(57)【要約】【課題】高品位な画像表示を行い、製品信頼性の高い電気光学装置を供給する事。【解決手段】電気光学装置は、素子と、素子に対応する様に設けられた反射膜と、反射膜と素子との間に設けられた絶縁膜と、反射膜上に設けられた増反射膜と、を含み、反射膜は、絶縁膜側からチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜とが積層されており、チタン膜は、面方位がＴｉ｛００２｝が相対的に強く、窒化チタン膜は、面方位がＴｉＮ｛１１１｝が相対的に強く、アルミニウム膜は、面方位がＡｌ｛１１１｝が相対的に強い。こうすると、反射膜の表面が平滑となる。反射膜を反射型の画素電極９ａとすると、正反射率を向上させ、その結果、表示画像の品位を向上させる事ができる。又、増反射膜が防水性を兼ね備えるので、電気光学装置の製品信頼性も向上する。【選択図】図３
2014092694.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子と、前記素子に対応する様に設けられた反射膜と、前記反射膜と前記素子との間に
設けられた絶縁膜と、前記反射膜上に設けられた増反射膜と、を含み、
前記反射膜は、前記絶縁膜側からチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜とが積層さ
れており、
前記チタン膜は、面方位がＴｉ｛００２｝の面積が５０％以上であり、
前記窒化チタン膜は、面方位がＴｉＮ｛１１１｝の面積が５０％以上であり、
前記アルミニウム膜は、面方位がＡｌ｛１１１｝の面積が５０％以上である事を特徴と
する電気光学装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は硼素と燐とを含む酸化珪素膜である事を特徴とする請求項１に記載の電気
光学装置。
【請求項３】
前記増反射膜は、酸化珪素膜と窒化珪素膜とが積層されている事を特徴とする請求項２
に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁膜における前記硼素の重量割合は２ｗｔ％から６ｗｔ％の範囲にある事を特徴
とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターは、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置に光を照射し、これらの
電気光学装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である
。これは光源から発せられた光を電気光学装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変
調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成
される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される電
気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における
光の旋光性とを利用して画像を形成している。
【０００３】
反射型の液晶装置の一例は特許文献１に記載されている。特許文献１の図３に記載され
ている様に、液晶装置では、基板本体の一方面側に画素トランジスター、ノンドープ酸化
珪素膜からなる層間絶縁膜、ドープト酸化珪素膜からなる応力緩和膜、アルミニウム膜等
からなる反射型の画素電極、酸化珪素膜等からなる平坦化絶縁膜、斜方蒸着膜からなる配
向膜、がこの順に設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１０８１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、反射型の画素電極による光
の乱反射が大きいという課題があった。反射型の電気光学装置においては、表面平坦性に
優れた画素電極を形成する事が、表示画像の輝度を向上させたり、或いはコントラスト比
を向上させたりする上で、極めて重要となる。従来の画素電極はアルミニウム膜等の金属
からなり、アルミニウムを構成する多結晶粒の面方位の違いや結晶粒界に存在するヒロッ
クに起因して、画素電極の表面は凹凸となっていた。この画素電極表面の凹凸（表面荒れ
）は、光の乱反射の原因となり、正反射率（鏡面反射率）の低下をもたらしていた。正反
射率の低下は表示画像の輝度低下、或いは隣接画素間での反射光混合によるコントラスト
比の低下等の悪影響をもたらす。換言すると、従来の電気光学装置では、反射型の画素電
極の表面粗さが制御されていなかった為に、乱反射の割合が大きく、その結果、表示画像
の品位が低いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形
態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
本適用例に係わる電気光学装置は、素子と、素子に対応する様に設けられた反射膜と、
反射膜と素子との間に設けられた絶縁膜と、反射膜上に設けられた増反射膜と、を含み、
反射膜は、絶縁膜側からチタン膜と窒化チタン膜とアルミニウム膜とが積層されており、
チタン膜は、面方位がＴｉ｛００２｝の面積が５０％以上であり、窒化チタン膜は、面方
位がＴｉＮ｛１１１｝の面積が５０％以上であり、アルミニウム膜は、面方位がＡｌ｛１
１１｝の面積が５０％以上である事を特徴とする。
この構成によれば、反射膜の表面が平滑となるので、正反射率を向上させる事ができる
。換言すると、反射型の画素電極の表面粗さが小さい為に、乱反射の割合が低く、その結
果、表示画像の品位を向上させる事ができる。
【０００８】
上記適用例に係わる電気光学装置において、絶縁膜は硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂ
ｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜と称する）である
事が好ましい。
この構成によれば、チタン膜で面方位がＴｉ｛００２｝を相対的に強くする事ができ、
これに応じて窒化チタン膜で面方位がＴｉＮ｛１１１｝を相対的に強くし、アルミニウム
膜で面方位がＡｌ｛１１１｝を相対的に強くする事ができる。その結果、反射膜の表面を
平滑にする事ができる。
【０００９】
上記適用例に係わる電気光学装置において、増反射膜は、酸化珪素膜と窒化珪素膜とが
積層されている事が好ましい。
この構成によれば、増反射膜により反射膜の正反射率を高める事ができる。又、絶縁膜
に使用されているＢＰＳＧ膜は吸水性に富むが、酸化珪素膜と窒化珪素膜とが積層された
膜は防水性に優れる為、増反射膜によりＢＰＳＧ膜中の水分をＢＰＳＧ膜に閉じ込めてお
く事ができる。電気光学装置として液晶装置を採用した場合、ＢＰＳＧ膜中の水分が液晶
層に浸入する事を増反射膜によって防ぐ事ができる。即ち、表示品位の高い電気光学装置
の製品信頼性を高める事ができる。
【００１０】
上記適用例に係わる電気光学装置において、絶縁膜における硼素の重量割合は２ｗｔ％
から６ｗｔ％の範囲にある事が好ましい。
この構成によれば、チタン膜で面方位がＴｉ｛００２｝を相対的に強くする事ができ、
これに応じて窒化チタン膜で面方位がＴｉＮ｛１１１｝を相対的に強くし、アルミニウム
膜で面方位がＡｌ｛１１１｝を相対的に強くする事ができる。その結果、反射膜の表面を
平滑にする事ができる。
【００１１】
上記適用例に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、高い表示品位を有し、製品信頼性も高い電気光学装置を用いた電子
機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係わる電気光学装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図。
【図４】画素電極付近の拡大断面図。
【図５】電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図において
は、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは
異ならせしめている。
【００１４】
（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は、実施形態１に係わる電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。以下
、図１を参照して電気光学装置の電気的な構成を説明する。尚、以下の説明で参照する図
においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材
