(57)【要約】      （修正有）【課題】使用時の音鳴きを防止できる金属端子付きセラミック電子部品を提供する。【解決手段】両端部に端子電極１４，１６が形成されているチップ部品１２と、前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面２２ａを有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部２２と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部２４と、を有する一対の金属端子２０，３０と、を有し、前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面２４ｂとを有し、前記実装部上面には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域２５が形成されていることを特徴とする金属端子付きセラミック電子部品。【選択図】図２
2014072373.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端部に端子電極が形成されているチップ部品と、
前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面を有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部と、を有する一対の金属端子と、を有し、
前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面とを有し、前記実装部上面には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されていることを特徴とする金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項２】
前記平板部対向面の第１部分には、前記はんだ付着防止領域が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項３】
前記金属端子は、基材と当該基材の表面である基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを有し、前記はんだ付着防止領域では、前記基材表面が露出していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項４】
前記基材は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含み、前記被覆層は、Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする請求項３に記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項５】
前記実装部底面は、前記平板部対向面に接続していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項６】
前記平板部対向面の第２部分には、前記はんだ付着防止領域よりはんだ濡れ性が高いはんだ付着領域が形成されており、はんだによって構成される前記接合部が、前記第２部分と前記端子電極とを電気的かつ物理的に接続していることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【請求項７】
前記接合部は、前記金属端子における前記平板部に接続しており、前記チップ部品の前記端子電極を、挟み込んで把持する少なくとも一対の嵌合アーム部を有することを特徴とする請求項１から請求項５に記載の金属端子付きセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品とこれに取り付けられる金属端子を有するセラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品としては、単体で直接基板等に面実装等する通常のチップ部品の他に、チップ部品に金属端子が取り付けられたものが提案されている。金属端子が取り付けられているセラミック電子部品は、実装後において、チップ部品が基板から受ける変形応力を緩和したり、チップ部品を衝撃等から保護する効果を有することが報告されており、耐久性及び信頼性等が要求される分野において使用されている（特許文献１等参照）。
【０００３】
