(57)【要約】【課題】ストリップ陰極電極、ストリップ陽極電極、及びピクセル電極を有するガス増幅を利用した放射線検出器において、ピクセル電極を均一かつ微細に形成して高精細化を図り、放射線検出器の検出感度を増大させる。【解決方法】ステンレス基板の主面上に第１のドライフィルムレジストからなる第１のマスクを形成し、この第１のマスクを介してステンレス基板の主面上に電鋳を行い、第１のマスクの、開口部に相当する箇所に複数の円形状の第１の電鋳膜及び複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を形成する。次いで、ステンレス基板の主面上において第２のドライフィルムレジストを形成し、露光現像処理を行って、複数の円形状の第１の電鋳膜が露出するような複数の円柱状の貫通孔を形成する。その後、複数の円柱状の貫通孔内に、複数の円形状の第１の電鋳膜を介してさらに電鋳を行い、複数の円柱状の貫通孔内に電鋳材を充填する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のステンレス基板を準備する工程と、
前記ステンレス基板の主面上に第１のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、前記ステンレス基板の少なくとも一辺及びこの少なくとも一辺と直交する方向に配列した複数の環状部分、及び前記少なくとも一辺に沿って配列した前記複数の環状部分の、隣接して配列された環状部分同士を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを介して前記ステンレス基板の主面上に電鋳を行い、前記第１のマスクの、前記複数の環状部分の内方に複数の円形状の第１の電鋳膜を形成するとともに、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を、前記第１のマスクの前記環状部分に相当する環状の電鋳膜非形成領域を介して、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を含むようにして複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板の主面上において、前記複数の円形状の第１の電鋳膜及び前記複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を覆うようにして第２のドライフィルムレジストを形成した後、当該第２のドライフィルムレジストに対して露光現像処理を行い、前記複数の円形状の第１の電鋳膜が露出するような複数の円柱状の貫通孔を形成する工程と、
前記複数の円柱状の貫通孔内に、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を介して電鋳を行い、前記複数の円柱状の貫通孔内に電鋳材を充填する工程と、
前記第２のドライフィルムレジストを剥離した後、前記ステンレス基板の主面上に、前記電鋳材の上面が露出するようにして絶縁材を形成する工程と、
前記絶縁材上に第３のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、少なくとも前記ステンレス基板の前記少なくとも一辺と直交する方向に沿って、当該方向に配列した前記複数の電鋳材を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを介してめっき処理を行い、前記絶縁材上に、前記複数の電鋳材の上面と電気的に接触するように形成された複数のストリップ形状のめっき膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板を除去する工程とを具え、
前記複数のストリップ形状の第２の電鋳膜からなる複数のストリップ陰極電極、前記複数のストリップ形状のめっき膜からなる複数のストリップ陽極電極、及び前記複数の電鋳材からなる複数のピクセル電極を含むガス増幅を利用した放射線検出器を製造することを特徴とする、ガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法。
【請求項２】
前記ピクセル電極を構成する前記電鋳材の直径が２０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１に記載のガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス増幅を利用した放射線検出器として、ピクセル型の放射線検出器が用いられてきた。この放射線検出器は、例えば両面プリント基板の主面側の一方の配線層がストリップ陰極電極から構成され、裏面側の他方の配線層がストリップ陽極電極から構成され、ストリップ陰極電極には、一定間隔に開口部が形成されるとともに、開口部の中心には裏面のストリップ陽極電極と接続されている円柱状陽極電極、すなわちピクセル電極が形成されたような構成を採っている。
