(57)【要約】【課題】ステンレス鋼を含む被めっき部材の腐食を防止しつつ被めっき部材の表面に高い密着性を有するめっき層を形成することが可能なめっき装置、めっき方法および配線回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】ステンレス鋼板１５０がアノードとなるようにステンレス鋼板１５０と電極１０４との間に電圧が印加されることにより、ステンレス鋼板１５０の被めっき部に形成された不動態皮膜が還元反応によって溶解され、除去される。その後、ステンレス鋼板１５０がカソードとなるようにステンレス鋼板１５０と電極１０５との間に電圧が印加されることにより、不動態皮膜が除去されたステンレス鋼板１５０の被めっき部に下地めっき層が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレス鋼を含む被めっき部材の表面にめっき層を形成するためのめっき装置であって、
電解液を収容するめっき槽と、
前記めっき槽内に設けられる第１の電極と、
前記めっき槽内に設けられる第２の電極と、
被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と前記第１の電極との間に電圧を印加する第１の電圧印加部と、
被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と前記第２の電極との間に電圧を印加する第２の電圧印加部とを備え、
前記第１の電圧印加部による電圧の印加により被めっき部材の予め定められた被めっき部から不動態皮膜が除去された後に、前記第２の電圧印加部による電圧の印加により被めっき部にめっき層が形成される、めっき装置。
【請求項２】
前記第１および第２の電極は一体または別体であり、前記第１および第２の電圧印加部は一体または別体である、請求項１記載のめっき装置。
【請求項３】
前記第１および第２の電極は別体であり、
前記第１の電極は、前記めっき槽内の第１の領域に配置され、
前記第２の電極は、前記めっき槽内の第２の領域に配置され、
被めっき部材が前記めっき槽内の第１および第２の領域を順に通過するように被めっき部材を搬送する搬送部をさらに備える、請求項１または２記載のめっき装置。
【請求項４】
前記めっき槽に収容される電解液は硫酸系薬液を含み、かつ電解液のｐＨが２．０未満である、請求項１〜３のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項５】
前記めっき槽内に設けられる第３の電極と、
被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と前記第３の電極との間に電圧を印加する第３の電圧印加部とをさらに備え、
被めっき部材は、ステンレス鋼からなる第１の部材およびステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材を有し、前記第１および第２の部材の各々に被めっき部が設けられ、
前記第１および第２の電極は、被めっき部材の前記第１の部材に対向するように配置され、前記第３の電極は、被めっき部材の前記第２の部材に対向するように配置された、請求項１〜４のいずれかに記載のめっき装置。
【請求項６】
ステンレス鋼を含む被めっき部材の表面にめっき層を形成するためのめっき方法であって、
電解液を収容するめっき槽内において、被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧を印加することにより、被めっき部材の予め定められた被めっき部から不動態皮膜を除去するステップと、
前記めっき槽内において、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧を印加することにより、被めっき部材の被めっき部にめっき層を形成するステップとを含む、めっき方法。
【請求項７】
被めっき部材は、ステンレス鋼からなる第１の部材およびステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材を有し、前記第１および第２の部材の各々に被めっき部が設けられ、
前記不動態皮膜を除去するステップは、被めっき部材の前記第１の部材の被めっき部から不動態皮膜を除去するステップを含み、
前記めっき層を形成するステップは、
被めっき部材の前記第１の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップと、
被めっき部材の前記第２の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップとを含む、請求項６記載のめっき方法。
【請求項８】
前記めっき層を形成するステップは、被めっき部材の前記第１の部材の被めっき部にめっき層を形成しつつ被めっき部材の前記第２の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップを含む、請求項７記載のめっき方法。
【請求項９】
ステンレス鋼からなる被めっき部材としての支持基板上にベース絶縁層を形成するステップと、
前記支持基板の一部分と電気的に接続されるように前記ベース絶縁層上に第１の配線パターンを形成するステップと、
前記支持基板の前記一部分が他の部分から分離されるように前記支持基板の前記一部分の周囲の部分を除去することにより前記一部分からなる被めっき部としての第１の端子部を形成するステップと、
請求項６記載のめっき方法により、前記支持基板の前記第１の端子部にめっき層を形成するステップとを含む、配線回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ベース絶縁層上に被めっき部材として第２の配線パターンを形成するステップをさらに含み、
前記支持基板が被めっき部材の前記第１の部材を構成し、前記第２の配線パターンが被めっき部材の前記第２の部材を構成し、
前記第２の配線パターンは、前記被めっき部としての第２の端子部を含み、
前記めっき層を形成するステップは、
請求項７または８記載のめっき方法により、前記支持基板の前記第１の端子部および前記第２の配線パターンの前記第２の端子部にめっき層を形成するステップを含む、請求項８記載の配線回路基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０記載の方法により製造された、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置、めっき方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品および回路基板等にステンレス鋼が用いられる。ステンレス鋼に外部回路が接続される場合、ステンレス鋼の表面の部分に、ニッケル、金または銅等からなるめっき層が形成される。
【０００３】
ステンレス鋼の表面には不動態皮膜が形成されている。この不動態皮膜は、めっき層の密着性を低下させる。めっき層の密着性を向上させるため、例えば、ストライクめっきによってステンレス鋼の表面を活性化させつつステンレス鋼の表面にめっき層の下地層が形成される。その後、下地層上に所望の材料からなるめっき層が形成される（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２４６７３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ステンレス鋼にストライクめっきが行われる場合、一般的に電解浴として塩化浴が用いられる。しかしながら、塩化浴は腐食性が高いので、ステンレス鋼に孔食等の腐食が生じやすい。
