(57)【要約】【課題】不純物元素としてＡｓおよび／またはＳｂを含む固体粗亜鉛であっても、Ａｓおよび／またはＳｂの含有量を低減できる高純度の亜鉛蒸気の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る亜鉛蒸気の製造方法は、ＡｓおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の不純物元素（ａ）を含む固体粗亜鉛（Ａ）を、特定条件下で、特定の元素（ｂ）を含む蒸気圧降下剤（Ｂ）とともに加熱して固体粗亜鉛（Ａ）を気化させる工程（１）を含むことを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体粗亜鉛（Ａ）を、蒸気圧降下剤（Ｂ）とともに加熱して溶融させた後、気化させる工程（１）を含む亜鉛蒸気の製造方法であって、
前記固体粗亜鉛（Ａ）が、ＡｓおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一つの不純物元素（ａ）を含み、
前記蒸気圧降下剤（Ｂ）が、元素周期律表第７族、第９族および第１０族からなる群より選択される少なくとも一つの族に属する元素（ｂ）を含み、
前記工程（１）を、下記式（Ｉ）を満たす条件下で実施することを特徴とする亜鉛蒸気の製造方法。
元素（ｂ）の原子数 ≧（（Ａｓの原子数）＋（Ｓｂの原子数））    （Ｉ）
【請求項２】
前記固体粗亜鉛（Ａ）が、Ａｓおよび／またはＳｂを、それぞれ１０ｐｐｂａ以上の濃度で含む、請求項１に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
【請求項３】
前記元素（ｂ）がＭｎおよび／またはＮｉである、請求項１または２に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
【請求項４】
前記工程（１）を、前記元素（ｂ）が、前記不純物元素（ａ）の合計の濃度に対して、０．８倍以上の濃度で溶融後の亜鉛中に含まれる状態で実施する、請求項１〜３の何れか一項に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の亜鉛蒸気の製造方法で得られた亜鉛蒸気を用いる、高純度ポリシリコンの製造方法。
【請求項６】
ＡｓおよびＳｂが、それぞれ１０ｐｐｂａ未満の濃度で含まれる高純度ポリシリコンを製造する、請求項５に記載の高純度ポリシリコンの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、亜鉛蒸気の製造方法に関し、より詳しくは、不純物元素として含まれるＡｓ（ヒ素）および／またはＳｂ（アンチモン）を含む原料亜鉛（固体粗亜鉛）から、不純物元素の含有量が低減された亜鉛蒸気を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、地球温暖化を防止するための有力な手段として、太陽電池に対する関心が益々高まってきている。太陽電池は、シリコン系、化合物系および有機系などに大別できるが、シリコン系の太陽電池の実用化が最も進んでいる。
【０００３】
シリコン系太陽電池として、結晶シリコン系およびアモルファスシリコン系などが挙げられる。この結晶シリコン系太陽電池では、その原料として高純度多結晶シリコンが使用されている。このような高純度多結晶シリコンの製造法としては、シーメンス法や亜鉛還元法などが知られている。中でも、高純度の結晶シリコンを低コストで製造し得る点から、亜鉛還元法が注目されている。この方法は、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ4）が亜鉛蒸気（還元剤）によって還元されて、ポリシリコンおよび塩化亜鉛が生じる反応に基づくものである（例えば、特許文献１〜２参照）。
【０００４】
ところで、亜鉛還元法において用いられる亜鉛蒸気の純度と、製造されるポリシリコンの純度とは、高い相関がある。すなわち、亜鉛蒸気の純度が低い場合、製造されるポリシリコンの純度も低くなってしまう。
【０００５】
ポリシリコンにおいて高い純度を維持するためには、亜鉛蒸気の原料として使用される固体亜鉛にも、高い純度が求められるが、このような高純度亜鉛の価格は高く、結果として、ポリシリコンの製造コストも高くしてしまう。
【０００６】
一方で、ポリシリコンの低コスト化を達成するために、固体亜鉛の原料コストも低減することが求められている。
たとえば、固体亜鉛を加熱して気化させて亜鉛蒸気を製造し、該亜鉛蒸気を亜鉛還元法に供するが、亜鉛還元法において、テトラクロロシランと反応しなかった亜鉛蒸気は、固化させられた後、再び、亜鉛蒸気の原料として再び利用される。再利用された固体亜鉛は、工程内で使用される部材に由来する不純物を含んでしまうことがある。このような不純物としては、たとえば、ＳｂやＡｓを含む物質（たとえば、SiC系のレンガ（ケルシック-PBなど））が挙げられる。
【０００７】
このような不純物が固体亜鉛に混入して、固体亜鉛の純度が低下してしまうと、亜鉛蒸気の純度も、延いては、ポリシリコンの純度も低下してしまう。そのため、太陽電池等に求められるグレードの純度を達成できなくなってしまう。
【０００８】
亜鉛蒸気の純度を高く維持するためには、高純度の亜鉛を追加補充することが考えられるが、上述のように、原料コストが増加してしまい、結果として、ポリシリコンの製造コストの増加を招来することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第４６９２２４７号公報
