(57)【要約】【課題】半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（Ｂ）、及び前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（Ｃ）を含む半導体装置の製造方法に関する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、
前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（Ｂ）、及び
前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（Ｃ）を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ｃ）の後、前記仮止め用シートから前記台座を分離する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、台座上に半導体ウェハを仮固定した後、半導体ウェハに対してバックグラインドなどの所定の処理を行い、その後、半導体ウェハから台座を分離するといった工程が行なわれることがある。このような工程では、半導体ウェハから台座を容易に分離できることが重要である。
【０００３】
台座上に半導体ウェハを仮固定する方法として、液状の接着剤を使用することが知られている。液状の接着剤はスピンコートにより半導体ウェハ又は台座に塗布される。
【０００４】
特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、スピンコート等により塗布されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１０μｍ以上の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が粗くなり、凹凸追従性が悪く、所望の接着力が得られず、半導体ウェハを台座に充分に固定できない場合がある。
【０００８】
また、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半が無駄になるといった問題がある。また、材料が接着用の粘度の高いものであるため、スピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要する。
【０００９】
本発明は前記問題点に鑑みなされたものであり、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（Ｂ）、及び前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（Ｃ）を含む半導体装置の製造方法に関する。
【００１２】
本発明で使用する仮止め用シートはシート状であり、スピンコートにより接着剤層を形成する場合に比べ、表面を均一に形成できる。このため、仮止め用シートは半導体ウェハと良好に接着できる。また、仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を用いるため、仮止め用シートを台座に強固に固定できる。この結果、半導体ウェハを台座に良好に固定できる。
【００１３】
また、本発明では、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を形成して、仮止め用シートを台座に固定する。つまり、接着剤層が仮止め用シートを台座に固定する役割を果たす。
本発明では、接着剤層が仮止め用シートと台座のベベル部との間に形成されるため、仮止め用シートに切り込みを入れたり、接着剤層の接着力を低下させたりし易く、分離を容易に行うことができる。
【００１４】
本発明において、仮止め用シートの接着力、及び接着剤層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。なお、仮止め用シートが、イミド化や熱硬化等を行ない接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。接着剤層が、イミド化や熱硬化等を行ない接着させるものである場合、シリコンウェハに固定した状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における９０°ピール剥離力をいう。具体的には実施例に記載の方法で測定できる。
【００１５】
前記工程（Ｃ）の後、前記仮止め用シートから前記台座を分離する工程を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体ウェハを台座に良好に固定できるとともに、半導体ウェハから台座を容易に分離できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】仮止め用シートの断面図である。
【図２】仮止め用シートに半導体ウェハを貼り付けた様子を示す図である。
【図３】仮止め用シートと台座のベベル部との間に、接着剤層を形成した様子を示す図である。
【図４】（ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、接着剤層を形成した様子を示す図である。（ｂ）は、台座のベベル部周辺の拡大図である。
【図５】（ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、接着剤層を形成した様子を示す図である。（ｂ）は、半導体ウェハのベベル部周辺の拡大図である。
