(57)【要約】【課題】実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対する、ダイアフラム部の歪み量が制限され難い構造の圧力センサ素子を提供する。【解決手段】矩形をなす第一基板１０１と第二基板１０２とを重ねてなり、四つの角部を有する基体１１０、重なり面１１０ｃにおいて、第一基板の中央域１０１Ａに凹部を配することにより、第二基板１０２と略平行して広がる空隙部１０４、空隙部１０４上に位置するダイアフラム部１０２Ｃ、ダイアフラム部１０２Ｃに配されたゲージ抵抗１０３、基体の一面１１０ａおよび他面１１０ｂの両方の外縁域に配され、ゲージ抵抗１０３と接続された接続部１０６、を少なくとも備え、基体１１０が側面１１０ｄ、１１０ｅを実装基板に向けて立設し、四つの角部のうち一つの角部１１０Ａが他の角部より実装基板１２２に近づくように、接続部１０６が角部１１０Ａに配されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形をなす第一基板と第二基板とを重ねてなり、四つの角部を有する基体、
前記基体内の重なり面において、前記第一基板の中央域に凹部を配することにより、前記第二基板と略平行して広がる空隙部、
前記空隙部上に位置し、前記第二基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、
前記ダイアフラム部に配されたゲージ抵抗、
前記第二基板の外面からなる前記基体の一面において前記ダイアフラム部を除いた外縁域と、前記第一基板の外面からなる前記基体の他面において前記外縁域と重なる領域との両方に配され、前記ゲージ抵抗と電気的に接続された接続部、を少なくとも備えた圧力センサ素子であって、
実装基板に実装した際に、前記基体が前記基体の側面を前記実装基板に向けて立設するとともに、前記四つの角部のうち一つの角部が他の角部より前記実装基板に対して近づくように、前記接続部が前記一つの角部に配されている、ことを特徴とする圧力センサ素子。
【請求項２】
前記一つの角部から延びる前記基体の一面の対角線を含み、前記基体の一面と直交する面のいずれの側にも、前記接続部が配されている、ことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ素子。
【請求項３】
前記一つの角部から延びる前記基体の一面の対角線を含み、前記基体の一面と直交する面の片側のみに、前記接続部が配されている、ことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ素子。
【請求項４】
前記接続部は導電性の部材からなる、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の圧力センサ素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧力センサ素子を備えた圧力センサモジュールであって、
前記圧力センサ素子が、前記接続部において第三基板の一方の主面に実装されている、ことを特徴とする圧力センサモジュール。
【請求項６】
前記第三基板の一方の主面に、前記一つの角部を内在する凹部が設けられている、ことを特徴とする請求項５に記載の圧力センサモジュール。
【請求項７】
前記一つの角部は、前記凹部の内壁と離間している、ことを特徴とする請求項６に記載の圧力センサモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を利用した圧力センサ素子、および圧力センサ素子を実装してなる圧力センサモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
圧力センサ素子は、シリコンなどの半導体基板に形成されたダイアフラム部およびピエゾ抵抗体を利用して、半導体基板上に生ずる圧力変化を電圧信号に変換する機能を有するセンサ素子である。圧力センサモジュールは、この圧力センサ素子や、圧力センサ素子と接続された集積回路素子等を実装基板に搭載してなる。通常の圧力センサモジュールは、図１５に示すような、実装基板２２２上において、金属線２２３Ａ、２２３Bによって電気的に接続された各素子（圧力センサ素子２２０、集積回路素子２２１等）を、蓋体２１で覆ったパッケージ体２０として用いられている。
【０００３】
圧力センサ素子５２０が実装された従来の圧力センサモジュール５００を図１６に示す。図１６の圧力センサモジュール５００においては、圧力センサ素子５２０のダイアフラム部側の面５１０ａが、バンプ５０６を介して、実装基板５２２の一面５２２ａに実装されている。そして、圧力センサ素子５２０は、それぞれバンプ５０６を介して、実装基板の一面５２２ａに配された導電部（不図示）と電気的に接続されている（特許文献１、２）。
【０００４】
図１７、１８は、従来技術による圧力センサ素子６２０、７２０を構成する基体６１０、７１０の実装面の構成例を、模式的に示した平面図である。図１７の圧力センサ素子６２０は、その実装面６１０ａが矩形であって、実装面６１０ａを構成する各角部６２０Ｃ近傍の位置に、バンプ等の接続部６０６が一つずつ配されている。図１８の圧力センサ素子７２０は、その実装面７１０ａが矩形であって、実装面７１０ａ構成する一辺７２０Ｌと平行に、バンプ等の四つの接続部７０６が一列に並んで配されている。図１７、１８に示すように、実装面に複数の接続部が配されている場合、圧力センサ素子６２０、７２０は、実装基板５２２の変形に伴って接続部６０６の並ぶ方向に引っ張り応力（矢印で表示）を受けることが知られている。
【０００５】
図１９は、図１７に示した圧力センサ素子６２０の実装面６１０ａの構成例を、さらに詳しく示した平面図である。また、図１９は、図１７に示すように接続部６０６が配された場合に、発生する応力がゲージ抵抗６０３に与える影響について説明する図である。圧力センサ素子６２０の実装面６１０ａにはダイアフラム部が形成されており、ダイアフラム部にはゲージ抵抗６０３が配されている。ダイアフラム部は薄板化加工されており、圧力を受けて撓む。ダイアフラム部の撓み変形によってゲージ抵抗６０３の電気抵抗が変化するので、この電気抵抗の変化が、圧力値として出力される。
【０００６】
図１９に示す圧力センサ素子６２０を、接続部６０６において実装基板に実装した場合、接続部６０６近傍の各領域において、基体６１０は、接続部６０６から引っ張り応力Ｆ１を受ける。この引っ張り応力Ｆ１によって、二つの接続部６０６に挟まれた各領域において、基体６１０は、両端に位置する接続部６０６側に引っ張られる。その結果として、同じ基体６１０に配されたゲージ抵抗６０３も、二つの接続部６０６の並びに平行な方向に、一定の引っ張り応力ｆ１を受ける。
