(57)【要約】【課題】電流コラプスの抑制を実現させる窒化物半導体装置を提供する。【解決手段】実施の形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対し前記ソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、
前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、
前記窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜と、
前記ソース電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第３の窒化珪素膜と、
を有し、
前記第１の窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比が、０．７５以上であり、
前記第１の窒化珪素膜の水素含有量が１０ａｔ％以上であり、
前記第１の窒化珪素膜の誘電率が７以下であり、
前記第１の窒化珪素膜が引張り応力を備え、
前記第２の窒化珪素膜の水素含有量が前記第１の窒化珪素膜の水素含有量よりも低く、
前記第２の窒化珪素膜の塩素含有量が０．５ａｔ％以上であり、
前記窒化物半導体層が、窒化ガリウムと前記窒化ガリウム上の窒化アルミニウムガリウムとの積層構造を備え、前記窒化アルミニウムガリウム上に前記第１および第２の窒化珪素膜が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
窒化物半導体層と、
前記窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、
前記窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、
前記ドレイン電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、
前記窒化物半導体層と前記ゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比が、０．７５以上であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の窒化珪素膜の水素含有量が１０ａｔ％以上であることを特徴とする請求項２または請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の窒化珪素膜の誘電率が７以下であることを特徴とする請求項２ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の窒化珪素膜が引張り応力を備えることを特徴とする請求項２ないし請求項５いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の窒化珪素膜の水素含有量が前記第１の窒化珪素膜の水素含有量よりも低いことを特徴とする請求項２ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の窒化珪素膜の塩素含有量が０．５ａｔ％以上であることを特徴とする請求項２ないし請求項７いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ソース電極と前記ゲート電極との間の前記窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第３の窒化珪素膜をさらに有することを特徴とする請求項２ないし請求項８いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
窒化物半導体層上に第１の窒化珪素膜を形成し、
前記第１の窒化珪素膜の一部を除去して、前記窒化物半導体層を露出させ、
前記窒化物半導体層上に珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜を形成し、
前記第２の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、
前記窒化物半導体層上にソース電極を形成し、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成し、
前記第２の窒化珪素膜を、前記第１の窒化珪素膜形成時より、原料ガス中の珪素の窒素に対する原子比が小さい条件でプラズマ化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成し、
前記第２の窒化珪素膜を、減圧化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の窒化珪素膜を、ＥＣＲプラズマスパッタ法を用いて形成し、
前記第２の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
窒化物半導体層上にＥＣＲプラズマスパッタ法を用いて第１の窒化珪素膜を形成し、
前記第１の窒化珪素膜の一部を除去し、前記窒化物半導体層を露出させ、
前記窒化物半導体層上に減圧化学気相成長法を用いて第２の窒化珪素膜を形成し、
前記第２の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、
前記窒化物半導体層上にソース電極を形成し、
