(57)【要約】【課題】上層絶縁膜の形成領域に制限を設けずとも層間剥離を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明基板２と、透明基板２上に配置されるＴＦＴ５と、ＴＦＴ５を覆う下層絶縁膜４と、下層絶縁膜４を覆う有機絶縁膜６と、有機絶縁膜６上に配置される共通電極７と、共通電極７を覆う上層絶縁膜８と、上層絶縁膜８上に配置される画素電極９と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、有機絶縁膜６を形成した後、上層絶縁膜８を形成する前までにアニール処理を行う。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に配置される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタを覆う下層絶縁膜と、
前記下層絶縁膜を覆う、有機材料を含む有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に配置される第１の電極と、
前記第１の電極を覆う上層絶縁膜と、
前記上層絶縁膜上に配置される第２の電極と、
を備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記有機絶縁膜を形成した後、前記上層絶縁膜を形成する前までにアニール処理を行う、
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の電極は、酸化物からなる透明導電膜からなり、
前記有機絶縁膜上に前記第１の電極となる透明導電膜を形成した後、前記アニール処理を行う、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記液晶表示装置は、前記第１の電極に接続される金属材料からなる配線をさらに備え、
前記透明導電膜上に前記配線を形成した後、真空雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で前記アニール処理を行う、
請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記アニール処理と前記上層絶縁膜の形成とが同一の反応室内で行われる、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機絶縁膜の最小厚さが、前記下層絶縁膜の厚さよりも大きい、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機絶縁膜は、前記下層絶縁膜上に液状の有機材料を塗布し、硬化させることで形成される、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の電極は共通電極であり、前記第２の電極は画素電極である、
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機絶縁膜を備える液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、薄膜トランジスタを覆う無機絶縁膜（下層絶縁膜）上に、アクリル樹脂等の有機材料からなる比較的厚めで表面が平坦な有機絶縁膜を備える液晶表示装置が開示されている。
【０００３】
こうした有機絶縁膜は無機絶縁膜（上層絶縁膜）によって覆われ、有機絶縁膜と上層絶縁膜の間には共通電極が配置され、上層絶縁膜上には画素電極が配置される。共通電極及び画素電極はスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）からなり、未結晶状態で堆積された後に多結晶化のために加熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０５９３１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、有機絶縁膜は、高温に晒されるとガスを生じたり変形することがある。このため、有機絶縁膜上に共通電極、上層絶縁膜及び画素電極を積層した後、ＩＴＯの多結晶化のため全体が加熱されると、有機絶縁膜がガスを生じたり変形することで、有機絶縁膜上に積層された各層に応力が加わり、各層の層間が剥離するおそれがある。
【０００６】
このため、特許文献１では、上層絶縁膜の形成領域を有機絶縁膜上のみに限定し、上層絶縁膜と下層絶縁膜の接着を避けることで、有機絶縁膜に生じる応力を逃がして、層間剥離を抑制している。しかしながら、上層絶縁膜の形成領域を有機絶縁膜上のみに限定すると、ホール等のパターンの微細化が困難である等の問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、上層絶縁膜の形成領域に制限を設けずとも層間剥離を抑制することが可能な液晶表示装置の製造方法を提供することを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置の製造方法は、透明基板と、前記透明基板上に配置される薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う下層絶縁膜と、前記下層絶縁膜を覆う、有機材料を含む有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜上に配置される第１の電極と、前記第１の電極を覆う上層絶縁膜と、前記上層絶縁膜上に配置される第２の電極と、を備える液晶表示装置の製造方法であって、前記有機絶縁膜を形成した後、前記上層絶縁膜を形成する前までにアニール処理を行うことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の一態様では、前記第１の電極は、酸化物からなる透明導電膜からなり、前記有機絶縁膜上に前記第１の電極となる透明導電膜を形成した後、前記アニール処理を行う。
