(57)【要約】【課題】複数層のボンドワイヤの短絡の発生を防止する半導体デバイスを提供する。【解決手段】第１の方向に伸張している複数層のボンドワイヤ（４６，５０）を有する半導体デバイスにおいて、ダミー絶縁ボンドワイヤ（５４）が、第１の方向に直交する第２の方向にワイヤ層の間で伸張して、上層内のワイヤを支持し、それらがたわみ、下層内のワイヤと接触するのを防止する。【選択図】図２B
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
ダイ・フラグと、
前記ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路ダイと、
前記ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている複数の第１のリードと、
前記ダイ・フラグの第２の側端部から離間されている第１のダミーリードと、
前記第２の側端部と反対の、前記ダイ・フラグの第３の側端部から離間されている第２のダミーリードと、
前記集積回路ダイの上面上の第１のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第１のセットへと伸張して、前記第１のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第１のセットに電気的に接続する複数の第１のボンドワイヤと、
前記集積回路ダイの前記上面上の第２のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第２のセットへと伸張して、前記第２のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第２のセットに電気的に接続する複数の第２のボンドワイヤと、
前記第１のダミーリードから前記第２のダミーリードへ、且つ前記複数の第１のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤであって、該少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤがたるんで前記複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤとを備える、半導体デバイス。
【請求項２】
前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、２つの絶縁ボンドワイヤを含み、
該２つの絶縁ボンドワイヤは、互いから離間され且つ互いに対して平行である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、３つの絶縁ボンドワイヤを含み、
該３つの絶縁ボンドワイヤの各々は、互いから離間され且つ互いに対して平行である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤは裸銅線、裸アルミニウム線、および裸金線のうちの１つを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤは、異なるループの高さを有する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記集積回路ダイの前記上面は第１の平面内にあり、
前記複数の第１のリードは、第１の平面に平行であり且つ第１の平面から離間されている第２の平面内にある、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１の平面は前記第２の平面よりも高い、請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記集積回路ダイを前記ダイ・フラグの前記上面に固定するために、前記集積回路ダイと前記ダイ・フラグの前記上面との間にダイ付着材料をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記集積回路ダイの少なくとも前記上面、前記第１のダミーリードおよび第２のダミーリード、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤ、前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤ、ならびに前記複数の第１のリードの一部分を封止する成形コンパウンドをさらに備える、請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
半導体デバイスであって、
ダイ・フラグと、
前記ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路ダイと、
前記ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている複数の第１のリードと、
前記ダイ・フラグの第２の側端部から離間されている第１のダミーリードと、
前記第２の側端部と反対の、前記ダイ・フラグの第３の側端部から離間されている第２のダミーリードと、
