(57)【要約】【課題】本発明は、熱輻射を低減し、省電力化できる蒸発源を用いて、大型基板に対応し、アルミニウム材料を主とした金属薄膜を高速成膜し、連続成膜することが可能な蒸発源、真空蒸着装置及び有機ＥＬ表示装置製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、セラミック製のルツボを用いる蒸発源において、ツバ部を挟むように熱反射部材を設けたことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断する。この結果、少ない電力で効果的な坩堝の加熱ができ、また、ツバ部の温度上昇を防止し這い上がりを防止できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発材料を収納するルツボと、
該ルツボに収容された蒸発材料の蒸気を放出するためのルツボ出口と、
該ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられた熱反射部材と、
該ルツボの外側壁を囲むように設けたヒータと、
を備えたことを特徴とする蒸発源。
【請求項２】
請求項１記載の蒸発源において、
前記熱反射部材のうち、ヒータ側に設けられた熱反射部材は、その一部がルツボ本体と該ヒータの間に位置するように設けられていることを特徴とする蒸発源。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の蒸発源において、
前記ルツボ出口に前記熱反射部材への材料付着を防止するためのノズルを備えたことを特徴とする蒸発源。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ヒータを前記ルツボ出口方向に分割して、個別に温度制御することを特徴とする蒸発源。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられたツバ部を備え、
前記熱反射部材は該ツバ部を挟むように設けられていることを特徴とする蒸発源。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の蒸発源において、
前記ツバ部の温度を１１００℃から１２００℃に温度制御したことを特徴とする蒸発源。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の１個以上の蒸発源と、
前記蒸発源によって基板への蒸着量を検出する膜厚モニタと、
前記膜厚モニタの検出結果に基づいて、前記蒸発源を制御する制御部と、
を備えたことを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項８】
薄膜トランジスタ、有機ＥＬ層、及び前記有機ＥＬ層を挟む電極層が形成されたＴＦＴ基板を封止基板によって封止した有機ＥＬ表示装置製造方法であって、
薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板を真空蒸着装置の蒸着室内に配置し、前記ＴＦＴ基板に対向して、前記有機ＥＬ層または電極層を成膜するための蒸着材料を収容した請求項１乃至６のいずれかに記載の蒸発源を１個以上配設し、前記ＴＦＴ基板に前記蒸着材料を蒸着することによって、前記有機ＥＬ層を形成することを特徴とする有機ＥＬ表示装置製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の有機ＥＬ表示装置製造方法において、前記蒸着室内に、前記蒸発源それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給することを特徴とする有機ＥＬ表示装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸発源、真空蒸着装置及び有機ＥＬ表示装置製造方法に係り、特に大型の基板上に有機ＥＬ表示装置を形成するために有効な蒸発源、真空蒸着装置及び有機ＥＬ表示装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置や照明装置に用いられる有機ＥＬ素子は、有機材料からなる有機層を上下から陽極と陰極の一対の電極で挟み込んだ構造で、電極に電圧を印加することにより陽極側から正孔が陰極側から電子がそれぞれ有機層に注入され、それらが再結合することにより発光する仕組みになっている。
【０００３】
