(57)【要約】【課題】本発明は、ガス噴射装置及びこれに用いられるインジェクターパイプに係り、より詳しくは、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）において基板にガスを噴射するガス噴射装置及びこれに用いられるインジェクターパイプに関する。【解決手段】このために、本発明は、本体と、前記本体内に前記本体の一方側端から他方側端へと長さ方向に沿って形成されるガス流路と、前記本体内に形成され、前記ガス流路に連結されてガスを噴射するブレードと、前記ガス流路内部に挿入され、ガス供給部からガスの供給を受け、複数の孔から前記ガス流路にガスを分配するインジェクターパイプとを含み、前記インジェクターパイプに形成された複数の孔は、前記インジェクターパイプの長さ方向に沿って互いに平行な２本の線上に形成される複数の第１の孔及び複数の第２の孔からなり、前記第１の孔と第２の孔とは交互に形成されることを特徴とするガス噴射装置を提供する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス供給部からガスの供給を受け、複数の孔から前記ガスを分配し、
前記複数の孔は、長さ方向に沿って互いに平行な２本の線上に形成される複数の第１の孔及び複数の第２の孔を含み、
前記第１の孔と第２の孔とは交互に形成されることを特徴とするインジェクターパイプ。
【請求項２】
前記複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔と前記インジェクターパイプの中心点とが成す中心角は、０°以上１２０°以下の角度を有することを特徴とする請求項１に記載のインジェクターパイプ。
【請求項３】
前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて小さくなることを特徴とする請求項２に記載のインジェクターパイプ。
【請求項４】
前記第１の孔及び第２の孔の総数は、次の式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のインジェクターパイプ。
１／３*π*Ｒｉｎ２＜ｎＡ＜２／３*π*Ｒｉｎ２
前記式中、ｎは、第１の孔及び第２の孔の総数、Ｒｉｎは、インジェクターパイプの内径、Ａは孔の断面積を表す。
【請求項５】
本体と、
前記本体内に、前記本体の一方側端から他方側端へと長さ方向に沿って形成されるガス流路と、
前記ガス流路の内部に挿入される請求項１に記載のインジェクターパイプと、
前記本体内に形成され、前記ガス流路に連結されるブレードと、
を含み、
前記インジェクターパイプは、前記ガス供給部から前記ガスの供給を受け、前記複数の孔から前記ガスを前記ガス流路に分配し、前記ガス流路に連結される前記ブレードは、前記ガスを噴射することを特徴とするガス噴射装置。
【請求項６】
前記複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔と前記インジェクターパイプの中心点とがなす中心角は、０°以上１２０°以下の角度を有することを特徴とする請求項５に記載のガス噴射装置。
【請求項７】
前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて小さくなることを特徴とする請求項６に記載のガス噴射装置。
【請求項８】
前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて所定の大きさずつ小さくなり、前記所定の大きさは、０．０２〜０．０６ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項７に記載のガス噴射装置。
【請求項９】
前記インジェクターパイプは、前記ブレードと対向する下側とは反対側の上側に前記複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔を有することを特徴とする請求項５に記載のガス噴射装置。
【請求項１０】
前記第１の孔及び第２の孔の総数は、次の式を満たすことを特徴とする請求項５に記載のガス噴射装置。
１／３*π*Ｒｉｎ２＜ｎＡ＜２／３*π*Ｒｉｎ２
前記式中、ｎは、第１の孔及び第２の孔の総数、Ｒｉｎは、インジェクターパイプの内径、Ａは孔の断面積を表す。
【請求項１１】
前記本体に複数のガス流路が形成され、
前記複数のガス流路には、前記ブレードがそれぞれ連結され、前記インジェクターパイプがそれぞれ挿入されることを特徴とする請求項５に記載のガス噴射装置。
【請求項１２】
