(57)【要約】【課題】実効インダクタンスを低減することができる半導体装置を提供する。【解決手段】第１ＩＧＢＴ素子１０ａは同一面上に第１エミッタ電極１１ａ及び第１コレクタ電極１２ａを有しており、第２ＩＧＢＴ素子１０ｂは同一面上に第２エミッタ電極１１ｂ及び第２コレクタ電極１２ｂを有している。そして、第１コレクタ電極１２ａと第２エミッタ電極１１ｂとは互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、第１コレクタ電極１２ａと第２エミッタ電極１１ｂとの間に配置されていると共に、積層方向から見て互いに重なりあっている。【選択図】図１
2014072385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１エミッタ電極及び第１コレクタ電極を同一面上に有する第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子に積層されるように配置され、第２エミッタ電極及び第２コレクタ電極を同一面上に有する第２スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子の前記第１コレクタ電極に接続されたＰバスバと、
前記第２スイッチング素子の前記第２エミッタ電極に接続されたＮバスバと、を備え、
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記第１コレクタ電極と前記第２エミッタ電極とが互いに対向するように向き合って配置され、
前記Ｐバスバ及び前記Ｎバスバは、前記第１コレクタ電極と前記第２エミッタ電極との間に配置されていると共に、積層方向から見て互いに重なりあっている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１アノード電極及び第１カソード電極を同一面上に有する第１整流素子と、
前記第１整流素子に積層されるように配置され、第２アノード電極及び第２カソード電極を同一面上に有する第２整流素子と、をさらに備え、
前記第１整流素子及び前記第２整流素子は、前記第１カソード電極と前記第２アノード電極とが互いに対向するように向き合って配置され、
前記Ｐバスバは前記第１カソード電極に接続され、
前記Ｎバスバは前記第２アノード電極に接続され、
前記Ｐバスバ及び前記Ｎバスバは、前記第１カソード電極と前記第２アノード電極との間に配置されている、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、放熱板に接続されており、
前記放熱板は、潤滑剤を介して冷却器に接続されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１スイッチング素子及び前記第２スイッチング素子は、前記第１エミッタ電極と前記第２コレクタ電極とが互いに対向するように向き合って配置され、
前記第１エミッタ電極及び前記第２コレクタ電極は、直線的に互いに導通されている、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１エミッタ電極及び前記第２コレクタ電極は、ともに導体ブロックを介して同じ出力バスバに接続されている、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スイッチング素子であるＩＧＢＴ（Insulated Gate BipolarTransistor）素子と、整流素子であるダイオード素子とを積層して接続した半導体装置が知られている（例えば特許文献１参照）。特許文献１に記載された半導体装置では、ＩＧＢＴ素子のコレクタ電極を放熱板に搭載し、エミッタ電極に素子間接続導体を導電性樹脂により接合し、さらにその上に、ダイオード素子のアノード電極を導電性樹脂により接合することで、ＩＧＢＴ素子とダイオード素子とを縦方向に積層して接続している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−１６４８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、半導体装置においては、例えば、定常電流を妨げる方向の電圧であるサージ電圧を低減するために、実効インダクタンスを低減することが重要である。そして、実効インダクタンスを低減するためには、電源の正極と素子とを接続するためのバスバ（以下、Ｐバスバ）と、電源の負極と素子とを接続するためのバスバ（以下、Ｎバスバ）とを近接して配置し、負の相互インダクタンスを大きくすることが重要となる。しかし、上述した従来の半導体装置では、ＰバスバやＮバスバの配置によっては、実効インダクタンスが高くなる虞がある。
