(57)【要約】【課題】走行中に、ＦＥＴの周辺温度が上昇した場合でも、即座に４ＷＤ制御から２ＷＤ制御に切り替えないようにして、４ＷＤとしての性能を維持し、車両走行の安定性を向上した駆動力配分制御装置を提供する。【解決手段】ＦＥＴのゲートと駆動手段との間に、温度が上昇すると抵抗値が低下する負特性を有するサーミスタを配置する構成とした。上記構成によれば、ＦＥＴ及びＦＥＴ周辺の温度が上昇すると、サーミスタの抵抗値が小さくなるため、ＦＥＴのゲートにかかる電圧が大きくなる。ゲートにかかる電圧が大きくなると、ＦＥＴのドレイン及びソース間にかかる電圧の立ち上がりが早くなり、ＦＥＴのスイッチング損失を低減できる。その結果ＦＥＴの温度上昇を抑えることができ、４ＷＤ制御を継続することができるので車両走行の安定性を向上させることができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の駆動力伝達系に設けられ、電磁クラッチ機構に供給される電流に応じて入力側から出力側に伝達する伝達トルクを変化させ、主駆動輪と補駆動輪との間の駆動力配分を制御するトルクカップリングと、
前記電磁クラッチ機構に電流を供給するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子をＰＷＭ制御して前記駆動力配分を変更する駆動手段と、を備えた駆動力配分制御装置において、
前記スイッチング素子のゲートと、前記駆動手段との間にサーミスタを配置するとともに、前記サーミスタは、温度が上昇すると抵抗値が低下する負特性を有し、前記サーミスタの抵抗値が低下した場合には、前記スイッチング素子のゲート電圧が高くなること、
を特徴とする駆動力配分制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、駆動力配分制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、主駆動輪と補駆動輪との間の駆動力配分を変更可能な駆動力配分制御装置がある。この駆動力配分制御装置の多くは、駆動力伝達系の途中に設けられたトルクカップリングにより、入力側から出力側に伝達するトルクを変化させることにより、主駆動輪と補駆動輪との間の駆動力配分を制御するようになっている。
【０００３】
トルクカップリングは、摩擦クラッチと電磁コイルから主に構成され、電磁コイルに印加する電流値によって摩擦クラッチの結合力を制御することにより、入力側から出力側に伝達するトルクを変化させることができるよう構成されている。
そして、前記電磁コイルに印加する電流はスイッチング素子（ＦＥＴ）をオンオフ制御（ＰＷＭ制御）することにより、励消磁可能になっている。
このように前記電磁コイルの励磁により、クラッチ機構が接続され、主駆動輪と補駆動輪の駆動力配分する制御（４ＷＤ制御）に切り替える（特許文献１参照）。
【０００４】
前記ＦＥＴのＰＷＭ制御は、例えば、車両が登坂状態にある場合には、前記クラッチ機構を接続して４ＷＤ制御にするため、前記電磁コイルに大きな電流を印加する。この登坂状態が長時間続くと、ＦＥＴの温度が上昇し、最悪の場合には、ＦＥＴを焼損する場合がある。このようなＦＥＴの焼損を防止するため、ＦＥＴの近傍には温度センサが設けられ、この温度センサによる測定温度が所定温度以上になった場合に、前記電磁コイルへの通電をオンオフするリレーをオフにして、前記電磁コイルに印加する電流を直ちに停止する制御が行われる。これによりＦＥＴの温度上昇による焼損を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３００９３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、このように、ＦＥＴの周辺温度を測定する温度センサが温度異常を検出した場合には、走行中であっても、即座に、リレーをオン禁止処理にして、４ＷＤ制御から２ＷＤ制御に切り替える制御が実行されてしまう。
その結果、４ＷＤとしての性能を維持できず、路面状態によっては車両走行が不安定になる場合があった。
【０００７】
