(57)【要約】【課題】半導体エピタキシャル製造装置において長期にわたって使用しても、製造される半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を抑制できるウェーハサポートを提供することを目的とする【解決手段】半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において前記半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるウェーハサポートであって、前記サテライトを浮上させるためのガスが通る前記ウェーハサポート内に形成されたガス通路の全面に保護層又は保護管を有するものである半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポート。【選択図】図１
2014072477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において前記半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるウェーハサポートであって、前記サテライトを浮上させるためのガスが通る前記ウェーハサポート内に形成されたガス通路の全面に保護層又は保護管を有するものであることを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポート。
【請求項２】
前記保護層が、ＳｉＣコート、ダイヤモンドコート、又はＴａＣコートであり、前記保護管が、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブであることを特徴とする請求項１に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポート。
【請求項３】
半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置であって、
前記半導体基板を載置するサテライトと、該サテライトをガスで浮上させるための請求項１又は請求項２に記載のウェーハサポートと、前記半導体基板を加熱するためのヒーターとを有することを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置。
【請求項４】
半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において前記半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるウェーハサポートを製造する方法であって、
前記ウェーハサポート内に、前記サテライトを浮上させるためのガスが通るガス通路を形成する工程と、前記ガス通路の全面に保護層又は保護管を形成する工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項５】
前記保護層を、ＳｉＣコート、ダイヤモンドコート、又はＴａＣコートとし、前記保護管を、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブとすることを特徴とする請求項４に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項６】
前記保護層を形成する工程において、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４の少なくとも一つと、メタン、エタン、プロパン、ブタン、（ＣＨ３）３ＳｉＨ、Ｓｉ（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４の少なくとも一つとを、前記ガス通路内に流して該ガス通路内で反応させることにより、ＳｉＣコートを前記保護層として形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項７】
前記保護層を形成する工程において、ＣＨ５ＣｌＳｉ、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２のいずれかを使用して、高周波電圧を印加して、更に補助放電を加えてシランを放電分解することにより、ＳｉＣコートを前記保護層として形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項８】
前記ガス通路を形成する工程及び前記保護層を形成する工程において、ドーナツ状のカーボン部材を厚さ方向で分割した後、該分割されたドーナツ状のカーボン部材に前記ガス通路となる溝を形成し、該溝の表面に前記保護層を形成し、その後、前記分割されたカーボン部材を分割面で貼り合わせることにより、前記ガス通路及び前記保護層を形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項９】
