(57)【要約】【課題】高密度化を妨げることなく配線抵抗を低減することの可能な実装基板ならびにそれを備えた光学装置、表示パネルおよび表示装置を提供する。【解決手段】実装基板は、配線基板と、配線基板上に実装された複数の光学素子とを備える。光学素子は、第１電極および第２電極を有する。配線基板は、支持基板と、支持基板と光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有する。第１配線は、第１電極に電気的に接続されている。第２配線は、第２電極に電気的に接続されると共に支持基板と第１配線を含む層との間の層内に配置され、かつ、第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する。【選択図】図４
2014016469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装された複数の光学素子と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続されると共に前記支持基板と前記第１配線を含む層との間の層内に配置され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
実装基板。
【請求項２】
前記複数の第１配線は、第１方向に延在し、かつ、前記光学素子の直下を避けて並んで配置され、
前記複数の第２配線は、前記第１方向と交差する方向に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する第２方向に、前記光学素子の直下を避けずに並んで配置されている
請求項１に記載の実装基板。
【請求項３】
前記光学素子は、当該光学素子の直下に２つの第２配線が存在する位置に配置されている
請求項２に記載の実装基板。
【請求項４】
前記光学素子は、当該光学素子の直下に１つの第２配線だけが存在する位置に配置されている
請求項２に記載の実装基板。
【請求項５】
前記光学素子は、積層方向から見たときに、当該光学素子の直下の第２配線の幅方向の中心位置と、当該光学素子の中心位置とが互いに一致または略一致する位置に配置されている
請求項４に記載の実装基板。
【請求項６】
前記複数の第１配線は、第１方向に延在し、かつ、前記第１方向と交差する方向に、前記光学素子の直下を避けて並んで配置され、
前記複数の第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に延在し、かつ、前記第２の方向と交差する方向に、前記光学素子の直下を避けて並んで配置されている
請求項１に記載の実装基板。
【請求項７】
互いに隣接する２つの第２配線間の隙間は、前記光学素子の直下に対応する箇所で相対的に広く、前記光学素子の直下に対応しない箇所で相対的に狭くなっている
請求項６に記載の実装基板。
【請求項８】
前記複数の第２配線は、前記光学素子の直下に対応する箇所に、切り欠きを有する
請求項６に記載の実装基板。
【請求項９】
前記光学素子は、発光素子または受光素子である
請求項１に記載の実装基板。
【請求項１０】
配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の光学素子とを有する実装基板と、
前記複数の光学素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続されると共に前記支持基板と前記第１配線を含む層との間の層内に配置され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
光学装置。
【請求項１１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装された複数の光学素子と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
実装基板。
【請求項１２】
前記第１配線は、前記支持基板と前記第２配線を含む層との間の層内に配置されている
請求項１１に記載の実装基板。
【請求項１３】
配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の光学素子とを有する実装基板と、
前記複数の光学素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
光学装置。
【請求項１４】
前記第１配線は、前記支持基板と前記第２配線を含む層との間の層内に配置されている
