(57)【要約】【課題】小型かつ良好なクロストーク特性を持つ集積型受光回路及び集積型受光素子を提供すること。【解決手段】集積型受光素子は、基板１２と、基板１２上に成膜された光導波路１７（クラッド部１４及びコア部１６から構成される）と、光導波路を伝搬する光を反射するための光導波路端に形成されたミラー２４，２６と、ミラー２４で反射された光が結合する光導波路上のＰＤ２２とから構成される。前記ミラーは、コア部を伝搬するＰＤ用光を反射により跳ね上げるためのＰＤ用光跳ね上げミラー２４と、コア部から漏れてクラッド部を伝搬する迷光を反射により跳ね上げるための迷光跳ね上げミラー２６とを含む。ＰＤ用光跳ね上げミラー２４は、コア部１６の一端及びクラッド部１４の一端が存在する光導波路端に形成され、迷光跳ね上げミラー２６は、コア部１６の一端が存在せずクラッド部１４の一端のみが存在する光導波路端に形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の、１又は複数のコア部及びクラッド部から構成された光導波路と、
前記コア部を伝搬する光を反射するＰＤ用光跳ね上げミラーと、
前記クラッド部を伝搬する光を反射する迷光跳ね上げミラーと、
前記光導波路上の、前記ＰＤ用光跳ね上げミラーで反射された光が結合する１又は複数のＰＤと
を備えた集積型受光素子であって、
前記１又は複数のＰＤは、コア部を含んだ光導波路の突出部の上に配置され、
前記ＰＤ用光跳ね上げミラーは、コア部の一端及びクラッド部の一端が存在する光導波路端に形成され、
前記迷光跳ね上げミラーは、クラッド部の一端のみが存在する光導波路端に形成されることを特徴とする集積型受光素子。
【請求項２】
前記突出部の側面に、遮光膜を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の集積型受光素子。
【請求項３】
前記光導波路上、且つ、前記迷光跳ね上げミラーで反射された光の経路途中に、反射防止膜を更に備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の集積型受光素子。
【請求項４】
基板と、
前記基板上の、曲げ部を有するコア部及びクラッド部から構成された光導波路と
を備えた光回路であって、
前記曲げ部付近に溝が形成され、形成された前記溝の面にミラーが形成されたことを特徴とする光回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積型受光素子に関し、詳細には、光通信や光情報処理の分野で用いられる、平面光波回路とフォトダイオード（本明細書では、「ＰＤ」ともいう）などの受光素子とから構成される集積型受光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ファイバ伝送の普及に伴い、多数の光機能素子を高密度に集積する技術が求められている。その技術の一つとして、石英系平面光波回路（本明細書では、「ＰＬＣ」（Planar Lightwave Circuit）ともいう）が知られている。ＰＬＣは低損失、高信頼性、及び高い設計自由度といった優れた特徴を有し、複合機能一体集積のプラットフォームとして有望である。
【０００３】
実際に伝送端局における光受信装置にはＰＤなどの受光素子からなる光モジュールや、レーザーダイオード（本明細書では、「ＬＤ」ともいう）などの発光素子と、合分波器、分岐・結合器、光変調器などの機能素子が形成されたＰＬＣとが光結合により実装されている。
【０００４】
また、例えば、波長分割多重伝送方式におけるノード装置においては、ＰＬＣ中の複数の光導波路についての光強度を監視するために、多数のＰＤが集積化されて実装されている。
【０００５】
光導波路と受（発）光素子の光結合を可能とする構造として、図１及び図２に示すような、光導波路の一部の領域に、基板面に対して垂直方向に光路を変換する反射ミラーを設けた構造が提案されている。図１は、従来技術に係る、光を反射してＰＤに結合させるミラーを備えた構造の斜視図である。図２は、従来技術に係る光を反射してＰＤに結合させるミラーを備えた構造を説明する図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は（ａ）の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【０００６】
