(57)【要約】【課題】本発明は、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる設計欠陥マスクの製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、ＮＩＬ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する工程とを有し、上記黒欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とする製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
2014110407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、
基本パターンを有する基本マスクを準備し、前記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、前記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、
前記黒欠陥部が前記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法。
【請求項２】
ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、
基本パターンを有する基本マスクを準備し、前記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、前記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、
前記白欠陥部が前記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる設計欠陥マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノインプリントリソグラフィは、表面に予め所望のパターンを有するナノインプリントテンプレートを、被転写体の硬化性樹脂と密着させ、熱や光等の外部刺激を与えることによって、被転写体の表面にパターンを転写する方法である。ナノインプリントリソグラフィは、単純な方法によってパターンを形成することができ、近年、数十ｎｍ〜数ｎｍの超微細なパターンを転写することが可能であることが示されている。そのため、ナノインプリントリソグラフィは、次世代リソグラフィ技術の候補として期待されている。
【０００３】
ナノインプリントリソグラフィの中でも、光ナノインプリントリソグラフィは、熱ナノインプリントリソグラフィに比べて、スループットが高い、温度による寸法変化が生じない、ナノインプリントテンプレートの位置合わせが容易である等の利点を有する。そのため、近年、光ナノインプリントリソグラフィ用のテンプレート（ナノインプリントリソグラフィ用マスク、以下、ＮＩＬ用マスクと称する場合がある。）の開発が進められている。
【０００４】
なお、特許文献１においては、ＮＩＬ用マスクではなく、フォトマスク（レチクル）に関するものであるが、基本パターン領域と欠陥パターン領域とを備える欠陥検出感度検査用マスクが開示されている。この技術は、欠陥パターンを意図的に作製し、そのマスクを検査し、どの程度まで検出したかを判定することで、検出感度を算出する方法である。また、特許文献２には、欠陥の被転写物への転写性を評価する評価パターンを有するレチクルが開示されている。
【０００５】
特許文献３には、白欠陥を含む第１のテンプレートを用いて、第２のテンプレートを作成する工程と、第２のテンプレートの黒欠陥を修正する工程とを有するテンプレートの欠陥修正方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１２１７７８号公報
【特許文献２】特開２００５−１５６８６５号公報
【特許文献３】特開２０１２−２３１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＮＩＬ用マスクの外観検査装置の感度調整または感度検査には、ＮＩＬ用マスクの製造時に実際に発生する欠陥（以下、リアル欠陥部と称する場合がある。）と同様の欠陥を有する設計欠陥マスクを用いる必要がある。しかしながら、ＮＩＬ用マスクのパターンが高度に微細化すると、リアル欠陥部を意図的に模した欠陥（以下、設計欠陥部と称する場合がある）の作製自体が困難になる。その原因は、設計欠陥部の作製時に使用するレジストの解像力限界、および、パターンを描画する描画機のビームの広がりにある。そのため、設計欠陥部の設計データが、上記原因によって忠実に再現されず、意図しない設計欠陥部が形成される場合がある。
【０００８】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる設計欠陥マスクの製造方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明においては、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記黒欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法を提供する。