【００１０】
また、本発明の一態様では、前記液晶表示装置は、前記第１の電極に接続される金属材料からなる配線をさらに備え、前記透明導電膜上に前記配線を形成した後、真空雰囲気中又は不活性ガス雰囲気中で前記アニール処理を行う。
【００１１】
また、本発明の一態様では、前記アニール処理と前記上層絶縁膜の形成とが同一の反応室内で行われる。
【００１２】
また、本発明の一態様では、前記有機絶縁膜の最小厚さが、前記下層絶縁膜の厚さよりも大きい。これによると、
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記有機絶縁膜は、前記下層絶縁膜上に液状の有機材料を塗布し、硬化させることで形成される。これによると、
【００１４】
また、本発明の一態様では、前記第１の電極は共通電極であり、前記第２の電極は画素電極である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、有機絶縁膜が上層絶縁膜に覆われる前にアニール処理によって有機絶縁膜のガス抜きや変形が行われるので、上層絶縁膜の形成領域に制限を設けずとも層間剥離を抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成例を模式的に表す図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の製造方法の実施形態を表す図である。
【図３】図２に続く図である。
【図４】図３に続く図である。
【図５】図４に続く図である。
【図６】図５に続く図である。
【図７】図６に続く図である。
【図８】図７に続く図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の液晶表示装置の製造方法の実施形態を、図面を参照しながら説明する。始めに、当該実施形態によって製造される液晶表示装置について説明する。図１は、液晶表示装置のＴＦＴ基板１の構成例を模式的に表す図である。同図では、ＴＦＴ基板１の各々の画素に含まれる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）５の近傍を拡大視している。
【００１８】
ＴＦＴ基板１では、無アルカリガラス等からなる透明基板２上にＴＦＴ５が配置されている。ＴＦＴ５は、ゲート電極５１と、半導体層５３と、ソース電極５５と、ドレイン電極５７と、を備えている。ゲート電極５１上には半導体層５３が配置されており、ゲート電極５１と半導体層５３の間にはゲート絶縁膜３が配置されている。半導体層５３上には、ソース電極５５及びドレイン電極５７が配置されている。
【００１９】
ＴＦＴ５及びゲート絶縁膜３は下層絶縁膜４によって覆われており、下層絶縁膜４は有機絶縁膜６によって覆われている。有機絶縁膜６は、比較的厚めに形成されており、その表面が平坦になっている。有機絶縁膜６上には共通電極７が配置されており、共通電極７には共通線７２が接続されている。共通電極７及び有機絶縁膜６は上層絶縁膜８によって覆われており、上層絶縁膜８上には画素電極９が配置されている。なお、共通電極７と画素電極９の上下関係は、逆であってもよい。
【００２０】
有機絶縁膜６のうちドレイン電極５７の上方部分には、底に下層絶縁膜４が露出するホール６ａが形成されており、上層絶縁膜８は、ホール６ａを充填して下層絶縁膜４と接触している。下層絶縁膜４及び上層絶縁膜８には、有機絶縁膜６のホール６ａの内側を通って、底にドレイン電極５７が露出するホール８ａが形成されており、画素電極９は、ホール８ａを通ってドレイン電極５７に接続されている。
【００２１】
ＴＦＴ５のゲート電極５１、ソース電極５５及びドレイン電極５７はＣｕやＡｌ等の金属からなる。半導体層５３は非晶質Ｓｉなどの半導体からなる。ゲート絶縁膜３、下層絶縁膜４及び上層絶縁膜８はＳｉＮ等の透明な無機絶縁材料からなる。有機絶縁膜６を構成する有機材料については後述する。共通電極７及び画素電極９は、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の酸化物からなる透明導電膜である。
【００２２】
ＴＦＴ基板１では、さらに、上層絶縁膜８及び画素電極９の上方に不図示の配向膜が配置され、透明基板２の下方に不図示の偏光板が配置される。こうしたＴＦＴ基板１と、不図示のカラーフィルタ（ＣＦ）基板とが液晶層を挟持することで液晶パネルが構成され、こうした液晶パネルに駆動回路が組み付けられることで液晶表示装置が構成される。
【００２３】
