(57)【要約】【課題】シリコン基板に形成された拡散領域において、電極に接続される領域の表面不純物濃度がその周囲よりも高い構造を簡単に形成することができる光電変換素子の製造方法を提供する。また、変換効率を向上させることができる光電変換素子を提供する。【解決手段】シリコン基板１２の厚さ方向一方の面側に不純物が拡散された拡散領域１４を形成する工程と、拡散領域１４に対して部分的にレーザを照射することにより、第１拡散領域１４ａと、第１拡散領域１４ａよりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域１４ｂとを形成する工程と、拡散領域１４において第１拡散領域１４ａとなる領域上に電極１６ａを形成する工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の厚さ方向一方の面側に不純物が拡散された拡散領域を形成する工程と、
前記拡散領域に対して部分的にレーザを照射することにより、第１拡散領域と、前記第１拡散領域よりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域とを形成する工程と、
前記拡散領域において前記第１拡散領域となる領域上に電極を形成する工程とを備える、光電変換素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記電極を形成する工程の後に、前記レーザを照射する工程を実施する、光電変換素子の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記電極を形成する工程の前に、前記レーザを照射する工程を実施する、光電変換素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の光電変換素子の製造方法であって、
前記拡散領域を形成する工程の後に、前記拡散領域上にシリコン酸化膜を形成する工程をさらに備え、
前記拡散領域を形成する工程では、前記不純物としてのボロンが拡散され、
前記シリコン酸化膜を形成する工程の後に、前記レーザを照射する工程を実施する、光電変換素子の製造方法。
【請求項５】
一方の面側に形成された第１拡散領域と第２拡散領域とを有するシリコン基板と、
前記第１拡散領域上に形成される電極とを備え、
前記第１拡散領域の表面不純物濃度が前記第２拡散領域の表面不純物濃度よりも高く、
前記第１拡散領域に拡散された不純物の導電型と、前記第２拡散領域に拡散された不純物の導電型とが、同じであり、
前記第２拡散領域は、前記第１拡散領域よりも深く形成されている、光電変換素子。
【請求項６】
請求項５に記載の光電変換素子であって、
前記第１拡散領域と前記電極とが同じ幅で形成されている、光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子の製造方法及び光電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光電変換素子としての太陽電池が注目されている。太陽電池には、例えば、結晶シリコン太陽電池等がある。
【０００３】
結晶シリコン太陽電池においては、光電変換効率を高めるために、例えば、シリコン基板に形成された拡散領域において、電極に接続される領域の表面不純物濃度がその周囲よりも高い構造が採用される。このような構造には、例えば、選択エミッタがある。
【０００４】
選択エミッタを形成する方法は、例えば、特開２００８−１８６９２７号公報（特許文献１）、特開２００９−２３８８２４号公報（特許文献２）及び特開２０１０−２３２５３０号公報（特許文献３）に開示されている。
【０００５】
特許文献１には、ドーピングペーストを用いる方法が開示されている。特許文献１においては、先ず、第１不純物拡散領域を形成する。その後、第１不純物拡散領域を含む領域に第１不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２不純物拡散領域を形成する。何れの不純物拡散領域を形成する場合にも、先ずは、シリコン基板上にドーピングペーストを任意のパターンにスクリーン印刷する。その後、所定時間加熱することにより、不純物をシリコン基板内に拡散させる。
【０００６】
特許文献１においては、選択エミッタを形成するために、ドーピングペーストの印刷、熱処理、ドーピングペーストの除去という一連の処理工程を２回繰り返す必要がある。そのため、工程数が多くなってしまう。
【０００７】
特許文献２には、レーザドーピング法が開示されている。特許文献２においては、先ず、半導体基板上に不純物拡散剤層を形成する。レーザを用いて、不純物拡散剤層を選択的に加熱する。加熱した部分の不純物を半導体基板内に拡散させる。その後、不純物拡散剤層を除去する。
【０００８】
特許文献２においては、不純物拡散剤層がある状態で、レーザにより選択的に加熱する必要がある。そのため、レーザ照射工程の順番が限定され、太陽電池の製造工程における自由度が低下する。
【０００９】
