(57)【要約】【課題】  台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  第１接着剤層と第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、接着シートの周辺部が第１接着剤層により形成されており、周辺部よりも内側の中央部が、第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、接着シート上に、配線を形成する工程と、配線にワークを実装する工程と、実装の後、ワーク側から、接着シートの中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、台座から分離する工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】  図１
2014072440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法に使用される接着シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、及び、接着シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、台座上にデバイスを仮固定した後、デバイスに対して所定の処理を行い、その後、台座を分離するといった工程が行なわれることがある（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【０００３】
特許文献１には、第１基板としてのデバイスウェハと第２基板としてのキャリアー基板とを強い接着結合を形成しない充填層を介して圧着するとともに、充填層の周縁に対して接合素材を充填して硬化することによりエッジボンドを形成して、第１基板と第２基板とを接着する方法が開示されている。特許文献１には、第１基板と第２基板とが接着した状態で希望する処理工程を行い、その後、第１基板と第２基板とを分離することが開示されている。分離においては、まず、エッジボンドを溶媒に溶解するか、レーザー切断した後、低機械力を加えることにより第１基板と第２基板とを分離している。
【０００４】
また、特許文献２には、イミド、アミドイミドおよびアミドイミド−シロキサンのポリマーおよびオリゴマーからなる群の中から選択される、オリゴマーおよびポリマーからなる群の中から選択される化合物を含む接合用組成物層を介して第１の基板と第２の基板とを接合してなる積層体を提供し、前記積層体を、前記接合層を軟化させるのに十分な温度に暴露し、前記第１の基板と前記第２の基板とを分離することを含むウエハの接合方法が開示されている。
【０００５】
一方、従来、チップを外部の配線に接続（実装）する方法として、該チップの電極位置に配線の特定部分を対応させて両者を接続する方法（例えば、フリップチップボンディング）が用いられるようになっている。外部の配線とは、チップと共に封止されるパッケージ用回路基板や、他の素子が多数実装される一般的な回路基板などに形成されている配線等、チップとは別に形成されている配線である。また、チップとパッケージ用回路基板との接続には、インターポーザと称される接点付きのフレキシブル配線回路基板を間に介在させる場合もある。
【０００６】
前記のようなインターポーザなどのフレキシブルな配線回路基板は、そのフレキシブルな性質のために、チップ実装などの製造工程での取り扱い性は良好ではない。よって、従来では、まず、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成して適当な剛性を持った該配線回路基板とし、工程での取り扱い性を改善した状態でチップ実装を行ない、剛体であるチップが実装された後に金属支持基板を除去するといった方法が用いられている。
【０００７】
従来では、上記説明のとおり、金属支持基板上にフレキシブルな配線回路基板を形成し、チップ実装された後に金属支持基板を除去するといった加工を行っている。ここで、金属支持基板と配線回路基板とは、一体不可分な積層体として形成され、チップ実装の後、該金属支持基板を除去する際には、エッチングが用いられている。しかしながら、エッチングによって金属支持基板を除去する工程があるために、レジストの付与と除去など、製造工程が煩雑になっており、製造コストが高くなっていることも問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−５１０５１８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献１で開示されているような充填層及びエッジボンドを利用して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。また、金属支持基板と配線回路基板とを特許文献２で開示されているような接合用組成物層を介して接着し、チップ実装した後に剥離する方法が考えられた。
【００１０】
特許文献１に記載の充填層や特許文献２に記載の接合用組成物層は、溶液状の材料をスピンコート等により一方の基板に塗布して形成されている。しかしながら、接着に必要な厚さ１００μｍ程度の層を塗布により形成すると、一般的に塗布面が荒くなり、所望の接着力が得られない場合があるといった問題がある。また、特に、スピンコートにより塗布する場合、材料の大半は、基板外に飛散するため、材料が無駄になるといった問題がある。また、材料が、接着用の粘度の高いものであるため、飛散した材料によるスピンコーターの汚れを取り除くには、労力を要するといった問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【００１２】
すなわち、第１の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、第２の層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、第２の層のみを介して対向することとなる。その結果、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。なお、本発明において、台座に貼り付けた後の第１接着剤層の接着力、及び、第２の層の接着力とは、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。例えば、台座に貼り付けた後にイミド化や熱硬化等を行なうことにより、第１接着剤層や第２の層の接着力が台座に貼り付ける前後で変化する場合には、台座に貼り付けた後の状態（例えば、イミド化後や熱硬化後）における第１接着剤層や第２の層の、シリコンウェハに対する９０°ピール剥離力をいう。また、本発明において、ワークとは、回路が形成されていないウエハ、回路が形成されているウエハ、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップ（回路が形成されている個片化されたウエハ）を含む。なかでも、本発明のワークは、回路が形成されていない個片化されたウエハ、又は、半導体チップであることが好ましい。なお、回路が形成されていない個片化されたウエハ、及び、半導体チップは、チップ状ワークとも呼ぶ。
【００１４】
また、第２の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１５】
前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、前記第１接着層と前記第２の層との積層部分のみを介して対向することとなる。このとき、前記第１接着剤層が台座に貼り合わせられており、第２の層が配線付きのワークと接している。その結果、分離する工程において、外力により、前記第２の層と前記配線との界面で容易に剥離することができる。従って、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。
【００１６】
また、第３の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１７】
