(57)【要約】【課題】半透光膜を具備するフォトマスクにおいて、露光装置が正確に露光光の透過光を識別できる露光用マークを備えるフォトマスクを提供する。【解決手段】透明基板上に遮光部と半透光部と透光部とを有するフォトマスクであって、前記遮光部は遮光膜のパターンにより形成され、前記半透光部は半透光膜のパターンにより形成され、前記透光部は前記透明基板の一部が露出し、露光装置から識別可能な露光用マークを前記フォトマスクの露光領域内に有することを特徴とする。  このような構成によると、露光装置から識別可能なマークをフォトマスクの露光領域内に有するため、露光装置がそのマークからの透過光として認識することによりフォトマスクの露光領域内の座標、距離といった位置情報だけでなく、露光強度等の露光に必要な情報を正確に読み取ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に遮光部と半透光部と透光部とを有するフォトマスクであって、前記遮光部は遮光膜のパターンにより形成され、前記半透光部は半透光膜のパターンにより形成され、前記透光部は前記透明基板の一部が露出し、露光装置から識別可能な露光用マークを前記フォトマスクの露光領域内に有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記露光用マークは前記遮光部と透光部とで構成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
前記露光用マークは前記透明基板が露出した透光部上に遮光膜からなるマークパターンが形成されている請求項２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記露光用マークは前記遮光部の一部に透明基板が露出したマークパターンが形成されていてる請求項２記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記遮光部の構成は遮光膜の単層膜又は遮光膜と半透光膜との積層膜のいずれかである請求項２記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記半透光部は単層の低透過率膜からなり、遮光膜は単層又は半透過膜との積層膜の低反射率膜であることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項７】
同一又は異なる複数のレイアウトを有するデバイスパターンが形成され、それぞれのレイアウトごとに露光用マークが設けられていることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項８】
透明基板上に遮光膜を成膜したマスクブランクスを準備する工程と、前記マスクブランクスに２回描画用のアライメントマークと透過窓Ｆを形成する工程と、前記アライメントマークを遮蔽した状態で半透光膜を成膜する工程と、前記アライメントマークを用いて露光用マークのマークパターンとデバイスパターンとを描画し、半透光膜のパターンを形成する工程とを具備するフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
透明基板上に半透光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、前記マスクブランクス中央の露光領域をいずれも遮蔽板で遮蔽して、前記透明基板の外周部に遮光膜工程と、前記遮光膜を形成したマスクブランクスをパターニングして露光領域内に露光用マークパターンとデバイスパターンを同時に形成する工程とを具備するフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
透明基板の外周部を遮蔽した状態で半透光膜が形成された縁無半透光膜ブランクスを準備する工程と、前記半透光膜の上部を遮蔽板で覆いつつ、この状態で透明基板９１の全面に遮光膜を形成する工程と、前記フォトマスク外周部の遮光膜と前記半透光膜の重複領域の外側かつ使用時に貼り付けられるペリクルフレームより内側の遮光領域に露光用マークパターンを形成すると共に、前記半透光膜が形成されたデバイス領域にデバイスパターンを形成する工程とを具備するフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はハーフトーン型フォトマスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置に位置情報やフォトマスクの管理情報等を伝えるため、アライメントマークやバーコードなどのいわゆる「ハンドリング用マークパターン」をデバイスパターンの転写領域外に具備するフォトマスクが知られている（特許文献１）。フォトマスクがハンドリング用マークパターンを備えると露光装置はそのマークパターン部を読み取ることでフォトマスクの種類や位置といった情報を得ることができる。
【０００３】
