(57)【要約】【課題】高い発光品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有する画素３８と、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに設けられた陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられた陰極２５と、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇの陽極２４Ｒ，２４Ｇと陰極２５との間に塗布方式で形成された赤色、緑色を発光する機能を有する発光層６３Ｒ，６３Ｇと、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｒ，６３Ｇと陰極２５との間と、陽極２４Ｂと陰極２５との間とに蒸着方式で形成された青色を発光する機能を有する発光層６４Ｂと、サブ画素３４Ｂの陽極２４Ｂと発光層６４Ｂとの間に塗布方式で形成された、青色を発光する機能を有する発光層６３Ｂとを備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、
前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、
前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、
前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、
前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記第２発光層との間に塗布方式で形成された、前記第２の色を発光する機能を有する第３発光層と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２発光層は電子輸送機能を有し、
前記第３発光層は正孔輸送機能を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記第２発光層との間と、前記第３発光層と前記第２発光層との間と、に蒸着方式で形成された、正孔輸送機能を有する中間層をさらに備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２発光層の構成材料と前記第３発光層の構成材料とは、低分子のホスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記中間層は、前記第２の色を発光する機能を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２発光層の構成材料と前記中間層の構成材料とは、同じゲスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第３発光層の構成材料は、前記第２発光層の構成材料と前記中間層の構成材料とに含まれる前記ゲスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記画素は第３サブ画素をさらに有し、
前記第３サブ画素は、第３陽極と、塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第４発光層と、を備え、
前記陰極は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って設けられ、
前記第２発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第４発光層と前記陰極との間にも設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項８に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素とを有する画素を備え、
前記第１サブ画素に第１陽極を形成する工程と、
前記第２サブ画素に第２陽極を形成する工程と、
前記第３サブ画素に第３陽極を形成する工程と、
前記第１陽極上に、赤色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第２陽極上に、緑色を発光する機能を有する第４発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第３陽極上に、青色を発光する機能と正孔輸送機能とを有する第３発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第４発光層上と前記第３発光層上とに、青色を発光する機能と電子輸送機能と有する第２発光層を蒸着方式で形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に陰極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第２発光層を形成する工程の前に、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第４発光層上と前記第３発光層上とに、正孔輸送機能を有する中間層を蒸着方式で形成する工程を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む機能層を配置した構造を有している。機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成を挙げることができる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合することで発光が行われる。
【０００３】
有機ＥＬ装置の発光層は、例えば、インクジェット法等の塗布方式や蒸着方式を用いて形成される。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブ画素）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することにより発光層が形成される。塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点がある。
【０００４】
このような塗布方式を用いて形成された有機ＥＬ装置では、赤色（Ｒ）発光層、緑色（Ｇ）発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルにあるものの、青色（Ｂ）発光層は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着方式を用いて形成された青色発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルに到達している。
【０００５】
そこで、赤色サブ画素及び緑色サブ画素に塗布方式で形成された赤色発光層及び緑色発光層と、赤色サブ画素、緑色サブ画素、及び青色サブ画素を含む全面に蒸着方式で形成された青色発光層とを備えた有機ＥＬ装置の構成及びその製造方法が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置のように、赤色発光層及び緑色発光層上に青色発光層が形成された構成では、赤色サブ画素及び緑色サブ画素において、赤色発光層の赤色発光及び緑色発光層の緑色発光に青色発光層の青色発光の混色が生じて色純度が低下することが懸念される。色純度の低下を避けるためには、赤色サブ画素及び緑色サブ画素における電子と正孔との再結合を、青色発光層よりも赤色発光層及び緑色発光層において多く生じさせる構造とすることが望ましい。しかしながら、このような構造とすると、青色サブ画素における青色発光層での発光の発光効率や寿命の低下を招いてしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記第２発光層との間に塗布方式で形成された、前記第２の色を発光する機能を有する第３発光層と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、蒸着方式で形成された第２発光層の下に、第１サブ画素においては第１発光層が、第２サブ画素においては第３発光層が、それぞれ塗布方式で形成されている。第１サブ画素において、第１の色の発光の色純度の低下を抑えるため、第２発光層を通過し第１発光層まで輸送されて正孔と結合する電子を多くすると、第２サブ画素においては、第２発光層を通過して第３発光層に移動する電子の分だけ第２発光層において正孔と結合する電子が減少する。ここで、第３発光層は第２発光層と同様に第２の色を発光するので、第２発光層を通過してしまう電子を第３発光層において第２の色の発光に寄与させることができる。これにより、第１サブ画素における第１の色の発光の色純度を向上させつつ、第２サブ画素における第２の色の発光の発光効率や寿命の低下を抑えることができるので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層は電子輸送機能を有し、前記第３発光層は正孔輸送機能を有することが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、第２発光層が電子輸送機能を有するので、第１サブ画素において、第１発光層への電子輸送性が向上する。また、第３発光層が正孔輸送機能を有するので、第２サブ画素において、第２発光層への正孔輸送性が向上する。これにより、第１サブ画素における第１発光層の発光効率と、第２サブ画素における第２発光層の発光効率とが向上するので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記第２発光層との間と、前記第３発光層と前記第２発光層との間と、に蒸着方式で形成された、正孔輸送機能を有する中間層をさらに備えていることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、第３発光層と第２発光層との間に正孔輸送機能を有する中間層が設けられているので、第２サブ画素において、第２発光層への正孔輸送性がより向上する。