(57)【要約】【課題】Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、内部の比抵抗が低下することもなく、十分な絶縁性能を確保することができるようにする。【解決手段】少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＺｎを含有し、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％であり、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎ２Ｏ３の含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（３０,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（３０，７．５）で囲まれる領域にあり、かつ、少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍを含むガラス成分が、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上（好ましくは５重量部以下）含有されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＺｎを含有したフェライト磁器組成物であって、
Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、
ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（３０,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（３０，７．５）で囲まれる領域にあり、
かつ、少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍを含むガラス成分が、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上含有されていることを特徴とするフェライト磁器組成物。
【請求項２】
前記ガラス成分の含有量は、前記総計１００重量部に対し５重量部以下であることを特徴とする請求項１記載のフェライト磁器組成物。
【請求項３】
前記ガラス成分に含有されるＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍの各含有量は、それぞれＳｉＯ２換算で２０〜５５重量％、Ｂ２Ｏ３換算で１０〜２０重量％、ＭＯ換算で２５〜６０重量％であることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のフェライト磁器組成物。
【請求項４】
前記アルカリ土類金属は、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、及びＭｇの中から選択された少なくとも一種を含んでいることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフェライト磁器組成物。
【請求項５】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のフェライト磁器組成物。
【請求項６】
前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のフェライト磁器組成物。
【請求項７】
部品素体にコイル導体が埋設されたセラミック電子部品であって、
前記コイル導体が、Ｃｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、
前記部品素体が、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項８】
前記コイル導体が、第１のコイル導体と第２のコイル導体とを有すると共に、
前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが一定の離間距離を有して対向状となるように前記部品素体に埋設されていることを特徴とする請求項７記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記コイル導体と前記部品素体は同時焼成されてなることを特徴とする請求項７又は請求項８記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなることを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれかに記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はフェライト磁器組成物、及びセラミック電子部品に関し、より詳しくは、Ｃｕを主成分とした導電性材料との同時焼成が可能なフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用したコモンモードチョークコイル等のセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、各種電子機器の信号ラインや電源ラインとＧＮＤ（グランド）間で発生するコモンモードのノイズ除去にはコモンモードチョークコイルが広く使用されている。
【０００３】
このコモンモードチョークコイルでは、ノイズ成分はコモンモードで伝送され、信号成分はノーマルモードで伝送されることから、これらの伝送モードの相違を利用し、信号とノイズに分離してノイズ除去を行っている。
【０００４】
一方、Ｎｉ−Ｚｎ等のスピネル型結晶構造を有するフェライト系磁器を使用したセラミック電子部品も広く使用されており、従来より、フェライト材料の開発も盛んに行なわれている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、前記磁性体部は、３価のＦｅと少なくとも２価のＮｉを含む２価元素とを含有すると共に、前記Ｆｅの含有量が、Ｆｅ２Ｏ３に換算し、モル比で２０〜４８％であり、かつ、前記Ｆｅ及びＭｎの総計に対するＭｎの比率が、Ｍｎ２Ｏ３及びＦｅ２Ｏ３にそれぞれ換算し、モル比で５０％未満（０％を含む。）となるように、前記磁性体部は前記Ｍｎを含有したセラミック電子部品が提案されている。
【０００６】
特許文献１では、Ｃｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、比抵抗ρを向上させることができ、コイル導体が積層方向に券回された積層コイル部品では、１０５以上の比抵抗ρを有する絶縁性能を確保することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開２０１１／１０８７０１号（請求項１、段落番号〔００３７〕、〔００７７〕〜〔００８４〕等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では、Ｃｕを含有した導電性ペーストを磁性体シートに塗布してコイルパターン及びビア導体を形成し、次いで、前記コイルパターン及びビア導体の形成された複数の磁性体シートを積層し、脱脂処理を行った後、焼成処理を行って内部導体の埋設された部品素体を作製している。
