(57)【要約】【課題】太陽電池基板または当該基板に形成された透明導電膜の状態を簡易に検査することが可能な太陽電池基板の検査方法を提供する。【解決手段】絶縁基板に凹凸構造を有する透明導電膜が形成された太陽電池基板を検査するための検査方法が提供される。検査方法は、透明導電膜が形成された絶縁基板の基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成するステップと、金属膜が形成された太陽電池基板に光を照射しつつ撮像するステップと、撮像するステップで取得した太陽電池基板の画像と所定の判断基準とに基づいて、太陽電池基板の良否を判定するステップとを含む。【選択図】図４
2014062763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に凹凸構造を有する透明導電膜が形成された太陽電池基板を検査するための検査方法であって、
前記透明導電膜が形成された前記絶縁基板の基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成するステップと、
前記金属膜が形成された前記太陽電池基板に光を照射しつつ撮像するステップと、
前記撮像するステップで取得した前記太陽電池基板の画像と所定の判断基準とに基づいて、前記太陽電池基板の良否を判定するステップとを備える、太陽電池基板の検査方法。
【請求項２】
前記判定するステップは、前記太陽電池基板の画像の色調と予め定められた基準色調とを比較し、比較結果に基づいて、前記透明導電膜または前記絶縁基板の表面の汚れ状態を評価することにより、前記太陽電池基板の前記汚れ状態の良否を判定することを含む、請求項１に記載の太陽電池基板の検査方法。
【請求項３】
前記検査方法は、
前記太陽電池基板の画像における所定の領域を抽出するステップをさらに備え、
前記比較は、前記抽出された所定の領域における画像の色調と予め定められた基準色調とを比較することを含む、請求項２に記載の太陽電池基板の検査方法。
【請求項４】
前記検査方法は、
前記太陽電池基板の画像を表示するステップと、
ユーザからの入力を受け付けるステップとをさらに備え、
前記判定するステップは、前記受け付けられる入力に基づいて、前記太陽電池基板の良否を判定することを含む、請求項１に記載の太陽電池基板の検査方法。
【請求項５】
絶縁基板上に透明電極層と光電変換層と裏面電極層とが形成され、前記絶縁基板の外周近傍に前記絶縁基板の基板面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池基板を検査するための検査方法であって、
前記外周絶縁領域における前記基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成するステップと、
前記金属膜が形成された前記太陽電池基板の前記外周絶縁領域に光を照射しつつ撮像するステップと、
前記撮像するステップで取得した前記外周絶縁領域の画像と所定の判断基準とに基づいて、前記太陽電池基板の良否を判定するステップとを備える、太陽電池基板の検査方法。
【請求項６】
製造ラインにおける所定の工程を終了した太陽電池基板を次工程に搬送するステップと、
所定の基板枚数ごとに前記搬送される太陽電池基板を製造ラインから検査ラインに抜き取るステップと、
前記抜き取られた太陽電池基板に対して、請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池基板の検査方法によって前記太陽電池基板を検査するステップと、
前記検査された太陽電池基板が良判定との検査結果に基づいて製造ラインにおける太陽電池基板の搬送を続行し、前記検査された太陽電池基板が不良判定との検査結果に基づいて製造ラインにおける太陽電池基板の搬送を中断するステップとを備える、太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池基板の検査方法、および当該検査方法を含む太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池、半導体装置、ディスプレイ装置等の製造の分野においては、基板等の被成膜対象物に対して各種の薄膜を成膜することが行なわれている。例えば、薄膜太陽電池等の製造に際しては、一般的にガラス基板等の透明基板上に薄膜としての透明導電膜が成膜される。このような透明導電膜としては、チタン酸ストロンチウム（ＳＴＯ：ＳｒＴｉＯ３）およびスズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ：Indium  Tin  Oxide)等の金属酸化物からなるものが主流である。
【０００３】
薄膜太陽電池の光電変換効率を向上させるためには、透明導電膜は、外光を膜内に閉じ込める性能（光閉じ込め性能）を付与する必要がある。これを達成するために、外光を繰り返し反射させて散乱するように、透明導電膜の表面に微細なテクスチャー（凹凸）構造が形成される。このような外光の散乱は、全透過率に対する拡散透過率の割合（百分率）で定義されるヘイズ率によって表される。ヘイズ率は、透明導電膜に入射した光が反射を繰り返すことによって透明導電膜内に閉じ込められることとなるように、より高い値を示すことが好ましい。ヘイズ率に関連する以下のような技術が開示されている。
【０００４】
例えば、特開２００５−１３４３２４号公報（特許文献１）には、ライン照明器から白色光を透明導電膜付きガラス基板に照射し、反射した光をカラーラインセンサカメラによってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３波長に分光し、これらの波長の光強度を演算することによって透明導電膜の膜厚またはヘイズ率を算出する透明導電膜分析方式が開示されている。
【０００５】
特開２００５−３４７４９０号公報（特許文献２）には、複数の山部と複数の平坦部とで構成され、該山部および該平坦部の表面がミクロの多数の凸部を連続して有している透明導電性酸化物膜が基体上に設けられた透明導電性酸化物膜付き基体が開示されている。透明導電性酸化物膜付き基体は、分光ヘイズ率が４００〜８００ｎｍの波長全域にわたって１０〜９５％であり、分光ヘイズ率の最大値と最小値との差が５０％以下であり、基体全面についてＣ光源ヘイズ率をヘイズメータで測定した際、Ｃ光源ヘイズ率が３０〜９０％であり、Ｃ光源ヘイズ率の最大値と最小値との差が２０％以下であることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１３４３２４号公報
【特許文献２】特開２００５−３４７４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、薄膜太陽電池基板には、透明導電膜の表面に凹凸構造が形成されている。そのため、ユーザ（評価者）が、基板や透明導電膜の表面の状態を視認しにくく、その状態の良否を確認することは困難である場合も多い。そのため、透明導電膜上に半導体層や裏面電極が成膜された後に、外観不良として不良品が発見されるという問題があった。上記の特許文献に記載の技術は、この問題について考慮されたものではない。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであって、太陽電池基板または当該基板に形成された透明導電膜の状態を簡易に検査することが可能な太陽電池基板の検査方法、および当該検査方法を含む太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ある実施の形態に従うと、絶縁基板に凹凸構造を有する透明導電膜が形成された太陽電池基板を検査するための検査方法が提供される。検査方法は、透明導電膜が形成された絶縁基板の基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成するステップと、金属膜が形成された太陽電池基板に光を照射しつつ撮像するステップと、撮像するステップで取得した太陽電池基板の画像と所定の判断基準とに基づいて、太陽電池基板の良否を判定するステップとを含む。
