(57)【要約】【課題】基板上に形成される薄膜の均一性に影響することなく、原料ガスが供給される原料ガス供給部の噴出口の目詰まりを防止することができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】真空環境を形成するチャンバと、このチャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットとが互いに対向して配置され、前記基板保持部と前記電極ユニットとの間に設けられた原料ガス供給部から供給される原料ガスをプラズマ環境に曝して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記原料ガス供給部は、原料ガスを噴出する噴出口を有しており、さらに、この噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有している構成とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空環境を形成するチャンバと、このチャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットとが互いに対向して配置され、前記基板保持部と前記電極ユニットとの間に設けられた原料ガス供給部から供給される原料ガスをプラズマ環境に曝して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記原料ガス供給部は、原料ガスを噴出する噴出口を有しており、さらに、この噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有していることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記原料ガス供給部には、複数の噴出口が一方向に並んで形成されており、前記製膜付着カバーは、前記噴出口の配列方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記製膜付着カバーは、前記噴出口を覆う形状を有しており、この製膜付着カバーには、前記噴出口と対向する位置に前記チャンバ内に連通して開口する開口部を有しており、前記開口部の開口面積は、前記噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記開口部は、それぞれの前記噴出口に対応して複数形成されており、それぞれの開口部の開口面積は、対応する噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止膜等の薄膜形成に適した薄膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ、太陽電池等の電子デバイスは水や酸に弱いため、その表面を封止膜で覆って耐久性を向上させることが提案されている。このような封止膜は、薄膜形成装置、いわゆるプラズマＣＶＤ装置で形成されている。この薄膜形成装置は、例えば下記特許文献１に記載されているように、チャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットと、原料ガスを供給する原料ガス供給部とを備えており、互いに対向して配置される基板保持部と電極ユニットとの間に原料ガス供給部を配置して構成されている。そして、原料ガス供給部の噴出口から原料ガスが供給されると、原料ガスが電極ユニットにより形成されたプラズマ環境に曝されることにより製膜粒子が形成される。そして、この製膜粒子が基板上に堆積することにより薄膜（封止膜）が形成される。
【０００３】
ここで、原料ガス供給部の噴出口は、原料ガスの拡散性に影響するため、その開口面積が所定の大きさに設定されている。これにより、噴出される原料ガスが広範囲に拡散し、基板上に形成される薄膜が表面ムラ等を生じることなく均一な厚みで形成できるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３０１７９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記薄膜形成装置では、製膜粒子が原料ガス供給部の噴出口に付着することにより、噴出口が目詰まりを起こしてしまうという問題があった。すなわち、上記薄膜形成装置では、プラズマ環境に曝されて形成される製膜粒子がチャンバ内を浮遊し、チャンバ内のあらゆるところに製膜粒子が付着する。原料ガス供給部では、噴出口から原料ガスが噴出されるため、この噴出された原料ガスがプラズマ環境に曝され、形成された製膜粒子が近くにある噴出口に付着しやすい。そして、メンテナンス作業等によるチャンバ内の清掃前までに噴出口に付着する製膜粒子の量が増加し、堆積した製膜粒子で膜が形成され、最終的に噴出口を塞いでしまうという問題があった。
