(57)【要約】【課題】伝送線路に容易に取り付けるとことができる高周波検出装置を提供する。【解決手段】内部導体Ｂに生じる高周波電圧、または、内部導体Ｂを流れる高周波電流に応じた信号を検出する検出部５と、検出部５を移動させる移動手段（モータ２、送りネジ３、および移動部４）と、検出部５の内部導体Ｂに対向する面に固定されたスペーサ６とを備えるようにした。高周波検出装置Ａ１は外部導体Ｃの外側に取り付けられ、その後、検出部５が外部導体Ｃに設けられた孔を通過して、内部導体Ｂの近くに配置される。したがって、同軸管を分解することなく、高周波検出装置Ａ１を同軸管に容易に取り付けることができる。【選択図】図１
2014066681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力が伝送される導電体に生じる高周波電圧、または、前記導電体を流れる高周波電流に応じた信号を検出する検出手段と、
前記検出手段を移動させる移動手段と、
を備え、
前記移動手段は、前記導電体から所定の距離になる位置に、前記検出手段を移動させる、
ことを特徴とする高周波検出装置。
【請求項２】
前記検出手段は、前記高周波電圧に応じた信号と前記高周波電流に応じた信号の両方を検出する、
請求項１に記載の高周波検出装置。
【請求項３】
前記所定の距離は、校正パラメータを作成した時の導電体と前記検出手段との距離である、
請求項１または２に記載の高周波検出装置。
【請求項４】
前記検出手段の前記導電体に対向する面に固定された絶縁体をさらに備え、
前記絶縁体の、前記検出手段から前記導電体に向かう方向の長さが、前記所定の距離である、
請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波検出装置。
【請求項５】
前記検出手段の位置を検出する位置検出手段をさらに備え、
前記移動手段は、前記位置検出手段が検出した位置に基づいて、前記検出手段を移動させる、
請求項１ないし３のいずれかに記載の高周波検出装置。
【請求項６】
前記位置検出手段は、前記検出手段が前記導電体に接触したときを基準として、前記検出手段の位置を検出する、
請求項５に記載の高周波検出装置。
【請求項７】
前記位置検出手段は、距離を計測するセンサを備えており、当該センサで計測した距離に基づいて位置を検出する、
請求項５に記載の高周波検出装置。
【請求項８】
前記位置検出手段は、カメラを備えており、前記カメラで撮像した画像を画像処理することで位置を検出する、
請求項５に記載の高周波検出装置。
【請求項９】
前記移動手段は、モータを備えており、前記モータの回転駆動によって、前記検出手段を移動させる、
請求項１ないし８のいずれかに記載の高周波検出装置。
【請求項１０】
前記導電体は、同軸管の内部導体であり、
前記同軸管の外部導体に取り付けられる、
請求項１ないし９のいずれかに記載の高周波検出装置。
【請求項１１】
前記外部導体の外側に取り付けられ、
前記外部導体に設けられた孔を通過させた位置に、前記検出手段が配置される、
請求項１０に記載の高周波検出装置。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の高周波検出装置と、
前記検出手段が検出した信号に基づいて、高周波パラメータを算出する演算装置と、
を備えていることを特徴とする高周波測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電体を伝送される高周波電力の高周波信号を検出する高周波検出装置、および、当該高周波検出装置を備えた高周波測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波電源装置から出力される高周波電力をプラズマ処理装置に供給し、エッチング等の方法を用いて半導体ウェハや液晶基板等の被加工物を加工するプラズマ処理システムが開発されている。
【０００３】
図１４は、一般的なプラズマ処理システムの構成を示すブロック図である。
【０００４】
プラズマ処理中にプラズマ処理装置３００のインピーダンスは変動するので、当該プラズマ処理装置３００の入力端で反射した反射波電力が高周波電源装置１００を損傷するおそれがある。したがって、プラズマ処理システムにおいては、一般に、高周波電源装置１００とプラズマ処理装置３００との間にインピーダンス整合装置２００が設けられており、当該インピーダンス整合装置２００がプラズマ処理装置３００のインピーダンス変動に応じて整合動作を行っている。また、プラズマ処理中のプラズマ処理装置３００のインピーダンスやプラズマ処理装置３００の入力端における高周波電圧および高周波電流などの監視を行う必要がある。
【０００５】
プラズマ処理装置３００の監視は、インピーダンス整合装置２００とプラズマ処理装置３００とを接続する伝送線路４００上のプラズマ処理装置３００に近い位置に高周波測定装置５００を配置し、当該高周波測定装置５００が測定する各種高周波パラメータを用いて行われる。
【０００６】
高周波測定装置５００は、高周波電圧信号と高周波電流信号とを検出し、その検出信号から高周波電圧と高周波電流の位相差θを求めるとともに、電圧実効値Ｖ、電流実効値Ｉ、インピーダンスＺ＝Ｒ＋ｊＸ（測定点がプラズマ処理装置３００の入力端近傍なので、プラズマ処理装置３００のインピーダンスに相当する。）、反射係数Γ、プラズマ処理装置３００に入力される進行波電力Ｐｆ、インピーダンス不整合によりプラズマ処理装置３００の入力端で反射される反射波電力Ｐｒなどの高周波パラメータを算出する。
【０００７】
高周波測定装置５００は、伝送線路４００上に配置されて高周波電圧信号と高周波電流信号とを検出する高周波検出装置５１０と、高周波検出装置５１０が検出した高周波電圧信号と高周波電流信号とから演算によって各種高周波パラメータを算出する演算装置５２０とを備えている。
【０００８】
図１５は、高周波検出装置５１０の一般的な内部構成を説明するための図である。
【０００９】
同図に示すように、高周波検出装置５１０は、電力伝送用導電体５１１、カレントトランス部５１２、電流用変換回路５１３、コンデンサ部５１４、および電圧用変換回路５１５を備えている。
【００１０】
