(57)【要約】【課題】比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を高強度で接合する。【解決手段】第１の被接合部１０の表面、第２の被接合部２０の表面のすくなくとも一方に母材に比べて結晶粒径が微細な微細結晶層を形成した後、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との間に、酸化銅が溶出する溶液３０を充填し、表面酸化膜中の酸化銅を溶液３０中に溶出させる。加圧および銅の再結晶化温度以下の加熱により溶液３０中の銅以外の成分を除去して酸化銅を析出させ、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを析出した銅により接合した後、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０に銅を固相拡散させる。【選択図】図３
2014100711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅を主成分とする金属からなる第１の被接合部と、
銅を主成分とする金属からなる第２の被接合部と、
が拡散接合により接合し、
前記第１の被接合部と前記第２の被接合部との接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が前記第１の被接合部および前記第２の被接合部に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分が存在することを特徴とする金属接合構造。
【請求項２】
銅を主成分とする金属からなる第１の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第２の被接合部を用意する工程と、
前記第１の被接合部および前記第２の被接合部の少なくとも一方の表面に母材となる被接合部よりも銅の結晶粒径が小さい微細結晶層を形成する工程と、
前記第１の被接合部と前記第２の被接合部との間に、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填する工程と、
前記第１の被接合部と前記第２の被接合部との間の距離を縮めるように前記第１の被接合部と前記第２の被接合部とを加圧する工程と、
前記第１の被接合部と前記第２の被接合部とを加圧した状態で、銅の再結晶化温度以下で加熱することにより前記第１の被接合部と前記第２の被接合部とを接合する工程と、
を備えることを特徴とする金属接合方法。
【請求項３】
前記微細結晶層を形成する工程が、研磨工程、スパッタ工程またはメッキ工程である請求項２に記載の金属接合方法。
【請求項４】
前記溶液は銅に対して不活性である請求項２または３に記載の金属接合方法。
【請求項５】
前記溶液が銅と錯体を形成する配位子を含む請求項２乃至４のいずれか１項に記載の金属接合方法。
【請求項６】
前記錯体が加熱分解性である請求項５に記載の金属接合方法。
【請求項７】
前記溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液である請求項２乃至６のいずれか１項に記載の金属接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属の接合構造および金属の接合方法に関する。より具体的には、銅と銅の接合構造および接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板を構成する配線層や半導体チップの素子電極表面等の導電性材料として、銅が幅広く使用されている。従来、配線基板の配線層等の第１の被接合部材に半導体チップの素子電極など第２の被接合部材を電気的に接続する金属の接合方法としては、はんだを介して接合面をはんだ接合する方法、接合面を高温に加熱しながら加圧下で接合する方法、真空中でイオン照射等により接合面を活性化させて接合する方法などが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−１００８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
はんだを介して銅同士を接合する方法では、銅とはんだとの接合界面にＣｕ−Ｓｎ合金が生じる。Ｃｕ−Ｓｎ合金は電気抵抗が比較的大きく、かつ延性が乏しいため、接合部分の電気特性や接続信頼性が低下するという課題がある。接合面を高温に加熱して加圧により接合する方法では、配線基板や半導体チップに熱や加圧によるダメージが生じる可能性がある。また、真空中で接合面を活性化させて接合する方法では、真空装置などの大がかりな設備が必要となりコストの増大が避けられない。
【０００５】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、接続信頼性を確保しつつ、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を接合することのできる技術の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のある態様は、金属接合構造である。当該金属接合構造は、銅を主成分とする金属からなる第１の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第２の被接合部と、が拡散接合により接合し、第１の被接合部と第２の被接合部との接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が第１の被接合部および第２の被接合部に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分が存在することを特徴とする。
