(57)【要約】【課題】転写率の高いインプリント用のモールドとして用いることができる３０ｎｍ以下の超微細凹部をもつ基板をホールシュリンクにより製造する方法の提供。【解決手段】直径３０ｎｍ以下の開口部をもつ微細な凹部を有する、モールドとして用いることができる基板の製造方法であって、以下の工程：基板上に、直径１００ｎｍ以下の第一の開口部と、該開口部のある面とのなす角度が８５度以下であるところの側面とをもつ第一の微細な凹部を有するパターン層を提供する工程；前記第一の微細な凹部内に、少なくともＡ部分とＢ部分とをブロック部分として含むブロックコポリマーを充填する工程；前記充填されたブロックコポリマーを加熱して、相分離した海島構造を形成する工程；及び該海島構造の島部をエッチングにより除去して、直径３０ｎｍ以下の第二の開口部をもつ第二の微細な凹部を有する基板を得る工程；を含む、前記方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径３０ｎｍ以下の開口部をもつ微細な凹部を有する、モールドとして用いることができる基板の製造方法であって、以下の工程：
基板上に、直径１００ｎｍ以下の第一の開口部と、該開口部のある面とのなす角度が８５度以下であるところの側面とをもつ第一の微細な凹部を有するパターン層を提供する工程；
前記第一の微細な凹部内に、少なくともＡ部分とＢ部分とをブロック部分として含むブロックコポリマーを充填する工程；
前記充填されたブロックコポリマーを加熱して、相分離した海島構造を形成する工程；及び
該海島構造の島部をエッチングにより除去して、直径３０ｎｍ以下の第二の開口部をもつ第二の微細な凹部を有する基板を得る工程；
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記Ａ部分が芳香環含有ポリマーであり、かつ、前記Ｂ部分がとポリ（メタ）アクリレートである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記芳香環含有ポリマーがポリスチレン（ＰＳ）であり、かつ、前記ポリ（メタ）アクリレートがポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法で製造した基板。
【請求項５】
請求項４に記載の基板をモールドとして用いる工程を含む、被転写体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、直径３０ｎｍ以下の開口部をもつ微細な凹部を有する、モールドとして用いることができる基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリント技術は、樹脂が塗布された基板上にナノオーダーの凹凸パターンを有するモールド（転写板）を押し当てて、凹凸パターンを転写する成形加工技術であり（以下、特許文献１参照）、従来の微細加工方法である光リソグラフィや電子線直接描画法などに比べて簡便・低コストにナノスケールの加工が可能である。
さらに近年、特に半導体分野の微細加工において超微細化が進み、光リソグラフィや電子線直接描画法でも限界である、３０ｎｍ以下の超微細加工が求められている。
【０００３】
ナノインプリントでも超微細加工が求められているが、超微細パターンをナノインプリントで行う場合、二つの問題があげられる。一つは超微細なパターン自体を作製することが難しいこと、もう一つはパターンが細かくなればなるほど、転写率が悪くなることである。
近年、数十ｎｍオーダーの超微細加工方法の一つとして、ブロックコポリマーを用いたＤＳＡ（Ｄｉｒｅｃｔｅｄ  Ｓｅｌｆ−Ａｓｓｅｍｂｌｙ）法が注目されている。ＤＳＡとは、リソグラフィーにより形成されたパターン内にブロックコポリマーのミクロ相分離構造を形成させることによって、さらに微細化されたパターンを形成させる技術である。例えば、以下の特許文献２には、フォトレジストを用いて形成させた直径が６０〜１１０ｎｍのホールにポリスチレン（以下、ＰＳともいう。）とポリメタクリル酸メチル（以下、ＰＭＭＡともいう。）からなるブロックコポリマー（以下、ＰＳ−ｂ−ＰＭＭＡともいう。）を埋めこみ、自己組織化をさせ、該ホールの中心にＰＭＭＡからなる円筒構造部を形成させ、その部分をプラズマエッチング等で除去することにより直径４０〜４５ｎｍの微細化されたホールを形成できることが開示されている。このような技術は「ホールシュリンク」と呼ばれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開２００２／００７１９９号パンフレット
