(57)【要約】【課題】  計測精度の高い熱式流量計を提供すること。【解決手段】  流量検出部と、前記流量検出部が配置される副通路と、前記流量検出部から得られる信号を入力し外部に信号を出力するＬＳＩと、を有し、前記副通路の側壁は、前記流量検出部と前期ＬＳＩとの間、もしくは、前記ＬＳＩ上に配置され、前記ＬＳＩの内部に設けられた拡散抵抗の長手方向がＳｉ単結晶の＜１００＞軸と平行である構成とした。【選択図】  図３
2014173960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流量検出部と、前記流量検出部が配置される副通路と、前記流量検出部から得られる信号を入力し外部に信号を出力するＬＳＩと、を有し、
前記副通路の側壁は、前記流量検出部と前期ＬＳＩとの間、もしくは、前記ＬＳＩ上に配置され、
前記ＬＳＩの内部に設けられた拡散抵抗の長手方向がＳｉ単結晶の＜１００＞軸と平行であることを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項２】
流量検出部と、前記流量検出部が配置される副通路と、前記流量検出部から得られる信号を入力し外部に信号を出力するＬＳＩと、を有し、
前記副通路の側壁は、前記流量検出部と前期ＬＳＩとの間、もしくは、前記ＬＳＩ上に配置され、
前記ＬＳＩの内部に設けられた拡散抵抗のうち、一部あるいは全部をポリシリコンで形成したことを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項３】
流量検出部と、前記流量検出部が配置される副通路と、前記流量検出部から得られる信号を入力し外部に信号を出力するＬＳＩと、を有し、
前記副通路の側壁は、前記流量検出部と前期ＬＳＩとの間、もしくは、前記ＬＳＩ上に配置され、
前記ＬＳＩの内部のＡ／Ｄ変換回路を構成する抵抗は、前記副通路の側壁から一定の距離に配置されたことを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項４】
請求項３において、
前記ＬＳＩ内部に設けられた拡散抵抗の長手方向がＳｉ単結晶の＜１００＞軸と平行であることを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれかに記載の熱式空気流量計において、
前記流量検出部および前記ＬＳＩは、樹脂で覆われていることを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項６】
請求項４に記載の熱式空気流量計において、
前記樹脂は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする熱式空気流量計。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載の熱式空気流量計において、
前記副通路は、熱可塑性樹脂で成型したことを特徴とする熱式空気流量計。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱式空気流量計に関する。
【背景技術】
【０００２】
空気の流量を計測する熱式空気流量計は、空気流量を計測するための流量検出部を備え、前記流量検出部と計測対象である前記気体との間で熱伝達を行うことにより、前記気体の空気流量を計測するように構成されている。熱式空気流量計が計測する空気流量は色々な装置の重要な制御パラメータとして広く使用されている。熱式空気流量計の特徴は、他の方式の流量計に比べ相対的に高い精度で空気の流量を計測できることである。
【０００３】
しかし更なる空気流量の計測精度の向上が望まれている。例えば、内燃機関を搭載した車両では、省燃費の要望や排気ガス浄化の要望が非常に高い。これら要望に応えるには、内燃機関の主要パラメータである吸入空気量を高い精度で計測することが求められている。内燃機関に導かれる吸入空気量を計測する熱式空気流量計は、吸入空気量の一部を取り込む副通路と前記副通路に配置された流量検出部とを備え、前記流量検出部が被計測気体との間で熱伝達を行うことにより、前記副通路を流れる被計測気体の状態を計測して、前記内燃機関に導かれる吸入空気量を表す電気信号を出力する。このような技術は、例えば特開２０１１−２５２７９６号公報（特許文献１）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２５２７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
熱式空気流量計により、空気の流量を高い精度で計測するためには、主通路を流れる空気流量を計測するための熱式空気流量計に設けられた副通路に、流量検出部を高い精度で位置決めして固定し、流量検出部により検出された流量を正確に計測することが求められる。特許文献１に記載の技術では、流量検出部を嵌め込むための孔が成形された副通路を備える筐体を予め樹脂で製造し、この筐体とは別に、流量検出部を備えるセンサアセンブリを製造し、次に前記副通路の孔に前記流量検出部を挿入した状態で、前記センサアセンブリを筐体に固定している。前記副通路の孔と流量検出部との間の隙間、およびセンサアセンブリの筐体への嵌め込み部分の隙間には、弾性接着剤が充填され、互いの線膨張差を接着剤の弾性力で吸収している。