【０００９】
上記脱脂処理は、磁性体シートや導電性ペーストに含有される有機バインダを消失・除去するために行われるが、斯かる脱脂処理はコイル導体となるＣｕが酸化されないように、酸素濃度をＣｕ−Ｃｕ２Ｏ平衡酸素分圧以下に雰囲気調整して行う必要がある。
【００１０】
ところが、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏ平衡酸素分圧以下の雰囲気で脱脂処理を行った場合、有機バインダを完全には除去し難い。すなわち、上述した脱脂処理では、磁性体表面及び表面近傍の有機バインダは除去できるものの、磁性体の内部に存在する有機バインダを完全に除去するのは困難であり、有機バインダ中の炭素成分が残存するおそれがある。そして、このように磁性体内部に炭素成分が残存した状態で焼成処理を行うと、磁性体内部の比抵抗ρが磁性体の表面や表面近傍に比べて低下するおそれがある。
【００１１】
この場合、特許文献１で例示された積層コイル部品のように積層方向にコイル導体が埋設されている場合は、磁性体の表面や表面近傍の比抵抗ρは十分に高いので、外部電極の表面に電解めっきを施す際に、Ｎｉ皮膜やＳｎ皮膜等のめっき皮膜が磁性体表面に付着することもない。
【００１２】
しかしながら、コモンモードチョークコイル等の電極間で電位差が生じるコイル部品の場合、磁性体の表面や表面近傍に比べて磁性体内部の比抵抗ρが低下すると、十分に絶縁性能を確保することができなくなり、信頼性低下を招くおそれがある。
【００１３】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、内部の比抵抗が低下することもなく、十分な絶縁性能を確保することができるフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用した高信頼性を有するコモンモードチョークコイル等のセラミック電子部品を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ（ＸはＦｅ、Ｍｎ、ＭｅはＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ）で表わされるスピネル型結晶構造のフェライト材料について鋭意研究を行ったところ、ＣｕＯの含有モル量を５ｍｏｌ％以下とした上で、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との配合量を特定範囲とし、さらにＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属を含有したガラス成分を所定量含有することにより、Ｃｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、表面や表面近傍のみならず内部での比抵抗ρも十分に高く、所望の良好な絶縁性を有するフェライト磁器組成物を得ることができるという知見を得た。
【００１５】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器組成物は、少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、及びＺｎを主成分として含有したフェライト磁器組成物であって、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（３０,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（３０，７．５）で囲まれる領域にあり、かつ少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属を含有したガラス成分が、Ｓｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍを含むガラス成分が、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上含有されていることを特徴としている。
【００１６】
これによりＣｕが酸化されたり、Ｆｅ２Ｏ３が還元されるのを抑制でき、しかも結晶粒界にガラス相を形成することができることから、フェライト磁器組成物の表面や表面近傍のみならず、内部の比抵抗ρを高く維持することができ、所望の絶縁性能を確保することができる。
【００１７】
また、本発明のフェライト磁器組成物は、前記ガラス成分の含有量が、前記総計１００重量部に対し５重量部以下であるのが好ましい。
【００１８】
これにより所望の良好な透磁率を確保することが可能となる。
【００１９】
また、本発明のフェライト磁器組成物は、前記ガラス成分に含有されるＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍの含有量が、それぞれＳｉＯ２換算で２０〜５５重量％、Ｂ２Ｏ３換算で１０〜２０重量％、ＭＯ換算で２５〜６０重量％であるのが好ましい。
【００２０】
これにより比抵抗ρの向上に寄与するガラス相を結晶粒界に十分に形成することができる。
【００２１】
また、本発明のフェライト磁器組成物は、前記アルカリ土類金属が、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、及びＭｇの中から選択された少なくとも一種を含んでいるのが好ましい。
【００２２】
また、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して３３ｍｏｌ％以下であるのが好ましい。
【００２３】
これにより、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作保証がなされたセラミック電子部品を得ることができる。
【００２４】
さらに、本発明のフェライト磁器組成物は、前記Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して６ｍｏｌ％以上であるのが好ましい。
【００２５】
これにより良好な透磁率を確保することが可能となる。
【００２６】
また、本発明に係るセラミック電子部品は、コイル導体が部品素体に埋設されたセラミック電子部品であって、前記コイル導体が、Ｃｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記部品素体が、上述したいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。
【００２７】