特許文献３には、酸化制御マスクを用いる方法が開示されている。特許文献３においては、先ず、ｎ型シリコン基板の裏面に形成されたｐ型不純物拡散層上に酸化制御マスクを形成する。ｎ型シリコン基板を熱酸化し、酸化制御マスクの形成位置を除いて、シリコン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜の形成時には、シリコン酸化膜と接するｐ型不純物拡散層からｐ型不純物（ボロン）がシリコン酸化膜に取り込まれる。シリコン酸化膜と比べて、酸化制御マスクにはボロンが取り込まれ難い。そのため、不純物拡散層において、酸化制御マスクと接する領域では、シリコン酸化膜と接する領域よりも、不純物濃度が高くなる。
【００１０】
特許文献３においては、酸化制御マスクをパターニングする必要がある。また、酸化制御マスクを除去する必要がある。そのため、工程数が多くなってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００８−１８６９２７号公報
【特許文献２】特開２００９−２３８８２４号公報
【特許文献３】特開２０１０−２３２５３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、シリコン基板に形成された拡散領域において、電極に接続される領域の表面不純物濃度がその周囲よりも高い構造を簡単に形成することができる、光電変換素子の製造方法を提供することにある。
【００１３】
また、本発明は、変換効率を向上させることができる光電変換素子を提供することも、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の光電変換素子の製造方法は、拡散領域を形成する工程と、レーザを照射する工程と、電極を形成する工程とを備える。拡散領域を形成する工程では、シリコン基板の厚さ方向一方の面側に不純物が拡散された拡散領域を形成する。レーザを照射する工程では、拡散領域に対して部分的にレーザを照射することにより、第１拡散領域と、第１拡散領域よりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域とを形成する。電極を形成する工程では、拡散領域において第１拡散領域となる領域上に電極を形成する。
【００１５】
本発明の光電変換素子は、シリコン基板と、電極とを備える。シリコン基板は、一方の面側に形成された第１拡散領域と第２拡散領域とを有する。電極は、第１拡散領域上に形成される。第１拡散領域の表面不純物濃度が、第２拡散領域の表面不純物濃度よりも高い。第１拡散領域に拡散された不純物の導電型と、第２拡散領域に拡散された不純物の導電型とが、同じである。第２拡散領域は、第１拡散領域よりも深く形成されている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光電変換素子の製造方法においては、シリコン基板に形成された拡散領域において、電極に接続される領域の表面不純物濃度がその周囲よりも高い構造を簡単に形成することができる。
【００１７】
本発明の光電変換素子においては、変換効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態としての光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の受光面側と裏面側のそれぞれに拡散領域が形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の受光面側と裏面側のそれぞれにパッシベーション膜が形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、受光面側のパッシベーション膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、受光面側の拡散領域上に電極が形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の受光面側からレーザを照射する工程を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、受光面側の拡散領域に第１拡散領域と第２拡散領域とが形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、裏面側のパッシベーション膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは、図１に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、裏面側に電極が形成された状態を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態としての光電変換素子の概略構成の一例を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の裏面側にｎ型拡散領域とｐ型拡散領域とが形成された状態を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の受光面側と裏面側のそれぞれにパッシベーション膜が形成された状態を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、裏面側のパッシベーション膜にコンタクトホールが形成された状態を示す断面図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、ｎ型拡散領域とｐ型拡散領域のそれぞれに電極が接して形成された状態を示す断面図である。
