(57)【要約】      （修正有）【課題】多数枚のウエハを連続的に処理することができる磁気アニール装置を提供すること。【解決手段】被処理体Wの収納容器102を搬送する収納容器搬送領域S1と、開閉ドア12、制御部を有する磁気アニール装置100で、収納容器搬送領域S2には、収納容器を載置する第１の載置台110と、気密に被処理体を搬送するために収納容器を載置する第２の載置台108と、収納容器を保管する保管部116と、第１の載置台、第２の載置台及び保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構124とが配置。被処理体搬送領域には、被処理体の位置合わせを行うアライナー126と、被処理体保持具と、第２の載置台に載置された収納容器、被処理体を搬送する被処理体搬送機構124と、被処理体に磁界を印加する横型超伝導磁石を有する磁界発生手段130と、被処理体を磁界発生手段内に移載する移載機構132とが配置された磁気アニール装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一群の被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成され、制御部を有する磁気アニール装置であって、
前記収納容器搬送領域には、
当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第１の載置台と、
前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第２の載置台と、
複数の前記収納容器を保管する保管部と、
前記第１の載置台、前記第２の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
が配置され、
前記被処理体搬送領域には、
複数の前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
複数群の前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記第２の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記被処理体に磁界を印加する、横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
が配置された、
磁気アニール装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の第２の載置台の一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を前記被処理体保持具へと搬送している間に、前記保管部に保管された前記収納容器を前記複数の第２の載置台の他の載置台へと搬送するよう制御する、
請求項１に記載の磁気アニール装置。
【請求項３】
前記制御部は、所定の数の群の前記被処理体が、前記処理体保持具に保持された後、前記処理体保持具を前記磁界発生手段に移載するよう、前記移載機構を制御する、
請求項１又は２に記載の磁気アニール装置。
【請求項４】
前記制御部は、
（ｉ）前記複数の第２の載置台の一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を、前記アライナーを経て前記被処理体保持具へと搬送するよう前記被処理体搬送機構を制御し、
（ｉｉ）前記（ｉ）における搬送の間に、前記複数の第２の載置台の他の載置台に載置された前記収納容器を前記他の載置台から搬出し、かつ、前記保管部に保管された前記収納容器を、前記他の載置台へと搬送するよう前記収納容器搬送機構を制御し、
（ｉｉｉ）前記一の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体が全て前記被処理体保持具へと搬送された後、前記他の載置台に載置された前記収納容器内の前記被処理体を、前記アライナーを経て前記被処理体保持具へと搬送するよう前記被処理体搬送機構を制御し、
（ｉｖ）前記（ｉｉｉ）における搬送の間に、前記一の載置台に載置された前記収納容器を前記一の載置台から搬出し、かつ、前記保管部に保管された前記収納容器を、前記一の載置台へと搬送するよう前記収納容器搬送機構を制御し、
（ｖ）前記（ｉ）〜（ｉｖ）を繰り返して、所定の数の群の前記被処理体が、前記被処理体保持具に保持された後、前記被処理体保持具を前記磁界発生手段内に移載するよう、前記移載機構を制御する、
請求項１に記載の磁気アニール装置。
【請求項５】
前記複数の第２の載置台は、２つの載置台であり、
前記２つ載置台は、鉛直方向に直列に配置されている、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