本発明は、上述の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、走行中に、ＦＥＴの周辺温度が上昇した場合でも、即座に４ＷＤ制御から２ＷＤ制御に切り替わらないようにして、４ＷＤとしての性能を維持し、車両走行の安定性を向上した駆動力配分制御装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、車両の駆動力伝達系に設けられ、電磁クラッチ機構に供給される電流に応じて入力側から出力側に伝達する伝達トルクを変化させ、主駆動輪と補駆動輪との間の駆動力配分を制御するトルクカップリングと、前記電磁クラッチ機構に電流を供給するスイッチング素子と、前記スイッチング素子をＰＷＭ制御して前記駆動力配分を変更する駆動手段と、を備えた駆動力配分制御装置において、前記スイッチング素子のゲートと、前記駆動手段との間にサーミスタを配置するとともに、前記サーミスタは、温度が上昇すると抵抗値が低下する負特性を有し、前記サーミスタの抵抗値が低下した場合には、前記スイッチング素子のゲート電圧が高くなること、を要旨とする。
【０００９】
即ち、スイッチング素子（ＦＥＴ）のゲートと、駆動手段との間に温度が上昇すると抵抗値が低下する負特性を有するサーミスタを配置し、サーミスタの抵抗値が低下した場合には、スイッチング素子のゲート電圧が高くなる構成とした。
【００１０】
上記構成によれば、登坂状態が長時間続くと、大きな電流が長時間ＦＥＴに流れ、ＦＥＴ、及びＦＥＴ周辺の温度が上昇する。そうすると、ＦＥＴ周辺に配置されているサーミスタの抵抗値が小さくなるため、ＦＥＴのゲートにかかる電圧が大きくなる。ゲートにかかる電圧が大きくなると、ＦＥＴのドレイン、及びソース間にかかる電圧の立ち上がりが早くなり、ＦＥＴのスイッチング損失を低減できる。その結果、ＦＥＴの温度上昇を抑えることができ、４ＷＤ制御を継続することができるので、車両走行の安定性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、走行中に、ＦＥＴの周辺温度が上昇した場合でも、即座に４ＷＤ制御から２ＷＤ制御に切り替わらないようにして、４ＷＤとしての性能を維持し、車両走行の安定性を向上した駆動力配分制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態における４輪駆動車の概略構成図。
【図２】本実施形態における駆動伝達装置の電気的接続を示すブロック図。
【図３】本実施形態におけるサーミスタ低温時の、ＦＥＴのゲート/ソース間電圧、ドレイン/ソース間電圧、及びドレイン/ソース間電流の説明図。
【図４】本実施形態におけるサーミスタ高温時の、ＦＥＴのゲート/ソース間電圧、ドレイン/ソース間電圧、及びドレイン/ソース間電流の説明図。
【図５】本実施形態における基板温度センサ異常の処理手順を示すフローチャート図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を４輪駆動車１の駆動力配分装置に具体化した一実施形態を図面に従って説明する。
図１に示すように、４輪駆動車１は、内燃機関であるエンジン２及びトランスアクスル３を備えている。トランスアクスル３には、一対のフロントアクスル４、４及びプロペラシャフト５が連結されている。両フロントアクスル４、４にはそれぞれ主駆動輪としての前輪６、６が連結されている。プロペラシャフト５にはトルクカップリング７が連結されており、同トルクカップリング７にはドライブピニオンシャフト（図示略）を介してリヤディファレンシャル９が連結されている。リヤディファレンシャル９には一対のリヤアクスル１０、１０を介して補駆動輪としての両後輪１１、１１が連結されている。
【００１４】
エンジン２の駆動力は、トランスアクスル３及び両フロントアクスル４、４を介して両前輪６、６に伝達される。また、プロペラシャフト５とドライブピニオンシャフトとがトルクカップリング７にてトルク伝達可能に連結された場合、エンジン２の駆動力は、プロペラシャフト５、ドライブピニオンシャフト、リヤディファレンシャル９及び両リヤアクスル１０、１０を介して両後輪１１、１１に伝達される。また、エンジン２の駆動力は、発電機（図示略）を回転させ、バッテリ２０（図２参照）に電力を供給している。
