(57)【要約】【課題】スコープとプロセッサとの接続状態によらずプロセッサへの電荷の蓄積を防止することが可能な内視鏡プロセッサの接続構造を提供する。【解決手段】内視鏡プロセッサの接続構造は、スコープを内視鏡プロセッサに装着するための接続部を有する。接続構造は、プロセッサ又はスコープに設けられた第１部材を備える。第１部材は、接地される。接続構造は、プロセッサ又はスコープ内に設けられた第２部材を備える。第２部材は、第１部材に向かって延びる突出部を有し、接続部に導通する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スコープを内視鏡プロセッサに装着するための接続部を有する接続構造であって、
前記プロセッサ又は前記スコープに設けられ、接地された第１部材と、
前記プロセッサ又はスコープ内に設けられ、前記第１部材に向かって延びる突出部を有し、前記接続部に導通する第２部材とを備えることを特徴とする内視鏡プロセッサの接続構造。
【請求項２】
前記接続部は差込部と受け部とを有し、前記受け部と前記第２部材と前記突出部とが導通することを特徴とする請求項１に記載の内視鏡プロセッサの接続構造。
【請求項３】
前記第１部材は前記プロセッサの筐体であり、
前記突出部の先端が、上面又は底面の前記第１部材に近接することを特徴とする請求項２に記載の内視鏡プロセッサの接続構造。
【請求項４】
前記突出部の先端に突起が形成され、前記突起の先端が前記第１部材に近接することを特徴とする請求項３に記載の内視鏡プロセッサの接続構造。
【請求項５】
前記上面の前記第１部材に凹部が形成され、前記凹部に前記突出部の先端が近接することを特徴とする請求項３に記載の内視鏡プロセッサの接続構造。
【請求項６】
底面の前記第１部材の上には樹脂材が設けられ、前記樹脂材の外壁面に沿って鉛直方向下向きに下方突起が形成され、前記下方突起は前記第２の部材と導通し、前記下方突起の下端は前記底面の第１部材に近接することを特徴とする請求項３に記載の内視鏡プロセッサの接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、内視鏡プロセッサの接続構造に関し、より詳しくは静電気保護が可能な内視鏡プロセッサの接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スコープ側への電荷の蓄積を低減させる構成として、プロセッサとスコープとのコネクタが接続されていない間、コネクタの差込側の端子をグランドへ接続する構成が知られている（特許文献１）。これによりスコープに電荷は蓄積されず、コネクタ接続時にプロセッサの電荷がスコープへ流れ込むことによる電子部品等の故障を防止することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６７４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、この構成ではスコープとプロセッサとが接続された状態では、電荷が蓄積されてしまうという問題がある。すなわち、接続状態で蓄積した電荷がプロセッサからスコープへ流れ込むことにより電子部品等が故障する可能性がある。例えば、ＥＭＣ試験において接続状態で印加される静電気による電子部品の故障は防止できない。
【０００５】
そこで本発明は、スコープとプロセッサとの接続状態によらずプロセッサへの電荷の蓄積を防止することが可能な内視鏡プロセッサの接続構造を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る内視鏡プロセッサの接続構造は、スコープを内視鏡プロセッサに装着するための接続部を有する接続構造であって、プロセッサ又はスコープに設けられ、接地された第１部材と、プロセッサ又はスコープ内に設けられ、第１部材に向かって延びる突出部を有し、接続部に導通する第２部材とを備えることを特徴とする。
【０００７】
接続部は差込部と受け部とを有し、受け部と第２部材と突出部とが導通することが好ましい。この構成によって、受け部の電荷を突出部へ移動させることができる。
【０００８】
第１部材はプロセッサの筐体であり、突出部の先端が、上面又は底面の第１部材に近接することが好ましい。近接していることにより放電され得るからである。
【０００９】
突出部の先端に突起が形成され、突起の先端を第１部材に近接させても良い。
【００１０】
上面の第１部材に凹部が形成され、凹部に突出部の先端を近接させても良い。
【００１１】
底面の第１部材の上には樹脂材が設けられ、樹脂材の外壁面に沿って鉛直方向下向きに下方突起が形成され、下方突起は第２の部材と導通し、下方突起の下端を底面の第１部材に近接させても良い。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、スコープとプロセッサとの接続状態によらずプロセッサへの電荷の蓄積を防止することが可能な内視鏡プロセッサの接続構造を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態を適用した内視鏡プロセッサの接続構造である。
【図２】本発明の第２の実施形態を適用した内視鏡プロセッサの接続構造である。
【図３】本発明の第３の実施形態を適用した内視鏡プロセッサの接続構造である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の第１の実施形態の構成について、図面を用いて説明する。内視鏡１０は、スコープ２０とプロセッサ４０とを有する。スコープ２０とプロセッサ４０とは接続部８０において接続される。スコープ２０の基端にはスコープコネクタ２２が設けられ、スコープコネクタ２２には、信号用差込部２４と光学用差込部２６とが設けられる。プロセッサ４０には、信号用受け部４２と光学用受け部４４とが設けられる。接続部８０において、信号用差込部２４と信号用受け部４２とが連結され、かつ、光学用差込部２６と光学用受け部４４とが連結される。これにより、スコープ２０とプロセッサ４０とが電気的及び光学的に接続され、スコープ２０は体内を観察可能となる。
