(57)【要約】【課題】表示基板及びそれを含む液晶表示パネルを提供する。【解決手段】開示した表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は、第１画素部と重なる第１開口部及び前記第１画素部と隣接する第２画素部と重なる第２開口部を含み、前記第１開口部と第２開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第１画素部及び前記第２画素部と連続的に重なる。【選択図】図２
2014077983.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、
各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
前記共通電極は、第１画素部と重なる第１開口部及び前記第１画素部と隣接する第２画素部と重なる第２開口部を含み、前記第１開口部と第２開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第１画素部及び前記第２画素部と連続的に重なる表示基板。
【請求項２】
前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記第１画素部と前記第２画素部は、行方向に隣接することを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記第１開口部と前記第２開口部は、前記データラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
前記共通電極は、
前記第１画素部と列方向に隣接する第３画素部と重なる第３開口部と、
前記第２画素部と列方向で隣接し、前記第３画素部と行方向に隣接する第４開口部をさらに含み、
前記第３開口部は、前記第１開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第４開口部は、前記第２開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
【請求項６】
前記第１開口部は、
第１方向に延伸する第１延長部と、
前記第１延長部の一端から前記第１方向と異なる第２方向に延伸する第２延長部と、
前記第２延長部の他端部から前記第１方向と異なる第３方向に延伸する第３延長部と、を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記第２延長部と前記第３延長部は、互いに反対方向に延伸することを特徴とする請求項６に記載の表示基板。
【請求項８】
前記第２延長部と前記第３延長部は、前記画素電極と部分的に重なることを特徴とする請求項６に記載の表示基板。
【請求項９】
前記第１画素部と前記第２画素部は行方向に隣接し、前記第１開口部と前記第２開口部は互いに離隔することを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記第１開口部は、第１方向に延伸する第１延長部と、
前記第１延長部の一端から前記第１方向と異なる第２方向に延伸する第２延長部と、
前記第２延長部の他端部から前記第１方向と異なる第３方向に延伸する第３延長部と、を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記第２延長部及び前記第３延長部は、隣接するデータラインと重なることを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１２】
前記第２延長部及び前記第３延長部は、平面図上で隣接するデータラインと離隔することを特徴とする請求項１０に記載の表示基板。
【請求項１３】
前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１４】
前記共通電極は前記画素電極上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１５】
前記共通電極上に配置され、行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１６】
複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含み、
各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
前記共通電極は、第１画素部及び前記第１画素部と行方向に隣接する第２画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状で延伸する表示基板。
【請求項１７】
前記開口部は、列方向に突出してＶ字状を有する突出部を含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示基板。
【請求項１８】
前記突出部は前記データラインと重なることを特徴とする請求項１６に記載の表示基板。
【請求項１９】
前記共通電極は、前記第１画素部と列方向に隣接する第３画素部及び前記第３画素部と行方向に隣接し、前記第２画素部と列方向に隣接する第４画素部と重なる開口部をさらに含み、前記第１画素部及び前記第２画素部と重なる開口部は、前記ゲートラインを基準として、前記第３画素部及び前記第４画素部と重なる開口部と対称形状を有することを特徴とする請求項１６に記載の表示基板。
【請求項２０】
複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板と、
前記表示基板と結合する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層と、を含み、
前記表示基板は、
各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
前記共通電極は、第１画素部と重なる第１開口部、及び、前記第１画素部と隣接する第２画素部と重なる第２開口部を含み、前記第１開口部と第２開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第１画素部及び前記第２画素連続的に重なる液晶表示パネル。
【請求項２１】
前記第１開口部と前記第２開口部は互いに接続され、前記第１画素部と前記第２画素部は行方向に隣接することを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示パネル。
【請求項２２】
前記第１開口部と前記第２開口部は、前記データラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示パネル。
【請求項２３】
前記共通電極は、前記第１画素部と列方向に隣接する第３画素部と重畳する第３開口部と、
前記第２画素部と列方向で隣接して、前記第３画素部と行方向に隣接する第４開口部と、をさらに含み、
前記第３開口部は、前記第１開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第４開口部は前記第２開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有することを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示パネル。
