(57)【要約】【課題】Ｎｉめっきによる光沢の低下を抑制したＮｉめっき付き銅又は銅合金板を提供する。【解決手段】銅又は銅合金板と、銅又は銅合金板の表面に形成されたエピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層と、第１のＮｉめっき層の上に形成された核発生成長による第２のＮｉめっき層とを有し、第１のＮｉめっき層の厚みは０．０５〜０．５μｍであり、第２のＮｉめっき層は、その表面のＸ線回折により測定した｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５〜３．０であり、結晶子サイズが１０〜５０ｎｍである。【選択図】      図１
2014141725.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金板と、前記銅又は銅合金板の表面に形成されたエピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層と、前記第１のＮｉめっき層の上に形成された核発生成長による第２のＮｉめっき層とを有し、前記第１のＮｉめっき層の厚みは０．０５〜０．５μｍであり、前記第２のＮｉめっき層は、その表面のＸ線回折により測定した｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５〜３．０であり、結晶子サイズが１０〜５０ｎｍであることを特徴とするＮｉめっき付き銅又は銅合金板。
【請求項２】
前記銅合金板は、Ｆｅ：２．１〜２．６質量％、Ｐ：０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．２０質量％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなることを特徴とする請求項１記載のＮｉめっき付き銅合金板。
【請求項３】
銅又は銅合金板の表面をエッチング処理した後にＮｉめっきしてＮｉめっき付き銅又は銅合金板を製造する方法であって、前記エッチング処理の処理液として、酸濃度が１０〜３００ｇ／Ｌであり、芳香族スルホン酸誘導体又は芳香族カルボン酸誘導体の濃度が０．０１〜１００ｇ／Ｌであり、塩化物イオン濃度が０．００１〜１ｇ／Ｌであり、過酸化水素濃度が０．１〜５０ｇ／Ｌである処理液を使用し、前記エッチング処理により、前記銅又は銅合金板の表面のＥＢＳＤ法により測定した｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が２０％以下で、｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が３０％以上とすることを特徴とするＮｉめっき付き銅又は銅合金板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリードフレームや端子等の電気・電子部品に用いられるＮｉめっき付き銅又は銅合金板に関する。
【背景技術】
【０００２】
銅又は銅合金板に施されるＮｉめっきは、ＬＥＤ用Ａｇめっき、端子用Ａｕめっきやワイヤボンディング用Ａｕめっき、Ａｕ−Ｐｄめっきの下地処理として多く用いられている。ＬＥＤ用Ａｇめっきではめっき膜が反射材の役割を果たすため、めっき表面に光沢性が要求され、表面光沢の低下はＬＥＤの輝度低下につながる。また、めっきの表面粗さが粗くなるとボンディング性が低下する。端子材等の場合も光沢の低下は意匠性を損なう。
これらの対策として、特許文献１〜３の発明が提案されている。
【０００３】
特許文献１では、電子材料用銅合金の製造方法として、銅合金基材の表面に対して、＃６００〜８０００の番手を有する研磨材でバフ研磨し、次いで、０．０１〜０．５μｍの粒度（ｄ５０）をもつ研磨材でバフ研磨することが開示されている。
特許文献２では、バフ研磨等された銅合金材を非酸化性雰囲気で５００〜６００℃の熱処理を施して、銅合金の表層に存在する加工変質層の厚さを０．２μｍ以下にすることにより、めっき時の異常析出を防止してめっき性を向上させることが開示されている。
