(57)【要約】【課題】半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を平坦化することができ、厚さ精度が良好となるように半導体ウェハの裏面を研磨でき、半導体ウェハからの剥離性もよい半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供する。【解決手段】本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、粘着剤層を有し、前記粘着剤層に表面に半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、前記半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に研削層を有しており、前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上であることを特徴とする。【選択図】図１
2014175334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着剤層を有し、前記粘着剤層に表面に半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に研削層を有しており、
前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項２】
粘着剤層を有し、前記粘着剤層に表面に凹凸を有する半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、
前記半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に、前記半導体ウェハが貼合されることにより前記凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化するための研削層を有しており、
前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上であることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項３】
前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ〜４ＧＰａであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項４】
前記研削層は、厚さが３０μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。さらに詳しくは、その表面に凹凸を有する半導体ウェハのバックグラインディング工程へ適用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの製造工程においては、パターン形成後のウェハは、通常、その厚さを薄くするため、ウェハ裏面にバックグライディング、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウェハ表面のパターンを保護する目的で、該パターン面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープが貼り付けられる。半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウェハの裏面に粘着剤層を貼付して用いるようになっている。
【０００３】
近年、携帯電話やパソコンなどの小型化、高機能化に伴い、ワイヤーボンディングに比べて省スペースで実装可能なフリップチップ実装が開発されている。フリップチップ実装は、チップ表面と基板を電気的に接続する際、半導体ウェハ表面に形成されたボール状や円柱状のバンプによって接続する。このようなバンプは、高さ（厚さ）が１００μｍを超えるようなものもあり、表面凹凸の大きい半導体ウェハに半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合すると、半導体ウェハ表面保護用粘着テープにも半導体ウェハ表面の凹凸が転写され、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面が凹凸を有するようになってしまう。その状態で半導体ウェハの裏面研削加工を実施すると、半導体ウェハ表面の凸部分（バンプ部分）に圧力がかかり、深く研削されてしまうため、半導体ウェハの厚さ精度が悪化し、場合によっては半導体ウェハを破損してしまうおそれがある。
【０００４】
この問題を解決するために、半導体ウェハに貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープの半導体ウェハが貼合されていない側の面に、樹脂を成型し、その樹脂によりウェハ裏面を基準に平坦に研削した後に、半導体ウェハ裏面の研磨を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４０３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のように、半導体ウェハを半導体ウェハ表面保護用粘着テープに貼合した後に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの半導体ウェハが貼合されていない側の面に樹脂を成型した場合、工程が煩雑になるという問題があった。また、樹脂の成型時の熱や圧力により半導体表面保護用粘着テープと半導体ウェハの密着性が上がり、半導体ウェハの裏面研削後における半導体表面保護用粘着テープとの剥離性が悪化するという問題があった。
【０００７】
このような問題を解決するために、樹脂を成型することなく、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ自体を研削して半導体ウェハ表面の凹凸が転写された凹凸を平坦にすることも考えられる。しかし、半導体ウェハ表面保護用粘着テープは一般に柔軟性があり、その裏面を研削しようとすると、研削機に巻き込まれ半導体ウェハ表面保護用粘着テープが剥離してしまうという問題がある。また、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面を研削できたとしても、研削性が悪いため研削面の平坦性が損なわれ、半導体ウェハの裏面研削において厚さ精度を良くする効果が得られないという問題がある。さらに、半導体ウェハ表面保護用テープが研磨されることにより、半導体ウェハの裏面研削時に、本来求められる半導体ウェハ表面保護用粘着テープの性能が出ないといった問題もある。
【０００８】
そこで、本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて半導体ウェハ表面保護用粘着テープ面に形成された凹凸を平坦化することができ、半導体ウェハの裏面を厚さ精度が良好となるように研磨でき、半導体ウェハからの剥離性もよい半導体ウェハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、粘着剤層を有し、前記粘着剤層に半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、前記半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に、研削層を有しており、前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上であることを特徴とする。
【００１０】
