(57)【要約】【課題】ＬＥＤ部に欠陥が発生しにくく、ＬＥＤ部を容易に形成できるＬＥＤプリントヘッドを提供する。【解決手段】このＬＥＤプリントヘッドでは、ＬＥＤ部(６)は、第１,第２の電極(１１,１２)に対する電気的な接続の極性が互いに異なる棒状の第１,第２の発光ダイオード(７Ａ,７Ｂ)が極性を揃えないでランダムに入り交じって配置されており、駆動回路(１５)で第１,第２の発光ダイオード(７Ａ,７Ｂ)を交流で駆動する。棒状の複数の発光ダイオード(７)を含んだ溶液をガラス基板(１０)上に塗布して第１,第２の電極(１１,１２)間に電圧を印加すれば、第１,第２の電極(１１,１２)に対して複数の発光ダイオード７Ａ,７Ｂを電気的に接続できる。【選択図】図２
2014072227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードを有するＬＥＤ部と、
上記複数の発光ダイオードを、個別もしくは電気的に並列に接続された複数の発光ダイオード毎に駆動可能な駆動部と
を備え、
上記ＬＥＤ部は、
基板と、
上記基板上に形成された第１の電極と、
上記基板上に形成された第２の電極と、
上記第１の電極と第２の電極との間に電気的に接続された板状または棒状の複数の発光ダイオードと
を有することを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＥＤプリントヘッドにおいて、
上記複数の発光ダイオードは、
上記第１の電極にアノードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にカソードが電気的に接続された第１の発光ダイオードと、
上記第１の電極にカソードが電気的に接続されていると共に上記第２の電極にアノードが電気的に接続された第２の発光ダイオードと
からなり、
上記第１の発光ダイオードと第２の発光ダイオードが上記基板上の上記第１の電極と第２の電極との間に極性を揃えないでランダムに入り交じって配置され、
さらに、上記第１の電極を複数有し、
上記複数の第１の電極は、上記複数の発光ダイオードのそれぞれに個別に電気的に接続され、
上記駆動部は、
上記第１,第２の電極に電気的に接続されると共に上記複数の発光ダイオードを交流で駆動することを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＬＥＤプリントヘッドにおいて、
上記発光ダイオードは、
第１導電型のコア部と、
上記第１導電型のコア部の外周面を被覆する第２導電型のシェル部と
を有し、
上記第１導電型のコア部の外周面の一部が上記第２導電型のシェル部から露出していることを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載のＬＥＤプリントヘッドにおいて、
上記第２の電極は、上記複数の第１の電極が上記基板表面に沿って配列されている方向に延在していると共に上記複数の第１の電極に対向しており、
上記第２の電極は、
各上記第１の電極に向かって突出していると共に上記延在方向に沿って並ぶように形成された複数の突出部を有し、
上記第２の電極の突出部に、上記発光ダイオードのカソードもしくはアノードが電気的に接続されていることを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１つに記載のＬＥＤプリントヘッドにおいて、
上記駆動部は、
上記複数の発光ダイオードを個別に駆動可能な駆動回路を有する駆動回路基板であり、
上記ＬＥＤ部は、
上記駆動回路基板上に配置されていることを特徴とするＬＥＤプリントヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子写真プリンタ、複写装置等において現像形成の露光装置として用いられるＬＥＤプリントヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真プリンタ、複写装置等に装着される現像形成装置は、均一に帯電された感光体の表面を露光装置により露光して静電潜像を形成し、この静電潜像に静電効果によりトナーを付着させてトナー像に現像化した後、トナー像を用紙に転写している。上記露光装置としては、発光素子としてＬＥＤ(発光ダイオード)素子を用いたＬＥＤプリントヘッドがあり、このＬＥＤ素子を印刷データに従って選択的に発光させることにより、静電潜像が感光体ドラムの表面に形成される。
【０００３】
特許文献１(特開２００４−２０７３２５号公報)に、このようなＬＥＤプリントヘッドが記載されている。このＬＥＤプリントヘッドは、図１１に示されるように、Ｓｉ基板１００１上に独立に電位を制御することができる複数のメタル層１００３と、このメタル層１００３上に貼り付けられたエピタキシャルフィルム１００４と、このエピタキシャルフィルム１００４に形成された複数のＬＥＤ(発光部)１００５とを備える。
【０００４】
各ＬＥＤ１００５上からＳｉ基板１００１の個別電極領域上まで延びる複数の個別配線層１００６が形成されている。各個別配線層１００６は、上記個別電極領域を介して集積回路１００２に接続された駆動ＩＣ(図示せず)に接続され、この駆動ＩＣは、各個別配線層１００６の電位を個別に制御できる。これにより、各ＬＥＤ１００５を選択的に発光させることができる。
【０００５】
ところで、上記従来のＬＥＤプリントヘッドでは、複数のＬＥＤ１００５が形成されたエピタキシャルフィルム１００４を化合物半導体基板から剥離し、Ｓｉ基板１００１上に形成されたメタル層１００３に貼り付ける必要がある。
【０００６】
しかし、このエピタキシャルフィルム１００４は、膜厚が数ミクロンオーダの薄膜であり、剥離および貼り付けの工程において、上記エピタキシャルフィルム１００４に欠陥が生じる可能性があり、歩留りの低下を招くという問題がある。
【０００７】
