(57)【要約】【課題】基板の周端部において異常なレジストパターンが形成されることを防ぐこと。【解決手段】本発明の基板処理方法は、基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得する工程と、次いで、前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に下層膜を形成する工程と、続いて、前記下層膜の表面全体にレジスト膜を形成する工程と、を備える。従って、この基板の周端部においては、レジスト膜の表面に対して露光時のフォーカスがずれることが抑えられる。その結果として、当該周端部において異常なレジストパターンが形成されることを抑えることができる。【選択図】図１７
2017047355.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得する工程と、
次いで、前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に下層膜を形成する工程と、
続いて、前記下層膜の表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記高さの分布を取得する工程は、
第１の撮像機構を用いて第１の載置部に載置された前記基板の側端部を撮像して取得された前記第１の画像データに基づいて行われることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記高さの分布を取得する工程は、
前記第１の載置部に載置された前記基板の端部の上下方向の基準位置に対する位置ずれを検出し、当該位置ずれに基づいて行われることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記位置ずれの検出は、
第２の撮像機構により前記第１の載置部に載置された前記基板の側面を撮像して取得される第２の画像データに基づいて行われることを特徴とする請求項３記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記下層膜を形成する工程は、
下層膜を形成するための薬液を、カップ内に設けられる第２の載置部に載置された基板の表面の中心部に供給する薬液供給工程と、
第２の載置部を回転させ、遠心力により前記薬液を当該基板の表面の周縁部へ展伸させると共に前記薬液を乾燥させる回転工程と、
前記回転工程の実施中に、前記高さの分布に応じて当該基板の周端部における薬液の乾燥速度を調整する調整工程と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記調整工程は、前記高さの分布に応じた排気量でカップ内を排気する排気工程を備えることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記調整工程は、前記高さの分布に応じた温度にするために前記基板の周端部を局所的に加熱する工程を備えることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記調整工程は、前記高さの分布に応じた高さに、基板上に設けられた整流部材を配置する工程を備えることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項９】
基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得するための高さ分布取得モジュールと、
前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に、レジスト膜の下層に設けられる下層膜を形成する下層膜形成モジュールと、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記高さ分布取得モジュールは、
前記基板を載置する第１の載置部と、
前記第１の載置部に載置された前記基板の側端部を撮像して、第１の画像データを取得するための第１の撮像機構と
を備え、
前記第１の画像データに基づいて前記高さの分布を取得するための演算部が設けられることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記高さ分布取得モジュールは、
前記第１の載置部に載置された前記基板の端部の上下方向の基準位置に対する位置ずれを検出するための位置ずれ検出機構を備え、
前記演算部は、前記位置ずれに基づいて前記高さの分布を取得することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記位置ずれ検出機構は、
前記第１の載置部に載置された前記基板の側面を撮像して第２の画像データを取得するための第２の撮像機構を備え、
前記演算部は、前記第２の画像データに基づいて前記高さの分布を取得することを特徴とする請求項１１記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記下層膜形成モジュールは、
カップ内に設けられる前記基板の第２の載置部と、
前記下層膜を形成するための薬液を前記基板の表面の中心部に供給するノズルと、
前記第２の載置部を回転させ、回転する前記基板の遠心力により前記薬液を基板の周縁部へ展伸させ、さらに前記薬液を乾燥させて下層膜を形成するための回転機構と、
前記基板の回転中に、前記高さの分布に応じて当該基板の周端部における薬液の乾燥速度を調整する調整機構と、
を備えることを特徴とする請求項９記載の基板処理装置。
【請求項１４】
基板にレジスト膜の下層に設けられる下層膜を形成する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは請求項１に記載された基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜の下層に設けられる下層膜を形成する基板処理方法、基板処理装置及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程においては、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）にレジストパターンが形成される。このレジストパターンを形成するために、例えばウエハは、レジストの塗布、現像を行う塗布、現像装置に搬送されてレジストの塗布処理を受けた後に、当該塗布、現像装置に接続される露光装置に搬送されて、所望のパターンに沿って露光される。【０００３】
