(57)【要約】【課題】改質装置の始動から短時間で水素の生成を可能とする改質装置を提供する。【解決手段】触媒の触媒反応により水素含有化合物を分解して、水素を発生させる触媒部内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置１２と、プラズマ発生装置１２の起動を制御する制御装置１６と、を備える改質装置１であって、制御装置１６は、改質装置１の始動の際に、前記触媒の温度が、水素含有化合物が分解する触媒反応温度より低い温度の場合、プラズマ発生装置１２を起動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒の触媒反応により水素含有化合物を分解して、水素を発生させる触媒部内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記プラズマ発生手段の起動を制御するプラズマ起動制御手段と、を備える改質装置であって、
前記プラズマ起動制御手段は、改質装置の始動の際に、前記触媒の温度が、前記水素含有化合物を分解する触媒反応温度より低い温度の場合、前記プラズマ発生手段を起動させることを特徴とする改質装置。
【請求項２】
前記触媒部を加熱する加熱手段と、
前記加熱手段の起動を制御する加熱制御手段と、を備え、
前記加熱制御手段は、改質装置の始動の際に、前記加熱手段を起動させることを特徴とする請求項１記載の改質装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、前記触媒部に酸素を供給して、前記触媒上での前記水素含有化合物と前記酸素との酸化反応による反応熱で前記触媒部を加熱する酸化反応加熱手段を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の改質装置。
【請求項４】
前記プラズマ発生手段の停止を制御するプラズマ停止制御手段を備え、
前記触媒の温度が、前記触媒反応温度以上となった際に、前記プラズマ発生手段を停止させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の改質装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、触媒反応により水素含有化合物を分解して水素を発生させる改質装置の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、水素を燃料とする燃料電池で駆動される自動車等の開発が活発に行われている。水素を燃料とする燃料電池からの排ガスには、内燃機関からの排ガスのように有害物質や二酸化炭素を含まないので、燃料電池は環境汚染及び地球温暖化を抑制できるクリーンエネルギーとして最適である。しかし、自動車用の燃料電池等にあっては、燃料である水素の供給手段が課題となっている。
【０００３】
例えば、特許文献１及び２には、触媒反応により、水素含有化合物を分解して水素を生成する改質装置を用いて、燃料電池に水素を供給する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００４−５２５０５８号公報
【特許文献２】特開２００３−４０６０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、触媒反応を利用した水素含有化合物の分解反応は一般的に平衡反応であり、触媒温度が低ければ低いほど、水素含有化合物の分解は起こり難く、水素の生成量は低下する。したがって、改質装置の始動時において、触媒の温度が、触媒反応により水素含有化合物を分解する温度未満の場合、加熱装置で触媒を加熱しても、触媒反応により水素含有化合物が分解する温度に達するまでの間は水素含有化合物の分解は起こらない。その結果、従来の改質装置では、改質装置の始動時から水素生成までに長い時間を必要としていた。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、改質装置の始動から短時間で水素の生成を可能とする改質装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態は、触媒の触媒反応により水素含有化合物を分解して、水素を発生させる触媒部内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、前記プラズマ発生手段の起動を制御するプラズマ起動制御手段と、を備える改質装置であって、前記プラズマ起動制御手段は、改質装置の始動の際に、前記触媒の温度が、前記水素含有化合物を分解する触媒反応温度より低い温度の場合、前記プラズマ発生手段を起動させる。