前記ガスの温度を制御する温度制御部を更に含むことを特徴とする請求項５に記載のガス噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス噴射装置及びこれに用いられるインジェクターパイプに係り、より詳しくは、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）において基板にガスを噴射するガス噴射装置及びインジェクターパイプに関する。
【背景技術】
【０００２】
化学気相蒸着法（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）は、物理気相蒸着法（ｐｈｙｓｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＶＤ）とともに基板上に蒸着膜を成膜する代表的な蒸着方法の一つである。
【０００３】
化学気相蒸着法では、原材料に該当するソース物質を加熱してソース物質をガス化した後、これをチャンバ内に供給して、基板上に所望の蒸着膜を成膜する。このとき、基板を所定の温度で加熱することで蒸着膜の成膜に必要なエネルギーを供給する。
【０００４】
化学気相蒸着法は、不純物の分布と濃度調節及び膜厚の調節（数〜数十ｎｍ）が可能で絶縁体上にも蒸着膜を成膜することができ、且つ基板のインサイチュー・エッチング（ｉｎ-ｓｉｔｕ  ｅｔｃｈｉｎｇ）が可能であるという長所を持つ。
【０００５】
特に、常圧化学気相蒸着法（ＡＰＣＶＤ；Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）では、連続的な蒸着工程が可能であり、且つ真空ポンプを用いないなどのため、大量生産に際して製品の生産コストを大幅に削減することができる。また、大面積のコーティングが可能であるという長所がある。
【０００６】
一方、化学気相蒸着法にあって均一な蒸着膜を得るうえで基本的に重要に考慮される変数は、基板温度の均一度、及び反応物質のフロー（ｆｌｏｗ）安定性などが挙げられる。
【０００７】
図１は、化学気相蒸着法に用いられる従来のガス噴射装置の概略的な断面図である。
【０００８】
図１に示すように、化学気相蒸着法に用いられる従来のガス噴射装置は、本体１０と、本体内に形成されるガス流路２０と、ガス流路２０に連結されるブレード３０と、ガス流路２０の内部に挿入されるインジェクターパイプ４０とからなる。ここで、基板に蒸着される物質を構成する反応ガスは、インジェクターパイプ４０を介して注入され、この反応ガスは、インジェクターパイプ４０に形成されたマニホールド４１を介してガス流路２０に分配されてから、ブレード３０を介して基板に噴射され蒸着される。図２は、従来のガス噴射装置で注入された反応ガスの流れを概略的に示す概念図である。図２中の灰色の影の部分は、実際に反応ガスが移動する経路を示す。
【０００９】
図３は、従来のガス噴射装置に使用されるインジェクターパイプ４０の概略的な平面図である。
【００１０】
図３に示すように、インジェクターパイプ４０に形成されたマニホールドは、インジェクターパイプの長さ方向に沿って設けられた複数の孔からなり、インジェクターパイプ４０の所定の部分（図３中の点線で囲まれた部分）の孔は、他の部分の孔よりも密な間隔で形成されている。
【００１１】
しかし、インジェクターパイプ４０の孔がこのように形成された場合、ガス噴射装置から噴射される反応ガスのフローにばらつきが生じる。
【００１２】
図４及び図５は、従来のガス噴射装置においてブレード３０を介して噴射されるガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【００１３】
図４に示すように、従来のガス噴射装置で噴射されるガスの流速（Ｆｌｏｗ  ｒａｔｅ）の大きさ（Ｖｅｌｏｃｉｔｙ  Ｍａｇｎｉｔｕｄｅ）は、最大で３．２ｃｍ／ｓ程度の流速差を有し、不均一に噴射されることが分かる。特に、図４中の点線で囲まれた部分は、インジェクターパイプ４０において密な間隔で形成された孔の部分（点線で囲まれた部分）と一致する。
【００１４】
これは、図５に示すように、従来のガス噴射装置で噴射されるガスに、いくつかの節点が存在することからも確認することができる。
【００１５】
このように、ガスが不均一な速度で噴射されると、基板に不均一な蒸着膜が形成され、これにより、蒸着膜の品質が劣化するという問題が生じる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上述したような従来技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、ガスを均一な噴射速度で噴射することができるガス噴射装置及びこれに用いられるインジェクターパイプを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