なお、図２では、コア部が伸長する方向がｘ軸方向、光導波路が積層される基板の面の法線方向がｚ軸方向、ｘ軸及びｚ軸に垂直な方向がｙ軸方向となるように座標軸を設定している。この座標軸は、以後の説明においても同様に設定されるものとする。
【０００７】
図１及び図２に示す構造は、基板１２と、基板１２上の光導波路１７と、光導波路１７端に設けられたミラー１８と、光導波路１７上に並べて設置された複数のＰＤ２２とから構成される。
【０００８】
基板１２はＳｉ基板を使用することができる。光導波路１７は、複数のコア部１６とクラッド部１４とから構成されており、マルチチャネルを実現している。コア部１６を伝搬する光は、ミラー１８で反射されて光路を変換され、対応するＰＤ２２に結合する。
【０００９】
このような光路を変換するためのミラーの構造や作製方法は、様々なものが提案されており、例えば、特許文献１に記載のものが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第４３４３７３７号公報
【特許文献２】特開２０１２−４２５１５号公報
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Kurata, Yu; Nasu, Yusuke; Tamura, Munehisa; Yokoyama, Haruki; Muramoto, Yoshifumi, “Heterogeneous Integration of High-Speed InP PDs on Silica-Based Planar Lightwave Circuit Platform”, Proc. ECOC2011, Th.12, LeSaleve.5, (2011)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の集積型受光素子では、コア部から漏れてクラッド部を伝搬する光（本明細書では、「迷光」ともいう）又はミラーでの光散乱に起因する、チャネル間クロストーク特性の劣化の問題を防ぐために、遮光溝や遮光板を作製する必要があった。
【００１３】
また、遮光板や遮光溝の他に、樹脂の濡れ性を利用するミラー作製のための樹脂溝も作製する必要があり、素子の小型化が困難であった（特許文献１を参照）。従って、従来の集積型受光素子では、小型化とチャネル間クロストーク特性向上とを両立させることが難しいという問題があった。
【００１４】
更に、遮光溝、遮光板、樹脂溝等を作製するので、素子レイアウトの設計の自由度が低くなるという問題もあった。
【００１５】
他にも、従来の集積型受光素子のようにチャネル間クロストーク特性向上のために遮光溝を作製すると、一部の迷光は遮光溝の境界でＰＬＣ面内に反射されてしまうので、ＰＬＣ面内に迷光が残ってしまうという問題もあった。
【００１６】
本発明は、これらの問題を鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小型かつ良好なクロストーク特性を持つ集積型受光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、基板と、基板上の、１又は複数のコア部及びクラッド部から構成された光導波路と、コア部を伝搬する光を反射するＰＤ用光跳ね上げミラーと、クラッド部を伝搬する光を反射する迷光跳ね上げミラーと、光導波路上の、ＰＤ用光跳ね上げミラーで反射された光が結合する１又は複数のＰＤとを備えた集積型受光素子であって、１又は複数のＰＤは、コア部を含んだ光導波路の突出部の上に配置され、ＰＤ用光跳ね上げミラーは、コア部の一端及びクラッド部の一端が存在する光導波路端に形成され、迷光跳ね上げミラーは、クラッド部の一端のみが存在する光導波路端に形成されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の一実施形態において、集積型受光素子は、突出部の側面に、遮光膜を更に備えたことを特徴とする。
【００１９】
本発明の一実施形態において、集積型受光素子は、光導波路上、且つ、迷光跳ね上げミラーで反射された光の経路途中に、反射防止膜を更に備えたことを特徴とする。
