(57)【要約】      （修正有）【課題】有機発光素子に適した発光波長と高い発光効率を有し、かつハンドリング性の高い新規なイリジウム錯体、及びそれを有する有機発光素子を提供する。【解決手段】配位子を３つ有するイリジウム錯体であって、そのうち２つがフェニル−ナフト［２，１−ｆ］イソキノリンを骨格とする配位子である新規なイリジウム錯体を提供する。2014141425.tif 000071式［１］において、Ｉｒはイリジウムである。Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表し、ＬとＬ’のうち少なくともいずれか一方はアルキル基を有する。ｍは２であり、ｎは１である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とする、イリジウム錯体。
【化１】
2014141425.tif 000065
式［１］において、
Ｉｒはイリジウムである。
Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表し、ＬとＬ’のうち少なくともいずれか一方はアルキル基を有する。
ｍは２であり、ｎは１である。
ＩｒＬｍは、下記一般式［２］で示される。
【化２】
2014141425.tif 000066
式［２］において、
Ｒ１１乃至Ｒ１４は水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、置換基を有するか無置換体のアリール基、置換基を有するか無置換体の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｒ１５乃至Ｒ２４はそれぞれ、水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｌ’ｎは一価の二座配位子である。
【請求項２】
ＩｒＬ’ｎが下記一般式［３］乃至［５］のいずれかであることを特徴とする、請求項１に記載のイリジウム錯体。
【化３】
2014141425.tif 000067
式［３］乃至［５］において、
Ｒ２５乃至Ｒ３９は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、置換基を有するか無置換体のアリール基、置換基を有するか無置換体の複素環基をからそれぞれ独立に選ばれる。
【請求項３】
前記一般式［２］において、Ｒ１１乃至Ｒ２４が水素原子、フッ素原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基からそれぞれ独立に選ばれ、前記一般式［３］乃至［５］において、Ｒ２５乃至Ｒ３９が水素原子、炭素原子数１乃至１０のアルキル基からそれぞれ独立に選ばれる。ただしＲ１１乃至Ｒ３９の少なくとも１つは、炭素原子数１乃至１０のアルキル基であることを特徴とする、請求項２に記載のイリジウム錯体。
【請求項４】
前記一般式［２］において、Ｒ１１乃至Ｒ２４が、水素原子、メチル基、ターシャリブチル基からそれぞれ独立に選ばれ、前記一般式［３］乃至［５］において、Ｒ２５乃至Ｒ３９が、水素原子、メチル基、ターシャリブチル基からそれぞれ独立に選ばれる。ただしＲ１１乃至Ｒ３９の少なくとも１つはメチル基あるいはターシャリブチル基であることを特徴とする、請求項３に記載のイリジウム錯体。
【請求項５】
ＩｒＬ’ｎが一般式［３］であることを特徴とする、請求項４に記載のイリジウム錯体。
【請求項６】
陽極と陰極と、前記陽極と前記陰極の間に配置される発光層を有し、前記発光層はゲスト分子とホスト分子を有する有機発光素子であって、
前記ゲスト分子は請求項１乃至５のいずれか一項に記載のイリジウム錯体であり、
前記ホスト分子は炭素原子と水素原子のみから構成される炭化水素化合物であることを特徴とする有機発光素子。
【請求項７】
前記炭化水素化合物が、下記式［６］で示されることを特徴とする、請求項６に記載の有機発光素子。
Ａｒ１−（Ａｒ２）ａ−（Ａｒ３）ｂ−（Ａｒ４）ｃ−（Ａｒ５）ｄ−Ａｒ６    ［６］
ａ，ｂ，ｃ，ｄはそれぞれ独立に０もしくは１のいずれかであり、以下の関係式を満たす。
０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４
ここでＡｒ１乃至Ａｒ６は置換基を有するか無置換のベンゼン、置換基を有するか無置換のナフタレン、置換基を有するか無置換のフェナンスレン、置換基を有するか無置換のフルオレン、置換基を有するか無置換のトリフェニレン、置換基を有するか無置換のクリセン、置換基を有するか無置換のピセン、置換基を有するか無置換のフルオランテン、置換基を有するか無置換のインデノ［２，１−ａ］フェナンスレン、置換基を有するか無置換のインデノ［１，２−ｂ］フェナンスレンからそれぞれ独立に選ばれる。ただしフルオレンは９位に、インデノ［２，１−ａ］フェナンスレンは１３位に、インデノ［１，２−ｂ］フェナンスレンは１２位にメチル基を有する。
【請求項８】
前記炭化水素化合物が下記式［７］で示される炭化水素化合物であることを特徴とする請求項６に記載の有機発光素子。
Ａｒ７−（Ａｒ８）ｐ−（Ａｒ９）ｑ−Ａｒ１０      ［７］
（ｐ，ｑはそれぞれ独立に０もしくは１のいずれかであり、以下の関係式を満たす。
０≦ｐ＋ｑ≦２
Ａｒ７およびＡｒ１０はそれぞれ独立に以下の構造式のいずれかで表わされる。
【化４】
2014141425.tif 000068
Ａｒ８およびＡｒ９はそれぞれ独立に以下の構造式のいずれかで表わされる。
【化５】
2014141425.tif 000069
【請求項９】
前記一般式［７］で示される炭化水素化合物は全ての炭素−炭素結合がＳＰ２混性軌道であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１０】
Ａｒ７は以下の構造式のいずれかで表わされることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
【化６】
2014141425.tif 000070
【請求項１１】
Ａｒ７とＡｒ１０が互いに異なることを特徴とする請求項８に記載の有機発光素子。
【請求項１２】
前記発光層が別の有機化合物を更に有することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか一項に記載の有機発光素子。
【請求項１３】
前記別の有機化合物のＨＯＭＯ準位が前記炭化水素化合物のＨＯＭＯ準位より高いことを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子。
【請求項１４】
前記別の有機化合物のＬＵＭＯ準位が前記炭化水素化合物のＬＵＭＯ準位より高いことを特徴とする請求項１２あるいは１３に記載の有機発光素子。
【請求項１５】
複数の画素を有し、前記複数の画素が請求項６乃至１４のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続された能動素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
前記能動素子は電極を有し、前記電極は透明酸化物半導体を有することを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
カラーフィルターを有することを特徴とする請求項１５あるいは１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
感光体ドラムが潜像を得るために発光する露光光源を有する電子写真方式の画像形成装置であって、
前記露光光源は、複数の発光部を有し、
前記複数の発光部は一方向に配置され且つそれぞれが請求項６乃至１４のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子に接続された能動素子を有することを特徴とする電子写真方式の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なイリジウム錯体およびそれを有する有機発光素子に関する。より具体的には配位子のうち一方をナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格の配位子とし、他方を別の骨格の配位子とするいわゆる異配位子種を有する新規なイリジウム錯体とそれを有する有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は陽極と陰極と、それら両電極間に配置される有機化合物層とを有する素子である。有機発光素子は有機エレクトロルミネッセント素子、有機ＥＬ素子とも言われている。有機発光素子は、前記各電極から注入させる正孔（ホール）及び電子が有機化合物層内で再結合することで励起子が生成し、励起子が基底状態に戻る際に光が放出される。有機発光素子の最近の進歩は著しく、駆動電圧が低く、多様な発光波長、高速応答性、薄型、軽量の発光デバイス化が可能である。
【０００３】
有機発光素子のうち、燐光発光素子は前記有機化合物層中に燐光発光材料を有し、その三重項励起子由来の発光が得られる発光素子である。燐光発光素子の発光効率及び耐久寿命には更なる改善の余地があり、燐光発光材料の発光量子収率の向上と、発光層ホスト材料分子の分子構造劣化の抑制が望まれている。
【０００４】
燐光発光素子の発光材料に使用されるナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を発光性配位子に有するイリジウム錯体として、例えば以下に示す化合物Ｅ２が特許文献１で開示されている。また、ナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格よりも環の数が一つ少ない骨格を発光性配位子に有し、かつ補助配位子を有するイリジウム錯体として、例えば以下に示す化合物Ａ３０が特許文献１で開示されている。
【０００５】
【化１】
2014141425.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１１４１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、有機発光素子に適した発光波長と高い発光効率を有し、かつハンドリング性の高い新規なイリジウム錯体及びそれを有する高効率且つ駆動耐久性能が向上した有機発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
よって本発明は、
下記一般式［１］で示されることを特徴とする、イリジウム錯体を提供する。
【０００９】
【化２】
2014141425.tif 000003
【００１０】
式［１］において、
Ｉｒはイリジウムである。
Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表し、ＬとＬ’のうち少なくともいずれか一方はアルキル基を有する。
ｍは２であり、ｎは１である。
【００１１】
ＩｒＬｍは、下記一般式［２］で示される。
【００１２】
【化３】
2014141425.tif 000004
【００１３】
式［２］において、
Ｒ１１乃至Ｒ１４は水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、置換基を有するか無置換体のアリール基、置換基を有するか無置換体の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｒ１５乃至Ｒ２４はそれぞれ、水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｌ’は一価の二座配位子である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、有機発光素子に適した発光波長と高い発光効率を有し、かつハンドリング性の高い新規イリジウム錯体及びそれを有する高効率且つ駆動耐久性能が向上した有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】有機発光素子とこの有機発光素子に接続するスイッチング素子とを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明のイリジウム錯体について詳細に説明する。
【００１７】
本発明に係るイリジウム錯体は、ナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を配位子の一部に有するイリジウム錯体であり具体的には、
下記一般式［１］で示されることを特徴とするイリジウム錯体である。
【００１８】
【化４】
2014141425.tif 000005
【００１９】
式［１］において、
Ｉｒはイリジウムである。
Ｌ及びＬ’は、互いに異なる二座配位子を表し、ＬとＬ’のうち少なくともいずれか一方はアルキル基を有する。
ｍは２であり、ｎは１である。
【００２０】
ＩｒＬｍは、下記一般式［２］で示される。
【００２１】
【化５】
2014141425.tif 000006
【００２２】
式［２］において、
Ｒ１１乃至Ｒ１４は水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、置換基を有するか無置換体のアリール基、置換基を有するか無置換体の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｒ１５乃至Ｒ２４はそれぞれ、水素原子、フッ素原子、置換基を有するか無置換体のアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基からそれぞれ独立に選ばれる。
Ｌ’は一価の二座配位子である。
【００２３】
即ちこのイリジウム錯体は、式［２］にその配位子が示されるように、１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン（以下ｎｉｑと示す）を骨格とする配位子を有する。そしてこのｎｉｑ系イリジウム錯体（Ｉｒ錯体）は置換基としてアルキル基を有する。
【００２４】
そしてイリジウム錯体は、赤色に発光する。
【００２５】
本発明に係るイリジウム錯体は、ＬとＬ’が、互いに異なる二座配位子であるためこのような配位子を異配位子種と本発明では呼ぶ。
【００２６】
以下に式［２］におけるＲ１１乃至Ｒ２４について説明する。
【００２７】
アルキル基がＲ１１乃至Ｒ２４のうち少なくとも１つに該当する場合、それは好ましくは炭素原子数１以上１０以下のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１以上６以下のアルキル基である。炭素原子数１以上６以下のアルキル基は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基が具体的に挙げられる。このうちメチル基もしくはｔｅｒｔ−ブチル基がより好ましい。
【００２８】
アルコキシ基がＲ１１乃至Ｒ２４のうち少なくとも１つに該当する場合、メトキシ基、エトキシ基、ｉ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が具体的に挙げられるが、メトキシ基が好ましい。
【００２９】
