(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置１００の製造方法、液晶装置１００、及び電子機器を提供する。【解決手段】第１基材１０ａ上に第１絶縁膜１２ａを形成する工程と、第１絶縁膜１２ａの上面に研磨処理を施して第１平坦化膜１２ａを形成する工程と、第１平坦化膜１２ａ上に第１平坦化膜１２ａの形成時の流動性より高い第２絶縁膜１２ｂを形成する工程と、第２絶縁膜１２ｂ上に画素電極２７を形成する工程と、を有する。【選択図】図７
2014092693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素に対応するスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、
前記スイッチング素子の上方に、第１絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記第１絶縁膜の上面に研磨処理を施して第１平坦化膜を形成する第１平坦化膜形成工
程と、
前記第１平坦化膜上に、前記第１絶縁膜の形成時の流動性より高い第２絶縁膜を形成す
る第２絶縁膜形成工程と、
前記第２絶縁膜上に反射膜を形成する反射膜形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２絶縁膜と前記反射膜との間における前記第２絶縁膜の上面に、前記第２絶縁膜
より透湿性の低い第３絶縁膜を形成する第３絶縁膜形成工程を有することを特徴とする電
気光学装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記反射膜が設けられた前記第３絶縁膜上の全体に、第４絶縁膜を形成する第４絶縁膜
形成工程と、
前記第４絶縁膜上に、前記第４絶縁膜より透湿性の低い第５絶縁膜を形成する第５絶縁
膜形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜は、ＮＳＧであり、
前記第２絶縁膜は、ＢＰＳＧであり、
前記第３絶縁膜は、ＮＳＧであり、
前記第４絶縁膜は、ＳｉＯ2であり、
前記第５絶縁膜は、ＳｉＮであることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に設けられ、前記第１絶縁膜の上面に形成された研磨傷を埋めると共
に、上面が平坦になった第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に設けられた反射膜と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記第２絶縁膜と前記反射膜との間における前記第２絶縁膜の上面に、前記第２絶縁膜
より透湿性の低い第３絶縁膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置であって、
前記反射膜が設けられた前記第３絶縁膜上の全体に設けられた第４絶縁膜と、
前記第４絶縁膜上に設けられた、前記第４絶縁膜より透湿性の低い第５絶縁膜と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子として
トランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶
装置は、例えば、直視型ディスプレイやライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
また、液晶装置には、画素電極に反射性の材料を用いて、入射した光を反射させる反射
型の液晶装置がある。この液晶装置は、反射率を向上させるために、画素電極の下層に設
けられた絶縁膜の表面が平坦化されていることが重要である。
【０００４】
例えば、特許文献１には、画素電極の下層に形成された絶縁膜に研磨処理を施し、絶縁
膜の表面を平坦化する技術が開示されている。また、特許文献２には、ＢＰＳＧに熱処理
を施して表面を平坦化させた後、ＣＭＰ処理を施して平坦化する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７２６６１号公報
【特許文献２】特開２００１−１４４０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、絶縁膜の表面に研磨処理を施した際、絶
縁膜の表面に研磨傷（スクラッチ傷）がつくことがあり、この傷に起因して画素電極の平
坦性が悪くなり、反射率の向上が不十分という課題がある。
【０００７】
また、特許文献２に記載の方法では、表面を平坦化できるほどの熱（７００℃〜８００
℃程度）を加えると、ＢＰＳＧの下層に設けられたアルミニウム配線がダメージを受ける
恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以
下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、画素に対応するスイッチング
素子を形成するスイッチング素子形成工程と、前記スイッチング素子の上方に、第１絶縁
膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１絶縁膜の上面に研磨処理を施して第１平坦
化膜を形成する第１平坦化膜形成工程と、前記第１平坦化膜上に、前記第１絶縁膜の形成
時の流動性より高い第２絶縁膜を形成する第２絶縁膜形成工程と、前記第２絶縁膜上に反
射膜を形成する反射膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、第１平坦化膜上に流動性の高い第２絶縁膜を形成するので、第１絶
縁膜に研磨処理を施した際に研磨傷（スクラッチ傷）が発生した場合でも、第１絶縁膜の
形成工程と比べて、成膜時の流動性（埋め込み性）の高い膜、すなわち埋め込み性の高い
材料又は埋め込み性の高い成膜方法で第２絶縁膜を形成することによって、研磨傷を埋め
ることができる。更に、第２絶縁膜は流動性が高いので、第２絶縁膜の上面も研磨傷をそ
のまま反映せずに第１平坦化膜の上面より平坦化することができる。よって、第２絶縁膜
上に形成された反射膜の平坦性を確保することが可能となり、乱反射を低減して正反射率
を向上させることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２絶縁膜と前
記反射膜との間における前記第２絶縁膜の上面に、前記第２絶縁膜より透湿性の低い第３
絶縁膜を形成する第３絶縁膜形成工程を有することが好ましい。
【００１２】
本適用例によれば、第２絶縁膜上に透湿性の低い第３絶縁膜を形成するので、例えば、
第２絶縁膜からの水分が反射膜を腐蝕させたり、例えば、電気光学層（液晶層）に影響を
及ぼしたりすることを抑えることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射膜が設けら
れた前記第３絶縁膜上の全体に、第４絶縁膜を形成する第４絶縁膜形成工程と、前記第４
絶縁膜上に、前記第４絶縁膜より透湿性の低い第５絶縁膜を形成する第５絶縁膜形成工程
と、を有することが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、反射膜が設けられた第３絶縁膜上の全体に第４絶縁膜及び第５絶縁
膜を形成するので、例えば、反射膜の下層に反射膜と接続されるコンタクトホールを形成
した場合でも、コンタクトホールを埋めるように第４絶縁膜及び第５絶縁膜を積層するの
で、コンタクトホールを介して水分が外部に出ることを抑えることができる。加えて、第
４絶縁膜及び第５絶縁膜によって増反射膜を構成することが可能となり、反射性能を向上
させることができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１絶縁膜は、
ＮＳＧであり、前記第２絶縁膜は、ＢＰＳＧであり、前記第３絶縁膜は、ＮＳＧであり、
前記第４絶縁膜は、ＳｉＯ2であり、前記第５絶縁膜は、ＳｉＮであることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、水分を含みやすいＢＰＳＧをＮＳＧで覆うことで電気光学層（液晶
層）への悪影響を抑制でき、更にＳｉＯ2とＳｉＮとによって、増反射構造を形成するこ
とができる。
【００１７】