【特許文献２】特許第４６９２３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、不純物元素としてＡｓおよび／またはＳｂを含む固体粗亜鉛であっても、Ａｓおよび／またはＳｂの含有量を低減できる、高純度の亜鉛蒸気の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意検討の結果、不純物元素としてＡｓおよび／またはＳｂを含む固体の粗亜鉛を、特定の元素を含む蒸気圧降下剤の存在下で、かつ不純物元素と前記特定の元素との原子数比を特定範囲に限定した条件下で加熱すると、高純度の亜鉛蒸気を製造できるという知見を得た。
【００１２】
本発明は、このような知見に基づいて完成されたものであり、その要旨は以下のとおりである。
［１］  固体粗亜鉛（Ａ）を、蒸気圧降下剤（Ｂ）とともに加熱して溶融させた後、気化させる工程（１）を含む亜鉛蒸気の製造方法であって、
前記固体粗亜鉛（Ａ）が、ＡｓおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも一つの不純物元素（ａ）を含み、
前記蒸気圧降下剤（Ｂ）が、元素周期律表第７族、第９族および第１０族からなる群より選択される少なくとも一つの族に属する元素（ｂ）を含み、
前記工程（１）を、下記式（Ｉ）を満たす条件下で実施することを特徴とする亜鉛蒸気の製造方法。
元素（ｂ）の原子数 ≧（（Ａｓの原子数）＋（Ｓｂの原子数））    （Ｉ）
【００１３】
［２］  前記固体粗亜鉛（Ａ）が、Ａｓおよび／またはＳｂを、それぞれ１０ｐｐｂａ以上の濃度で含む、項［１］に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
［３］  前記元素（ｂ）が、Ｍｎおよび／またはＮｉである、項［１］または［２］に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
【００１４】
［４］  前記工程（１）を、前記元素（ｂ）が、前記不純物元素（ａ）の合計の濃度に対して、０．８倍以上の濃度で溶融後の亜鉛中に含まれる状態で実施する、項［１］〜［３］の何れか一項に記載の亜鉛蒸気の製造方法。
【００１５】
［５］  項［１］〜［４］の何れか一項に記載の亜鉛蒸気の製造方法で得られた亜鉛蒸気を用いる、高純度ポリシリコンの製造方法。
［６］  ＡｓおよびＳｂが、それぞれ１０ｐｐｂａ未満の濃度で含まれる高純度ポリシリコンを製造する、項［５］に記載の高純度ポリシリコンの製造方法。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の亜鉛蒸気の製造方法によれば、不純物元素としてＡｓおよび／またはＳｂを含む固体粗亜鉛であっても、固体粗亜鉛からＡｓおよび／またはＳｂの含有量が低減された高純度の亜鉛蒸気を製造することができる。製造された高純度の亜鉛蒸気を亜鉛還元法に供することで、上記不純物元素の含有量が極めて小さい、高純度のポリシリコンを製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の亜鉛蒸気の製造方法について、以下詳細に説明する。
本発明の亜鉛蒸気の製造方法は、ＡｓおよびＳｂからなる群より選ばれる少なくとも１種の不純物元素（ａ）を含む固体粗亜鉛（Ａ）を、蒸気圧降下剤（Ｂ）とともに、下記式（Ｉ）を満たす条件下で加熱して溶融させた後、気化させる工程（１）を含む。
元素（ｂ）の原子数 ≧（（Ａｓの原子数）＋（Ｓｂの原子数））    （Ｉ）
【００１８】
工程（１）において、固体粗亜鉛（Ａ）中に含まれる不純物元素（ａ）は、蒸気圧降下剤（Ｂ）と反応して、亜鉛金属よりも蒸気圧が低い（気化し難い）化合物（難気化性化合物）を形成する。たとえば、蒸気圧降下剤（Ｂ）がニッケルおよびマンガンである場合、難気化性化合物はＡｓＮｉ、ＳｂＮｉ、ＡｓＭｎおよびＳｂＭｎである。
【００１９】
また、本工程では、加熱によって亜鉛金属が溶融した後、気化して亜鉛蒸気が生成する一方、難気化性化合物は気化し難い。その結果として、Ａｓおよび／またはＳｂが低減された亜鉛蒸気を得ることができる。本発明の亜鉛蒸気の製造方法で得られる亜鉛蒸気において、Ａｓおよび／またはＳｂの含有量は、それぞれ、好ましくは１０ｐｐｂａ未満、より好ましくは１ｐｐｂａ未満である。
【００２０】
前記固体粗亜鉛（Ａ）は、不純物元素（ａ）としてＡｓおよび／またはＳｂを含む固体の亜鉛である。固体粗亜鉛（Ａ）におけるＡｓおよびＳｂの含有量は、通常、それぞれ１０ｐｐｂａ以上の濃度である。不純物元素（ａ）は、通常、ヒ素（金属）、アンチモン（金属）や、ＺｎＳｂ、Ｚｎ3Ａｓ2などの化合物として、固体粗亜鉛（Ａ）に含まれている。
【００２１】
前記蒸気圧降下剤（Ｂ）は、元素周期律表第７族、第９族および第１０族からなる群より選択される少なくとも一つの族に属する元素（ｂ）を含む物質である。すなわち、蒸気圧降下剤（Ｂ）は、Ｍｎ、Ｔｃ，Ｒｅ，Ｂｈ（以上、元素周期律表第７族に属する元素）、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｍｔ（以上、元素周期律表第９族に属する元素）、Ｎｉ、Ｐｄ，ＰｔおよびＵｕｎ（以上、元素周期律表第１０族に属する元素）からなる群から選択される少なくとも１種類の元素（ｂ）を含む。中でも、ＡｓやＳｂと反応し易く、上記難気化性化合物を効率良く形成することができるという観点から、元素（ｂ）は、Ｎｉ、ＭｎおよびＣｏであることが好ましく、Ｎｉおよび／またはＭｎであることがより好ましい。
【００２２】
また、Ｎｉおよび／またはＭｎを含む蒸気圧降下剤（Ｂ）としては、ニッケル（金属ニッケル））、マンガン（金属マンガン）や、Ｎｉおよび／またはＭｎを含む塩化物、酸化物、水酸化物、亜酸化物、水素化物などの化合物が挙げられる。中でも、ＡｓやＳｂと反応し易く、上記難気化性化合物を効率良く形成することができるという観点から、蒸気圧降下剤（Ｂ）は、ニッケル（金属ニッケル）および／またはマンガン（金属マンガン）が好ましい。
工程（１）は、下記式（Ｉ）を満足する条件で実施する。
