(57)【要約】【課題】高い信頼性を有することができる半導体素子を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体素子１００は、溝部１４が設けられている絶縁基板１０と、溝部１４内に設けられ、シリコン体８０と電気的に接続されているコンタクト部３０と、シリコン体８０とコンタクト部３０との間に設けられ、シリコン体８０とコンタクト部３０とを接続しているシリサイド層３４と、を含む。【選択図】図３
2014016165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溝部が設けられている絶縁基板と、
前記溝部内に設けられ、シリコン体と電気的に接続されているコンタクト部と、
前記シリコン体と前記コンタクト部との間に設けられ、前記シリコン体と前記コンタクト部とを接続しているシリサイド層と、
を含む、半導体素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記シリサイド層は、前記シリコン体を構成するシリコンと前記コンタクト部を構成する物質とが反応することによって形成される、半導体素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記コンタクト部の材質は、白金である、半導体素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、
前記溝部内に設けられている配線を含み、
前記配線は、前記コンタクト部および前記シリサイド層を介して、前記シリコン体と電気的に接続されている、半導体素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記溝部内に設けられ、前記コンタクト部と前記配線との間に配置され、金またはアルミニウムを用いた接続金属を含み、
前記配線は、前記接続金属を介して、前記シリコン体と電気的に接続されている、半導体素子。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項において、
前記溝部内には、前記絶縁基板と一体に凸部が設けられ、
前記凸部の高さは、前記溝部の深さよりも小さく、
前記コンタクト部は、前記シリコン体と前記凸部との間に設けられている、半導体素子。
【請求項７】
溝部内に配線が設けられている絶縁基板と、
前記溝部を跨いで設けられているシリコン体と、
前記溝部内に前記絶縁基板と一体に設けられ、且つ前記溝部の深さよりも高さが小さい凸部と、を備え、
前記配線は、前記凸部の頂面上にまで延在して、前記シリコン体と前記凸部との間に設けられ、
前記シリコン体と前記配線との界面にはシリサイド層が設けられている、半導体素子。
【請求項８】
請求項７において、
前記配線の材質は、白金である、半導体素子。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項において、
前記絶縁基板と前記シリコン体との間に設けられている絶縁層を含む、半導体素子。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項において、
前記シリコン体は、
可動部と、
前記可動部に設けられた可動電極部と、
前記絶縁基板上に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置された固定電極部と、を含む、半導体素子。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の半導体素子を含む、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばシリコンＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ
Ｓｙｓｔｅｍ）技術を用いて、小型な半導体素子を実現する技術が注目されている。
【０００３】
半導体素子は、例えば、固定電極と可動電極との間の静電容量に基づいて、加速度や角速度等の物理量を検出する物理量センサー素子として用いられる。このような半導体素子は、例えば、配線と固定電極との電気的な接続を可能とするコンタクト部を含んで構成されている。
【０００４】
例えば特許文献１では、電気的な接続を可能とする部材として、半田によって形成されたメタルバンプを用いることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７４９７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された技術では、半田によって形成されたメタルバンプを用いているため、例えばメタルバンプが酸化すること等により、抵抗が高くなることがある。これにより、半導体素子の信頼性が低下することがある。半導体素子において電気的な接続は、低抵抗であることが望まれている。
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、高い信頼性を有することができる半導体素子を提供することにある。また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、上記半導体素子を含む電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【０００９】
［適用例１］
本適用例に係る半導体素子は、
溝部が設けられている絶縁基板と、
前記溝部内に設けられ、シリコン体と電気的に接続されているコンタクト部と、
前記シリコン体と前記コンタクト部との間に設けられ、前記シリコン体と前記コンタクト部とを接続しているシリサイド層と、
を含む。
【００１０】
このような半導体素子によれば、シリサイド層によって、シリコン体とコンタクト部とは、低抵抗で電気的に接続されている。その結果、このような半導体素子は、高い信頼性を有することができる。
【００１１】
［適用例２］
本適用例に係る半導体素子において、
前記シリサイド層は、前記シリコン体を構成するシリコンと前記コンタクト部を構成する物質とが反応することによって形成されてもよい。
【００１２】
このような半導体素子によれば、シリコン体のシリコンとコンタクト部の物質とが化学的に結合してシリサイド層を形成するため、物理的に接触しているだけの場合に比べて、シリコン体とコンタクト部とを高い強度で電気的に接続することができる。
【００１３】
［適用例３］
本適用例に係る半導体素子において、
前記コンタクト部の材質は、白金であってもよい。
【００１４】
このような半導体素子によれば、コンタクト部は、酸化され難く、シリコン体とコンタクト部とは、より確実に、低抵抗で電気的に接続されている。また、例えば、コンタクト部に形成された酸化膜を除去する工程が不要となるので、工程の簡略化を図ることができる。
【００１５】
［適用例４］
本適用例に係る半導体素子において、
前記溝部内に設けられている配線を含み、