毎に縮尺を異ならしめてある。又、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは
表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味
し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される
層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（
素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味す
る。
【００１５】
図１に示す様に、本実施形態では、電気光学装置は、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａ
ｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードの液晶装置１０
０である。こうした液晶装置１００は、その中央領域に複数の画素１００ａが行列状に配
列された画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を備えている。液晶装置１
００は素子基板１０（図２参照）を有する。素子基板１０において、画像表示領域１０ａ
の内側で複数本のデータ線６ａと、これらのデータ線６ａと交差する複数本の走査線３ａ
が縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている
。画素１００ａの各々には、素子と、各素子に対応する様に設けられた反射膜とが設けら
れている。素子には電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トラン
ジスター３０が用いられ、反射膜は後述する画素電極９ａである。画素トランジスター３
０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには
走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａ
が電気的に接続されている。尚、電界効果型トランジスターにおけるソースとドレインと
は電位に応じて入れ替わり得るが、ここでは説明の便宜を図る為に、画素電極９ａが接続
されている側をドレインとし、データ線６ａが接続されている側をソースとしている。こ
の様にして、液晶装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極
９ａ及び複数の画素トランジスター３０が形成されている。尚、各画素に形成される素子
は、電界効果トランジスターに限らず、バイポーラトランジスターなどのその他のトラン
ジスターや、或いは非線形抵抗素子、更には、これらを組み合わせた回路であっても構わ
ない。
【００１６】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデ
ータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電
気的に接続しており、不図示の画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに
順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信
号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１７】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２参照）に形成
された共通電極２１（図２参照）と液晶層５０（図２参照）を介して対向し、液晶容量５
０ａを構成している。又、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の
変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態
では、保持容量５５を構成するために、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って
延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定
電位配線７ｒに導通している。
【００１８】
「液晶装置の構成」
図２は、実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図であり、（ａ）は液晶装置を各
構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’における断面図
である。次に、図２を参照して電気光学装置の構造を説明する。尚、以下の形態において
、「○○上に」或いは「○○の上層側に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置
される場合或いは○○の上層側に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成
物を介して配置される場合或いは○○の上層側に他の構成物を介して配置される場合、又
は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合或い
は○○の上層側に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、
を表すものとする。
【００１９】
図２に示す様に、液晶装置１００では、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基
板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１
０７は対向基板２０の外縁に沿う様に枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化
樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラ
スファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶装置１
００において、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲ま
れた領域内には、各種液晶材料（電気光学物質）からなる液晶層５０（電気光学物質層）
が設けられている。本実施形態において、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとし
て利用される途切れ部分が形成されており、こうした液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の
注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２０】
こうした構成の液晶装置１００において、素子基板１０及び対向基板２０はいずれも四
角形であり、液晶装置１００の略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａ
が四角形の領域として設けられている。この画像表示領域１０ａの形状に対応して、シー
ル材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１
０ｃになっている。
【００２１】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆
動回路１０１及び複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に
沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。尚、端子電極１０２には、フレキシブル
配線基板（図示せず）が接続され、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各
種電位や各種信号が入力される。
【００２２】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓ及び他方面１０ｔ
のうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、
図１を参照して説明した画素トランジスター３０、及び画素トランジスター３０に電気的
に接続する画素電極９ａが行列状に形成されており、こうした画素電極９ａの上層側には
配向膜１６が形成されている。
【００２３】
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１
０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０
ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画
素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士がダミー画素電極９ｂより細幅の連結部
（図示せず）で繋がっている。又、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加され
ており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。又、ダ
ミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦
化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、配向膜１
６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。尚、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せ
ず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミ
ー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、
配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２４】
対向基板２０の一方面２０ｓ及び他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面
２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面
或いは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本実施形態に
おいて、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２５】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され
、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光層２９は、画像表示領域１
０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周
縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。又、遮光層２９は、隣り合う画素電極
９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリックス部２９ｂとしても形
成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されて
おり、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置に
ある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２６】
液晶装置１００において、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓ
の側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１
０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に
基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部
からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導
通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０
２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒
子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板
間導通用電極１９、基板間導通材１０９及び基板間導通用電極２５を介して、素子基板１
０側に電気的に接続されている。こうして、共通電極２１には、素子基板１０から共通電
位Ｖｃｏｍが印加される。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外
周縁に沿って設けられている。即ち、シール材１０７の平面視における配置形状は、略四
角形となる。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導
通用電極１９、２５を避けて内側を通る様に設けられており、シール材１０７の角部分は
略円弧状である。
【００２７】
液晶装置１００は反射型の電気光学装置であり、共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透
光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形
成されている。これに関しては後に詳述する。こうした反射型の液晶装置（液晶装置１０
０）では、素子基板１０及び対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素
子基板１０で反射して出射される際に、画像信号に応じて変調されて画像を表示する。
尚、以下の形態において、「透光性」と記載された場合、少なくとも電気光学装置に入
射する光を透過することを表すものとする。
【００２８】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー
表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０或いは素子基板１０には、カ
ラーフィルター（図示せず）が形成される。又、液晶装置１００は、電子ペーパーとして
用いることできる。又、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホ
ワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、
偏光板等が液晶装置１００に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は
、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブと
して用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色
分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射され
ることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２９】
本実施形態では、液晶装置１００が投射型表示装置のＲＧＢ用反射型ライトバルブであ
る場合を中心に説明する。又、液晶装置１００では、液晶層５０として、誘電異方性が負
のネマチック液晶化合物が用いられ、ＶＡモードの表示を行う場合を中心に説明する。
【００３０】
「画素構成」
図３は、実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図であり、（ａ）は素子基板にお
ける画素の平面図、（ｂ）は液晶装置１００のＦ−Ｆ′断面図である。次に、図３を参照
して画素１００ａの構造を説明する。尚、図３（ａ）では、各層を以下の線で示してある
。
下層側の下側遮光層８ａ＝細くて長い破線。
半導体層１ａ＝細くて短い点線。
走査線３ａ＝太い実線。
ドレイン電極４ａ＝細い実線。
データ線６ａ及び中継電極６ｂ＝細い一点鎖線。
容量線５ｂ＝太い一点鎖線。
上層側の上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂ＝細い二点鎖線。
画素電極９ａ＝太い破線。
又、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやす
い様に、端部の位置をずらしてある。
【００３１】
図３（ａ）に示す様に、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓに
は、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａ
により挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが形成されている
。画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方