【０００５】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、実効インダクタンスを低減することができる半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、第１エミッタ電極及び第１コレクタ電極を同一面上に有する第１スイッチング素子と、第１スイッチング素子に積層されるように配置され、第２エミッタ電極及び第２コレクタ電極を同一面上に有する第２スイッチング素子と、第１スイッチング素子の第１コレクタ電極に接続されたＰバスバと、第２スイッチング素子の第２エミッタ電極に接続されたＮバスバと、を備え、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子は、第１コレクタ電極と第２エミッタ電極とが互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバ及びＮバスバは、第１コレクタ電極と第２エミッタ電極との間に配置されていると共に、積層方向から見て互いに重なりあっている、ことを特徴とする。
【０００７】
この半導体装置においては、エミッタ電極及びコレクタ電極を同一面上に有するスイッチング素子（いわゆる横型スイッチング素子）が、第１及び第２スイッチング素子として用いられている。そして、第１及び第２スイッチング素子は、第１コレクタ電極と第２エミッタ電極とが互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバ及びＮバスバは、第１コレクタ電極と第２エミッタ電極との間に配置されていると共に、積層方向から見て互いに重なりあっている。このことで、Ｐバスバ及びＮバスバは、互いに近接させた状態で素子の直上から併走されることになる。よって、相互インダクタンスを大きくでき、実効インダクタンスを低減することができる。
【０００８】
また、第１アノード電極及び第１カソード電極を同一面上に有する第１整流素子と、第１整流素子に積層されるように配置され、第２アノード電極及び第２カソード電極を同一面上に有する第２整流素子と、をさらに備え、第１整流素子及び第２整流素子は、第１カソード電極と第２アノード電極とが互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバは第１カソード電極に接続され、Ｎバスバは第２アノード電極に接続され、Ｐバスバ及びＮバスバは、第１カソード電極と第２アノード電極との間に配置されている、ことが好ましい。これにより、整流素子に対しても、Ｐバスバ及びＮバスバを互いに近接させた状態で素子の直上から併走させることができ、相互インダクタンスを大きくして、実効インダクタンスを低減することができる。
【０００９】
また、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子は、放熱板に接続されており、放熱板は、潤滑剤を介して冷却器に接続されている、ことが好ましい。このように、絶縁部材を介さずに放熱板と冷却器とを設けることにより、半導体装置の放熱性を向上することができる。
【００１０】
また、第１スイッチング素子及び第２スイッチング素子は、第１エミッタ電極と第２コレクタ電極とが互いに対向するように向き合って配置され、第１エミッタ電極及び第２コレクタ電極は、直線的に互いに導通されている、ことが好ましい。これにより、第１エミッタ電極と第２コレクタ電極との間の電流経路を最短とすることができ、この点においても実効インダクタンスを低減することができる。
【００１１】