特許文献３では、金属めっきを施す銅又は銅合金のめっき前処理として必要十分なレベルの表面状態を、むらなどの発生無く形成できる銅又は銅合金の化学研磨剤として、硫酸第二鉄、硫酸、非イオン性界面活性剤、ハロゲンイオンの各成分を含み、且つ、硫酸の含有量と硫酸第二鉄の含有量との比［硫酸の含有量］／［硫酸第二鉄の含有量］の値が１〜４である化学研磨剤を提案しており、その化学研磨剤を用いてめっき前処理を施すことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９５９２７号公報
【特許文献２】特開２００７−３９８０４号公報
【特許文献３】特開２００９−５７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１又は特許文献２では、バフ研磨することにより、素材表面の加工変質層を制御してめっきの析出状態を改善するものであるが、バフ研磨を行うと、表面に研磨砥粒残りが発生する。研磨砥粒残りはめっき欠陥の原因となり、ボンディング性を著しく低下させる。この残留砥粒の除去のためには特許文献３記載のような化学研磨が有効である。
しかしながら、広く用いられているアルコール系添加剤の入った過水・硫酸系化学研磨液で銅又は銅合金をエッチングした素材に光沢Ｎｉめっき処理を施すと、表面の光沢が、エッチングなしでめっき処理した素材より大きく低下するという問題がある。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、Ｎｉめっきによる光沢の低下を抑制したＮｉめっき付き銅又は銅合金板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、Ｎｉめっき付き銅又は銅合金板の光沢について鋭意研究した結果、化学研磨した銅又は銅合金板の光沢低下は、一般的な化学研磨の場合、微細な結晶組織の加工変質層が除去されることにより、内部の比較的粗大な結晶組織が表面に露出し、その上に形成されるＮｉめっきがエピタキシャル成長し、その結果、結晶粒が肥大化して外観が曇る現象となっていることが原因であることを見い出した。
そこで、このエピタキシャル成長によるＮｉめっき層を制御し、その上に微細な結晶粒のＮｉめっき層を形成することにより、表面を平滑化して光沢低下を抑制することができるとの知見を得、以下の解決手段とした。
【０００８】
すなわち、本発明のＮｉめっき付き銅又は銅合金板は、銅又は銅合金板と、前記銅又は銅合金板の表面に形成されたエピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層と、前記第１のＮｉめっき層の上に形成された核発生成長による第２のＮｉめっき層とを有し、前記第１のＮｉめっき層の厚みは０．０５〜０．５μｍであり、前記第２のＮｉめっき層は、その表面のＸ線回折により測定した｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５〜３．０であり、結晶子サイズが１０〜５０ｎｍであることを特徴とする。
【０００９】
エピタキシャル成長により結晶子が肥大化する傾向にある第１のＮｉめっき層の厚みを制限し、その上に核発生成長による微細な結晶子サイズの第２のＮｉめっき層を形成することにより、表面のＮｉめっき層を第２のＮｉめっき層により形成して、表面を平滑化することができる。
この場合、第１のＮｉめっき層の厚みは、０．５μｍを超えると、第２のＮｉめっき層の｛１１１｝面の結晶配向度指数又は結晶子サイズを所望の範囲に制御することが難しくなる。ただし、第１のＮｉめっき層の厚みが０．０５μｍ未満では銅又は銅合金板との密着性を阻害するため好ましくない。
第２のＮｉめっき層の｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５未満では他の面方位への配向が強くなり光沢度が低下する。結晶配向度指数が３．０を超えると｛１１１｝面への配向性が強くなり、結晶子サイズが大きくなって光沢度が低下する。また、第２のＮｉめっき層の結晶子サイズが１０ｎｍ未満であると、めっき膜がもろくなり加工時に割れが発生しやすくなる。結晶子サイズが５０ｎｍを超える肥大な結晶子となると、表面の平滑性が失われ、光沢度が低下する。
【００１０】
本発明のＮｉめっき付き銅又は銅合金板において、前記銅合金板は、Ｆｅ：２．１〜２．６質量％、Ｐ：０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．２０質量％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるものとするとよい。
