(57)【要約】【課題】全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく使用可否をユーザが把握できる半導体ウェハ支持装置を得ること。【解決手段】一対の板状部材１１と、複数枚の半導体ウェハを支持するウェハ受け溝１３が形成されて、一対の板状部材１１の間に架け渡された複数本のウェハ支持棒１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを備え、使用後にエッチングにより洗浄される半導体ウェハ支持装置１０であって、エッチングの回数に応じて小さくなり、閾値回数のエッチングが施された際に消失する使用可否表示用突起６２を、一対の板状部材１１又は複数本のウェハ支持棒１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄに形成し、使用可否表示用突起６２の有無によって使用の可否を判断できるようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の板状部材と、複数枚の半導体ウェハを支持する複数のウェハ受け溝が形成されて、前記一対の板状部材の間に架け渡された複数本のウェハ支持棒とを備え、使用後にエッチングにより洗浄される半導体ウェハ支持装置であって、
前記エッチングの回数に応じて小さくなり、閾値回数の前記エッチングが施された際に消失する第１の突起を、前記一対の板状部材又は前記複数本のウェハ支持棒に形成し、
前記第１の突起の有無によって使用の可否を判断できるようにしたことを特徴とする半導体ウェハ支持装置。
【請求項２】
前記閾値回数は、前記ウェハ受け溝が前記複数枚の半導体ウェハを一定の間隔・向きで支持することができなくなる第１のエッチング量の前記エッチングが、前記第１の突起に行われる時間に対応することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ支持装置。
【請求項３】
前記第１の突起は、幅は、前記第１のエッチング量の２倍の値であり、かつ、高さは、前記第１のエッチング量以上の値であることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェハ支持装置。
【請求項４】
前記第１のエッチング量よりも小さい第２のエッチング量まで前記エッチングを施した際に、該エッチングによって消失する第２の突起を、前記一対の板状部材又は前記複数本のウェハ支持棒に形成したことを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体ウェハ支持装置。
【請求項５】
一対の板状部材と、複数枚の半導体ウェハを支持する複数のウェハ受け溝が形成されて、前記一対の板状部材の間に架け渡された複数本のウェハ支持棒とを備え、エッチングにより洗浄される半導体ウェハ支持装置であって、
前記エッチングの回数に応じて底が薄くなり、閾値回数の前記エッチングが施された際に底が貫通する第１の溝を、前記一対の板状部材又は前記複数本のウェハ支持棒に形成し、
前記第１の溝の底の貫通の有無によって使用の可否を判断できるようにしたことを特徴とする半導体ウェハ支持装置。
【請求項６】
前記閾値回数は、前記ウェハ受け溝が前記複数枚の半導体ウェハを一定の間隔・向きで支持することができなくなる第１のエッチング量の前記エッチングが、前記第１の溝の底に行われる時間に対応することを特徴とする請求項５に記載の半導体ウェハ支持装置。
【請求項７】
前記第１の溝の底の厚さは、前記第１のエッチング量の２倍の値であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェハ支持装置。
【請求項８】
前記第１のエッチング量よりも小さい第２のエッチング量まで前記エッチングを施した際に、該エッチングによって底が貫通する第２の溝を、前記一対の板状部材又は前記複数本のウェハ支持棒に形成したことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体ウェハ支持装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハを用いる製品の製造工程で用いられて、複数の半導体ウェハを一定の向き・間隔で支持する半導体ウェハ支持装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハを用いる製品の製造工程においては、半導体ウェハを電熱炉の中で所望の温度に昇温・加熱する熱処理工程や、電熱炉の中で所望の温度に昇温・加熱した上で材料を供給して薄膜を形成する成膜工程が行われている。これらの工程では、電熱炉内への半導体ウェハの搬入→所望温度への昇温→安定待ち→処理→降温→半導体ウェハの搬出といった一連のプロセスが必要となるため、一回の処理に長い時間を要し、スループットが良くない。
