(57)【要約】【課題】洗浄装置における付着物の除去性能を向上する。【解決手段】基板２の上面と接触する拭き取り部材１１０と、拭き取り部材１１０と基板２の上面とを互いに接触させた状態で相対的に移動させる駆動機構１２０とを備える。拭き取り部材１１０は、基板２の上面と接触する拭き取り面にエッジ１１１ｅを有する凹部１１１を含み、駆動機構１２０により基板２に対して相対的に移動させられることによってエッジ１１１ｅで異物２０を除去する。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の周縁部の内側に薄膜太陽電池が形成された基板の該周縁部に付着した異物を除去する洗浄装置であって、
前記基板の前記上面と接触する拭き取り部材と、
前記拭き取り部材と前記基板の前記上面とを互いに接触させた状態で相対的に移動させる駆動機構と
を備え、
前記拭き取り部材は、前記基板の前記上面と接触する拭き取り面にエッジを有する凹部を含み、前記駆動機構により前記基板に対して相対的に移動させられることによって前記異物を除去する、洗浄装置。
【請求項２】
前記凹部の前記エッジの少なくとも一部は、前記駆動機構による前記拭き取り部材と前記基板との相対的移動方向に対して交差する方向に延在している、請求項１に記載の洗浄装置。
【請求項３】
前記凹部の前記エッジが互いに平行に複数設けられ、
複数の前記エッジの並ぶ方向は、前記相対的移動方向に対して平行である、請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項４】
前記凹部の前記エッジが互いに平行に複数設けられ、
複数の前記エッジの並ぶ方向は、前記相対的移動方向に対して傾斜している、請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項５】
前記凹部の前記エッジが格子状に設けられている、請求項２に記載の洗浄装置。
【請求項６】
前記拭き取り部材の少なくとも前記拭き取り面を構成する部分が、発泡樹脂またはシリコン樹脂から形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の洗浄装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の洗浄装置を含む、薄膜太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、洗浄装置およびそれを含む薄膜太陽電池の製造装置に関し、特に、薄膜太陽電池が形成された基板上の異物を除去する洗浄装置およびそれを含む薄膜太陽電池の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池の製造方法を開示した先行文献として、特開２００９−２０６２７９号公報(特許文献１)がある。特許文献１に記載された薄膜太陽電池の製造方法は、透光性絶縁基板の表面に第１電極層、光電変換層および第２電極層が順次積層されてなる薄膜光電変換素子が複数個互いに電気的に直列接続されたストリングを形成するストリング形成工程と、透光性絶縁基板の表面の外周部に形成されている薄膜光電変換素子部分を光ビームによって除去して非導電性表面領域を全周に形成する膜除去工程と、膜除去工程で発生して非導電性表面領域に付着した導電性付着物を除去する清浄化工程とを含む。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２０６２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板に付着した付着物には、基板に密着して除去しにくいものが含まれる。これらの除去しにくい付着物が基板上に残留することは好ましくない。
【０００５】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、付着物の除去性能を向上した洗浄装置およびそれを含む薄膜太陽電池の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に基づく洗浄装置は、上面の周縁部の内側に薄膜太陽電池が形成された基板の周縁部に付着した異物を除去する洗浄装置である。洗浄装置は、基板の上面と接触する拭き取り部材と、拭き取り部材と基板の上面とを互いに接触させた状態で相対的に移動させる駆動機構とを備える。拭き取り部材は、基板の上面と接触する拭き取り面にエッジを有する凹部を含み、駆動機構により基板に対して相対的に移動させられることによって異物を除去する。
【０００７】
本発明の一形態においては、上記凹部のエッジの少なくとも一部は、駆動機構による拭き取り部材と基板との相対的移動方向に対して交差する方向に延在している。
【０００８】
本発明の一形態においては、上記凹部のエッジが互いに平行に複数設けられている。複数のエッジの並ぶ方向は、上記相対的移動方向に対して平行である。
【０００９】
