(57)【要約】【課題】通電路を一巡するコアと、コアの間隙に配置されている感磁素子と、感磁素子を位置決めしている基板を備えている電流計測装置を小型化する。【解決手段】感磁素子５を配置する間隙を画定する一対のコア端面を、相互に平行であって基板７に対して傾斜している方向とする。基板７は通電路１と平行な面内に配置し、その基板７で感磁素子５を位置決めする。すると、基板７とコア３間の距離を短縮できる。２本の通電路１，２の対称軸上に共通基板７を配置すると、前記の短縮化効果が表裏両面で享受できる。【選択図】図２
2014089125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電路を流れている電流の大きさを計測するための装置であり、
コアと感磁素子と基板を備えており、
コアは、通電路の長手方向に直交する面内に配置されており、通電路の長手方向に直交する面内において間隙を残して通電路を一巡しており、
間隙を画定する一対のコア端面は、相互に平行であり、基板に対して傾斜しており、
感磁素子は、感磁方向の磁束密度に依存して変化する電気信号を出力する端子を備えており、その端子が基板に固定されており、
基板は、通電路の長手方向に平行な面内に配置されており、
通電路に対してコアと基板を位置決めしたときに、コア端面と感磁素子の感磁方向が直交する姿勢で、感磁素子が間隙内に位置決めされることを特徴とする電流計測装置。
【請求項２】
相互に平行に延びている表面側通電路と裏面側通電路の対称軸上に、１枚の共通基板が配置されており、
表面側通電路を一巡する表面側コアの間隙に配置される表面側感磁素子と、裏面側通電路を一巡する裏面側コアの間隙に配置される裏面側感磁素子の各々が、通電路より共通基板側に位置するとともに、互いの感磁方向が略直交する位置関係で共通基板に固定されていることを特徴とする請求項１の電流計測装置。
【請求項３】
相互に平行に延びている表面側第１通電路と表面側第２通電路と裏面側第１通電路と裏面側第２通電路が、通電路の長手方向から観察したときに矩形をなす位置関係で配置されており、
「表面側第１通電路と表面側第２通電路」と「裏面側第１通電路と裏面側第２通電路」の対称軸上に、１枚の共通基板が配置されており、
基板と平行に延びる中央線で各コアを分割したときの基板側の領域を基板側とし、基板と垂直に延びる中央線で各コアを分割したときの隣接するコアから遠い側の領域を外側としたときに、各通電路のための感磁素子が「基板側で外側の領域」に配置されていることを特徴とする請求項２の電流計測装置。
【請求項４】
共通基板の表面側に表面側第３通電路がさらに配置され、共通基板の裏面側に裏面側第３通電路がさらに配置されており、
第１の三相交流が、表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路を流れ、
第２の三相交流が、裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路を流れることを特徴とする請求項３の電流計測装置。
【請求項５】
共通基板の表面側に表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路が配置され、共通基板の裏面側に裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路が配置されており、
「表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路」と「裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路」の対称軸上に、共通基板が配置されており、
第１の三相交流が、表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路を流れ、
第２の三相交流が、裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路を流れ、