元素（ｂ）の原子数 ≧（（Ａｓの原子数）＋（Ｓｂの原子数））    （Ｉ）
【００２３】
ここで、上記式（Ｉ）で示されるように、元素（ｂ）の原子数が、不純物元素（ａ）の原子数と同じであるか、あるいは大きい限り、特に限定されないが、ＡｓやＳｂと反応し易く、上記難気化性化合物を効率良く形成することができるという観点から、元素（ｂ）の原子数は、不純物元素（ａ）の原子数の２倍以上であることが好ましく、３〜１０倍であることがより好ましい。
【００２４】
また、工程（１）において、前記固体粗亜鉛（Ａ）を蒸気圧降下剤（Ｂ）とともに加熱するにあたり、元素（ｂ）が、前記不純物元素（ａ）の合計の濃度に対して、好ましくは０．８倍以上、より好ましくは０．９倍〜５倍、さらに好ましくは１．０倍〜３倍の濃度で、溶融後の亜鉛中に含まれるようにする。
【００２５】
工程（１）における加熱条件は、通常、亜鉛の沸点（９０７℃）〜難気化性化合物の沸点未満の範囲である（たとえば、難気化性化合物がＳｂＮｉである場合、９０７〜１５００℃）。また、石英容器の耐熱温度の範囲にあるという観点から、加熱条件は、たとえば、９０７〜１２００℃であり、好ましくは９０７〜１１００℃である。なお、工程（１）は、通常、常圧下（すなわち、１atm＝101325Pa前後）で実施される。
【００２６】
工程（１）において、亜鉛蒸気を製造するために汎用される耐熱容器を用いることができる。このような耐熱容器としては、ＳｉＮ製耐熱容器、Ａｌ2Ｏ3製耐熱容器および石英製耐熱容器等が挙げられる。
【００２７】
本発明の亜鉛蒸気の製造方法において、上記工程（１）の他に、工程（１）の前および／または後に、任意工程を実施してもよい。
本発明の亜鉛蒸気の製造方法によって得られた亜鉛蒸気において、ＡｓおよびＳｂの濃度は、それぞれ、好ましくは１０ｐｐｂａ以下、より好ましくは１ｐｐｂａ以下である。すなわち、上記亜鉛蒸気は、極めて不純物の濃度が低く、亜鉛還元法に原料として使用するのに適しているため、該亜鉛蒸気を高純度ポリシリコンの製造に供することができる。
【００２８】
具体的には、四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）ガスおよび亜鉛蒸気（亜鉛ガス）を原料ガスとして反応容器（亜鉛還元容器）に供給して、通常９５０〜１２００℃の温度条件下で、下記反応式に示されるように、原料ガスからシリコンを生成する。
ＳｉＣｌ4 ＋  ２Ｚｎ  →  Ｓｉ  ＋  ２ＺｎＣｌ2 
【００２９】
なお、副生されるガス状の塩化亜鉛および未反応の原料ガス（四塩化ケイ素ガスおよび亜鉛ガス）は、排ガスとして、亜鉛還元容器の内部から外部へ排出され、未反応の亜鉛ガスを冷却固化して固体亜鉛を調製し、調製された固体亜鉛を亜鉛ガスの原料として供してもよい。
【００３０】
このような亜鉛蒸気を用いる高純度ポリシリコンの製造方法は、Ａｓおよび／またはＳｂが、それぞれ１０ｐｐｂａ未満の濃度で含まれる高純度ポリシリコンを製造する方法であることが好ましい。たとえば、亜鉛蒸気のＡｓおよびＳｂの濃度が、それぞれ６ｐｐｂａ未満および４ｐｐｂａ未満である場合、このような高純度ポリシリコンを製造することができる。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
なお、各実施例および比較例における、固体粗亜鉛、亜鉛蒸気、シリコンウエハー中のＳｂおよびＡｓ、ならびに蒸気圧降下剤中のＭｎおよびＮｉの各濃度（ｐｐｂａ）は、ＳＥＭＩ  ＭＦ１６３０に基づいて、低温ＦＴ−ＩＲ（株式会社Ｂｕｒｋｅｒ製、品名「ＣｒｙｏＳＡＳ」）を用いて測定された。
【００３２】
［実施例１］
ＳｂおよびＡｓを、それぞれ１０ｐｐｂａの濃度で含む固体粗亜鉛（Ｉ）インゴット（２０ｋｇ/枚；約４０cm×２０ｃｍ×３．５ｃｍ）４００ｋｇ分を、加熱容器（石英製、容量１００Ｌ、製造元Ｃｏｖａｌｅｎｔ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ株式会社）内に仕込み、蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）６．７ｍｇを、加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、マンガンと固体粗亜鉛（Ｉ）を加熱溶解した。溶融後の亜鉛に含まれるＭｎおよびＮｉの濃度は、それぞれ２０ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａであった。
【００３３】
次いで、容器内の圧力が１ａｔｍ（＝101325Pa）および容器内の温度が９０７℃になるように加熱し、この容器内の圧力および温度条件を１００時間維持して固体粗亜鉛（Ｉ）を、溶融させた後、気化させ、亜鉛蒸気（１）を得た。
【００３４】
得られた亜鉛蒸気（１）を用いて、亜鉛還元法により、ポリシリコンを製造し、該ポリシリコンからＣＺ法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）に基づいて単結晶インゴットを製造し、該インゴットからシリコンウエハーを製造した。
得られた亜鉛蒸気（１）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を表１に示す。
【００３５】
［実施例２］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）７．２ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび２０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（２）を得た。得られた亜鉛蒸気（２）を用いたこと以外は、実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（２）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３６】