【０００６】
このような構造では、流量検出部を含むセンサアセンブリを、副通路を含む筐体へ正確に設定し固定することが困難である。すなわちセンサアセンブリと筐体に設けられた副通路との位置や角度が、接着剤の状態などにより簡単に変化する課題があった。このため従来の熱式空気流量計では、流量の検出精度をさらに向上することが難しかった。
【０００７】
副通路に対して流量検出部を正確に位置決めするには、流量検出部を含むセンサアセンブリを筐体形成と同時に固定することが有効となる。しかし、この場合にはセンサアセンブリと筐体部材との線膨張係数差に起因した熱応力が、接着材を使用した場合に比べ高く発生し、センサアセンブリ内に配置されるＬＳＩの出力（主に抵抗が熱応力により変化）が変動し、熱式空気流量計の測定精度が低下するという課題があった。
【０００８】
本発明の目的は、計測精度の高い熱式空気流量計を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の熱式空気流量計は、流量検出部と、前記流量検出部が配置される副通路と、前記流量検出部から得られる信号を入力し外部に信号を出力するＬＳＩと、を有し、前記副通路の側壁は、前記流量検出部と前期ＬＳＩとの間、もしくは、前記ＬＳＩ上に配置され、前記ＬＳＩの内部に設けられた拡散抵抗の長手方向がＳｉ単結晶の＜１００＞軸と平行である構成とした。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、計測精度の高い熱式空気流量計を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本願に係る第１実施例におけるセンサアセンブリ平面図である。
【図２】本願に係る第１実施例における熱式空気流量計平面図である。
【図３】本願に係る第１実施例における熱式空気流量計断面図である。
【図４】本願に係る第１実施例における抵抗配置を説明した図である。
【図５】本願に係る第２実施例における抵抗配置を説明した図である。
【図６】本願に係る第２実施例における抵抗配置を変更した図である。
【図７】本願に係る第３実施例における抵抗体を説明した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明をする。
【００１３】
〔実施例１〕
本発明の熱式空気流量計の一実施例である第１実施例について説明する。図１に示すように、センサアセンブリ１０はリードフレーム１、ガラスプレート２、ＬＳＩ３、センサチップ４を備えており、これらが第１樹脂７で覆われている。リードフレーム１にガラスプレート２を樹脂フィルム５を用いて接着し、このガラスプレート２にＬＳＩ３とセンサチップ４を樹脂フィルム６を用いて接着する。ＬＳＩ３とセンサチップ４との間、ＬＳＩ３とリードフレーム１との間は、金線８、９によってワイヤボンデングにより結線することで電気的に接続される。これらを熱硬化性の第１樹脂７によりモールドし、センサアセンブリ１０を製作する。なお、ＬＳＩ３は、流量検出部となるセンサチップ４からのアナログ信号をデジタル信号に変換し、制御、出力する。
【００１４】
図２は、副通路を含むハウジング１１とセンサアセンブリ１０の正面図であり、図３は図２上の２点鎖線Ａ−Ａについての断面図である。上記ハウジング１１は前記主通路を流れる空気をセンサチップ４に導くための副通路溝１２とセンサアセンブリ１０の保持部１３と前記リードフレーム１の保持部１４を備えている。センサアセンブリ１０は、副通路を含むハウジング１１形成と同時に固定され、このハウジング１１は熱可塑性の第２樹脂で形成する。流量検出部となる前記センサチップ４は空気流量を測定するため、上記副通路溝１２中に配置される。このため、上記センサアセンブリ１０は、センサチップ４とＬＳＩ３との間で、もしくは上記ＬＳＩ３の直上周辺で上記保持部１３によって固定される。
【００１５】
図４は上記ＬＳＩ３内の拡散抵抗体１５の配置方向を示す概略図である。上記ＬＳＩ３はＳｉ単結晶により形成され、上記ＬＳＩ３内の拡散抵抗体１５はＳｉ結晶軸の＜１００＞方向１６と拡散抵抗体１５の長手方向とが平行になるよう配置されている。
【００１６】
次に上記第１実施例による効果について説明する。センサアセンブリ１０は第２樹脂によるモールド時にハウジング１１と一体成型し固定される。このため、センサアセンブリ１０内のセンサチップ４の位置精度が向上し、空気流量の測定精度が向上する。ハウジング１１は、センサチップ４を有する副通路溝１２を備え、保持部１３によりセンサアセンブリ１０を固定するため、保持部１３直下周辺にＬＳＩ３が配置される。センサアセンブリ１０は第１樹脂により形成され、ハウジング１１は第２樹脂により形成されるため、保持部１３とセンサアセンブリ１０との界面（ＬＳＩ３近傍）に、第１樹脂と第２樹脂の線膨張係数差に起因する熱応力、もしくは、樹脂収縮差に起因する収縮応力が発生する。