前記集積回路ダイの上面上の第１のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第１のセットへと伸張して前記第１のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第１のセットに電気的に接続する複数の第１のボンドワイヤと、
前記集積回路ダイの前記上面上の第２のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第２のセットへと伸張して前記第２のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第２のセットに電気的に接続する複数の第２のボンドワイヤであって、前記複数の第１のボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤとは異なるループの高さを有する、前記複数の第２のボンドワイヤと、
前記第１のダミーリードから前記第２のダミーリードへと、前記複数の第１のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤであって、該少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤがたるんで前記複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤとを備える、半導体デバイス。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは２つの絶縁ボンドワイヤを含み、
該２つの絶縁ボンドワイヤは互いから離間され、且つ互いに対して平行である、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは３つの絶縁ボンドワイヤを含み、
該３つの絶縁ボンドワイヤの各々は互いから離間され、且つ互いに対して平行である、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤは裸銅線、裸アルミニウム線、および裸金線のうちの１つを含む、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記集積回路ダイを前記ダイ・フラグの前記上面に固定するための、前記集積回路ダイと前記ダイ・フラグの前記上面との間のダイ付着材料をさらに備える、請求項１０に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記集積回路ダイの少なくとも前記上面、前記第１のダミーリードおよび第２のダミーリード、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤ、前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤ、ならびに前記複数の第１のリードの一部分を封止する成形コンパウンドをさらに備える、請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
半導体デバイスであって、
ダイ・フラグと、
前記ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路ダイと、
前記ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている複数の第１のリードと、
前記ダイ・フラグの前記第１の側端部に隣接する、前記ダイ・フラグの第２の側端部から離間されているダミーリードと、
前記ダイの上面上の第１のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第１のセットへと伸張して前記第１のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第１のセットに電気的に接続する複数の第１のボンドワイヤと、
前記集積回路ダイの前記上面上の第２のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第２のセットへと伸張して前記第２のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第２のセットに電気的に接続する複数の第２のボンドワイヤと、
前記集積回路ダイの上面上で、前記集積回路ダイの端部付近にある第３のボンドパッドから前記ダミーリードへ、且つ前記複数の第１のボンドワイヤと複数の第２のボンドワイヤとの間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤであって、該少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤがたるんで前記複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤとを備える、半導体デバイス。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは２つの絶縁ボンドワイヤを含み、
