(57)【要約】  誘電率分布を有する絶縁層を用いた回路基板内の信号線を伝送される信号の伝送速度のばらつきを抑える。  回路基板（１Ａ）は、絶縁層（１０ｂ）と、絶縁層（１０ｂ）上に設けられ、方向（Ｘ）に延在された信号線（２０）と、絶縁層（１０ｂ）下に設けられた導体層（３０ｂ）とを含む。絶縁層（１０ｂ）は、信号線（２０）が延在される方向（Ｘ）と直交する方向（Ｙ）に周期的な誘電率分布を有し、導体層（３０ｂ）は、信号線（２０）と対応する位置にスリット（３１ｂ）を有する。スリット（３１ｂ）により、信号線（２０）と導体層（３０ｂ）との間の電界を広げ、信号線（２０）と絶縁層（１０ｂ）の誘電率分布との位置関係に起因した信号線（２０）付近の誘電率の違いを緩和し、当該位置関係に起因した信号伝送速度のばらつきを抑える。
2017090181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、第１方向に延在された信号線と、
前記第１絶縁層下に設けられた第１導体層と
を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１方向と直交する第２方向に周期的な誘電率分布を有し、
前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第１開口部を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第１絶縁層は、第１樹脂と、前記第１樹脂内に設けられた第１ガラスクロスとを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１開口部の前記第２方向の幅が、前記信号線の前記第２方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層及び前記第１導体層下に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層下に設けられ、前記第１開口部及び前記第１導体層と対向する第２導体層と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第２開口部を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１絶縁層及び前記信号線上に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に設けられた第３導体層と
を更に含み、
前記第３絶縁層は、前記第２方向に周期的な誘電率分布を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第１絶縁層は、第１樹脂と、前記第１樹脂内に設けられた第１ガラスクロスとを含み、
前記第３絶縁層は、第２樹脂と、前記第２樹脂内に設けられた第２ガラスクロスとを含むことを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第２ガラスクロスのガラス糸のピッチが、前記第１ガラスクロスのガラス糸のピッチと異なることを特徴とする請求項７に記載の回路基板。
【請求項９】
前記第３導体層は、前記信号線と対応する位置に第３開口部を有することを特徴とする請求項６に記載の回路基板。
【請求項１０】
前記第３開口部の前記第２方向の幅が、前記信号線の前記第２方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１１】
前記第３開口部の前記第２方向の幅が、前記第１開口部の前記第２方向の幅と異なることを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１２】
前記第１絶縁層は、第１樹脂と、前記第１樹脂内に設けられた第１ガラスクロスとを含み、
前記第３絶縁層は、第２樹脂と、前記第２樹脂内に設けられた第２ガラスクロスとを含み、
前記第３開口部の前記第２方向の幅と、前記第１開口部の前記第２方向の幅との比が、前記第２ガラスクロスのガラス糸のピッチと、前記第１ガラスクロスのガラス糸のピッチとの比であることを特徴とする請求項１１に記載の回路基板。
【請求項１３】
前記第１絶縁層及び前記第１導体層下に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層下に設けられ、前記第１開口部及び前記第１導体層と対向する第２導体層と、
前記第３絶縁層及び前記第３導体層上に設けられた第４絶縁層と、
前記第４絶縁層上に設けられ、前記第３開口部及び前記第３導体層と対向する第４導体層と
を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１４】
前記第１開口部の前記第２方向の幅と、前記信号線の前記第２方向の幅との和が、前記第１絶縁層の、前記第２方向の誘電率分布の１周期よりも大きく、
前記第３開口部の前記第２方向の幅と、前記信号線の前記第２方向の幅との和が、前記第３絶縁層の、前記第２方向の誘電率分布の１周期よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１５】
前記第３導体層は、前記信号線と対応する位置に第４開口部を有することを特徴とする請求項９に記載の回路基板。
【請求項１６】
回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と
を含み、
前記回路基板は、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、第１方向に延在された信号線と、
前記第１絶縁層下に設けられた第１導体層と
を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１方向と直交する第２方向に周期的な誘電率分布を有し、
前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第１開口部を有することを特徴とする電子装置。
【請求項１７】
前記回路基板は、
前記第１絶縁層及び前記信号線上に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に設けられた第２導体層と
を更に含み、
前記第２絶縁層は、前記第２方向に周期的な誘電率分布を有し、
前記第２導体層は、前記信号線と対応する位置に第２開口部を有することを特徴とする請求項１６に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板の絶縁層として、樹脂内にガラス等の繊維のクロスを含む材料を用いる技術が知られている。このような材料を用いることで、回路基板内に設けられる配線等の所定導体間が絶縁されるほか、回路基板に一定の剛性が付与される。【０００３】
また、回路基板として、信号が伝送される配線（信号線）の上下に絶縁層を介して導体層を設けるストリップライン構造を採用するものや、絶縁層の上下に信号線と導体層を設けるマイクロストリップライン構造を採用するものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−１３０８６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ストリップライン構造やマイクロストリップライン構造を採用する回路基板では、絶縁層の誘電率が、信号線の信号伝送速度に影響を及ぼす場合がある。
例えば、絶縁層に、ガラス等のクロスを含む材料を用いる回路基板の場合、絶縁層に誘電率分布、例えば、クロスの糸目又は織目に起因した周期的な誘電率分布が生じ得る。このような、絶縁層に誘電率分布を有する回路基板では、その誘電率分布と信号線との位置関係によって、信号線の信号伝送速度に違い（ばらつき）が生じることがある。このような位置関係は、回路基板の製造上、制御することが難しい。【０００６】
回路基板の信号線の信号伝送速度にばらつきが生じると、回路基板を用いた電子装置において、所定回路部への信号到達時間にずれが生じ、所望の動作が実現されないことが起こり得る。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられ、第１方向に延在された信号線と、前記第１絶縁層下に設けられた第１導体層とを含み、前記第１絶縁層は、前記第１方向と直交する第２方向に周期的な誘電率分布を有し、前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第１開口部を有する回路基板が提供される。【０００８】
また、本発明の一観点によれば、上記のような回路基板を用いた電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の技術によれば、信号線の、絶縁層の誘電率分布との位置関係に起因した信号伝送速度のばらつきを抑えることのできる回路基板が実現される。また、このような回路基板を用いた高性能の電子装置が実現される。【００１０】
本発明の目的、特徴及び利点は、本発明の例として好ましい実施の形態を表す添付の図面と関連した以下の説明により明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一形態に係る回路基板を示す図である。
【図２】第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図３】第１の実施の形態に係る回路基板に生じる電界の説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係る回路基板のサイズの説明図である。
【図５】第１の実施の形態に係るシミュレーションに用いたモデルの一例を示す図である。
【図６】第１の実施の形態に係るシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図７】第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図８】第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図９】第３の実施の形態に係る回路基板のシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図１０】第３の実施の形態に係るシミュレーションに用いたモデルの一例を示す図である。
【図１１】第３の実施の形態に係るシミュレーション結果の一例を示す図である。
【図１２】第３の実施の形態に係るシミュレーション結果の別例を示す図である。