本発明の一形態においては、上記凹部のエッジが互いに平行に複数設けられている。複数のエッジの並ぶ方向は、相対的移動方向に対して傾斜している。
【００１０】
本発明の一形態においては、上記凹部のエッジが格子状に設けられている。
本発明の一形態においては、拭き取り部材の少なくとも拭き取り面を構成する部分が、発泡樹脂またはシリコン樹脂から形成されている。
【００１１】
本発明に基づく薄膜太陽電池の製造装置は、上記のいずれかの洗浄装置を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、洗浄装置における付着物の除去性能を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池ストリングの構成を示す平面図である。
【図２】同実施形態に係る薄膜太陽電池ストリングの構成を示す断面図である。
【図３】透光性絶縁基板上に透明電極層を形成した状態を示す断面図である。
【図４】第１分離溝を形成した状態を示す断面図である。
【図５】光電変換層を形成した状態を示す断面図である。
【図６】コンタクトラインを形成した状態を示す断面図である。
【図７】裏面電極層を形成した状態を示す断面図である。
【図８】第２分離溝を形成した状態を示す断面図である。
【図９】周縁溝を形成した状態を示す断面図である。
【図１０】トリミングした状態を示す断面図である。
【図１１】同実施形態に係る洗浄装置により基板の周縁部に付着した異物を除去している状態を示す側面図である。
【図１２】同実施形態に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。
【図１３】第１変形例に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。
【図１４】第２変形例に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態に係る洗浄装置について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１５】
まず、洗浄対象となる基板を含む薄膜太陽電池ストリングの構成について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る薄膜太陽電池ストリングの構成を示す平面図である。図２は、本実施形態に係る薄膜太陽電池ストリングの構成を示す断面図である。図２(Ａ)は図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図２(Ｂ)は図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００１６】
図１，２に示すように、薄膜太陽電池ストリング１は、透光性絶縁基板２と、透明電極層３と、光電変換層４と、裏面電極層５と、バスバー電極１０とを備えている。透光性絶縁基板２上に、透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５がこの順序で積層されている。
【００１７】
透光性絶縁基板２は、上面２ａと下面２ｂとを有している。透光性絶縁基板２としては、耐熱性および透光性を有するガラス基板またはポリイミドなどの樹脂基板を用いることができる。
【００１８】
透明電極層３は、導電膜であって、第１分離溝６によって複数の領域に分離されている。第１分離溝６は光電変換層４で埋められている。透明電極層３の材料としては、たとえば、ＳｎＯ2(酸化スズ)、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)またはＺｎＯ(酸化亜鉛)などを用いることができる。
【００１９】
光電変換層４は、積層された複数の半導体層から構成されている。光電変換層４を構成する各半導体層の材料は特に限定されず、たとえば、シリコン系半導体、ＣＩＳ(ＣｕＩｎＳｅ2)化合物半導体、または、ＣＩＧＳ(Ｃｕ(Ｉｎ，Ｇａ)Ｓｅ2)化合物半導体などを用いることができる。
【００２０】
以下、各半導体層がシリコン系半導体からなる場合を例にとって説明する。「シリコン系半導体」とは、非晶質シリコンまたは微結晶シリコン、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンに炭素、ゲルマニウムまたはその他の不純物が添加された半導体(シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウムなど)を意味する。
【００２１】
また、「微結晶シリコン」とは、結晶粒径が小さい(数十Åから数千Å程度)結晶シリコンと非晶質シリコンとの混合相の状態のシリコンを意味する。微結晶シリコンは、たとえば、結晶シリコンの薄膜をプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法などの非平衡プロセスを用いて低温で作製した場合に形成される。