【０００８】
前記改質装置において、前記触媒部を加熱する加熱手段と、前記加熱手段の起動を制御する加熱制御手段と、を備え、前記加熱制御手段は、改質装置の始動の際に、前記加熱手段を起動させることが好ましい。
【０００９】
また、前記改質装置において、前記加熱手段は、前記触媒部に酸素を供給して、前記触媒上での前記水素含有化合物と前記酸素との酸化反応による反応熱で前記触媒部を加熱する酸化反応加熱手段を含むことが好ましい。
【００１０】
また、前記改質装置において、前記プラズマ発生手段の停止を制御するプラズマ停止制御手段を備え、前記触媒の温度が、前記触媒反応温度以上となった際に、前記プラズマ発生手段を停止させることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、改質装置の始動から短時間で水素の生成を可能とする改質装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本実施形態に係る改質装置の構成の一例を示す模式概観図である。
【図２】図１の改質室の構成の一例を示す模式断面図である。
【図３】本実施形態の改質装置及び従来の改質装置の始動特性示す図である。
【図４】他の実施形態に係る改質装置の構成の一例を示す模式概観図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本実施形態は本発明を実施する一例であって、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
図１は、本実施形態に係る改質装置の構成の一例を示す模式概観図である。図１に示すように、改質装置１は、改質室１０と、プラズマ発生装置１２、加熱装置１４、制御装置１６、温度センサ１８、水素含有化合物流入ライン２０、水素含有化合物排出ライン２２を備えている。図１に示す温度センサ１８は改質室１０内に設けられている。図１に示すように改質室１０の水素含有化合物入口（不図示）には、水素含有化合物流入ライン２０が接続され、改質室１０の水素含有化合物出口（不図示）には、水素含有化合物排出ライン２２が接続されている。
【００１５】
図２は、図１の改質室の構成の一例を示す模式断面図である。図２に示すように、改質室１０は、触媒部２８と加熱部３０とが誘電体３２により区画され、触媒部２８と加熱部３０とが誘電体３２を介して交互に積層された構造となっている。触媒部２８は改質室１０の水素含有化合物入口を介して水素含有化合物流入ライン２０と連通し、水素含有化合物出口を介して水素含有化合物排出ライン２２に連通している。すなわち、水素含有化合物は、水素含有化合物流入ライン２０から触媒部２８に導入され、触媒部２８内を通過し、水素含有化合物排出ライン２２から排出される。
【００１６】
本実施形態の触媒部は、水素含有化合物を触媒の触媒反応により分解して水素を発生させることができる構造であれば特に制限されるものではないが、図２に示す触媒部２８は、波状の基材３４ａに触媒を担持した触媒担持基材を一対の誘電体３２間等で形成される空間に設置した構造となっている。その他の例としては、ペレット状の多孔質基材に触媒を担持した触媒担持ペレットを、一対の誘電体３２間等で形成される空間に充填した構造等が挙げられる。基材３４ａの材質は特に制限されるものではないが、導電性基材であることが好ましい。
【００１７】
触媒は、水素含有化合物を触媒反応により分解して水素を発生させることができる触媒であれば特に制限されるものではなく、例えば、ルテニウム、白金、ロジウム、ニッケル、鉄、コバルトなどの遷移金属あるいはこれらの酸化物等が挙げられる。水素含有化合物は、メタノール、シクロヘキサン等の炭化水素化合物、アンモニア等の非炭化水素化合物等が挙げられる。
【００１８】