【０００６】
これに対し、噴出口に付着した製膜粒子が成長しても噴出口が塞がれない程度に噴出口の開口面積を大きくするということも考えられるが、上述の通り、開口面積を大きくすると、原料ガスの拡散性が損なわれることにより、基板上に形成される均一性（膜厚分布）に影響を与えるという問題があり、噴出口の開口面積を自由に変更できないという問題もあった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、基板上に形成される薄膜の均一性に影響することなく、原料ガスが供給される原料ガス供給部の噴出口の目詰まりを防止することができる薄膜形成装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、真空環境を形成するチャンバと、このチャンバ内に基板を保持する基板保持部と、プラズマを発生させる電極ユニットとが互いに対向して配置され、前記基板保持部と前記電極ユニットとの間に設けられた原料ガス供給部から供給される原料ガスをプラズマ環境に曝して基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記原料ガス供給部は、原料ガスを噴出する噴出口を有しており、さらに、この噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有していることを特徴としている。
【０００９】
上記薄膜形成装置によれば、原料ガス供給部は、噴出口位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバーを少なくとも電極ユニット側に有しているため、噴出口に製膜粒子が付着するのを抑えることができる。すなわち、製膜付着カバーが噴出口に対して電極ユニット側に配置されているため、電極ユニットで形成されたプラズマ環境が製膜付着カバーで遮られることにより、噴出口がプラズマ環境に直接曝されにくくなる。そのため、噴出口から噴出した原料ガスは、噴出口付近からある程度飛散したところでプラズマ環境に曝されて製膜粒子になる。したがって、製膜粒子は製膜付着カバーに付着することはあっても、原料ガスが噴出口付近で即、製膜粒子となって噴出口に付着するという現象を抑えることができる。すなわち、噴出口に付着する製膜粒子の量を抑えることができるため、噴出口に形成された製膜粒子の膜により噴出口が塞がれるという問題を抑えることができる。これにより、基板上に形成される薄膜の均一性を損なうことなく、噴出口が目詰まりするのを抑えることができる。
【００１０】
また、前記原料ガス供給部には、複数の噴出口が一方向に並んで形成されており、前記製膜付着カバーは、前記噴出口の配列方向に延びるように形成されている構成にしてもよい。
【００１１】
この構成によれば、複数の噴出口が一方向に並んで形成される原料ガス供給部であっても、製膜付着カバーが噴出口の配列方向に延びるように形成されていることにより、すべての噴出口が直接プラズマに曝されにくくなる。したがって、製膜付着カバーが噴出口の配列方向に間欠的に形成されている場合に比べて、すべての噴出口において目詰まりを防止することができる。
【００１２】
また、前記製膜付着カバーは、前記噴出口を覆う形状を有しており、この製膜付着カバーには、前記噴出口と対向する位置に前記チャンバ内に連通して開口する開口部を有しており、前記開口部の開口面積は、前記噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されている構成にしてもよい。
【００１３】
この構成によれば、製膜付着カバーが噴出口を覆っているため、より一層、噴出口が直接プラズマ環境に曝されにくくなる。したがって、製膜粒子は噴出口に付着する前に製膜付着カバーに付着することにより噴出口の目詰まりを抑えることができる。そして、製膜付着カバーの開口部に製膜粒子が付着しても、開口部の開口面積は、噴出口の開口面積よりも大きく形成されているため、噴出口が直接プラズマ環境に曝されて製膜粒子が付着する場合に比べて、製膜粒子の膜に塞がれてしまうのを抑えることができる。
【００１４】
また、前記開口部は、それぞれの前記噴出口に対応して複数形成されており、それぞれの開口部の開口面積は、対応する噴出口の開口面積よりも大きくなるように形成されている構成にしてもよい。
