(57)【要約】      （修正有）【課題】ハロゲン元素の混入がなく、粒径が均一で粒度分布が狭い金属化合物粉末を効率良く製造することができる金属化合物粉末の製造方法、この製造方法により得られた金属化合物粉末を熱処理した焼成粉末及び焼成粉末を含有するスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】単体金属又は合金を溶融してなる陽極３と、ハロゲン元素を含まない電解液４とを用いて電解反応により該電解液中に金属化合物粉末１２を析出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
単体金属又は合金を溶融してなる陽極と、ハロゲン元素を含まない電解液とを用いて電解反応により該電解液中に金属化合物粉末を析出させることを特徴とする金属化合物粉末の製造方法。
【請求項２】
電解温度は、上記単体金属又は合金の融点よりも高い温度であることを特徴する請求項１記載の金属化合物粉末の製造方法。
【請求項３】
上記単体金属又は合金は、インジウム及び／又はガリウムを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の金属化合物粉末の製造方法。
【請求項４】
上記電解反応により析出した金属化合物粉末は、酸化物又は水酸化物であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の金属化合物粉末の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載した金属化合物粉末の製造方法により得られた金属化合物粉末を電解液から固液分離し、分離した該金属化合物粉末を熱処理することによって得られることを特徴とする焼成粉末。
【請求項６】
請求項５に記載した焼成粉末を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）、ＩＧＯ膜（Indium Garium Oxide）といった酸化インジウム系透明導電体材料や、ＩＧＺＯ（Indium Garium Zinc Oxide）を始めとした酸化インジウム系酸化物半導体材料の製造原料として利用されている金属化合物粉末の製造方法、その製造方法により得られた金属化合物粉末を熱処理した焼成粉末及び焼成粉末を含むスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ膜、ＩＧＺＯ膜の形成に用いられる酸化インジウム系透明導電体材料や酸化インジウム系酸化物半導体材料用のスパッタリングターゲットは、構成する各金属元素の酸化物粉末を混合、粉砕し、成形体を形成した後、焼結することで得られる（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
スパッタリングターゲットは、焼結密度が低いとスパッタ中に異常放電を生じたり、加工中にターゲットの割れなどが発生しやすいことが多数報告されている。このため、焼結を阻害するハロゲン元素の混入や粗大粒子の混入などに細心の注意を払う必要がある。
【０００４】
このような問題を解決するために、ハロゲン元素の混入や粒子の粗大化が生じない製造法でターゲットを製造することが一般的である。例えば、高純度金属を硝酸で溶解し、これをアンモニア水で中和して生成した水酸化物を沈殿させ、ろ過、洗浄、乾燥させた後、焙焼させることによりハロゲン元素と粗大粒子の混入がない酸化物粉末を得る方法が一般的である。また、複数の高純度金属を硝酸で溶解し、アンモニア水で中和し水酸化物として沈殿させることで、複合酸化物粉末を得る場合もある。
【０００５】
しかしながら、このような手法では次のような問題がある。この方法では、排水に多量の窒素が含まれるため窒素を除去するための高価な排水設備が必要となる。また、この方法では、沈殿の条件を一定にするのが困難で粒子形状、粒度分布のバラツキが大きくなる。
【０００６】
このような問題に対して、インジウム又はガリウムを陽極として電解し、溶出した金属イオンを電解液中で水酸化物として製造する方法が提案されている（例えば、特許文献３、４参照。）。