請求項１３に記載の光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、複数の光学素子が配置された実装基板およびそれを備えた光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、軽量で薄型のディスプレイとして、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を表示画素に用いたＬＥＤディスプレイが注目を集めている。ＬＥＤディスプレイでは、見る角度によってコントラストや色合いが変化する視野角依存性がなく、色を変化させる場合の反応速度が速いとった特徴がある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９-２７２５９１号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＬＥＤディスプレイを含む、フラットパネルディスプレイでは、大型かつ高精細な画面が求められている。特に、大型ディスプレイの場合には、配線抵抗に起因する電流損失が起こり易いので、それを低減させるための工夫がなされている。例えば、画素に駆動電流を供給する配線において断面積を大きくし、配線抵抗を低減することが一般的に行われている。しかし、断面積を大きくし過ぎると、配線の占有面積が大きくなり、高精細化の妨げになる、という問題があった。
【０００５】
同様の問題は、大型ディスプレイに限らず、中小型ディスプレイなどでも生じ得る。また、同様の問題は、ＬＥＤが配置されたデバイスに限らず、他の種類の発光素子が配置されたデバイスにおいても生じ得る。また、同様の問題は、発光素子が配置されたデバイスに限らず、受光素子（例えば、ＰＤ（Photo Diode:フォトダイオード））が配置されたデバイスなどでも生じ得る。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、高密度化を妨げることなく配線抵抗を低減することの可能な実装基板ならびにそれを備えた光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の実装基板は、配線基板と、配線基板上に実装された複数の光学素子とを備えたものである。光学素子は、第１電極および第２電極を有している。配線基板は、支持基板と、支持基板と光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有している。第１配線は、第１電極に電気的に接続されている。第２配線は、第２電極に電気的に接続されると共に支持基板と第１配線を含む層との間の層内に配置され、かつ、第１配線の断面積よりも大きな断面積を有している。
【０００８】
本技術の光学装置は、上記実装基板と、上記実装基板に含まれる複数の光学素子を駆動する駆動部とを備えたものである。
【０００９】
本技術の実装基板および光学装置では、支持基板と光学素子の実装面との間の層内に複数の第１配線および複数の第２配線が形成されている。これにより、実装面が第１配線および第２配線によって占められることがないので、第１配線および第２配線によって光学素子の高密度化が妨げられることがない。また、本技術では、断面積の大きな第２配線が、第１配線よりも深い層内、具体的には、支持基板と第１配線を含む層との間の層内に配置されている。これにより、第２配線によって形成される実装面での凹凸を緩和することができるので、第２配線の位置によって光学素子の実装位置が制限される虞を低減することができる。また、本技術では、第２配線の断面積が第１配線の断面積よりも大きくなっている。これにより、第２配線の配線抵抗を低減することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本技術の実装基板および光学装置によれば、支持基板と光学素子（または発光素子）の実装面との間の層内に複数の第１配線および複数の第２配線を形成し、さらに、断面積の大きな第２配線を支持基板と第１配線を含む層との間の層内に配置するようにしたので、高密度化を妨げることなく配線抵抗を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の一例を表す斜視図である。
【図２】図１の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
【図３】下地に凹凸があるときの表示装置の傾きについて説明するための模式図である。
【図４】図１の表示装置のうち、発光装置を横断する切断面の構成の一例を表す断面図である。
【図５】図４の発光装置の上面構成および断面構成の一例を表す図である。
【図６】図４の実装基板の表面のレイアウトの第１変形例を表す平面図である。
【図７】図４の実装基板の表面のレイアウトの第２変形例を表す平面図である。
【図８】図４の実装基板の表面のレイアウトの第３変形例を表す平面図である。