【０００７】
図２０は、図１８に示した圧力センサ素子７２０の実装面７１０ａの構成例を、さらに詳しく示した平面図である。また、図２０は、図１８に示すように接続部７０６が配された場合に、発生する応力がダイアフラム部に形成されたゲージ抵抗７０３に与える影響について説明する図である。
【０００８】
図２０に示す圧力センサ素子７２０を、接続部７０６において実装基板に実装した場合、接続部７０６近傍の各領域において、基体７１０は、接続部７０６から引っ張り応力Ｆ２を受ける。この引っ張り応力Ｆ２によって、各接続部７０６に挟まれた各領域において、基体７１０は、両端に位置する接続部７０６に引っ張られる。その結果として、同じ基体７１０に配されたゲージ抵抗７０３も、四つの接続部７０６の並びに平行な方向に、一定の引っ張り応力ｆ２を受ける。引っ張り応力ｆ２の大きさは、ゲージ抵抗７０３の配された位置と四つの接続部７０６を結ぶ線分との距離が近いほど大きい。
【０００９】
図１９、２０に示すように、圧力センサ素子６２０、７２０は、それぞれの複数の部位がバンプ６０６、７０６との接続によって固定されているため、基板とともに変形することが難しい。したがって、上述した圧力センサ素子６２０、７２０は、実装基板の変形に伴って実装基板から伝わる応力（矢印で表示）をまともに受けてしまう。そして、この応力によって圧力センサ素子６２０、７２０の特性が変化してしまうため、圧力センサモジュールとしての正確な信号を検知し難いことが問題となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１８０９３０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１２４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は以上のような点を考慮してなされたものであり、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限され難い構造の圧力センサ素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の請求項１に係る圧力センサ素子は、矩形をなす第一基板と第二基板とを重ねてなり、四つの角部を有する基体、前記基体内の重なり面において、前記第一基板の中央域に凹部を配することにより、前記第二基板と略平行して広がる空隙部、前記空隙部上に位置し、前記第二基板の薄板化された領域からなるダイアフラム部、前記ダイアフラム部に配されたゲージ抵抗、前記第二基板の外面からなる前記基体の一面において前記ダイアフラム部を除いた外縁域と、前記第一基板の外面からなる前記基体の他面において前記外縁域と重なる領域との両方に配され、前記ゲージ抵抗と電気的に接続された接続部、を少なくとも備えた圧力センサ素子であって、実装基板に実装した際に、前記基体が前記基体の側面を前記実装基板に向けて立設するとともに、前記四つの角部のうち一つの角部が他の角部より前記実装基板に対して近づくように、前記接続部が前記一つの角部に配されている、ことを特徴とする。
【００１３】
請求項１に係る圧力センサ素子は、ダイアフラム部やゲージ抵抗を備えた基体と第三基板（実装基板）との接続部が、基体の一つの角部近傍に集中して配されているため、接続部において発生した応力を直接受ける箇所が、この一つの角部近傍に限定される。このような作用により、請求項１に係る圧力センサ素子は、応力を受けた箇所から任意の方向に伸縮することが可能となる。したがって、請求項１に係る圧力センサ素子は、従来のように実装基板との接続箇所が複数個所配される場合に比べて、伸縮の自由度を増加させることができ、第二基板との接続部において発生する応力を緩和することができる。その結果として、請求項１に係る圧力センサ素子を、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限されにくい構造とすることができる。
【００１４】
本発明の請求項２に係る圧力センサ素子は、請求項１において、前記一つの角部から延びる前記基体の一面の対角線を含み、前記基体の一面と直交する面のいずれの側にも、前記接続部が配されている、ことを特徴とする。
【００１５】
請求項２に係る圧力センサ素子は、基体の一面の対角線を挟んだ両側が接続部によって固定されるため、基体が傾くのを抑えることができ、傾く際の歪みによって基体に対して応力が発生するのを防ぐことができる。
【００１６】
本発明の請求項３に係る圧力センサ素子は、請求項１において、前記一つの角部から延びる前記基体の一面の対角線を含み、前記基体の一面と直交する面の片側のみに、前記接続部が配されている、ことを特徴とする。
【００１７】
請求項３に係る圧力センサ素子は、実装基板に実装した際に、基体の一面を構成する一辺が、実装面と略平行になる。そのため、実装高さを、基体の一面を構成するいずれかの辺の長さ分のみとすることができる。したがって、実装面に対して基体を立設させる場合において、実装高さを最小限に抑えることができる。
【００１８】
本発明の請求項４に係る圧力センサ素子は、請求項１〜３のいずれか一項において、前記接続部は導電性の部材からなる、ことを特徴とする。
【００１９】
請求項４に係る圧力センサ素子は、第二基板に搭載された様々な機能素子に対して、ゲージ抵抗を電気的に接続することができる。したがって、ゲージ抵抗を接続する機能素子として、信号処理ＩＣを用いることにより、ゲージ抵抗の変動をデジタル信号に変換することができる。また、ゲージ抵抗を接続する機能素子として、温度センサを用いることにより、圧力センサの温度特性の補償を行うことができる。このように、用途に応じた機能素子をゲージ抵抗に接続することによって、圧力センサモジュールの制御性を向上させることができる。
【００２０】
本発明の請求項５に係る圧力センサモジュールは、請求項１〜４のいずれか一項に記載の圧力センサ素子を備え、前記圧力センサ素子が、前記接続部において第三基板の一方の主面に実装されている、ことを特徴とする。
【００２１】
本発明の請求項５に係る圧力センサモジュールは、実装基板の変形に伴って、圧力センサ素子と実装基板との接続箇所において発生する応力を緩和することが可能な、圧力センサ素子を備えている。したがって、実装基板からの応力によって、圧力センサ素子の特性が変化してしまうことがないため、圧力センサモジュールとしての信号を正確に検知することができる。