ハンドリング用マークパターンを構成する遮光膜は、反射光を用いてマークを読み取る場合、フォトマスクの最表面に露出した（すなわち反射防止膜で覆われていない）遮光膜と、透明基板が露出した（すなわち半透光膜で覆われていない）透光部とで形成されることが好ましい（同文献第３４段落）。ハンドリング用マークパターンの表面に半透過膜が形成されているとその部分で位相差を生じて反射光の強度が減衰し、Ｓ／Ｎ比が著しく低下して読み取りエラーとなり易いからである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２１５１９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
デバイスパターンの転写領域内に半透過膜を具備するフォトマスク（本明細書では特に断らない限り「フォトマスク」という場合は半透過膜を具備するフォトマスクを指すものとする。）は、各デバイスパターンの形成位置、半透過膜が露光波長に対してどの程度の透過率を達成できているのか、或いは、どの程度の位相差を生じさせているのかといった「露光条件」を正確に設定することが重要である。このような露光条件の設定には、露光装置が露光光を透過光として識別することで実現できると考えられる。
【０００６】
しかし、半透光膜を具備するフォトマスクでは、半透光部の透過光が位相差を有するため、正確な読取りができなかった。本発明は上記に鑑みてなされたものであり、露光装置が正確に露光光の透過光を識別できる露光用マークを備えるフォトマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るフォトマスクは、透明基板上に遮光部と半透光部と透光部とを有するフォトマスクであって、前記遮光部は遮光膜のパターンにより形成され、前記半透光部は半透光膜のパターンにより形成され、前記透光部は前記透明基板の一部が露出し、露光装置から識別可能なマークを前記フォトマスクの露光領域内に有することを特徴とする。
【０００８】
このような構成によると、露光装置から識別可能なマークがフォトマスクの露光領域内に有するため、露光装置がそのマークからの透過光として認識することによりフォトマスクの露光領域内の座標、距離といった位置情報だけでなく、露光強度等の露光に必要な情報を正確に読み取ることができる。
【０００９】
上記フォトマスクにおいて、前記マークは前記遮光部と透光部とで構成されることが好ましい。この場合、透明基板が露出した透光部上に遮光膜からなるマークパターンが形成されていてもよく、逆に、遮光部の一部に透明基板が露出したマークパターンが形成されていてもよい。また、遮光部の構成は遮光膜の単層膜でも遮光膜と半透光膜との積層膜でもよい。
【００１０】
上記フォトマスクにおいて、前記半透光部は半透光膜の単層で形成されると共に前記半透過膜の透過率が例えば１〜１０％程度の低透過率膜、遮光部の反射率は例えば１〜４０％程度の低反射率膜であることが好ましい。このようにすると、フォトマスクの遮光膜の膜厚を極めて薄くすることができる利点がある。
【００１１】
上記フォトマスクにおいて、同一又は異なる複数のレイアウトを有するデバイスパターンが形成され、それぞれのレイアウトごとに露光用マークが設けられていてもよい。このようにすると、各レイアウトごとに露光条件を設定することが可能となる。
【００１２】
本発明に係るフォトマスクの第１の製造方法は、透明基板上に遮光膜を成膜したマスクブランクスを準備する工程と、前記マスクブランクスに２回描画用のアライメントマークと透過窓Ｆを形成する工程と、前記アライメントマークを遮蔽した状態で半透光膜を成膜する工程と、前記アライメントマークを用いて露光用マークのマークパターンとデバイスパターンとを描画し、半透光膜のパターンを形成する工程とを具備する。
【００１３】
本発明に係るフォトマスクの第２の製造方法は、透明基板上に半透光膜が形成されたマスクブランクスを準備する工程と、前記マスクブランクス中央の露光領域をいずれも遮蔽板で遮蔽して、前記透明基板の外周部に遮光膜工程と、前記遮光膜を形成したマスクブランクスをパターニングして露光領域内に露光用マークパターンとデバイスパターンを同時に形成する工程とを具備する。この場合、露光用マークパターンはデバイス形成領域の外側に設けられ、遮光部からなるマークパターンと透明基板の一部が露出した透光部とで構成される。
【００１４】
本発明に係るフォトマスクの第３の製造方法は、透明基板の外周部を遮蔽した状態で半透光膜が形成された縁無半透光膜ブランクスを準備する工程と、前記半透光膜の上部を遮蔽板で覆いつつ、この状態で透明基板９１の全面に遮光膜を形成する工程と、前記フォトマスク外周部の遮光膜と前記半透光膜の重複領域の外側かつ使用時に貼り付けられるペリクルフレームより内側の遮光領域に露光用マークパターンを形成すると共に、前記半透光膜が形成されたデバイス領域にデバイスパターンを形成する工程とを具備する。この場合露光用マークパターンはデバイス形成領域の外側に設けられ、遮光膜上に透光部からなるマークパターンが形成された構造となる。