【図９】図１の表示装置のうち、発光装置を横断する切断面の構成の他の例を表す断面図である。
【図１０】図９の実装基板の表面のレイアウトの一例を表す平面図である。
【図１１】本技術の第２の実施の形態に係る撮像装置の一例を表す斜視図である。
【図１２】図１１の実装基板の概略構成の一例を表す斜視図である。
【図１３】図１２の受光装置に含まれる受光素子の構成の一例を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（図１〜図８）
２．第１の実施の形態の変形例（図９、図１０）
３．第２の実施の形態（図１１〜図１３）
４．第２の実施の形態の変形例
【００１３】
＜１．第１の実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の表示装置１は、いわゆるＬＥＤディスプレイと呼ばれるものであり、表示画素としてＬＥＤが用いられたものである。この表示装置１は、例えば、図１に示したように、表示パネル１０と、表示パネル１０（具体的には後述する発光素子４５）を駆動する駆動回路２０とを備えている。
【００１４】
（表示パネル１０）
表示パネル１０は、実装基板１０Ａと、対向基板１０Ｂとを互いに重ね合わせたものである。対向基板１０Ｂの表面が映像表示面となっており、中央部分に表示領域を有し、その周囲に、非表示領域であるフレーム領域を有している。
【００１５】
（実装基板１０Ａ）
図２は、実装基板１０Ａの対向基板１０Ｂ側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。実装基板１０Ａは、当該実装基板１０Ａの表面のうち表示領域に対応する領域に、例えば、図２に示したように、複数のＹ配線１４と、スキャン配線に相当する複数のＸ配線１５とを有している。Ｙ配線１４およびＸ配線１５は、実装基板１０Ａの内部に形成されており、表示画素に相当する発光装置４０（後述）を実装する実装面には形成されていない。
【００１６】
Ｙ配線１４は、映像信号に応じた信号が駆動回路２０によって入力されるデータ配線である。映像信号に応じた信号は、例えば、発光装置４０のオン期間（発光期間）を制御する信号であり、小電流の信号である。従って、Ｙ配線１４の断面積は小さくて構わない。複数のＹ配線１４は、所定の方向（図中では列方向）に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。
【００１７】
Ｘ配線１５は、発光装置４０を選択する信号が駆動回路２０によって入力されるスキャン配線である。発光装置４０を選択する信号は、例えば、発光装置４０に対して駆動電流を供給する信号であり、大電流の信号である。従って、Ｘ配線１５の断面積は少なくともＹ配線１４の断面積よりも大きくなっている。Ｘ配線１５は、Ｙ配線１４の断面形状よりも扁平で幅広の断面形状となっている。つまり、Ｘ配線１５の断面積のアスペクト比は、Ｙ配線１４の断面積のアスペクト比よりも小さくなっている。複数のＸ配線１５は、Ｙ配線１４と交差（例えば直交）する方向（図中では行方向）に延在して形成されており、かつ所定のピッチで並列配置されている。Ｙ配線１４およびＸ配線１５は、例えば、Ｃｕ（銅）などの導電性材料からなる。Ｘ配線１５は、Ｙ配線１４よりも深い層内、具体的には、後述の支持基板１１とＹ配線１４を含む層との間の層内（具体的には、後述の層間絶縁膜１２と同一の層内）に配置されている。
【００１８】
実装基板１０Ａは、表示画素に相当する複数の発光装置４０を有している。複数の発光装置４０は、例えば、Ｙ配線１４と平行な方向およびＸ配線１５と平行な方向に並んで配置されている。つまり、複数の発光装置４０は、表示領域内においてマトリクス状に配置されている。各発光装置４０は、導電性の接続部１９Ａを介して、Ｙ配線１４と電気的に接続されるとともに、導電性の接続部１９Ｂを介して、Ｘ配線１５と電気的に接続されている。
【００１９】
一般的な表示装置では、表示画素は、行方向に延在する配線や列方向に延在する配線の直上を避けるようにして配置される。これは、例えば、いずれか一方の配線が表示画素と同一面上に形成されており、その場所に表示画素を形成するスペースが無いためか、または、配線の直上に形成される凹凸を避けるためである。しかし、本実施の形態では、表示画素に相当する発光装置４０は、Ｘ配線１５の直上に配置されている。具体的には、発光装置４０は、互いに隣接する２つのＸ配線１５にまたがる位置に配置されている。つまり、複数のＸ配線１５は、Ｙ配線１４と交差（例えば直交）する方向に、発光装置４０の直下を避けずに並んで配置されている。なお、本実施の形態では、複数のＹ配線１４は、発光装置４０の直下を避けて並んで配置されている。
