(57)【要約】【課題】対向基板とシャッターとの間に電位差が発生するのを抑制する。【解決手段】本発明の実施形態として、複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、前記画素素子は、前記基板に形成された基板接続部と、前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、有し、前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置を提供する。【選択図】図４
2014077903.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、
前記画素素子は、
前記基板に形成された基板接続部と、
前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、
前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、
を有し、
前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、
前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、
前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数箇所のうち少なくとも一つは、前記表示部の略中央に位置することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記画素素子は、ゲートドライバにより電位が供給されるゲート線に沿って配置され、
前記基板配線は、前記ゲート線に沿って配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数箇所は、前記画素素子と一対一に対応して配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記導電膜は、電気的に分離した複数の領域に分割され、前記複数の領域のそれぞれは前記複数箇所のいずれかにより前記基板配線に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の領域のそれぞれは、前記複数の開口のいずれかを取り囲む領域であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記導電膜は、前記導電膜よりも光の反射率が大きい絶縁膜を介して前記対向基板に配置されていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記導電膜は、前記導電膜よりも光の反射率の小さい絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記導電膜は、透明な材料であり前記開口を覆うことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記導電膜は、第１の絶縁膜が対向基板に形成され前記第１の絶縁膜よりも反射率の小さい第２の絶縁膜が形成された後に形成されたことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像などを表示する装置に関する。特に、画素に対応する画素素子毎に光の透過量をシャッターにより調整して画像などを表示する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像などを表示する装置として、液晶を用いる表示装置が知られている。このような装置では、電極間に挟持された液晶を透過する光の偏光の向きを制御して、偏光板を透過する光の透過量を画素毎に制御している。
【０００３】
しかしながら、液晶を用いる表示装置は、液晶を透過する偏光の向きの変更に時間を要し、高速に変化する画像などを表示する際には残像が認識されるという問題点がある。また、光を、偏光板、液晶層、カラーフィルタ、電極などの多数の層を透過させる必要があり、光の利用効率が減少し、明るい表示を得ることが困難であるという問題もある。
【０００４】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を応用したメカニカルシャッター（以下「ＭＥＭＳシャッター」という。）を用いた表示装置が注目されている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッターを高速で開閉することによってシャッターを通過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である。
【０００５】
ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式が採用されており、赤色、緑色及び青色のＬＥＤなどのバックライトからの光を順次切り替えて画像の表示を行う。ＭＥＭＳ表示装置は、液晶ディスプレイに用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍以上、消費電力は１／２以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴があると考えられる。また、高速に画像などの表示を変化させることができる。
