(57)【要約】【課題】分割後のチップにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハを良好に分割すること。【解決手段】本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハ（Ｗ）に形成された直交するストリート（１３ａ、１３ｂ）に沿って、個々のチップに分割する方法であって、ウェーハ（Ｗ）に対して透過性を有する波長のレーザー光線を各ストリート（１３ａ、１３ｂ）に沿って照射して、ウェーハ（Ｗ）の内部に改質層（２５）を形成する改質層形成工程と、改質層（２５）に外力を付与して改質層（２５）を分割起点として個々のチップに分割する分割工程とを有し、改質層形成工程では、分割後のチップのコーナーエッジ（２１）におけるクラックの発生位置を避けて、直交するストリート（１３ａ、１３ｂ）の交差部（１５）に改質層（２５）が形成される構成とした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの表面に所定の方向に延びる第１のストリートと該第１のストリートと交差して形成された第２のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、
エキスパンドテープ貼着工程を実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点を内部の複数高さ位置に位置づけて該第１のストリート及び該第２のストリートに沿って複数回照射しウェーハの内部に厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程を実施した後に、外力を付与して改質層を起点に該第１のストリート及び該第２のストリートに沿ってデバイス毎に分割する分割工程とを備え、
前記改質層形成工程では、レーザー光線を照射することで分割後のチップのコーナーエッジから表面にかけて生じるクラックの起点となるコーナーエッジ位置に相当する該第１のストリート及び該第２のストリートのどちらか一方又は両方の交差部においてレーザー光線を停止する若しくは該コーナーエッジ位置を避けた高さに集光点を位置づけてレーザー光線を該第１のストリート及び該第２のストリートのどちらか一方又は両方の交差部に照射し、該改質層形成工程における該複数の改質層以下の層数の改質層を交差部に形成すること、
を特徴とするウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハや光デバイスウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェーハを個々のチップに分割する加工方法として、レーザー加工によりウェーハを分割する技術が注目されている。このレーザー加工として、ウェーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射してウェーハ内部に脆弱な層（改質層）を形成し、この強度が低下した改質層を分割起点とする加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１の加工方法では、ウェーハ表面の格子状のストリートに沿ってレーザー光線が照射され、ウェーハの内部に直線状の改質層が形成される。そして、脆弱な改質層に外力が加わることで、改質層に沿ってウェーハが個々のチップに分割される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載のレーザー加工では、ダイシングソー等によるメカニカルダイシングとは異なり、切削屑の発生がなく、切り代もほとんどないためストリートの縮小化に対応可能である。しかしながら、直交するストリートの交差部に形成された改質層の影響により、分割後のチップのコーナーエッジでは、脆弱化した改質層の形成位置を起点としてクラックや欠けが生じ易いという問題があった。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、分割後のチップにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハを良好に分割できるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハの表面に所定の方向に延びる第１のストリートと該第１のストリートと交差して形成された第２のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、エキスパンドテープ貼着工程を実施した後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点を内部の複数高さ位置に位置づけて該第１のストリート及び該第２のストリートに沿って複数回照射しウェーハの内部に厚さ方向に複数の改質層を形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程を実施した後に、外力を付与して改質層を起点に該第１のストリート及び該第２のストリートに沿ってデバイス毎に分割する分割工程とを備え、前記改質層形成工程では、レーザー光線を照射することで分割後のチップのコーナーエッジから表面にかけて生じるクラックの起点となるコーナーエッジ位置に相当する該第１のストリート及び該第２のストリートのどちらか一方又は両方の交差部においてレーザー光線を停止する若しくは該コーナーエッジ位置を避けた高さに集光点を位置づけてレーザー光線を該第１のストリート及び該第２のストリートのどちらか一方又は両方の交差部に照射し、該改質層形成工程における該複数の改質層以下の層数の改質層を交差部に形成すること、を特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、第１、第２のストリートの交差部では、分割後のチップのコーナーエッジにおけるクラックの発生起点となる位置を避けて改質層が形成される。