【００２０】
ここで、Ｘ配線１５は、上述したように扁平な幅広の断面形状となっている。そのため、一見すると、Ｘ配線１５の上面には、広大な平坦面が形成されているように思われる。しかし、Ｘ配線１５が、パターンめっき転写法によって形成されている場合、Ｘ配線１５の上面は、大抵は、凸形状（オーバーハング形状）か、または、凹形状（ストレート形状）となっている。なお、パターンめっき法とは、導電性の基材上に絶縁層を任意の回路形状にパターニングし、露出した基材上に、電気めっきにより銅等の金属を析出させた後，絶縁層を取り去ることによって任意の形状の配線パターンを得る方法である。そのため、Ｘ配線１５が、パターンめっき転写法によって形成されている場合、例えば、図３Ａ、図３Ｂに示したように、互いに並列配置された複数のＸ配線１５を覆うように絶縁層を形成すると、その絶縁層の表面には、Ｘ配線１５の形状に対応して凹凸形状が形成される。従って、発光装置４０を水平に（傾けずに）配置するためには、発光装置４０を、発光装置４０の中心位置がＸ配線１５の、配列方向（幅方向）の端辺の直上か、または、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の中心位置の直上となるように配置することが必要となる。
【００２１】
しかし、Ｘ配線１５の上面が凸形状となっている場合、図３Ａに示したように、発光装置４０の中心位置が少しでも、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の端辺の直上か、または、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の中心位置の直上からずれると、発光装置４０が傾いてしまう。一方、Ｘ配線１５の上面が凹形状となっている場合、図３Ｂに示したように、発光装置４０を、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の端辺の直上に配置した場合には、発光装置４０の中心位置が、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の端辺の直上から少しぐらいずれたとしても、発光装置４０の水平が保たれる。従って、発光装置４０を確実に水平にする観点からは、Ｘ配線１５の上面を凹形状にし、発光装置４０を、Ｘ配線１５の、配列方向（幅方向）の端辺の直上に配置することが好ましい。つまり、発光装置４０は、当該発光装置４０の直下に２つのＸ配線１５が存在する位置に配置されていることが好ましい。
【００２２】
なお、Ｘ配線１５を、パネルめっき法やサブトラクティブ法で形成した場合には、Ｘ配線１５の上面は、ほぼ平坦になる。従って、この場合には、発光装置４０を、Ｘ配線１５との位置関係において、どの場所に配置したとしても、発光装置４０を確実に水平にすることができる。
【００２３】
実装基板１０Ａは、例えば、図４に示したように、配線基板３０上に複数の発光装置４０が実装されたものである。配線基板３０は、例えば、支持基板１１上に、層間絶縁膜１２および層間絶縁膜１３をこの順に積層して構成されたものである。支持基板１１は、例えば、ガラス基板、または樹脂基板などからなる。層間絶縁膜１２および層間絶縁膜１３は、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。ここで、層間絶縁膜１３は、支持基板１１の最表面を構成する層であり、Ｙ配線１４が、例えば、最表層である層間絶縁膜１３と同一層内に形成されている。このとき、Ｙ配線１４は、層間絶縁膜１３と同一層内に形成された導電性の接続部１６を介して接続部１９Ａに電気的に接続されている。一方、Ｘ配線１５は、例えば、支持基板１１と層間絶縁膜１３との間の層内に形成されており、例えば、層間絶縁膜１２と同一層内に形成されている。このとき、Ｘ配線１５は、層間絶縁膜１２，１３と同一層内に形成された導電性の接続部１７，１８を介して接続部１９Ｂに電気的に接続されている。
【００２４】
（対向基板１０Ｂ）
対向基板１０Ｂは、例えば、図４に示したように、透明基板２１と、透明基板２１の実装基板１０Ａ側に形成されたブラックマトリクス２２とを有している。透明基板２１は、例えば、ガラス基板、または透明樹脂基板などからなる。
【００２５】
次に、発光装置４０の内部構成について説明する。図５Ａは、発光装置４０の上面構成の一例を表したものである。図５Ｂは、図５Ａの発光装置４０において発光素子４５を横断する断面構成の一例を表したものである。
【００２６】
