(57)【要約】【課題】有機層印刷における隔壁による、印刷膜の濡れ上がりや、印刷ムラをなくし、発光ムラのない有機ＥＬ表示装置、その製造方法を提供する。【解決手段】基板１０８上に複数の画素が配列された発光領域を設け、画素を区画する区画絶縁層１２１を形成し、発光領域において、画素毎に配置された画素電極１０９と、画素電極１０９上に配置され、かつ正孔輸送層１１０、有機発光層１１２、電子注入層１１３を有する有機発光媒体層１１５とを形成し、画素電極１０９を区画絶縁層１２１よりも高くする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素が配列された発光領域を有し、前記画素を区画する区画絶縁層と、前記画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極上に配置された有機発光媒体層とを有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素電極が前記区画絶縁層よりも高い
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記画素電極の断面形状が逆テーパー形状になっていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記有機発光媒体層は、正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層が無機材料で形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記正孔輸送層が有機材料であり、前記正孔輸送層が蒸着法で成膜されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記発有機光媒体層の少なくとも１層が、印刷プロセスにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記有機発光媒体層が正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層を無機材料で形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
有機材料からなる前記正孔輸送層を、蒸着法で成膜する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記発有機光媒体層の少なくとも１層を、印刷プロセスにより形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（以下、（有機ＥＬ）という。）表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、両電極から有機発光層に電流を流すことで発光させるものであるが、効率よく発光させるには有機発光層の膜厚が重要であり、１００ｎｍ程度の薄膜にする必要がある。さらに、これをディスプレイパネル化するには高精細にパターニングする必要がある。
有機発光層を形成する有機発光材料には、低分子材料と高分子材料があり、一般に低分子材料は真空蒸着法等により薄膜形成し、このときに微細パターンのマスクを用いてパターニングするが、この方法では基板が大型化すればするほど、パターニング精度が出難いという問題がある。また、真空中で成膜するためにスループットが悪いという問題がある。
【０００３】
そこで、最近では高分子の有機発光材料を溶媒に溶かして塗工液にし、これをウェットコーティング法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。薄膜形成するためのウェットコーティング法としては、スピンコート法、バーコート法、突出コート法、ディップコート法等があるが、高精細にパターニングしたり、ＲＧＢ３色に塗り分けしたりするためには、これらのウェットコーティング法では難しく、塗り分け・パターニングを得意とする印刷法による薄膜形成が最も有効であると考えられる。
【０００４】
凸版印刷法やインクジェット法にて被印刷基板上に有機発光層を形成する場合、濃度が１％前後の有機発光インキがそのままの状態で被印刷基板に転写される。したがって、有機発光インキをＲＧＢ三色に塗りわけする場合、有機発光インキが隣の画素電極まで広がってしまい、混色が生じてしまう。したがって、インキの広がりを抑えるために、隔壁を設けること、隔壁によって仕切られた画素電極内に有機発光インキを印刷することが提案されている（特許文献１、２参照）。
【０００５】
しかし、この隔壁を設けることによって、有機発光層を凸版印刷で形成する場合、隔壁の凸部にインキが取られるため、発光画素の領域の有機膜の印刷にムラが生じる問題があり、また画素内に印刷された有機膜は、隔壁に濡れ上があるため、画素内での膜厚分布が生じてしまう問題があった。
この問題を解決する方法として、隔壁上にも、有機層を印刷することにより、隔壁表面でのはじきや、インキが取られるのを防止し、隔壁による印刷ムラの低減させることが試みられている（特許文献３参照）。しかし、隔壁上への印刷工程が増えるのと、隔壁の凸形状によるインキの転写ムラや、隔壁高さバラツキによるムラの問題が依然として残っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１５５８５８号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０３０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明では、有機層印刷における隔壁による、印刷膜の濡れ上がりや、印刷ムラをなくし、発光ムラのない有機ＥＬ表示装置、その製造方法を提供することを課題とした。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために請求項１に係る発明は、基板上に複数の画素が配列された発光領域を有し、前記画素を区画する区画絶縁層と、前記画素毎に配置された画素電極と、前記画素電極上に配置された有機発光媒体層とを有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素電極が前記区画絶縁層よりも高いことを特徴とする。