［実施例３］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）１７ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ５０ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（３）を得た。得られた亜鉛蒸気（３）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（３）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３７】
［実施例４］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）１８ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび５０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（４）を得た。得られた亜鉛蒸気（４）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（４）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３８】
［比較例１］
蒸気圧降下剤を用いなかったことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（１’）を得た。得られた亜鉛蒸気（１’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（１’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３９】
［比較例２］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）１．７ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ５ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（２’）を得た。得られた亜鉛蒸気（２’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（２’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４０】
［比較例３］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）１．８ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび５ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（３’）を得た。得られた亜鉛蒸気（３’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（３’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４１】
［比較例４］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）３．４ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ１０ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（４’）を得た。得られた亜鉛蒸気（４’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（４’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４２】
［比較例５］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）３．６ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび１０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例１と同様にして亜鉛蒸気（５’）を得た。得られた亜鉛蒸気（５’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（５’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４３】
［実施例５］
ＳｂおよびＡｓを、それぞれ１００ｐｐｂａの濃度で含む固体粗亜鉛（ＩＩ）インゴット（２０ｋｇ/枚；約４０cm×２０ｃｍ×３．５ｃｍ）４００ｋｇ分を、加熱容器（石英製、容量１００Ｌ、製造元Ｃｏｖａｌｅｎｔ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ株式会社）内に仕込み、蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）６７ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（Ｉ）に添加して、マンガンと固体粗亜鉛（ＩＩ）を加熱溶解した。溶融後の亜鉛に含まれるＭｎおよびＮｉの濃度は、それぞれ２００ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａであった。
【００４４】