【００２０】
本発明は、基板と、基板上の、曲げ部を有するコア部及びクラッド部から構成された光導波路とを備えた光回路であって、曲げ部付近に溝が形成され、形成された溝の面にミラーが形成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の実施形態に係る集積型受光素子の構造により、遮光跳ね上げミラーを斜めエッチングにより小型に形成でき、従来の構造では必要であった迷光防止のための大規模な遮光溝や樹脂溝が不要となる。従って、フォトプロセスと相まって高密度な素子レイアウトが可能になり、また、素子設計の自由度も上がる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来技術に係る、光を反射してＰＤに結合させる反射ミラーを備えた構造を説明する斜視図である。
【図２】従来技術に係る、光を反射してＰＤに結合させる反射ミラーを備えた構造を説明する図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は正面図であり、（ｃ）は（ａ）の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する上面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する断面図であり、図４の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る、集積型受光素子の作製フローを説明する図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する斜視図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する上面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する断面図であり、図８の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する上面図である。
【図１１】本発明の第４の実施形態に係る構造を適用可能なマルチチャネル構造を含む集積型受光素子の模式図である。
【図１２】本発明の第４の実施形態による効果を説明するためのグラフである。
【図１３】本発明の第４の実施形態による効果を説明するためのグラフである。
【図１４】本発明の第５の実施形態を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（第１の実施形態）
図３〜図５に、本実施形態に係る集積型受光素子の構造を示す。
【００２４】
図３は、本実施形態に係る集積型受光素子の斜視図である。図３に示すように、本実施形態に係る集積型受光素子は、基板１２と、基板１２上に成膜された光導波路１７と、光導波路を伝搬する光を反射するための光導波路端に形成されたミラー２４，２６と、ミラー２４で反射された光が結合する光導波路上のＰＤ２２とから構成される。
【００２５】
基板１２として、Ｓｉ基板等を使用することができる。
【００２６】
光導波路１７は、クラッド部１４と、コア部１６とから構成される。
【００２７】
ミラーは、コア部を伝搬するＰＤ用光を反射により跳ね上げるためのＰＤ用光跳ね上げミラー２４と、コア部から漏れてクラッド部を伝搬する迷光を反射により跳ね上げるための迷光跳ね上げミラー２６とを含む。ＰＤ用光跳ね上げミラー２４は、コア部１６の一端及びクラッド部１４の一端が存在する光導波路端に形成される。迷光跳ね上げミラー２６は、コア部１６の一端が存在しない光導波路端（すなわち、クラッド部１４端のみ存在する光導波路端）に形成される。
【００２８】
ＰＤ用光跳ね上げミラー２４及び迷光跳ね上げミラー２６は、異方性プラズマエッチングによりＰＤ付近の光導波路に斜めの溝を形成することと、溝形成により露出した光導波路端に金属を蒸着することによって作製する。金属としてＡｕ，Ａｌ等を使用することができる。ミラーの作製方法は、後述する。
【００２９】
ＰＤ２２は、コア部１６が存在する光導波路１７の部分上に作製される。図３に示すように、本実施形態に係る集積型受光素子は、上にＰＤ２２が設置された、コア部が存在する光導波路の部分がｘ軸方向に突出した構造を持つ。