【特許文献２】特開２００８−１８７０３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ホールシュリンクを用いると、３０ｎｍ以下の幅を有する微細パターンの作成も可能になるが、転写体のモールドとして用いたときに微細化に伴って、転写率が下がっていくという問題は依然残る。そのため、転写率の高いインプリント用のモールドとして用いることができる、３０ｎｍ以下の超微細凹部をもつ基板が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討し実験を重ねた結果、超微細加工方法としてホールシュリンクの技術を利用する際に、基板の凹部の側面と開口面のなす角度を８５度以下とすることにより、３０ｎｍ以下の超微細凹部を有する、転写率の高いモールドとして用いることができる基板を製造することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下のとおりのものである。
［１］直径３０ｎｍ以下の開口部をもつ微細な凹部を有する、モールドとして用いることができる基板の製造方法であって、以下の工程：
基板上に、直径１００ｎｍ以下の第一の開口部と、該開口部のある面とのなす角度が８５度以下であるところの側面とをもつ第一の微細な凹部を有するパターン層を提供する工程；
前記第一の微細な凹部内に、少なくともＡ部分とＢ部分とをブロック部分として含むブロックコポリマーを充填する工程；
前記充填されたブロックコポリマーを加熱して、相分離した海島構造を形成する工程；及び
該海島構造の島部をエッチングにより除去して、直径３０ｎｍ以下の第二の開口部をもつ第二の微細な凹部を有する基板を得る工程；
を含む、前記方法。
【０００８】
［２］前記Ａ部分が芳香環含有ポリマーであり、かつ、前記Ｂ部分がとポリ（メタ）アクリレートである、前記［１］に記載の方法。
【０００９】
［３］前記芳香環含有ポリマーがポリスチレン（ＰＳ）であり、かつ、前記ポリ（メタ）アクリレートがポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）である、前記［２］に記載の方法。
【００１０】
［４］前記［１］〜［３］のいずれかに記載の方法で製造した基板。
【００１１】
［５］前記［４］に記載の基板をモールドとして用いる工程を含む、被転写体の製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の方法を用いて製造した基板をモールドとして用いれば、３０ｎｍ以下の微細パターンをもるインプリントの転写率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第一の微細な凹部の断面図である。
【図２】ホールシュリンクプロセスの概略図
【図３】インプリント工程の概略図
【図４】モールドの他の実施形態
【図５】モールドの他の実施形態
【図６】モールドの他の実施形態
【図７】モールドの他の実施形態
【図８】モールドの他の実施形態
【図９】モールドの他の実施形態
【図１０】モールドの他の実施形態
【図１１】モールドの他の実施形態
【図１２】モールドの他の実施形態
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」と略記する。）について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
本実施の形態に係る基板の製造方法は、直径３０ｎｍ以下の開口部をもつ微細な凹部を有する、モールドとして用いることができる基板の製造方法であって、以下の工程：
基板上に、直径１００ｎｍ以下の第一の開口部と、該開口部のある面とのなす角度が８５度以下であるところの側面とをもつ第一の微細な凹部を有するパターン層を提供する工程；
前記第一の微細な凹部内に、少なくともＡ部分とＢ部分とをブロック部分として含むブロックコポリマーを充填する工程；
前記充填されたブロックコポリマーを加熱して、相分離した海島構造を形成する工程；及び
該海島構造の島部をエッチングにより除去して、直径３０ｎｍ以下の第二の開口部をもつ第二の微細な凹部を有する基板を得る工程；
を含む、前記方法である。
【００１５】
以下、本実施の形態に用いられる基板、モールドの作製方法、ホールシュリンク組成物、インプリント工程の好ましい態様について説明する。また、その他の実施形態についても説明する。
【００１６】
［基板］
