(57)【要約】【課題】成膜の精度を保ちつつ、基板への異物の付着を抑制することができる成膜装置及び成膜用マスクを提供する。【解決手段】成膜材料を備えた成膜源と、成膜源及び基板の間に配置されるマスクＭとを備える成膜装置において、マスクＭは、基板Ｓの成膜領域Ｚ１を露出する開口部Ｈと、基板対向面に形成され、開口部Ｈを囲む凹部Ｃと、基板Ｓの非成膜領域に接する基板当接部とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜材料を備えた成膜源と、成膜源及び基板の間に配置されるマスクとを備える成膜装置において、
前記マスクは、
前記基板の成膜領域を露出する開口部と、
基板対向面に形成され、前記開口部を囲む凹部と、
前記基板の非成膜領域に接する基板当接部とを備える成膜装置。
【請求項２】
前記マスクは、
複数の前記開口部を有し、前記凹部を前記開口部の各々に対応させて備えるとともに、隣接する前記凹部の間に前記基板当接部を備えた請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記マスクは、
前記基板の周縁部に形成された前記基板当接部と、前記マスクの幅方向の中央に延在する前記基板当接部とを備える請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
基板に成膜材料を付着させるための開口部を備えた成膜用マスクにおいて、
基板対向面に設けられた基板当接部と、
前記基板対向面に形成され、前記開口部を囲む凹部を備えることを特徴とする成膜用マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜材料を基板の成膜領域に付着させるための成膜装置及び成膜用マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの成膜工程には、真空中で成膜材料を昇華又は蒸発させ、その成膜材料を基板等に付着させる真空蒸着法や、成膜材料からなるターゲットにプラズマ中のイオンを衝突させ、ターゲット原子を放出させるスパッタ法が用いられている。
【０００３】
基板の所定領域に成膜を行う際には、図１１（ａ）に示すように、開口部１０１を有するマスク１００を基板１０２に密着させ、開口部１０１を介して露出された成膜領域１０３に成膜材料を付着させて薄膜１０４を形成する。
【０００４】
薄膜１０４は、マスク表面及び基板の成膜領域１０３を覆うように形成されているので、図１１（ｂ）に示すように、基板１０２からマスクを分離させる際、成膜領域１０３に形成された薄膜１０４と、マスク表面に形成された薄膜１０４とが切断されて、パーティクル１０５が生成される。また生成されたパーティクル１０５は、基板１０２の成膜面に落下してしまう可能性がある。そしてパーティクル１０５の上からさらに成膜が行われてパーティクル１０５がデバイスの層間に挿入されてしまうと、デバイスの欠陥を招来する可能性がある。
【０００５】
基板１０２にパーティクルを付着させないために、例えば、基板１０２とマスク１００との間に１０μｍ〜３００μｍの隙間を介在させる蒸着装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。図１２に示すように、この装置は、成膜材料を放出する放出用容器１０６の鉛直方向下方に成膜対象の基板１０２を配置するダウンデポジション式の装置である。
【０００６】