【００１５】
この構成によれば、個々の噴出口の大きさに応じて、噴出口の開口面積より大きい開口部を形成することにより、複数の噴出口をすべて含む開口部を１つ設ける場合に比べて、製膜粒子が開口部を通じて噴出口に到達するのを抑え、噴出口の目詰まりを一層抑えることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の薄膜形成装置によれば、基板上に形成される薄膜の均一性に影響することなく、原料ガスが供給される原料ガス供給部の噴出口の目詰まりを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す概略図である。
【図２】上記薄膜形成装置の電極ユニットを上方から見た概略図である。
【図３】原料ガス供給部（多孔ノズル）を示す図である。
【図４】図３における原料ガス供給部の断面図であり、（ａ）は、噴出口位置における断面図であり、（ｂ）は噴出口以外の位置における断面図である。
【図５】他の実施形態における原料ガス供給部を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は、噴出口位置における断面図である。
【図６】他の実施形態おける原料ガス供給部（単孔ノズル）を示す図であり、（ａ）は複数の単孔ノズルを組合わせた全体図であり、（ｂ）は単孔ノズルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１は、本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す概略的な正面図であり、図２は、電極ユニットを上方から見た概略図である。
【００１９】
図１、図２に示すように、薄膜形成装置１は、チャンバ２とそのチャンバ２内に設けられる基板保持部４と電極ユニット３とを有しており、電極ユニット３によりプラズマを発生させた状態でチャンバ２内に原料ガスが供給されると、原料ガスが励起され製膜粒子が生成される。そして、基板Ｗに堆積することにより、水分、酸などの侵入を防止する封止膜等の薄膜Ｃが形成される。
【００２０】
チャンバ２は、真空環境を形成し、その内部で発生した製膜粒子を堆積させて基板Ｗ上に薄膜Ｃを形成させるための密閉容器である。このチャンバ２には、基板Ｗを保持する基板保持部４と、プラズマを発生させる電極ユニット３とが互いに対向する位置に配置されており、基板保持部４と電極ユニット３との間に原料ガス供給部５が設けられている。この原料ガス供給部５から原料ガスが供給されると、原料ガスが電極ユニット３で形成されたプラズマ環境に曝されることにより、基板保持部４に保持された基板Ｗ上に薄膜Ｃが形成される。
【００２１】
基板保持部４は、基板Ｗを保持するためのものである。本実施形態では、基板Ｗを支持するハンド４１により電極ユニット３上に支持されることにより保持されるようになっている。具体的には、基板Ｗは、矩形の平板形状を有しており、中央部分に薄膜Ｃを形成する薄膜形成領域とその両端に薄膜非形成領域とを有している。ハンド４１は、基板Ｗの薄膜非形成領域を支持することにより保持される。すなわち、基板Ｗは、基板保持部４により保持された状態では、薄膜Ｃを形成する面が電極ユニット３側（下向き）に向く姿勢で保持される。
【００２２】
また、電極ユニット３は、プラズマを発生させるものである。本実施形態の電極ユニット３は、Ｕ字状の誘導結合型の電極であり、図２に示すように、電極部３１と誘電体部３２とを有している。具体的には、電極ユニット３は、Ｃｕ等の導体で形成される電極部３１と、ガラス等の非誘電体で形成される誘電体部３２とを有しており、電極部３１を誘電体部３２で覆うように形成され全体としてＵ字状に形成されている。そして、電極ユニット３は、図２に示すように、外側からチャンバ２の壁面を貫通してチャンバ２内部に侵入し、貫通したチャンバ２の壁面に対面するチャンバ２の壁面を貫通するように延びている。そして、チャンバ２の外側で１８０°向きを変えて、さらにチャンバ壁を貫通してチャンバ２内部に入り、再度チャンバ壁を貫通して設けられている。すなわち、電極ユニット３は、直線状に形成される部分がチャンバ２内で同じ高さ位置に位置した状態で設けられている。言い換えれば、電極ユニット３は、直線状に延びる部分（直線状部分３４）がほぼ平行な状態でチャンバ２内に位置しており、その他の部分がチャンバ２の外側に位置するように設けられている。
【００２３】