前記構成によれば、接着シートを台座に貼り合わせ、前記台座に貼り合わせ後の前記接着シート上に、配線を形成する。その後、前記配線にワークを実装し、前記実装の後、配線付きのワークを、前記台座から分離する。前記接着シートは、シート状であるため、台座に貼り合わせるだけで簡便に使用することができる。また、シート状の接着シートを用いるため、スピンコートのように材料を無駄にすることが少ない。また、接着シートは、別途準備するため、シート面が均一なものを準備することが可能となる。このように、前記構成によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを前記台座から分離して半導体装置を製造する際、シート状の接着シートを用いるため、材料を無駄にすることなく簡便に当該半導体装置を製造することができる。
また、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されているため、配線上にワークを実装した後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きのワークとは、前記第１接着層と前記第２の層との積層部分のみを介して対向することとなる。従って、分離する工程において、外力により、前記第１接着剤層と前記第２の層との界面、又は、前記第２の層と前記台座との界面で容易に剥離することができる。その後、第１接着剤層を配線から剥離すれる。これにより、容易に台座と配線付きのワークとを上下に分離することが可能となる。
【００１８】
また、本発明に係る接着シートは、前記の課題を解決するために、前記に記載の半導体装置の製造方法に使用されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、台座上に形成された配線にワークを実装した後、配線付きのワークを台座から分離して半導体装置を製造する際、簡便に当該半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図２】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図３】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図４】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図５】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図６】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図７】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図８】第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図９】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１０】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１１】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１２】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１３】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１４】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１５】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１６】図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【図１７】第２の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図１８】第２の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【図１９】第３の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。
【図２０】第３の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
第１の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第２の層により形成されている接着シートを準備する工程と、前記接着シートを、台座に貼り合わせる工程と、前記接着シート上に、配線を形成する工程と、前記配線にワークを実装する工程と、前記実装の後、前記ワーク側から、前記接着シートの前記中央部に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。
【００２２】
以下、第１の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。尚、第１の本発明で用いている「上面」、「下面」など、上下を示す語句は、あくまで層の位置関係を説明するためのものであって、接着シートや半導体装置の実際の上下の姿勢を限定するものではない。なお、以下の実施形態では、本発明のワークが、半導体チップである場合について説明するが、この例に限定されず、回路が形成されていないウエハであってもよく、回路が形成されているウエハであってもよく、回路が形成されていない個片化されたウエハであってもよい。図１は、第１の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図２〜図８は、第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【００２３】
［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層６０と第１接着剤層６０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層６１とを有する接着シート６であって、接着シート６の周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている接着シート６を準備する（図１参照）。
【００２４】
接着シート６では、第２の層６１と比較して接着力の高い第１接着剤層６０が周辺部に存在するため、この部分において台座、及び、配線に強固に貼り合わせることができる。接着シート６では、中央部６３が第２の層６１により形成されているため、後述する分離する工程において、周辺部６４にある第１接着剤層６０の接着力を低下させれば、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
また、中央部６３が第２の層６１により形成されており、第２の層６１も台座と接しているため、分離する工程の後に、当該接着シート６を台座から剥離しやすくなる。従って、台座を再利用しやすくなる。
また、接着シート６の周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されているため、配線上に半導体チップを実装した後、前記半導体チップ側から、接着シート６の中央部６３に達するまで切り込みを入れると、台座と配線付きの半導体チップとは、第２の層６１のみを介して対向することとなる。その結果、分離する工程において、外力により、容易に台座と配線付きの半導体チップとを上下に分離することが可能となる。
【００２５】
