(57)【要約】【課題】電子部品の位置ずれを低減できるとともに、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】粘着シート及び粘着シート上に配置された複数の電子部品を備える電子部品仮固定体上に、樹脂シートを配置する積層工程と、積層工程により得られた積層体を０．０３〜３ＭＰａでプレスして、複数の電子部品及び複数の電子部品を覆う樹脂シートを備える封止体を形成する封止工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着シート及び前記粘着シート上に配置された複数の電子部品を備える電子部品仮固定体上に、樹脂シートを配置する積層工程と、
前記積層工程により得られた積層体を０．０３〜３ＭＰａでプレスして、前記複数の電子部品及び前記複数の電子部品を覆う前記樹脂シートを備える封止体を形成する封止工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記封止工程のプレス温度が６０〜１５０℃である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂シートとして、６０〜１５０℃における最低粘度が３０〜８０００Ｐａ・ｓの樹脂シートを用いる請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止体から前記粘着シートを剥離する剥離工程をさらに含み、
前記封止体において、前記電子部品と前記樹脂シートとの段差が３μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止工程の前後における前記電子部品のずれが１５μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ファンアウト型ウェハレベルチップサイズパッケージの製法として、粘着シート上に配置された複数の半導体チップを封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成した後、封止体から粘着シートを剥離し、次いで封止体の粘着シートが貼り付けられていた面上に再配線層を形成する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３０８１１６号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００６／０１８３２６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
封止体上に絶縁層を形成する場合がある。絶縁層の形成方法として、例えば、封止体上にドライフィルムレジストなどの薄膜フィルムを貼り付ける方法がある。この方法は、液状の絶縁材料で封止体をコーティングする従来法に比べて、膜厚の制御が容易であり、大判一括封止に適している。
【０００５】
一方、複数の半導体チップを一括封止する方法として液状または顆粒状の封止樹脂を用いる圧縮成型法を採用すると、封止樹脂の流動に伴う圧力などにより、半導体チップが粘着シートにめり込み、封止体表面に段差が生じる。段差が大きい封止体上に、絶縁層を形成するための薄膜フィルムを張り付けると、薄膜フィルムが破れることがある。薄膜フィルムの破損は致命的な不具合であり、歩留まりの低下要因である。
【０００６】
また、封止樹脂の流動に伴う圧力などにより、電子部品の位置ずれ（粘着シートの面に沿った方向への位置ずれ）が生じる。電子部品の位置ずれも歩留まりの低下要因である。
【０００７】
本発明は前記課題を解決し、電子部品の位置ずれを低減できるとともに、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、粘着シート及び粘着シート上に配置された複数の電子部品を備える電子部品仮固定体上に、樹脂シートを配置する積層工程と、積層工程により得られた積層体を０．０３〜３ＭＰａでプレスして、複数の電子部品及び複数の電子部品を覆う樹脂シートを備える封止体を形成する封止工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。
【０００９】
本発明では、樹脂シートを用いて、３ＭＰａ以下という比較的低い圧力でプレスするため、電子部品の位置ずれを低減できる。また、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減でき、封止体表面の段差を小さくできる。よって、歩留まりを向上できる。なお、歩留まりの向上効果は、大判の粘着シートを用いて一括封止する場合に、特に大きい。また、０．０３ＭＰａ以上でプレスするため、電子部品間の隙間を良好に埋めることができる。
【００１０】
封止工程のプレス温度が６０〜１５０℃であることが好ましい。１５０℃以下でプレスすることにより、電子部品の位置ずれを低減できるとともに、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減できる。また、６０℃以上でプレスすることにより、電子部品間の隙間を良好に埋めることができる。
【００１１】
