(57)【要約】      （修正有）【課題】ＧａＮのような低反射率の半導体基板についての最適露光条件を設定する際のコストを低減する半導体基板、半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】特定の波長の光に対してシリコン基板の反射率より低い反射率を有する半導体基板は、シリコン基板２０と、シリコン基板上に形成され、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下である誘電体膜１０と、を備える。誘電体膜１０は、例えばＥＣＲスパッタを用いてＳｉ基板２０上に成膜される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の波長の光に対して、シリコン基板の反射率より低い反射率を有する半導体基板であって、
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成され、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下である誘電体膜と、を備える、半導体基板。
【請求項２】
半導体基板であって、
シリコン基板と、
前記シリコン基板上に形成された誘電体膜と、を備え、
屈折率が１．６９のレジスト下において、特定の波長の光に対して０．１％以上７．０％以下の反射率を有する、半導体基板。
【請求項３】
特定の波長の光に対してシリコン基板の反射率より低い反射率を有する低反射率半導体基板を代替するための代替半導体基板を製造する方法であって、
前記特定の波長の光に対する前記低反射率半導体基板の反射率に基づいて、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下である誘電体膜の厚さを設定する工程と、
シリコン基板上に、前記設定された厚さの前記誘電体膜を形成して、前記代替半導体基板を製造する工程と、を備える、方法。
【請求項４】
特定の波長の光に対してシリコン基板の反射率より低い反射率を有する低反射率半導体基板を対象とした露光条件を設定する方法であって、
シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された誘電体膜であって、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下であり、前記特定の波長の光に対する前記低反射率半導体基板の反射率に基づいて設定された厚さを有する誘電体膜と、を含む代替半導体基板を準備する工程と、
露光条件を変更しつつ、前記代替半導体基板上に複数のレジストパターンを形成する工程と、
各前記露光条件に対応する前記レジストパターンの測定結果に基づき、前記低反射率半導体基板を対象とした露光条件を設定する工程と、を備える、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、半導体基板の製造方法および露光条件の設定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板として、シリコン基板（以下「Ｓｉ基板」とも呼ぶ）の他に、窒化ガリウム基板（以下「ＧａＮ基板」とも呼ぶ）が知られている。ＧａＮ基板はＳｉ基板と比較して反射率が低いため、Ｓｉ基板を用いてリソグラフィープロセスを行う場合に推奨される露光条件（ドーズ量、フォーカスオフセット、σ絞り、輪帯照明等）は、ＧａＮ基板を用いてリソグラフィープロセスを行う場合にも最適であるとは限らない。従って、ＧａＮ基板についての最適な露光条件を設定する際には、実際にリソグラフィープロセスによりＧａＮ基板上にレジストパターンを形成し、形成されたレジストパターンの断面形状を電子顕微鏡等によって観察し、露光条件とレジストパターンの断面形状との相関を調査する、といった作業が行われる。
【０００３】
他方、レジスト材料のスイング曲線の振幅を低減するために、基板上に光吸収性の最上反射防止層を設ける技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０７９９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、ＧａＮ基板はＳｉ基板と比較して高価であるため、実際にＧａＮ基板上にレジストパターンを形成することによって最適な露光条件を設定する方法では、コストが増大するという課題があった。上記特許文献１記載の技術では、レジストコータに専用スロットを設けて定期的に反射防止薬剤を購入する必要があり、工数やコストが増大するため、上記課題を解決することができなかった。
