(57)【要約】【課題】ビーム状に光を発する有機ＥＬ装置を開発することを課題とする。【解決手段】有機ＥＬ装置１は、透光性を有した基板２の一方の主面上に有機ＥＬ素子３を積層し、その上に有機ＥＬ素子３を封止する無機封止層５が積層され、さらにその上に給電用金属層６と、接着層７が設けられたものである。有機ＥＬ装置１では、基板２の他方の面に金属反射層８が設けられている。金属反射層８は、発光側面１００を除く３側面にも設けられている。有機ＥＬ装置１の裏面には、右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂが露出している。導電性接着層７ａ，７ｂは、給電用金属層６ａ，６ｂに重ねられている。給電用金属層６ａ，６ｂの一部は、特定発光領域区画溝３２，３３，３５内の給電用連通溝４０，４１，４２に進入して給電用連通部４５，４６，４７を構成し、透明電極層１０の主透明電極領域２１と接している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基材の一方の主面に有機ＥＬ素子が積層され、他方の主面に反射層が積層され、基材の特定の側面を発光側面として光を放出させ、少なくとも前記発光側面に対向する奥側面が遮光されている有機ＥＬ装置であって、
前記有機ＥＬ素子は、少なくとも透明電極層と、有機発光層と、裏面電極層を有し、有機ＥＬ素子の外側に封止層が積層され、前記封止層の更に外側に給電層があり、
透明電極層を少なくとも発光側面側の主透明電極領域と奥側面側の通電補助用電極領域に分割する透明電極層分離溝と、
有機発光層を貫通する深さを有して透明電極層に至る孔又は溝であってその内部に裏面電極層の一部が進入して透明電極層の通電補助用電極領域と裏面電極層とを導通させる電極層間連通部とを有し、
給電層は互いに絶縁された２以上の導電領域を有し、
少なくとも一つの導電領域が奥側面側の領域から透明電極層の通電補助用電極領域と接続されており、少なくとも他の一つの導電領域が奥側面に対して交差する辺側から透明電極層の主透明電極領域に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
有機発光層と裏面電極層とを連通する深さを有して透明電極層に至る溝であってその内部に封止層の一部が進入し、有機発光層と裏面電極層とを共に複数の領域に分離する発光領域区画溝を有し、
前記発光領域区画溝の一部又は全部は、発光領域区画溝内の封止層にさらに透明電極層に至る深さの孔又は溝が設けられ、その内部に給電層の一部が進入して給電層と透明電極層とを導通させる給電用連通部を備えた給電機能付き発光領域区画溝であり、
前記給電用連通部によって導電領域が通電補助用電極領域又は主透明電極領域に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
発光領域区画溝が交差する２列に渡って形成され、一方の発光領域区画溝内に形成された給電用連通部によって導電領域が通電補助用電極領域に接続され、他方の発光領域区画溝内に形成された給電用連通部によって導電領域が主透明電極領域に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を製造する方法であって、
個々の有機ＥＬ装置よりも面積が大きな有機ＥＬ装置を多数個分離可能であって、且つ透光性を有する基材に透明電極層を設ける透明電極層成膜工程と、
透明電極層に連続する溝を複数列に渡って平行に設ける透明電極層分離溝形成工程と、
前記透明電極層の外側に有機発光層を設ける有機発光層成膜工程と、
有機発光層に孔又は溝を複数列に渡って平行に設ける電極層間連通部形成工程と、
有機発光層の外側に裏面電極層を設けると共に裏面電極層の一部を前記有機発光層の前記孔又は溝に進入させる裏面電極層成膜工程と、
裏面電極層の外側に封止層を設ける封止層積層工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記裏面電極層成膜工程の後に前記有機発光層と裏面電極層とを連通して透明電極層に至る深さの発光領域区画溝を前記透明電極層に設けられた溝と平行方向及び直交方向にそれぞれ複数列設ける発光領域区画溝形成工程を実行し、
封止層積層工程の際に発光領域区画溝内に封止層の一部を進入させる発光領域区画工程と、
一部又は全部の発光領域区画溝に、封止層を貫通する孔又は溝を設ける給電用連通部形成工程と、
封止層の裏面に導電部材を設けると共に特定発光領域区画溝に設けられた孔又は溝に導電部材を進入させて透明電極層と接触させる導電部材形成工程と、
前記基材を複数の小片に切り分ける分離工程と、
基材の小片の表面側と、奥側面と、奥側面に対して交差する側面に金属層を設ける反射層積層工程を有することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置に関するものである。また本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、白熱灯や蛍光灯に代わる発光装置として有機ＥＬ装置が注目され、多くの研究がなされている。
ここで、有機ＥＬ装置は、ガラス基板や透明樹脂フィルム、金属シート等の基材に、有機ＥＬ素子を積層し、この有機ＥＬ素子に給電するための給電構造を形成したものである。
有機ＥＬ素子は、一方又は双方が透光性を有する２つの電極を対向させ、この電極の間に有機化合物からなる発光層を積層したものである。有機ＥＬ装置は、電気的に励起された電子と正孔との再結合のエネルギーによって発光する。
即ち、有機ＥＬ装置は、自発光デバイスであり、発光層の材料を適宜選択することにより、種々の波長の光を発光することができる。
【０００３】
また、有機ＥＬ装置は、白熱灯や蛍光灯、ＬＥＤ照明に比べて厚さが極めて薄く軽量であり、且つ面状に発光するので、設置場所の制約が少ないという特長を有している。さらに、有機ＥＬ装置は、白熱灯や蛍光灯に比べて発光効率が高いので消費電力が少なく、発熱が少ないという特長も有している。