６０〜１５０℃における最低粘度が３０〜８０００Ｐａ・ｓの樹脂シートを用いることが好ましい。最低粘度が３０Ｐａ・ｓ以上の樹脂シートを用いることにより、封止時における樹脂の流動を抑制でき、封止エリア外部への樹脂のはみ出しを防止できる。また、最低粘度が８０００Ｐａ・ｓ以下の樹脂シートを用いることにより、電子部品の位置ずれを低減できるとともに、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減できる。また、電子部品間の隙間を良好に埋めることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、通常、封止体から粘着シートを剥離する剥離工程をさらに含む。本発明の半導体装置の製造方法によれば、封止体において、電子部品と樹脂シートとの段差を３μｍ以下とすることができる。段差が３μｍ以下であると、絶縁層形成用の薄膜フィルムの破損を防止できる。
【００１３】
前記封止工程の前後における前記電子部品のずれ（チップシフト）が１５μｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、電子部品の位置ずれを低減できるとともに、電子部品の粘着シートへのめり込みを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】電子部品仮固定体の断面模式図である。
【図２】電子部品仮固定体の平面模式図である。
【図３】樹脂シートの断面模式図である。
【図４】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図５】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図６】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図７】（ａ）は、封止体の断面模式図である。（ｂ）は、（ａ）の２点鎖線部分の拡大図である。
【図８】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図９】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図１０】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【図１１】半導体装置の一製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。
【００１７】
［準備工程］
まず、電子部品仮固定体３２と、樹脂シート３１とを準備する。
【００１８】
（電子部品仮固定体３２）
図１、２に示すように、電子部品仮固定体３２は、粘着シート３及び粘着シート３上に配置された電子部品３３を備える。
【００１９】
粘着シート３は、支持体３ｂと、支持体３ｂ上に積層された粘着剤層３ａとを備える（図１参照）。粘着剤層３ａ上には、複数の電子部品３３が配置されている（図１、２参照）。
【００２０】
電子部品３３としては特に限定されず、半導体、コンデンサ、センサデバイス、発光素子、振動素子等が挙げられる。なかでも、樹脂シート３１を用いた大判成型による高効率生産のメリットを得やすいことから、半導体チップが好ましい。
【００２１】
粘着シート３上に配置する電子部品数は、２個以上であれば特に限定されない。例えば、１００個以上である。また、電子部品数の上限は特に限定されないが、通常、１００００個以下である。電子部品３３のレイアウトは特に限定されない。
【００２２】
粘着剤層３ａとしては特に限定されないが、熱剥離性粘着剤層、放射線硬化型粘着剤層、紫外線硬化型粘着剤層等を使用できる。支持体３ｂの材料としては特に限定されない。例えば、ＳＵＳ等の金属材料、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン等のプラスチック材料等である。
【００２３】
粘着シート３の形状は特に限定されず、略多角形状、略円形状のものなどを使用できる。なお、略多角形状、略円形状とは、粘着シート３を平面視したときの形状である。
【００２４】
略多角形状には、多角形状のみならず、多角形類似形状も含まれる。具体的には、略多角形状には、多角形状の他、少なくとも一部の角が丸みを帯びた多角形類似形状、少なくとも一部の辺又はその辺の一部が曲線の多角形類似形状などが含まれる。略多角形状としては、略矩形状、略正方形状が好ましい。
【００２５】
このような略多角形状の粘着シート３としては、少なくとも１辺の長さが３００ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、半導体装置３８を効率よく製造できる。１辺の長さの上限は特に限定されないが、例えば、７００ｍｍ以下である。
【００２６】
略円形状には、円形状のみならず、円形類似形状も含まれる。具体的には、略円形状には、真円形状の他、楕円形状、周の少なくとも一部に凹凸部が形成された円形類似形状、周の少なくとも一部に線状部（直線状部）が形成された円形類似形状、周の少なくとも一部に波線状部が形成された円形類似形状などが含まれる。
【００２７】
このような略円形状の粘着シート３としては、直径又は短径が３００ｍｍ以上であることが好ましい。これにより、半導体装置３８を効率よく製造できる。直径又は短径の上限は特に限定されないが、例えば、１６インチ以下である。
【００２８】
粘着シート３の面積（粘着シート３を平面視したときの面積）は、半導体装置３８を効率よく製造できるという点から、例えば、７００００ｍｍ２〜５０００００ｍｍ２が好ましい。
【００２９】