このために、本発明は、本体と、前記本体内に前記本体の一方側端から他方側端へと長さ方向に沿って形成されるガス流路と、前記本体内に形成され、前記ガス流路に連結されてガスを噴射するブレードと、前記ガス流路内部に挿入され、ガス供給部からガスの供給を受け、複数の孔から前記ガス流路にガスを分配するインジェクターパイプとを含み、前記インジェクターパイプに形成された複数の孔は、前記インジェクターパイプの長さ方向に沿って互いに平行な２本の線上に形成される複数の第１の孔及び複数の第２の孔からなり、前記第１の孔と第２の孔とは交互に形成されることを特徴とするガス噴射装置を提供する。
【００１８】
ここで、前記複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔と前記インジェクターパイプの中心点とが成す中心角（ｃｅｎｔｒａｌ  ａｎｇｌｅ）は、０°以上１２０°以下の角度を有することが好ましい。
【００１９】
そして、前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて小さくなっていてよく、好ましくは、前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて所定の大きさずつ小さくなり、前記所定の大きさは、０．０２〜０．０６ｍｍの範囲内であってよい。
【００２０】
また、前記インジェクターパイプは、前記ブレードと対向する下側とは反対側の上側に複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔を有することが好ましい。（ここで、上側及び下側とは、海水面を基準とする絶対的な位置関係を意味するものではなく、相対的な位置関係を意味するものである。よって、ブレードと対向する側を、例えば上側、また、その反対側を下側としてもよい。）
【００２１】
そして、前記第１の孔及び第２の孔の総数は、次の式を満たすことが好ましい。
１／３*π*Ｒｉｎ２＜ｎＡ＜２／３*π*Ｒｉｎ２
【００２２】
前記式中、ｎは、第１の孔及び第２の孔の総数、Ｒｉｎは、インジェクターパイプの内径、Ａは孔の断面積を表す。
【００２３】
また、前記本体に複数のガス流路が形成され、前記複数のガス流路には、前記ブレードがそれぞれ連結され、前記インジェクターパイプがそれぞれ挿入されていてよい。
【００２４】
そして、前記ガス噴射装置は、前記ガスの温度を制御する温度制御部を更に含んでいてよい。
【００２５】
また、本発明は、ガス供給部からガスの供給を受けて分配するインジェクターパイプにおいて、長さ方向に沿って互いに平行な２本の線上に形成される複数の第１の孔及び複数の第２の孔からなり、前記第１の孔と第２の孔とは交互に形成されることを特徴とするインジェクターパイプを提供する。
【００２６】
ここで、前記複数の第１の孔及び前記複数の第２の孔と前記インジェクターパイプの中心点とが成す中心角は、０°以上１２０°以下の角度を有することが好ましい。
【００２７】
そして、前記第１の孔間の間隔及び前記第２の孔間の間隔は、前記ガス供給部から遠くなるにつれて小さくなることが好ましい。
【００２８】
また、前記第１の孔及び第２の孔の総数は、次の式を満たすことが好ましい。
１／３*π*Ｒｉｎ２＜ｎＡ＜２／３*π*Ｒｉｎ２
【００２９】
前記式中、ｎは、第１の孔及び第２の孔の総数、Ｒｉｎは、インジェクターパイプの内径、Ａは孔の断面積を表す。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、インジェクターパイプ上に形成された複数の孔が互いに平行な２本の線上に交互に形成されることで、ガス噴射装置から噴射されるガスの流速を均一にすることができ、その結果、基板上に均一な蒸着膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の化学気相蒸着法に用いられるガス噴射装置の概略的な断面図である。
【図２】従来のガス噴射装置における反応ガスの流れを示す概念図である。
【図３】従来のガス噴射装置に用いられるインジェクターパイプの概略的な平面図である。
