(57)【要約】      （修正有）【課題】スパッタリング法によって形成した窒化シリコン膜からなるテクスチャマスクを用いて、テクスチャ構造を形成することを可能とする、太陽電池の製造方法及び、該製造方法により製造された太陽電池を提供する。【解決手段】半導体基板１表面のアルカリ塩を含む付着物を除去する基板洗浄工程と、洗浄後の半導体基板の第１の主面にスパッタリング法によって窒化シリコン膜を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクとして半導体基板１をエッチングすることにより、半導体基板１にテクスチャ構造を形成する工程を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面のアルカリ塩を含む付着物を除去する基板洗浄工程と、
前記洗浄後の半導体基板の第１の主面にスパッタリング法によって窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記窒化シリコン膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングすることにより、前記半導体基板にテクスチャ構造を形成する工程を含む
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板を洗浄する工程は、水洗により行うことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の太陽電池の製造方法により製造した太陽電池であって、前記半導体基板の受光面及び側面にテクスチャ構造を備えた太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法及び太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に地球環境の保護の観点から、太陽光エネルギを電気エネルギに変換する太陽電池セルは次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池セルの種類には、化合物半導体を用いたものや有機材料を用いたものなどの様々なものがあるが、現在、シリコン結晶を用いた太陽電池セルが主流となっている。
【０００３】
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池セルは、太陽光が入射する側の面（受光面）にｎ電極が形成されており、受光面と反対側の面（裏面）にｐ電極が形成された構成の両面電極型太陽電池セルである。また、太陽電池セルの受光面には電極を形成せず、太陽電池セルの裏面のみにｎ電極およびｐ電極を形成した裏面電極型太陽電池セルの開発も進められている。
【０００４】
両面電極型太陽電池セルおよび裏面電極型太陽電池セルのいずれにおいても、シリコン基板の受光面にテクスチャ構造と呼ばれる微小なピラミッド状の凹凸を形成することによって、シリコン基板の受光面における入射光の反射を防止する技術は重要である。
【０００５】
図１１は、特許文献１に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法のうち、テクスチャ構造を形成する工程を模式的に示した図である。
【０００６】
まず、図１１（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０４の受光面となる面の反対側の面であって、テクスチャを形成しない裏面に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク１２１を、ＣＶＤ法、またはスパッタリング法等で形成する。その後、図１１（ｂ）に示すように、アルカリ水溶液を用いたエッチングにより、ｎ型シリコン基板１０４の受光面となる面に、凹凸形状１０５からなるテクスチャ構造を形成する。その後、テクスチャマスク１２１を除去する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２３３６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、テクスチャマスク１２１としては、上記の窒化シリコン膜の他、酸化シリコン膜を用いることも可能であるが、窒化シリコン膜の方が、より薄い膜でも、凹凸形状１０５からなるテクスチャ構造を形成する工程におけるエッチングに耐えることができる。この点を考慮すると、テクスチャマスク１２１には、窒化シリコン膜を用いるほうが好ましい。
【０００９】
窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタリング法によって形成することができる。ただし、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜を形成すると、膜が形成されるべきではない部分にまで原料の気体が回り込み、膜が形成されてしまうという問題があった。