本実施形態の加熱装置は、加熱媒体又は熱源からの熱で触媒部を加熱する構造を有するものであれば特に制限されるものではないが、図１の加熱装置１４は、加熱媒体流入ライン２４、加熱媒体排出ライン２６、加熱部３０と、を備えており、加熱媒体流入ライン２４には、エンジンの排ガス等の加熱媒体が導入される。図１に示す改質室１０の加熱媒体入口（不図示）には、加熱媒体流入ライン２４が接続され、加熱媒体入口を介して加熱部３０に連通している。また図１に示す改質室１０の加熱媒体出口（不図示）には、加熱媒体排出ライン２６が接続され、加熱媒体出口を介して加熱部３０に連通している。すなわち、加熱媒体流入ライン２４から加熱部３０に加熱媒体が供給され、加熱部３０内を通過する際に、触媒部２８と熱交換され、触媒部２８を加熱し、熱交換された加熱媒体は加熱媒体排出ライン２６から排出される。なお、図２に示す加熱部３０内には、波状の基材３４ｂが設置されているが、加熱媒体が通過する構造であれば、これに制限されるものではない。基材３４ｂの材質は特に制限されるものではないが、導電性基材であることが好ましい。
【００１９】
また、加熱装置の他の例としては、燃焼器を設置して、燃焼器から供給される加熱媒体を加熱部３０に供給して触媒部２８を加熱する構造であってもよい。また、熱源からの熱で触媒部２８を加熱する加熱装置としてはヒータ等が挙げられ、該ヒータを改質室１０の外壁等に設置して、ヒータからの熱で改質室１０内の触媒部２８を加熱してもよい。
【００２０】
本実施形態のプラズマ発生装置は、触媒部２８内にプラズマを発生させることができる構造を有するものであれば特に制限されるものではなく、例えば、バリア放電によってプラズマを発生させるバリア放電プラズマ発生装置、高周波放電によってプラズマを発生させる高周波放電プラズマ発生装置、マイクロ波によってプラズマを発生させるマイクロ波プラズマ発生装置等が挙げられる。図１に示すプラズマ発生装置１２は、バリア放電プラズマ発生装置であり、図２に示すように、触媒部２８の基材３４ａに高電圧を印加するための高電圧電源３６を備えている。本実施形態では、触媒部２８の基材３４ａが高電圧電極として作用し、加熱部３０の基材３４ｂが接地電極として作用し、高電圧電極に高電圧が印加された際に、誘電体３２を介して高電圧電極と接地電極間に電位差を生じさせ、触媒部２８内にプラズマを発生させる。なお、本実施形態では、触媒部２８及び加熱部３０の基材３４ａ，３４ｂをそれぞれ電極として利用しているが、別途触媒部２８に高電圧電極、加熱部３０に設置電極を設置してもよい。
【００２１】
制御装置１６は、例えばマイクロコンピュータを主とするデジタル回路で構成され、加熱装置１４の起動及び停止、プラズマ発生装置１２の起動及び停止等を制御するものである。本実施形態では、制御装置１６により加熱装置１４の起動及び停止、プラズマ発生装置１２の起動及び停止を制御しているが、加熱装置１４の起動を制御する加熱起動制御装置、加熱装置１４の停止を制御する加熱停止制御装置、プラズマ発生装置１２の起動を制御するプラズマ発生制御装置、プラズマ発生装置１２の停止を制御するプラズマ停止制御装置がそれぞれ独立して存在していてもよい。
【００２２】
水素含有化合物流入ライン２０に設けられるバルブ３８、加熱媒体流入ライン２４に設けられるバルブ４０は制御装置１６と電気的に接続されており、制御装置１６により、バルブ３８及び４０の開閉が制御されるようになっている。
【００２３】
温度センサ１８は、触媒部２８内に設置され、触媒の温度を検出するものであり、制御装置１６と電気的に接続されている。
【００２４】
以下に、本実施形態に係る改質装置１の動作の一例について説明する。
【００２５】
まず、改質装置１を始動する際に、制御装置１６により、水素含有化合物流入ライン２０に設けられたバルブ３８が開かれ、水素含有化合物が水素含有化合物流入ライン２０から改質室１０の触媒部２８内に供給される。ここで、改質装置１を始動する際とは、例えばイグニッションスイッチのＯＮにより制御装置１６の電源がＯＮになった際等である。
【００２６】
水素含有化合物が触媒部２８内を通過する際に、触媒の触媒反応により水素含有化合物が分解され水素が生成されるが、通常、触媒の温度が、水素含有化合物が分解する触媒反応温度に達していなければ、水素含有化合物は分解され難く、水素はほとんど生成されない。また、改質装置１の始動時において、加熱装置１４を起動させても、触媒の温度が、水素含有化合物が分解する触媒反応温度に達するまでには時間が掛かるため、その間は水素がほとんど生成されない。したがって従来の改質装置では、改質装置の始動時から水素生成までに長い時間を必要としていた。これに対し、本実施形態の改質装置１では、改質装置１の始動から短時間で水素を生成させるために、制御装置１６により以下の制御を行っている。
