(57)【要約】      （修正有）【課題】パタン間隙のある半導体基板や、試料表面に開口部がある間隙を有する試料等を荷電粒子線装置で観察する際に発生する帯電やエッジ効果を抑制できる試料観察方法を提供する。【解決手段】パタン間隙２１がイオン液体２２で浸漬された半導体基板や、試料１４表面に開口部がある間隙がイオン液体２２で浸漬された試料１４等を、荷電粒子線装置により観察することに関する。パタン間隙２１や、試料表面に開口部がある間隙等を、イオン液体２２で浸漬すると、凹凸の少ない平滑な面となり、エッジ効果を抑制することができる。また、パタン間隙２１や、試料１４表面に開口部がある間隙等を、導電性を持つイオン液体２２で浸漬することにより、荷電粒子線照射による帯電を抑制できる。これらの効果により、荷電粒子線装置における正確な観察が可能となる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パタン間隙がイオン液体で浸漬された半導体基板を荷電粒子線装置により観察する試料観察方法。
【請求項２】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記パタン間隙に浸漬したイオン液体が観察対象領域から溢れ出さない電子線照射エネルギーで観察することを特徴とする試料観察方法。
【請求項３】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記パタン間隙における帯電をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで観察することを特徴とする試料観察方法。
【請求項４】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記パタン間隙におけるエッジ効果をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで観察することを特徴とする試料観察方法。
【請求項５】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬した後に当該パタン間隙に断面を作製することを特徴とする試料観察方法。
【請求項６】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記半導体基板のパタン間隙に断面を作製した後に当該パタン間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項７】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記荷電粒子線装置が走査電子顕微鏡であることを特徴とする試料観察方法。
【請求項８】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記半導体基板の表面にイオン液体を滴下、塗布または噴霧することにより、当該半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項９】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記半導体基板をイオン液体に浸したのちに引き上げることにより、当該半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項１０】
請求項１記載の試料観察方法であって、
前記半導体基板がエッチング工程後のものであることを特徴とする試料観察方法。
【請求項１１】
試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙に浸漬したイオン液体が観察対象領域から溢れ出さない電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法。
【請求項１２】
試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙における帯電をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法。
【請求項１３】
試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙におけるエッジ効果をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記試料の間隙をイオン液体で浸漬した後に当該間隙に断面を作製することを特徴とする試料観察方法。
【請求項１５】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記試料の間隙に断面を作製した後に当該間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項１６】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記荷電粒子線装置が走査電子顕微鏡であることを特徴とする試料観察方法。
【請求項１７】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記試料の表面にイオン液体を滴下、塗布または噴霧することにより、当該試料の間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項１８】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記試料をイオン液体に浸したのちに引き上げることにより、当該試料の間隙をイオン液体で浸漬することを特徴とする試料観察方法。