【０００６】
なお、このような課題は、ＧａＮ基板に限らず、Ｓｉ基板の反射率より低い反射率を有する低反射率半導体基板についての最適露光条件を設定する際に共通する課題であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【０００８】
（１）本発明の一形態によれば、半導体基板が提供される。この半導体基板は、特定の波長の光に対して、シリコン基板の反射率より低い反射率を有する半導体基板であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成され、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下である誘電体膜と、を備えることを特徴とする。この形態の半導体基板によれば、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板の特定の波長の光に対する反射率をシリコン基板の反射率より低くすることができ、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板を用いて低反射率半導体基板についての最適な露光条件を設定することができ、露光条件設定のためのコストを低減することができる。
【０００９】
（２）本発明の他の一形態によれば、半導体基板が提供される。この半導体基板は、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された誘電体膜と、を備え、屈折率が１．６９のレジスト下において、特定の波長の光に対して０．１％以上７．０％以下の反射率を有することを特徴とする。この形態の半導体基板によれば、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板が特定の波長の光に対して０．１％以上７．０％以下という低い反射率を有するため、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板を用いて低反射率半導体基板についての最適な露光条件を設定することができ、露光条件設定のためのコストを低減することができる。
【００１０】
（３）本発明の他の一形態によれば、代替半導体基板を製造する方法が提供される。この方法は、特定の波長の光に対してシリコン基板の反射率より低い反射率を有する低反射率半導体基板を代替するための代替半導体基板を製造する方法であって、前記特定の波長の光に対する前記低反射率半導体基板の反射率に基づいて、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下である誘電体膜の厚さを設定する工程と、シリコン基板上に、前記設定された厚さの前記誘電体膜を形成して、前記代替半導体基板を製造する工程と、を備えることを特徴とする。この形態の方法によれば、特定の波長の光に対する低反射率半導体基板の反射率と同じ反射率を有する、シリコン基板と誘電体膜とを備えた代替半導体基板を製造することができ、該代替半導体基板を利用することによって低反射率半導体基板についての最適な露光条件を設定することができ、露光条件設定のためのコストを低減することができる。
【００１１】
（４）本発明の他の一形態によれば、露光条件を設定する方法が提供される。この方法は、特定の波長の光に対してシリコン基板の反射率より低い反射率を有する低反射率半導体基板を対象とした露光条件を設定する方法であって、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された誘電体膜であって、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率が２．７５以上３．２０以下であり、前記特定の波長の光に対する前記低反射率半導体基板の反射率に基づいて設定された厚さを有する誘電体膜と、を含む代替半導体基板を準備する工程と、露光条件を変更しつつ、前記代替半導体基板上に複数のレジストパターンを形成する工程と、各前記露光条件に対応する前記レジストパターンの測定結果に基づき、前記低反射率半導体基板を対象とした露光条件を設定する工程と、を備えることを特徴とする。この形態の方法によれば、代替半導体基板を用いて、低反射率半導体基板についての最適な露光条件を設定することができ、露光条件設定のためのコストを低減することができる。
【００１２】
