(57)【要約】【課題】鉛の含有量の少ないガラスであるにも関わらず、半導体封入用ガラスとして必要な条件、すなわち、封入温度が６５０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数が８５〜１００×１０−７／℃を満足しており、しかも耐酸性に優れた半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管を提供することである。【解決手段】ガラス組成として、質量％で、PｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％含有し、好ましくはPｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ａｌ２Ｏ３  ０〜５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ  １〜５％、Ｎａ２Ｏ  ０〜１０％、Ｋ２Ｏ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％、ＴｉＯ２  ０〜１０％、ＺｒＯ２  ０〜３％含有することを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス組成として、質量％で、ＰｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％含有することを特徴とする半導体封入用ガラス。
【請求項２】
ガラス組成として、質量％で、ＰｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ａｌ２Ｏ３  ０〜５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ  １〜５％、Ｎａ２Ｏ  ０〜１０％、Ｋ２Ｏ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％、ＴｉＯ２  ０〜１０％、ＺｒＯ２０〜３％含有することを特徴とする請求項１に記載の半導体封入用ガラス。
【請求項３】
質量％で、ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２が４５〜６０％であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体封入用ガラス。
【請求項４】
１０６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が６５０℃以下であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体封入用ガラス
【請求項５】
請求項１〜４の何れかに記載のガラスからなることを特徴とする半導体封入用外套管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体封入用のガラス、すなわち、シリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタ等の素子と、それに電気的に接続するジュメット線等の電極材料を気密封入するガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイオード、ＬＥＤ、サーミスタ等といった小型の電子部品の製造には以下の方法が広く採用されている。まず半導体素子とジュメット線等の電極材料を、半導体素子が電極材料で両側から挟まれた状態でガラス外套管内に挿入し、保持する。続いて、この状態で加熱してガラス管を軟化変形させることにより、半導体素子をガラス管内に気密封入する。ガラス管を加熱する温度は、一般的にはガラスの粘度が１０６ｄＰａ・ｓとなる温度であり、封入温度と呼ばれる。ここで、ガラスの封入温度に求められる条件は、半導体の電気特性が封入温度で失われないように、封入する半導体の耐熱温度以下であることである。半導体の耐熱温度はその種類や設計に応じて多岐に渡るが、汎用性の高い半導体の耐熱性は６５０℃程度なので、封入温度は６５０℃以下であることが重要になる。また、ガラスに求められる特性として、熱膨張係数がある。これは、電極材料として最も一般的に用いられているジュメット線の熱膨張係数に整合することであり、具体的には８５〜１００×１０−７／℃（３０〜３８０℃間）の範囲内の熱膨張係数が必要である。さらに、半導体素子の加熱封入後、ガラス管外に露出した金属線は、酸化膜を除去する目的で酸処理やメッキ処理等が行われる。この際、部品の仕様によっては、ガラス管の一部（リード付タイプ）、もしくは全面（表面実装タイプ）をこれら薬液に浸漬し、処理する。このため、ガラスには十分な耐薬品性、特に耐酸性が要求される。
