(57)【要約】【課題】十分に均一な温度分布で基板を熱処理できる装置、方法及び記録媒体を提供する。【解決手段】加熱・冷却ユニットＵ２は、水平に配置されたウェハＷを支持して加熱する熱板１０と、熱板１０による加熱で進行する反応を促進するための光をウェハＷに照射する光照射部１４と、光照射部１４の光源２３又はウェハＷを水平方向に移送することで、ウェハＷの処理対象部分の全域に亘って光の照射位置を移動させる水平移送部２４と、光照射部１４及び水平移送部２４を制御して、照射位置ごとに光の照射光量を調節する制御部１５とを備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平に配置された基板を支持して加熱する熱板と、
前記熱板による加熱で進行する反応を促進するための光を前記基板に照射する光照射部と、
前記光照射部の光源又は前記基板を水平方向に移送することで、前記基板の処理対象部分の全域に亘って前記光の照射位置を移動させる水平移送部と、
前記光照射部及び前記水平移送部を制御して、前記照射位置ごとに前記光の照射光量を調節する制御部と、を備える基板熱処理装置。
【請求項２】
前記光照射部は、前記基板の径方向に沿って線状に並ぶ複数の前記光源を有し、
前記水平移送部は、前記光源が並ぶ方向に直交する方向に前記光源又は前記基板を移送するように構成され、
前記制御部は、前記光源ごとに出射光量を調節するように前記光照射部を制御する、請求項１記載の基板熱処理装置。
【請求項３】
前記基板を保持して回転させる回転保持部を更に備え、
前記水平移送部は、前記回転保持部が前記基板を回転させているときに、前記光源又は前記基板を水平方向に移送する、請求項１記載の基板熱処理装置。
【請求項４】
前記熱板は感光反応により開始された反応を進行させるように前記基板を加熱し、
前記光照射部は前記熱板による加熱の前に前記感光反応の促進用の光を照射する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板熱処理装置。
【請求項５】
前記光照射部は輻射加熱用の光を照射する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板熱処理装置。
【請求項６】
前記基板を支持する支持部と前記支持部を昇降させる昇降部とを更に備え、
前記水平移送部は、前記支持部及び前記昇降部により上昇させられた前記基板の下方に前記光源が位置した状態で、前記光源又は前記基板を移送するように構成され、
前記光照射部は前記光を前記基板の裏面に照射するように構成されている、請求項５記載の基板熱処理装置。
【請求項７】
前記基板を支持して冷却すると共に、前記熱板上への前記基板の搬入及び前記熱板上からの前記基板の搬出を行う冷却板を更に備え、
前記水平移送部は、前記基板の搬送のために前記冷却板を水平方向に移送する冷却板移送部であり、
前記光源は、前記冷却板又は前記冷却板の周辺部に固定されている、請求項６記載の基板熱処理装置。
【請求項８】
基板を熱板上に水平に配置して加熱する加熱工程と、
前記熱板による加熱で進行する反応を促進するための光を前記基板に照射すると共に、前記光の光源又は前記基板を水平方向に移送することで、前記基板の処理対象部分の全域に亘って前記光の照射位置を移動させる光照射工程と、を備え、
前記光照射工程では、前記照射位置ごとに前記光の照射光量を調節する基板熱処理方法。
【請求項９】
前記光照射工程では、前記基板の径方向に沿って線状に並ぶ複数の前記光源を用い、前記光源が並ぶ方向に直交する方向に前記光源又は前記基板を移送する、請求項８記載の基板熱処理方法。
【請求項１０】
前記光照射工程では、前記基板を回転させながら、前記光源又は前記基板を水平方向に移送する、請求項８記載の基板熱処理方法。
【請求項１１】
前記加熱工程の前に前記光照射工程を行い、
前記加熱工程では感光反応により開始された反応を進行させるように前記基板を加熱し、
前記光照射工程では前記感光反応の促進用の光を照射する、請求項８〜１０のいずれか一項記載の基板熱処理方法。
【請求項１２】
前記光照射工程では輻射加熱用の光を照射する、請求項８〜１０のいずれか一項記載の基板熱処理方法。
【請求項１３】
前記光照射工程の前に、前記基板を上昇させる上昇工程を更に備え、
前記光照射工程では、前記上昇工程で上昇させられた前記基板の下方に前記光源を位置させた状態で前記光源又は前記基板を水平方向に移送することで、前記基板の裏面に前記光を照射する、請求項１２記載の基板熱処理方法。
【請求項１４】
基板の熱処理を行う装置に、請求項８〜１３のいずれか一項記載の基板熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な基板熱処理用記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の熱処理を行う装置、方法及び記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程では、様々な反応を進行させるためにウェハ（基板）の熱処理が行われる。一枚のウェハは、多数の半導体チップに切り分けられる。ウェハの熱処理温度は、半導体チップの品質に影響するので、熱処理におけるウェハの温度分布が不均一であると、半導体チップの品質がばらつくおそれがある。例えば、ウェハの表面にレジストパターンを形成するフォトリソグラフィー工程では、レジスト膜の露光処理と現像処理の間にポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）と呼ばれる熱処理が行われる。ＰＥＢ処理においてウェハの温度分布が不均一であるとレジストパターンの線幅がばらつき、これに起因して半導体チップの品質がばらつくおそれがある。
【０００３】
熱処理におけるウェハの温度分布の均一化を図る技術として、複数の部分（以下、板部という）に分割された熱板と、板部ごとに内蔵されたヒータと、各ヒータを個別に制御する制御部とを備える熱処理装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３５３１１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された熱処理装置では、各板部にヒータを内蔵する必要があるため、熱板の細分化に限界がある。熱板を十分に細分化できないと、ウェハのうち、目標値に比べ温度が高い部分と目標値に比べ温度が低い部分とが、一つの板部上に位置してしまう場合がある。このような場合、ウェハの各部における反応の進行を十分に均一化できない。