上述した本発明の各形態の有する複数の構成要素はすべてが必須のものではなく、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、適宜、前記複数の構成要素の一部の構成要素について、その変更、削除、新たな他の構成要素との差し替え、限定内容の一部削除を行うことが可能である。また、上述の課題の一部又は全部を解決するため、あるいは、本明細書に記載された効果の一部又は全部を達成するために、上述した本発明の一形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部を上述した本発明の他の形態に含まれる技術的特徴の一部又は全部と組み合わせて、本発明の独立した一形態とすることも可能である。また、本発明は、半導体基板、半導体基板の製造方法および露光条件の設定方法以外の種々の形態で実現することも可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板の特定の波長の光に対する反射率をシリコン基板の反射率より低くすることができ、シリコン基板と誘電体膜とを備える半導体基板を用いて低反射率半導体基板についての最適な露光条件を設定することができ、露光条件設定のためのコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】各半導体基板の反射率を示す説明図である。
【図２】代替半導体基板１００の構成を示す説明図である。
【図３】代替半導体基板１００の利用形態の一例を示す説明図である。
【図４】代替半導体基板１００の利用形態の一例を示す説明図である。
【図５】本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図６】本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図７】本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図８】本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図９】本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図１０】比較例における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。
【図１１】露光条件設定処理の流れを示すフローチャートである。
【図１２】露光処理における露光条件の一例を示す説明図である。
【図１３】レジストパターン５２の計測方法の一例を示す説明図である。
【図１４】変形例における基板の反射率測定結果の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
Ａ．実施形態：
Ａ−１．半導体基板の反射率：
図１は、各半導体基板の反射率を示す説明図である。図１には、シリコン基板（以下「Ｓｉ基板」とも呼ぶ）と窒化ガリウム基板（以下「ＧａＮ基板」とも呼ぶ）とのそれぞれについて、空気下での（空気雰囲気での）反射率の実測値の一例を示している。光の波長がおおよそ２３０ｎｍから８００ｎｍまでの範囲において、空気下でのＳｉ基板の反射率はおおよそ３１％から７２％までの範囲であり、空気下でのＧａＮ基板の反射率はおおよそ１４％から２２％までの範囲である。図１から明らかなように、ＧａＮ基板は、Ｓｉ基板と比較して、上記光の波長の全範囲に亘って、反射率が低い。
【００１６】
このようにＧａＮ基板はＳｉ基板と比較して反射率が低いため、Ｓｉ基板を用いてリソグラフィープロセスを行う場合に推奨される露光条件（ドーズ量、フォーカスオフセット、σ絞り、輪帯照明等）は、ＧａＮ基板を用いてリソグラフィープロセスを行う場合にも最適であるとは限らない。実際にリソグラフィープロセスによりＧａＮ基板上にレジストパターンを形成し、形成されたレジストパターンの断面形状を電子顕微鏡等によって観察し、露光条件とレジストパターンの断面形状との相関を調査することにより、ＧａＮ基板についての最適な露光条件を設定することは可能である。しかし、一般にＧａＮ基板はＳｉ基板と比較して高価であるため、この方法ではコストが増大するという課題がある。本実施形態では、ＧａＮ基板を代替する代替半導体基板１００を利用することによって、このような課題を解決している。以下、代替半導体基板１００について説明する。
【００１７】
Ａ−２．代替半導体基板１００の構成：
図２は、代替半導体基板１００の構成を示す説明図である。本実施形態における代替半導体基板１００は、Ｓｉ基板２０と、Ｓｉ基板２０上に形成（成膜）された厚さｔの誘電体膜１０と、から構成されている。本実施形態の誘電体膜１０は、酸窒化ジルコニウム（ＺｒＯＮ）を用いて形成されており、２．７５以上３．２０以下という比較的高い屈折率ｎを有している。なお、本明細書では、特に断りが無い限り、物体の屈折率ｎは波長４０５ｎｍの光に対する屈折率を意味する。
