(57)【要約】      （修正有）【課題】ワークのスクラッチや欠陥の発生を抑制しつつ、凹部の深さの面内ばらつきを低減することで研磨後のワークの平坦度を向上できるテンプレートアセンブリを提供する。【解決手段】ワークを研磨する際に該ワークを保持するためのテンプレートアセンブリ１であって、ＰＥＴ基材２と、該ＰＥＴ基材２の下面の外周部に接着された環状のテンプレート部３と、前記ＰＥＴ基材２の下面の中央部に接着された円盤状のバッキングパッド４とを有し、前記テンプレート部３の内面と前記バッキングパッド４の下面とで、研磨時に前記ワークを収容して保持する凹部６が形成され、前記テンプレート部３の内面上部に環状の切欠部５が形成され、該切欠部５に前記バッキングパッド４の周縁部が係合する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを研磨する際に該ワークを保持するためのテンプレートアセンブリであって、
ＰＥＴ基材と、該ＰＥＴ基材の下面の外周部に接着された環状のテンプレート部と、前記ＰＥＴ基材の下面の中央部に接着された円盤状のバッキングパッドとを有し、
前記テンプレート部の内面と前記バッキングパッドの下面とで、研磨時に前記ワークを収容して保持する凹部が形成され、
前記テンプレート部の内面上部に環状の切欠部が形成され、該切欠部に前記バッキングパッドの周縁部が係合したものであることを特徴とするテンプレートアセンブリ。
【請求項２】
前記切欠部の厚さは、前記バッキングパッドの狙い厚さ以下であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレートアセンブリ。
【請求項３】
前記テンプレート部の材質はガラスエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のテンプレートアセンブリ。
【請求項４】
前記凹部の深さの面内ばらつきが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のテンプレートアセンブリ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のテンプレートアセンブリの製造方法であって、
内面上部に環状の切欠部が形成された環状のテンプレート部を準備する工程と、
円盤状のバッキングパッドをＰＥＴ基材の中央部に接着する工程と、
前記バッキングパッドの周縁部を前記テンプレート部の切欠部に係合させるようにして、前記テンプレート部を前記ＰＥＴ基材の下面の外周部に接着する工程を有することを特徴とするテンプレートアセンブリの製造方法。
【請求項６】
前記テンプレート部を準備する工程において、テンプレート部用の基板を用意し、該用意した基板を環状に切り出した後、該環状の基板の内面上部を研削することによって前記切欠部を形成することを特徴とする請求項５に記載のテンプレートアセンブリの製造方法。
【請求項７】
前記テンプレート部を準備する工程において、前記切欠部を形成する前に、前記テンプレート部をラッピング及び／又は研磨することによって、前記テンプレート部の厚さの面内ばらつきを１０μｍ以下とすることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のテンプレートアセンブリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエーハを始めとした半導体ウェーハ等のワークの表面を研磨する際にワークを保持するテンプレートアセンブリ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等のワークの表面を研磨する装置として、ワークを片面ずつ研磨する片面研磨装置と、両面同時に研磨する両面研磨装置とがある。図８に示すような一般的な片面研磨装置２００は、研磨布２０２が貼り付けられた定盤２０３と、研磨剤供給機構２０４と、研磨ヘッド２０１等から構成されている。研磨装置２００は、研磨ヘッド２０１でワークＷを保持し、研磨剤供給機構２０４から研磨布２０２上に研磨剤２０５を供給するとともに、定盤２０３と研磨ヘッド２０１をそれぞれ回転させてワークＷの表面を研磨布２０２に摺接させることにより研磨を行う。
【０００３】
ワークを保持する方法として、リテーナーリングを使用した研磨ヘッドや、テンプレートアセンブリを使用した研磨ヘッドが使用されている。
