(57)【要約】【課題】電極同士の電気的な接続状態を客観的に容易に判定することができる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】サブマウント(２０)は、実装面(２１ａ)上に形成されると共に、第１個別電極(１４)と導電性ろう材によって電気的に接続された第１接続電極(２２)と、実装面(２１ａ)上に形成されると共に、第２個別電極(１５)と導電性ろう材によって電気的に接続された第２接続電極(２３)と、第１，第２接続電極(２２，２３)近傍に形成され、第１，第２接続電極(２２，２３)側からの導電性ろう材の染み出し度合いを判定するための染み出し判定部(２６，２７，２８)とを有し、第１接続電極(２２)側に形成された染み出し判定部(２６，２７，２８)の個数は、第２接続電極(２３)側に形成された染み出し判定部(２６，２７，２８)の個数と異なる。【選択図】図３
2014183220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子が実装される実装面を有するサブマウントと
を備え、
上記半導体レーザ素子は、
半導体基板と、
上記半導体基板の一方の表面上に形成された第１レーザ発光部と、
上記第１レーザ発光部上に形成された第１個別電極と、
上記半導体基板の一方の表面上に形成されると共に、上記第１レーザ発光部とは電気的に分離されて、発振波長が上記第１レーザ発光部の発振波長とは異なる第２レーザ発光部と、
上記第２レーザ発光部上に形成された第２個別電極と、
上記半導体基板の他方の表面下に形成された共通電極と
を有し、
上記サブマウントは、
上記実装面上に形成されると共に、上記第１個別電極と導電性ろう材によって電気的に接続された第１接続電極と、
上記実装面上に形成されると共に、上記第２個別電極と導電性ろう材によって電気的に接続された第２接続電極と、
上記第１，第２接続電極近傍に形成され、上記第１，第２接続電極側からの導電性ろう材の染み出し度合いを判定するための染み出し判定部と
を有し、
上記第１接続電極側に形成された上記染み出し判定部の個数は、上記第２接続電極側に形成された上記染み出し判定部の個数と異なることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１接続電極の上記第１個別電極側の表面積は、上記第１個別電極の上記第１接続電極側の表面積よりも小さく、
上記第２接続電極の上記第２個別電極側の表面積は、上記第２個別電極の上記第２接続電極側の表面積よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体レーザ装置において、
上記第１レーザ発光部の発振波長は７８０ｎｍ帯であり、
上記第２レーザ発光部の発振波長は６６０ｎｍ帯であることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記染み出し判定部は、上記第１，第２接続電極の延在方向に沿って直線状に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか一項に記載の半導体レーザ装置において、
上記サブマウントは、ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉのうちのいずれか１つによって形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＤ(コンパクトディスク)・ＤＶＤ(デジタル万能ディスク)の２種類の光ディスクに対して情報の記録・再生が可能な光ピックアップ装置や、ＣＤ・ＤＶＤ・ＢＤ(ブルーレイディスク)の３種類の光ディスクに対して情報の記録・再生が可能な光ピックアップ装置が広く普及している。
【０００３】
従来、このような複数種類の光ディスクに対応した光ピックアップ装置には、装置構成の簡素化および装置の小型・軽量化を図るために、発振波長の異なる複数のレーザ発光部を一体に備えるモノリシックタイプの半導体レーザ素子(以下、「レーザチップ」と称する場合がある)が利用されている(例えば特開２００１−３４５５１４号公報(特許文献１)参照)。
【０００４】
例えばＣＤ／ＤＶＤ用の２波長型のレーザチップは、発振波長が７８０ｎｍ帯であるＣＤ用の赤外レーザ発光部と、発振波長が６６０ｎｍ帯であるＤＶＤ用の赤色レーザ発光部とを、単一の半導体基板の上面上に電気的に分離して形成し、さらに、各レーザ発光部の上面上に個別電極を形成すると共に、半導体基板の下面下に共通電極を形成することによって構成されている。これにより、各レーザ発光部を個別に駆動させることができる。
【０００５】
ところで、半導体レーザ装置において、レーザチップをパッケージの搭載面に搭載するが、この搭載面に数μｍオーダでの凹凸平坦性を求めることが困難である。また、上記パッケージの一部にレーザチップへの熱歪の掛かりにくい部材を、すなわち、レーザチップの材質と同等の熱膨張係数を有する部材を、採用することが困難である。このため、上記レーザチップは、一般に誘電体によって構成されるサブマウント(ヒートシンクとも称する)を介してパッケージの搭載面に搭載される。また、上記サブマウントは、レーザチップで発生する熱を吸収して外部に放出する放熱部材としても用いられている。
【０００６】
従来、レーザチップをサブマウントに実装する際には、レーザ発光部で発生する熱を効率よく放散し、レーザチップの温度上昇を抑制するために、レーザ発光部がサブマウントに対向するような姿勢で実装する、いわゆるジャンクションダウン方式が採用されている場合が多い。
【０００７】
図６は、ジャンクションダウン方式で２波長型のレーザチップ１１０をサブマウント１２０に実装して構成された半導体レーザ装置１００の一部の構成を示す概略斜視図である。なお、上記半導体レーザ装置１００は、本発明の課題を明確にするために便宜上提示するもので、特開２００１−３４５５１４号公報に開示されている図ではない。また、図６では、レーザチップ１１０の一部を切り欠いている。
【０００８】
上記レーザチップ１１０は、半導体基板１１１、赤外レーザ発光部１１２および赤色レーザ発光部１１３を有している。赤外レーザ発光部１１２および赤色レーザ発光部１１３は、半導体基板１１１の一方の表面(図中下側の表面)下に形成され、分離溝１１７によって電気的に互いに分離されている。また、赤外レーザ発光部１１２の半導体基板１１１とは反対側には、赤外レーザ発光部１１２のための個別電極１１４が形成されている。そして、赤色レーザ発光部１１３の半導体基板１１１とは反対側には、赤色レーザ発光部１１３のための個別電極１１５が形成されている。この個別電極１１５は、個別電極１１４と形状および大きさが等しくなるように形成されている。さらに、半導体基板１１１の他方の表面(図中上側の表面)上には、赤外レーザ発光部１１２および赤色レーザ発光部１１３のための共通電極１１６が形成されている。