また、本願発明による半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、粘着剤層を有し、前記粘着剤層に表面に凹凸を有する半導体ウェハが貼合され前記半導体ウェハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウェハ表面保護用粘着テープであって、前記半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に、前記半導体ウェハが貼合されることにより前記凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化するための研削層を有しており、前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上であることを特徴とする。
【００１１】
前記研削層は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ〜４ＧＰａであることが好ましい。
【００１２】
上記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、前記研削層が、ポリオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、エンジニアリングプラスチック、およびこれらの混合物から選ばれる一または複数の層からなることが好ましい。
【００１３】
また、上記半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、前記研削層の厚さが３０μｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に研削層が設けられているため、半導体ウェハが貼合した際に半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に形成された凹凸を、研削層を研削して平坦化すればよく、別途樹脂を成型してから該樹脂を研削する必要がないため、工程が煩雑になることがない。また、研削層の引張り弾性率が０．２ＧＰａ〜４ＧＰａであるため、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面を良好に平坦化することができ、その結果、半導体ウェハの裏面を研磨した際の厚さ精度が向上する。また、半導体ウェハ裏面の研削加工後に、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを半導体ウェハから容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープの使用例を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１７】
本発明の実施形態に係る半導体表面保護用粘着テープは、少なくとも1種類の粘着剤からなる粘着剤層を有しているとともに、粘着剤層半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層には、半導体ウェハが貼合されることにより半導体ウェハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化するための研削層が設けられている。
【００１８】
図１は、本発明の半導体表面保護用粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図である。図１に示すように、半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２上には粘着剤層３が形成されている。また、基材フィルム２の粘着剤層とは反対側の面には研削層４が設けられている。また、半導体表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層３上に、粘着剤層３を保護するための剥離フィルム５をさらに備えている。半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２、粘着剤層３、研削層４および剥離フィルム５の積層体をロール状に巻いても良い。
【００１９】
以下、本実施形態の半導体表面保護用粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００２０】
（基材フィルム２）
本実施の形態の半導体ウェハ表面保護粘着テープ１の基材フィルム２は、樹脂フィルムからなるものが好ましく、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。例えば、ポリオレフィン樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体もしくは共重合体、またはこれらの混合物）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、エンジニアリングプラスチック（ポリメチルメタクリレート等）、合成ゴム類（スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体）、熱可塑性エラストマー（ポリアミド−ポリオール共重合体等）、およびこれらの混合物が挙げられる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。本願発明における基材フィルム２としては、研削層４の研削後の状態でも、半導体ウエハの加工時のクッション性を有するよう、特にポリエチレンやエチレン−酢酸ビニル共重合体が望ましい。
【００２１】
基材フィルム２の厚さは、研削層４との総厚が５０〜４００ｕｍとなる厚さが好ましく、研削層４との総厚が５０〜２００ｕｍとなる厚さがより好ましい。
【００２２】
基材フィルム２の粘着剤層が設けられる側の表面には、粘着剤層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
【００２３】
（粘着剤層３）
粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、研削層４の研削時および半導体ウェハ６（図２参照）のバックグラインディング（研磨）時に半導体ウェハ６との密着性を十分保持できるものであれば特に限定されないが、半導体ウェハ６表面の凹凸６１（図２参照）に追従させたい場合、粘着剤層３の弾性率の低くなるような粘着剤組成物を用いることが好ましい。また、主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできるため、半導体ウェハ６が有機物によって汚染されることや、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離後に半導体ウェハ６に粘着剤が残存するのを低減することができる。
【００２４】
放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素−炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。本発明においては、エチレン性不飽和基を有する粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用することも剥離性の観点から好ましい。また、粘着剤組成物に光重合開始剤および架橋剤を含有することが好ましく、粘着剤層の弾性率や粘着力を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。
【００２５】
［エチレン性不飽和基を有する樹脂］
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができ、硬化収縮を抑制できる。また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、半導体ウェハ６の加工工程に伴う熱に対する耐熱性が増す。