これにより、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有すると共に、絶縁性能が良好な高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００２８】
さらに、本発明のセラミック電子部品は、前記コイル導体が、第１のコイル導体と第２のコイル導体とを有すると共に、前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが一定の離間距離を有して対向状となるように前記部品素体に埋設されているのが好ましい。
【００２９】
これにより、電極間に電位差が生じるようなコモンモードチョークコイル等の場合であっても、内部の比抵抗ρが低下するのを抑制できることから十分な絶縁性能を確保することができる。
【００３０】
また、本発明のセラミック電子部品は、前記コイル導体と前記部品素体は同時焼成されてなるのが好ましい。
【００３１】
これにより、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性や磁気特性を有し、絶縁性能が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることが可能となる。
【００３２】
また、本発明のセラミック電子部品は、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるのが好ましい。
【００３３】
これにより、コイル導体にＣｕを主成分とする導電性材料を使用して部品素体となるべきフェライト磁器組成物と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されることなく、焼結させることができ、絶縁性能が良好な高信頼性を有するコモンモードチョークコイル等のセラミック電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００３４】
上記フェライト磁器組成物によれば、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（３０,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（３０，７．５）で囲まれる領域にあり、かつ、少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍを含有したガラス成分が、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上含有されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成してもＣｕが酸化されたり、Ｆｅ２Ｏ３が還元されるのを抑制でき、しかも結晶粒界にガラス相を形成することができることから、フェライト磁器組成物の表面や表面近傍のみならず、内部の比抵抗ρを高く維持することができ、所望の絶縁性能を確保することができる。
【００３５】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性能を確実に得ることができる。
【００３６】
また、本発明のセラミック電子部品によれば、コイル導体が部品素体に埋設されたセラミック電子部品であって、前記コイル導体が、Ｃｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、前記部品素体が、上述したいずれかに記載のフェライト磁器組成物で形成されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても部品素体の内部まで良好な比抵抗を確保できる。したがって、電極間に電位差が生じるようなコモンモードチョーク等のセラミック電子部品であっても、良好な絶縁性能を有し、高信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係るフェライト磁器組成物のＦｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３の組成範囲を示す図である。
【図２】本発明に係るセラミック電子部品としてのコモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す斜視図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面図である
【図４】図２の部品素体の分解斜視図である。
【図５】実施例１で作製された比抵抗測定用試料の断面図である。
【図６】上記比抵抗測定用試料の要部を示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３９】
本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器組成物は、一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯで表わされるスピネル型結晶構造を有し、少なくとも３価の元素化合物であるＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及び２価の元素化合物であるＺｎＯ、ＮｉＯを含み、必要に応じて２価の元素化合物であるＣｕＯを含有し、かつ少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属を含むガラス成分を含有している。
【００４０】
具体的には、本フェライト磁器組成物は、ＣｕＯの含有モル量が０〜５ｍｏｌ％とされ、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量は、図１に示すように、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量をｘｍｏｌ％、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量をｙｍｏｌ％としたときに、（ｘ，ｙ）が点Ａ〜点Ｈで囲まれる斜線部Ｘの領域とされ、残部がＺｎＯ、ＮｉＯで形成されている。さらに、前記ガラス成分の含有量は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総量１００重量部に対し１重量部以上とされている。
【００４１】
ここで、点Ａ〜点Ｈの各点（ｘ，ｙ）は、以下の各含有モル量を示している。
【００４２】
Ａ（３０,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４５，７．５）、Ｅ（４５，１０）、Ｆ（３５，１０）、Ｇ（３５，７．５）、及びＨ（３０，７．５）
次に、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３の各含有モル量を、上述の範囲にした理由について詳述する。
【００４３】
（１）ＣｕＯの含有モル量