【０００９】
また、上記サブマウント１２０は、誘電体から成る誘電体部材１２１を有している。この誘電体部材１２１の一表面は、レーザチップ１１０が実装される平坦な実装面１２１ａとなっている。この実装面１２１ａ上には、レーザチップ１１０の個別電極１１４，１１５が固着される接続電極１２２，１２３が形成されている。また、接続電極１２２，１２３は、ボンディングパッド１２４，１２５と電気的に接続されている。また、ボンディングパッド１２４，１２５には、ボンディングワイヤ１３１，１３２の一端が固着される。これにより、レーザチップ１１０が外部回路(図示せず)と電気的に接続される。
【００１０】
上記接続電極１２２，１２３は、レーザチップ１１０に形成された個別電極１１４，１１５の形状および大きさに対応した形状および大きさでストライプ状に形成されている。また、接続電極１２２と接続電極１２３の間には、個別電極１１４と個別電極１１５の間隔に対応した間隔が開けられている。これにより、接続電極１２２，１２３に個別電極１１４，１１５を電気的に接続したとき、赤外レーザ発光部１１２および赤色レーザ発光部１１３は個別に駆動できるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−３４５５１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
例えばＡｕＳｎ(金錫)からなる導電性ろう材によって接続電極１２２，１２３を形成した場合、レーザチップ１１０の実装工程では、接続電極１２２，１２３を加熱によって溶融させる。この溶融した接続電極１２２，１２３に個別電極１１４，１１５を上方から押し付けることによって、個別電極１１４，１１５が接続電極１２２，１２３に固着される。
【００１３】
このように、上記溶融した接続電極１２２，１２３に個別電極１１４，１１５を上方から押し付けるとき、接続電極１２２の一部を構成していた導電性ろう材が、サブマウント１２０の実装面１２１ａの面方向に沿って染み出して、接続電極１２３に接触してしまうと、赤外レーザ発光部１１２側の個別電極１１４および接続電極１２２と、赤色レーザ発光部１１３側の個別電極１１５および接続電極１２３とが、電気的に接続された状態となってしまう。この状態で半導体レーザ装置１００を駆動させた場合には、電流リークが生じてしまう。したがって、上記状態の半導体レーザ装置１００を備えた電子機器では、機能が低下したり、誤作動が発生したりするといった不具合が発生するおそれがある。
【００１４】
しかしながら、上記赤外レーザ発光部１１２側の個別電極１１４および接続電極１２２と、赤色レーザ発光部１１３側の個別電極１１５および接続電極１２３との間は、共通電極１１６で上方から見えない。このため、個別電極１１４および接続電極１２２が、個別電極１１５および接続電極１２３と電気的に接続されているか否かを容易に判定することができないという問題がある。
【００１５】
そこで、本発明の課題は、電極同士の電気的な接続状態を客観的に容易に判定することができる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子と、
上記半導体レーザ素子が実装される実装面を有するサブマウントと
を備え、
上記半導体レーザ素子は、
半導体基板と、
上記半導体基板の一方の表面上に形成された第１レーザ発光部と、
上記第１レーザ発光部上に形成された第１個別電極と、
上記半導体基板の一方の表面上に形成されると共に、上記第１レーザ発光部とは電気的に分離されて、発振波長が上記第１レーザ発光部の発振波長とは異なる第２レーザ発光部と、
上記第２レーザ発光部上に形成された第２個別電極と、
上記半導体基板の他方の表面下に形成された共通電極と
を有し、
上記サブマウントは、
上記実装面上に形成されると共に、上記第１個別電極と導電性ろう材によって電気的に接続された第１接続電極と、
上記実装面上に形成されると共に、上記第２個別電極と導電性ろう材によって電気的に接続された第２接続電極と、
上記第１，第２接続電極側からの導電性ろう材の染み出し度合いを判定するための染み出し判定部と
を有し、
上記染み出し判定部は、上記第１，第２レーザ発光部のレーザ光の出射端面側と、上記第１，第２レーザ発光部のレーザ光の出射端面側とは反対側とに設けられており、
上記第１，第２レーザ発光部のレーザ光の出射端面側に設けられた上記染み出し判定部の個数は、上記第１，第２レーザ発光部のレーザ光の出射端面側とは反対側に設けられた上記染み出し判定部の個数と異なることを特徴としている。
【００１７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第１接続電極の上記第１個別電極側の表面積は、上記第１個別電極の上記第１接続電極側の表面積よりも小さく、
上記第２接続電極の上記第２個別電極側の表面積は、上記第２個別電極の上記第２接続電極側の表面積よりも小さい。
【００１８】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第１レーザ発光部の発振波長は７８０ｎｍ帯であり、
上記第２レーザ発光部の発振波長は６６０ｎｍ帯である。
【００１９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記染み出し判定部は、上記第１，第２接続電極の延在方向に沿って直線状に形成されている。
【００２０】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記サブマウントは、ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉのうちのいずれか１つによって形成されている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体レーザ装置によれば、サブマウントは、第１，第２接続電極近傍に形成され、上記第１，第２接続電極側からの導電性ろう材の染み出し度合いを判定するための染み出し判定部を有するので、電極同士の電気的な接続状態を客観的に容易に判定することができる。
【００２２】
また、上記第１接続電極側に形成された染み出し判定部の個数は、第２接続電極側に形成された染み出し判定部の個数と異なるので、第１接続電極と第２接続電極とのどちら側からの導電性ろう材が原因で電極同士の短絡が起きているのかを容易に判定することができる。
【００２３】
また、上記染み出し判定部は第１，第２接続電極近傍に形成されているので、半導体レーザ素子の実装位置の確認用としても使うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態の半導体レーザ素子の概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態のサブマウント２０の概略斜視図である。
