(57)【要約】【課題】  台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、仮止め用シートを台座上に配置するとともに、仮止め用シートと台座端部の傾斜部分との間に仮止めシートよりも接着力の高い接着剤層を形成して、仮止め用シートを台座に固定する工程と、台座に固定された仮止め用シート上に、配線を形成する工程と、配線にワークを実装する工程と、実装の後、接着剤層を仮止め用シートから分離することにより、配線付きのワークを、台座から分離する工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】  図６
2014072442.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
仮止め用シートを台座上に配置するとともに、前記仮止め用シートと台座端部の傾斜部分との間に前記仮止めシートよりも接着力の高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを台座に固定する工程と、
前記台座に固定された前記仮止め用シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着剤層を前記仮止め用シートから分離することにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記分離する工程は、前記実装の後、前記仮止め用シートから前記接着剤層が分離するように切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記分離する工程は、前記実装の後、前記配線に切り込みが入らない態様で、前記切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、台座上にデバイスを仮固定した後、デバイスに対して所定の処理を行い、その後、台座を分離するといった工程が行なわれることがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。特許文献１には、第１基板と第２基板とが接着した状態で希望する処理工程を行い、その後、第１基板と第２基板とを分離することが開示されている。分離においては、まず、エッジボンドを溶媒に溶解するか、レーザー切断した後、低機械力を加えることにより第１基板と第２基板とを分離している。
【０００４】
また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合してなる積層体を提供し、前記積層体を、前記接合層を軟化させるのに十分な温度に暴露し、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離することを含むウエハの接合方法が開示されている。
【０００５】
一方、従来、チップを外部の配線に接続（実装）する方法として、該チップの電極位置に配線の特定部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。外部の配線とは、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などに形成されている配線等、チップとは別に形成されている配線である。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある。
【０００６】
前記のようなインターポーザなどのフレキシブルな配線回路基板は、そのフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。よって、従来では、まず、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を持った該配線回路基板とし、工程での取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、剛体であるチップが実装された後に金属支持基板を除去するといった方法が用いられている。
【０００７】
従来では、上記説明のとおり、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、チップ実装された後に金属支持基板を除去するといった加工を行っている。ここで、金属支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、チップ実装の後、該金属支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。しかしながら、エッチングによって金属支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、製造コストが高くなっていることも問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献１で開示されているような充填層及びエッジボンドを利用して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。また、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献２で開示されているような接合用組成物層を介して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。
【００１０】
特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、溶液状の材料をスピンコート等により一方の基板に塗布して形成されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１００μｍ程度の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が荒くなり、所望の接着力が得られない場合があるといった問題がある。また、特に、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半は、基板外に飛散するため、材料が無駄になるといった問題がある。また、材料が、接着用の粘度の高いものであるため、飛散した材料によるスピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要するといった問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