また、第１エミッタ電極及び第２コレクタ電極は、ともに導体ブロックを介して同じ出力バスバに接続されている、ことが好ましい。これにより、例えば、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子との間で導体による接続が不要となり、電気抵抗の低下及び加工費の低減を図ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、実効インダクタンスを低減することができる半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【図２】（ａ）は図１のII（ａ）−II（ａ）線に沿った断面図、（ｂ）は図１のII（ｂ）−II（ｂ）線に沿った断面図である。
【図３】（ａ）は図１の半導体装置の横型ＩＧＢＴ素子を示す断面図、（ｂ）は図１の半導体装置の横型ダイオード素子を示す断面図である。
【図４】図１の半導体装置の変形例に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下の説明において、同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の実施形態に係る半導体装置について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る半導体装置を示す概略平面図である。図２の（ａ）は図１のII（ａ）−II（ａ）線に沿った断面図、（ｂ）は図１のII（ｂ）−II（ｂ）線に沿った断面図である。図３の（ａ）は図１の半導体装置の横型ＩＧＢＴ素子を示す断面図、（ｂ）は図１の半導体装置の横型ダイオード素子を示す断面図である。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態の半導体装置１は、上相モジュール２と下相モジュール３との積層構造となっている。図１及び図２に示すように、上相モジュール２は、スイッチング素子である第１ＩＧＢＴ素子１０ａと、整流素子である第１ダイオード素子２０ａと、放熱板３１と、冷却器３２と、Ｐバスバ３３と、出力バスバ３５と、を備えている。
【００１７】
下相モジュール３は、スイッチング素子である第２ＩＧＢＴ素子１０ｂと、整流素子である第２ダイオード素子２０ｂと、放熱板３１と、冷却器３２と、Ｎバスバ３６と、出力バスバ３５と、を備えている。また、上相モジュール２と下相モジュール３とは、導体３７を介して互いに電気的に接続されている。
【００１８】
第１ＩＧＢＴ素子１０ａは、図３（ａ）に示すように、第１エミッタ電極１１ａ及び第１コレクタ電極１２ａが設けられた電極面を同一面上に有する、いわゆる横型ＩＧＢＴ素子である。第１ＩＧＢＴ素子１０ａにおいて、電極面と反対側の面は絶縁面となっており、当該絶縁面は放熱板３１に半田３８で接続されている。
【００１９】
第１ダイオード素子２０ａは、図３（ｂ）に示すように、第１アノード電極２１ａ及び第１カソード電極２２ａが設けられた電極面を同一面上に有する、いわゆる横型ダイオード素子である。積層方向と直交する方向から見て、第１ダイオード素子２０ａは、その電極面が第１ＩＧＢＴ素子１０ａの電極面と同一平面上に位置するように並置されている。第１ダイオード素子２０ａにおいて、電極面と反対側の面は絶縁面となっており、当該絶縁面は放熱板３１に半田３８で接続されている。
【００２０】
第２ＩＧＢＴ素子１０ｂは、図３（ａ）に示すように、第２エミッタ電極１１ｂ及び第２コレクタ電極１２ｂが設けられた電極面を同一面上に有する、いわゆる横型ＩＧＢＴ素子である。第２ＩＧＢＴ素子１０ｂは、第１ＩＧＢＴ素子１０ａに積層されるように配置されている。第２ＩＧＢＴ素子１０ｂにおいて、電極面と反対側の面は絶縁面となっており、当該絶縁面は放熱板３１に半田３８で接続されている。
【００２１】
第２ダイオード素子２０ｂは、図３（ｂ）に示すように、第２アノード電極２１ｂ及び第２カソード電極２２ｂが設けられた電極面を同一面上に有する、いわゆる横型ダイオード素子である。第２ダイオード素子２０ｂは、第１ダイオード素子２０ａに積層されるように配置されている。積層方向と直交する方向から見て、第２ダイオード素子２０ｂは、その電極面が第２ＩＧＢＴ素子１０ｂの電極面と同一平面上に位置するように並置されている。第２ダイオード素子２０ｂにおいて、電極面と反対側の面は絶縁面となっており、当該絶縁面は放熱板３１に半田３８で接続されている。
