(57)【要約】【課題】成膜材料の利用効率を向上することができる成膜装置を提供する。【解決手段】本発明は、真空チャンバー１０内で基板１１に成膜を行う成膜装置１であって、真空チャンバー１０は、基板１１が搬送される搬送部１０ａと、成膜材料Ｍａが設置される材料設置部１０ｂと、搬送部１０ａ及び材料設置部１０ｂの間の成膜部１０ｃと、に分けられ、成膜部１０ｃにおいて基板１１の搬送方向Ａで対向する一対の壁の少なくとも一方には、搬送部１０ａ側の端部が外側へ張り出す張出部２１が形成されており、基板１１の搬送方向Ａにおいて、成膜部１０ｃの搬送部１０ａ側の開口幅Ｌ１は材料設置部１０ｂ側の開口幅Ｌ２より大きい。【選択図】図１
2014173170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内で被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、
前記チャンバーは、
前記被成膜物が搬送される搬送部と、
成膜材料が設置される材料設置部と、
前記搬送部及び前記材料設置部の間の成膜部と、に分けられ、
前記成膜部において前記被成膜物の搬送方向で対向する一対の壁の少なくとも一方には、前記搬送部側の端部が外側へ張り出す第１の張出部が形成されており、
前記搬送方向において、前記成膜部の前記搬送部側の開口幅は前記材料設置部側の開口幅より大きい成膜装置。
【請求項２】
前記成膜部において前記被成膜物の搬送方向で対向する一対の壁には、前記第１の張出部がそれぞれ形成されている、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記成膜部において前記搬送方向に直交する被成膜物幅方向で対向する一対の壁の少なくとも一方には、前記搬送部側の端部が外側へ張り出す第２の張出部が形成されており、
前記被成膜物幅方向において、前記成膜部の前記搬送部側の開口幅が前記材料設置部側の開口幅より大きい、請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記張出部は、前記搬送方向に略平行な第１の面と搬送方向に略直交する第２の面とを有する断面Ｌ字状に形成されている、請求項１〜３のうち何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記チャンバーの壁には防着板が取り付けられている、請求項１〜４のうち何れか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記成膜部の壁にはプラズマガンが設けられている、請求項１〜５のうち何れか一項に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、成膜装置に関する技術文献として、特開２００９−２２８０５０号公報が知られている。この公報には、真空チャンバー内で被成膜物の成膜を行う成膜装置であって、プラズマビームによって成膜材料を昇華させ、真空チャンバー内を搬送される被成膜物に成膜を行うものが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２２８０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、真空チャンバー内で昇華した成膜材料は、全てが被成膜物に成膜されるわけではなく、被成膜物に至る前にチャンバーの壁面に付着するものも存在する。チャンバーの壁面に成膜材料が付着すると成膜材料の利用効率が下がってしまうため問題となる。
【０００５】
そこで、本発明は、成膜材料の利用効率を向上することができる成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明は、チャンバー内で被成膜物に成膜を行う成膜装置であって、チャンバーは、被成膜物が搬送される搬送部と、成膜材料が設置される材料設置部と、搬送部及び材料設置部の間の成膜部と、に分けられ、成膜部において被成膜物の搬送方向で対向する一対の壁の少なくとも一方には、搬送部側の端部が外側へ張り出す第１の張出部が形成されており、被成膜物の搬送方向において、成膜部の搬送部側の開口幅は材料設置部側の開口幅より大きいことを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る成膜装置によれば、成膜部のうち搬送方向で対向する壁に張出部が形成され、成膜部の搬送部側の開口幅が材料設置部側の開口幅より大きいので、チャンバーが直方体に構成され搬送部側及び材料設置部側の開口幅が等しい場合と比べて、チャンバーの材料設置部から搬送部へ向かって昇華した成膜材料が拡散しても、チャンバーの壁面に成膜材料が付着することが少なくなり、成膜材料の利用効率を向上させることができる。