なお、粘着シート３上に複数の電子部品３３を配置する方法は特に限定されず、例えば、フリップチップボンダーやダイボンダー等を用いて配置すればよい。
【００３０】
（樹脂シート３１）
図３に示すように、樹脂シート３１の形態はシート状である。
【００３１】
樹脂シート３１は、６０〜１５０℃における最低粘度が好ましくは３０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは２０００Ｐａ・ｓ以上、さらに好ましくは５０００Ｐａ・ｓ以上である。３０Ｐａ・ｓ以上であると、封止時における樹脂の流動を抑制でき、封止エリア外部への樹脂のはみ出しを防止できる。また、最低粘度は好ましくは８０００Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは７０００Ｐａ・ｓ以下である。８０００Ｐａ・ｓ以下であると、電子部品３３の位置ずれを低減できるとともに、電子部品３３の粘着シート３へのめり込みを低減できる。また、電子部品３３間の隙間を良好に埋めることができる。
６０〜１５０℃における最低粘度は実施例に記載の方法で測定できる。
【００３２】
６０〜１５０℃における最低粘度は、シリカフィラーの含有量等によりコントロールできる。例えば、シリカフィラーの含有量を増大させることにより、最低粘度を高められる。
【００３３】
本発明で使用する樹脂シート３１は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂を含むことが好ましい。
【００３４】
エポキシ樹脂としては、特に限定されるものではない。例えば、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、変性ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂等の各種のエポキシ樹脂を用いることができる。これらエポキシ樹脂は単独で用いてもよいし２種以上併用してもよい。
【００３５】
エポキシ樹脂の硬化後の靭性及びエポキシ樹脂の反応性を確保する観点からは、エポキシ当量１００〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃の常温で固形のものが好ましく、なかでも、信頼性の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂などが好ましい。軟化点もしくは融点としては、７０〜１００℃がより好ましい。
【００３６】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂との間で硬化反応を生起するものであれば特に限定されるものではない。例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、クレゾールノボラック樹脂、レゾール樹脂等が用いられる。これらフェノール樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
【００３７】
フェノール樹脂としては、エポキシ樹脂との反応性の観点から、水酸基当量が７０〜２５０、軟化点が５０〜１１０℃のものを用いることが好ましく、なかでも硬化反応性が高いという観点から、フェノールノボラック樹脂を好適に用いることができる。また、信頼性および低反り性の観点から、フェノールアラルキル樹脂やビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものも好適に用いることができる。軟化点としては、５０〜８０℃がより好ましい。
【００３８】
エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、硬化反応性という観点から、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量に対して、フェノール樹脂中の水酸基の合計が０．７〜１．５当量となるように配合することが好ましく、より好ましくは０．９〜１．２当量である。
【００３９】
樹脂シート３１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは４重量％以上である。４重量％以上であると、信頼性に優れた硬化物が得られる。樹脂シート３１中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは１８重量％以下、より好ましくは１２重量％以下である。１８重量％以下であると、反りの小さい硬化物が得られる。
【００４０】
樹脂シート３１は硬化促進剤を含むことが好ましい。
【００４１】
硬化促進剤は、硬化を進行させるものであれば特に限定されるものではないが、硬化性と保存性の観点から、トリフェニルホスフィンやテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート等の有機リン系化合物や、イミダゾール系化合物が好適に用いられる。これら硬化促進剤は、単独で用いても良いし、他の硬化促進剤と併用しても構わない。
【００４２】
硬化促進剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量１００重量部に対して、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上である。０．５重量部以上であると、十分に硬化が促進される。また、硬化促進剤の含有量は、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。１０重量部以下であると、冷蔵等の保管時において良好な保存性を得ることが出来る。