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトでは、融点が１０２６℃と低いＣｕＯをフェライト磁器組成物中に含有させることにより、より低温での焼成が可能となり、焼結性を向上させることができる。
【００４４】
一方、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。
【００４５】
しかしながら、このような還元性雰囲気で焼成した場合、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％を超えると、フェライト原料中のＣｕＯが還元されてＣｕ２Ｏの生成量が増加し、このため比抵抗ρの低下を招くおそれがある。
【００４６】
そこで、本実施の形態では、ＣｕＯの含有モル量が５ｍｏｌ％以下、すなわち０〜５ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。
【００４７】
（２）Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の各含有モル量
Ｆｅ２Ｏ３を化学量論組成から減量させ、Ｆｅの一部をＭｎで置換する形態でＭｎ２Ｏ３を含有させることにより、比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性の向上を図ることができる。
【００４８】
すなわち、スピネル型結晶構造（一般式Ｘ２Ｏ３・ＭｅＯ）の場合、化学量論組成では、Ｘ２Ｏ３（Ｘ：Ｆｅ、Ｍｎ）とＭｅＯ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ）との比率は５０：５０であり、Ｘ２Ｏ３とＭｅＯとは、通常、概ね化学量論組成となるように配合される。
【００４９】
そして、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。一方、フェライト材料の主成分であるＦｅ２Ｏ３を還元性雰囲気で焼成するとＦｅ３Ｏ４を生成することから、Ｆｅ２Ｏ３に対しては酸化性雰囲気で焼成する必要がある。
【００５０】
しかしながら、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ３Ｏ４−Ｆｅ２Ｏ３の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の温度で焼成する場合、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことが知られている。
【００５１】
すなわち、８００℃以上の温度では、Ｆｅ２Ｏ３の状態を維持するような酸化性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合、Ｃｕも酸化されてＣｕ２Ｏを生成する。一方、Ｃｕ金属の状態を維持するような還元性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合は、Ｆｅ２Ｏ３が還元されてＦｅ３Ｏ４を生成する。
【００５２】
このようにＣｕとＦｅ２Ｏ３とが共存する領域が存在しないことから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成すると、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されるため比抵抗ρが低下し、このため電気特性の劣化を招くおそれがある。
【００５３】
しかるに、Ｍｎ２Ｏ３は、８００℃以上の温度領域ではＦｅ２Ｏ３に比べ、より高い酸素分圧で還元性雰囲気となる。したがって、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の酸素分圧では、Ｍｎ２Ｏ３はＦｅ２Ｏ３に比べ強還元性雰囲気となり、このためＭｎ２Ｏ３が優先的に還元されて焼結を完了させることが可能となる。つまり、Ｍｎ２Ｏ３がＦｅ２Ｏ３に比べて優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元される前に焼成処理を完了させることが可能となる。
【００５４】
このようにＦｅ２Ｏ３の含有モル量を化学量論組成から減量させる一方で、同じ３価の元素化合物であるＭｎ２Ｏ３をフェライト磁器組成物中に含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下でＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、Ｍｎ２Ｏ３が優先的に還元されることから、Ｆｅ２Ｏ３が還元される前に焼結を完了させることが可能となり、Ｃｕ金属とＦｅ２Ｏ３とをより効果的に共存させることができる。そしてこれにより比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性を向上させることができる。
【００５５】
ただし、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が３０ｍｏｌ％未満になると、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなって却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００５６】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１ｍｏｌ％未満になると、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が過度に少なくなるため、Ｆｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５７】
また、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が４７ｍｏｌ％を超える場合も、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が過剰となってＦｅ２Ｏ３がＦｅ３Ｏ４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。
【００５８】
また、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が１０ｍｏｌ％を超えた場合も、十分に大きな比抵抗ρを得ることができず、絶縁性を確保できない。
【００５９】
さらに、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量が３０ｍｏｌ％以上であっても３５ｍｏｌ％未満の場合、及びＦｅ２Ｏ３の含有モル量が４５ｍｏｌ％以上であっても４７ｍｏｌ％未満の場合は、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量が７．５ｍｏｌ％を超えると、却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。
