(57)【要約】【課題】凹凸パターン構造体における残膜厚を全体として実質的に均一にし、かつ当該凹凸パターン構造体の凹凸パターンの寸法精度の低下及び欠陥の発生等を防止することのできるインプリントモールドを製造する方法及び当該インプリントモールドを設計する方法を提供する。【解決手段】２種類以上の凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドの製造方法は、複数種類の凹凸パターンの中からパターン形成面に形成する１種類以上の凹凸パターンを、各種凹凸パターンと凹凸パターン構造体の実質的に均一に形成可能な残膜厚との関係に基づいて選択する凹凸パターン選択工程と、インプリントモールドを構成する基材上のパターン形成面に相当する面内に配置される２つ以上のパターン形成領域のそれぞれに、選択された１種類以上の凹凸パターンを含む２種類以上の凹凸パターンのそれぞれを形成する凹凸パターン形成工程とを含む。【選択図】図２
2014175572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２種類の凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを製造する方法であって、
複数種類の凹凸パターンの中から、前記パターン形成面に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程と、
前記インプリントモールドを構成する基材上の前記パターン形成面に相当する面内に配置される少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに、前記凹凸パターン選択工程にて選択された被選択凹凸パターンを含む前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを形成する凹凸パターン形成工程と
を含み、
前記凹凸パターン選択工程において、
インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されたインプリント樹脂とインプリントモールドのパターン形成面とを接触させることで当該被転写面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体の残膜厚であって、前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する
ことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項２】
前記凹凸パターン選択工程は、
前記複数種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚を複数含む残膜厚群を、前記複数種類の凹凸パターンごとに求める工程と、
前記少なくとも２種類の凹凸パターンのうち、前記選択される少なくとも１種類の凹凸パターン以外の凹凸パターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚と実質的に一致する残膜厚を、前記複数種類の凹凸パターンのそれぞれの残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から抽出し、抽出された残膜厚に対応する前記少なくとも１種類の凹凸パターンを決定する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項３】
前記凹凸パターン選択工程において、
前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚が相互に実質的に一致し、かつ前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚に関連する前記被転写面上における前記インプリント樹脂の滴下配置のそれぞれが相互に類似するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項４】
前記インプリントモールドは、前記パターン形成面に少なくとも３種類の凹凸パターンが形成されてなるものであり、
前記インプリントモールドを構成する基材上の前記パターン形成面に相当する面内に配置される少なくとも３つのパターン形成領域のうち、前記少なくとも３種類の凹凸パターンのそれぞれが形成されるパターン形成領域を決定する凹凸パターン形成位置決定工程をさらに含み、
前記凹凸パターン形成位置決定工程において、
前記少なくとも３つのパターン形成領域のうちの一のパターン形成領域に形成される凹凸パターンに対応して実質的に形成可能な残膜厚と、当該一のパターン形成領域に隣接する他のパターン形成領域に形成される凹凸パターンに対応して実質的に均一に形成可能な残膜厚との差が最小となるように、前記少なくとも３種類の凹凸パターンのそれぞれが形成されるパターン形成領域を決定する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項５】
隣接する２つの前記パターン形成領域の間隙に形成される、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を補助するための補助凹凸パターンを選択する補助凹凸パターン選択工程をさらに含み、
前記補助凹凸パターン選択工程において、
前記隣接する２つのパターン形成領域のそれぞれに形成される２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応して実質的に均一に形成可能な各残膜厚と実質的に一致し、かつ実質的に均一な残膜厚の凹凸パターン構造体を形成可能な補助凹凸パターンを選択し、
前記凹凸パターン形成工程において、
前記選択された少なくとも２種類の凹凸パターンとともに前記選択された補助凹凸パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項６】
前記凹凸パターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚は、前記インプリント樹脂の液滴の基本配置パターン及び当該基本配置パターンのサイズに基づき、下記式により算出されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
Ｈｒ＝{Ｄｐ−(α／１００×Ｓ×Ｈｐ)}／Ｓ
式中、Ｈｒは「実質的に均一な厚みになる残膜厚（μｍ）」を、Ｄｐは「基本配置パターン内を充たすインプリント樹脂量（μｍ3）」を、αは「モールドの凹凸パターンの凹部の面積比率（％）」を、Ｈｐは「モールドの凹凸パターンの凹部の深さ（μｍ）」を、Ｓは「基本配置パターンの面積（μｍ2）」を表す。
【請求項７】
前記少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンが、前記インプリントモールドを用いて得られる凹凸パターン構造体において転写されるべきメインパターンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項８】
前記凹凸パターン選択工程において選択される少なくとも１種類の凹凸パターンが、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理において当該インプリントモールドの剥離を補助するためのダミーパターンであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項９】
少なくとも２種類の凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを設計する方法であって、
複数種類の凹凸パターンの中から、前記パターン形成面に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程を含み、
前記凹凸パターン選択工程において、
インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されたインプリント樹脂とインプリントモールドのパターン形成面とを接触させることで当該被転写面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体の残膜厚であって、前記少なくとも２種の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する
ことを特徴とするインプリントモールドの設計方法。
【請求項１０】
一のパターン形成面内に複数の小領域がアレイ状に配列されてなり、当該各小領域に少なくとも２種類の凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを設計する方法であって、
複数種類の凹凸パターンの中から、前記各小領域に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程と、
一の前記小領域内に設定した少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに、前記凹凸パターン選択工程にて選択された被選択凹凸パターンを含む前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを配置する凹凸パターン配置工程と、
前記凹凸パターン配置工程にて前記少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを配置した前記一の小領域を、前記一のパターン形成面内に複数アレイ状に配列する小領域配列工程と
を含み、
前記凹凸パターン選択工程において、
インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されるインプリント樹脂と前記パターン形成面とを接触させることで当該被転写面に濡れ広がる前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体のうちの、前記小領域に対応して得られる部分の残膜厚であって、前記少なくとも２種の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する