上記のウエハの表面の周端部は外方へ向かって下降する傾斜面として構成される。また、上記の塗布、現像装置には、当該塗布、現像装置に搬入されるまでの半導体装置の製造プロセスで、膜の形成とＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)による当該膜の除去とが行われたウエハ（以降、研磨ウエハと記載する場合がある）が搬入される場合がある。この膜の形成と膜の除去とは繰り返し複数回行われる場合があり、この繰り返しの回数が多くなるほど、上記の傾斜面における当該傾斜面の上端の高さと当該傾斜面の上端からウエハの外方へ所定の距離ずれた位置の高さとの差（落ち込み量）であるEdge Roll−Off（エッジロールオフ）量が大きくなる傾向がある。【０００４】
ところで、上記の露光装置では、フォーカス面と露光処理が行われる領域のウエハの表面とが揃うように、当該ウエハを傾けるレベリング補正が行われる。ところが、ウエハの周端部と当該周端部よりも内側とを含む周縁領域に露光処理が行われる際には、ウエハの周端部よりも内側ではレベリング補正によってフォーカス面とウエハの表面とを揃えることができても、周端部において上記のエッジロールオフが比較的大きい、即ちフォーカス面とウエハの表面との高さの差が比較的大きい場合、デフォーカス（焦点異常）となってしまう。そうなると、レジストパターンの線幅であるＣＤ（Critical Dimension）の大きさが設計値から変動してしまうので、この周縁領域における半導体製品の歩留りが低下する。しかし、このウエハの周縁領域についてもＣＤを設計値とし、半導体製品の歩留りを高くする要請がなされている。特許文献１には、基板の表面の高さを測定するレベリングセンサを備えた露光装置について記載されているが、上記の問題の解決手法については何ら開示されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１９５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はこのような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、基板の周端部において異常なレジストパターンが形成されることを防ぐことができる技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理方法は、基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得する工程と、
次いで、前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に下層膜を形成する工程と、
続いて、前記下層膜の表面全体にレジスト膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。【０００８】
本発明の基板処理装置は、基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得するための高さ分布取得モジュールと、
前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に、レジスト膜の下層に設けられる下層膜を形成する下層膜形成モジュールと、
を備えたことを特徴とする。【０００９】
本発明の記憶媒体は、基板にレジスト膜の下層に設けられる下層膜を形成する基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、前記プログラムは本発明の基板処理方法を実行するためにステップが組まれていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の表面の周端部について、当該基板の径方向に沿った高さの分布を取得し、前記高さの分布に基づいて前記周端部の高さの落ち込みを矯正するように前記基板の表面全体に下層膜が形成される。従って、この基板の周端部にて、下層膜上に形成されるレジスト膜の表面に対して露光時のフォーカスがずれることが抑えられる。その結果として、当該周端部において異常なレジストパターンが形成されることを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】前記塗布、現像装置の詳細な平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置に設けられるＳＯＣ膜形成モジュールの縦断側面図である。
【図５】前記ＳＯＣ膜形成モジュールでウエハに形成されるＳＯＣ膜の膜厚分布を表すグラフ図である。
【図６】ウエハの縦断側面図である。
【図７】ウエハの傾斜面の高さ分布を示すグラフ図である。
【図８】前記ＳＯＣ膜形成モジュールでウエハに形成されるＳＯＣ膜の膜厚分布を表すグラフ図である。
【図９】前記ＳＯＣ膜形成モジュールでウエハに形成されるＳＯＣ膜の表面の高さ分布を示すグラフ図である。
【図１０】ウエハの傾斜面の高さ分布を取得するための撮像モジュールの縦断側面図である。
【図１１】前記撮像モジュールの横断平面図である。
【図１２】前記撮像モジュールで取得されるウエハの側面の画像を示す説明図である。
【図１３】前記撮像モジュールで取得されるウエハの側端部の画像を示す説明図である。
【図１４】前記撮像モジュールで取得されるウエハの側端部の画像を示す説明図である。
【図１５】ウエハの傾斜面の高さ分布を示すグラフ図である。
【図１６】ウエハの周端部の縦断側面図である。
【図１７】ウエハの周端部の縦断側面図である。
【図１８】ウエハの周端部の縦断側面図である。
【図１９】ウエハの周端部の縦断側面図である。
【図２０】ウエハの周端部の縦断側面図である。
【図２１】ウエハの周端部の高さ分布を取得するためのモジュールの構成を示す概略構成図である。
【図２２】ＳＯＣ膜形成モジュールの他の構成例を示す縦断側面図である。
【図２３】ＳＯＣ膜形成モジュールの他の構成例を示す縦断側面図である。
【図２４】ＳＯＣ膜形成モジュールの他の構成例を示す縦断側面図である。
【図２５】ウエハの傾斜面の高さ分布を示すグラフ図である。