【図１３】第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１４】第５の実施の形態に係る回路基板の例を示す図である。
【図１５】第６の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１６】第７の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１７】第８の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。
【図１８】第９の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。
【図１９】第９の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。
【図２０】電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
まず、回路基板の一形態について述べる。
図１は一形態に係る回路基板を示す図である。図１（Ａ）には、一形態に係る回路基板の要部断面を模式的に図示し、図１（Ｂ）には、一形態に係る回路基板の要部平面を模式的に図示している。尚、図１（Ａ）には、図１（Ｂ）のＬ２−Ｌ２線に沿った位置に相当する断面を模式的に図示し、図１（Ｂ）には、図１（Ａ）のＬ１−Ｌ１線に沿った位置に相当する平面を模式的に図示している。
【００１３】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す回路基板１００は、絶縁層１１０と、絶縁層１１０内に設けられた信号線１２０（配線）と、絶縁層１１０の上下面にそれぞれ設けられた導体層１３０ａ及び導体層１３０ｂとを含む。
【００１４】
絶縁層１１０には、縦糸（経糸）１１２ａと横糸（緯糸）１１２ｂになるガラス糸を、例えば平織することで作製されたガラスクロス１１２に、樹脂１１１を含浸した複合材料が用いられる。
【００１５】
このような材料を用いた絶縁層１１０内の信号線１２０として、ここでは図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すような方向Ｘに延在された信号線１２１及び信号線１２２を例示している。信号線１２１及び信号線１２２には、例えば高周波の信号が伝送される。
【００１６】
導体層１３０ａ及び導体層１３０ｂは、絶縁層１１０の上下面にそれぞれ、信号線１２０（信号線１２１，１２２）を覆うようなサイズで設けられる。導体層１３０ａ及び導体層１３０ｂは、例えばグランド電位とされる。
【００１７】
回路基板１００は、このように信号線１２０の上下に、絶縁層１１０を介して導体層１３０ａ及び導体層１３０ｂを設けたストリップライン構造を有する。例えば１Ｇｂｐｓを超えるような高速の信号を扱う場合、このようなストリップライン構造が広く利用される。ストリップライン構造では、導体層１３０ａ及び導体層１３０ｂにより、信号線１２０を伝送される信号の、他の信号線を伝送される信号との電磁的な干渉を抑えることができる。
【００１８】
また、回路基板１００では、その絶縁層１１０の材料に、樹脂１１１を含浸したガラスクロス１１２を用いることで、絶縁層１１０及びこれを用いた回路基板１００に一定の剛性を付与することができる。
【００１９】
回路基板１００の絶縁層１１０には、樹脂１１１内のガラスクロス１１２の糸目又は織目に起因した周期的な誘電率分布が生じる。例えば、信号線１２０が延在する方向Ｘと直交する方向Ｙの誘電率分布に着目する。方向Ｙには、図１（Ｂ）の鎖線Ｐに沿った領域のように、横糸１１２ｂのみが存在する部位と、横糸１１２ｂと縦糸１１２ａが重なって存在する部位との繰り返しによって、周期的な誘電率分布が生じる。また、方向Ｙには、図１（Ｂ）の鎖線Ｑに沿った領域のように、縦糸１１２ａが存在する部位と存在しない部位との繰り返しによって、周期的な誘電率分布が生じる。
【００２０】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）には、このような周期的な誘電率分布を有する絶縁層１１０内に、信号線１２０として、信号線１２１のような位置に設けられるものと、信号線１２２のような位置に設けられるものとを例示している。信号線１２１は、方向Ｘに延びる１本の縦糸１１２ａの直上又は直下に設けられる信号線１２０であり、信号線１２２は、隣接する２本の縦糸１１２ａ間の直上又は直下に設けられる信号線１２０である。
【００２１】
図１（Ａ）に示す一断面（図１（Ｂ）のＬ２−Ｌ２線又は鎖線Ｐに相当する断面）を例にとると、信号線１２１と導体層１３０ａ又は導体層１３０ｂの間は、樹脂１１１内に、縦糸１１２ａと横糸１１２ｂが重なって存在する構造となる。一方、信号線１２２と導体層１３０ａ又は導体層１３０ｂの間は、樹脂１１１内に、横糸１１２ｂのみが存在する構造となる。また、別断面（図１（Ｂ）の鎖線Ｑに相当する断面）では、信号線１２１と導体層１３０ａ又は導体層１３０ｂの間には縦糸１１２ａが存在する一方、信号線１２２と導体層１３０ａ又は導体層１３０ｂの間には縦糸１１２ａが存在しない構造となる。
【００２２】
信号線１２１は、信号線１２２に比べて、ガラスクロス１１２に近く、更に、導体層１３０ａ又は導体層１３０ｂとの間に占めるガラスクロス１１２の体積が大きくなる。そのため、信号線１２１付近の誘電率は、信号線１２２付近の誘電率よりも高くなる。
【００２３】
信号線１２０付近の誘電率は、信号線１２０を伝送される信号の伝送速度に影響を及ぼし得る。比較的誘電率の高い部位に位置する信号線１２１の信号伝送速度は、比較的誘電率の低い部位に位置する信号線１２２の信号伝送速度に比べて、遅くなる傾向がある。
【００２４】
信号線１２０は、ガラスクロス１１２の糸目又は織目に対してどのような位置に配置されるかによって、即ち、ガラスクロス１１２を用いることで生じる絶縁層１１０の誘電率分布との位置関係によって、信号伝送速度に差が生じる。この信号伝送速度の差は、所定回路部への信号の到達時間のずれ、伝播遅延時間のずれ（ばらつき、スキュー（skew））となって現れ、例えば、用いる材料や配線構造によって異なるが、一般に、最大で１％〜５％程度の伝播遅延時間差を生む。
【００２５】
この問題は、伝送信号が高速化する（信号を送る時間間隔が狭まる）ほど、深刻な問題となる。例えば、１０ｃｍの配線長を信号が伝送される場合、７００ピコ秒（ｐｓ）程度の伝送時間がかかるが、１％の誤差があるとすると、伝送時間差は７ｐｓとなる。例えば、２０Ｇｂｐｓの信号を伝送する場合、信号と信号の間隔は５０ｐｓであるが、送受信回路の工夫等により、信号の間隔に対して１０％程度のずれまでは許容できるとすると、５ｐｓのずれを許容できることになる。そのため、２０Ｇｂｐｓ以上の信号を伝送する場合、５ｐｓ以下の伝送時間差が求められるが、上記のような７ｐｓの伝送時間差は許容できないことになる。
【００２６】
信号線１２０と、ガラスクロス１１２を用いた絶縁層１１０の誘電率分布との位置関係は、製造上、制御することが難しい。つまり、実際に製造してみるまでは、信号線１２０が、上記信号線１２１のように縦糸１１２ａの直上又は直下に配置されるのか、上記信号線１２２のように隣接する縦糸１１２ａ間の直上又は直下に配置されるのか、といったことは確定しない。そのため、信号線１２０を、例えば、その付近の誘電率が比較的低くなり信号伝送速度の遅延が比較的抑えられるような、隣接する縦糸１１２ａ間の直上又は直下に配置する、といった制御は難しい。
【００２７】
尚、信号線１２０の幅を、ガラスクロス１１２のガラス糸ピッチ（配置間隔）の７５％〜９５％に設定すると、信号線１２０とガラスクロス１１２との位置関係によらず、信号伝送速度に生じる差を低減することができる。但し、信号線１２０の幅が、絶縁層１１０に用いるガラスクロス１１２のガラス糸ピッチに依存することになる。
【００２８】
以上のような点に鑑み、ここでは以下に実施の形態として例示するような技術を用い、回路基板の信号線の、絶縁層の誘電率分布との位置関係に起因した信号伝送速度のばらつき、スキューを抑える。
【００２９】
まず、第１の実施の形態について説明する。
図２は第１の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図２（Ａ）には、第１の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図２（Ｂ）には、第１の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面を模式的に図示している。尚、図２（Ａ）には、図２（Ｂ）のＬ３−Ｌ３断面を模式的に図示している。
【００３０】
図２に示す回路基板１Ａは、絶縁層１０と、絶縁層１０内に設けられた信号線２０と、絶縁層１０の上下面にそれぞれ設けられた導体層３０ａ及び導体層３０ｂとを含む。
絶縁層１０には、縦糸１２ａと横糸１２ｂになるガラス糸を用いて作製されたガラスクロス１２に、エポキシ樹脂等の樹脂１１を含浸した複合材料が用いられる。
【００３１】
尚、樹脂１１には、各種樹脂材料を用いることができ、例えば、エポキシ樹脂を用いることができる。このほか、樹脂１１には、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フェノール樹脂等を用いることもできる。
【００３２】
絶縁層１０の材料に、樹脂１１を含浸したガラスクロス１２が用いられることで、絶縁層１０及びこれを用いた回路基板１Ａに一定の剛性が付与される。また、ガラスクロス１２が用いられた絶縁層１０には、樹脂１１内のガラスクロス１２の糸目又は織目に起因して周期的な誘電率分布が生じる。このような誘電率分布を有する絶縁層１０内に、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すような方向Ｘに延在された信号線２０が設けられる。
【００３３】
信号線２０には、各種導体材料を用いることができ、例えば、銅（Ｃｕ）、若しくは銅を含む材料を用いることができる。このほか、信号線２０には、アルミニウム（Ａｌ）、若しくはアルミニウムを含む材料等を用いることもできる。
【００３４】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）には、方向Ｘに延びる１本の縦糸１２ａの直上又は直下に位置する信号線２０を例示するが、この第１の実施の形態に係る回路基板１Ａにおいては、信号線２０の位置は、この例に限定されない。方向Ｘに延在する信号線２０の位置は、その方向Ｘと直交する方向Ｙの絶縁層１０の誘電率分布に制約されない。信号線２０は、例えば、図示するような方向Ｘに延びる１本の縦糸１２ａの直上又は直下にあってもよいし、或いは、隣接する２本の縦糸１２ａ間の直上又は直下にあってもよい。