【００１８】
誘電体膜１０は、例えば、ＥＣＲスパッタを用いてＳｉ基板２０上に成膜される。成膜条件としては、例えば、μ波パワーおよびＲＦパワーは共に５００Ｗであり、使用するプロセスガスはアルゴン、酸素、窒素であり、プロセスガス流量はそれぞれ２０．０ｓｃｃｍ、１．０ｓｃｃｍ、８．５ｓｃｃｍである。なお、この成膜条件は、適宜変更可能である。例えば、プロセスガス流量を変更することにより、形成される誘電体膜１０の屈折率ｎを調整することができる。
【００１９】
本実施形態の代替半導体基板１００は、ＧａＮ基板についての最適な露光条件を設定する際に、ＧａＮ基板の代わりに利用される。図３および図４は、代替半導体基板１００の利用形態の一例を示す説明図である。図３に示すように代替半導体基板１００の誘電体膜１０側の表面に感光性のレジスト５０が塗布され、図４に示すようにリソグラフィープロセスによって代替半導体基板１００の誘電体膜１０側の表面にレジストパターン５２が形成される。代替半導体基板１００上に形成されたレジストパターン５２に基づいて、ＧａＮ基板についての最適な露光条件が設定される。この点については、後に詳述する。
【００２０】
図５ないし図８は、本実施形態における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。図５ないし図７には、誘電体膜１０の屈折率ｎがそれぞれ２．７５，２．９０，３．２０である各代替半導体基板１００について、屈折率ｎが１．６９のレジスト５０下での（レジスト５０雰囲気での）波長４０５ｎｍの光に対する反射率の理論値を示している。また、図８には、誘電体膜１０の屈折率ｎが２．９０である代替半導体基板１００について、屈折率ｎが１．６９のレジスト５０下での各波長（３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４３０ｎｍ）の光に対する反射率の理論値を示している。これらの理論値は、周知のフレネルの式を用いて算出したものである。
【００２１】
図５ないし図７に示すように、屈折率ｎが２．７５以上３．２０以下である誘電体膜１０を用いれば、波長４０５ｎｍの光に対する代替半導体基板１００の反射率は、誘電体膜１０の厚さｔに応じて、周期的に変化するものの、０．１％以上２６．６％以下の範囲内となる。また、図８に示すように、光の波長が異なっても、代替半導体基板１００の実現する反射率の範囲（０．１％以上２６．６％以下）は変わらない。そのため、屈折率ｎが２．７５以上３．２０以下である誘電体膜１０を用いれば、誘電体膜１０の厚さｔを調整することによって、特定の波長の光に対する代替半導体基板１００の反射率を０．１％以上２６．６％以下の範囲内の所望の値にすることができる。例えば、図６に示すように、屈折率ｎが２．９０の誘電体膜１０を用いて、波長４０５ｎｍの光に対する代替半導体基板１００の反射率を３．７％としたい場合には、誘電体膜１０の厚さｔを２８ｎｍ、４１ｎｍ、９８ｎｍ・・・等のいずれかとすればよい。
【００２２】
なお、本実施形態における代替半導体基板１００の反射率は、図９に示すように、屈折率ｎが１．０である空気下においては（空気雰囲気では）、波長４０５ｎｍの光に対して５％以上４６．７％以下の範囲内となる。この範囲は、図８から明らかなように、光の波長が異なっても変わらない。
【００２３】
なお、図１に示すように、光の波長がおおよそ２３０ｎｍから８００ｎｍまでの範囲において、空気下でのＳｉ基板の反射率はおおよそ３１％から７２％までの範囲であることから、空気下での代替半導体基板１００の反射率が３０％未満であれば、代替半導体基板１００の反射率はＳｉ基板の反射率より低いこととなる。図９から明らかなように、誘電体膜１０の厚さｔを適切に設定すれば、空気下での代替半導体基板１００の反射率を３０％未満とすることができる。このように、光の波長に応じて誘電体膜１０の厚さｔを適切に設定することにより、代替半導体基板１００の反射率を３０％未満とすることができ、Ｓｉ基板の反射率より低くすることができる。
【００２４】
