(57)【要約】【課題】半導体集積回路素子への電源供給能力が高いとともに、放熱性に優れる配線基板を提供すること。【解決手段】半導体集積回路素子Ｓの１個ずつの電極Ｔに対して電気的に独立して接続される独立パッド１０ａと、半導体集積回路素子Ｓの複数個の電極Ｔに対して電気的に共通して接続される統合パッド１０ｂとを含む複数の半導体素子接続パッド１０を、上面側の最外層の絶縁樹脂層２の下に有しており、この最外層の絶縁樹脂層２に設けた開口部１１ａ、１１ｂ内の独立パッド１０ａ上および統合パッド１０ｂ上に、最外層の絶縁樹脂層２の上面から突出する導体柱１１ａ、１１ｂが形成されて成る配線基板であって、統合パッド１０ｂ上に形成された導体柱１１ｂは、複数個の電極Ｔに対応する部分が１つに繋がった状態で最上層のの絶縁樹脂層２の上面から突出している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁樹脂層と、該第１の絶縁樹脂層上に形成されており、半導体集積回路素子の１個ずつの電極に対して電気的に独立して接続される独立パッドおよび半導体集積回路素子の複数個の電極に対して電気的に共通して接続される統合パッドを含む複数の半導体素子接続パッドと、前記第１の絶縁樹脂層および前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記半導体素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、前記開口部内の前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出する導体柱とを具備して成る配線基板であって、前記統合パッド上に形成された前記導体柱は、複数個の前記電極に対応する部分が１つに繋がった状態で前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記統合パッド上に形成された前記導体柱は、前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出する部分が間隙を介して複数に分かれていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板およびその製造方法に関するものであり、より詳細には、半導体素子をフリップチップ接続により搭載するのに好適な配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体素子である半導体集積回路素子として、多数の電極を、その一方の主面の略全面に亘って格子状の並びに配設した、いわゆるエリアアレイ型の半導体集積回路素子がある。
【０００３】
このような半導体集積回路素子を配線基板に搭載する方法として、フリップチップ接続により接続する方法が採用されている。フリップチップ接続とは、配線基板上に設けた半導体素子接続パッドを半導体集積回路素子の電極の配置に対応した並びに露出させ、この半導体素子接続パッドと半導体集積回路素子の電極とを対向させた状態で両者間を半田を介して電気的に接続する方法である。さらに、搭載された半導体集積回路素子と配線基板との間には、アンダーフィルと呼ばれる封止樹脂が充填されて半導体集積回路素子が封止される。なお、近時では、配線基板の半導体素子接続パッド上に円柱状の導体柱を設け、この導体柱と半導体集積回路素子の電極とを半田を介して接続する方法も採用されている。
【０００４】
図４は、半導体素子としてのエリアアレイ型の半導体集積回路素子Ｓをフリップチップ接続により搭載する従来の配線基板１００を示す概略断面図である。
【０００５】
図４に示すように、従来の配線基板１００は、コア用の絶縁板１０１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層１０２が積層されて成る絶縁基板１０３の内部および表面にコア用の配線導体１０４およびビルドアップ用の配線導体１０５が被着されている。この例では、絶縁板１０１の上面側に３層、下面側に２層の絶縁樹脂層１０２が積層されている。また、絶縁基板１０３の下面には保護用のソルダーレジスト層１０６が被着されている。絶縁板１０１の厚みは２００〜８００μｍ程度であり、絶縁樹脂層１０２の厚みは２０〜５０μｍ程度である。ソルダーレジスト層１０６の厚みは２０〜４０μｍ程度である。配線基板１００の大きさとしては、数ｍｍ角〜数十ｍｍ角が一般的である。
【０００６】
コア用の絶縁板１０１の上面から下面にかけては、複数のスルーホール１０７が形成されている。スルーホール１０７の内面には、コア用の配線導体１０４が被着されている。さらに、スルーホール１０７の内部には、埋め込み樹脂１０８が充填されている。この埋め込み樹脂１０８上を含む絶縁板１０１の上下面にもコア用の配線導体１０４が被着されており、スルーホール１０７内の配線導体１０４に接続されている。スルーホール１０７の大きさは５０〜２００μｍ程度であり、配線導体１０４の厚みは１０〜５０μｍ程度である。
【０００７】