また、金属端子を用いたセラミック電子部品は、はんだ等を用いて実装基板に取り付けられる。セラミック電子部品を実装基板に取り付ける際に使用されるはんだの量等は、セラミック電子部品を実装基板に対して確実に固定し、電気的な導通を確保するという観点から管理・調整されることが多く、余分なはんだが実装部付近に付着する場合もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−４０４６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術に係る金属端子付きセラミック電子部品では、電子部品に生じる電歪等の影響により、使用時に音鳴きが発生するという問題が発生している。本発明に係る発明者らは、金属端子付きセラミック電子部品での音鳴きが、当該セラミック電子部品を実装基板に接合しているはんだの付着状態と関係があることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、使用時の音鳴きを防止できる金属端子付きセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るセラミック電子部品は、
両端部に端子電極が形成されているチップ部品と、
前記チップ部品の端面に対向するように配置される平板部対向面を有しており接合部を介して前記端子電極に接続される平板部と、前記平板部の一方の端部に接続しており前記平板部に対して略垂直方向に延在する実装部と、を有する一対の金属端子と、を有し、
前記実装部は、前記平板部に対して略２７０度の角度を形成する実装部底面と、前記平板部に対して略９０度の角度を形成する実装部上面とを有し、前記実装部上面には、前記実装部底面よりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るセラミック電子部品では、実装部上面にはんだ付着防止領域が形成されており、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだが、実装部上面に過剰に付着することを防止することができる。これにより、本発明に係るセラミック電子部品は、セラミック電子部品を基板に実装する際に用いるはんだが、実装部底面以外の部分に過度に付着することによってチップ部品で発生した振動が実装基板に伝わり易くなることを防止し、チップ部品で発生した振動が実装基板に伝わることにより音鳴りが発生する現象を、効果的に抑制することができる。
【０００９】
また、前記平板部対向面の第１部分には、前記はんだ付着防止領域が形成されていても良い。
【００１０】
実装部上面だけでなく、平板部対向面の一部にもはんだ付着防止領域を形成することにより、実装部底面以外の部分への過剰なはんだの付着及び音鳴きの発生を、より効果的に防止することができる。
【００１１】
また、例えば、前記金属端子は、基材と当該基材の表面である基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを有し、前記はんだ付着防止領域では、前記基材表面が露出していても良い。
【００１２】
はんだ付着防止領域を形成する方法としては、金属端子を基材及び被覆層によって構成し、少なくともはんだ付着防止領域は被覆層が形成されていない状態とすることが好ましい。これにより、実装部底面とはんだとの接合強度を好適に確保しつつ、はんだ付着防止領域へのはんだの過度な付着を防止できる。また、このような方法は、工程負荷軽減や形成精度向上の観点からも有利である。
【００１３】
また、例えば、前記基材は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含んでいても良く、前記被覆層は、Ｓｎ，Ｃｕ，Ｎｉから選ばれる少なくとも一種の元素を含んでいても良い。
【００１４】
基材を、上述の金属元素を含む単体金属若しくは合金によって構成し、被覆層を、上述の金属元素を含む単体金属若しくは合金によって構成することにより、実装部底面とはんだとの接合強度を好適に確保しつつ、はんだ付着防止領域へのはんだの過度な付着を防止できる。
【００１５】
また、例えば、前記実装部底面は、前記平板部対向面に接続していても良い。
【００１６】
前記実装部底面がチップ部品の平板部対向面に接続するように、実装部が、平板部に対してチップ部品の直下とは反対側に曲げられて形成されていることにより、チップ部品と実装部上面との空間をはんだが埋めてしまうことを確実に防止し、音鳴きの発生を防止することができる。
【００１７】
前記平板部対向面の第２部分には、前記はんだ付着防止領域よりはんだ濡れ性が高いはんだ付着領域が形成されていても良く、はんだによって構成される前記接合部が、前記第２部分と前記端子電極とを電気的かつ物理的に接続していても良い。
【００１８】