向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａ
は、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している
。又、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成され
ており、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域及びその付
近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、こうした
容量線５ｂには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。本実施形態において、容量線５ｂは
、走査線３ａ及びデータ線６ａに重なる様に延在して格子状に形成されている。画素トラ
ンジスター３０の上層側には上側遮光層７ａが形成されており、上側遮光層７ａはデータ
線６ａに重なる様に延在している。画素トランジスター３０の下層側には下側遮光層８ａ
が形成されており、下側遮光層８ａは、走査線３ａと重なる様に直線的に延びた主線部分
と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なる様に延びた副線部分
と、を備えている。
【００３２】
図３（ｂ）に示す様に、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体
１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に形成された
画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、及び配向膜１６を主体と
して構成されている。反射膜である画素電極９ａと素子である画素トランジスター３０と
の間には、第四層間絶縁膜４５等の絶縁膜が設けられている。対向基板２０は、石英基板
やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対
向する一方面２０ｓ）に形成された遮光層２９、共通電極２１、及び配向膜２６を主体と
して構成されている。
【００３３】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン
膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の下側遮光
層８ａが形成されている。下側遮光層８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮
光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、こうした反射
光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生す
ることを防止する。尚、下側遮光層８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、
後述するゲート電極３ｃと下側遮光層８ａを導通させた構成とする。
【００３４】
基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側において、下側遮光層８ａの上層側には、透光性の下
地絶縁膜１２が形成されており、こうした下地絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備
えた画素トランジスター３０が形成されている。下地絶縁膜１２は、意図的に不純物を導
入してない酸化珪素膜（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＮＳＧ膜
と称する）や、或いは、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌ
ａｓｓ、ＰＳＧ膜と称する）、硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇ
ｌａｓｓ、ＢＳＧ膜と称する）、硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈ
ｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜と称する）等の酸化珪素膜（シリケート
ガラスも含む。）や、窒化珪素膜からなる。こうした下地絶縁膜１２は、シランガス（Ｓ
ｉＨ4）、２塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・
エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボート
レート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法
や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００３５】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａ
と、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部
分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる
。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶
縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して
対向するチャネル形成領域１ｇを備えているとともに、チャネル形成領域１ｇの両側にソ
ース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構
造を有している。従って、ソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃは各々、チャネル形成領
域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル形成領域１ｇとは反対側
で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３６】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲ
ート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化した酸化珪素膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと
、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜から
なる第２ゲート絶縁層２ｂとの二層構造からなる。ゲート電極３ｃ及び走査線３ａは、導
電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からな
る。本実施形態において、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシ
リサイド膜との二層構造をなしている。
【００３７】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化珪
素膜等からなる透光性の第一層間絶縁膜４１が形成され、第一層間絶縁膜４１の上層側に
は、ドレイン電極４ａが延在している。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、
金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において
、ドレイン電極４ａは窒化チタン膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレ
イン領域１ｃ（画素電極側のドレイン領域）と一部が重なる様に形成されており、第一層
間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領
域１ｃに導通している。
【００３８】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性のエッチングストッパー
層４９、及び透光性の誘電体層４０が形成されており、こうした誘電体層４０の上層側に
は容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシ
リコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸
化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘
電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シ
リサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において、容量
線５ｂは、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜との三層構造となっている
。容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５
を構成している。
【００３９】
容量線５ｂの上層側には第二層間絶縁膜４２が形成されており、第二層間絶縁膜４２の
上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。第二
層間絶縁膜４２は酸化珪素膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂとは、導電性のポリ
シリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施
形態において、データ線６ａ及び中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜
とアルミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。データ線６ａは、第二層間
絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫
通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域
）に導通している。中継電極６ｂは、第二層間絶縁膜４２及びエッチングストッパー層４
９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４０】
データ線６ａ及び中継電極６ｂの上層側には酸化珪素膜等からなる透光性の第三層間絶
縁膜４４が形成されており、こうした第三層間絶縁膜４４の上層側には、上側遮光層７ａ
及び中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。第三層間絶縁膜４４は、例え
ば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸
化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成した酸化珪素膜からなり、その表面
は平坦化されている。上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金
属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態において、
上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウ
ム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。中継電極７ｂは、第三層間絶縁膜４４を
貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上側遮光層７ａ
は、データ線６ａと重なる様に延在しており、遮光層として機能している。尚、上側遮光
層７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４１】
上側遮光層７ａ及び中継電極７ｂの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性の第四層
間絶縁膜４５が形成されており、この第四層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜
やアルミニウム合金膜等を含む反射性金属膜の画素電極９ａ（反射膜）が形成されている
。第四層間絶縁膜４５には、第四層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコ
ンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介
して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、
中継電極６ｂ及びドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
画素電極９ａの上には、増反射膜１８が設けられている。増反射膜１８は、第１屈折率を
有する第１透光膜１８１と、第２屈折率を有する第２透光膜１８２と、を少なくとも含ん
でいる。この結果、増反射膜１８は、画素電極９ａの表面での反射率を高めると共に防湿
膜ともなっている。第四層間絶縁膜４５と画素電極９ａと増反射膜１８とに関しては、後
に詳述する。
【００４２】
増反射膜１８の上面には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されてい
る。本実施形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、Ｍｇ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配
向膜）からなる。
【００４３】
「対向基板の構成」
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）
の液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する一方面２０ｓ）には、遮光層２９、酸化
珪素膜等からなる絶縁膜２８、及びＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形
成されており、共通電極２１を覆う様に、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜２６が
形成されている。本実施形態において、共通電極２１はＩＴＯ膜からなり、配向膜２６は
、配向膜１６と同様に、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉ
ｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
配向膜１６と配向膜２６とは、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合
物を傾斜垂直配向させ、液晶装置１００は、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作す
る。本実施形態では、配向膜１６と配向膜２６として、各種無機配向膜のうち、酸化珪素
膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００４４】
尚、図１及び図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０
４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターと
を備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスター
は、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。この為
、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が形成されて
いる領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４５】
「画素電極」
図４は、画素電極付近の拡大断面図である。次に、図４を参照して画素電極９ａ付近の
構造（第四層間絶縁膜４５から増反射膜１８までの構造）を説明する。尚、図１及び図２
を参照して説明したダミー画素電極９ｂが形成されている周辺領域１０ｂも、第四層間絶
縁膜４５から増反射膜１８まで同じ構造をなしているので、以下では画素電極９ａと記載
して説明するが、以下の内容はダミー画素電極９ｂにも適用される。
【００４６】
図４に示す様に、第四層間絶縁膜４５は、下層のＮＳＧ膜４５Ｎとこの上に形成された
上層のドープト酸化珪素膜４５Ｄとを有している。画素電極９ａは、絶縁膜側（本実施形
態では第四層間絶縁膜４５）から下層に位置するチタン膜９１と中間層にあたる窒化チタ
ン膜９２と上層に位置するアルミニウム膜９３とが積層された三層構造になっている。チ
タン膜９１では、面方位がＴｉ｛００２｝が相対的に強く、窒化チタン膜９２では、面方
位がＴｉＮ｛１１１｝が相対的に強く、アルミニウム膜９３では、面方位がＡｌ｛１１１
