(57)【要約】【課題】照明用又はディスプレイ用のバックライトユニットに使用される発光装置に関すること。【解決手段】本発明の実施形態による発光装置は、第１電極及び第２電極を含む基板と、前記第１電極上に配置されるＬＥＤチップと、前記基板上に配置されたダムとを含み、前記ダムは、前記ＬＥＤチップから離隔されて配置され、前記基板は、第１銅層、第２銅層及び基板本体を含むＤＣＢ基板であり、前記第１電極及び第２電極は、それぞれ表面のボイドを埋める金属被膜を含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極及び第２電極を含む基板と、
前記第１電極上に配置されるＬＥＤチップと、
前記基板上に配置されたダムと、を含み、
前記ダムは、前記ＬＥＤチップから離隔されて配置され、
前記基板は、第１銅層、第２銅層及び基板本体を含むＤＣＢ基板であり、
前記第１電極及び第２電極は、それぞれ表面のボイドを埋める金属被膜を含む、発光装置。
【請求項２】
前記金属被膜は、
前記ボイドが存在する表面に所定の金属ペーストを塗布し、前記金属ペーストを乾燥、焼成及び平坦化して形成された、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記金属被膜は、
Ａｕ又はＡｇのうち少なくとも一つ以上を含む、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ＬＥＤチップは、前記第１電極の金属被膜上に配置され、
前記ＬＥＤチップと前記第１電極の金属被膜は、接着剤により接着される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記接着剤は、
ＡｕＳｎを含む、請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤチップと前記第２電極の金属被膜を連結するボンディングワイヤーをさらに含む、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記ＬＥＤチップから放出された光を励起させる蛍光部をさらに含み、
前記蛍光部は、前記ＬＥＤチップ上に配置される、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記蛍光部は、
シリケート系列、サルファイド系列、ＹＡＧ系列、ＴＡＧ系列、Ｎｉｔｒｉｄｅ系列のうち少なくとも一つ以上を含む、請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記ダムは、
絶縁物質である、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記ダムの高さは、
前記ＬＥＤチップの高さより高い、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第１電極及び前記第２電極の上側に配置されるエンキャップをさらに含む、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記エンキャップ層は、
光透過性保護樹脂である、請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第１電極及び前記第２電極上に配置され、前記基板と水平な反射防止用ガラスをさらに含む、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１４】
第１銅層の表面に配置される腐食防止層をさらに含む、請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記ダムは、
半球形、半楕円形、半円形、四角形、上部の隅が面取りされた四角形のいずれか一つの形状を有する、請求項１ないし１４のいずれか一項に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明用又はディスプレイ用のバックライトユニットに用いられる発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ここでは、本開示に関する背景技術が提供されるが、これらが必ずしも公知技術を意味する訳ではない。
【０００３】
発光素子（ＬＥＤ；Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）は、電気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種である。ＬＥＤは、蛍光灯、白熱灯などの既存の光源に比べて低消費電力、半永久的な寿命、素早い応答速度、安全性、環境にやさしいという長所を有する。これにより、既存の光源を発光素子に代替するための多くの研究が進められており、すでに発光素子は室内外で使用される各種の液晶表示装置、電光掲示板、街灯などの照明装置の光源として使用が増加している趨勢である。
【０００４】