前記窒化物半導体層上に前記ゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高い絶縁破壊強度を有する窒化物半導体は、パワーエレクトロニクス用半導体装置、もしくは、高周波パワー半導体装置などへの応用が期待されている。しかしながら、高電圧を印加した時に、オン抵抗が増大し、ドレイン電流が大幅に減少する電流コラプスという現象が顕著になる。この現象が、半導体装置の特性に影響を及ぼすことが分かっている。
【０００３】
高性能な窒化物系半導体装置を実現するために、電流コラプスの抑制が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２０６１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、電流コラプスの抑制を実現させる半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極と前記ゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図２】複数のデバイス構造と電流コラプスの関係を示す図である。
【図３】複数の窒化珪素膜についてのゲートリーク電流の評価結果を示す図である。
【図４】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】第１の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図９】第５の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１０】第６の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】第７の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１２】第８の実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本明細書中、珪素の窒素に対する原子比とは、同一体積中の珪素原子の個数の窒素原子の個数に対する比（珪素原子個数／窒素原子個数）を表すものとする。
【０００９】
（第１の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、窒化物半導体層と、窒化物半導体層上に形成されるゲート電極と、窒化物半導体層上に形成されるソース電極と、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側に形成されるドレイン電極と、ドレイン電極と前記ゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第１の窒化珪素膜と、窒化物半導体層とゲート電極との間に形成され、珪素の窒素に対する原子比が前記第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜と、を備えている。
【００１０】
図１は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。この半導体装置は、基板１０上の窒化物半導体層１１上に形成されている。基板１０は、例えば、シリコン（Ｓｉ）である。
【００１１】
基板１０と窒化物半導体層１１との間には、バッファ層（図示せず）が設けられる。バッファ層は基板１０と窒化物半導体層１１との間の格子不整合を緩和する機能を備える。バッファ層は、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１））の多層構造で形成される。
【００１２】
また、窒化物半導体層１１は、動作層（チャネル層）１１ａと障壁層（電子供給層）１１ｂとの積層構造を備える。動作層１１ａは、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）であり、障壁層１１ｂは、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）である。障壁層１１ｂは、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１））、窒化インジウム（ＩｎＮ）、窒化インジウムアルミニウム（ＩｎｙＡｌ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１））、窒化インジウムガリウム（ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１））等のいずれか、または、その組み合わせにより構成することが可能である。
【００１３】
動作層１１ａと障壁層１１ｂの間に、ヘテロ接合界面が形成されている。例えば、動作層１１ａの膜厚は０．１〜１０μｍであり、障壁層１１ｂの膜厚は１０〜５０ｎｍである。
【００１４】
本実施の形態では、２層の窒化物半導体層のヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタである高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の例を示している。しかし、２層に限らず、種々の層構造を有する窒化物半導体層に対しても本実施の形態の構造を適用することが可能である。本実施の形態のように、ヘテロ接合を用いたＨＥＭＴは、チャネル移動度が高いため、オン抵抗を小さくすることが可能であり、パワーエレクトロニクス用半導体装置に適している。また、高いチャネル移動度は高周波動作にも適している。
【００１５】