前記ガス通路を形成する工程及び前記保護層を形成する工程において、ドーナツ状のカーボン部材の裏面側から、前記形成するガス通路に沿って短冊状の切り出し片を切り出し、前記ドーナツ状カーボン部材の切り出し部に前記ガス通路となる溝を形成し、該溝の表面及び前記切り出し片の少なくとも前記溝に対応する位置に前記保護層を形成し、その後、前記切り出し片を前記ドーナツ状のカーボン部材の切り出し部に接合することにより、前記ガス通路及び前記保護層を形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項１０】
前記保護管を形成する工程において、前記ガス通路に、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブを挿入することにより、前記保護管を形成することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法。
【請求項１１】
半導体基板を載置するサテライトと、該サテライトをガスで浮上させるためのウェーハサポートと、前記半導体基板を加熱するためのヒーターとを有する半導体エピタキシャル製造装置を製造する方法であって、
前記ウェーハサポートの製造を、請求項４乃至請求項１０のいずれか一項に記載の製造方法により行うことを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体エピタキシャルウェーハを製造する際に用いられる半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体エピタキシャルウェーハを製造する装置として、特許文献１に記載されているようなウェーハサポートを用いた自公転式半導体製造装置（プラネタリーリアクタ）が知られている。
【０００３】
上記のような半導体エピタキシャル製造装置では、半導体基板が載置されるサテライトは、当該サテライトが設置されるウェーハサポートの穴から噴出されるガスにより浮上し、回転するようになっている。また、ウェーハサポート自体も回転駆動手段により回転させられる。このウェーハサポートの下部にはヒーターが設置され、ヒーターにより昇温した半導体基板にエピタキシャル成長のための原料ガスを供給することで半導体基板上にエピタキシャル成長させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００２−５４３６１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような半導体エピタキシャル製造装置においてウェーハサポートを長期使用（２ヶ月程度）していると、作製される半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルが増えてくるという問題がある。
【０００６】
本発明者らは、この原因を調査するため、図７（ａ）に示すように使用済のウェーハサポートを解体して、ガス通路を調べたところ、図７（ｂ）に拡大して示すように母材のカーボンが侵食されてスポンジ状になっているということが判明した。ガス通路は、その入り口１６ｍｍ程度がＣＶＤコートされているのみで、それより内部は無垢のカーボン部材であり、その部材がサテライトローテーション用の水素ガスや、プロセスガスのアンモニア等により例えば１１００℃程度で侵食され、スポンジ状になり、サテライトをガスフォイルローテーションさせるために水素ガスが流れると、パーティクルとなって発塵していることが判った。
【０００７】
従来のウェーハサポートの製造方法を説明すると、最初に無垢の高純度カーボンの円盤をドーナツ状に加工して、ガスフォイルローテーション用の溝を３箇所切り出し、その溝の中心側３箇所にガス噴き出し口を開ける。そして、部材の外周側面から内周側面まで貫通するまで穴を開ける。この際、当該穴がガスの吹き出し口２箇所に通じるように加工する。
【０００８】
その後、先ほど開けた外周から内周に貫通させた穴めがけて外周の別の位置から穴を開ける。そして、外周側の加工用の２つの穴をカーボンの棒で塞ぎ、外周側面を綺麗な面に加工してから、カーボン無垢のウェーハサポートの表面、裏面および側面をＳｉＣ−ＣＶＤコートしてウェーハサポートを製造していた。
【０００９】
このように、ウェーハサポートのガス通路（ガス浮上式によりサテライトを回転させるウェーハサポート内に形成された水素若しくは窒素ガスの通路）の内面は無垢のカーボンになっており、初期の状態は図８（ａ）のような面であるが、使用により、サテライトを浮上させるための水素ガスでカーボンが侵食され、さらに、チャンバー内の圧力差によりプロセスガスでカーボンが侵食されて、図８（ｂ）のようにスポンジ状になる。このように侵食されたカーボンは、ガス通路を通るガスにより、ウェーハサポート外へ運ばれ、例えばＧａＮｏｎＳｉ等の半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生源となり、製造歩留まりが低くなる。
【００１０】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、半導体エピタキシャル製造装置において、半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を抑制できるウェーハサポートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において前記半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるウェーハサポートであって、前記サテライトを浮上させるためのガスが通る前記ウェーハサポート内に形成されたガス通路の全面に保護層又は保護管を有するものであることを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートを提供する。