【０００６】
本発明の目的は、ステンレス鋼を含む被めっき部材の腐食を防止しつつ被めっき部材の表面に高い密着性を有するめっき層を形成することが可能なめっき装置、めっき方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係るめっき装置は、ステンレス鋼を含む被めっき部材の表面にめっき層を形成するためのめっき装置であって、電解液を収容するめっき槽と、めっき槽内に設けられる第１の電極と、めっき槽内に設けられる第２の電極と、被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と第１の電極との間に電圧を印加する第１の電圧印加部と、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と第２の電極との間に電圧を印加する第２の電圧印加部とを備え、第１の電圧印加部による電圧の印加により被めっき部材の予め定められた被めっき部から不動態皮膜が除去された後に、第２の電圧印加部による電圧の印加により被めっき部にめっき層が形成されるものである。
【０００８】
そのめっき装置においては、めっき槽内に電解液が収容され、その電解液中に第１および第２の電極が設けられる。ステンレス鋼を含む被めっき部材には、めっき層を形成すべき被めっき部が設けられる。めっき槽内において、被めっき部材がアノードとなるように第１の電圧印加部により被めっき部材と第１の電極との間に電圧が印加される。これにより、被めっき部材の被めっき部から還元作用により不動態皮膜が除去される。続いて、めっき槽内において、被めっき部材がカソードとなるように第２の電圧印加部により被めっき部材と第２の電極との間に電圧が印加される。これにより、被めっき部材の被めっき部に電解液中の成分からなるめっき層が形成される。
【０００９】
この場合、被めっき部材の被めっき部から不動態皮膜が除去された後にその被めっき部にめっき層が形成されるので、めっき層の密着性が向上される。また、腐食性が低い電解液を用いた場合でも、被めっき部材をアノードとする電圧の印加によって不動態皮膜を除去することができる。したがって、被めっき部材の腐食を防止することが可能である。
【００１０】
（２）第１および第２の電極は一体または別体であり、第１および第２の電圧印加部は一体または別体であってもよい。第１および第２の電極が一体である場合ならびに第１および第２の電圧印加部が一体である場合には、めっき装置の小型化が可能になる。一方、第１および第２の電極が別体である場合ならびに第１および第２の電圧印加部が別体である場合には、電圧の印加の制御が容易になる。
【００１１】
（３）第１および第２の電極は別体であり、第１の電極は、めっき槽内の第１の領域に配置され、第２の電極は、めっき槽内の第２の領域に配置され、めっき装置は、被めっき部材がめっき槽内の第１および第２の領域を順に通過するように被めっき部材を搬送する搬送部をさらに備えてもよい。
【００１２】
この場合、被めっき部が第１の領域に位置するように搬送部により被めっき部材が搬送され、その状態で被めっき部材と第１の電極との間に電圧が印加される。続いて、被めっき部が第２の領域に位置するように搬送部により被めっき部材が搬送され、その状態で被めっき部材と第２の電極との間に電圧が印加される。これにより、被めっき部に対する不動態皮膜の除去およびめっき層の形成を効率良く順に行うことができる。
【００１３】
（４）めっき槽に収容される電解液は硫酸系薬液を含み、かつ電解液のｐＨが２．０未満であってもよい。
【００１４】
この場合、被めっき部材の腐食を防止しつつ被めっき部上の不動態皮膜を良好に除去することができる。
【００１５】
（５）めっき装置は、めっき槽内に設けられる第３の電極と、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と第３の電極との間に電圧を印加する第３の電圧印加部とをさらに備え、被めっき部材は、ステンレス鋼からなる第１の部材およびステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材を有し、第１および第２の部材の各々に被めっき部が設けられ、第１および第２の電極は、被めっき部材の第１の部材に対向するように配置され、第３の電極は、被めっき部材の第２の部材に対向するように配置されてもよい。
【００１６】
この場合、ステンレス鋼からなる第１の部材の表面には不動態皮膜が形成され、ステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材の表面には不動態皮膜が形成されにくい。そこで、第１の部材の被めっき部に対しては、不動態皮膜の除去およびめっき層の形成が順に行われ、第２の部材の被めっき部に対しては、めっき層の形成のみが行われる。これにより、共通のめっき槽内において、ステンレス鋼からなる第１の部材の被めっき部および他の導電性材料からなる第２の部材の被めっき部の各々に良好にめっき層を形成することができる。
【００１７】
（６）第２の発明に係るめっき方法は、ステンレス鋼を含む被めっき部材の表面にめっき層を形成するためのめっき方法であって、電解液を収容するめっき槽内において、被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧を印加することにより、被めっき部材の予め定められた被めっき部から不動態皮膜を除去するステップと、めっき槽内において、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧を印加することにより、被めっき部材の被めっき部にめっき層を形成するステップとを含むものである。
【００１８】
そのめっき方法では、電解液が収容されるめっき槽内において、被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧が印加される。これにより、被めっき部材の被めっき部から還元作用により不動態皮膜が除去される。続いて、めっき槽内において、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と電極との間に電圧が印加される。これにより、被めっき部材の被めっき部に電解液中の成分からなるめっき層が形成される。
【００１９】
この場合、被めっき部材の被めっき部から不動態皮膜が除去された後にその被めっき部にめっき層が形成されるので、めっき層の密着性が向上される。また、腐食性が低い電解液を用いた場合でも、被めっき部材をアノードとする電圧の印加によって不動態皮膜を除去することができる。したがって、被めっき部材の腐食を防止することが可能である。
【００２０】