【０００６】
例えば、ＭＥＭＳ表示装置の一例として、画素毎に基板と平行な方向に移動するシャッターを開口上に設け、シャッターを移動させて開口の光を通過させるための第１の駆動ビームに対向する第１のコンプライアントロードビームと、開口の光をシャッターにより遮断させるために配置された第２の駆動ビームに対向する第２のコンプライアントロードビームとをシャッターに接続し、シャッターを移動させて通過する光の量を制御する表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１などに開示されている従来のＭＥＭＳ表示装置においては、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生すると、シャッターが対向基板に引き寄せられ、シャッターが対向基板に張り付いてしまう場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態として、複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、前記画素素子は、前記基板に形成された基板接続部と、前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、有し、前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置の斜視図と平面図
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の機能ブロック図
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置のＭＥＭＳシャッターの斜視図
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置の基板と対向基板との断面図
【図５】本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の平面図
【図６】本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図
【図７】本発明の一実施形態に係る表示装置の基板と対向基板との断面図
【図８】本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の平面図と断面図
【図９】本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態についていくつかの実施形態として説明する。なお、本発明は以下に説明する実施形態に限定されることなく、種々の変形を加えて実施することも可能である。
【００１３】
（実施形態１）
図１の（Ａ）に本発明の一実施形態に係る表示装置１００の斜視図を示し、図１の（Ｂ）に表示装置１００の平面図を示す。表示装置１００は、基板１０２および対向基板１０６を有している。基板１０２は、表示部１０２ａ、駆動回路１０２ｂ、１０２ｃおよび１０２ｄ、ならびに端子部１０２ｅを有している。基板１０２と対向基板１０６とは、シール材等を用いて接合される。なお、対向基板１０６の図１の（Ａ）の上面側にバックライトが配置される場合がある。図１においては、バックライトは図示されていない。
【００１４】
図２に表示装置１００の回路ブロック図を示す。表示装置１００には、コントローラ１２０から画像信号および制御信号が供給される。また、表示装置１００には、コントローラ１２０によって制御されるバックライト１２２から光が供給される。なお、コントローラ１２０およびバックライト１２２を表示装置１００に含ませることもできる。
【００１５】
図２に示すとおり、表示部１０２ａは、ＭＥＭＳシャッター（画素素子）２０２、画素回路２９９および保持容量２０６を有する画素２００を有している。画素回路は保持容量，スイッチング素子により構成される。画素２００は、ゲート線Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎとデータ線Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｍとの交点に対応する位置に配置されるので、複数の画素２００は、ゲート線およびデータ線のそれぞれに沿って配置される。したがって、複数個の画素２００が、マトリクス状に配置される。駆動回路１０２ｂは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｍを介してデータ信号（バイアス電位）を供給する。駆動回路１０２ｃ，１０２ｄは、ゲートドライバであり、画素回路２９９へゲート線Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｎを介してゲート信号を供給する。画素回路２９９は、データ線Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｍから供給されるデータ信号に基づき、ＭＥＭＳシャッター２０２を駆動する。
