(57)【要約】【課題】受光デバイスとしてＡＰＤを用いた光トランシーバ１において、受信光の波長を特定する方法を提供する。【解決手段】ＡＰＤ２ａをＰＤモードで動作させて入力光Ｆ１を受信し、ＡＰＤ２ａの第１の光電流を得、ＡＰＤ２ａをＡＰＤモードで動作させて入力光Ｆ１を受信し、ＡＰＤ２ａの第２の光電流を得、第１の光電流と第２の光電流との光電流比を算出し、この光電流比と、予め算出された基準データＤを比較して、入力光Ｆ１の波長を特定する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号の波長を特定する方法であって、
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を増倍係数ＭがＭ＝１となるＰＤモードで動作させ、前記光信号を受光し、前記ＡＰＤから第１の光電流を得るステップと、
前記ＡＰＤを前記増倍係数がＭ＞１となるＡＰＤモードで動作させ、前記光信号を受光し、前記ＡＰＤから第２の光電流を得るステップと、
前記第１の光電流と前記第２の光電流との光電流比を算出するステップと、
前記光電流比と、予め求められた前記電流比と波長との関係を比較し、前記光信号の波長を特定するステップ、
を備える光信号の波長を特定する方法。
【請求項２】
前記ＡＰＤはＩｎＧａＡｓを含む受光層を備え、前記光信号の波長は１４５０〜１６５０ｎｍの帯域にあることを特徴とする請求項１に記載の光信号の波長を特定する方法。
【請求項３】
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を受光素子として搭載する光トランシーバの制御方法であって、
当該光トランシーバが電気的に活性化された後最初に光信号を入力した際に、
前記ＡＰＤをその増倍係数Ｍが実質Ｍ＝１となる条件でバイアスして前記光信号を受信し、前記ＡＰＤから第１の光電流を得るステップと、
前記ＡＰＤを前記増倍係数ＭがＭ＞１の条件でバイアスして前記光信号を受信し、第２の光電流を得るステップと、
前記第１の光電流と前記第２の光電流との光電流比を算出するステップと、
前記光電流比と、予め求められた前記電流比と波長との関係を比較し、前記光信号の波長を特定するステップ、
を備えることを特徴とする光トランシーバの制御方法。
【請求項４】
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を受光素子として搭載する光トランシーバの制御方法であって、
当該光トランシーバのＬＯＳ状態が解除された後直ちに、
前記ＡＰＤをその増倍係数Ｍが実質Ｍ＝１となる条件でバイアスして光信号を受信し、前記ＡＰＤから第１の光電流を得るステップと、
前記ＡＰＤを前記増倍係数ＭがＭ＞１の条件でバイアスして前記光信号を受信し、第２の光電流を得るステップと、
前記第１の光電流と前記第２の光電流との光電流比を算出するステップと、
前記光電流比と、予め求められた前記電流比と波長との関係を比較し、前記光信号の波長を特定するステップ、
を備えることを特徴とする光トランシーバの制御方法。
【請求項５】
前記光トランシーバはホストシステムに搭載されたプラガブル光トランシーバであり、
前記光信号の波長を特定した後、当該光信号の波長を前記ホストシステムに通知する、請求項３又は４に記載の光トランシーバの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長多重通信（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ：ＷＤＭ）、特に、ＣＷＤＭ（Ｃｏａｒｓｅ  ＷＤＭ）光通信に対応した光トランシーバによる波長特定方法、及び、光トランシーバの初期化方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ＷＤＭ光通信システムに適用される光受信器を開示する。