（７）被めっき部材は、ステンレス鋼からなる第１の部材およびステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材を有し、第１および第２の部材の各々に被めっき部が設けられ、不動態皮膜を除去するステップは、被めっき部材の第１の部材の被めっき部から不動態皮膜を除去するステップを含み、めっき層を形成するステップは、被めっき部材の第１の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップと、被めっき部材の第２の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップとを含んでもよい。
【００２１】
この場合、ステンレス鋼からなる第１の部材の表面には不動態皮膜が形成され、ステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の部材の表面には不動態皮膜が形成されにくい。そこで、第１の部材の被めっき部に対しては、不動態皮膜の除去およびめっき層の形成が順に行われ、第２の部材の被めっき部に対しては、めっき層の形成のみが行われる。これにより、共通のめっき槽内において、ステンレス鋼からなる第１の部材の被めっき部および他の導電性材料からなる第２の部材の被めっき部の各々に良好にめっき層を形成することができる。
【００２２】
（８）めっき層を形成するステップは、被めっき部材の第１の部材の被めっき部にめっき層を形成しつつ被めっき部材の第２の部材の被めっき部にめっき層を形成するステップを含んでもよい。
【００２３】
この場合、第１の部材の被めっき部および第２の部材の被めっき部の各々に効率良くめっき層を形成することができる。
【００２４】
（９）第３の発明に係る配線回路基板の製造方法は、ステンレス鋼からなる被めっき部材としての支持基板上にベース絶縁層を形成するステップと、支持基板の一部分と電気的に接続されるようにベース絶縁層上に第１の配線パターンを形成するステップと、支持基板の一部分が他の部分から分離されるように支持基板の一部分の周囲の部分を除去することにより一部分からなる被めっき部としての第１の端子部を形成するステップと、第２の発明に係るめっき方法により、支持基板の第１の端子部にめっき層を形成するステップとを含むものである。
【００２５】
その製造方法によれば、ステンレス鋼からなる支持基板上にベース絶縁層が形成された後、支持基板の一部分と電気的に接続されるようにベース絶縁層上に第１の配線パターンを形成される。続いて、支持基板の一部分が他の部分から分離されるように支持基板の一部分の周囲の部分が除去されることにより、支持基板の一部分からなる第１の端子部が形成される。その後、上記第２の発明に係るめっき方法により第１の端子部にめっき層が形成される。
【００２６】
この場合、上記第２の発明に係るめっき方法が用いられるので、めっき層の密着性が向上されるとともに、支持部材および第１の配線パターンの腐食を防止することが可能となる。
【００２７】
（１０）配線回路基板の製造方法は、ベース絶縁層上に被めっき部材として第２の配線パターンを形成するステップをさらに含み、支持基板が被めっき部材の第１の部材を構成し、第２の配線パターンが被めっき部材の第２の部材を構成し、第２の配線パターンは、被めっき部としての第２の端子部を含み、めっき層を形成するステップは、第２の発明に係るめっき方法により、支持基板の第１の端子部および第２の配線パターンの第２の端子部にめっき層を形成するステップを含んでもよい。
【００２８】
この場合、共通のめっき槽内において、ステンレス鋼からなる支持部材の第１の端子部およびステンレス鋼以外の導電性材料からなる第２の配線パターンの第２の端子部の各々に良好にめっき層を形成することができる。
【００２９】
（１１）第４の発明に係る配線回路基板は、第３の発明に係る方法により製造されたものである。
【００３０】
その配線回路基板においては、上記第１の発明に係るめっき方法によりめっき層が形成されるので、第１の端子部に対するめっき層の密着性が向上されるとともに、支持部材および第１の配線パターンの腐食を防止することが可能となる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、被めっき部材の腐食を防止しつつ被めっき部材の表面に高い密着性を有するめっき層を形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態に係るめっき装置の構成を示す模式図である。
【図２】図１のめっき装置の変形例を示す摸式図である。
【図３】サスペンション基板の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】タング部を一方側から見た拡大平面図である。
【図６】タング部を他方側から見た拡大平面図である。
【図７】図５および図６のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】図５および図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１０】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１２】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１３】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１４】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【図１７】（ａ）および（ｂ）は、サスペンション基板の製造方法について説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態に係るめっき装置、めっき方法、配線回路基板の製造方法および配線回路基板について図面を参照しながら説明する。
【００３４】
（１）めっき装置
（１−１）構成
図１は、本発明の実施の形態に係るめっき装置の構成を示す模式図である。図１のめっき装置においては、ステンレス鋼（例えばＳＵＳ３０４）からなる被めっき部材の表面に下地めっき層が形成される。
【００３５】
図１に示すように、めっき装置１００は、めっき槽１０１、給電ローラ１０２，１０３、電極１０４，１０５、整流器１１０，１１１、一対の搬送ローラ２１０、ローラ駆動部２２０および制御部３００を備える。整流器１１０，１１１およびローラ駆動部２２０は、制御部３００により制御される。
【００３６】
めっき槽１０１内には、電解液が収容される。電解液の酸成分としては、例えば、硫酸、硝酸、スルファミン酸または塩酸等が用いられる。塩素等の腐食性が高い成分は、電解液に含まれないことが好ましく、たとえ含まれる場合であっても、その濃度はより低いことが好ましい。被めっき部材の腐食防止のため、電解液としては、硫酸系薬液が用いられることが好ましい。電解液は、下地めっき層として形成すべき金属材料（本例では、ニッケル）のイオン成分を含んでもよい。
【００３７】
本実施の形態において、電解液は、硫酸系薬液としての硫酸ニッケルを含む。この場合、電解液のｐＨ（水素イオン指数）は、２．０未満であることが好ましい。電解液のｐＨが２．０未満であることにより、被めっき部材の表面の不動態皮膜を均一に溶解することができ、孔食の発生を防止することができる。また、電解液のｐＨは、０以上であることがより好ましい。