これにより、第２サブ画素において、第２発光層における正孔と電子との結合を多くできるので、第２発光層での発光効率や寿命を向上させることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層の構成材料と前記第３発光層の構成材料とは、低分子のホスト材料を含むことが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、第２発光層の構成材料と第３発光層の構成材料とが、同質の低分子のホスト材料を含んでいる。そのため、第２サブ画素において、第２発光層と中間層との間のエネルギー順位の関係と、第３発光層と中間層との間のエネルギー順位の関係とが同じになるので、エネルギー順位差に起因する第２の色の発光の色ずれを抑えることができる。これにより、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記中間層は、前記第２の色を発光する機能を有することが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、中間層が第２の色を発光する機能を有するので、第２サブ画素における正孔と電子との結合が、第２発光層、中間層、または第３発光層のいずれの位置で行われても、第２の色の発光に寄与させることができる。これにより、第２サブ画素における第２の色の発光の発光効率や寿命を向上させることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層の構成材料と前記中間層の構成材料とは、同じゲスト材料を含むことが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、第２発光層の構成材料と中間層の構成材料とが同じゲスト材料を含んでいるので、第２サブ画素における正孔と電子との結合が、第２発光層または中間層のどちらかの位置で行われても、第２の色の発光を効率良く行うことができる。これにより、第２サブ画素における第２の色の発光の発光効率や寿命をより向上させることができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第３発光層の構成材料は、前記第２発光層の構成材料と前記中間層の構成材料とに含まれる前記ゲスト材料を含むことが好ましい。
【００２２】
本適用例によれば、第２発光層、中間層、及び第３発光層の構成材料が同じゲスト材料を含むので、第２サブ画素における正孔と電子との結合が、第２発光層、中間層、及び第３発光層のいずれの位置で行われても、第２の色の発光を効率良く行うことができる。これにより、第２サブ画素における第２の色の発光の発光効率や寿命をより向上させることができる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記画素は第３サブ画素をさらに有し、前記第３サブ画素は、第３陽極と、塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第４発光層と、を備え、前記陰極は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って設けられ、前記第２発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第４発光層と前記陰極との間にも設けられていることが好ましい。
【００２４】
本適用例によれば、本適用例によれば、パターニング性に優れる塗布方式で形成された第１の発光層と、同様に塗布方式で形成された第４の発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層及び塗布方式で形成された第３発光層とにより、３色での表示が可能となるため、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の色は赤色または緑色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は赤色または緑色のうち前記第１の色と異なる色であることが好ましい。
【００２６】
本適用例によれば、塗布方式で実用的な発光特性が得られている赤色発光材料及び緑色発光材料を用いるとともに、蒸着方式では実用的な性能に達している青色発光材料を用いることができる。また、第２サブ画素において、実用的な性能が得られていないものの補助的には使用可能な塗布方式の青色発光材料を用いることができる。これにより、フルカラー表示が可能で発色品質、発光効率、及び発光寿命に優れる有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００２７】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、高い表示品質の画像や映像の表示が可能な表示装置を備えた電子機器を提供することができる。
【００２９】
［適用例１１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素とを有する画素を備え、前記第１サブ画素に第１陽極を形成する工程と、前記第２サブ画素に第２陽極を形成する工程と、前記第３サブ画素に第３陽極を形成する工程と、前記第１陽極上に、赤色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第２陽極上に、緑色を発光する機能を有する第４発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第３陽極上に、青色を発光する機能と正孔輸送機能とを有する第３発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第４発光層上と前記第３発光層上とに、青色を発光する機能と電子輸送機能と有する第２発光層を蒸着方式で形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に陰極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００３０】
本適用例によれば、蒸着方式で形成する第２発光層の下に、第１サブ画素においては第１発光層を、第２サブ画素においては第３発光層を、第３サブ画素においては第４発光層を、それぞれ塗布方式で形成する。第２発光層が電子輸送機能を有するので、第１サブ画素における第１発光層及び第３サブ画素における第４発光層への電子輸送性が向上する。また、第３発光層が正孔輸送機能を有するので、第２サブ画素における第２発光層への正孔輸送性が向上する。そして、第３発光層が第２発光層と同様に青色を発光するので、第２発光層を通過してしまう電子を第３発光層において青色の発光に寄与させることができる。これにより、第１サブ画素における赤色発光及び第３サブ画素における緑色発光の発光効率と、第２サブ画素における青色の発光効率とが向上するので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００３１】
［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２発光層を形成する工程の前に、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第４発光層上と前記第３発光層上とに、正孔輸送機能を有する中間層を蒸着方式で形成する工程を備えていることが好ましい。
【００３２】
本適用例によれば、第１発光層、第４発光層、及び第３発光層と、第２発光層との間に正孔輸送機能を有する中間層を形成するので、第２サブ画素において、第２発光層への正孔輸送性が向上する。これにより、第２サブ画素において、第２発光層における正孔と電子との結合を多くできるので、第２発光層での発光効率や寿命を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図５】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図７】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図８】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図９】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図１０】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図１１】第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図１２】第６の実施形態に係る電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３６】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。
【００３７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、スイッチング素子としてトランジスターを用いたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ装置である。トランジスターとしては、薄膜半導体層を用いた薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）であってもよいし、半導体基板自体にチャネルが形成されるトランジスターであってもよい。
【００３８】
有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に設けられた走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる信号線１３と、信号線１３に並列に延びる電源線１４とを備えている。信号線１３には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えた信号線駆動回路１５が接続されている。また、走査線１２には、シフトレジスター及びレベルシフターを備えた走査線駆動回路１６が接続されている。