置換アミノ基がＲ１１乃至Ｒ２４のうち少なくとも１つに該当する場合、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−ベンジルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジベンジルアミノ基、アニリノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジナフチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフルオレニルアミノ基，Ｎ−フェニル−Ｎ−トリルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジアニソリルアミノ基、Ｎ−メシチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメシチルアミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ターシャリブチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−トリフルオロメチルフェニル）アミノ基が具体的に挙げられる。中でも、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基もしくはＮ，Ｎ−ジフェニルアミノ基が好ましい。
【００３０】
アリール基がＲ１１乃至Ｒ１４のうち少なくとも１つに該当する場合、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオレニル基、ビフェニレニル基、アセナフチレニル基、クリセニル基、ピレニル基、トリフェニレニル基、ピセニル基、フルオランテニル基、ペリレニル基、ナフタセニル基、ビフェニル基、ターフェニル基が具体的に挙げられる。中でも、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基もしくはビフェニル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。
【００３１】
複素環基がＲ１１乃至Ｒ１４のうち少なくとも１つに該当する場合、チエニル基、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジル基、インドリル基、キノリル基、イソキノリル基、ナフチリジニル基、アクリジニル基、フェナントロリニル等、カルバゾリル基、ベンゾ［ａ］カルバゾリル基、ベンゾ［ｂ］カルバゾリル基、ベンゾ［ｃ］カルバゾリル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、フェノチアジニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ベンゾフラニル基、ジベンゾフラニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基が具体的に挙げられる。
【００３２】
Ｒ１１乃至Ｒ１４の少なくとも１つに該当するアリール基あるいは複素環基は、更に置換基を有していてもよい。その置換基に制限はないが、例えばアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、アリール基および複素環基を挙げることができる。
【００３３】
更に有する置換基がアルキル基である場合、そのアルキル基は具体的にはＲ１１乃至Ｒ２４で説明したアルキル基の具体例と同様であり、好ましくは炭素原子数１以上１０以下のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１以上６以下のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
更に有する置換基がアルコキシ基である場合、そのアルコキシ基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ２４で説明したアルコキシ基の具体例と同様であり、好ましくはメトキシ基である。
更に有する置換基が置換アミノ基である場合、その置換アミノ基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ２４で説明した置換アミノ基の具体例と同様であり、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルアミノ基もしくはＮ，Ｎ−ジフェニルアミノ基である。
更に有する置換基がアリール基である場合、そのアリール基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ１４で説明したアリール基の具体例と同様であり、好ましくはフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基もしくはビフェニル基であり更に好ましくはフェニル基である。
更に有する置換基が複素芳香族基である場合、その複素環基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ１４で説明した複素環基の具体例と同様である。
【００３４】
次に、Ｌ’について説明する。部分構造ＩｒＬ’ｎは、一価の二座配位子（Ｌ’）を含む構造である。Ｌ’として、アセチルアセトン、フェニルピリジン、ピコリン酸、オキサレート、サレンを具体例として挙げることができる。
【００３５】
ＩｒＬ’ｎはより具体的には下記一般式［３］乃至［５］のいずれかで示すことができ、より好ましくは一般式［３］である。
【００３６】
【化６】
2014141425.tif 000007
【００３７】
式［３］乃至［５］において、
Ｒ２５乃至Ｒ３９は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、置換基を有するか無置換体のアリール基、置換基を有するか無置換体の複素環基からそれぞれ独立に選ばれる。
【００３８】
アルキル基がＲ２５乃至Ｒ３９のうち少なくとも１つに該当する場合、そのアルキル基は、Ｒ１１乃至Ｒ２４において説明したアルキル基の具体例と同様であり、好ましくは炭素原子数１以上１０以下のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１以上６以下のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
【００３９】
アルコキシ基がＲ２５乃至Ｒ３９のうち少なくとも１つに該当する場合、そのアルコキシ基は、Ｒ１１乃至Ｒ２４において説明したアルコキシ基の具体例と同様であり、メトキシ基であることが好ましい。
【００４０】
置換アミノ基がＲ２５乃至Ｒ３９のうち少なくとも１つに該当する場合、その置換アミノ基は、Ｒ１１乃至Ｒ２４において説明したアルコキシ基の具体例と同様であり、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基もしくはＮ，Ｎ−ジフェニルアミノ基であることが好ましい。
【００４１】
アリール基がＲ２５乃至Ｒ３９のうち少なくとも１つに該当する場合、そのアリール基は、Ｒ１１乃至Ｒ１４において説明したアリール基の具体例と同様であり、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基もしくはビフェニル基のいずれかであることが好ましく、より好ましくはフェニル基である。
【００４２】
複素環基がＲ２５乃至Ｒ３９のうち少なくとも１つに該当する場合、その複素環基は、Ｒ１１乃至Ｒ１４において説明した複素環基の具体例と同様である。
【００４３】
Ｒ２５乃至Ｒ３９の少なくとも１つに該当するアリール基あるいは複素環基は、更に置換基を有していてもよい。その置換基に制限はないが、例えばアルキル基、アルコキシ基、置換アミノ基、シアノ基、トリフルオロメチル基、アリール基および複素環基を挙げることができる。
【００４４】
更に有する置換基がアルキル基である場合、そのアルキル基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ３９で説明したアルキル基の具体例と同様であり、好ましくは炭素原子数１以上１０以下のアルキル基であり、より好ましくは炭素原子数１以上６以下のアルキル基であり、より好ましくはメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。
更に有する置換基がアルコキシ基である場合、そのアルコキシ基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ３９で説明したアルコキシ基の具体例と同様であり、好ましくはメトキシ基である。
更に有する置換基が置換アミノ基である場合、その置換アミノ基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ３９で説明した置換アミノ基の具体例と同様であり、好ましくはＮ，Ｎ−ジメチルアミノ基もしくはＮ，Ｎ−ジフェニルアミノ基である。
更に有する置換基がアリール基である場合、そのアリール基は具体的には、Ｒ１１乃至Ｒ１４で説明した芳香族炭化水素基の具体例と同様であり、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基もしくはビフェニル基が好ましく、より好ましくはフェニル基である。
更に有する置換基が複素環基である場合、その複素環基は、Ｒ１１乃至Ｒ１４で表される複素環基の具体例と同様である。
【００４５】
（本発明に係るイリジウム錯体の合成方法）
次に、本実施の形態に係る式［１］で示されるイリジウム錯体の合成方法について説明する。
（Ｉ）配位子となる有機化合物の合成
（ＩＩ）有機金属錯体の合成
ここで、配位子となる有機化合物は、例えば、合成ルート１乃至２のいずれかの方法により合成することができる。
【００４６】
＜合成ルート１＞
【００４７】
【化７】
2014141425.tif 000008
【００４８】
＜合成ルート２＞
【００４９】
【化８】
2014141425.tif 000009
【００５０】
合成ルート１乃至２のいずれにおいても、カップリングするボロン酸化合物は、上記合成ルート１乃至２で示される化合物ＢＳ１−１乃至ＢＳ２−２に限られない。合成ルート１においては、ボロン酸化合物となるＢＳ１−１乃至ＢＳ１−２をそれぞれ別のものに代えることで、目的の配位子を変えることができる。
【００５１】
合成ルート２においては、ボロン酸化合物となるＢＳ２−１乃至ＢＳ２−２をそれぞれ別のもの代えることで、目的の配位子を変えることができる。
【００５２】
イリジウム錯体は、合成ルート３の方法により得ることができる。
【００５３】
＜合成ルート３＞
【００５４】
【化９】
2014141425.tif 000010
【００５５】
合成ルート３によれば、二種類以上の配位子を有する有機金属錯体を合成することができる。ここで、合成ルート３を示す上記式のうちの発光性配位子であるＬ−１やあるいは補助配位子となるＡＬ−１を別のもの代えることで、合成する錯体を変えることができる。例えばＡＬ−１をピリジルピリジン誘導体に変える場合、式中の２−エトキシエタノールと炭酸ナトリウムを、エタノールとトリフルオロメタンスルホン酸銀に変えればよい。
【００５６】
また本発明に係る化合物を、有機発光素子の製造に用いる場合には、直前の精製に昇華精製を行うことが好ましい。昇華精製は精製効果が大きいため、これにより有機化合物の高純度化が実現する。は、有機化合物の分子量が大きいほど昇華精製には高温が必要であり、この際高温による熱分解などを起こしやすい。したがって有機発光素子に用いられる有機化合物は、過大な加熱なく昇華精製を行うことができるように、分子量が１２００以下であることが好ましく、１１００以下がより好ましい。
【００５７】
（本発明に係るナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を配位子に有するイリジウム錯体の性質について）
本発明に係るナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を配位子に有するイリジウム錯体は、高純度化することができる。というのもヘテロレプティックな錯体である上に立体障害基として、化合物中に１つ以上のアルキル基を有するためである。アルキル基を有しているため有機溶媒に溶解しやすく、カラムクロマトグラフィーや再結晶などの精製により高純度化できる。さらに化合物の対称性が低く、立体障害基を含むために昇華時に分解せずにさらなら高純度化が可能である。そのため得られる有機発光素子に不純物が含まれない。
【００５８】
立体障害を与えるためのアルキル基とは、例えば、メチル基、ターシャリーブチル基等であり、これにより発光性配位子同士を近接させない効果がある。こうした置換基を導入することで、マトリックスに対して５重量％以上といった高濃度のドーピングであっても発光効率が低下することなく発光することができる。
【００５９】
本発明において赤色の光とは、発光ピーク波長が５８０ｎｍ−６５０ｎｍの範囲にある光であり、６１０ｎｍ−６３０ｎｍに発光ピーク波長があると、さらに良好な赤色である。本発明に係るイリジウム錯体は、発光性配位子にナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を有しているために、錯体の励起時の双極子モーメントが増大し、振動子強度が向上するために、特許文献１の化合物Ａ−３０、即ち４−フェニルベンゾ［ｆ］イソキノリンを発光性配位子としたイリジウム錯体と同等の高いＰＬ量子収率を有する。本発明のイリジウム錯体は高いＰＬ量子収率だけでなく、発光性配位子がナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を有しているために、発光ピーク波長を良好な赤色域である６１０ｎｍ−６３０ｎｍに有するために、ＲＧＢ系の有機ＥＬディスプレイ用の発光材料により好ましい。
【００６０】
（本発明に係るイリジウム錯体の例示）
以下、本発明に用いられるイリジウム錯体の具体的な構造式を下記に示す。
【００６１】
【化１０】
2014141425.tif 000011
【００６２】
【化１１】
2014141425.tif 000012
【００６３】
【化１２】
2014141425.tif 000013
【００６４】
【化１３】
2014141425.tif 000014
【００６５】
【化１４】
2014141425.tif 000015
【００６６】
【化１５】
2014141425.tif 000016
【００６７】
【化１６】
2014141425.tif 000017
【００６８】
【化１７】
2014141425.tif 000018
【００６９】
【化１８】
2014141425.tif 000019
【００７０】
【化１９】
2014141425.tif 000020
【００７１】
例示化合物ＫＫ−０１乃至ＫＫ−２７に示す第１群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体であり、Ｒ２５及びＲ２７の少なくとも１つがメチル基である。
【００７２】
これら第１群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲスト分子に用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第１群のイリジウム錯体は、２つの１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン誘導体の配位子と、１つのアセチルアセトンというジケトン系二座配位子とからなるイリジウム錯体である。そのため、錯体の分子量が比較的小さいので、昇華精製が容易である。
【００７３】
例示化合物ＫＫ−２８乃至ＫＫ−５４に示す第２群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体であり、Ｒ２５及びＲ２７の少なくとも１つがターシャリブチル基である。
【００７４】