【００３８】
電解液中における硫酸ニッケルの濃度は、１００ｇ／Ｌ以上４００ｇ／Ｌ未満であることが好ましく、１５０ｇ／Ｌ以上３００ｇ／Ｌ未満であることがより好ましい。硫酸ニッケル濃度が１００ｇ／Ｌ以上であることにより、被めっき部材の表面にニッケルを効率良く析出させることができる。また、硫酸ニッケルの濃度が４００ｇ／Ｌ未満であることにより、硫酸ニッケルの濃度が溶解度を超えることが防止される。また、コストの増大が抑制される。
【００３９】
電解液中における硫酸の濃度は、１５ｇ／Ｌ以上１００ｇ／Ｌ未満であることが好ましく、２５ｇ／Ｌ以上６０ｇ／Ｌ未満であることがより好ましい。硫酸濃度が１５ｇ／Ｌ以上であることにより、電解液のｐＨを適正範囲（２．０未満）に調整することが容易となる。また、硫酸濃度が１００ｇ／Ｌ未満であることにより、ニッケルの析出効率の低下を防止することができる。
【００４０】
本実施の形態において、被めっき部材は、ステンレス鋼からなる長尺状の板状部材（以下、ステンレス鋼板と呼ぶ）１５０である。ステンレス鋼板１５０は、一対の搬送ローラ２１０により挟持される。ローラ駆動部２２０により一対の搬送ローラ２１０が回転駆動されることにより、ステンレス鋼板１５０が搬送される。めっき槽１０１には、搬入口１０１ａおよび搬出口１０１ｂが設けられる。ステンレス鋼板１５０は、搬入口１０１ａを通してめっき槽１０１内に搬入され、搬出口１０１ｂを通してめっき槽１０１から搬出される。この場合、めっき槽１０１内において、ステンレス鋼板１５０は電解液中を矢印ＭＤの方向（以下、搬送方向ＭＤと呼ぶ）に搬送される。これにより、めっき装置１００は、ロール・ツー・ロール方式によってステンレス鋼板１５０に電気めっきを行う。
【００４１】
給電ローラ１０２，１０３は、めっき槽１０１の外部に配置される。給電ローラ１０２は、搬入口１０１ａの上流でステンレス鋼板１５０の部分に接触するように配置される。給電ローラ１０３は、搬出口１０１ｂの下流でステンレス鋼板１５０の部分に接触するように配置される。給電ローラ１０２，１０３とステンレス鋼板１５０との間で摩擦が生じないように、給電ローラ１０２，１０３は回転可能に設けられる。また、給電ローラ１０２，１０３からステンレス鋼板１５０に搬送方向ＭＤへの力が加わるように、モータ等によって給電ローラ１０２，１０３が回転駆動されてもよい。
【００４２】
めっき槽１０１内には、第１の領域ＲＧ１および第２の領域ＲＧ２が設けられる。ステンレス鋼板１５０の搬送方向ＭＤにおいて、第１の領域ＲＧ１は第２の領域ＲＧ２の上流に配置される。第１の領域ＲＧ１において、ステンレス鋼板１５０の一面に対向するように電極１０４が配置され、第２の領域ＲＧ２において、ステンレス鋼板１５０の一面に対向するように電極１０５が配置される。ステンレス鋼板１５０の一面には、下地めっき層を形成すべき複数の部分（以下、被めっき部と呼ぶ）が設けられる。電極１０４の材料として、例えばステンレス鋼、ニッケルまたは白金等が用いられる。電極１０５の材料として、例えばニッケル、ニッケル合金または白金等が用いられる。
【００４３】
給電ローラ１０２は整流器１１０の負極に接続され、電極１０４は整流器１１０の正極に接続される。給電ローラ１０３は整流器１１１の正極に接続され、電極１０５は整流器１１１の負極に接続される。整流器１１０により、給電ローラ１０２に接触するステンレス鋼板１５０と電極１０４との間に電圧が印加される。この場合、ステンレス鋼板１５０がアノードとなり、電極１０４がカソードとなる。また、整流器１１１により、給電ローラ１０３に接触するステンレス鋼板１５０と電極１０５との間に電圧が印加される。この場合、ステンレス鋼板１５０がカノードとなり、電極１０５がアノードとなる。
【００４４】
整流器１１０による電解液中の電流密度（電極１０４とステンレス鋼板１５０との間における電流密度）は、０．５Ａ／ｄｍ２以上５Ａ／ｄｍ２未満であることが好ましく、１Ａ／ｄｍ２以上３Ａ／ｄｍ２未満であることがより好ましい。整流器１１０による電解液中の電流密度が０．５Ａ／ｄｍ２以上であることにより、ステンレス鋼板１５０の表面の不動態皮膜を効率良く短時間で除去することができる。また、整流器１１０による電解液中の電流密度が５Ａ／ｄｍ２未満であることにより、ステンレス鋼板１５０が過剰に溶解されることを防止することができる。
【００４５】
整流器１１１による電解液中の電流密度（電極１０５とステンレス鋼板１５０との間における電流密度）は、１Ａ／ｄｍ２以上１００Ａ／ｄｍ２未満であることが好ましい。整流器１１１による電解液中の電流密度が１Ａ／ｄｍ２以上であることにより、ステンレス鋼板１５０の表面にニッケルを効率よく析出させることができる。また、整流器１１１による電解液中の電流密度が１００Ａ／ｄｍ２未満であることにより、電気抵抗が大きいステンレス鋼板１５０と電極１０５との間の印加電圧が過剰に大きくなることが防止される。
【００４６】
（１−２）下地めっき層の形成
図１のめっき装置１００におけるステンレス鋼板１５０への下地めっき層の形成方法について説明する。以下に示すめっき装置１００の動作は、制御部３００によってローラ駆動部２２０および整流器１１０，１１１が制御されることにより実現される。
【００４７】
ステンレス鋼板１５０は、搬送ローラ２１０によって搬入口１０１ａを通してめっき槽１０１内に搬入され、搬送方向ＭＤに搬送される。ステンレス鋼板１５０の少なくとも１つの被めっき部が第１の領域ＲＧ１に位置すると、整流器１１０によりステンレス鋼板１５０と電極１０４との間に電圧が印加される。この場合、ステンレス鋼板１５０がアノードとなるので、ステンレス鋼板１５０の被めっき部に形成された不動態皮膜が還元反応によって溶解され、除去される。以下、このような不動態皮膜の除去処理を逆電解処理と呼ぶ。
【００４８】
続いて、逆電解処理後の被めっき部が第２の領域ＲＧ２に位置すると、整流器１１１によりステンレス鋼板１５０と電極１０５との間に電圧が印加される。この場合、不動態皮膜が除去されたステンレス鋼板１５０の被めっき部（以下、皮膜除去部と呼ぶ）にニッケルが析出する。それにより、ステンレス鋼板１５０の皮膜除去部にニッケルからなる下地めっき層が形成される。以下、このような下地めっき層の形成処理を電解めっき処理と呼ぶ。下地めっき層の厚みは、例えば０．０１μｍ以上１．０μｍ以下であり、０．０３μｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。
【００４９】
以後同様に、未処理の被めっき部が第１の領域ＲＧ１に位置すると、逆電解処理が行われ、皮膜除去部が第２の領域ＲＧ２に位置すると、電解めっき処理が行われる。
【００５０】
被めっき部が電極１０４に対向する位置（第１の領域ＲＧ１内）にある状態で行われることにより、被めっき部における不動態皮膜の除去効率が高くなる。同様に、皮膜除去部が電極１０５に対向する位置（第２の領域ＲＧ２内）にある状態で行われることにより、皮膜除去部におけるめっきの析出効率が高くなる。
【００５１】