【００３５】
絶縁層１０の上下面にそれぞれ設けられる導体層３０ａ及び導体層３０ｂには、各種導体材料を用いることができ、例えば、銅、若しくは銅を含む材料を用いることができる。このほか、導体層３０ａ及び導体層３０ｂには、アルミニウム、若しくはアルミニウムを含む材料等を用いることもできる。
【００３６】
絶縁層１０の上面に設けられる導体層３０ａには、方向Ｘに延在する信号線２０と対応する位置に、スリット３１ａ（開口部）が設けられる。絶縁層１０の下面に設けられる導体層３０ｂにも同様に、方向Ｘに延在する信号線２０と対応する位置に、スリット３１ｂ（開口部）が設けられる。スリット３１ａ及びスリット３１ｂは、方向Ｘに延在する信号線２０に沿った平面形状、例えば、方向Ｘに延在する信号線２０の平面形状と相似する又は同一の平面形状とされる。
【００３７】
回路基板１Ａでは、信号線２０の上側に、絶縁層１０（上部の絶縁層１０ａ）を介して、スリット３１ａを有する導体層３０ａが設けられ、信号線２０の下側に、絶縁層１０（下部の絶縁層１０ｂ）を介して、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂが設けられる。回路基板１Ａは、ガラスクロス１２を含む絶縁層１０（絶縁層１０ａ，１０ｂ）内に設けられた信号線２０が、スリット３１ａを有する導体層３０ａと、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂとで挟まれた、ストリップライン構造を有する。
【００３８】
上記のような構成を有する回路基板１Ａでは、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれスリット３１ａ及びスリット３１ｂが設けられることで、信号線２０の、絶縁層１０の誘電率分布との位置関係に起因した伝送信号のスキューが抑えられる。この点について、次の図３を参照して説明する。
【００３９】
図３は第１の実施の形態に係る回路基板に生じる電界の説明図である。ここでは、比較例として、導体層にスリットを設けない回路基板を図３（Ａ）に示し、導体層にスリットを設けた第１の実施の形態に係る回路基板を図３（Ｂ）に示している。
【００４０】
図３（Ａ）に示す回路基板２は、図３（Ｂ）に示す第１の実施の形態に係る回路基板１Ａと同様に、絶縁層１０と、絶縁層１０内に設けられた信号線２０とを含む。回路基板２では、絶縁層１０の上下面にそれぞれ、上記スリットを有しない導体層４０ａ及び導体層４０ｂが設けられる。尚、図３（Ａ）に示す回路基板２と、図３（Ｂ）に示す回路基板１Ａとのサイズ（厚さ）の違いについては後述する。
【００４１】
図３（Ａ）に示す回路基板２では、所定動作時に、信号線２０と導体層４０ａ及び導体層４０ｂとの間に、例えば、信号線２０から導体層４０ａ及び導体層４０ｂに向かって、電界５２が生じる。
【００４２】
回路基板２では、方向Ｘに延在する信号線２０が、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布に対してどのような位置にあるのかによって、付近の誘電率が違ってくる。例えば、信号線２０が、図示するような方向Ｘに延びる縦糸１２ａの直上又は直下にあるのか、或いは、図示しないが隣接する縦糸１２ａ間の直上又は直下にあるのかによって、信号線２０付近の誘電率が変わってくる。
【００４３】
この信号線２０付近の誘電率は、電界５２に影響を及ぼし、信号線２０の信号伝送速度に影響を及ぼす。付近の誘電率が比較的高い信号線２０の信号伝送速度は、付近の誘電率が比較的低い信号線２０の信号伝送速度に比べて、遅くなる傾向がある。スリットを有しない導体層４０ａ及び導体層４０ｂを用いた回路基板２では、方向Ｘに延在する信号線２０と、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によって、信号線２０の信号伝送速度に差が生じ、伝送信号のスキューが大きくなる可能性がある。
【００４４】
一方、図３（Ｂ）に示す回路基板１Ａでは、所定動作時に、信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとの間に、例えば、信号線２０から導体層３０ａ及び導体層３０ｂに向かって、電界５１が生じる。
【００４５】
この時、回路基板１Ａでは、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれ、信号線２０と対応する位置にスリット３１ａ及びスリット３１ｂが設けられていることで、電界５１が、上記回路基板２で生じる電界５２に比べて広がる。例えば、断面視で、信号線２０から導体層３０ａに向かって斜め上方に広がって、また、信号線２０から導体層３０ｂに向かって斜め下方に広がって、電界５１が生じ、平面視で、信号線２０から左右側方に広がって、電界５１が生じる。
【００４６】
回路基板１Ａでは、このように電界５１が広がることで、信号線２０付近の誘電率の影響が、スリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けていない場合よりも小さくなり、より広い範囲の誘電率の平均となる。
【００４７】
このように回路基板１Ａでは、方向Ｘに延在する信号線２０が、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布に対してどのような位置にあっても、スリット３１ａ及びスリット３１ｂによって電界５１が広がって信号線２０付近の誘電率の違いが緩和される。これにより、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の信号伝送速度差が抑えられ、伝送信号のスキューが抑えられる。
【００４８】
続いて、回路基板１Ａのサイズとスキュー抑制効果について、図４を参照して説明する。
図４は第１の実施の形態に係る回路基板のサイズの説明図である。ここでは、比較例として、導体層にスリットを設けない回路基板を図４（Ａ）に示し、導体層にスリットを設けた第１の実施の形態に係る回路基板を図４（Ｂ）に示している。
【００４９】
例えば、図４（Ａ）に示すようなスリットを設けない回路基板２の、絶縁層１０に含まれるガラスクロス１２のガラス糸のピッチＷＰ２（絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布の１周期）を２７０μｍとする。このようなガラスクロス１２を含む絶縁層１０内の信号線２０の幅ＬＷ２を１６２μｍとし、信号線２０と導体層４０ｂ（及び導体層４０ａ）との距離ＳＤ２を１６０μｍとする。回路基板２では、このようなサイズとすることで、伝送信号のスキューが一定値に抑えられるものとする。
【００５０】
これに対し、図４（Ｂ）に示すようなスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けた回路基板１Ａでは、上記回路基板２よりも信号線２０の幅を狭め、絶縁層１０の厚さを薄くしても、同等のスキューを実現することが可能になる。例えば、ピッチＷＰ１（絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布の１周期）が同じ２７０μｍのガラスクロス１２を含む絶縁層１０内に、幅ＬＷ１が１００μｍの信号線２０を設け、信号線２０と導体層３０ｂ（及び導体層３０ａ）との距離ＳＤ１は１６０μｍとする。回路基板１Ａでは、このようにサイズを小型化しても、導体層３０ａのスリット３１ａ及び導体層３０ｂのスリット３１ｂによって電界５１を広げることで、位置による信号線２０付近の誘電率の違いを緩和して伝送信号のスキューを抑えることができる。
【００５１】
回路基板１Ａのスキュー抑制効果について更に説明する。
図５は第１の実施の形態に係るシミュレーションに用いたモデルの一例を示す図、図６は第１の実施の形態に係るシミュレーション結果の一例を示す図である。
【００５２】
ここでは、回路基板１Ａの導体層３０ａ及び導体層３０ｂに設けるスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅と、伝送信号のスキューとの関係を、シミュレーションにより得ている。
【００５３】
シミュレーションには、図５に示すような、ガラスクロス１２のガラス糸のピッチＷＰ３（絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布の１周期）が３００μｍ、信号線２０の幅ＬＷ３が１００μｍの回路基板１Ａのモデル３を用いている。このモデル３において、回路基板１Ａの導体層３０ａ及び導体層３０ｂに設けるスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ３を５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍとした時のスキューをシミュレーションしている。また比較のため、幅ＳＷ３を０μｍとした時のスキュー（スリットを設けない上記回路基板２に相当するもののスキュー）を併せてシミュレーションしている。シミュレーション結果を図６に示す。
【００５４】
図６において、横軸は信号線２０の伝送信号の周波数［ＧＨｚ］を表し、縦軸は伝送信号のスキュー［ｐｓ／１０ｃｍ］を表している。図６より、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けることで、設けない場合（ＳＷ３＝０μｍ）に比べて、スキューを抑えることが可能になる。幅ＬＷ３が１００μｍの信号線２０に対し、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ３が５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍと大きくなるほど、伝送信号のスキューが抑えられる。
【００５５】
この場合、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ３を、信号線２０の幅ＬＷ３である１００μｍよりも大きくすると、比較的大きなスキュー抑制効果が得られる。例えば、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ３＝２００μｍでは、スキューが８ｐｓ／１０ｃｍ前後と、幅ＳＷ３＝０μｍのスリットを設けない場合に比べて、４分の１以下程度までスキューを抑えることが可能になる。
【００５６】