【００２２】
光電変換層４においては、透明電極層３側から順にｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されてｐｉｎ構造が形成されている。
【００２３】
ｐ型半導体層には、ボロン、アルミニウムなどのｐ型不純物原子がドープされており、ｎ型半導体層にはリンなどのｎ型不純物原子がドープされている。ｉ型半導体層は、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱ｐ型または弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。
【００２４】
光電変換層４は、ｐｉｎ構造が複数重ねられたタンデム型でもよい。たとえば、光電変換層４が、透明電極層３上にａ−Ｓｉ:Ｈｐ層、ａ−Ｓｉ:Ｈｉ層、ａ−Ｓｉ:Ｈｎ層をこの順に積層した上部半導体層と、上部半導体層上にμc−Ｓｉ:Ｈｐ層、μc−Ｓｉ:Ｈｉ層、μc−Ｓｉ:Ｈｎ層をこの順に積層した下部半導体層とから構成されてもよい。
【００２５】
また、光電変換層４を上部半導体層、中部半導体層および下部半導体層からなる３層構造としてもよい。たとえば、上部および中部半導体層にアモルファスシリコン(a−Ｓｉ)、下部半導体層に微結晶シリコン(μc−Ｓｉ)を用いてもよい。光電変換層４の材料および積層構造の組み合わせは、特に限定されるものではない。なお、本実施形態においては、薄膜太陽電池の光入射側に位置する半導体層を上部半導体層、光入射側とは反対側に位置する半導体層を下部半導体層とする。
【００２６】
裏面電極層５は導電膜である。裏面電極層５の構成および材料は、特に限定されないが、たとえば、裏面電極層５は、透明導電膜と金属膜とが積層された積層構造を有する。透明導電膜は、ＺｎＯ、ＩＴＯまたはＳｎＯ2などからなる。金属膜は、銀またはアルミニウムなどの金属からなる。
【００２７】
なお、裏面電極層５は金属膜のみから構成されてもよいが、透明導電膜を光電変換層４側に配置した方が、光電変換層４で吸収されなかった光を裏面電極層５で反射する際の反射率が向上し、高い変換効率の薄膜太陽電池を得ることができる点で好ましい。
【００２８】
裏面電極層５および光電変換層４は、第２分離溝８によって複数のセル領域１１に分離されている。光電変換層４には、貫通部であるコンタクトライン７が形成されている。
【００２９】
コンタクトライン７は、裏面電極層５によって埋められており、隣り合うセル領域１１間を電気的に直列に接続している。このように直列接続された複数のセル領域１１の端子として、バスバー電極１０が裏面電極層５上に設けられている。バスバー電極１０は、銀ペーストなどのろう材によって裏面電極層５と電気的に接続されている。
【００３０】
以下、薄膜太陽電池ストリングの製造方法について説明する。
図３は、透光性絶縁基板上に透明電極層を形成した状態を示す断面図である。図３(Ａ)は透明電極層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図３(Ｂ)は透明電極層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。図３に示すように、まず、透光性絶縁基板２の上面２ａ上に透明電極層３を形成する。
【００３１】
図４は、第１分離溝を形成した状態を示す断面図である。図４(Ａ)は第１分離溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図４(Ｂ)は第１分離溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３２】
図４に示すように、透明電極層３を複数の領域に分離するために、透光性絶縁基板２を通過させて光ビームＬＭ１(レーザ光)を透明電極層３に選択的に照射する。光ビームＬＭ１の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえばＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)レーザの基本波長である１０６４ｎｍである。この光ビームＬＭ１によるレーザスクライブにより、透明電極層３を複数の領域に分離する第１分離溝６が形成される。
【００３３】
図５は、光電変換層を形成した状態を示す断面図である。図５(Ａ)は光電変換層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図５(Ｂ)は光電変換層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３４】
図５に示すように、第１分離溝６を埋めるように透明電極層３を覆う光電変換層４を形成する。たとえば、２００ｎｍ以上５μｍ以下の厚さとなるようにＣＶＤ法により光電変換層４を成膜する。
【００３５】
