(57)【要約】【課題】全画素に共通の発光層を有する素子構造において電流リークを抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】表示装置は、基板側から順に、それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、開口の縁部に庇を有する絶縁層と、絶縁層の庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面にわたって形成された第２電極とを備える。【選択図】図３
2014232631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板側から順に、
それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、
全画素に共通の１または複数の発光層を含む有機層と、
前記有機層の全面に形成された第２電極と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第１電極側から順に積層された、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第２の無機絶縁層のうち、前記第１の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１および第２の無機絶縁層は、エッチング選択比が得られる互いに異なる材料から構成されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の無機絶縁層の厚みは、前記第１の無機絶縁層の厚みよりも大きい
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁層は、前記複数の第１電極間の領域を埋め込むと共に平坦化された第３の無機絶縁層を有する
請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３の無機絶縁層の厚みは、前記第１電極と略等しく、
前記絶縁層は、前記第３の無機絶縁層上に、前記第１電極側から順に積層された、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第２の無機絶縁層のうち、前記第１の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第３の無機絶縁層の厚みは、前記第１電極の厚みよりも大きく
前記絶縁層は、前記第３の無機絶縁層上に積層された第４の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第４の無機絶縁層のうち、前記第３の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の第１電極は、各表面側に、前記絶縁層の一部を構成する金属酸化物層を含み、
前記絶縁層は、前記第１電極上に第５の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第５の無機絶縁層のうち、前記金属酸化物層の内壁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数の第１電極は、各表面側に凹部を有し、
前記絶縁層は、前記第１電極上に第５の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第５の無機絶縁層のうち、前記凹部の内壁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記電荷注入・輸送層は正孔注入層を含む
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機層では、前記発光層が複数積層して形成され、各発光層から発せられた色光の混色により全体として白色光を発するようになっている
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
基板上に、それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極上に、各第１電極に対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層を形成する工程と、
前記電荷注入・輸送層上に、全画素に共通の発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の全面に第２電極を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層をこの順に成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第２の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、前記複数の第１電極間の領域を埋め込んで第３の無機絶縁層を形成し、
前記第３の無機絶縁層を平坦化する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第３の無機絶縁層を、前記第１電極の表面が露出するまで平坦化し、
前記第３の無機絶縁層を平坦化した後、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層をこの順に成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第２の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第３の無機絶縁層を、前記第１電極上に所定の厚みで残存するように平坦化し、
平坦化された第３の無機絶縁層上に第４の無機絶縁層を形成し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第４の無機絶縁層をエッチングした後、前記第３の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１電極を形成する工程において、各第１電極の表面を酸化することにより金属酸化物層を形成し、
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第５の無機絶縁層を成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第５の無機絶縁層をエッチングした後、前記金属酸化物層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第５の無機絶縁層を成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第５の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１電極に、等方性エッチングを行って凹部を形成することにより、前記庇を有する前記開口を形成する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記電荷注入・輸送層は正孔注入層を含む
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
基板側から順に、
それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、
全画素に共通の発光層を含む有機層と、
前記有機層の全面に形成された第２電極と
を備えた表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、素子分離膜としての絶縁膜を有する有機電界発光素子を備えた表示装置とその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機電界発光（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた有機ＥＬディスプレイが注目されている。有機ＥＬディスプレイは、バックライトが不要なため薄型化・軽量化が可能である。また、自発光型であるため視野角が広く、消費電力が低いという特性を有し、実用化に向けて開発が進められている。
【０００３】
このような有機ＥＬディスプレイでは、例えば画素毎にＲＧＢの各色の発光層が形成される（塗り分けられる）ことで、高コントラストかつ高い色再現性を実現することが可能である。一方、高解像度化のためには、画素ピッチの縮小が求められる。ところが、画素ピッチが微細化するにつれて、上記のような発光層の塗り分けが困難となる。そこで、全画素にわたって白色発光層を形成し、白色光をカラーフィルタを用いてＲＧＢの各色光に分離する手法が用いられている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２１６４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の表示装置では、画素毎に設けられた第１電極と第２電極との間に、全画素にわたって発光層を含む有機層が形成される。このような構成において駆動電流のリーク（画素間における電流リーク）を抑制することが望まれている。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、全画素に共通の発光層を有する素子構造において電流リークを抑制することが可能な表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術の表示装置は、基板側から順に、それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、開口の縁部に庇を有する絶縁層と、絶縁層の庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、全画素に共通の発光層を含む有機層と、有機層の全面にわたって形成された第２電極とを備えたものである。
【０００８】
本技術の電子機器は、上記本技術の表示装置を有するものである。
【０００９】
本技術の表示装置および電子機器では、画素毎に設けられた第１電極に対向して開口を有する絶縁層を備え、この絶縁層の開口の縁部に庇が設けられていることにより、電荷注入・輸送層が切断または高抵抗化されて形成される。これにより、発光層を含む有機層が全画素に共通して設けられた構造において、隣接する画素間で電荷注入・輸送層が電気的に遮断される。
【００１０】
本技術の表示装置の製造方法は、基板上に、それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極を形成する工程と、複数の第１電極上に、各第１電極に対向して開口を有すると共に、開口の縁部に庇を有する絶縁層を形成する工程と、絶縁層上に、絶縁層の庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層を形成する工程と、電荷注入・輸送層上に、全画素に共通の発光層を含む有機層を形成する工程と、有機層の全面にわたって第２電極を形成する工程とを含むものである。
