを備える。
これにより、本発明による半導体装置１ａは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ａと金属層（第１金属層２１ａ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００３９】
また、本実施形態では、第１金属層２１ａは、第１接合面ＪＦ１が、電極層３０ａが有する面のうちの電極接続面ＭＦ以外の面を覆うように電極層３０ａに接合されている。
これにより、電極層３０ａが第１金属層２１ａに覆われているため、本実施形態による半導体装置１ａは、電極層３０ａのＡｇの腐食を抑制することができ、耐食性を向上させることができる。
また、第１接合面ＪＦ１の面積が、第１の実施形態に比べて大きいため、本実施形態による半導体装置１ａは、電極層３０ａと第１金属層２１ａとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００４０】
［第３の実施形態］
次に、図３を参照して、本発明の第３の実施形態による半導体装置１ｂについて説明する。
【００４１】
図３に示すように、第３の実施形態による半導体装置１ｂは、半導体層１０と、第１金属層２１ａと、電極層３０ａと、接続部材４０とを備える。なお、図３において、図２と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、半導体装置１ｂが、第２金属層２２を備えない点が、第２の実施形態と異なる。
【００４２】
第１金属層２１ａは、第２接合面ＪＦ２が、半導体層１０に接して配置されている。すなわち、第１金属層２１ａは、第２接合面ＪＦ２を介して半導体層１０に電気的に接続される。また、第１金属層２１ａは、第２の実施形態の第２金属層２２の代わりに、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
なお、本実施形態のその他の構成は、第２の実施形態と同様であるため、ここではその説明を省略する。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｂは、半導体層１０と、電極層３０ａと、第１金属層２１ａとを備える。
これにより、本発明による半導体装置１ｂは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ａと金属層（第１金属層２１ａ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。また、本発明による半導体装置１ｂは、電極層３０ａが第１金属層２１ａに覆われているため、第２の実施形態と同様に、電極層３０ａのＡｇの腐食を抑制することができ、耐食性を向上させることができる。
また、第２金属層２２を形成する必要がないため、本発明による半導体装置１ｂは、製造工程、及び金属層の構成を簡略化することができる。
【００４４】
［第４の実施形態］
次に、図４を参照して、本発明の第４の実施形態による半導体装置１ｃについて説明する。
【００４５】
図４に示すように、第４の実施形態による半導体装置１ｃは、半導体層１０と、第１金属層２１ｂと、第２金属層２２ａと、電極層３０ｂと、接続部材４０とを備える。なお、図４において、図２と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、複数の金属層（第１金属層２１ｂ、第２金属層２２ａ、及び電極層３０ｂ）が、半導体層１０に埋めらるように配置されている点が、第２の実施形態と異なる。
【００４６】
第２金属層２２ａは、半導体層１０に埋められて形成されており、例えば、Ｔｉを主成分として構成されている。また、第２金属層２２ａは、半導体層１０の厚み方向において、電極層３０ｂが配置されている側の半導体層１０の主面ＳＦよりも内側に配置されている。すなわち、第２金属層２２ａは、半導体層１０の厚み方向において、電極層３０ｂが配置されている側の半導体層１０の主面ＳＦと一致する面を有するように形成されている。また、第２金属層２２ａは、半導体層１０に形成された凹部に沿うようにして、半導体層１０の主面ＳＦに接する面以外の面を覆うように配置されている。この第２金属層２２ａは、第１金属層２１ｂと半導体層１０との間の層であり、第２接合面ＪＦ２により第１金属層２１ｂと接合し、且つ、半導体層１０に接して配置されている。また、第２金属層２２ａは、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００４７】
第１金属層２１ｂは、複数の層のうちの電極層３０ｂとは異なる１つの層であって、第２金属層２２ａに埋められて形成されており、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ｂは、電極層３０ｂを覆うように形成されているとともに、第２金属層２２ａに覆われて形成されている。例えば、第１金属層２１ｂの第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｂが有する面のうちの電極接続面ＭＦ以外の面を覆うように電極層３０ｂに接合されている。
【００４８】
なお、第１接合面ＪＦ１には、第１金属層２１ｂの外側（半導体層１０から遠い側）の主面ＳＦと平行な面と、厚み方向（Ｚ軸方向）に平行な電極層３０ｂに接する側面とが含まれる。また、第２接合面ＪＦ２には、第１金属層２１ｂの内側（半導体層１０に近い側）の主面ＳＦと平行な面と、厚み方向（Ｚ軸方向）に平行な第２金属層２２ａに接する側面とが含まれる。
また、第１金属層２１ｂは、第２接合面ＪＦ２及び第２金属層２２ａを介して、半導体層１０に電気的に接続されている。
【００４９】
