(57)【要約】【課題】ゴーストの発生が抑制される電子写真感光体の提供。【解決手段】導電性支持体１と、金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である下引層２と、感光層と、をこの順に有し、且つ感光層のうち下引層２に最も近い層（電荷発生層３１）のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、下引層２のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある電子写真感光体。【選択図】図１
2014066755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性支持体と、
金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である下引層と、
感光層と、をこの順に有し、
且つ前記感光層のうち前記下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、前記下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある電子写真感光体。
【請求項２】
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し直流電圧のみを重畳して帯電する帯電装置と、
帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する露光装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置と、を備え、
且つ前記転写装置によって前記トナー像が前記記録媒体に転写された後、前記帯電装置によって前記電子写真感光体の表面が帯電される前に、前記電子写真感光体の表面における電荷を除電する除電装置を有さない画像形成装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し直流電圧のみを重畳して帯電する帯電装置、帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する露光装置、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置、および、前記転写装置によって前記トナー像が前記記録媒体に転写された後の前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング装置から選択される少なくとも１つと、を備え、
且つ転写装置によってトナー像が記録媒体に転写された後、帯電装置によって電子写真感光体の表面が帯電される前に、前記電子写真感光体の表面における電荷を除電する除電装置を有さない画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真方式の画像形成装置は、複写機およびレーザービームプリンター等の画像形成装置において利用されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、帯電工程、画像露光工程、現像工程および転写工程を電子写真感光体が一回転する間に行う画像形成方法において、該電子写真感光体が導電性支持体上に感光層を有し、該感光層が電荷発生物質としてのオキシチタニウムフタロシアニンおよび電荷輸送物質を含有し、該電荷発生物質の仕事関数（ＷＦＣＧ）および該電荷輸送物質の仕事関数（ＷＦＣＴ）が式−０．２＜ＷＦＣＧ−ＷＦＣＴ≦０（ｅＶ）を満足し、該電子写真感光体が一回転するのに要する時間が１．５秒以下である画像形成方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、導電性弾性基体上に導電性硬化樹脂層、該導電性硬化樹脂層上に有機感光層を順次積層し、導電性弾性基体の仕事関数をφＲ、導電性硬化樹脂層の仕事関数をφＵＣＬ、有機感光層の仕事関数φＯｐｃとした時、φＵＣＬ＞φＯｐｃ＞φＲの関係を有する正帯電用電子写真感光体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３４７１８７３号明細書
【特許文献２】特許第３６６９４２０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ゴーストの発生が抑制される電子写真感光体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項１に係る発明は、
導電性支持体と、
金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である下引層と、
感光層と、をこの順に有し、
且つ前記感光層のうち前記下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、前記下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある電子写真感光体である。
【０００８】
請求項２に係る発明は、
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し直流電圧のみを重畳して帯電する帯電装置と、
帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する露光装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置と、を備え、
且つ前記転写装置によって前記トナー像が前記記録媒体に転写された後、前記帯電装置によって前記電子写真感光体の表面が帯電される前に、前記電子写真感光体の表面における電荷を除電する除電装置を有さない画像形成装置である。
【０００９】
請求項３に係る発明は、
請求項１に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し直流電圧のみを重畳して帯電する帯電装置、帯電された前記電子写真感光体の表面を露光して静電潜像を形成する露光装置、前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置、前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置、および、前記転写装置によって前記トナー像が前記記録媒体に転写された後の前記電子写真感光体の表面をクリーニングするクリーニング装置から選択される少なくとも１つと、を備え、
且つ転写装置によってトナー像が記録媒体に転写された後、帯電装置によって電子写真感光体の表面が帯電される前に、前記電子写真感光体の表面における電荷を除電する除電装置を有さない画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１に係る発明によれば、下引層の交流インピーダンス法による体積抵抗率が上記範囲であり、且つ感光層のうち下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）との差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が上記範囲であるとの要件を満たさない場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される電子写真感光体が提供される。
【００１１】
請求項２に係る発明によれば、下引層の交流インピーダンス法による体積抵抗率が上記範囲であり、且つ感光層のうち下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）との差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が上記範囲であるとの要件を満たす電子写真感光体を備えない場合に比べ、ゴーストの発生が抑制される画像形成装置が提供される。
【００１２】
請求項３に係る発明によれば、下引層の交流インピーダンス法による体積抵抗率が上記範囲であり、且つ感光層のうち下引層に最も近い層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）との差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が上記範囲であるとの要件を満たす電子写真感光体を備えない場合に比べ、ゴーストの発生が抑制されるプロセスカートリッジが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本実施形態における電子写真感光体の層構成の一例を示す概略図である。
【図２】本実施形態における電子写真感光体の層構成の他の例を示す概略図である。
【図３】本実施形態に係る画像形成装置を示す概略構成図である。
【図４】本実施形態に係るプロセスカートリッジを示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る電子写真感光体、画像形成装置およびプロセスカートリッジの実施形態について説明する。