図１０は、比較例における代替半導体基板１００の反射率を示す説明図である。図１０には、誘電体膜１０の屈折率ｎが２．３０である代替半導体基板１００について、屈折率ｎが１．６９のレジスト５０下での波長４０５ｎｍの光に対する反射率の理論値を示している。この誘電体膜１０は、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）を用いて形成されている。図１０に示すように、屈折率ｎが２．３０の誘電体膜１０を用いると、レジスト５０下における代替半導体基板１００の反射率は、誘電体膜１０の厚さに応じて７％より大きく２７％以下の範囲内となる。波長４０５ｎｍの光に対するＧａＮ基板の反射率は３．７％であるため、比較例における代替半導体基板１００は、誘電体膜１０の厚さをどのように設定しても、波長４０５ｎｍの光に対してＧａＮ基板の反射率と同一の反射率を実現することはできない。
【００２５】
これに対し、本実施形態の代替半導体基板１００は、波長４０５ｎｍの光に対する屈折率ｎが２．７５以上３．２０以下である誘電体膜１０を用いているため、屈折率ｎが１．６９のレジスト５０下において、特定の波長の光に対して０．１％以上７．０％以下の範囲内の反射率を実現する。そのため、本実施形態の代替半導体基板１００は、波長４０５ｎｍの光に対してＧａＮ基板の反射率と同一の反射率を実現することができ、ＧａＮ基板についての最適な露光条件を設定する際に利用することができる。
【００２６】
Ａ−３．露光条件設定処理：
図１１は、露光条件設定処理の流れを示すフローチャートである。露光条件設定処理は、ＧａＮ基板の代わりに上述した代替半導体基板１００を用いて、ＧａＮ基板についての最適な露光条件を設定する処理である。
【００２７】
最初に、使用するレジスト５０が選択される（ステップＳ１１０）。次に、選択されたレジスト５０の屈折率ｎに基づき、誘電体膜１０の厚さｔが決定される（ステップＳ１２０）。上述したように、図６によれば、レジスト５０の屈折率ｎが１．６９であり誘電体膜１０の屈折率ｎが２．９０である場合に、波長４０５ｎｍの光に対する反射率が３．７％であるＧａＮ基板を代替するためには、誘電体膜１０の厚さｔは２８ｎｍ、４１ｎｍ、９８ｎｍ・・・等のいずれかとすればよい。誘電体膜１０の厚さｔの複数の選択肢（図６の例では、２８ｎｍ、４１ｎｍ、９８ｎｍ・・・等）からの選択は、良好な成膜が可能であるかといった観点や（膜厚が薄すぎると成膜ができない可能性がある）、所望の屈折率ｎを得られるかといった観点（膜厚が薄すぎると所望の屈折率ｎを得られない可能性がある）を考慮して、適宜実行される。例えば、図６の例のように、誘電体膜１０の厚さｔの選択肢が２８ｎｍ、４１ｎｍ、９８ｎｍ・・・等である場合に、成膜時間を最小化するという観点から、最も厚さｔの薄い２８ｎｍが選択されるとしてもよい。なお、図６にはレジスト５０の屈折率ｎが１．６９であり誘電体膜１０の屈折率ｎが２．９０である場合を示したが、レジスト５０や誘電体膜１０の屈折率ｎが他の値の場合にも、同様にして、ＧａＮ基板の反射率と同一の反射率を実現するための誘電体膜１０の厚さｔを決定することができる。
【００２８】
次に、決定された厚さｔの誘電体膜１０をＳｉ基板２０上に成膜することによって、代替半導体基板１００が製造される（ステップＳ１３０、図２参照）。上述したように、誘電体膜１０は、例えば、ＥＣＲスパッタを用いてＳｉ基板２０上に成膜される。
【００２９】
次に、代替半導体基板１００上にレジスト５０が塗布され（ステップＳ１４０、図３参照）、所定の露光条件による縮小投影露光装置を用いた露光処理等の各種処理が行われて、代替半導体基板１００上にレジストパターン５２が形成される（ステップＳ１５０、図４参照）。
【００３０】
図１２は、露光処理における露光条件の一例を示す説明図である。図１２には、レジスト５０が塗布された代替半導体基板１００上の露光領域ＳＡに各パターンを露光する際のドーズ量の一例を数値で示している。本実施形態では、ドーズ量を段階的に変化させたショットマップを露光装置のソフトウェアで作成し、各ドーズ量で各パターンの露光を行っている。これにより、ドーズ量が互いに異なる複数のレジストパターン５２が形成される。なお、本実施形態では露光条件の内のドーズ量を変化させて各パターンの露光を行っているが、他の露光条件（フォーカスオフセット、σ絞り、輪帯照明等）を変化させて各パターンの露光を行うとしてもよい。
【００３１】
次に、形成されたレジストパターン５２の計測が行われる（ステップＳ１６０）。図１３は、レジストパターン５２の計測方法の一例を示す説明図である。図１３には、凸形状のレジストパターン５２において計測される箇所、具体的には、底部（代替半導体基板１００に接する部分）の長さＬ２と、頂部（代替半導体基板１００から最も離れた部分）の長さＬ１と、側部の傾きθとを示している。レジストパターン５２の計測の際には、レジストパターン５２が分割され、電子顕微鏡等によって上記計測箇所が計測される。これにより、各露光条件とレジストパターン５２の形状および寸法との相関関係が特定される。なお、レジストパターン５２は凹型形状であってもよく、その場合にもレジストパターン５２の計測は同様に実行される。