【００１０】
図１２は、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜からなるテクスチャマスク１２１を、より詳細に説明した図である。図１２（ａ）は図１１（ａ）に、図１２（ｂ）は図１１（ｂ）に、それぞれ相当する。図１２（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によってテクスチャマスク１２１を形成する場合は、実際はｎ型シリコン基板１０４の上下を逆にし、凹凸形状１０５を形成する受光面を下にして台の上に載置する。その状態で、プラズマＣＶＤ法によってテクスチャマスク１２１を形成する。すると図１２（ａ）に示すように、本来テクスチャマスク１２１が形成されるべき領域Ａの他に、ｎ型シリコン基板１０４の側面部分である領域Ｂにもテクスチャマスク１２１が形成されてしまう。さらには、台と接している下側の面にも気体が入り込み、受光面の周辺部分である領域Ｃにもテクスチャマスク１２１が形成されてしまう。
【００１１】
図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示したテクスチャマスク１２１を用いてエッチングを行い形成した凹凸形状１０５を示している。図１２（ｂ）に示すように、領域Ｃは、受光面であるにも関わらず凹凸形状１０５が形成されない。従って、領域Ｃに当たった太陽光は反射されやすく太陽電池内に入射しないため、受光面の全面積を発電に有効に活用できていない、という問題があった。
【００１２】
また、領域Ｂにも凹凸形状１０５が形成されない。従って、領域Ｂに当たった太陽光も反射されてしまい、太陽光のエネルギを活用しきれていないという問題があった。
【００１３】
一方、スパッタリング法は膜の堆積の指向性が高く、図１２（ａ）のＡの部分のみに窒化シリコン膜の形成することができる。従って、窒化シリコン膜の形成には、スパッタリング法を用いることが好ましい。
【００１４】
しかしながら、スパッタリング法によりテクスチャマスク１２１として窒化シリコン膜を形成する場合、窒化シリコン膜がｎ型シリコン基板１０４に十分に密着しない問題があった。これは、スパッタリング法で形成した窒化シリコン膜はプラズマＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜より基板への密着性が低いことと、ｎ型シリコン基板１０４上に汚れがあるとさらに基板への密着性が低下するためである。窒化シリコン膜がｎ型シリコン基板１０４に十分に密着していないと、テクスチャ構造をエッチングにより形成する工程において、窒化シリコン膜に破れが発生し、本来テクスチャ構造が形成されるべきではない部分にまでテクスチャ構造が形成されてしまう。
【００１５】
本発明は上記の課題を鑑みてなされたものであり、スパッタリング法によって形成した窒化シリコン膜からなるテクスチャマスクを用いて、テクスチャ構造を形成することを可能とする、太陽電池の製造方法及び、該製造方法により製造された太陽電池を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様によれば、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、半導体基板表面のアルカリ塩を含む付着物を除去する基板洗浄工程と、洗浄後の半導体基板の第１の主面にスパッタリング法によって窒化シリコン膜を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクとして半導体基板をエッチングすることにより、半導体基板にテクスチャ構造を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明の別の一態様によれば、半導体基板を洗浄する工程は、水洗により行うことを特徴としても良い。
【００１８】
本発明の別の一態様によれば、本発明にかかる太陽電池は、前記の太陽電池の製造方法により製造した太陽電池であって、前記半導体基板の受光面及び側面にテクスチャ構造を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スパッタリング法によって形成した窒化シリコン膜からなるテクスチャマスクを用いて、テクスチャ構造を形成する、太陽電池の製造方法を得ることができる。また、該製造方法により製造された太陽電池を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のｎ型シリコン基板を準備する工程を図解する模式的な断面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法の窒化シリコン膜を形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図３】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のｎ型シリコン基板の第２の表面にテクスチャ構造を形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図４】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法の窒化シリコン膜を除去する工程を図解する模式的な断面図である。