【００２２】
本発明の請求項６に係る圧力センサモジュールは、請求項５において、前記第三基板の一方の主面に、前記一つの角部を内在する凹部が設けられている、ことを特徴とする。
【００２３】
本発明の請求項６に係る圧力センサモジュールは、角部近傍の部位を凹部の所望の深さまで内在させることができる。したがって、接続部の位置を、第三基板の一面（実装面）と面一となる位置に揃えることができる。
【００２４】
本発明の請求項７に係る圧力センサモジュールは、請求項６において、前記一つの角部は、前記凹部の内壁と離間している、ことを特徴とする。
【００２５】
本発明の請求項７に係る圧力センサモジュールは、圧力センサ素子を第三基板に実装した際に、第三基板の変形に伴って発生する応力が、基体の角部に直接作用するのを防ぐことができる。したがって、実装に起因して圧力センサ素子に作用する応力を、最小限に抑えることができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る圧力素子は、ダイアフラム部やゲージ抵抗を備えた基体と実装基板との接続部が、基体の一つの角部近傍に集中して配されている。そのため、接続部において発生した応力を直接受ける箇所が、この一つの角部近傍に限定される。
【００２７】
このような作用により、本発明に係る圧力センサ素子は、応力を受けた箇所から任意の方向に伸縮することができる。したがって、本発明に係る圧力センサ素子は、従来のように実装基板との接続箇所が複数個所に配される場合に比べて、実装を行った際の伸縮の自由度を増加させることができ、圧力センサ素子と実装基板との接続部において発生する応力を緩和することができる。その結果として、本発明に係る圧力センサ素子を、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限されにくい構造とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）本発明の第一実施形態における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す断面図である。（ｂ）、（ｃ）本発明の第一実施形態における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。（ｄ）本発明の第一実施形態における圧力センサ素子の実装時の構成を、模式的に示す平面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）本発明の第一実施形態における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。
【図３】本発明の第一実施形態における圧力センサ素子の接続部近傍の構成を、模式的に示す断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。
【図５】本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。
【図６】（ａ）〜（ｄ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの製造方法を工程順に示す断面図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）本発明の第一実施形態における圧力センサパッケージの構成を、模式的に示す平面図である。
【図１３】（ａ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。（ｂ）本発明の第一実施形態の変形例１における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。
【図１４】（ａ）本発明の第一実施形態における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。（ｂ）本発明の第一実施形態の変形例２における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す平面図である。
【図１５】従来技術における圧力センサパッケージの構成を、模式的に示す断面図である。
【図１６】従来技術における圧力センサモジュールの構成を、模式的に示す断面図である。
【図１７】従来技術における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。
【図１８】従来技術における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。
【図１９】従来技術における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。
【図２０】従来技術における圧力センサ素子の構成を、模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、好適な実施形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に示す実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために、例を挙げて説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。また、以下の説明に用いる図面は、本発明の特徴を分かりやすくするために、便宜上、要部となる部分を拡大している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００３０】
＜第一実施形態＞
［圧力センサ素子の構成］
初めに、本発明の第一実施形態に係る圧力センサモジュールを構成する、圧力センサ素子の構成について、図１（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００３１】
図１（ａ）は、圧力センサ素子１２０を、その厚み方向に平行な面によって切断した際の断面図である。圧力センサ素子１２０は、直方体状の基体１１０と、基体の一面１１０ａに配された、複数のゲージ抵抗１０３、複数のリード１０５、複数の接続部（不図示）と、基体１１０内に配された空隙部１０４と、を備えている。基体１１０は、二つの主面が矩形をなす、第一基板１０１と第二基板１０２とを、第一基板の一方の主面１０１ａにおける四つの頂点の位置と、第二基板１０２の一方の主面１０２ａにおける四つの頂点の位置とが、一致するように重ねてなる。