【００６０】
そこで、本実施の形態では、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の含有モル量は、図１の点Ａ〜点Ｈに囲まれた領域となるように各含有モル量を調整している。
【００６１】
さらに、本フェライト磁器組成物は、少なくともＳｉ、Ｂ、及びＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、及びＭｇに代表されるアルカリ土類金属を含むガラス成分を含有している。
【００６２】
すなわち、前記ガラス成分をフェライト磁器組成物中に含有することにより、焼成処理で結晶粒界にガラス相を形成することができ、これにより部品素体の表面又は表面近傍のみならず、部品素体内部の比抵抗ρも高く維持することができる。そしてその結果、電極間で電位差が生じるコモンモードチョークコイル等のセラミック電子部品に使用しても、絶縁性能が良好な高信頼性を有するフェライト磁器組成物を得ることができる。
【００６３】
ただし、ガラス成分の含有量は、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上含有させる必要がある。ガラス成分の含有量が、前記総計１００重量部に対し１重量部未満の場合は、結晶粒界に十分なガラス相を形成することができず、所望の高い比抵抗ρを得ることができない。
【００６４】
尚、ガラス成分の含有量の上限は、特に限定されるものではないが、透磁率を十分に確保する観点からは、前記総計１００重量部に対し５重量部以下が好ましい。
【００６５】
また、フェライト磁器組成物中のＺｎＯ及びＮｉＯの各含有モル量は、特に限定されるものではなく、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、及びＣｕＯの各含有モル量に応じて適宜設定することができるが、ＺｎＯ：６〜３３ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部となるように配合するのが好ましい。
【００６６】
すなわち、ＺｎＯの含有モル量が３３ｍｏｌ％を超えると、キュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証がなされない可能性があることから、ＺｎＯの含有量は３３ｍｏｌ％以下が好ましい。
【００６７】
一方、ＺｎＯは透磁率μの向上に寄与する効果があるが、斯かる効果を発揮するためにはＺｎＯの含有モル量は６ｍｏｌ％が必要である。
【００６８】
したがって、ＺｎＯの含有モル量は６〜３３ｍｏｌ％が好ましい。
【００６９】
このように本フェライト磁器組成物は、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０〜５ｍｏｌ％であり、ＦｅをＦｅ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ２Ｏ３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈに囲まれる特定の範囲にあり、かつ、少なくともＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍを含有したガラス成分が、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上含有されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成してもＣｕが酸化されたり、Ｆｅ２Ｏ３が還元されるのを抑制でき、しかも結晶粒界にガラス相を形成することができることから、フェライト磁器組成物の表面や表面近傍のみならず、内部の比抵抗ρを高く維持することができ、所望の絶縁性能を確保することができる。
【００７０】
具体的には、比抵抗ρは１０７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性能を確実に得ることができる。
【００７１】
また、前記ガラス成分の含有量を、前記総計１００重量部に対し５重量部以下とすることにより、所望の良好な透磁率を確保することが可能となる。
【００７２】
また、ＺｎＯの含有モル量を６〜３３ｍｏｌ％とすることにより、良好な透磁率を有すると共に、十分なキュリー点を確保することができ、使用時の温度が高い条件下での動作が保証されたセラミック電子部品を得ることができる。
【００７３】
尚、前記ガラス成分に含有されるＳｉ、Ｂ、及びアルカリ土類金属Ｍの各含有量は特に限定されないが、好ましくは、それぞれＳｉＯ２換算で２０〜５５重量％、Ｂ２Ｏ３換算で１０〜２０重量％、ＭＯ換算で２５〜６０重量％であり、これにより比抵抗ρの向上に寄与するガラス相を結晶粒界に十分に形成することができる。
【００７４】
次に、上記フェライト磁器組成物を使用したセラミック電子部品について詳述する。
【００７５】
図２は本発明に係るセラミック電子部品としてのコモンモードチョークコイルの一実施の形態を示す斜視図であり、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。
【００７６】
このコモンモードチョークコイルは、部品素体１の両端面に第１〜第４の外部電極２ａ〜２ｄが形成されている。
【００７７】
すなわち、部品素体１は、第１の内部導体３ａ及び第２の内部導体３ｂを有する第１のコイル導体３と、第３の内部導体４ａ及び第２の内部導体４ｂを有する第２のコイル導体４とを備え、これら第１のコイル導体３及び第２のコイル導体４は、互いに一定の離間距離を有して対向状となるように前記部品素体１に埋設されている。
【００７８】
具体的には第１のコイル導体３において、第１の内部導体３ａは、一端が外部電極２ａに電気的に接続され、コイル状に巻回されると共に、他端はビア導体１０を介して第２の内部導体３ｂの一端に接続されている。第２の内部導体３ｂは適宜屈曲され、他端は外部電極２ｂに電気的に接続されている。
【００７９】
また、第２のコイル導体４において、第３の内部導体４ａは、一端が外部電極２ｃに電気的に接続され、コイル状に巻回されると共に、他端はビア導体１１を介して第４の内部導体４ｂの一端に接続されている。第４の内部導体４ｂは適宜屈曲され、他端は外部電極２ｄに電気的に接続されている。
【００８０】
そして、本実施の形態では、第１及び第２のコイル導体３、４がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、部品素体１が上述した本発明のフェライト磁器組成物で形成されている。これによりＣｕが酸化されたりＦｅ２Ｏ３が還元されることもなく、しかも部品素体１内部で比抵抗ρが劣化することもなく、１０７Ω以上の比抵抗ρを有する絶縁性能が良好な高信頼性を有するコモンモードチョークコイルを得ることができる。