【００１１】
本技術の表示装置の製造方法では、絶縁層が、画素毎に設けられた第１電極に対向して開口を有し、その開口の縁部に庇を有することにより、電荷注入・輸送層は、庇において切断または高抵抗化されて形成される。これにより、発光層を含む有機層が全画素に共通して設けられた構造において、隣接する画素間で電荷注入・輸送層が電気的に遮断される。
【発明の効果】
【００１２】
本技術の表示装置および電子機器では、画素毎に設けられた第１電極に対向して開口を有する絶縁層を備え、この絶縁層の開口の縁部に庇を有することにより、発光層を含む有機層が全画素に共通して設けられた構造において、各画素間で電荷注入・輸送層を電気的に遮断することができる。よって、全画素に共通の発光層を有する素子構造において電流リークを抑制することが可能となる。
【００１３】
本技術の表示装置の製造方法では、絶縁層が、画素毎に設けられた第１電極に対向して開口を有し、その開口の縁部に庇を有することにより、発光層を含む有機層が全画素に共通して設けられた構造において、各画素間で電荷注入・輸送層を電気的に遮断しつつ形成することができる。よって、全画素に共通の発光層を有する素子構造において電流リークを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示装置の構成を表す断面図である。
【図４Ａ】図３に示した絶縁膜の開口付近の拡大断面図である。
【図４Ｂ】図３に示した有機ＥＬ素子の積層構造を表す断面模式図である。
【図５】図３に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図６Ａ】図５に続く工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７】図６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図８】図７に続く工程を表す断面図である。
【図９】図８に続く工程を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程を表す断面図である。
【図１１】変形例１に係る素子構造の絶縁膜の開口付近の拡大断面図である。
【図１２Ａ】図１１に示した素子構造の形成工程を説明するための断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１３Ａ】図１２Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１３Ｂ】図１３Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１４】変形例２に係る素子構造の絶縁膜の開口付近の拡大断面図である。
【図１５Ａ】図１４に示した素子構造の形成工程を説明するための断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１５Ｃ】図１５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１６Ａ】凹部形成の加工時間と庇の高さｈとの関係を表す特性図である。
【図１６Ｂ】凹部形成の加工時間と庇の幅ｄとの関係を表す特性図である。
【図１７】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１８】図１７に示した絶縁膜の開口および画素間領域の拡大断面図である。
【図１９】図１７に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２０Ａ】図１９に続く工程を表す断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２０Ｃ】図２０Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図２０Ｄ】図２０Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図２０Ｅ】図２０Ｄに続く工程を表す断面図である。
【図２１】図２０Ｅに続く工程を表す断面図である。
【図２２】図２１に続く工程を表す断面図である。
【図２３】他の変形例に係る素子構造を有する表示装置の断面図である。
【図２４】図２３に示した素子構造の形成工程を説明するための断面図である。
【図２５】変形例３に係る素子構造を有する表示装置の断面図である。
【図２６】図２５に示した絶縁膜の開口および画素間領域の拡大断面図である。
【図２７Ａ】図２５に示した表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図２７Ｂ】図２７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２８Ａ】図２７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図２８Ｂ】図２８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２９】他の変形例に係る素子構造を有する表示装置の断面図である。
【図３０】実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図３１】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図３２Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図３２Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３４】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３５Ａ】適用例５の閉じた状態の正面図、左側面図、右側面図、上面図および下面図である。
【図３５Ｂ】適用例５の開いた状態の正面図および側面図である。
【図３６】他の変形例に係る素子構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（絶縁層を２層構造として庇を形成する例）
２．変形例１（第１電極表層に形成した酸化物層を利用して庇を形成する例）
３．変形例２（第１電極の表面を選択的に除去して庇を形成する例）
４．第２の実施の形態（第１電極間の絶縁層を平坦化しつつ、庇を形成する例）
５．変形例３（平坦化の他の例）
６．適用例
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
［構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の構成を表すものである。この表示装置１は、有機ＥＬ表示装置であり、基板１１の表示領域１１０には、画素として、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ赤色の光（波長６２０ｎｍ〜７５０ｎｍ），緑色の光（波長４９５ｎｍ〜５７０ｎｍ），青色の光（波長４５０ｎｍ〜４９５ｎｍ）を発生する。表示領域１１０の周辺には、映像表示用の信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１７】
表示領域１１０内には、アクティブ型の駆動回路（画素駆動回路１４０）が設けられている。画素駆動回路１４０は、図２に示したように駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を有し、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられている。第１の電源ライン（Ｖｃｃ）と第２の電源ライン（ＧＮＤ）との間において、有機ＥＬ素子１０Ｒ（または有機ＥＬ素子１０Ｇ，１０Ｂ）がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。信号線駆動回路１２０は、列方向に配置された複数の信号線１２０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。走査線駆動回路１３０は、行方向に配置された複数の走査線１３０Ａを通じてトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。
【００１８】
図３は図１に示した表示装置の断面構成を表すものである。尚、図３では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応する領域について示している。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇは、それぞれ、基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２、平坦化層１３、例えば陽極としての第１電極１４、絶縁層１５、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）１７、発光層を含む有機層１８、および例えば陰極としての第２電極１９がこの順に積層されたものである。これらの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護層２０により被覆されている。保護層２０上に接着層２１を間にして封止用基板２３が貼り合わされることにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１上に封止されている。封止用基板２３の基板１１側の面には、カラーフィルタ層２２が形成されている。尚、本実施の形態の正孔注入層１７が、本技術における「電荷注入・輸送層」の一具体例に相当する。
【００１９】
この表示装置１は、例えば有機層１８で発生した光が第２電極１９側から取り出される、いわゆるトップエミッション方式（上面発光方式）の有機ＥＬ表示装置である。また、表示装置１では、有機層１８が、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間（画素間）で、共通の発光層を含んでいる。また、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９は、画素毎にパターニングされることなく連続的にベタ成膜されたものである。有機層１８は、例えば白色光を発するように構成され、この白色光がカラーフィルタ層２２を透過することにより、例えばＲＧＢの各色光に分離されて出射するようになっている。以下、各部の構成について説明する。
【００２０】
基板１１は、例えばガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。導電性基板としては、例えば表面を酸化シリコン（ＳｉＯ2）や樹脂等により絶縁化したものが用いられる。
【００２１】