図２〜図８は、本発明の液晶表示装置の製造方法の実施形態を表す図である。これらの図のうち（Ａ）の断面図は、フォトリソグラフィー工程及びエッチングによる薄膜加工が終了し、フォトレジストが除去された状態を示している。（Ｂ）のフローチャートは、当該状態に至るまでの主な工程を示している。
【００２４】
ここで、フォトリソグラフィー工程とは、フォトレジストの塗布から、フォトマスクを使用した選択的な露光を経て、現像を行うまでの、レジストパターンを形成する一連の処理を含む工程であり、以下では詳細な説明を省略する。
【００２５】
図２に示される工程では、ゲート電極５１が形成される。具体的には、始めに、透明基板２上にスパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される（Ｓ１１）。次いで、金属膜上にレジストパターンが形成され（Ｓ１２）、金属膜が選択的にエッチングされる（Ｓ１３）。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ１４）。これにより、透明基板２上にゲート電極５１が形成される。
【００２６】
図３に示される工程では、ゲート絶縁膜３、半導体層５３、ソース電極５５及びドレイン電極５７が形成される。具体的には、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することでＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜３が形成され、続いて、シランガス及び水素ガスを導入することで非晶質Ｓｉからなる半導体層が形成され、続いて、スパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される（Ｓ２１）。次いで、金属膜上にハーフトーンマスクを利用したレジストパターンが形成される（Ｓ２２）。ここでは、ソース電極５５及びドレイン電極５７が形成される領域にフォトレジストが比較的厚く形成され、ソース電極５５とドレイン電極５７の間の領域にはフォトレジストが比較的薄く形成され、半導体層５３が形成されない領域にはフォトレジストが形成されない。次いで、金属膜及び半導体層が選択的にエッチングされる（Ｓ２３）。次いで、フォトレジストの薄く形成された部分がハーフアッシングにより除去され（Ｓ２４）、これにより露出した領域の金属膜がエッチングされる（Ｓ２５）。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ２６）。これにより、ゲート絶縁膜３、半導体層５３、ソース電極５５及びドレイン電極５７が形成され、ＴＦＴ５が完成する。
【００２７】
図４に示される工程では、下層絶縁膜４が形成される。具体的には、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することで、ＴＦＴ５及び下層絶縁膜４上にＳｉＮｘからなる下層絶縁膜４が形成される（Ｓ３１）。
【００２８】
図５に示される工程では、有機絶縁膜６が形成される。具体的には、下層絶縁膜４上に液状の有機材料を塗布し、硬化させることで有機絶縁膜６が形成される（Ｓ４１）。有機絶縁膜６を構成する有機材料としては、例えばアクリル樹脂が挙げられる。これに限られず、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などであってもよい。また、有機絶縁膜６はシリカ等の無機充填材を含んでいてもよい。こうした有機材料は、有機溶媒中に溶かされた状態で下層絶縁膜４上に塗布され、その後、溶融温度近傍まで加熱されることによって硬化する。硬化温度は、例えば有機材料の溶融温度よりも１０〜２０℃程度低い温度とされる（溶融温度が２６０℃の場合、硬化温度は２４０〜２５０℃程度）。このようにして形成される有機絶縁膜６は、その表面が平坦な平坦化膜であり、最小厚さが下層絶縁膜４及び上層絶縁膜８よりも大きい。
【００２９】
次いで、有機絶縁膜６上にはレジストパターンが形成され（Ｓ４２）、有機絶縁膜６が選択的にエッチングされる（Ｓ４３）。このとき、有機絶縁膜６のうちドレイン電極５７の上方部分には、底に下層絶縁膜４が露出するホール６ａが形成される。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ４４）。これにより、下層絶縁膜４上に有機絶縁膜６が形成されると共に、有機絶縁膜６にホール６ａが形成される。
【００３０】
図６に示される工程では、共通電極７及び共通線７２が形成される。具体的には、有機絶縁膜６上にスパッタリングによりＩＴＯ等の酸化物からなる透明導電膜が形成され、さらにスパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される（Ｓ５１）。透明導電膜及び金属膜の形成温度は、有機絶縁膜６の硬化温度よりも低く、例えば９０〜１１０℃程度である。次いで、金属膜上にハーフトーンマスクを利用したレジストパターンが形成される（Ｓ５２）。ここでは、共通線７２が形成される領域にフォトレジストが比較的厚く形成され、共通電極７のみが形成される領域にはフォトレジストが比較的薄く形成され、共通電極７が形成されない領域にはフォトレジストが形成されない。次いで、金属膜及び透明導電膜が選択的にエッチングされる（Ｓ５３）。次いで、フォトレジストの薄く形成された部分がハーフアッシングにより除去され（Ｓ５４）、これにより露出した領域の金属膜がエッチングされる（Ｓ５５）。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ５６）。これにより、共通電極７及び共通線７２が形成される。