【０００３】
なお、放射線検出器は、例えばＡｒとエタンとの混合ガス中に配置される。また、ピクセル電極とストリップ陰極電極との間には所定の電圧が印加されている。
【０００４】
上記放射線検出器においては、所定の放射線が検出器内に入射すると、ガスが電離して電子を生成し、この電子は、上記ストリップ陰極電極と上記ピクセル電極との間に印加された高電圧、及び上記ピクセル電極の点電極としての形態（形状異方性）に起因して生成される強力な電場によって、電子雪崩増幅を引き起こす。一方、電子雪崩増幅によって生じた正イオンは、周囲のストリップ陰極電極に向けてドリフトする。
【０００５】
この結果、対象となるストリップ陰極電極及びピクセル電極に、それぞれ正孔と電子とがチャージされる。この電荷が生成されたストリップ陰極電極及びピクセル電極の位置を検出することによって、放射線の検出器における入射位置を特定することができ、放射線の検出が可能となる（特許文献１）。
【０００６】
このようなガス増幅を利用した放射線検出器の検出感度を増大させるためには、上述したストリップ陰極電極、ストリップ陽極電極、及びストリップ陽極電極と接続されているピクセル電極の高精細化を図る必要がある。
【０００７】
特許文献２には、ポリイミド樹脂の両面に銅箔を形成した両面プリント基板を作製した後、この両面プリント基板の裏面側の銅箔をパターニングしてストリップ陽極電極とし、さらに両面プリント基板の主面側から炭酸ガスレーザ光を照射して、主面側の銅箔から裏面側のストリップ陽極電極に至る貫通孔を形成し、さらに貫通孔内に銅めっきを行うことにより、当該貫通孔を銅で充填して上記ピクセル電極を形成し、その後、主面側の銅箔をパターニングしてストリップ陰極電極を形成して、ガス増幅を利用した放射線検出器を製造する技術が開示されている。
【０００８】
しかしながら、この技術では、ピクセル電極を形成するための貫通孔をレーザ光を用いて形成しているため、貫通孔の内壁面が粗れており、めっき法で貫通孔内に銅充填を行う場合において、貫通孔内に均一に銅充填を行うことができない。例えば、貫通孔内で銅が充填されない部分が生じたり、めっきが進行し過ぎて銅が針状に形成されてしまったりする場合があった。さらには、レーザ光のビーム径及び強度が両面プリント基板の主面側から裏面側に至るまでに均一ではないために、貫通孔の孔径が、主面側と裏面側とで異なる場合もある。
【０００９】
このため、均一かつ微細な大きさのピクセル電極を形成することができないという問題が生じ、また、針状に成長した銅は放射線検出器として使用する際の高電圧印加時において、放電の原因となるために、放射線検出器を安定して動作することができないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−６０４７号
【特許文献２】特開２００２−９０４６５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、ストリップ陰極電極、ストリップ陽極電極、及びストリップ陽極電極と接続されているピクセル電極を有するガス増幅を利用した放射線検出器において、特にピクセル電極を均一かつ微細に形成して高精細化を図り、上記放射線検出器の検出感度を増大させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく、本発明は、
板状のステンレス基板を準備する工程と、
前記ステンレス基板の主面上に第１のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、前記ステンレス基板の少なくとも一辺及びこの少なくとも一辺と直交する方向に配列した複数の環状部分、及び前記少なくとも一辺に沿って配列した前記複数の環状部分の、隣接して配列された環状部分同士を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクを介して前記ステンレス基板の主面上に電鋳を行い、前記第１のマスクの、前記複数の環状部分の内方に複数の円形状の第１の電鋳膜を形成するとともに、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を、前記第１のマスクの前記環状部分に相当する環状の電鋳膜非形成領域を介して、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を含むようにして複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板の主面上において、前記複数の円形状の第１の電鋳膜及び前記複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を覆うようにして第２のドライフィルムレジストを形成した後、当該第２のドライフィルムレジストに対して露光現像処理を行い、前記複数の円形状の第１の電鋳膜が露出するような複数の円柱状の貫通孔を形成する工程と、