各通電路のための感磁素子が、基板と平行に延びる中央線で各コアを分割したときの基板側の領域に配置されていることを特徴とする請求項２の電流計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書では、通電路を流れている電流の大きさを特定する電気信号、あるいは、通電路を流れている電流の大きさに依存して変化する電気信号を出力する電流計測装置を開示する。
【背景技術】
【０００２】
通電路を電流が流れると通電路の周囲に磁束が発生する。通電電流の大きさと磁束密度の大きさは比例することから、磁束密度の大きさを計測することによって通電電流の大きさを計測する技術が知られている。本明細書では、通電電流の大きさのことを電流値といい、通電電流の大きさを計測することを電流を計測するといい、磁束密度の大きさを計測することを磁束密度を計測するという。また、本明細書でいう電流計測装置とは、電流値を特定する電気信号を出力するものに限られない。電流計測装置が出力する電気信号を他の装置が処理することによって電流値が決定される場合もある。ここでいう電流計測装置には、電流値の特定に必要な電気信号を出力する中間装置も含まれる。
【０００３】
特許文献１に上記方式の電流計測装置が開示されている。特許文献１の技術では、模式的に図５の（１）に示すように、通電路１の電流値を感磁素子５で計測する。感磁素子５の存在位置における磁束密度を増大させるために、通電路１を一巡する透磁性のコア３が利用される。コア３には間隙Ｇが形成されており、その間隙Ｇ内に感磁素子５が配置されている。コア３は、通電路１の長手方向に直交する面内に配置されている。
図示の７は基板であり、感磁素子５を実装している。すなわち、感磁素子５から延びている端子５ａ，５ｂ，５ｃが基板７に固定されている。基板７は、通電路１の長手方向に直交する面内に配置されている。
図示の８は、コネクタであり、図示しない外部装置と感磁素子５を接続する。基板７には、外部装置から供給される電力を感磁素子５に供給する回路や、感磁素子５の出力を増幅する回路等が実装されており、電力供給や増幅後信号の伝送のために、コネクタ８の接続ピン７ａ，７ｂ、７ｃと感磁素子５の端子５ａ，５ｂ，５ｃを接続する配線類が形成されている。上記の回路や配線類は、基板７の範囲７ｄ内に配置されている。
上記の構造によると、通電路１から基板７の先端までの距離Ｌ１（図示ｘ方向の電流計測装置のサイズ）が長くなるという問題が生じる。
【０００４】
特許文献１の技術は、上記の距離Ｌ１を短縮化する技術であり、模式的に図５の（２）に示すように、コア３に形成されている間隙Ｇと感磁素子５の位置と姿勢を、通電路１に対して傾斜させる。すなわち、通電路１の表面に対して角度θ（θ＜９０°）で延びる線II上に間隙Ｇと感磁素子５を配置する。すると、電力供給回路や増幅回路やコネクタ８の接続ピン７ａ，７ｂ、７ｃと感磁素子５の端子５ａ，５ｂ，５ｃを接続する配線類を範囲７ｄ内に配置することが可能となり、それによって、通電路１から基板７の先端までの距離Ｌ２をＬ１よりも短くできる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−４７５６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、コアの間隙と感磁素子の位置と姿勢を、通電路に対して傾斜させることによって、図示ｘ方向の電流計測装置の長さを短くし、電流計測装置を小型化することができる。
しかしながら、更なる小型化が必要とされている。本明細書では、電流計測装置の図示ｘ方向の距離をさらに短縮化する技術を開示する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本明細書では、通電路を流れている電流の大きさを計測するための装置を開示する。この電流計測装置は、コアと感磁素子と基板を備えている。
コアは、通電路の長手方向に直交する面内に配置されており、通電路の長手方向に直交する面内において間隙を残して通電路を一巡している。その間隙を画定する一対のコア端面は、相互に平行であり、基板に対して傾斜している。