【図２６】ウエハのＣＤの分布を示すグラフ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の基板処理装置の実施の形態に係る塗布、現像装置１について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１、図２、図３は夫々塗布、現像装置１の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１と、処理ブロックＤ２と、インターフェイスブロックＤ３と、を水平に直線状に接続して構成されている。また、インターフェイスブロックＤ３には前記露光装置Ｄ４が、処理ブロックＤ２と反対側に接続されている。以降の説明では特に記載が無い限り、ブロックＤ１〜Ｄ３及び露光装置Ｄ４の配列方向を前後方向とする。この塗布、現像装置１では円形の基板であるウエハＷの表面にＳＯＣ（Spin On Carbon）と呼ばれる有機膜、反射防止膜、レジスト膜が下方側からこの順に積層され、レジスト膜は露光装置Ｄ４にて露光処理を受ける。露光処理後、レジスト膜が塗布、現像装置１にて現像処理される。この例ではウエハＷの直径は３００ｍｍであり、当該ウエハＷの周縁にはウエハＷの方向を示す切り欠きであるノッチＮが設けられている。
【００１３】
キャリアブロックＤ１は、複数枚のウエハＷが格納されたキャリアＣを塗布、現像装置１に対して搬入出する。このキャリアＣ内のウエハＷは、例えば背景技術の項目で説明した研磨ウエハである。ただし、上記の成膜及びＣＭＰによる膜の除去が行われていないウエハＷ（以下、新品のウエハと記載する場合がある）が格納されていてもよい。キャリアブロックＤ１は、キャリアＣの載置台１１と、開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを搬送するための搬送機構１３とを備えている。
【００１４】
処理ブロックＤ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の単位ブロックＥ１〜Ｅ６が下から順に積層されて構成されている。Ｅ１とＥ２とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ３とＥ４とが互いに同じ単位ブロックであり、Ｅ５とＥ６とが互いに同じ単位ブロックである。同じ単位ブロックにおいて、互いに並行してウエハＷの搬送及び処理が行われる。
【００１５】
ここでは単位ブロックのうち代表して単位ブロックＥ１を、図１を参照しながら説明する。キャリアブロックＤ１からインターフェイスブロックＤ３へ向かう搬送領域１４の左右の一方側には棚ユニットＵが前後方向に複数配置され、他方側にはＳＯＣ膜形成モジュール３が２つ前後方向に並べて設けられている。ＳＯＣ膜形成モジュール３はウエハＷに薬液を供給して、ウエハＷの表面に下層膜であるＳＯＣ（Spin On Carbon）と呼ばれる有機膜を形成するモジュールであり、モジュールの構成のより具体的な一例については後述する。棚ユニットＵは、加熱モジュール１５を備えている。また、上記の搬送領域１４には、ウエハＷの搬送機構である搬送アームＦ１が設けられている。
【００１６】
単位ブロックＥ３〜Ｅ６について、単位ブロックＥ１、Ｅ２との差異点を説明すると、単位ブロックＥ３、Ｅ４は、２つのＳＯＣ膜形成モジュール３の代わりに、反射防止膜形成モジュール１６とレジスト膜形成モジュール１７とを備えている。反射防止膜形成モジュール１６及びレジスト膜形成モジュール１７は、ＳＯＣ膜形成モジュール３と略同様に構成されているが、ウエハＷに供給する薬液についてはＳＯＣ膜形成モジュール３とは異なっており、反射防止膜形成モジュール１６については反射防止膜形成用の薬液を供給し、レジスト膜形成モジュール１７についてはレジストを供給する。
【００１７】
単位ブロックＥ５、Ｅ６は、ＳＯＣ膜形成モジュール３の代わりに現像モジュール１８を備えている。現像モジュール１８は、ＳＯＣ膜形成モジュール３と略同様に構成されているが、ウエハＷに供給する薬液についてはＳＯＣ膜形成用の薬液の代わりに現像液をウエハＷに供給する。このような差違を除いて、単位ブロックＥ１〜Ｅ６は互いに同様に構成されている。図３では、搬送アームＦ１に相当する各単位ブロックＥ２〜Ｅ６の搬送アームについて、Ｆ２〜Ｆ６として示している。
【００１８】
処理ブロックＤ２におけるキャリアブロックＤ１側には、各単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ１と、タワーＴ１に対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構１９とが設けられている。タワーＴ１は互いに積層された複数のモジュールにより構成されており、単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各高さに設けられるモジュールは、当該単位ブロックＥ１〜Ｅ６の各搬送アームＦ１〜Ｆ６との間でウエハＷを受け渡すことができる。これらのモジュールとしては、各単位ブロックの高さ位置に設けられた受け渡しモジュールＴＲＳ、ウエハＷの温度調整を行う温調モジュールＣＰＬ、複数枚のウエハＷを一時的に保管するバッファモジュール、及びウエハＷの表面を疎水化する疎水化処理モジュールなどが含まれている。説明を簡素化するために、前記疎水化処理モジュール、温調モジュール、前記バッファモジュールについての図示は省略している。また、このタワーＴ１には撮像モジュール５が設けられている。撮像モジュール５にてウエハＷの撮像が行われ、その撮像結果に応じた処理条件で、ＳＯＣ膜形成モジュール３にて当該ウエハＷに成膜処理が行われる。撮像モジュール５については、後に詳しく説明する。
【００１９】
インターフェイスブロックＤ３は、単位ブロックＥ１〜Ｅ６に跨って上下に伸びるタワーＴ２、Ｔ３、Ｔ４を備えている。当該インターフェイスブロックＤ３には、タワーＴ２とタワーＴ３とに対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム２１と、タワーＴ２とタワーＴ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構であるインターフェイスアーム２２と、タワーＴ２と露光装置Ｄ４との間でウエハＷの受け渡しを行うための搬送機構であるインターフェイスアーム２３と、が設けられている。
【００２０】