仮止め用シートを台座上に配置するとともに、前記仮止め用シートと台座端部の傾斜部分との間に前記仮止めシートよりも接着力の高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを台座に固定する工程と、
前記台座に固定された前記仮止め用シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着剤層を前記仮止め用シートから分離することにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記構成によれば、仮止め用シートを台座に固定し、前記台座に固定後の前記仮止め用シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記仮止め用シートは、シート状であるため、台座に固定するだけで簡便に使用することができる。また、シート状の仮止め用シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、仮止め用シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の仮止め用シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記構成によれば、仮止め用シートを台座上に配置するとともに、前記仮止め用シートと台座端部の傾斜部分との間に前記仮止めシートよりも接着力の高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを台座に固定する。仮止め用シートの台座への固定は、主に台座端部の傾斜部分に形成された接着剤層により行なわれているため、分離する工程において、前記接着剤層を前記仮止め用シートから分離すれば、外力により、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。接着剤層を仮止め用シートから分離する方法としては、溶剤により前記接着剤層を溶解させて接着剤層を仮止め用シートから分離する方法、前記仮止め用シートに、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて接着剤層を仮止め用シートから分離する方法、前記接着剤層を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させ、前記接着剤層を仮止め用シートから分離する方法等を挙げることができる。上記構成においては、前記接着剤層が台座端部の傾斜部分に形成されているため、分離する工程において、前記接着剤層を溶剤により溶解させたり、前記仮止め用シートをカッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、前記接着剤層の接着力を低下させ易い。なお、本発明において、接着剤層の接着力、及び、仮止め用シートの接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。例えば、台座に貼り付けた後にイミド化や熱硬化等を行なうことにより、仮止め用シートや接着剤層の接着力が台座に貼り付ける前後で変化する場合には、台座に貼り付けた後の状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における仮止め用シートや接着剤層の、シリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。また、本発明において、ワークとは、回路が形成されていないウエハ、回路が形成されているウエハ、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップ（回路が形成されている個片化されたウエハ）を含む。なかでも、本発明のワークは、回路が形成されていない個片化されたウエハ、又は、半導体チップであることが好ましい。なお、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップは、チップ状ワークとも呼ぶ。
【００１４】
前記構成において、前記分離する工程は、前記実装の後、前記仮止め用シートから前記接着剤層が分離するように切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程であることが好ましい。前記仮止め用シートに切り込みを入れればよいため、簡便に配線付きのワークを、台座から分離可能であるからである。
【００１５】
前記構成において、前記分離する工程は、前記実装の後、前記配線に切り込みが入らない態様で、前記切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程であることが好ましい。前記配線に切り込みが入らない態様で、前記切り込みを入れると、平面視で、台座の面積とほぼ同じ面積で、デバイス（配線付きのワーク）を得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図８】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図９】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１０】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１１】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１２】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１３】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１４】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１５】図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１６】他の実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、仮止め用シートを台座上に配置するとともに、前記仮止め用シートと台座端部の傾斜部分との間に前記仮止めシートよりも接着力の高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを台座に固定する工程と、前記台座に固定された前記仮止め用シート上に、配線を形成する工程と、前記配線にワークを実装する工程と、前記実装の後、前記接着剤層を前記仮止め用シートから分離することにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。