【００４３】
樹脂シート３１はエラストマーを含むことが好ましい。
【００４４】
エラストマーは、電子部品の封止に必要な可撓性を樹脂シート３１に付与するものであり、このような作用を奏するものであれば特にその構造を限定するものではない。例えば、ポリアクリル酸エステル等の各種アクリル系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体、ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレン−酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴム等のゴム質重合体を用いることができる。なかでも、エポキシ樹脂へ分散させやすく、また得られる樹脂シート３１の耐熱性や強度を向上させることができるという観点から、アクリル系、スチレン系もしくはブタジエン系ゴムを用いることが好ましい。これらは単独で用いてもよいし、２種以上併せて用いてもよい。
【００４５】
エラストマーの含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量１００重量部に対して、好ましくは１５重量部以上、より好ましくは２０重量部以上である。１５重量部以上であると、成型時の樹脂粘度低下による巻き込みボイドを低減、抑制でき、硬化後の反りも低減、抑制できる。また、エラストマーの含有量は、好ましくは２００重量部以下、より好ましくは１００重量部以下である。２００重量部以下であると、硬化後の樹脂強度の低下を防ぐ事ができ、半導体装置としての信頼性を確保することができる。
【００４６】
樹脂シート３１は無機充填剤を含むことが好ましい。
【００４７】
無機充填剤としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ（溶融シリカや結晶性シリカなど）、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素などが挙げられる。なかでも、線膨張係数を良好に低減できるという理由から、シリカ、アルミナが好ましく、シリカがより好ましい。シリカとしては、流動性に優れるという理由から、溶融シリカが好ましく、球状溶融シリカがより好ましい。
【００４８】
無機充填剤の平均粒径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、さらに好ましくは５μｍ以上、特に好ましくは１０μｍ以上である。また、無機充填剤の平均粒径は、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは２５μｍ以下である。
なお、平均粒径は、母集団から任意に抽出される試料を用い、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することにより導き出すことができる。
【００４９】
樹脂シート３１中の無機充填剤の含有量は、好ましくは７０体積％以上であり、より好ましくは７４体積％以上である。７０体積％以上であると、硬化物の吸水性を低減でき、信頼性の良好な半導体装置３８を得ることができる。一方、無機充填剤の含有量は、好ましくは９０体積％以下であり、より好ましくは８５体積％以下である。９０体積％以下であると、樹脂シート３１として可とう性を維持し、取扱い時の割れ欠けを防止できる。
【００５０】
無機充填剤の含有量は、「重量％」を単位としても説明できる。代表的にシリカの含有量について、「重量％」を単位として説明する。
シリカは通常、比重２．２ｇ／ｃｍ３であるので、シリカの含有量（重量％）の好適範囲は以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート３１中のシリカの含有量は、８１重量％以上が好ましく、８４重量％以上がより好ましい。樹脂シート３１中のシリカの含有量は、９４重量％以下が好ましく、９１重量％以下がより好ましい。
【００５１】
アルミナは通常、比重３．９ｇ／ｃｍ３であるので、アルミナの含有量（重量％）の好適範囲は以下のとおりである。
すなわち、樹脂シート３１中のアルミナの含有量は、８８重量％以上が好ましく、９０重量％以上がより好ましい。樹脂シート３１中のアルミナの含有量は、９７重量％以下が好ましく、９５重量％以下がより好ましい。
【００５２】
樹脂シート３１は、着色剤を含むことが好ましい。着色剤を含有することにより、封止後の半導体装置を識別する為のマーキング性を確保できる。なお、マーキング方法としては特に限定しないが、ＣＯ２レーザー、ＹＡＧレーザー、グリーンレーザーなどの各種レーザーマーキングによる方法が好ましく用いられる。
【００５３】
着色剤としては特に限定されず、例えば、顔料もしくは染料を用いることができる。なかでも、コストおよびマーキング時に良好な視認性が得やすいとの観点から顔料を用いることが好ましい。顔料としては特に限定されず、無機系顔料であってもよいし、有機系顔料であってもよい。
【００５４】