前記配線は、前記コンタクト部および前記シリサイド層を介して、前記シリコン体と電気的に接続されていてもよい。
【００１６】
このような半導体素子は、高い信頼性を有することができる。
【００１７】
［適用例５］
本適用例に係る半導体素子において、
前記溝部内に設けられ、前記コンタクト部と前記配線との間に配置され、金またはアルミニウムを用いた接続金属を含み、
前記配線は、前記接続金属を介して、前記シリコン体と電気的に接続されていてもよい。
【００１８】
このような半導体素子によれば、接続部を押し潰しつつ、絶縁基板とシリコン体となるシリコン基板とを接合（例えば陽極接合）することができる。したがって、コンタクト部とシリコン体との電気的接続を確保しつつ、より確実に、絶縁基板とシリコン体とを接合することができる。
【００１９】
［適用例６］
本適用例に係る半導体素子において、
前記溝部内には、前記絶縁基板と一体に凸部が設けられ、
前記凸部の高さは、前記溝部の深さよりも小さく、
前記コンタクト部は、前記シリコン体と前記凸部との間に設けられていてもよい。
【００２０】
このような半導体素子によれば、コンタクト部とシリコン体との電気的接続を確保しつつ、より確実に、絶縁基板とシリコン基板とを接合（例えば陽極接合）することができる。
【００２１】
［適用例７］
本適用例に係る半導体素子は、
溝部内に配線が設けられている絶縁基板と、
前記溝部を跨いで設けられているシリコン体と、
前記溝部内に前記絶縁基板と一体に設けられ、且つ前記溝部の深さよりも高さが小さい凸部と、を備え、
前記配線は、前記凸部の頂面上にまで延在して、前記シリコン体と前記凸部との間に設けられ、
前記シリコン体と前記配線との界面にはシリサイド層が設けられている。
【００２２】
このような半導体素子によれば、シリサイド層によって、シリコン体と配線とは、低抵抗で電気的に接続されている。その結果、このような半導体素子は、高い信頼性を有することができる。
【００２３】
［適用例８］
本適用例に係る半導体素子において、
前記配線の材質は、白金であってもよい。
【００２４】
このような半導体素子によれば、配線は、酸化され難く、シリコン体と配線とは、より確実に、低抵抗で電気的に接続されている。また、例えば、配線に形成された酸化膜を除去する工程が不要となるので、工程の簡略化を図ることができる。
【００２５】
［適用例９］
本適用例に係る半導体素子において、
前記絶縁基板と前記シリコン体との間に設けられている絶縁層を含んでいてもよい。
【００２６】
このような半導体素子によれば、コンタクト部とシリコン体との電気的接続を確保しつつ、より確実に、絶縁基板とシリコン基板とを接合（例えば陽極接合）することができる。
【００２７】
［適用例１０］
本適用例に係る半導体素子において、
前記シリコン体は、
可動部と、
前記可動部に設けられた可動電極部と、
前記絶縁基板上に設けられ、且つ、前記可動電極部に対向して配置された固定電極部と、を含んでいてもよい。
【００２８】
このような半導体素子によれば、高い信頼性を有することができる。
【００２９】
［適用例１１］
本適用例に係る電子機器は、
本適用例に係る半導体素子を含む。
【００３０】
このような電子機器によれば、本適用例に係る半導体素子を含むため、高い信頼性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体素子を模式的に示す平面図。
【図２】第１の実施形態に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図３】第１の実施形態に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る半導体素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図６】第１の実施形態に係る半導体素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図７】第１の実施形態に係る半導体素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図８】第１の実施形態に係る半導体素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図９】第１の実施形態の第１変形例に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図１０】第１の実施形態の第２変形例に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図１２】第２の実施形態の変形例に係る半導体素子を模式的に示す断面図。
【図１３】第２の実施形態の変形例に係る半導体素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【図１４】第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１５】第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【図１６】第３の実施形態に係る電子機器を模式的に示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また、以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３３】
１．  第１の実施形態
１．１．  半導体素子
まず、第１の実施形態に係る半導体素子について、図面を参照しながら説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体素子１００を模式的に示す平面図である。図２は、第１の実施形態に係る半導体素子１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図である。図３は、第１の実施形態に係る半導体素子１００を模式的に示す図１のＩＩ−ＩＩ線断面図であって、図２の破線で囲まれた領域Ａの拡大図である。図４は、第１の実施形態に係る半導体素子１００を模式的に示す図１のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【００３４】
なお、便宜上、図１では、蓋体６０を透視し、絶縁層４０を省略して図示している。また、図２では、密着層３２、シリサイド層３４、および絶縁層４０を省略して図示している。また、図１〜図４および以下に示す図５〜図１３では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。
【００３５】
以下では、半導体素子１００が、水平方向（Ｘ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子（静電容量型ＭＥＭＳ加速度センサー素子）である場合について説明する。
【００３６】