【００３０】
コア部１６を伝搬する光は、ＰＤ用光跳ね上げミラー２４で反射されてＰＤ２２に結合する。クラッド部１４を伝搬する迷光は、迷光跳ね上げミラー２６で反射されて光導波路の上面から外部に出射する。
【００３１】
従来技術に係る、遮光溝を設けて迷光を防ぐ構造では、溝境界面での反射によりＰＬＣ面内に迷光が残ってしまうという問題があったが、本実施形態に係る集積型受光素子では、迷光は迷光跳ね上げミラー２６で反射されて光導波路の上面から外部に出射されるので、光導波路内に迷光が残らないという利点がある。
【００３２】
図４は、本実施形態に係る集積型受光素子の上面図である。本実施形態に係る集積型受光素子が、ＰＤが上に設置されるコア部を含んだ光導波路の突出部を持つように、オフセット２８が設けられる。オフセット２８のｘ軸方向の幅がＰＤ受光部の径より広くなるように作製する。
【００３３】
図５は、本発明の第１の実施形態に係る、集積型受光素子の構造を説明する断面図であり、図４の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。本実施形態では、光の光路が基板主面法線方向（ｚ軸方向）と平行となるように光を反射させるので、基板１２とＰＤ用光跳ね上げミラー２４とがなす角度、ならびに、基板１２と迷光跳ね上げミラー２６とがなす角度が共に４５度となるように素子を作製した。しかし、基板１２とＰＤ用光跳ね上げミラー２４とのなす角度、ならびに、基板１２と迷光跳ね上げミラー２６とのなす角度は、鋭角であれば良い。
【００３４】
図６に、本実施形態に係る、集積型受光素子を作製する方法の一例を示す。
【００３５】
最初に、基板１２上で、クラッド部１４と、コア部１６とを成膜して、コアとクラッドとの屈折率差が１．５％の光導波路１７を作製する。作製した光導波路１７上に受光径１９μｍのＰＤ２２を作製する。コア部のサイズは４．５μｍであり、コア下のクラッド部の厚さは２０μｍ、コア上のクラッド部の厚さは１５．５μｍである。ＰＤ２２は、光導波路１７にエピタキシャル層の形成されたＩｎＰ等の光半導体材料基板を、ポリイミド等で接合させ、ＩｎＰ基板を研磨およびウェットエッチングで除去した後、残るエピタキシャル層をフォトプロセスにより加工し、作製する（図６（ａ）を参照、非特許文献１を参照）。
【００３６】
次いで、ＳｉＯ2を成膜したＳｉ基板全体（光導波路１７及びＰＤ２２を含む）に対してフォトレジスト３０を塗布する。露光後、現像を行い、ミラーを形成するための溝（本明細書では「ミラー溝」ともいう）を形成する部分のフォトレジストを除去する。この際、ＰＤを取り囲むようにマスクパターンが形成された上でフォトレジストが除去されることとなる。ミラー溝を形成するためにフォトレジストが除去された部分を、本明細書では、ミラー開口部３２という（図６（ｂ）を参照）。ここではレジストマスクを用いているが、メタルマスクを用いることも可能であり、マスク材料により本発明が限定されるものではない。
【００３７】
ミラー開口部３２を除いた部分にフォトレジスト３０が成膜された後、基板を斜めに設置して異方性プラズマエッチングを１回行い、斜めのミラー溝３４を形成する（図６（ｃ）を参照、特許文献２を参照）。
【００３８】
次いで、異方性エッチングにより形成した面にＡｕを蒸着しＰＤ用光跳ね上げミラー２４及び迷光跳ね上げミラー２６を形成する（図６（ｄ）を参照）。スパッタリング等で多層の反射膜を形成することにより、より高い反射率を実現することも可能である。
【００３９】
本実施形態では、遮光跳ね上げミラーを斜めエッチングにより小型に形成でき、従来の構造では必要であった迷光防止のための大規模な遮光溝や樹脂溝が不要である。従って、フォトプロセスと相まって高密度な素子レイアウトが可能になり、また、設計の自由度も上がる。
【００４０】
（第２の実施形態）
図７は、本実施形態に係る集積型受光素子の斜視図である。本実施形態に係る集積型受光素子が、基板１２と、基板１２上に成膜された光導波路１７と、光導波路を伝搬する光を反射するための光導波路端に形成されたＰＤ用光跳ね上げミラー２４及び迷光跳ね上げミラー２６と、ＰＤ用光跳ね上げミラー２４で反射された光が結合する光導波路上のＰＤ２２とから構成されることは（第１の実施形態）と同様である。
