(57)【要約】【課題】インク吐出口を設計通りに形成できるインク吐出ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  基板２０１に設けられ、複数のヒータと、複数のヒータ上に設けられたインク流路ＣＨと、インク流路ＣＨに連通する複数のノズル孔１１０とを有するインク吐出ヘッド１００の製造方法において、インク流路ＣＨの側面を構成する流路壁２０３を形成する流路壁形成工程Ｓ２と、インク流路ＣＨの底面及び流路壁２０３に反射防止膜２０６を形成する反射防止膜形成工程Ｓ３と、インク流路ＣＨの中に犠牲層樹脂２０４を充填する充填工程Ｓ４と、インク流路ＣＨの上部に、紫外線硬化性樹脂からなるカバー部２０７を形成するカバー部形成工程Ｓ６と、基板２０１に垂直な方向からカバー部２０７を露光する紫外線照射工程Ｓ７と、ノズル孔１１０を形成するノズル孔形成工程Ｓ８と、犠牲層樹脂２０４を除去する犠牲層除去工程Ｓ１０とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられ、インクを吐出させる熱エネルギーを発生する複数のヒータと、複数のヒータ上に設けられたインク流路と、インク流路に連通する複数のインク吐出口とを有するインク吐出ヘッドの製造方法において、
前記インク流路の側面を構成する流路壁を形成する工程と、
前記インク流路の底面及び前記流路壁に反射防止膜を形成する工程と、
前記インク流路の中に犠牲層樹脂を充填する工程と、
前記インク流路の上部に、被覆感光性樹脂からなるカバー部を形成する工程と、
前記基板に垂直な方向から前記カバー部を露光し、インク吐出口を形成する工程と、
前記犠牲層樹脂を除去する工程とを含むことを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、
前記基板に平行な方向に前記犠牲層樹脂及び前記反射防止膜の上部を切削して、その切削面を平坦化する工程を含むことを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、
前記反射防止膜を形成する工程は、前記反射防止膜を３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の膜厚で形成することを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、
前記反射防止膜を形成する工程は、前記反射防止膜をスパッタ法により形成することを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、反射防止膜を除去する工程を含むことを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、フォトリソグラフィ法によりインク吐出口の形成を行う場合において、下地からの反射光の影響がなく安定したパターン形状にインク吐出口を形成するために、シリコン基板上に反射防止膜を形成するインク吐出ヘッドの製造方法が、特許文献１に記載されている。この製造方法では、この反射防止膜の上にインク流路となる型材料を形成し、この型材料周面にインク吐出部材となる被覆感光性樹脂を塗布する。その後、シリコン基板面に対して垂直方向からこの被覆感光性樹脂に露光し、現像を行い、インク吐出口を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７８９０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来、露光時に、被覆感光性樹脂と型材料との界面となる流路壁の側面から反射した光がインク吐出口を形成する位置に当たると、インク吐出口が適切な形状に形成できず、インク吐出口が設計通りに形成できない問題があった。
【０００５】
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものであり、その目的は、インク吐出口を設計通りに形成できるインク吐出ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この目的を達成するために、請求項１記載のインク吐出ヘッドの製造方法は、基板に設けられ、インクを吐出させる熱エネルギーを発生する複数のヒータと、複数のヒータ上に設けられたインク流路と、インク流路に連通する複数のインク吐出口とを有するインク吐出ヘッドの製造方法において、前記インク流路の側面を構成する流路壁を形成する工程と、前記インク流路の底面及び前記流路壁に反射防止膜を形成する工程と、前記インク流路の中に犠牲層樹脂を充填する工程と、前記インク流路の上部に、被覆感光性樹脂からなるカバー部を形成する工程と、前記基板に垂直な方向から前記カバー部を露光し、インク吐出口を形成する工程と、前記犠牲層樹脂を除去する工程とを含む。