通常、このようなＬＥＤを使用した発光装置は、基板上に配置された二つの電極パターンと、前記電極パターンの一部を内側に収容しながら、光透過部の充填空間となるキャビティーが形成されるように射出成形されたモールドハウジングと、前記キャビティー内の電極パターン上に配置された放熱層と、前記放熱層上に配置されたＬＥＤチップと、前記電極パターンとＬＥＤチップを電気的に連結するボンディングワイヤーとを含む。ここで、前記光透過部はキャビティーを満たしてＬＥＤチップを密閉する。具現しようとするＬＥＤチップの色に応じて、光透過部は蛍光体を含んだり、透明な樹脂からなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、発光装置の面積を減少させることにある。
【０００６】
また、本発明の他の目的は、発光装置の高さを減少させることにある。
【０００７】
また、本発明の他の目的は、発光装置の輝度を向上させることにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、発光装置の発光領域を小さくすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述の課題を解決するための本発明の実施形態による発光装置は、第１電極及び第２電極を含む基板と、前記第１電極上に配置されるＬＥＤチップと、前記基板上に配置されたダムとを含み、前記ダムは、前記ＬＥＤチップから離隔されて配置され、前記基板は、第１銅層、第２銅層及び基板本体を含むＤＣＢ基板であり、前記第１電極及び第２電極は、それぞれ表面のボイドを埋める金属被膜を含んでいてもよい。
【００１０】
実施形態による発光装置において、前記金属被膜は、前記ボイドが存在する表面に所定の金属ペーストを塗布し、前記金属ペーストを乾燥、焼成及び平坦化して形成されてもよい。
【００１１】
実施形態による発光装置において、前記金属被膜はＡｕ又はＡｇのうち少なくとも一つ以上を含んでいてもよい。
【００１２】
実施形態による発光装置において、前記ＬＥＤチップは前記第１電極の金属被膜上に配置され、前記ＬＥＤチップと前記第１電極の金属被膜は接着剤により接着されてもよい。
【００１３】
実施形態による発光装置において、前記接着剤はＡｕＳｎを含んでいてもよい。
【００１４】
実施形態による発光装置において、前記ＬＥＤチップと前記第２電極の金属被膜を連結するボンディングワイヤーをさらに含んでいてもよい。
【００１５】
実施形態による発光装置において、前記ＬＥＤチップから放出された光を励起させる蛍光部をさらに含み、前記蛍光部は、前記ＬＥＤチップ上に配置されてもよい。
【００１６】
実施形態による発光装置において、前記蛍光部は、シリケート系列、サルファイド系列、ＹＡＧ系列、ＴＡＧ系列、Ｎｉｔｒｉｄｅ系列のうち少なくとも一つ以上を含んでいてもよい。
【００１７】
実施形態による発光装置において、前記ダムは絶縁物質であってもよい。
【００１８】
実施形態による発光装置において、前記ダムの高さは、前記ＬＥＤチップの高さより高くても良い。
【００１９】
実施形態による発光装置において、前記第１電極及び前記第２電極の上側に配置されるエンキャップをさらに含んでいてもよい。
【００２０】
実施形態による発光装置において、前記エンキャップ層は光透過性保護樹脂であってもよい。
【００２１】
実施形態による発光装置において、前記第１電極及び前記第２電極上に配置され、前記基板と水平な反射防止用ガラスをさらに含んでいてもよい。
【００２２】
実施形態による発光装置において、第１銅層の表面に配置される腐食防止層をさらに含んでいてもよい。
【００２３】
実施形態による発光装置において、前記ダムは、半球形、半楕円形、半円形、四角形、上部の隅が面取りされた四角形のいずれか一つの形状を有していてもよい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の様々な実施形態によれば、基板と別に配置された電極パターンと前記電極パターン上に配置された放熱層を含まずに前記熱伝導性基板にＬＥＤチップを直接実装するため、発光装置の高さを減少させることができる。
【００２５】
また、様々な実施形態によれば、ＬＥＤチップ実装部位の電極パターンの表面及びボンディングワイヤーが接合される部位の電極パターンの表面に発生したボイドの埋込層である金属被膜が形成されるため、電極パターンとＬＥＤチップとの実装力及び電極パターンとボンディングワイヤーとの接合力を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態による発光装置の断面図である。
【図２】図１の“Ａ”部分を拡大して示した断面図である。
【図３ａ】図１のＤＣＢ基板の金属被膜形成方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｂ】図１のＤＣＢ基板の金属被膜形成方法を説明するための工程別断面図である。