前記複数の円柱状の貫通孔内に、前記複数の円形状の第１の電鋳膜を介して電鋳を行い、前記複数の円柱状の貫通孔内に電鋳材を充填する工程と、
前記第２のドライフィルムレジストを剥離した後、前記ステンレス基板の主面上に、前記電鋳材の上面が露出するようにして絶縁材を形成する工程と、
前記絶縁材上に第３のドライフィルムレジストを形成した後に、露光現像し、少なくとも前記ステンレス基板の前記少なくとも一辺と直交する方向に沿って、当該方向に配列した前記複数の電鋳材を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させた第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスクを介してめっき処理を行い、前記絶縁材上に、前記複数の電鋳材の上面と電気的に接触するように形成された複数のストリップ形状のめっき膜を形成する工程と、
前記ステンレス基板を除去する工程とを具え、
前記複数のストリップ形状の第２の電鋳膜からなる複数のストリップ陰極電極、前記複数のストリップ形状のめっき膜からなる複数のストリップ陽極電極、及び前記複数の電鋳材からなる複数のピクセル電極を含むガス増幅を利用した放射線検出器を製造することを特徴とする、ガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法に関する。
【００１３】
本発明によれば、ステンレス基板の主面上に、電鋳法を用いて、後にガス増幅を利用した放射線検出器のピクセル電極の一部となる複数の円形状の第１の電鋳膜を形成し、また、これら複数の円形状の第１の電鋳膜をマスク形状に起因した環状の電鋳膜非形成領域を介して含むように、後に複数のストリップ陰極電極となる複数のストリップ形状の第２の電鋳膜を形成している。さらに、上記ステンレス基板の主面上に、上述した複数の第１の電鋳膜及び第２の電鋳膜を覆うようにしてドライフィルムレジストを形成し、このドライフィルムレジストに対して露光現像処理を施し、上記複数の第１の電鋳膜に相当する位置に複数の円柱状の貫通孔を形成し、これら複数の貫通孔に対して電鋳を行って電鋳材で充填するようにしている。また、複数の貫通孔は、ステンレス基板の互いに直交する２つの方向において縦横に形成されているので、上記電鋳材も同様にして形成されることになる。
【００１４】
したがって、電鋳材は、ストリップ陰極電極である複数のストリップ形状の第１の電鋳膜の、上記環状の電鋳膜非形成領域で画定される開口部の中心に位置し、その配列パターンに対して平行かつ直交するように配列されていることからピクセル電極として使用することができる。
【００１５】
また、ドライフィルムレジストに形成した貫通孔は、当該ドライフィルムレジストに対して露光現像処理を行って形成したものである。このようにして形成した貫通孔は、その壁面が平滑であるとともに厚さ方向の径が均一であり、また微細化が容易である。このため、上述のような貫通孔内に電鋳法によって充填した電鋳材は、大きさが均一であるとともに微細なものとすることができる。したがって、本発明によれば、均一かつ微細にピクセル電極を形成することができ、その高精細化を図ることができる。
【００１６】
なお、本発明では、ステンレス基板を用いた電鋳法によって、ピクセル電極を構成する電鋳材の下地膜に相当する第１の電鋳膜及びストリップ陰極電極を構成する第２の電鋳膜を形成している。このため、これら第１の電鋳膜及び第２の電鋳膜は、目的とする形成箇所に極めて高い精度で形成することができる。したがって、第１の電鋳膜を介して形成した電鋳材からなるピクセル電極、及び第２の電鋳膜からなるストリップ陰極電極の位置精度を向上させることもできる。
【００１７】
また、本発明によれば、ガス増幅を用いた放射線検出器において、極めて高い電圧が印加されるピクセル電極及びストリップ陰極電極を、ステンレス基板上に形成することができるので、これらの電極面を十分に平坦化することができる。したがって、高電圧印加時の、電極面に形成された凸部等に基づくアーク放電の発生なども抑制することができる。
【００１８】