光受信器は、受光部、波長監視回路を備え、異なる複数の波長の光信号が多重されてなる光波長多重信号を用いて多重通信を行う。光受光部は、光波長多重信号を受信して、光波長多重信号のそれぞれの波長に依存した光電流を発生させる。波長監視回路は、光波長多重信号のそれぞれの波長を監視する。波長監視回路は、光電流のモニタによって得られた受光感度の変化量に基づいて光波長多重信号の波長を算出する。光受信器は、入力光信号を二分し、一方を既知の波長依存性を有する光学部品を介し、他方を直接受光し、両信号の強度比を採ることで現在入力している光信号の波長を特定する。特許文献２は、アバランシェフォトダイオード（Ａｖａｌａｎｃｈｅ  Ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ：ＡＰＤ）を搭載した光トランシーバを開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２９７５９２号公報
【特許文献２】特開２００３−０６９５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光トランシーバの一規格では、ホストシステムのポートに光トランシーバが適宜挿入され、光コネクタと係合することによって光通信を実現する。この機能を有する光トランシーバを総称してプラガブル（Ｐｌｕｇｇａｂｌｅ）光トランシーバと呼ぶ。この規格は、光トランシーバの外形を規定するほか、ホストシステムとの間の電気通信規格と、対応する光信号（入力光）の仕様とを定めている。ある仕様では−２４ｄＢｍの微弱な入力光に対応することが求められているため、光受信デバイスに自身で増幅機能を有するＡＰＤが使用される。ＡＰＤは、一個のフォトンに対し一個以上の電子−正孔対を形成することで、増幅機能を発揮する。この増幅度は、Ｍ値（増倍係数）によって表され、ＡＰＤに印加するバイアス電圧とＡＰＤの動作温度とに依存する。
【０００５】
図６はＡＰＤのバイアス電圧（Ｖａｐｄ）と、ＡＰＤから出力される光電流（Ｉａｐｄ）との関係を示している。ＩａｐｄはＶａｐｄが比較的に小さい範囲にある場合には一定であるが、Ｖａｐｄが特定の値（図６に示す場合では２８ボルト（Ｖ）程度）を越えるとＶａｐｄに依存して急激に増加する。増倍係数（Ｍ）は、後者のバイアス電圧範囲においては、１より大きくなっている。一方、前者のバイアス電圧範囲（ＩａｐｄがＶａｐｄに依存せずほぼ一定）においては、Ｍ＝１（Ｕｎｉｔｙ）である。
【０００６】
以下の説明ではＭ＞１となるようなバイアス電圧範囲における動作モードをＡＰＤモードと称し、Ｍ＝１となるようなバイアス電圧範囲における動作モードをＰＤモード（ＰＤ：Photodiode）と称する。ＡＰＤは通常、前者のモードすなわちＡＰＤモードでの使用を前提としているので、ＡＰＤに印加するＶａｐｄは数十ボルトに達する。
【０００７】
一方、Ｉａｐｄは、波長依存性を有するので、波長分割多重通信のうち、一台の光トランシーバにおける受光波長が広帯域にわたるＣＷＤＭ方式による通信では、各光部品の波長特性を考慮した設計が必要になる。波長分割多重通信の一方式であるＣＷＤＭでは、約１３００ｎｍ〜１７００ｎｍの広い波長範囲を利用するので、各光部品の波長特性を考慮した設計が必要になる。受光特性に波長依存性を有するＡＰＤを用いた光トランシーバをＣＷＤＭ方式に用いるには、信号光の波長を特定し、特定した波長に応じた信号処理を行うことが必要とされる場合がある。本発明は受光デバイスとしてＡＰＤを用いた光トランシーバにおいて、信号光の波長を特定する簡便な方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る光光信号の波長を特定する方法は、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）をその増倍係数Ｍが実質Ｍ＝１となるモードでバイアスして光信号を受信し、このＡＰＤから第１の光電流を得るステップと；ＡＰＤを増倍係数ＭがＭ＞１となる別のモードでバイアスしてこの光信号を受信し、ＡＰＤから第２の光電流を得るステップと；この第１の光電流と第２の光電流の光電流比を計算するステップと；この光電流比と、予め求められている電流比と波長との関係とを比較し、光信号の波長を特定するステップをを含む。このように、特別な部品を追加することなく、入力光の波長が特定できるので、波長に応じた好適な信号処理が容易に行える。