【０００８】
本発明に係る成膜装置の成膜部において、被成膜物の搬送方向で対向する一対の壁には張出部がそれぞれ形成されていてもよい。
この成膜装置によれば、搬送方向で対向する一対の壁の両方に対して成膜材料の付着を少なくすることができるので、一方の壁のみに張出部が形成されている場合と比べて、効果的に成膜材料の利用効率を向上させることができる。
【０００９】
本発明に係る成膜装置の成膜部において、搬送方向に直交する被成膜物幅方向で対向する一対の壁の少なくとも一方には、搬送部側の端部が外側へ張り出す第２の張出部が形成されており、被成膜物幅方向において、成膜部の搬送部側の開口幅が材料設置部側の開口幅より大きい、被成膜物の搬送方向に直交する被成膜物幅方向において、搬送部側の開口幅が材料設置部側の開口幅より大きくてもよい。
この成膜装置によれば、被成膜物が大型化して幅広となった場合であっても容易に対応することができ、成膜装置の汎用性を高めることができる。また、この成膜装置によれば、被成膜物幅方向において、成膜材料のチャンバー壁面への付着を少なくすることができるので、成膜材料の利用効率の向上にも寄与する。
【００１０】
本発明に係る成膜装置において、張出部は、搬送方向に略平行な第１の面と搬送方向に略直交する第２の面とを含む断面Ｌ字状に形成されていてもよい。
この成膜装置によれば、張出部が搬送方向に略平行な面を有する断面Ｌ字状に形成されることにより、被成膜物に追随して搬送部内に入り込んだ埃等が張出部から材料設置部に移動して成膜材料の周りに積もることが避けられる。このことは、成膜材料周りの機器のメンテナンス頻度を低減させるので、成膜装置の運用コスト低減が図られる。
【００１１】
本発明に係る成膜装置において、チャンバーの壁には防着板が取り付けられていてもよい。
この成膜装置によれば、防着板がチャンバーの壁に対する成膜材料の付着・堆積を抑制するので、チャンバーの壁に堆積した成膜材料が剥がれ落ちて粉々に砕け、砕けた粉粒体が被成膜物の成膜面に衝突して、膜質を悪化させるようなことが抑えられる。また、この成膜装置では、チャンバーの壁から防着板を定期的に取り外して交換洗浄することにより、チャンバー内のクリーニングを容易にすることができる。
【００１２】
本発明に係る成膜装置において、成膜部の壁にはプラズマガンが設けられていてもよい。
この成膜装置は、スパッタリング法と比べて、成膜材料から被成膜物までの距離が長くなり、成膜材料の散乱が大きいＲＰＤ法である場合に特に有用である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る成膜装置によれば、成膜材料の利用効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る成膜装置を示す側断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る成膜装置を示すＹＺ平面に沿った側断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る成膜装置を示す側断面図である。
【図４】従来の直方体の真空チャンバーを備える成膜装置を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
［第１の実施形態］
図１に示されるように、第１の実施形態に係る成膜装置１は、基板（被成膜物）１１の板厚方向が鉛直方向となるように横置きの状態で真空チャンバー１０内を搬送される横型の成膜装置である。この成膜装置１では、プラズマビームＰを成膜材料Ｍａに照射するＲＰＤ［Reactive  Plasma  Deposition］法による基板１１の成膜が行われる。
【００１７】