薄板状のマスク１００は、マスク保持台１０７にテンションをかけて取り付けられている。また、マスク１００と基板１０２との間隔は、基板ホルダー１０８を昇降させることによって変更される。マスク１００と基板１０２との相対距離は、基板ホルダー１０８の中心部に設けられた変位センサー（図示略）によって測定され、該センサの検出値が所定値になると、基板ホルダー１０８の変位を停止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−０９９１４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した構成の場合、テンションをかけてマスク１００を取り付けたとしても、マスク１００は、その自重により撓んでしまう。特に、マスク１００の中央部の撓みは大きくなる。図１３に示すように、マスク１００が撓むと、開口部１０１を介して露出される領域の面積や形状が、本来の成膜領域１１２の面積や形状に対してずれてしまう問題がある。
【０００９】
また、マスク１００を基板１０２から離した状態で成膜を行うと、マスク１００に対して斜めに入射した成膜分子が開口部１０１を通過した後も斜めに飛散することで、成膜材料１１１の到達範囲が本来の成膜領域１１２からはみ出す。この成膜領域１１２からのはみ出し量が、上述したようにマスク１００の撓みに起因する成膜領域のずれに加算されると、実際の成膜領域と本来の成膜領域とのはみ出し量が許容範囲を超えてしまい、成膜精度が低下してしまう。尚、この問題は、マスクを用いる他の成膜装置でも共通して生じるものである。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、成膜の精度を保ちつつ、基板への異物の付着を抑制することができる成膜装置及び成膜用マスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、成膜材料を備えた成膜源と、成膜源及び基板の間に配置されるマスクとを備える成膜装置において、前記マスクは、前記基板の成膜領域を露出する開口部と、基板対向面に形成され、前記開口部を囲む凹部と、前記基板の非成膜領域に接する基板当接部とを備えることを要旨とする。
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、マスクが基板に重ねられた際に、マスクの基板当接部と基板の非成膜領域とが当接し、開口部によって基板の成膜領域が露出される。また、開口部の周囲に設けられた凹部は基板とは接触しないため、開口部近傍においてマスク及び基板は接触せずギャップを介した状態となる。このため、マスクを介して基板に成膜が行われると、マスク表面に成膜材料が堆積して形成された薄膜と、成膜領域に形成された薄膜とは連続しない状態となる。従って、マスクを分離する際、それらの薄膜が切断されることによるパーティクルの発生を防ぐことができる。また、基板当接部を設けることで、マスクの撓みが抑制されるため、ギャップの高さの精度が高められ、本来の成膜領域からのはみ出し量が許容範囲内となる高さに保持することができる。このため、基板とマスクとの間にギャップを設けても、成膜領域のずれを許容範囲内にすることができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の成膜装置において、前記マスクは、複数の前記開口部を有し、前記凹部を前記開口部の各々に対応させて備えるとともに、隣接する前記凹部の間に前記基板当接部を備えたことを要旨とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、マスクの凹部は開口部の各々に対応し、隣接する各凹部の間には基板当接部が備えられる。このため、全ての開口部近傍で、マスク分離に伴うパーティクルの発生を防止することができるとともに、各凹部の間に設けられた基板当接部により、凹部と基板とのギャップの高さが一定の高さに保持される。このため、基板内の各成膜領域のばらつきを抑制することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の成膜装置において、前記マスクは、前記基板の周縁部に形成された前記基板当接部と、前記マスクの幅方向の中央に延在する前記基板当接部とを備えることを要旨とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、マスクは、基板の周縁部に基板当接部を備えるとともに、基板のうち最も撓みやすい幅方向中央に基板当接部を備える。