(57)【要約】【課題】本発明は、ポリマーペレットを水中カット装置を使用して製造する方法において、ペレット化からペレット貯蔵・包装設備までのプラント建設費が安価であり、樹脂屑発生がないポリマーペレットの搬送方法を提供することを目的とする。【解決手段】水中カット装置で製造されたポリマーペレットをポンプのヘッド圧によって脱水乾燥装置に搬送して脱水、乾燥し、乾燥したポリマーペレットをサイロに搬送し、次いで、サイロより包装設備に搬送するポリマーペレット搬送方法において、  前記脱水乾燥装置より、乾燥したポリマーペレットを、前記脱水乾燥装置の下方に配置した前記サイロに落下させ、その後、サイロ下部より、乾燥したポリマーペレットを、空送ラインを介して包装設備に空送することを特徴とするポリマーペレットの搬送方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水中カット装置で製造されたポリマーペレットをポンプのヘッド圧によって脱水乾燥装置に搬送して脱水、乾燥し、乾燥したポリマーペレットをサイロに搬送し、次いで、サイロより包装設備に搬送するポリマーペレット搬送方法において、
前記脱水乾燥装置より、乾燥したポリマーペレットを、前記脱水乾燥装置の下方に配置した前記サイロに落下させ、その後、サイロ下部より、乾燥したポリマーペレットを、空送ラインを介して包装設備に空送することを特徴とするポリマーペレットの搬送方法。
【請求項２】
水中カット装置で製造されたポリマーペレットをポンプのヘッド圧によって脱水乾燥装置に搬送して脱水、乾燥し、乾燥したポリマーペレットを複数のサイロに分配して搬送するポリマーペレット搬送方法において、
前記脱水乾燥装置より、乾燥したポリマーペレットを、前記脱水乾燥装置の下方に配置したバッファータンクに落下させ、次いで、前記バッファータンクの下方に配置した複数のサイロに分配して搬送することを特徴とするポリマーペレットの搬送方法。
【請求項３】
前記複数のサイロ下部より乾燥したポリマーペレットを、空送ラインを介して包装設備に空送することを更に含むことを特徴とする請求項２に記載のポリマーペレットの搬送方法。
【請求項４】
前記空送ラインの距離が１５０ｍ以下であることを特徴とする請求項１又は３に記載のポリマーペレットの搬送方法。
【請求項５】
前記脱水乾燥装置に搬送したポリマーペレットの温度が３０℃以上１４０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のポリマーペレットの搬送方法。
【請求項６】
前記サイロ内に、露点０℃以下の気体を、サイロの内容積に対し一分間当たり１倍以上（標準状態）流通させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のポリマーペレットの搬送方法。
【請求項７】
前記ポリマーペレットは、ペレット形状のポリカーボネート、ポリエステルまたはポリアミドであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のポリマーペレットの搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマーペレットの搬送方法に関する。より詳しくは、水中カット装置で製造された、ポリマーペレットを搬送する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアミド等のポリマーは、通常、所定の製造装置において重縮合反応等が行われた後に溶融状態でストランド状に押し出され、冷却水により冷却された後、カッター等によりペレット形状に成形され、製品となる。この場合、ペレット形状のポリマー（以下、「ポリマーペレット」と言う。）は、所定の乾燥手段によって表面や内部に吸着した水分が除去され、その後、所定の輸送配管内を圧力気体流等により空送され、検査や出荷等のため貯槽サイロ等の貯蔵設備に一旦貯蔵され、次いで包装設備へ搬送される。
【０００３】
特許文献１にはポリマーペレットを特定の気体により輸送することが記載されている。
また、特許文献２、特許文献３では、合成樹脂の水中カッティング方法によりペレットが得られることが開示されており、更に水中カットされたペレットを搬送する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６０６３６号公報
【特許文献２】特開平１０−９５０１５号公報
【特許文献３】特開２０１０−２６０７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のポリマーペレットの搬送方法では、ポリマーペレットを空送等により搬送する際の騒音を抑制することが困難であった。また、大量のポリマーペレットをコンパクトな設備で搬送することは課題が多く、更に、多品種のポリマーペレットを各品種ごとに別の貯蔵設備に分配して搬送する際には切り替えロスが発生し、生産性が向上しなかった。加えて、樹脂屑の少なく、また含水率が低いポリマーペレットを安定的に得ることができなかった。
【０００６】
そこで本発明は、水中カット装置で製造されたポリマーペレットを、コンパクトな設備で安定的に騒音の発生も抑制し、貯蔵設備や包装設備まで搬送できる搬送方法を提供することを目的とする。加えて、多品種のポリマーペレットを製造ロスを少なくして各品種ごとの貯蔵設備や包装設備に搬送する搬送方法を提供することを目的とする、更には、搬送時に発生する樹脂屑の少なく、含水率の低いポリマーペレットの安定的な搬送方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、下記の発明が上記目的に合致することを見出し、本発明に至った。
すなわち、本発明は、以下の発明に係るものである。
［１］  水中カット装置で製造されたポリマーペレットをポンプのヘッド圧によって脱水乾燥装置に搬送して脱水、乾燥し、乾燥したポリマーペレットをサイロに搬送し、次いで、サイロより包装設備に搬送するポリマーペレット搬送方法において、
前記脱水乾燥装置より、乾燥したポリマーペレットを、前記脱水乾燥装置の下方に配置した前記サイロに落下させ、その後、サイロ下部より、乾燥したポリマーペレットを、空送ラインを介して包装設備に空送することを特徴とするポリマーペレットの搬送方法。
［２］  水中カット装置で製造されたポリマーペレットをポンプのヘッド圧によって脱水乾燥装置に搬送して脱水、乾燥し、乾燥したポリマーペレットを複数のサイロに分配して搬送するポリマーペレット搬送方法において、
前記脱水乾燥装置より、乾燥したポリマーペレットを、前記脱水乾燥装置の下方に配置したバッファータンクに落下させ、次いで、前記バッファータンクの下方に配置した複数のサイロに分配して搬送することを特徴とするポリマーペレットの搬送方法。
［３］  前記複数のサイロ下部より乾燥したポリマーペレットを、空送ラインを介して包装設備に空送することを更に含む［２］に記載のポリマーペレットの搬送方法。
［４］  前記空送ラインの距離が１５０ｍ以下である［１］又は［３］に記載のポリマーペレットの搬送方法。