【００４１】
本実施形態に係る集積型受光素子は、ＰＤ２２が上に設置される導波路の突出した部分において、この突出部の側面（すなわち、ｚｘ平面）に遮光膜３６を更に備えた点において（第１の実施形態）と相違する。遮光膜３６は、遮光剤を塗布することにより作製することができる。
【００４２】
（第３の実施形態）
図８及び図９に、本実施形態に係る集積型受光素子の構造を示す。図８は、本実施形態に係る集積型受光素子の上面図である。図９は、本実施形態に係る集積型受光素子の断面図であり、図８の断面線Ａ−Ａ’における断面図である。
【００４３】
本実施形態に係る集積型受光素子が、基板１２と、基板１２上に成膜された光導波路１７と、光導波路を伝搬する光を反射するための光導波路端に形成されたＰＤ用光跳ね上げミラー２４及び迷光跳ね上げミラー２６と、ＰＤ用光跳ね上げミラー２４で反射された光が結合する光導波路上のＰＤ２２とから構成されることは（第１の実施形態）と同様である。
【００４４】
本実施形態に係る集積型受光素子は、光導波路１７上（すなわち、クラッド部１４の表面上）、且つ、迷光跳ね上げミラー２６で反射された光の経路途中に反射防止膜３８を更に備えた点において（第１の実施形態）と相違する。反射防止膜３８は、迷光跳ね上げミラー２６で反射された光が光導波路から外部に出射される際の、クラッド界面での反射戻り光を抑制するために設けられる。反射防止膜３８によるクラッド界面での反射戻り光の抑制は、クロストーク特性の向上に資する。
【００４５】
なお、本実施形態に係る構造は、（第２の実施形態）に係る構造とともに用いることも可能である。
【００４６】
（第４の実施形態）
上記（第１の実施形態）〜（第３の実施形態）では、導波路上にＰＤが１個作製されコア部も１個であるシングルチャネルの構造について説明した。本実施形態の以降の説明では、導波路上にＰＤが複数作製されたマルチチャネルの構造について説明する。
【００４７】
図１０は、本実施形態に係る集積型受光素子の上面図である。図１０に示すように、本実施形態に係る集積型受光素子は、基板１２と、基板１２上に成膜された光導波路１７と、光導波路を伝搬する光を反射するための光導波路端に形成されたミラー２４，２６と、ミラー２４で反射された光が結合するＰＤ２２とから構成される。複数のＰＤ２２がｙ軸方向に沿って配列されるように光導波路上に作製されている。
【００４８】
基板１２として、Ｓｉ基板等を使用することができる。
【００４９】
光導波路１７がクラッド部１４及び複数のコア部１６から構成されるので、本実施形態に係る構造はマルチチャネル構造である。複数のコア部の夫々に対し、対応するＰＤ２２が１個存在する。
【００５０】
本実施形態に係るミラーが、コア部を伝搬するＰＤ用光を反射により跳ね上げるためのＰＤ用光跳ね上げミラー２４と、コア部から漏れてクラッド部を伝搬する迷光を反射により跳ね上げるための迷光跳ね上げミラー２６とを含むこと、ＰＤ用光跳ね上げミラー２４は、コア部の一端が存在する光導波路端に形成されること、及び迷光跳ね上げミラー２６は、コア部の一端が存在しない光導波路端に形成されることは、（第１の実施形態）と同様である。
【００５１】
ＰＤ２２はコア部１６が存在する光導波路１７の部分上に作製される。集積型受光素子は、上にＰＤ２２が設置される、コア部が存在する光導波路の部分がｘ軸方向に突出した構造を複数有している。ＰＤが設置されるコア部を含んだ光導波路の突出部を複数持つようにオフセットが設けられることは、（第１の実施形態）と同様である。ここで、迷光跳ね上げミラー２６のｙ軸方向の幅は、コア部間ピッチとＰＤ受光部の径との差以下となるように素子を作製する。
【００５２】
このようなマルチチャネル構造を含む集積型受光素子の具体例として、８ｃｈの出入力を含む集積型受光素子の模式図を図１１に示す。図１１では、８ｃｈのＰＤに対し、それぞれ光入力導波路が備えられ、入力箇所からＰＤに至るまでの間にＳ字型の構造が設けられている。
【００５３】
従来技術に係る、遮光溝を設けて迷光を防ぐ構造では、溝境界面での反射によりＰＬＣ面内に迷光が残ってしまうという問題があったが、本実施形態に係る集積型受光素子では、迷光は迷光跳ね上げミラー２６で反射されて光導波路１７の上面から外部に出射されるので、光導波路内に迷光が残らない。従って、ＰＤ間のクロストーク特性を向上させることが可能である。