窒化物半導体層１１上には、第２の窒化珪素膜１２を間に挟んで、ゲート電極１４が形成される。第２の窒化珪素膜１２はゲート絶縁膜として機能する。ゲート電極１４は、例えば、金属電極である。金属電極は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）電極、チタン（Ｔｉ）電極、アルミニウム（Ａｌ）電極、または、窒化チタン（ＴｉＮ）である。
【００１６】
また、窒化物半導体層１１上には、ゲート電極１４を間に挟んで、ソース電極１６とドレイン電極１８が設けられる。ソース電極１６とドレイン電極１８はそれぞれゲート電極１４と離間している。ソース電極１６とドレイン電極１８は、例えば、金属電極であり、金属電極は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする電極である。ソース電極１６およびドレイン電極１８と、窒化物半導体層１１との間は、オーミックコンタクトであることが望ましい。
【００１７】
ソース電極１６とゲート電極１４との間、および、ドレイン電極１８とゲート電極との間の窒化物半導体層１１上には、第１の窒化珪素膜２０が形成される。第１の窒化珪素膜２０は窒化物半導体層１１の表面に接して形成されている。第１の窒化珪素膜２０は、ゲート電極１４とソース電極１６、ゲート電極１４とドレイン電極１８との間の窒化物半導体層１１の表面を保護する表面保護膜（またはパッシベーション膜）として機能する。
【００１８】
第２の窒化珪素膜１２は、第１の窒化珪素膜２０よりも、膜中の珪素（Ｓｉ）／窒素（Ｎ）比、すなわち珪素原子と窒素原子との原子比が低い。例えば、第１の窒化珪素膜２０の珪素の窒素に対する原子比は０．７５以上０．９未満であり、第２の窒化珪素膜１２の珪素の窒素に対する原子比は０．６以上０．７５未満である。なお、窒化珪素膜の珪素の窒素に対する原子比は、ラザフォード後方散乱分析（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ  Ｂａｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）、Ｘ線光電子分光（ＸＰＳ：Ｘ−ｒａｙ  ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）による測定から導出することが可能である。
【００１９】
窒化物半導体を用いた半導体装置においては、ソース電極−ドレイン電極間に高電圧ストレスを印加した時に、ドレイン電流が減少する電流コラプスという現象が生じることが知られている。電流コラプスは、半導体装置の電流パスに形成される電荷トラップが原因と考えられる。
【００２０】
一般に、アルミニウム（Ａｌ）は酸素と結びつきやすく、障壁層１１ｂの窒化アルミニウムガリウムの結晶成長中に酸素が取り込まれる。アルミニウムと結びついた酸素が電荷のトラップとして機能する。また、障壁層１１ｂの最表面の窒素が、結晶成長中やその後の製造プロセス中に抜けやすく窒素欠陥が生ずる。この窒素欠陥が電荷のトラップとして機能する。
【００２１】
ソース電極−ドレイン電極間に高電圧ストレスを印加した時、電流パスに存在する酸素や窒素欠陥等の表面準位に、電荷がトラップされる。その結果、ドレイン電流が減少し、電流コラプスが生じると考えられる。
【００２２】
電流コラプスを引き起こす表面準位の量は、窒化物半導体表面に形成される膜、例えば、窒化珪素膜の膜質に依存することが考えられる。一方、窒化物半導体表面に形成される膜、特にゲート絶縁膜では、電流コラプスの低減のみならず、膜のリーク電流をも低減することが望まれる。そこで、発明者らは、窒化物半導体表面に形成する窒化珪素膜の膜質と、電流コラプスおよびリーク電流との関係に着目した。
【００２３】
図２は、複数のデバイス構造と電流コラプスの関係を示す図である。デバイス構造は図１と同様のＨＥＭＴである。横軸がストレスとして印加した電圧、縦軸は、ストレス印加後のオン抵抗の変化率を示している。すなわち、電流コラプス現象の結果、ドレイン電流が減少し、オン抵抗が増加した割合を示す。オン抵抗の変化率の数字が大きいほど電流コラプスが大きいことを示している。
【００２４】
構造１は、図１に示す第１の窒化珪素膜（表面保護膜）２０と第２の窒化珪素膜（ゲート絶縁膜）１２の双方に珪素の窒素に対する原子比（Ｓｉ／Ｎ）が、０．７１の窒化珪素膜を適用する場合である。構造２は、図１に示す第１の窒化珪素膜２０と第２の窒化珪素膜１２の双方に珪素の窒素に対する原子比（Ｓｉ／Ｎ）が、０．８６の窒化珪素膜を適用する場合である。構造３は、図１に示す第１の窒化珪素膜２０と第２の窒化珪素膜１２の双方に珪素の窒素に対する原子比（Ｓｉ／Ｎ）が、０．６８の窒化珪素膜を適用する場合である。
【００２５】
そして、構造４が本実施の形態に相当するデバイス構造である。すなわち、図１に示す第１の窒化珪素膜２０に珪素の窒素に対する原子比（Ｓｉ／Ｎ）が、０．８６の窒化珪素膜を適用し、第２の窒化珪素膜１２に珪素の窒素に対する原子比（Ｓｉ／Ｎ）が、０．６８の窒化珪素膜を適用する場合である。
【００２６】
図２の構造１〜３の結果から明らかなように、珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜を適用した場合の方が、抵抗変化率が小さい。すなわち、電流コラプスが抑制される。電流コラプスを抑制する観点から、珪素の窒素に対する原子比は０．７５以上であることが望ましく、０．８０以上であることがより望ましい。
【００２７】
このように、珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜の適用により、電流コラプスが抑制されるのは、珪素リッチな膜中には、珪素と水素の結合（Ｓｉ−Ｈ結合）が多いことが一因とも考えられる。