【００８１】
また、第１及び第２のコイル導体３、４にＣｕ系材料を使用しているので、Ａｇ系材料のようにマイグレーションが生じるのを極力回避することができ、絶縁抵抗の低下を招くこともなく高信頼性を有するコモンモードチョークコイルを得ることが可能となる。
【００８２】
図４は部品素体１の分解斜視図である。
【００８３】
以下、この図４を参照しながら上記コモンモードチョークコイルの製造方法を詳述する。
【００８４】
まず、セラミック素原料として、主成分であるＦｅ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＮｉＯ、及び必要に応じてＣｕＯを用意し、さらにＳｉ−Ｂ−Ｍ−Ｏ系ガラス成分（Ｍ：アルカリ土類金属）を用意する。そして、ＣｕＯが０〜５ｍｏｌ％であり、Ｆｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３が図1の点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域を満たし、かつ、ガラス成分の含有量が、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、及びＣｕをそれぞれＦｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＺｎＯ、及びＣｕＯに換算したときの総計１００重量部に対し１重量部以上（好ましくは、５重量部以下）となるように、各セラミック素原料及びガラス成分を秤量する。
【００８５】
次いで、これらの秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼する。
【００８６】
次いで、これらの仮焼粉末に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及びＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを作製する。
【００８７】
次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体セラミックグリーンシート（以下、単に「磁性体シート」という。）５ａ〜５ｊを作製する。
【００８８】
次いで、これらの磁性体シート５ａ〜５ｊのうち磁性体シート５ｄ及び磁性体シート５ｆについて、レーザ加工機を使用し、所定箇所にビアホール６ａ、６ｂを形成する。
【００８９】
次に、Ｃｕを主成分とする導電性ペースト（以下、「Ｃｕペースト」という。）を用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート５ｄ〜５ｇ上に所定の導体パターン７ａ〜７ｄ及び電極パターン８ａ〜８ｄを形成し、さらに、ビアホール６ａ、６ｂを前記Ｃｕペーストで充填する。
【００９０】
この後、これら磁性体シート５ｄ〜５ｇを順次積層し、上下両主面に外装用の磁性体シート５ａ〜５ｃ、５ｈ〜５ｊを配し、これらを加圧・圧着させ、所定寸法に切断して積層成形体を作製する。
【００９１】
次に、この積層成形体をＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給し、Ｃｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧をＣｕが酸化しないように調整し、５００〜７００℃で８〜１２時間程度、脱脂処理を行い、さらに９００〜１０５０℃で焼成処理を行ってもＣｕが酸化しないようにＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧を調整し、上述した９００〜１０５０℃で約２時間焼成し、これにより第１及び第２のコイル導体３、４が埋設された部品素体１を得る。
【００９２】
次に、部品素体１の端面に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、９００℃で焼き付けて第１〜第４の外部電極２ａ〜２ｄを形成し、これによりコモンモードチョークコイルが作製される。
【００９３】
このように本実施の形態では、第１のコイル導体３及び第２のコイル導体４がＣｕを主成分とする導電性材料で形成されると共に、部品素体１が、上述したフェライト磁器組成物で形成され、かつＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるので、Ｃｕ系材料と同時焼成してもＣｕが酸化されることなく、焼結させることができる。しかも、結晶粒界にはガラス相が形成されるので、部品素体１の内部での比抵抗ρが劣化することのない絶縁性能が良好で高信頼性を有するコモンモードチョークコイルを得ることが可能となる。
【００９４】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、仮焼粉末から磁性体シート５ａ〜５ｊを作製しているが、例えば、ＰＥＴフィルム上に印刷処理を行なって磁性塗膜を形成し、斯かる磁性塗膜上に導電膜であるコイルパターンを形成してもよい。
【００９５】
また、上記実施の形態では、第１及び第２のコイルパターン７ａ〜７ｄをスクリーン印刷で形成しているが、これらコイルパターンの作製方法も特に限定されるものではなく、他の方法、例えばめっき法、転写法、或いはスパッタ等の薄膜形成方法で形成してもよい。
【００９６】
また、上記実施の形態では、コモンモードチョークコイルのように電極間で電位差が生じるセラミック電子部品を例示して説明したが、本発明はＣｕを主成分とする導電性材料と同時焼成する用途に広範に使用することができ、他のセラミック電子部品、例えば積層方向にコイル導体を形成して該コイル導体を部品素体に埋設した各種コイル部品等にも適用可能であるのはいうまでもない。
【００９７】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００９８】
〔比抵抗測定用試料の作製〕
表１に示すようなガラス組成を有するガラス粉末Ａ〜Ｄを用意した。
【００９９】
【表１】
2014165307.tif 000003
【０１００】
次に、セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを用意し、Ｆｅ２Ｏ３：４４モル％、Ｍｎ２Ｏ３：５モル％、ＺｎＯ：２５モル％、ＣｕＯ：２モル％、及びＮｉＯ：２４モル％となるように、これらセラミック素原料を秤量した。
【０１０１】
次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、４８時間、湿式で混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で２時間仮焼し、仮焼粉末を得た。
【０１０２】