【０００６】
そこで、本発明は、基板の各部における反応の進行の均一性を向上させることができる基板熱処理装置、基板熱処理方法及び基板熱処理用記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る基板熱処理装置は、水平に配置された基板を支持して加熱する熱板と、熱板による加熱で進行する反応を促進するための光を基板に照射する光照射部と、光照射部の光源又は基板を水平方向に移送することで、基板の処理対象部分の全域に亘って光の照射位置を移動させる水平移送部と、光照射部及び水平移送部を制御して、照射位置ごとに光の照射光量を調節する制御部とを備える。
【０００８】
このような基板熱処理装置によれば、基板を熱板上に水平に配置して加熱する加熱工程と、熱板による加熱で進行する反応を促進するための光を基板に照射する光照射工程とを実行できる。光照射工程では、光源又は基板を水平方向に移送することで、基板の処理対象部分の全域に亘って光の照射位置が移動させられる。これにより、基板の各部分は、加熱工程において熱板により加熱されるのに加え、光照射工程において光の照射を受ける。光照射工程において、照射位置ごとに光の照射光量を調節することで、反応促進の程度を基板の部分ごとに自在に調節できる。このため、基板の各部における反応の進行の均一性を向上させることができる。更に、光源又は基板の移送により基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、光源の数を削減できる。
【０００９】
光照射部は、基板の径方向に沿って線状に並ぶ複数の光源を有し、水平移送部は、光源が並ぶ方向に直交する方向に光源又は基板を移送するように構成され、制御部は、光源ごとに出射光量を調節するように光照射部を制御してもよい。この場合、光源が並ぶ方向に光源又は基板を移送することなく、基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、水平移送部の構造を簡素化できる。なお、水平移送部による移送に応じて照射光量を調節することで、光源又は基板の移送方向における照射光量の分布を調節できる。制御部により、光源ごとに出射光量を調節することで、光源が並ぶ方向における照射光量の分布も調節できる。これらの組み合わせにより、照射位置ごとに光の照射光量を調節できる。
【００１０】
基板を保持して回転させる回転保持部を更に備え、水平移送部は、回転保持部が基板を回転させているときに、光源又は基板を水平方向に移送してもよい。この場合、基板の回転中心を通る線に沿って照射位置を移動させるのみで、基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、水平移送部の構造を簡素化できる。
【００１１】
熱板は感光反応により開始された反応を進行させるように基板を加熱し、光照射部は熱板による加熱の前に感光反応の促進用の光を照射してもよい。この場合、加熱工程の前に感光反応を促進させておくことで、加熱工程における反応を促進できる。
【００１２】
光照射部は輻射加熱用の光を照射してもよい。この場合、光照射工程においても基板を加熱し、熱板による加熱で進行する反応を促進できる。
【００１３】
基板を支持する支持部と支持部を昇降させる昇降部とを更に備え、水平移送部は、支持部及び昇降部により上昇させられた基板の下方に光源が位置した状態で、光源又は基板を移送するように構成され、光照射部は光を基板の裏面に照射するように構成されていてもよい。この場合、基板の表面に金属層等が形成されている場合であっても、金属層等に妨げられることなく基板に光を照射できるため、光照射工程において効率よく基板を加熱できる。
【００１４】
基板を支持して冷却すると共に、熱板上への基板の搬入及び熱板上からの基板の搬出を行う冷却板を更に備え、水平移送部は、基板の搬送のために冷却板を水平方向に移送する冷却板移送部であり、光源は、冷却板又は冷却板の周辺部に固定されていてもよい。この場合、冷却板移送部を光源の移送に活用し、装置全体を簡素化できる。
【００１５】
本発明に係る基板熱処理方法は、基板を熱板上に水平に配置して加熱する加熱工程と、熱板による加熱で進行する反応を促進するための光を基板に照射すると共に、その光の光源又は基板を水平方向に移送することで、基板の処理対象部分の全域に亘って光の照射位置を移動させる光照射工程と、を備え、光照射工程では、照射位置ごとに光の照射光量を調節する。
【００１６】
このような基板熱処理方法では、基板の各部分は、加熱工程において熱板により加熱されるのに加え、光照射工程において光の照射を受ける。光照射工程において、照射位置ごとに光の照射光量を調節することで、反応促進の程度を基板の部分ごとに自在に調節できる。このため、基板の各部における反応の進行の均一性を向上させることができる。更に、光源又は基板の移送により基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、光源の数を削減できる。
【００１７】
光照射工程では、基板の径方向に沿って線状に並ぶ複数の光源を用い、光源が並ぶ方向に直交する方向に光源又は基板を移送してもよい。この場合、光源が並ぶ方向に光源又は基板を移送することなく、基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、光照射工程を単純化できる。
【００１８】
光照射工程では、基板を回転させながら、光源又は基板を水平方向に移送してもよい。この場合、基板の回転中心を通る線に沿って照射位置を移動させるのみで、基板の処理対象部分の全域に光を照射できるため、光照射工程を単純化できる。
【００１９】
加熱工程の前に光照射工程を行い、加熱工程では感光反応により開始された反応を進行させるように基板を加熱し、光照射工程では感光反応の促進用の光を照射してもよい。この場合、加熱工程の前に感光反応を促進させておくことで、加熱工程における反応を促進できる。
【００２０】
光照射工程では輻射加熱用の光を照射してもよい。この場合、光照射工程においても基板を加熱し、熱板による加熱で進行する反応を促進できる。
【００２１】
光照射工程の前に、基板を上昇させる上昇工程を更に備え、光照射工程では、上昇工程で上昇させられた基板の下方に光源を位置させた状態で光源又は基板を水平方向に移送することで、基板の裏面に光を照射してもよい。この場合、基板の表面に金属層等が形成されている場合であっても、金属層等に妨げられることなく基板に光を照射できるため、光照射工程において効率よく基板を加熱できる。