【図５】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のｎ型不純物拡散領域およびｐ型不純物拡散領域をそれぞれ形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図６】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のパッシベーション膜を形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図７】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法の反射防止膜を形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図８】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のパッシベーション膜にコンタクトホールを形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池の製造方法のｎ型用電極およびｐ型用電極を形成する工程を図解する模式的な断面図である。
【図１０】窒化シリコン膜の破れの面積と裏面電極型太陽電池セルの最大出力の関係を示した図である。
【図１１】従来の裏面電極型太陽電池の製造方法のうち、テクスチャ構造を形成する工程を模式的に示した図である。
【図１２】プラズマＣＶＤ法によって形成されたテクスチャマスクを、より詳細に説明した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図１〜図９の模式的断面図を参照して、本発明の実施形態にかかる裏面電極型太陽電池セルの製造方法について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表すものとする。また、後述する各工程の前後に他の工程が含まれていてもよい。また、後述する各工程の順序は入れ替わっていてもよく、後述する各工程の少なくとも２つの工程が同時に行なわれてもよい。
【００２２】
まず、図１に示すように、半導体基板の一例としてのｎ型シリコン基板１を準備する工程を行なう。ｎ型シリコン基板１は、１ａと１ｂの２つの主面を有する。１ａは裏面電極型太陽電池の完成時に裏面となることから、裏面１ａと呼ぶ。また、１ｂは裏面電極型太陽電池の完成時に受光面となることから、受光面１ｂと呼ぶ。すなわち図１は、裏面１ａを上にしている状態を表している。
【００２３】
ｎ型シリコン基板１を準備する工程では、まず、ｎ型の単結晶シリコンインゴットをスライスする。なお、本実施形態においては、半導体基板としてｎ型半導体基板であるｎ型シリコン基板１を用いる場合について説明するが、ｎ型半導体基板以外の半導体基板を用いてもよく、たとえばｐ型シリコン基板などのｐ型半導体基板を用いてもよい。また、半導体基板の材質としては、単結晶シリコンに限定されるものではなく、多結晶シリコンなどの他の材質を用いてもよい。また、上記スライスにおいては、ｎ型シリコン基板１の側面にシリコン結晶の（１００）面が現れるようにスライスすることが望ましい。また、ｎ型シリコン基板１の厚さＴは３００μｍ以下とされるが、太陽電池への適用に耐え得る強度を有するとともに、薄型化によって製造コストを低減する観点からは、ｎ型シリコン基板１の厚さＴは１００μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２４】
次に、前記のスライスによって形成されたスライスダメージを除去する。スライスダメージの除去は、たとえば、上記のスライス後の単結晶シリコンの表面をフッ化水素水溶液と硝酸との混酸または水酸化ナトリウムなどのアルカリ水溶液などでエッチングすることにより行なうことができる。この時、ｎ型シリコン基板１の表面には、アルカリ塩や有機物等が付着する。この付着物が、次に説明する窒化シリコン膜２の形成工程において、窒化シリコン膜２がｎ型シリコン基板１に密着しない原因の一つであることが分かった。
【００２５】
そこで次に、ｎ型シリコン基板１の洗浄を行い、ｎ型シリコン基板１の表面のアルカリ塩や有機物等の付着物を除去する。この洗浄は、例えば、フッ化水素水溶液を用いて行う。このように洗浄を行うことにより、次に説明する窒化シリコン膜２の形成工程において、窒化シリコン膜２をｎ型シリコン基板１に、より密着して形成させることが可能となる。