感磁素子は、予め決められた方向の磁束密度に対して感度を持っている。例えば、感磁素子が直方体形状であり、第１辺に平行な方向の磁束密度に対して感度を持ち、第２辺に平行な方向の磁束密度と第３辺に平行な方向の磁束密度には感度を持たない場合がある。その場合、感磁素子が感度を有する、第１辺に平行な方向を感磁方向という。感磁素子は感磁方向の磁束密度に依存して変化する電気信号を出力する端子を備えている。その端子は基板に固定されている。感磁素子は、端子を介して基板によって位置決めされている。
基板は、通電路の長手方向に平行な面内に配置されている。通電路に対してコアと基板を位置決めすると、感磁素子が間隙内に位置決めされる。また、コア端面と感磁素子の感磁方向が直交する姿勢に調整される。
【０００８】
上記の電流計測装置よると、「間隙と感磁素子の位置と姿勢を基板に対して傾斜させることによって電流計測装置が小型化される」効果と「基板が通電路に平行に延びることによって電流計測装置が小型化される」効果の両者が同時に得られ、電流計測装置が一層に小型化される。
【０００９】
本明細書で開示する電流計装置は、相互に平行に延びている２本の通電路の電流値を計測する場合に特に効果的である。この場合、２本の通電路の対称軸上に基板を配置し、その基板を２本の通電路に対して共通に用いる。すなわち、共通基板の表面側を延びている表面側通電路と共通基板の裏面側を延びている裏面側通電路の対称軸上に、１枚の共通基板が配置されている構成とする。
この場合、表面側通電路を一巡する表面側コアの間隙に配置される表面側感磁素子と、裏面側通電路を一巡する裏面側コアの間隙に配置される裏面側感磁素子の各々が、通電路より共通基板側に位置するとともに、互いの感磁方向が略直交する位置関係で共通基板に固定されていることが好ましい。
上記構成によると、表面側通電路と共通基板の間と、裏面側通電路と共通基板の間の双方において、「感磁素子の位置と姿勢を基板に対して傾斜させることによって電流計測装置が小型化される」効果と「基板が通電路に平行に延びることによって電流計測装置が小型化される」効果の両者が同時に得られる。表面側コアの先端から裏面側コアの先端までの距離を短くすることができる。また表面側通電路を流れる電流が裏面側通電路を流れる電流の計測に影響し、裏面側通電路を流れる電流が表面側通電路を流れる電流の計測に影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００１０】
共通基板の表面側に複数本の通電路が配置されており、共通基板の裏面側にも複数本の通電路が配置されている場合もある。
例えば、表面側第１通電路と表面側第２通電路と裏面側第１通電路と裏面側第２通電路が相互に平行に延びている場合がある。通電路の長手方向から観察したときに、前記４本の通電路が矩形をなす位置関係で配置されていることがある。
この場合は、「表面側第１通電路と表面側第２通電路」と「裏面側第１通電路と裏面側第２通電路」の対称軸上に、共通基板が配置されている位置関係とする。また、基板と平行に延びる中央線（コア２分する中央線）をで各コアを分割したときの基板側の領域を基板側とし、基板と垂直に延びる中央線（コア２分する中央線）で各コアを分割したときの隣接するコアから遠い側の領域を外側としたとき、各通電路のための感磁素子を「基板側で外側の領域」に配置することが好ましい。
【００１１】
上記の構造の場合、感磁素子は基板側に配置されているために共通基板が利用できる。また感磁素子は外側（隣接する通電路から遠い側）に配置されており、隣接する通電路から漏れ出る磁束を誤計測しづらくなっている。電流計測装置を小型化し、計測精度を向上させることができる。
【００１２】
２種類の三相交流を通電するためには６本の通電路が必要となる。この場合、前記した４本の通電路（表面側第１通電路と表面側第２通電路と裏面側第１通電路と裏面側第２通電路）に加えて、表面側第３通電路と裏面側第３通電路が配置されている。表面側の３本の通電路と、裏面側の３本の通電路は、ｕ相、ｖ相、ｗ相に相当する。
三相交流の場合、２相の電流値から残りの相の電流値を計算できる。従って、３本のうちの２本に対してコアと感磁素子を配置すればよい。コアと感磁素子を配置する第１通電路と第２通電路（段落００１０で説明した第１通電路と第２通電路）は、ｕ，ｖ相の２本であってもよく、ｖ，ｗ相の２本であってもよく、ｗ，ｕ相の２本であってもよい。