【請求項６】
前記被処理体はウエハであり、前記収納容器はＦＯＵＰであり、
前記ＦＯＵＰは２５枚の前記ウエハを収納可能であり、
前記被処理体保持具は、１００枚の前記ウエハを保持可能である、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の磁気アニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気アニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の半導体メモリデバイスとして、不揮発性メモリの１つであるＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）が注目されている。ＭＲＡＭは、例えば半導体ウエハ（以後、ウエハ）である被処理体上に形成された磁性体膜を強磁場中で熱処理（磁気アニール）し、その磁気特性を発現させることによって製造される。
【０００３】
例えば特許文献１では、磁気アニールするための磁場発生手段として、ソレノイド型磁石を使用した設置面積が比較的小さい磁気アニール装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２６３２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１などの磁気アニール装置は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）向け又はＭＲＡＭの研究開発向け小規模な装置である。今後予想されるＭＲＡＭの市場規模を鑑みると、多数枚、例えば１００枚のウエハを（半）連続的に処理することが可能な磁気アニール装置の開発が求められている。
【０００６】
単位時間あたりのウエハの処理枚数を向上させるためには、多数枚のウエハを一括処理することができるのみならず、次バッチ分のウエハを短時間で磁気アニール装置内に取り込むことが可能である装置構成が必要となる。
【０００７】
上記課題に対して、多数枚のウエハを連続的に磁気アニール処理できる、磁気アニール装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一群の被処理体を収納した収納容器を搬送する収納容器搬送領域と、前記被処理体を搬送する被処理体搬送領域とが開閉ドアを介して形成され、制御部を有する磁気アニール装置であって、
前記収納容器搬送領域には、
当該磁気アニール装置に搬入される収納容器を載置する第１の載置台と、
前記開閉ドアを介して、前記収納容器搬送領域から前記被処理体搬送領域へと気密に前記被処理体を搬送するために、前記収納容器を載置する複数の第２の載置台と、
複数の前記収納容器を保管する保管部と、
前記第１の載置台、前記第２の載置台及び前記保管部の間で前記収納容器を搬出入する収納容器搬送機構と、
が配置され、
前記被処理体搬送領域には、
複数の前記被処理体の位置合わせを行うアライナーと、
複数群の前記被処理体を保持可能な被処理体保持具と、
前記第２の載置台に載置された収納容器、前記アライナー及び前記被処理体保持具の間で前記被処理体を搬送する被処理体搬送機構と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記被処理体に磁界を印加する、横型超伝導磁石を有する磁界発生手段と、
前記被処理体保持具に保持された前記被処理体を前記磁界発生手段内に移載する移載機構と、
が配置された、
磁気アニール装置。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、多数枚のウエハを連続的に処理することができる磁気アニール装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ウエハＷのキャリアの一例の概略斜視図である。
【図２】磁気アニール装置の一例の概略上面図である。
【図３】磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図である。
【図４】磁気アニール装置のウエハ搬送領域近傍の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００１２】
（キャリア）
図１に、ウエハＷのキャリアＣの一例の概略斜視図を示す。なお、本実施形態においては、ウエハＷを収容するキャリアＣとして、密閉型のＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ  Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｅｄ  Ｐｏｄ）を使用する場合について説明するが、本発明はこの点において限定されない。
