(57)【要約】【課題】平面視多角形の板状に形成された電子部品を半田により接続板上に接続する電子部品の接続構造において、電子部品を接続板上に接続する際に、接続板に対する電子部品の回転位置にずれが生じることを防止できるようにする。【解決手段】接続板２が、基準面２１ａを有するベース部２１と、基準面２１ａから突出する台座部２２とを備え、台座部２２の頂面２２ａが、電子部品１を半田により接続する接続面をなし、頂面２２ａの平面視形状が、電子部品１の平面視形状に相似する多角形状に形成され、さらに、平面視した頂面２２ａの各辺の中間部分が内方に窪んでいる電子部品の接続構造を提供する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面視多角形の板状に形成された電子部品を半田により接続板上に接続する電子部品の接続構造であって、
前記接続板が、基準面を有するベース部と、前記基準面から突出する台座部とを備え、
該台座部の頂面は、前記電子部品が前記半田により接続される接続面をなし、
前記頂面の平面視形状が、前記電子部品の平面視形状に相似する多角形状に形成され、
さらに、平面視した前記頂面の各辺の中間部分が、内方に窪んでいることを特徴とする電子部品の接続構造。
【請求項２】
前記頂面に、該頂面の中央領域から該頂面の各角部に向けて延びる複数の流入溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の接続構造。
【請求項３】
複数の前記流入溝が、前記頂面の中央領域から周縁に向かうにしたがって、前記頂面の周縁の周方向の一方側に傾斜するように湾曲していることを特徴とする請求項２に記載の電子部品の接続構造。
【請求項４】
前記流入溝の深さ寸法が、前記台座部の高さ寸法よりも小さいことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電子部品の接続構造。
【請求項５】
前記台座部の径方向外側に間隔をあけた位置において前記基準面から突出して前記台座部を囲む環状突起部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の電子部品の接続構造。
【請求項６】
前記環状突起部の高さ寸法が、前記台座部の高さ寸法よりも低く設定されていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品の接続構造。
【請求項７】
前記頂面の複数の辺の窪みの大きさが、前記頂面の周縁の周方向の一方側に向かうにしたがって小さくなっていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の電子部品の接続構造。
【請求項８】
平面視多角形の板状に形成された電子部品を半田により接続板上に接続する電子部品の接続方法であって、
基準面を有するベース部及び前記基準面から突出する台座部を備えると共に、該台座部の頂面を前記接続板に対する前記電子部品の接続面とし、前記頂面の平面視形状が電子部品の平面視形状に相似する多角形状に形成され、平面視した前記頂面の各辺の中間部分が内方に窪んでいる前記接続板を用意する準備工程と、
前記半田を前記頂面の中央領域に配し、その上で前記電子部品を前記半田上に重ねて配置する配置工程と、
前記半田を溶融させることで前記電子部品を前記台座部の頂面に接続する半田リフロー工程と、を順番に実施し、
前記半田リフロー工程において、溶融した前記半田が前記頂面の各辺の中間部分から角部に向けて流れることを特徴とする電子部品の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品の接続構造及び接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を半田によってリードフレームや金属ベース板等の接続板上に接続する電子部品の接続構造には、例えば特許文献１のように、接続板の接続面に、電子部品の接続領域を囲む凹部や凸部（突起部）を形成したものがある。
これら凹部や凸部は、半田リフローにより電子部品を接続板に接続する際に、溶融した半田が接合領域の外側に濡れ広がらないように阻止している。これにより、電子部品が接続領域から大きくずれることを防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２９８０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の電子部品の接続構造では、電子部品を接続板に接続する際に、接続面の上方から見て（平面視で）電子部品が回転してしまい、接続板に対する電子部品の回転位置（周方向位置）がずれてしまう、という問題がある。