前記２つの絶縁ボンドワイヤは前記第３のボンドパッドに近接する、前記集積回路ダイの前記表面上の第４のボンドパッドから前記ダミーリードへと伸張している、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤは異なるループの高さを有する、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤは裸銅線、裸アルミニウム線、および裸金線のうちの１つを含む、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記集積回路ダイを前記ダイ・フラグの前記上面に固定するための、前記集積回路ダイと前記ダイ・フラグの前記上面との間のダイ付着材料と、
前記集積回路ダイの少なくとも前記上面、前記ダミーリード、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤ、前記複数の第１のボンドワイヤおよび複数の第２のボンドワイヤ、ならびに前記複数の第１のリードの一部分を封止する成形コンパウンドとをさらに備える、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数層のボンドワイヤを有する半導体デバイスに関し、より詳細には、別個の層内のワイヤが互いに接触することを防止するためのブレース（brace）を有する半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの半導体デバイスは、集積回路ダイのボンディングパッドをリードフレームのリードまたは基板のパッドに接続するためにボンドワイヤを使用する。集積回路はより小型になってきており、より多くの機能を含むようになってきているため、複数層のボンドワイヤがダイ・ボンド・パッドをリード／基板パッドと接続する必要がある。図１を参照すると、パッケージ半導体デバイス１０が示されている。デバイス１０は、接着剤１６のようなダイ付着材料によってリードフレームのフラグ（flag）１４に取り付けられた集積回路（ＩＣ）ダイ１２を含む。ＩＣダイ１２は、ボンドワイヤによってリードフレームのリードに電気的に接続されており、リードが外部回路およびデバイスへの接続を提供する。この場合、デバイス１０は、インナーリード１８のセットと、アウターリード２０のセットとを含む。第１のセットのボンドワイヤ２２が、ダイ１２のボンドパッドをインナーリード１８に接続し、第２のセットのボンドワイヤ２４が、ダイ１２のボンドパッドをアウターリード２０に接続する。第２のセットのワイヤ２４はインボード・ボンド・パッドからアウターリード２０へと伸張しており、一方で第１のセットのワイヤ２２はダイ１２の端部付近のボンドパッドからインナーリード１８へと伸張しているため、第２のセットのワイヤは第１のセットのワイヤ２２よりも長いものであり得る。従って、第２のセットのボンディングワイヤ２４は相当に長い場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５２００３６２号明細書
【特許文献２】米国特許第５２７３９３８号明細書
【特許文献３】米国特許第６３４８７２６号明細書
【特許文献４】米国特許第６４８２６７４号明細書
【特許文献５】米国特許第７７４５３２２号明細書
【特許文献６】米国特許出願公開第２００４／０１２４５４５号明細書
【特許文献７】米国特許出願公開第２００７／０１０５２８０号明細書
【特許文献８】米国特許出願公開第２０１２／００７７３１６号明細書
【特許文献９】米国特許出願公開第２０１２／０１４５４４６号明細書
【特許文献１０】特開２０００−１００８５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数層のボンドワイヤを有するそのようなデバイスは、ワイヤがたるむことに起因してワイヤ短絡問題に直面することが多い。たとえば、第２のセットのワイヤ２４は長いため、ワイヤ２６によって図示されているように、第２のセットのワイヤ２４はたるみやすい可能性がある。ループ形状を最適化することが、ワイヤのたるみが１００％なくなることを保証するとは限らない。ボンドワイヤの両方のセット２２、２４が伸張する位置にリードが１列しか（すなわち、アウターリード２０しか）ない場合、短絡の発生はより問題になり得る。
【０００５】
上記を考慮して、複数層からの、または異なるループ高さのワイヤが短絡することを防止する方法を有することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面は、半導体デバイスであって、ダイ・フラグと、前記ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路ダイと、前記ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている複数の第１のリードと、前記ダイ・フラグの第２の側端部から離間されている第１のダミーリードと、前記第２の側端部と反対の、前記ダイ・フラグの第３の側端部から離間されている第２のダミーリードと、前記集積回路ダイの上面上の前記第１のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第１のセットへと伸張して、第１のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第１のセットに電気的に接続する複数の第１のボンドワイヤと、前記集積回路ダイの前記上面上の前記第２のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第２のセットへと伸張して、第２のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第２のセットに電気的に接続する複数の第２のボンドワイヤと、前記第１のダミーリードから前記第２のダミーリードへ、且つ前記第１の複数のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤであって、該少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤがたるんで前記複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤとを備える。
【０００７】
本発明の一側面は、半導体デバイスであって、ダイ・フラグと、前記ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路ダイと、前記ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている複数の第１のリードと、前記ダイ・フラグの前記第１の側端部に隣接する、前記ダイ・フラグの第２の側端部から離間されているダミーリードと、前記ダイの上面上の前記第１のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第１のセットへと伸張して第１のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第１のセットに電気的に接続する複数の第１のボンドワイヤと、前記集積回路ダイの前記上面上の前記第２のセットのボンドパッドから前記第１のリードの第２のセットへと伸張して第２のセットのボンドパッドを前記複数の第１のリードの第２のセットに電気的に接続する複数の第２のボンドワイヤと、前記集積回路ダイの上面上で、前記集積回路ダイの端部付近にある第３のボンドパッドから前記ダミーリードへ、且つ前記第１の複数のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤであって、該少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、前記複数の第２のボンドワイヤがたるんで前記複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する、前記少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤとを備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】従来の集積回路（ＩＣ）デバイスの拡大断面図。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態に応じた、部分的に組み立てられた集積回路（ＩＣ）デバイスの拡大上面図。
【図２Ｂ】図２ＡのＩＣデバイスの拡大部分側面図。
【図３Ａ】本発明の第２の実施形態に応じた、部分的に組み立てられたＩＣデバイスの拡大上面図。
【図３Ｂ】図３ＡのＩＣデバイスの拡大部分側面図。
【図４】本発明の第３の実施形態に応じた、部分的に組み立てられたＩＣデバイスの拡大上面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な記載は、添付の図面とともに読まれるとよりよく理解される。本発明は例として示されており、添付の図面によって限定されない。図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図面は原寸に比例しておらず、本発明の理解を容易にするために簡略化されていることは理解されたい。
【００１０】
添付の図面と関連して下記に記載する詳細な説明は、本発明の現在好ましい実施形態の説明として意図されており、本発明が実践され得る唯一の形態を表すようには意図されていない。本発明の精神および範囲内に包含されるように意図されている異なる実施形態によって同じまたは均等な機能を達成することができることは理解されたい。
【００１１】
一実施形態において、本発明は、ダイ・フラグ（die flag）と、ダイ・フラグの上面に取り付けられた集積回路（ＩＣ）ダイとを含む半導体デバイスを提供する。複数の第１のリードは、ダイ・フラグの第１の側端部から離間されている。第１のダミーリードは、ダイ・フラグの第２の側端部から離間されており、第２のダミーリードは、第２の側端部と反対の、ダイ・フラグの第３の側端部から離間されている。複数の第１のボンドワイヤは、ＩＣダイの上面上の第１のセットのボンドパッドから複数の第１のリードの第１のセットへと伸張して第１のセットのボンドパッドを第１のリードの第１のセットに電気的に接続する。複数の第２のボンドワイヤは、ＩＣダイの上面上の第２のセットのボンドパッドから複数の第１のリードの第２のセットへと伸張して第２のセットのボンドパッドを第１のリードの第２のセットに電気的に接続する。少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤが、第１のダミーリードから第２のダミーリードへ、且つ第１の複数のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している。少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、複数の第２のボンドワイヤがたるんで複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する。