【００１２】
このように、ガス通路の全面に保護層又は保護管を有するものであれば、使用中にガスによりガス通路表面が劣化することを防止することができ、長期使用が可能で、半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を抑制することができる。このため、半導体エピタキシャルウェーハの製造コスト低減と生産性向上に資するウェーハサポートとなる。
【００１３】
このとき、前記保護層が、ＳｉＣコート、ダイヤモンドコート、又はＴａＣコートであり、前記保護管が、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブであることが好ましい。
このような保護層又は保護管であれば、汚染やパーティクル発生の原因とはならず、ガス通路表面の劣化を長期かつ確実に抑制できるウェーハサポートとなる。
【００１４】
また、本発明は、半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置であって、前記半導体基板を載置するサテライトと、該サテライトをガスで浮上させるための本発明のウェーハサポートと、前記半導体基板を加熱するためのヒーターとを有することを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置を提供する。
これにより、半導体エピタキシャルウェーハの製造コスト低減と生産性向上を達成可能な装置とすることができる。
【００１５】
また、本発明は、半導体基板を載置するサテライトと、該サテライトをガスで浮上させるためのウェーハサポートと、前記半導体基板を加熱するためのヒーターとを有する半導体エピタキシャル製造装置を製造する方法であって、前記ウェーハサポートの製造を、本発明のウェーハサポートの製造方法により行うことを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置の製造方法を提供する。
これにより、半導体エピタキシャルウェーハの製造コスト低減と生産性向上を達成可能な装置を製造することができる。
【００１６】
また本発明は、半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において前記半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるウェーハサポートを製造する方法であって、前記ウェーハサポート内に、前記サテライトを浮上させるためのガスが通るガス通路を形成する工程と、前記ガス通路の全面に保護層又は保護管を形成する工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートの製造方法を提供する。
【００１７】
このように、ガス通路の全面に保護層又は保護管を形成することで、使用中にガスによりガス通路表面が劣化することを防止することができ、長期使用が可能で、半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を抑制することができるウェーハサポートを製造することができる。このため、半導体エピタキシャルウェーハの製造コスト低減と生産性向上に資する。
【００１８】
このとき、前記保護層を、ＳｉＣコート、ダイヤモンドコート、又はＴａＣコートとし、前記保護管を、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブとすることが好ましい。
このような保護層又は保護管とすることで、汚染やパーティクル発生の原因とはならず、ウェーハサポートのガス通路表面の劣化を長期かつ確実に防止できるウェーハサポートを製造することができる。
【００１９】
このとき、前記保護層を形成する工程において、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４の少なくとも一つと、メタン、エタン、プロパン、ブタン、（ＣＨ３）３ＳｉＨ、Ｓｉ（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４の少なくとも一つとを、前記ガス通路内に流して該ガス通路内で反応させることにより、ＳｉＣコートを前記保護層として形成することができる。
【００２０】
または、前記保護層を形成する工程において、ＣＨ５ＣｌＳｉ、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２のいずれかを使用して、高周波電圧を印加して、更に補助放電を加えてシランを放電分解することにより、ＳｉＣコートを前記保護層として形成することができる。
【００２１】