発光装置４０は、素子基板４１上に発光素子４５（光学素子）を実装したものである。発光素子４５は、例えば、ＬＥＤチップである。発光素子４５は、例えば、導電型の互いに異なる半導体層で活性層を挟み込んだ積層構造を含む半導体層と、この半導体層の共通の面（同一面）に配置された２つの電極４８，４９とを有している。電極４８は、発光素子４５の半導体層内の一方の導電型の半導体層と電気的に接続されており、電極４９は、発光素子４５の半導体層内の他方の導電型の半導体層と電気的に接続されている。
【００２７】
素子基板４１は、例えば、支持基板４２上に、絶縁層４３、電極パッド４３，４４をこの順に積層して構成されている。支持基板４２は、例えば、シリコン基板、または樹脂基板などからなる。絶縁層４３は、電極パッド４５Ａ，４５Ｂの形成面である平坦面を形成するものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはＡｌ2Ｏ3からなる。電極パッド４３，４４は、例えば、電解メッキにおける給電層として機能するものであり、さらに、発光素子４５の実装先である電極パッドとしても機能するものである。電極パッド４３，４４は、例えば、アルミ、金、銅、ニッケル等からなる。
【００２８】
発光素子４５は、電極パッド４３，４４上に実装されている。具体的には、発光素子４５の一方の電極４３がメッキ金属（図示せず）を介して電極４８に接続されており、発光素子４５の他方の電極４４がメッキ金属（図示せず）を介して電極４９に接続されている。つまり、電極４８は、電極パッド４３の少なくとも一部と対向する位置に配置されており、かつ電極パッド４３とメッキ接合されている。また、電極４９は、電極パッド４４の少なくとも一部と対向する位置に配置されており、かつ極パッド４４とメッキ接合されている。
【００２９】
発光装置４０が、３個の発光素子４５を有している場合、１つの発光素子４５は、例えば、赤色光を発する発光素子４５Ｒであり、別の１つの発光素子４５は、例えば、緑色光を発する発光素子４５Ｇであり、残りの１つの発光素子４５は、例えば、青色光を発する発光素子４５Ｂである。
【００３０】
素子基板４１は、さらに、発光素子４５と支持基板４２との間の層内に樹脂部材４７を有している。樹脂部材４７は、発光素子４５と支持基板４２とを互いに固定するものであり、例えば、紫外線硬化樹脂を硬化させたものである。樹脂部材４７は、電解メッキを行う際に、発光素子４５を支持基板４２の上方（つまり、中空に）支持し、電極４８，４９と電極パッド４３，４４との間に、空隙を設けるためのものでもある。
【００３１】
［製造方法］
次に、発光装置４０の製造方法の一例について説明する。まず、支持基板４２を絶縁膜４３で覆って平坦面を形成し、その平坦面上に、電極パッド４３，４４を形成する。次に、表面全体に感光性樹脂を塗布したのち、電極パッド４３，４４の直上に、発光素子４５をマウントする。次に、電極パッド４３，４４で遮光しつつ、支持基板４２側から紫外線を照射する。その結果、感光性樹脂が硬化し、電極パッド４３と電極パッド４４との間の領域に、樹脂部材４７が形成される。その後、発光素子４５を保護体４６で覆う。このようにして、発光装置４０が製造される。
【００３２】
［作用・効果］
次に、発光装置４０の作用、効果について説明する。本実施の形態では、支持基板１１と発光素子４５の実装面との間の層内に複数のＹ配線１４および複数のＸ配線１５が形成されている。これにより、実装面がＹ配線１４およびＸ配線１５によって占められることがないので、Ｙ配線１４およびＸ配線１５によって発光素子４５の高密度化が妨げられることがない。また、本技術では、断面積の大きなＸ配線１５が、断面積の小さなＹ配線１４よりも深い層内、具体的には、支持基板１１とＹ配線１４を含む層との間の層内に配置されている。これにより、Ｘ配線１５によって形成される実装面での凹凸を緩和することができるので、Ｘ配線１５の位置によって発光素子４５の実装位置が制限される虞を低減することができる。また、本技術では、Ｘ配線１５の断面積がＹ配線１４の断面積よりも大きくなっている。これにより、Ｘ配線１５の配線抵抗を低減することができる。その結果、高密度化を妨げることなく配線抵抗を低減することができる。
【００３３】
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
[変形例１]
上記実施の形態では、発光装置４０がＸ配線１５の直上に配置されていたが、例えば、図６に示したように、Ｙ配線１４およびＸ配線１５の直上を避けて配置されていてもよい。言い換えると、複数のＹ配線１４が、所定の方向（図中では列方向）に延在して形成されており、かつ当該Ｙ配線１４の延在方向と交差する方向に、発光装置４０の直下を避けて並んで配置されている。さらに、複数のＸ配線１５は、Ｙ配線１４と交差する方向に延在し、かつ、Ｙ配線１４と交差する方向に、発光装置４０の直下を避けて並んで配置されている。この場合、互いに隣接する２つのＸ配線１５の隙間（Ｘ配線１５の配列ピッチ）は、発光装置４０の直下に対応する箇所で相対的に広く、発光装置４０の直下に対応しない箇所で相対的に狭くなっている。