このため、マスク全体の撓みを抑制することができるので、各開口部の近傍で生じる撓みも小さくすることができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、基板に成膜材料を付着させるための開口部を備えた成膜用マスクにおいて、基板対向面に設けられた基板当接部と、前記基板対向面に形成され、前記開口部を囲む凹部を備えることを要旨とする。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、マスクが基板に重ねられた際に、成膜用マスクの基板当接部と基板とが当接し、開口部によって基板の成膜領域が露出される。また、開口部の周囲に設けられた凹部は基板とは接触しないため、開口部近傍においてマスク及び基板は接触せずギャップを介した状態となる。このため、成膜用マスクを介して基板に成膜が行われると、マスク表面に成膜材料が堆積して形成された薄膜と、成膜領域に形成された薄膜とは連続しない状態となる。従って、成膜用マスクを分離する際、それらの薄膜が切断されることによるパーティクルの発生を防ぐことができる。また、成膜用マスクの開口部及び凹部以外の領域と基板とを当接させることで、成膜用マスクの撓みが抑制されるため、ギャップの高さの精度が高められ、本来の成膜領域からのはみ出し量が許容範囲内となる高さに保持することができる。このため、基板とマスクとの間にギャップを設けても、成膜領域のずれを許容範囲内にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明にかかる成膜装置を具体化した蒸着装置の一実施形態におけるマスク着脱部の模式図。
【図２】同蒸着装置の蒸着部の模式図。
【図３】同蒸着装置の成膜対象となる基板の平面図。
【図４】同蒸着装置を構成するマスクの平面図。
【図５】同マスクの一部を示す斜視図。
【図６】同マスクと基板とからなる被処理体の断面図。
【図７】同マスクの製造方法を説明する模式図。
【図８】蒸着処理が施された同被処理体の断面図。
【図９】本発明の蒸着装置を具体化した変形例におけるマスクを示し、（ａ）はマスクを分解した断面図、（ｂ）は積層状態の断面図。
【図１０】本発明の蒸着装置を具体化した変形例におけるマスクの平面図。
【図１１】従来のマスクと基板とが重ねられた状態を示し、（ａ）はマスク分離前、（ｂ）はマスク分離後を示す模式図。
【図１２】従来の蒸着装置の模式図。
【図１３】従来のマスク及び基板の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図８にしたがって説明する。本実施形態では、蒸着装置を、図１に示すマスク着脱部１１と図２に示す蒸着部１２とを備える装置に具体化して説明する。
【００２１】
図１に示すように、マスク着脱部１１は、真空槽１３内に、マスク着脱室１１ａを備える。マスク着脱室１１ａは、図示しない排気系によって所定圧に調整されている。このマスク着脱室１１ａには、複数の開口を有するマスクＭと基板Ｓのアライメントを行うためのアライメントステージ１４が備えられている。
【００２２】
マスクＭは、金属等からなる薄板であって、四角枠状のフレーム１５に固定されている。また、マスク着脱室１１ａ内には、マスクＭを固定したフレーム１５を支持するフレーム支持部１６と、このフレーム支持部１６を駆動するための駆動系（図示略）が備えられている。このフレーム支持部１６及び駆動系によって、マスクＭを固定したフレーム１５は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向）及び鉛直方向（Ｚ軸方向）と、鉛直軸（Ｚ軸）を回転中心とした水平回転方向とに沿って変位可能となっている。
【００２３】