【０００４】
有機ＥＬ装置は、前記した様に厚さが極めて薄いので、室内の壁や天井、床等に敷き詰めることにより、壁全体や天井全体を発光させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１４７７２５号公報
【特許文献２】特開２０１２−１６４５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記した様に有機ＥＬ装置は、壁等に敷き詰めて壁全体を発光させる用途に使用される場合が多い。
これに対して本発明者らは、有機ＥＬ装置の新たな用途として、光電センサーの発光源への応用を考えた。即ち光電センサーは、発光源と受光装置が組み合わされたものであり、発光源から照射された光を受光装置が受光するか否かによって、物品の存在を検知する。
例えば、廊下の一方の壁に発光源を置き、対向する壁に受光装置を設置する。そして発光源が発する光を受光装置で常時受光する。そして廊下を通過する者があれば、発光源が発する光が一時的に遮断されて受光装置が光を感知できないこととなる。
従って、受光が途絶えたことによって、人の通過を検知することができる。
【０００７】
本発明者らは、上記した光電センサーの発光源として有機ＥＬ装置を使用してみたが、発光量が足りず、採用しがたいものであった。
光電センサーの発光源としては、ビーム状に光を発する光源であることが望ましい。これに対して有機ＥＬ装置は、基本的に面状に発光させるものである。そのため従来技術の有機ＥＬ装置は、単位断面積当たりの光量が足りず、光電センサーの発光源には適さない。
【０００８】
そこで本発明は、従来技術の上記した問題点に注目し、ビーム状に光を発する有機ＥＬ装置を開発することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した課題を解決するための請求項１に記載の発明は、透光性を有する基材の一方の主面に有機ＥＬ素子が積層され、他方の主面に反射層が積層され、基材の特定の側面を発光側面として光を放出させ、少なくとも前記発光側面に対向する奥側面が遮光されている有機ＥＬ装置であって、前記有機ＥＬ素子は、少なくとも透明電極層と、有機発光層と、裏面電極層を有し、有機ＥＬ素子の外側に封止層が積層され、前記封止層の更に外側に給電層があり、透明電極層を少なくとも発光側面側の主透明電極領域と奥側面側の通電補助用電極領域に分割する透明電極層分離溝と、有機発光層を貫通する深さを有して透明電極層に至る孔又は溝であってその内部に裏面電極層の一部が進入して透明電極層の通電補助用電極領域と裏面電極層とを導通させる電極層間連通部とを有し、給電層は互いに絶縁された２以上の導電領域を有し、少なくとも一つの導電領域が奥側面側の領域から透明電極層の通電補助用電極領域と接続されており、少なくとも他の一つの導電領域が奥側面に対して交差する辺側から透明電極層の主透明電極領域に接続されていることを特徴とする有機ＥＬ装置である。
【００１０】
上記した各層は、直接的に接していてもよく、他の別の層が間に介在されていてもよい。特に有機発光層の周囲には、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などの複数の層が存在する場合が多い。
本発明の有機ＥＬ装置は、基材の一方の主面に有機ＥＬ素子が積層され、他方の主面に反射層が積層されている。そのため、有機ＥＬ素子は、面積の狭い発光面に集積され、発光面が強力に発光する。
また有機ＥＬ素子は、透明電極層と、有機発光層と、裏面電極層の三者が重なっている部位が発光する。逆に言えば、透明電極層に給電する部位は、三者が重なる部位ではなければ、発光しない。
本発明では、電極層間連通部によって透明電極層に給電されるが、本発明では、電極層間連通部は、奥側面側の領域と奥側面に対して交差する辺側に寄せられている。そのため本発明の有機ＥＬ装置では、発光側面側に近い部位が発光領域となる。そのため、基材内での光の損失が少なく、強い光量を確保することができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、有機発光層と裏面電極層とを連通する深さを有して透明電極層に至る溝であってその内部に封止層の一部が進入し、有機発光層と裏面電極層とを共に複数の領域に分離する発光領域区画溝を有し、前記発光領域区画溝の一部又は全部は、発光領域区画溝内の封止層にさらに透明電極層に至る深さの孔又は溝が設けられ、その内部に給電層の一部が進入して給電層と透明電極層とを導通させる給電用連通部を備えた給電機能付き発光領域区画溝であり、前記給電用連通部によって導電領域が通電補助用電極領域又は主透明電極領域に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置である。
【００１２】
本発明の有機ＥＬ装置は、発光領域区画溝によって発光領域を区切っている。そして発光領域区画溝の中にさらに孔又は溝が設けられている。そしてこの孔又は溝の中に給電層の一部を進入させて給電層と透明電極層とを導通させている。
本発明の有機ＥＬ装置は、発光領域区画溝の中に溝等を設けて透明電極層との導通を確保しているので、全体形状を小型化することができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、発光領域区画溝が交差する２列に渡って形成され、一方の発光領域区画溝内に形成された給電用連通部によって導電領域が通電補助用電極領域に接続され、他方の発光領域区画溝内に形成された給電用連通部によって導電領域が主透明電極領域に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置である。