【０００３】
従来、このような条件を満たす半導体封入用ガラスには、ＰｂＯを４５〜７５質量％と多量に含有する鉛ケイ酸塩ガラスが使われている。鉛ケイ酸塩ガラスが広く採用されている理由として、例えば以下の利点が挙げられる。ＰｂＯはケイ酸塩ガラスにおいて、ガラスの粘度を下げる作用が大きく、低温で半導体素子を封入できる。またＰｂＯ量の調整によって熱膨張係数を調節することが可能であることから、一般的に用いられている種々のジュメット線の熱膨張係数に整合させることが容易である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３７６４１号公報
【特許文献２】特開平０８−０６７５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、鉛やカドミニウム、砒素などの有害成分による環境汚染が問題視され、工業製品にそれらの有害成分を低減することが要求されている。電子部品においても、先ず半田の鉛低減化が積極的に取り組まれており、次いで、半導体封入用ガラスにもＰｂＯの含有量低減が望まれている。
【０００６】
ところで半導体素子の封入の際の温度が高いと、素子が劣化したり、金属の降伏点を越えて弾性を失うことによる金属線の接触不良が生じたりする。これを改善するためにはガラスの封入温度を下げることが望ましい。従来の鉛ケイ酸塩ガラスにおいて、多量にＰｂＯが含有されている理由は封入温度を下げるためといえる。しかし、ＰｂＯは酸溶液に溶出しやすい性質があり、多量にＰｂＯを含有するほど、溶出量が多くなり、封止性が低下することがある。
【０００７】
また、耐酸性が十分でないと、ガラス表面の劣化による細かいクラックが生じ、様々な汚れや水分が付着しやすくなり、素子の表面抵抗が下がり、電気製品に不具合を生じることがある。
【０００８】
本発明は、上記課題の解決の為になされたものであり、鉛の含有量の少ないガラスであるにも関わらず、半導体封入用ガラスとして必要な条件、すなわち、封入温度が６５０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数が８５〜１００×１０−７／℃を満足しており、しかも耐酸性に優れた半導体封入用ガラス及び半導体封入用外套管を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者等は、ＰｂＯ含有量を５〜３５質量％に低減しても、ＳｉＯ２等の含有量を維持しながら、アルカリ金属酸化物Ｒ‘２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）量を増やすことにより、封入温度の低温化の達成と耐酸性の低下防止を両立できるガラスが得られることを見出した。
【００１０】
即ち、本発明の半導体封入用ガラスは、ガラス組成として、質量％で、ＰｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％含有することを特徴とする。ここで「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」とは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏの含有量の合量を指す。
上記構成によれば、封入温度が６５０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数が８５〜１００×１０−７／℃を満足しており、しかも耐酸性に優れた半導体封入用外套管を作製することが可能になる。
【００１１】