【図４Ｅ】図４Ｅは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、シリコン基板の裏面側からレーザを照射する工程を示す断面図である。
【図４Ｆ】図４Ｆは、図３に示す光電変換素子の製造方法を説明するための断面図であって、ｎ型拡散領域とｐ型拡散領域のそれぞれに第１拡散領域と第２拡散領域が形成された状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の一実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、拡散領域を形成する工程と、レーザを照射する工程と、電極を形成する工程とを備える。拡散領域を形成する工程では、シリコン基板の厚さ方向一方の面側に不純物が拡散された拡散領域を形成する。レーザを照射する工程では、拡散領域に対して部分的にレーザを照射することにより、第１拡散領域と、第１拡散領域よりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域とを形成する。電極を形成する工程では、拡散領域において第１拡散領域となる領域上に電極を形成する。
【００２０】
例えば、従来のように、ドーピングペーストを用いる場合には、ドーピングペーストをシリコン基板上に印刷する工程と、ドーピングペーストが印刷されたシリコン基板を熱処理する工程と、ドーピングペーストを除去する工程とを、２回繰り返す必要があった。一方、上記製造方法では、表面不純物濃度が異なる第１拡散領域と第２拡散領域とを形成するために、ドーピングペーストを用いる必要がない。そのため、ドーピングペーストの印刷と、シリコン基板の熱処理と、ドーピングペーストの除去という一連の処理工程を繰り返す必要がなくなる。その結果、シリコン基板に形成された拡散領域において、電極に接続される領域の表面不純物濃度がその周囲よりも高い構造を簡単に形成することができる。
【００２１】
第１拡散領域と第２拡散領域とが拡散領域に形成された構造は、選択エミッタの他に、例えば、ＢＳＦ(Back Surface Field)において電極と接する領域が他の領域よりも表面不純物濃度が高い構造にも採用できる。
【００２２】
ここで、レーザを照射する工程は、電極を形成する工程の前に実施してもよいし、電極を形成する工程の後に実施してもよい。
【００２３】
電極を形成する工程の前にレーザを照射する工程を実施する場合、電極にレーザが照射されるのを回避できる。そのため、電極の品質低下を抑制できる。
【００２４】
また、従来のように、半導体基板上に不純物拡散剤層を形成し、レーザを用いて、不純物拡散剤層を選択的に加熱する場合に比して、レーザを照射するタイミングが限定され難くなる。
【００２５】
電極を形成する工程の後にレーザを照射する工程を実施する場合、電極と第１拡散領域とを位置合わせする必要がなくなる。つまり、電極が形成された領域以外の領域に、第２拡散領域を形成できる。
【００２６】
好ましくは、拡散領域を形成する工程の後に、拡散領域上にシリコン酸化膜を形成する工程をさらに備える。拡散領域を形成する工程では、不純物としてのボロンが拡散される。シリコン酸化膜を形成する工程の後に、レーザを照射する工程を実施する。
【００２７】
この場合、拡散領域に含まれるボロンがシリコン酸化膜へ移動する。換言すれば、シリコン酸化膜がボロンを取り込む。そのため、第２拡散領域の表面不純物濃度をさらに低下させることができる。
【００２８】
本発明の一実施形態に係る光電変換素子は、上述の製造方法によって製造される。
【００２９】
このような光電変換素子においては、電極と接触する第１拡散領域よりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域が拡散領域に形成されている。そのため、電極と第１拡散領域との接触抵抗を低くしつつ、第２拡散領域においてキャリアが再結合する割合を小さくできる。その結果、変換効率を向上させることができる。
【００３０】
第１拡散領域が電極と同じ幅で形成されている場合、拡散領域においてキャリアが再結合する割合が大きい第１拡散領域の面積を小さくできる。その結果、変換効率をさらに向上させることができる。
【００３１】
第１拡散領域と第２拡散領域は、シリコン基板の受光面側に形成されていてもよいし、シリコン基板の裏面側に形成されていてもよい。第１拡散領域と第２拡散領域がシリコン基板の受光面側に形成されている場合、短波長光に対する内部量子効率が良くなる。第１拡散領域と第２拡散領域がシリコン基板の裏面側に形成されている場合、長波長光に対する内部量子効率が良くなる。