【００１７】
ここで、抵抗体に応力（ひずみ）が発生すると、ピエゾ効果によって抵抗値の変化が生じる。上記ピエゾ効果による抵抗値の変化は、ピエゾ抵抗係数と抵抗に発生するひずみの関数となる。また、上記ピエゾ抵抗係数は、Ｓｉ単結晶の結晶方位に強く依存しており、Ｓｉ結晶軸の＜１００＞方向１６に抵抗体の長手方向を配置するとピエゾ抵抗係数が最小となる。本実施例では、Ｓｉ結晶軸の＜１００＞方向１６に拡散抵抗体１５の長手方向を配置しているため、ひずみ発生による抵抗値の変化を小さくすることができ、ＬＳＩの出力変化が抑制され流量測定精度が向上する。
【００１８】
〔実施例２〕
熱式空気流量計の第２実施例について説明する。なお、センサアセンブリ１０及びハウジング１１の構造は上記実施例１と同様の構造である。
【００１９】
図５は保持部１３とＬＳＩ３の内部の拡散抵抗体１５の位置関係を示す概略図である。ＬＳＩ３の内部の拡散抵抗体１５は、例えばＡ／Ｄ変換回路といった、出力が回路内抵抗の比によって制御される回路１７が有する抵抗体である。Ａ／Ｄ変換回路は、センサチップ４から得られたアナログ信号をＬＳＩ３内で処理できるようにデジタル信号に変換する回路であり、整数倍の抵抗体、数本からなる。この拡散抵抗体１５は、ハウジング１１が有する保持部１３の端部ａと拡散抵抗体１５の各々端部とが等距離Ｌになるよう位置し、保持部１３の端部ａと拡散抵抗体１５のもう一方の各々端部とが等距離Ｌ’に位置するように配置する。さらに、同一長さの抵抗体から整数倍の抵抗体を作製するようにする。
【００２０】
次に熱式空気流量計の第２実施例による効果について説明する。ＬＳＩ３の内部の拡散抵抗体１５には、第１樹脂と第２樹脂の線膨張係数差に起因する熱応力、もしくは樹脂収縮差に起因する収縮応力が発生する。拡散抵抗体１５にはピエゾ効果による抵抗値変動が生じ、この抵抗変動はピエゾ抵抗係数と抵抗体に発生するひずみの関数である。第２の実施例では、拡散抵抗体１５は応力発生源である保持部１３の端部ａから等距離に位置しており、各抵抗体に発生する熱ひずみ分布は一様となる。また、同一長さの抵抗体から整数倍の抵抗体を作製するようにしている。このため、ピエゾ効果による拡散抵抗体１５のそれぞれの抵抗値変動は同一となり、出力が抵抗値の比によって制御されるＡ／Ｄ変換回路等において熱応力の影響を相殺することができる。このため、ＬＳＩ３に発生する熱応力の影響を低減することができ、空気流量の測定精度を向上することができる。なお、図６に示すように、拡散抵抗体１５は本実施例に加えて、Ｓｉ結晶軸の＜１００＞方向１６と平行方向に長手方向を配置させると熱応力の影響をさらに低減できることは言うまでもない。
【００２１】
〔実施例３〕
熱式空気流量計の第３の実施例について説明する。センサアセンブリ１０及びハウジング１１の構造は上記実施例１と同様の構造である。実施例３では、図７に示すように、ＬＳＩ３内部の拡散抵抗体をポリシリコン抵抗１８に変更したものである。
【００２２】
次に熱式空気流量計の第３実施例の効果について説明する。Ｓｉのピエゾ抵抗係数は、＜１１０＞結晶方向で大きく、＜１００＞結晶方向で最小となる。ポリシリコン膜で抵抗体を形成すると、ポリシリコン膜中の結晶粒は様々な方向に成長するので、ピエゾ抵抗係数は平均化される。そのため、拡散抵抗体の長手方向が＜１１０＞結晶方向のものと比べ、ピエゾ抵抗係数は小さくなる。以上より、ＬＳＩ３に発生する熱応力の影響を低減することができ、空気流量の測定精度を向上することができる。
【００２３】
本実施例ではＬＳＩ３の内部の拡散抵抗体をポリシリコン抵抗１８に変更したものであるが、保持部１３から遠い個所ではひずみの影響がほとんど無くなるので、ＬＳＩ３内全ての抵抗をポリシリコン抵抗で形成しなくても良いのは言うまでもない。なお、実施例２に示したようにＡ／Ｄ変換回路の拡散抵抗体１５をポリシリコン膜で形成することで、応力の影響を低減できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００２４】
１…リードフレーム
２…ガラスプレート
３…ＬＳＩ
４…センサチップ
５…樹脂フィルム
６…樹脂フィルム
７…第１樹脂
８…金線
９…金線
１０…センサアセンブリ
１１…ハウジング
１２…副通路溝
１３…センサアセンブリ保持部
１４…リードフレーム保持部
１５…拡散抵抗体
１６…Ｓｉ結晶軸＜１００＞方向
１７…回路
１８…ポリシリコン抵抗
【図１】
2014173960.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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