【図３】本発明の一実施形態の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【図４】上記半導体レーザ装置の製造工程のフローチャートである。
【図５Ａ】上記サブマウントの一端部近傍の概略平面図である。
【図５Ｂ】上記サブマウントの一端部近傍の概略平面図である。
【図６】参考例の半導体レーザ装置の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の半導体レーザ装置を図示の実施形態により詳細に説明する。
【００２６】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ装置１が備える半導体レーザ素子１０の構成を示す概略斜視図である。
【００２７】
上記半導体レーザ素子１０では、直方体形状に形成される半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の一方の矩形状の表面下に、２つの第１，第２レーザ発光部１２，１３が、分離溝１７によって互いに電気的に分離されてストライプ状に形成されている。この第１，第２レーザ発光部１２，１３の半導体基板１１とは反対側の表面下には、第１，第２個別電極１４，１５が形成されている。この第１個別電極１４は、第１レーザ発光部１２の駆動時に使用される一方、第２個別電極１５は、第２レーザ発光部１３の駆動時に使用される。また、半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の他方の矩形状の表面(第１，第２レーザ発光部１２，１３側とは反対側の表面)上に、共通電極１６が形成されている。この共通電極１６は、第１，第２レーザ発光部１２，１３の駆動時にも使用される。また、半導体レーザ素子１０は、後述するようにリッジ導波路型の半導体レーザ素子である。
【００２８】
ここで、上記半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の一方の矩形状の表面を規定する短辺と平行な方向を幅方向Ｘ１とすると共に、その表面を規定する長辺と平行な方向を出射方向Ｙ１とする。この厚み方向Ｚ１、幅方向Ｘ１および出射方向Ｙ１は、互いに直交する方向である。
【００２９】
上記半導体基板１１は、Ｎ型のＧａＡｓによって形成されている。また、半導体基板１１は、例えば、幅方向Ｘ１の寸法が例えば１９０μｍ、出射方向Ｙ１の寸法が例えば１５０５μｍ、厚み方向Ｚ１の寸法が例えば９５μｍとなっている。
【００３０】
上記第１，第２レーザ発光部１２，１３は、幅方向Ｘ１において互いに所定の間隔だけ離間するように形成されている。また、第１，第２レーザ発光部１２，１３は、それぞれ、出射方向Ｙ１に沿って延びるように形成されている。すなわち、第１，第２レーザ発光部１２，１３はストライプ状に形成されている。ここで、第１レーザ発光部１２の幅方向Ｘ１の幅と、第２レーザ発光部１３の幅方向Ｘ１の幅との合計が、半導体基板１１の幅方向Ｘ１の幅よりも小さくするのが好ましい。また、幅方向Ｘ１において、第１レーザ発光部１２の発光点と、第２レーザ発光部１３の発光点との間隔が１１０μｍ以下とするのが好ましい。本実施形態では、第１レーザ発光部１２の発光点と第２レーザ発光部１３の発光点との間隔が例えば９０μｍとしている。このように、上記発光点の間隔を１１０μｍ以下にすることによって、第１，第２レーザ発光部１２，１３で発生した熱を効率よく後述するサブマウント２０へ逃がすことができる。
【００３１】
上記第１レーザ発光部１２と第２レーザ発光部１３の間には、第１，第２レーザ発光部１２，１３を互いに電気的に分離するための分離溝１７が出射方向Ｙ１に沿って形成されている。分離溝１７の底部は半導体基板１１に形成されている。
【００３２】
上記第１，第２レーザ発光部１２，１３は、形状および大きさが互いに略等しくなるように形成されている。また、第１，第２レーザ発光部１２，１３は、互いに発振波長の異なるレーザ光を出射するように構成されている。具体的には、第１レーザ発光部１２は、発振波長が７８５ｎｍのレーザ光を出射するように構成されている。一方、第２レーザ発光部１３は、発振波長が６６０ｎｍのレーザ光を出射するように構成されている。すなわち、半導体レーザ素子１０は、２波長型のレーザチップである。
【００３３】
上記第１レーザ発光部１２は、Ｎ型のバッファ層４１、Ｎ型のクラッド層４２、ノンドープの多重量子井戸活性層４３、Ｐ型の第１クラッド層４４、Ｐ型のエッチングストップ層４５、Ｐ型の第２クラッド層４６、Ｐ型の中間層４７およびＰ型のコンタクト層４８を有している。これらの層は、半導体基板１１側から、半導体基板１１側とは反対側に向かって、上記記載の順番で積層されている。また、第２クラッド層４６、中間層４７およびコンタクト層４８が、導波路となるリッジ部４９を構成する。また、リッジ部４９の幅方向Ｘ１の一方の側方には、誘電体膜５０が積層されている。また、リッジ部４９の幅方向Ｘ１の他方の側方には、誘電体膜５１が積層されている。この誘電体膜５０，５１は、バッファ層４１、クラッド層４２、・・・、Ｐ型の中間層４７およびコンタクト層４８からなる積層体において外部に露出する表面のうち、コンタクト層４８の厚み方向Ｚ１の一方の表面と、上記積層体の出射方向Ｙ１に垂直な表面とを除く残余の表面を覆う。これにより、多重量子井戸活性層４３内の光を横方向に閉じ込めるための屈折率が得られる。なお、上記積層体の出射方向Ｙ１に垂直な表面は２つある。この２つの表面のうちの一方が、レーザ光を出射させるべき光出射端面となる。
【００３４】
上記多重量子井戸活性層４３は、一対のガイド層と、この一対のガイド層の間に交互に形成された複数のウェル層および複数のバリア層とから成る。この一対のガイド層の一方は、クラッド層４２に接すると共に、半導体基板１１側のウェル層に接する。また、上記一対のガイド層の他方は、クラッド層４４に接すると共に、半導体基板１１側とは反対側のウェル層に接する。
【００３５】
上記バッファ層４１は、Ｎ型のＧａＡｓによって形成される。Ｎ型のクラッド層４２は、Ｎ型のＡｌＧａＩｎＰによって形成される。また、多重量子井戸活性層４３において、上記ガイド層はノンドープのＡｌＧａＩｎＰによって形成され、上記ウェル層はノンドープのＧａＩｎＰによって形成され、上記バリア層はノンドープのＡｌＧａＩｎＰによって形成されている。また、第１，第２クラッド層４４，４６は、それぞれ、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰによって形成される。また、エッチングストップ層４５および中間層４７は、それぞれ、Ｐ型のＧａＩｎＰによって形成される。また、コンタクト層４８は、Ｐ型のＧａＡｓによって形成される。また、リッジ部４９は、その幅方向Ｘ１の寸法が、例えば２μｍとなるように形成される。