【０００７】
しかしながら、この提案されている方法では、上述の問題は解決しているが、新たな問題が生じる。提案されている方法では、陽極として固体金属を使用しているため、電解時間とともに電極状態が変わり、電流密度を一定にできず水酸化物の粒度、結晶性などが変動しまうという問題が生じる。連続的に生産する場合には、電流密度を一定にするために減肉陽極の取替えなどが頻繁に発生するため生産性が落ちてしまう。また、最後まで陽極を使いきることができないため陽極の再加工が必要となり、手間がかかってしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開２００９／１４８１５４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９０５４２号公報
【特許文献３】特開平６−１７１９３７号公報
【特許文献４】特開平１１−３２２３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで、本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、ハロゲン元素の混入がなく、粒径が均一で粒度分布が狭い金属化合物粉末を効率良く製造することができる金属化合物粉末の製造方法、この製造方法により得られた金属化合物粉末を熱処理した焼成粉末及び焼成粉末を含有するスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した目的を達成する本発明に係る金属化合物粉末の製造方法は、単体金属又は合金を溶融してなる陽極と、ハロゲン元素を含まない電解液とを用いて電解反応により該電解液中に金属化合物粉末を析出させることを特徴とする。
【００１１】
上述した目的を達成する本発明に係る焼成粉末は、上記金属化合物粉末の製造により得られた金属化合物粉末を電解液から固液分離し、分離した該金属化合物粉末を熱処理することによって得られることを特徴とする。
【００１２】
上述した目的を達成する本発明に係るスパッタリングターゲットは、上記焼成粉末を含むものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、単体金属又は合金を溶融してなる陽極を用いることで、陽極と電解液との界面を平坦にすることができ、電解により減肉が生じても重力によって陽極が下がるだけであるため電解液との界面を平坦に保つことができる。これにより、本発明では、陽極表面が平坦であるため電流密度を一定にすることができ、粒径が均一で粒度分布幅が狭い金属化合物粉末を製造することができる。また、本発明では、陽極の電流密度を一定に保つことができるため、陽極の取り替えや加工等の作業を減らすことができ、効率良く金属化合物粉末を製造することができる。更に、本発明では、ハロゲン元素を含まない電解液を用いるため、金属化合物粉末にハロゲン元素が混入することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明を適用した金属化合物粉末の製造方法を適用した装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明を適用した金属化合物粉末の製造方法、焼成粉末及びスパッタリングターゲットについて詳細に説明する。なお、本発明は、特に限定がない限り、以下の詳細な説明に限定されるものではない。
【００１６】
１．金属化合物粉末の製造方法
（１−１）金属化合物粉末の生成方法
（１−２）金属化合物粉末の回収工程
（１−３）金属化合物粉末の乾燥工程
２．焼成粉末の製造方法
３．スパッタリングターゲットの製造方法
【００１７】
１．金属化合物粉末の製造方法
（１−１）金属化合物粉末の生成方法
金属化合物粉末は、ＩＴＯ膜、ＩＧＺＯ膜の形成に用いられる酸化インジウム系透明導電体材料や酸化インジウム系酸化物半導体材料用のスパッタリングターゲットの原料として用いられるものである。金属化合物粉末としては、インジウム、ガリウム、インジウム−ガリウム合金、インジウム−ガリウム−亜鉛合金等の酸化物又は水酸化物である。