【請求項２４】
前記第１開口部は、第１方向に延伸する第１延長部と、
前記第１延長部の一端から前記第１方向と異なる第２方向に延伸する第２延長部と、
前記第２延長部の他端部から前記第１方向と異なる第３方向に延伸する第３延長部と、を含むことを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示パネル。
【請求項２５】
前記第２延長部と前記第３延長部は、互いに反対方向に延伸することを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示パネル。
【請求項２６】
前記第２延長部と前記第３延長部は、前記画素電極と部分的に重なることを特徴とする請求項２４に記載の液晶表示パネル。
【請求項２７】
前記第１画素部と前記第２画素部は、行方向に隣接し、前記第１開口部と前記第２開口部は、互いに離隔することを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示パネル。
【請求項２８】
前記第１開口部は、第１方向に延伸する第１延長部と、
前記第１延長部の一端から前記第１方向と異なる第２方向に延伸する第２延長部と、
前記第２延長部の他端部から前記第１方向と異なる第３方向に延伸する第３延長部と、を含むことを特徴とする請求項２７に記載の液晶表示パネル。
【請求項２９】
前記第２延長部及び前記第３延長部は、隣接するデータラインと重なることを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示パネル。
【請求項３０】
前記第２延長部及び前記第３延長部は、平面図上で隣接するデータラインと離隔することを特徴とする請求項２８に記載の液晶表示パネル。
【請求項３１】
前記表示基板は前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続することを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示パネル。
【請求項３２】
前記表示基板は、前記共通電極上に配置されて行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含み、前記対向基板は、行方向にラビングされた上部配光膜を含むことを特徴とする請求項２０に記載の液晶表示パネル。
【請求項３３】
複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板と、
前記表示基板と結合する対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層と、を含み、
前記表示基板は、
各画素部を駆動するための薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートラインと、
前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータラインと、
前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極と、を含み、
前記共通電極は、第１画素部及び前記第１画素部と行方向に隣接する第２画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状で延伸する液晶表示パネル。
【請求項３４】
前記開口部は、列方向に突出し、Ｖ字状を有する突出部を含むことを特徴とする請求項３３に記載の液晶表示パネル。
【請求項３５】
前記突出部は、前記データラインと重なることを特徴とする請求項３４に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示基板及びそれを含む液晶表示パネルに関する。より詳細には、輝度損失なしで表示品質を改善できる表示基板及びそれを含む表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は軽い重さ、薄い厚さ、低い消費電力などの色々な長所を有するので有望な表示装置として広く使われている。
【０００３】
前記液晶表示装置は、２つの電極、例えば、画素電極及び共通電極との間に形成された電界によって液晶の配向を調節することによって、イメージを表示する。前記画素電極及び前記共通電極は、それぞれ異なる基板に形成されることもできるが、最近では視野角などを改善するために前記画素電極及び前記共通電極が１つの基板に形成された構造（ＰＬＳ）の液晶表示パネルの使用が増加している。
【０００４】
しかし、前記ＰＬＳ構造の液晶表示パネルの場合、視野によって色感が変わることがあるという短所があって、これを改善するために１つのピクセル内で複数のドメインを形成する場合、ドメイン境界付近で液晶テクスチャ（ｔｅｘｔｕｒｅ）が形成されて輝度減少の原因となる虞がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一目的は、輝度損失なしで表示品質を改善できる表示基板を提供することにある。
【０００６】
本発明の他の目的は、輝度損失なしで表示品質を改善できる液晶表示パネルを提供することにある。
【０００７】
なお、本発明の解決しようとする課題は、上述した課題に限定されるのではなく、本発明の思想、及び領域から逸脱しない範囲で多様に拡張される。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は、第１画素部と重なる第１開口部、及び、前記第１画素部と隣接する第２画素部と重なる第２開口部を含み、前記第１開口部と第２開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は、前記第１画素部及び前記第２画素部と連続的に重なる。
【０００９】
一実施形態において、前記第１開口部と前記第２開口部は互いに接続される。
【００１０】
一実施形態において、前記第１画素部と前記第２画素部は行方向に隣接する。
【００１１】
一実施形態において、前記第１開口部と前記第２開口部は前記データラインを基準として互いに対称な形状を有する。
【００１２】
一実施形態において、前記共通電極は、前記第１画素部と列方向で隣接する第３画素部と重なる第３開口部及び前記第２画素部と列方向に隣接し、前記第３画素部と行方向に隣接する第４開口部をさらに含み、前記第３開口部は前記第１開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有し、前記第４開口部は前記第２開口部と前記ゲートラインを基準として互いに対称な形状を有する。
【００１３】
一実施形態において、前記第１開口部は、第１方向に延伸する第１延長部、前記第１延長部の一端から前記第１方向と違う第２方向に延伸する第２延長部及び前記第２延長部の他の一端から前記第１方向と違う第３方向に延伸する第３延長部を含む。
【００１４】
一実施形態において、前記第２延長部と前記第３延長部は互いに反対方向に延伸する。
【００１５】
一実施形態において、前記第２延長部と前記第３延長部は前記画素電極と部分的に重なる。
【００１６】
一実施形態において、前記第１画素部と前記第２画素部は、行方向に隣接し、前記第１開口部と前記第２開口部は互いに離隔する。
【００１７】