尚、本発明で用いている「上面」、「下面」など、上下を示す語句は、あくまで層の位置関係を説明するためのものであって、仮止め用シートや半導体装置の実際の上下の姿勢を限定するものではない。なお、以下の実施形態では、本発明のワークが、半導体チップである場合について説明するが、この例に限定されず、回路が形成されていないウエハであってもよく、回路が形成されているウエハであってもよく、回路が形成されていない個片化されたウエハであってもよい。
【００２０】
［仮止め用シートを台座に固定する工程］
図１〜図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。図１（ａ）は、仮止め用シートを台座に固定した状態を示す図であり、図１（ｂ）は、その部分拡大図である。まず、図１（ａ）、及び、図１（ｂ）に示すように、仮止め用シート５を台座１上に配置するとともに、仮止め用シート５と台座端部の傾斜部分１１との間に仮止めシート５よりも接着力の高い接着剤層５０を形成して、仮止め用シート５を台座１に固定する。具体的には、例えば、まず、仮止め用シート５を台座１上に配置し、次に、仮止め用シート５と台座端部の傾斜部分１１との間に液状の接着剤組成物を塗布し、乾燥等させることにより、接着剤層５０を形成して、仮止め用シート５を台座１に固定する方法が挙げられる。また、仮止め用シート５の外周部分（傾斜部分１１に対応する部分）にシート状物としての接着剤層５０を予め設けておき、仮止め用シート５を台座１上に配置した際に、当該接着剤層５０を、台座１の傾斜部分１１に貼り付けることより、仮止め用シート５を台座１に固定する方法が挙げられる。また、仮止め用シート５の外周部分（傾斜部分１１に対応する部分）に液状の接着剤層形成用溶液を塗布（例えば、スプレー塗布）しておき、仮止め用シート５を台座１上に配置する際に、当該塗布した部分を台座１の傾斜部分１１に対応させて配置し、その後、硬化させて接着剤層５０とすることにより、仮止め用シート５を台座１に固定する方法が挙げられる。
本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、仮止め用シート５の端部が、台座１の端部よりも内側、且つ、台座１の傾斜部分の傾斜開始位置よりも外側であることが好ましい。
具体的には、台座１の端部と仮止め用シート５の端部との横方向（仮止め用シートの面に水平方向）の距離をＤ１（図１（ｂ）参照）とすると、Ｄ１は、台座１のアール半径Ｄ２（図１（ｂ）参照）の１０分の１、すなわち、（Ｄ２）／１０よりも大きいことが好ましい。
また、Ｄ１は、Ｄ２の３分の２、すなわち、（Ｄ２）×（２／３）よりも小さいことが好ましい。Ｄ１が、Ｄ２の１０分の１よりも大きいと、仮止め用シート５が他の部材（例えば、搬送に使用するカセット）に触れ、めくれ上がることを防止することができる。また、Ｄ１が、Ｄ２の３分の２よりも小さいと、接着剤剤層５０による接着部分の面積をある程度確保でき、接着信頼性に優れる。なお、前記Ｄ２は、通常、０．１〜０．４ｍｍである。Ｄ１を、（Ｄ２）／１０よりも大きくすることにより、カセット収納時などに接着剤層が擦れ、異物発生の原因となることを抑制することができる。
【００２１】
［配線を形成する工程］
次に、仮止め用シート５上に、半導体チップ３の電極３１に接続し得る接続用導体部２１と配線２６を有する配線層２を、接続用導体部２１が配線層２の上面に露出するように形成する（図２参照）。配線層２は、仮止め用シート５側に、外部と電気的な接続を行なうための外部接続用導体部２２を有する。なお、図２では、接続用導体部２１が配線層２の上面に凸状に露出している場合を示しているが、本発明において接続用導体部は、配線層の上面に露出してればよく、接続用導体部の上面が、配線層の上面と面一であってもよい。
【００２２】
［半導体チップを実装する工程］
次に、図３に示すように、配線層２の接続用導体部２１と半導体チップ３の電極３１とを接続して、配線層２（配線２６）に半導体チップ３を実装する。図３では、実装後の接続用導体部２１、電極３１のそれぞれの突起を省略して示している。なお、図３では、配線層２に複数の半導体チップ３が実装される場合を示しているが、配線層に実装する半導体チップの数は、特に限定されず、１つであってもよい。
【００２３】
次に、図４に示すように、必要に応じて、半導体チップ３を覆うように樹脂３２による樹脂封止を行なう。樹脂封止に用いる樹脂３２は、従来公知のもの等を適宜用いることができ、樹脂封止方法についても、従来公知の方法を採用することができる。
【００２４】
［台座から分離する工程］