通電路がｕ，ｖ，ｗの順に配置されている場合、ｕ相が第１通電路でｗ相が第２通電路の場合には、第１通電路と第２通電路の間に電流値を計測しない通電路（ｖ相用）が介在することになる。第１通電路と第２通電路の間にｖ相用の中間通電路が配置されている構成することが特に好ましい。この場合、第１通電路には、中間通電路と第２通電路から遠い側に感磁素子が配置され、第２通電路には、中間通電路と第１通電路から遠い側に感磁素子が配置される。隣接する通電路から漏れ出る磁束を誤計測しにくくなる。
なお、段落００１０で説明した構成は、６本の通電路を有する場合のみならず、４本の通電路を備えている場合にも適用することができる。
【００１３】
共通基板の表面側に表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路が配置され、共通基板の裏面側に裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路が配置されており、第１の三相交流が表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路を流れ、第２の三相交流が裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路を流れる場合、「表面側第１通電路と表面側第２通電路と表面側第３通電路」と「裏面側第１通電路と裏面側第２通電路と裏面側第３通電路」の対称軸上に共通基板を配置し、各通電路のための感磁素子が、基板と平行に延びる中央線で各コアを分割したときの基板側の領域に配置されていることが好ましい。
上記構成を採用すれば、共通基板を利用することができ、表面側コアから裏面側コアまでの距離を短くすることができる。上記の構成は、共通基板に平行方向における感磁素子の配置関係とは別に、それ自体で技術的有用性を備えている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施例の電流計測装置を参考例と対比して示す図。
【図２】第２実施例の電流計測装置を参考例と対比して示す図。
【図３】第３実施例の電流計測装置を示す図。
【図４】第４実施例の電流計測装置を示す図。
【図５】従来の電流計測装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
（特徴１）通電路は帯形状をしており、バスバーと称される。
（特徴２）通電路は帯形状をしており、その偏平面が基板と平行である。
（特徴３）通電路は帯形状をしており、それを一巡するコアは、間隙を除外すると略矩形である。
（特徴４）通電路は帯形状をしており、コアは略矩形であり、４つの頂点のうちの１つの頂点の位置に間隙が形成されている。
（特徴５）コアはバスバーを一巡するものであればよく、矩形、円形、長円形のいずれであってもよい。
（特徴６）感磁素子は、通電路の長手方向から観察したとき、長辺と短辺を備えている。感磁素子は、短辺に沿った方向の磁束密度の大きさに依拠する大きさの電気信号（磁束密度に依存して変化する電気信号といってもよい）を端子に出力する。長辺に沿った方向の磁束密度は、出力に影響しない。
（特徴７）感磁素子は、コアの間隙を画定するコア端面に対して、長辺が平行し、短辺が直交する姿勢に置かれる。
（特徴８）感磁素子の端子は、感磁素子から長辺に沿った方向に伸びており、途中で折れ曲がり、基板に垂直な方向から基板に接近する。
（特徴９）共通基板の表面側にｕ，ｖ，ｗ相用の３本の通電路が配置され、共通基板の裏面側にｕ，ｖ，ｗ相用の３本の通電路が配置されている。
（特徴１０）特徴９に加えて、ｕ，ｖ相に感磁素子が配置されており、ｕ相用の感磁素子はｖ相から遠い側に配置され、ｖ相用の感磁素子はｕ相から遠い側に配置されている。
（特徴１１）特徴９に加えて、ｖ，ｗ相に感磁素子が配置されており、ｖ相用の感磁素子はｗ相から遠い側に配置され、ｗ相用の感磁素子はｖ相から遠い側に配置されている。
（特徴１２）特徴９に加えて、ｗ，ｕ相に感磁素子が配置されており、ｗ相用の感磁素子はｕ相，ｖ相から遠い側に配置され、ｕ相用の感磁素子はｗ相、ｖ相から遠い側に配置されている。
【実施例】
【００１６】
（第１実施例）