なお、各図において、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を示している。ＸＹＺ直交座標系は、Ｚ軸方向を鉛直方向、Ｘ軸方向をＺ軸方向に直交する基板１１の搬送方向、Ｙ軸方向をＺ軸方向及びＸ軸方向に直交する方向として以下の説明に用いる。また、各図において同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
本実施形態の成膜装置１は、ハース機構２、搬送機構３、輪ハース６、プラズマガン７、圧力調整装置８及び真空チャンバー１０を備えている。
【００１９】
真空チャンバー１０は、基板１１が搬送される搬送部１０ａと、成膜材料Ｍａが設置される材料設置部１０ｂと、搬送部１０ａ及び材料設置部１０ｂの間の成膜部１０ｃと、に分けられる。真空チャンバー１０は、導電性の材料からなり接地電位に接続されている。
【００２０】
真空チャンバー１０の搬送部１０ａは、所定の搬送方向（図中の矢印Ａ方向、Ｘ軸方向）に沿って設定されている。搬送部１０ａ内には、横置きの状態で基板１１を搬送方向Ａに送るための搬送機構３が設けられている。
【００２１】
搬送機構３は、複数の搬送ローラ１５によって構成されている。搬送ローラ１５は、搬送方向Ａに沿って等間隔に配置され、基板１１を支持しつつ搬送方向Ａに搬送する。なお、被成膜物である基板１１としては、例えばガラス基板やシリコン基板、プラスチック基板などが挙げられる。
【００２２】
真空チャンバー１０の成膜部１０ｃの壁面には、プラズマガン７から照射されるプラズマビームＰを真空チャンバー１０に受け入れるプラズマ口１０ｄが形成されている。プラズマガン７は、圧力勾配型であり、その本体部分が成膜室１０ｃの側壁に設けられたプラズマ口１０ｄを介して成膜室１０ｃに接続されている。プラズマガン７において生成されたプラズマビームＰは、プラズマ口１０ｄから成膜室１０ｃ内へ出射される。プラズマビームＰは、プラズマ口１０ｄに設けられたステアリングコイル（図示せず）によって出射方向が制御される。
【００２３】
圧力調整装置８は、真空チャンバー１０に接続され、真空チャンバー１０内の圧力を調整する。圧力調整装置８は、例えば、ターボ分子ポンプやクライオポンプ等の減圧部と、真空チャンバー１０内の圧力を測定する圧力測定部とを有している。
【００２４】
真空チャンバー１０の材料設置部１０ｂ内には、成膜材料Ｍａを保持するためのハース機構２が設けられている。ハース機構２は、搬送機構３の下方に配置され、成膜部１０ｃのプラズマ口１０ｄよりも下側に位置している。ハース機構２は、プラズマガン７から出射されたプラズマビームＰを成膜材料Ｍａに導く主陽極又はプラズマガン７から出射されたプラズマビームＰが導かれる主陽極である主ハース９を有している。主ハース９は、真空チャンバー１０が有する接地電位に対して正電位に保たれているため、プラズマビームＰを吸引する。
【００２５】
輪ハース６は、プラズマビームＰを誘導するための電磁石を有する補助陽極である。輪ハース６は、成膜材料Ｍａを保持する主ハース９の周囲に配置されている。輪ハース６は、コイル６ａ及び永久磁石６ｂを有しており、コイル６ａに流れる電流の大きさに応じて、成膜材料Ｍａに入射するプラズマビームＰの向き、または、主ハース９に入射するプラズマビームＰの向きを制御する。
【００２６】
成膜材料Ｍａには、ＩＴＯやＺｎＯなどの透明導電材料や、ＳｉＯＮなどの絶縁封止材料が例示される。成膜材料Ｍａが絶縁性物質からなる場合、主ハース９にプラズマビームＰが照射されると、プラズマビームＰからの電流によって主ハース９が加熱され、成膜材料Ｍａの先端部分が蒸発し、プラズマビームＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが真空チャンバー１０の成膜部１０ｃ内に拡散する。
【００２７】
また、成膜材料Ｍａが導電性物質からなる場合、主ハース９にプラズマビームＰが照射されると、プラズマビームＰが成膜材料Ｍａに直接入射し、成膜材料Ｍａの先端部分が加熱されて蒸発し、プラズマビームＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが真空チャンバー１０の成膜部１０ｃ内に拡散する。成膜部１０ｃ内に拡散した成膜材料粒子Ｍｂは、真空チャンバー１０の成膜部１０ｃ内を上昇し、搬送部１０ａ内の基板１１の表面に付着する。
【００２８】