また、前記ガス通路を形成する工程及び前記保護層を形成する工程において、ドーナツ状のカーボン部材を厚さ方向で分割した後、該分割されたドーナツ状のカーボン部材に前記ガス通路となる溝を形成し、該溝の表面に前記保護層を形成し、その後、前記分割されたカーボン部材を分割面で貼り合わせることにより、前記ガス通路及び前記保護層を形成することもできる。
【００２２】
あるいは、前記ガス通路を形成する工程及び前記保護層を形成する工程において、ドーナツ状のカーボン部材の裏面側から、前記形成するガス通路に沿って短冊状の切り出し片を切り出し、前記ドーナツ状カーボン部材の切り出し部に前記ガス通路となる溝を形成し、該溝の表面及び前記切り出し片の少なくとも前記溝に対応する位置に前記保護層を形成し、その後、前記切り出し片を前記ドーナツ状のカーボン部材の切り出し部に接合することにより、前記ガス通路及び前記保護層を形成することができる。
【００２３】
また、前記保護管を形成する工程において、前記ガス通路に、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブを挿入することにより、前記保護管を形成することができる。
【００２４】
以上のいずれの方法でも、保護層又は保護管をガス通路の全面に効率的に形成することができる。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明によれば、半導体エピタキシャル製造装置のウェーハサポートのガス通路の劣化を効果的に防止して、半導体エピタキシャルウェーハの生産性及び品質の向上とコスト低減に資するウェーハサポートを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明のウェーハサポートを設置できる半導体エピタキシャル製造装置の概略図である。
【図２】（ａ）ウェーハサポートの画像と、（ｂ）ウェーハサポートの概略断面図である。
【図３】（ａ）ウェーハサポートのサテライトの保持部を拡大した画像と、（ｂ）ウェーハサポートの内周側面を拡大した画像である。
【図４】本発明のウェーハサポートの製造方法を説明するための図である。
【図５】本発明のウェーハサポートの製造方法の他の形態を説明するための図である。
【図６】実施例１，２、比較例における結晶欠陥及びパーティクル密度を示すグラフである。
【図７】（ａ）使用後のウェーハサポートを解体した断面の画像と、（ｂ）その一部を拡大した画像である。
【図８】（ａ）使用前のウェーハサポートのガス通路の断面の画像と、（ｂ）使用後のウェーハサポートの劣化したガス通路の断面の画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２８】
本発明のウェーハサポートは、半導体基板表面にエピタキシャル成長させる半導体エピタキシャル製造装置において半導体基板を載置するサテライトをガスで浮上させるものである。
図１に、本発明のウェーハサポートを配設することができる一般的な半導体エピタキシャル製造装置の概略図を示す。
【００２９】
図１に示す半導体エピタキシャル製造装置１０は、少なくとも、エピタキシャル成長させる半導体基板を載置するサテライト１１と、該サテライト１１をガスで浮上、回転させるウェーハサポート１２と、該ウェーハサポート１２の下方に配置され、半導体基板を加熱するためのヒーター１３（ＲＦ  Ｃｏｉｌ等）とを有する。
【００３０】
このような半導体エピタキシャル製造装置１０では、サテライト１１に載置された半導体基板にエピタキシャル成長のためのプロセスガス（原料ガスやドーパントガス等）を供給し、ウェーハサポート１２内を通ってきた水素や窒素等のガスによりサテライト１１を浮上、回転させながら、例えばシリコン基板上にＧａＮをエピタキシャル成長させることができる。
【００３１】
図２（ａ）はウェーハサポートの画像で、図２（ｂ）はウェーハサポートの概略断面図である。
ウェーハサポート１２は、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、サテライト１１の保持部１８を複数有し、この保持部１８の下で、ウェーハサポート１２内部に、上記のようにサテライト１１を浮上させるためのガスが通るガス通路１４が形成されている。図２（ａ）ではウェーハサポート１２内部のガス通路１４を点線で示す。
【００３２】
図３（ａ）はウェーハサポート１２のサテライト１１の保持部１８を拡大した画像で、図３（ｂ）はウェーハサポート１２の内周側面を拡大した画像である。
図３（ａ）に示すように、ウェーハサポート１２のサテライト１１の保持部１８は、サテライト１１を支持するためのピン１６が中央に設けられ、その周りにはガス通路１４を通ってきたガスが吹き出るガス吹き出し口１５が設けられている。保持部１８の表面には、吹き出されたガスがサテライト１１の下面との間で流れることでサテライト１１が回転するように、溝が形成されたものとすることができる。また、図３（ｂ）に示すように、ウェーハサポート１２の内周側面にはガス通路１４の入口１７が設けられている。
【００３３】
そして、このような半導体エピタキシャル製造装置１０に用いることができる本発明のウェーハサポート１２は、サテライト１１を浮上させるためのガスが通るウェーハサポート１２内に形成されたガス通路１４の全面に保護層又は保護管を有するものである。
【００３４】