【００１４】
本発明の有機ＥＬ装置では、発光領域区画溝が交差する２列に渡って形成し、その中の給電用連通部によって透明電極層との通電を図っている。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を製造する方法であって、個々の有機ＥＬ装置よりも面積が大きな有機ＥＬ装置を多数個分離可能であって、且つ透光性を有する基材に透明電極層を設ける透明電極層成膜工程と、透明電極層に連続する溝を複数列に渡って平行に設ける透明電極層分離溝形成工程と、前記透明電極層の外側に有機発光層を設ける有機発光層成膜工程と、有機発光層に孔又は溝を複数列に渡って平行に設ける電極層間連通部形成工程と、有機発光層の外側に裏面電極層を設けると共に裏面電極層の一部を前記有機発光層の前記孔又は溝に進入させる裏面電極層成膜工程と、裏面電極層の外側に封止層を設ける封止層積層工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法である。
【００１６】
本発明の製造方法は、請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を大量生産する方法である。本発明の製造方法では、多数の有機ＥＬ装置に形成すべき溝を連続的に設けることができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、前記裏面電極層成膜工程の後に前記有機発光層と裏面電極層とを連通して透明電極層に至る深さの発光領域区画溝を前記透明電極層に設けられた溝と平行方向及び直交方向にそれぞれ複数列設ける発光領域区画溝形成工程を実行し、封止層積層工程の際に発光領域区画溝内に封止層の一部を進入させる発光領域区画工程と、一部又は全部の発光領域区画溝に、封止層を貫通する孔又は溝を設ける給電用連通部形成工程と、封止層の裏面に導電部材を設けると共に特定発光領域区画溝に設けられた孔又は溝に導電部材を進入させて透明電極層と接触させる導電部材形成工程と、前記基材を複数の小片に切り分ける分離工程と、基材の小片の表面側と、奥側面と、奥側面に対して交差する側面に金属層を設ける反射層積層工程を有することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法である。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、一つの基材に多数の有機ＥＬ装置を作り、それを個々に切断して一つの有機ＥＬ装置を製造するものである
そのため本発明の製造方法によると、小さな有機ＥＬ装置を大量生産することができる。
また本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によると、レーザースクライブ等の溝形成技術や孔形成技術を利用して有機ＥＬ装置を製造することができる。この点からも、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ装置の大量生産に有利である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の有機ＥＬ装置は、ビーム状に光を発する。また本発明の有機ＥＬ装置の製造方法によると、有機ＥＬ装置の大量生産が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置を概念的に表す説明図であり、（ａ）はＸ方向断面図を表し、（ｂ）はＹ方向断面図を表す。なお、同一の層に同一のハッチングを描いている。
【図２】図１と同一の層構成を有する有機ＥＬ装置を概念的に表す説明図であり、（ａ）はＸ方向断面図を表し、（ｂ）はＹ方向断面図を表す。なお、ハッチングを省略して描いている。
【図３】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、透明導電層成膜工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＹ方向断面図である。
【図４】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、透明電極層分離溝形成工程の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＹ方向断面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、機能層成膜工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＹ方向断面図である。
【図６】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、機能層貫通溝形成工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＹ方向断面図である。
【図７】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、裏面電極層成膜工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＹ方向断面図である。