【００１５】
＜電子写真感光体＞
本実施形態に係る電子写真感光体（以下単に「感光体」とも称す）は、導電性支持体と、下引層と、感光層と、をこの順に有する。
前記下引層は、金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、且つ交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である。
また、前記感光層のうち前記下引層に最も近い層（以下単に「最下層感光層」とも称す）のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、前記下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）が０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある。
【００１６】
従来から、画像形成装置において帯電、露光（静電潜像形成）、転写などの画像形成サイクルを繰り返すことにより、画像履歴が次サイクルに残留してしまい、画質上前サイクルの画が残像として顕在化するゴーストと呼ばれる現象が発生することがあった。尚、このゴーストの発生は、帯電装置において直流電圧のみ印加する接触帯電方式を採用した場合や、除電装置を有さない画像形成装置の場合等には、特に顕著に発生することがあった。
【００１７】
ゴーストが発生する原因はいくつか考えられる。例えば、感光体に対して帯電、露光を行うことにより発生する電荷が、感光体内のトラップ準位に捕獲されてしまい、次サイクルで解放されることで表面電位状態を変化させ、その結果前サイクルの画がゴーストとして顕在化することがある。
さらに、連続して画像を形成する際には、帯電および露光の繰り返しによって下引層と感光層（電荷発生層と電荷輸送層とを積層した機能分離型の感光体であれば電荷発生層）との界面などに電荷が蓄積し、その電荷を起因とする感光体内の電歪により暗減衰が増大し、特にゴーストが顕著に発生することがある。
【００１８】
これに対し本実施形態に係る感光体では、下引層の体積抵抗率が上記範囲に制御され、且つ下引層と最下層感光層（感光層のうち下引層に最も近い層）とのフェルミエネルギー差の範囲が上記範囲に制御されることで、ゴーストの発生が抑制される。この理由は、必ずしも明確ではないものの以下のごとく推察される。
まず、下引層の体積抵抗率を調整することで感光層に印加される電界が変化し、感光体に対して帯電、露光を行うことでトラップ準位に捕獲される電荷（電荷トラップ）の量が変化する。下引層の抵抗を高くするほど、感光層に印加される分圧は低下するため捕獲される電荷量は減少し、一方抵抗を低くするほど、電界ストレスが増加するため捕獲される電荷量が増加し、この電荷が次サイクルで解放されることによりポジゴーストが発生するものと考えられる。ただし、下引層の抵抗を高くしていくと、露光により発生した正負のキャリアのうち帯電状態の減衰に必要な電荷と逆の極性のキャリアの排出が妨げられるため、残留した電荷を原因とするネガゴーストの発生がより顕著になると考えられる。
尚、ポジゴーストは次サイクルの帯電状態を変化させるため画像部分の濃度が低い箇所ほど発生しやすく、一方ネガゴーストは次サイクルの露光による電位減衰の状態を変化させるため画像部分の濃度が高い箇所ほどで発生しやすい特徴がある。
本実施形態に係る感光体では、下引層の体積抵抗率が適切な範囲に制御されていることから、上記ポジゴーストおよびネガゴーストの両者が効果的に抑制されるものと推察される。
【００１９】
また、下引層と最下層感光層のフェルミエネルギー差の調整により、前述の連続して画像を形成する際に発生するゴーストが抑制される。下引層と最下層感光層のフェルミエネルギー差が小さ過ぎると、下引層と最下層感光層とを接合した際に両層の最低空軌道（ＬＵＭＯ）レベルの差、即ちエレクトロンの障壁は逆に大きくなる。そのため、下引層と最下層感光層の界面にエレクトロンが局所的に蓄積し、暗減衰の増大を起因とするポジゴーストが発生するものと考えられる。本実施形態に係る感光体では、上記下引層の体積抵抗率に加え、更に下引層と最下層感光層のフェルミエネルギー差が適切な範囲に制御されていることから、上記ポジゴーストが効果的に抑制されるものと推察される。
【００２０】
尚、下引層と最下層感光層のフェルミエネルギー差については、大きくなり過ぎると最低空軌道（ＬＵＭＯ）レベルの差が小さくなり過ぎ、下引層のブロッキング機能が低下してしまうため、画像においてカブリや黒点などの画像欠陥が発生する。
【００２１】
尚、本実施形態に係る感光体は、前記下引層の体積抵抗率の要件および前記最下層感光層と下引層とのフェルミエネルギーの差の要件の両者を満たすことにより、帯電性の安定化による画像濃度のサイクル安定性の相乗効果が奏される。このメカニズムには、必ずしも明確ではないものの、以下のように推察される。
感光体の表面電位は、感光体表面に蓄積される電荷と感光体の層内に蓄積されるカウンターの電荷により保持される。感光体層内に蓄積される電荷は、層内に印加される分圧と界面のエネルギー障壁と関係があり、本実施形態に係る感光体の要件を満たすことでそのバランスが良化し、帯電性が安定化すると考えられる。
【００２２】
［下引層の体積抵抗率］
下引層は、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である。
体積抵抗率が上記下限値未満であるとポジゴーストが発生し、一方上記上限値を超えるとネガゴーストが発生する。
下引層の体積抵抗率は、更に４．０×１０８Ωｍ以上９．５×１０８Ωｍ以下が望ましく、４．５×１０８Ωｍ以上９．０×１０８Ωｍ以下がより望ましい。
【００２３】
ここで、交流インピーダンス法による体積抵抗率の測定法について説明する。
−測定試料の準備−
電子写真感光体から、体積抵抗率測定用の下引層試料を作製する方法は、以下の通りである。例えば、下引層を被覆している電荷発生層、電荷輸送層等の塗膜をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶媒を用いて除去し、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等により金電極を装着することで、体積抵抗率測定用の下引層試料とする。
【００２４】
−体積抵抗率の測定方法−
交流インピーダンス法による体積抵抗率の測定には、電源としてＳＩ１２８７  ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）、電流計としてＳＩ１２６０  ｉｎｐｅｄａｎｃｅ／ｇａｉｎ  ｐｈａｓｅ  ａｎａｌｙｚｅｒ（東陽テクニカ製）、電流アンプとして１２９６  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｉｎｔｅｒｆａｃｅ（東陽テクニカ製）を用いる。
交流インピーダンス測定試料におけるアルミニウム基材を陰極、金電極を陽極として、１Ｖｐ−ｐの交流電圧を周波数１ＭＨｚから１ｍＨｚまでの範囲で高周波側から印加し、各試料の交流インピーダンスを測定し、この測定より得られたＣｏｌｅ−ＣｏｌｅプロットのグラフをＲＣ並列の等価回路にフィッティングすることで体積抵抗率を算出する。
【００２５】
−体積抵抗率の調整方法−
下引層の体積抵抗率を上記範囲内に調整する方法としては、例えば、金属酸化物粒子の添加量や粒径を調整したり、下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子の分散方法を変更したりする方法が挙げられる。
金属酸化物粒子の粒径が大きくなるにつれ、下引層の体積抵抗率は低下する傾向にある。また、金属酸化物粒子の添加量を多くするにつれ、下引層の体積抵抗率は上昇する傾向にある。また、下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子の分散性を向上させると、下引層の体積抵抗率は上昇する傾向にある。具体的には、下引層形成用塗布液の分散処理時間を長くするにつれ、下引層の体積抵抗率は上昇する傾向にある。
【００２６】
［下引層と最下層感光層とのフェルミエネルギー差］
最下層感光層（感光層のうち前記下引層に最も近い層）のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と、下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）と、の差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）は０．５５ｅＶ以上０．７５ｅＶ以下の関係にある。
フェルミエネルギー差が上記下限値未満であるとポジゴーストが発生し、一方上記上限値を超えるとカブリや黒点などの画像欠陥が発生するが発生する。
上記フェルミエネルギー差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）は、更に０．５６ｅＶ以上０．６８ｅＶ以下が望ましく、０．６３ｅＶ以上０．６７ｅＶ以下がより望ましい。