【００３２】
第一基板（支持基板）１０１は、二つの主面が矩形をなす基板であって、シリコン等の半導体によって構成されている。図１（ａ）に示すように、第二基板１０２との重なり面１１０ｃをなす、第一基板の内面（一方の主面）１０１ａの中央域１０１Ａには、凹部１０１ｃが配されている。
【００３３】
空隙部１０４は、図１（ａ）に示すように、基体１１０内において、第一基板１０１との重なり面１１０ｃをなす第二基板の内面（一方の主面）１０２ａと、凹部１０１ｃとで囲まれてなる空間であって、第二基板の一方の主面１０２ａと略平行に広がっている。
【００３４】
第二基板（薄板基板）１０２は、二つの主面が矩形をなす、厚さ数μｍに薄板化された基板であって、シリコン等の半導体によって構成されている。図１（ａ）に示すように、第二基板１０２のうち、空隙部１０４上に位置する部分は、圧力検知機能を有するダイアフラム部１０２Ｃとなっている。なお、本実施形態においては、ダイアフラム部１０２Ｃの平面視における形状が、矩形である場合を例として示すが、ダイアフラム部１０２Ｃの形状については、特に限定されるものではなく、例えば六角形、円形としてもよい。
【００３５】
図１（ｂ）は、図１（ａ）の圧力センサ素子１２０を、基体の一面１１０ａ側から見た平面図である。図１（ｂ）は、接続部１０６が基体の一面１１０ａに配されている場合に、この接続部１０６と、複数のゲージ抵抗１０３と、複数のリード１０５とによって実現可能な配置の一例を示している。この場合、接続部１０６は、より詳細には、第二基板の外面１０２ｂからなる基体の一面１１０ａにおいて、ダイアフラム部１０２Ｃを除いた外縁域１０２Ｂに配されている。
【００３６】
複数のゲージ抵抗１０３は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、基体の一面１１０ａを構成する第二基板の外面（他方の主面）１０２ｂにおいて、ダイアフラム部１０２Ｃの周縁部に配されている。
【００３７】
複数のリード１０５は、図１（ｂ）に示すように、隣接するゲージ抵抗１０３同士や、ゲージ抵抗１０３と接続部１０６とを電気的に接続するように配されている。
【００３８】
図１（ｃ）は、図１（ａ）の圧力センサ素子１２０を、基体の他面１１０ｂ側から見た平面図である。図１（ｃ）は、接続部１０６が基体の他面１１０ｂに配されている場合に、この接続部１０６と、複数のリード１０５とによって実現可能な配置の一例を示している。この場合、接続部１０６は、より詳細には、第一基板の外面１０１ｂからなる基体の他面１１０ｂにおいて、第二基板の外面における外縁域１０２Ｂと重なる領域（外縁域）１０１Ｂに配されている。
【００３９】
接続部１０６は、図１（ｂ）に示した基体の一面における外縁域１０２Ｂ、図１（ｃ）に示した基体の他面における外縁域１０１Ｂのうち少なくとも一方に配され、前記ゲージ抵抗と電気的に接続されている。さらに、図１（ｄ）に示すように、接続部１０６は、実装基板１２２に実装した際に、実装基板の一面１２２ａに対して、基体１１０が、その直交する二つの側面１１０ｄ、１１０ｅを向けて立設するように配されている。また、接続部１０６は、実装基板１１２に実装した際に、実装基板の一面１１２ａに対して、二つの側面１１０ｄ、１１０ｅの交わる位置における基体の一つの角部１１０Ａが、他の角部１１０Ｂより近づくように、一つの角部１１０Ａの近傍に配されている。ここでの角部１１０Ａは、より詳細には、二つの側面１１０ｄ、１１０ｅが交わって形成される、基体１１０の厚み方向に延びる稜線１１０Ｄによって構成されるものである。なお、基体１１０の四つの角部は、後述する圧力センサモジュールの製造工程において、一体の部材を複数の基体１１０に切り分けられる際に作られる部位に相当する。
【００４０】
図３は、実装基板に圧力センサ素子１２０を実装する際の接続部１０６が配された部位１０７を、基体の稜線１１０Ｄに対向する位置から見た平面図である。接続部１０６は、基体の他面１０１ｂ側に配されている場合にも、図１（ｂ）、（ｃ）、図３に示すように、リード１０４を介して基体の一面１０２ｂに配されたゲージ抵抗１０３と電気的に接続されている。より詳細には、接続部１０６は、基体の一面１０２ｂから第二基板の貫通孔１０２Ｈおよび第一基板の貫通孔１０１Ｈを経由して、基体の他面１０１ｂに到達するリード１０４を介して、基体の一面１０２ｂに配されたゲージ抵抗１０３と電気的に接続されている。
【００４１】
なお、接続部１０６は、一つの角部１１０Ａから延びる基体の一面の対角線１１０ｃを含み、基体の一面１１０ａと直交する面のいずれの側にも配されていることが望ましい。
【００４２】
接続部１０６がこのように配されている場合、圧力センサ素子は、基体の一面の対角線１１０ｃを挟んだ両側が接続部１０６によって固定されるため、基体１１０が傾くのを抑えることができ、傾く際の歪みによって基体１１０に対して応力が発生するのを防ぐことができる。
【００４３】
また、接続部１０６は、一つの角部１１０Ａから延びる基体の一面の対角線１１０ｃを含み、基体の一面１１０ａと直交する面の片側のみに配されている、ことを特徴とする。
【００４４】
接続部１０６がこのように配されている場合、圧力センサ素子１１０を実装基板１２２に実装した際に、基体の一面１０１ａを構成する一辺が、実装面１２２ａと略平行になる。そのため、実装高さを、基体の一面１１０ａを構成するいずれかの辺の長さ分のみとすることができる。したがって、実装面１２２ａに対して基体１１０を立設させる場合において、実装高さを最小限に抑えることができる。
【００４５】
［圧力センサ素子の作用・効果］
上述した構成の圧力センサモジュールの作用・効果について、図１（ｂ）、（ｃ）に示した本実施形態の圧力センサ素子１２０の構成を、図１９、２０に示した、従来技術による圧力センサ素子６２０、７２０の構成と比較して説明する。
【００４６】
図２（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態の圧力センサ素子１２０の構成において、ゲージ抵抗１０３に作用する応力の様子を説明する図である。
【００４７】
図２（ａ）は、図１（ｂ）と同様に、圧力センサ素子１２０を基体の一面１１０ａ側から見た平面図である。図２（ａ）は、接続部１０６を介して圧力センサ素子１２０を実装した際に、一面１１０ａにおいて発生する応力を示している。