駆動回路層１２には、例えば上述の駆動トランジスタＴｒ１、書き込みトランジスタＴｒ２等の画素トランジスタおよびキャパシタＣｓ等が形成されるが、ここではそれらの図示を省略している。画素トランジスタは、例えばボトムゲート型あるいはトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）であり、例えばＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されていてもよい。
【００２２】
平坦化層１３は、駆動回路層１２が形成された基板１１の表面を平坦化するためのものである。この平坦化層１３は、微細な接続孔１３Ａが設けられることから、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。接続孔１３Ａには、導電性金属よりなるプラグ１３Ｂが埋め込まれている。駆動回路層１２の駆動トランジスタＴｒ１は、この接続孔１３Ａに設けられたプラグ１３Ｂを介して第１電極１４に電気的に接続されている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、アクリルやポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。
【００２３】
第１電極１４は、画素毎に電気的に分離して設けられると共に、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上では望ましい。しかし、第１電極１４を例えばアルミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金あるいは銀（Ａｇ）合金等の高反射率の金属材料により形成すると、正孔注入障壁の観点から、第１電極１４に接する層（例えば正孔注入層１７）に、抵抗値の高い材料を用いることが困難となる。即ち、隣接する画素間でリーク電流が発生し易くなる。詳細については後述するが、本実施の形態では、絶縁層１５の開口１５０に設けられた庇１６により、リーク電流の発生を抑えることができるため、第１電極１４に高反射率の材料を用いることができる。
【００２４】
また、第１電極１４は陽極として用いられることから、正孔注入性の高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４の積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）は、例えば３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。また、第１電極１４のピッチ（隣り合う第１電極１４同士の間の間隔）は、例えば２００ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。第１電極１４の構成材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。第１電極１４の表面には、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）などの透明導電膜が設けられていてもよい。第１電極の厚みは、配線抵抗と反射率（表面ラフネス）のバランスにより適宜設定される。尚、いわゆるボトムエミッション方式（下面発光方式）の場合には、第１電極１４は透明導電膜により構成される。
【００２５】
上記材料以外にも、アルミニウム（Ａｌ）の単体または合金が用いられてもよい。アルミニウムは、反射率は高いものの、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となるが、適切な正孔注入層１７を設けることによって第１電極１４として使用することができる。ここでは、第１電極１４は、例えばチタン，タングステン，銅，タンタルまたはモリブデン等よりなる金属層１４−１と、アルミニウムよりなる金属層１４−２とが積層されたものである。
【００２６】
絶縁層１５は、第１電極１４を画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１４と第２電極１９との間の絶縁性を確保するためのものである。絶縁層１５は、各第１電極１４に対向して開口１５０を有しており、第１電極１４の周縁を表面（第２電極１９との対向面）から側面（端面）にかけて覆うように設けられている。この絶縁層１５の開口１５０の縁部に、庇１６が形成されている。
【００２７】
図４Ａは、開口１５０付近の構成を拡大したものである。絶縁層１５は、例えば第１電極１４の側から順に、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂを積層したものである。第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂはそれぞれ、例えば酸化シリコン，窒化シリコン、酸窒化シリコンまたは酸化アルミニウム等の無機絶縁材料のうち、エッチング選択比を得ることが可能な、互いに異なる材料により構成されている。このような無機絶縁材料は、有機絶縁材料（例えば感光性樹脂等）に比べ、後述の製造プロセスにおいて庇１６を所望の形状により形成し易いため、望ましい。本実施の形態では、例えば、第１絶縁層１５Ａが、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンにより構成され、第２絶縁層１５Ｂが、酸化シリコンにより構成されている。また、第１絶縁層１５Ａの厚みは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍであり、第２絶縁層１５Ｂの厚みは、例えば４０ｎｍ〜９０ｎｍである。第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの厚みは、限定されるものではないが、第２絶縁層１５Ｂの厚みが第１絶縁層１５Ａの厚みよりも大きくなっていることが望ましい。ここで、庇１６の高さｈおよび幅ｄは、主に第１絶縁層１５Ａの厚みに応じて決定することから、正孔注入層１７を庇１６において切断し易くするためには、高さｈが大きい（即ち、第１絶縁層１５Ａの厚みが大きい）ことが望ましい。ところが、この第１絶縁層１５Ａの厚みが大きくなり過ぎると、その後の有機層１８の蒸着工程において、有機層１８に局所的に薄い部分が発生し易くなる。また、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの合計の厚みが大き過ぎると、有機層１８の蒸着工程において付き回りが悪くなることがある。このため、第１絶縁膜１５Ａおよび第２絶縁膜１５Ｂの各厚みが、上述した厚みの範囲内であることが望ましく、また、正孔注入層１７を切断可能な厚みを確保しつつも、有機層１８の蒸着には影響を与えないような値に設定されることが望ましい。
【００２８】
開口１５０は、各画素（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）の発光領域を区画するものである。この開口１５０の平面形状は、特に限定されないが、例えば矩形状、正方形状または円形状等である。正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通の層として形成されるが、これらの層は、絶縁層１５の開口１５０内だけでなく、開口１５０以外の領域（画素間の領域）にも形成されている。但し、発光が生じるのは絶縁層１５の開口１５０に対向する部分である。
【００２９】
本実施の形態では、この開口１５０の縁部において、第２絶縁層１５Ｂが、第１絶縁層１５Ａの端縁ｅ１よりも開口１５０の内側に向かって張り出し、この張り出した部分が庇１６となっている。換言すると、開口１５０の縁部において、第１絶縁層１５Ａの端縁ｅ１が、第２絶縁層１５Ｂの端縁ｅ２よりも後退して形成されている。この庇１６において、少なくとも正孔注入層１７が切断または高抵抗化されている（図４Ａ中に示した領域Ａ）。
【００３０】
庇１６の高さｈは、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍであることが望ましく、ここでは第１絶縁層１５Ａの厚みと同等となっている。この高さｈは、後述する平坦性の観点から、正孔注入層１７を切断し得る、可能な限り小さい値に設定されることが望ましい。庇１６の幅ｄは、例えば５ｎｍ〜５０ｎｍであることが望ましい。但し、庇の高さｈおよび幅ｄ（アスペクト比）は、上記値に限定されるものではなく、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの各層の厚み、材料およびエッチング条件、開口１５０の幅、正孔注入層１７の材料および厚み等に応じて、正孔注入層１７を切断可能な値に設定される。
【００３１】
尚、庇１６によって切断される層は、正孔注入層１７のみに限られず、有機層１８の一部または全部であってもよい。例えば、正孔注入層１７および正孔輸送層１８Ａの２層が切断され、他の有機層１８が繋がっていてもよい。また、例えば、いわゆるボトムエミッション方式の場合には、トップエミッション方式に比べ、第２電極の材料および厚みに制約が少ないので、切断される層の自由度が高く、例えば正孔注入層１７と有機層１８の全ての層とを切断することもできる。
【００３２】
また、正孔注入層１７自体が形成されない場合には、第１電極１４上の有機層１８のうち少なくとも正孔輸送層１８Ａが切断されていればよい。
【００３３】
更に、正孔注入層１７は、庇１６において、完全に切断された状態（非接続の状態）であることが望ましいが、これに限らず、十分に高抵抗な状態であれば、一部が繋がっていてもよいし、極薄い膜厚で繋がっていてもよい。
【００３４】
また、庇１６によって、第２絶縁層１５Ｂと第１電極１４との間には、空隙Ｓが形成されるが、この空隙Ｓには、正孔注入層１７および有機層１８の一部が形成されていてもよく、あるいは有機層１８が充填されていてもよい。
【００３５】
正孔注入層１７および有機層１８は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色にかかわらず同一の積層構造を有している。図４Ｂは、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの積層構造を表したものである。有機層１８は、正孔注入層１７の側から順に、例えば正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）１８Ａ、発光層１８Ｂ、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）１８Ｃおよび電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）１８Ｄを積層したものである。このように、画素毎に発光層を塗り分けて形成する（パターニング形成する）のではなく、全画素に共通の発光層をベタ成膜することで、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９を連続して一括成膜することができる。また、例えば画角が数インチ画素以下でピッチが数十マイクロメートル以下となるような、超小型かつ高解像度の表示装置にも対応可能となる。尚、ここでは、有機層１８の全ての層が、画素間において（庇１６によって）分断されることなく形成されている。但し、このような構成に限らず、有機層１８の一部または全部の層が、画素間において（庇１６によって）分断されていてもよい。