｝が相対的に強くなっている。金属膜で｛ｈｋｌ｝の面方位が相対的に強いとは、平面視
で金属膜の表面が、（ｈｋｌ）の結晶面とこれに等価な結晶面となっている割合が大きい
との意味である。物理的には、概ね、金属膜の表面の５０％以上の面積で、（ｈｋｌ）の
結晶面とこれに等価な結晶面となっている場合に、金属膜で｛ｈｋｌ｝の面方位が相対的
に強いと言える。従って、例えば、「チタン膜９１では、面方位がＴｉ｛００２｝が相対
的に強い」とは、チタン膜９１の表面で、チタンの次に記す６つの結晶面の面積の総和が
、表面積の５０％以上となっている事を意味する。
【００４７】
【化１】
2014092694.tif 000003
【００４８】
画素電極９ａの最表面となるアルミニウム膜９３でＡｌ｛１１１｝が相対的に強くなっ
ていると、反射膜である画素電極９ａの表面が平滑となるので、乱反射の割合が減り、正
反射率が向上する事になる。
【００４９】
ドープト酸化珪素膜４５Ｄは、少なくとも硼素を含み、硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒ
ｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＳＧ膜）か、或いは、硼素と燐とを含む酸化珪素
膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜）である。
本実施形態では、ＢＰＳＧ膜が使用されている。絶縁膜における硼素の重量割合は２ｗｔ
％から６ｗｔ％の範囲にある事が好ましく、理想的には４ｗｔ％である。ＢＳＧ膜やＢＰ
ＳＧ膜の表面に画素電極９ａを形成するが、絶縁膜における硼素の重量割合を２ｗｔ％以
上とすると、チタン膜で面方位がＴｉ｛００２｝を相対的に強くする事ができ、これに応
じて窒化チタン膜で面方位がＴｉＮ｛１１１｝を相対的に強くし、アルミニウム膜で面方
位がＡｌ｛１１１｝を相対的に強くする事ができる。その結果、反射膜の表面を平滑にす
る事ができる。又、ＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜は吸湿性に富むが、絶縁膜における硼素の重量
割合を６ｗｔ％以下とすると、ＢＳＧ膜やＢＰＳＧ膜等の絶縁膜に含まれる水分が液晶装
置１００の動作に悪影響を与える可能性が低くなる。本実施形態では、硼素の重量割合が
４ｗｔ％のＢＰＳＧ膜をドープト酸化珪素膜４５Ｄとした。
【００５０】
第四層間絶縁膜４５をなすＮＳＧ膜４５Ｎは、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガ
スとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、或いは、シランガスと
亜酸化窒素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、により形
成された後に、化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉ
ｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ法）により平坦化されている。本実施形態では、テトラエトキシシラ
ンと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法で酸化珪素膜が堆積された後にＣＭＰ法によって平
坦化されて、ＮＳＧ膜４５Ｎとなった。
【００５１】
第四層間絶縁膜４５をなすドープト酸化珪素膜４５Ｄは、例えば、テトラエトキシシラ
ンとＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）とＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フ
ォスレート）と酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、
或いは、シランガスとジボランガスとフォスヒンガスと亜酸化窒素ガスとを用いた常圧Ｃ
ＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、により形成される。本実施形態では、テト
ラエトキシシランとジボランガスとフォスヒンガスと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法に
より、ＢＰＳＧ膜が形成され、ドープト酸化珪素膜４５Ｄとされた。ドープト酸化珪素膜
４５Ｄの厚みは１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、本実施形態では１７０ｎｍ
であった。ドープト酸化珪素膜４５Ｄの厚みが１００ｎｍ以上であると、ＮＳＧ膜４５Ｎ
を形成する際のＣＭＰ法で生じた微細なひっかき傷（研磨剤による微細な凹凸）を埋め込
んで平坦化できるので、画素電極９ａの表面も平滑となり、乱反射の割合が減り、正反射
率が向上する事になる。ドープト酸化珪素膜４５Ｄの厚みが２００ｎｍ以下であると、第
四層間絶縁膜４５に開口されるコンタクトホール４５ａが深くならず、画素電極９ａと中
継電極７ｂとの電気的接続の信頼性が向上する。
【００５２】
第四層間絶縁膜４５が形成された後に、画素電極９ａとなるチタン膜９１と窒化チタン
膜９２とアルミニウム膜９３との三層の金属が、ＤＣマグネトロンスパッター法で連続形
成される。連続形成とは、三層の金属が真空を破らずに堆積される事を意味する。素子基
板１０はスパッター装置のサセプターに設置されて、三層の金属がスパッター堆積される
が、スパッター時におけるサセプターの温度は３００℃以上４００℃以下の範囲にある。
サセプターの温度が３００℃以上であれば、チタン膜９１で面方位がＴｉ｛００２｝を種
結晶として窒化チタン膜のＴｉＮ｛１１１｝面やアルミニウム膜のＡｌ｛１１１｝面をエ
ピタキシャル成長させる事ができる。サセプターの温度が４００℃以下であれば、スパッ
ター装置が熱変形する事もなく、安定的にスパッター装置を稼働させる事ができる。スパ
ッター時の成膜室における真空度はできる限り低い事が望まれるが、０．２Ｐａ以上４．
０Ｐａ以下の範囲にある事が望まれる。０．２Ｐａ以上の真空度であれば、クライオポン
プやターボ分子ポンプで容易に所望の真空度とする事ができる。即ち、比較的簡単に製造
できる。４．０Ｐａ以下の真空度であれば、１ｎｍ／ｓ以下の堆積速度として三層の金属
を堆積する事で、酸素などの不純物を金属に混入させず、堆積される金属の純度を高く保
つと共に、窒化チタン膜のＴｉＮ｛１１１｝面やアルミニウム膜のＡｌ｛１１１｝面をエ
ピタキシャル成長させる事ができる。上述の如く、エピタキシャル成長させ、アルミニウ
ム膜９３で面方位がＡｌ｛１１１｝の割合を１００％に近づけるには、堆積速度はできる
だけ低い方が好ましい。
【００５３】
チタン膜９１の厚みは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にある事が望まれ、本実施形
態では５０ｎｍである。チタン膜９１の厚みが１０ｎｍ以上あれば、画素電極９ａの表面
をなすアルミニウム膜９３を面方位がＡｌ｛１１１｝が相対的に強い膜とする事ができる
。チタン膜９１の厚みが１００ｎｍ以下であると、三層の金属膜を加工して画素電極９ａ
とする工程が容易となる。
【００５４】
窒化チタン膜９２の厚みは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の範囲にある事が望まれ、本実
施形態では５０ｎｍである。窒化チタン膜９２の厚みが１０ｎｍ以上あれば、画素電極９
ａの表面をなすアルミニウム膜９３で面方位がＡｌ｛１１１｝を相対的に強くした膜とす
る事ができる。窒化チタン膜９２の厚みが１００ｎｍ以下であると、三層の金属膜を加工
して画素電極９ａとする工程が容易となる。
【００５５】
アルミニウム膜９３の厚みは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲にある事が望まれ、
本実施形態では１５０ｎｍである。アルミニウム膜９３の厚みが１００ｎｍ以上あれば、
画素電極９ａの表面反射率が高くなり、反射膜とする事ができる。アルミニウム膜９３の
厚みが３００ｎｍ以下であると、三層の金属膜を加工して画素電極９ａとする工程が容易
となる。
【００５６】
画素電極９ａ形成後に熱処理を行っても良い。熱処理は、アルゴン雰囲気又は窒素雰囲
気と云った不活性気体雰囲気にて、好ましくは２００℃以上３００℃以下の温度範囲で、
３０分以上２時間以下の時間範囲として行う。本実施形態では、窒素雰囲気、２６０℃で
２時間の熱処理を施した。この熱処理はアルミニウム膜９３の結晶再成長（横方向成長）
を促すのではなく、選択的に縦方向に固相エピタキシャル成長（ｓｏｌｉｄ  ｐｈａｓｅ
