(57)【要約】【課題】スイッチング動作に伴うサージ電圧の抑制の観点から好適な構成を有する平滑コンデンサを実現する。【解決手段】平滑コンデンサ５０の本体部５０ａの外面は、誘電体部分５３と一体的に形成された素子配置面Ｓ１を含む。素子配置面Ｓ１は、正極端子５１に電気的に接続される正極側接続電極Ｐ１と、負極端子５２に電気的に接続される負極側接続電極Ｐ２とを有すると共に、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２の少なくとも一方と電気的に接続される状態でスイッチング素子１０を配置可能に構成されている。本体部５０ａの内部に、素子配置面Ｓ１に沿って延びる内部導電層７０が設けられ、内部導電層７０は、素子配置面Ｓ１に直交する方向（Ｚ方向）視での電流の流れ方向が基準方向（Ｘ方向）における負極端子５２から正極端子５１側に向かう方向の成分を有するように形成されている。【選択図】図４
2014072344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極の間に介在する誘電体部分を有して構成される本体部を備え、スイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する平滑コンデンサであって、
前記本体部の外面には、前記誘電体部分と一体的に形成された素子配置面と、前記素子配置面に沿って設定された基準方向における一方側の前記素子配置面の端部において当該素子配置面に交差する第一平面と、前記基準方向における他方側の前記素子配置面の端部において当該素子配置面に交差する第二平面とが含まれ、前記第一平面に正極端子が形成されていると共に、前記第二平面に負極端子が形成されており、
前記素子配置面は、前記正極端子に電気的に接続される正極側接続電極と、前記負極端子に電気的に接続される負極側接続電極とを有すると共に、前記正極側接続電極及び前記負極側接続電極の少なくとも一方と電気的に接続される状態で前記スイッチング素子を配置可能に構成され、
前記本体部の内部に、前記素子配置面に沿って延びる内部導電層が設けられ、
前記内部導電層は、前記素子配置面に直交する方向視での電流の流れ方向が前記基準方向における前記負極端子から前記正極端子側に向かう方向の成分を有するように形成されている平滑コンデンサ。
【請求項２】
前記内部導電層が、前記素子配置面に直交する方向に見て、前記正極側接続電極及び前記負極側接続電極の少なくとも一方と重複する部分を有すると共に、前記素子配置面における前記スイッチング素子の配置領域と重複する部分を有するように形成されている請求項１に記載の平滑コンデンサ。
【請求項３】
前記本体部の内部に、前記正極端子から前記基準方向における前記負極端子側に延びる正極側内部電極と、前記負極端子から前記基準方向における前記正極端子側に延びる負極側内部電極とが形成されており、
前記正極側内部電極及び前記負極側内部電極の双方が、前記素子配置面に直交する方向における前記内部導電層に対して前記素子配置面とは反対側に形成されている請求項１又は２に記載の平滑コンデンサ。
【請求項４】
前記内部導電層と前記正極側内部電極とのそれぞれの前記基準方向における前記負極端子側の端部領域同士が接続されると共に、前記内部導電層の前記基準方向における前記正極端子側の端部領域が前記正極側接続電極に接続され、前記正極側接続電極が前記内部導電層を介して前記正極端子に接続されている請求項３に記載の平滑コンデンサ。
【請求項５】
前記内部導電層と前記負極側内部電極とのそれぞれの前記基準方向における前記正極端子側の端部領域同士が接続されると共に、前記内部導電層の前記基準方向における前記負極端子側の端部領域が前記負極側接続電極に接続され、前記負極側接続電極が前記内部導電層を介して前記負極端子に接続されている請求項３に記載の平滑コンデンサ。
【請求項６】
前記誘電体部分がセラミック材料で形成されている請求項１から５のいずれか一項に記載の平滑コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極の間に介在する誘電体部分を有して構成される本体部を備え、スイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する平滑コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路においては、スイッチングノイズにより誤動作が生じるのを防止する必要がある。このような誤動作の防止に関して、例えば特開平８−１８１４４５号公報（特許文献１）に記載された技術がある。なお、この背景技術の欄の説明では、〔〕内に特許文献１における符号を引用して説明する。特許文献１の図１には、ＬＳＩチップ〔１１〕が、セラミックス多層基板〔２０〕を介してプリント配線基板〔１４〕に配置される構成において、セラミックス多層基板〔２０〕の内部にコンデンサ部〔２３〕が内蔵される構成が記載されている。これにより、当該文献の段落００１６〜００１７に記載のように、スイッチングノイズをコンデンサ部〔２３〕によりフィルタリングして、ＬＳＩチップ〔１１〕に誤動作が生じるのを防止することが可能とされている。
【０００３】
ところで、スイッチング素子を備えるスイッチング素子ユニットにおいて、当該スイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する平滑コンデンサが備えられる場合がある。しかしながら、上記特許文献１に記載のコンデンサ部〔２３〕は、ＬＳＩチップ〔１１〕に誤動作が生じるのを防止することを目的として備えられるものである。特許文献１には平滑コンデンサに言及した記載はなく、平滑コンデンサがスイッチング素子ユニットに備えられる場合における、スイッチング動作に伴うサージ電圧の抑制技術についても一切記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１８１４４５号公報（段落００１６〜００１７、図１等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、スイッチング動作に伴うサージ電圧の抑制の観点から好適な構成を有する平滑コンデンサの実現が望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る、電極の間に介在する誘電体部分を有して構成される本体部を備え、スイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する平滑コンデンサの特徴構成は、前記本体部の外面には、前記誘電体部分と一体的に形成された素子配置面と、前記素子配置面に沿って設定された基準方向における一方側の前記素子配置面の端部において当該素子配置面に交差する第一平面と、前記基準方向における他方側の前記素子配置面の端部において当該素子配置面に交差する第二平面とが含まれ、前記第一平面に正極端子が形成されていると共に、前記第二平面に負極端子が形成されており、前記素子配置面は、前記正極端子に電気的に接続される正極側接続電極と、前記負極端子に電気的に接続される負極側接続電極とを有すると共に、前記正極側接続電極及び前記負極側接続電極の少なくとも一方と電気的に接続される状態で前記スイッチング素子を配置可能に構成され、前記本体部の内部に、前記素子配置面に沿って延びる内部導電層が設けられ、前記内部導電層は、前記素子配置面に直交する方向視での電流の流れ方向が前記基準方向における前記負極端子から前記正極端子側に向かう方向の成分を有するように形成されている点にある。
【０００７】
本願において、部材の形状に関し、「ある面に沿って延びる」とは、当該面を基準面として、部材の延在方向が前記基準面に平行な形状に限らず、部材の全体又は一部の延在方向が前記基準面に交差する方向となっていてもよく、部材の全体としての延在方向が前記基準面に対して予め定められた範囲内（例えば５度以下）である形状も含む概念として用いている。
【０００８】
上記の特徴構成によれば、内部導電層を流れる電流により、スイッチング素子と平滑コンデンサの端子との間の電気的接続経路を構成する正極側接続電極や負極側接続電極の、実効インダクタンスを低減することができる。すなわち、平滑コンデンサが、素子配置面に配置されたスイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する機能を果たす際には、正極側接続電極を介して正極端子からスイッチング素子に電流が流れ、或いは、負極側接続電極を介してスイッチング素子から負極端子に電流が流れる。ここで、正極端子及び負極端子は基準方向における素子配置面の端部に形成されていると共に、正極側接続電極及び負極側接続電極は素子配置面内に備えられるため、この際の電流の流れ方向は、正極側接続電極及び負極側接続電極の双方について、基準方向における正極端子から負極端子に向かう方向の成分を有する。これに対して、内部導電層は、素子配置面に直交する方向視での電流の流れ方向が基準方向における負極端子から正極端子に向かう方向の成分を有するように形成される。よって、正極側接続電極を流れる電流により発生する磁界や、負極側接続電極を流れる電流により発生する磁界を、内部導電層を流れる電流により発生する磁界により弱めて或いは打ち消して、正極側接続電極や負極側接続電極の実効インダクタンスを低減することができる。この結果、スイッチング素子のスイッチング動作に伴うサージ電圧（一時的な電圧上昇分）を抑制することができる。
【０００９】
更に、上記の特徴構成によれば、本体部の外面に含まれる素子配置面が、正極側接続電極及び負極側接続電極の少なくとも一方と電気的に接続される状態でスイッチング素子を配置可能に構成されるため、このような素子配置面を備えないためにスイッチング素子が平滑コンデンサとは分離して配置される場合に比べて、スイッチング素子と平滑コンデンサの端子との間の電気的接続経路の長さを短く抑えて、当該電気的接続経路のインダクタンスを小さく抑えることができる。この点からも、サージ電圧を抑制することができる。
【００１０】