【００１０】
好ましくは、判定するステップは、太陽電池基板の画像の色調と予め定められた基準色調とを比較し、比較結果に基づいて、透明導電膜または絶縁基板の表面の汚れ状態を評価することにより、太陽電池基板の汚れ状態の良否を判定することを含む。
【００１１】
好ましくは、検査方法は、太陽電池基板の画像における所定の領域を抽出するステップをさらに含む。比較は、抽出された所定の領域における画像の色調と予め定められた基準色調とを比較することを含む。
【００１２】
好ましくは、検査方法は、太陽電池基板の画像を表示するステップと、ユーザからの入力を受け付けるステップとをさらに含む。判定するステップは、受け付けられる入力に基づいて、太陽電池基板の良否を判定することを含む。
【００１３】
好ましくは、受け付けられる入力は、太陽電池基板の良否を判定する入力を含む。
別の実施の形態に従うと、絶縁基板上に透明電極層と光電変換層と裏面電極層とが形成され、絶縁基板の外周近傍に絶縁基板の基板面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池基板を検査するための検査方法が提供される。検査方法は、外周絶縁領域における基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成するステップと、金属膜が形成された太陽電池基板の外周絶縁領域に光を照射しつつ撮像するステップと、撮像するステップで取得した外周絶縁領域の画像と所定の判断基準とに基づいて、太陽電池基板の良否を判定するステップとを含む。
【００１４】
好ましくは、判定するステップは、太陽電池基板の画像の色調と予め定められた基準色調とを比較し、比較結果に基づいて、外周絶縁領域の汚れ状態を評価することにより、太陽電池基板の良否を判定することを含む。
【００１５】
好ましくは、検査方法は、撮像するステップで取得した外周絶縁領域の画像を表示するステップと、ユーザからの入力を受け付けるステップとをさらに含む。判定するステップは、受け付けられる入力に基づいて、太陽電池基板の良否を判定することを含む。
【００１６】
さらに別の実施の形態に従うと、太陽電池の製造方法が提供される。太陽電池の製造方法は、製造ラインにおける所定の工程を終了した太陽電池基板を次工程に搬送するステップと、所定の基板枚数ごとに搬送される太陽電池基板を製造ラインから検査ラインに抜き取るステップと、抜き取られた太陽電池基板に対して、上記のいずれかの太陽電池基板の検査方法によって太陽電池基板を検査するステップと、検査された太陽電池基板が良判定との検査結果に基づいて製造ラインにおける太陽電池基板の搬送を続行し、検査された太陽電池基板が不良判定との検査結果に基づいて製造ラインにおける太陽電池基板の搬送を中断するステップとを含む。
【００１７】
さらに別の実施の形態に従うと、絶縁基板上に凹凸構造を有する透明導電膜が形成された太陽電池基板を検査するための検査システムが提供される。検査システムは、透明導電膜が形成された絶縁基板の基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成する金属膜形成装置と、金属膜が形成された太陽電池基板に光を照射しつつ撮像する撮像装置と、撮像装置で取得した太陽電池基板の画像と所定の判断基準とに基づいて、太陽電池基板の良否を判定する評価装置とを含む。
【００１８】
さらに別の実施の形態に従うと、絶縁基板上に透明電極層と光電変換層と裏面電極層とが形成され、絶縁基板の外周近傍に絶縁基板の基板面が露出する外周絶縁領域を有する太陽電池基板を検査するための検査システムが提供される。検査システムは、外周絶縁領域における基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成する金属膜形成装置と、金属膜が形成された太陽電池基板の外周絶縁領域に光を照射しつつ撮像する撮像装置と、撮像装置で取得した外周絶縁領域の画像と所定の判断基準とに基づいて、太陽電池基板の良否を判定する評価装置とを含む。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように、ある局面によれば、太陽電池基板または当該基板に形成された透明導電膜の状態を簡易に検査することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板の構造を示す模式図である。
【図２】本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造システムの構成を表わす図である。
【図３】本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造工程のうち、主たる工程を示すフローチャートである。
【図４】本実施の形態に従う検査システムの構成の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に従う検査ラインにおいて実行される処理手順を示すフローチャートである。
【図６】透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板の基板画像の一例を示す図である。
【図７】本実施の形態に従う検査システムが実行する画像解析処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】本実施の形態に従う検査ラインにおいて実行される処理手順の変形例を示すフローチャートである。
【図９】本実施の形態に従う検査システムが提供するユーザインターフェイス画面の一例である。
【図１０】本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板の平面図である。
【図１１】本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板の端部近傍の拡大断面図である。
【図１２】本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造システムの構成を表わす図である。
【図１３】本実施の形態に従う薄膜太陽電池を製造する工程のうち、主たる工程を表わすフローチャートである。
【図１４】本実施の形態に従う検査システムとして機能するコンピュータシステムのハードウェア構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
【００２２】
［薄膜太陽電池基板の構成］
まず、本実施の形態に従う検査システムが検査対象とする薄膜太陽電池基板１について説明する。
【００２３】
図１は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板１の構造を示す模式図である。
薄膜太陽電池基板１は、透明絶縁基板２と、透明絶縁基板２の上面（基板面２ａ）に形成された透明電極層３と、透明電極層３の上面に形成された光電変換層４と、光電変換層４の上面に形成された裏面電極層５とを含む。
【００２４】
透明絶縁基板２は、例えば、ガラス基板であるが、これに限られない。透明絶縁基板２は、例えば、ポリイミド樹脂などの透明樹脂を含む樹脂基板、またはこれらの基板の複数を積層した基板などの光を透過させることができる透光性基板であってもよい。なお、透明絶縁基板２の下面（基板面２ｂ）には、微細凹凸を有し透明性の板表面の反射率を低減する反射防止膜が形成されていてもよい。
【００２５】
透明電極層３は、透明絶縁基板２上に、公知のプラズマＣＶＤ装置（プラズマＣＶＤ法）によって形成される。透明電極層３の形成方式としては、その他、従来から公知のスパッタリング、蒸着法などの各種の方式を用いることができる。なお、以下に説明する、光電変換層４、裏面電極層５についても、透明電極層３と同様の方式で形成することができる。
【００２６】