【００２６】
次に、図２に示すように、ｎ型シリコン基板１の裏面１ａ上に窒化シリコン膜２を形成する工程を行なう。窒化シリコン膜２を形成する方法としては、スパッタリング法を用いる。スパッタリング装置内にシリコンターゲットを設置し、たとえば、窒素源としての窒素（Ｎ２）ガスおよびキャリアガスとしての不活性ガスを供給する。本実施形態においては不活性ガスとしてアルゴン（Ａｒ）ガスを用いている。なお、スパッタリング法で窒化シリコン膜２を形成する場合に、スパッタリング装置内に供給されるガスとしては、窒素ガスまたはアンモニアガスのいずれか一方もしくは両方、または、窒素ガスまたはアンモニアガスのいずれか一方もしくは両方と希ガスとの混合ガスを用いることが好ましい。
【００２７】
また、窒化シリコン膜２の形成時のスパッタリング装置内の雰囲気の圧力は、たとえば０．５Ｐａ〜１０Ｐａとすることができる。また、窒化シリコン膜２の形成時にスパッタリング装置に印加される電力は、たとえば５ｋＷ〜１５ｋＷとすることができる。また、窒化シリコン膜２の形成時におけるｎ型シリコン基板１の温度は、たとえば２５℃〜５００℃とすることができる。
【００２８】
スパッタリング法は上記の通り、アルゴン等の不活性ガスをターゲットに衝突させ、弾き飛ばされたターゲット物質を基板に成膜させる方法であることから、膜の堆積の指向性が高い。従って、裏面１ａのみに窒化シリコン膜２を形成することができ、ｎ型シリコン基板１の側面や受光面１ａにまで窒化シリコン膜２が形成されることを防止できる。
【００２９】
また、スパッタリング法はプラズマＣＶＤ法に比べて、装置の構造が単純でメンテナンス性が良く、モノシランガスのような危険性のある物質を使用することも無いため、装置の取り扱いが容易で生産性が高いという利点を有する。
【００３０】
また、従来は、発明が解決しようとする課題の欄で述べたように、スパッタリング法により窒化シリコン膜２を形成する場合、窒化シリコン膜がｎ型シリコン基板１に十分に密着しない問題があった。しかし本実施形態では、窒化シリコン膜２を形成する前に、上記のようにシリコン基板１の洗浄を行い、ｎ型シリコン基板１の表面のアルカリ塩や有機物等の付着物を除去するため、窒化シリコン膜２をｎ型シリコン基板１に密着して形成させることが可能となった。
【００３１】
次に、図３に示すように、ｎ型シリコン基板１の受光面１ｂにテクスチャ構造３を形成する工程を行なう。なお、図３では、ｎ型シリコン基板１の上下が図２とは逆になっている。テクスチャ構造３を形成する工程は、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加した液を、７０℃以上８０℃以下に加熱したエッチング液を用いて、ｎ型シリコン基板１の受光面１ｂをエッチングすることにより行なうことができる。窒化シリコン膜２はテクスチャ構造３の形成時のマスクとして働くため、窒化シリコン膜２が形成されている部分以外のところがエッチングされ、テクスチャ構造３が形成される。この時、上記のように窒化シリコン膜２は裏面１ａのみに形成されていることから、テクスチャ構造３は、裏面１ａ以外の部分、すなわちｎ型シリコン基板１の受光面１ｂ全体に形成される。これにより、受光面の全面積を発電に有効に活用できる。
【００３２】
さらには、上記の図１を用いて説明したスライスにおいて、ｎ型シリコン基板１の側面にシリコン結晶の（１００）面が現れるようにスライスした場合、テクスチャ構造３は、ｎ型シリコン基板１の側面にも形成される。これにより、ｎ型シリコン基板１の側面に入射した太陽光も裏面電極型太陽電池セルの内部に入射させ、発電に利用することが可能となる。
【００３３】
次に、図４に示すように、常温のフッ化水素水溶液を含む液を用いて窒化シリコン膜２を除去する工程を行なう。窒化シリコン膜２を除去する工程は、たとえば、窒化シリコン膜２をフッ化水素水溶液に浸漬させて窒化シリコン膜２をエッチングすることにより行なうことができる。
【００３４】
次に、図５に示すように、ｎ型シリコン基板１の裏面１ａに、ｎ型不純物拡散領域４およびｐ型不純物拡散領域５をそれぞれ形成する工程を行なう。ｎ型不純物拡散領域４は、たとえば、リンなどのｎ型不純物を含むガスを用いた気相拡散、またはリンなどのｎ型不純物を含む溶液を塗布した後に加熱する塗布拡散などの方法により形成することができる。また、ｐ型不純物拡散領域５は、たとえば、ボロンなどのｐ型不純物を含むガスを用いた気相拡散、またはボロンなどのｐ型不純物を含む溶液を塗布した後に加熱する塗布拡散などの方法により形成することができる。
【００３５】
ｎ型不純物拡散領域４およびｐ型不純物拡散領域５は、それぞれ図５の紙面の表面側および／または裏面側に伸びる帯状に形成されており、ｎ型シリコン基板１の裏面１ａにおいて交互に所定の間隔をあけて配置されている。
【００３６】