【００２２】
本発明に係る基板熱処理用記録媒体は、基板の熱処理を行う装置に上記基板熱処理方法を実行させるためのプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能な記録媒体である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、基板の各部における反応の進行の均一性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る加熱・冷却ユニットが適用される塗布・現像装置の斜視図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。
【図３】図２中のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図２中のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】第１実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す平面図である。
【図６】第１実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図７】冷却板上にウェハを配置した状態を示す側面図である。
【図８】ウェハを熱板上に搬入した状態を示す側面図である。
【図９】冷却板上のウェハを支持アームにより上昇させた状態を示す側面図である。
【図１０】ウェハの下から冷却板を退避させた状態を示す側面図である。
【図１１】ウェハを下降させ、熱板上に載置した状態を示す側面図である。
【図１２】熱板上のウェハを支持アームにより上昇させた状態を示す側面図である。
【図１３】ウェハの裏面に赤外光を照射している状態を示す側面図である。
【図１４】光源が基板の下方を通過した状態を示す側面図である。
【図１５】ウェハを下降させ、冷却板上に載置した状態を示す側面図である。
【図１６】ウェハを熱板上から搬出した状態を示す側面図である。
【図１７】第２実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す平面図である。
【図１８】第２実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図１９】第３実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す平面図である。
【図２０】第３実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図２１】図１９中の光照射部の他の配置例を示す平面図である。
【図２２】第４実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す側面図である。
【図２３】第４実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す正面図である。
【図２４】図２２中の光照射部の他の配置例を示す平面図である。
【図２５】図２２中の光照射部の更に他の配置例を示す平面図である。
【図２６】第５実施形態に係る加熱・冷却ユニットの概略構成を示す断面図である。
【図２７】熱板上のウェハを支持ピンにより上昇させている状態を示す断面図である。
【図２８】ウェハの裏面に光を照射している状態を示す断面図である。
【図２９】図２６中の光照射部の他の配置例を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る基板熱処理装置の好適な実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２６】
〔第１実施形態〕
第１実施形態の基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットは、基板の一種であるウェハの塗布・現像装置において、ウェハを加熱、冷却する装置である。まず、この加熱・冷却ユニットが適用される塗布・現像装置の一例について説明する。図１〜図４に示されるように、塗布・現像装置１は、キャリアブロックＳ１と、キャリアブロックＳ１に隣接する処理ブロックＳ２と、処理ブロックＳ２に隣接するインターフェースブロックＳ３とを備えている。以下、塗布・現像装置１の説明における「前後左右」は、インターフェースブロックＳ３側を前側、キャリアブロックＳ１側を後側とした方向を意味するものとする。
【００２７】
キャリアブロックＳ１は、複数のキャリア２を設置するためのキャリアステーション３と、キャリアステーション３と処理ブロックＳ２との間に介在する搬入・搬出部４とを有している。キャリア２は、複数枚のウェハＷを密封状態で収容し、キャリアステーション３上に着脱自在に設置される。キャリア２の一側面２ａ側には、ウェハＷを出し入れするための開閉扉（不図示）が設けられている。搬入・搬出部４には、キャリアステーション３に設置された複数のキャリア２にそれぞれ対応する開閉扉４ａが設けられている。搬入・搬出部４内には、キャリアステーション３に設置されたキャリア２からウェハＷを取り出して処理ブロックＳ２に渡し、処理ブロックＳ２からウェハＷを受け取ってキャリア２内に戻す受け渡しアームＡ１が収容されている。
【００２８】
処理ブロックＳ２は、ウェハＷの表面上に下層の反射防止膜を形成する下層反射防止膜形成（ＢＣＴ）ブロック５と、下層の反射防止膜の上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成（ＣＯＴ）ブロック６と、レジスト膜の上に上層の反射防止膜を形成する上層反射防止膜形成（ＴＣＴ）ブロック７と、現像処理を行う現像処理（ＤＥＶ）ブロック８とを有している。これらのブロックは、床面側からＤＥＶブロック８、ＢＣＴブロック５、ＣＯＴブロック６、ＴＣＴブロック７の順に積層されている。
【００２９】
ＢＣＴブロック５には、反射防止膜形成用の薬液を塗布する塗布ユニット（不図示）と、加熱・冷却ユニット（不図示）と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ２とが収容されている。ＴＣＴブロック７にも同様に、塗布ユニットと、加熱・冷却ユニットと、搬送アームＡ４とが収容されている。
【００３０】
図２及び図３に示されるように、ＣＯＴブロック６には、レジスト膜形成用の薬液を塗布する塗布ユニットＵ５と、加熱・冷却ユニットＵ６と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ３とが収容されている。