チップ部品と金属端子を接合する接合部の形態に関して、接合部は、はんだによって構成されていても良い。この場合、平板部対向面にはんだ付着領域を形成し、はんだ付着領域と前記端子電極とを、接合部が接続する態様とすることにより、チップ部品と金属端子との接合強度を高めることができる。
【００１９】
また、チップ部品と金属端子を接合する接合部は、チップ部品の端子電極を、挟み込んで把持する少なくとも一対の嵌合アーム部を有していても良い。
【００２０】
接合部がアーム部を有する場合、金属端子とチップ部品を容易に組み立てることができ、このような金属端子付きセラミック電子部品は、製造が容易である。また、このようなセラミック電子部品は、嵌合アーム部がチップ部品の端子電極を把持することによって金属端子部とチップ部品とが固定されているため、当該セラミック電子部品を実装する際に接合部に伝わる熱により、金属端子部とチップ部品の固定が外れてしまうことを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略正面図である。
【図２】図２は、図１に示すセラミック電子部品の概略斜視図である。
【図３】図３は、図１に示すセラミック電子部品に含まれるチップ部品の内部構造を表す概略断面図である。
【図４】図４は、図１に示すセラミック電子部品に含まれる金属端子部の内部構造を表す概略断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミック電子部品の部分斜視図である。
【図６】図６は、本発明の第３実施形態に係るセラミック電子部品に使用される金属端子の概略斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第４実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。
【図８】図８は、本発明の第５実施形態に係るセラミック電子部品を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０を示す概略正面図である。セラミックコンデンサ１０は、チップ部品であるチップコンデンサ１２と、接合部４２，４４を介してセラミックコンデンサ１０と接続されている一対の金属端子部２０，３０を有する。なお、各実施形態の説明では、チップコンデンサ１２に金属端子部２０，３０が取り付けられたセラミックコンデンサを例に説明を行うが、本発明のセラミック電子部品としてはこれに限られず、コンデンサ以外のチップ部品に金属端子部２０，３０が取り付けられたものであっても良い。
【００２３】
図３は、セラミックコンデンサ１０に含まれるチップコンデンサ１２の断面図であり、チップコンデンサ１２の内部構造が模式的に示されている。チップコンデンサ１２は、コンデンサ素体１７と、第１端子電極１４及び第２端子電極１６によって構成される一対の端子電極１４，１６とを有する。コンデンサ素体１７は、セラミック層としての誘電体層１９と、内部電極層１８とを有し、誘電体層１９と内部電極層１８とが交互に積層してある。
【００２４】
誘電体層１９の材質は、特に限定されず、たとえばチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムまたはこれらの混合物などの誘電体材料で構成される。各誘電体層１９の厚みは、特に限定されないが、数μｍ〜数百μｍのものが一般的である。本実施形態では、好ましくは１．０〜５．０μｍである。
【００２５】
内部電極層１８に含有される導電体材料は特に限定されないが、誘電体層１９の構成材料が耐還元性を有する場合には、比較的安価な卑金属を用いることができる。卑金属としては、ＮｉまたはＮｉ合金が好ましい。Ｎｉ合金としては、Ｍｎ，Ｃｒ，ＣｏおよびＡｌから選択される１種以上の元素とＮｉとの合金が好ましく、合金中のＮｉ含有量は９５重量％以上であることが好ましい。なお、ＮｉまたはＮｉ合金中には、Ｐ等の各種微量成分が０．１重量％程度以下含まれていてもよい。また、内部電極層１８は、市販の電極用ペーストを使用して形成してもよい。内部電極層１８の厚みは用途等に応じて適宜決定すればよい。
【００２６】
端子電極１４，１６の材質も特に限定されず、通常、銅や銅合金、ニッケルやニッケル合金などが用いられるが、銀や銀とパラジウムの合金なども使用することができる。端子電極１４，１６の厚みも特に限定されないが、通常１０〜５０μｍ程度である。なお、端子電極１４，１６の表面には、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ等の金属被膜が形成されていても良い。
【００２７】