このようにして、ステンレス鋼板１５０の被めっき部に下地めっき層が形成された後、図示しない他のめっき槽において、電気めっきにより下地めっき層上に所望の材料からなるめっき層（以下、主めっき層と呼ぶ）が形成される。主めっき層の厚みは、例えば０．１μｍ以上５．０μｍ以下であり、０．３μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。主めっき層の材料として、例えば、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）またはクロム（Ｃｒ）等が用いられる。
【００５２】
なお、上記の例では、ステンレス鋼板１５０の搬送が継続されつつ逆電解処理および電解めっき処理が順に行われるが、必要に応じてステンレス鋼板１５０の搬送が一時的に停止されてもよい。例えば、被めっき部が第１の領域ＲＧ１に達すると、ステンレス鋼板１５０の搬送が一時的に停止され、その状態で逆電解処理が行われてもよい。また、皮膜除去部が第２の領域ＲＧ２に達すると、ステンレス鋼板１５０の搬送が一時的に停止され、その状態で電解めっき処理が行われてもよい。
【００５３】
また、逆電解処理前の一の被めっき部と、逆電解処理後であって電解めっき処理前の他の被めっき部とが電気的に接続されていない場合には、第１の領域ＲＧ１において一の被めっき部に対する逆電解処理が行われると同時に、第２の領域ＲＧ２においてと他の被めっき部に対する電解めっき処理が行われてもよい。
【００５４】
また、逆電解処理および電解めっき処理を適正に行うことが可能であれば、別体として設けられた電極１０４，１０５の代わりに一体として設けられた共通の電極が用いられてもよく、別体として設けられた整流器１１０，１１１の代わりに一体として設けられた共通の整流器が用いられてもよい。この場合、共通の整流器により、被めっき部材がアノードとなるように被めっき部材と共通の電極との間に電圧が印加された後、被めっき部材がカソードとなるように被めっき部材と共通の電極との間に電圧が印加される。これにより、めっき装置１００の小型化を実現しつつ被めっき部に対する逆電解処理および電解めっき処理を行うことが可能となる。
【００５５】
（１−３）効果
上記実施の形態に係るめっき装置１００においては、逆電解処理によりステンレス鋼板１５０の被めっき部から不動態皮膜が除去された後、電解めっき処理によりその被めっき部に下地めっき層が形成される。それにより、下地めっき層の密着性が向上される。また、塩素等の腐食性の高い成分を含む電解液を用いることなく、逆電解処理によって不動態皮膜を除去することができるので、ステンレス鋼板１５０の腐食を防止することができる。
【００５６】
（１−４）変形例
図２は、図１のめっき装置１００の変形例を示す摸式図である。図２のめっき装置１００ａについて、図１のめっき装置１００と異なる点を説明する。
【００５７】
本例では、ステンレス鋼板１５０の他面に絶縁層１５１を介して例えば銅からなる導体層１５２が形成される。この場合、ステンレス鋼板１５０および導体層１５２が被めっき部材に相当する。導体層１５２は、下地めっき層を形成すべき複数の部分（被めっき部）を有する。
【００５８】
図２のめっき装置１００ａは、給電ローラ１０６、電極１０７および整流器１１２をさらに備える。給電ローラ１０６は、搬出口１０１ｂの下流で導体層１５２の部分に接触するように配置される。
【００５９】
電極１０７は、ステンレス鋼板１５０、絶縁層１５１および導体層１５２を挟んで電極１０５と対向する位置（図１の第２の領域ＲＧ２）に配置される。この場合、電極１０７は、導体層１５２と対向する。電極１０７の材料として、例えばニッケル、ニッケル合金または白金等が用いられる。
【００６０】
給電ローラ１０６は、整流器１１２の正極に接続され、電極１０７は、整流器１１２の負極に接続される。整流器１１１によりステンレス鋼板１５０と電極１０５との間に電圧が印加されるとともに、整流器１１２により導体層１５２と電極１０７との間に電圧が印加される。これにより、ステンレス鋼板１５０の被めっき部（皮膜除去部）および導体層１５２の被めっき部に同時に電解めっき処理が行われる。
【００６１】
導体層１５２の表面には不動態皮膜が形成されにくいので、本例では、導体層１５２に対して逆電解処理を行う必要はない。なお、導体層１５２の表面に不動態皮膜が形成される場合には、導体層１５２に対して逆電解処理が行われるように他の電極および他の整流器が設けられてもよい。
【００６２】
また、図２の例では、給電ローラ１０６および電極１０７が、整流器１１１と別個に設けられた整流器１１２に接続されるが、これに限らない。導体層１５２と電極１０７との間に適正に電圧を印加可能であれば、給電ローラ１０６および電極１０７が整流器１１１に接続されてもよい。
【００６３】
また、ステンレス鋼板１５０と導体層１５２とがビア等を介して電気的に接続されている場合には、ステンレス鋼板１５０および導体層１５２に対して個別に給電する必要がないので、給電ローラ１０３，１０６のうち一方のみが設けられてもよい。
【００６４】
（１−５）実施例および比較例
上記のめっき装置１００，１００ａにおいて、種々の条件で被めっき部材に下地めっき層を形成し、その評価を行った。
【００６５】
（１−５−１）実施例１
被めっき部材として、ＳＵＳ３０４からなりかつ１８μｍの厚みを有するステンレス鋼板１５０を用いた。脱脂液によりステンレス鋼板１５０の表面の脱脂処理を２分間行い、脱脂処理後のステンレス鋼板１５０を十分に水洗した。その後、図１のめっき装置１００において、一の被めっき部に対して逆電解処理および電解めっき処理を順に行った。
【００６６】
電解液として硫酸ニッケルを含む水溶液を用いた。電解液のｐＨを０とし、電解液中の硫酸ニッケルの濃度を２００ｇ／Ｌとし、硫酸の濃度を４０ｇ／Ｌとした。また、電解液の温度を３０℃とした。また、整流器１１０による電解液中の電流密度を１．０Ａ／ｄｍ２とし、整流器１１１による電解液中の電流密度を３．０Ａ／ｄｍ２とした。逆電解処理の時間を１分とし、電解めっき処理の時間を３．５分とした。
【００６７】
（１−５−２）実施例２
めっき槽１０１内の電解液のｐＨを１．０とした点、および電解めっき処理の時間を１分とした点を除いて、上記実施例１と同様に逆電解処理および電解めっき処理を行った。
【００６８】
（１−５−３）実施例３
めっき槽１０１内の電解液のｐＨを４．０とした点、および電解めっき処理の時間を１分とした点を除いて、上記実施例１と同様に逆電解処理および電解めっき処理を行った。
【００６９】
（１−５−４）実施例４
被めっき部材として、図２のステンレス鋼板１５０および導体層１５２を用いた。ステンレス鋼板１５０は、ＳＵＳ３０４からなり、１８μｍの厚みを有する。導体層１５２は、銅からなり、１０μｍの厚みを有する。脱脂液によりステンレス鋼板１５０および導体層１５２の脱脂処理を２分間行い、脱脂処理後のステンレス鋼板１５０および導体層１５２を十分に水洗した。その後、図２のめっき装置１００ａにおいて、ステンレス鋼板１５０の一の被めっき部に対して逆電解処理および電解めっき処理を行い、導体層１５２の一の被めっき部に対して電解めっき処理を行った。
【００７０】
電解液の組成および温度は、実施例２と同じである。整流器１１０，１１１による電解液中の電流密度は実施例１と同じである。また、整流器１１２による電流密度を３．０Ａ／ｄｍ２とした。実施例１〜３と同様に、ステンレス鋼板１５０に対する逆電解処理の時間を１分とした。また、ステンレス鋼板１５０および導体層１５２に対して同時に１分間電解めっき処理を行った。
【００７１】