【００３９】
走査線１２と信号線１３とによりサブ画素３４の領域が区画されている。サブ画素３４は、有機ＥＬ装置１１の表示の最小単位であり、例えば、走査線１２の延在方向と信号線１３の延在方向とに沿ってマトリックス状に配列されている。各サブ画素３４には、スイッチング用トランジスター２１と、駆動用トランジスター２３と、保持容量２２と、陽極２４と、陰極２５と、発光機能層２６とが設けられている。
【００４０】
陽極２４と、陰極２５と、発光層を含む発光機能層２６とによって発光素子２７が構成される。発光素子２７では、陽極２４側から注入される正孔と、陰極２５側から注入される電子とが発光機能層２６の発光層で再結合することにより発光が得られる。
【００４１】
有機ＥＬ装置１１では、走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、信号線１３を介して供給される画像信号が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３を介して電源線１４に電気的に接続したとき、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、さらに発光機能層２６を通じて陰極２５に電流が流れる。
【００４２】
この電流は、駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態に応じたレベルとなる。このとき、駆動用トランジスター２３のソースとドレインとの間の導通状態、すなわち、駆動用トランジスター２３のチャネルの導通状態は、駆動用トランジスター２３のゲートの電位により制御される。そして、発光機能層２６の発光層は、陽極２４と陰極２５との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４３】
換言すれば、発光素子２７の発光状態を駆動用トランジスター２３により制御するとき、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか一方が電源線１４に電気的に接続され、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか他方が発光素子２７に電気的に接続される。
【００４４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１上に、略矩形の平面形状を有する発光領域３２を備えている。発光領域３２は、有機ＥＬ装置１１において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１１は、発光領域３２の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００４５】
発光領域３２には、サブ画素３４がマトリックス状に配列されている。サブ画素３４は、例えば略矩形の平面形状を有している。サブ画素３４の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。この場合、サブ画素３４の平面形状は、４つの辺と４隅に対応する湾曲部から構成されてもよい。
【００４６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１は、第１サブ画素（赤色サブ画素）としてのサブ画素３４Ｒと、第２サブ画素（青色サブ画素）としてのサブ画素３４Ｂと、第３サブ画素（緑色サブ画素）としてのサブ画素３４Ｇと、を有している。第１サブ画素は第１の色としての赤色（Ｒ）を発光し、第２サブ画素は第２の色としての青色（Ｂ）を発光し、第３サブ画素は第３の色としての緑色（Ｇ）を発光する。
【００４７】
有機ＥＬ装置１１は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに対応して、赤色発光素子２７Ｒ、緑色発光素子２７Ｇ、青色発光素子２７Ｂを備えている。以下では、対応する色を区別しない場合には、それぞれ単にサブ画素３４、発光素子２７と記す。
【００４８】
発光領域３２の周囲には、２つの走査線駆動回路１６と検査回路３５とが配置されている。検査回路３５は、有機ＥＬ装置１１の作動状況を検査するための回路である。基板３１の外周部には、陰極用配線３３が配置されている。また、基板３１の一辺側には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６は、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７を備えている。
【００４９】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１では、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにより、画像を形成する際の一つの単位である画素３８が構成される。有機ＥＬ装置１１は、それぞれの画素３８においてサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の光を射出することができる。これにより、有機ＥＬ装置１１は、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能である。
【００５０】
続いて、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。なお、本明細書では、図３における有機ＥＬ装置１１の陰極２５側を上方と呼ぶ。また、本明細書では、有機ＥＬ装置１１の陰極２５側表面の法線方向から見ることを「平面視」と呼ぶ。
【００５１】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁（バンク）５９と発光機能層２６と陰極（共通電極）２５と、を備えている。陽極２４は、サブ画素３４Ｒに設けられた第１陽極としての陽極２４Ｒと、サブ画素３４Ｂに設けられた第２陽極としての陽極２４Ｂと、サブ画素３４Ｇに設けられた第３陽極としての陽極２４Ｇと、を有する。以下では、対応する色を区別しない場合には、単に陽極２４と記す。
【００５２】
有機ＥＬ装置１１は、発光機能層２６から発した光が発光領域３２（図２参照）において基板３１側に射出されるボトムエミッション型である。基板３１は、有機ＥＬ装置１１がボトムエミッション型であることから、基材に透光性材料が用いられる。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。
【００５３】
回路素子層４３は、下地保護膜４５と、駆動用トランジスター２３と、第１層間絶縁膜５４と、第２層間絶縁膜５５とを備えている。下地保護膜４５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、基板３１を覆って形成されている。
【００５４】
駆動用トランジスター２３は、下地保護膜４５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。駆動用トランジスター２３は、半導体膜４６とゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとドレイン電極２３ｄとソース電極２３ｓとを有している。半導体膜４６は、ポリシリコン膜からなり、下地保護膜４５上に島状に形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００５５】
ゲート絶縁膜５２は、シリコン酸化膜等の透明な絶縁膜からなり、下地保護膜４５と半導体膜４６とを覆って形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、ゲート電極２３ｇが形成されている。ゲート電極２３ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等からなり、平面視で半導体膜４６のチャネル領域５１に重なる位置に設けられている。
【００５６】
第１層間絶縁膜５４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）等からなり、ゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとを覆って形成されている。第１層間絶縁膜５４上には、ソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとが形成されている。
【００５７】
ソース電極２３ｓは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のソース領域４７に電気的に接続されている。ドレイン電極２３ｄは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のドレイン領域４８に導電接続されている。
【００５８】
第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）等からなり、第１層間絶縁膜５４とソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとを覆って形成されている。第２層間絶縁膜５５は、アクリル樹脂等で構成されていてもよい。
【００５９】
陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）は、第２層間絶縁膜５５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。陽極２４は、透光性導電材料からなり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。陽極２４は、例えば、平面視で略矩形状の形状となっている。陽極２４は、第２層間絶縁膜５５に設けられたコンタクトホールを介して、駆動用トランジスター２３のドレイン電極２３ｄに電気的に接続されている。
【００６０】