次に、この仮焼粉末１００重量部に対し、上記各ガラス粉末Ａ〜Ｄを０〜７．５重量部の範囲で添加し、次いで、ＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、純水を加えて２４時間湿式で混合粉砕し、さらにアクリル系バインダ（有機バインダ）を８重量％となるように加えて十分に混合し、セラミックスラリーを得た。
【０１０３】
次いで、ドクターブレード法を使用し、厚さが２５μｍとなるようにセラミックスラリーをシート状に成形し、これを縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに打ち抜き、図５に示すように、磁性体シート５１ａ〜５１ｆを作製した。
【０１０４】
次に、テルピネオール（有機溶剤）及びエチルセルロース樹脂（バインダ樹脂）を含有した有機ビヒクルにＣｕ粉末を混合し、三本ロールミルで混錬し、Ｃｕペーストを作製した。
【０１０５】
次いで、磁性体シート５１ａ〜５１ｆのうち２枚の磁性体シート５１ｃ、５１ｄについてＣｕペーストを使用してスクリーン印刷を行い、磁性体シート５１ｃ、５１ｄの表面に所定形状の導体パターン５２ａ、５２ｂを作製した。
【０１０６】
そして、導体パターン５２ａが形成された磁性体シート５１ｃと導体パターン５２ｂが形成された磁性体シート５１ｄとを重ね合わせ、さらにこれを導体パターンの形成されていない磁性体シート５１ａ、５１ｂ、５１ｅ、５１ｆで挟持し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、積層成形体を得た。
【０１０７】
次に、この積層成形体をＮ２−Ｈ２−Ｈ２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給し、Ｃｕが酸化しないように酸素分圧を調整し、６００℃の温度で１０時間脱脂処理を行った。具体的には、６００℃でのＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である２．８×１０-8Ｐａの１〜１／１００となるように焼成炉の酸素分圧を調整し、脱脂処理を行った。
【０１０８】
そしてその後、酸素分圧を６．７×１０-2Ｐａに調整し、１０００℃の温度で２時間焼成し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を得た。ここで、酸素分圧：６．７×１０-2Ｐａは、１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧であり、これによりＣｕが酸化しないようにＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧を調整して焼成処理を行った。
【０１０９】
次いで、このセラミック焼結体を純水と共にポットに投入し、遠心バレル機を用いてセラミック焼結体にバレル処理を施し、これにより内部電極を端面から露出させて部品素体を得た。
【０１１０】
次に、Ｃｕ粉末、ガラス粉末及び有機ビヒクルを含有した外部電極用導電性ペーストを用意した。
【０１１１】
そして、部品素体の両端に、前記外部電極用導電性ペーストを塗布し、乾燥させた後、酸素分圧を４．３×１０-3Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で１０分間、焼き付け処理を行い、試料番号１〜２１の比抵抗測定用試料を作製した。尚、酸素分圧：４．３×１０-3Ｐａは温度９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ２Ｏの平衡酸素分圧である。
【０１１２】
比抵抗測定用試料の外形寸法は、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍであった。
【０１１３】
図６は、比抵抗測定用試料の断面図であって、部品素体５３には内部電極５４ａ、５４ｂの端部が互い違いとなるように内部電極５４ａ、５４ｂが埋設され、かつ、部品素体５３の両端面には外部電極５５ａ、５５ｂが形成され、内部電極５４ａ、５４ｂと電気的に接続されている。
【０１１４】
〔透磁率測定用試料の作製〕
上述した導体パターンの形成されていない磁性体シートを、厚さが総計で１．０ｍｍとなるように複数枚積層し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、その後、外径２０がｍｍ、内径が１２ｍｍとなるようにリング状に切り出し、セラミック成形体を得た。
【０１１５】
次いで、得られたセラミック成形体を上述と同様の脱脂条件及び焼成条件で脱脂・焼成処理を行い、これにより試料番号１〜２１のリング状の透磁率測定用試料を得た。
【０１１６】
〔試料の評価〕
試料番号１〜２１の各比抵抗測定用試料について、外部電極５５ａ、５５ｂに５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、電圧印加時の電流を測定した。そしてこの測定値から抵抗を算出し、試料寸法から比抵抗の対数logρ（以下、「比抵抗logρ」という。）を算出した。
【０１１７】
また、試料番号１〜２１の各透磁率測定用試料を透磁率測定治具（アジレント・テクノロジー社製、１６４５４Ａ−ｓ）に収容し、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製、Ｅ４９９１Ａ）を使用し、測定周波数１ＭＨｚで透磁率μを測定した。
【０１１８】
表２は、試料番号１〜２１のフェライト磁器組成物中のガラス種、仮焼粉末１００重量部に対するガラス成分の含有量、比抵抗logρ及び透磁率μを示している。
【０１１９】
【表２】
2014165307.tif 000004
【０１２０】
試料番号１は、フェライト磁器組成物中にガラス成分が含まれていないため、比抵抗logρが６．４と低くなった。これは焼成時に有機バインダが完全には除去されずに部品素体内部に炭素が残存してしまい、その結果、絶縁性能が低下したものと思われる。
【０１２１】
また、試料番号２、７、１２、及び１７は、フェライト磁器組成物中のガラス成分の含有量が、仮焼粉末１００重量部に対し０．５重量部と少ないため、比抵抗logρは試料番号１に比べると大きくなっているものの、６．５〜６．９と７．０未満であり、未だ十分な比抵抗logρが得られないことが分かった。これはガラス成分の含有量が過少であるため結晶粒界にはガラス相が十分に形成されず、絶縁性能を十分に確保できなかったためと思われる。
【０１２２】
これに対し試料番号３〜６、８〜１１、１３〜１６、及び１８〜２１は、ガラス成分の含有量が仮焼粉末１００重量部に対し１重量部以上であるので、比抵抗logρは７．０以上の良好な結果が得られ、また、透磁率μも２３以上となって実用性を確保できることが分かった。
【０１２３】
ただし、試料番号６、１１、１６、及び２１に示すように、ガラス成分の含有量が仮焼粉末１００重量部に対し５重量部を超えると、透磁率μが２３〜２６に低下した。したがって、より良好な透磁率μを得るためには、ガラス成分の含有量は仮焼粉末１００重量部に対し５重量部以下が好ましいことが分かった。