本発明においては、ガラス組成として、質量％で、ＰｂＯ  ５〜３５％、ＳｉＯ２  ４０〜５５％、Ａｌ２Ｏ３  ０〜５％、Ｂ２Ｏ３  ０〜１５％、ＭｇＯ  ０〜５％、ＣａＯ  ０〜５％、ＢａＯ  ０〜５％、ＳｒＯ  ０〜５％、ＺｎＯ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ  １〜５％、Ｎａ２Ｏ  ０〜１０％、Ｋ２Ｏ  ０〜１０％、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ  ５〜２０％、ＴｉＯ２  ０〜１０％、ＺｒＯ２  ０〜３％含有することが好ましい。
【００１２】
上記構成によれば、封入温度が６５０℃以下、３０〜３８０℃の温度範囲における線膨張係数が８５〜１００×１０−７／℃を満足しており、しかも耐酸性に優れた半導体封入用外套管を容易に作製することができる。
【００１３】
本発明においては、質量％で、ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２  ４５〜６０％であることが好ましい。ここで「ＳｉＯ２＋ＴｉＯ２」とは、ＳｉＯ２及びＴｉＯ２の含有量の合量を指す。
【００１４】
上記構成によれば、より耐酸性に優れたガラスを得ることができる。
【００１５】
本発明においては、１０６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が６５０℃以下であることが好ましい。本発明において、「１０６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度」は、次のようにして求めた温度を意味する。まずＡＳＴＭ  Ｃ３３８に準拠するファイバ法によりガラスの軟化点を測定する。次に白金球引き上げ法により作業点領域の粘度に相当する温度を求める。最後にこれらの粘度と温度をＦｕｌｃｈｅｒの式に当てはめて、１０６ｄＰａ・ｓにおける温度を算出する。
【００１６】
本発明の半導体封入用外套管は、上記ガラスからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体封入用ガラスは、低温で半導体素子を封入できる。また耐酸性に優れるため、素子封入後に酸処理やメッキ処理を施しても、表面にクラックが生じないことから信頼性の高い半導体封入部品を作製することができる。しかもガラス管成形時に結晶が析出しにくいことから、安定して大量に外套管を生産することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の半導体封入用無鉛ガラスにおいて、上記のようにガラス組成範囲を限定した理由を以下に説明する。なお、以下の％表示は質量％を指す。
【００１９】
ＰｂＯは、封入温度を下げ、また所望の熱膨張係数に調整するために重要な成分である。しかし、ＰｂＯの含有量が多くなると耐酸性が悪化する。このためＰｂＯの含有量は５〜３５％、好ましくは１０〜３５％、さらに好ましくは１０〜３０％である。ＰｂＯの含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。一方、ＰｂＯの含有量が多すぎると酸処理によって、ガラス表面が劣化しやすくなり、結果として製品の封止性が低下する。
【００２０】
ＳｉＯ２は、主成分であり、またガラスの安定化に重要な成分である。また耐酸性の向上に大きな効果がある。一方、ＳｉＯ２は封止温度を上昇させる成分でもある。ＳｉＯ２の含有量は４０〜５５％、好ましくは４０〜５２％、さらに好ましくは４３〜５２％である。ＳｉＯ２の含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。逆にＳｉＯ２の含有量が多すぎると低温封入が困難になる。
【００２１】
Ａｌ２Ｏ３は、Ｓｉを含有する結晶の析出を抑え、また耐水性や耐酸性を高める成分である。一方、Ａｌ２Ｏ３はガラスの粘性を上昇させる成分でもある。Ａｌ２Ｏ３の含有量は０〜５％、特に０．５〜４．５％であることが好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量が多すぎるとガラスの粘性が高くなり過ぎて成形性が低下し易くなり、低温封入が困難になる。さらに組成のバランスを欠いて、Ｌｉを含有する結晶が析出しやすくなる。
【００２２】