一実施形態において、前記表示基板は前記周辺領域に配置された共通ラインをさらに含み、前記共通電極は前記周辺領域で前記共通ラインと電気的に接続される。
【００１８】
一実施形態において、前記共通電極は前記画素電極上に配置される。
【００１９】
一実施形態において、前記表示基板は前記共通電極上に配置され、行方向にラビングされた下部配光膜をさらに含む。
【００２０】
本発明の一目的を達成するために、実施形態に係る表示基板は、複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第１画素部及び前記第１画素部と行方向に隣接する第２画素部と重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状に延伸する。
【００２１】
一実施形態において、前記開口部は列方向に突出し、Ｖ字状を有する突出部を含む。
【００２２】
一実施形態において、前記突出部は前記データラインと重なる。
【００２３】
一実施形態において、前記共通電極は、前記第１画素部と列方向に隣接する第３画素部及び前記第３画素部と行方向に隣接し、前記第２画素部と列方向に隣接する第４画素部と重なる開口部をさらに含み、前記第１画素部及び前記第２画素部と重なる開口部は、前記ゲートラインを基準として、前記第３画素部及び前記第４画素部と重なる開口部と対称形状を有する。
【００２４】
本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルは複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板、前記表示基板と結合する対向基板及び前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第１画素部と重なる第１開口部、及び前記第１画素部と隣接する第２画素部と重なる第２開口部を含み、前記第１開口部と第２開口部の延伸方向は互いに異なり、前記共通電極は前記第１画素部及び前記第２画素部と連続的に重なる。
【００２５】
本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルは複数の画素部を含む表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む表示基板、前記表示基板と結合する対向基板、及び前記表示基板と前記対向基板との間に介在される液晶層を含む。前記表示基板は各画素部を駆動するための薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたゲートライン、前記ゲートラインと交差し、前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたデータライン、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極、及び前記画素電極と重なる開口部を有する共通電極を含む。前記共通電極は第１画素部と、前記第１画素部と行方向に隣接する第２画素部とが重なる開口部を含み、前記開口部はジグザグ状に延伸する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の例示的な実施形態によれば、表示領域内で液晶分子が、それぞれ異なる方向に配列される複数のドメインを形成することによって、視野によって色感が変化することを防止することができる。
【００２７】
また、前記複数のドメインを１つの画素領域中に形成するのではなく、各画素領域での液晶配列を異なるようにすることによって、１つの画素領域に形成される複数のドメインの境界で輝度が減少することを防止することができる。
【００２８】
また、共通電極の開口部が行方向と列方向において対称な形状を有することによって、横線不良を改善することができる。
【００２９】
また、表示領域内で連続的に延伸する共通電極を形成することによって、画素領域の間の境界で、輝度が低下したり、または、コントラストが低下したりすることを防止することができる。また、表示領域内に共通ラインを形成する必要がないので、実質的に開口率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示基板の平面図である。
【図２】図１に示した表示基板の画素部を示した拡大平面図である。
【図３】図２に示した表示基板をＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図４】図２に示した共通電極を図示した平面図である。
【図５】図１に示した表示基板のＡ領域を示した拡大平面図である。
【図６】図５のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルを示した断面図である。
【図１７】前記液晶表示パネルの共通電極及び前記共通電極上に配向された液晶分子を示した平面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。
【図１９】図１８に示した表示基板の共通電極を示した平面図である。
【図２０】本発明のまた他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の例示的な実施形態に係る表示基板及びそれを含む液晶表示パネルについて添付する図面を参照して詳細に説明するが、本発明は本明細書に記載された例示的な実施形態によって制限されるのではなく、該当分野で通常の知識を有する者であれば本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で本発明を多様な他の形態で具現することができる。
【００３２】
本明細書に開示されている本発明の実施形態に対して、特定の構造的、機能的説明は、単に本発明の実施形態を説明するための目的で例示されたものであり、本発明の実施形態は多様な形態で実施することができ、本明細書に説明された実施形態に限定されるものではない。本発明は多様な変更を加えることができ、種々の形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して本明細書に詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の開示形態に限定しようとするものではなく、本発明の思想、及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物、代替物を含むと理解するべきである。
【００３３】
ある構成要素が他の構成要素に「連結されて」いる、または「接続されて」いると言及した場合には、その他の構成要素に直接的に連結されていたり、接続されていることも意味するが、中間に他の構成要素が存在する場合も含む。一方、ある構成要素が他の構成要素に「直接連結されて」いる、または「直接接続されて」いると言及した場合には、中間に他の構成要素は存在しない。構成要素の間の関係を説明する他の表現、すなわち「〜間に」と「直接〜間に」または「〜に隣接する」と「〜に直接隣接する」等も同様である。
【００３４】