なお、ストリップ陽極電極は、上記ピクセル電極（電鋳材）を覆い、かつ上面が露出するようにして絶縁材を形成し、この絶縁材上にドライフィルムレジストを形成した後に露光現像し、上記複数のストリップ形状の第２の電鋳膜と直交するように複数のストリップ形状のめっき膜を形成する。このめっき膜は、ピクセル電極の上面と電気的に接触するので、ガス増幅を用いた放射線検出器のストリップ陽極電極を構成するようになる。
【００１９】
以上のように、本発明によれば、ピクセル電極を均一かつ微細に形成して高精細化を図ることができるので、検出感度の高いガス増幅を利用した放射線検出器を提供することができる。
【００２０】
なお、上記ステンレス基板は、ガス増幅を用いた放射線検出器においては不要な構成要素であるので、放射線検出器を完成させた後に適宜除去する。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、本発明によれば、ストリップ陰極電極、ストリップ陽極電極、及びストリップ陽極電極と接続されているピクセル電極を有するガス増幅を利用した放射線検出器において、特にピクセル電極を均一かつ微細に形成して高精細化を図り、上記放射線検出器の検出感度を増大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図２】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図３】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図４】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図５】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図６】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図７】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図８】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【図９】実施形態におけるガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法における工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の特徴及びその他の利点について、発明を実施するための形態に基づいて説明する。
【００２４】
図１〜図９は、本実施形態のガス増幅を利用した放射線検出器の製造方法における工程図である。なお、これらの図においては、本実施形態における製造方法の特徴を明確にすべく、製造過程にある放射線検出器の一部を拡大して示している。
【００２５】
最初に、図１に示すように、主面及び裏面が矩形状（長方形あるいは正方形）であって、厚さ方向に垂直な断面積が均一な板状、すなわち四角柱形状のステンレス基板１１を準備する。このステンレス基板１１は、汎用のステンレス材から構成することができ、例えばＪＩＳで規定された任意のＳＵＳ材から構成することができる。
【００２６】
次いで、図２に示すように、ステンレス基板１１の裏面側に保護フィルム１２を貼付した後、ステンレス基板１１の主面側にドライフィルムレジストを形成して露光現像処理を施し、ステンレス基板１１の互いに平行であって相対向する一対の辺１１Ａ，１１Ｂ、及びこれらの辺と直交する辺１１Ｃに沿って配列した複数の環状部分、及び一対の辺１１Ａ，１１Ｂに沿って配列され、当該方向において複数の環状部分を等間隔Ｗで分断するように画定されたストリップ形状部分を覆い、残部を露出させたマスク１３を形成する。
【００２７】
保護フィルム１２は、ステンレス基板１１を以下に説明するような工程に従って加工する際に、ステンレス基板１１の裏面に対する損傷を防止するためのものであり、使用する薬液に対する溶解から保護するためのものである。このような保護フィルム１２としては、ポリイミドフィルムやＰＥＴフィルム等汎用の保護フィルムを用いることもできるし、安価なポリプロピレンフィルム等のようにポリオレフィン系のフィルムを用いることもできる。
【００２８】
但し、ステンレス基板１１が、硬度が高く、その結果、外傷を受けにくく、さらに化学的に安定で薬液に対する耐性も高いようなＳＵＳ材から構成されるような場合は、特に保護フィルム１２を用いる必要はない。
【００２９】
ドライフィルムレジストは、例えば保護フィルム及び支持フィルムで感光性の樹脂層を狭持したような汎用のものを用いることができ、旭化成/SUNFORT、DuPont/MPF、日立化成/ファテック及びニチゴーモートン/NITなどを用いることができる。
【００３０】