第２層間絶縁膜５５上には、絶縁層５８と隔壁５９とが、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料からなる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保するとともに、サブ画素３４の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面視で一部が重なるように配置されている。
【００６１】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、サブ画素３４の領域を囲むように形成されている。換言すれば、隔壁５９の開口部が、サブ画素３４の領域となる。隔壁５９は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料からなる。なお、後述するように、発光機能層２６のうちの一部の層をインクジェット法等の塗布方式を用いて形成する場合は、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。
【００６２】
発光機能層２６は、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎、すなわち、各発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）毎に異なる構成を有している。サブ画素３４Ｒ（赤色発光素子２７Ｒ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒと、正孔輸送層６２Ｒと、第１発光層（赤色発光層）としての発光層６３Ｒとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。
【００６３】
サブ画素３４Ｇ（緑色発光素子２７Ｇ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇと、正孔輸送層６２Ｇと、第４発光層（緑色発光層）としての発光層６３Ｇとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。
【００６４】
サブ画素３４Ｂ（青色発光素子２７Ｂ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｂと、第３発光層（青色発光層）としての発光層６３Ｂとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。発光層６３Ｂは、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光において補助的な役割を担う。また、発光層６３Ｂは、正孔輸送機能を有している。これにより、サブ画素３４Ｂにおいて、陽極２４Ｂから注入される正孔の発光層６４Ｂへの輸送を良好に行うことができる。
【００６５】
発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ、及び隔壁５９上には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、青色を発光する機能を有する第２発光層（青色発光層）としての発光層６４Ｂが蒸着方式により形成されている。発光層６４Ｂは、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光において主体的な役割を担う。また、発光層６４Ｂは、発光する機能に加えて、電子輸送機能を有している。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、陰極２５から注入される電子の発光層６３Ｒ，６３Ｇへの輸送を良好に行うことができる。
【００６６】
発光層６４Ｂ上には、電子輸送層６５が蒸着方式により形成されている。これらの正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと、発光層６４Ｂと、電子輸送層６５とにより、発光機能層２６が構成される。
【００６７】
発光機能層２６において、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの膜厚は、例えば４０ｎｍ程度である。正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの膜厚は、例えば２０ｎｍ程度である。発光層６３Ｒ，６３Ｇの膜厚は、例えば６０ｎｍ程度であり、発光層６３Ｂの膜厚は、例えば１０ｎｍ程度である。発光層６４Ｂの膜厚は、例えば２０ｎｍ程度である。そして、電子輸送層６５の膜厚は、例えば２０ｎｍ程度である。
【００６８】
発光機能層２６における各層の膜厚をこのように設定することにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいては発光層６３Ｒ，６３Ｇが、サブ画素３４Ｂにおいては発光層６４Ｂが、それぞれ電界強度の中心に位置することとなる。これにより、正孔と電子との結合が、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいては主に発光層６３Ｒ，６３Ｇで、サブ画素３４Ｂにおいては主に発光層６４Ｂで行われるので、赤色、緑色、青色のそれぞれの良好な発光を得ることができる。
【００６９】
なお、発光機能層２６の各層の膜厚は、上述した値に限定されるものではなく、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいては発光層６３Ｒ，６３Ｇが、サブ画素３４Ｂにおいては発光層６４Ｂが、それぞれ電界強度の中心に位置するような範囲で適宜設定することができる。
【００７０】
発光機能層２６（電子輸送層６５）上には、陰極２５が、基板３１上の全面に形成されている。そして、陰極２５上には、例えば、缶封止方式等により封止が施されている（図示せず）。缶封止方式では、例えば、陰極２５側に凹型のガラスや金属製の対向基板がエポキシ等の接着剤を介して貼り付けられ、その間に乾燥剤が入れられる。
【００７１】
上述のように、有機ＥＬ装置１１は、塗布方式（インクジェット法）によって形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと、蒸着方式よって形成された発光層６４Ｂと、を有しており、３原色でのフルカラー表示が可能である。
【００７２】
塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点があり、生産性に優れる。塗布方式を用いて形成された発光層では、赤色発光層及び緑色発光層は発光効率や発光寿命（連続駆動の耐久性）等の特性において実用レベルの良好な発光が得られる。しかしながら、塗布方式を用いて形成された青色発光層は実用レベルに到達したとは言い難い。一方、蒸着方式を用いて形成された青色発光層は、発光効率や発光寿命等の特性において実用レベルに到達している。
【００７３】
そこで、有機ＥＬ装置１１では、赤色発光層及び緑色発光層として、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇに塗布方式によって形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇを備えている。そして、青色発光層として、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って蒸着方式によって形成された発光層６４Ｂと、サブ画素３４Ｂに塗布方式によって形成され補助的な役割を担う発光層６３Ｂとを備えている。
【００７４】
ところで、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成によれば、塗布方式によって形成された赤色発光層及び緑色発光層上に、青色発光層が蒸着方式により形成されている。そのため、赤色サブ画素及び緑色サブ画素において、赤色発光層からの赤色発光及び緑色発光層からの緑色発光に青色発光層からの青色発光の混色が生じて色純度が低下することが懸念される。
【００７５】
色純度の低下を避けるためには、赤色サブ画素及び緑色サブ画素における電子と正孔との結合を、青色発光層よりも赤色発光層及び緑色発光層において多く生じさせる構造とすることが望ましい。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成においてこのような構造とすると、青色サブ画素における青色発光層での発光の発光効率や寿命の低下を招いてしまうという課題があった。
【００７６】
これに対して、有機ＥＬ装置１１では、蒸着方式により形成された発光層６４Ｂが、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられており、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて発光層６３Ｒ，６３Ｇの上層に位置している点では、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置と同様である。
【００７７】
しかしながら、有機ＥＬ装置１１では、発光層６３Ｒ，６３Ｇの上層の発光層６４Ｂが電子輸送機能を有しているので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、発光層６４Ｂを通過して発光層６３Ｒ，６３Ｇで正孔と結合する電子を多くできる。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける色純度の低下を抑えることができる。
【００７８】
一方、サブ画素３４Ｂにおいては、発光層６４Ｂの下層の発光層６３Ｂが正孔輸送機能を有しているので、発光層６４Ｂで電子と結合する正孔を多くできる。また、一部の電子が発光層６４Ｂを通過してしまっても、それらの電子を下層の発光層６３Ｂで正孔と結合させて青色の発光に寄与させることができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色発光の発光効率や寿命の低下を抑えることができる。これらの結果、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【００７９】