【００３６】
上記第２レーザ発光部１３は、Ｎ型のバッファ層６１、Ｎ型のクラッド層６２、ノンドープの多重量子井戸活性層６３、Ｐ型の第１クラッド層６４、Ｐ型のエッチングストップ層６５、Ｐ型の第２クラッド層６６、Ｐ型の中間層６７およびＰ型のコンタクト層６８を備えている。これらの層は、半導体基板１１側から、半導体基板１１側とは反対側に向かって、上記記載の順番で積層されている。また、第２クラッド層６６、中間層６７およびコンタクト層６８は、導波路となるリッジ部６９を構成する。また、リッジ部６９の幅方向Ｘ１の一方の側方には、誘電体膜５１が積層されている。また、リッジ部６９の幅方向Ｘ１の他方の側方には、誘電体膜５２が積層されている。この誘電体膜５１，５２は、バッファ層６１、クラッド層６２、・・・、中間層６７およびコンタクト層６８からなる積層体において外部に露出する表面のうち、コンタクト層６８の厚み方向Ｚ１の一方の表面と、上記積層体の出射方向Ｙ１に垂直な表面とを除く残余の表面を覆う。これにより、多重量子井戸活性層６３内の光を横方向に閉じ込めるための屈折率が得られる。なお、上記積層体の出射方向Ｙ１に垂直な表面は２つある。この２つの表面のうちの一方が、レーザ光を出射させるべき光出射端面となる。
【００３７】
上記多重量子井戸活性層６３は、一対のガイド層と、この一対のガイド層の間に交互に形成された複数のウェル層および複数のバリア層とから成る。この一対のガイド層の一方は、クラッド層６２に接すると共に、半導体基板１１側のウェル層に接する。また、上記一対のガイド層の他方は、クラッド層６４に接すると共に、半導体基板１１側とは反対側のウェル層に接する。
【００３８】
上記バッファ層６１は、Ｎ型のＧａＡｓによって形成される。また、クラッド層６２は、Ｎ型のＡｌＧａＩｎＰによって形成される。また、多重量子井戸活性層６３において、ガイド層、ウェル層およびバリア層は、それぞれ、ノンドープのＡｌＧａＡｓによって形成される。また、第１，第２クラッド層６４，６６は、それぞれ、Ｐ型のＡｌＧａＩｎＰによって形成される。また、エッチングストップ層６５および中間層６７は、それぞれ、Ｐ型のＧａＩｎＰによって形成される。また、コンタクト層６８は、Ｐ型のＧａＡｓによって形成される。また、リッジ部６９は、その幅方向Ｘ１の寸法が、例えば２μｍとなるように形成される。
【００３９】
上記第１レーザ発光部１２の半導体基板１１側とは反対側の表面下には、Ｐ側電極５３およびめっき電極５４が形成されている。より詳しくは、コンタクト層４８の半導体基板１１側とは反対側の表面下、および、誘電体膜５０，５１の半導体基板１１側とは反対側の表面下には、第１レーザ発光部１２側から、第１レーザ発光部１２側とは反対側に向かって、Ｐ側電極５３およびめっき電極５４がこの順番で積層されている。このＰ側電極５３およびめっき電極５４は、出射方向Ｙ１に沿って延びるように形成され、第１個別電極１４を構成する。
【００４０】
上記第１レーザ発光部１２と同様に、上記第２レーザ発光部１３の半導体基板１１側とは反対側の表面下にも、Ｐ側電極７３およびめっき電極７４が形成されている。より詳しくは、コンタクト層６８の半導体基板１１側とは反対側の表面下、および、誘電体膜５１，５２の半導体基板１１側とは反対側の表面下には、第２レーザ発光部１３側から、第２レーザ発光部１３側とは反対側に向かって、Ｐ側電極７３およびめっき電極７４がこの順番で積層されている。このＰ側電極７３およびめっき電極７４は、出射方向Ｙ１に沿って延びるように形成され、第２個別電極１５を構成する。
【００４１】
上記第１，第２個別電極１４，１５は、第１，第２レーザ発光部１２，１３に形成されて互いに電気的に分離しており、その形状および大きさが互いに略等しくなるようにストライプ状に形成されている。Ｐ側電極５３，７３は、リッジ部４９，６９側から、リッジ部４９，６９側とは反対側に向かって、Ｔｉ(チタン)から成る層と、Ａｕ(金)から成る層とがこの順で積層されて成る。めっき電極５４，７４は、Ａｕから成る。
【００４２】
本実施形態では、第１個別電極１４の幅が７０μｍ、第２個別電極１５の幅８０μｍで形成されている。
【００４３】
上記半導体基板１１の各第１，第２レーザ発光部１２，１３が形成される表面とは反対側の表面上には、各第１，第２レーザ発光部１２，１３に共通の共通電極１６が形成される。
【００４４】
図２は、上記半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０の構成を示す概略斜視図である。
【００４５】
上記サブマウント２０は、直方体形状に形成される基体２１と、２つの第１，第２接続電極２２，２３と、２つのボンディングパッド２４，２５と、３つのろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８とを有している。このろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は、第１，第２接続電極２３の延在方向に沿って直線状に形成されている。なお、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は染み出し判定部の一例である。
【００４６】
ここで、上記基体２１の厚み方向Ｚ２の一方の矩形状の表面を規定する短辺と平行な方向を幅方向Ｘ２とし、その表面を規定する長辺と平行な方向を出射方向Ｙ２とする。この厚み方向Ｚ２、幅方向Ｘ２および長手方向Ｙ２は、互いに直交する方向である。
【００４７】
上記基体２１は、厚み方向Ｚ２の一方の表面であり、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有している。また、基体２１は、例えば、誘電体部材からなり、幅方向Ｘ２の寸法が７００μｍ、長手方向Ｙ２の寸法が１５００μｍ、厚み方向Ｚ２の寸法が３００μｍとなっている。より詳しくは、基体２１は、電気絶縁性を有し、かつ、熱伝導性が良い材料を用いて形成されている。この材料としては、例えばＡｌＮ(窒化アルミニウム)、ＳｉＮ(窒化シリコン)またはＳｉ(シリコン)がある。ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉは、熱伝導性(放熱性)に優れているので、半導体レーザ素子１０において発生する熱を効率良く放散させることができ、歩留まりおよび放熱特性を安定かつ向上させることができる。
【００４８】
本実施形態では、基体２１はＡｌＮで形成されている。
【００４９】