【００１２】
別の実施形態において、本発明は、ダイ・フラグと、ダイ・フラグの上面に取り付けられたＩＣダイとを有する半導体デバイスを提供する。複数の第１のリードはダイ・フラグの第１の側端部から離間されており、ダミーリードは、ダイ・フラグの第１の側端部に隣接する、ダイ・フラグの第２の側端部から離間されている。複数の第１のボンドワイヤは、ダイの上面上の第１のセットのボンドパッドから複数の第１のリードの第１のセットへと伸張して第１のセットのボンドパッドを第１のリードの第１のセットに電気的に接続する。複数の第２のボンドワイヤは、集積回路ダイの上面上の第２のセットのボンドパッドから複数の第１のリードの第２のセットへと伸張して第２のセットのボンドパッドを第１のリードの第２のセットに電気的に接続する。少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤが、ＩＣダイの上面上の、ＩＣダイの端部付近にある第３のボンドパッドからダミーリードへ、且つ第１の複数のボンドワイヤと第２の複数のボンドワイヤとの間で伸張している。少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤは、複数の第２のボンドワイヤがたるんで複数の第１のボンドワイヤのいくつかと接触するのを防止する。
【００１３】
ここで、図２Ａおよび図２Ｂを参照すると、図２Ａは本発明の第１の好ましい実施形態に応じた半導体デバイス３０の拡大部分上面図であり、図２Ｂはデバイス３０の拡大部分側断面図である。半導体デバイス３０は、ダイ・フラグ３４上で支持されている集積回路（ＩＣ）ダイ３２を有する。ダイ・フラグ３４は、リード・フレーム・フラグまたは基板のダイ支持領域であってもよく、これらは両方とも当業者には既知である。ＩＣダイ３２は、同じく当該技術分野において既知であるダイ付着材料または接着剤３６によってダイ・フラグ３４の上面に取り付けられている。ダイ付着材料３６は、ＩＣダイ３２とダイ・フラグ３４の上面との間に配置され、ＩＣダイ３２をダイ・フラグ３４の上面に固定する。ＩＣダイ３２は、プロセッサ、マイクロコントローラ、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）、または一般的にシリコン基板上に形成される他の既知の回路を含んでもよい。
【００１４】
複数の第１のリード３８は、ダイ・フラグ３４の第１の側端部４０から離間されている。半導体デバイス３０がリード・フレーム・タイプのデバイスである場合、第１のリード３８はリードフレームのリードフィンガ（lead fingers）を含み、デバイス３０が基板タイプのデバイスである場合、第１のリード３８は基板相互接続パッドを含む。半導体デバイスを組み立てるためのリードフレームおよび基板の両方が当該技術分野において既知であり、本発明の完全な理解のために完全な説明は必要でない。
【００１５】
複数の第１のリード３８は、図解を容易にするために単一のブロックとして図示されている。しかしながら、当業者には理解されるように、第１のリード３８は個々のリードまたは基板接続パッドを含む。第１のリード３８は、単一または複数列のリードを含んでもよい。一般的に、リードはダイ・フラグ３４から離間され当該ダイ・フラグを包囲しているが、図解を容易にするために、図面において、リード３８はダイ・フラグ３４の１辺のみに図示されている。
【００１６】
本発明の一実施形態において、図２Ｂに示すように、ＩＣダイ３２の上面は第１の平面内に存在し、複数の第１のリード３８は、第１の平面に平行で当該平面から離間されている第２の平面内に存在し、より具体的には、第１の平面は第２の平面よりも高い。また、ダイ・フラグ３４および第１のリード３８は両方とも第２の平面内に存在する。
【００１７】
半導体デバイス３０は、ダイ・フラグ３４の第２の側端部から離間されている第１のダミーリード４２と、第２の側端部と反対の、ダイ・フラグ３４の第３の側端部から離間されている第２のダミーリード４４とをも有する。第１のダミーリード４２および第２のダミーリード４４は、図２Ａに示すような、１つ以上の個々のリードまたは細長いストリップを含んでもよい。本発明の一実施形態において、第１のダミーリード４２および第２のダミーリード４４は、種々のポイント間で信号をわたすための電気接続にではなく、代わりに、下記に説明するように、ダミー・ボンド・ワイヤを固定するために使用される。
【００１８】
