(57)【要約】      （修正有）【課題】高周波数で動作する電気機器に用いた場合でも高周波動作によるインピーダンス変化を抑制できる抵抗器を提供する。【解決手段】抵抗器１００は、基板１と、基板１上に積層された抵抗体２と、抵抗体２に接続するとともに、基板１の両端部に設けられた一対の電極３と、抵抗体２を覆う保護膜４とを備え、抵抗体１００は、トリミングラインを有さず、抵抗体２の膜厚を調整することでインピーダンスを調整することにより、動作周波数に依存するリアクタンスの変化に伴うインピーダンスの変化を抑制した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と；
前記基板上に積層された抵抗体と；
前記抵抗体に接続するとともに、前記基板の両端部に設けられた一対の電極と；
前記抵抗体を覆う保護膜と；
を備え、
前記抵抗体は、トリミングラインを有さず、前記抵抗体の膜厚を調整することでインピーダンスを調整することにより、動作周波数に依存するリアクタンスの変化に伴うインピーダンスの変化を抑制したことを特徴とする抵抗器。
【請求項２】
請求項１記載の抵抗器と；
前記抵抗器が実装される回路基板と；
を備える電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、抵抗器および電気機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の抵抗器は、抵抗体にレーザーでカットライン（トリミングライン）を入れて、トリミングすることにより、抵抗体のインピーダンスが所定値になるように調整している。
【０００３】
抵抗器のインピーダンスは、抵抗体のレジスタンス（抵抗成分）とリアクタンスによって表される。抵抗器のリアクタンスは、誘導性リアクタンスと容量性リアクタンスとに大別され、誘導性リアクタンス（インダクタンス）は、抵抗器の形状に依存し、容量性リアクタンス（キャパシタンス）は、抵抗器の電極間の寄生容量（浮遊容量）やトリミングラインに生じる寄生容量に依存する。
【０００４】
しかしながら、抵抗体をトリミングすることで抵抗体のインピーダンスを調整した抵抗器を、動作周波数が高周波数（例えば、数百ｋＨｚから数ＭＨｚ、具体的には、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ程度）で用いた場合には、動作周波数が高くなるにしたがって、容量性リアクタンスが減少し、インピーダンスが減少する。また、同様に、誘導性リアクタンスが増加し、インピーダンスが増加する。
【０００５】
したがって、抵抗体をトリミングすることでインピーダンスを調整した抵抗器を、動作周波数を高周波数で用いた場合には、トリミングラインにより生じるインピーダンス変化が回路動作に悪影響を及ぼす虞があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−２６７７０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、高周波数で動作する電気機器に用いた場合でも高周波動作によるインピーダンス変化を抑制できる抵抗器を提供することである。高周波数で動作した場合であっても抵抗器のインピーダンス変化による回路動作への影響を抑制できる電気機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態の抵抗器は、基板と；前記基板上に積層された抵抗体と；前記抵抗体に接続するとともに、前記基板の両端部に設けられた一対の電極と；前記抵抗体を覆う保護膜と；を備え、前記抵抗体は、トリミングラインを有さず、前記抵抗体の膜厚を調整することでインピーダンスを調整することにより、動作周波数に依存するリアクタンスの変化に伴うインピーダンスの変化を抑制したことを特徴とする。
実施形態の電気機器は、実施形態の抵抗器と；前記抵抗器が実装される回路基板と；
を持つ。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、高周波数で動作する電気機器に用いた場合でも高周波動作によるインピーダンス変化を抑制できる。また、本発明によれば、高周波数で動作した場合であっても抵抗器のインピーダンス変化による回路動作への影響を抑制した電気機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、第１の実施形態の抵抗器１００を示す平面図および断面図である。
【図２】図２は、トリミングによりインピーダンスを調整した従来の抵抗器１００ａを示す平面図および断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（第１の実施形態）以下、実施形態の抵抗器を図面を参照して説明する。
【００１２】
図２にトリミングによりインピーダンスを調整した従来の抵抗器１００ａを示す。図２（ａ）に、従来の抵抗器１００ａの平面図を示す。図２（ａ）の線分Ｂ´−Ｂ´における断面図を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のＢ方向視における平面図を図２（ａ）に示す。抵抗器１００ａは、図２（ｂ）に示す抵抗器１００ａの下部に設けられた図示しない回路基板上に載置されるとともに、回路基板上の導電路上に抵抗器１００ａの電極３ａが電気的に接続される。回路基板上の導電路と抵抗器１００ａの電極３ａは、半田で互いに電気的に接続されるとともに、物理的に固定される。
【００１３】
抵抗器１００ａは、抵抗体２ａを表面上に有する基板１ａを備えている。基板１ａは、アルミナ基板からなる。基板１ａの一表面には、酸化ルテニウムを高温焼結させることにより抵抗体２ａが形成されている。基板１ａの長手方向の両端部を包囲するように電極３ａが設けられている。電極３ａは、基板１ａ上に銀とパラジウムを含む化合物を被覆した後に、ニッケルを被覆し、最後にニッケル上に半田を被覆することにより形成される。抵抗体２ａと電極３ａとは、互いに電気的に接続される。