【図３ｃ】図１のＤＣＢ基板の金属被膜形成方法を説明するための工程別断面図である。
【図４】図１の“Ｂ”部分を拡大して示した断面図である。
【図５】第２実施形態による発光装置の断面図である。
【図６】図５のＬＥＤチップとレンズが結合した発光装置を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図面において各層の厚さや大きさは、説明の便宜及び明確性のために誇張されるか、省略されるか、又は概略的に示された。また、各構成要素の大きさは、実際の大きさを必ずしも正確に反映するものではない。
【００２８】
また、本発明による実施形態の説明において、各基板の「上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されるものと記載される場合において、上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は、二つの同一の基板が互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触するか、又は一つ以上の別の基板が当該同一の基板の間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、上又は下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）と表現される場合、一つの基板を基準として上側方向だけではなく下側方向の意味も含まれる。
【００２９】
以下、添付された図面を参照して、実施形態による発光体とこれを含む発光装置を説明する。
【００３０】
図１は、第１実施形態による発光装置の断面図である。以下、図１を参照して、第１実施形態による発光装置の構造を詳しく見てみる。
【００３１】
図１に示されているように、第１実施形態による発光装置は、ＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｐｐｅｒ ｂｏｎｄｉｎｇ）基板１１、ＬＥＤチップ１４、蛍光部１６、ボンディングワイヤー１７、ダム１８及びエンキャップ（Ｅｎｃａｐ）層Ｓを含む。
【００３２】
ＤＣＢ基板１１は、基板本体１、第１銅層２及び第２銅層３を含む。
【００３３】
基板本体１は、セラミック材質、ポリマー材質、樹脂材質、シリコン材質などから形成され、前面１０１と前面１０１に対向する後面１０２を有する。前面１０１と後面１０２は基板本体１の外面をそれぞれ示し、基板本体１の何れか一つの外面が前面１０１ならば、それに対向する外面は後面１０２となる。
【００３４】
また、基板本体１は、前記言及した材質を有する基板以外にも、ＤＣＢ基板１１の本体の役割及び絶縁層の役割遂行が可能な材質ならば、いかなる材質でも基板本体１として使用され得る。例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＡＬＮ、ＢｅＯなどが本体として使用される。
【００３５】
第１銅層２は基板本体１の前面に配置され、第２銅層３は基板本体１の後面に配置される。第１銅層２は、一定の回路パターンをマスクでエッチングして電極パターンを形成することもできる。したがって、第１銅層２は複数の電極パターンを含む。この時、複数の電極パターンは、第１電極パターン１２と第２電極パターン１３となる。
【００３６】
基板本体１は、０．２〜０．３２ｍｍの厚さを有する。また、第１銅層２と第２銅層３それぞれは、０．１５〜０．２５ｍｍの厚さを有する。また、電極パターンは、ＬＥＤチップ１４における熱排出やＬＥＤチップ１４の接合を考慮し、互いに電気的に分離するように形成される。電極パターンは、０．２５ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲内の間隔を有する。
【００３７】
ＬＥＤチップ１４を駆動するための駆動回路（図示せず）が実装されることもある。
【００３８】
駆動回路（図示せず）は、発光装置の目的及び用途に応じた機能を行うように、ＬＥＤチップ１４を駆動する役割を行うことができる。
【００３９】
ＤＣＢ基板１１は、熱伝導性基板であって、ＬＥＤチップ１４で発生した熱を外部に排出させる放熱の役割を行うこともできる。このような役割を行うため、ＤＣＢ基板１１は、第１及び第２銅層２，３を含む。
【００４０】
実施形態においては、第１及び第２銅層２，３で示したが、第１及び第２銅層２，３は他の金属層で形成されてもよい。例えば、第１及び第２銅層２，３は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、白金（Ｐｔ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）などから、少なくとも１種の金属層又はこれら金属の合金層で構成されてもよい。
【００４１】