電力伝送用導電体５１１は、伝送線路４００の内部導体に接続されて、高周波電源装置１００が出力する高周波電力を伝送するものである。電力伝送用導電体５１１は例えば円筒形状の銅製の棒などの導電体であって、その外周は絶縁体で覆われている。カレントトランス部５１２は、電力伝送用導電体５１１に流れる高周波電流に応じた電流を検出するものであり、検出した電流を電流用変換回路５１３に出力する。電流用変換回路５１３は、入力された電流を所定の電圧レベルの信号である高周波電流信号に変換して、演算装置５２０に出力する。コンデンサ部５１４は、電力伝送用導電体５１１に生じる高周波電圧に応じた電圧を検出するものであり、検出した電圧を電圧用変換回路５１５に出力する。電圧用変換回路５１５は、入力された電圧を所定の電圧レベルの信号である高周波電圧信号に変換して、演算装置５２０に出力する。演算装置５２０は、高周波検出装置５１０から高周波電流信号と高周波電圧信号とを入力され、演算によって各種高周波パラメータを算出して出力する。各種高周波パラメータの演算方法については、説明を省略する。
【００１１】
電流検出のためのカレントトランス、電圧検出のためのコンデンサ、および各配線の形状にバラツキがある場合、個々の高周波検出装置５１０から出力される検出値にバラツキが生じる。このバラツキを抑制するために、カレントトランス、コンデンサ、および各配線をプリント基板上にプリント配線として形成する技術が開発されている（特許文献１参照）。
【００１２】
図１６は、カレントトランス、コンデンサ、および各配線をプリント配線として形成したプリント基板を用いた高周波検出装置５１０を説明するための図である。
【００１３】
同図に示すように、高周波検出装置５１０は、電力伝送用導電体５１１、電流検出用プリント基板５１６、電圧検出用プリント基板５１７、および筐体５１８を備えている。
【００１４】
電流検出用プリント基板５１６は、図１５に示す高周波検出装置５１０の内部構成の内のカレントトランス部５１２および電流用変換回路５１３と、カレントトランス部５１２が検出した電流を電流用変換回路５１３に出力するための配線とをプリント基板上に形成したものである。また、電圧検出用プリント基板５１７は、高周波検出装置５１０の内部構成の内のコンデンサ部５１４および電圧用変換回路５１５と、コンデンサ部５１４が検出した電圧を電圧用変換回路５１５に出力するための配線とをプリント基板上に形成したものである。筐体５１８は、電流検出用プリント基板５１６および電圧検出用プリント基板５１７を固定し、かつ、両基板５１６、５１７を外部からの電磁波などから保護するものであり、例えばアルミニウム等の導電体からなる。
【００１５】
図１６に示す高周波検出装置５１０は、カレントトランス部５１２、コンデンサ部５１４、および各配線をプリント基板上にプリント配線として形成しているので、これらの形状にバラツキが生じることを抑制することができる。したがって、個々の高周波検出装置５１０の検出値にバラツキが生じることを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００９−３６５５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
インピーダンス整合装置２００とプラズマ処理装置３００とを接続する伝送線路４００上に高周波測定装置５００を配置する場合、伝送線路４００を分断して、その間に高周波検出装置５１０を接続する必要がある。また、インピーダンス整合装置２００とプラズマ処理装置３００とを、同軸管で接続するシステムの場合、同軸管の外部導体から内部導体を取り出し、内部導体を電力伝送用導電体５１１の代わりとして用いる必要がある。すなわち、内部導体に電流検出用プリント基板５１６および電圧検出用プリント基板５１７を取り付けて、筐体５１８で囲んだうえで、内部導体を外部導体の内側に配置する必要がある。
【００１８】
本発明は上述した事情のもとで考え出されたものであって、伝送線路に容易に取り付けるとことができる高周波検出装置を提供することをその目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【００２０】
本発明の第１の側面によって提供される高周波検出装置は、高周波電力が伝送される導電体に生じる高周波電圧、または、前記導電体を流れる高周波電流に応じた信号を検出する検出手段と、前記検出手段を移動させる移動手段とを備え、前記移動手段は、前記導電体から所定の距離になる位置に、前記検出手段を移動させることを特徴とする。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記検出手段は、前記高周波電圧に応じた信号と前記高周波電流に応じた信号の両方を検出する。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記所定の距離は、校正パラメータを作成した時の導電体と前記検出手段との距離である。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記検出手段の前記導電体に対向する面に固定された絶縁体をさらに備え、前記絶縁体の、前記検出手段から前記導電体に向かう方向の長さが、前記所定の距離である。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記検出手段の位置を検出する位置検出手段をさらに備え、前記移動手段は、前記位置検出手段が検出した位置に基づいて、前記検出手段を移動させる。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記位置検出手段は、前記検出手段が前記導電体に接触したときを基準として、前記検出手段の位置を検出する。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記位置検出手段は、距離を計測するセンサを備えており、当該センサで計測した距離に基づいて位置を検出する。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記位置検出手段は、カメラを備えており、前記カメラで撮像した画像を画像処理することで位置を検出する。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記移動手段は、モータを備えており、前記モータの回転駆動によって、前記検出手段を移動させる。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記導電体は、同軸管の内部導体であり、前記高周波検出装置は、前記同軸管の外部導体に取り付けられる。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、前記高周波検出装置は、前記外部導体の外側に取り付けられ、前記外部導体に設けられた孔を通過させた位置に、前記検出手段が配置される。
【００３１】