また、ビルドアップ用の絶縁樹脂層１０２には、それぞれに複数のビアホール１０９が形成されている。各絶縁樹脂層１０２の表面およびビアホール１０９の内面には、ビルドアップ用の配線導体１０５が被着形成されている。そしてビルドアップ用の配線導体１０５はビアホール１０９を介してコア用の配線導体１０４に電気的に接続されている。ビアホール１０９の大きさは３０〜１００μｍ程度であり、配線導体１０５の厚みは１０〜３０μｍ程度である。
【０００８】
ビルドアップ用の配線導体１０５のうち、配線基板１００の上面側における最外層から２番目の絶縁樹脂層１０２上に被着された一部は、半導体集積回路素子Ｓの電極Ｔに電気的に接続される半導体素子接続パッド１１０を形成している。半導体素子接続パッド１１０には、半導体集積回路素子Ｓの１個ずつの電極Ｔに対して電気的に独立して接続される独立パッド１１０ａと、半導体集積回路素子Ｓの複数個の電極Ｔに対して電気的に共通して接続されるベタ状の統合パッド１１０ｂとがある。独立パッド１１０ａは、主として信号用のパッドであり、統合パッド１１０ｂは、主として接地または電源用のパッドである。独立パッド１１０ａの大きさは７５〜１５０μｍ程度であり、統合パッド１１０ｂの大きさは数百μｍ〜数ｍｍ程度である。
【０００９】
上面側の最外層の絶縁樹脂層１０２には、半導体素子接続パッド１１０のそれぞれに対応して円形の開口部１１３が形成されている。開口部１１３の大きさは５０〜１００μｍ程度である。開口部１１３は、全て同じ大きさであり、独立パッド１１ａに対しては１つずつ、統合パッド１１０ｂに対しては複数ずつが形成されている。
【００１０】
さらに、開口部１１３内の半導体素子接続パッド１１０の上には導体柱１１１が形成されている。導体柱１１１は、最外層の絶縁樹脂層１０２上に突出する高さであり、絶縁樹脂層１０２から突出した部位の直径は開口部１１３の直径よりも若干大きくなっている。導体柱１１１における突出した部位の直径は７５〜１５０μｍ程度であり、突出する高さは１０〜１００μｍ程度である。
【００１１】
また、配線基板１００の下面側における最外層の絶縁樹脂層１０２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１１２を形成している。外部接続パッド１１２は、それぞれが独立した円形であり、対応する半導体素子接続パッド１１０に配線導体１０４および１０５を介して電気的に接続されている。
【００１２】
そして、この配線基板１００によれば、図５に示すように、各導体柱１１１上に半導体集積回路素子Ｓの各電極Ｔを載置するとともに両者間を半田を介して接合し、さらに半導体集積回路素子Ｓと配線基板１００との間に封止樹脂１１４を充填することにより、半導体集積回路素子Ｓが配線基板１００上に実装される。なお、封止樹脂１１４の充填は、半導体集積回路素子Ｓと配線基板１００との間にペースト状の熱硬化性樹脂を注入するとともに熱硬化させる方法が採用される。
【００１３】
しかしながら、接地または電源用として使用される統合パッド１１０ｂからは、小さな導体柱１１１を介して半導体集積回路素子Ｓに接地または電源電位が供給されることとなり、そのため配線基板１００における電源供給能力が低いものとなってしまうという問題点があった。さらに、半導体集積回路素子Ｓが作動時に発生する熱は、小さな導体柱１１１を介して統合パッド１１０ｂに伝達されるため、導体柱１１１から統合パッド１１０ｂまでの熱抵抗が高く、そのため放熱性に劣るという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−１０３８７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、半導体集積回路素子への電源供給能力が高いとともに、放熱性に優れる配線基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の配線基板は、第１の絶縁樹脂層と、該第１の絶縁樹脂層上に形成されており、半導体集積回路素子の１個ずつの電極に対して電気的に独立して接続される独立パッドおよび半導体集積回路素子の複数個の電極に対して電気的に共通して接続される統合パッドを含む複数の半導体素子接続パッドと、前記第１の絶縁樹脂層および前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記半導体素子接続パッドの上面中央部を露出させる開口部を有する第２の絶縁樹脂層と、前記開口部内の前記半導体素子接続パッド上に形成されており、前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出する導体柱とを具備して成る配線基板であって、前記統合パッド上に形成された前記導体柱は、複数個の前記電極に対応する部分が１つに繋がった状態で前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出していることを特徴とするものである。
【００１７】