これら第２群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲストに用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第２群のイリジウム錯体は、２つの１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン誘導体の配位子と、１つのジピバロイルメタンというジケトン系二座配位子とからなるイリジウム錯体である。そのため、錯体の分子量が比較的小さい上に、ジピバロイルメタンが立体障害基として働くので、昇華精製が容易である。さらに溶解性も高いので合成または精製時のハンドリングが容易である。
【００７５】
例示化合物ＫＫ−５５乃至ＫＫ−６３に示す第３群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［４］で表されるイリジウム錯体である。
【００７６】
これら第３群のイリジウム錯体は、ピコリン酸誘導体を配位子として一つ有しており、ジケトン系二座配位子を有する場合よりも短波長の発光ピーク波長を有する錯体である。
【００７７】
例示化合物ＫＫ−６４乃至ＫＫ−７２に示す第４群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［５］で表されるイリジウム錯体である。
【００７８】
これら第４群のイリジウム錯体は、非発光性の配位子としてフェニルピリジン誘導体を１つ有し、１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン配位子由来の赤色発光が得られる。そのため、１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリンを配位子としたホモレプティックのイリジウム錯体に比べて、分子量が小さくて昇華精製が容易であり、且つホモレプティックのイリジウム錯体と同等の長寿命の有機発光素子を得ることができる。
【００７９】
例示化合物ＫＫ−７３乃至ＫＫ−７６に示す第５群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体である。
【００８０】
これら第５群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲストに用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第５群のイリジウム錯体は、１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン誘導体の配位子のフェニル基が置換基を有するか無置換のアリールあるいは置換基を有するか無置換の複素環基が置換したイリジウム錯体である。
【００８１】
そのため、置換基を有するか無置換のアリールあるいは置換基を有するか無置換の複素環基が離たち障害基として機能するため、昇華精製が容易である。
【００８２】
例示化合物ＫＫ−７７乃至ＫＫ−７８に示す第６群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体である。
【００８３】
これら第６群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲストに用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第６群のイリジウム錯体は、配位子にフッ素原子が置換しているイリジウム錯体である。そのため、アルキル基の立体障害基に加えて、さらに発光性配位子同士の反発を起こすために、昇華精製が容易で、且つマトリックスに対して５重量％以上といった高濃度のドーピングであっても発光効率が低下することなく発光することができる。
【００８４】
例示化合物ＫＫ−７９乃至ＫＫ−８１に示す第７群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体である。
【００８５】
これら第７群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲストに用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第７群のイリジウム錯体は、配位子に置換アミノ基を有しているイリジウム錯体である。そのため化合物のＨＯＭＯ準位が浅く（真空準位に近く）、ＨＯＭＯ準位の浅いホスト材料（ホスト分子）と組み合わせるときに電荷の障壁を小さくすることができ、素子の低電圧駆動を実現させる。また、置換アミノ基が立体障害基としても機能するため、昇華精製が容易である。
【００８６】
例示化合物ＫＫ−８２乃至ＫＫ−８７に示す第８群のイリジウム錯体は、式［１］で示されるイリジウム錯体のうち、ＩｒＬ’ｎが式［３］で表されるイリジウム錯体である。
【００８７】
これら第８群のイリジウム錯体は発光量子収率が非常に高い錯体で、発光層ゲストに用いたときに、発光効率の高い有機発光素子が得られる。さらに第８群のイリジウム錯体は、置換基として長鎖のアルキル基を有しているイリジウム錯体である。そのため、錯体の溶解性が非常に高く、湿式法などの塗布による成膜が容易である。
【００８８】
（本発明のゲスト材料と組み合わせるホスト材料の説明）
本発明に係るイリジウム錯体が有する上述の１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン配位子骨格は、振動子強度が高いために量子収率が高い。
【００８９】
こうしたイリジウム錯体をより有用に用いるために、発光層において適したホスト材料も検討した。本発明者は以下の３点に着目してホスト材料の分子を設計することで有機発光素子の効率および駆動耐久性を向上させることができることを見出した。
１）炭化水素のみからなる
２）適正なバンドギャップを有する
３）炭素結合がＳＰ２のみからなる
【００９０】
以下に詳細を説明する。
【００９１】
１）炭化水素のみからなる
通電による発光素子の劣化の原因の一つとして、発光層内におけるキャリアのトラップとなるようなエキサイマーの生成が挙げられる。エキサイマーはエネルギーが小さいためにキャリアがトラップされ、発光効率が低下するだけでなく、発光領域が局所的になり周辺分子の材料劣化を起こり易くなるために、素子の駆動耐久性も低下する。
【００９２】
複素環基やヘテロ原子を有する化合物は分子の極性が大きいために、他分子との相互作用が起こりやすいと考える。そのため、このような材料を発光層に用いた場合、発光材料とだけでなく、隣接する正孔輸送層や電子輸送層の材料とも相互作用し、エキサイマーを作り易くなり、素子の劣化につながる。
【００９３】
また、複素環基やヘテロ原子を有する化合物は、分子の中に炭素−ヘテロ原子の結合やヘテロ原子−ヘテロ原子の結合が生じる。一般に結合の強さを表す結合解離エネルギーを比較すると、炭素−炭素間の結合解離エネルギーは、炭素−ヘテロ原子間やヘテロ原子−ヘテロ原子間の結合解離エネルギーよりも大きいことが知られている。例えば、炭素−炭素間の結合解離エネルギーは３．６１ｅＶであり、炭素−窒素間の結合解離エネルギーは３．０３ｅＶ、炭素−硫黄間は２．８２ｅＶ、窒素−窒素間は２．２６ｅＶ、窒素−酸素間は２．０８ｅＶであることが知られている。そのため、化合物が励起して基底状態に戻ることを繰り返しても、炭化水素のみで構成されるホスト材料の方が劣化に強いために、素子の劣化を引き起こしにくい。
【００９４】
したがって本発明のように炭化水素のみで構成されるホスト材料を用いると複素環基やヘテロ原子を有するホスト材料よりも有機発光素子の高い発光効率と耐久特性が期待できる。
【００９５】
２）適正なバンドギャップを有する
まず、発光材料（ゲスト材料）が過度にラジカル状態になることを回避するために、ホスト材料のバンドギャップを適正に設計する。
【００９６】
本発明における赤色とは発光ピーク波長が５８０ｎｍ−６５０ｎｍ（最低三重項励起準位（Ｔ１）が１．９ｅＶ−２．１ｅＶ）の範囲である。ホスト材料のＴ１が発光材料のＴ１より高いことがよいが、高すぎる場合は最低一重項励起準位（Ｓ１）およびバンドギャップが大きくなる。その結果、周辺材料との界面で電荷溜まりが発生することや、発光材料とのＨＯＭＯ準位（最高被占有軌道）およびＬＵＭＯ準位（最低空軌道）の準位差が大きくなり、発光材料が電荷トラップとなることで劣化を促進すると考える。一方本発明に係るナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を有するイリジウム錯体（発光材料）は、ＬＵＭＯ準位軌道が拡がっていることから電荷を捕捉しやすいことが考えられる。したがって電荷の注入輸送が円滑に行われるようにバンドギャップが狭いホスト材料が好ましい相手である。ホスト材料のＴ１要件および炭化水素化合物のΔＳ−Ｔ値（Ｓ１とＴ１のエネルギー差）を考慮すると、ホスト材料のバンドギャップは２．８−３．４ｅＶが好ましく２．８−３．２ｅＶがより好ましい。
【００９７】
下記表１に主な芳香環の単体でのＴ１エネルギーおよびΔＳ−Ｔ値を示す。この中で好ましく用いられる芳香環の構造はベンゼン、ナフタレン、フェナンスレン、フルオレン、トリフェニレン、クリセン、ピセン、インデノ［２，１−ａ］フェナンスレン、インデノ［１，２−ｂ］フェナンスレン、フルオランテンである。
【００９８】
【表１】
2014141425.tif 000021
【００９９】
以上より、上記バンドギャップを達成するためには、一般式［６］で示す以下の化合物が好ましい。
Ａｒ１−（Ａｒ２）ａ−（Ａｒ３）ｂ−（Ａｒ４）ｃ−（Ａｒ５）ｄ−Ａｒ６    ［６］
ａ，ｂ，ｃ，ｄはそれぞれ独立に０もしくは１のいずれかであり、以下の関係式を満たす。
０≦ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ≦４
ここでＡｒ１乃至Ａｒ６はベンゼン、ナフタレン、フェナンスレン、フルオレン、トリフェニレン、クリセン、ピセン、フルオランテン、インデノ［２，１−ａ］フェナンスレン、インデノ［１，２−ｂ］フェナンスレンから選ばれ、フルオレンは９位に、インデノ［２，１−ａ］フェナンスレンは１３位に、インデノ［１，２−ｂ］フェナンスレンは１２位にメチル基を２つ有する。ただし一般式［６］で表される化合物の分子量は１０００以下が好ましく、より好ましくは９００以下である。
【０１００】
また、一般式［６］で示す化合物のうちより好ましい化合物は、言い換えれば一般式［７］で示す以下の化合物である。
Ａｒ７−（Ａｒ８）ｐ−（Ａｒ９）ｑ−Ａｒ１０      ［７］
（ｐ，ｑはそれぞれ独立に０もしくは１のいずれかであり、以下の関係式を満たす。
０≦ｐ＋ｑ≦２
【０１０１】
さらに一般式［７］においてＡｒ８およびＡｒ９が以下の骨格を有することが好ましい。
【０１０２】
【化２０】
2014141425.tif 000022
【０１０３】
すなわち、バンドギャップが狭い赤色に適した材料にするためには。ａ）共役が伸びること、およびｂ）結合同士にペリ位を持たないことである。上記骨格に示すように、Ａｒ８およびＡｒ９は末端のアリール基であるＡｒ７およびＡｒ１０に対して共役が伸びる（バンドギャップが小さくなる）箇所に結合手を有するアリーレン基である。
【０１０４】
また、Ａｒ８およびＡｒ９と結合するＡｒ７およびＡｒ１０との結合においてペリ位をもたないことが好ましい。ペリ位を有しない場合、結合の２面角が小さくなりｐ軌道が平行に接するので共役が伸びるからである。例えば、上述の２，６−ナフタレンと１，４−ナフタレンを比較した場合、どちらも結合手は同じ方向に結合しているが、１，４−ナフタレンのほうが水素反発が大きく２面角が大きくなる。その結果ｐ軌道の重なりが小さくなり共役が伸びずバンドギャップが増大する。
【０１０５】
また、１≦ｐ＋ｑ≦２が好ましい。これは３≦ｐ＋ｑの場合、分子量が大きくなり、溶媒に対する溶解性が低くなったり、昇華精製や蒸着の際に分解する等、ハンドリングが悪くなる。また、材料が分解してしまうと、材料の劣化物や不純物が素子中においてキャリアトラップとして働き、素子のキャリアバランスが崩れ、素子耐久性を悪化させる。
【０１０６】
上記の条件を考慮することで、赤色に適したバンドギャップを有する材料となり、電荷の注入性が向上し電荷溜まりを回避することが可能となる。
【０１０７】
３）炭素結合がＳＰ２混成軌道からなる
上記１）乃至２）を満たすだけでも十分に有機発光素子の効率および駆動耐久性を向上させることができるが、さらに分子中の全ての炭素−炭素結合がＳＰ２混成軌道であることがより好ましい。なぜなら骨格がＳＰ２炭素から構成されることで基底状態から電荷の蓄積状態および励起状態の構造変化が少ないと考えられるからである。つまり、電極から注入された電荷によって多環式芳香族炭化水素化合物が不安定なカチオン状態になっても劣化に強い傾向にあると考えられる。また、炭素結合において単結合は３．９ｅＶ、２重結合は７．５ｅＶであり２重結合の結合エネルギーが大きい。このことからもＳＰ２混成軌道からなる炭素結合のほうが安定と考えられる。
【０１０８】
また、本発明に係る上述の１−フェニルナフト［２，１−ｆ］イソキノリン配位子骨格は、キノリンにナフタレン環が縮合することによりπ軌道の共役面が拡大する。その結果、発光材料近傍の材料（特にホスト材料）と相互作用が起こり易くホスト材料の電荷を捕獲し発光材料がラジカル状態を形成したり、あるいはホスト材料とエキサイプレックスを形成することで、効率や耐久性が低下しやすいと考えられる。
【０１０９】
１）乃至３）、特に１）乃至２）を満たすだけでも十分に有機発光素子の効率および駆動耐久性を向上させることができる。これに加えて本発明者はエキサイプレックスおよびラジカル状態を回避すると有発光素子の効率および駆動耐久性を一層向上させることができることを見出した。
【０１１０】
そこで、本発明者はエキサイプレックスおよびラジカル状態を回避するためには、ホスト材料の構造中に「相互作用を低減するユニット」を備える化合物を設計することで有機発光素子の効率および駆動耐久性を一層向上させることができることを見出した。「相互作用を低減するユニット」とは以下の２点に留意することで分子設計を行うことができる。
４）末端基の縮合方向を分子の短軸方向に伸ばす
５）末端のパーツが異なる
【０１１１】
以下に詳細を説明する。
【０１１２】
４）末端基の縮合方向を分子の短軸方向に伸ばす
一般式［６］においてＡｒ７およびＡｒ１０について説明する。上述に対してＡｒ７およびＡｒ１０がＡｒ８およびＡｒ９と同じグループから選ばれる場合、直線状の化合物となる。その場合、有機発光素子中の膜状態では材料同士が密着する。その結果、本発明に係るイリジウム錯体はＬＵＭＯ準位の軌道が拡がっていることから密着したホストから電子を受け取りラジカル状態になりやすいことが考えられる。
【０１１３】
そこで、Ａｒ７およびＡｒ１０はＡｒ８およびＡｒ９の結合方向（長軸方向）に対して異なる方向に芳香環が縮合したアリール基が結合した材料を用いることで、有機発光素子の効率および駆動耐久性をより向上させることができることを見出した。具体的にはＡｒ７およびＡｒ１０は以下の構造から選ばれる。
【０１１４】
【化２１】
2014141425.tif 000023
【０１１５】
さらにＡｒ１０はＡｒ７に加えて以下のアリール基を用いても良い。
【０１１６】
【化２２】
2014141425.tif 000024
【０１１７】
すなわち、本発明に係る炭化水素有機化合物はＡｒ８およびＡｒ９により共役長が伸びて赤色に適したバンドギャップを有している。加えて末端のＡｒ７およびあるいはＡｒ１０がＡｒ８およびＡｒ９の長軸方向と異なる方向へ捻じれることにより材料同士による密着を抑え発光材料がラジカル状態にすることを防ぐことが可能となる。
【０１１８】
５）末端のパーツが異なる
末端のアリール基であるＡｒ７およびＡｒ８は互いに異なる骨格であることがさらに好ましい。Ａｒ７＝Ａｒ１０に比べて対称性が落ちることにより分子同士のスタッキングを回避してより発光材料が過度にラジカル状態になることを防ぐと考えられる。