透明電極層３は、例えば、ＩＴＯ膜、若しくはＺｎＯ（酸化亜鉛）膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層であり、光を透過させることができるとともに導電性である膜（透明導電膜）であってもよい。透明電極層３が複数層から構成される場合には、すべての層が同一の材料から形成されていてもよく、少なくとも１層が他と異なる材料から形成されていてもよい。また、光閉じ込め効果を高めるために、上記の透明導電膜をエッチングすることにより、透明電極層３には、膜表面に微細なテクスチャー（凹凸）構造が形成される。
【００２７】
光電変換層４は、入射してきた光を電気に変換する、いわゆる光電変換を行なう層であり、ｐ型結晶質シリコン層（ｐ層）４ａ、ｉ型結晶質シリコン層（ｉ層）４ｂ、ｎ型シリコン層（ｎ層）４ｃで構成される。また、光電変換層４としては、その他、例えば、透明絶縁基板２側から、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層、およびｎ層をこの順に積層したトップセル（第１光電変換層）と、トップセル上に、微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層、およびｎ層をこの順に積層したボトムセル（第２光電変換層）とで形成されていてもよい。なお、光電変換層の数は、これ以上の数であってもよい。
【００２８】
また、光電変換層４は、全て同種のシリコン系半導体から構成されていてもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体から構成されていてもよい。また、光電変換層に含まれる各光電変換層は、全て同種のシリコン系半導体から構成されていてもよく、互いに異なる種類のシリコン系半導体から構成されていてもよい。例えば、ｐ型光電変換層およびｉ型光電変換層が非晶質シリコンで形成され、ｎ型光電変換層が微結晶シリコンで形成されていてもよい。また、例えば、ｐ型光電変換層およびｎ型光電変換層がシリコンカーバイドまたはシリコンゲルマニウムで形成され、ｉ型光電変換層がシリコンで形成されていてもよい。
【００２９】
裏面電極層５は、例えば、スパッタリング法により、酸化亜鉛（ＺｎＯ）/Ａｇで構成
される。裏面電極層５は、その他、例えば、Ａｇ（銀）層、Ａｌ（アルミニウム）層、またはこれらの層の積層体などの導電性を有する層であってもよい。また、裏面電極層５は、光電変換層４側の表面に、例えば、ＳｎＯ２膜、ＩＴＯ膜、ＺｎＯ膜、若しくはこれらの膜に微量の不純物を添加した膜の単層、またはこれらを複数重ね合わせた複数層などであり、光を透過させることができるとともに導電性である透明導電膜であってもよい。
【００３０】
さらに、透明電極層３と光電変換層４と裏面電極層５とから構成される、薄膜太陽電池基板１の積層膜に保護膜等（図示しない）が被覆され、薄膜太陽電池となる。
【００３１】
本願明細書においては、薄膜太陽電池基板１は、必ずしも上記のような積層膜が全て形成されているものを意味するのではなく、積層膜等を形成する途中段階も含むものとして説明する。例えば、「透明絶縁基板２上に透明電極層３が形成された状態の薄膜太陽電池基板１」とは、透明絶縁基板２上に透明電極層３のみが形成されており、光電変換層４および裏面電極層５等は形成されていない状態の薄膜太陽電池基板１を意味する。
【００３２】
以下では、第１の実施の形態においては、透明絶縁基板２に透明電極層３が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を、検査システムが、検査対象とする場合について説明する。また、第２の実施の形態においては、透明絶縁基板２に透明電極層３と光電変換層４と裏面電極層５とが形成され、かつ透明絶縁基板２の外周近傍に透明絶縁基板２の表面が露出する外周絶縁領域が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を、検査システムが、検査対象とする場合について説明する。
【００３３】
［１．第１の実施の形態］
第１の実施の形態では、薄膜太陽電池の製造ラインにおいて、搬入装置によって当該製造ラインに搬入された透明絶縁基板２に透明電極層３が形成された状態の薄膜太陽電池基板１の良否を検査する場合について説明する。
【００３４】
＜Ａ．製造工程の概要＞
まず、薄膜太陽電池の製造システム１００について説明する。
【００３５】
図２は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造システム１００の構成を表わす図である。
【００３６】
製造システム１００は、搬入装置１０と、搬送装置１１と、透明導電膜形成装置１２と、搬送装置１３と、次工程１４と、検査システム２０と、制御装置２２とを含む。
【００３７】
搬入装置１０は、透明絶縁基板２を製造ラインに搬入するための装置である。
透明導電膜形成装置１２は、透明絶縁基板２に透明電極層３（以下、単に「透明導電膜」とも称す。）を形成するための装置である。透明導電膜形成装置１２は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置または蒸着装置である。
【００３８】
搬送装置１１は、透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を後述する次工程１４に搬送するための装置である。
【００３９】
搬送装置１３は、透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を検査条件として予め定められた枚数ごとに製造ラインから抜き取り、検査ラインに当該基板を搬送するための装置である。
【００４０】
次工程１４は、薄膜太陽電池の製造ラインにおける、透明導電膜を形成する工程の次工程であり、例えば、光電変換層４を形成する工程、裏面電極層５を形成する工程を含む。
【００４１】
検査システム２０は、薄膜太陽電池基板１の良否を検査するための検査システムである。具体的には、透明絶縁基板２の表面または当該基板に形成された透明導電膜の表面の状態を検査する検査システムである。検査システム２０は、金属膜形成装置３０と評価装置４０とを含む。
【００４２】
金属膜形成装置３０は、薄膜太陽電池基板１における透明絶縁基板２の下面（基板面２ｂ）に金属膜を形成する装置である。より具体的には、金属膜形成装置３０は、透明導電膜が形成された基板面２ａとは反対側の基板面２ｂに金属膜を形成する。例えば、金属膜形成装置３０は、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置または蒸着装置である。
【００４３】
評価装置４０は、白色光が照射された状態で撮像された基板の画像データを取得する。評価装置４０は、その画像データを用いて画像処理を実行し、透明導電膜の表面または透明絶縁基板２の表面の汚れの有無を評価する。汚れとは、搬送時のベルト等の跡、または製造ラインにおけるステージ上のゴミ、埃等の異物の転写跡などである。
【００４４】
上記のような検査システム２０によって検査された薄膜太陽電池基板１の良否の検査結果は、制御装置２２に出力される。
【００４５】
制御装置２２は、検査システム２０から出力された検査結果に基づいて、製造ラインに対してフィードバックを行なう。具体的には、例えば、検査された薄膜太陽電池基板１が良判定（良品であると判定）である場合には、制御装置２２は、搬送装置１１に指示して、製造ラインにおける、当該検査された基板とは別の薄膜太陽電池基板１の搬送を続行させる。
【００４６】
これに対して、制御装置２２は、検査された薄膜太陽電池基板１が不良判定（不良品であると判定）である場合には、搬送装置１１に指示して、製造ラインにおける別の薄膜太陽電池基板１の搬送を中断させる。また、制御装置２２は、搬入装置１０に指示して、薄膜太陽電池基板１の搬入を中断させる。これは、汚れの原因を特定するためである。あるいは、制御装置２２は、透明導電膜形成装置１２が形成する透明導電膜の形成時の環境等を変更するように、ユーザに対してフィードバックしてもよい。
