(57)【要約】【課題】明るさ及びコントラストのばらつきを低減すること。【解決手段】基板と、前記基板に対向配置された基体と、前記基板と前記基体との間に挟持された液晶層と、前記基板又は前記基体と前記液晶層との間に設けられた無機配向膜と、を有し、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面には、前記基板または前記基体の内部から前記液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて凹む、凹部を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に対向配置された基体と、
前記基板と前記基体との間に挟持された液晶層と、
前記基板又は前記基体と前記液晶層との間に設けられた無機配向膜と、を有し、
前記基板または前記基体の前記液晶層側の面には、前記基板または前記基体の内部から前記液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、
前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて凹む、凹部を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置において、
前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面に平行な第１の方向に沿って延在していることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置において、
前記凸部は、前記第１の方向に沿った第１の幅を有し、
前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面に平行、かつ、前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿った第２の幅を有し、
前記第１の幅は、前記第２の幅よりも大であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶装置において、
前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、長方形であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶装置において、
前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記第１の方向に沿って列状に並べられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置において、
さらに前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記第２の方向に沿って列状に並べられ、
前記基板または前記基体の前記液晶層側の面にマトリクス状に並べられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶装置において、
前記凸部は、絶縁材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶装置において、
前記凸部は、導電材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶装置において、
前記凸部は、前記基板の前記液晶層側の面に設けられた画素電極と、前記基体の前記液晶層側の面に設けられた共通電極と、のいずれかの電極で形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の液晶装置において、
前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向に対して、前記第２の方向に沿って傾斜した複数のカラムからなることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の液晶装置において、
さらに前記無機配向膜と前記液晶層との間に保護膜を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液晶装置において、
前記保護膜は、前記凹部に相当する部分の少なくとも一部において、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて落ち込む形状であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の液晶装置において、
前記保護膜は、前記複数の凹部の中に入り込むことで、凹み深さを小さくする部分を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれかに記載の液晶装置において、
前記保護膜は、前記複数の凹部の中に入り込むことで、凹みを埋め込む部分を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至１４のいずれかに記載の液晶装置において、
前記保護膜は、無機絶縁材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の液晶装置において、
前記無機絶縁材料は、ポリシロキサン系の垂直配向材料、珪素酸化物、珪素窒化物または酸化アルミニウムのいずれかを用いて形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至１６のいずれかに記載の液晶装置において、
前記保護膜は、液相成膜法によって形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれかに記載の液晶装置において、
前記無機配向膜は、斜方蒸着法によって形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１９】
基板と、前記基板に対向配置された基体との間に液晶層を挟持する液晶装置の製造方法であって、
前記基板又は前記基体と前記液晶層との間に無機配向膜を設け、
前記基板または前記基体の前記液晶層側の面には、前記基板または前記基体の内部から前記液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、
前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて凹むように設けられることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１８のうちいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載されるような液晶装置が知られている。特許文献１の液晶装置は、２枚の基板により液晶層を挟持し、各基板の内面側に、液晶層の配向を制御する配向膜を備えたものである。配向膜には、有機材料で形成された有機配向膜と、無機材料で形成された無機配向膜がある。特許文献１の液晶装置の配向膜は、斜方蒸着法で形成された無機配向膜である。
【０００３】
斜方蒸着法の課題のひとつとして、蒸着方向の面内ばらつきが挙げられる。これは、蒸着源から粒子が放射状に飛散していくことに起因している。つまり、基板の中央部では狙い蒸着方向に沿って粒子は蒸着されていくが、基板端部では狙い蒸着方向からのずれが大きくなっていくことになる。
【０００４】