【００３２】
以下、本発明のより具体的な実施形態について、図面を参照しながら説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、以下で参照する図面においては、説明を分かりやすくするために、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
【００３３】
［第１の実施形態］
図１には、本発明の第１の実施形態としての光電変換素子１０が示されている。光電変換素子１０は、結晶シリコン太陽電池である。
【００３４】
［光電変換素子］
光電変換素子１０は、シリコン基板１２と、電極１６ａと、パッシベーション膜１８ａと、パッシベーション膜１８ｂと、電極１６ｂとを備える。
【００３５】
シリコン基板１２は、単結晶シリコン基板であってもよいし、多結晶シリコン基板であってもよい。シリコン基板１２が単結晶シリコン基板である場合には、変換効率を向上させやすい。シリコン基板１２が多結晶シリコン基板である場合には、製造コストを抑えることができる。シリコン基板１２の導電型は、ｎ型であってもよいし、ｐ型であってもよい。本実施形態では、ｎ型の単結晶シリコン基板が採用されている。シリコン基板１２の厚さは、例えば、１００〜３００μｍである。シリコン基板１２の比抵抗は、例えば、１．０〜１０．０Ω・ｃｍである。
【００３６】
シリコン基板１２の受光面（図１の上面）側には、不純物が拡散された拡散領域（第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂ）が形成されている。これらの拡散領域１４ａ，１４ｂは、何れも、シリコン基板１２とは反対の導電型を有する。本実施形態では、これらの拡散領域１４ａ，１４ｂの導電型はｐ型である。ｐ型不純物は、例えば、ボロンである。
【００３７】
第１拡散領域１４ａの表面不純物濃度は、第２拡散領域１４ｂの表面不純物濃度よりも高い。第１拡散領域１４ａの表面不純物濃度は、例えば、１×１０１９ｃｍ−３以上である。第２拡散領域１４ｂの不純物濃度は、例えば、１×１０１７〜１×１０１９ｃｍ−３である。
【００３８】
第１拡散領域１４ａのシート抵抗は、例えば、２０〜５０Ω／□である。第２拡散領域１４ｂのシート抵抗は、例えば、５０〜１５０Ω／□である。第２拡散領域１４ｂのシート抵抗は、第１拡散領域１４ａのシート抵抗よりも大きければよい。
【００３９】
第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂとは、シリコン基板１２の受光面の面内方向に交互に並んでいる。第１拡散領域１４ａの幅寸法（図１の左右方向の寸法）は、例えば、５０〜３００μｍである。第２拡散領域１４ｂの幅寸法（図１の左右方向の寸法）は、例えば、１０００〜２５００μｍである。第１拡散領域１４ａの幅寸法は、例えば、電極１６ａの幅、電極１６ａを形成するときの位置合わせの精度に応じて、適宜、設定される。因みに、本実施形態では、第１拡散領域１４ａの幅寸法は、後述する電極１６ａの幅寸法と同じである。なお、第１拡散領域１４ａの幅と電極１６ａの幅は厳密に同じである必要はなく、実質的に同じであればよい。
【００４０】
第２拡散領域１４ｂは、第１拡散領域１４ａよりもシリコン基板１２の厚さ方向寸法が大きい。換言すれば、第２拡散領域１４ｂは、第１拡散領域１４ａよりも深く形成されている。さらに別の言い方をすれば、第２拡散領域１４ｂにおいては、第１拡散領域１４ａよりも不純物が深く拡散している。第１拡散領域１４ａの深さ寸法（図１の上下方向の寸法）は、例えば、０．３〜０．７μｍである。第２拡散領域１４ｂの深さ寸法（図１の上下方向の寸法）は、例えば、０．４〜１．０μｍである。
【００４１】
シリコン基板１２の裏面（図１の下面）側には、シリコン基板１２と同じ導電型を有する不純物が高濃度にドーピングされた高濃度領域２４が形成されている。高濃度領域２４は、ＢＳＦ（Back Surface Field）として機能する。高濃度領域２４の深さ寸法は、例えば、０．３〜５．０μｍである。高濃度領域２４の不純物濃度は、例えば、１×１０１９ｃｍ−３である。
【００４２】
電極１６ａは、第１拡散領域１４ａ上に設けられている。電極１６ａは、例えば、銀である。電極１６ａは、後述するパッシベーション膜１８ａに形成されたコンタクトホール２２ａを通じて、第１拡散領域１４ａに接続されている。
【００４３】
パッシベーション膜１８ａは、シリコン基板１２の受光面を覆う。パッシベーション膜１８ａは、例えば、熱酸化膜である。パッシベーション膜１８ａの膜厚は、例えば、５０〜１００ｎｍである。パッシベーション膜１８ａは、反射防止膜としても機能する。
【００４４】
パッシベーション膜１８ｂは、シリコン基板１２の裏面を覆う。パッシベーション膜１８ｂは、例えば、熱酸化膜である。パッシベーション膜１８ｂの膜厚は、例えば、５０〜１００ｎｍである。
【００４５】