この有機層は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む多層膜が積層された構造になっている。この有機層を形成する材料として高分子材料と低分子材料を用いたものがある。このうち低分子材料を用いる場合には、真空蒸着装置を用いて有機薄膜を形成する。
【０００４】
有機ＥＬデバイスの特性は有機層の膜厚の影響を大きく受ける。一方、有機薄膜を形成する基板は年々大形化してきている。したがって、真空蒸着装置を用いる場合、大型の基板上に形成される有機薄膜や電極用金属薄膜の膜厚を高精度に制御し、かつ長時間連続稼動できるようにする必要がある。電極用金属薄膜は大型化に伴い、低抵抗化が必要となり、特に表示装置用の有機層の上部の電極材料（蒸着材料）としてはアルミニウムや銀、マグネシウム材料がもっとも有力視されている。
【０００５】
真空蒸着で基板に薄膜を連続させて形成するための蒸発源として、特許文献１にはルツボから飛散した原料が回り込んでヒータ等に付着するのを防止し、また、ルツボ内壁を伝わって原料の這い上がり現象によるトラブルを防止できる蒸発源が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９-１７０８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１には、ヒートシールドを配置し、原料の這い上がりや回り込みの現象によるヒータ等への付着によるトラブルを低減できる蒸発源が開示されている。しかし、基板側への熱輻射対策やヒータ電力の省電力化に対しては考慮されていない。
【０００８】
本発明の目的は、熱輻射を低減し、省電力化できる蒸発源を用いて、大型基板に対応し、アルミニウム材料を主とした金属薄膜を高速成膜し、連続成膜することが可能な蒸発源、真空蒸着装置及び有機ＥＬ表示装置製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を解決するために、少なくとも下記の特徴を有する。
【００１０】
本発明の蒸発源は、蒸発材料を収納するルツボと、該ルツボに収容された蒸発材料の蒸気を放出するためのルツボ出口と、該ルツボ出口の少なくとも一部を囲むように設けられた熱反射部材と、該ルツボの外側壁を囲むように設けたヒータと、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また、前記熱反射部材のうち、ヒータ側に設けられた熱反射部材は、その一部がルツボ本体と該ヒータの間に位置するように設けてもよい。
さらに、前記ルツボ出口に前記熱反射部材への材料付着を防止するためのノズルを備えてもよい。
【００１２】
また、前記ルツボ出口方向にヒータを分割して、個別に温度制御してもよい。
さらに、前記ツバ部がない前記ルツボの前記ツバ部がない箇所を挟むように設けられた前記熱反射部材を備えてもよい。
また、ツバ部の温度を１１００℃から１２００℃に温度制御してもよい。
【００１３】
さらに、本発明の真空蒸着装置は、上記のいずれかに記載の蒸発源を１個以上備え、前記蒸発源によって基板への蒸着量を検出する膜厚モニタと、前記膜厚モニタの検出結果に基づいて、前記蒸発源を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置製造方法は、薄膜トランジスタ、有機ＥＬ層、及び前記有機ＥＬ層を挟む電極層が形成されたＴＦＴ基板を封止基板によって封止した有機ＥＬ表示装置製造方法であって、薄膜トランジスタが形成されたＴＦＴ基板を真空蒸着装置の蒸着室内に配置し、前記ＴＦＴ基板に対向して、前記有機ＥＬ層または電極層を成膜するための蒸着材料を収容した蒸発源を１個以上配設し、前記ＴＦＴ基板に前記蒸着材料を蒸着することによって、前記有機ＥＬ層を形成することを特徴とする。
【００１５】
さらに、上記の有機ＥＬ表示装置製造方法において、前記蒸着室内に、前記蒸発源それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給してもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、セラミック製のルツボを用いる蒸発源において、ツバ部を挟むように熱反射部材を設けたことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的な坩堝の加熱ができる。また、ツバ部の温度上昇を防止でき、這い上がりを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】立直した基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な縦型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。