上記課題を解決するために請求項２に係る発明は、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記画素電極の断面形状が逆テーパー形状になっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【０００９】
上記課題を解決するために請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記有機発光媒体層は、正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層が無機材料で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
上記課題を解決するために請求項４に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置において、前記正孔輸送層が有機材料であり、前記正孔輸送層が蒸着法で成膜されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【００１０】
上記課題を解決するために請求項５に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置において、前記発有機光媒体層の少なくとも１層が、印刷プロセスにより形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
上記課題を解決するために、請求項６に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記発有機光媒体層が正孔輸送層、インターレイヤー、有機発光層、電子注入層及び陰極を有し、前記正孔輸送層を無機材料で形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【００１１】
上記課題を解決するために請求項７に係る発明は、請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、有機材料からなる前記正孔輸送層を、蒸着法で成膜することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
上記課題を解決するために請求項８に係る発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、前記発有機光媒体層の少なくとも１層を、印刷プロセスにより形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
画素を区画する区画絶縁膜を、画素電極よりも低くすることにより、隔壁の凸部にとられていたインキや、画素内の隔壁によるインキの濡れ上がりの影響をなくすことができる。また、印刷ムラの主要因となっている隔壁による印刷ムラが改善させたとこにより、画素内の有機膜形状の平坦性が向上、発光ムラの大幅な低減と、高輝度化が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図２】従来における有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図３】従来における有機ＥＬ素子の概略断面図である。
【図４】図１に示した有機ＥＬ素子の製造に用いる凸版印刷装置の概略図である。
【図５】画素発光の概略図であって、（ａ）は隔壁上発光ありの場合、（ｂ）は短辺方向に発光が寄った場合、（ｃ）は長辺方向に発光が寄った発光の場合、（ｄ）は非発光の場合、（ｅ）は正常発光（従来発光）の場合、（ｆ）は正常発光（本発明の発光）場合を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置の説明をするために、一例としてアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に関して述べる。ただし、本発明はアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
【００１５】
以下、本発明による有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を、添付図に基づいて説明する。
本発明の一実施形態として、基板（ＴＦＴ付き基板）１０８上に複数の画素（画素領域）が一列に配列された発光領域を有する有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子の模式図を図１に示した。この有機ＥＬ素子は、基板１０８上の発光領域において画素ごとに設けられた画素電極（陽極、下部電極）１０９と、画素電極１０９に対向するように形成された陰極（上部電極）１１４と、画素電極１０９と陰極１１４とに狭持された有機発光媒体層１１５とを有している。
【００１６】
また、有機発光媒体層１１５は、少なくとも発光に寄与する有機発光層１１２と、正孔を注入するキャリア注入層としての正孔輸送層１１０と、電子を注入する層としての電子注入層１１３と、インターレイヤー（電子ブロック層）１１１とを含んでいる。なお、有機発光媒体層１１５としては、画素電極１０９と有機発光層１１２との間の正孔注入層、有機発光層１１２と電子注入層１１３の間のインターレイヤー（正孔ブロック層）等を必要に応じて積層することができる。
さらに、画素（有機ＥＬ素子）を区画する区画絶縁層１２１が設けられ、画素電極１０９は区画絶縁膜１２１よりも高い。すなわち、画素電極１０９の陰極１１４側の面が区画絶縁膜１２１の陰極１１４側の面よりも高い位置にある。
【００１７】
このような有機ＥＬ素子を画素（サブピクセル）として配列することにより、有機ＥＬ表示装置とすることができる。各画素を構成する有機発光層１１２を例えばＲＧＢの３色に塗り分けることで、フルカラーのディスプレイパネルを作製することができた。
本実施形態の有機ＥＬ表示装置では、区画絶縁層１２１を設けることにより、画素電極１０９より低い位置で画素を区画することができるから、有機膜を印刷で形成する際の、隔壁凸部でのインキの取られや、隔壁による画素内の有機層の濡れ上がりを抑制することができる。