リテーナーリングを使用した研磨ヘッドは、リテーナーリングがワークの周辺において研磨布を押圧し、ワーク自体による研磨布の圧縮変形を防止することにより、ワークの外周ダレ等を防止するという機能を有する。しかしながら、研磨ヘッド構造が複雑になるため、高コストとなる。
【０００４】
従来のテンプレートアセンブリを使用した研磨ヘッドの一例を図９に示す。図９に示すように、テンプレートアセンブリは、バッキングパッド１０２とその下面の外周部に接着された環状のテンプレート部１０３を有し、テンプレート部の内面とバッキングパッド１０２の下面とで凹部が形成される。研磨時には、この凹部にワークＷを収容して保持する。研磨ヘッド１０１は、このテンプレートアセンブリが研磨ヘッド本体１０４に両面テープ１０５で接着されて構成される。テンプレート部１０３の材質は、ガラスエポキシ樹脂などが用いられている。
【０００５】
このようなテンプレートアセンブリを使用した研磨ヘッド１０１では、ウェーハＷの外周形状は、テンプレートアセンブリの凹部の深さとウェーハＷの厚さの差によって制御される。すなわち、テンプレート部１０３の厚さを適切に選定することにより、研磨時のワーク外周部の圧力を調節することができるので、研磨ヘッドの構造を複雑にすることなく、比較的容易に外周ダレを抑制することができる。
【０００６】
しかし、ウェーハの厚み精度に比べ、テンプレートアセンブリの凹部の深さばらつきが大きく、狙い通りの厚さの差を安定して得ることが難しい。
そこで、凹部の深さばらつきを改善するため、成膜後のバッキングパッドの表面をバフィング加工したり、テンプレート部の研削やラップが行われている（特許文献１参照）。
【０００７】
また、図１０に示すような、ＰＥＴ基材を用いたテンプレートアセンブリも知られている（特許文献２参照）。図１０に示すように、テンプレートアセンブリ１１０では、研削やラップを行ったテンプレート部１０３をＰＥＴ基材１０６に直接接着し、その内側にバフィング加工により厚さばらつきを低減したバッキングパッド１０２が貼り付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−２０８１９９号公報
【特許文献２】特開２００８−９３８１１号公報
【特許文献３】特開平７−５８０６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したバッキングパッドへのバフィング加工やテンプレート部への研削・研磨加工を行う方法は、バッキングパッドとテンプレート部個々の厚さばらつきを低減する効果があるが、テンプレート部と弾性体であるバッキングパッドとの接着精度の改善が難しく、凹部の深さの面内ばらつきといった、テンプレートアセンブリとしての精度は大きく改善されない。
【００１０】
一般的に市販されているテンプレートアセンブリの凹部の深さ精度は、狙い値に対し±２０μｍのばらつきがあり、深さの面内ばらつきは１５μｍ程度である。
テンプレート部を研削・研磨した後の狙い厚さに対する厚さばらつきは±３μｍ、厚さの面内ばらつきは３μｍ以下に改善することが可能である。しかし、このテンプレート部をバッキングパッドに接着した後のテンプレートアセンブリの凹部の深さ精度は、、狙い値に対し±１０μｍのばらつきがあり、深さの面内ばらつきも１０μｍ程度まで悪化してしまう。
【００１１】
図１０に示すようなテンプレート部及びバッキングパッドとＰＥＴ基材とを直接接着したテンプレートアセンブリ１１０では、テンプレート部として使用されるガラスエポキシ樹脂が硬質であるため、接着精度の向上は比較的容易であり、テンプレートアセンブリとしての精度を向上することができる。しかし、テンプレート部の内面に円盤状のバッキングパッドを貼り付けるため、研磨中にテンプレート部とバッキングパッドの間にできる隙間にスラリーが入り込み、これが発塵源となり、ワークの微小なスクラッチや欠陥など、研磨後のワーク品質に悪影響を及ぼすという問題がある。
【００１２】
上記テンプレートアセンブリ１１０において、テンプレート部の厚さを厚くした場合、図９に示すようなバッキングパッドにテンプレート部を接着したテンプレートアセンブリに比べ、研磨時にテンプレート部の沈み込みがないため、テンプレート部と研磨布の隙間がより小さくなる。そのためワーク表面へのスラリー供給量が不足し、ワーク品質に悪影響を及ぼす場合があり、テンプレート部をあまり厚くできない問題もある。
【００１３】
また、ワークの外周ダレを抑制するために、テンプレート部の内面に沿ってバッキングパッドに環状の溝を形成する方法が知られているが（特許文献３参照）、この方法でも、研磨中に溝にスラリーが入り込み、発塵源となるため、ワークの表面欠陥を改善することができない。