電極１６ｂは、パッシベーション膜１８ｂを覆う。電極１６ｂは、例えば、銀である。電極１６ｂは、パッシベーション膜１８ｂに形成されたコンタクトホール２２ｂを通じて、シリコン基板１２に接続されている。このことから明らかなように、本実施形態では、ＢＳＲ（Back Surface Reflector）構造が採用されている。
【００４６】
光電変換素子１０においては、電極１６ａと接触する第１拡散領域１４ａよりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域１４ｂが、拡散領域１４に形成されている。そのため、電極１６ａと第１拡散領域１４ａとの接触抵抗を低くしつつ、第２拡散領域１４ｂとパッシベーション膜１８ａとの界面においてキャリアが再結合する割合を小さくできる。その結果、変換効率を向上させることができる。
【００４７】
光電変換素子１０においては、第１拡散領域１４ａが電極１６ａと同じ幅で形成されている。そのため、拡散領域１４においてキャリアが再結合する割合が大きい第１拡散領域１４ａの面積を小さくできる。その結果、変換効率を向上させることができる。
【００４８】
光電変換素子１０においては、シリコン基板１２の受光面側に第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂとが形成された構造が採用されている。そのため、短波長光に対する内部量子効率が良くなる。
【００４９】
［光電変換素子の製造方法］
続いて、図２Ａ〜図２Ｈを参照しながら、光電変換素子１０の製造方法について説明する。
【００５０】
先ず、図２Ａに示すように、受光面側に拡散領域１４が形成され、且つ、裏面側に高濃度領域２４が形成されたシリコン基板１２を準備する。拡散領域１４は、例えば、シリコン基板１２の表面からｐ型不純物を熱拡散させることによって形成される。ｐ型不純物の拡散源は、例えば、ＢＳＧ（Boron Silicate Glass）である。高濃度領域２４は、例えば、シリコン基板１２の裏面からｎ型不純物を熱拡散させることによって形成される。ｎ型不純物の拡散源は、例えば、ＰＳＧ（Phosphorus Silicate Glass）である。
【００５１】
続いて、図２Ｂに示すように、シリコン基板１２の受光面と裏面とにそれぞれパッシベーション膜１８ａ，１８ｂを形成する。パッシベーション膜１８ａ，１８ｂは、熱酸化によって形成される。熱酸化は、酸素雰囲気中で酸化を行うドライ酸化であってもよいし、水蒸気雰囲気中で酸化を行うウェット酸化であってもよい。
【００５２】
続いて、図２Ｃに示すように、シリコン基板１２の受光面に形成されたパッシベーション膜１８ａにコンタクトホール２２ａを形成する。コンタクトホール２２ａは、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成される。
【００５３】
続いて、図２Ｄに示すように、電極１６ａを形成する。電極１６ａは、例えば、スクリーン印刷法により、銀ペーストをコンタクトホール２２ａの形成位置に印刷してから、焼成することで形成される。
【００５４】
続いて、図２Ｅに示すように、レーザをシリコン基板１２の受光面側から照射する。レーザが照射されるのは、後に第２拡散領域１４ｂとなる領域である。換言すれば、後に第１拡散領域１４ａとなる領域を除いた領域に、レーザが照射される。レーザが照射された領域中の不純物の一部は、シリコン基板１２中のより深い領域にまで拡散する。その結果、図２Ｆに示すように、第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂとがシリコン基板１２の受光面側に形成される。
【００５５】
ここで、パッシベーション膜１８ａは、熱酸化膜である。そのため、拡散領域１４のうちレーザが照射された領域中の不純物の一部は、パッシベーション膜１８ａに吸収される。その結果、第２拡散領域１４ｂの不純物濃度がさらに低下する。
【００５６】
パッシベーション膜１８ａを利用して、拡散領域１４に含まれるボロンを吸収するので、拡散領域１４に含まれるボロンを吸収するためだけのシリコン酸化膜を別途形成する必要がなくなる。また、従来のように、拡散領域１４を酸化制御マスクとシリコン酸化膜とで覆う必要がなくなる。その結果、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００５７】
また、電極１６ａの形成領域を含んでレーザが照射されるので、電極１６ａに接する領域以外の領域にレーザを精度よく照射できる。
【００５８】
レーザは、例えば、Ｎｄ：ＹＡＧ、Ｙｂ：ＹＡＧ、Ｎｄ：ＹＶＯ４等の固体レーザやファイバーレーザである。レーザの波長は、例えば、３００〜１１００ｎｍであるが、非線形光学結晶による波長変換により、短い波長域とすることが好ましい。レーザは、例えば、パルスレーザである。パルス幅は、例えば、１０〜３００ｎｓである。レーザの繰り返し周波数は、例えば、１０〜１００ｋＨｚである。レーザのエネルギー密度は、例えば、０．５〜５．０Ｊ／ｃｍ２である。レーザのスポット形は、例えば、円形、楕円形、正方形等でもよいが、精度良く効率的にレーザ照射することを考慮すると、矩形であることが好ましい。