本実施形態において、台座に貼り付けた後の第２の層６１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層６０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層６１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層６１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、容易に台座から第２の層６１を剥離することができる。一方、第２の層６１の前記接着力は低いほど台座からの剥離が行いやすい。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層６０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層６１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層６０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層６０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、台座と接着シート６とをより強固に固定することができる。
【００２６】
接着シート６の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート６の厚さが、０．１μｍ以上であると、当該接着シート６を容易に形成することができる。一方、接着シート６の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート６の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。
【００２７】
［台座に貼り合わせる工程］
接着シート６を準備する工程の後、準備した接着シート６を台座１に貼り合わせる（図２参照）。貼り合わせ方法は特に限定されないが、圧着による方法が好ましい。圧着は、通常、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行われる。圧着の条件としては、２０℃〜１５０℃、０．０１ＭＰａ〜１０ＭＰａ、１ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃが好ましい。上述したように、接着シート６は、第２の層６１と比較して接着力の高い第１接着剤層６０が下面に表出しているため、台座１に強固に貼り合わせることができる。
【００２８】
［配線層を形成する工程］
次に、接着シート６上に、半導体チップ３の電極３１に接続し得る接続用導体部２１と配線２６を有する配線層２を、接続用導体部２１が配線層２の上面に露出するように形成する（図３参照）。配線層２は、接着シート６側に、外部と電気的な接続を行なうための外部接続用導体部２２を有する。なお、図３では、接続用導体部２１が配線層２の上面に凸状に露出している場合を示しているが、第１の本発明において接続用導体部は、配線層の上面に露出してればよく、接続用導体部の上面が、配線層の上面と面一であってもよい。接着シート６では、第１接着剤層６０が上面に表出しているため、接着シート６上に形成される配線層２を強固に固定することができる。
【００２９】
［半導体チップを実装する工程］
次に、図４に示すように、配線層２の接続用導体部２１と半導体チップ３の電極３１とを接続して、配線層２（配線２６）に半導体チップ３を実装する。図４では、実装後の接続用導体部２１、電極３１のそれぞれの突起を省略して示している。なお、図４では、配線層２に複数の半導体チップ３が実装される場合を示しているが、配線層に実装する半導体チップの数は、特に限定されず、１つであってもよい。
【００３０】
次に、図５に示すように、必要に応じて、半導体チップ３を覆うように樹脂３２による樹脂封止を行なう。樹脂封止に用いる樹脂３２は、従来公知のもの等を適宜用いることができ、樹脂封止方法についても、従来公知の方法を採用することができる。
【００３１】
［台座から分離する工程］
次に、図６に示すように、半導体チップ３側から、接着シート６の中央部６３に達するまで切り込み６５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第２の層６１のみを介して対向することとなる。その後、外力を加えることにより、図７に示すように、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離する。この際、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、比較的接着力の低い第２の層６１のみを介して対向しているため、外力により、容易に台座１と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。切り込みの形成方法としては、従来公知の方法等を採用することができ、カッター等の刃物やレーザー等による高エネルギー線を用いることができる。
【００３２】
その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図８参照）。なお、台座１を剥離した配線層２に対して、ハンダボールを付与するといった加工を施してもよい。
【００３３】
以上、第１の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明した。以下、図９〜図１６を参照しながら、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明する。図９〜図１６は、図８に示した半導体装置の製造方法の一例を詳細に説明するための断面模式図である。
【００３４】
〔接着シートを有する台座の準備〕
まず、台座１を準備する（図９参照）。台座１は、一定以上の強度を有することが好ましい。
【００３５】
台座１としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６−４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
【００３６】
また、台座１として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
【００３７】
台座１は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ〜２０ｍｍ程度である。
【００３８】
次に、台座１上に接着シート６を貼り合わせる。接着シート６は、すでに説明した通り、周辺部６４が第１接着剤層６０により形成されており、周辺部６４よりも内側の中央部６３が、第２の層６１により形成されている。
【００３９】
第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物としては、第１接着剤層６０の接着力が、第２の層６１の接着力よりも高くなるように選択する限り、特に限定されない。このような第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したもの等を挙げることができる。
【００４０】
前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
【００４１】
前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
【００４２】
前記ポリイミド樹脂は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、第１接着剤層６０を加熱すると、接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、加熱されることにより、前記エーテル構造が第１接着剤層５０を構成する樹脂から脱離し、この脱離により接着力が低下している推察している。
なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が第１接着剤層６０を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ−ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ  ｔｒａｎｓｆｏｒｍ  ｉｎｆｒａｒｅｄ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００〜３０００ｃｍ−１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
