(57)【要約】【課題】少ない工程数で作製できて高い歩留りを向上できる表示装置を提供する。【解決手段】このＬＥＤディスプレイでは、第１,第２の電極(２,３)に対する電気的な接続の極性が互いに異なる第１,第２の発光ダイオード(５,６)が極性を揃えないでランダムに入り交じった状態で基板(１)上にマトリクス状に配置されている。複数の発光ダイオード(５,６)を含んだ溶液を基板(１)上に塗布して第１,第２の電極(２,３)間に電圧を印加すれば、第１,第２の電極(２,３)に対して複数の発光ダイオード(５,６)を電気的に接続できる。【選択図】図１
2014072215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
上記基板上に形成された第１の電極と、
上記基板上に形成された第２の電極と、
上記第１の電極と第２の電極との間に電気的に接続された板状または棒状の複数の発光ダイオードと
を備え、
上記複数の発光ダイオードは、
上記第１の電極にアノードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にカソードが電気的に接続された第１の発光ダイオードと、
上記第１の電極にカソードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にアノードが電気的に接続された第２の発光ダイオードと
からなり、
上記第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードが上記基板上の上記第１の電極と第２の電極との間に極性を揃えないでランダムに入り交じって配置され、
上記複数の発光ダイオードは、上記基板上にマトリクス状に配置され、
上記第１の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、第１の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
上記第２の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、上記第１の方向と交差する第２の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
さらに、上記第１の電極と第２の電極に電気的に接続されていると共に上記第１,第２の発光ダイオードを駆動する駆動制御部を備え、
上記駆動制御部は、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第１の駆動制御と、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第２の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第２の駆動制御と、
上記第１の駆動制御と第２の駆動制御との間で、上記第２の方向に配列された上記１行の発光ダイオードの隣の１行の発光ダイオードまたは上記複数行の発光ダイオードから１行ずれた複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第３の駆動制御と
を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
基板と、
上記基板上に形成された第１の電極と、
上記基板上に形成された第２の電極と、
上記第１の電極と第２の電極との間に電気的に接続された板状または棒状の複数の発光ダイオードと
を備え、
上記複数の発光ダイオードは、
上記第１の電極にアノードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にカソードが電気的に接続された第１の発光ダイオードと、
上記第１の電極にカソードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にアノードが電気的に接続された第２の発光ダイオードと
からなり、
上記第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードが上記基板上の上記第１の電極と第２の電極との間に極性を揃えないでランダムに入り交じって配置され、
上記複数の発光ダイオードは、上記基板上にマトリクス状に配置され、
上記第１の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、第１の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
上記第２の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、上記第１の方向と交差する第２の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
さらに、上記第１の電極と第２の電極に電気的に接続されていると共に上記第１,第２の発光ダイオードを駆動する駆動制御部を備え、
上記駆動制御部は、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第１の駆動制御と、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第２の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第２の駆動制御と、
上記第１の駆動制御と第２の駆動制御との間で、上記第２の方向に配列された上記１行の発光ダイオードからｎ行(ｎは２以上の整数)ずれた１行の発光ダイオードまたは上記複数行の発光ダイオードから上記ｎ行ずれた複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第３の駆動制御と
を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の表示装置において、
上記駆動制御部は、
さらに、上記第２の駆動制御の後に上記第３の駆動制御で発光させた１行の発光ダイオードまたは上記第３の駆動制御で発光させた複数行の発光ダイオードのうち、上記第２の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第４の駆動制御を行い、
その後、上記第４の駆動制御で発光させた１行の発光ダイオードの隣の１行の発光ダイオードまたは上記第４の駆動制御で発光させた複数行の発光ダイオードから１行ずれた複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第５の駆動制御と
を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の表示装置において、
上記発光ダイオードは、
第１導電型のコア部と、
上記第１導電型のコア部の外周面を被覆する第２導電型のシェル部と
を有し、
上記第１導電型のコア部の外周面の一部が上記第２導電型のシェル部から露出していることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載の表示装置において、
上記発光ダイオードの最大寸法が１００μｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１つに記載の表示装置において、
上記発光ダイオードの最小寸法が５００ｎｍ以上であることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光ダイオードによる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光ダイオードによる表示装置としては、特許文献１(特開２００４−２７３５９６号公報)に示されるように、微小な複数の発光ダイオードを配列した仮保持基板から転写基板の粘着層に上記複数の発光ダイオードを移し替えることを繰り返して、最終的に表示装置の画素を形成する多数の発光ダイオードをマトリクス状に配列したものがある。
【０００３】
しかし、上記表示装置では、次の(ｉ),(ii)のような問題がある。
【０００４】
(ｉ) 表示装置において必要となる発光ダイオードの個数は、例えば、フルスペックハイビジョンＴＶ受像機を実現しようとする場合、１９２０×１０８０×３(ＲＧＢ)＝６２２０８００個であり、画面の大型化も進んでいるので、発光ダイオードの移し替えを繰り返すことは、工程数が多くなり、ＴＡＴ(Ｔurn Ａround Ｔime)が長くなるという問題がある。
【０００５】
(ii) 仮保持基板からの発光ダイオードの剥離と、転写基板への発光ダイオードの移し替えを繰り返すことによって、最終的にディスプレイ表示に必要な画素数の発光ダイオードを配列するプロセスでは、高い歩留りを得ることが困難であるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２７３５９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、この発明の課題は、少ない工程数で作製できて高い歩留りを向上できる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、この発明の表示装置は、
基板と、
上記基板上に形成された第１の電極と、
上記基板上に形成された第２の電極と、
上記第１の電極と第２の電極との間に電気的に接続された板状または棒状の複数の発光ダイオードと
を備え、
上記複数の発光ダイオードは、
上記第１の電極にアノードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にカソードが電気的に接続された第１の発光ダイオードと、
上記第１の電極にカソードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にアノードが電気的に接続された第２の発光ダイオードと
からなり、
上記第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードが上記基板上の上記第１の電極と第２の電極との間に極性を揃えないでランダムに入り交じって配置され、
上記複数の発光ダイオードは、上記基板上にマトリクス状に配置され、
上記第１の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、第１の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
上記第２の電極は、
上記マトリクス状に配置された複数の発光ダイオードのうち、上記第１の方向と交差する第２の方向に配列された複数の発光ダイオードのアノードもしくはカソードに電気的に接続され、
さらに、上記第１の電極と第２の電極に電気的に接続されていると共に上記第１,第２の発光ダイオードを駆動する駆動制御部を備え、