次いで、容器内の圧力が１ａｔｍ（＝101325Pa）および容器内の温度が９０７℃になるように加熱し、この容器内の圧力および温度条件を１０時間維持して固体粗亜鉛（ＩＩ）を、溶融させた後、気化させ、亜鉛蒸気（５）を得た。
【００４５】
得られた亜鉛蒸気（５）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（５）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４６】
［実施例６］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）７２ｍｇを加熱容器内に添加して、該容器中に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび２００ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（６）を得た。得られた亜鉛蒸気（６）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（６）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４７】
［実施例７］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）１６８ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ５００ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（７）を得た。得られた亜鉛蒸気（７）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（７）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４８】
［実施例８］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）１８０ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび５００ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（８）を得た。得られた亜鉛蒸気（８）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（８）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４９】
［比較例６］
蒸気圧降下剤を用いなかったことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（６’）を得た。得られた亜鉛蒸気（６’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（６’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００５０】
［比較例７］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）１７ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ５０ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（７’）を得た。得られた亜鉛蒸気（７’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（７’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００５１】
［比較例８］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）１８ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび５０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（８’）を得た。得られた亜鉛蒸気（８’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（８’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００５２】
［比較例９］
蒸気圧降下剤としてマンガン（金属）３４ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ１００ｐｐｂａおよび０ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（９’）を得た。得られた亜鉛蒸気（９’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（９’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００５３】
［比較例１０］
蒸気圧降下剤としてニッケル（金属）３６ｍｇを加熱容器内の固体粗亜鉛（ＩＩ）に添加して、溶融後の亜鉛に含まれるＭｎの濃度およびＮｉの濃度を、それぞれ０ｐｐｂａおよび１００ｐｐｂａにしたことを除いては、実施例５と同様にして亜鉛蒸気（１０’）を得た。得られた亜鉛蒸気（１０’）を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ポリシリコン、単結晶インゴットおよびシリコンウエハーを製造し、亜鉛蒸気（１０’）およびシリコンウエハーに含まれるＳｂおよびＡｓの濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
2014037562.tif 000002