【図４】従来のガス噴射装置においてブレードを介して噴射されるガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図５】従来のガス噴射装置においてブレードを介して噴射されるガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図６】本発明の一実施例に係るガス噴射装置の概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施例に係るインジェクターパイプの概略的な平面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る第１の孔と第２の孔とが成す角度を示すインジェクターパイプの断面図である。
【図９】本発明に係るガス噴射装置から噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図１０】本発明に係るガス噴射装置から噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図１１】本発明に係るガス噴射装置から噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図１２】本発明に係るガス噴射装置から噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図１３】本発明に係るガス噴射装置から噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【図１４】表１を三次元で示したグラフである。
【図１５】本発明の他の一実施例に係るガス噴射装置の概略的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施例に係るガス噴射装置及びこれに用いられるインジェクターパイプについて詳述する。
【００３３】
なお、本発明を説明するにあたって、関連公知機能あるいは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を不要に曖昧にし得ると判断された場合、その詳細な説明は省略することにする。
【００３４】
図６は、本発明の一実施例に係るガス噴射装置の概略的な断面図である。
【００３５】
図６を参考すると、本発明のガス噴射装置は、本体１００と、ガス流路２００と、ブレード３００と、インジェクターパイプ４００とを含んでなる。
【００３６】
本体１００は、ガス噴射装置の筐体を形成し、直方体の形状を有するブロックから構成されていてよい。
【００３７】
本体１００は、蒸着工程が施されているチャンバの上方に位置し、本体１００の下方には蒸着膜を蒸着する基板が位置する。
【００３８】
ガス流路２００は、本体１００内に本体１００の一方側端から他方側端へと長さ方向に沿って形成され、インジェクターパイプ４００が挿入されており、インジェクターパイプ４００から分配されたガスがブレード３００へ流れるようにする。
【００３９】
ガス流路２００の一方側端部は塞がっていてよい。また、インジェクターパイプ４００が挿入されるガス流路２００の他方側端部は、ガス漏れが生じないようにインジェクターパイプ４００との間がシールされていてよい。
【００４０】
好ましくは、ガス流路２００は円筒状であってよい。
【００４１】
ブレード３００は、本体１００内に形成され、ガス流路２００に連結されて、基板に向けてガスを噴射する。
【００４２】
ブレード３００を介して基板に噴射されたガスは、チャンバ内に位置した基板上に蒸着膜を形成する。
【００４３】
インジェクターパイプ４００は、ガス流路２００の内部に挿入され、外部のガス供給部（図示せず）から供給されたガスをインジェクターパイプ４００に形成された複数の孔からガス流路２００に分配する。このとき、インジェクターパイプ４００に形成された複数の孔にてガスの流れ及び流量を制御することができる。すなわち、孔の大きさ、位置、間隔などを調節することでガスの流れ及び流量を制御することができる。
【００４４】
インジェクターパイプ４００の外周面とガス流路２００の内周面とは互いに離隔されており、それにより画成された空間を介してインジェクターパイプ４００で分配されたガスがブレード３００に向けて流れていく。
【００４５】
図７は、本発明の一実施例に係るインジェクターパイプ４００の概略的な平面図である。
【００４６】