第１のセットのダイ・ボンド・パッド４８を第１のリード３８の第１のセットに電気的に接続するために、複数の第１のボンドワイヤ４６が、ＩＣダイ３２の上面上の第１のセットのダイ・ボンド・パッド４８から複数の第１のリード３８の第１のセットへと伸張している。第２のセットのダイ・ボンド・パッド５２を第１のリード３８の第２のセットに電気的に接続するために、集積回路ダイ３２の上面上の第２のセットのダイ・ボンド・パッド５２から複数の第１のリード３８の第２のセットへと伸張している複数の第２のボンドワイヤ５０もある。
【００１９】
図示されている実施形態において、第１のセットのダイ・ボンド・パッド４８はダイ３２の外端付近に当該外端に沿って位置しており、第２のセットのダイ・ボンド・パッドはダイ３２の外端から離間されており、第１のセットのダイ・ボンド・パッド４８および第２のセットのダイ・ボンド・パッド５２が２列のダイ・ボンド・パッドを含むようになっている。ボンドパッド４８、５２は互いに対して交互配置されてもよく、または交互配置されていなくてもよい。
【００２０】
第１の複数のボンドワイヤ４６および第２の複数のボンドワイヤ５０は好ましくは、当該技術分野において既知であるような、裸またはめっきされた銅、金またはアルミニウムのワイヤのうちの１つを含む。第１のセットのダイ・ボンド・パッド４８および第２のセットのダイ・ボンド・パッド５２の第１のリード３８に対する相互接続を容易にするために、第１の複数のボンドワイヤ４６および第２の複数のボンドワイヤ５０は異なるループ高さを有する。すなわち、第２のボンドワイヤ５０は、第１のボンドワイヤ４６よりも長く、第１のボンドワイヤ４６よりも高いループ高さを有する。
【００２１】
半導体デバイス３０は、複数の第２のボンドワイヤ５０がたわみ、複数の第１のボンドワイヤ４６のいくつかと接触するのを防止するために、第１のダミーリード４２から第２のダミーリード４４へ、且つ第１の複数のボンドワイヤ４６と第２の複数のボンドワイヤ５０との間で伸張している少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤ５４をも有する。本発明の一実施形態においては、互いに離間しており互いに平行である少なくとも２つの絶縁ボンドワイヤ５４があり、別の実施形態においては、各々が他の２つから離間されており概してそれらに平行に伸張している少なくとも３つの絶縁ボンドワイヤ５４がある。
【００２２】
被覆または絶縁ボンドワイヤは当該技術分野において既知であり、市販されている。本発明の好ましい実施形態において、絶縁ボンドワイヤ（複数の場合もあり）は第１のボンドワイヤ４６および第２のボンドワイヤ５０の直径以上の直径を有する。以前に説明したように一実施形態において、第１のダミーリード４２および第２のダミーリード４４はチップからの信号を送信するためには使用されず、そのため、リード４２、４４は、ワイヤボンディング工程を使用して絶縁ワイヤ５４を取り付けることを可能にするようなサイズおよび形状にだけなっていればよい。
【００２３】
図１に示す従来のデバイス１０のように、半導体デバイス３０は、少なくともＩＣダイ３２の上面、第１のダミーリード４２および第２のダミーリード４４、少なくとも１つの絶縁ボンドワイヤ５４、第１の複数のボンドワイヤ４６および第２の複数のボンドワイヤ５０、ならびに複数の第１のリード３８の一部分を封止する成形コンパウンドを含み、第１のリードのカバーされていない表面または部分は、外部回路またはデバイスがＩＣダイ３２に電気的に相互接続することを可能にする。
【００２４】
ここで、図３Ａおよび図３Ｂを参照すると、図３Ａは本発明の第２の好ましい実施形態に応じた半導体デバイス５８の拡大部分上面図であり、図３Ｂはデバイス５８０の拡大部分側断面図である。半導体デバイス５８は、集積回路（ＩＣ）ダイ３２と、第１のリード３８と、第１のダミーリード４２および第２のダミーリード４４と、ＩＣダイ３２の上面または活性面上の第１のセットのダイ・ボンディング・パッド４８および第２のセットのダイ・ボンディング・パッド５２とを含む。第１のセットのボンドワイヤ６０および第２のセットのボンドワイヤ６２が、第１のセットのダイ・ボンディング・パッド４８および第２のセットのダイ・ボンディング・パッド５２を第１のリード３８と電気的に接続する。第２セットのボンドワイヤ５２は、内側列のボンドパッド５２から伸張しているため、第１のセットのボンドワイヤ６０よりも高いループの高さを有する。この実施形態において、第２のセットのボンドワイヤ６２がたわみ、第１のセットのボンドワイヤ６０に接触することがないように第２のセットのボンドワイヤ６２への支持を提供するために、単一の絶縁ワイヤ６４のみが、第１のダミーリード４２から第２のダミーリード４４へ、且つ第１のセットのボンドワイヤ６０と第２のセットのボンドワイヤ６２との間で伸張している。絶縁ワイヤ６４は、ＩＣダイ３２付近で第１のセットのボンドワイヤ６０と第２のセットのボンドワイヤ６２との間で横断するように図示されているが、絶縁ワイヤ６４は、ＩＣダイ３２と第１のリード３８との間のほぼ中ほどのような、ＩＣダイ３２と第１のリード３８との間のロケーションにおいて、第１のセットのボンドワイヤ６０と第２のセットのボンドワイヤ６２との間で横断するように位置してもよい。
【００２５】