本明細書で使用した用語は、単に特定の実施形態を説明するために使用したものであり、本発明を限定するものではない。単数の表現は文脈上明白に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。また、本明細書で、「含む」又は「有する」等の用語は、明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものが存在するということを示すものであって、一つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品又は、これを組み合わせたものなどの存在又は、付加の可能性を、予め排除するものではない。また、別に定義しない限り、技術的あるいは科学的用語を含み、本明細書中において使用される全ての用語は、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、一般的に理解すること同一の意味を有する。一般的に使用される辞書において定義する用語と同じ用語は、関連技術の文脈上で有する意味と一致する意味を有するものと理解するべきで、本明細書において明白に定義しない限り、理想的あるいは過度に形式的な意味として解釈してはならない。
【００３５】
本明細書において、第１、第２、第３等の用語は多様な構成要素を説明するのに使用しているが、これらの構成要素がこのような用語によって限定されるものではない。これらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使い、例えば、本発明の権利範囲から逸脱しなければ第１構成要素は第２または第３構成要素と命名することができ、同様に第２または第３構成要素も交互に命名できる。
【００３６】
図１は本発明の一実施形態に係る表示基板の平面図である。
【００３７】
図１を参照すると、本実施形態に係る表示基板１００は、画像を表示する表示領域ＤＡ及び前記表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡに区分される。
【００３８】
前記表示基板１００は、ベース基板１１０、前記ベース基板１１０の表示領域ＤＡに配置された複数の画素部ＰＸ、及び前記ベース基板１１０の周辺領域ＰＡに配置された駆動部を含む。
【００３９】
各画素部ＰＸは、画素薄膜トランジスタＴＦＴを含む。従って、前記表示基板１００はマトリックス状に配列された複数の薄膜トランジスタを含む薄膜トランジスタアレイを含む。前記画素薄膜トランジスタＴＦＴは、ＮＭＯＳトランジスタであってもよい。前記画素部ＰＸは、前記画素薄膜トランジスタＴＦＴに接続されて液晶キャパシタＣｌｃを形成する画素電極及び共通電極を含む。他の実施形態において、前記画素部ＰＸはストレージキャパシタを形成するためにストレージライン及びストレージ電極をさらに含むことができる。
【００４０】
前記駆動部はゲート駆動部ＧＤ及びデータ駆動部ＤＤを含む。前記ゲート駆動部ＧＤはゲート信号を前記画素部ＰＸに提供し、前記データ駆動部ＤＤはデータ信号を前記画素部ＰＸに提供する。  
【００４１】
前記ゲート駆動部ＧＤ及び前記データ駆動部ＤＤは、前記ベース基板１１０に集積された回路トランジスタを含んでもよく、例えば、前記回路トランジスタはトランジスタ及びＰＭＯＳトランジスタを含むＣＭＯＳトランジスタであってもよい。
【００４２】
図２は図１に示した表示基板の画素部を示した拡大平面図である。図３は図２に示した表示基板をＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。図４は図２に示した共通電極を示した平面図である。
【００４３】
図２及び図３を参照すると、前記表示基板１００はゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、アクティブパターンＡＰ、画素電極ＰＥ、及び共通電極ＣＥを含む。前記ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、及びアクティブパターンＡＰは、前記画素薄膜トランジスタＴＦＴを形成する。
【００４４】
前記ゲートラインＧＬは前記ゲート駆動部ＧＤと電気的に接続され、一方向に延伸する。例えば、前記ゲートラインＧＬは前記表示基板１００の行方向Ｄ１に延伸することができる。前記ゲートラインＧＬは、銅、クロム、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、銀、アルミニウム、これらの合金などを含んでもよい。
【００４５】
前記ゲートラインＧＬは、単一層構造、または、それぞれ異なる金属層を含む多層構造を有してもよい。例えば、前記ゲートラインＧＬは、銅の単一層構造、銅層及び前記銅層の下に配置されたチタン層を含む二重層構造を有してもよい。また、前記ゲートラインＧＬは金属層及び前記金属層上または下に配置された酸化物バリア層を含んでもよい。例えば、前記ゲートラインＧＬは、銅層、前記銅層上に配置された上部インジウム−亜鉛酸化物層及び前記銅層下に配置された下部インジウム−亜鉛酸化物層を含んでもよい。
【００４６】
前記ゲート電極ＧＥは前記ゲートラインＧＬと電気的に接続され、前記ゲート駆動部ＧＤからゲート信号を伝達される。例えば、前記ゲート電極ＧＥは、前記ゲートラインＧＬから突出する形状を有してもよい。前記ゲート電極ＧＥは前記ゲートラインＧＬと同一層から形成される。他の実施形態において、ゲート電極ＧＥはゲートラインＧＬから分離され、ブリッジを利用して電気的に接続されることができ、前記ゲートラインＧＬと他の物質を含んでもよい。
【００４７】
前記データラインＤＬは、前記データ駆動部ＤＤと電気的に接続され、前記ゲートラインＧＬと交差する一方向に延伸する。例えば、前記データラインＤＬは、前記表示基板１００の列方向Ｄ２に延伸することができる。
【００４８】
前記データラインＤＬは前記ゲートラインＧＬと類似しているように、銅、クロム、ニッケル、モリブデン、マンガン、チタン、銀、アルミニウム、これらの単一層構造、または、それぞれ違う金属層を含む多層構造を有してもよく、金属層及び前記金属層上または下に配置された酸化物バリア層を含んでもよい。
【００４９】
前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬと電気的に接続されて、前記データ駆動部ＤＤからソース信号を伝達される。本実施形態において、前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬの一部によって定義されるか、または他の実施形態において、前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬから突出した形状を有してもよい。前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬと同一層から形成される。他の実施形態において、ソース電極ＳＥはデータラインＤＬから分離されてブリッジを利用して電気的に接続されてもよく、前記データラインＤＬと他の物質を含んでもよい。
【００５０】
前記ドレーン電極ＤＥは、前記ソース電極ＳＥと離隔し、前記データラインＤＬ及び前記ソース電極ＳＥと同一層から形成される。前記ドレーン電極ＤＥは前記画素電極ＰＥと電気的に接続される。前記アクティブパターンＡＰは、ソース部ＳＰ、ドレイン部ＤＰ及び前記ソース部ＳＰとドレイン部ＤＰとの間に配置されたチャネル部ＣＰを含む。前記ソース部ＳＰと前記チャネル部ＣＰとの間、そして前記ドレイン部ＤＰと前記チャネル部ＣＰとの間には、低濃度ドーピング部ＬＤが配置される。前記ソース部ＳＰ、前記ドレイン部ＤＰ、前記チャネル部ＣＰ、及び前記低濃度ドーピング部ＬＤは同一層から形成される。