よって、第１のストリート及び第２のストリートに沿ってウェーハが個々のチップに分割されても、チップのコーナーエッジにクラックや欠け等が生じ難くなる。また、第１、第２のストリートに沿って高さ方向に複数の改質層が形成され、交差部にはこの改質層以下の層数の改質層が形成される。よって、交差部においてレーザー光線の停止や集光点の位置変更が行われても、交差部には必ず改質層が形成されるため、第１、第２のストリートに沿ってウェーハを個々のチップに良好に分割することができる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第１、第２のストリートとの交差部ではクラックの起点となり得る位置を避けて改質層を形成することで、分割後のチップにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハを良好に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態に係るエキスパンドテープ貼着工程の説明図である。
【図２】本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。
【図３】本実施の形態及び比較例に係るチップの断面模式図である。
【図４】本実施の形態に係る改質層形成工程の説明図である。
【図５】本実施の形態に係る分割工程の説明図である。
【図６】本実施の形態に係る改質層形成工程の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、テープ貼着装置によるエキスパンドテープ貼着工程、レーザー加工装置による改質層形成工程、テープ拡張装置による分割工程を経て実施される。エキスパンドテープ貼着工程では、ウェーハの表面側にエキスパンドテープが貼着される。改質層形成工程では、ウェーハの内部に高さ位置の異なる複数の改質層がストリートに沿って形成される。この改質層形成工程では、ストリートの交差部においてクラックの発生位置（起点）となり得る高さ位置を避けて改質層が形成される。
【００１１】
分割工程では、ウェーハに対して外力を付与して、改質層を分割起点として第１、第２のストリートに沿ってウェーハがデバイス毎に分割される。この分割工程では、改質層形成工程においてクラックの発生位置を避けて改質層が形成されているため、分割後のチップにはコーナーエッジにクラックや欠けが生じ難くなっている。また、ウェーハの交差部でも少なくとも１つの改質層が形成されるため、ウェーハをストリートに沿って良好に分割することができる。以下、添付の図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。
【００１２】
図１及び図２を参照して、エキスパンドテープ貼着工程について説明する。図１は、本実施の形態に係るエキスパンドテープ貼着工程の説明図である。図２は、本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。
【００１３】
図１及び図２に示すように、エキスパンドテープ貼着工程では、略円板状のウェーハＷの表面１１側にリングフレーム３１に張られたエキスパンドテープ３２が貼着される。このエキスパンドテープ３２の貼着により、後工程のレーザー加工時に被照射面側となるウェーハＷの裏面１２が露出されると共に、被保持面となるウェーハＷの表面１１がエキスパンドテープ３２で保護される。エキスパンドテープ３２の貼着後のウェーハＷは、レーザー加工装置（不図示）に搬入される。なお、エキスパンドテープ３２は、伸張可能であればよく、例えばポリ塩化ビニルからなるシート基材の一面に粘着剤を塗布して形成される。
【００１４】
エキスパンドテープ３２に被覆されたウェーハＷの表面１１には、所定方向に延びる第１のストリート１３ａと第１のストリート１３ａと交差して延びる第２のストリート１３ｂとが形成されている。この第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに区画された領域にはデバイス１４が形成されている。なお、ウェーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハでもよい。
【００１５】
図３及び図４を参照して改質層形成工程の一例について説明する。図３は、本実施の形態及び比較例に係るチップの断面模式図である。図４は、本実施の形態に係る改質層形成工程の説明図である。なお、図３では、図示左側は比較例に係るチップを示し、図示右側は本実施の形態に係るチップを示している。また、図４では、第１のストリートがＹ軸方向に延在し、第２のストリートがＸ軸方向に延在しているものとする。また、比較例においては、説明の便宜上、同一の名称については同一の符号を付して説明する。
【００１６】
まず、改質層形成工程の説明の前に分割後のチップにおけるクラックの発生位置について説明する。図３に示すように、比較例に係るチップＣは、ウェーハＷの第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂ（図２参照）に沿って連続的に改質層２５ａ、２５ｂが形成され、改質層２５ａ、２５ｂを起点として分割されたものである。この改質層２５ａ、２５ｂの高さ位置は分割に適した位置であるが、コーナーエッジ２１ではクラック２２が生じ易い位置になっている。例えば、比較例に係るチップＣでは、改質層２５ａ、２５ｂが形成されたコーナーエッジ２１から表面１１にかけてクラック２２が生じている。このように、チップＣのコーナーエッジ２１では、改質層２５によって脆弱化した位置を起点としてクラック２２や欠け等が生じ易い。