次に、接着剤層５０を仮止め用シート５から分離することにより、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する（図５参照）。仮止め用シート５の台座１への固定は、主に台座端部の傾斜部分１１に形成された接着剤層５０により行なわれているため、接着剤層５０を仮止め用シート５から分離すれば、外力により、容易に台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。接着剤層５０を仮止め用シート５から分離する方法としては、溶剤により接着剤層５０を溶解させて接着剤層５０を仮止め用シート５から分離する方法、仮止め用シート５に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて接着剤層５０を仮止め用シート５から分離する方法、接着剤層５０を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させ、接着剤層５０を仮止め用シート５から分離する方法等を挙げることができる。本実施形態においては、接着剤層５０が台座端部の傾斜部分１１に形成されているため、接着剤層５０を溶剤により溶解させたり、仮止め用シート５をカッターやレーザー等により物理的に切り込みを入れたりして、接着剤層５０の接着力を低下させ易い。なかでも、仮止め用シート５から接着剤層５０が分離するように切り込みを入れることにより、配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離することが好ましい。仮止め用シート５に切り込みを入れればよいため、簡便に配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離可能であるからである。接着剤層５０に切り込みを入れる場合、配線２６（図２参照）に切り込みが入らない程度で、配線層２に切り込みが入ってもよいが、図６に示すように、配線層２に切り込みが入らないように、仮止め用シート５に切り込みを入れることが好ましい。配線層２に切り込みが入らないように、仮止め用シート５に切り込みを入れると、平面視で、台座１の面積とほぼ同じ面積でデバイス（配線層２付きの半導体チップ３）を得ることが可能となるからである。配線層２に切り込みが入らないように仮止め用シート５に切り込みを入れる方法としては、図６に示すように、斜め上方向から仮止め用シート５のみにカッター等の刃物やレーザーによる切り込み１４を形成する方法が挙げられる。また、横方向から接着剤剤層５０と仮止め用シート５との界面にカッター等の刃物やレーザーによる切り込みを形成する方法も挙げられる。
【００２５】
その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図７参照）。なお、台座１を剥離した配線層２に対して、ハンダボールを付与するといった加工を施してもよい。
【００２６】
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明した。以下、図８〜図１５を参照しながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。図８〜図１５は、図７に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【００２７】
〔仮止め用シートを台座に固定する工程〕
まず、台座１を準備する（図８参照）。台座１は、一定以上の強度を有することが好ましい。
【００２８】
台座１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
【００２９】
また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００３０】
台座１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００３１】
次に、仮止め用シート５を台座１上に配置するとともに、仮止め用シート５と台座端部の傾斜部分１１との間に仮止めシート５よりも接着力の高い接着剤層５０を形成して、仮止め用シート５を台座１に固定する。
【００３２】
接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては、接着剤層５０の接着力が、仮止めシート５よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。このような接着剤層５０を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したもの等を挙げることができる。
【００３３】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００３４】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００３５】
前記ポリイミド樹脂は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、接着剤層５０を加熱すると、接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、加熱されることにより、前記エーテル構造が接着剤層５０を構成する樹脂から脱離し、この脱離により接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が接着剤層５０を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ−ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００〜３０００ｃｍ−１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
【００３６】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００３７】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する接着剤層５０をえやすい。
【００３８】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００３９】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００４０】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００４１】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４２】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００４３】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００４４】
