(57)【要約】【課題】表示特性に影響を及ぼすことを抑えることができる液晶装置１００、及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板と、素子基板に対向配置された対向基板２０と、素子基板と対向基板２０とにより挟持された液晶層と、を含み、対向基板２０は、第２基材２０ａと、第２基材２０ａと液晶層との間における少なくとも画素領域Ｅに対応する領域に設けられた第１ＢＰＳＧ膜４１と、第１ＢＰＳＧ膜４１と液晶層との間に設けられた透明導電膜４３と、を含み、透明導電膜４３は、第１ＢＰＳＧ膜４１より透湿性が低く、第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａは、透明導電膜４３の端部より画素領域Ｅ側に位置する。【選択図】図５
2014092691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
を含み、
前記第２基板は、
透明基板と、
前記透明基板と前記液晶層との間における少なくとも表示領域に対応する領域に設けら
れた絶縁膜と、
前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた透明導電膜と、
を含み、
前記透明導電膜は、前記絶縁膜より透湿性が低く、
前記絶縁膜の端部は、前記透明導電膜の端部より前記表示領域側に位置することを特徴
とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記液晶装置は、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材を含み、
前記絶縁膜の端部は、前記シール材の前記表示領域側の端部より前記表示領域側に位置
することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２基板には、前記表示領域を囲むように遮光膜が設けられており、
前記絶縁膜の端部は、前記遮光膜の前記表示領域側の端部と前記第２基板の端部との間
に位置することを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第２基板における前記表示領域の周囲に表示に寄与しないダミー領域を有し、
前記絶縁膜の端部は、前記ダミー領域と前記第２基板の端部との間に位置することを特
徴とする液晶装置。
【請求項５】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
を含み、
前記第２基板は、透明基板と、前記透明基板と前記液晶層との間における少なくとも表
示領域に対応する領域に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記液晶層との間に
設けられた第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜と前記液晶層との間に設けられた第２
絶縁膜と、前記第２絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた第２透明導電膜と、
を含み、
前記第２透明導電膜は、前記第２絶縁膜より透湿性が低く、
前記第２絶縁膜の端部は、前記第２透明導電膜の端部より前記表示領域側に位置するこ
とを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶装置であって、
前記第１透明導電膜は、前記第１絶縁膜より透湿性が低く、
前記第１絶縁膜の端部は、前記第１透明導電膜の端部より前記表示領域側に位置するこ
とを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の液晶装置であって、
前記第１絶縁膜の端部と前記第２絶縁膜の端部との位置がずれて配置されていることを
特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子
機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトラ
ンジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置
は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられ
ている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、液晶装置を構成する基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
膜、絶縁膜、ＩＴＯ膜を積層することにより、画像むらを低減したり透過率を向上したり
する技術が開示されている。また、絶縁膜としては、例えば、膜の表面の平坦化性に優れ
たＢＰＳＧ（ボロン及びリンを含む酸化膜）が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７８７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ＢＰＳＧは、絶縁膜の中でも吸湿性の高い材料であり、製造過程で吸湿
したり使用時に露出した端部から吸湿したりすることから、絶縁膜に吸湿された水分がＩ
ＴＯ膜を介して液晶層に侵入し、表示特性に影響を及ぼすという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以
下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された
第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第
２基板は、透明基板と、前記透明基板と前記液晶層との間における少なくとも表示領域に
対応する領域に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた透明導
電膜と、を含み、前記透明導電膜は、前記絶縁膜より透湿性が低く、前記絶縁膜の端部は
、前記透明導電膜の端部より前記表示領域側に位置することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、透明導電膜の端部より内側に絶縁膜の端部が配置されているので、
絶縁膜の端部を透明導電膜で覆うことになり、絶縁膜の端部が外部に露出することを防ぐ
ことが可能となる。よって、絶縁膜の端部から吸湿した場合のように、水分が透明導電膜
を介して液晶層に浸入することを防ぐことができる。その結果、画像むらなど表示品質が
劣化することを防ぐことができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記液晶装置は、前記第１基板と前
記第２基板とを貼り合わせるシール材を含み、前記絶縁膜の端部は、前記シール材の前記
表示領域側の端部より前記表示領域側に位置することが好ましい。
【００１０】
本適用例によれば、シール材より表示領域側（内側）に絶縁膜の端部があるので、絶縁
膜の端部を透明導電膜で覆うことになり、絶縁膜の端部から吸湿することを防ぐことがで
きる。よって、防湿性を向上させることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２基板には、前記表示領域を
囲むように遮光膜が設けられており、前記絶縁膜の端部は、前記遮光膜の前記表示領域側
の端部と前記第２基板の端部との間に位置することが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、絶縁膜の端部が、遮光膜と第２基板の端部との間に位置しているの
で、絶縁膜の端部の段差に起因する凹凸によって、表示領域におけるセルギャップがばら
つくことを抑えることができる。これにより、表示特性が劣化することを抑えることがで
きる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第２基板における前記表示領域
の周囲に表示に寄与しないダミー領域を有し、前記絶縁膜の端部は、前記ダミー領域と前
記第２基板の端部との間に位置することが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、絶縁膜の端部が、ダミー領域と第２基板の端部との間に位置してい
るので、絶縁膜の端部の段差に起因する凹凸によって、表示領域におけるセルギャップが
ばらつくことを抑えることができる。これにより、表示特性が劣化することを抑えること
ができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された
第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、を含み、前記第
２基板は、透明基板と、前記透明基板と前記液晶層との間における少なくとも表示領域に