また、上記貼り付けの工程において、上記Ｓｉ基板１００１上に形成されたメタル層１００３の表面の平坦性が良好でない場合、上記エピタキシャルフィルム１００４を貼り付けることが困難になり、歩留りの低下を招くという問題がある。すなわち、上記貼り付け工程では、上記エピタキシャルフィルム１００４とＳｉ基板１００１上のメタル層１００３との間の分子間力により互いに密着させることにより行われるが、この際、Ｓｉ基板１００１上のメタル層１００３の表面の平坦性が要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−２０７３２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、この発明の課題は、ＬＥＤ部に欠陥が発生しにくく、ＬＥＤ部を容易に形成できるＬＥＤプリントヘッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、この発明のＬＥＤプリントヘッドは、複数の発光ダイオードを有するＬＥＤ部と、
上記複数の発光ダイオードを、個別もしくは電気的に並列に接続された複数の発光ダイオード毎に駆動可能な駆動部と
を備え、
上記ＬＥＤ部は、
基板と、
上記基板上に形成された第１の電極と、
上記基板上に形成された第２の電極と、
上記第１の電極と第２の電極との間に電気的に接続された板状または棒状の複数の発光ダイオードと
を有することを特徴としている。
なお、基礎基板を備え、上記基礎基板上に上記ＬＥＤ部と上記駆動部が配置されていてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
この発明のＬＥＤプリントヘッドでは、ＬＥＤ部は、第１,第２の電極との間に電気的に接続された複数の発光ダイオードが配置されており、駆動部で上記第１,第２の発光ダイオードを交流または直流で駆動する。この発明では、上記板状または棒状の複数の発光ダイオードを含んだ溶液を基板上に塗布して第１,第２の電極間に電圧を印加すれば、上記第１,第２の電極に対して複数の発光ダイオードを電気的に接続できる。
【００１２】
したがって、この発明では、発光ダイオードが形成された半導体薄膜を化合物半導体基板から剥離してからシリコン基板上に貼り付けることが必要な従来例に比べて、発光ダイオードに欠陥が発生するのを抑制しつつＬＥＤ部を容易に作製でき、発光ダイオードの欠陥に起因する不良を低減でき、歩留りを向上できる。
【００１３】
また、上記複数の発光ダイオードは、安価な絶縁基板(例えば、ガラス基板)上に配置でき、上記基板の大型化が容易であり、例えば、長尺形状とした上記基板の両端を予め定められた他の基板上に固定することができる。したがって、発光ダイオードが形成された薄膜半導体と基板との間に密着性が要求される従来例とは異なり、密着性に起因する不良が原理的に発生しないので、歩留りを向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】この発明のＬＥＤプリントヘッドの第１実施形態の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】上記第１実施形態のＬＥＤモジュールの一部を示す平面図である。
【図３Ａ】上記第１実施形態の発光ダイオードの構成の一例を示す斜視図である。
【図３Ｂ】上記発光ダイオードの端面図である。
【図４Ａ】棒状構造の発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く棒状構造の発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図５】複数の上記棒状構造発光ダイオードが基板上に形成された電極間に接続された様子を示す平面図である。
【図６】この発明のＬＥＤプリントヘッドの第２実施形態の構成を模式的に示す斜視図である。
【図７Ａ】上記第２実施形態のＬＥＤモジュールの平面図である。
【図７Ｂ】上記ＬＥＤモジュールの一部を示す平面図である。
【図８】上記第２実施形態のレンズアレイの変形例を示す斜視図である。
【図９Ａ】上記第１,第２実施形態における発光ダイオードの変形例の製造方法の工程図である。
【図９Ｂ】図９Ａに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図９Ｃ】図９Ｂに続く発光ダイオードの製造方法の工程図である。
【図１０】上記第１実施形態のＬＥＤモジュールの変形例の一部を示す平面図である。
【図１１】従来のＬＥＤプリントヘッドを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１６】
(第１の実施の形態)
図１は、この発明の第１実施形態のプリントヘッド１と感光体ドラム２を示す斜視図である。また、図２は、上記プリントヘッド１が備えるＬＥＤモジュール３を部分的に示す部分平面図である。
【００１７】
図１に示すように、上記プリントヘッド１は、上記ＬＥＤモジュール３の発光ダイオード７から出射された光が入射すると共にこの入射した光を、上記感光体ドラム２に照射するレンズアレイ８を備える。このレンズアレイ８は、複数のレンズ８Ａを有する。また、上記ＬＥＤモジュール３は、駆動部としての駆動回路基板５と、この駆動回路基板５上に配置された複数のＬＥＤ部６とを備える。このＬＥＤ部６は、複数の発光ダイオード７を有する。各ＬＥＤ部６において、各発光ダイオード７は略等間隔で配置されている。また、図１のＬＥＤモジュールにおいて、長手方向と直交する短手方向に２つのＬＥＤ部６が部分的に重複している領域では、２つの発光ダイオード７が重複して配置されている。この領域では、駆動回路基板５によって２つの発光ダイオード７のうちのいずれか１つの発光ダイオード７が発光するように駆動すればよい。
【００１８】
図２は、１つのＬＥＤ部６とこのＬＥＤ部６を駆動する１つの駆動回路１５を示している。上記駆動回路基板５は、複数の駆動回路１５を備え、各駆動回路１５によって各ＬＥＤ部６を駆動する。上記ＬＥＤ部６は、絶縁基板の一例としてのガラス基板１０と、このガラス基板１０上に形成された複数の第１の電極１１と、上記ガラス基板１０上で上記複数の第１の電極１１に対向するように配置された第２の電極１２とを有する。上記第１の電極１１は、基部１１Ｂとこの基部１１Ｂから上記第２の電極１２に向かって突出した突出部１１Ａとを有する。上記第２の電極１２は、基部１２Ｂとこの基部１２Ｂから上記複数の第１の電極１１の突出部１１Ａに向かって突出した複数の突出部１２Ａとを有する。