【００３１】
図２及び図４に示されるように、ＤＥＶブロック８には、複数の現像処理ユニットＵ１と、複数の加熱・冷却ユニット（基板熱処理装置）Ｕ２と、これらのユニットにウェハＷを搬送する搬送アームＡ５と、これらのユニットを経ずに処理ブロックＳ２の前後間でウェハＷを搬送する直接搬送アームＡ６とが収容されている。複数の現像処理ユニットＵ１は、ＤＥＶブロック８の右側で、前後方向に並べられると共に、上下２段に積層されている。複数の加熱・冷却ユニットＵ２は、ＤＥＶブロック８の左側で、前後方向に並べられている。搬送アームＡ５は、現像処理ユニットＵ１と加熱・冷却ユニットＵ２との間に設けられ、前後方向及び上下方向に移動可能とされている。直接搬送アームＡ６は、ＤＥＶブロック８の上部に設けられ、前後方向に移動可能とされている。
【００３２】
処理ブロックＳ２の後側には、床面からＴＣＴブロック７に亘るように棚ユニットＵ３が設けられている。棚ユニットＵ３は、上下方向に並ぶ複数のセルＣ３０〜Ｃ３８に区画されている。棚ユニットＵ３の近傍には、セルＣ３０〜Ｃ３８間でウェハＷを搬送する昇降自在な昇降アームＡ７が設けられている。処理ブロックＳ２の前側には、床面からＤＥＶブロック８の上部に亘るように棚ユニットＵ４が設けられている。棚ユニットＵ４は、上下方向に並ぶ複数のセルＣ４０〜Ｃ４２に区画されている。
【００３３】
インターフェースブロックＳ３は、露光装置Ｅ１に接続される。インターフェースブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ４から露光装置Ｅ１にウェハＷを渡し、露光装置Ｅ１からウェハＷを受け取り棚ユニットＵ４に戻す受け渡しアームＡ８が収容されている。
【００３４】
このような塗布・現像装置１では、まず、複数のウェハＷを収容したキャリア２がキャリアステーション３に設置される。このとき、キャリア２の一側面２ａは搬入・搬出部４の開閉扉４ａに向けられる。次に、キャリア２の開閉扉と搬入・搬出部４の開閉扉４ａとが共に開放され、受け渡しアームＡ１により、キャリア２内のウェハＷが取り出され、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ３のいずれかのセルに順次搬送される。
【００３５】
受け渡しアームＡ１により棚ユニットＵ３のいずれかのセルに搬送されたウェハＷは、昇降アームＡ７により、ＢＣＴブロック５に対応するセルＣ３３に順次搬送される。セルＣ３３に搬送されたウェハＷは、搬送アームＡ２によってＢＣＴブロック５内の各ユニットに搬送され、このウェハＷの表面上に下層反射防止膜が形成される。
【００３６】
下層反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ２によってセルＣ３３の上のセルＣ３４に搬送される。セルＣ３４に搬送されたウェハＷは、昇降アームＡ７によって、ＣＯＴブロック６に対応するセルＣ３５に搬送される。セルＣ３５に搬送されたウェハＷは、搬送アームＡ３によりＣＯＴブロック６内の塗布ユニットＵ５に搬送され、下層反射防止膜の上にレジスト膜形成用の薬液が塗布される。薬液塗布後のウェハＷは、搬送アームＡ３により加熱・冷却ユニットＵ６に搬送され、プリベーク（ＰＡＢ）処理が行われる。これにより、ウェハＷの下層反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００３７】
レジスト膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ３によってセルＣ３５の上のセルＣ３６に搬送される。セルＣ３６に搬送されたウェハＷは、昇降アームＡ７によって、ＴＣＴブロック７に対応するセルＣ３７に搬送される。セルＣ３７に搬送されたウェハＷは、搬送アームＡ４によってＴＣＴブロック７内の各ユニットに搬送され、このウェハＷのレジスト膜の上に上層反射防止膜が形成される。
【００３８】
上層反射防止膜が形成されたウェハＷは、搬送アームＡ４によってセルＣ３７の上のセルＣ３８に搬送される。セルＣ３８に搬送されたウェハＷは、昇降アームＡ７によって直接搬送アームＡ６に対応するセルＣ３２に搬送され、直接搬送アームＡ６によって棚ユニットＵ４のセルＣ４２に搬送される。セルＣ４２に搬送されたウェハＷは、インターフェースブロックＳ３の受け渡しアームＡ８により露光装置Ｅ１に渡され、レジスト膜の露光処理が行われる。
【００３９】
露光処理には、例えばＡｒＦエキシマレーザ光、ＫｒＦエキシマレーザ光又はＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ；極端紫外）光等が用いられる。露光処理により、レジスト膜では感光反応が進行する。ＡｒＦエキシマレーザ光又はＫｒＦエキシマレーザ光が用いられる場合には、酸を生成する反応が進行する。ＥＵＶ光が用いられる場合には、酸の生成を促進する酸発生成分を生成する反応が進行する。酸発生成分は、例えば２次電子である。露光処理後のウェハＷは、受け渡しアームＡ８によりセルＣ４２の下のセルＣ４０，Ｃ４１に搬送される。
【００４０】
セルＣ４０，Ｃ４１に搬送されたウェハＷは、搬送アームＡ５により、ＤＥＶブロック８内の加熱・冷却ユニットＵ２に搬送され、ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。ＰＥＢ処理により、レジスト膜では酸触媒反応が進行し、レジスト膜の溶解性が変化する。レジスト膜がポジ型である場合には、酸を触媒とする脱保護反応が進行することで、レジスト膜中のアルカリ不溶性樹脂がアルカリ可溶性となる。レジスト膜がネガ型である場合には、酸を触媒とする架橋反応が進行することで、レジスト膜中のアルカリ可溶性樹脂がアルカリ不溶性となる。
【００４１】
ＰＥＢ処理後のウェハＷは、搬送アームＡ５によって現像処理ユニットＵ１に搬送され、現像処理が行われる。現像処理後のウェハＷは、搬送アームＡ５によって加熱・冷却ユニットＵ２に搬送され、ポストベーク処理が行われる。ポストベーク処理後のウェハＷは、搬送アームＡ５により、棚ユニットＵ３のうちＤＥＶブロック８に対応したセルＣ３０，Ｃ３１に搬送される。セルＣ３０，Ｃ３１に搬送されたウェハＷは、受け渡しアームＡ１がアクセス可能なセルに昇降アームＡ７によって搬送され、受け渡しアームＡ１によってキャリア２内に戻される。
【００４２】