【００１０】
本発明によれば、修正装置によるエッチングにより、白欠陥部を有する第一マスクを形成し、その第一マスクを用いて第二マスクを形成することにより、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。
【００１１】
また、本発明においては、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記白欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とする設計欠陥マスクの製造方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、修正装置による堆積膜の形成により、黒欠陥部を有する第一マスクを形成し、その第一マスクを用いて第二マスクを形成することにより、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の設計欠陥マスクの製造方法においては、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明における基本マスクの形成方法の一例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の設計欠陥マスクの一例を示す概略平面図である。
【図４】本発明におけるパターンを説明する概略平面図である。
【図５】本発明における設計欠陥部を説明する概略平面図である。
【図６】本発明における設計欠陥部を説明する概略平面図である。
【図７】本発明における設計欠陥パターン領域を説明する説明図である。
【図８】第二実施態様の設計欠陥マスクの製造方法の一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の設計欠陥マスクの製造方法について詳細に説明する。
【００１６】
本発明の設計欠陥マスクの製造方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明の設計欠陥マスクの製造方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。
【００１７】
１．第一実施態様
第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記黒欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とするものである。
【００１８】
図１は、第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法の一例を示す概略平面図であり、図２は、基本マスクの形成方法の一例を示す概略断面図である。まず、図１（ａ）に示すように、ライン部Ｌおよびスペース部Ｓから構成される基本パターン１１を有する基本マスク１００を準備する。具体的には、図２（ａ）に示すように、石英基板等の透明基板２１上にＣｒ膜等のハードマスク２２が形成されたブランクを準備する。次に、図２（ｂ）に示すように、ハードマスク２２上に電子線レジスト膜２３ａを形成して、電子線描画および現像を行う。これにより、図２（ｃ）に示すようにレジストパターン２３ｂを形成する。次に、図２（ｄ）に示すように、レジストパターン２３ｂから露出するハードマスク２２をドライエッチングする。次に、図２（ｅ）に示すように、レジストパターン２３ｂを剥離し、ハードマスク２２から露出する透明基板２１をドライエッチングする。これにより、図２（ｆ）に示すように、凸部および凹部から構成される基本パターンを有する基本マスク１００が得られる。
【００１９】
次に、図１（ｂ）に示すように、基本パターン１１の凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部ＸＷを有する第一マスク１０１を形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、第一マスク１０１を用いたインプリントにより、白欠陥部ＸＷが転写された黒欠陥部ＸＢを有する第二マスク１０２を形成する。これにより、黒欠陥部ＸＢを設計欠陥部として有する設計欠陥マスク１０が得られる。なお、必要であれば、図１（ｄ）に示すように、第二マスク１０２を用いたインプリントにより、白欠陥部ＸＷを設計欠陥部として有する第三マスク１０３を形成し、設計欠陥マスク１０としても良い。
【００２０】
第一実施態様によれば、修正装置によるエッチングにより、白欠陥部を有する第一マスクを形成し、その第一マスクを用いて第二マスクを形成することにより、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。修正装置によるエッチングでは、ＮＩＬ用マスクの黒欠陥部を修正するという従来の用途から明らかなように、高い精度で局所的かつ微細なエッチングが可能である。そのため、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。さらに、修正装置によるエッチングでは、非常に高い精度で微細なエッチングが可能であるため、ショート欠陥部に限らず、エッジ欠陥部等の種々の白欠陥部を容易に作製できるという利点がある。このように、第一実施態様においては、修正装置によるエッチングを設計欠陥部の作製に応用することで、高度に微細化されたパターンに対して、忠実かつ安定的に設計欠陥部を得ることができる。