【０００３】
スループット改善の方式として、複数枚の半導体ウェハを一括して処理するバッチ方式が用いられている。本方式においては、複数枚の半導体ウェハを同じプロセス条件で処理できるように、半導体ウェハの向き・間隔を一定に支持する必要がある。
【０００４】
従来の半導体ウェハ支持装置は、一対の板状部材と、板状部材間に延びる複数本のウェハ支持棒とを溶接して形成される。ウェハ支持棒には半導体ウェハの基板厚よりも幅広の溝が形成される。複数本のウェハ支持棒の溝へ半導体ウェハを挿入することで、バッチ処理中の半導体ウェハを一定の向き・一定の間隔で支持できる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２７３３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、処理を複数回行うことにより、反応生成物が半導体ウェハ支持装置へ堆積する。反応生成物は、一定量堆積すると支持装置から剥離し、半導体ウェハや処理装置内に接触し、歩留まりが低下する原因となる。
【０００７】
この問題の対策として、一定の期間が経過又は一定回数の処理を行った後には、半導体ウェハ支持装置を薬液へ浸漬してエッチング処理を行う洗浄工程と称される作業を行っている。しかし、薬液によるエッチング処理では、堆積物の除去と同時に、半導体ウェハ支持装置自体もエッチングされてしまう。すなわち、洗浄を繰り返すうちに半導体ウェハ支持装置の寸法が徐々に変化していき、ある閾値を超えると半導体ウェハの向き・間隔を一定に支持するという支持装置としての機能が失われてしまう。例えば、半導体ウェハを一定間隔で支持するために形成されているウェハ支持棒の溝がエッチング処理により広がり、隣接する半導体ウェハ同士が接触してしまうなどの不具合が生じる。
【０００８】
この問題の対策として、洗浄１回あたりの半導体ウェハ支持装置のエッチング量を測定し、支持装置としての機能が失われるエッチング量から使用可能回数を求め、半導体ウェハ支持装置を使用開始した時点からの洗浄回数を管理すれば、半導体ウェハ支持装置の使用可否や、残り使用回数を把握できる。しかし、複数個の半導体ウェハ支持装置を交互に使用して待ち時間の短縮を図る場合には、この方法では全数の半導体ウェハ支持装置を逐一管理する必要があり、非常に煩雑な作業となってしまう。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく使用可否をユーザが把握できる半導体ウェハ支持装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、一対の板状部材と、複数枚の半導体ウェハを支持する複数のウェハ受け溝が形成されて、一対の板状部材の間に架け渡された複数本のウェハ支持棒とを備え、使用後にエッチングにより洗浄される半導体ウェハ支持装置であって、エッチングの回数に応じて小さくなり、閾値回数のエッチングが施された際に消失する第１の突起を、一対の板状部材又は複数のウェハ支持棒に形成し、第１の突起の有無によって使用の可否を判断できるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく、目視による確認という簡便な方法で支持装置の使用可否を把握できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態１の構成を示す図である。
【図２】図２は、実施の形態１にかかる半導体ウェハ支持装置に半導体ウェハを搭載した状態を示す図である。
【図３】図３は、実施の形態１にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。
【図４】図４は、突起の形状を模式的に示す図である。
【図５】図５は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態２の構成を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態２にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。
【図７】図７は、溝の形状を模式的に示す図である。
【図８】図８は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態３の構成を示す図である。
【図９】図９は、実施の形態３にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。
【図１０】図１０は、第１の突起及び第２の突起の形状を模式的に示す図である。
【図１１】図１１は、幅が連続的に変化する突起の一例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態４の構成を示す図である。