【００１５】
プロセッサ４０の筐体は、導体である第１部材４６が上面および底面に設けられることによって形成される。底面の第１部材４６には、絶縁性のある樹脂板４７が設けられる。樹脂板４７と外壁５１との間には空間Ｓが形成される。信号接続孔４８は、信号用受け部４２に延設された筒状の導電部材５０によって形成される。また、光学接続孔５２は、光学用受け部４４に延設された筒状の導電部材５４によって形成される。信号接続孔４８には信号線（図示せず）が挿通されて、ケーブル４９を介して画像処理等が施される。光学接続孔５２には、ライトガイド５３が挿通されて、光源９０からの光がスコープ２０へ伝達される。
【００１６】
信号接続孔４８と光学接続孔５２との距離は、導電部材５０と導電部材５４との間に鉛直方向に設けられた導電部材５６によって定められる。信号接続孔４８と上面の第１部材４６、光学接続孔５２と底面の第１部材４６との距離は、導電部材５４から鉛直方向下向きに設けられた導電部材５８によって定められる。また、導電部材５８の下端は水平方向へ折れ曲がるように延設された後ビス６０によって樹脂板４７に固定される。信号接続孔４８は、上面の第１部材４６に接触しない。このように、信号接続孔４８と光学接続孔５２との鉛直方向の位置は、導電部材５６、５８によって定められる。
【００１７】
導電部材５０には、上面の第１部材４６に向けてすなわち鉛直方向上向きに突出部６２が延設される。さらにその上端には突起６４が延設される。突起６４は突出部６２と同じ材料または異なる導電材料で形成される。突起６４と第１部材４６とは近接している。
【００１８】
ここで、信号用受け部４２、光学用受け部４４、導電部材５０、５４、５６、５８、突出部６２、突起６４は導通しており、以下これらの部材をまとめて第２部材６６とする。第１部材４６は、プロセッサ４０が机や床に置かれると、それらに接触する。すなわち、第１部材４６の電位は、接地されている状態と同じである。
【００１９】
通常の使用状態では、スコープ２０とプロセッサ４０とは絶縁状態にある。スコープ２０に静電気が発生したとき、電荷は接続部８０を介して第２部材６６へ流れ込む。ここで、突起６４の電位は、接地されている第１部材４６よりも高いため、突起６４から第１部材４６へ向けて放電が発生する。一方で、プロセッサ４０に静電気が発生したとき、電荷は最もインピーダンスの低い上面の第１部材４６へ流れ込む。例えば、医療機器等に対するＥＭＣ試験において、オペレータは静電気を接続部８０に発生させる。このとき、第２部材６６全体が電荷を帯びるが、即座に突起６４から上面の第１部材４６へ向けて放電される。
【００２０】
また、突起６４と第１部材４６との距離は、第２部材６６と第１部材４６との耐圧に応じて自由に定めることが出来る。具体的には、距離が１［ｍｍ］であれば１［ｋｖ］の電圧に対して絶縁できる。本実施形態では、距離が４［ｍｍ］であるため４［ｋｖ］の電圧に対して絶縁できる。規格では、一次ＧＮＤである第１部材４６と二次ＧＮＤである第２部材６６とは２［ｋｖ］以上絶縁される必要があるが、本実施形態はこの規格を満たす。
【００２１】
このように、スコープ２０とプロセッサ４０とが接続されているか否かにかかわらず、電荷が第１部材４６へ放出されることで、プロセッサへの電荷の蓄積を防止することが可能である。また、追加部品は突起６４のみで良いため構成は簡易である。さらに、突起６４は突出部６２と一体的に形成されても良いが、この場合に追加部品は不要である。
【００２２】
次に、図２を参照し、第２の実施形態について説明する。第１の実施形態との違いは、突起６４を除くかわりに、プロセッサ４０の筐体である上面の第１部材４６に凹部Ｄが設けられることである。他の構成は第１の実施形態と同様であり、同部材には同符号が付されている。
【００２３】
第１部材４６は、窪みとなる段差部Ｃ、Ｅを有する。段差部Ｃは、信号接続孔４８の端部Ａよりもやや光源９０寄りに設けられる。段差部Ｅは、突出部６２と略同位置に設けられる。すなわち、第１部材４６の凹部Ｄの内壁面は、突出部６２を覆うように設けられる。上述の通り、絶縁耐圧は突出部６２と第１部材４６との距離に依存する。したがって、静電気が発生したとき、第１の実施形態と同様に、突出部６２と第１部材４６との距離に応じた絶縁効果が得られる。また、絶縁耐圧を超える静電気が発生したとき、突出部６２から第１部材４６に向けて放電が発生する。本実施形態における効果は第１の実施形態と同様であるが、第２の実施形態では、突起６４を設ける必要が無いため、第１の実施形態よりも加工が容易である。
【００２４】
次に、図３を参照し、第３の実施形態を説明する。第１の実施形態との違いは、突起６４を除くかわりに、導電部材５８に延設された下方突起７２が設けられることである。他の構成は第１の実施形態と同様であり、同部材には同符号が付されている。
【００２５】
下方突起７２は、導電部材５８が樹脂板４７に達した後、ビス７０とは反対の水平方向に沿って延び、樹脂板４７の鉛直方向の外壁面に沿って下向きに、すなわち空間Ｓに形成される。下方突起７２の下端は、第１部材４６に近接する。接続部８０において静電気が発生したとき、他の実施形態と同様に、下方突起７２の下端から第１部材４６に向けて放電が発生する。
【符号の説明】
【００２６】
２０  スコープ  
２４  信号用差込部
４０  プロセッサ
４２  信号用受け部
４６  第１部材
４７  樹脂板
６２  突出部
６４  突起
６６  第２部材
７２  下方突起
８０  接続部
Ｄ  凹部
【図１】
2014018349.tif 000003
【図２】
2014018349.tif 000004
【図３】
2014018349.tif 000005