【００１９】
図２に示すように、上記ＬＥＤ部６では、第１の電極１１の突出部１１Ａにアノードが電気的に接続されていると共に第２の電極１２の突出部１２Ａにカソードが電気的に接続されている第１の発光ダイオード７Ａと、第１の電極１１の突出部１１Ａにカソードが電気的に接続されていると共に第２の電極１２の突出部１２Ａにアノードが電気的に接続されている第２の発光ダイオード７Ｂとが極性を揃えないでランダムに配置されている。
【００２０】
図２に示す第１の発光ダイオード７Ａと第２の発光ダイオード７Ｂとは発光ダイオード単体としては同じ発光ダイオード７であるが、第１,第２の電極１１,１２に対する接続極性が互いに異なっていることを示すために、便宜上、異なる符号７Ａ,７Ｂで表している。上記第１の発光ダイオード７Ａの個数と第２の発光ダイオード７Ｂの個数の割合は、図示に限定されるものではなく、他の割合でもよい。また、上記第１の発光ダイオード７Ａと第２の発光ダイオード７Ｂとは、どの様な混在の仕方でもよい。このことは、製造時に、発光ダイオードの向きを制御する必要がなく、ランダムに配列しても良いことを示している。
【００２１】
上記駆動回路基板５は、１つのＬＥＤ部６に対応して１つの駆動回路１５を有する。この駆動回路１５は、図２に示すように、上記複数の第１の電極１１に対応する複数の電極１６を有し、複数の電極１６は、複数の配線１７でもって、それぞれ、複数の第１の電極１１の基部１１Ｂに電気的に接続されている。また、上記駆動回路１５は、上記第２の電極１２に対応する１つの電極１８を有し、この１つの電極１８は、配線２１でもって上記第２の電極１２に電気的に接続されている。上記駆動回路１５は、１つの電極１８と各電極１６との間に個別に交流電源を供給して、各発光ダイオード７Ａ,７Ｂを個別に交流で駆動することができる。
【００２２】
図１に示すように、上記ＬＥＤモジュール３のＬＥＤ部６の発光ダイオード７から出射された光は、レンズアレイ８のレンズ８Ａを通して、感光ドラム２に照射され、感光ドラム２は、照射された光の量に応じて帯電し、その帯電量に応じてトナーが付着し、そのトナーを用紙に付着させる。
【００２３】
なお、図１では、ＬＥＤ部６とレンズアレイ８との間の距離、レンズアレイ８と感光ドラム２との間の距離を実際よりも長く描いているが、実際はＬＥＤ部６とレンズアレイ８との間の距離およびレンズアレイ８と感光ドラム２との間の距離は近接している。すなわち、ＬＥＤ部６とレンズアレイ８との間の距離は、レンズ８Ａが発光ダイオード７からの光を効率よく集めることができる距離に設定される。また、レンズアレイ８と感光ドラム２との間の距離は、レンズ８Ａからの光が感光体ドラム２において焦点が合う距離に設定される。
【００２４】
次に、図３Ａの斜視図に上記発光ダイオード７の構成の一例を示す。この一例としての発光ダイオード７は、Ｎ型の半導体で作製された円柱状のコア部３１と、この円柱状のコア部３１の外周面３２を被覆するＰ型の半導体で作製された円筒状のシェル部３３とで構成している。なお、図３Ｂは、円柱状のコア部３１の端面３１Ｄ側から軸方向に見た様子を示す端面図である。上記円柱状のコア部３１の外周面３２の一部３２Ａが上記シェル部３３から露出している。また、上記円柱状のコア部３１と上記シェル部３３との接合面３５は上記円柱状のコア部３１の周りに同心円状に形成されている。上記シェル部３３から露出したコア部３１の一部３１ＡがカソードＫをなし、上記シェル部３３の端部３３ＡがアノードＡをなす。図３Ａ,図３Ｂに示す構成の発光ダイオードは、上記Ｎ型の円柱状のコア部３１とＰ型のシェル部３３との接合面３５をコア部３１の外周面３２に沿って円筒状に形成でき、発光面の増大を図れる。また、上記コア部３１の外周面３２の一部３２ＡがＰ型のシェル部３３から露出しているので、上記コア部３１の外周面３２の一部３２Ａへの電極１１,１２の接続が容易になる。
【００２５】
なお、コア部３１の一端３１Ｂの端面３１Ｃは上記シェル部３３の端部３３Ａから露出していてもよいが、上記シェル部３３の端部３３Ａがコア部３１の一端３１Ｂの端面３１Ｃを被覆する構成とすることで、シェル部３３の端部３３Ａを電極１１,１２の突出部１１Ｂ,１２Ｂにより接続し易くなる。また、上記シェル部３３を形成する半導体をＮ型とし、上記コア部３１を形成する半導体をＰ型としてもよい。また、図３Ａ,３Ｂに示す構成では、コア部３１を円柱状としシェル部３３を円筒状としたが、多角柱状のコア部と多角筒状のシェル部としてもよい。例えば、六角柱状のコア部と六角筒状のシェル部としてもよく、四角柱状のコア部と四角筒状のシェル部としてもよく、三角柱状のコア部と三角筒状のシェル部としてもよい。また、楕円柱状のコア部と楕円筒状のシェル部としてもよい。また、断面長方形状の板状のコア部と長方形状の筒状のシェル部とで構成される板状の発光ダイオードとしてもよい。
【００２６】
次に、図４Ａ〜図４Ｅを参照して、上述のコア部とシェル部とで構成される発光ダイオード７の製造工程の一例を説明する。
【００２７】
まず、図４Ａに示すように、ｎ型ＧａＮからなる基板７１上に、成長穴７２ａを有するマスク７２を形成する。次に、図４Ｂに示すように、半導体コア形成工程において、マスク７２の成長穴７２ａにより露出した基板７１上に、ＭＯＣＶＤ(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長)装置を用いて、ｎ型ＧａＮを結晶成長させて棒状の半導体コア７３を形成する。ここで、ｎ型ＧａＮは、六方晶系の結晶成長となり、基板７１表面に対して垂直方向をｃ軸方向にして成長させることにより、六角柱形状の半導体コアが得られる。
【００２８】