【００１５】
トルクカップリング７は、湿式多板式の電磁クラッチ機構８を備えており、同電磁クラッチ機構８は互いに摩擦係合又は離間する複数のクラッチ板（図示略）を有している。電磁クラッチ機構８に内蔵された電磁コイルＬ０（図２参照）に対して、駆動力配分制御装置（ＥＣＵ）１２が電流指令値に応じた電流を供給すると各クラッチ板は互いに摩擦係合し、後輪１１にトルクの伝達が行なわれ、主駆動輪と補駆動輪の駆動力配分する４ＷＤ制御になる。ＥＣＵ１２が電磁クラッチ機構８への電流指令値に応じた電流の供給を遮断すると、各クラッチ板は互いに離間し、後輪１１におけるトルクの伝達も遮断され、主駆動輪のみに駆動力配分する前輪駆動となる（２ＷＤ制御）。
【００１６】
また、各クラッチ板の摩擦係合力は電磁クラッチ機構８の電磁コイルＬ０へ供給する電流指令値に応じた電流の量（電流の強さ）に応じて増減し、これにより後輪１１への伝達トルク、即ち後輪１１への拘束力（電磁クラッチ機構８の摩擦係合力）を任意に調整可能となっている。この結果、ＥＣＵ１２は、４ＷＤ制御又は２ＷＤ制御のいずれかを選択すると共に、４ＷＤ制御において前後輪６、１１間の駆動力配分率（トルク配分率）を制御する。
【００１７】
次に、トルクカップリング７のＥＣＵ１２の電気的構成を図２に従って説明する。
ＥＣＵ１２はＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ及びＩ／Ｏインターフェース等を備えたマイコン３０を中心として構成されている。ＲＯＭにはＥＣＵ１２が実行する各種の制御プログラム、各種のデータ、及び各種のマップ等が格納されている。マップは車両モデルによる実験データ及び周知の理論計算等によって予め求められたものである。ＲＡＭはＲＯＭに書き込まれたリレー故障検出プログラムを始めとして制御プログラムを展開してＣＰＵが各種の演算処理を実行するためのデータ作業領域である。
【００１８】
ＥＣＵ１２の入力側（Ｉ／Ｏインターフェースの入力端子）には各車輪速センサ（図示略）及びスロットル開度センサ（図示略）がそれぞれ接続されている。ＥＣＵ１２の出力側（Ｉ／Ｏインターフェースの出力端子）にはトルクカップリング７及びエンジン制御装置（図示略）がそれぞれ接続されている。
【００１９】
尚、前記車輪速センサは各車輪６、１１毎にそれぞれ設けられており、各車輪６、１１の速度（以下、車輪速度という）を各別に検出する。スロットル開度センサは、スロットルバルブ（図示略）に接続されており、スロットルバルブの開度、即ち運転者のアクセルペダル（図示略）の踏込操作量を検出する。そして、ＥＣＵ１２のマイコン３０は、前記各センサからの検出信号に基づいて、定常走行か否かを判定するとともに、前記電磁クラッチ機構８へ供給する電流指令値を演算する。
【００２０】
また、図２に示すようにバッテリ２０には、ヒューズ２１、リレー３１、ノイズ除去フィルタ３２のコイルＬ、電磁コイルＬ０、ＦＥＴ３５の直列回路が接続されている。コイルＬと電磁コイルＬ０との接続点には、一方が接地されたコンデンサＣの他方が接続されている。前記コンデンサＣとコイルＬとにより、ノイズ除去フィルタ３２が構成されている。又、電磁コイルＬ０の両端には、フライホイールダイオード３４が接続されている。
【００２１】
電源スイッチとしてのイグニッションスイッチ（ＩＧ）２２は、バッテリ２０の電力をマイコン３０に供給する。マイコン３０は、ＩＧ２２がオン操作されて、電力が供給されると、各種制御プログラムの処理を行う。
【００２２】
又、マイコン３０は前記電流指令値をＰＷＭ制御手段としての駆動回路３３に出力する。駆動回路３３は前記電流指令値に応じて電磁クラッチ機構８の電磁コイルＬ０へ供給する電流の量を制御すべく、ＦＥＴ３５をオンオフ制御（ＰＷＭ制御）する。
この結果、電磁クラッチ機構８の電磁コイルＬ０へ供給する電流指令値に応じた電流の量が制御されることにより、前輪側と後輪側との駆動力配分が変更される。尚、本実施形態では、ＥＣＵ１２内にＥＣＵ１２のＦＥＴ３５の周辺温度を測定する基板温度センサ３６が設けられている。