上記駆動制御部は、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第１の駆動制御と、
上記第２の方向に配列された複数の発光ダイオードからなる１行の発光ダイオードまたは上記第１の方向に隣り合う複数行の発光ダイオードのうち、上記第２の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第２の駆動制御と、
上記第１の駆動制御と第２の駆動制御との間で、上記第２の方向に配列された上記１行の発光ダイオードの隣の１行の発光ダイオードまたは上記複数行の発光ダイオードから１行ずれた複数行の発光ダイオードのうち、上記第１の発光ダイオードだけを発光させるように上記第１,第２の電極に電流を流す第３の駆動制御と
を行うことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の表示装置では、第１,第２の電極に対する電気的な接続の極性が互いに異なる第１,第２の発光ダイオードが極性を揃えないでランダムに入り交じった状態で基板上にマトリクス状に配置されている。この発明では、上記複数の発光ダイオードを含んだ溶液を基板上に塗布して第１,第２の電極間に電圧を印加すれば、上記第１,第２の電極に対して複数の発光ダイオードを電気的に接続できる。
【００１０】
したがって、この発明では、基板間で複数の発光ダイオードを移し替える工程を繰り返すことが必要な従来例に比べて、発光ダイオードに欠陥が発生するのを抑制しつつ工程数を低減でき、歩留りも向上できる。
【００１１】
また、この発明では、駆動制御部は、第１の駆動制御によって或る行範囲の第１のダイオードを発光させ、次に第３の駆動制御によって他の行範囲の第１のダイオードを発光させてから、第２の駆動制御によって上記或る行範囲の第２のダイオードを発光させる。このような発光ダイオードの駆動制御により、或る行範囲において第１のダイオードを発光させるのに続いて第２のダイオードを発光させる場合に比べて、通電方向を切り替える回数を低減できると共に単位時間当たりの点灯面積の増大を図れ、画像のちらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の表示装置の第１実施形態の一部分を示す平面図である。
【図２】上記第１実施形態の一部分の等価回路図である。
【図３Ａ】上記第１実施形態の発光ダイオードの構成の一例を示す斜視図である。
【図３Ｂ】上記発光ダイオードの端面図である。
【図４Ａ】棒状構造の発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く棒状構造の発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図５】複数の上記棒状構造発光ダイオードが基板上に形成された電極間に接続された様子を示す平面図である。
【図６】上記基板上の電極へ配線が形成され、上記発光ダイオードに蛍光体が塗布された様子を示す平面図である。
【図７】上記第１実施形態の部分的な等価回路図である。
【図８】上記第１実施形態の動作を説明する部分的な等価回路図である。
【図９】上記第１実施形態の動作を説明するもう１つの部分的な等価回路図である。
【図１０】この発明の表示装置の第２実施形態の一部分の等価回路図である。
【図１１】上記第２実施形態の動作を説明する部分的な等価回路図である。
【図１２】上記第２実施形態の動作を説明するもう１つの部分的な等価回路図である。
【図１３Ａ】上記第１,第２実施形態における発光ダイオードの変形例の製造方法の工程図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１４】
(第１の実施の形態)
図１は、この発明の表示装置の第１実施形態としてのＬＥＤディスプレイの一部分を示す平面図であり、図２は、上記第１実施形態の一部分の等価回路図である。
【００１５】
図１に示すように、この第１実施形態は、絶縁性基板１と、この絶縁性基板１上に形成された第１の電極２と、上記絶縁性基板１上に形成された第２の電極３とを備える。
【００１６】
上記第２の電極３は、第２の方向Ｘに延在しており、予め定められた間隔を隔てて複数の突起部３Ａを有している。この第２の電極３は、上記第２の方向Ｘとほぼ直交する第１の方向Ｙに複数配列されている。
【００１７】
上記第１の電極２は、上記第２の電極３の各突起部３Ａに対して、予め定められた間隔を隔てて上記第２の方向Ｘに複数配置されている。
【００１８】
また、この第１実施形態のＬＥＤディスプレイは、上記第１の電極２にアノードＡが電気的に接続されていると共に上記第２の電極３の突起部３Ａにカソードが電気的に接続された複数の第１の発光ダイオード５と、上記第１の電極２にカソードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極３の突起部３Ａにアノードが電気的に接続された複数の第２の発光ダイオード６とを備える。上記第１の発光ダイオード５と第２の発光ダイオード６は、互いに同じ構造の発光ダイオードであるが、第１,第２の電極２,３に対する電気的な接続の極性が互いに異なる。
【００１９】
上記複数の第１,第２の発光ダイオード５,６は、上記絶縁性基板１上に上記第１,第２の方向Ｙ,Ｘにマトリクス状に配置されている。また、上記複数の第１,第２の発光ダイオード５,６は、上記絶縁性基板１上の第１の電極２と第２の電極３との間に極性を揃えないでランダムに入り交じって配置されている。
【００２０】
図１に示すように、第１の方向Ｙに配列された複数の第１の電極２は、１本の配線７に電気的に接続されている。なお、図１には示していないが、上記基板１と上記配線７との間および第１,第２の電極２,３と上記配線７との間には、絶縁膜が形成され、上記配線７の接続部７Ａは上記絶縁膜に形成された図示しないスルーホールを通して第１の電極２に電気的に接続されている。
【００２１】
また、図１に示すように、上記複数の発光ダイオード５,６上には、赤色蛍光体１１,緑色蛍光体１２,青色蛍光体１３のうちのいずれかが塗布されている。上記赤色蛍光体１１,緑色蛍光体１２,青色蛍光体１３は上記第２の方向Ｘに順番に配列されている。
【００２２】
図２は、図１に対応する等価回路を示す。また、この第１実施形態は、上記第１の電極２に電気的に接続された複数の配線７に接続された列駆動回路２２と、上記複数の第２の電極３に電気的に接続された行駆動回路２１を備える。この列駆動回路２２と上記行駆動回路２１が駆動制御部を構成している。
【００２３】
次に、図７〜図９を参照して、上記行駆動回路２１と列駆動回路２２とが構成する駆動制御部による制御内容を説明する。図７〜図９は、それぞれ、この第１実施形態の部分的な等価回路図である。
【００２４】
図７〜図９では、上記第１の電極２に電気的に接続された複数の上記配線７は、それぞれ、データ線ＤＬ１,ＤＬ２,ＤＬ３,…,ＤＬｎとして表されており、複数の上記第２の電極３は、それぞれ、走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,…,ＳＬｍとして表されている。ここで、上記ＤＬｎのｎは、予め定められた自然数であり、ｎ番目のデータ線であることを表している。また、上記ＳＬｍのｍは、予め定められた自然数であり、ｍ番目のデータ線であることを表している。高画質なＬＥＤディスプレイの場合には、上記ｎ,ｍは、一例として、それぞれ、１０００以上の数である。
【００２５】
まず、上記駆動制御部をなす行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ＝ｔ１〜ｔ４での第１,第３の駆動制御を説明する。
【００２６】
上記行駆動回路２１は、時刻ｔ＝ｔ１では、走査線ＳＬ１に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ２〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にする一方、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、表示するデータに応じて、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに４Ｖを印加する時間を制御するＰＷＭ(pulse width modulation)制御を行う。上記列駆動回路２２は、上記４Ｖ印加時間が終了すると、４Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに０Ｖを印加する。
【００２７】
次に、時刻ｔ＝ｔ２では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ２に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ３〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、時刻ｔ＝ｔ１で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【００２８】
次に、時刻ｔ＝ｔ３では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ３に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ４〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、前述と同様のＰＷＭ制御を行う。
【００２９】
次に、時刻ｔ＝ｔ４では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ４に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ５〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、前述と同様のＰＷＭ制御を行う。
【００３０】
上記時刻ｔ＝ｔ１での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御が第３の駆動制御となる。また、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御が第３の駆動制御となる。同様に、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ４での駆動制御が第３の駆動制御となる。
【００３１】