上記第１，第２接続電極２２，２３は、その形状および大きさが互いに異なるように、基体２１の実装面２１ａ上に形成されている。また、第１，第２接続電極２２，２３は、長手方向Ｙ２に沿って延びるように形成されている。すなわち、第１，第２接続電極２２，２３はストライプ状に形成されている。また、第１，第２接続電極２２，２３は、分離溝１７の溝幅に応じて、所定の間隔を空けて形成されている。この第１接続電極２２と第２接続電極２３の間隔Ｔ１は、８０μｍ以下となるように形成されるのが好ましい(図５Ａ，図５Ｂ参照)。
【００５０】
本実施形態では、第１接続電極２２の幅方向Ｘ２の寸法が６０μｍ、第２接続電極２３の幅方向Ｘ２の寸法が７０μｍ、第１，第２接続電極２２，２３の長手方向Ｙ２の寸法がいずれも１４８０μｍとなっている。また、第１接続電極２２と第２接続電極２３の間隔Ｔ１は、６０μｍとなっている。また、上記間隔Ｔ１は、基体２１の幅方向Ｘ２の中間部分に重なっている。このように、上記間隔Ｔ１を８０μｍ以下にすることによって、第１，第２レーザ発光部１２，１３で発生した熱を効率よくサブマウント２０へ逃がすことができる。
【００５１】
また、本実施形態では、第１，第２接続電極２２，２３は、導電性ろう材の一例であるＡｕＳｎはんだで形成されている。
【００５２】
上記基体２１の実装面２１ａのうち、半導体レーザ素子１０が実装される領域、すなわち第１，第２接続電極２２，２３が形成されている領域を実装領域といい、残余の領域を非実装領域という。この非実装領域には、導電性材料からなるボンディングパッド２４，２５が形成されている。ボンディングパッド２４，２５は、半導体レーザ素子１０と、図示しない外部回路とを、電気的に接続するためのボンディングワイヤ３１，３２(図３に示す)が固着される。
【００５３】
本実施形態では、第１接続電極２２とボンディングパッド２４は、長手方向Ｙ２の一端部から他端部に亘って互いに接触するように設けられている。これと同様に、第２接続電極２３とボンディングパッド２５は、長手方向Ｙ２の一端部から他端部に亘って互いに接触するように設けられている。
【００５４】
また、上記サブマウント２０の実装面２１ａ上には、第１，第２接続電極２２，２３に第１，第２個別電極１４，１５を導電性ろう材で接続する際に、第１，第２接続電極２２，２３から染み出した導電性ろう材の染み出し度合いを判定するためのろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８が形成されている。このろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は、半導体レーザ素子１０が実装面２１ａに実装されたとき、半導体レーザ素子１０によって覆われない領域に形成されている。幅方向Ｘ２において、ろう材染み出し判定用パターン２６，２８と第１接続電極２２の間には所定間隔が空いており、ろう材染み出し判定用パターン２７と第２接続電極２３の間にも所定間隔が空いている。
【００５５】
上記ろう材染み出し判定用パターン２６，２８と第１接続電極２２の間隔Ｔ２、および、ろう材染み出し判定用パターン２７と第２接続電極２３の間隔Ｔ３は、第１接続電極２２と第２接続電極２３の間隔Ｔ１以下であると、第１，第２接続電極２２，２３から染み出した導電性ろう材の染み出し度合いを確実に判定することができる点で好ましい(図５Ａ，図５Ｂ参照)。
【００５６】
本実施形態では、ろう材染み出し判定用パターン２６，２８と第１接続電極２２の間隔Ｔ２、および、ろう材染み出し判定用パターン２７と第２接続電極２３の間隔Ｔ３は、第１接続電極２２と第２接続電極２３の間隔Ｔ１に等しい２０μｍとなっている。
【００５７】
また、本実施形態では、発振波長が７８５ｎｍのレーザ光が出射される側近傍に、２つのろう材染み出し判定用パターン２６，２８が形成されている。また、発振波長が６６０ｎｍのレーザ光が出射される側近傍に、１つのろう材染み出し判定用パターン２７が形成されている。
【００５８】
また、本実施形態では、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は、上記非実装領域に形成されたボンディングパッド２４，２５の一部を、エッチング処理などによって除去し、実装面２１ａを露出させることによって形成されている。
【００５９】
図３は、上記半導体レーザ装置１の一部の構成を示す概略斜視図である。なお、図３では、半導体レーザ素子１０の一部を切り欠いている。
【００６０】
上記半導体レーザ装置１は、第１，第２レーザ発光部１２，１３がサブマウント２０に対向するような姿勢で、半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装することによって作製される。すなわち、半導体レーザ装置１では、ジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子１０がサブマウント２０に実装されている。これにより、第１，第２レーザ発光部１２，１３で発生する熱をサブマウント２０によって効率よく放散し、第１，第２レーザ発光部１２，１３の温度上昇を抑制することができる。このように構成された半導体レーザ装置１は、ＯＡ(Office Automation)機器(例えばレーザプリンタ)および光情報処理機器(例えば、光ファイバ通信システム、光計測システムおよび光ディスク装置）などの電子機器に組み込まれる。
【００６１】
また、上記第１接続電極２２の第１個別電極１４側の表面積は、第１個別電極１４の第１接続電極２２側の表面積よりも小さくなっている。
【００６２】
また、上記第２接続電極２３の第２個別電極１５側の表面積は、第２個別電極１５の第２接続電極２３側の表面積よりも小さくなっている。
【００６３】
図４は、半導体レーザ装置１の製造工程の手順を示すフローチャートである。
【００６４】
上記半導体レーザ装置１の製造工程が開始すると、まず、ステップＳ１で、実装面２１ａを上方に向けた状態でサブマウント２０の幅方向Ｘ２の両端部を一対のヒータブロック(図示せず)によって保持すると共に、半導体レーザ素子１０の共通電極１６を吸着移動装置(図示せず)の吸着ヘッドによって吸着保持する。この吸着移動装置は、例えば６軸ロボットによって実現され、３次元方向に吸着ヘッドを移動させることができる。吸着移動装置の吸着ヘッドには吸引力が与えられる。これにより、吸着ヘッドは真空吸着によって半導体レーザ素子１０を保持できる。
【００６５】