【００４７】
次に、本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造工程について説明する。
図３は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造工程のうち、主たる工程を示すフローチャートである。
【００４８】
図３を参照して、搬入工程において、搬入装置１０は、透明絶縁基板２を製造ラインに搬入する（ステップＳ１０）。透明導電膜形成工程において、透明導電膜形成装置１２は、搬入された透明絶縁基板２に透明電極層３（透明導電膜）を形成する（ステップＳ１２）。
【００４９】
次に、抜き取り工程において、搬送装置１３は、検査条件として予め定められた枚数ごとに透明絶縁基板２上に透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を抜き取り、製造ラインとは別の検査ラインに当該基板を搬送する（ステップＳ１４）。
【００５０】
次に、検査工程において、検査システム２０は、検査ラインに搬送された薄膜太陽電池基板１の良否を検査する（ステップＳ１６）。詳細は後述するが、検査システム２０は、透明導電膜が形成された基板面（基板面２ａ）とは反対側の基板面（基板面２ｂ）に金属膜を形成し、当該金属膜が形成された薄膜太陽電池基板１を撮像して得られた画像データに基づいて、透明導電膜の表面または透明絶縁基板２の表面の汚れの有無を検査する。なお、本実施形態の検査工程において当該金属膜が形成された薄膜太陽電池基板１は、正常に動作する薄膜太陽電池の基板には利用できないため、当該検査はいわゆる破壊検査となる。
【００５１】
次に、フィードバック工程において、検査システム２０から出力された検査結果に基づいて、制御装置２２が製造ラインへのフィードバックを行なう（ステップＳ１８）。
【００５２】
なお、本実施形態では、薄膜太陽電池の製造工程において、透明絶縁基板２に透明導電膜を形成する工程を含む場合について説明するが、予め透明導電膜が形成された基板を用いてもよく、その場合には、製造工程には透明導電膜の形成工程（ステップＳ１２）が含まれない。
【００５３】
なお、本実施形態では、製造ラインとは別に設けられた検査ラインに検査を行なう対象である基板を搬送して検査を行なう構成となっているが、検査ラインが製造ラインに含まれている構成であってもよい。より具体的には、検査を行なう対象である基板について透明電極層が形成された後、その後の処理をスキップ（光電変換層および裏面電極層を形成せずに）して、金属膜を（スパッタリング装置や蒸着装置などで）透明絶縁基板に形成する。そして、例えば、裏面電極層形成後の外観検査工程として製造ラインに含まれる撮像検査装置によって、本実施形態と同様の検査を行なう。
【００５４】
＜Ｂ．検査システム２０の構成＞
次に、本実施の形態に従う検査システム２０について説明する。
【００５５】
図４は、本実施の形態に従う検査システム２０の構成の一例を示す図である。
検査システム２０は、金属膜形成装置３０と、評価装置４０と、光源であるライト６０と、撮像部であるカメラ７０とを含む。
【００５６】
金属膜形成装置３０は、後述する評価装置４０の制御部４１からの指示を受け付けて、透明導電膜が形成された基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成する。
【００５７】
評価装置４０は、制御部４１と画像入力部４２と、記憶部４３と、出力部４４と、入力部４５と表示装置であるディスプレイ４６とを含む。
【００５８】
制御部４１は、評価装置４０の動作全体を制御する。制御部４１は、例えば、記憶部４３に格納されている画像データと、予め準備されているデータとを用いて、予め規定された画像処理を実行する。制御部４１は、例えば、記憶部４３に記憶されたプログラムに従って、画像データから画像を生成する指示と、当該画像をディスプレイ４６に表示させる指示とを出力する。また、他の局面において、制御部４１は、通信インターフェイスを介して外部の装置（例えば制御装置２２）との通信を制御する。
【００５９】
制御部４１は、具体的には、マイクロプロセッサ、プログラミングすることができるＬＳＩ（Large  Scale  Integration）であるＦＰＧＡ（Field  Programmable  Gate  Array）、特定の用途のために設計、製造される集積回路であるＡＳＩＣ（Application  Specific  Integrated  Circuit）、その他の演算機能を有する回路により実現される。この場合、評価装置４０の主たる機能は、ハードウェアとソフトウェアとの協働によって実現される。具体的には、当該機能は、制御部４１が予め準備されたプログラムを実行することにより実現される。
【００６０】
あるいは、他の局面においては、当該機能は、ハードウェアの組み合わせとして実現可能である。この場合、制御部４１は、当該プログラムにより実現される処理を実行するために構成された回路、例えばＦＰＧＡなどによって実現され得る。
【００６１】
画像入力部４２は、カメラ７０によって撮像された画像データの入力を受け付ける。画像入力部４２は、記憶部４３にその画像データを格納する。すなわち、評価装置４０は、画像入力部４２を介してその画像データの入力を受け付け、記憶部４３に当該データを格納する。
【００６２】
記憶部４３は、評価装置４０の外部から与えられたデータと、評価装置４０において生成されたデータとを格納する。外部から与えられたデータは、例えば、上記画像データ、評価装置４０の動作を規定する設定値等を含む。当該生成されたデータは、制御部４１によって算出された画像処理のためのデータ、検査結果等を含む。
【００６３】
記憶部４３は、データを不揮発的または揮発的に格納する。記憶部４３が、データを不揮発的に格納する場合には、例えば、大容量のデータを記憶可能なハードディスク等によって実現される。なお、記憶部４３は、ハードディスクに限定されることなく、電源を供給されなくてもデータを保持可能な不揮発性の記憶装置（例えば、フラッシュメモリ）であればよい。
【００６４】
具体的には、記憶部４３は、データの消去・書き込みを何度でも行えるＥＰＲＯＭ（Erasable  Programmable  Read  Only  Memory）、電気的に内容を書き換えることができるＥＥＰＲＯＭ（Electronically  Erasable  and  Programmable  ROM）、紫外線を使ってデータの消去・再書き込みを何度でも行えるＵＶ（Ultra-Violet）−ＥＰＲＯＭ、その他、不揮発的にデータを記憶保持可能な構成を有する回路のいずれであってもよい。
【００６５】
また、記憶部４３が、データを揮発的に格納する場合には、制御部４１によって使用されるデータを一時的に保持するワークメモリとして機能する。この場合、記憶部４３は、例えば、データを一時的に記憶可能なＲＡＭ（Random  Access  Memory）、ＳＲＡＭ（Static  RAM）、ＤＲＡＭ（Dynamic  RAM）、ＳＤＲＡＭ（Synchronous  DRAM）、その他、データを揮発的に記憶保持可能な構成であればよい。
【００６６】
出力部４４は、制御部４１によって生成されたデータを、ディスプレイ４６に出力することができる。すなわち、出力部４４は、そのデータに基づいて画像をディスプレイ４６に表示することができる。出力部４４は、例えば、カメラ７０によって撮像された原画像をディスプレイ４６に表示する。また、出力部４４は、ディスプレイ４６に、薄膜太陽電池基板１の検査の結果を表示してもよい。
【００６７】