【請求項１９】
請求項１１から１３のいずれかに記載の試料観察方法であって、
前記試料がエッチング工程後の半導体基板であることを特徴とする試料観察方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、試料をイオン液体で浸漬して荷電粒子線装置により観察する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置は、半導体ウエハ上に薄膜を堆積したのちにホトリソグラフィーおよびエッチングを用いて堆積した薄膜または半導体基板若しくはその両方を加工し、所望のパタンを作製する工程を繰り返し行うことにより作製される。これらの薄膜は、導電性を持つ金属薄膜や半導体薄膜ならびに絶縁性薄膜が用いられる。エッチング後のパタンの形状は、半導体集積回路装置の性能や歩留まりを決定する大きな要因であり、エッチング後の断面形状の評価は重要である。エッチングにより薄膜を残さず除去できているか、パタン側壁の形状が所望の形状に仕上がっているか、パタン寸法が所望の寸法に仕上がっているかを評価する必要があり、パタン寸法の微細化に伴い電子顕微鏡などの荷電粒子線装置を用いた評価が行われてきた。
【０００３】
一方、国際公開第２００７／０８３７５６号公報（特許文献１）には、試料にイオン液体を含浸させ試料表面に導電性を付与する電子顕微鏡用試料作製方法が記載されている。ただし、特許文献１は、試料表面の導電化処理により試料表面の形状を評価することを目的とするものであり、断面観察用試料の作製方法については何ら記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／０８３７５６号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】INTERNATIONAL TECHNOLOGY ROADMAP FOR SEMICONDUCTORS 2011 EDITION FRONT END PROCESSES、p.10-11
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本願発明者が、微細なエッチングパタンの走査電子顕微鏡観察（ＳＥＭ）について鋭意検討した結果、次の知見を得るに至った。
【０００７】
従来、断面形状評価は、半導体ウエハを割断した試料の断面形状を走査電子顕微鏡観察することによりおこなわれてきた。
【０００８】
しかしながら、エッチングパタンの寸法については、非特許文献1によると、ＮＡＮＤフラッシュメモリのシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）工程にて、溝の幅が２０ｎｍの場合に溝の深さは溝の幅の少なくとも１２倍に達すると記載されている。このような微細なエッチングパタンの走査電子顕微鏡観察においては、試料中の絶縁膜が電子線の照射により帯電し、正確な顕微鏡像が得られないという問題点がある。また、エッチング後の断面では、パタン側壁と観察断面がほぼ垂直なエッジが形成される。このようなエッジでは、二次電子放出のエッジ効果が生じ、パタンエッジの正確な決定が困難であるという問題点もある。エッチングの次工程では、パタン間隙に薄膜が埋め込まれるため、次工程で断面評価を行えばエッジ効果の影響は抑制できるが、エッチング工程の製造上の課題を迅速に工程にフィードバックするためには、エッチング工程直後に断面評価することが必要である。
【０００９】
これらの課題を解決するために、蒸着あるいはスパッタを用いて金属あるいは炭素等の導電性薄膜を試料表面に堆積させ、パタン間隙に導電性薄膜を充填してから試料を割断し、この断面を走査電子顕微鏡で観察することも考えられるが、半導体集積回路装置ではパタン間隙が非常に狭く、蒸着あるいはスパッタにより導電性薄膜を埋め込みことが困難であった。
【００１０】
本発明の目的は、パタン間隙のある半導体基板や、試料表面に開口部がある間隙を有する試料等を荷電粒子線装置で観察する際に発生する帯電やエッジ効果を抑制することに関する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、パタン間隙がイオン液体で浸漬された半導体基板や、試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料等を、荷電粒子線装置により観察することに関する。
【発明の効果】
【００１２】
パタン間隙や、試料表面に開口部がある間隙等を、イオン液体で浸漬すると、凹凸の少ない平滑な面となり、エッジ効果を抑制することができる。また、パタン間隙や、試料表面に開口部がある間隙等を、導電性を持つイオン液体で浸漬することにより、荷電粒子線照射による帯電を抑制できる。これらの効果により、荷電粒子線装置における正確な観察が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例にかかる走査電子顕微鏡の概略構成図を示す。
【図２】実施例にかかる走査電子顕微鏡の試料室側面図を示す。
【図３】実施例にかかる試料の鳥瞰図を示す。