次に、ステップＳ２に移り、吸着移動装置によって半導体レーザ素子１０をサブマウント２０の上方近傍位置に移動させる。そして、半導体レーザ素子１０の第１，第２個別電極１４，１５が第１，第２接続電極２２，２３に対向するように、半導体レーザ素子１０を移動させて配置する。このとき、一対のヒータブロックによって保持されたサブマウント２０の上側、および、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１の一方側のそれぞれに、ＣＣＤ(Charge Coupled Device)カメラを設置しておき、第１，第２接続電極２２，２３および半導体レーザ素子１０の画像を取り込み、この画像を表示装置によって表示させる。ＣＣＤカメラおよび表示装置は観測装置を構成する。より詳しくは、作業者は、まず、サブマウント２０の上側のＣＣＤカメラによって取得した画像を見て、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１とサブマウント２０の長手方向Ｙ２とが平行になるように吸着移動装置を操作して、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０との相対位置を調整する。このとき、作業者は、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１がサブマウント２０の長手方向Ｙ２に平行となっているか否かは、半導体レーザ素子１０の共通電極１６の周縁辺のうち出射方向Ｙ１に平行な辺と、第１，第２接続電極２２，２３とが平行になっているかによって判断する。
【００６６】
次に、作業者は、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１の一方側に設置されたＣＣＤカメラによって取得した画像を見ながら、第１，第２接続電極２２，２３の位置と第１，第２個別電極１４，１５の位置とが、半導体レーザ装置１の幅方向において一致するように、吸着ヘッドを移動させる。
【００６７】
本実施形態では、半導体レーザ素子１０の第１，第２個別電極１４，１５と、サブマウント２０の第１，第２接続電極２２，２３との位置合わせを行う際に、非実装領域に形成されたろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８を利用することができる。上述したように、第１，第２接続電極２２，２３は、半導体レーザ素子１０が実装される実装領域に形成されているため、第１，第２接続電極２２，２３の上方へ半導体レーザ素子１０が移動されると、サブマウント２０の上方のＣＣＤカメラからは第１，第２接続電極２２，２３を撮像することができなくなってしまうが、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は、非実装領域に形成されているために、サブマウント２０の上側のＣＣＤカメラでも撮像することができる。このように、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８を利用することにより、半導体レーザ素子１０の第１，第２個別電極１４，１５と、サブマウント２０の第１，第２接続電極２２，２３との位置合わせを高精度に行うことができる。すなわち、半導体レーザ素子１０を高精度に位置調整してサブマウント２０に実装することができる。
【００６８】
次に、ステップＳ２で、半導体レーザ素子１０を移動させている間に、一対のヒータブロックを、導電性ろう材である第１，第２接続電極２２，２３を溶融するための予め定める温度に加熱しておく。予め定める温度とは、例えば３００℃である。第１，第２接続電極２２，２３を溶融したところで、ステップＳ３に移る。
【００６９】
次に、ステップＳ３で、吸着ヘッドを移動させることによって半導体レーザ素子１０を垂直に降下させて、溶融した第１，第２接続電極２２，２３に第１，第２個別電極１４，１５を押し付け、第１，第２接続電極２２，２３と第１，第２個別電極１４，１５におけるめっき電極５４とを合金化させて、急冷固着させる。急冷に際しては、一対のヒータブロックの加熱を停止すると共に、エアー噴出装置によってめっき電極５４，７４と第１，第２接続電極２２，２３との接合部分に、局所的にエアーを当てて空冷する。
【００７０】
次に、ステップＳ４で、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０を、サブマウント２０の上側のＣＣＤカメラによって撮像した画像に基づいて、第１レーザ発光部１２側の電極１４，２２と第２レーザ発光部１３側の電極１５４３とが、導電性ろう材の染み出しによって短絡、すなわち電気的に接続しているか否かを判定する。
【００７１】
図５Ａ，図５Ｂは、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０の長手方向Ｙ２の一端部近傍を拡大して示す概略平面図である。なお、図５Ａ，図５Ｂでは、ろう材染み出しの状態を判り易くするため、半導体レーザ素子１０の図示を省略している。
【００７２】
上記半導体レーザ素子１０の実装後、溶融した導電性ろう材は部分的に広がりを有する。そこで、第１接続電極２２から染み出した導電性ろう材Ｗが、図５Ａに示すように、ろう材染み出し判定用パターン２６に達していれば、導電性ろう材Ｗが第２接続電極２３にも達している可能性が高い。
【００７３】
したがって、上記第１接続電極２２から染み出した導電性ろう材Ｗが、ろう材染み出し判定用パターン２６に達していれば、作業者は、第１レーザ発光部１２側の第１個別電極１４および第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第２個別電極１５および第２接続電極２３とが短絡していると判定する。
【００７４】
また、上記第１接続電極２２から染み出した導電性ろう材Ｗが、図５Ｂに示すように、ろう材染み出し判定用パターン２６に達していなければ、導電性ろう材Ｗが第２接続電極２３に達している可能性が低い。
【００７５】
したがって、上記第１接続電極２２から染み出した導電性ろう材Ｗが、ろう材染み出し判定用パターン２６に達していなければ、作業者は、第１レーザ発光部１２側の第１個別電極１４および第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第２個別電極１５および第２接続電極２３とが短絡していないと判定する。
【００７６】
このような短絡の判定は図４のステップＳ４で行われるが、このステップＳ４において、第１レーザ発光部１２側の第１個別電極１４および第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第２個別電極１５および第２接続電極２３とが短絡していると判定された半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０は、不良品として回収される。
【００７７】
