(57)【要約】【課題】遮光領域近傍での位置精度品質の良い反射型マスク及びその製造方法を提供すること。【解決手段】基板表面に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され、回路パターンを有する吸収層とを具備する反射型マスク。前記回路パターンの領域の外側に、前記吸収層および前記多層反射層が除去された遮光領域が形成され、前記多層反射層に形成された前記遮光領域の近傍の多層反射層に、応力低減化処理された領域を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され、回路パターンを有する吸収層とを具備し、前記回路パターンの領域の外側に、前記吸収層および前記多層反射層が除去された遮光領域が形成され、前記遮光領域の近傍の多層反射層に内部応力が低減された応力低減領域が形成されていることを特徴とする反射型マスク。
【請求項２】
前記遮光領域の近傍の応力低減領域は、遮光領域のエッジから少なくとも１５μｍの距離までにおいて、多層反射層の内部応力が１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスク。
【請求項３】
請求項１または２に記載の反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層を選択的に除去した後、前記多層反射層を選択的にドライエッチングもしくはウェットエッチングすることによって、前記多層反射層に形成された遮光領域を形成し、その後、遮光領域近傍のみを局所的に改質処理することにより応力低減領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にレーザー光を照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項５】
応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にフラッシュランプを照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項６】
応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にイオンビームや電子ビームを照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項７】
ドライエッチングは、エッチングガスとしてフッ素もしくは塩素を含むガスを用いて行うことを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項８】
フッ素を含むエッチングガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＣＨＦ3、ＳＦ6、及びＣｌＦ3からなる群から選ばれた少なくとも１種を含むガスであることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
塩素を含むエッチングガスは、Ｃｌ及びＨＣｌからなる群から選ばれた少なくとも１種を含むガスであることを特徴とする請求項７または８に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
ウェットエッチングは、硝酸、リン酸、フッ酸、硫酸、及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含むエッチング液を用いて行うことを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項１１】
レーザー光は、フェムト秒レーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーからなる群から選ばれた少なくとも１種を含むレーザーを用いて行うことを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスク及びその製造方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用される反射型マスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクと呼ぶ）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。
【０００３】
このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張性基板の上に、露光光源波長に対して高い反射率を示す多層反射層と、露光光源波長を吸収する吸収層とが順次形成されてなり、更に基板の裏面には、露光機内における静電チャックのための裏面導電膜が形成されている。また、多層反射層と吸収層の間に緩衝層を有する構造を持つＥＵＶマスクもある。
【０００４】
反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去し、緩衝層を有する構造の場合は緩衝層も同様に除去し、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。