タワーＴ２は、受け渡しモジュールＴＲＳ、露光処理前の複数枚のウエハＷを格納して滞留させるバッファモジュール、露光処理後の複数枚のウエハＷを格納するバッファモジュール、及びウエハＷの温度調整を行う温調モジュールなどが互いに積層されて構成されているが、ここではバッファモジュール及び温調モジュールの図示は省略する。なお、タワーＴ３、Ｔ４にもモジュールが設けられているが、このモジュールについても説明を省略する。
【００２１】
続いて、塗布、現像装置１に設けられる制御部１００について説明する。制御部１００は例えばコンピュータからなり、不図示のプログラム格納部を有している。このプログラム格納部には、各モジュールでのウエハＷの処理及び各搬送機構によるモジュール間におけるウエハＷの搬送が行えるように、命令（ステップ群）が組まれたプログラムが格納されている。上記の各モジュールでのウエハＷの処理には、後述する撮像モジュール５におけるウエハＷの周端部における高さ分布の取得、及び取得した高さ分布に基づくＳＯＣ膜形成モジュール３におけるダンパー３９の開度の設定が含まれる。そして、当該プログラムによって制御部１００から塗布、現像装置１の各部に制御信号が出力されることで、当該塗布、現像装置１の各部の動作が制御される。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記憶媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
【００２２】
続いて、下層膜形成モジュールであるＳＯＣ膜形成モジュール３について、図４の縦断側面図を参照しながら説明する。図中３１はスピンチャックであり、ウエハＷの裏面中央部を吸着してウエハＷを水平に保持する。図中３２はスピンチャック３１を回転させる回転機構であり、このスピンチャック３１の回転によってウエハＷが水平軸周りに回転する。図中３３は上方側が開口するカップであり、スピンチャック３１に載置されたウエハＷの周囲を囲む。図中３４はカップ３３の底部をなす液受け部であり、上方が開口した環状の凹部を形成する。図中３５は液ガイド部であり、スピンチャック３１の下方にて当該スピンチャック３１を囲むように設けられ、ウエハＷから下方にこぼれた液を液受け部３４にガイドするように傾斜面と、当該傾斜面の周縁から下方に延びる垂直壁とを備えている。図中３６はカップ３３の内壁から斜め上方に延びる板状の液ガイド部であり、ウエハＷから飛散した液を受けて液受け部３４にガイドする。図中３６Ａは、液ガイド部３６を厚さ方向に貫通する貫通孔である。
【００２３】
上記の液受け部３５には、薬液をカップ３３外へ排出する排液口３７と、上方に向かって伸びる排気管３８とが設けられている。排気管３８により、カップ３３外からカップ３３内に大気が流入して排気される。図中の点線の矢印は、このように排気される大気の流れを示している。図中３９は排気管３８に介設された開度が調整自在なダンパーであり、当該ダンパー３９の開度に応じた排気量で排気管３８から排気が行われる。
【００２４】
また、図中４１はスピンチャック３１の周囲に３本（図４では２本のみ表示）設けられる昇降自在なピンであり、搬送アームＦ１またはＦ２とスピンチャック３１との間でウエハＷを受け渡す。図中４２はＳＯＣ膜形成用の薬液を鉛直下方に吐出するノズルであり、スピンチャック３１に保持されたウエハＷの中心部上と、カップ３３の外側との間で移動自在に構成されている。図中４３は薬液供給管４４を介してノズル４２に接続される薬液供給源である。図中４５は薬液供給管４４に介設された流量調整部であり、ノズル４２へ供給する薬液の流量を調整する。
【００２５】
上記のＳＯＣ膜形成モジュール３における成膜処理について説明すると、ノズル４２からスピンチャック３１に保持されたウエハＷの中心部に薬液が吐出されて成膜処理が開始される。吐出された薬液は、回転するウエハＷの遠心力によってウエハＷの周縁部に展伸され、ウエハＷ表面全体に塗布される、いわゆるスピンコーティングが行われる。薬液の吐出が停止し、ウエハＷに吐出された薬液が当該ウエハＷの周縁部に行き渡った後も、薬液を乾燥させてＳＯＣ膜を形成するためにウエハＷの回転が続けられる。その後、ウエハＷの回転が停止して成膜処理が終了する。
【００２６】
上記のスピンコーティングによって薬液がウエハＷの周端に行き渡った時刻からＳＯＣ膜の乾燥が十分に進んでいない所定の時刻に至るまでの期間（薬液乾燥期間とする）における、ウエハＷの周端部を流れる気流の速度が大きいほど、当該周端部における薬液の乾燥が速やかに進行する。そして、成膜終了後のウエハＷの周端部における当該ウエハＷの径方向に沿ったＳＯＣ膜の膜厚分布は、この薬液の乾燥速度に応じたものとなる。上記の薬液乾燥期間におけるウエハＷの周端部の気流の速度は、ダンパー３９の開度に応じたものとなるので、ダンパー３９の開度によって上記のウエハＷの周端部におけるＳＯＣ膜の膜厚分布が決定される。このようにダンパー３９は、薬液の乾燥速度を調整する調整機構を構成する。
【００２７】
ＳＯＣ膜形成モジュール３では、例えば上記の薬液乾燥期間において、ダンパー３９の開度を第１の開度、第２の開度、第３の開度のうちのいずれかに設定して成膜処理を行うことができる。つまり、ＳＯＣ膜形成モジュール３では、ウエハＷごとに形成されるＳＯＣ膜の膜厚分布を選択することができる。開度の大きさの順番としては、第１の開度＞第２の開度＞第３の開度である。また、第１の開度、第２の開度、第３の開度にすることによって、成膜処理終了後のウエハＷの周端部に形成される当該ウエハＷの径方向に沿ったＳＯＣ膜の膜厚分布を、夫々第１の膜厚分布、第２の膜厚分布、第３の膜厚分布とする。図５のグラフは、第１〜第３の膜厚分布の例を示すグラフである。グラフの横軸はウエハＷの中心からの距離（単位：ｍｍ）、グラフの縦軸は形成されたＳＯＣ膜の膜厚（単位：ｎｍ）である。グラフに示すようにダンパー３９の開度が大きいほどウエハＷの周端部における膜厚が大きく、且つウエハＷの外方へ向かって見たときの膜厚の上昇量が大きい。
【００２８】
ここで図６〜図８を参照しながら、ＳＯＣ膜形成モジュール３が、既述したようにウエハＷごとに形成する膜厚分布を選択できるように構成されている理由を説明する。塗布、現像装置１に搬送されるウエハＷの表面の周端部には、背景技術の項目で説明したように、外方に向かって下降する傾斜面１０が形成されており（図６参照）、当該周端部の形状、より詳しくはウエハＷ表面の径方向に沿った傾斜面１０を含む周端部における高さ分布は、ウエハＷごとに異なる。