具体的には、基板中央部から、蒸着方向に対して直交方向に離れた位置では蒸着方位のずれが大きくなる。蒸着方位のずれは、膜が成長する方位に変化をもたらし、結果として液晶配向としてツイストが生じる要因となることが想定される。これらプレチルト角とツイスト角の面内のばらつきによって、コントラストや明るさがパネル間においてばらついてしまう。この影響を低減するための対策としては、例えば、蒸着源と基板との間の距離を長く確保する手法と、蒸着源と基板との間にスリットを設ける手法とがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−７９２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、蒸着源と基板間の距離を長く確保する手法では、装置の大型化が必要になってくる。また、スリットを設ける手法では、入射角度の面内ばらつきは抑えることができるが、蒸着方位のばらつきを抑えることは出来ない。また上記いずれの手法を用いた場合でも、タクトタイムが長くなってしまう。
【０００７】
以上のような事情に鑑み、本発明のいくつかの態様の目的の１つは、明るさ及びコントラストのばらつきを低減することが可能な液晶装置、液晶装置の製造方法及びプロジェクターを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置の一態様では、基板と、前記基板に対向配置された基体と、前記基板と前記基体との間に挟持された液晶層と、前記基板又は前記基体と前記液晶層との間に設けられた無機配向膜と、を有し、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面には、前記基板または前記基体の内部から前記液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて凹む、凹部を有することが好ましい。
【０００９】
このような構成とすることにより、基板又は基体と液晶層との間に設けられた無機配向膜は、基板または基体の液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、液晶層から基板または基体の内部に向けて凹む、凹部を有するので、液晶分子は凹部の形状に応じて配向方向が規制される。このため、蒸着方向に対して直交方向に離れた位置での蒸着方位のずれを抑制することができる。これにより、基板または基体の液晶層側の面内において液晶配向方位のバラつきが抑制されるので、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することができる。
【００１０】
上記の液晶装置において、前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面に平行な第１の方向に沿って延在していることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が基板または基体の液晶層側の面に平行な第１の方向に沿って延在しているので、一方向に沿って凹部が形成されることになる。これにより、液晶配向方位が一方向に沿うようになるため、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することができる。
【００１１】
上記の液晶装置において、前記凸部は、前記第１の方向に沿った第１の幅を有し、前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面に平行、かつ、前記第１の方向に垂直な第２の方向に沿った第２の幅を有し、前記第１の幅は、前記第２の幅よりも大であるが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が第１の方向に沿った第１の幅を有し、凸部が基板または基体の液晶層側の面に平行、かつ、第１の方向に垂直な第２の方向に沿った第２の幅を有し、第１の幅が第２の幅よりも大であるので、液晶配向方位がより第１の方向に沿いやすくなるため、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することができる。
【００１２】
上記の液晶装置において、前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、長方形であることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が基板または基体の液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、長方形であるので、液晶配向方位がより凸部の長手方向に沿いやすくなるため、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することができる。
【００１３】
上記の液晶装置において、前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記第１の方向に沿って列状に並べられていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が基板または基体の液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、第１の方向に沿って列状に並べられているので、第一の方向について均一に凹部が形成されることになる。これにより、液晶配向方位が一方向に揃いやすくなる。
【００１４】
上記の液晶装置において、さらに前記凸部は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記第２の方向に沿って列状に並べられ、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面にマトリクス状に並べられていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が基板または基体の液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、第２の方向に沿って列状に並べられ、基板または基体の液晶層側の面にマトリクス状に並べられているので、液晶配向方位が一方向に揃いやすくなる。
【００１５】
上記の液晶装置において、前記凸部は、導電材料で構成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が導電材料で構成されているので、当該導電材料を用いて形成される他の部位と共通の工程で製造することができる。これにより、製造コストを低下させることができる。
【００１６】
上記の液晶装置において、前記凸部は、前記基板の前記液晶層側の面に設けられた画素電極と、前記基体の前記液晶層側の面に設けられた共通電極と、のいずれかの電極で形成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、凸部が基板の液晶層側の面に設けられた画素電極と、基体の液晶層側の面に設けられた共通電極と、のいずれかの電極で形成されているので、他の画素電極及び共通電極と共通の工程で凸部を製造することができる。これにより、製造コストを低下させることができる。
【００１７】
上記の液晶装置において、前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向に対して、前記第２の方向に沿って傾斜した複数のカラムからなることが好ましい。  