接着剤層５０に前記シリコーン樹脂を用いる場合、接着剤層５０には、必要に応じて、他の添加剤を含有し得る。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００４５】
仮止め用シート５１を構成する組成物としては、仮止め用シート５１の接着力が、接着剤層５０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。このような仮止め用シート５１を構成する材料としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ等の無機材料を挙げることができる。
【００４６】
また、仮止め用シート５１を構成する組成物としては、前記接着剤層５０を構成する接着剤組成物として説明した前記ポリイミド樹脂を用いてもよく、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を用いてもよく、前記シリコーン樹脂を用いてもよく、前記熱可塑性樹脂と前記熱硬化性樹脂とを併用したものを用いてもよい。
【００４７】
（仮止め用シートの製造）
仮止め用シート５は、例えば、次の通りにして作製される。まず、仮止め用シート５を形成するための組成物を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる。前記基材としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。これにより、本実施形態に係る仮止め用シート５が得られる。
【００４８】
次に、仮止め用シート５を台座１上に配置するとともに、仮止め用シート５と台座端部の傾斜部分１１との間に接着剤層５０を形成して、仮止め用シート５を台座１に固定する（図８参照）。
【００４９】
〔配線回路基板の形成〕
次に、台座１の仮止め用シート５上に配線層２を形成する。仮止め用シートを有する台座上に配線回路基板を形成する方法には、セミアディティブ法や、サブトラクティブ法など、従来公知の回路基板やインターポーザの製造技術を適用してもよい。台座上に配線回路基板を形成することにより、製造工程中、寸法安定性が良好となり、また、薄い配線回路基板の取り扱い性が良好となる。以下、配線回路基板の形成方法の一例を示す。なお、図９〜図１５では、１の半導体チップに対応する部分のみを図示し、その他を省略しているが、他の半導体チップに対応する部分も同様である。
【００５０】
〔ベース絶縁層の形成〕
図９に示すように、ベース絶縁層２０ａを台座１の仮止め用シート５上に形成する。ベース絶縁層２０ａの材料としては、特に限定はされないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、並びに、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２や鉱物、粘土などの微粒子との複合した樹脂などが挙げられる。特に、台座１を剥離した後、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルな絶縁層となる点からは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂が好ましい材料として挙げられる。なかでも、感光性を有するものが好ましい。ベース絶縁層２０ａの厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。
【００５１】
次に、外部接続用導体部２２を形成すべき位置に、開口ｈ１を形成する（図１０参照）。開口ｈ１の形成方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、感光性を有する樹脂を用いてベース絶縁層２０ａを形成した場合、開口ｈ１に対応するパターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射した後、現像することにより、開口ｈ１を形成することができる。開口形状は特に限定されないが、円形が好ましく、直径も適宜設定可能であるが、例えば、１．０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００５２】
〔接点用の金属膜の形成〕
次に、開口ｈ１に接点用の金属膜２１１を形成する（図１１参照）。金属膜２１１を形成することにより、電気的な接続をより好ましく行い、耐食性を高めることができる。金属膜２１１の形成方法は特に限定されないが、めっきが好ましく、該金属膜の材料としては、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが挙げられる。これらの中でも好ましい材料としては、金、錫、ニッケルなどが挙げられ、下地層をＮｉとし、表層をＡｕとする２層構造などが好ましい金属膜の態様として挙げられる。
【００５３】
〔種膜、下側の導通路、導体層の形成〕
次に、必要に応じて、導体層２３、及び、導通路２５となるべきとなるべき部分の壁面に金属材料を良好に堆積させるための種膜（金属薄膜）２３ａを形成する（図１２参照）。種膜２３ａは、例えば、スパッタリングによって形成することができる。種膜の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが用いられる。導体層２３の厚さは、特に限定はされないが、１〜５００ｎｍの範囲で適宜選択すればよい。また、導通路２５は円柱状が好ましい形状であって、その直径は１．０〜５００μｍ、好ましくは、３．０〜３００μｍである。その後、所定の配線パターンを有する導体層２３、導通路２５を形成する。配線パターンは、例えば、電解めっきにより形成することができる。その後、導体層２３の無い部分の種膜を除去する。
【００５４】
次に、図１３に示すように、導体層２３の上をめっきレジストｒ１にて覆い（導通路を形成すべき部分は除く）、かつ、台座１の下面を全面的にレジストｒ２にて覆い、電解めっきにより、導通路２４を形成する。
【００５５】
〔接着剤層の形成〕
次に、めっきレジストｒ１、ｒ２を除去し、露出した導体層２３および導通路２４を埋没させるように、エポキシ及びポリイミドを主成分とする接着剤層２０ｂを形成し、導通路２４の上端面が端子部として接着層上面に露出するように、該接着層をアルカリ性溶液などにてエッチングする（図１４参照）。