【０００７】
請求項１記載のインク吐出ヘッドの製造方法によれば、インク流路の底面及び流路壁に反射防止膜を形成するため、露光時に流路壁の側面から反射した光がインク吐出口を形成する位置に当たることがない。したがって、露光時に流路壁の側面から反射した光による影響を受けることなく、インク吐出口を設計通りに形成できる。
【０００８】
また、請求項２記載のインク吐出ヘッドの製造方法は、前記基板に平行な方向に前記犠牲層樹脂及び前記反射防止膜の上部を切削して、その切削面を平坦化する工程を含む。
【０００９】
請求項２記載のインク吐出ヘッドの製造方法によれば、基板に平行な方向に犠牲層樹脂及び反射防止膜の上部を切削して、その切削面を平坦化するため、平坦な犠牲層樹脂及び反射防止膜の上に、基板に平行なカバー部を形成しやすくなる。
【００１０】
また、請求項３記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、前記反射防止膜を形成する工程は、前記反射防止膜を３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の膜厚で形成する。
【００１１】
請求項３記載のインク吐出ヘッドの製造方法によれば、反射防止膜を３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の膜厚で形成するため、反射防止膜を３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲外の膜厚で形成した場合と比較して、露光時に反射防止膜からはね返る光の量を少なくできる。したがって、露光時に反射防止膜からはね返る光がインク吐出口を形成する位置に影響することを低減でき、設計通りの形状に一層正確に形成できる。
【００１２】
また、請求項４記載のインク吐出ヘッドの製造方法において、前記反射防止膜を形成する工程は、前記反射防止膜をスパッタ法により形成する。
【００１３】
請求項４記載のインク吐出ヘッドの製造方法によれば、反射防止膜をスパッタ法により形成するため、反射防止膜を均一に薄く、低温で早く、かつ、低コストで形成することができる。
【００１４】
また、請求項５記載のインク吐出ヘッドの製造方法は、反射防止膜を除去する工程を含む。
【００１５】
請求項５記載のインク吐出ヘッドの製造方法によれば、反射防止膜を除去するため、除去されずに残った反射防止膜が流路壁から剥がれてインク吐出口に詰まることを防止できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、露光時に流路壁の側面から反射した光による影響を受けることがないので、インク吐出口を設計通りの形状に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態にかかるインク吐出ヘッドの一例を示す模式的斜視図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線に従うインク吐出ヘッドの模式的断面図である。
【図３】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのヒータ形成工程Ｓ１を示す模式的断面図である。
【図４】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの流路壁形成工程Ｓ２を示す模式的断面図である。
【図５】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの反射防止膜形成工程Ｓ３を示す模式的断面図である。
【図６】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの犠牲層樹脂の充填工程Ｓ４を示す模式的断面図である。
【図７】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの平坦化工程Ｓ５を示す模式的断面図である。
【図８】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのカバー部形成工程Ｓ６を示す模式的断面図である。
【図９】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの紫外線照射工程Ｓ７を示す模式的断面図である。
【図１０】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのノズル孔形成工程Ｓ８を示す模式的断面図である。
【図１１】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのインク供給口形成工程Ｓ９を示す模式的断面図である。