このような構成とすることにより、無機配向膜が基板または基体の液晶層側の面の法線方向に対して、第２の方向に沿って傾斜した複数のカラムからなるので、カラムの分布を制御することで凹部を形成することができる。これにより、例えば無機配向膜を形成した後に表層の一部を除去して凹部を形成するといった手間を省くことができる。
【００１８】
上記の液晶装置において、さらに前記無機配向膜と前記液晶層との間に保護膜を有することが好ましい。  
このような構成とすることにより、無機配向膜と液晶層との間に保護膜を有するので、無機配向膜と液晶層との界面における無機配向膜の光活性基を大幅に低減することができる。これにより、光反応の発生を低減することができるため、耐光性向上を図ることができる。
【００１９】
上記の液晶装置において、前記保護膜は、前記凹部に相当する部分の少なくとも一部において、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて落ち込む形状であることが好ましい。  
このような構成とすることにより、保護膜が凹部に相当する部分の少なくとも一部において、液晶層から基板または基体の内部に向けて落ち込む形状であるので、凹部と液晶層との界面における無機配向膜の光活性基を大幅に低減することができる。これにより、光反応の発生を低減することができるため、耐光性向上を図ることができる。
【００２０】
上記の液晶装置において、前記保護膜は、前記複数の凹部の中に入り込むことで、凹み深さを小さくする部分を有することが好ましい。  
このような構成とすることにより、保護膜が複数の凹部の中に入り込むことで、凹み深さを小さくする部分を有するので、当該凹部とは異なる部分との界面における無機配向膜の光活性基を大幅に低減することができる。これにより、光反応の発生を低減することができるため、耐光性向上を図ることができる。
【００２１】
上記の液晶装置において、前記保護膜は、前記複数の凹部の中に入り込むことで、凹みを埋め込む部分を有することが好ましい。  
このような構成とすることにより、保護膜が複数の凹部の中に入り込むことで、凹みを埋め込む部分を有するので、当該凹部とは異なる部分との界面における無機配向膜の光活性基を大幅に低減することができる。これにより、光反応の発生を低減することができるため、耐光性向上を図ることができる。
【００２２】
上記の液晶装置において、前記保護膜は、無機絶縁材料で構成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、保護膜が無機絶縁材料で構成されているので、液晶層との界面における光反応の発生を低減することができる。これにより、耐光性向上を図ることができる。
【００２３】
上記の液晶装置において、前記無機絶縁材料は、ポリシロキサン系の垂直配向材料、珪素酸化物、珪素窒化物または酸化アルミニウムのいずれかを用いて形成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、無機絶縁材料として、光反応が生じにくいポリシロキサン系の垂直配向材料、珪素酸化物、珪素窒化物または酸化アルミニウムのいずれかを用いて形成されているので、耐光性の高い液晶装置が得られる。
【００２４】
上記の液晶装置において、前記保護膜は、液相成膜法によって形成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、液相成膜法によって保護膜が形成されるため、保護膜を効率的かつ高精度に塗布することができる。
【００２５】
上記の液晶装置において、前記無機配向膜は、斜方蒸着法によって形成されていることが好ましい。  
このような構成とすることにより、斜方蒸着法によって無機配向膜が形成されるため、無機配向膜を効率的かつ高精度に形成することができる。
【００２６】
本発明の液晶装置の製造方法の一態様によれば、基板と、前記基板に対向配置された基体との間に液晶層を挟持する液晶装置の製造方法であって、前記基板又は前記基体と前記液晶層との間に無機配向膜を設け、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面には、前記基板または前記基体の内部から前記液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、前記無機配向膜は、前記基板または前記基体の前記液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、前記凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が、前記液晶層から前記基板または前記基体の内部に向けて凹むように設けられることが好ましい。
【００２７】
このような工程を含むことにより、基板又は基体と液晶層との間に無機配向膜を設け、基板または基体の液晶層側の面には、基板または基体の内部から液晶層に向かう方向に突出する凸部が設けられ、無機配向膜が基板または基体の液晶層側の面の法線方向から見た平面視において、凸部の縁に相当する部分の少なくとも一部が液晶層から基板または基体の内部に向けて凹むように設けられることとしたので、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することが可能な液晶装置を効率的に製造することができる。
【００２８】
本発明のプロジェクターの一態様によれば、上記の液晶装置を備えることが好ましい。
このような構成とすることにより、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することが可能な液晶装置を備えるので、表示特性の高いプロジェクターを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】液晶装置１００の概略構成を示す平面図。
【図２】図１においてＨ−Ｈ’線に沿った構成を示す断面図。
【図３】第一配向層１６及び第二配向層２２の構成を示す断面図。
【図４】第一配向層１６の断面を拡大して示す図。
【図５】素子基板１０の平面構成を示す図。
【図６】無機配向膜１６１の表面の構成を示す平面図。
【図７】実施形態に係るプロジェクター５００の光学系を示す模式図。
【図８】変形例に係る素子基板１０の平面構成を示す図。
【図９】変形例に係る素子基板１０の平面構成を示す図。
【図１０】変形例に係る素子基板１０の平面構成を示す図。
【図１１】液晶分子のツイスト角ごとの電圧−光透過率特性（ＶＴ特性）を示すグラフ。
【図１２】凸部１３０の配置（傾き）についての説明図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、液晶装置１００の概略構成の一例を示す平面図である。図２は、図１においてＨ−Ｈ’線に沿った構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、液晶装置の一例として、ＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置を挙げて説明する。
【００３１】
液晶装置１００は、素子基板１０及び対向基板２０（一対の基板）を備えている。素子基板１０と対向基板２０とは、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされている。シール材５２には、液晶を注入するための開口部５５（注入部）が形成されており、該開口部５５が封止材５４により封止されている。シール材５２及び封止材５４に囲まれた領域内には、液晶層５０が封入されている。シール材５２及び封止材５４の内周側に沿って平面視矩形枠状の額縁５３が形成されており、額縁５３の内側の領域が表示領域１１となっている。