【００１４】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ワークのスクラッチや欠陥の発生を抑制しつつ、凹部の深さの面内ばらつきを低減することで研磨後のワークの平坦度を向上できるテンプレートアセンブリを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明によれば、ワークを研磨する際に該ワークを保持するためのテンプレートアセンブリであって、ＰＥＴ基材と、該ＰＥＴ基材の下面の外周部に接着された環状のテンプレート部と、前記ＰＥＴ基材の下面の中央部に接着された円盤状のバッキングパッドとを有し、前記テンプレート部の内面と前記バッキングパッドの下面とで、研磨時に前記ワークを収容して保持する凹部が形成され、前記テンプレート部の内面上部に環状の切欠部が形成され、該切欠部に前記バッキングパッドの周縁部が係合したものであることを特徴とするテンプレートアセンブリが提供される。
【００１６】
このようなテンプレートアセンブリであれば、テンプレート部とバッキングパッドの間に隙間がないので、研磨中に発塵することもなく、ワークのスクラッチや欠陥の発生を抑制できるものとなる。また、テンプレート部とバッキングパッドをＰＥＴ基材に接着しているので、これらの厚さの面内ばらつき、ひいては凹部の深さの面内ばらつきが低減され、研磨後のワークの平坦度を向上できるものとなる。
【００１７】
このとき、前記切欠部の厚さは、前記バッキングパッドの狙い厚さ以下であることが好ましい。
このようなものであれば、テンプレート部とバッキングパッドの間に隙間ができることもなく、また、切欠部の厚さがバッキングパッドの狙い厚さより小さければ、ワーク外周部の研磨圧力を低下させることができ、ワーク外周部の研磨量を低減できるので、外周ダレを抑制できるものとなる。
【００１８】
また、前記テンプレート部の材質はガラスエポキシ樹脂であることが好ましい。
このようなものであれば、機械的特性に優れたものとなるし、ワークへの金属汚染やキズを防止できるものとなる。
【００１９】
また、前記凹部の深さの面内ばらつきが１０μｍ以下であることが好ましい。
このようなものであれば、研磨後のワークの平坦度を確実に向上できるものとなる。
【００２０】
また、本発明によれば、上記本発明のテンプレートアセンブリの製造方法であって、内面上部に環状の切欠部が形成された環状のテンプレート部を準備する工程と、円盤状のバッキングパッドをＰＥＴ基材の中央部に接着する工程と、前記バッキングパッドの周縁部を前記テンプレート部の切欠部に係合させるようにして、前記テンプレート部を前記ＰＥＴ基材の下面の外周部に接着する工程を有することを特徴とするテンプレートアセンブリの製造方法が提供される。
【００２１】
このような製造方法によって、テンプレート部とバッキングパッドの厚さの面内ばらつきが低減され、研磨後のワークの平坦度を向上でき、かつワークのスクラッチや欠陥の発生を抑制できる本発明のテンプレートアセンブリを製造できる。
【００２２】
このとき、前記テンプレート部を準備する工程において、テンプレート部用の基板を用意し、該用意した基板を環状に切り出した後、該環状の基板の内面上部を研削することによって前記切欠部を形成することができる。
このようにすれば、切欠部を有した環状のテンプレート部を容易に準備できる。
【００２３】
また、前記テンプレート部を準備する工程において、前記切欠部を形成する前に、前記テンプレート部をラッピング及び／又は研磨することによって、前記テンプレート部の厚さの面内ばらつきを１０μｍ以下とすることが好ましい。
このようにすれば、テンプレート部の内面とバッキングパッドの下面とで形成される凹部の深さの面内ばらつきを確実に低減できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明のテンプレートアセンブリは、ＰＥＴ基材と、該ＰＥＴ基材の下面の外周部に接着された環状のテンプレート部と、前記ＰＥＴ基材の下面の中央部に接着された円盤状のバッキングパッドとを有し、テンプレート部の内面上部に環状の切欠部が形成され、該切欠部に前記バッキングパッドの周縁部が係合したものであるので、研磨中に発塵することもなく、ワークのスクラッチや欠陥の発生を抑制でき、また、テンプレート部とバッキングパッドの厚さの面内ばらつき、ひいては凹部の深さの面内ばらつきが低減され、研磨後のワークの平坦度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のテンプレートアセンブリの一例の概略図である。