第１及び第２電極パターン１２，１３は、ＬＥＤチップ１４と電気的に連結するための電極で構成される。また、第１及び第２電極パターン１２，１３は、ＬＥＤチップ１４を駆動するための駆動回路と電気的に連結されるようにパターニングされる。第１及び第２電極パターン１２，１３は、前記発光装置内で構成要素間を連結する電気導線の役割を行うことができる。したがって、前記第１及び第２電極パターン１２，１３は、ＬＥＤチップ１４を駆動するためのアノード（Ａｎｏｄｅ）及びカソード（Ｃａｔｈｏｄｅ）電極で構成される。第１電極パターン１２上にはＬＥＤチップ１４が実装され、第２電極パターン１３はＬＥＤチップ１４の電極パッド１５と電気的に連結されてもよい。
【００４２】
ＬＥＤチップ１４は、光を発光する発光手段のうちの一つである。このようなＬＥＤチップ１４は、有色ＬＥＤチップ、紫外線（ＵＶ）チップのいずれか一つとなる。有色ＬＥＤチップは、青色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、イエローグリーン（Ｙｅｌｌｏｗ ｇｒｅｅｎ）ＬＥＤ、ホワイトＬＥＤの少なくとも一つ以上を組み合わせたパッケージ形態で構成されてもよい。少なくとも一つ以上のＬＥＤチップ１４が実装されＤＣＢ基板１１の一定領域に実装されて、光を発光する領域は発光領域になる。より具体的には、ＬＥＤチップ１４は、ＤＣＢ基板１１の第１電極パターン１２上の一定領域に実装される。
【００４３】
図２は、図１の“Ａ”を拡大して示した断面図である。以下、図２を参照して、“Ａ”部分の構造を詳しく見てみる。
【００４４】
前記ＬＥＤチップ１４は、図２に示されているように、第１電極パターン１２に形成された金属被膜３５及び前記金属被膜３５上に塗布された接着剤Ａが介在して実装される。この時、前記金属被膜３５は銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等で形成され、前記接着剤ＡはＡｕＳｎ等で形成される。しかし、金属被膜３５と接着剤Ａは必ずしもこれに限定されない。
【００４５】
前記金属被膜３５は、ＬＥＤチップ１４が実装される部位にだけ形成される。金属被膜３５により、第１電極パターン１２とＬＥＤチップ１４との間の実装力は向上する。
【００４６】
第１電極パターン１２である第１銅層２の表面には、図３ａに示されているように、第１銅層２の結晶粒界によって複数のボイド３１が発生する。このようなボイド３１によって、第１電極パターン１２とＬＥＤチップ１４との実装力は減少する。しかし、金属被膜３５を第１銅層２の表面に形成すれば、金属被膜３５がボイド３１を埋めるため、第１電極パターン１２とＬＥＤチップ１４との実装力は、金属被膜３５によって向上する。
【００４７】
図３ａないし図３ｃは、図１のＤＣＢ基板の金属被膜形成方法を説明するための工程別断面図である。
【００４８】
以下では、図３ａないし図３ｃを参照して、前記金属被膜３５の形成方法を詳しく見てみる。
【００４９】
図３ａに示されているように、前記第１銅層２の表面には第１銅層２の結晶粒界によって複数のボイド３１が発生する。
【００５０】
図３ｂに示されているように、前記ボイド３１が発生した第１銅層２の表面に金属ペースト３３を塗布する。ここで、前記金属ペースト３３は、ＬＥＤチップ１４が実装される部位及びボンディングワイヤー１７がボンディングされる部位に塗布される。
【００５１】
図３ｃに示されているように、前記金属ペースト３３を乾燥させて、焼成及び平坦化工程を順次進めてボイド３１を埋める金属被膜３５を第１銅層２の表面に形成することができる。
【００５２】
ここで、前記金属被膜３５が形成されない第１銅層２の表面には、銅の腐食を防止するための腐食防止層（図示せず）がさらに形成されてもよい。
【００５３】
また、前記ＬＥＤチップ１４は電極パッド１５を含む。前記電極パッド１５は、ＬＥＤチップ１４の上面で、第２電極パターン１３が配置された方向の所定領域に形成される。
【００５４】
引き続き、前記ボンディングワイヤー１７は、第１電極パターン１２に実装されたＬＥＤチップ１４の電極パッド１５と第２電極パターン１３にそれぞれ接合される。これにより、前記第１電極パターン１２に実装されたＬＥＤチップ１４の電極パッド１５と第２電極パターン１３は、ボンディングワイヤー１７を介して電気的に互いに連結される。ボンディングワイヤー１７は、電気的伝導性に優れた物質が使用される。例えば、金、銀などが使用される。
【００５５】
図４は、図１の“Ｂ”を拡大して示した断面図である。
【００５６】
前記第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７が接合する場合、ボンディングワイヤー１７は、図４に示されているように、第２電極パターン１３に形成された金属被膜３５と接合することができる。
【００５７】