【００３２】
表示領域１１の内側には、複数の画素１２がマトリクス状に設けられている。画素１２は、表示領域１１の最小表示単位を構成している。シール材５２の外側の領域には、素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って、データ線駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２が形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路１０４が形成されて周辺回路を構成している。
【００３３】
素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、表示領域１１の両側の走査線駆動回路１０４間を接続する複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００３４】
素子基板１０の液晶層５０側には、複数の画素電極９が配列形成されている。画素電極９は、画素１２ごとに設けられている。素子基板１０には、複数のスイッチング素子（図示略）が設けられている。スイッチング素子は、例えば薄膜トランジスターにより構成され、画素１２ごとに設けられている。スイッチング素子のソース領域は、図示略のデータ線を介してデータ線駆動回路１０１と電気的に接続されている。スイッチング素子のゲート電極は、図示略の走査線を介して走査線駆動回路１０４と電気的に接続されている。スイッチング素子のドレイン領域は、画素電極９と電気的に接続されている。
【００３５】
画素電極９上には、第一配向層１６が形成されている。対向基板２０の液晶層５０側に、額縁５３および遮光膜（図示略）が形成されている。額縁５３および遮光膜（図示略）の上に表示領域１１の全面を覆う共通電極２１が形成されている。共通電極２１上には、第二配向層２２が形成されている。液晶層５０に電界が印加されていない状態の液晶層５０の配向状態は、第一配向層１６および第二配向層２２により制御されている。
【００３６】
液晶装置１００は、透過型の液晶装置として構成されている。画素電極９及び共通電極２１は、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）等の光透過率の高い導電材料を用いて、透明電極として構成されている。
【００３７】
表示すべき画像の画像信号は、液晶装置１００の外部から外部回路実装端子１０２を介して供給される。データ線駆動回路１０１は、画像信号に含まれる画素ごとの階調値を示す画像データに基づいて、液晶層５０を駆動する駆動電圧波形をスイッチング素子に出力する。走査線駆動回路１０４は、画像信号に含まれる画素の表示タイミングを示すデータに基づいて、スイッチング素子のゲート電極に電圧を印加し、スイッチング素子のオンオフを制御する。
【００３８】
スイッチング素子がオンになると、上記の駆動電圧波形が画素電極９に供給され、画素電極９に電圧が印加される。共通電極２１の電位は、例えば複数の画素１２で共通の共通電位に保持されている。液晶層５０には、画素電極９と共通電極２１との間の電位差に相当する電圧が印加される。この電圧により生じる電界によって、液晶層５０の配向状態が変化する。液晶層５０に入射した光は、液晶層５０の配向状態に応じて画素１２ごとに偏光状態が変化する。液晶層５０から射出された光を偏光板（図示略）に通すことにより、画像データに応じた階調値の光が偏光板から射出される。このようにして、画像データに対応する画像を表示することが可能になっている。
【００３９】
図３は、第一配向層１６及び第二配向層２２の構成の一例を示す断面図である。図４は、第一配向層１６の断面を拡大して示す図である。図５は、素子基板１０の一部の平面構成の一例を示す図であり、例えば一つの画素１２の平面構成を示す図である。図３〜図５においては、図を判別しやすくするため、画素電極９、共通電極２１、各種配線及び各種駆動回路の図示を省略する。
【００４０】
図３及び図４に示すように、また、第一配向層１６は、素子基板１０のうち対向基板２０に対向する対向面１０ａに形成されている。第二配向層２２は、対向基板２０のうち素子基板１０に対向する対向面２０ａに形成されている。液晶層５０は、第一配向層１６及び第二配向層２２に接するように配置されている。
【００４１】
素子基板１０の対向面１０ａには、第一配向層１６の下地層１２９が形成されている。下地層１２９は、例えば珪素酸化物などの絶縁材料をプラズマＣＶＤ法によって成膜された後、フォトリソグラフィ法などを用いて所定のパターンとなるようにパターニングされて形成されている。下地層１２９は、対向面１０ａのほぼ全面を覆うように形成されている。下地層１２９の表層側の面（第一面）１２９ａには、凸部１３０が形成されている。
【００４２】
絶縁材料によっては、パターニングし難い場合がある。その場合、下地層１２９には画素電極９、共通電極２１そのものを用いることが出来る。これら電極材料からなる下地層１２９は、フォトリソグラフィ法などを用いることで、画素電極９、共通電極２１の上に凸部１３０が形成されている。
【００４３】
凸部１３０は、下地層１２９の表面から液晶層５０側に突出して形成されている。凸部１３０の突出量（高さ）は、例えば１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲に設定することができる。上記範囲については、１０ｎｍを下回る突出量とする場合には製造が困難となるからであり、１００ｎｍを上回る突出量とする場合にはセルギャップ表示を行う上で問題となると共に蒸着膜が付着しにくくなるからである。
【００４４】
図３及び図４において、凸部１３０の断面形状が矩形に形成されているが、これに限られることは無く、三角形や五角形以上の多角形、円形（半円形など円形の一部を含む）、楕円形（楕円形の一部を含む）などの形状に形成されていてもよい。また、電極層の下層側に突出部分が形成され、当該突出部分が下地層１２９によって覆われることにより凸部１３０が下地層１２９の表層側の面１２９ａに設けられた構成であってもよい。
【００４５】
図５に示すように、凸部１３０は、平面視で矩形に形成された素子基板１０の一辺（又は対向する二辺）に平行に延在するように形成されている。また、凸部１３０は、延在方向（上記一方向）に直交する方向に所定の間隔を空けて並ぶように複数設けられている。このように、凸部１３０は、素子基板１０の対向面１０ａの面内の一方向に沿って配置されている。なお、複数の凸部１３０は、画素１２内において、光の回折が発生しない範囲のピッチに配置されている。
【００４６】
同様に、対向基板２０の対向面２０ａには、第二配向層２２の下地層２２９が形成されている。下地層２２９の表層側の面（第一面）２２９ａには、凸部２３０が形成されている。図示を省略するが、凸部２３０は、凸部１３０と同様に、対向基板２０の対向面２０ａの面内の一方向に沿って配置されている。また、凸部２３０の他の構成についても、凸部１３０と同様の構成となっている。
【００４７】