【００１３】
図１に示すように、ウエハＷのキャリアＣは、一端部が開口部として形成され、他端部が例えば略半楕円形状に形成されている。
【００１４】
キャリアＣの内壁面には、ウエハＷを多段に配置することができる支持部が形成されている。この支持部に、例えば直径３００ｍｍのウエハＷの周縁部を載置して支持することにより、略等ピッチで多段にウエハＷを収納することができる。一般的に、１つのキャリアＣに対して、２５枚のウエハＷを収納することができる。
【００１５】
キャリアＣの天井部には、キャリアＣを把持する際に掴むことが可能である把手１０が設けられる。
【００１６】
キャリアＣの開口部には、この開口部に対応する開閉蓋１２が着脱可能に取り付けられており、キャリアＣ内は開閉蓋１２によって実質的に気密状態とされる。一般的に、キャリアの内部の雰囲気は、清浄空気となっている。
【００１７】
開閉蓋１２には、例えば２つのロック機構１４が設けられており、ロック機構１４を施錠又は開錠することにより、開閉蓋１２を開口部から着脱することができる構成となっている。
【００１８】
キャリアＣの底部の下面には、図示しない複数の位置決め凹部が設けられており、後述する載置台に載置する際に、このキャリアを位置決め可能な構成となっている。また、キャリアの底部の下面には、図示しないロック片が設けられており、載置台に載置した際にロックできる構成となっている。
【００１９】
（磁気アニール装置）
次に、本実施形態の磁気アニール装置について説明する。図２に、磁気アニール装置の一例の概略平面図を示す。
【００２０】
図１において示されるように、磁気アニール装置１００は、筐体１０２に収容されて構成される。筐体１０２は、磁気アニール装置の外装体を構成し、この筐体１０２内に、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とが形成されている。
【００２１】
キャリア搬送領域Ｓ１は、被処理体であるウエハＷを収納したキャリアＣが磁気アニール装置に対して搬入、搬出される領域である。また、ウエハ搬送領域Ｓ２は、キャリアＣ内のウエハＷを搬送して、後述する磁気アニール炉内に搬入するための移載領域である。
【００２２】
キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とは、隔壁１０４により仕切られている。
【００２３】
キャリア搬送領域Ｓ１は、大気雰囲気下にある領域であり、キャリアＣに収納したウエハＷを搬送する領域である。各処理装置間の領域がキャリア搬送領域Ｓ１に該当し、本実施形態においては、磁気アニール装置１００の外部のクリーンルーム内の空間が、キャリア搬送領域Ｓ１に該当する。
【００２４】
一方、ウエハ搬送領域Ｓ２の雰囲気としては、特に制限されず、大気雰囲気であっても良いし、不活性ガス雰囲気、例えば窒素（Ｎ２）ガス雰囲気であっても良い。被処理体の構成によって、より低酸素雰囲気下での処理を要する場合、例えば酸化膜等が形成されることを防ぎたい場合などには、不活性ガス雰囲気としても良い。また、ウエハ搬送領域Ｓ２は、一般的には、キャリア搬送領域Ｓ１よりも清浄度が高く、かつ、低酸素濃度に維持されている。
【００２５】
以後の説明では、キャリア搬送領域Ｓ１及びウエハ搬送領域Ｓ２の配列方向を、磁気アニール装置の前後方向とする。なお、キャリア搬送領域Ｓ１側を前方（図２のＸ方向）とし、ウエハ搬送領域Ｓ２側を後方（図２のＹ方向）とする。
【００２６】
［キャリア搬送領域Ｓ１］
キャリア搬送領域Ｓ１について、より詳細に説明する。図３に、磁気アニール装置のキャリア搬送領域近傍の概略縦断面図を示す。
【００２７】
キャリア搬送領域Ｓ１は、第１の搬送領域１０６と、第１の搬送領域１０６の後方側に位置する第２の搬送領域１０８と、を含む。
【００２８】
図２に示すように、第１の搬送領域１０６の左右方向には、キャリアＣを各々載置する２つの第１の載置台１１０ａ、１１０ｂが設けられている。各第１の載置台１１０ａ、１１０ｂの載置面には、キャリアＣの位置決め凹部に対応する、キャリアＣを位置決めするピン１１２が、例えば３箇所に設けられている。
【００２９】
第２の搬送領域１０８には、左右の第１の載置台のいずれか一方（本実施形態では載置台１１０ａ）に対して前後に並び、かつ、上下方向に配置された、２つの第２の載置台１１４ａ、１１４ｂが設けられている。各第２の載置台１１４は、前後に移動自在に構成されている。
【００３０】
第２の載置台１１４の載置面にも第１の載置台１１０と同様に、キャリアＣを位置決めするピン１１２が、例えば３箇所に設けられている。また、前記載置面には、キャリアＣを固定するための図示しないフックが設けられている。