出力部４４は、ディスプレイ４６に、評価装置４０のユーザ（オペレータ）に各種の情報を文字や画像等で表示することもできる。あるいは、出力部４４は、記憶部４３に格納されている画像データを参照して、そのデータに応じた画像をディスプレイ４６に表示することもできる。ディスプレイ４６は、例えば、液晶ディスプレイ、ＣＲＴ（Cathode  Ray  Tube）、ＦＥＤ（Field  Emission  Display）、ＰＤＰ（Plasma  Display  Panel）、有機ＥＬ（Electro  Luminescence）ディスプレイ、ドットマトリクス等その他の画像表示方式の表示機器のいずれであってもよい。
【００６８】
入力部４５は、外部からデータあるいは指示の入力を受け付ける。入力部４５は、例えばタッチパッド、キーボード、ペンタブレット、マウス、ディスプレイ４６の表面に装着されるタッチパネル、その他のポインティングデバイスなどによって実現される。
【００６９】
ライト６０は、制御部４１からの発光命令に基づいて、予め定められた位置に配置された薄膜太陽電池基板１に対して、予め設定された強度を有する光を照射する。照射される光は、例えば一般白色光である。
【００７０】
カメラ７０は、評価装置４０から出力された信号に応答して、薄膜太陽電池基板１からの反射光を撮像し、当該撮像により取得したデータを画像データとして評価装置４０に送信する。カメラ７０は、例えばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）方式、ＣＭＯＳ（Complementary  Mental  Oxide  Semiconductor）方式その他の方式により実現される。なお、カメラ７０は、エリアセンサカメラ、ラインセンサカメラのいずれであってもよい。
【００７１】
上記の構成を有する検査システム２０によって、検査対象物としての薄膜太陽電池基板１が検査される。薄膜太陽電池基板１は、搬送装置１３から検査ラインに搬送され、検査システム２０に設けられたステージ（図示しない）において予め定められた位置に配置される。薄膜太陽電池基板１は、金属膜形成装置３０によって金属膜が形成された後、カメラ７０によって撮像され、撮像後、ステージの外部に搬出される。その後、検査条件として予め定められた枚数ごとに別の薄膜太陽電池基板１が製造ラインから検査ラインに搬送されるとともに、当該ステージに配置され、前述の処理が繰り返される。
【００７２】
＜Ｃ．検査ラインの処理フロー＞
次に、製造ラインから搬送された薄膜太陽電池基板１が検査される検査ラインにおいて実行される処理フローについて説明する。
【００７３】
図５は、本実施の形態に従う検査ラインにおいて実行される処理手順を示すフローチャートである。ここでは、搬送装置１３が、透明絶縁基板２に透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を製造ラインから検査ラインに搬送することで、当該薄膜太陽電池基板１が予め定められた位置に配置されているものとする。従って、当該処理フローは、図３のフローチャートにおける検査工程（ステップＳ１６）およびフィードバック工程（ステップＳ１８）に相当する。
【００７４】
図５を参照して、まず、検査システム２０は、透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１において、透明導電膜が形成された基板面とは反対側の基板面に金属膜を形成する（ステップＳ１０２）。具体的には、評価装置４０の制御部４１は、金属膜形成装置３０に対して、薄膜太陽電池基板１に金属膜を形成するように指示する。金属膜形成装置３０は、当該指示を受け付けると、予め定められた成膜条件で金属膜を当該反対側の基板面に形成する。金属膜の材料は、基本的には光を反射するものであればよいが、太陽電池製造プロセスを考慮すると裏面電極層に用いられる金属と同種の金属であることが好ましく、例えば、アルミニウム、銀、銅であることが好ましい。その場合、製造ラインに含まれる裏面電極層形成装置を用いて上記の金属膜を形成することができるため、装置の数を節約することができるとともに、装置の稼働効率を向上させることができる。
【００７５】
次に、検査システム２０は、薄膜太陽電池基板１に対して光を照射する（ステップＳ１０４）。具体的には、制御部４１は、薄膜太陽電池基板１に白色光を照射するようにライト６０に対して指示する。ライト６０は、当該指示を受け付けると、予め定められた強度の白色光を薄膜太陽電池基板１に照射する。
【００７６】
次に、検査システム２０は、白色光が照射された状態の薄膜太陽電池基板１を撮像して画像データを取得する（ステップＳ１０６）。具体的には、制御部４１は、カメラ７０に対して薄膜太陽電池基板１の撮像を指示すると、カメラ７０は、当該指示を受け付け、薄膜太陽電池基板１を撮像する。そして、制御部４１は、画像入力部４２を介して薄膜太陽電池基板１の画像データを取得する。制御部４１は、当該画像データを記憶部４３に格納することができる。なお、カメラ７０は、基板全体を１回で撮像することができるように、薄膜太陽電池基板１からある程度離れた所定の距離の位置に設置されていることが好ましい。もしくは、装置を小型化するために当該距離を縮めてカメラ７０を設置し、カメラ７０により薄膜太陽電池基板１を複数領域に分けて各領域ごとに撮像してもよい。その場合、複数設けられたカメラ７０は、撮像領域を分担して撮像を行なう。もしくは、カメラ７０または薄膜太陽電池基板１を移動させることが可能な移動部を検査システム２０に設け、当該移動部が複数領域をそれぞれ撮像できる位置にカメラ７０と薄膜太陽電池基板１とを配置することによって撮像を行なってもよい。
【００７７】
次に、検査システム２０は、取得した画像データに対応する薄膜太陽電池基板１の基板画像をディスプレイ４６に表示する（ステップＳ１０７）。具体的には、制御部４１からの指示に応答して、出力部４４は、取得した画像データに対応する画像を生成し、当該画像をディスプレイ４６に表示する。
【００７８】
ここで、カメラ７０が撮像した薄膜太陽電池基板１の基板画像の一例について説明する。
【００７９】
図６は、透明導電膜が形成された状態の薄膜太陽電池基板１の基板画像の一例を示す図である。
【００８０】
図６を参照して、画像６００は、当該画像内に色調が比較的白に近い（白っぽい）箇所（領域Ａ）と、色調が比較的黒色に近い（黒っぽい）箇所（領域Ｂ）とを有している。これは、薄膜太陽電池基板１における透明導電膜の表面または透明絶縁基板２の表面における汚れの状態を実質的に反映したものと考えることができる。その理由について以下に説明する。
【００８１】
まず、透明導電膜には、上述したように凹凸構造が形成されていることから、一般的には汚れの状態を視覚的に判断することは困難である。しかしながら、本実施形態においては、透明導電膜が形成された基板面とは反対側の基板面に金属膜が形成されていることから、金属膜の反射光により透明導電膜の表面または透明絶縁基板２の表面における、ベルト跡や異物等による転写跡などを視認することができる。すなわち、当該画像は、透明導電膜の表面または透明絶縁基板２の表面における汚れの状態を実質的に反映したものと考えることができる。ここで、汚れの程度が良い（汚れていない）箇所では光が透過しやすくなることから画像が白っぽくなり、汚れの程度が悪い（汚れている）箇所では光が透過しにくくなることから画像が黒っぽくなる。従って、画像の色調を予め定められた基準色調と比較することにより、透明導電膜または透明絶縁基板２の表面の汚れを評価することが可能となる。また、ユーザは当該画像を視認することで、当該汚れの状態の面内分布を視覚的に評価することも可能となる。
【００８２】
再び図５を参照して、検査システム２０は、撮像された当該画像を解析する（ステップＳ１０８）。図７を参照しながら、検査システム２０が行なう画像解析処理について説明する。
【００８３】
図７は、本実施の形態に従う検査システム２０が実行する画像解析処理の一例を示すフローチャートである。図７に示す各ステップは、基本的には、評価装置４０の制御部４１がプログラムを実行することで実現される。
【００８４】
図７を参照して、制御部４１は、記憶部４３から薄膜太陽電池基板１の画像データを読み込む（ステップＳ１５０）。あるいは、制御部４１は、画像入力部４２を介して取得した薄膜太陽電池基板１の画像データを直接読み込んでもよい。