本発明の第２の側面によって提供される高周波測定装置は、本発明の第１の側面によって提供される高周波検出装置と、前記検出手段が検出した信号に基づいて、高周波パラメータを算出する演算装置とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によると、高周波検出装置が取り付けられた後に、移動手段によって、検出手段が導電体から所定の位置に配置される。したがって、高周波検出装置の取り付け時に検出手段を導電体の近くに配置しておく必要がなく、高周波検出装置を導電体から離れた位置に取り付けることができる。つまり、伝送線路を分断したり分解することなく、高周波検出装置を伝送線路に容易に取り付けることができる。
【００３３】
また、検出手段と導電体との距離を校正パラメータ作成時と同じ距離にしておけば、検出した信号から高周波パラメータを算出する際に、適切な校正パラメータを用いることができる。これにより、高周波パラメータを高い精度で算出することができる。
【００３４】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。
【図２】第１実施形態に係る検出部を説明するための図である。
【図３】電流検出用プリント基板を説明するための図である。
【図４】電圧検出用プリント基板を説明するための図である。
【図５】第１実施形態に係る検出部の他の実施例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る検出部の他の実施例を示す図である。
【図７】第１実施形態に係る検出部の他の実施例を示す図である。
【図８】高周波検出装置の内部構成の一部を回路図で表した図である。
【図９】第１実施形態に係る高周波検出装置による高周波信号検出の方法を説明するための図である。
【図１０】第１実施形態に係る高周波検出装置の校正パラメータの作成について説明するための図である。
【図１１】第２実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。
【図１２】第２実施形態に係る高周波検出装置の校正パラメータ作成時の指令値作成について説明するための図である。
【図１３】第３および第４実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。
【図１４】一般的なプラズマ処理システムの構成を示すブロック図である。
【図１５】高周波検出装置の一般的な内部構成を説明するための図である。
【図１６】従来の高周波検出装置の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【００３７】
図１は、第１実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。
【００３８】
高周波検出装置Ａ１は、高周波電力が伝送される導電体に生じる高周波電圧、および、導電体を流れる高周波電流を検出するものである。高周波検出装置Ａ１は、検出した高周波電圧信号と高周波電流信号とを演算装置５２０（図１４参照）に出力する。演算装置５２０は、高周波電圧信号と高周波電流信号とから演算によって各種高周波パラメータを算出する。本実施形態では、高周波検出装置Ａ１を同軸管の外部導体Ｃに取り付けて、内部導体Ｂによって伝送される高周波電力の高周波電圧信号と高周波電流信号とを検出する場合について説明する。
【００３９】
図１は、同軸管の外部導体Ｃに取り付けられた高周波検出装置Ａ１を同軸管の軸方向の上方から見た図であり、筐体１の一部を省略（筐体１の底板のみを表示している。）した図である。同軸管の内部導体Ｂおよび外部導体Ｃは、同軸管を径方向に切断した断面が示されている。説明の都合上、水平面にＸ軸とＹ軸とを定義しており、図１における筐体１の底板の左右方向がＸ軸方向（左側が正の方向）とし、筐体１の底板の奥行き方向（図１においては上下方向）がＹ軸方向（上側が正の方向）としている。また、筐体１の底板の垂直方向（図１において紙面の表裏方向）をＺ軸方向（表側が正の方向）としている（図２参照）。なお、高周波検出装置Ａ１、内部導体Ｂ、および外部導体Ｃの形状および大きさは、実際のものとは異なる。
【００４０】
図１に示すように、高周波検出装置Ａ１は、筐体１、モータ２、送りネジ３、移動部４、検出部５、スペーサ６、コネクタ７１，７２、外部コネクタ８１，８２，８３、同軸ケーブル９１，９２、および、ケーブルガイド１０を備えている。なお、各部材１〜１０の形状および大きさは、実際のものとは異なる。
【００４１】
筐体１は、各部材２〜１０を格納するものである。筐体１は、例えばアルミなどによって形成されており、ビスなどで同軸管の外部導体Ｃに取り付けられる。
【００４２】
モータ２は、筐体１の底板に固定されており、回転軸に取り付けられた送りネジ３を回転駆動する。送りネジ３がＸ軸方向を中心軸として回転することで、図示しないボールネジが取り付けられた移動部４が、送りネジ機構により、Ｘ軸方向に移動する。移動部４の先端（Ｘ軸正方向の端部）に検出部５が固定されている。モータ２の回転を制御して移動部４をＸ軸方向に移動させることで、検出部５をＸ軸方向に移動させることができる。なお、モータ２、送りネジ３、および移動部４が、本発明の「移動手段」に対応する。
【００４３】
図１（ａ）は検出部５を移動させる前の状態を示しており、図１（ｂ）は検出部５をＸ軸正方向に移動させて、同軸管の内部導体Ｂに近づけた状態を示している。図１（ａ）に示すように、外部導体Ｃに設けられた孔を通して検出部５が内部導体Ｂに近づけるように、高周波検出装置Ａ１は外部導体Ｃに取り付けられる。内部導体Ｂを伝送される高周波電力によって生じる電磁波が外部導体Ｃの外部に漏れないように、外部導体Ｃに設けられる孔の直径は、伝送される高周波の波長の半分以下にしている。例えば、本実施形態では、数ｃｍ程度にしている。検出部５および移動部４は、この孔を通過できる寸法として設計される。
【００４４】
検出部５は、高周波電流および高調波電圧を検出するものであり、移動部４の先端に固定されている。
【００４５】
図２は、検出部５を説明するための図である。同図(ａ)は検出部５の斜視図であり、同図（ｂ）は同図（ａ）のＩＩ−ＩＩ線断面図である。同図に記載の座標軸は図１に記載のものと共通する。検出部５は、電流検出用プリント基板５１、電圧検出用プリント基板５２、および、ケース５３を備えている。
【００４６】
ケース５３は、電流検出用プリント基板５１および電圧検出用プリント基板５２を格納するものであり、例えばアルミなどの導電性物質で形成されている。ケース５３は、内部導体Ｂを伝送される高周波電力によって発生する電磁波から、電流検出用プリント基板５１および電圧検出用プリント基板５２の回路および配線を保護するためのものである。
【００４７】