【００２７】
また、下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）の値としては、４．３５ｅＶ以上４．４９ｅＶ以下が望ましく、４．４３ｅＶ以上４．４７ｅＶ以下がより望ましい。
一方、最下層感光層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）の値としては、５．００ｅＶ以上５．１５ｅＶ以下が望ましく、５．０５ｅＶ以上５．１２ｅＶ以下がより望ましい。
【００２８】
ここで、下引層および最下層感光層のフェルミエネルギーの測定法について説明する。
−測定試料の準備−
電子写真感光体から、フェルミエネルギー測定用の下引層試料および最下層感光層試料を作製する方法は、以下の通りである。例えば、下引層を被覆している電荷発生層、電荷輸送層等の塗膜をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶媒を用いて除去することで、フェルミエネルギー測定用の下引層試料とする。
また、同じく、最下層感光層（例えば電荷発生層と電荷輸送層とを積層した２層構成の感光層であれば電荷発生層）を被覆している電荷輸送層等の塗膜をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶媒を用いて除去することで、フェルミエネルギー測定用の最下層感光層試料とする。
【００２９】
−フェルミエネルギーの測定方法−
フェルミエネルギーの測定は、ケルビンプローブ法に基づき実施する。参照電極を測定試料上で振動させた際に発生する誘導電流を検出し、その誘導電流が０になるよう外部から印加する電圧を読み取ることで測定試料のフェルミエネルギーを測定する。
【００３０】
−フェルミエネルギーの調整方法−
前記フェルミエネルギーの差（｜ＥｆＰ｜−｜ＥｆＵ｜）を上記範囲に調整する方法としては、例えば、下引層のフェルミエネルギーおよび最下層感光層のフェルミエネルギーそれぞれを調整する方法が挙げられる。
まず、下引層のフェルミエネルギーは、例えば、電子受容性化合物の種類や添加量、下引層に含有される金属酸化物粒子をカップリング処理する際のカップリング剤の種類や量によって調整される。
具体的には、電子受容性化合物の添加量を多くするにつれ下引層のフェルミエネルギーは大きくなる傾向にある。
また、カップリング剤の量を多くするにつれ下引層のフェルミエネルギーは小さくなる傾向にある。
【００３１】
また、最下層感光層のフェルミエネルギーは、例えば、最下層感光層にオゾン処理を施すことによって調整される。
ここで上記オゾン処理とは、最下層感光層を形成したのち該最下層感光層上に他の層が積層されていない状態、つまり最下層感光層が露出した状態で、オゾン濃度を高めた大気中に曝すオゾン曝露処理を表す。オゾンを発生させるオゾン発生装置としては例えばダイレック社製の商品名オゾン発生制御装置ＭＯＤＥＬ５０等が好適に用いられる。
オゾン濃度を高くするにつれ最下層感光層のフェルミエネルギーは大きくなる傾向にあり、またオゾンへの曝露時間を長くするにつれ最下層感光層のフェルミエネルギーは大きくなる傾向にある。
最下層感光層を曝露する大気のオゾン濃度としては、２０ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下が望ましく、５０ｐｐｍ以上１５０ｐｐｍ以下がより望ましく、８０ｐｐｍ以上１２０ｐｐｍ以下が更に望ましい。
また、最下層感光層を曝露する時間としては、２時間以上１６時間以下が望ましく、４時間以上１２時間以下がより望ましく、６時間以上１０時間以下が更に望ましい。
【００３２】
また、前記オゾン処理を施す場合には、更に最下層感光層中に添加する電荷発生材料の種類や添加量によっても調整し得る。電荷発生材料の添加量を多くするにつれ最下層感光層のフェルミエネルギーは大きくなる傾向にある。
【００３３】
［電子写真感光体の構成］
図１および図２は、本実施形態に係る感光体の層構成の例を示す概略図である。
図１に示す感光体は、導電性支持体１と、導電性支持体１の上に形成された下引層２と、下引層２の上に形成された電荷発生層３１と、電荷発生層３１の上に形成された電荷輸送層３２と、を有する。図１に示す感光体では、感光層として電荷発生層３１および電荷輸送層３２により形成された機能分離型の感光層を備える。
尚、感光層は２層以上の構造からなる機能分離型の感光層でなくてもよく、図２に示すごとく、電荷発生能と電荷輸送能とを備える機能一体型の感光層３でもよい。
【００３４】
尚、下引層２と感光層３との間、または下引層２と電荷発生層３１との間に別途中間層を設けてもよい。更に、中間層は、導電性基体１と下引層２との間に設けてもよいし、無論、中間層を設けない態様であってもよい。
【００３５】
次に、電子写真感光体の各要素について説明する。なお、符号は省略して説明する。
【００３６】
（導電性支持体）
導電性基体としては、従来から使用されているものであれば、如何なるものを使用してもよい。例えば、薄膜（例えばアルミニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、およびアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の膜）を設けたプラスチックフィルム等、導電性付与剤を塗布または含浸させた紙、導電性付与剤を塗布または含浸させたプラスチックフィルム等が挙げられる。基体の形状は円筒状に限られず、シート状、プレート状としてもよい。
【００３７】
導電性基体として金属パイプを用いる場合、表面は素管のままであってもよいし、予め鏡面切削、エッチング、陽極酸化、粗切削、センタレス研削、サンドブラスト、ウエットホーニングなどの処理が行われていてもよい。
【００３８】
（下引層）
下引層は、金属酸化物粒子およびアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有し、交流インピーダンス法による体積抵抗率が３．５×１０８Ωｍ以上１．０×１０９Ωｍ以下の範囲である。
尚、更にその他の材料を含んでもよく、下引層としては、例えば、金属酸化物粒子と前記電子受容性化合物とを結着樹脂中に分散して形成されたものが挙げられる。
【００３９】
・金属酸化物粒子
金属酸化物粒子としては、酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の粒子が挙げられる。
これらの中でも、金属酸化物粒子としては、細線再現性、残留電圧の上昇抑制の観点から、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛の粒子がよい。
【００４０】
金属酸化物粒子としては、望ましくは粒径が１００ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の導電粉が望ましく用いられる。ここでいう粒径とは、平均１次粒径を意味する。金属酸化物粒子の平均１次粒径は、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により観察し測定される値である。
金属酸化物粒子の粒径が１０ｎｍ以上であることにより、金属酸化物粒子の表面積が大きくなり過ぎず、分散液におけるムラの発生が抑制される。一方、金属酸化物粒子の粒径が１００ｎｍ以下であることにより、２次粒子、またはそれ以上の高次粒子が１μｍ程度の粒径になることが効果的に抑制され、下引層内で金属酸化物粒子の存在する部分と存在しない部分、いわゆる海島構造となることが抑制され、ハーフトーン濃度のムラなどの画質欠陥の発生が抑制される。
【００４１】
金属酸化物粒子としては１０４Ω・ｃｍ以上１０１０Ω・ｃｍ以下の粉体抵抗とすることが望ましい。これにより、下引層は、電子写真プロセス速度に対応した周波数で適切なインピーダンスを得ることが実現され易くなる。
【００４２】
金属酸化物粒子は、分散性等の諸特性の改善の目的で、少なくとも１種のカップリング剤で表面処理されていることがよい。
カップリング剤としては、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、およびアルミネート系カップリング剤から選ばれる少なくとも１種であることがよい。
具体的なカップリング剤の例としては、ビニルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシプロピル−トリス（２−メトキシエトキシ）シラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−クロルプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート等のアルミネート系カップリング剤、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、ビス（ジオクチルピロホフェート）、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチルーアミノエチル）チタネート等のチタネート系カップリング剤等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらのカップリング剤は２種以上を混合して使用してもよい。