【００５９】
続いて、図２Ｇに示すように、シリコン基板１２の裏面に形成されたパッシベーション膜１８ｂにコンタクトホール２２ｂを形成する。コンタクトホール２２ｂは、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成される。
【００６０】
続いて、図２Ｈに示すように、電極１６ｂを形成する。電極１６ｂは、例えば、スクリーン印刷法により、銀ペーストをパッシベーション膜１８上に印刷してから、焼成することで形成される。これにより、光電変換素子１０が得られる。
【００６１】
このような製造方法によれば、選択エミッタを簡単に実現できる。例えば、従来のように、ドーピングペーストを用いて、表面不純物濃度が異なる第１拡散領域と第２拡散領域とを形成する場合には、ドーピングペーストをシリコン基板上に印刷する工程と、ドーピングペーストが印刷されたシリコン基板を熱処理する工程と、ドーピングペーストを除去する工程とを、２回繰り返す必要があった。一方、上記製造方法では、表面不純物濃度が異なる第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂとを形成するために、ドーピングペーストを用いる必要がない。そのため、ドーピングペーストの印刷と、シリコン基板の熱処理と、ドーピングペーストの除去という一連の処理工程を繰り返す必要がなくなる。その結果、選択エミッタを簡単に実現できる。
【００６２】
［製造方法の応用例］
レーザは、パッシベーション膜１８ａを形成する前に照射してもよい。この場合、パッシベーション１８ａを構成する元素が第２拡散領域１４ｂに入るのを防ぐことができる。
【００６３】
レーザは、パッシベーション膜１８ａを生成した後であって、且つ、電極１６ａを形成する前であってもよい。この場合、拡散領域１４のうちレーザが照射された領域中の不純物の一部が、パッシベーション膜１８ａに吸収される。その結果、第２拡散領域１４ｂの不純物濃度がさらに低下する。
【００６４】
電極１６ａを形成する際の熱処理と、電極１６ｂを形成する際の熱処理とは、同時に実施してもよい。例えば、電極１６ａを形成するための銀ペーストを印刷した後に、焼成をすることなく、レーザを照射して、第１拡散領域１４ａと第２拡散領域１４ｂを形成し、その後、電極１６ｂを形成するための銀ペーストを印刷した後で、電極１６ａを形成するための銀ペーストと、電極１６ｂを形成するための銀ペーストとを同時に焼成してもよい。
【００６５】
［第２の実施形態］
続いて、図３を参照しながら、本発明の第２の実施形態としての光電変換素子３０について説明する。本実施形態の光電変換素子３０は、裏面接合型の太陽電池である。
【００６６】
［光電変換素子］
光電変換素子３０は、シリコン基板３２と、パッシベーション膜３８ａ、３８ｂと、電極４２ａ、４２ｂとを備える。
【００６７】
シリコン基板３２は、例えば、ｎ型単結晶シリコン基板である。シリコン基板３２の厚さは、例えば、１００〜３００μｍである。シリコン基板３２の比抵抗は、例えば、１．０〜１０．０Ω・ｃｍである。
【００６８】
シリコン基板３２の裏面（図３の下面）には、ｎ型拡散領域３４と、ｐ型拡散領域３６とが形成されている。
【００６９】
シリコン基板３２の面内方向において、ｎ型拡散領域３４の幅寸法は、ｐ型拡散領域３６の幅寸法よりも小さい。ｎ型拡散領域３４の面積とｐ型拡散領域３６の面積の和に対するｐ型拡散領域３６の面積の割合（ｐ型拡散領域３６の面積率）が高いほど、光生成された少数キャリア（正孔）が、ｐ型拡散領域３６に到達するまでに移動しなくてはならない距離が減少する。そのため、ｐ型拡散領域３６に到達するまでに再結合する正孔の数が減少し、短絡光電流が増加する。したがって、光電変換素子３０の変換効率が向上する。好ましいｐ型拡散領域３６の面積率は、６３〜９０％である。
【００７０】
ｎ型拡散領域３４は、第１拡散領域３４ａと、第２拡散領域３４ｂとを有する。第１拡散領域３４ａの幅方向両側（図３の左右方向両側）に第２拡散領域３４ｂが形成されている。
【００７１】
第１拡散領域３４ａは、第２拡散領域３４ｂよりも、表面不純物濃度が高い。第１拡散領域３４ａの不純物濃度は、例えば、１×１０２０ｃｍ−３である。第２拡散領域３４ｂの不純物濃度は、例えば、１×１０１７〜１×１０１９ｃｍ−３である。
【００７２】
第１拡散領域３４ａの幅寸法は、例えば、３０〜１５０μｍである。第２拡散領域３４ｂの幅寸法は、例えば、１００〜１０００μｍである。第１拡散領域３４ａの幅寸法は、後述する電極４２ａの幅に応じて、適宜、設定される。
【００７３】
因みに、本実施形態では、第１拡散領域３４ａの幅寸法は、後述する電極４２ａのうちパッシベーション３８ｂ上に形成された部分の幅寸法と同じである。なお、第１拡散領域３４ａの幅と電極４２ａの幅は厳密に同じである必要はなく、実質的に同じであればよい。
【００７４】
