(57)【要約】【課題】ウェハを備えた樹脂モールド品の取り扱いを容易にする技術を提供することを課題とする。【解決手段】樹脂モールド品５０の製造方法として、（ａ）ウェハ５１を準備する工程と、（ｂ）表面５１ａを露出させて、裏面５１ｂおよび外周面５１ｃを覆う樹脂モールド部５２をウェハ５１に形成する工程と、（ｃ）表面５１ａ側からウェハ５１と樹脂モールド部５２の境界にレーザ光２３Ｌを照射することによってウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２を除去し、ウェハ５１の裏面５１ｂ上に平面視外形がウェハ５１に倣った樹脂モールド部５２を残存させる工程と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）被成形品を準備する工程と、
（ｂ）前記被成形品の一方の面を露出させて、前記被成形品の他方の面および外周面を覆う樹脂モールド部を前記被成形品に形成する工程と、
（ｃ）前記被成形品の一方の面側から前記被成形品と前記樹脂モールド部の境界にレーザ光を照射することによって前記被成形品の周囲の前記樹脂モールド部を除去し、前記被成形品の他方の面上に平面視外形が前記被成形品に倣った前記樹脂モールド部を残存させる工程と、を含むことを特徴とする樹脂モールド品の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂モールド品の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、前記被成形品を直線軸方向および回転軸方向に移動させながら、前記被成形品にレーザ光を照射することを特徴とする樹脂モールド品の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の樹脂モールド品の製造方法において、
前記（ａ）工程では、オリエンテーションフラットまたはノッチの切り欠き部が形成されている前記被成形品を準備し、
前記（ｃ）工程では、前記被成形品の前記切り欠き部と前記樹脂モールド部の境界のレーザ光照射に、ポリゴンミラーを用いてレーザ光を直線的に走査させることを特徴とする樹脂モールド品の製造方法。
【請求項４】
（ａ）被成形品を準備する工程と、
（ｂ）前記被成形品の一方の面を露出させて、前記被成形品の他方の面および外周面を覆う樹脂モールド部を前記被成形品に形成する工程と、
（ｃ）前記被成形品の他方の面側から前記被成形品と前記樹脂モールド部の境界の所定箇所にレーザ光を照射することによって前記樹脂モールド部に孔部を形成する工程と、を含み、
前記（ｃ）工程では、前記孔部の底面で前記被成形品の他方の面が露出するように前記孔部を形成することを特徴とする樹脂モールド品の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂モールド品の製造方法における前記（ｃ）工程を行う樹脂除去装置であって、
前記被成形品を載置させた状態で直線軸方向および回転軸方向に移動可能なテーブルと、
レーザ光を発振させるレーザ発振器と、を備えることを特徴とする樹脂除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂モールド品の製造方法、および樹脂除去装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＷＯ２００４／０６１９３５（特許文献１）には、半導体基板上のレジストマスクの所定箇所にレーザ光を照射し、照射箇所のレジストを加熱飛散させて半導体基板の一部を露出させる技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＷＯ２００４／０６１９３５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、半導体装置や電子装置などの樹脂モールドされた樹脂モールド品は、被成形品であるウェハ状（円形平板状である円盤を含む形状）の基板（以下、単に「ウェハ」と記す。）の基板面（表面あるいは裏面）が一括して樹脂モールドされた状態から個片化して取り出される。
【０００５】
近年、より小型化が要求され、チップサイズまで小さな半導体装置（ＣＳＰ）が要求されるようになり、さらに機構部品を組み込んだＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）といったものをウェハ上で形成することが要求されるようになり、ウェハの保護の必要性が増している。ここで、ウェハに樹脂モールド部が形成されるのは、ウェハの欠けを防止するためや、ウェハに形成された配線層やビア層（例えば、ＴＳＶ；Through Silicon Via）及び機構部品を保護するためである。