ケース５３には、Ｚ軸方向に並んで２つの空間が設けられており、一方の空間に電流検出用プリント基板５１が格納され、他方の空間に電圧検出用プリント基板５２が格納される。本実施形態では、上側（Ｚ軸正方向側）に電流検出用プリント基板５１が格納され、下側に電圧検出用プリント基板５２が格納されている。なお、上下を逆に格納してもよい。ケース５３に設けられた各空間のＸ軸正方向には、それぞれ開口部が設けられている。電圧検出用プリント基板５２が格納される空間の開口部５ｂは、内部導体Ｂに生じる電界を作用させるために設けられている。また、電流検出用プリント基板５１が格納される空間の開口部５ａは、内部導体Ｂを流れる高周波電流によって発生する磁束を作用させるために設けられているが、内部導体Ｂに生じる電界の影響を低減するために、細いスリット状とされている。
【００４８】
電流検出用プリント基板５１は、高周波電流を検出するための回路が形成されたプリント基板である。電流検出用プリント基板５１には、カレントトランスとして機能するためのコイル状の配線が形成されている。
【００４９】
図３は、電流検出用プリント基板５１を説明するための図である。同図（ａ）は、図２（ａ）に記載の電流検出用プリント基板５１をＺ軸正方向から見たものである。図３（ａ）に記載の座標軸は図１および図２に記載のものと共通する。図３（ｂ）は、同図（ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。なお、以下では、同図（ａ）に表示されている方の搭載面を「表面」とし、他方の搭載面を「裏面」とする。
【００５０】
図３に示すように、電流検出用プリント基板５１は、基板５１ａに、コイル状の配線を設けたものである。基板５１ａは、例えばガラスエポキシ等の絶縁材料からなり、矩形状の基板である。なお、基板５１ａの形状は矩形状に限られず、基板５１ａの材質も限定されない。コイル状の配線は、スルーホール５１ｂおよびプリント配線５１ｃ，５１ｄによって形成されている。なお、「スルーホール」とは、基板を貫通した穴にメッキなどを施して基板の両面を電気的に接続させるための穴である。基板が多層構造の場合は、層間を貫通して電気的に接続させる穴も含まれる。
【００５１】
図３（ａ）に実線で示すプリント配線５１ｃは基板５１ａの表面に形成されたプリント配線であり、破線で示すプリント配線５１ｄは、基板５１ａの裏面に形成されたプリント配線である。プリント配線５１ｃとプリント配線５１ｄとはスルーホール５１ｂによって接続されており、プリント配線５１ｃが隣り合う２つのプリント配線５１ｄとそれぞれ接続されることで、コイル状のプリント配線を形成している。同図（ｂ）においては、図の上側が電流検出用プリント基板５１の表面であり、図の下側が電流検出用プリント基板５１の裏面である。同図（ｂ）に実線で示すスルーホール５１ｂは切断面に位置するスルーホール（すなわち、同図（ａ）の下側のスルーホール）であり、破線で示すスルーホール５１ｂは当該断面図では見えないスルーホール（すなわち、同図（ａ）の上側のスルーホール）である。コイル状の配線の両端部からは、電流用変換回路４１（後述）に接続するための端子５１ｅまで延びる配線が形成されている。
【００５２】
検出部５が内部導体Ｂに近づけられた場合、内部導体Ｂを流れる高周波電流によって発生する磁束が電流検出用プリント基板５１に設けられたコイル状の配線に作用して、コイル状の配線に電流が流れる。この電流を検出することで、内部導体Ｂを流れる高周波電流に応じた電流を検出することができる。
【００５３】
コイル状の配線は、基板５１ａ上にスルーホール５１ｂとプリント配線５１ｃ，５１ｄとで形成されるので、形状や位置のバラツキがほとんどない。したがって、巻線間隔や巻き付け強さにバラツキがほとんど生じないので、複数の電流検出用プリント基板５１を製作した場合に、個々の電流検出用プリント基板５１に起因する電流検出値のバラツキを低減させることできる。また、コイル状の配線は基板５１ａ上に形成されているので、取り扱いが容易であり、電流検出用プリント基板５１を所定の位置に配置することでコイル状の配線を所定の位置に適切に配置することができる。また、基板５１ａは、例えばガラスエポキシ等の絶縁材料で作られる。このような絶縁材料の比透磁率は、磁性体よりも小さい。そのために、従来のようにコアとして用いる磁性体に配線を巻き付けてカレントトランスを構成する場合よりも、自己共振周波数を高くすることができる。したがって、検出可能な高周波電流の周波数帯域の上限を高くすることができる。
【００５４】
なお、コイル状の配線の構成はこれに限られない。例えば、電流検出用プリント基板５１を多層構造の基板とし、スルーホール５１ｂを一部の層間を貫通させるだけにして、プリント配線５１ｃまたはプリント配線５１ｄを層間に形成することで、コイル状の配線の一部または全部を電流検出用プリント基板５１の内部に形成するようにしてもよい。また、コイル状の配線を２重以上形成して（例えば、図３（ａ）において、コイル状の配線と平行に並ぶようにもう１つコイル状の配線を形成したり、コイル状の配線の各配線と配線の間にも１つコイル状の配線を形成して２つのコイル状の配線が２重螺旋構造となるようにするなど）、複数のカレントトランスを備えるようにしてもよい。この場合、複数のコイル状の配線同士を直列接続してもよいし、並列接続してもよい。
【００５５】
電圧検出用プリント基板５２は、高周波電圧を検出するための回路が形成されたプリント基板である。電圧検出用プリント基板５２には、コンデンサの一部として機能するための網目状の配線が形成されている。
【００５６】
図４は、電圧検出用プリント基板５２を説明するための図である。同図（ａ）は、図２（ａ）に記載の電圧検出用プリント基板５２をＺ軸正方向から見たものである。図４（ａ）に記載の座標軸は図１および図２に記載のものと共通する。図４（ｂ）は、同図（ａ）のＩＶ−ＩＶ線断面図である。なお、以下では、同図（ａ）に表示されている方の搭載面を「表面」とし、他方の搭載面を「裏面」とする。
【００５７】
図４に示すように、電圧検出用プリント基板５２は、基板５２ａに、網目状の配線を設けたものである。基板５２ａは、基板５１ａと同様、例えばガラスエポキシ等の絶縁材料からなり、矩形状の基板である。なお、基板５２ａの形状は矩形状に限られず、基板５２ａの材質も限定されない。網目状の配線は、スルーホール５２ｂおよびプリント配線５２ｃ，５２ｄによって形成されている。
【００５８】