なお、成膜材料Ｍａは、所定長さの円柱形状に成形された固体物であり、一度に複数の成膜材料Ｍａがハース機構２に充填される。そして、最先端側の成膜材料Ｍａの先端部分が主ハース９の上端との所定の位置関係を保つように、成膜材料Ｍａの消費に応じて、成膜材料Ｍａがハース機構２の下側から上側に順次押し出される。
【００２９】
また、真空チャンバー１０内には、イオン化された成膜材料粒子Ｍｂが真空チャンバー１０の壁に付着することを防止するための防着板２０が設けられている。防着板２０は、例えば鋼板から形成され、その表面にはショットブラスト等により微細な凹凸が形成されている。
【００３０】
防着板２０は、真空チャンバー１０の壁の内面にボルト等によって取り付けられている。この防着板２０にも成膜材料粒子Ｍｂは付着するが、真空チャンバー１０の壁から防着板２０を定期的に取り外して交換や洗浄をすることにより、真空チャンバー１０内のクリーニングを容易にすることができる。
【００３１】
次に、真空チャンバー１０の構成について詳しく説明する。図２は、第１の実施形態に係る成膜装置１のＹＺ平面に沿った側断面図である。すなわち、図２は、図１と比べて、水平面上で９０度異なる方向から見た成膜装置１の側断面を示している。
【００３２】
図１及び図２に示されるように、真空チャンバー１０の搬送部１０ａは、真空チャンバー１０のうち最も上方に位置する部位である。搬送部１０ａは、搬送方向Ａに沿って延在する内部空間を有しており、その中を基板１１が搬送される。搬送部１０ａの搬送方向Ａにおける両端は、ゲートを介して基板取込室及び基板取出室（何れも図示せず）と接続されており、真空チャンバー１０内の真空状態を保ちながら基板１１を搬入又は搬出できるように構成されている。
【００３３】
材料設置部１０ｂは、真空チャンバー１０のうち最も下方に位置しており、真空チャンバー１０の底を含む部位である。材料設置部１０ｂの上端側は、成膜部１０ｃと連通している。材料設置部１０ｂは、例えば真空チャンバー１０の底からハース機構２の上端までの壁を含んでいる。
【００３４】
成膜部１０ｃは、真空チャンバー１０のうち搬送部１０ａ及び材料設置部１０ｂの間の部位である。成膜部１０ｃの壁には、プラズマガン７と連通するプラズマ口１０ｄが形成されている。プラズマ口１０ｄは、成膜部１０ｃの材料設置部１０ｂ側（下側）に位置している。
【００３５】
この成膜部１０ｃの壁には、搬送部１０ａ側の端部（上端）で外側に張り出す張出部２１が形成されている。張出部２１は、材料設置部１０ｂ側から搬送部１０ａ側に向かって外側に張り出すテーパー面２１ａを有している。
【００３６】
この張出部２１は、成膜部１０ｃの外周に亘って形成されている。すなわち、張出部２１は、成膜部１０ｃのうち、図１に示す搬送方向Ａ（Ｘ軸方向）で対向する一対の壁のそれぞれに形成されていると共に、図２に示す基板幅方向Ｂ（Ｙ軸方向）で対向する一対の壁のそれぞれに形成されている。張出部２１は、特許請求の範囲に記載の第１の張出部及び第２の張出部の両方を構成する。また、基板幅方向Ｂは、特許請求の範囲に記載の被成膜物幅方向に相当する。
【００３７】
張出部２１が形成された成膜部１０ｃでは、搬送部１０ａ側の端部（上端の縁部）に取り付けられた防着板２０の画成する開口が、材料設置部１０ｂ側の端部（下端の縁部）に取り付けられた防着板２０の画成する開口より大きい。すなわち、図１に示されるように、成膜部１０ｃの搬送方向Ａにおける搬送部１０ａ側の開口幅Ｌ１は、材料設置部１０ｂ側の開口幅Ｌ２より大きく形成されている。また、図２に示されるように、成膜部１０ｃの基板幅方向Ｂにおける搬送部１０ａ側の開口幅Ｈ１は、材料設置部１０ｂ側の開口幅Ｈ２より大きく形成されている。
【００３８】
開口幅Ｌ１は、成膜部１０ｃのうち、搬送方向Ａで対向する一対の壁の搬送部１０ａ側の端部にそれぞれ取り付けられた防着板２０の間隔に相当する。開口幅Ｈ１は、成膜部１０ｃのうち、基板幅方向Ｂで対向する一対の壁の搬送部１０ａ側の端部にそれぞれ取り付けられた防着板２０の間隔に相当する。同様に、開口幅Ｌ２は、成膜部１０ｃのうち、搬送方向Ａで対向する一対の壁の材料設置部１０ｂ側の端部にそれぞれ取り付けられた防着板２０の間隔に相当する。開口幅Ｈ２は、成膜部１０ｃのうち、基板幅方向Ｂで対向する一対の壁の材料設置部１０ｂ側の端部にそれぞれ取り付けられた防着板２０の間隔に相当する。
【００３９】
なお、防着板２０を設けず成膜部１０ｃの壁が内側に露出する場合には、開口幅Ｌ１は、成膜部１０ｃのうち搬送方向Ａで対向する一対の壁における搬送部１０ａ側の端部同士の間隔に相当する。開口幅Ｈ１は、成膜部１０ｃのうち基板幅方向Ｂで対向する一対の壁における搬送部１０ａ側の端部同士の間隔に相当する。