【００３２】
最後に、レジストパターン５２の計測結果に基づき、最適露光条件が設定される（ステップＳ１７０）。具体的には、異なる露光条件下で形成された各レジストパターン５２の内、形状および寸法が設計通りであるレジストパターン５２に対応する露光条件が、最適露光条件として設定される。このようにして代替半導体基板１００を用いて設定された最適露光条件は、特定の波長の光に対する代替半導体基板１００の反射率と同じ反射率を有するＧａＮ基板についての最適な露光条件であると考えられる。そのため、本実施形態では、実際に比較的高価なＧａＮ基板を用いてレジストパターンを形成することなく、ＧａＮ基板についての最適露光条件を設定（推定）することができ、最適露光条件の設定のためのコストを低減することができる。
【００３３】
Ｂ．変形例：
この発明は上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、例えば次のような変形も可能である。
【００３４】
上記実施形態では、各物体の屈折率ｎを波長４０５ｎｍの光に対する屈折率として表現しているが、この表現は、物体の屈折率ｎが光の波長によって変化することから便宜的に用いているものであり、半導体基板に対する露光が波長４０５ｎｍの光を用いて実行されることを意味するものではない。例えば、ＧａＮに対する露光が他の波長（例えば３６５ｎｍ）の光を用いて実行されることが予定されている場合には、誘電体膜１０の厚さｔの決定（図１１のステップＳ１２０）の際に、該波長の光に対する代替半導体基板１００の反射率を表す曲線（図８）を参照して決定すれば、該波長の光を用いた露光処理の際の最適露光条件を低コストで設定することができる。
【００３５】
上記実施形態では、誘電体膜１０は酸窒化ジルコニウム（ＺｒＯＮ）を用いて形成されるとしているが、波長４０５ｎｍの光に対する誘電体膜１０の屈折率ｎが２．７５以上３．２０以下となる限り、誘電体膜１０が他の材料を用いて形成されるとしてもよい。他の材料としては、例えば、ハフニウムやランタンといった比較的誘電率が高い材料が挙げられる。
【００３６】
上記実施形態では、代替半導体基板１００は、ＧａＮ基板についての最適露光条件を設定するために利用されるとしているが、代替半導体基板１００は、特定の波長の光に対してＳｉ基板の反射率より低い反射率を有する半導体基板であれば、任意の半導体基板についての最適露光条件を設定するためにも利用可能である。任意の半導体基板としては、例えば、ＧａＮ基板上にＧａＮエピタキシャル成長層が形成された半導体基板や、サファイア基板上にＧａＮエピタキシャル成長層が形成された半導体基板、ＳｉＣ基板上にＧａＮエピタキシャル成長層が形成された半導体基板、Ｓｉ基板上にＧａＮエピタキシャル成長層が形成された半導体基板、ＧａＮ系ウェハ上に絶縁膜が形成された半導体基板、ＳｉＣ基板、ダイアモンドを用いた基板等が挙げられる。
【００３７】
上記実施形態では、縮小投影露光装置を用いた露光の際の条件を設定するものとしているが、本発明は、縮小投影露光装置に限らず、走査ステップ式投影露光装置（スキャナー）やコンタクト露光装置、プロキシミティ露光装置、ミラー投影露光装置、レンズ投影露光装置といった広く一般の露光装置を用いた露光の際の条件を設定する場合も適用可能である。
【００３８】
本発明は、新規フォトレジストの選択検討を行う際にも利用可能である。図１４は、変形例における基板の反射率測定結果の一例を示す説明図である。図１４には、ＧａＮ基板上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を形成した半導体基板の反射率測定結果の一例を示している。二酸化ケイ素の膜厚によって反射率は大きく異なるため、新規フォトレジストの選択検討の際に、基板反射率依存性を調べることがある。本発明によれば、図５ないし図８に示す反射率の関係を参照して様々な反射率を有する基板を作成し、露光条件を検討することにより、反射率に対するプロセスウィンドウを調べることができる。
【００３９】
本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００４０】
１０…誘電体膜
２０…Ｓｉ基板
５０…レジスト
５２…レジストパターン
１００…代替半導体基板
ＳＡ…露光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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