以上のように、上記の特徴構成によれば、サージ電圧の抑制の観点から好適な構成を有する平滑コンデンサを実現できる。そして、上記の特徴構成によれば、サージ電圧を抑制するための内部導電層が、平滑コンデンサの本体部の内部に設けられるため、このような平滑コンデンサを用いてスイッチング素子ユニットを構成する場合に、部品点数を少なく抑えることができる。また、サージ電圧を抑制することで、スイッチング素子の発熱の原因となる電力損失を低減して放熱のために必要な冷却機構の簡素化を図ることや、スイッチング素子及び周辺部品に要求される耐電圧性能を低く抑えることができる。すなわち、平滑コンデンサを備えるスイッチング素子ユニットの小型化や製造コストの低減を図ることができる。
【００１１】
ここで、前記内部導電層が、前記素子配置面に直交する方向に見て、前記正極側接続電極及び前記負極側接続電極の少なくとも一方と重複する部分を有すると共に、前記素子配置面における前記スイッチング素子の配置領域と重複する部分を有するように形成されている構成とすると好適である。
【００１２】
本願において、２つの部材の配置に関して、「ある方向に見て重複する部分を有する」とは、その視線方向に平行な仮想直線を当該仮想直線に直交する各方向に移動させた場合に、当該仮想直線が２つの部材の双方に交わる領域が少なくとも一部に存在することを指す。
【００１３】
この構成によれば、素子配置面に直交する方向に見て内部導電層と重複する部分を有する接続電極（正極側接続電極及び負極側接続電極の一方又は双方）について、接続電極と内部導電層との間の距離を短くして、当該接続電極の実効インダクタンスの低減効果を高めることが容易となる。また、内部導電層が、素子配置面に直交する方向に見てスイッチング素子の配置領域と重複する部分を有するように形成されるため、これらが重複する分だけ、素子配置面に平行な方向における平滑コンデンサの小型化を図ることができる。
【００１４】
また、前記本体部の内部に、前記正極端子から前記基準方向における前記負極端子側に延びる正極側内部電極と、前記負極端子から前記基準方向における前記正極端子側に延びる負極側内部電極とが形成されており、前記正極側内部電極及び前記負極側内部電極の双方が、前記素子配置面に直交する方向における前記内部導電層に対して前記素子配置面とは反対側に形成されている構成とすると好適である。
【００１５】
この構成によれば、素子配置面に直交する方向における内部導電層と素子配置面との間に、内部導電層を流れる電流が発生する磁界に影響を与え得る導電性部材が配置されない構成とすることができるため、正極側接続電極や負極側接続電極の実効インダクタンスを効果的に低減することが容易となる。また、この構成によっても、正極側接続電極と内部導電層との間の距離や負極側接続電極と内部導電層との間の距離を短くして、正極側接続電極や負極側接続電極の実効インダクタンスの低減効果を高めることが容易となる。
【００１６】
上記のように、前記正極側内部電極及び前記負極側内部電極の双方が、前記素子配置面に直交する方向における前記内部導電層に対して前記素子配置面とは反対側に形成されている構成において、前記内部導電層と前記正極側内部電極とのそれぞれの前記基準方向における前記負極端子側の端部領域同士が接続されると共に、前記内部導電層の前記基準方向における前記正極端子側の端部領域が前記正極側接続電極に接続され、前記正極側接続電極が前記内部導電層を介して前記正極端子に接続されている構成とすると好適である。
【００１７】
或いは、前記正極側内部電極及び前記負極側内部電極の双方が、前記素子配置面に直交する方向における前記内部導電層に対して前記素子配置面とは反対側に形成されている構成において、前記内部導電層と前記負極側内部電極とのそれぞれの前記基準方向における前記正極端子側の端部領域同士が接続されると共に、前記内部導電層の前記基準方向における前記負極端子側の端部領域が前記負極側接続電極に接続され、前記負極側接続電極が前記内部導電層を介して前記負極端子に接続されている構成としても好適である。
【００１８】
これらの構成によれば、本体部の内部に形成される内部電極を有効に利用して、内部導電層を形成することができる。
【００１９】
上記の各構成の平滑コンデンサにおいて、前記誘電体部分がセラミック材料で形成されている構成とすると好適である。
【００２０】
この構成によれば、平滑コンデンサの耐サージ電圧性能を高めることが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施形態に係るスイッチング素子ユニットの斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係るスイッチング素子ユニットの図１とは異なる方向から見た斜視図である。
【図３】本発明の実施形態に係るスイッチング素子ユニットの平面図である。
【図４】図３におけるＩＶ−ＩＶ断面図である。
【図５】図３におけるＶ−Ｖ断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る第一平滑コンデンサの平面図である。
【図７】本発明の実施形態に係るインバータ回路の構成を示す模式図である。
【図８】本発明のその他の実施形態に係るスイッチング素子ユニットの断面図である。
【図９】本発明のその他の実施形態に係る第一平滑コンデンサの平面図である。
【図１０】本発明のその他の実施形態に係るスイッチング素子ユニットの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。ここでは、本発明に係る平滑コンデンサを、回転電機２を制御するためのインバータ回路９１（図７参照）に適用した場合を例として説明する。具体的には、本実施形態では、平滑コンデンサ（第一平滑コンデンサ５０）は、図１及び図２に示すように、スイッチング素子ユニット１に備えられ、第一平滑コンデンサ５０に形成された素子配置面Ｓ１に、インバータ回路９１を構成するスイッチング素子１０が配置されている。すなわち、本実施形態では、第一平滑コンデンサ５０の素子配置面Ｓ１に配置されるスイッチング素子１０は、インバータ回路９１を構成する電子素子であり、当該スイッチング素子１０は、直流電力と交流電力との間の電力変換を行う。
【００２３】
以下の説明では、特に断らない限り、「上」は図１における＋Ｚ方向を指し、「下」は図１における−Ｚ方向を指す。Ｚ方向は、図４に示すように、素子配置面Ｓ１に直交する方向であり、素子配置面Ｓ１から当該素子配置面Ｓ１に配置されたスイッチング素子１０側へ向かう方向を正とする。すなわち、＋Ｚ方向は、素子配置面Ｓ１の外方へ向かう法線ベクトルの方向と一致する。Ｘ方向は、素子配置面Ｓ１に沿って設定される基準方向であり、図４に示すように、第一平滑コンデンサ５０の正極端子５１から負極端子５２側へ向かう方向を正とする。Ｙ方向は、素子配置面Ｓ１に沿って基準方向（Ｘ方向）に直交する基準直交方向である。Ｙ方向の向き（正負）は、図１に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向が順に右手系の直交座標系をなすように規定している。なお、本明細書では、各部材についての配置方向や配置位置等に関する用語は、誤差（製造上許容され得る程度の誤差）による差異がある状態を含む概念として用いている。
【００２４】
１．スイッチング素子ユニットの概略構成
図１〜図３に示すように、本実施形態に係るスイッチング素子ユニット１は、スイッチング素子１０と、ダイオード素子２０と、第一平滑コンデンサ５０とを備えている。スイッチング素子ユニット１に備えられるスイッチング素子１０とダイオード素子２０とは、図７に示すように、互いに電気的に直列に接続されて直列素子ユニット３０を形成している。スイッチング素子ユニット１は、直列素子ユニット３０を形成するスイッチング素子１０とダイオード素子２０との組（以下、「電子素子組」という。）を少なくとも１つ備える。本実施形態では、スイッチング素子ユニット１は、図３に示すように、電子素子組を複数備え、具体的には、第一直列素子ユニット３０ａを形成する電子素子組と、第二直列素子ユニット３０ｂを形成する電子素子組との、２つの電子素子組を備えている。
【００２５】
第一平滑コンデンサ５０は、直列素子ユニット３０に供給される直流電圧の変動を抑制する（すなわち、当該直流電圧を平滑化する）回路部品である。本実施形態では、図７に示すように、回転電機２を駆動する回転電機駆動回路は、インバータ回路９１に加えて昇圧回路９２を備えており、平滑コンデンサとして第一平滑コンデンサ５０に加えて第二平滑コンデンサ６０が回転電機駆動回路に備えられている。昇圧回路９２は、直流電源３の直流電圧を昇圧するための回路であり、２つのスイッチング素子１０、当該２つのスイッチング素子１０のそれぞれに電気的に並列に接続された合計２つのダイオード素子２０、及びリアクトル８２を備えて構成されている。リアクトル８２には、スイッチング素子１０のスイッチングに応じて断続的にエネルギが蓄積される。直流電源３は、例えば、バッテリ、キャパシタ等により構成される。本実施形態では、第一平滑コンデンサ５０が、本発明における「平滑コンデンサ」に相当する。
【００２６】
第一平滑コンデンサ５０は、インバータ回路９１の直流側に電気的に並列に接続され、インバータ回路９１を構成する直列素子ユニット３０に供給される直流電圧の変動を抑制する。すなわち、第一平滑コンデンサ５０は、直列素子ユニット３０を構成するスイッチング素子１０に供給される直流電圧の変動を抑制する。第一平滑コンデンサ５０には、電源のオフ時等に第一平滑コンデンサ５０に蓄えられた電荷を放電するための放電抵抗８１が電気的に並列に接続されている。第二平滑コンデンサ６０は、直流電源３に電気的に並列に接続され、昇圧回路９２を構成するスイッチング素子１０に供給される直流電圧の変動を抑制する。すなわち、第一平滑コンデンサ５０は、昇圧回路９２による昇圧後の電圧を平滑化する昇圧後平滑コンデンサであり、第二平滑コンデンサ６０は、昇圧回路９２による昇圧前の電圧を平滑化する昇圧前平滑コンデンサである。
【００２７】
２．第一平滑コンデンサの構成