【００８５】
次に、制御部４１は、当該画像内における解析領域を抽出する（ステップＳ１５２）。具体的には、制御部４１は、記憶部４３に格納された設定内容に基づいて、予め定められた解析領域を抽出する。予め定められた解析領域とは、例えば、検査条件として基板ごとに設定されている領域である。具体的には、当該領域とは、基板の全体、基板の中央部、基板左右端部など、もしくはそれらの任意の組合せ（例えば基板中央部と基板四隅の５点検査など）である。また、制御部４１は、ユーザによって選択された領域を解析領域として抽出してもよい。このように、解析領域を所定の領域に絞って抽出することは、例えば、不良箇所等がある程度予測できるような場合に、当該箇所のみを抽出して解析することで、検査時間を短くすることが可能となる。
【００８６】
次に、制御部４１は、当該解析領域における画像の色調と予め定められた基準色調とを比較する（ステップＳ１５４）。具体的には、制御部４１は、例えば、当該解析領域における明度値と予め定められた基準明度値とを比較する。なお、基準色調は、希望する透明導電膜および透明絶縁基板２の表面の汚れの程度に応じて任意に設定すればよい。このとき、基準色調は、当該汚れの程度と色調（白っぽさ、黒っぽさ）との関係を事前に算出した上で、決定されることが好ましい。
【００８７】
次に、制御部４１は、当該比較結果に基づいて、当該画像の解析領域が基準色調よりも白っぽい色か否かを判断する（ステップＳ１５６）。具体的には、制御部４１は、例えば、当該画像の解析領域において、基準色調よりも白っぽい箇所の占める割合が所定の割合（例えば、８０％）よりも大きい場合には、当該解析領域は汚れ程度が良好（汚れていない）と判定し、逆に上記割合よりも小さい場合（換言すると、基準色調よりも黒っぽい箇所の占める割合が２０％以上の場合）には、当該解析領域は汚れ程度が悪い（汚れている）と判定する。また、制御部４１は、当該画像の解析領域の明度値の高さに比例して（明度値が高いものほど）汚れ程度がより良好である（より汚れていない）と判定する。すなわち、制御部４１は、当該解析領域が、基準色調よりも白っぽい場合には「汚れていない」と判定し、基準色調よりも黒っぽい場合には「汚れている」と判定する。
【００８８】
制御部４１は、当該解析領域の汚れ程度が良好と判定した場合（ステップＳ１５６においてＹＥＳの場合）には、薄膜太陽電池基板１は良品であると判定して（ステップＳ１５８）、処理は終了する。これに対して、制御部４１は、当該解析領域の汚れ程度が悪いと判定した場合（ステップＳ１５６においてＮＯの場合）には、薄膜太陽電池基板１は不良品であると判定して（ステップＳ１６０）、処理は終了する。
【００８９】
再び図５を参照して、検査システム２０は、画像解析によって判定した薄膜太陽電池基板１の検査結果を通信インターフェイスを介して制御装置２２に出力する（ステップＳ１０９）。次に、制御装置２２は、検査システム２０から出力された検査結果に基づいて薄膜太陽電池基板１が良品であるか否かを判断する（ステップＳ１１０）。薄膜太陽電池基板１が良品（検査結果が良判定）である場合（ステップＳ１１０においてＹＥＳの場合）には、制御装置２２は、製造工程を継続するように製造ラインを制御して（ステップＳ１１２）、処理は、終了する。具体的には、制御装置２２は、製造ラインにおいて、検査された当該基板とは別の薄膜太陽電池基板１の搬入または搬送を続行する。
【００９０】
これに対して、薄膜太陽電池基板１が不良品（検査結果が不良判定）である場合（ステップＳ１１０においてＮＯの場合）には、制御装置２２は、製造工程を中断するように製造ラインを制御して（ステップＳ１１４）、処理は、終了する。具体的には、制御装置２２は、搬入装置１０に指示して薄膜太陽電池基板１の搬入を中断させたり、搬送装置１１に指示して、製造ラインにおける別の薄膜太陽電池基板１の搬送を中断させたりする。あるいは、制御装置２２は、透明導電膜形成装置１２に対して透明導電膜の形成時の環境等の変更を促すための通知をしてもよい。
【００９１】
なお、上記では、検査システム２０が、ステップＳ１０７においてディスプレイ４６に撮像された基板画像を表示する場合について説明したが、これに限らない。例えば、検査システム２０は、ディスプレイ４６に画像表示を行なわずに、画像データに基づいて予め定められた解析領域で画像解析処理を実行するような場合であってもよい。その際には、基板画像は、公知のプリンタなどにより紙媒体として出力されてもよい。
【００９２】
なお、本実施形態は、凹凸構造を有する透明導電膜上に光を反射できる薄膜を形成することで光反射による撮像を可能とするものであるため、当該薄膜は、光を反射できる材料であればよい。また、反射率の大きい金属材料であれば検査の解像度が向上する点でより好ましい。
【００９３】
本実施の形態によると、薄膜太陽電池基板における汚れ状態（透明導電膜および透明絶縁基板２の表面の汚れ状態）を比較的簡易な装置構成で検査することができる。また、検査範囲が広いため、薄膜太陽電池基板のように基板サイズが大きい場合であっても、検査を短時間で行なうことができる。
【００９４】
（変形例）
ここで、図５で説明した検査ラインにおいて実行される処理手順の変形例について説明する。
【００９５】
図８は、本実施の形態に従う検査ラインにおいて実行される処理手順の変形例を示すフローチャートである。なお、ステップＳ１０２〜ステップＳ１０６までの処理は、図５に示した処理と同様であるため、その詳細な説明は繰り返さない。
【００９６】
検査システム２０は、撮像した基板画像の表示領域を含むユーザインターフェイス（ＵＩ）をディスプレイ４６に表示する（ステップＳ２０２）。具体的には、制御部４１からの指示を受け付けると、出力部４４は、図９に示すようなユーザインターフェイスをディスプレイ４６に表示する。
【００９７】
図９は、本実施の形態に従う検査システム２０が提供するユーザインターフェイス画面の一例である。
【００９８】
図９を参照して、このユーザインターフェイス画面７００は、基板の良判定を示すボタン１００２と、基板の不良判定を示すボタン１００４と、「撮像された基板の検査結果を選択して下さい。」といった当該検査結果の選択を促すメッセージ１００８と、カメラ７０によって撮像された撮像画像１０１０とを含む。ユーザは、（例えば、キーボードやマウスなどで）ボタン１００２あるいはボタン１００４を押下することで基板の良否を決定することができる。すなわち、ユーザは、基板画像が白っぽいと判断した場合には、良判定を示すボタン１００４を押下し、基板画像が黒っぽいと判断した場合には不良判定を示すボタン１００６を押下する。
【００９９】
再び、図８を参照して、検査システム２０は、ユーザからの指示を受け付けたか否かを判断する（ステップＳ２０４）。具体的には、制御部４１は、入力部４５を介してユーザから薄膜太陽電池基板１の良否を判定する入力を受け付けたか否かを判断する。ユーザからの指示を受け付けていない場合（ステップＳ２０４においてＮＯの場合）には、処理は、ステップＳ２０４を繰り返す。これに対して、ユーザからの指示を受け付けた場合（ステップＳ２０４においてＹＥＳの場合）には、検査システム２０は、ユーザからの指示を反映した検査結果を制御装置２２に出力する（ステップＳ２０６）。具体的には、制御部４１は、通信インターフェイスを介して制御装置２２に当該検査結果を出力する。
【０１００】
制御装置２２が実行するステップＳ１１０〜ステップＳ１１４までの処理は、図５に示した処理と同様であるため、その詳細な説明は繰り返さない。
【０１０１】
上記の変形例では、検査システム２０が撮像された基板画像の解析処理を実行することなく、ユーザが基板画像を視覚的に判断した結果が薄膜太陽電池基板１の良否判定に反映される。これは、例えば、ユーザが当該検査の熟練者であるような場合等、基板画像を視認するだけで良否の判断（白っぽいあるいは黒っぽいの判断）ができるような場合に有効である。
【０１０２】