上述の時刻ｔ＝ｔ１での制御では、走査線ＳＬ１に接続された１行の発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,…,Ｄ１ｎのうち、走査線ＳＬ１にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,Ｄ１４,Ｄ１８…が発光する一方、走査線ＳＬ１にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ１３,Ｄ１５,Ｄ１６,Ｄ１７…が発光しない。ここで、上記１行の発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,…,Ｄ１ｎは、それぞれ、上記データ線ＤＬ１,ＤＬ２,…,ＤＬｎと走査線ＳＬ１との間に接続された発光ダイオードを表している。
【００３２】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ２での制御では、走査線ＳＬ２に接続された１行の発光ダイオードＤ２１,Ｄ２２,…,Ｄ２ｎのうち、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６,Ｄ２７,Ｄ２９…が発光する一方、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４,Ｄ２８…が発光しない。ここで、上記１行の発光ダイオードＤ２１,Ｄ２２,…,Ｄ２ｎは、それぞれ、上記データ線ＤＬ１,ＤＬ２,…,ＤＬｎと走査線ＳＬ２との間に接続された発光ダイオードを表している。上述の時刻ｔ＝ｔ２での制御により発光する発光ダイオードを、図８において破線で囲んで示している。
【００３３】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ３での制御では、走査線ＳＬ３に接続された１行の発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,…,Ｄ３ｎのうち、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６,Ｄ３９…が発光する一方、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５,Ｄ３７,Ｄ３８…が発光しない。ここで、上記１行の発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,…,Ｄ３ｎは、それぞれ、上記データ線ＤＬ１,ＤＬ２,…,ＤＬｎと走査線ＳＬ３との間に接続された発光ダイオードを表している。
【００３４】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ４での制御では、走査線ＳＬ４に接続された１行の発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,…,Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６,Ｄ４７…が発光する一方、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５,Ｄ４８,Ｄ４９…が発光しない。ここで、上記１行の発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,…,Ｄ４ｎは、それぞれ、上記データ線ＤＬ１,ＤＬ２,…,ＤＬｎと走査線ＳＬ４との間に接続された発光ダイオードを表している。
【００３５】
このように、上記時刻ｔ＝ｔ１,ｔ２,ｔ３,ｔ４における駆動制御では、上記走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ４に接続された各１行の発光ダイオードのうちの第１の発光ダイオード５だけが発光させられる。
【００３６】
次に、上記駆動制御部をなす行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ＝ｔ５〜ｔ８での駆動制御を説明する。
【００３７】
時刻ｔ＝ｔ５では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ１に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ２〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、４Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、表示するデータに応じて、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに０Ｖを印加する時間を制御する(ＰＷＭ制御)。上記列駆動回路２２は、上記０Ｖ印加時間が終了すると、０Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに４Ｖを印加する。この時刻ｔ＝ｔ５での駆動制御が、第２の駆動制御をなす。
【００３８】
次に、時刻ｔ＝ｔ６では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ２に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ３〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、４Ｖを印加していた各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、時刻ｔ＝ｔ５で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【００３９】
次に、時刻ｔ＝ｔ７では、上記行駆動回路２１は、走査線ＳＬ３に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ４〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、前述と同様のＰＷＭ制御を行う。
【００４０】
次に、時刻ｔ＝ｔ８では、走査線ＳＬ４に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ５〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、各データ線ＤＬ１〜ＤＬｎに対して、前述と同様のＰＷＭ制御を行う。
【００４１】
上記時刻ｔ＝ｔ１での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ５での駆動制御が第２の駆動制御となる。また、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ６での駆動制御が第２の駆動制御となる。同様に、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ７での駆動制御が第２の駆動制御となる。
【００４２】
上述の時刻ｔ＝ｔ５での制御では、走査線ＳＬ１に接続された１行の発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,…,Ｄ１ｎのうち、走査線ＳＬ１にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ１３,Ｄ１５,Ｄ１６,Ｄ１７…が発光する一方、走査線ＳＬ１にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,Ｄ１４,Ｄ１８…が発光しない。
【００４３】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ６での制御では、走査線ＳＬ２に接続された１行の発光ダイオードＤ２１,Ｄ２２,…,Ｄ２ｎのうち、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４,Ｄ２８…が発光する一方、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６,Ｄ２７,Ｄ２９…が発光しない。上述の時刻ｔ＝ｔ６での制御により発光する発光ダイオードを、図９において破線で囲んで示している。
【００４４】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ７での制御では、走査線ＳＬ３に接続された１行の発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,…,Ｄ３ｎのうち、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５,Ｄ３７,Ｄ３８…が発光する一方、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６,Ｄ３９…が発光しない。
【００４５】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ８での制御では、走査線ＳＬ４に接続された１行の発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,…,Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５,Ｄ４８,Ｄ４９…が発光する一方、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６,Ｄ４７…が発光しない。
【００４６】
なお、走査線ＳＬ５〜ＳＬ８に接続された４行の発光ダイオードについても、上述の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードについて行った第１〜第３の駆動制御と同様の第１,第２の駆動制御が行われる。以降、４本の走査線に接続された４行の発光ダイオード毎に、上述と同様の第１〜第３の駆動制御が行われる。
【００４７】
このように、上記行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ１〜ｔ４での第１,第３の駆動制御と時刻ｔ５〜ｔ８での第２の駆動制御によって、走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードについて、時刻ｔ１〜ｔ４では１行目から４行目の第１の発光ダイオード５を順次１行ずつ発光させ、続いて、時刻ｔ５〜ｔ８では１行目から４行目の第２の発光ダイオード６を順次１行ずつ発光させる。
【００４８】
このような発光ダイオードの駆動制御により、或る１行の発光ダイオードについて第１のダイオードを発光させるのに続いて第２のダイオードを発光させる駆動制御を行う場合に比べて、通電方向を切り替える回数を低減できると共に単位時間当たりの点灯面積の増大を図れ、画像のちらつきを低減できる。
【００４９】
なお、上記実施形態では、発光させる発光ダイオードを１行ずつシフトさせたが、発光させる発光ダイオードをｎ行(ｎは２以上の整数)ずつシフトさせても構わない。
【００５０】