【００２９】
図７のグラフでは、上記のウエハＷ表面の周端部における径方向に沿った高さ分布の一例を示している。グラフ中、実線では研磨ウエハであるウエハＷ１の高さ分布を示し、点線では新品のウエハであるウエハＷ２の高さ分布を示している。グラフの横軸は、ウエハＷの中心からの距離（単位：ｍｍ）を示している。グラフの縦軸は、エッジロールオフ量を示している。縦軸について、より詳しく説明すると、傾斜面１０の上端及び傾斜面１０よりもウエハＷの内側の表面を０ｍｍとして、周端部の各位置の表面の高さを示している。従って、この図７のグラフではエッジロールオフ量については０或いは−（負）の値となり、エッジロールオフ量の絶対値が大きいほど、傾斜面１０の上端からの落ち込みが大きい。グラフに示されるように、ウエハＷ１とウエハＷ２とでは周端部の高さ分布について互いに異なっており、ウエハＷの中心からの距離が同じ位置では、エッジロールオフ量の絶対値に関してウエハＷ１の方が大きい。なお、上記の図６のウエハＷは、ウエハＷ１を示したものである。
【００３０】
このようにウエハＷ１ではエッジロールオフ量の絶対値が比較的大きいため、当該ウエハＷ１に対して、夫々平坦なＳＯＣ膜、反射防止膜、レジスト膜を夫々形成すると、当該レジスト膜の表面についてもウエハＷ１の周端部においては、各膜の形成前と同様にエッジロールオフ量の絶対値が大きくなる。そうなると、背景技術の項目で述べたように、当該ウエハＷ１の周端部では露光装置Ｄ４における露光時のフォーカス面と当該レジスト膜との乖離が大きくなり、デフォーカスが起きるおそれがある。
【００３１】
そこでＳＯＣ膜形成モジュール３においては、上記のウエハＷ表面の周端部における高さ分布に応じて、傾斜面１０上におけるＳＯＣ膜の表面が、傾斜面１０よりも傾きが緩和されて平坦性が高くなるように、ウエハＷの周端に向かうほど膜厚が大きくなる膜厚分布を有するＳＯＣ膜を形成する。例えば図７に示した高さ分布を有するウエハＷ１に対して、周端部における径方向に沿った膜厚分布が図８のグラフで示されるようにＳＯＣ膜を形成する。図８のグラフの横軸、縦軸は、図５のグラフの横軸、縦軸と同様にウエハＷの中心からの距離、ＳＯＣ膜の膜厚を夫々示している。なお、既述のように、ＳＯＣ膜形成モジュール３でウエハＷに形成される膜厚分布は図５に示す第１〜第３の膜厚分布であるが、図８では説明の便宜上、第１〜第３の膜厚分布とは異なるＳＯＣ膜の膜厚分布を示している。
【００３２】
そして図９のグラフは、図８で示す膜厚分布を持つＳＯＣ膜を図７で示す周端部の高さ分布を持つウエハＷ１に形成した場合における、ウエハＷの径方向に沿ったＳＯＣ膜の表面の高さ分布を実線で示したものである。図９の横軸、縦軸は、図７と同様にウエハＷの中心からの距離、エッジロールオフ量を夫々示している。図９におけるＳＯＣ膜の表面の高さ分布は、図７の周端部の高さ分布及び図８のＳＯＣ膜の膜厚分布について、ウエハＷの中心からの距離が同じ位置におけるエッジロールオフ量とＳＯＣ膜の膜厚とを合計することで取得されている。
【００３３】
図９のグラフ中では、比較のためにＳＯＣ膜を形成する前の周端部の高さ分布を点線で示している。この点線で表した分布は、図７のグラフにて実線で表したものと同じである。この図９のグラフで示されるように、図８に示す膜厚分布を有するＳＯＣ膜を形成することで、ウエハＷの周端部の各所でのエッジロールオフ量の絶対値の低下が抑えられている。即ち、ウエハＷの周端部においてエッジロールオフ（高さの落ち込み）が矯正され、傾斜面１０上に当該傾斜面１０よりも表面の平坦性が高いＳＯＣ膜が形成されている。このようにＳＯＣ膜を形成することで、当該ＳＯＣ膜に反射防止膜及びレジスト膜が積層されたときに、ウエハＷの周端部におけるレジスト膜のエッジロールオフが抑えられ、デフォーカスとなることを防ぐことができる。
【００３４】
そして、上記のようにＳＯＣ膜形成前の表面の周端部の高さ分布はウエハＷによって異なるため、この高さ分布に応じた膜厚分布を有するＳＯＣ膜を形成してエッジロールオフを矯正できるように、ＳＯＣ膜形成モジュール３が構成されている。なお、図６〜図９では説明の便宜上、研磨ウエハＷ１上にＳＯＣ膜を形成してエッジロールオフを矯正する例を示したが、新品のウエハＷ２上にＳＯＣ膜を形成してエッジロールオフを矯正してもよい。
【００３５】
続いて、高さ分布取得モジュールである撮像モジュール５について図１０、図１１の縦断側面図、横断平面図を夫々参照しながら説明する。この撮像モジュール５は、上記のウエハＷの表面の周端部における径方向に沿った高さ分布を制御部１００が取得できるように、ウエハＷの周端部を撮像し、画像データを制御部１００に送信する。図中５１は筐体であり、５２は筐体５１の側壁に開口したウエハＷの搬送口である。５３はウエハＷの裏面中央部を吸着して当該ウエハＷを水平に載置するステージであり、駆動機構５４により回転自在且つ筐体５１の手前側（搬送口５２側）と奥側との間を移動自在に構成されている。図中５５は、搬送機構１９と第１の載置部であるステージ５３との間でウエハＷを受け渡すための昇降ピンである。
【００３６】
図中５６は透過型の光電センサであり、ステージ５３の上方に位置する投光部５６Ａとステージ５３の下方に位置する受光部５６Ｂとからなる。ステージ５３は搬送機構１９からウエハＷを受け取った位置（図１０中に実線で示す位置）から若干前進して１回転し、この回転中に投光部５６Ａから下方に向けて、一部がウエハＷの周縁部に遮られ、且つ他の一部がウエハＷの側方を通過して受光部５６Ｂに照射されるように光が照射される。そして制御部１００により、受光部５６Ｂの受光量に基づいてノッチＮが検出される。
【００３７】
筐体５１内の奥側には、ミラー５７とカメラ５８とが設けられている。図中５８Ａを付した二点鎖線の矢印はカメラ５８の光軸を示し、カメラ５８から下方に向けられた光軸５８Ａはミラー５７によって反射されて水平方向に向かう。そのように水平方向に向かう光軸５８Ａは、撮像が行われる撮像位置（図中で一点鎖線で示す位置）におけるウエハＷの直径の延長線に一致しており、カメラ５８は当該ウエハＷの側面を撮像することができる。
【００３８】