次に、図４Ｃに示すように、半導体層形成工程において、棒状の半導体コア７３を覆うように基板７１全面にｐ型ＧａＮからなる半導体層７４を形成する。次に、図４Ｄに示すように、露出工程において、リフトオフにより半導体コア７３を覆う半導体層７４ａの部分を除く領域とマスク７２を除去して、棒状の半導体コア７３の基板７１側に基板側の外周面を露出させて露出部分７３ａを形成する。この状態で、上記半導体コア７３の基板７１と反対の側の端面は、半導体層７４ａにより覆われている。この実施形態の露出工程では、リフトオフを用いたがエッチングにより半導体コアの一部を露出させてもよい。
【００２９】
次に、切り離し工程において、超音波(例えば数１０ＫＨz)を用いて基板７１を基板平面に沿って振動させることにより、基板７１上に立設する半導体コア７３の基板７１側に近い根元を折り曲げるように、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３に対して応力が働いて、図４Ｅに示すように、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３が基板７１から切り離される。こうして、基板７１から切り離なされた微細な棒状構造発光ダイオード７を製造することができる。この棒状構造の発光ダイオードの製造方法では、棒状構造発光ダイオード７の直径を１μｍ、長さを１０μｍとしている。
【００３０】
上記発光ダイオードの製造工程では、基板７１と半導体コア７３と半導体層７４ａに、ＧａＮを母材とする半導体を用いたが、ＧａＡｓ,ＡｌＧａＡｓ,ＧａＡｓＰ,ＩｎＧａＮ,ＡｌＧａＮ,ＧａＰ,ＺｎＳe,ＡｌＧａＩｎＰなどを母材とする半導体を用いてもよい。
【００３１】
成長させる化合物の材料に関しては、感光体ドラム２の最も感度のよい波長に合わせた化合物を選択する。例えば、感光体の感度が短波長側で良好な場合、ＡｌＧａＮ，ＧａＮ，ＩｎＧａＮ等を選択できる。また、感光体の感度が長波長側で良好な場合、ＧａＰ，ＩｎＧａＡｌＰ，ＧａＡｓ，ＧａＡｓＰ等を選択できる。また、上記発光ダイオードを量子井戸構造を有するものとして発光効率を向上させてもよい。
【００３２】
また、基板と半導体コアをｎ型とし、半導体層をｐ型としたが、導電型が逆の棒状構造発光ダイオードとしてもよい。また、断面が六角柱の半導体コアを有する棒状構造発光ダイオードの製造方法について説明したが、これに限らず、断面が円形または楕円の棒状であってもよいし、断面が三角形などの他の多角形状の棒状の半導体コアを有する棒状構造発光ダイオードも上述と同様の製造方法で作製できる。また、断面長方形状の板状のコア部と長方形状の筒状のシェル部とで構成される板状構造の発光ダイオードも上述と同様の製造方法で作製できる。
【００３３】
また、上記発光ダイオードの製造方法では、棒状構造発光ダイオードの直径を１μｍとし長さを１０μｍのマイクロオーダーサイズとしたが、直径または長さのうちの少なくとも直径が１μｍ未満のナノオーダーサイズの素子としてよい。上記棒状構造発光ダイオードの半導体コアの直径は５００ｎｍ以上かつ１００μｍ以下が好ましく、数１０ｎｍ〜数１００ｎｍの棒状構造発光ダイオードに比べて半導体コアの直径のばらつきを抑えることができ、発光面積すなわち発光特性のばらつきを低減でき、歩留まりを向上できる。
【００３４】
また、上記発光ダイオードの製造方法では、ＭＯＣＶＤ装置を用いて半導体コア７３を結晶成長させたが、ＭＢＥ(分子線エピタキシャル)装置などの他の結晶成長装置を用いて半導体コアを形成してもよい。また、成長穴を有するマスクを用いて半導体コアを基板上に結晶成長させたが、基板上に金属種を配置して、金属種から半導体コアを結晶成長させてもよい。また、上記発光ダイオードの製造方法では、半導体層７４ａに覆われた半導体コア７３を、超音波を用いて基板７１から切り離したが、これに限らず、切断工具を用いて半導体コアを基板から機械的に切り離してもよい。この場合、簡単な方法で基板上に設けられた微細な複数の棒状構造発光素子を短時間で切り離すことができる。
【００３５】
次に、図５を参照して、上記ＬＥＤ部６の製造方法を説明する。
【００３６】
まず、表面５１Ａに第１の電極５３と第２の電極１２が形成された基板５１を用意する。この基板５１は絶縁基板とし、例えば、ガラス基板とする。また、第１,第２の電極５３,１２は金属電極とする。一例として、印刷技術を利用して絶縁基板５１の表面５１Ａに所望の電極形状の金属電極５３,１２を形成することができる。また、絶縁基板５１の表面５１Ａに金属膜及び感光体膜を一様に積層し、この感光体膜を所望の電極パターンに露光・現像し、パターニングされた感光体膜をマスクとして金属膜をエッチングして第１の電極５３と第２の電極１２を形成することができる。図５では、絶縁基板５１の表面５１Ａに上記第１,第２の電極５３,１２を３対形成した様子を示している。
【００３７】
なお、上記金属電極５３,１２を作製する金属の材料としては、金、銀、銅、鉄、タングステン、タングステンナイトライド、アルミニウム、タンタルやそれらの合金などを用いることができる。また、絶縁基板５１はガラス、セラミック、アルミナ、樹脂のような絶縁体、またはシリコンのような半導体表面にシリコン酸化膜を形成し、表面が絶縁性を有するような基板である。ガラス基板を用いる場合は、表面にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のような下地絶縁膜を形成するのが望ましい。
【００３８】
また、上記第１の電極５３の突出部５３Ａと第２の電極１２の突出部１２Ａとの間の距離は、発光ダイオード７の長さよりもやや短いことが好ましい。一例として、上記距離は、発光ダイオード７の長さが１０μｍである場合は、６〜９μｍとすることが望ましい。すなわち、上記距離は、発光ダイオード７の長さの６０〜９０％程度、より好ましくは上記長さの８０〜９０％とすることが望ましい。
【００３９】
次に、上記絶縁基板５１上に発光ダイオード７を配列する手順を説明する。
【００４０】