［５］  前記脱水乾燥装置に搬送したポリマーペレットの温度が３０℃以上１４０℃以下である［１］乃至［４］のいずれかに記載のポリマーペレットの搬送方法。
［６］  前記サイロ内に、露点０℃以下の気体を、サイロの内容積に対し一分間当たり１倍以上（標準状態）流通させる［１］乃至［５］のいずれかに記載のポリマーペレットの搬送方法。
［７］  前記ポリマーペレットは、ペレット形状のポリカーボネート、ポリエステルまたはポリアミドである［１］乃至［６］のいずれかに記載のポリマーペレットの搬送方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、コンパクトな設備で、ポリマーペレットを水中カット装置から貯蔵設備や包装設備まで搬送することができる。しかも、搬送されたポリマーペレット中の樹脂屑は少なく、騒音を抑制し搬送することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明における搬送方法の装置の例を示した概略図である。
【図２】本発明における搬送方法の装置の例を示した概略図である。
【図３】一般的な搬送方法の装置の例を示した概略図である。
【図４】一般的な搬送方法の装置の例を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、以下の内容に限定されない。
以下、この発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明は、ポリマーペレットの搬送方法についての発明である。
【００１１】
ここでは、ポリマーとしてポリカーボネートを例示し、本実施の形態を説明する。
ポリカーボネートは、耐衝撃性等の機械的特性に優れ、しかも耐熱性、透明性等にも優れたエンジニアリングプラスチックスであるので、近年、ＯＡ部品、自動車部品、建築材料等に幅広く用いられている。
従来、ポリカーボネートの製造方法としては、ビスフェノール化合物等の芳香族ジヒドロキシ化合物と塩化カルボニル（ホスゲン）とを原料とした、いわゆる界面法と、芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとを溶融状態でエステル交換し、副生するフェノール等の低分子量物を系外に取り除きながら芳香族ポリカーボネートを得る、いわゆる溶融法が知られている。前者の界面法は、ジクロロメタン等の環境負荷の大きな溶媒を用いること、又排水処理の負荷が高いこと等から、近年は後者の溶融法が注目を集めている。
【００１２】
ここで、溶融法により芳香族ポリカーボネートを製造する場合は、芳香族ジヒドロキシ化合物として２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（通常、「ビスフェノールＡ」と呼ばれる。）等が、また炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネート等が、またエステル交換触媒としてアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、塩基性化合物等が使用され、これらを混合、溶融し、複数の反応器を用いて多段階方式で重縮合反応させる（重縮合工程）。
【００１３】
重縮合反応後、押出機において各種添加剤がそれぞれ供給され、押出機より排出されたストランド状の芳香族ポリカーボネートは、最後に水中カット装置で切断されポリマーペレットとなり、サイロや包装設備に搬送される。このとき、本発明の実施の形態が適用されるポリマーペレットの搬送方法が使用される。
本実施の形態において使用するポリカーボネートは、原料として芳香族ジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステルを用い、エステル交換触媒の存在下、連続的に溶融重縮合反応を行うことにより得られる芳香族ポリカーボネートが好ましい。特に、芳香族ポリカーボネートのなかでも、粘度平均分子量（Ｍｖ）が１７，０００以下、好ましくは１６，０００以下の、分子量が比較的低い芳香族ポリカーボネートは、耐熱性及び流動性が要求される溶融成形に適している。特に、このような分子量が比較的低い芳香族ポリカーボネートは、光学用記録材料として、通常、３５０℃程度の高温下で射出成形により成形される光ディスク用の基板の材料として有用である。但し、芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子量（Ｍｖ）は、通常、１０，０００以上、好ましくは、１２，０００以上である。
【００１４】
また、上述した溶融重縮合反応により得られるポリカーボネートは、後述するように製造工程の後半において、熱安定剤としてリン化合物が添加されたペレットとして製品化される場合が多い。このようなリン化合物は該化合物自体吸湿性があると共に、ポリカーボネートを加水分解する触媒として働く場合があり、製品化されたポリカーボネートの加水分解を促進する可能性がある。このような吸湿性を有し、加水分解によってダメージを受けやすいポリカーボネートのペレットを空送する場合、露点が０℃以下の気体を用いることにより、ペレットが吸湿することなく、ペレットを搬送し、貯蔵することが可能になる。
【００１５】
ここで、気体の露点とは、一般に、気体中の水蒸気の分圧を飽和水蒸気圧とする温度であって、徐々に冷却された気体に含まれる水分が凝縮し、露ができ始めるときの温度である。
尚、本実施の形態において、ペレットの含水率は、ペレットの所定の重量ｍ１（本実施の形態では、０．２ｇ〜１ｇ）と、このペレットを２５０℃で加熱乾燥した後に測定したペレットの重量ｍ２との重量差（ｍ１−ｍ２）の乾燥前のペレットの重量ｍ１に対する割合（重量％）である。本実施の形態では、所定の水分測定装置及び水分気化装置を用いる電量滴定法によりペレットの含水率が測定される。
【００１６】
ポリカーボネート等のポリマーのペレットは、通常、含水率が０．１重量％以下の状態で製品として出荷される。本実施の形態では、空送に使用する気体の露点を０℃以下に管理することにより、ポリマーのペレットの含水率を０．１重量％以下に維持することが可能となる。
以下、原料として芳香族ジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステルを用い、エステル交換触媒の存在下、連続的に溶融重縮合反応を行うことにより、ポリカーボネートを製造する方法について詳述する。
【００１７】
（ジヒドロキシ化合物）
本実施の形態において使用するジヒドロキシ化合物としては、下記一般式（１）で示される化合物が挙げられる。
【００１８】
【化１】
2014180855.tif 000003
【００１９】
ここで、一般式（１）において、Ａは、単結合または置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状若しくは環状の２価の炭化水素基、又は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−若しくは−ＳＯ２−で示される２価の基である。Ｘ及びＹは、それぞれ独立にハロゲン原子又は炭素数１〜６の炭化水素基である。ｐ及びｑは０乃至２の整数である。尚、ＸとＹ及びｐとｑは、それぞれ、同一でも相互に異なるものでもよい。