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置は、基板上に設けられた第１絶縁膜と、前記
第１絶縁膜上に設けられ、前記第１絶縁膜の上面に形成された研磨傷を埋めると共に、上
面が平坦になった第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜上に設けられた反射膜と、を備えること
を特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、第１平坦化膜に形成された研磨傷が第２絶縁膜によって埋められ、
更に第２絶縁膜の上面が平坦になっているので、第２絶縁膜上に形成された反射膜の平坦
性を確保することが可能となり、反射率を向上させることができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２絶縁膜と前記反射膜と
の間における前記第２絶縁膜の上面に、前記第２絶縁膜より透湿性の低い第３絶縁膜が設
けられていることが好ましい。
【００２０】
本適用例によれば、水分を通しやすい第２絶縁膜上に、第２絶縁膜より水分を通しにく
い第３絶縁膜が設けられているので、例えば、第２絶縁膜からの水分が反射膜を腐蝕させ
たり、液晶層に悪影響を及ぼしたりすることを抑えることができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射膜が設けられた前記第
３絶縁膜上の全体に設けられた第４絶縁膜と、前記第４絶縁膜上に設けられた、前記第４
絶縁膜より透湿性の低い第５絶縁膜と、を備えることが好ましい。
【００２２】
本適用例によれば、反射膜が設けられた第３絶縁膜上の全体に第４絶縁膜及び第５絶縁
膜を設けるので、例えば、反射膜の下層に反射膜と接続されるコンタクトホールを形成し
た場合でも、コンタクトホールを埋めるように第４絶縁膜及び第５絶縁膜を設けるので、
コンタクトホールを介して水分が外部に出ることを抑えることができる。加えて、第４絶
縁膜及び第５絶縁膜によって増反射膜を構成することが可能となり、反射性能を向上させ
ることができる。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特
徴とする。
【００２４】
本適用例によれば、上記した電気光学装置を備えているので、輝度やコントラストなど
の表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図６】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図８】液晶装置を備えた電子機器の構成を示す模式図。
【図９】第２実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図。
【図１０】図９に示す液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図
面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示してい
る。
【００２７】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接する
ように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基
板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表す
ものとする。
【００２８】
本実施形態では、電気光学装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Tran
sistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を
例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）
の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２９】
（第１実施形態）
＜電気光学装置としての液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−
Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図であ
る。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００３０】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板
１０および対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する
。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ（基板）、および対向基板２０を構成する第２
基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、又はシリコン基板が用い
られている。
【００３１】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配
置されたシール材１４を介して接合されている。その隙間に正または負の誘電異方性を有
する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は
紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の
基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３２】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅ（表示領域）が設けられ
ている。画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むよう
に配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが
、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリ
ックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３３】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２
２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と画素
領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向
する他の２辺部に沿ったシール材１４と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けら
れている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間に
は、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３４】
対向基板２０側における額縁状に配置されたシール材１４の内側には、同じく額縁状に
遮光部１８（見切り部）が設けられている。遮光部１８は、例えば、遮光性の金属あるい
は金属酸化物などからなり、遮光部１８の内側が複数の画素Ｐを有する画素領域Ｅとなっ
ている。なお、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的
に区分する遮光部が設けられている。
【００３５】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って
配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ
方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明
する。なお、検査回路２５の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路２２に沿ったシ
ール材１４と画素領域Ｅとの間に設けてもよい。