ウェーハサポート１２は、通常カーボン部材で作製されるため、ガス通路１４のカーボンの表面全面に保護層又は保護管を有するものであれば、エピタキシャル成長中の高温時にも、ガス通路１４がガスにより侵食されることを防止できる。このため、長期使用しても、ガス通路１４が原因の半導体エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を防止することができ、半導体エピタキシャルウェーハのコスト低減、生産性及び品質の向上に資することができる。
【００３５】
このとき、ガス通路１４の全面に形成される保護層は、ＳｉＣコート、ダイヤモンドコート、又はＴａＣコートであることが好ましく、保護管が形成される場合には、石英チューブ、セラミックスチューブ、又はｐＢＮチューブであることが好ましい。
これらのような保護層、保護管であれば、エピタキシャル成長中に汚染やパーティクル発生の原因とはならず、さらに、ガスによるガス通路の劣化を確実に抑制できる。
【００３６】
次に、上記のような本発明のウェーハサポートを製造する方法について、以下説明する。
【００３７】
（製造方法１）
製造方法１として、ガス通路１４と保護層を同時に形成する方法について図４を参照しながら説明する。
【００３８】
高純度カーボンの円盤をドーナツ状に加工して、図３（ａ）に示すようなサテライト１１の保持部１８となる部分にガスフォイルローテーションのための溝を形成する。そして、図４（ａ）に示すように、ドーナツ状のカーボン部材１９を厚さ方向で分割した後、図４（ｂ）に示すように、該分割されたドーナツ状のカーボン部材２０にガス通路１４となる溝２１を形成し、該溝２１の表面にＳｉＣコート等の保護層を形成する。この際、溝２１以外の貼りあわせ面（分割面）がコートされた場合は、余分なコート部分を研削して除去することが好ましい。
【００３９】
その後、図４（ｃ）に示すように、分割されたカーボン部材２０を分割面で貼り合わせることにより、ガス通路１４及び保護層を形成する。貼り合わせ方法は、接着部分全面にカーボン接着剤を塗り、良好な熱伝導率を得られるように貼りあわせることができ、さらに、貼りあわせ強度を高めるために、表側と裏側をカーボンねじ２２にて留めることも好ましい。
貼り合わせ後には、内周側面から外周側面までガス通路１４が貫通している場合は、外周側面の穴は、カーボン棒で塞いでも良いし、又は、溝２１形成の際に、内周から外周へガス通路１４（溝）が貫通していない構造としても良い。この後、外形を整えウェーハサポート１２の表裏面や側面のＳｉＣ−ＣＶＤコートを行う。
【００４０】
（製造方法２）
製造方法２として、ガス通路１４と保護層を同時に形成する方法について、図５を参照しながら説明する。
図５（ａ）に示すように、製造方法１と同様に作製したドーナツ状のカーボン部材１９の裏面側から、形成するガス通路１４に沿って、ガス通路１４よりも幅広な短冊状の切り出し片２３を切り出す（図５（ｂ））。そして、ドーナツ状のカーボン部材１９の切り出し部２４にガス通路１４となる溝を形成し、該溝の表面にＳｉＣコート等の保護層をＣＶＤ等により形成する。また、切り出し片２３の前記溝に対応する位置（ガス通路１４の表面となる面）にも保護層を形成する。切り出し片２３は、ガス通路１４がウェーハサポート１２の厚さ方向の所望位置に形成されるような厚みで切り出す。ガス通路１４の表面となる部分以外の接合部分に保護層が形成された場合には研削して除去しておく。
【００４１】
その後、図５（ｃ）に示すように、切り出し片２３をドーナツ状のカーボン部材１９の切り出し部２４に接合することにより、ガス通路１４及び保護層を形成する。この際、良好な熱伝導率を得られるようにカーボン接着剤にて接合し、さらに、接合強度の補強のためにカーボンねじ２２にて留めることが好ましい。
接合後には、内周側面から外周側面までガス通路１４が貫通している場合は、外周側面の穴は、カーボン棒で塞いでも良いし、又は、溝形成の際に、内周から外周へガス通路１４（溝）が貫通していない構造としても良い。この後、外形を整えウェーハサポート１２の表裏面や側面のＳｉＣ−ＣＶＤコートを行う。
【００４２】
（製造方法３）
製造方法３として、ガス通路１４を形成した後に、保護層としてＳｉＣコートをＣＶＤで形成する方法について説明する。ガス通路１４の形成方法は、上記のようにリング状カーボン部材を分割、切り出して溝を設けて形成してもよいし、リング状カーボン部材に穴を刳り貫いて形成してもよい。
ガス通路１４を形成した後、ガス通路１４の外周側面の穴を塞ぐ前に、ウェーハサポート１２を加熱しながら、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨ４の少なくとも一つと、メタン、エタン、プロパン、ブタン、（ＣＨ３）３ＳｉＨ、Ｓｉ（ＣＨ３）４、Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）４の少なくとも一つとを、ガス通路１４内に流して該ガス通路１４内で反応させることにより、ＳｉＣコートを保護層として形成することができる。
【００４３】
または、ＣＨ５ＣｌＳｉ、（ＣＨ３）３ＳｉＣｌ、（ＣＨ３）２ＳｉＣｌ２のいずれかを使用して、高周波電圧を印加して、更に補助放電を加えてシランを放電分解することにより、ＳｉＣコートを保護層として形成する。
