(57)【要約】【課題】被処理物の大気圧プラズマ処理において、有害成分が外部に放出されることを防止したプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】大気圧近傍の圧力下で被処理物を放電処理するプラズマ処理装置であって、放電室と、放電室にガスを導入するためのガス導入口と、放電室に導入されたガスを排出するためのガス排出口と、放電室の一端に設けられた被処理物導入口と、放電室の他端に設けれらた被処理物導出口と、放電室内に設けられた少なくとも一つの電極対と、被処理物導入口から放電室内に被処理物を導入し、電極対の電極間を通過させた後に、被処理物導出口から放電室の下流方向に被処理物を搬送する、搬送手段とを備え、被処理物導出口は被処理物導入口より大きい開口部で構成されている。【選択図】図１
2014072137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大気圧近傍の圧力下で被処理物を放電処理するプラズマ処理装置であって、
放電室と、
前記放電室にガスを導入するためのガス導入口と、
前記放電室に導入されたガスを排出するためのガス排出口と、
前記放電室の一端に設けられた被処理物導入口と、
前記放電室の他端に設けれらた被処理物導出口と、
前記放電室内に設けられた少なくとも一つの電極対と、
前記被処理物導入口から前記放電室内に前記被処理物を導入し、前記電極対の電極間を通過させた後に、前記被処理物導出口から前記放電室の下流方向に前記被処理物を搬送する、搬送手段とを備え、
前記被処理物導出口は前記被処理物導入口より大きい開口部で構成されている、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記放電室の下流の前記被処理物の搬送路上に、前記被処理物の表面に、前記被処理物の表面から前記放電室の前記被処理物導出口に向かうようにエアーを吹き付けるエアー吹き付け手段を備える、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記エアー吹き付け手段のエアー吹き出し位置は、前記放電室の前記被処理物導出口から前記被処理物の搬送方向に２０００ｍｍ以内の位置である、請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記放電室内において、前記被処理物の搬送方向に順に、前記電極対、前記ガス排出口、前記被処理物導出口が設けられている、請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記ガス排出口から排出されるガスに含まれる有害成分を除外した後に外部へ排出する、有害成分除外手段を備える、請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気圧下で被処理物を放電処理するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器をはじめとして今日の製品の多くは、小型化、高性能化が求められており、それに伴って、使用される部材の構成も複雑になってきている。液晶テレビを例に挙げると、表示パネル自体の高機能化はもとより、光学フィルムやカラーフィルタは、多層にわたって個別の機能を有する積層構造になっている。このような複合材料技術の進展において、材料内部の特性を変化させることなく表面の特性のみを変化させて高機能性を付与する表面改質技術が今日極めて重要になってきている。また歩留や生産性向上の観点からも、高速インライン製造プロセスに適用できる表面処理技術が強く求められている。
【０００３】
このような中、誘電体バリア放電を応用した大気圧プラズマ技術が表面改質において大きな注目を集めるようになってきた。大気圧プラズマ処理装置は真空ポンプやチャンバーが不要であり、構成が極めて単純である（たとえば、特許文献１等）。そのため、装置の大型化が容易で、インラインで連続処理する用途で紫外線照射や減圧プラズマに替わる新しいドライ洗浄・表面改質技術として、急速に応用が拡がってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２７２３１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、プラズマ処理装置においては、有害成分が含まれる放電処理用ガス、若しくは、プラズマ放電により放電処理用ガスから副生成物として生成される有害成分が装置外部に放出されることがあり、この場合、安全上の大きな問題となる。