【０００９】
本発明に係る、アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を受光素子として搭載する光トランシーバの制御方法は、この光トランシーバがホストシステムに搭載され電気的に活性化された後最初に光信号を入力した際に、行われることを特徴とする。すなわち、ＡＰＤをその増倍係数Ｍが実質Ｍ＝１となる条件でバイアスして前光信号を受信し、このＡＰＤから第１の光電流を得るステップと、ＡＰＤを増倍係数ＭがＭ＞１の条件でバイアスして光信号を受信し、第２の光電流を得るステップと、これら第１の光電流と前記第２の光電流との光電流比を算出するステップと、この光電流比と、予め求められている光電流比と波長との関係とを比較し、光信号の波長を特定するステップを含んでいる。このように、特別な部品を追加することなく信号光の波長が特定できるので、波長に応じた信号処理が容易に行える。
【００１０】
本発明に係る、ＡＰＤを受光素子として搭載する光トランシーバの他の制御方法は、この光トランシーバのＬＯＳ（Los  of  Signal）が解除された後直ちに行われることを特徴とする。すなわち、ＡＰＤをその増倍係数Ｍが実質Ｍ＝１となる条件でバイアスして光信号を受信し、このＡＰＤから第１の光電流を得るステップと、ＡＰＤを増倍係数ＭがＭ＞１の条件でバイアスして光信号を受信し、第２の光電流を得るステップと、これら第１の光電流と前記第２の光電流との光電流比を算出するステップと、この光電流比を予め求められている電流比と波長との関係とを比較し、光信号の波長を特定するステップを含んでいる。このように、特別な部品を追加することなく入力光の波長特定できるので、波長に応じた信号処理が容易に行える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、受信装置にＡＰＤを用いた光トランシーバが、ＣＷＤＭ方式等の比較的に広い波長帯域が用いられる場合でも、好適に動作可能とする方法を、提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態に係る光トランシーバの電気的なブロックダイアグラムを示す図である。
【図２】ＡＰＤの波長依存性を示す図である。
【図３】ＡＰＤの光吸収特性のバイアス電圧依存性の一例を示す図である。
【図４】波長１４７０ｎｍでの光電流比を基準とした、波長λに応じた光電流比の劣化量を表す図である。
【図５】実施形態に係る光トランシーバのコントローラによって行われる波長特定処理の一例を示すフローチャートである。
【図６】ＡＰＤの逆バイアス電圧と、ＡＰＤから出力された光電流との相関を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において可能な場合には同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図１は一実施形態に係る光トランシーバ１のブロック図である。図１に示す光トランシーバ１は、ホストシステム１００と電気的に接続している。光トランシーバ１は二芯の光ファイバと光結合し、この光ファイバを介して入力光Ｆ１を受信し出力光Ｆ２を送信する。光トランシーバ１は、受光装置Ｒｘ、送信装置Ｔｘ、ポストアンプ３、ドライバ４、コントローラ５、記憶装置６を備える。受光装置Ｒｘは、ＡＰＤ２ａ、ＴＩＡ２ｂを含む。コントローラ５は、高電圧発生回路５ａ、光電流検出部５ｂ、抵抗５ｃ、メモリ５ｄを備える。図１に示す光トランシーバ１ではコントローラ５外に記憶装置６を搭載しているが、この記憶装置６をコントローラ５内のメモリ５ｄと一体とすることができる。また、コントローラ５が高電圧発生回路５ａ、抵抗５ｃ、光電流検出部５ｂを内蔵しているが、これら回路５ａ〜５ｃをコントローラ５とは独立に設けてもよい。