【００１８】
金属化合物粉末の製造方法は、金属化合物粉末を構成する単体金属又は合金を溶融したものを陽極とし、電解液にはハロゲン元素を含まないものを用いて、電解反応により電解液に金属化合物粉末を析出させる。金属化合物粉末の製造方法は、例えば図１に示すような電解装置１を用いて行うことができる。
【００１９】
電解装置１は、電解槽２の底部に単体金属又は合金を溶融した陽極３と、陽極３上に電解液４を配置し、陽極３中に配置したカーボン電極５と対向するように電解液４中の陰極６が配置され、カーボン電極５と陰極６との間に定電流電源７が接続されている。この電解装置１では、単体金属又は合金を溶融した液体状の陽極３を用いることにより、電解液４との界面８に凸部がなく、界面８が平坦となっている。更に、電解装置１には、陽極材を陽極３に供給する陽極材供給手段９、電解槽２内の温度を調整する温度調整手段１０を有する。また、電解装置１には、ポンプ１１で析出した金属化合物粉末１２を電解液４と共に吸引パイプ１３を介して吸引し、排出パイプ１４から電解液４のみを電解槽２に戻す循環機構１５が設けられている。
【００２０】
電解法により金属化合物粉末１２を生成する場合、陽極３の減肉は、陽極３表面の形状により進行が異なる。例えば、固体状の陽極を用いた場合には、凸部に電解が集中し減肉が進行しやすい。このため、固体状の陽極では、形状、配置等により、不均一な減肉がおこり、電流密度が局部的に変動してしまう。しかしながら、図１に示す電解装置１では、陽極３が液体状態であり、凸部が存在しないため減肉が均一に進行し、界面８の平坦を維持できることから、電流密度が均一となり、生成される金属化合物粉末１２の粒径が均一で粒度分布を狭くすることができる。
【００２１】
陽極３は、インジウム及び／又はガリウムを含むものであり、例えばインジウム単体、ガリウム単体、インジウム−ガリウム合金、インジウム−ガリウム−亜鉛合金等を溶融したものである。電解槽２に投入する陽極材は、電解槽２内で液相の状態になるものであれば、形状は特に問わない。したがって、陽極材は、固体でも液体でも粒状でもインゴットでも全く問題ない。また、合金で液相になるものであれば端成分金属の組み合わせ、金属間化合物も使用可能である。
【００２２】
また、陽極３は、電解により減肉しても電極間間隔が変わらないように、必要な量の陽極材が陽極材供給手段９により供給される。電解装置１では、固体状の陽極材が投入されれば電解槽２内で短時間で液体化し、又は液体状の陽極材を投入すれば、液体状であるため、電極面積、表面状態を減肉前とほぼ同じ状態で維持することができる。これにより、陽極３は、減肉しても電解液４との界面８に凸部ができることがなく、界面８を平坦に維持することができ、電流密度を一定に維持することができる。
【００２３】
電解液４は、焼結性に著しく影響を与えるハロゲン元素含まないものであり、例えば硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、炭酸アンモニウムなどがコスト、使い勝手の点から好ましい。
【００２４】
また、電解液４は、沸点が設定する電解温度と同じ又はより高いものが好ましい。例えば、水系の電解液４を用い、陽極３としてガリウムースズ(１３．７ｗｔ％―８６．３ｗｔ％)合金を用いた場合に、合金の融点が２９．８℃であることから、これ以上の温度で１００℃以下の条件で電解を行えば陽極３は常に液体状態となっている。これにより、陽極３と電解液４との界面８は、平坦になり、安定した電流密度の条件下で電解を行うことが可能となる。なお、電解液４は、ハロゲン元素を含まないこと、沸点が電解温度よりも高いことが好ましいこと以外は特に限定されない。
【００２５】
陰極６は、電解質に対して不溶性であれば特に限定されない。陰極としては、例えばカーボン、チタン等が好ましい。陰極の形状は、板、メッシュなどが使用可能である。
【００２６】
温度調整手段１０は、電解槽２内の温度を所望の温度に調整する手段であり、加温及び冷却機能を有するものである。