図１は、１本の通電路に本技術を適用した場合を示している。図１は、通電路１の長手方向から観察した状態を示している。通電路１は、紙面に垂直方向に延びている。
図示の３はコアであり、通電路１の長手方向に垂直な面内を延びている。コア３には、間隙Ｇが形成されている。間隙Ｇを除外すると、コア３は、通電路１の長手方向に垂直な面内で通電路１を一巡している。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示す実施例と対比するための参考例である。（Ａ）では、間隙Ｇを画定するコア３の端面３１，３２が、後記する基板７に対して垂直な線Ａに沿って延びている。それに対して（Ｂ）では、間隙Ｇを確定するコア３の端面３１，３２が、基板７に対して傾斜している線Ｂ１に沿って延びている。
【００１７】
間隙Ｇ内に、感磁素子５が配置されている。感磁素子５は、通電路１の長手方向に垂直な面内において、短辺と長辺を備えている。感磁素子５は、短辺に沿った方向（図示のＣ軸方向）の磁束密度の大きさを計測するものである。感磁素子５は、長辺に沿った方向（図示のＤ軸方向）の磁束密度には影響されないで、Ｃ軸方向の磁束密度の大きさを計測する。Ｃ軸方向が感磁方向であり、Ｄ軸方向は不感磁方向である。
感磁素子５は、間隙Ｇを画定するコア３の端面３１，３２に対して、Ｃ軸が直交する姿勢におかれている。感磁素子５からは、長辺に沿った方向（Ｄ軸方向）に端子が伸びている。端子は少なくとも２本存在し、２本の端子間に、感磁素子５の存在位置においてＣ軸方向に延びている磁束密度の大きさに依拠する大きさの電気信号（Ｃ軸方向の磁束密度に依存して変化する電気信号）を出力する。
【００１８】
感磁素子５の端子は基板７に固定されている。すなわち、基板７に対する感磁素子５の位置と姿勢は、端子によって固定されている。（Ａ）では、端子が線Ａに沿って真っ直ぐに延びている。（Ｂ）では、感磁素子５から伸びている端子が途中で折り曲げられ、基板７の垂直方向から基板７に接近している。
【００１９】
通電路１に対してコア３と基板７を位置決めすると、感磁素子５が間隙Ｇ内に位置決めされる。また、間隙Ｇを画定する一対のコア端面３１，３２に直交する方向と、感磁素子５で計測できる磁束密度の方向（Ｃ軸方向であり、感磁方向である）が平行に延びる姿勢に位置決めされる。（Ａ）ではＣ軸が基板７と平行な姿勢に位置決めされ、（Ｂ）ではＣ軸が基板７に傾斜する姿勢に位置決めされる。その結果、（Ａ）ではＤ軸が基板７に垂直な姿勢に位置決めされ、（Ｂ）ではＤ軸が基板７に傾斜する姿勢に位置決めされる。
基板７は、偏平であり、感磁素子５の端子を固定している。基板７には、端子に接続される配線等が形成されている。基板７は、通電路１の長手方向と平行に延びている。
【００２０】
図１（Ａ）の距離ＬＡと図１（Ｂ）の距離ＬＢは、コア３の上端から基板７の上面までの距離である。（Ａ）では、感磁素子５の長辺が基板に垂直であるのに対し、（Ｂ）では、感磁素子５の長辺が基板に傾斜しているために、ＬＡ＞ＬＢである。
また、（Ａ）では、間隙Ｇが通電路1から基板７に下ろした垂線Ａ上にあるのに対し、（Ｂ）では、間隙Ｇが前記の垂線から離れた位置にある。（Ａ）と（Ｂ）を比較する明らかに、前記垂線Ａ上では、コア３が基板７に最も接近するのに対し、前記垂線から離れた位置ではコア３が基板7から離反する。すなわち、（Ｂ）における間隙Ｇの位置は（Ａ）における間隙Ｇの位置よりも、基板から遠い位置にある。そのことも、ＬＡ＞ＬＢの関係に寄与する。
（Ｂ）の実施例によると、（Ａ）の参考例に比して、基板からコアの先端（基板から最も離れた点）までの距離が短くなる。電流計測装置が小型化される。
【００２１】
（第２実施例）
以下の説明では、説明済みの部材と同一ないし対応する部材には、同一の参照番号を与え、重複説明を省略する。
図２では、一対の通電路１，２に対して共通の基板７を利用する。共通基板７の表面側には、表面側通電路１と表面側コア３と表面側感磁素子５が配置されている。共通基板７の裏面側には、裏面側通電路２と裏面側コア４と裏面側感磁素子６が配置されている。共通基板７は、表面側通電路１と裏面側通電路２の対称軸Ｋ上に配置されている。