【００２７】
本実施形態では、改質装置１を始動させる際に、温度センサ１８により触媒の温度が検出され、検出された温度データが制御装置１６に出力される。そして、制御装置１６では、検出された温度データと予め設定されている第１規定温度とを比較して、温度データが予め設定されている第１規定温度未満の場合に、プラズマ発生装置１２を起動させる。具体的には、制御装置１６からプラズマ発生装置１２の高電圧電源３６に出力指令が送信され、高電圧電源３６から触媒部２８に高電圧が印加されることにより、触媒部２８内にプラズマを発生させる。ここで、第１規定温度は、触媒反応により水素含有化合物が分解する触媒反応温度であり、例えば、触媒が白金、水素含有化合物がメチルシクロヘキサンの場合であれば、３００℃〜４００℃の範囲内で設定され、例えば、触媒がゼオライト、水素含有化合物がヘプタンの場合であれば、５００℃〜６００℃の範囲内で設定される。
【００２８】
そして、触媒部２８内にプラズマを発生させることにより、プラズマの放電エネルギの一部が水素含有化合物の分解に利用される。プラズマの放電エネルギによる水素含有化合物の分解のメカニズムは、プラズマの放電エネルギが水素含有化合物や触媒に作用する等して、直接水素含有化合物を分解するか、又は触媒反応の活性化エネルギを低下させ、触媒反応による水素含有化合物の分解を起こりやすくして、水素が生成されるものと考えられる。このように、改質装置１の始動の際に、触媒部２８内にプラズマを発生させることにより、触媒の温度が、水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）より低い温度であっても、水素含有化合物が分解して水素を生成させることができるため、改質装置１の始動から短時間で水素を生成させることができる。触媒部２８内で生成した水素は、水素含有化合物排出ライン２２から排出され、例えば、燃料電池に供給され、燃料電池の燃料として利用される。
【００２９】
図３は、本実施形態の改質装置及び従来の改質装置の始動特性を示す図である。本実施形態の改質装置は、図１に示すプラズマ発生装置１２及び加熱装置１４を備える改質装置１であり、従来の改質装置は加熱装置１４のみを備える改質装置である。従来の改質装置では、改質装置の始動と同時に加熱装置１４を起動させて、触媒部２８を加熱させても、図３に示すように、触媒の温度が水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）に達するまで水素発生は起こらない。その結果、改質装置を起動させてから水素発生までに時間が掛かる。一方、本実施形態の改質装置１では、前述の通り、触媒の温度が第１規定温度未満の場合でも、プラズマ発生装置１２によるプラズマの放電エネルギにより水素含有化合物が分解され水素発生が起こるため、改質装置１を起動させてから水素発生までの時間を短縮することができる。
【００３０】
また、触媒部２８内に発生させたプラズマの放電エネルギの一部は触媒の加熱にも利用される。したがって、プラズマ発生装置１２を起動させ、触媒部２８内にプラズマを発生させることにより、触媒の温度を、水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）以上に昇温することも可能であるが、プラズマによる触媒部２８の加熱のみでは、触媒の温度が第１規定温度に達するまでに時間が掛かる場合がある。また、触媒部２８の触媒反応による水素含有化合物の分解は吸熱反応であるため、プラズマによる触媒部２８の加熱のみでは、触媒の温度を第１規定温度以上に維持することが困難となる場合がある。
【００３１】
そこで、本実施形態では、改質装置１の始動の際に、加熱装置１４を起動させ、触媒部２８を加熱することが好ましい。具体的には、改質装置１の始動の際に、制御装置１６により加熱媒体流入ライン２４に設けられるバルブ４０を解放する（加熱装置１４の起動）。これにより、加熱媒体としての排ガスが改質室１０内の加熱部３０に供給され、改質室１０内の加熱部３０を通過する際に、触媒部２８と熱交換されて、触媒部２８が加熱される。熱交換された排ガスは加熱媒体排出ライン２６を通り、系外へ排出される。燃焼器を備える加熱装置の場合には、改質装置１の始動の際に、制御装置１６により燃焼器を起動させる。これにより、燃焼器から供給される加熱媒体が改質室１０内の加熱部３０に供給され、触媒部２８が加熱される。