対応する領域に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記液晶層との間に設けられ
た第１透明導電膜と、前記第１透明導電膜と前記液晶層との間に設けられた第２絶縁膜と
、前記第２絶縁膜と前記液晶層との間に設けられた第２透明導電膜と、を含み、前記第２
透明導電膜は、前記第２絶縁膜より透湿性が低く、前記第２絶縁膜の端部は、前記第２透
明導電膜の端部より前記表示領域側に位置することを特徴とする。
【００１６】
本適用例によれば、第２透明導電膜の端部より内側に第２絶縁膜の端部が配置されてい
るので、第２絶縁膜の端部を第２透明導電膜で覆うことになり、第２絶縁膜の端部が外部
に露出することを防ぐことが可能となる。よって、少なくとも液晶層側である第２絶縁膜
の端部から吸湿した場合のように、水分が第２透明導電膜を介して液晶層に浸入すること
を防ぐことができる。その結果、画像むらなど表示品質が劣化することを防ぐことができ
る。また、第１絶縁膜と、第１透明導電膜と、第２絶縁膜と、第２透明電極膜とを含む透
明積層膜（ＩＭＩＴＯ膜：Index Matched ITO）を設けることにより、透過率を向上させ
ることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１透明導電膜は、前記第１絶
縁膜より透湿性が低く、前記第１絶縁膜の端部は、前記第１透明導電膜の端部より前記表
示領域側に位置することが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、第１透明導電膜の端部より内側に第１絶縁膜の端部が配置されてい
るので、第１絶縁膜の端部を第１透明導電膜で覆うことになり、第１絶縁膜の端部が外部
に露出することを防ぐことが可能となる。よって、第１絶縁膜の端部から吸湿した場合の
ように、水分が第１透明導電膜を介して液晶層に浸入することを防ぐことができる。その
結果、画像むらなど表示品質が劣化することを防ぐことができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１絶縁膜の端部と前記第２絶
縁膜の端部との位置がずれて配置されていることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、端部の位置がずれているので、端部の部分で段差にすることが可能
となり、絶縁膜の側面に透明導電膜がつかなくなる（段切れになる、断線する）ことを抑
えることができる。言い換えれば、カバレッジをよくすることができる。
【００２１】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴と
する。
【００２２】
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示特性が劣化することを抑
えられる電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】（ａ）は第１実施形態の液晶装置のうち対向基板の構成を示す模式平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す対向基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図６】液晶装置を備えた電子機器の構成を示す模式図。
【図７】（ａ）は第２実施形態の液晶装置のうち対向基板の構成を示す模式平面図、（ｂ）は、（ａ）に示す対向基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図８】液晶装置を備えた電子機器の構成を示す模式図。
【図９】変形例の対向基板の構成を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図
面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示してい
る。
【００２５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接する
ように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基
板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表す
ものとする。
【００２６】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transist
or）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に
挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光
変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２７】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−
Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図であ
る。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２８】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板
１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持さ
れた液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２
０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いら
れている。
【００２９】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配
置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有
する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は
紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の
基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（ギャップ材、これらの図示省略）が混入
されている。
【００３０】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が
設けられている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを
囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省
略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラッ
クマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３１】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２
２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素
領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向
する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けら
れている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間に
は、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３２】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と画素領域Ｅとの間には、遮光膜
１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属
酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっている
。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分
する遮光部が設けられている。
【００３３】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って
配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ
方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明
する。
【００３４】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられ
た透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Th
in Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う
配向膜２８とが形成されている。
【００３５】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になるこ
とを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電
極２７、ＴＦＴ３０、信号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３６】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された
平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を
覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光膜
１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３７】
遮光膜１８は、図１に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回
路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板
２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によ
って誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに
入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している
。
【００３８】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光
膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例え
ばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げら
れる。
【００３９】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦
化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２
６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４０】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１０
０の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコ
ン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向さ
せた無機配向膜が挙げられる。
【００４１】
このような液晶装置１００は、例えば透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示とな
るノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光
学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置
されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００４２】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁され
て直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査
線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４３】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された
領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの
画素回路を構成している。
【００４４】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデ
ータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は
、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されてい
る。
【００４５】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動
回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａ
は、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給さ
れる走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４６】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に
線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごと
に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣ
ｍを所定のタイミングで供給する。
【００４７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入
力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ
１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、
画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画
素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持され
る。
【００４８】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電
極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１
６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている
。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４９】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参
照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、
明示可能な尺度で表されている。
【００５０】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１
０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１
０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記した
ように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５１】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが
形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素
の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能する
ようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からな
る下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５２】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０
は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からな
る半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁
膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記し
たように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５３】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されるこ
とにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チ
ャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域
３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを
備えている。
【００５４】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされて
いる。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等
のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴと
して形成されている。
【００５５】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等から
なる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１
６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及
び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと
、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜
１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５６】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なく
とも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層した
もの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５７】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素
電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、
金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画
素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コン
タクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側
ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５８】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。
データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタク
トホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（
ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５９】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。
画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタク
トホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続される
ことにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に
電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）
膜等の透明導電膜から形成されている。
【００６０】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機
材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図
１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている
。
【００６１】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向
電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着
した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例え
ばＩＴＯ膜等の透明導電膜からなる。なお、対向基板２０の詳細な構成は後述する。
【００６２】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２に
よって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれら
の周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり
、両基板間の距離（セルギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラス
ビーズ等のギャップ材が混入されている。
【００６３】
＜対向基板の構成＞
図５（ａ）は、液晶装置のうち対向基板の構成を示す模式平面図である。図５（ｂ）は
、図５（ａ）に示す対向基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、対向基板の構
成について、図５を参照しながら説明する。
【００６４】
図５に示すように、対向基板２０には、石英基板等の透光性材料からなる第２基材２０
ａ上（液晶層１５側）の画素領域Ｅ（表示領域）の周囲に遮光膜１８が設けられている。
遮光膜１８が設けられた第２基材２０ａ上には、透明積層膜（ＩＭＩＴＯ膜：Index Matc
hed ITO）が設けられている。透明積層膜は、第２基材２０ａ側から第１ＢＰＳＧ膜４１
（絶縁膜、第１絶縁膜）、透明導電膜４３（第１透明導電膜）、第２ＢＰＳＧ膜４２（第
２絶縁膜）、対向電極３１（第２透明導電膜）が積層されている。なお、透明積層膜を構
成するそれぞれの膜の屈折率を調整して配置することにより、透過率を向上させることが
できる。
【００６５】
具体的には、第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａは、平面視で画素領域Ｅと第２基材２０
ａの端部２０ａ１（透明導電膜４３の端部、対向電極３１の端部）との間に配置されてい
る。本実施形態では、画素領域Ｅとシール材１４との間（遮光膜１８と平面視で重なるよ
うに）に端部４１ａが配置されている。第１ＢＰＳＧ膜４１が設けられた第２基材２０ａ
上の全体には、これらを覆うように透明導電膜４３が設けられている。透明導電膜４３は
、例えば、ＩＴＯで構成されている。透明導電膜４３上には、第２ＢＰＳＧ膜４２が設け
られている。
【００６６】
なお、第１ＢＰＳＧ膜４１と同様に、第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４２ａは、平面視で画
素領域Ｅと第２基材２０ａの端部２０ａ１との間に配置されている。第２ＢＰＳＧ膜４２
が設けられた透明導電膜４３上には、これらを覆うように対向電極３１が設けられている
。
【００６７】
ＢＰＳＧ膜４１，４２は、絶縁膜の中でも吸湿性が高い材料である。また、透明導電膜
４３は、第１ＢＰＳＧ膜４１と比較して、透湿性が低い。同様に、対向電極３１は、第２
ＢＰＳＧ膜４２と比較して、透湿性が低い。第１ＢＰＳＧ膜４１及び第２ＢＰＳＧ膜４２
の製造方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて成膜し
、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いてパターニングすることにより製造
することができる。
【００６８】
なお、対向基板２０における画素領域Ｅの周囲には、ダミー領域（図示省略）が配置さ
れている。なお、ダミー領域については、素子基板１０側で説明する。