次いで、図３に示すように、マスク１３を介してステンレス基板１１の主面上に電鋳を行い、マスク１３の上記複数の環状部分の内方に複数の円形状の第１の電鋳膜１４を形成し、マスク１３の複数の環状部材に相当する環状の電鋳非形成領域を介して、複数の第１の電鋳膜１４を含むようにして複数のストリップ形状の第２の電鋳膜１５を形成する。
【００３１】
なお、複数の第１の電鋳膜１４は後の電鋳処理に対する下地膜として機能し、複数の第１の電鋳膜１４はそのままガス増幅を用いた放射線検出器の複数のストリップ陰極電極を構成するので、電気的良導体の金属、例えば銅、金、銀、アルミニウム等から構成する。しかしながら、一般には安価であって、放射線検出器の電極材料として長年に亘って用いられ、高い信頼性を有する銅から構成する。
【００３２】
また、第１の電鋳膜１４の径ｄ１は、上記電鋳処理を経て形成するピクセル電極の径を画定するものであるので、当該径を考慮して決定するが、通常は数十μｍのオーダである。
【００３３】
ステンレス基板１１の主面及び裏面が長方形あるいは正方形以外の板状であって、相対向する一対の辺１１Ａ、１１Ｂが互いに非平行である場合は、いずれか一方の辺に沿うようにしてマスク１３の複数の環状部分を形成し、複数のストリップ形状部分を形成する。ステンレス基板１１は、後に説明するようにガス増幅を用いた放射線検出器が完成した後は除去するものであるため、上述のようにしてマスク１３を形成し、これに基づいて複数の第１の電鋳膜１４及び複数の第２の電鋳膜１５を形成しても、放射線検出器の動作には何ら影響を及ぼすものではない。
【００３４】
次いで、図４に示すように、ステンレス基板１１の主面上に、複数の第１の電鋳膜１４及び複数の第２の電鋳膜１５を覆うようにしてドライフィルムレジスト１６を形成して露光現像処理を行い、当該ドライフィルムレジスト１６に対して複数の第１の電鋳膜１４が露出するような複数の円柱状の貫通孔１６ｈを形成する。なお、ドライフィルムレジスト１６は、上述した汎用のものから構成する。
【００３５】
なお、ドライフィルムレジスト１６の厚さｔ１は、後に形成するピクセル電極の高さを画定するものであるので、当該高さを考慮して決定するが、通常は数十μｍのオーダである。
【００３６】
また、ドライフィルムレジスト１６の貫通孔１６ｈの径は、第１の電鋳膜１４の径と同様に、後に形成するピクセル電極の径を画定するものであるので、当該径を考慮して決定するが、通常は数十μｍのオーダである。
【００３７】
次いで、図５に示すように、ドライフィルムレジスト１６に形成した複数の円柱状の貫通孔１６ｈに対して電鋳処理を施し、これら貫通孔１６ｈ内にそれぞれ電鋳材１７を充填する。
【００３８】
電鋳材１７は、後にピクセル電極を構成するので、電気的良導体の金属、例えば銅、金、銀、アルミニウム等から構成する。しかしながら、一般には安価であって、放射線検出器の電極材料として長年に亘って用いられ、高い信頼性を有する銅から構成する。
【００３９】
次いで、図６に示すように、ドライフィルムレジスト１６を剥離して複数の電鋳材１７を露出させた後、図７に示すように、ステンレス基板１１上に、露出した複数の電鋳材１７の上面が露出するようにして絶縁材１８を形成する。
【００４０】
絶縁材１８は、後に放射線検出器のストリップ陽極電極及びストリップ陰極電極間を電気的に絶縁する絶縁層となるものであり、エポキシ樹脂を主成分とするポッティングレジンやトランスファーモールドレジン、さらには液状封止材、一括封止成形用テープ及び高耐熱コーティング材等のモールド樹脂を形成、又はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂のシート状のプリプレグを貼付することによって形成する。なお、絶縁材１８の厚さｔ２は、通常は数十μｍから数百μｍのオーダである。
【００４１】
なお、上述のようにして形成した絶縁材１８は、必要に応じてプラズマ照射や加熱することによって乾燥させる。また、絶縁材１８の表面が凸凹であって、１０μｍオーダの表面粗さを有しているような場合は、適宜研磨処理を行って平滑にする。一方、絶縁材１８の表面には再度ドライフィルムレジストを形成するので、当該ドライフィルムレジストと絶縁材１８との密着性が向上するように、例えば絶縁材１８の表面を表面粗さが１μｍ程度となるように粗化処理を行ってもよい。
【００４２】
次いで、図８に示すように、絶縁材１８上に、上記同様にしてドライフィルムレジストを形成した後、露光現像処理を施し、ステンレス基板１１の、一対の辺１１Ａ，１１Ｂと直交する辺１１Ｃの方向に沿って、当該方向に配列された複数の電鋳材１７を等間隔で分断するように画定されたストリップ形状部分、及び辺１１Ｂ側の縁部を覆い、残部を露出させたマスク１９を形成する。
【００４３】
次いで、マスク１９を介してめっき処理を行い、絶縁材１８上に、複数の電鋳材１７の上面と電気的に接触し、辺１１Ｃに沿って複数のストリップ形状の第３のめっき膜２１を形成する。なお、マスク１９は第３のめっき膜２１の形成後に除去する（図９参照）。