第２拡散領域３４ｂは、第１拡散領域３４ａよりもシリコン基板３２の厚さ方向寸法が大きい。換言すれば、第２拡散領域３４ｂは、第１拡散領域３４ａよりも深く形成されている。さらに別の言い方をすれば、第２拡散領域３４ｂにおいては、第１拡散領域３４ａよりも不純物が深く拡散している。第１拡散領域３４ａの深さ寸法（図３の上下方向の寸法）は、例えば、０．３〜０．７μｍである。第２拡散領域３４ｂの深さ寸法（図３の上下方向の寸法）は、例えば、０．４〜１．０μｍである。
【００７５】
ｐ型拡散領域３６は、第１拡散領域３６ａと、第２拡散領域３６ｂとを有する。第１拡散領域３６ａの幅方向両側（図３の左右方向両側）に第２拡散領域３６ｂが形成されている。
【００７６】
第１拡散領域３６ａは、第２拡散領域３６ｂよりも、不純物濃度が高い。第１拡散領域３６ａの不純物濃度は、例えば、１×１０１９ｃｍ−３以上である。第２拡散領域３６ｂの不純物濃度は、例えば、１×１０１７〜１×１０１９ｃｍ−３である。
【００７７】
第１拡散領域３６ａの幅寸法は、例えば、３０〜１５０μｍである。第２拡散領域３６ｂの幅寸法は、例えば、１００〜１０００μｍである。第１拡散領域３６ａの幅寸法は、後述する電極４２ｂの大きさに応じて、適宜、設定される。
【００７８】
因みに、本実施形態では、第１拡散領域３６ａの幅寸法は、後述する電極４２ｂのうちパッシベーション３８ｂ上に形成された部分の幅寸法と同じである。なお、第１拡散領域３６ａの幅と電極４２ｂの幅は厳密に同じである必要はなく、実質的に同じであればよい。
【００７９】
第２拡散領域３６ｂは、第１拡散領域３６ａよりもシリコン基板３２の厚さ方向寸法が大きい。換言すれば、第２拡散領域３６ｂは、第１拡散領域３６ａよりも深く形成されている。さらに別の言い方をすれば、第２拡散領域３６ｂにおいては、第１拡散領域３６ａよりも不純物が深く拡散している。第１拡散領域３６ａの深さ寸法（図３の上下方向の寸法）は、例えば、０．３〜０．７μｍである。第２拡散領域３６ｂの深さ寸法（図３の上下方向の寸法）は、例えば、０．４〜１．０μｍである。
【００８０】
パッシベーション膜３８ａは、シリコン基板３２の受光面（図３の上面）を覆う。パッシベーション膜３８ａは、例えば、熱酸化膜である。パッシベーション膜３８ａの膜厚は、例えば、５０〜１００ｎｍである。
【００８１】
なお、図３では、図示していないが、シリコン基板３２の受光面（シリコン基板３２とパッシベーション膜３８ａとの界面）において、シリコン基板３２と同じ導電型を有する不純物が高濃度にドーピングされた高濃度領域を形成してもよい。この場合、当該高濃度領域は、ＦＳＦ（Front Surface Field）として機能する。
【００８２】
パッシベーション膜３８ｂは、シリコン基板３２の裏面（図３の下面）を覆う。パッシベーション膜３８ｂは、例えば、熱酸化膜である。パッシベーション膜３８ｂの膜厚は、例えば、５０〜１００ｎｍである。
【００８３】
電極４２ａ，４２ｂは、パッシベーション膜３８ｂ上に形成されている。電極４２ａ，４２ｂは、例えば、銀である。電極４２ａは、パッシベーション膜３８ｂに形成されたコンタクトホール４４ａを通じて、ｎ型拡散領域３４の第１拡散領域３４ａに接続されている。電極４２ｂは、パッシベーション膜３８ｂに形成されたコンタクトホール４４ｂを通じて、ｐ型拡散領域３６の第１拡散領域３６ａに接続されている。
【００８４】
光電変換素子３０においては、電極４２ａと接触する第１拡散領域３４ａよりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域３４ｂがｎ型拡散領域３４に形成されている。そのため、電極４２ａと第１拡散領域３４ａとの接触抵抗を低くしつつ、第２拡散領域３４ｂとパッシベーション膜３８ｂとの界面においてキャリアが再結合する割合を小さくできる。その結果、変換効率を向上させることができる。
【００８５】
光電変換素子３０においては、電極４２ｂと接触する第１拡散領域３６ａよりも表面不純物濃度が低い第２拡散領域３６ｂがｐ型拡散領域３６に形成されている。そのため、電極４２ｂと第１拡散領域３６ａとの接触抵抗を低くしつつ、第２拡散領域３６ｂとパッシベーション膜３８ｂとの界面においてキャリアが再結合する割合を小さくできる。その結果、変換効率を向上させることができる。
【００８６】
光電変換素子３０においては、シリコン基板３２の裏面側に第１拡散領域３４ａ，３６ａと第２拡散領域３４ｂ，３６ｂとが形成された構造が採用されている。そのため、長波長光に対する内部量子効率が良くなる。
【００８７】
［光電変換素子の製造方法］
続いて、図４Ａ〜図４Ｆを参照しながら、光電変換素子３０の製造方法について説明する。
【００８８】
先ず、図４Ａに示すように、ｎ型拡散領域３４とｐ型拡散領域３６とが裏面側に形成されたシリコン基板３２を準備する。
【００８９】
ｎ型拡散領域３４は、例えば、シリコン基板３２の裏面からｎ型不純物を熱拡散させることによって形成される。ｎ型不純物の拡散源は、例えば、ＰＳＧである。
【００９０】
ｐ型拡散領域３６は、例えば、シリコン基板３２の裏面からｐ型不純物を熱拡散させることによって形成される。ｐ型不純物の拡散源は、例えば、ＢＳＧである。
【００９１】