【図１２】本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの犠牲層除去工程Ｓ１０を示す模式的断面図である。
【図１３】図９に示した紫外線照射工程Ｓ７の詳細を示す模式的断面図である。
【図１４】図１３に示した紫外線照射工程Ｓ７後のインク吐出ヘッドを示す模式的断面図である。
【図１５】従来の紫外線照射工程を示す模式的断面図である。
【図１６】図１５に示した従来の紫外線照射工程後のインク吐出ヘッドを示す模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかるインク吐出ヘッドの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１９】
（実施形態）
（インク吐出ヘッドの構成）
図１を用いて、本発明の実施形態にかかるインク吐出ヘッドの構成について説明する。図１は、本発明の実施形態にかかるインク吐出ヘッドの一例を示す模式的斜視図である。図１において、インク吐出ヘッド１００は、カバー部２０７に整列した複数のノズル孔１１０を有する。ノズル孔１１０のそれぞれは、図２で後述する個別に設けられたインク流路ＣＨにそれぞれ連通する。図２は、図１に示すＡ−Ａ線に従うインク吐出ヘッドの模式的断面図である。図２に示すインク吐出ヘッドは、インク吐出ヘッドの製造工程を終えた完成状態である。Ａ−Ａ断面は、図示上側鉛直方向からの断面で、複数のノズル孔１１０のうち、２つのノズル孔１１０を切断する断面の一例を示す。
【００２０】
インク流路ＣＨは、図２に詳述する基板２０１上に形成された複数の層の上に形成された流路壁２０３及びカバー部２０７などによって区画形成される。インク流路ＣＨ内には、インクを吐出するための熱エネルギーを発生する発熱抵抗体２０２（図２参照）がそれぞれ設けられる。インク吐出ヘッド１００の下面からインク流路ＣＨへとつながるインク供給口１２０によって、インク供給口１２０にインクを供給する図示しないインクタンクからインク流路ＣＨへとインクが供給される。インク流路ＣＨに供給されたインクは、発熱抵抗体２０２の加熱によりその一部が気泡となる。この気泡によって押し出されたインク流路ＣＨ内のインクは、ノズル孔１１０から吐出する。
【００２１】
（インク吐出ヘッドの製造方法）
図２から図１６を用いて、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの製造方法について説明する。図２から図１２は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの製造方法について各工程の一例を示す模式的断面図である。図１３は、図９に示した紫外線照射工程Ｓ７の詳細を示す模式的断面図である。図１４は、図１３に示した紫外線照射工程Ｓ７後のインク吐出ヘッドを示す模式的断面図である。図１５は、従来の紫外線照射工程を示す模式的断面図である。図１６は、図１５に示した従来の紫外線照射工程後のインク吐出ヘッドを示す模式的断面図である。
【００２２】
図３は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのヒータ形成工程Ｓ１を示す模式的断面図である。ヒータ形成工程Ｓ１では、周知の形成方法によりヒータが形成される。シリコン製の基板２０１上に、蓄熱層３０２が１００００Å程度の膜厚で形成され、形成された蓄熱層３０２の上に発熱抵抗体２０２と電極層３０３とが形成される。基板２０１の下面には、ＳｉＯ２またはＳｉＮなどの酸化物絶縁膜３０１が１０００Åから１００００Å程度の膜厚で形成される。発熱抵抗体２０２は、たとえば、ＴａＮまたはＴａＡｌなどを、２００Åから１０００Åまでの範囲内の厚みになるように、スパッタリング法によって発熱抵抗体２０２の形成位置に製膜することで形成される。
【００２３】
電極層３０３は、ＡｌまたはＡｌ合金を含み構成され、たとえば、５００ｎｍ程度の厚さとなるように発熱抵抗体２０２上に形成される。周知の構成である電極パッド３０４が、電極層３０３に連結されて形成される。ドライバＩＣ部３０６が、電極３０５に連結した状態で基板２０１内に埋設される。また、電極層３０３の上には、電極層３０３をインクから保護するための保護膜３０７が形成される。保護膜３０７の上には、インクを吐出する位置に、キャビテーションダメージから保護するための耐キャビテーション膜３０８が形成される。図示しない制御部から電気信号が、電極パッド３０４を介して、ドライバＩＣ部３０６に伝わり、ドライバＩＣが駆動する。図示しない電源部から、電圧が電極層３０３を介して発熱抵抗体２０２に印加される。ドライバＩＣ部３０６を駆動することにより、インク吐出口１１０下の発熱抵抗体２０２に電流が流れて発熱し、インクが発砲することによりインク流路ＣＨからインクの吐出が行われる。本実施形態における発熱抵抗体２０２及び電極層３０３は、本発明におけるヒータの一例に相当する。