次に、ステップＳ５で、第１，第２接続電極２２，２３間が短絡していないと判定された半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０を一対のヒータブロックから取り出して、ロボットなどの搬送装置によって、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０を収容すべきパッケージに搬送し、このパッケージのマウント部上に銀ペーストを用いて固着する。このパッケージは、銅、鉄などの材料によって形成されるが、特に、熱伝導性(放熱性)に優れかつ絶縁性を有する材料である銅によって形成されるのがよい。
【００７８】
次に、ステップＳ６で、サブマウント２０上のボンディングパッド２４，２５と、パッケージに設けられる複数のパッケージ端子とを、例えば金線からなるボンディングワイヤ３１，３２によって個別にボンディングすると共に、半導体レーザ素子１０の共通電極１６と、ボンディングパッド２４，２５が接続されるパッケージ端子とは異なるパッケージ端子に、例えば金線からなるボンディングワイヤ(図示せず)によってボンディングする。
【００７９】
次に、ステップＳ７で、上記パッケージにキャップを接合して、実装工程を終了する。これによって、第１，第２レーザ発光部１２，１３のそれぞれが独立駆動させることができて発光点の間隔が９０μｍである２波長型の半導体レーザ素子１０を備える半導体レーザ装置１を製造することができる。
【００８０】
以上のように、本実施形態に係る半導体レーザ装置１は、サブマウント２０における実装面２１ａ上には、第１，第２接続電極２２，２３から導電性ろう材Ｗが染み出したときの染み出し度合いを判定するためのろう材染み出し判定用パターン２６が形成されているので、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０において、このろう材染み出し判定用パターン２６近傍を、観測装置などを用いて外部から観察することによって、第１レーザ発光部１２側の第１個別電極１４および第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第２個別電極１５および第２接続電極２３とが、導電性ろう材Ｗによって電気的に接続しているか否かを客観的に容易に判定することができる。
【００８１】
したがって、第１レーザ発光部１２側の第１個別電極１４および第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第２個別電極１５および第２接続電極２３とが導電性ろう材Ｗによって電気的に接続している可能性の高い半導体レーザ装置１と、第１レーザ発光部１２側の第１接続電極２２と、第２レーザ発光部１３側の第１接続電極２３とが導電性ろう材Ｗによって電気的に接続している可能性の低い半導体レーザ装置１とを判別し、上記接続している可能性の高い半導体レーザ装置１が誤って電子機器に搭載されてしまうことが防がれ、不良品として回収することができる。すなわち、導電性ろう材Ｗによる電気的な接続の無い、あるいは接続している可能性の低い正常な半導体レーザ装置１だけを電子機器に搭載可能な良品として提供することが可能となり、電子機器の機能の低下および誤作動の発生原因を排斥し、製造上の歩留りを向上することができる。
【００８２】
また、上記第１接続電極２２側には２個の染み出し判定部２６，２８が形成され、第２接続電極２３側には１個の染み出し判定部２７が形成されているので、第１接続電極２２と第２接続電極２３とのどちら側からの導電性ろう材Ｗが原因で電極同士の短絡が起きているのかを容易に判定することができる。
【００８３】
また、上記ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は第１，第２接続電極２２，２３近傍に形成されているので、半導体レーザ素子１０の実装位置の確認用としても使うことができる。
【００８４】
また、上記サブマウント２０の実装面に半導体レーザ素子１０を実装するとき、第１接続電極２２の第１個別電極１４側の表面積は、第１個別電極１４の第１接続電極２２側の表面積よりも小さいので、第１接続電極２２に第１個別電極１４を容易かつ確実に接触させることができる。
【００８５】
また、上記第２接続電極２３の第２個別電極１５側の表面積は、第２個別電極１５の第２接続電極２３側の表面積よりも小さいので、第２接続電極２３に第２個別電極１５も容易かつ確実に接触させることができる。
【００８６】
また、上記第１レーザ発光部１２の発振波長は７８５ｎｍであり、第２レーザ発光部１３の発振波長は６６０ｎｍであるので、ＣＤおよびＤＶＤに対応できる。
【００８７】
また、上記サブマウント２０の実装面に半導体レーザ素子１０を実装するとき、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８は、第１，第２接続電極２３の延在方向に沿って直線状に形成されているので、染み出し判定部に基づいて、サブマウント２０の実装面に半導体レーザ素子１０を高精度に実装できる。
【００８８】
上記実施形態では、上記非実装領域に形成されたボンディングパッド２４，２５の一部を、エッチング処理などによって除去し、実装面２１ａを露出させることによって、ろう材染み出し判定用パターン２６，２７，２８を形成していたが、上記非実装領域に形成されたボンディングパッド２４，２５の一部を、凹ましたり、着色したりすることによって、ろう材染み出し判定用パターンを形成してもよい。
【００８９】
上記実施形態では、第１，第２接続電極２２，２３を、導電性ろう材で形成していたが、導電性ろう材以外の材料で形成してもよい。この場合、導電性ろう材以外の材料で形成された第１，第２接続電極と、第１，第２個別電極１４，１５との間に、導電性ろう材を配置することにより、半導体レーザ素子１０の実装を行ってもよい。
【００９０】
上記実施形態では、半導体レーザ素子１０は、Ｎ型の半導体基板１１を有していたが、Ｐ型の半導体基板を有するようにしてもよい。すなわち、半導体レーザ素子１０において、全ての導電型が逆になるようにしてもよい。
【００９１】
上記実施形態では、ろう材染み出し判定用パターン２８は、第１接続電極２２側に形成されていたが、第２接続電極２３側に形成されるようにしてもよい。
【００９２】
上記実施形態において、クラッド層４２，６２、第１クラッド層４４，６４および第２クラッド層４６，６６との少なくとも１つが、複数層からなるように形成されるようにしてもよい。
【００９３】
上記実施形態において、リッジ構造の半導体基板１１側とは反対側に、絶縁膜または保護膜などが形成されるようにしてもよい。
【００９４】
また、上記半導体レーザ素子１０を構成する各層の厚さ、材料、発光点の間隔などは、上記実施形態の記載に限定されるものではなく、必要とする半導体レーザ装置の特性に応じて適宜設計変更してもよい。
【００９５】