【００３１】
図７に示される工程では、上層絶縁膜８が形成されるが、その前にアニール処理が行われる（Ｓ６１）。アニール処理は、ＣＶＤ装置の反応室内において真空雰囲気中で行われる。アニール処理は、有機絶縁膜６の溶融温度近傍で行われる。アニール処理の温度は、例えば有機材料の溶融温度よりも１０〜２０℃程度低い温度とされる（溶融温度が２６０℃の場合、硬化温度は２４０〜２５０℃程度）。また、アニール処理の時間は、例えば２〜４分程度である。このアニール処理によって、有機絶縁膜６が上層絶縁膜８に覆われる前に有機絶縁膜６のガス抜き及び変形が行われるため、有機絶縁膜６が上層絶縁膜８に覆われた後に全体が加熱されても層間剥離を抑制することが可能である。また、共通電極７の形成後にアニール処理が行われるので、有機絶縁膜６のガス抜き及び変形と共に、共通電極７の多結晶化も同時に行うことが可能である。また、真空雰囲気中でアニール処理が行われるので、金属材料からなる共通線７２の酸化を抑制することが可能であるし、更には、有機絶縁膜６のガス抜きを促進させることも可能である。なお、アニール処理は、不活性ガス雰囲気中で行われてもよい。また、アニール処理は、上層絶縁膜８の形成と同一の反応室内で行われるので、製造工程の迅速化かつ簡易化を図ることが可能である。
【００３２】
次いで、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することで、有機絶縁膜６上にＳｉＮｘからなる上層絶縁膜８が形成される（Ｓ６２）。このとき、上層絶縁膜８は、有機絶縁膜６に形成されたホール６ａを充填し、ホール６ａの底に露出する下層絶縁膜４と接触する。次いで、上層絶縁膜８上にレジストパターンが形成され（Ｓ６３）、上層絶縁膜８が選択的にエッチングされる（Ｓ６４）。このとき、下層絶縁膜４及び上層絶縁膜８には、有機絶縁膜６のホール６ａの内側を通って、底にドレイン電極５７が露出するホール８ａが形成される。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ８５）。
【００３３】
図８に示される工程では、画素電極９が形成される。具体的には、上層絶縁膜８上にスパッタリングによりＩＴＯ等の酸化物からなる透明導電膜が形成される（Ｓ７１）。次いで、透明導電膜上にレジストパターンが形成され（Ｓ７２）、透明導電膜が選択的にエッチングされる（Ｓ７３）。その後、フォトレジストが剥離される（Ｓ７４）。さらにその後、未結晶状態の透明導電膜を多結晶化するためのアニール処理が行われる（Ｓ７５）。なお、上記アニール処理（Ｓ６１）によって有機絶縁膜６のガス抜き及び変形、共通電極７の多結晶化が進んでいるので、当該アニール処理（Ｓ７５）によって層間剥離が生じることは少ない。以上により、上層絶縁膜８上に画素電極９が形成されると共に、画素電極９は、ホール８ａを通って、その底に露出したドレイン電極５７に接続される。
【００３４】
その後、上層絶縁膜８及び画素電極９の上方に不図示の配向膜が配置され、透明基板２の下方に不図示の偏光板が配置されることで、ＴＦＴ基板１が完成する。さらに、ＴＦＴ基板１と不図示のＣＦ基板との間に液晶層が保持されることで液晶パネルが完成し、こうした液晶パネルに駆動回路などが組み付けられることで液晶表示装置が完成する。
【００３５】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【００３６】
上記実施形態では、有機絶縁膜６上に共通電極７及び共通線７２を形成する工程（Ｓ５１〜Ｓ５６）の後にアニール処理（Ｓ６１）を行っているが、これに限られず、有機絶縁膜６上に共通電極７及び共通線７２を形成する工程（Ｓ５１〜Ｓ５６）の前にアニール処理を行ってもよい。これによると、アニール処理によってガス抜き及び変形が行われた有機絶縁膜６上に共通電極７が形成されるので、有機絶縁膜６と共通電極７の層間剥離を抑制することが可能である。
【符号の説明】
【００３７】
１  ＴＦＴ基板、２  透明基板、３  ゲート絶縁膜、４  下層絶縁膜、５  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、５１  ゲート電極、５３  半導体層、５５  ソース電極、５７  ドレイン電極、６  有機絶縁膜、６ａ  ホール、７  共通電極、７２  共通線、８  上層絶縁膜、８ａ  ホール、９  画素電極。
【図１】
2014016585.tif 000003
【図２】
2014016585.tif 000004
【図３】
2014016585.tif 000005
【図４】
2014016585.tif 000006
【図５】
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【図６】
2014016585.tif 000008
【図７】
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【図８】
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