例えば、時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４に、それぞれ、１行目、３行目、５行目、７行目の第１の発光ダイオード５を順次１行ずつ発光させ、次に、時刻ｔ５、ｔ６、ｔ７、ｔ８に、それぞれ、１行目、３行目、５行目、７行目の第２の発光ダイオード６を順次１行ずつ発光させ、次に、時刻ｔ９、ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２に、それぞれ、２行目、４行目、６行目、８行目の第１の発光ダイオード５を順次１行ずつ発光させ、次に、時刻ｔ９、ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２に、それぞれ、２行目、４行目、６行目、８行目の第２の発光ダイオードを順次１行ずつ発光させる制御を行っても構わない。
【００５１】
上記制御を行うことにより、単位時間当たりの点灯面積をさらに増大させることが可能となり、画面のちらつきをより低減することが可能となる。
【００５２】
次に、図３Ａの斜視図に上記発光ダイオード５,６の構成の一例を示す。この一例としての発光ダイオードは、Ｎ型の半導体で作製された円柱状のコア部３１と、この円柱状のコア部３１の外周面３２を被覆するＰ型の半導体で作製された円筒状のシェル部３３とで構成している。なお、図３Ｂは、円柱状のコア部３１の端面３１Ｄ側から軸方向に見た様子を示す端面図である。上記円柱状のコア部３１の外周面３２の一部３２Ａが上記シェル部３３から露出している。また、上記円柱状のコア部３１と上記シェル部３３との接合面３５は上記円柱状のコア部３１の周りに同心円状に形成されている。上記シェル部３３から露出したコア部３１の一部３１ＡがカソードＫをなし、上記シェル部３３の端部３３ＡがアノードＡをなす。図３Ａ,図３Ｂに示す構成の発光ダイオードは、上記Ｎ型の円柱状のコア部３１とＰ型のシェル部３３との接合面３５をコア部３１の外周面３２に沿って円筒状に形成でき、発光面の増大を図れる。また、上記コア部３１の外周面３２の一部３２ＡがＰ型のシェル部３３から露出しているので、上記コア部３１の外周面３２の一部３２Ａへの電極２,３の接続が容易になる。
【００５３】
なお、コア部３１の一端３１Ｂの端面３１Ｃは上記シェル部３３の端部３３Ａから露出していてもよいが、上記シェル部３３の端部３３Ａがコア部３１の一端３１Ｂの端面３１Ｃを被覆する構成とすることで、シェル部３３の端部３３Ａを電極２,３により接続し易くなる。また、上記シェル部３３を形成する半導体をＮ型とし、上記コア部３１を形成する半導体をＰ型としてもよい。また、図３Ａ,３Ｂに示す構成では、コア部３１を円柱状としシェル部３３を円筒状としたが、多角柱状のコア部と多角筒状のシェル部としてもよい。例えば、六角柱状のコア部と六角筒状のシェル部としてもよく、四角柱状のコア部と四角筒状のシェル部としてもよく、三角柱状のコア部と三角筒状のシェル部としてもよい。また、楕円柱状のコア部と楕円筒状のシェル部としてもよい。また、断面長方形状の板状のコア部と長方形状の筒状のシェル部とで構成される板状の発光ダイオードとしてもよい。
【００５４】
次に、図４Ａ〜図４Ｅを参照して、上述のコア部とシェル部とで構成される発光ダイオードの製造工程の一例を説明する。
【００５５】
まず、図４Ａに示すように、ｎ型ＧａＮからなる基板７１上に、成長穴７２ａを有するマスク７２を形成する。なお、図４Ａでは、１つの成長穴７２ａのみを示しているが、実際には、上記マスク７２は、成長穴７２ａと同様の複数の成長穴(図示せず)を有する。
【００５６】
次に、図４Ｂに示すように、半導体コア形成工程において、マスク７２の成長穴７２ａにより露出した基板７１上に、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長)装置を用いて、ｎ型ＧａＮを結晶成長させて棒状の半導体コア７３を形成する。ここで、ｎ型ＧａＮは、六方晶系の結晶成長となり、基板７１表面に対して垂直方向をｃ軸方向にして成長させることにより、六角柱形状の半導体コアが得られる。なお、図４Ｂでは、１本の棒状の半導体コア７３だけを示しているが、実際には、上記マスク７２の複数の成長穴に対応した複数本の棒状の半導体コアを形成する。以下の工程では、１本の棒状の半導体コア７３について説明しているが、他の複数本の棒状の半導体コアについても同様の工程を実施する。
【００５７】
次に、図４Ｃに示すように、半導体層形成工程において、棒状の半導体コア７３を覆うように基板７１全面にｐ型ＧａＮからなる半導体層７４を形成する。次に、図４Ｄに示すように、露出工程において、リフトオフにより半導体コア７３を覆う半導体層７４ａの部分を除く領域とマスク７２を除去して、棒状の半導体コア７３の基板７１側に基板側の外周面を露出させて露出部分７３ａを形成する。この状態で、上記半導体コア７３の基板７１と反対の側の端面は、半導体層７４ａにより覆われている。この実施形態の露出工程では、リフトオフを用いたがエッチングにより半導体コアの一部を露出させてもよい。
【００５８】
次に、切り離し工程において、超音波(例えば数１０ＫＨz)を用いて基板７１を基板平面に沿って振動させることにより、基板７１上に立設する半導体コア７３の基板７１側に近い根元を折り曲げるように、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３に対して応力が働いて、図４Ｅに示すように、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３が基板７１から切り離される。こうして、基板７１から切り離なされた微細な棒状構造発光ダイオードを製造することができる。この棒状構造の発光ダイオードの製造方法では、一例として、棒状構造発光ダイオードの直径を１μｍ、長さを１０μｍとしている。
【００５９】
上記発光ダイオードの製造工程では、基板７１と半導体コア７３と半導体層７４ａに、ＧａＮを母材とする半導体を用いたが、ＧａＡｓ,ＡｌＧａＡｓ,ＧａＡｓＰ,ＩｎＧａＮ,ＡｌＧａＮ,ＧａＰ,ＺｎＳe,ＡｌＧａＩｎＰなどを母材とする半導体を用いてもよい。また、上記発光ダイオードを量子井戸構造を有するものとして発光効率を向上させてもよい。
【００６０】
また、基板と半導体コアをｎ型とし、半導体層をｐ型としたが、導電型が逆の棒状構造発光ダイオードとしてもよい。また、断面が六角柱の半導体コアを有する棒状構造発光ダイオードの製造方法について説明したが、これに限らず、断面が円形または楕円の棒状であってもよいし、断面が三角形などの他の多角形状の棒状の半導体コアを有する棒状構造発光ダイオードも上述と同様の製造方法で作製できる。また、断面長方形状の板状のコア部と長方形状の筒状のシェル部とで構成される板状構造の発光ダイオードも上述と同様の製造方法で作製できる。
【００６１】
また、上記発光ダイオードの製造方法では、棒状構造発光ダイオードの直径を１μｍとし長さを１０μｍのマイクロオーダーサイズとしたが、直径または長さのうちの少なくとも直径が１μｍ未満のナノオーダーサイズの素子としてよい。上記棒状構造発光ダイオードの半導体コアの直径は５００ｎｍ以上かつ１００μｍ以下が好ましく、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの棒状構造発光ダイオードに比べて半導体コアの直径のばらつきを抑えることができ、発光面積すなわち発光特性のばらつきを低減でき、歩留まりを向上できる。
【００６２】
また、上記発光ダイオードの製造方法では、ＭＯＣＶＤ装置を用いて半導体コア７３を結晶成長させたが、ＭＢＥ(分子線エピタキシャル)装置などの他の結晶成長装置を用いて半導体コアを形成してもよい。また、成長穴を有するマスクを用いて半導体コアを基板上に結晶成長させたが、基板上に金属種を配置して、金属種から半導体コアを結晶成長させてもよい。また、上記発光ダイオードの製造方法では、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３を、超音波を用いて基板７１から切り離したが、これに限らず、切断工具を用いて半導体コアを基板から機械的に切り離してもよい。この場合、簡単な方法で基板上に設けられた微細な複数の棒状構造発光素子を短時間で切り離すことができる。
【００６３】
次に、図５を参照して、絶縁性基板１上に形成された第１の電極２と第２の電極３との間に複数の第１,第２の発光ダイオード５,６を配列する工程を説明する。
【００６４】
まず、表面に第１の電極２となる第１の電極５２と第２の電極３が形成された絶縁性基板１を用意する。この絶縁性基板１は、例えば、ガラス基板とするが、表面が絶縁膜で覆われた基板でもよい。また、第１,第２の電極５２,３は金属電極とする。一例として、印刷技術を利用して絶縁性基板１の表面に所望の電極形状の第１,第２の電極５２,３を形成することができる。また、絶縁性基板１の表面に金属膜及び感光体膜を一様に積層し、この感光体膜を所望の電極パターンに露光・現像し、パターニングされた感光体膜をマスクとして金属膜をエッチングして第１の電極５２と第２の電極３を形成することができる。図５では、絶縁性基板１の表面に形成された１対の第１,第２の電極５２,３の一部分のみを示している。
【００６５】
なお、上記第１,第２の電極５２,３を作製する金属の材料としては、金、銀、銅、鉄、タングステン、タングステンナイトライド、アルミニウム、タンタルやそれらの合金などを用いることができる。また、絶縁性基板１はガラス、セラミック、アルミナ、樹脂のような絶縁体、またはシリコンのような半導体表面にシリコン酸化膜を形成し、表面が絶縁性を有するような基板である。ガラス基板を用いる場合は、表面にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のような下地絶縁膜を形成するのが望ましい。
【００６６】
また、上記第１の電極５２の突出部５２Ａと第２の電極３の突出部３Ａとの間の距離は、第１,第２の発光ダイオード５,６の長さよりもやや短いことが好ましい。一例として、上記距離は、発光ダイオード７の長さが１０μｍである場合は、６〜９μｍとすることが望ましい。すなわち、上記距離は、発光ダイオード７の長さの６０〜９０％程度、より好ましくは上記長さの８０〜９０％とすることが望ましい。
【００６７】
次に、上記絶縁性基板１上に第１,第２の発光ダイオード５,６を配列する手順を説明する。
【００６８】
まず、上記絶縁性基板１上に複数の発光ダイオード５,６を含んだ溶液としてのイソプロピルアルコール(ＩＰＡ)を薄く塗布する。なお、この複数の発光ダイオード５,６を含んだ溶液は、前述した発光ダイオードの切り離し工程において、上記ＩＰＡ溶液中に基板７１を浸して、超音波により基板７１を基板平面に沿って振動させて、基板７１から複数の発光ダイオードを切り離すことで得られる。
【００６９】