なお、塗布・現像装置１の構成は一例に過ぎない。塗布・現像装置は、塗布ユニット、現像処理ユニット等の液処理ユニットと、加熱・冷却ユニット等の前処理・後処理ユニットと、搬送装置とを備えるものであればよく、これら各ユニットの個数や種類、レイアウト等は適宜変更可能である。
【００４３】
続いて、基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットＵ２について詳細に説明する。図５及び図６に示されるように、加熱・冷却ユニットＵ２は、熱板１０と、冷却板１１と、冷却板移送部１２と、昇降部１３と、光照射部１４と、制御部１５とを備えている。熱板１０は、略円板形状を呈し、水平に配置されている。熱板１０の直径は、ウェハＷの直径に比べ大きい。熱板１０内には、ヒータ等の発熱要素が内蔵されている。冷却板１１は、略円板形状を呈し、熱板１０に隣接して水平に配置されている。冷却板１１の直径は、ウェハＷの直径に比べ大きい。冷却板１１内には、冷却流体の流路、ベルチェ素子等の冷却要素が内蔵されている。冷却板１１の下面１１ａは、熱板１０の上面１０ａに比べ上方に位置している。以下、加熱・冷却ユニットＵ２の説明における「前後左右」は、熱板１０側を前側、冷却板１１側を後側とした方向を意味するものとする。
【００４４】
冷却板移送部１２は、冷却板１１の下方に配置され、冷却板１１を前後方向に沿って移送する。冷却板移送部１２による冷却板１１の移送範囲は、熱板１０上に亘っている。冷却板移送部１２は、前後方向に沿って移動する移動体１６と、移動体１６を移送する移送アクチュエータ（不図示）とを有している。移動体１６の上部は冷却板１１の後側部分の下に固定されており、冷却板１１は移動体１６により片持ち支持されている。
【００４５】
昇降部１３は、熱板１０の左右にそれぞれ配置された２本の昇降柱体１７と、昇降柱体１７を昇降させる昇降アクチュエータ（不図示）とを有している。昇降部１３が昇降柱体１７を最も下降させた状態で、昇降柱体１７の上端１７ａは熱板１０の上面１０ａに比べ同等以下の高さに位置する。昇降柱体１７の上端部の前後には、熱板１０側に突出する２本の支持アーム（支持部）１８がそれぞれ固定されている。支持アーム１８の先端１８ａは、熱板１０の周縁１０ｂの内側に位置している。左側の支持アーム１８と右側の支持アーム１８の間隔は、ウェハＷの直径に比べ小さい。熱板１０の上面１０ａには、昇降柱体１７と共に下降した支持アーム１８を収容する凹部１０ｃが形成されている。冷却板１１には、熱板１０上で支持アーム１８を通過させるための凹部１１ｃが形成されている。なお、凹部１１ｃを形成するのに代えて、冷却板１１の直径を支持アーム１８同士の間隔に比べ小さくしてもよい。
【００４６】
光照射部１４は、連結板２１と、光源支持アーム２２と、複数の光源２３とを有する。連結板２１は、冷却板１１の前側部分の下に固定され、冷却板１１の周縁１１ｂから前方に張り出している。光源支持アーム２２は、連結板２１の前側部分に設けられ、連結板２１の側縁から左右に延出している。光源支持アーム２２の長さは、ウェハＷの直径に比べ大きい。
【００４７】
光源２３は、輻射加熱用の光を上方に出射する発光素子であり、電力供給回路（不図示）から供給される電力によって発光する。輻射加熱用の光は、例えば赤外光である。ウェハＷがシリコンウェハである場合、赤外光の波長は８５０〜１０００ｎｍであることが好ましい。発光素子としては、ＬＥＤ、半導体レーザ、ハロゲンランプ等が挙げられる。
【００４８】
複数の光源２３は、光源支持アーム２２の全長に亘って線状に並び、光源支持アーム２２の上に固定されている。光源２３は光源支持アーム２２及び連結板２１を介して冷却板１１の周辺部に固定されるため、冷却板移送部１２は光源２３を水平方向に移送する水平移送部２４として機能する。これにより、冷却板１１を移送する冷却板移送部１２が光源２３の移送にも活用され、加熱・冷却ユニットＵ２の構成が簡素化されている。なお、光源２３は、冷却板１１に直接固定されていてもよい。水平移送部２４は、前後方向、すなわち光源２３が並ぶ方向に直交する方向に光源２３を移送する。光源支持アーム２２の位置とウェハＷの中心の位置とが前後方向で揃うとき、複数の光源２３はウェハＷの径方向に沿って直線状に並ぶ。
【００４９】
制御部１５は、制御用のコンピュータであり、加熱・冷却条件の設定画面を表示する表示部（不図示）と、加熱・冷却条件を入力する入力部（不図示）と、コンピュータ読み取り可能な記録媒体からプログラムを読み取る読取部（不図示）とを有している。記録媒体には、制御部１５に加熱・冷却処理を実行させるプログラムが記録されており、このプログラムが制御部１５の読取部によって読み取られる。記録媒体としては、例えば、ハードディスク、コンパクトディスク、フラッシュメモリ、フレキシブルディスク、メモリカード等が挙げられる。制御部１５は、入力部に入力された加熱・冷却条件と、読取部により読み取られたプログラムとに応じて、熱板１０、冷却板１１、冷却板移送部１２、昇降部１３、光照射部１４を制御し、加熱・冷却処理を実行する。以下、制御部１５に制御される加熱・冷却ユニットＵ２を用いた熱処理の一例として、ＰＥＢ処理の手順について説明する。
【００５０】
まず、制御部１５は、熱板１０を制御して熱板１０内のヒータを発熱させ、熱板１０の温度を設定温度まで上昇させる。この状態で、上述した搬送アームＡ５により、露光処理後のウェハＷが加熱・冷却ユニットＵ２に搬送され、図７に示されるように冷却板１１上に載置される。次に、制御部１５は、冷却板移送部１２を制御して移動体１６を前方に移送することで、図８に示されるように冷却板１１を熱板１０上に移送する。これにより、ウェハＷが熱板１０上に搬入される。
【００５１】
次に、制御部１５は、昇降部１３を制御して昇降柱体１７を上昇させる。すると、昇降柱体１７の上端部の支持アーム１８がウェハＷの裏面Ｗｂに当接する。更に昇降柱体１７が上昇すると、図９に示されるように、ウェハＷが押し上げられて冷却板１１から離れる。次に、制御部１５は、冷却板移送部１２を制御して移動体１６を後方に移送することで、図１０に示されるように、ウェハＷの下方から冷却板１１を退避させる。次に、制御部１５は、昇降部１３を制御して昇降柱体１７を下降させることで、図１１に示されるようにウェハＷを熱板１０上に載置し、熱板１０の熱によりウェハＷを加熱する（加熱工程）。これにより、上述した酸触媒反応が進行する。
【００５２】