図４（ａ）に示すように、基板５２ａのｘ軸正方向の側の端部に沿って、複数のスルーホール５２ｂが等間隔に設けられている。同図（ｂ）においては、図の上側が電圧検出用プリント基板５２の表面であり、図の下側が電圧検出用プリント基板５２の裏面である。同図（ｂ）に示すように、プリント配線５２ｃは、基板５２ａの表面で各スルーホール５２ｂを接続するように形成され、プリント配線５２ｄは、基板５２ａの裏面で各スルーホール５２ｂを接続するように形成されている。スルーホール５２ｂおよびプリント配線５２ｃ，５２ｄで網目状の配線が形成されている。網目状の配線は、基板５２ａの厚さと略同じ高さと、両端のスルーホール５２ｂ間の長さと略同じ長さを持った電極板として、コンデンサの一部として機能する。プリント配線５２ｃの中央からは、電圧用変換回路４２（後述）に接続するための端子５２ｅまで延びる配線が形成されている。
【００５９】
検出部５が内部導体Ｂに近づけられた場合、網目状の配線と内部導体Ｂのこれに対向する部分とがコンデンサとして機能する。すなわち、内部導体Ｂに生じる高周波電圧に応じた電圧を検出することができる。
【００６０】
網目状の配線は、基板５２ａ上にスルーホール５２ｂとプリント配線５２ｃ，５２ｄとで形成されるので、形状や位置のバラツキがほとんどない。したがって、複数の電圧検出用プリント基板５２を製作した場合に、個々の電圧検出用プリント基板５２に起因する電圧検出値のバラツキを低減させることできる。また、網目状の配線は基板５２ａ上に形成されているので、取り扱いが容易であり、電圧検出用プリント基板５２を所定の位置に配置することで網目状の配線を所定の位置に適切に配置することができる。
【００６１】
なお、網目状の配線の構成はこれに限られない。例えば、電圧検出用プリント基板５２を多層構造の基板とし、スルーホール５２ｂを一部の層間を貫通させるだけにして、プリント配線５２ｃまたはプリント配線５２ｄを層間に形成することで、網目状の配線の一部または全部を電圧検出用プリント基板５２の内部に形成するようにしてもよい。
【００６２】
なお、検出部５、電流検出用プリント基板５１および電圧検出用プリント基板５２は、上述したものに限定されない。
【００６３】
図５は、他の実施例を示すものであり、検出部、電流検出用プリント基板および電圧検出用プリント基板の形状を、略半円状の切り欠き部分を設けた形状としている。同図（ａ）は他の実施例に係る検出部５’の平面図を示し、同図（ｂ）は他の実施例に係る電流検出用プリント基板５１’の平面図を示し、同図（ｃ）は他の実施例に係る電圧検出用プリント基板５２’の平面図を示している。同図に示すように、検出部５’、電流検出用プリント基板５１’および電圧検出用プリント基板５２’は、内部導体Ｂに近づけられた時に内部導体Ｂに対向する側に略半円状の切り欠き部分が設けられている。また、同図（ｂ）および（ｃ）に示すように、電流検出用プリント基板５１’のコイル状の配線および電圧検出用プリント基板５２’の網目状の配線は、当該切り欠き部分に沿って形成されている。同図（ａ）に示すように、スペーサ６’の形状は、検出部５’の切り欠き部分および内部導体Ｂの外周面に沿うような形状としている。
【００６４】
電流検出用プリント基板５１’のコイル状の配線は、内部導体Ｂを流れる高周波電流によって発生する磁束を、電流検出用プリント基板５１の場合より多く通すことができるので、電流の検出感度を良くすることができる。また、電圧検出用プリント基板５２’の網目状の配線は、内部導体Ｂの外面との距離が、電圧検出用プリント基板５２の場合より短くなるので、コンデンサの容量が大きくなり、電圧の検出感度を良くすることができる。
【００６５】
なお、検出部５、電流検出用プリント基板５１および電圧検出用プリント基板５２（図  ２参照）において、コイル状の配線および網目状の配線を図５（ｂ）および（ｃ）のよ  うな形状に形成するようにしてもよい。
【００６６】
また、コイル状の配線および網目状の配線を１つの基板に形成するようにしてもよい。図６は、基板５４ａにコイル状の配線および網目状の配線を形成した検出用プリント基板５４を示している。この場合、検出用プリント基板５４を格納する検出部５を、より薄型化することができる。
【００６７】
上記ではコイルおよび電極板を基板上に形成した場合について説明したが、これに限られない。図７は、さらに他の実施例を示すものであり、電流検出用プリント基板および電圧検出用プリント基板に代えて、コイル５１”および電極板５２”を設けたものである。なお、図５に示す実施例と同様に、検出部５”に略半円状の切り欠き部分を設けて、コイル５１”および電極板５２”を当該切り欠き部分に沿うような形状としてもよい。
【００６８】
図８は、高周波検出装置Ａ１の内部構成の一部を回路図で表した図である。同図では、検出部５を内部導体Ｂに近づけた状態を示している。
【００６９】
同図に示すように、電流検出用プリント基板５１のコイル状の配線は内部導体Ｂに流れる高周波電流に応じた電流を検出するカレントトランスを構成し、電圧検出用プリント基板５２の網目状の配線は内部導体Ｂに生じる高周波電圧に応じた電圧を検出するコンデンサの一方の電極を構成する。
【００７０】
電流検出用プリント基板５１によって検出された電流は、端子５１ｅから接続線を介して電流用変換回路４１に入力される。電流用変換回路４１は、入力された電流を所定の電圧レベルの信号である高周波電流信号に変換して出力する。電圧検出用プリント基板５２によって検出された電圧は、端子５２ｅから接続線を介して電圧用変換回路４２に入力される。電圧用変換回路４２は、入力された電圧を所定の電圧レベルの信号である高周波電圧信号に変換して出力する。電流用変換回路４１および電圧用変換回路４２は、移動部４の内部に配置されている基板上に設けられている。なお、図２においては図示していないが、ケース５３のＸ軸負方向の面には、接続線を通すための孔が設けられている。なお、電流用変換回路４１および電圧用変換回路４２は、移動部４ではなく、電流検出用プリント基板５１および電圧検出用プリント基板５２上にそれぞれ設けるようにしてもよい。
【００７１】
図１に戻って、スペーサ６は、内部導体Ｂと検出部５とを所定の距離だけ離した状態にするためのものである。スペーサ６は、例えば樹脂などの絶縁物質からなり、検出部５のＸ軸正方向の面に固定されている。図１（ｂ）に示すように、検出部５を内部導体Ｂに近づけた場合、スペーサ６のＸ軸正方向の面が内部導体Ｂに接したところで、検出部５の移動は停止する。このとき、検出部５と内部導体Ｂとの距離は、スペーサ６のＸ軸方向の長さになる。これにより、内部導体Ｂから所定の距離（スペーサ６のＸ軸方向の長さ）となる位置に検出部５を配置することができる。
【００７２】