まず、上記絶縁基板５１上に複数の発光ダイオード７を含んだ溶液としてのイソプロピルアルコール(ＩＰＡ)を薄く塗布する。なお、上記溶液としては、ＩＰＡのほかに、エチレングリコール、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合物でもよく、他の有機物からなる液体、水などを用いることができる。ただし、液体を通じて金属電極である第１,第２の電極５３,１２間に大きな電流が流れてしまうと、第１,第２の電極５３,１２間に所望の電圧差を印加できなくなってしまう。そのような場合には、第１,第２の電極５３,１２を覆うように、絶縁基板５１表面全体に、１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の絶縁膜をコーティングすればよい。
【００４１】
上記複数の発光ダイオード７を含むＩＰＡを塗布する厚さは、次に複数の発光ダイオード７を配列する工程で、発光ダイオード７が配列できるよう、液体中で発光ダイオード７が移動できる厚さである。したがって、発光ダイオード７の太さ以上であり、例えば、数μｍ〜数ｍｍである。塗布する厚さは薄すぎると、発光ダイオード７が移動し難くなり、厚すぎると、液体を乾燥する時間が長くなる。好ましくは、１００μｍ〜５００μｍである。また、ＩＰＡの量に対して、発光ダイオードの個数は、 １×１０４個／ｃｍ３ 〜 １×１０７個／ｃｍ３ が好ましい。
【００４２】
上記複数の発光ダイオード７を含むＩＰＡを絶縁基板５１に塗布するために、複数の発光ダイオード７を配列させる金属電極である第１,第２の電極５３,１２の外周囲に枠(図示せず)を形成し、その枠内に上記複数の発光ダイオード７を含むＩＰＡを所望の厚さになるよう充填するとよい。しかし、上記発光ダイオード７を含むＩＰＡが粘性を有する場合は、枠を必要とせずに、所望の厚さに塗布することが可能である。上記ＩＰＡやエチレングリコール、プロピレングリコール、メタノール、エタノール、アセトン、またはそれらの混合物、或いは、他の有機物からなる液体、または水などの液体は、上記発光ダイオード７の配列工程のためには粘性が低いほど望ましく、また加熱により蒸発しやすい方が望ましい。
【００４３】
次に、第１,第２の電極５３,１２間に電位差を与える。この電位差は、例えば、０．５Ｖもしくは１Ｖの電位差とする。なお、この第１の電極５３と第２の電極１２の電位差は、０．１〜１０Ｖを印加することができるが、０．１Ｖ以下では発光ダイオード７の配列姿勢が乱れ始め、１０Ｖ以上では金属電極間の絶縁が問題になり始める。したがって、上記電位差は０．５Ｖ〜５Ｖが好ましく、さらには、０．５Ｖ程度とするのが好ましい。第１の電極５３に電位ＶＬを与え、第２の電極１２に上記電位ＶＬよりも高い電位ＶＨ(ＶＬ＜ＶＨ)を与えると、第１の電極５３には負電荷が誘起され、第２の電極１２には正電荷が誘起される。この第１,第２の電極５３,１２に上記発光ダイオード７が接近すると、発光ダイオード７のうち第１の電極５３に近い側に正電荷が誘起され、第２の電極１２に近い側に負電荷が誘起される。上記発光ダイオード７に電荷が誘起されるのは静電誘導による。よって、上記発光ダイオード７は、第１,第２の電極５３,１２間に生じる電気力線に沿った姿勢になると共に、各発光ダイオード７に誘起された電荷がほぼ等しいので、電荷による反発力により、ほぼ等間隔に一定方向に規則正しく配列する。このとき、第１,第２の電極５３,１２の表面に絶縁膜がコーティングされており、かつ、第１,第２の電極５３,１２間に与える電位差が一定(ＤＣ)であると、金属電極５３、１２上にコーディングされた絶縁膜表面に、金属電極５３、１２の電位と反対極性のイオンが誘起されて溶液中の電界が非常に弱くなってしまう。そのような場合は、金属電極５３,１２間に交流電圧を印加することが好ましい。これにより、金属電極５３、１２の電位と反対極性のイオンが誘起されるのを防ぎ、発光ダイオード７を正常に配列することができる。なお、金属電極５３,１２間に印加する交流電圧の周波数は、１０Ｈｚ〜１ＭＨｚとするのが好ましいが、交流電圧の周波数が１０Ｈｚ未満のときは、発光ダイオード７が激しく振動し、配列が乱される可能性がある。一方、金属電極５３,１２間に印加する交流電圧の周波数が１ＭＨｚを超える場合は、発光ダイオード７が金属電極５３,１２に吸着される力が弱くなり、外部の擾乱により配列が乱されることがある。このため、発光ダイオード７の配列の安定のためには、上記交流電圧の周波数を５０Ｈｚ〜１ｋＨｚとすることがより好ましい。さらに、上記交流電圧の波形は、正弦波に限らず、矩形波、三角波、ノコギリ波など、周期的に変動するものであればよい。なお、上記交流電圧の振幅は一例として０．５Ｖ程度とすることが好ましい。
【００４４】
この製造工程では、金属電極５３,１２間に発生した外部電場により、各発光ダイオード７に電荷を発生させ、電荷の引力により金属電極５３,１２に発光ダイオード７を吸着させるので、発光ダイオード７の大きさは、液体中で移動可能な大きさであることが必要である。したがって、各発光ダイオード７の大きさ(最大寸法)の許容値は、液体の塗布量(塗布厚さ)により変化する。上記液体の塗布量が少ない場合は、各発光ダイオード７の大きさ(最大寸法)はナノスケールでなければならないが、液体の塗布量が多い場合は、各発光ダイオード７の大きさがミクロンオーダーであってもかまわない。
【００４５】
上記発光ダイオード７が配列を始めてしばらくすると、図５に示すように、電極５３の突出部５３Ａと電極１２の突出部１２Ａとの間に発光ダイオード７が配列する。各発光ダイオード７は、金属電極５３,１２が延在している方向とは垂直な姿勢に整列して上記延在の方向にほぼ等間隔で配列する。突出部５３Ａと突出部１２Ａとの間に電界が集中すると共に各発光ダイオード７に誘起された電荷により各発光ダイオード７間に反発力が働いて、発光ダイオード７がほぼ等間隔に並ぶ。
【００４６】
こうして、金属電極５３,１２の突出部５３Ａと突出部１２Ａとの間に、発光ダイオード７を配列させた後、基板５１を加熱または一定時間放置することにより、上記溶液の液体を蒸発させて乾燥させ、発光ダイオード７を金属電極５３と１２との間の電気力線に沿って、等間隔に配列させて固着させる。
【００４７】
次に、エッチングにより、上記電極５３を図２に示すような複数の第１の電極１１に形成し、上記基板５１を２点鎖線で示す切断線Ｌに沿って切断することで、図２に示すＬＥＤ部６が得られる。