ｅｐｉｔａｘｙ、ＳＰＥ成長）を起こさせるもので、２００℃以上３００℃以下の温度
範囲にて縦方向にＡｌ｛１１１｝面がＳＰＥ成長する。ドープト酸化珪素膜４５Ｄの上に
、上述の様に三層の金属膜を成膜すると、アズスパッター状態で（スパッター直後には）
、チタン膜９１は、面方位がＴｉ｛００２｝が相対的に強く、窒化チタン膜９２は、面方
位がＴｉＮ｛１１１｝が相対的に強く、アルミニウム膜９３は、面方位がＡｌ｛１１１｝
が相対的に強くなっている。即ち、三層の金属膜の成膜中に、エピタキシャル成長が生じ
、ドープト酸化珪素膜４５Ｄ上のＴｉ｛００２｝から、ＴｉＮ｛１１１｝とＡｌ｛１１１
｝とがエピタキシャル成長している。但し、アズスパッター状態では、幾らかのＡｌ｛１
１１｝以外の配向面が現れている。これらのＡｌ｛１１１｝以外の配向面は、熱処理によ
りＡｌ｛１１１｝面へと最配列される。この様に、熱処理によって、アルミニウム膜９３
では、アズスパッター状態よりも更にＡｌ｛１１１｝の割合が大きくなる。要するに、三
層の金属膜の成膜中には、エピタキシャル成長が生じ、成膜後の熱処理ではＳＰＥ成長が
生じている。成膜後の熱処理は、アズスパッター時におけるエピタキシャル成長の不足分
に対して、再配列（再結晶化と云うＳＰＥ成長）を促す。この様にして、アルミニウム膜
９３は、結晶組織として安定なＡｌ｛１１１｝の割合が増やされる。
【００５７】
アルミニウム膜９３でＡｌ｛１１１｝の割合が増やされると、アルミニウム膜９３を構
成する結晶粒径も増大する。結晶粒径が増大すると、結晶粒界に起因するヒロックの密度
が低減され、アルミニウム膜９３のヒロック耐性も向上する。又、Ａｌ｛１１１｝が強い
ので、結晶面の違いによる結晶粒内での面荒れの程度も低下する。即ち、アルミニウム膜
９３の表面粗さが低減し、平滑度が向上する。この様に画素電極９ａの表面粗さが低減さ
れ、平滑な反射膜とされている。更に、ヒロック耐性も向上して、この後に被る各種熱工
程に対しても、表面状態を比較的平滑に保つ事ができる。この結果、画素電極９ａは熱安
定性に優れた反射電極とされる。
【００５８】
画素電極９ａの上層側には、第１透光膜１８１と第２透光膜１８２とを含む増反射膜１
８が形成される。第１透光膜１８１は酸化珪素膜であり、第２透光膜１８２は窒化珪素膜
である。即ち、増反射膜１８は、酸化珪素膜と窒化珪素膜とが積層されている。第１透光
膜１８１をなす酸化珪素膜の屈折率（第１屈折率）は約１．５であり、厚みは６５ｎｍか
ら９５ｎｍの範囲にある。本実施形態では、第１透光膜１８１の厚さは７５ｎｍ程度であ
る。第１透光膜１８１をなす酸化珪素膜はシランガスと亜酸化窒素とを原料としプラズマ
ＣＶＤ法で形成される。第２透光膜１８２をなす窒化珪素膜の屈折率（第２屈折率）は約
１．９であり、厚みは６５ｎｍから９５ｎｍの範囲にある。本実施形態では、第２透光膜
１８２の厚さは７５ｎｍ程度である。第２透光膜１８２をなす窒化珪素膜はシランガスと
アンモニアとを原料としプラズマＣＶＤ法で形成される。増反射膜１８は、屈折率が異な
る誘電体膜が交互に積層された誘電体多層膜であり、画素電極９ａの表面での反射率を高
めている。本実施形態では、増反射膜１８は第１透光膜１８１と第２透光膜１８２との二
層の積層体であったが、第１透光膜１８１と第２透光膜１８２とを含む三層以上の積層体
としても良い。
【００５９】
増反射膜１８により、反射膜である画素電極９ａの正反射率が高められる。加えて、第
四層間絶縁膜４５に使用されているドープト酸化珪素膜４５Ｄは吸水性に富むが、第１透
光膜１８１と第２透光膜１８２（酸化珪素膜と窒化珪素膜）とが積層された増反射膜１８
は防水性に優れる為、増反射膜１８によりドープト酸化珪素膜４５Ｄの水分をドープト酸
化珪素膜４５Ｄに閉じ込めておく事ができる。電気光学装置として液晶装置１００を採用
した場合、ドープト酸化珪素膜４５Ｄ中の水分が液晶層５０に浸入する事を増反射膜１８
によって防ぐ事ができる。この結果、正反射率が高く、表示品位の高い電気光学装置の製
品信頼性を向上させる事ができる。増反射膜１８の上層側には、前述の如く配向膜１６が
形成される。
【００６０】
「電子機器」
図５は、電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図である。次に図５
を参照して、本実施形態に係る電子機器の一例として投射型表示装置１０００を説明する
。
【００６１】
図５に示す様に、投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光
源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、及び青色光Ｂの３色の色光に
分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の
光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。又、投射型表示装置１００
０は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリ
ズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をス
クリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００６２】
投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフラ
イアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２
１ｉとを備えている。本実施形態では、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１
０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは
、システム光軸と直交する面内に行列状に配置された複数の要素レンズからなり、これら
の要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１
ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成
分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材
１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させる事により、光変調部１０２５に設け
た複数の電気光学装置を各々均一に重畳照明可能とする。
【００６３】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイ
ックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光
学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイック
ミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の
第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで
反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光
を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、及び光学補償
板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（赤色用液晶装置１００Ｒ）に入射
する。
【００６４】
又、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２
３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光
板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０
３２ｇ、及び光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（緑色用液晶
装置１００Ｇ）に入射する。
【００６５】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロ
イックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、
入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏
光板１０３２ｂ、及び光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、電気光学装置（青