【００６９】
ダミー領域には、ダミー画素が設けられている。ダミー画素のダミー画素電極は、素子
基板１０側において、画素電極２７と略同じ形状及びサイズを有している。ダミー画素は
、電気的に短絡されており、個別に制御されることはなく、共通の電位が与えられる。若
しくは、ダミー画素のそれぞれが複数の画素Ｐと略同一構造をとり、薄膜トランジスター
を介して、それらのダミー画素のダミー画素電極に共通の電位が与えられる。表示に寄与
する画素電極２７が占める領域を「表示領域（画素領域Ｅ）」と称し、表示に寄与しない
画素電極が占める領域を「ダミー領域」と称する。
【００７０】
なお、ダミー領域に、電気見切りと呼ばれる枠状に黒表示を行う領域を有してもよい。
また、第１ＢＰＳＧ膜４１及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４１ａ，４２ａは、ダミー領域
と第２基材２０ａの端部２０ａ１との間に位置するようにしてもよい。
【００７１】
対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料からなる配向膜３２（
図４参照）が斜方蒸着法を用いて形成されている。これらによって対向基板２０が構成さ
れている。そして、素子基板１０（図２参照）と対向基板２０とは、シール材１４を介し
て貼り合わされている。
【００７２】
このように、第２基材２０ａの端部２０ａ１より内側（透明導電膜４３の端部より内側
）に第１ＢＰＳＧ膜４１及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４１ａ，４２ａが配置されている
ので、端部４１ａ，４２ａを透明導電膜４３及び対向電極３１で覆うことになり、端部４
１ａ，４２ａが外部に露出することを防ぐことが可能となる。よって、第１ＢＰＳＧ膜４
１及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４１ａ，４２ａから吸湿した場合のように、水分が透明
導電膜４３を介して液晶層１５に侵入することを防ぐことができる。その結果、画像むら
など表示品質が劣化することを防ぐことができる。
【００７３】
＜電子機器の構成＞
次に、第１実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図６を参照して説明
する。図６は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００７４】
図６に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って
配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１
１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレー
レンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子として
の透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロ
スダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源
としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子
１１０３とから概略構成されている。
【００７６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のう
ち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つの
ダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ
）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射
した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイク
ロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液
晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（
Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７
，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１
２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２
１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調され
クロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００７９】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘
電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電
体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成され
た光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され
、画像が拡大されて表示される。
【００８０】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶
装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素
子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様
である。
【００８１】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，
１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品
質を実現することができる。
【００８２】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、
ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバ
イルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタ
ルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各
種電子機器に用いることができる。
【００８３】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に
示す効果が得られる。
【００８４】
（１）第１実施形態の液晶装置１００によれば、第２基材２０ａの端部２０ａ１（透明
導電膜４３の端部及び対向電極３１の端部）より内側に第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａ
及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４２ａが配置されているので、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端
部４１ａ，４２ａを透明導電膜４３及び対向電極３１で覆うことになり、ＢＰＳＧ膜４１
，４２の端部４１ａ，４２ａが外部に露出することを防ぐことが可能となる。よって、Ｂ
ＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａから吸湿した場合のように、水分が透明導電膜
４３及び対向電極３１を介して液晶層１５に侵入することを防ぐことができる。その結果
、画像むらなど表示品質が劣化することを防ぐことができる。また、液晶装置１００の信
頼性や寿命を向上させることができる。更に、第１ＢＰＳＧ膜４１と、透明導電膜４３と
、第２ＢＰＳＧ膜４２と、対向電極３１とを含む透明積層膜（ＩＭＩＴＯ膜）を設けるこ
とにより、透過率を向上させることができる。
【００８５】
（２）第１実施形態の液晶装置１００によれば、第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａ及び
第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４２ａが、平面視で遮光膜１８と重なるように位置しているの
で、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａの段差に起因する凹凸によって、画素領