上記実施形態では、作業者が、ステップＳ４の短絡の判定を行っていたが、例えば、ソフトウェアが、サブマウント２０の上側のＣＣＤカメラによって取得した画像に基づいて、ステップＳ４の短絡の判定を行ってもよい。
【００９６】
本発明の具体的な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々変更して実施することができる。例えば、上記実施形態と上述の変形例とを適宜組み合わせたものを本発明の一実施形態としてもよい。
【００９７】
すなわち、本発明および実施形態を纏めると、次のようになる。
【００９８】
本発明の半導体レーザ装置は、
半導体レーザ素子１０と、
上記半導体レーザ素子１０が実装される実装面２１ａを有するサブマウント２０と
を備え、
上記半導体レーザ素子１０は、
半導体基板１１と、
上記半導体基板１１の一方の表面上に形成された第１レーザ発光部１２と、
上記第１レーザ発光部１２上に形成された第１個別電極１４と、
上記半導体基板１１の一方の表面上に形成されると共に、上記第１レーザ発光部１２とは電気的に分離されて、発振波長が上記第１レーザ発光部１２の発振波長とは異なる第２レーザ発光部１３と、
上記第２レーザ発光部１３上に形成された第２個別電極１５と、
上記半導体基板１１の他方の表面下に形成された共通電極１６と
を有し、
上記サブマウント２０は、
上記実装面２１ａ上に形成されると共に、上記第１個別電極１４と導電性ろう材Ｗによって電気的に接続された第１接続電極２２と、
上記実装面２１ａ上に形成されると共に、上記第２個別電極１５と導電性ろう材Ｗによって電気的に接続された第２接続電極２３と、
上記第１，第２接続電極２２，２３近傍に形成され、上記第１，第２接続電極２２，２３側からの導電性ろう材Ｗの染み出し度合いを判定するための染み出し判定部２６，２７，２８と
を有し、
上記第１接続電極２２側に形成された上記染み出し判定部２６，２７，２８の個数は、上記第２接続電極２３側に形成された上記染み出し判定部２６，２７，２８の個数と異なることを特徴としている。
【００９９】
上記構成によれば、上記第１，第２接続電極２２，２３近傍には、第１，第２接続電極２２，２３側からの導電性ろう材Ｗの染み出し度合いを判定するための染み出し判定部２６，２７，２８が形成されているので、染み出し判定部２６，２７，２８近傍の導電性ろう材Ｗを観察すれば、第１，第２接続電極２２，２３側からの導電性ろう材Ｗの染み出し度合いを判定することができる。したがって、電極同士の電気的な接続状態を客観的に容易に判定することができる。
【０１００】
また、上記第２接続電極２３側に形成された染み出し判定部２６，２７，２８の個数は、第２接続電極２３側に形成された染み出し判定部２６，２７，２８の個数と異なるので、第２接続電極２３と第２接続電極２３とのどちら側からの導電性ろう材Ｗが原因で電極同士の短絡が起きているのかを容易に判定することができる。
【０１０１】
また、上記染み出し判定部２６，２７，２８は第１，第２接続電極２２，２３近傍に形成されているので、半導体レーザ素子１０の実装位置の確認用としても使うことができる。
【０１０２】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第２接続電極２３の上記第１個別電極１４側の表面積は、上記第１個別電極１４の上記第２接続電極２３側の表面積よりも小さく、
上記第２接続電極２３の上記第２個別電極１５側の表面積は、上記第２個別電極１５の上記第２接続電極２３側の表面積よりも小さい。
【０１０３】
上記実施形態によれば、上記サブマウント２０の実装面２１ａに半導体レーザ素子１０を実装するとき、第２接続電極２３の第１個別電極１４側の表面積は、第１個別電極１４の第２接続電極２３側の表面積よりも小さいので、第２接続電極２３に第１個別電極１４を容易かつ確実に接触させることができる。
【０１０４】
また、上記第２接続電極２３の第２個別電極１５側の表面積は、第２個別電極１５の第２接続電極２３側の表面積よりも小さいので、第２接続電極２３に第２個別電極１５も容易かつ確実に接触させることができる。
【０１０５】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記第１レーザ発光部１２の発振波長は７８０ｎｍ帯であり、
上記第２レーザ発光部１３の発振波長は６６０ｎｍ帯である。
【０１０６】
上記実施形態によれば、上記第１レーザ発光部１２の発振波長は７８０ｎｍ帯であり、２レーザ発光部の発振波長は６６０ｎｍ帯であるので、ＣＤおよびＤＶＤに対応できる。
【０１０７】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記染み出し判定部２６，２７，２８は、上記第１，第２接続電極２２，２３の延在方向に沿って直線状に形成されている。
【０１０８】
上記実施形態によれば、上記サブマウント２０の実装面２１ａに半導体レーザ素子１０を実装するとき、染み出し判定部２６，２７，２８は、第１，第２接続電極２２，２３の延在方向に沿って直線状に形成されているので、染み出し判定部２６，２７，２８に基づいて、サブマウント２０の実装面２１ａに半導体レーザ素子１０を高精度に実装できる。
【０１０９】
一実施形態の半導体レーザ装置では、
上記サブマウント２０は、ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉのうちのいずれか１つによって形成されている。
【０１１０】
上記実施形態によれば、上記サブマウント２０は、ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉのうちのいずれか１つによって形成されているので、半導体レーザ素子１０において発生する熱を効率良く放散させることができ、歩留まりおよび放熱特性を安定かつ向上させることができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１  半導体レーザ装置
１０  半導体レーザ素子
１１  半導体基板
１２  第１レーザ発光部
１３  第２レーザ発光部
１４  第１個別電極
１５  第２個別電極
１６  共通電極
１７  分離溝
２０  サブマウント
２１  基体
２１ａ  実装面
２２  第１接続電極
２３  第２接続電極
２６，２７，２８  ろう材染み出し判定用パターン
Ｗ  導電性ろう材
【図１】
2014183220.tif 000003
【図２】
2014183220.tif 000004
【図３】
2014183220.tif 000005
【図４】
2014183220.tif 000006
【図５Ａ】
2014183220.tif 000007
【図５Ｂ】
2014183220.tif 000008
【図６】
2014183220.tif 000009