以上述べたように、第１の実施の形態に係る回路基板１Ａでは、誘電率分布を有するような絶縁層１０内に信号線２０を設け、これを挟む導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれ、信号線２０と対応する位置にスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設ける。スリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けることで、信号線２０との間に生じる電界５１を広げ、方向Ｘに延在する信号線２０と、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係に起因した、信号線２０付近の誘電率の違いを緩和する。これにより、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の信号伝送速度差を抑え、伝送信号のスキューを抑えることが可能になる。
【００５７】
尚、ここでは信号線２０とそれを挟む一対の導体層３０ａ及び導体層３０ｂとを有する３層構造の回路基板１Ａを例示した。このほか、回路基板１Ａは、絶縁層１０ａ及び導体層３０ａ上、絶縁層１０ｂ及び導体層３０ｂ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた４層以上の多層構造としてもよい。このような４層以上の回路基板１Ａでも、その導体層３０ａにスリット３１ａ、導体層３０ｂにスリット３１ｂを設けることで、上記同様の効果を得ることが可能である。
【００５８】
ところで、高周波用の回路基板に関し、信号伝送路の特性インピーダンスを特定の値（例えば５０Ω）に近付けることで、信号の反射を抑制し、信号の品質を向上させる技術が知られている。例えば、特性インピーダンスを所望の値に近付けるために、信号線−導体層（例えばグランド電位）間の距離や信号線幅を調整することで、信号線−導体層間のキャパシタンスを増減させるという手法が用いられる。特性インピーダンスを上げたければ、絶縁層の厚さを増加させるか或いは信号線の幅を減少させ、特性インピーダンスを下げたければ、絶縁層の厚さを減少させるか或いは信号線の幅を増加させる。特性インピーダンスの整合のために、信号線−導体層間の距離を増加させたり信号線の幅を減少させたりすることでキャパシタンスを低減させることができない場合には、導体層にスリットを設けてキャパシタンスを低減させることも行われる。
【００５９】
これに対し、上記回路基板１Ａでは、信号線２０が、誘電率分布を有する絶縁層１０内に設けられ、その位置によって信号線２０付近の誘電率に違いが生じるものについて、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設ける。これにより、信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとの間に生じる電界５１を広げ、位置による信号線２０付近の誘電率の違いを緩和し、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の伝送信号のスキューを抑えるものである。
【００６０】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図７は第２の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図７（Ａ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図７（Ｂ）には、第２の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面を模式的に図示している。尚、図７（Ａ）には、図７（Ｂ）のＬ４−Ｌ４断面を模式的に図示している。
【００６１】
図７に示す回路基板１Ｂは、マイクロストリップライン構造を有する点で、上記第１の実施の形態に係るストリップライン構造の回路基板１Ａと相違する。
回路基板１Ｂは、絶縁層１０ｂ（絶縁層１０）と、絶縁層１０ｂ上に設けられた信号線２０と、絶縁層１０ｂ下に設けられた導体層３０ｂとを含む。絶縁層１０ｂには、樹脂１１内のガラスクロス１２の糸目又は織目に起因して周期的な誘電率分布が生じる。導体層３０ｂには、方向Ｘに延在する信号線２０と対応する位置に、スリット３１ｂが設けられる。
【００６２】
このようなマイクロストリップライン構造を有する回路基板１Ｂにおいても、導体層３０ｂにスリット３１ｂを設けることで、信号線２０と導体層３０ｂとの間に生じる電界を広げ、位置による信号線２０付近の誘電率の違いを緩和することができる。これにより、絶縁層１０ｂの方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の信号伝送速度差を抑え、伝送信号のスキューを抑えることが可能になる。
【００６３】
尚、ここでは信号線２０と導体層３０ｂとを有する２層構造の回路基板１Ｂを例示した。このほか、回路基板１Ｂは、絶縁層１０ｂ及び導体層３０ｂ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた３層以上の多層構造としてもよい。このような３層以上の回路基板１Ｂでも、その導体層３０ｂにスリット３１ｂを設けることで、上記同様の効果を得ることが可能である。
【００６４】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図８は第３の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図８には、第３の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
【００６５】
図８に示す回路基板１Ｃは、上記第１の実施の形態に係る回路基板１Ａの構造を一部に含んだストリップライン構造の回路基板の一例である。回路基板１Ｃは、スリット３１ａを有する導体層３０ａ上に絶縁層１０ｃ（絶縁層１０の一部）を介して導体層３０ｃが設けられ、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂ下に絶縁層１０ｄ（絶縁層１０の一部）を介して導体層３０ｄが設けられた構造を有する。
【００６６】
回路基板１Ｃの導体層３０ｃ及び導体層３０ｄには、導体層３０ａ及び導体層３０ｂのような、信号線２０に対応する位置のスリット３１ａ及びスリット３１ｂは設けられない。導体層３０ｃ及び導体層３０ｄは、信号線２０の伝送信号と、回路基板１Ｃの内部又は外部に設けられる他の信号線の伝送信号との電磁的な干渉を抑える、電磁シールド層として機能する。導体層３０ｃ及び導体層３０ｄには、各種導体材料を用いることができ、例えば、銅、又は銅を含む材料を用いることができる。このほか、導体層３０ｃ及び導体層３０ｄには、アルミニウム、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、フェライト等の材料を用いることもできる。
【００６７】
回路基板１Ｃの絶縁層１０ｃ及び絶縁層１０ｄには、例えば、絶縁層１０ａ及び絶縁層１０ｂと同様の樹脂１１が用いられる。絶縁層１０ｃ及び絶縁層１０ｄには、必ずしも絶縁層１０ａ及び絶縁層１０ｂに含まれているようなガラスクロス１２が含まれることを要しない。
【００６８】
回路基板１Ｃでは、例えば、ガラスクロス１２のガラス糸のピッチＷＰ４（絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布の１周期）を３００μｍ、信号線２０の幅ＬＷ４を１４０μｍ、信号線２０と導体層３０ｄ（及び導体層３０ｃ）との距離ＳＤ４を１６８μｍとすることができる。尚、この場合、例えば、信号線２０と導体層３０ｂ（及び導体層３０ａ）との距離ＳＤ４ａは１００μｍ、導体層３０ｂ（及び導体層３０ａ）の厚さＳＤ４ｂは１８μｍ、導体層３０ｂと導体層３０ｄとの距離（及び導体層３０ａと導体層３０ｃとの距離）ＳＤ４ｃは５０μｍとすることができる。
【００６９】
回路基板１Ｃでは、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれ信号線２０と対応する位置にスリット３１ａ及びスリット３１ｂが設けられることで、信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとの間に生じる電界が広がり、位置による信号線２０付近の誘電率の違いが緩和される。これにより、絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の伝送信号のスキューが抑えられる。
【００７０】
更に、回路基板１Ｃでは、それぞれスリット３１ａ及びスリット３１ｂを有する導体層３０ａ及び導体層３０ｂの外側に、電磁シールド層として導体層３０ｃ及び導体層３０ｄが設けられる。これにより、信号線２０の伝送信号と、他の信号線の伝送信号との電磁的な干渉が抑えられる。
【００７１】
ここで、第３の実施の形態に係る回路基板１Ｃと、例えば上記図４（Ａ）に示すような、スリットを有しない導体層４０ａ及び導体層４０ｂを設ける回路基板２との比較について述べる。
【００７２】
回路基板２では、スリットを有しない導体層４０ａ及び導体層４０ｂが電磁シールド層として機能する。回路基板２で、第３の実施の形態に係る回路基板１Ｃと同等のスキューを得るためには、ガラスクロス１２のピッチＷＰ２が同じ３００μｍの時に、信号線２０の幅ＬＷ２は１６８μｍ、信号線２０と導体層４０ｂ（及び導体層４０ａ）との距離ＳＤ２は１７８μｍとされる。このように回路基板２では、信号線２０と導体層４０ａ，４０ｂの３層構造であっても、一定のスキュー抑制効果を得るためには、信号線２０と導体層３０ａ，３０ｂ、更にその外側の導体層３０ｃ，３０ｄを含む５層構造の回路基板１Ｃよりも、厚くなる。
【００７３】
回路基板１Ｃでは、上記のような伝送信号のスキュー抑制効果及び電磁干渉抑制効果が得られる構造を、大型化を抑えて実現することができる。また、回路基板１Ｃでは、その内部に設ける配線の密度を高めることもできる。
【００７４】
図９は第３の実施の形態に係る回路基板のシミュレーション結果の一例を示す図である。
図９には、図８に示す回路基板１Ｃに相当する構造を有し、上記のようにピッチＷＰ４を３００μｍ、幅ＬＷ４を１４０μｍ、距離ＳＤ４を１６８μｍとしたモデルを用い、信号線２０の伝送信号のスキューをシミュレーションした結果（図９に「実施例」と記す）を例示している。
【００７５】