ことを特徴とするインプリントモールドの設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールドを製造する方法及び設計する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細加工技術として知られているナノインプリント技術は、基材の表面に微細凹凸パターンが形成されてなる型部材（インプリントモールド）を用い、当該微細凹凸パターンを被加工物に転写することで微細凹凸パターンを等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１参照）。特に、半導体デバイスにおける配線パターン等のさらなる微細化等に伴い、半導体デバイスの製造プロセス等においてナノインプリント技術が益々注目されている。
【０００３】
このナノインプリント技術においては、一般に、基板上に被加工物としてのインプリント樹脂が塗布され、インプリント樹脂とインプリントモールドとを接触させた状態で当該インプリント樹脂を硬化させることにより、インプリントモールドの微細凹凸パターンが転写されてなる微細凹凸パターン構造体が形成される。このインプリント樹脂を基板上に塗布する方法として、基板表面（微細凹凸パターン構造体が形成される面）の所定の位置にインプリント樹脂を離散的に滴下するインクジェット方式等が知られている。
【０００４】
ナノインプリントにより微細凹凸パターン構造体を形成する場合、当該微細凹凸パターン構造体における凹部の膜厚（残膜厚）が全体にわたって均一であることが要求される。この残膜の厚みにムラがあると、微細凹凸パターン構造体をエッチングマスクとして用いる場合に、エッチング精度が低下して、エッチングにより基板に形成される微細凹凸パターンの寸法にバラツキが生じてしまうという問題がある。
【０００５】
このような問題を解決するために、微細凹凸パターン構造体における残膜厚のバラツキの発生を抑制するための技術として、従来、インクジェット方式による樹脂塗布装置を用いたインプリント樹脂の滴下方法に関する種々の技術が提案されている（特許文献２、３参照）。
【０００６】
インクジェット方式による樹脂塗布装置においては、一般に、複数の樹脂吐出口（ノズル）が所定の間隔で設けられたインクジェットヘッドを所定の方向に走査させて基板上にインプリント樹脂が滴下される。その基板上において実際にインプリント樹脂が滴下される位置は、ノズル間隔、インクジェットヘッドの走査速度、ノズルからのインプリント樹脂の滴下タイミング等により決まる。上記のような樹脂塗布装置において、ノズル間隔、インクジェットヘッドの走査速度、ノズルからのインプリント樹脂の滴下タイミング等のパラメータ等を自由に設定（制御）可能であれば、基板上の所定の領域内のいかなる位置であってもインプリント樹脂の滴下が可能である。しかしながら、上記のような樹脂塗布装置においては、樹脂塗布装置ごとに予め決められた範囲内、又はその範囲内で特定の値を選択することでしか上記パラメータ等を設定することができないという装置上の制限が課せられてしまう。また、使用するインプリント樹脂の粘度や表面張力等の物理的特性によって、上記パラメータ（特に滴下タイミング）等の設定可能範囲がさらに制限されることがある。そのため、上記のような樹脂塗布装置においては、上記装置上の制限や使用するインプリント樹脂の物理的特性等により決定される、インクジェットヘッドの走査方向（主走査方向及び副走査方向のそれぞれ）に沿った最小の所定間隔（数μｍ程度）のグリッド（一般に、インクジェットヘッドの主走査方向及び副走査方向のそれぞれに平行なグリッド線の各交点）の整数倍の間隔でしかインプリント樹脂を滴下することができないという制約がある。また、数ｐＬ（数千μｍ3）と極めて微量であるインプリント樹脂一滴の液滴量を、滴下（一滴）ごとに増減させるように制御することは極めて困難である。
【０００７】
上記特許文献２及び３に記載の発明においては、微細凹凸パターン構造体の残膜厚を均一にするために、基材等の被転写面上にインプリント樹脂を滴下する位置や滴下する量を制御しているが、上述したような樹脂塗布装置を用いたときには、樹脂滴下グリッドから外れた位置にインプリント樹脂を滴下することはできず、また液適量の増減も困難である。そのため、特許文献２及び３に記載の発明のようにインプリント樹脂の滴下位置や滴下量を制御することは、特殊な機構を有する樹脂塗布装置を用いない限り、極めて困難である。
【０００８】
また、上記特許文献２及び３に記載の発明では、インプリントモールドと接触したときのインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方が等方性である、すなわち平面視略円形状の液滴が略円形状（放射状）に濡れ広がることを前提として滴下位置を決定している。しかしながら、インプリントモールドの微細凹凸パターンの種類（構造等）が異なれば、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方も異なることがある。例えば、インプリントモールドの微細凹凸パターンがラインアンドスペース状である場合、そのライン方向に略平行な方向にはインプリント樹脂の液滴が濡れ広がりやすいが、ライン方向に略直交する方向にはインプリント樹脂の液滴が濡れ広がり難い。そのため、上記特許文献２及び３に記載の発明では、インプリントモールドの微細凹凸パターンの種類によっては、残膜厚にムラが生じてしまうことがあるという問題がある。
【０００９】
このような問題を解決するために、従来、ラインアンドスペース状の微細凹凸パターンにおけるライン方向に略平行な方向に沿ったインプリント樹脂の液滴間隔を長く、ライン方向に略垂直な方向に沿ったインプリント樹脂の液滴間隔を短くするように、インプリント樹脂の液滴を塗布するナノインプリント方法が提案されている（特許文献４参照）。
【００１０】
一方で、硬化させたインプリント樹脂からのインプリントモールドの剥離性や、インプリントモールドの凹部へのインプリント樹脂の充填性等を向上させることで、微細凹凸パターン構造体における微細凹凸パターンの寸法精度の低下や欠陥の発生等を抑制する技術も種々提案されている。
【００１１】
例えば、インプリントモールド上の微細凹凸パターン（被加工物としてのインプリント樹脂に転写されるべき微細凹凸パターン、以下「メインパターン」という場合がある。）に隣接して、それとは別個の微細凹凸パターン（被加工物としてのインプリント樹脂に本来転写される必要のない微細凹凸パターン、以下「ダミーパターン」という場合がある。）を設けることで、インプリントモールドの剥離性やインプリントモールドの凹部へのインプリント樹脂の充填性等を向上させ、微細凹凸パターン構造体における微細凹凸パターンの寸法精度の低下や欠陥の発生等を抑制する技術等が提案されている（特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】米国特許第５，７７２，９０５号
【特許文献２】特開２００９−８８３７６号公報
【特許文献３】特開２０１２−５４３２２号公報
【特許文献４】特開２０１１−２２８６１９号公報
【特許文献５】特開２０１０−２２５６８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記特許文献５に記載されているように、インプリントモールド上の微細凹凸パターンが形成されている領域（パターン形成領域）と、そのパターン形成領域に隣接する微細凹凸パターンの形成されていない領域（パターン非形成領域）との間で、インプリント樹脂との接触面積が相違することで、インプリントモールドの剥離に要する力が当該領域ごとに異なる。そのため、インプリントモールドの剥離速度が、両領域の境界部分で急激に変化し、それにより微細凹凸パターンが引きちぎれ、欠陥が発生する。また、完全に引きちぎれなくとも、インプリント樹脂が引き伸ばされることによって寸法精度が低下する。
【００１４】
したがって、上記特許文献５に記載の発明のように、上記パターン非形成領域にダミーパターンを形成して、当該領域におけるインプリント樹脂との接触面積を大きくすることで、パターン形成領域とそれに隣接するパターン非形成領域（ダミーパターンが形成される領域）との境界部分でインプリントモールドの剥離速度の急激な変動を抑制することができ、結果として微細凹凸パターンの寸法精度の低下や欠陥等の発生を防止し得ると考えられる。
【００１５】
しかしながら、上記特許文献５に記載の発明においては、パターン形成領域における上記接触面積とパターン非形成領域における上記接触面積との差を小さくすることのみに主眼を置いているため、パターン非形成領域に形成されるダミーパターンの種類によっては、メインパターン部（パターン形成領域）とダミーパターン部（ダミーパターンの形成されるパターン非形成領域）とでインプリント樹脂の濡れ広がり方が大きく異なることにより、微細凹凸パターン構造体の残膜厚を全体として均一にすることができない。そのため、微細凹凸パターン構造体の残膜厚のバラツキに起因する微細凹凸パターンの寸法精度の低下や欠陥の発生等を抑制することができないという問題がある。
【００１６】
上記課題に鑑みて、本発明は、凹凸パターン構造体における残膜厚を全体として実質的に均一にすることができ、当該凹凸パターン構造体における凹凸パターンの寸法精度の低下及び欠陥の発生等を防止することのできる、少なくとも２種類の凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法及び当該インプリントモールドを設計する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも２種類の凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを製造する方法であって、複数種類の凹凸パターンの中から、前記パターン形成面に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程と、前記インプリントモールドを構成する基材上の前記パターン形成面に相当する面内に配置される少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに、前記凹凸パターン選択工程にて選択された被選択凹凸パターンを含む前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを形成する凹凸パターン形成工程とを含み、前記凹凸パターン選択工程において、インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されたインプリント樹脂とインプリントモールドのパターン形成面とを接触させることで当該被転写面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体の残膜厚であって、前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択することを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明１）。