【００４０】
開口幅Ｌ１の開口幅Ｌ２に対する拡大率は、例えば１．２〜１．２５とすることができる。開口幅Ｌ１の開口幅Ｌ２に対する拡大率は大きいほど望ましい。また、開口幅Ｈ１の開口幅Ｈ２に対する拡大率は、例えば１．２〜１．２５とすることができる。成膜材料は放射状に昇華し、放射状の中央側ほど粒子の濃度が高く、外側ほど濃度が低くなるため、膜の均一性を確保する観点から、開口幅Ｈ１の開口幅Ｈ２に対する拡大率は適切な範囲内であることが望ましい。
【００４１】
次に、以上のとおり構成された第１の実施形態に係る成膜装置１の作用効果について説明する。
【００４２】
第１の実施形態に係る成膜装置１によれば、真空チャンバー１０の成膜部１０ｃにおいて搬送部１０ａ側の開口幅Ｌ１，Ｈ１が材料設置部１０ｂ側の開口幅Ｌ２，Ｈ２より大きく形成されているので、イオン化された成膜材料粒子Ｍｂが搬送部１０ａに向かって拡散しながら上昇しても、成膜材料粒子Ｍｂの防着板２０への付着を少なくすることができる。
【００４３】
ここで、図４は、従来の直方体の真空チャンバー５２を備える成膜装置５１を示す側断面図である。図４に示す従来の成膜装置５１は、真空チャンバー５２が直方体として構成されているため、成膜部５２ｃにおける搬送部５２ａ側の開口幅Ｌｚ１と材料設置部５２ｂ側の開口幅Ｌｚ２とが等しい。一方で、材料設置部５２ｂに設置された成膜材料Ｍａからは、プラズマビームＰによりイオン化された成膜材料粒子Ｍｂが搬送部５２ａの基板１１に向かって拡散しながら上昇する。図４に示すＲｚは、成膜材料粒子Ｍｂが真空チャンバー５２の壁面（防着板２０）に遮られることなく基板１１に至ることができる範囲（有効拡散範囲）である。この有効拡散範囲Ｒｚを超えて壁側に移動した成膜材料粒子Ｍｂの一部が防着板２０に付着する。
【００４４】
これに対して、図１及び図２に示す成膜装置１によれば、真空チャンバー１０の成膜部１０ｃにおいて搬送方向Ａで対向する一対の壁に張出部２１がそれぞれ形成されており、搬送部１０ａ側の開口幅Ｌ１が材料設置部１０ｂ側の開口幅Ｌ２より大きくされているので、図４に示す従来の成膜装置５１の有効拡散範囲Ｒｚと比べて、より広い有効拡散範囲ＲＡを確保することができる。従って、この成膜装置１によれば、より広い有効拡散範囲ＲＡを確保することにより、真空チャンバー１０の壁（防着板２０）に対する成膜材料粒子Ｍｂの付着を少なくすることができるので、成膜材料の利用効率を向上させることができる。
【００４５】
また、この成膜装置１によれば、成膜部１０ｃのうち搬送方向Ａで対向する一対の壁のそれぞれに張出部２１が形成されているので、一対の壁の片方にのみ張出部２１が形成されている場合と比べて、有効拡散範囲ＲＡを効率的に拡げることができ、成膜材料の利用効率を向上させることができる。
【００４６】
また、この成膜装置１によれば、成膜部１０ｃのうち搬送方向Ａに直交する基板幅方向Ｂで対向する一対の壁にも、それぞれ張出部２１が形成されているので、従来の直方体の真空チャンバー５２を備える成膜装置５１と比べて、より広い有効拡散範囲ＲＢを確保することができる。従って、この成膜装置１によれば、より広い有効拡散範囲ＲＢを確保することにより、真空チャンバー１０の壁（防着板２０）に対する成膜材料粒子Ｍｂの付着を少なくすることができるので、成膜材料の利用効率の向上を図ることができる。しかも、この成膜装置１によれば、基板幅方向Ｂにおける有効拡散範囲ＲＢを広くできるので、基板１１が大型化して幅広となった場合であっても容易に対応することができ、成膜装置の汎用性を高めることができる。
【００４７】
また、この成膜装置１では、真空チャンバー１０の壁に防着板２０を取り付けることにより、防着板２０が真空チャンバー１０の壁に対する成膜材料の付着・堆積を抑制するので、真空チャンバー１０の壁に堆積した成膜材料が剥がれ落ちて粉々に砕け、砕けた粉粒体が基板１１の成膜面に衝突して、膜質を悪化させるようなことが抑えられる。しかも、この成膜装置１では、真空チャンバー１０の壁から防着板２０を定期的に取り外して交換や洗浄をすることにより、真空チャンバー１０内のクリーニングを容易にすることができる。
【００４８】
［第２の実施形態］