また、電極ユニット３の端部に位置する電極部３１は、高周波電源６と接続されており、高周波電源６のスイッチが入れられることにより、チャンバ２内に位置する電極ユニット３の平行な直線状部分３４にプラズマが発生するようになっている。したがって、この電極ユニット３によりプラズマが発生する状態で、チャンバ２の壁面に設けられた放電ガス供給部２１から放電ガスが供給されると、放電ガスがプラズマに曝されることにより分解され反応ガスが形成される。そして、この反応ガスが原料ガスと反応することにより製膜粒子が形成される。
【００２４】
なお、この製膜粒子の形成は、チャンバ２内を真空環境にして行われる。すなわち、このチャンバ２の壁面には、チャンバ２内を排気する排出口２２が設けられている。この排出口２２は、真空ポンプ（不図示）と配管で接続されており、真空ポンプを作動させることによりチャンバ２内を所定の真空度に調節できるようになっている。すなわち、製膜粒子の形成時（薄膜形成時）には、真空ポンプを作動させることにより、チャンバ２内を所定の真空環境に調節して行われる。
【００２５】
また、原料ガス供給部５は、チャンバ２内に薄膜Ｃを形成する原料ガスを供給するものである。本実施形態の原料ガス供給部５は、図３に示すように、複数の噴出口６１（図４参照）を有する多孔ノズル５ａを有している。原料ガス供給部５は、原料ガスタンク（不図示）と配管で接続されており、多孔ノズル５ａを通じてチャンバ２内に原料ガスを供給する。
【００２６】
多孔ノズル５ａは、チャンバ２の壁面に取付けられる接続配管５１と原料ガスが噴出される噴出部５２とを有している。ここで、図４は、原料ガス供給部５の断面図であり、図４（ａ）は噴出口６１の位置における断面図であり、（ｂ）は噴出口６１以外の位置における断面図である。この噴出部５２は、一方向に延びる略円筒形状の配管本体５２ａを有しており、その配管本体５２ａの中央部分で接続配管５１と連結されている。すなわち、多孔ノズル５ａは、略Ｔ字状の配管で形成されており、噴出部５２が基板Ｗの表面に近接する状態で、噴出部５２の配管本体５２ａの延びる方向が基板Ｗの幅方向とほぼ平行をなすように配置されている。そして、配管本体５２ａの長手方向寸法は、基板Ｗの幅方向寸法よりも大きい寸法に形成されており、噴出される原料ガスが基板Ｗの幅方向寸法に一様に供給されるようになっている。
【００２７】
また、噴出部５２は、原料ガスが噴出する噴出口６１と、製膜付着カバー７とを有している。本実施形態では、配管本体５２ａ内に平板状の仕切板６が設けられており、この仕切板６に噴出口６１が設けられている。具体的には、仕切板６は、配管本体５２ａ内に接続配管５１と直交する姿勢で、接続配管５１との接続部から所定間隔置いて設けられている。すなわち、仕切板６と接続配管５１との間には、配管本体５２ａ内に長手方向に延びる空間（貯留空間Ｓ）が形成される。そして、仕切板６には、仕切板６の厚さ方向に貫通する複数の噴出口６１が長手方向に等間隔に並んだ状態で一様に配置されている。
【００２８】
この噴出口６１は、本実施形態では円形に形成されており、噴出口６１の開口面積は、接続配管５１の開口面積に比べて遙かに小さくなるように形成されている。そして、噴出口６１の貫通方向は、基板Ｗの表面に向かう方向に設定されている。これにより、接続配管５１を通じて供給される原料ガスが基板Ｗの幅方向全体に一様に供給される。すなわち、原料ガスタンクから接続配管５１を通じて供給される原料ガスは、仕切板６で遮られることにより、貯留空間Ｓ内全体に広がり一時的に貯留される。そして、さらに原料ガスが供給されることにより貯留空間Ｓ内の圧力が高くなることにより、すべての噴出口６１から原料ガスが噴出される。したがって、仕切板６の長手方向に複数形成された噴出口６１から原料ガスが噴出されることにより、基板Ｗの幅方向に亘って原料ガスが一様に供給される。そして、噴出される原料ガスがプラズマ環境に曝されることにより製膜粒子が形成され、製膜粒子が基板Ｗ上に付着し堆積することにより薄膜Ｃが形成される。
【００２９】
なお、本実施形態では、噴出口６１からＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）、放電ガス供給部２１からアルゴンガス、水素ガスが供給されることにより、Ｓｉ化合物（第１薄膜Ｃを形成する製膜粒子）が生成され、噴出口６１からＨＭＤＳガス、放電ガス供給部２１から酸素ガスが供給されることにより、ＳｉＯ２（第２薄膜Ｃを形成する製膜粒子）が生成される。これを交互に繰り返すことにより、基板Ｗ上（電子デバイス上）には第１薄膜Ｃ、第２薄膜Ｃを複数層備える薄膜Ｃ（封止膜）を形成することができる。
【００３０】