半導体素子１００は、図１〜図４に示すように、絶縁基板１０と、コンタクト部３０と、シリサイド層３４と、シリコン体８０と、を含む。シリコン体８０は、固定部８１，８２と、連結部８４，８５と、可動部８６と、可動電極部８７と、固定電極部８８，８９と、を有することができる。さらに、半導体素子１００は、配線２０，２２，２４と、密着層３２と、絶縁層４０と、接続端子５０，５２，５４と、蓋体６０と、を有することができる。
【００３７】
絶縁基板１０の材質は、例えば、ガラスである。絶縁基板１０は、図２に示すように、第１面（具体的には上面）１１と、第１面１１と反対側の第２面（具体的には下面）１２と、を有している。図示の例では、第１面１１は、＋Ｚ軸方向を向いており、第２面１２は、−Ｚ軸方向を向いている。第１面１１には、凹部１３が設けられている。第１面１１には、さらに、溝部１４，１５，１６が設けられている。
【００３８】
凹部１３の上方（＋Ｚ軸方向側）には、シリコン体８０の可動部８６および可動電極部８７が配置されている。凹部１３によって、可動部８６および可動電極部８７は、絶縁基板１０に妨害されることなく、所望の方向に可動することができる。凹部１３の平面形状
（Ｚ軸方向から見たときの形状）は、特に限定されないが、図１に示す例では、矩形である。
【００３９】
溝部１４は、図１に示すように平面視において（Ｚ軸方向から見て）、凹部１３の外周に沿うように設けられている。溝部１４は、絶縁基板１０および蓋体６０によって囲まれるキャビティー６２の内側から外側まで延出している。溝部１４は、例えば、配線２０および接続端子５０の平面形状に対応した平面形状を有している。
【００４０】
溝部１５は、平面視において、凹部１３の外周に沿うように設けられている。図１に示す例では、溝部１５は、溝部１４の外側に設けられ、溝部１４を囲むように設けられている。溝部１５は、キャビティー６２の内側から外側まで延出している。溝部１５は、例えば、配線２２および接続端子５２の平面形状に対応した平面形状を有している。
【００４１】
溝部１６は、キャビティー６２の内側から外側まで延出している。溝部１６は、例えば、配線２４および接続端子５４の平面形状に対応した平面形状を有している。
【００４２】
配線２０は、溝部１４内に設けられている。より具体的には、配線２０は、溝部１４の底面（溝部１４を規定する絶縁基板１０の面）１４ａに設けられている。配線２０は、図３に示すように、密着層３２、コンタクト部３０、およびシリサイド層３４を介して、シリコン体８０の第１固定電極部８８と電気的に接続されている。
【００４３】
配線２２は、溝部１５内に設けられている。より具体的には、配線２２は、溝部１５の底面１５ａに設けられている。配線２２は、密着層３２、コンタクト部３０、およびシリサイド層３４を介して、シリコン体８０の第２固定電極部８９と電気的に接続されている。
【００４４】
配線２４は、溝部１６内に設けられている。より具体的には、配線２４は、溝部１６の底面１６ａに設けられている。配線２４は、図４に示すように、密着層３２、コンタクト部３０、およびシリサイド層３４を介して、シリコン体８０の第１固定部８１と電気的に接続されている。
【００４５】
配線２０，２２，２４の厚さ（Ｚ軸方向の大きさ）は、例えば、１０ｎｍ以上１μｍ以下である。配線２０，２２，２４の材質は、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＦＴＯ（Ｆｌｕｏｒｉｎｅ−ｄｏｐｅｄ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ガリウムがドープされた酸化亜鉛、アルミニウム、金、白金、チタン、タングステン、クロム等である。配線２０，２２，２４として、ＩＴＯ等の透明電極材料を用いた場合、絶縁基板１０が透明である場合に、例えば、配線２０，２２，２４上に発生する可能性のある異物の検査を、絶縁基板１０の第２面１２側から観察することで、簡便に行うことができる。配線２０，２２，２４としてＩＴＯ等の透明電極材料を用いない場合は、溝部１４，１５，１６内を観察することができず、品質確保が困難となる場合がある。
【００４６】
コンタクト部３０は、平面視において溝部１４，１５，１６内に設けられている。図示の例では、コンタクト部３０は、溝部１４，１５，１６内に設けられ、シリコン体８０と電気的に接続されている。コンタクト部３０は、密着層３２を介して、配線２０，２２，２４上に設けられている。より具体的には、コンタクト部３０は、配線２０と第１固定電極部８８と間、配線２２と第２固定電極部８９との間、および配線２４と第１固定部８１との間に設けられている。コンタクト部３０の材質は、例えば、白金である。コンタクト部３０は、例えば、白金バンプである。コンタクト部３０の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上１μｍ以下である。
【００４７】
密着層３２は、配線２０，２２，２４と、コンタクト部３０と、の間に設けられている。密着層３２の材質は、例えば、チタン、窒化チタン、チタンタングステン等である。密着層３２の厚さは、例えば、１０ｎｍ程度である。密着層３２は、配線２０，２２，２４と、コンタクト部３０と、の密着性を高くすることができる。
【００４８】
シリサイド層３４は、シリコン体８０とコンタクト部３０との間に設けられ、シリコン体８０とコンタクト部３０とを接続している。より具体的には、シリサイド層３４は、第１固定電極部８８とコンタクト部３０との間、第２固定電極部８９とコンタクト部３０との間、および第１固定部８１とコンタクト部３０との間に設けられている。
【００４９】
シリサイド層３４は、シリコン体８０のシリコン（シリコン体８０となるシリコン基板８０ａのシリコン）とコンタクト部３０の物質とが反応することによって形成される。より具体的には、シリコン体８０となるシリコン基板８０ａ（図８参照）と絶縁基板１０とを陽極接合する際に、シリコン基板８０ａのシリコンとコンタクト部３０の白金とが反応することにより、シリサイド層３４が形成される。シリサイド層３４としては、白金シリサイド層を用いることができる。シリサイド層３４の厚さは、特に限定されず、コンタクト層３０の厚さや陽極接合の条件（温度、時間）等によって適宜決定されるが、例えば、１ｎｍ以上１μｍ以下である。
【００５０】
絶縁層４０は、配線２０，２２，２４の一部を覆って設けられている。より具体的には、絶縁層４０は、配線２０，２２，２４の、コンタクト部３０が形成されている領域を避けて、設けられている。図４に示すように、配線２０，２２，２４上に接続端子５０，５２，５４が形成される場合は、絶縁層４０は、接続端子５０，５２，５４が形成される領域も避けて設けられている。絶縁層４０の材質は、例えば、酸化シリコンである。絶縁層４０の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００５１】