無機系顔料としては、例えば、ガラス微粉末、ガラスバルーン、セラミックビーズ等のセラミック系顔料；アルミニウム、鉄、ジルコニウム、コバルト等の金属細片系顔料；酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化イットリウム、酸化インジウム、チタン酸ナトリウム、酸化ケイ素、酸化ニッケル、酸化マンガン、酸化クロム、酸化鉄、酸化銅、酸化セリウム、酸化アルミニウム等の金属酸化物系顔料；酸化鉄−酸化マンガン、酸化鉄−酸化クロム、酸化銅−酸化マグネシウム等の複合酸化物顔料；ＳｉとＡｌやＦｅ、マグネシウム、マンガン、ニッケル、チタン、クロム、カルシウム等の金属系顔料；鉄−クロム、ビスマス−マンガン、鉄−マンガン、マンガン−イットリウム等の合金系顔料；マイカ、窒化ケイ素、光輝顔料、硫酸バリウム等が挙げられる。
【００５５】
有機系顔料としては、例えば、アゾ系顔料、アゾメチン系顔料、レーキ系顔料、チオインジゴ系顔料、アントラキノン系顔料、ぺリレン系顔料、ぺリノン系顔料、ジケトピロロピロール系顔料、ジオキサジン系顔料、フタロシアニン系顔料、キニフタロン系顔料、キナクリドン系顔料、イソインドリン系顔料、イソインドリノン系顔料、カーボン系顔料等が挙げられる。
【００５６】
顔料の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量１００重量部に対して、好ましくは０．５重量部以上、より好ましくは１重量部以上である。０．５重量部以上であると、封止後の半導体装置を識別する為のマーキング性を確保できる。また、顔料の含有量は、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは５重量部以下である。１０重量部以下であると、硬化後に必要な樹脂強度を確保できる。
【００５７】
樹脂シート３１は難燃剤を含むことが好ましい。
【００５８】
難燃剤としては特に限定されないが、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化鉄、水酸化カルシウム、水酸化スズ等の金属水酸化物；ホスファゼン化合物；等が挙げられる。なかでも、成型時の樹脂粘度および硬化後の強度を特定範囲に良好に調整できるという理由から、ホスファゼン化合物が好ましい。ホスファゼン化合物としては、例えば、ＦＰ−１００（伏見製薬所製）等が挙げられる。
【００５９】
難燃剤の含有量は、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量１００重量部に対して、好ましくは５重量部以上、より好ましくは１５重量部以上である。５重量部以上であると、必要な難燃性を得ることができる。また、難燃剤の含有量は、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは３０重量部以下である。５０重量部以下であると、硬化後の樹脂強度低下やガラス転移温度の低下などを最小限に留め、半導体装置３８の信頼性を確保できる。
【００６０】
なお、樹脂シート３１は、上記の各成分以外に必要に応じて、シランカップリング剤等他の添加剤を適宜配合できる。
【００６１】
樹脂シート３１は、例えば、つぎのようにして製造することができる。
すなわち、まず、先に述べた樹脂シート３１に配合するための各材料を均一に分散混合し、樹脂組成物を調製する。そして、調製された樹脂組成物を、シート状に形成する。この形成方法としては、例えば、調製された樹脂組成物を押出成形してシート状に形成する方法（混練押出）や、調製された樹脂組成物を有機溶剤等に溶解または分散してワニスを調製し、このワニスを、ポリエステル等の基材上に塗工し乾燥させることによりシート状に形成する方法（溶剤塗工）等が挙げられる。
【００６２】
溶剤塗工では、通常、得られた樹脂シート３１を必要に応じて複数積層して、厚みを調整する。ワニスを調製する際に用いる有機溶剤としては、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、シクロヘキサノン、ジオキサン、ジエチルケトン、トルエン、酢酸エチル等を用いることができる。これらは単独でもしくは二種以上併せて用いられる。また、通常、ワニスの固形分濃度が６０〜９０重量％の範囲となるように有機溶剤を用いることが好ましい。基材としては、離型処理済みのものが好ましい。
【００６３】
樹脂シート３１を混練押出により製造することにより、シート状に容易に成形でき、ボイド（気泡）などの少ない均一なシートとすることができる。混練押出により製造する方法としては、例えば、上述の各成分（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、硬化促進剤、エラストマー及び無機充填剤など）をニーダーなどで混練することにより混練物を調製し、得られた混練物をプレス法又は押し出し法によりシート状に加工する方法が好ましい。これにより、無機充填剤を高充填できる。必要に応じて、樹脂シート３１の表面を保護するためにポリエステルフィルム等の剥離シートを貼り合わせてもよい。
【００６４】
樹脂シート３１の厚みは、特に制限されるものではないが、厚みの均一性の観点から、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは１００μｍ以上、さらに好ましくは２００μｍ以上、よりさらに好ましくは３００μｍ以上、特に好ましくは４００μｍ以上である。なお、樹脂シート３１は、電子部品３３の高さより厚いことが好ましい。樹脂シート３１が、電子部品３３の高さより厚いと、電子部品３３を埋め込むことが可能となる。一方、樹脂シート３１の厚みは、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１０００μｍ以下である。
