(57)【要約】【課題】前工程で修復した欠陥を、現工程で検出した欠陥から除外することができ、欠陥の検出,分類精度を向上できる光学式欠陥検出分類方法を提供することにある。【解決手段】この光学式欠陥検出分類方法によれば、第２の処理(Ｂ‐１)が行われた検査対象物(Ｌ)を光学的に検査して検出した欠陥(２０５,２０６,２０７)の欠陥データから、前工程Ａ−２で修復された第１の処理に関する欠陥(２０５)の修復済み欠陥データを除外して除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出する。これにより、修復済みの欠陥(２０５)を再び欠陥として検出することを回避して、欠陥検出数,欠陥種の無用な増大を抑制し、欠陥の検出精度,分類精度を向上できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、
前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから、前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出し、
上記現工程で発生した欠陥の欠陥データを、欠陥分類種別毎に分類することを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光学式欠陥検出分類方法において、
上記前工程において検出された欠陥の欠陥データを、既に修正された欠陥の修正済み欠陥データと、修正不可であった欠陥の修正不可欠陥データと、修正不要であった修正不要欠陥データとに分類し、
上記現工程で検出した欠陥の欠陥データから、上記修正済み欠陥データと上記修正不可欠陥データとを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出することを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学式欠陥検出分類方法において、
上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報は、予め記憶部に格納されていることを特徴とする光学式欠陥検出分類方法。
【請求項４】
現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、上記欠陥の欠陥データを出力する欠陥検出部と、
上記欠陥検出部から上記欠陥データが入力され、前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出して出力する欠陥抽出部と、
上記欠陥抽出部から上記現工程で発生した欠陥の欠陥データが入力され、この欠陥データを欠陥分類種別毎に分類して出力する欠陥分類部と
を備えたことを特徴とする光学式欠陥検出分類装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光学式欠陥検出分類方法および光学式欠陥検出分類装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置やＴＦＴ(薄膜トランジスタ)素子の製造工程において、光学的欠陥検出分類装置が用いられている。
【０００３】
この光学的欠陥検出分類装置では、検査対象物としての基板に光を照射して、上記基板からの反射光や透過光を測定し、正常状態における反射光や透過光とのコントラスト比較を行うことによって上記基板上の欠陥を検出し、さらに、上記欠陥のＣＣＤ撮像画像の画像特徴量と装置内に格納された各種欠陥の代表画像の画像特徴量とを比較,評価することにより検出した欠陥を自動的に分類している。
【０００４】
実際の工場では、上記分類結果を用いて、欠陥の修正および異常工程の早期発見に繋げて、工程歩留り(直行率)の改善に役立てている。
【０００５】
上記光学的欠陥検出分類装置では、正常部と「光学的」に差があるところを欠陥として認識している。
【０００６】
しかし、前工程において検出した欠陥を修正する場合、レーザ描画/レーザ切断などの手法を用いて、断線部を接続、あるいはリーク部(短絡部)を切断することで電気回路的に修正を行っているが、正常部と同等の外観に仕上げることは困難である。一般的に、上記の光学的欠陥検出分類装置では、正常部と「光学的」に差があるところを欠陥として認識,検出し、検出された欠陥の撮像画像から抽出された画像特徴量により欠陥を分類しているため、上記修正済みの欠陥部は次工程の検査においても欠陥として認識,検出されてしまう。
