(57)【要約】      （修正有）【課題】基板保持具から基板を回収する際に、基板と搬送手段とが接触するのを防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも一枚の基板２が収納された基板収納容器３と、基板を保持する基板保持具７と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段１７と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整する。【選択図】図２
2014045105.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ等の基板に、酸化処理、拡散処理、薄膜の生成等の処理を行う基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板を処理する処理装置として、縦型の処理炉と、所定数の被処理基板（以下ウェーハと称す）を水平姿勢で多段に保持する基板保持具であるボートと、該ボートにウェーハを移載する基板移載機とを具備し、前記ボートにウェーハを保持した状態で前記処理炉にてウェーハを処理するバッチ式の基板処理装置がある。
【０００３】
従来では、前記処理炉にてウェーハを処理し、前記処理炉から前記ボートを搬出した後に、該ボートから前記基板移載機が予め設定された移載開始位置よりウェーハを回収する様になっている。
【０００４】
然し乍ら、従来の基板処理装置の場合、前記ボートからウェーハを回収する際に、前記基板移載機の移載開始位置が常に一定であった為、ウェーハが処理炉内での処理により凸形状或は凹形状に変形した場合にウェーハと前記基板移載機とが回収時に接触し、ウェーハを回収することができず、又ウェーハと前記基板移載機とが接触し衝突することで、パーティクルの発生や前記ボートの転倒等の搬送事故を招く虞れがあった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板保持具から基板を回収する際に、基板と搬送手段とが接触するのを防止する基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整する基板処理装置に係るものである。
【０００７】
又本発明は、複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整するので、基板回収時に基板と前記搬送手段とが接触することがなく、基板を確実に回収できると共に、基板と前記搬送手段との接触に伴う搬送事故を防止することができる。
【０００９】
又本発明によれば、複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板を処理する処理工程と、前記基板保持具を前記処理炉内から取出して基板を回収する回収工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記回収工程では記憶部に予め入力された基板の基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収するので、基板を確実に回収でき、又基板の変形に伴う基板回収時の搬送事故を防止することができるという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例に係る基板処理装置を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る基板処理装置の制御装置の構成を示すブロック図である。
【図４】本発明の実施例に係る変形予測処理を説明するフローチャートである。
【図５】本発明の実施例に係る基板と搬送手段との位置関係を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。
【００１２】
先ず、図１、図２に於いて、本発明の実施例に係る基板処理装置１について説明する。
【００１３】
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
【００１４】
シリコン等からなるウェーハ２等の基板を収納した密閉式の基板収納容器（ＦＯＵＰ）（以下カセット３）を、外部から筐体４内へ搬入する為、及びその逆に該筐体４内から外部へ搬出する為のＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）５が前記筐体４の前面に設けられ、該筐体４内には搬入された前記カセット３を保管する為のカセット棚（保管手段）６が設けられている。
【００１５】
又、前記筐体４の内部には、ウェーハ２の搬送エリアであり、ボート（基板保持具）７のローディング、アンローディング空間となる気密室８が設けられている。前記ボート７には、上下方向に所定のピッチで保持部であるスロット１０（図５参照）が設けられ、該スロット１０に複数のウェーハ２が水平多段に保持される。
【００１６】