【００３２】
加熱装置１４の起動は、触媒の温度に関わらず、改質装置１の始動の際に、加熱装置１４を起動させることが好ましい。これは、触媒の温度が水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）未満であれば、プラズマ発生装置１２と加熱装置１４により、触媒の温度を第１規定温度までより早く昇温させることが可能となるからである。また、触媒の温度が水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）以上であっても、加熱装置１４により触媒の温度を第１規定温度以上に維持させることも容易となる。なお、加熱装置１４を起動させる時は、プラズマ発生装置１２と同時に起動させてもよいし、プラズマ発生装置１２の起動の前又は後に起動させてもよい。
【００３３】
そして、加熱装置１４及びプラズマ発生装置１２により触媒部２８が加熱され、触媒の温度が水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定値）以上となった際には、例えば、図３に示すように、触媒反応だけで水素含有化合物を分解し水素を十分に生成させることができるため、省エネルギの観点等から、制御装置１６によりプラズマ発生装置１２を停止させることが好ましい。なお、前述の通り、触媒反応は吸熱反応であるため、加熱装置１４は起動させたままにしておくことが好ましい。
【００３４】
次に、他の実施形態の改質装置の構成の一例を説明する。
【００３５】
図４は、他の実施形態に係る改質装置の構成の一例を示す模式概観図である。図４に示す改質装置２は、改質室４２と、プラズマ発生装置４４、酸化反応加熱装置４６、制御装置４８、温度センサ５０、水素含有化合物流入ライン５２、水素含有化合物排出ライン５４を備えている。図４では、改質室４２及びプラズマ発生装置４４の構成を示すために、これらを断面図で表している。図４に示す改質室４２内には、格子状に配置した基材３４ｃを設置し、基材３４ｃ上に触媒を担持又は格子内に触媒を充填した触媒部５６が設けられている。図４に示すプラズマ発生装置４４は高周波放電によるプラズマ発生装置であり、改質室４２の外周に配置されるプラズマ発生用コイル電極５８と、高周波電源６０と、を備える。そして、プラズマ発生用コイル電極５８は高周波電源６０と電気的に接続されて、高周波電源６０は制御装置４８と電気的に接続されている。
【００３６】
図４に示すように改質室４２の導入口（不図示）には、水素含有化合物流入ライン５２が接続され、導入口を介して触媒部５６と連通し、改質室４２の排出口（不図示）には、水素含有化合物流入ライン５２が接続され、排出口を介して触媒部５６と連通している。
【００３７】
本実施形態の酸化反応加熱装置４６は、触媒部５６に酸素を供給して、水素含有化合物と酸素との酸化反応による反応熱で触媒部５６を加熱するものである。図４に示す酸化反応加熱装置４６は、空気流入ライン６２、ブロワ（不図示）を備えている。空気流入ライン６２の一端はブロワに接続され、多端は、水素含有化合物流入ライン５２に接続されており、ブロワから供給される空気が、水素含有化合物流入ライン５２で水素含有化合物と混合されるようになっている。なお、本実施形態では、触媒部５６の加熱を効率的に行うために、改質室４２の外周に断熱材６８を設置している。
【００３８】
制御装置４８はマイクロコンピュータを主とするデジタル回路で構成され、酸化反応加熱装置４６の起動及び停止、プラズマ発生装置４４の起動及び停止等を制御するものである。また、本実施形態では、水素含有化合物流入ライン５２に設けられる流量調整バルブ６４及び空気流入ライン６２に設けられる流量調整バルブ６６は、制御装置４８と電気的に接続され、制御装置４８により、水素含有化合物と空気の流量が調整されるように構成されている。
【００３９】
温度センサ５０は、触媒部５６内に設置され、触媒の温度を検出するものであり、制御装置４８と電気的に接続されている。
【００４０】
以下に、本実施形態に係る改質装置２の動作の一例について説明する。
【００４１】
まず、改質装置２を始動する際（例えばイグニッションスイッチがＯＮにされ、制御装置４８の電源がＯＮになった際）に、水素含有化合物流入ライン５２に設けられた流量調整バルブ６４が開放され、水素含有化合物が水素含有化合物流入ライン５２から改質室４２内の触媒部５６に供給される。