また図９には比較のため、図４（Ａ）に示す回路基板２に相当する構造を有するモデルを用い、信号線２０の伝送信号のスキューをシミュレーションした結果を併せて例示している。回路基板２については、ピッチＷＰ２は同じ３００μｍとし、幅ＬＷ２を１７０μｍ、距離ＳＤ２を１８０μｍとしたもの（図９に「比較例１」と記す）、幅ＬＷ２を１６０μｍ、距離ＳＤ２を１７０μｍとしたもの（図９に「比較例２」と記す）、幅ＬＷ２を１４０μｍ、距離ＳＤ２を１５０μｍとしたもの（図９に「比較例３」と記す）のシミュレーション結果を例示している。
【００７６】
尚、実施例及び比較例１〜３では、特性インピーダンスの整合（５０Ω）も行っている。
図９において、横軸は信号線２０の伝送信号の周波数［ＧＨｚ］を表し、縦軸は伝送信号のスキュー［ｐｓ／１０ｃｍ］を表している。図９より、まず比較例１〜３に関し、比較例２及び比較例３のシミュレーションではスキューが比較的大きくなるのに対し、比較例１のシミュレーションでは比較的ゼロに近いスキューとなっている。上記サイズの回路基板１Ｃに相当する実施例のシミュレーションでは、比較例１に近く、ほぼゼロのスキューとなっている。
【００７７】
図９に示す実施例と比較例１のシミュレーション結果より、回路基板１Ｃ（実施例）では、回路基板２（比較例１）と同等又はそれ以上のスキュー抑制効果を得つつ、小型化を図ることが可能になる。即ち、回路基板１Ｃ（ＬＷ４＝１４０μｍ，ＳＤ４＝１６８μｍ）では、回路基板２（ＬＷ２＝１７０μｍ，ＳＤ２＝１８０μｍ）に比べて、信号線２０の幅で３０μｍ、絶縁層１０の厚さ（信号線２０に対して上側又は下側）で約１０μｍの小型化が図られる。
【００７８】
続いて、回路基板１Ｃにおけるスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅について説明する。
図１０は第３の実施の形態に係るシミュレーションに用いたモデルの一例を示す図、図１１は第３の実施の形態に係るシミュレーション結果の一例を示す図である。
【００７９】
ここでは、回路基板２に相当する図１０（Ａ）に示すようなモデル２ａ、及び回路基板１Ｃに相当する図１０（Ｂ）に示すようなモデル１Ｃａを考える。
図１０（Ａ）に示すモデル２ａでは、信号線２０と導体層４０ａとの間、及び信号線２０と導体層４０ｂとの間にそれぞれ、２層のガラスクロス１２が含まれる。
【００８０】
図１０（Ｂ）に示すモデル１Ｃａでは、信号線２０と導体層３０ｃとの間、及び信号線２０と導体層３０ｄとの間にそれぞれ、２層のガラスクロス１２が含まれる。モデル１Ｃａでは、信号線２０に対して上側の２層のガラスクロス１２間に、スリット３１ａを有する又は有しない導体層３０ａが設けられ、信号線２０に対して下側の２層のガラスクロス１２間に、スリット３１ｂを有する又は有しない導体層３０ｂが設けられる。尚、図１０（Ｂ）には便宜上、スリット３１ａを有する導体層３０ａ、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂを図示している。
【００８１】
モデル２ａ及びモデル１Ｃａにおいて、ガラスクロス１２のガラス糸のピッチＷＰ（絶縁層１０の誘電率分布の１周期）は３００μｍとし、信号線２０の幅ＬＷは１５５μｍとしている。モデル１Ｃａにおいては、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷを０μｍ〜４５０μｍとしている。モデル２ａ及びモデル１Ｃａの絶縁層１０の厚さは同じとしている。
【００８２】
このようなモデル２ａのスキュー、及びモデル１Ｃａのスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷを変化させた時のスキューを、それぞれシミュレーションしている。シミュレーション結果を図１１に示す。
【００８３】
図１１において、横軸はモデル１Ｃａのスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ［μｍ］を表し、縦軸はモデル１Ｃａの伝送信号のスキュー［ｐｓ／１０ｃｍ］を表している。縦軸のスキューは、５０ＧＨｚまでの周波数範囲で得られるスキューの平均値である。モデル２ａのスキューは、図１１に点線Ｒで示す９．３ｐｓ／１０ｃｍである。
【００８４】
図１１より、モデル１Ｃａ（図１０（Ｂ））では、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが３００μｍまでの範囲において、幅ＳＷの増加に伴い、スキューが減少する傾向が認められる。スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが３００μｍ〜４５０μｍの範囲では、幅ＳＷの増加に伴い、スキューが僅かに増加する傾向が認められる。
【００８５】
モデル１Ｃａでは、スリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けることで（０μｍ＜ＳＷ≦３００μｍ）、前述のように、信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとの間に生じる電界が広がり、位置による信号線２０付近の誘電率の違いが緩和される。これにより、信号線２０の伝送信号のスキューが抑えられる。
【００８６】
但し、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが一定値を上回ると（ＳＷ＞３００μｍ）、信号線２０と導体層３０ｃ及び導体層３０ｄとの間に生じる電界により、スリット３１ａ及びスリット３１ｂで電界を広げる効果が小さくなり、スキューが微増する。つまり、モデル１Ｃａにおいてスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが一定値を上回ると（ＳＷ＞３００μｍ）、実質的にモデル２ａの構造に近付いていくと考えることができる。
【００８７】
図１１より、モデル１Ｃａのスキューが、モデル２ａのスキューよりも改善される（点線Ｒの９．３ｐｓ／１０ｃｍを下回る）のは、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが１８０μｍを上回る場合である。モデル１Ｃａ、即ち回路基板１Ｃにおいては、ガラスクロス１２のピッチＷＰが３００μｍ、信号線２０の幅ＬＷが１５５μｍである場合、導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれ設けるスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷを１８０μｍ以上とすることが好ましい。
【００８８】
回路基板１Ｃにおけるスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅について更に説明する。
図１２は第３の実施の形態に係るシミュレーション結果の別例を示す図である。
図１２には、上記モデル１Ｃａ（図１０（Ｂ））の信号線２０の幅ＬＷを１１０μｍ、１３０μｍ、１５０μｍとした各々の場合について、同様に、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷを変化させてスキューをシミュレーションした結果を示している。
【００８９】
図１２において、横軸はモデル１Ｃａのスリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷ［μｍ］を表し、縦軸はモデル１Ｃａの伝送信号のスキュー［ｐｓ／１０ｃｍ］を表している。縦軸のスキューは、５０ＧＨｚまでの周波数範囲で得られるスキューの平均値である。また、図１２に示す点線Ｒ１、点線Ｒ２、点線Ｒ３はそれぞれ、上記モデル２ａ（図１０（Ａ））の信号線２０の幅ＬＷを１１０μｍ、１３０μｍ、１５０μｍとした場合のスキューを示している。点線Ｒ１のスキューは１７．３ｐｓ／１０ｃｍ、点線Ｒ２のスキューは１２．６ｐｓ／１０ｃｍ、点線Ｒ３のスキューは７．３ｐｓ／１０ｃｍである。尚、モデル１Ｃａ及びモデル２ａにおいて、ガラスクロス１２のガラス糸のピッチＷＰは共に３００μｍとしている。
【００９０】
図１２より、モデル１Ｃａの信号線２０の幅ＬＷが１１０μｍ、１３０μｍ、１５０μｍと増加するのに伴い、モデル２ａのスキューよりも改善される（点線Ｒ１〜Ｒ３の値を下回る）スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが減少する傾向が認められる。
【００９１】
ここで、信号線２０の幅ＬＷと、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷとの和の半分の値（｛ＳＷ＋ＬＷ｝／２）は、信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとの間に生じる電界の広がりの大きさを示すための指標の１つと考えられる。鋭意研究の結果、この値（｛ＳＷ＋ＬＷ｝／２）が、ガラスクロス１２のピッチＷＰの概ね半分以上（｛ＳＷ＋ＬＷ｝／２≧ＷＰ／２）であることが、上記のようなスキュー抑制効果を得るために重要な数値であることが判明した。
【００９２】
また、電界を効果的に広げるためには、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの端が、信号線２０の幅内に収まるよりも、信号線２０の幅外に位置することが好ましい。即ち、スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅ＳＷが、信号線２０の幅ＬＷよりも大きい（ＳＷ≧ＬＷ）ことが好ましい。
【００９３】
つまり、５層構造の回路基板１Ｃでは、次の式（１）及び式（２）のような条件が、スキュー抑制効果を得るための重要な条件となる。
ＳＷ＋ＬＷ≧ＷＰ・・・（１）
ＳＷ≧ＬＷ・・・（２）
この式（１）及び式（２）のような条件を満たすように回路基板１Ｃを設計、製造することで、スキューを効果的に抑えることが可能になる。
【００９４】
尚、ここでは信号線２０と、導体層３０ａ及び導体層３０ｂと、導体層３０ｃ及び導体層３０ｄとを有する５層構造の回路基板１Ｃを例示した。このほか、回路基板１Ｃは、絶縁層１０ｃ及び導体層３０ｃ上、絶縁層１０ｄ及び導体層３０ｄ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた６層以上の多層構造としてもよい。このような６層以上の回路基板１Ｃでも、その導体層３０ａにスリット３１ａ、導体層３０ｂにスリット３１ｂを設けることで、上記同様の効果を得ることが可能である。
【００９５】
ところで、スリットを設けて特性インピーダンスを調整する際には、上記回路基板１Ｃのように、信号線２０の上側又は下側（片側）に、グランド層又は電源層を２層とすることは通常行われない。換言すれば、上記回路基板１Ｃのような５層構造は、スキュー抑制の目的なく、特性インピーダンス調整を目的としては使用されない。その理由を以下に説明する。