【０００５】
反射光学系を用いた露光方法では、マスク面に対して垂直方向から所定角度傾いた入射角（通常６°）で照射されるため、吸収層の膜厚が厚い場合、パターン自身の影が生じてしまい、この影となった部分における反射強度は、影になっていない部分よりも小さいため、コントラストが低下し、転写パターンには、エッジ部のぼやけや設計寸法からのずれが生じてしまう。これはシャドーイングと呼ばれ、反射型マスクの原理的課題の一つである。
【０００６】
このようなパターンエッジ部のぼやけや設計寸法からのずれを防ぐためには、吸収層の膜厚を薄くし、パターンの高さを低くすることが有効であるが、吸収層の膜厚が薄くなると、吸収層における遮光性が低下するため、転写コントラストが低下し、転写パターンの精度が低下することとなる。つまり吸収層を薄くし過ぎると転写パターンの精度を保つための必要なコントラストが得られなくなってしまう。また、吸収層の膜厚は厚すぎても薄すぎても問題になるので、現在は概ね５０〜９０ｎｍの間になっており、ＥＵＶ光（極端紫外光）の吸収層での反射率は０．５〜２％程度である。
【０００７】
一方、反射型マスクを用いて半導体基板上に転写回路パターンを形成する場合、一枚の半導体基板上には複数の回路パターンのチップが形成される。隣接するチップ間において、チップ外周部が重なる領域が存在する場合がある。これはウェハ１枚あたりに取れるチップを出来るだけ増加したいという生産性向上のために、チップを高密度に配置するためである。この場合、この重なる領域については複数回（最大で４回）に渡り露光（多重露光）されることになる。この転写パターンにおけるチップ外周部はマスク上でも外周部であり、通常、吸収層に当たる部分に位置する。しかしながら、上述したように吸収層上でのＥＵＶ光の反射率は、０．５〜２％程度あるために、多重露光によりチップ外周部が感光してしまうという問題があった。このため、マスク上のチップ外周部に通常の吸収層よりもＥＵＶ光の遮光性の高い領域（以下、遮光領域と呼ぶ）を設ける必要性が出てきた。
【０００８】
このような問題を解決するために、反射型マスクの吸収層から多層反射層までを掘り込んだ溝を形成することで多層反射層の反射率を低下させることにより、露光光源波長に対する遮光性の高い遮光領域を設けた反射型マスクが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
一方、ＥＵＶマスクに用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０〜５０ペア（＝８０層から１００層程度）から成る。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高く出来るために用いられている。最初の界面で反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面で反射されるが、そこでも反射できずに透過したＥＵＶ光は次の界面で、というように４０回（４０ペアの場合）の反射するチャンスがある。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、その合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となり、ブランクメーカ各社から販売されているＥＵＶブランク（ＥＵＶマスク用基板）では、概ね６２〜６５％程度である。
【００１０】
ＥＵＶマスク反射率は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力は、ＳｉとＭｏの界面であり、界面がきっちりと形成されていることが重要である。このため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜（主としてスパッタリング法）する方法が取られている。
【００１１】
また、真空成膜後の材料は不安定かつ強い内部応力を有しているために、成膜後の基板は、熱処理（アニール）によって、材料の安定化、緻密化、応力調整などが成されるのが一般的であるが、後にＥＵＶマスクとなるＥＵＶブランクでは、成膜直後の熱処理は、ＳｉとＭｏの材料のミキシング（拡散）が発生するために、積極的な熱処理が出来ない。ミキシングによって、ＳｉとＭｏの界面がなまるため、ＥＵＶ光の反射率の低下を招くのである。
【００１２】
従って、現在のＥＵＶブランクは、多層反射層に強い圧縮応力が残留しており、これによって基板全体に、５００〜１０００ｎｍ程度の反りが生じてしまっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００９−２１２２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
このような、強い圧縮応力を持つ多層反射層に対して、多層反射層を掘り込んだ遮光領域を形成（特許文献１）すると、多層反射層の圧縮応力の部分開放によって、特に遮光領域近傍で急激に位置が変化するという問題が生じる。一般に、多層反射層を掘り込んだ遮光領域の形成は、イメージフィールド内のメインパターンの形成後に、光あるいは電子線リソグラフィとエッチングによって実施される必要がある。これは、最も重要なメインパターンに欠陥を発生させないためである。メインパターン形成は、ブランクの清浄度が最も高い状態である必要があり、すなわち、遮光領域形成による段差等の余計な加工を施し