【図２】本発明のテンプレートアセンブリにおけるバッキングパッドの狙い厚さと同じ厚さを有する切欠部の周辺を拡大した図である。
【図３】本発明のテンプレートアセンブリにおけるバッキングパッドの狙い厚さより小さい厚さを有する切欠部の周辺を拡大した図である。
【図４】実施例１−２、比較例１−２における凹部深さの狙い値からのズレ量に対するロールオフの関係を示す図である。
【図５】実施例１−２、比較例１−２におけるロールオフの平均値、最大値、最小値を示す図である。
【図６】実施例１−２、比較例１−２におけるロールオフの面内８点のそれぞれの位置の変動を示すレーダーチャートである。
【図７】実施例１−２、比較例１、３におけるウェーハ欠陥数を示す図である。
【図８】一般的な研磨装置の一例を示す概略図である。
【図９】従来のテンプレートアセンブリの一例の概略図である。
【図１０】従来のテンプレートアセンブリの別の一例の概略図である。
【図１１】実施例１−２、比較例１―３における凹部の深さの測定方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、本発明のテンプレートアセンブリについて図１、２を参照しながら説明する。
図１に示すように、本発明のテンプレートアセンブリ１は、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）基材２と、環状のテンプレート部３と円盤状のバッキングパッド４とを有する。ＰＥＴ基材２の厚さや形状は特に限定されず、例えば、形状については円盤状とすることができる。
【００２７】
バッキングパッド４は、水を含ませてワークＷを下面に貼り付け、ワークＷを保持するものである。バッキングパッド４は、例えば発泡ポリウレタン製とすることができる。このようなバッキングパッド４を設けて水を含ませることで、バッキングパッド４に含まれる水の表面張力によりワークＷを確実に保持することができる。
【００２８】
テンプレート部３は、ＰＥＴ基材２の下面の外周部に接着される。バッキングパッド４は、ＰＥＴ基材２の下面の中央部に接着される。
テンプレート部３の内面とバッキングパッド４の下面とで凹部６が形成される。ワークＷの研磨時には、この凹部６にワークＷが収容され、ワークＷのエッジ部がテンプレート部３の内面に、ワークＷの上面がバッキングパッド４の下面に保持される。
【００２９】
このように、テンプレート部３とバッキングパッド４が共にＰＥＴ基材２に直接接着されたものであれば、凹部６の深さの狙い深さに対する誤差、及び凹部６の深さの面内ばらつきを低減できる。そのため、本発明のテンプレートアセンブリを用いて研磨したワークＷの特に外周ダレを低減して、ワークＷの平坦度を改善できる。特に、凹部の深さの面内ばらつきを１０μｍ以下とすることで、ワークＷの平坦度を確実に改善できる。
【００３０】
テンプレート部３の材質は、ワークＷを汚染せず、かつ、キズや圧痕を付けないために、ワークＷよりも柔らかく、研磨中に研磨布と摺接されても摩耗しにくい、耐摩耗性の高い材質であることが好ましい。このような観点から、例えばテンプレート部３の材質をガラスエポキシ樹脂とすることができる。
【００３１】
更に、図１に示すように、テンプレート部３の内面上部には環状の切欠部５が形成される。バッキングパッド４がこの切欠部５にバッキングパッド４の周縁部が係合するように、ＰＥＴ基材２の下面の中央部に接着される。このようなものであれば、テンプレート部３とバッキングパッド４がＰＥＴ基材２に直接接着された構造を採用しつつ、テンプレート部３とバッキングパッド４間の隙間をなくすことができる。そのため、従来のテンプレートアセンブリで発生していた、研磨中にスラリーが隙間に入り込んで発塵する問題を防止でき、ワークの微小なスクラッチや欠陥が発生するのを抑制できる。
【００３２】
図２に示すように、切欠部５の厚さｄは、バッキングパッド４との隙間が形成されないように、バッキングパッド４の狙い厚さ以下とすることが好ましい。
ワークの外周部のダレをより抑制したい場合、図３のように、切欠部５の厚さｄをバッキングパッド４の狙い厚さより小さくすれば良い。こうすることで、テンプレート部３で挟み込まれたバッキングパッド４の周縁部は環状に圧縮されるため、ワーク外周部の研磨圧力が低下し、ワーク外周部の研磨量を下げてワーク外周部のダレを抑制できる。