【０００６】
また、ウェハ上でのコスト低減要求により、取り個数を増やす必要があり、ウェハの縁ぎりぎりまで半導体チップを形成するようになってきたため、樹脂モールド時にウェハの縁をクランプしてモールド成形することが困難となり、ウェハ外周面を含む全体を樹脂モールドしなければならなくなった。
【０００７】
ウェハに樹脂モールド部を形成する場合、例えば、ウェハの周囲にまで樹脂モールド部が形成されるように、ウェハの表面を露出面とし、その裏面および外周面を樹脂モールドすることが考えられる。このとき、樹脂モールド装置の樹脂モールド金型で形成されるキャビティの平面形状の大きさは、ウェハの平面形状のばらつきを考慮してウェハの平面形状よりも大きいものとなる。
【０００８】
このため、樹脂モールドの際にキャビティ内でウェハの位置ずれが起きて、ウェハの表面（露出面）側からみると樹脂モールド部が均等な幅でウェハの周囲に形成されない場合がある。例えば、図４（ａ）に示すウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２の幅Ｓ１、Ｓ２が異なる場合である。
【０００９】
このような場合、ウェハを備えた樹脂モールド品の取り扱いが困難となる。具体的には、樹脂モールド品におけるウェハの位置決めが正確にできず、ウェハに配線パターンを形成したり、半導体チップなどの電子部品を搭載したりすることができないおそれが生じてしまう。
【００１０】
本発明の目的は、被成形品であるウェハを備えた樹脂モールド品の取り扱いを容易にする技術を提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
樹脂モールド品の製造方法は一解決手段として、（ａ）被成形品を準備する工程と、（ｂ）前記被成形品の一方の面を露出させて、前記被成形品の他方の面および外周面を覆う樹脂モールド部を前記被成形品に形成する工程と、（ｃ）前記被成形品の一方の面側から前記被成形品と前記樹脂モールド部の境界にレーザ光を照射することによって前記被成形品の周囲の前記樹脂モールド部を除去し、前記被成形品の他方の面上に平面視外形が前記被成形品に倣った前記樹脂モールド部を残存させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
樹脂モールド品の製造方法は他の解決手段として、前記（ｃ）工程では、前記被成形品を直線軸方向および回転軸方向に移動させながら、前記被成形品にレーザ光を照射することを特徴とする。これによれば、レーザ光源を固定とした場合であっても、被成形品駆動技術によって平面視外形が被成形品に倣った樹脂モールド部を被成形品の他方の面上に形成することができる。
【００１４】
樹脂モールド品の製造方法は他の解決手段として、前記（ａ）工程では、オリエンテーションフラットまたはノッチの切り欠き部が形成されている前記被成形品を準備し、前記（ｃ）工程では、前記被成形品の前記切り欠き部と前記樹脂モールド部の境界のレーザ光照射に、ポリゴンミラーを用いてレーザ光を直線的に走査させることを特徴とする。これによれば、被成形品にオリエンテーションフラットまたはノッチが形成されていても、平面視外形が被成形品に倣った樹脂モールド部を被成形品の他方の面上に形成することができる。
【００１５】
また、樹脂モールド品の製造方法は一解決手段として、（ａ）被成形品を準備する工程と、（ｂ）前記被成形品の一方の面を露出させて、前記被成形品の他方の面および外周面を覆う樹脂モールド部を前記被成形品に形成する工程と、（ｃ）前記被成形品の他方の面側から前記被成形品と前記樹脂モールド部の境界の所定箇所にレーザ光を照射することによって前記樹脂モールド部に孔部を形成する工程と、を含み、前記（ｃ）工程では、前記孔部の底面で前記被成形品の他方の面が露出するように前記孔部を形成することを特徴とする。
【００１６】
また、樹脂除去装置は一解決手段として、前記（ｃ）工程を行う樹脂除去装置であって、前記被成形品を載置させた状態で直線軸方向および回転軸方向に移動可能なテーブルと、レーザ光を発振させるレーザ発振器と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。被成形品であるウェハを備えた樹脂モールド品の取り扱いを容易にすることができる。