【００１４】
受光装置Ｒｘは入力光Ｆ１を受ける。受光装置Ｒｘはポストアンプ３に電気的に接続され、信号線Ｌ１ａを介してコントローラ５に電気的に接続されている。受光装置Ｒｘは入力光Ｆ１を受けると、入力光Ｆ１の光信号を電気的な受信信号に変換し、この受信信号をポストアンプ３に送る。
【００１５】
ポストアンプ３は受光装置Ｒｘが出力した受信信号に対して、データ回復、クロック抽出等の処理を行い、処理後のデータ、クロック等をホストシステム１００に信号線Ｌ１ｂを介して送信する。ポストアンプ３は信号線Ｌ１ｃを介してコントローラ５に電気的に接続されており、コントローラ５に光受信状態に係る制御信号ＬＯＳ（Loss  of  Signal）を出力する。ＬＯＳは入力光Ｆ１が断となり、正常なデータ回復、クロック抽出が不可能な場合にセットされる。
【００１６】
送信装置Ｔｘは出力光Ｆ２を送出する。送信装置Ｔｘはドライバ４から電気的な送信信号を受け、この送信信号を光信号Ｆ２に変換して光ファイバに出力する。
【００１７】
ドライバ４は信号線Ｌ２ａを介してホストシステム１００に、信号線Ｌ２ｂを介してコントローラにそれぞれ電気的に接続されており、電気的な送信信号を、信号線Ｌ２ａを介してホストシステム１００から受け送信装置Ｔｘを電気的に駆動する。具体的には、送信装置Ｔｘに搭載されている発光デバイス、例えば半導体レーザダイオード、を駆動する。一方ドライバ４は、コントローラ５から信号線Ｌ２ｂを介して制御信号ＴｘＤｉｓａｂｌｅを受ける。ＴｘＤｉｓａｂｌｅは、送信装置Ｔｘの発光状態を強制的に断とする場合にセットされる。
【００１８】
コントローラ５は、メモリ５ｄに格納されているファームウェアを実行して、光トランシーバ１の全体を制御する。また、コントローラは図５の処理を実行した結果得られる各種のデータをメモリ５ｄに格納する。
【００１９】
コントローラ５は信号線Ｌ３を介してホストシステム１００と通信する。一方、信号線Ｌ１ａを介して受光装置Ｒｘに高電圧発生回路５ａで生成したＡＰＤバイアス電圧を供給し、信号線Ｌ１ｃを介してポストアンプ３からＬＯＳを取得し、信号線Ｌ２ｂを介してドライバ４にＴｘＤｉｓａｂｌｅを送出する。また、記憶装置６に接続されており、記憶装置６から各種データを読み出し、あるいは各種データをに書き込む。
【００２０】
受光装置Ｒｘをさらに説明する。受光装置ＲｘはＡＰＤ２ａとＴＩＡ２ｂを含む。ＡＰＤ２ａのアノードは、ＴＩＡ２ｂに接続されており、入力光Ｆ１によりＡＰＤ２ａが生成した光電流をＴＩＡ２ｂに送出する。ＴＩＡ２ｂはこの光電流を電圧信号に変換し、これをポストアンプ３に出力する。ＡＰＤ２ａ（ＡＰＤ２ａの受光層（活性層）など）は波長１４５０〜１６５０ｎｍに感度を有する半導体材料、たとえば、ＩｎＧａＡｓ、で主に構成されている。ＡＰＤ２ａのカソードには信号線Ｌ１ａを介して高電圧発生回路５ａから数十ボルトのバイアス電圧Ｖａｐｄが印可されている。さらに、コントローラ５では、光電流検出部５ｂによりＡＰＤ２ａが生成した光電流の平均値を検出する。
【００２１】
具体的には、ＡＰＤ２ａのカソードに生ずる光電流はアノードに生ずる光電流と同じである。カソードには、バイアス電圧Ｖａｐｄを安定化させるためのＣＲ積分回路を設けており、カソードから得られる信号は、入力光Ｆ１の平均光強度に対応した電流となる。光電流検出部５ｂはこの平均光電流を、抵抗５ｃにおける電位降下と関連づけて検知する。すなわち、光電流検出部５ｂの検知結果は入力光Ｆ１の平均光強度に対応する。
【００２２】