【００１７】
図３に示すチップＣでは、比較例のように改質層２５ａ、２５ｂの高さ位置でコーナーエッジ２１にクラック２２が生じるが、本実施の形態のように改質層２５ｃの高さ位置でコーナーエッジ２１にクラック２２が生じないことが本件出願人により確認されている。すなわち、コーナーエッジ２１において特定の高さ位置に改質層２５が形成されることで、改質層２５の形成位置がクラック２２の起点となるコーナーエッジ位置２３になり、特定の高さ位置から外れた位置に改質層２５が形成されてもコーナーエッジ位置２３にはならない。そこで、本実施の形態では、ウェーハＷの分割後にチップＣのコーナーエッジ２１となる第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５でコーナーエッジ位置２３となり得る高さ位置を避けて改質層２５が形成される。
【００１８】
例えば、本実施の形態に係るチップＣは、コーナーエッジ２１以外では比較例と同様に分割に適した高さ位置に改質層２５ａ、２５ｂが形成され、コーナーエッジ２１ではコーナーエッジ位置２３を避けた高さ位置に改質層２５ｃが形成されている。これにより、コーナーエッジ２１以外では分割されやすく、チップＣのコーナーエッジ２１ではクラック２２や欠け等が生じ難くなっている。この分割後のチップＣのクラック２２の起点となるコーナーエッジ位置２３は、ウェーハＷの材質や加工条件等に応じてチップＣの厚み方向において変化する。したがって、生産開始前に行われる試験加工時に、チップＣの分割状態等を確認してコーナーエッジにおいてはクラック発生箇所を避けた高さ位置にレーザー光線の集光点が調整されることが好ましい。
【００１９】
なお、改質層２５は、レーザー光線の照射によってウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層２５は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００２０】
続いて、改質層形成工程について説明する。上記したエキスパンドテープ貼着工程の後に改質層形成工程が実施される。図４Ａに示すように、レーザー加工装置（不図示）のチャックテーブル３５上にエキスパンドテープ３２を介してウェーハＷが保持される。また、加工ヘッド３６の出射口がウェーハＷの第１のストリート１３ａ（図２参照）に位置付けられ、加工ヘッド３６によってウェーハＷの裏面１２側からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウェーハＷの内部の第１の高さ位置Ｈ１に集光するように調整されている。
【００２１】
そして、ウェーハＷに対して加工ヘッド３６がＹ軸方向に相対移動されることで、ウェーハＷの内部の第１の高さ位置Ｈ１に第１のストリート１３ａに沿った改質層２５ａが形成される。この第１の高さ位置Ｈ１は、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１においてクラックや欠け等の起点になり易い（図３参照）。このため、改質層形成工程では、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５を抜かしてレーザー加工される。この場合、交差部１５ではウェーハＷに対するレーザー光線の照射が停止されるため、ウェーハＷの内部には改質層２５ａが断続的に形成される。このレーザー加工は、全ての第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って繰り返される。
【００２２】
第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って第１の高さ位置Ｈ１に改質層２５ａが形成されると、図４Ｂに示すように、レーザー光線の集光点が上動されて第２の高さ位置Ｈ２に集光するように調整される。この第２の高さ位置Ｈ２は、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１においてクラックや欠け等の起点になり難い位置となっている（図３参照）。そして、ウェーハＷに対して加工ヘッド３６がＹ軸方向に相対移動されることで、改質層２５ａが形成されていない第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５に改質層２５ｃが形成される。なお、この改質層２５ｃの形成は、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂのどちらか一方又は両方の交差部１５に形成されてもよい。
【００２３】
第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５に改質層２５ｃが形成されると、図４Ｃに示すように、レーザー光線の集光点が上動されて第３の高さ位置Ｈ３に集光するように調整される。この第３の高さ位置Ｈ３は、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１においてクラックや欠け等の起点になり易い（図３参照）。このため、改質層形成工程では、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５を抜かしてレーザー加工される。この場合、交差部１５ではウェーハＷに対するレーザー光線の照射が停止されるため、ウェーハＷの内部には改質層２５ｂが断続的に形成される。このレーザー加工は、全ての第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って繰り返される。