【図１３】図１３は、実施の形態４にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。
【図１４】図１４は、第１の溝及び第２の溝の形状を模式的に示す図である。
【図１５】図１５は、深さが連続的に変化する溝の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、以下の説明に用いる図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合があり、各図面間においても同様である。
【００１４】
実施の形態１．
図１は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態１の構成を示す図である。図２は、実施の形態１にかかる半導体ウェハ支持装置に半導体ウェハを搭載した状態を示す図である。半導体ウェハ支持装置１０は、一対の板状部材１１と、板状部材１１間に延びる４本のウェハ支持棒１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを有する。ウェハ支持棒１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄには、支持対象である半導体ウェハの厚さよりも幅広にウェハ受け溝１３が形成されている。板状部材１１及びウェハ支持棒１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、例えば石英を材料として形成される。
【００１５】
半導体ウェハ支持装置１０は、ウェハ受け溝１３へ挿入された複数枚の半導体ウェハ２０を、バッチ処理中に向き・間隔を一定に支持する。具体的には、ウェハ支持棒１２ａ，１２ｂには、ウェハ受け溝１３が上向きに形成されており、ウェハ支持棒１２ｃ，１２ｄには、ウェハ受け溝１３が横向きに形成されている。ウェハ支持棒１２ａ，１２ｂは、半導体ウェハ２０の幅よりも狭い間隔で板状部材１１間に架け渡されており、ウェハ支持棒１２ｃ，１２ｄは、半導体ウェハ２０の幅とほぼ同じ間隔で板状部材１１間に架け渡されている。複数枚の半導体ウェハ２０は、ウェハ支持棒１２ａ，１２ｂのウェハ受け溝１３で下方向から支持されるとともに、ウェハ支持棒１２ｃ，１２ｄのウェハ受け溝１３で左右方向から支持される。このようにして、ウェハ受け溝１３に挿入された複数枚の半導体ウェハ２０は、向き・間隔を一定に支持される。
【００１６】
図３は、実施の形態１にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。板状部材１１には使用可否を表示する第１の突起としての突起６２が形成されている。図４は、突起の形状を模式的に示す図である。突起６２の幅ａ（図１でのＹ方向の寸法）は、半導体ウェハ支持装置１０が支持装置としての機能を失い、複数枚の半導体ウェハを一定の間隔・向きで支持することができなくなるエッチング量（第１のエッチング量）の２倍の値となっている。また、突起６２の高さｂ（図１でのＸ方向の寸法）は、幅の２倍となっている。突起６２の奥行きｃ（図１でのＺ方向の寸法）は、突起６２の幅以上となっている。
【００１７】
洗浄時の薬液によるエッチングは等方性であるため、突起６２は図１でのＸ，Ｙ，Ｚの各方向からエッチングされる。突起６２は、Ｙ，Ｚ方向については両側からエッチングされるため、支持装置としての機能を失うまで半導体ウェハ支持装置１０をエッチングした場合、突起６２の幅方向及び奥行き方向については、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍の値だけ小さくなる。したがって、幅ａが無くなることによって突起６２が消失した時点が半導体ウェハ支持装置１０の交換時期となる。すなわち、本実施の形態においては、幅ａが無くなることによって突起６２が消失するまでのエッチング時間に対応するエッチング回数が閾値回数となっており、エッチング回数が閾値回数に達すると、半導体ウェハ支持装置１０は、支持装置としての機能が失われる。
【００１８】
突起６２の幅ａを支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍の値とした場合は、突起６２の高さｂや奥行きｃが幅よりも早く無くなってしまうと、交換時期の正確な判定ができなくなるため、突起６２は幅ａが無くなることによって消失するだけの高さｂ及び奥行きｃが必要である。突起６２の奥行きｃが幅ａよりも早く無くなることは防ぐためには、奥行きｃが幅ａ以上あれば十分である。また、突起６２の高さｂが幅ａよりも早く無くなることは防ぐためには、高さｂが幅ａの１／２以上あれば十分であるが、本実施の形態では、安全性を考慮した十分に大きい値として、突起６２の高さｂを幅ａの２倍としている。