また、図３及び図４に示すように、第一配向層１６は、下地層１２９上に配置された無機配向膜１６１と、無機配向膜１６１に積層して配置された保護膜１６２と、を備えている。無機配向膜１６１は、例えばシリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）１６１ａを有する。このカラム１６１ａの結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。カラム１６１ａは、凸部１３０の上面１３０ａ及び当該凸部１３０の一方の側面１３０ｂ（例、図３及び図４の右側面）から上記結晶成長方向へ向けて延びるように形成されている。カラム１６１ａは、凸部１３０の他方の側面１３０ｃ（例、図３及び図４の左側面）には形成されていない。
【００４８】
素子基板１０の対向面１０ａには、カラム１６１ａが多数密集している領域と、カラム１６１ａが疎らに配置されている領域とが形成されている。無機配向膜１６１のうちカラム１６１ａが疎らに配置された領域は、溝部１６１ｂとなっている。溝部１６１ｂは、凸部１３０の側面１３０ｃから図中左側の所定の領域にかけて形成されている。図３及び図４においては、図示を判別しやすくするために、溝部１６１ｂにおいて素子基板１０の表面が露出するように示されているが、これに限られることは無い。例えば、カラム１６１ａの深さ方向の一部に溝部１６１ｂが形成された構成であってもよい。
【００４９】
図６は、無機配向膜１６１の表面の構成の一例を示す平面図である。図６においては、無機配向膜１６１の上層側の構成を省略している。  
図６に示すように、溝部１６１ｂは、凸部１３０の側面１３０ｃに沿って形成されている。溝部１６１ｂは、凸部１３０の延在方向のほぼ全体に亘って形成されている。
【００５０】
一方、図３及び図４に示すように、保護膜１６２は、無機絶縁材料を用いて形成されている。本実施形態では、保護膜１６２は、例えばオルガノポリシロキサンなどのポリシロキサン系の垂直配向材料を用いて形成されている。このような垂直配向材料としては、例えばＳｉＯやＳｉＯ２などの珪素酸化物や、ＳｉＮなどの珪素窒化物などが挙げられる。なお、保護膜１６２としては、ポリシロキサン系の垂直配向材料に限られず、Ａｌ酸化物などの他の無機絶縁材料を用いてもよい。
【００５１】
保護膜１６２は、図３に示すように、例えばインクジェット法やスピンコート法などの液相成膜法によって無機配向膜１６１のうちカラム１６１ａ及び溝部１６１ｂを含めた液晶層５０側の表面１６１ｃを覆うように設けられている。無機配向膜１６１の表面には、例えば複数のカラム１６１ａの形状の違いによる凹凸部が形成されており、保護膜１６２は、凹凸部の少なくとも一部を平坦化するように形成されている。なお、図３及び図４では、保護膜１６２が無機配向膜１６１の全体を覆うように設けられた構成が示されているが、これに限られることは無く、保護膜１６２が無機配向膜１６１の一部を覆うように設けられた構成であってもよい。
【００５２】
保護膜１６２のうち液晶層５０との界面には、凹部１６２ｂが形成されている。凹部１６２ｂは、無機配向膜１６１の溝部１６１ｂに重なる領域のうち少なくとも一部に設けられている。保護膜１６２を構成する無機絶縁材料が無機配向膜１６１の溝部１６１ｂの一部を埋めるように当該溝部１６１ｂの一部に入り込んだとなっていることにより、凹部１６２ｂの形状は溝部１６１ｂの形状に沿った形状となっている。
【００５３】
当該凹部１６２ｂは、深さ方向の寸法が例えば１５ｎｍ〜２５０ｎｍ程度に形成されている。また、凹部１６２ｂは、カラム１６１ａの傾斜方向の寸法（凹部１６２ｂの幅方向の寸法）が例えば１５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に形成されている。
【００５４】
例えば、図４に示すように、溝部１６１ｂは、基板面の法線方向に対するカラム１６１ａの傾斜に対応して傾斜するように形成されている。これに対して、溝部１６１ｂに重なる位置に形成される凹部１６２ｂについても、カラム１６１ａの傾斜に対応して傾斜する面１６２ｃを有している。
【００５５】
一方、第二配向層２２は、第一配向層１６と同様に、下地層２２９上に配置された無機配向膜２２１と、無機配向膜２２１に積層して配置された保護膜２２２と、を備えている。無機配向膜２２１は、例えばシリコン酸化物又は金属酸化物によって形成された多数の柱状の結晶体（カラム）２２１ａを有する。このカラム２２１ａの結晶成長方向は、基板の法線に対して斜めに傾いた方向である。カラム２２１ａは、凸部２３０の上面２３０ａ及び当該凸部２３０の一方の側面２３０ｂ（例、図３及び図４の左側面）から、上記結晶成長方向へ向けて延びるように形成されている。カラム２２１ａは、凸部２３０の他方の側面２３０ｃ（例、図３及び図４の右側面）には形成されていない。
【００５６】
対向基板２０の対向面２０ａには、カラム２２１ａが多数密集している領域と、カラム２２１ａが疎らに配置されている領域とが形成されている。無機配向膜２２１のうちカラム２２１ａが疎らに配置された領域は、溝部２２１ｂとなっている。溝部２２１ｂは、凸部２３０の側面２３０ｃから図中左側の所定の領域にかけて形成されている。図３及び図４においては、図示を判別しやすくするために、溝部２２１ｂにおいて対向基板２０の表面が露出するように示されているが、これに限られることは無い。例えば、カラム２２１ａの深さ方向の一部に溝部２２１ｂが形成された構成であってもよい。なお、溝部２２１ｂは、溝部１６１ｂと同様に、凸部２３０の側面２３０ｃに沿って形成されており、凸部２３０の延在方向のほぼ全体に亘って形成されている。なお、無機配向膜２２１の平面構成は、上記の無機配向膜１６１と同様であるため、図示及び説明を省略する。
【００５７】
また、保護膜２２２は、上記の保護膜１６２と同様に、無機絶縁材料を用いて形成されている。本実施形態では、保護膜２２２は、例えばオルガノポリシロキサンなどのポリシロキサン系の垂直配向材料を用いて形成されている。このような垂直配向材料としては、例えばＳｉＯやＳｉＯ２などの珪素酸化物や、ＳｉＮなどの珪素窒化物などが挙げられる。なお、保護膜２２２としては、ポリシロキサン系の垂直配向材料に限られず、Ａｌ酸化物などの他の無機絶縁材料を用いてもよい。
【００５８】
保護膜２２２は、図３に示すように、例えばインクジェット法やスピンコート法などの液相成膜法によって無機配向膜２２１のうちカラム２２１ａ及び溝部２２１ｂを含めた液晶層５０側の表面２２１ｃを覆うように設けられている。無機配向膜２２１の表面には、例えば複数のカラム２２１ａの形状の違いによる凹凸部が形成されており、保護膜２２２は、凹凸部の少なくとも一部を平坦化するように形成されている。なお、図３及び図４では、保護膜２２２が無機配向膜２２１の全体を覆うように設けられた構成が示されているが、これに限られることは無く、保護膜２２２が無機配向膜２２１の一部を覆うように設けられた構成であってもよい。
【００５９】
保護膜２２２のうち液晶層５０との界面には、凹部２２２ｂが形成されている。凹部２２２ｂは、無機配向膜２２１の溝部２２１ｂに重なる領域のうち少なくとも一部に設けられている。保護膜２２２を構成する無機絶縁材料が無機配向膜２２１の溝部２２１ｂの一部を埋めるように当該溝部２２１ｂの一部に入り込んだ状態となっていることにより、凹部２２２ｂの形状は溝部２２１ｂの形状に沿った形状となっている。
【００６０】
当該凹部２２２ｂは、深さ方向の寸法が例えば１５ｎｍ〜２５０ｎｍ程度に形成されている。また、凹部２２２ｂは、カラム２２１ａの傾斜方向の寸法（凹部２２２ｂの幅方向の寸法）が例えば１５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度に形成されている。
【００６１】