【図４】実施例にかかる試料作製方法を用いて作製した断面試料（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー１ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【図５】実施例にかかる試料作製方法を用いて作製した断面試料（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー３ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【図６】実施例にかかる試料作製方法を用いて作製した断面試料（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー５ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【図７】実施例にかかる試料作製方法を用いて作製した断面試料（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー１０ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【図８】実施例にかかる試料作製方法を用いて作製した断面試料（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー２０ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【図９】従来方法で作製した試料断面（シリコン基板上の二酸化ケイ素の溝状パタンの断面）の電子線照射エネルギー１ｋｅＶにおける走査電子顕微鏡像を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施例では、イオン液体を試料表面に滴下、塗布あるいは噴霧する方法、もしくは試料をイオン液体中に浸たす方法によりエッチングパタン間隙部にイオン液体を充填することを開示する。イオン液体は流動性があるため狭い間隙にも充填することが可能であることを開示する。パタン間隙にイオン液体を充填した状態で荷電粒子線装置を用いて試料断面観察をおこなうことにより、帯電およびエッジ効果を抑制することができることを開示する。
【００１５】
また、実施例では、パタン間隙にイオン液体を保持するため、試料断面は凹凸の少ない平滑な面となり、エッジ効果を抑制することができることを開示する。また、導電性を持つイオン液体でパタン間隙に充填することにより、荷電粒子線照射による帯電を抑制することが可能になることを開示する。また、これらの効果により、パタンエッジの形状を正確に観察することが可能となることを開示する。
【００１６】
また、実施例では、パタン間隙がイオン液体で浸漬された半導体基板を荷電粒子線装置により観察する試料観察方法を開示する。
【００１７】
また、実施例では、パタン間隙に浸漬したイオン液体が観察対象領域から溢れ出さない電子線照射エネルギーで観察する試料観察方法を開示する。また、試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙に浸漬したイオン液体が観察対象領域から溢れ出さない電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法を開示する。
【００１８】
また、実施例では、パタン間隙における帯電をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで観察する試料観察方法を開示する。また、試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙における帯電をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法を開示する。
【００１９】
また、実施例では、パタン間隙におけるエッジ効果をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで観察する試料観察方法を開示する。また、試料表面に開口部がある間隙がイオン液体で浸漬された試料を、当該間隙におけるエッジ効果をイオン液体で抑制できる電子線照射エネルギーで、荷電粒子線装置により観察する試料観察方法を開示する。
【００２０】
また、実施例では、半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬した後に当該パタン間隙に断面を作製することを開示する。また、試料の間隙をイオン液体で浸漬した後に当該間隙に断面を作製することを開示する。
【００２１】
また、実施例では、半導体基板のパタン間隙に断面を作製した後に当該パタン間隙をイオン液体で浸漬することを開示する。また、試料の間隙に断面を作製した後に当該間隙をイオン液体で浸漬すること開示する。
【００２２】
また、実施例では、荷電粒子線装置が走査電子顕微鏡であることを開示する。
【００２３】
また、実施例では、半導体基板の表面にイオン液体を滴下、塗布または噴霧することにより、当該半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬することを開示する。また、試料の表面にイオン液体を滴下、塗布または噴霧することにより、当該試料の間隙をイオン液体で浸漬することを開示する。
【００２４】
また、実施例では、半導体基板をイオン液体に浸したのちに引き上げることにより、当該半導体基板のパタン間隙をイオン液体で浸漬することを開示する。また、試料をイオン液体に浸したのちに引き上げることにより、当該試料の間隙をイオン液体で浸漬することを開示する。
【００２５】
また、実施例では、半導体基板がエッチング工程後のものであることを開示する。試料がエッチング工程後の半導体基板であることを開示する。