【００１８】
上記発明（発明１）によれば、インプリントモールドを用いたインプリントにより得られる凹凸パターン構造体の残膜厚を全体として実質的に均一にすることができるように、インプリントモールドのパターン形成面に形成される少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンが選択されるため、寸法精度が高く、パターン欠陥等を有しない凹凸パターン構造体を形成可能なインプリントモールドを製造することができる。
【００１９】
なお、本発明において、インプリント樹脂の液滴にインプリントモールドのパターン形成面を接触させたときに、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方（濡れ広がった液滴の形状及び大きさ、濡れ広がりの方向性（液滴の濡れ広がる方向のうち、より濡れ広がりやすい方向））の異なる凹凸パターンは、種類の異なる凹凸パターンであるものとする。ラインアンドスペース形状、ホール形状、ピラー形状、格子形状等の構造の異なる凹凸パターン、同一構造であっても凹部及び凸部の寸法（凹凸パターンの平面視における寸法）や凹部の深さの異なる凹凸パターン等は、原則として異なる種類の凹凸パターンである。例えば、ラインアンドスペース形状の凹凸パターンであっても、寸法５０ｎｍの凹凸パターンと寸法１００ｎｍの凹凸パターンとは、インプリント樹脂の濡れ広がり方が異なるため、異なる種類の凹凸パターンである。また、構造、寸法及び凹部の深さが同一であっても、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がりの方向性が異なる凹凸パターンは、異なる種類の凹凸パターンである。例えば、寸法及び凹部の深さが同一のラインアンドスペース形状の凹凸パターンであっても、それらのライン方向が相互に交差する方向である凹凸パターンは、異なる種類の凹凸パターンである。
【００２０】
上記発明（発明１）においては、前記凹凸パターン選択工程は、前記複数種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚を複数含む残膜厚群を、前記複数種類の凹凸パターンごとに求める工程と、前記少なくとも２種類の凹凸パターンのうち、前記選択される少なくとも１種類の凹凸パターン以外の凹凸パターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚と実質的に一致する残膜厚を、前記複数種類の凹凸パターンのそれぞれの残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から抽出し、抽出された残膜厚に対応する前記少なくとも１種類の凹凸パターンを決定する工程とを含むのが好ましい（発明２）。
【００２１】
上記発明（発明１，２）においては、前記凹凸パターン選択工程において、前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚が相互に実質的に一致し、かつ前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚に関連する前記被転写面上における前記インプリント樹脂の滴下配置のそれぞれが相互に類似するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択するのが好ましい（発明３）。
【００２２】
上記発明（発明１〜３）においては、前記インプリントモールドは、前記パターン形成面に少なくとも３種類の凹凸パターンが形成されてなるものであり、前記インプリントモールドを構成する基材上の前記パターン形成面に相当する面内に配置される少なくとも３つのパターン形成領域のうち、前記少なくとも３種類の凹凸パターンのそれぞれが形成されるパターン形成領域を決定する凹凸パターン形成位置決定工程をさらに含み、前記凹凸パターン形成位置決定工程において、前記少なくとも３つのパターン形成領域のうちの一のパターン形成領域に形成される凹凸パターンに対応して実質的に形成可能な残膜厚と、当該一のパターン形成領域に隣接する他のパターン形成領域に形成される凹凸パターンに対応して実質的に均一に形成可能な残膜厚との差が最小となるように、前記少なくとも３種類の凹凸パターンのそれぞれが形成されるパターン形成領域を決定するのが好ましい（発明４）。
【００２３】
上記発明（発明１〜４）においては、隣接する２つの前記パターン形成領域の間隙に形成される、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理を補助するための補助凹凸パターンを選択する補助凹凸パターン選択工程をさらに含み、前記補助凹凸パターン選択工程において、前記隣接する２つのパターン形成領域のそれぞれに形成される２種類の凹凸パターンのそれぞれに対応して実質的に均一に形成可能な各残膜厚と実質的に一致し、かつ実質的に均一な残膜厚の凹凸パターン構造体を形成可能な補助凹凸パターンを選択し、前記凹凸パターン形成工程において、前記選択された少なくとも２種類の凹凸パターンとともに前記選択された補助凹凸パターンを形成するのが好ましい（発明５）。
【００２４】
上記発明（発明１〜５）においては、前記凹凸パターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚は、前記インプリント樹脂の液滴の基本配置パターン及び当該基本配置パターンのサイズに基づき、下記式により算出されるのが好ましい（発明６）。
Ｈｒ＝{Ｄｐ−(α／１００×Ｓ×Ｈｐ)}／Ｓ
式中、Ｈｒは「実質的に均一な厚みになる残膜厚（μｍ）」を、Ｄｐは「基本配置パターン内を充たすインプリント樹脂量（μｍ3）」を、αは「インプリントモールドの凹凸パターンの凹部の面積比率（％）」を、Ｈｐは「インプリントモールドの凹凸パターンの凹部の深さ（μｍ）」を、Ｓは「基本配置パターンの面積（μｍ2）」を表す。
【００２５】
上記発明（発明１〜６）においては、前記少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンが、前記インプリントモールドを用いて得られる凹凸パターン構造体において転写されるべきメインパターンであるのが好ましい（発明７）。
【００２６】
上記発明（発明１〜７）においては、前記凹凸パターン選択工程において選択される少なくとも１種類の凹凸パターンが、前記インプリントモールドを用いたインプリント処理において当該インプリントモールドの剥離を補助するためのダミーパターンであるのが好ましい（発明８）。
【００２７】
また、本発明は、少なくとも２種類の凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを設計する方法であって、複数種類の凹凸パターンの中から、前記パターン形成面に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程を含み、前記凹凸パターン選択工程において、インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されたインプリント樹脂とインプリントモールドのパターン形成面とを接触させることで当該被転写面内に濡れ広がった前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体の残膜厚であって、前記少なくとも２種の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択することを特徴とするインプリントモールドの設計方法を提供する（発明９）。
【００２８】
さらに、本発明は、一のパターン形成面内に複数の小領域がアレイ状に配列されてなり、当該各小領域に少なくとも２種類の凹凸パターンが形成されてなるインプリントモールドを設計する方法であって、複数種類の凹凸パターンの中から、前記各小領域に形成する少なくとも２種類の凹凸パターンのうちの少なくとも１種類の凹凸パターンを選択する凹凸パターン選択工程と、一の前記小領域内に設定した少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに、前記凹凸パターン選択工程にて選択された被選択凹凸パターンを含む前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを配置する凹凸パターン配置工程と、前記凹凸パターン配置工程にて前記少なくとも２つのパターン形成領域のそれぞれに前記少なくとも２種類の凹凸パターンのそれぞれを配置した前記一の小領域を、前記一のパターン形成面内に複数アレイ状に配列する小領域配列工程とを含み、前記凹凸パターン選択工程において、インクジェット法により被転写面に離散的に滴下されるインプリント樹脂と前記パターン形成面とを接触させることで当該被転写面に濡れ広がる前記インプリント樹脂を硬化させて得られる凹凸パターン構造体のうちの、前記小領域に対応して得られる部分の残膜厚であって、前記少なくとも２種の凹凸パターンのそれぞれに対応する実質的に均一に形成可能な各残膜厚が、相互に実質的に一致するように、前記少なくとも１種類の凹凸パターンを選択することを特徴とするインプリントモールドの設計方法を提供する（発明１０）。