（１−５−５）比較例１
逆電解処理を行うことなく、実施例３と同様の条件でステンレス鋼板１５０に電解めっき処理を行った。
【００７２】
（１−５−６）比較例２
以下の点を除いて、比較例１と同様の条件でステンレス鋼板１５０に電解めっき処理を行った。
【００７３】
電解液として、硫酸ニッケルに代えて塩化ニッケルを含む水溶液を用いた。電解液のｐＨを１とし、電解液中の塩化ニッケルの濃度を２４０ｇ／Ｌとし、塩酸の濃度を１２５ｍｌ／Ｌとした。また、電解液の温度を２５℃とした。また、整流器１１１による電解液中の電流密度を６Ａ／ｄｍ２とし、電解めっき処理の時間を２分とした。
【００７４】
（１−５−７）評価
実施例１〜４ならびに比較例１および２において形成された下地めっき層の厚みを測定するとともに、測定された厚みに基づいてめっき効率を算出した。ここで、めっき効率とは、被めっき部材に与えられた電気量に対して実際にニッケルの析出に消費された電気量の割合をいう。
【００７５】
また、実施例１〜４ならびに比較例１および２において形成された下地めっき層に対して、テープ剥離試験を行った。具体的には、下地めっき層に密着するように指圧によってセロハンテープを被めっき部材に貼り付け、そのセロハンテープを略一定の力で被めっき部材から引き剥がした。
【００７６】
さらに、実施例１〜４ならびに比較例１および２における被めっき部材の腐食の有無を調べた。
【００７７】
表１には、実施例１〜４ならびに比較例１および２における電解液の種類、電解液のｐＨ、逆電解処理の有無、被めっき部材の材料、下地めっき層の厚み、めっき効率、テープ剥離試験の結果、および被めっき部材の腐食の有無が示される。
【００７８】
【表１】
2014210959.tif 000003
表１に示されるように、テープ剥離試験の結果として、実施例１、２および４ならびに比較例２においては、下地めっき層がステンレス鋼板１５０から剥離することがほとんどなかった。さらに、実施例４においては、導体層１５２からも下地めっき層が剥離することはほとんどなかった。実施例３においては、下地めっき層の一部がステンレス鋼板１５０から剥離した。比較例１においては、下地めっき層のほぼ全体がステンレス鋼板１５０から剥離した。
【００７９】
また、実施例１、２および４ならびに比較例１においては、ステンレス鋼板１５０の腐食が生じなかった。さらに、実施例４においては、導体層１５２にも腐食は生じなかった。実施例３においては、ステンレス鋼板１５０の一部に腐食が発生した。比較例２においては、ステンレス鋼板１５０の広い範囲に腐食が発生した。
【００８０】
このことから、電解めっき処理の前に逆電解処理が行われることにより、ステンレス鋼板１５０の表面に高い密着性を有する下地めっき層が形成されることがわかった。また、電解液の酸成分として硫酸が用いられることにより、ステンレス鋼板１５０の腐食が防止されることがわかった。
【００８１】
一方、電解液の酸成分として塩酸が用いられる場合には、逆電解処理が行われなくても、ステンレス鋼板１５０の表面に高い密着性を有する下地めっき層が形成された。ただし、この場合には、ステンレス鋼板１５０に腐食が生じやすいことがわかった。
【００８２】
また、実施例１のめっき効率より実施例２および４のめっき効率が高く、実施例２および４のめっき効率より実施例３のめっき効率が高かった。しかしながら、実施例１、２および４においては、ステンレス鋼板１５０に腐食を生じさせることなく、必要な厚み（０．１５μｍ）の下地めっき層を短時間（１〜３分）で形成することができた、一方、実施例３においては、上記のように、ステンレス鋼板１５０の一部に腐食が生じた。このことから、電解液が硫酸ニッケルを含む場合、ｐＨは２未満であることが好ましいことがわかった。
【００８３】
（２）配線回路基板
本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について説明する。以下の実施の形態における配線回路基板は、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられる回路付きサスペンション基板（以下、サスペンション基板と略記する）である。
【００８４】
（２−１）サスペンション基板の構成
図３は、サスペンション基板の平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。図３および図４に示すように、サスペンション基板１は、長尺状の支持基板１０を備える。支持基板１０は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる。
【００８５】
支持基板１０上に例えばポリイミドからなるベース絶縁層１１が形成される。ベース絶縁層１１上に、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が形成される。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２は、例えば銅（Ｃｕ）からなる。
【００８６】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および熱アシスト用配線パターンＨ１は、支持基板１０の一方の側辺に沿う領域上に形成される。熱アシスト用配線パターンＨ１は書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の外側に配置される。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ２は、支持基板１０の他方の側辺に沿う領域上に形成される。熱アシスト用配線パターンＨ２は読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の外側に配置される。
【００８７】
支持基板１０の一端部には、Ｕ字状の開口部４０を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）５０が設けられる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の一端部は、タング部５０上にそれぞれ延びる。タング部５０上において、書込用配線パターンＷ１の一端部に端子部２１が設けられ、書込用配線パターンＷ２の一端部に端子部２２が設けられる。また、読取用配線パターンＲ１の一端部に端子部２３が設けられ、読取用配線パターンＲ２の一端部に端子部２４が設けられる。
【００８８】
また、タング部５０上において、熱アシスト用配線パターンＨ１の一端部にランド部Ｌ１が設けられ、熱アシスト用配線パターンＨ２の一端部にランド部Ｌ２が設けられる。後述のように、ランド部Ｌ１，Ｌ２は、支持基板１０の一部からなる端子部４１，４２（図６）にそれぞれ接続される。
【００８９】
支持基板１０の他端部上において、書込用配線パターンＷ１の他端部に端子部３１が設けられ、書込用配線パターンＷ２の他端部に端子部３２が設けられる。また、読取用配線パターンＲ１の他端部に端子部３３が設けられ、読取用配線パターンＲ２の他端部に端子部３４が設けられる。また、熱アシスト用配線パターンＨ１の他端部に端子部３５が設けられ、熱アシスト用配線パターンＨ２の他端部に端子部３６が設けられる。
【００９０】
