(57)【要約】【課題】  積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面に庇が生じることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜の充分なステップカバレッジを確保する。【解決手段】  表示用電極と表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、表示用電極および配線の少なくとも一方は、上層からＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌからなる積層膜が用いられている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示用電極と前記表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、
前記表示用電極および前記配線の少なくとも一方は、上層からＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌからなる積層膜が用いられていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌの積層膜において、ＭｏおよびＡｌの少なくとも一方にＮｂが添加されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
表示用電極と前記表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置の製造方法であって、
前記表示用電極および前記配線の少なくとも一方は、Ａｌ、Ｍｏ、ＩＺＯの順に積層膜を成膜し、前記積層膜を湿式エッチングによりパターニングすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記湿式エッチングは、燐酸、硝酸、酢酸、及び水からなるエッチャントを用いて行われることを特徴とする請求項３に表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置およびその製造方法に関する。より詳しくは、電極や配線にアルミニウムを用いた表示装置およびその製造方法に関するもである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置や有機ＥＬディスプレイ等の表示装置は、薄型で軽量、かつ、低消費電力といった特長を活かして、モニター、プロジェクタ、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）等の電子機器に幅広く利用されている。近年では、表示装置の小型化及び軽量化が進んでおり、これにより表示領域周辺の小型化、すなわち、狭額縁化も進められている。
【０００３】
表示装置に使用されるデバイス基板には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含むＴＦＴアレイ基板を用いることが多い。例えば、ＴＦＴアレイ基板を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、所定の間隔で配置されたＴＦＴアレイ基板と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持された表示パネルを備える。そして、ＴＦＴアレイ基板側に形成された各画素領域の画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御することにより、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって光の透過率を変化させて画像を表示している。
【０００４】
ＴＦＴアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース配線とゲート配線を備え、ソース配線とゲート配線によって区画された画素領域には、画素電極が配置される。また、ソース配線とゲート配線の交点近傍には、スイッチング素子としてＴＦＴが配置される。ＴＦＴは、ゲート配線に接続されたゲート電極、ソース配線に接続されたソース電極、及び、画素電極に接続されたドレイン電極を含み、更に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン、単結晶シリコン等からなる半導体層を備える。ゲート電極は、ゲート絶縁膜にて覆われており、ＴＦＴは、画素電極を個別かつ選択的に制御する。
【０００５】
上記したソース配線、ゲート配線、画素電極等には、画素の微細化にともなって抵抗の小さいアルミニウムやその合金等からなる薄膜にて形成されるが、このような材料からなる膜は、製造工程中の加熱によりヒロックと呼ばれる微細な突起が生じて上部を被覆する絶縁膜の絶縁性が低下することがある。そのため、上記薄膜を他の金属層で覆った積層膜を利用することがある。
【０００６】
特許文献１には、下層がアルミニウム合金２１であり上層がモリブデン合金２２である積層膜を、異なるエッチャント組成で湿式エッチングしたときの断面形状の例が示されている。（図４）
前記特許文献１では、エッチャントの組成を最適化して、図４（ｂ）〜（ｄ）に示すように、積層膜の断面をテーパー状に加工することにより、積層膜のパターン上の絶縁膜のステップカバレージを向上している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３１１９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、積層膜を湿式エッチングで加工する場合、エッチャントの組成以外に、積層した金属間に生じる電池反応も考慮する必要がある。例えば、特許文献１の積層膜において電池反応が生じると、下層のアルミニウム合金２１のエッチング速度が速くなって、図４（ａ）に示すように、上層のモリブデン合金２２が庇状に迫り出した断面形状になる。積層膜の断面が上記のような庇状の形状になると、上部を被覆する絶縁層のステップカバレッジが不足して絶縁不良が生じたり、金属の庇が剥離し破片等となって歩留りを低下させる問題がある。
【０００９】