【００４８】
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示した圧力センサ素子１２０の構成のうち、基体１１０と接続部１０６のみを抜き出して示した平面図である。全ての接続部１０６は、基体の一面１１０ａにおいて、基体の一つの角部１１０Ａ近傍に集中して配されている。そのため、圧力センサ素子１２０を実装した際に、基体の一面１１０ａが、接続部１０６において発生した応力を直接受ける個所は、この一つの角部１１０Ａ近傍に限定される。
【００４９】
ここでは、基体の一面１１０ａに、接続部１０６が二つ配されている場合を例示しており、その場合に発生した応力は、二つの接続部１０６の間を結ぶ直線方向に沿って作用する。したがって、図２（ａ）に示すように、ゲージ抵抗１０３に作用する応力は、接続部１０６において発生した応力が、この応力と平行な方向に沿って間接的に作用する小さい力のみとなる。この力は、接続部１０６から離れた位置ほど小さくなる傾向にある。
【００５０】
図２（ｃ）は、図１（ｃ）と同様に、圧力センサ素子１２０を基体の他面１１０ｂ側から見た平面図である。図２（ｃ）は、接続部１０６を介して圧力センサ素子１２０を実装した際に、他面１１０ｂにおいて発生する応力を示している。
【００５１】
図２（ｄ）は、図２（ｃ）に示した圧力センサ素子１２０の構成のうち、基体１１０と接続部１０６のみを抜き出して示した平面図である。全ての接続部１０６は、基体の他面１１０ｂにおいて、基体の一つの角部１１０Ａ近傍に集中して配されている。そのため、圧力センサ素子１２０を実装した際に、基体の他面１１０ｂが、接続部１０６において発生した応力を直接受ける個所は、この一つの角部１１０Ａ近傍に限定される。
【００５２】
ここでは、基体の他面１１０ｂに、接続部１０６が二つ配されている場合を例示しており、その場合に発生した応力は、二つの接続部１０６の間を結ぶ直線方向に沿って作用する。ただし、図２（ｃ）に示すように、基体の他面１１０ｂにはゲージ抵抗１０３が配されていないため、発生した応力による影響は見られない。
【００５３】
図２（ａ）〜（ｄ）を用いて説明したように、本実施形態に係る圧力センサ素子１２０は、実装基板に実装する際に用いる接続部１０６が、基体の一面１１０ａ、他面１０１ｂのいずれにおいても、基体の一つの角部近傍に集中して配されている。そのため、接続部１０６において発生した応力を直接受ける箇所が、この一つの角部近傍に限定される。
【００５４】
このような作用により、本実施形態に係る圧力センサ素子１２０は、応力を受けた箇所から任意の方向に伸縮することができる。したがって、本実施形態に係る圧力センサ素子１２０は、従来のように実装基板との接続箇所が複数個所に配される場合に比べて、実装を行った際の伸縮の自由度を増加させ、実装基板との接続部１０６において発生する応力を緩和することができる。本実施形態に係る圧力センサ素子を、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限されにくい構造とすることができる。
【００５５】
なお、本実施形態の圧力センサ素子を構成する接続部１０６は、導電性の部材からなることが望ましい。
【００５６】
接続部１０６が、導電性の部材からなる場合、基体１１０に搭載された様々な機能素子に対して、ゲージ抵抗１０３を電気的に接続することができる。したがって、ゲージ抵抗１０３を接続する機能素子として、信号処理ＩＣを用いることにより、ゲージ抵抗の変動をデジタル信号に変換することができる。また、ゲージ抵抗１０３を接続する機能素子として、温度センサを用いることにより、圧力センサの温度特性の補償を行うことができる。このように、用途に応じた機能素子をゲージ抵抗１０３に接続することによって、圧力センサモジュール１００の制御性を向上させることができる。
【００５７】
なお、本実施形態においては、接続部１０６を構成する導電性の部材がバンプであるとして説明したが、導電性の部材はバンプに限定される必要はなく、例えば金属線であってもよい。
【００５８】
接続部１０６としてバンプを用いる場合、実装基板に対する圧力センサ素子１２０の実装面積を小さくすることができるため、圧力センサモジュール１００全体の小型化、軽量化を実現することができる。これに対し、接続部１０６として金属線を用いる場合、近くに配されていない電極（導電部）同士を電気的に接続することが可能であるため、圧力センサモジュール１００の電極配置に関する設計自由度が増加する。
【００５９】
また、本実施形態においては、接続部１０６が導電性の部材からなり、圧力センサ素子１２０と第三基板１２２とを電気的に接続する場合を例として説明した。しかしながら、接続部１０６は、圧力センサ素子１２０を実装基板に固定することができれば、上述した作用および効果が得られるため、非導電性の部材からなっていてもよい。
【００６０】
［圧力センサモジュールの構成］
次に、本発明の第一実施形態に係る圧力センサモジュール１００の構成について、図４（ａ）、（ｂ）、図５を用いて説明する。圧力センサモジュール１００は、上述した圧力センサ素子１２０と、それを駆動させるための集積回路素子１２１等とを、樹脂、セラミック等からなる第三基板（実装基板）１２２の一面１２２ａに実装してなる。
【００６１】
図４（ａ）は、圧力センサモジュール１００を、圧力センサ素子１２０を構成する基体の他面１１０ｂに対向する側から見た平面図である。圧力センサ素子１２０は、上述した一つの角部１１０Ａ近傍の部位１０７に配された接続部１０６のみを介して、第三基板１２２と接続されている。第三基板の一面１２２ａにおいて、圧力センサ素子１２０よりも奥側に、集積回路素子１２１が配されている。
【００６２】
なお、第三基板の一面１２２ａに最も近い角部１１０Ａから延びる、基体の一面１１０ａの対角線１１０ｃに対して、基体の一面１１０ａにおける複数の接続部１０６のうち、一部が片側に配され、残部が他の片側に配されている（図１（ｂ））ことが望ましい。また、第三基板の一面１２２ａに最も近い角部１１０Ａから延びる、基体の他面１１０ｂの対角線１０１ｄに対して、基体の他面１１０ｂにおける複数の接続部１０６のうち、一部が片側に配され、残部が他の片側に配されている（図１（ｃ））ことが望ましい。
【００６３】