【図２】水平に配置された基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な横型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図４】第１の実施例の変形例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図５】本発明の第２の実施例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図６】第２の実施例の変形例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第３の実施例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図８】第３の実施例の変形例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第４の実施例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図１０】第４の実施例の変形例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第５の実施例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図１２】第５の実施例の変形例における蒸発源構成を示す断面図である。
【図１３】坩堝温度に対する各蒸着材料の飽和蒸気圧を示す図である。
【図１４】本発明における有機ＥＬ表示装置生産工程の一例を示した工程図である。
【図１５】従来例の蒸発源構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、アルミニウム蒸着で問題となる濡れや這い上がりを防止するため、一体もののセラミック製のルツボ構造を採用し、ルツボの材質をアルミニウム材料と反応しない熱分解性窒化硼素（ＰＢＮ）とし、当該ＰＢＮルツボのツバ部、あるいは、出口部分に熱反射部材を設けることにより、這い上がり、基板温度上昇を防止し、省電力で蒸着するものである。
【００１９】
以下に、実施例及び図面を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
しかし、本発明は、以下に説明する実施形態に限定されるわけではなく、本発明が属する技術分野において、通常の知識を有する者であれば、本発明の思想と精神に基づいて、本発明を修正若しくは変更できる発明が含まれることは勿論である。
なお、各図の説明において、同一の機能を有する構成要素には同一の参照番号を付し、重複を避けるため、できるだけ説明を省略する。
【００２０】
図１は、立直した基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な縦型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。図２は、水平に配置された基板に蒸着材料を蒸着する本発明の蒸発源が適用可能な横型真空蒸着装置の一実施形態を示す図である。
【００２１】
両真空蒸着装置は、蒸着室５内に、基板１、蒸発源３、膜厚モニタ７があり、両真空蒸着装置には、例えば、蒸発源３に示すように外部から電源が供給されている。
一方、蒸着室５外には、膜厚を制御するための膜厚制御計８、蒸発源の温度を制御するための蒸発源電源９、膜厚制御計８と蒸発源電源９を連動させて制御し、蒸着データを記録するための制御部である制御用パソコン１０がある。
【００２２】
図１に示す縦型真空蒸着装置では、基板１と蒸発源列３２は相対的に位置を変えることにより、基板全面に成膜できる。本実施形態では、蒸発源３を所望の基板サイズに合わせて、縦に並べて、蒸発源列３２を横の一軸だけ移動するだけで、成膜可能である。また、蒸発源３を所望の基板サイズに合わせて、横に並べて、蒸発源列３２を上下の一軸だけ移動するだけでも、成膜可能である。なお、蒸発源列３２を固定して基板を移動させてもよい。
【００２３】
図２に示す横型真空蒸着装置では、水平基板１に成膜する場合の構成図である。基板１と蒸発源列３２は相対的に位置を変えることにより、基板全面に成膜である。本実施形態では、蒸発源列３２を固定して、異なった処理室に基板を搬送するインライン方式の例を示す。
【００２４】