【００２２】
また、図１に示すように、第１ＩＧＢＴ素子１０ａ及び第２ＩＧＢＴ素子１０ｂは、第１コレクタ電極１２ａと第２エミッタ電極１１ｂとが互いに対向し、且つ、第１エミッタ電極１１ａと第２コレクタ電極１２ｂとが互いに対向するように、向き合って配置されている。また、第１ダイオード素子２０ａ及び第２ダイオード素子２０ｂは、第１カソード電極２２ａと第２アノード電極２１ｂとが互いに対向し、且つ、第１アノード電極２１ａと第２カソード電極２２ｂとが互いに対向するように、向き合って配置されている。
【００２３】
放熱板３１は、熱伝導率や熱膨張率の制御が容易な素材で構成され、例えば、アルミ炭素珪素（ＡｌＳｉＣ）や銅モリブテン（Ｃｕ−Ｍｏ）等で構成されている。放熱板３１の一方の面は、第１ＩＧＢＴ素子１０ａ、第２ＩＧＢＴ素子１０ｂ、第１ダイオード素子２０ａ及び第２ダイオード素子２０ｂに接続されている。また、放熱板３１の他方の面は、グリス３９を介して冷却器３２に（熱的に）接続されている。
【００２４】
冷却器３２は、例えば、冷却媒体が流通する流路を内部に有し、ＩＧＢＴ素子（第１ＩＧＢＴ素子１０ａ及び第２ＩＧＢＴ素子１０ｂ）及びダイオード素子（第１ダイオード素子２０ａ及び第２ダイオード素子２０ｂ）から放熱板３１を介して放出される熱量を吸収し、冷却するための装置である。冷却器３２は、グリス３９等の潤滑剤を介して放熱板３１に接続されている。
【００２５】
Ｐバスバ３３は、図２（ａ）に示すように、その一端側が二又に別れている。二又に別れた一方は第１ＩＧＢＴ素子１０ａの第１コレクタ電極１２ａと接続され、他方は第１ダイオード素子２０ａの第１カソード電極２２ａと接続されている。そして、Ｐバスバ３３は、電極１２ａ，２２ａの直上から一方向に向かって延伸し、他端が電源の正極と接続されている（図示せず）。
【００２６】
また、Ｎバスバ３６は、図２（ｂ）に示すように、その一端側が二又に別れている。二又に別れた一方は第２ＩＧＢＴ素子１０ｂの第２エミッタ電極１１ｂと接続され、他方は第２ダイオード素子２０ａの第２アノード電極２１ｂと接続されている。そして、Ｎバスバ３６は、電極１１ｂ，２１ｂの直上から一方向（Ｐバスバ３３が延伸する方向と同じ方向）に向かって延伸し、他端が電源の負極と接続されている（図示せず）。
【００２７】
図１及び図２に示すように、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、双方ともに、第１ＩＧＢＴ素子１０ａ及び第１ダイオード素子２０ａと、第２ＩＧＢＴ素子１０ｂ及び第２ダイオード素子２０ｂとの間に配置されている。また、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、積層方向から見て、互いに重なり合うように（併走するように）配置されている。
【００２８】
出力バスバ３５は、上相モジュール２に含まれる出力バスバ３５ｘと、下相モジュール３に含まれる出力バスバ３５ｙとを有しており、出力バスバ３５ｘと出力バスバ３５ｙとは、導体３７で互いに接続されている。また、出力バスバ３５ｘは、導体ブロック３４を介して、第１ＩＧＢＴ素子１０ａの第１エミッタ電極１１ａと、第１ダイオード素子２０ａの第１アノード電極２１ａとに接続されている。また、出力バスバ３５ｙは、導体ブロック３４を介して、第２ＩＧＢＴ素子１０ｂの第２コレクタ電極１２ｂと、第２ダイオード素子２０ｂの第２カソード電極２２ｂとに接続されている。
【００２９】
このような出力バスバ３５は、互いに対向するように向き合って配置された第１エミッタ電極１１ａ及び第２コレクタ電極１２ｂを直線的に導通させている。また、出力バスバ３５は、互いに対向するように向き合って配置された第１アノード電極２１ａ及び第２カソード電極２２ｂを直線的に導通させている。Ｐバスバ３３、Ｎバスバ３６及び出力バスバ３５は、ＩＧＢＴなどの半導体素子に電力を供給するために用いられる配線用材料で形成されており、例えば銅やアルミニウムなどの導体が用いられている。
【００３０】
つぎに、図４を参照して、図１に示した半導体装置の変形例について説明する。図４は、図１の半導体装置の変形例に係る半導体装置を示す概略平面図である。
【００３１】