【００４８】
以上の製造方法によれば、複数の発光ダイオード７を、第１の電極１１の突出部１１Ａと第２の電極１２の突出部１２Ａとの間に制御性良く高精度に配列させることが可能となる。また、上記製造方法では、各発光ダイオード７の向き(極性)を一方に決めることが困難で、各発光ダイオード７の向きが図２に示されている状態になるとも限らないが、上述の如く、上記ＬＥＤ部６では、発光ダイオード７は、図２の配列状態に限られるものではなく、各発光ダイオード７の向きがランダムで混在していてもよい。よって、上記製造方法は、発光ダイオード７の向き(極性)を揃えないでランダムに入り交じっている本発明のＬＥＤプリントヘッドのＬＥＤ部６を製造するのに好適である。また、上記製造方法では、多数の微細な発光ダイオード７を一度に電極間に配列,接続可能になるので、発光ダイオードのサイズが小さく、一例として１００μｍ以下であり、第１の電極１１と第２の電極１２との間に接続する発光ダイオード７の個数が多数個(例えば１００個以上)である場合に特に有利である。
【００４９】
なお、上記製造方法では、第１の電極１１と第２の電極１２が、突出部１１Ａと突出部１２Ａを有している場合を説明したが、第１,第２の電極が上述のような突出部を有していない電極である場合にも、上記製造方法を適用できる。この場合、第１の電極と第２の電極との間の寸法を配置する発光ダイオードの長さよりもやや短く設定する。
【００５０】
上述のようにして製造したＬＥＤ部６を、図２の駆動回路基板５上に固定する。このとき、上記ＬＥＤ部６の各第１の電極１１が駆動回路１５の各電極１６に対応する位置に配置されるように駆動回路１５に対してＬＥＤ部６を位置合わせする。この位置合せは、例えば、図２に示すように、ＬＥＤ部６のガラス基板１０および駆動回路基板１５に予めパターニングしておいたアライメントマーク９Ａ,９Ｂを用いて容易に行うことができる。
【００５１】
その後、上記駆動回路１５の各電極１６と上記ＬＥＤ部６の各第１の電極１１とを電気的に接続する複数の配線１７および上記駆動回路１５の電極１８とＬＥＤ部６の第２の電極１２とを電気的に接続する配線２１を、フォトリソグラフィにより一括形成し、ＬＥＤモジュール３が完成する。
【００５２】
ここで、一例として、このプリントヘッド１のドットピッチが１２００ｄｐｉ(ドット/インチ)である場合、上記ＬＥＤモジュール３のＬＥＤ部６の発光ダイオード７の配列ピッチは、２.５４ｃｍ(１ｉｎｃｈ)÷１２００≒２１.２μｍに設定する。この場合、Ａ４サイズ対応のプリンタにおいて必要となる発光ダイオード７の個数は、２１０ｍｍ(Ａ４幅)÷２１.２μｍ≒９９０７(ドット)となり、約１万個になる。
【００５３】
上述の製造工程によれば、この様な多数の発光ダイオード７を予め定められた位置に配列することが必要なＬＥＤ部６を低コストで短時間に製造することが可能になる。
【００５４】
この実施形態のプリントヘッド１によれば、図４Ｅに示すように、半導体コア７３とこの半導体コア７３を覆う半導体シェルである半導体層７４ａとで構成される微細な棒状構造もしくは板状構造の発光ダイオード７を、基板７１から分離し、絶縁基板１０上に配列するので、素子形成から配列に至る工程において、発光ダイオード７に欠陥が発生しにくい。したがって、発光ダイオードの欠陥に起因する不良を低減でき、歩留りを向上できる。
【００５５】
また、上記複数の発光ダイオード７は、安価な基板(例えば、ガラス基板１０)上に配列でき、上記基板１０の大型化が容易であり、例えば、長尺形状とした上記基板１０の両端を駆動回路基板５に固定することができる。
【００５６】
したがって、この実施形態によれば、発光ダイオードが形成された薄膜半導体と基板との間に密着性が要求される従来例とは異なり、密着性に起因する不良が原理的に発生しないので、歩留りを向上できる。
【００５７】
また、図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明したように、コア部とシェル部とで構成される棒状構造の発光ダイオード７は、原理的に基板面積以上の発光面積を有することが可能になる。したがって、エピタキシャル成長層の利用率が高く、ＬＥＤ部６の発光面積当たりの製造コストを大幅に低減でき、安価に製造できるＬＥＤプリントヘッドを提供できる。
【００５８】
また、上記実施形態では、１つの駆動回路基板５に形成された複数の駆動回路１５によって、複数のＬＥＤ部６の各発光ダイオード７を個別に駆動して発光させることができる。
【００５９】
(第１実施形態の変形例)
上記第１実施形態では、複数の発光ダイオード７に共通した第２の電極１２を備えたが、図１０に示す変形例のように、各発光ダイオード７に対応する複数の第２の電極６２を備えてもよい。各第２の電極６２の突出部６２Ａが各発光ダイオード７のアノードもしくはカソードに電気的に接続される。
【００６０】
この変形例では、上記駆動回路１５に替えて、駆動回路６５を備え、この駆動回路６５は、上記複数の第２の電極６２に対応する複数の電極６６を有し、この複数の電極６６は、複数の配線６７でもって、それぞれ、複数の第２の電極６２の基部６２Ｂに電気的に接続されている。上記駆動回路６５は、各電極６６と各電極１６との間に個別に交流電源を供給して、各発光ダイオード７Ａ,７Ｂを個別に交流で駆動することができる。
【００６１】
なお、図１０に破線で示すように、上記変形例において、隣り合う複数(図１０では３つ)の第２の電極６２が連なるように形成すると共に、上記隣り合う複数の第２の電極６２に対応する複数の第１の電極１１が連なるように形成してもよい。この場合、駆動回路６５は、隣り合う複数の電極１６が連なるように形成され、隣り合う複数の電極６７が連なるように形成される。この場合、駆動回路６５は、電気的に並列に接続された複数(図１０では３つ)の発光ダイオード７毎に駆動することができる。
【００６２】
(第２の実施の形態)