例えば、図４に示すように、溝部２２１ｂは、基板面の法線方向に対するカラム２２１ａの傾斜に対応して傾斜するように形成されている。これに対して、溝部２２１ｂに重なる位置に形成される凹部２２２ｂについても、カラム２２１ａの傾斜に対応して傾斜する面２２２ｃを有している。
【００６２】
上記のように構成された液晶装置１００を製造する場合には、まず素子基板１０及び対向基板２０に対して、配線や電極を含めた必要なパターンを形成する。その後、素子基板１０及び対向基板２０にシリコン酸化物又は金属酸化物などをプラズマＣＶＤ法によって成膜し、その後、フォトリソグラフィ法などによって凸部１３０及び凸部２３０が形成されるようにパターニングして、下地層１２９及び下地層２２９を形成する。
【００６３】
その後、下地層１２９及び下地層２２９に対して無機配向膜の材料を物理蒸着することにより、それぞれ無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１を形成する。物理蒸着を行う方法として、本実施形態では、配向膜を構成する無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１は、斜方から真空蒸着する斜方蒸着法によって形成する。
【００６４】
斜方蒸着法については、例えば基板面から所定の角度だけ傾いた方向から蒸着を行うことにより、蒸着と同じ方位に所望の角度傾いた方向に、ＳｉＯ２のカラム１６１ａ及びカラム２２１ａを成長させ、これによって無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１のそれぞれに異方性を付与している。無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１は、カラム１６１ａ及びカラム２２１ａの長軸を基板上に投影したときの基板の上面上における長軸の向きに沿うように、配向規制力を有している。
【００６５】
無機配向膜１６１の蒸着の向きＶａ１（図３及び図４参照）と無機配向膜２２１の蒸着の向きＶａ２（図３参照）とは、互いに平行であって反対の向きとなっている。したがって、無機配向膜１６１と無機配向膜２２１とは、互いに平行であって反対の向きに配向規制方向を有している。
【００６６】
上記の斜方蒸着を行う際、蒸着方向に見て、例えば素子基板１０又は対向基板２０上に形成された凸部１３０及び凸部２３０には蒸着粒子が付着しやすく、凸部１３０及び凸部２３０の影になる領域には蒸着粒子が付着しにくい。
【００６７】
例えば、図４に示すように、素子基板１０に対して所定の蒸着方向Ｖａ１で蒸着を行う場合、凸部１３０の上面１３０ａ及び側面１３０ｂには蒸着粒子が付着しやすく、側面１３０ｃ側は影になる。蒸着方向Ｖａ１は対向面１０ａの法線方向に対して傾いているため、陰となる領域は側面１３０ｃのみならず下地層１２９にも形成される。このような凸部１３０の影になる領域ＳＨには、蒸着粒子が付着しにくくなるため、カラム１６１ａの成長が阻害される。図示を省略するが、凸部２３０においても同様である。このように下地層１２９及び下地層２２９には、蒸着粒子が付着しやすい領域と、蒸着粒子が付着しにくい領域とが形成される。
【００６８】
このため、カラム１６１ａ及びカラム２２１ａは、基板面全体に亘って均一に配置されるのではなく、蒸着方向において凸部１３０及び凸部２３０の影になる部分が疎になる。このようにして、カラム１６１ａ及びカラム２２１ａの疎密を形成することにより、疎になった部分に溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂが形成される。なお、斜方蒸着において、蒸着方向に直交する方向にパターンの影が形成されるため、溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂは、パターンに対応する位置であって蒸着方向にほぼ直交する方向に延びるように形成される。したがって、溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂは、凸部１３０及び凸部２３０のうち蒸着方向において影になる側面１３０ｃ及び側面２３０ｃに沿って形成されることになる。
【００６９】
次に、上記のように形成された無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１上に、スピンコート法やインクジェット法などの液相成膜法により、保護膜１６２及び保護膜２２２を構成する材料を塗布し、乾燥及び焼成を行う。これにより、無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１上に保護膜１６２及び保護膜２２２を形成する。
【００７０】
液相成膜法を行う際、上記斜方蒸着によって形成されたカラム１６１ａ及びカラム２２１ａと、溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂとに亘って材料を塗布する。このとき、溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂを完全に埋めてしまわないように保護膜１６２及び保護膜２２２の材料を塗布する。これにより、保護膜１６２には溝部１６１ｂの形状に沿った凹部１６２ｂが形成され、保護膜２２２には溝部２２１ｂの形状に沿った凹部２２２ｂが形成されることになる。
【００７１】
また、保護膜１６２及び保護膜２２２の材料を塗布することにより、カラム１６１ａ及びカラム２２１ａ同士の先端の凹凸が平坦化される。これにより、液晶層５０と無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１との界面の面積が小さくなると共に、界面に存在する光活性基が減少することになる。無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１は、液晶層５０との界面に存在する光活性基の光反応により劣化する場合がある。無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１の表面を保護膜１６２及び保護膜２２２で平坦化することにより、無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１と液晶層５０との界面の面積を小さくすると共に界面の光活性基を減少することができるため、光劣化反応が抑制されることになる。
【００７２】
このように、斜方蒸着の過程で形成される溝部１６１ｂ及び溝部２２１ｂの形状の一部を残すように凹部１６２ｂ及び凹部２２２ｂを形成することにより、無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１の表面の劣化を抑制しつつ液晶層５０の配向規制力を有するような構成を効率的に形成することができる。
【００７３】
保護膜１６２及び保護膜２２２を形成した後、素子基板１０と対向基板２０とが所定の間隔を空けて対向配置するようにパネルを組み立て、その後液晶を注入し、注入口を封止することにより、液晶装置１００が完成する。
【００７４】
以上のように、本実施形態では、素子基板１０及び対向基板２０のうち互いの対向面１０ａ、２０ａに設けられ表層側の面１２９ａ、２２９ａに凸部１３０、２３０を有する下地層１２９、２２９と、表層側の第二面１６１ｃ、２２１ｃのうち凸部１３０、２３０に対応する領域に溝部１６１ｂ、２２１ｂが形成された無機配向膜１６１、２２１を有する配向層１６、２２とを備えるので、液晶分子は溝部の形状に応じて配向方向が規制される。このため、蒸着方向に対して直交方向に離れた位置での蒸着方位のずれを抑制することができる。これにより、素子基板１０及び対向基板２０の対向面１０ａ、２０ａ（基板面）内において液晶配向方位のバラつきが抑制されるので、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することができる。