【００１９】
なお、突起６２の奥行きｃを支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍の値とする場合は、突起６２は奥行きｃが無くなることによって消失するだけの幅ａ及び高さｂを備えていればよい。
【００２０】
薬液によるエッチングは等方性であるため、突起６２は板状部材１１のどの部分に形成してもよい。
【００２１】
本実施の形態では、突起６２の幅ａは、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍としており、この条件の時に交換時期を最も正確に把握できる。ただし、突起６２の幅ａは、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍未満、例えば１．９倍であっても良い。
【００２２】
洗浄時の薬液によるエッチングは等方性であるため、本実施の形態にかかる半導体ウェハ支持装置１０は、洗浄の繰り返しによって支持装置としての機能が失われる時期と突起６２が無くなる時期とが一致する。これにより、突起６２の有無を目視で確認することで半導体ウェハ支持装置１０の交換時期を把握できる。
【００２３】
本実施の形態によれば、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく、突起の有無を目視で確認する簡便な方法で支持装置の使用可否を把握できる。
【００２４】
実施の形態２．
図５は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態２の構成を示す図である。実施の形態２にかかる半導体ウェハ支持装置１０は、板状部材１１には突起ではなく使用可否を表示する第１の溝としての溝７２が形成されている点で実施の形態１と相違している。図６は、実施の形態２にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。図７は、溝の形状を模式的に示す図である。溝７２の深さｄは、支持装置としての機能を失い、複数枚の半導体ウェハを一定の間隔・向きで支持することができなくなるエッチング量（第１のエッチング量）の２倍の値を板状部材１１の厚さｅから減じた値となっている。すなわち、溝７２は、第１のエッチング量までエッチングを施した際に底が貫通する。
【００２５】
洗浄時の薬液によるエッチングは等方性であるため、溝７２の底の部分は図５でのＸ方向の両側からエッチングされる。このため、洗浄の繰り返しによって支持装置としての機能が失われるエッチング量だけ半導体ウェハ支持装置１０がエッチングされる時期と、溝７２の部分に穴が開く（底が抜ける）時期とが一致する。すなわち、溝７２の部分に穴が開いた時が半導体ウェハ支持装置１０を交換する時期であることを示す。すなわち、本実施の形態においては、溝７２の部分に穴が開くまでのエッチング時間に対応するエッチング回数が閾値回数となっており、エッチング回数が閾値回数に達すると、半導体ウェハ支持装置１０は、支持装置としての機能が失われる。
【００２６】
薬液によるエッチングは等方性であるため、溝７２は板状部材１１のどの部分に形成しても良い。
【００２７】
なお、本実施の形態では、溝７２の深さｄは、板状部材１１の厚さｅから支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍を減じた値としているが、この条件の時に交換時期を最も正確に把握できる。ただし、溝７２の深さｄは、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍よりも大きな値（例えば、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２．１倍）を板状部材１１の厚さｅから減じた値であっても良い。
【００２８】
本実施の形態によれば、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく、溝の穴開きの有無を目視で確認する簡便な方法で半導体ウェハ支持装置の使用可否を把握できる。
【００２９】
実施の形態３．
図８は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態３の構成を示す図である。実施の形態３にかかる半導体ウェハ支持装置１０は、板状部材１１には複数の突起が形成されている点で実施の形態１と相違している。図９は、実施の形態３にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。板状部材１１には使用可否を表示する第１の突起８２と、残り使用回数が所定回数（閾値回数の半分）になったことを表示する第２の突起８３が形成されている。図１０は、第１の突起及び第２の突起の形状を模式的に示す図である。第１の突起８２の幅ｆ（図８でのＹ方向の寸法）は、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍となっている。第２の突起８３の幅ｇは、第１の突起８２の幅ｆの半分となっている。また、第１の突起８２及び第２の突起８３の各々の高さｈ１，ｈ２（図８でのＸ方向の寸法）は、第１の突起８２の幅ｆの２倍となっている。さらに、第１の突起８２及び第２の突起８３の各々の奥行きｉ１，ｉ２（図８でのＺ方向の寸法）は、第１の突起８２の幅ｆ以上となっている。