接続端子５０，５２，５４は、それぞれ溝部１４，１５，１６内に設けられている。接続端子５０，５２，５４は、それぞれ配線２０，２２，２４と接続されている。したがって、接続端子５０は、第１固定電極部８８と電気的に接続されている。接続端子５２は、第２固定電極部８９と電気的に接続されている。接続端子５４は、第１固定部８１と電気的に接続されている。
【００５２】
接続端子５０，５２，５４は、平面視において蓋体６０と重ならない位置に（キャビティー６２の外側に）設けられている。接続端子５０，５２，５４の材質は、例えば、配線２０，２２，２４と同じである。
【００５３】
蓋体６０は、絶縁基板１０上に（第１面１１に）載置（接合）されている。蓋体６０は、容器状の形状を有しており、絶縁基板１０と接合されることにより、キャビティー６２を形成することができる。例えば、図４に示す絶縁層４０と蓋体６０との間の空隙（溝部１６内の空隙）２は、接着部材（図示せず）等によって埋められていてもよく、この場合、キャビティー６２は、不活性ガス（例えば窒素ガス）雰囲気で密閉されていてもよい。
【００５４】
蓋体６０の材質は、例えば、シリコン、ガラスなどである。蓋体６０と絶縁基板１０との接合方法は、特に限定されないが、例えば、絶縁基板１０の材質がガラスであり、蓋体６０の材質がシリコンである場合は、絶縁基板１０と蓋体６０とを陽極接合することができる。
【００５５】
シリコン体８０は、絶縁基板１０上に（第１面１１に）支持されている。シリコン体８０は、キャビティー６２に収容されている。シリコン体８０の材質は、リン、ボロン等の不純物がドープされることにより導電性が付与されたシリコンである。
【００５６】
シリコン体８０の可動部８６は、Ｘ軸方向の加速度の変化に応じて、連結部８４，８５を弾性変形させながら、Ｘ軸方向（＋Ｘ軸方向または−Ｘ軸方向）に変位する。このような変位に伴って、可動電極部８７と第１固定電極部８８との間の隙間、および可動電極部８７と第２固定電極部８９との間の隙間の大きさが変化する。すなわち、このような変位に伴って、可動電極部８７と第１固定電極部８８との間の静電容量、および可動電極部８７と第２固定電極部８９との間の静電容量の大きさが変化する。これらの静電容量の変化に基づいて、半導体素子１００は、Ｘ軸方向の加速度を検出することができる。
【００５７】
第１固定部８１および第２固定部８２は、絶縁基板１０の第１面１１に接合されている。図１に示す例では、固定部８１，８２は、平面視において、凹部１３の外周縁を跨ぐように設けられている。固定部８１，８２の平面形状は、例えば、矩形である。
【００５８】
第１固定部８１は、溝部１６を跨いで設けられている。図１に示す例では、第１固定部８１の一部は、溝部１６と重なっている。第１固定部８１は、図４に示すように、シリサイド層３４、コンタクト部３０、密着層３２、および配線２４を介して、接続端子５４と電気的に接続されている。
【００５９】
可動部８６は、図１に示すように、第１固定部８１と第２固定部８２との間に設けられている。図１に示す例では、可動部８６の平面形状は、Ｘ軸に沿った長辺を有する矩形である。
【００６０】
連結部８４，８５は、可動部８６と固定部８１，８２とを連結している。より具体的には、第１連結部８４は、可動部８６と第１固定部８１とを連結し、第２連結部８５は、可動部８６と第２固定部８２とを連結している。連結部８４，８５は、所望のばね定数を持ち、Ｘ軸方向に可動部８６を変位し得るように構成されている。図１に示す例では、第１連結部８４は、Ｙ軸方向に往復しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８４ａ，８４ｂによって構成されている。同様に、第２連結部８５は、Ｙ軸方向に往復しながらＸ軸方向に延びる形状をなす２つの梁８５ａ，８５ｂによって構成されている。
【００６１】
可動電極部８７は、可動部８６に接続されている。可動電極部８７は、可動部８６に設けられている。可動電極部８７は、複数設けられている。可動電極部８７は、可動部８６から＋Ｙ軸方向および−Ｙ軸方向に突出し、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に並んでいる。
【００６２】
固定電極部８８，８９は、絶縁基板１０上に設けられ、可動電極部８７に対向して配置されている。固定電極部８８，８９は、一方の端部が固定端として絶縁基板１０の第１面１１に接合され、他方の端部が自由端として可動部８６側へ延出している。固定電極部８８，８９の各々は、複数設けられている。固定電極部８８，８９は、櫛歯状をなすようにＸ軸方向に交互に並んでいる。固定電極部８８，８９は、可動電極部８７に対して間隔を隔てて対向して設けられている。図１に示す例では、第１固定電極部８８は、可動電極部８７の一方側（−Ｘ軸方向側）に配置され、第２固定電極部８９は、他方側（＋Ｘ軸方向側）に配置されている。例えば、第１固定電極部８８の可動電極部８７と対向する面積と、第２固定電極部８９の可動電極部８７と対向する面積とは、同じである。
【００６３】
第１固定電極部８８は、溝部１４，１５を跨いで設けられている。図１に示す例では、第１固定電極部８８は、溝部１４，１５と交差している。第１固定電極部８８は、シリサイド層３４、コンタクト部３０、密着層３２、および配線２０を介して、接続端子５０と電気的に接続されている。
【００６４】
第２固定電極部８９は、溝部１４，１５を跨いで設けられている。図１に示す例では、
第２固定電極部８９は、溝部１４，１５と交差している。第２固定電極部８９は、シリサイド層３４、コンタクト部３０、密着層３２、および配線２２を介して、接続端子５２と電気的に接続されている。第２固定電極部８９は、第１固定電極部８８と電気的に分離されている。
【００６５】
固定部８１，８２、連結部８４，８５、可動部８６、および可動電極部８７は、一体に設けられている。固定部８１，８２および固定電極部８８，８９と、絶縁基板１０と、の接合方法は、特に限定されないが、例えば絶縁基板１０の材質がガラスである場合、固定部８１，８２および固定電極部８８，８９と、絶縁基板１０とは、陽極接合によって接合されている。
【００６６】
半導体素子１００では、接続端子５０，５４を用いることにより、可動電極部８７と第１固定電極部８８との間の静電容量を測定することができる。さらに、半導体素子１００では、接続端子５２，５４を用いることにより、可動電極部８７と第２固定電極部８９との間の静電容量を測定することができる。このように半導体素子１００では、可動電極部８７と第１固定電極部８８との間の静電容量、および可動電極部８７と第２固定電極部８９との間の静電容量を別々に測定し、それらの測定結果に基づいて、高精度に物理量（加速度）を検出することができる。
【００６７】
より具体的には、可動電極部８７と第１固定電極部８８との間の静電容量と、可動電極部８７と第２固定電極部８９との間の静電容量と、をモニターして差動検出することで、高精度に加速度を検出することができる。
【００６８】