また、製膜付着カバー７は、噴出口６１が直接プラズマ環境に曝されるのを抑えるためのものである。この製膜付着カバー７は、噴出口６１の位置よりも噴出側に突出するように設けられる。本実施形態では、製膜付着カバー７は、仕切板６の位置から噴出側（図４の矢印方向）に延びる配管本体５２ａの一部によって形成されている。具体的には、仕切板６から噴出側に所定距離離れるようにして、仕切板６全体を覆うように形成されている。すなわち、一方向に並ぶ複数の噴出口６１の配列方向に沿って形成されており、噴出口６１の位置から噴出側に所定距離離れるようにして、これらの噴出口６１を覆うように設けられている。これにより、噴出口６１と電極ユニット３との間に製膜付着カバー７が介在し、噴出口６１が電極ユニット３により形成されるプラズマ環境に直接曝されることを回避することができる。すなわち、噴出口６１と電極ユニット３との間に製膜付着カバー７が存在することにより、噴出口６１は、製膜付着カバー７の影に入ることになり、放電ガスがプラズマに曝されて形成される反応ガスが噴出口６１に到達しにくくなる。そのため、噴出口６１付近で反応ガスと原料ガスとが反応して形成される製膜粒子が噴出口６１に付着するという現象を抑えることができる。すなわち、噴出口６１に付着する製膜粒子の量を抑えることができるため、噴出口６１に形成された製膜粒子の膜により噴出口６１が塞がれるという問題を抑えることができる。なお、噴出側とは、噴出口６１から原料ガスが噴出される方向、すなわち、噴出口６１の貫通方向をいう。
【００３１】
また、製膜付着カバー７には、開口部７１が形成されている。本実施形態では、開口部７１は円形を有する貫通孔であり、それぞれの噴出口６１に対応して噴出口６１から噴出方向に延長した位置に形成されている。したがって、噴出口６１から噴出される原料ガスは、この開口部７１を通じてチャンバ２内に噴出される。この開口部７１は、噴出口６１に比べて十分に大きく形成されており、開口部７１の開口面積は、噴出口６１の開口面積よりも大きくなるように形成されている。具体的には、このような薄膜形成装置では、チャンバ２の真空状態を開放してメンテナンス作業が行われ付着した製膜粒子の膜Ｐ（図４参照）が除去されるが、開口部７１は、次のメンテナンス作業が行われるまでに開口部７１が製膜粒子の膜Ｐで塞がれることのない程度の大きさに形成されている。すなわち、放電ガスがプラズマに曝されて形成される反応ガスは、開口部７１を通じて噴出される原料ガスと反応することにより製膜粒子が形成される。そして、この製膜粒子は開口部７１に付着し開口部７１には製膜粒子によって形成される薄膜Ｃが成長する。しかし、開口部７１は上述するような十分な大きさに形成されているため、開口部７１が薄膜Ｃで塞がれることはない。よって、基板Ｗ上に薄膜Ｃを形成するのに必要な原料ガスを噴出口６１から噴出してチャンバ２内に供給することができる。
【００３２】
このように、上記実施形態における薄膜形成装置によれば、原料ガス供給部５は、噴出口６１位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバー７を少なくとも電極ユニット３側に有しているため、噴出口６１に製膜粒子が付着するのを抑えることができる。すなわち、製膜付着カバー７が噴出口６１に対して電極ユニット３側に配置されているため、電極ユニット３で形成されたプラズマ環境が製膜付着カバー７で遮られることにより、噴出口６１がプラズマ環境に直接曝されにくくなる。そのため、噴出口６１から噴出した原料ガスが噴出口６１付近からある程度飛散したところでプラズマ環境に曝されて製膜粒子になり膜Ｐのように製膜付着カバー７に付着することはあっても、原料ガスが噴出口６１付近で即、製膜粒子となって噴出口６１に付着するという現象を抑えることができる。すなわち、噴出口６１に付着する製膜粒子の量を抑えることができるため、噴出口６１に形成された製膜粒子の膜Ｐにより噴出口６１が塞がれるという問題を抑えることができる。これにより、基板上に形成される薄膜Ｃの均一性を損なうことなく、噴出口６１が目詰まりするのを抑えることができる。
【００３３】