なお、電子部品の周方向位置がずれた場合には、電子部品の上面に形成された電極に対する接続子（例えば棒状の接続端子）の接合位置がずれてしまう、あるいは、電子部品の電極に対する接続子の接合を効率よく実施できない、などの問題が生じる。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みたものであって、電子部品を接続板上に接続する際に、接続板に対する電子部品の回転位置にずれが生じることを防止できる電子部品の接続構造及び接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題を解決するために、本発明の電子部品の接続構造は、平面視多角形の板状に形成された電子部品を半田により接続板上に接続する電子部品の接続構造であって、前記接続板が、基準面を有するベース部と、前記基準面から突出する台座部とを備え、該台座部の頂面は、前記電子部品が前記半田により接続される接続面をなし、前記頂面の平面視形状が、前記電子部品の平面視形状に相似する多角形状に形成され、さらに、平面視した前記頂面の各辺の中間部分が、内方に窪んでいることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の電子部品の接続方法は、平面視多角形の板状に形成された電子部品を半田により接続板上に接続する電子部品の接続方法であって、基準面を有するベース部及び前記基準面から突出する台座部を備えると共に、該台座部の頂面を前記接続板に対する前記電子部品の接続面とし、前記頂面の平面視形状が電子部品の平面視形状に相似する多角形状に形成され、平面視した前記頂面の各辺の中間部分が内方に窪んでいる前記接続板を用意する準備工程と、前記半田を前記頂面の中央領域に配し、その上で前記電子部品を前記半田上に重ねて配置する配置工程と、前記半田を溶融させることで前記電子部品を前記台座部の頂面に接続する半田リフロー工程と、を順番に実施し、前記半田リフロー工程において、溶融した前記半田が前記頂面の各辺の中間部分から角部に向けて流れることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電子部品を接続板上に接続する際に、接続板に対する電子部品の回転位置にずれが生じることを防止できる。また、これに伴って、接続板上に接続された電子部品上面の電極に対する接続子の接合位置がずれてしまうことを防止でき、さらに、電子部品の電極に対する接続子の接合を効率よく実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第一実施形態に係る接続構造に適用される半導体素子であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】本発明の第一実施形態に係る接続構造に適用される接続板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１の半導体素子を図２の接続板上に接続する接続方法を説明する説明図である。
【図４】図１の半導体素子を図２の接続板上に接続した状態を示すものであり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図５】本発明の第二実施形態に係る接続構造に適用される接続板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図６】図５の接続板上に図１の半導体素子を接続する接続方法を説明する説明図である。
【図７】本発明の第三実施形態に係る接続構造に適用される接続板を示す平面図である。
【図８】図７の接続板上に図１の半導体素子を接続する接続方法を説明する説明図である。
【図９】本発明の第四実施形態に係る接続構造に適用される接続板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ矢視断面図である。
【図１０】図７の接続板上に図１の半導体素子を配した状態の一例を示す概略断面図である。
【図１１】本発明の第五実施形態に係る接続構造に適用される接続板を示す平面図である。
【図１２】図１１の接続板上に図１の半導体素子を接続する接続方法を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
〔第一実施形態〕
以下、図１〜４を参照して本発明の第一実施形態について説明する。