【００３３】
本発明の切欠部５を有するテンプレートアセンブリであれば、切欠部５の厚さを調整することで、テンプレート部３の厚さを変えることなくワーク外周部の研磨圧力を調整できるので、テンプレート部３と研磨布との隙間が小さくなることでスラリーの供給量が不足することを抑制でき、ワークの表面欠陥の発生を抑制することができる。
また、この構造であれば、バッキングパッド４を環状に溝切削する方法との併用が可能である。
【００３４】
次に、本発明のテンプレートアセンブリの製造方法について説明する。
まず、図１に示すような、内面上部に環状の切欠部５が形成された環状のテンプレート部３を準備する。この工程は、例えば以下のようにして実施できる。
テンプレート部用の、例えばガラスエポキシ樹脂基板のような基板を用意する。この基板に対してラッピング及び／又は研磨を行い、基板の厚さが狙い値となるように加工する。
【００３５】
このとき、テンプレート部３の厚さの面内ばらつきを１０μｍ以下とすることが好ましい。このようにすれば、ワークを研磨するときに、ワークの外周部の表面形状が部分的に悪化するのを抑制できる。
ここで、ラッピングを行う場合、砥粒には例えばアルミナ系、ＳｉＣ系の砥粒を使用することができる。研磨を行う場合、例えばコロイダルシリカを含有するアルカリ溶液を使用することができる。
【００３６】
その後、ラッピングや研磨で付着した砥粒やアルカリ溶液を除去するために、上記基板を洗浄する。
次に、例えば、ＮＣ加工などによって基板を環状のテンプレート部３に切り出した後、環状のテンプレート部３の内面上部を研削することによって切欠部５を形成する。このとき、上記したように切欠部５の厚さをバッキングパッド４の狙い厚さ以下の所定の厚さにする。
【００３７】
円盤状のバッキングパッド４をＰＥＴ基材２の中央部に接着する。ここで、バッキングパッド４の直径は上記で形成した環状の切欠部５に係合する大きさとする。このバッキングパッド４の周縁部をテンプレート部３の切欠部５に係合させるようにして、テンプレート部３をＰＥＴ基材２の下面の外周部に接着する。
【００３８】
上記した本発明のテンプレートアセンブリの製造方法によって、上記した本発明のテンプレートアセンブリを製造することができる。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
図１に示すような本発明のテンプレートアセンブリを本発明の製造方法に従って製造し、凹部の深さの精度を評価した。凹部の深さの精度は、狙い深さに対するズレと面内ばらつきを評価した。
ガラスエポキシ樹脂基板を狙い厚さ付近までラッピングした後、約１μｍの酸化セリウムパウダーを含むスラリーにて基板を研磨し、所定のサイズで環状に加工した。その後、旋盤によりバッキングパッドの厚さと同じ厚さで、内周から５ｍｍの位置まで環状に研削して切欠部を形成した。
【００４１】
このようにして作製したテンプレート部を、バッキングパッドが中央部に接着されたＰＥＴ基材に接着し、テンプレートアセンブリを製造した。
このテンプレートアセンブリの凹部の深さを測定したところ、表１に示すように、狙い深さに対するズレの平均値（Ａｖｅ）は−０．５１μｍ、最大値はプラス側（Ｍａｘ）４．８μｍ、マイナス側（Ｍｉｎ）６．５μｍであった。深さの面内ばらつきは、表２に示すように、８点のレンジの平均値（Ａｖｅ）として５．３μｍ、レンジの最大値（Ｍａｘ）で７μｍであった。この結果により、後述の比較例１、２の結果と比べ凹部の深さ精度が大幅に改善されていることが分かった。
【００４２】
ここで、凹部の深さの測定は以下のようにして行った。図１１に示すように、ワークの外周から１〜２ｍｍの面内８点にマーキングし、マーキングした部分の厚さを測定した（ワーク厚さ）。このワークをテンプレートアセンブリの凹部内に入れ、１００ｇ／ｃｍ２の荷重をワークにかけた状態で、マーキング部分のワーク厚さを測定した（ワーク部厚さ）。また、テンプレート部の内周から外周方向へ１〜２ｍｍの位置のテンプレート部の厚さを測定した（テンプレート部厚さ）。これら測定値を用い、以下の式で凹部の深さを計算した。凹部の深さは８点の平均とレンジを代表値とした。
凹部の深さ＝テンプレート部厚さ−（ワーク部厚さ−ワーク厚さ）
尚、厚さ測定は、ミツトヨ製ハイトゲージＨＤＦ−３００Ｎを使用した。
【００４３】