【００２４】
図４は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの流路壁形成工程Ｓ２を示す模式的断面図である。流路壁形成工程Ｓ２では、保護膜３０７の上に、耐キャビテーション膜３０８が形成された位置を囲うように流路壁２０３を形成する。流路壁２０３は、保護膜３０７上に塗布された密着層２０５の上面に形成される。密着層２０５は、シランカップリング材を混合した感光性エポキシ樹脂を含み構成される。流路壁２０３は、たとえば、感光性ポリイミドとエポキシ樹脂とを含み構成される。流路壁形成工程Ｓ２では、フォトリソグラフィー法などによって流路壁２０３を形成する。
【００２５】
図５は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの反射防止膜形成工程Ｓ３を示す模式的断面図である。反射防止膜形成工程Ｓ３では、保護膜３０７の上面部、耐キャビテーション膜３０８の上面部、流路壁２０３の周囲を覆うように反射防止膜２０６を形成する。反射防止膜２０６は、酸化クロムを材料として形成される。また、反射防止膜２０６をスパッタ法により３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内の膜厚で形成する。スパッタ法を用いることで、蒸着及びスピンコート法で反射防止膜２０６を形成するよりも、反射防止膜２０６を均一に薄く、低温で早く、かつ、低コストで形成することができる。また、反射防止膜２０６の膜厚を３０ｎｍから１００ｎｍまでの範囲内で形成することで、後述する紫外線照射工程Ｓ７において反射防止膜２０６からはね返る光の量を小さくすることができる。したがって、露光時に反射防止膜からはね返る光がインク吐出口を形成する位置に影響することを低減でき、設計通りの形状に一層正確に形成できる。
【００２６】
図６は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの犠牲層樹脂の充填工程Ｓ４を示す模式的断面図である。犠牲層樹脂２０４の充填工程Ｓ４では、反射防止膜２０６、保護膜３０７、及び、電極パッド３０４の上に犠牲層樹脂２０４を充填する。犠牲層樹脂２０４は、アルカリ性の溶解液またはアセトンなどを含む溶解液に可溶な樹脂である。例えば、半硬化ポリイミド（例えば東レ株式会社の商品名セミコファイン）、ポリメチルイソプロペニルケトンを含む電離放射型のポジ型レジスト（例えば株式会社東京応化工業の商品名ＯＤＵＲ−１０１０）、メタクリル酸エステルとメタクリル酸との共重合を含む電離放射分解型のポジ型レジスト（例えばＰＭＭＡ系共重合体）、または、旭有機材工業（株）製のＥＰ４０８０Ｇ、ＥＰ４０５０Ｇなどのノボラック樹脂などが用いられる。
【００２７】
図７は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの平坦化工程Ｓ５を示す模式的断面図である。平坦化工程Ｓ５では、研磨または切削による機械加工などによって、流路壁２０３、犠牲層樹脂２０４、及び、反射防止膜２０６の３つの加工面が同一の平坦面Ｋとなるように、流路壁２０３のインク吐出口が形成される側の端面が露出するまで除去する。
【００２８】
図８は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのカバー部形成工程Ｓ６を示す模式的断面図である。カバー部形成工程Ｓ６では、平坦面Ｋ上に樹脂を塗布した後に乾燥させて１５０００ｎｍ程度の厚さのカバー部２０７を形成する。カバー部２０７は、たとえば、紫外線硬化性イミド、紫外線硬化性シリコン樹脂、または紫外線硬化性エポキシ等の紫外線硬化性樹脂などで、流路壁２０３及び犠牲層樹脂２０４上にスピンコート法などによって塗布される。
【００２９】
図９は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの紫外線照射工程Ｓ７を示す模式的断面図である。紫外線照射工程Ｓ７では、まず、カバー部２０７の上方に、フォトマスク２０８を配置する。フォトマスク２０８は、紫外線２０９を透過しない複数のマスク部２０８ａを有する。フォトマスク２０８の配置に際して、カバー部２０７の中でノズル孔部２０７ａが形成される領域と、電極パッド３０４が配置される領域であって流路壁２０３より外側の領域とに、複数のマスク部２０８ａが位置するように、フォトマスク２０８を配置する。そして、フォトマスク２０８を通して、紫外線２０９をカバー部２０７に向けて露光を行う。露光では、フォトマスク２０８に対向する位置から紫外線２０９（図１３参照）をカバー部２０７に照射して、カバー部２０７を硬化させる。
【００３０】