続いて、発光機能層２６の各層の構成材料を説明する。正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、ドーパントを含有する導電性高分子材料からなる。正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等で構成される。
【００８０】
塗布方式により形成される正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、例えば、下記化１に示すＴＦＢ（poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-alt-(1,4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino-1,4-phenylene)))）等のトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料で構成される。
【００８１】
【化１】
2014072122.tif 000003
【００８２】
発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ，６４Ｂは、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。塗布方式により形成される発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂは、例えば、高分子の材料で構成される。塗布方式により形成される赤色の発光層６３Ｒの構成材料として、例えば、下記化２に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１１１ＲＥ（Poly[{9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylene)fluorenylene}-alt-co-{2,5-bis(N,N−diphenylamino)-1,4-phenylene}]）を用いることができる。
【００８３】
【化２】
2014072122.tif 000004
【００８４】
同じく塗布方式により形成される緑色の発光層６３Ｇの構成材料として、例えば、下記化３に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１０９ＧＥ（Poly[(9,9-dioctyl-2,7-bis{2-cyanovinylenefluorenylene})-alt-co-(2-methoxy-5-{2-ethylhexyloxy}-1,4-phenylene)]）を用いることができる。
【００８５】
【化３】
2014072122.tif 000005
【００８６】
同じく塗布方式により形成される青色の発光層６３Ｂの構成材料として、例えば、下記化４に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１２３ＢＥ（Poly[{9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl}-co-{1,4-(2,5-dimethoxy)benzene}]）を用いることができる。
【００８７】
【化４】
2014072122.tif 000006
【００８８】
また、蒸着方式により形成される青色の発光層６４Ｂの構成材料として、例えば、下記化５に示す低分子のホスト材料のＢｍＰｙＰｈＢ（1,3-bis[3,5-di(pyridin-3-yl)phenyl]benzene）と、下記化６に示すゲスト材料のＢＣｚＶＢ（1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene）とを用いることができる。
【００８９】
【化５】
2014072122.tif 000007
【００９０】
【化６】
2014072122.tif 000008
【００９１】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３Ｂへの電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化７に示すＡｌｑ３を用いることができる。
【００９２】
【化７】
2014072122.tif 000009
【００９３】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とすることができる。
【００９４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図４〜図６は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、公知の方法を採用することができる工程については、詳細な説明を省略する。
【００９５】
まず、図４（ａ）に示すように、基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソ技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成する。そして、回路素子層４３上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に、ＩＴＯからなる陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。
【００９６】
次に、図４（ｂ）に示すように、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、例えば、絶縁層５８の材料であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように成膜形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁膜のうちサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、絶縁層５８が完成する。
【００９７】
続いて、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料であるアクリル樹脂を含む溶液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。そして、塗布した溶液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層におけるサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、隔壁５９が完成する。
【００９８】
ここで、発光機能層２６のうちの一部の層はインクジェット法等の塗布方式を用いて形成されるので、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。隔壁５９に撥液性を持たせる方式としては、例えば、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）を用い、隔壁形成工程におけるキュア時において撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法がある。
【００９９】
次に、図４（ｃ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）を、塗布方式により、例えば４０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１００】
詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ大気下で焼成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。
【０１０１】
続いて、図５（ａ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）をそれぞれ、塗布方式により、例えば２０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０２】
詳しくは、正孔輸送層６２の材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ低酸素環境下で焼成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、ＴＦＢをシクロヘキシルベンゼンに溶解させたインク組成物を用いることができる。
【０１０３】
次に、図５（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒ上に、発光層６３Ｒを、塗布方式により、例えば６０ｎｍの膜厚で形成する。また、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇ上に、発光層６３Ｇを、塗布方式により、例えば６０ｎｍの膜厚で形成する。さらに、サブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６２Ｂ上に、発光層６３Ｂを、塗布方式により、例えば１０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０４】
詳しくは、赤色、緑色または青色の発光材料を含んだ機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ、不活性雰囲気下で焼成する。発光材料の機能液としては、例えば、上記化２、上記化３、または上記化４で示された発光材料が溶媒に溶解されたものを用いることができる。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼン等が挙げられる。
【０１０５】