た状態のブランクに、後からメインパターンを形成すると欠陥を発生させるリスクが格段に高くなってしまうためである。
【００１５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、遮光領域近傍の位置精度低下の少ない遮光領域を有する反射型マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の請求項１の発明は、基板表面に形成された多層反射層と、該多層反射層の上に形成され、回路パターンを有する吸収層とを具備し、前記回路パターンの領域の外側に、前記吸収層および前記多層反射層が除去された遮光領域が形成され、前記遮光領域の近傍の多層反射層に内部応力が低減された応力低減領域が形成されていることを特徴とする反射型マスクとしたものである。
【００１７】
本発明の請求項２の発明は、前記遮光領域の近傍の応力低減領域は、遮光領域のエッジから少なくとも１５μｍの距離までにおいて、多層反射層の内部応力が１００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクとしたものである。
【００１８】
本発明の請求項３の発明は、請求項１または２に記載の反射型マスクの製造方法であって、前記吸収層を選択的に除去した後、前記多層反射層を選択的にドライエッチングもしくはウェットエッチングすることによって、前記多層反射層に形成された遮光領域を形成し、その後、遮光領域近傍のみを局所的に改質処理することにより応力低減領域を形成することを特徴とする反射型マスクの製造方法としたものである。
【００１９】
本発明の請求項４の発明は、応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にレーザー光を照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２０】
本発明の請求項５の発明は、応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にフラッシュランプを照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２１】
本発明の請求項６の発明は、応力低減領域を形成するための改質処理方法には、遮光領域近傍のみを局所的にイオンビームや電子ビームを照射することを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２２】
本発明の請求項７の発明は、ドライエッチングは、エッチングガスとしてフッ素もしくは塩素を含むガスを用いて行うことを特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２３】
本発明の請求項８の発明は、フッ素を含むエッチングガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＣＨＦ3、ＳＦ6、及びＣｌＦ3からなる群から選ばれた少なくとも１種を含むガスであることを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２４】
本発明の請求項９の発明は、塩素を含むエッチングガスは、Ｃｌ及びＨＣｌからなる群から選ばれた少なくとも１種を含むガスであることを特徴とする請求項７または８に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２５】
本発明の請求項１０の発明は、ウェットエッチングは、硝酸、リン酸、フッ酸、硫酸、及び酢酸からなる群から選ばれた少なくとも１種を含むエッチング液を用いて行うことを
特徴とする請求項３〜６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【００２６】
本発明の請求項１１の発明は、レーザー光は、フェムト秒レーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーからなる群から選ばれた少なくとも１種を含むレーザーを用いて行うことを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクの製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、回路パターン領域の外側に吸収層及び多層反射層を除去して遮光領域を形成した反射型マスクにおいて、遮光領域のエッジ近傍での位置変動を低減出来るため、パターン位置精度の高い遮光領域付き反射型マスクが提供され、それによって高い精度の転写パターンを形成できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（ａ）本発明の反射型マスクの構造の概略断面図と（ｂ）概略平面図。
【図２】本発明の実施例１の反射型マスクの作製工程（パターン形成まで）を示す概略断面図。