【００６５】
［積層工程］
図４に示すように、積層工程では、樹脂シート３１を、電子部品仮固定体３２上に配置して、積層体３４を得る。積層体３４は、電子部品仮固定体３２、及び電子部品仮固定体３２上に配置された樹脂シート３１を備える。
【００６６】
［封止工程］
図５に示すように、封止工程では、積層体３４を０．０３〜３ＭＰａでプレスして、複数の電子部品３３を樹脂シート３１で一括封止する。これにより、封止体３５を得る。封止体３５は、複数の電子部品３３及び複数の電子部品３３を覆う樹脂シート３１を備える。封止体３５は、粘着シート３と接している。
【００６７】
プレス圧力は、０．０３ＭＰａ以上であり、０．１ＭＰａ以上が好ましい。０．０３ＭＰａ以上であるので、電子部品３３間の隙間を良好に埋めることができる。一方、プレス圧力は、３ＭＰａ以下であり、２ＭＰａ以下が好ましく、１．５ＭＰａ以下がより好ましい。３ＭＰａ以下という比較的低い圧力でプレスするため、電子部品３３の位置ずれを低減できるとともに、電子部品３３の粘着シート３へのめり込みを低減できる。
【００６８】
プレス温度は特に限定されないが、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１３０℃以下、さらに好ましくは１２０℃以下、特に好ましくは１１０℃以下である。１５０℃以下であると、電子部品３３の位置ずれを低減できるとともに、電子部品３３の粘着シート３へのめり込みを低減できる。また、プレス温度は、好ましくは６０℃以上、より好ましくは８０℃以上である。６０℃以上であると、電子部品３３間の隙間を良好に埋めることができる。
【００６９】
プレス時間は特に限定されないが、例えば、０．５〜３０分であり、好ましくは１〜１０分である。
【００７０】
プレスは減圧雰囲気下で行うことが好ましい。これにより、成形時のボイドを減らすことができる。減圧は従来公知の方法で行うことができる。
【００７１】
減圧雰囲気下の圧力、すなわちプレス時の雰囲気圧力は、好ましくは０．１ｋｇ／ｃｍ２以下、より好ましくは０．０１ｋｇ／ｃｍ２以下である。０．１ｋｇ／ｃｍ２以下であると、成形時のボイドを減らすことができる。減圧雰囲気下の圧力の下限は特に限定されないが、例えば、０．０００１ｋｇ／ｃｍ２以上である。
【００７２】
プレス方法は、通常、平行平板プレスである。平行平板プレスは、従来公知の平行平板プレス機を用いて行うことができる。
【００７３】
なお、平行平板プレスでは、温度分布、圧力分布が重要である。また、プレス板の平行精度を調整することも重要である。これらは適宜調整すればよい。
【００７４】
次いで、封止体３５を加熱することで樹脂シート３１を硬化させる。
【００７５】
加熱温度は、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１１０℃以上である。一方、加熱温度の上限は、好ましくは１５０℃以下、より好ましくは１４０℃以下、特に好ましくは１３０℃以下である。加熱時間は、好ましくは１０分以上、より好ましくは３０分以上である。一方、加熱時間の上限は、好ましくは３６０分以下、より好ましくは１８０分以下である。封止体３５を加熱する際、加圧することが好ましく、圧力は好ましくは０．１ＭＰａ以上、より好ましくは０．５ＭＰａ以上である。一方、上限は好ましくは１０ＭＰａ以下、より好ましくは５ＭＰａ以下である。
【００７６】
［剥離工程］
図６に示すように、剥離工程では、封止体３５から粘着シート３を剥離する。これにより、電子部品３３が露出する。剥離方法は特に限定されないが、粘着剤層３ａの粘着力を低下させた後に剥離することが好ましい。例えば、粘着剤層３ａが熱剥離性粘着剤層である場合、粘着剤層３ａを加熱し、粘着剤層３ａの粘着力を低下させた後に剥離する。
【００７７】
図７に示すように、封止体３５は、電子部品３３と樹脂シート３１との段差Ｄを有する。封止体３５は、積層体３４を比較的低い圧力でプレスすることにより得られるため、段差Ｄが比較的小さい、又は段差Ｄがない。具体的には、段差Ｄは、通常、３μｍ以下となる。よって、絶縁層形成用の薄膜フィルムの破損を防止できる。
【００７８】
また、封止体３５は、積層体３４を比較的低い圧力でプレスすることにより得られるため、電子部品３３の位置ずれ（チップシフト）が小さい。具体的には、チップシフトは、通常、１５μｍ以下となる。
チップシフトは、例えば、積層体３４をプレスする前の電子部品３３の位置と、積層体３４をプレスした後の電子部品３３の位置とを比較することにより、求めることができる。本明細書では、チップシフトの値は、１００個の電子部品３３についての測定結果の平均値である。具体的には、チップシフトは実施例に記載の方法で測定できる。
【００７９】
［研削工程］
研削工程では、封止体３５を研削して研削体３６を形成する（図８参照）。具体的には、封止体３５の粘着シート３が形成されていた面とは反対側の面を研削する。
【００８０】
研削後、プラズマ処理等により研削体３６の粘着剤層３ａが形成されていた側の表面をクリーニングする。
【００８１】
［再配線形成工程］
再配線形成工程では、研削体３６上に、電子部品３３と接続する再配線３９を形成し、次いで研削体３６の再配線３９を形成した面上に絶縁層を形成する（図９参照）。