また、筐体５１内には第１の撮像機構であるカメラ５９が設けられている。図中５９Ａを付した二点鎖線の矢印はカメラ５９の光軸を示し、ウエハＷの接線方向に沿っている。それによって、カメラ５９は上記の撮像位置におけるウエハＷの側端部を、ウエハＷの側方から撮像することができる。なお、この撮像モジュール５ではカメラ５８、５９の他に、ウエハＷの表面全体の状態の検査、ウエハＷの裏面周縁部の異物の有無の検査を行うために、当該表面全体、裏面周縁部の撮像を夫々行うカメラが設けられているが、図示及び説明の煩雑化を防ぐために、これらのカメラの表示については省略している。
【００３９】
この撮像モジュール５におけるウエハＷの撮像と、取得された画像データから既述のウエハＷの周端部の高さ分布が取得されるまでの制御部１００における処理と、について説明する。先ず、ステージ５３にウエハＷが受け渡されると、上記のようにノッチＮが検出され、ウエハＷが回転して当該ノッチＮが所定の方向に向けられる。そして、ウエハＷが撮像位置に移動し、第２の撮像機構であるカメラ５８による撮像が行われ、制御部１００により例えば図１２に示すような画像データ６１が取得される。そして、画像データ６１におけるウエハＷの上下の中心位置６２（図中一点鎖線で表示している）が検出され、予め設定された基準位置（図中点線で表示している）６３に対する中心位置６２の上下方向のずれ量Ｈが算出される。例えばウエハＷに反りによってウエハＷの周端部が水平面に対して傾いている場合はずれ量Ｈが０以外の値となり、ウエハＷの周端部が水平面に対して傾いていない場合はずれ量Ｈの値が０となる。図１２の例では、ずれ量Ｈが０以外の値である場合の画像データ６１を示している。
【００４０】
続いて、ウエハＷの周端部においてカメラ５８に撮像された箇所がカメラ５９により撮像できるように、ウエハＷが１８０°回転する。回転後、カメラ５９により撮像が行われ、制御部１００により画像データ６４が取得される。図１３は、この画像データ６４の一例を示している。この取得された画像データ６４が上記のずれ量Ｈに基づいて補正される。具体的には、ずれ量Ｈに対応する分、画像が傾くように画像データ６４が補正され、傾斜面１０よりも内側のウエハＷの表面が水平となる。
【００４１】
図１４はこのように補正された画像データ６４を示しており、この補正された画像データ６４に基づいて、例えば図１５のグラフで示す、既述したウエハＷの周端部の表面の径方向に沿った高さ分布が取得される。図１５のグラフの横軸、縦軸は図７のグラフと同様に、ウエハＷの中心からの距離、エッジロールオフ量を夫々示している。上記のずれ量Ｈの算出、画像データ６４の補正、及び補正後の画像データ６４に基づいたウエハＷの周端部の高さ分布の取得は、演算部をなす制御部１００により行われる。
【００４２】
次に、この塗布、現像装置１及び露光装置Ｄ４からなるシステムにおけるウエハＷの搬送及び処理について、ウエハＷの表面状態を示す図１６〜図２０を参照しながら説明する。ウエハＷは、互いに同様に構成された２つの単位ブロックＥについてはいずれかの単位ブロックＥに振り分けられて搬送されるが、ここでは単位ブロックＥ１〜Ｅ６のうち、Ｅ１、Ｅ３、Ｅ５に夫々搬送されるものとして説明する。
【００４３】
例えば図６で示す傾斜面１０を備えたウエハＷが、キャリアＣから搬送機構１３により処理ブロックＤ２におけるタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ０に搬送され、然る後、搬送機構１９により撮像モジュール５に搬送される。撮像モジュール５では上記したように、ノッチＮの検出、ウエハＷの向き調整、図１２で説明した画像データ６１の取得、画像データ６１に基づいたウエハＷの上下のずれ量Ｈの検出、図１３で説明したウエハＷの周端部の画像データ６４の取得、図１４で説明したずれ量Ｈに基づいた画像データ６４の補正、及び図１５で説明したウエハＷの表面の周端部における当該ウエハＷの径方向に沿った高さ分布の取得が行われる。
【００４４】
そして、図５で説明したＳＯＣ膜の第１〜第３の各膜厚分布と、撮像モジュール５により取得されたウエハＷの周端部の高さ分布とから、図７〜図９で説明したようにＳＯＣ膜の表面の高さ分布が取得される。より具体的には、ウエハの中心からの距離が互いに同じ位置における各第１〜第３の膜厚分布で規定される膜厚と、取得された周端部の高さとの合計が算出され、図９に示すようなＳＯＣ膜の表面の高さ分布が、第１の膜厚分布を用いて算出したものと、第２の膜厚分布を用いて算出したものと、第３の膜厚分布を用いて算出したものとの計３種類取得される。続いて、３種類のＳＯＣ膜の表面の高さ分布に関して、各部の膜厚のばらつきが最も小さいもの、即ち最も平坦性が高いものについて決定される。そして、第１〜第３の膜厚分布のうち、決定されたＳＯＣ膜の表面の高さ分布の算出に用いた膜厚分布で、ＳＯＣ膜を形成するように決定される。以上の各演算及び各決定は、制御部１００により行われる。
【００４５】
このように形成されるＳＯＣ膜の膜厚分布の決定がなされたウエハＷは、搬送機構１９により撮像モジュール５から単位ブロックＥ１に対応するタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、搬送アームＦ１によりＳＯＣ膜形成モジュール３に搬送される。そして、図４で説明したように薬液のスピンコーティングが行われ、当該薬液がウエハＷの表面の中心部から周縁部に行き渡った後、ダンパー３９の開度が第１〜第３の開度のうち、決定されたＳＯＣ膜の膜厚分布を得る開度とされる。そして排気流に曝されてウエハＷの表面の薬液が乾燥し、ウエハＷの端部においては第１〜第３の膜厚分布のうち、決定された膜厚分布となるようにウエハＷ表面全体にＳＯＣ膜７１が形成される（図１６）。つまり、傾斜面１０上に、ＳＯＣ膜７１の表面が、当該傾斜面１０よりもエッジロールオフが抑えられるように形成される。
【００４６】
然る後、ウエハＷは搬送アームＦ１により加熱モジュール１５に搬送されて加熱され、受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送される。続いて、ウエハＷは搬送機構１９により単位ブロックＥ３に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ３に搬送される。そして、搬送アームＦ３により反射防止膜形成モジュール１６に搬送され、ＳＯＣ膜形成モジュール３における処理と同様に、スピンコーティングによって薬液の塗布が行われ、ウエハＷの表面全体に反射防止膜７２が形成される。この反射防止膜７２は、ウエハＷの面内の各部で均一な膜厚となるように成膜される。上記のようにウエハＷの周端部において、反射防止膜７２の下方のＳＯＣ膜７１のエッジロールオフが抑えられているため、反射防止膜７２の表面についてもエッジロールオフが抑えられる。