次に、図６に示すように、ｎ型シリコン基板１の裏面１ａにパッシベーション膜６を形成する工程を行なう。ここで、パッシベーション膜６を形成する工程は、たとえばプラズマＣＶＤ法により、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または酸化シリコン膜と窒化シリコン膜との積層体などを形成することにより行なうことができる。
【００３７】
次に、図７に示すように、ｎ型シリコン基板１のテクスチャ構造３上に、反射防止膜７を形成する工程を行なう。ここで、反射防止膜７を形成する工程は、たとえばプラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜などを形成することにより行なうことができる。
【００３８】
次に、図８に示すように、ｎ型シリコン基板１の裏面１ａ上に形成されたパッシベーション膜６にコンタクトホール８およびコンタクトホール９を形成する工程を行なう。ここで、コンタクトホール８は、ｎ型不純物拡散領域４が露出するように形成され、コンタクトホール９は、ｐ型不純物拡散領域５が露出するように形成される。
【００３９】
なお、コンタクトホール８およびコンタクトホール９はそれぞれ、例えば、パッシベーション膜６上に、コンタクトホール８およびコンタクトホール９の形成箇所に対応する部分に開口を有するレジストパターンを、フォトリソグラフィ技術を用いて形成した後に、レジストパターンの開口からパッシベーション膜６をエッチングなどにより除去する方法により形成することができる。また例えば、パッシベーション膜６上の、コンタクトホール８およびコンタクトホール９の形成箇所に対応する部分に、エッチングペーストを塗布し、加熱することによって、パッシベーション膜６をエッチングして除去する方法により形成することができる。
【００４０】
次に、図９に示すように、ｎ型不純物拡散領域４上にｎ型用電極１０を形成するとともにｐ型不純物拡散領域５上にｐ型用電極１１を形成する工程を行なう。ここで、ｎ型用電極１０は、コンタクトホール８を通してｎ型不純物拡散領域４に接するようにして形成され、ｐ型用電極１１は、コンタクトホール９を通してｐ型不純物拡散領域５に接するようにして形成される。
【００４１】
以上により、本実施形態における裏面電極型太陽電池セル１２が完成する。
【００４２】
以上説明した本実施形態の効果について、さらに説明する。
【００４３】
本実施形態では、上記の図２を用いて説明した窒化シリコン膜２の形成工程において、スパッタリング法を用いた。スパッタリング法により形成した窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ方により形成した窒化シリコン膜より、ｎ型シリコン基板１への密着性が低い。このことから、上記の図４を用いて説明した窒化シリコン膜２の除去工程において、従来よりも低濃度のフッ化水素水溶液でも窒化シリコン膜２を除去できるようになった。従ってその分、薬液コストや廃液処理コストが下がり、環境負荷も低減できるという効果を有する。
【００４４】
さらに本実施形態では、上記の図１を用いて説明した工程において、スライスダメージの除去工程後に、シリコン基板１の洗浄を行うようにした。これにより上記の通り、図２を用いて説明した窒化シリコン膜２の形成工程において、窒化シリコン膜２をｎ型シリコン基板１により密着して形成させることが可能となる。ひいては、上記の図３を用いて説明したテクスチャ構造３の形成工程において、窒化シリコン膜に破れが発生することを防止できる。
【００４５】
ただし、窒化シリコン膜２がｎ型シリコン基板１に密着しすぎると、上記の図４を用いて説明した窒化シリコン膜２を除去する工程において、除去が困難になる。従って、適度に密着するよう形成することが好ましい。そこで発明者は、テクスチャ構造３の形成工程における窒化シリコン膜２の破れと、裏面電極型太陽電池セル１２の特性の関係について、検討した。
【００４６】
発明者は、本実施形態にかかる裏面電極型太陽電池セル１２について、窒化シリコン膜２の破れの面積と裏面電極型太陽電池セル１２の最大出力の関係を調査した。本実施形態の製造方法で作製した裏面電極型太陽電池セル１２の中から、窒化シリコン膜２の破れの面積が以下に示す７種類の値であったセルを抜き出し、その最大出力を測定した。
【００４７】
表１にこの調査結果を示す。
【００４８】
【表１】
2014072292.tif 000003
窒化シリコン膜の破れの面積の欄は、窒化シリコン膜２の破れの面積を、シリコン基板１の裏面の面積に対する比率で示したものである。表１に示すように、０．０％から２．０％まで、７種類の値について調査を行った。
【００４９】
裏面電極型太陽電池セルの最大出力の欄は、窒化シリコン膜２の破れの面積が０．０％であったセルの最大出力を１００％とした比率で示している。
【００５０】
図１０は、表１の内容をグラフにして示したものである。横軸は窒化シリコン膜２の破れの面積であり、縦軸は裏面電極型太陽電池セルの最大出力である。