図７を参考すると、本発明に係るインジェクターパイプ４００に形成された複数の孔は、インジェクターパイプ４００の長さ方向に沿って互いに平行な２本の線上に形成される複数の第１の孔４０１及び複数の第２の孔４０２からなり、第１の孔４０１と第２の孔４０２とは交互に形成される。すなわち、基準点を基準にして左右に一定の角度ずつ傾いた位置に第１の孔４０１と第２の孔４０２とがジグザグ状に形成される。好ましくは、第１の孔４０１と第２の孔４０２とは、インジェクターパイプ４００の基準点を基準にして左右に等しい角度にて傾いた位置に形成されていてよい。ここで、基準点は、ブレードの正反対側の点である。
【００４７】
このように、複数の第１の孔４０１と複数の第２の孔４０２とが互いに平行な２本の線上に交互に形成されることで、ブレード３００から噴射されるガスの流速を均一にでき、その結果、基板上に均一な蒸着膜を成膜することができる。
【００４８】
複数の第１の孔４０１及び複数の第２の孔４０２とインジェクターパイプの中心点とが成す中心角（ｃｅｎｔａｌ  ａｎｇｌｅ：複数の第１の孔とインジェクターパイプの中心点とを結ぶ線と複数の第２の孔とインジェクターパイプの中心点とを結ぶ線とが成す角度）は１８０°よりも小さい角度を有してよく、好ましくは、図８に示すように１２０°の角度を有していてよい。
【００４９】
また、第１の孔４０１間の間隔及び第２の孔４０２間の間隔は、ガス供給部から遠くなるにつれて小さくなることが好ましく、より好ましくは、ガス供給部から遠くなるにつれて所定の大きさずつ小さくなっていてよい。ここで、所定の大きさとは、０．０２〜０．０６ｍｍの範囲内である。また、第１の孔４０１間の間隔及び第２の孔４０２間の間隔は、所定の大きさの範囲内で等差数列をなして小さくなっていてよく、または階差数列をなして小さくなっていてよい。
【００５０】
また、本発明に係る第１の孔４０１及び第２の孔４０２の総数は、次の式を満たすように形成されることが好ましい。
１／３*π*Ｒｉｎ２＜ｎＡ＜２／３*π*Ｒｉｎ２
【００５１】
前記式中、ｎは、第１の孔及び第２の孔の総数、Ｒｉｎは、インジェクターパイプの内径、Ａは孔の断面積を表す。
【００５２】
このような式を用いて、各孔間の間隔を求めることもできる。
【００５３】
そして、インジェクターパイプは、ブレードと対向する下側とは反対側の上側に複数の第１の孔４０１と複数の第２の孔４０２を有していてよい。その結果、インジェクターパイプ４００から分配されたガスがガス流路２００の内周面に沿って一定時間流れていってから、ブレード３００を介して基板に噴射されるようにすることで、ガスの流速を多少減少させ、ガスが基板に蒸着する蒸着効率及びそれにより蒸着された蒸着膜の均一度を向上させることができる。また、ブレード３００から噴射されるガスの直進性を向上させることができる。
【００５４】
本発明に係るインジェクターパイプ４００は、取り替え可能なものであってよい。すなわち、孔の大きさや孔間の間隔が異なる別のインジェクターパイプを使用する必要があったり、インジェクターパイプの一部の孔が詰まったりした場合、ガス噴射装置からインジェクターパイプのみを取り外した後、別のインジェクターパイプで取り替え可能なものであってよい。
【００５５】
図９及び図１０は、本発明に係るガス噴射装置を介して噴射するガスをＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【００５６】
また、図１１は、第１の孔４０１に該当する部分の断面をＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフであり、図１２は、第２の孔４０２に該当する部分の断面をＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフであり、図１３は、図１１と図１２の部分を含む部分をＡＮＳＹＳ  Ｆｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションしたグラフである。
【００５７】
図９ないし図１３における流体力学解析シミュレーションに用いられたインジェクターパイプ４００における、複数の第１の孔４０１及び複数の第２の孔４０２とインジェクターパイプ４００の中心点とが成す中心角は１２０°の角度を有し、且つ、前記複数の第１の孔４０１及び複数の第２の孔４０２は、ブレード３００と対向する下側とは反対側の上側に一定の間隔で交互に形成されている。
【００５８】
図９に示すように、本発明に係るガス噴射装置によってガスを噴射する場合、ガス流速の最大値と最小値がそれぞれ７．０ｃｍ／ｓ、５．７ｃｍ／ｓとその差が１．３ｃｍ／ｓに過ぎず、従来のガス噴射装置のそれよりもガス流速の差が大きく改善され、ガスの全体的な流速もまたより均一になったことが分かる。これは、図１０に示すように、本発明に係るガス噴射装置によって噴射されるガスに存在する節点が図５に比べて相当部分緩和または除去されたことからも分かる。