【００４３】
カップリング剤の処理量は、金属酸化物粒子に対して、０．１質量％以上３質量％以下であることがよく、望ましくは０．３質量％以上２．０質量％以下、より望ましくは０．５質量％以上１．５質量％以下である。
【００４４】
なお、カップリング剤の処理量は、次のように測定する。
ＦＴ−ＩＲ法、２９Ｓｉ固体ＮＭＲ法、熱分析、ＸＰＳなどの分析法があるが、ＦＴ−ＩＲ法が最も簡便である。ＦＴ−ＩＲ法では通常のＫＢｒ錠剤法でも、ＡＴＲ法でもよい。少量の処理済金属酸化物粒子をＫＢｒと混合し、ＦＴ−ＩＲを測定することで、カップリング剤の処理量を測定する。
【００４５】
金属酸化物粒子は、上記カップリング剤で表面処理後、抵抗率の環境依存性等の改善のために熱処理を行ってもよい。熱処理温度は、例えば、１５０℃以上３００℃以下、処理時間は３０分以上５時間以下がよい。
【００４６】
金属酸化物粒子の含有量は、電気特性維持の観点から、３０質量％以上６０質量％以下が望ましく、３５質量％以上５５質量％以下がより望ましい。
【００４７】
・電子受容性化合物
電子受容性化合物として、アントラキノン構造を有する電子受容性化合物が用いられる。アントラキノン構造を有する電子受容性化合物は、下引層に含有される金属酸化物粒子の表面と化学反応する材料、または金属酸化物粒子の表面に吸着する材料であることが望ましく、金属酸化物粒子の表面に選択的に存在し得る。
ここで、「アントラキノン構造を有する化合物」は、具体的には、アントラキノンおよびアントラキノン誘導体から選択される少なくとも１種であり、さらに具体的には、下記一般式（１）で表される化合物であることがよい。
【００４８】
【化１】
2014066755.tif 000003
【００４９】
一般式（１）中、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水酸基、炭素数１以上１０以下のアルコシキ基、カルボキシル基、メチル基、メトキシメチル基、フェニル基、アミノ基を表し、ｍおよびｎは、それぞれ独立に０以上４以下の整数を表す。
なお、一般式（１）中、ｍおよびｎがいずれも０である化合物がアントラキノンであり、一般式（１）中、ｍおよびｎの少なくとも一方が１以上４以下の整数である化合物がアントラキノン誘導体である。すなわち一般式（１）で表されるアントラキノン誘導体は、アントラキノンが有する水素原子の少なくとも１つが、水酸基、アルコシキ基、カルボキシル基、メチル基、メトキシメチル基、フェニル基、アミノ基等の置換基によって置換された化合物を意味する。
【００５０】
電子受容性化合物としては、上記の中でも特に、上記一般式（１）において、ｍおよびｎがいずれも０であるアントラキノン、または、Ｒ１が水酸基であり、ｍが１以上３以下であり、かつ、ｎが０であるヒドロキシアントラキノンが好適に挙げられる。
電子受容性化合物の具体例としては、例えば、アントラキノン、プルプリン、アリザリン、キニザリン、エチルアントラキノン、アミノヒドロキシアントラキノン等が挙げられる。
【００５１】
また、アントラキノン誘導体としては、下記一般式（２）で表される化合物であってもよい。
【００５２】
【化２】
2014066755.tif 000004
【００５３】
一般式（２）中、ｎ１、ｎ２、ｎ３、およびｎ４は、各々独立に１以上３以下の整数を表す。ｍ１およびｍ２は、各々０または１の整数を示す。Ｒ１およびＲ２は、各々独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、または炭素数１以上１０以下のアルコシキ基を表す。ｒは１以上１０以上の整数を表す。
【００５４】
ここで、一般式（２）中、Ｒ１およびＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、直鎖状、または分鎖状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルキル基としては、望ましくは１以上８以下のアルキル基、より望ましくは１以上６以下のアルキル基である。
Ｒ１およびＲ２が表す炭素数１以上１０以下のアルコシキ基（アルコキシル基）としては、直鎖状、または分鎖状のいずれでもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基等が挙げられる。炭素数１以上１０以下のアルコシキ基としては、望ましくは１以上８以下のアルコキシル基、より望ましくは１以上６以下のアルコキシル基である。
【００５５】
また、一般式（１）または一般式（２）で表される電子受容性化合物としては、アントラキノンの他にも、以下に示す具体例化合物が好適に挙げられる。但し、これらに限定されるものではない。
【００５６】
【化３】
2014066755.tif 000005
【００５７】
【化４】
2014066755.tif 000006
【００５８】
アントラキノン構造を有する電子受容性化合物の含有量は、化学反応または吸着する相手である金属酸化物粒子の金属酸化物粒子の表面積および含有量と、各材料の電子輸送能力から決められるが、通常は下引層中において０．０１質量％以上２０質量％以下の範囲がよく、より望ましくは０．１質量％以上１０質量％以下の範囲である。
アントラキノン構造を有する電子受容性化合物の含有量が０．０１質量％以上であることにより、アクセプター物質の効果が効率的に発現される。また、２０質量％以下であることにより、金属酸化物粒子同士の凝集が抑制され、金属酸化物粒子の下引層内での分布のムラが抑制され、良好な導電路が形成される。
【００５９】
下引層がアントラキノン構造を有する電子受容性化合物を含有していることの確認は、ガスクロマトグラフィー、液体クロマトグラフィー、ＦＴ−ＩＲ、ラマン分光法、ＸＰＳなどの分析方法によって行われる。
【００６０】
・結着樹脂
下引層に含まれる結着樹脂としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂などの高分子化合物、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂などが用いられる。
【００６１】
下引層中に含まれる結着樹脂の含有量としては、例えば、下引層全体に対し、５質量％以上６０質量％以下の範囲が挙げられ、１０質量％以上５５質量％以下であることが望ましく、３０質量％以上５０質量％以下であることがより望ましい。
【００６２】
・その他添加物
下引層には、表面粗さ調整のために樹脂粒子を添加してもよい。樹脂粒子としては、例えば、シリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメチルメタアクリレート（ＰＭＭＡ）樹脂粒子等が挙げられる。
また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、例えば、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等が挙げられる。
【００６３】
さらに下引層には、硬化剤や硬化触媒を添加してもよい。
硬化剤としては、ブロック化イソシアネート化合物、メラミン樹脂などが挙げられ、ブロック化イソシアネート化合物が好適に用いられる。ブロックイソシアネート化合物はイソシアネート基がブロック化剤でマスクされているため、塗工液が経時でゲル化し増粘するのが抑えられ、作業性に優れる。
【００６４】
硬化触媒としては、一般に用いられている公知の材料が挙げられ、その中でも酸触媒、アミン系触媒、金属化合物系触媒から選択することが望ましい。なお、硬化剤としてメラミン樹脂を用いた場合には酸触媒が、ブロックイソシアネート化合物を用いた場合にはアミン系触媒または金属化合物系触媒を用いることが望ましい。金属化合物系触媒としては、例えば、酸化第一錫、ジオクチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジアセテート、ナフテン酸亜鉛、三塩化アンチモン、カリウムオレート、ナトリウムＯ−フェニルフェネート、硝酸蒼鉛、塩化第二鉄、テトラ−ｎ−ブチルチン、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、コバルト２−エチルヘキソエート、第二２−エチルヘキソエート鉄等が挙げられる。
硬化触媒の添加量は、硬化剤に対して０．０００１質量％以上０．１質量％以下が望ましく、０．００１質量％以上０．０１質量％以下がより望ましい。
【００６５】
・下引層の形成
下引層の形成の際には、上記成分を溶媒に加えた塗布液（下引層形成用の塗布液）が使用される。