図１を用いて基板Ａの説明を行う。第一の開口部を有する第一の微細な凹部とは、下地層Ａ２上のパターン層Ａ１を削って作製したホール１００のことであって、第一の開口部とは、パターン層Ａ１に形成されるホール１００の、パターン層Ａ１の表面内の形を表す。第一の開口部を有する面は、パターン層Ａ１の表面であり、凹部（ホール）１００の側面とは、パターン層Ａ１が画する側面１０２を指し、第一の開口部を有する面とかかる側面１０２のなす角度は、１０３で表され、第一の開口部の直径とは、パターン層Ａ１の表面における１０４で表される長さを指す。
【００１７】
第一の開口部を有する凹部を提供する方法としては、フォトレジスト膜をフォトリソグラフィーで加工する方法、加工したフォトレジストパターンをマスクにしてその下の層をエッチング加工し、該フォトレジストを除去して得る方法、ナノインプリント、レーザー加工方法が代表的なものであるが、これらに限定されない。レジストをマスクとして用いる場合、側面と開口面のなす角度を８５度以下とする凹部の作製方法として、テーパをつけたエッチング方法を用いることができる。例えば、レジストのエッチングレートを調整する方法、エッチング温度を調整する方法、テーパのレジストを用いてエッチングする方法があげられるが、これらに限定されない。
【００１８】
本発明の方法においては、第一の開口部を有する第一の微細な凹部は、第一の開口部を有する面と側面１０２のなす角度１０３が８５度以下であるものでなければならない。第一の微細な凹部の、下地層Ａ２により画される底面は平らでも曲面でも構わない。
【００１９】
下地層Ａ２は、シリコンウェハー、化合物半導体ウェハー等の無機材料基板、有機材料基板、金属基板、配線基板、金属薄膜が付与された無機基板、ポリイミド薄膜が付与された無機基板、半導体デバイス等の複数の材料からなる基板であることができる。
【００２０】
［モールドの作製方法］
本実施の形態におけるモールドの作製方法について、図２を用いて詳しく説明する。モールドを作製する工程は、ホールシュリンクを行う工程である。本実施の形態でホールシュリンクとは、基板に予め設けられた開口部の直径をさらに小さくすることを言う。
【００２１】
基板Ａは前述のパターン層Ａ１と下地層Ａ２からなっている。図２のＢは、Ａのホール１００内にブロックコポリマー組成物Ｂ１を充填した構造を示す。充填は一般的にはブロックコポリマーの有機溶媒溶液を基板にスピンコートし溶媒を加熱除去することにより達成される。用いられる溶剤としては、ブロックコポリマーを溶解させることができるものであればいずれでもよく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルイミダゾリノン、テトラメチルウレア、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、ＰＧＭＥＡともいう。）、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ブチル、メチル−１，３−ブチレングリコールアセテート、１，３−ブチレングリコール−３−モノメチルエーテル、メチル−３−メトキシプロピオネートが挙げられる。これらを単独で又は２種以上混合して溶媒として使用することができる。具体的なより好ましい溶媒の例としては、Ｎ−メチルピロリドン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ＰＧＭＥＡを挙げることができる。
【００２２】
開口部に充填する方法としては、上記パターン形成用溶液を、スピンコート法、バーコート法、ダイコート法、ブレードコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、インクジェット法等で塗布して充填する方法、スクリーン印刷機、グラビア印刷機、オフセット印刷機等で充填する方法を挙げることができる。膜厚の制御をしやすいという観点から、スピンコートが好ましく、回転数は３０ｒｐｍから５０００ｒｐｍが好ましい。
【００２３】
次いで、パターン形成用塗布液で開口部が充填された基板を、風乾、オーブン、ホットプレート等により加熱乾燥又は真空乾燥させて溶剤を除去させる。溶剤除去の方法としては、大別してホットプレートのように基材の下側から直接伝熱させる方法と、オーブンのように高温の気体を対流させる方法を挙げることができる。
【００２４】