コネクタ７１は、電流用変換回路４１（図８参照）の出力に接続されており、高周波電流信号を出力する。コネクタ７２は、電圧用変換回路４２の出力に接続されており、高周波電圧信号を出力する。外部コネクタ８１，８２は、演算装置５２０（図１４参照）に接続されている。同軸ケーブル９１は、コネクタ７１と外部コネクタ８１とを接続する。同軸ケーブル９２は、コネクタ７２と外部コネクタ８２とを接続する。これにより、高周波電流信号および高周波電圧信号が、演算装置５２０に出力される。同軸ケーブル９１，９２は、柔軟性のある同軸ケーブルであり、移動部４がＸ軸正方向に最も移動した場合でも、コネクタ間の接続を保てる程度の長さになっている。外部コネクタ８３は、モータ２を制御するためのコンピュータに接続されている。なお、外部コネクタ８３も演算装置５２０に接続し、演算装置５２０がモータ２を制御するようにしてもよい。また、モータ２を制御するための制御装置を高周波検出装置Ａ１が備えるようにしてもよい。
【００７３】
ケーブルガイド１０は、同軸ケーブル９１，９２の曲がる位置を固定化させるものである。同軸ケーブル９１,９２は、形状が大きく変化すると、インピーダンスがごくわずかに変化する場合がある。したがって、校正パラメータ作成時と実際の測定時とで、同軸ケーブル９１,９２の形状があまり変化しない方が望ましい。したがって、ケーブルガイド１０によって、同軸ケーブル９１，９２の曲がる位置を固定化させることで、移動部４の位置に対応する同軸ケーブル９１，９２の形状が常に同様になるようにしている。また、ケーブルガイド１０は、同軸ケーブル９１と同軸ケーブル９２とが絡まないようにしている。本実施形態では、Ｚ軸方向に延びる円柱状のケーブルガイド１０を同軸ケーブル９１，９２ごとに２個ずつ設けている。なお、ケーブルガイド１０の形状、位置、個数は限定されない。実際に移動部４を移動させてみて、同軸ケーブル９１，９２の曲がる位置が固定化するように、適宜、配置すればよい。なお、本実施形態では、同軸ケーブル９１，９２のＸＹ平面上での曲がり方を固定するために、Ｚ軸方向に延びるケーブルガイド１０を設けたが、Ｚ軸方向での曲り方も固定するために例えばＹ軸方向に延びるケーブルガイド１０も設ける様にしてもよい。
【００７４】
図９は、高周波検出装置Ａ１による高周波信号検出の方法を説明するための図である。
【００７５】
同図は、同軸管に取り付けられた高周波検出装置Ａ１を示しており、同軸管の径方向に見た図である。つまり、図１をＹ軸負方向から見た状態に相当する。同軸管の内部導体Ｂおよび外部導体Ｃは、同軸管を軸方向に切断した断面が示されている。
【００７６】
図９（ａ）に示すように、高周波検出装置Ａ１は、筐体１と外部導体Ｃとをビスなどで固定することで、同軸管に取り付けられる。外部導体Ｃには数ｃｍ程度の孔が設けられている。高周波検出装置Ａ１の先端面（Ｘ軸正方向の面）の検出部５が突出している孔を、外部導体Ｃの孔に合わせるようにして、高周波検出装置Ａ１が配置されている。
【００７７】
モータ２（図１参照）によって送りネジ３を回転させることで、移動部４がＸ軸正方向に移動する。スペーサ６のＸ軸正方向の面が内部導体Ｂに接したところで、モータ２の駆動が停止され、移動部４の移動が停止される（図９（ｂ）参照）。これにより、検出部５は、内部導体Ｂから所定の距離（スペーサ６のＸ軸方向の長さ）となる位置に配置される。検出部５は、この位置で高調波電流および高調波電圧を検出し、高周波検出装置Ａ１が高調波電流信号および高調波電圧信号を演算装置５２０（図１４参照）に出力する。
【００７８】
演算装置５２０は、高周波電流信号および高周波電圧信号に基づいて、演算によって各種高周波パラメータを算出して出力する。このとき、演算装置５２０は、校正パラメータを用いて校正を行う。校正パラメータは、高周波検出装置Ａ１を校正用の同軸管に取り付けた状態で作成されている。
【００７９】
図１０は、高周波検出装置Ａ１の校正パラメータの作成について説明するための図である。
【００８０】
高周波検出装置Ａ１は、実際に測定する場合の取り付け方（図９参照）と同様にして、校正用の同軸管の外部導体Ｃ’に取り付けられ、スペーサ６のＸ軸正方向の面が校正用の同軸管の内部導体Ｂ’に接するまで移動部４を移動させる。この場合も、検出部５は、内部導体Ｂ’から所定の距離（スペーサ６のＸ軸方向の長さ）となる位置に配置される。この状態で校正パラメータが作成される。
【００８１】
校正用の同軸管には、プラズマ処理装置の代わりにダミーロードＤが接続される。ダミーロードＤは、３つの所定の基準負荷を再現できるようにあらかじめ設定されている。まず、校正用の同軸管の入力側の同軸コネクタＧ１に、インピーダンスアナライザＥの同軸コネクタＧ２を接続する。インピーダンスアナライザＥは、インピーダンスを測定するものであり、ダミーロードＤが再現した基準負荷のインピーダンスを測定する。ダミーロードＤによって各基準負荷を再現して、インピーダンスアナライザＥでインピーダンスを測定して記録する。次に、校正用の同軸管の入力側の同軸コネクタＧ１に、インピーダンス整合装置２００の同軸コネクタＧ３を介して高周波電源装置１００を接続する。そして、ダミーロードＤによって各基準負荷を再現し、高周波電源装置１００から電力を供給して、高周波検出装置Ａ１から出力される高周波電流信号および高周波電圧信号に基づいて演算装置５２０でインピーダンスを算出して記録する。これらの記録されたインピーダンスの測定値を用いて、校正パラメータが作成される。
【００８２】
本実施形態において、高周波検出装置Ａ１は同軸管の外部導体Ｃの外側に取り付けられ、取り付け後、外部導体Ｃの孔から挿入された検出部５が内部導体Ｂの近くに配置される。したがって、取り付け時に検出部５を内部導体Ｂの近くに配置しておく必要がない。よって、高周波検出装置Ａ１を取り付ける場合に、同軸管を分解する必要がない。また、高周波検出装置Ａ１を取り外す場合、モータ２を逆回転させて移動部４を筐体１に収納してから、取り外せばよい。この場合も、同軸管を分解する必要がない。つまり、高周波検出装置Ａ１は、同軸管の分解をすることなく、容易に付け外しを行うことができる。
【００８３】
また、検出部５は、内部導体Ｂから所定の距離（スペーサ６のＸ軸方向の長さ）となる位置に配置される。校正パラメータ作成時にも、検出部５と内部導体Ｂ’との距離が所定の距離（スペーサ６のＸ軸方向の長さ）になる。したがって、同様の条件で作成された校正パラメータを用いて校正することができるので、高周波パラメータを高い精度で算出することができる。
【００８４】
なお、内部導体Ｂを伝送される高周波電力によって、内部導体Ｂと検出部５との距離を変更する必要がある。例えば、伝送される高周波電力が大きい場合、絶縁距離を保てるようにする必要がある。したがって、Ｘ軸方向の長さが異なるスペーサ６を複数用意し、伝送される高周波電力によってスペーサ６を交換するようにすればよい。この場合、スペーサ６毎に校正パラメータを作成しておき、使用するスペーサ６に対応する校正パラメータを用いる必要がある。スペーサ６の交換の際にも、同軸管を分解することなく、高周波検出装置Ａ１の付け外しを容易に行うことができる。