図４に示すように、半導体装置１ａでは、図１に示した半導体装置１と異なり、上相モジュール２と下相モジュール３とを接続する導体３７が構成要素となっていない。そして、出力バスバ３５が、上相モジュール２と下相モジュール３とで同一の構成（一体モールドされた構造）となっている。半導体装置１ａのその他の構成は、図１に示した半導体装置１と重複するため、説明を省略する。
【００３２】
以上、本実施形態では、第１エミッタ電極１１ａ（第２エミッタ電極１１ｂ）及び第１コレクタ電極１２ａ（第２コレクタ電極１２ｂ）を同一面上に有する第１ＩＧＢＴ素子１０ａ（第２ＩＧＢＴ素子１０ｂ）が用いられている。そして、第１ＩＧＢＴ素子１０ａ及び第２ＩＧＢＴ素子１０ｂは、第１コレクタ電極１２ａと第２エミッタ電極１１ｂとが互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、第１コレクタ電極１２ａと第２エミッタ電極１１ｂとの間に配置されていると共に、積層方向から見て互いに重なりあっている。このことで、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、互いに近接させた状態で素子の直上から併走されることになる。
【００３３】
ここで、一対の導体が互いに平行に設けられて併走している場合の実効インダクタンスＬＯＰ（Ｈ）は、次式（１）により求められる。
ＬＯＰ＝ＬＳ１+ＬＳ２-２Ｍ・・・・（１）
ただし、ＬＳ１は一方の導体の自己インダクタンス（Ｈ）、ＬＳ２は他方の導体の自己インダクタンス（Ｈ）、Ｍは一対の導体間の相互インダクタンス（Ｈ）である。上記（１）式より、実効インダクタンスＬＯＰを低減するためには、各導体の自己インダクタンスを小さくすること、及び、各導体間の相互インダクタンスを大きくすることが重要となる。
【００３４】
なお、導体の自己インダクタンスＬＳ（Ｈ）は次式（２）により求められる。
ＬＳ＝μ０×Ｎ２×ｌ×Ｓ・・・・（２）
ただし、μ０は透磁率（Ｈ／ｍ）、Ｎは巻数、ｌは導体の長さ（ｍ）、Ｓは導体の断面積（ｍ２）である。
【００３５】
また、導体間の相互インダクタンスＭ（Ｈ）は次式（３）により求められる。
Ｍ＝μ０×ｌ×（Ｉｎ（２ｌ／ｄ）−１）／２π・・・・（３）
ただし、ｄは導体間の距離である。
【００３６】
上記（３）式より、平行に設けられて併走している一対の導体においては、併走する距離が長く、導体間の距離が近いほど、相互インダクタンスは大きくなる。そして、上記（１）式より、相互インダクタンスが大きいほど、実効インダクタンスは低減される。
【００３７】
従って、本実施形態によれば、上述したとおり、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、互いに近接させた状態で素子の直上から併走されることになるため、導体間の距離が近い状態で併走距離を長くすることができる。このことで、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６間の相互インダクタンスは大きくなり、実効インダクタンスを低減することが可能となる。
【００３８】
また、本実施形態では、上述したとおり、第１アノード電極２１ａ及び第１カソード電極２２ａを同一面上に有する第１ダイオード素子２０ａと、第１ダイオード素子２０ａに積層されるように配置され、第２アノード電極２１ｂ及び第２カソード電極２２ｂを同一面上に有する第２ダイオード素子２０ｂと、をさらに備え、第１ダイオード素子２０ａ及び第２ダイオード素子２０ｂは、第１カソード電極２２ａと第２アノード電極２１ｂとが互いに対向するように向き合って配置され、Ｐバスバ３３は第１カソード電極２２ａに接続され、Ｎバスバ３６は第２アノード電極２１ｂに接続され、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６は、第１カソード電極２２ａと第２アノード電極２１ｂとの間に配置されている、ことで、ダイオード素子２０ａ，２０ｂに対しても、Ｐバスバ３３及びＮバスバ３６を、互いに近接させた状態で素子の直上から併走させることができ、相互インダクタンスを大きくしてインダクタンスを低減することができる。
【００３９】