【００５１】
前記ソース部ＳＰは前記ソース電極ＳＥと電気的に接続され、前記ドレイン部ＤＰは前記ドレーン電極ＤＥと電気的に接続される。前記チャネル部ＣＰは前記ゲート電極ＧＥと平面図において重なる。前記ゲート電極ＧＥにゲート信号が伝達されると、前記チャネル部ＣＰの導電性が増加することによって、前記ソース部ＳＰに伝達されたデータ信号が前記チャネル部ＣＰ、前記ドレイン部ＤＰ、及び前記ドレーン電極ＤＥを介して前記画素電極ＰＥに伝達される。
【００５２】
前記アクティブパターンＡＰは、多結晶シリコンを含む。前記ソース部ＳＰ及び前記ドレイン部ＤＰは高濃度でドーピングされた多結晶シリコンを含んでもよく、前記低濃度ドーピング部ＬＤは低濃度でドーピングされた多結晶シリコンを含んでもよい。前記チャネル部ＣＰはドーピングされていない多結晶シリコンを含んでもよい。例えば、前記ソース部ＳＰ、前記ドレイン部ＤＰ、及び前記低濃度ドーピング部ＬＤはＮ型イオンによってドーピングされてもよい。
【００５３】
前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥと重なる。前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥと電気的に絶縁され、前記共通電極ＣＥには共通電圧が印加される。
【００５４】
前記共通電極ＣＥは、行方向Ｄ１に隣接する少なくとも２つの画素電極と連続的に重なる。望ましくは、前記共通電極ＣＥは、表示領域ＤＡ内で、行方向Ｄ１に連続的に延伸される。また、前記共通電極ＣＥは、前記画素電極ＰＥと重なる開口部ＯＰを含む。本実施形態において、前記開口部ＯＰは、前記表示領域ＤＡ内で行方向Ｄ１に連続的に延伸する。従って、前記開口部ＯＰは前記データラインＤＬを横切り、前記共通電極ＣＥは、前記表示領域ＤＡ内で列方向Ｄ２に互いに離隔した複数の電極部を含む。
【００５５】
また、前記開口部ＯＰは、列方向Ｄ２に突出する突出部ＰＰを有し、前記突出部ＰＰは前記データラインＤＬと重なる。前記突出部ＰＰはＶ字状を有することができる。前記共通電極ＣＥ及び開口部ＯＰに対し、より具体的な説明は後述する。
【００５６】
図３を参照すると、前記表示基板１００はベース基板１１０上に形成された遮光パターンＢＰを含む。
【００５７】
前記遮光パターンＢＰは前記アクティブパターンＡＰと重なり、前記アクティブパターンＡＰと前記ベース基板１１０との間に配置される。従って、前記アクティブパターンＡＰの下から入射される光から前記アクティブパターンＰＡに入射される光を遮断することによって、薄膜トランジスタの電気特性が変化することを防止することができる。前記遮光パターンＢＰは、金属、有機物質、多結晶シリコンなどを含んでもよい。
【００５８】
前記遮光パターンＢＰ上には第１絶縁層１２０が形成される。前記第１絶縁層１２０は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第１絶縁層１２０上には前記アクティブパターンＡＰが形成されて、前記遮光パターンＢＰと重なる。
【００５９】
前記アクティブパターンＡＰ上には第２絶縁層１３０が形成される。前記第２絶縁層１３０は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第２絶縁層１３０上には前記ゲートラインＧＬ及び前記ゲート電極ＧＥが形成される。
【００６０】
前記ゲートラインＧＬ及び前記ゲート電極ＧＥ上には第３絶縁層１４０が形成される。前記第３絶縁層１４０はシリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第３絶縁層１４０上には前記データラインＤＬ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレーン電極ＧＥが形成される。前記ソース電極ＳＥは、前記第２絶縁層１３０及び前記第３絶縁層１４０を貫いて形成されたコンタクトホールを介して、前記アクティブパターンＡＰのソース部ＳＰと接触し、前記ドレーン電極ＤＥは、前記第２絶縁層１３０及び前記第３絶縁層１４０を貫いて形成されたコンタクトホールを介して、前記アクティブパターンＡＰのドレーン部ＤＰと接触する。
【００６１】
前記データラインＤＬ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレーン電極ＧＥ上には、第４絶縁層１５０及び第５絶縁層１６０が形成される。前記第４絶縁層１５０は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。前記第５絶縁層１６０は、段差を補償して前記表示基板１００の上面を平坦化する。前記第５絶縁層１６０は、有機絶縁物質を含んでもよい。前記第５絶縁層１６０上には前記画素電極ＰＥが形成される。前記画素電極ＰＥは前記第４絶縁層１４０及び前記第５絶縁層１６０を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、前記ドレーン電極ＤＥと接触する。
【００６２】
前記画素電極ＰＥ上には、第６絶縁層１７０が形成される。前記第６絶縁層１７０は、シリコン窒化物、シリコン酸化物などのような絶縁物質を含んでもよい。他の実施形態において、前記第６絶縁層１７０は有機絶縁物質を含んでもよい。前記第６絶縁層１７０上には前記共通電極ＣＥが形成される。
【００６３】
本実施形態において、前記共通電極ＣＥが前記画素電極ＰＥ上に配置されるか、または、他の実施形態において、前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥ下に配置されてもよい。
【００６４】
前記共通電極ＣＥ上には下部配光膜１８０が形成される。前記下部配光膜１８０は一定方向にラビングされ、これによって、前記表示基板１００と対向基板との間に配置された液晶分子は、プレチルトを有して一定方向に配列される。本実施形態において、前記下部配光膜１８０のラビング方向は前記表示基板１００の行方向Ｄ１に平行である。
【００６５】
図２及び図４を参照すると、前記開口部ＯＰは列方向Ｄ２に突出した第１突出部ＰＰ１及び前記第１突出部ＰＰ１と反対方向に突出した第２突出部ＰＰ２を含む。前記第１突出部ＰＰ１と前記第２突出部ＰＰ２は、それぞれ対応するデータラインＤＬと重なる。
【００６６】
具体的に、第１画素領域ＰＸ１内の第１開口部ＯＰ１は、第１方向に延伸する第１延長部ＯＰ１１、前記第１延長部ＯＰ１１の一端から第２方向に延伸する第２延長部ＯＰ１２、及び前記第１延長部ＯＰ１１の他端部から第３方向に延伸する第３延長部ＯＰ１３を含む。前記第１延長部ＯＰ１１、第２延長部ＯＰ１２、及び第３延長部ＯＰ１３は、互いに連続的に接続される。
【００６７】
本実施形態において、前記第１方向と前記第２方向は互いに異なり、前記第２方向と前記第３方向は互いに平行である。従って、前記第２方向は、前記第３方向と反対である。前記第１方向は、前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬと平行しないように、前記行方向Ｄ１に対して傾いている。
【００６８】