【００１５】
このようにしても露光領域の内側（かつペリクルフレームの内側）に遮光性を持たせた露光用マークが得られる。
【００１６】
以上のようにして得られたフォトマスクはペリクルフレームより内側の領域まで遮光性を持たせた構成を有しており、露光領域内に存在する露光用マークを透過した光を露光装置が正しく識別することができるため、正確な露光条件を設定することが可能となる。また、透過率が極めて小さい半透光膜を用いてデバイス形成領域を単層の半透光膜のみで形成することができ、その場合、遮光膜の膜厚を極めて薄いものとすることができる。これにより、成膜及びエッチングプロセスが短時間に行えるだけでなく、エッチング後の寸法バラツキも小さくなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るフォトマスクは、露光装置から識別可能なマークがフォトマスクの露光領域内に有するため、露光装置がそのマークを基にしてフォトマスクの露光領域内の座標、距離といった位置情報だけでなく、露光強度等の露光に必要な情報を正確に読み取って露光条件をそれぞれ設定することができる。さらに、積層膜の場合には、遮光膜を薄膜化することが可能で、寸法バラツキを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態のフォトマスクを示す図
【図２】第２の実施形態の複数のレイアウトを設けたフラットパネルの構成例
【図３】第３の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図（ａ）出発材料であるマスクブランクスを上方から見た図、（ｂ）（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図
【図４】第３の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  (ａ)マスクブランクスＳ１に２回描画用のアライメントマーク６３と透過窓Ｆを形成した図、（ｂ）（ａ）のＸ２−Ｘ２断面図
【図５】第３の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  (ａ)アライメントマーク６３を遮蔽した状態で半透光膜６４を成膜した図  （ｂ）（ａ）のＸ３−Ｘ３断面図
【図６】第３の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）アライメントマーク６３を用いて露光用マーク６５のマークパターン６５ａとデバイスパターン６６を描画し、半透光膜のパターンを形成した完成図  （ｂ）（ａ）のＸ４−Ｘ４の断面図
【図７】第４の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）出発材料であるマスクブランクスを上方から見た図、（ｂ）（ａ）のＸ５−Ｘ５断面図
【図８】第４の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）透明基板８１の外周部に遮光膜８３を形成した図  （ｂ）（ａ）のＸ６−Ｘ６断面図
【図９】第４の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）露光用マークパターン８５とデバイスパターン８６を同時に形成したフォトマスクの完成図  （ｂ）（ａ）のＸ７−Ｘ７断面図
【図１０】第５の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）出発材料である縁無半透光膜ブランクス  （ｂ）（ａ）のＸ８−Ｘ８断面図
【図１１】第５の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）半透光膜９３の上部を遮蔽板Ｐで覆った図  （ｂ）（ａ）のＸ９−Ｘ９断面図
【図１２】第５の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）図１１の状態で透明基板９１の全面に遮光膜９２を形成した図  （ｂ）（ａ）のＸ１０−Ｘ１０断面図
【図１３】第５の実施形態のフォトマスクの製造方法の工程図  （ａ）重複領域のすぐ外側かつ使用時に貼り付けられるペリクルフレームより内側の遮光領域に露光用マークパターン９５を形成すると共に、半透光膜９３が形成されたデバイス領域にデバイスパターン９６を形成したフォトマスクの完成図  （ｂ）（ａ）のＸ１１−Ｘ１１断面図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本実施形態について図面を参照して詳述する。各図における符号が同じ構成は、同一のものであることを示している。本実施形態の記載は本発明の技術的思想を理解するために合目的的に解釈され、本実施形態の記載に限定解釈されるべきものではない。