上記溶液としては、ＩＰＡのほかに、エチレングリコール、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合物でもよく、他の有機物からなる液体、水などを用いることができる。ただし、液体を通じて金属電極である第１,第２の電極５２,３間に大きな電流が流れてしまうと、第１,第２の電極５２,３間に所望の電圧差を印加できなくなってしまう。そのような場合には、第１,第２の電極５２,３を覆うように、絶縁性基板１の表面全体に、１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の絶縁膜をコーティングすればよい。
【００７０】
上記複数の発光ダイオード５,６を含むＩＰＡを塗布する厚さは、次に複数の発光ダイオード５,６を配列する工程で、発光ダイオード５,６が配列できるよう、液体中で発光ダイオード５,６が移動できる厚さである。したがって、発光ダイオード５,６の太さ以上であり、例えば、数μｍ〜数ｍｍである。塗布する厚さは薄すぎると、発光ダイオード５,６が移動し難くなり、厚すぎると、液体を乾燥する時間が長くなる。好ましくは、１００μｍ〜５００μｍである。また、ＩＰＡの量に対して、発光ダイオードの個数は、 １×１０４個／ｃｍ３ 〜 １×１０７個／ｃｍ３が好ましい。
【００７１】
上記複数の発光ダイオード５,６を含むＩＰＡを絶縁性基板１に塗布するために、複数の発光ダイオード５,６を配列させる金属電極である第１,第２の電極５２,３の外周囲に枠(図示せず)を形成し、その枠内に上記複数の発光ダイオード５,６を含むＩＰＡを所望の厚さになるよう充填するとよい。しかし、上記発光ダイオード５,６を含むＩＰＡが粘性を有する場合は、枠を必要とせずに、所望の厚さに塗布することが可能である。上記ＩＰＡやエチレングリコール、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合物、或いは、他の有機物からなる液体、または水などの液体は、上記発光ダイオード７の配列工程のためには粘性が低いほど望ましく、また加熱により蒸発しやすい方が望ましい。
【００７２】
次に、第１,第２の電極５２,３間に電位差を与える。この電位差は、例えば、０．５Ｖもしくは１Ｖの電位差とする。なお、この第１の電極５２と第２の電極３の電位差は、０．１〜１０Ｖを印加することができるが、０．１Ｖ以下では発光ダイオード５,６の配列姿勢が乱れ始め、１０Ｖ以上では金属電極間の絶縁が問題になり始める。したがって、上記電位差は０．５Ｖ〜５Ｖが好ましく、さらには、０．５Ｖ程度とするのが好ましい。第１の電極５２に電位ＶＬを与え、第２の電極３に上記電位ＶＬよりも高い電位ＶＨ(ＶＬ＜ＶＨ)を与えると、第１の電極５２には負電荷が誘起され、第２の電極３には正電荷が誘起される。この第１,第２の電極５２,３に上記発光ダイオード５,６が接近すると、発光ダイオード５,６のうち第１の電極５２に近い側に正電荷が誘起され、第２の電極３に近い側に負電荷が誘起される。上記発光ダイオード５,６に電荷が誘起されるのは静電誘導による。よって、上記発光ダイオード５,６は、第１,第２の電極５２,３間に生じる電気力線に沿った姿勢になると共に、各発光ダイオード５,６に誘起された電荷がほぼ等しいので、電荷による反発力により、ほぼ等間隔に一定方向に規則正しく配列する。このとき、第１,第２の電極５２,３の表面に絶縁膜がコーティングされており、かつ、第１,第２の電極５２,３間に与える電位差が一定(ＤＣ)であると、第１,第２の電極５２,３上にコーディングされた絶縁膜表面に、第１,第２の電極５２,３の電位と反対極性のイオンが誘起されて溶液中の電界が非常に弱くなってしまう。そのような場合は、第１,第２の電極５２,３間に交流電圧を印加することが好ましい。これにより、第１,第２の電極５２,３の電位と反対極性のイオンが誘起されるのを防ぎ、第１,第２の発光ダイオード５,６を正常に配列することができる。なお、第１,第２の電極５２,３間に印加する交流電圧の周波数は、１０Ｈｚ〜１ＭＨｚとするのが好ましいが、交流電圧の周波数が１０Ｈｚ未満のときは、第１,第２の発光ダイオード５,６が激しく振動し、配列が乱される可能性がある。一方、第１,第２の電極５２,３間に印加する交流電圧の周波数が１ＭＨｚを超える場合は、発光ダイオード５,６が第１,第２の電極５２,３に吸着される力が弱くなり、外部の擾乱により配列が乱されることがある。このため、発光ダイオード５,６の配列の安定のためには、上記交流電圧の周波数を５０Ｈｚ〜１ｋＨｚとすることがより好ましい。さらに、上記交流電圧の波形は、正弦波に限らず、矩形波、三角波、ノコギリ波など、周期的に変動するものであればよい。なお、上記交流電圧の振幅は一例として０．５Ｖ程度とすることが好ましい。
【００７３】
この製造工程では、第１,第２の電極５２,３間に発生した外部電場により、各発光ダイオード５,６に電荷を発生させ、電荷の引力により第１,第２の電極５２,３に発光ダイオード５,６を吸着させるので、発光ダイオード５,６の大きさは、液体中で移動可能な大きさであることが必要である。したがって、各発光ダイオード５,６の大きさ(最大寸法)の許容値は、液体の塗布量(塗布厚さ)により変化する。上記液体の塗布量が少ない場合は、各発光ダイオード５,６の大きさ(最大寸法)はナノスケールでなければならないが、液体の塗布量が多い場合は、各発光ダイオード５,６の大きさがミクロンオーダーであってもかまわない。
【００７４】
上記発光ダイオード５,６が配列を始めてしばらくすると、図５に示すように、第２の電極３の突出部３Ａと第１の電極５２の突出部５２Ａとの間に発光ダイオード５,６が配列する。各発光ダイオード５,６は、第１,第２の電極５２,３が延在している方向とは垂直な姿勢に整列して上記延在の方向にほぼ等間隔で配列する。突出部５２Ａと突出部３Ａとの間に電界が集中すると共に各発光ダイオード５,６に誘起された電荷により各発光ダイオード５,６間に反発力が働いて、発光ダイオード５,６がほぼ等間隔に並ぶ。
【００７５】
こうして、第１,第２の電極５２,３の突出部５２Ａと突出部３Ａとの間に、第１,第２の発光ダイオード５,６を配列させた後、基板５１を加熱または一定時間放置することにより、上記溶液の液体を蒸発させて乾燥させ、発光ダイオード７を金属電極５３と１２との間の電気力線に沿って、等間隔に配列させて固着させる。
【００７６】
次に、エッチングにより上記電極５２を図６,図１に示すような複数の第１の電極２に形成し、赤色蛍光体１１,緑色蛍光体１２,青色蛍光体１３が形成される領域が開口した絶縁膜(図示せず)を形成し、上記第１の電極２上の配線７の接続部７Ａが形成される領域に上記絶縁膜のスルーホール(図示せず)を形成する。そして、フォトリソグラフィー技術により、配線７を形成し、この配線７の接続部７Ａを上記スルーホールを通して上記第１の電極２に電気的に接続する。
【００７７】
次に、図６,図１に示すように、上記赤色蛍光体１１,緑色蛍光体１２,青色蛍光体１３が上記第２の方向Ｘに順番に配列されるように、各発光ダイオード５,６上に赤色蛍光体１１,緑色蛍光体１２,青色蛍光体１３のうちのいずれか１つを塗布する。
【００７８】
以上の製造方法によれば、複数の発光ダイオード５,６を、第１の電極２と第２の電極３の突出部３Ａとの間に制御性良く高精度に配列させることが可能となる。また、上記製造方法では、複数の発光ダイオード５,６は第１の発光ダイオード５と第２の発光ダイオード６からなり、各発光ダイオードの向き(極性)を一方に決めることが困難であるので、第１,第２の発光ダイオード５,６の向きが図１に示されている状態になるとも限らないが、上述の如く、本実施形態では、第１,第２の発光ダイオード５,６は、図１の配列状態に限られるものではなく、各発光ダイオード５,６がランダムに入り交じって混在していてもよい。よって、上記製造方法は、複数の第１,第２の発光ダイオード５,６からなる複数の発光ダイオードの向き(極性)を揃えないでランダムに入り交じっている本発明のＬＥＤディスプレイを製造するのに好適である。また、上記製造方法では、多数の微細な発光ダイオード５,６を一度に電極２,３間に配列,接続可能になるので、発光ダイオード５,６のサイズが小さく、一例として１００μｍ以下であり、第１の電極２と第２の電極３との間に接続する発光ダイオード５,６の個数が多数個(例えば１００個以上)である場合に特に有利である。
【００７９】
したがって、この実施形態のＬＥＤディスプレイによれば、基板間で複数の発光ダイオードを移し替える工程を繰り返すことが必要な従来例に比べて、発光ダイオードに欠陥が発生するのを抑制しつつ工程数を低減でき、歩留りも向上できる。
【００８０】
(第２の実施の形態)
図１０は、この発明の表示装置の第２実施形態としてのＬＥＤディスプレイの等価回路図である。
【００８１】
この第２実施形態は、図７に示すｎ本のデータ線ＤＬ１,ＤＬ２,…ＤＬｎに替えて、図１０に示すｎ個のデータ線群ＤＬＧ１,ＤＬＧ２,…ＤＬＧｎを備える点と、駆動制御部２０による駆動制御内容とが、前述の第１実施形態と異なる。したがって、この第２実施形態では、主として、前述の第１実施形態と異なる点を説明する。
【００８２】
図１０に示すように、第１のデータ線群ＤＬＧ１は、４本のデータ線ＤＬ１１,ＤＬ１２,ＤＬ１３,ＤＬ１４で構成されている。
【００８３】
上記データ線ＤＬ１１は、第１,第５,第９,…,第(１＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ１,ＳＬ５,ＳＬ９,…,ＳＬ(１＋４ｉ)に一端が接続された１列目のダイオードＤ１１,Ｄ５１,Ｄ９１,…,Ｄ(１＋４ｉ)１の他端に接続されている。
【００８４】
また、上記データ線ＤＬ１２は、第２,第６,第１０,…,第(２＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ２,ＳＬ６,ＳＬ１０,…,ＳＬ(２＋４ｉ)に一端が接続された１列目のダイオードＤ２１,Ｄ６１,Ｄ１０１,…,Ｄ(２＋４ｉ)１の他端に接続されている。
【００８５】
また、上記データ線ＤＬ１３は、第３,第７,第１１,…,第(３＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ３,ＳＬ７,ＳＬ１１,…,ＳＬ(３＋４ｉ)に一端が接続された１列目のダイオードＤ３１,Ｄ７１,Ｄ１１１,…,Ｄ(３＋４ｉ)１の他端に接続されている。
【００８６】
また、上記データ線ＤＬ１４は、第４,第８,第１２,…,第(４＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ４,ＳＬ８,ＳＬ１２,…,ＳＬ(４＋４ｉ)に一端が接続された１列目のダイオードＤ４１,Ｄ８１,Ｄ１２１,…,Ｄ(４＋４ｉ)１の他端に接続されている。
【００８７】
また、第２のデータ線群ＤＬＧ２は、４本のデータ線ＤＬ２１,ＤＬ２２,ＤＬ２３,ＤＬ２４で構成されている。
【００８８】
上記データ線ＤＬ２１は、第１,第５,第９,…,第(１＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ１,ＳＬ５,ＳＬ９,…,ＳＬ(１＋４ｉ)に一端が接続された２列目のダイオードＤ１２,Ｄ５２,Ｄ９２,…,Ｄ(１＋４ｉ)２の他端に接続されている。