端子部２１〜２４，３１〜３６を除く書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の部分を覆うように、ベース絶縁層１１上に例えばポリイミドからなるカバー絶縁層１２が形成される。なお、カバー絶縁層１２下において、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２をそれぞれ被覆するように例えばニッケルからなる金属被膜が形成されてもよい。
【００９１】
（２−２）タング部
タング部５０の詳細について説明する。図５は、タング部５０を一方側（図３と同じ側）から見た拡大平面図である。図６は、タング部５０を他方側（図３と反対側）から見た拡大平面図である。図７は、図５および図６のＢ−Ｂ線断面図である。図８は、図５および図６のＣ−Ｃ線断面図である。
【００９２】
図５に示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の端子部２１〜２４は、カバー絶縁層１２により覆われない。一方、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２のランド部Ｌ１，Ｌ２は、カバー絶縁層１２により覆われる。ベース絶縁層１１には、矩形状の開口ＯＰが形成される。端子部２１〜２４は、開口ＯＰの一辺に沿って並ぶように配置される。
【００９３】
図６に示すように、支持基板１０には開口１０ａが形成される。ベース絶縁層１１の開口ＯＰは、支持基板１０の開口１０ａの一部に重なる。開口１０ａ内において、ベース絶縁層１１の下面上に端子部４１，４２が設けられる。端子部４１，４２は支持基板１０の一部であり、支持基板１０の他の部分から分離される。端子部４１の一端部は、図５のランド部Ｌ１と重なり、端子部４２の一端部は、図５のランド部Ｌ２と重なる。端子部４１，４２の各々の他端部は、ベース絶縁層１１の開口部ＯＰの上記一辺に沿って並ぶように配置される。
【００９４】
図７に示すように、端子部２１〜２４の各々の側面および上面を被覆するように、下地めっき層５１および主めっき層５２が順に形成される。下地めっき層５１は例えばニッケル（Ｎｉ）からなり、主めっき層５２は例えば金（Ａｕ）からなる。
【００９５】
図８に示すように、端子部４１の一端部上および端子部４２の一端部上におけるベース絶縁層１１の部分には、テーパ状の孔部１１ａ，１１ｂがそれぞれ形成される。ランド部Ｌ１は、ベース絶縁層１１の上面、孔部１１ａの内周面および端子部４１の上面に接するように設けられる。ランド部Ｌ２は、ベース絶縁層１１の上面、孔部１１ｂの内周面および端子部４２の上面に接するように設けられる。
【００９６】
端子部４１，４２の各々の側面および下面を被覆するように、下地めっき層６１および主めっき層６２が順に形成される。下地めっき層６１は例えばニッケル（Ｎｉ）からなり、主めっき層６２は例えば金（Ａｕ）からなる。
【００９７】
タング部５０の上面には、磁気ヘッドを備えたスライダ（図示せず）が取り付けられる。スライダの端子部は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の端子部２１〜２４に電気的に接続される。ベース絶縁層１１の開口ＯＰおよび支持基板１０の開口１０ａを通してタング部５０の下面側に突出するように、スライダの下面にレーザダイオード等の熱アシスト装置が取り付けられる。熱アシスト装置の端子部は、端子部４１，４２に電気的に接続される。磁気ヘッドによる磁気ディスクへの情報の書込み時に、熱アシスト装置により磁気ディスクが加熱される。これにより、磁気ディスクに書き込まれる情報の密度を向上させることができる。
【００９８】
（２−３）製造方法
図９〜図１７は、サスペンション基板１の製造方法について説明するための工程断面図である。図９〜図１７の（ａ）には、図７に示される箇所の製造工程が示される。図９〜図１７の（ｂ）には、図８に示される箇所の製造工程が示される。
【００９９】
まず、図９（ａ），（ｂ）に示すように、ステンレス鋼からなる支持基板１０を用意し、その支持基板１０上にベース絶縁層１１の前駆体として絶縁層１１ｃを形成する。支持基板１０の厚みは、例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。絶縁層１１ｃ（ベース絶縁層１１）の材料として、例えばポリイミドまたはエポキシ等の樹脂が用いられる。
【０１００】
次に、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層１１ｃの不要な部分を除去することにより、孔部１１ａ，１１ｂおよび開口ＯＰ（図５および図６）を有する予め定められた形状のベース絶縁層１１を形成する。この場合、露光処理および現像処理により絶縁層１１ｃからベース絶縁層１１を形成してもよく、またはエッチングにより絶縁層１１ｃからベース絶縁層１１を形成してもよい。ベース絶縁層１１の厚みは、例えば３μｍ以上２０μｍ以下であり、５μｍ以上１５μｍ以下であることが好ましい。
【０１０１】
次に、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１１上に書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を形成する。熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２のランド部Ｌ１，Ｌ２は、ベース絶縁層１１の上面、孔部１１ａ，１１ｂの内周面および支持基板１０の上面に接するように設けられる。この場合、サブトラクティブ法、アディティブ法またはセミアディティブ法等の種々のパターン形成法のうち任意の方法を用いることができる。また、例えばニッケルおよびクロムからなるシード層を形成した後に電気めっきを行うことにより書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２を形成してもよい。
【０１０２】
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の材料として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）もしくはアルミニウム（Ａｌ）等の金属、または銅合金もしくはアルミニウム合金等の合金が用いられる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の厚みは、例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。
【０１０３】
次に、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、端子部２１〜２４および端子部３１〜３６（図３）を除く書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の部分を覆うように、ベース絶縁層１１上にカバー絶縁層１２を形成する。具体的には、まず、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の全体を覆うように、カバー絶縁層１１の前駆体としての絶縁層を少なくともベース絶縁層１１上に形成する。その後、端子部２１〜２４，３１〜３６が露出するように、絶縁層の不要な部分を除去することにより、予め定められた形状のカバー絶縁層１２を形成する。ベース絶縁層１１の形成と同様に、露光処理および現像処理によりカバー絶縁層１２を形成してもよく、またはエッチングによりカバー絶縁層１２を形成してもよい。