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、凹凸パターン構造体における残膜厚を全体として実質的に均一にすることができ、当該凹凸パターン構造体における凹凸パターンの寸法精度の低下及び欠陥の発生等を防止することのできる、少なくとも２種類の凹凸パターンを有するインプリントモールドを製造する方法及び当該インプリントモールドを設計する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されるインプリントモールドのパターン形成面の一例を示す平面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるパターン選択工程を示すフローチャートである。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されたインプリントモールドを用いたインプリント方法にて使用されるインクジェット方式の樹脂塗布装置におけるインプリント樹脂の滴下可能位置を示す平面図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、インプリントモールドの微細凹凸パターンの種類（ラインアンドスペース状の微細凹凸パターン）とインプリント樹脂の濡れ広がり方及び基本配置パターンとの関係性を示す平面図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、インプリントモールドの微細凹凸パターンの種類（ホール状の微細凹凸パターン）とインプリント樹脂の濡れ広がり方及び基本配置パターンとの関係性を示す平面図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、メインパターンと基本配置パターン及びそのサイズと残膜厚との関係の一例を示す表である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、ダミーパターン候補（パターン２）と基本配置パターン及びそのサイズと残膜厚との関係の一例を示す表（その１）である。
【図８】図８は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、ダミーパターン候補（パターン３）と基本配置パターン及びそのサイズと残膜厚との関係の一例を示す表（その２）である。
【図９】図９は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、ダミーパターン候補（パターン４）と基本配置パターン及びそのサイズと残膜厚との関係の一例を示す表（その３）である。
【図１０】図１０は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、ダミーパターン候補（パターン５）と基本配置パターン及びそのサイズと残膜厚との関係の一例を示す表（その４）である。
【図１１】図１１は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、メインパターンの残膜厚と実質的に一致する残膜厚で形成可能なダミーパターン候補として抽出されたパターン（パターン２〜５）、基本配置パターン及びそのサイズ、並びに残膜厚の一例を示す表である。
【図１２】図１２は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるパターン形成工程のフローを示す断面図（その１）である。
【図１３】図１３は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるパターン形成工程のフローを示す断面図（その２）である。
【図１４】図１４は、本発明の一実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されるインプリントモールドのパターン形成面の他の例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されるインプリントモールドのパターン形成面の一例を示す平面図であり、図２は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法におけるパターン選択工程を示すフローチャートである。
【００３２】
本実施形態においては、インプリント樹脂に転写されるべき微細凹凸パターン（以下「メインパターン」という場合がある。）と、インプリントモールドの剥離性やインプリントモールドの凹部へのインプリント樹脂の充填性等を向上させることを目的として設けられる、インプリント樹脂に本来転写される必要のない微細凹凸パターン（以下「ダミーパターン」という場合がある。）との２種類の微細凹凸パターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを製造する方法を例に挙げて説明する。
【００３３】
なお、本実施形態において製造されるインプリントモールドとしては、図１に示すように、パターン形成面ＰＳの略中央に位置する領域（メインパターン形成領域）ＭＡにメインパターン（図示を省略）が形成され、パターン形成面ＰＳ内であって、当該メインパターン形成領域ＭＡの周囲（四方）に位置する４つの領域（ダミーパターン形成領域）ＤＡ１〜ＤＡ４にダミーパターン（図示を省略）が形成されてなるものを例に挙げて説明する。
【００３４】
本実施形態に係るインプリントモールドを製造する方法は、複数種類（２種類以上）の微細凹凸パターン（以下「ダミーパターン候補」という場合がある。）の中から、パターン形成面に形成するダミーパターンを選択するパターン選択工程と、製造予定のインプリントモールドを構成する基材上のメインパターン形成領域及びダミーパターン形成領域のそれぞれに、メインパターン及び選択されたダミーパターンのそれぞれを形成するパターン形成工程とを含む。
【００３５】
［ダミーパターン選択工程］
まず、インプリントモールドに形成される予定のメインパターンに対応する微細凹凸パターン構造体における実質的に均一に形成可能な残膜厚群と、複数種類のダミーパターン候補のそれぞれに対応する微細凹凸パターン構造体における実質的に均一に形成可能な残膜厚群とを算出する（図２，Ｓ１０１）。
【００３６】
本実施形態により製造されるインプリントモールドを用いて、基板上にインプリント樹脂により構成される微細凹凸パターン構造体を形成するときに、複数のノズルが所定の間隔で並列されたインクジェットヘッドを備える樹脂塗布装置を用い、当該基板上にインプリント樹脂を離散的に滴下するのが一般的である。
【００３７】
本実施形態においては、理解を容易にするため、複数の樹脂吐出孔（ノズル）の並列方向がインクジェットヘッドの主走査方向に対して垂直になるようにインクジェットヘッドが固定された一般的なインクジェット方式による樹脂塗布装置を例に挙げて説明する。
【００３８】
当該インクジェット方式による樹脂塗布装置は、ノズル間隔、インクジェットヘッドの主走査方向における走査速度、ノズルからのインプリント樹脂の滴下タイミング等を必ずしも容易には変更することができないという装置上の制限を有する。特に、インプリント樹脂の滴下タイミングは、使用するインプリント樹脂の粘度や表面張力等の物理的特性と、使用するインクジェットヘットとの組み合わせによってさらに制限され得る。そのため、図３に示すように、当該樹脂塗布装置においては、所定のグリッド線Ｇの交点ＰＩ上にしかインプリント樹脂を滴下することができない。このグリッド線Ｇにより構成される、略正方形状の各セルＣのサイズ（縦方向（例えば主走査方向）及び横方向（例えば副走査方向）の長さｔ1，ｔ2）は、樹脂塗布装置におけるノズル間隔、インクジェットヘッドの主走査方向における走査速度、ノズルからのインプリント樹脂の滴下タイミング等に応じて決まる。特に、各セルＣの縦方向のサイズ（主走査方向の長さｔ1）は、使用するインプリント樹脂の粘度や表面張力等の物理的特性と、使用するインクジェットヘッドとの組み合わせによっても変動する。
【００３９】
一方で、基板上に離散的に滴下されたインプリント樹脂の液滴は、インプリントモールドのパターン形成面と接触することで濡れ広がるが、必ずしも略円形状に濡れ広がるわけではなく、インプリントモールドにおける微細凹凸パターンの種類によって濡れ広がり方が異なる。そのため、当該微細凹凸パターンの種類ごとに、すなわちインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方ごとに、均一な厚みの残膜を形成するためのインプリント樹脂の液滴の滴下配置パターン（基本配置パターン）が異なる。
【００４０】
なお、本実施形態において、基本配置パターンとは、各微細凹凸パターンに対応するインプリント樹脂の液滴の滴下位置を構成する繰り返し単位となる液滴の配置パターンであって、グリッド線Ｇ（図３参照）のなす交点を頂点として形成される外形形状を有するものを意味する。
【００４１】
例えば、ラインアンドスペース形状の微細凹凸パターンＰの場合、図４に示すように、ライン方向（微細凹凸パターンの長手方向）に沿ってインプリント樹脂の液滴Ｄは濡れ広がりやすく、ライン方向に直交する方向には濡れ広がり難い。すなわち、インプリント樹脂の液滴Ｄは、長径がライン方向に沿った略楕円形状（又は略長円形状）の領域ＷＡに濡れ広がる。なお、インプリント樹脂の濡れ広がりやすさの程度は、例えば、インプリント樹脂の粘度、基板やインプリントモールド（パターン形成面）の濡れ性、微細凹凸パターンの寸法や凹部の深さ等に応じて変化し、それに伴い一滴のインプリント樹脂の液滴Ｄが濡れ広がる略楕円形状（又は略長円形状）の領域ＷＡの大きさも変化する。したがって、グリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とが略平行であるラインアンドスペース形状の微細凹凸パターンの場合、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、基本配置パターンＡＰは、インプリント樹脂の濡れ広がりの程度に応じて、グリッド線Ｇのなす交点を頂点として形成された外形形状を有する面心格子状、単純格子状又は斜方格子状（単純正方格子の一の対角線に沿って複数のインプリント樹脂の液滴が配置される形状）となる。特に、グリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とのなす角度が４５°程度であるラインアンドスペース形状の微細凹凸パターンの場合、図４（ｃ）に示すように、基本配置パターンＡＰは、インプリント樹脂の濡れ広がりの程度に応じて、斜方格子状（単純正方格子の対角線のうちライン方向の直交方向と略平行な対角線に沿って複数のインプリント樹脂の液滴が配置される形状）となる。