第一平滑コンデンサ５０の本体部であるコンデンサ本体部５０ａの外面には、図１等に示すように、平面状の素子配置面Ｓ１と、第一平面Ｓ４と、第二平面Ｓ５とが含まれる。ここで、コンデンサの「本体部」とは、図４及び図５に示すように、電極（本例では内部電極５４）及び当該電極の間に介在する誘電体部分５３を有する部分、すなわち、コンデンサとしての機能を発揮する部分である。図３及び図４に示すように、第一平面Ｓ４は、Ｘ方向の一方側である−Ｘ方向側の素子配置面Ｓ１の端部において当該素子配置面Ｓ１に交差する面であり、第二平面Ｓ５は、Ｘ方向の他方側である＋Ｘ方向側の素子配置面Ｓ１の端部において当該素子配置面Ｓ１に交差する面である。第一平面Ｓ４と第二平面Ｓ５とは、互いに反対方向を向くように形成されている。ここで、２つの面について「互いに反対方向を向く」とは、それぞれの面の外方へ向かう法線ベクトル同士の内積が負となることを意味し、第一平面Ｓ４と第二平面Ｓ５とが互いに交差する場合を含む。素子配置面Ｓ１は、コンデンサ本体部５０ａの上側の外面である上面（＋Ｚ方向側を向く面）に形成されている。本実施形態では、コンデンサ本体部５０ａは直方体状の外形を有し、素子配置面Ｓ１、第一平面Ｓ４、及び第二平面Ｓ５のそれぞれは、矩形状に形成されていると共に、第一平面Ｓ４及び第二平面Ｓ５のそれぞれは、素子配置面Ｓ１に直交する面として形成されている。すなわち、本実施形態では、第一平面Ｓ４及び第二平面Ｓ５は、互いに反対方向を向くと共に互いに平行な面として形成されている。
【００２８】
素子配置面Ｓ１は、図１〜図３に示すように、正極側接続電極Ｐ１と負極側接続電極Ｐ２とを有し、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２の少なくとも一方と電気的に接続される状態でスイッチング素子１０を配置可能に構成されている。正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のそれぞれは、第一平滑コンデンサ５０の端子に電気的に接続される電極（端子接続電極Ｐ）である。具体的には、正極側接続電極Ｐ１は、正極端子５１に電気的に接続される電極であり、負極側接続電極Ｐ２は、負極端子５２に電気的に接続される電極である。本実施形態では、直列素子ユニット３０を構成するスイッチング素子１０とダイオード素子２０とが、端子接続電極Ｐと電気的に接続された状態で、素子配置面Ｓ１に配置（言い換えれば、実装）されている。すなわち、本実施形態では、素子配置面Ｓ１は、スイッチング素子１０に加えてダイオード素子２０を配置可能に構成されている。これらのスイッチング素子１０やダイオード素子２０は、素子配置面Ｓ１或いは当該素子配置面Ｓ１に形成された電極に対して上側から載るように配置（すなわち載置）されている。素子配置面Ｓ１に形成される端子接続電極Ｐ、並びに後述する素子間接続電極Ｐ３、制御用電極Ｐ４、及び放電抵抗用電極Ｐ５（図６参照）は、例えば、導体箔（銅箔等）により形成された電極とすることができる。また、このような電極は、例えば、印刷技術を用いて素子配置面Ｓ１に形成することができる。
【００２９】
上記のように、素子配置面Ｓ１には、第一平滑コンデンサ５０の端子５１，５２に電気的に接続された端子接続電極Ｐとして、正極端子５１に電気的に接続された正極側接続電極Ｐ１と、負極端子５２に電気的に接続された負極側接続電極Ｐ２とが形成されている。本実施形態では更に、図６に示すように、正極端子５１に電気的に接続された部分と負極端子５２に電気的に接続された部分との双方を有する放電抵抗用電極Ｐ５が、素子配置面Ｓ１に形成されている。正極側接続電極Ｐ１、及び放電抵抗用電極Ｐ５の正極端子５１に電気的に接続される部分のそれぞれは、正極端子５１に電気的に接続された接続端子５５（図４参照）の上面の一部を覆うように形成されることで、正極端子５１と導通している。また、負極側接続電極Ｐ２、及び放電抵抗用電極Ｐ５の負極端子５２に電気的に接続される部分のそれぞれは、負極端子５２の上面の一部を覆うように形成されることで、当該負極端子５２と導通している。
【００３０】
正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２は、スイッチング素子１０及びダイオード素子２０と、第一平滑コンデンサ５０とを電気的に接続するための電極である。よって、本実施形態では、接続端子５５の上面及び負極端子５２の上面により、第一平滑コンデンサ５０の外部電極におけるインバータ回路９１側との接続部が形成されている。詳細な説明は省略するが、第一平滑コンデンサ５０の外部電極における直流電源３側との接続部も、正極端子５１又は接続端子５５の外面や、負極端子５２の外面により形成される構成とすることができる。
【００３１】
図６に示すように、素子配置面Ｓ１には、上記３つの電極Ｐ１，Ｐ２，Ｐ５に加えて、素子間接続電極Ｐ３と制御用電極Ｐ４とが形成されている。これらの電極Ｐ３，Ｐ４は、第一平滑コンデンサ５０の端子５１，５２とは電気的に絶縁された電極である。ここで、「電気的に絶縁」とは、素子配置面Ｓ１上で電気的に絶縁されていることを意味し、素子配置面Ｓ１に配置される回路素子や配線部材等を介して第一平滑コンデンサ５０の端子５１，５２と電気的に接続される場合を含む概念として用いている。
【００３２】
図６に示すように、本実施形態では、正極側接続電極Ｐ１は、素子配置面Ｓ１上を接続端子５５からＸ方向における負極端子５２側（すなわち、＋Ｘ方向側）に延びるように形成されており、負極側接続電極Ｐ２は、素子配置面Ｓ１上を負極端子５２からＸ方向における正極端子５１側（すなわち、−Ｘ方向側）に延びるように形成されている。そして、本実施形態では、素子配置面Ｓ１におけるＹ方向の全域において、正極側接続電極Ｐ１が、負極端子５２と負極側接続電極Ｐ２とのＸ方向における間に配置される部分を有さないように構成されている。具体的には、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のそれぞれは、Ｚ方向視で矩形状に形成されており、正極側接続電極Ｐ１のＸ方向の長さと、負極側接続電極Ｐ２のＸ方向の長さとのそれぞれが、正極側接続電極Ｐ１と負極側接続電極Ｐ２とが互いにＸ方向に離間するように設定されている。そして、素子配置面Ｓ１上における正極側接続電極Ｐ１と負極側接続電極Ｐ２とのＸ方向における間に、直列素子ユニット３０を構成するスイッチング素子１０とダイオード素子２０とを電気的に接続する素子間接続電極Ｐ３が形成されている。
【００３３】
本実施形態では、正極側接続電極Ｐ１、負極側接続電極Ｐ２、及び素子間接続電極Ｐ３は、図６に示すように、Ｘ方向視で重複する部分を有するように形成されている。すなわち、正極側接続電極Ｐ１が形成されているＹ方向の領域、負極側接続電極Ｐ２が形成されているＹ方向の領域、及び素子間接続電極Ｐ３が形成されているＹ方向の領域の３つの領域の全てに含まれるＹ方向の領域が存在し、素子間接続電極Ｐ３は、正極側接続電極Ｐ１と負極側接続電極Ｐ２とによりＸ方向の両側から挟まれるように形成されている。また、素子間接続電極Ｐ３は、Ｚ方向視で矩形状に形成されている。なお、本例では、素子間接続電極Ｐ３は、図３に示すように、第二接続部材６２（後述する）が配置される＋Ｘ方向側の端部領域において、矩形状部分に対して−Ｙ方向側に突出する部分を有している。本実施形態では、この突出部分に、回転電機２のコイルに接続された接続部材（図示せず）が接続される。
【００３４】
第一平滑コンデンサ５０は、正極側の端子である正極端子５１と、負極側の端子である負極端子５２とを備えている。これらの端子５１，５２は、図７に示すように、直流電源３及び昇圧回路９２との間で直流電力の入出力を行う端子として機能するとともに、インバータ回路９１との間で直流電力の入出力を行う端子としても機能する。本実施形態では、図４に示すように、正極端子５１は、第一平滑コンデンサ５０の−Ｘ方向側の端部に配置された第一平面Ｓ４に、導電性材料（例えば銅等）を用いて形成されており、負極端子５２は、第一平滑コンデンサ５０の＋Ｘ方向側の端部に配置された第二平面Ｓ５に、導電性材料（例えば銅等）を用いて形成されている。本実施形態では、負極端子５２は、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成されている。一方、正極端子５１の上部は、コンデンサ本体部５０ａの上面より下方に配置されており、正極端子５１は、コンデンサ本体部５０ａの上面には露出していない。本実施形態では、第一平面Ｓ４における正極端子５１の上側には、分離部５６を介して接続端子５５が形成されており、当該接続端子５５が、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成されている。すなわち、本実施形態では、コンデンサ本体部５０ａの上面には、接続端子５５の上端部により形成される部分と、負極端子５２の上端部により形成される部分とが含まれる。更に、本実施形態では、正極端子５１、接続端子５５、及び負極端子５２のそれぞれは、図１〜図３に示すように、コンデンサ本体部５０ａのＹ方向の両側の側面（側方側の外面）に露出するように形成されている。
【００３５】
本実施形態では、第一平滑コンデンサ５０は、電極の間に介在する誘電体部分５３がセラミック材料で形成されたセラミックコンデンサである。このセラミック材料は、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、又はアルミナ等により構成される。具体的には、図４及び図５に模式的に示すように、第一平滑コンデンサ５０は、積層セラミックコンデンサであり、誘電体部分５３が内部電極５４を介して積層方向（ここでは上下方向）に積層した構造を有している。内部電極５４は、１種又は複数種の導電性材料（例えば銅等）を用いて構成され、素子配置面Ｓ１に沿って延びるように形成されている。本実施形態では、内部電極５４は、素子配置面Ｓ１に平行に延びるように形成されており、具体的には、素子配置面Ｓ１に平行な平板状の部材とされている。コンデンサ本体部５０ａの内部には、内部電極５４として、正極端子５１に電気的に接続された正極側内部電極５４ａと、負極端子５２に電気的に接続された負極側内部電極５４ｂとが形成されており、正極側内部電極５４ａと負極側内部電極５４ｂとは、積層方向に交互に配置されている。正極側内部電極５４ａは、コンデンサ本体部５０ａの内部を、正極端子５１から＋Ｘ方向側に延びるように形成されている。負極側内部電極５４ｂは、コンデンサ本体部５０ａの内部を、負極端子５２から−Ｘ方向側に延びるように形成されている。すなわち、正極端子５１及び負極端子５２の双方は外部電極として機能し、第一平滑コンデンサ５０の積層方向において、少なくとも内部電極５４の配置領域の全域に亘って延びるように形成されている。なお、図４及び図５では、誘電体部分５３の積層数が「５」となるように示しているが、誘電体部分５３の実際の積層数は任意の値とすることができる。例えば、第一平滑コンデンサ５０として、誘電体部分５３の積層数が１００以上のものを用いることができる。
【００３６】