【０１１９】
（本発明に係るホスト材料の例示）
以下、本発明に用いられるホスト材料の具体的な構造式を下記に示す。
【０１２０】
【化２３】
2014141425.tif 000025
【０１２１】
【化２４】
2014141425.tif 000026
【０１２２】
【化２５】
2014141425.tif 000027
【０１２３】
【化２６】
2014141425.tif 000028
【０１２４】
【化２７】
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【０１２５】
【化２８】
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【０１２６】
【化２９】
2014141425.tif 000031
【０１２７】
【化３０】
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【０１２８】
【化３１】
2014141425.tif 000033
【０１２９】
【化３２】
2014141425.tif 000034
【０１３０】
【化３３】
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【０１３１】
【化３４】
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【０１３２】
【化３５】
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【０１３３】
【化３６】
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【０１３４】
Ｘ群は１）、２）を満たし且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。また、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１３５】
Ｙ群は１）、２）、５）を満たし且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は左右の末端のアリール基が異なる材料であるので、材料同士の重なりが低減する。また、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１３６】
Ａ群は１）、２）、３）、４）を満たし且つｐ＝ｑ＝１且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は炭化水素のみおよびＳＰ２炭素のみで構成されることから、化学的に安定であり且つ構造変化も少ないため劣化に強い。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ８およびＡｒ９に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１３７】
Ｂ群は１）、２）、３）、４）を満たし且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は炭化水素のみおよびＳＰ２炭素のみで構成されることから、化学的に安定であり且つ構造変化も少ないため劣化に強い。また、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１３８】
Ｃ群に１）、２）、３）、４）を満たし且つｐ＝１，ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。さらに分子の回転部位が少なくなる。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ８およびＡｒ９に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１３９】
Ｄ群に１）、２）、３）、４）を満たし且つｐ＝１，ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。さらに分子の回転部位が少なくなる。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。また、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１４０】
Ｅ群に１）、２）、４）、５）を満たし且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は左右の末端のアリール基が異なる材料であるので、材料同士の重なりが低減する。また、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ２およびＡｒ３に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１４１】
Ｆ群に１）、２）、４）、５）を満たし且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は左右の末端のアリール基が異なる材料であるので、材料同士の重なりが低減する。また、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１４２】
Ｇ群に１）、２）、４）、５）を満たし且つｐ＝１、ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。
【０１４３】
また、左右の末端のアリール基が異なる材料であるので、材料同士の重なりが低減する。さらに、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ８およびＡｒ９に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１４４】
Ｈ群に１）、２）、４）、５）を満たし且つｐ＝１、ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。
【０１４５】
また、左右の末端のアリール基が異なる材料であるので、材料同士の重なりが低減する。さらに、ＳＰ３炭素を含む場合ＨＯＭＯ準位が上がりホールの注入性が向上することが考えられる。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１４６】
Ｉ群に１）、２）、３）、４）、５）を満たし、且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はラジカル状態や励起状態での構造変化が少なく安定であるとともに、左右の末端のアリール基が異なることから材料同士の重なりが低減する。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ８およびＡｒ９に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１４７】
Ｊ群に１）、２）、３）、４）、５）を満たし、且つｐ＝ｑ＝１、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群はラジカル状態や励起状態での構造変化が少なく安定であるとともに、左右の末端のアリール基が異なることから材料同士の重なりが低減する。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１４８】
Ｋ群に１）、２）、３）、４）、５）を満たし、且つｐ＝１，ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含む化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は前述の性質に加えてｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。さらに、分子の回転部位が少なくなる。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。また、メタフェニレン基を含むことでＡｒ８およびＡｒ９に分子軌道が局在し、Ａｒ７（あるいはＡｒ１０）に空軌道となるので分子軌道の重なりが小さい。
【０１４９】
Ｌ群に１）、２）、３）、４）、５）を満たし、且つｐ＝１，ｑ＝０、且つメタフェニレン基を含まない化合物群を示すが、これに限定されることはない。この群は前述の性質に加えてｐ＝１，ｑ＝１の群に比べてアリーレン基の数が少ないため分子量が軽くなる傾向を有する。さらに、分子の回転部位が少なくなる。従って、昇華性の向上や分子の安定性が増す。更には、メタフェニレン基を含まないことからＡｒ７（あるいはＡｒ１０）の末端のみが空軌道となるので、電荷伝導性が向上する。
【０１５０】
上記ホスト材料と発光材料であるイリジウム錯体に加えてさらに別の有機化合物である第３成分を含んでいてもよい。その場合、第３成分として次の材料を含むことが好ましい。
【０１５１】
Ａ）炭化水素化合物であるホスト材料のＨＯＭＯ準位よりも高い）ＨＯＭＯ準位を有する材料。上記性質を有する材料はＨＯＭＯ準位が高いことから発光層内へホールの注入および輸送を容易にする。その結果、低電圧化するとともに発光材料が過度にアニオン状態になることを低減し、長寿命化すると考えられる。ＨＯＭＯ準位が高いとは言い換えれば深い、真空準位に遠い、絶対値が大きい等と表現できる。ＬＵＭＯ準位についても同様である。
【０１５２】
以下に化合物例を示すが、これに限定されることはない。
【０１５３】
下記化合物は含アミン化合物である。この材料はホール注入輸送能が高い。
【０１５４】
【化３７】
2014141425.tif 000039
【０１５５】
次に金属錯体化合物を示すが、これに限定されることはない。この材料は炭化水素化合物よりΔＳ−Ｔ値が小さいのでバンドギャップが小さくでき電荷輸送が向上すると考えられる。更に、重金属を含む金属錯体ではＴ１での保持時間が長いためホストから得たエネルギーを効率よく発光材料に移動することが可能となる。
【０１５６】
【化３８】
2014141425.tif 000040
【０１５７】
Ｂ）炭化水素化合物であるホスト材料のＬＵＭＯ準位と比べてエネルギーの小さい（深い）ＬＵＭＯ準位を有する材料。本発明のホスト材料と発光材料のＬＵＭＯ準位はホスト材料のほうがエネルギーが大きい（浅い）ので、ホスト材料のＬＵＭＯ準位より高いＬＵＭＯ準位を有する第３成分を添加することで、発光材料が過度にアニオン状態になることを低減し、長寿命化すると考えられる。
【０１５８】
以下に化合物例を示すが、これに限定されることはない。
【０１５９】
【化３９】
2014141425.tif 000041
【０１６０】
Ｃ）ホスト材料のＨＯＭＯ準位と比べてエネルギーの大きいＨＯＭＯ準位を有し、且つホスト材料のＬＵＭＯ準位と比べてエネルギーの小さいＬＵＭＯ準位を有する材料。このような材料を第３成分に用いることで、ホール注入性向上および発光材料による電子トラップを緩和することができその結果長寿命化すると考えられる。
【０１６１】
以下に化合物例を示すが、これに限定されることはない。
【０１６２】
（有機発光素子の説明）
本発明に係る有機発光素子を説明する。
【０１６３】
本発明に係る有機発光素子は一対の電極である陽極と陰極とそれらの間に配置される有機化合物層とを少なくとも有する。この有機化合物層が前記式［１］で表される有機化合物を有する。有機発光素子とは、前記陽極および前記陰極からキャリアを注入することで前記有機化合物層中の発光性有機化合物の励起子を生成させ、該励起子が基底状態に戻る際に光を放出する素子である。
【０１６４】
発光層を構成する化合物の中で重量比が最も大きいものを主成分と呼び、主成分よりも重量比が小さいものを副成分と呼ぶ。
【０１６５】
主成分である材料は、ホスト材料と呼ぶこともできる。
【０１６６】
副成分である材料は、ドーパント（ゲスト）材料である。他にも発光アシスト材料、電荷注入材料を副成分として挙げることができる。
【０１６７】
なお、本発明に係る有機化合物は発光材料であり、ホスト材料に対するゲスト材料の濃度は０．１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下であることが好ましく、１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であることがより好ましい。
【０１６８】
本発明者らは種々の検討を行い、本発明の前記式［１］で表される有機化合物を発光層の発光材料として用い、前記式［５］をホスト材料として用いた素子が高効率で高輝度な光出力を有し、極めて耐久性が高いことを見出した。
【０１６９】
以下に、本発明に係る有機化合物を用いた有機発光素子の例を示す。
【０１７０】
本発明に係る有機化合物を用いて作製される有機発光素子としては、基板上に、順次陽極、発光層、陰極を設けた構成のものが挙げられる。他にも順次陽極、ホール輸送層、電子輸送層、陰極）を設けた構成のものが挙げられる。また順次陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けたものや順次陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を設けたものや順次、陽極、ホール輸送層、発光層、ホール・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、陰極を設けたものが挙げられる。ただしこれら５種の多層型の例はあくまでごく基本的な素子構成であり、本発明に係る化合物を用いた有機発光素子の構成はこれらに限定されるものではない。例えば、電極と有機化合物層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層もしくはホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる２層から構成されるなど多様な層構成をとることができる。
【０１７１】
本発明に係る式［１］で表される有機化合物は、該発光素子の発光層として使用する。その場合の素子形態としては、基板側の電極から光を取り出すいわゆるボトムエミッション方式でも、基板と逆側から光を取り出すいわゆるトップエミッション方式でも良く、両面取り出しの構成や有機発光素子を積層したタンデム構成でも使用することが出来る。
【０１７２】
ここで、本発明の有機化合物以外にも、必要に応じて公知の化合物を用いることができる。そのような化合物とはホール注入性化合物あるいは輸送性化合物あるいはホスト材料であるホスト化合物あるいは発光性化合物あるいは電子注入性化合物あるいは電子輸送性化合物等を一緒に使用することができる。これら化合物は低分子でも高分子でもよい。
【０１７３】
以下にこれらの化合物例を挙げる。
【０１７４】
正孔注入輸送性材料としては、陽極からの正孔の注入が容易で、注入された正孔を発光層へと輸送することができるように正孔移動度が高い材料が好ましい。また素子中において結晶化等の膜質の劣化を防ぐために、ガラス転移点温度が高い材料が好ましい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、トリアリールアミン誘導体、アリールカルバゾール誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。さらに上記の正孔注入輸送性材料は、電子阻止層にも好適に使用される。
【０１７５】
以下に、正孔注入輸送性材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１７６】
【化４０】
2014141425.tif 000042
【０１７７】