なお、別の局面において、検査システム２０は、図５で示した画像解析処理と図８で示したＵＩ表示とを組み合わせた処理を実行してもよい。すなわち、検査システム２０は、図５のステップＳ１０８における画像解析処理を行なった後に、図８のステップＳ２０２におけるユーザインターフェイス画面７００に当該画像解析処理の結果を表示する表示領域をさらに含むＵＩ画面を表示してもよい。これにより、ユーザはコンピュータによる検査結果とユーザ自身による視覚的な判断とを照らし合わせることで、より精度の高い良否判定が可能となる。
【０１０３】
［２．第２の実施の形態］
第１の実施の形態では、透明導電膜が形成された薄膜太陽電池基板１が検査対象物である場合について説明した。第２の実施の形態では、上述したように、透明絶縁基板２上に透明電極層３と光電変換層４と裏面電極層５とが形成され、かつ透明絶縁基板２の外周近傍に透明絶縁基板２の表面が露出する外周絶縁領域が形成された状態の薄膜太陽電池基板１が検査対象物である場合について説明する。
【０１０４】
＜検査対象物について＞
まず、第２の実施の形態において検査対象物となる薄膜太陽電池基板１について説明する。
【０１０５】
図１０は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板１の平面図である。
図１１は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池基板１の端部近傍の拡大断面図である。
【０１０６】
図１０、１１を参照して、薄膜太陽電池基板１は、透明絶縁基板２の周縁部に透明絶縁基板２の基板面２ａが直接露出する領域が存在する構造となっている。透明絶縁基板２が露出する領域７（以下、「外周絶縁領域７」とも称す。）は、透明絶縁基板２の上に、透明電極層３、光電変換層４、裏面電極層５を形成した後、一般的に用いられているレーザやブラスト等を用いた加工装置を有する絶縁領域形成装置により透明電極層３、光電変換層４及び裏面電極層５の一部を除去（パターニング）することで形成される。
【０１０７】
外周絶縁領域７は、薄膜太陽電池モジュールを製造したとき、光電変換素子部と金属フレームとの間の絶縁部分の一部になる箇所であるため、外周絶縁領域７における透明絶縁基板２の基板面２ａには、本来ならば何も存在しない状態となっているべきである。しかし、実際には、上述の加工装置による各層の除去を行なった後に、基板面２ａに汚れが存在する場合がある。すなわち、基板面２ａに搬送時のベルト等の跡、または製造ラインにおけるステージ上のゴミ等の異物などが付着する場合がある。当該基板面２ａに汚れがある場合には、薄膜太陽電池モジュールを製造したとき、光電変換素子と金属フレーム等の部材との間で十分な絶縁性能が得られなくなる（リークが発生する）。従って、このようなリークを避けるためには、外周絶縁領域７が形成された後の汚れ状態を検査することが有効となる。
【０１０８】
すなわち、第２の実施の形態では、検査システム２０が、薄膜太陽電池基板１が有する外周絶縁領域７の基板面２ａを検査することによって、基板面２ａの汚れ状態の評価を行なう。
【０１０９】
＜Ａ．製造工程の概要＞
まず、第２の実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造システム２００について説明する。
【０１１０】
図１２は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造システム２００の構成を表わす図である。
【０１１１】
製造システム２００は、搬入装置１０と、薄膜形成装置８０と、絶縁領域形成装置８２と、搬送装置８３と、搬送装置８４と、次工程８６と、検査システム２０と、制御装置２２とを含む。なお、搬入装置１０と検査システム２０と制御装置２２とは、装置の機能としては第１の実施の形態と同様であるため、簡単に説明する。
【０１１２】
薄膜形成装置８０は、搬入装置１０によって搬入された透明絶縁基板２に順次、透明電極層３、光電変換層４、裏面電極層５を形成（積層）する。各層は、プラズマＣＶＤ、スパッタリングまたは蒸着法により形成される。なお、各層を形成する際に、別の場所への搬送等が必要な場合には、薄膜形成装置８０は、当該搬送を行なう搬送装置も含む概念である。
【０１１３】
絶縁領域形成装置８２は、透明絶縁基板２の周縁部の所定の領域における透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５を除去し、外周絶縁領域７を形成する。絶縁領域形成装置８２は、例えば、回転する研磨ディスクを用いた研磨装置、粒を吹き付けて膜を除去するブラスト装置、レーザを照射して膜を蒸散させるレーザ加工装置である。
【０１１４】
搬送装置８３は、外周絶縁領域７が形成された状態の薄膜太陽電池基板１を後述する次工程１４に搬送するための装置である。
【０１１５】
搬送装置８４は、所定の基板枚数ごとに外周絶縁領域７が形成された薄膜太陽電池基板１を製造ラインから抜き取り、検査ラインに当該基板を搬送する。
【０１１６】
検査システム２０は、外周絶縁領域７における基板面２ａの汚れの状態を検査し、検査結果を制御装置２２に出力する。
【０１１７】
制御装置２２は、検査結果に基づいて、製造ラインの稼動を制御する。また、制御装置２２は、検査結果が不良判定である場合には、絶縁領域形成装置８２の処理条件を不良が発生しないように変更したり、当該装置を停止してメンテナンスをするようにアラームを出すなどのフィードバックをすることができる。
【０１１８】
次工程８６は、薄膜太陽電池基板１の製造工程における、外周絶縁領域を形成する工程の次工程であり、例えば、ソーラシミュレータを用いて発電性能を評価する工程、薄膜太陽電池モジュール製造工程に搬出する搬出工程等を含む。
【０１１９】
次に、本実施の形態に従う薄膜太陽電池の製造工程について説明する。
図１３は、本実施の形態に従う薄膜太陽電池を製造する工程のうち、主たる工程を表わすフローチャートである。
【０１２０】
図１３を参照して、搬入工程において、搬入装置１０は、透明絶縁基板２を製造ラインに搬入する（ステップＳ１０）。薄膜形成工程において、薄膜形成装置８０は、搬入された透明絶縁基板２上に透明電極層３、光電変換層４、裏面電極層５を順次形成（積層）する（ステップＳ２２）。
【０１２１】
次に、絶縁領域形成工程において、絶縁領域形成装置８２は、透明電極層３、光電変換層４、裏面電極層５を除去し、外周絶縁領域７を形成する（ステップＳ２４）。
【０１２２】
次に、抜き取り工程において、搬送装置８４は、所定の基板枚数ごとに外周絶縁領域７が形成された薄膜太陽電池基板１を抜き取り、検査ラインに当該基板を搬送する（ステップＳ２６）。
【０１２３】
次に、検査工程において、検査システム２０は、検査ラインに搬送された外周絶縁領域７の汚れ状態を検査する（ステップＳ２８）。具体的には、検査システム２０は、薄膜太陽電池基板１にさらに金属膜を形成した後に、当該金属膜が形成された薄膜太陽電池基板１を撮像して得られた画像データに基づいて、外周絶縁領域７の汚れ状態を検査する。なお、金属膜が形成された薄膜太陽電池基板１は、薄膜太陽電池には利用できないため、当該検査は、第１の実施の形態と同様に破壊検査となる。
【０１２４】
次に、フィードバック工程において、制御装置２２は、検査システム２０から出力された検査結果に基づいて、製造ラインへのフィードバックを行なう（ステップＳ３０）。
【０１２５】
＜Ｂ．検査システム２０の構成＞
第２の実施の形態に従う検査システム２０の構成は、基本的には第１の実施の形態と同様であるため、その詳細な説明は繰り返さない。
【０１２６】
＜Ｃ．検査ラインの処理例＞
第２の実施の形態に従う検査ラインの処理フローは、第１の実施の形態において説明した図５の処理フローと基本的に同様であるため、その詳細な説明は繰り返さず、簡単に説明する。
【０１２７】