【００２１】
また、ＮＩＬ用マスクの外観検査には、光に比べて格段に高感度である電子ビーム（ＥＢ）を利用した検査機を用いることができる。しかしながら、電子ビーム検査機を用いた場合であっても、ＮＩＬ用マスクのパターンが高度に微細化すると、より微小サイズの欠陥も問題となるため、欠陥検出には高い検出感度が必要となり、欠陥検査の感度調節も高精度に行う必要が生じる。そのため欠陥検査の感度調節には設計欠陥マスクが必要となる。第一実施態様によれば、修正装置によるエッチングと、インプリントとを組み合わせることで、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。
【００２２】
また、ナノインプリントリソグラフィでは、ＮＩＬ用マスクのパターンを被転写体に押し付けて転写するため、ＮＩＬ用マスクが欠陥部を有すると、その欠陥部がそのまま転写される。フォトマスクやＥＵＶマスクでは、例えばパターンを１／４倍で縮小露光するため、欠陥部の影響が軽減されるのに対し、ＮＩＬ用マスクでは、原理上、パターンを原寸で転写するため、欠陥部の影響が直接的に現れるという特有の課題がある。そのため、欠陥部の検査が特に重要になるが、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクは、外観検査装置の感度調整または感度検査に特に有用である。
【００２３】
また、上述した特許文献１のように、通常のフォトマスクでは、透過部および遮光部のコントラストが大きいことから、感度調整が容易であるのに対し、ＮＩＬ用マスクでは、透過部の凹凸でパターンが表現されていることから、感度調整が特に困難であるという特有の課題がある。これに対して、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクは、設計欠陥部を有することから、感度調整を正確に行うことができる。
以下、第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法について、工程ごとに説明する。
【００２４】
（１）第一マスク形成工程
第一実施態様における第一マスク形成工程は、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凸部を、修正装置を用いてエッチングすることで、白欠陥部を有する第一マスクを形成する工程である。
【００２５】
まず、第一実施態様における基本マスクは、基本パターンを有する。基本マスクは、通常、透明基板から構成されるものである。透明基板としては、例えば合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等が挙げられる。また、基本マスクの厚さは、目的とする基本マスクの材料や用途に応じて異なるものであるが、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内である。
【００２６】
基本パターンの形状は、特に限定されるものではないが、例えばライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）、ドット、ホール、アイソレート−スペース、アイソレート−ライン、ピラー、レンズ、段差等を挙げることができる。中でも、Ｌ＆Ｓが好ましい。有用性の高いパターンだからである。
【００２７】
基本パターンの凸部をエッチングする方法としては、例えば、アシストガスを供給しながら荷電ビームを照射する方法を挙げることができる。
【００２８】
荷電ビームとしては、基本パターンの凸部を局所的にエッチングできるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、電子ビームおよびイオンビームが挙げられる。中でも、電子ビームが好ましい。電子ビームは、ビームを数ｎｍに細く絞ることができ修正精度が高く、また、イオンビームよりも荷電粒子の質量が小さいため基本マスクへのダメージが少ないからである。
【００２９】
アシストガスとしては、基本パターンの凸部をエッチングできるガスであれば特に限定されるものではない。例えば、電子ビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、アシストガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ２）、ヨウ素（Ｉ２）等が挙げられる。また、アシストガスの供給方法としては、例えば、白欠陥部を作製する位置にアシストガスを局所的に吹き付ける方法、マスクをアシストガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
【００３０】
（２）第二マスク形成工程
第一実施態様における第二マスク形成工程は、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記白欠陥部が転写された黒欠陥部を有する第二マスクを形成する工程である。
【００３１】