【００９６】
通常、特性インピーダンスを調整する際、特性インピーダンスを上げたければ、絶縁層の厚さを増加させるか或いは信号線の幅を減少させる。特性インピーダンスを下げたければ絶縁層の厚さを減少させるか或いは信号線の幅を増加させる。スリットがなかった導体層にスリットを設けることは、絶縁層の厚さを増加させることと同様に特性インピーダンスを上げる効果となる。
【００９７】
ここで、スリットを用いて特性インピーダンスを増加させる方法において、信号線に近い導体層にはスリットがあり、遠い導体層にはスリットがない、という片側２層構造を、通常の片側１層構造と比較してみる。片側２層構造と同じ効果を通常の片側１層構造で得ようとする場合には、片側２層構造における信号線から近い導体層（スリットのある層）と遠い導体層（ベタ層）の中間距離の導体層を１層設けてしまうだけでよい。このような片側１層構造の方が、層数も少なく、基板の厚さも薄くなる。片側２層構造にすることは、層数の増加や基板の厚さの増加につながるため、特性インピーダンス調整という目的では通常行われない。換言すれば、特性インピーダンス調整を行うために片側２層構造にすることは、小型化と逆行することになる。
【００９８】
即ち、スリットのある導体層とベタの導体層との片側２層のストリップライン構造は、スキューを抑える必要がない場合には、信号線の幅及び基板の厚さの増加を招くため、使用されない。スキューと電磁シールドの両者を考慮した場合に、従来技術よりも信号線の幅及び基板の厚さの低減が可能となる。つまり、高速信号伝送においてスキュー抑制を行う場合に、信号線の小型化に適した技術である。
【００９９】
次に、第４の実施の形態について説明する。
図１３は第４の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１３には、第４の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
【０１００】
図１３に示す回路基板１Ｄは、マイクロストリップライン構造を有する点で、上記第３の実施の形態に係るストリップライン構造の回路基板１Ｃと相違する。
回路基板１Ｄは、絶縁層１０ｂ及び絶縁層１０ｄ（絶縁層１０）と、信号線２０と、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂと、電磁シールド層として機能する導体層３０ｄを含む。絶縁層１０ｂ及び絶縁層１０ｄの、少なくとも絶縁層１０ｂには、樹脂１１内にガラスクロス１２が含まれる。絶縁層１０ｂ（又は絶縁層１０ｂ及び絶縁層１０ｄ）には、樹脂１１内のガラスクロス１２の糸目又は織目に起因して周期的な誘電率分布が生じる。導体層３０ｂのスリット３１ｂは、方向Ｘに延在する信号線２０と対応する位置に設けられる。導体層３０ｄは、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂを覆うように設けられる。
【０１０１】
このようなマイクロストリップライン構造を有する回路基板１Ｄにおいても、スリット３１ｂにより、信号線２０と導体層３０ｂとの間に生じる電界を広げ、位置による信号線２０付近の誘電率の違いを緩和することができる。これにより、絶縁層１０ｂ（又は絶縁層１０ｂ及び絶縁層１０ｄ）の方向Ｙの誘電率分布との位置関係によらず、方向Ｘに延在する信号線２０の信号伝送速度差を抑え、伝送信号のスキューを抑えることが可能になる。
【０１０２】
尚、ここでは信号線２０と導体層３０ｂと導体層３０ｄとを有する３層構造の回路基板１Ｄを例示した。このほか、回路基板１Ｄは、絶縁層１０ｄ及び導体層３０ｄ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた４層以上の多層構造としてもよい。このような４層以上の回路基板１Ｄでも、その導体層３０ｂにスリット３１ｂを設けることで、上記同様の効果を得ることが可能である。
【０１０３】
次に、第５の実施の形態について説明する。
図１４は第５の実施の形態に係る回路基板の例を示す図である。図１４（Ａ）には、第５の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。図１４（Ｂ）には、第５の実施の形態に係る回路基板の別例の要部断面を模式的に図示している。
【０１０４】
図１４（Ａ）に示す回路基板１Ｅは、信号線２０、導体層３０ａ及び導体層３０ｂの３層を有するストリップライン構造の回路基板である。回路基板１Ｅは、絶縁層１０として、信号線２０の上側と下側にそれぞれ、ピッチＷＰｃ（方向Ｙの誘電率分布の１周期）のガラスクロス１２ｃが用いられた絶縁層１０ａと、ピッチＷＰｃとは異なるピッチＷＰｄ（方向Ｙの誘電率分布の１周期）のガラスクロス１２ｄが用いられた絶縁層１０ｂとを含む。図１４（Ａ）には、信号線２０の下側の絶縁層１０ｂに用いられるガラスクロス１２ｄのピッチＷＰｄの方が、信号線２０の上側の絶縁層１０ａに用いられるガラスクロス１２ｃのピッチＷＰｃよりも大きい（広い）回路基板１Ｅを例示している。
【０１０５】
このような絶縁層１０を含む回路基板１Ｅの、絶縁層１０ａ上に導体層３０ａが設けられ、絶縁層１０ｂ下に導体層３０ｂが設けられる。回路基板１Ｅでは、導体層３０ａ及び導体層３０ｂのうち、比較的ピッチＷＰｄの広いガラスクロス１２ｄが用いられた絶縁層１０ｂ側の導体層３０ｂの、信号線２０と対応する位置に、スリット３１ｂが設けられる。
【０１０６】
回路基板１Ｅでは、ガラスクロス１２ｄによって比較的誘電率が高くなりまたその高低差が大きくなり易い絶縁層１０ｂを挟んで設けられる信号線２０と導体層３０ｂとの間の電界が広げられ、信号線２０の伝送信号のスキュー抑制が図られる。
【０１０７】
図１４（Ｂ）に示す回路基板１Ｆは、信号線２０、導体層３０ａ及び導体層３０ｂの３層を有するストリップライン構造の回路基板である。回路基板１Ｆは、比較的ピッチＷＰｃの狭いガラスクロス１２ｃが用いられた絶縁層１０ａ側の導体層３０ａの、信号線２０と対応する位置にも、スリット３１ａが設けられている点で、図１４（Ａ）に示す回路基板１Ｅと相違する。回路基板１Ｆにおいて、例えば、導体層３０ａのスリット３１ａは、導体層３０ｂのスリット３１ｂよりも、狭い幅とされる。
【０１０８】
回路基板１Ｆでは、スリット３１ａ及びスリット３１ｂにより、信号線２０と導体層３０ａとの間の電界、及び信号線２０と導体層３０ｂとの間の電界が共に広げられる。スリット３１ａ及びスリット３１ｂの幅の比を、ガラスクロス１２ｃ，１２ｄのピッチＷＰｃ，ＷＰｄの比に揃えるように調整し、信号線２０の上下の誘電率及び電界がスキューに及ぼす影響を同程度に揃える。これにより、信号線２０の伝送信号の効果的なスキュー抑制が図られる。
【０１０９】
このように、ガラスクロス１２ｃ，１２ｄに起因して生じる絶縁層１０の誘電率分布に基づき、導体層３０ａ及び導体層３０ｂの、一方の導体層３０ｂにのみスリット３１ｂを設けたり、双方に設けるスリット３１ａ，３１ｂの幅を変えたりすることもできる。
【０１１０】
尚、ここでは信号線２０と導体層３０ａ及び導体層３０ｂとを有する３層構造の回路基板１Ｅ，１Ｆを例示した。このほか、回路基板１Ｅ，１Ｆは、絶縁層１０ａ及び導体層３０ａ上、絶縁層１０ｂ及び導体層３０ｂ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた４層以上の多層構造としてもよい。このような４層以上の回路基板１Ｅ，１Ｆでも、その導体層３０ｂにスリット３１ｂを設ける、或いは導体層３０ａ及び導体層３０ｂにそれぞれスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けることで、上記同様の効果を得ることが可能である。
【０１１１】
次に、第６の実施の形態について説明する。
図１５は第６の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１５には、第６の実施の形態に係る回路基板の一例の要部断面を模式的に図示している。
【０１１２】
図１５に示す回路基板１Ｇは、上記第５の実施の形態で述べた回路基板１Ｆ（図１４（Ｂ））の、導体層３０ａ上に絶縁層１０ｃを介して導体層３０ｃが設けられ、導体層３０ｂ下に絶縁層１０ｄを介して導体層３０ｄが設けられた構造を有する。回路基板１Ｇは、信号線２０、導体層３０ａ及び導体層３０ｂの３層を有するストリップライン構造の回路基板１Ｆに、電磁シールド層として導体層３０ｃ及び導体層３０ｄを追加して５層構造の回路基板としたものである。
【０１１３】
回路基板１Ｇによれば、信号線２０の伝送信号のスキュー抑制が図られるほか、他の信号線の伝送信号との電磁干渉抑制が図られる。
尚、回路基板１Ｇは、絶縁層１０ｃ及び導体層３０ｃ上、絶縁層１０ｄ及び導体層３０ｄ下に、別の絶縁層を介して別の導体層を設けた６層以上の多層構造としてもよい。
【０１１４】
次に、第７の実施の形態について説明する。
図１６は第７の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１６には、第７の実施の形態に係る回路基板の一例の要部平面を模式的に図示している。
【０１１５】
上記のようなスリット３１ａを有する導体層３０ａは、必ずしもそのスリット３１ａによって分断されていることを要しない。同様に、スリット３１ｂを有する導体層３０ｂは、必ずしもそのスリット３１ｂによって分断されていることを要しない。
【０１１６】
図１６には、上記第１の実施の形態に係る回路基板１Ａ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ））について述べた導体層３０ａの別例を図示している。導体層３０ａには、ガラスクロス１２を絶縁層１０内に設けられた信号線２０と対応する位置に、スリット３１ａが設けられる。この導体層３０ａの、スリット３１ａを挟む左右の部分３０ａ１，３０ａ２は、分断されていることを要せず、１本又は２本以上の接続線３２（図１６には一例として３本の接続線３２を図示）で電気的に接続されてもよい。
【０１１７】
同一層内で導体層３０ａの左右の部分３０ａ１，３０ａ２を電気的に接続することを要し、所定本数の接続線３２を配置した後のスリット３１ａでも十分なスキュー抑制効果が得られる場合には、このように部分３０ａ１，３０ａ２を接続線３２で繋ぐことができる。また、導体層３０ａの他の導体（導体層３０ａと同一の又は異なる層の導体層）との接続、導体層３０ａのインダクタンスとそれによる影響等に基づき、導体層３０ａの左右の部分３０ａ１，３０ａ２を接続線３２で繋ぐようにしてもよい。