続いて、図４Ｂに示すように、シリコン基板３２の受光面と裏面とにそれぞれパッシベーション膜３８ａ，３８ｂを形成する。パッシベーション膜３８ａ，３８ｂは、熱酸化によって形成される。熱酸化は、酸素雰囲気中で酸化を行うドライ酸化であってもよいし、水蒸気雰囲気中で酸化を行うウェット酸化であってもよい。
【００９２】
続いて、図４Ｃに示すように、パッシベーション膜３８ｂにコンタクトホール４４ａ，４４ｂを形成する。コンタクトホール４４ａ，４４ｂは、例えば、フォトリソグラフィ及びエッチングによって形成される。
【００９３】
その後、図４Ｄに示すように、電極４２ａ，４２ｂを形成する。電極４２ａ，４２ｂは、例えば、スクリーン印刷法により、銀ペーストをパッシベーション膜３８ｂ上に印刷した後、焼成することで形成される。
【００９４】
続いて、図４Ｅに示すように、レーザをシリコン基板３２の裏面側から照射する。レーザが照射されるのは、後に第２拡散領域３４ｂ，３６ｂとなる領域である。換言すれば、後に第１拡散領域３４ａ，３６ａとなる領域を除いた領域に、レーザが照射される。レーザが照射された領域中の不純物の一部は、シリコン基板３２中のより深い領域にまで拡散する。その結果、図４Ｆに示すように、第１拡散領域３４ａ，３６ａと第２拡散領域３４ｂ，３６ｂとがシリコン基板３２の裏面側に形成され、目的とする光電変換素子３０が得られる。
【００９５】
ここで、パッシベーション膜３８ｂは、熱酸化膜である。そのため、ｐ型拡散領域３６のうちレーザが照射された領域中の不純物の一部は、パッシベーション膜３８ｂに吸収される。その結果、第２拡散領域３６ｂの不純物濃度がさらに低下する。
【００９６】
パッシベーション膜３８ｂを利用して、ｐ型拡散領域３６に含まれるボロンを吸収するので、ｐ型拡散領域３６に含まれるボロンを吸収するためだけのシリコン酸化膜を別途形成する必要がなくなる。また、従来のように、ｐ型拡散領域３６を酸化制御マスクとシリコン酸化膜とで覆う必要がなくなる。その結果、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００９７】
また、電極４２ａ，４２ｂの形成領域を含んでレーザが照射されるので、電極４２ａ，４２ｂに接する領域以外の領域にレーザを精度よく照射できる。
【００９８】
レーザは、例えば、第１の実施形態で使用したレーザと同じものを使用できる。
【００９９】
以上、本発明の実施形態について、詳述してきたが、これらはあくまでも例示であって、本発明は、上述の実施形態によって、何等、限定されない。
【０１００】
例えば、第１及び第２の実施形態では、シリコン基板１２の受光面にテクスチャ構造が形成されていないが、シリコン基板１２の受光面にテクスチャ構造を形成してもよい。これにより、シリコン基板１２に入射した光を閉じ込めて、光の利用効率を高めることができる。単結晶シリコン基板を採用する場合には、その面方位は（１００）が望ましい。これにより、テクスチャ構造の形成が容易になる。多結晶シリコン基板を採用する場合には、エッチングによってテクスチャ構造が形成される。
【０１０１】
第１及び第２の実施形態では、拡散領域が熱拡散法によって形成されていたが、例えば、拡散領域はイオン注入法によって形成してもよい。
【０１０２】
第１及び第２の実施形態では、シリコン基板の導電型がｎ型であったが、シリコン基板の導電型はｐ型であってもよい。第１の実施形態において、シリコン基板１２の導電型がｐ型の場合、拡散領域１４の導電型はｎ型になる。高濃度領域２４の導電型はｐ型になる。
【０１０３】
第１の実施形態において、高濃度領域２４は電極１６ｂと接する領域だけに形成されていてもよい。
【０１０４】
第１の実施形態において、シリコン基板１２と同じ導電型を有する拡散領域をシリコン基板１２の裏面側に形成し、この拡散領域において電極１６ｂと接する領域の表面不純物濃度を他の領域より高くしてもよい。このような構造は、後に電極１６ｂと接する領域以外の領域にレーザを照射することで実現できる。
【符号の説明】
【０１０５】
１０：光電変換素子，１２：シリコン基板，１４：拡散領域，１４ａ：第１拡散領域，１４ｂ：第２拡散領域，１６ａ：電極，１８ａ：パッシベーション膜（シリコン酸化膜），３０：光電変換素子，３２：シリコン基板，３６ａ：第１拡散領域，３６ｂ：第２拡散領域，３８ｂ：パッシベーション膜（シリコン酸化膜），４２ｂ：電極
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
2014072474.tif 000011
【図３】
2014072474.tif 000012
【図４Ａ】
2014072474.tif 000013
【図４Ｂ】
2014072474.tif 000014
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
2014072474.tif 000016
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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