【００２７】
循環機構１５は、析出した金属化合物粉末１２を回収し、電解液４のみを電解槽２に循環させるものである。循環機構１５は、ポンプ１１で金属化合物粉末１２を電解液４と共に吸引パイプ１３を介して吸引する。循環機構１５は、詳細を図示しないが、金属化合物粉末１２と電解液４とを例えばフィルタにより分離し、金属化合物粉末１２は回収し、電解液４は排出パイプ１４を介して電解槽２内に戻す。更に、電解装置１には、陽極３側に設けたカーボン電極５上に生成した金属化合物粉末１２が沈殿しても、カーボン電極５の上方に位置する陽極３を撹拌機等で撹拌して金属化合物粉末１２を電解液４中に分散させることで回収することができる。
【００２８】
以上のような構成からなる電解装置１では、電解槽２の底部に液体状の陽極３が配置され、陽極３上に電解液４が存在することで、陽極３と電解液４との界面８に凸部がなく、界面８が平坦となっている。これにより、この電解装置１では、陽極３の電流密度が均一となる。
【００２９】
そして、電解装置１では、温度調整手段１０によって、電解温度を陽極３に用いる単体金属又は合金の融点よりも高くなるようにして電解を行う。電解装置１では、電解温度を単体金属又は合金の融点よりも高くすることによって、陽極３を常に液体状にすることができる。陽極３として用いる例えばインジウムの融点は約１５６℃、ガリウムの融点は約２９℃であり、合金は合金割合によって融点が異なる。
【００３０】
電解装置１では、温度調整手段１０で所定の電解温度とし、定電流電源７で所定の電流密度を通電して電解を行うと、金属化合物粉末１２として陽極金属の酸化物又は水酸化物が電解液４に析出する。そして、電解装置１では、電解により陽極３が減肉しても、液体状態の陽極３は重力により下がるため、電解液４との界面８が平坦なままであり陽極３の表面形状は変化しない。陽極材を陽極材供給手段９で補給することにより、陽極材が液体状態であるため、電極面積、表面形状を減肉前の状態とほぼ同じ状態で維持できる。これにより、この金属化合物粉末の製造方法は、減肉が生じても陽極３における電流密度を一定に保つことができるため、粒径が均一で粒度分布幅が狭い金属化合物粉末１２を得ることができる。また、連続的に電解を行う場合であっても、陽極材を連続的に供給することで陽極３の電流密度を一定に維持できることから、従来のように減肉した陽極の取り替えを頻繁に行う必要がないため、生産性が低下せず、更に陽極の再加工を必要としないため、コスト高となることも抑えることができる。
【００３１】
（１−２）金属化合物粉末の回収工程
上述した金属化合物粉末の製造方法により得られた金属化合物粉末１２は、電解液４から固液分離し、分離した金属化合物粉末１２を純水で洗浄して再び固液分離して回収する。固液分離方法は、例えばロータリーフィルタ、遠心分離、フィルタープレス、加圧濾過、減圧濾過等による濾過を挙げることができる。
【００３２】
（１−３）金属化合物粉末の乾燥工程
次に、回収した金属化合物粉末１２を乾燥する。乾燥方法は、スプレードライヤ、空気対流型乾燥炉、赤外線乾燥炉等の乾燥機で行う。乾燥条件は、透明導電体材料や半導体材料の原料製造の際に一般的に適用される条件と同様であり、特に限定されないが、例えば乾燥温度は８０℃〜１５０℃の範囲が好ましい。乾燥温度が８０℃よりも低い場合には、乾燥が不十分となり、１５０℃よりも高い場合には、金属化合物粉末１２の水酸化物が酸化物に変化してしまい、次工程の仮焼にて焼成粉末の粒度分布が大きくなり、粒度分布調整において不都合が生じてしまう。また、金属化合物粉末１２が酸化物の場合においても、乾燥温度が１５０℃よりも高いと同様に粒度分布調整に不都合が生じてしまう。したがって、乾燥温度は、金属化合物粉末１２の水分が飛ばせる程度の低温で乾燥することが好ましい。乾燥時間は、温度により異なるが、約１０時間〜２４時間である。
【００３３】
２．焼成粉末の製造方法