金属被膜３５は、ボンディングワイヤー１７が接合される部位にだけ形成され、第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７との接合力を向上させることができる。すなわち、第２電極パターン１３である第１銅層２の表面には、図３ａに示されているように、その結晶粒界によって複数のボイド３１が発生し、このようなボイド３１は第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７との接合力を減少させる要素になる。しかし、金属被膜３５がボイド３１を埋めるため、第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７との接合力は金属被膜３５によって向上する。金属被膜３５の形成方法は、前述の方法と同一なので、金属被膜３５の形成方法に対する詳しい説明は省略する。
【００５８】
蛍光部１６は、電極パッド１５の隣接部位のＬＥＤチップ１４上に配置される。この時、蛍光部１６は少なくとも一種類以上の蛍光体を含む。
【００５９】
蛍光部１６は、前記ＬＥＤチップ１４から放出された光を励起させる役割をすることができる。例えば、前記蛍光部１６は、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系列、サルファイド（Ｓｕｌｆｉｄｅ、硫化物）系列、ＹＡＧ系列及びＴＡＧ系列、Ｎｉｔｒｉｄｅ系列のうち少なくとも一つ以上が含まれる。
【００６０】
ダム１８は、絶縁物質であって、前記第１及び第２電極パターン１２，１３の外廓のＤＣＢ基板１１上に配置される。隔壁１８は、ＬＥＤチップ１４より高く形成される。隔壁１８は多様な形状を有していてもよい。例えば、隔壁１８は、半球形、半楕円形、半円形、四角形、上部の隅が面取りされた四角形のいずれか一つの形状を有していてもよい。
【００６１】
エンキャップ層Ｓは、第１及び第２電極パターン１２，１３の上側に配置される。すなわち、エンキャップ層Ｓは、第１及び第２電極パターン１２，１３の上側とダム１８内の空間に形成される。エンキャップ層Ｓは、光透過性保護樹脂を含んでいてもよい。例えば、エンキャップ層Ｓは、蛍光体を含有したシリコン（ｓｉｌｉｃｏｎ）やエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂を含んでいてもよい。
【００６２】
ＬＥＤチップ１４から発生した基準光は、上面に進行する。ＬＥＤチップ１４の表面から近接した部分において、基準光はエンキャップ層Ｓに注入された蛍光体に吸収されて再放出される第２の励起光（励起された２次光）と混色される。したがって、基準光は白色で表示される。この時、蛍光体が注入されたエンキャップ層Ｓの形態に応じて色に対する偏差及び均一度の違いが発生するので、エンキャップ層Ｓは偏平に形成される。
【００６３】
前述のように、第１実施形態による発光装置は、ＤＣＢ基板１１とＤＣＢ基板１１に実装されたＬＥＤチップ１４とを含むことにより、基板と別に配置された電極パターンと前記電極パターン上に配置された放熱層を含まずにＤＣＢ基板１１にＬＥＤチップ１４を直接実装するため、発光装置の高さを減少させることができる。
【００６４】
また、前記発光装置は、ＬＥＤチップ１４の実装部位の第１電極パターン１２の表面及び電極パッド１５と連結部品であるボンディングワイヤー１７が接合される部位の第２電極パターン１３の表面に発生したボイド３１の埋込層である金属被膜３５が形成されるため、第１電極パターン１２とＬＥＤチップ１４との実装力及び第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７との接合力を向上させることができる。
【００６５】
図５は、第２実施形態による発光装置の断面図である。
【００６６】
図面を参照すると、第２実施形態による発光装置は、ＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ ｃｏｐｐｅｒ ｂｏｎｄｉｎｇ）基板１１、ＬＥＤチップ１４、蛍光部１６、ボンディングワイヤー１７、隔壁１８及び反射防止用ガラス１９を含む。
【００６７】
基板１１、ＬＥＤチップ１４、ボンディングワイヤー１７及び隔壁１８の構成は、前述の第１実施形態と同一なので、詳しい説明は省略する。また、ＬＥＤチップ１４の実装部位の第１電極パターン１２の表面及び電極パッド１５と連結部品であるボンディングワイヤー１７が接合される部位の第２電極パターン１３の表面に発生したボイド３１の埋込層である金属被膜３５は、前述の第１実施形態と同一なので、詳しい説明は省略する。
【００６８】
蛍光部１６は、電極パッド１５の隣接部位のＬＥＤチップ１４上に配置される。この時、前記蛍光部１６は、少なくとも一種類以上の蛍光体を含む。
【００６９】
蛍光部１６は、前記ＬＥＤチップ１４から放出された光を励起させる役割をすることができる。例えば、前記蛍光部１６は、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系列、サルファイド（Ｓｕｌｆｉｄｅ、硫化物）系列、ＹＡＧ系列及びＴＡＧ系列、Ｎｉｔｒｉｄｅ系列のうち少なくとも一つ以上が含まれる。
【００７０】