さらに本発明の配線基板は、前記統合パッド上に形成された前記導体柱における前記第２の絶縁樹脂層の上面から突出する部分が間隙を介して複数の導体柱に分かれていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の配線基板によれば、統合パッド上に形成された導体柱は、半導体集積回路素子の複数個の電極に対応する部分が１つに繋がった状態で第２の絶縁樹脂層の上面から突出していることから、その大きさが大きなものとなる。したがって、各導体柱上に半導体集積回路素子の電極を載置するとともに両者間を半田を介して接合すると、接地または電源用として使用される統合パッドからは、大きさの大きな導体柱を介して半導体集積回路素子に接地または電源電位を供給することができるので、半導体集積回路素子に対する電源供給能力が高いものとなる。また、半導体集積回路素子が作動時に発生する熱は、大きさの大きな導体柱を介して統合パッドに伝達されるため、導体柱から統合パッドまでの熱抵抗が低く、放熱性に優れたものとなる。
【００１９】
さらに、本発明の配線基板において、統合パッド上に形成された導体柱における第２の絶縁樹脂層の上面から突出する部分が間隙を介して複数の導体柱に分かれている場合、配線基板上に搭載された半導体集積回路素子と配線基板との間に封止樹脂を充填する際に、前記間隙を通して封止樹脂を良好に充填することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板に半導体集積回路素子を実装した場合を示す概略断面図である。
【図３】図３は、図１に示す配線基板の上面斜視図である。
【図４】図４は、従来の配線基板を示す概略断面図である。
【図５】図５は、図４に示す配線基板に半導体集積回路素子を実装した場合を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を図１〜３を基に説明する。図１に示すように、従来の配線基板５０は、コア用の絶縁板１の上下面に複数のビルドアップ用の絶縁樹脂層２が積層されて成る絶縁基板３の内部および表面にコア用の配線導体４およびビルドアップ用の配線導体５が被着されている。この例では、絶縁板１の上面側に３層、下面側に２層の絶縁樹脂層２が積層されている。また、絶縁基板３の下面には保護用のソルダーレジスト層６が被着されている。
【００２２】
コア用の絶縁板１は、厚みが２００〜８００μｍ程度であり、例えばガラス繊維束を縦横に織ったガラスクロスにビスマレイミドトリアジン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。
【００２３】
コア用の絶縁板１の上面から下面にかけては、直径が５０〜２００μｍ程度の複数のスルーホール７が形成されている。このようなスルーホール７は、絶縁板１にドリル加工やレーザ加工を施すことにより形成される。スルーホール７の内面にはコア用の配線導体４が被着されている。スルーホール７内の配線導体４は、無電解銅めっき上に電解銅めっきを施した銅めっき層から成る。スルーホール７内の配線導体４の厚みは１０〜３０μｍ程度である。さらに、配線導体４で囲まれたスルーホール７の内部には、埋め込み樹脂８が充填されている。埋め込み樹脂８は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成り、スルーホール７内にペースト状の熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法等で充填した後、熱硬化させることにより形成される。なお、充填された埋め込み樹脂８の上下端は、平坦に研磨されることが好ましい。この埋め込み樹脂８上を含む絶縁板１の上下面にもコア用の配線導体４が被着されている。絶縁板１の上下面の配線導体４は、銅箔および銅めっき層から成る。銅箔は絶縁板１の上下面に予め張着しておく。そして、この銅箔上および埋め込み樹脂８上に無電解銅めっきおよび電解銅めっきを施して銅めっき層を形成した後、銅箔および銅めっき層を所定のパターンにエッチングすることにより絶縁板１上下面の配線導体４が形成される。絶縁板１の上下面の配線導体４の厚みは１０〜５０μｍ程度である。
【００２４】
ビルドアップ用の絶縁樹脂層２は、厚みが２０〜５０μｍ程度であり、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂から成る。各絶縁樹脂層２には、それぞれに直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール９が形成されている。これらのビアホール９は、レーザ加工により形成されている。各絶縁樹脂層２の表面およびビアホール９の内部には、ビルドアップ用の配線導体５が被着形成されている。配線導体５は、無電解銅めっき上に電解銅めっきを施した銅めっき層からなり、１０〜３０μｍ程度の厚みである。これらの配線導体５は、周知のセミアディティブ法により形成されており、ビアホール９の一部を介してコア用の配線導体４に電気的に接続している。
【００２５】
ビルドアップ用の配線導体５のうち、上面側の最外層から２番目の絶縁樹脂層２上に被着された一部は、半導体集積回路素子Ｓの電極Ｔに電気的に接続される半導体素子接続パッド１０を形成している。半導体素子接続パッド１０には、半導体集積回路素子Ｓの１個ずつの電極Ｔに対して電気的に独立して接続される独立パッド１０ａと、半導体集積回路素子Ｓの複数個の電極Ｔに対して電気的に共通して接続されるベタ状の統合パッド１０ｂとがある。独立パッド１０ａは、主として信号用のパッドであり、統合パッド１０ｂは、主として接地または電源用のパッドである。独立パッド１０ａの大きさは７５〜１５０μｍ程度であり、統合パッド１０ｂの大きさは数百μｍ〜数ｍｍ程度である。