【００４３】
前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
【００４４】
前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００〜５０００の範囲内であることが好ましく、１５０〜４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００〜５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する第１接着剤層６０をえやすい。
【００４５】
前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０〜２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１〜３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０〜１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
【００４６】
前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８−ジアミノオクタン、１，１０−ジアミノデカン、１，１２−ジアミノドデカン、４，９−ジオキサ−１，１２−ジアミノドデカン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（α、ω−ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１，０００，０００であり、好ましくは１００〜３０，０００である。
【００４７】
芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）−２，２−ジメチルプロパン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０〜１０００であり、好ましくは１００〜５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
【００４８】
前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００４９】
前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
【００５０】
前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
【００５１】
第１接着剤層６０に前記シリコーン樹脂を用いる場合、第１接着剤層６０には、必要に応じて、他の添加剤を含有し得る。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
【００５２】
第２の層６１を構成する組成物としては、第２の層６１の接着力が、第１接着剤層６０の接着力よりも低くなるように選択する限り、特に限定されない。このような第２の層６１を構成する材料としては、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｔｉ等の無機材料を挙げることができる。
【００５３】
また、第２の層６１を構成する組成物としては、前記第１接着剤層６０を構成する接着剤組成物として説明した前記ポリイミド樹脂を用いてもよく、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸を用いてもよく、前記シリコーン樹脂を用いてもよく、前記熱可塑性樹脂と前記熱硬化性樹脂とを併用したものを用いてもよい。
【００５４】
（接着シートの製造）
接着シート６は、例えば、次の通りにして作製される。まず、第２の層６１を形成するための組成物を含む溶液を作製する。次に、前記溶液を基材上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第２の層６１とする。前記基材としては、ＳＵＳ３０４、６−４アロイ、アルミ箔、銅箔、Ｎｉ箔などの金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が使用可能である。また、塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工、スピンコート塗工等が挙げられる。
【００５５】
次に、第２の層６１側から打ち抜き加工等により、所定の形状（例えば、円形、矩形等）に打ち抜き、打ち抜いた部分（円形状、矩形状等の第２の層６１）を残して、外側を剥離して取り除く。
【００５６】
一方、第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を作製する。
【００５７】
次に、所定の形状に打ち抜かれた第２の層６１が積層されている前記基材の上に、前記の第１接着剤層６０を形成するための組成物を含む溶液を第２の層６１の側に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成する。その後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させる等して、第１接着剤層６０とする。以上より、図１に示されるような接着シート６が得られる。なお、後述する図１７に示されるような接着シート７も同様の方法により作成することができる。
【００５８】
［台座に貼り合わせる工程］
接着シート６を準備する工程の後、準備した接着シート６を台座１に貼り合わせる（図９参照）。
【００５９】
〔配線層の形成〕
次に、台座１の接着シート６上に配線層２を形成する。接着シートを有する台座上に配線層を形成する方法には、セミアディティブ法や、サブトラクティブ法など、従来公知の回路基板やインターポーザの製造技術を適用してもよい。台座上に配線層を形成することにより、製造工程中、寸法安定性が良好となり、また、薄い配線層の取り扱い性が良好となる。以下、配線層の形成方法の一例を示す。なお、図１０〜図１６では、１の半導体チップに対応する部分のみを図示し、その他を省略しているが、他の半導体チップに対応する部分も同様である。
【００６０】
〔ベース絶縁層の形成〕
図１０に示すように、ベース絶縁層２０ａを台座１の接着シート６上に形成する。ベース絶縁層２０ａの材料としては、特に限定はされないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの公知の合成樹脂や、それらの樹脂と、合成繊維布、ガラス布、ガラス不織布、並びに、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２や鉱物、粘土などの微粒子との複合した樹脂などが挙げられる。特に、台座１を剥離した後、より薄く、より大きな機械的強度を有し、より好ましい電気的特性（絶縁特性など）を有するフレキシブルな絶縁層となる点からは、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ガラス布複合エポキシ樹脂が好ましい材料として挙げられる。なかでも、感光性を有するものが好ましい。ベース絶縁層２０ａの厚さは、０．１〜５０μｍが好ましい。
【００６１】
次に、外部接続用導体部２２を形成すべき位置に、開口ｈ１を形成する（図１１参照）。開口ｈ１の形成方法としては、従来公知の方法を採用することができる。例えば、感光性を有する樹脂を用いてベース絶縁層２０ａを形成した場合、開口ｈ１に対応するパターンが形成されたフォトマスクを介して光を照射した後、現像することにより、開口ｈ１を形成することができる。開口形状は特に限定されないが、円形が好ましく、直径も適宜設定可能であるが、例えば、１．０μｍ〜５００μｍとすることができる。
【００６２】
〔接点用の金属膜の形成〕