【００２０】
ジヒドロキシ化合物の具体例としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシジフェニル）メタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビスフェノール類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジヒドロキシビフェニル等のビフェノール類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン等が挙げられる。
これらの中でも、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（「ビスフェノールＡ」、以下、ＢＰＡと略記することがある。）が好ましい。これらのジヒドロキシ化合物は、単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
【００２１】
（炭酸ジエステル）
本実施の形態において使用する炭酸ジエステルとしては、下記一般式（２）で示される化合物が挙げられる。
【００２２】
【化２】
2014180855.tif 000004
【００２３】
ここで、一般式（２）中、Ａ’は、置換されていてもよい炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基である。２つのＡ’は、同一でも相互に異なるものでもよい。
炭酸ジエステルの具体例としては、例えば、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート等の置換ジフェニルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジ−ｔ−ブチルカーボネート等が挙げられる。
【００２４】
これらの中でも、ジフェニルカーボネート（以下、ＤＰＣと略記することがある。）、置換ジフェニルカーボネートが好ましい。これらの炭酸ジエステルは、単独で、又は２種以上を混合して用いることができる。
また、上記の炭酸ジエステルは、好ましくはその５０モル％以下、さらに好ましくは３０モル％以下の量を、ジカルボン酸又はジカルボン酸エステルで置換してもよい。
【００２５】
代表的なジカルボン酸又はジカルボン酸エステルとしては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジフェニル等が挙げられる。このようなジカルボン酸又はジカルボン酸エステルで置換した場合には、ポリエステルカーボネートが得られる。
これら炭酸ジエステル（上記の置換したジカルボン酸又はジカルボン酸エステルを含む。以下同じ。）は、芳香族ジヒドロキシ化合物に対して過剰に用いられる。
【００２６】
即ち、ジヒドロキシ化合物に対して、通常、炭酸ジエステル１．０１〜１．３０、好ましくは１．０２〜１．２０のモル比で用いられる。モル比が過度に小さくなると、得られるポリカーボネートの末端ＯＨ基が多くなり、得られるポリカーボネートの熱安定性が悪化する傾向となる。また、モル比が過度に大きくなると、エステル交換の反応速度が低下し、所望の分子量を有するポリカーボネートの生産が困難となる他、未反応の炭酸ジエステルの残存量が多くなり、成形加工時や成形品の臭気の原因となることがあり、好ましくない。
【００２７】
（エステル交換触媒）
本実施の形態において使用するエステル交換触媒としては、通常、エステル交換法によりポリカーボネートを製造する際に用いられる触媒が挙げられ、特に限定されない。一般的には、例えば、長周期型周期表第１族元素（水素を除く）（以下「第１族元素（水素を除く）」と称する場合がある。）の化合物、長周期型周期表第２族元素（以下「第２族元素」と称する場合がある。）の化合物、塩基性ホウ素化合物、塩基性リン化合物、塩基性アンモニウム化合物、及びアミン系化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種の塩基性化合物が挙げられる。
【００２８】
これらのエステル交換触媒の中でも、実用的には、第１族元素（水素を除く）の化合物及び第２族元素の化合物からなる群より選ばれた少なくとも１種の化合物が好ましい。これらのエステル交換触媒は、単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
エステル交換触媒の使用量は、芳香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、通常１×１０−９〜１×１０−１モルが好ましく、より好ましくは１×１０−７〜１×１０−３モル、更に好ましくは１×１０−７〜１×１０−５モルの範囲で用いられる。
【００２９】
第１族元素（水素を除く）の化合物としては、第１族元素（水素を除く）の水酸化物、炭酸塩、炭酸水素化合物等の無機化合物；第１族元素（水素を除く）のアルコール類、フェノール類、有機カルボン酸類との塩等の有機化合物；等が挙げられる。ここで、第１族元素（水素を除く）としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウムが挙げられる。これらの第１族元素（水素を除く）の化合物の中でも、セシウム化合物およびカリウム化合物が好ましく、特に、炭酸セシウム、炭酸水素セシウム、水酸化セシウム、酢酸カリウム、炭酸カリウムが好ましい。
【００３０】
また、第２族元素の化合物としては、例えば、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等の水酸化物、炭酸塩等の無機化合物；ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルコール類、フェノール類、有機カルボン酸類との塩；等が挙げられる。これらの第２族元素の化合物の中でも、マグネシ
ウム化合物が好ましい。
【００３１】
塩基性ホウ素化合物としては、ホウ素化合物のナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩、カルシウム塩、マグネシウム塩、バリウム塩、ストロンチウム塩等が挙げられる。ここで、ホウ素化合物としては、例えば、テトラメチルホウ素、テトラエチルホウ素、テトラプロピルホウ素、テトラブチルホウ素、トリメチルエチルホウ素、トリメチルベンジルホウ素、トリメチルフェニルホウ素、トリエチルメチルホウ素、トリエチルベンジルホウ素、トリエチルフェニルホウ素、トリブチルベンジルホウ素、トリブチルフェニルホウ素、テトラフェニルホウ素、ベンジルトリフェニルホウ素、メチルトリフェニルホウ素、ブチルトリフェニルホウ素等が挙げられる。
【００３２】