【００１８】
具体的には、平面視外形がウェハに倣った樹脂モールド部をウェハの他方の面上に形成するので、肉厚となったウェハとして樹脂モールド品を取り扱うことができる。また、ウェハの外周際にまで樹脂モールド部が形成されて、ウェハの欠けを防止でき、ウェハにＴＳＶ層が形成されている場合にはこれを保護することができるので、樹脂モールド品の取り扱いが容易となる。また、後工程で処理が施される一方の面が露出していることや、樹脂モールド部がウェハの切り欠き部にも倣った平面視外形となっていることから、ウェハの位置決めを正確に行え、樹脂モールド品を取り扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態における樹脂除去装置の構成を示す説明図である。
【図２】本発明の一実施形態における樹脂モールド品の平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態における樹脂モールド品の平面図である。
【図４】図２または図３に示す樹脂モールド品の製造工程の説明図であり、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順に工程が進行する。
【図５】本発明の他の実施形態における樹脂モールド品の製造工程の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図６】図５に続く樹脂モールド品の製造工程の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】図６に続く樹脂モールド品の製造工程の説明図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下の本発明における実施形態では、必要な場合に複数のセクションなどに分けて説明するが、原則、それらはお互いに無関係ではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細などの関係にある。このため、全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２１】
また、構成要素の数（個数、数値、量、範囲などを含む）については、特に明示した場合や原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。また、構成要素などの形状に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合などを除き、実質的にその形状などに近似または類似するものなどを含むものとする。
【００２２】
（実施形態１）
まず、本発明に係る樹脂除去装置１０について、主に図１を参照して説明する。図１は、樹脂除去装置１０の構成を示す説明図である。樹脂除去装置１０は、樹脂モールドされたワークＷの不要箇所の樹脂を除去するものである。なお、図１中の白抜き矢印は、各構成部（あるいはワークＷ）の移動方向を示している。
【００２３】
ここで、ワークＷ（図４（ａ）参照）は、平面を構成する一方の面である表面５１ａおよび表面５１ａとは反対の他方の面である裏面５１ｂと、表面５１ａおよび裏面５１ｂの外周側の側面である外周面５１ｃとを有するウェハ５１である。すなわち、樹脂モールド工程を経たワークＷであるウェハ５１は、表面５１ａが露出され、裏面５１ｂおよび外周面５１ｃが樹脂モールド部５２で覆われている。なお、ワークＷを平面視した状態として、図２、図３を参照することができる。
【００２４】
樹脂除去装置１０は、図１に示すように、マガジン１１と、搬送ハンド１２と、樹脂除去ステージ１３と、クリーニングステージ１４とを備えている。マガジン１１は、例えば、複数のワークＷを収納可能な搬送ボックスの一例としてＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。搬送ハンド１２は、マガジン１１からワークＷを出し入れしたり、各処理ステージへワークＷを搬送したりするものである。処理ステージである樹脂除去ステージ１３では、ワークＷの不要な樹脂を除去する処理が行われる。また、処理ステージであるクリーニングステージ１４では、樹脂除去ステージ１３で樹脂が除去されたワークＷをクリーニングする処理が行われる。
【００２５】