【００３４】
本変形例では、発光装置４０が、支持基板１１とは反対側に光を出力するタイプとなっていてもよいし、その逆に、支持基板１１側に光を出力するタイプとなっていてもよい。ただし、後者の場合には、対向基板１０Ｂが、実装基板１０Ａとの関係で、支持基板１１側に配置されることになる。
【００３５】
また、本変形例では、発光装置４０の直下にＸ配線１５が設けられていないので、発光装置４０と配線基板３０とを互いに接続する接続部１９Ａ，１９Ｂに対して、配線基板３０側またはその反対側からレーザ照射をしたときに、レーザ光によってＸ配線１５にダメージを与える虞が無い。従って、発光装置４０を置き換えるなどのリペアを行うことができる。
【００３６】
[変形例２] 
上記実施の形態および変形例１では、Ｘ配線１５は、矩形状となっていたが、例えば、図７に示したように、発光装置４０の直下に対応する箇所に、切り欠き１５Ａを有していてもよい。この場合、切り欠き１５Ａの内部に発光装置４０が配置されるので、Ｘ配線１５の配列ピッチを等間隔にすることが可能である。
【００３７】
また、本変形例でも、発光装置４０の直下にＸ配線１５が設けられていないので、発光装置４０と配線基板３０とを互いに接続する接続部１９Ａ，１９Ｂに対して、配線基板３０側またはその反対側からレーザ照射をしたときに、レーザ光によってＸ配線１５にダメージを与える虞が無い。従って、発光装置４０を置き換えるなどのリペアを行うことができる。
【００３８】
[変形例３] 
上記実施の形態において、発光装置４０が、例えば、図８に示したように、発光装置４０は、発光装置４０の直下に１つのＸ配線１５だけが存在する位置に配置されていてもよい。このとき、発光装置４０が、積層方向から見たときに、発光装置４０の直下のＸ配線１５の幅方向の中心位置と、発光装置４０の中心位置とが互いに一致または略一致する位置に配置されていてもよい。
【００３９】
[変形例４] 
上記実施の形態では、断面積の大きなＸ配線１５が、断面積の小さなＹ配線１４よりも深い層内に配置されていたが、その逆に、例えば、図９に示したように、断面積の小さなＹ配線１４が、断面積の大きなＸ配線１５よりも深い層内に配置されていてもよい。このとき、Ｙ配線１４は、例えば、支持基板１１と層間絶縁膜１２との間に設けられた層間絶縁膜３１と同一の層内に配置されている。さらに、Ｙ配線１４は、例えば、層間絶縁膜１２内に設けられた接続部１６Ｂおよび層間絶縁膜１３内に設けられた接続部１６Ａを介して接続部１９Ａに電気的に接続されている。
【００４０】
図１０は、実装基板１０Ａの対向基板１０Ｂ側の表面のうち表示領域に対応する領域のレイアウトの一例を表したものである。本変形例において、発光装置４０は、Ｙ配線１４およびＸ配線１５の直上を避けて配置されている。互いに隣接する２つのＸ配線１５の隙間（Ｘ配線１５の配列ピッチ）は、発光装置４０の直下に対応する箇所で相対的に広く、発光装置４０の直下に対応しない箇所で相対的に狭くなっている。
【００４１】
本変形例では、発光装置４０が、支持基板１１とは反対側に光を出力するタイプとなっていてもよいし、その逆に、支持基板１１側に光を出力するタイプとなっていてもよい。ただし、後者の場合には、対向基板１０Ｂが、実装基板１０Ａとの関係で、支持基板１１側に配置されることになる。
【００４２】
また、本変形例では、発光装置４０の直下にＸ配線１５が設けられていないので、発光装置４０と配線基板３０とを互いに接続する接続部１９Ａ，１９Ｂに対して、配線基板３０側またはその反対側からレーザ照射をしたときに、レーザ光によってＸ配線１５にダメージを与える虞が無い。従って、発光装置４０を置き換えるなどのリペアを行うことができる。
【００４３】
また、本変形例では、Ｘ配線１５が、例えば、Ｙ配線１４と同一の層内に設けられた層間絶縁膜３１の上面に形成される。ここで、Ｙ配線１４は、断面積の小さな配線であることから、Ｙ配線１４を埋め込むようにして層間絶縁膜３１を作ったときに、層間絶縁膜３１の上面には、Ｙ配線１４に起因する凹凸はほとんど形成されない。これは、Ｘ配線１５を作るときの下地の凹凸が少ないことを意味する。従って、フォトリソグラフィー時の形状精度が向上し、微細な配線形成が容易になるので、ディスプレイを高精細化しやすいという効果が得られる。
【００４４】
＜３．第２の実施の形態＞
図１１は、本技術の第２の実施の形態に係る撮像装置２の概略構成の一例を斜視的に表したものである。本実施の形態の撮像装置２は、多数の受光素子（例えば、ＰＤ（Photo Diode:フォトダイオード））が２次元配置されたものである。この撮像装置２は、例えば、図１１に示したように、撮像パネル５０と、撮像パネル５０（具体的には後述する受光素子６１）を駆動する駆動回路６０とを備えている。