図６は、この発明の第２実施形態のＬＥＤプリントヘッド８１と感光体ドラム８２を示す斜視図である。また、図７Ａは、上記プリントヘッド８１が備えるＬＥＤモジュール８３を示す平面図であり、図７Ｂは、上記ＬＥＤモジュール８３の一部を拡大した様子を示す部分平面図である。
【００６３】
図６に示すように、上記プリントヘッド８１は、上記ＬＥＤモジュール８３の発光ダイオード８７から出射された光が入射すると共にこの入射した光を、上記感光体ドラム８２に照射するレンズアレイ８８を備える。このレンズアレイ８８は、複数のレンズ８８Ａを有する。また、上記ＬＥＤモジュール８３は、基礎基板８９とこの基礎基板８９上に配置された１つのＬＥＤ部８６と、上記基礎基板８９上に配置された複数の駆動回路部８５を備える。この複数の駆動回路部８５が駆動部を構成している。上記ＬＥＤ部８６は、複数の発光ダイオード８７を有する。また、上記基礎基板８９は、例えば、安価なガラス基板が用いられる。
【００６４】
上記ＬＥＤモジュール８３は、図７Ａに示すように、長尺の基礎基板８９上に複数の駆動回路部８５が貼り付けられ、この複数の駆動回路部８５上に長尺の１つのＬＥＤ部８６が貼り付けられている。このＬＥＤ部８６は、図７Ｂに示すように、絶縁基板の一例としてのガラス基板９０と、このガラス基板９０上に形成された複数の第１の電極９１と、上記ガラス基板９０上で上記複数の第１の電極９１に対向するように配置された第２の電極９２とを有する。上記第１の電極９１は、基部９１Ｂとこの基部９１Ｂから上記第２の電極９２に向かって突出した突出部９１Ａとを有する。上記第２の電極９２は、基部９２Ｂとこの基部９２Ｂから上記複数の第１の電極９１の突出部９１Ａに向かって突出した複数の突出部９２Ａとを有する。
【００６５】
図７Ｂに示すように、上記ＬＥＤ部８６では、第１の電極９１の突出部９１Ａにアノードが電気的に接続されていると共に第２の電極９２の突出部９２Ａにカソードが電気的に接続されている発光ダイオード８７Ａと、第１の電極９１の突出部９１Ａにカソードが電気的に接続されていると共に第２の電極９２の突出部９２Ａにアノードが電気的に接続されている発光ダイオード８７Ｂとが極性を揃えないでランダムに入り交じって配置されている。
【００６６】
図７Ｂに示す発光ダイオード８７Ａと発光ダイオード８７Ｂとは同じ発光ダイオード８７であるが、第１,第２の電極９１,９２に対する接続極性が互いに異なっていることを示すために、便宜上、異なる符号８７Ａ,８７Ｂで表している。上記発光ダイオード８７Ａの個数と発光ダイオード８７Ｂの個数の割合は、図示に限定されるものではなく、他の割合でもよい。また、上記発光ダイオード８７Ａと発光ダイオード８７Ｂとは、どの様な混在の仕方でも極性を揃えないでランダムに入り交じっていればよい。このことは、製造時に、発光ダイオードの向きを制御する必要がなく、ランダムに配列しても良いことを示している。
【００６７】
上記駆動回路部８５は、図７Ｂに示すように、上記複数の第１の電極１１に対応する複数の電極９６を有し、各電極９６は、配線９７でもって、第１の電極９１の基部９１Ｂに電気的に接続されている。また、上記駆動回路部８５は、上記第２の電極９２に対応する１つの電極９８を有し、この１つの電極９８は、配線１０１でもって上記第２の電極９２に電気的に接続されている。上記駆動回路部８５は、１つの電極９８と各電極９６との間に個別に交流電源を供給して、各発光ダイオード８７Ａ,８７Ｂを個別に交流で駆動することができる。
【００６８】
上記発光ダイオード８７は、一例として、図３Ａ,図３Ｂを参照して説明した前述の第１実施形態の発光ダイオード７と同様の構造であり、前述の第１実施形態で図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明したのと同様の製造工程で作製することができる。また、上記ＬＥＤ部８６は、前述の第１実施形態で図５を参照して説明したのと同様の製造工程で作製することができる。
【００６９】
一方、上記駆動回路部８５は、複数の駆動回路部８５が形成されたシリコンウエハを個々の駆動回路部８５に分断することで作製される。なお、上記シリコンウエハを個々の駆動回路部８５を含む薄膜部に分離してもよい。
【００７０】
先ず、上記基礎基板８９上に、上記複数の駆動回路部８５を貼り付ける。この駆動回路部８５を基礎基板８９に貼り付ける際には、プリントヘッドのドットピッチに合わせるように位置合せを行う。高温にさらす後工程がないことから、上記基礎基板８９への駆動回路部８５の貼り付けは、例えば、ペースト状の接着剤を用いることができる。
【００７１】
次に、上述のようにして製造したＬＥＤ部８６を、図７Ａ,図７Ｂの駆動回路部８５上に固定する。このとき、上記ＬＥＤ部８６の各第１の電極９１が駆動回路部８５の各電極９６に対応する位置に配置されるように駆動回路部８５に対してＬＥＤ部８６を位置合わせする。その後、上記駆動回路８５の各電極９６と上記ＬＥＤ部８６の各第１の電極９１とを電気的に接続する複数の配線９７および上記駆動回路部８５の電極９８とＬＥＤ部８６の第２の電極９２とを電気的に接続する配線１０１を、フォトリソグラフィにより一括形成し、ＬＥＤモジュール８３が完成する。
【００７２】
ここで、一例として、このプリントヘッド８１のドットピッチが１２００ｄｐｉ(ドット/インチ)である場合、上記ＬＥＤモジュール８３のＬＥＤ部８６の発光ダイオード８７の配列ピッチは、２.５４ｃｍ(１ｉｎｃｈ)÷１２００≒２１.２μｍに設定する。この場合、Ａ４サイズ対応のプリンタにおいて必要となる発光ダイオード８７の個数は、２１０ｍｍ(Ａ４幅)÷２１.２μｍ≒９９０７(ドット)となり、約１万個になる。
【００７３】
上述の製造工程によれば、この様な多数の発光ダイオード８７を予め定められた位置に配列することが必要なＬＥＤ部８６を低コストで短時間に製造することが可能になる。
【００７４】
また、この第２実施形態によれば、ＬＥＤモジュール８３が基礎基板８９を備え、図７Ａに示すように、長尺の基礎基板８９上に複数の駆動回路部８５を一列に配置して、この一列に配置された駆動回路部８５上に長尺の１つのＬＥＤ部８６が貼り付けている。したがって、この第２実施形態によれば、前述の第１実施形態のＬＥＤモジュール３のようなＬＥＤ部６が重複配置されることがなく、レイアウトの無駄がなく低コストのＬＥＤモジュール８３を実現できる。なお、上記長尺の１つのＬＥＤ部８６に替えて、２つのＬＥＤ部を長手方向に隣接して配列してもよく、３つ以上のＬＥＤ部を長手方向に隣接して配列してもよい。