除去ステージ１３は、加工テーブル２０と、アライメント用カメラ２１と、レーザ発振器２２と、レーザ光源２３とを備えている。加工テーブル２０は、ワークＷを載置させた状態で直線軸方向（図１中、矢印２０ａで示す。）および回転軸方向（図１中、矢印２０ｂで示す。）に移動可能なものである。この加工テーブル２０にワークＷが、例えば、アライメント用カメラ２１で位置を確認されながら吸着して載置される。この加工テーブル２０に載置されたワークＷに対して、レーザ発振器２２から発振されたレーザ光がレーザ光源２３を介して照射される。
【００２６】
レーザ発振器２２は、所定条件（波長や出力など）のレーザ光を発振する装置である。本実施形態では、ウェハ５１にダメージを与えず、樹脂モールド部５２を除去できるレーザ光が選択される。例えば、ウェハ５１がシリコンウェハ、樹脂モールド部５２が熱硬化性樹脂の場合、レーザ発振器２２は、炭酸ガスをレーザ媒体として、波長が５３２ｎｍから１０．８μｍの範囲、出力が１０Ｗから６００Ｗの範囲のものを用いることができる。なお、本実施例に使用したレーザ発振器は、一例としてＳＣｘ１０（ロフィン製）１００Ｗを使用した。
【００２７】
次に、本発明に係る樹脂モールド品５０の製造方法について、主に図２、図３、図４を参照して説明する。また、この製造工程では、前述の樹脂除去装置１０が用いられるので、その動作もあわせて説明する。
【００２８】
図２、図３は、樹脂モールド品５０の平面図である。図４は、樹脂モールド品５０の製造工程の説明図であり、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）、図４（ｄ）の順に工程が進行する。なお、図２、図３では、樹脂除去前におけるウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２を波線で示し、図４では、図２または図３のＡ−Ａ線に対応するワークＷ（ウェハ５１）の断面を示している。
【００２９】
まず、図４（ａ）に示すように、表面５１ａ、裏面５１ｂおよび外周面５１ｃを有するウェハ５１を準備した後、表面５１ａを露出し、裏面５１ｂおよび外周面５１ｃを覆うような裏面５１ｂ上で板状の樹脂モールド部５２をウェハ５１に形成する。
【００３０】
ウェハ５１の平面形状は、図２、図３に示すように、中心Ｏの円形状であって一部が切り欠かれたものである。その切り欠き部５３としては、例えば、図２に示すように面取りされた（切り欠かれた）オリエンテーションフラット、図３に示すようにＶ字状に切り欠かれたノッチがウェハ５１に形成されている。また、ウェハ５１としては、例えば、シリコンウェハなどの半導体ウェハや、ウェハ状に形成された基板（例えば、ガラス基板）、キャリアなどを用いることができる。
【００３１】
樹脂モールド部５２は、例えば、樹脂モールド金型（一対の上型および下型）を用いて、ウェハ５１の表面５１ａを一方に載置、固定した後、型締めして形成されたキャビティにモールド樹脂を充填し、このモールド樹脂を加熱・硬化することによって形成される。ここで、ウェハ５１を樹脂モールドする樹脂モールド金型のキャビティの平面形状の大きさは、ウェハ５１の平面形状のばらつきを考慮してウェハ５１の平面形状よりも大きいものである。このため、樹脂モールド部５２は、ウェハ５１の周囲に形成され、すなわち、図４（ａ）に示すように、ウェハ５１の外周面５１ｃを覆うような幅Ｓ１、Ｓ２の厚みをもって形成される。
【００３２】
なお、本実施形態では、幅Ｓ１、Ｓ２が同じとなるように樹脂モールドを行うが、わずかにずれていても構わない。なぜなら、後の工程で、樹脂除去装置１０を用いてウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２（幅Ｓ１、Ｓ２の部分）を除去するので、ウェハ５１の裏面５１ｂ上にウェハ５１と同じ平面形状の樹脂モールド部５２が形成されるからである。
【００３３】
続いて、図４（ｂ）に示すように、ウェハ５１を裏返す。ウェハ５１の裏返しは、例えば、樹脂モールド装置から樹脂除去装置１０（図１参照）へ搬送してマガジン１１にセットされる際に行うことができる。
【００３４】
次いで、樹脂除去装置１０では、搬送ハンド１２によってマガジン１１からウェハ５１が取り出されて、アライメント用カメラ２１で位置を確認されながらウェハ５１が加工テーブル２０に吸着して載置される。このときウェハ５１は、加工テーブル２０に裏面５１ｂ側で載置された状態となる。
【００３５】