次に、開口ｈ１に接点用の金属膜２１１を形成する（図１２参照）。金属膜２１１を形成することにより、電気的な接続をより好ましく行い、耐食性を高めることができる。金属膜２１１の形成方法は特に限定されないが、めっきが好ましく、該金属膜の材料としては、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが挙げられる。これらの中でも好ましい材料としては、金、錫、ニッケルなどが挙げられ、下地層をＮｉとし、表層をＡｕとする２層構造などが好ましい金属膜の態様として挙げられる。
【００６３】
〔種膜、下側の導通路、導体層の形成〕
次に、必要に応じて、導体層２３、及び、導通路２５となるべきとなるべき部分の壁面に金属材料を良好に堆積させるための種膜（金属薄膜）２３ａを形成する（図１３参照）。種膜２３ａは、例えば、スパッタリングによって形成することができる。種膜の材料としては、例えば、銅、金、銀、白金、鉛、錫、ニッケル、コバルト、インジウム、ロジウム、クロム、タングステン、ルテニウムなどの単独金属、またはこれら２種類以上からなる合金などが用いられる。導体層２３の厚さは、特に限定はされないが、１〜５００ｎｍの範囲で適宜選択すればよい。また、導通路２５は円柱状が好ましい形状であって、その直径は１．０〜５００μｍ、好ましくは、３．０〜３００μｍである。その後、所定の配線パターンを有する導体層２３、導通路２５を形成する。配線パターンは、例えば、電解めっきにより形成することができる。その後、導体層２３の無い部分の種膜を除去する。
【００６４】
次に、図１４に示すように、導体層２３の上をめっきレジストｒ１にて覆い（導通路を形成すべき部分は除く）、かつ、台座１の下面を全面的にレジストｒ２にて覆い、電解めっきにより、導通路２４を形成する。導体層２３、導通路２４、及び、導通路２５は、回路２６（図５参照）に相当する。
【００６５】
〔接着剤層の形成〕
次に、めっきレジストｒ１、ｒ２を除去し、露出した導体層２３および導通路２４を埋没させるように、エポキシ及びポリイミドを主成分とする接着剤層２０ｂを形成し、導通路２４の上端面が端子部として接着層上面に露出するように、該接着層をアルカリ性溶液などにてエッチングする（図１５参照）。
【００６６】
〔接続用導体部の端面への金属膜の形成〕
次に、図１６に示すように、導通路２４の上端面に、例えば、電解めっきにより、接続用導体部２１を形成する。接続用導体部２１は、例えば、ニッケル膜、金膜等により、形成することができる。
【００６７】
〔実装工程、剥離工程、ダイシング〕
次に、上記で得た配線層２（台座１が剥離可能に付いたもの）に対して、チップを実装する（図４参照）。その後、接着剤層２０ｂのエージングを行い、さらに、必要に応じて配線層２上の各チップ３に樹脂封止を施す（図５参照）。なお、樹脂封止には、シート状の封止用樹脂シートを用いてもよく、液状の樹脂封止材を用いてもよい。その後、樹脂封止された配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する（図７参照）。なお、樹脂封止を行なわなかった場合には、樹脂封止されていない配線層２付きの半導体チップ３を、台座１から分離する。その後、必要に応じて、裁断することにより、半導体チップ３が配線層２に実装された半導体装置４が得られる（図８参照）。なお、配線層２に対して、チップを実装する（フリップチップ接続）際には、配線層２とチップの間にアンダーフィル用の樹脂を用いてもよい。アンダーフィル用の樹脂は、シート状のものであってもよく、液状のものであってもよい。また、上述した実施形態では、チップを実装後、樹脂封止を施す場合について説明したが、樹脂封止する代わりに、チップ上に従来公知のフリップチップ型半導体裏面用フィルムが形成されたものを用いてもよい。前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムは、被着体上にフリップチップ接続されたチップ（半導体素子）の裏面に形成するためのフィルムであり、詳細は、例えば、特開２０１１−２４９７３９号公報等に開示されているため、ここでの説明は省略する。
【００６８】
以上、第１の本発明に係る一実施形態について説明した。次に、第２の本発明について説明する。
【００６９】
第２の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記中央部の前記第１接着剤層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。
【００７０】
以下、第２の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。ただし、以下に説明する第２の本発明に係る実施形態では、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外は、上述した第１の本発明に係る実施形態と共通するので、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外について説明し、それ以外は省略することとする。図１７は、第２の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図１８は、第２の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【００７１】
［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層７０と第１接着剤層７０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層７１とを有する接着シート７であって、接着シート７の周辺部７４が第１接着剤層７０により形成されており、周辺部７４よりも内側の中央部７３が、第１接着剤層７０と第２の層７１との積層により形成されている接着シートを準備する（図１７参照）。
【００７２】
台座に貼り付けた後の第２の層７１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層７０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層７１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層７１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、分離する工程において、容易に第２の層から配線付きの半導体チップを剥離することができる。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層７０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層７１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層７０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層７０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、台座と接着シート７とをより強固に固定することができる。
【００７３】
接着シート７の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート７の厚さが、０．１μｍ以上であると、多層構造を容易に形成することができる。一方、接着シート７の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート７の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。
【００７４】
第１接着剤層７０の中央部７３における厚さは、０．０１〜９９μｍであることが好ましく、０．０５〜１０μｍであることがより好ましい。
【００７５】
第２の層７１の厚さ（中央部７３での厚さ）は、０．０９〜９９．９μｍであることが好ましく、０．０５〜１５μｍであることがより好ましい。
【００７６】