【００３６】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられ
た光反射性を有する画素電極２７（反射膜）およびスイッチング素子である薄膜トランジ
スター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配
線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３７】
画素電極２７は、光反射性の例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）またはこれらの
金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成することができる。また、ＴＦＴ３０にお
ける半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用
されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、信
号配線、配向膜２８を含むものである。
【００３８】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光部１８と、これを覆うように成膜された
平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を
覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも遮光部
１８、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３９】
遮光部１８は、図１に示すように、画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動
回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基
板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光に
よって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅ
に入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保してい
る。
【００４０】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光
部１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例え
ばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げら
れる。
【００４１】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦
化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２
６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４２】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１０
０の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、そ
の表面をラビングすることにより、正の誘電異方性を有する液晶分子に対して略水平配向
処理が施された有機配向膜や、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機
材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜
が挙げられる。本実施形態では、配向膜２８，３２として上記無機配向膜が採用されてい
る。
【００４３】
このような液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマ
リーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が
採用される。光学設計に応じて、光の入射側（射出側）に偏光素子が配置されて用いられ
る。
【００４４】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁され
て直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査
線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４５】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された
領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの
画素回路を構成している。
【００４６】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデ
ータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は
、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されてい
る。
【００４７】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動
回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａ
は、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給さ
れる走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４８】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に
線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごと
に供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣ
ｍを所定のタイミングで供給する。
【００４９】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入
力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ
１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、
画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画
素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持され
る。
【００５０】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電
極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１
６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている
。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５１】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参
照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、
明示可能な尺度で表されている。
【００５２】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の素子基板１０と、これ
に対向配置される他方の対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材
１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英
基板等によって構成されている。