チップコンデンサ１２の形状やサイズは、目的や用途に応じて適宜決定すればよい。チップコンデンサ１２が直方体形状の場合は、通常、縦（０．６〜５．６ｍｍ、好ましくは０．６〜３．２ｍｍ）×横（０．３〜５．０ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）×厚み（０．１〜１．９ｍｍ、好ましくは０．３〜１．６ｍｍ）程度である。
【００２８】
図１及び図２に示すように、金属端子部２０，３０は、平板をＬ字に折り曲げた形状を有している。第１金属端子部２０は、チップコンデンサ１２の端面１２ａに対向するように配置される平板部対向面２２ａを有する平板部２２と、平板部２２の一方の端部に接続しており、平板部２２に対して略垂直方向に延在する実装部２４とを有する。図１に示すように、平板部２２は、接合部４２を介して、チップコンデンサ１２の第１端子電極１４に接続されている。
【００２９】
図１に示すように、接合部４２は、第１端子電極１４と平板部２２とを電気的及び物理的に接続しており、材質は特に限定されないが、例えば、はんだ若しくは導電性接着材等で構成される。また、接合部４２をはんだで構成する場合、はんだが含有する元素は特に限定されないが、セラミックコンデンサ１０を実装基板にはんだ付けする際に接合部４２が溶融することを防止するために、接合部４２を構成するはんだとしては、比較的融点の高い高温はんだを用いることが好ましい。
【００３０】
第１金属端子部２０の平板部２２が、チップコンデンサ１２の端面１２ａに平行に延在しているのに対して、第１金属端子部２０の実装部２４は、チップコンデンサ１２の側面に略平行に延在している。すなわち、第１金属端子部２０は、平板部２２から延出されており、平板部２２を基準としてチップコンデンサ１２側と同じ側にＬ字状に折り曲げられた実装部２４を有している。実装部２４は、平板部２２に対して略２７０°の角度を形成する実装部底面２４ａと、平板部２２に対して略９０°の角度を形成する実装部上面２４ｂとを有する。
【００３１】
実装部底面２４ａは、セラミックコンデンサ１０を実装基板に設置する際、実装基板の実装面に対向する面であり、実装基板側を下方と考えれば、セラミックコンデンサ１０において下方を向く面である。セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだは、特に実装部底面２４ａと基板の実装面を接続し、セラミックコンデンサ１０を基板に固定するとともに、セラミックコンデンサ１０と基板との導通を確保する。
【００３２】
実装部上面２４ｂは、実装部２４における実装部底面２４ａとは反対側の面であり、実装基板側を下方と考えれば、セラミックコンデンサ１０において上方を向く面である。図２に示すように、実装部上面２４ｂには、実装部底面２４ａよりはんだ濡れ性が低いはんだ付着防止領域２５が形成されている。はんだ付着防止領域２５は、はんだ濡れ性が低いため、セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだは、はんだ付着防止領域２５が形成されている実装部上面２４ｂには付着しにくい。
【００３３】
図４は、第１金属端子部２０における実装部２４と平板部２２との接続部付近を拡大して示す拡大断面図である。はんだ付着防止領域２５の形成態様は特に限定されないが、例えば、基材２０ａと被覆層２０ｂの材質の違いにより、はんだ付着防止領域２５を形成することができる。本実施形態に係る第１金属端子部２０は、基材２０ａと基材２０ａの表面である基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層２０ｂを有している。被覆層２０ｂは、基材２０ａよりはんだ濡れ性の高い材料によって構成されており、被覆層２０ｂに被覆されておらず基材表面が露出している実装部上面２４ｂ（はんだ付着防止領域２５）は、被覆層２０ｂが基材２０ａを被覆している実装部底面２４ａより、はんだ濡れ性が低い。
【００３４】
第１金属端子部２０の基材２０ａの構成元素は、特に限定されないが、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含む単体金属又は合金とすることができる。また、被覆層２０ｂの構成元素は、基材２０ａよりはんだ濡れ性が高くなるように構成されていれば特に限定されないが、例えばＳｎ，Ｎｉ，Ｃｕから選ばれる少なくとも一種の元素を含む単体金属又は合金とすることができ、Ｓｎを主成分とすることが特に好ましい。
【００３５】