【００４４】
この後、ガス通路１４の外周側面の穴を塞ぎ、外形を整え、ウェーハサポート１２の表裏面や側面のＳｉＣ−ＣＶＤコートを行う。
【００４５】
（製造方法４）
製造方法４として、ガス通路１４を形成した後に、保護管を配置する方法について説明する。ガス通路１４の形成方法は、上記のようにリング状カーボン部材を分割、切り出して溝を設けて形成してもよいし、リング状カーボン部材に穴を刳り貫いて形成してもよい。
【００４６】
このガス通路１４にフィットした例えば石英チューブのような保護管を、ガス通路１４に挿入して配置することができる。これにより、ガス通路１４内でガスに露出する面が石英チューブになるため、水素ガスやプロセスガスによるカーボンの侵食がなくなる。
その後、ガス通路１４の一端である、ウェーハサポート１２の内周側のカーボン部材と石英チューブの間をＳｉＣ−ＣＶＤコートにより完全に塞ぎ（さらに、隙間があればカーボン接着剤にて埋めてからＳｉＣ−ＣＶＤコートする）、カーボン部材と石英チューブの間にガスが侵入しないようにする。なお、挿入する保護管は石英チューブの代わりに、セラミックスチューブであるアルミナチューブ、ｐＢＮチューブ等でも良い。
【００４７】
この後、ガス通路１４の外周側面の穴を塞ぎ、外形を整え、ウェーハサポート１２の表裏面や側面のＳｉＣ−ＣＶＤコートを行う。
【００４８】
以上の製造方法１−４以外にも、ガス通路１４に、保護層として、ダイヤモンドコート又はＴａＣコートをＣＶＤ等で形成してもよい。
【００４９】
以上のような保護層、保護管を形成する加工を行うことにより、長期使用を行っても、エピタキシャル成長時にウェーハサポートのガス通路からの発塵がなくなる。このため、エピタキシャルウェーハの結晶欠陥及びパーティクルの発生を効果的に抑制することができる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例１）
上記製造方法３によりウェーハサポートを製造した。この際、ガス通路を外周側からカーボンの棒で塞ぐ前に、ガス通路内がＳｉＣコートされるように、ガス通路のウェーハサポート内周側よりガス通路内にＳｉＨＣｌ３とメタンを流して、これらをガス通路内部で反応させ、ガス通路表面をＳｉＣでコートした。
その後、ガス通路のウェーハサポート外周側に貫通した穴をカーボンの棒で塞ぎ、綺麗に加工し、ウェーハサポート表面、裏面、側面にＳｉＣ−ＣＶＤコートを行った。
【００５１】
このように製造したウェーハサポートを設置した半導体エピタキシャル製造装置で、直径６インチ（１５０ｍｍ）のシリコン基板上にＧａＮをエピタキシャル成長させた。そして製造したウェーハのパーティクル密度を顕微鏡で調査した。その結果を図６に示す。
図６から判るように、後述する比較例に比べて、結晶欠陥及びパーティクルはほとんど発生しなかった。
【００５２】
（実施例２）
上記製造方法４によりウェーハサポートを製造した。この際、ドーナツ状カーボン部材に穴を刳り貫いてガス通路を形成し、このガス通路に石英チューブを挿入し、ガス通路のウェーハサポート外周側をカーボン棒にて塞ぎ、ウェーハサポートの裏面、表面、側面のＳｉＣ−ＣＶＤコートを行った。ガス通路のウェーハサポート内周側は、カーボン部材と石英チューブの境界が完全に塞がれるようにＳｉＣ−ＣＶＤコートを行い（隙間があればカーボン接着剤にて先に埋める）、カーボン部材と石英チューブの間にガスが侵入しないようにした。
【００５３】
このように製造したウェーハサポートを設置した半導体エピタキシャル製造装置で、直径６インチ（１５０ｍｍ）のシリコン基板上にＧａＮをエピタキシャル成長させた。そして製造したウェーハのパーティクル密度を顕微鏡で調査した。その結果を図６に示す。
図６から判るように、後述する比較例に比べて、結晶欠陥及びパーティクルはほとんど発生しなかった。
【００５４】
（比較例）
実施例２と同様にガス通路を形成し、ただし、ガス通路に保護管や保護層は形成しないでウェーハサポートを製造した。
【００５５】
このように製造したウェーハサポートを設置した半導体エピタキシャル製造装置で、直径６インチ（１５０ｍｍ）のシリコン基板上にＧａＮをエピタキシャル成長させた。そして製造したウェーハのパーティクル密度を顕微鏡で調査した。その結果を図６に示す。
図６から判るように、全体的に実施例１，２より結晶欠陥及びパーティクル密度が高く、特に８０バッチを超えたあたりから極端にパーティクル密度が高くなった。
【００５６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５７】
１０…半導体エピタキシャル製造装置、  １１…サテライト、
１２…ウェーハサポート、  １３…ヒーター、  １４…ガス通路、
１５…ガス吹き出し口、  １６…ピン、  １７…ガス通路の入り口、  １８…保持部、
１９…ドーナツ状のカーボン部材、
２０…分割されたドーナツ状のカーボン部材、  ２１…溝、
２２…カーボンねじ、  ２３…切り出し片、  ２４…切り出し部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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