【００２０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態のフォトマスクを示す図である。
【００２１】
図１に示すフォトマスク１０は、投影式の露光装置用に好適なフラットパネル用フォトマスクの構成例を示している。このフォトマスク１０の基本構成は、パネル表示領域１と、デバイス形成領域２と、パネルの外周に配置された露光用マーク３と、露光装置からの露光光が照射される露光領域４と、ペリクルフレーム５、及び露光領域４の外側に設けられる各種マーク６（フォトマスク管理情報用バーコード、或いは必要により各種位置情報用マーク（アライメントマーク））等からなる。
【００２２】
ただし、フォトマスクが形成しようとする層のパターンによって適宜構成が変わる場合がある。例えば、デバイス形成領域２にはパネルを駆動するための配線やデバイスなどが形成されるが、層によっては配線も回路も存在しない場合もありうるし、ペリクルフレーム５が存在しない場合もありうる。
【００２３】
図１に示すように、露光領域４の内側には露光用マーク３が設けられている。この露光用マーク３は露光条件の調整や確認を目的として設けられるもので、フォトマスク１０を露光装置に設置した状態で透過光を読み取ることができるように、透明基板が露出した部分と遮光膜のマークパターンとで構成されている。露光用マーク３を構成する遮光膜のパターンは遮光膜の単層膜、或いは半透光膜と遮光膜との積層膜で構成される。露光用マーク３は透過光を読み取るためのマークであるため、遮光膜の上方に半透光膜のような位相をシフトさせて反射光を減衰させる膜が形成されていても差し支えないためである。なお、上述のとおり露光領域４の外側に各種マーク６が設けられていても良く、これらのマーク類は反射光を読み取る場合もありうる。その場合は、最上層に反射率の高い遮光膜が露出していることが好ましい。
【００２４】
露光用マーク３を形成する範囲は、上述の例では、露光領域内であって、かつ、パネル表示領域１及び全てのマスクパターンを重ね合わせて得られる全てのデバイス形成領域２のいずれもを除く領域内である。
【００２５】
デバイス形成領域２に形成されるパターンは半透光膜の単層膜、或いは半透光膜と遮光膜との積層膜で構成される。なお、公知のアライメント描画技術を用いて遮光膜のパターンと半透光膜のパターンの位置関係をμｍ単位で制御する方法を用いれば、デバイス形成領域に作成されるパネル駆動用のパターンを全て半透光膜で構成した場合でも、その数μｍ外側に遮光膜のパターンを形成することが可能となる。
【００２６】
露光光が例えばｉ線（３６５ｎｍ）である場合を想定すると、半透光膜には１８０°±１０°程度の位相特性、透過率が１〜１０％（光学濃度−ｌｏｇＴ＝１〜２）程度、反射率は１〜４０％程度の範囲のものを用い、遮光膜には光学濃度１．２以上かつ反射率４０〜７０％程度の高反射膜かこの高反射膜と反射率１〜４０％程度の低反射膜との積層膜で構成してもよい。例えば、光学濃度２の半透光膜を用いて光学濃度２．５を確保するためには、光学濃度０．５の遮光膜を積層すればよい。標準膜厚８０ｎｍの遮光膜の光学濃度が３．２であるとすると、光学濃度０．５を達成する膜厚は１２ｎｍと計算される。すなわち、半透光膜に低反射特性と低透過特性を付与した半透光膜と遮光膜の積層膜を用いることにより遮光膜を大幅に薄くすることができる。このことは、遮光膜の薄膜化は等方性エッチングの際にエッチング後の膜厚の寸法バラツキを小さくする上で特に有益である。
【００２７】
以上のように、本実施形態のフォトマスクによると露光領域内に透過光で調整するように最適化された露光用マークを設けたので露光条件の調整や確認が容易になるほか、光学特性を適切に設定した場合には半透光膜の単層膜のみでデバイス形成領域にパターンを形成することも可能である。さらに、この場合、露光用マーク３のマークパターンを遮光膜と半透光膜の積層膜で構成することで遮光膜の膜厚を従来よりも大幅に薄膜化でき、その結果、エッチング後の膜厚の寸法バラツキを小さくできる利点もある。なお、デバイス形成領域に単層の半透光膜を形成する例を説明したが積層膜でもよく、或いは半透光膜に代えて、単層又は積層の位相シフト膜を形成してもよい。この点は以下の実施形態においても同様である。
【００２８】
（第２の実施形態）
図２は、複数のレイアウトを設けたフラットパネルの構成例を示している。これらに示すように、各レイアウトのそれぞれに露光用マークを設けると、それぞれのレイアウトごとに露光条件を調整したり確認したりすることができる。この例は４つ（２ｘ２）のレイアウトを配置しているが、それ以上のレイアウトでもよい。
【００２９】
このように、同一又は異なる複数のレイアウトを有するデバイスパターンが形成され、それぞれのレイアウトごとに露光用マークが設けられていると、各レイアウトごとに露光条件を設定することが可能となる。
【００３０】
（第３の実施形態）
図３〜図６は、遮光膜マスクブランクスを用いたフォトマスクの製造方法を説明する図である。