【００４２】
また、ホール形状の微細凹凸パターンＰであって各微細凹凸パターンのピッチ（隣接する微細凹凸パターン間の距離）がほぼ同一である場合、例えば、図５に示すように、インプリント樹脂の液滴Ｄは略円形状（放射状）の領域ＷＡに濡れ広がる。なお、インプリント樹脂の濡れ広がりやすさの程度は、例えば、インプリント樹脂の粘度、基板やインプリントモールド（パターン形成面）の濡れ性、微細凹凸パターンの寸法や凹部の深さ等に応じて変化し、それに伴い一滴のインプリント樹脂の液滴Ｄが濡れ広がる略円形状の領域ＷＡの大きさも変化する。したがって、この場合、例えば、図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、基本配置パターンＡＰは、インプリント樹脂の濡れ広がりの程度に応じて、面心格子状又は単純格子状となる。
【００４３】
なお、微細凹凸パターンの種類に応じたインプリント樹脂の液滴Ｄの濡れ広がる領域ＷＡの形状、大きさ及び方向性（液滴Ｄの濡れ広がる方向のうち、より濡れ広がりやすい方向）、並びにそれらに基づく基本配置パターンＡＰの種類（面心正方格子状、正方格子状、面心長方格子状、長方格子状等の種類）は、各種微細凹凸パターンを有するインプリントモールドを用いて実験的に求めてもよいし、各種微細凹凸パターンの構造や寸法等、使用予定のインプリント樹脂の粘性等の物性、インプリントモールド及び基板表面の濡れ性等からシミュレーション等により求めてもよい。
【００４４】
例えば、各種微細凹凸パターン（メインパターン、ダミーパターン候補等）のそれぞれ（又はそれらと同様の構成の各種微細凹凸パターン）が形成されてなるインプリントモールドを準備し、所定の基材（使用予定のインプリントモールドを用いたインプリント処理により微細凹凸パターン構造体を形成する予定の基材）上にインプリント樹脂の液滴１又は複数滴を滴下してインプリント処理を行う。これにより、各種微細凹凸パターンに応じたインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方（液滴の濡れ広がる領域の形状、大きさ及び方向性）を求め、それに基づいて各種微細凹凸パターンに対応する基本配置パターンの種類を求めることができる。
【００４５】
上述したように、微細凹凸パターンの種類に応じた基本配置パターンＡＰのサイズは、使用する樹脂塗布装置により決定されるグリッド線Ｇにより構成されるセルＣのサイズ（図３中の縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）及び横方向（インクジェットヘッドの副走査方向）におけるグリッド線Ｇの間隔ｔ1，ｔ2）に依存することになる。
【００４６】
例えば、基本配置パターンＡＰが、図４（ａ）及び図５（ａ）に示す面心格子状である場合、基本配置パターンＡＰのサイズ（縦方向（例えば主走査方向）及び横方向（例えば副走査方向）の長さＴ1，Ｔ2）は、グリッド線Ｇにより構成されるセルＣのサイズの偶数倍となる。すなわち、基本配置パターンＡＰのサイズは下記式（１）及び（２）により表される。
Ｔ1＝Ｍ×(２×ｔ1)  ・・・（１）
Ｔ2＝Ｎ×(２×ｔ2)  ・・・（２）
【００４７】
また、基本配置パターンＡＰが、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示す単純格子状である場合、基本配置パターンＡＰのサイズ（縦方向（例えば主走査方向）及び横方向（例えば副走査方向）の長さＴ1，Ｔ2）は、グリッド線Ｇにより構成されるセルＣのサイズの整数倍となる。すなわち、基本配置パターンＡＰのサイズは下記式（３）及び（４）により表される。
Ｔ1＝Ｍ×ｔ1  ・・・（３）
Ｔ2＝Ｎ×ｔ2  ・・・（４）
【００４８】
さらに、基本配置パターンＡＰが、図４（ｃ）に示す斜方格子状である場合、基本配置パターンＡＰのサイズ（縦方向（例えば主走査方向）及び横方向（例えば副走査方向）の長さＴ1，Ｔ2）は、グリッド線Ｇにより構成されるセルＣのサイズの所定の整数倍（図４（ｃ）においては３倍）となる。すなわち、基本配置パターンＡＰのサイズは下記式（５）及び（６）により表される。
Ｔ1＝Ｍ×(３×ｔ1)  ・・・（５）
Ｔ2＝Ｎ×(３×ｔ2)  ・・・（６）
式（１）〜（６）において、Ｍ及びＮはいずれも１以上の整数である。
【００４９】
すなわち、基本配置パターンＡＰのサイズＴ１，Ｔ２は、下記式（７）及び（８）により表されることになる。
Ｔ1＝Ｍ×Ｖ×ｔ1  ・・・（７）
Ｔ2＝Ｎ×Ｗ×ｔ2  ・・・（８）
式（７）及び（８）において、Ｍ及びＮはいずれも１以上の整数であって、基本配置パターンＡＰの格子形状が正方格子を基本とする形状（例えば、面心正方格子状、正方格子状、斜方正方格子状等）であればＭ及びＮは同一である（Ｍ＝Ｎ）。また、当該格子形状が長方格子を基本とする形状であれば、インプリントモールドの微細凹凸パターンに応じたインプリント樹脂の液滴Ｄが濡れ広がる領域ＷＡの形状に従い、Ｍ及びＮのいずれか一方が大きくなる（Ｍ＞Ｎ又はＮ＞Ｍ）。
【００５０】
なお、Ｖ及びＷは基本配置パターンＡＰの格子形状内に位置するインプリント樹脂の液滴数に１を足した数であって、例えば、単純格子であればＶ＝Ｗ＝１、面心格子であればＶ＝Ｗ＝２、斜方格子であればＶ及びＷは３以上の整数である。
【００５１】
このように、基本配置パターンＡＰのサイズがセルＣのサイズに依存することになるため、インプリントモールドの微細凹凸パターンの種類に応じ、形成される微細凹凸パターン構造体の残膜厚が実質的に均一となるときの当該残膜厚は、微細凹凸パターンの種類及び基本配置パターンＡＰのサイズに従い断続的に複数の値をとる。
【００５２】
インプリントモールドにおける微細凹凸パターンの種類に応じて基本配置パターンＡＰの種類（面心格子、単純格子、斜方格子等の種類）が決定されると、当該微細凹凸パターンの寸法、並びに凹部の深さ及び面積比率と、基本配置パターンＡＰのサイズとに基づいて、微細凹凸パターン構造体において実質的に均一に形成可能な残膜厚を求めることができる。具体的には、下記式（９）により実質的に均一に形成可能な残膜厚を求めることができる。
【００５３】
Ｈｒ＝{Ｄｐ−(α／１００×Ｓ×Ｈｐ)}／Ｓ  ・・・（９）
上記式（９）中、Ｈｒは「実質的に均一に形成可能な残膜厚（μｍ）」を、Ｄｐは「基本配置パターン内を充たすインプリント樹脂量（μｍ3）」を、αは「インプリントモールドの微細凹凸パターンの凹部の面積比率（％）」を、Ｈｐは「インプリントモールドの微細凹凸パターンの凹部の深さ（μｍ）」を、Ｓは「基本配置パターンの面積（μｍ2）」を表す。
【００５４】
よって、上記式（９）によりメインパターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚群（基本配置パターンＡＰのサイズに応じて求まる複数の残膜厚からなる群）と、ダミーパターン候補の種類ごとに実質的に均一に形成可能な残膜厚群とを求めることができる。
【００５５】
例えば、インプリントモールドにおけるメインパターンが、縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）のグリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とが略平行であるラインアンドスペース状の微細凹凸パターン（図６におけるパターン１）であり、凹部の深さＨｐが５０ｎｍ、凹部の面積比率αが５０％であるものとする。
【００５６】
そして、グリッド線Ｇにより構成されるセルＣの一辺ｔ1，ｔ2が４０μｍ、インプリント樹脂の液適量が３ｐＬ（３０００μｍ3）であるとすると、図６に示すように、メインパターン（パターン１）及び基本配置パターンの種類に応じて、実質的に均一に形成可能な残膜厚群を上記式（９）から求めることができる。
【００５７】
また、ダミーパターン候補が、縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）のグリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とが略平行なラインアンドスペース状（パターン２，図７参照）、横方向（インクジェットヘッドの副走査方向）のグリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とが略平行なラインアンドスペース状（パターン３，図８参照）、ホール状（パターン４，図９参照）及びグリッド線Ｇ（図３参照）とライン方向とのなす角度が４５°程度（ライン方向が斜め）であるラインアンドスペース状（パターン５，図１０参照）の微細凹凸パターンであるものとする（グリッド線Ｇにより構成されるセルＣの一辺ｔ1，ｔ2：４０μｍ、インプリント樹脂の液適量：３ｐＬ（３０００μｍ3））。
【００５８】
各ダミーパターン候補（パターン２〜５）において凹部の深さＨｐが５０ｎｍとすると、図７〜１０に示すように、各ダミーパターン候補（パターン２〜５）、各基本配置パターンの種類及び凹部の面積比率αに応じて、実質的に均一に形成可能な残膜厚群を上記式（９）から求めることができる。
【００５９】
なお、ダミーパターン候補における凹部の面積比率αの値は、図７〜１０のそれぞれに示す値に限定されるものではなく、ダミーパターンとして形成可能な範囲で適宜それらの値を設定すればよい。
【００６０】
次に、メインパターンに対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から任意の一の残膜厚を選択し（図２，Ｓ１０２）、各ダミーパターン候補に対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から、選択されたメインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致する残膜厚を抽出する（図２，Ｓ１０３）。
【００６１】
メインパターンに対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から任意の一の残膜厚を選択する方法としては、本実施形態において製造されるインプリントモールドを用いて形成される予定の微細凹凸パターン構造体における残膜厚の目標値を基準に選択するのが望ましい。なお、基材上に形成される微細凹凸パターン構造体が後工程にて基材をエッチングするためのエッチングマスクとして用いられるものである場合には、当該残膜厚の目標値は、可能な限り薄い膜厚に設定され得る。