溶媒としては、例えば有機溶剤が挙げられ、具体的には、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤；アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状または直鎖状エーテル系溶剤；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤；等が挙げられる。上記溶剤は、単独で用いてもよいし、２種以上混合して用いてもよく、特に限定されないが、上記結着樹脂を溶解する溶剤を用いることがよい。
【００６６】
下引層形成用の塗布液に用いる溶媒の量は、上記結着樹脂が溶解する量であれば特に限定されないが、例えば、結着樹脂１質量部に対し、０．０５質量部以上２００質量部以下が挙げられる。
【００６７】
下引層形成用の塗布液中に金属酸化物粒子を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機等が挙げられる。また、高圧ホモジナイザーとして、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などの方法を用いてもよい。
得られる下引層の体積抵抗率を前述の範囲内とするため、適切な分散方法を選択することが望ましく、具体的には、ガラスビーズを用いたサンドミル、ボールミルなどで分散することが好適である。ガラスビーズの粒径は、用いる金属酸化物粒子や結着樹脂などの成分に応じて調節され、具体的には、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下の粒径が挙げられる。
【００６８】
下引層形成用の塗布液を導電性支持体等の上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【００６９】
下引層形成用の塗布液を導電性支持体等の上に塗布した後、乾燥や硬化のための加熱を行うことが望ましい。硬化剤や硬化触媒を用いた場合の硬化温度および加熱時間は、用いた硬化剤や硬化触媒の種類に応じて調整することが望ましく、具体的には例えば、１６０℃以上２００℃以下の温度で、１５分以上４０分以下加熱することが挙げられる。
【００７０】
下引層の厚さは１０μｍ以上が望ましく、１５μｍ以上４０μｍ以下がより望ましく、１５μｍ以上３０μｍ以下であることが更に望ましい。
【００７１】
（中間層）
中間層は、例えば、下引層と感光層との間に、電気特性向上、画質向上、画質維持性向上、感光層接着性向上などのために、設けてもよい。また、中間層は、導電性支持体と下引層との間に設けてもよい。
【００７２】
尚、下引層と感光層との間に中間層を設ける場合には、該中間層のフェルミエネルギー（ＥｆＩ）が下引層のフェルミエネルギー（ＥｆＵ）および最下層感光層のフェルミエネルギー（ＥｆＰ）と下記式（ｉ）または式（ii）の関係を有していることが望ましい。
式（ｉ）    ＥｆＵ＜ＥｆＩ＜ＥｆＰ
式（ii）    ＥｆＵ＞ＥｆＩ＞ＥｆＰ
上記式（ｉ）または式（ii）の関係を有することにより、ゴーストの発生がより効果的に抑制される。
【００７３】
また、中間層のフェルミエネルギー（ＥｆＩ）の値としては、４．４５ｅＶ以上４．９０ｅＶ以下が望ましく、４．５０ｅＶ以上４．８０ｅＶ以下がより望ましい。
【００７４】
尚、中間層のフェルミエネルギーの測定は、前述の方法に準じて中間層を被覆している電荷発生層、電荷輸送層等の塗膜を溶媒を用いて除去することでフェルミエネルギー測定用の中間層試料とし、更に前述の方法にてフェルミエネルギーを測定する。
【００７５】
中間層のフェルミエネルギー（ＥｆＩ）は、例えば、中間層へ添加する電子受容性化合物の種類や量、電子供与性化合物の種類や量によって調整される。
具体的には、電子受容性化合物を多くするにつれ中間層のフェルミエネルギーは大きくなる傾向にある。
具体的には、電子供与性化合物を多くするにつれ中間層のフェルミエネルギーは小さくなる傾向にある。
【００７６】
中間層に用いられる結着樹脂としては、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素原子などを含有する有機金属化合物などが挙げられる。これらの化合物は、単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウムまたはシリコンを含有する有機金属化合物は残留電位が低く環境による電位変化が少なく、また繰り返し使用による電位の変化が少ないなど点から好適である。
【００７７】
中間層の形成の際には、上記成分を溶媒に加えた中間層形成用塗布液が使用される。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
【００７８】
なお、中間層は上層の塗布性改善の他に、電気的なブロッキング層の役割も果たすが、膜厚が大きすぎる場合には電気的な障壁が強くなりすぎて減感や繰り返しによる電位の上昇を引き起こすことがある。したがって、中間層を形成する場合には、０．１μｍ以上３μｍ以下の膜厚範囲に設定することがよい。
【００７９】
（電荷発生層）
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含んで構成される。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着膜で構成されていてもよい。
電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜および２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．７゜、９．３゜、１６．９゜、１７．５゜、２２．４゜および２８．８゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．５゜、９．９゜、１２．５゜、１６．３゜、１８．６゜、２５．１゜および２８．３゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも９．６゜、２４．１゜および２７．２゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。また、これらの電荷発生材料は、単独または２種以上を混合して用いてもよい。
【００８０】
電荷発生層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプあるいはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール樹脂等が挙げられる。これらの結着樹脂は、単独または２種以上混合して用いてもよい。
【００８１】
なお、電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、例えば１０：１乃至１：１０の範囲が望ましい。
【００８２】
電荷発生層の形成の際には、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液が使用される。
電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００８３】
電荷発生層形成用塗布液を下引層等の上に塗布する方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
【００８４】
電荷発生層の膜厚は、望ましくは０．０１μｍ以上５μｍ以下、より望ましくは０．０５μｍ以上２．０μｍ以下の範囲に設定される。
【００８５】
尚、感光層が、下引層側から順に電荷発生層と電荷輸送層とを積層した２層構成の感光層の場合、電荷発生層は最下層感光層となる。この場合には、最下層感光層である電荷発生層のフェルミエネルギーを調整する観点で、電荷発生層にオゾン処理を施してもよい。オゾン処理は、電荷発生層を形成したのち該電荷発生層上に他の層（電荷輸送層等）が積層されていない状態、つまり電荷発生層が露出した状態で、オゾン濃度を高めた大気中に曝すことで行われる。
【００８６】
（電荷輸送層）
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料、結着樹脂等を含んで構成される。
電荷輸送材料としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ′−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−アミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４′−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４′−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロアントラキノン等のキノン系化合物、テトラアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、および上記した化合物からなる基を主鎖または側鎖に有する重合体などが挙げられる。これらの電荷輸送材料は、１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８７】