なお、上記では、半導体素子１００を、Ｘ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子として説明したが、本発明に係る半導体素子は、Ｙ軸方向の加速度を検出する加速度センサー素子であってもよいし、鉛直方向（Ｚ軸方向）の加速度を検出する加速度センサー素子でもあってもよい。また、本発明に係る半導体素子は、加速度センサー素子に限定されず、例えば、角速度を検出するジャイロセンサー素子であってもよい。
【００６９】
第１の実施形態に係る半導体素子１００によれば、例えば、以下の特徴を有する。
【００７０】
半導体素子１００によれば、シリコン体８０とコンタクト部３０との間に設けられ、シリコン体８０とコンタクト部３０とを接続しているシリサイド層３４を含む。そのため、シリコン体８０とコンタクト部３０とは、低抵抗で電気的に接続されている。これにより、半導体素子１００は、高い信頼性を有することができる。
【００７１】
半導体素子１００によれば、シリサイド層３４は、シリコン体８０のシリコンとコンタクト部３０の物質とが反応することによって形成される。すなわち、半導体素子１００では、シリコン体８０のシリコンとコンタクト部３０の物質とが化学的に結合してシリサイド層３４を形成するため、物理的に接触しているだけの場合に比べて、シリコン体８０とコンタクト部３０とを高い強度で電気的に接続することができる。その結果、半導体素子１００は、よりいっそう高い信頼性を有することができる。
【００７２】
半導体素子１００によれば、コンタクト部３０の材質は、白金である。そのため、コンタクト部３０は、酸化され難く、シリコン体８０とコンタクト部３０とは、より確実に、低抵抗で電気的に接続されている。また、例えば、シリコン基板８０ａ（図８参照）とコンタクト部３０とを電気的に接続する前に、コンタクト部に形成された酸化膜を除去する工程が不要となる。その結果、工程の簡略化を図ることができる。例えばコンタクト部の材質が半田である場合には、コンタクト部が酸化されて抵抗が高くなる場合がある。また、コンタクト部に形成された酸化膜を除去する工程が必要となる場合がある。
【００７３】
半導体素子１００によれば、絶縁基板１０の材質は、ガラスである。そのため、絶縁基板１０とシリコン体８０（シリコン体８０となるシリコン基板）とを、陽極接合することができる。さらに、当該陽極接合の際に、シリコン体８０のシリコンとコンタクト部３０の物質とを反応させて、シリサイド層３４を形成することができる。
【００７４】
半導体素子１００によれば、絶縁層４０は、配線２０，２２，２４の、コンタクト部３０が形成されている領域を避けて、設けられている。そのため、例えば、配線２０上に異物が付着して配線２０と第２固定電極部８９とが短絡することや、配線２２上に異物が付着して配線２２と第１固定電極部８８とが短絡することを防止できる。その結果、半導体素子１００は、より高い信頼性を有することができる。
【００７５】
１．２．  半導体素子の製造方法
次に、第１の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５〜図８は、第１の実施形態に係る半導体素子１００の製造工程を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。
【００７６】
図５に示すように、溝部１４，１５，１６および凹部１３（図２，４参照）が設けられている絶縁基板１０を準備する。凹部１３および溝部１４，１５，１６は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成される。
【００７７】
図６に示すように、溝部１４，１５，１６内に、それぞれ配線２０，２２，２４を形成する。配線２０，２２，２４は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによる成膜、およびフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。
【００７８】
次に、コンタクト部３０が形成される領域（密着層３２が形成される領域）、および接続端子５０，５２，５４が形成される領域を避けて、配線２０，２２，２４を覆うように、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、ＣＶＤ法による成膜、およびフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。
【００７９】
次に、配線２０，２２，２４上に、それぞれ接続端子５０，５２，５４（図１参照）を形成する。５０，５２，５４は、例えば、配線２０，２２，２４と同じ方法で形成される。
【００８０】
図７に示すように、配線２０，２２，２４上に密着層３２を形成する。密着層３２は、例えば、配線２０，２２，２４と同じ方法で形成される。
【００８１】
次に、密着層３２上にコンタクト部３０を形成する。コンタクト部３０は、例えば、スパッタ法による成膜、およびフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によるパターニングによって形成される。コンタクト部３０は、絶縁基板１０の第１面１１よりも上方（＋Ｚ軸方向側）に突出する突出部３１を有するように形成される。すなわち、配線２０の厚さ、密着層３２の厚さ、およびコンタクト部３０の厚さの合計Ｔが、溝部１４の深さＤよりも大きくなるように、コンタクト部３０を形成する。同様に、配線２２の厚さ、密着層３２の厚さ、およびコンタクト部３０の厚さの合計が、溝部１５の深さよりも大きくなるように、コンタクト部３０を形成する。また、配線２４の厚さ、密着層３２の厚さ、およびコンタクト部３０の厚さの合計が、溝部１６の深さよりも大きくなるように、コンタクト部３０を形成する。なお、図示はしないが、コンタクト部３０は、シリコン基板８０ａ（図８参照）に形成されていてもよい。
【００８２】
図８に示すように、シリコン基板８０ａを準備し、コンタクト部３０とシリコン基板８０ａとが接触するように、絶縁基板１０の上にシリコン基板８０ａを載置する。次に、絶縁基板１０とシリコン基板８０ａとを接合する。より具体的には、絶縁基板１０の第１面１１とシリコン基板８０ａの第３面（図示の例では−Ｚ軸方向を向く面）８０ｂとを陽極接合する。当該陽極接合の際に、シリコン基板８０ａのシリコンは、コンタクト部３０内に拡散し、かつコンタクト部３０の物質（具体的には白金）は、シリコン基板８０ａに拡散する。そして、シリコン基板８０ａのシリコンとコンタクト部３０の白金とが反応し、シリサイド層（白金シリサイド層）３４を形成することができる。
【００８３】
図２および図３に示すように、シリコン基板８０ａを、例えば研削機によって研削して薄膜化した後、所望の形状にパターニングして、シリコン体８０を形成する。パターニングは、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術（ドライエッチング）によって行われ、より具体的なエッチング技術として、ボッシュ（Ｂｏｓｃｈ）法を用いることができる。本工程では、シリコン基板８０ａをパターニング（エッチング）することにより、固定部８１，８２、連結部８４，８５、可動部８６、および可動電極部８７を一体的に形成することができる。