【００５６】
〔接続用導体部の端面への金属膜の形成〕
次に、図１５に示すように、導通路２４の上端面に、例えば、電解めっきにより、接続用導体部２１を形成する。接続用導体部２１は、例えば、ニッケル膜、金膜等により、形成することができる。
【００５７】
〔実装工程、剥離工程、ダイシング〕
次に、上記で得た配線層２（台座１が剥離可能に付いたもの）に対して、チップを実装する（図３参照）。その後、接着剤層２０ｂのエージングを行い、さらに、必要に応じて配線層２上の各チップ３に樹脂封止を施す（図４参照）。なお、樹脂封止には、シート状の封止用樹脂シートを用いてもよく、液状の樹脂封止材を用いてもよい。その後、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する（図５参照）。なお、樹脂封止を行なわなかった場合には、樹脂封止されていない配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図７参照）。なお、配線層２に対して、チップを実装する（フリップチップ接続）際には、配線層２とチップの間にアンダーフィル用の樹脂を用いてもよい。アンダーフィル用の樹脂は、シート状のものであってもよく、液状のものであってもよい。また、上述した実施形態では、チップを実装後、樹脂封止を施す場合について説明したが、樹脂封止する代わりに、チップ上に従来公知のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが形成されたものを用いてもよい。前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続されたチップ（半導体素子）の裏面に形成するためのフィルムであり、詳細は、例えば、特開２０１１−２４９７３９号公報等に開示されているため、ここでの説明は省略する。
【００５８】
上述した実施形態では、接着剤層が台座の傾斜部分にのみ形成する場合について説明した。しかしながら、本発明においては、この例に限定されず、傾斜部分からさらに内側（台座の中央側）にわたって接着剤層を形成してもよい。
【００５９】
図１６は、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。図１６を用いて説明する他の実施形態においては、仮止め用シートを台座に固定する工程、及び、台座から分離する工程以外は、上述した実施形態とほぼ同様であるから、その説明は省略し、以下では、仮止め用シートを台座に固定する工程、及び、台座から分離する工程について説明することとする。
【００６０】
［仮止め用シートを台座に固定する工程］
図１６に示すように、仮止め用シート１０５は、外周部分（台座の傾斜部分、及び、前記傾斜部分よりも内側の部分）に凹部１０５ａを有する。本実施形態では、まず、図１６に示すように、仮止め用シート１０５を台座１上に配置するとともに、台座端部の傾斜部分１１及び凹部１０５ａの部分に仮止めシート１０５よりも接着力の高い接着剤層１５０を形成して、仮止め用シート１０５を台座１に固定する。具体的には、例えば、まず、凹部１０５ａを有する仮止め用シート１０５を台座１上に配置し、次に、傾斜部分１１及び凹部１０５ａの部分に液状の接着剤組成物を塗布し、乾燥等させることにより、接着剤層１５０を形成して、仮止め用シート１０５を台座１に固定する方法が挙げられる。また、凹部１０５ａを有する仮止め用シート１０５の傾斜部分１１に対応する部分、及び、凹部１０５ａの部分にシート状物としての接着剤層１５０を予め設けておき、仮止め用シート１０５を台座１上に配置した際に、当該接着剤層１５０を、台座１の傾斜部分１１が含まれるように貼り付けることより、仮止め用シート１０５を台座１に固定する方法が挙げられる。また、仮止め用シート１０５の傾斜部分１１に対応する部分、及び、凹部１０５ａの部分に液状の接着剤層形成用溶液を塗布（例えば、スプレー塗布）しておき、仮止め用シート１０５を台座１上に配置する際に、当該塗布した部分を台座１の傾斜部分１１が含まれるように配置し、その後、硬化させて接着剤層１５０とすることにより、仮止め用シート１０５を台座１に固定する方法が挙げられる。本実施形態では、図１６に示す通り、仮止め用シート１０５の端部が、台座１の端部と一致している。しかしながら、本発明において、仮止め用シートの端部は、この例に限定されず、仮止め用シートを接着剤層により台座に固定できる範囲内において、台座の端部よりも所定の距離（例えば、１０ｍｍ）内側であってもよい。
【００６１】
［台座から分離する工程］
本台座から分離する工程では、接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離することにより、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。仮止め用シート１０５の台座１への固定は、主に台座端部の傾斜部分１１及び傾斜部分１１からさらに内側にわたって形成された接着剤層１５０により行なわれているため、接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離すれば、外力により、容易に台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離する方法としては、溶剤により接着剤層１５０を溶解させて接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離する方法、仮止め用シート１０５に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離する方法、接着剤層１５０を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させ、接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離する方法等を挙げることができる。本実施形態においては、接着剤層１５０が台座端部の傾斜部分１１からさらに内側にわたって形成されているため、図１６に示すように、半導体チップ３側から、接着シート１０５に達するまで切り込み１６５を入れることが好ましい。