この銅合金は、析出物が微細なため、エッチング性、めっき性に優れ、平滑な表面が得やすくなる。
【００１１】
本発明の製造方法は、銅又は銅合金板の表面をエッチング処理した後にＮｉめっきしてＮｉめっき付き銅又は銅合金板を製造する方法であって、前記エッチング処理の処理液として、酸濃度が１０〜３００ｇ／Ｌであり、芳香族スルホン酸誘導体又は芳香族カルボン酸誘導体の濃度が０．０１〜１００ｇ／Ｌであり、塩化物イオン濃度が０．００１〜１ｇ／Ｌであり、過酸化水素濃度が０．１〜５０ｇ／Ｌである処理液を使用し、前記エッチング処理により、前記銅又は銅合金板の表面のＥＢＳＤ法により測定した｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が２０％以下で、｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が３０％以上とすることを特徴とする。
【００１２】
銅又は銅合金板をまずエッチング処理することにより表面部を除去する。このため、バフ研磨等により表面に砥粒残りが生じていた場合でも、残留砥粒を除去することができ、残留砥粒によるめっき欠陥を低減することができる。
この場合、Ｎｉめっきは銅又は銅合金板の｛１０１｝面付近に配向している結晶粒上でエピタキシャル成長を継続する傾向にある。このため、使用するエッチング処理液として上記の処理液を使用することにより、銅又は銅合金板の｛１０１｝面付近の結晶粒を優先的にエッチングすることができ、その後のＮｉめっきのエピタキシャル成長を抑制することができる。
【００１３】
エッチング処理液の酸濃度が１０ｇ／Ｌ未満であるとエッチング中に銅表面に酸化物が生成するためニッケルめっきの光沢が低下する。３００ｇ／Ｌを超えると、添加剤が十分に作用しなくなるためニッケルめっきの光沢度が低下する。芳香族スルホン酸誘導体又は芳香族カルボン酸誘導体の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満であるとエピタキシャル成長方位の結晶粒を優先溶解できないため、ニッケルめっきの光沢度が低下する。１００ｇ／Ｌを超えると表面への添加剤の吸着が過剰となりエッチングの進行が著しく遅くなり、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。塩化物イオン濃度が０．００１ｇ／Ｌ未満であるとエピタキシャル成長方位の結晶粒を優先溶解できないため、ニッケルめっきの光沢度が低下する。１ｇ／Ｌを超えると表面への添加剤の吸着が過剰となりエッチングの進行が著しく遅くなり、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。過酸化水素濃度が０．１ｇ／Ｌ未満であると、エッチング反応の進行が遅くなるため、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。５０ｇ／Ｌを超えるとエッチングが過剰となり素材表面が荒れるためニッケルめっきの光沢度が低下する。
【００１４】
また、銅又は銅合金板表面の｛１０１｝面はＮｉめっきのエピタキシャル成長方位であるため、ＥＢＳＤ法により測定した｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が２０％を超えると、Ｎｉめっきがエピタキシャル成長を継続して第１のＮｉめっき層が過大に成長し、第２のＮｉめっき層が少なくなる結果、表面の平滑度が低下する。一方、銅又は銅合金表面の｛２１１｝面はＮｉめっきの核発生成長方位であるため、｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が３０％未満であると、Ｎｉめっきの核発生成長が抑制されて、微細な第２のＮｉめっき層が形成し難くなり、表面の平滑度が低下する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、エピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層を制御し、その上に微細な結晶子サイズで結晶配向性の低い第２のＮｉめっき層を形成することにより、表面を平滑化して光沢低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例１の断面のＳＩＭ像である。