主に発光機能に関わる発光材料としては、本発明に係るイリジウム錯体もしくはその誘導体の他に、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、白金錯体、レニウム錯体、銅錯体、ユーロピウム錯体、ルテニウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。
【０１７８】
以下に、発光材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１７９】
【化４１】
2014141425.tif 000043
【０１８０】
発光層のホスト材料あるいはアシスト材料としては、本発明に係るヘテロ環含有化合物以外にも、芳香族炭化水素化合物もしくはその誘導体の他、カルバゾール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体等が挙げられる。
【０１８１】
以下に、発光層ホスト材料あるいは発光層アシスト材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１８２】
【化４２】
2014141425.tif 000044
【０１８３】
電子注入輸送性材料としては、陰極からの電子の注入が容易で注入された電子を発光層へ輸送することができるものから任意に選ぶことができ、正孔輸送性材料の正孔移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子注入性能および電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられる。さらに上記の電子注入輸送性材料は、正孔阻止層にも好適に使用される。
【０１８４】
以下に、発光層ホスト材料あるいは発光層アシスト材料として用いられる化合物の具体例を示すが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【０１８５】
【化４３】
2014141425.tif 000045
【０１８６】
またこれらの材料とアルカリ金属やアルカリ土類金属を混合して使用しても良い。例えばＬｉＦ、ＫＦ、Ｃｓ２ＣＯ３、ＣｓＦ等である。
【０１８７】
陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、アルミニウム、モリブデン、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらの合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム、酸化亜鉛ガリウム等の金属酸化物である。特に、ＩＴＯやＩＺＯ、ＩＧＺＯといった透明酸化物半導体は移動度が高く電極材料に好適である。更には、透明酸化物半導体を用いたＴＦＴ上に本発明のホスト材料および発光材料を搭載することも好適である。移動度が高く優れた動画特性、省消費電力性能を発揮する。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーでもよい。これらの電極物質は単独で使用してもよいし複数併用して使用してもよい。また、陽極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０１８８】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は単独で使用してもよいし、複数併用して使用してもよい。また、陰極は一層構成でもよく、多層構成でもよい。
【０１８９】
本発明に係る有機発光素子において、本発明に係る有機化合物を含有する層及びその他の有機化合物を有する層は、以下に示す方法により形成される。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマ、転写法あるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により薄膜を形成する。ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【０１９０】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として１種単独で使用してもよいし、２種以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【０１９１】
（有機発光素子の用途）
本発明の有機発光素子は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、照明の如き用途がある。また有機発光素子には、さらにカラーフィルターを有していてよい。
【０１９２】
本発明の表示装置は、本発明の有機発光素子を有する画素を複数備える表示部を有している。
【０１９３】
そして、この画素は、本発明の有機発光素子と能動素子とを有している。能動素子の一例として発光輝度を制御するためのスイッチング素子が挙げられ、スイッチング素子の一例としてＴＦＴ素子が挙げられる。
【０１９４】
画素に含まれる有機発光素子の陽極又は陰極は、ＴＦＴ素子のドレイン電極又はソース電極と接続されている。また表示装置はパーソナルコンピュータ（ＰＣ）の画像表示装置として用いることができる。一方、ＴＦＴ素子は基板の絶縁性表面に設けられている。
【０１９５】
表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカードからの画像情報を入力する入力部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。
【０１９６】
また、画像情報処理装置や画像形成装置が有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。
【０１９７】
照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。
【０１９８】
本発明の照明装置は、本発明の有機発光素子とそれに接続されているＡＣ／ＤＣコンバータ回路を有している。尚、照明装置には、さらにカラーフィルターを備えていてもよい。
【０１９９】
本発明の照明装置を構成するＡＣ／ＤＣコンバータ回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。
【０２００】
本発明の画像形成装置は、感光体とこの感光体の表面を帯電させる帯電手段と、感光体を露光して靜電潜像を形成するための露光手段と、感光体の表面に形成された静電潜像を現像するための現像器とを有する画像形成装置である。ここで画像形成装置に備える露光手段は、本発明の有機発光素子を含んでいる。
【０２０１】
次に、図面を参照しながら本発明の表示装置について説明する。図１は、有機発光素子とこの有機発光素子に接続されるＴＦＴ素子とを有する表示装置の例を示す断面模式図である。尚、図１の表示装置１を構成する有機発光素子として、本発明の有機発光素子が用いられている。
【０２０２】
図１の表示装置１は、ガラス等の基板１１とその上部にＴＦＴ素子又は有機化合物層を保護するための防湿膜１２が設けられている。また符号１３は金属のゲート電極１３である。符号１４はゲート絶縁膜１４であり、１５は半導体層である。
【０２０３】
ＴＦＴ素子１８は、半導体層１５とドレイン電極１６とソース電極１７とを有している。ＴＦＴ素子１８の上部には絶縁膜１９が設けられている。コンタクトホール２０を介して有機発光素子を構成する陽極２１とソース電極１７とが接続されている。
【０２０４】
尚、有機発光素子に含まれる電極（陽極、陰極）とＴＦＴに含まれる電極（ソース電極、ドレイン電極）との電気接続の方式は、図１に示される態様に限られるものではない。つまり陽極又は陰極のうちいずれか一方とＴＦＴ素子ソース電極またはドレイン電極のいずれか一方とが電気接続されていればよい。
【０２０５】
図１の表示装置１では多層の有機化合物層を１つの層の如く図示をしているが、有機化合物層２２は、複数層であってよい。陰極２３の上には有機発光素子の劣化を抑制するための第一の保護層２４や第二の保護層２５が設けられている。
【０２０６】
図１の表示装置１が白色を発する表示装置の場合、図１中の有機化合物層２２に含まれる発光層は、赤色発光材料、緑色発光材料及び青色発光材料を混合してなる層としてもよい。また赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層をそれぞれ積層させてなる積層型の発光層としてもよい。さらに別法として、赤色発光材料からなる層、緑色発光材料からなる層、青色発光材料からなる層を横並びにするなりして１つの発光層の中にドメインを形成した態様であってもよい。
【０２０７】
図１の表示装置１ではスイッチング素子としてトランジスタを使用しているが、これに代えてＭＩＭ素子をスイッチング素子として用いてもよい。
【０２０８】
また図１の表示装置１に使用されるトランジスタは、単結晶シリコンウエハを用いたトランジスタに限らず、基板の絶縁性表面上に活性層を有する薄膜トランジスタでもよい。活性層として単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてアモルファスシリコンや微結晶シリコンなどの非単結晶シリコンを用いた薄膜トランジスタ、活性層としてインジウム亜鉛酸化物やインジウムガリウム亜鉛酸化物等の非単結晶酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタであってもよい。尚、薄膜トランジスタはＴＦＴ素子とも呼ばれる。
【０２０９】
図１の表示装置１に含まれるトランジスタは、Ｓｉ基板等の基板内に形成されていてもよい。ここで基板内に形成されるとは、Ｓｉ基板等の基板自体を加工してトランジスタを作製することを意味する。つまり、基板内にトランジスタを有することは、基板とトランジスタとが一体に形成されていると見ることもできる。
【０２１０】
基板内にトランジスタを設けるかどうかについては、精細度によって選択される。例えば１インチでＱＶＧＡ程度の精細度の場合はＳｉ基板内に有機発光素子を設けることが好ましい。
【０２１１】
以上説明の通り、本発明の有機発光素子を用いた表示装置を駆動することにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。
【実施例】
【０２１２】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明していくが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２１３】
＜実施例１＞例示化合物ＫＫ−０１の合成
【０２１４】
【化４４】
2014141425.tif 000046
【０２１５】
（中間体１−２の合成）
以下の化合物を、トルエン１６０ｍｌ、エタノール８０ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液８０ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［１−１］：６．０ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）
化合物［Ｂ１−１］：３．４７ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）
【０２１６】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．３０ｇ（１．１２ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を６０℃に昇温した後、７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製後、メタノールで洗浄し、化合物１−２を４．０ｇ（収率７４％）得た。
【０２１７】
（中間体１−３の合成）
脱水エーテル３０ｍｌに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、５．７６ｇ（１６．８ｍｍｏｌ）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１ＭのＴＨＦ溶液）、１６．８ｍｌ（１６．８ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分撹拌させ懸濁させた。懸濁液に脱水ＴＨＦ４５ｍｌに溶解させた化合物［１−２］、１．８ｇ（６．７２ｍｍｏｌ）を滴下して、室温のまま１０時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製し、トルエンとエタノールの混合溶媒で再結晶し、化合物１−３を７８０ｍｇ（収率３９％）得た。
【０２１８】
（中間体１−４の合成）
脱水ジクロロメタン４０ｍｌに溶解させた化合物１−３、２．０ｇ（６．７６ｍｍｏｌ）にメタンスルホン酸、４ｍｌを滴下し、室温で１８時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製し、トルエンとエタノールの混合溶媒で３回再結晶し、メタノールで洗浄し、化合物１−４を４８５ｍｇ（収率２７％）得た。
【０２１９】
（中間体１−５の合成）
以下の化合物を、トルエン４０ｍｌ、エタノール２０ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液２０ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［１−４］：０．４８５ｇ（１．８４ｍｍｏｌ）
化合物［Ｂ１−２］：０．２６９ｇ（２．２１ｍｍｏｌ）
【０２２０】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１０６ｍｇ（０．０９２ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を８５℃に昇温した後、７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：熱トルエン）で精製後、トルエンで再結晶し、化合物１−５を３６５ｍｇ（収率６５％）得た。
【０２２１】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．８８−８．８４（ｄ，１Ｈ），８．７８−８．７６（ｄ，１Ｈ），８．７５−８．７１（ｔ，２Ｈ），８．５４−８．５３（ｄ，１Ｈ），８．２５−８．２２（ｄ，１Ｈ），８．１０−８．０８（ｄ，１Ｈ），８．０５−８．０３（ｄ，１Ｈ），７．７８−７．６９（ｍ，４Ｈ），７．６０−７．５１（ｍ，３Ｈ）
【０２２２】
（中間体１−６の合成）
化合物１−５，３００ｍｇ（０．９８２ｍｍｏｌ）と塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，１５７ｍｇ（０．４４７ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール１２ｍｌと水３ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１００度に昇温し７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノール、トルエンを用いて洗浄した。乾燥後、化合物１−６を３００ｍｇ（収率７３％）得た。
【０２２３】
（例示化合物ＫＫ−０１の合成）