【００３１】
図３（ａ）は出発材料であるマスクブランクスを上方から見た図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＸ１−Ｘ１断面図である。先ず、透明基板６１上に遮光膜６２が形成されたマスクブランクスＳ１を準備する（図３（ａ）及び図３（ｂ））。次に、公知のフォトレジスト工程を用いてパターニングを行い、マスクブランクスＳ１に２回描画用のアライメントマーク６３と透過窓Ｆを形成する（図４（ａ）及び図４（ｂ））。なお、遮光膜と半透光膜の材料は限定されないが、同一材料系（例えばＣｒとＣｒＯ２）で構成し、パターニングの際には両者を一括してエッチングしてもよい。この点は公知のフォトレジスト工程であり他の実施形態においても同様であるが、任意のパターニング方法を適宜選択可能である。アライメントマーク６３は描画装置が２回目の描画時に使用するマークであり、透光部と遮光部からなる。露光時には不要なため、アライメントマーク６３は図４（ａ）のように露光領域の外側に設けられる。
【００３２】
次に、アライメントマーク６３を遮蔽した状態で半透光膜６４を成膜する（図５（ａ）及び図５（ｂ））。アライメントマーク６３を遮蔽するのはアライメントマークの遮光膜の表面に半透光膜６４があると反射光が減衰してアライメントエラーが生じやすいためである。この意味において、マスクブランクスＳ１は最表面に遮光膜が露出したいわゆる「高反射マスクブランクス」がよい。但し、描画装置が反射光ではなく透過光を用いてアライメントを行う場合には、遮蔽する必要はなく、かつ高反射マスクブランクスである必要もない。
【００３３】
次に、アライメントマーク６３を用いて露光用マーク６５のマークパターン６５ａとデバイスパターン６６を描画し、半透光膜のパターンを形成することでフォトマスク７０が完成する（図６（ａ）及び図６（ｂ））。このように、アライメントマーク６３を用いることで１層目の遮光膜パターンと２層目の半透光膜のパターンずれが抑えられる。そのため、デバイス形成領域のパターンの全てを半透光膜で構成した場合でも極めてそのすぐ外側の露光領域内に、例えば両者の離間距離が１〜５μｍといった極めて高精度に位置決めされた露光用マークパターン６５を形成することができ、パネル駆動用のデバイスパターンの形成などにも有益である。
【００３４】
図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すフォトマスク７０の露光用マーク６５は、デバイス形成領域の外側に設けられ、遮光部からなるマークパターン６５ａと透明基板６１の一部が露出した透光部６５ｂとで構成される。同図に示すように、マークパターン６５は遮光膜からなるパターン６５ａの上に半透光膜６４が形成されているため、露光用マーク６５の反射光を読み取るには不向きである。また、露光条件を調整するためには露光光を直接読み取る必要があり、そのためにも反射光よりも透過光を読み取る方が好都合である。
【００３５】
以上のように、露光装置に透過光を読み取らせるための「露光用マーク」を露光領域内に形成することができる。なお、上述のプロセスでは第１層目のパターニングの際にデバイス形成領域に透過窓Ｆを設け、デバイス形成領域のパターンの全てを半透光膜で構成した場合を説明したが、第１層目のパターニングの際に透過窓Ｆに代えてデバイス形成領域に遮光膜のパターンを形成してもよい。露光領域内に形成される露光用マークの位置や構成は変わらないからである。
【００３６】
その後、使用時には露光用マークを含む露光領域全体にペリクルを貼り付けることでフォトマスクが使用可能な状態となる。
【００３７】
以上のようにして得られたフォトマスクはペリクルフレームより内側の領域までを遮光性を持たせた構成を有しており、露光領域内に存在する露光用マークを透過した光を露光装置が正しく識別することができるため、正確な露光条件を設定することが可能となる。また、透過率が極めて小さい半透光膜を用いてデバイス形成領域を単層の半透光膜のみで形成することにより、遮光膜の膜厚を極めて薄いものとすることができる。これにより、成膜及びエッチングプロセスが短時間に行えるだけでなく、エッチング後の寸法バラツキも小さくなる。
【００３８】
（第４の実施形態）
図７〜図９は、半透光膜マスクブランクスを用いたフォトマスクの製造方法を説明する図である。
【００３９】
図７（ａ）は出発材料であるマスクブランクスを上方から見た図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ５−Ｘ５断面図である。先ず、透明基板８１上に半透光膜８２が形成されたマスクブランクスＳ２を準備する（図７（ａ）及び図７（ｂ））。次に、マスクブランクスＳ２中央の露光領域、すなわち半透光膜８２上のデバイス形成領域及び露光用マーク形成領域をいずれも遮蔽板で遮蔽して、主に透明基板８１の外周部に遮光膜８３を形成すると共に最上層のアライメントマーク部を除く部分に低反射膜（反射防止膜）（図示は省略）を積層する（図８（ａ）及び図８（ｂ））。