【図２】比較例１の断面のＳＩＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について説明する。
本発明のＮｉめっき付き銅又は銅合金板は、銅又は銅合金板と、この銅又は銅合金板の表面に形成されたエピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層と、第１のＮｉめっき層の上に形成された核発生成長による第２のＮｉめっき層とを有している。Ｎｉめっきのエピタキシャル成長及び核発生成長は、断面の走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）像から確認することができる。
【００１８】
銅又は銅合金板は、その材質は必ずしも限定されるものではないが、銅合金板としては、Ｆｅ：２．１〜２．６質量％、Ｐ：０．０１５〜０．１５質量％、Ｚｎ：０．０５〜０．２０質量％、残部がＣｕ及び不可避不純物からなるＦＣＣ（面心立方格子）構造のＣ１９４００銅合金は、析出物が微細なため、めっき性、エッチング性に優れており、好適である。特に、三菱伸銅株式会社製Ｃ１９４合金（Ｆｅ：２．３質量％、Ｚｎ：０．１２質量％、Ｐ：０．０３質量％、Ｃｕ：９７．６質量％）が優れている。
この銅又は銅合金板は、表面の加工変質層が除去、あるいは０．１μｍ以下の厚みに制限されている。
【００１９】
銅又は銅合金板の表面に形成される第１のＮｉめっき層は、厚みが０．０５〜０．５μｍとされる。一方、この第１のＮｉめっき層の上に形成される第２のＮｉめっき層は、厚みは特に限定されないが、その表面のＸ線回折により測定した｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５〜３．０であり、結晶子サイズが１０〜５０ｎｍである。
【００２０】
第１のＮｉめっき層は、銅又は銅合金板の表面における結晶に対してエピタキシャル成長することにより、結晶子が肥大になるため、その厚みを０．５μｍ以下に制限する。その厚みが０．５μｍを超えると、第２のＮｉめっき層の｛１１１｝面の結晶配向度指数又は結晶子サイズを所望の範囲に制御することが難しくなる。ただし、第１のＮｉめっき層は、エピタキシャル成長して銅又は銅合金の結晶と一体化するように形成されているため、銅又は銅合金板との密着性がよく、その厚みを０．０５μｍ未満とするのは密着性を阻害するので好ましくない。
【００２１】
第２のＮｉめっき層の表面状態はウイルソンの結晶配向度指数と結晶子サイズにより定義される。
ウイルソンの結晶配向度指数は、Ｘ線回折の標準データのピーク強度比に対して被検試料の各ピーク強度比がどの程度になっているかを定量的に評価できる方法であり、各Ｘ線回折ピークの配向度指数（Ｋ）は、次の式（１）により求めることができる。
【００２２】
【数１】
2014141725.tif 000003
【００２３】
式（１）中、ＫＳ１は被検試料の１番目のピークの配向度指数、ＩＳ１、ＩＳ２、ＩＳ３、…は被検試料の各ピークの強度、ＩＤ１、ＩＤ２、ＩＤ３、…は標準データの各ピークの強度を示す。
求められたＫの値が全て１の時が全く配向の無いことを表し、逆にある面のＫの値が著しく高い場合は、その面に配向していることを意味する。
【００２４】
上述のように算出される第２のＮｉめっき層の｛１１１｝面の結晶配向度指数が０．５未満では他の面方位への配向が強くなり光沢度が低下する。結晶配向度指数が３．０を超えると｛１１１｝面への配向性が強くなり、結晶子サイズが大きくなって光沢度が低下する。
また、第２のＮｉめっき層の結晶子サイズが１０ｎｍ未満であると、めっき膜がもろくなり加工時に割れが発生しやすくなる。５０ｎｍを超える肥大な結晶子となると、表面の平滑性が失われ、光沢度が低下する。結晶子サイズは、Ｘ線回折測定結果よりブルカーエイエックス社製ＴＯＰＡＳを用いて算出することができる。
【００２５】
このような構成のＮｉめっき付き銅又は銅合金板は、Ｎｉめっき層が第１のＮｉめっき層と第２のＮｉめっき層との二層構造とされ、エピタキシャル成長による薄肉の第１のＮｉめっき層により、銅又は銅合金板との密着性を確保するとともに、この第１のＮｉめっき層の上に形成される核発生成長による微細な結晶子サイズの第２のＮｉめっき層により、Ｎｉめっき層の表面を平滑化して光沢度の低下を抑制することができる。