図６は、コンタクトラインを形成した状態を示す断面図である。図６(Ａ)はコンタクトラインを形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図６(Ｂ)はコンタクトラインを形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３６】
図６に示すように、透光性絶縁基板２を通過させて透明電極層３および光電変換層４に光ビームＬＭ２を照射する。光ビームＬＭ２の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより、光電変換層４の一部がアブレーションされることでコンタクトライン７が形成される。なお、ＹＡＧレーザの第２高調波の代わりに、ＹＶＯ4(Yttrium Vanadate)レーザを用いてもよい。
【００３７】
図７は、裏面電極層を形成した状態を示す断面図である。図７(Ａ)は裏面電極層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図７(Ｂ)は裏面電極層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３８】
図７に示すように、コンタクトライン７を埋めるように光電変換層４を覆う裏面電極層５を形成する。たとえば、裏面電極層５をＣＶＤ法により成膜する。
【００３９】
図８は、第２分離溝を形成した状態を示す断面図である。図８(Ａ)は第２分離溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図８(Ｂ)は第２分離溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４０】
図８に示すように、透光性絶縁基板２を通過させて透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５に光ビームＬＭ３を照射する。光ビームＬＭ３の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで第２分離溝８が形成される。
【００４１】
図９は、周縁溝を形成した状態を示す断面図である。図９(Ａ)は周縁溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図９(Ｂ)は周縁溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４２】
図９に示すように、透光性絶縁基板２を通過させて透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５に、光ビームＬＭ４を照射する。光ビームＬＭ４の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで、第２分離溝８の長手方向の両端(図９(Ａ)の左右端)の各々の近傍に周縁溝９が形成される。
【００４３】
図１０は、トリミングした状態を示す断面図である。図１０(Ａ)はトリミングした状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図１０(Ｂ)はトリミングした状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４４】
図１０に示すように、周縁溝９のさらに外側(図１０(Ａ)の破線部の外側)の領域と、第２分離溝８の延在方向に沿った外側(図１０(Ｂ)の左右側)の領域とに、光ビームＬＭ５を照射する。光ビームＬＭ５の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの基本波長である１０６４ｎｍである。これにより、透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされる。
【００４５】
このトリミングにより、透光性絶縁基板２の縁から内側へ所定幅の領域である周縁部において、透光性絶縁基板２上に形成されていた積層膜が除去されて、周縁部の内側に薄膜太陽電池となる積層膜が位置するようになる。
【００４６】
アブレーションによってトリミングした場合、除去した積層膜の破片が再び透光性絶縁基板２の上面の周縁部に異物として付着することがある。この異物は、薄膜太陽電池の絶縁不良の原因となることがあるため除去する必要がある。
【００４７】
そこで、本実施形態に係る洗浄装置を用いて透光性絶縁基板２の周縁部に付着した異物を除去する。図１１は、本実施形態に係る洗浄装置により基板の周縁部に付着した異物を除去している状態を示す側面図である。図１２は、本実施形態に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。
【００４８】
図１１に示すように、本実施形態に係る洗浄装置１００は、透光性絶縁基板２の上面と接触する拭き取り部材１１０と、拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２の上面とを互いに接触させた状態で相対的に移動させる駆動機構１２０とを備えている。