複数の接続部１０６がこのように配されている場合、基体の一面の対角線１０１ｃを挟んだ両側、基体の他面の対角線１０１ｄを挟んだ両側が、それぞれ接続部１０６によって固定されることになる。そのため、基体１１０が、接続部１０６を中心として回転するのを抑えることができる。そして、基体１１０が傾く際の歪みによって、基体１１０に対して応力が発生するのを抑えることができる。
【００６４】
図４（ｂ）は、圧力センサモジュール１００を、第三基板の一面１２２ａに対して近い側に位置する基体１１０の側面と、遠い側に位置する基体１１０の側面とが交わって形成される、稜線に対向する側から見た平面図である。第三基板１２２の一面１２２ａには、凹部１２２ｃが形成されており、圧力センサ素子１２０は、接続部１０６が配された一つの角部１１０Ａ近傍の部位１０７が、この凹部１２２ｃに内在するように配されている。圧力センサ素子１２０は、部位１０７に配されたリード１０５、接続部１０６を介して、第三基板の一面１２２ａに配された導電部１２３と電気的に接続されるとともに、第三基板の一面１１２ａに実装されている。そして、実装面をなす基体の一面１１０ａおよび１１０ｂが、従来構造（例えば図１６）のように第三基板の一面１２２ａに対して平行でなく、角部１１０Ａを原点として、第三基板の一面１２２ａと０度より大きい角度をなしている。第三基板の一面１２２ａにおいて、圧力センサ素子１２０と隣接する位置には、接着材料１２４等を介して、所望の機能を有する集積回路素子１２１が接合されている。
【００６５】
なお、図４（ｂ）に示すように、複数の接続部１０６のうち、一部が基体の一面１１０ａ側に配され、残部が基体の他面１１０ｂ側に配されていることが望ましい。複数の接続部１０６がこのように配されている場合、基体１１０の両面１１０ａ、１１０ｂが、それぞれの側に配された接続部１０６によって固定されているため、圧力センサ素子１２０が、基体の厚み方向Ｔに傾くのを抑えることができる。そして、圧力センサ素子１２０が傾く際の歪みによって、圧力センサ素子１２０自身に応力が発生するのを抑えることができる。
【００６６】
また、第三基板の一面１２２ａは平坦であってもよいが、図４（ｂ）に示すように、圧力センサ素子１２０を配する位置に、凹部１２２ｃが形成されていることが望ましい。凹部１２２ｃが形成されていることにより、基体１１０の接続部が配された部位１０７を、凹部１２２ｃの所望の深さまで内在させることができる。これにより、基体の一面１１０ａまたは他面１１０ｂの最外周よりも内側に接続部１０６が配されている場合にも、接続部１０６の位置を、第三基板の一面１２２ａと面一となる位置に揃えることができる。
【００６７】
また、角部１１０Ａを凹部１２２ｃに内在させた際に、角部１１０Ａと凹部１２２ｃの内壁とは離間していることが望ましい。これにより、圧力センサ素子１１０を第三基板１２２に実装した際に、第三基板１２２の変形に伴って発生する応力が、基体の角部１１０Ａに直接作用するのを防ぐことができる。したがって、実装に起因して圧力センサ素子１１０に作用する応力を、最小限に抑えることができる。
【００６８】
図５は、圧力センサモジュール１００を、第三基板１２２の一面１２２ａと対向する側から見た平面図である。第三基板の一面１２２ａには、圧力センサ素子１２０、集積回路素子１２１、接続部１０６、導電部１２３、外部に配された機能素子等と電気的に接続する端子（パッド）１１６が配されている。圧力センサ素子１２０は、接続部１０６、導電部１２３、接続部１２７ａを介して、集積回路素子１２１の一部の端子１２１ａと電気的に接続されている。集積回路素子１２１の他の一部の端子１２１ｂは、接続部１２７ｂを介してパッド１２６と電気的に接続されている。接続部１２７ａ、１２７ｂは、いずれも金属線等の導電性部材からなる。
【００６９】
本実施形態に係る圧力センサモジュール１００は、上述したように、実装基板１２２との接続箇所において発生する応力を緩和することが可能な、圧力センサ素子１２０を備えている。したがって、受ける応力によって、圧力センサ素子１２０の特性が変化してしまうことがないため、本実施形態に係る圧力センサモジュール１００としての信号を正確に検知することができる。
【００７０】
［圧力センサモジュールの製造方法］
図４（ａ）、（ｂ）、図５を用いて示した圧力センサモジュール１００の製造方法について、図６〜８を用いて説明する。
【００７１】
先に、圧力センサモジュール１００を構成する圧力センサ素子の製造方法について、図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。図６（ａ）〜（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）は、圧力センサ素子１２０の製造過程における被処理体の要部断面を、製造工程の順に、段階的に示した図である。
【００７２】
まず、工程Ａ１として、図６（ａ）に示すように、第一基板１０１用の板材１１を準備する。板材１１としては、シリコン等の半導体によって構成されるものを用いるのが望ましい。
【００７３】
次に、工程A２として、図６（ｂ）に示すように、工程A１を経た板材１１の一方の主面（一面）１１ａを、複数の圧力センサ素子（チップ）の各々を形成する領域ごとに区分し、区分された各領域Ｒの中央域１１Ａにおいて内側に、ドライエッチング処理を行い、一面１１ａと略平行に広がる凹部１１ｃを形成する。凹部１１ｃの深さｄは、１０［μｍ］以上１００［μｍ］以下とすることが望ましい。図６（ｂ）および後に示す図６（ｃ）、（ｄ）、図６（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）、（ｂ）において、隣り合う領域Ｒ同士の境界Ｒ１の位置を明示する。
【００７４】
次に、工程A３として、工程A２を経た板材１１の表面を酸化し、図６（ｃ）に示すように、酸化された板材の一面１１ａに、第二基板用の板材１２の一方の主面（一面）１２ａを陽極接合する。この陽極接合によって、凹部１１ｃの開口部を板材の一面１２ａで塞ぎ、圧力センサ素子の構成要素である空隙部１０４を形成する。図６（ｃ）および後に示す図６（ｄ）、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）、（ｂ）において、板材１２も、板材１１と同様に、複数の圧力センサ素子（チップ）の各々を形成する領域Ｒごとに区分し、区分された各領域Ｒ同士の境界R２の位置も明示する。
【００７５】