【０００６】
本発明では、被処理物の大気圧プラズマ処理において、有害成分が外部に放出されることを防止したプラズマ処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、大気圧近傍の圧力下で被処理物を放電処理するプラズマ処理装置であって、放電室と、放電室にガスを導入するためのガス導入口と、放電室に導入されたガスを排出するためのガス排出口と、放電室の一端に設けられた被処理物導入口と、放電室の他端に設けれらた被処理物導出口と、放電室内に設けられた少なくとも一つの電極対と、被処理物導入口から放電室内に被処理物を導入し、電極対の電極間を通過させた後に、被処理物導出口から放電室の下流方向に被処理物を搬送する、搬送手段とを備え、被処理物導出口は被処理物導入口より大きい開口部で構成されている、プラズマ処理装置を提供する。
【０００８】
上記プラズマ処理装置においては、放電室の下流の被処理物の搬送路上に、被処理物の表面に、被処理物の表面から放電室の被処理物導出口に向かうようにエアーを吹き付けるエアー吹き付け手段を備えることが好ましい。この場合、上記エアー吹き付け手段のエアー吹き出し位置は、放電室の被処理物導出口から被処理物の搬送方向に２０００ｍｍ以内の位置であることが好ましい。
【０００９】
上記プラズマ処理装置において、放電室内には、被処理物の搬送方向に順に、電極対、ガス排出口、被処理物導出口が設けられていることが好ましい。
【００１０】
上記プラズマ処理装置は、ガス排出口から排出されるガスに含まれる有害成分を除外した後に外部へ排出する、有害成分除外手段を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の大気圧プラズマ処理装置によると、有害成分が外部へ放出されることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施形態のプラズマ処理装置を示す模式図である。
【図２】エアーノズルの位置を示す模式図である。
【図３】プラズマ処理装置において上流方向および下流方向からの空気の流れを示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の製造装置の一実施形態について図面を用いて説明する。なお、図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
【００１４】
［プラズマ処理装置］
図１は、本発明の一実施形態のプラズマ処理装置を示す模式図である。図１に示すプラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下で被処理物１１を放電処理するプラズマ処理装置であって、放電室６６と、放電室６６にガスを導入するためのガス導入口６９と、放電室６６に導入されたガスを排出するためのガス排出口６５と、放電室６６の一端に設けられた被処理物導入口６６１と、放電室６６の他端に設けれらた被処理物導出口６６２と、放電室６６内に設けられた少なくとも一つの電極対（上部電極６３ａおよび下部電極６３ｂ）とを備える。プラズマ処理装置において、被処理物導出口６６２は、被処理物導入口６６１より大きい開口部で構成されている。このように構成することにより、被処理物導出口６６２から有害成分が漏洩することを防止することができる。被処理物導出口６６２の大きさは、被処理物導入口６６１の大きさの１２０〜６００％であることが好ましい。
【００１５】
プラズマ処理装置は、さらに、被処理物導入口６６１から放電室６６内に被処理物１１を導入し、上部電極６３ａと下部電極６３ｂの間を通過させた後に、被処理物導出口６６２から放電室６６の下流方向に被処理物１１を搬送する、搬送手段３１を備える。搬送手段３１には、種々公知の装置を用いることができ、例えば、ベルトコンベア、テーブルシャトル、コロ、エア浮上移送装置が挙げられる。
【００１６】
本発明のプラズマ処理装置における被処理物１１の形状や材質は特に限定されることはなく、形状は板状、シート状、フイルム状、方形状などがある。また、材質は、有機物、セラミック・ガラスなどの無機物、シリコンウェハなどの半導体などがある。放電処理を受ける被処理物１１の表面は、一つの表面であっても、複数の表面であってもよい。
【００１７】