次に、図６（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、サブ画素３４Ｒにおける発光層６３Ｒ上と、サブ画素３４Ｇにおける発光層６３Ｇ上と、サブ画素３４Ｂにおける発光層６３Ｂ上と、隔壁５９上とに、発光層６４Ｂを、蒸着方式により形成する。発光層６４Ｂは、ホスト材料（ＢｍＰｙＰｈＢ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを、例えば、体積比１０：１から１００：１の範囲で共蒸着して２０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０６】
次に、図６（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６４Ｂ上に電子輸送層６５を、蒸着方式により、例えば２０ｎｍの膜厚で形成する。電子輸送層６５の材料としては、例えば、Ａｌｑ３を用いることができる。これにより、発光機能層２６が完成する。
【０１０７】
次に、図３に示すように、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着方式により形成する。陰極２５としては、例えば、フッ化リチウム膜を１ｎｍ及びアルミニウム膜を１５０ｎｍこの順に積層させて形成する。
【０１０８】
その後、図示しないが、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【０１０９】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１０】
（１）青色の発光層６４Ｂが蒸着方式で形成されているので、塗布方式で形成されている場合に比べて、青色の発光において高い発色品質、発光効率、及び発光寿命が得られる。また、発光層６４Ｂが３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられているので、蒸着工程において精密アライメントマスク等を用いたパターニングを必要としない。そして、赤色の発光層６３Ｒ及び緑色の発光層６３Ｇと、補助的な青色の発光層６３Ｂとが、生産性に優れる塗布方式で形成されているので、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１１を高い生産性と低コストで提供することができる。
【０１１１】
（２）サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、赤色、緑色の発光の色純度の低下を抑えるため、発光層６４Ｂを通過し発光層６３Ｒ，６３Ｇまで輸送されて正孔と結合する電子を多くすると、サブ画素３４Ｂにおいては、発光層６４Ｂを通過して発光層６３Ｂに移動する電子の分だけ発光層６４Ｂにおいて正孔と結合する電子が減少する。ここで、発光層６３Ｂは発光層６４Ｂと同様に青色を発光するので、発光層６４Ｂを通過してしまう電子を発光層６３Ｂにおいて青色の発光に寄与させることができる。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける赤色、緑色の発光の色純度を向上させつつ、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光の発光効率や寿命の低下を抑えることができる。
【０１１２】
（３）発光層６４Ｂが電子輸送機能を有するので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、発光層６３Ｒ，６３Ｇへの電子輸送性が向上する。また、発光層６３Ｂが正孔輸送機能を有するので、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂへの正孔輸送性が向上する。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｒ，６３Ｇの発光効率と、サブ画素３４Ｂにおける発光層６４Ｂの発光効率とが向上するので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１１３】
（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図７は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。
【０１１４】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと発光層６４Ｂとの間に中間層６６が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１５】
図７に示すように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。
【０１１６】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと、発光層６４Ｂと、電子輸送層６５とを備えている。そして、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと発光層６４Ｂとの間に、正孔輸送機能を有する中間層６６が設けられている。
【０１１７】
中間層６６は、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ、及び隔壁５９上に、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って形成されている。中間層６６は、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂに対する正孔注入を促進する役割がある。
【０１１８】
中間層６６は、蒸着方式で形成されていることが好ましい。中間層６６が蒸着方式で形成されていると、塗布方式で形成されている場合に比べて、その上層に蒸着方式により形成された発光層６４Ｂへ、よりスムーズに正孔を輸送することができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂにおける正孔と電子との結合を多くできるので、発光層６４Ｂでの発光効率や寿命を向上させることができる。
【０１１９】
中間層６６の膜厚は、例えば、１ｎｍ〜３ｎｍ程度である。発光機能層２６における中間層６６以外の各層の膜厚は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１の発光機能層２６と同じに設定されている。これにより、中間層６６が設けられていても、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいては発光層６３Ｒ，６３Ｇが、サブ画素３４Ｂにおいては発光層６４Ｂが、それぞれ電界強度の中心に位置するので、赤色、緑色、青色のそれぞれの良好な発光を得ることができる。
【０１２０】
中間層６６の構成材料としては、蒸着方式で形成される発光層６４Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料が用いられ、例えば、化８に示すα−ＮＰＤを用いることができる。なお、中間層６６以外の構成要素については、第１実施形態と同様の構成材料を用いることができる。
【０１２１】
【化８】
2014072122.tif 000010
【０１２２】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図８は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、第１の実施形態と共通する工程については説明を省略する。第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂを形成する工程（図５（ｂ）参照）までは、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法と同じである。
【０１２３】
次に、図８（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ、及び隔壁５９上に、中間層６６を蒸着方式により、例えば、α−ＮＰＤを用いて１ｎｍの膜厚で形成する。続いて、図８（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、中間層６６上に、発光層６４Ｂを蒸着方式により形成する。
【０１２４】
続いて、図８（ｃ）に示すように、発光層６４Ｂ上に電子輸送層６５を蒸着法により形成し、図７に示すように、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着法により形成する。そして、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置７１が完成する。
【０１２５】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１２６】
（１）発光層６３Ｂと発光層６４Ｂとの間に正孔輸送機能を有する中間層６６が設けられているので、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂへの正孔輸送性がより向上する。これにより、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂにおける正孔と電子との結合を多くできるので、発光層６４Ｂでの青色発光の発光効率や寿命をより向上させることができる。
【０１２７】
（第３の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。
【０１２８】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１に対して、サブ画素３４Ｂに、発光層６４Ｂの構成材料のホスト材料と同質のホスト材料を含む発光層６７Ｂが塗布方式で形成されている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第２の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２９】