次いで、樹脂除去装置１０では、直線軸方向（図１中、矢印２０ａで示す。）および回転軸方向（図１中、矢印２０ｂで示す。）に移動可能な加工テーブル２０を移動させながら、図４（ｃ）に示すように、ウェハ５１にレーザ光２３Ｌを照射する。これによれば、レーザ光源２３を固定とした場合であっても、ウェハ駆動技術（テーブル駆動技術）によってウェハ５１の平面形状に倣った同じ平面形状の樹脂モールド部５２をウェハ５１の裏面５１ｂ上に形成することができる。
【００３６】
本実施形態では、ワークＷのウェハ５１の露出面側、すなわち表面５１ａ側からウェハ５１と樹脂モールド部５２の境界にウェハ５１にレーザ発振器２２からのレーザ光２３Ｌを照射する。前述したように、レーザ光２３Ｌとして、ウェハ５１にダメージを与えず、樹脂モールド部５２を除去できるものを選択している。また、レーザ光２３Ｌのスポット径を調整して、樹脂モールド部５２のみならずウェハ５１の表面５１ａにもかかるようにレーザ光２３Ｌを照射している。したがって、レーザ光２３Ｌが照射されたウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２を除去する（削る）ことができる。
【００３７】
さらに、表面５１ａ側からウェハ５１と樹脂モールド部５２の境界にウェハ５１の外周（全周）に沿ってレーザ光２３Ｌを照射していく。これによって、図２、図３、図４（ｄ）に示すように、ウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２（図２、図３中、波線で示す。）が除去され、ウェハ５１の裏面５１ｂ上にウェハ５１と同じ平面形状の樹脂モールド部５２を残存させて樹脂モールド品５０が略完成する。
【００３８】
なお、ウェハ５１の切り欠き部５３と樹脂モールド部５２の境界のレーザ光照射にポリゴンミラーを用いることもできる。ウェハ５１にオリエンテーションフラット（図２参照）またはノッチ（図３参照）が形成されていても、ポリゴンミラーを用いることで、加工ステージ２０を移動させずに、レーザ光２３Ｌを直線的に走査させ、ウェハ５１の周囲の樹脂モールド部５２を除去することができる。
【００３９】
本実施形態における樹脂モールド品５０のように、ウェハ５１の外周（全周）に沿ってレーザ光２３Ｌを照射する工程を経る場合、ウェハ５１の外周面５１ｃ全体には樹脂モールド部５２が残存しないこととなる。
【００４０】
その後、樹脂除去装置１０では、搬送ハンド１２によって樹脂除去ステージ１３からクリーニングステージ１４へワークＷが移動され、クリーニングステージ１４でワークＷがクリーニングされる。そして、搬送ハンド１２によってクリーニングステージ１４からマガジン１１へワークＷが収納される。
【００４１】
このような樹脂モールド品５０の製造装置でもある樹脂除去装置１０によって、樹脂モールド品５０は、表面５１ａ、裏面５１ｂ、および外周面５１ｃを有するウェハ５１と、表面５１ａおよび外周面５１ｃを露出して裏面５１ｂ上に形成された板状の樹脂モールド部５１を備えることとなる。ここで、ウェハ５１および樹脂モールド部５１の平面形状が同じである。
【００４２】
このように平面視外形がウェハ５１に倣った樹脂モールド部５２をウェハ５１の裏面５１ｂ上に形成するので、樹脂モールド品５０を、単に樹脂モールド部５２の厚さ分だけ肉厚となったウェハ５１として取り扱うことができる。また、ウェハ５１の外周際にまで樹脂モールド部５２が形成されるので、搬送時におけるウェハ５１の欠けを防止でき、ウェハ５１にＴＳＶ層が形成されている場合にはこれを保護することができる。このため、樹脂モールド品５０の取り扱いが容易となる。また、裏面５１ｂが樹脂モールド部５２によって覆われるため、裏面５１ｂを例えば樹脂膜などの保護膜で覆う保護コーティング工程などを削減することもできる。
【００４３】
また、後工程で処理が施される表面５１ａが露出していることから、ウェハ５１の表面５１ａに形成されているマーカをカメラで認識し、ウェハ５１の位置決めを正確に行うように、樹脂モールド品５０を取り扱うことができる。また、樹脂モールド部５２がウェハ５１の切り欠き部５３にも倣った平面形状となっていることから、切り欠き部５３が位置決め部となって、ウェハ５１の位置決めを正確に行うように、樹脂モールド品５０を取り扱うことができる。例えば、図３に示すような切り欠き部５３がＶ字状のノッチであれば、樹脂モールド部５２がないウェハ５１のみの場合と同様に、樹脂モールド品５０もノッチにピンを当てて位置決めすることができる。
【００４４】
（実施形態２）