なお、図２及び図４に示す例では、実装部上面２４ｂの全体に、はんだ付着防止領域２５が形成されているが、実装部上面２４ｂの態様としてはこれに限定されず、例えば実装部上面２４ｂの一部にはんだ付着防止領域２５が形成されており、実装部上面２４ｂの他の一部は、被覆層２０ｂに被覆されていても良い。また、図４に示す第１金属端子部２０は、実装部上面２４ｂを除く基材表面はすべて被覆層２０ｂに覆われているが、第２及び第３実施形態で述べるように、これに限定されない。さらに、はんだ付着防止領域２５の態様についても、基材表面を露出させる態様に限定されず、例えば実装部底面２４ａを被覆する被覆層２０ｂとは異なる被覆層で被覆する態様や、表面粗さを変更する態様等を採用することも可能である。
【００３６】
図１に示すように、第２金属端子部３０は、チップコンデンサ１２の端面１２ｂに対向する平板部３２と、平板部３２の一方の端部に接続しており、平板部３２に対して略垂直方向に延在する実装部３４とを有する。また、図２に示すように、第２金属端子部３０における実装部上面３４ｂにも、実装部底面３４ａよりはんだ濡れ性の低いはんだ付着防止領域３５が形成されている。
【００３７】
第２金属端子部３０は、第１金属端子部２０に対して対称に配置されていることを除き、上述した第１金属端子部２０と同様の構成であるため、その詳細な説明については省略する。また、第２端子電極１６と平板部３２とを電気的及び物理的に接続している接合部４４（図１参照）は、上述した接合部４２と同様の構成である。
【００３８】
以下に、セラミックコンデンサ１０の製造方法について説明する。
【００３９】
チップコンデンサ１２の製造方法
まず、焼成後に誘電体層１９となるグリーンシートを形成するために、グリーンシート用塗料を準備する。グリーンシート用塗料は、本実施形態では、誘電体材料の原料と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系ペースト、または水系ペーストで構成される。
【００４０】
誘電体材料の原料としては、焼成後にチタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムとなる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。誘電体材料の原料として、例えば平均粒子径が０．２〜０．５μｍ程度の粉末状のものを用いることができるが、特に限定されない。
【００４１】
有機ビヒクルとは、バインダ樹脂を有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダ樹脂としては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダ樹脂が例示される。
【００４２】
また、有機ビヒクルに用いられる有機溶剤も特に限定されず、アルコール、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、トルエン、キシレン、酢酸エチル、ステアリン酸ブチル、ターピネオール、ブチルカルビトール、イソボニルアセテートなどの通常の有機溶剤が例示される。なお、グリーンシート用塗料が水系ペーストである場合には、バインダ樹脂としてたとえばポリビニルアルコールなどの水溶性のものを用いればよい。
【００４３】
また、グリーンシート用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。
【００４４】
次に、上述のグリーンシート用塗料を用いて、キャリアシート上に、グリーンシートを形成する。グリーンシートの厚みは特に限定されないが、例えば２．０〜７．０μｍ程度とすることができる。グリーンシートは、キャリアシートに形成された後に乾燥される。
【００４５】
次に、グリーンシートの一方の表面に、焼成後に内部電極層１８となる電極パターンを形成する。電極パターンの形成方法としては、特に限定されないが、印刷法、転写法、薄膜法などが例示される。グリーンシートの上に電極パターンを形成した後、乾燥することにより、電極パターンが形成されたグリーンシートを得る。
【００４６】
内部電極層用塗料は、各種導電性金属や合金からなる導電体材料、あるいは焼成後に上記した導電体材料となる各種酸化物、有機金属化合物、レジネート等と、有機ビヒクルとを混練して調製する。
【００４７】
内部電極層用塗料を製造する際に用いる導電体材料としては、ＮｉやＮｉ合金、さらにはこれらの混合物を用いることが好ましい。このような導電体材料は、球状、リン片状等、その形状に特に制限はなく、また、これらの形状のものが混合したものであってもよい。
【００４８】
有機ビヒクルは、グリーンシート用塗料のそれと同様に、バインダ樹脂および有機溶剤を含有するものである。バインダ樹脂としては、たとえばエチルセルロース、アクリル樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアルコール、ポリオレフィン、ポリウレタン、ポリスチレン、または、これらの共重合体などが例示される。