【００８２】
具体的には、研削体３６上へ真空成膜法等の公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法等により、再配線３９を形成する。その後、研削体３６の再配線３９を形成した面に、ポリイミドやポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）等の絶縁層を形成する。
【００８３】
絶縁層は、例えば、ドライフィルムレジストなどのフィルムをラミネートすることで形成できる。フィルムの厚みは特に限定されないが、通常、５〜５０μｍである。
【００８４】
［バンプ形成工程］
再配線３９上にバンプ３７を形成するバンピング加工を行う（図１０参照）。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキ等公知の方法で行う。バンプ３７の材質は特に限定されないが、例えば、錫−鉛系金属材、錫−銀系金属材、錫−銀−銅系金属材、錫−亜鉛系金属材、錫−亜鉛−ビスマス系金属材等の半田類（合金）や、金系金属材、銅系金属材等である。
【００８５】
［ダイシング工程］
電子部品３３、樹脂シート３１及び再配線３９等の要素からなる積層体のダイシングを行う（図１１参照）。これにより、個片化された半導体装置３８を得る。
【００８６】
以上に説明した製造例は、封止体３４を研削する研削工程を含むが、変形例１は、封止体３４を研削する研削工程を含まない。また、以上に説明した製造例は、再配線３９を形成した後に絶縁層を形成するが、変形例２は、封止体３５上に絶縁層を形成した後、絶縁層上に再配線３９を形成する。
【実施例】
【００８７】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００８８】
［実施例１〜２及び比較例１］
（熱硬化性樹脂シートを作製するために使用した成分）
熱硬化性樹脂シートを作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−７８５１ＳＳ（ビフェニルアラルキル骨格を有するフェノール樹脂、水酸基当量２０３ｇ／ｅｑ．軟化点６７℃）
エラストマー：カネカ社製のＳＩＢＳＴＡＲ  １０２Ｔ（スチレン−イソブチレン−スチレンブロック共重合体）
硬化促進剤：四国化成社製のキュアゾール２ＰＨＺ−ＰＷ（２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール）
顔料：三菱化学社製のカーボンブラック＃２０
難燃剤：伏見製薬社製のラピトルＦＰ−１００
無機充填剤：電気化学工業社製のＦＢ−９４５４ＦＣ（溶融球状シリカ、平均粒子径２０μｍ）
【００８９】
（熱硬化性樹脂シートの作製）
表１に記載の配合比に従い、各成分をミキサーにてブレンドし、２軸混練機により１２０℃で２分間溶融混練し、続いてＴダイから押出しすることにより、厚さ５００μｍの熱硬化性樹脂シートを作製した。
【００９０】
（６０〜１５０℃における最低粘度の評価）
熱硬化性樹脂シートから厚さ５００μｍ、直径８ｍｍのサンプルを切り出した。サンプルについて、ティーエーインスツルメント社製粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、昇温速度１０℃、温度範囲６０〜１５０℃、測定周波数０．１Ｈｚにて最低粘度を測定した。結果を表１に示す。
【００９１】
（封止体の作製及びチップシフトの評価）
レーザーにて一基準点がマーキングされた直径３００ｍｍの円形のガラス板を準備した。ガラス板上に感圧粘着剤層（日東電工（株）製のリバアルファ）を設けて、粘着シートを得た。ダイボンダーＳＰＡ−３００（（株）新川製）を用い、粘着シート上に１００個の半導体チップ（半導体チップサイズ：５ｍｍ□（厚さ３００μｍ））を等間隔に配置した。粘着シート上に配置された各半導体チップの位置（成型前半導体チップ位置）を、ガラス板の基準点をゼロ点とし、ＯＧＰ社製のスマートスコープ  ＣＮＣ５００を用いて測定した。
次いで、粘着シート上に配置された半導体チップの上に熱硬化性樹脂シートを配置して、積層体を形成した。平行平板プレス機を用いて、表１に記載の成型条件で積層体をプレスし、半導体チップを熱硬化性樹脂シートで一括封止して封止体を得た。封止体を１２０℃、３時間で加熱し、硬化させた。
その後、ＯＧＰ社製のスマートスコープ  ＣＮＣ５００を用いて、ガラス板裏面から各半導体チップの位置（成型後半導体チップ位置）を測定した（ガラス板の基準点をゼロ点として測定した）。
成型後半導体チップ位置と成型前半導体チップ位置を比較することにより、半導体チップのシフト（ずれ幅）を求めた。各半導体チップのずれ幅の平均値を表１に示す。
【００９２】
（段差Ｄの評価）
封止体について段差Ｄ（半導体チップと熱硬化性樹脂シートとの段差）を測定した。測定には、Ｖｅｅｃｏ社製表面形状測定装置（Ｄｅｋｔａｋ８Ｍ）を用いた。各半導体チップの段差Ｄの平均値を表１に示す。
【００９３】
（充填性の評価）
封止体について、ガラス板上にボイドが有るか否かを目視にて観察した。ボイドがない場合を○と判定し、ボイドがある場合を×と判定した。結果を表１に示す。
【００９４】
（総合判定）
以下の全ての条件を満たす場合を○と判定し、いずれかひとつでも満たさない場合を×と判定した。結果を表１に示す。
条件（１）：チップシフトが１５μｍ以下である。