電荷輸送層を構成する結着樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡタイプあるいはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、ポリビニルホルマール樹脂、ポリスルホン樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体樹脂、塩化ビニリデン−アクリルニトリル共重合体樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリアミド樹脂、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、およびポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等があげられる。これらの結着樹脂は、単独または２種以上混合して用いてもよい。
なお、電荷輸送材料と上記結着樹脂との配合比は、例えば１０：１乃至１：５が望ましい。
【００８８】
また、電荷輸送層が感光体の表面層（感光層の導電性支持体から最も遠い側に配置される層）である場合、電荷輸送層に潤滑性粒子（例えば、シリカ粒子、アルミナ粒子、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子）を含有させてもよい。これらの潤滑性粒子は、２種以上を混合して用いてもよい。
【００８９】
さらに、電荷輸送層が感光体の表面層である場合、電荷輸送層にフッ素変性シリコーンオイルを添加してもよい。フッ素変性シリコーンオイルとしては、例えばフルオロアルキル基を有する化合物が挙げられる。
【００９０】
電荷輸送層は、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用の塗布液を用いて形成される。
上記溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状又は直鎖状エーテル系溶剤、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル等のエステル系溶剤等が挙げられる。また、これらの溶剤は、単独又は２種以上混合して用いてもよい。混合して使用される溶剤は、混合溶剤として結着樹脂を溶解するものであれば、いかなるものでもよい。
【００９１】
上記電荷輸送層形成用の塗布液中に潤滑性粒子を分散させるための分散方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー、ナノマイザー等のメディアレス分散機を利用する方法が挙げられる。さらに、高圧ホモジナイザーとして、高圧状態で分散液を液−液衝突や液−壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式などが挙げられる。
【００９２】
電荷輸送層の形成方法としては、上記電荷輸送層形成用の塗布液を塗布し乾燥することにより電荷発生層を形成する方法が挙げられる。
上記電荷輸送層形成用の塗布液を電荷発生層等の上に塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等が挙げられる。
そして、上記塗布液を電荷発生層等の上に塗布した後、加熱乾燥工程により塗布液中の溶剤を除去する。電荷輸送層の膜厚としては、例えば５μｍ以上５０μｍ以下の範囲が挙げられる。
【００９３】
画像形成装置中で発生するオゾンや窒素酸化物、または光、熱による感光体の劣化を防止する目的で、感光層を構成する各層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機リン化合物等が挙げられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペン等の誘導体が挙げられる。
【００９４】
（単層型の感光層）
次に、感光層が図２に示す電荷発生能と電荷輸送能とを備える機能一体型の感光層３である場合の、この単層型の感光層について説明する。
単層型の感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、例えば、結着樹脂、電荷発生材料、電荷輸送材料を含んで構成される。これら材料については、電荷発生層や電荷輸送層で説明したものが好適に挙げられる。
単層型の感光層において、電荷発生材料の含有量は１０質量％以上８５質量％以下が望ましく、より望ましくは２０質量％以上５０質量％以下である。また、電荷輸送材料の含有量は５質量％以上５０質量％以下とすることが望ましい。
単層型の感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法が適用される。単層型感光層の厚さは５μｍ以上５０μｍ以下が望ましく、１０μｍ以上４０μｍ以下とするのがさらに望ましい。
【００９５】
尚、感光層が、図２に示すごとく単層型の感光層である場合、該単層型の感光層が最下層感光層となる。この場合には、最下層感光層である単層型の感光層のフェルミエネルギーを調整する観点で、単層型の感光層を形成した後に、単層型の感光層が露出した状態でオゾン曝露処理を施してもよい。
【００９６】
（保護層）
また、図１に示す感光体は電荷輸送層３２が最表面層であり、図２に示す感光体は単層型の感光層３が最表面層であるが、本実施形態においては、これらの電荷輸送層３２や単層型の感光層３上に更に保護層が形成された構成であってもよい。
【００９７】
＜画像形成装置＞
次に、本実施形態に係る電子写真感光体を備えた画像形成装置について説明する。
図３は、本実施形態の画像形成装置の基本構成を示す概略構成図である。
図３に示す画像形成装置２００は、例えば、上記実施形態の電子写真感光体７と、電源２０９に接続され、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８と、帯電装置２０８により帯電された電子写真感光体７を露光して静電潜像を形成する露光装置２１０と、露光装置２１０により形成された静電潜像を、トナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像装置２１１と、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像を記録媒体５００に転写する転写装置２１２と、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３と、記録媒体５００に転写されたトナー像を記録媒体５００に定着させる定着装置２１５と、を備える。
尚、図３示す画像形成装置２００は、電子写真感光体７表面のトナー像が転写された後、帯電装置２０８によって電子写真感光体７の表面が帯電される前において、電子写真感光体７表面に残留した電荷を除去する除電手段を備えない、イレーズレス方式の画像形成装置である。
【００９８】
接触帯電方式である帯電装置２０８は、環境面で優れる方式であり、さらに非接触帯電方式と比較して装置のサイズを小型化し得るという利点を持つ。また、帯電方式として直流電圧のみを重畳する方式を取ることで、交流電圧を重畳する方式と比較して電源やハーネスの構成を簡略化し得る。また、コスト低減、および装置の小型化の観点では、除電装置のレス化も手段として有効である。
【００９９】
帯電装置２０８は帯電部材を有しており、感光体７を帯電させる際には帯電部材に電圧が印加される。電圧の範囲としては、本実施形態では直流電圧のみを印加する形態であることが望ましく、印加する電圧は、要求される電子写真感光体７の帯電電位に応じて、正または負の５０Ｖ以上２０００Ｖ以下（望ましくは２００Ｖ以上１０００Ｖ以下、より望ましくは３００Ｖ以上７００Ｖ以下）の直流電圧を印加する形式が挙げられる。
【０１００】
帯電部材としては、例えば、ローラ、ブラシ、フィルム等が挙げられる。その中でもローラ状の帯電部材（以下「帯電ローラ」とも称する）としては、例えば電気抵抗が１０３Ω以上１０８Ω以下の範囲に調整された材料から構成されるものが挙げられる。また帯電ローラは、単層でもよく、複数の層から構成されていてもよい。
帯電部材として帯電ローラを用いる場合、感光体７に接触する圧力としては、例えば、２５０ｍｇｆ以上６００ｍｇｆ以下の範囲が挙げられる。
【０１０１】
帯電部材を構成する材質としては、例えば、ウレタンゴム、シリコーンゴム、フッ素ゴム、クロロプレンゴム、ブタジエンゴム、ＥＰＤＭ（エチレン−プロピレン−ジエン共重合ゴム）、エピクロルヒドリンゴム等の合成ゴムやポリオレフィン、ポリスチレン、塩化ビニル等で構成されるエラストマーを主材料とし、導電性カーボン、金属酸化物、イオン導電剤等の導電性付与剤を適量配合したもの等が挙げられる。
さらにナイロン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリウレタン、シリコーン等の樹脂を塗料化し、そこに導電性カーボン、金属酸化物、イオン導電剤等の導電性付与剤を適量配合し、得られた塗料をデイッピング、スプレー、ロール塗布等の手法により、積層して用いてもよい。
【０１０２】