ウェーハ２に処理を行う時の前記気密室８の内部は、ウェーハ２の自然酸化膜を防止する為にＮ2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。
【００１７】
前記カセット３としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、前記カセット３の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気からウェーハ２を隔離して搬送でき、前記蓋体を取外すことで前記カセット３内へウェーハ２を入出させることができる。前記カセット３の蓋体を取外し、該カセット３内と前記気密室８とを連通させる為に、該気密室８の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）９，１１が複数組（図示では上下に２組）設けられ、前記気密室８の前記カセット載置ステージ９，１１対峙部分にはそれぞれカセットオープナ１２，１３（開閉手段）が設けられている。該カセットオープナ１２，１３は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ９，１１に載置された前記カセット３を個別に開閉可能となっている。
【００１８】
前記カセット載置ステージ９，１１、前記カセット棚６、及び前記Ｉ／Ｏステージ５間の前記カセット３の搬送は、カセット搬送機１４によって行われる。該カセット搬送機１４による前記カセット３の搬送空間１５には、前記筐体４に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。
【００１９】
前記気密室８の内部には、前記ボート７と、ウェーハ２のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合せる基板位置合せ装置１６が設けられ、又前記カセット載置ステージ９，１１上の前記カセット３と前記基板位置合せ装置１６と前記ボート７との間で、ツイーザ２０によりウェーハ２の搬送を行うウェーハ移載機（搬送手段）１７が１組設けられている。又、前記気密室８の上部にはウェーハ２を処理する為の処理炉１８が設けられており、該処理炉１８の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ１９によって開閉される。該炉口ゲートバルブ１９が開状態で、前記ボート７はボートエレベータ（昇降手段）２１によって前記処理炉１８へローディング、又は該処理炉１８からアンローディングされ、前記ボート７へのウェーハ２移載時には前記炉口ゲートバルブ１９が閉じられる様になっている。
【００２０】
又、前記基板処理装置１は、前記カセット搬送機１４、前記ウェーハ移載機１７、ボートエレベータ２１等の駆動を制御する制御装置２３を有している。以下、図３を参照して該制御装置２３について説明する。
【００２１】
該制御装置２３は、主にＣＰＵ等の演算制御部２４と、予測手段としての変形予測部２５と、搬送制御手段としての搬送制御部２６と、メモリやＨＤＤ等からなる記憶部２７と、マウスやキーボード等の操作部２８及びモニタ等の表示部２９とから構成されている。
【００２２】
前記変形予測部２５は、後述する各種プログラムの演算結果に基づき、前記処理炉１８により所定の処理がなされた後の、ウェーハ２の変形の状態を予測する機能を有している。
【００２３】
前記搬送制御部２６は、図示しない駆動モータを介して前記カセット搬送機１４、前記ウェーハ移載機１７、前記ボートエレベータ２１等の搬送機構の駆動を制御する機能を有しており、前記変形予測部２５による予測結果に基づき前記ボート７よりウェーハ２を回収する際の前記ツイーザ２０の移載開始位置（搬送開始の高さ方向の位置）を調整する様になっている。
【００２４】
前記記憶部２７には、各種データ等が格納されるデータ格納領域３２と、各種プログラムが格納されるプログラム格納領域３３が形成されている。前記データ格納領域３２は、基板処理を行う際のウェーハ２の厚みや径、処理温度、ウェーハ２の表面と裏面のどちらの面が処理されるか（以下、処理される面を処理面とする）等の基板情報（キャリア情報）が格納される基板情報格納エリア３４と、前記ボート７よりウェーハ２を回収する際の前記ツイーザ２０の移載開始位置を制御する為の情報が格納される移載開始位置情報格納エリア３５とを有している。該移載開始位置情報格納エリア３５には、例えば通常の移載開始位置である基準移載開始位置の情報、該基準移載開始位置から上方向に変位した上移載開始位置と、前記基準移載開始位置から下方向に変位した下移載開始位置の情報が格納されている。
【００２５】
又、前記プログラム格納領域３３には、基板処理に必要な各種プログラムが格納されている。例えば基板情報に基づいてウェーハ２の変形の有無を予測する為の変形有無予測プログラム３６と、処理内容に対応しウェーハ２が上向きに変形しているか下向きに変形しているかを予測する、即ちウェーハ２が凸形状であるか凹形状であるかを予測する為の変形形状予測プログラム３７と、該変形形状予測プログラム３７により予測されたウェーハ２の形状に基づき、移載開始位置を基準移載開始位置、上移載開始位置、下移載開始位置の中から選択する為の開始位置選択プログラム３８と、ウェーハ２がどの程度変形しているかを予測する為の変形量予測プログラム３９と、該変形量予測プログラム３９による予測されたウェーハ２の変形量を基に前記開始位置選択プログラム３８により選択された移載開始位置を上下方向に調整し、前記ツイーザ２０の移載開始位置を決定する為の移載開始位置決定プログラム４１とが格納されている。