【０１１８】
例えば、スリット３１ａの長さ５ｍｍ毎に、０．５ｍｍの長さだけ左右の部分３０ａ１，３０ａ２を接続線３２で接続し、残りの４．５ｍｍは左右の部分３０ａ１，３０ａ２がスリットで分断される構造とする。
【０１１９】
尚、ここでは回路基板１Ａの導体層３０ａについて述べたが、反対側の導体層３０ｂについても同様に、スリット３１ｂを挟む左右の部分を１本又は２本以上の接続線で電気的に接続することが可能である。
【０１２０】
また、ここでは第１の実施の形態に係る回路基板１Ａを例にしたが、このように接続線３２で接続する手法は、上記第２〜第６の実施の形態に係る他の回路基板の、スリットを有する導体層に、同様に適用可能である。即ち、回路基板１Ｂの導体層３０ｂ（図７）、回路基板１Ｃの導体層３０ａ，３０ｂ（図８）、回路基板１Ｄの導体層３０ｂ（図１３）、回路基板１Ｅの導体層３０ｂ（図１４（Ａ））、回路基板１Ｆの導体層３０ａ，３０ｂ（図１４（Ｂ））、回路基板１Ｇの導体層３０ａ，３０ｂ（図１５）に、上記手法を適用することが可能である。
【０１２１】
次に、第８の実施の形態について説明する。
図１７は第８の実施の形態に係る回路基板の一例を示す図である。図１７（Ａ）には、第８の実施の形態に係る回路基板の第１の例の要部平面を模式的に図示している。図１７（Ｂ）には、第８の実施の形態に係る回路基板の第２の例の要部平面を模式的に図示している。
【０１２２】
上記第１〜第７の実施に形態では、所定方向（方向Ｘ）に直線的に延在された信号線２０を例示したが、信号線２０は、直線的に延在されるものには限定されない。
図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）にはそれぞれ、上記第１の実施の形態に係る回路基板１Ａ（図２（Ａ）及び図２（Ｂ））の別例を図示している。図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）には、信号線２０として、方向Ｘに延在する信号線２１と、方向Ｘに対して斜め方向Ｚに延在する信号線２２とを例示している。尚、ここでは信号線２１に連続する信号線２２を例示するが、信号線２１と信号線２２とは必ずしも連続していることを要しない。
【０１２３】
例えば、図１７（Ａ）に示すように、方向Ｘに延在する信号線２１については、導体層３０ａにスリット３１ａを設けることで、方向Ｘと直交する方向Ｙの絶縁層１０の誘電率分布との位置関係に起因した伝送信号のスキューを抑える。
【０１２４】
もう一方の信号線２２は、斜め方向Ｚに延在していることで、絶縁層１０の誘電率分布との位置関係が固定されず、当該位置関係によるスキューへの影響が、信号線２１の場合に比べて小さい。そのため、信号線２２については、図１７（Ａ）に示すように、導体層３０ａの、信号線２２と対応する位置に、スリットを設けないようにすることができる。
【０１２５】
図１７（Ａ）に示すような構成では、導体層３０ａの開口部の面積を抑え、導体層３０ａにより、信号線２０の伝送信号の電磁干渉を抑えることが可能になる。
また、導体層３０ａの、信号線２２と対応する位置には、図１７（Ｂ）に示すように、スリット３１ａを設けることもできる。
【０１２６】
図１７（Ｂ）に示すような構成では、導体層３０ａの面積を抑え、材料コストを抑えることが可能になる。
尚、ここでは回路基板１Ａの導体層３０ａについて述べたが、反対側の導体層３０ｂについても、信号線２０に対し、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示したのと同様の形状のスリット３１ｂを設けることが可能である。
【０１２７】
また、ここでは第１の実施の形態に係る回路基板１Ａを例にしたが、上記第２〜第６の実施の形態に係る他の回路基板でも、信号線２０が図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示すような信号線２２を含む場合には、上記手法を同様に適用することが可能である。更にまた、上記手法を適用したスリット３１ａを有する導体層３０ａ、或いはスリット３１ｂを有する導体層３０ｂに、上記第７の実施の形態で述べたような接続線３２を設けることも可能である。
【０１２８】
次に、第９の実施の形態について説明する。
図１８は第９の実施の形態に係る電子装置の一例を示す図である。図１８には、第９の実施の形態に係る電子装置の一例の要部断面を模式的に図示している。
【０１２９】
図１８に示す電子装置６０は、回路基板１と、回路基板１に実装された電子部品７０とを含む。
ここでは一例として、上記第３の実施の形態で述べた回路基板１Ｃ（又は上記第１の実施の形態で述べた回路基板１Ａ）の構造を一部に含む回路基板１を図示している。
【０１３０】
回路基板１は、導体部として、高速信号用の信号線２０（Ｓ）、グランド電位とされスリット３１ａ，３１ｂを有する導体層３０ａ，３０ｂ（Ｇ）、及びグランド電位とされ電磁シールド機能を有する導体層３０ｃ，３０ｄ（Ｇ）を含む。回路基板１の、導体層３０ｃの上側には、導体部として、電源電位とされる導体層３０ｅ（Ｖ）、グランド電位とされる導体層３０ｆ（Ｇ）、及び表面配線となる導体層３０ｇが含まれる。回路基板１の、導体層３０ｄの下側には、導体部として、非高速信号用の信号線２０ａ（Ｓ）、及び裏面配線となる導体層３０ｈ（Ｇ）が含まれる。
【０１３１】
これらの導体部のうち、信号線２０，２０ａ及び導体層３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆが、樹脂１１及びガラスクロス１２を含む絶縁層１０内に設けられ、その絶縁層１０の表裏面にそれぞれ導体層３０ｇ，３０ｈが設けられる。
【０１３２】
絶縁層１０には、表裏面間を貫通する貫通ビア３０ｉ（スルーホールビア）が設けられる。貫通ビア３０ｉは、例えば、グランド電位とされる導体層３０ｃ，３０ｄ，３０ｆ，３０ｇ，３０ｈに電気的に接続される。或いは、貫通ビア３０ｉは、信号用の信号線２０ａ及び導体層３０ｇ，３０ｈに電気的に接続される。
【０１３３】
回路基板１に実装される電子部品７０として、ここでは、パッケージ基板７１（回路基板）と、パッケージ基板に実装されたＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体チップ７２（半導体素子）とを含む半導体パッケージ（半導体装置）を例示している。半導体チップ７２は、半田バンプ等の端子７２ａを通じて、パッケージ基板７１と電気的に接続される。パッケージ基板７１は、電極７１ａ上に設けられた半田バンプ等の端子７１ｂが導体層３０ｇに接合され、回路基板１と電気的に接続される。
【０１３４】
このような構成を有する電子装置６０では、回路基板１において、信号線２０を挟んで配置される一対の導体層３０ａ，３０ｂの、信号線２０に対応する位置に、それぞれスリット３１ａ，３１ｂが設けられる。これにより、信号線２０と導体層３０ａ，３０ｂとの間に生じる電界が広がり、位置による信号線２０付近の誘電率の違いが緩和され、伝送信号のスキューが抑えられる。
【０１３５】
このようにスキューが抑えられることで、信号線２０を通じて信号が伝送される電子部品７０や、回路基板１上に実装される図示しない他の電子部品において、信号の遅延（到達時間のずれ）によって動作に不具合が生じるといった事態を回避することが可能になる。回路基板１を用いることで、高性能の電子装置６０が実現される。
【０１３６】
上記第２及び第４〜第８の実施の形態で述べた回路基板１Ｂ，１Ｄ〜１Ｇ等の構造を一部に含む回路基板を用いても同様に、高性能の電子装置を実現することができる。
尚、ここでは電子部品７０として、パッケージ基板７１とこれに実装された半導体チップ７２とを含む半導体パッケージを例示したが、半導体パッケージの形態は、図示のものに限定されない。擬似ＳＯＣ（System On a Chip）や、ＰＯＰ（Package On Package）構造を採用するもの等、各種半導体パッケージを電子部品７０として回路基板１上に実装することができる。また、回路基板１上には、電子部品７０として、半導体パッケージに限らず、１つ又は２つ以上の半導体チップ、３次元積層チップ等、各種半導体チップを用いることもできる。
【０１３７】
また、回路基板１は、例えば次のような方法を用いて形成することができる。
図１９は第９の実施の形態に係る回路基板の形成方法の一例を示す図である。図１９（Ａ）〜図１９（Ｅ）には、第９の実施の形態に係る回路基板形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
【０１３８】
まず、図１９（Ａ）に示すような、樹脂１１及びガラスクロス１２を含む絶縁層１０ｂ（絶縁層１０）の両面に導体箔３３が貼付された基板４、例えば導体箔３３として両面に銅箔が貼付された両面銅張板を準備する。
【０１３９】
次いで、基板４の両面の導体箔３３を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングし、図１９（Ｂ）に示すような、所定幅の信号線２０、及び所定幅のスリット３１ｂを有する導体層３０ｂを形成する。
【０１４０】
次いで、図１９（Ｃ）に示すように、絶縁層１０ｂの、信号線２０の形成面側に、樹脂１１及びガラスクロス１２を含む絶縁層１０ａ（絶縁層１０）、並びに銅箔等の導体箔３４をラミネートする。同様に、絶縁層１０ｂの、導体層３０ｂの形成面側に、樹脂１１及びガラスクロス１２を含む絶縁層１０ｄ（絶縁層１０）、並びに銅箔等の導体箔３５をラミネートする。絶縁層１０ａ及び導体箔３４のラミネートと、絶縁層１０ｄ及び導体箔３５のラミネートとは、別々に行ってもよいし、同時に行ってもよい。ラミネートは、例えば、真空ラミネータを用いて、加熱及び加圧しながら行う。
【０１４１】
次いで、図１９（Ｄ）に示すように、導体箔３４を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングし、所定幅のスリット３１ａを有する導体層３０ａを形成する。同様に、導体箔３５を、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングし、導体層３０ｄを形成する。導体層３０ａの形成と、導体層３０ｄの形成とは、別々に行ってもよいし、同時に行ってもよい。
【０１４２】
以降は、図１９（Ｃ）及び図１９（Ｄ）の工程の例に従い、絶縁層並びに導体箔のラミネートと、その導体箔のパターニングによる導体層の形成とを、所定層数分繰り返せばよい。例えば、図１９（Ｅ）に示すように、絶縁層１０ａの、導体層３０ａの形成面側に、樹脂１１及びガラスクロス１２を含む絶縁層１０ｃ（絶縁層１０）、並びに銅箔等の導体箔をラミネートし、その導体箔をパターニングして導体層３０ｃを形成する。このような工程を、上下の所定層数分繰り返し行うことで、上記図１８に示すような回路基板１が得られる。