【００２８】
すなわち、窒化珪素膜から水素が障壁層１１ｂ中に供給されると、障壁層１１ｂ中のアルミニウムと結合する酸素が還元により脱離する。そして、電荷のトラップとして機能する酸素が障壁層１１ｂから減少することで、電流コラプスが抑制されると考えられる。
【００２９】
また、窒化珪素膜から水素が供給されることで、障壁層１１ｂの窒素欠陥により生じた珪素（Ｓｉ）のダングリングボンドが、水素と結びつくことにより水素終端されることが考えらえる。そして、電荷のトラップとして機能する窒素欠陥が障壁層１１ｂから減少することで、電流コラプスが抑制されると考えられる。
【００３０】
図１の構造では、電流コラプスの原因となる電荷トラップは、特に、高電界となるゲート電極１４−ドレイン電極１８間に主に発生すると考えられる。したがって、特に、ゲート電極１４−ドレイン電極１８間の障壁層１１ｂ上に形成される第１の窒化珪素膜２０の珪素の窒素に対する原子比が高いことが望ましい。珪素の窒素に対する原子比は０．７５であると単結晶となるが、過剰な珪素が存在すると、珪素と水素が結合し、水素を含みやすくなる。したがって、珪素と珪素の窒素に対する原子比は０．７５以上であることが望ましい。また、珪素の窒素に対する原子比は１．０以下であることが望ましい。この比を超えて珪素を結晶中に含有させることが困難だからである。
【００３１】
第１の窒化珪素膜２０からの水素供給量を多くするため、第１の窒化珪素膜２０の水素含有量が１ａｔ％（原子パーセント）以上５０ａｔ％以下であることが望ましい。この範囲を下回ると電流コラプスの抑制が十分とならないおそれがあるからである。また、この範囲を超えて水素を含有させることは困難だからである。電流コラプス抑制の観点から、水素含有量は、１０ａｔ％以上であることがより望ましく、２０ａｔ％以上であることがさらに望ましい。この場合の水素含有量とは、窒化珪素膜の水素の原子パーセントを表すものとする。
【００３２】
膜中の水素含有量は、例えば、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ−ｍｉｃｒｏｂｒｏｂｅ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により測定することが可能である。構造１の場合、窒化珪素膜の水素含有量は０．３ａｔ％であり、構造２の場合、窒化珪素膜の水素含有量は２３ａｔ％である。
【００３３】
図３は、複数の窒化珪素膜についてのゲートリーク電流の評価結果を示す図である。図中、膜１は、図２の構造１で用いた珪素の窒素に対する原子比が０．７１の窒化珪素膜である。膜２は、図２の構造２で用いた珪素の窒素に対する原子比が０．８６の窒化珪素膜である。膜３は、図２の構造３で用いた珪素の窒素に対する原子比が０．６８の窒化珪素膜である。膜５は、珪素の窒素に対する原子比が０．７５の窒化珪素膜である。
【００３４】
図３から明らかなように、珪素の窒素に対する原子比が低い、すなわち珪素の少ない窒化珪素膜を適用した場合の方が、ゲートリーク電流が抑制される。これは、窒化珪素膜中に存在するＳｉ−Ｈ結合が、リーク電流の経路として機能するためと考えられる。ゲートリーク電流を抑制する観点からは、珪素の窒素に対する原子比が０．７５未満であることが望ましく、０．７１以下であることがより望ましい。
【００３５】
このように、電流コラプスを抑制する観点からは、珪素の窒素に対する原子比の高い窒化珪素膜を適用することが望ましく、ゲートリーク電流を抑制する観点からは、珪素の窒素に対する原子比の低い窒化珪素膜を適用することが望ましい。
【００３６】
本実施の形態の半導体装置は、ゲート電極１４とドレイン電極１８との間の表面保護膜として機能する第１の窒化珪素膜２０には、比較的、珪素の窒素に対する原子比の高い窒化珪素膜を適用する。そして、ゲート絶縁膜として機能する第２の窒化珪素膜１２としては、比較的、珪素の窒素に対する原子比の低い窒化珪素膜を適用する。したがって、本実施の形態の半導体装置によれば、電流コラプスの抑制とゲートリーク電流の低減とを両立させることが可能となる。
【００３７】
上述のように、窒化珪素膜の水素含有量は、珪素の窒素に対する原子比に依存する。第２の窒化珪素膜１２の珪素の窒素に対する原子比は、第１の窒化珪素膜２０よりも低いことが望ましい。したがって、第２の窒化珪素膜１２の水素含有量は第１の窒化珪素膜２０の水素含有量よりも低いことが望ましい。
【００３８】
図２中、構造４は、本実施の形態の半導体装置のデバイス構造での電流コラプスの評価結果である。第２の窒化珪素膜１２に珪素の窒素に対する原子比の低い窒化珪素膜を適用しているが、第１の窒化珪素膜２０に珪素の窒素に対する原子比の高い窒化珪素膜を適用することで、電流コラプスが抑制されている。
【００３９】
なお、第１の窒化珪素膜２０の誘電率は４以上７以下であることが望ましい。窒化珪素膜の誘電率は水素の含有量に依存し、水素含有量が上がれば誘電率は低下する。誘電率が７以下であれば、トラップ低減のために十分な水素が膜中に含有されると考えられる。誘電率が４未満の窒化珪素膜は存在しがたい。
【００４０】
また、第１の窒化珪素膜２０が引張り応力を備えることが望ましい。窒化珪素膜の応力は水素の含有量に依存し、トラップ低減のために十分な水素が含有されることで引張り応力を備える。
【００４１】
また、第１の窒化珪素膜２０の屈折率が２以上３．５以下であることが望ましい。窒化珪素膜の屈折率は、膜中の珪素の窒素に対する原子比に依存し、珪素の窒素に対する原子比が高いほど屈折率が高くなる。窒化珪素膜の屈折率が２以上あれば、電流コラプス抑制のために十分な珪素の窒素に対する原子比を備える。屈折率が３．５より大きい窒化珪素膜は存在しがたい。