電極層３０ｂは、複数の層のうちの１つの層であり、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｂは、電極接続面ＭＦを除く面を、第１金属層２１ｂに覆われて形成されている。すなわち、電極層３０ｂは、第１金属層２１ｂに埋められている。また、電極層３０ｂは、電極接続面ＭＦに対向する対向面（電極接続面ＭＦと反対側に向く面）が、半導体層１０の厚み方向において、電極層３０ｂが配置されている側の半導体層１０の主面ＳＦよりも内側に配置されている。また、電極層３０ｂは、電極接続面ＭＦと、半導体層１０の主面ＳＦとが厚み方向において一致するように、配置されている。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｃは、半導体層１０と、電極層３０ｂと、第１金属層２１ｂと、第２金属層２２ａとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｃは、第２の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｂと金属層（第１金属層２１ｂ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００５１】
また、本実施形態では、電極層３０ｂは、電極接続面ＭＦに対向する対向面が、半導体層１０の厚み方向において、電極層３０ｂが配置されている側の半導体層１０の主面ＳＦよりも内側に配置されている。
これにより、電極層３０ｂが半導体層１０に覆われて配置されるため、本実施形態による半導体装置１ｃは、電極層３０ｂのＡｇの腐食をさらに抑制することができ、耐食性をさらに向上させることができる。
【００５２】
また、本実施形態による半導体装置１ｃは、電極層３０ｂを覆うように、第１金属層２１ｂ及び第２金属層２２ａが配置され、電極層３０ｂ、第１金属層２１ｂ、及び第２金属層２２ａが、半導体層１０に埋められている。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｃは、電極層３０ｂ、第１金属層２１ｂ、及び第２金属層２２ａの接合強度をさらに向上させることができる。そのため、例えば、電極層３０ｂに接続部材４０を接続する際にかかる荷重（ストレス、応力）により、電極層３０ｂが剥がれるなどの製造トラブルの発生をさらに低減することができる。
【００５３】
［第５の実施形態］
次に、図５を参照して、本発明の第５の実施形態による半導体装置１ｄについて説明する。
【００５４】
図５に示すように、第５の実施形態による半導体装置１ｄは、半導体層１０と、第１金属層２１ｃと、第２金属層２２ｂと、電極層３０ｃと、接続部材４０とを備える。なお、図５において、図１と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、複数の金属層（第１金属層２１ｃ、第２金属層２２ｂ、及び電極層３０ｃ）の形状が異なる点が、第１の実施形態と異なる。
【００５５】
第２金属層２２ｂは、凹凸形状を有するように半導体層１０の主面ＳＦ上に、形成された金属層であり、例えば、Ｔｉを主成分として構成されている。第２金属層２２ｂのうちの半導体層１０の主面ＳＦに接する面は、平坦な面であり、第１金属層２１ｃ側に向く面は、凹凸状の面である。
また、図５において、第２金属層２２ｂは、山型状（断面視三角形状）に形成された場合が図示されている。この山型状の形状は、半導体層１０上に、複数並べられて形成されている。第２金属層２２ｂは、第１金属層２１ｃと半導体層１０との間の層であり、第２接合面ＪＦ２により第１金属層２１ｃと接合し、且つ、半導体層１０に接して配置されている。また、第２金属層２２ｂは、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００５６】
なお、複数の山型状を有する第２金属層２２ｂは、図５に示すように、個々の山型状に離間して形成されていてもよいし、例えば、複数の山型状が隣接する第２金属層２２ｂの一部がお互いにつながるようにして一体に形成されていてもよい。
【００５７】
第１金属層２１ｃは、第２金属層２２ｂの形状に沿って形成されている金属層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ｃは、電極層３０ｃと第２金属層２２ｂとの間に配置されている。
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｃと第１金属層２１ｃとの接合面であり、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層２１ｃと、第２金属層２２ｂとの接合面である。第１接合面ＪＦ１及び第２接合面ＪＦ２は、第２金属層２２ｂの凹凸状の面に倣う（沿う）形状に形成されている。また、第１金属層２１ｃは、第１接合面ＪＦ１の接合面積（Ｓ２）が、電極接続面ＭＦの面積（Ｓ１）より大きく構成されている。
【００５８】
電極層３０ｃは、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｃは、第１金属層２１ｃの外側に形成されており、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。また、第１接合面ＪＦ１に対向する電極層３０ｃの面は、第１接合面ＪＦ１の応答形状沿うように形成されている。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｄは、半導体層１０と、電極層３０ｃと、第１金属層２１ｃと、第２金属層２２ｂとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｄは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｃと金属層（第１金属層２１ｃ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００６０】