【０００７】
上記態様の金属接合構造によれば、第１の被接合部と第２の被接合部との接合界面近傍に母材の被接合部に比べて微細化された銅が介在することで、第１の被接合部と第２の被接合部との接続強度を増大させることができる。
【０００８】
本発明の他の態様は、金属接合方法である。当該金属接合方法は、銅を主成分とする金属からなる第１の被接合部と、銅を主成分とする金属からなる第２の被接合部を用意する工程と、第１の被接合部および第２の被接合部の少なくとも一方の表面に母材となる被接合部よりも銅の結晶粒径が小さい微細結晶層を形成する工程と、第１の被接合部と第２の被接合部との間に、酸化銅を主成分とする酸化物が溶出する溶液を充填する工程と、第１の被接合部と第２の被接合部との間の距離を縮めるように第１の被接合部と第２の被接合部とを加圧する工程と、第１の被接合部と第２の被接合部とを加圧した状態で、銅の再結晶化温度以下で加熱することにより第１の被接合部と第２の被接合部とを接合する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
以上説明した金属接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を高強度で接合することができる。より詳しくは、接合時の加熱温度を銅の再結晶化温度以下とすることで、被接合部間の接合界面近傍に微細結晶層が存在する。この微細結晶層によって、被接合部間の接合強度の増大を図ることができる。
【００１０】
上記態様の金属接合方法において、微細結晶層を形成する工程が、研磨工程、スパッタ工程またはメッキ工程であってもよい。溶液は銅に対して不活性であってもよい。溶液が銅と錯体を形成する配位子を含んでもよい。錯体が加熱分解性であってもよい。また、溶液がアンモニア水またはカルボン酸水溶液であってもよい。
なお、上述した各要素を適宜組み合わせたものも、本件特許出願によって特許による保護を求める発明の範囲に含まれうる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、比較的低温でかつ簡便な方法で銅同士を高強度で接合することのできる技術の提供にある。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態に係る金属接合構造を示す概略図である。
【図２】実施の形態に係る金属接合方法を示す工程図である。
【図３】実施の形態に係る金属接合方法を示す工程図である。
【図４】実施の形態に係る金属接合方法を示す工程図である。
【図５】実施例１で得られた接合体の断面ＳＥＭ写真像である。
【図６】接合界面と直交する方向の距離と銅の粒界の数との関係を示すグラフである。
【図７】半導体装置の製造に金属接合方法を適用した場合の工程図である。
【図８】半導体装置の製造に金属接合方法を適用した場合の工程図である。
【図９】半導体装置の製造に金属接合方法を適用した場合の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。以下の説明において、「銅を主成分とする」および「酸化銅を主成分とする」という表現中、「主成分とする」は、銅または酸化銅の含有量が５０％よりも大きいことを意味する。
【００１４】
図１は、実施の形態に係る金属接合構造を示す模式図である。金属接合構造１００は、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とが拡散接合により接合した構造である。
【００１５】
第１の被接合部１０および第２の被接合部２０はそれぞれ銅を主成分とする金属で形成されている。
【００１６】
第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合界面Ａと直交する方向の線Ｂ上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第１の被接合部１０および第２の被接合部２０に比べて接合界面近傍の方が多くなっている部分（図１の領域Ｒの部分）が存在する。単位長さ当たりの銅の粒界の数は、銅の結晶粒径と逆相関の関係にあり、単位長さ当たりの銅の粒界の数が多い領域ほど、銅の結晶粒径が微細になる。
【００１７】
本実施の形態に係る金属接合構造１００によれば、結晶粒径が微細な銅で接合された部分が存在することにより、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合強度を高くすることができる。
【００１８】
また、第１の被接合部１０および第２の被接合部２０の主成分を共に銅とし、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを銅で接合する構造を採ることにより、金属接合構造１００の熱膨張率にばらつきが生じることが抑制される。この結果、金属接合構造１００の熱信頼性を向上させることができる。
【００１９】
（金属接合方法）
実施の形態に係る金属接合方法について、図３〜図５を参照して説明する。
【００２０】