Ｂ２Ｏ３は、ガラスを安定化させる成分であるとともに、ガラスの粘性を低下させる成分である。一方、Ｂ２Ｏ３は耐薬品性を低下させる成分でもある。Ｂ２Ｏ３の含有量は０〜１５％、３〜１１％、特に５〜１０％であることが好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。逆にＢ２Ｏ３の含有量が多すぎると耐薬品性が悪くなる。
【００２３】
アルカリ土類金属酸化物ＲＯ（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ）はガラスを安定化させる効果が高い。その一方で、１０６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が６５０℃以下のガラスにおいては、ＲＯによるガラスの低温化効果は期待できず、むしろ封入温度を上昇させるおそれがある。このためＲＯの含有量は少ない方が好ましく、その含有量は各々０〜５％、特に各々０〜３％であることが好ましい。またこれらの成分は合量で１０％以下、特に７％以下であることが望ましい。
【００２４】
ＺｎＯはアルカリ金属酸化物に比べて膨張を上げずに、また耐酸性を劣化させずにガラスの粘性を低下させることができる成分である。ＺｎＯの含有量は０〜１０％、０．５〜８％、特に３〜７％であることが好ましい。ＺｎＯが少なすぎると上記した効果を享受することができず、逆に過剰になると結晶が析出し易くなる。
【００２５】
アルカリ金属酸化物Ｒ‘２Ｏ（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）は、ガラスの粘性を下げたり、膨張を上げたりする効果がある。特にＬｉ２Ｏはガラスの粘性を低下させる効果が大きいことから、上記組成のガラスでは必須成分として使用することが好ましい。一方、Ｒ２Ｏが過剰になると、膨張が高くなりすぎてジュメット等の金属線との間でクラックを生じる。それゆえＲ２Ｏは合量（Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ）で５〜２０％、好ましくは６〜１５％、さらに好ましくは９〜１３％である。なお各アルカリ金属酸化物成分については以下に述べる。
【００２６】
Ｌｉ２Ｏは上記したようにガラスの粘性を低下させる効果が大きいが、その含有量が多くなるとＬｉを含有する結晶を生じさせやすい。このためＬｉ２Ｏの含有量は１〜５％、１．５〜４．５％、特に２．５〜４．０％であることが望ましい。一方、Ｌｉ２Ｏの含有量が多すぎると失透し易くなり、Ｌｉ２Ｏ−ＺｎＯ−ＳｉＯ２系やＬｉ２Ｏ−ＴｉＯ２−ＳｉＯ２の結晶が析出しやすくなる。また耐酸性が悪化する傾向にある。
【００２７】
Ｎａ２Ｏは上記したアルカリ金属共通の効果の他にガラスを安定化させて失透を防止する効果がある。その一方でＮａ２Ｏはガラスの耐酸性を悪化させる。本発明においてはガラスの安定化を考慮して導入することが望ましい。Ｎａ２Ｏの含有量は０〜１０％、２〜７％、特に３〜６％であることが好ましい。Ｎａ２Ｏの含有量が少なすぎると上記した効果を享受し難くなる。一方、Ｎａ２Ｏの含有量が多すぎると、失透し易くなる。
【００２８】
Ｋ２Ｏは上記したアルカリ金属共通の効果の他にガラスを安定化させ失透を防止する効果がある。その一方でＫ２Ｏはガラスの耐酸性を悪化させる。Ｋ２Ｏの含有量は０〜１０％、２〜７％、特に３〜６％であることが好ましい。Ｋ２Ｏの含有量が多すぎると失透し易くなる。
【００２９】
なおガラスを安定化させるためには、Ｎａ２ＯとＫ２Ｏのどちらか一方または両方を含有させることが望ましい。
【００３０】
ＴｉＯ２は耐酸性を高めるために添加する成分である。その一方でＴｉＯ２は結晶を誘発させやすく、ガラスの耐失透性を悪化させやすい。このためＴｉＯ２を過剰に含有させると金属や耐火物との接触によってガラスが容易に失透し、この失透物の影響によって得られるガラスの寸法精度が低下するという問題を引き起こす虞がある。ＴｉＯ２の含有量は０〜１０％、０．５〜６％、特に１．５〜４％であることが好ましい。
【００３１】
ＺｒＯ２は耐薬品性を向上させる成分である。その一方で、ＺｒＯ２の含有量が多すぎるとガラスの粘性が高くなりすぎ、低温封入が困難になる。ＺｒＯ２の含有量は０〜３％、特に０〜２％であることが好ましい。
【００３２】