予め設定された加熱時間が経過すると、制御部１５は昇降部１３を制御して昇降柱体１７を上昇させる（上昇工程）。これにより、図１２に示されるようにウェハＷが押し上げられ、熱板１０から離れる。次に、制御部１５は、光照射部１４を制御して光源２３を発光させると共に、水平移送部２４を制御して光源２３を前方に移送する。これにより、図１３及び図１４に示されるように、光源２３がウェハＷの下方を通過する。左右方向には複数の光源２３が並び、その光源２３が前後方向に沿って移動するので、ウェハＷの裏面Ｗｂの全域に赤外光が照射される。赤外光の照射により、ウェハＷが輻射加熱される（光照射工程）。これにより、上述した酸触媒反応が更に進行する。すなわち、熱板１０による加熱で進行する反応が促進される。なお、必ずしもウェハＷの裏面Ｗｂの全域に赤外光を照射する必要はなく、少なくとも処理対象部分に光を照射すればよい。処理対象部分は、例えば、ウェハＷの切断後に半導体チップとして利用される部分である。
【００５３】
このように、光源２３が並ぶ左右方向に光源２３を移送することなく、ウェハＷの処理対象部分の全域に光を照射できるため、水平移送部２４の構造が簡素化されている。また、赤外光はウェハＷの裏面Ｗｂに照射されるので、ウェハＷの表面Ｗａに金属層等が形成されている場合であっても、金属層等に妨げられることなくウェハＷに光を照射できる。このため、光照射工程において効率よくウェハＷを加熱できる。なお、ＰＥＢ処理において加熱すべき対象はレジスト膜であるが、レジスト膜は、ウェハＷに比べ赤外光を吸収し難く、輻射加熱され難い傾向がある。このため、効率よくレジスト膜を加熱するには、赤外光の照射によりウェハＷを加熱し、ウェハＷからレジスト膜に熱を伝える必要がある。従って、ウェハＷの表面Ｗａに形成されたレジスト膜を加熱対象とするＰＥＢ処理においても、裏面Ｗｂに赤外光を照射することが有効である。
【００５４】
光照射工程において、制御部１５は、光源２３の移送に応じて光源２３の出射光量を調節する。これにより、前後方向における照射光量の分布が調節される。なお、水平移送部２４による光源２３の移送速度を調節することによっても、前後方向における照射光量の分布を調節できる。例えば、光源２３の移送速度を変動させる場合、光源２３が低速で通過した部分では照射光量が多くなり、光源２３が高速で通過した部分では照射光量が少なくなる。
【００５５】
また、光照射工程において、制御部１５は、光源２３ごとに赤外光の出射光量を調節するように光照射部１４を制御する。これにより、左右方向における照射光量の分布が調節される。なお、光源支持アーム２２上に並べられた全ての光源２３を、それぞれ複数の光源２３からなる複数のグループに区分し、グループごとに出射光量を調節してもよい。すなわち、複数の光源２３からなるグループごとに出射光量を調節することも、光源２３ごとに出射光量を調節することに含まれる。
【００５６】
このように、左右方向における照射光量の分布及び前後方向における照射光量の分布を調節することで、照射位置ごとに照射光量が調節される。例えば、制御部１５は、照射位置ごとに予め設定された目標値に基づいて、照射位置ごとの照射光量を調節する。
【００５７】
次に、制御部１５は、昇降部１３を制御して昇降柱体１７を下降させることで、図１５に示されるようにウェハＷを冷却板１１上に載置する。次に、制御部１５は、冷却板移送部１２を制御して移動体１６を後方に移送することで、図１６に示されるように、熱板１０の上方から冷却板１１を退避させる。これにより、熱板１０上からウェハＷが搬出される。また、冷却板１１によりウェハＷが冷却される。以上でＰＥＢ処理が完了する。
【００５８】
ここで、光照射工程における照射光量の目標値について詳細に説明する。ＰＥＢ処理におけるウェハＷの温度と、現像処理後に形成されるレジストパターンの線幅とは相関する傾向がある。例えば、ＡｒＦ液浸露光用のポジレジストでは、ＰＥＢ処理におけるウェハＷの温度が上昇するにつれて、レジストパターンの線幅が小さくなる傾向がある。そこで、レジストパターンの線幅に基づいて、ＰＥＢ処理におけるウェハＷの温度の過不足を把握し、その過不足をゼロに近付けるように照射位置ごとの照射光量の目標値を設定できる。
【００５９】
具体的には、レジスト膜が形成された試験用のウェハＷを準備し、試験用レジストパターンを形成するための露光処理を行う。露光処理後のウェハＷにＰＥＢ処理を行う。ＰＥＢ処理の光照射工程では、一定の仮目標値を設定し、仮目標値に基づいて照射位置ごとの照射光量を調節する。ＰＥＢ処理後のウェハＷに現像処理を行い、ウェハＷに試験用レジストパターンを形成する。
【００６０】
次に、ウェハＷ上に万遍なく点在する複数の測定点を設定し、測定点ごとに試験用レジストパターンの線幅ＣＤを測定する。試験用レジストパターンの線幅ＣＤは、例えば、スキャトロメトリ（Ｓｃａｔｔｅｒｏｍｅｔｒｙ）法により測定可能である。測定点ごとに、線幅ＣＤと線幅の目標値ＣＤ０との差分ΔＣＤを算出し、次式により温度の過不足値ΔＴを算出する。
ΔＴ＝Ｍ・ΔＣＤ
Ｍは、レジスト剤の種類等に応じて定まる係数である。各測定点の過不足値ΔＴをゼロに近付けるように仮目標値を修正し、照射位置ごとの照射光量の目標値を設定する。以上で照射位置ごとの照射光量の目標値が設定される。試験用のウェハＷを用いて設定した目標値は、以降のＰＥＢ処理に使い続けることが可能であるが、ウェハＷのロットが変わるとき等に目標値を設定しなおしてもよい。
【００６１】
以上に説明した加熱・冷却ユニットＵ２によれば、ウェハＷを熱板１０上に水平に配置して加熱する加熱工程と、熱板１０による加熱で進行する反応を促進するための光をウェハＷに照射する光照射工程とを実行できる。光照射工程では、光源２３又はウェハＷを水平方向に移送することで、ウェハＷの処理対象部分の全域に亘って光の照射位置が移動させられる。これにより、ウェハＷの各部分は、加熱工程において熱板１０により加熱されるのに加え、光照射工程において光の照射を受ける。光照射工程において、照射位置ごとに光の照射光量を調節することで、反応促進の程度をウェハＷの部分ごとに自在に調節できる。このため、ウェハＷの各部における反応の進行の均一性を向上させることができる。更に、光源２３又はウェハＷの移送によりウェハＷの処理対象部分の全域に光を照射できるため、光源２３の数を削減できる。
【００６２】
〔第２実施形態〕
第２実施形態に係る基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットＵ７は、冷却板移送部１２とは別に水平移送部２４Ａを設けたものである。図１７及び図１８に示されるように、水平移送部２４Ａは、熱板１０の左右に配置される一対の環状のベルト２６を有している。各ベルト２６は、前後に並ぶ一対のプーリ２７，２８に架け渡されている。左側のベルト２６及びプーリ２７，２８は、熱板１０と左側の昇降柱体１７の間に配置されている。右側のベルト２６及びプーリ２７，２８は、熱板１０と右側の昇降柱体１７の間に配置されている。