【００２６】
半導体素子接続パッド１０の上に積層された最外層の絶縁樹脂層２には、各独立パッド１０ａの上に開口部１３ａが形成されているとともに統合パッド１０ｂの上に開口部１３ｂが形成されている。開口部１３ａは、直径が５０〜１００μｍ程度の円形である。これに対して開口部１３ｂは、半導体集積回路素子Ｓの複数個の電極Ｔに対応する部分が一つに繋がった大きさが数百μｍから数ｍｍ程度の不定形である。これらの開口部１３ａ、１３ｂは、レーザ加工により形成される。あるいは、上面側の最外層の絶縁樹脂層２に感光性のものを用い、それにフォトリソグラフィー技術を用いて開口部１３ａ、１３ｂを形成してもよい。
【００２７】
さらに、開口部１３ａ内の独立パッド１０ａの上には、導体柱１１ａが形成されている。また、開口部１３ｂ内の統合パッド１０ｂの上には、導体柱１１ｂが形成されている。導体柱１１ａ、１１ｂは、最外層の絶縁樹脂層２上に１０〜１００μｍ程度突出する高さであり、絶縁樹脂層１０２から突出した部位の大きさは開口部１３ａ、１３ｂの大きさよりも若干大きくなっている。例えば、導体柱１１ａにおける突出した部位の直径は７５〜１５０μｍ程度である。なお、これらの導体柱１１ａ、１１ｂは、配線導体５と同様の銅めっき層から成り、セミアディティブ法により形成されている。
【００２８】
また、配線基板５０の下面側における最外層の絶縁樹脂層２上に被着された一部は、外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される円形の外部接続パッド１２を形成している。外部接続パッド１２は、それぞれが独立した円形であり、対応する半導体素子接続パッド１０に配線導体４および５を介して電気的に接続されている。さらに絶縁基板３の下面にはソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂から成る。ソルダーレジスト層６は、外部接続パッド１２の外周部を覆うととともに外部接続パッド１２の中央部に対応する位置に開口部６ａを有している。ソルダーレジスト層６の厚みは２０〜４０μｍである。このようなソルダーレジスト層６は、外部接続パッド１２が形成された絶縁基板３の下面にフィルム状あるいはペースト状の感光性樹脂層を被着するとともに、フォトリソグラフィー技術により開口部６ａを有するように露光および現像した後、紫外線硬化および熱硬化することにより形成される。
【００２９】
そして、この配線基板５０によれば、図２に示すように、各導体柱１１上に半導体集積回路素子Ｓの各電極Ｔを載置するとともに両者間を半田を介して接合し、さらに半導体集積回路素子Ｓと配線基板５０との間に封止樹脂１４を充填することにより、半導体集積回路素子Ｓが配線基板５０上に実装される。なお、封止樹脂１４の充填は、半導体集積回路素子Ｓと配線基板５０との間にペースト状の熱硬化性樹脂を注入するとともに熱硬化させる方法が採用される。
【００３０】
このとき、本発明の配線基板５０によれば、統合パッド１０ｂ上に形成された導体柱１１ｂは、半導体集積回路素子Ｓの複数個の電極Ｔに対応する部分が１つに繋がった状態で最上層の絶縁樹脂層２の上面から突出していることから、その大きさが大きなものとなる。したがって、接地または電源用として使用される統合パッド１０ｂからは、大きさの大きな導体柱１１ｂを介して半導体集積回路素子Ｓに接地または電源電位を供給することができるので、半導体集積回路素子Ｓに対する電源供給能力が高いものとなる。また、半導体集積回路素子Ｓが作動時に発生する熱は、大きさの大きな導体柱１１ｂを介して統合パッド１０ｂに伝達されるため、導体柱１１ｂから統合パッド１０ｂまでの熱抵抗が低く、放熱性に優れたものとなる。
【００３１】
さらに、図３に示すように、統合パッド１０ｂ上に形成された導体柱１１ｂにおける絶縁樹脂層２から突出する部分が間隙Ｇを介して複数の導体柱１１ｂに分かれるように形成すると、配線基板５０上に搭載された半導体集積回路素子Ｓと配線基板５０との間に封止樹脂１４を充填する際に、間隙Ｇを通して封止樹脂１４を良好に充填することができる。したがって、統合パッド１０ｂ上に形成された導体柱１１ｂにおける絶縁樹脂層２から突出する部分が間隙Ｇを介して複数の導体柱１１ｂに分かれるように形成しておくことが好ましい。なお、間隙Ｇの幅としては、２０〜１００μｍの範囲が好ましいが、これに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００３２】
２      絶縁樹脂層
１０      半導体素子接続パッド
１０ａ    独立パッド
１０ｂ    統合パッド
１１      導体柱
１１ｂ    統合パッド上に形成された導体柱
Ｇ      間隙
Ｓ      半導体集積回路素子
Ｔ      半導体集積回路素子の電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
2014072467.tif 000005
【図４】
2014072467.tif 000006
【図５】
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