条件（２）：段差Ｄが３μｍ以下である。
条件（３）：充填性の評価結果が○である。
【００９５】
【表１】
2014210909.tif 000003
【００９６】
実施例１〜２及び比較例１では、無機充填剤を高充填した比較的高粘度の樹脂シートを用いた。このような高粘度の樹脂シートでは、半導体チップが粘着シートにめり込み易いため表面段差を小さくすることは難しいと考えられたが、実施例１〜２及び比較例１から、プレス圧力を０．０３〜３ＭＰａに調整することにより、表面段差を低減できることが明らかとなった。また、プレス圧力を０．０３〜３ＭＰａに調整することにより、チップシフトを低減できた。
【００９７】
［比較例２〜３］
（液状の熱硬化性樹脂を作製するために使用した成分）
液状の熱硬化性樹脂を作製するために使用した成分について説明する。
エポキシ樹脂：新日鐵化学社製のＹＳＬＶ−８０ＸＹ（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキン当量２００ｇ／ｅｑ．軟化点８０℃）
液状エポキシ樹脂：三菱化学（株）製のエピコート８２８（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量２００ｇ／ｅｑ．）
フェノール樹脂：明和化成社製のＭＥＨ−８０００Ｈ（液状の変性フェノールノボラック樹脂、水酸基当量１３９〜１４３ｇ／ｅｑ．）
【００９８】
（液状の熱硬化性樹脂の作製）
表２に記載の配合比に従い、各成分を自転公転ミキサーを用いて２０００ｒｐｍで、７分間撹拌することにより、液状の熱硬化性樹脂を作製した。
【００９９】
（６０〜１５０℃における最低粘度の評価）
直径８ｍｍのプレート上に液状の熱硬化性樹脂を配置することにより、プレート及びプレート上に配置された液状の熱硬化性樹脂を備えるサンプルを得た。サンプルについて、ティーエーインスツルメント社製粘弾性測定装置ＡＲＥＳを用いて、昇温速度１０℃、温度範囲６０〜１５０℃、測定周波数０．１Ｈｚ、ギャップ５００μｍにて最低粘度を測定した。結果を表２に示す。
【０１００】
（封止体の作製及びチップシフトの評価）
レーザーにて一基準点がマーキングされた直径３００ｍｍの円形のガラス板を準備した。ガラス板上に感圧粘着剤層（日東電工（株）製のリバアルファ）を設けて、粘着シートを得た。ダイボンダーＳＰＡ−３００（（株）新川製）を用い、粘着シート上に１００個の半導体チップ（半導体チップサイズ：５ｍｍ□（厚さ３００μｍ））を等間隔に配置した。粘着シート上に配置された各半導体チップの位置（成型前半導体チップ位置）を、ガラス板の基準点をゼロ点とし、ＯＧＰ社製のスマートスコープ  ＣＮＣ５００を用いて測定した。
次いで、粘着シート上に、液状の熱硬化性樹脂２５ｃｍ３を滴下して、粘着シート、粘着シート上に配置された半導体チップ、及び半導体チップを覆うように粘着シート上に配置された液状の熱硬化性樹脂を備える構造体を得た。平行平板プレス機を用いて、表２に記載の成型条件で構造体をプレスし、半導体チップを熱硬化性樹脂で一括封止して封止体を得た。封止体を１２０℃、３時間で加熱し、硬化させた。
その後、ＯＧＰ社製のスマートスコープ  ＣＮＣ５００を用いて、ガラス板裏面から各半導体チップの位置（成型後半導体チップ位置）を測定した（ガラス板の基準点をゼロ点として測定した）。
成型後半導体チップ位置と成型前半導体チップ位置を比較することにより、半導体チップのシフト（ずれ幅）を求めた。各半導体チップのずれ幅の平均値を表２に示す。
【０１０１】
（段差Ｄの評価、充填性の評価、総合判定）
実施例１と同様の方法で、段差Ｄの評価、充填性の評価及び総合判定を行った。結果を表２に示す。
【０１０２】
【表２】
2014210909.tif 000004
【０１０３】
比較例２は、プレス圧力を低く設定したため、半導体チップの位置ずれが比較的小さかった。しかしながら、比較例２は、液状の熱硬化性樹脂を使用したため、半導体チップ間の隙間を埋めることができなかった。比較例３では、強いプレス圧力をかけたため、半導体チップ間の隙間を埋めることができた。しかしながら、比較例３は、半導体チップの位置ずれが大きかった。
【０１０４】
表１、２の結果から、１ＭＰａなどの低圧力でプレス成型する際、熱硬化性樹脂シートの使用により、液状の熱硬化性樹脂の使用に比べて表面段差を小さくできるとともに半導体チップの位置ずれも小さくできることが明らかとなった。
【符号の説明】
【０１０５】
３      粘着シート
３ａ    粘着剤層
３ｂ    支持体
３１    樹脂シート
３２    電子部品仮固定体
３３    半導体チップ
３４    積層体
３５    封止体
３６    研削体
３７    バンプ
３８    半導体装置
３９    再配線
【図１】
2014210909.tif 000005
【図２】
2014210909.tif 000006
【図３】
2014210909.tif 000007
【図４】
2014210909.tif 000008
【図５】
2014210909.tif 000009
【図６】
2014210909.tif 000010
【図７】
2014210909.tif 000011
【図８】
2014210909.tif 000012
【図９】
2014210909.tif 000013
【図１０】
2014210909.tif 000014
【図１１】
2014210909.tif 000015