次に、工程A４として、図６（ｄ）に示すように、工程A３を経た板材１１、１２を、それぞれの他方の主面（他面）１１ｂ、１２ｂ側から、研磨等を行って薄く加工する。この加工によって、板材１１、１２の厚さｔ１、ｔ２を、それぞれ５０［μｍ］以上２００［μｍ］以下、５［μｍ］以上２０［μｍ］以下とするのが望ましい。加工された板材１１、１２は、それぞれ圧力センサ素子を構成する、第一基板１０１、第二基板１０２となる。そして、第二基板１０２の空隙部と重なる部分は、圧力センサ素子を構成するダイアフラム部１０２Ｃとなる。
【００７６】
次に、工程A５として、図７（ａ）に示すように、工程A４を経て形成された第二基板１０２の接合面１０２ａと反対側の面１０２ｂにおいて、空隙部１０４と重なるダイアフラム部１０２Ｃの周縁部に、圧力センサ素子用のゲージ抵抗１０３を形成する。
【００７７】
次に、工程A６として、図７（ｂ）に示すように、工程A５を経た第一基板１０１および第二基板１０２を、エッチング法を用いて、それぞれの厚み方向に貫通する貫通孔１０１Ｈ、１０２Ｈを形成する。
【００７８】
次に、工程A７として、図７（ｃ）に示すように、工程A６を経て形成された、貫通孔１０１Ｈ、１０２Ｈの内部、貫通孔１０１Ｈ、１０２Ｈの開口部からゲージ抵抗１０３や他の集積回路素子（不図示）とを結ぶ領域に、スパッタリング法、めっき法、ＣＶＤ法等の成膜法を用いて導電部（リード、配線部）１０５を形成する。
【００７９】
次に、工程A８として、図８（ａ）に示すように、工程A７を経た第二基板１０２の接合面と反対側の面１０２ｂに形成された導電部１０５のうち、実装基板と接続する部位１０７に形成された導電部１０５に、第一接続部（接続部）１０６Ａ（１０６）を形成する。
【００８０】
次に、工程A９として、図８（ｂ）に示すように、工程A８を経た第一基板１０１の接合面と反対側の面１０１ｂに形成された導電部１０５のうち、実装基板と接続する部位１０７に形成された導電部１０５に、第二接続部（接続部）１０６Ｂ（１０６）を形成する。
【００８１】
次に、工程A１０として、図８（ｃ）に示すように、工程A９を経た被処理体を、工程Ａ２において区分した領域の境界Ｒ１において、ダイシングを行うことにより、個片化された圧力センサ素子１２０を得る。工程Ａ１０を経ることにより、境界面Ｒ１は、ダイシング後の切断面Ｒ２として露出する。
【００８２】
続いて、圧力センサモジュール１００を構成する第三基板（実装基板）の製造方法について、図９（ａ）〜（ｃ）、図１０（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図９（ａ）〜（ｃ）、図１０（ａ）、（ｂ）は、第三基板１２２の製造過程における被処理体の要部断面を、製造工程の順に、段階的に示した図である。
【００８３】
まず、工程Ｂ１として、図９（ａ）に示すように、第三基板を構成する板材１３、１４を準備する。板材１３、１４としては、樹脂、セラミック等からなるものを用いることが望ましい。ここでは、二つの層からなる第三基板を用いる場合を例として説明するが、さらに多数の層からなる第三基板を用いてもよい。いずれの場合においても、板材は、形成する層の数の分だけ準備する。
【００８４】
次に、工程Ｂ２として、図９（ｂ）に示すように、工程Ｂ１を経た板材１３、１４の各主面を、圧力センサ素子を実装する領域ごとに区分し、区分された各領域Ｒのうち、配線部を形成する位置１３ｈ、１４ｈに、それぞれエッチング法を用いて貫通孔１３Ｈ、１４Ｈを形成する。また同時に、最上層を構成する板材１４の主面においては、各領域Ｒのうち、圧力センサ素子を構成する基体のうち、角部（不図示）を内在させる凹部を形成する位置１４ｊに、エッチング法を用いて貫通孔１４Ｊを形成する。図９（ｂ）および後に示す図９（ｃ）、図１０（ａ）において、隣り合う領域Ｒ同士の境界Ｒ１の位置を明示する。
【００８５】
次に、工程Ｂ３として、工程Ｂ２を経て、配線部を形成する位置の貫通孔１３Ｈ、１４Ｈの内部および開口部近傍に、スパッタリング法、めっき法、ＣＶＤ法等の成膜法を用いて配線部を形成する。より詳細には、図９（ｃ）に示すように、貫通孔１３Ｈの内部、二つの開口部に、それぞれ１０５ｃ、１０５ａ、１０５ｂを形成し、貫通孔１４Ｈの内部、二つの開口部に、それぞれ１０５ｆ、１０５ｄ、１０５ｅを形成する。
【００８６】
次に、工程Ｂ４として、図１０（ａ）に示すように、工程Ｂ３を経た各板材１３、１４を、接着材料等を用いて接合する。この接合により、工程Ｂ２において最上層の板材に形成された貫通孔１４Ｊは、その一端の開口部が板材１３によって塞がれるため、板材１３、１４の接合体の表面における凹部１２２ｃとなる。
【００８７】
次に、工程Ｂ５として、図１０（ｂ）に示すように、工程Ｂ４を経た被処理体を、工程Ｂ２において区分した領域の境界面Ｒ４、Ｒ５において、ダイシングを行うことにより、個片化された第三基板１２２を得る。工程B５を経ることにより、境界面Ｒ４、Ｒ５は、ダイシング後の切断面Ｒ６として露出する。
【００８８】
さらに、図１１（ａ）に示すように、上述した、工程Ｂ１〜Ｂ５を経て得られた第三基板１２２の一面１２２ａに形成された凹部１２２ｃに、工程Ａ１〜Ａ１０を経て得られた圧力センサ素子１２０の接続部１０６が配された部位１０７を内在させ、接続部１０６と第三基板の一面に形成された導電部１０５を接続する。これにより、第三基板１２２に圧力センサ素子１２０が実装することができる。
【００８９】
そして、図１１（ｂ）に示すように、第三基板の一面１２２ａにおいて、圧力センサ素子１２０と隣接する位置に、所望の機能を有する集積回路素子１２１を接着材料１２４を介して接合し、例えば金属線１２７によるワイヤーボンディングを行って、これを実装することにより、圧力センサモジュール１００を得ることができる。
【００９０】
［圧力センサパッケージの構成］
続いて、図４（ａ）、（ｂ）、図５に示した圧力センサモジュール１００をパッケージ化した、圧力センサパケージの構成について、図１２（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【００９１】
図１２（ａ）は、図５に示した圧力センサモジュール１００を構成する第三基板の一面１２２ａを、蓋体１１で覆ってパッケージ化してなる圧力センサパッケージ１０の平面図である。そして、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のβ−β線において、圧力センサパッケージ１０を、その厚さ方向と平行な面によって切断した際の断面図である。
【００９２】