コンデンサ本体部５０ａの外面に形成される素子配置面Ｓ１は、誘電体部分５３と一体的に形成されている。具体的には、本実施形態では、コンデンサ本体部５０ａの上面（具体的には端子５５，５２を除く部分）は、コンデンサ本体部５０ａの内部における上側の端部に配置された誘電体部分５３により形成され、コンデンサ本体部５０ａの下側の外面である下面（具体的には端子５１，５２を除く部分）は、コンデンサ本体部５０ａの内部における下側の端部に配置された誘電体部分５３により形成されている。すなわち、本実施形態では、素子配置面Ｓ１が形成されるコンデンサ本体部５０ａの上面（具体的には、当該上面における端子５５，５２を除く部分）と、コンデンサ本体部５０ａの下面（具体的には、当該下面における端子５１，５２を除く部分）とは、誘電体部分５３と同じ材料で一体的に形成されている。このような第一平滑コンデンサ５０として、公知の各種技術を用いて製造されたものを採用することができる。例えば、第一平滑コンデンサ５０として、ＬＴＣＣ（Low Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて低温同時焼成により製造されたものを採用することができる。また、誘電体部分５３がセラミック材料（例えばアルミナ等）を用いて構成される場合に、第一平滑コンデンサ５０として、セラミック材料を焼成する技術（例えば上記のＬＴＣＣ技術等）を用いて製造されたものではなく、セラミック微粒子をエアロゾル化して噴射することによりセラミック膜を形成する技術（エアロゾルデポジション技術）を用いて製造されたものを採用することも可能である。
【００３７】
コンデンサ本体部５０ａの内部には、素子配置面Ｓ１に沿って延びる内部導電層７０が設けられている。本実施形態では、内部導電層７０は、図４及び図５に示すように、素子配置面Ｓ１に平行に延びるように形成されており、具体的には、素子配置面Ｓ１に平行な平板状の部材とされている。内部導電層７０は、１種又は複数種の導電性材料（例えば銅等）を用いて構成される。上述したように、内部電極５４も、１種又は複数種の導電性材料を用いて構成されており、同一の種類の導電性材料が、内部導電層７０を構成する導電性材料と、内部電極５４を構成する導電性材料との双方に含まれる構成とすることが可能である。例えば、内部導電層７０の組成を、内部電極５４と同一の組成とすることも可能である。なお、第一平滑コンデンサ５０として、セラミック材料を焼成する技術（例えば上記のＬＴＣＣ技術等）を用いて製造されたものを採用する場合には、内部導電層７０の融点が誘電体部分５３の融点よりも高くなるような導電性材料を用いて内部導電層７０を構成することで、誘電体部分５３を焼成により形成する際に、内部電極５４に加えて内部導電層７０も同時に形成することが可能となる。
【００３８】
図４及び図５に示すように、正極側内部電極５４ａ及び負極側内部電極５４ｂの双方は、Ｚ方向における内部導電層７０に対して素子配置面Ｓ１とは反対側（すなわち、内部導電層７０より下側）に形成されている。すなわち、内部導電層７０は、いずれの内部電極５４よりも上側に配置されている。具体的には、本実施形態では、図４に示すように、複数の内部電極５４のうちの最も上側に配置される内部電極５４である対象内部電極５４ｃは、正極側内部電極５４ａにより構成されている。そして、対象内部電極５４ｃの＋Ｘ方向側の端部領域と、誘電体部分５３を介して対象内部電極５４ｃの上側に配置された内部導電層７０の＋Ｘ方向側の端部領域とが、接続部７１を介して電気的に接続されている。本実施形態では、接続部７１は、板面がＸ方向に直交する面に平行な平板状の部材とされ、接続部７１の下側の端部が対象内部電極５４ｃの＋Ｘ方向側の端部に接続されていると共に、接続部７１の上側の端部が内部導電層７０の＋Ｘ方向側の端部に接続されている。接続部７１は、１種又は複数種の導電性材料を用いて構成される。接続部７１の組成を、内部導電層７０或いは内部電極５４と同一の組成とすることも可能である。
【００３９】
内部導電層７０の−Ｘ方向側の端部領域は、正極側接続電極Ｐ１に電気的に接続されている。よって、正極側接続電極Ｐ１は、内部導電層７０を介して正極端子５１に電気的に接続される。具体的には、本実施形態では、図４に示すように、第一平面Ｓ４における正極端子５１の上側に、分離部５６を介して接続端子５５が形成されている。そして、内部導電層７０の−Ｘ方向側の端部が、接続端子５５に接続されていると共に、接続端子５５におけるコンデンサ本体部５０ａの上面の露出する部分が、正極側接続電極Ｐ１に接続されている。なお、分離部５６は、電気的絶縁材料を用いて構成され、接続端子５５は、導電性材料を用いて構成されている。接続端子５５の組成を、正極端子５１と同一の組成とすることが可能である。また、分離部５６の組成を、誘電体部分５３と同一の組成とすることが可能である。そして、図７に示すように、正極端子５１は直流電源３の正極に電気的に接続され、負極端子５２は直流電源３の負極に電気的に接続されている。よって、正極側接続電極Ｐ１に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置された上段側スイッチング素子１０ａのオン状態で、正極端子５１から、対象内部電極５４ｃ、接続部７１、内部導電層７０、及び接続端子５５を記載の順に介して、正極側接続電極Ｐ１に電流が流れるため、内部導電層７０を流れる電流の方向は、図４から明らかなように、−Ｘ方向の成分を有する。すなわち、内部導電層７０は、図６に示すように、Ｚ方向視での電流の流れ方向が−Ｘ方向の成分を有するように形成されている。なお、図６においては、内部導電層７０における電流の流れ方向を、破線の白抜き矢印により概念的に表している。
【００４０】
正極端子５１に電気的に接続された接続端子５５は、正極側接続電極Ｐ１の−Ｘ方向側の端部領域に接続されているため、正極側接続電極Ｐ１に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置された上段側スイッチング素子１０ａのオン状態で、正極側接続電極Ｐ１を流れる電流の方向は、＋Ｘ方向の成分を有する。すなわち、正極側接続電極Ｐ１は、図６に示すように、Ｚ方向視での電流の流れ方向が＋Ｘ方向側の成分を有するように形成されている。また、負極端子５２は、負極側接続電極Ｐ２の＋Ｘ方向側の端部領域に接続されているため、負極側接続電極Ｐ２に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置された下段側スイッチング素子１０ｂのオン状態で、負極側接続電極Ｐ２を流れる電流の方向は、＋Ｘ方向の成分を有する。すなわち、負極側接続電極Ｐ２は、図６に示すように、Ｚ方向視での電流の流れ方向が＋Ｘ方向側の成分を有するように形成されている。なお、図６においては、正極側接続電極Ｐ１における電流の流れ方向を、当該正極側接続電極Ｐ１に重ねて描いた実線の白抜き矢印により概念的に表し、負極側接続電極Ｐ２における電流の流れ方向を、当該負極側接続電極Ｐ２に重ねて描いた実線の白抜き矢印により概念的に表している。
【００４１】
以上のように、内部導電層７０における電流の流れ方向（すなわち、−Ｘ方向の成分を有する方向）は、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２における電流の流れ方向（すなわち、＋Ｘ方向の成分を有する方向）に対向する成分を有する。これにより、正極側接続電極Ｐ１を流れる電流により発生する磁界や、負極側接続電極Ｐ２を流れる電流により発生する磁界を、内部導電層７０を流れる電流により発生する磁界により弱めて或いは打ち消して、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２の実効インダクタンスを低減することが可能となっている。この結果、スイッチング素子１０のスイッチング動作に伴うサージ電圧を抑制することができる。
【００４２】
なお、本実施形態では、図６に示すように、内部導電層７０のＹ方向の幅がＸ方向に沿って一様になるように、内部導電層７０が形成されている。すなわち、本実施形態では、内部導電層７０のＺ方向視での形状は、矩形状である。そして、内部導電層７０は、Ｙ方向における電位差がＸ方向における電位差に比べて無視できる大きさとなるように、接続部７１や接続端子５５に接続されている。すなわち、本実施形態では、内部導電層７０は、Ｚ方向視での電流の流れ方向が−Ｘ方向に一致するように形成されている。なお、ここでの「一致」は、設計上の「一致」を意味する。すなわち、内部導電層７０は、Ｚ方向視での電流の流れ方向を−Ｘ方向に一致させる設計に従って形成されている。同様に、本実施形態では、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２は、Ｚ方向視での電流の流れ方向が＋Ｘ方向に一致するように形成されている。言い換えれば、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２は、Ｚ方向視での電流の流れ方向を＋Ｘ方向に一致させる設計に従って形成されている。そして、本実施形態では、更に、内部導電層７０は、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２が形成される素子配置面Ｓ１に平行に延びるように形成されている。よって、本実施形態では、内部導電層７０を流れる電流の方向は、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２を流れる電流の方向と平行な位置関係であって、内部導電層７０における電流の流れ方向が、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２における電流の流れ方向に対して反対方向となる。これにより、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２の実効インダクタンスの低減効果を高めることが可能となっている。
【００４３】