【００８４】
図２に示すように、絶縁基板１０に蓋体６０を接合して、絶縁基板１０および蓋体６０によって形成されるキャビティー６２にシリコン体８０を収容する。絶縁基板１０と蓋体６０との接合は、例えば、陽極接合や接着剤等を用いて行われる。本工程を、不活性ガス雰囲気で行うことにより、キャビティー６２に不活性ガスを充填することができる。
【００８５】
以上の工程により、第１の実施形態に係る半導体素子１００を製造することができる。
【００８６】
半導体素子１００の製造方法によれば、絶縁基板１０とシリコン基板８０ａとの陽極接合の際に、シリコン基板８０ａのシリコンとコンタクト部３０の物質とを反応させて、シリサイド層３４を形成することができる。そのため、絶縁基板とシリコン基板とを接合する工程と、シリサイド層を形成する工程と、を別々に行う場合に比べて、工程の簡略化を図ることができる。
【００８７】
半導体素子１００の製造方法によれば、コンタクト部３０は、絶縁基板１０の第１面１１よりも上方に突出する突出部３１を有するように形成される。そのため、確実に、シリコン基板８０ａとコンタクト部３０を接触させることができ、シリコン基板８０ａのシリコンとコンタクト部３０の物質とを反応させることができる。
【００８８】
１．３．  半導体素子の第１変形例
次に、第１の実施形態の第１変形例に係る半導体素子について、図面を参照しながら説明する。図９は、第１の実施形態の第１変形例に係る半導体素子２００を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。以下、第１の実施形態の第１変形例に係る半導体素子２００において、第１の実施形態に係る半導体素子１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００８９】
半導体素子１００では、図３に示すように、密着層３２上に、例えば白金からなるコンタクト部３０が形成されていた。
【００９０】
これに対し、半導体素子２００では、図９に示すように、密着層３２上には、接続金属３６が設けられ、コンタクト部３０は、接続金属３６上に設けられている。接続金属３６の材質は、例えば、金、アルミニウムなどである。接続金属３６のヤング率は、コンタクト部３０のヤング率も小さい。接続金属３６は、バンプであってもよい。接続金属３６は、例えば、めっき法、スパッタ法などによって成膜される。配線２０，２２，２４は、密
着層３２、接続金属３６、コンタクト部３０、およびシリサイド層３４を介して、シリコン体８０と電気的に接続されている。
【００９１】
半導体素子２００によれば、接続金属３６のヤング率は、コンタクト部３０のヤング率よりも小さく、接続金属３６は変形しやすいため、接続金属３６を押し潰しつつ、絶縁基板１０とシリコン基板８０ａとを陽極接合することができる（図８参照）。すなわち、コンタクト部３０の突出部３１の厚さが大きい場合でも（図７参照）、接続金属３６が潰れることにより、絶縁基板１０の第１１とシリコン体８０の第３面（シリコン基板８０ａの第３面）８０ｂとの間に空隙が形成されることなく、絶縁基板１０とシリコン体８０（シリコン基板８０ａ）とを、陽極接合することができる。したがって、コンタクト部３０とシリコン体８０との電気的接続を確保しつつ、より確実に、絶縁基板１０とシリコン体８０とを陽極接合することができる。
【００９２】
１．４．  半導体素子の第２変形例
次に、第１の実施形態の第２変形例に係る半導体素子について、図面を参照しながら説明する。図１０は、第１の実施形態の第２変形例に係る半導体素子３００を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。以下、第１の実施形態の第２変形例に係る半導体素子３００において、第１の実施形態に係る半導体素子１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００９３】
半導体素子１００では、図３に示すように、絶縁層４０は、溝部１４，１５，１６内に設けられていた。
【００９４】
これに対し、半導体素子３００では、図１０に示すように、絶縁層４０は、溝部１４，１５，１６内および絶縁基板１０の第１面１１に設けられている。すなわち、絶縁層４０は、絶縁基板１０とシリコン体８０との間に設けられている。絶縁層４０の第４面（＋Ｚ軸方向を向く面）４１は、シリコン体８０の第３面８０ｂと接している。
【００９５】
半導体素子３００によれば、コンタクト部３０の突出部３１の厚さが大きい場合でも、絶縁層４０によって、絶縁基板１０の第１面１１とシリコン体８０の第３面（シリコン基板８０ａの第３面）８０ｂとの間に空隙が形成されることなく、絶縁基板１０とシリコン体８０（シリコン基板８０ａ）とを、陽極接合することができる。したがって、コンタクト部３０とシリコン体８０との電気的接続を確保しつつ、より確実に、絶縁基板１０とシリコン体８０とを陽極接合することができる。絶縁層４０の厚さが２００ｎｍ以下であれば、絶縁基板１０とシリコン体８０との間に絶縁層４０が設けられていても、絶縁基板１０とシリコン体８０とを、陽極接合することができる。また、絶縁基板１０とシリコン基板８０ａとを接合する前の状態において、例えば、絶縁層４０の厚さによって、絶縁層４０の第４面４１から上方（＋Ｚ軸方向）に突出するコンタクト部３０の厚さを調整することができる。
【００９６】
２．  第２の実施形態
２．１．  半導体素子
次に、第２の実施形態に係る半導体素子について、図面を参照しながら説明する。図１１は、第２の実施形態に係る半導体素子４００を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。以下、第２の実施形態に係る半導体素子４００において、第１の実施形態に係る半導体素子１００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【００９７】
半導体素子１００では、図３および図４に示すように、底面１４ａ，１５ａ，１６ａの、シリコン体８０と重なる部分は、平坦な面であった。
【００９８】
これに対し、半導体素子４００では、図１１に示すように、底面１４ａ，１５ａ，１６ａには、それぞれ凸部１７が設けられている。
【００９９】
凸部１７は、図１１に示すように、溝部１４内であって、第１固定電極部８８と重なる位置に設けられている。さらに、凸部１７は、溝部１５内であって、第２固定電極部８９と重なる位置に設けられている。さらに、凸部１７は、溝部１６内であって、第１固定部８１と重なる位置に設けられている。
【０１００】
凸部１７の高さＨは、図１１に示すように、溝部１４の深さＤよりも小さい。同様に、凸部１７の高さは、溝部１５，１６の深さよりも小さい。凸部１７は、絶縁基板１０と一体に設けられている。