この実施形態に係る電子部品の接続構造は、例えば図１に示すように平面視多角形の板状に形成された半導体素子（電子部品）１を、図２に示す接続板２上に接続する半導体素子の接続構造である。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態の半導体素子１は、平面視で正方形に形成されている。また、半導体素子１は、例えばサイリスタであり、上面及び下面に電源電極１１Ａ，１１Ｂを有し、さらに、上面に信号電極（接続電極）１１Ｃを有している。信号電極１１Ｃは、半導体素子１の上面の周縁領域の一部に形成されている。本実施形態では、信号電極１１Ｃが、半導体素子１の上面の四つの角部１３のうち、一つの角部１３Ａに配されている。上面側の電源電極１１Ａは、信号電極１１Ｃの形成領域を除く半導体素子１の上面全体に配されている。下面側の電源電極１１Ｂは、半導体素子１の下面全体に配され、平面視で正方形状に形成されている。
信号電極１１Ｃには、例えば棒状の接続子Ｃ１が半田Ｓ１により接合される。また、接続子Ｃ１は、例えば半導体素子１の上面において直立するように信号電極１１Ｃに接合される。
【００１２】
図２に示すように、本実施形態の接続板２は、リードフレームや金属ベース板のように導電性を有する板材であり、基準面２１ａを有するベース部２１と、基準面２１ａから突出する台座部２２と、を備える。
台座部２２の頂面２２ａは、半導体素子１の下面を半田４（図４参照）により接続する接続面となっている。頂面２２ａの平面視形状は、半導体素子１の平面視形状に相似する多角形状に形成され、さらに、平面視した頂面２２ａの各辺の中間部分が内方に窪んでいる。
【００１３】
本実施形態では、頂面２２ａが基準面２１ａに平行している。また、本実施形態における頂面２２ａの平面視形状は、半導体素子１の平面視形状と同等の大きさの正方形状に形成された上で、各辺が内方に窪むように形成されている。すなわち、頂面２２ａの平面視形状は、いわゆる手裏剣形状（四つの突起をもつ星形形状）に形成されている。また、平面視した頂面２２ａの各角部２３は丸みを帯びている。さらに、頂面２２ａの各辺は、その中間部分が最も内側に窪むように内方に湾曲する円弧状に形成されている。また、頂面２２ａの複数の辺の窪み（窪み部２５）の大きさは、互いに等しく設定されている。
【００１４】
そして、平面視した頂面２２ａの大きさは、平面視した頂面２２ａの全ての角部２３が平面視した半導体素子１の全ての角部１３と重なるように、かつ、内方に窪んだ頂面２２ａの各辺の中間部分が平面視した半導体素子１の各辺よりも内側に位置するように設定されている。
なお、上記形状の頂面２２ａを有する台座部２２の側面２２ｂは、図示例のように基準面２１ａ及び頂面２２ａに対して直交していてもよいが、例えば傾斜していてもよい。
【００１５】
次に、半導体素子１を半田４により接続板２上に接続する接続方法について説明する。
本実施形態の接続方法では、はじめに上記構成の接続板２を用意する（準備工程）。次いで、図３に示すように、半田４を頂面２２ａの中央領域に配し、その上で半導体素子１を半田４上に重ねて配置する（配置工程）。この配置工程では、平面視で半導体素子１の各角部１３の周方向位置が、頂面２２ａの各角部２３の周方向位置に一致していることが好ましいが、例えば図３に示すように、ずれていてもよい。
また、配置工程では、半田４として、例えば半田ペレットを用いてもよいが、半田ペレットと比較して高い粘着力（タック力）を有する半田ペーストを用いることがより好ましい。半田４として半田ペーストを用いると、配置工程後の状態において、半導体素子１を台座部２２上に好適に保持できる。
【００１６】
その後、半田４を溶融させることで半導体素子１を台座部２２の頂面２２ａに接続する（半田リフロー工程）。この工程では、溶融した半田４（溶融半田）が、頂面２２ａの中央領域から周縁に向けて流れる。さらに、各辺の中間部分が内側に窪んでいることで、溶融半田は、図３において矢印Ｆ１で示すように、頂面２２ａの各辺の中間部分から角部２３に向けて各辺に沿って流れるため、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れが強められる。なお、本実施形態では、頂面２２ａの複数の辺の窪みの大きさが互いに等しく設定されているため、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れの強さは、複数の角部２３の間で等しい。
【００１７】
上記のように頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れが強められることで、配置工程において、半導体素子１の各角部１３が頂面２２ａの各角部２３に対して周方向にずれて位置している場合には、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れによって半導体素子１の各角部１３が頂面２２ａの各角部２３に近づくように、半導体素子１が台座部２２上において回転する。本実施形態では、半導体素子１の各角部１３がそれぞれ一番近くに位置する頂面２２ａの角部２３に近づくように、半導体素子１が台座部２２上において回転する。より具体的に説明すれば、例えば図３のように、半導体素子１の角部１３が一番近くに位置する頂面２２ａの角部２３に対して時計回りの方向にずれて位置している場合には、半導体素子１が台座部２２上において反時計回りの方向（回転方向Ｒ１）に回転する。