【００４９】
また、溶剤としては、たとえばテルピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン等公知のものはいずれも使用可能である。さらに、内部電極層用塗料中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、帯電除剤、誘電体、ガラスフリット、絶縁体などから選択される添加物が含有されても良い。
【００５０】
次に、内部電極パターンが形成されたグリーンシートを、キャリアシートから剥離しつつ所望の積層数まで積層し、グリーン積層体を得る。なお、積層の最初と最後には、内部電極パターンが形成されていない外層用グリーンシートを、積層する。
【００５１】
その後、このグリーン積層体を最終加圧する。最終加圧時の圧力は、好ましくは１０〜２００ＭＰａである。また、加熱温度は、４０〜１００℃が好ましい。さらに、積層体を所定サイズに切断し、グリーンチップを得る。得られたグリーンチップは熱処理（固化乾燥）される。熱処理の条件は特に限定されないが、減圧雰囲気下において、１４０〜１８０℃、２〜１０時間とすることができる。
【００５２】
次に、熱処理後にグリーンチップに対して研磨を行う。研磨方法は特に制限されず、また、乾式であるか湿式であるかは問わないが、例えば湿式バレル研磨を採用することができる。
【００５３】
研磨後に脱バインダ処理を行う。脱バインダ処理の条件は特に限定されないが、例えば空気中または窒素雰囲気下で、昇温速度を５〜３００℃／時間、保持温度を２００〜４００℃、温度保持時間を０．５〜２０時間とすることができる。
【００５４】
続いて、グリーンチップの焼成を実施する。焼成条件は特に限定されないが、例えば還元雰囲気下で、昇温速度を５０〜５００℃／時間、保持温度を１０００〜１４００℃、温度保持時間を０．５〜８時間、冷却速度を５０〜５００℃／時間とすることができる。焼成後に、必要に応じてアニール処理、研磨等を施すことにより、図７に示すコンデンサ素体１７を得る。
【００５５】
最後に、コンデンサ素体１７に第１端子電極１４及び第２端子電極１６を形成する。端子電極１４，１６は、例えば端子電極用塗料を焼きつけて下地電極を形成した後、下地電極の表面にめっきによる金属被膜を形成することにより、作製する。なお、端子電極用塗料は、上記した内部電極層用塗料と同様にして調製することができ、端子電極用塗料の焼成条件は、例えば、加湿したＮ２とＨ２との混合ガス中で６００〜８００℃にて１０分間〜１時間程度とすることができる。
【００５６】
第１金属端子部２０及び第２金属端子部３０の製造方法
第１金属端子部２０及び第２金属端子部３０の製造では、まず、平板状の基材を準備する。基材の材質は、導電性を有する金属材料であれば特に限定されず、例えばＮｉ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｃｒから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属単体又は合金を用いることができる。
【００５７】
次に、基材を機械加工によりＬ字状に折り曲げ、平板部２２及び実装部２４の概略形状を形成する。さらに、Ｌ字状の中間部材に対して、めっき等により被覆層２０ｂ（図４参照）を形成し、金属端子部２０，３０を得る。被覆層形成処理の際、実装部上面２４ｂ，３４ｂの基材表面にレジスト処理を施すことにより、実装部上面２４ｂ，３４ｂに被覆層２０ｂが形成されることを防止し、実装部上面２４ｂ，３４ｂにはんだ付着防止領域２５，３５を形成する。これにより、実装部上面２４ｂ，３４ｂと実装部底面２４ａ，３４ａのはんだ濡れ性に、差異を発生させることができる。
【００５８】
なお、中間部材の全体に被覆層を形成した後、実装部上面２４ｂ，３４ｂに形成された被覆層のみをレーザー剥離等で除去することにより、はんだ付着防止領域２５，３５を形成することも可能である。また、基材に被覆層２０ｂを形成した後に、これをＬ字状に折り曲げる加工を行っても良い。
【００５９】
セラミックコンデンサ１０の組み立て
上述のようにして得られたチップコンデンサ１２と、一対の金属端子部２０，３０を準備し、チップコンデンサ１２の端子電極１４，１６と金属端子部２０，３０の平板部２２，３２とをはんだで接合することにより、セラミックコンデンサ１０を得る。
【００６０】