図９に示すように、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。
【０１３０】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２の発光機能層２６では、サブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６２Ｂ上に、第３発光層としての発光層６７Ｂが設けられている。そして、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６７Ｂの上層には、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１と同様に、中間層６６と、発光層６４Ｂと、電子輸送層６５とが積層して形成されている。
【０１３１】
有機ＥＬ装置７２における発光層６４Ｂの構成材料は、下記化９に示す低分子のホスト材料のＤＰＶＢｉ（4,4'-Bis(2,2-diphenylvinyl)-1,1'-biphenyl）と、化６に示すゲスト材料のＢＣｚＶＢとを含んでいる。
【０１３２】
【化９】
2014072122.tif 000011
【０１３３】
発光層６７Ｂは、サブ画素３４Ｂにおける絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の正孔輸送層６２Ｂ上に、塗布方式（インクジェット法）によって形成されている。発光層６７Ｂの構成材料は、発光層６４Ｂのホスト材料と同質のホスト材料を含んでいる。より具体的には、発光層６７Ｂの構成材料は、化８に示す低分子のホスト材料であるα−ＮＰＤと、青色を発光するゲスト材料とを含んでいる。発光層６７Ｂの構成材料が含むゲスト材料としては、発光層６４Ｂと同じＢＣｚＶＢ（化６参照）を用いることが好ましい。
【０１３４】
有機ＥＬ装置７２では、塗布方式で形成された発光層６７Ｂの構成材料が、発光層６４Ｂの構成材料と同様に、低分子のホスト材料を含んでいる。そのため、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６４Ｂと中間層６６との間のエネルギー順位の関係と、発光層６７Ｂと中間層６６との間のエネルギー順位の関係とが同じになるので、エネルギー順位差に起因する青色の発光の色ずれを抑えることができる。そして、例えば経時劣化等により、正孔と電子との結合位置が発光層６４Ｂから発光層６７Ｂにずれた場合でも、同様の青色の発光を得ることができる。また、発光層６７Ｂの構成材料と発光層６４Ｂの構成材料とが、同じゲスト材料を含んでいると、発光層６４Ｂ及び発光層６７Ｂのいずれにおいても青色の発光を効率良く行うことができる。
【０１３５】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第２の実施形態に対して、図５（ｂ）に示す発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂを形成する工程において、サブ画素３４Ｂに発光層６３Ｂの代わりに発光層６７Ｂを形成する点が異なっている。発光層６７Ｂは、上述のホスト材料とゲスト材料とが溶媒に溶解された機能液を液滴吐出法により吐出し、その後機能液を乾燥させ、不活性雰囲気下で焼成する。溶媒としては、例えば、オルトジジクロロベンゼンが挙げられる。以降の工程は、第２の実施形態と同様である。
【０１３６】
以上説明したように、第３の実施形態によれば、第２の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３７】
（１）発光層６７Ｂの構成材料と発光層６４Ｂの構成材料とが低分子のホスト材料を含んでいるため、サブ画素３４Ｂにおける発光層６４Ｂと中間層６６との間のエネルギー順位の関係と、発光層６７Ｂと中間層６６との間のエネルギー順位の関係とが同じになるので、エネルギー順位差に起因する青色の発光の色ずれを抑えることができる。また、発光層６７Ｂの構成材料と発光層６４Ｂの構成材料とが、同じゲスト材料を含んでいると、発光層６４Ｂ及び発光層６７Ｂのいずれにおいても青色の発光を効率良く行うことができる。これにより、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７２を提供することができる。
【０１３８】
（第４の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１０は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。
【０１３９】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１に対して、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと発光層６４Ｂとの間に、青色を発光する機能を有する発光層６８Ｂが設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第２の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１４０】
図１０に示すように、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。
【０１４１】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂと、中間層としての発光層６８Ｂと、発光層６４Ｂと、電子輸送層６５とを備えている。すなわち、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３では、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１に対して、中間層６６の代わりに、青色を発光する機能を有する発光層６８Ｂが設けられている。
【０１４２】
発光層６８Ｂは、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ、及び隔壁５９上に、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って蒸着方式により形成されている。発光層６８Ｂの膜厚は、例えば、１ｎｍ〜３ｎｍ程度である。
【０１４３】
発光層６８Ｂの構成材料は、低分子のホスト材料のα−ＮＰＤ（化８参照）と、青色を発光するゲスト材料とを含んでいる。換言すれば、発光層６８Ｂは、第２の実施形態の中間層６６の構成材料に青色を発光するゲスト材料を含んだ構成を有している。発光層６８Ｂの構成材料が含むゲスト材料としては、発光層６４Ｂと同じＢＣｚＶＢ（化６参照）を用いることが好ましい。
【０１４４】
有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６では、発光層６８Ｂも青色を発光する機能を有しているので、サブ画素３４Ｂにおける正孔と電子との結合が、発光層６４Ｂ、発光層６８Ｂ、または発光層６３Ｂのいずれの位置で行われても、青色の発光に寄与させることができる。また、発光層６８Ｂの構成材料が発光層６４Ｂと同じゲスト材料を含んでいると、発光層６８Ｂ及び発光層６４Ｂのいずれにおいても良好な青色の発光を得ることが可能となる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光の発光効率や寿命をより一層向上させることができる。
【０１４５】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第２の実施形態に対して、図６（ａ）に示す中間層６６を形成する工程において、中間層６６の代わりに発光層６８Ｂを形成する点が異なっている。発光層６８Ｂは、ホスト材料（α−ＮＰＤ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを、例えば、体積比１０：１から１００：１の範囲で共蒸着して１ｎｍ〜３ｎｍ程度の膜厚で形成する。発光層６８Ｂは、ホスト材料とゲスト材料とを、体積比２０：１から１００：１の範囲で共蒸着して形成することが好ましい。
【０１４６】
以上説明したように、第４の実施形態によれば、第２の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１４７】
（１）発光層６３Ｂと発光層６４Ｂとの間に、青色を発光する機能を有する発光層６８Ｂが設けられているので、サブ画素３４Ｂにおける正孔と電子との結合が、発光層６４Ｂ、発光層６８Ｂ、または発光層６３Ｂのいずれの位置で行われても、青色の発光に寄与させることができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光の発光効率や寿命をより一層向上させることができるので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有する有機ＥＬ装置７３を提供することができる。
【０１４８】
（第５の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１１は、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。
【０１４９】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３に対して、サブ画素３４Ｂに、発光層６４Ｂの構成材料のホスト材料と同質のホスト材料を含む発光層６７Ｂが塗布方式で形成されている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第４の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１５０】
図１１に示すように、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３と同様に、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。