また、本実施形態では、第１金属層２１ｃは、第１接合面ＪＦ１の接合面積（Ｓ２）が、電極接続面ＭＦの面積（Ｓ１）より大きい。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｄは、第１接合面ＪＦ１の面積が第１の実施形態に比べて大きく（広く）なるため、電極層３０ｃと第１金属層２１ｃとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００６１】
［第６の実施形態］
次に、図６を参照して、本発明の第６の実施形態による半導体装置１ｅについて説明する。
【００６２】
図６に示すように、第６の実施形態による半導体装置１ｅは、半導体層１０と、第１金属層２１ｄと、第２金属層２２ｃと、電極層３０ｄと、接続部材４０とを備える。なお、図６において、図１と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、複数の金属層（第１金属層２１ｄ、第２金属層２２ｃ、及び電極層３０ｄ）の形状が異なる点、及び電極層３０ｄが直接半導体層１０に接している点が、第１の実施形態と異なる。
【００６３】
第２金属層２２ｃは、半導体層１０の主面ＳＦ上に、複数の突起部により形成された金属層であり、例えば、Ｔｉを主成分として構成されている。この突起部は、断面視で矩形状（断面矩形状）に形成されている。この突起部は、複数設けられ、半導体層１０上に、例えば、離間して並べられて形成されている。第２金属層２２ｃは、第１金属層２１ｄに覆われて、第１金属層２１ｄ及び半導体層１０に接して配置されている。また、第２金属層２２ｃは、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００６４】
第１金属層２１ｄは、第２金属層２２ｃの形状に沿って、第２金属層２２ｃを覆って形成されている金属層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ｄは、第２金属層２２ｃと同様に、例えば、離間して並べられて形成されている。第１金属層２１ｄは、電極層３０ｄと第２金属層２２ｃとの間に配置されている。なお、第１金属層２１ｄは、半導体層１０の主面ＳＦにも接して配置されている。
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｄと第１金属層２１ｄとの接合面であり、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層２１ｄと、第２金属層２２ｃとの接合面である。第１接合面ＪＦ１及び第２接合面ＪＦ２は、第２金属層２２ｃの断面矩形状の面に倣う形状に形成されている。
【００６５】
電極層３０ｄは、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｄは、第１金属層２１ｄ及び半導体層１０に接して形成されており、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。また、第１接合面ＪＦ１に対向する電極層３０ｄの面は、第１接合面ＪＦ１に倣うように形成されている。また、電極層３０ｄは、半導体層１０の主面ＳＦに接触している。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｅは、半導体層１０と、電極層３０ｄと、第１金属層２１ｄと、第２金属層２２ｃとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｅは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｄと金属層（第１金属層２１ｄ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００６７】
［第７の実施形態］
次に、図７を参照して、本発明の第７の実施形態による半導体装置１ｆについて説明する。
【００６８】
図７に示すように、第７の実施形態による半導体装置１ｆは、半導体層１０と、第１金属層２１ｅと、第２金属層２２ｄと、電極層３０ｅと、接続部材４０とを備える。なお、図７において、図１と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、複数の金属層（第１金属層２１ｅ、第２金属層２２ｄ、及び電極層３０ｅ）の形状が異なる点が、第１の実施形態と異なる。
【００６９】
半導体層１０の主面ＳＦ側には、複数のトレンチ形状が形成されている。ここで、トレンチ形状は、例えば、断面視で矩形状である。また、主面ＳＦの上方から見た半導体層１０のトレンチ形状は、点状でも線状でもよい。また、トレンチ形状は、断面視で矩形状に限らず、任意の形状であってもよい。
【００７０】
第２金属層２２ｄは、半導体層１０に形成された複数のトレンチ形状に沿って形成された金属層であり、例えば、Ｔｉを主成分として構成されている。ここで、第２金属層２２ｄのうち、第１金属層２１ｅに接合される面についても、半導体層１０のトレンチ形状に応じた形状となっている。
【００７１】
また、第２金属層２２ｄは、第１金属層２１ｅと半導体層１０との間の層であり、第２接合面ＪＦ２により第１金属層２１ｅと接合し、且つ、半導体層１０に接して配置されている。また、第２金属層２２ｄは、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００７２】