【００３６】
正孔注入層１７は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層であり、厚みは、例えば２ｎｍ〜１０ｎｍ程度である。この正孔注入層１７は、詳細は後述するが、製造プロセスにおいてはパターニングされることなく、所謂ベタ膜の状態で基板１１の全面に形成されるが、上述のように庇１６において切断または高抵抗化される。正孔注入層１７は、例えば化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００３７】
【化１】
2014232631.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００３８】
【化２】
2014232631.tif 000004
【００３９】
正孔輸送層１８Ａは、発光層１８Ｂへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１８Ｂでは、電界がかかると電子と正孔との再結合が起こり、光を発生する。電子輸送層１８Ｃは、発光層１８Ｂへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層１８Ｄは、発光層１８Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。
【００４０】
正孔輸送層１８Ａは、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。
【００４１】
発光層１８Ｂは、混色により白色光を生じる発光層であり、例えば、以下に説明するような赤色発光層，緑色発光層および青色発光層が積層されたものである。但し、発光層１８Ｂは、白色光を発生する構成となっていれば、このような積層構造に限定されず、例えば青色発光層と黄色発光層とが積層されたものであってもよいし、青色発光層と橙色発光層とが積層されたものであってもよい。
【００４２】
赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から注入された正孔の一部と、第２電極１９から注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。このような赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、赤色発光層１８ＢＲは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００４３】
緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から注入された正孔の一部と、第２電極１９から注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。このような緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、緑色発光層１８ＢＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４４】
青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１４から注入された正孔の一部と、第２電極１９から注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。このような青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。本実施の形態では、青色発光層１８ＢＢは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４５】
電子輸送層１８Ｃは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。
【００４６】
電子注入層１８Ｄは、例えば、厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４７】
後述するように、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは有機層１８を共振部とした共振構造を有するものである。発光点から反射面までの距離を適切に調整することが可能となるため、有機層１８の膜厚は、８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましく、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４８】
第２電極１９は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの全てを覆うように、有機層１８の全面にわたって形成されている。この第２電極１９は、例えば光透過性を有する導電膜、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ，ＩｎＳｎＺｎＯ，ＭｇＡｇ合金およびＡｇ等の単層膜あるいはこれらのうちの２種以上を含む積層膜により構成されている。尚、ボトムエミッション方式の場合には、上記第１電極１４において列挙した材料と同様のものを用いることができる。
【００４９】
保護層２０は、窒化シリコン、酸化シリコンまたは金属酸化物などにより構成されている。接着層２１は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００５０】
封止用基板２３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されており、その一方の面に、カラーフィルタ層２２が形成されているものである。
【００５１】
カラーフィルタ層２２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのそれぞれにおいて発生した白色光を、画素毎に、赤色光、緑色光あるいは青色光として取り出すものである。このカラーフィルタ層２２は、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒに対向して赤色フィルタ層２２Ｒを、有機ＥＬ素子１０Ｇに対向して緑色フィルタ層２２Ｇを、有機ＥＬ素子１０Ｂに対向して青色フィルタ層２２Ｂを、それぞれ有している。また、赤色フィルタ層２２Ｒ、緑色フィルタ層２２Ｇおよび青色フィルタ層２２Ｂの間、即ち画素間の領域には、遮光層ＢＭが形成されている。この遮光層ＢＭは必要に応じて形成されればよく、遮光層ＢＭは形成されていなくともよい。
【００５２】
このカラーフィルタ層２２は、封止用基板２１の光入射側（素子側）および光出射側のどちらの面に設けられてもよいが、光入射側に設けられることが好ましい。カラーフィルタ層２２が表面に露出せず、接着層２１により保護することができるからである。また、発光層１８Ｂとカラーフィルタ層２２との間の距離が狭くなることから、発光層１８Ｂから出射した光が隣接する他色のフィルタ層に入射して混色を生じることを抑制できるからである。
【００５３】
上記のような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる。図５〜図１０に、本実施の形態の表示装置１の製造工程の一例を示す。
【００５４】
［製造方法］
まず、図５に示したように、上述した材料よりなる基板１１上に画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２を、公知のＭＯＳプロセスにより形成した後、全面に、上述した平坦層１３の材料のうち有機材料として、例えば感光性樹脂を塗布する。この感光性樹脂に露光および現像を行い、所定の形状にパターニングして平坦化層１３を形成する。パターニングと同時に接続孔１３Ａを形成した後、接続孔１３Ａを導電材料により埋め込むことによりプラグ１３Ｂを形成する。
【００５５】
この後、例えば上述したような材料からなる金属層１４−１，１４−２を、この順に、例えばスパッタ法により成膜した後、例えばウェットエッチングを行って、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎（画素毎）に分離された第１電極１４を形成する。
【００５６】
続いて、上述したような開口１５０および庇１６を有する絶縁層１５を形成する。具体的には、まず、図６Ａに示したように、基板１１の全面にわたり、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂを、この順に積層する。この際、第１絶縁層１５Ａとして例えばＳｉＯＮまたはＳｉＮを、第１絶縁層１５Ａとして例えばＳｉＯ2を、それぞれ上述した厚みとなるように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により、成膜する。
【００５７】
次いで、図６Ｂに示したように、積層した第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂのうち、例えばフォトリドグラフィ法を用いたエッチングにより、第２絶縁層１５Ｂのみを選択的に除去し、第２絶縁層１５Ｂに開口１５０ａを形成する。具体的には、例えば第２絶縁層１５Ｂ上にフォトレジスト（図示せず）の成膜および露光（パターニング）を行う。この後、例えば異方性（または等方性）のドライエッチング（またはウェットエッチング）により、第１絶縁層１５Ａと第２絶縁層１５Ｂとの間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、第２絶縁層１５Ｂを第１絶縁層１５Ａの表面まで加工する。第２絶縁層１５Ｂの加工後、フォトレジストを剥離する。
【００５８】
続いて、図６Ｃに示したように、露出した第１絶縁層１５Ａを選択的に除去することにより、開口１５０を形成する。この際、例えば等方性のドライエッチングまたは等方性のウェットエッチングにより、第１絶縁層１５Ａと第２絶縁層１５Ｂとの間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、第１絶縁層１５Ａを第１電極１４の表面まで加工する。これにより、開口１５０を形成すると共に、その開口１５０の縁部において、第１絶縁層１５Ａの端縁ｅ１が第２絶縁層１５Ｂの端縁ｅ２よりも後退し、庇１６を形成することができる。
【００５９】
そののち、図７に示したように、例えば真空蒸着法，スパッタ法，またはスピンコート法やダイコート法等のコーティング法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層１７を、基板１１の全面に形成する。この際、正孔注入層１７は、絶縁層１５の開口１５０に形成された庇１６において、切断されるか、あるいは、一部においてまたは極薄い膜で繋がった状態で形成される。このように、本実施の形態では、庇１６によって、正孔注入層１７を、別途パターニングすることなく、第１電極１４毎（画素毎，有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ毎）に分離して形成することができる。