【００２４】
このように、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５を除いて、ウェーハＷの内部には第１、第３の高さ位置Ｈ１、Ｈ３に改質層２５ａ、２５ｂが形成される。また、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５には、クラック２２の起点となり易い位置を避けた第２の高さ位置Ｈ２に改質層２５ｃが形成される。第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂだけでなく交差部１５においても改質層２５ｃが形成されるため、ウェーハＷを第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って良好に分割可能である。また、交差部１５ではクラックの起点になり易い位置を避けて改質層２５ｃが形成されるため、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１におけるクラックや欠け等の発生を防止できる。
【００２５】
なお、本実施の形態では、ウェーハＷの厚み方向において、第１の高さ位置Ｈ１と第３の高さ位置Ｈ３との間に第２の高さ位置Ｈ２が位置する構成としたが、この構成に限定されない。第２の高さ位置Ｈ２は、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５において、クラックの起点となり易い高さ位置を避ければよく、例えば、第１の高さ位置Ｈ１よりも低い位置でもよいし、第３の高さ位置Ｈ３よりも高い位置でもよい。
【００２６】
また、ウェーハＷの内部に第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿った改質層２５を形成可能であれば、改質層２５の形成順序は特に限定されない。例えば、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５に第２の高さ位置Ｈ２の改質層２５ｃを形成した後に、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂから交差部１５を除いた箇所に、第１、第３の高さ位置Ｈ１、Ｈ３の改質層２５ａ、２５ｂを形成してもよい。
【００２７】
図５を参照して、分割工程の一例について説明する。図５は、本実施の形態に係る分割工程の説明図である。
【００２８】
上記した改質層形成工程の後に分割工程が実施される。図５Ａに示すように、テープ拡張装置（不図示）の環状テーブル３７上にリングフレーム３１が載置され、クランプ部３８によって環状テーブル３７にリングフレーム３１が保持される。また、拡張ドラム３９の外径はリングフレーム３１の内径より小さくなっており、拡張ドラム３９の内径はウェーハＷの外径より大きくなっている。このため、拡張ドラム３９の上端部がウェーハＷとリングフレーム３１との間でエキスパンドテープ３２に当接される。
【００２９】
図５Ｂに示すように、環状テーブル３７と共にリングフレーム３１が下降することで、拡張ドラム３９が環状テーブル３７に対して相対的に上昇される。この結果、エキスパンドテープ３２が放射方向に拡張されて、エキスパンドテープ３２を介してウェーハＷの改質層２５に外力が付与される。ウェーハＷは、脆弱化した改質層２５を分割起点として、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂ（図２参照）に沿って個々のチップＣ（デバイス１４）に分割される。分割後のチップＣは、エキスパンドテープ３２の拡張によってチップ間隔が広げられた後、ピックアップコレット（不図示）に吸着されてエキスパンドテープ３２から剥離される。
【００３０】
なお、ここではテープ拡張によってウェーハを分割する構成を例示したが、この構成に限定されない。分割工程では、改質層に沿ってウェーハを分割可能であればよく、例えば、押圧刃を用いたブレーキングによりウェーハを分割してもよい。
【００３１】
以上のように、本実施の形態に係るウェーハの加工方法によれば、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂとの交差部１５では、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１におけるクラック２２の起点となりうる位置を避けて改質層２５が形成される。よって、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿ってウェーハＷが分割されても、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１にクラックや欠け等が生じ難くなる。また、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５にも改質層２５が形成されるため、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿ってウェーハＷを個々のチップＣに良好に分割できる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３３】