【０００７】
つまり、後工程に行けば行くほど、前工程で修正した欠陥の影響を受けて検出欠陥数や欠陥種が増える傾向があり、欠陥の検出精度が低下する可能性があるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８−３２９２９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２７７４８号公報
【特許文献３】特開２０１０−１４４３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、この発明の課題は、前工程で修復した欠陥を、後工程で検出した欠陥から除外することができ、欠陥の検出,分類精度を向上できる光学式欠陥検出分類方法および光学式欠陥検出分類装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、この発明の光学式欠陥検出分類方法は、現工程において予め定められた処理が行なわれた検査対象物に光を照射し、上記検査対象物での反射光や透過光から上記検査対象物の光学情報を求め、この検査対象物の光学情報と上記処理が正常に行われた場合の検査対象物の光学情報とを比較して、上記検査対象物の欠陥を検出し、
前工程において検出された欠陥を欠陥種別毎に分類した結果に基づいて、上記検出した欠陥の欠陥データから前工程で上記検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出し、
上記現工程で発生した欠陥の欠陥データを、欠陥分類種別毎に分類することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の欠陥検出分類方法によれば、現工程で検出した欠陥の欠陥データから前工程で検査対象物に行った処理に起因する欠陥の欠陥データを除外して、除外後に残った欠陥データを現工程で発生した欠陥の欠陥データとして抽出するので、前工程で修復済みの欠陥を現工程で再び欠陥として検出することを回避して、欠陥の検出,分類精度を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の実施形態の欠陥検出分類装置１００の概略的な構成を示す模式図である。
【図２】上記欠陥検出分類装置１００のブロック図である。
【図３】上記欠陥検出分類装置１００でＴＦＴ素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明する模式的な工程図である。
【図４】上記欠陥検出分類装置１００でＴＦＴ素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明する模式的な工程図である。
【図５】上記欠陥検出分類装置１００でＴＦＴ素子の製造工程で発生する欠陥を検出する過程を説明するフローチャートである。
【図６】図５のフローチャートに続くフローチャートである。
【図７】図６のフローチャートに続くフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００１４】
図１は、この発明の実施形態に係る欠陥検出分類装置１００の概略的な構成を示す模式図である。この欠陥検出分類装置１００は、バックライト１０と、検査台２０と、ＣＣＤエリアセンサ(以下、「エリアセンサ」と記す)３０およびアクチュエータ４０を搭載する撮像装置３１と、コンピュータ５０とを含んで構成される。
【００１５】
上記欠陥検出分類装置１００は、ＴＦＴ(薄膜トランジスタ)素子を作製する基板Ｌをエリアセンサ３０によって複数の撮像位置から撮像し、各撮像位置で撮像された画像データを用いて画素ずらしにより高解像度化画像を生成し、この高解像度化画像に基づいて、基板Ｌにおける電気的な断線または短絡による欠陥、異物混入による微小な欠陥等を検出するように構成されている。
【００１６】
上記バックライト１０は、光を出射可能な光源を備え、この実施形態では、上方に向かって平面的に光を出射する面光源として構成されている。検査台２０は、処理対象物である基板Ｌが載置される平坦な載置面Ｓを有する。上記検査台２０は、この実施形態では、載置面Ｓが水平または略水平となるように、上記バックライト１０上に取り付けられている。したがって、上記バックライト１０を駆動することによって、検査台２０に載置された基板Ｌに対して、下方から光を照射することができる。