【００６０】
続いて、図８に示したように、有機層１８を、例えば真空蒸着法，スパッタ法，またはスピンコート法やダイコート法等のコーティング法により成膜する。具体的には、正孔注入層１７上に、例えば上述したような材料よりなる正孔輸送層１８Ａ，発光層１８Ｂ，電子輸送層１８Ｃおよび電子注入層１８Ｄを、この順に成膜する。このとき、有機層１８の一部（例えば上述の正孔輸送層１８Ａ）が、庇１６によって切断されてもよいが、ここでは、有機層１８全体が切断されずに繋がっている状態を図示している。
【００６１】
次いで、図９に示したように、例えば真空蒸着法またはスパッタ法等により、基板１１の全面に上述した材料よりなる第２電極１９を形成する。このように、第１電極１４上に、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９を、例えば真空雰囲気において連続して成膜することができる。また、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９が第１電極１４の直上の領域だけでなく、隣接する第１電極１４間（画素間）の領域にも形成された素子構造となる。このようにして、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００６２】
続いて、図１０に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護層２０を形成する。
【００６３】
最後に、保護層２０上に、接着層２１を介して封止用基板２１を貼り合わせる。この際、封止用基板２１にはカラーフィルタ層２２を形成しておき、このカラーフィルタ層２２が形成された面を、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして貼り合わせを行う。以上により、図１ないし図３に示した表示装置１が完成する。
【００６４】
［作用，効果］
本実施の形態の表示装置１では、画素毎に、走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは画像信号が、書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに供給される。この保持容量Ｃｓに供給されて保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これによって、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入される。この駆動電流Ｉｄが、第１電極１４および第２電極１９を通じて有機層１８の発光層１８Ｂに注入されることにより、正孔と電子とが再結合し、発光が起こる。
【００６５】
このようにして発光層１８Ｂから例えば白色光が発生すると、この白色光は、例えば第１電極１４および第２電極１９間において繰り返し反射された後、第２電極１９、カラーフィルタ２２および封止用基板２１を透過して取り出される。具体的には、有機層１８（発光層１８Ｂ）から発生し、第２電極１９を通過した白色光は、カラーフィルタ層２２において、例えばＲＧＢの各色光に色分離される。即ち、上記白色光のうち、有機ＥＬ素子１０Ｒでは赤色フィルタ層２２Ｒによって赤色光が、有機ＥＬ素子１０Ｇでは緑色フィルタ層２２Ｇによって緑色光が、有機ＥＬ素子１０Ｂでは青色フィルタ層２２Ｂによって青色光が、それぞれ選択的に透過する。このようにして、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色光を発する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組を１つのピクセルとした画像表示が行われる。
【００６６】
尚、上記のようなトップエミッション方式の表示装置１は駆動回路層１２に配置されたＴＦＴ等によって発光層１８Ｂからの出射光が遮蔽されることがなく、光の取り出し効率の点においてボトムエミッション方式に比べ優れている。
【００６７】
ここで、表示装置１では、上述したように、有機層１８が全画素に共通の発光層１８Ｂを含んでいる。また、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９は、画素毎にパターニングされることなく連続的にベタ成膜されるものである。
【００６８】
本実施の形態では、このような全画素に共通の発光層１８Ｂを有する素子構造において、絶縁層１５の開口１５０の縁部に庇１６が設けられ、この庇１６によって、正孔注入層１７が切断または高抵抗化されている。換言すると、絶縁層１５に庇１６を設けることで、第１電極１４上に、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９を連続的にベタ成膜しつつも、隣接画素間において、正孔注入層１７が電気的に遮断される。
【００６９】
以上のように本実施の形態の表示装置１では、画素毎に設けられた第１電極１４に対向して開口１５０を有する絶縁層１５を備え、その開口１５０の縁部に庇１６を設けることにより、各画素間で正孔注入層１７を電気的に遮断することができる。よって、全画素に共通の発光層を有する素子構造において、電流リークを抑制することが可能となる。
【００７０】
また、電流リークが抑制されることにより、電荷注入効率（ここでは正孔注入効率）が改善され、発光効率を向上させることができる。更に、隣接画素への電流リークが軽減されることから、混色の発生を抑制することもできる。加えて、絶縁層１５の開口１５０の縁部（画素端）付近に成膜された有機層１８からの発光（エッジ発光）の発生を抑制して、輝度劣化を抑制することが可能である。
【００７１】
更には、正孔注入層１７における電流リークを抑制できることから、正孔注入層１７の厚膜化が可能となるため、より一層の正孔注入効率ひいては発光効率の向上を実現できる。
【００７２】
また一方で、第２電極１９は、全画素を繋ぐ電極となることから、断線がなく、かつ低抵抗であることが理想的である。このためには、第２電極１９の形成面（即ち、有機層１８の表面）において、凹凸形状が少なく、平坦性が高いことが望まれる。凹凸形状における段差によって第２電極１９が断線したり、局所的に膜厚が薄くなり高抵抗化したりすることがあるためである。本実施の形態では、絶縁層１５を第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの積層膜として形成し、この積層膜に対し異方性エッチングおよび等方性エッチングの２段階のエッチングを施すことにより、開口１５０を形成しつつ庇１６を形成することができる。これにより、絶縁層１５表面に大きな段差を形成することなく、正孔注入層１７を切断することが可能となる。従って、上述したような庇１６を有する本実施の形態の素子構造は、正孔注入層１７のリーク電流を抑制しつつ、第２電極１９の断線の抑制および低抵抗化にも寄与するものである。
【００７３】
以下、上記第１の実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記第１の実施の形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００７４】
＜変形例１＞
図１１は、変形例１の素子構造の絶縁層の開口付近の構成を表したものである。上記第１の実施の形態では、絶縁層１５を第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの２層構造として庇１６を形成したが、本変形例では、絶縁層（絶縁層２４）が第１電極１４の表面に形成されたエッチング犠牲層（酸化物層１４ａ）を含む点において上記第１の実施の形態と異なっている。具体的には、本変形例の素子構造では、絶縁層２４が、第１電極１４の表面側の一部に形成された酸化物層１４ａと、第５絶縁層１５Ｅとを含み、これらの２段階エッチングにより庇１６が形成されている。
【００７５】
絶縁層２４は、上記第１の実施の形態の絶縁層１５と同様、第１電極１４を画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１４と第２電極１９との間の絶縁性を確保するためのものである。また、各第１電極１４に対向して開口１５０を有し、この開口１５０の縁部に庇１６が形成されている。
【００７６】
酸化物層１４ａは、第１電極１４の表面を構成する金属の酸化物により構成され、厚みは、上記第１の実施の形態の第１絶縁膜１５Ａと同程度である。例えば、第１電極１４における金属層１４−２がアルミニウムより構成されている場合には、酸化物層１４ａは、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）により構成される。但し、酸化物層１４ａは、この酸化アルミニウムに限らず、他の金属酸化物、例えば酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ2Ｏ）または酸化チタン（ＴｉＯ2）等であってもよい。本変形例では、この酸化物層１４ａの厚みに応じて、庇１６の高さが決定される。
【００７７】
第５絶縁層１５Ｅは、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコン等の無機絶縁膜材料のうち、酸化物層１４ａを構成する金属酸化物とエッチング選択比を得ることが可能な材料により構成されている。例えば、本実施の形態では、酸化物層１４ａが酸化アルミニウムにより構成されている場合には、第５絶縁層１５Ｅとしては、例えば酸化シリコンまたは酸窒化シリコンを用いることができる。また、第５絶縁層１５Ｅの厚みは、上記第１の実施の形態の第２絶縁膜１５Ｂと同程度である。酸化物層１４ａおよび第５絶縁層１５Ｅの厚みは、限定されるものではないが、第５絶縁層１５Ｅの厚みが酸化物層１４ａの厚みよりも大きくなっていることが望ましい。
【００７８】
本変形例では、この絶縁層２４の開口１５０の縁部において、第５絶縁層１５Ｅが、酸化物層１４ａの端縁（内壁Ｓ１）よりも張り出した部分を有し、この張り出した部分が庇１６となっている。換言すると、開口１５０の縁部において、酸化物層１４ａの内壁Ｓ１が、第５絶縁層１５Ｅの端縁ｅ５よりも後退して形成されている。この庇１６において、少なくとも正孔注入層１７が切断または高抵抗化されている（図１１中に示した領域Ａ）。
【００７９】
このような素子構造は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、まず図１２Ａに示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、基板１１上に、駆動回路層１２、平坦化層１３および第１電極１４を形成する。この後、図１２Ｂに示したように、第１電極１４のうちの金属層１４−２の表面側の一部（金属層１４−２の表面から例えば５ｎｍ〜５０ｎｍの厚み分）を、酸化することにより酸化物層１４ａを形成する。