具体的には、図１３に示すように、紫外線照射工程Ｓ７によって照射される紫外線２０９は、マスク部２０８ａ以外のフォトマスク２０８を透過し、カバー部２０７を硬化させる。照射される紫外線２０９のうち、犠牲層樹脂２０４を透過する紫外線２０９の透過光４０１は、耐キャビテーション膜３０８上、及び、流路壁２０３の側面２０３ｂの反射防止膜２０６によって吸収される。したがって、耐キャビテーション膜３０８、及び流路壁２０３の側面２０３ｂなどによって透過光４０１が乱反射されることはない。特に透過光４０１が乱反射されやすい流路壁２０３の上面２０３ａと側面２０３ｂとが交わる角部には、反射防止膜２０６が形成されているため、透過光４０１が乱反射されることはない。また、流路壁２０３の上面２０３ａは平坦化されているため、透過光４０１が乱反射されることはない。保護膜３０７によって乱反射された反射光４０２は、反射防止膜２０６の内側に反射光４０２が吸収されるため、ノズル孔部２０７ａに照射されることはない。つまり、透過光４０１及び反射光４０２がノズル孔部２０７ａに照射されることがない。したがって、図１４に示すように、ノズル孔１１０を、所望の形状に形成することができる。ノズル孔１１０は、真円に近いことが望ましい。本実施形態では、ノズル孔１１０が真円に近く、テーパ状に形成されることで設計通りの形状となる。テーパ状に形成される理由の１つは、紫外線２０９がカバー部２０７を透過していく深さに応じて、紫外線２０９が減衰し、透過する紫外線２０９がカバー部２０７と犠牲層樹脂２０４とが接する面に近づくにつれて、紫外線２０９の照射量が少なくなるためである。紫外線２０９の照射量が少ないほど、紫外線硬化性樹脂が硬化せずに溶解できる割合が多くなる。
【００３１】
また、従来のように紫外線反射による影響は、図１５に示すように、照射される紫外線２０９のうち、犠牲層樹脂２０４を透過した後に、流路壁２０３の上面２０３ａの角部及び側面２０３ｂにより乱反射してノズル孔部２０７ａへ向かう紫外線２０９の反射光４０２が、ノズル孔部２０７ａの斜線で示す部分（図１５）に照射されてしまう。そのため照射されたノズル孔部２０７ａの紫外線硬化性樹脂が硬化し、図１６に示すようにノズル孔１１０に凸凹２０７ｂが形成され、ノズル孔１１０がいびつな形状となり所望の形状とはならず、ノズル孔１１０を設計通りの形状に形成することができないことがあった。ノズル孔１１０が設計通り形成されないと、吐出されるインクの量が減ってしまう問題、及び、吐出されたインクが想定した着弾位置から外れて着弾してしまう問題が発生する。
【００３２】
図１０は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのノズル孔形成工程Ｓ８を示す模式的断面図である。ノズル孔形成工程Ｓ８では、ノズル孔部２０７ａを除去して、カバー部２０７にノズル孔１１０を形成する。具体的には、たとえば、ノズル孔形成工程Ｓ８は、ノズル孔部２０７ａ以外の位置が硬化したカバー部２０７をキシレンなどの現像液に浸して、硬化していないノズル孔部２０７ａを除去する。換言すれば、ノズル孔形成工程Ｓ８は、現像液に対して不溶である紫外線熱硬化性樹脂であるカバー部２０７のうち硬化した部位と、犠牲層樹脂２０４とを残して、現像液に可溶であり硬化していない部位であるノズル孔部２０７ａを除去する工程である。
【００３３】
図１１は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドのインク供給口形成工程Ｓ９を示す模式的断面図である。インク供給口形成工程Ｓ９では、ウェットエッチングによって基板２０１の一部を除去することで、基板２０１の下側から犠牲層２０４側へ向けてインク供給口１２０を形成する。本実施形態では、たとえば、ウェットエッチングは、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液、または、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液を用いて行われる。具体的には、たとえば、基板２０１の下側の酸化物絶縁膜３０１上をフォトレジストで埋め、その後にフォトリソグラフィー法によりインク供給口１２０に相当する位置のフォトレジストを除去する。次にインク供給口１２０に相当する酸化物絶縁膜３０１をウェットエッチングする。その後、剥離液などによってフォトレジストを除去した後、インク供給口１２０に相当する位置以外に残存した酸化物絶縁膜３０１をエッチングマスクとして機能させることで、基板２０１を溶解除去する。
【００３４】