本発明のプラズマ処理装置は、大気圧近傍の圧力下で用いられるが、ここでいう「大気圧近傍の圧力下」とは具体的には６×１０４Ｐａ以上２．１×１０５Ｐａ以下の圧力下のことをいい、特に本発明においては９．３×１０４Ｐａ以上１．０７×１０５Ｐａ以下の圧力下であることが好ましい。
【００１８】
放電室６６内の空間の幅（被処理物１１の幅方向の長さ）は、被処理物１１の幅方向の両側に１０〜３０ｍｍずつのスペースができるように設定されることが好ましい。すなわち、放電室６６内の空間の幅は、被処理物１１の幅に２０〜６０ｍｍを加えた長さであることが好ましい。なお、放電室６６内の空間の幅は、該幅方向の両側に設けられたスペーサー等により調節することができる。
【００１９】
ガス導入口６９には、ガス導入管６１１を介してガス貯蔵タンク６１０が接続されており、ガス貯蔵タンクに貯蔵されている処理ガスが、ガス導入口６９から放電室６６内に導入される。また、ガス排出口６５には、排出導管６１３を介して有害成分除外手段６８が接続されており、放電室６６内の処理ガスは、ガス排出口６５から、有害成分除外手段６８にて有害成分が除去された後に、外部へ排出される。有害成分は、たとえば処理ガスに含まれたり、処理ガスから副生成物として生成されたりする。排出されるガスに含まれ得る有害成分としては、フッ化水素、フッ化炭素、オゾン、一酸化炭素、アンモニア等が例示される。
【００２０】
有害成分除外手段６８における有害成分除去方法として、触媒反応処理法、燃焼処理法、吸着剤による吸着処理法、アルカリスクラバーなどを利用した湿式処理法、およびその組み合わせなどが挙げられる。有害成分除去方法として吸着剤による吸着処理法を用いる場合、有害成分除外手段６８は、対象とする成分を捕集する吸着剤で構成することができる。たとえば、有害成分除外手段６８の内部に複数の吸着剤が設けられ、吸着剤が排出されたガスの有害成分を吸着するように構成されている。使用する有害成分除外手段６８の構成については使用する処理ガス、および発生する副生物の種類に応じて適選される。
【００２１】
図１に示すプラズマ処理装置においては、複数箇所、たとえば放電室６６の排出導管６１３の上流側（たとえば位置Ｐ２）、有害成分除外手段６８の下流側（たとえば位置Ｐ３）、被処理物導入口６６１の上流側（たとえば位置Ｐ１１）、被処理物導出口６６２の下流側（たとえば位置Ｐ１２）において、圧力計および有害成分の濃度を検出する検出器を設けることが好ましい。この場合、（位置Ｐ１１の圧力≒位置Ｐ１２の圧力＞位置Ｐ２の圧力＞位置Ｐ３の圧力）の関係になるように処理ガスの導入量、後述するエアーの吹き込み量、ガス排気量を調整することが好ましい。このような関係を満たすと、放電室内部のガスが、放電室外部へ流出することがなくなり、放電に使用されるか、もしくは反応により生成した有害成分が外部に放出されることを防ぐことができる。
【００２２】
対向する電極６３ａ，６３ｂは電極母材を含み、少なくとも一方の電極において、電極母材の対向面が誘電体で被覆されている。プラズマが発生する放電部位６４は、対向する電極６３ａ，６３ｂのいずれか一方のみが誘電体で被覆されている場合には、誘電体と誘電体が被覆されていない電極の電極母材との間であり、対向する電極６３ａ，６３ｂの両方が誘電体で被覆されている場合には、誘電体間である。
【００２３】
電極６３ａ，６３ｂの構造は、電界集中によるアーク放電の発生を避けるために、上部電極６３ａと下部電極６３ｂとの間の距離が略一定とされた構造が好ましく、この条件を満たす電極構造としては、平行平板型、円筒対向平板型、球対向平板型、双曲面対向平板型、同軸円筒型構造等が挙げられる。たとえば、放電処理の対象となる被処理物が方形状である場合には、平行平板型の電極であることが好ましい。
【００２４】
電極６３ａ，６３ｂの対向面間の距離は、処理される被処理物１１の厚さ、印加される電圧の大きさ、均一な層の形成しやすさ等を考慮して決定されるが、対向する電極６３ａ，６３ｂの一方のみに誘電体が被覆された場合、両方に誘電体が被覆された場合のいずれにおいても、５０ｍｍ以下であることが好ましい。最短距離が５０ｍｍ以下であれば、均一な放電プラズマを発生させ易いためである。
【００２５】
電極６３ａ，６３ｂを構成する電極母材の材料としては、例えば、銀、白金、アルミニウム、銅、鉄等の純金属や、ステンレス（ＳＵＳ）、真鐘等の多成分系の金属などを用いることができる。
【００２６】