【００１６】
また、図２においては、ゲート線に沿って基板配線２０７が配置されている。基板配線２０７は、ＭＥＭＳシャッター（画素素子）２０２に所定の電位を供給するための配線である。基板配線２０７は、後に説明するアンカー部（基板接続部）と第１バネとを介してシャッターに所定の電位を供給する。また、対向基板１０６の基板１０２側の面には導電性の材料を含む導電膜が形成されている。基板１０２と対向基板１０６との間において、導電膜と基板配線とが複数の箇所により電気的に接続される。したがって、基板配線２０７は、導電膜に所定の電位を供給することも行う。
【００１７】
なお、基板配線２０７は、データ線に沿って配置することもできる。また，基板配線２０７は、表示部１０２aの周囲に配置することもできる。
【００１８】
なお、図２においては、駆動回路１０２ｂ、１０２ｃが表示部１０２ａを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。
【００１９】
次に図３を参照し、ＭＥＭＳシャッター２０２の構成について説明する。図３は、ＭＥＭＳシャッター２０２の斜視図である。説明の便宜のために、図３においては、一つのＭＥＭＳシャッター２０２を示すが、表示装置１００には、上述のように、基板１０２に図３に示す複数個のＭＥＭＳシャッター２０２がマトリクス状に配置される。
【００２０】
ＭＥＭＳシャッター２０２は、シャッター２１０、第１バネ（コンプライアントロードビーム）２１６、２１８、第２バネ（駆動ビーム）２２４、２２６、及びアンカー部２３２、２３４、２３６を有している。第１バネ２１６、２１８それぞれは、第２バネ２２４、２２６それぞれと対向し、組を形成している。シャッター２１０は開口部２１３を有しており、開口部２１３を除くシャッター２１０本体は遮光部となる。また、基板１０２には、複数の光透過部が形成され、対向基板１０６には、光を通過させる複数の開口が形成されている。対向基板１０６の一つの開口と基板１０２のいずれかの光透過部とが対向するように、対向基板１０６と基板１０２とが平面方向に重なり合って配置される。このとき、シール材等を介して基板１０２に対向基板１０６が接合される。ここに開口と光透過部が対向するとは、開口と光透過部との間に障害物がなければ、対向基板１０６に対して垂直に開口に入射して対向する光透過部を通過しようとする光が、対向する光透過部を通過可能であることをいう。
【００２１】
なお、本実施形態に示すＭＥＭＳシャッター２０２は、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッターの一例に過ぎず、画素回路で駆動することのできるＭＥＭＳシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
【００２２】
シャッター２１０の一方の側は、第１バネ２１６、２１８を介してアンカー部２３２、２３４に接続されている。アンカー部２３２、２３４は、第１バネ２１６、２１８とともに、シャッター２１０を基板１０２の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第１バネ２１６、２１８は導電性の材料により構成され、可撓性を有している。これにより、アンカー部２３２、２４２に供給される電位が、第１バネ２１６、２１８に供給される。アンカー部２３２は第１バネ２１６と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２３４は第１バネ２１８と電気的に接続されている。アンカー部２３２、２３４に、基板配線２０７により例えばグランド電位が供給されると、第１バネ２１６、２１８にもグランド電位が供給される。
【００２３】
また、アンカー部２３６は、第２バネ２２４、２２６を基板１０２の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第２バネ２２４、２２６も導電性の材料により構成される。第２バネ２２４、２２６は、アンカー部２３６に電気的に接続されている。これにより、アンカー部２３６に供給された電位が第２バネ２２４、２２６に供給される。アンカー部２３６には、画素回路２９９を介してバイアス電位を供給することができ、したがって第２バネ２２４、２２６にバイアス電位を供給することができる。
【００２４】
なお、アンカー部２３２および２３４には、上記グランド電位の代わりに、所定の電位を供給する構成でもよい（以下にグランド電位が供給されると説明されるときのアンカー部２３８、２４０についても同様である。）。
【００２５】
また、シャッター２１０の他方の側は、第１バネ２２０、２２２を介してアンカー部２３８、２４０に接続されている。アンカー部２３８、２４０は、第１バネ２２０、２２２とともに、シャッター２１０を基板１０２の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第１バネ２２０、２２２も導電性の材料により構成され、可撓性を有する。したがって、アンカー部２３８および２４０それぞれを第１バネ２２０および２２２と電気的に接続することにより、基板配線２０７によりアンカー部２３８および２４０にグランド電位を供給すると、第１バネ２２０および２２２にグランド電位が供給される。