【００２６】
以下、上記及びその他の新規な特徴と効果について図面を参酌して説明する。
【実施例】
【００２７】
以下、図面を用いて本願発明の実施形態について説明する。
【００２８】
図１に、本実施例で用いる荷電粒子線装置である走査電子顕微鏡の装置構成を示す。本実施例にかかる走査電子顕微鏡は、電子線を発生する電子銃１、電子線を集束するレンズ系と電子線が試料上を走査するように偏向する偏向器とを含む電子光学系２、電子光学系を制御する制御部３、二次電子を検出する二次電子検出器４、反射電子を検出する反射電子検出器５、検出器からの信号に基づいて試料の画像を生成する画像生成部６、撮像した画像を表示するディスプレイ等の表示部７、走査電子顕微鏡の各機能を操作するマウスや操作卓等の操作部８、モーターステージを制御するステージ制御部９、電子源や電子光学系を内部に有するカラムを真空排気する真空ポンプ１０を備える。この真空ポンプによって試料室を低真空または高真空に排気しても良いし、別の真空ポンプによって試料室を排気しても良いが、通常、走査電子顕微鏡の試料室は真空状態に保たれているので、試料は真空状態の下で観察される。なお、上記の制御部、ステージ制御部、画像生成部は、専用の回路基板によってハードとして構成されていてもよいし、走査電子顕微鏡に接続されたコンピュータ１１で実行されるプログラムによって構成されてもよい。ステージがモーターステージの場合は、ステージ制御部が必要であるが、手動ステージの場合にはステージ制御部は不要である。
【００２９】
なお、本実施例では走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を例にあげて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）やイオン顕微鏡、その他の荷電粒子線を用いた荷電粒子線装置による観察に適用可能である。
【００３０】
図２に、本実施例にかかる走査電子顕微鏡の試料室側面図を示す。試料室１２の内部システムは電子顕微鏡の対物レンズ１３、電子顕微鏡対物レンズ１３から、イオン液体に浸漬させた試料１４に照射される電子ビーム１５、イオン液体を含浸させた試料１４からの二次電子信号１６を検出する二次電子検出器４、イオン液体に浸漬させた試料１４からの反射電子信号１７を検出する反射電子検出器５から構成される。本実施例においては、二次電子検出器４および反射電子検出器５の配置については試料室１２内に配置した場合を示したが、対物レンズ１３と電子光学系２の間に配置してもよい。試料に電子ビームを照射することで得られる信号である二次電子、反射電子等を総称して二次粒子ということもある。イオン液体に浸漬させた試料１４は、電子顕微鏡用の試料台１８の上に載せてある。図２の試料台１８は直径１５ｍｍ、高さ６ｍｍの円筒形の形状である。ただし、必ずしも円筒形の形状である必要はなく、試料１４の形状および大きさに応じて試料台１８の形状および大きさは変えてもよい。試料台は、手動あるいはモーターにより、Ｘ軸およびＹ軸での駆動が可能な試料ステージ１９に設置される。試料ステージは、Ｒ軸、Ｚ軸、およびＴ軸も可動であると、試料を様々な角度から観察することができる。試料ステージ１９は、試料台の形状および大きさに応じ形状および大きさを変えてもよい。本実施例ではアウトレンズ形走査電子顕微鏡を用いたが、これにこだわるものではなく、インレンズ形走査電子顕微鏡やセミインレンズ形走査電子顕微鏡も利用可能である。
【００３１】
図３に、本実施例にかかる試料１４の鳥瞰図を示す。正面を向いている面が、観察対象の断面である。半導体基板上の薄膜のエッチングにより、溝状のエッチングパタン２０が作製されている。パタンとパタンの間に試料表面に開口部を持つパタン間隙２１が作製されており、このパタン間隙２１にイオン液体４を充填して保持する。正面方向から、走査電子顕微鏡などの荷電粒子線装置により観察をおこなうことにより、パタン断面形状を評価することができる。
【００３２】
図３の試料１４は、次の方法により作製する。エッチング後の半導体ウエハから、所望のパタンが含まれる部分を、割断あるいはダイシング等の方法を用いて小片にする。小片にした試料表面にピペット等でイオン液体の液滴を滴下する。滴下した液滴は、試料表面全体に流動し広がり、パタン間隙に充填される。試料表面や側面についている余分なイオン液体は、濾紙等の紙、ガーゼ等の布、不織布、または綿棒を用いてふき取る。所望のパタンが含まれる個所を割断することにより断面試料を作製し、走査電子顕微鏡等の荷電粒子線装置を用いて断面形状を観察する。
【００３３】
なお、ここでのイオン液体は、イオン（陽イオン、陰イオン）から構成される融点が低い塩のことである。非特許文献１によれば、イオン液体と称される塩は、より正確には常温イオン液体のことであり、蒸気圧がほとんど無く、難燃性、イオン性であるが低粘性、高い分解電圧を持つ特徴を持ち、空気中で安定、常温常圧下で液体の塩のこととされており、有機塩のなかに、このような性質を持つ塩が存在する。
【００３４】
イオン液体としては、例えば、イミダゾリウム塩類・ピリジニウム塩類などのアンモニウム系、ホスホニウム系イオンなどの陽イオンと、臭化物イオンやトリフラートなどのハロゲン系、テトラフェニルボレートなどのホウ素系、ヘキサフルオロホスフェートなどのリン系などの陰イオンを組み合わせたものが考えられる。一般にイオン液体は有機イオンを含む塩であるが、室温で溶融する塩であれば無機イオンだけから構成される塩でも良い。
【００３５】