電極母材を被覆する誘電体としては、例えば、ケイ酸塩系ガラス、ホウ酸塩系ガラス、リン酸塩系ガラス、ゲルマン酸塩系ガラス等の無機ガラスおよびこれらの混合物、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタラート、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリプロピレン等のプラスチックおよびこれらの混合物、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、チタン酸バリウム等の金属酸化物、および、これらの混合物などの固体誘電体を用いることができる。
【００２７】
誘電体で上部電極６３ａおよび／または下部電極６３ｂを被覆する方法としては、特に制限されないが、例えば、溶射法、電極のフレーム枠に誘電体を螺子等で機械的に固定する方法が挙げられる。誘電体の厚さは、好ましくは０．０１〜１０ｍｍである。
【００２８】
図１のプラズマ処理装置においては、放電室６６内の被処理物１１の搬送方向に、二つの電極対が設けられている例を示したが、電極対は二つに限定されることはなく、一つであっても三つ以上であってもよい。なお、プラズマ処理装置は、上部電極６３ａと下部電極６３ｂとの間に電圧を印加する電源（図示せず）を備える。
【００２９】
図１においては、プラズマ処理装置において、ガス導入口６９とガス排出口６５が、放電室６６の上部に設けられている例を示したが、ガス導入口６９とガス排出口６５は、放電室６６の下部に設けられていてもよく、また上部と下部の両方に設けられていてもよい。ガス排出口６５は、被処理物１１の搬送方向において、最下流に設けれた電極対と、被処理物導出口６６２との間に設けられていることが好ましい。ガス排出口６５が、電極対より上流部に設けられている場合、後述のエアーノズル６７により吹き付けたエアーが電極間に流入し、プラズマ処理に不具合が生じる可能性がある。
【００３０】
プラズマ処理装置は、被処理物導出口６６２の下流側にエアーノズル（エアー吹き付け手段）６７を備える。エアーノズル６７は、被処理物１１の搬送路上に設けられており、被処理物１１の表面に、被処理物１１の表面から被処理物導出口６６２に向かうようにエアー（例えば、ＣＤＡ：Clean  Dried  Air）が吹き出される。このようなエアーの吹き付けにより、被処理物導出口６６２の外側から放電室６６内に流入する空気の流れを大きくすることが可能となり、被処理物１１の移動に伴う被処理物導出口６６２から外部への有害成分の漏洩および有害成分の拡散を低減することができる。
【００３１】
エアーノズル６７は、種々公知のエアーノズルを用いて実施できる。エアーノズル６７は、たとえば、搬送方向に対して垂直に配列された複数のエアー吹き出し口を備えた構成のものを用いることができる。図１においては、エアーノズル６７を搬送路の上方のみに設けた構成を示しているが、エアーノズル６７の位置は、搬送路の上方に限定されることはなく、下方であってもよく、また、上方と下方の両方に設けられている構成であってもよい。エアーノズル６７の設置数は、一つに限定されることはなく搬送方向に複数設けてもよい。
【００３２】
図２は、エアーノズル６７の位置を説明するための図である。エアーノズル６７の高さ方向の位置は、搬送路に搬送される被処理物１１の上部と前記エアーノズル６７のエアー吹き出し口６７ａとの距離Ｈが、好ましくは１〜１００ｍｍ、より好ましくは２〜２０ｍｍとなる位置である。１００ｍｍを超えると、吹き出したエアーが拡散して、被処理物１１が搬送により持ち出す放電室６６内部のガスをエアーにより吹き飛ばす効果が低下する。また、１ｍｍ未満にすると、ガス流れが被処理物の一部分に集中し、部分的な効果しか得られなくなる。また、被処理物に対する吹き出し角度θは、５〜９０度、より好ましくは１０〜７０度である。これらの距離、角度は被処理物のサイズなどにより調整することができるよう、調整機構を設けることができる。また、被処理物の上部と下部にエアーノズルを設ける場合は、設ける場合の位置や角度は、上下で異なっていてもよい。
【００３３】
被処理物導出口６６２から、エアーノズル６７の吹き出し口６７ａまでの距離Ｌは２０００ｍｍ以内であることが好ましく、３００〜１０００ｍｍであることがより好ましい。２０００ｍｍ以内の位置からエアーを吹き出すことにより、被処理物導出口６６２に向かう空気流を効果的に形成することができる。ＣＤＡの吹き出し量は、搬送する被処理物の大きさと、搬送速度により適選される。
【００３４】