【図８】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、発光領域区画溝形成工程の中途状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図９】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、発光領域区画溝形成工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図１０】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、発光領域区画工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図１１】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、給電用連通部形成工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図１２】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、導電部材形成工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図１３】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、接着層成膜工程後の状態を示し、（ａ）は中間製品の正面図、（ｂ）はその拡大図、（ｃ）は拡大図（ｂ）のＸａ方向断面図、（ｄ）は拡大図（ｂ）のＸｂ方向断面図、（ｅ）は拡大図（ｂ）のＹａ方向断面図、（ｆ）は拡大図（ｂ）のＹｂ方向断面図であり、（ｇ）は拡大図（ｂ）のＹｃ方向断面図である。
【図１４】図１の有機ＥＬ装置の接着層の拡大図である。
【図１５】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、分離工程を概念的に説明する中間製品の正面図である。
【図１６】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、反射層形成工程後の状態を示し、（ａ）は有機ＥＬ装置の正面図、（ｂ）Ｘ方向断面図、（ｃ）Ｙ方向断面図である。
【図１７】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、接着層成膜工程の一手段を示す斜視図である。
【図１８】図１の有機ＥＬ装置の製造工程を表す説明図であり、接着層成膜工程の他の一手段を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、さらに本発明の実施形態について説明する。
なお、図面は、理解を容易にするために、各層の厚さを誇張して描いている。実際には、各層の厚さは極めて薄い。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２（基材）一つの側面を発光側面１００とし、当該発光側面１００のみから光を放射するものである。即ち本実施形態の有機ＥＬ装置１では、発光側面１００と対向する奥側面１０１が遮光されている。また奥側面１０１に奥側面１０１に対して交差する辺側１０２，１０３が遮光されている。
【００２２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、図１、図２のように透光性を有した基板２（基材）の一方の主面上（図１、図２では下面）に有機ＥＬ素子３（積層体）を積層し、その上（図１、図２では下面）に有機ＥＬ素子３を封止する無機封止層５が積層され、さらにその上に給電用金属層６と、接着層７が設けられたものである。
また本実施形態の有機ＥＬ装置１では、基板２の他方の面に金属反射層８が設けられている。金属反射層８は、発光側面１００を除く３側面にも設けられている。金属反射層８は、アルミ、ニッケル、銀等の光沢を有する金属層である。
有機ＥＬ素子３は、図１、図２のように少なくとも透明電極層１０（第１電極層）と裏面電極層１１（第２電極層）との間に実際に発光する機能層１２（有機発光層）を備えたものである。
本実施形態の有機ＥＬ装置１は、基板２側から光を取り出すいわゆる「ボトムエミッション型」を採用しており、有機ＥＬ素子３は、基板２側から透明電極層１０（第１電極層）、機能層１２（有機発光層）、裏面電極層１１（第２電極層）がこの順に積層されて形成されている。
本実施形態で採用する有機ＥＬ装置１は、前記した様に「ボトムエミッション型」であり、基板２の表面側の大部分が発光領域９（図１、図２）となる。
【００２３】
基板２の材質は、透明性と絶縁性を備えたものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス基板、フレキシブルなフィルム基板や、プラスチック基板などから適宜選択され用いられる。特にガラス基板や透明なフィルム基板は透明性や加工性の良さの点から好適であり、本実施形態では、基板として、ガラス基板を採用している。
基板２の大きさは、２ｍｍ四方から１０ｍｍ四方程度の小さなものである。
【００２４】
透明電極層１０は、透明導電性酸化物によって形成された層であり、消灯時において、透明性を有した層である。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などが採用できる。本実施形態の透明電極層１０は、陽極として使用されており、ＩＴＯで形成されている。
【００２５】
機能層１２は、透明電極層１０と裏面電極層１１との間に設けられ、少なくとも一層の有機発光層を備えた層である。本実施形態の機能層１２は、主に有機化合物からなる複数の層から構成されている。この機能層１２は、一般的な有機ＥＬ装置に用いられている低分子系色素材料や、共役系高分子材料などの公知のもので形成することができる。また、この機能層１２は、ホール注入層、ホール輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などの複数の層からなる積層多層構造であってもよい。
【００２６】
裏面電極層１１の材質は、特に限定されるものではなく、例えば銀（Ａｇ）やアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。本実施形態の裏面電極層１１は、陰極として使用されており、Ａｌで形成されている。
【００２７】