【００６３】
プーリ２７，２８は、それぞれ左右方向に延びる軸を中心に回転する。プーリ２７の回転中心は、熱板１０の前側部分より前方に位置している。プーリ２８の回転中心は、熱板１０の後側部分より後方に位置している。プーリ２７，２８の一方はモータ等の動力源（不図示）に接続される。ベルト２６は、プーリ２７，２８の回転に伴い、周方向に沿って循環する。
【００６４】
複数の光源２３を支持する光源支持アーム２２は、左右方向に延在し、左右のベルト２６に架け渡されている。水平移送部２４Ａは、ベルト２６を循環させることにより、光源支持アーム２２及び光源２３を前後方向に沿って移送する。第２実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６５】
〔第３実施形態〕
第３実施形態に係る基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットＵ８は、ウェハＷの搬入・搬出部に光照射部１４を配置したものである。図１９及び図２０に示すように、光照射部１４が配置される搬入・搬出部は、冷却板１１より後側に位置する。第３実施形態においては、搬送アームＡ５が水平移送部として機能する。水平移送部としての搬送アームＡ５は、ウェハＷを前後方向に沿って移送する。すなわち、搬送アームＡ５は、光源２３が並ぶ方向に直交する方向にウェハＷを移送する。
【００６６】
制御部１５は、加熱・冷却ユニットＵ８に対しウェハＷの搬出・搬入を行うときに光照射工程を実行する。具体的には、光照射部１４を制御して光源２３を発光させると共に、水平移送部としての搬送アームＡ５を制御してウェハＷを後方に移送して加熱・冷却ユニットＵ８から搬出する。或いは、光照射部１４を制御して光源２３を発光させると共に、水平移送部としての搬送アームＡ５を制御してウェハＷを前方に移送して加熱・冷却ユニットＵ８に搬入する。いずれにおいても、ウェハＷが光源２３の上方を通過する。左右方向には複数の光源２３が並び、その光源２３の上方をウェハＷが前後方向に沿って移動するので、ウェハＷの裏面Ｗｂの全域に赤外光が照射される。
【００６７】
第３実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。また、ウェハＷの搬入時に光照射工程を実行する場合には、光照射工程が加熱工程に先行することとなる。光照射による輻射加熱は、熱板１０による加熱に比べて昇温時間が短い。このため、加熱工程の前に光照射工程を行うことで、ウェハＷの熱処理に要する時間を短縮できる。
【００６８】
なお、光照射部１４は、加熱・冷却ユニットＵ８の外に配置されていてもよい。例えば図２１に示すように、棚ユニットＵ４の周囲におけるキャリアブロックＳ１側の位置Ｐ１又はインターフェースブロックＳ３側の位置Ｐ２に配置されていてもよい。光照射部１４が位置Ｐ１に配置される場合にも、搬送アームＡ５が水平移送部として機能する。光源２３は、搬送アームＡ５によるウェハＷの搬送方向に直交する方向に配列される。光照射部１４が位置Ｐ２に配置される場合には、受け渡しアームＡ８が水平移送部として機能する。光源２３は、受け渡しアームＡ８によるウェハＷの搬送方向に直交する方向に配列される。いずれにおいても、ウェハＷの搬送経路の途中に光照射部１４を設け、アームＡ５，Ａ８を水平移送部として活用するので、装置全体を簡素化できる。
【００６９】
〔第４実施形態〕
第４実施形態に係る基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットＵ９は、ウェハＷの裏面Ｗｂに光を照射する光照射部１４を、ウェハＷの表面Ｗａに光を照射する光照射部１４Ａに変更したものである。図２２及び図２３に示すように、光照射部１４Ａは、加熱・冷却ユニットＵ９におけるウェハＷの搬入・搬出部に配置されている。光照射部１４Ａは、光を上方に出射する光源２３に代えて、光を下方に出射する光源２３Ａを有する。複数の光源２３Ａは、搬送アームＡ５により搬送されるウェハＷの上方に位置すると共に、左右方向に沿って線状に並んでいる。
【００７０】
制御部１５は、加熱・冷却ユニットＵ９に対しウェハＷの搬出・搬入を行うときに光照射工程を実行する。具体的には、光照射部１４Ａを制御して光源２３Ａを発光させると共に、水平移送部としての搬送アームＡ５を制御してウェハＷを後方に移送して加熱・冷却ユニットＵ９から搬出する。或いは、光照射部１４Ａを制御して光源２３Ａを発光させると共に、水平移送部としての搬送アームＡ５を制御してウェハＷを前方に移送して加熱・冷却ユニットＵ９に搬入する。いずれにおいても、ウェハＷが光源２３Ａの下方を通過する。左右方向には複数の光源２３Ａが並び、その光源２３Ａの下方をウェハＷが前後方向に沿って移動するので、ウェハＷの表面Ｗａの全域に赤外光が照射される。
【００７１】
第４実施形態によっても、第３実施形態と同様の効果が得られる。なお、光照射部１４Ａは、加熱・冷却ユニットＵ９の外に配置されていてもよい。例えば図２４に示すように、上記位置Ｐ１，Ｐ２に配置されていてもよい。光照射部１４Ａが位置Ｐ１に配置される場合にも、搬送アームＡ５が水平移送部として機能する。光源２３Ａは、搬送アームＡ５によるウェハＷの搬送方向に直交する方向に配列される。光照射部１４Ａが位置Ｐ２に配置される場合には、受け渡しアームＡ８が水平移送部として機能する。光源２３Ａは、受け渡しアームＡ８によるウェハＷの搬送方向に直交する方向に配列される。いずれにおいても、ウェハＷの搬送経路の途中に光照射部１４Ａを設け、アームＡ５，Ａ８を水平移送部として活用するので、装置全体を簡素化できる。
【００７２】
光照射部１４Ａは、感光反応の促進用の光（以下、「感光反応促進光」という。）を照射するものであってもよい。この場合、制御部１５は、ＰＡＢ処理と加熱工程との間に光照射工程を実行する。レジスト膜の感光反応促進光としては、ＡｒＦエキシマレーザ光、ＫｒＦエキシマレーザ光、ｉ線、ｇ線、ＥＵＶ光又は赤外光等が挙げられる。
【００７３】
感光反応促進光は、露光処理において用いられる光（以下、「露光処理光」という。）と同じであってもよいが、露光処理光と異なっていることがより好ましい。仮に、感光反応促進光が露光処理光と同じである場合、露光処理における未露光領域も、感光反応促進光により露光されることとなるので、露光領域と未露光領域との選択性が低下するおそれがある。これに対し、露光処理光と異なる感光反応促進光を用いる場合、露光処理光と相補的に作用する光を感光反応促進光として選択し、反応促進の程度を露光領域において選択的に高めることができる。