塩基性リン化合物としては、例えば、トリエチルホスフィン、トリ−ｎ−プロピルホスフィン、トリイソプロピルホスフィン、トリ−ｎ−ブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン、トリブチルホスフィン等の３価のリン化合物、又はこれらの化合物から誘導される４級ホスホニウム塩等が挙げられる。なかでも、トリフェニルホスフィン、トリス（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ホスフィン等が好ましい。
【００３３】
塩基性アンモニウム化合物としては、例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラエチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキサイド、テトラブチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、トリエチルフェニルアンモニウムヒドロキサイド、トリブチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、トリブチルフェニルアンモニウムヒドロキサイド、テトラフェニルアンモニウムヒドロキサイド、ベンジルトリフェニルアンモニウムヒドロキサイド、メチルトリフェニルアンモニウムヒドロキサイド、ブチルトリフェニルアンモニウムヒドロキサイド等が挙げられる。なかでも、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド等が好ましい。
【００３４】
アミン系化合物としては、例えば、４−アミノピリジン、２−アミノピリジン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン、４−ジエチルアミノピリジン、２−ヒドロキシピリジン、２−メトキシピリジン、４−メトキシピリジン、２−ジメチルアミノイミダゾール、２−メトキシイミダゾール、イミダゾール、２−メルカプトイミダゾール、２−メチルイミダゾール、アミノキノリン等が挙げられる。
【００３５】
（ポリカーボネートの製造方法）
次に、ポリカーボネートの製造方法について説明する。
ポリカーボネートの製造は、原料であるジヒドロキシ化合物及び炭酸ジエステル化合物を調製し（原調工程）、これらの化合物を、エステル交換反応触媒の存在下、溶融状態で複数の反応器を用いて多段階の重縮合反応させる（重縮合工程）ことによって行われる。反応方式は、バッチ式、連続式、又はバッチ式と連続式の組合せのいずれでもよい。反応器は通常、複数基の反応器が用いられ、これらの反応器は直列に設置され、連続的に処理が行われる。
【００３６】
重縮合工程後、得られる溶融ポリカーボネートを押出機にて停止剤により反応を停止させた後、反応液中の未反応原料や反応副生物を除去し、熱安定剤や離型剤等の添加剤を添加し、押出機からポリカーボネートのストランドとして排出される（押出工程）。次に、製造方法の各工程について説明する。
【００３７】
（原調工程）
ポリカーボネートの原料として使用するジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとは、通常、窒素、アルゴン等の不活性ガスの雰囲気下、バッチ式、半回分式または連続式の撹拌槽型の装置を用いて、溶融混合物として調製される。溶融混合の温度は、例えば、ジヒドロキシ化合物としてビスフェノールＡを用い、炭酸ジエステルとしてジフェニルカーボネートを用いる場合は、通常１２０℃〜１８０℃、好ましくは１２５℃〜１６０℃の範囲から選択される。
この際、ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとの割合は、炭酸ジエステルが過剰になるように調整され、ジヒドロキシ化合物１モルに対して、炭酸ジエステルは通常１．０１モル〜１．３０モル、好ましくは１．０２モル〜１．２０モルの割合になるように調整される。
【００３８】
（重縮合工程）
ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル化合物とのエステル交換反応による重縮合は、通常、２段階以上、好ましくは３段〜７段の多段工程で連続的に行われる。具体的な反応条件としては、温度：１５０℃〜３２０℃、圧力：常圧〜０．０１Ｔｏｒｒ（１．３Ｐａ）、平均滞留時間：５分〜１５０分の範囲である。
多段工程の各反応器においては、重縮合反応の進行とともに副生するフェノールをより効果的に排出するために、上記の反応条件内で、段階的により高温、より高真空に設定する。尚、得られるポリカーボネートの色相等の品質低下を防止するためには、できるだけ低温、短滞留時間の設定が好ましく、最終反応器の温度設定は前の反応器の設定温度よりも低温にすることもできる。
【００３９】
多段工程の重縮合は、好ましくは、撹拌翼を備えた竪型反応器を複数個接続し、最終工程として横型反応器を設けて、ポリカーボネートの平均分子量を増大させる。竪型反応器は通常２個〜５個、好ましくは３個〜４個設置される。
竪型反応器の撹拌翼の形式としては、例えば、タービン翼、パドル翼、ファウドラー翼、アンカー翼、フルゾーン翼（神鋼パンテック株式会社製）、サンメラー翼（三菱重工業株式会社製）、マックスブレンド翼（住友重機械工業株式会社製）、ヘリカルリボン翼、ねじり格子翼（株式会社日立製作所製）等が挙げられる。
【００４０】
また、横型反応器とは、撹拌翼の回転軸が横型（水平方向）であるものをいう。横型反応器の撹拌翼としては、例えば、円板型、パドル型等の一軸タイプの撹拌翼やＨＶＲ、ＳＣＲ、Ｎ−ＳＣＲ（三菱重工業株式会社製）、バイボラック（住友重機械工業株式会社製）、あるいはメガネ翼、格子翼（株式会社日立製作所製）等の二軸タイプの撹拌翼が挙げられる。
【００４１】
尚、ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステル化合物との重縮合に使用するエステル交換触媒は、通常、予め水溶液として準備される。触媒水溶液の濃度は特に限定されず、触媒の水に対する溶解度に応じて任意の濃度に調整される。また、水に代えて、アセトン、アルコール、トルエン、フェノール等の他の溶媒を選択することもできる。
触媒の溶解に使用する水の性状は、含有される不純物の種類ならびに濃度が一定であれば特に限定されないが、通常、蒸留水や脱イオン水等が好ましく用いられる。
【００４２】
（押出工程）
重縮合工程後、得られた溶融ポリカーボネートは溶融状態のまま押出工程において未反応原料、エステル交換反応で副生するヒドロキシ化合物、ポリカーボネートオリゴマー等の低分子量化合物が除去されることが好ましい。この除去は、通常、ベント式の押出機により連続的に行われる。
【００４３】
使用する押出機としては、ベント部を備えたものであればどのような形式のものでも使用することができ特に限定されない。例えば、ベント式の単軸又は多軸押出機が挙げられるが、特に、かみ合い型二軸押出機が好ましい。押出機の軸の回転方向は同方向回転でも異方向回転でもよい。ベント数は、通常２段〜１０段の多段ベントが用いられる。