【００２６】
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。
【００２７】
エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００２８】
ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。
【００２９】
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
【００３０】
このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。
【００３１】
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。
【００３２】
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。
【００３３】
重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
【００３４】
エチレン性不飽和基を有する樹脂の平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウェハ表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。
【００３５】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。
【００３６】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。
【００３７】
［架橋剤］
架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００３８】
ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製）等を用いることができる。
【００３９】
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（株式会社三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。
【００４０】
架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、１．０〜１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。
【００４１】
［光重合開始剤］
放射線硬化型粘着剤層には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００４２】
［その他の添加物］
放射線硬化型粘着剤層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００４３】
粘着剤層３は、粘着剤組成物を剥離フィルム５上に塗布、乾燥させて基材フィルム２に転写することで形成することができる。粘着剤層３の厚さは、１〜２００μｍであるものが好ましく、半導体ウェハ６表面の凹凸６１（図２参照）の大きさや得たい粘着性に応じて適宜選択される。粘着剤層３は複数の粘着剤層が積層された構成であってもよい。
【００４４】
（研削層４）
研削層４は、引張り弾性率が０．２ＧＰａ〜４ＧＰａであれば材質は特に限定されず、例えば、ポリオレフィン樹脂（低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体もしくは共重合体、またはこれらの混合物）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、エンジニアリングプラスチック（ポリメチルメタクリレート等）およびこれらの混合物を用いることができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。本発明において、研削層４は、高密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましく、基材フィルム２と同じ材質でも構わない。
【００４５】
研削層４の引張り弾性率が０．２ＧＰａ未満であると、研削層４を研削する際に、研削機７（図２（Ｃ）参照）に巻き込まれ半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１が半導体ウェハから剥離してしまう。４ＧＰａ超であると、剛性が高すぎるため、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を半導体ウェハから剥離する際に半導体ウェハを破損してしまう恐れがある。また、４ＧＰａ超であると、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の貼合後の半導体ウェハに沿ったカットがスムーズに行えない恐れもある。０．２ＧＰａ〜４ＧＰａの範囲にあることで、研削機７により研削することが容易となり、半導体ウェハへの貼合や剥離もスムーズとなる。
【００４６】
研削層４の厚さは、好ましくは１０μｍ以上、更に好ましくは３０〜１００μｍであり、研削される厚さよりも厚く、より好ましくは研削される厚さよりも１０ｕｍ以上厚くすることでより簡易に、研削層４を研削することができる。研削厚さよりも１０ｕｍ以上厚くすることで、基材自体の厚さバラつきや半導体ウェハの凹凸により研削層に凹凸が生じた場合にも安定的に研削層を研削することができる。
【００４７】
（剥離フィルム５）
剥離フィルム５は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム５の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム５の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム５の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００４８】
なお、本実施の形態においては、基材フィルム２の粘着剤層３が設けられている面とは逆の面に、研削層４を設けるようにしたが、基材フィルム２を設けることなく、研削層４が基材フィルム２の役割を兼ねるようにしてもよい。また、基材フィルム２の粘着剤層３が設けられている面とは逆の面に他の層の設けてもよく、その場合、最外層が研削層４となるようにする。研削層４を基材フィルム２と別に設ける場合、例えば、基材フィルム２と、共押し出し法により同時に製膜する方法や、接着剤層を介して張り合わせることによって基材フィルム２と積層される。
【００４９】
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１は、貼合する半導体ウェハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸６１の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハ６に使用するのが好ましく、高さの最大差が８０〜３００μｍである半導体ウェハ６に使用することが更に好ましい。
【００５０】
＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープの使用方法、すなわち半導体ウェハの加工方法について、説明する。
【００５１】