【００７４】
例えば、露光処理光としてＥＵＶ光を用い、感光反応促進光としてＡｒＦエキシマレーザ光、ＫｒＦエキシマレーザ光、ｉ線又はｇ線を用いる場合、露光処理では２次電子等の酸発生成分が生成され、光照射工程では酸が生成される。露光領域においては、酸発生成分の作用により、光照射工程における酸の生成が加速される。従って、露光領域と未露光領域とで、酸の生成量の差異が顕著となり、選択制の低下が抑制される。
【００７５】
上述したように、熱板１０による加熱工程では、露光処理及び光照射工程における感光反応により生じた酸を触媒とする酸触媒反応が進行する。すなわち、熱板１０は、感光反応により開始された反応を進行させる。また、酸触媒反応は、光照射工程で生じた酸により促進される。すなわち、感光反応促進光も、熱板による加熱で進行する反応を促進させる。
【００７６】
光照射部１４Ａが感光反応促進光を照射する場合、制御部１５は、ＰＡＢ処理と露光処理との間に光照射工程を実行してもよい。この場合、図２５に示すように、光照射部１４ＡはＣＯＴブロック６に配置される。光照射部１４Ａの配置箇所としては、加熱・冷却ユニットＵ６におけるウェハＷの搬入・搬出部Ｐ３、棚ユニットＵ４の周囲におけるインターフェースブロックＳ３側の位置Ｐ４等が挙げられる。いずれにおいても、搬送アームＡ３が水平移送部として機能し、光源２３Ａは搬送アームＡ３によるウェハＷの搬送方向に直交する方向に配列される。
【００７７】
〔第５実施形態〕
第５実施形態に係る基板熱処理装置を構成する加熱・冷却ユニットＵ１０は、加熱・冷却ユニットＵ２に回転保持部３０を付加したものである。図２６〜図２８に示されるように、回転保持部３０は、熱板１０の上方においてウェハＷを保持して回転させる。回転保持部３０は、熱板１０に対し平行に配置された回転体３１と、回転体３１の上部中央に接続された回転軸３２とを有する。回転体３１の下部には、裏面Ｗｂが露出するようにウェハＷを保持する保持部３３が設けられている。回転軸３２は、モータ等の動力源（不図示）に接続され、回転体３１と共に鉛直軸線を中心に回転する。
【００７８】
加熱・冷却ユニットＵ１０の昇降部１３Ａは、昇降柱体１７及び支持アーム１８に代えて、熱板１０の中央部を貫通して昇降する３本以上の昇降ピン（支持部）３４を有する。昇降ピン３４は、熱板１０の上方でウェハＷを安定して支持できるように配置されている。昇降部１３は、昇降ピン３４を昇降させることにより、熱板１０上でウェハＷを昇降させる。昇降部１３が昇降ピン３４を最も下降させた状態において、昇降ピン３４の上端３４ａは熱板１０の上面１０ａに比べ下方に位置し、ウェハＷを熱板１０上に載置することが可能となる。昇降ピン３４の上端３４ａの上昇高さは、ウェハＷを保持部３３の高さに到達させられるように設定されている。
【００７９】
加熱・冷却ユニットＵ１０の光照射部１４Ｂは、光源支持アーム２２を有さず、１個又は複数個の光源２３が連結板２１の先端部２１ａの上に固定されている。光源２３は、左右方向において、ウェハＷの回転中心ＣＬと同じ位置に配置されている。このため、光源２３を前後方向に沿って移送すると、赤外光の照射位置はウェハＷの回転中心ＣＬを通る線に沿って移動する。加熱・冷却ユニットＵ１０において、制御部１５は、熱板１０、冷却板１１、冷却板移送部１２、昇降部１３Ａ、光照射部１４Ｂに加え、回転保持部３０を制御する。
【００８０】
光照射工程を行う際に、制御部１５は昇降部１３を制御して昇降ピン３４を上昇させ、図２７及び図２８に示されるようにウェハＷを保持部３３の高さまで上昇させる。回転保持部３０を制御して、保持部３３にウェハＷを保持させる。昇降部１３を制御して昇降ピン３４を下降させ、回転保持部３０を制御して回転体３１を回転させる。これにより、ウェハＷが回転する。この状態で冷却板移送部１２を制御し、光源２３を前後方向に沿って移送する。光源２３の移送速度及びウェハＷの回転数は、照射位置がウェハＷの裏面Ｗｂの全域に亘るように設定されている。また、光源２３の移送速度及びウェハＷの回転数は、光源２３の出射光量が一定である場合に、ウェハＷの処理対象部分の全域で照射光量が一定となるように設定される。以下、このように設定された移送速度及び回転数を「基準移送速度」及び「基準回転数」という。基準移送速度及び基準回転数は、照射位置が回転中心ＣＬに近付くに従って高くなる。制御部１５は、光源２３の出射光量を調節することで、照射位置ごとに照射光量を調節する。
【００８１】
光源２３の移送速度及びウェハＷの回転数を調節することによっても、照射位置ごとの照射光量を調節できる。基準移送速度及び基準回転数に対し、移送速度及び回転数を変えたときに、照射光量がどのように変わるかを具体的に説明する。基準移送速度及び基準回転数に比べ、移送速度及び回転数を高めると、照射位置の移動が速くなるので照射位置ごとの照射光量が小さくなる。また、基準移送速度及び基準回転数に比べ移送速度及び回転数を低めると、照射位置の移動が遅くなるので照射位置ごとの照射光量が大きくなる。
【００８２】
第５実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、図２９に示されるように、熱板１０の上方とは異なる場所に回転保持部３０を配置し、回転保持部３０の下方に、光照射部１４Ｃ及び水平移送部２４Ｂを設けてもよい。
【００８３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。例えば、水平移送部は、前後方向及び左右方向の両方に光源２３又はウェハＷを移送するように構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００８４】
１０…熱板、１１…冷却板、１２…冷却板移送部、１３，１３Ａ…昇降部、１４，１４Ａ，１４Ｂ，１４Ｃ…光照射部、１５…制御部、１８…支持アーム（支持部）、２３，２３Ａ…光源、２４，２４Ａ，２４Ｂ…水平移送部、Ａ５，Ａ８…アーム（水平移送部）、３０…回転保持部、３４…昇降ピン（支持部）、Ｕ２，Ｕ７，Ｕ８，Ｕ９，Ｕ１０…加熱・冷却ユニット（基板熱処理装置）、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗｂ…裏面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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