【００３１】
図３に示すように、第２の搬送領域１０８及び／又は第１の搬送領域１０６の上部側には、キャリアＣを保管する第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂが設けられている。キャリア保管部１１６ａ、１１６ｂは、２段以上の棚により構成されており、各棚は左右に２つのキャリアＣを載置することができる。
【００３２】
また、図２に示すように、第２の載置台１１４の左右方向に、複数段の棚により構成された第２のキャリア保管部１１６ｃが設けられている。
【００３３】
第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂと第２のキャリア保管部１１６ｃが設けられていることにより、キャリア搬送領域Ｓ１内に、十分な数のキャリアＣ（即ち、ウエハＷ）を保持することができる。そのため、後述するウエハ移載方法によって、例えば１００枚のウエハＷをウエハ搬送領域Ｓ２に移載する場合にも、予めキャリア保管部１１６にキャリアＣを保管することによって、キャリアＣの数が不足することはない。
【００３４】
第２の搬送領域１０８には、キャリアＣを、第１及び第２の載置台、第１及び第２の載置台並びにキャリア保管部との間で搬送するキャリア搬送機構１１８が設けられている。このキャリア搬送機構１１８は、上下方向に昇降自在なガイド部１１８ａと、ガイド部１１８ａにガイドされながら上下に移動する移動部１１８ｂと、この移動部１１８ｂに設けられ、の底部を支持して水平方向に搬送する搬送アーム１１８ｃと、を備えている。
【００３５】
隔壁１０４には、キャリア搬送領域Ｓ１とウエハ搬送領域Ｓ２とを連通させるウエハＷの搬送口１２０が設けられている。搬送口１２０には、この搬送口１２０をウエハ搬送領域Ｓ２側から塞ぐ開閉ドア１２２が設けられている。開閉ドア１２２には、図示しない駆動機構が接続されており、駆動機構により開閉ドア１２２は前後方向及び上下方向に移動自在に構成され、搬送口１２０が開閉される。
【００３６】
キャリア搬送領域Ｓ１からウエハ搬送領域Ｓ２へのウエハＷの搬送について、説明する。先ず、前述の搬送アーム１１８ｃによって、キャリアＣは、第１の載置台１１０、第１のキャリア保管部１１６ａ、１１６ｂ又は第２のキャリア保管部１１６ｃから、第２の載置台１１４へと移載される。キャリアＣは、その位置決め凹部とピン１１２とが係合するように載置される。第２の載置台１１４にキャリアＣが載置されると、第２の載置台１１４が隔壁１０４側に移動され、キャリアＣが隔壁１０４に当接する。キャリアＣの当接状態は、図示しない固定機構により保持される。
【００３７】
その後、隔壁１０４に形成された開閉ドア１２２及びキャリアＣの開閉蓋１２が密閉されている状態で、開閉蓋１２を図示しない開閉機構によって開く。ウエハ搬送領域Ｓ２の雰囲気を不活性ガス雰囲気とする場合は、先ず、キャリアＣの開閉蓋１２が密閉されている状態で、図示しない不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行い、開閉ドア１２２と開閉蓋１２との間の大気を取り除いて不活性ガスを充満させる。次に、キャリアＣ内を不活性ガス置換手段により不活性ガス置換を行う。
【００３８】
そして、キャリアＣの隔壁１０４に形成された開閉ドア１２２を開き、後述するウエハ搬送機構１２４によってキャリアＣ内のウエハＷが搬入、搬出される。
【００３９】
キャリアＣの交換及びウエハＷの搬出時には、上述の逆の動作が実施される。
【００４０】
［ウエハ搬送領域Ｓ２］
図４に、磁気アニール装置１００のウエハ搬送領域Ｓ２近傍の概略平面図を示す。図４に示すように、ウエハ搬送領域Ｓ２には、主として、ウエハ搬送機構１２４、アライナー装置１２６、ウエハボート１２８及び磁界発生手段１３０が設置される。
【００４１】
ウエハ搬送機構１２４は、ウエハ搬送領域Ｓ２でのウエハＷの搬送を担っており、ウエハボート１２８と、隔壁１０４の搬送口１２０と、の間に設けられている。ウエハ搬送機構１２４は、上下に伸びるガイド機構１２４ａに沿って移動すると共に、鉛直軸回りに回動する移動体１２４ｂに、例えば５枚の進退自在なアーム１２４ｃを設けて構成され、ウエハボート１２８と、第２の載置台１１４上のキャリアＣと、アライナー装置１２６と、の間でウエハを搬送する。
【００４２】
アライナー装置１２６は、例えば、ウエハＷのエッジを把持し、センタリングとノッチ等の角度合わせを行うものである。
【００４３】