【０１５１】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４の発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６７Ｂと、発光層６８Ｂと、発光層６４Ｂと、電子輸送層６５とを備えている。
【０１５２】
すなわち、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４では、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３に対して、発光層６３Ｂの代わりに、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２と同様に発光層６７Ｂが設けられている点が異なっている。また、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２に対しては、中間層６６の代わりに、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３と同様に発光層６８Ｂが設けられている点が異なっている。
【０１５３】
したがって、第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４では、サブ画素３４Ｂにおける正孔と電子との結合が、発光層６４Ｂ、発光層６８Ｂ、または発光層６７Ｂのいずれの位置で行われても、青色の発光に寄与させることができる。また、サブ画素３４Ｂにおける発光層６４Ｂと発光層６８Ｂとの間のエネルギー順位の関係と、発光層６７Ｂと発光層６８Ｂとの間のエネルギー順位の関係とが同じになるので、エネルギー順位差に起因する青色の発光の色ずれを抑えることができる。
【０１５４】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置７４において、発光層６７Ｂの構成材料及び発光層６８Ｂの構成材料が含むゲスト材料は、発光層６４Ｂと同じＢＣｚＶＢ（化６参照）であることが好ましい。発光層６７Ｂの構成材料及び発光層６８Ｂの構成材料が発光層６４Ｂと同じゲスト材料を含んでいると、発光層６７Ｂ、発光層６８Ｂ、及び発光層６４Ｂのいずれにおいても良好な青色の発光を得ることが可能となる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色の発光の発光効率や寿命を向上させることができる。
【０１５５】
第５の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第４の実施形態に対して、サブ画素３４Ｂに発光層６３Ｂの代わりに発光層６７Ｂを形成する点が異なっている。発光層６７Ｂを形成する方法は、第２の実施形態と同様であるので、説明は省略する。
【０１５６】
以上説明したように、第５の実施形態によれば、第４の実施形態で得られる効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１５７】
（１）発光層６７Ｂの構成材料と発光層６８Ｂの構成材料とが、発光層６４Ｂの構成材料と同じ低分子のホスト材料を含んでいるため、サブ画素３４Ｂにおける発光層６４Ｂと発光層６８Ｂとの間のエネルギー順位の関係と、発光層６７Ｂと発光層６８Ｂとの間のエネルギー順位の関係とを同じにできる。そのため、エネルギー順位差に起因する青色の発光の色ずれを抑えることができる。また、発光層６７Ｂの構成材料と発光層６８Ｂの構成材料とが、発光層６４Ｂの構成材料と同じゲスト材料を含んでいると、発光層６４Ｂ、発光層６８Ｂ、及び発光層６７Ｂのいずれにおいても良好な青色の発光を得ることが可能となる。これにより、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７４を提供することができる。
【０１５８】
（第６の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第６の実施形態に係る電子機器の構成を説明する。図１２は、第６の実施形態に係る電子機器の一例として、テレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、第６の実施形態に係るテレビの構成を、図１２を参照して説明する。
【０１５９】
図１２に示すように、第６の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン（リモートコントローラー）１０５とを有する。表示部１０２には、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３，７４のいずれかが実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【０１６０】
第６の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２に、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３，７４のいずれかを備えているので、高い発色品質、発光効率、及び発光寿命を有している。
【０１６１】
なお、電子機器は、テレビの他に、例えば、ディスプレイ、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等であってもよい。これらの電子機器であっても、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３，７４のいずれかを備えることで、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する電子機器を提供することができる。
【０１６２】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１６３】
（変形例１）
第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１では、サブ画素３４Ｂに、高分子の材料で構成された発光層６３Ｂを備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１の構成において、発光層６３Ｂの代わりに発光層６４Ｂの構成材料のホスト材料と同質のホスト材料を含む発光層６７Ｂを備えた構成としてもよい。
【０１６４】
（変形例２）
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２では、サブ画素３４Ｂに、発光層６４Ｂの構成材料のホスト材料と同質のホスト材料を含む発光層６７Ｂが塗布方式で形成されている構成を備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。塗布方式で形成された発光層６７Ｂと、蒸着方式で形成された発光層６４Ｂとが、同じホスト材料を含む構成としてもよい。発光層６７Ｂ及び発光層６４Ｂの構成材料には、例えば、ホスト材料としてＤＰＶＢｉを、ゲスト材料としてＢＣｚＶＢを用いることができる。
【０１６５】
（変形例３）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有し、赤色、緑色、青色の３色を発光する構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇのいずれかとサブ画素３４Ｂとの２つのサブ画素を有し２色を発光する構成であってもよいし、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの他に他の色を発光する１つ以上のサブ画素を有する構成であってもよい。
【０１６６】
（変形例４）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、回路素子層４３及び陽極２４上に絶縁層５８及び隔壁５９を備える構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、回路素子層４３及び陽極２４上に隔壁５９のみを備える構成としてもよい。
【０１６７】
（変形例５）
上述の実施形態及び変形例に係る有機ＥＬ装置は、発光機能層２６から発した光が基板３１側に射出されるボトムエミッション型であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、発光機能層２６から発した光が陰極２５側に射出されるトップエミッション型であってもよい。
【符号の説明】
【０１６８】
１１，７１，７２，７３，７４…有機ＥＬ装置、２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）…陽極（第１陽極、第３陽極、第２陽極）、２５…陰極、２６…発光機能層、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素（第１サブ画素、第３サブ画素、第２サブ画素）、３８…画素、６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ…発光層（第１発光層、第４発光層、第３発光層）、６４Ｂ…発光層（第２発光層）、６６…中間層（正孔輸送機能を有する中間層）、６７Ｂ…発光層（第３発光層）、６８Ｂ…発光層（中間層）、１０１…電子機器としてのテレビ。
【図１】
2014072122.tif 000012
【図２】
2014072122.tif 000013
【図３】
2014072122.tif 000014
【図４】
2014072122.tif 000015
【図５】
2014072122.tif 000016
【図６】
2014072122.tif 000017
【図７】
2014072122.tif 000018
【図８】
2014072122.tif 000019
【図９】
2014072122.tif 000020
【図１０】
2014072122.tif 000021
【図１１】
2014072122.tif 000022
【図１２】
2014072122.tif 000023