【００２３】
又、駆動回路３３とＦＥＴ３５の間には、各種抵抗と負特性サーミスタ３７（抵抗値Ｒｓ）が接続されている。具体的には、駆動回路３３の後段には、分圧抵抗Ｒ２が接続されている。そして、駆動回路３３と分圧抵抗Ｒ２の間には、電圧Ｖ１を有するプルアップ抵抗Ｒ１が接続されている。そして、分圧抵抗Ｒ２の後段には、負特性サーミスタ３７が接続されている。更に、負特性サーミスタ３７の一端は、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇに接続されている。そして、負特性サーミスタ３７とＦＥＴ３５のゲート端子Ｇの間には、分圧抵抗Ｒ３が接続されている。
【００２４】
次に、負特性サーミスタ３７の機能について、詳細に述べる。マイコン３０から駆動回路３３に制御信号が送られると、電圧Ｖ１から、プルアップ抵抗Ｒ１、分圧抵抗Ｒ２、負特性サーミスタ３７、及び分圧抵抗Ｒ３に電流が流れる。この電流によって、
ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間には、（１）式で表される電圧Ｖｇｓが印加される。
Ｖｇｓ＝Ｒ３×Ｖ１/（Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒｓ＋Ｒ３）・・・（１）式
【００２５】
ここで、負特性サーミスタ３７の抵抗値Ｒｓと、ＦＥＴ周辺の温度変化の関係について説明する。ＦＥＴ周辺の温度が低い場合には、負特性サーミスタ３７の抵抗値Ｒｓは、Ｒｓ１となる。また、ＦＥＴ周辺の温度が高い場合には、負特性サーミスタ３７の抵抗値Ｒｓは、Ｒｓ２となる。ここで、Ｒｓ１とＲｓ２の関係は、負特性サーミスタ３７の特性からＲｓ１＞Ｒｓ２となる。
【００２６】
上記、Ｒｓ１＞Ｒｓ２の関係と、（１）式より、ＦＥＴ周辺の温度が低いほど、負特性サーミスタ３７の抵抗値Ｒｓは、大きな値となり、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓは小さな値となる。一方、ＦＥＴ周辺の温度が高いほど、負特性サーミスタ３７の抵抗値Ｒｓは、小さな値となり、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓは大きな値となる。
【００２７】
次に、上記ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓの大きさによって、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ、及びＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間に流れる電流Ｉｄｓの変化を図３、図４の説明図に基づいて、具体的に説明する。
【００２８】
図３は、本実施形態におけるＦＥＴ周辺の温度が低い場合、即ち、負特性サーミスタ３７が低温時の、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ（Ａ１）図、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ（Ｂ１）図、及びＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間に流れる電流Ｉｄｓ（Ｃ１）図を示している。
【００２９】
詳述すると、負特性サーミスタ３７が低温時の、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ１（ＬＡ１）は小さな値となる。ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ１が小さな値の場合には、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ１（ＬＢ１）もゆっくりした傾きで低下していく。ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ１がゆっくりした傾きで低下していく（負特性サーミスタが低温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon１）ので、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間に流れる電流Ｉｄｓ１（ＬＣ１）もゆっくりした傾きで上昇していく（負特性サーミスタが低温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon１）。