まず、図２（Ａ）に示すように、第１の被接合部１０および第２の被接合部２０を用意する。第１の被接合部１０および第２の被接合部２０は、銅を主成分とする金属で形成されていればよく、その形態は特に制限されない。第１の被接合部１０および第２の被接合部２０は、たとえば、銅板であってもよく、スパッタ法によりＳｉ基板などの基板上に形成された銅からなる堆積層であってもよく、銅箔などの銅板をパターニングすることにより形成した配線層の外部端子部分であってもよい。
【００２１】
第１の被接合部１０の接合面側の表面、第２の被接合部２０の接合面側の表面には、酸化銅を主成分とする酸化物層（図示せず）が形成されている。当該酸化物層は、Ｃｕ２Ｏで形成された薄膜状の被膜であり、その厚さは、たとえば、１０ｎｍである。当該酸化物層は、意図的に形成された被膜であっても、意図せず形成された被膜であってもよい。意図せず形成された被膜としては、銅が大気中で酸化することにより形成される自然酸化膜が挙げられる。
【００２２】
次に、図２（Ｂ）に示すように、第１の被接合部１０の接合面側の表面、第２の被接合部２０（以下、第１の被接合部１０、第２の被接合部２０を総称して被接合部という）の接合面側の表面に、ぞれぞれ第１の微細結晶層１２、第２の微細結晶層２２（以下、第１の微細結晶層１２、第２の微細結晶層２２を総称して微細結晶層という）を形成する。微細結晶層を構成する銅は、母材となる被接合部を構成する銅に比べて結晶粒径が小さい。微細結晶層の形成方法としては、被接合部の接合面側の表面に歪みを加えることで表面の結晶粒径を小さくする方法、被接合部の接合面側の表面にスパッタ法、メッキ法などを用いて微細結晶層を堆積する方法などが挙げられる。スパッタ法によれば、より微細な微細結晶層を作製することができる。
【００２３】
次に、図３（Ａ）に示すように、第１の微細結晶層１２と第２の微細結晶層２２との間に、酸化銅が溶出または溶解する溶液３０を充填する。第１の微細結晶層１２と第２の微細結晶層２２との間に溶液３０を充填したときの、第１の微細結晶層１２の露出面と第２の微細結晶層２２の露出面との距離は、たとえば、１μｍである。溶液３０は、銅と錯体を形成する配位子を含む溶液であり、たとえば、アンモニア水、カルボン酸水溶液が挙げられる。溶液３０の濃度は、後述する加圧条件や加熱条件に応じて実験により設定することができる。
【００２４】
カルボン酸水溶液の調製に用いられるカルボン酸としては、酢酸などのモノカルボン酸、また、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フタル酸、マレイン酸などのジカルボン酸、さらに、酒石酸、クエン酸、乳酸、サリチル酸などのオキシカルボン酸が挙げられる。
【００２５】
このうち、カルボン酸水溶液は多座配位子となるカルボン酸を有することが好ましい。多座配位子となるカルボン酸を有するカルボン酸水溶液では、カルボン酸と銅がキレートを形成することにより銅錯体の安定性が非常に大きくなる。この結果、接合に必要な温度をより低温化させることができる。なお、酒石酸がキレートを形成することについては、「理化学辞典  第４版（岩波書店）」の第５９３頁に記載されている。また、酒石酸、シュウ酸などがキレートを形成することは「ヘスロップジョーンズ  無機化学（下）  齋藤喜彦  訳」の第６６６頁に記載されている。ここで、キレート化とは、多座配位子によって環が形成されることにより錯体の安定度が非常に大きくなることをいう。以下の説明では、溶液３０としてクエン酸水溶液を用いた場合について記載する。
【００２６】
室温で１分程度放置すると、第１の微細結晶層１２の最表面に形成された酸化銅が溶液３０中に溶出し、消失する。また、第２の微細結晶層２２の最表面に形成された酸化銅が溶液３０中に溶出し、消失する。第１の微細結晶層１２および第２の微細結晶層２２の最表面に形成された酸化銅が溶液３０に溶出することにより、第１の被接合部１０の最表面（接合面側の露出面）および第２の被接合部２０の最表面（接合面側の露出面）にそれぞれ第１の微細結晶層１２および第２の微細結晶層２２を構成する銅が露出する。また、溶液３０中では、配位子となるクエン酸イオンと銅イオンとにより銅錯体が形成される。本実施の形態では、銅錯体は、［Ｃｕ２（Ｃ６Ｈ５Ｏ７）２］４−で表される加熱分解性の銅錯イオンとして存在すると考えられる。なお、クエン酸は銅に対して不活性であるため、最表面の酸化物層を除く第１の微細結晶層１２および第２の微細結晶層２２の銅はクエン撒水溶液と応せずに残存している。
【００２７】
次に、図３（Ｂ）に示すように、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との間の距離を縮めるように、プレス機を用いて第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを加圧する。加圧時の圧力は、たとえば、１〜３０ＭＰａである。
【００２８】
次に、図４（Ａ）に示すように、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを加圧した状態で銅の再結晶化温度以下の温度条件下（たとえば、１２５℃〜２００℃）で加熱することにより溶液３０中の銅以外の成分を除去して銅を析出または部分的に再結晶化させる。本実施の形態では、加熱により水分が蒸発するとともに、銅錯イオン及びクエン酸成分が熱分解する。これにより、溶液３０において銅の割合が徐々に高まるとともに、プレス機による加圧により第１の被接合部１０の最表面と第２の被接合部２０の最表面との距離が徐々に近づく。