【００６２】
例えば、形成予定の微細凹凸パターン構造体における残膜厚の目標値が１２ｎｍであり、その厚みムラの許容範囲が±２．０ｎｍであるものとする。この場合に、メインパターンに対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚（図６参照）の中から、当該残膜厚の目標値及びその厚みムラの許容範囲内（１２±２．０ｎｍ）の残膜厚（１２．５ｎｍ）を選択する。
【００６３】
そして、図７〜１０に示す各ダミーパターン候補に対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から、上記残膜厚の目標値及びその厚みムラの許容範囲内（１２±２．０ｎｍ）であって、メインパターンに対応する選択された残膜厚（１２．５ｎｍ）と実質的に一致する残膜厚を抽出する。
【００６４】
本実施形態において、ダミーパターン候補に対応する残膜厚がメインパターンに対応する残膜厚群の中から選択された残膜厚と実質的に一致するか否かを判断する基準は、メインパターンに対応する残膜厚群の中から選択された残膜厚に応じて適宜設定され得る。例えば、メインパターンに対応する残膜厚とダミーパターン候補に対応する残膜厚との差分が、好ましくは当該メインパターンに対応する残膜厚の２０％以下、特に好ましくはメインパターンに対応する残膜厚の１０％以下とすることができる。
【００６５】
よって、選択されたメインパターンに対応する残膜厚（１２．５ｎｍ）と実質的に一致する各ダミーパターン候補に対応する残膜厚としては、例えば、図７〜１０に示す各ダミーパターン候補に対応する各残膜厚群の中から、図１１に示すように、パターン２の１２．８ｎｍ（Ｎｏ．１，凹部面積比率α＝３３％，基本配置１−１，サイズ：Ｍ＝１６，Ｎ＝４，Ｖ＝１，Ｗ＝１）、パターン２の１２．５ｎｍ（Ｎｏ．２，凹部面積比率α＝５０％，基本配置１−１，サイズ：Ｍ＝１０，Ｎ＝５，Ｖ＝１，Ｗ＝１）、パターン３の１２．８ｎｍ（Ｎｏ．３，凹部面積比率α＝３３％，基本配置１−１，サイズ：Ｍ＝４，Ｎ＝１６，Ｖ＝１，Ｗ＝１）、パターン３の１２．５ｎｍ（Ｎｏ．４，凹部面積比率α＝５０％，基本配置１−１，サイズ：Ｍ＝５，Ｎ＝１０，Ｖ＝１，Ｗ＝１）、パターン４の１１．０ｎｍ（Ｎｏ．５，凹部面積比率α＝３３％，基本配置２−２，サイズ：Ｍ＝６，Ｎ＝６，Ｖ＝２，Ｗ＝２）、パターン４の１３．３ｎｍ（Ｎｏ．６，凹部面積比率α＝５０％，基本配置２−１，サイズ：Ｍ＝７，Ｎ＝７，Ｖ＝１，Ｗ＝１）、パターン４の１２．５ｎｍ（Ｎｏ．７，凹部面積比率α＝５０％，基本配置２−２，サイズ：Ｍ＝５，Ｎ＝５，Ｖ＝２，Ｗ＝２）、パターン５の１２．５ｎｍ（Ｎｏ．８，凹部面積比率α＝２５％，基本配置３−１，サイズ：Ｍ＝５，Ｎ＝５，Ｖ＝３，Ｗ＝３）及びパターン５の１２．８ｎｍ（Ｎｏ．９，凹部面積比率α＝３３％，基本配置３−２，サイズ：Ｍ＝４，Ｎ＝４，Ｖ＝４，Ｗ＝４）が抽出され得る。
【００６６】
続いて、上記のようにして抽出された残膜厚に基づいて、インプリントモールドのパターン形成面のダミーパターン形成領域に形成するダミーパターンを選択する（図２，Ｓ１０４）。
【００６７】
図１１に示すように、メインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致するダミーパターン候補に対応する残膜厚として、ダミーパターン候補（パターン２〜５）のそれぞれに対応する残膜厚が抽出される。そして、抽出された残膜厚に対応するダミーパターン候補の中から、ダミーパターン形成領域に形成するダミーパターンを選択する。
【００６８】
このとき、例えば、メインパターンに対応する残膜厚（１２．５ｎｍ）との差分が最小の残膜厚を有するダミーパターン候補を、ダミーパターン形成領域に形成するダミーパターンとして選択することができる。
【００６９】
よって、上記であれば、実質的に均一に形成可能な残膜厚が１２．５ｎｍであるパターン（Ｎｏ．２，４，７，８）がダミーパターンとして選択され得る。メインパターンに対応する残膜厚に最も近いダミーパターン候補の残膜厚を有するダミーパターン候補をダミーパターンとして選択することで、当該インプリントモールドを用いて形成される微細凹凸パターン構造体における残膜厚を全体として実質的に均一にすることができる。
【００７０】
ダミーパターン候補に対応する残膜厚（メインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致する残膜厚）として複数の残膜厚が抽出され、それらの残膜厚を含む残膜厚群が複数である場合や、１つの残膜厚が抽出されたが、当該残膜厚を含む残膜厚群が複数である場合（上記のように２種類以上のダミーパターン候補のそれぞれに対応する残膜厚群に含まれる共通する残膜厚が抽出された場合）等、メインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致する残膜厚で微細凹凸パターン構造体を形成可能なダミーパターン候補として２種類以上の微細凹凸パターンが抽出される場合がある。
【００７１】
この場合において、メインパターンに対応するインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方（液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状、方向性等）と、各ダミーパターン候補に対応するインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方とに基づいて、当該２種類以上のダミーパターン候補の中から一のダミーパターンを選択してもよい。具体的には、メインパターンと各ダミーパターン候補とにおけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状、方向性等が近似するように、ダミーパターンを選択することができる。このようにしてダミーパターンを選択することで、メインパターンにおけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる方向（液滴の流れ）とダミーパターンにおけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる方向（液滴の流れ）とを近似させることができるため、メインパターンとダミーパターンとの境界部分の近傍においてインプリント樹脂がスムーズに濡れ広がり（流れ）、その結果、当該境界部分の近傍において欠陥が生じるのを抑制することができる。
【００７２】
上記のように、メインパターンに対応する選択された残膜厚（１２．５ｎｍ）と実質的に一致し、ダミーパターンとして選択可能なダミーパターン候補（図１１におけるＮｏ．１〜９）の中から１種類のダミーパターン候補をダミーパターンとして選択する場合を考える。
【００７３】
この場合において、メインパターンにおけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状は、長径が縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）に略平行な略楕円形状又は略長円形状である。ダミーパターン候補（パターン２）におけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状は、メインパターンと同様に、長径が縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）に略平行な略楕円形状又は略長円形状である。また、ダミーパターン候補（パターン３）におけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状は、長径が横方向（インクジェットヘッドの副走査方向）に略平行な略楕円形状又は略長円形状である。さらに、ダミーパターン候補（パターン４）におけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状は、略円形状である。さらにまた、ダミーパターン候補（パターン５）におけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状は、長径が縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）に対して略４５°の方向の略楕円形状又は略長円形状である。
【００７４】
この４つのパターン（パターン２〜５）における領域ＷＡの形状と、メインパターンにおける当該領域ＷＡの形状とを対比すると、パターン２、３及び５における当該領域ＷＡの形状とメインパターンにおける当該領域ＷＡの形状とが共通している。一方、当該領域ＷＡの方向性については、パターン２における当該領域ＷＡの方向性とメインパターンにおける当該領域ＷＡの方向性とが共通している。よって、この場合において、ダミーパターンとして、パターン２を選択することができる。
【００７５】
なお、上記例においては、パターン２〜５のそれぞれに対応する残膜厚が１２．５ｎｍと共通しているため、それぞれの微細凹凸パターンに対応するインプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方（液滴の濡れ広がる領域ＷＡの形状、方向性等）に基づき、パターン２をダミーパターンとして選択しているが、抽出された残膜厚のうち、メインパターンに対応する残膜厚との差が最小の残膜厚が１つのみであれば、当該最小差の残膜厚のダミーパターン候補をダミーパターンとして選択してもよい。
【００７６】
また、１つの残膜厚のみが抽出され、当該残膜厚を含む残膜厚群に対応するダミーパターンが１種類のみである場合、言うまでもなく、当該ダミーパターンをインプリントモールドのパターン形成面のダミーパターン形成領域に形成するダミーパターンとして選択すればよい。
【００７７】
インプリントモールドの生産効率及び製造コストの観点を重視すると、後述するパターン形成工程においてダミーパターンのレジストパターン像を形成するための描画時間（電子線描画時間）が最も短くなるようなダミーパターンを選択してもよい。例えば、ポジ型のレジスト材料を用いる場合、凹部の面積比率αの最も小さいダミーパターン候補（図１１に示すＮｏ．８，パターン５，凹部面積比率：２５％）をダミーパターンとして選択してもよい。