本実施形態において、前記第１延長部ＯＰ１１は、前記画素電極ＰＥと完全に重なり、前記第２延長部ＯＰ１２及び前記第３延長部ＯＰ１３は、前記画素電極ＰＥと部分的に重なる。
【００６９】
本実施形態において、前記第１画素領域ＰＸ１は、互いに列方向Ｄ２に離隔した複数の第１開口部ＯＰ１を含む。
【００７０】
前記第１開口部ＯＰ１は、前記第１画素領域ＰＸ１と行方向Ｄ１に隣接する第２画素領域ＰＸ２の第２開口部ＯＰ２と接続される。前記第２開口部ＯＰ２は、前記データラインＤＬを基準として、前記第１開口部ＯＰ１と対称な形状を有する。
【００７１】
具体的に、前記第２開口部ＯＰ２は第４方向に延伸する第１延長部ＯＰ２１、前記第１延長部ＯＰ２１の一端から第５方向に延伸する第２延長部ＯＰ２２、及び前記第１延長部ＯＰ２１の他端部から第６方向に延伸する第３延長部ＯＰ２３を含む。従って、前記第１延長部ＯＰ２１、第２延長部ＯＰ２２、及び第３延長部ＯＰ２３は互いに連続的に接続される。前記第２開口部ＯＰ２の第２延長部ＯＰ２２は前記第１開口部ＯＰ１の第３延長部ＯＰ１３と接続されて前記突出部ＰＰを形成する。
【００７２】
本実施形態において、前記第４方向と前記第５方向は互いに異なり、前記第５方向と前記第６方向は互いに平行である。前記第４方向は、前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬと平行しないように、前記行方向Ｄ１に対して傾いている。
【００７３】
前記第１画素領域ＰＸ１と列方向Ｄ２に隣接する第３画素領域ＰＸ３の第３開口部ＯＰ３は、前記ゲートラインＧＬを基準として、前記第１開口部ＯＰ１と対称な形状を有する。従って、前記第３開口部ＯＰ３は前記第２開口部ＯＰ２と同じ形状を有する。具体的に、第３開口部ＯＰ３は互いに連続的に接続される第１延長部ＯＰ３１、第２延長部ＯＰ３２、及び第３延長部ＯＰ３３を含む。
【００７４】
前記第２画素領域ＰＸ２と列方向Ｄ２に隣接し、前記第３画素領域ＰＸ３と行方向Ｄ１に隣接する、第４画素領域ＰＸ４の第４開口部ＯＰ４は前記ゲートラインＧＬを基準として、前記第２開口部ＯＰ２と対称な形状を有する。また、前記第４開口部ＯＰ４は、前記データラインＤＬを基準として、前記第３開口部ＯＰ３と対称な形状を有する。
【００７５】
従って、前記第４開口部ＯＰ４は前記第１開口部ＯＰ１と同じ形状を有する。具体的に、第４開口部ＯＰ４は互いに連続的に接続される第１延長部ＯＰ４１、第２延長部ＯＰ４２及び第３延長部ＯＰ４３を含む。
【００７６】
従って、本実施形態において、前記共通電極ＣＥは、２つの列と２つの行に位置する４つの画素領域に該当する反復ユニットを有してもよい。前記第１〜前記第４画素領域ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４に対応する第１画素部、第２画素部、第３画素部及び第４画素部はそれぞれ他の薄膜トランジスタに接続し独立的に駆動される。
【００７７】
図５は図１に示した表示基板のＡ領域を示した拡大平面図である。図６は図５のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【００７８】
図５及び６を参照すると、前記共通電極ＣＥは、前記表示領域ＤＡ及び前記周辺領域ＰＡと重なるように配置される。前記共通電極ＣＥは共通ラインＣＬと電気的に接続される。
【００７９】
前記共通ラインＣＬは、前記周辺領域ＰＡに配置され、前記ゲートラインＧＬと同一層から形成されてもよい。例えば、前記共通ラインＣＬは、前記第１絶縁層１２０及び前記第２絶縁層１３０上に形成される。
【００８０】
前記共通電極ＣＥは、前記周辺領域ＰＡに配置される接続部ＣＮＰを含む。前記接続部ＣＮＰは、前記第３絶縁層１４０、前記第４絶縁層１５０、前記第５絶縁層１６０及び前記第６絶縁層１７０を貫通して形成されたコンタクトホールを介して、前記共通ラインＣＬに接触してもよい。従って、前記共通ラインＣＬから共通電圧が前記共通電極ＣＥに印加されてもよい。
【００８１】
前記接続部ＣＮＰは、列方向Ｄ２に連続的に延伸する。従って、前記共通電極ＣＥが前記表示領域ＤＡ内で前記開口部ＯＰによって複数の電極部に分離されても、前記共通電極ＣＥ全体に前記共通電圧が印加されることができる。
【００８２】
図７〜図１５は、本発明の一実施形態に係る表示基板の製造方法を示した断面図である。
【００８３】
図７を参照すると、ベース基板１１０上に、遮光パターンＢＰ、第１絶縁層１２０、多結晶シリコンパターンＰＳＰ、及び第２絶縁層１３０を形成する。
【００８４】
前記ベース基板１１０は透明な基板であってもよく、例えば、ガラス基板、ソーダライム基板、プラスチック基板などが使われてもよい。
【００８５】
前記ベース基板１１０上に光を反射または吸収できる物質を含む遮光層を形成した後、フォトリソグラフィ工程などを利用して、前記遮光層をパターニングすることによって、前記遮光パターンＢＰを形成する。次に、前記第１遮光パターンＢＰをカバーする前記第１絶縁層１２０を形成する。
【００８６】
次に、前記第１絶縁層１２０上にアモルファスシリコン層を形成する。前記アモルファスシリコン層を脱水素化し、レーザーなどを利用して結晶化した後、フォトリソグラフィ工程などを利用して、前記決定化されたシリコン層をパターニングして、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰを形成する。前記多結晶シリコンパターンＰＳＰの少なくとも一部は、前記遮光パターンＢＰと重なる。次に、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰをカバーする、前記第２絶縁層１３０を形成する。
【００８７】
図８を参照すると、前記第２絶縁層１３０上にゲート金属層を形成し、前記ゲート金属層をパターニングしてゲートラインＧＬ及びゲート電極ＧＥを形成する。前記ゲート電極ＧＥは、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰと重なる。
【００８８】
次に、前記ゲート電極ＧＥをカバーするフォトレジストパターンＰＲを形成する。前記フォトレジストパターンＰＲは、平面図上で、前記ゲート電極ＧＥより大幅を有する。従って、前記フォトレジストパターンＰＲは、前記ゲート電極ＧＥの側面をカバーする。
【００８９】
図９を参照すると、前記フォトレジストパターンＰＲをマスクとして利用し、多結晶シリコンパターンＰＳＰの一部に高濃度でイオンを注入してＩＰ、ソース部ＳＰ及びドレイン部ＤＰを形成する。前記フォトレジストパターンＰＲと重なる、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰの部分はイオンが注入されない。
【００９０】
図１０を参照すると、前記フォトレジストパターンＰＲを除去し、前記ゲート電極ＧＥをマスクとして利用して、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰの一部に低濃度でイオンを注入して（ＩＰ）、低濃度ドーピング部ＬＤを形成する。前記ゲート電極ＧＥと重なる、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰの部分は、イオンが注入されなく、チャネル部ＣＰを形成する。前記低濃度ドーピング部ＬＤは、前記ソース部ＳＰと前記チャネル部ＣＰとの間、そして、前記ドレイン部ＤＰと前記チャネル部ＣＰとの間に形成される。