【図６】仮止め用シートに切り込みを入れた様子を示す図である。
【図７】凹部を有する仮止め用シートの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法は、仮止め用シートの一方の面に半導体ウェハを貼り付ける工程（Ａ）、前記仮止め用シートの他方の面にベベル部を有する台座を貼り付ける工程（Ｂ）、及び前記仮止め用シートと前記台座の前記ベベル部との間に、前記仮止めシートよりも接着力が高い接着剤層を形成して、前記仮止め用シートを前記台座に固定する工程（Ｃ）を含む。
【００１９】
工程（Ａ）〜（Ｃ）の順序は特に限定されない。例えば、工程（Ａ）、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）の順序、工程（Ｂ）、工程（Ａ）及び工程（Ｃ）の順序、工程（Ａ）、工程（Ｃ）及び工程（Ｂ）の順序、工程（Ｂ）、工程（Ｃ）及び工程（Ａ）の順序等が挙げられる。なかでも、接着剤層が形成し易く、接着剤層がはみ出す可能性や接着剤層を必要量以上に形成する可能性が低いという理由から、工程（Ａ）、工程（Ｂ）及び工程（Ｃ）の順序が好ましい。
【００２０】
以下、本発明の半導体装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、仮止め用シートの断面図である。図２は、仮止め用シートに半導体ウェハを貼り付けた様子を示す図である。図３は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、接着剤層を形成した様子を示す図である。
【００２１】
工程（Ａ）
工程（Ａ）では、仮止め用シート８１の一方の面に半導体ウェハ３を貼り付ける（図２）。
【００２２】
仮止め用シート８１に半導体ウェハ３を貼り付ける方法は特に限定されないが、仮止め用シート８１に半導体ウェハ３の回路形成面を貼り付けることが好ましい。
【００２３】
貼り付け方法は特に限定されず、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付ける方法が挙げられる。
【００２４】
貼り付け後、必要に応じて、仮止め用シート８１をイミド化する。これにより、仮止め用シート８１及び半導体ウェハ３を良好に接着できる。イミド化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１５０〜５００℃、０．５〜５時間の条件でイミド化できる。
【００２５】
貼り付け後、必要に応じて、仮止め用シート８１を熱硬化してもよい。これにより、仮止め用シート８１及び半導体ウェハ３を良好に接着できる。熱硬化は従来公知の方法で行うことができ、例えば、１００〜３５０℃（好ましくは１５０〜３５０℃）、０．１〜５時間、窒素雰囲気下で熱硬化できる。
【００２６】
仮止め用シート８１の厚さは特に限定されず、例えば、１０μｍ以上であり、好ましくは５０μｍ以上である。１０μｍ以上であると、半導体ウェハ表面の凹凸を追従でき、仮止め用シート８１を隙間なく充填できる。また、仮止め用シート８１の厚さは、例えば、５００μｍ以下であり、好ましくは３００μｍ以下である。５００μｍ以下であると、厚みのばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止できる。
【００２７】
仮止め用シート８１を平面視したときの形状は特に限定されないが、通常、円形である。
【００２８】
仮止め用シート８１の接着力は、後述する接着剤層８０の接着力よりも低い。仮止め用シート８１の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ未満であると、半導体ウェハ３の糊残りを防止できる。一方、該９０°ピール剥離力の下限は、好ましくは０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは０．０２Ｎ／２０ｍｍ以上、更に好ましくは０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上である。０．０１Ｎ／２０ｍｍ以上であると、半導体ウェハ３を台座１に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。
【００２９】
仮止め用シート８１を構成する接着剤組成物としては、仮止め用シート８１の接着力が、後述する接着剤層８０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。
【００３０】
仮止め用シート８１を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂を好適に使用できる。また、シリコーン樹脂も好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
【００３１】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００３２】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００３３】
前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。例えば、グリコール骨格を有するジアミンなどが挙げられる。
【００３４】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００３５】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する仮止め用シート８１をえやすい。