域Ｅにおけるセルギャップがばらつくことを抑えることができる。これにより、表示特性
が劣化することを抑えることができる。
【００８６】
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、
表示特性が劣化することを抑えられる電子機器を提供することができる。
【００８７】
（第２実施形態）
＜対向基板の構成＞
図７（ａ）は、液晶装置のうち対向基板の構成を示す模式平面図である。図７（ｂ）は
、図７（ａ）に示す対向基板のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、第２実施形態
の対向基板の構成について、図７を参照しながら説明する。
【００８８】
第２実施形態の対向基板１２０は、上述の第１実施形態のように透過型の液晶装置１０
０に用いられる対向基板２０でなく、反射型の液晶装置２００に用いられる対向基板１２
０である点が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態で
は、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については
適宜説明を省略する。
【００８９】
図７に示すように、第２実施形態の対向基板１２０は、第１実施形態と同様に、第２基
材２０ａ上に、遮光膜１８、第１ＢＰＳＧ膜４１、透明導電膜４３、第２ＢＰＳＧ膜４２
、対向電極３１が形成されている。第２実施形態の対向基板１２０は、対向電極３１を覆
うように（液晶層１５側）に、パッシベーション膜４４が設けられている。
【００９０】
パッシベーション膜４４は、反射型の液晶装置２００において、画素電極２７と対向電
極３１との仕事関数差による電気的な表示不具合を防止するために、仕事関数の調整層と
して用いられる。なお、パッシベーション膜４４は、ＢＰＳＧ膜４１，４２と比較して、
透湿性が低い。
【００９１】
パッシベーション膜４４の材料としては、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）膜やＳｉ
Ｈ4＋Ｎ2Ｏなどの反応ガスを用いて形成する、一般的なプラズマ源によるＳｉＯｘ膜（シ
リカ膜）である。パッシベーション膜４４上には、第１実施形態と同様に、酸化シリコン
（ＳｉＯ2）などの無機材料からなる配向膜３２（図４参照）が斜方蒸着法を用いて形成
されている。
【００９２】
なお、反射型の液晶装置２００を構成する素子基板の構成を、図２を用いて説明する。
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた
光反射性を有する画素電極（反射膜）およびスイッチング素子である薄膜トランジスター
と、信号配線と、これらを覆う配向膜とが形成されている。画素電極は、光反射性の例え
ばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を
用いて形成することができる。
【００９３】
このように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、第２基材２０ａの端部２０ａ１
（透明導電膜４３の端部、対向電極３１の端部、パッシベーション膜４４の端部）より内
側に第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａ及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４２ａが配置されて
いるので、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａを、透明導電膜４３、対向電極３
１、パッシベーション膜４４で覆うことになり、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４
２ａが外部に露出することを防ぐことが可能となる。更に、第１ＢＰＳＧ膜４１と、透明
導電膜４３と、第２ＢＰＳＧ膜４２と、対向電極３１とを含む透明積層膜（ＩＭＩＴＯ膜
：Index Matched ITO）を設けることにより、透過率を向上させることができる。また、
電気的な表示の不具合が抑えられた反射型の液晶装置２００を提供することができる。
【００９４】
＜電子機器の構成＞
図８は、第２実施形態の液晶装置を備えた電子機器（反射型の投射型表示装置：液晶プ
ロジェクター）の構成を示す模式図である。以下、電子機器の構成について、図８を参照
しながら説明する。
【００９５】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター２５００は、シ
ステム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置２１００と、３つのダイクロイックミラー
２１１１，２１１２，２１１５と、２つの反射ミラー２１１３，２１１４と、３つの光変
調素子としての反射型の液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０と、クロスダイ
クロイックプリズム２２０６と、投射レンズ２２０７とを備えている。
【００９６】
偏光照明装置２１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプ
ユニット２１０１と、インテグレーターレンズ２１０２と、偏光変換素子２１０３とから
概略構成されている。
【００９７】
偏光照明装置２１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロ
イックミラー２１１１とダイクロイックミラー２１１２とに入射する。光分離素子として
のダイクロイックミラー２１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。
もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１２は、入射した偏光光束のう
ち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００９８】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー２１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ２
２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー２１１４
により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー２１１５に入射する。ダイ
クロイックミラー２１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した
緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ２２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライ
トバルブ２２７０に入射する。
【００９９】
液晶ライトバルブ２２５０は、反射型の液晶パネル２２５１と、反射型偏光素子として
のワイヤーグリッド偏光板２２５３とを備えている。
【０１００】
液晶ライトバルブ２２５０は、ワイヤーグリッド偏光板２２５３によって反射した赤色
光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム２２０６の入射面に垂直に入射するように配置
されている。また、ワイヤーグリッド偏光板２２５３の偏光度を補う補助偏光板２２５４
が液晶ライトバルブ２２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助
偏光板２２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム２２０６
の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッター
を用いた場合には、一対の補助偏光板２２５４，２２５５を省略することも可能である。
【０１０１】
このような反射型の液晶ライトバルブ２２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の
液晶ライトバルブ２２６０，２２７０においても同じである。
【０１０２】
液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０に入射した各色光は、映像情報に基づ
いて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板２２５３，２２６３，２２７３を経由してク
ロスダイクロイックプリズム２２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム２２０