本実施形態に係るセラミックコンデンサ１０は、図２に示すように、実装部上面２４ｂ，３４ｂにはんだ付着防止領域２５，３５が形成されており、セラミックコンデンサ１０を基板に実装する際に用いるはんだが、実装部上面２４ｂ，３４ｂに過剰に付着することを防止することができる。したがって、セラミックコンデンサ１０は、これを基板に実装する際に用いるはんだが、実装部底面２４ａ，３４ａ以外の部分に過度に付着することにより、セラミックコンデンサ１０で発生した振動が実装基板に伝達し易くなり、これに伴い音鳴りが悪化する現象を、効果的に防止することができる。
【００６１】
また、金属端子部２０，３０を基材２０ａ及び被覆層２０ｂによって構成し、はんだ付着防止領域２５，３５には被覆層２０ｂが形成されていない状態とすることにより、実装部底面２４ａ、３４ａとはんだとの接合強度を好適に確保しつつ、はんだ付着防止領域２５，３５へのはんだの過度な付着を防止できる。また、このような構成とすることにより、はんだ付着防止領域２５，３５を、所望の位置に容易に形成することができる。
【００６２】
第２実施形態
図５は、本発明の第２実施形態に係るセラミックコンデンサの部分斜視図である。第２実施形態に係るセラミックコンデンサは、金属端子部５０の平板部５２が、第１実施形態に係る金属端子部２０，３０の平板部２２，３２と異なることを除き、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様であるため、重複部分については説明を省略する。
【００６３】
図５に示すように、金属端子部５０には、実装部上面２４ｂだけでなく、平板部対向面５２ａの第１部分５２ａａにも、はんだ付着防止領域５５が形成されている。第１部分５２ａａは、平板部対向面５２ａの一部であって、チップコンデンサ１２の端面１２ａより実装部２４側の部分であり、図５に示す態様では、実装部上面２４ｂの端部に接続している。
【００６４】
第１部分５２ａａに形成されているはんだ付着防止領域５５も、実装部上面２４ｂに形成されているはんだ付着防止領域２５と同様に、第１部分５２ａａに被覆層を形成せず、基材表面を露出させることによって形成することができる。第１部分５２ａａも、実装部上面２４ｂと同様に、セラミックコンデンサを基板に実装する際に用いるはんだが、過剰に付着する恐れのある部分である。したがって、実装部上面２４ｂに加えて、第１部分５２ａａにもはんだ付着防止領域５５が形成されている金属端子５０は、実装部底面２４ａ以外の部分への過剰なはんだの付着及び音鳴きの発生を、より効果的に防止することができる。
【００６５】
第３実施形態
図６は、本発明の第３実施形態に係るセラミックコンデンサに含まれる金属端子部５６の概略斜視図である。第３実施形態に係るセラミックコンデンサは、金属端子部５６の平板部５８が、第２実施形態に係る金属端子部５０の平板部５２と異なることを除き、第２実施形態に係るセラミックコンデンサと同様であるため、重複部分については説明を省略する。
【００６６】
図６に示すように、金属端子部５６の平板部対向面５８ａにおける第２部分５８ａｂには、はんだ付着防止領域２５，５５よりはんだ濡れ性が高いはんだ付着領域５９が形成されている。はんだ付着領域５９が形成されている第２部分５８ａｂは、平板部対向面５８ａの他の一部であって、チップコンデンサ１２の端面１２ａと対向する部分である。第２部分５８ａｂは、はんだ付着防止領域５５が形成されている第１部分５８ａａより上方に位置する。
【００６７】
金属端子部５６の平板部５８は、図１に示す金属端子部２０と同様に、はんだによって構成される接合部４２によって、チップコンデンサ１２の端子電極１４に接続される。接合部４２は、図５に示す第２部分５８ａｂと、端子電極１４とを電気的かつ物理的に接続する。第２部分５８ａｂには、はんだ濡れ性が高いはんだ付着領域５９が形成されているため、金属端子部５６は、チップコンデンサ１２との接合強度が高く、好適な耐久性を有する。
【００６８】
なお、はんだ付着領域５９が形成されている第２部分５８ａｂは、実装部底面２４ａ（図４参照）と同様に、基材２０ａを覆う被覆層２０ｂを有していても良く、また、実装部底面２４ａとは異なる被覆層を有していても良い。また、第３実施形態に係るセラミックコンデンサは、第１及び第２実施形態に係るセラミックコンデンサと同様の効果を奏する。
【００６９】
第４実施形態
図７は、本発明の第４実施形態に係るセラミックコンデンサ１０ａを示す概略斜視図である。第４実施形態に係るセラミックコンデンサ１０ａは、第１及び第２金属端子部６０，７０における実装部６４，７４が、図２に示す第１及び第２金属端子部２０，３０と異なる他は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様であり、重複部分については説明を省略する。
【００７０】
図７に示すように、第１金属端子部６０の実装部底面６４ａは、平板部２２における平板部対向面２２ａに接続している。すなわち、第１金属端子部６０は、平板部２２から延出されており、平板部２２を基準としてチップコンデンサ１２側とは反対側にＬ字状に折り曲げられた実装部６４を有している。