ここで図４を参照すると、本発明の第３の実施形態に応じた、部分的に組み立てられた半導体デバイス７０の拡大部分上面図が示されている。半導体デバイス７０は、ダイ・フラグ（図示せず）上に載置されているＩＣダイ７２と、ダイ７２の第１の側端部７６から離間されている複数の第１のリード７４とを含む。ダイ７２の第２の側端部および第３の側端部はそれぞれ７８および８０において示されている。
【００２６】
ダイ７２の第３の側端部８０から離間されているダミーリード８２がある。ダイ７２は、この例においては２列に配置されるものとして図示されている複数のダイ・ボンディング・パッドを有し、ダイ・ボンディング・パッド８４は外側列（側端部７６に最も近い）内にあり、ダイ・ボンディング・パッド８６はダイ・ボンディング・パッド８４に対して内側列内にある。無論、他の実施形態と同様に、ＩＣダイは、その４辺すべてを囲む複数列のダイ・ボンディング・パッド、および、その４辺すべてを囲む対応するリードの列を有してもよい。
【００２７】
複数の第１のボンドワイヤ８８が、外側列のダイ・ボンディング・パッド８４から第１のリード７４の第１のセット９２へと伸長して外側列のダイ・ボンディング・パッド８４を第１のリード７４の第１のセット９２に電気的に接続する。複数の第２のボンドワイヤ９０が、内側列のダイ・ボンディング・パッド８６から複数の第１のリード７４の第２のセット９４へと伸長して内側列のダイ・ボンディング・パッド８６を第１のリード７４の第２のセット９４に電気的に接続する。この実施形態において、第２のボンドワイヤ９０は第１のボンドワイヤ８８よりも長く、第１のボンドワイヤ８８よりも高いループの高さを有する。
【００２８】
ＩＣダイ７２の上面上で、ＩＣダイの第１の側端部７６および第２の側端部７８が交わるコーナ付近に位置する第１の追加のダイ・ボンディング・パッド９４からダミーリード８２へ、且つ第１の複数のボンドワイヤ８８と第２の複数のボンドワイヤ９０との間で伸張する第１の絶縁ボンドワイヤ９２がある。第１の絶縁ボンドワイヤ９２は、複数の第２のボンドワイヤ９０がたるんで複数の第１のボンドワイヤ８８のいくつかと接触するのを防止する。この実施形態において、第１の追加のダイ・ボンディング・パッド９４はダミーパッドであってもよい。代替的に、第１の追加のパッド９４は、ダミーリード８２に信号を送信するか、または、ダミーリード８２から送信された電圧（電力またはグランド）もしくは信号を受信するために使用されるアクティブパッドであってもよく、ここでダミーリード８２は実際にはダミーリードではなく、実際の電力、グランドまたは信号リードである。
【００２９】
半導体デバイス７０は、ＩＣダイ７２の上面上で、第２の側端部７８付近に位置する第２の追加のダイ・ボンディング・パッド９８からダミーリード８２へ、且つ第１の複数のボンドワイヤ８８と第２の複数のボンドワイヤ９０との間で伸張する第２の絶縁ボンドワイヤ９６をも含んでもよい。第２の絶縁ボンドワイヤ９６も、複数の第２のボンドワイヤ９０がたるんで複数の第１のボンドワイヤ８８のいくつかと接触するのを防止するのを助ける。第１の追加のダイ・ボンディング・パッド９４のように、第２の追加のダイ・ボンディング・パッド９８はダミーパッドまたはアクティブパッドのいずれであってもよい。
【００３０】
従って、上記の説明から明らかであるように、本発明は、上側層ワイヤがたるむのを防止するために上側層ワイヤのためのブレースまたはサポートを提供することによって、複数層のボンドワイヤを有するデバイスの異なる層内のワイヤ間のワイヤ短絡を防止するための手段を提供する。ブレースまたはサポートは、１つのダミーリードから別のダミーリードへと、ダイ・ボンド・パッドからダミーリードへと、またはさらにはダイ・ボンド・パッドから機能リードへと伸張する絶縁ワイヤの形態をとってもよい。マルチチップモジュールの場合、ブレース／サポートワイヤは、第１のＩＣダイの表面上のボンドパッドから第２のＩＣダイの表面上のボンドパッドへと伸張してもよい。ボンドワイヤは、アルミニウム、金または銅製とすることができ、完成したデバイスはＢＧＡタイプのデバイスであってもよい。
【００３１】
従って、本発明の好ましい実施形態が例示および説明されてきたが、本発明はこれらの実施形態のみには限定されないことは明らかであろう。特許請求の範囲に記載されているような本発明の精神および範囲から逸脱することなく、多数の改変、変更、変形、置換、および均等物が当業者には明らかであろう。
【符号の説明】
【００３２】
３２…集積回路ダイ、３４…ダイ・フラグ、３８…第１のリード、４２…第１のダミーリード、４４…第２のダミーリード、４６…第１のボンドワイヤ、５０…第２のボンドワイヤ、５４…絶縁ボンドワイヤ。
【図１】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年4月14日(2014.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2014175665.tif 000006
【図３Ａ】
2014175665.tif 000007
【図３Ｂ】
2014175665.tif 000008
【図４】
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