化合物１−６、２００ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン、２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、５００ｍｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、７時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：熱クロロベンゼン）で精製後、例示化合物ＫＫ−０１を１９０ｍｇ（収率８８％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−０１の昇華品を５ｍｇ得た。
【０２２４】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：９．１４−９．１１（ｄ，２Ｈ），８．９２−８．９０（ｄ，２Ｈ），８．８６−８．８４（ｄ，２Ｈ），８．７３−８．６９（ｍ，４Ｈ），８．４１−８．３９（ｄ，２Ｈ），８．２９−８．２７（ｄ，２Ｈ），８．１３−８．１１（ｄ，２Ｈ），８．０８−８．０６（ｄ，２Ｈ），７．８２−７．７９（ｔ，２Ｈ），７．７６−７．７２（ｔ，２Ｈ），６．９７−６．９３（ｔ，２Ｈ），６．７１−６．６７（ｔ，２Ｈ），６．４６−６．４４（ｄ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），１．８１（ｓ，３Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である９００．２２を確認した。
【０２２５】
＜実施例２＞例示化合物ＫＫ−０３の合成
【０２２６】
【化４５】
2014141425.tif 000047
【０２２７】
（中間体２−２の合成）
以下の化合物を、トルエン２００ｍｌ、エタノール１００ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液１００ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［２−１］：８．０ｇ（４０．４ｍｍｏｌ）
化合物［Ｂ２−１］：５．９１ｇ（４８．５ｍｍｏｌ）
【０２２８】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）２．３３ｇ（２．０２ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を６０℃に昇温した後、７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製後、メタノールで洗浄し、化合物２−２を５．８９ｇ（収率６１％）得た。
【０２２９】
（化合物Ｂ２−２の合成）
Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、８．６４ｍｌ（６８ｍｍｏｌ）を脱水ＴＨＦ１６０ｍｌに溶解させ、−４０度で３０分撹拌した。そこへｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍのヘキサン溶液）、４０ｍｌ（６４ｍｍｏｌ）を滴下し、−４０度のまま３０分間撹拌した。さらにそこへ４−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアルデヒド、１０ｍｌ（６０ｍｍｏｌ）を滴下し、−４０度のまま３０分間撹拌した。そこへｎ−ブチルリチウム（１．６Ｍのヘキサン溶液）、１１２ｍｌ（１８０ｍｍｏｌ）を滴下し、−４０度のまま３０分間撹拌した後、室温までゆっくり昇温させながら１０時間撹拌した。反応溶液を再び−４０度まで冷却し、ホウ酸トリメチル、４０ｍｌ（３６０ｍｍｏｌ）を滴下し、−４０度のまま３０分間撹拌した後、室温までゆっくり昇温させながら２０時間撹拌した。２規定の塩酸４００ｍｌに反応溶液を注ぎ込み、室温で３０分間撹拌した。水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製後、ヘプタンで洗浄し、化合物Ｂ２−２を２．４５ｇ（収率２０％）得た。
【０２３０】
（中間体２−３の合成）
化合物２−２、２．０ｇ（８．３４ｍｍｏｌ）と化合物［Ｂ２−２］、１．８９ｇ（９．１８ｍｍｏｌ）とビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、０．２４ｇ（０．４１７ｍｍｏｌ）と２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、０．３４ｇ（０．８３４ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム、３．５４ｇ（１６．７ｍｍｏｌ）を脱水トルエン、３５０ｍｌと水１ｍｌを加え、１３０℃で６時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製後、化合物２−３を１．９８ｇ（収率６５％）得た。
【０２３１】
（中間体２−４の合成）
脱水エーテル２５ｍｌに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、４．６４ｇ（１３．５ｍｍｏｌ）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１ＭのＴＨＦ溶液）、１３．５ｍｌ（１３．５ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分撹拌させ懸濁させた。懸濁液に脱水ＴＨＦ５０ｍｌに溶解させた化合物［２−３］、１．９８ｇ（５．４２ｍｍｏｌ）を滴下して、室温のまま１６時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製し、化合物２−４を２．０ｇ（収率９４％）得た。
【０２３２】
（中間体２−５の合成）
脱水ジクロロメタン４０ｍｌに溶解させた化合物２−４、２．０ｇ（５．０８ｍｍｏｌ）にメタンスルホン酸、４ｍｌを滴下し、室温で１８時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製し、化合物２−５を１．５ｇ（収率８２％）得た。
【０２３３】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．８５−８．８３（ｄ，１Ｈ），８．７９−８．７７（ｄ，１Ｈ），８．７４（ｓ，１Ｈ），８．６８−８．６６（ｄ，１Ｈ），８．５４−８．５２（ｄ，１Ｈ），８．０６−８．０４（ｄ，１Ｈ），７．９９−７．９７（ｄ，１Ｈ），７．８１−７．７６（ｍ，３Ｈ），７．６０−７．５１（ｍ，３Ｈ），１．５２（ｓ，９Ｈ）
【０２３４】
（中間体２−６の合成）
化合物２−５，６５０ｍｇ（１．８０ｍｍｏｌ）と塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，２８８ｍｇ（０．８１７ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール２０ｍｌと水５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１００度に昇温し８時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、化合物２−６を６２０ｍｇ（収率７３％）得た。
【０２３５】
（例示化合物ＫＫ−０３の合成）
化合物２−６、３００ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン、２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、６００ｍｇ（５．６６ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール７ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、８時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製後、例示化合物ＫＫ−０３を１８０ｍｇ（収率５６％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３７５℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−０３の昇華品を４ｍｇ得た。
【０２３６】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：９．１３−９．１１（ｄ，２Ｈ），８．９６−８．９４（ｄ，２Ｈ），８．８１（ｓ，２Ｈ），８．７２−８．７０（ｄ，２Ｈ），８．６６−８．６４（ｄ，２Ｈ），８．４０−８．３８（ｄ，２Ｈ），８．２９−８．２７（ｄ，２Ｈ），８．０９−８．０７（ｄ，２Ｈ），８．０２−８．００（ｄ，２Ｈ），７．８４−７．８２（ｄ，２Ｈ），６．９６−６．９２（ｔ，２Ｈ），６．７１−６．６８（ｔ，２Ｈ），６．４７−６．４５（ｄ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），１．８１（ｓ，３Ｈ），１．５６（ｓ，９Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０１２．３２を確認した。
【０２３７】
＜実施例３＞例示化合物ＫＫ−０２の合成
【０２３８】
【化４６】
2014141425.tif 000048
【０２３９】
（中間体３−２の合成）
以下の化合物を、トルエン１００ｍｌ、エタノール５０ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液５０ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［３−１］：４．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）
化合物［Ｂ３−１］：３．９６ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）
【０２４０】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１．１７ｇ（１．０１ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を６０℃に昇温した後、６時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／３）で粗精製後、メタノールで洗浄し、化合物３−２のクルードを５．９８ｇ（収率１００％）得た。
【０２４１】
（中間体３−３の合成）
化合物３−２のクルード、５．９８ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）と化合物［Ｂ３−２］、３．６３ｇ（２４．２ｍｍｏｌ）とビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、０．５８ｇ（１．０１ｍｍｏｌ）と２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル、０．８８ｇ（２．１３ｍｍｏｌ）、リン酸カリウム、８．５８ｇ（４０．４ｍｍｏｌ）を脱水トルエン、３００ｍｌと水１ｍｌを加え、１３０℃で５時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／３）で精製後、化合物３−３を５．０ｇ（収率６８％）得た。
【０２４２】
（中間体３−４の合成）
脱水エーテル６０ｍｌに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、１１．７ｇ（３４．２ｍｍｏｌ）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１ＭのＴＨＦ溶液）、３４．２ｍｌ（３４．２ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分撹拌させ懸濁させた。懸濁液に脱水ＴＨＦ１２０ｍｌに溶解させた化合物［３−３］、５．０ｇ（１３．７ｍｍｏｌ）を滴下して、室温のまま１６時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製し、化合物３−４を５．１５ｇ（収率９６％）得た。
【０２４３】
（中間体３−５の合成）
メタンスルホン酸、４ｍｌを脱水ジクロロメタン、３０ｍｌで希釈して、室温で５分撹拌した。そこへ脱水ジクロロメタン２０ｍｌに溶解させた化合物３−４、２．１ｇ（２．９６ｍｍｏｌ）を滴下し、室温のまま１７時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製し、化合物３−５を１．０７ｇ（収率５５％）得た。
【０２４４】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。σ（ｐｐｍ）：８．８４−８．８３（ｄ，１Ｈ），８．７９−８．７７（ｄ，１Ｈ），８．７５−８．７１（ｍ，２Ｈ），８．５２−８．５１（ｄ，１Ｈ），８．３２−８．３０（ｄ，１Ｈ），８．０９−８．０７（ｄ，１Ｈ），８．０５−８．０３（ｄ，１Ｈ），７．７５−７．６９（ｍ，４Ｈ），７．６０−７．５８（ｍ，２Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ）
【０２４５】
（中間体３−６の合成）
化合物３−５，６５０ｍｇ（１．８０ｍｍｏｌ）と塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，２８８ｍｇ（０．８１７ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール２０ｍｌと水５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１００度に昇温し８時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、化合物３−６を７１０ｍｇ（収率８３％）得た。
【０２４６】
（例示化合物ＫＫ−０２の合成）
化合物３−６、３５０ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン、２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、６５０ｍｇ（６．１３ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール８ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、８時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：熱クロロベンゼン）で精製後、例示化合物ＫＫ−０２を１４０ｍｇ（収率６７％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３３５℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−０２の昇華品を４ｍｇ得た。
【０２４７】
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０１２．８７を確認した。
【０２４８】
＜実施例４＞例示化合物ＫＫ−０４の合成
【０２４９】
【化４７】
2014141425.tif 000049
【０２５０】
【化４８】
2014141425.tif 000050
【０２５１】
（中間体４−２の合成）
窒素雰囲気化で脱水ジクロロメタン１５０ｍｌに２−ナフトール、３４．９ｇ（２４２ｍｍｏｌ）と２−クロロ−２−メチルプロパン、４７．３ｇ（５１０ｍｍｏｌ）と塩化アルミニウム、２．４５ｇ（１８．４ｍｍｏｌ）を加え、４０℃で６時間撹拌させた。反応終了後、室温まで冷却し、溶媒を減圧留去した。そこに５％の水酸化ナトリウム水溶液、３００ｍｌを加え、８０℃で２時間撹拌させた後、ろ過した。ろ取した結晶をクロロホルム５００ｍｌに溶解させ、塩酸５０ｍｌを滴下し、室温で１時間撹拌させた。水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／クロロホルム＝１／１）で精製し、化合物４−２を５．９ｇ（収率１２％）得た。