第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的に弾性率が低いため、当該層の形成時に表面にうねりが生じやすい。このような観点からは、第１接着剤層を薄くし、第２の層を厚くすることが好ましい。一方、第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的にガラス転移温度が高いため、当該層の形成時に収縮が大きい。このような観点からは、第１接着剤層を厚くし、第２の層を薄くすることが好ましい。従って、本発明において、第１接着剤層の厚さ、及び、第２の層の厚さは、層形成時の表面のうねり、及び、層形成時の収縮量の双方を考慮して、上記数値範囲内で選択することが好ましい。
【００７７】
［台座に貼り合わせる工程］
接着シート７を準備する工程の後、準備した接着シート７を、第１接着剤層７０のみが表出している側の面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図１８参照）。
【００７８】
［台座から分離する工程］
台座から分離する工程では、まず、接着シート７に、半導体チップ３側から、中央部７３の第１接着剤層７０に達するまで切り込み７５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第１接着層７０と第２の層７１との積層部分のみを介して対向することとなる。このとき、第１接着剤層７０が台座１に貼り合わせられており、第２の層７１が配線層２付きの半導体チップ３と接している。その結果、分離する工程において、外力により、第２の層７１と配線層２との界面で容易に剥離することができる。従って、容易に配線層２付きの半導体チップ３を台座１から分離することが可能となる。
【００７９】
以上、第２の本発明に係る一実施形態について説明した。次に、第３の本発明について説明する。
【００８０】
第３の本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワークが配線上に実装された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
第１接着剤層と前記第１接着剤層よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層とを有する接着シートであって、前記接着シートの周辺部が前記第１接着剤層により形成されており、前記周辺部よりも内側の中央部が、前記第１接着剤層と前記第２の層との積層により形成されている接着シートを準備する工程と、
前記接着シートを、前記第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座に貼り合わせる工程と、
前記接着シート上に、配線を形成する工程と、
前記配線にワークを実装する工程と、
前記実装の後、前記接着シートに、前記ワーク側から、前記第２の層に達するまで切り込みを入れることにより、配線付きのワークを、前記台座から分離する工程とを少なくとも含む。
【００８１】
以下、第３の本発明の一実施形態に係る各工程について図面を参照しつつ説明する。ただし、以下に説明する第３の本発明に係る実施形態では、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外は、上述した第１の本発明に係る実施形態と共通するので、接着シートを準備する工程、台座に貼り合わせる工程、及び、台座から分離する工程以外について説明し、それ以外は省略することとする。図１９は、第３の本発明の一実施形態に係る接着シートを示す断面模式図である。図２０は、第３の本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の概略を説明するための断面模式図である。
【００８２】
［接着シートを準備する工程］
まず、第１接着剤層５０と第１接着剤層５０よりも台座に貼り付けた後の接着力が低い第２の層５１とを有する接着シート５であって、接着シート５の周辺部５４が第１接着剤層５０により形成されており、周辺部５４よりも内側の中央部５３が、第１接着剤層５０と第２の層５１との積層により形成されている接着シートを準備する（図１９参照）。
【００８３】
台座に貼り付けた後の第２の層５１の接着力は、台座に貼り付けた後の第１接着剤層５０の接着力よりも低ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であることが好ましく、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以下であることがより好ましい。また、第２の層５１の接着力の下限値は、特に限定されず、例えば、０Ｎ／２０ｍｍ以上であるが、０．００１／２０ｍｍ以上であってもよい。第２の層５１の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以下であると、分離する工程において、容易に台座１、又は、第１接着剤層５０から剥離することができる。
また、台座に貼り付けた後の第１接着剤層５０の接着力は、台座に貼り付けた後の第２の層５１の接着力よりも高ければ、特に制限されないが、温度２３±２℃、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎの条件下でのシリコンウェハに対する９０°ピール剥離力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であることが好ましく、０．４０Ｎ／２０ｍｍ以上であることがより好ましい。また、第１接着剤層５０の接着力の上限値は、特に限定されず、大きいほど好ましいが、例えば、３０Ｎ／２０ｍｍ以下、２０Ｎ／２０ｍｍ以下等を挙げることができる。第１接着剤層５０の前記接着力が、０．３０Ｎ／２０ｍｍ以上であると、周辺部５４において台座と接着シート５とをより強固に固定することができる。
【００８４】
接着シート５の厚さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．５〜２５μｍであることがより好ましい。接着シート５の厚さが、０．１μｍ以上であると、多層構造を容易に形成することができる。一方、接着シート５の厚さが、１００μｍ以下であると、接着シート５の厚みばらつきや加熱時の収縮・膨張を抑制又は防止することができ、配線を形成する工程で有利になる。
【００８５】
第１接着剤層５０の中央部５３における厚さは、０．０１〜９９μｍであることが好ましく、０．０５〜１０μｍであることがより好ましい。
【００８６】
第２の層５１の厚さ（中央部５３での厚さ）は、０．０９〜９９．９μｍであることが好ましく、０．０５〜１５μｍであることがより好ましい。
【００８７】
第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的に弾性率が低いため、当該層の形成時に表面にうねりが生じやすい。このような観点からは、第１接着剤層を薄くし、第２の層を厚くすることが好ましい。一方、第１接着剤層は、第２の層に比較して一般的にガラス転移温度が高いため、当該層の形成時に収縮が大きい。このような観点からは、第１接着剤層を厚くし、第２の層を薄くすることが好ましい。従って、本発明において、第１接着剤層の厚さ、及び、第２の層の厚さは、層形成時の表面のうねり、及び、層形成時の収縮量の双方を考慮して、上記数値範囲内で選択することが好ましい。
【００８８】
［台座に貼り合わせる工程］
接着シート５を準備する工程の後、準備した接着シート５を、第１接着剤層５０のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として台座１に貼り合わせる（図２０参照）。
【００８９】
［台座から分離する工程］