帯電部材として帯電ロールを用いる場合、帯電ロールを感光体７の表面に接触させることにより、帯電装置が駆動手段を有していなくても感光体７に従動して回転するが、帯電ロールに駆動手段を取り付け、感光体７と異なる周速度で回転させてもよい。
【０１０３】
露光装置２１０としては、公知の露光手段が用いられる。具体的には、例えば、半導体レーザ、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、液晶シャッター等の光源により露光する光学系装置等が用いられる。書きこみ時の光量としては、例えば、感光体表面上で０．５ｍＪ／ｍ２以上５．０ｍＪ／ｍ２の範囲が挙げられる。
【０１０４】
現像装置２１１としては、例えば、キャリアとトナーとを含む現像剤が付着した現像ブラシ（現像剤保持体）を静電潜像保持体に接触させて現像させる二成分現像方式の現像装置、導電ゴム弾性体搬送ロール（現像剤保持体）上にトナーを付着させ静電潜像保持体にトナーを現像する接触式一成分現像方式の現像装置等が挙げられる。
トナーとしては、公知のトナーであれば特に限定されない。具体的には、少なくとも結着樹脂が含まれ、更に着色剤、離型剤等が含まれたトナーであってもよい。
【０１０５】
トナーを製造する方法は、特に制約されるものではないが、例えば、通常の粉砕法、分散媒中で作製する湿式溶融球形化法、懸濁重合、分散重合、乳化重合凝集法等の既知の重合法によるトナー製造法等が挙げられる。
【０１０６】
現像剤がトナーとキャリアとを含む二成分現像剤である場合、キャリアとしては特に制限はなく、例えば、酸化鉄、ニッケル、コバルト等の磁性金属、フェライト、マグネタイト等の磁性酸化物などの芯材のみからなるキャリア（ノンコートキャリア）、これら芯材の表面に樹脂層を設けた樹脂コートキャリア等が挙げられる。二成分現像剤では、例えばトナーとキャリアとの混合比（質量比）として、トナー：キャリア＝１：１００から３０：１００の範囲が挙げられ、３：１００から２０：１００の範囲であってもよい。
【０１０７】
転写装置２１２としては、ローラ状の接触型帯電部材の他、ベルト、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、またはコロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等、が挙げられる。
【０１０８】
トナー除去装置２１３は、転写工程後の電子写真感光体７の表面に付着する残存トナーを除去するためのもので、これにより清浄面化された電子写真感光体７は上記の画像形成プロセスに繰り返し供される。トナー除去装置２１３としては、異物除去部材（クリーニングブレード）の他、ブラシクリーニング、ロールクリーニング等が用いられるが、これらの中でもクリーニングブレードを用いることが望ましい。また、クリーニングブレードの材質としてはウレタンゴム、ネオプレンゴム、シリコーンゴム等が挙げられる。
なお、例えば感光体７の表面にトナーが残留しにくい場合など、残留トナーが問題にならない場合は、トナー除去装置２１３は設けなくてもよい。
【０１０９】
画像形成装置２００の基本的な作像プロセスについて説明する。
まず、帯電装置２０８が感光体７の表面を、定められた電位に帯電させる。次に、帯電された感光体７の表面を、画像信号に基づいて、露光装置２１０によって露光して静電潜像を形成する。
【０１１０】
次に、現像装置２１１の現像剤保持体上に現像剤が保持され、保持された現像剤が感光体７まで搬送され、現像剤保持体と感光体７とが対向する位置で静電潜像にトナーが供給される。これによって静電潜像は顕像化されてトナー像となる。
現像されたトナー像は、転写装置２１２の位置まで搬送され、転写装置２１２によって記録媒体５００に直接転写される。
【０１１１】
次いで、トナー像が転写された記録媒体５００は、定着装置２１５まで搬送され、定着装置２１５によってトナー像が記録媒体５００に定着される。定着温度としては、例えば１００℃以上１８０℃以下が挙げられる。
【０１１２】
一方、トナー像が記録媒体５００に転写された後、転写されずに感光体７に残留したトナー粒子がトナー除去装置２１３との接触位置まで運ばれ、トナー除去装置２１３によって回収される。
以上のようにして、画像形成装置２００による画像形成が行われる。
【０１１３】
＜プロセスカートリッジ＞
図４は、本実施形態に係るプロセスカートリッジの一例の基本構成を概略的に示している。このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７と共に、電子写真感光体７を帯電させる接触帯電方式の帯電装置２０８、露光により電子写真感光体７上に形成された静電潜像をトナーを含む現像剤により現像してトナー像を形成する現像装置２１１、転写後、電子写真感光体７の表面に残留するトナーを除去するトナー除去装置２１３、および露光のための開口部２１８を、取り付けレール２１６を用いて組み合わせて一体化したものである。
【０１１４】
そして、このプロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７の表面に形成されたトナー像を記録媒体５００に転写する転写装置２１２と、記録媒体５００に転写されたトナー像を記録媒体５００に定着させる定着装置２１５と、図示しない他の構成部分とからなる画像形成装置本体に対して着脱自在としたものであり、画像形成装置本体とともに画像形成装置を構成する。
プロセスカートリッジ３００は、電子写真感光体７、帯電装置２０８、現像装置２１１、トナー除去装置２１３、および露光のための開口部２１８のほかに、電子写真感光体７の表面を露光する露光装置（図示せず）を備えていてもよい。
なお、本実施形態に係るプロセスカートリッジでは、電子写真感光体７を少なくとも備えていればよい。
【実施例】
【０１１５】
以下、実施例および比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。尚、以下において「部」は、特に断りのない限り、質量基準を表す。
【０１１６】
［電子写真感光体の作製］
＜実施例１＞
−下引層の形成−
酸化亜鉛粒子（テイカ社製、平均粒子径：７０ｎｍ、比表面積値：１５ｍ２／ｇ）６０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（表面処理剤）としてＮ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ６０３、信越化学社製）を酸化亜鉛粒子１００部に対し１．２５部を添加し、２時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて除去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子を得た。
【０１１７】
前記シランカップリング剤で表面処理した酸化亜鉛粒子１００部と、電子受容性化合物としてアントラキノン（下記構造式ａ）１部と、硬化剤としてブロック化イソシアネート（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）２２．５部と、ブチラール樹脂（エスレックＢＭ−１、積水化学社製）２５部と、をメチルエチルケトン１４２部に溶解した溶液３８部と、メチルエチルケトン２５部と、を混合し直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて５時間の分散を行い、分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００８部と、シリコーン樹脂粒子（トスパール１４５、ＧＥ東芝シリコーン社製）６．５部と、を添加し下引層形成用塗布液を得た。この下引層形成用塗布液を、浸漬塗布法にて直径３０ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１８０℃、２４分の乾燥硬化を行い、厚さ１５μｍの下引層を得た。
【０１１８】
【化５】
2014066755.tif 000007
【０１１９】
−電荷発生層の形成−
次に、電荷発生材料として、ＣｕＫα特性Ｘ線に対するブラッグ角（２θ±０．２゜）の少なくとも７．４゜、１６．６゜、２５．５゜および２８．３゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶１５部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、日本ユニオンカーバイト社製）１０部およびｎ−ブチルアルコール３００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて５時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。この電荷発生層形成用の塗布液を前記下引層上に浸漬塗布し、乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
【０１２０】