例えば、上記した実施の形態においては、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５で高さ位置を変えることで、分割後のチップＣでクラックの起点となり易い位置を避ける構成としたが、この構成に限定されない。第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５では、レーザー光線の照射を停止させることで、分割後のチップＣでクラックの起点となり易い位置を避けてもよい。なお、以下の変形例においては、説明の便宜上、同一の名称には同一の符号を付して説明する。
【００３４】
具体的には、図６Ａの図示左側に示すように分割後のチップＣのコーナーエッジ２１において第４の高さ位置Ｈ４付近でクラック２２や欠け等が生じ易い場合には、図示右側に示すように第４の高さ位置Ｈ４で改質層２５ａを断続的に形成してもよい。この場合、レーザー光線の集光点を第４の高さ位置Ｈ４に位置付けて、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５ではレーザー光線を停止し、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って改質層２５ａを断続的に形成する。続いて、レーザー光線の集光点を第５の高さ位置に位置付け、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿って改質層２５ｂを連続的に形成する。
【００３５】
このような構成でも、分割後のチップＣのコーナーエッジ２１においてクラックや欠け等の起点になり易い箇所を避けて改質層２５ａを形成できる。また、第５の高さ位置Ｈ５には改質層２５ｂが断続することなく形成されているため、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂに沿ってウェーハＷを個々のチップＣに良好に分割することができる。
【００３６】
逆に、図６Ｂの図示左側に示すように分割後のチップＣのコーナーエッジ２１において第５の高さ位置Ｈ５付近でクラック２２や欠け等が生じ易い場合には、図示右側に示すように第５の高さ位置Ｈ５で改質層２５ｂを断続的に形成してもよい。この構成でも、図６Ａに示す構成と同様に、分割後のチップＣにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハＷを良好に分割できる。図６Ａ及び図６Ｂに示す変形例では、断続的に改質層２５ａ、２５ｂを形成する際に、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂのどちらか一方の交差部１５においてレーザー光線を停止させてもよいし、両方の交差部１５においてレーザー光線を停止させてもよい。
【００３７】
また、上記した実施の形態においては、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂの交差部１５では１つの改質層２５ｃを形成する構成としたが、この構成に限定されない（図４参照）。交差部１５には、改質層形成工程における複数の改質層２５以下の層数の改質層２５が形成されればよい。例えば、上下２つの異なる高さ位置に改質層２５が形成される場合に、交差部１５では上下２つの改質層２５の高さ位置を変えて形成する。
【００３８】
具体的には、図６Ｃの図示左側に示すように分割後のチップＣのコーナーエッジ２１において第４、第５の高さ位置Ｈ４、Ｈ５付近でクラックや欠け等が生じ易い場合には、図示右側に示すように交差部１５では第４、第５の高さ位置Ｈ４、Ｈ５を避けて改質層２５ｃ、２５ｄを形成する。この場合、レーザー光線の集光点を第４、第５の高さ位置Ｈ４、Ｈ５を避けた第６、第７の高さ位置Ｈ６、Ｈ７に位置付けてレーザー光線を照射する。この構成でも、図６Ａに示す構成と同様に、分割後のチップＣにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハＷを良好に分割できる。図６Ｃに示す変形例は、第１、第２のストリート１３ａ、１３ｂのどちらか一方の交差部１５において高さ位置を変えてレーザー光線を照射してもよいし、両方の交差部１５において高さ位置を変えてレーザー光線を照射してもよい。
【００３９】
また、本実施の形態においては、エキスパンドテープ貼着工程、改質層形成工程、分割工程がそれぞれ別の装置で行われるが、一部の工程又は全ての工程が１つの装置で行われてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上説明したように、本発明は、分割後のチップにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハを良好に分割できるという効果を有し、特に、半導体ウェーハや光デバイスウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００４１】
１１  ウェーハの表面
１２  ウェーハの裏面
１３ａ  第１のストリート
１３ｂ  第２のストリート
１４  デバイス
１５  交差部
２１  コーナーエッジ
２２  クラック
２３  コーナーエッジ位置
２５  改質層
３２  エキスパンドテープ
Ｗ  ウェーハ
Ｃ  チップ
【図１】
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【図２】
2014072476.tif 000004
【図３】
2014072476.tif 000005
【図４】
2014072476.tif 000006
【図５】
2014072476.tif 000007
【図６】
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