また、押出工程において、重縮合反応後の溶融ポリカーボネート中に残留する塩基性エステル交換触媒を、酸性化合物又はその誘導体により中和・失活させることが好ましい。これにより押出機内での副反応を抑え、残存する未反応原料及びヒドロキシ化合物を除去することができる。
【００４４】
押出工程において添加する酸性化合物又はその誘導体としては、塩基性エステル交換触媒を中和するものであれば、いずれも使用でき特に限定されない。例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、硫酸、亜硫酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ポリリン酸、アジピン酸、アスコルビン酸、アスパラギン酸、アゼライン酸、アデノシンリン酸、安息香酸、ギ酸、吉草酸、クエン酸、グリコール酸、グルタミン酸、グルタル酸、ケイ皮酸、コハク酸、酢酸、酒石酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルフィン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、ニコチン酸、ピクリン酸、ピコリン酸、フタル酸、テレフタル酸、プロピオン酸、ベンゼンスルフィン酸、ベンゼンスルホン酸、マロン酸、マレイン酸等のブレンステッド酸及びそのエステルが挙げられる。これらの酸性化合物又はその誘導体のなかでも、スルホン酸類又はそのエステルが特に好ましい。
【００４５】
尚、酸性化合物又はその誘導体は直接添加してもよいし、いわゆるマスターバッチとして調製して添加してもよい。又溶媒で希釈し添加してもよい。この場合、溶媒は、酸性化合物又はその誘導体を溶解するものであれば特に限定されない。なかでも水が特に好ましい。また、水単独に不溶な酸性化合物又はその誘導体は、アセトン等の有機溶媒を水に加えた混合溶媒を使用することができる。これら酸性化合物又はその誘導体の使用量は、重縮合反応に使用した塩基性エステル交換触媒の中和当量に対し０．１倍〜５０倍、好ましくは０．５倍〜３０倍の範囲で添加する。
【００４６】
また、本実施の形態では、押出工程において、必要に応じ、押出機に各種添加剤がそれぞれ供給される。各種添加剤としては、例えば、熱安定剤、酸化防止剤、耐候剤、離型剤、滑剤、帯電防止剤、可塑剤、顔料、染料、充填剤、強化剤、難燃剤等が挙げられる。
これらの添加剤の中から熱安定剤を例に挙げると、好ましい熱安定剤の例としては、例えば、リン系安定剤、ヒンダードフェノール系安定剤、イオウ系安定剤、エポキシ系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤等が挙げられる。これらの熱安定剤の中でもリン系安定剤が好ましい。これらは単独又は２種以上組み合わせて用いられる。
【００４７】
リン系安定剤としては、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ピロリン酸、ポリリン酸、リン酸エステル、亜リン酸エステル等が用いられる。これらの中でも、リン酸エステルとしては、例えば、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェート、トリブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリデシルホスフェート、トリオクタデシルホスフェート、ジステアリルペンタエリスリチルジホスフェート、トリス（２−クロロエチル）ホスフェート、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスフェート等のトリアルキルホスフェート；トリシクロヘキシルホスフェート等のトリシクロアルキルホスフェート；トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリス（ノニルフェニル）ホスフェート、２−エチルフェニルジフェニルホスフェート等のトリアリールホスフェート等が挙げられる。
【００４８】
また、亜リン酸エステルとしては、例えば、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリブチルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル）ホスファイト、トリノニルホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクタ
デシルホスファイト、トリステアリルホスファイト、トリス（２−クロロエチル）ホスファイト、トリス（２，３−ジクロロプロピル）ホスファイト等のトリアルキルホスファイト；トリシクロヘキシルホスファイト等のトリシクロアルキルホスファイト；トリフェニルホスファイト、トリクレジルホスファイト、トリス（エチルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリス（ヒドロキシフェニル）ホスファイト等のトリアリールホスファイト；フェニルジデシルホスファイト、ジフェニルデシルホスファイト、ジフェニルイソオクチルホスファイト、フェニルイソオクチルホスファイト、２−エチルヘキシルジフェニルホスファイト等のアリールアルキルホスファイト等が挙げられる。さらに、ジステアリルペンタエリスリチルジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリチルジホスファイト等が挙げられる。中でも、亜リン酸エステルが好ましく、特にトリス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ホスファイトが好ましく用いられる。
【００４９】
ヒンダードフェノール系安定剤としては、ｎ−オクタデシル−３−（４−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔ−ブチルフェニル）プロピオネート、テトラキス［メチレン−３−（３’，５’−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］メタン、１，１，３−トリス（２−メチル−４−ヒドロキシ−５−ｔ−ブチルフェニル）ブタン、ジステアリル（４−ヒドロキシ−３−メチル−５−ｔ−ブチル）ベンジルマロネート、４−ヒドロキシメチル−２，６−ジーｔ−ブチルフェノール等が挙げられる。
【００５０】