イオン液体の粘度が高く流動性が低い場合には、水やアルコール等、イオン液体を溶解する溶媒でイオン液体を希釈し、流動性を調整して用いる。
【００３６】
イオン液体をパタン間隙に充填する方法としては、霧吹きでイオン液体を噴霧する方法や、筆や刷毛を用いてイオン液体を塗布する方法を用いてもよい。あるいは、イオン液体が入った槽に試料を浸し引き上げることにより充填してもよい。また、本実施例ではイオン液体を充填したのちに試料を割断したが、所望のパタンが含まれる個所を割断して観察すべき断面を作製したのちに、イオン液体を充填し、断面の余分なイオン液体をふき取って除去してもよい。
【００３７】
イオン液体を浸漬した試料１４は、観察する面を上向きにして試料台１８に装着し、さらに試料台１８を試料室１２の中の試料ステージ１９に装着したのち、試料室を真空ポンプ１０で真空排気する。真空排気を行った後、対物レンズ１３から電子線１５を試料１４に照射走査し、試料１４から発生した二次電子を二次電子検出器４で検出し試料１４の走査電子像を得る。試料１４に照射する電子線１５のエネルギーは電子光学系２により可変であり、例えば１００ｅＶから３０ｋｅＶの間の任意のエネルギーに設定することが可能である。
【００３８】
本実施例の方法を用いて作製した断面試料を、走査電子顕微鏡観察する手順について説明する。試料は、シリコンの基板上に作製した二酸化ケイ素膜の溝状パタンであり、充填されているイオン液体は1-butyl-3-methylimidazolium 1、1、1-trifluoro-N-[(trifluoromethyl) sulfonyl] methanesulfonamideである。図４は、電子線照射エネルギー１ｋｅＶで取得した溝状パタン試料の走査電子顕微鏡像である。観察対象面全体がイオン液体で覆われ溝状パタンを視認することはできない。これはパタン間隙に浸漬したイオン液体が観察対象面に溢れ出してきているからである。図５は同一試料を照射エネルギー３ｋｅＶ、図６は照射エネルギー５ｋｅＶ、図７は電子線照射エネルギー１０ｋｅＶ、図８は電子線照射エネルギー２０ｋｅＶで取得した走査電子顕微鏡像である。電子線照射エネルギーが大きくなるにつれて、観察対象面上のイオン液体で覆われる領域は減少し、電子線照射エネルギー１０ｋｅＶで視野全体の観察対象面が露出する。図７および図８の走査電子顕微鏡像においては、イオン液体は試料断面に溢れ出ることなく、溝内に保持された状態を保っている。また、二酸化ケイ素は絶縁体であるが帯電による像劣化は見られない。また、二酸化ケイ素の側壁部及び溝底部のシリコン基板表面が明瞭に観察できており、エッジ効果の影響も小さい。このように、電子線照射エネルギーを変化させ走査電子顕微鏡像を取得することにより、イオン液体をパタン間隙に保持させる電子線照射エネルギーを見出すことができ、帯電およびエッジ効果を抑制した観察が行うことが可能になる。イオン液体をパタン間隙に保持するためには、イオン液体と試料との間の界面張力、イオン液体の表面張力、重力、試料内電場から受ける静電力がつりあう必要がある。試料内の電場は照射する電子のエネルギーにより変化するため、照射エネルギー依存性が生じると考えられる。
【００３９】
図９に、イオン液体を用いない従来方法で作製した試料断面の走査電子顕微鏡像を参考のために示す。この試料も、図４と同じ、シリコンの基板上に作製した二酸化ケイ素膜の溝状パタンである。二酸化ケイ素が帯電することにより明度の異常および変形が生じて試料形状を正しくとらえられない。また、エッジ効果により溝底部のシリコン基板表面の明度が高くなり基板表面の形状を正しくとらえることができていない。
【００４０】
本実施例では、エッチングパタンが単一の膜である場合を示したが、半導体基板をエッチングした試料、あるいは複数の膜を積層した積層膜をエッチングした試料に対しても適用可能である。また、パタンが半導体基板の直上に作成されている例を示したが、エッチングパタンと半導体基板の間に複数の導電性薄膜及び絶縁性薄膜から構成される層が含まれていてもよい。また、本実施例では、均一の幅と間隔で複数の直線状パタンが平行している例を示したが、半導体集積回路装置に用いられるさまざまなレイアウトのパタンに適用可能である。たとえば単一の間隙部から成る孤立した溝状パタンや隣り合うパタンの線幅が異なっているもの、あるいは隣り合うパタン間隙に幅が異なっているものについても適用可能である。さらに、パタンの長手方向に沿って、パタン線幅やパタン間隔が変化しているパタンについても適用可能である。また、半導体集積回路装置にかかわらず、試料表面に開口部を持つ間隙を有する試料に対して適用可能である。例えば、表面に細かなひび割れがある鉱物試料等についても適用可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１    電子銃 
２    電子光学系
３    制御部 
４    二次電子検出器
５    反射電子検出器 
６    画像生成部 
７    表示部
８    操作部
９    ステージ制御部
１０  真空ポンプ
１１  コンピュータ
１２  試料室
１３  対物レンズ
１４  試料
１５  電子ビーム
１６  二次電子信号
１７  反射電子信号
１８  試料台
１９  試料ステージ
２０  エッチングパタン
２１  パタン間隙
２２  イオン液体
２３  シリコン基板
２４  二酸化ケイ素膜パタン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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