【００１７】
撮像素子であるエリアセンサ３０は、検査台２０の上方に、検査台２０の載置面Ｓに対向して配設され、検査台２０に載置された基板Ｌを撮像可能に構成されている。このエリアセンサ３０は、コンピュータ５０から送信される撮像タイミング制御信号に従って、撮像動作を開始または停止する。また、このエリアセンサ３０は、撮像した画像の画像データをコンピュータ５０へ出力するように構成されている。
【００１８】
移動装置であるアクチュエータ４０は、検査台２０に載置された基板Ｌとエリアセンサ３０との相対的な位置関係を、エリアセンサ３０を移動させることによって変化させる。アクチュエータ４０は、この実施形態では、エリアセンサ３０を、エリアセンサ３０における画素の配列方向である第１の方向および第２の方向と、上記第１方向および第２方向に垂直な第３方向に沿って、移動可能に構成されている。上記アクチュエータ４０は、コンピュータ５０から送信される撮像位置制御信号に従って、エリアセンサ３０を所定の位置へ移動させる。
【００１９】
コンピュータ５０は、図２のブロック図に示すように、欠陥検出部６１と欠陥抽出部６２と欠陥分類部６３とを備える。上記欠陥検出部６１は記憶部５１と検査部５２と比較部５３とで構成され、上記欠陥抽出部６２は抽出部５４で構成されている。また、上記欠陥分類部６３は、分類部５５と分類記憶部５６とで構成されている。
【００２０】
まず、エリアセンサ３０により撮像された基板Ｌ上に形成されたゲート等のパターン画像データが検査部５２に格納される。次に、比較部５３において、上記検査部５２に格納されたパターン画像データと、予め上記記憶部５１に格納されている参照画像データとが比較され、比較結果が評価される。上記参照画像データは、上記基板Ｌ上にゲート等が正常に形成された場合の画像データである。
【００２１】
上記比較部５３による画像データ比較の結果、上記比較部５３により上記パターン画像データと参照画像データとが異なると判断された場合、上記パターン画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果として、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力される。
【００２２】
この欠陥抽出部６２の抽出部５４は、前工程の修正工程５７からの修正実績分類結果に基づき、後述された方法により、前工程の修正済み欠陥データおよび前工程の修正不可欠陥データを上記欠陥検出結果から除外し、現工程における欠陥データのみを抽出して欠陥分類部６３に出力する。
【００２３】
最後に、欠陥分類部６３の分類部５５は、抽出部５４から入力された現工程における欠陥データと、分類記憶部５６に欠陥分類毎に格納された代表画像データとを比較して、上記現工程における欠陥データを最も適した欠陥種に分類し、最終欠陥分類結果として出力する。
【００２４】
以下、図３,図４の工程図および図５,図６,図７のフローチャートを参照して、実際に、上記基板Ｌ上に最下層としてゲートレイヤを形成,検査,修正する工程(工程Ａ‐１,工程Ａ‐２)、上記基板Ｌ上に第１のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程Ｂ‐１,工程Ｂ‐２)、上記基板Ｌ上に第２のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程Ｃ‐１,工程Ｃ‐２)を順に説明しながら、上記実施形態による欠陥検出,分類動作を説明する。なお、実際のＴＦＴ素子では、上記ゲートレイヤ,ソースレイヤ以外にも絶縁膜,半導体膜等の多数のレイヤが存在するが、図３では省略している。
【００２５】
まず、ゲートレイヤを形成,検査,修正する工程について説明する。
【００２６】
ステップＳ１では、上記基板Ｌ上に全面スパッタなどでゲートレイヤを成膜し、ステップＳ２で、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、ゲート電極２０１を形成する(工程Ａ‐１)。
【００２７】