【００８５】
上記第１実施形態では、同軸管の内部導体Ｂを伝送される高周波電力の高周波信号を検出する場合について説明したが、これに限られない。本発明は、高周波電力を伝送する導電体が空間を開けてグランドのための導電体で囲まれている場合に有効である。例えば、高周波電力を伝送する導電体が平板状の導電体であって、これを箱型の導電体で囲んでいる場合などにも、本発明を用いることができる。
【００８６】
上記第１実施形態では、高周波検出装置Ａ１が高周波電圧信号と高周波電流信号の両方を検出する場合について説明したが、これに限られない。本発明は、高周波電圧信号のみを検出する高周波検出装置にも適用することができる。高周波電圧信号のみを検出する場合は、検出部５に電流検出用プリント基板５１を設ける必要がなく、高周波電流信号を出力するための構成を省略することができる。また、本発明は、高周波電流信号のみを検出する高周波検出装置にも適用することができる。高周波電流信号のみを検出する場合は、検出部５に電圧検出用プリント基板５２を設ける必要がなく、高周波電圧信号を出力するための構成を省略することができる。
【００８７】
上記第１実施形態においては、送りネジ３による駆動形式で移動部４を移動させる場合について説明したが、これに限られず、どのような駆動形式で移動させてもよい。例えば、移動部４をベルト駆動形式で移動させるようにしてもよい。すなわち、モータ２でベルトをＸ軸方向に循環させて、当該ベルトに固定された移動部４をＸ軸方向に移動させるようにしてもよい。また、モータ２を用いる以外の方法（例えば、手動など）で移動部４を移動させるようにしてもよい。
【００８８】
上記第１実施形態では、スペーサ６を用いて、検出部５を内部導体Ｂから所定の距離の位置に配置する場合について説明したが、これに限られない。検出部５を内部導体Ｂから所定の距離の位置に配置することができれば、どのような方法を用いてもよい。以下に、位置制御によって検出部５を配置する場合を、第２の実施形態として説明する。
【００８９】
図１１は、第２実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。同図において、第１実施形態に係る高周波検出装置Ａ１（図１参照）と同一または類似の要素には、同一の符号を付している。図１１に示すように、高周波検出装置Ａ２は、スペーサ６を備えていない点と、モータ２’がサーボモータである点とで、第１実施形態に係る高周波検出装置Ａ１と異なる。
【００９０】
モータ２’は、外部コネクタ８３を介してコンピュータから入力される指令値（位置情報）に基づいて回転し、移動部４を指令値に対応する位置に移動させる。指令値は、校正パラメータ作成時の移動部４の位置に基づいて作成されて記録されている。なお、検出部５は移動部４に固定されており、移動部４の移動に合わせて検出部５も移動する。したがって、指令値を検出部５の位置情報としてもよい。なお、外部コネクタ８３を演算装置５２０（図１４参照）に接続し、指令値を演算装置５２０から入力するようにしてもよい。また、高周波検出装置Ａ２がメモリを備えて、メモリに記録された指令値に基づいてモータ２’を制御するようにしてもよい。
【００９１】
図１２は、高周波検出装置Ａ２の校正パラメータ作成時の指令値作成について説明するための図である。同図は、図１０と同様に、高周波検出装置Ａ２を校正用の同軸管に取り付けた状態を示している。図１２（ａ）は、移動部４をＸ軸正方向に移動させて、検出部５の先端面（Ｘ軸正方向の面）が治具Ｆに接した状態を示している。治具Ｆは、内部導体Ｂ’と検出部５とを所定の距離だけ離した状態にするためのものである。この時の移動部４の位置情報が記録される。校正用の同軸管の内部導体Ｂ’と外部導体Ｃ’との距離が、実際に測定される同軸管の内部導体Ｂと外部導体Ｃとの距離と同じであれば、記録された移動部４の位置情報を指令値として用いることができる。すなわち、実際の測定時に、校正パラメータ作成時と同じ位置に移動部４を位置させることで、内部導体Ｂと検出部５との距離を校正パラメータ作成時の内部導体Ｂ’と検出部５との距離（治具ＦのＸ軸方向の長さ）に等しくすることができる。
【００９２】
一方、校正用の同軸管の内部導体Ｂ’と外部導体Ｃ’との距離が、実際に測定される同軸管の内部導体Ｂと外部導体Ｃとの距離と異なる場合、図１２（ａ）の状態で記録された移動部４の位置情報をそのまま用いることはできない。この場合、検出部５の先端面が内部導体Ｂ’に接したとき（図１２（ｂ）参照）の移動部４の位置を基準にする。すなわち、図１２（ｂ）の状態を基準として図１２（ａ）の状態になるような位置情報が記録され、実際の測定時にも検出部５の先端面を内部導体Ｂに接触させて基準とし、記録されている位置情報に基づいて移動部４を移動させることで、内部導体Ｂと検出部５との距離を治具ＦのＸ軸方向の長さに等しくすることができる。
【００９３】
なお、校正パラメータの作成は、図１２（ａ）において治具Ｆを取り除いた状態で行われる。また、Ｘ軸方向の長さが異なる治具Ｆを複数用意し、治具Ｆ毎に位置情報および校正パラメータを作成して記録しておけば、測定対象の高周波電力に応じて、内部導体Ｂと検出部５との距離を切り替えることができる。
【００９４】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、高周波検出装置Ａ２が同軸管の外部導体Ｃの外側に取り付けられ、取り付け後に、検出部５が内部導体Ｂから所定の距離（治具ＦのＸ軸方向の長さ）となる位置に配置される。したがって、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００９５】
なお、移動部４の位置（筐体１に対する相対位置）を記録して再現できればよいので、サーボモータを用いることに限定されない。校正パラメータ作成時（および、検出部５を内部導体Ｂ’に接触させた時）の移動部４の位置を検出して記録しておき、実際の測定時に、記録された位置情報に基づいて検出部５を移動させることができればよい。検出部５の移動には通常のモータを用いてもよいし、手動で移動させるようにしてもよい。
【００９６】
図１３（ａ）は、第３実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。図１３（ａ）に示すように、高周波検出装置Ａ３は、スペーサ６を備えていない点と、検出部５にレーザセンサ１１を搭載している点とで、第１実施形態に係る高周波検出装置Ａ１と異なる。
【００９７】