図１２は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの犠牲層除去工程Ｓ１０を示す模式的断面図である。犠牲層除去工程Ｓ１０では、犠牲層樹脂２０４を可溶とし、基板２０１、流路壁２０３、反射防止膜２０６及びカバー部２０７を不溶とする溶媒を用いて犠牲層樹脂２０４を除去する。具体的には、たとえば、犠牲層樹脂２０４の除去は、基板２０１、流路壁２０３、反射防止膜２０６及びカバー部２０７を不溶とする犠牲層溶解溶液（ＰＧＭＥＡ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど）に浸すことで行われる。
【００３５】
図２は、本実施形態にかかるインク吐出ヘッドの一例を示す模式的断面図であるが、インク吐出ヘッドの反射防止膜除去工程Ｓ１１を示す模式的断面図でもある。反射防止膜除去工程Ｓ１１では、反射防止膜２０６を除去する。具体的には、たとえば、反射防止膜２０６の除去は、ウェットエッチングにより行われる。
【００３６】
なお、本発明における各工程と、本実施形態の各工程とを関連付けて説明すると、図４に示した流路壁形成工程Ｓ２によって、本発明の流路壁を形成する工程の処理が実行される。図５に示した反射防止膜形成工程Ｓ３によって、本発明の反射防止膜を形成する工程の処理が実行される。図６に示した犠牲層樹脂の充填工程Ｓ４によって、本発明の犠牲層樹脂を充填する工程の処理が実行される。図７に示した平坦化工程Ｓ５によって、本発明の切削面を平坦化する工程の処理が実行される。図８に示したカバー部形成工程Ｓ６によって、本発明の被覆感光性樹脂からなるカバー部を形成する工程の処理が実行される。図９に示した紫外線照射工程Ｓ７及び図１０に示したノズル孔形成工程Ｓ８によって、本発明のインク吐出口を形成する工程の処理が実行される。図１２に示した犠牲層除去工程Ｓ１０によって、本発明の犠牲層樹脂を除去する工程の処理が実行される。図２に示した反射防止膜除去工程Ｓ１１によって、本発明の反射防止膜を除去する工程の処理が実行される。
【００３７】
以上説明したように、本実施形態によれば、保護膜３０７の上、耐キャビテーション膜３０８の上、流路壁２０３の上、及び、流路壁２０３の側面２０３ｂに紫外線を吸収する反射防止膜２０６を形成して、紫外線照射工程Ｓ７における紫外線２０９によりカバー部２０７におけるノズル孔部２０７ａに紫外線２０９が照射されることを防ぐことができる。したがって、ノズル孔部２０７ａは硬化されることなく除去できるため、ノズル孔１１０の形状の精度を保持することができる。
【００３８】
反射防止膜除去工程Ｓ１１により、反射防止膜２０６がノズル孔部２０７ａ、カバー部２０７または流路壁２０３などの端面に残存することを防ぐことができる。
【００３９】
（変形例）
本実施形態では、反射防止膜２０６をスパッタ法により形成したが、本発明はこれに限られず、蒸着などにより反射防止膜２０６を形成してもよい。
【００４０】
本実施形態では、反射防止膜２０６を酸化クロム又は炭化ケイ素を材料として形成し、後に反射防止膜２０６を除去してインク吐出ヘッドを製造する方法を説明したが、遷移金属の酸化物、窒化ケイ素などを用いても良い。
【００４１】
本実施形態では、図１０及び図１２に示すように、ノズル孔部２０７ａと、犠牲層樹脂２０４とを別々の工程で除去することとして説明したが、これに限ることはない。具体的には、ノズル孔部２０７ａと、犠牲層樹脂２０４とを可溶な溶剤に基板２０１ごと浸して除去することとしてもよい。時間的にはノズル孔部２０７ａが溶剤に溶解した後に、犠牲層樹脂２０４が溶解して、ノズル孔部２０７ａと犠牲層樹脂２０４とが除去される。なお、ノズル孔部２０７ａの材質は、感光性エポキシ樹脂を用い、犠牲層樹脂２０４の材質は、ノボラック樹脂を用い、溶解は、ＰＧＭＥＡを用いた。
【００４２】
また、上述した説明では、実施形態及び一部の変形例について別々の例として説明したが、これに限ることはない。すなわち、それぞれを組み合わせた構成として、実施形態及び一部の変形例を適宜組み合わせて利用してもよい。
【符号の説明】
【００４３】
１００  インク吐出ヘッド
１１０  ノズル孔
ＣＨ    インク流路
２０１  基板
２０２  発熱抵抗体
２０３  流路壁
２０３ｂ  側面
２０４  犠牲層樹脂
２０６  反射防止膜
２０７  カバー部
２０７ａ  ノズル孔部
３０７  保護膜
３０８  耐キャビテーション膜
Ｓ１    ヒータ形成工程
Ｓ２    流路壁形成工程
Ｓ３    反射防止膜形成工程
Ｓ４    埋め込み工程
Ｓ５    平坦化工程
Ｓ６    カバー部形成工程
Ｓ７    紫外線照射工程
Ｓ８    ノズル孔形成工程
Ｓ９    インク供給口形成工程
Ｓ１０  犠牲層除去工程
Ｓ１１  反射防止膜除去工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014046543.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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