イオウ系安定剤としては、亜硫酸、硫酸、スルフィン酸系化合物、スルホン酸系化合物およびこれらの誘導体が挙げられる。より具体的には、亜硫酸誘導体として、ジメチル亜硫酸、ジエチル亜硫酸、ジプロピル亜硫酸、ジブチル亜硫酸、ジフェニル亜硫酸等が挙げられる。硫酸誘導体として、ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ジプロピル硫酸、ジブチル硫酸、ジフェニル硫酸等が挙げられる。スルフィン酸系化合物として、ベンゼンスルフィン酸、トルエンスルフィン酸、ナフテレンスルフィン酸等が挙げられる。スルホン酸系化合物およびこの誘導体として、ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸；ベンゼンスルホン酸メチル、ベンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホン酸ブチル、ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンスルホン酸フェニル、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸ブチル、ｐ−トルエンスルホン酸オクチル、ｐ−トルエンスルホン酸フェニル等のスルホン酸エステル；ｐ−トルエンスルホン酸アンモニウム等のスルホン酸アンモニウム塩；トリフルオロメタンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、スルホン化ポリスチレン、アクリル酸メチル−スルホン化スチレン共重合体等のスルホン酸化合物が挙げられる。
【００５１】
エポキシ系安定剤としては、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、フェニルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、ｔ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシ−６’−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、２，３−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、４−（３，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキシル）ブチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４−エポキシシクロヘキシルエチレンオキシド、シクロヘキシルメチル３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル−６’−メチルシロヘキシルカルボキシレート、ビスフェノール−Ａジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェノール−Ａグリシジルエーテル、フタル酸のジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸のジグリシジルエステル、ビス−エポキシジシクロペンタジエニルエーテル、ビス−エポキシエチレングリコール、ビス−エポキシシクロヘキシルアジペート、ブタジエンジエポキシド、テトラフェニルエチレンエポキシド、オクチルエポキシタレート、エポキシ化ポリブタジエン、３，４−ジメチル−１，２−エポキ
シシクロヘキサン、３，５−ジメチル−１，２−エポキシシクロヘキサン、３−メチル−５−ｔ−ブチル−１，２−エポキシシクロヘキサン、オクタデシル−２，２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２，２−ジメチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、シクロヘキシル−２−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、Ｎ−ブチル−２−イソプロピル−３，４−エポキシ−５−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、オクタデシル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、２−エチルヘキシル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、４，６−ジメチル−２，３−エポキシシクロヘキシル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、４，５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、３−ｔ−ブチル−４，５−エポキシ無水テトラヒドロフタル酸、ジエチル４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキシルジカルボキシレート、ジ−ｎ−ブチル−３−ｔ−ブチル−４，５−エポキシ−シス−１，２−シクロヘキシルジカルボキシレート等が挙げられる。これらの中でも、脂環族エポキシ化合物が好ましく用いられ、特に３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレートが好ましく用いられる。
【００５２】
熱安定剤の添加量は、通常、ポリカーボネート１００重量部に対して０．０００１重量部〜０．５重量部、好ましくは０．００１重量部〜０．２重量部の範囲で用いられる。
本実施の形態では、熱安定剤としてリン系安定剤を使用し、上述した範囲の量のリン系安定剤を添加することにより、後述するペレット化工程を経て製品化された芳香族ポリカーボネートのペレットにリン系安定剤が含まれる。本実施の形態では、ポリカーボネートに含まれるリン系安定剤の量が、ポリカーボネート１００重量部に対し、リン原子の量（重量換算）として０．５ｐｐｍ〜１０ｐｐｍ、好ましくは０．５〜５ｐｐｍの範囲である場合に、本発明により得られる効果が大きい。
【００５３】
ポリカーボネートに添加する熱安定剤の添加量が過度に少ないと、例えば、３５０℃程度の高温条件で射出成形する際に、ポリカーボネートの色相が悪化する傾向がある。また、ポリカーボネートに添加する熱安定剤の添加量が過度に多いと、特に、熱安定剤としてリン系安定剤を使用する場合、このようなリン系安定剤自体が吸湿性を有すると共に、リン系安定剤がポリカーボネートを加水分解する触媒として働く場合があり、製品化されたポリカーボネートの加水分解性が促進される可能性がある。このような水分を吸着したポリカーボネートペレットを用いて、射出成形法により光ディスク用の基板を成形すると、得られた基板の表面にシルバーストリークが生じる傾向がある。
【００５４】
押出工程において、多段ベント口を備えた押出機を使用する場合、酸性化合物又はその誘導体は、樹脂供給口に最も近いベント口の手前に添加される。押出機による中和脱揮処理に供するポリカーボネートの形態としては、重縮合反応直後の溶融状態にあるうちに押出機に導入し処理する方法が好ましい。但し、溶融状態のポリカーボネートを一旦冷却固化した後、押出機に導入し処理してもよい。
【００５５】
（ペレット化工程）
押出工程において押出機より排出されたストランド状のポリカーボネートは、本発明の搬送方法においては、水中カット装置によりペレットに切断される。具体的には押出機出口部に設置された水中カット装置は、押出機のダイ出口に冷却水を流しながら、カッター刃を回転させることによりペレット化する方法（アンダーウォーターカット）である。得られるペレット１個の重量は平均値で、好ましくは１５ｍｇ〜２３ｍｇ、より好ましくは１６ｍｇから２２ｍｇである。