上記した様に本実施形態の有機ＥＬ装置１では、有機ＥＬ素子３に無機封止層５が積層されている。
無機封止層５の材質は、絶縁性及び封止性を有していれば特に限定されるものではないが、酸素、炭素、窒素の中から選ばれた１種類以上の元素と、ケイ素元素とからなるシリコン合金により形成されていることが好ましく、Ｓｉ−Ｏ、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を含む窒化珪素や酸化珪素、及び両者の中間固溶体である酸窒化珪素であることが特に好ましい。また、多層構造の無機封止層を使用してもよい。
【００２８】
給電用金属層６は、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）などが挙げられる。給電用金属層６は、図１、図２の様に左右に分かれた領域に設けられている。説明の便宜上、図１、図２を基準として、右側を右領域給電用金属層６ａと称し、左側を左領域給電用金属層６ｂと称する。
【００２９】
接着層７は、異方性導電膜に類似するものであり、熱硬化性樹脂に導電性を有する微細な粒子を部分的に混入したものである。より具体的には、ニッケル等の導電性金属の周囲に金メッキが施され、さらに絶縁層で覆われた粒子が熱硬化性樹脂に配合されている。
ただし本実施形態で採用する接着層７は、通常の異方性導電膜とは異なり、導電性の粒子の分布が一様ではなく、故意に濃淡がある。
より具体的には、図１（ａ）、図２（ａ）の様に、Ｘ断面でみて、中央領域の接着層７ｃには導電性粒子が無い。逆に両脇の領域の接着層７ａ，ｂには、導電性の粒子が配合されている。説明の便宜上、図１、図２を基準として、右側を右側導電性接着層７ａと称し、左側を左側導電性接着層７ｂと称し、中央領域を絶縁性接着層７ｃと称する。
接着層７の内、右側導電性接着層７ａは、右領域給電用金属層６ａに重ねられている。また接着層７の内、左側導電性接着層７ｂは、左領域給電用金属層６ｂに重ねられている。
【００３０】
本実施形態の有機ＥＬ装置１では、各層に溝を設けることによって、機能層１２に対する給電や、各領域の絶縁性を確保している。
即ち、本実施形態では、透明電極層１０に一本の溝（透明電極層分離溝）２０が設けられている。透明電極層分離溝２０は、図面上では、Ｙ方向（列方向）に連続するものである。透明電極層分離溝２０の深さは、基板２にまで至る。透明電極層分離溝２０の内部には透明電極層１０は無く、代わって機能層１２が進入している。
即ち、透明電極層分離溝２０は、透明電極層１０を二つの領域に分離するものである。ただし、透明電極層分離溝２０は透明電極層１０を均等面積に分離するものではなく、大小に分けて分離している。
即ち、透明電極層分離溝２０は、透明電極層１０を大面積の主透明電極領域２１と、小面積の通電補助用電極領域２２に分離されている。
【００３１】
また機能層１２には、機能層分離溝２５が１本設けられている。機能層分離溝２５は、図面上では、Ｙ方向（列方向）に連続するものであり、前記した透明電極層分離溝２０と平行に設けられている。ただし、その位置はややずれており、機能層分離溝２５は、小面積の通電補助用電極領域２２に相当する領域にある。
機能層分離溝２５の深さは、透明電極層分離溝２０にまで至っている。機能層分離溝２５の内部には機能層分離溝２５は無く、代わって裏面電極層１１の一部が進入している。機能層分離溝２５に進入した裏面電極層１１は、透明電極層１０と裏面電極層１１とを導通させる部位であり、電極層間連通部３０として機能する。
【００３２】
また本実施形態では、機能層１２と裏面電極層１１に共通する発光領域区画溝３１，３２，３３，３５が４列に渡って設けられている。
発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の内、２本の発光領域区画溝３１，３２は、Ｙ方向（列方向）に連続するものであり、前記した透明電極層分離溝２０及び機能層分離溝２５と平行に設けられている。
２本の発光領域区画溝３１，３２は、基板２の両脇の辺の近傍に設けられている。
即ち一方の列方向発光領域区画溝３２は、前記した機能層分離溝２５よりも外側の位置にある。また他方の列方向発光領域区画溝３１は、列方向発光領域区画溝３２側の辺と対向する辺の近傍にあり、主透明電極領域２１の外側にある。
【００３３】
発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の内、残る２本の発光領域区画溝３３，３５は、Ｘ方向（行方向）に連続するものであり、前記した透明電極層分離溝２０及び機能層分離溝２５と直交する方向に設けられている。
２本の発光領域区画溝３３，３５についても、基板２の両脇の辺の近傍に設けられている。
従って、発光領域区画溝３１，３２，３３，３５は、基板２を井戸枠形（井形）に区切っている。
【００３４】
発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の深さは、裏面電極層１１と機能層１２とを貫通している。また発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の奥は、二段になっており、一部は透明電極層１０にまで至り、残る一部は基板２にまで至っている。
透明電極層分離溝２０等と平行に延びる２本の発光領域区画溝３１，３２の内、発光側面１００の近傍にある発光領域区画溝３１の中には、機能層１２も裏面電極層１１も無く、代わって無機封止層５が進入している。
発光側面１００側の発光領域区画溝３１を説明の便宜上「通常発光領域区画溝３１」と称する。
【００３５】
これに対して他の３本の発光領域区画溝３２，３３，３５には、さらに給電用連通溝４０，４１，４２が設けられている。
即ち透明電極層分離溝２０等と平行に延びる２本の発光領域区画溝３１，３２の内、発光側面１００と対向する奥側面１０１側の発光領域区画溝３２に給電用連通溝４０が設けられている。