次にＡＰＤ２ａの特性について説明する。ＡＰＤ（ＡＰＤ２ａを含む）は一般に、一定の強度の光を受けるとその強度、波長に依存する光電流を出力する。図２にＡＰＤの光電流、すなわち感度の波長依存性の一例を示す。図２の横軸は入力光の波長（ｎｍ）を表し、縦軸はＡＰＤの光電流（μＡ）を表す。図２は増倍係数Ｍ＝１（ＰＤモード）に対応するバイアス電圧が印加された状態で、入力光強度Ｐｉｎ＝−２０ｄＢｍ、温度Ｔａ＝２５℃の条件でＡＰＤを動作させて得られた。ＡＰＤの波長特性はその構成材料（半導体）に本来的に依存する。ＡＰＤの構成材料は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体が一般的であり、特に赤外領域に基礎吸収端を有するようなＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ等の直接遷移型の半導体が主に用いられる。これら材料の吸収係数は、基礎吸収端（Ｅｇ）において急峻に（略０／ｃｍから１０４／ｃｍ〜１０５／ｃｍ程度に至るまで）立ち上がり、次いで波長が短くなるにつれて、緩やかに上昇する。１．３μｍあるいは、１．５５μｍ帯域の受光素子として広く採用されているＩｎＧａＡｓについても同様の特性を示す。図２に示す例では、基礎吸収端（Ｅｇ）は、略１．６３μｍに位置する。基礎吸収端（Ｅｇ）よりも長波長側では実質的に透明となり、ＡＰＤに光電流は生じない。本実施形態は波長が、ＡＰＤを構成する半導体材料、特に、活性層の半導体材料の基礎吸収端（Ｅｇ）よりも短波長側に関してのものである。
【００２３】
基礎吸収端（Ｅｇ）よりも短波長側でＡＰＤ２ａの光吸収特性のバイアス電圧依存性（モード依存性）は特徴的な挙動を示す。図３はその一例である。図３の横軸は入力光の波長（ｎｍ）を表し、縦軸はＡＰＤ２ａの光電流（任意単位）を表す。これら二つの光電流の挙動は、何れも、ＡＰＤ２ａのカソードから出力され信号線Ｌ１ａを介して光電流検出部５ｂによって検出された。図３は波長が１４７０ｎｍの光電流で規格化されている。挙動Ｇ１はＭ＝１（ＰＤモード）で得られた結果であり、挙動Ｇ２はＡＰＤ２ａにバイアス電圧として４０Ｖ与え、ＡＰＤモードとしてＭ＝８の場合に得られた結果である。図３に示す様に、入力光の波長の増加に伴うＡＰＤ２ａの光電流の減少は、ＡＰＤモード（グラフＧ２）が、ＰＤモード（グラフＧ１）を上回る。なお、ＡＰＤモードでの光電流の絶対値は、ＰＤモードでのＡＰＤ２ａの光電流の絶対値よりも大きい。
【００２４】
図４は、図３に示す二つの挙動、Ｇ１、Ｇ２の比、Ｋ（λ）＝ｃ（λ）／ｃ（１４７０ｎｍ）を波長１４７０ｎｍでの光電流比（ｃ（＠１４７０ｎｍ））で規格化した結果である。横軸は入力光の波長（ｎｍ）を表し、横軸はこの規格化比Ｋを表す。ｃ（λ）は、ｃ（λ）＝ＩＭ＝１（λ）／ＩＭ＝８（λ）である。ＩＭ＝１（λ）はＭ＝１（ＰＤモード）のバイアス条件で、入力光の波長がλの時の光電流を表す。ＩＭ＝８（λ）は、Ｍ＝８（ＡＰＤモード）のバイアス条件で、入力光の波長がλの場合の光電流を表す。ｃ（１４７０ｎｍ）は、ｃ（１４７０ｎｍ）＝ＩＭ＝１（１４７０ｎｍ）／ＩＭ＝８（１４７０ｎｍ）である。
【００２５】
これより、Ｍ＝１、Ｍ＝８それぞれのバイアス条件下で光電流を測定することによって、受光装置Ｒｘに今現在入力している入力光Ｆ１の波長の特定することができる。すなわち、図４に対応する値（基準データＤ）を予め記憶装置６に保持しておき、コントローラ５が、Ｍ＝１、Ｍ＝８それぞれの場合のバイアス条件を設定してＡＰＤ２ａに生ずる光電流を、光電流検出部５ｂを用いて検知し、両者の比ｃ１を計算し、この比ｃ１と記憶装置６に格納された基準データＤにより、Ｋ１＝ｃ１／ｃ（１４７０ｎｍ）を求め、このＫ１を記憶装置６に保持されている波長λについての一連の値と比較することによって、現時点における入力光Ｆ１の波長λが特定される。基準データＤはＡＰＤモードでの光電流とＰＤモードでの光電流の比と、入力光Ｆ１の波長λとを対応付けるためのデータであり、図４挙動Ｋ(λ)に対応している。