蓋体１１は、少なくとも第三基板の一面１２２ａと重なる領域に配され、圧力センサ素子１２０、集積回路素子１２１等の機能部分、および機能部分と電気的に接続された配線部分（不図示）を覆っている。そして、蓋体の内壁１１ｂは、機能部分および配線部分が配された領域の周囲を囲むように配されている。また、蓋体１１は、内部の圧力を制御するための圧力導入口１１ａを備えている。
【００９３】
＜変形例１＞
第一実施形態に係る圧力センサモジュールの変形例１について、図１３（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図１３（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、第一実施形態、第一実施形態の変形例１に係る圧力センサモジュールを、圧力センサ素子を構成する、基体の片方の主面と対向する側から見た平面図である。ここでは、基体を除いた圧力センサ素子の構成要素の図示を省略している。
【００９４】
第一実施形態の圧力センサモジュール１００は、図１３（ａ）に示すように、圧力センサ素子１２０の接続部１０６に近い側に位置する二つ側面１２０ｄ、１２０ｅが、第三基板１２２の一面１２２ａとなす角度θ１、θ２が、互いに等しいことを想定していた。すなわち、接続部１０６に近い側に位置する側面１２０ｄと１２０ｅとのなす角度をθ３とおくと、三つの角度θ１、θ２、θ３について、θ１＝θ２＝（１８０［度］−θ３）／２との関係が想定されていた。
【００９５】
これに対し、変形例１の圧力センサモジュール２４０は、図１３（ｂ）に示すように、圧力センサ素子２６０の接続部２０６に近い側に位置する二つ側面２６０ｄ、２６０ｅが、第三基板２６２の一面２６２ａとなす角度θ４、θ５が、互いに異なっている。すなわち、接続部２５６に近い側に位置する、側面２６０ｄと２６０ｅとのなす角度をθ６とおくと、三つの角度θ４、θ５、θ６について、０［度］＜θ４＜９０［度］かつθ５＝１８０［度］−θ４−θ６との関係が成り立っている。二つ側面２６０ｄ、２６０ｅが、第三基板の一面２６２ａとなす角度θ４、θ５以外の構成は、第一実施形態の構成と同様である。
【００９６】
つまり、変形例１に係る圧力センサモジュール２４０も、ダイアフラム部やゲージ抵抗を備えた基体２５０と第三基板（実装基板）２６２との接続部が、基体の一つの角部近傍に集中して配されている。そのため、接続部において発生した応力を直接受ける箇所が、この一つの角部近傍に限定される。
【００９７】
このような作用により、変形例１に係る圧力センサモジュール２４０も、応力を受けた箇所から任意の方向に伸縮することが可能となる。したがって、変形例１に係る圧力センサモジュール２４０も、従来のように実装基板との接続箇所が複数個所配される場合に比べて、伸縮の自由度を増加させることができ、第三基板との接続部において発生する応力を緩和することができる。その結果として、変形例１に係る圧力センサ素子を、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限されにくい構造とすることができる。
【００９８】
＜変形例２＞
第一実施形態に係る圧力センサモジュールの変形例２について、図１４（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。図１４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ、第一実施形態、第一実施形態の変形例２に係る圧力センサモジュールを、第三基板の一面に対して近い側に位置する基体の側面と、遠い側に位置する基体の側面とが交わって形成される、稜線に対向する側から見た平面図である。
【００９９】
第一実施形態の圧力センサモジュール１００は、図１４（ａ）に示すように、圧力センサ素子１２０の基体の一面１１０ａおよび他面１１０ｂが、第三基板の一面１２２ａと垂直をなしていることを想定していた。
【０１００】
これに対し、変形例２の圧力センサモジュール２７０は、図１４（ｂ）に示すように、圧力センサ素子２９０の基体の一面２８０ａ、他面２８０ｂのうち、一方が第三基板２９２の一面２９２ａと鋭角をなし、他方が第三基板の一面２９２ａと鈍角をなしている。基体の一面２８０ａ、他面２８０ｂが第三基板の一面２９２ａとなす角以外の構成は、第一実施形態の構成と同様である。
【０１０１】
つまり、変形例２に係る圧力センサモジュール２７０も、ダイアフラム部やゲージ抵抗を備えた基体２８０と第三基板（実装基板）２９２との接続部が、基体の一つの角部近傍に集中して配されている。そのため、接続部において発生した応力を直接受ける箇所が、この一つの角部近傍に限定される。
【０１０２】
このような作用により、変形例２に係る圧力センサモジュール２７０も、応力を受けた箇所から任意の方向に伸縮することが可能となる。したがって、変形例２に係る圧力センサモジュール２７０も、従来のように実装基板との接続箇所が複数個所配される場合に比べて、伸縮の自由度を増加させることができ、第三基板との接続部において発生する応力を緩和することができる。その結果として、変形例２に係る圧力センサ素子を、実装基板の変形に伴って圧力センサ素子が受ける応力に対して、ダイアフラム部の歪み量が制限されにくい構造とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明は、各種用途の圧力センサとして機能する圧力センサモジュールを搭載した、電子デバイスおよび電子機器に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１０４】
１１、１２、１３、１４・・・板材、１００・・・圧力センサモジュール、
１０１・・・第一基板、１０１ａ、１０２ａ、１１０ａ、１２２ａ・・・一面、
１０１ｂ、１０２ｂ、１１０ｂ・・・他面、１０１Ａ、１０２Ａ・・・中央域、
１０１Ｂ、１０２Ｂ・・・外縁域、１０１Ｃ・・・対角線、１０２・・・第二基板、
１０２C・・・ダイアフラム部、１０２ｂ・・・他面、１０３・・・ゲージ抵抗、
１０４・・・空隙部、１０５、１１３・・・導電部、
１０６、１２３、１２７ａ、１２７ｂ・・・接続部、１０７・・・部位、
１１０・・・基体、１２０・・・圧力センサ素子、１２０ｄ、１２０ｅ・・・側面、
１２１・・・集積回路素子、１２１ａ、１２１ｂ、１２６・・・端子、１２２・・・第三基板、１２２Ｈ・・・貫通孔、１２４接着材料。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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