レーザセンサ１１は、内部導体Ｂ（Ｂ’）との距離を計測するものである。図１３（ａ）は、図１０と同様に、高周波検出装置Ａ３を校正用の同軸管に取り付けて、校正パラメータを作成する状態を示している。図１３（ａ）においては、移動部４がＸ軸正方向に移動して、検出部５の先端面が治具Ｆに接している。このとき、レーザセンサ１１が計測した内部導体Ｂ’との距離が記録される。なお、校正パラメータの作成は、図１３（ａ）において治具Ｆを取り除いた状態で行われる。また、Ｘ軸方向の長さが異なる治具Ｆを複数用意して、治具Ｆ毎に距離および校正パラメータを作成して記録するようにしてもよい。
【００９８】
実際の測定時には、レーザセンサ１１が計測した内部導体Ｂとの距離が、記録された距離と等しくなるように移動部４を移動させることで、内部導体Ｂと検出部５との距離を校正パラメータ作成時の内部導体Ｂ’と検出部５との距離に等しくすることができる。
【００９９】
第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、高周波検出装置Ａ３が同軸管の外部導体Ｃの外側に取り付けられ、取り付け後に、検出部５が内部導体Ｂから所定の距離となる位置に配置される。したがって、第３実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１００】
なお、レーザセンサ１１に代えて、赤外線センサや超音波センサで距離を計測するようにしてもよい。また、ＣＣＤカメラで撮像した画像を画像処理することで、検出部５と内部導体Ｂ（Ｂ’）との距離を計測するようにしてもよい。ＣＣＤカメラを用いた場合を、第４実施形態として、以下に説明する。
【０１０１】
図１３（ｂ）は、第４実施形態に係る高周波検出装置を説明するための図である。図１３（ｂ）に示すように、高周波検出装置Ａ４は、スペーサ６を備えていない点と、筐体１にＣＣＤカメラ１２を搭載している点とで、第１実施形態に係る高周波検出装置Ａ１と異なる。
【０１０２】
ＣＣＤカメラ１２は、画像を撮像するものであり、撮像された画像のデータはコンピュータに出力される。コンピュータは、画像処理によって、検出部５および内部導体Ｂ（Ｂ’）を認識して、その間の距離を計測する。図１３（ｂ）は、図１０と同様に、高周波検出装置Ａ４を校正用の同軸管に取り付けて、校正パラメータを作成する状態を示している。図１３（ｂ）に示すように、外部導体Ｃ’には検出部５を通過させるための孔とは別に、ＣＣＤカメラ１２で撮像を行うための孔も設けられている。実際に測定を行うときの同軸管の外部導体Ｃにも、同様の孔を設ける必要がある。
【０１０３】
図１３（ｂ）においては、移動部４がＸ軸正方向に移動して、検出部５の先端面が治具Ｆに接している。このとき、ＣＣＤカメラ１２が撮像した画像から、検出部５と内部導体Ｂ’との距離が計測されて記録される。なお、校正パラメータの作成は、図１３（ｂ）において治具Ｆを取り除いた状態で行われる。また、Ｘ軸方向の長さが異なる治具Ｆを複数用意して、治具Ｆ毎に距離および校正パラメータを作成して記録するようにしてもよい。
【０１０４】
実際の測定時には、ＣＣＤカメラ１２が撮像した画像から、検出部５と内部導体Ｂとの距離が計測され、当該距離が記録された距離と等しくなるように移動部４を移動させることで、内部導体Ｂと検出部５との距離を校正パラメータ作成時の内部導体Ｂ’と検出部５との距離に等しくすることができる。
【０１０５】
第４実施形態においても、第１実施形態と同様に、高周波検出装置Ａ４が同軸管の外部導体Ｃの外側に取り付けられ、取り付け後に、検出部５が内部導体Ｂから所定の距離となる位置に配置される。したがって、第４実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏することができる。
【０１０６】
なお、ＣＣＤカメラ１２が撮像した画像から検出部５と内部導体Ｂ（Ｂ’）との距離を計測するのではなく、撮像した画像のパターンマッチングを利用するようにしてもよい。すなわち、図１３（ｂ）の状態で治具Ｆを取り除いた画像を撮像して記録し、実際の測定時にＣＣＤカメラ１２が撮像した画像と記録された画像とを照らし合わせながら移動部４を移動させる。校正パラメータ作成時の同軸管が実際の測定時の同軸管と同じであれば、画像が一致したことで距離が同じになったと判断できる。一方、異なる同軸管であれば、画像中の検出部５および内部導体Ｂ（Ｂ’）の位置関係および大きさから、同じ距離になったことを判断する必要がある。なお、ＣＣＤカメラ１２は、検出部５に搭載するようにしてもよい。
【０１０７】
なお、第２〜第４実施形態のいずれかを組み合わせたものとしてもよい。例えば、第２実施形態のモータによる位置制御と、第３実施形態のレーザセンサによる距離の計測とを、併用するようにしてもよい。
【０１０８】
本発明に係る高周波検出装置、および、当該高周波検出装置を備えた高周波測定装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る高周波検出装置、および、当該高周波検出装置を備えた高周波測定装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１０９】
Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４  高周波検出装置
１  筐体
２  モータ（移動手段）
３  送りネジ（移動手段）
４  移動部（移動手段）
４１  電流用変換回路
４２  電圧用変換回路
５，５’，５”  検出部
５ａ，５ｂ  開口部
５１，５１’  電流検出用プリント基板
５１”  コイル
５１ａ  基板
５１ｂ  スルーホール
５１ｃ，５１ｄ  プリント配線
５１ｅ  端子
５２，５２’  電圧検出用プリント基板
５２”  電極板
５２ａ  基板
５２ｂ  スルーホール
５２ｃ，５２ｄ  プリント配線
５２ｅ  端子
５３  ケース
５４  検出用プリント基板
５４ａ  基板
６，６’  スペーサ
７１，７２  コネクタ
８１，８２，８３  外部コネクタ
９１，９２  同軸ケーブル
１０  ケーブルガイド
１１  レーザセンサ
１２  ＣＣＤカメラ
Ｂ  内部導体
Ｃ  外部導体
Ｄ  ダミーロード
Ｅ  インピーダンスアナライザ
Ｆ  治具
１００  高周波電源装置
２００  インピーダンス整合装置
３００  プラズマ処理装置
４００  伝送線路
５００  高周波測定装置
５１０  高周波検出装置
５２０  演算装置
【図１】
2014066681.tif 000003
【図２】
2014066681.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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