色用液晶装置１００Ｂ）に入射する。尚、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９
ｂは、電気光学装置への入射光及び出射光の偏光状態を調整する事で、液晶層の特性を光
学的に補償している。
【００６６】
この様に構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、
１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各電気光学装置において変調される。その際
、電気光学装置から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光
板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ
、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイク
ロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａ及び第２
誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光
Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の
光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に
出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で
合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【００６７】
（他の投射型表示装置）
尚、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用
い、ＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給する様に構成しても良い
。
【００６８】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情
報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、
カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子
機器において直視型表示装置として用いても良い。
【００６９】
以上述べた様に、本実施形態に係る電気光学装置によれば、以下の効果を得る事ができ
る。画素電極９ａである反射膜の表面が平滑となるので、正反射率を向上させる事ができ
る。換言すると、反射型の画素電極９ａの表面粗さが小さい為に、乱反射の割合が低く、
その結果、表示画像の品位を向上させる事ができる。又、増反射膜１８により反射膜の正
反射率を高める事ができる。更に、画素電極９ａの表面粗さを小さくする為に絶縁膜に使
用されているドープト酸化珪素膜４５Ｄは吸水性に富むが、酸化珪素膜と窒化珪素膜とが
積層された増反射膜１８によりドープト酸化珪素膜４５Ｄ中の水分をドープト酸化珪素膜
４５Ｄに閉じ込めておく事ができる。電気光学装置として液晶装置１００を採用した場合
、ドープト酸化珪素膜４５Ｄ中の水分が液晶層５０に浸入する事を増反射膜１８によって
防ぐ事ができる。即ち、表示品位の高い電気光学装置の製品信頼性を高める事ができる。
【００７０】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良な
どを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００７１】
（変形例１）
「Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕの形態」
図４を用いて、本変形例に係わる電気光学装置について説明する。尚、実施形態１と同
一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７２】
本変形例は実施形態１と比べて、アルミニウム膜９３が異なっている。それ以外の構成
は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１では、アルミニウム膜９３は高純度なアル
ミニウムであった。これに対して、本変形例では、アルミニウム膜９３に微量の珪素と銅
とが添加されている（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜と称する）。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜には珪素が１
ｗｔ％以上３ｗｔ％以下の範囲で含まれ、銅が０．３ｗｔ％以上１％以下の範囲で含まれ
ている。アルミニウムと珪素とは相互拡散により共晶を形成し易い。データ線６ａや中継
電極６ｂをアルミニウムにて形成した場合、多結晶シリコン膜中の珪素原子とアルミニウ
ムとが相互拡散しソース領域１ｂやドレイン領域１ｃ、データ線６ａの抵抗が増大する事
がある。これを避けるべく、微量の珪素を予めにアルミニウムに混ぜてデータ線６ａや中
継電極６ｂを形成する。又、銅を混ぜて、エレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーションを抑える。従って、データ線６ａや中継電極６ｂにはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜が使
用される事が多い。同じＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜をアルミニウム膜９３として使用すると、製
造が容易となると共に、実施形態１と同じ効果を得る事ができる。
【００７３】
（変形例２）
「珪素基板を用いる形態」
図３を用いて、本変形例に係わる電気光学装置について説明する。尚、実施形態１と同
一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７４】
本変形例は実施形態１と比べて、素子基板１０が異なっている。それ以外の構成は、実
施形態１とほぼ同様である。実施形態１では、素子基板１０の基板本体１０ｗは石英基板
やガラス基板等の透光性の基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１
ａは多結晶シリコン膜であった。これに対して、本変形例では、素子基板１０の基板本体
１０ｗは単結晶シリコン基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１ａ
は単結晶シリコン基板に形成される。この様に、所謂、シリコン基板を用いた液晶装置（
Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ、所謂ＬＣＯＳ）に本発明を適応
する事もできる。この際にも、実施形態１と同じ効果が得られる。
【符号の説明】
【００７５】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｃ…ドレイン領域、２…ゲート絶縁層、３ａ…
走査線、３ｃ…ゲート電極、４ａ…ドレイン電極、５ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ
…中継電極、７ａ…上側遮光層、７ｂ…中継電極、８ａ…下側遮光層、９ａ…画素電極、
９ｂ…ダミー画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…周辺領域、１
０ｗ…基板本体、１２…下地絶縁膜、１６…配向膜、１８…増反射膜、２０…対向基板、
２０ｗ…基板本体、２１…共通電極、３０…画素トランジスター、４０…誘電体層、４１
…第一層間絶縁膜、４１ａ…コンタクトホール、４２…第二層間絶縁膜、４２ａ…コンタ
クトホール、４４…第三層間絶縁膜、４４ａ…コンタクトホール、４５…第四層間絶縁膜
、４５Ｄ…ドープト酸化珪素膜、４５Ｎ…ＮＳＧ膜、４５ａ…コンタクトホール、４９…
エッチングストッパー層、５０…液晶層、９１…チタン膜、９２…窒化チタン膜、９３…
アルミニウム膜、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１０１…データ線駆動回路、１０
２…端子電極、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１８１…第１透光膜、１８
２…第２透光膜、１０００…投射型表示装置。
【図１】
2014092694.tif 000004
【図２】
2014092694.tif 000005
【図３】
2014092694.tif 000006
【図４】
2014092694.tif 000007
【図５】
2014092694.tif 000008