【００１８】
以下、本実施形態の有機ＥＬ素子の構成について詳細に説明する。
図１に本発明に用いることができるＴＦＴ基板の例を示した。本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ表示装置に用いる支持体（基板、バックプレーン）１０１には、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）と画素電極１０９が設けられており、かつＴＦＴと画素電極１０９とが電気接続している。
【００１９】
ＴＦＴや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬ素子は支持体１０１で支持される。支持体１０１としては機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた支持体であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化ケイ素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化ケイ素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。光取出しをどちらの面から行うかに応じて支持体１０１の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる支持体１０１は、有機ＥＬ表示装置内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層への水分の侵入を避けるために、支持体１０１における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。
【００２０】
支持体１０１上に設けるＴＦＴは、公知のＴＦＴを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層、ゲート絶縁膜及びゲート電極から構成されるＴＦＴが挙げられる。ＴＦＴの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００２１】
ゲート電極１０２は、特に限定されるものではなく、例えば、Ｔａ（タンタル），Ｍｏ（モリブデン），Ａｌ（アルミニウム），またはその合金を、スパッタリング法、あるいは、蒸着法により、成膜し、その後、フォトリソグラフィー法により、パターニングを行う。
ゲート絶縁層１０３には、絶縁が取れるのであればよく、特に限定されるものではない。例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）をＣＶＤ法で成膜する方法が挙げられる。
【００２２】
活性層１０４は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層１０４は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層し、イオンドーピングする方法；ＳｉＨ４ ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法；Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）；減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。
【００２３】
ソース電極１０５、ドレイン電極１０６の形成方法は、特に限定されるものではないが、例として、信号の遅延を懸念し低抵抗な、Ａｌの合金を蒸着法より成膜し、フォトリソグラフィー法と、エッチングにより、電極をパターニングする方法が挙げられる。
保護層１０７の形成方法は、特に限定されるものではなく、一般的に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）を、ＣＶＤ法、あるいは、蒸着法により形成する方法が挙げられる。
【００２４】
画素電極１０９、ソース電極１０５と画素電極１０９とを接続する電極の材料としては、正孔の注入を効率よく行うために、仕事関数が大きい材料が用いられる。特に通常の有機ＥＬ素子では、画素電極１０９を通して光が放出されるために、画素電極１０９が透明であることが要求され、ＩＴＯ等の導電性金属酸化物が用いられる。本発明のトップエミッション方式では透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて画素電極１０９を形成してもよい。さらに、ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高い反射電極（Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｗなど）を用いることが好ましい。
【００２５】
画素電極１０９の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極１０９のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いて、画素電極１０９の断面が逆テーパー形状になるようにパターニングする。
【００２６】
また、画素電極１０９上には正孔輸送層１１０が配置されている。正孔輸送層１１０は、画素電極１０９から後述する有機発光層１１２への正孔の注入を補助する機能を有する層である。このため、正孔輸送層１１０は画素電極１０９と有機発光層１１２との間に配置される。
正孔輸送層１１０の材料には、ポリエチレンスルホン酸をドープしたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳと称される）や、その誘導体（共重合体など）、遷移金属の酸化物などが含まれる。
【００２７】