更に、本実施形態では、図６に示すように、内部導電層７０を、Ｚ方向に見て、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のそれぞれと重複する部分を有するように形成している。これにより、内部導電層７０と正極側接続電極Ｐ１との間の距離や、内部導電層７０と負極側接続電極Ｐ２との間の距離を短くして、正極側接続電極Ｐ１や負極側接続電極Ｐ２の実効インダクタンスの低減効果を高めることが可能となっている。この際、内部導電層７０は、コンデンサ本体部５０ａの内部に形成されているため、内部導電層７０と正極側接続電極Ｐ１との間の電気的絶縁性や、内部導電層７０と負極側接続電極Ｐ２との間の電気的絶縁性は、内部導電層７０と素子配置面Ｓ１との間の誘電体部分５３により確保することが可能である。本実施形態では、図６に示すように、内部導電層７０は、更に、Ｚ方向に見て、素子配置面Ｓ１におけるスイッチング素子１０の配置領域（スイッチング素子配置領域Ａ）、素子配置面Ｓ１におけるダイオード素子２０の配置領域（ダイオード素子配置領域Ｂ）、及び素子間接続電極Ｐ３のそれぞれと重複する部分を有するように形成されている。
【００４４】
また、本実施形態では、図５に示すように、内部導電層７０のＹ方向の幅が内部電極５４のＹ方向の幅よりも狭くなるように、内部導電層７０が形成されている。具体的には、本実施形態では、内部導電層７０のＹ方向の幅は、図６に示すように、正極側接続電極Ｐ１のＹ方向の幅と一致する。このように、内部導電層７０のＹ方向の幅を、実効インダクタンスの低減対象の電極（本例では正極側接続電極Ｐ１）のＹ方向の幅に合わせることで、実効インダクタンスの低減効果を確保しつつ、内部導電層７０を構成する材料の量を少なく抑えることが可能となっている。なお、内部導電層７０のＹ方向の幅を、正極側接続電極Ｐ１とは別の実効インダクタンスの低減対象の電極である、負極側接続電極Ｐ２のＹ方向の幅に合わせることも可能である。また、本実施形態では、図５に示すように、接続部７１のＹ方向の幅は、Ｚ方向に沿って一様であり、接続部７１のＹ方向の幅は、内部導電層７０のＹ方向の幅と一致する。
【００４５】
３．直列素子ユニットの配置構成
次に、スイッチング素子ユニット１における直列素子ユニット３０の配置構成について説明する。図３に示すように、本実施形態では、素子配置面Ｓ１には、第一直列素子ユニット３０ａと第二直列素子ユニット３０ｂとの２つの直列素子ユニット３０が配置されている。そして、図７に示すように、これら２つの直列素子ユニット３０のそれぞれの中間接続部３３同士が電気的に接続されることにより、直列素子ユニット組４０が構成されている。
【００４６】
図７に示すように、直列素子ユニット３０は、直流電源３の正極側に接続される正極側端子部３１と、直流電源３の負極側（例えば、グランド側）に接続される負極側端子部３２とを備えている。本実施形態では、直列素子ユニット３０の正極側端子部３１は、昇圧回路９２を構成するスイッチング素子１０及びリアクトル８２を介して直流電源３の正極に電気的に接続されており、昇圧回路９２により昇圧された直流電圧が、直列素子ユニット３０の正極側端子部３１に供給される。
【００４７】
直列素子ユニット３０により構成される直列素子ユニット組４０は、直流電圧を交流電圧に変換するインバータ回路９１の１つのアーム組（上段アームと下段アームとの組、言い換えればレッグ）を構成している。同じアーム組を構成する複数の直列素子ユニット３０は、同一のスイッチング素子ユニット１に備えられる。本実施形態では、１つのアーム組を構成する２つの直列素子ユニット３０が、同一のスイッチング素子ユニット１に備えられ、同一の素子配置面Ｓ１に配置されている。すなわち、本実施形態では、スイッチング素子ユニット１は、１つの直列素子ユニット組４０を備えている。
【００４８】
本実施形態では、図７に示すように、交流電圧の供給対象の回転電機２は、三相交流で駆動される交流電動機であり、三相（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）のそれぞれに対応する合計３つのアーム組が電気的に並列に接続されて、インバータ回路９１が形成されている。すなわち、本実施形態では、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕを備えるスイッチング素子ユニット１に加えて、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖを備えるスイッチング素子ユニットとＷ相直列素子ユニット組４０Ｗを備えるスイッチング素子ユニットとを用いて、インバータ回路９１が形成されている。Ｖ相直列素子ユニット組４０ＶやＷ相直列素子ユニット組４０Ｗは、回転電機２との接続関係が異なる（具体的には、接続対象のコイルの相が異なる）点を除いて、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕと同様に構成されているため、ここでは、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖを備えるスイッチング素子ユニットやＷ相直列素子ユニット組４０Ｗを備えるスイッチング素子ユニットについては図示を省略する。
【００４９】
このように、本実施形態では、３つのスイッチング素子ユニットを用いてインバータ回路９１が形成されており、各アーム組（各直列素子ユニット組４０）に対して１つの第一平滑コンデンサ５０が電気的に並列に接続されている。図７では煩雑さを避けるために、３つのアーム組の全体に１つの第一平滑コンデンサ５０を接続した例を示している。インバータ回路９１の制御対象の回転電機２は、例えば、電動車両やハイブリッド車両等に車輪の駆動力源として備えられる回転電機とすることができる。本願明細書では、「回転電機」は、モータ（電動機）、ジェネレータ（発電機）、及び必要に応じてモータ及びジェネレータの双方の機能を果たすモータ・ジェネレータのいずれをも含む概念として用いている。
【００５０】
図７に示すように、直列素子ユニット３０の正極側端子部３１は、正極側接続電極Ｐ１（図６参照）に電気的に接続されることで、第一平滑コンデンサ５０の正極端子５１に電気的に接続されている。なお、本実施形態では、当該正極側端子部３１は、接続端子５５を介して正極端子５１に電気的に接続されている。また、直列素子ユニット３０の負極側端子部３２は、負極側接続電極Ｐ２（図６参照）に電気的に接続されることで、第一平滑コンデンサ５０の負極端子５２に電気的に接続されている。同一の直列素子ユニット組４０を構成する複数（本例では２つ）の直列素子ユニット３０のそれぞれの中間接続部３３は、互いに電気的に接続されていると共に、対応する相のコイルに接続されている。以下、このような電気的接続構成を実現するためのスイッチング素子ユニット１の構成について説明する。
【００５１】
第一直列素子ユニット３０ａ及び第二直列素子ユニット３０ｂの双方は、スイッチング素子１０とダイオード素子２０とが互いに電気的に直列に接続されて構成されているが、図７に示すように、スイッチング素子１０とダイオード素子２０との配置構成が、第一直列素子ユニット３０ａと第二直列素子ユニット３０ｂとでは異なる。具体的には、直列素子ユニット３０において正極側に配置される素子を「正極側素子」とし、負極側に配置される素子を「負極側素子」とすると、第一直列素子ユニット３０ａの正極側素子はスイッチング素子１０であるのに対し、第二直列素子ユニット３０ｂの正極側素子はダイオード素子２０である。第一直列素子ユニット３０ａの負極側素子はダイオード素子２０であるのに対し、第二直列素子ユニット３０ｂの負極側素子はスイッチング素子１０である。
【００５２】
そして、直列素子ユニット３０を構成する正極側素子と負極側素子との接続部（言い換えれば、スイッチング素子１０とダイオード素子２０との接続部）を中間接続部３３とすると、第一直列素子ユニット３０ａと第二直列素子ユニット３０ｂとは、それぞれの中間接続部３３同士が互いに電気的に接続されている。よって、互いに電気的に並列に接続された第一直列素子ユニット３０ａの正極側素子と第二直列素子ユニット３０ｂの正極側素子との素子組と、互いに電気的に並列に接続された第一直列素子ユニット３０ａの負極側素子と第二直列素子ユニット３０ｂの負極側素子との素子組とが、互いに電気的に直列に接続されて、直列素子ユニット組４０が構成されているといえる。すなわち、図７に示すインバータ回路において上段アームに配置されるスイッチング素子１０及びダイオード素子２０を、それぞれ、上段側スイッチング素子１０ａ及び上段側ダイオード素子２０ａとし、下段アームに配置されるスイッチング素子１０及びダイオード素子２０を、それぞれ、下段側スイッチング素子１０ｂ及び下段側ダイオード素子２０ｂとすると、上段側ダイオード素子２０ａが電気的に並列に接続された上段側スイッチング素子１０ａと、下段側ダイオード素子２０ｂが電気的に並列に接続された下段側スイッチング素子１０ｂとが、互いに電気的に直列に接続されて、直列素子ユニット組４０が構成されている。
【００５３】
図３に示すように、本実施形態では、上段側スイッチング素子１０ａは、下段側ダイオード素子２０ｂよりも−Ｙ方向側に配置され、下段側スイッチング素子１０ｂは、上段側ダイオード素子２０ａよりも−Ｙ方向側に配置されている。すなわち、同じ直列素子ユニット組４０に含まれる複数のスイッチング素子１０のそれぞれが、同じ直列素子ユニット３０を構成するダイオード素子２０よりも、Ｙ方向における同じ側に配置されている。同じ直列素子ユニット組４０に含まれる複数のスイッチング素子１０（本例では、上段側スイッチング素子１０ａ及び下段側スイッチング素子１０ｂ）は、Ｘ方向に並ぶように素子配置面Ｓ１に配置されている。本実施形態では、図６に示すように、素子配置面Ｓ１は長辺と短辺とを有する長方形状に形成されており、Ｘ方向が長辺の延在方向と平行となり、Ｙ方向が短辺の延在方向と平行となっている。そして、スイッチング素子１０に対して電気的に並列に接続されるダイオード素子２０が、当該スイッチング素子１０とＹ方向に並ぶように素子配置面Ｓ１に配置されている。具体的には、上段側ダイオード素子２０ａが、上段側スイッチング素子１０ａの＋Ｙ方向側に隣接して配置されていると共に、下段側ダイオード素子２０ｂが、下段側スイッチング素子１０ｂの＋Ｙ方向側に隣接して配置されている。ここで、「隣接して配置」とは、素子配置面Ｓ１の延在方向（ここではＹ方向）におけるスイッチング素子１０とダイオード素子２０との間に他の回路素子が配置されていないことを意味し、また、スイッチング素子１０とダイオード素子２０との間の離間距離が零である状態（すなわち、それぞれの外面同士が接触している状態）と当該離間距離が零より大きい状態の双方を含む概念として用いている。
【００５４】