【００８９】
また、上記データ線ＤＬ２２は、第２,第６,第１０,…,第(２＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ２,ＳＬ６,ＳＬ１０,…,ＳＬ(２＋４ｉ)に一端が接続された２列目のダイオードＤ２２,Ｄ６２,Ｄ１０２,…,Ｄ(２＋４ｉ)２の他端に接続されている。
【００９０】
また、上記データ線ＤＬ２３は、第３,第７,第１１,…,第(３＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ３,ＳＬ７,ＳＬ１１,…,ＳＬ(３＋４ｉ)に一端が接続された２列目のダイオードＤ３２,Ｄ７２,Ｄ１１２,…,Ｄ(３＋４ｉ)２の他端に接続されている。
【００９１】
また、上記データ線ＤＬ２４は、第４,第８,第１２,…,第(４＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ４,ＳＬ８,ＳＬ１２,…,ＳＬ(４＋４ｉ)に一端が接続された２列目のダイオードＤ４２,Ｄ８２,Ｄ１２２,…,Ｄ(４＋４ｉ)２の他端に接続されている。
【００９２】
同様に、第ｊのデータ線群ＤＬＧｊ(ｊは３以上の自然数)は、４本のデータ線ＤＬＤＬｊ１,ＤＬｊ２,ＤＬｊ３,ＤＬｊ４で構成されている。
【００９３】
上記データ線ＤＬｊ１は、第１,第５,第９,…,第(１＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ１,ＳＬ５,ＳＬ９,…,ＳＬ(１＋４ｉ)に一端が接続されたｊ列目のダイオードＤ１ｊ,Ｄ５ｊ,Ｄ９ｊ,…,Ｄ(１＋４ｉ)ｊの他端に接続されている。
【００９４】
また、上記データ線ＤＬｊ２は、第２,第６,第１０,…,第(２＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ２,ＳＬ６,ＳＬ１０,…,ＳＬ(２＋４ｉ)に一端が接続されたｊ列目のダイオードＤ２ｊ,Ｄ６ｊ,Ｄ１０ｊ,…,Ｄ(２＋４ｉ)ｊの他端に接続されている。
【００９５】
また、上記データ線ＤＬｊ３は、第３,第７,第１１,…,第(３＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ３,ＳＬ７,ＳＬ１１,…,ＳＬ(３＋４ｉ)に一端が接続されたｊ列目のダイオードＤ３ｊ,Ｄ７ｊ,Ｄ１１ｊ,…,Ｄ(３＋４ｉ)ｊの他端に接続されている。
【００９６】
また、上記データ線ＤＬｊ４は、第４,第８,第１２,…,第(４＋４ｉ)番目(ｉは３以上の自然数)の走査線ＳＬ４,ＳＬ８,ＳＬ１２,…,ＳＬ(４＋４ｉ)に一端が接続されたｊ列目のダイオードＤ４ｊ,Ｄ８ｊ,Ｄ１２ｊ,…,Ｄ(４＋４ｉ)ｊの他端に接続されている。
【００９７】
次に、この第２実施形態における行駆動回路２１と列駆動回路２２による制御内容を説明する。
【００９８】
まず、上記行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ＝ｔ１〜ｔ４での第１,第３の駆動制御を説明する。
【００９９】
上記行駆動回路２１は、時刻ｔ＝ｔ１では、４本の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ４に同時に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ５〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、表示するデータに応じて、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する時間を制御する(ＰＷＭ制御)。上記列駆動回路２２は、上記４Ｖ印加時間が終了すると、４Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する。
【０１００】
次に、時刻ｔ＝ｔ２では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ４,ＳＬ５に同時に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ６〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎに対して、時刻ｔ＝ｔ１で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１０１】
次に、時刻ｔ＝ｔ３では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に同時に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ７〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎに対して、時刻ｔ＝ｔ１で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１０２】
次に、時刻ｔ＝ｔ４では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に同時に０Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ８〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、０Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に対して、時刻ｔ＝ｔ１で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１０３】
上記時刻ｔ＝ｔ１での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御が第３の駆動制御となる。また、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御が第３の駆動制御となる。同様に、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ４での駆動制御が第３の駆動制御となる。
【０１０４】
上述の時刻ｔ＝ｔ１での制御では、４本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードＤ１１〜Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ１にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,Ｄ１４…と、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６…と、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…が発光する。
【０１０５】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ１での制御では、４本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードＤ１１〜Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ１にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ１３,Ｄ１５,Ｄ１６…と、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４…と、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…が発光しない。
【０１０６】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ２での制御では、４本の走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードＤ２１〜Ｄ５ｎのうち、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６…と、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…とが発光する。上述の時刻ｔ＝ｔ２での制御により発光する発光ダイオードを、図１１において破線で囲んで示している。
【０１０７】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ２での制御では、４本の走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードＤ２１〜Ｄ５ｎのうち、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４…と、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…が発光しない。
【０１０８】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ３での制御では、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードＤ３１〜Ｄ６ｎのうち、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…と、走査線ＳＬ６にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ６５…が発光する。
【０１０９】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ３での制御では、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードＤ３１〜Ｄ６ｎのうち、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…と、走査線ＳＬ６にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ６１,Ｄ６２,Ｄ６３,Ｄ６４,Ｄ６６…が発光しない。
【０１１０】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ４での制御では、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードＤ４１〜Ｄ７ｎのうち、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…と、走査線ＳＬ６にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ６５…と、走査線ＳＬ７にカソードＫが接続された発光ダイオード(図示せず)とが発光する。