【００２６】
基板処理は以下の手順で行われる。
【００２７】
基板処理が開始されると、先ずＡＧＶ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｇｕｉｄｅｄ  Ｖｅｈｉｃｌｅ）やＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ  Ｈｏｉｓｔ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）等の外部搬送装置により前記筐体４の外部から搬送された前記カセット３は、前記Ｉ／Ｏステージ５に載置される。該Ｉ／Ｏステージ５に載置された前記カセット３は、前記カセット搬送機１４によって直接前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送されるか、又は一旦前記カセット棚６にストックされた後に前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送される。
【００２８】
尚、ウェーハ２は基板処理時に厚みや径、処理温度、処理面等の種々の条件により変形することがあり、本実施例では前記カセット３が前記筐体４内に搬入される段階で、前記搬送制御部２６が前記変形予測部２５に前記基板情報格納エリア３４から基板情報を取得させ、該基板情報を基に前記変形予測部２５が処理後のウェーハ２の状態を予測する基板変形予測処理を行っている。
【００２９】
以下、図４のフローチャートを参照して、基板変形予測処理について説明する。尚、本実施例に於いては、前記操作部２８を介してウェーハ２の厚みや径、処理温度、処理面等の各種情報が、予め基板情報として前記データ格納領域３２の前記基板情報格納エリア３４に格納されると共に、基準移載開始位置、上移載開始位置、下移載開始位置の情報が予め前記移載開始位置情報格納エリア３５に格納されている。
【００３０】
ＳＴＥＰ：０１  基板変形予測処理が開始されると、先ず前記変形有無予測プログラム３６が起動される。該変形有無予測プログラム３６が起動されることで、前記基板情報格納エリア３４に格納された前記基板情報を基に、前記変形予測部２５により前記スロット１０に保持されたウェーハ２が変形しているかどうかが予測される。
【００３１】
ＳＴＥＰ：０２  ＳＴＥＰ：０１にてウェーハ２が変形していると予測された場合には、次に前記変形形状予測プログラム３７が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部２５によりウェーハ２が凸状、即ち上向きに変形しているか、ウェーハ２が凹状、即ち下向きに変形しているかどうかが予測される。
【００３２】
ＳＴＥＰ：０３  ＳＴＥＰ：０２にてウェーハ２が上向きに変形していると予測されると、前記開始位置選択プログラム３８が起動され、前記変形予測部２５により前記ツイーザ２０の移載開始位置として、上移載開始位置が選択される。
【００３３】
ＳＴＥＰ：０４  上移載開始位置が前記ツイーザ２０の移載開始位置として選択されると、次に前記変形量予測プログラム３９が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部２５によりウェーハ２の変形量、即ち何ｍｍ程度凸状に反っているかが予測される。
【００３４】
ＳＴＥＰ：０５  又、ＳＴＥＰ：０２にてウェーハ２が下向きに変形していると予測されると、前記開始位置選択プログラム３８が起動され、前記変形予測部２５により前記ツイーザ２０の移載開始位置として、下移載開始位置が選択される。
【００３５】
ＳＴＥＰ：０６  下移載開始位置が前記ツイーザ２０の移載開始位置として選択されると、次に前記変形量予測プログラム３９が起動され、前記基板情報を基に、前記変形予測部２５によりウェーハ２の変形量、即ち何ｍｍ程度凹状に反っているかが予測される。
【００３６】
ＳＴＥＰ：０７  又、ＳＴＥＰ：０１にてウェーハ２に変形がないと予測された場合には、前記開始位置選択プログラム３８が起動され、前記変形予測部２５により前記ツイーザ２０の移載開始位置として、基準移載開始位置が選択される。
【００３７】
ＳＴＥＰ：０８  最後に、前記移載開始位置決定プログラム４１が起動され、前記開始位置選択プログラム３８により選択された前記ツイーザ２０の移載開始位置が、前記変形量予測プログラム３９によって予測されたウェーハ２の変形量を基に上下方向に調整される。調整結果を基に前記変形予測部２５により前記ツイーザ２０の移載開始位置が決定され（図５（Ｂ）（Ｃ）参照）、ウェーハ２の変形予測処理が終了する。尚、ＳＴＥＰ：０１にてウェーハ２に変形がないと予測され、ＳＴＥＰ：０７にて基準移載開始位置が選択された場合には、基準移載開始位置をそのまま前記ツイーザ２０の移載開始位置とされ（図５（Ａ）参照）、ウェーハ２の変形予測処理を終了する。