第二マスクの形成方法は、特に限定されるものではなく、一般的なナノインプリントと同様の方法を用いることができる。第二マスクの形成方法としては、基板と、上記基板上に形成された硬化性樹脂とを有する被転写体を準備し、上記被転写体の硬化性樹脂と、上記第一マスクのパターンとを密着させる密着工程と、上記硬化性樹脂を硬化させ、上記第一マスクのパターンを上記被転写体に転写する転写工程と、を有するインプリントによる転写方法を挙げることができる。
【００３２】
被転写体は、例えば、基板および硬化性樹脂を有する。基板の材料としては、例えば合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等の透明基板が挙げられる。基板の厚さは、例えば０．５ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内である。
【００３３】
上記硬化性樹脂としては、後述する転写工程において硬化できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、光硬化性樹脂等を挙げることができる。光硬化性樹脂としては、具体的には、ＰＡＫ−０１（東亞合成製）、ＮＩＰ−Ｋ（Zen Photonics製）、およびＴＳＲ−８２０（帝人製機製）等を挙げることができる。基板上に層状の硬化性樹脂（硬化性樹脂層）を形成する場合、硬化性樹脂層の厚みは、例えば０．０１μｍ〜１００μｍの範囲内である。また、基板に硬化性樹脂を塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、滴下法、スピンコート法等を挙げることができる。
【００３４】
また、上記転写工程において、通常は、光を照射することにより硬化性樹脂を硬化させる。上記光の種類としては、例えば紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線等を挙げることができる。一般に使用される紫外線の波長帯としては、例えば３００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。また、光の照射量としては、光硬化性樹脂が十分に硬化する量であれば特に限定されるものではない。なお、上記転写工程後、通常は、第一マスクを剥離する剥離工程を行う。
【００３５】
（３）その他の工程
第一実施態様においては、第二マスク形成工程の後に、上記第二マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第三マスクを形成する第三マスク形成工程を有していても良い。第三マスクの形成方法については、上述した第二マスクの形成方法と同様であるので、ここでの記載は省略する。さらに、第一実施態様においては、同様の形成方法により、インプリントを繰り返しても良い。
【００３６】
（４）設計欠陥マスク
次に、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクについて説明する。図３は、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクの一例を示す概略平面図である。図３に示す設計欠陥マスク１０は、設計欠陥パターン領域２Ａ〜２Ｄを有する。なお、設計欠陥マスクは、通常、ＮＩＬ用マスクが有するメインパターン（転写の目的となる主たるパターン）を有しない。
【００３７】
図４は、第一実施態様における設計欠陥部を説明する概略平面図である。図４に示すように、ライン部Ｌおよびスペース部Ｓを有するパターンが形成されており、ショート欠陥部である設計欠陥部Ｘが形成されている。ここで、図４に示すように、隣り合うライン部ＬのハーフピッチをＷ１とし、ライン部Ｌの幅をＷ２とし、スペース部Ｓの幅をＷ３とする。なお、Ｗ１〜Ｗ３は、通常、ベースパターン寸法と定義される。Ｗ１の値は、例えば５０ｎｍ以下であることが好ましい。上記の値以下になると、電子ビーム検査機を用いた場合であっても、鮮明な欠陥画像を得ることが困難になるからである。特にショート欠陥部を発見することが困難になる。なお、この点は、Ｌ＆Ｓにおける欠陥部に限らず、他のパターンにおける欠陥部についても同様である。中でも、Ｗ１の値は、３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。一方、Ｗ２およびＷ３の値は、互いに同じであっても良く、異なっていても良いが、それぞれ、例えば３０ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましい。微細なパターンを得ることができるからである。
【００３８】
また、図４に示すように、ライン部Ｌの長手方向における設計欠陥部Ｘ（ショート欠陥部）の長さをＹとする。なお、Ｙは、通常、欠陥サイズと規定される。Ｙの値は特に限定されるものではないが、例えば図４のように、設計欠陥部Ｘがショート欠陥部である場合には、Ｙの値が、ライン部Ｌの幅Ｗ２の値と同一か、それよりも小さいことが好ましい。Ｙの値は、例えば３０ｎｍ以下であることが好ましく、１５ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００３９】