【００５３】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが
形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素
の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能する
ようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からな
る下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５４】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０
は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からな
る半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁
膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記し
たように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５５】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されるこ
とにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チ
ャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域
３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを
備えている。
【００５６】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされて
いる。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等
のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴと
して形成されている。
【００５７】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等から
なる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１
６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及
び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと
、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜
１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５８】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ
（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なく
とも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層した
もの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５９】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素
電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、
金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画
素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継配線５５、コ
ンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極
側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６０】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。
データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタク
トホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（
ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６１】
データ線６ａ上には、第１平坦化膜１２ａ（第１絶縁膜）、第２絶縁膜１２ｂ、及び第
３絶縁膜１２ｃが順に積層されている。なお、これら３つの絶縁膜をまとめて平坦化膜１
２と称する。第１平坦化膜１２ａの材料は、例えば、ＮＳＧ（Nondoped Silicate Glass
）である。第２絶縁膜１２ｂの材料は、例えば、ＢＰＳＧ（Boron Phosphorus Silicon G
lass）である。第３絶縁膜１２ｃの材料は、例えば、ＮＳＧである。
【００６２】
ＢＰＳＧにおけるボロン（Ｂ）の含有量は、例えば、１〜５ｗｔ％である。ＢＰＳＧに
おけるリン（Ｐ）の含有量は、例えば、３〜６ｗｔ％である。
【００６３】
第３絶縁膜１２ｃ上には、画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、平坦化膜
１２及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、
中継配線５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画
素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、
画素電極２７の材料は、上記したように、光反射性を有するアルミニウムで構成されてい
る。
【００６４】
画素電極２７が設けられた第３絶縁膜１２ｃ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの
無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４
（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられて
いる。
【００６５】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向
電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着
した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜か
らなる。
【００６６】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２に
よって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれら
の周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり
、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペー
サーが混入されている。
【００６７】
＜液晶装置の製造方法＞
図５は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図６及び図７は、
液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製
造方法を、図５〜図７を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、第１基材１０ａか
ら第２層間絶縁層１１ｃまでを第１基材１０ａと称して説明する。
【００６８】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。ステップＳ１１では、ガラス基板など
からなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０等を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フ
ォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０など
を形成する。
【００６９】
ステップＳ１２では、ＴＦＴ３０上に平坦化膜１２を形成する。具体的には、図６を参
照しながら説明する。まず、図６（ａ）に示す工程（第１絶縁膜形成工程）では、ＴＦＴ
３０などが設けられた第１基材１０ａ上の全体に第１絶縁膜１２ａを成膜する。第１絶縁
膜１２ａとしては、ＮＳＧである。第１絶縁膜１２ａは、例えば、テトラエトキシシラン
と酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、或いは、シラ
ンガスと亜酸化窒素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、
により形成される。第１絶縁膜１２ａの厚みは、例えば、１０００ｎｍ〜１５００ｎｍで
ある。第１絶縁膜１２ａの表面は、下層に形成されたＴＦＴ３０、配線層などに起因して
凹凸になっている。凹部の表面高さと凸部の表面高さの差さは、例えば、５００ｎｍであ
る。
【００７０】
次に、図６（ｂ）に示す工程（平坦化工程）では、第１絶縁膜１２ａの表面に研磨処理
を施す。研磨処理としては、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理が挙げられ
る。なお、平坦化処理後の第１絶縁膜１２ａを第１平坦化膜１２ａと称する。第１平坦化
膜１２ａの厚みは、例えば、５００ｎｍ〜７００ｎｍである。これにより、第１平坦化膜
１２ａの表面が平坦化される。しかし、ＴＦＴ３０などに起因した凹凸やウエハ全体での
膜厚ばらつきは軽減されるものの、第１平坦化膜１２ａの表面には、研磨処理のときに用
いた研磨剤などによって、ひっかき傷のような窪み（スクラッチ傷４１）が形成される場
合がある。スクラッチ傷４１の深さは、例えば、２０ｎｍ〜３０ｎｍであり、ＴＦＴ３０
などに起因した凹凸より小さい。
【００７１】
次に、図６（ｃ）に示す工程（第２絶縁膜形成工程）では、第１平坦化膜１２ａ上に第
２絶縁膜１２ｂを成膜する。第２絶縁膜１２ｂの材料は、例えば、ＢＰＳＧである。成膜
方法としては、例えば、テトラエトキシシランとＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート
）とＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）と酸素ガスとを用いた常圧ＣＶ
Ｄ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、或いは、シランガスとジボランガスとフォス
ヒンガスと亜酸化窒素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等
、により形成される。第２絶縁膜１２ｂの厚みとしては、例えば、１００ｎｍ〜２００ｎ
ｍである。第２絶縁膜１２ｂの成膜温度は、例えば、４００℃である。成膜時のＢＰＳＧ
は、成膜時のＮＳＧと比較して流動性が高い材料なので、前工程で生じたＣＭＰ研磨によ
るスクラッチ傷４１を埋めることができ、その結果、表面を平坦化することができる。
【００７２】
次に、図７（ｄ）に示す工程（第３絶縁膜形成工程）では、第２絶縁膜１２ｂ上に第３
絶縁膜１２ｃを成膜する。第３絶縁膜１２ｃとしては、第２絶縁膜１２ｂより透湿性の低
い材料、例えば、ＮＳＧが用いられる。第３絶縁膜１２ｃの厚みとしては、例えば、３５
ｎｍ〜５０ｎｍである。ここで用いるＮＳＧからなる第３絶縁膜１２ｃは、ＢＰＳＧによ
って吸収された水分が外部に放出されることを防ぐ（及び、水分の浸入を防止する）、キ
ャップ層の役割を果たす。なお、ＮＳＧは、ＢＰＳＧより流動性が低いが、既に平坦化さ
れたＢＰＳＧ上に下地のＮＳＧより薄く積んでいるので、平坦性の観点で問題ない。
【００７３】
次に、ステップＳ１３（図７（ｅ））では、第３絶縁膜１２ｃ上に画素電極２７を形成
する（反射膜形成工程）。具体的には、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエ
ッチング技術を用いて、第３絶縁膜１２ｃ上に画素電極２７を形成する。このように、第
１平坦化膜１２ａから第３絶縁膜１２ｃを形成することにより、画素電極２７の下層の表
面を平坦化できるので、画素電極２７の平坦性を確保することが可能となり、反射率を向
上させることができる。なお、反射率は、乱反射を含まない。また、第３絶縁膜１２ｃは
、図７（ｅ）に示すように、オーバーエッチされても、防湿性が保たれる膜厚となってい
る。
【００７４】
ステップＳ１４では、画素電極２７が設けられた第３絶縁膜１２ｃ上の全体に配向膜２
８を形成する。具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着法を用
いて形成する。以上により、素子基板１０側が完成する。
【００７５】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板
等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術
及びエッチング技術を用いて、対向電極３１（共通電極）を形成する。
【００７６】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に配向膜３２を形成する。配向膜３２の製造方法
は、例えば、素子基板１０側の配向膜２８と同様の方法を用いて形成する。以上により、
対向基板２０側が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を
説明する。
【００７７】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば
、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させ
て、素子基板１０における画素領域Ｅの周縁部に（画素領域Ｅを囲むように）、一筆書き
で切れ目なくシール材１４を塗布する。
【００７８】
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外
線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また
、シール材１４には、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャッ
プ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれ
ている。
【００７９】
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶を滴下する。具体的には、各シ
ール材１４で囲まれた領域に液晶を滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下す
る方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶
は、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望まし
い。
【００８０】
ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素
子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わ
せる。より具体的には、互いの基板１０，２０の平面的な縦方向や横方向の位置精度を確
保しながら行う。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８１】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した液晶装置を備えた電子機器（反射型の投射型表示装置：液晶プロジェ
クター）の構成を示す模式図である。以下、電子機器の構成について、図８を参照しなが