【００２６】
以上述べたような入力光Ｆ１の波長λの特定は、光トランシーバ１の初期化処理に合わせて実施することが可能である。この初期化処理は光トランシーバ１がホストシステム１００に搭載された後、光トランシーバ１が最初に入力光Ｆ１を受信した際に行われる。
【００２７】
図５は光トランシーバ１による入力光の波長を特定するフローチャートを示す。ステップＳ１で、光トランシーバ１をホストシステム１００に搭載した後最初に入力光Ｆ１が入力されたことをコントローラ５が確認する。たとえば、メモリ５ｄの所定アドレスにフラグ（以下、本実施形態において、リセットフラグと称する）を用意しておき、光トランシーバ１をホストシステム１００に最初に搭載する、パワーオンリセットの処理中に、このリセットフラグをセットする。リセットフラグがセットされている状態で受光装置Ｒｘが入力光Ｆ１を受信すると、この受信は光トランシーバ１搭載後の最初の光受信であり、入力光Ｆ１の波長を特定する必要があると判断できる。
【００２８】
ステップＳ１において、コントローラ５はさらに、雑音光ではなく光信号を受信したことを信号線Ｌ１ｃを介して取得するＬＯＳを参照することで確認する。そして、ＬＯＳの原因が次の二つのモードであるか否かを確認する。第１は、光受信レベルが実際に非常に小さくなり、すなわち、信号光自体が実質的に消失した場合であって、光伝送系に何らかのトラブルが発生しているモードである。第２は、相応の強度の入力光を受信しているものの、この入力光からデータ／クロック再生、抽出が適正に行えない場合である。
【００２９】
ステップＳ１の後、ステップＳ２（第１ステップ）及びステップＳ３（第２ステップ）を実行する。まず、ＡＰＤ２ａに供給するバイアス電圧Ｖａｐｄを、増倍係数がＭ＝１（ＰＤモード）となる値に設定する。ＰＤモードを実現するＶａｐｄは、通常、ＴＩＡ２ｂ等のフロントエンド回路に供給されている電源電圧（３．３ボルトが主）である。そして、ＡＰＤ２ａをＰＤモードで動作させながら、ＡＰＤ２ａに入力光Ｆ１を受信し光電流Ｉ（Ｍ＝１）（第１の光電流）を得る。
【００３０】
ステップＳ３において、バイアス電圧Ｖａｐｄを増倍係数がＭ＝８（ＡＰＤモード）となる所定の値に設定する。ＡＰＤモードを実現するバイアス電圧Ｖａｐｄは数十ボルト（例えば、４０ボルト）程度である。このようにして、ＡＰＤ２ａをＡＰＤモードで動作させ、ＡＰＤ２ａから光電流Ｉ（Ｍ＝８）（第２の光電流）を得る。
【００３１】
なお、バイアス電圧Ｖａｐｄは、ＡＰＤ２ａの温度、入力光Ｆ１の強度、等に依存して、可変で与えられる場合が多い。すなわち、強度が所定範囲にある入力光Ｆ１が入力された際に、所定強度の平均光電流を得る様に、バイアス電圧Ｖａｐｄが帰還制御される。これに対し、本発明に係る方法においては、ＡＰＤモードに設定するバイアス電圧Ｖａｐｄを一定値（例えば４０ボルト）に固定する。ＡＰＤ２ａの光電流は、バイアス電圧Ｖａｐｄを固定すると、その時の入力光Ｆ１の強度に依存するものとなる。その場合であっても、ＡＰＤモードでの光電流ＩＭ＝８とＰＤモードでの光電流ＩＭ＝１との光電流比ｃ１（＝ＩＭ＝８／ＩＭ＝１）を計算することにより、光電流の波長依存性を、入力光Ｆ１の強度に依存せず取得できる。
【００３２】
ＰＤモードとＡＰＤモードとは時分割で順次切り替えられるので、入力光Ｆ１の強度は二つのモード間で、特に伝送系に起因して変動する可能性がある。そこで、コントローラ５は、ＰＤモードでの受信時とＡＰＤモードでの受信時において、入力光Ｆ１の強度が変化する場合には、例えば、以下の処理によりこの変動の影響を緩和することができる。例えば、ＰＤモードとＡＰＤモードとを順次以下のように切り替える：ＰＤ１→ＡＰＤ１→ＰＤ２→ＡＰＤ２→…→ＰＤｎ→ＡＰＤｎ→…、そして、各モードにおいて、ＡＰＤ２ａの光電流をそれぞれ測定し、以下の光電流比を順次計算する：ＩＭ＝８ｎ／ＩＭ＝１ｎ−１、ＩＭ＝８ｎ／ＩＭ＝１ｎ、ＩＭ＝８ｎ＋１／ＩＭ＝１ｎ、…（ｎは自然数）。