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。また、上述した実施形態と同様に、配線層２に切り込みが入らないように、斜め上方向から仮止め用シート１０５のみに切り込みを入れてもよい。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、仮止め用シート１０５のみを介して対向することとなる。その後、外力を加えることにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離する。この際、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、比較的接着力の低い仮止め用シート１０５のみを介して対向しているため、外力により、容易に台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。切り込みの形成方法としては、従来公知の方法等を採用することができ、カッター等の刃物やレーザー等による高エネルギー線を用いることができる。
【００６２】
上述した実施形態では、外周部分（台座の傾斜部分、及び、前記傾斜部分よりも内側の部分）に凹部１０５ａを有する仮止め用シート１０５を用い、図１６に示すように、半導体チップ３側から、接着シート１０５に達するまで切り込み１６５を入れることにより、接着剤層１５０を仮止め用シート１０５から分離する場合について説明した。しかしながら、本発明はこの例に限定されず、外周部分に凹部を有さない仮止め用シート（例えば、図１（ａ）に示した仮止め用シート５）を用い、半導体チップ側から、接着シートに達するまで切り込みを入れることにより、接着剤層を仮止め用シートから分離してもよい。
【００６３】
上述した実施形態では、配線が配線層として形成されている場合について説明した。しかしながら、本発明における配線は、この例に限定されない。本発明の配線は、配線層として形成されなくてもよく、例えば、配線が単体で接着シート上に形成されていてもよい。
【００６４】
本発明における半導体装置の製造方法は、仮止め用シートが固定された台座（例えば、長尺の台座）に、配線を形成し、前記配線に複数のワークを実装し、樹脂封止を行ない、その後、裁断して複数の半導体装置を得る方法を含む。当該半導体装置の製造方法によれば、１の台座上で複数の半導体装置のための配線を形成することができる。また、本発明における半導体装置の製造方法は、仮止め用シートが固定された台座に、配線を形成し、前記配線に１のワークを実装し、樹脂封止を行なうことにより１の半導体装置を得る方法も含む。
以上、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例について説明したが、本発明における半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されず、本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。
【実施例】
【００６５】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の要旨をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００６６】
実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
ＳＤ４５８７Ｌ  ＰＳＡ：東レダウ製、シリコーン樹脂
ＳＲＸ２１２：東レダウ製、硬化剤
【００６７】
（実施例１）
＜仮止め用シート用溶液、接着剤層用溶液の作製＞
窒素気流下の雰囲気において、２５０８ｇのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（Ｄ−４０００）２７．６７ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）９０．４３ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）１００ｇを７０℃で混合して反応させ、仮止め用シート用溶液（ポリアミド酸溶液Ａ）を得た。得られた仮止め用シート用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
表１の配合に従った点以外は仮止め用シート用溶液と同様の方法で接着剤層用溶液（ポリアミド酸溶液Ｂ）を得た。得られた接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
＜仮止め用シート＞
仮止め用シート用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、仮止め用シートＡを得た。
＜接着剤層付き仮止め用シート＞
得られた仮止め用シートＡを２枚用い、１枚については台座よりも半径が０．５ｍｍ小さい円形に打ち抜き、他の１枚については台座よりも半径が０．３ｍｍ小さい円形に打ち抜き、これらを貼り合せて凹部を形成した（図１６参照）。この凹部の部分に接着剤層溶液を塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。これを接着剤層付き仮止め用シートＡとした。
【００６８】
（実施例２）
表１の配合に従った点以外は実施例１の仮止め用シートＡと同様の方法で、仮止め用シートＢを得た。また、表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、接着剤層用溶液を作製した。
＜接着剤層付き仮止め用シート＞
得られた仮止め用シートＢを台座よりも半径が０．１ｍｍ小さい円形に打ち抜いた。打ち抜いた後の仮止め用シートＢを台座に載置するとともに、台座の傾斜部に接着剤層溶液を塗布し、９０℃で３分間乾燥させた（図１（ｂ）参照）。これを接着剤層付き仮止め用シートＢとした。
【００６９】
（実施例３）
表１の配合に従った点以外は実施例１の仮止め用シートＡと同様の方法で、仮止め用シートＣを得た。また、表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、接着剤層用溶液を作製した。