ら説明する。
【００８２】
図８に示すように、本実施形態の電子機器としての液晶プロジェクター１５００は、シ
ステム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー
１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変
調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイ
クロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８３】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプ
ユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから
概略構成されている。
【００８４】
偏光照明装置１１００から射出された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロ
イックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子として
のダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光（Ｒ）を反射する。
もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のう
ち緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを反射する。
【００８５】
反射した赤色光（Ｒ）は反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１
２５０に入射する。一方、反射した緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とは反射ミラー１１１４
により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイ
クロイックミラー１１１５は緑色光（Ｇ）を反射し、青色光（Ｂ）を透過する。反射した
緑色光（Ｇ）は液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光（Ｂ）は液晶ライ
トバルブ１２７０に入射する。
【００８６】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子として
のワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。
【００８７】
液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色
光（Ｒ）がクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射するように配置
されている。また、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４
が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光（Ｒ）の入射側に配置され、もう１つの補助
偏光板１２５５が赤色光（Ｒ）の射出側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６
の入射面に沿って配置されている。なお、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッター
を用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略することも可能である。
【００８８】
このような反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の
液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００８９】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づ
いて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してク
ロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０
６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３
００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９０】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液
晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上記実施形態における液晶装置１００が適
用されている。
【００９１】
このような液晶プロジェクター１５００によれば、反射型の液晶装置１００を液晶ライ
トバルブ１２５０，１２６０，１２７０に用いているので、輝度やコントラストを向上さ
せることが可能な反射型の液晶プロジェクター１５００を提供できる。
【００９２】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、
ＤＬＰ方式のプロジェクター、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（El
ectrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピュー
ター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機
器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９３】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００、液晶装置１００の製造方法、及
び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９４】
（１）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法、及び液晶装置１００によれば、第１
平坦化膜１２ａ上に成膜時の流動性が高い第２絶縁膜１２ｂを形成するので、第１平坦化
膜１２ａにＣＭＰ研磨処理を施した際に研磨傷（スクラッチ傷４１）が発生した場合でも
、流動性の高い第２絶縁膜１２ｂによって、研磨傷を埋めることができる。更に、第２絶
縁膜１２ｂは成膜時の流動性が高いので、第２絶縁膜１２ｂの上面も平坦化することがで
きる。よって、第２絶縁膜１２ｂ上に形成された画素電極２７の平坦性を確保することが
可能となり、反射率を向上させることができる。加えて、輝度やコントラストを向上させ
ることができる。
【００９５】
（２）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法、及び液晶装置１００によれば、第２
絶縁膜１２ｂ上に透湿性の低い第３絶縁膜１２ｃを形成するので、例えば、第２絶縁膜１
２ｂからの水分が、画素電極２７を腐蝕させたり、液晶層１５に悪影響を及ぼしたりする
ことを抑えることができる。
【００９６】
（３）第１実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、
輝度やコントラストなどの表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することが
できる。
【００９７】
（第２実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図９は、第２実施形態の液晶装置の構成を示す模式断面図である。図１０は、図９に示
す液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大断面図である。以下、第２実施形態の液晶装置の構
成について、図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００９８】