また、アライメントステージ１４には、位置検出センサ１７が備えられている。位置検出センサ１７は、ＣＣＤカメラ等から構成され、基板Ｓに形成されたアライメントマークと、基板Ｓに重ねられたマスクのアライメントマークとを撮像可能な位置に配置されている。位置検出センサ１７は、真空槽１３外に配置された制御装置１８に接続されている。制御装置１８は、位置検出センサ１７の検出結果に基づき、基板ＳとマスクＭとのずれを検出し、検出結果に基づいてフレーム支持部１６を駆動する。
【００２４】
基板ＳとマスクＭとのアライメントが完了すると、マスク着脱部１１の搬送系により、基板ＳとマスクＭを固定したフレーム１５とからなる被処理体が蒸着部１２に搬送される。
【００２５】
図２に示すように、蒸着部１２は、真空槽２０内に成膜室１２ａを備える。成膜室１２ａは、ゲートバルブによってマスク着脱室１１ａと区画され、マスク着脱室１１ａとは独立した排気系（いずれも図示略）によって所定圧に調整される。
【００２６】
成膜室１２ａには、基板Ｓを搬送する搬送機構２１が備えられている。搬送機構２１は、被処理体Ｂを搬送するローラー２１ａとローラー２１ａを駆動する駆動系とを備えている。搬送機構２１は、成膜を行う際には被処理体Ｂを一方向に搬送し、成膜が完了するとその被処理体Ｂをマスク着脱室１１ａに搬送する。
【００２７】
また、成膜室１２ａには、成膜材料を吐出する蒸着機構２２が備えられている。蒸着機構２２は、筐体２２ａと、筐体２２ａ内に配置され成膜材料を収容した材料収容部２２ｂと、材料収容部２２ｂを加熱する加熱部２２ｃとを備える。材料収容部２２ｂは、底面に開口を備えている。加熱部２２ｃが駆動すると、材料収容部２２ｂ内の成膜材料が加熱されて昇華又は蒸発し、気体状の成膜材料が材料収容部２２ｂの開口から吐出される。吐出された気体状の成膜材料は、搬送機構２１に搬送される被処理体Ｂに吐出される。その結果、マスクＭの開口を介して、基板Ｓの成膜領域に成膜材料が付着して薄膜が形成される。蒸着が終了すると、被処理体Ｂは、マスク着脱室１１ａに搬送される。マスク着脱室１１ａに搬送された被処理体Ｂは、フレーム支持部１６等によって、基板ＳとマスクＭを固定したフレーム１５とに分離される。
【００２８】
次に、本実施形態で用いられるマスクＭとマスクＭが重ねられる基板Ｓについて説明する。図３に示すように、基板Ｓは、その表面Ｓ１に、８つの矩形状の成膜領域Ｚ１が設定されている。表面Ｓ１の左側には、４つの成膜領域Ｚ１が基板Ｓの長手方向に沿って配置されている。隣接する成膜領域Ｚ１の間には、所定の間隔の非成膜領域Ｚ２が設けられている。また、表面Ｓ１の右側にも同様に、４つの成膜領域Ｚ１が基板Ｓの長手方向に沿って配置されている。
【００２９】
各成膜領域Ｚ１からなる左側の列と、各成膜領域Ｚ１からなる右側の列との間には、長尺状の非成膜領域Ｚ３が設けられている。また、左側の列及び右側の列の図中上端及び下端には、基板Ｓの短手方向に沿って延びる非成膜領域Ｚ４が設けられ、左側の列の左側方及び右側の列の右側方には、基板Ｓの長手方向に沿って延びる非成膜領域Ｚ５が設けられている。
【００３０】
図４に示すように、マスクＭは、基板Ｓとほぼ同じ大きさ及び形状に形成されている。マスクＭは、基板Ｓの各成膜領域Ｚ１に対応する位置に、開口部Ｈを備えている。開口部Ｈは、基板Ｓの成膜領域Ｚ１と同じピッチで形成されている。
【００３１】
また、図５に示すように、マスクＭのうち、成膜時に基板Ｓに対向する基板対向面Ｍ１には、四角枠状の凹部Ｃが、各開口部Ｈをそれぞれ囲むように形成されている。凹部Ｃの幅Ｗ１は、数ｍｍ〜数十ｍｍであって、隣り合う各凹部Ｃの間には間隔が設けられている。凹部Ｃの深さは、特に限定されず、マスクＭの厚みよりも小さければよい。各凹部Ｃは、基板Ｓの成膜領域Ｚ１と同様に、基板Ｓの長手方向に沿って２列に並び、左側凹部列Ｌ１と、右側凹部列Ｌ２とを構成する。
【００３２】