【００３６】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００３７】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００３８】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００３９】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４０】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００４１】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００４２】
仮止め用シート８１を構成する接着剤組成物は、他の添加剤を含有していてもよい。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００４３】
半導体ウェハ３として、回路形成面及び非回路形成面を有するものを使用する。また、シリコン貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ）を有するものを好適に使用できる。通常、シリコン貫通電極を有するシリコンウェハは、後述のバックグラインドにより薄型化されるため、台座１に固定し、強度を補強することが望ましいからである。
【００４４】
また、半導体ウェハ３は、通常、ベベル部を有する。
【００４５】
半導体ウェハ３としては特に限定されず、例えば、ゲルマニウムウエハ、ガリウム−ヒ素ウエハ、ガリウム−リンウエハ、ガリウム−ヒ素−アルミニウムウエハ、サファイアウェハ等の化合物半導体ウェハなどが挙げられる。なかでも、シリコンウェハが好ましい。
【００４６】
半導体ウェハ３の厚さは特に限定されないが、例えば、４００〜１２００μｍであり、好ましくは４５０〜１０００μｍである。
【００４７】
半導体ウェハ３の直径は特に限定されないが、例えば、７５〜４５０ｍｍである。このような半導体ウェハ３としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。
【００４８】
工程（Ｂ）
工程（Ｂ）では、仮止め用シート８１の他方の面にベベル部を有する台座１を貼り付ける。
【００４９】
貼り付け方法は特に限定されないが、ロールラミネートや真空プレスで貼り付けることが好ましい。貼り付け条件は特に限定されないが、例えば、２３〜２５０℃、０．０１〜１０ＭＰａで貼り付けできる。
【００５０】
台座１の周縁部には、台座１の上面及び下面から側面（外側）に向かって傾斜した傾斜面が形成されている。このような傾斜面が形成された周縁部がベベル部である。
【００５１】
台座１としては、ベベル部を有する限り特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。なかでも、平滑性、入手し易さ、汚染性という理由から、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。
【００５２】
また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００５３】
台座１の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００５４】
台座１の直径は特に限定されないが、例えば、７５〜４５０ｍｍ、１００〜４５０ｍｍである。このような台座１としては、市販の２００ｍｍウェハ、３００ｍｍウェハなどを使用できる。
【００５５】
工程（Ｃ）
工程（Ｃ）では、仮止め用シート８１と台座１のベベル部との間に、仮止めシート８１よりも接着力が高い接着剤層８０を形成して、仮止め用シート８１を台座１に固定する（図３）。
【００５６】
具体的には、仮止め用シート８１と台座１のベベル部との間に、液状の接着剤組成物を塗布し、乾燥等させることにより、接着剤層８０を形成して、仮止め用シート８１を台座１に固定する。
【００５７】
接着剤層８０の接着力は、例えば、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、仮止め用シート８１を台座１に良好に固定でき、バックグラインドなどを良好に行うことができる。また、該９０°ピール剥離力の上限は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、好ましくは２０Ｎ／２０ｍｍ以下である。
【００５８】
接着剤層８０を構成する材料としては、接着剤層８０の接着力が、仮止め用シート８１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。接着剤層８０を構成する材料としては、前述のポリイミド樹脂、前述のシリコーン樹脂を好適に使用できる。なかでも、耐熱性、耐薬性、糊残り性という点から、前記ポリイミド樹脂が好ましい。
【００５９】
図４の（ａ）は、仮止め用シート８１と台座１のベベル部との間に、接着剤層８０を形成した様子を示す図である。図４の（ｂ）は、ベベル部周辺の拡大図である。