【００１４】
抵抗体２ａは、図２（ｂ）のＢ方向からレーザーを照射され、トリミング（レーザーカット）されることにより、抵抗体２ａの一部が除去され、トリミングライン５が形成されることで抵抗体２ａのインピーダンスが調整される。
【００１５】
抵抗体２ａのインピーダンスがトリミングにより調整された後に、抵抗体２ａと抵抗体２ａ付近の電極３ａの表面上に図示しない絶縁ガラス皮膜が形成される。絶縁ガラス皮膜上に保護膜４ａが形成されることで抵抗体２ａおよび図示しないガラス皮膜が保護される。
【００１６】
図１（ａ）に、第１の実施形態の抵抗器１００の平面図を示す。図１（ａ）の線分Ａ´−Ａ´における断面図を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）のＡ方向視における平面図を図１（ａ）に示す。抵抗器１００は、抵抗器１００ａと同様に回路基板に電気的に接続されるとともに、物理的に固定される。
【００１７】
抵抗器１００は、抵抗器１００ａと同様に抵抗体２を表面上に有する基板１を備えている。基板１は、アルミナ基板からなる。基板１の一表面には、酸化ルテニウムを高温焼結させることにより抵抗体２が形成されている。基板１の長手方向の両端部を包囲するように電極３が設けられている。電極３は、基板１上に銀とパラジウムを含む化合物を被覆した後に、ニッケルを被覆し、最後にニッケル上に半田を被覆することにより形成される。抵抗体２と電極３とは、互いに電気的に接続される。
抵抗体１００の抵抗体２は、抵抗器１００ａの抵抗体２ａと異なり、インピーダンスの調整は、抵抗体２の膜厚を調整することにより行われる。
【００１８】
抵抗体２が形成された後に、抵抗体１００ａと同様に、抵抗体２と抵抗体２付近の電極３の表面上に図示しない絶縁ガラス皮膜が形成される。絶縁ガラス皮膜上に保護膜４が形成されることで抵抗体２および図示しないガラス皮膜が保護される。
【００１９】
抵抗器１００または１００ａのインピーダンスは、それぞれ抵抗体２および２ａのレジスタンス、抵抗器１００または１００ａの形状、すなわちそれぞれ基板１および１ａの形状に依存する誘導性リアクタンス（インダクタンス）、抵抗器１００または１００ａのそれぞれの電極３または３ａ同士間の寄生容量（浮遊容量）やトリミングライン５によって生じる寄生容量に依存する容量性リアクタンス（キャパシタンス）によって決まる。
【００２０】
抵抗体２ａをトリミングすることで抵抗体２ａのインピーダンスを調整した抵抗器１００ａを、動作周波数が高周波数（例えば、数百ｋＨｚから数ＭＨｚ、具体的には、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ程度）で用いた場合には、抵抗器１００ａの動作周波数が高くなるにしたがって、容量性リアクタンスが減少し、インピーダンスが低下する。また、抵抗器１００ａの動作周波数が高くなるにしたがって、誘導性リアクタンスが増加し、インピーダンスが増加する。
【００２１】
すなわち、抵抗体２ａにトリミングライン５を有する抵抗器１００ａを高周波数で用いた場合には、トリミングライン５によって生じる寄生容量（浮遊容量）に依存した容量性リアクタンスにより、動作周波数が高くなるにしたがって、抵抗器１００ａのインピーダンスが低下する。よって、抵抗体２ａをトリミングすることで抵抗体２ａのインピーダンスを調整した抵抗器１００ａを、高周波数の動作周波数で用いた場合には、トリミングライン５により生じる寄生容量が、抵抗器１００ａが用いられた回路の回路動作に悪影響を及ぼす可能性があった。
【００２２】
一方で、第１の実施形態の抵抗器１００は、抵抗体２のインピーダンスの調整にレーザーカットによるトリミングを行わず、抵抗体２の膜厚によってインピーダンスの調整を行うので、抵抗器１００はトリミングラインが存在しないので、トリミングラインによる寄生容量によって生じるインピーダンス変化を抑制できる。また、抵抗器１００を高周波数で動作する電気機器に用いた場合でも高周波動作による抵抗器１００のインピーダンス変化を抑制できる。
【００２３】
トリミングラインによる寄生容量が発生しないので、インピーダンス変化を抑制でき、抵抗器１００を高周波数で動作する電気機器に用いた場合でも安定な動作および動作信頼性の向上が期待できる。
【００２４】
さらに、抵抗器１００ａにおいては、トリミングライン５の近傍部で電荷が集中するため、トリミングライン５は局所的な熱発生部分（ホットスポット）となり、抵抗器１００ａを高周波数で動作する電気機器に用いた場合、抵抗体２ａの焼損もしくは、熱によるノイズ発生の原因になる可能性がある。
【００２５】
一方で、第１の実施形態の抵抗器１００は、抵抗体２のインピーダンスの調整にレーザーカットによるトリミングを行わず、抵抗体２の膜厚の調整によってインピーダンスの調整を行うので、抵抗体２に局所的な熱発生を生じることがなく、抵抗体２の焼損もしくは、抵抗体２から発生するノイズを抑制することができる。
【００２６】
（第２の実施形態）第１の実施形態の抵抗器１００は、電気機器の回路において、例えば電流の制限や電圧の分圧、時定数回路部などの用途に用いることができる。抵抗器１００を高周波数（例えば、数百ｋＨｚから数ＭＨｚ、具体的には、１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚ程度）で動作する電気機器に用いた場合でも高周波動作による抵抗器１００のインピーダンス変化を抑制できる。また、電気機器の安定な動作および動作信頼性の向上が期待できる。抵抗器１００の抵抗体２から発生する熱による電気機器のノイズ発生を抑制することができる。
【００２７】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００２８】
１・・・基板
２・・・抵抗体
３・・・電極
４・・・保護膜
１００・・・抵抗器
【図１】
2014183093.tif 000003
【図２】
2014183093.tif 000004