【００２６】
また、第１バネ２２０、２２２により取り囲まれるように、第２バネ２２８、２３０が配置され、第１バネ２２０、２２２それぞれが第２バネ２２８、２３０それぞれと対向し、組を形成していてもよい。この場合、第２バネ２２８、２３０も導電性の材料により構成することができる。この場合、第２バネ２２８、２３０は、アンカー部２４２に電気的に接続される。アンカー部２４２は、第２バネ２２８、２３０を基板１０２の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。アンカー部２４２は第２バネ２２８、２３０と電気的に接続することができる。この場合、アンカー部２４２には、画素回路，または，電位供給配線を介してバイアス電位が供給され、第２バネ２２８、２３０にバイアス電位が供給される。なお，電位供給配線は図中には示していない。
【００２７】
また、シャッター２１０は、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２と機械的に接続される。この場合、シャッター２１０も導電性の材料で構成され、第１バネ２１６、２１８と電気的に接続され、アンカー部２３２および２３４に供給される電位がシャッター２１０に供給される。また、シャッター２１０は、第１バネ２２０、２２２とも機械的におよび電気的に接続され、さらに、アンカー部２３８および２４０に供給される電位が供給されるようになっていてもよい。
【００２８】
ＭＥＭＳシャッター２０２の形成方法は次の通りである。まず、基板１０２上に第１の犠牲膜を形成し、アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２の一部を形成する。次に、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２と第２バネ２２４、２２６、２２８、２３０との上面までと同じ高さの第２の犠牲膜を第１の犠牲膜上に形成し、アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２の一部を形成する。その上にシャッター２１０とアンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０、２４２の一部とを形成する。その後、第１の犠牲膜と第２の犠牲膜とを除去する。
【００２９】
本実施形態においては、上述したように、画素回路２９９を介してアンカー部２３６にバイアス電位を供給することができる。これにより、第２バネ２２４および２２６にバイアス電位が供給される。また、アンカー部２３２および２３４には基板配線２０７により例えばグランド電位が供給され、第１バネ２１６および２１８にグランド電位が供給される。したがって、アンカー部２３６にグランド電位と異なるバイアス電位を供給し、第１バネ２１６、２１８と第２バネ２２４、２２６との間に電位差を発生させると、第１バネ２１６と第２バネ２２４とが静電駆動され、第１バネ２１６が第２バネ２２４に引き寄せられ、且つ、第１バネ２１８と第２バネ２２６とが静電駆動され、第１バネ２１８が第２バネ２２６に引き寄せられる。これにより、シャッター２１０をアンカー部２３６に向かって移動させることができる。
【００３０】
また、同様に、画素回路２９９または電位供給配線を介してアンカー部２４２にバイアス電位を供給することができる。これにより、第２バネ２２８、２３０にバイアス電位が供給される。また、アンカー部２３８および２４０には、基板配線２０７によりグランド電位が供給され、第１バネ２２０、２２２にグランド電位が供給される。第１バネ２２０、２２２と第２バネ２２８、２３０との間に電位差を発生させると、第１バネ２２０と第２バネ２２８とが静電駆動され、第１バネ２２０が第２バネ２２８に引き寄せられ、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、第１バネ２２２が第２バネ２３０に引き寄せられる。これにより、シャッター２１０をアンカー部２４２に向かって移動させることができる。
【００３１】
なお、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２の側面と第２バネ２２４、２２６、２２８、２３０の側面とには絶縁性の材料が配置される。このため、第１バネ２１６と第２バネ２２４、第１バネ２１８と第２バネ２２６、第１バネ２２０と第２バネ２２８、第１バネ２２２と第２バネ２３０が接触しても、第１バネと第２バネとの間の絶縁性が保たれる。
【００３２】
表示装置１００は、上述した静電駆動により基板１０２の面に平行にシャッター２１０が移動してアンカー部２３６またはアンカー部２４２に近寄り、開口部２１３を基板１０２の光透過部と対向基板１０６の開口との間に位置させることができる。これにより、対向基板１０６の背面から供給されて基板１０６の開口を通過する光が、シャッター２１０の開口部２１３を通過する。これにより、対向基板１０６の背面から供給されて対向基板１０６の開口を透過する光が基板１０２の光透過部を透過し、表示装置１００の外部に放出される。
【００３３】