続いて、ステップＳ３で、上記撮像装置３１のエリアセンサ３０によって上記基板Ｌの上方から基板Ｌを撮像した画像データを、撮像装置３１からコンピュータ５０内の検査部５２に出力し格納する。さらに、比較部５３は、検査部５２に格納された上記撮像したパターン画像データと、予め記憶部５１に格納されている参照画像データとを比較して、上記パターン画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力する(工程Ａ‐１)。ここで、上記参照画像データは、基板Ｌ上にゲート電極２０１が正常に形成された場合の参照画像データであり、上記欠陥検出結果である欠陥データは、欠陥部としての断線部２０３を表している。
【００２８】
上記断線部２０３を表わす欠陥データは、比較部５３から抽出部５４へ入力される。この実施形態の一例では、上記ゲートレイヤが最下層であり、ゲート電極２０１を形成する工程の前工程が存在しない。このため、ステップＳ４では、抽出部５４へ前工程の修正工程５７で欠陥を修正した修正実績の分類結果が入力されることはない。よって、ステップＳ４では、抽出部５４は、比較部５４からの欠陥データをそのまま欠陥分類部６３の分類部５５に出力する。
【００２９】
次に、ステップＳ５に進み、上記欠陥分類部６３の分類部５５は、上記抽出部５４からの欠陥データと、分類記憶部５６に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として断線部２０３を表す欠陥種に分類し、この分類の結果、最終欠陥分類結果としてゲート電極２０１の断線を表す欠陥種データを出力する。
次に、修正工程Ａ‐２では、上記欠陥分類部６３が出力する上記欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部２０３に対してレーザ描画等を行い、接続部２０５を形成する。これにより、ゲート電極２０１の電気的接続を回復させる(ステップＳ６)。
【００３０】
このステップＳ６(修正工程Ａ‐２)の段階で、個々の上記最終欠陥分類結果に対して、修正工程オペレーターにより、修正種別(修正済み,修正不可,修正不要)が付与され、欠陥修正データ(欠陥座標、修正種別(修正済み,修正不可,修正不要)）として、記憶部５１に保管される。具体的一例としては、上記ゲート電極２０１の接続部２０５に対して、修正種別として「修正済み」が付与される。
【００３１】
上記欠陥修正データは、次工程の検査工程Ｂ‐１において位置情報比較により重複検出を判断し、重複欠陥を除外するために利用される。
【００３２】
なお、上述の検査工程Ａ‐１において、比較部５３が、撮像したパターン画像データと参照画像データとを比較して欠陥を検出する際に、図４の検査工程Ａ−１に示されるように、上乗り異物等のように修正前の洗浄工程(ウェットあるいはドライ洗浄工程)で除去されるような擬欠陥ａ〜ｈが存在している場合がある。この場合、上記擬欠陥ａ〜ｈは、実際には、修正前の洗浄工程で除去されて、図４の修正工程Ａ‐２での修正時点では上記擬欠陥ａ〜ｈ自体が消失している。よって、上記擬欠陥ａ〜ｈには、修正工程オペレーターにより、修正種別として「修正不要」が付与される。
【００３３】
次に、ゲートレイヤ(ゲート電極２０１)を形成,検査,修正した後に、第１のソースレイヤを形成,検査,修正する工程(工程Ｂ‐１,Ｂ‐２)について説明する。
【００３４】
まず、ステップＳ７では、上記基板Ｌ上に全面スパッタなどで第１のソースレイヤを成膜し、ステップＳ８に進んで、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、第１のソース電極２０４を形成する(工程Ｂ‐１)。
【００３５】
続いて、ステップＳ９に進み、上記撮像装置３１のエリアセンサ３０によって、上記基板Ｌの上方から基板Ｌを撮像した画像データをコンピュータ５０内の検査部５２に出力し格納する。さらに、比較部５３は、検査部５２に格納された上記撮像した画像データと、予め記憶部５１に格納されている参照画像データとを比較して、上記画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力する(工程Ｂ‐１)。ここで、上記参照画像データは、基板Ｌ上にゲート電極２０１と第１のソース電極２０４が正常に形成された場合の参照画像データである。
【００３６】
この工程Ｂ‐１のステップＳ９の段階では、前工程Ａ‐１,Ａ‐２での修正実績の分類結果による重複欠陥の除外処理がまだ行われていない。このため、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力する欠陥データには、この工程Ｂ‐１で形成する第１のソースレイヤ(第１のソース電極２０４)の欠陥データだけでなく、ゲート電極２０１を形成する前工程Ａ‐２での修正済み欠陥データ、および修正不可欠陥データが含まれている。この実施形態の一例では、この工程Ｂ‐１において本来検出すべき第１のソース電極２０４の欠陥部２０６,２０７だけでなく、前工程である工程Ａ−２(ステップＳ６)で修正した接続部２０５の画像データをも含んでいることになる。