【００５６】
（搬送方法）
次に、図１に基づき、本ポリマーペレットの搬送方法の発明の一例を具体的に説明する
。
押出機１により供給された溶融ポリカーボネートはダイス２を介して、水中にストランド状に排出され、水中カット装置３のダイス表面上で回転する水中カッターナイフ３ａによりペレット状に切断される。
切断されたポリカーボネートペレットは、冷却水タンク５から冷却水循環ポンプ４により水中カット装置３に送られてくる冷却水により冷却され、該ポンプのヘッド圧により、冷却水とともに冷却水脱水装置６に搬送される。
【００５７】
冷却脱水装置６に搬送されたポリカーボネートペレットと冷却水は分離され、該ポリカーボネートペレットは脱水乾燥装置７に送られて、付着水分の脱水及び乾燥を行い、乾燥したポリカーボネートペレットは該脱水乾燥装置７の下方に配置されたサイロ８に自由落下により搬送する。サイロ８に搬送された該乾燥したポリカーボネートペレットは、サイロ下部より、空送ライン９により包装設備１１に搬送される。
冷却水脱水装置６及び脱水乾燥装置７で分離された水は、冷却水タンク５に集められ、冷却水循環ポンプ４により水中カット装置３に送られ、連続的に自動循環運転がなされる。尚、空送する気体の露点は０℃以下であることが好ましく、−１０℃以下であることがより好ましく、−２０℃以下であることが更に好ましい。空送する気体の露点を前記範囲内とすることで、ポリマーペレットの含水率の上昇を抑制することが可能となる。更に前記気体は不活性ガスであることが好ましく、窒素ガス、アルゴンガス、二酸化炭素ガスを使用することができる。
【００５８】
上記搬送方法とすることにより、コンパクトな設備により、空送等で発生する騒音を極力抑制しながら、樹脂屑を削減し、ポリカーボネートペレットの搬送が可能となる。
従来技術による搬送方法では、例えば、水中カット装置で製造されたポリマーペレットを近接する脱水乾燥装置により乾燥したポリカーペレットとした後にサイロに空送する場合には、サイロの高低差により空送する圧力を高く設定する必要があり、騒音の発生が避けられず、また樹脂屑が多く発生する可能性がある。
【００５９】
また、押出機及び水中カット装置をサイロの上方にある脱水乾燥装置に近接して設置する方法があるが、押出機及び水中カット装置が大型の動力を要する機械を具備しており、該押出機及び水中カット設備を高い位置に設置して運転することは、安定したストランドの排出やペレット化製造を行うことに問題が生じる可能性がある。
更に、別の方法として、包装設備をサイロの下方に設置する方法があるが、そのためには、ポリマーペレットが貯蔵された場合には数十トンの重量を有するサイロをかさ上げして設計する必要があり、安定的で持続的な搬送方法とはならない可能性がある。
【００６０】
次に、図２に基づき、本実施の形態が適用されるポリマーペレットの搬送方法の一例を具体的に説明する。
押出機１により供給された溶融ポリカーボネートはダイス２を介して、水中にストランド状に排出され、水中カット装置３のダイス表面上で回転する水中カッターナイフ３ａによりペレット状に切断される。
冷却脱水装置６に搬送されたポリカーボネートペレットと冷却水は分離され、該ポリカーボネートペレットは脱水乾燥装置７に送られて、付着水分の脱水及び乾燥を行い、乾燥したポリカーボネートペレットは該脱水乾燥装置７の下方に配置されたバッファータンク１２に落下させ、次いで、該バッファータンクの下方に配置された複数のサイロのいずれかに自由落下により搬送する。
【００６１】
ポリカーボネート等ポリマーの製造においては、連続的に品種の切り替えが実施されることが通例である。更に、場合によっては、製造時のトラブルにより、規格外のポリマーが製造される。よって、品種間のコンタミネーションや規格外品のコンタミネーションを
防止するために、品種が異なるポリマーペレットや規格外のポリマーペレットの貯蔵されるサイロを別とすることにより複数のサイロとする。加えて、品種切り替え時等に脱水乾燥装置内で多品種が混合したポリマーペレットが一定時間発生する可能性があり、その場合、時間により搬送するサイロを切り替えると、多品種が混合したポリマーペレットが一つのサイロに搬送される可能性がある。よって、一定時間脱水乾燥装置よりバッファータンクに搬送し、貯めることにより、サイロ内でのコンタミネーションを防止することができる。
図２に基づく発明においては、サイロ８に搬送された該乾燥したポリカーボネートペレットは、サイロ下部より、空送ライン９により包装設備１１に搬送されることが好ましい。尚、空送する気体の露点は０℃以下であることが好ましく、−１０℃以下であることがより好ましく、−２０℃以下であることが更に好ましい。空送する気体の露点を前記範囲内とすることで、ポリマーペレットの含水率の上昇を抑制することが可能となる。更に前記気体は不活性ガスであることが好ましく、窒素ガス、アルゴンガス、二酸化炭素ガスを使用することができる。
【００６２】
本発明のポリマーペレットの搬送方法において、前記サイロ下部より前記包装設備までの空送ラインの距離は１５０ｍ以下であることが好ましく、１００ｍ以下であることがより好ましく、５０ｍ以下であることが更に好ましい。空送ラインの距離が前記範囲内にあることにより、樹脂屑が少なく、かつ空送時に発生する騒音の低減が可能である。
前記脱水乾燥装置に搬送したポリマーペレットの温度は３０℃以上１４０℃以下が好ましく、４０℃以上１２０以下であることがより好ましい。ポリマーペレットの温度が下限未満であると、脱水乾燥装置において、乾燥が不十分となる可能性がある。またポリマーペレットの温度が上限を超える場合は脱水乾燥装置内でポリマーペレット同士が融着する可能性がある。
【００６３】
前記サイロ内には露点０℃以下の気体を流通させることが好ましく、露点−１０℃以下の気体がより好ましく、露点−２０℃以下の気体が更に好ましい。露点が前記範囲内の気体を流通させることで、サイロ内の乾燥したポリマーペレットの含水率の上昇を抑制することが可能となる。更に、前記気体は不活性ガスであることが好ましく、窒素ガス、アルゴンガス、二酸化炭素ガス等を使用することできる。
【００６４】
前記サイロ内への露点０℃以下の気体の流通場所は特に限定されないが、サイロ下部より流通することがサイロ内部のポリマーペレット全体の含水率の上昇を均一に抑制する点で好ましい。
前記サイロ内に流通する気体は、サイロの内容積に対し一分間当たり１倍以上（標準状態）であることが好ましく、５倍以上（標準状態）であることがより好ましい。流通する気体を前記範囲とすることによりポリマーペレットの含水率の上昇を抑制することが可能となる。尚、本発明における標準状態とは温度２５℃、気圧１ｂａｒの状態のことである。
【実施例】
【００６５】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を変更しない限り以下の実施例に限定されるものではない。
【００６６】
（実施例１）