【００５４】
また、オフセットの無い直線型ミラーでは、迷光又はミラー反射による光散乱に起因した、チャネル間クロストーク特性の劣化の問題があったが、本実施形態では、ＰＤの手前に迷光跳ね上げミラーを設けることで、オフセットを作製し、各ＰＤチャネルを独立させ、これによって、ＰＤ用光跳ね上げミラーにおける反射による光散乱に起因した迷光の発生を抑制する。従って、ＰＤ間のクロストーク特性を向上させることが可能である。
【００５５】
実際に、本実施形態による構造で作製した図１１に示す集積型受光素子において、光入力したときの受光強度をｃｈ毎にプロットしたグラフを図１２に示す。図１２において、ｃｈ４のみに波長１．５５μｍの光を入力した際の受光強度は、ｃｈ４とそれ以外のｃｈを比較すると、３０ｄＢ以上の高いクロストーク特性が確保されている。
【００５６】
一方で、従来のオフセットの無い直線ミラー構造で、図１１の構成を作製し、同様の測定を行った結果を図１３に示す。ｃｈ４のみに波長１．５５μｍの光を入力すると、図１２と比較して、光を入力していないｃｈの受光強度が全体的に増加しており、クロストーク特性が劣化していることが分かる。特にｃｈ４に隣接するｃｈ３、ｃｈ５のクロストーク特性が劣化しており、反射による光散乱に起因する迷光がクロストーク特性の劣化を引き起こしていることがわかる。図１２及び図１３に示すように、本実施形態によるクロストーク特性向上の効果を確認した。
【００５７】
更に、副次的な効果だが、本実施形態では、ミラー作製のためにＰＤの周りを囲むようにミラー溝が設けられることについては前述したとおりであるところ、このミラー溝を設けたことでＰＤエピタキシャル層にかかる応力を低減することができる。従って、ＰＤが剥離しにくくなり、信頼性の向上に資する。
【００５８】
なお、本実施形態に係るマルチチャネル構造の集積型受光素子は、上記（第２の実施形態）又は／及び（第３の実施形態）とともに用いることができる。
【００５９】
本実施形態を（第２の実施形態）とともに用いた場合、ＰＤ２２が上に設置される導波路の突出した複数の部分において、この突出部の側面（すなわち、ｚｘ平面）に遮光膜を形成することにより、チャネル間のアイソレーションを向上させることが可能である。
【００６０】
（第５の実施形態）
上記（第１の実施形態）〜（第４の実施形態）では、光が結合するＰＤ付近において光導波路に溝を形成し、ミラーをＰＤ付近の導波路端に作製した。しかしながら、必ずしもミラーをＰＤ付近に作製する必要は無い。
【００６１】
光回路内で光導波路のコア部が曲げ部を備えるとき、この曲げ部付近において迷光が発生しやすいことを考慮し、図１４に示すように、コア部１６付近にミラー溝３４を形成し、ミラー溝の面に迷光跳ね上げミラーを作製しても良い。迷光を光回路の段階で迷光跳ね上げミラーにより除去することで、クロストーク特性を向上させることが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１２  基板
１４  クラッド部
１６  コア部
１７  光導波路
１８  ミラー
２０  ＰＤ受光部
２２  ＰＤ
２４  ＰＤ用光跳ね上げミラー
２６  迷光跳ね上げミラー
２８  オフセット
３０  フォトレジスト
３２  ミラー開口部
３４  ミラー溝
３６  遮光膜
３８  反射防止膜
４０  光回路
【図１】
2014153431.tif 000003
【図２】
2014153431.tif 000004
【図３】
2014153431.tif 000005
【図４】
2014153431.tif 000006
【図５】
2014153431.tif 000007
【図６】
2014153431.tif 000008
【図７】
2014153431.tif 000009
【図８】
2014153431.tif 000010
【図９】
2014153431.tif 000011
【図１０】
2014153431.tif 000012
【図１１】
2014153431.tif 000013
【図１２】
2014153431.tif 000014
【図１３】
2014153431.tif 000015
【図１４】
2014153431.tif 000016