【００７５】
また、この第２実施形態によれば、棒状構造の１つの発光ダイオード７から出た光を丸形の１つのレンズ８Ａで集光する第１実施形態に比べて、図６に示すように、棒状構造の１つの発光ダイオード８７から出た光をレンズアレイ８８の複数段(図６では２段)に配列した複数のレンズ８８Ａで効率よく集光することができる。なお、図６では、レンズ８８Ａを２段に配列したが、３段以上に配列しても構わない。また、図８に示すように、楕円形状のレンズ９９Ａを１列に配列したレンズアレイ９９としてもよい。
【００７６】
また、この第２実施形態において、図１０を参照して説明した第１実施形態の変形例と同様に、複数の発光ダイオード８７に共通の第２の電極９２に替えて、各発光ダイオード８７に対応する複数の第２の電極を備えてもよい。各第２の電極が各発光ダイオード８７のアノードもしくはカソードに電気的に接続される。この場合、駆動回路部８５は、１つの電極９８に替えて、複数の第２の電極に個別に電気的に接続される複数の電極を備え、各電極と各電極９６との間に個別に交流電源を供給して、各発光ダイオード８７Ａ,８７Ｂを個別に交流で駆動することができる。なお、図１０に破線で示したのと同様に、隣り合う複数の第２の電極が連なるように形成すると共に、上記隣り合う複数の第２の電極に対応する複数の第１の電極９１が連なるように形成してもよい。この場合、駆動回路８５は、隣り合う複数の電極９６が連なるように形成され、もう一方の隣り合う複数の電極が連なるように形成される。この場合、駆動回路部８５は、電気的に並列に接続された複数の発光ダイオード毎に駆動することができる。
【００７７】
尚、上記第１,第２実施形態では、駆動回路１５,駆動回路部８５が複数の発光ダイオード７,８７を交流で駆動したが、複数の発光ダイオード７,８７を直流で駆動してもよい。
【００７８】
また、上記第１,第２実施形態では、図３Ａ,図３Ｂに示されるような棒状構造の発光ダイオードを採用したが、図９Ａ〜図９Ｃに示されるような製造工程で作製される短冊状構造の発光ダイオードを採用してもよい。この発光ダイオード２１０の製造工程を、図９Ａ〜図９Ｃを参照して説明する。
【００７９】
まず、図９Ａに示すように、サファイア基板２００上に、ＡｌＮなどからなるバッファ層２０１、ｎ型ＧａＮ層２０２、多重量子井戸(ＭＱＷ)層２０３、ｐ型ＧａＮ層２０５、透明電極２０６、ＳｉＯ２などからなる絶縁膜２０７を順に形成する。
【００８０】
次に、図９Ｂに示すように、サファイア基板２００およびバッファ層２０１を、除去する。この除去は、一例として、研磨、ウエットエッチング等によりなされる。次に、エッチングもしくは物理的切断等により、複数の短冊状の発光ダイオード２１０を形成する。
【００８１】
この複数の短冊状の発光ダイオード２１０は、例えば、第１実施形態で図５を参照して説明したのと同様にして、絶縁基板の第１,第２の電極間に配列することができる。なお、図９Ｂ,図９Ｃでは、上記絶縁基板および第１,第２の電極の図示を省略している。
【００８２】
次に、図９Ｃに示すように、上記短冊状の発光ダイオード２１０の配列後、エッチングにより、上記発光ダイオード２１０の長手方向の一端部に段部２１０Ａを形成する。次に、上記発光ダイオード２１０の長手方向の両端部を覆う絶縁膜２１１をＳｉＯ２などで作製する。次に、フォトリソグラフィーにより、上記発光ダイオード２１０の長手方向の一端部のｎ型ＧａＮ層２０２に電極２１２を形成し、上記発光ダイオード２１０の長手方向の一端部の透明電極２０６に電極２１３を形成する。上記電極２１２,２１３は、第１,第２の電極をなし、図示しない配線によって駆動部としての駆動回路１５の電極１６,１８あるいは駆動回路部８５の電極９６,９８に電気的に接続される。この場合、上記駆動回路１５,駆動回路部８５は、上記複数の短冊形状の発光ダイオード２１０を直流で駆動できる。
【００８３】
また、上記実施形態では、図４Ａ〜図４Ｅを参照して説明したように、基板７１から結晶成長させて棒状の半導体コア７３を形成したが、基板上に形成した半導体層をエッチングして棒状の半導体コアを形成し、この半導体コアを覆う半導体層を形成してもよい。また、上記実施形態において、上記発光ダイオードの最大寸法が１００μｍ以下であることが好ましい。発光ダイオードの最大寸法が１００μｍ以下の微細な場合は、発光ダイオードの向きがランダムでよい本発明に好適となる。また、発光ダイオードのサイズが小さいので、熱が発光領域に篭らず、熱による出力低下や寿命低下を防ぐことができる。
【符号の説明】
【００８４】
１,８１  プリントヘッド
２,８２  感光体ドラム
３,８３  ＬＥＤモジュール
５  駆動回路基板
６,８６  ＬＥＤ部
７,７Ａ,７Ｂ,８７,８７Ａ,８７Ｂ,２１０  発光ダイオード
８,８８,９９  レンズアレイ
８Ａ,８８Ａ,９９Ａ  レンズ
１０,９０  ガラス基板
１１,９１  第１の電極
１１Ａ,９１Ａ  突出部
１１Ｂ,９１Ｂ  基部
１２,９２  第２の電極
１２Ａ,９２Ａ  突出部
１２Ｂ,９２Ｂ  基部
１６,１８  電極
１７,２１,９７,１０１  配線
３１  コア部
３３  シェル部
３５  接合面
５１  絶縁基板
５３  第１の電極
５３Ａ  突出部
７１  基板
７３  半導体コア
７４ａ  半導体層
８５  駆動回路部
８９  基礎基板
９６,９８  電極
【図１】
2014072227.tif 000003
【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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【図１１】
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