【００９１】
他の実施形態において、前記ゲート電極ＧＥを形成した後、前記ゲート電極ＧＥをマスクとして利用して、前記多結晶シリコンパターンＰＳＰの一部に低濃度でイオンを注入した後、フォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをマスクとして利用して低濃度ドーピングされた領域の一部に高濃度でイオンを注入して、前記ドレイン部ＤＰと前記チャネル部ＣＰを形成することもできる。
【００９２】
また他の実施形態において、前記低濃度ドーピング部ＬＤを形成するための工程は省略されてもよい。
【００９３】
図１１を参照すると、前記第２絶縁層１３０上に、前記ゲート電極ＧＥ及び前記ゲートラインＧＬをカバーする第３絶縁層１４０を形成する。次に、前記第３絶縁層１４０及び前記第２絶縁層１３０をパターニングして、前記ソース部ＳＰを露出する第１コンタクトホールＣＨ１及び前記ドレイン部ＤＰを露出する第２コンタクトホールＣＨ２を形成する。
【００９４】
図１２を参照すると、前記第３絶縁層１４０上にデータ金属層を形成し、前記データ金属層をパターニングして、前記第１コンタクトホールＣＨ１を介して前記ソース部ＳＰと接触するソース電極ＳＥ、前記第２コンタクトホールＣＨ２を介して前記ドレイン部ＤＰと接触するドレーン電極ＤＥ、及びデータラインを形成する。
【００９５】
図１３を参照すると、前記第３絶縁層１４０上に前記ソース電極ＳＥ、前記ドレーン電極ＤＥ、及び前記データラインをカバーする第４絶縁層１５０を形成し、前記第４絶縁層１５０上に第５絶縁層１６０を形成する。
【００９６】
次に、前記第５絶縁層１６０及び前記第４絶縁層１５０をパターニングして、前記ドレーン電極ＤＥを露出する第３コンタクトホールＣＨ３を形成する。
【００９７】
図１４を参照すると、前記第５絶縁層１６０上に、画素電極層を形成し、前記画素電極層をパターニングして、画素電極ＰＥを形成する。前記画素電極層は、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などのような透明な導電性物質を含んでもよい。
【００９８】
次に、前記第５絶縁層１６０上に、前記画素電極ＰＥをカバーする第６絶縁層１７０を形成する。
【００９９】
図１５を参照すると、前記第６絶縁層１７０上に共通電極層を形成して、前記共通電極層をパターニングして、開口部ＯＰを有する共通電極ＣＥを形成する。前記共通電極層はインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物などのような透明な導電性物質を含んでもよい。前記開口部ＯＰは前記画素電極ＰＥと重なる。
【０１００】
次に、前記共通電極ＣＥをカバーする下部配光膜１８０を形成する。例えば、ポリイミド樹脂を含む配向材組成物を前記共通電極ＣＥ上に塗布して配光膜を形成した後、ラビング布などを利用して、前記配光膜を一定方向にラビングして前記下部配光膜１８０を形成する。
【０１０１】
本実施形態において、薄膜トランジスタは、多結晶シリコンチャネル部を含むか、または、非晶質シリコンを含む薄膜トランジスタ、酸化物半導体を含む薄膜トランジスタも本発明の表示基板に使われてもよい。
【０１０２】
また、他の実施形態において、前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥ下に形成されてもよい。
【０１０３】
図１６は本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルを図示した断面図である。図１７は前記液晶表示パネルの共通電極及び前記共通電極上に配向された液晶分子を示した平面図である。
【０１０４】
図１６を参照すると、液晶表示パネルは表示基板１００、対向基板２００、及び前記表示基板１００と前記対向基板２００との間に介在された液晶層２５０を含む。前記表示基板１００と前記対向基板２００は、シーリング部材などによって結合する。
【０１０５】
前記表示基板１００は、図２に示した表示基板と実質的に同一であるので、具体的な説明は省略する。
【０１０６】
前記対向基板２００は、ベース基板２１０、前記ベース基板２１０の一面に形成されたブラックマトリックスＢＭ、前記ベース基板２１０の一面に形成された、カラーフィルタＣＦ、前記ブラックマトリックスＢＭ、及び前記カラーフィルタＣＦをカバーする平坦化層２２０及び前記平坦化層２２０をカバーし、前記液晶層２５０に接触する上部配光膜２３０を含む。
【０１０７】
前記上部配光膜２３０は、一定方向にラビングされる。例えば、前記上部配光膜２３０のラビング方向は前記下部配光膜１８０のラビング方向と平行してもよく、望ましく、前記下部配光膜１８０のラビング方向と反対であってもよい。
【０１０８】
前記表示基板１００と対向基板２００との間に配置された液晶層２５０の液晶分子は、プレチルトを有して一定方向に配列される。
【０１０９】
図１７は本発明の一実施形態に係る液晶表示パネルで液晶分子の動きを説明するための平面図である。
【０１１０】
図１７を参照すると、共通電極は、それぞれが異なる画素電極と重なる第１開口部ＯＰ１、第２開口部ＯＰ２、第３開口部ＯＰ３及び第４開口部ＯＰ４を含む。
【０１１１】
前記画素電極に画素電圧が印加されると、前記画素電極と前記共通電極によって形成された電場によって液晶分子ＬＣが配列される。例えば、前記液晶分子ＬＣは、長軸が前記共通電極の開口部の延伸方向に直交する方向と平行となるように配列される。
【０１１２】
従って、第１画素領域ＰＸ１の液晶分子ＬＣは、第１開口部ＯＰ１の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第１画素領域ＰＸ１と行方向Ｄ１に隣接した第２画素領域ＰＸ２の液晶分子ＬＣは、第２開口部ＯＰ２の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第１画素領域ＰＸ１と列方向Ｄ２に隣接した第３画素領域ＰＸ３の液晶分子ＬＣは、第３開口部ＯＰ３の延伸方向と直交する方向に配列され、前記第３画素領域ＰＸ３と行方向Ｄ１に隣接し、前記第２画素領域ＰＸ２と列方向Ｄ２に隣接した第４画素領域ＰＸ４の液晶分子ＬＣは第２開口部ＯＰ４の延伸方向と直交する方向に配列される。
【０１１３】
本実施形態において、前記第１開口部ＯＰ１は前記第４開口部ＯＰ４と同じ形状を有し、前記第２開口部ＯＰ２は前記第１開口部ＯＰ１とデータラインを基準として対称な形状を有し、前記第３開口部ＯＰ３と同じ形状を有する。従って、各画素電圧に同じ電圧が印加される時、前記第１画素領域ＰＸ１の液晶分子ＬＣは、第４画素領域ＰＸ４の液晶分子ＬＣと同じ方向に配列され、前記第２画素領域ＰＸ２の液晶分子ＬＣは第１画素領域ＰＸ１の液晶分子ＬＣと他の方向に配列されて、前記第３画素領域ＰＸ３の液晶分子ＬＣは第２画素領域ＰＸ２の液晶分子ＬＣと同じ方向に配列されてもよい。
【０１１４】
以上、説明した本発明の実施形態によると、表示領域内で液晶分子が、それぞれ異なる方向に配列される複数のドメインを形成することによって、視野によって色感が変化することを防止することができる。
【０１１５】
また、前記複数のドメインを１つの画素領域内に形成するのではなく、各画素領域での液晶配列を違うようにすることによって、１つの画素領域に形成される複数のドメインの境界で輝度が減少することを防止することができる。