【図３】本発明の実施例１の反射型マスク（パターン形成まで）を示す概略平面図。
【図４】本発明の実施例１の反射型マスクの作製工程（遮光領域と応力低減領域の形成）を示す概略断面図。
【図５】本発明の実施例１の反射型マスクを示す概略図。
【図６】本発明の実施例１の反射型マスクの位置精度結果。
【図７】本発明の実施例１の反射型マスクの応力低減領域の形成前後の透過電子顕微鏡写真。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３０】
（本実施形態に係る反射型マスクの構成）
まず、本実施形態に係る反射型マスクの構成について説明する。図１（ａ）は、本実施形態に係る反射型マスク１０１の構造の概略断面図であり、図１（ｂ）は、反射型マスク１０１を上から見た概略平面図である。
【００３１】
図１（ａ）、（ｂ）に示す反射型マスク１０１は、基板１の表面に多層反射層２、保護層３、吸収層４が順次形成され、基板の裏面に導電膜５が形成された構造を有している。保護層３と吸収層４の間には、緩衝層が介在する場合もある。緩衝層は、吸収層４のマスクパターン修正時（イオンビーム、微細プローブによる機械的研削等）に、下地の保護層３にダメージを与えないために設けられる層である。また、保護膜３は、酸やアルカリに対する洗浄耐性を有する材料からなる必要があり、一般にはＲｕ（ルテニウム）やＳｉ（シリコン）が用いられる。
【００３２】
本実施形態に係る反射型マスク１０１は、吸収層４が加工され、パターンが形成されているパターン領域１０と、その外周部に吸収層４、保護層３、多層反射層２、（緩衝層がある場合は緩衝層も）が除去された、枠状の遮光領域（遮光溝）１１を有し、遮光領域の両側の多層反射層は、多層反射層の内部応力が低減された応力低減領域１２が形成されている。
【００３３】
応力低減領域は、遮光領域のエッジから少なくとも１５μｍの距離以上となっている。その理由として、多層反射層除去型の遮光領域を形成した場合、多層反射層の内部応力（強い圧縮応力）の部分開放によって、遮光領域近傍の多層反射層が変形（遮光領域方向に伸びる）するが、その変形の範囲が、遮光領域のエッジから１５μｍ程度であるためである。当然元々ＥＵＶブランクが持っている多層反射層の内部応力にはバラツキがあるため、内部応力が大きい場合は、遮光領域形成による変形の範囲が大きいため、応力低減領域を１５ｕｍより大きくしても良い。
【００３４】
応力低減領域の多層反射層の内部応力は、１００ＭＰａ以下に低減することで、遮光領域近傍の変形量は、問題ないレベルとなる。一般に、現在のＥＵＶブランクメーカから販売されているＥＵＶブランクの多層反射層の内部応力は、２００〜５００ＭＰａと言われており、本発明の応力低減領域を１００ＭＰａ以下にすることで、多層反射層の変形量（マスクパターンの位置変化に相当）は、少なくとも半分以下に低減できる。
【００３５】
（多層反射層、保護層、緩衝層）
図１（ａ）に示す反射型マスクの多層反射層２は、ＥＵＶ光に対して６０％程度の反射率を達成できるように設計されており、モリブデン（Ｍｏ）層とシリコン（Ｓｉ）層を交互に４０〜５０ペア積層した積層膜である。多層反射層２の上に形成された保護層３は２〜３ｎｍの膜厚のルテニウム（Ｒｕ）層あるいは１０ｎｍ程度の膜厚のシリコン（Ｓｉ）層である。この場合、Ｒｕからなる保護層３の下に隣接する多層反射層２の最上層はＳｉ層である。
【００３６】
ＭｏやＳｉは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＭｏとＳｉのＥＵＶ光での屈折率差が大きいので、ＳｉとＭｏの界面での反射率を高くすることが出来るために用いられている。Ｒｕからなる保護層３は、吸収層４の加工におけるストッパー層やマスク洗浄における薬液に対する保護層としての役割を果たすことができる。保護層３をＳｉにより構成する場合は、吸収層４との間に緩衝層が設けられる場合もある。緩衝層は、吸収層４のエッチングやパターン修正時に、緩衝層の下に隣接する多層反射層２の最上層であるＳｉ層を保護するために設けられ、クロム（Ｃｒ）の窒素化合物（ＣｒＮ）で構成されている。
【００３７】
（吸収層）
図１（ａ）に示す反射型マスクの吸収層４は、ＥＵＶ光に対して吸収率の高いタンタル（Ｔａ）の窒素化合物（ＴａＮ）から構成されている。他の材料として、タンタルホウ素窒化物（ＴａＢＮ）、タンタルシリコン（ＴａＳｉ）、タンタル（Ｔａ）や、それらの酸化物（ＴａＢＯＮ、ＴａＳｉＯ、ＴａＯ）でも良い。
【００３８】
図１（ａ）に示す反射型マスクの吸収層４は、上層に波長１９０〜２６０ｎｍの紫外光に対して反射防止機能を有する低反射層を設けた２層構造からなる吸収層であっても良い。低反射層は、マスクの欠陥検査機の検査波長に対して、コントラストを高くし、検査性を向上させるためのものである。
【００３９】
（裏面導電膜）
図１（ａ）に示す反射型マスクの導電膜５は、一般にはＣｒＮで構成されるが、導電性があれば良く、金属材料からなる材料であれば良い。また、図１（ａ）に示す反射型マスクでは導電膜５を備える構成で説明したが、導電膜５を有しない反射型マスクであってもよい。
【００４０】
（遮光領域の形成）