次に、基板をさらに加熱し開口部の中でホールシュリンク用樹脂組成物の相分離を起こさせる。この状態を図２のＣに示す。ここでＣ１が相分離構造で云う「海」の部分でＣ２が「島」の部分である。加熱温度は、好ましくは１３０℃以上２８０℃以下、より好ましくは１４０℃以上２７０℃以下、さらに好ましくは１５０℃以上２６０℃以下の温度範囲である。加熱時間は、１０秒以上１００時間以下、好ましくは１０時間以下、さらに好ましくは１時間以下である。ホットプレート（直接伝熱）の場合、１０秒以上１時間以下が好ましく、１０秒以上３０分以内がより好ましい。加熱温度が１３０℃以上ならば相分離構造を形成させることができ、２８０℃以下ならばポリマーの分解が抑えられる。また、ホットプレート（直接伝熱）の場合、加熱時間が１０秒以上ならば相分離構造を形成させることができ、また１時間以下ならばポリマーの分解が抑えられる。加熱温度が高いほど短時間で海島構造パターンが得られる。
【００２５】
加熱の際の雰囲気は、窒素、アルゴン等不活性気体、空気、真空など特に限定されない。次に、プラズマエッチングにより島の部分を除去する。ここでは海の部分がエッチングされにくい芳香環含有ポリマー部分であり、島の部分が（メタ）アクリル酸エステルポリマー部分となるように設計する必要がある。エッチング後の断面の様子を、図２のＤに示す。島が除去されることで形成されたホールＤ１が本実施の形態に係る第二の微細な凹部となる。第二の微細な凹部の開口部の直径とは、パターン層の表面上のＤ２の長さを指す。
エッチング方法としては、酸素、アルゴン、ハロゲンガス、四フッ化炭素等の気体を用いたドライエッチング法、有機溶媒や水溶液を用いたウェットエッチング法が使用される。また紫外線、電子線等を照射したのち上記のエッチングを行うこともできる。
【００２６】
［ホールシュリンク組成物］
次に、本実施の形態に係るパターン形成用樹脂組成物の構成成分について詳細に説明をする。
まず、ブロックコポリマーについて説明する。
本実施の形態で用いるブロックコポリマーを構成するブロックの必須成分の一つである芳香環含有ポリマーの代表例としては、芳香環又はピリジン環のような複素芳香環を有するビニルモノマーの単独重合体であり、例えば、ポリスチレン、ポリメチルスチレン、ポリエチルスチレン、ポリｔ−ブチルスチレン、ポリメトキシスチレン、ポリＮ、Ｎ−ジメチルアミノスチレン、ポリクロロスチレン、ポリブロモスチレン、ポリトリフルオロメチルスチレン、ポリトリメチルシリルスチレン、ポリジビニルベンゼン、ポリシアノスチレン、ポリα−メチルスチレン、ポリビニルナフタレン、ポリビニルビフェニル、ポリビニルピレン、ポリビニルフェナントレン、ポリイソプロペニルナフタレン、ポリビニルピリジン等を挙げることができる。その他の芳香環含有ポリマーとしては、ポリメチルフェニルシロキサン、ポリジフェニルシロキサンを挙げることもできる。ここで、本実施の形態において好ましく用いられる芳香環含有ポリマーは、芳香環又は複素芳香環含有ビニルポリマーであり、最も好ましくは相分離性に優れる点、原料モノマーの入手性、合成の容易性の観点から、ポリスチレン（ＰＳ）である。
【００２７】
本実施の形態で用いるブロックコポリマーを構成するブロックのもう一つの必須成分である（メタ）アクリレートポリマーとは、下記のアクリレートモノマー及びメタクリレートモノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種の単独重合体又は共重合体である。ここで用いることができるアクリレートモノマー及びメタクリレートモノマーからなる群としては、例えば、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｔ−ブチル、メタクリル酸ｎ−ヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸イソプロピル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸イソブチル、アクリル酸ｔ−ブチル、アクリル酸ｎ−ヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル等を挙げることができる。ここで本実施の形態において最も好ましく用いられるポリ（メタ）アクリレートとしては、相分離性の優れる点、原料モノマーの入手性、合成の容易性の観点から、メタクリル酸メチルの単独重合体ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）である。
【００２８】