【実施例２】
【０１２４】
セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表３、表４に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、ＺｎＯを２５ｍｏｌ％、ＣｕＯを２ｍｏｌ％と一定にし、Ｆｅ２Ｏ３とＭｎ２Ｏ３との含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように各セラミック素原料を秤量した。
【０１２５】
次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、４８時間、湿式で混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で２時間仮焼し、仮焼粉末を得た。
【０１２６】
次に、この仮焼粉末１００重量部に対し、上記ガラス粉末Ｂを３重量部添加し、次いで、ＰＳＺボールと共にボールミルに投入し、純水を加えて２４時間湿式で混合粉砕し、さらにアクリル系バインダを８重量％となるように加えて十分に混合し、セラミックスラリーを得た。
【０１２７】
その後は、〔実施例１〕と同様の方法・手順で試料番号３１〜９４の比抵抗測定用試料を作製し、比抵抗logρを求めた。
【０１２８】
表３及び表４は、試料番号３１〜９４の各試料のフェライト組成と比抵抗logρを示している。
【０１２９】
【表３】
2014165307.tif 000005
【０１３０】
【表４】
2014165307.tif 000006
【０１３１】
試料番号３１〜４０、４４〜４７、５３〜５５、６１〜６３、６９〜７２、７６〜９４は、図１の斜線部Ｘの領域外であるので、比抵抗logρが７．０未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。
【０１３２】
これに対し試料番号４１〜４３、４８〜５２、５６〜６０、６４〜６８、７３〜７５は、図１の斜線部Ｘに囲まれる領域内にあり、ＣｕＯの含有モル量及びガラス成分の含有重量も本発明範囲内であるので、比抵抗logρが７．０以上となり、良好な絶縁性が得られることが分かった。
【実施例３】
【０１３３】
セラミック素原料として、Ｆｅ２Ｏ３、Ｍｎ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表５に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、Ｆｅ２Ｏ３を４４モル％、Ｍｎ２Ｏ３を５モル％、ＺｎＯを２５モル％と一定とし、ＣｕＯの含有モル量を０〜１０モル％の範囲で種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように各セラミック素原料を秤量した。
【０１３４】
その後は、〔実施例２〕と同様の方法・手順で試料番号１０１〜１０５の比抵抗測定用試料を作製し、比抵抗logρを求めた。
【０１３５】
表５は、試料番号１０１〜１０５の各試料のフェライト組成と比抵抗logρを示している。
【０１３６】
【表５】
2014165307.tif 000007
【０１３７】
試料番号１０４及び１０５はＣｕＯの含有モル量が７．５モル％及び１０モル％であり、５モル％を超えているため、比抵抗logρがそれぞれ６．８、５．９となって７．０未満となり、絶縁性能が劣化した。
【０１３８】
これに対し試料番号１０１〜１０３はＣｕＯの含有モル量が０〜５モル％と本発明範囲内であり、しかもＦｅ２Ｏ３及びＭｎ２Ｏ３の含有モル量、及びガラス成分の含有重量も本発明範囲内であるので、比抵抗logρは７．３〜７．７となり、良好な絶縁性能が得られることが分かった。
【実施例４】
【０１３９】
〔実施例１〕で作製した試料番号１、９の磁性体シートを使用して図３に示すようなコモンモードチョークコイルを作製し、リーク電圧を測定して試料を評価した。
【０１４０】
すなわち、レーザ加工機を使用し、試料番号１、９の各磁性体シートの所定箇所にビアホールを形成した。
【０１４１】
次に、〔実施例１〕で使用したＣｕペーストを使用し、磁性体シート上にスクリーン印刷し、第１〜第４のコイルパターン及び電極パターンを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填した。
【０１４２】
次いで、これら第１〜第４のコイルパターン及び電極パターンが形成された磁性体シートを所定順序で積層し、上下両主面を第１〜第４のコイルパターン及び電極パターンが形成されていない磁性体シートで挟持し、これらを６０℃に加熱し１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、積層成形体を作製した
次に、〔実施例１〕と同様の方法・手順で脱脂・焼成処理を行い、部品素体を作製し、さらに部品素体の両端面に外部電極を形成した。
【０１４３】
その後、外部電極の表面に電解めっきを施し、Ｎｉ皮膜及びＳｎ皮膜を順次形成し、これにより試料番号１１１、１１２のコモンモードチョークコイルを作製した。作製された試料の外形形状は、長さ１．２ｍｍ、幅１．０ｍｍ、高さ０．５ｍｍであった。
【０１４４】
次に、試料番号１１１、１１２の各試料１０個について、外部電極、すなわち第１及び第２のコイル導体間に直流電圧を印加し、徐々に昇圧しながらリーク電流が０．１ｍＡになった時の電圧、すなわちリーク電圧を求めた。
【０１４５】
表６は、各試料について、試料１０個の測定結果の平均値を示している。
【０１４６】
【表６】
2014165307.tif 000008
【０１４７】
この表６から明らかなように、試料番号１１１は、試料番号１の磁性体シートを使用していることから、磁性体シート中にはガラス成分が含有されておらず、比抵抗logρが６．４と低い。このため、１０Ｖの直流電圧を印加した時点でリーク電流は０．１ｍＡを超えてしまい、絶縁性能に劣ることが分かった。
【０１４８】
これに対し試料番号１１２は、５０Ｖの直流電圧を印加しても、リーク電流は０．１ｍＡを超えず、良好な絶縁性能を有することが分かった。すなわち、試料番号１０２では、試料番号９の磁性体シートを使用していることから、素子内部での比抵抗logρも７．９と高いためと思われる。
【産業上の利用可能性】
【０１４９】
Ｃｕを主成分とする導電性材料と磁性体材料とを同時焼成しても、絶縁性が良好で、良好な磁気特性を有するコモンモードチョークコイル等のセラミック電子部品を実現できる。
【符号の説明】
【０１５０】
１  部品素体
３  第１のコイル導体
４  第２のコイル導体
【図１】
2014165307.tif 000009
【図２】
2014165307.tif 000010
【図３】
2014165307.tif 000011
【図４】
2014165307.tif 000012
【図５】
2014165307.tif 000013
【図６】
2014165307.tif 000014