【００４７】
然る後、ウエハＷは搬送アームＦ３により加熱モジュール１５に搬送されて加熱された後、レジスト膜形成モジュール１７に搬送され、ＳＯＣ膜形成モジュール３における処理と同様に、スピンコーティングによってレジストの塗布が行われ、ウエハＷの表面全体にレジスト膜７３が形成される（図１７）。レジスト膜７３についても、ウエハＷの面内の各部で均一な膜厚となるように成膜される。上記のようにウエハＷの周端部において、レジスト膜７３の下方のＳＯＣ膜７１のエッジロールオフが抑えられているため、レジスト膜７３の表面についてもエッジロールオフが抑えられる。
【００４８】
その後、ウエハＷは搬送アームＦ３により、加熱モジュール１５→タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１の順で搬送される。続いて、ウエハＷは、インターフェイスアーム２１、２３により、タワーＴ３を介して露光装置Ｄ４へ搬入される。露光装置Ｄ４において露光ビームを照射する露光ヘッド７４がウエハＷの表面上を移動し、ウエハＷの各領域に露光処理が行われる（図１８）。図中の点線の矢印は露光ビームを示している。また、図中７５は露光ヘッド７４のフォーカス面である。上記のようにレジスト膜７３のエッジロールオフが抑えられているため、ウエハＷの周端部において、レジスト膜７３の表面とフォーカス面７５との乖離が抑えられた状態で、ウエハＷの周端部を含む領域に露光処理を行うことができる（図１９）。
【００４９】
露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム２２、２３によりタワーＴ２、Ｔ４間を搬送されて、単位ブロックＥ５に対応するタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ５１に搬送され、搬送アームＦ５により加熱モジュール１５→現像モジュール１８の順で搬送されて、現像処理される。上記のようにウエハＷの周端部においてフォーカス面７５とレジスト膜７３の表面との乖離が抑えられるように露光が行われているため、ウエハＷの周端部においてＣＤが設計値となるように、レジストパターン７６が形成される（図２０）。然る後、ウエハＷは搬送アームＦ５→加熱モジュール１５→タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ５→搬送機構１３の順で搬送され、搬送機構１３によりキャリアＣに戻される。なお、単位ブロックＥ２、Ｅ４、Ｅ６に夫々ウエハＷが搬送されて処理が行われる場合は、搬送アームＦ２、Ｆ４、Ｆ６が使用され、タワーＴ１、Ｔ２の受け渡しモジュールＴＲＳについて、単位ブロックＥ１、Ｅ３、Ｅ５に対応する高さのモジュールの代わりに単位ブロックＥ２、Ｅ４、Ｅ６に対応する高さのモジュールが用いられる。
【００５０】
この塗布、現像装置１によれば、撮像モジュール５によりウエハＷの側端部を側方から撮像して得られた画像データ６４に基づいて、ウエハＷの表面の周端部における当該ウエハＷの径方向に沿った高さの分布を取得し、取得した高さの分布に基づいて当該周端部における高さの落ち込みが矯正されるように、ＳＯＣ膜形成モジュール３にてダンパー３９の開度を設定してＳＯＣ膜を形成している。そして、このようなＳＯＣ膜の形成後、レジスト膜を当該ＳＯＣ膜上に積層しているため、レジスト膜の表面について、ウエハＷの周端部における高さの落ち込みが抑えられる。その結果として、露光時におけるフォーカス面とレジスト膜との乖離を抑え、ウエハＷの周端部においてレジストパターンのＣＤが異常となることを抑えることができる。
【００５１】
また、この塗布、現像装置１においては、ウエハＷの側面を撮像するカメラ５８により取得された画像データ６１に基づき、カメラ５９により取得された画像データ６４が補正され、この補正された画像データ６４に基づいてウエハＷの周端部の高さ位置の分布を取得している。従って、制御部１００は、より正確に当該傾斜面１０の高さ位置の分布を把握できるため、ウエハＷの周端部における表面の平坦性が、より確実に高くなるようにＳＯＣ膜を形成することができる。
【００５２】
ところで、上記のウエハＷの周端部における径方向に沿った傾斜面１０の高さ位置の分布については、カメラ５９からの画像データによって取得することには限られない。例えば、塗布、現像装置１に、図２１に示す反射型のレーザー式の変位センサ６６を備えたモジュールを設ける。この変位センサ６６は鉛直下方にレーザーを照射すると共に、ウエハＷにて反射されたレーザーを受光する。変位センサ６６は、モジュール内の載置部に載置されたウエハＷの端部上をウエハＷの径方向に沿って移動できるように、図示しない移動機構に接続されている。そして、変位センサ６６から傾斜面１０を含むウエハＷの周端部上にレーザーを照射しながら、当該変位センサ６６が移動する。この移動中の変位センサ６６の受光に基づいて、制御部１００がウエハＷ表面の周端部における高さ分布を取得する。
【００５３】
なお、変位センサ６６の移動中に連続してレーザーを照射することには限られず、移動中に間欠的に傾斜面１０にレーザーを照射し、傾斜面１０の間隔をおいた複数の各位置の高さを取得し、それに基づいてＳＯＣ膜の膜厚分布を決定するようにしてもよい。また、ＳＯＣ膜はスピンコーティングによって成膜しているため、周方向における各位置の膜厚は等しい。そのため、変位センサ６６をウエハＷの径方向に沿って移動させるときに、ウエハＷは静止させておくことに限られず、ウエハＷを回転させて、周端部の表面の高さ分布の取得を行ってもよい。
【００５４】
また、上記の塗布、現像装置１において、レジスト膜の膜厚を傾斜面１０の高さ分布に対応するように周端に向かうほど厚くしないのは、そのようにレジスト膜の面内各部の厚さがばらつくと、レジストパターンのＣＤも面内各部でばらついてしまうためである。ただし、ＳＯＣ膜の代わりに反射防止膜をウエハＷの周端部の高さ分布に基づいて、上記のＳＯＣ膜のように周端に向かうほど厚くなるように形成し、反射防止膜の周端部の表面が平坦になるようにしてもよい。また、反射防止膜及びＳＯＣ膜の一方の膜厚分布だけではなく、取得されたウエハＷの周端部の高さ分布に基づいて、ＳＯＣ膜及び反射防止膜の膜厚分布を共に調整するようにしてもよい。
【００５５】