【００７５】
また、無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１が無機絶縁材料を用いて形成された保護膜１６２及び保護膜２２２によってそれぞれ覆われているので、液晶層５０との界面における第一配向層１６及び第二配向層２２の光活性基を大幅に低減することができる。これにより、光反応の発生を低減することができるため、耐光性向上を図ることができる。また、無機配向膜１６１及び無機配向膜２２１を覆う保護膜１６２及び保護膜２２２の表面に凹部１６２ｂ及び凹部２２２ｂが形成されているため、液晶層５０の配向制御性を確保することができる。これにより、液晶層５０の配向制御性を有しつつ耐光性に優れた液晶装置１００が得られる。
【００７６】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、平面視で矩形に形成された凸部１３０、２３０が素子基板１０及び対向基板２０の一辺に沿って当該一辺の両端に亘って形成された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。
【００７７】
図８〜１０は、変形例に係る素子基板１０の平面構成の一例を示す図である。以下の説明では、素子基板１０の凸部１３０について説明するが、対向基板２０の凸部２３０についても同様の説明が適用可能である。したがって、図８〜図１０においては、素子基板１０の構成を示す符号について、対応する対向基板２０の構成をカッコ内に示して説明を省略する。
【００７８】
例えば、図８に示すように、凸部１３０が延在方向（一方向）に複数に分割された構成であってもよい。図８では、凸部１３０のうち分割された各々の部分が長手方向に等しい寸法に形成されているが、これに限られることは無く、互いに異なる寸法であってもよい。
【００７９】
また、例えば図９に示すように、凸部１３０が延在方向に沿うように配置された構成であってもよい。なお、図８では、凸部１３０のうち分割された各々の部分が延在方向及び当該延在方向に直交する方向に一列に並ぶように配置された構成であったが、これに限られることは無く、例えば図９に示すように、複数の凸部１３０のうち延在方向に直交する方向（図中上下方向）にずれた構成となっていてもよい。
【００８０】
また、例えば図１０に示すように、平面視で楕円形に形成された凸部１３０が設けられた構成であってもよい。なお、上記同様に、凸部１３０のうち分割された各々の部分が延在方向及び当該延在方向に直交する方向に一列に並ぶように配置された構成であったが、これに限られることは無い。
【００８１】
また、上記実施形態では、基板面視での蒸着方向について、凸部１３０、２３０の延在方向に直交する方向とした場合を例に挙げて説明したが、当該蒸着方向は、所定角度の範囲でずれた方向であってもよい。
【００８２】
図１１は、液晶分子のツイスト角ごとの電圧−光透過率特性（ＶＴ特性）の一例を示すグラフである。  
図１１に示すように、ツイスト角が１０°以上になるとＶＴ特性が大きく変化するため、液晶方位のずれは５°以内であることが好ましい。したがって、蒸着方向は、凸部１３０、２３０の延在方向に対して±５°以内であることが好ましく、±３°以内であるとより好ましい。
【００８３】
また、上記説明では、凸部１３０及び２３０の延在方向が素子基板１０及び対向基板２０の辺に平行に配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、当該延在方向が素子基板１０及び対向基板２０の辺に対して所定角度傾いた構成であってもよい。
【００８４】
図１２は、凸部１３０の配置（傾き）についての説明図である。  
図１２に示すように、例えば液晶装置１００の一つの有効画素内（開口領域）における凸部１３０、２３０の長手方向の寸法をｌとし、長手方向の直交方向に対する凸部１３０、２３０の傾斜角度をθとすると、凸部１３０、２３０の許容されるズレ角φは、以下の［数１］に示す式（１）〜（３）によって、好ましくは±５°以内、更に好ましくは±３°以内と求めることができる。
【００８５】
【数１】
2014066961.tif 000003
【００８６】
また、上記実施形態においては、液相成膜法によって保護膜１６２及び保護膜２２２を形成する態様を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の手法（例、スパッタリング法など）によって保護膜１６２及び保護膜２２２を形成してもよい。
【００８７】
＜プロジェクター＞
次に、上記実施形態の液晶装置１００を適用したプロジェクターの一例について説明する。  
図７は、本実施形態に係るプロジェクター５００の光学系の一例を示す模式図である。
図７に示すように、プロジェクター５００は、光源装置５０１と、インテグレーター５０４と、偏光変換素子５０５と、色分離導光光学系５０２と、光変調装置としての液晶光変調装置５１０Ｒ、液晶光変調装置５１０Ｇ、液晶光変調装置５１０Ｂと、クロスダイクロイックプリズム５１２及び投写光学系５１４と、を具備して構成されている。
【００８８】
液晶光変調装置５１０Ｒ、５１０Ｇ及び５１０Ｂには、後述するように、液晶装置５２０Ｒ、５２０Ｇ及び５２０Ｂが設けられている。この液晶装置５２０Ｒ、５２０Ｇ及び５２０Ｂとして、例えば上記各実施形態において説明した液晶装置１００を用いることができる。
【００８９】
光源装置５０１は、第一色光である赤色光（以下、「Ｒ光」という。）、第二色光である緑色光（以下、「Ｇ光」という。）、及び第三色光である青色光（以下、「Ｂ光」という。）を含む光を供給する。光源装置５０１としては、例えば超高圧水銀ランプを用いることができる。
【００９０】
インテグレーター５０４は、光源装置５０１からの光の照度分布を均一化する。照度分布を均一化された光は、偏光変換素子５０５にて特定の振動方向を有する偏光光、例えば色分離導光光学系５０２の反射面に対してｓ偏光したｓ偏光光に変換される。ｓ偏光光に変換された光は、色分離導光光学系５０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒに入射する。
【００９１】
色分離導光光学系５０２は、Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒと、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇと、３枚の反射ミラー５０７と、２枚のリレーレンズ５０８と、を具備して構成されている。
【００９２】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒは、Ｒ光を透過し、Ｇ光、Ｂ光を反射する。Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒを透過したＲ光は、反射ミラー５０７に入射する。
【００９３】
反射ミラー５０７は、Ｒ光の光路を９０度折り曲げる。光路を折り曲げられたＲ光は、Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒに入射する。Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒは、Ｒ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。