【００４４】
複数のストリップ形状のめっき膜２１はそのまま複数のストリップ陽極電極２１を構成し、上述したように、複数のストリップ形状の第２の電鋳膜１５は複数のストリップ陰極電極を構成する。また、複数の電鋳材１７は複数のピクセル電極２４を構成する。さらに、絶縁材１８は、複数のストリップ陽極電極２１と複数のストリップ陰極電極２３とを電気的に絶縁する絶縁層２２を構成する。この結果、目的とするガス増幅を用いた放射線検出器２０を得ることができる。
【００４５】
なお、放射線検出器２０を形成した後は、ステンレス基板１１を機械的に研削（例えばグラインダーによる研削等）及び化学的に研削（ＣＭＰによる研削等）によって除去する。
【００４６】
本実施形態では、ステンレス基板１１の主面上に、電鋳法を用いて、後にガス増幅を利用した放射線検出器２０のピクセル電極２４の一部となる複数の円形状の第１の電鋳膜１４を形成し、さらに、これら複数の円形状の第１の電鋳膜１４をマスク形状に起因した環状の電鋳膜非形成領域を介して含むように、後に複数のストリップ陰極電極２３となる複数のストリップ形状の第２の電鋳膜１５を形成している。
【００４７】
また、ステンレス基板１１の主面上に、複数の第１の電鋳膜１４及び第２の電鋳膜１５を覆うようにしてドライフィルムレジスト１６を形成し、このドライフィルムレジスト１６に対して露光現像処理を施し、複数の第１の電鋳膜１４に相当する位置に複数の円柱状の貫通孔１６ｈを形成し、これら複数の貫通孔１６ｈに対して電鋳処理を施して電鋳材１７で充填するようにしている。
【００４８】
また、ドライフィルムレジスト１６に形成した貫通孔１６ｈは、当該ドライフィルムレジスト１６に対して露光現像処理を行って形成したものである。このようにして形成した貫通孔１６ｈは、その壁面が平滑であるとともに厚さ方向の径が均一であり、また微細化が容易である。このため、上述のような貫通孔１６ｈ内に電鋳処理によって充填した電鋳材１７は、大きさが均一であるとともに微細なものとすることができる。このため、本実施形態によれば、均一かつ微細にピクセル電極を形成することができ、その高精細化を図ることができる。この結果、放射線検出器２０の検出感度を向上させることができる。
【００４９】
なお、本実施形態では、ステンレス基板を用いた電鋳法によって、ピクセル電極２４を構成する電鋳材１７の下地膜に相当する第１の電鋳膜１４及びストリップ陰極電極を構成する第２の電鋳膜１５を形成している。このため、これら第１の電鋳膜１４及び第２の電鋳膜１５は、目的とする形成箇所に極めて高い精度で形成することができる。したがって、第１の電鋳膜１４を介して形成した電鋳材１７からなるピクセル電極２４、及び第２の電鋳膜１５からなるストリップ陰極電極２３の位置精度を向上させることもできる。
【００５０】
また、本実施形態によれば、ガス増幅を用いた放射線検出器において、極めて高い電圧が印加されるピクセル電極２４及びストリップ陰極電極２３を、ステンレス基板１１の主面上に形成することができるので、これらの電極面を十分に平坦化することができる。したがって、高電圧印加時の、電極面に形成された凸部等に基づくアーク放電の発生なども抑制することができる。
【００５１】
なお、ピクセル電極２４は、その径が３０μｍ以下であって、高さが５０μｍ以上の微細かつ高アスペクト比のピクセル電極として形成することができる。なお、ピクセル電極２４の径の下限値は、ドライフィルムレジスト１６に対する露光現像処理における光の回折限界によって決定されるものであり、使用する光源の波長に依存する。現状では、その下限値は１５μｍ程度である。一方、ピクセル電極２４を高精度に形成するための高さの限界は、使用する光源の強度及びドライフィルムレジスト１６の材料組成に依存するが、例えば１００μｍ程度である。
【００５２】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１１  板状のステンレス基板
１２  保護フィルム
１３  ドライフィルムレジストのマスク
１４  （円形状の）第１の電鋳膜
１５  （ストリップ形状の）第２の電鋳膜
１６  ドライフィルムレジスト
１６ｈ  円柱状の貫通孔
１７  電鋳材
１８  絶縁材
１９  ドライフィルムレジストのマスク
２０  ガス増幅を用いた放射線検出器
２１  ストリップ陽極電極
２２  絶縁層
２３  ストリップ陰極電極
２４  ピクセル電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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