ここで、従来の半導体装置では、互いに対向する面の双方に電極面を有するＩＧＢＴ素子（いわゆる縦型ＩＧＢＴ素子）を用いる場合、ＩＧＢＴ素子が接続された放熱板に電流が流れてしまうことが懸念されていた。そのため、放熱板と冷却器との間において絶縁を行う必要があり、放熱板と冷却器との間には、セラミック基板等の絶縁部材が設けられていた。この点、本実施形態の半導体装置１，１ａでは、上述したようにいわゆる横型ＩＧＢＴ素子が用いられているため、放熱板３１に電流が流れることを抑止できる。よって、放熱板３１と冷却器３２との間に絶縁部材を設ける必要がなく、放熱板３１は、潤滑剤（例えばグリス）を介して冷却器３２に直接接続されている。このことで、放熱板３１を冷却器３２によって直接冷却することができ、熱抵抗の低下による放熱特性の向上を図ることができる。つまり、本実施形態は、事項インダクタンスの低減と放熱性能の向上の両立を可能としている。
【００４０】
なお、上相モジュール２及び下相モジュール３の双方ともに、素子下放熱となることによっても、放熱特性の向上が図られている。また、絶縁部材が不要になることで、物品点数及び加工費を低減することができる。
【００４１】
また、本実施形態では、上述したとおり、第１ＩＧＢＴ素子１０ａ及び第２ＩＧＢＴ素子１０ｂが、第１エミッタ電極１１ａと第２コレクタ電極１２ｂとが互いに対向するように向き合って配置され、第１エミッタ電極１１ａ及び第２コレクタ電極１２ｂは、直線的に互いに導通されている。ここで、上記式（２）より、導体の自己インダクタンスは、導体の長さが短いほど小さくなるところ、第１エミッタ電極１１ａと第２コレクタ電極１２ｂとの間の電流経路を最短とすることで、自己インダクタンスを小さくし、実効インダクタンスを低減することができる。
【００４２】
また、図４に示した半導体装置１ａでは、第１エミッタ電極１１ａ及び第２コレクタ電極１２ｂが、ともに導体ブロック３４を介して同じ出力バスバ３５に接続されている。これにより、例えば、第１ＩＧＢＴ素子１０ａと第２ＩＧＢＴ素子１０ｂとの間の導体による接続が不要となり、電気抵抗の低下及び加工費の低減を図ることができる。
【００４３】
以上、上述したように、本実施形態の半導体装置１は、実効インダクタンスの低減と放熱性能の向上の両立を可能としている。
【００４４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明に係る半導体装置は、実施形態に係る上記半導体装置１，１ａに限られるものではなく、各請求項に記載した要旨を変更しない範囲で変形し、又は他のものに適用したものであってもよい。
【００４５】
例えば、図１においては、併走するＰバスバ３３及びＮバスバ３６は、積層方向に交差する方向に向かって延伸しているが、Ｐバスバ及びＮバスバが延伸する方向はこれに限定されるものではなく、Ｐバスバ及びＮバスバを距離を近づけて併走させることができれば、その他の方向に延伸するものであってもよい。
【００４６】
また、上記実施形態においては、スイッチング素子としてＩＧＢＴ素子１０ａ，１０ｂ、整流素子としてダイオード素子２０ａ，２０ｂを例示して説明を行ったが、これに限定されるものではなく、種々のスイッチング素子及び整流素子を用いることができる。
【符号の説明】
【００４７】
１，１ａ…半導体装置、２…上相モジュール、３…下相モジュール、１０ａ…第１ＩＧＢＴ素子、１０ｂ…第２ＩＧＢＴ素子、１１ａ…第１エミッタ電極、１１ｂ…第２エミッタ電極、１２ａ…第１コレクタ電極、１２ｂ…第２コレクタ電極、２０ａ…第１ダイオード素子、２０ｂ…第２ダイオード素子、２１ａ…第１アノード電極、２１ｂ…第２アノード電極、２２ａ…第１カソード電極、２２ｂ…第２カソード電極、３１…放熱板、３２…冷却器、３３…Ｐバスバ、３４…導体ブロック、３５、３５ｘ、３５ｙ…出力バスバ、３６…Ｎバスバ、３７…導体、３８…半田、３９…グリス。
【図１】
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【図２】
2014072385.tif 000004
【図３】
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【図４】
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