【００３８】
変形予測処理を終了した後、前記カセット載置ステージ９，１１上に搬送された前記カセット３が、前記カセットオープナ１２，１３によって蓋体が取外され、前記カセット３の内部雰囲気が前記気密室８の雰囲気と連通される。
【００３９】
次に、前記ウェーハ移載機１７によって、前記気密室８の雰囲気と連通した状態の前記カセット３内からウェーハ２を取出す。取出されたウェーハ２は、前記基板位置合せ装置１６によって任意の位置にノッチが定まる様に位置合せが行われ、位置合せ後に前記ツイーザ２０を介して前記ボート７へと移載される。
【００４０】
該ボート７へウェーハ２が移載された後、前記処理炉１８の前記炉口ゲートバルブ１９を開放し、前記ボートエレベータ２１によりウェーハ２を保持した前記ボート７を前記処理炉１８内にローディングする。
【００４１】
前記処理炉１８によりウェーハ２が所定の処理温度に加熱され、処理ガスが導入されてウェーハ２に所要の処理がなされる。処理後は上述の逆の手順で、前記ボートエレベータ２１により前記ボート７を前記処理炉１８からアンローディングし、前記ツイーザ２０を介して処理済みのウェーハ２を前記ボート７から前記カセット３へと回収する。
【００４２】
この時、前記ウェーハ移載機１７は上述した変形予測処理の予測結果に基づいて前記搬送制御部２６によって制御され、ウェーハ２を回収する前記ツイーザ２０の移載開始位置は上下方向に調整されることで、前記ツイーザ２０とウェーハ２とが接触しない様になっている。
【００４３】
尚、前記処理炉１８内の上下方向の温度分布により、ウェーハ２に対する処理条件が前記スロット１０毎に異なる可能性がある為、変形予測処理は、前記スロット１０の数だけ繰返し行われる様になっており、前記搬送制御部２６は各スロット１０毎の予測結果に応じて前記ウェーハ移載機１７を制御し、処理済みウェーハ２を回収する。尚、前記処理炉１８内でのウェーハ２に対する処理条件の相違が無視できる場合には、代表的な１枚のウェーハ２に対してのみ変形予測処理を行う様にしてもよい。
【００４４】
前記カセット３にウェーハ２が回収された後は、前記カセット搬送機１４により前記カセット載置ステージ９，１１から前記Ｉ／Ｏステージ５を介して前記筐体４の外部へと払出され、基板処理が終了する。  
【００４５】
上述の様に、本実施例では、前記ボート７から処理済みのウェーハ２を前記カセット３に回収する際に、予め入力されたウェーハ２の厚みや径、処理温度、処理面等の基板情報を基に処理済みウェーハ２の状態を予測し、予測結果に応じて前記ツイーザ２０の移載開始位置を自動的に変更する様にしているので、ウェーハ２を確実に回収できると共に、ウェーハ２を回収する際にウェーハ２と前記ツイーザ２０との接触及び衝突を防止でき、接触によるパーティクルの発生や衝突による前記ボート７の転倒等の搬送事故を防止することができる。
【００４６】
尚、本実施例では、ウェーハ２に変形がある場合には前記開始位置選択プログラム３８の指示により、前記変形予測部２５が上移載開始位置と下移載開始位置のいずれか一方を選択する様にしているが、予め上移載開始位置及び下移載開始位置をそれぞれ複数パターン前記移載開始位置情報格納エリア３５に格納しておき、ウェーハ２の変形量に応じて前記変形予測部２５が複数パターンの上移載開始位置及び下移載開始位置の中から適切な移載開始位置を選択する様にしてもよい。
【００４７】
又、本実施例では、基板情報や移載開始位置情報を前記操作部２８を介して前記データ格納領域３２に直接入力しているが、基板情報や移載開始位置情報を記憶したＰＣ等の統括制御装置に前記基板処理装置１をＬＡＮ等の通信手段を介して接続し、変形予測処理時に前記統括制御装置より基板情報や移載開始位置情報をダウンロードする様にしてもよい。
【００４８】
尚、本実施例の基板処理装置は、半導体製造装置だけではなくＬＣＤ装置の様なガラス基板を処理する装置であっても適用可能である。
【００４９】
又、本実施例に適用される基板処理装置を用いた成膜処理には、例えばＣＶＤ、ＡＬＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理や、金属を含む膜を形成する処理等を含み、更に露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用した処理装置に対しても適用可能であることは言う迄もない。
【００５０】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００５１】
（付記１）少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へ搬送する搬送手段と、予め基板の基板情報が入力された記憶部と、該記憶部から取得した前記基板情報に基づいて処理後の基板の状態を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の状態に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