共通基板７に対する表面側通電路１と表面側コア３と表面側感磁素子５の位置関係は、第１実施例に共通である。同様に、共通基板７に対する裏面側通電路２と裏面側コア４と裏面側感磁素子６の位置関係は、第１実施例に共通である。重複説明を省略する。
【００２２】
図２の（Ｂ）に示す第２実施例によると、共通基板の表面側でも裏面側でも、基板からコアの先端面までの距離が短縮化される。その結果、表面側コア３の先端から裏面側コア４の先端までの距離が、参考例に比してΔＬだけ短くなる。第１実施例と比較すると、本技術の効果を２倍享受することができる。
【００２３】
１対の通電路１，２の対称軸Ｋ上に共通基板７を配置し、感磁素子５，６の感磁方向が共通基板７に対して傾斜する姿勢で感磁素子５，６を配置すると、漏れ磁束によって通電電流の計測結果に誤差が混入することを防止できる。
【００２４】
図２（Ｂ）の矢印Ｅ１は、通電路１の通電電流によって誘起されてコア３の間隙Ｇを通過する磁束を示し、その強度が通電路１の電流値に比例する。感磁素子５は磁束Ｅ１の強度を計測する必要がある。矢印Ｆ２は、通電路２の通電電流によって感磁素子５の存在位置に誘起される磁束を示している。通電路２は、コア４によって取り囲まれており、コア４の外部に誘起される磁束は小さいものの、ゼロではない。感磁素子５が１対の通電路１，２の対称軸Ｋに対して傾斜する姿勢で配置されていると、磁束Ｆ２の方向は感磁素子５の長辺に沿った方向（Ｄ軸方向の不感磁方向）となる。感磁素子５は、Ｄ軸方向の磁束密度は計測しない。感磁素子５の計測結果に、通電路２の電流値が影響することがない。
【００２５】
同様に、矢印Ｅ２は、通電路１の通電電流によって感磁素子６の存在位置に誘起される漏れ磁束を示している。感磁素子６は、１対の通電路１，２の対称軸Ｋに対して傾斜する姿勢で配置されているために、磁束Ｅ２の方向は、感磁素子６で磁束密度を計測しない方向となる。感磁素子６は、通電路１からの漏れ磁束を計測しない。感磁素子６の計測結果に、通電路１の電流値が影響することはない。
【００２６】
図２（Ａ）の比較例では、感磁素子５が通電路１による磁束Ｅ１に加えて通電路２による磁束Ｆ２まで計測してしまう。また、感磁素子６が通電路２による磁束Ｆ１に加えて通電路１による磁束Ｅ２まで計測してしまう。
【００２７】
感磁素子５、６の感磁方向と不感磁方向が、１対の通電路１，２の対称軸Ｋに対して略４５°の角度で傾斜していると、感磁素子５、６で計測する必要がある磁束と、感磁素子５、６で計測すると誤差になる磁束が略直交する関係を得ることができ、感磁素子５、６で前者を計測して後者を計測しない結果を得ることができる。
【００２８】
（第３実施例）
図３に示すように、第３実施例では、共通基板７の表面側に、表面側第１通電路１ｕ、表面側第２通電路１ｗが配置されている。さらに、表面側第３通電路１ｖも配置されている。また、共通基板７の裏面側に、裏面側第１通電路２ｕ、裏面側第２通電路２ｗが配置されている。さらに、表面側第３通電路２ｖも配置されている。添え字ｕ，ｖ，ｗは、三相交流の相を示している。表面側の通電路１ｕ，１ｖ，１ｗには、第１の回転電機のための三相交流が通電され、裏面側の通電路２ｕ，２ｖ，２ｗには、第２の回転電機のための三相交流が通電される。
通電路１ｕ，１ｖ，１ｗ，２ｕ，２ｖ，２ｗの各々は、帯状のバスバーであり、その偏平面が共通基板７と平行に延びている。
【００２９】
三相交流の場合、２相の電流値から残りの相の電流値を計算できる。本実施例では、ｕ相とｗ相の電流値を計測し、ｖ相の電流値はｕ相とｗ相の計測値から計算する。
通電路１ｕ，１ｗ，２ｕ，２ｗの周囲には、コア３ｕ，３ｗ，４ｕ，４ｗが配置されている。コア３ｕ，３ｗ，４ｕ，４ｗの各々には、間隙が形成されている。
コア３ｕを基板７と平行に延びる中央線Ｊで２分した場合、コア３ｕの間隙は基板７側の領域に設けられている。同様に、コア３ｗを基板７と平行に延びる中央線Ｊで２分した場合、コア３ｗの間隙は基板７側の領域に設けられており、コア４ｕを基板７と平行に延びる中央線Ｊで２分した場合、コア４ｕの間隙は基板７側の領域に設けられており、コア４ｗを基板７と平行に延びる中央線Ｊで２分した場合、コア４ｗの間隙は基板７側の領域に設けられている。基板７側に設けられている間隙内に感磁素子５ｕ，５ｗ，６ｕ，６ｗを配置するために、感磁素子５ｕ，５ｗ，６ｕ，６ｗを一枚の基板に固定しておくことができる。共通基板７を用いることができる。