【０２５２】
（中間体４−３の合成）
窒素雰囲気化で脱水ジクロロメタン１００ｍｌに化合物４−２、５．７ｇ（２８．５ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン、８２ｍｌ（５８．７ｍｍｏｌ）を加え、０℃で３０分間撹拌させた後、トリフルオロメタン無水物、５．７ｍｌ（３３．６ｍｍｏｌ）をゆっくり滴下し、０℃のまま２時間撹拌した。反応後、塩酸１５０ｍｌを加え、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝２／１）で精製し、化合物４−３を８．６ｇ（収率９０％）得た。
【０２５３】
（中間体４−４の合成）
１，４−ジオキサン２００ｍｌに、化合物４−３、１０．０ｇ（３０．１ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）ジボロン、１１．５ｇ（４５．１ｍｍｏｌ）とビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、０．８７ｇ（１．５０ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン、０．８４ｇ（３．０１ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム、８．８６ｇ（９０．３ｍｍｏｌ）を加え、１００℃で４時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：トルエン／ヘプタン＝２／１）で精製後、化合物４−４を７．３３ｇ（収率７８％）得た。
【０２５４】
（中間体４−５の合成）
以下の化合物を、トルエン２００ｍｌ、エタノール１００ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液１００ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［１−１］：３．８３ｇ（１４．３ｍｍｏｌ）
化合物［４−４］：４．０ｇ（１２．９ｍｍｏｌ）
【０２５５】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．８３ｇ（０．７２ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を６０℃に昇温した後、７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／２）で精製後、メタノールで洗浄し、化合物４−５を１．６ｇ（収率３８％）得た。
【０２５６】
（中間体４−６の合成）
脱水エーテル２５ｍｌに（メトキシメチル）トリフェニルホスホニウムクロリド、４．２３ｇ（１２．４ｍｍｏｌ）とカリウムｔｅｒｔ−ブトキシド（１ＭのＴＨＦ溶液）、１２．４ｍｌ（１２．４ｍｍｏｌ）を加え、室温で３０分撹拌させ懸濁させた。懸濁液に脱水ＴＨＦ４０ｍｌに溶解させた化合物［４−５］、１．６ｇ（４．９４ｍｍｏｌ）を滴下して、室温のまま１０時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：酢酸エチル／ヘプタン＝１／３）で精製し、化合物４−６を１．５ｇ（収率８６％）得た。
【０２５７】
（中間体４−７の合成）
メタンスルホン酸、４ｍｌを脱水ジクロロメタン、２０ｍｌで希釈して、室温で５分撹拌した。そこへ脱水ジクロロメタン２０ｍｌに溶解させた化合物４−６、１．５ｇ（４．６９ｍｍｏｌ）を滴下し、室温のまま１７時間撹拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をクロロホルムで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製し、トルエンで２回再結晶し、化合物４−７を６００ｍｇ（収率４０％）得た。
【０２５８】
（中間体４−８の合成）
以下の化合物を、トルエン６０ｍｌ、エタノール３０ｍｌ及び２規定の炭酸ナトリウム水溶液３０ｍｌの混合溶液に溶解させた。
化合物［４−７］：６００ｍｇ（１．８８ｍｍｏｌ）
化合物［Ｂ２−１］：２７４ｍｇ（２．２５ｍｍｏｌ）
【０２５９】
次に、反応溶液を窒素雰囲気下、室温で攪拌しながら、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）１０８ｍｇ（０．０９４ｍｍｏｌ）を添加した。次に、反応溶液を８５℃に昇温した後、７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、有機層をトルエンで抽出し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。次に、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ３００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製後、エタノールで洗浄し、化合物４−８を５４０ｍｇ（収率８０％）得た。
【０２６０】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。
σ（ｐｐｍ）：８．８４−８．８３（ｄ，１Ｈ），８．７２−８．６８（ｍ，３Ｈ），８．５３−８．５２（ｄ，１Ｈ），８．２２−８．２０（ｄ，１Ｈ），８．０８−８．０５（ｄ，１Ｈ），７．９８（ｓ，１Ｈ），７．８４−７．８２（ｄ，１Ｈ），７．７８−７．７６（ｍ，２Ｈ），７．６０−７．５２（ｍ，３Ｈ），１．４９（ｓ，９Ｈ）
【０２６１】
（中間体４−９の合成）
化合物４−８，５００ｍｇ（１．３８ｍｍｏｌ）と塩化イリジウム（ＩＩＩ）水和物，２２２ｍｇ（０．６３ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール２０ｍｌと水５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で１００度に昇温し７時間攪拌した。反応終了後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、化合物４−９を５５０ｍｇ（収率８４％）得た。
【０２６２】
（例示化合物ＫＫ−０４の合成）
化合物４−８、２５０ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）とアセチルアセトン、２．０ｇ（２０．２ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、５００ｍｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、７時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製後、例示化合物ＫＫ−０４を１６０ｍｇ（収率６０％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−０４の昇華品を１０ｍｇ得た。
【０２６３】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。
σ（ｐｐｍ）：９．１１−９．０９（ｄ，２Ｈ），８．８８−８．８６（ｄ，２Ｈ），８．７８−８．７６（ｄ，２Ｈ），８．７１−８．７０（ｄ，２Ｈ），８．６８−８．６６（ｄ，２Ｈ），８．３９−８．３７（ｄ，２Ｈ），８．２９−８．２７（ｄ，２Ｈ），８．１０−８．０８（ｄ，２Ｈ），８．００（ｓ，２Ｈ），７．８９−７．８７（ｄ，２Ｈ），６．９６−６．９３（ｔ，２Ｈ），６．７１−６．６７（ｔ，２Ｈ），６．４７−６．４５（ｄ，２Ｈ），５．２６（ｓ，１Ｈ），１．８１（ｓ，３Ｈ），１．５２（ｓ，９Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０１２．２９を確認した。
【０２６４】
＜実施例５＞例示化合物ＫＫ−２８の合成
【０２６５】
【化４９】
2014141425.tif 000051
【０２６６】
化合物１−６、１００ｍｇ（０．０６０ｍｍｏｌ）とジピバロイルメタン、３．０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、２００ｍｇ（１．８９ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール５ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、７時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：熱クロロベンゼン）で精製後、例示化合物ＫＫ−０１を５６ｍｇ（収率４８％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３８５℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−２８の昇華品を７ｍｇ得た。
【０２６７】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。
σ（ｐｐｍ）：９．１６−９．１４（ｄ，２Ｈ），８．９１−８．８８（ｄ，２Ｈ），８．８６−８．８４（ｄ，２Ｈ），８．７１−８．６９（ｄ，２Ｈ），８．６１−８．６０（ｄ，２Ｈ），８．３２−８．２８（ｍ，４Ｈ），８．１１−８．０９（ｄ，２Ｈ），８．０７−８．０５（ｄ，２Ｈ），７．８２−７．７８（ｔ，２Ｈ），７．７５−７．７１（ｔ，２Ｈ），６．９８−６．９５（ｔ，２Ｈ），６．７１−６．６８（ｔ，２Ｈ），６．６０−６．５９（ｄ，２Ｈ），５．４６（ｓ，１Ｈ），０．８５（ｓ，１８Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である９８４．３５を確認した。
【０２６８】
＜実施例６＞例示化合物ＫＫ−３１の合成
【０２６９】
【化５０】
2014141425.tif 000052
【０２７０】
化合物４−９、２５０ｍｇ（０．１３ｍｍｏｌ）とジピバロイルメタン、３．０ｇ（１６．３ｍｍｏｌ）と炭酸ナトリウム、５００ｍｇ（４．７２ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノール１２ｍｌに溶解させ、窒素雰囲気中で９５度に昇温し、７時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、水、エタノールを用いて洗浄した。乾燥後、残渣をカラムクロマトグラフィー（クロマト用ゲル：ＢＷ２００（富士シリシア製），展開溶媒：クロロホルム）で精製後、例示化合物ＫＫ−３１を１７５ｍｇ（収率６１％）得た。続いて１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、例示化合物ＫＫ−３１の昇華品を１５ｍｇ得た。
【０２７１】
１Ｈ−ＮＭＲ測定（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）により、この化合物の構造を確認した。
σ（ｐｐｍ）：９．１３−９．１１（ｄ，２Ｈ），８．８７−８．８４（ｄ，２Ｈ），８．７８−８．７６（ｄ，２Ｈ），８．６８−８．６５（ｄ，２Ｈ），８．６０−８．５８（ｄ，２Ｈ），８．３０−８．２８（ｍ，４Ｈ），８．０８−８．０６（ｄ，２Ｈ），７．９９（ｓ，２Ｈ），７．８９−７．８６（ｄ，２Ｈ），６．９７−６．９４（ｔ，２Ｈ），６．７１−６．６７（ｔ，２Ｈ），６．６１−６．５９（ｄ，２Ｈ），５．４５（ｓ，１Ｈ），１．５１（ｓ，１８Ｈ），０．８４（ｓ，１８Ｈ）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０９６．５３を確認した。
【０２７２】
＜実施例７＞例示化合物ＫＫ−２９の合成
実施例３において、アセチルアセトンの代わりにとジピバロイルメタンを用いて例示化合物ＫＫ−２９を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０９６．１０を確認した。
【０２７３】
＜実施例８＞例示化合物ＫＫ−３０の合成
実施例２において、アセチルアセトンの代わりにとジピバロイルメタンを用いて例示化合物ＫＫ−３０を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０９６．８５を確認した。
【０２７４】
＜実施例９＞例示化合物ＫＫ−３５の合成
実施例１において、Ｂ１−１の代わりに下記に示すＢ１−Ａを用い、またアセチルアセトンの代わりにジピバロイルメタンを用いて例示化合物ＫＫ−３５を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０１２．５５を確認した。
【０２７５】
【化５１】
2014141425.tif 000053
【０２７６】
＜実施例１０＞例示化合物ＫＫ−３６の合成
実施例２において、Ｂ２−１の代わりに下記に示すＢ２−Ａを用い、またアセチルアセトンの代わりにジピバロイルメタンを用いて例示化合物ＫＫ−３６を得た。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１０１２．４９を確認した。
【０２７７】
【化５２】
2014141425.tif 000054
【０２７８】
＜比較例１＞化合物Ｅ２の合成
【０２７９】
【化５３】
2014141425.tif 000055
【０２８０】
グリセリン４ｍｌを８０度で撹拌しながら３０分間窒素を用いて脱気した。そこへ例示化合物ＫＫ−０１、１００ｍｇ（０．１１ｍｍｏｌ）と化合物１−５、１．５ｇ（４．９１ｍｍｏｌ）を添加し、窒素雰囲気中で２２０度に昇温し、１２時間攪拌した。反応後、水を投入し、析出した固体をろ取し、熱クロロベンゼンで洗浄し、化合物Ｅ２を１０ｍｇ（収率８％）得た。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）によりこの化合物のＭ＋である１１０５．５２を確認した。続いて１０−４Ｐａ、３９５℃の条件下で昇華精製を行ったが、熱分解し、比較化合物Ｅ−２の昇華品を得られることはできなかった。
【０２８１】
＜比較例２＞化合物Ａ３０の合成
ＷＯ２００９／０６０９９５号公報にしたがって、化合物Ａ３０を合成した。
【０２８２】
＜比較例３＞溶液の発光波長における例示化合物と比較化合物の比較
例示化合物ＫＫ−０１，ＫＫ−０２，ＫＫ−０３，ＫＫ−０４，ＫＫ−２８，ＫＫ−３１と比較化合物Ｅ２及びＡ３０との溶液の発光波長の比較を行った。
【０２８３】
それぞれの化合物の１×１０−５ｍｏｌ／ｌにおけるトルエン溶液の室温での発光スペクトルを、日立製Ｆ−４５００を用いて４８０ｎｍの励起波長においてフォトルミネッセンスの測定を行った結果を表２に示す。ただし、比較化合物Ｅ２は溶解性が著しく低いために測定することができなかった。
【０２８４】
【表２】
2014141425.tif 000056
【０２８５】
＜比較例４＞溶液の量子収率における例示化合物と比較化合物の比較
例示化合物ＫＫ−０１，ＫＫ−０２，ＫＫ−０３，ＫＫ−０４，ＫＫ−２８，ＫＫ−３１と比較化合物Ｅ２及びＡ３０との溶液の量子収率の比較を行った。
【０２８６】
それぞれの化合物の室温、溶液状態での絶対量子収率を浜松ホトニクス社製の絶対ＰＬ量子収率測定装置（Ｃ９９２０−０２）を用いて測定した結果を表３に示す。ただし、比較化合物Ｅ２は溶解性が著しく低いために測定することができなかった。また、量子収率の値はＡ３０との溶液の量子収率を１．０とした相対値で表した。