図１に示される装置にて押出機１から押出されたストランドを、水中カット装置３の水中カーターナイフ３ａでカッティングによりペレット化し、得られたペレットを冷却水とともに、冷却水循環ポンプ４のヘッド圧にて冷却水脱水装置６に搬送し、一定量の水を取り除き、次いで脱水乾燥装置７に搬送する。搬送されるポリカーボネートペレットを脱水乾燥装置７で脱水・乾燥し、乾燥したポリカーボネートペレットとし、脱水乾燥装置７の
下方にあるサイロ８に自由落下により搬送する。次いでサイロ８の下部より乾燥したポリカーボネートペレットを空送ブロワ１０により発生する気力により空送ライン９を介して包装設備１１に空送する。尚、前記脱水乾燥装置に搬送した際のポリカーボネートペレットの温度は７０℃である。更に前記サイロの下部より露点−２０℃の窒素ガスを１分間当たり、サイロの内容積に対して５倍量（標準状態）流通している。加えて、空送ラインの長さは５０ｍである。
上記の搬送方法によれば、コンパクトな設備で安定的に騒音の発生も少なく、包装設備までポリカーボネートペレットを搬送することができ、更には搬送時に発生する、樹脂屑が少なく、含水率が安定的に低減したポリカーボネートペレットを得ることができる。
【００６７】
（実施例２）
図２に示される装置にて押出機１から押出されたストランドを、水中カット装置３の水中カーターナイフ３ａでカッティングによりペレット化し、得られたペレットを冷却水とともに、冷却水循環ポンプ４のヘッド圧にて冷却水脱水装置６に搬送し、一定量の水を取り除き、次いで脱水乾燥装置７に搬送する。搬送されるポリカーボネートペレットを脱水乾燥装置７で脱水・乾燥し、乾燥したポリカーボネートペレットとし、脱水乾燥装置７の下方にあるバッファータンク１２に落下させ、該バッファータンクの下方に配置されたサイロ切替バルブ１３を介して、サイロ８ａに自由落下により搬送する。次いでサイロ８ａの下部より乾燥したポリカーボネートペレットを空送ブロワ１０により発生する気力により空送ライン９を介して包装設備１１に空送する。このとき製造させたポリカーボネートパレットを品種１とする。次いで別品種のポリカーボネートペレットである品種２の製造を実施する。ここで品種１から品種２の製造に切り替えるに当たり、規格外品が製造されることになり、バルブ１６を閉止後、バッファータンク１２に規格外品を貯留し、サイロ切替バルブ１３をサイロ８ｃ側へに切り替え、バルブ１６を開けて、サイロ８ｃに規格外品を搬送する。ポリカーボネートペレットが品種２の規格値に入ったことを確認した後、バルブ１６を閉止、バッファータンク１２に品種２を貯留し、サイロ切替バルブ１３をサイロ８ｂ側に切り替え、バルブ１６を開けて、サイロ８ｂに品種２のポリカーボネートペレットを搬送する。次いでサイロ８ｂの下部より乾燥したポリカーボネートペレットを空送ブロワ１０により発生する気力により空送ライン９を介して包装設備１１に空送する。空送する気体は露点−２０℃の窒素ガスである。尚、前記脱水乾燥装置に搬送した際のポリカーボネートペレットの温度は７０℃である。更に前記サイロの下部より露点−２０℃の窒素ガスを１分間当たり、サイロの内容積に対して５倍量流通している。加えて、空送ラインの長さは５０ｍである。
【００６８】
上記の搬送方法によれば、コンパクトな設備で安定的に騒音の発生も少なく、包装設備までポリカーボネートペレットを搬送することができ、更には搬送時に発生する、樹脂屑が少なく、品種間のコンタミネーションや規格外品のコンタミネーションが少なく、含水率が安定的に低減したポリカーボネートペレットを得ることができる。
【００６９】
（比較例１）
図３に示される装置にて押出機１から押出されたストランドを、水中カット装置３の水中カーターナイフ３ａでカッティングによりペレット化し、得られたペレットを冷却水とともに、冷却水循環ポンプ４のヘッド圧にて冷却水脱水装置６に搬送し、一定量の水を取り除き、次いで脱水乾燥装置７に搬送する。搬送されるポリカーボネートペレットを脱水乾燥装置７で脱水・乾燥し、乾燥したポリカーボネートペレットとし、脱水乾燥装置７の下方にあるサイロ切替バルブ１３を介して、複数のサイロ８のいずれかに自由落下により搬送し、自由落下により包装設備１１に搬送する。尚、前記脱水乾燥装置に搬送した際のポリカーボネートペレットの温度は７０℃である。
【００７０】
上記の搬送方法によれば、品種間のコンタミネーションや規格外品のコンタミネーショ
ンが多く、含水率が不安定なポリカーボネートペレットを得ることになる。更に、重量の大きなサイロをかさ上げして設計する必要があるため、建設コストが高くなるとともに、安定的な搬送は困難になる。
【００７１】
（比較例２）
図４に示される装置にて押出機１から押出されたストランドを、水中カット装置３の水中カーターナイフ３ａでカッティングによりペレット化し、得られたペレットを冷却水とともに、冷却水循環ポンプ４のヘッド圧にて冷却水脱水装置６に搬送し、一定量の水を取り除き、次いで脱水乾燥装置７に搬送する。搬送されるポリカーボネートペレットを脱水乾燥装置７で脱水・乾燥し、乾燥したポリカーボネートペレットとし、脱水乾燥装置７の下方にあるバッファータンク１２に自由落下により搬送する。次いでバッファータンク１２の下部より乾燥したポリカーボネートペレットを空送ブロワ１０により発生する気力により空送ライン９を介して、更にサイロ８上部にあるサイロ切替バルブ１３を介して、複数のサイロ８のいずれかに搬送する。次いでサイロ８の下部より乾燥したポリカーボネートペレットを空送ブロワ１４により発生する気力により空送ライン１５を介して包装設備１１に空送する。尚、前記脱水乾燥装置に搬送した際のポリカーボネートペレットの温度は７０℃である。
【００７２】
上記の搬送方法によれば、空送ラインが二系列あり、搬送時の騒音の発生が多く、更には搬送時に発生する、樹脂屑が多い。更に、設備コストが高くとともに、搬送するときのコストも増大である。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明のポリマーペレットの搬送方法によれば、コンパクトな設備で安定的に騒音の発生も抑制し、サイロや包装設備まで搬送することが可能となり、また、多品種のポリマーペレットを製造ロスもなく、各品種ごとのサイロに搬送でき、更には搬送時に発生する、樹脂屑が少なく、含水率が低いポリカーボネートペレットを安定的に得ることができるため、工業的なポリマーペレットの搬送に有効に使用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１    押出機
２    ダイス
３    水中カット装置
３ａ  水中カッターナイフ
４    冷却水循環ポンプ
５    冷却水タンク
６    冷却水脱水装置
７    脱水乾燥装置
８、８ａ、８ｂ、８ｃ    サイロ
９    空送ライン
１０  空送ブロワ
１１  包装設備
１２  バッファータンク
１３  サイロ切替バルブ
１４  空送ブロワ
１５  空送ライン
【図１】
2014180855.tif 000005
【図２】
2014180855.tif 000006
【図３】
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【図４】
2014180855.tif 000008