【００４０】
次に、遮光膜８３を形成したマスクブランクスＳ２にフォトレジスト膜を形成し、描画装置により描画を行う。その後公知のパターン形成プロセスを経ることにより、露光用マークパターン８５とデバイスパターン８６を同時に形成することでフォトマスク９０が完成する（図９（ａ）及び図９（ｂ））。露光用マークパターン８５はデバイス形成領域の外側に設けられ、遮光部からなるマークパターン８５ａと透明基板８１の一部が露出した透光部８５ｂとで構成される。
【００４１】
本実施形態に示す製造方法は１層目と２層目のアライメントをとることなく１回の描画で半透光膜と遮光膜の積層膜をパターニングするため、高い位置精度は保証されない。従って、比較的マージンに余裕がある場合、例えば、ｉ線で露光する場合を例に挙げれば露光用マークパターン８５とデバイス形成領域に形成されたデバイスパターン８７との離間距離が±１ｍｍ以上である場合には十分に適用可能である。
【００４２】
なお、本実施形態で示すフォトマスク製造方法及び次の実施形態において説明するフォトマスクの構成はいずれも「ボトムハーフ型フォトマスク」、すなわち上層に反射率の高い遮光膜が形成される構成に関するものであるため、露光時の迷光を防止するための構成として、表面に低反射膜（反射防止膜）が積層された遮光膜を用いる必要がある。
【００４３】
その後、露光用マークを含む露光領域全体にペリクルを貼り付けることでフォトマスクが使用可能な状態となる。
【００４４】
以上のようにして得られたフォトマスク９０は露光時に使用されるペリクルフレームより内側のマークまでを遮光性を持たせた構成を有しており、露光領域内に存在する露光用マークを透過した光を露光装置が正しく識別することができるため、正確な露光条件を設定することが可能となる。また、透過率が極めて小さい半透光膜を用いてデバイス形成領域を単層の半透光膜のみで形成することにより、遮光膜の膜厚を極めて薄いものとすることができる。これにより、成膜及びエッチングプロセスが短時間に行えるだけでなく、エッチング後の寸法バラツキも小さくなる。
【００４５】
（第５の実施形態）
図１３に示すフォトマスク１００は、投影式の露光装置用に好適なフラットパネル用フォトマスクの他の構成例を示している。フォトマスク１００の周囲には遮光膜９２が設けられ、中央の露光領域には単層の半透光膜９３で構成されたデバイスパターン９６が設けられている。フォトマスク外周部の遮光膜９２と半透光膜９３の重複領域は半透光膜と遮光膜の積層構造となっている。
【００４６】
このような構造のフォトマスクを製造する方法として以下のような方法が挙げられる。
先ず、透明基板９１の外周部を遮蔽した状態で半透光膜９３を形成して得られる縁無半透光膜ブランクスＳ３を準備する（図１０（ａ）及び図１０（ｂ））。このとき半透光膜９３が形成された領域が露光領域となる。次に、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように半透光膜９３の上部を遮蔽板Ｐで覆いつつ、この状態で透明基板９１の全面に遮光膜９２と共に最上層のアライメントマーク部を除く部分に低反射膜（反射防止膜）（図示は省略）を積層する（図１２(ａ)、図１２（ｂ））。なお、図１２（ｂ）に示すように、フォトマスク外周部の遮光膜９２と半透光膜９３の重複領域は遮光膜９２と半透光膜９３との積層構造が枠状に形成されることが分かる。
【００４７】
その後公知のパターン形成プロセスを経ることにより、この重複領域のすぐ外側かつ使用時に貼り付けられるペリクルフレームより内側の遮光領域に露光用マークパターン９５を形成すると共に、半透光膜９３が形成されたデバイス領域にデバイスパターン９６を形成することでフォトマスク１００が完成する（図１３（ａ）及び図１３（ｂ））。
【００４８】
露光用マークパターン９５はデバイス形成領域の外側に設けられ、遮光膜９２上に透光部からなるマークパターン９５ａが形成された構造となる。
【００４９】
このようにしても露光領域の内側（かつペリクルフレームの内側）に遮光性を持たせた露光用マーク９５が得られる。
【００５０】
以上のようにして得られたフォトマスクはペリクルフレームより内側の領域まで遮光性を持たせた構成を有しており、露光領域内に存在する露光用マークを透過した光を露光装置が正しく識別することができるため、正確な露光条件を設定することが可能となる。また、透過率が極めて小さい半透光膜を用いてデバイス形成領域を単層の半透光膜のみで形成することにより、遮光膜の膜厚を極めて薄いものとすることができる。これにより、成膜及びエッチングプロセスが短時間に行えるだけでなく、エッチング後の寸法バラツキも小さくなる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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