【００４２】
また、窒化珪素膜に塩素を含有させることで、リーク電流を抑制することが可能となる。第２の窒化珪素膜１２の塩素含有量は０．５ａｔ％以上５ａｔ％％以下であることが望ましい。上記範囲を下回ると、リーク電流が十分抑制できないおそれがあるからである。また、上記範囲を超える成膜は困難だからである。リーク電流をさらに抑制する観点から、塩素含有量は、１％ａｔ％以上であることがより望ましい。この場合の塩素含有量とは、窒化珪素膜の塩素原子比を表すものとする。膜中の塩素含有量は、例えば、二次イオン質量分析により測定することが可能である。
【００４３】
また、窒化珪素膜に酸素を含有させることで、リーク電流を抑制することが可能となる。ゲートリーク電流を抑制する観点から、第２の窒化珪素膜１２に酸素原子が１×１０１９ｃｍ−３以上含まれることが望ましい。もっとも、表面保護膜に過度に酸素が含有されると、障壁層１１ｂが酸化され、電流コラプスの増大を招く恐れがある。したがって、第１の窒化珪素膜２０の酸素含有量は、第２の窒化珪素膜１２の酸素含有量よりも少ないことが望ましい。膜中の酸素含有量は、例えば、二次イオン質量分析により測定することが可能である。電流コラプスの抑制の観点から、第１の窒化珪素膜２０に含まれる酸素原子が１×１０２０ｃｍ−３以下であることが望ましい。
【００４４】
ゲート絶縁膜として機能する第２の窒化珪素膜１２は、リーク電流低減のためには厚い方が良いが、厚いほどしきい値が負に大きくなってしまう。このため、パワーエレクトロニクス用のスイッチング素子として考えると、膜厚は５０ｎｍ以下であることが望ましい。
【００４５】
また、パワーエレクトロニクス用半導体として素子に高電界が印加されると、横型素子においては表面保護膜にも高電界が印加される。このことから、表面保護膜である第１の窒化珪素膜２０には所定の厚さが必要であり、膜厚は２０ｎｍ以上であることが望ましい。
【００４６】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について記述する。本実施の形態の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体層上に第１の窒化珪素膜を形成し、第１の窒化珪素膜の一部を除去し、窒化物半導体層を露出させ、窒化物半導体層上に珪素の窒素に対する原子比が第１の窒化珪素膜よりも低い第２の窒化珪素膜を形成し、第２の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、窒化物半導体層上にソース電極を形成し、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成する。そして、第１の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ）を用いて形成し、第２の窒化珪素膜を、第１の窒化珪素膜形成時より、原料ガス中の珪素の窒素に対する原子比が小さい条件でプラズマ化学気相成長法（ＰＥ−ＣＶＤ）を用いて形成する。
【００４７】
図４〜図８は、本実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００４８】
まず、例えば、シリコンの基板１０を準備する。そして、基板１０上に、例えば、有機金属ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）法により、バッファ層（図示せず）を介して、動作層１１ａと障壁層１１ｂを形成する（図４）。バッファ層は、例えば、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１））の多層構造で形成される。動作層１１ａは、例えば、膜厚０．１〜１０μｍの窒化ガリウム（ＧａＮ）であり、障壁層１１ｂは、例えば、膜厚１０〜５０ｎｍの窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）である。
【００４９】
次に、動作層１１ａと障壁層１１ｂの積層構造を備える窒化物半導体層１１上に、第１の窒化珪素膜２０を形成する。第１の窒化珪素膜２０の形成は、プラズマ化学気相成長法を用いて行う。第１の窒化珪素膜２０の膜厚は、例えば、２０〜５０ｎｍである。
【００５０】
次に、第１の窒化珪素膜２０上に、フォトリソグラフィー法により、フォトレジスト膜２１を形成する（図５）。そして、このフォトレジスト膜２１をエッチングマスクとしてウェットエッチング法により第１の窒化珪素膜２０をパターニングする。第１の窒化珪素膜２０が、選択的に除去され、後にゲート電極、ソース電極、ドレイン電極が形成される領域の障壁層１１ｂを露出させる。ウェットエッチング法のエッチング液は、例えば、フッ化アンモニウム溶液である。
【００５１】
次に、第１の窒化珪素膜２０上および障壁層１１ｂ上に、第２の窒化珪素膜１２を形成する（図６）。第２の窒化珪素膜１２の形成は、プラズマ化学気相成長法を用いて行う。この際、第１の窒化珪素膜形成時より、原料ガス中の珪素の窒素に対する原子比が小さい条件で、成膜を行う。例えば、珪素の原料ガスとしてシラン（ＳｉＨ４）、窒素の原料ガスとしてアンモニア（ＮＨ４）を用いる場合、シラン／アンモニア流量比の小さい条件で、成膜を行う。このプロセスにより、珪素の窒素に対する原子比が第１の窒化珪素膜２０よりも低い第２の窒化珪素膜１２が形成される。第２の窒化珪素膜１２の膜厚は、例えば、１０〜５０ｎｍである。
【００５２】