【００８０】
この後、図１３Ａに示したように、基板１１の全面にわたり、上述した材料および厚みよりなる第５絶縁層１５Ｅを、例えばＣＶＤ法により成膜する。続いて、図１３Ｂに示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いた、異方性のドライエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅに開口１５０ａを形成する。この際、例えば異方性のドライエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅと酸化物層１４ａとの間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、第５絶縁層１５Ｅを酸化物層１４ａの表面まで加工する。次いで、図１３Ｃに示したように、露出した酸化物層１４ａを選択的に除去することにより、開口１５０を形成する。この際、例えば等方性のドライエッチングまたは等方性のウェットエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅと酸化物層１４ａとの間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、酸化物層１４ａを第１電極１４の表面まで加工する。これにより、開口１５０を形成すると共に、その開口１５０の縁部において、酸化物層１４ａの内壁ｓ１が第５絶縁層１５Ｅの端縁ｅ５よりも後退し、庇１６を形成することができる。
【００８１】
本変形例のように、第１電極１４の表面を酸化させて形成した酸化物層１４ａと、その上に成膜した第５絶縁層１５Ｅとを利用して庇１６を形成してもよく、このような場合であっても、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、無機絶縁膜のＣＶＤ工程に替えて、第１電極１４表面の酸化工程を行うことで庇１６を形成することができる。よって、上記第１の実施の形態よりもＣＶＤ工程数を削減でき、製造プロセスを簡易化できる、というメリットがある。
【００８２】
＜変形例２＞
図１４は、変形例２の素子構造の絶縁層の開口付近の構成を表したものである。上記変形例１では、第１電極１４の表面の酸化物層１４ａを利用して庇１６を形成したが、本変形例のように、第１電極１４を直接加工して庇１６を形成してもよい。
【００８３】
具体的には、本変形例では、第１電極１４の表面（金属層１４−２の表面）に凹部１４ｂが形成されており、この第１電極１４上に凹部１４ｂの一部に重畳するように、第５絶縁層１５Ｅが設けられている。第５絶縁層１５Ｅが、上記絶縁層１５，２４と同等の役割を有している。
【００８４】
上記のような構成において、第５絶縁層１５Ｅの開口１５０の縁部において、第５絶縁層１５Ｅが、凹部１４ｂの内壁ｓ２よりも開口１５０の内側に張り出した部分を有し、この張り出した部分が庇１６となっている。換言すると、開口１５０の縁部において、凹部１４ｂの内壁ｓ２が、第５絶縁層１５Ｅの端縁ｅ５よりも後退して形成されている。この庇１６において、少なくとも正孔注入層１７が切断または高抵抗化されている（図１４中に示した領域Ａ）。
【００８５】
この素子構造は、例えば次のようにして形成することができる。即ち、まず図１５Ａに示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、基板１１上に、駆動回路層１２、平坦化層１３および第１電極１４を形成した後、上記変形例１と同様にして、基板１１の全面にわたり、第５絶縁層１５Ｅを、例えばＣＶＤ法により成膜する。続いて、図１５Ｂに示したように、例えば異方性のドライエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅに開口１５０ａを形成する。この際、例えばフォトリソグラフィ法を用いた、異方性のドライエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅと第１電極１４（例えばアルミニウム）との間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、第５絶縁層１５Ｅを第１電極１４の表面まで加工する。次いで、図１５Ｃに示したように、露出した第１電極１４の表面側の一部を選択的に除去することにより、開口１５０を形成する。この際、例えば等方性のウェットエッチングにより、第５絶縁層１５Ｅと第１電極１４との間でエッチング選択比の得られる条件を用いて、第１電極１４を加工する。これにより、開口１５０が形成されると共に凹部１４ｂが形成され、その開口１５０の縁部において、凹部１４ｂの内壁ｓ２が第５絶縁層１５Ｅの端縁ｅ５よりも後退し、庇１６を形成することができる。
【００８６】
ここで、図１６Ａに、第１電極１４（アルミニウム）を等方性のドライエッチングにより加工して凹部１４ｂを形成した場合の、その加工時間（秒）と、庇１６の高さｈ（＝凹部１４ｂの深さ）との関係について示す。また、図１６Ｂには、上記加工時間と庇１６の幅ｄとの関係について示す。尚、図１６Ａおよび図１６Ｂは、互いに同一の加工結果について表したものであり、図中の「left」「center」「right」は、ウェハ面内の位置を示す。このように、加工時間と庇１６のアスペクト比とは相関があり、これは、本変形例に限らず、上記第１の実施の形態等においても同様である。
【００８７】
＜第２の実施の形態＞
［構成］
図１７は、本技術の第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。上記第１の実施の形態では、絶縁層１５を第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂの積層膜としたが、本実施の形態では、絶縁層（絶縁層２５）が３層積層膜となっており、この絶縁層２５において画素間の領域が平坦化されている点において上記第１の実施の形態の絶縁層１５と異なっている。
【００８８】
絶縁層２５は、上記第１の実施の形態の絶縁層１５と同様、第１電極１４を画素毎に電気的に分離すると共に、第１電極１４と第２電極１９との間の絶縁性を確保するためのものである。また、各第１電極１４に対向して開口１５０を有しており、この開口１５０の縁部には、庇１６が形成されている。
【００８９】
図１８は、開口１５０および第１電極１４間（画素間）の領域付近の構成を拡大したものである。本実施の形態では、例えば隣り合う第１電極１４同士の間の領域に、第３絶縁層１５Ｃが埋め込まれている。この第３絶縁層１５Ｃおよび第１電極１４の上に、上記第１の実施の形態で説明した第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂがこの順に積層され、第２絶縁層１５Ｂの一部が庇１６を形成している。このように、本実施の形態では、絶縁層２５が、第１絶縁層１５Ａ，第２絶縁層１５Ｂおよび第３絶縁層１５Ｃからなる３層膜となっている。このような構成において、第１電極１４の直上の領域では、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂに、上記第１の実施の形態と同様のエッチングが施されることにより、開口１５０および庇１６が形成されている。一方、第１電極１４間（画素間）の領域では、第３絶縁層１５Ｃの表面が、第１電極１４の表面と略等しくなるように平坦化されており、この第３絶縁層１５Ｃ上に、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂが積層された構造となっている。この第３絶縁層１５Ｃの厚みは、第１電極１４と略等しくなっている。第３絶縁層１５Ｃの構成材料は、特に限定されないが、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコン等の無機絶縁材料が挙げられる。また、この第３絶縁層１５Ｃは、一般的なプラズマＣＶＤ法により成膜されてもよいし、高密度プラズマＣＶＤ法により成膜された、いわゆるＨＤＰ膜であってもよい。
【００９０】
［製造方法］
この表示装置２は、例えば以下のようにして形成することができる。図１９〜図２２に、本実施の形態の表示装置２の製造工程の一例を示す。
【００９１】
まず、図１９に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、基板１１上に、駆動回路層１２、平坦化層１３および第１電極１４を形成する。
【００９２】
この後、絶縁層２５を形成する。具体的には、まず、図２０Ａに示したように、上述した材料よりなる第３絶縁層１５Ｃを、例えばＣＶＤ法等により成膜する。このとき、第１電極１４間の凹部領域を埋め込み、かつ第１電極１４を覆う十分な厚みとなるように、第３絶縁層１５Ｃを、基板１１の全面に成膜する。
【００９３】
続いて、図２０Ｂに示したように、第３絶縁層１５Ｃの表面を、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）法により研削することにより平坦化する。この際、第３絶縁層１５Ｃを、その表面（上面）から研削を開始し、第１電極１４の表面（上面）が露出したところで、例えばＥＰＤ（End Point Detection）等を使って研削を終了する。
【００９４】
あるいは、第３絶縁層１５Ｃを、例えばＨＤＰ法により成膜する場合には、厚く成膜することで平坦性が得られるという特徴がある。このため、例えば、図２０Ａに示した工程において、第３絶縁層１５Ｃを、十分な平坦性が得られる程度にまで厚く成膜した後、図２０Ｂの工程において、例えばドライエッチング等により、第３絶縁層１５Ｃを第１電極１４と略等しい厚みとなるまでエッチバックしてもよい。
【００９５】
このようにして、第３絶縁層１５Ｃを、第１電極１４間の領域を埋め込むと共に第１電極１４間を平坦化するように形成する。
【００９６】
この後、図２０Ｃに示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、基板１１の全面にわたり、第１絶縁層１５Ａおよび第２絶縁層１５Ｂをこの順に、成膜する。続いて、図２０Ｄに示したように、上記第１の実施の形態と同様、例えばフォトリソグラフィ法を用いた、異方性のドライエッチングにより、第２絶縁層１５Ｂに開口１５０ａを形成する。次いで、図２０Ｅに示したように、上記第１の実施の形態と同様、例えば等方性のエッチングにより、開口１５０を形成すると共に、その開口１５０の縁部に、庇１６を形成する。
【００９７】
そののち、図２１に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、正孔注入層１７を成膜する。本実施の形態においても、正孔注入層１７を、庇１６において、切断して、あるいは、一部においてまたは極薄い膜で繋がった状態で形成できるため、別途パターニングすることなく、第１電極１４毎に分離することができる。
【００９８】