【００２６】
次に、このＮｉめっき付き銅又は銅合金板の製造方法について説明する。
本発明の製造方法は、銅又は銅合金板の表面をエッチング処理した後にＮｉめっきする方法である。
銅又は銅合金板は予めバフ研磨等により加工変質層が０．１μｍ以下の厚みで生成されている。
【００２７】
エッチング処理に用いる処理液としては、酸濃度が１０〜３００ｇ／Ｌであり、芳香族スルホン酸誘導体又は芳香族カルボン酸誘導体の濃度が０．０１〜１００ｇ／Ｌであり、塩化物イオン濃度が０．００１〜１ｇ／Ｌであり、過酸化水素濃度が０．１〜５０ｇ／Ｌである処理液を使用する。液温１０〜８０℃の処理液に０．１〜１０分浸漬することにより、銅又は銅合金板の表面をエッチングする。
【００２８】
酸としては、塩酸、硫酸、硝酸等を用いることができる。
芳香族スルホン酸とは、例えば、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、キシレンスルホン酸、クメンスルホン酸、フェノールスルホン酸、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸、スルホサリチル酸及びこれらの塩である。
芳香族カルボン酸とは、例えば、安息香酸、ヒドロキシル安息香酸、サリチル酸、フタル酸、テレフタル酸、イソフタル酸、没食子酸及びこれらの塩である。
酸濃度が１０ｇ／Ｌ未満であるとエッチング中に銅表面に酸化物が生成するためニッケルめっきの光沢が低下する。３００ｇ／Ｌを超えると、添加剤が十分に作用しなくなるためニッケルめっきの光沢度が低下する。芳香族スルホン酸誘導体又は芳香族カルボン酸誘導体の濃度が０．０１ｇ／Ｌ未満であるとエピタキシャル成長方位の結晶粒を優先溶解できないため、ニッケルめっきの光沢度が低下する。１００ｇ／Ｌを超えると表面への添加剤の吸着が過剰となりエッチングの進行が著しく遅くなり、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。塩化物イオン濃度が０．００１ｇ／Ｌ未満であるとエピタキシャル成長方位の結晶粒を優先溶解できないため、ニッケルめっきの光沢度が低下する。１ｇ／Ｌを超えると表面への添加剤の吸着が過剰となりエッチングの進行が著しく遅くなり、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。過酸化水素濃度が０．１ｇ／Ｌ未満であるとエッチング反応の進行が遅くなるため、ニッケルめっきの光沢化効果が得られない。５０ｇ／Ｌを超えるとエッチングが過剰となり素材表面が荒れるためニッケルめっきの光沢度が低下する。
【００２９】
このエッチング処理により、銅又は銅合金板の表面は特定の結晶組織に形成される。具体的には、銅又は銅合金板の表面をＥＢＳＤ法により測定した｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が２０％以下で、｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が３０％以上とされる。
ＥＢＳＤ法は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）内に試験片を設置し、試料表面から得られる電子線の回折像（菊池パターン）から、その結晶方位を求める解析方法であり、この結晶方位解析において、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなして、表面の結晶粒の分布を求めた。
【００３０】
｛１０１｝面はエピタキシャル成長方位であるため少ない方が第１のＮｉめっき層を抑制することができる。ＥＢＳＤ法により測定した｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が２０％を超えると、Ｎｉめっきがエピタキシャル成長を継続して第１のＮｉめっき層が過大に成長し、第２のＮｉめっき層が少なくなる結果、表面の平滑度が低下する。