【００５１】
表１及び図１０によれば、窒化シリコン膜２の破れの面積が０．２５％までは、裏面電極型太陽電池セル１２の最大出力は０．２％以下の低下しか起こしておらず、ほとんど特性劣化は生じていない。一方、窒化シリコン膜２の破れの面積が０．２５％を超えると、裏面電極型太陽電池セル１２の最大出力の低下が顕著になる。以上の結果より、窒化シリコン膜２の破れの面積が０．２５％以下であれば、作製した裏面電極型太陽電池セル１２に問題となるような特性劣化は生じないことがわかった。
【００５２】
一方、本実施形態の製造方法で裏面電極型太陽電池セル１２を試作し、窒化シリコン膜２の破れの面積を調べたところ、９９％のセルは窒化シリコン膜２の破れの面積が０．２５％以下であった。従って、本実施形態の製造方法は、生産性にも悪影響を与えないことがわかった。
【００５３】
なお、上記の図１を用いて説明した工程において、シリコン基板の洗浄を行わなかった場合は、作製した全ての裏面電極型太陽電池セルは、窒化シリコン膜の破れの面積が０．２５％以上となり、不良であった。
【００５４】
以上より、本実施形態の製造方法のように、スライスダメージの除去工程後のシリコン基板１の洗浄を行うことや、窒化シリコン膜２の形成をスパッタリング法によって行うことにより、上記の種々の効果を得られる一方、作製された裏面電極型太陽電池セル１２には、問題となるような特性劣化も生産性の低下も引き起こさないことが明らかになった。
【００５５】
なお、上記の実施形態では、図１を用いて説明した工程におけるｎ型シリコン基板１の洗浄について、フッ化水素水溶液を用いた例を示した。この洗浄は、水洗により行うことが、より好ましい。水洗による洗浄はフッ化水素水溶液による洗浄に比べて、薬液コストや廃液処理コストを下げ、環境への負荷を低減させることが可能となる。
【００５６】
また、水洗による洗浄を行うことによって、シリコン基板１上には適度のアルカリ塩や有機物等の付着物が残留する。このため、上記の図２を用いて説明した窒化シリコン膜２の形成工程において、残留物がある部分では、窒化シリコン膜２とシリコン基板１との密着性が低下する。このことから、上記の図４を用いて説明した窒化シリコン膜２の除去工程において、さらに低濃度のフッ化水素水溶液でも窒化シリコン膜２を除去できるようになる。従ってその分、薬液コストや廃液処理コストがさらに下がり、環境負荷もさらに低減できるという効果を有する。
【００５７】
一方、水洗を用い裏面電極型太陽電池セル１２を作製した場合も、テクスチャ構造３の形成工程における窒化シリコン膜２の破れの面積は、許容範囲内であった。
【００５８】
また、スライスダメージの除去工程後のシリコン基板１の洗浄を行うことに関して、この洗浄能力が弱すぎるとシリコン基板１上のアルカリ塩や有機物等の付着物の残留が多くなり、窒化シリコン膜２の破れの面積が大きくなる。一方、洗浄能力が強すぎるとシリコン基板１上のアルカリ塩や有機物等の付着物の残留が少なくなり、窒化シリコン膜２の密着性が高くなって、窒化シリコン膜２の除去工程でより高濃度のフッ化水素水溶液が必要となる。従って、これらを両立するよう洗浄能力を調整することが望ましい。発明者の検討によれば、フッ化水素水溶液による洗浄より水洗の方が、より洗浄能力が適切であった。また、洗浄能力をより細かく調整するには、例えば水洗の場合、洗浄に用いる純水の使用量を増減することによって行うことが可能である。
【００５９】
また、本発明における裏面電極型太陽電池セルの概念には、上述した半導体基板の一方の表面側（裏面側）のみにｎ型用電極およびｐ型用電極の双方が形成された構成のものだけでなく、半導体基板に設けられた貫通孔に電極の一部を配置し、太陽電池セルの受光面側と反対側の裏面側から電流を取り出す構造を有するＭＷＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｗｒａｐ  Ｔｈｒｏｕｇｈ）セルなどの、いわゆるバックコンタクト型太陽電池セルのすべてが含まれる。
【００６０】
また、上記においては、裏面電極型太陽電池セルを製造する場合について説明したが、本発明は、裏面電極型太陽電池セル以外の両面電極型太陽電池セルなどの他の太陽電池にも適用できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００６１】
１：ｎ型シリコン基板
１ａ：裏面
１ｂ：受光面
２：窒化シリコン膜
３：テクスチャ構造
４：ｎ型不純物拡散領域
５：ｐ型不純物拡散領域
６：パッシベーション膜
７：反射防止膜
８、９：コンタクトホール
１０：ｎ型用電極
１１：ｐ型用電極
１２：裏面電極型太陽電池セル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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