マスクＭのうち、開口部Ｈ及び凹部Ｃ以外の領域は、基板Ｓの表面Ｓ１に接触する基板当接部Ｍ２〜Ｍ５を構成する。即ち、左側凹部列Ｌ１及び右側凹部列Ｌ２内であって、各凹部Ｃの間には、基板当接部Ｍ２が設けられている。この基板当接部Ｍ２は、マスクＭが基板Ｓに重ねられた際に、基板Ｓの非成膜領域Ｚ２に当接する。また、左側凹部列Ｌ１及び右側凹部列Ｌ２の間には、マスクＭの短手側幅方向の中央に延在する基板当接部Ｍ３が設けられている。この基板当接部Ｍ３は、マスクＭが基板Ｓに重ねられた際に、基板Ｓの非成膜領域Ｚ３に当接する。さらに、左側凹部列Ｌ１及び右側凹部列Ｌ２の両端には、マスクＭの短手側の幅方向に延びる基板当接部Ｍ４が設けられている。基板当接部Ｍ４は、マスクＭが基板Ｓに重ねられた際に、基板Ｓの非成膜領域Ｚ４に当接する。また、左側凹部列Ｌ１の左側方と、右側凹部列Ｌ２の右側方には、マスクＭの長手側の幅方向に延びる基板当接部Ｍ５が設けられている。基板当接部Ｍ５は、マスクＭが基板Ｓに重ねられた際に、基板Ｓの非成膜領域Ｚ５に当接する。
【００３３】
図６に示すように、基板ＳにマスクＭを重ねると、上述したように基板当接部Ｍ２〜Ｍ５が基板Ｓの表面Ｓ１に設けられた非成膜領域Ｚ２〜Ｚ５にそれぞれ当接する。尚、図６では、基板Ｓ及びマスクＭの短手方向における断面を示しているため、基板当接部Ｍ３，Ｍ５と非成膜領域Ｚ３，Ｚ５との当接状態を示している。
【００３４】
凹部Ｃは基板Ｓから離間し、基板Ｓとの間にギャップＧを備える。ギャップＧの高さＨ１は、１０μｍ以上１ｍｍ以下に設定されている。また、基板Ｓの成膜領域Ｚ１は、マスクＭの開口部Ｈによって露出されている。
【００３５】
このマスクＭは、ウェットエッチング、電鋳法等により製造することができる。ウェットエッチングにより製造する際には、金属板の両面に、開口部Ｈの内径にあわせた開口パターンを有するエッチングマスクを重ねて、硝酸系等のエッチャントを両側から噴射し、開口部Ｈを貫通形成する。さらに、図７に示すように、予め開口部Hが貫通形成された金属板Ｐの底面Ｐ１に、エッチングマスクＥ１を重ねる。エッチングマスクＥ１は、凹部Ｃの大きさ及び形状に合わせた開口を有する。そして、金属板Ｐの底面Ｐ１側からエッチング液Ｅを噴射すると、ハーフエッチングにより凹部Ｃが形成される。
【００３６】
次に、蒸着装置の動作について説明する。先ず図１に示すマスク着脱室１１ａにて、アライメントステージ１４に基板Ｓが載置され、フレーム支持部１６の駆動により、基板ＳにマスクＭが重ねられる。さらに位置検出センサ１７の検出結果に基づき、制御装置１８によるアライメントが行われると、基板Ｓ、及びフレーム１５に固定されたマスクＭからなる被処理体Ｂが、ゲートバルブを介して図２に示す成膜室１２ａに搬送される。
【００３７】
上述したように成膜室１２ａに搬送される被処理体Ｂは、図６に示すように、基板Ｓの成膜領域Ｚ１がマスクＭの開口部Ｈによって露出されるとともに、基板Ｓの非成膜領域Ｚ２〜Ｚ５には、マスクＭの基板当接部Ｍ２〜Ｍ５が当接している。従って、非成膜領域Ｚ２〜Ｚ５と基板当接部Ｍ２〜Ｍ５との当接により、マスクＭの自重による撓みが抑制される。特に、マスクＭのうち中央部が最も撓みやすいが、マスクＭの中央部には、その長手方向に基板当接部Ｍ３が形成されるとともに、短手方向に基板当接部Ｍ２が設けられているので、中央部の撓みが抑制される。また、マスクＭの凹部Ｃは、基板当接部Ｍ２等に囲まれているため、凹部Ｃと基板Ｓの表面Ｓ１との間のギャップＧの高さＨ１の精度が向上される。
【００３８】
成膜室１２ａに搬送された被処理体Ｂは、搬送機構２１により一方向に搬送される。搬送機構２１により搬送される被処理体Ｂには、蒸着機構２２により成膜材料が吐出される。
【００３９】
その結果、図８に示すように、マスクＭの上面と、基板Ｓの成膜領域Ｚ１とに成膜材料が付着して薄膜Ｆが形成される。この際、マスクＭの凹部Ｃと基板Ｓの表面Ｓ１とが離間していることから、マスクＭの上面に形成された薄膜Ｆは、開口部Ｈの縁で途切れた状態となる。即ち、基板Ｓの成膜領域Ｚ１の薄膜Ｆと、マスクＭの上面の薄膜Ｆは、マスクＭを基板Ｓから分離する前から、連続していない状態で形成されている。