第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態のように第２層間絶縁層１１ｃ上に３
層からなる平坦化膜１２が設けられていることに加えて、コンタクトホールＣＮＴ５２，
５３を介して水分が液晶層１５に侵入することを防止するために、画素電極２７上に２層
の絶縁膜４５，４６を設けている部分が異なっている。その他の構成については概ね同様
である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、
その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９９】
第２実施形態の液晶装置２００は、第１実施形態と同様に、第２層間絶縁層１１ｃ上に
、第１平坦化膜１２ａ、第２絶縁膜１２ｂ、及び第３絶縁膜１２ｃが設けられている。ま
た、第３絶縁膜１２ｃ上には、反射性を有する画素電極２７が設けられている。第２実施
形態の特徴として、この画素電極２７上に２層の絶縁膜４５，４６が設けられている。こ
れら２層の絶縁膜４５，４６及び第３絶縁膜１２ｃ上には、配向膜２８が設けられている
。
【０１００】
具体的には、図１０に示すように、第１平坦化膜１２ａ、第２絶縁膜１２ｂ、及び第３
絶縁膜１２ｃを貫通するようにコンタクトホールＣＮＴ５３が設けられている。画素電極
２７は、コンタクトホールＣＮＴ５３を介して中継配線５５と電気的に接続されている。
【０１０１】
画素電極２７を構成するアルミニウム膜は、平坦化膜１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ）
を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５３の内壁に沿うように、更に中継配線５５の表面を
沿うように形成されている。
【０１０２】
更に、アルミニウム膜を覆うように、酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなる第４絶縁膜４
５、及び窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる第５絶縁膜４６が積層された絶縁膜４７を形成
する（第４絶縁膜形成工程、第５絶縁膜形成工程）。なお、第５絶縁膜４６（窒化シリコ
ン）は、第４絶縁膜４５（酸化シリコン）より透湿性が低い。第４絶縁膜４５及び第５絶
縁膜４６の厚みとしては、例えば、６５ｎｍ〜９５ｎｍである。なお、第５絶縁膜４６上
には、図示しない酸化シリコンからなる絶縁膜が形成されている。
【０１０３】
このように、コンタクトホールＣＮＴ５３を形成すると、ＢＰＳＧからなる第２絶縁膜
１２ｂがむき出しになる。これにより、ＢＰＳＧからなる第２絶縁膜１２ｂから水分が染
み出し、コンタクトホールＣＮＴ５３を介して水分が液晶層１５に浸入する恐れがある。
しかし、画素電極２７上及びコンタクトホールＣＮＴ５３内に絶縁膜４７を積層する。そ
の結果、コンタクトホールＣＮＴ５３内に露出する第２絶縁膜１２ｂを２層の絶縁膜４５
，４６で覆うので、水分が液晶層１５に浸入することを抑えることができる。
【０１０４】
更に、反射性を有する画素電極２７上に酸化シリコンからなる第４絶縁膜４５と窒化シ
リコンからなる第５絶縁膜４６とを積層させることにより、特定の波長域で反射率を上げ
ることが可能となり、その結果、反射性を向上させることができる（増反射効果）。なお
、１００ｎｍより厚くすると、増反射する部分、及び減反射する部分が出てくるので、１
００ｎｍを超えない程度の膜厚であることが好ましい。
【０１０５】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００の製造方法、及び液晶装置２００
によれば、上記に記載の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０６】
（４）第２実施形態の液晶装置２００の製造方法、及び液晶装置２００によれば、画素
電極２７が設けられた第３絶縁膜１２ｃ上の全体に第４絶縁膜４５及び第５絶縁膜４６を
形成するので、例えば、画素電極２７の下層に画素電極２７と接続されるコンタクトホー
ルＣＮＴ５３を形成した場合でも、コンタクトホールＣＮＴ５３を埋めるように第４絶縁
膜４５及び第５絶縁膜４６を積層するので（特に、ＳｉＮからなる第５絶縁膜４６）、コ
ンタクトホールＣＮＴ５３を介して水分が液晶層１５に出ることを抑えることができる。
加えて、第４絶縁膜４５及び第５絶縁膜４６によって増反射膜を構成することが可能とな
り、反射性能を向上させることができる。
【０１０７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明
細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、
本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施すること
もできる。
【０１０８】
（変形例１）
上記したように、反射型の液晶装置１００，２００に本発明を適用することに限定され
ず、例えば、半透過半反射型の液晶装置に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、
１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶
縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１２…平坦化膜、１２ａ…第１平坦化膜（第１絶縁膜）、
１２ｂ…第２絶縁膜、１２ｃ…第３絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量
素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光部
、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路
、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…反射膜としての画素電極、２８，３２…配
向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…
画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極
、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対
向電極、３３…平坦化層、４１…スクラッチ傷、４５…第４絶縁膜、４６…第５絶縁膜、
４７…絶縁膜、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継配線、６
１…外部接続用端子、１００，２００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００
…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１
０３…偏光変換素子、１１１１，１１１２，１１１５…ダイクロイックミラー、１１１３
，１１１４…反射ミラー、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レ
ンズ、１２５０，１２６０，１２７０…液晶ライトバルブ、１２５１，１２６１，１２７
１…液晶パネル、１２５３，１２６３，１２７３…ワイヤーグリッド偏光板、１２５４，
１２５５…補助偏光板、１３００…スクリーン、１５００…液晶プロジェクター。
【図１】
2014092693.tif 000003
【図２】
2014092693.tif 000004
【図３】
2014092693.tif 000005
【図４】
2014092693.tif 000006
【図５】
2014092693.tif 000007
【図６】
2014092693.tif 000008
【図７】
2014092693.tif 000009
【図８】
2014092693.tif 000010
【図９】
2014092693.tif 000011
【図１０】
2014092693.tif 000012