【０１０４】
カバー絶縁層１２の材料として、例えばポリイミドまたはエポキシ等の樹脂が用いられる。カバー絶縁層１２の厚みは例えば５μｍ以上３０μｍ以下であり、１０μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。
【０１０５】
次に、図１３（ａ），（ｂ）に示すように、エッチングにより支持基板１０の一部を除去する。これにより、支持基板１０に開口１０ａが形成されるとともに、ランド部Ｌ１，Ｌ２に接触する支持基板１０の部分からなる端子部４１，４２が、支持基板１０の他の部分から分離される。
【０１０６】
次に、図１４（ａ），（ｂ）に示すように、支持基板１０の上面側において、少なくとも支持基板１０の露出される上面の部分上にめっきレジスト層Ｄ１を形成する。図１４（ａ）および（ｂ）の例では、端子部２１〜２４および端子部３１〜３６（図３）を除く支持基板１０、ベース絶縁層１１およびカバー絶縁層１２の露出される上面の部分上にめっきレジスト層Ｄ１が形成される。また、支持基板１０の下面側において、端子部４１，４２を除く支持基板１０の下面の部分および開口１０ａの側面を覆うように、めっきレジスト層Ｄ２を形成する。めっきレジスト層Ｄ１，Ｄ２は、例えばドライフィルムレジストを露光および現像することにより形成される。
【０１０７】
次に、図１５（ａ），（ｂ）に示すように、端子部２１〜２４を被覆するように下地めっき層５１を形成するとともに、端子部４１，４２を被覆するように下地めっき層６１を形成する。具体的には、図２のめっき装置１００ａを用いて、下地めっき層５１，６１が形成される。この場合、支持基板１０が図２のステンレス鋼板１５０に相当し、端子部４１，４２が被めっき部に相当する。逆電解処理によって端子部４１，４２の表面の不動態皮膜が除去された後、電解めっき処理によって端子部４１，４２上に下地めっき層６１が形成される。また、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が図２の導体層１５２に相当し、端子部２１〜２４，３１〜３６が被めっき部に相当する。逆電解処理は行われずに電解めっき処理によって端子部２１〜２４，３１〜３６上に下地めっき層５１が形成される。
【０１０８】
なお、図２のめっき装置１００ａの代わりに、図１のめっき装置１００を用いてもよい。この場合、図１にめっき装置１００において、端子部４１，４２上に下地めっき層６１を形成し、他のめっき装置において、端子部２１〜２４，３１〜３６上に下地めっき層５１を形成する。
【０１０９】
次に、図１６（ａ），（ｂ）に示すように、電気めっきにより下地めっき層５１上に主めっき層５２を形成するとともに、下地めっき層６１上に主めっき層６２を形成する。
【０１１０】
その後、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、めっきレジスト層Ｄ１，Ｄ２を除去し、さらに支持基板１０の不要な部分をエッチングにより除去することにより、サスペンション基板１が完成する。
【０１１１】
（２−４）効果
本実施の形態では、図１のめっき装置１００または図２のめっき装置１００ａを用いて、サスペンション基板１の下地めっき層６１が形成される。それにより、支持基板１０、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２、および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２の腐食を防止しつつ、高い密着性を有する下地めっき層６１を形成することができる。
【０１１２】
また、図２のめっき装置１００ａが用いられる場合には、下地めっき層５１，６１を同時に形成することができる。それにより、サスペンション基板１の製造工程の高効率化が可能となる。
【０１１３】
（３）他の実施の形態
上記実施の形態は、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板１の製造に本発明に係るめっき方法が用いられる例であるが、他の電子部品または回路基板等の製造に本発明に係るめっき方法が用いられてもよい。
【０１１４】
（４）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１５】
上記実施の形態においては、めっき装置１００，１００ａがめっき装置の例であり、ステンレス鋼板１５０、導体層１５２、支持基板１０、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が被めっき部材の例であり、めっき槽１０１がめっき槽の例であり、電極１０４が第１の電極の例であり、電極１０５が第２の電極の例であり、整流器１１０が第１の電圧印加部の例であり、整流器１１１が第２の電圧印加部の例であり、下地めっき層５１，６１がめっき層の例であり、第１の領域ＲＧ１が第１の領域の例であり、第２の領域ＲＧ２が第２の領域の例であり、搬送ローラ２１０が搬送部の例であり、電極１０７が第３の電極の例であり、整流器１１２が第３の電圧印加部の例であり、ステンレス鋼板１５０および支持基板１０が第１の部材の例であり、導体層１５２、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２および熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が第２の部材の例である。
【０１１６】
また、サスペンション基板１が配線回路基板の例であり、支持基板１０が支持基板の例であり、ベース絶縁層１１がベース絶縁層の例であり、熱アシスト用配線パターンＨ１，Ｈ２が第１の配線パターンの例であり、端子部４１，４２が第１の端子部の例であり、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が第２の配線パターンの例であり、端子部２１〜２４が第２の端子部の例である。
【０１１７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、種々の電子部品および配線回路基板に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０１１９】
１  サスペンション基板
１０  支持基板
１１  ベース絶縁層
１２  カバー絶縁層
２１〜２４，３１〜３６，４１，４２  端子部
５０  タング部
１００  めっき装置
１０１  めっき槽
１０２，１０３，１０６  給電ローラ
１０４，１０５，１０７  電極
１１０，１１１，１１２  整流器
１５０  ステンレス鋼板
１５１  絶縁層
１５２  導体層
２１０  搬送ローラ
Ｈ１，Ｈ２  熱アシスト用配線パターン
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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