＜接着剤層付き仮止め用シート＞
得られた仮止め用シートＣを２枚用い、１枚については台座よりも半径が２ｍｍ小さい円形に打ち抜き、他の１枚については台座よりも半径が０．３ｍｍ小さい円形に打ち抜き、これらを貼り合せて凹部を形成した（図１６参照）。この凹部の部分に接着剤層溶液を塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。これを接着剤層付き仮止め用シートＣとした。
【００７０】
（比較例１）
実施例１と同様の接着剤層用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、接着剤層からなる単層の接着シートＦを得た。
【００７１】
＜剥離力の測定＞
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように実施例１に係る組成の仮止め用シート、実施例２に係る組成の仮止め用シート、実施例３に係る組成の仮止め用シートをそれぞれ作成した。
実施例１〜３に係る仮止め用シートを８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き仮止め用シートを得た。
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように、実施例１に係る組成の接着剤層、実施例２に係る組成の接着剤層、実施例３に係る組成の接着剤層、比較例１に係る組成の接着剤層をそれぞれ作成した。
実施例１〜３、比較例１に係る接着剤層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き接着剤層を得た。
各サンプル（仮止め用シート、又は、接着剤層）を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
【００７２】
＜プロセス耐性評価＞
実施例１に係る接着剤層付き仮止め用シートＡを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした。この際、接着剤層付き仮止め用シートＡの接着剤層が台座の傾斜部分に位置するように貼り付けた。これにより、台座付き仮止め用シートＡを得た。次に、セミアディティブ工法にて、仮止め用シートＡ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
実施例２に係る仮止め用シートＢを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした。次に、台座端部の傾斜部分に実施例２に係る接着剤層用溶液を塗布し、温度１２０℃で、１０分加熱して硬化させた。これにより、台座付き仮止め用シートＢを得た。次に、セミアディティブ工法にて、仮止め用シートＢ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座の端部の傾斜部分に実施例３に係る接着剤層用溶液を塗布した。次に、実施例３に係る仮止め用シートＣを、前記台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした。その後、温度１５０℃で、５分加熱して接着剤層用溶液を硬化させた。これにより、台座付き仮止め用シートＣを得た。次に、セミアディティブ工法にて、仮止め用シートＣ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
比較例１に係る接着シートＦを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした。これにより、台座付き接着剤層Ｆを得た。次に、セミアディティブ工法にて、接着剤層Ｆ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
【００７３】
＜剥離性評価＞
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例１に係る台座付き仮止め用シートＡを得た。次に、台座とは反対側からレーザー（ＹＡＧレーザー、出力１．５Ｗ）を照射し、台座面までカットした。この際、カットは、接着剤層よりも内側とした（図１６参照）。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例２に係る台座付き仮止め用シートＢを得た。次に、カッターにて、斜め上方向から仮止め用シートのみをカットした（図６参照）。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例３に係る台座付き仮止め用シートＣを得た。次に、カッターにて、斜め上方向から仮止め用シートのみをカットした（図６参照）。
上記プロセス耐性評価と同様にして比較例１に係る台座付き接着剤層Ｆを得た。次に、カッターにて、斜め上方向から接着剤層Ｆのみをカットした。
上記カット後の仮止め用シートＡ〜Ｃの中央部、及び、接着剤層Ｆの中央部を、真空ピンセットで吸着させ、上側に引き上げた。仮止め用シート又は接着剤層が台座から剥離した場合を、〇、剥離しなかった場合を×として評価した。結果を表２に示す。
【００７４】
【表１】
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【００７５】
【表２】
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【符号の説明】
【００７６】
１      台座
２      配線回路基板
２０ａ  ベース絶縁層
２０ｂ  接着剤層
２１    接続用導体部
２２    外部接続用導体部
２３    導体層
２３ａ    種膜
２４    導通路
２５    導通路
２１１  金属膜
３      半導体チップ
３１    電極
４      半導体装置
５      仮止め用シート
５０    接着剤層
ｒ１  レジスト
ｒ２  レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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