上記のように、上段側スイッチング素子１０ａ、下段側スイッチング素子１０ｂ、上段側ダイオード素子２０ａ、及び下段側ダイオード素子２０ｂが配置されているため、本実施形態では、図３に示すように、上段側スイッチング素子１０ａが、下段側ダイオード素子２０ｂよりも−Ｘ方向側に配置されると共に、上段側ダイオード素子２０ａが、下段側スイッチング素子１０ｂよりも−Ｘ方向側に配置されている。すなわち、本実施形態では、第一直列素子ユニット３０ａ及び第二直列素子ユニット３０ｂのそれぞれについて、直列素子ユニット３０を構成するスイッチング素子１０及びダイオード素子２０のいずれか正極側に配置される正極側素子が、いずれか負極側に配置される負極側素子よりも、−Ｘ方向側（すなわち、Ｘ方向における正極端子５１側）に配置されている。
【００５５】
スイッチング素子１０は、図４及び図５に示すように、一対の主端子１２，１３と制御端子１１とを有している。主端子１２，１３は、直流電圧の供給源（本例では直流電源３）に電気的に接続される端子である。ここで、一対の主端子１２，１３の内、高電位側の端子を正極側主端子１２とし、低電位側の端子を負極側主端子１３とする。図５及び図７に示すように、上段側ダイオード素子２０ａは、上段側スイッチング素子１０ａの正極側主端子１２にカソード端子２２が電気的に接続され、上段側スイッチング素子１０ａの負極側主端子１３にアノード端子２１が電気的に接続されるように、上段側スイッチング素子１０ａに対して電気的に逆並列の関係で接続されている。下段側ダイオード素子２０ｂについても同様に、下段側スイッチング素子１０ｂに対して電気的に逆並列の関係で接続されている。すなわち、ダイオード素子２０は、ＦＷＤ（Free Wheel Diode）として機能する。制御端子１１は、スイッチング素子１０をオンオフ制御するための制御用の端子であり、スイッチング素子１０のオン状態では、正極側主端子１２と負極側主端子１３とが導通し、スイッチング素子１０のオフ状態では、正極側主端子１２と負極側主端子１３との導通が遮断される。
【００５６】
図４、図５、図７に示すように、上段側スイッチング素子１０ａの正極側主端子１２が、第一直列素子ユニット３０ａの正極側端子部３１を構成し、下段側ダイオード素子２０ｂのアノード端子２１が、第一直列素子ユニット３０ａの負極側端子部３２を構成している。また、下段側スイッチング素子１０ｂの負極側主端子１３が、第二直列素子ユニット３０ｂの負極側端子部３２を構成し、上段側ダイオード素子２０ａのカソード端子２２が、第二直列素子ユニット３０ｂの正極側端子部３１を構成している。
【００５７】
本実施形態では、図７に示すように、スイッチング素子１０はＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）であり、正極側主端子１２はコレクタ端子により構成され、負極側主端子１３はエミッタ端子により構成され、制御端子１１はゲート端子により構成されている。そして、制御端子１１は、ゲート抵抗８３（図３、図５参照）を介して図示しない制御ユニットに電気的に接続されており、各スイッチング素子１０は制御端子１１に印加されるゲート電圧に応じて、個別にスイッチング制御される。なお、スイッチング素子１０として、ＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）等を用いることも可能である。
【００５８】
図５に示すように、正極側主端子１２と負極側主端子１３とのそれぞれは、外形が直方体状に形成されたスイッチング素子１０における、互いに反対側を向く外面に分かれて形成されている。具体的には、スイッチング素子１０は、正極側主端子１２が形成された外面と、負極側主端子１３が形成された外面とを有し、これら２つの外面は、互いに逆方向を向くとともに互いに平行な面として形成されている。そして、スイッチング素子１０は、負極側主端子１３が形成された外面が素子配置面Ｓ１に対向する第一対向配置面Ｓ２となるように、素子配置面Ｓ１に配置されている。すなわち、スイッチング素子１０が素子配置面Ｓ１に配置された状態で、スイッチング素子１０の上面に正極側主端子１２が配置され、スイッチング素子１０の下面に負極側主端子１３が配置される。そして、本実施形態では、制御端子１１は、負極側主端子１３が形成されているスイッチング素子１０の外面において、当該負極側主端子１３とは絶縁距離を隔てて配置されている。すなわち、本実施形態では、スイッチング素子１０が有する第一対向配置面Ｓ２に、主端子１２，１３（具体的には負極側主端子１３）が形成されており、更に本実施形態では、当該第一対向配置面Ｓ２に、制御端子１１も形成されている。
【００５９】
スイッチング素子１０は、第一対向配置面Ｓ２と素子配置面Ｓ１とが直接又は接合部材を介して当接するように、素子配置面Ｓ１に配置されている。なお、「素子配置面Ｓ１と直接又は接合部材を介して当接」というときの素子配置面Ｓ１には、当該素子配置面Ｓ１に形成された電極が含まれる。具体的には、図３〜図５に示すように、上段側スイッチング素子１０ａは、接合材料９３を介して素子間接続電極Ｐ３に上側から載るように配置されており、上段側ダイオード素子２０ａも、接合材料９３を介して素子間接続電極Ｐ３に上側から載るように配置されている。図５に示すように、本例では、ダイオード素子２０の下面にはアノード端子２１が形成されており、ダイオード素子２０の上面にはカソード端子２２が形成されている。すなわち、ダイオード素子２０は、アノード端子２１が形成された外面が素子配置面Ｓ１に対向する第二対向配置面Ｓ３となるように、素子配置面Ｓ１に配置されており、第二対向配置面Ｓ３と素子配置面Ｓ１とは、直接又は接合部材を介して当接する。接合部材としての接合材料９３は、例えばハンダや導電性ペースト等の、導電性材料により構成される。これにより、上段側スイッチング素子１０ａの下面に形成された負極側主端子１３と、上段側ダイオード素子２０ａの下面に形成されたアノード端子２１とが、素子間接続電極Ｐ３に対して電気的に接続される。
【００６０】
下段側スイッチング素子１０ｂは、接合材料９３を介して負極側接続電極Ｐ２に上側から載るように配置されており、下段側ダイオード素子２０ｂも、接合材料９３を介して負極側接続電極Ｐ２に上側から載るように配置されている。これにより、下段側スイッチング素子１０ｂの下面に形成された負極側主端子１３と、下段側ダイオード素子２０ｂの下面に形成されたアノード端子２１とが、負極側接続電極Ｐ２に対して電気的に接続される。すなわち、下段側スイッチング素子１０ｂと下段側ダイオード素子２０ｂとは、負極側接続電極Ｐ２に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置されている。なお、負極側接続電極Ｐ２は、負極端子５２に電気的に接続されており、下段側スイッチング素子１０ｂの負極側主端子１３と、下段側ダイオード素子２０ｂのアノード端子２１とは、負極側接続電極Ｐ２を介して負極端子５２に電気的に接続される。このように、負極側接続電極Ｐ２は、下段側ダイオード素子２０ｂのアノード端子２１により構成される第一直列素子ユニット３０ａの負極側端子部３２と、下段側スイッチング素子１０ｂの負極側主端子１３により構成される第二直列素子ユニット３０ｂの負極側端子部３２とを、第一平滑コンデンサ５０の負極端子５２に電気的に接続するための電極である。
【００６１】
図１及び図２に示すように、上段側スイッチング素子１０ａの上面に形成された正極側主端子１２（図４、図５参照）と、上段側ダイオード素子２０ａの上面に形成されたカソード端子２２とを、正極側接続電極Ｐ１に対して電気的に接続するように、導電性の第一接続部材６１が配置されている。すなわち、第一接続部材６１は、正極側接続電極Ｐ１と上段側スイッチング素子１０ａとを電気的に接続すると共に、正極側接続電極Ｐ１と上段側ダイオード素子２０ａとを電気的に接続する。具体的には、図４に示すように、第一接続部材６１は、接合材料９３を介して正極側接続電極Ｐ１に上側から載るように配置された第一部分６１ａと、接合材料９３を介して上段側スイッチング素子１０ａ及び上段側ダイオード素子２０ａに上側から載るように配置された第二部分６１ｂとを有する。これにより、上段側スイッチング素子１０ａの正極側主端子１２と、上段側ダイオード素子２０ａのカソード端子２２とが、正極側接続電極Ｐ１に対して電気的に接続される。すなわち、上段側スイッチング素子１０ａと上段側ダイオード素子２０ａとは、正極側接続電極Ｐ１に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置されている。なお、正極側接続電極Ｐ１は、正極端子５１に電気的に接続されており、上段側スイッチング素子１０ａの正極側主端子１２と、上段側ダイオード素子２０ａのカソード端子２２とは、正極側接続電極Ｐ１を介して正極端子５１に電気的に接続される。このように、正極側接続電極Ｐ１は、上段側スイッチング素子１０ａの正極側主端子１２により構成される第一直列素子ユニット３０ａの正極側端子部３１と、上段側ダイオード素子２０ａのカソード端子２２により構成される第二直列素子ユニット３０ｂの正極側端子部３１とを、第一平滑コンデンサ５０の正極端子５１に電気的に接続するための電極である。
【００６２】
また、図１及び図２に示すように、下段側スイッチング素子１０ｂの上面に形成された正極側主端子１２（図４参照）と、下段側ダイオード素子２０ｂの上面に形成されたカソード端子２２とを、素子間接続電極Ｐ３に対して電気的に接続するように、導電性の第二接続部材６２が配置されている。すなわち、第二接続部材６２は、素子間接続電極Ｐ３と下段側スイッチング素子１０ｂとを電気的に接続すると共に、素子間接続電極Ｐ３と下段側ダイオード素子２０ｂとを電気的に接続する。具体的には、図４に示すように、第二接続部材６２は、接合材料９３を介して素子間接続電極Ｐ３に上側から載るように配置された第一部分６２ａと、接合材料９３を介して下段側スイッチング素子１０ｂ及び下段側ダイオード素子２０ｂに上側から載るように配置された第二部分６２ｂとを有する。これにより、下段側スイッチング素子１０ｂの正極側主端子１２と、下段側ダイオード素子２０ｂのカソード端子２２とが、素子間接続電極Ｐ３に対して電気的に接続される。この結果、素子間接続電極Ｐ３を介して、上段側スイッチング素子１０ａの負極側主端子１３及び上段側ダイオード素子２０ａのアノード端子２１が、下段側スイッチング素子１０ｂの正極側主端子１２及び下段側ダイオード素子２０ｂのカソード端子２２に電気的に接続される。このように、素子間接続電極Ｐ３は、直列素子ユニット３０を構成するスイッチング素子１０とダイオード素子２０との間（具体的には、上段側スイッチング素子１０ａと下段側ダイオード素子２０ｂとの間、並びに上段側ダイオード素子２０ａと下段側スイッチング素子１０ｂとの間）を電気的に接続して中間接続部３３を形成するための電極であると共に、同じ直列素子ユニット組４０を構成する複数の直列素子ユニット３０のそれぞれの中間接続部３３同士を接続するための電極である。