図１５は、従来例の蒸発源構成を示す断面図である。従来の蒸発源３Ｊのルツボ３２は、ヒータ３３で加熱される。蒸着材料４は、たとえば、アルミニウムの場合、１２００℃以上に加熱されて、ルツボ出口から蒸気２が出て、基板１へ蒸気２が放出され成膜される。その際、加熱温度はルツボの底付近にある熱電対３９でモニタされる。膜厚モニタ７の信号により、成膜速度は制御され、所望の膜厚が形成できる。
【００２５】
以下、本発明の特徴の蒸発源を主体に説明する。
【００２６】
（実施例1）
図３は、本発明の蒸発源の第１の実施例３Ａの構成を示す断面図である。蒸発源３Ａは、例えば、クヌードセンセル（Ｋセル）である。このＫセルは、セラミック（ＰＢＮ、アルミナ、カーボン材料、等）を材質とするルツボ３２と、当該坩堝を加熱するためのヒータ３３、坩堝温度を制御するための熱電対１９、蒸着材料４を供給するための材料供給機２０と、熱を外部に漏らさないようにするための図示しない熱シールド、及び水冷シールドから構成されている。材料供給機２０は、供給時のみ、ルツボ出口に移動して材料を投入することで、蒸着時に材料供給機２０へ材料が付着することを防止している。
【００２７】
蒸発源３Ａは、蒸着材料４であるアルミニウム材料の這い上がりを防止し、熱輻射低減、省電力化の目的を達成するために、一部が蒸気を放出するために開口され、ルツボ３２のツバ部３４を挟むように熱反射部材１１、１２を設けている。ツバ部３４を挟むように熱反射部材１１、１２を設けたことにより、ツバ部３４に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的なルツボの加熱ができる。また、ヒータからの熱輻射は熱反射部材１１で反射され、ツバ部３４の温度上昇を防止し、基板温度上昇を低減でき、冷えたツバ部で蒸着材料の這い上がりを防止できる。
【００２８】
図４は、実施例１の変形例である蒸発源３ＡＨの構成を示す断面図である。蒸発源３ＡＨの蒸発源３Ａと異なる点は、熱反射部材１１、１２を複数個(図では２個)入れた点である。その他の点は、蒸発源３ＡＨは蒸発源３Ａと同じである。熱反射部材１１、１２を複数個入れることで、さらに熱輻射を低減でき、省電力化、這い上がり防止効果を増加させることができた。
【００２９】
（実施例２）
図５は、本発明の蒸発源の第２の実施例３Ｂの構成を示す断面図である。
【００３０】
実施例１では、熱輻射を低減させるため、蒸気２が出る方向に、即ちルツボ３２のツバ部３４を挟むように熱反射部材１１、１２を設置している。本実施例では、這い上がり防止効果をさらに促進させるために、ヒータ３３側に設けられた熱反射部材１１とは、別にツバ部３４でないルツボ本体３２aとヒータ３３の間に位置するように熱反射部材１３を設けて、ツバ部３４やルツボ３２の出口付近への熱輻射を低減した。熱反射部材１１と１３は一体ものでもかまない。その場合は、熱反射部材の一部がルツボ本体３２ａとヒータ３３の間に位置するように配置すれば、同じ効果が得られる。また、図４で効果を説明したように、熱反射部材１１、１２、１３は２個以上重ねて配設してもかまわない。
【００３１】
図６は、実施例２の変形例である蒸発源３ＢＨの構成を示す断面図である。蒸発源３ＢＨの蒸発源３Ｂと異なる点は、蒸発源３周辺の蒸着室５内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ３３の熱が蒸発源３ＢＨの外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材１４、１５を設けた点である。本実施例では、熱反射部材１４、１５は一重で説明したが、２個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化、ルツボ温度の安定化を実現できる。
【００３２】
（実施例３）
図７は、本発明の蒸発源の第３の実施例３Ｃの構成を示す断面図である。
【００３３】
実施例１および実施例２では、熱反射部材１２は、ルツボ３２の出口から蒸気２にさらされるため、蒸着材料が熱反射部材１２に付着してトラブルとなる場合がある。本実施例では、上記材料付着の問題を解決するため、ルツボ３２の出口に、ノズル１６を設置して、熱反射部材１２を蒸気２にさらさないようにした。ノズル１６は蒸着材料が付着しても問題ないセラミック材質にしている。たとえば、蒸着材料がアルミニウムの場合は、破損を防ぐため、ルツボと同じＰＢＮ材質にしている。窒化アルミニウムや窒化ボロンコンポジット材などの別種のセラミック材料でも可能である。
【００３４】