焼成粉末の製造方法は、上述した金属化合物粉末の製造方法により得られた金属化合物粉末１２の金属酸化物又は金属水酸化物を仮焼する。熱処理の条件は、金属化合物粉末１２を例えば４００℃から１０００℃程度の温度で焼成し、焼成粉末とする。焼成粉末は、粒径が均一で粒度分布幅が狭い金属化合物粉末１２を焼成しているため、粒径が均一で粒度分布幅が狭い酸化物混合体粉末又は複合酸化物粉末が得られる。酸化物混合体粉末は、例えばインジウム酸化物とガリウム酸化物の混合体粉末等であり、複合酸化物粉末としては、インジウム−ガリウム合金酸化物粉末等である。
【００３４】
３．スパッタリングターゲットの製造方法
スパッタリングターゲットの製造方法は、先ず、上述した焼成粉末をターゲットの他の原料と所定の割合で混合し造粒粉を作製する。次に、造粒粉を用いて例えばコードプレス法により成型体を作製する。次に、成型体を大気圧下で例えば１３００℃〜１６００℃の温度範囲内で焼結を行う。次に、必要に応じて、焼結体の平面や側面を研磨する等の加工を行う。そして、焼結体をＣｕ製のバッキングプレートにボンディングすることにより、スパッタリングターゲットを得ることができる。
【００３５】
スパッタリングターゲットの製造方法では、原料となる焼成粉末の粒径が均一であり、粒度分布が狭いものであるため、高密度の焼結体を得ることができ、ターゲットの密度を高くすることができる。これにより、ターゲットの加工中に割れ欠けが生じず，スパッタの際に異常放電が発生することを抑制できる。
【実施例】
【００３６】
＜実施例１＞
実施例１では、図１に示したような電解装置を用い、陽極材料としてインジウムーガリウム金属（組成In：１３ｍｏｌ％、Ga：８７ｍｏｌ％、融点：約１７℃）を用いて、４０℃の硝酸アンモニウム水溶液（ＮＨ４ＮＯ３濃度：１ｍｏｌ／Ｌ）中において、電解温度を４０℃に設定し、定電流電源で電流密度を６００Ａ／ｍ２に制御して連続電解を行った。電解中は電極間間隔が変わらないようにインジウムーガリウム金属を液体状態で電解槽に逐次投入した。電解中の電圧はプラスマイナス２％と安定した電解条件を維持できた。
【００３７】
電解反応後、電解槽中の電解液を回収しろ過、洗浄及び乾燥し、インジウム水酸化物とガリウム水酸化物の混合体を得た。これを大気中６００℃で２時間焼成し、焼成粉末として酸化インジウムと酸化ガリウムの金属化合物粉末を得た。この粉末をレーザ式粒度分布測定器にて粒度測定した。粒度はＤ５０、粒度分布はＤ１０及びＤ９０の値で評価したところ、Ｄ５０は０．９μｍ、Ｄ１０は０．６μｍ、Ｄ９０は１．４μｍと非常に粒度分布の狭い粒子が得られた。粉末中の塩素濃度を分析したところ５ｐｐｍ以下であった。
【００３８】
＜実施例２＞
実施例２では、実施例１と同じ装置を用いて、インジウムーガリウム金属(組成In：５０ｍｏｌ％、Ga：５０ｍｏｌ％、融点約７０℃)を陽極とし、７５℃の硝酸アンモニウム水溶液（ＮＨ４ＮＯ３濃度が１ｍｏｌ／Ｌ）中において、電解温度を７５℃に設定し、定電流電源で電流密度を６００Ａ／ｍ２ に制御して連続電解を行った。電極間間隔変わらないようにインジウムーガリウム金属を液体状態で電解槽に逐次投入した。電解中の電圧はプラスマイナス２％と安定した電解条件維持できた。
【００３９】
電解反応後、電解槽中の電解液を回収し、ろ過、洗浄及び乾燥し、インジウム水酸化物とガリウム水酸化物の混合体を得た。これを大気中６００℃で２時間焼成し、焼成粉末として酸化インジウムと酸化ガリウムの金属化合物粉末を得た。この粉末をレーザ式粒度分布測定器にて粒度測定した。粒度はＤ５０、粒度分布はＤ１０及びＤ９０の値で評価したところ、Ｄ５０は１．１μｍ、Ｄ１０は０．５μｍ、Ｄ９０は１．２μｍと非常に粒度分布の狭い粒子が得られた。粉末中の塩素濃度を分析したところ５ｐｐｍ以下であった。
【００４０】
＜比較例１＞
比較例１は、実施例１と同じ装置で陽極にインジウムーガリウム金属(組成In：５０ｍｏｌ％、Ga：５０ｍｏｌ％、融点：約７０℃)を陽極とした。電解液に硝酸アンモニウム水溶液（ＮＨ４ＮＯ３濃度：１ｍｏｌ／Ｌ）を用いた。比較例１では、必要量の陽極材を電解槽に投入し、液温を９０℃まで上昇させ、陽極材を溶融しその後液温５０℃まで冷却し、合金固体の陽極を形成し、定電流電源で電流密度を６００Ａ／ｍ２に制御して電解を行った。時間とともに陽極が減肉してしまい、電解電位は時間ともに＋１０％増加した。このため、一度電解を中止し、投入時の電極厚みに相当する固体陽極を投入、液温を９０℃まで上げた。溶解して初期と同じ電極間隔になるように陽極形成し、液温５０℃に戻し、電極を固化させ再度電解を行った。