【０２８７】
【表３】
2014141425.tif 000057
【０２８８】
＜実施例１１＞例示化合物Ｈ−１０５の合成
【０２８９】
【化５４】
2014141425.tif 000058
【０２９０】
以下に示す試薬、溶媒を１００ｍＬナスフラスコに投入した。
３−クロロクリセン（ＣＲＹ−１）：５２５ｍｇ（２．００ｍｍｏｌ）
ボロン酸化合物（ＦＬ−１）：１０１７ｍｇ（２．００ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：１８ｍｇ（８０μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：８０ｍｇ（１９４μｍｏｌ）
りん酸カリウム：１．０６ｇ（５．００ｍｍｏｌ）
トルエン：５０ｍＬ
【０２９１】
この反応溶液を、撹拌しながら８時間加熱還流させた。反応終了後、水を加えて分液後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）で精製した後、トルエン／エタノールで再結晶を行った。得られた結晶を１５０℃で真空乾燥後、昇華精製を行い、例示化合物Ｈ−１０３を８３０ｍｇ（収率６８％）得た。
ＨＰＬＣを用いて得られた化合物の純度を評価したところ、純度９９％以上であることを確認した。
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝６１２．８８  計算値＝６１２．２８
【０２９２】
＜実施例１２＞例示化合物Ｄ−１０２の合成
【０２９３】
【化５５】
2014141425.tif 000059
【０２９４】
以下に示す試薬、溶媒を１００ｍＬナスフラスコに投入した。
３−クロロクリセン（ＣＲＹ−１）：５７８ｍｇ（２．２ｍｍｏｌ）
ボロン酸化合物（ＮＰ−１）：３８０ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：１８ｍｇ（８０μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：８０ｍｇ（１９４μｍｏｌ）
りん酸カリウム：１．０６ｇ（５．００ｍｍｏｌ）
トルエン：５０ｍＬ
【０２９５】
この反応溶液を、撹拌しながら８時間加熱還流させた。反応終了後、水を加えて分液後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）で精製した後、トルエン／エタノールで再結晶を行った。得られた結晶を１５０℃で真空乾燥後、昇華精製を行い、例示化合物Ｄ−１０２を３３７ｍｇ（収率５８％）得た。
この化合物の純度はＨＰＬＣを用いて純度９９％以上であることを確認した。
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝５８０．４３  計算値＝５８０．２２
【０２９６】
＜実施例１３＞例示化合物Ｆ−１０１の合成
合成実施例１１において、３−クロロクリセンの代わりに３−クロロフェナンスレンを用い、ＦＬ−１の代わりに下記に示すＦＬ−２を用いてＦ−１０１を得た。
【０２９７】
【化５６】
2014141425.tif 000060
【０２９８】
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝７５４．３９  計算値＝７５５．００
【０２９９】
＜実施例１４＞例示化合物Ｈ−１０２の合成
実施例１１において３−クロロクリセンの代わりに３−クロロフェナンスレンを用いてＨ−１０２を得た。
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝５６２．２１  計算値＝５６２．７４
【０３００】
＜実施例１５＞例示化合物Ｌ−１０４の合成
合成実施例１１においてＦＬ−１の代わりに下記に示す化合物ＮＰＴＲＰ−１を使用する以外は、実施例１１と同様の方法によりＬ−１０４を得た。
【０３０１】
【化５７】
2014141425.tif 000061
【０３０２】
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝５８０．１３  計算値＝５８０．２２
【０３０３】
＜実施例１６＞例示化合物Ｌ−１０５の合成
【０３０４】
【化５８】
2014141425.tif 000062
【０３０５】
（１）化合物ＮＰＣＲＹ−１の合成
以下に示す試薬、溶媒を１００ｍＬ三口フラスコに投入した。
ＣＲＹ−２：１．２３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）
ＮＰ−２：０．５３ｇ（３．１ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：０．１ｇ（０．０８ｍｍｏｌ）
トルエン：１０ｍＬ
エタノール：５ｍＬ
１０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液：５ｍＬ
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら５時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘプタン＝２／１）で精製し、ＮＰＣＲＹ−１を０．９９ｇ（収率８５％）得た。
【０３０６】
（２）例示化合物Ｌ−１０５の合成
以下に示す試薬、溶媒を１００ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体ＮＰＣＲＹ−１：３８９ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）
ボロン酸化合物ＴＲＰ−２：２７２ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：１８ｍｇ（８０μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：８０ｍｇ（１９４μｍｏｌ）
りん酸カリウム：０．５３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）
トルエン：１０ｍＬ
この反応溶液を、撹拌しながら８時間加熱還流させた。反応終了後、水を加えて分液後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）で精製した後、トルエン／エタノールで再結晶を行った。得られた結晶を１５０℃で真空乾燥後、昇華精製を行い、例示化合物Ｌ−１０５を４５８ｍｇ（収率７９％）得た。
この化合物の純度はＨＰＬＣを用いて純度９９％以上であることを確認した。
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝５８０．０１  計算値＝５８０．２２
【０３０７】
＜実施例１７＞例示化合物Ｊ−１０５の合成
【０３０８】
【化５９】
2014141425.tif 000063
【０３０９】
合成実施例１６においてＣＲＹ−２の代わりにＮＰ−３を用いＮＰ−２の代わりにＴＲＰ−２を用いてＪ−１０５を得た。
得られた化合物の同定を行った結果を以下に示す。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）（Ｂｒｕｋｅｒ社製Ａｕｔｏｆｌｅｘ  ＬＲＦ）］
実測値＝６０６．８８      計算値＝６０６．２３
【０３１０】
（実施例１８）
本実施例では、多層型有機発光素子の第五の例で示した素子（陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホール・エキシトンブロッキング層／電子輸送層／陰極）とした。ガラス基板上に１００ｎｍのＩＴＯをスパッタ法により成膜後、フォトリソグラフィーによりパターニングした。そのＩＴＯ基板上に、以下の有機層と電極層を１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着して連続製膜し、対向する電極面積が３ｍｍ２になるようにした。その後、作製した素子を吸湿材付ガラスキャップにより不活性雰囲気中で封止した。
ホール注入層（５０ｎｍ）  ＨＴ−１
ホール輸送層（１０ｎｍ）  ＨＴ−８
発光層（３０ｎｍ）  ホストＨ−１０３、ゲスト：例示化合物ＫＫ−３１（重量比  ４％）
エキシトンブロック層（１０ｎｍ）  ＥＴ−４
電子輸送層（５０ｎｍ）  ＥＴ−２
金属電極層１（０．５ｎｍ）  ＬｉＦ
金属電極層２（１００ｎｍ）  Ａｌ
ＥＬ素子の特性は、電流電圧特性をケースレー社製・電流計２７００で測定し、発光輝度は、トプコン社製ＢＭ７―Ｆａｓｔで測定した。
【０３１１】
（実施例１９）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＢ−１０５に、発光材料をＫＫ−０３に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１２】
（実施例２０）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＤ−１０２に、発光材料をＫＫ−０２に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１３】
（実施例２１）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＦ−１０１に、発光材料をＫＫ−０４に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１４】
（実施例２２）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＨ−１０２に、発光材料をＫＫ−０１に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１５】
（実施例２３）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＪ−１０５に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１６】
（実施例２４）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＫ−１０４に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１７】
（実施例２５）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＬ−１０４に、発光材料をＫＫ−３０に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１８】
（実施例２６）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＬ−１０５に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３１９】
（実施例２７）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＨ−１０３に、発光材料をＫＫ−３５に変更した以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３２０】
（実施例２８）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＨ−１０３に、発光材料をＫＫ−２８、第３成分としてＭ−１０３（重量比２０％）を用いた以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。ここで第３成分はホスト材料と発光材料の和を１００％としたときの外割りの比率である。
【０３２１】
（実施例２９）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＬ−１０４に、発光材料をＫＫ−３６に変更し、第３成分としてＭ−１０５（重量比２０％）を用いた以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。ここで第３成分はホスト材料と発光材料の和を１００％としたときの外割りの比率である。
【０３２２】
（実施例３０）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＬ−１０４に、発光材料をＫＫ−３０に変更し、第３成分としてＮ−１０５（重量比２０％）を用いた以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。ここで第３成分はホスト材料と発光材料の和を１００％としたときの外割りの比率である。
【０３２３】
（実施例３１）
実施例１８において、発光層のホスト材料をＬ−１０５に変更し、第３成分としてＯ−１０１（重量比２０％）を用いた以外は実施例１８と同様の有機ＥＬ素子を作製した。ここで第３成分はホスト材料と発光材料の和を１００％としたときの外割りの比率である。
【０３２４】
（比較例５）
実施例１９において、発光層のホスト材料を２，２‘：６’，２‘’：６‘’，２‘’‘−ｑｕａｔｅｒｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ（ＮＰ４）に変更した以外は実施例１９と同様の有機ＥＬ素子を作製した。
【０３２５】
実施例１８乃至比較例１の１０ｍＡ／ｃｍ２を印加したときの発光効率および１００ｍＡ／ｃｍ２を印加した時の輝度半減時間を表４に示す。
【０３２６】
【表４】
2014141425.tif 000064
【０３２７】
実施例１８乃至２７は比較例１と比較して発光効率および輝度半減時間が改善している。これは本発明の化合物が炭化水素のみでできていることや化合物の構造が直線的ではないことに起因していると考えられる。
【０３２８】
さらに、実施例２８乃至３１ではホスト材料、発光材料の他にさらに第３成分を添加することで発光効率および輝度半減時間が改善している。これはナフト［２，１−ｆ］イソキノリン骨格を有する発光材料のラジカル状態を回避できたことに起因していると考えられる。
【０３２９】
（実施例３２）
本実施例では、素子構成としてトップエミッション型有機ＥＬ素子を作製した。
【０３３０】
透明基板としてのガラス基板上にＡｌをスパッタ法により成膜した。その上に、透明電極としてＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）をスパッタ法により８０ｎｍ成膜し、その後アクリルにより画素分離膜をパターニングして電極面積が３ｍｍ２の基板を得た。そのＩＺＯ基板上に、以下の有機層は１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着で成膜し、透明電極層はスパッタリング法により成膜した。
【０３３１】
その後、作製した素子を吸湿材付ガラスキャップを用いて不活性雰囲気中で封止した。
ホール注入層（５０ｎｍ）  ＨＴ−１
ホール輸送層（１０ｎｍ）  ＨＴ−８
発光層（３０ｎｍ）  ホストＬ−１０５、ゲスト：ＫＫ−３１  （重量比  ５％）、第３成分：Ｍ−１０３（重量比  ２０％）
ただし第３成分はホスト材料と発光材料の和を１００％としたときの外割りの比率である。
エキシトンブロック層（１０ｎｍ）  ＥＴ−３
電子注入層（５０ｎｍ）；ＥＴ−２と炭酸セシウム（３ｗｔ％）を共蒸着
透明電極層；（３０ｎｍ）；ＩＺＯ
この素子を実施例１と同様に測定したところ発光効率が４１ｃｄ／Ａであった。
【０３３２】
以上の通り本発明に係わる有機化合物は高効率である発光材料に適したホスト材料であり、有機発光素子に用いた場合、良好な発光特性を有する発光素子を作ることができる。
【図１】
2014141425.tif 000072