【００３０】
また、第１の突起８２の高さｈ１が幅ｆよりも早く無くなることは防ぐためには、高さｈ１が幅ｆの１／２以上あれば十分であるが、本実施の形態では、安全性を考慮した十分に大きい値として、第１の突起８２の高さｈ１を幅ｆの２倍としている。第２の突起８３も同様に、高さｈ２が幅ｇよりも早く無くなることを防ぐためには、高さｈ２が幅ｇの１／２以上あれば十分であるが、本実施の形態では、安全性を考慮した十分に大きい値として、第２の突起８３の高さｈ２を第１の突起８２の幅ｆの２倍としている。
【００３１】
洗浄時の薬液によるエッチングは等方性であるため、第１の突起８２及び第２の突起８３は図８でのＸ，Ｙ，Ｚの各方向からエッチングされる。第１の突起８２及び第２の突起８３は、Ｙ，Ｚ方向については両側からエッチングされるため、支持装置としての機能を失うまで半導体ウェハ支持装置１０をエッチングした場合、第１の突起８２及び第２の突起８３の幅ｆ，ｇ及び奥行きｉ１，ｉ２は、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍の値小さくなる。したがって、第１の突起８２の幅ｆが無くなった時点が半導体ウェハ支持装置１０の交換時期となる。すなわち、本実施の形態においては、幅ｆが無くなることによって突起８２が消失するまでのエッチング時間に対応するエッチング回数が閾値回数となっており、エッチング回数が閾値回数に達すると、半導体ウェハ支持装置１０は、支持装置としての機能が失われる。また、第２の突起８３の幅ｇは、第１の突起８２の幅ｆの半分であるため、支持装置としての機能が失われるエッチング量の半分のエッチング量（第２のエッチング量）だけエッチングが行われた時点で第２の突起８３が無くなる。このことから、第２の突起８３が無くなった時点で、半導体ウェハ支持装置１０の使用可能回数が残り半分になったことが分かる。
【００３２】
薬液によるエッチングは等方性であるため、第１の突起８２及び第２の突起８３は板状部材１１のどの部分に形成してもよい。
【００３３】
突起の数を３以上に増やし、各々の幅を段階的に変えることで、半導体ウェハ支持装置１０の使用可能回数の残りを更に細かく把握できる。
【００３４】
なお、幅の異なる突起を複数設ける代わりに、幅が連続的に変化する突起を一つ設けるようにしても良い。図１１は、幅が連続的に変化する突起の一例を示す図である。突起８４は、支持装置としての機能が失われるエッチング量に相当する幅ｊを有する幅狭部８４ａと、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍に相当する幅ｋを有する幅広部８４ｂとを有し、幅狭部８４ａと幅広部８４ｂとの間は、幅が連続的に変化する中間部８４ｃとなっている。幅狭部８４ａ及び幅広部８４ｂの各々の高さｌは、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍となっている。幅狭部８４ａの奥行きｍは、支持装置としての機能が失われるエッチング量と同じ値となっている。幅広部８４ｂの奥行きｎは、支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍の値となっている。
【００３５】
突起８４は、使用開始から支持装置としての機能が失われるエッチング量だけエッチングが行われる時期までの半分の時点で幅狭部８４ａが消失し、支持装置としての機能が失われるエッチング量だけエッチングした時点で幅広部８４ｂが消失する。中間部８４ｃは、幅狭部８４ａが消失してから幅広部８４ｂが消失するまでの間に徐々に短くなる。したがって、中間部８４ｃの残量を基に、支持装置としての機能が損なわれるまでの使用可能回数を把握できる。
【００３６】
本実施の形態によれば、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく、突起の有無を目視で確認する簡便な方法で半導体ウェハ支持装置の使用可否や残り使用可能回数を把握できる。
【００３７】
実施の形態４．