台座から分離する工程では、まず、接着シート５に、半導体チップ３側から、第２の層５１に達するまで切り込み５５を入れる。この際、樹脂３２、及び、配線層２にも同時に切り込みが入ることになる。これにより、台座１と配線層２付きの半導体チップ３とは、第１接着層５０と第２の層５１との積層部分のみを介して対向することとなる。従って、分離する工程において、外力により、第１接着剤層７０と第２の層５１との界面、又は、第２の層５１と台座１との界面で容易に剥離することができる。その後、第１接着剤層５０を配線層２から剥離すれる。これにより、容易に台座と配線層２付きの半導体チップ３とを上下に分離することが可能となる。
【００９０】
上述した実施形態では、配線が配線層として形成されている場合について説明した。しかしながら、本発明における配線は、この例に限定されない。本発明の配線は、配線層として形成されなくてもよく、例えば、配線が単体で接着シート上に形成されていてもよい。
【００９１】
第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座（例えば、長尺の台座）に、配線層を形成し、前記配線層に複数のワークを実装し、樹脂封止を行ない、その後、裁断して複数の半導体装置を得る方法を含む。当該半導体装置の製造方法によれば、１の台座上で複数の半導体装置のための配線層を形成することができる。また、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、接着シートを有する台座に、配線層を形成し、前記配線層に１のワークを実装し、樹脂封止を行なうことにより１の半導体装置を得る方法も含む。
以上、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明に係る実施形態の一例について説明したが、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明における半導体装置の製造方法は、上述した例に限定されず、第１の本発明、第２の本発明、及び、第３の本発明の要旨の範囲内で適宜変更可能である。
【実施例】
【００９２】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
【００９３】
実施例で使用した成分について説明する。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物（分子量：２１８．１）
ＤＤＥ：４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（分子量：２００．２）
Ｄ−４０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：４０２３．５）
ＤＭＡｃ：Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド
ＮＭＰ：Ｎ−メチル−２−ピロリドン
Ｄ−２０００：ハインツマン製のポリエーテルジアミン（分子量：１９９０．８）
ＢＰＤＡ：３，３´，４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸ニ無水物
ＰＰＤ：ｐ−フェニレンジアミン
【００９４】
（実施例１）
＜第１接着剤層用溶液、第２の層用溶液の作製＞
窒素気流下の雰囲気において、９４２．１６ｇのＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）中に、ポリエーテルジアミン（Ｄ−４０００）３３２．０４ｇ、４，４‘−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）７５．２８ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）１００ｇを７０℃で混合して反応させ、第１接着剤層用溶液（ポリアミド酸溶液Ａ）を得た。得られた第１接着剤層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
表１の配合に従った点以外は第１接着剤層用溶液と同様の方法で第２の層用溶液（ポリアミド酸溶液Ｂ）を得た。得られた第２の層用溶液が室温（２３℃）になるまで冷却した。
＜円形シートの作製＞
第２の層用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシート（厚さ１００μｍ）を得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、トムソン金型にて、直径１９８ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た。なお、上記のハーフカットとは、ポリエステルフィルム及び第２の層を完全にカットし、且つ、セパレータを完全にはカットしない（セパレータの途中までカットする）態様でのカットをいう。
＜接着シート＞
円形シートのセパレータを剥離し、第１接着剤層用溶液を、直径２００ｍｍ以上、且つ、厚さ１００μｍとなるように円形シートの第２の層上に塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。乾燥させた第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、図１に示す断面形状の接着シートＡを得た。具体的に、接着シートＡ全体の直径は２００ｍｍ、厚さは１００μｍであった。第２の層の直径は１９６ｍｍ、第２の層の厚さは１００μｍであった。
【００９５】
（実施例２）
＜第１接着剤層用溶液の作製＞
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤層用溶液を得た。
＜接着シートの作製＞
ＳＵＳ箔（東洋製箔（株）製、ＳＵＳ  ３０４Ｈ−ＴＡ）上に、Ｃｕ膜厚が０．５μｍとなるよう、硫酸銅めっき浴によるＣｕめっきを行い、Ｃｕめっき付きＳＵＳ箔を得た。
第１接着剤層用溶液をＣｕめっき付きＳＵＳ箔に塗布し、９０℃で２分間乾燥させた。次いで、ＳＵＳ箔を剥離してＣｕめっき付きポリアミド酸層を得た。得られたＣｕめっき付きポリアミド酸層に対して、Ｃｕエッチングを行った。これにより、円形（直径１９５ｍｍ）のＣｕめっき部分を残し、他を取り除いた。以上より、図１７に示す断面形状を有する接着シートＢを得た。具体的に、接着シートＢ全体の直径１９９ｍｍ、厚さ１０μｍであった。第２の層の直径は１９５ｍｍ、第２の層の厚さは０．５μｍであった。接着シートＢの中央部における第１接着剤層の厚さは９．５μｍであった。本実施例２では、接着シートの形成時には、第１接着剤層上に、第２の層が形成された形状（第２の層の側面側には第１接着剤層が存在しない形状）となるが、第２の層が０．５μｍと薄い一方、第１接着剤層が１０μｍと厚く、また、第１接着剤層が比較的柔らかい（低弾性率である）ため、使用時には、圧力により、第２の層が第１接着剤層に埋め込まれることになる。従って、実施例２の接着シートＢは、図１９に示す断面形状を有することとなる。
【００９６】
（実施例３）
＜第１接着剤層用溶液、第２の層用溶液の作製＞
表１の配合に従った点以外は実施例１と同様の方法で、第１接着剤層用溶液、及び、第２の層用溶液を得た。
＜円形シートの作製＞
第２の層用溶液を、セパレータ（片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム：厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）に塗布し、９０℃で３分間乾燥させ、第２の層を有するシートを得た。
得られたシートの第２の層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、トムソン金型にて、直径１９５ｍｍにハーフカットし、打ち抜いた部分（トムソン金型で打ち抜いた内側）を残して、外側を除去し、円形シートを得た。なお、上記のハーフカットとは、ポリエステルフィルム及び第２の層を完全にカットし、且つ、セパレータを完全にはカットしない（セパレータの途中までカットする）態様でのカットをいう。
＜接着シート＞