また奥側面１０１に対して交差する辺側１０２，１０３に沿って設けられた２本の発光領域区画溝３３，３５にも給電用連通溝４１，４２が設けられている。
給電用連通溝４０，４１，４２は、無機封止層５を貫通する封止層貫通部である。即ち３本の発光領域区画溝３２，３３，３５は、「特定発光領域区画溝３２，３３，３５」であり、先に説明した通常発光領域区画溝３１とは構造が異なる。
即ち特定発光領域区画溝３２，３３，３５についても通常発光領域区画溝３１と同様にその内部に無機封止層５が進入している。しかしながら、特定発光領域区画溝３２，３３，３５には、さらに特定発光領域区画溝３２，３３，３５内の無機封止層５に別途の給電用連通溝４０，４１，４２（封止層貫通部）が設けられている。即ち特定発光領域区画溝３２，３３，３５は、溝が二重に設けられた構造となっている。
【００３６】
そして特定発光領域区画溝３２，３３，３５に設けられた給電用連通溝４０，４１，４２には、給電用金属層６の一部が進入している。より具体的には、奥側面１０１側の発光領域区画溝３２に設けられた給電用連通溝４０には、右領域給電用金属層６ａの一部が進入している。また奥側面１０１に対して交差する辺側１０２，１０３に沿って設けられた２本の発光領域区画溝３３，３５に設けられた給電用連通溝４１，４２には、左領域給電用金属層６ｂの一部が進入している。
給電用連通溝４０に進入した給電用金属層６は、透明電極層１０と接しており、給電用連通部４５，４６，４７として機能する。
より具体的には、奥側面１０１に対して交差する辺側１０２，１０３に沿って設けられた２本の発光領域区画溝３３，３５に設けられた給電用連通部４６，４７は、大面積の主透明電極領域２１と接している。
奥側面１０１側の発光領域区画溝３２に設けられた給電用連通部４５は、小面積の通電補助用電極領域２２と接している。
【００３７】
次に本実施形態の有機ＥＬ装置１の機能について説明する。
本実施形態の有機ＥＬ装置１では、前記した様に、各層に溝を設けることによって、機能層１２に対する給電や、各領域の絶縁を確保している。
即ち本実施形態の有機ＥＬ装置１では、裏面側に接着層７が露出しているが、接着層７は、左右の領域だけが導電性を有し、中央部分は絶縁体である。
即ち有機ＥＬ装置１の裏面には、右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂが露出しており、両者は絶縁されている。
【００３８】
そして左側導電性接着層７ｂは、左領域給電用金属層６ｂに重ねられていて両者の間に導通がある。さらに左領域給電用金属層６ｂの一部は、奥側面１０１に対して交差する辺側１０２，１０３に沿って設けられた２本の発光領域区画溝３３，３５内の給電用連通溝４０，４２に進入して給電用連通部４５，４７を構成し、透明電極層１０の主透明電極領域２１と接している。
ここで、主透明電極領域２１は、大きな面積で機能層１２の一面と接している。また機能層１２の他面側は、大きな面積で裏面電極層１１と接している。
さらに裏面電極層１１の一部は、機能層分離溝２５内の電極層間連通部３０によって、透明電極層１０の通電補助用電極領域２２と接触している。ここで主透明電極領域２１と、通電補助用電極領域２２は、透明電極層分離溝２０によって分離されているので、両者の間には直接的な通電経路はない。従って通電補助用電極領域２２は、機能層分離溝２５内の電極層間連通部３０によって、裏面電極層１１と同電位となる。
【００３９】
また特定発光領域区画溝３２内の給電用連通溝４０に形成された給電用連通部４５を経由して右領域給電用金属層６ａと直接的に接続されている。さらに右領域給電用金属層６ａは、右側導電性接着層７ａと接している。
そのため電流は、左側導電性接着層７ｂから左領域給電用金属層６ｂ・給電用連通部４６，４７・主透明電極領域２１を経由して機能層１２に流れる。また電流は、機能層１２の基板２から遠い側の面から、裏面電極層１１・電極層間連通部３０・通電補助用電極領域２２・右領域給電用金属層６ａを経由して右側導電性接着層７ａに至る。
【００４０】
従って、本実施形態の有機ＥＬ装置１では、裏面側に露出した右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂの間に電圧を印加することにより、機能層１２を発光させることができる。
さらに基板２は、一つの発光側面１００を残して他の面１０１，１０２，１０３に金属反射層８が設けられている。そのため、有機ＥＬ素子３が発する光は、金属反射層８で反射されて集積され、発光側面１００のみから放射される。そのため、発光側面１００は強烈な光を放つ。
また本実施形態の有機ＥＬ装置１では、給電用連通溝４０，４１，４２を介して透明電極層１０に通電しているが、給電用連通溝４０，４１，４２はいずれも発光側面１００以外の辺にある。
即ち、本実施形態では、給電用連通溝４１，４２によって主透明電極領域２１に給電しているが、給電用連通溝４１，４２は、遮光された端面の近傍にある。また通電補助用電極領域２２は、給電用連通溝４０によって外部と接続されているが、給電用連通溝４０は、奥側面１０１側にある。
そのため発光側面１００の近傍には、給電用連通溝が無く、発光側面１００の近傍についても発光する。従って、基板２内での光量の損失が少なく、発光側面１００から放たれる光は強力である。
【００４１】
また本実施形態の有機ＥＬ装置１は、裏面側に接着層７があり、当該接着層７は、異方性導電膜に類似するものであって熱硬化性樹脂に導電性を有する微細な粒子を混入したものである。そのため、電子基板に直接有機ＥＬ装置１を取り付けることができる。即ち、電子基板の導電部分に有機ＥＬ装置１を押し当て、加熱することによって電子基板に有機ＥＬ装置１を取り付けることができる。