図３は、図１のプラズマ処理装置において、放電室６６内への外部からの空気の流れを模式的に示す図である。図３においては、図１に示すプラズマ処理装置を省略して示す。プラズマ処理装置においては、被処理物導出口６６２の開口部が、被処理物導入口６６１の開口部より大きく構成されている。かかる構成により、被処理物導出口６６２の下流側から放電室６６内に流入する空気の流れＦ２の方が、被処理物導入口６６１の上流側から放電室６６内に流入する空気の流れＦ１より大きくなり、被処理物の移動に伴って被処理物導入口６６１と被処理物導出口６６２から有害成分が外部に漏洩すること、および有害成分が拡散することを低減することができるものと解される。さらに、被処理物導出口６６２の下流側からエアーノズル６７によりエアーの吹き付けを行なうことにより、流れＦ２をより大きくすることができ、有害成分の外部への漏洩をより効果的に防止することができる。
【００３５】
［プラズマ処理方法］
図１に示す大気圧プラズマ処理装置を用いた被処理物の放電処理では、大気圧近傍の圧力下で、上部電極６３ａと下部電極６３ｂの間に被処理物１１を配置し、ガス貯蔵タンク６１０からガス導入管６１１を介してガス導入口６９より処理ガスを放電室６６に供給する。そして、電極６３ａ，６３ｂの対向面間に処理ガスが導入され、電源から対向する電極６３ａ，６３ｂ間に電圧を印加してプラズマを発生させることにより、該プラズマと被処理物１１とが接触し、被処理物１１の表面が放電処理される。
【００３６】
処理ガスは、不活性ガスと反応性ガスより構成される。不活性ガスとしてはヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトンなどの希ガス、窒素、またはこれらの混合ガスが挙げられる。
【００３７】
反応性ガスとしては、特に限定しないが、一例として、酸素、二酸化炭素、アンモニア、フッ素、フッ化炭化水素ガス：例えば４フッ化メタン（ＣＦ４）、４フッ化エチレン、６フッ化プロピレン、８フッ化ブチレン等が挙げられる。反応性ガスとして酸素を使用した場合、プラズマ反応により副生成物として、オゾンが生成される。反応性ガスとして二酸化炭素を使用した場合、副生成物として、一酸化炭素が生成される。これらの副生成物は有害成分である。アンモニアはそれ自体が有害成分である。またフッ素、フッ化炭化水素ガスはそれ自体が有害であるだけでなく、系内に微量に混入する水蒸気と反応して、副生成物として有害なフッ化水素を生成する。
【００３８】
処理ガス中の反応性ガスの濃度は０．１〜１０体積％が好ましい。反応性ガスの濃度が０．１体積％以上の場合、処理の効率が向上する傾向にある。反応性ガスの濃度が１０体積％以下の場合、プラズマの安定性が増大する傾向にある。
【００３９】
処理ガスの供給速度は、放電室６６の容積等によって適宜設定されるが、不活性ガスの供給速度は好ましくは１００〜１０００Ｌ／分であり、反応性ガスの供給速度は好ましくは１〜１０Ｌ／分である。供給速度は、それぞれ、上記好ましい供給速度から適宜設定される。被処理物１１をプラズマに曝す時間、すなわちプラズマによる照射時間は、印加電圧、電力、面密度等によって異なるが、通常、６０秒間以下が好ましい。処理時間がこのような範囲であると、プラズマ照射熱による被処理物１１の変形が抑制される傾向にある。
【００４０】
被処理物導出口６６２より送出された被処理物１１は、搬送手段３１を用いて次工程に順次搬送される。搬送手段３１の被処理物導出口６６２の下流の上方および／または下方には、図１に示すように、被処理物１１にエアー（例えば、ＣＤＡ：Clean  Dried  Air）を吹き付けるエアーノズル６７が設けられており、被処理物１１より被処理物導出口６６２に向かうようにエアーが吹き出される。
【実施例】
【００４１】
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４２】
〔実施例１〕
表示デバイス用カラーフィルタに供する、ガラス基板（支持基材）の表面に、ブラックマトリックス（隔壁）形成材料である黒色レジストからなる材料層が形成された表示デバイス基材〔ミクロ技研研究所製：６００ｍｍ×８００ｍｍ×０．７ｍｍ（厚み）〕を準備し、これを、毎分１０ｍの搬送速度で図１に示すプラズマ処理装置に搬送し放電処理を行った。使用した処理ガスと発生した副生物は有害成分除外手段を通じて有害成分を吸着除外した後、装置外へ排出した。具体的なプラズマ処理装置の構成および処理条件、搬送途中でのエアー吹き付け処理条件は、以下のとおりである。
【００４３】
＜プラズマ処理装置の構成および処理条件＞