図４（ｂ）に示すように、仮止め用シート８１の端部は、台座１の端部よりも内側、且つ、台座１のベベル部の傾斜開始位置よりも外側であることが好ましい。具体的には、台座１の端部と仮止め用シート８１の端部との横方向（台座１の面に水平方向）の距離をＤ１とし、台座１の端部と台座１のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離をＤ２とすると、Ｄ１は、Ｄ２の１０分の１、すなわち、（Ｄ２）／１０よりも大きいことが好ましい。Ｄ１が、Ｄ２の１０分の１よりも大きいと、仮止め用シート８１が他の部材（例えば、搬送に使用するカセット）に触れ、めくれ上がることを防止できる。
一方、Ｄ１は、Ｄ２の３分の２、すなわち、（Ｄ２）×（２／３）よりも小さいことが好ましい。Ｄ１が、Ｄ２の３分の２よりも小さいと、接着剤剤層８０による接着部分の面積をある程度確保でき、接着信頼性に優れる。
なお、Ｄ２は、通常、０．１〜０．４ｍｍである。
【００６０】
図５の（ａ）は、仮止め用シートと台座のベベル部との間に、接着剤層を形成した様子を示す図である。図５の（ｂ）は、半導体ウェハのベベル部周辺の拡大図である。
図５（ｂ）に示すように、仮止め用シート８１の端部は、半導体ウェハ３の端部よりも内側、且つ、半導体ウェハ３のベベル部の傾斜開始位置よりも外側であることが好ましい。
具体的には、半導体ウェハ３の端部と仮止め用シート８１の端部との横方向（半導体ウェハ３の面に水平方向）の距離をＤ３とし、半導体ウェハ３の端部と半導体ウェハ３のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離をＤ４とすると、Ｄ３は、Ｄ４の１０分の１、すなわち、（Ｄ４）／１０よりも大きいことが好ましい。Ｄ３が、Ｄ４の１０分の１よりも大きいと、仮止め用シート８１が他の部材（例えば、搬送に使用するカセット）に触れ、めくれ上がることを防止できる。
一方、Ｄ３は、Ｄ４の３分の２、すなわち、（Ｄ４）×（２／３）よりも小さいことが好ましい。Ｄ３が、Ｄ４の３分の２よりも小さいと、接着剤剤層８０による接着部分の面積をある程度確保でき、接着信頼性に優れる。
なお、Ｄ４は、通常、０．１〜０．４ｍｍである。
【００６１】
他の工程
工程（Ａ）〜（Ｃ）により台座１に固定された半導体ウェハ３に対して、バックグラインドを行うことが好ましい。バックグラインドは、従来公知の方法で行うことができる。
【００６２】
バックグラインドした半導体ウェハの厚さは、例えば、１〜３００μｍであり、好ましくは５〜１００μｍである。
【００６３】
バックグラインドした後、半導体ウェハ３の非回路形成面（バックグラインドされた面）は加工することができる。加工方法としては、電極形成、金属配線形成、保護膜形成等が挙げられる。なお、当該加工により、シリコン貫通電極が形成されてもよい。
【００６４】
バックグラインドや加工などの所望の処理を半導体ウェハ３に施した後、仮止め用シート８１から台座１を分離することが好ましい。
【００６５】
仮止め用シート８１から台座１を分離する方法としては特に限定されない。
例えば、仮止め用シート８０に切り込みを入れて分離する方法、接着剤層８０の接着力を低下させて分離する方法が好適である。なかでも、半導体ウェハ３に負荷をかけないという理由から、仮止め用シート８１に切り込みを入れて分離する方法が好ましい。
【００６６】
図６は、仮止め用シート８１に切り込みを入れた様子を示す図である。図６に示すように、仮止め用シート８１に台座１に達するまで切り込み９９を入れることが好ましく、仮止め用シート８１に台座１のベベル部に達するまで切り込み９９を入れることがより好ましい。切り込み方法は特に限定されず、カッターやレーザー等従来公知の方法により切り込みできる。
【００６７】
接着剤層８０の接着力を低下させる方法は特に限定されず、溶剤により接着剤層８０を溶解させる方法、加熱により接着力が低下する材料で接着剤層８０を形成しておき、加熱により接着力を低下させる方法などが挙げられる。
【００６８】
以上の説明では、半導体ウェハ３として、回路形成面及び非回路形成面を有するもの使用する場合について説明した。しかし、回路形成面及び非回路形成面を有するものに限定されず、両面が非回路形成面のものなどでもよい。
【００６９】
また、工程（Ａ）〜（Ｃ）により台座１に固定された半導体ウェハ３に対して、バックグラインドを行った後、加工する場合について説明した。しかし、バックグラインドせずに半導体ウェハ３を加工してもよい。
【００７０】
また、仮止め用シートの形状として、断面が矩形の場合について説明した。しかし、仮止め用シートの形状は特に限定されない。例えば、図７に示すように仮止め用シートの周縁部に凹部が設けられたものなどでもよい。
【００７１】
前述のとおり、本発明の製造方法において、工程（Ａ）〜（Ｃ）の順序は特に限定されない。例えば、工程（Ｂ）の前に工程（Ｃ）を行うことができる。この場合、仮止め用シートの周縁部（ベベル部に対応する部分）にシート状物としての接着剤層を予め設けておき、接着剤層がベベル部に接着するように、仮止め用シートに台座を貼り付ければよい。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００７３】
実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
ＳＤ４５８７Ｌ：東レ・ダウコーニング（株）製のシリコーン粘着剤（付加硬化型）
ＳＲＸ−２１２：東レ・ダウコーニング（株）製の白金触媒
セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ）
【００７４】
［シート及び接着剤層用溶液の作製］
実施例１