本実施の形態で用いるブロックコポリマーは、上記芳香環含有ポリマーの片末端又は両末端と上記ポリ（メタ）アクリレートの片末端又は両末端が結合した、ジブロック、トリブロック又はそれ以上のマルチブロックコポリマーであり、合成の容易性の観点から、好ましくは、芳香環含有ポリマーとポリ（メタ）アクリレートの片末端同士が結合したジブロックコポリマーであり、より好ましくは、ＰＳとＰＭＭＡのジブロックコポリマーである。
【００２９】
尚、ブロックコポリマー中には、上記芳香環含有ポリマー部分及びポリ（メタ）アクリレート部分以外に、５０モル％を超えない割合でその他のポリマー成分のブロックを含むこともできる。すなわち、前記したように、本実施の形態に係るパターン形成用樹脂組成物は、ブロックコポリマー全体に対する、該芳香環含有ポリマー部分と該ポリ（メタ）アクリレート部分の合計の比率は、５０モル％以上を満たす必要がある。その他のポリマー成分の具体例としては、例えば、ポリエチレンオキサイド、ポリプロピレンオキサイド、ポリテトラメチレングリコール等を挙げることができる。
【００３０】
ブロックコポリマーは、リビングアニオン重合やリビングラジカル重合、又は反応性末端基を有するポリマー同士のカップリング等により合成することができる。例えば、リビングアニオン重合では、ブチルリチウムのようなアニオン種を開始剤として、まず、芳香環含有ポリマーを合成した後、その末端を開始点として、（メタ）アクリレートモノマーを重合することで芳香環含有ポリマーとポリ（メタ）アクリレートのブロックコポリマーを合成することができる。また、両末端がアニオン開始点になるような開始剤を用いて芳香族含有ポリマーを合成しその末端を開始点として（メタ）アクリレートモノマーを重合することで芳香環含有ポリマーとポリ（メタ）アクリレートのトリブロックコポリマーを合成することができる。これらのリビングアニオン重合においては開始剤の添加量を下げることにより、得られるポリマーの分子量を高めることができ、水や空気等の系内の不純物を取り除くことにより、ポリマーの分子量を設計値通りに制御することができる。また、ポリ（メタ）アクリレート部分を重合する際は、系の温度を０℃以下に下げることにより、副反応を抑えることができる。
【００３１】
［インプリント工程］
次に、上述の方法で得られた微細凹部を用いたインプリント法について、図３を用いて説明する。ホールＤ１を含む基板Ｄ（図３参照）の上に埋め込み材料Ｅ１を塗布する。基板に塗布した状態が図３のＥである。基板ＤからホールＤ１が転写された埋め込み材料を離形し、得られた被転写体がＦである（図３のＦ参照）。埋め込む材料は、金属材料、半導体材料、有機物材料、希土類材料、ポリマー組成物、樹脂、ゾルゲル等であることができる。インプリント方法については、熱インプリント方式、ＵＶインプリント方式、ソフトリソグラフィの３種が主流であるが、本実施の形態では、得られた微細なホールＤ１を含む基板Ｄをモールドとして用い、他の基材に転写できる方法ならば、手段を問わない。熱インプリント方式とは、加熱した状態で埋め込み材料を埋め込み、冷却することで硬化させる方法であり、ＵＶインプリント方式とは、ＵＶ照射して埋め込み材料を硬化させる方法であり、ソフトリソグラフィは基板にインクを塗布し、スタンプのように押し付けてパターンを転写する方法である。
【００３２】
［他の実施形態］
本実施の形態で得られた微細なパターンを有する基板は、モールドとして前記した方法以外でも用いることができる。その方法の一例を、図４〜図１２を用いて説明するが、モールドとして利用する限りは、記載した方法に限らない。
【００３３】
＜図４＞
基板Ｄに、埋め込み材料Ｅ１を塗布した状態を、図４のＥに示す。埋め込み材料Ｅ１を微細ホールＤ１と基板Ｄの全面に塗布した状態が図４のＥであり、前記したように、インプリントに用いた場合には、被転写体Ｆが得られる。一方、埋め込み材料Ｅ１を微細ホールＤ１の開口部のある表面まで充填した状態が図４のＧであり、埋め込み材料Ｅ１の充填面Ｈ１が微細ホールＤ１の開口部に満たない量である状態が図４のＨである。
【００３４】
＜図５＞
図４のＥの状態から、材料Ｉ１をさらに重ねて塗布した状態が図５のＩであり、離形すると被転写体Ｊが得られる。
【００３５】
＜図６＞
図４のＧの状態から、パターン層Ａ１と自己組織化構造「島」部分Ｃ１を除くと、下地層に微細構造が転写されたＫが得られる。また、図４のＧの状態から埋め込み材料Ｅ１以外を除くと微粒子Ｌが得られる。
【００３６】
＜図７＞
図４のＧの状態から、パターン層表面に材料Ｍ１をさらに塗布した状態が図７のＭであり、Ｍから離形すると被転写体Ｎが得られる。
【００３７】
＜図８＞