一方、｛２１１｝面は核発生成長方位であるので多い方が表面を平滑化する。｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒の面積率が３０％未満であると、Ｎｉめっきの核発生成長が抑制されて、微細な第２のＮｉめっき層が形成し難くなり、表面の平滑度が低下する。
【００３１】
次に、エッチング処理後の銅又は銅合金板の表面にＮｉめっき層を形成する。Ｎｉめっき浴は通常用いられるものでよく、ワット浴の他、スルファミン酸浴、クエン酸浴等も用いることができる。
このＮｉめっき処理により、前述したように、銅又は銅合金板の表面に、エピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層と、第１のＮｉめっき層の上に形成された核発生成長による第２のＮｉめっき層との二層構造のＮｉめっき層が形成される。
【実施例】
【００３２】
銅又は銅合金板としては、銅合金板にＣ１９４００、純銅板にＣ１０２００の二種類の圧延板を用い、バフ研磨した。
これら銅又は銅合金板の表面の光沢度を日本電色株式会社製光沢度計（型番：ＰＧ−１Ｍ）によりＪＩＳ  Ｚ８７４１に準拠して反射角６０°で測定したところ、Ｃ１９４００は光沢度４９０、Ｃ１０２００は光沢度５５０であった。
この銅又は銅合金圧延板を表１に示す成分、浴温のエッチング処理液に１０秒間浸漬して、スターラーで攪拌しながらエッチング処理した。表１中、Ａ〜Ｅで示す添加剤は、Ａ：ベンゼンスルホン酸、Ｂ：トルエンスルホン酸、Ｃ：フェノールスルホン酸、Ｄ：サリチル酸、Ｅ：没食子酸である。
【００３３】
【表１】
2014141725.tif 000004
【００３４】
このエッチング処理済の銅合金圧延板に対して、ＴＳＩ社製ＥＢＳＤシステム付日本電子製ＦＥ−ＳＥＭ：ＪＳＭ−７００１ＦＡを使用して、表面の結晶方位をＥＢＳＤ法により測定した。測定条件は、加速電圧：１．５ｋＶ、測定ステップ：０．４μｍ、測定視野：１００μｍ角とした。結晶方位解析はＴＳＬ社製ＯＩＭを用い、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界とみなして、｛１０１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒と、｛２１１｝面から１０°以内の範囲の方位の結晶粒との占有面積率を算出した。
【００３５】
次に、エッチング処理済の銅合金圧延板の表面を酸洗した後、Ｎｉめっきを施した。Ｎｉめっきは、ワットＮｉ光沢めっき浴（上村工業製ウエライトＧ−１：１０ｍｌ／Ｌ、同Ｇ−２：３ｍｌ／Ｌ、硫酸ニッケル：２８０ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：４５ｇ／Ｌ、浴温：５０℃）にて、電流密度：４Ａ／ｄｍ２で厚み１μｍのＮｉめっき層を形成した。
【００３６】
このＮｉめっき付き試料の表面の光沢度をＪＩＳ  Ｚ８７４１に準拠して反射角６０°で測定した。
第１のＮｉめっき層の厚みは、試料の断面をＦＩＢ装置（ＨＩＴＡＣＨＩ ＦＢ−２１００）により加工し測定した。
また、Ｘ線回折により、｛１１１｝面の結晶配向度指数、結晶子サイズを測定した。このＸ線回折では、ＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ製の全自動多目的Ｘ線回折装置ＥＭＰＹＲＥＡＮを使用し、Ｘ線源としてＣｕＫα線を用い、加速電圧：４５ｋＶ、電流値：４０ｍＡで、２θ／θ＝４０〜１００°までスキャンして測定した。
以上の結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
2014141725.tif 000005
【００３８】
この表２の結果からわかるように、比較例のものはＮｉめっき形成により光沢度が低下するのに対して、実施例のものは優れた光沢度を有している。
図１は実施例１の断面を走査イオン顕微鏡（ＳＩＭ）で観察した像であり、図２は比較例１の断面を観察した像である。これらの図から明らかなように、実施例のものは、エピタキシャル成長による第１のＮｉめっき層の厚みが薄く、その上に微細な第２のＮｉめっき層が形成されている。これに対して、比較例のものは、エピタキシャル成長した粗大な結晶のＮｉめっき層が表面まで形成されている。
【図１】
2014141725.tif 000006
【図２】
2014141725.tif 000007