【００３０】
即ち、負特性サーミスタが低温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon１の間は、電圧Ｖｄｓ１と電流Ｉｄｓ１の積による熱が発生する（一般的にスイッチング損失といわれている）。負特性サーミスタ３７が低温時の場合には、ＦＥＴターンオン時間Ｔon１が長いので、発熱量も多く、ＦＥＴ周辺の温度が高くなっていく。従来制御では、更に、ＦＥＴ周辺の温度が高くなっていくので、異常ランプが点灯し、異常時制御（４ＷＤ制御から２ＷＤ制御）に切り替わる。即ち、操舵フィーリングの劣化を招いていた。尚、スイッチング損失は、ＦＥＴターンオフ時にも発生し、高温の原因になる。
【００３１】
しかし、本実施形態では、負特性サーミスタ３７を使用しているので、上記問題点が解決される。その作用を図４を用いて説明する。
図４は、本実施形態におけるＦＥＴ周辺の温度が高い場合、即ち、負特性サーミスタ３７が高温時の、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ（Ａ２）図、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ（Ｂ２）図、及びＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間に流れる電流Ｉｄｓ（Ｃ２）図を示している。
【００３２】
詳述すると、負特性サーミスタ３７が高温時の、ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ２（ＬＡ２）は大きな値となる。ＦＥＴ３５のゲート端子Ｇ、及びソース端子Ｓ間に印加される電圧Ｖｇｓ２が大きな値の場合には、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ２（ＬＢ２）も急峻に低下していく。ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間の電圧Ｖｄｓ２が急峻に低下していく（負特性サーミスタが高温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon２）ので、ＦＥＴ３５のドレイン端子Ｄ、及びソース端子Ｓ間に流れる電流Ｉｄｓ１（ＬＣ１）も急峻に上昇していく（負特性サーミスタが高温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon２）。
【００３３】
即ち、負特性サーミスタ３７が高温時の場合には、負特性サーミスタが高温検出時のＦＥＴターンオン時間Ｔon２が短いので、発熱量も少なく、ＦＥＴ周辺の温度が低くなっていく。従来制御では、更に、ＦＥＴ周辺の温度が高くなっていくと、異常ランプが点灯し、異常時制御（４ＷＤ制御から２ＷＤ制御）に切り替わる。即ち、操舵フィーリングの劣化を招いていたが、本実施例では、ＦＥＴ周辺の温度が高くなっていくと、負特性サーミスタ３７の抵抗値が小さくなることにより、ＦＥＴ周辺の温度上昇を抑制する。その結果、通常時制御（４ＷＤ制御）が維持できるので、操舵フィーリングの劣化を防止することができる。
【００３４】
次に、本実施形態における基板温度センサ異常の処理手順を、図５のフローチャートに基づいて説明する。最初に、マイコン３０は、イグニッションスイッチ（ＩＧ）２２が、ＯＮか否かを判定する（ステップＳ１０１）。そして、マイコン３０は、ＩＧがＯＮでない場合（ステップＳ１０１：ＮＯ）には、ステップＳ１０１に戻り、ＩＧがＯＮするまで待ち状態となる。一方、マイコン３０は、ＩＧがＯＮの場合（ステップＳ１０１：ＹＥＳ）には、基板温度ｔを読み込む（ステップＳ１０２）。