蛍光部１６は、ＬＥＤチップ１４に応じて相違した種類及び量が含まれる。例えば、ＬＥＤチップ１４が白色光を放出する場合、蛍光部１６は緑色及び赤色蛍光体が含まれる。また、ＬＥＤチップ１４が青色光を放出する場合、蛍光部１６は緑色、黄色及び赤色蛍光体が含まれる。
【００７１】
前記反射防止用ガラス１９は、第１及び第２電極パターン１２，１３の上側と隔壁１８上にＤＣＢ基板１１と水平に配置され、蛍光部１６と離隔される。前記反射防止用ガラス１９はフィルムであってもよい。
【００７２】
反射防止用ガラス１９は、樹脂より反射率が低いため、光拡散を抑制して発光領域を小さくすることができる。例えば、３０個のＬＥＤチップ１４に対する発光領域は１４０平方ｍｍとなる。
【００７３】
図６は、図５のＬＥＤチップとレンズが結合した発光装置を示した概略図である。
【００７４】
前述のように、第２実施形態による発光装置は、ＤＣＢ基板１１とＤＣＢ基板１１に実装されたＬＥＤチップ１４を含むことにより、基板と別に配置された電極パターンと前記電極パターン上に配置された放熱層を含まなくてもよい。このように、ＤＣＢ基板１１にＬＥＤチップ１４を直接実装するため、発光装置の高さを減少させることができる。
【００７５】
また、前記発光装置は、ＬＥＤチップ１４上に配置された蛍光部１６を含むことにより、発光装置の面積を減少させることができ、発光装置の輝度を向上させることができる。
【００７６】
さらに、前記発光装置は、反射防止用ガラス１９を含むことにより、光拡散を抑制して発光領域を小さくすることができる。
【００７７】
すなわち、図６及び下記の表１を参照すると、前記発光装置は、Ｅｄｉｓｏｎと比較する時、高さ（４４．２ｍｍ→２２ｍｍ）、外径（８７ｍｍ→６０ｍｍ）、有効直径（７０ｍｍ→４４ｍｍ）、フィールドアングル（６０°→５８°）等がそれぞれ減少する。ここで、前記発光装置は、図６に示されているように、内部表面の内径が２３．２４ｍｍであり、内部表面の外径が２３．８５ｍｍであるレンズを含む。
【表１】
2014072520.tif 000003
【００７８】
さらに、前記発光装置は、基板の金属層として金（Ａｕ）を使用することができて、発光の変色を抑制することができる。これにより、前記発光装置は光速低下を抑制することができる。すなわち、前記発光装置は、ＬＥＤチップ１４上に配置された蛍光部１６と前記蛍光部１６と離隔配置された反射防止用ガラス１９を含むことにより、第１及び第２電極パターン１２，１３にほとんど光が当たらず、反射率が低い金（Ａｕ）を基板の金属層にも使用することができる。
【００７９】
さらに、前記発光装置は、ＬＥＤチップ１４の実装部位の第１電極パターン１２の表面及び電極パッド１５と連結部品であるボンディングワイヤー１７が接合される部位の第２電極パターン１３の表面に発生したボイド３１の埋込層である金属被膜３５が形成されるため、第１電極パターン１２とＬＥＤチップ１４との実装力及び第２電極パターン１３とボンディングワイヤー１７との接合力を向上させることができる。
【００８０】
以上、本発明の実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも一つの実施形態に含まれ、必ずしも一つの実施形態にのみ限定される訳ではない。さらに、各実施形態において例示された特徴、構造、効果などは、当業者によって、他の実施形態についても組み合わせ又は変形されて実施可能である。したがって、このような組み合わせと変形に関係した内容は、本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【００８１】
また、以上、実施形態を中心に説明したが、これは単に例示であるだけであって、本発明を限定する訳ではなく、当業者であれば、本実施形態の本質的な特性を外れない範囲で、以上において例示されない様々な変形と応用が可能であることが分かるはずである。例えば、実施形態に具体的に示された各構成要素は、変形して実施することができる。そして、このような変形と応用に係る相違点は、添付の特許請求の範囲において規定する本発明の技術的範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００８２】
１        基板本体
２        第１銅層
３        第２銅層
１１      ＤＣＢ基板
１２      第１電極パターン
１３      第２電極パターン
１４      ＬＥＤチップ
１５      電極パッド
１６      蛍光部
１７      ボンディングワイヤー
１８      隔壁
１９      反射防止用ガラス
３３      金属ペースト
３５      金属被膜
Ｓ        エンキャップ（Ｅｎｃａｐ）層
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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