【００７８】
上述のように、メインパターンとして形成されることが予定されている微細凹凸パターンに対応する実質的に均一に形成可能な残膜厚に基づいて、ダミーパターンを選択し、メインパターンと選択されたダミーパターンとをパターン形成面上のメインパターン形成領域及びダミーパターン形成領域のそれぞれに配置して、インプリントモールドの設計（パターン設計）をすることができる。このようにして設計されたインプリントモールドを後述するパターン形成工程を経て製造することで、得られるインプリントモールドを用いたインプリントにより、全体として実質的に均一な残膜厚の微細凹凸パターン構造体を形成することができる。
【００７９】
［パターン形成工程］
メインパターン及び上記パターン選択工程にて選択されたダミーパターンを、インプリントモールドを構成する基材におけるパターン形成面ＰＳに相当する面上に設定されるメインパターン形成領域ＭＡ及びダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ４に形成する。
【００８０】
まず、インプリントモールド１を構成する基材２におけるパターン形成面ＰＳに相当する面上に電子線感応型レジスト材料をスピンコート法等により塗布してレジスト膜３を形成し（図１２（ａ）、図１３（ａ）参照）、上記メインパターン形成領域ＭＡ及びダミーパターン形成領域ＤＡに、メインパターン及びダミーパターンを形成するためのレジストパターン像を電子線の照射により描画する（図１２（ｂ）、図１３（ｂ）参照）。なお、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）において、符号３ａは、レジスト膜３における電子線照射部位を示し、符号３ｂは、レジスト膜３における電子線非照射部位を示す。そして、電子線描画された基材２を、所定の現像液を用いた現像処理及び所定のリンス液を用いたリンス処理、並びに乾燥処理に付することで、メインパターン及びダミーパターンを形成するためのレジストパターン３１が形成される（図１２（ｃ）、図１３（ｃ）参照）。
【００８１】
インプリントモールド１を構成する基材２としては、特に限定されるものではなく、インプリントモールドを製造する際に一般的に用いられている基材（例えば、石英ガラス、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム、シリコン基板等）を用いることができる。
【００８２】
電子線感応型レジスト材料としては、一般的に電子線リソグラフィーに用いられるレジスト材料を用いることができるが、メインパターン及びダミーパターンが微細凸状パターンである場合には、ネガ型レジスト材料を用いるのが好ましく（図１２参照）、メインパターン及びダミーパターンが微細凹状パターンである場合には、ポジ型レジスト材料を用いるのが好ましい（図１３参照）。
【００８３】
なお、図１２（ｂ）及び図１３（ｂ）において、紫外線（ＵＶ）やレーザー等を照射することでレジストパターン像を形成してもよく、この場合において、基材２上に塗布されるレジスト材料としては、露光光源（ＵＶ、レーザー等）の種類に適切なレジスト材料（ＵＶ感応型レジスト材料、レーザー感応型レジスト材料等）を用いればよい。
【００８４】
次に、形成されたレジストパターン３１をマスクとして、基材２をドライエッチング工程に付する（図１２（ｄ）、図１３（ｄ）参照）。このドライエッチング法としては、反応性ガスエッチング、反応性イオンエッチング、反応性イオンビームエッチング等の公知のドライエッチング法から、基材２の材質を考慮して、使用するエッチングガスとともに適宜選択することができ、例えば、基材２がシリコン基板や石英ガラス等である場合、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチングによりドライエッチングすることができる。かかるドライエッチング後、残存するレジストパターン３１を除去することにより、インプリントモールド１を製造することができる。
【００８５】
上述した本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法によれば、製造されるインプリントモールドにおけるメインパターンとダミーパターンとが、当該インプリントモールドを用いたインプリント処理により得られる微細凹凸パターン構造体における残膜厚を全体として実質的に均一にすることができるように選択されているため、全体として実質的に均一な残膜厚を有する微細凹凸パターン構造体をインプリントにより形成可能なインプリントモールドを製造することができる。
【００８６】
［インプリント方法］
続いて、上記のようにして製造されるインプリントモールドを用いたインプリント方法について説明する。
【００８７】
まず、所定の基板（シリコン基板、石英基板等）上に微細凹凸パターン構造体を形成するために用いられる、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されたインプリントモールドを用意する。
【００８８】
次に、インクジェット方式の樹脂塗布装置を用いて、インプリント樹脂（通常インプリント処理に用いられる樹脂（熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等））を基板上に離散的に滴下する。基板上におけるインプリント樹脂の液滴の滴下位置は、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のパターン選択工程において選択された、メインパターン及びダミーパターンのそれぞれに対応する基本配置パターンＡＰ及びそのサイズに基づいて決定され得る。なお、樹脂塗布装置としては、上述した本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法のパターン選択工程において、メインパターンや各種ダミーパターン候補における残膜厚群を算出する際に想定されている樹脂塗布装置と同様の構成を有するものを用いるのが好ましい。
【００８９】
続いて、上述のようにして決定された基本配置パターン及びそのサイズに基づいて、インプリント樹脂の滴下配置（ドロップマップ）を作成し、当該ドロップマップに従ってインプリント樹脂を基板上に滴下する。
【００９０】
そして、基板上の所定の位置に離散的に滴下されたインプリント樹脂に、インプリントモールドのパターン形成面を接触させ、インプリント樹脂を基板上に濡れ広がらせる。このとき、上述したように、インプリントモールドのパターン形成面には、実質的に均一な残膜厚の微細凹凸パターン構造体を形成可能なように、メインパターンとダミーパターンとが設けられており、メインパターン及びダミーパターンのそれぞれに対応して形成される微細凹凸パターン構造体の残膜厚が実質的に共通（一致）し得るドロップマップに基づいて、インプリント樹脂が滴下されている。そのため、その状態で、インプリント樹脂を硬化させることで形成される微細凹凸パターン構造体の凹部の膜厚（残膜厚）が全体として実質的に均一なものとなる。よって、微細凹凸パターンに欠陥等を有しない微細凹凸パターン構造体を形成することができる。
【００９１】
一般に、半導体装置等の配線パターン等の製造工程において用いられるインプリントモールドとして、電子線リソグラフィー等により製造されたインプリントモールド（マスターモールド）を用いたインプリント処理を経て大量に製造されるレプリカモールドが用いられる。
【００９２】
したがって、本実施形態に係るインプリントモールドの製造方法により製造されたインプリントモールド（マスターモールド）を用いてレプリカモールドを製造する際に、レプリカモールドを構成する基材上に、実質的に均一な残膜厚を有し、寸法精度の高い微細凹凸パターン構造体を形成することができる。よって、当該微細凹凸パターン構造体をエッチングマスクとして上記基材をエッチングすることにより、高精度なレプリカモールドを製造することができる。
【００９３】
また、当該レプリカモールドには、上記マスターモールドのパターン形成面に形成されているダミーパターンもメインパターンとともに精度良く転写されているため、当該レプリカモールドを用いたインプリント処理により実質的に均一な残膜厚であって、寸法精度の高い微細凹凸パターン構造体を形成することができる。よって、当該微細凹凸パターン構造体が形成された基板等をエッチングすることにより、高精度な半導体装置等の配線パターン等を製造することができる。
【００９４】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００９５】
上記実施形態においては、所定のメインパターンと、それに応じて１種のダミーパターンとを選択し、それらを基材のパターン形成面に相当する面のメインパターン形成領域及びダミーパターン形成領域に形成することによりインプリントモールドを製造しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。本発明は、例えば、２種以上のメインパターンがパターン形成面に形成されてなるインプリントモールドを製造する方法としても適用され得る。この場合において、各種微細凹凸パターンに対応する実質的に均一形成可能な残膜厚群を算出し、当該残膜厚群の中から実質的に一致する残膜厚を有する２種以上のメインパターンを選択することができる。
【００９６】
また、インプリントモールドのパターン形成面内における、２種以上のメインパターン間の間隙にダミーパターンを形成してもよく、この場合においては、選択された２種以上のメインパターンと実質的に一致し、かつ均一な残膜厚で微細凹凸パターン構造体を形成可能なダミーパターンをさらに選択することができる。
【００９７】
例えば、図１４に示すように、インプリントモールドのパターン形成面ＰＳ内に、２つのメインパターン形成領域ＭＡ１，ＭＡ２とそれらの間にダミーパターン形成領域ＤＡを設け、２つのメインパターン形成領域ＭＡ１，ＭＡ２のそれぞれに選択された２種のメインパターンを形成し、ダミーパターン形成領域ＤＡにダミーパターンを形成する場合を考える。この場合において、２種のメインパターンのそれぞれに対応する残膜厚がＡｎｍ及びＢｎｍ（Ａ＜Ｂ）であれば、ダミーパターンとしては、ダミーパターン候補の中から、実質的に均一に形成可能な残膜厚がＣｎｍ（Ａ≦Ｃ＜Ｂ、またはＡ＜Ｃ≦Ｂ、より好ましくはＡ＜Ｃ＜Ｂ）であるダミーパターンを選択するのが好ましい。ダミーパターンに対応する残膜厚（Ｃｎｍ）が、２種のメインパターンのそれぞれに対応する残膜厚（Ａｎｍ及びＢｎｍ）との間において上記のような関係を有することで、当該インプリントモールドを用いたインプリント処理により形成される微細凹凸パターン構造体の残膜厚の均一性をより向上させることができる。