図８は、実施例３の変形例である蒸発源３ＣＨの構成を示す断面図である。蒸発源３ＣＨの蒸発源３Ｃと異なる点は、蒸発源３周辺の蒸着室５内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ３３の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材１４、１５を設けた点である。本実施例では、熱反射部材１４、１５は一重で説明したが、２個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化でき、ルツボ温度の安定化を実現できる。
【００３５】
（実施例４）
図９は、本発明の蒸発源の第４の実施例３Ｄの構成を示す断面図である。
【００３６】
実施例１から実施例３では、ヒータ３３は１個で、ルツボ３２外壁を覆うように設けた。本実施例では、ルツボ３２の底や出口等部分ごとに温度制御するために、図９に示すようにヒータ前３６、ヒータ後３７に分割して設置した。本実施例では、ルツボの温度を分割してそれぞれ所望の温度に制御することにより、這い上がりや蒸着材料の付着を防止できた。なお、３５は前ヒータ３６、後ヒータ３７の保持部材である。
【００３７】
図１０は、実施例４の変形例である蒸発源３ＤＨの構成を示す断面図である。蒸発源３ＤＨの蒸発源３Ｄと異なる点は、蒸発源３周辺の蒸着室５内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ３３の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材１４、１５を設けた点である。本変形例では、熱反射部材１４、１５を３重に設けたが、１個でも、あるいは、それ以上でも断熱効果が向上でき、省電力化、ルツボ温度の安定化を実現できる。
【００３８】
（実施例５）
図１１は、本発明の蒸発源の第５の実施例３Ｅの構成を示す断面図である。
【００３９】
実施例１から実施例４では、ルツボ３２のツバ部３４を熱反射部材１１、１２、１３で覆うことにより、ツバ部に沿って流出する熱を効果的に遮断することができ、少ない電力で効果的なルツボの加熱ができた。また、ヒータからの熱輻射は熱反射部材１１で反射され、ツバ部３４の温度上昇を防止でき、冷えたツバ部３４で蒸着材料の這い上がりを防止できた。
【００４０】
本実施例では、ツバなし３１０のルツボ３８場合においても、熱反射部材１１、１２、１３を設けることにより、基板温度上昇、および、蒸着材料の這い上がりを防止できた。
【００４１】
図１２は、実施例５の変形例である蒸発源３ＥＨの構成を示す断面図である。蒸発源３ＥＨの蒸発源３Ｄと異なる点は、図６に示す蒸発源３ＢＨと同様に、蒸発源周辺の蒸着室５内にある機器への熱の影響、あるいは、ヒータ３３の熱が外部に逃げることを防ぎ、省電力化を実現するために、周辺に熱反射部材１４、１５を設けた場合の断面図である。本発明では、熱反射部材１４、１５は一重で説明したが、２個以上重ねて、断熱効果を向上させるとさらに省電力化でき、ルツボ温度の安定化を実現できた。
【００４２】
（実施例６）
図１３は、アルミニウムＡｌ，銀Ａｇ、マグネシウムＭｇの温度Ｔと蒸気圧Ｐとの関係である蒸気圧曲線を示す。
実施例１から実施例５では、ツバ部３４の温度は測定していないが、本実施例では図１３に示す蒸気圧曲線から、成膜に必要な蒸気圧、たとえば、アルミニウム蒸着材料の場合、数Ｐａ（パスカル）〜数１０Ｐａ（パスカル）を得るためには、蒸着材料の温度を１３００℃〜１４００℃にする必要がある。また、這い上がりは、ツバ部の温度が１２００℃以上になると顕著に発生することがわかっている。ただし、ツバ部の温度が１０００℃以下になると、ツバ部の冷却により、蒸気２が付着して、ルツボ壁に付着してしまうことが実験的にわかっている。そのため、ツバ部３−４の温度を１１００℃から１２００℃の間で温度制御することにより、アルミニウムの這い上がりを防止しながら、成膜が可能であった。
【００４３】
（実施例７）
実施例１から実施例６では蒸発源構成を説明したが、本実施例では、実施例１から実施例６で用いた蒸発源を図１又は図２に示す、縦型真空蒸着装置又は横型真空蒸着装置に設置し、所望の成膜を実現できる真空蒸着装置を実現することができた。図１、図２では、蒸発源を複数個設置する例であった。しかし、１個の蒸発源でも基板に成膜することにより、大型の基板でも膜厚を均一に成膜することができた。
【００４４】
（実施例８）
図１４は、有機ＥＬ表示装置生産工程の一例を示した工程図である。実施例１〜実施例７では、この生産工程の金属蒸着の工程のみを主に説明した。