【００４１】
この作業を複数繰り返したために、電解時間は、実施例２と同じであるが実稼動時間は２倍となり生産性は悪化した。電解反応後、電解槽中の電解液を回収し、ろ過、洗浄及び乾燥し、インジウム水酸化物とガリウム水酸化物の混合体を得た。これを大気中６００℃で２時間焼成し、酸化インジウムと酸化ガリウムの金属化合物粉末を得た。この粉末をレーザ式粒度分布測定器にて粒度測定した。粒度はＤ５０、粒度分布はＤ１０及びＤ９０の値で評価したところ、Ｄ５０は１．２μｍ、Ｄ１０は０．３μｍ、Ｄ９０は４μｍと粒度分布の広い粒子が得られた。粉末中の塩素濃度分析したところ５ｐｐｍ以下であった。
【００４２】
＜比較例２＞
比較例２では、実施例１と同じ装置で、実施例１と同様にインジウムーガリウム金属(組成In：１３ｍｏｌ％、Ga：８７ｍｏｌ％、融点：約１７℃)を用い、４０℃の塩酸アンモニウム水溶液（ＮＨ４Ｃｌ濃度：１ｍｏｌ／Ｌ）中において、電解温度を４０℃に設定し、定電流電源で電流密度を６００Ａ／ｍ２に制御して連続電解した。電極間間隔変わらないようにインジウムーガリウム金属を液体状態で電解槽に逐次投入した。電解中の電圧はプラスマイナス２％と安定した電解条件維持できた。
【００４３】
電解反応後、電解槽中の電解液を回収し、ろ過、洗浄及び乾燥し、インジウム水酸化物とガリウム水酸化物の混合体を得た。これを大気中６００℃で２時間焼成し、焼成粉末として酸化インジウムと酸化ガリウムの金属化合物粉末を得た。この粉末をレーザ式粒度分布測定器にて粒度測定した。粒度はＤ５０、粒度分布はＤ１０及びＤ９０の値で評価したところ、Ｄ５０は０．９μｍ、Ｄ１０は０．６μｍ、Ｄ９０は１．７μｍと粒度分布の狭い粒子が得られた。粉末中の塩素濃度分析したところ４０ｐｐｍであった。
【００４４】
以下の表１に、実施例及び比較例の電解液、陽極組成、融点、陽極温度、Ｄ１０、Ｄ５０、Ｄ９０を示す。
【００４５】
【表１】
2014062313.tif 000003
【００４６】
次に、実施例及び比較例の酸化ガリウムと酸化インジウムの金属化合物粉末を用いて、圧力：２９４ＭＰａ（３ｔｏｎ／ｃｍ２）でプレス成形し、これらを１５００℃、７時間、空気中で焼成し、直径２０ｃｍの焼結体を得た。実施例１、２の相対密度は、９５％、９８％であり、比較例１、２の相対密度は、８７％、７０％であった。
【００４７】
表１に示す結果から、実施例１及び２では、粒径が均一で粒度分布幅が狭い水酸化インジウムと水酸化ガリウムの混合体が得られたため、粒径が均一で粒度分布幅が狭い酸化インジウムと酸化ガリウムの金属化合物粉末となり、極めて高密度な焼結体を得ることができた。また、実施例１及び２では、ハロゲン元素を含まない硝酸アンモニウムを電解液に用いたため、焼結体にハロゲン元素が含有されることを抑制できた。
【００４８】
比較例１では、固体状の陽極を用いたため、陽極の減肉により電流密度が一定とならず、粒径が不均一で粒度分布幅の広い酸化物粉末となった。このため、比較例２では、焼結が阻害され、焼結体の相対密度が低くなった。比較例２は、電解液に塩酸アンモニウムを使用したため、酸化物粉末に塩素が多量に含有され、焼結が阻害され、ターゲットの相対密度が低くなった。
【００４９】
実施例１及び２で示したように本発明を適用した金属化合物粉末の製造方法は、陽極の取替えを必要としないため生産性が高く、電解条件の安定性も高く、得られた粉末は、高密度の焼結体を形成することが可能である。このため、本発明を適用した金属化合物粉末の製造方法により得られた金属化合物粉末をスパッタリングターゲット用の焼結体として利用した場合、ノジュールの発生が少なく優れた性能を示しことが期待できる。
【図１】
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