次に、第２の窒化珪素膜１２上に、フォトリソグラフィー法により、新たにフォトレジスト膜２３を形成する（図７）。そして、このフォトレジスト膜２３をエッチングマスクとしてウェットエッチング法により第２の窒化珪素膜１２をパターニングする。第２の窒化珪素膜１２が、選択的に除去され、後にソース電極、ドレイン電極が形成される領域の障壁層１１ｂを露出する。ウェットエッチング法のエッチング液は、例えば、フッ化アンモニウム溶液である。
【００５３】
その後、フォトレジスト膜２３上に、オーミック電極形成用の金属膜を蒸着する。金属膜は、例えば、アルミニウム膜である。そして、リフトオフ法を用いて、ソース電極１６およびドレイン電極１８を形成する（図８）。
【００５４】
次に、第２の窒化珪素膜１２上に、フォトリソグラフィー法により、新たにゲート電極部が開口されたフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。そして、フォトレジスト膜上に、ゲート電極形成用の金属膜を蒸着する。金属膜は、例えば、ニッケル膜である。そして、リフトオフ法を用いて、ゲート電極１４を形成する。
【００５５】
以上の製造方法により、図１に示す半導体装置が製造される。
【００５６】
プラズマ化学気相成長法は、原料ガスであるシラン（ＳｉＨ４）およびアンモニア（ＮＨ４）の流量比を調整することで、珪素の窒素に対する原子比の異なる窒化珪素膜を形成しやすい。例えば、シラン／アンモニア流量比を１０／８とすると、珪素の窒素に対する原子比が０．８６の窒化珪素膜が形成される。一方、例えば、シラン／アンモニア流量比を１０／３０とすると、珪素の窒素に対する原子比が０．６８の窒化珪素膜が形成される。なお、シラン／アンモニア流量比は、シランおよびアンモニアを１００％ガスに換算した場合の流量比である。
【００５７】
また、プラズマ化学気相成長法の成膜温度は、２５０〜４５０℃と比較的低温である。したがって、比較的、水素含有量の高い窒化珪素膜を形成しやすいため表面保護膜の形成に有用である。
【００５８】
図２の構造２および構造３、図３の膜２、膜３はプラズマ化学気相成長法を用いて成膜されている。
【００５９】
本実施の形態は上記構成により、電流コラプスの抑制とゲートリーク電流の低減とを両立させる半導体装置を実現することが可能となる。
【００６０】
（第２の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長（ＰＥ−ＣＶＤ）法を用いて形成し、第２の窒化珪素膜を、減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法を用いて形成すること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６１】
表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０（図５参照）を、比較的、シラン（ＳｉＨ４）／アンモニア（ＮＨ４）流量比の大きい条件で、プラズマ化学気相成長法を用いて形成する。これにより、比較的、珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜が堆積される。
【００６２】
そして、ゲート絶縁膜となる第２の窒化珪素膜１２を、減圧化学気相成長法を用いて形成する（図６参照）。この際、第２の窒化珪素膜１２の珪素の窒素に対する原子比が、第１の窒化珪素膜２０よりも低くなる条件で成膜を行う。成膜温度は、プラズマ化学気相成長法よりも高く、例えば、６００〜９００℃である。
【００６３】
ゲート絶縁膜には、広範囲での駆動電圧を可能とするために、低いリーク電流と高い絶縁耐圧が求められる。また、低いリーク電流と高い絶縁耐圧の保証、すなわち、長期信頼性も求められる。
【００６４】
減圧化学気相成長法では、プラズマ化学気相成長法やＥＣＲプラズマスパッタ法に比較して、高温で成膜が行われる。このため、比較的、水素の含有量の低い膜の成膜が可能である。また、装置特性上、パーティクルの低減も容易である。したがって、低いリーク電流と高い絶縁耐圧を備え、長期信頼性にも優れた高品質の窒化珪素膜を形成することが可能である。
【００６５】
また、原料ガスにジクロロシラン等のクロロシランガスを用いることで、塩素を窒化珪素膜中に導入することができる。したがって、さらに、ゲートリーク電流の抑制される窒化珪素膜の形成が可能である。
【００６６】
図３の膜５は、減圧化学気相成長法を用いて成膜されている。
【００６７】
本実施の形態によれば、珪素の窒素に対する原子比が低い第２の窒化珪素膜１２を、減圧化学気相成長法を用いて形成することで、高品質なゲート絶縁膜を備える半導体装置が製造される。そして、表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０に珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜を形成することで、電流コラプスも抑制された半導体装置が製造される。
【００６８】
（第３の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、第１の窒化珪素膜を、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）プラズマスパッタ法を用いて形成し、第２の窒化珪素膜を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成すること以外は、第１または第２の実施の形態と同様である。したがって、第１または第２の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００６９】