【０１１１】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ４での制御では、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードＤ３１〜Ｄ７ｎのうち、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…と、走査線ＳＬ６にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ６１,Ｄ６２,Ｄ６３,Ｄ６４,Ｄ６６…と、走査線ＳＬ７にアノードＡが接続された発光ダイオード(図示せず)とが発光しない。
【０１１２】
このように、上記時刻ｔ＝ｔ１,ｔ２,ｔ３,ｔ４での第１の駆動制御によって、走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードのうちの第１の発光ダイオード５、走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードのうちの第１の発光ダイオード５、走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードのうちの第１の発光ダイオード５、走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードのうちの第１の発光ダイオード５が順に発光させられる。
【０１１３】
次に、上記駆動制御部をなす行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ＝ｔ５〜ｔ８での第２の駆動制御を説明する。
【０１１４】
上記行駆動回路２１は、時刻ｔ＝ｔ５では、４本の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ４に同時に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ５〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、４Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、表示するデータに応じて、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する時間を制御する(ＰＷＭ制御)。上記列駆動回路２２は、上記０Ｖ印加時間が終了すると、０Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に４Ｖを印加する。
【０１１５】
次に、時刻ｔ＝ｔ６では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ４,ＳＬ５に同時に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ６〜ＳＬｍはＨi-Ｚ(ハイインピーダンス状態)にすると共に、上記列駆動回路２２は、４Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎに対して、時刻ｔ＝ｔ５で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１１６】
次に、時刻ｔ＝ｔ７では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に同時に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ７〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、４Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎに対して、時刻ｔ＝ｔ５で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１１７】
次に、時刻ｔ＝ｔ８では、上記行駆動回路２１は、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に同時に４Ｖを印加し、その他の走査線ＳＬ１,ＳＬ２,ＳＬ３,ＳＬ８〜ＳＬｍはＨi-Ｚにすると共に、上記列駆動回路２２は、４Ｖを印加していた各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に０Ｖを印加する。ここで、上記列駆動回路２２は、各データ線群ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎの各データ線に対して、時刻ｔ＝ｔ５で述べたのと同様のＰＷＭ制御を行う。
【０１１８】
上記時刻ｔ＝ｔ１での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ５での駆動制御が第２の駆動制御となる。また、上記時刻ｔ＝ｔ２での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ６での駆動制御が第２の駆動制御となる。同様に、上記時刻ｔ＝ｔ３での駆動制御を第１の駆動制御とすると、上記時刻ｔ＝ｔ７での駆動制御が第２の駆動制御となる。
【０１１９】
上述の時刻ｔ＝ｔ５での制御では、４本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードＤ１１〜Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ１にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ１３,Ｄ１５,Ｄ１６…と、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４…と、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…が発光する。
【０１２０】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ５での制御では、４本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードＤ１１〜Ｄ４ｎのうち、走査線ＳＬ１にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ１１,Ｄ１２,Ｄ１４…と、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６…と、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…が発光しない。
【０１２１】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ６での制御では、４本の走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードＤ２１〜Ｄ５ｎのうち、走査線ＳＬ２にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ２１,Ｄ２４…と、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…が発光する。上述の時刻ｔ＝ｔ６での制御により発光する発光ダイオードを、図１２において破線で囲んで示している。
【０１２２】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ６での制御では、４本の走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードＤ２１〜Ｄ５ｎのうち、走査線ＳＬ２にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ２２,Ｄ２３,Ｄ２５,Ｄ２６…と、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…とが発光しない。
【０１２３】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ７での制御では、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードＤ３１〜Ｄ６ｎのうち、走査線ＳＬ３にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ３３,Ｄ３４,Ｄ３５…と、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…と、走査線ＳＬ６にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ６１,Ｄ６２,Ｄ６３,Ｄ６４,Ｄ６６…が発光する。
【０１２４】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ７での制御では、４本の走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードＤ３１〜Ｄ６ｎのうち、走査線ＳＬ３にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ３１,Ｄ３２,Ｄ３６…と、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…と、走査線ＳＬ６にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ６５…が発光しない。
【０１２５】
また、上述の時刻ｔ＝ｔ８での制御では、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードＤ４１〜Ｄ７ｎのうち、走査線ＳＬ４にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ４１,Ｄ４２,Ｄ４４,Ｄ４５…と、走査線ＳＬ５にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ５３,Ｄ５６…と、走査線ＳＬ６にアノードＡが接続された発光ダイオードＤ６１,Ｄ６２,Ｄ６３,Ｄ６４,Ｄ６６…と、走査線ＳＬ７にアノードＡが接続された発光ダイオード(図示せず)とが発光する。
【０１２６】
一方、上述の時刻ｔ＝ｔ８での制御では、４本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードＤ４１〜Ｄ７ｎのうち、走査線ＳＬ４にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ４３,Ｄ４６…と、走査線ＳＬ５にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ５１,Ｄ５２,Ｄ５４,Ｄ５５…と、走査線ＳＬ６にカソードＫが接続された発光ダイオードＤ６５…と、走査線ＳＬ７にカソードＫが接続された発光ダイオード(図示せず)とが発光しない。