【０１４３】
尚、図１９（Ｂ）までの工程により、上記第２の実施の形態で述べたような回路基板１Ｂを得ることができる。
図１９（Ｃ）及び図１９（Ｄ）の工程のうち、絶縁層１０ａ及び導体箔３４のラミネート（図１９（Ｃ））と、導体箔３４のパターニングによる導体層３０ａの形成（図１９（Ｄ））により、上記第１の実施の形態で述べたような回路基板１Ａを得ることができる。ここで、絶縁層１０ａ，１０ｂに異なるガラスクロスを用いると、上記第５の実施の形態で述べたような回路基板１Ｅ，１Ｆを得ることができる。
【０１４４】
図１９（Ｃ）及び図１９（Ｄ）の工程のうち、絶縁層１０ｄ及び導体箔３５のラミネート（図１９（Ｃ））と、導体箔３５のパターニングによる導体層３０ｄの形成（図１９（Ｄ））により、上記第４の実施の形態で述べたような回路基板１Ｄを得ることができる。
【０１４５】
図１９（Ｅ）までの工程により、上記第３の実施の形態で述べた回路基板１Ｃを得ることができる。ここで、絶縁層１０ａ，１０ｂに異なるガラスクロスを用いると、上記第６の実施の形態で述べた回路基板１Ｇを得ることができる。
【０１４６】
また、導体箔３３，３４のパターニングを適宜行うことで、上記第７の実施の形態で述べたような接続線３２、上記第８の実施の形態で述べたような信号線２１，２２を形成することができる。
【０１４７】
以上説明した第１〜第９の実施の形態に係る回路基板１Ａ〜１Ｇ等、及びそれを用いた電子装置６０等は、各種電子機器（電子装置とも称する）に用いることができる。例えば、コンピュータ（パーソナルコンピュータ、スーパーコンピュータ、サーバ等）、スマートフォン、携帯電話、タブレット端末、センサ、カメラ、オーディオ機器、測定装置、検査装置、製造装置といった、各種電子機器に用いることができる。
【０１４８】
図２０は電子機器の一例を示す図である。図２０には、電子機器の一例を模式的に図示している。
図２０に示すように、例えば上記図１８に示したような電子装置６０が、先に例示したような各種の電子機器８０に搭載（内蔵）される。電子装置６０に用いられる回路基板１では、スリット３１ａ，３１ｂにより、信号線２０と導体層３０ａ，３０ｂとの間に生じる電界が広がり、位置による信号線２０付近の誘電率の違いが緩和され、伝送信号のスキューが抑えられる。また、電磁シールド機能を有する導体層３０ｃ，３０ｄにより、信号線２０の伝送信号の電磁干渉が抑えられる。これにより、高性能の電子装置６０が実現され、そのような電子装置６０を搭載する、高性能の電子機器８０が実現される。
【０１４９】
ところで、回路基板の一形態としてフレキシブル基板が知られているが、このような柔軟性を有する回路基板には、剛性を格段に向上させるガラスクロス等の材料は用いられない。そのため、上記のようなガラスクロス等に起因した絶縁層の誘電率分布、それに起因したスキューの問題は生じない。また、シリコンインターポーザやガラスインターポーザと呼ばれる回路基板でも、上記のような誘電率分布、スキューの問題は生じない。
【０１５０】
以上、第１〜第９の実施の形態に係る回路基板１Ａ〜１Ｇ、電子装置６０及び電子機器８０等について説明した。
上記については単に例を示すものである。更に、多数の変形、変更が当業者にとって可能であり、本発明は上記に示し、説明した正確な構成及び応用例に限定されるものではなく、対応する全ての変形例及び均等物は、添付の請求項及びその均等物による本発明の範囲とみなされる。
【符号の説明】
【０１５１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ，２，１００  回路基板
１Ｃａ，２ａ，３  モデル
４  基板
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１１０  絶縁層
１１，１１１  樹脂
１２，１２ｃ，１２ｄ，１１２  ガラスクロス
１２ａ，１１２ａ  縦糸
１２ｂ，１１２ｂ  横糸
２０，２０ａ，２１，２２，１２０，１２１，１２２  信号線
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆ，３０ｇ，３０ｈ，４０ａ，４０ｂ，１３０ａ，１３０ｂ  導体層
３０ｉ  貫通ビア
３０ａ１，３０ａ２  部分
３１ａ，３１ｂ  スリット
３２  接続線
３３，３４，３５  導体箔
５１，５２  電界
６０  電子装置
７０  電子部品
７１  パッケージ基板
７１ａ  電極
７１ｂ，７２ａ  端子
７２  半導体チップ
８０  電子機器
【図１】
2017090181.tif 000003
【図２】
2017090181.tif 000004
【図３】
2017090181.tif 000005
【図４】
2017090181.tif 000006
【図５】
2017090181.tif 000007
【図６】
2017090181.tif 000008
【図７】
2017090181.tif 000009
【図８】
2017090181.tif 000010
【図９】
2017090181.tif 000011
【図１０】
2017090181.tif 000012
【図１１】
2017090181.tif 000013
【図１２】
2017090181.tif 000014
【図１３】
2017090181.tif 000015
【図１４】
2017090181.tif 000016
【図１５】
2017090181.tif 000017
【図１６】
2017090181.tif 000018
【図１７】
2017090181.tif 000019
【図１８】
2017090181.tif 000020
【図１９】
2017090181.tif 000021
【図２０】
2017090181.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成30年5月23日(2018.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
これに対し、図４（Ｂ）に示すようなスリット３１ａ及びスリット３１ｂを設けた回路基板１Ａでは、上記回路基板２よりも信号線２０の幅を狭め、絶縁層１０の厚さを薄くしても、同等のスキューを実現することが可能になる。例えば、ピッチＷＰ１（絶縁層１０の方向Ｙの誘電率分布の１周期）が同じ２７０μｍのガラスクロス１２を含む絶縁層１０内に、幅ＬＷ１が１００μｍの信号線２０を設け、信号線２０と導体層３０ｂ（及び導体層３０ａ）との距離ＳＤ１は１００μｍとする。回路基板１Ａでは、このようにサイズを小型化しても、導体層３０ａのスリット３１ａ及び導体層３０ｂのスリット３１ｂによって電界５１を広げることで、位置による信号線２０付近の誘電率の違いを緩和して伝送信号のスキューを抑えることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、第１方向に延在された信号線と、
前記第１絶縁層下に設けられた第１導体層と
を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１方向と直交する第２方向に周期的な誘電率分布を有し、
前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第１開口部を有することを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第１開口部の前記第２方向の幅が、前記信号線の前記第２方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第１絶縁層及び前記第１導体層下に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層下に設けられ、前記第１開口部及び前記第１導体層と対向する第２導体層と
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層及び前記信号線上に設けられた第３絶縁層と、
前記第３絶縁層上に設けられた第３導体層と
を更に含み、
前記第３絶縁層は、前記第２方向に周期的な誘電率分布を有することを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項５】
前記第３導体層は、前記信号線と対応する位置に第３開口部を有することを特徴とする請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第３開口部の前記第２方向の幅が、前記信号線の前記第２方向の幅よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項７】
前記第３開口部の前記第２方向の幅が、前記第１開口部の前記第２方向の幅と異なることを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１絶縁層及び前記第１導体層下に設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層下に設けられ、前記第１開口部及び前記第１導体層と対向する第２導体層と、
前記第３絶縁層及び前記第３導体層上に設けられた第４絶縁層と、
前記第４絶縁層上に設けられ、前記第３開口部及び前記第３導体層と対向する第４導体層と
を更に含むことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項９】
前記第１開口部の前記第２方向の幅と、前記信号線の前記第２方向の幅との和が、前記第１絶縁層の、前記第２方向の誘電率分布の１周期よりも大きく、
前記第３開口部の前記第２方向の幅と、前記信号線の前記第２方向の幅との和が、前記第３絶縁層の、前記第２方向の誘電率分布の１周期よりも大きいことを特徴とする請求項５に記載の回路基板。
【請求項１０】
回路基板と、
前記回路基板上に実装された電子部品と
を含み、
前記回路基板は、
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられ、第１方向に延在された信号線と、
前記第１絶縁層下に設けられた第１導体層と
を含み、
前記第１絶縁層は、前記第１方向と直交する第２方向に周期的な誘電率分布を有し、
前記第１導体層は、前記信号線と対応する位置に第１開口部を有することを特徴とする電子装置。
【国際調査報告】
2017090181.tif 000023
2017090181.tif 000024
2017090181.tif 000025