また本発明のガラスにおいては、ＳｉＯ２とＴｉＯ２の合量を厳密にコントロールすることによって、耐酸性と低温化（封着温度）の両立を図ることが容易になる。ＳｉＯ２とＴｉＯ２の合量を高めることで効率的に耐酸性を向上させることが可能となる。ＳｉＯ２とＴｉＯ２の含有量は合量で４５〜６０％、特に４７〜５２％であることが好ましい。ＳｉＯ２とＴｉＯ２の合量が４５％以上であれば、耐酸性がより向上するため好ましい。ＳｉＯ２とＴｉＯ２の合量が６０％以下であれば、ガラスが固くなり難く、低温での封入がより容易になる。
【００３３】
本発明の半導体封入用ガラスは、上記成分以外にも、ガラスの特性を損なわない範囲で種々の成分を添加することができる。例えばガラスの粘性を低下させるためにＦを０．５％まで、清澄剤としてＳｂ２Ｏ３を０．５％までそれぞれ添加することができる。ただしＡｓ２Ｏ３等の環境上好ましくない成分は添加すべきでない。具体的にはＡｓ２Ｏ３の含有量は０．１％以下に制限される。
【００３４】
上記組成を有する本発明の半導体封入用ガラスは、１０６ｄＰａ・ｓの粘度に相当する温度が好ましくは６５０℃以下、より好ましくは６２０〜６４０℃、更に好ましくは６２０〜６３５℃である。１０６ｄＰａ・ｓの粘度の温度は、概ね半導体素子の封入温度に相当する。それゆえ本発明のガラスは、６５０℃以下で半導体素子を封入することができる。
【００３５】
また本発明の半導体封入用ガラスは、ジュメットとシールするために、ガラスの３０℃〜３８０℃の範囲における熱膨張係数が好ましくは８５〜１００×１０−７／℃、より好ましくは８５〜９５×１０−７／℃、更に好ましくは９０〜９５×１０−７／℃である。
【００３６】
また本発明の半導体封入用ガラスは、３０℃−３６Ｎ硫酸の５質量％溶液に６０分間浸漬した場合に、好ましくは重量減少率が５００ｐｐｍ以下、より好ましくは４００ｐｐｍ以下、更に好ましくは３００ｐｐｍ以下である。重量減少率が小さいほど、めっき処理工程においてガラス表面にクラック等が発生し難くなるため好ましい。
【００３７】
また本発明の半導体封入用ガラスは、体積抵抗が極力高いことが好ましい。具体的には１５０℃における体積抵抗値が、Ｌｏｇρ（Ω・ｃｍ）で７以上、特に９以上、さらには１１以上であることが望ましい。なおガラスの体積抵抗が低いと、例えばダイオードの場合は電極間にわずかに電気が流れるようになり、あたかもダイオードに平行して抵抗体を設置したような回路を生じてしまう。
【００３８】
次に本発明の半導体封入用ガラスからなる半導体封入用外套管の製造方法を説明する。ただし本発明の半導体封入用外套管を製造する方法は、下記の方法に限られるものではない。
【００３９】
工業的規模での半導体封入用外套管の製造方法の一つの態様では、ガラスを構成する成分を含む鉱物や精製結晶粉末を計測混合し、炉に投入する原料を調合する調合混合工程と、原料を溶融ガラス化する溶融工程と、溶融したガラスを管の形に成形する成形工程と、管を所定の寸法に切断する加工工程を含む。
【００４０】
まず上記組成範囲となるように、ガラス原料を調合混合する。原料は、酸化物や炭酸塩など複数の成分からなる鉱物や不純物からなっており、分析値を考慮して調合すればよく、原料は限定されない。これらを重量換算で計測し、Ｖミキサーやロッキングミキサー、攪拌羽根のついたミキサーなど規模に応じた適当な混合機で混合し、投入原料を得る。
【００４１】
次に原料をガラス溶融炉に投入し、ガラス化する。溶融炉は、ガラス原料を溶融しガラス化するための溶融槽と、ガラス中の泡を上昇除去するための清澄槽と、清澄されたガラスを成形に適当な粘度まで下げ、成形装置に導くための通路（フィーダー）とを有するものが一般的である。溶融炉は、耐火物や内部を白金で覆った炉が使用され、バーナーによる加熱やガラスへの電気通電によって加熱される。投入された原料は通常１１００℃〜１４００℃の溶解槽でガラス化され、さらに１２００℃〜１５００℃の清澄槽に入る。ここでガラス中の泡を浮上させて泡を除去する。清澄糟から出たガラスは、フィーダーを通って成形装置に移動するうちに温度が下がり、ガラスの成形に適した粘度１０３．５〜１０６ｄＰａ・ｓになる。
【００４２】
次いで成形装置にてガラスを管状に成形する。成形法としてはダンナー法、ベロ法、ダウンドロー法、アップドロー法が適用可能である。
【００４３】
その後、ガラス管を所定の寸法に切断することにより、本発明の半導体封入用外套管を得ることができる。ガラス管の切断加工は、管１本ずつをダイヤモンドカッターで切断することも可能であるが、大量生産に適した方法として、多数の管ガラスを１本に結束してからダイヤモンドホイールカッターで切断し、一度に多数の管ガラスを切断する方法が一般的に用いられている。