【００６３】
本実施形態では、図１、図４等に示すように、第一接続部材６１及び第二接続部材６２は、上面に平坦部分を有する。そして、図示は省略するが、この平坦部分の上側に、絶縁部材を介してヒートシンクが配置されている。この絶縁部材は、電気的絶縁性及び熱伝導性の双方を備える。これにより、スイッチング素子１０とヒートシンクとの間の電気的絶縁性を確保しつつ、スイッチング素子１０の熱を効率良く接続部材６１，６２を介してヒートシンクに伝達させることが可能となっている。このように、接続部材６１，６２は、接続部材（バスバー）としての機能に加えて、ヒートスプレッダとしての機能も有している。
【００６４】
制御用電極Ｐ４は、制御端子１１に電気的に接続される制御用の電極である。具体的には、制御用電極Ｐ４は、図５に示すように、制御端子１１の下側に配置されて当該制御端子１１に電気的に接続された部分と、当該部分とは−Ｙ方向側に分離された部分（分離部分）とを有し、これら２つの部分を電気的に接続するようにゲート抵抗８３が上側から載るように配置されている。また、図示は省略するが、上記分離部分にはフレキシブルプリント基板の接続端子が形成されており、制御端子１１は当該フレキシブルプリント基板を介して、スイッチング制御信号（本例ではゲート駆動信号）を生成する制御ユニット（図示せず）に電気的に接続されている。なお、フレキシブルプリント基板は、柔軟性があり大きく変形させることが可能なプリント基板である。
【００６５】
また、放電抵抗用電極Ｐ５は、第一平滑コンデンサ５０に電気的に並列に接続される放電抵抗８１（図７参照）を配置するための電極である。具体的には、図６に示すように、放電抵抗用電極Ｐ５は、互いにＸ方向に分離された２つの部分である、正極端子５１に電気的に接続された部分と、負極端子５２に電気的に接続された部分とを有する。そして、図１に示すように、これら２つの部分を電気的に接続するように、放電抵抗８１が上側から載るように配置されている。
【００６６】
４．その他の実施形態
最後に、本発明に係る平滑コンデンサの、その他の実施形態について説明する。なお、以下のそれぞれの実施形態で開示される構成は、矛盾が生じない限り、他の実施形態で開示される構成と組み合わせて適用することが可能である。
【００６７】
（１）上記の実施形態では、内部導電層７０と対象内部電極５４ｃとのそれぞれの＋Ｘ方向側の端部領域同士が電気的に接続されると共に、内部導電層７０の−Ｘ方向側の端部領域が正極側接続電極Ｐ１に電気的に接続され、正極側接続電極Ｐ１が内部導電層７０を介して正極端子５１に電気的に接続された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、図８及び図９に示すように、内部導電層７０と対象内部電極５４ｃとのそれぞれの−Ｘ方向側の端部領域同士が接続部７１を介して電気的に接続されると共に、内部導電層７０の＋Ｘ方向側の端部領域が負極側接続電極Ｐ２に電気的に接続され、負極側接続電極Ｐ２が内部導電層７０を介して負極端子５２に電気的に接続された構成とすることも可能である。この構成では、上記の実施形態とは異なり、複数の内部電極５４のうちの最も上側に配置される内部電極５４である対象内部電極５４ｃを、正極側内部電極５４ａではなく負極側内部電極５４ｂにより構成する。
【００６８】
具体的には、図８及び図９に示す構成では、正極端子５１は、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成されている。一方、負極端子５２の上部は、コンデンサ本体部５０ａの上面より下方に配置されている。第二平面Ｓ５における負極端子５２の上側には、分離部５６を介して接続端子５５が形成されており、当該接続端子５５が、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成されている。そして、内部導電層７０の＋Ｘ方向側の端部が、接続端子５５に接続されていると共に、接続端子５５におけるコンデンサ本体部５０ａの上面の露出する部分が、負極側接続電極Ｐ２に接続されている。そのため、この例では、負極側接続電極Ｐ２に電気的に接続された状態で素子配置面Ｓ１に配置された下段側スイッチング素子１０ｂのオン状態で、負極側接続電極Ｐ２から、接続端子５５、内部導電層７０、接続部７１、及び対象内部電極５４ｃを記載の順に介して、負極端子５２に電流が流れるため、内部導電層７０を流れる電流の方向は、図８から明らかなように、−Ｘ方向の成分を有する。すなわち、この例でも、図９に示すように、内部導電層７０は、Ｚ方向視での電流の流れ方向が−Ｘ方向の成分を有するように形成されている。なお、図９に示す例では、上記実施形態とは異なり、内部導電層７０のＹ方向の幅を、正極側接続電極Ｐ１ではなく負極側接続電極Ｐ２のＹ方向の幅に合わせるように、内部導電層７０が形成されている。
【００６９】
（２）上記の実施形態では、スイッチング素子ユニット１が、１つの直列素子ユニット組４０を備える構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、スイッチング素子ユニット１が、複数の直列素子ユニット組４０を備える構成とすることも可能である。例えば、図１０に示すように、スイッチング素子ユニット１が２つの直列素子ユニット組４０を備える構成とすることができる。この例では、スイッチング素子ユニット１は、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕに加えてＶ相直列素子ユニット組４０Ｖを備えている。図７に示すように、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖは、中間接続部３３の接続対象のコイルの相が異なる点を除いて、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕと同様に構成されている。すなわち、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖを構成する第三直列素子ユニット３０ｃは、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕを構成する第一直列素子ユニット３０ａと同様に構成され、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖを構成する第四直列素子ユニット３０ｄは、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕを構成する第二直列素子ユニット３０ｂと同様に構成されている。
【００７０】
そして、Ｖ相直列素子ユニット組４０Ｖは、図１０に示すように、Ｕ相直列素子ユニット組４０Ｕに対して＋Ｙ方向側に並べて配置されている。すなわち、本具体例に係るスイッチング素子ユニット１は、上記第一の実施形態に係るスイッチング素子ユニット１（図３参照）を、Ｙ方向に２つ並べた構成といえる。そのため、内部導電層７０は、Ｕ相直列素子ユニット組４０ＵとＶ相直列素子ユニット組４０Ｖとのそれぞれに対して別に設けられている。内部導電層７０のＺ方向視での形状を、図１０における２つの内部導電層７０の双方を含む最小の矩形状とすること等により、Ｕ相直列素子ユニット組４０ＵとＶ相直列素子ユニット組４０Ｖとに対して共通の内部導電層７０が設けられた構成とすることも可能である。なお、図１０では煩雑さを避けるため、放電抵抗８１やゲート抵抗８３に関する部分については図示を省略している。この構成では、２つのアーム組（２つの直列素子ユニット組４０）に対して１つの第一平滑コンデンサ５０が電気的に並列に接続されるため、本例での第一平滑コンデンサ５０の容量は、上記第一の実施形態に比べて２倍となる。
【００７１】
（３）上記の実施形態では、内部導電層７０が、Ｚ方向に見て、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のそれぞれと重複する部分を有するように形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、内部導電層７０が、Ｚ方向に見て、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のいずれか一方のみと重複する部分を有するように形成された構成とすることも可能である。この場合において、コンデンサ本体部５０ａの内部に、１つではなく複数の内部導電層７０が設けられた構成とすることも可能である。例えば、内部導電層７０として、Ｚ方向に見て正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のうちの正極側接続電極Ｐ１のみと重複する部分を有するように形成された第一内部導電層と、Ｚ方向に見て正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のうちの負極側接続電極Ｐ２のみと重複する部分を有するように形成された第二内部導電層とが設けられた構成とすることができる。また、内部導電層７０が、Ｚ方向に見て、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のいずれとも重複部分を有さない位置に形成された構成、すなわち、正極側接続電極Ｐ１及び負極側接続電極Ｐ２のいずれとも異なる位置に形成された構成とすることも可能である。
【００７２】
（４）上記の実施形態では、内部導電層７０が、Ｚ方向に見て、スイッチング素子配置領域Ａ、ダイオード素子配置領域Ｂ、及び素子間接続電極Ｐ３のそれぞれと重複する部分を有するように形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、内部導電層７０が、Ｚ方向に見て、スイッチング素子配置領域Ａ、ダイオード素子配置領域Ｂ、及び素子間接続電極Ｐ３の少なくともいずれかとは重複する部分を有さない位置に形成された構成、すなわち、これらの少なくともいずれかとは異なる位置に形成された構成とすることも可能である。