【００４５】
撮像パネル５０は、実装基板５０Ａと、対向基板１０Ｂとを互いに重ね合わせたものである。対向基板１０Ｂの表面が受光面となっている。実装基板５０Ａは、図１２に示したように、実装基板１０Ａにおいて、発光装置４０の代わりに受光装置７０を設けたものに相当する。受光装置７０は、発光装置４０において、発光素子４５の代わりに図１３に記載の受光素子７１を設けたものに相当する。受光素子７１は、光電変換作用を有する半導体層７２と、半導体層７２と電気的に接続された２つの電極７３，７４を有している。電極７３，７４は、受光素子７１において同一面に形成されており、電極７３が上記実施の形態の電極４８に対応しており、電極７４が上記実施の形態の電極４９に対応している。
【００４６】
本実施の形態では、支持基板４２と受光素子６１の実装面との間の層内に複数のＹ配線１４および複数のＸ配線１５が形成されている。これにより、実装面がＹ配線１４およびＸ配線１５によって占められることがないので、Ｙ配線１４およびＸ配線１５によって受光素子６１の高密度化が妨げられることがない。また、本技術では、断面積の大きなＸ配線１５が、Ｙ配線１４よりも深い層内、具体的には、支持基板４２とＹ配線１４を含む層との間の層内に配置されている。これにより、Ｘ配線１５によって形成される実装面での凹凸を緩和することができるので、Ｘ配線１５の位置によって受光素子６１の実装位置が制限される虞を低減することができる。また、本技術では、Ｘ配線１５の断面積がＹ配線１４の断面積よりも大きくなっている。これにより、Ｘ配線１５の配線抵抗を低減することができる。その結果、高密度化を妨げることなく配線抵抗を低減することができる。
【００４７】
＜４．第２の実施の形態の変形例＞
上記第２の実施の形態では、断面積の大きなＸ配線１５が、断面積の小さなＹ配線１４よりも深い層内に配置されていたが、その逆に、断面積の小さなＹ配線１４が、断面積の大きなＸ配線１５よりも深い層内に配置されていてもよい。このとき、Ｙ配線１４は、例えば、支持基板１１と層間絶縁膜１２との間に設けられた層間絶縁膜と同一の層内に配置されている。さらに、Ｙ配線１４は、例えば、層間絶縁膜１２，１３内に設けられた接続部を介して接続部１９Ａに電気的に接続されている。
【００４８】
本変形例において、受光装置７０は、Ｙ配線１４およびＸ配線１５の直上を避けて配置されている。互いに隣接する２つのＸ配線１５の隙間（Ｘ配線１５の配列ピッチ）は、受光装置７０の直下に対応する箇所で相対的に広く、受光装置７０の直下に対応しない箇所で相対的に狭くなっている。
【００４９】
本変形例では、受光装置７０の直下にＸ配線１５が設けられていないので、受光装置７０と配線基板３０とを互いに接続する接続部１９Ａ，１９Ｂに対して、配線基板３０側またはその反対側からレーザ照射をしたときに、レーザ光によってＸ配線１５にダメージを与える虞が無い。従って、受光装置７０を置き換えるなどのリペアを行うことができる。
【００５０】
また、本変形例では、Ｘ配線１５が、例えば、Ｙ配線１４と同一の層内に設けられた層間絶縁膜の上面に形成される。ここで、Ｙ配線１４は、断面積の小さな配線であることから、Ｙ配線１４を埋め込むようにして層間絶縁膜を作ったときに、その層間絶縁膜の上面には、Ｙ配線１４に起因する凹凸はほとんど形成されない。これは、Ｘ配線１５を作るときの下地の凹凸が少ないことを意味する。従って、フォトリソグラフィー時の形状精度が向上し、微細な配線形成が容易になるので、撮像装置２を高精細化しやすいという効果が得られる。
【００５１】
以上、複数の実施の形態およびそれらの変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００５２】
例えば、上記実施の形態等では、発光装置４０が複数の発光素子４５を含んでいたが、１つの発光素子４５だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板１０Ａには、複数の発光装置４０が実装されていたが、１つの発光装置４０だけが実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、複数の発光装置４０がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。
【００５３】
また、例えば、上記実施の形態等では、受光装置７０が複数の受光素子７１を含んでいたが、１つの受光素子７１だけを含んでいてもよい。また、上記実施の形態等では、実装基板１０Ａには、複数の受光装置７０が実装されていたが、１つの受光装置７０だけが実装されていてもよい。また、上記実施の形態等では、複数の受光装置７０がマトリクス状に実装されていたが、ライン状に実装されていてもよい。