【００９８】
上記実施形態においては、メインパターンに対応する実質的に均一形成可能な残膜厚に基づいて、１種のダミーパターンを選択し、ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５に選択された１種のダミーパターンを配置しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、２種以上のダミーパターンを選択し、ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５のそれぞれに、選択された２種以上のダミーパターンのそれぞれを適宜配置するようにしてもよい。
【００９９】
また、ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５を、メインパターン形成領域ＭＡ１及びＭＡ２から近い領域と、遠い領域とに分割し、近い領域と遠い領域とのそれぞれに異なる種類のダミーパターンを配置してもよい。例えば、メインパターンが、縦方向（インクジェットヘッドの主走査方向）に略平行なライン方向のラインアンドスペース状のパターン（図６に示すパターン１）であり、ダミーパターンとして横方向（インクジェットヘッドの副走査方向）に略平行なライン方向のラインアンドスペース状のパターン（図８に示すパターン３）が選択されたとする。メインパターンとダミーパターンとにおけるインプリント樹脂の液滴の濡れ広がる形状ＷＡは略同一であるが、濡れ広がる方向性は略直交する。このような場合に、ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５における遠い領域にパターン３を配置し、近い領域にホール状のパターン（図９に示すパターン４）を配置する。これにより、メインパターンの近傍にライン方向の直交するダミーパターンが形成されるよりも、メインパターンとダミーパターン（パターン４）との境界部の近傍及びダミーパターン同士（パターン３及びパターン４）の境界部の近傍においてインプリント樹脂がスムーズに濡れ広がり（流れ）やすくなるため、当該境界部における欠陥の発生を抑制することができる。
【０１００】
上記実施形態においては、複数種類（パターン２〜５の４種類）のダミーパターン候補のすべてに対応する残膜厚群を求め、選択されたメインパターンに対応する残膜厚（実質的に均一に形成可能な残膜厚）と実質的に一致する残膜厚を抽出し、抽出された残膜厚の中から一のダミーパターン候補をダミーパターンとして選択しているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、複数種類のダミーパターン候補のうちの任意に選択した一のダミーパターン候補に対応する残膜厚群を求め、選択されたメインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致する残膜厚が当該残膜厚群に含まれているか否かの判定（一致判定）を行い、実質的に一致する残膜厚が含まれている場合には、当該ダミーパターン候補をダミーパターンとして選択してもよい。実質的に一致する残膜厚が含まれていない場合には、他の種類のダミーパターン候補について１種類ずつ順に残膜厚群を求めて上記一致判定を行い、メインパターンに対応する残膜厚と実質的に一致する残膜厚が当該残膜厚群に含まれていると判定されるまで、当該残膜厚群を求め、上記一致判定を行うことができる。
【０１０１】
上記実施形態においては、各ダミーパターン候補に対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から、形成予定の微細凹凸パターン構造体における残膜厚の目標値及びその厚みムラの範囲内であって、メインパターンに対応する選択された残膜厚と実質的に一致する残膜厚を抽出し、メインパターンに対応する残膜厚に最も近い残膜厚のダミーパターン候補をダミーパターンとして選択している。すなわち、ダミーパターンの選択基準として、実質的に均一に形成可能な残膜厚を第１優先基準としているが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、各ダミーパターン候補に対応する残膜厚群に含まれる複数の残膜厚の中から、形成予定の微細凹凸パターン構造体における残膜厚の目標値及びその厚みムラの範囲内であって、メインパターンに対応する選択された残膜厚と実質的に一致する残膜厚を抽出し、そのような残膜厚を有するダミーパターン候補の中から、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方がメインパターンと共通するダミーパターン候補をダミーパターンとして優先的に選択してもよい。すなわち、上述のようにして抽出された残膜厚を有するダミーパターン候補の中からダミーパターンを選択する基準として、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方がメインパターンと共通するか否かを第１優先基準としてもよく、インプリント樹脂の液滴の濡れ広がり方がメインパターンと共通するダミーパターン候補が複数存在する場合に、残膜厚を基準としてダミーパターンを選択してもよい。
【０１０２】
上記実施形態においては、図１に示すように、パターン形成面ＰＳの略中央に位置する領域（メインパターン形成領域）ＭＡにメインパターン（図示を省略）が形成され、パターン形成面ＰＳ内であって、当該メインパターン形成領域ＭＡの周囲（四方）に位置する４つの領域（ダミーパターン形成領域）ＤＡ１〜ＤＡ４に、選択されたダミーパターン（図示を省略）が形成されるが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、パターン形成面ＰＳ内に１種類のメインパターンが複数アレイ状に配列されてなるインプリントモールドを製造又は設計する方法にも本発明を適用することができる。
【０１０３】
この場合において、図１に示すようなメインパターン形成領域ＭＡとダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ４とを含む小領域を、パターン形成面ＰＳ内に複数アレイ状に配列するようにして設定する。
【０１０４】
次に、一の小領域をパターン形成面ＰＳと仮定し、上述した実施形態と同様にして、メインパターン形成領域ＭＡに形成予定のメインパターンに応じたダミーパターン（ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ４に形成するダミーパターン）を選択する。
【０１０５】
そして、一の小領域内の各領域ＭＡ，ＤＡ１〜ＤＡ４にメインパターンと、選択されたダミーパターンとをそれぞれ配置する。最後に、当該一の小領域をパターン形成面ＰＳ内に複数アレイ状に配列する。
【０１０６】
このようなインプリントモールドを用いて形成される微細凹凸パターン構造体のうち、少なくとも上記一の小領域内のメインパターン及びダミーパターンに対応して形成される部分については、残膜厚が略均一となるため、この小領域をパターン形成面ＰＳ内に複数アレイ状に配列してなるインプリントモールドを用いることで、全体として略均一な残膜厚を有する微細凹凸パターン構造体を形成可能となる。
【０１０７】
よって、パターン形成面ＰＳ内に１種類のメインパターンが複数アレイ状に配列されてなるインプリントモールドを製造又は設計する場合に、当該パターン形成面ＰＳ内にアレイ状に配列される複数の小領域のうちの一の小領域内においてメインパターンに対応するダミーパターンの設計を行い、この小領域をパターン形成面ＰＳ内に拡張することでインプリントモールド全体の設計が可能となるため、インプリントモールドにおけるダミーパターンの設計を容易に行うことができるという効果を奏する。
【０１０８】
同様にして、本発明は、パターン形成面ＰＳ内に、２種類以上のメインパターンが複数アレイ状に配列されてなるインプリントモールドを製造又は設計する方法にも適用され得る。
【０１０９】
この場合において、図１４に示すようなメインパターン形成領域ＭＡ１，ＭＡ２とダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５とを含む小領域を、パターン形成面ＰＳ内に複数アレイ状に配列するようにして設定する。
【０１１０】
次に、一の小領域をパターン形成面ＰＳと仮定し、上述した実施形態と同様にして、メインパターン形成領域ＭＡ１，ＭＡ２のそれぞれに形成予定のメインパターンに応じたダミーパターン（ダミーパターン形成領域ＤＡ１〜ＤＡ５に形成するダミーパターン）を選択する。
【０１１１】
そして、一の小領域内の各領域ＭＡ１，ＭＡ２，ＤＡ１〜ＤＡ５にメインパターンと、選択されたダミーパターンとをそれぞれ配置する。最後に、当該一の小領域をパターン形成面ＰＳ内に複数アレイ状に配列する。
【０１１２】
これにより、複数種類のメインパターンを含む小領域を一つの設計対象単位とすることができ、この小領域をパターン形成面ＰＳ内に拡張することでインプリントモールド全体の設計が可能となるため、インプリントモールドにおけるダミーパターンの設計を容易に行うことができるという効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明は、半導体装置の製造過程等において微細な凹凸パターンを形成するためのナノインプリント工程にて用いられるインプリントモールドの製造に有用である。
【符号の説明】
【０１１４】
１…インプリントモールド
２…基材
ＰＳ…パターン形成面
ＭＡ…メインパターン形成領域（パターン形成領域）
ＤＡ…ダミーパターン形成領域（パターン形成領域）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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