【００４０】
また、基板ＳとマスクＭとの間にギャップＧを設けることで、基板Ｓに対して斜めに入射する分子のうち一部は、設定された成膜領域Ｚ１よりも外側に付着して、成膜領域Ｚ１からはみだす。ギャップＧを設けることによる本来の成膜領域Ｚ１からのはみ出し量と、ギャップＧの高さＨ１とは比例し、ギャップＧの高さＨ１が小さくなるに伴い、はみ出し量は小さくなる。本実施形態のマスクＭでは、ギャップＧの高さＨ１は凹部Ｃの深さによって決まるため、高さＨ１の精度を向上できるとともに、凹部Ｃの深さを変更することにより、ギャップＧの高さＨ１を調整可能であるため、成膜領域Ｚ１からのはみ出し量が許容範囲に含まれるようにすることができる。成膜領域Ｚ１からのはみ出し量は、蒸着機構２２と被処理体Ｂとの相対距離や、蒸着機構２２による成膜材料の吐出角度等にも因るが、例えば成膜領域Ｚ１からのはみ出し量の許容範囲が数μｍ程度である場合には、ギャップＧの高さＨ１を１００μｍとすればよい。
【００４１】
また、ギャップＧの高さＨ１を、１０μｍ以上にすることによって、マスク表面に成膜材料が堆積して形成された薄膜と、基板Ｓの成膜領域Ｚ１の薄膜とを分離した状態にすることができる。ギャップＧの高さＨ１を１０μｍ未満にすると、マスク表面の薄膜Ｆと、基板Ｓの薄膜Ｆとの距離が近くなり、分子間力等により、それらの薄膜がギャップＧを超えてつながってしまう可能性がある。
【００４２】
基板Ｓに対する成膜が終了すると、搬送機構２１により、被処理体Ｂをマスク着脱室１１ａに搬送する。マスク着脱室１１ａでは、フレーム支持部１６により、基板Ｓから、マスクＭを固定したフレーム１５が分離される。この際、上述したように基板Ｓの成膜領域Ｚ１の薄膜ＦとマスクＭの上面の薄膜Ｆとは連続していないため、マスク分離時に薄膜Ｆが切断されることがない。このため、薄膜Ｆの切断に伴うパーティクルの発生が防止される。また、基板Ｓに形成された薄膜Ｆは、成膜領域Ｚ１からのはみ出し量が許容範囲内に含まれている。
【００４３】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）上記実施形態によれば、マスクＭが基板Ｓに重ねられた際に、マスクＭの基板当接部Ｍ２〜Ｍ５と基板Ｓの非成膜領域Ｚ２〜Ｚ５とが当接し、開口部Ｈによって基板Ｓの成膜領域Ｚ１が露出される。また、開口部Ｈの周囲に設けられた凹部Ｃは基板Ｓとは接触しないため、開口部近傍においてマスクＭ及び基板Ｓは接触せずギャップＧを介した状態となる。このため、マスクＭを介して基板Ｓに対し蒸着が行われると、マスク表面に成膜材料が堆積して形成された薄膜Ｆと、成膜領域Ｚ１に形成された薄膜Ｆとは連続しない状態となる。従って、マスクＭを分離する際に、それらの薄膜Ｆが切断されることによる、成膜時に異物となるパーティクルの発生を防ぐことができる。また、基板当接部Ｍ２〜Ｍ５を設けることで、マスクＭの撓みが抑制されるため、ギャップＧの高さＨ１の精度が高められ、ギャップＧを、本来の成膜領域からのはみ出し量が許容範囲内となる高さに保持することができる。このため、基板ＳとマスクＭとの間にギャップＧを設けても、成膜領域Ｚ１のはみ出し量を許容範囲内にすることができる。
【００４４】
（２）上記実施形態では、マスクＭは、凹部Ｃを開口部Ｈの各々に対応させて備えるとともに、隣接する各凹部Ｃの間に基板当接部Ｍ２を備える。このため、全ての開口部近傍で、マスク分離に伴うパーティクルの発生を防止することができるとともに、各凹部Ｃの間に設けられた基板当接部Ｍ２により、凹部Ｃと基板Ｓとの間のギャップＧの高さが一定の高さに保持される。このため、基板中央部の成膜領域Ｚ１に形成された薄膜Ｆのはみ出し量と、基板端部の成膜領域Ｚ１に形成された薄膜Ｆのはみ出し量とをほぼ一定にすることができる。
【００４５】