本実施形態に係る反射型マスクの遮光領域の形成方法について説明する。まず、パターン領域１０に、リソグラフィおよびエッチングによってパターンが形成された状態のＥＵＶマスクに対し、遮光領域の形成を行う。
【００４１】
フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによって、遮光領域部のみが開口した
レジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをマスクとして用いて、フッ素系、塩素系ガス、又はその混合ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチングによって、吸収膜４と保護層３を選択的に除去する。次いで、エッチングガスとして、フッ素系ガス、塩素系ガス、又はその混合ガスをエッチングガスとして用いたドライエッチングか、アルカリ性溶液あるいは酸性溶液を用いたウェットエッチングによって、多層反射層２を選択的に除去する。
【００４２】
多層反射層２を選択的に除去するためのドライエッチングのエッチングガスとして、フッ素系、塩素系ガス、又はその混合ガスを用いるのは、多層反射層の材料であるＭｏとＳｉの両方に対してエッチング性を有するためである。この際に用いるフッ素系ガスとしては、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、Ｃ4Ｆ8、Ｃ5Ｆ8、ＣＨＦ3、ＳＦ6、ＣｌＦ3等が挙げられ、塩素系ガスとしては、Ｃｌ２、ＨＣｌ等が挙げられる。
【００４３】
多層反射層２を選択的に除去するためのウェットエッチングのエッチング液は、多層反射層２の構成材料であるＭｏとＳｉの両方に対するエッチング性を有している必要がある。例えば、アルカリ性溶液としては、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）、ＫＯＨ（水酸化カリウム）、ＥＤＰ（エチレンジアミンピロカテコール）等が適している。酸性溶液としては、硝酸とリン酸の混合液が適しているが、これにフッ酸、硫酸、酢酸等を加えても良い。
【００４４】
多層反射層を掘り込んだ状態の遮光領域に対し、遮光領域近傍の多層反射層に改質処理を施すことによって応力低減領域を形成する。
【００４５】
応力低減領域を形成するための改質処理の方法として、局所的に処理できるレーザー光が好ましい。レーザーには多くの種類があるが、発振波長、パルス発振特性、集光特性、出力、材料に対する吸収性など各レーザーの特徴によって処理の適正はあるものの、いずれのレーザーでも可能であるためその種類は問わない。局所的にエネルギーを与え、熱の広がりが少ないことが大事である。その点で言えば、フェムト秒レーザー、ＹＡＧレーザー、ＣＯ２レーザーなどが適している。
【００４６】
また、応力低減領域を形成するための別の改質処理の方法として、極めて短時間にパルス光の照射を行うフラッシュランプでも良い。短時間で高いエネルギーを照射することから、熱の広がりを抑えることが出来る。
【００４７】
また、応力低減領域を形成するための別の改質処理の方法として、イオンビームや電子ビーム照射を用いても良い。イオンビームや電子ビームの特徴は、狭い領域を狙って処理できる制御性である。一般的なイオンビーム照射装置のイオン源としては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｇａなどあるが、多層反射層の材料であるＳｉとＭｏと反応・気化してしまうイオン源（フッ素原子等）を用いると、エッチング除去されてしまうため、イオン源は、ＳｉやＭｏと反応・気化しない材料であれば良い。
【００４８】
以上のようにして、多層反射層除去型の遮光領域を有するＥＵＶマスクにおいて、遮光領域近傍に応力低減領域を設けることによって、ＥＵＶマスクパターンの位置精度の低下を防ぐことが出来るため、高いパターン位置精度を有する反射型マスクを得ることが出来る。
【実施例１】
【００４９】
以下、本発明の第１の実施例に係る反射型マスクの製造方法について、図を参照して説明する。
【００５０】
まず、図２（ａ）に示すような反射型マスクブランク２０１を用意する。このマスクブランク２０１は、石英基板１の上に、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光に対して反射率が６４％程度となるように設計された膜厚２．８ｎｍのＭｏ層と膜厚４．２ｎｍのＳｉ層の４０ペアの多層反射層２が形成され、その上に膜厚２．５ｎｍのＲｕからなる保護層３が形成され、更にその上に膜厚７０ｎｍのＴａＳｉからなる吸収層４が形成されてなるものである。
【００５１】
次いで、図２（ｂ）に示すように、このマスクブランク２０１に対し、ポジ型化学増幅レジスト９（ＦＥＰ１７１：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ社製）を３００ｎｍの膜厚に塗布し、電子線描画機（ＪＢＸ９０００：日本電子社製）によって所定のパターンに描画した。その後、１１０℃、１０分のＰＥＢおよびスプレー現像（ＳＦＧ３０００：シグマメルテック社製）をすることにより、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン９ａを形成した。