次に、実施例１で製造したテンプレートアセンブリを具備した図８に示すような研磨装置を用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを研磨し、平坦度及びウェーハ表面欠陥を評価した。平坦度の評価として、ロールオフ測定をコベルコ科研社製のエッジロールオフ測定装置  ＬＥＲ−３１０Ｍを用いて行った。
【００４４】
ロールオフの算出基準面を外周から３〜６ｍｍとし、外周から０．５ｍｍ、０．７ｍｍ、１．０ｍｍ、２．０ｍｍのロールオフを各４枚のウェーハについて測定した。
各点のロールオフの平均値を表３に示す。また、表１の凹部の深さの狙い値からのズレと表３のロールオフの関係を図４に示す。図４に示すように、凹部の深さの狙い値からのズレは、狙い値からマイナス側（凹部の深さが浅くなる）にズレており、ズレ量が大きくなるにしたがって、テンプレート部によるワーク外周部の研磨圧力の低減効果が低下し、特に凹部の深さの影響を受け易い外周から０．５ｍｍの位置でのロールオフの変化が顕著となっている。
【００４５】
図５に外周から０．５ｍｍの位置の各ウェーハのロールオフの平均値（Ａｖｅ）、最大値（Ｍａｘ）、最小値（Ｍｉｎ）を示す。また、図６に各測定位置のロールオフの面内８点のそれぞれの位置がどのように変動しているかをレーダーチャートで示す。
実施例１では、ほぼ狙い深さに等しい凹部深さが得られているため、図５、６に示すように、ロールオフは後述する比較例１−２よりも改善し、面内ばらつきも大きく改善した。
また、図６に示すように、レーダーチャートはほぼ同心円となっており、ロールオフの面内変動が抑えられていることが分かった。
【００４６】
図７にウェーハ表面欠陥の結果を示す。図７に示すように、ウェーハ表面欠陥は後述する比較例３の結果と比べ抑制できていることが分かった。
尚、表面欠陥は、レーザーテック社のＭａｇｉｃｓ  ３５０を用いて評価し、比較例１の総欠陥数を１．０として評価した。
【００４７】
（実施例２）
テンプレート部の厚さを実施例１と比べて１０μｍ薄くし、切欠部の厚さをバッキングパッドの厚さより２０μｍ薄くした以外実施例１と同様の方法で本発明のテンプレートアセンブリを製造し、同様に評価した。尚、実施例１よりも１０μｍ薄い厚さのテンプレート部を用いているが、テンプレート部によりバッキングパッドの周縁部を圧縮しているため、ワークに１００ｇ／ｃｍ２の荷重をかけた状態での凹部の深さは実施例１とほぼ等しくなるような切欠部の厚さとした。
【００４８】
このテンプレートアセンブリの凹部の深さを測定したところ、表１に示すように、狙い深さに対するズレの平均値は−０．４３μｍ、最大値はプラス側２．０μｍ、マイナス側２．８μｍであった。深さの面内ばらつきは、表２に示すように、８点のレンジの平均値として５．８μｍ、レンジの最大値で７μｍであった。この結果により、後述の比較例１、２の結果と比べ凹部の深さ精度が大幅に改善されていることが分かった。
【００４９】
次に、実施例２で製造したテンプレートアセンブリを具備した図８に示すような研磨装置を用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを研磨し、実施例１と同様に平坦度及びウェーハ表面欠陥を評価した。
実施例２では、上記のように、実施例１と異なる厚さのテンプレート部を用いているが、凹部の深さはほぼ同等であるため、研磨したウェーハのロールオフも同等の結果となった。図６に示すレーダーチャートから、実施例１同様、ロールオフの面内変動が抑えられていることが分かった。
図７にウェーハ表面欠陥の結果を示す。図７に示すように、ウェーハ表面欠陥は後述する比較例３の結果と比べ抑制できていることが分かった。
【００５０】
実施例１と実施例２では、研磨後のウェーハのロールオフは同レベルであり、ロールオフの面内ばらつきも同レベルであった。すなわち、実施例２のようにテンプレート部の厚さを薄くしても、切欠部の厚さを調整すれば狙い深さの凹部を形成できるので、例えば使用する研磨布の圧縮率等の影響で、研磨時のウェーハ表面へのスラリー供給量が低下するような深い凹部を選定した場合であっても、テンプレート部の厚さを従来必要であった厚さよりも薄くすることができる。そのため、研磨時のワーク表面へのスラリーの供給量が低減するのを抑制しながら、ロールオフ及びウェーハ表面欠陥の改善が可能である。
【００５１】
（比較例１）
図９に示すような、テンプレート部がバッキングパッドの下面の外周部に接着された従来の市販のテンプレートアセンブリを用い、テンプレート部のラッピングや研磨を行うことなく、実施例１と同様に評価した。