図１２は、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置の実施の形態４の構成を示す図である。実施の形態４にかかる半導体ウェハ支持装置１０は、板状部材１１には複数の溝が形成されている点で実施の形態１と相違している。図１３は、実施の形態４にかかる半導体ウェハ支持装置の部分拡大図である。板状部材１１には使用可否を表示する第１の溝９２と、残り使用回数が所定回数（閾値回数の半分）になったことを表示する第２の溝９３が形成されている。図１４は、第１の溝及び第２の溝の形状を模式的に示す図である。第１の溝９２の深さｏは、板状部材１１の厚さｐから支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍を減じた値となっている。第２の溝９３の深さｑは、板状部材１１の厚さｐから支持装置としての機能が失われるエッチング量を減じた値となっている。
【００３８】
洗浄時の薬液によるエッチングは等方性であるため、第１の溝９２の底及び第２の溝９３の底の部分は図１２でのＸ方向の両側からエッチングされる。このため、洗浄の繰り返しによって支持装置としての機能が失われるエッチング量だけ半導体ウェハ支持装置１０がエッチングされる時期と、第１の溝９２の部分に穴が開く（底が抜ける）時期とが一致する。すなわち、第１の溝９２の部分に穴が開いた時が支持装置を交換する時期であることを示す。すなわち、本実施の形態においては、溝９２の部分に穴が開くまでのエッチング時間に対応するエッチング回数が閾値回数となっており、エッチング回数が閾値回数に達すると、半導体ウェハ支持装置１０は、支持装置としての機能が失われる。また、支持装置としての機能が失われるエッチング量の半分のエッチング量（第２のエッチング量）だけ半導体ウェハ支持装置１０がエッチングされた時点と、第２の溝９３の部分に穴が開く時期とが一致する。このことから、第２の溝９３の部分に穴が開いた時点で、半導体ウェハ支持装置１０の使用可能回数が残り半分になったことが分かる。
【００３９】
溝の数を３以上に増やし、各々の深さを段階的に変えることで、半導体ウェハ支持装置１０の使用可能回数の残りを更に細かく把握できる。
【００４０】
なお、深さの異なる溝を複数設ける代わりに、深さが連続的に変化する溝を一つ設けるようにしても良い。図１５は、深さが連続的に変化する溝の一例を示す図である。溝９４は、最も浅い厚底部９４ａでの深さｒは、板状部材１１の厚さｓから支持装置としての機能が失われるエッチング量の２倍を減じた値であり、最も深い薄底部９４ｂでの深さｔは、板状部材１１の厚さｓから支持装置としての機能が失われるエッチング量の倍を減じた値である。
【００４１】
溝９４は、使用開始から支持装置としての機能が失われるエッチング量だけエッチングが行われる時期までの半分の時点で薄底部９４ｂに穴が開き、支持装置としての機能が失われるエッチング量だけエッチングした時点で厚底部９４ａまで穴が広がる。したがって、溝９４に開いた穴の大きさを基に、支持装置としての機能が損なわれるまでの使用可能回数を把握できる。
【００４２】
本実施の形態によれば、全数の半導体ウェハ支持装置を詳細に管理することなく、溝の穴開きの有無を目視で確認する簡便な方法で半導体ウェハ支持装置の使用可否や残り使用可能回数を把握できる。
【００４３】
上記の各実施の形態によれば、半導体ウェハ支持装置を支持装置としての機能が損なわれるまで（換言すると、寿命ぎりぎりまで）長期間使用することが可能である。また、支持装置としての機能が損なわれた半導体ウェハ支持装置を用いて歩留まりの低下に繋がる処理を行うことがなくなり、エネルギーを無駄に消費することを防ぐことができる。
【００４４】
上記の各実施の形態では、板状部材に突起や溝を設ける構成を例としたが、突起や溝はウェハ支持棒に設けても良い。また、板状部材とウェハ支持棒とを別部品とし、組み立て式とする場合には、各部品に突起や溝を設けることで、部品ごとに交換可能時期を把握可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
以上のように、本発明にかかる半導体ウェハ支持装置は、支持装置としての機能を失うまでエッチングされたかを容易に確認できる点で有用である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  半導体ウェハ支持装置、１１  板状部材、１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ  ウェハ支持棒、１３  ウェハ受け溝、２０  半導体ウェハ、６２，８４  突起、７２，９４  溝、８２  第１の突起、８３  第２の突起、８４ａ  幅狭部、８４ｂ  幅広部、９２  第１の溝、９３  第２の溝、９４ａ  厚底部、９４ｂ  薄底部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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