また、特許文献１のように、エッチャントに弗化アンモニウムや弗化水素が含まれていると、積層膜の下地である透明基板や絶縁膜の表面がエッチングされて粗面となり、表示装置として用いた場合に透過率が低下する問題がある。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面が庇状となることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜のステップカバレッジを充分に確保した表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
表示用電極と表示用電極の下層に配置された配線とを有する表示装置であって、表示用電極および配線の少なくとも一方は、上層からＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌからなる積層膜が用いられている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の表示装置によれば、積層膜を用いた電極や配線のエッチング端面が庇状となることを解消して、電極や配線の上部に形成される絶縁膜や導電膜のステップカバレッジを充分に確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の表示装置の断面模式図である。
【図２】本発明の表示装置に係る積層膜の断面模式図である。
【図３】比較例の表示装置に係る積層膜の断面模式図である。
【図４】従来の液晶表示装置に係る積層膜の断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本実施例では、表示装置の一例として、透明電極と反射電極とからなる画素電極を有し、透過表示及び反射表示の両方を行うことができる、半透過型の液晶表示装置を例に挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
【実施例１】
【００１５】
図１は、本実施例に係る液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板１００の断面模式図である。ＴＦＴアレイ基板１００は、表示用電極と表示用電極の下層に配置される配線とを有している。
【００１６】
詳しくは、図１に示すように、透明基板１の全面に形成された絶縁膜２の上に、半導体層３が形成されている。半導体層３には、ＴＦＴのソース電極３ａとドレイン電極３ｂ、及び、チャネル領域３ｃが設けられており、これらの上部にはゲート絶縁膜４が形成されている。
【００１７】
ゲート絶縁膜４上には、第１の配線としてゲート配線とゲート電極５が形成されている。これらを覆うように層間絶縁膜６が形成され、コンタクトホール７が設けられている。
【００１８】
層間絶縁膜６の上には、第２の配線としてソース配線８ａ、ドレイン配線８ｂが形成され、コンタクトホール７を通じて、ソース電極３ａ、ドレイン電極３ｂと接続されている。
【００１９】
ソース配線８ａ、ドレイン配線８ｂの上部には、これらを覆うように感光性樹脂等の透明樹脂層９が形成され、コンタクトホール１２が設けられている。透明樹脂層９の上部には、表示用電極として反射電極１０と透明電極１１が形成されている。また、表示用電極は、コンタクトホール１２を通じてドレイン配線８ｂに電気的に接続されている。
【００２０】
上記の液晶表示装置の構成において、本発明では、表示用電極および配線の少なくとも一方に、上層から、ＩＺＯ層（酸化インジウム亜鉛）／Ｍｏ層（Ｍｏ合金層）／Ａｌ層（Ａｌ合金層）の３層からなる積層膜が用いられていることを特徴としている。
【００２１】
本発明者らは、アルミニウムを含む積層膜のエッチング端面に庇が生じる原因を電池反応によるものと想定し、積層膜を構成する各種金属層の組み合わせについて種々検討を行った結果、上記３層の組み合わせのときにエッチング端面がテーパー状となるのを見いだし、上記の積層構造を採用するに至った。この積層構造において、Ｍｏ層（Ｍｏ合金層）は下層のＡｌ層（Ａｌ合金層）のヒロックを防止し、ＩＺＯ層は積層膜の電池反応を抑制すると考えられる。
【００２２】
以下に、ＴＦＴアレイ基板１００の製造方法の一例を具体例に基づき説明する。図１のように、まず、基材となる透明基板１の主面上に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）／シリコン酸窒化膜（ＳｉＮＯ）やＳｉＯ２等からなる絶縁膜２を形成する。
【００２３】
次いで、絶縁膜２の上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、ポリシリコン、単結晶シリコン等の半導体層３を形成する。ここでは、半導体層３として、プラズマ化学気相成長（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＰＥＣＶＤ）法等によりアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層を絶縁膜２上に形成した後、ＣＧＳ（Ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ  Ｇｒａｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ；連続粒界結晶シリコン）化のための固相結晶成長法を含む低温ポリシリコン（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｏｌｙ  Ｓｉｌｉｃｏｎ；ＬＰＳ）化処理を行い、連続粒界ポリシリコンからなるシリコン層を形成することにより得た。
【００２４】
次いで、半導体層３を覆うようにＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＮ／ＳｉＯ２等からなるゲート絶縁膜４を形成し、ゲート絶縁膜４上に、第１の配線としてＷ／ＴａＮからなるゲート電極５及びゲート配線を所望の形状に形成した。続いて、このゲート電極５をマスクとして、半導体層３に不純物としてリンやボロンなどをドーピングして、ＴＦＴのソース電極３ａとドレイン電極３ｂ、及び、チャネル領域３ｃを形成した。
【００２５】
次いで、ゲート電極５及びゲート配線を覆うように、ＳｉＯ２／ＳｉＮ、ＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳＩＮ等の層間絶縁膜６を形成し、コンタクトホール７を設けた。
【００２６】