表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０（図５参照）を、ＥＣＲプラズマスパッタ法で形成する。この際、比較的、珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜を形成する。成膜温度は、例えば、２０〜３００℃である。
【００７０】
そして、ゲート絶縁膜となる第２の窒化珪素膜１２を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成する（図６参照）。この際、第２の窒化珪素膜１２の珪素の窒素に対する原子比が、第１の窒化珪素膜２０よりも低くなる条件で成膜を行う。
【００７１】
ＥＣＲプラズマスパッタ法は、固体ソースと窒素ガスのみで成膜するため、他のＣＶＤ法に対して、中間生成物や不純物の取り込みを抑制できる。したがって、良質な半導体の表面保護膜形成方法として適している。
【００７２】
図２の構造１、図３の膜１はＥＣＲプラズマスパッタ法を用いて成膜されている。
【００７３】
そして、プラズマ化学気相成長法を用いて、珪素の窒素に対する原子比が低い第２の窒化珪素膜１２を、形成することで、ゲートリーク電流の抑制されたゲート絶縁膜の形成可能である。また、装置特性上ＥＣＲプラズマスパッタ法よりもさらにパーティクルの低減が容易であり、高品質のゲート絶縁膜を形成することが可能である。
【００７４】
図２の構造３、図３の膜３は、プラズマ化学気相成長法を用いて、珪素の窒素に対する原子比が低くなる条件で成膜されている。
【００７５】
本実施の形態によれば、珪素の窒素に対する原子比が低い第２の窒化珪素膜１２を、プラズマ化学気相成長法を用いて形成することで、高品質なゲート絶縁膜を備える半導体装置が製造される。そして、表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０に珪素の窒素に対する原子比が高い窒化珪素膜を形成することで、電流コラプスも抑制された半導体装置が製造される。そして、表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０に膜質に優れたＥＣＲプラズマスパッタ法を用いることで、半導体装置の信頼性も向上する。
【００７６】
（第４の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、窒化物半導体層上にＥＣＲプラズマスパッタ法を用いて第１の窒化珪素膜を形成し、第１の窒化珪素膜の一部を除去し、窒化物半導体層を露出させ、窒化物半導体層上に減圧化学気相成長法を用いて第２の窒化珪素膜を形成し、第２の窒化珪素膜上にゲート電極を形成し、窒化物半導体層上にソース電極を形成し、窒化物半導体層上にゲート電極に対しソース電極の反対側にドレイン電極を形成する。第１ないし第３の実施の形態と重複する内容については、一部記述を省略する。
【００７７】
表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０（図５参照）を、ＥＣＲプラズマスパッタ法で形成する。成膜温度は、例えば、２０〜３００℃である。
【００７８】
そして、ゲート絶縁膜となる第２の窒化珪素膜１２を、減圧化学気相成長法を用いて形成する（図６参照）。この際、第２の窒化珪素膜１２の珪素の窒素に対する原子比が、第１の窒化珪素膜２０よりも低くなる条件で成膜を行うことが望ましい。成膜温度は、ＥＣＲプラズマスパッタ法よりも高く、例えば、６００〜９００℃である。
【００７９】
ＥＣＲプラズマスパッタ法は、固体ソースと窒素ガスのみで成膜するため、他のＣＶＤ法に対して、中間生成物や不純物の取り込みを抑制できる。したがって、良質な半導体の表面保護膜形成方法として適している。
【００８０】
図２の構造１、図３の膜１はＥＣＲプラズマスパッタを用いて成膜されている。
【００８１】
そして、上述のように、減圧化学気相成長法では、低いリーク電流と高い絶縁耐圧を備え、長期信頼性にも優れた窒化珪素膜を形成することが可能である。
【００８２】
図３の膜５は、減圧化学気相成長法を用いて成膜されている。
【００８３】
本実施の形態によれば、第２の窒化珪素膜１２を、減圧化学気相成長法を用いて形成することで、高品質なゲート絶縁膜を備える半導体装置が製造される。そして、表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０に膜質に優れたＥＣＲプラズマスパッタ法を用いることで、半導体装置の信頼性も向上する。
【００８４】
（第５の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が第１の窒化珪素膜よりも低い第３の窒化珪素膜を備えること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００８５】
図９は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ソース電極１６とゲート電極１４との間の窒化物半導体層１１上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が第１の窒化珪素膜２０よりも低い第３の窒化珪素膜２２を備える。
【００８６】
電流コラプスの要因となる電荷のトラップは、デバイスの動作中に高電界のかかるゲート電極１４とドレイン電極１８との間で顕著となる。このため、ソース電極１６とゲート電極１４との間の窒化物半導体層１１上に形成される第３の窒化珪素膜２２の膜質については、電流コラプス抑制の観点からの制約が少ない。したがって、電流コラプス以外の特性向上に着目して、膜質の最適化を図ることが可能となる。