これにより、図４に示すように、半導体素子１の各角部１３の周方向位置を頂面２２ａの各角部２３に一致させることができる。すなわち、半田リフローの際に接続板２に対する半導体素子１の周方向位置（回転位置）を補正するセルフアライメント効果を得ることができる。
【００１８】
なお、上記半田リフロー工程の際には、溶融半田が半導体素子１と台座部２２の頂面２２ａとの間に挟まれているため、溶融半田の表面張力により、頂面２２ａの周縁から基準面２１ａへの溶融半田の流出が抑えられる。
最後に、上記半田リフロー工程後に冷却することで、図４に示すように、半導体素子１を半田４により接続板２の台座部２２上に接続した構造が得られる。この接続構造では、平面視した半導体素子１の各角部１３が台座部２２の頂面２２ａの各角部２３に一致している。また、頂面２２ａのうち内方に窪んだ各辺の中間部分が、平面視した半導体素子１の辺よりも内側に位置している。
【００１９】
以上説明したように、本実施形態の半導体素子１の接続構造及び製造方法によれば、半田リフローの際に接続板２に対する半導体素子１の回転位置を補正するセルフアライメント効果が得られるため、接続板２に対する半導体素子１の回転位置にずれが生じることを防止できる。
したがって、接続板２に半導体素子１を接続した後に、図１に示すように、半導体素子１上に接続子Ｃ１を接合する際、半導体素子１の信号電極１１Ｃに対する接続子Ｃ１の接合位置がずれてしまうことを防止できる、すなわち、半導体素子１に対する接続子Ｃ１の接合不良の発生を防止できる。なお、半導体素子１に対する棒状の接続子Ｃ１の接合は、ワイヤボンディングの接合と比較して、接続板２に対する半導体素子１の回転位置のずれが微小であっても、接合不良が発生する虞があるが、本実施形態の接続構造では、接続板２に対する半導体素子１の回転位置を高い精度で位置決めできるため、接続子Ｃ１の接合不良の発生を防止できる。
また、接合不良の発生を防止できることで、半導体素子１の信号電極１１Ｃに対する接続子Ｃ１の接合を効率よく実施することも可能となる。
【００２０】
また、本実施形態の接続構造及び接続方法によれば、位置決め用の治具を用いることなく、接続板２に対する半導体素子１の回転位置にずれが生じることを防止できる。
さらに、位置決め用の治具を用いた場合には、半導体素子１を接続板２に接続した後、治具を半導体素子１及び接続板２から取り外す工程が必要となるが、本実施形態によれば、このような工程が不要となるため、半導体素子１の接続を効率よく行うことができる。
また、位置決め用の治具を用いた場合には、治具を半導体素子１及び接続板２から取り外す際に、治具が半導体素子１に衝突あるいは接触して半導体素子に欠け等の不具合が生じる虞があるが、本実施形態によればこのような不具合も生じないため、半導体素子１を接続板２に接続した構造の歩留まり向上を図ることができる。
【００２１】
〔第二実施形態〕
次に、図５，６を参照して本発明の第二実施形態について説明する。
この実施形態の接続構造は、接続板２に備える台座部２２の頂面２２ａに流入溝２６を形成した点を除き、第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同様の構成について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
【００２２】
図５に示すように、この実施形態に係る接続構造では、台座部２２の頂面２２ａに、その中央領域から頂面２２ａの各角部２３に向けて延びる複数の流入溝２６が形成されている。各流入溝２６の深さ寸法は、台座部２２の高さ寸法よりも小さく設定されている。また、本実施形態では、各流入溝２６が頂面２２ａの中央領域から角部２３まで直線状に延びている。なお、頂面２２ａの角部２３側に位置する各流入溝２６の延在方向の端部は、例えば図５（ａ）のように台座部２２の側面２２ｂに開口してもよいが、例えば開口していなくてもよい。また、各流入溝２６は、図５（ｂ）のように断面Ｕ字状に形成されてもよいが、断面Ｖ字状など任意の断面形状に形成されてよい。
【００２３】
上記構成の接続板２上に半導体素子１を接続する際には、第一実施形態と同様の準備工程、配置工程及び半田リフロー工程を実施すればよい。
そして、半田リフロー工程においては、第一実施形態の場合と同様に、溶融半田（溶融した半田４）が頂面２２ａの各辺の中間部分から角部２３に向けて流れることで、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れが強められる（図３の矢印Ｆ１参照）。また、溶融半田が、図６において矢印Ｆ２で示すように、各流入溝２６に入り込んだ上で頂面２２ａの中央領域から各角部２３に向けて流れるため、頂面２２ａの各角部２３に向かう溶融半田の流れをさらに強めることができる。