ここで、ＰＤｉは、ｉ番目（ｉは自然数）のＰＤモードを表し、ＡＰＤｉは、ｉ番目のＡＰＤモードを表す。ＩＭ＝８ｉは、ｉ番目のＡＰＤモードで測定された光電流を表し、同様に、ＩＭ＝１ｉは、ｉ番目のＰＤモードで測定された光電流を表す。すなわち、コントローラ５は、ステップＳ２〜ステップＳ５を、繰り返し実行する。その間、ステップＳ４においてＭ＝８の場合の光電流とＭ＝１の場合の光電流との光電流比として、ＩＭ＝８ｎ／ＩＭ＝１ｎ−１、ＩＭ＝８ｎ／ＩＭ＝１ｎ、ＩＭ＝８ｎ＋１／ＩＭ＝１ｎ、等を計算する。コントローラ５は、この計算値が収斂した時をもって、その収斂値を入力光Ｆ１の波長の特定に用いる。
【００３３】
次いで、コントローラ５は記憶装置６に格納されている基準データＤと光電流比ｃ１とを比較して、入力光Ｆ１の波長λを特定し、この波長情報を信号線Ｌ３を介してホストシステム１００に伝える。
【００３４】
その後、光トランシーバ１の実際の運用を開始する（実際の光信号の送受を開始する）。
【００３５】
以上説明した光トランシーバ１によれば、特別な部品を追加することなくコントローラ５による一連の初期化処理を変更することのみによって、入力光Ｆ１の波長λが特定できるる。特に、光トランシーバ１のパワーオンリセットの後、最初に光入力Ｆ１を受光した際に、入力光Ｆ１の波長λの特定が行われる。この情報がホストシステムに伝えられるので、ホストシステムにとっては、空きグリッド（波長）を当該光トランシーバ１以外に適切に割り当てることができる。
【００３６】
なお、一連の処理は、パワーオンリセットの起動時に限らず、ＬＯＳフラグがリセットされた後、最初に光信号を受信した時に行うこともできる。例えば、ＬＯＳフラグは、光トランシーバ１をホストシステム１００に搭載した状態で、光コネクタをこの光トランシーバ１から外した場合にもセットされる。この様な場合、送受間の光トランシーバの組み合わせが変更されている場合が容易に想定でき、また、入力光の波長が新たな波長にシフトしていることになる。すなわち、今対象としている光トランシーバ１の相手方の光トランシーバが変更された可能性が大きい。その場合には光トランシーバ１への入力光Ｆ１が断となってコントローラ５はＬＯＳフラグをセットする。この後、相手方の光トランシーバから光信号が確定すると、ＬＯＳフラグがリセットされる。そして、新たな光信号についてはその波長が従前の波長とは異なっている場合も考えられる。光トランシーバ１のパワーオンリセットの場合だけでなく、このようなＬＯＳフラグのリセットに同期して、一連の処理を行い、新たな入力光Ｆ１についてその波長を特定することが好ましい。光トランシーバ１のＬＯＳフラグがリセットされた後最初に入力光Ｆ１が生じた際に、その波長λの特定が行われるので、光トランシーバ１の使用時においてＬＯＳが発生した場合でも特別な操作を行うことなく、入力光Ｆ１の波長λが自動的に特定できる。
【００３７】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００３８】
１…光トランシーバ、１００…ホストシステム、２ａ…ＡＰＤ、２ｂ…ＴＩＡ、３…ポストアンプ、４…ドライバ、５…コントローラ、５ａ…高電圧発生回路、５ｂ…光電流検出部、５ｃ…抵抗、５ｄ…メモリ、６…記憶装置、Ｄ…基準データ、Ｆ１…入力光、Ｆ２…出力光、Ｇ１，Ｇ２…グラフ、Ｌ１ａ，Ｌ１ｂ，Ｌ１ｃ，Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ３…信号線、Ｒｘ…受光装置、Ｔｘ…送信装置。
【図１】
2014222824.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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