【００４９】
駆動機構１２０としては、拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２の上面とを互いに接触させた状態で相対的に移動させられるものであればよく、モータを駆動源とする駆動機構、または、人力により駆動される駆動機構などでもよい。
【００５０】
また、本実施形態においては、拭き取り部材１１０を駆動機構１２０により移動させているが、駆動機構はこれに限られず、透光性絶縁基板２を移動させる駆動機構でもよい。すなわち、駆動機構としては、停止している拭き取り部材に透光性絶縁基板２の上面の周縁部を接触させつつ透光性絶縁基板２を移動させて、拭き取り部材により透光性絶縁基板２の上面の周縁部を擦らせる駆動機構でもよい。
【００５１】
図１１，１２に示すように、本実施形態においては、拭き取り部材１１０は、略直方体状の外形を有している。ただし、拭き取り部材１１０の外形は、直方体状に限られず、たとえば、拭き取り面が円形である円柱状などであってもよい。拭き取り部材１１０は、透光性絶縁基板２の上面と接触する拭き取り面の縁にエッジ１１０ｅを有している。また、拭き取り部材１１０は、拭き取り面にエッジ１１１ｅを有する凹部１１１を含んでいる。
【００５２】
本実施形態においては、凹部１１１は、拭き取り部材１１０の短手方向に延在する溝状に複数形成されている。複数の凹部１１１は、拭き取り部材１１０の長手方向において互いに平行に並んでいる。
【００５３】
本実施形態においては、拭き取り部材１１０は、シリコン樹脂から形成されている。ただし、拭き取り部材１１０の材料はこれに限られず、たとえば、発泡ウレタンなどの発泡樹脂でもよい。
【００５４】
駆動機構１２０により拭き取り部材１１０は、透光性絶縁基板２に対して相対的に矢印３０で示す方向に移動させられる。その結果、透光性絶縁基板２の上面の周縁部に付着していた異物２０の一部は、拭き取り部材１１０の外側面のエッジ１１０ｅでこそぎ取られる。
【００５５】
透光性絶縁基板２との密着性が高く、エッジ１１０ｅで除去できなかった異物２０の他の一部は、拭き取り部材１１０が透光性絶縁基板２に対して矢印３０で示す方向に移動させられることにより、拭き取り部材１１０の拭き取り面と透光性絶縁基板２の上面との間に入り込む。
【００５６】
本実施形態においては、凹部１１１のエッジ１１１ｅが互いに平行に複数設けられ、複数のエッジ１１１ｅの並ぶ方向は、矢印３０で示す拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して平行である。本実施形態においては、エッジ１１１ｅは、直角の内角を有しているが、これに限られず、鋭角の内角を有していてもよい。すなわち、エッジ１１１ｅが異物２０と透光性絶縁基板２の上面との間に入り込みやすいように、エッジ１１１ｅが尖鋭状に形成されていてもよい。
【００５７】
拭き取り部材１１０の拭き取り面と透光性絶縁基板２の上面との間に入り込んだ異物２０の他の一部は、拭き取り面に形成された複数のエッジ１１１ｅによって繰り返し擦られる。その結果、異物２０の他の一部のほとんどは、複数のエッジ１１１ｅによってこそぎ取られて透光性絶縁基板２の上面から除去される。
【００５８】
このように、拭き取り面にエッジ１１１ｅを有する凹部１１１を拭き取り部材１１０に形成することにより、洗浄装置１００における異物２０の除去性能を向上できる。また、凹部１１１を設けることにより、拭き取り部材１１０の拭き取り面と透光性絶縁基板２の上面との接触面積を低減できるため、駆動機構１２０により拭き取り部材１１０を透光性絶縁基板２に接触させつつ移動させる際の摩擦抵抗を減少させられる。その結果、駆動機構１２０の出力を一定に維持しつつ拭き取り部材１１０の移動速度を増加させて洗浄時間の短縮を図ることができる。
【００５９】
なお、凹部の構造は上記に限られない。たとえば、拭き取り部材１１０を発泡樹脂で形成することにより、発泡による空隙に起因するエッジが拭き取り面に形成されている場合には、その空隙を凹部として利用してもよい。この場合、拭き取り部材１１０に別途凹部を形成しなくてもよい。
【００６０】
また、本実施形態においては、凹部１１１のエッジ１１１ｅが、駆動機構１２０による拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して直交する方向に延在していたが、これに限られず、凹部１１１のエッジ１１１ｅの少なくとも一部が、駆動機構による拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して交差する方向に延在していればよい。
【００６１】
ここで、本実施形態の変形例に係る拭き取り部材について説明する。図１３は、第１変形例に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。