【００２４】
本実施形態の半導体素子１の接続構造及び接続方法によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
また、半田リフローの際に頂面２２ａの各角部２３に向かう溶融半田の流れをさらに強めることができるため、例えば図６のように、半導体素子１の各角部１３が頂面２２ａの各角部２３に対して周方向にずれて位置している場合に、半導体素子１の各角部１３が頂面２２ａの各角部２３に近づくように半導体素子１を回転方向Ｒ１に回転させる力が、第一実施形態の場合と比較して大きくなる。すなわち、接続板２に対する半導体素子１の回転位置を補正するセルフアライメント効果の向上を図ることができる。
さらに、本実施形態では、流入溝２６の深さ寸法が台座部２２の高さ寸法よりも小さいため、半田４を多量に使用しなくても、流入溝２６内において頂面２２ａの中央領域から角部２３に向けて流れる溶融半田の流れを半導体素子１に効率的に作用させて、上記セルフアライメント効果の向上を図ることができる。
【００２５】
〔第三実施形態〕
次に、図７，８を参照して本発明の第三実施形態について説明する。
この実施形態の接続構造は、台座部２２の頂面２２ａに形成される流入溝２６の形状を除き、第二実施形態と同様である。本実施形態では、第二実施形態と同様の構成について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
【００２６】
図７に示すように、この実施形態の接続構造では、第二実施形態の場合と同様に、台座部２２の頂面２２ａに、その中央領域から頂面２２ａの各角部に向けて延びる複数の流入溝２６が形成されている。また、各流入溝２６の深さ寸法は、台座部２２の高さ寸法よりも小さく設定されている。
そして、本実施形態では、複数の流入溝２６が頂面２２ａの中央領域から周縁に向かうにしたがって、頂面２２ａの周縁の周方向の一方側（図示例では時計周りの方向）に傾斜するように湾曲している。言い換えれば、各流入溝２６は、その延在方向の中途部が両端部に対して頂面２２ａの周縁の周方向の他方側（図示例では反時計周りの方向）にずれて位置するように、弓状に湾曲している。
【００２７】
上記構成の接続板上に半導体素子１を接続する際には、第一実施形態と同様の準備工程、配置工程及び半田リフロー工程を実施すればよい。
そして、半田リフロー工程においては、第一実施形態の場合と同様に、溶融半田が頂面２２ａの各辺の中間部分から角部２３に向けて流れることで、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れが強められる（図３の矢印Ｆ１参照）。また、第二実施形態の場合と同様に、溶融半田が、図８において矢印Ｆ３で示すように、各流入溝２６に入り込んだ上で頂面２２ａの中央領域から角部２３に向けて流れるため、頂面２２ａの各角部２３に向かう溶融半田の流れをさらに強めることができる。さらに、本実施形態では、流入溝２６内に入り込んだ溶融半田が、図８において矢印Ｆ３で示すように、頂面２２ａの周縁の周方向の一方側（図示例では時計周りの方向）に流れることになる。
【００２８】
本実施形態の半導体素子１の接続構造及び接続方法によれば、第二実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態によれば、半田リフローの際に流入溝２６内に入り込んだ溶融半田が頂面２２ａの周縁の周方向の一方側（図示例では時計周りの方向）に流れるため、例えば図８のように、半導体素子１の各角部１３が頂面２２ａの各角部２３に対して周方向にずれて位置している場合に、半導体素子１を頂面２２ａの周縁の周方向の一方側（図８において回転方向Ｒ２）に回転させることができる。
【００２９】
したがって、例えば図８のように半導体素子１を頂面２２ａに配した状態（配置工程後の状態）において、半導体素子１の角部１３が頂面２２の二つの角部２３のほぼ中間に位置するように、接続板２に対する半導体素子１の回転位置が大きくずれていても、接続板２に対する半導体素子１の回転位置を補正するセルフアライメント効果を確実に得ることができる。
また、例えば図８のように、半導体素子１の特定の角部１３（例えば信号電極１１Ｃが形成された角部１３Ａ；図１参照）の周方向位置が、頂面２２ａの特定の角部２３に対して４５度以上ずれていても、半導体素子１は半田リフローの際に特定の回転方向に回転するため、半導体素子１の特定の角部１３を頂面２２ａの特定の角部２３に一致させることも可能となる。
【００３０】
〔第四実施形態〕
次に、図９，１０を参照して本発明の第四実施形態について説明する。