遷移金属の酸化物の例には、ＷＯｘ、ＭｏＯｘ、ＴｉＯ２、ＮｉＯ、Ｖ２Ｏ５、ＲｕＯ２およびこれらの組み合わせなどが含まれる。好ましい正孔注入層の材料は、酸化タングステン（ＷＯｘ）または酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）である。正孔輸送層１１０の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１００ｎｍであり、約５０ｎｍでありうる。
正孔輸送層１１０の材料は、遷移金属の酸化物であることが好ましい。印刷で成膜する際、膜厚が不均一になる恐れがあること、ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳを含む正孔輸送層１１０は、導電性であることから、画素間でリーク電流が流れる恐れがある。
【００２８】
一方、遷移金属の酸化物からなる正孔輸送層１１０は、スパッタリングや蒸着などで形成することができ、膜厚を均一に成膜可能であり、画素電極１０９の逆テーパーの箇所で、正孔輸送層１１０の膜が不連続膜になるため、画素間リーク電流を抑制することができる。なお、画素電極１０９から有機発光層１１２へ効率的に正孔を注入できる限り、正孔輸送層１１０は省略されてもよい。この場合、画素電極１０９上に直接有機発光媒体層１１５が配置される。
【００２９】
正孔輸送層１１０形成後、インターレイヤー１１１を形成するが、そのインターレイヤー１１１に用いる材料として、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体、アリールアミン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体などの、芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられる。これらの材料は溶媒に溶解または分散させ、スピンコーター等を用いた各種塗布方法や凸版印刷方法を用いて形成される。また、インターレイヤー１１１形成後、有機発光層１１２を凸版印刷法により形成する。
【００３０】
有機発光層１１２は電流を通すことにより発光する層であり、有機発光層１１２を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ‘−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられる。
【００３１】
これらの有機発光材料は溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でもトルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
【００３２】
次に、有機発光層１１２を形成するのに用いる凸版印刷装置について図４を参照して説明する。
図４は、有機発光材料からなる有機発光インキを、画素電極１０９、区画絶縁層１２１、正孔輸送層１１０が形成された基板（被印刷基板）１０８上にパターン印刷する際のもので、本製造装置はインクタンク４０１とインキチャンバー４０２とアニロックスロール４０３と凸部が設けられた凸版４０５がマウントされた版胴４０６とを有している。インクタンク４０１には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー４０２にはインクタンク４０１より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール４０３はインキチャンバー４０２のインキ供給部に接して回転可能に支持されている。アニロックスロール４０３の回転に伴い、インキ層４０４のインキが凸版４０５の凸部に転移する。ステージ４０８には被印刷基板４０７が設置され、凸版４０５の凸部のインキが被印刷基板４０７に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て、被印刷基板４０７上に有機発光層１１２が形成される。
【００３３】
次に、電子注入層１１３を形成する。材料には透過性が高く、かつ有機発光層１１２への電子注入効率の高い、仕事関数の高い材料を用いる。具体的な材料としては、ＬｉＦ、ＢａＦ2，ＣｓＦ，などの、アルカリ金属及び、アルカリ土類金属の化合物である。その他、有機材料としては、Ａｌｑ３が挙げられる。
電子注入層１１３形成法は、材料に応じ、抵抗過熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。
【００３４】
次に、陰極１１４を形成する。陰極１１４は、電子注入層１１３への水や酸素の浸入を防ぐため、画素全体を覆うように、形成する。具体的な材料としては、Ａｌ，Ｍｇ，Ａｇである。
陰極１１４の形成法は、抵抗過熱法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法を用いることができる。
【００３５】
次に、封止体について説明する。
有機ＥＬ表示装置としては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための封止体（図示せず）を設ける。封止体は例えば封止材上に樹脂層を設けて作製することができる。
【００３６】
封止材としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００３７】
樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。樹脂層を封止材の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止材上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬ表示装置の大きさや形状により任意に決定されるが、５〜５００μｍ程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬ表示装置側に形成することもできる。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の実施例について、説明する。
（実施例）