【００５９】
下の表１は、第１の孔４０１と隣接する第２の孔４０２間の間隔ｄを７ｍｍとした後、第１の孔４０１と第２の孔４０２の形成位置、第１の孔４０１間の間隔及び第２の孔４０２間の間隔の減少の大きさを変化させ、ブレード３００を介して噴出されるガスの最高流速と最低流速との差（ｃｍ／ｓ）をＦｌｕｅｎｔを利用して流体力学解析シミュレーションした表であり、図１４は、これを三次元で示したグラフである。ここで、チルト角（Ｔｉｌｔ  ａｎｇｌｅ）は、ブレード３００の正反対側の点を基準点にした。
【００６０】
【表１】
2014062323.tif 000003
【００６１】
表１及び図１４を参考すると、第１の孔４０１間の間隔及び第２の孔４０２間の間隔の減少の大きさ（Ｄｅｃｒｅａｓｉｎｇ  ｕｎｉｔ）が０．０２〜０．０６ｍｍで、第１の孔４０１と第２の孔４０２が基準点に対してそれぞれ０〜６０°のチルト角を有する場合（基準点はブレードの正反対側の点）、ブレード３００を介して噴出されるガスの最高流速と最低流速との差が２．１５ｃｍ／ｓ以下に減少することが分かる。さらに、表１において影を入れた部分の場合、従来のガス噴射装置においてブレードを介して噴射されるガスの流速差を２倍以上も改善する効果を示している。
【００６２】
また、本発明に係るガス噴射装置は、噴射されるガスの温度を調節することで蒸着効率を向上させるための温度制御部（図示せず）を更に含んでいてよい。
【００６３】
温度制御部（図示せず）は、ガス噴射装置の内部で液体または気体を循環させ、基板に噴射されるガスの温度を制御することができる。
【００６４】
図１５は、本発明の他の一実施例に係るガス噴射装置の概略的な断面図である。
【００６５】
図１５を参考すると、本発明に係るガス噴射装置は、本体１００内に形成された複数のガス流路２１０、２２０と、複数のガス流路２１０、２２０のそれぞれに連結されるブレード３１０、３２０と、複数のガス流路２１０、２２０のそれぞれに挿入されたインジェクターパイプ４１０、４２０とを含んでなる。
【００６６】
基板に蒸着膜を成膜するために多くの異種のガスが必要である場合、各ガスがガス噴射装置内で混合され反応しないように、複数のガス流路２１０、２２０、ブレード３１０、３２０、及びインジェクターパイプ４１０、４２０を介して異種のガスを独立して基板に噴射することができる。
【００６７】
その結果、ガス噴射装置から噴射された各ガスが基板上で完全且つ効率よく、また均一に反応されるようにすることで、基板上に成膜される蒸着膜の品質を向上させることができる。
【００６８】
以上のように、本発明を限定された実施例や図面に基づいて説明したが、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、本発明の属する分野における通常の知識を有する者であれば、このような記載から種々の修正及び変形が可能である。
【００６９】
したがって、本発明の範囲は前述の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲や特許請求の範囲と均等なものなどによって決められるべきである。
【符号の説明】
【００７０】
１００  本体
２００、２１０、２２０  ガス流路
３００、３１０、３２０  ブレード
４００、４１０、４２０  インジェクターパイプ
４０１  第１の孔
４０２  第２の孔
【図１】
2014062323.tif 000004
【図２】
2014062323.tif 000005
【図３】
2014062323.tif 000006
【図４】
2014062323.tif 000007
【図５】
2014062323.tif 000008
【図６】
2014062323.tif 000009
【図７】
2014062323.tif 000010
【図８】
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【図９】
2014062323.tif 000012
【図１０】
2014062323.tif 000013
【図１１】
2014062323.tif 000014
【図１２】
2014062323.tif 000015
【図１３】
2014062323.tif 000016
【図１４】
2014062323.tif 000017
【図１５】
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