【００６２】
図１３に示すように、第１変形例に係る拭き取り部材２１０の拭き取り面においては、凹部２１１のエッジ２１１ｅが互いに平行に複数設けられ、複数のエッジ２１１ｅの並ぶ方向は矢印３０で示す拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して傾斜している。
【００６３】
この拭き取り部材２１０においても、まず外側面のエッジ２１０ｅで異物２０の一部をこそぎ取った後、エッジ２１０ｅではこそぎ取れなかった異物２０の他の一部を複数のエッジ２１１ｅで繰り返し擦ってこそぎ取ることができる。
【００６４】
また、エッジ２１１ｅが拭き取り部材１１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して傾斜しているため、エッジ２１１ｅでこそぎ取った異物２０の他の一部を拭き取り部材２１０の短手方向の一方側(図１３の上方側)に集めることができる。
【００６５】
図１４は、第２変形例に係る拭き取り部材の拭き取り面の形状を示す平面図である。図１４に示すように、第２変形例に係る拭き取り部材３１０の拭き取り面においては、凹部３１１のエッジ３１１ｅが格子状に設けられている。
【００６６】
エッジ３１１ｅの略半分は、矢印３０で示す拭き取り部材３１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して直交する方向に延在している。エッジ３１１ｅの残りの略半分は、矢印３０で示す拭き取り部材３１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して平行な方向に延在している。
【００６７】
この拭き取り部材３１０においても、まず外側面のエッジ３１０ｅで異物２０の一部をこそぎ取った後、エッジ３１０ｅではこそぎ取れなかった異物２０の他の一部を、矢印３０で示す拭き取り部材３１０と透光性絶縁基板２との相対的移動方向に対して直交する方向に延在しているエッジ３１１ｅで繰り返し擦ってこそぎ取ることができる。
【００６８】
また、上記のように凹部３１１のエッジ３１１ｅを格子状に設けることにより、拭き取り面の剛性(形状維持能力)を高めることができるため、拭き取り部材３１０の拭き取り面と透光性絶縁基板２の上面との接触面積をさらに低減できる。そのため、駆動機構１２０により拭き取り部材３１０を透光性絶縁基板２に接触させつつ移動させる際の摩擦抵抗を本実施形態および第１変形例より減少させられる。その結果、駆動機構１２０の出力を一定に維持しつつ拭き取り部材３１０の移動速度をさらに増加させて洗浄時間の短縮を図ることができる。
【００６９】
さらに、凹部３１１のエッジ３１１ｅを格子状に設けることにより、エッジ３１１ｅでこそぎ取った異物２０の他の一部を凹部３１１内に保持することができる。その結果、こそぎ取った異物２０の他の一部を拭き取り部材３１０内に収集して、異物２０の透光性絶縁基板２への再付着を抑制できる。
【００７０】
上記の洗浄後、図２に示すように、第２分離溝８の延在方向に直交する方向の両端の裏面電極層５の表面上に、第２分離溝８の延在方向と同じ方向に延在するバスバー電極１０を形成する。以上の工程により、本実施形態に係る薄膜太陽電池ストリング１が得られる。すなわち、透光性絶縁基板２の上面の周縁部の内側に薄膜太陽電池が形成され、周縁部に付着した異物２０は洗浄装置により除去されている。
【００７１】
本実施形態においては、洗浄装置における付着物の除去性能を向上して、基板に密着して除去しにくい異物を除去することにより、基板上面の周縁部に付着した異物による絶縁不良を低減することができる。この洗浄装置を含む薄膜太陽電池の製造装置を用いることにより、絶縁不良による薄膜太陽電池の歩留まりの低下を抑制できる。
【００７２】
なお、本実施形態においては、拭き取り部材に複数の凹部を設けたが、少なくとも１つの凹部が拭き取り部材に設けられていればよい。また、凹部の深さおよび幅は、想定される異物２０の大きさに対応して適宜選定される。
【００７３】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００７４】
１  薄膜太陽電池ストリング、２  透光性絶縁基板、２ａ  上面、２ｂ  下面、３  透明電極層、４  光電変換層、５  裏面電極層、６  第１分離溝、７  コンタクトライン、８  第２分離溝、９  周縁溝、１０  バスバー電極、１１  セル領域、２０  異物、１００  洗浄装置、１１０，２１０，３１０  拭き取り部材、１１０ｅ，１１１ｅ，２１０ｅ，２１１ｅ，３１０ｅ，３１１ｅ  エッジ、１１１，２１１，３１１  凹部、１２０  駆動機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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