この実施形態の接続構造は、台座部２２の周囲に環状突起部２７を形成した点を除き、第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同様の構成について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
【００３１】
図９に示すように、本実施形態の接続構造では、台座部２２の径方向外側に間隔をあけた位置において基準面２１ａから突出して台座部２２を囲む環状突起部２７が形成されている。これにより、台座部２２と環状突起部２７との間には、基準面２１ａを底面とする平面視環状の環状溝部２８が形成されている。また、環状突起部２７の高さ寸法は、台座部２２の高さ寸法よりも低く設定されている。
そして、本実施形態の環状突起部２７は、台座部２２及び環状溝部２８の形成領域を除く、基準面２１ａ全体に形成されている。また、平面視した環状突起部２７の内縁は、台座部２２の平面視形状よりも大きな相似形状に形成されている。すなわち、環状溝部２８の平面視形状が台座部２２の平面視形状に相似している。
【００３２】
上記構成の接続板２上に半導体素子１を接続する際には、第一実施形態と同様の準備工程、配置工程及び半田リフロー工程を実施すればよい。
そして、本実施形態の半導体素子１の接続構造によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、環状突起部２７が形成されていることにより、半田リフロー工程において、仮に溶融半田が頂面２２ａの周縁から基準面２１ａに流出しても、環状溝部２８に入り込むため、溶融半田が基準面２１ａ上に過度に濡れ広がることを防止できる。
【００３３】
また、環状突起部２７の高さ寸法が台座部２２よりも低く設定されていることで、例えば図１０に示すように、半導体素子１の一部が台座部２２の周縁から外側にはみ出して環状突起部２７上に位置していても、環状突起部２７の頂面２２ａに接触することを防止できる。したがって、半田リフローにおける半導体素子１の回転が、半導体素子１と環状突起部２７との接触によって阻害されることを防止できる。すなわち、環状突起部２７が形成されていても、半田リフローの際に接続板２に対する半導体素子１の回転位置を補正するセルフアライメント効果を確実に得ることができる。
なお、上述した第四実施形態の構成は、前述した第二、第三実施形態の構成にも適用可能である。
【００３４】
〔第五実施形態〕
次に、図１１，１２を参照して本発明の第五実施形態について説明する。
この実施形態の接続構造は、平面視した台座部２２の形状を除き、第一実施形態と同様である。本実施形態では、第一実施形態と同様の構成について同一符号を付す等して、その説明を省略する。
【００３５】
図１１に示すように、本実施形態の接続構造では、台座部２２の頂面２２ａの平面視形状が、第一実施形態と同様に、半導体素子１の平面視形状に相似する多角形状に形成され、さらに、平面視した頂面２２ａの各辺の中間部分が内方に窪んでいる。具体的には、頂面２２ａの平面視形状は、半導体素子１の平面視形状と同等の大きさの正方形状に形成された上で、各辺が内方に窪むように形成されている。
【００３６】
そして、本実施形態では、頂面２２ａの複数の辺の窪み（窪み部２５）の大きさが、頂面２２ａの周縁の周方向の一方側（図示例では時計周りの方向）に向かうにしたがって小さくなっている。図１１では、複数の窪み部２５のうち、左下に位置する第一窪み部２５Ａの窪みの大きさが最も大きく、第一窪み部２５Ａから時計周りの方向に配列された第二窪み部２５Ｂ、第三窪み部２５Ｃ、第四窪み部２５Ｄの順番で、窪みの大きさが順次小さくなっている。
【００３７】
以下の説明では、第一窪み部２５Ａと第二窪み部２５Ｂとの間に位置する角部２３を第一角部２３Ａ、第二窪み部２５Ｂと第三窪み部２５Ｃとの間に位置する角部２３を第二角部２３Ｂ、第三窪み部２５Ｃと第四窪み部２５Ｄとの間に位置する角部を第三角部２３Ｃ、第四窪み部２５Ｄと第一窪み部２５Ａとの間に位置する第四角部２３Ｄと呼ぶ。
【００３８】
上記構成の接続板２上に半導体素子１を接続する際には、第一実施形態と同様の準備工程、配置工程及び半田リフロー工程を実施すればよい。
そして、半田リフロー工程においては、第一実施形態の場合と同様に、溶融半田（溶融した半田４）が頂面２２ａの各辺の中間部分から角部２３に向けて流れることで、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れが強められる（図１２の矢印Ｆ４参照）。
ただし、本実施形態では、頂面２２ａの角部２３に向かう溶融半田の流れの強さが、複数の角部２３の間で異なる。以下、この点について詳細に説明する。
【００３９】