また、第一実施態様により得られる設計欠陥マスクに形成される設計欠陥部は、一つであっても良く、複数（好ましくは３以上）であっても良い。さらに、複数の設計欠陥部は規則的に形成されていることが好ましい。このような設計欠陥部としては、例えば図５（ａ）に示すように、隣り合うライン部Ｌの間に形成された複数の設計欠陥部Ｘを挙げることができる。また、図５（ｂ）に示すように、複数の設計欠陥部Ｘは、ライン部Ｌの長手方向における長さＹが互いに異なっていても良い（Ｙ１＞Ｙ２＞Ｙ３）。特に、長さＹが連続的に変化するように、複数の設計欠陥部Ｘが設けられていることが好ましい。なお、図５では、隣り合うライン部の間に形成された複数の設計欠陥部を例示したが、隣り合うライン部の間に形成された少なくとも一つの設計欠陥部が、規則的に複数形成されていても良い。
【００４０】
また、第一実施態様における設計欠陥部の他の例を、図６を用いて説明する。図６（ａ）〜図６（ｃ）は、いずれもショート欠陥部である。図６（ａ）における設計欠陥部Ｘは、ライン部Ｌの長手方向に対して直交する方向に形成されたショート欠陥部であり、図６（ｂ）における設計欠陥部Ｘは、ライン部Ｌの長手方向に対して所定の角度で傾斜する方向に形成されたショート欠陥部である。また、図６（ｃ）に示すように、設計欠陥部Ｘは、隣り合うライン部Ｌの中央部において長さＹが小さくなるようなショート欠陥部であっても良い。一方、図６（ｄ）〜図６（ｆ）は、いずれもエッジ欠陥部である。なお、エッジ欠陥部の場合、ライン部Ｌの短手方向における設計欠陥部Ｘの長さをＹ（欠陥サイズ）とする。エッジ欠陥部におけるＹの値は特に限定されるものではないが、Ｙの値は、例えば２０ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以下であることがより好ましい。エッジ欠陥部は、通常、ライン部Ｌから突起した形状を有し、例えば、半円状（図６（ｄ））、三角形状（図６（ｅ））、矩形状（図６（ｆ））等を挙げることができる。
【００４１】
また、上述した図３に示した設計欠陥パターン領域２Ａ〜２Ｄは、それぞれ基本ブロックに該当する。基本ブロック（設計欠陥パターン領域）は、通常、複数の設計欠陥部を有する。設計欠陥部の組み合わせは、特に限定されるものではないが、例えば、ベースパターン寸法が同一である組み合わせが好ましい。比較が容易になるからである。さらに、基本ブロックは、欠陥タイプが異なる複数の設計欠陥部を有することが好ましく、同様に、欠陥サイズが異なる複数の設計欠陥部を有することが好ましい。図７においては、ベースパターン寸法が同一（１０ｎｍ）であり、欠陥タイプが９種類、欠陥サイズが５種類存在する。設計欠陥マスクは、設計欠陥パターン領域として、このような基本ブロックを有することが好ましい。
【００４２】
このような基本ブロックの組み合わせは、特に限定されるものではなく、ベースパターン寸法が異なる組み合わせであっても良く、黒欠陥部および白欠陥部の組み合わせであっても良い。例えば、上述した図３において、設計欠陥パターン領域２Ａが、ベースパターン寸法が１０ｎｍであり、設計欠陥部として黒欠陥部を有する基本ブロックであり、設計欠陥パターン領域２Ｂが、ベースパターン寸法が２０ｎｍであり、設計欠陥部として黒欠陥部を有する基本ブロックであり、設計欠陥パターン領域２Ｃが、ベースパターン寸法が１０ｎｍであり、設計欠陥部として白欠陥部を有する基本ブロックであり、設計欠陥パターン領域２Ｄが、ベースパターン寸法が２０ｎｍであり、設計欠陥部として白欠陥部を有する基本ブロックである組み合わせ等を挙げることができる。なお、各基本ブロックの構成は、例えば、図７と同様にすることができる。また、上記組み合わせにおいて、設計欠陥パターン領域２Ａおよび２Ｂに含まれる黒欠陥部は、第一マスク形成工程の際に白欠陥部を形成し、第二マスク形成工程の際に白欠陥部を転写することにより、形成することができる。一方、設計欠陥パターン領域２Ｃおよび２Ｄに含まれる白欠陥部は、第二マスク形成工程により得られたパターンの凸部をエッチングすることにより、形成することができる。
【００４３】
なお、上述したように、第一実施態様においては、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクを提供することもできる。
【００４４】
２．第二実施態様
第二実施態様の設計欠陥マスクの製造方法は、ナノインプリントリソグラフィ用マスクの外観検査装置に用いられ、意図的に形成された設計欠陥部を有する設計欠陥マスクの製造方法であって、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、上記第一マスクを用いたインプリントによる転写によって、上記黒欠陥部が転写された白欠陥部を有する第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、を有し、上記白欠陥部が上記設計欠陥部であることを特徴とするものである。
【００４５】