【００３７】
次に、ステップＳ１０に進み、欠陥抽出部６２の抽出部５４は、前工程Ａ‐２(ゲート電極修正工程)での修正実績の分類結果に基づき、上記比較部５３からの欠陥データから前工程での修正済み欠陥データおよび修正不可欠陥データを除外し、現工程における欠陥データのみを抽出する。具体的には、上記抽出部５４は、上述の第１のソース電極２０４の欠陥部２０６,２０７および前工程である工程Ａ−２(ステップＳ６)で修正した接続部２０５のうち、前工程の修正済み欠陥である接続部２０５を除外し、第１のソース電極２０４の欠陥部２０６,２０７のみを欠陥分類部６３に出力する(工程Ｂ‐１)。
【００３８】
次に、ステップＳ１１に進み、欠陥分類部６３の分類部５５は、上記抽出部５４からの欠陥データと、上記分類記憶部５６に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として、断線部２０６とリーク部２０７を表す欠陥種データを出力する(工程Ｂ‐１)。
【００３９】
次に、ステップＳ１２では、上記分類部５５が出力する欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部２０６に対してレーザ描画等を行って接続部２０８を形成し、上記リーク部２０７に対してレーザ加工を行って短絡部分を切断してリーク修復部２０９を形成する。これにより、上記断線部２０６,リーク部２０７をそれぞれ電気的に修復する(工程Ｂ−２)。
【００４０】
また、このステップＳ１２(工程Ｂ‐２)において、上記接続部２０８,リーク修復部２０９に対して、修正工程オペレーターにより修正種別として「修正済み」が付与される。
【００４１】
次に、ステップＳ１３に進み、ゲート電極２０１,第１のソース電極２０４を形成,検査,修正した後に、第２のソース電極２１１を形成,検査,修正する工程(工程Ｃ‐１,Ｃ‐２)について説明する。
【００４２】
まず、ステップＳ１３では、上記基板Ｌ上に全面スパッタなどで第２のソースレイヤを成膜し、ステップＳ１４に進んで、フォトリソグラフィとエッチング(ドライエッチングもしくはウエットエッチング)を順に行って、第２のソース電極２１１を形成する(工程Ｃ‐１)。
【００４３】
続いて、ステップＳ１５に進み、上記撮像装置３１のエリアセンサ３０によって、上記基板Ｌの上方から基板Ｌを撮像した画像データをコンピュータ５０内の検査部５２に出力し格納する。さらに、比較部５３は、検査部５２に格納された上記撮像した画像データと、予め記憶部５１に格納されている参照画像データとを比較して、上記画像データのうちの上記参照画像データと異なる画像部分を欠陥検出結果つまり欠陥データとして、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力する(工程Ｃ‐１)。ここで、上記参照画像データは、基板Ｌ上にゲート電極２０１と第１のソース電極２０４と第２のソース電極２１１とが正常に形成された場合の参照画像データである。
【００４４】
この工程Ｃ‐１のステップＳ１５の段階では、前工程Ａ‐１,Ａ‐２とＢ‐１,Ｂ‐２での修正実績の分類結果による重複欠陥の除外処理がまだ行われていない。このため、上記比較部５３から欠陥抽出部６２へ出力する欠陥データには、この工程Ｃ‐１で形成する第２のソースレイヤ(第２のソース電極２１１)の欠陥データだけでなく、ゲート電極２０１を形成する前工程Ａ‐１と第１のソース電極２０４を形成する前工程Ｂ‐１での修正済み欠陥データ、および修正不可欠陥データが含まれている。この実施形態の一例では、この工程Ｃ‐１において本来検出すべき第２のソース電極２１１の欠陥部２１１だけでなく、前工程である工程Ａ−２(ステップＳ６)で修正した接続部２０５と工程Ｂ‐２(ステップＳ１２)で修正した接続部２０８,リーク修復部２０９の画像データをも含んでいることになる。
【００４５】