【０１１６】
また、共通電極の開口部が行方向と列方向に対称される形状を有することによって、横線不良を改善することができる。
【０１１７】
また、表示領域内で連続的に延伸する共通電極を形成することによって、画素領域間の境界で、輝度が低下したり、または、コントラストが低下したりすることを防止することができる。また、表示領域内に共通ラインを形成する必要がないので、実質的に開口率を向上させることができる。
【０１１８】
図１８は本発明の他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。図１９は図１８に示した表示基板の共通電極を示した平面図である。
【０１１９】
図１８を参照すると、表示基板はゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、アクティブパターンＡＰ、画素電極ＰＥ、及び共通電極ＣＥを含む。前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥと重なる開口部ＯＰを含む。
【０１２０】
前記表示基板は、共通電極ＣＥの開口部ＯＰの形状を除いては、既に説明した図２に示した表示基板１００と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１２１】
図１８及び図１９を参照すると、第１画素領域ＰＸ１内の第１開口部ＯＰ１は、前記第１画素領域ＰＸ１と行方向Ｄ１に隣接する第２画素領域ＰＸ２の第２開口部ＯＰ２と分離して離隔される。従って、前記共通電極ＣＥは列方向Ｄ２に連続的に延伸する。例えば、前記共通電極ＣＥは前記データラインＤＬと全部が重なることができる。本実施形態において、前記第１開口部ＯＰ１及び前記第２開口部ＯＰ２は平面図上で、前記データラインＤＬと離隔される。
【０１２２】
具体的に、前記第１画素領域ＰＸ１内の第１開口部ＯＰ１は、第１方向に延伸する第１延長部ＯＰ１１、前記第１延長部ＯＰ１１の一端から第２方向に延伸する第２延長部ＯＰ１２、及び前記第１延長部ＯＰ１１の他端部から第３方向に延伸する第３延長部ＯＰ１３を含む。前記第１延長部ＯＰ１１、第２延長部ＯＰ１２、及び第３延長部ＯＰ１３は互いに連続的に接続される。
【０１２３】
本実施形態において、前記第１方向と前記第２方向は互いに異なり、前記第２方向と前記第３方向は互いに平行である。従って、前記第２方向は前記第３方向と反対である。前記第１方向は前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬと平行しないように、前記行方向Ｄ１に対して傾いている。
【０１２４】
本実施形態において、前記第２延長部ＯＰ１２は前記画素電極ＰＥと完全に重なり、前記第２延長部ＯＰ１２及び前記第３延長部ＯＰ１３は、前記画素電極ＰＥと部分的に重なる。
【０１２５】
本実施形態において、前記第１画素領域ＰＸ１は互いに列方向Ｄ２に離隔した複数の第１開口部ＯＰ１を含む。
【０１２６】
前記第２開口部ＯＰ２は、前記データラインＤＬを基準として、前記第１開口部ＯＰ１と対称な形状を有する。
【０１２７】
具体的に、前記第２開口部ＯＰ２は第４方向に延伸する第１延長部ＯＰ２１、前記第１延長部ＯＰ２１の一端から第５方向に延伸する第２延長部ＯＰ２２、及び前記第１延長部ＯＰ２１の他端部から第６方向に延伸する第３延長部ＯＰ２３を含む。従って、前記第１延長部ＯＰ２１、第２延長部ＯＰ２２、及び第３延長部ＯＰ２３は互いに連続的に接続される。
【０１２８】
本実施形態において、前記第４方向と前記第５方向は互いに異なり、前記第５方向と前記第６方向は互いに平行である。前記第４方向は前記ゲートラインＧＬ及び前記データラインＤＬと平行しないように、前記行方向Ｄ１に対して傾いている。
【０１２９】
前記第１画素領域ＰＸ１と列方向Ｄ２に隣接する第３画素領域ＰＸ３の第３開口部ＯＰ３は、前記ゲートラインＧＬを基準として、前記第１開口部ＯＰ１と対称な形状を有する。従って、前記第３開口部ＯＰ３は、前記第２開口部ＯＰ２と同じ形状を有する。具体的に、第３開口部ＯＰ３は互いに連続的に接続される第１延長部ＯＰ３１、第２延長部ＯＰ３２、及び第３延長部ＯＰ３３を含む。
【０１３０】
前記第２画素領域ＰＸ２と列方向Ｄ２に隣接し、前記第３画素領域ＰＸ３と行方向Ｄ１に隣接する、第４画素領域ＰＸ４の第４開口部ＯＰ４は、前記ゲートラインＧＬを基準として、前記第２開口部ＯＰ２と対称な形状を有する。また、前記第４開口部ＯＰ４は、前記データラインＤＬを基準として、前記第３開口部ＯＰ３と対称な形状を有する。
【０１３１】
従って、前記第４開口部ＯＰ４は前記第１開口部ＯＰ１と同じ形状を有する。具体的に、第４開口部ＯＰ４は互いに連続的に接続される第１延長部ＯＰ４１、第２延長部ＯＰ４２、及び第３延長部ＯＰ４３を含む。
【０１３２】
従って、本実施形態において、前記共通電極ＣＥは２つの列と２つの行に位置する４つの画素領域に該当する反復ユニットを有してもよい。前記第１〜前記第４画素領域ＰＸ１、ＰＸ２、ＰＸ３、ＰＸ４に対応する画素電極はそれぞれ他の薄膜トランジスタに接続されて独立的に駆動される。
【０１３３】
図２０は本発明のまた他の実施形態に係る表示基板を示した平面図である。
【０１３４】
図２０を参照すると、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、ドレーン電極ＤＥ、アクティブパターンＡＰ、画素電極ＰＥ、及び共通電極ＣＥを含む。前記共通電極ＣＥは前記画素電極ＰＥと重なる開口部ＯＰを含む。
【０１３５】
前記表示基板は、共通電極ＣＥの開口部ＯＰの形状を除いては、既に説明した図１８に示した表示基板と実質的に同一である。従って、重複する説明は省略する。
【０１３６】
図２０を参照すると、前記共通電極ＣＥは行方向Ｄ１に互いに離隔した複数の開口部ＯＰを有する。前記開口部ＯＰは前記データラインＤＬと部分的に重なる。従って、前記共通電極ＣＥは前記データラインＤＬの一部と重なる。
【０１３７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明の例示的な実施形態に係る表示基板、液晶表示パネル、及び表示基板の製造方法は、モニタ、テレビ、モバイルフォンのスクリーンなどのような表示装置に適用できる。
【符号の説明】
【０１３９】
１００              表示基板
１１０              ベース基板
１２０、１３０、１４０、１５０、１６０、１７０       
第１絶縁層、第２絶縁層、第３絶縁層、第４絶縁層、第５絶縁層、第６絶縁層
ＢＰ        遮光パターン
ＡＰ        アクティブパターン
ＧＥ        ゲート電極
ＧＬ        ゲートライン
ＳＥ        ソース電極
ＤＥ        ドレーン電極
ＤＬ        データライン
ＰＥ        画素電極
ＣＥ        共通電極
ＣＬ        共通ライン
ＯＰ        開口部
２００              対向基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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