図４は、本実施形態に係る表示部１０２ａを基板配線２０７に沿って切断した際の断面図である。基板１０２の上にシャッター２１０、アンカー部２３４および２４０ならびに第１バネ２１８および２２２により構成されるＭＥＭＳシャッターが配置されている。また、基板１０２の上には基板配線４０１が配置されている。基板配線４０１は導電性の材料を含む配線である。基板配線４０１には、例えばグランド電位が供給される。したがって、基板配線４０１とアンカー部２３４および２４０とが電気的に接続され、基板配線４０１に供給されたグランド電位等の所定の電位が、第１バネ２１８および２２２を経由してシャッター２１０に供給される。
【００３４】
また、対向基板１０６の基板１０２の側の面には、導電膜４０３が配置されている。導電膜４０３は導電性の材料を含み、導電性を有する材料で構成される複数の導電部４０５、４０６の配置されている箇所において、基板配線４０１と電気的に接続される。これにより、導電膜４０３にシャッター２１０に供給される電位と同じ電位を供給し、導電膜４０３とシャッター２１０とを同電位にする。これにより、シャッター２１０を対向基板１０６との間の静電力による引力や斥力が発生しないようにすることができる。なお、導電部は、図４において、基板１０２に対して垂直の方向に伸び、基板配線４０１と導電膜４０３とを電気的に接続しているが、形状は図示した形状に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
【００３５】
図５は、対向基板１０６を基板１０２の側から観察した場合の平面図である。導電膜４０３が開口５０１を除く部分に対向基板１０６の面に一様に拡がって形成されている。あるいは、導電膜４０３が光透過性を有している場合には、導電膜４０３が対向基板１０６の全面に一様に拡がって形成され、導電膜４０３を通して開口５０１が観察できるようになっていてもよい。
【００３６】
図６は、図５におけるＡ−Ａ断面線における対向基板の断面図である。すなわち、対向基板１０６に層６０１が形成され、さらに層６０２が形成されている。層６０１および層６０２により、導電膜４０３が形成される。図６において、層６０１と層６０２とは同じ形状となっている。すなわち、層６０１と層６０２を順に対向基板１０６に形成し、エッチングにより開口５０１を形成する。
【００３７】
導電膜４０３を形成するために、層６０１と層６０２との少なくとも一方は導電性を有する材料を含み導電性を有する。導電性を有する層６０１と層６０２のいずれかまたは両方が導電部４０５、４０６と電気的に接続される。層６０２が絶縁性であれば、導電部が配置される位置において、層６０２が除去され、導電部と接続される。
【００３８】
また、層６０１の材料は層６０２の材料よりも反射率が大きいことが好ましい。言い換えると、層６０２の材料は、層６０１の材料より反射率が小さいことが好ましい。このように反射率を設定することにより、バックライトから生成された光が開口５０１を通過しない場合には、層６０１により反射され、別の開口５０１から出射させることができ、明るい画像を表示することができる。また、表示に不要な漏れ光が層６０２により吸収され、より鮮明な画像を表示することができる。
【００３９】
導電膜４０３は膜状に形成されているために、一般に電気抵抗が低く、導電膜４０３の一箇所に電位を供給すると、導電膜４０３の全体にその電位が直ちに拡がる。一方、シャッター２１０へは、基板配線４０１からアンカー部２３４、２４０および第１バネ２１８および２２２を介して電位が供給されるので、シャッター２１０と基板配線４０１との間の電気抵抗は、導電膜４０３に比べて大きくなる。このため、基板配線４０１の端部から電位を供給しても、その電位が、基板配線４０１に接続される全てのＭＥＭＳシャッターのシャッターに伝達されるには、導電膜４０３の全体に電位が拡がるよりも時間を要することになる。また，表示部１０２aが大きい場合は，基板配線４０１の端部から電位を供給しても、対向基板１０６上の導電膜４０３にも瞬間的に電位分布が発生する。
【００４０】
この遅延により、複数の導電部がなければ、シャッター２１０と導電膜４０３との間に電位差が発生し、シャッター２１０に、対向基板１０６からの引力や斥力が加わることになる。一方、複数の導電部を設けることにより、すくなくとも、導電部により基板配線と導電膜とが接続されている箇所およびその近傍においては、シャッター２１０と導電膜４０３との電位の差の発生を抑制することができる。
【００４１】
複数の導電部のうちの少なくとも一つは、基板配線の略中央の位置に配置することが好ましく、したがって、表示部１０２ａの略中央に配置するのが好ましい。また、導電部４０６はシャッター２１０と一対一に配置してもよい。あるいは、一般にＮ個のシャッター２１０に対して一つの導電部４０６を配置してもよい。このように、導電部４０６を配置することにより、基板配線４０１から導電部４０６を経由して導電膜４０３に電位が供給されるので、シャッター２１０と導電膜４０３とに電位差が発生することを抑制することができる。
【００４２】
上述した遅延は、表示部１０２ａが大きくなるほど大きくなる。したがって、本実施形態は表示装置の大型化に有効である。
【００４３】