【００４２】
また、改質装置１を始動させる際に、温度センサ５０により触媒の温度が検出され、検出された温度データが制御装置４８に出力される。そして、制御装置４８において、検出された温度データと予め設定されている水素含有化合物を分解する触媒反応温度（第１規定温度）とを比較し、温度データが予め設定されている第１規定温度未満の場合に、プラズマ発生装置４４を起動させる。具体的には、制御装置４８により高周波電源６０からプラズマ発生用コイル電極５８に出力指令が出され、高周波電源６０からプラズマ発生用コイル電極５８に電力が供給されることにより、触媒部５６内にプラズマを発生させる。これにより、プラズマの放電エネルギの一部が水素含有化合物の分解に利用されるため、改質装置２の始動から短時間で水素生成が可能となる。また、前述の通り、触媒部５６内にプラズマを発生させることにより、プラズマの放電エネルギの一部は触媒部５６の加熱にも利用されている。
【００４３】
さらに、改質装置１を始動させる際に、制御装置４８により、酸化反応加熱装置４６を起動させる（具体的には、ブロワの起動及び空気流入ライン６２に設けられる流量調整バルブ６６の開放）。酸化反応加熱装置４６の起動により、空気が空気流入ライン６２から水素含有化合物流入ライン５２に供給され、水素含有化合物と空気との混合気が改質室４２の触媒部５６に供給される。触媒部５６では、水素含有化合物の一部が前述したようにプラズマの放電エネルギ（一部）により触媒上で分解して水素が生成され、プラズマの放電エネルギの一部は水素含有化合物の酸化を生じさせることに利用されて、水素含有化合物の一部が触媒上で酸素と酸化反応して発熱し、触媒部５６が加熱される。
【００４４】
このように、触媒部５６の温度に関わらず、改質装置２の始動の際に、酸化反応加熱装置４６を起動させて、触媒部５６を加熱させることにより、触媒部５６をより効率的に加熱することが可能となる。
【００４５】
酸化反応加熱装置４６を起動させて、触媒部５６に供給する空気の流量は、水素含有化合物の流量に対して当量比が１２〜５の範囲とすることが好ましい。水素含有化合物の流量に対する空気量が当量比１２以上となると、酸化反応が十分に起こらず、触媒部５６を十分に加熱することができない場合がある。また、水素含有化合物の流量に対する空気量が当量比５未満となると、分解反応により生成した水素を酸化により消費する虞があり、効率的でない。なお、流量は前述の通り、制御装置４８により水素含有化合物流入ライン５２及び空気流入ライン６２に設けられる流量調整バルブ（６４，６６）の開度を調整すること等により行われる。
【００４６】
そして、酸化反応加熱装置４６及びプラズマ発生装置４４により触媒部５６が加熱され、触媒の温度が水素含有化合物が分解する触媒反応温度（第１規定値温度）以上となった際には、触媒反応だけで水素含有化合物を分解し水素を生成させることができるため、省エネルギの観点等から、制御装置４８によりプラズマ発生装置４４を停止させることが好ましい。なお、前述の通り、触媒反応は吸熱反応であるため、酸化反応加熱装置４６は起動させたままにしておくことが好ましい。
【００４７】
本実施形態の改質装置は、図１に示す加熱装置１４及び図４に示す酸化反応加熱装置４６を併用してもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１  改質装置、１０，４２  改質室、１２，４４  プラズマ発生装置、１４  加熱装置、１６，４８  制御装置、１８，５０  温度センサ、２０，５２  水素含有化合物流入ライン、２２，５４  水素含有化合物排出ライン、２４  加熱媒体流入ライン、２６  加熱媒体排出ライン、２８，５６  触媒部、３０  加熱層、３２  誘電体、３４ａ，３４ｂ，３４ｃ  基材、３６  高電圧電源、３８，４０  バルブ、４６  酸化反応加熱装置、５８  プラズマ発生用コイル電極、６０  高周波電源、６２  空気流入ライン、６４，６６  流量調整バルブ、６６  流量調整バルブ、６８  断熱材。
【図１】
2014205599.tif 000003
【図３】
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【図４】
2014205599.tif 000005
【図２】
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