【００９４】
Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒは、λ／２位相差板５２３Ｒ、ガラス板５２４Ｒ、第一偏光板５２１Ｒ、液晶装置５２０Ｒ、及び第二偏光板５２２Ｒを有する。λ／２位相差板５２３Ｒ及び第一偏光板５２１Ｒは、偏光方向を変換させない透光性のガラス板５２４Ｒに接する状態で配置される。なお、図７において、第二偏光板５２２Ｒは独立して設けられているが、液晶装置５２０Ｒの射出面や、クロスダイクロイックプリズム５１２の入射面に接する状態で配置しても良い。
【００９５】
Ｒ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｒで反射された、Ｇ光とＢ光とは光路を９０度折り曲げられる。光路を折り曲げられたＧ光とＢ光とは、Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇに入射する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇは、Ｇ光を反射し、Ｂ光を透過する。Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇで反射されたＧ光は、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射する。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０ＧはＧ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇは、液晶装置５２０Ｇ、第一偏光板５２１Ｇ及び第二偏光板５２２Ｇを有する。
【００９６】
Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射するＧ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇに入射したｓ偏光光は、第一偏光板５２１Ｇをそのまま透過し、液晶装置５２０Ｇに入射する。液晶装置５２０Ｇに入射したｓ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｇ光がｐ偏光光に変換される。液晶装置５２０Ｇの変調により、ｐ偏光光に変換されたＧ光が、第二偏光板５２２Ｇから射出される。このようにして、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇで変調されたＧ光は、クロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【００９７】
Ｂ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇを透過したＢ光は、２枚のリレーレンズ５０８と、２枚の反射ミラー５０７とを経由して、Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射する。
【００９８】
Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂは、Ｂ光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂは、λ／２位相差板５２３Ｂ、ガラス板５２４Ｂ、第一偏光板５２１Ｂ、液晶装置５２０Ｂ、及び第二偏光板５２２Ｂを有する。
【００９９】
Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射するＢ光は、ｓ偏光光に変換されている。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂに入射したｓ偏光光は、λ／２位相差板５２３Ｂによりｐ偏光光に変換される。ｐ偏光光に変換されたＢ光は、ガラス板５２４Ｂ及び第一偏光板５２１Ｂをそのまま透過し、液晶装置５２０Ｂに入射する。液晶装置５２０Ｂに入射したｐ偏光光は、画像信号に応じた変調により、Ｂ光がｓ偏光光に変換される。液晶装置５２０Ｂの変調により、ｓ偏光光に変換されたＢ光が、第二偏光板５２２Ｂから射出される。Ｂ光用の液晶光変調装置５１０Ｂで変調されたＢ光は、クロスダイクロイックプリズム５１２に入射する。
【０１００】
このように、色分離導光光学系５０２を構成するＲ光透過ダイクロイックミラー５０６ＲとＢ光透過ダイクロイックミラー５０６Ｇとは、光源装置５０１から供給される光を、第一色光であるＲ光と、第二色光であるＧ光と、第三色光であるＢ光とに分離する。
【０１０１】
色合成光学系であるクロスダイクロイックプリズム５１２は、２つのダイクロイック膜５１２ａ、５１２ｂをＸ字型に直交して配置して構成されている。ダイクロイック膜５１２ａは、Ｂ光を反射し、Ｇ光を透過する。ダイクロイック膜５１２ｂは、Ｒ光を反射し、Ｇ光を透過する。このように、クロスダイクロイックプリズム５１２は、Ｒ光用の液晶光変調装置５１０Ｒ、Ｇ光用の液晶光変調装置５１０Ｇ、及びＢ光用の液晶光変調装置５１０Ｂでそれぞれ変調されたＲ光、Ｇ光及びＢ光を合成する。
【０１０２】
投写光学系５１４は、クロスダイクロイックプリズム５１２で合成された光をスクリーン５１６に投射する。これにより、スクリーン５１６上でフルカラー画像を得ることができる。
【０１０３】
以上のように、本実施形態によれば、明るさ及びコントラストのバラつきを低減することが可能な液晶装置５２０Ｒ、５２０Ｇ及び５２０Ｂ（液晶装置１００）を備えるので、表示特性及び寿命において信頼性の高いプロジェクター５００を得ることができる。
【０１０４】
また、上記実施形態の液晶装置１００は、基板素子として高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（ＨＴＰＳ）、反射型高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（Ｒ−ＨＴＰＳ）、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）等を用いることができる。
【０１０５】
また、上記実施形態の液晶装置１００は、上記液晶プロジェクターのライトバルブに限らず、デジタルサイネージ、ＥＶＦ（Electronic View Finder）、携帯電話、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた表示部を備えた電子機器を提供できる。
【符号の説明】
【０１０６】
１０…素子基板  ２０…対向基板  １０ａ、２０ａ…対向面  １２…画素  １６…第一配向層  ２２…第二配向層  ５０…液晶層  １００…液晶装置  １２９…下地層  １２９ａ、２２９ａ…面  １２９、２２９…下地層  １３０、２３０…凸部  １３０ａ、２３０ａ…上面  １３０ｂ、１３０ｃ、２３０ｂ、２３０ｃ…側面  １６１、２２１…無機配向膜  １６１ａ、２２１ａ…カラム  １６１ｂ、２２１ｂ…溝部  １６１ｃ、２２１ｃ…表面  １６１．２２１…無機配向膜  １６２、２２２…保護膜  １６２ｂ、２２２ｂ…凹部  １６２ｃ、２２２ｃ…面  ５００…プロジェクター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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