また有機ＥＬ装置１を電子基板等の導電部分に押し当てる際、右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂとがそれぞれ電子基板の別の端子部分と接合させることにより、有機ＥＬ装置１に正しく給電することができる
即ち本実施形態で採用する接着層７は、中央領域には導電性粒子が配合されていない。そのため中央領域の絶縁性接着層７ｃは、絶縁帯として機能し、両側の右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂとを絶縁している。そのため右側導電性接着層７ａと左側導電性接着層７ｂとがそれぞれ電子基板の別の端子部分と接触させても、両者の絶縁性は確保され、短絡することはない。
【００４２】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。
有機ＥＬ装置１は、図示しない真空蒸着装置及びＣＶＤ装置によって成膜し、図示しないパターニング装置、本実施形態では、レーザースクライブ装置及び成膜時のマスク処理を使用してパターニングを行い、製造される。
【００４３】
まず図３の様に、基板２の一部又は全部に透明電極層１０を成膜する（透明電極層成膜工程）。成膜方法としては、スパッタ法やＣＶＤ法を採用することができる。形成される透明電極層１０の平均厚さは、５０ｎｍから８００ｎｍであることが好ましく、１００ｎｍから４００ｎｍであることがより好ましい。
成膜に使用する基板２は、最終製品たる有機ＥＬ装置１に比べてはるかに大きいものである。
【００４４】
その後、透明電極層１０が成膜された基板２に対して、レーザースクライブ装置によって図４のように透明電極層分離溝２０を多数形成する（透明電極層分離溝形成工程）。
透明電極層分離溝２０は、いずれも連続した直線状であり、一定の間隔を設けて多数形成される。ただし、基板２の一方の辺２ａとそれに隣接する透明電極層分離溝２０ａの距離Ｗａと、基板２の他方の辺２ｂとそれに隣接する透明電極層分離溝２０ｂの距離Ｗｂとは異なっている。本実施形態では、図面左側の辺２ａとそれに隣接する透明電極層分離溝２０ａの距離Ｗａは、図面右側の辺２ｂとそれに隣接する透明電極層分離溝２０ｂの距離Ｗｂよりも長い。
【００４５】
次に、図５の様に、この基板２の略全面に、機能層１２（有機発光層）を成膜する。より具体的には、真空蒸着装置によって、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの各層を順次成膜する（有機発光層成膜工程）。
形成される機能層１２の平均厚さは、５０ｎｍから２５０ｎｍであることが好ましく、１２０ｎｍから２００ｎｍであることがより好ましい。
【００４６】
その後、図６の様に、機能層１２が成膜された基板２に対して機能層分離溝２５を複数、平行に形成する（機能層貫通溝形成工程後）。機能層分離溝２５の形成は、レーザースクライブ装置を使用して行う。即ち機能層１２をレーザースクライブして、複数の機能層分離溝２５を平行に形成する。
各機能層分離溝２５は、いずれも前記した透明電極層分離溝２０と平行であり、透明電極層分離溝２０に対して、やや右側の辺２ｂ側にずれている。
【００４７】
次に、図７の様に、この基板２上に、裏面電極層１１を成膜する（裏面電極層成膜工程）。成膜方法としては、真空蒸着を採用することができる。
このとき、機能層１２に設けられている機能層分離溝２５内に裏面電極層１１が積層され、機能層分離溝２５内に裏面電極層１１が満たされる。即ち機能層分離溝２５に裏面電極層１１の一部が進入する。そして機能層分離溝２５の底部で透明電極層１０と裏面電極層１１が接触した状態で固着し、透明電極層１０と裏面電極層１１が電気的に接続される。
なお、形成される裏面電極層１１の平均厚さは、１００ｎｍから３００ｎｍであることが好ましく、１５０ｎｍから２００ｎｍであることがより好ましい。
【００４８】
次に、図８、図９の様に、この基板２に発光領域区画溝３１，３２，３３，３５を設ける（発光領域区画溝形成工程）。
Ｙ方向（列方向）に延びる発光領域区画溝３１，３２は、Ｘ方向（行方向）に延びる発光領域区画溝３３，３５の溝幅と同じか、又は発光領域区画溝３３，３５の溝幅よりも狭い。
発光領域区画溝３１，３２，３３，３５は、機能層１２と裏面電極層１１が剥離されて透明電極層１０が残った半剥離部１１０と、機能層１２と裏面電極層１１及び透明電極層１０の三者が剥離された全剥離部１１１がある。
そのため、図８の様に、先に機能層１２と裏面電極層１１を剥離する。そして続いて図９の様に全剥離部１１１に相当する領域の透明電極層１０を剥離する。
発光領域区画溝３１，３２，３３，３３には、先に説明した様に、Ｙ方向（列方向）に連続する発光領域区画溝３１，３２と、Ｘ方向に連続する発光領域区画溝３３，３５とがあるが、どちらを先に形成してもよい。
【００４９】
本実施形態においては、発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の形成は、レーザースクライブ装置を使用して行う。即ち機能層１２と裏面電極層１１をレーザースクライブして、複数の発光領域区画溝３１，３２と、発光領域区画溝３３，３５とを形成する。
【００５０】
続いて、図１０の様にこの基板２に、無機封止層５を成膜する（発光領域区画工程）。なお無機封止層５は、ＣＶＤ装置によって成膜する。
無機封止層５は、基板２の略全域に積層されており、発光領域区画溝３１，３２，３３，３５内にも無機封止層５が積層され、発光領域区画溝３１，３２，３３，３５内に無機封止層５が進入して満たされる。
そのため特定発光領域区画溝３１，３２と、通常発光領域区画溝３３，３５とで囲まれた小さい正方形の領域が、これらの中に進入した無機封止層５によって区画される。
また、形成される無機封止層５の平均厚さは、５μｍから１００μｍであることが好ましく、１０μｍから５０μｍであることがより好ましい。
【００５１】