第１金属層２１ｅは、第２金属層２２ｄの形状に沿って形成されている金属層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ｅは、電極層３０ｅと第２金属層２２ｄとの間に配置されている。
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｅと第１金属層２１ｅとの接合面であり、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層２１ｅと、第２金属層２２ｄとの接合面である。また、第１金属層２１ｅは、第１接合面ＪＦ１の接合面積（Ｓ２）が、電極接続面ＭＦの面積（Ｓ１）より大きく構成されている。
【００７３】
電極層３０ｅは、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｅは、第１金属層２１ｅの外側であって、半導体層１０の厚み方向に形成されている。電極層３０ｅの一部は、第１金属層２１ｅが形成されているトレンチ形状を埋めるように、且つ、第１金属層２１ｅが露出しないように形成されている。電極層３０ｅは、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。
【００７４】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｆは、半導体層１０と、電極層３０ｅと、第１金属層２１ｅと、第２金属層２２ｄとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｆは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｅと金属層（第１金属層２１ｅ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００７５】
また、本実施形態では、第１金属層２１ｅは、第１接合面ＪＦ１の接合面積（Ｓ２）が、電極接続面ＭＦの面積（Ｓ１）より大きい。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｆは、第１接合面ＪＦ１の面積が第１の実施形態に比べて大きく（広く）なるため、第５の実施形態と同様に、電極層３０ｅと第１金属層２１ｅとの接合強度をさらに向上させることができる。
【００７６】
［第８の実施形態］
次に、図８を参照して、本発明の第８の実施形態による半導体装置１ｇについて説明する。
【００７７】
図８に示すように、第８の実施形態による半導体装置１ｇは、半導体層１０と、第１金属層２１ｅと、電極層３０ｅと、接続部材４０とを備える。なお、図８において、図７と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、半導体装置１ｇがＴｉの第２金属層２２ｄを備えない点が、第７の実施形態と異なる。
【００７８】
第１金属層２１ｅは、半導体層１０に形成された複数のトレンチ形状に沿って形成された金属層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。第１金属層２１ｅは、電極層３０ｅと半導体層１０との間の層であり、第１接合面ＪＦ１により電極層３０ｅと接合し、且つ、第２接合面ＪＦ２により半導体層１０に接して配置されている。また、第１金属層２１ｅは、半導体層１０にオーミック接触、又はショットキー接合している。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｇは、半導体層１０と、電極層３０ｅと、第１金属層２１ｅとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｇは、第７の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｅと金属層（第１金属層２１ｅ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
また、第２金属層２２ｄを形成する必要がないため、本発明による半導体装置１ｇは、第７の実施形態に比べて、製造工程、及び金属層の構成を簡略化することができる。
【００８０】
［第９の実施形態］
次に、図９を参照して、本発明の第９の実施形態による半導体装置１ｈについて説明する。
【００８１】
図９に示すように、第９の実施形態による半導体装置１ｈは、半導体層１０と、第１金属層２１ｅと、電極層３０ｆと、接続部材４０とを備える。なお、図９において、図８と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、電極層３０ｆの形状が異なる点が、第８の実施形態と異なる。
【００８２】
電極層３０ｆは、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｆは、半導体層１０及び第１金属層２１ｅにより形成されている複数のトレンチ形状を埋めるように、且つ、第１金属層２１ｅの外側に露出する平坦面と電極層３０ｆの電極接続面ＭＦとが一致するように形成されている。また、電極層３０ｆは、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。
なお、本実施形態において接続部材４０は、複数の電極層３０ｆの電極接続面ＭＦ及び第１金属層２１ｅに接続される。すなわち、単一の接続部材４０が、複数の電極層３０ｆの電極接続面ＭＦに接続されている。
【００８３】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｈは、半導体層１０と、電極層３０ｆと、第１金属層２１ｅとを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｈは、第８の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｆと金属層（第１金属層２１ｅ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００８４】