【００７１】
実装部６４は、平板部２２に対して略２７０°の角度を形成する実装部底面６４ａと、平板部２２に対して略９０°の角度を形成する実装部上面６４ｂとを有しており、実装部上面６４ｂには、はんだ付着防止領域６５が形成されている。第１金属端子部６０におけるはんだ付着防止領域６５の形成方法は、図４等に示す第１金属端子部２０と同様である。また、第２金属端子部７０は、第１金属端子部６０に対して対称に配置されていることを除き、第１金属端子部６０と同様の構成である。第２金属端子部７０は、平板部３２と実装部７４を有しており、実装部７４は、実装部底面７４ａと、はんだ付着防止領域７５が形成された実装部上面７４ｂとを有する。
【００７２】
図７に示すセラミックコンデンサ１０ａは、実装部６４，７４が、平板部２２，３２に対してチップコンデンサ１２の直下とは反対側に曲げられて形成されていることにより、チップコンデンサ１２と実装部上面６４ｂ，７４ｂとの空間が、はんだによって埋められてしまうことを確実に防止し、音鳴きの発生を防止することができる。また、セラミックコンデンサ１０ａは、平板部２２，３２の長さを短くし、低背化を図った場合でも、音鳴きの発生を効果的に防止することができる。
【００７３】
第５実施形態
図８は、本発明の第５実施形態に係るセラミックコンデンサ１０ｂを示す概略斜視図である。セラミックコンデンサ１０ｂは、２つのチップコンデンサ１２と、第１金属端子部８０と、第２金属端子部９０とを有している。なお、一対の金属端子部８０，９０によって保持されるチップコンデンサの数は特に限定されず、このことは、他の実施形態に係るセラミックコンデンサでも同様である。２つのチップコンデンサ１２と第１金属端子部８０とを接続する接合部は、３対のアーム部８６ａ，８７ａ，８８ａを有する。
【００７４】
図８では、対になっているアーム部のうち、片方のアーム部８６ａ，８７ａ，８８ａしか表示されていないが、チップコンデンサ１２の裏側に、他方のアーム部が配置されている。各アーム部８６ａ，８７ａ，８８ａは、平板部８２に接続しており、チップコンデンサ１２の端子電極１６を挟み込んで把持する。第２金属端子部９０も、第１金属端子部８０と同様に、平板部９２に接続する３対のアーム部９６ａ〜９８ａ，９６ｂ〜９８ｂを有する。
【００７５】
また、金属端子部８０，９０は、図１に示す金属端子部２０，３０と同様に、実装部８４，９４を有し、実装部８４，９４の実装部上面８４ｂ，９４ｂには、はんだ付着防止領域８５，９５が形成されている。
【００７６】
セラミックコンデンサ１０ｂの接合部は、はんだではなく、アーム部８６ａ〜８８ａ，９６ａ〜９８ａ，９６ｂ〜９８ｂによって構成されており、アーム部８６ａ〜８８ａ等は、弾性力によってチップコンデンサを保持する。したがって、セラミックコンデンサ１０ｂは、アーム部８６ａ〜８８ａ等に端子電極１４，１６をはめ込むだけで、金属端子部８０，９０とチップコンデンサ１２とを容易に組み立てることが可能であり、製造が容易である。また、セラミックコンデンサ１０ｂは、セラミックコンデンサ１０ｂを実装する際に接合部に伝わる熱により、金属端子部８０，９０とチップコンデンサ１２との固定が外れてしまうことを防止できる。また、セラミックコンデンサ１０ｂは、第１実施形態に係るセラミックコンデンサ１０と同様の効果を奏する。
【符号の説明】
【００７７】
１０，１０ａ，１０ｂ…セラミックコンデンサ
１２…チップコンデンサ
１２ａ，１２ｂ…端面
１４，１６…端子電極
１７…素体
１８…内部電極層
１９…誘電体層
２０，３０，５０，５６，６０，７０，８０，９０…金属端子部
２２，３２，５２，５８，８２，９２…平板部
２２ａ，５２ａ，５８ａ…平板部対向面
２４，３４，６４，７４，８４，９４…実装部
２４ａ，３４ａ，６４ａ，７４ａ…実装部底面
２４ｂ，３４ｂ，６４ｂ，７４ｂ，８４ｂ，９４ｂ…実装部上面
２５，３５，５５，６５，７５，８５…はんだ付着防止領域
５９…はんだ付着領域
４２，４４…接合部
５２ａａ，５８ａａ…第１部分
５８ａｂ…第２部分
８６ａ〜８７ａ，９６ａ〜９８ａ，９６ｂ〜９８ｂ…アーム部
【図１】
2014072373.tif 000003
【図２】
2014072373.tif 000004
【図３】
2014072373.tif 000005
【図４】
2014072373.tif 000006
【図５】
2014072373.tif 000007
【図６】
2014072373.tif 000008
【図７】
2014072373.tif 000009
【図８】
2014072373.tif 000010