検査システム２０は、搬送装置１３によって検査ラインに搬送された、外周絶縁領域７が形成された薄膜太陽電池基板１において、基板面２ａとは反対側の基板面２ｂに金属膜を形成する。検査システム２０は、金属膜が形成された当該基板に白色光が照射された状態で撮像された基板画像をディスプレイ４６に表示する。そして、検査システム２０は、当該基板画像における外周絶縁領域７に相当する領域を解析領域として抽出し、抽出された当該解析領域における色調比較結果等に基づいて薄膜太陽電池基板１の良否を判定する。画像解析処理の解析領域の抽出方式、色調比較方式などは、第１の実施の形態で説明した図７の処理方式を基本的に援用することができる。
【０１２８】
すなわち、外周絶縁領域７の汚れの程度が良好な場合（汚れていない）には、光が透過しやすくなることから画像が白っぽくなり、外周絶縁領域７の汚れの程度が悪い場合（汚れている）には、光が透過しにくいため画像が黒っぽくなる。従って、第２の実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、検査システム２０は、当該解析領域が白っぽいと判定した場合に薄膜太陽電池基板１は良品であると判定し、黒っぽいと判定した場合に薄膜太陽電池基板１は不良品であると判定する。そして、検査システム２０は、薄膜太陽電池基板１の検査結果を制御装置２２に出力する。
【０１２９】
なお、第１の実施の形態で説明した変形例（図８の処理フロー）のように、ユーザから受け付けた指示を反映した検査結果を制御装置２２に出力してもよい。また、コンピュータによる検査結果とユーザ自身による視覚的な判断とを照らし合わせて検査結果を出力する構成であってもよい。
【０１３０】
次に、制御装置２２は、検査システム２０から出力された検査結果が良判定である場合には、検査された当該基板とは別の薄膜太陽電池基板１の搬送を続行する。制御装置２２は、当該検査結果が不良判定の場合には、搬送装置８３に指示して、別の薄膜太陽電池基板１の搬送を中断させる。また、制御装置２２は、検査結果が不良判定の場合には、絶縁領域形成装置８２に対して、絶縁領域形成時の環境等の変更を促すための通知をしてもよい。
【０１３１】
本実施の形態によると、薄膜太陽電池基板における汚れ状態（外周絶縁領域における基板面２ａの汚れ状態）を比較的簡易な装置構成で検査することにより、周縁部のどこに絶縁不良が発生する可能性があるのかを特定することができる。また、一般的な電気的な検査と比較して、短時間での検査が可能となる。
【０１３２】
［３．その他の実施の形態］
上記では、薄膜太陽電池の製造工程において製造ラインから検査条件に基づいて予め定められた枚数ごとに検査ラインに基板を抜き取り、検査システムが検査する場合について説明したが、本実施形態はこれに限られない。例えば、周縁絶縁検査や性能検査などの別の非破壊検査にて、基板面の異常が検出された場合に、その異常の原因を発見するために追加評価として検査システムが検査する構成が用いられてもよい。
【０１３３】
また、ある局面において、本実施の形態に従う検査システム２０の具体的構成の一態様について説明する。
【０１３４】
図１４は、本実施の形態に従う検査システム２０として機能するコンピュータシステム３００のハードウェア構成を示すブロック図である。
【０１３５】
コンピュータシステム３００は、主たる構成として、プログラムを実行するＣＰＵ３１０と、コンピュータシステム３００の使用者による指示の入力を受けるキーボード３２０およびマウス３３０と、ＣＰＵ３１０によるプログラムの実行により生成されたデータ、又はキーボード３２０若しくはマウス３３０を介して入力されたデータを揮発的または不揮発的に格納するメモリ３４０と、モニタ３５０と、メモリインターフェイス（Ｉ／Ｆ）３６０と、通信インターフェイス（Ｉ／Ｆ）３７０とを含む。各ハードウェアは、相互にデータバスによって接続されている。
【０１３６】
コンピュータシステム３００における処理は、各ハードウェアおよびＣＰＵ３１０により実行されるソフトウェアによって実現される。このようなソフトウェアは、メモリ３４０に予め記憶されている場合がある。また、ソフトウェアは、記録媒体３６２に格納されて、プログラム製品として流通している場合もある。あるいは、ソフトウェアは、いわゆるインターネットに接続されている情報提供事業者によってダウンロード可能なプログラム製品として提供される場合もある。このようなソフトウェアは、メモリインターフェイス３６０を介して、あるいは、通信インターフェイス３７０を介してダウンロードされた後、メモリ３４０に実行可能なプログラムの形式で格納される。
【０１３７】
図１４に示されるコンピュータシステム３００を構成する各ハードウェアは、一般的なものである。したがって、本実施形態の本質的な部分は、メモリ３４０あるいは記録媒体３６２に格納されたソフトウェア、あるいはネットワークを介してダウンロード可能なソフトウェアであるともいえる。なお、コンピュータシステム３００の各ハードウェアの動作は周知であるので、詳細な説明は繰り返さない。
【０１３８】
ここで、記録媒体３６２としては、ＣＤ（Compact  Disc）、ＤＶＤ（Digital  Versatile  Disk）、ＢＤ（Blu-ray  Disc）、ＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）メモリ、メモリカード、ＦＤ（Flexible  Disk）、ハードディスク、磁気テープ、カセットテープ、ＭＯ（Magnetic  Optical  Disc）、ＭＤ（Mini  Disc）、ＩＣ（Integrated  Circuit）カード（メモリカードを除く）、光カード、ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ（Electronically  Erasable  Programmable  Read-Only  Memory）などの、不揮発的にプログラムを格納する媒体が挙げられる。
【０１３９】
プログラムとは、ＣＰＵ３１０により直接実行可能なプログラムだけでなく、ソースプログラム形式のプログラム、圧縮処理されたプログラム、暗号化されたプログラム等を含む。
【０１４０】
また、通信インターフェイス３７０は、ＣＰＵ３１０によって出力された制御信号に基づいてコンピュータシステム３００に接続されている他の通信装置（例えば、制御装置２２）と通信する。また、通信インターフェイス３７０は、ＣＰＵ３１０との間でデータの授受を行なう。
【０１４１】
通信インターフェイス３７０は、ＵＳＢ（Universal  Serial  Bus）、その他のシリアル転送を行なう通信用インターフェイス、イーサネット（登録商標）を利用したインターフェイス、その他のパラレル転送を行なう通信用インターフェイス、無線ＬＡＮやその他無線技術を利用してデータ通信を行なうインターフェイスのいずれであってもよい。
【０１４２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１４３】
１  薄膜太陽電池基板、２  透明絶縁基板、２ａ，２ｂ  基板面、３  透明電極層、４  光電変換層、５  裏面電極層、７  外周絶縁領域、１０  搬入装置、１１，１３，８３，８４  搬送装置、１２  透明導電膜形成装置、１４，８６  次工程、２０  検査システム、２２  制御装置、３０  金属膜形成装置、４０  評価装置、４１  制御部、４２  画像入力部、４３  記憶部、４４  出力部、４５  入力部、４６  ディスプレイ、６０  ライト、７０  カメラ、８０  薄膜形成装置、８２  絶縁領域形成装置、１００，２００  製造システム、３００  コンピュータシステム、３１０  ＣＰＵ、３２０  キーボード、３３０  マウス、３４０  メモリ、３５０  モニタ、３６０  メモリインターフェイス、３６２  記録媒体、３７０  通信インターフェイス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図６】
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