ところで、反射防止膜はフォトリソグラフィの後工程であるエッチング工程においてハードマスクとして用いられるので、その厚さが大きいとエッチングによる除去に時間がかかってしまうことから、比較的膜厚を小さくすることが求められる場合がある。しかしＳＯＣ膜は有機膜であることから、比較的膜厚が大きい箇所についても酸素を用いたプラズマ処理によって、速やかに除去することができる。従って、ＳＯＣ膜及び反射防止膜のうちの反射防止膜についてのみ膜厚分布を調整するよりも、ＳＯＣ膜についてのみ膜厚分布のみを調整するか、ＳＯＣ膜及び反射防止膜の膜厚分布を共に調整し、反射防止膜の膜厚の増大を抑えるようにすることが好ましい。なお、このレジスト膜の下層膜をなす反射防止膜は、有機材料により構成されていてもよいし、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料により構成されていてもよい。
【００５６】
ところで、ＳＯＣ膜の膜厚分布の調整は、既述したダンパー３９の開度によって調整することには限られない。図２２はＳＯＣ膜形成モジュール３において、整流板８１を設けた例を示している。整流板８１は、ウエハＷの周縁部を覆うように当該周縁部に沿ったリング状に構成されている。また、昇降機構８２により整流板８１は昇降可能に構成されている。この整流板８１は既述の薬液の薬液乾燥期間において、ウエハＷの表面から若干上方に離れた高さ位置に配置される。図中に点線の矢印で示すように、整流板８１の中央の開口部から整流板８１の下面へと流れ、さらに整流板８１の下面と回転するウエハＷの表面との間をウエハＷの径方向に沿って流れる排気流に曝されながら、ウエハＷの周端部の薬液が乾燥して、ＳＯＣ膜７１が形成される。
【００５７】
整流板８１とウエハＷの表面との距離が小さいほどウエハＷの周端部を流れる排気流の流速が大きく、薬液の乾燥が速やかに進行するため、ウエハＷの周端側のＳＯＣ膜の膜厚をより大きくすることができる。つまり、整流板８１の高さを変更することで、ウエハＷの周端におけるＳＯＣ膜７１の膜厚分布を変更することができる。従って薬液乾燥期間中に、取得したウエハＷの周端部の高さ分布に対応する高さに整流板８１を配置し、ウエハＷ表面の薬液の乾燥を行うことで、ウエハＷの周端部にエッジロールオフが抑えられたＳＯＣ膜７１を形成することができる。
【００５８】
また、ＳＯＣ膜の膜厚分布を調整するためには、ウエハＷの周端部の排気流を制御することには限られない。図２３に示すＳＯＣ膜形成モジュール３は、スピンチャック３１に保持されるウエハＷの周端部上に、鉛直下方に光を照射するＬＥＤからなる光照射部８３を備えている。この光照射部８３はウエハＷに光を照射することで、ウエハＷの周端部を局所的に加熱する。そして、光照射部８３による光の照射強度は調整自在であり、照射強度が大きいほどウエハＷの周端部は高い温度となり、速やかに薬液の乾燥が進行する。従って、薬液乾燥期間中に、取得したウエハＷの周端部の高さ分布に対応する照射強度で回転するウエハＷの周端部に光照射部８３から光を照射し、ウエハＷの周端部が当該高さ分布に応じた温度になるように加熱することで、ウエハＷの周端部にエッジロールオフが抑えられたＳＯＣ膜７１を形成することができる。
【００５９】
また、図２４に示すＳＯＣ膜形成モジュール３は、ウエハＷの周端部に局所的にＳＯＣ膜形成用の薬液を吐出できるノズル４６を備えている。図中４７は、ノズル４６と薬液供給源４３とを接続する薬液供給管４８に介設された薬液の流量調整部である。上記のようにスピンコーティングによってウエハＷの表面全体に薬液を塗布し、当該薬液を乾燥させてＳＯＣ膜を形成した後、ノズル４６から回転するウエハＷに薬液を供給する。つまり、図２４のＳＯＣ膜形成モジュール３においては、ウエハＷの周端部にＳＯＣ膜形成用の薬液が重ねて塗布される。この重ね塗り時において流量調整部４７によるノズル４６に供給される薬液の流量及びウエハＷの回転数が、取得したウエハＷの周端部の高さ分布に基づいて制御され、エッジロールオフが抑えられる膜厚となるように周端部への薬液の塗布が行われる。また、既述の手法の他に、薬液乾燥期間中のウエハＷの回転数を傾斜面１０の高さ分布に基づいて設定することで、ＳＯＣ膜の周端部におけるエッジロールオフを抑えてもよい。
【００６０】
既述の各装置構成例は、組み合わせて実施することができる。例えばダンパー３９の開度の調整や光照射部８３からの照射量を調整することでＳＯＣ膜の膜厚分布を調整する手法について示したが、ダンパー３９の開度、光照射部８３からの照射量を共に変更することで、ＳＯＣ膜の膜厚分布を調整してもよい。
【００６１】
（評価試験）
本発明に関連して行われた評価試験１について説明する。周端部が図２５のグラフに示すような高さ分布を有するウエハＷについて、ＳＯＣ膜、反射防止膜、レジスト膜を形成し、露光、現像を行ってレジストパターンを形成した。グラフの横軸、縦軸は夫々図７のグラフと同様にウエハＷの中心からの距離、ロールオフ量を示している。また、この評価試験１で使用したウエハＷは、研磨ウエハである。ただし、この評価試験１において、各膜の膜厚は既述の実施形態と異なり、ウエハＷの面内全体において均一になるように成膜した。レジストパターン形成後は、ウエハＷの面内のＣＤを測定した。
【００６２】
図２６のグラフは、ＣＤの測定結果を示している。グラフの横軸、縦軸は夫々、ウエハＷの中心からの距離（単位：ｍｍ）、ＣＤ（単位：ｎｍ）を示している。図２６のグラフに示すようにこの評価試験１で用いたウエハＷは、中心側から周端に向かって見ると、ウエハＷの中心からの距離が１４５ｍｍまではエッジロールオフ量が０ｍｍであるが、１４５ｍｍより外側になると、次第にエッジロールオフ量の絶対値が大きくなる。そして、図２６のグラフをウエハＷの中心側から周端に向かって見ると、ウエハＷの中心からの距離が１４５ｍｍまではＣＤが略同じ値で推移しているが、１４５ｍｍより外側になると、ＣＤの低下が見られる。このように評価試験１の結果から、エッジロールオフ量にＣＤの変動が対応していることが確認された。従って、既述の発明の実施の形態で説明した手法で、エッジロールオフを抑えることで、ＣＤの変動を抑えることが有効である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【国際調査報告】
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