６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ２２０７によってスクリーン２３
００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ２２５０，２２６０，２２７０における反射型の液
晶パネル２２５１，２２６１，２２７１として上記実施形態における液晶装置２００が適
用されている。
【０１０４】
このような液晶プロジェクター２５００によれば、反射型の液晶装置２００を液晶ライ
トバルブ２２５０，２２６０，２２７０に用いているので、表示品質を向上させることが
可能な反射型の液晶プロジェクター２５００を提供できる。
【０１０５】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００、及び電子機器によれば、以下に
示す効果が得られる。
【０１０６】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、第２基材２０ａの端部２０ａ１（透明
導電膜４３の端部）より内側に第１ＢＰＳＧ膜４１の端部４１ａ及び第２ＢＰＳＧ膜４２
の端部４２ａが配置されているので、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａを透明
導電膜４３、対向電極３１、及びパッシベーション膜４４で覆うことになり、ＢＰＳＧ膜
４１，４２の端部４１ａ，４２ａが外部に露出することを防ぐことが可能となる。よって
、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａから吸湿した場合のように、水分が透明導
電膜４３及び対向電極３１を介して液晶層１５に侵入することを防ぐことができる。その
結果、画像むらなど表示品質が劣化することを防ぐことができる。また、パネルの信頼性
や寿命を向上させることができる。更に、第１ＢＰＳＧ膜４１と、透明導電膜４３と、第
２ＢＰＳＧ膜４２と、対向電極３１とを含む透明積層膜（ＩＭＩＴＯ膜）を設けることに
より、透過率を向上させることができる。
【０１０７】
（５）第２実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置２００を備えるので、
表示特性が劣化することを抑えられる電子機器を提供することができる。
【０１０８】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明
細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、
本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施すること
もできる。
【０１０９】
（変形例１）
上記したように、第１ＢＰＳＧ膜４１と第２ＢＰＳＧ膜４２との端部４１ａ，４２ａの
位置を合わせるように形成することに限定されず、図９に示すように形成してもよい。図
９は、変形例の対向基板の構成を示す模式断面図である。図９に示すように、変形例の対
向基板２２０は、第１ＢＰＳＧ膜２４１に覆い被さるように第２ＢＰＳＧ膜２４２が設け
られており、第１ＢＰＳＧ膜２４１の端部２４１ａの位置より、第２ＢＰＳＧ膜２４２の
端部２４２ａの位置が外側になるように配置されている。言い換えれば、第１ＢＰＳＧ膜
２４１の端部２４１ａと第２ＢＰＳＧ膜２４２の端部２４２ａとの位置がずれている。
【０１１０】
このようにＢＰＳＧ膜２４１，２４２を配置することにより、端部２４１ａ，２４２ａ
の位置がずれているので、端部２４１ａ，２４２ａの部分で段差にすることが可能となり
、ＢＰＳＧ膜２４１，２４２の端部２４１ａ，２４２ａ（側面）に透明導電膜２４３及び
対向電極２３１が段切れになったり断線したりすることを抑えることができる。言い換え
れば、カバレッジをよくすることができる。なお、第２ＢＰＳＧ膜２４２の端部２４２ａ
が第１ＢＰＳＧ膜２４１の端部２４１ａより内側になるようにして段差を設けるようにし
てもよい。
【０１１１】
（変形例２）
上記したように、第１ＢＰＳＧ膜４１及び第２ＢＰＳＧ膜４２の端部４１ａ，４２ａよ
り外側（第２基材２０ａの端部２０ａ１まで）をエッチングで全て除去することに限定さ
れず、例えば、第２基材２０ａの全面にＢＰＳＧ膜を成膜し、第２基材２０ａの端部より
内側に入った部分を平面視で環状（溝状）にエッチングで除去するようにしてもよい。こ
れによれば、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａが外部に露出しているものの、
画素領域Ｅまでの間に接続されていない（繋がっていない）部分があるので、水分が画素
領域Ｅ側に侵入する（伝わる）ことを防ぐことができる。
【０１１２】
（変形例３）
上記したように、ＢＰＳＧ膜４１，４２の端部４１ａ，４２ａの位置が、平面視で遮光
膜１８と重なるように配置されていることに限定されず、透明導電膜４３や対向電極３１
の端部より画素領域Ｅ側に配置されていればよく、例えば、ダミー領域と第２基材２０ａ
の端部との間に配置されていてもよい。
【０１１３】
（変形例４）
上記したように、遮光膜１８が第２基材２０ａ（対向基板２０）に設けられていること
に限定されず、防塵ガラスやフレームに設けられているようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１４】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板と
しての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１
１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール
材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１
６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０，１２０，２２０…第２基板としての対向基板、２
０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２
６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３
０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０
ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン
領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１，２３１…第２透明導電膜としての対向電
極、３３…平坦化層、４１，２４１…第１絶縁膜としての第１ＢＰＳＧ膜、４１ａ，２４
１ａ…端部、４２，２４２…第２絶縁膜としての第２ＢＰＳＧ膜、４２ａ，２４２ａ…端
部、４３，２４３…第１透明導電膜としての透明導電膜、４４…パッシベーション膜、Ｃ
ＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子
、１００，２００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１
１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子
、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミ
ラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…
クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０
…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン、２１００…偏光照明装置、２１０１…ラン
プユニット、２１０２…インテグレーターレンズ、２１０３…偏光変換素子、２１１１，
２１１２，２１１５…ダイクロイックミラー、２１１３，２１１４…反射ミラー、２１１
５…ダイクロイックミラー、２２０６…クロスダイクロイックプリズム、２２０７…投射
レンズ、２２５０，２２６０，２２７０…液晶ライトバルブ、２２５１，２２６１，２２
７１…反射型の液晶パネル、２２５３，２２６３，２２７３…ワイヤーグリッド偏光板、
２２５４，２２５５…補助偏光板、２３００…スクリーン、２５００…液晶プロジェクタ
ー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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