【００７３】
（５）上記の実施形態では、内部導電層７０のＹ方向の幅が、実効インダクタンスの低減対象の端子接続電極Ｐ（具体的には正極側接続電極Ｐ１）のＹ方向の幅と一致する構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、内部導電層７０のＹ方向の幅が、実効インダクタンスの低減対象の電極のＹ方向の幅よりも大きくなるように、内部導電層７０が形成された構成とすることも可能である。この場合において、例えば、内部導電層７０のＹ方向の幅を、内部電極５４のＹ方向の幅に一致させることも可能である。
【００７４】
（６）上記の実施形態では、内部導電層７０のＹ方向の幅が、Ｘ方向に沿って一様である構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、内部導電層７０のＹ方向の幅がＸ方向の位置によって変化するように、内部導電層７０が形成された構成とすることも可能である。例えば、図６に示す例において、Ｚ方向視で正極側接続電極Ｐ１と重なるＸ方向の領域では、内部導電層７０のＹ方向の幅が正極側接続電極Ｐ１のＹ方向の幅と一致し、Ｚ方向視で負極側接続電極Ｐ２と重なるＸ方向の領域では、内部導電層７０のＹ方向の幅が負極側接続電極Ｐ２のＹ方向の幅と一致するように、内部導電層７０が形成された構成とすることができる。
【００７５】
（７）上記の実施形態では、内部導電層７０が、Ｚ方向視での電流の流れ方向が−Ｘ方向に一致するように形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、内部導電層７０における電流の流れ方向が、Ｚ方向視でＸ方向に対して傾斜していても良い。
【００７６】
（８）上記の実施形態では、内部導電層７０が、素子配置面Ｓ１に平行に延びるように形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、内部導電層７０が、素子配置面Ｓ１に対して交差する方向に延びるように形成された構成とすることも可能である。この場合の交差角は、例えば５度以下の角度とすると好適である。
【００７７】
（９）上記の実施形態では、第一平面Ｓ４における正極端子５１の上側に、分離部５６を介して接続端子５５が形成され、当該接続端子５５が、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、内部導電層７０の−Ｘ方向側の端部が接続される接続端子５５を、正極端子５１よりも＋Ｘ方向側にずらして形成することが可能である。この場合、接続端子５５に加えて正極端子５１も、コンデンサ本体部５０ａの上面に露出するように形成された構成とすることもできる。このような構成においても、正極側接続電極Ｐ１を、正極端子５１の上面を覆わないように、正極端子５１よりも＋Ｘ方向側の領域のみに形成することで、上記の実施形態と同様に、内部導電層７０を、Ｚ方向視での電流の流れ方向が−Ｘ方向の成分を有するように形成することができる。
【００７８】
（１０）上記の実施形態では、第一平滑コンデンサ５０が、電極の間に介在する誘電体部分５３がセラミック材料で形成されたセラミックコンデンサである構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、第一平滑コンデンサ５０の誘電体部分５３が、セラミック材料以外の材料（例えば合成樹脂等）で構成されても良い。
【００７９】
（１１）上記の実施形態では、素子配置面Ｓ１が、誘電体部分５３と同じ材料で形成された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、素子配置面Ｓ１が、当該誘電体部分５３とは別の材料で形成された構成とすることも可能である。また、上記の実施形態では、素子配置面Ｓ１に偶数個の直列素子ユニット３０が配置された構成を例として説明したが、奇数個（例えば１個、３個等）の直列素子ユニット３０が素子配置面Ｓ１に配置された構成とすることも可能である。
【００８０】
（１２）上記の実施形態では、スイッチング素子１０が、負極側主端子１３が形成された外面が素子配置面Ｓ１に対向する第一対向配置面Ｓ２となるように、素子配置面Ｓ１に配置された構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、スイッチング素子１０が、正極側主端子１２が形成された外面が素子配置面Ｓ１に対向する第一対向配置面Ｓ２となるように、素子配置面Ｓ１に配置された構成、すなわち、スイッチング素子１０が素子配置面Ｓ１に配置された状態で、スイッチング素子１０の上面に負極側主端子１３が配置され、スイッチング素子１０の下面に正極側主端子１２が配置された構成とすることも可能である。この場合、上記実施形態に係る図４に示す例では、符号５２で示される端子が正極端子となり、符号５１で示される端子が負極端子となる。また、その他の実施形態（１）に係る図８に示す例でも、符号５２で示される端子が正極端子となり、符号５１で示される端子が負極端子となる。これらの場合においては、図６や図９における電流の流れを表す３つの白抜き矢印の全てが逆向きとなるが、内部導電層７０におけるＺ方向視での電流の流れ方向は、上記実施形態と同様に、基準方向Ｘにおける負極端子から正極端子側に向かう方向の成分を有する。
【００８１】
（１３）上記の実施形態では、スイッチング素子１０が有する第一対向配置面Ｓ２に、制御端子１１が形成されている構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、スイッチング素子１０における第一対向配置面Ｓ２以外の外面（例えば上側の外面である上面）に制御端子１１が形成された構成とすることも可能である。この場合、例えば、ワイヤ部材を介して制御端子１１が制御用電極Ｐ４に電気的に接続される構成とすることができる。また、この場合、素子配置面Ｓ１に、制御用電極Ｐ４が形成されず、制御端子１１が素子配置面Ｓ１を介することなく、スイッチング制御信号（本例ではゲート駆動信号）を生成する制御ユニット（図示せず）に電気的に接続される構成とすることも可能である。
【００８２】
（１４）上記の実施形態では、スイッチング素子１０に対して電気的に並列に接続されるダイオード素子２０が、当該スイッチング素子１０に隣接して素子配置面Ｓ１に配置される構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、互いに電気的に並列に接続されるスイッチング素子１０とダイオード素子２０との素子配置面Ｓ１の延在方向における間に他の回路素子が配置された構成とすることも可能である。また、ダイオード素子２０が、第一平滑コンデンサ５０の素子配置面Ｓ１以外の外面（例えば下面）に配置される構成や、第一平滑コンデンサ５０とは別の部材に配置される構成とすることも可能である。すなわち、素子配置面Ｓ１が、スイッチング素子１０及びダイオード素子２０のうちのスイッチング素子１０のみを配置可能な構成とすることができる。
【００８３】
（１５）上記の実施形態では、インバータ回路９１が直流電圧を三相の交流電圧に変換する直流交流変換回路であり、インバータ回路９１が６個のスイッチング素子１０を備える構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。例えば、インバータ回路９１が直流電圧を単相の交流電圧に変換する直流交流変換回路であり、インバータ回路９１が４個のスイッチング素子１０を備える構成とすることもできる。
【００８４】
（１６）上記の実施形態では、本発明に係る平滑コンデンサを、回転電機２を制御するためのインバータ回路９１（図７参照）に適用した場合を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、本発明に係る平滑コンデンサを、昇圧回路９２等の他の回路に適用することも可能である。昇圧回路９２に適用する場合には、例えば、本発明に係る平滑コンデンサとしての第二平滑コンデンサ６０の外面に、素子配置面が、昇圧回路９２を構成するスイッチング素子１０とダイオード素子２０とにより形成される直列素子ユニットを配置可能に形成された構成とすることができる。詳細は省略するが、このような構成では、上記実施形態における素子配置面Ｓ１が第二平滑コンデンサ６０の上記素子配置面に置き換わる点を除いて、上記実施形態と同様に構成することができる。
【００８５】
（１７）上記の実施形態では、回転電機２を駆動する回転電機駆動回路が、インバータ回路９１に加えて昇圧回路９２を備える構成を例として説明した。しかし、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、回転電機２を駆動する回転電機駆動回路が昇圧回路９２を備えない構成とすることも可能である。
【００８６】
（１８）その他の構成に関しても、本明細書において開示された実施形態は全ての点で例示であって、本発明の実施形態はこれに限定されない。すなわち、本願の特許請求の範囲に記載されていない構成に関しては、本発明の目的を逸脱しない範囲内で適宜改変することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、電極の間に介在する誘電体部分を有して構成される本体部を備え、スイッチング素子に供給される直流電圧の変動を抑制する平滑コンデンサに好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００８８】
１０：スイッチング素子
５０：第一平滑コンデンサ（平滑コンデンサ）
５０ａ：コンデンサ本体部（本体部）
５１：正極端子
５２：負極端子
５３：誘電体部分
５４ａ：正極側内部電極
５４ｂ：負極側内部電極
７０：内部導電層
Ａ：スイッチング素子配置領域（配置領域）
Ｐ１：正極側接続電極
Ｐ２：負極側接続電極
Ｓ１：素子配置面
Ｓ４：第一平面
Ｓ５：第二平面
Ｘ：基準方向
Ｚ：素子配置面に直交する方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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