【００２９】
次に、図４（Ｂ）に示すように、溶液３０中の銅以外の成分の除去が完了すると、第１の被接合部１０の最表面と第２の被接合部２０の最表面とが酸化銅由来の銅からなる析出銅（図示せず）により拡散接合される。この析出銅は、配向性および安定性が優れている。最終的な析出銅の厚さは、第１の微細結晶層１２の最表面に形成された酸化銅の厚さと、第２の微細結晶層２２の最表面に形成された酸化銅の厚さの和と同程度である。析出銅により拡散接合が完了した後、加熱を停止して析出銅による接合部分を徐々に室温程度まで冷却する。なお、加熱開始から加熱停止までの時間は、たとえば、１０分間である。冷却完了後、加圧を解除し、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合工程が完了する。
【００３０】
以上の工程により、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合界面Ａと直交する方向の線Ｂ上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第１の被接合部１０および第２の被接合部２０に比べて、接合界面近傍、すなわち、第１の微細結晶層１２、第２の微細結晶層２２および両者の間に形成された析出銅からなる領域の方が多くなっている金属接合構造１００が得られる。
【００３１】
図４（Ｂ）に示した金属接合構造１００では、第１の微細結晶層１２および第２の微細結晶層２２が接合界面Ａに沿って延在している。このため、接合界面Ａと直交する方向の任意の線Ｂ上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第１の被接合部１０および第２の被接合部２０に比べて、接合界面近傍の方が多くなっている。これに対して、接合時の温度、圧力、時間等の接合条件を変えることにより、第１の微細結晶層１２および第２の微細結晶層２２の一部の再結晶化を進行させることで、微細結晶層を被接合部の銅の結晶粒径と同等な銅の結晶層とすることができる。これにより、図１に示すような、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０と接合界面と直交する方向の線上において、単位長さ当たりの銅の粒界の数が母材となる第１の被接合部１０および第２の被接合部２０に比べて接合界面近傍の方が多くなっている領域が部分的に存在する金属接合構造１００を得ることができる。
【００３２】
なお、上述した金属接続方法では、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０の両方に微細結晶層を設けているが、微細結晶層を第１の被接合部１０、第２の被接合部２０のいずれか一方にのみ形成してもよい。この場合には、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合界面に対していずれか一方の側に微細結晶層が部分的または全面的に形成される。
【００３３】
以上説明した金属接続方法によれば、真空装置などの大がかりな設備を用いることなく、比較的低温な条件下で銅同士を接合することができる。具体的には、微細結晶層の最表面に形成された酸化銅が溶液３０中に溶出することにより、被接合部の最表面に銅が露出する、言い換えると被接合部の接合面が活性化される。被接合部の接合面が活性化された後、析出銅４０を介して第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とが接合される。これにより、第１の被接合部１０の接合面と析出銅４０との間および第２の被接合部２０の接合面と析出銅４０との間にボイドが発生したり副生成物が介在することが抑制されるため、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接続信頼性を高めることができる。
【００３４】
さらに、本実施の形態では、接合時の加熱温度を銅の再結晶化温度以下とすることで、被接合部間の接合界面近傍に微細結晶層が存在している。この微細結晶層によって、被接合部間の接合強度の増大を図ることができる。微細結晶層がより微細になるほど、接合強度が高まる。このため、より微細な微細結晶層を作製する方法として、スパッタ法が好適である。
【００３５】
また、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接合を担う析出銅として、第１の微細結晶層１２と第２の微細結晶層２２の酸化被膜として存在していた酸化銅由来の銅が用いられているため、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０とを接合するために、接合材料を別途用意する必要がない。このため、第１の被接合部１０と第２の被接合部２０との接続に要するコストを低減することができる。
【００３６】
（実施例１）
実施例１では、厚さ１ｍｍの一対の銅板の表面に、それぞれ研磨により微細結晶層を形成した。微細結晶層が対向するように銅板の間にクエン酸水溶液（濃度１０％）を充填し、２００℃、５．８ＭＰａ、６０分の接合条件にて上述した拡散接合により銅板同士を接合した。得られた接合体について引っ張り強度を測定したところ、最大応力は４８．３ＭＰａであった。
【００３７】