このテンプレートアセンブリの凹部の深さを測定したところ、表１に示すように、狙い深さに対するズレの平均値は−４．４６μｍ、最大値はプラス側１１．０μｍ、マイナス側１６．９μｍであった。深さの面内ばらつきは、表２に示すように、８点のレンジの平均値として１５．６３μｍ、レンジの最大値で２６μｍであった。この結果により、上記の実施例１、２の結果と比べ凹部の深さ精度が大幅に悪化していることが分かった。
【００５２】
次に、比較例１のテンプレートアセンブリを具備した図８に示すような研磨装置を用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを研磨し、実施例１と同様に評価した。
比較例１では、表１、表２に示すように、実施例１−２に比べ、凹部の深さの狙い値からのズレが大きいため、ロールオフも大きく、面内のばらつきも大きい。図６のレーダーチャートからは、面内にロールオフの偏りがあるウェーハがあることが分かった。
【００５３】
また、図７にウェーハ表面欠陥の結果を示す。図７に示すように、比較例１で用いたテンプレートアセンブリには、図１０に示すような、テンプレート部とバッキングパッド間の隙間がないので、ウェーハ表面欠陥は後述する比較例３の結果と比べ抑制されていた。
【００５４】
（比較例２）
テンプレート部のラッピングを行った以外、比較例１と同様のテンプレートアセンブリを用い、同様に評価した。
このテンプレートアセンブリの凹部の深さを測定したところ、表１に示すように、狙い深さに対するズレの平均値は−３．０４μｍ、最大値はプラス側８．９μｍ、マイナス側１０．９μｍであった。深さの面内ばらつきは、表２に示すように、８点のレンジの平均値として９．７７μｍ、レンジの最大値で１６μｍであった。
【００５５】
比較例１と比べ、テンプレート部にラッピングを行うことにより、深さ精度に改善が見られるが、上記の実施例１、２の結果と比べ凹部の深さ精度が大幅に悪化していることが分かった。
【００５６】
次に、比較例２のテンプレートアセンブリを具備した図８に示すような研磨装置を用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを研磨し、実施例１と同様に平坦度を評価した。
比較例２では、表１、表２に示すように、比較例１に比べ、凹部の深さの狙い値からのズレが小さいため、ロールオフ及び面内ばらつきは比較例１よりは改善しているものの、実施例１−２に比べ、大幅に悪化していた。図６のレーダーチャートから、比較例１同様面内にロールオフの偏りが見られ、外周のロールオフ変動を抑えることができていないことが分かった。
【００５７】
凹部の深さの狙い値からのズレは、使用する各部材の厚さや、接着方法の改善によって小さくすることが可能であるため、比較例２に示すように、ロールオフの平均値を多少改善することが可能であるが、ロールオフの面内ばらつきは改善できない。これに対し、本発明のテンプレートアセンブリであれば、上記のように面内ばらつきの改善も可能である。
表１に、実施例１−２、比較例１−２における凹部の深さの狙い深さに対するズレの結果をまとめたものを示す。表２に、実施例１−２、比較例１−２における凹部の深さの面内ばらつきの結果をまとめたものを示す。
【００５８】
【表１】
2014184511.tif 000003
【００５９】
【表２】
2014184511.tif 000004
【００６０】
【表３】
2014184511.tif 000005
【００６１】
（比較例３）
図１０に示すような、テンプレート部に切欠部を有さない従来のテンプレートアセンブリを具備した図８に示すような研磨装置を用い、直径３００ｍｍのシリコンウェーハを研磨し、実施例１と同様に凹部深さの面内ばらつき及びウェーハ表面欠陥を評価した。
その結果、実施例１−２と同等の凹部深さの面内ばらつきが得られたものの、実施例１−２、比較例１と比べウェーハ表面欠陥が悪化してしまった。この表面欠陥は、テンプレート部とバッキングパッド間の隙間にスラリーが入り込むことによる研磨中の発塵に起因するものと考えられる。
【００６２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６３】
１…テンプレートアセンブリ、  ２…ＰＥＴ基材、  ３…テンプレート部、
４…バッキングパッド、  ５…切欠部、  ６…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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