図４のＨの状態から、材料Ｏ１を埋め込み材料の充填面Ｈ１から微細ホールＤ１の開口部のある表面まで充填し、さらにパターン層の表面にも塗布した状態が図８のＯであり、材料Ｏ１を埋め込み材料の充填面Ｈ１から微細ホールＤ１の開口部のある表面まで充填した状態がＰである。
【００３８】
＜図９＞
図８のＯの状態から、材料Ｏ１の上に材料Ｑ１を塗布した状態が図９のＱであり、離形することによって、被転写体Ｒが得られる。
【００３９】
＜図１０＞
図８のＯの状態から、離形すると被転写体Ｓが得られる。
【００４０】
＜図１１＞
図８のＰの状態から、パターン層の上部に材料Ｔ１をさらに塗布した状態が図１１のＴであり、Ｐの状態からパターン層Ａ１と自己組織化構造「島」部分Ｃ１を除くと、下地層に微細構造が転写されたＵが得られる（図１１のＵ参照）。また、Ｐの状態から埋め込み材料Ｅ１とＯ１以外を除くと、埋め込み材料Ｅ１と材料Ｏ１からなる微粒子Ｖが得られる。
【００４１】
＜図１２＞
図１１のＴの状態から、離形すると被転写体Ｗが得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の方法に従って得られた微細凹部を有する転写体は、以下の用途において有用な効果を発揮することができる：
色素増感太陽電池を含む光起電力電池、二次電池・燃料電池用材料、各種電池の電極などの電池周辺部材、
顔料、化粧品材料、表面プラズモンセンサーを含むバイオセンサー、蛍光標識、再生医療における人工組織、
磁気記録媒体、半導体レーザー、照明機器、コンピュータ、携帯電話又は個人用の携帯情報端末の構成部品、不揮発性記憶素子、フレキシブルデバイス、有機薄膜トランジスタＯＴＦＴ、透明導電性材料、ディスプレイ、有機エレクトロニクス、ナノ回路やナノ光回路を含む電子機器部材、
光学センサー、金属イオンセンサーを含む各種センサー、
自動車、航空機、宇宙船又は船舶を含む乗り物の構成部品、
競泳用の水着を含む衣料品上の形成、
建築物・マイクロリアクターの構成部品、並びに
蛍光材料、光触媒、波長変換層、ＡＲ膜、偏光板、反射板、研摩材料、導電性コーティング剤、抗菌剤、消臭剤、導電接着剤、超高性能フィルター材料、導電性インクなどの各種コーティングや表面処理。
【符号の説明】
【００４３】
１００    第一の微細な凹部
１０２    第一の凹部の側面
１０３    第一の開口部を有する面と側面のなす角
１０４    第一の開口部の直径
Ａ    基板
Ａ１    パターン層
Ａ２    下地層
Ｂ１    ホールシュリンク用樹脂組成物
Ｃ１    自己組織化構造「海」部分
Ｃ２    自己組織化構造「島」部分
Ｄ    以下のＤ１を含む基板
Ｄ１    第二の微細な凹部
Ｄ２    第二の微細な凹部の開口部の直径
Ｅ１    埋め込み材料
Ｆ    被転写体
Ｇ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｈ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｈ１    埋め込み材料
Ｇ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｉ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｉ１    埋め込み材料以外の材料
Ｊ    被転写体
Ｌ    微粒子
Ｍ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｍ１    埋め込み材料以外の材料
Ｎ    被転写体
Ｏ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｏ１    埋め込み材料以外の材料
Ｐ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｑ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｑ１    埋め込み材料以外の材料
Ｒ    被転写体
Ｓ    被転写体
Ｔ    基板の材料を埋め込んだ状態
Ｔ１    埋め込み材料以外の材料
Ｋ    被転写体
Ｕ    被転写体
Ｖ    微粒子
Ｗ    被転写体
【図１】
2014037083.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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