前記実施形態１では、ウェハ５１および樹脂モールド部５２の平面形状が同じ樹脂モールド品５０であって、外周面５１ｃの全体を露出した板状の樹脂モールド部５２を備えたものについて説明した。本実施形態では、ウェハ５１および樹脂モールド部５２の平面形状が同じ（相似した）樹脂モールド品５０ａ（５０）であって、裏面５１ｂの外周縁を部分的に露出した板状の樹脂モールド部５２を備えたものについて、主に図５〜図７を参照して説明する。図５〜図７は、樹脂モールド品５０ａの製造工程の説明図であり、それぞれの（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ線に対応する断面図である。なお、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）は、ウェハ５１の裏面５１ｂ側からみた平面図であって、ウェハ５１を透視して波線で示している。
【００４５】
まず、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、ウェハ５１を準備した後、表面５１ａを露出し、裏面５１ｂおよび外周面５１ｃを覆うような裏面５１ｂ上で板状の樹脂モールド部５２をウェハ５１に形成する。この樹脂モールド部５２は、切り欠き部５３が形成されたウェハ５１と相似する平面形状となるように、樹脂モールド金型を用いて形成される。このため、樹脂モールド部５２は、平面視において円形状であって一部が切り欠かれたものとなっている。
【００４６】
なお、このような樹脂モールド部５２は、平面視円形状の樹脂モールド部５２を形成した後、切り欠き部５３に対応するように樹脂モールド部５２を除去することでも形成することができる。また、本実施形態では、切り欠き部５３を形成する場合について説明するが、樹脂モールド部５２には切り欠き部が無くともよい。
【００４７】
続いて、図６（ａ）、図６（ｂ）に示すように、ワークＷのウェハ５１の被覆面側、すなわち裏面５１ｂ側からウェハ５１と樹脂モールド部５２の境界の所定箇所にレーザ発振器２２からのレーザ光２３Ｌを照射する。ここでは、レーザ光２３Ｌとして、ウェハ５１にダメージを与えず、樹脂モールド部５２を除去できるものを選択している。また、レーザ光２３Ｌのスポット径を調整して、樹脂モールド部５２のみならずウェハ５１の裏面５１ｂの外周縁にもかかるようにレーザ光２３Ｌを照射している。
【００４８】
さらに、図７（ａ）、図７（ｂ）に示すように、レーザ光２３Ｌを照射していくことによって、ウェハ５１外周（全周）で部分的にレーザ光２３Ｌが照射された所定箇所が除去され、底面で裏面５１ｂが露出するような孔部５４を形成する。なお、図７（ａ）では、孔部５４内のウェハ５１が露出している裏面５１ｂの領域を塗りつぶして示している。
【００４９】
このようにして、ウェハ５１および樹脂モールド部５２の平面形状が同じであって、裏面５１ｂの外周縁を部分的に露出する樹脂モールド部５２を、ウェハ５１の裏面５１ｂ上に残存させた樹脂モールド品５０ａが略完成する。
【００５０】
樹脂モールド品５０ａは、樹脂モールド部５２によってウェハ５１の外周面５１ｃが覆われているので、搬送時におけるウェハ５１の欠けを防止でき、ウェハ５１にＴＳＶ層が形成されている場合にはこれを保護することができる。このため、樹脂モールド品５０の取り扱いが容易となる。また、裏面５１ｂの一部が孔部５４から露出していることから、これをカメラで認識し、ウェハ５１の位置決めを正確に行うように、樹脂モールド品５０ａを取り扱うことができる。
【００５１】
以上、本発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５２】
前記実施形態では、被成形品としてウェハを例に記載したが、近年ｅＷＬＢ（embedded Wafer Level Package）にも適用することができるため、必ずしも円形のウェハに限定されず、被成形品の形状及び材質は四角形の基板や金属等の搬送キャリアであっても良い。重要なことは、被成形品の片面をオーバーモールドすることにより被成形品の端面形状が分からず位置決めができないので、少なくとも一部をレーザで除去することにより位置決めが可能になることである。
【符号の説明】
【００５３】
５０  樹脂モールド品
５１  被成形品（ウェハ）
５２  樹脂モールド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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