［第１０の実施形態］
次に、図１０を参照して、本発明の第１０の実施形態による半導体装置１ｉについて説明する。
【００８５】
図１０に示すように、第１０の実施形態による半導体装置１ｉは、半導体層１０と、第１金属層２１ｆと、第２金属層２２ｅと、電極層３０ｆと、接続部材４０とを備える。なお、図１０において、図４及び図９と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態では、第４の実施形態と同様の電極層３０ｆが半導体層１０に埋められた構造を複数備える変形例について説明する。
【００８６】
本実施形態における第１金属層２１ｆ、第２金属層２２ｅ、及び電極層３０ｆは、第４の実施形態における第１金属層２１ｂ、第２金属層２２ａ、及び電極層３０ｂと同一の構成であり、ここではその説明を省略する。
【００８７】
半導体装置１ｉは、第１金属層２１ｆ、第２金属層２２ｅ、及び電極層３０ｆの金属層の組を、複数備えており、各組は、所定に間隔を開けて、半導体層１０に埋められて配置されている。
接続部材４０は、複数の電極層３０ｆにまたがって、電極接続面ＭＦに接続されている。すなわち、単一の接続部材４０が、複数の電極層３０ｆの電極接続面ＭＦに接続されている。
【００８８】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｉは、半導体層１０と、電極層３０ｆと、第１金属層２１ｆと、第２金属層２２ｅとの金属層の組を複数備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｉは、第４の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｆと金属層（第１金属層２１ｆ）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００８９】
［第１１の実施形態］
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明の第１１の実施形態による半導体装置１ｊについて説明する。
【００９０】
ここで、図１２に示す半導体装置１ｊは、図１１に示す半導体装置１ｊのＡＢ線上の断面を示している。また、図１１及び図１２において、説明を簡単にするために、接続部材４０の記載を省略している。
また、図１１及び図１２において、図１と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
【００９１】
第１１の実施形態による半導体装置１ｊは、電極層３０ｇを備える半導体層１０の主面ＳＦ側に、円柱状の電極層３０ｇと、当該電極層３０ｇの側面（周方向の面）を覆うように配置される第１金属層２１ｇとを有している。
また、半導体装置１ｊは、半導体層１０と、第１金属層２１ｇと、第２金属層２２と、電極層３０ｇとを備える。
【００９２】
電極層３０ｇは、導電性の接続部材４０が接続される電極接続面ＭＦを有し、例えば、Ａｇを主成分として構成されている。電極層３０ｇは、主面ＳＦに平行する平面（ＸＹ平面）において、円形状に形成され、周囲を第１金属層２１ｇに囲まれて配置されている。また、電極層３０ｇは、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。
【００９３】
第１金属層２１ｇは、ＸＹ平面において、電極層３０ｇの周囲に配置され、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。また、第１金属層２１ｇは、電極接続面ＭＦが外部に露出されるようにして電極層３０ｇの周面（側面）に接合される第１接合面ＪＦ１と、第２金属層２２に接合される第２接合面ＪＦ２とを有している。第１金属層２１ｇの第２接合面ＪＦ２は、第２金属層２２を介して半導体層１０に電気的に接続される。
【００９４】
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｇと第１金属層２１ｇとの接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと垂直になるように形成されている接合面である。すなわち、第１接合面ＪＦ１は、半導体装置１ｊの厚み方向（Ｚ軸方向）と平行な接合面である。また、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層２１ｇと、第２金属層２２との接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと平行になるように形成されている接合面である。
【００９５】
第２金属層２２は、半導体層１０と、第１金属層２１ｇ及び電極層３０ｇとの間に配置されている。また、第２金属層２２は、半導体層１０の主面ＳＦと反対側に向く電極層３０ｇ及び第１金属層２１ｇの面に接して配置されている。
【００９６】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｊは、半導体層１０と、電極層３０ｇと、第１金属層２１ｇと、第２金属層２２とを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｊは、第１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｇと金属層（第１金属層２１ｇ及び第２金属層２２）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【００９７】