【００５２】
次に、レジストパターン９ａをマスクとして用いて、ＣＦ4プラズマとＣｌ2プラズマによるドライエッチングによって、吸収層４をエッチングした後（図２（ｄ））、レジストパターン９ａを剥離洗浄することで、図２（ｅ）に示す評価パターン（回路パターン）を有する反射型マスク２１１を作製した。反射型マスク２１１の上面図を図３（ａ）に示す。評価パターンは、遮光領域よりもマスクの内側のイメージフィールド全面に、位置精度測定用の線幅１ミクロン・長さ５ミクロンの十字マークを配置した（図３（ｂ））。
【００５３】
この段階（メインパターン形成後）で、で位置精度測定用パターンの位置精度を、フォトマスク位置精度測定装置ＩＰＲＯ２（ＫＬＡ社）を用いて測定した。
【００５４】
その後、上述の評価パターンを有する反射型マスク２１１のパターン領域１０（イメージフィールド）の外側に、遮光領域を形成した。その工程は、次の通りである。
【００５５】
まず、図４（ａ）に示す反射型マスク２１１の表面にｉ線レジスト層２９を５００ｎｍの膜厚で塗布した（図４（ｂ））。次いで、ｉ線レジスト層２９に対し、ｉ線描画機（ＡＬＴＡ３０００：アプライドマテリアル社製）によりパタ−ンを描画し、現像を行うことにより、後に遮光領域となる領域を抜いたレジストパターン２９ａを形成した（図４（ｃ））。このとき、レジストパターン２９ａの開口部は、幅が３ｍｍとした。
【００５６】
次いで、レジストパターン２９ａをマスクとして用いてフッ素プラズマを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により、吸収層４選択的に除去し、更にエッチングを続行して、保護層３及び多層反射層２を選択的に除去した（図４（ｄ））。なお、エッチングの条件は、下記の通りである。
【００５７】
エッチングチャンバー内の圧力：６．６５Ｐa
ＩＣＰ（誘導結合プラズマ）パワー：５００Ｗ
ＲＩＥパワー：２０００Ｗ
ＣＨＦ３流量：２０ｓｃｃｍ
処理時間：１０分
次に、硫酸系の剥離液とアンモニア過酸化水素水により洗浄することによってレジストパターン２９ａを除去し、図４（ｅ）に示すように、遮光領域を有する反射型マスクを作製した。
【００５８】
この段階（遮光領域形成後）で、再度、位置精度測定用パターンの位置精度を、フォトマスク位置精度測定装置ＩＰＲＯ２（ＫＬＡ社）を用いて測定した。
【００５９】
最後に、遮光領域近傍の多層反射層の応力を低減するために、遮光領域のエッジから１５ｕｍの範囲に対してのみ当たるように、レーザー照射（ビーム径４０μｍ、出力８Ａ、走査速度２ｃｍ／秒、）を行い、図４（ｆ）（＝図１（ａ））に示す反射型マスク１０１を得た。図５（ａ）は図４（ｆ）を上から見た平面図である。図５（ｂ）はパターン領域（イメージフィールド）を拡大した図である。
【００６０】
この段階（応力低減処理後）で、再度、位置精度測定用パターンの位置精度を、フォトマスク位置精度測定装置ＩＰＲＯ２（ＫＬＡ社）を用いて測定した。ここまでに測定した全ての位置精度測定結果を図６のグラフに示す。メインパターン形成後の値に対して、遮光領域形成後は、位置精度が低下していることが分かる。さらに応力低減領域形成後は、低下した位置精度が、メインパターン形成後とほぼ同等まで回復した。
【００６１】
最後に、以上のようにして作製した反射型マスク１０１の遮光領域の一部を断裁して、透過電子顕微鏡にて断面を観察したところ、遮光領域内の多層反射層の側壁に対し、片側で約１５ｕｍ程度の範囲で、多層反射層のＳｉとＭｏの材料が交じり合った状態（界面がはっきりしない状態）の変質層を確認出来た（図７（ｂ））。一方、図７（ａ）は、応力低減領域を形成していない通常の遮光領域付きＥＵＶマスクであり、実施例１の反射型マスクとの違いをはっきり認めることが出来る。
【００６２】
このように、実施例１において、パターン位置精度の高い多層反射層掘り込み型の遮光領域を有する反射型マスクを作製することができた。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、ＥＵＶ光を用いる反射型マスク等に有用である。
【符号の説明】
【００６４】
１…基板、２…多層反射層、３…保護層、４…吸収層、５…裏面導電膜、９…レジスト、９ａ…レジストパターン、１０…パターン領域、１１…遮光領域、１２…応力低減領域、２９…レジスト、２９ａ…レジストパターン、１０１…実施例１により得た反射型マスク、２０１…反射型マスクブランク、２１１…回路パターンが形成された反射型マスク、３１ａ…透過電子顕微鏡による写真（通常の反射型マスクの基板）
３１ｂ…透過電子顕微鏡による写真（実施例１により作製した反射型マスクの応力低減領域の基板）
３２ａ…透過電子顕微鏡による写真（通常の反射型マスクの多層反射層）
３２ｂ…透過電子顕微鏡による写真（実施例１により作製した反射型マスクの応力低減領域の多層反射層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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