図５は、実施例１で得られた接合体の断面ＳＥＭ写真像である。図５の右図のＳＥＭ写真像において、接合界面Ａを含む長方形の領域Ｒ内について銅の粒界に沿って点線を引いた。接合界面Ａと直交する方向の線Ｂ上について、２μｍごとに銅の粒界の数をカウントした。図６に、接合界面と直交する方向の距離と銅の粒界の数との関係を示す。接合界面と直交する方向の距離が４〜６μｍの領域は、図５の接合界面Ａを含む領域（接合界面近傍の領域）に相当する。図６に示すように、接合界面近傍の領域はこれ以外の領域に比べて銅の粒界の数が大幅に増大しており、接合界面近傍の領域に上述した銅の微細結晶層が形成されていることが確認された。
【００３８】
（比較例１）
比較例１では、微細結晶層を形成せず、厚さ１ｍｍの一対の銅板の間にクエン酸水溶液（濃度１０％）を充填し、４００℃、５．８ＭＰａ、６０分の接合条件にて上述した拡散接合により銅板同士を接合した。得られた接合体について引っ張り強度を測定したところ、最大応力は２３．１ＭＰａであった。
【００３９】
実施例１および比較例１の結果により、被接合部の接合面側の表面に微細結晶層を形成し、接合時に温度を銅の再結晶化温度以下とすることにより、得られる接合体の接合強度を大幅に向上させることができることが確認された。
【００４０】
（金属接合構造の応用例）
上述した金属接合構造および金属接合方法の応用例として、図７〜図９を参照して半導体装置に適用した例を説明する。
【００４１】
まず、図７（Ａ）に示すように、半導体チップ５００を準備する。半導体チップ５００は、半導体基板５１０、素子電極５２０および絶縁樹脂層５３０を有する。半導体基板５１０はたとえば、Ｓｉ基板であり、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）などが形成されている。素子電極５２０は、たとえばＡｌをパターニングすることにより形成することができる。絶縁樹脂層５３０は、半導体基板５１０の電極形成面を被覆する保護層であり、素子電極５２０が露出するような開口が設けられている。絶縁樹脂層５３０は、たとえば、ポリイミドで形成される。
【００４２】
次に、図７（Ｂ）に示すように、素子電極５２０の上にメッキ法やスパッタ法などにより銅ポスト５４０を形成する。銅ポスト５４０の高さは、たとえば、５μｍ〜１００μｍである。
【００４３】
次に、図７（Ｃ）に示すように、銅ポスト５４０の頂部面が露出するように、絶縁樹脂層５３０の上に絶縁樹脂層５５０を形成する。この工程では、絶縁樹脂層５５０の厚さを予め調節してラミネートする方法や、銅ポスト５４０より厚い絶縁樹脂層を形成した後、Ｏ２プラズマエッチングにより、銅ポスト５４０の頂部面を露出させる方法を用いることができる。
【００４４】
次に、図８（Ａ）に示すように、銅ポスト５４０の頂部面に微細結晶層５６０を形成する。微細結晶層５６０の形成方法は、上述した金属接合方法の図２（Ｂ）で説明した方法（研磨法、スパッタ法、メッキ法など）のいずれかを採用することができる。
【００４５】
半導体チップ５００とは別に、図８（Ａ）に示すように、配線基板６００を用意する。配線基板６００は、絶縁樹脂層６１０、基板電極６２０、基板電極６３０、絶縁樹脂層６４０および絶縁樹脂層６５０を有する。
【００４６】
絶縁樹脂層６１０を構成する材料としては、たとえば、ＢＴレジン等のメラミン誘導体、液晶ポリマー、エポキシ樹脂、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミド等の熱硬化性樹脂が例示される。
【００４７】
基板電極６２０は絶縁樹脂層６１０の一方の側（本実施の形態では半導体素子接続面）に設けられており、銅で形成されている。基板電極６２０は絶縁樹脂層６１０の一方の側に設けられた所定パターンの配線層（図示せず）と電気的に接続されている。基板電極６３０は、絶縁樹脂層６１０の他方の側に設けられており、銅で形成されている。基板電極６３０は、絶縁樹脂層６１０の他方の側に設けられた所定パターンの配線層（図示せず）と電気的に接続されている。基板電極６２０と基板電極６３０とは絶縁樹脂層６１０を貫通するビア導体（図示せず）により電気的に接続されている。
【００４８】
次に、図９（Ａ）に示すように、配線基板６００に設けられた基板電極６２０と、半導体チップ５００に設けられた銅ポスト５４０とが対向するように、配線基板６００と半導体チップ５００とを位置合わせする。
【００４９】
次に、上述した金属接合方法の図３（Ａ）〜図４（Ｂ）で説明した接合方法を適用することにより、図９（Ｂ）に示すように、基板電極６２０と銅ポスト５４０とを接合することができる。
【００５０】
以上の工程により、上述した金属接続構造を有する半導体装置７００を作製することができる。半導体装置７００に上述した金属接続構造を適用することにより、基板電極６２０と銅ポスト５４０との接続強度を向上させることができ、ひいては、半導体装置の動作信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０  第１の被接合部、１２  第１の微細結晶層、２０  第２の被接合部、２２  第２の微細結晶層、５００  半導体チップ、５１０  半導体基板、５２０  素子電極、５４０  銅ポスト、６００  配線基板、６２０  基板電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図５】
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【図６】
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