窒素気流下の雰囲気において、２５２８．０ｇのＤＭＡｃ中に、Ｄ−４０００  ２９．５ｇ、ＤＤＥ  ９０．３ｇ、及び、ＰＭＤＡ  １００．０ｇを７０℃で混合して反応させ、シート用溶液（ポリアミド酸溶液Ａ）を得た。得られたシート用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。シート用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、シートを得た。
得られたシートの直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。
表１の配合に従った点以外はシート用溶液と同様の方法で接着剤層用溶液（ポリアミド酸溶液Ｂ）を得た。得られた接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
【００７５】
実施例２〜３、比較例１
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、シート及び接着剤層用溶液を得た。
【００７６】
［シートの接着力の測定］
シート用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍのサンプルシート１を得た。得られたサンプルシート１を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃、１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付きサンプルシート１を得た。シリコンウェハ付きサンプルシート１を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
【００７７】
［接着剤層の接着力の測定］
接着剤層用溶液を、セパレータに塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、厚さ２０μｍのサンプルシート２を得た。得られたサンプルシート２を８インチシリコンウェハに貼り合せた後、イミド化（実施例１、比較例１）又は熱硬化（実施例２、３）させた。
イミド化は、３００℃、１．５時間、窒素雰囲気中で行った。
熱硬化は、１５０℃、１時間、大気雰囲気下で行った。
これにより得られたシリコンウェハ付きサンプルシート２を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表１に示す。
【００７８】
［プロセス耐性評価］
実施例１
シートを直径２００ｍｍ、厚さ７２５μｍのベベル部を有するシリコンウェハの回路形成面に貼り付けた。貼り付けは、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートにより行った。貼り付け後、３００℃、１．５時間、窒素雰囲気下でシートをイミド化した。
シリコンウェハが貼り付けられたシート面の裏面に、ベベル部を有する台座（直径２００ｍｍ、厚さ７２６μｍのシリコンウエハ）を貼り付けた。貼り付けは、温度１２０℃、圧力０．３ＭＰａで行った。
次いで、シートと台座のベベル部との間に、接着剤層用溶液を塗布し、乾燥・イミド化させ、接着剤層を形成した。これにより、シートを台座に固定した。
以上により、台座、シート及びシリコンウェハが順次積層された積層体を得た。
得られた積層体を用いてバックグラインドを行い、バックグラインド中にシリコンウェハを充分に固定でき良好にバックグラインドできた場合を○、シリコンウェハを充分に固定できずバックグラインドできなかった場合を×として評価した。
実施例２〜３
イミド化に代えて、１５０℃、１時間、大気雰囲気下で接着剤層の熱硬化を行った点以外は実施例１と同様の方法で、積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例１と同様の方法で評価した。
比較例１
接着剤層用溶液を塗布しなかった点以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を得た。得られた積層体を用いて、実施例１と同様の方法で評価した。結果を表１に示す。
【００７９】
［剥離性評価］
前記プロセス耐性評価と同様の方法により、積層体を得た。
図６に示すように、シート側面から台座１のベベル部に達するまでシートに切り込みを入れた（切り込み深さ０．５ｍｍ）。
切り込みの後、積層体のシリコンウェハ側に配置した真空ピンセットを用いて、シリコンウェハを上方向に吸着した。吸着によりシリコンウェハ付きシートを積層体から剥離できた場合を○、剥離できなかった場合を×として評価した。結果を表１に示す。
【００８０】
【表１】
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【符号の説明】
【００８１】
１      台座
３      半導体ウェハ
８０    接着剤層
８１    仮止め用シート
９１    仮止め用シート
９９    切り込み
Ｄ１    台座の端部と仮止め用シートの端部との横方向の距離
Ｄ２    台座の端部と台座のベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離
Ｄ３    半導体ウェハの端部と仮止め用シートの端部との横方向の距離
Ｄ４    半導体ウェハの端部と半導体ウェハのベベル部の傾斜開始位置との横方向の距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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