本実施形態では、頂面２２ａに形成された窪み部２５の大きさが大きいほど、窪み部２５に対応する頂面２２ａの辺の中間部分からこれに隣り合う二つの角部２３に向かう溶融樹脂の流れが強くなる。なお、図１２においては、各矢印Ｆ４の長さが、各角部２３に向かう溶融半田の流れの強さを示している。
例えば、窪みの大きさが最も大きい第一窪み部２５Ａに対応する頂面２２ａの辺の中間部分から、この辺の両端に位置する二つの角部２３（第一角部２３Ａ及び第四角部２３Ｄ）に向かう溶融樹脂の流れ（矢印Ｆ４１で示す流れ）が最も強くなる。一方、窪みの大きさが最も小さい第四窪み部２５Ｄに対応する頂面２２ａの辺の中間部分から、この辺の両端に位置する二つの角部２３（第三角部２３Ｃ及び第四角部２３Ｄ）に向かう溶融樹脂の流れ（矢印Ｆ４４で示す流れ）が最も弱くなる。このため、頂面２２ａの第一角部２３Ａに向かう溶融樹脂の流れが最も強くなり、第頂面２２ａの第三角部２３Ｃに向かう溶融樹脂の流れが最も弱くなる。
【００４０】
本実施形態の半導体素子１の接続構造によれば、第一実施形態と同様の効果を奏する。
さらに、本実施形態によれば、半田リフローの際に特定の角部２３（第一角部２３Ａ）に向かう溶融樹脂の流れが、他の角部２３（第二〜第四角部２３Ｂ〜２３Ｄ）に向かう流れよりも強いため、例えば図１２のように、半導体素子１を頂面２２ａに配した状態（配置工程後の状態）において、半導体素子１の角部１３が頂面２２の二つの角部２３のほぼ中間に位置するように、接続板２に対する半導体素子１の回転位置のずれが大きくても、半導体素子１を所定の回転方向（図１２において回転方向Ｒ３）に回転させて、半導体素子１の各角部１３を頂面２２ａの各角部２３に一致させることが可能となる。すなわち、接続板２に対する半導体素子１の回転位置を補正するセルフアライメント効果を確実に得ることができる。
なお、上述した第五実施形態の構成は、前述した第二〜第四実施形態の構成にも適用可能である。
【００４１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術的範囲はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、上記実施形態では、平面視した台座部２２の頂面２２ａの各辺が、円弧状に形成されているが、少なくとも各辺の中間部分が最も内側に窪むように形成されていればよい。したがって、平面視した頂面２２ａの各辺は、例えば、各辺の中間部分から各角部２３に向けて直線状に形成されてもよい。
【００４２】
また、平面視した頂面２２ａの形状や大きさは、上記実施形態のものに限らず、少なくとも半導体素子１の平面視形状に相似する多角形状に形成された上で、各辺が内方に窪むように形成されていればよい。
したがって、頂面２２ａの平面視形状は、例えば、頂面２２ａの各角部２３が半導体素子１の各角部１３よりも径方向外側に位置するように形成されてもよい。また、平面視した頂面２２ａの大きさは、例えばその全体が平面視した半導体素子１の内側あるいは外側に位置するように設定されてもよい。
【００４３】
ただし、台座部２２からこれに接続された半導体素子１の側面までの絶縁距離を確保する必要がある場合には、台座部２２の頂面２２ａのうち半導体素子１によって覆われずに露出する領域が小さい方が好ましく、また、頂面２２ａの露出領域は無い方がより好ましい。また、半田リフローの際に生じる溶融半田の流れが、接続板２に対する半導体素子１の回転位置の補正に有効活用されるためには、頂面２２ａの平面視形状は、少なくとも内方に窪んだ頂面２２ａの各辺の中間部分が平面視した半導体素子１の辺よりも内側に位置するように形成されることがより好ましい。
【００４４】
また、本発明の接続構造には、上記実施形態のような半導体素子１を適用することに限らず、少なくとも下面全体が接続板２に接続される単一の電極となっている任意の電子部品を適用することが可能である。このような電子部品としては、半導体素子１の他に、例えば半導体素子等の回路素子を樹脂封止したパッケージ部品などが挙げられる。
さらに、本発明の接続構造に適用される電子部品の平面視形状は、上記実施形態のような正方形形状に限らず、長方形、六角形状など任意の多角形状であってよい。なお、例えば電子部品の平面視形状が六角形状である場合には、接続板２の頂面２２ａの平面視形状は、電子部品の平面視形状に相似する六角形状に形成されればよい。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体素子（電子部品）
２  接続板
２１  ベース部
２１ａ  基準面
２２  台座部
２２ａ  頂面
２５，２５Ａ，２５Ｂ，２５Ｃ，２５Ｄ  窪み部
２６  流入溝
２７  環状突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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