また、上述したように、シャッター２１０と導電膜４０３とにグランド電位が供給される場合には、グランド電位を供給する電源供給回路の容量を大きくすれば、グランド電位を一定に保つことができるが、電源供給回路の容量を大きくすると、電源供給回路の規模が大きくなる。
【００４４】
したがって、導電部４０６を配置することにより、電源供給回路の規模を小さくすることができ、表示装置の小型化、軽量化にも寄与することができる。
【００４５】
なお、基板配線４０１は、断面積を大きくするために膜状に形成されていてもよい。これにより、基板配線４０１の電気抵抗を小さくすることができる。基板配線４０１の電気抵抗を小さくすることにより、シャッター２１０と導電膜４０３とに電位差が発生することをさらに抑制することができる。
【００４６】
（実施形態２）
本発明の実施形態２として、シャッターに対向する導電膜が、複数の領域に分割されている形態について説明する。
【００４７】
図７は、本実施形態に係る表示装置の表示部１０２ａの断面図を示す。図７に示すように、導電膜７０１が複数の領域に分割されている。また、それぞれの分割された領域に導電部７０２が配置され、基板配線４０１と電気的に接続されている。これにより、基板配線４０１から電位がそれぞれの分割された領域に供給される。導電膜７０１が分割され、それぞれの分割された領域に電位が供給されることにより、シャッター２１０とそれに対向する導電膜の分割された領域の電位差を、より小さくすることができる。
【００４８】
図８の（ａ）は、本実施形態に係る表示装置において、対向基板１０６を基板１０２の配置されている側の方向から観察した場合の平面図である。図８の（ａ）においては、導電膜７０１が、対向基板の開口８０１を含む領域に分割されている。図８においては、導電膜７０１の分割されている各領域は一つの開口８０１を取り囲み、開口８０１と導電膜７０１の分割されている領域とが一対一に対応している。しかし、本実施形態はこれに限られることはなく、複数の開口８０１が導電膜７０１の分割されている領域の一つにより取り囲まれていてもよい。
【００４９】
図８の（ｂ）は、図８の（ａ）のＢ−Ｂ断面線における対向基板の断面図をより詳細に示す。図８の（ｂ）において、層８０２は、開口８０１を除く部分に形成されている。層８０２が除去されている部分が開口８０１に対応している。層８０２は、絶縁性の材料により形成される。
【００５０】
層８０３は、複数の領域に分割された導電膜に対応する。層８０３は、層８０２が除去されている部分において除去され、開口８０１を形成している。また、層８０２が除去されていないが、層８０３が除去されている部分は、複数の領域に分割された導電膜の区切り８０４に対応している。この区切り８０４により、それぞれの領域が電気的に絶縁される。
【００５１】
また、層８０２の材料と層８０３の材料との反射率を比較した場合、層８０２の材料の反射率の方が層８０３の材料の反射率よりも大きいことが好ましい。言い換えると、層８０３の材料の反射率の方が層８０２の材料の反射率のよりも小さいことが好ましい。
【００５２】
図９は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図９においては、対向基板１０６に近い層である層９０１が導電性を有する。すなわち、層９０１は、開口８０１の位置において除去され、また、導電膜７０１の区切り８０４に応じて第２の開口９０３において除去されている。層９０２は絶縁性の材料を用いて形成されている。層９０２は、層９０１に第２の開口９０３が形成された後に、層９０１の上に形成され、その後、層９０２と層９０１に開口８０１が形成される。
【００５３】
このように層９０１を導電性の材料で形成し、層９０２を絶縁性の材料で形成することにより、図７の場合とは異なる材料の選択を行うことができる。
【００５４】
図１０は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図１０においては、層１００１と層１００２とが、図８に示すように、開口７０１により、層１００１と層１００２とを同じ区分とする。また、図１０においては、層１００１と層１００２とは絶縁性の材料とする。また、層１００１の反射率は、層１００２の反射率よりも大きくすることが好ましい。
【００５５】
層１００１と層１００２とに開口８０１を設けた後に、導電性を有し、透過性を有する材料の透明導電膜を層１００１と層１００２との上に形成し、開口８０１と層１００１と層１００２とを覆う。例えば、ＩＴＯ膜を形成する。そして、透明導電膜を複数の領域に分割する。このように、透明導電膜を用いることにより、開口８０１を光が通過することを維持しつつ、層１００１と層１００２とに絶縁性の材料を用いることができ、適切な材料の選択ができる。
【符号の説明】
【００５６】
１０２  基板、１０６  対向基板、４０１  基板配線、４０３  導電膜、４０５  導電部、４０６  導電部、２１８  第１バネ、  ２２２  第一バネ、２３４  アンカー部、２４０  アンカー部、２１０  シャッター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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