【００８７】
本実施の形態では、第３の窒化珪素膜２２の珪素の窒素に対する原子比を、第１の窒化珪素膜２０よりも低くすることで、例えば、表面保護膜中のリーク電流を抑制し、ゲート電極１４と窒化物半導体層１１、または、ゲート電極１４とソース電極１６間のリーク電流を抑制する。よって、高耐圧の半導体装置を提供することが可能となる。
【００８８】
（第６の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極とゲート電極との間の窒化物半導体層上に形成される第３の窒化珪素膜と第２の窒化珪素膜とが、連続する同一の膜であること以外は、第５の実施の形態と同様である。したがって、第５の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００８９】
図１０は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ソース電極１６とゲート電極１４との間の窒化物半導体層１１上に形成され、珪素の窒素に対する原子比が第１の窒化珪素膜２０よりも低い第３の窒化珪素膜２２を備える。そして、第３の窒化珪素膜２２と第２の窒化珪素膜１２とが、連続する同一の膜である。
【００９０】
図１０の構造では、半導体装置のゲート長のゲート電極１４のソース電極１６側の端部は、表面保護膜（第１の窒化珪素膜２０）の加工によって規定されるのではなく、ゲート電極１４自身の加工によって規定される。
【００９１】
本実施の形態によっても、第５の実施の形態と同様の効果が得られる。また、ゲート長の一端を、プロセス変換差およびプロセスばらつきの大きいウェットエッチングにより規定するのではなく、例えば、ゲート電極のリフトオフプロセスのためのレジストのパターニングのみで規定することが可能である。したがって、ゲート長のばらつきが抑制され、半導体装置の特性を安定させることが可能となる。
【００９２】
（第７の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、ゲート電極の端部が表面保護膜の間の溝部に設けられること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００９３】
図１１は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ゲート電極１４の端部が、表面保護膜となる第１の窒化珪素膜２０間の溝部の、第２の窒化珪素膜１２上に設けられる。
【００９４】
本実施の形態によれば、ゲート長の両端を、プロセス変換差およびプロセスばらつきの大きいウェットエッチングにより規定するのではなく、例えば、ゲート電極のリフトオフプロセスのためのレジストのパターニングのみで規定することが可能である。したがって、ゲート長のばらつきが抑制され、半導体装置の特性を安定させることが可能となる。
【００９５】
（第８の実施の形態）
本実施の形態の半導体装置は、ソース電極と第１の窒化珪素膜、ドレイン電極と第１の窒化珪素膜との間に、第２の窒化珪素膜が介在すること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については、記述を省略する。
【００９６】
図１２は、本実施の形態の半導体装置の構成を示す断面図である。ソース電極１６と第１の窒化珪素膜２０、ドレイン電極１８と第１の窒化珪素膜２０との間に、第２の窒化珪素膜１２が介在する。
【００９７】
本実施の形態によれば、第２の窒化珪素膜１２が拡散防止膜となり、ソース電極１６またはドレイン電極１８に含まれる金属、例えば、アルミニウムが、第１の窒化珪素膜２０中に拡散することを防止できる。したがって、ソース電極１６またはドレイン電極１８に含まれる金属が、第１の窒化珪素膜２０や窒化物半導体層１１中に拡散してデバイス特性が変動することを抑制することが可能である。
【００９８】
実施の形態では、ヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタを例に説明したが、この形態に限らず、窒化物半導体を用いたその他のトランジスタに、本発明を適用することが可能である。
【００９９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１００】
１０      基板
１１      窒化部物半導体層
１２      第２の窒化珪素膜（ゲート絶縁膜）
１４      ゲート電極
１６      ソース電極
１８      ドレイン電極
２０      第１の窒化珪素膜（表面保護膜）
２２      第３の窒化珪素膜
【図１】
2014187084.tif 000003
【図２】
2014187084.tif 000004
【図３】
2014187084.tif 000005
【図４】
2014187084.tif 000006
【図５】
2014187084.tif 000007
【図６】
2014187084.tif 000008
【図７】
2014187084.tif 000009
【図８】
2014187084.tif 000010
【図９】
2014187084.tif 000011
【図１０】
2014187084.tif 000012
【図１１】
2014187084.tif 000013
【図１２】
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