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウェハの加工方法は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１で、半導体ウェハ６の表面を保護し、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の背面（研削層４）を研削加工し平坦化したあと、半導体ウェハ６の裏面を研削して半導体ウェハ６を加工する工程を含む。半導体ウェハ６は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を貼合する半導体ウェハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハ６に使用するのが好ましい。半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の背面を研削すること以外は、通常の半導体ウェハ６の加工工程が適用できる。
【００５２】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の剥離フィルム５を粘着剤層３から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ６の回路パターン面（表面）に、粘着剤層３が貼合面となるように、半導体ウェハ表面保護テープ１を貼合する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面すなわち研削層５の表面には、半導体ウェハ６表面の凹凸６１が転写されて凹凸１１が形成される。                
【００５３】
次に、図２（Ｃ）に示すように、貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の研削層５側の面を、研削層５が存在する範囲、例えば１０〜５０μｍまで、研削機７により研削し、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面の凹凸１１を平坦化する。その後、図２（Ｄ）に示すように、半導体ウェハ６の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウェハ６の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研磨機８により研磨する。このとき、半導体ウェハ表面保護テープ１の裏面が平坦であるため、半導体ウェハ６の裏面には研磨機８からの力が均一にかかり、半導体ウェハ６が厚み精度よく研磨される。  
【００５４】
その後、この半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の貼合された面を下側にして加熱吸着台（図示しない）に載せ、その状態で、半導体ウェハ６の回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。その後、半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１の基材フィルム５の背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウェハ６から半導体ウェハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。
【００５５】
＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５６】
下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。
【００５７】
〔粘着剤層組成物の調製〕
２−エチルヘキシルアクリレート８５質量部、２−ヒドロキシアクリレート１４質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社）５．０質量部およびＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＴＰＯ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社）２．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物Ａを得た。
【００５８】
＜実施例１＞
共押し出し製膜により、研削層としての引張り弾性率０．５ＧＰａの高密度ポリエチレン樹脂（ＨＤＰＥ）５０μｍと基材フィルムとしてのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）１５０μｍとの積層フィルム（合計厚み２００μｍ）を作製した。厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させた後、上記積層基材フィルムのＥＶＡフィルム面と貼りあわせ、厚さ２５０μｍの実施例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５９】
表面に高さ１００μｍバンプを有する８インチ径の半導体ウェハ４枚に、実施例１の半導体ウェハ表面保護用粘着テープをそれぞれ貼合し、貼合された半導体ウェハ表面保護用粘着テープのＨＤＰＥフィルムの背面を３０μｍ研削加工した後、株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）を用いて、半導体ウェハの裏面を５０μｍの厚さまで研磨加工した。
【００６０】
＜実施例２＞
共押し出し製膜により、研削層としての引張り弾性率０．２ＧＰａの低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）５０μｍと基材フィルムとしてのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）１５０μｍとの積層フィルム（合計厚み２００μｍ）を作製した。厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層基材フィルムのＥＶＡフィルム面と貼りあわせ、厚さ２５０μｍの比較例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６１】
実施例１と同様にして、ＬＤＰＥフィルムの背面を研削加工した後、半導体ウェハの裏面を研磨加工した。
【００６２】
＜実施例３＞
研削層としての引張り弾性率３ＧＰａ、厚み１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）の上に、乾燥後の膜厚が１００μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させた後、離型処理がなされた厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータの離型剤面と貼り合わせ、厚さ２００μｍの実施例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。なお、本実施例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープでは、厚み１００μｍのＰＥＴフィルムが基材フィルムとしても機能している。
【００６３】
実施例１と同様にして、厚み１００μｍのＰＥＴフィルムの背面を研削加工した後、半導体ウェハの裏面を研磨加工した。
【００６４】
＜実施例４＞
研削層としての引張り弾性率５ＧＰａ、厚み１００μｍのポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）の上に、乾燥後の膜厚が１００μｍとなるように粘着剤組成物Ａを塗布し、乾燥させた後、離型処理がなされた厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）セパレータの離型剤面と貼り合わせ、厚さ２００μｍの比較例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。なお、本比較例３に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープでは、厚み１００μｍのＰＥＮフィルムが基材フィルムとしても機能している。  