次に、ステップＳ１６に進み、欠陥抽出部６２の抽出部５４は、前工程Ａ‐２(ゲート電極修正工程),Ｂ‐２(第１のソース電極修正工程)での修正実績の分類結果に基づき、上記比較部５３からの欠陥データから前工程での修正済み欠陥および修正不可欠陥データを除外し、現工程における欠陥データのみを抽出する。具体的には、上記抽出部５４は、上述の第２のソース電極２１１の欠陥部２１２および前工程である工程Ａ−２(ステップＳ６)で修正した接続部２０５および工程Ｂ‐２(ステップＳ１２)で修正した接続部２０８,リーク修復部２０９のうち、前工程の修正済み欠陥である接続部２０５,２０８,リーク修復部２０９を除外し、第２のソース電極２１１の欠陥部２１２のみを欠陥分類部６３に出力する(工程Ｃ‐１)。
【００４６】
次に、ステップＳ１７に進み、欠陥分類部６３の分類部５５は、上記抽出部５４からの欠陥データと、上記分類記憶部５６に格納されている欠陥分類毎の代表画像データとを比較して、上記欠陥データを最終欠陥分類結果として、断線部２１２を表す欠陥種データを出力する(工程Ｃ‐１)。
【００４７】
次に、ステップＳ１８では、上記分類部５５が出力する欠陥種データに基づいて、レーザ装置(図示せず)等を用いて、上記断線部２１２に対してレーザ描画等を行って接続部２１３を形成する。これにより、上記断線部２１２を修復する(工程Ｃ−２)。
【００４８】
また、このステップＳ１８(工程Ｃ‐２)において、上記接続部２１３に対して、修正工程オペレーターにより修正種別として「修正済み」が付与される。
【００４９】
このように、この実施形態の欠陥検出装置１００によれば、欠陥抽出部６２によって、比較部５３から入力される欠陥検出結果(欠陥データ)と前工程の修正実績の分類結果とを比較,参照する。これにより、欠陥抽出部６２は、前工程において修復した修復部や修復不可と分類された欠陥に起因する欠陥データを除外して、現工程での欠陥データのみを出力できる。よって、欠陥検出数や欠陥種が無用に増大することを抑制して、欠陥の検出精度,分類精度を向上させることができる。
【００５０】
尚、上記実施形態では、バックライト１０による透過光を用いて欠陥検出,撮像する構成としたが、ＴＦＴ素子の製造工程のように複数のレイヤが積層されるデバイスの場合、必要に応じて反射光(落射光)と透過光を使い分けてもよく、主に反射光(落射光)を用いて欠陥検出,撮像する構成としてもよい。
【００５１】
また、上記実施形態では、ステップＳ３,Ｓ９,Ｓ１５において、比較部５３は、撮像した画像データと正常部の参照画像データとを比較することによって欠陥検出を行ったが、被検査物がＴＦＴ素子のように周期的繰返しパターンで構成される物の場合、基本的に基板上に形成されるパターンの大部分が正常部であることを考慮すると、次のようにして、欠陥を検出してもよい。すなわち、エリアセンサ３０で基板Ｌの表面を撮像した画像データを内部処理して、検査の対象とする位置の画像データと、この位置から繰返し周期のｎ倍(ｎは自然数)分離れた周辺部分の画像データとを比較し、この周辺部分の画像データと異なる位置の画像データについて欠陥と判定することも可能である。この場合、上記参照画像(正常部)を事前に撮影して、記憶部５１に事前に格納しておくことは必ずしも必要ではない。
【００５２】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ素子の製造工程における欠陥を検出する欠陥検出装置について説明したが、本発明は、液晶パネル、カラーフィルタなどの製造工程等にも適用可能であり、一般的に複数の工程により製造され、或る工程で修復した欠陥修復部分が後工程での欠陥検出時に検出される可能性がある製造工程に適用することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  バックライト
２０  検査台
３０  エリアセンサ
３１  撮像装置
４０  アクチュエータ
５０  コンピュータ
５１  記憶部
５２  検査部
５３  比較部
５４  抽出部
５５  分類部
５６  分類記憶部
６１  欠陥検出部
６２  欠陥抽出部
６３  欠陥分類部
１００  欠陥検出分類装置
２０１  ゲート電極
２０３,２０６,２１２  断線部
２０４  第１のソース電極
２０５,２０８,２１３  接続部
２０７  リーク部
２０９  リーク修復部
２１１  第２のソース電極
Ｌ  基板
Ｓ  載置面
ａ〜ｈ  異物(擬欠陥)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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