図８は、第二実施態様の設計欠陥マスクの製造方法の一例を示す概略平面図である。まず、図８（ａ）に示すように、ライン部Ｌおよびスペース部Ｓから構成される基本パターン１１を有する基本マスク１００を準備する。次に、図８（ｂ）に示すように、基本パターン１１の凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部ＸＢを有する第一マスク１０１を形成する。次に、図８（ｃ）に示すように、第一マスク１０１を用いたインプリントにより、黒欠陥部ＸＢが転写された白欠陥部ＸＷを有する第二マスク１０２を形成する。これにより、白欠陥部ＸＷを設計欠陥部として有する設計欠陥マスク１０が得られる。なお、必要であれば、図８（ｄ）に示すように、第二マスク１０２を用いたインプリントにより、黒欠陥部ＸＢを設計欠陥部として有する第三マスク１０３を形成し、設計欠陥マスク１０としても良い。
【００４６】
第二実施態様によれば、修正装置による堆積膜の形成により、黒欠陥部を有する第一マスクを形成し、その第一マスクを用いて第二マスクを形成することにより、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。修正装置による堆積膜の形成では、ＮＩＬ用マスクの白欠陥部を修正するという従来の用途から明らかなように、高い精度で局所的かつ微細な堆積膜の形成が可能である。そのため、忠実かつ安定的に微細な設計欠陥部を作製することができる。
以下、第一実施態様の設計欠陥マスクの製造方法について、工程ごとに説明する。
【００４７】
（１）第一マスク形成工程
第二実施態様における第一マスク形成工程は、基本パターンを有する基本マスクを準備し、上記基本パターンの凹部に、修正装置を用いて堆積膜を形成することで、黒欠陥部を有する第一マスクを形成する工程である。
【００４８】
基本パターンの凹部に堆積膜を形成する方法としては、例えば、デポジション用ガスを供給しながら荷電ビームを照射する方法を挙げることができる。なお、荷電ビームについては上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。
【００４９】
デポジション用ガスとしては、例えば電子ビームを用いたＣＶＤ法を適用する場合に一般的に用いられるガスを使用することができる。また、デポジション用ガスには、第一マスクを被転写体に押し付けても変形しない硬さを有する修正膜を堆積可能であること、被転写体と反応しないことも求められる。例えば、電子ビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）、フッ化タングステン（ＷＦ６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。一方、イオンビームを用いる場合、デポジション用ガスとしては、フェナントレン、タングステンカルボニル（Ｗ（ＣＯ）６）、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）等が挙げられる。また、デポジション用ガスの供給方法としては、例えば、黒欠陥部を作製する位置にデポジション用ガスを局所的に吹き付ける方法、マスクをデポジション用ガスの雰囲気中に配置する方法等が挙げられる。
【００５０】
（２）その他
第二実施態様における他の工程、および、第二実施態様により得られる設計欠陥マスクは、白欠陥部および黒欠陥部に関する事項が逆になること以外は、上述した第一実施態様に記載した内容と同様である。
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５２】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００５３】
［実施例１］
まず、図１（ａ）に示す基本マスクを作製した。具体的には、石英基板である透明基板２１上に、Ｃｒ酸化膜であるハードマスク２２が形成されたブランクを準備した（図２（ａ））。次に、ハードマスク２２上に電子線レジスト膜２３ａを形成して、電子線描画および現像を行った（図２（ｂ））。これにより、レジストパターン２３ｂを形成した（図２（ｃ））。次に、塩素と酸素の混合ガスでドライエッチングして透明基板２１を露出させ（図２（ｄ））、さらに、フッ素ガスでドライエッチングして透明基板２１をエッチングした（図２（ｅ））。その後、ウェットエッチングでハードマスク２２を除去することにより、基本マスク１００を得た（図２（ｆ））。得られた基本マスク１００の基本パターンはＬ＆Ｓであり、図４におけるＷ１〜Ｗ３は、それぞれ１０ｎｍであった。
【００５４】
次に、基本パターンの凸部（ライン部）を、ＸｅＦ２を供給しながら電子ビームを照射し、エッチングした。これにより、ショート欠陥部およびエッジ欠陥部を有する第一マスク１０１を得た（図１（ｂ））。得られた第一マスク１０１を用いて、白欠陥部ＸＷが転写された黒欠陥部ＸＢを有する第二マスクを形成した（図１（ｃ））。なお、黒欠陥部ＸＢの欠陥タイプおよび欠陥サイズは、図７に示した通りである。いずれの黒欠陥部（設計欠陥部）も、所望の形状を有することが確認された。
【符号の説明】
【００５５】
Ｘ…設計欠陥部、  ＸＷ…白欠陥部、  ＸＢ…黒欠陥部、Ｌ…ライン部、Ｓ…スペース部、１０…設計欠陥マスク、１１…基本パターン、２１…透明基板、２２…ハードマスク、２３ａ…電子線レジスト膜、２３ｂ…レジストパターン、１００…基本マスク、  １０１…第一マスク、  １０２…第二マスク、１０３…第三マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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