（３）上記実施形態では、マスクＭは、基板Ｓの周縁部に基板当接部Ｍ４、Ｍ５を備えるとともに、マスクＭのうち最も撓みやすい幅方向中央に基板当接部Ｍ３を備える。このため、マスクＭ全体の撓みを抑制することができるので、各開口部Ｈの近傍で生じる撓みも小さくすることができる。
【００４６】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、１枚の金属板Ｐを用いてマスクＭを形成したが、図９に示すように、複数枚の金属板Ｐ１０，Ｐ１１を重ねてマスクＭを構成してもよい。図９（ａ）に示すように、第１の金属板Ｐ１０は、開口部Ｈと同じ内径を有し、開口部Ｈの深さよりも低い第１の開口Ｐ１２を備えている。第２の金属板Ｐ１１は、凹部Ｃと同じ内径を有し、貫通形成された第２の開口Ｐ１３を備えている。これらの金属板Ｐ１０，Ｐ１１を重ねて固着することで、図９（ｂ）に示すように、開口部Ｈ及び凹部Ｃを有するマスクＭを形成することができる。このような方法によれば、マスクＭを厚み方向に分割できるので、金属板Ｐ１０，Ｐ１１毎のエッチングに掛かる時間を短縮化することができる。
【００４７】
・上記各実施形態では、マスクＭに形成された凹部Ｃを、開口部Ｈの各々を囲む形状としたが、図１０に示すように、１つの凹部Ｃが、複数の開口部Ｈを囲むような形状にしてもよい。マスクＭをこのような構成にすることによって、例えば、各開口部Ｈが狭いピッチで形成され、スペースの制約上、開口部Ｈの間に凹部Ｃと基板当接部Ｍ２とを設けにくい場合にも対応することができる。
【００４８】
・マスクＭは、１枚の基板Ｓに８つの成膜領域Ｚ１を備えた構成としたが、この構成に限定されることなく、製造するデバイスに応じて適宜変更可能である。またマスクＭは、１つの凹部Ｃによって全ての開口部Ｈを囲み、基板周縁部の基板当接部Ｍ４，Ｍ５の少なくとも一つと、基板幅方向の中央の基板当接部Ｍ３とを備えた構成でもよい。即ち、凹部Ｃの間の基板当接部Ｍ２を省略した構成であってもよい。
【００４９】
・上記各実施形態では、蒸着装置を、マスク着脱部１１と蒸着部１２とを備えた装置に具体化したが、ステージ上に載置された基板ＳにマスクＭを介して蒸着する装置として具体化してもよい。また、蒸着装置を、基板Ｓの鉛直方向上方に配置された成膜源から成膜材料を吐出する、いわゆるデポダウン式の装置に具体化したが、成膜源を基板Ｓの下方に配置するデポアップ式の装置に具体化することもできる。
【００５０】
・上記各実施形態では、蒸着機構２２を、加熱部２２ｃにより成膜材料を昇華又は蒸発させる構成としたが、その他の構成でもよい。例えば、電子ビームを成膜材料に照射することにより材料を加熱して蒸発させる装置としてもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、マスクＭをスプレー噴射式のウェットエッチングにより形成したが、エッチング液に浸漬するウェットエッチングにより形成してもよい。また、上記した電鋳法の他、レーザー加工法等により形成してもよい。
【００５２】
・上記実施形態では、成膜装置を、真空蒸着法により成膜を行う蒸着装置に具体化したが、スパッタ法により成膜を行う装置、ＣＶＤ法により成膜を行う装置に具体化してもよい。スパッタ装置の成膜源は、成膜材料からなるターゲットであって、ＣＶＤ装置の成膜源は、ガス供給系である。スパッタ装置やＣＶＤ装置の構成は特に限定されず、公知の構成の装置である。
【符号の説明】
【００５３】
２２…成膜源を構成する蒸着機構、Ｓ…基板、Ｍ…マスク、Ｚ１…成膜領域、Ｈ…開口部、Ｍ１…基板対向面、Ｃ…凹部、Ｚ２〜Ｚ５…非成膜領域、Ｍ２〜Ｍ５…基板当接部。
【図１】
2014077155.tif 000003
【図２】
2014077155.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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