さらに続いて、図１１の様に、発光領域区画溝３１，３２，３３，３５内に充填された無機封止層５に当該無機封止層５を貫通する給電用連通溝４０，４１，４２を設ける（給電用連通部形成工程）。
ここで、Ｘ方向（行方向）に延びる発光領域区画溝３３，３５には溝幅の中心に沿って給電用連通溝４１，４２を設けるが、Ｙ方向（列方向）に延びる発光領域区画溝３１，３２に対しては、偏心した位置に給電用連通溝４０を設ける。より具体的には、図１１の様に、透明電極層分離溝２０側に寄った位置に給電用連通溝４０を設ける。
【００５２】
給電用連通溝４０，４１，４２は、レーザースクライブ装置を使用して行う。即ち特定発光領域区画溝３２，３３，３５の中心線に沿ってレーザービームを照射しつつ、照射位置を特定発光領域区画溝３２，３３，３５に沿って移動させる。その結果、特定発光領域区画溝３２，３３，３５に入り込んだ無機封止層５に給電用連通溝４０，４１，４２が形成される。
給電用連通溝４０，４１，４２は、前記した様に特定発光領域区画溝３２，３３，３５に入り込んだ無機封止層５に設けられる溝であるから、当該溝の側壁には、無機封止層５が残っている。給電用連通溝４０，４１，４２の深さは、機能層１２と裏面電極層１１を除去して透明電極層１０を露出させることができる深さである。
【００５３】
続いて、図１２の様にこの基板２に、給電用金属層６を成膜する（導電部材形成工程）。
給電用金属層６は、無機封止層５を一定間隔でマスクして行う。即ち特定発光領域区画溝３１，３２の間隔が長い部位に、図示しないマスクを設置し、真空蒸着して給電用金属層６を成膜する。給電用金属層６は列方向に延びて、行方向に並ぶ複数の帯状に成膜される。
その結果、所定の間隔を離しつつ、特定発光領域区画溝３１，３２，３３，３５に重ねて給電用金属層６が成膜される。
そのため、特定発光領域区画溝３１，３２，３３，３５の内部に二重に設けられた給電用連通溝４０，４１，４２内にも給電用金属層６が積層され、給電用連通溝４０，４１，４２内に給電用金属層６が進入して満たされる。そして給電用連通溝４０，４１，４２の底部で透明電極層１０と給電用金属層６とが接触した状態で固着し、透明電極層１０と給電用金属層６が電気的に接続される。
【００５４】
さらに続いて図１３の様に基板２に接着層７が形成される（接着層成膜工程）。
接着層７は、特有の接着液を塗布することによって設けられる。ここで接着液は、熱硬化性樹脂を主成分とするものであり、例えば図１７の様なロール５０によって基板２に塗布される。塗布液は、上部の供給タンク群５１からロール５０に供給され、さらにロール５０から基板２に転写される。ここでロール５０に供給される塗布液の配合は一様ではなく、金属等の導電性の粒子６０が配合された塗布液５２と、配合されていない塗布液５３がある。
そしてロール５０の特定部分に金属等の導電性の粒子が配合された塗布液５２が供給され、他の部位に導電性の粒子が配合されていない塗布液５３が供給される。
そして、給電用金属層６が存在する領域に重ねて導電性の粒子６０が配合された塗布液５２が塗布され、給電用金属層６がしない領域には、導電性の粒子６０が配合されていない塗布液５３が塗布される。
【００５５】
他の方法として、図１８の様に予め導電性の粒子６０が配合された領域５５と、配合されていない領域５６が作られた樹脂シート５８を別途製造し、これを圧接ロール６１で基板２に貼り合わせてもよい。
【００５６】
いずれの方策を採用するにしても、図１４の様に、給電用金属層６が存在する領域に重ねて導電性の粒子６０が混合された右側導電性接着層７ａ又は左側導電性接着層７ｂが積層され、給電用金属層６が存在しない領域には、絶縁性接着層７ｃが積層される。
【００５７】
続いて、図１５の様に、この基板２を碁盤の目のごとく、小さな正方形を切断する。より具体的には、特定発光領域区画溝３１，３２の間隔が狭く作られた領域の中心を特定発光領域区画溝３１，３２と平行に切断すると共に、通常発光領域区画溝３３，３５の間隔が狭く作られた領域の中心を通常発光領域区画溝３３，３５と平行に切断する。
【００５８】
さらに続いて、図１６のように、基板２の主面及び、発光側面１００を除く４側面に金属反射層８を成膜する。
その結果、図１、図２に示す様な有機ＥＬ装置１を多数得ることができる。
本実施形態によると、一枚の基板２から多数の有機ＥＬ装置１を切り出すことができるので、有機ＥＬ装置１を大量生産することができる。
【００５９】
本実施形態の製造方法によれば、列方向発光領域区画溝３１，３２の間で分離して形成しているため、列方向発光領域区画溝３１，３２を同時に形成することが可能であり、有機ＥＬ装置１ごとに列方向発光領域区画溝３１，３２を形成する必要がない。それ故に、製造工程を簡略化できる。
【００６０】
以上説明した実施形態では、電極層間連通部３０として溝状のものを採用した。しかしながら、電極層間連通部３０の機能は、透明導電層１０と、裏面電極層間１２の導通を図ることができれば足りる。従って孔をもって電極層間連通部とすることもできる。
同様に、給電用連通溝４０，４１に代わって、孔を採用することもできる。
【符号の説明】
【００６１】
１  有機ＥＬ装置
２  基板（基材）
３  有機ＥＬ素子
５  無機封止層
６  給電用金属層
７  接着層
８  金属反射層
１０  透明電極層（第１電極層）
１１  裏面電極層（第２電極層）
１２  機能層（有機発光層）
２０  透明電極層分離溝
２１  主透明電極領域
２２  通電補助用電極領域
２５  機能層分離溝
３０  電極層間連通部
３１，３２  発光領域区画溝
３３，３５  発光領域区画溝
４０，４１，４３  給電用連通溝（封止層貫通部）
４５，４６，４７  給電用通電部
６０  導電性の粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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