続いて、図２２に示したように、上記第１の実施の形態と同様にして、有機層１８および第２電極１９をこの順に成膜する。このようにして、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。また、図示はしないが、上記第１の実施の形態と同様にして、保護層２０を形成した後、封止用基板２１およびカラーフィルタ層２２を、接着層２１を介して貼り合わせることにより、図１７に示した表示装置２が完成する。
【００９９】
上記のように、本実施の形態においても、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９が第１電極１４の直上の領域だけでなく、隣接する第１電極１４間の領域にも形成された素子構造となる。このような素子構造において、本実施の形態では、上記のように、絶縁層２５（具体的には第３絶縁層１５Ｃ）によって第１電極１４間の領域が平坦化されることから、その上に連続的にベタ成膜される正孔注入層１７および有機層１８の平坦性が、第１の実施の形態よりも向上する。このため、本実施の形態では、第２電極１９の形成工程において、例えばＭｇＡｇ合金を蒸着する場合等、上記第１の実施の形態よりも、第２電極１９における断線の抑制および低抵抗化を実現し易い。
【０１００】
［作用，効果］
本実施の形態の表示装置２においても、上記第１の実施の形態と同様、有機層１８の発光層１８Ｂから発生した白色光が、カラーフィルタ２２によって色分離され、ＲＧＢのいずれかの色光として取り出されることで、画像表示がなされる。本実施の形態においても、このような全画素に共通の発光層１８Ｂを有する素子構造において、絶縁層２５の開口１５０に設けられた庇１６により、正孔注入層１７が、切断または高抵抗化され、隣接画素間において電気的に遮断される。よって、上記第１の実施の形態と同等の効果を得ることができる。
【０１０１】
また、第２電極１９において平坦性が高いことが理想的であることは前述の通りであるが、本実施の形態では、第２電極１９における平坦性が高く、凹凸が少なくなるので、その段差による膜厚むらが軽減される。具体的には、第１電極１４間における段差を、例えば０ｎｍ〜７０ｎｍ程度にまで低減することが可能である。この結果、第２電極１９におけるシート抵抗が下がり、電荷（ここでは、電子）の注入効率が高まる。
【０１０２】
一方、第２電極１９の膜厚は、光取り出しの観点では、できるだけ薄膜であることが望ましいが、この薄膜化によって抵抗が高くなることが懸念される。本実施の形態では、第２電極１９の平坦性によってシート抵抗を低減できるため、第２電極１９を薄膜化することが許容される。よって、抵抗を上げることなく薄膜化を実現することも可能となり、結果として発光特性の改善につながる。
【０１０３】
尚、上記第２の実施の形態では、絶縁層２５に庇１６が形成され、更に画素間の領域が平坦化された素子構造について説明したが、上記内容のうち絶縁層２５の平坦化部分に特有の構成および効果は、庇１６が形成されていない素子構造（例えば図２３に示した素子構造）においても成り立つものである。
【０１０４】
図２３に示した素子構造では、第１電極１４を画素毎に電気的に分離する絶縁層（絶縁層２５ａ）が、第１電極１４間の領域を平坦化する第３絶縁層１５Ｃと、この上に形成された上部絶縁層１５１によって構成されている。絶縁層２５ａは、例えば上記第２の実施の形態と同様にして、第３絶縁層１５Ｃまでを形成した後（ＣＭＰによる研削を行った後）、上部絶縁層１５１を基板１１の全面に、例えばＣＶＤ法により成膜する。この後、上部絶縁層１５１を、例えばフォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、開口１５２を形成する。尚、この絶縁層２５ａの形成工程以外の他の工程は、上記第１の実施の形態と同様である。
【０１０５】
この絶縁層２５ａの上に、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９が順に積層されている。このような構成により、第２電極１９の平坦性が高まり、上述したような断線抑制および低抵抗化を実現することが可能となる。
【０１０６】
但し、上記第２の実施の形態のように、絶縁層２５が、庇１６を有し、かつ画素間において平坦化された素子構造は、電流リークを抑制しつつ第２電極の断線抑制および低抵抗化をも実現可能であることから、発光効率および素子特性の観点において優れている。
【０１０７】
＜変形例３＞
図２５は、変形例３に係る表示装置の断面構成を表したものである。図２６は、開口１５０および第１電極１４間（画素間）の領域付近の構成を拡大したものである。上記第２の実施の形態では、絶縁層２５における第３絶縁層１５Ｃの厚みが第１電極１４の厚みと同等であったが、本変形例の絶縁層（絶縁層２６）のように、第３絶縁層１５Ｃの厚みが、第１電極１４よりも大きくてもよい。
【０１０８】
絶縁層２６は、上記実施の形態の絶縁層１５，２５と同様の役割を有しており、各第１電極１４に対向して開口１５０を有している。開口１５０の縁部には、庇１６が形成されている。この絶縁層２６は、第１電極１４間の領域において、第３絶縁層１５Ｃ上に第４絶縁層１５Ｄが積層された２層構造となっている。本変形例では、第３絶縁層１５Ｃが、第１電極１４よりも大きな厚みを有しており、第１電極１４の側面と上面の一部とを覆って形成されている。本変形例では、このような構成により、第３絶縁層１５Ｃと第１電極１４との厚みの差分（例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍ程度）に応じて、庇１６の高さｈが決定される。
【０１０９】
第４絶縁層１５Ｄは、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコン等の無機絶縁膜材料のうち、第３絶縁層１５Ｃの構成材料とエッチング選択比を得ることが可能な材料により構成されている。また、第４絶縁層１５Ｄの厚みは、例えば４０ｎｍ〜９０ｎｍ程度である。第３絶縁層１５Ｃおよび第４絶縁層１５Ｄの厚みは、限定されるものではないが、第４絶縁層１５Ｄの厚みが第３絶縁層１５Ｃの厚みよりも大きくなっていることが望ましい。
【０１１０】
本変形例では、この絶縁層２６の開口１５０の縁部において、第４絶縁層１５Ｄが、第３絶縁層１５Ｃの端縁ｅ３よりも張り出し、この張り出した部分が庇１６となっている。換言すると、開口１５０の縁部において、第３絶縁層１５Ｃの端縁ｅ３が、第４絶縁層１５Ｄの端縁ｅ４よりも後退して形成されている。この庇１６において、少なくとも正孔注入層１７が切断または高抵抗化されている。
【０１１１】
このような絶縁層２６は例えば次のようにして形成することができる。即ち、例えば図２７Ａに示したように、第３絶縁層１５Ｃを、第１電極１４間の凹部領域を埋め込み、かつ第１電極１４を覆う十分な厚みとなるように、基板１１の全面に成膜する。続いて、図２７Ｂに示したように、第３絶縁層１５Ｃの表面を、例えばＣＭＰ法により研削することにより平坦化する。この際、第３絶縁層１５Ｃに対し、表面（上面）から研削を開始し、所定の時間経過後に終了する。このとき、第３絶縁層１５Ｃが、第１電極１４上に所定の厚みｔ（＝高さｈ）で残存するように、加工時間を調整する。尚、第３絶縁層１５ＣをＨＤＰ法により成膜する場合には、例えばドライエッチング等のエッチバックにより、上記のような厚みｔを残すような加工を行ってもよい。
【０１１２】
このように、本変形例では、第３絶縁層１５Ｃを、第１電極１４間の領域を平坦化しつつ、第１電極１４上に厚みｔを残して形成する。
【０１１３】
この後、図２８Ａに示したように、基板１１の全面にわたり、上述した材料および厚みよりなる第４絶縁層１５Ｄを、例えばＣＶＤ法により成膜する。続いて、図２８Ｂに示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いた、異方性のドライエッチングにより、第４絶縁層１５Ｄを開口する。続いて、露出した第３絶縁層１５Ｃに対し、例えば等方性のドライエッチングまたは等方性のウェットエッチングを施すことにより、開口１５０を形成すると共に、その開口１５０の縁部に庇１６を形成する。このようにして、絶縁層２６を形成する。
【０１１４】
本変形例のように、第３絶縁層１５Ｃを平坦化する際に、第１電極１４上に所定の厚み分を残し、この残膜を利用して庇１６を形成してもよい。このような場合にも、第１電極１４間の平坦性を高めつつ、リーク電流を抑制することができる。よって、上記第２の実施の形態と同等の効果を得ることができる。また、絶縁層２６が２層で構成されることから、３層で構成される上記第２の実施の形態に比べ、工程数を削減することもできる。
【０１１５】
尚、上記変形例３における絶縁層２６の平坦化部分に特有の構成、形成プロセスおよび効果は、庇１６が形成されていない素子構造（例えば図２９に示した素子構造）においても成り立つものである。
【０１１６】
図２９に示した素子構造では、上記変形例３において説明した第３絶縁層１５Ｃのみによって、第１電極１４が画素毎に電気的に分離されると共に、第１電極１４間の領域が平坦化されている。このような素子構造は、例えば上記変形例３と同様にして、第３絶縁層１５Ｃを形成した後（ＣＭＰによる研削を行った後）、上記第１の実施の形態と同様にして、正孔注入層１７、有機層１８および第２電極１９を順に成膜することで、形成することができる。これにより、第２電極１９の平坦性が高まり、上述したような断線抑制および低抵抗化を実現することが可能となる。
【０１１７】
＜適用例＞
上記実施の形態および変形例の表示装置は、例えば、図３０に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板２１および接着層２１から露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されたものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１１８】
（適用例１）
図３１は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【０１１９】
（適用例２）
図３２Ａおよび図３２Ｂは、デジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【０１２０】
（適用例３）
図３３は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【０１２１】
（適用例４）
図３４は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【０１２２】
（適用例５）
図３５Ａおよび図３５Ｂは、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２３】