【００３５】
次に、マイコン３０は、基板温度ｔが閾値ｔ０以上か否かを判定する（ステップＳ１０３）。そして、マイコン３０は、基板温度ｔが閾値ｔ０以上の場合（ｔ≧ｔ０、ステップＳ１０３：ＹＥＳ）には、ＦＥＴ周辺の基板温度が高温になったと判断する。そして、マイコン３０は、異常ランプを点灯（ステップＳ１０４）し、異常時制御（２ＷＤ制御、ステップＳ１０５）に移行し、処理を終わる。
【００３６】
一方、マイコン３０は、基板温度ｔが閾値ｔ０より小さい場合（ｔ＜ｔ０、ステップＳ１０３：ＮＯ）には、ＦＥＴ周辺の基板温度がまだ低温状態であると判断する。そして、マイコン３０は、通常時制御（４ＷＤ制御、ステップＳ１０６）を継続し、処理を終わる。尚、上述したように、負特性サーミスタ３７は、ステップ１０３で記載されている基板温度ｔが、閾値ｔ０以上になることを極力抑制するように作用する。
【００３７】
次に、上記のように構成された本実施形態の駆動力配分制御装置の作用及び効果について説明する。
スイッチング素子（ＦＥＴ）のゲートと、駆動手段との間に温度が上昇すると抵抗値が低下する負特性を有するサーミスタを配置し、サーミスタの抵抗値が低下した場合には、スイッチング素子のゲート電圧が高くなる構成とした。
【００３８】
上記構成によれば、登坂状態が長時間続くと、大きな電流が長時間ＦＥＴに流れ、ＦＥＴ、及びＦＥＴ周辺の温度が上昇する。そうすると、ＦＥＴ周辺に配置されているサーミスタの抵抗値が小さくなるため、ＦＥＴのゲートにかかる電圧が大きくなる。ゲートにかかる電圧が大きくなると、ＦＥＴのドレイン、及びソース間にかかる電圧の立ち上がりが早くなり、ＦＥＴのスイッチング損失を低減できる。その結果、ＦＥＴの温度上昇を抑えることができ、４ＷＤ制御を継続することができるので、車両走行の安定性を向上させることができる。
【００３９】
尚、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・本実施形態では、本発明を、前輪を主駆動輪とする車両の駆動力配分装置に具体化したが、後輪を主駆動輪とする車両の駆動力配分装置に具体化してもよい。
【００４０】
・本実施形態では、本発明を、ＦＥＴ、負特性サーミスタ、及び分圧抵抗Ｒ３を別部品で構成したが、負特性サーミスタ、及び分圧抵抗Ｒ３を、ＦＥＴと一体に形成してもよい。そうすることにより、ＥＣＵをより小形化できる。
【符号の説明】
【００４１】
１：４輪駆動車、２：エンジン、３：トランスアクスル、４：フロントアクスル、
５：プロペラシャフト、６：前輪、７：トルクカップリング、８：電磁クラッチ機構、９：リヤディファレンシャル、１０：リヤアクスル、１１：後輪、
１２：駆動力配分制御装置（ＥＣＵ）、
２０：バッテリ、２１：ヒューズ、２２：イグニッションスイッチ（ＩＧ）、
３０：マイコン、３１：リレー、３２：ノイズ除去フィルタ、
３３：駆動回路、３４：フライホイールダイオード、
３５：スイッチング素子（ＦＥＴ）、３６：基板温度センサ、
３７：負特性サーミスタ、
Ｌ０：電磁コイル、Ｒ１：プルアップ抵抗、Ｒ２、Ｒ３：分圧抵抗、
Ｒｓ：負特性サーミスタ抵抗値、
Ｒｓ１：基板温度センサが高温検出時の負特性サーミスタの抵抗値、
Ｒｓ２：基板温度センサが低温検出時の負特性サーミスタの抵抗値、
Ｖｇｓ：ＦＥＴのゲート/ソース間電圧、
Ｖｄｓ：ＦＥＴのドレイン/ソース間電圧、
Ｉｄｓ：ＦＥＴのドレイン/ソース間電流、
ＬＡ１、ＬＡ２：ＦＥＴのゲート/ソース間電圧波形、
ＬＢ１、ＬＢ２：ＦＥＴのドレイン/ソース間電圧波形、
ＬＣ１、ＬＣ２：ＦＥＴのドレイン/ソース間電流波形、
Ｔon１：負特性サーミスタが低温検出時のＦＥＴターンオン時間、
Ｔoff１：負特性サーミスタが低温検出時のＦＥＴターンオフ時間、
Ｔon２：負特性サーミスタが高温検出時のＦＥＴターンオン時間、
Ｔoff２：負特性サーミスタが高温検出時のＦＥＴターンオフ時間、
ｔ：基板温度、ｔ０：閾値
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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