【００５４】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
配線基板と、
前記配線基板上に実装された複数の光学素子と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
実装基板。
（２）
前記第２配線は、前記支持基板と前記第１配線を含む層との間の層内に配置されている
請求項１に記載の実装基板。
（３）
前記第１配線は、前記支持基板と前記第２配線を含む層との間の層内に配置されている
請求項１に記載の実装基板。
（４）
前記複数の第１配線は、第１方向に延在し、かつ、前記光学素子の直下を避けて並んで配置され、
前記複数の第２配線は、前記第１方向と交差する方向に延在し、かつ、前記第１の方向と交差する第２方向に、前記光学素子の直下を避けずに並んで配置されている
（１）または（２）に記載の実装基板。
（５）
前記光学素子は、当該光学素子の直下に２つの第２配線が存在する位置に配置されている
（４）に記載の実装基板。
（６）
前記光学素子は、当該光学素子の直下に１つの第２配線だけが存在する位置に配置されている
（４）に記載の実装基板。
（７）
前記光学素子は、積層方向から見たときに、当該光学素子の直下の第２配線の幅方向の中心位置と、当該光学素子の中心位置とが互いに一致または略一致する位置に配置されている
（６）に記載の実装基板。
（８）
前記複数の第１配線は、第１方向に延在し、かつ、前記第１方向と交差する方向に、前記光学素子の直下を避けて並んで配置され、
前記複数の第２配線は、前記第１方向と交差する第２方向に延在し、かつ、前記第２の方向と交差する方向に、前記光学素子の直下を避けて並んで配置されている
（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の実装基板。
（９）
互いに隣接する２つの第２配線間の隙間は、前記光学素子の直下に対応する箇所で相対的に広く、前記光学素子の直下に対応しない箇所で相対的に狭くなっている
（８）に記載の実装基板。
（１０）
前記複数の第２配線は、前記光学素子の直下に対応する箇所に、切り欠きを有する
（８）に記載の実装基板。
（１１）
前記光学素子は、発光素子または受光素子である
（１）ないし（１０）のいずれか１つに記載の実装基板。
（１２）
配線基板と、前記配線基板上に実装された複数の光学素子とを有する実装基板と、
前記複数の光学素子を駆動する駆動部と
を備え、
前記光学素子は、第１電極および第２電極を有し、
前記配線基板は、支持基板と、前記支持基板と前記光学素子の実装面との間の層内に形成された複数の第１配線および複数の第２配線とを有し、
前記第１配線は、前記第１電極に電気的に接続され、
前記第２配線は、前記第２電極に電気的に接続され、かつ、前記第１配線の断面積よりも大きな断面積を有する
光学装置。
（１３）
前記第２配線は、前記支持基板と前記第１配線を含む層との間の層内に配置されている
（１２）に記載の光学装置。
（１４）
前記第１配線は、前記支持基板と前記第２配線を含む層との間の層内に配置されている
（１２）に記載の光学装置。
【符号の説明】
【００５５】
１…表示装置、２…撮像装置、１０…表示パネル、１０Ａ，５０Ａ…実装基板、１０Ｂ…対向基板、１１，４２…支持基板、１２，１３…層間絶縁膜、１４…Ｙ配線、１５…Ｘ配線、１５Ａ…切り欠き、１６，１７，１８，１９Ａ，１９Ｂ…接続部、２０，６０…駆動回路、２１…透明基板、２２…ブラックマトリクス、４０…発光装置、４１…素子基板、４３，４４…電極パッド、４５，４５Ｒ，４５Ｇ，４５Ｂ…発光素子、４６…保護体、４７…樹脂部材、４８，４９，７３，７４…電極、５０…撮像パネル、７０…受光装置、７１…受光素子、７２…半導体層。
【図１】
2014016469.tif 000003
【図２】
2014016469.tif 000004
【図３】
2014016469.tif 000005
【図４】
2014016469.tif 000006
【図５】
2014016469.tif 000007
【図６】
2014016469.tif 000008
【図７】
2014016469.tif 000009
【図８】
2014016469.tif 000010
【図９】
2014016469.tif 000011
【図１０】
2014016469.tif 000012
【図１１】
2014016469.tif 000013
【図１２】
2014016469.tif 000014
【図１３】
2014016469.tif 000015