【００３０】
コア３ｕを基板７と垂直に延びる中央線Ｈで２分した場合、コア３ｕの間隙はｖ相の通電路１ｖとｗ相の通電路１ｗから遠い外側の領域に設けられている。同様に、コア３ｗを基板７と垂直に延びる中央線Ｈで２分した場合、コア３ｗの間隙はｖ相の通電路１ｖとｕ相の通電路１ｕから遠い外側領域に設けられており、コア４ｕを基板７と垂直に延びる中央線Ｈで２分した場合、コア４ｕの間隙はｖ相の通電路２ｖとｗ相の通電路２ｗから遠い外側の領域に設けられており、コア４ｗを基板７と垂直に延びる中央線Ｈで２分した場合、コア４ｗの間隙はｖ相の通電路２ｖとｗ相の通電路２ｗから遠い外側領域に設けられている。参照番号７２，７６はコネクタであり、７４はリード線である。
【００３１】
感磁素子５ｕが外側の領域に設けられているために、感磁素子５ｕの存在位置に達する通電路１ｖと１ｗから漏れ出る磁束は非常に小さい。感磁素子５ｕは、通電路１ｖを流れるｖ相の電流値と通電路１ｗを流れるｗ相の電流値の影響を受けにくい。同様に、感磁素子５ｗは、通電路１ｖを流れるｖ相の電流値と通電路１ｕを流れるｕ相の電流値の影響を受けにくく、感磁素子６ｕは、通電路２ｖを流れるｖ相の電流値と通電路２ｗを流れるｗ相の電流値の影響を受けにくく、感磁素子６ｗは、通電路２ｖを流れるｖ相の電流値と通電路２ｕを流れるｕ相の電流値の影響を受けにくい。
【００３２】
図３では、ｕ相とｗ相の電流計測用感磁素子を、基板側で外側の領域に配置している。計測する通電電流の相は、ｕ，ｗ相に限られない。ｕ，ｖ相の電流を計測してもよいし、ｖ，ｗ相の電流を計測してもよい。この場合も、感磁素子を基板側の領域に配置すれば、表面側通電路と裏面側通電路に対して共通基板を利用できる。感磁素子を外側の領域に配置すれば、他の通電路からの漏れ磁束の影響を受けにくい。
図３の実施例では、６本の通電路を備えているが、4本の通電路が配置されている場合にも、第３実施例を適用することができる。
【００３３】
（第４実施例）
第４実施例では、図４に示すように、第３実施例と同様に、共通基板７の表面側に、第１の回転電機のための三相交流が流れる通電路１ｕ，１ｖ，１ｗが配置され、裏面側に、第２の回転電機のための三相交流が流れる通電路２ｕ，２ｖ，２ｗが配置されている。
第４実施例では、６本の通電路のそれぞれの電流値を計測する。図４に示すように、全部の通電路において、通電路を一巡するコアに形成されている間隙は共通基板７側に形成されており、従って感磁素子も基板側に配置されている。そのために表面側通電路と裏面側通電路に共通基板が利用できる。
【００３４】
また、共通基板７に対して感磁素子の長辺方向（Ｄ軸方向）が傾斜している姿勢に配置されている。そのために、図２（Ａ）と（Ｂ）を対比した場合と同様に、表面側コアの先端から裏面側コアの先端までの距離Ｌ４が短縮化されている。共通基板７と平行な方向における感磁素子の配置位置は、本明細書でいう「外側」ではないが、距離Ｌ４を短縮化することができるという利点を享受している。
【００３５】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００３６】
１，２：通電路（実施例ではバスバー）
３，４：コア
Ｇ：間隙
３１，３２：間隙Ｇの両サイドを画定するコアの端面
５，６：感磁素子
７：基板
Ａ：基板に垂直な線
Ｂ１：基板に傾斜した線
Ｃ軸：感磁素子の短辺（感磁素子が磁束密度を計測する方向）
Ｄ軸：感磁素子の長辺（感磁素子が磁束密度を計測しない方向）
Ｅ１：感磁素子５で計測する通電路１による磁束
Ｅ２：感磁素子６で計測しない通電路１による磁束
Ｆ１：感磁素子６で計測する通電路２による磁束
Ｆ２：感磁素子５で計測しない通電路２による磁束
Ｈ：基板に垂直な中央線
Ｊ：基板に平行な中央線
Ｋ：表面側通電路と裏面側通電路の対称軸
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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