【００６５】
実施例１と同様にして、厚み１００μｍのＰＥＮフィルムの背面を研削加工した後、半導体ウェハの裏面を研磨加工した。
【００６６】
＜比較例１＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が１００μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、研削層としての引張り弾性率０．０５ＧＰａのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）２００μｍのフィルムと貼りあわせ、厚さ３００μｍの比較例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。なお、比較例１に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープでは、ＥＶＡフィルムが基材フィルムとしても機能している。
【００６７】
実施例１と同様にして、ＥＶＡフィルムの背面を研削加工した後、半導体ウェハの裏面を研磨加工した。
【００６８】
＜比較例２＞
共押し出し製膜により、研削層としての引張り弾性率０．１ＧＰａの低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）５０μｍと基材フィルムとしてのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）１５０μｍとの積層フィルム（合計厚み２００μｍ）を作製した。厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５０μｍとなるように粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層基材フィルムのＥＶＡフィルム面と貼りあわせ、厚さ２５０μｍの比較例２に係る半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６９】
実施例１と同様にして、ＬＤＰＥフィルムの背面を研削加工した後、半導体ウェハの裏面を研磨加工した。
【００７０】
＜比較例３＞
実施例１と同様の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて、基材背面の研削加工を行わずにウェハの研磨を行った。すなわち、この場合、ＨＤＰＥフィルムは研削層として機能していないため、研削層ではないということができる。
【００７１】
＜比較例４＞
実施例２と同様の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて、基材背面の研削加工を行わずにウェハの研磨を行った。すなわち、この場合、厚み１００μｍのＰＥＴフィルムは研削層として機能していないため、研削層ではないということができる。
【００７２】
＜比較例５＞
比較例１と同様の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて、基材背面の研削加工を行わずにウェハの研磨を行った。すなわち、この場合、ＥＶＡフィルムは研削層として機能していないため、研削層ではないということができる。
【００７３】
＜比較例６＞
実施例２と同様の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを用いて、基材背面の研削加工を行わずにウェハの研磨を行った。すなわち、この場合、ＬＤＰＥフィルムは研削層として機能していないため、研削層ではないということができる。
【００７４】
［特性評価試験］
実施例１〜４、比較例１〜６の半導体ウェハ加工用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。
【００７５】
（ウェハ裏面状態）  
研磨加工した半導体ウェハ裏面の観察を目視にて実施した。半導体ウェハ裏面状態の評価は、４枚の半導体ウェハで破損やディンプルが１箇所も発生しなかったものを良品として○、４枚の半導体ウェハにおいて１枚でも破損もしくは半導体ウェハに全面的にディンプルが発生したものを不良品として×で示した。
【００７６】
（剥離試験）
ウェハ裏面状態観察後、半導体ウェハ裏面の研削加工ができ1枚も破損が生じなかった実施例および比較例について、半導体ウェハ表面保護用粘着テープに５００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射を行い、各実施例、比較例を貼合した４枚のウェハの内、２枚についてはウェハの裏面に実施例１に記載のテープを貼合し、また、残りの２枚については裏面にテープを貼合しない状態にて、半導体ウェハ表面に貼合した半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離機（ＨＲ−８５００−ＩＩ（商品名、日東精機（株）製））を用いて、ウェハから剥離させた。４枚の半導体ウェハとも破損なく剥離できたものを良品として◎、裏面に実施例１のテープを貼合させないで剥離させたときにウェハの破損が見られたが裏面に実施例１のテープを貼合させた状態で剥離させたときに２枚の内1枚もウェハの破損が生じなかったものを許容品として○、裏面へのテープ貼合の有無によらず半導体ウェハが破損したものを不良品として×で示した。
【００７７】
【表１】
2014175334.tif 000003
【００７８】
表１に示すように、半導体ウェハが貼合される面とは反対側の最外層に、引張り弾性率が０．２ＧＰａ以上である研削層を有し、研削層の研削を実施した実施例１〜４についてはディンプルや半導体ウェハの破損が生じることなく半導体ウェハの裏面を研磨加工することができた。特に、研削層の引張り弾性率が０．２ＧＰａ〜４ＧＰａである実施例１〜３は、剥離性が特に優れる結果となった。一方、研削層の引張り弾性率が０．０５ＧＰａである比較例１については、研削層の研削加工において研削機の研削刃に研削層が絡まり、研削加工できなかった。更に、研削層の引張り弾性率が０．１ＧＰａである比較例２については、研削層の研削加工は可能であったが、研削層の研削精度が優れず、結果として、半導体ウェハの裏面を研磨した際にディンプルが生じてしまった。また、研削層に相当するフィルムの研削加工を実施しなかったため該フィルムが研削層としての機能を果たしていない比較例３〜６については、バンプによる段差（凹凸）が半導体ウェハ表面保護用粘着テープに転写され、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの裏面に凹凸がある状態で半導体ウェハの裏面を研磨したため、ディンプルの発生や半導体ウェハの破損が確認された。
【００７９】
このように、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、表面に凹凸を有する半導体ウェハであっても、研削層の研削加工を行うことで半導体ウェハを厚さ精度良好に加工することができ、ディンプルの発生や半導体ウェハの破損を抑制することができる。
【符号の説明】
【００８０】
１：半導体ウェハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：研削層
５：剥離フィルム
６：半導体ウェハ
７：研削機
８：研磨機
１１：凹凸
６１：凹凸
【図１】
2014175334.tif 000004
【図２】
2014175334.tif 000005