基板１０８としては、支持体１０１上に設けられたスイッチング素子として機能するＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板１０８のサイズは２００ｍｍ×２００ｍｍでその中に対角５インチのディスプレイが中央に設置されており、この基板１０８上に画素電極１０９を形成させた。形成方法としては、スパッタ法によりＩＴＯ膜を厚さ１５０ｎｍ形成した。
【００３９】
その後、フォトリソグラフィー法と、ドライエッチング及び、ウェットエッチングにより、画素電極１０９の断面を逆テーパー形状にするのと同時に、各画素幅は８０［μｍ］×１５０［μm］となるように、ＩＴＯのパターニングを行った。
基板１０８の表面上に、正孔輸送層１１０として、厚さ２０ｎｍの酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）を、スパッタリング法により成膜した。
【００４０】
次に、インターレイヤー１１１の材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用いこの基板を印刷機にセッティングし、絶縁層区画された画素電極１０９の真上にそのラインパターンに合わせてインターレイヤー１１１を凸版印刷法で印刷を行った。このとき３００線／インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後のインターレイヤー１１１の膜厚は３０ｎｍとなった。
【００４１】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板を印刷機にセッティングし、区画絶縁層１２１に挟まれた画素電極１０９の真上に、そのラインパターンを合わせて有機発光層１１２を凸版印刷法で印刷を行った。このとき１５０線／インチのアニロックスロールおよび水現像タイプの感光性樹脂版を使用した。印刷、乾燥後の有機発光層１１２の膜厚は、６０ｎｍとなった。
【００４２】
次に、真空蒸着法により、電子注入層１１３として、Ｂａ膜を４ｎｍ、陰極１１４として、Ａｌ膜を２００ｎｍ、画素全体覆うように、連続で成膜した。
その後、封止ガラスと接着剤を、発光領域をカバーするように載せ、約９０℃で１時間接着剤を熱硬化して密閉封止し、アクティブマトリックス駆動型有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬパネル）を製作した。
【００４３】
（比較例１）
図２に示すように、画素電極１０９を形成後、アクリル系のフォトレジスト材料を、アクティブマトリクス基板の全面に厚さ２［μｍ］で形成した後、上記のフォトレジスト材料に対して、フォトリソグラフィ法により、画素電極１０９のエッジを覆うように隔壁２０１を形成し、画素を区画した工程が、増えただけで、その他の工程は、実施例と同じ工程とした。
【００４４】
（比較例２）
図３に示すように、画素電極１０９を形成後、プラズマＣＶＤにより、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）をアクティブマトリックス基板全面に、厚さ１μｍで成膜し、その後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、画素電極１０９のエッジを覆うように隔壁３０１を形成し、画素を区画した工程が、増えただけで、その他の工程は、実施例と同じ工程とした。
【００４５】
（実施例及び比較例に対する物性の評価）
上記の方法によって得られた実施例、比較例１及び比較例２の有機ＥＬ表示装置に対し、電圧７Ｖで駆動し、輝度計で画素の輝度値を測定し比較と、有機ＥＬ表示装置を駆動させながら、顕微鏡で画素の発光状態を確認し、発光不良画素の個数を数え、画素に対する割合の比較評価を行った。また、その結果を表１に示した。
【００４６】
【表１】
2014072015.tif 000003
【００４７】
比較例１の結果は、正孔輸送層１１０が画素間で連なっているため、画素の端が発光して、画素部の発光が抑えられたため、輝度は、実施例の６０％程度の輝度しかなかった。
また、比較例１の場合には、発光に寄りがあり、図５（ａ）〜（ｅ）に示すように、発光部５０１が画素５０４の短辺方向の端に寄った発光、発光部５０１が画素５０４の長辺方向の両端に寄ったような発光が見られ、非発光の画素を含めると、発効不良画素が全体の２０％を占めた。なお、図５において、５０２は非発光部、５０３は隔壁上発光部である。
【００４８】
また、比較例２では、比較例１と比較すると、発光不良画素が全体の１０％であり、隔壁３０１が低くなったことで発光不良画素は低下したが、実施例の３％と比較すると３倍以上であり、また隔壁３０１がテーパー形状であるから、画素間で正孔輸送層１１０が連なっているので、隔壁３０１上の発光が目立ち、実施例１の輝度に対して８５％の輝度となった。
【００４９】
上記の結果に対し、実施例では、画素電極１０９の逆テーパー形状により、スパッタ製膜した正孔輸送層１１０が断続膜になり、画素間リーク電流がなくなったことと、隔壁での印刷した膜の濡れ上がりがないため、画素の平坦性が高くなり、従来構造（比較例２）よりも１５％輝度が改善した。
また、隔壁がないから、隔壁によるムラの発生がないので、発光不良画素が非点発光画素を含めても３％であり、本発明の効果が確認された。
【符号の説明】
【００５０】
１０１・・・支持体（基板）
１０２・・・ゲート電極
１０３・・・絶縁層
１０４・・・活性層
１０５・・・ソース電極
１０６・・・ドレイン電極
１０７・・・保護層
１０８・・・基板
１０９・・・画素電極
１１０・・・正孔輸送層
１１１・・・インターレイヤー
１１２・・・有機発光層
１１３・・・電子注入層
１１４・・・陰極
１１５・・・有機発光媒体層
１２１・・・区画絶縁層
２０１・・・隔壁
３０１・・・隔壁
４０１・・・インクタンク
４０２・・・インキチャンバー
４０３・・・アニロックスロール
４０４・・・インキ層
４０５・・・凸版
４０６・・・版胴
４０７・・・被印刷基板
４０８・・・ステージ
５０１・・・発光部
５０２・・・非発光部
５０３・・・隔壁上発光部
５０４・・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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