【０１０１】
半導体素子４００では、密着層３２は、底面１４ａ，１５ａ，１６ａに設けられている。密着層３２は、配線２０，２２，２４と絶縁基板１０との密着性を高くすることができる。
【０１０２】
配線２０は、図１１に示すように、密着層３２上に設けられている。配線２０は、凸部１７の頂面（上面）１７ａ上にまで延在して、シリコン体８０と凸部１７との間に設けられている。シリコン体８０と配線２０との界面には、シリサイド層３４が設けられている。配線２０は、コンタクト部３０と一体に設けられている。配線２０のうち、凸部１７の上方に設けられた部分がコンタクト部３０である。すなわち、コンタクト部３０は、シリコン体８０（より具体的には第１固定電極部８８）と凸部１７との間に設けられている。コンタクト部３０が凸部１７の上方に設けられていることにより、配線２０は、シリサイド層３４を介して、第１固定電極部８８と電気的に接続されることができる。配線２０の材質は、例えば、白金である。
【０１０３】
同様に、配線２２，２４は、密着層３２上に設けられている。配線２２，２４は、凸部１７の頂面（上面）１７ａ上にまで延在して、シリコン体８０と凸部１７との間に設けられている。シリコン体８０と配線２２，２４との界面には、シリサイド層３４が設けられている。配線２２，２４は、コンタクト部３０と一体に設けられている。配線２２，２４のうち、それぞれ凸部１７の上方に設けられた部分がコンタクト部３０である。すなわち、コンタクト部３０は、第１固定電極部８８と凸部１７との間、および第１固定部８１と凸部１７との間に設けられている。コンタクト部３０が凸部１７の上方に設けられていることにより、配線２２，２４は、シリサイド層３４を介して、シリコン体８０と電気的に接続されることができる。配線２２，２４の材質は、例えば、白金である。
【０１０４】
半導体素子４００によれば、シリサイド層３４によって、シリコン体８０と配線２０，２２，２４とは、低抵抗で電気的に接続されている。その結果、半導体素子４００は、高い信頼性を有することができる。
【０１０５】
半導体素子４００によれば、配線２０，２２，２４の材質は、白金である。そのため、配線２０，２２，２４は、酸化され難く、シリコン体８０と配線２０，２２，２４とは、より確実に、低抵抗で電気的に接続されている。また、例えば、配線に形成された酸化膜を除去する工程が不要となるので、工程の簡略化を図ることができる。
【０１０６】
半導体素子４００によれば、凸部１７の位置で、コンタクト部３０の位置を決定することができる。凸部１７は、後述するようにフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術によって、高い位置精度で簡便に形成されることができる。そのため、例えば凸部を形成せず配線とシリコン体との間に別途コンタクト部を形成する場合に比べて、半導体素子
４００のコンタクト部３０は、高い位置精度を有することができる。
【０１０７】
半導体素子４００によれば、凸部１７の高さは、溝部１４，１５，１６の深さよりも小さい。そのため、コンタクト部３０とシリコン体８０との電気的接続を確保しつつ、絶縁基板１０の第１面１１とシリコン体８０の第３面（シリコン基板８０ａの第３面）８０ｂとの間に空隙が形成されることを抑制できる。これにより、より確実に、絶縁基板１０とシリコン体８０（シリコン基板８０ａ）とを陽極接合することができる。例えば、凸部の高さが溝部の深さ以上である場合は、コンタクト部の厚みによって、絶縁基板の第１面とシリコン体の第３面との間に空隙が形成され、絶縁基板とシリコン体とを陽極接合できない場合がある。
【０１０８】
半導体素子４００によれば、凸部１７は、絶縁基板１０と一体に設けられている。そのため、後述するように、溝部１４，１５，１６を形成する工程において、同時に凸部１７することができる。その結果、工程の簡略化を図ることができる。
【０１０９】
２．２．  半導体素子の製造方法
次に、第２の実施形態に係る半導体素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。以下、第２の実施形態に係る半導体素子４００の製造方法において、第１の実施形態に係る半導体素子１００の製造方法の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１１０】
図１１に示すように、凹部１３、溝部１４，１５，１６、および凸部１７を形成する。凹部１３、溝部１４，１５，１６、および凸部１７は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術により形成される。より具体的には、図示はしないが、まず、溝部１４，１５，１６となる窪み部を形成し、該窪み部の底面にマスク層を形成する。次に、該マスク層をマスクとしてエッチングすることにより、凸部１７が設けられた溝部１４，１５，１６を形成することができる。
【０１１１】
次に、底面１４ａ，１５ａ，１６ａに密着層３２を形成し、密着層３２上に、コンタクト部３０を有する配線２０，２２，２４を形成する。
【０１１２】
以降の工程は、第１の実施形態に係る半導体素子１００の製造方法の例と基本的に同じである。
【０１１３】
２．３．  半導体素子の変形例
次に、第２の実施形態の変形例に係る半導体素子について、図面を参照しながら説明する。図１２は、第２の実施形態の変形例に係る半導体素子５００を模式的に示す断面図であって、図３に対応している。以下、第２の実施形態の変形例に係る半導体素子５００において、第２の実施形態に係る半導体素子４００の例と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。
【０１１４】
半導体素子４００では、図１１に示すように、凸部１７の高さは、溝部１４，１５，１６の深さよりも小さかった。
【０１１５】
これに対し、半導体素子５００では、図１２に示すように、凸部１７の高さＨは、溝部１４の深さＤと同じである。同様に、凸部１７の高さは、溝部１５，１６の深さと同じである。
【０１１６】
半導体素子５００では、図１２に示すように、絶縁層４０は、溝部１４，１５，１６内および絶縁基板１０の第１面１１に設けられている。すなわち、絶縁層４０は、絶縁基板
１０とシリコン体８０との間に設けられている。絶縁層４０の第４面（＋Ｚ軸方向を向く面）４１は、シリコン体８０の第３面８０ｂと接している。
【０１１７】
ここで、図１３は、半導体素子５００の製造工程を模式的に示す断面図であって、絶縁基板１０にシリコン基板８０ａ（図８参照）を接合する前の状態を示す断面図である。
【０１１８】
半導体素子５００によれば、上述のように、凸部１７の高さは、溝部１４，１５，１６の深さと同じである。そのため、図１３に示すように絶縁基板１０にシリコン基板８０ａを接合する前の状態では、コンタクト部３０の全体が、絶縁基板１０の第１面１１よりも上方（＋Ｚ軸方向）に突出している突出部３１となる。これにより、より確実に、シリコン基板８０ａとコンタクト部３０と接触させて、シリコン基板８０ａのシリコンとコンタクト部３０と物質とを反応させることができる。