次いで、電荷発生層を成膜した後に、オゾン濃度１００ｐｐｍの大気環境下に８時間曝すオゾン曝露処理を施した。具体的には、オゾン発生装置としてダイレック社製の商品名：オゾン発生制御装置ＭＯＤＥＬ５０の改造機を用いてオゾン濃度１００ｐｐｍの大気環境とし、該環境で８時間放置する処理を施した。
【０１２１】
−電荷輸送層の形成−
次に、４フッ化エチレン樹脂粒子（平均粒径：０．２μｍ）８部と、フッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー（重量平均分子量：３００００）０．０１５部と、テトラヒドロフラン４部と、トルエン１部と、を２０℃の液温に保って４８時間攪拌混合し、４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを得た。
次いで、電荷輸送物質として、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１，１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４部と、ビスフェノールＺ型ポリカーボネート樹脂（粘度平均分子量：４０，０００）６部と、酸化防止剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール０．１部と、を混合して、テトラヒドロフラン２４部およびトルエン１１部を混合溶解して、混合溶解液Ｂを得た。
この混合溶解液Ｂに前記４フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Ａを加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー（吉田機械興行株式会社製）を用いて、５００ｋｇｆ／ｃｍ２まで昇圧しての分散処理を６回繰り返し、フッ素変性シリコーンオイル（商品名：ＦＬ−１００、信越シリコーン社製）を５ｐｐｍとなるように添加し、攪拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。この電荷輸送層形成用塗布液をオゾン曝露処理後の電荷発生層上に２１．０μｍ塗布して、１４０℃で２５分間乾燥して電荷輸送層を形成し、目的の電子写真感光体１を得た。
【０１２２】
＜実施例２＞
電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を４．１時間とし、電荷発生層のオゾン曝露処理を５０ｐｐｍ環境下とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１２３】
＜実施例３＞
下引層の形成において、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を４時間、電荷発生層のオゾン曝露処理を５０ｐｐｍ環境下とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１２４】
＜実施例４＞
下引層の形成において、電子受容性化合物（アントラキノン）を０．５部、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を１．９時間とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１２５】
＜実施例５＞
下引層の形成において、電子受容性化合物（アントラキノン）を０．５部、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を４．５時間とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１２６】
＜実施例６＞
下引層の形成において、電子受容性化合物をプルプリン（前記構造式ｂ）とした以外は、実施例１と同様の方法で感光体を作製した。
【０１２７】
＜比較例１＞
下引層の形成において、電子受容性化合物（アントラキノン）を０部、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を３．６時間とした以外は、実施例１と同様の方法で、比較例１の電子写真感光体を作製した。
【０１２８】
＜比較例２＞
下引層の形成において、電子受容性化合物（アントラキノン）を３部とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を２．８時間、電荷発生層のオゾン曝露処理を無しとした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１２９】
＜比較例３＞
電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を２．８時間、電荷発生層のオゾン曝露処理を８０ｐｐｍ環境下とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１３０】
＜比較例４＞
下引層の形成において、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、サンドミルでの分散時間を５．１時間、電荷発生層のオゾン曝露処理を８０ｐｐｍ環境下とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１３１】
＜比較例５＞
下引層の形成において、電子受容性化合物（アントラキノン）を３部、乾燥硬化の温度を１７０℃とし、電荷発生層の形成において、電荷発生層のオゾン曝露処理を５０ｐｐｍ環境下とした以外は、実施例１と同様の方法で電子写真感光体を作製した。
【０１３２】
［下引層の体積抵抗率の測定］
−測定試料の準備−
上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体について、前述の方法により電荷輸送層および電荷発生層を剥がして下引層を露出させ、次いで、露出した下引層に対し対向電極として１００ｎｍの金電極を真空蒸着法により装着し、抵抗率測定試料とした。
【０１３３】
−測定方法−
上記抵抗率測定試料を用い、前述の方法によって体積抵抗率を算出した。
【０１３４】
［下引層および電荷発生層のフェルミエネルギー測定］
−測定試料の準備−
上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体について、前述の方法により電荷輸送層および電荷発生層を剥がして下引層を露出させ、下引層のフェルミエネルギー測定試料とした。
また、上記実施例および比較例で得られた電子写真感光体について、前述の方法により電荷輸送層を剥がして電荷発生層（つまり最下層感光層）を露出させ、電荷発生層のフェルミエネルギー測定試料とした。
【０１３５】
−測定方法−
上記フェルミエネルギー測定試料を用い、前述の方法によってフェルミエネルギーを測定した。
【０１３６】
［評価：ゴーストおよびカブリの評価］
ゴーストおよびカブリの評価は、ＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ５０５ａの改造機（帯電装置：ＤＣ接触帯電方式、除電装置：除電器なし）に、上記実施例および比較例で作製した各感光体を組み込んだ。高温多湿（温度２８℃、湿度８５％）の条件下にて全面３０％ハーフトーン画像を１００００枚連続で出力し、その後低温低湿（温度１０℃、湿度１５％）の条件下にて全面３０％ハーフトーン画像を１００００枚連続で出力した。その後、感光体円周分の周期でベタ文字とハーフトーン画像が連続する画像を出力し、ゴースト評価用の画像とした。尚、この際のハーフトーン画像は、右半分は３０％、左半分は７０％とした。
更にその後、全面の白ベタ画像を出力し、カブリ評価用の画像とした。
以上で得たゴースト評価用とカブリ評価用の画像をそれぞれ目視により観察し、限度見本を用いて下記基準により評価を行った。
【０１３７】
＜ゴースト＞
０：ゴースト発生無し
１：軽微なゴースト発生
２：１と３の間のレベルのゴースト発生
３：ゴースト発生
４：３と５の間のレベルのゴースト発生
５：顕著なゴースト発生
（尚、３以上で実使用上問題あり、Ｐはポジゴースト、Ｎはネガゴーストを表す）
【０１３８】
＜カブリ＞
０：カブリ発生無し
１：軽微なカブリ発生
２：１と３の間のレベルのカブリ発生
３：カブリ発生
４：３と５の間のレベルのカブリ発生
５：顕著なカブリ発生
（尚、３以上で実使用上問題あり）
【０１３９】
【表１】
2014066755.tif 000008
【０１４０】
【表２】
2014066755.tif 000009
【符号の説明】
【０１４１】
１  導電性支持体、２  下引層、３  感光層、７  電子写真感光体、３１  電荷発生層、３２  電荷輸送層、２００  画像形成装置、２０８  帯電装置、２１０  露光装置、２１１  現像装置、２１２  転写装置、２１３  トナー除去装置、２１５  定着装置、３００  トナーカートリッジ、５００  記録媒体
【図１】
2014066755.tif 000010
【図２】
2014066755.tif 000011
【図３】
2014066755.tif 000012
【図４】
2014066755.tif 000013