円形シートのセパレータを剥離し、第１接着剤層用溶液を、直径２００ｍｍ以上となるように円形シートの第２の層上に塗布し、９０℃で３分間乾燥させた。乾燥させた第１接着剤層上に長尺ポリエステルフィルム（厚さ２５μｍ、幅２５０ｍｍ）を積層し、図１７に示す断面形状の接着シートＣを得た。具体的に、接着シートＣ全体の直径は１９９ｍｍ、厚さは１０μｍであった。第２の層の直径は１９５ｍｍ、第２の層の厚さは２μｍであった。接着シートＣの中央部における第１接着剤層の厚さは８μｍであった。実施例３の接着シートＣは、図１７に示す断面形状を有することとなる。
【００９７】
（比較例１）
実施例１と同様の第１接着剤層からなる単層の接着シートＥを得た。接着シートＥは円形であり、直径２００ｍｍ、厚さ１００μｍであった。
【００９８】
＜剥離力の測定＞
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように実施例１に係る組成の第１接着剤層、実施例２に係る組成の第１接着剤層、実施例３に係る組成の第１接着剤層、比較例１に係る組成の第１接着剤層をそれぞれ作成した。
実施例１〜３、比較例１に係る第１接着剤層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第１接着剤層を得た。
片面がシリコーン系剥離剤にて処理された長尺ポリエステルフィルム（厚さ３８μｍ、幅２５０ｍｍ）からなるセパレーターに、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように、実施例１に係る組成の第２の層、実施例３に係る組成の第２の層をそれぞれ作成した。また、ＳＵＳ箔上に、９０℃で３分間乾燥後の厚みが２０μｍとなるように実施例２に係る組成の第２の層を作成した。
実施例１、実施例３、及び、比較例１に係る第２の層を８インチシリコンウェハに貼り合せ、３００℃で１．５時間の条件で窒素雰囲気中でイミド化させ、シリコンウェハ付き第２の層を得た。実施例２に係る第２の層については、８インチシリコンウェハに貼り合せた。
各サンプル（第１接着剤層、又は、第２の層）を２０ｍｍ幅、１００ｍｍ長さに加工し、引張試験機（島津製作所製、オートグラフＡＧＳ−Ｈ）を用い、温度２３℃、３００ｍｍ／分にて９０°ピール評価を行った。結果を表２に示す。
【００９９】
＜プロセス耐性評価＞
実施例１に係る接着シートＡを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＡを得た。次に、セミアディティブ工法にて、接着シートＡ上に配線を形成した。具体的には、上記実施形態にて説明した方法にて形成した。
実施例２に係る接着シートＢを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に、第１接着剤層のみが表出している側の面とは反対側の面を貼り合わせ面として、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＢを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＢ上に配線を形成した。
実施例３に係る接着シートＣを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に、第１接着剤層のみが表出している側の面を貼り合わせ面として、温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＣを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＣ上に配線を形成した。
比較例１に係る接着シートＥを、直径２００ｍｍのシリコンウエハからなる台座に温度９０℃、圧力０．１ＭＰａでロールラミネートした後、３００℃で１．５時間、窒素雰囲気下でイミド化した。これにより、台座付き接着シートＥを得た。次に、上記と同様にして、接着シートＥ上に配線を形成した。
上記の配線形成の結果、接着シートが台座から剥離せず、且つ、接着シートから形成中の配線が剥離しない場合を〇、接着シートが台座から剥離した場合、又は、接着シートから形成中の配線が剥離した場合を×として評価した。結果を表２に示す。
【０１００】
＜剥離性評価＞
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例１に係る台座付き接着シートＡを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＡと中心が同一、且つ、直径１９６ｍｍの円となるようにレーザー（ＹＡＧレーザー、出力１．５Ｗ）を照射し、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例２に係る台座付き接着シートＢを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＢと中心が同一、且つ、直径１９７ｍｍの円となるようにカッターにて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして実施例３に係る台座付き接着シートＣを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＣと中心が同一、且つ、直径１９５ｍｍの円となるようにトムソン刃にて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。
上記プロセス耐性評価と同様にして比較例１に係る台座付き接着シートＥを得た。次に、台座とは反対側から、接着シートＥと中心が同一、且つ、直径１９７ｍｍの円となるようにカッターにて、第１接着剤層及び第２の層を台座面までカットした。上記カット後の接着シートＡ〜Ｃ、Ｅの中央部を、真空ピンセットで吸着させ、上側に引き上げた。接着シート又は接着シートの一部が台座から剥離した場合を、〇、剥離しなかった場合を×として評価した。結果を表２に示す。
【０１０１】
【表１】
2014072440.tif 000003
【０１０２】
【表２】
2014072440.tif 000004
【符号の説明】
【０１０３】
１      台座
２      配線
２０ａ  ベース絶縁層
２０ｂ  接着剤層
２１    接続用導体部
２２    外部接続用導体部
２３    導体層
２３ａ    種膜
２４    導通路
２５    導通路
２１１  金属膜
３      半導体チップ
３１    電極
４      半導体装置
５      接着シート
５０    第１接着剤層
５１    第２の層
６      接着シート
６０    第１接着剤層
６１    第２の層
７      接着シート
７０    第１接着剤層
７１    第２の層
ｒ１  レジスト
ｒ２  レジスト
【図１】
2014072440.tif 000005
【図２】
2014072440.tif 000006
【図３】
2014072440.tif 000007
【図４】
2014072440.tif 000008
【図５】
2014072440.tif 000009
【図６】
2014072440.tif 000010
【図７】
2014072440.tif 000011
【図８】
2014072440.tif 000012
【図９】
2014072440.tif 000013
【図１０】
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【図１１】
2014072440.tif 000015
【図１２】
2014072440.tif 000016
【図１３】
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【図１４】
2014072440.tif 000018
【図１５】
2014072440.tif 000019
【図１６】
2014072440.tif 000020
【図１７】
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【図１８】
2014072440.tif 000022
【図１９】
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【図２０】
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