以上、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、第１電極１４を画素毎に電気的に分離する絶縁層を積層膜とし、２段階のエッチング等を行うことにより、庇を形成したが、庇の形成手法としては、上述したものに限定されず、他の様々な手法を用いることができる。例えば、図３６に示したように、絶縁層３１の開口１５０の縁部を逆テーパ状に形成することにより、第１電極１４と間に空隙Ｓを設け、庇30を形成することもできる。このような逆テーパ形状は、例えばドライエッチングにより形成することが可能である。
【０１２４】
また、上記実施の形態等においては、第１電極１４を陽極、第２電極１９を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１９を陽極としてもよい。この場合、第１電極１４上には、電子注入層および電子輸送層が形成されることから、これらのうち電子注入層、あるいは電子注入層および電子輸送層が、絶縁層の庇によって切断または高抵抗化される。
【０１２５】
更に、上記実施の形態等に記載した各層の材料および厚みは列挙したものに限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよい。
【０１２６】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
基板側から順に、
それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、
全画素に共通の１または複数の発光層を含む有機層と、
前記有機層の全面に形成された第２電極と
を備えた表示装置。
（２）
前記絶縁層は、前記第１電極側から順に積層された、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第２の無機絶縁層のうち、前記第１の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
上記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１および第２の無機絶縁層は、エッチング選択比が得られる互いに異なる材料から構成されている
上記（２）に記載の表示装置。
（４）
前記第２の無機絶縁層の厚みは、前記第１の無機絶縁層の厚みよりも大きい
上記（２）または（３）に記載の表示装置。
（５）
前記絶縁層は、前記複数の第１電極間の領域を埋め込むと共に平坦化された第３の無機絶縁層を有する
上記（１）〜（４）のいずれかに記載の表示装置。
（６）
前記第３の無機絶縁層の厚みは、前記第１電極と略等しく、
前記絶縁層は、前記第３の無機絶縁層上に、前記第１電極側から順に積層された、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第２の無機絶縁層のうち、前記第１の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
上記（５）に記載の表示装置。
（７）
前記第３の無機絶縁層の厚みは、前記第１電極の厚みよりも大きく
前記絶縁層は、前記第３の無機絶縁層上に積層された第４の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第４の無機絶縁層のうち、前記第３の無機絶縁層の端縁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
上記（５）に記載の表示装置。
（８）
前記複数の第１電極は、各表面側に、前記絶縁層の一部を構成する金属酸化物層を含み、
前記絶縁層は、前記第１電極上に第５の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第５の無機絶縁層のうち、前記金属酸化物層の内壁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
上記（１）〜（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）
前記複数の第１電極は、各表面側に凹部を有し、
前記絶縁層は、前記第１電極上に第５の無機絶縁層を有し、
前記庇は、前記開口の縁部において、前記第５の無機絶縁層のうち、前記凹部の内壁よりも前記開口の内側に向かって張り出した部分である
上記（１）〜（８）のいずれかに記載の表示装置。
（１０）
前記電荷注入・輸送層は正孔注入層を含む
上記（１）〜（９）のいずれかに記載の表示装置。
（１１）
前記有機層では、前記発光層が複数積層して形成され、各発光層から発せられた色光の混色により全体として白色光を発するようになっている
上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の表示装置。
（１２）
基板上に、それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極を形成する工程と、
前記複数の第１電極上に、各第１電極に対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層を形成する工程と、
前記電荷注入・輸送層上に、全画素に共通の発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の全面に第２電極を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（１３）
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層をこの順に成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第２の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
上記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１４）
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、前記複数の第１電極間の領域を埋め込んで第３の無機絶縁層を形成し、
前記第３の無機絶縁層を平坦化する
上記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１５）
前記第３の無機絶縁層を、前記第１電極の表面が露出するまで平坦化し、
前記第３の無機絶縁層を平坦化した後、第１の無機絶縁層および第２の無機絶縁層をこの順に成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第２の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
上記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１６）
前記第３の無機絶縁層を、前記第１電極上に所定の厚みで残存するように平坦化し、
平坦化された第３の無機絶縁層上に第４の無機絶縁層を形成し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第４の無機絶縁層をエッチングした後、前記第３の無機絶縁層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
上記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１７）
前記第１電極を形成する工程において、各第１電極の表面を酸化することにより金属酸化物層を形成し、
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第５の無機絶縁層を成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第５の無機絶縁層をエッチングした後、前記金属酸化物層に対し等方性エッチングを施すことにより、前記庇を有する前記開口を形成する
上記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）
前記絶縁層を形成する工程では、
前記複数の第１電極上に、第５の無機絶縁層を成膜し、
各第１電極に対応する選択的な領域において、前記第５の無機絶縁層をエッチングした後、前記第１電極に、等方性エッチングを行って凹部を形成することにより、前記庇を有する前記開口を形成する
上記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１９）
前記電荷注入・輸送層は正孔注入層を含む
上記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（２０）
基板側から順に、
それぞれが画素毎に設けられた複数の第１電極と、
前記複数の第１電極のそれぞれに対向して開口を有すると共に、前記開口の縁部に庇を有する絶縁層と、
前記絶縁層の前記庇において切断または高抵抗化され、電荷注入性および電荷輸送性のうちの少なくとも一方を示す電荷注入・輸送層と、
全画素に共通の発光層を含む有機層と、
前記有機層の全面に形成された第２電極と
を備えた表示装置を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１２７】
１，２…表示装置、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…駆動回路層、１３…平坦化層、１４…第１電極、１４ａ…酸化物層、１４ｂ…凹部、１５，２４，２５，２５ａ，２６，２６ａ…絶縁層、１５０…開口、１５Ａ…第１絶縁層、１５Ｂ…第２絶縁層、１５Ｃ…第３絶縁層、１５Ｄ…第４絶縁層、１５Ｅ…第５絶縁層、１６…庇、ｅ１〜ｅ５…端縁、ｓ１，ｓ２…内壁、１７…正孔注入層、１８…有機層、１８Ａ…正孔輸送層、１８Ｂ…発光層、１８Ｃ…電子輸送層、１８Ｄ…電子注入層、１９…第２電極、２０…保護膜、２１…接着層、２２…カラーフィルタ、２３…封止用基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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【図２０Ｃ】
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【図２０Ｄ】
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【図２０Ｅ】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２Ａ】
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【図３２Ｂ】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５Ａ】
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【図３５Ｂ】
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【図３６】
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