次いで、層間絶縁膜６上に、第２の配線としてソース配線８ａとドレイン配線８ｂを形成した。本発明では、第２の配線としてＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌの３層からなる積層膜を用いた。３層の積層膜は、スパッタリング、ＰＥＣＶＤ等の成膜装置を用いて、例えば、下層から、Ａｌ膜１３を３５０ｎｍ、Ｍｏ膜１４を４０ｎｍ、ＩＺＯ膜１５を４０ｎｍ、順次成膜した。ここで、３層の積層膜を同一真空中で連続して成膜することにより、層間の接触抵抗を小さくできるとともに、密着性を上げることができる。
【００２７】
次いで、積層膜上にレジストパターンをフォトリソグラフィ法により形成し、３層の積層膜を一括して湿式エッチングを行った。ＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌの積層膜は、弗化アンモニウムや弗化水素を含まない一般的なエッチャントにより湿式エッチングすることができる。ここでは、エッチャントとして、燐酸（７３．４重量％）、硝酸（１．６重量％）、酢酸（５．０重量％）、水（２０．０重量％）からなるエッチャントを用い、液温３５℃でシャワー方式により２００〜３００秒かけてエッチングした。
【００２８】
図２は、エッチング後の積層膜の断面模式図である。Ａｌ膜１３、Ｍｏ膜１４、ＩＺＯ膜１５からなる第２の配線８の断面形状は、図２に示すようにテーパー状となり、庇が形成されることはなかった。また、上記エッチャントは弗化アンモニウムや弗化水素を含まず、下地の層間絶縁膜６の表面がエッチングされることがないため、表面が粗面化されて表示装置の透過率が低下することを防止できる。また、３層の積層膜を単一の操作により湿式エッチングできるため、工程数の増加を抑えることができる。
【００２９】
次いで、図１に示したように、ソース配線８ａとドレイン配線８ｂからなるデータ信号線の上部を覆うように、感光性樹脂からなる透明樹脂層９を形成した。このとき、データ信号線の端面はテーパー状となっており、透明樹脂層９のステップカバレッジは良好であった。
【００３０】
次いで、透明樹脂層９にコンタクトホール１２を設けた後、表示用電極として、アルミニウムからなる反射電極１０と、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）や酸化亜鉛等からなる透明電極１１とを形成し、コンタクトホール１２を通じてドレイン配線８ｂに電気的に接続して、ＴＦＴアレイ基板１００を作製した。
【００３１】
本実施例では、第２の配線としてＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌの３層からなる積層膜を用いることにより、湿式エッチング時の電池反応が抑制されて、データ信号線のエッチング端面がテーパー状になり、上層に形成される透明樹脂層９の良好なステップカバレッジが得られた。また、上層のＩＺＯ膜１５は、透明電極１０の材料としても用いることが可能であり、成膜装置を共有化して設備投資を抑えることができる。
【００３２】
なお、上記実施例では、ＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌの３層からなる積層膜を第２の配線に用いたものとして説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、例えば、第１の配線や表示用電極など、Ａｌを材料として含む配線や電極において適用することが可能である。
【００３３】
また、上記説明では、３層の積層膜をＩＺＯ／Ｍｏ／Ａｌとして、Ａｌ層１３、Ｍｏ層１４を単金属で構成した例を説明したが、Ａｌ層１３もしくはＭｏ層１４に、例えば、耐蝕性を向上させる働きをもつＮｂ等を数％添加し、Ｍｏ合金もしくはＡｌ合金としても、これらの３層の積層膜の端面を同様にテーパー状にエッチングすることが可能である。また、３層のそれぞれの膜厚についても、Ａｌ膜１３が１００〜１０００ｎｍ、Ｍｏ膜１４が１０〜１００ｎｍ、ＩＺＯ膜１５が１０〜１００ｎｍの範囲でエッチング端面のテーパー形状が得られる。
【００３４】
（比較例１）
以下に、比較例として積層膜の上層のＩＺＯをＩＴＯに置き換えた場合について説明する。
【００３５】
図３は、比較例に係る積層膜をエッチングした断面模式図である。液晶表示装置としての構成は、上記実施例１と同じであるため、ここでは説明を省略する。また、図３において、図２と同様の構成を示すものについては、同一の符号を付け、ここでは説明を省略する。
【００３６】
比較例では、図３に示すように、３層の積層膜のうち、最上層のＩＺＯ層をＩＴＯ（酸化インジウム錫）層１６に変更している。具体的には、ＩＴＯ（４０ｎｍ）／Ｍｏ（４０ｎｍ）／Ａｌ（３５０ｎｍ）の３層からなり、エッチャント等の条件を同じにして湿式エッチングを行った。
【００３７】
上記の積層膜のエッチング端面は、図３のように、Ａｌ層１３のエッチング速度が速くなった結果、上層のＩＴＯ層１６とＭｏ層１４が庇１７となって外側に迫り出した形状となった。このため、データ信号線８の上部に形成される透明樹脂層９の充分なステップカバレッジを確保することができなかった。
【００３８】
なお、上記のＩＴＯ層１６の結晶状態を異ならせて非晶質のα−ＩＴＯ層としても、電池反応を抑制することはできず、庇状の断面形状となった。
【００３９】
以上、本発明の実施例について、半透過型の液晶表示装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、透過型と反射型のいずれの液晶表示装置にも適用することができ、更に、有機ＥＬディスプレイ等にも適用することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  透明基板
２  絶縁膜
３  半導体層
３ａ  ソース電極
３ｂ  ドレイン電極
３ｃ  チャネル
４  ゲート絶縁膜
５  ゲート電極
６、２０  層間絶縁膜
７、１２  コンタクトホール
８ａ  ソース配線
８ｂ  ドレイン配線
９  透明樹脂層
１０  反射電極
１１  透明電極
１３、２１  Ａｌ層
１４、２２  Ｍｏ層
１５  ＩＺＯ層
１６  ＩＴＯ層
１７  庇
１００  ＴＦＴアレイ基板
Ｔ  透過表示領域
Ｒ  反射表示領域
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図１】
2014016375.tif 000006