放電室６６内に、上部電極６３ａと下部電極６３ｂとからなる対向電極が、基板の搬送方向に２対配置され、上部電極６３ａと下部電極６３ｂとの間隔が５ｍｍであり、ガス排出口６５が基板の搬送方向において最下流の電極６３ａ，６３ｂと被処理物導出口６６２の中間位置に設けられているプラズマ処理装置を用いた。処理ガスとして、ＡｒガスおよびＣＦ４ガスからなる混合ガスを使用し、Ａｒガスを３４０Ｌ／分、ＣＦ４ガスを３．４Ｌ／分の割合で、放電室６６内に供給した。すなわち、Ａｒガスに対するＣＦ４ガスの比率は１．０体積％とした。
【００４４】
また、放電室６６内の空間の幅（該表示デバイス基材の幅方向の長さ）は、該表示デバイス基材の幅方向の両側に２０ｍｍずつのスペースができるように、６４０ｍｍ（６００ｍｍ＋２０ｍｍ×２）に設定した。なお、放電室６６内の空間の幅は、該幅方向の両側に設けられたスペーサーにより調節した。
【００４５】
放電室６６における被処理物導入口６６１の高さは、被処理物である表示デバイス基材の上面から５ｍｍとした。放電室６６における被処理物導出口６６２の高さは、被処理物である表示デバイス基材の上面から１０ｍｍとした。
【００４６】
エアーノズル６７は、表示デバイス基材の上面とエアーの吹き出し口６７ａとの距離Ｈが１０ｍｍ、エアーノズル６７の表示デバイス基材に対する吹き出し角度θが４５度、被処理物導出口６６２からエアーノズル６７までの距離Ｌが１０００ｍｍとなるように位置調整した。そして、エアーノズル６７から、ＣＤＡを２００Ｌ／分で吹き出した。電極６３ａと電極６３ｂとの間に１０ｋＶの電圧（周波数３０ｋＨｚ）を印加して、表示デバイス基材に放電処理を行った。
【００４７】
位置Ｐ１１（被処理物導入口６６１から上流方向に１０００ｍｍ離れた位置）、位置Ｐ１２（被処理物導出口６６２から下流方向に１０００ｍｍ離れた位置）、位置Ｐ２（ガス排出口６５付近の位置）、位置Ｐ３（有害成分除外手段の外部の位置）の圧力を測定したところ、（位置Ｐ１１の圧力≒位置Ｐ１２の圧力＞位置Ｐ２の圧力＞位置Ｐ３の圧力）の関係であった。
【００４８】
位置Ｐ１１（被処理物導入口６６１から上流方向に１０００ｍｍ離れた位置）におけるフッ化水素濃度（上流ＨＦ濃度）および位置Ｐ１２（被処理物導出口６６２から下流方向に１０００ｍｍ離れた位置）におけるフッ化水素濃度（下流ＨＦ濃度）を検出した。表１に検出結果を示す。
【００４９】
本実施例の放電処理により、該表示デバイス基材の黒色レジスト部は１０４度、ガラス部は５度の水接触角が得られた。放電処理した該表示デバイス基材を（次工程で赤、青、緑のカラーレジストをインクジェット法により印刷した結果、シャープな印字が得られた。
【００５０】
〔比較例１〕
プラズマ処理装置の被処理物導入口６６１の高さと、被処理物導出口６６２の高さをともに、搬送される表示デバイス基材の上面から１０ｍｍとした点以外は、実施例１と同様に実施した。位置Ｐ１１、位置Ｐ１２、位置Ｐ２、位置Ｐ３の圧力を測定したところ、（位置Ｐ２の圧力≒位置Ｐ１１の圧力≒位置Ｐ１２の圧力＞位置Ｐ３の圧力）の関係であった。
【００５１】
さらに、位置Ｐ１１におけるフッ化水素濃度（上流ＨＦ濃度）および位置Ｐ１２におけるフッ化水素濃度（下流ＨＦ濃度）を検出した。表１に検出結果を示す。
【００５２】
〔比較例２〕
プラズマ処理装置の被処理物導出口６６２の下流側に設けたエアーノズルを作動させずエアーの吹き付けを行なわなかった点以外は、比較例１と同様に実施した。位置Ｐ１１、位置Ｐ１２、位置Ｐ２、位置Ｐ３の圧力を測定したところ、（位置Ｐ２の圧力≒位置Ｐ１１の圧力≒位置Ｐ１２の圧力＞位置Ｐ３の圧力）の関係になることが確認された。
【００５３】
さらに、位置Ｐ１１におけるフッ化水素濃度（上流ＨＦ濃度）および位置Ｐ１２におけるフッ化水素濃度（下流ＨＦ濃度）を検出した。表１に検出結果を示す。
【００５４】
【表１】
2014072137.tif 000003
【符号の説明】
【００５５】
３１  搬送装置、６１０  ガス貯蔵タンク、６１１  ガス導入管、６１３  ガス排出導管、６３ａ  （上部）電極、６３ｂ  （下部）電極、６４  放電部位、６５  ガス排出口、６６  放電室、６６１  被処理物導入口、６６２  被処理物導出口、６７  エアーノズル、６８  有害成分除外装置、６９  ガス導入口。
【図１】
2014072137.tif 000004
【図２】
2014072137.tif 000005
【図３】
2014072137.tif 000006