［第１２の実施形態］
次に、図１３及び図１４を参照して、本発明の第１２の実施形態による半導体装置１ｋについて説明する。
【００９８】
図１３に示すように、第１２の実施形態による半導体装置１ｋは、電極層３０ｈを備える半導体層１０の主面ＳＦ側に、円柱状の電極層３０ｈ−１、及び、電極層３０ｈ−１と同心に配置された円筒状の電極層３０ｈ−２とを含む電極層３０ｈと、当該電極層３０ｈを覆うように配置される第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）とを有している。
【００９９】
ここで、図１４に示す半導体装置１ｋは、図１３に示す半導体装置１ｋのＡＢ線上の断面を示している。また、図１３及び図１４において、説明を簡単にするために、接続部材４０の記載を省略している。
また、図１３及び図１４において、図１１及び図１２と同一の構成には同一の符号を付与してその説明を省略する。
本実施形態による半導体装置１ｋは、上述した第１２の実施形態に、電極層３０ｈを電極層３０ｈ−１と電極層３０ｈ−２とに分けるとともに、第１金属層２１ｈを追加した変形例である。
【０１００】
また、半導体装置１ｋは、半導体層１０と、第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）と、第２金属層２２と、電極層３０ｈとを備える。
【０１０１】
第１金属層２１ｈは、主面ＳＦに平行する平面（ＸＹ平面）において、電極層３０ｈ−１の外周と電極層３０ｈ−２の内周との間に配置された円筒状の金属層であり、例えば、ＴｉＣを主成分として構成されている。また、第１金属層２１ｇ及び第１金属層２１ｈは、電極接続面ＭＦが外部に露出されるようにして電極層３０ｈに接合される第１接合面ＪＦ１と、第２金属層２２に接合される第２接合面ＪＦ２とを有している。
【０１０２】
ここで、第１接合面ＪＦ１は、電極層３０ｈ（３０ｈ−１、３０ｈ−２）と第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）との接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと垂直になるように形成されている接合面である。すなわち、第１接合面ＪＦ１は、半導体装置１ｋの厚み方向（Ｚ軸方向）と平行な接合面である。また、第２接合面ＪＦ２は、第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）と、第２金属層２２との接合面であり、例えば、半導体層１０の主面ＳＦ及び電極接続面ＭＦと平行になるように形成されている接合面である。
【０１０３】
電極層３０ｈは、上述した円柱状の電極層３０ｈ−１、及び、円筒状の電極層３０ｈ−２を含む。円筒状の電極層３０ｈ−２は、電極層３０ｈ−１の径方向において、電極層３０ｈ−１の外側に間隔を開けて配置されている。また、電極層３０ｈ（電極層３０ｈ−１、３０ｈ−２）は、周囲を第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）に囲まれて配置されている。また、電極層３０ｈ（電極層３０ｈ−１、３０ｈ−２）は、電極接続面ＭＦに、接続部材４０が接続される。
【０１０４】
以上説明したように、本実施形態による半導体装置１ｋは、半導体層１０と、電極層３０ｈ（電極層３０ｈ−１、３０ｈ−２）と、第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）と、第２金属層２２とを備える。
これにより、本実施形態による半導体装置１ｋは、第１１の実施形態と同様の効果を奏し、電極層３０ｈ（電極層３０ｈ−１、３０ｈ−２）と金属層（第１金属層（２１ｇ、２１ｈ）及び第２金属層２２）との接合強度を低下させずに、許容電流を増加させることができる。
【０１０５】
なお、本発明は、上記の各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、上記の各実施形態は、単独で実施される例を説明したが、各実施形態の一部又は全部を組み合わせて実施してもよい。
【０１０６】
また、上記の各実施形態において、電極層３０（３０ａ〜３０ｈ）に接続される接続部材４０が、Ｃｕ（銅）である例を説明したが、これに限定されるものではなく、金（Ａｕ）やアルミニウム（Ａｌ）であってもよいし、他の金属であってもよい。
【符号の説明】
【０１０７】
１、１ａ〜１ｋ  半導体装置
１０  半導体層
２１、２１ａ〜２１ｈ  第１金属層
２２、２２ａ〜２２ｅ  第２金属層
３０、３０ａ〜３０ｈ、３０ｈ−１、３０ｈ−２  電極層
４０  接続部材
ＭＦ  電極接続面
ＳＦ  主面
ＪＦ１  第１接合面
ＪＦ２  第２接合面
【図１】
2018055693.tif 000003
【図２】
2018055693.tif 000004
【図３】
2018055693.tif 000005
【図４】
2018055693.tif 000006
【図５】
2018055693.tif 000007
【図６】
2018055693.tif 000008
【図７】
2018055693.tif 000009
【図８】
2018055693.tif 000010
【図９】
2018055693.tif 000011
【図１０】
2018055693.tif 000012
【図１１】
2018055693.tif 000013
【図１２】
2018055693.tif 000014
【図１３】
2018055693.tif 000015
【図１４】
2018055693.tif 000016
【国際調査報告】
2018055693.tif 000017
2018055693.tif 000018