【００４４】
また本発明の半導体封入用無鉛ガラスは、ガラス管に成形して外套管として使用する以外にも、例えば、粉末状にしてペースト化し、半導体素子に巻き付けて焼成することで半導体素子を封入することもできる。
【００４５】
次に本発明の半導体封入用外套管を用いた半導体素子の封入方法の一例を述べる。
【００４６】
まず外套管内でジュメット線などの電極材料が半導体素子を両側から挟み込んだ状態となるように冶具を用いてセットする。その後、全体を６５０℃以下の温度に加熱し、外套管を軟化変形させて半導体素子を気密封入する。このような方法でシリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタなどの小型の電子部品を作製することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例に基づいて本発明を説明する。なお本発明は、下記実施例に限定されるものではない。
【００４８】
表１は本発明の実施例（試料Ｎｏ．１〜１１）、及び比較例（試料Ｎｏ．１２、１３）を示している。なおＮｏ．１２は特許文献２に記載のガラス、Ｎｏ．１３は従来から半導体封入用ガラスとして用いられている一般的な鉛ケイ酸塩ガラスである
【００４９】
【表１】
2014141397.tif 000002
【００５０】
各試料は次のようにして調製した。ます表中に記載のガラス組成となるように、ガラス原料を調合し、白金ポットを用いて１３００℃で３時間溶融し、成形して各種の評価に供した。なおガラス原料としては、珪石粉、酸化アルミニウム、硼酸、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、酸化亜鉛、炭酸リチウム、硝酸ソーダ、炭酸カリウム、酸化チタン等を使用した。
【００５１】
次に得られた試料について、熱膨張係数、１０６ｄＰａ・ｓにおける温度、耐酸性（重量減少率、クラック有無）、体積抵抗、及び結晶析出粘度を評価した。
【００５２】
表１から明らかなように、本発明の実施例である試料Ｎｏ．１〜１１は、１０６ｄＰａ・ｓにおける温度が６４７℃以下であり、低温封入可能であった。また熱膨張係数が８６．２〜９９．３×１０−７／℃であり、ジュメット線と整合する熱膨張係数を示した。また体積減少率が４２０ｐｐｍ以下であり、クラックの発生もなく、耐酸性が良好であった。さらに結晶析出粘度が高く、失透が生じ難いことが確認された。
【００５３】
熱膨張係数は、直径約５ｍｍ、長さ約２０ｍｍの円柱状の測定試料を用いて、自記示差熱膨張計により３０〜３８０℃の温度範囲における平均線熱膨張係数を測定した値である。
【００５４】
封入温度は次のようにして求めた。まずＡＳＴＭ  Ｃ３３８に準拠するファイバ法により軟化点を測定した。次に、白金球引き上げ法により作業点領域の粘度に相当する温度を求めた。最後に、これらの粘度と温度をＦｕｌｃｈｅｒの式に当てはめて、１０６ｄＰａ・ｓにおける温度を算出し、これを封入温度とした。
【００５５】
耐酸性は次のようにして求めた。３０×３０×５ｍｍのガラス板を作製し、鏡面研磨後、水洗い乾燥して元の重量を計測する。その後、３０℃−３６Ｎ硫酸の５質量％溶液に６０分間浸漬したのち、９０秒間純水で洗い、１００℃で３０分以上乾燥後、処理後の重量を計測し、（初期重量―処理後重量）／（初期重量）×１００により重量減少率を算出した。単位はｐｐｍで表記した。またクラックの有無は処理後のガラス表面を落射顕微鏡で観察した。
【００５６】
１５０℃における体積抵抗率は、ＡＳＴＭ  Ｃ−６５７に準拠した方法で測定した値である。
【００５７】
結晶析出粘度は、試料を粉砕し、ふるいで粒度をそろえた後、白金製ボートに移し、温度傾斜のある炉で３時間処理して取り出し、偏光顕微鏡を用い、結晶の析出した最も高い温度を読み取り、この温度を粘度に換算し、結晶析出粘度とした
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明の半導体封入用ガラスは、シリコンダイオード、発光ダイオード、サーミスタ等の半導体素子の封入に用いられるガラス外套管材料として好適である。