【０１２７】
このように、上記時刻ｔ＝ｔ５,ｔ６,ｔ７,ｔ８での第２の駆動制御によって、走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードのうちの第２の発光ダイオード６、走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオードのうちの第２の発光ダイオード６、走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオードのうちの第２の発光ダイオード６、走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオードのうちの第２の発光ダイオード６が順に発光させられる。
【０１２８】
したがって、この第２実施形態では、上記駆動制御部をなす行駆動回路２１と列駆動回路２２による時刻ｔ１〜ｔ４での第１の駆動制御によって、順次、走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオード、の４行ずつの発光ダイオードについて、第１の発光ダイオード５のみを発光させる。
【０１２９】
続いて、時刻ｔ５〜ｔ８での第２の駆動制御によって、順次、走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ２〜ＳＬ５に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ３〜ＳＬ６に接続された４行の発光ダイオード、走査線ＳＬ４〜ＳＬ７に接続された４行の発光ダイオード、の４行ずつの発光ダイオードについて、第２の発光ダイオード６のみを発光させる。
【０１３０】
すなわち、この第２実施形態では、順に或る４行の発光ダイオード,上記或る４行から１行分,２行分,３行分ずれた各４行の発光ダイオードの第１の発光ダイオード５を発光させた後に、順に上記或る４行の発光ダイオード,上記或る４行から１行分,２行分,３行分ずれた各４行の発光ダイオードの第２の発光ダイオード６を発光させる。
【０１３１】
このような第２実施形態による発光ダイオードの駆動制御によれば、或る４行の発光ダイオードについて、第１のダイオード５を発光させるのに続いて第２のダイオード６を発光させ、次に、１行分ずれた次の４行の発光ダイオードについて、第１の発光ダイオード５を発光させるのに続いて第２のダイオード６を発光させる制御に比べて、通電方向を切り替える回数を低減できると共に単位時間当たりの点灯面積の増大を図れ、画像のちらつきを低減できる。
【０１３２】
また、この第２実施形態によれば、４本の走査線を同時に選択しているので、第１実施形態に比べて、画像のちらつきを低減できる。また、この第２実施形態によれば、単位時間当たりに発光ダイオードが点灯している面積を、第１実施形態よりもさらに増大させることができ、画像のちらつきをさらに低減できる。
【０１３３】
なお、上記実施形態では、一行ずつ走査線をずらして発光させていたが、例えば、ｎ行(ｎは２以上の整数)ずつ走査線をずらして発光させても構わない。
【０１３４】
例えば、時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４に、それぞれ、１行目〜４行目、３行目〜６行目、５行目〜８行目、７行目〜１０行目の第１の発光ダイオード５を発光させ、次に、時刻ｔ５、ｔ６、ｔ７、ｔ８に、それぞれ、１行目〜４行目、３行目〜６行目、５行目〜８行目、７行目〜１０行目の第２の発光ダイオード６を発光させる。
【０１３５】
次に、時刻ｔ９、ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２に、それぞれ、２行目〜５行目、４行目〜７行目、６行目〜９行目、８行目〜１１行目の第１の発光ダイオード５を発光させ、次に、時刻ｔ９、ｔ１０、ｔ１１、ｔ１２に２行目〜５行目、４行目〜７行目、６行目〜９行目、８行目〜１１行目の第２の発光ダイオード６を発光させる制御を行っても構わない。
【０１３６】
上記制御を行うことにより、単位時間当たりの点灯面積をさらに増大させることが可能となり、画面のちらつきをより低減することが可能となる。
【０１３７】
尚、上記第１,第２実施形態では、図３Ａ,図３Ｂに示されるような棒状構造の発光ダイオードを採用したが、図１３Ａ〜図１３Ｃに示されるような製造工程で作製される短冊状構造の発光ダイオードを採用してもよい。この発光ダイオード２１０の製造工程を、図１３Ａ〜図１３Ｃを参照して説明する。
【０１３８】
まず、図１３Ａに示すように、サファイア基板２００上に、ＡｌＮなどからなるバッファ層２０１、ｎ型ＧａＮ層２０２、多重量子井戸(ＭＱＷ)層２０３、ｐ型ＧａＮ層２０５、透明電極２０６を順に形成する。
【０１３９】
次に、図１３Ｂに示すように、フォトリソグラフィーを用い、およびエッチングにより、短冊状パターンの一方の端部の透明電極２０６,ｐ型ＧａＮ層２０５,多重量子井戸(ＭＱＷ)層２０３のみをエッチングして、ｎ型ＧａＮ層２０２を露出させる。この後、ＳｉＯ２などからなる絶縁膜２０７を形成し、サファイア基板２００およびバッファ層２０１を、除去する。この除去は、一例として、研磨、ウエットエッチング等によりなされる。次に、エッチングもしくは物理的切断等により、複数の短冊状の発光ダイオード２１０を形成する。
【０１４０】
この複数の短冊状の発光ダイオード２１０は、例えば、第１実施形態で図５を参照して説明したのと同様にして、絶縁基板の第１,第２の電極間に配列することができる。この場合、上記第１,第２の電極上には、絶縁膜が形成されているものとする。なお、図１３Ｂ,図１３Ｃでは、上記絶縁基板および第１,第２の電極の図示を省略している。
【０１４１】
次に、図１３Ｃに示すように、上記短冊状の発光ダイオード２１０の配列後、フォトリソグラフィーにより、上記発光ダイオード２１０の長手方向の一端部のｎ型ＧａＮ層２０２に引き出し電極２１２を形成し、上記発光ダイオード２１０の長手方向の一端部の透明電極２０６に引き出し電極２１３を形成する。上記引き出し電極２１２,２１３は、上記第１,第２の電極に電気的に接続される。
【０１４２】
また、上記実施形態では、図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明したように、基板７１から結晶成長させて棒状の半導体コア７３を形成したが、基板上に形成した半導体層をエッチングして棒状の半導体コアを形成し、この半導体コアを覆う半導体層を形成してもよい。また、上記実施形態において、上記発光ダイオードの最大寸法が１００μｍ以下であることが好ましい。発光ダイオードの最大寸法が１００μｍ以下の微細な場合は、発光ダイオードの向きがランダムでよい本発明に好適となる。また、発光ダイオードのサイズが小さいので、熱が発光領域に篭らず、熱による出力低下や寿命低下を防ぐことができる。
【０１４３】
また、上記第１実施形態では、４本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ４に接続された４行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行い、次に、４本の走査線ＳＬ５〜ＳＬ８に接続された４行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行ったが、３本の走査線ＳＬ１〜ＳＬ３に接続された３行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行い、次に、３本の走査線ＳＬ４〜ＳＬ６に接続された３行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行ってもよい。また、２本の走査線ＳＬ１,ＳＬ２に接続された２行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行い、次に、２本の走査線ＳＬ３,ＳＬ４に接続された２行の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行ってもよい。さらに、５本以上の走査線に接続された５行以上の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行い、次に、上記５本以上の走査線の次の５本以上の走査線に接続された５行以上の発光ダイオードについて、第１〜第３の駆動制御を行ってもよい。
【０１４４】
また、上記第２実施形態では、第１の方向に隣り合う４行の発光ダイオードを１単位として第１,第２,第３の駆動制御を行ったが、第１の方向に隣り合う２行もしくは３行あるいは５行以上の発光ダイオードを１単位として第１,第２,第３の駆動制御を行ってもよい。
【符号の説明】
【０１４５】
１  絶縁性基板
２,５２  第１の電極
３  第２の電極
３Ａ  突起部
５  第１の発光ダイオード
６  第２の発光ダイオード
７  配線
７Ａ  接続部
１１  赤色蛍光体
１２  緑色蛍光体
１３  青色蛍光体
２１  行駆動回路
２２  列駆動回路
３１  コア部
３２  外周面
３３  シェル部
３５  接合面
７１  基板
７２  マスク
７２ａ  成長穴
７３  半導体コア
７４  半導体層
２００  ＳＯＩ基板
２０１  シリコン基板
２０２  ＢＯＸ層
２０３  ＳＯＩ層
２０５  ｎ型不純物領域
２０６  ｐ型不純物領域
２０７  トレンチ
２１０  板状の発光ダイオード
Ａ  アノード
Ｋ  カソード
ＤＬ１〜ＤＬｎ  データ線
ＤＬＧ１〜ＤＬＧｎ  データ線群
ＳＬ１〜ＳＬｍ  走査線
【図１】
2014072215.tif 000003
【図２】
2014072215.tif 000004
【図３Ａ】
2014072215.tif 000005
【図３Ｂ】
2014072215.tif 000006
【図４Ａ】
2014072215.tif 000007
【図４Ｂ】
2014072215.tif 000008
【図４Ｃ】
2014072215.tif 000009
【図４Ｄ】
2014072215.tif 000010
【図４Ｅ】
2014072215.tif 000011
【図５】
2014072215.tif 000012
【図６】
2014072215.tif 000013
【図７】
2014072215.tif 000014
【図８】
2014072215.tif 000015
【図９】
2014072215.tif 000016
【図１０】
2014072215.tif 000017
【図１１】
2014072215.tif 000018
【図１２】
2014072215.tif 000019
【図１３Ａ】
2014072215.tif 000020
【図１３Ｂ】
2014072215.tif 000021
【図１３Ｃ】
2014072215.tif 000022