【０１１９】
さらに、半導体素子５００では、絶縁層４０の厚さを制御することにより、絶縁基板１０の第１面１１とシリコン体８０の第３面（シリコン基板８０ａの第３面）８０ｂとの間に空隙が形成されることを抑制できる。これにより、より確実に、絶縁基板１０とシリコン体８０（シリコン基板８０ａ）とを、陽極接合することができる。
【０１２０】
なお、図１２に示すように、絶縁基板１０と絶縁層４０とによって絶縁基板５１０が構成され、絶縁基板５１０に設けられた溝５１４内にコンタクト部３０が設けられていてもよい。
【０１２１】
３．  第３の実施形態
次に、第３の実施形態に係る電子機器について、図面を参照しながら説明する。第３の実施形態に係る電子機器は、本発明に係る半導体素子を含む。以下では、本発明に係る半導体素子として、半導体素子１００を含む電子機器について、説明する。
【０１２２】
図１４は、第３の実施形態に係る電子機器として、モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューター１１００を模式的に示す斜視図である。
【０１２３】
図１４に示すように、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を有する表示ユニット１１０６と、により構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１２４】
このようなパーソナルコンピューター１１００には、半導体素子１００が内蔵されている。
【０１２５】
図１５は、第３の実施形態に係る電子機器として、携帯電話機（ＰＨＳも含む）１２００を模式的に示す斜視図である。
【０１２６】
図１５に示すように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。
【０１２７】
このような携帯電話機１２００には、半導体素子１００が内蔵されている。
【０１２８】
図１６は、第３の実施形態に係る電子機器として、デジタルスチルカメラ１３００を模式的に示す斜視図である。なお、図１６には、外部機器との接続についても簡易的に示している。
【０１２９】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１３０】
デジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
【０１３１】
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１３２】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。
【０１３３】
また、このデジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、ビデオ信号出力端子１３１２には、テレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４には、パーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。
【０１３４】
このようなデジタルスチルカメラ１３００には、半導体素子１００が内蔵されている。
【０１３５】
以上のような電子機器１１００，１２００，１３００は、半導体素子１００を含むため、高い信頼性を有することができる。
【０１３６】
なお、上記半導体素子１００を備えた電子機器は、図１４に示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１５に示す携帯電話機、図１６に示すデジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、各種ナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ヘッドマウントディスプレイ、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、ロケット、船舶の計器類）、ロボットや人体などの姿勢制御、フライトシミュレーターなどに適用することができる。
【０１３７】
上述した実施形態および変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態および各変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１３８】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加
した構成を含む。
【符号の説明】
【０１３９】
２…空隙、１０…絶縁基板、１１…第１面、１２…第２面、１３…凹部、１４…溝部、１４ａ…底面、１５…溝部、１５ａ…底面、１６…溝部、１６ａ…底面、１７…凸部、１７ａ…頂面、２０，２２，２４…配線、３０…コンタクト部、３１…突出部、３２…密着層、３４…シリサイド層、３６…接続金属、４０…絶縁層、４１…第４面、５０，５２，５４…接続端子、６０…蓋体、６２…キャビティー、８０…シリコン体、８０ａ…シリコン基板、８０ｂ…第３面、８１…第１固定部、８２…第２固定部、８４…連結部、８４ａ，８４ｂ…梁、８５…連結部、８５ａ，８５ｂ…梁、８６…可動部、８７…可動電極部、８８…第１固定電極部、８９…第２固定電極部、１００，２００，３００，４００，５００…半導体素子、５１０…絶縁基板、５１４…溝部、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…デジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッターボタン、１３０８…メモリー、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニター、１４４０…パーソナルコンピューター
【図２】
2014016165.tif 000003
【図３】
2014016165.tif 000004
【図４】
2014016165.tif 000005
【図５】
2014016165.tif 000006
【図６】
2014016165.tif 000007
【図７】
2014016165.tif 000008
【図８】
2014016165.tif 000009
【図９】
2014016165.tif 000010
【図１０】
2014016165.tif 000011
【図１１】
2014016165.tif 000012
【図１２】
2014016165.tif 000013
【図１３】
2014016165.tif 000014
【図１４】
2014016165.tif 000015
【図１５】
2014016165.tif 000016
【図１６】
2014016165.tif 000017
【図１】
2014016165.tif 000018