図３に示す第２の実施形態に係る成膜装置３１は、第１の実施形態に係る成膜装置１と比べて、張出部４１の形状が異なっている。
【００４９】
具体的には、第２の実施形態に係る成膜装置３１の成膜部１０ｃは、断面Ｌ字状に張り出した張出部４１を有している。張出部４１は、成膜部１０ｃの外周に亘って形成されている。すなわち、張出部４１は、成膜部１０ｃのうち搬送方向Ａで対向する一対の壁のそれぞれに形成されていると共に、成膜部１０ｃのうち基板幅方向Ｂで対向する一対の壁のそれぞれに形成されている。張出部４１は、特許請求の範囲に記載の第１の張出部及び第２の張出部の両方を構成する。
【００５０】
張出部４１は、基板１１の搬送方向Ａに略平行な底面（第１の面）４１ａと、基板１１の搬送方向Ａに略直交する側面（第２の面）４１ｂと、を有する断面Ｌ字状に構成されている。ここで、搬送方向Ａに略平行とは、例えば基板１１の搬送方向Ａに対して厳密に平行である必要はなく、多少大きく又は小さくなってもよいことを意味する。また、搬送方向Ａに略直交とは、例えば基板１１の搬送方向Ａに対して厳密に直交する必要はなく、多少大きく又は小さくなってもよいことを意味する。
【００５１】
張出部４１の底面４１ａ及び側面４１ｂには、防着板４０が取り付けられている。なお、真空チャンバー１０のうち、有効拡散範囲ＲＡの死角となる底面４１ａ及び側面４１ｂには、成膜材料粒子Ｍｂが付着する可能性が低いことから防着板４０を取り付けなくてもよい。この場合、防着板４０の面積を減らすことによるコスト低減が図られる。
【００５２】
以上のとおり構成された第２の実施形態に係る成膜装置３１によれば、張出部４１が基板１１の搬送方向Ａに略平行な底面４１ａを有する断面Ｌ字状に形成されることにより、基板１１に追随して搬送部１０ａ内に入り込んだ埃等が張出部４１から材料設置部１０ｂに落ちて成膜材料Ｍａの周りに積もることが避けられる。このことは、ハース機構２の周りのメンテナンス頻度を低減させるので、成膜装置３１の運用コスト低減が図られる。
【００５３】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係る成膜装置は、ＲＰＤ法に使用するものに限られず、その他のイオンプレーティング法や各種成膜方法に用いることができる。また、チャンバーは内部を真空状態にするものに限られない。
【００５４】
更に、上記実施形態では、基板の厚さ方向が鉛直方向となる、いわゆる横型の成膜装置について説明したが、本発明は、いわゆる縦型の成膜装置に対しても適用できる。縦型の成膜装置では、基板の厚さ方向が水平方向となり基板の長手方向又は幅方向が鉛直方向となる状態で基板が搬送され、基板に対して水平方向に成膜材料が設置される。
【００５５】
また、張出部は、成膜部の搬送方向で対向する一対の壁の片方にのみ形成されていてもよい。同様に、張出部は、成膜部の基板幅方向で対向する一対の壁の片方にのみ形成されていてもよい。また、成膜部の基板幅方向で対向する一対の壁のそれぞれには、張出部が一切形成されていなくてもよい。また、第１の実施形態において張出部のテーパー面に防着板を設けなくてもよく、防着板を一切設けない態様であってもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１，３１，５１…成膜装置  ２…ハース機構  ３…搬送機構  ６…輪ハース  ６ａ…コイル  ６ｂ…永久磁石  ７…プラズマガン  ８…圧力調整装置  ９…主ハース  １０，５２…真空チャンバー  １０ａ，５２ａ…搬送部  １０ｂ，５２ｂ…材料設置部  １０ｃ，５２ｃ…成膜部  １０ｄ，５２ｄ…プラズマ口  １１…基板（被成膜物）  １５…搬送ローラ  ２０…防着板  ２１、４１…張出部（第１の張出部、第２の張出部）  ２１ａ…テーパー面  ３１…成膜装置  ４０…防着板  ４１ａ…底面（第１の面）  ４１ｂ…側面（第２の面）  Ａ…搬送方向  Ｂ…基板幅方向（被成膜物幅方向）  Ｌ１，Ｈ１，Ｌｚ１…搬送部側の開口幅  Ｌ２，Ｈ２，Ｌｚ２…材料設置部側の開口幅  Ｍａ…成膜材料  Ｍｂ…成膜材料粒子  Ｐ…プラズマビーム  ＲＡ…有効拡散範囲  ＲＢ…有効拡散範囲  Ｒｚ…有効拡散範囲
【図１】
2014173170.tif 000003
【図２】
2014173170.tif 000004
【図３】
2014173170.tif 000005
【図４】
2014173170.tif 000006