また、上記実施形態では、噴出口６１が配管本体５２ａに設けられる仕切板６に形成される例について説明したが、噴出口６１を配管本体５２ａの側面に形成するものであってもよい。すなわち、配管本体５２ａの外周面の厚み方向に開口部７１と噴出口６１とを形成する。具体的には、図５（ａ）、図５（ｂ）に示すように、配管本体５２ａの外周面の厚み方向外径側に開口部７１を形成し、外周面の厚み方向内径側に噴出口６１を形成する。すなわち、図５（ａ）は、開口部７１と噴出口６１との連結部分を段付形状に形成した例であり、図５（ｂ）は、開口部７１と噴出口６１との連結部分をテーパ形状に形成した例である。この例の場合、配管本体５２ａの外周面の厚み方向内径側に形成された噴出口６１に対して、その外周面の厚み方向外径側が噴出口６１位置よりも噴出側に突出する製膜付着カバー７である。そして、このような開口部７１及び噴出部５２を配管本体５２ａの外周面に一方向に並べて形成し、他の構成は上記実施形態と同様にする。このような製膜付着カバー７でも、プラズマ環境を遮ることができるため、噴出口６１がプラズマ環境に直接曝されるのを抑えることができる。よって、開口部７１付近では製膜粒子による膜Ｐが付着することはあっても、噴出口６１に膜Ｐが付着して噴出口６１が塞がれるという現象を抑えることができ、製膜粒子の膜Ｐにより噴出口６１が塞がれるという問題を抑えることができる。
【００３４】
また、上記実施形態では、開口部７１が、複数の噴出口６１それぞれに対応して形成される例について説明したが、複数の噴出口６１が形成される領域を含むような開口部７１を１つ形成するものであってもよい。このような開口部７１では、放電ガスがプラズマに曝されて形成される反応ガスが開口部７１を通じて噴出口６１に進入する虞はあるが、開口面積が大きいため、開口部７１が製膜粒子の膜で塞がれるという現象を確実に抑えることができる。
【００３５】
また、上記実施形態では、製膜付着カバー７が配管本体５２ａの一部を兼ねる例について説明したが、図５（ｃ）に示すように、製膜付着カバー７が少なくとも電極ユニット３側に噴出口６１位置よりも噴出側に突出するように設けるものであってもよい。図５（ｃ）に示す例では、配管本体５２ａに複数の噴出口６１が形成されており、これらの噴出口６１は一方向に並んで形成されている。そして、これらの噴出口６１よりも電極ユニット３側に噴出口６１の配列方向に延びる壁材が製膜付着カバー７として形成されている。このような製膜付着カバー７であっても、電極ユニット３で形成されたプラズマ環境が製膜付着カバー７で遮られることにより、噴出口６１がプラズマ環境に直接曝されにくくなる。よって、原料ガスが噴出口６１付近で即、製膜粒子となって噴出口６１に付着するという現象を抑えることができ、噴出口６１に形成された製膜粒子の膜Ｐにより噴出口６１が塞がれるという問題を抑えることができる。
【００３６】
また、上記実施形態では、原料ガス供給部５が多孔ノズル５ａである場合について説明したが、原料ガス供給部５が単孔ノズル５ｂであってもよい。ここで、図６は、単孔ノズル５ｂが複数本設けられることにより原料ガス供給部５を構成する例である。単孔ノズル５ｂは、原料ガスが噴出される噴出部５２とを有している。この噴出部５２は、一方向に延びる略円筒形状の配管本体５２ａを有しており、その先端部分に噴出口６１を有している。すなわち、配管本体５２ａがチャンバ２の壁面側から基板保持部４に向かって延びており、噴出口６１が基板保持部４に向かう方向に開口している。そして、原料ガスは、配管本体５２ａを通じて各噴出口６１から噴出されることにより基板保持部４に保持された基板Ｗに噴出されるようになっている。そして、噴出部５２の先端部分には、製膜付着カバー７が設けられている。具体的には、噴出部５２の配管本体５２ａの先端部分から延長するように管状部材７２が取付けられており、その管状部材７２の先端部分に開口部７１を有している。すなわち、開口部７１は、チャンバ内に開口して形成されており、噴出口６１よりも大きい寸法で形成されている。このような単孔ノズル５ｂに取付けられる製膜付着カバー７であっても、噴出口６１がプラズマ環境に直接曝されるのを抑えることができる。
【００３７】
また、上記実施形態では、噴出口６１が複数ある例について説明したが、基板Ｗに対して均一に製膜できれば、原料ガス供給部５の噴出口６１は１つのみで構成し、この噴出口６１に対して製膜付着カバー７を設けるものであってもよい。すなわち、多孔ノズル５ａの噴出部５２に設ける噴出口６１を１つのみで構成してもよく、又は単孔ノズル５ｂを１つのみ設けて噴出口６１を１つのみで構成してもよい。
【符号の説明】
【００３８】
１  薄膜形成装置
２  チャンバ
３  電極ユニット
４  基板保持部
５  原料ガス供給部
５ａ  多孔ノズル
７  製膜付着カバー
５２  噴出部
５２ａ  配管本体
６１  噴出口
７１  開口部
【図１】
2014173134.tif 000003
【図２】
2014173134.tif 000004
【図３】
2014173134.tif 000005
【図４】
2014173134.tif 000006
【図５】
2014173134.tif 000007
【図６】
2014173134.tif 000008