図１４の工程図では、有機層と有機層に流れる電流を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板と、有機層を外部の湿気から保護する封止基板とは別々に形成され、封止工程／シール硬化工程の封止工程において組み合わされる。
【００４５】
図１４のＴＦＴ基板の製造工程において、ウェット洗浄された基板に対してドライ洗浄を行う。ドライ洗浄は、紫外線照射による洗浄を含む場合もある。
ドライ洗浄されたＴＦＴ基板に先ず、ＴＦＴが形成される。ＴＦＴの上にパッシベーション膜および平坦化膜が形成され、その上に有機ＥＬ層の下部電極が形成される。下部電極はＴＦＴのドレイン電極と接続している。下部電極をアノードとする場合は、例えば、ＩＴＯ（ｌｎｄｉｕｍ Ｔｉｎｏｘｉｄｅ）膜が使用される。
【００４６】
次に、下部電極の上に有機ＥＬ層が形成される(有機蒸着)。有機ＥＬ層は複数の層から構成される。下部電極がアノードの場合には、下から、例えば、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層である。このような有機ＥＬ層は蒸着によって形成され、その上に上部電極層が形成される。上部電極層は、実施例１〜実施例７で述べたような真空蒸着装置あるいは有機ＥＬ表示装置製造方法によって形成する。
有機ＥＬ層の上には、各画素共通に、ベタ膜で上部電極が実施例１乃至５のいずれかの蒸発源で形成される(金属蒸着)。有機ＥＬ表示装置がトップエミッションの場合は、上部電極にはＩＺＯ（登録商標、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等の透明電極が使用され、有機ＥＬ表示装置がボトムエミッションの場合は、アルミニウム等の金属膜が使用される。
図１４の封止基板投入工程において、ウェット洗浄およびドライ洗浄を行った封止基板に対してデシカント（乾燥剤）が配置される。有機ＥＬ層は、水分があると劣化するので、内部の水分を除去するためにデシカントが使用される。デシカントには種々な材料を用いることができるが、有機ＥＬ表示装置がトップエミッションかボトムエミッションかによってデシカントの配置方法が異なる。
【００４７】
このように、別々に製造されたＴＦＴ基板と封止基板は、封止工程において、組み合わされる。ＴＦＴ基板と封止基板を封止するためのシール材は、封止基板に形成される。封止基板とＴＦＴ基板を組み合わせた後、シール部に紫外線を照射して、シール部を硬化させ、封止を完了させる。
【００４８】
このようにして形成された有機ＥＬ表示装置に対して点灯検査を行う。点灯検査において、黒点、白点等の欠陥が生じている場合でも欠陥修正可能なものは修正を行い、有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００４９】
本発明により、複数の層によって形成される有機ＥＬ層を異物による汚染を抑え、かつ、短いタクト時間で形成することができるので、有機ＥＬ表示装置の製造コストを低下させ、歩留まりを向上させることができる。さらに、有機ＥＬ層の各層の成分を正確に制御することができるので、特性の再現性が高く、かつ、信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を製造することができる。
【００５０】
（実施例９）
本実施例では図示はしていないが、実施例７の有機ＥＬ表示装置製造方法において、
前記蒸着室５内に、複数設けられた前記蒸発源３それぞれに蒸着材料を供給するための材料供給機を備え、前記蒸着室の真空状態を維持したまま、前記蒸着材料を供給することで、蒸着装置の稼働時間を延ばすことができる。
【符号の説明】
【００５１】
１：基板                          ２：蒸気
３、３Ａ乃至３Ｅ、３ＡＨ乃至３ＥＨ：蒸発源
３２：ルツボ                      ３３ａ：ルツボ本体
３３：ヒータ                      ３４：ツバ部
３５：ヒータの保持部材            ３６：前ヒータ
３７：後ヒータ                    ３８ルツボ
３９：熱電対                      ３１０：ツバなし
５：蒸着室                        ７：膜厚モニタ
８：膜厚制御計                    ９：蒸発源電源
１０：制御用パソコン              １１乃至１５：熱反射部材、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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