【００５２】
（付記２）複数枚の基板を保持した基板保持具を処理炉内に装入して基板処理した後、前記基板保持具を前記処理炉内から搬出して基板を回収する基板回収方法であって、基板の基板情報に基づき処理後の基板の状態を予測し、予測された処理後の基板の状態に応じて移載開始位置を調整しつつ前記基板保持具から基板を回収することを特徴とする基板回収方法。
【００５３】
（付記３）前記搬送制御手段は、前記基板収納容器が前記基板処理装置内に搬入される段階で、前記基板情報を取得する付記１の基板処理装置。
【００５４】
（付記４）前記基板情報は、基板の厚みと、基板の処理温度と、基板の処理面である付記１又は付記３の基板処理装置。
【００５５】
（付記５）前記予測手段は、前記基板情報に基づいて基板の変形の形状及び／又は変形量の内少なくとも一つの状態を予測する付記１又は付記３又は付記４の基板処理装置。
【００５６】
（付記６）前記基板保持具は、基板を保持する保持部が所定数設けられ、前記搬送制御手段は前記予測手段による予測を前記保持部の数だけ繰返して行わせる付記１又は付記３〜付記５の基板処理装置。
【００５７】
（付記７）前記搬送制御手段は、予測結果が変形なしであれば、基準移載開始位置を基板の移載開始位置として設定し、予測結果が変形有りであれば予測結果に基づいて移載開始位置を前記保持部毎に調整しつつ、該保持部毎に基板の搬送を繰返し行う様前記搬送手段を制御する付記６の基板処理装置。
【００５８】
（付記８）前記予測結果が変形有りの場合、前記搬送制御手段は前記予測手段による変形の形状の予測に従い、前記移載開始位置が前記基準移載開始位置よりも上か下かを選択し、前記予測手段による変形量の予測に従い、前記移載開始位置の調整を行う付記７の基板処理装置。
【００５９】
（付記９）前記搬送制御手段は、予測結果が変形なしであれば、基準移載開始位置を基板の移載開始位置として設定し、予測結果が変形有りであれば、予測結果に応じて前記移載開始位置を前記保持部毎に調整し、該保持部の数だけ繰返し前記搬送手段に基板の搬送を行わせる付記６の基板処理装置。
【００６０】
（付記１０）予め記憶部に入力された基板情報に基づいて変形予測手段に基板の変形の有無を予測させ、変形のある基板の変形の形状を予測させ、基板の変形量を予測させ、基板の形状及び変形量に基づき基板を回収する際の移載開始位置を決定させることを特徴とする基板変形予測プログラム。
【００６１】
（付記１１）搬送手段が少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する搬送工程と、前記搬送手段が処理炉より搬出された前記基板保持具から前記基板収納容器に基板を回収する回収工程と、基板情報に基づき処理後の基板の変形量を予測する予測工程とを有し、前記回収工程では基板の変形量に基づいて搬送制御手段が前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板移載方法。
【００６２】
（付記１２）搬送手段が少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器から基板保持具へ基板を搬送する搬送工程と、前記搬送手段が処理炉より搬出された前記基板保持具から前記基板収納容器に基板を回収する回収工程と、基板情報に基づき処理後の基板の変形量を予測する予測工程とを有し、前記回収工程では基板の変形量に基づいて搬送制御手段が前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００６３】
（付記１３）少なくとも一枚の基板が収納された基板収納容器と、基板を保持する基板保持具と、複数枚又は一枚の基板を前記基板収納容器から前記基板保持具へと搬送する搬送手段と、基板の基板情報を取得し該基板情報に基づいて処理後の変形量を予測する予測手段と、該予測手段の予測結果に応じて前記搬送手段を制御する搬送制御手段とを具備し、該搬送制御手段は基板を処理後に前記基板保持具から前記基板収納容器へ回収する際、前記予測手段により予測された処理後の基板の変形量に応じて前記搬送手段の移載開始位置を調整することを特徴とする基板処理装置。
【符号の説明】
【００６４】
１              基板処理装置
２              ウェーハ
３              カセット
７              ボート
１７            ウェーハ移載機
１８            処理炉
２０            ツイーザ
２３            制御装置
２４            演算制御部
２５            変形予測部
２６            搬送制御部
２７            記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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