磁界発生手段１３０は、ウエハＷに磁気アニール処理を施す、右端が炉口である横型のソレノイド型磁石（超伝導磁石）から構成される磁気アニール炉が使用される。ソレノイド型磁石は、その中心線軸方向が実質的に水平となるように配置され、図示しない電源装置に接続される。横型のソレノイド型磁石により発生する磁界の方向は、前述の前後方向となる。
【００４４】
また、磁界発生手段１３０には、その内周に沿って加熱手段１３２が配置されており、ウエハＷを所定の温度に加熱することができる。即ち、磁界発生手段１３０によって、ウエハＷは、均一な磁界の元で加熱処理される。
【００４５】
ソレノイド型磁石を用いて複数枚、例えば１００枚のウエハＷに同様の磁気アニール処理を施す場合、全てのウエハＷに対して均一な処理を施すために、均磁場領域にウエハＷを配置する必要がある。ソレノイド型磁石の均磁場領域は、その軸方向長さの約２０％程度である。そのため、例えば１００枚のφ３００ｍｍのウエハＷを磁気アニール装置によって処理する場合、横型のソレノイド型磁石の設計例としては、内径（ボア径）φ５７０ｍｍ、外径φ１９００ｍｍ、長さ２５００ｍｍ、（その場合の均磁場領域の長さは、約６８０ｍｍ程度）、とすることができる。
【００４６】
また、上記設計の横型のソレノイド型磁石の重量は、略２５トン程度となる。そのため、ソレノイド型磁石の底部には、ソレノイド型磁石を保持するための、図示しない保持台及びこの保持台の底部に図示しない保持板が設けられる。
【００４７】
磁界発生手段１３０の前方側には、複数のキャリアＣ、例えば４つのキャリアＣ内の多数枚のウエハＷを保持するウエハボート１２８が、断熱部１３４を介してキャップ１３６の左側に載置されている。キャップ１３６は、移載機構１３８の後方に支持されており、この移載機構１３８によりウエハボート１２８が磁界発生手段１３０に対して搬入又は搬出される。
【００４８】
例えば１００枚のウエハＷを磁気アニール装置１００によって同時に処理する場合における、ウエハボートへのウエハＷの配置構成例について、説明する。ウエハＷに対して、面内磁化方式で磁気アニール処理を施す場合、磁界の方向（本実施形態の前後方向）に垂直な方向にウエハＷを５０枚積層した積層体を、前後方向に２つ並列に並べ、ウエハボートに配置する。一方、ウエハＷに対して、垂直磁化方式で磁気アニール処理を施す場合、磁界の方向に水平な方向にウエハＷを１００枚棚状に積層した積層体を、ウエハボートに１つ配置する。
【００４９】
［ウエハ搬送領域Ｓ２内でのウエハＷの搬入・搬出］
ウエハＷを、２つの第２の載置台１１４ａ、１１４ｂに載置されたキャリアＣから磁気アニール装置へと搬入する際の、一連のフローについて、簡単に説明する。なお、ここでは、例えば１００枚のウエハＷを磁気アニール装置１００へと搬入する場合について説明する。
【００５０】
ウエハ搬送領域Ｓ２に搬入されたウエハＷは、ウエハ搬送機構１２４により、先ず、アライナー装置１２６へと移載され、センタリングとノッチ等の角度合わせが行われる。次いで、ウエハＷは、ウエハ搬送機構１２４により、アライナー装置１２６からウエハボート１２８へと移載される。ウエハボート１２８へウエハＷの移載が終わった後、ウエハ搬送機構１２４はキャリアＣへと戻って、次のウエハＷが移載される。
【００５１】
１つのキャリアＣ内に保持されるウエハＷの枚数は、一般的に、２５枚であり、ウエハ搬送機構１２４によるウエハＷの搬送枚数は、一般的に、５枚である。そのため、１つのキャリアＣに対して、キャリアＣからアライナー装置１２６を経たウエハボート１２８へのウエハＷの移載は、５回行われる。一方の第２の載置台（例えば第２の載置台１１４ａ）に載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載が終わった後は、ウエハ搬送機構１２４によって、他方の第２の載置台（例えば第２の載置台１１４ｂ）に載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載を行う。その際、第２の載置台１１４ａに載置された空となったキャリアＣは、他方の第２の載置台１１４ｂに載置されたキャリアＣからのウエハＷの移載を行っている間に、キャリア保管部１１６に保管されている他のキャリアＣと取り替えられる。
【００５２】
これらの作動を繰り返し、所定の枚数、例えば１００枚のウエハＷが、ウエハ搬送機構によってウエハボート１２８へと移載された後には、このウエハボート１２８は、移載機構１３８によって磁界発生手段１３０内にロードされ、所定の磁気アニール工程が実施される。処理収量後のウエハＷの搬出は、先ず、磁界発生手段１３０からウエハボート１２８をアンロードし、前述の搬入とは逆に、ウエハ搬送機構１２４を用いて、第２の載置台１１４ａ又は１１４ｂに位置する開閉窓からキャリアＣへと移載することにより実行される。その後、図示しない開閉機構で開閉蓋をキャリアＣへと取付け、キャリアＣをキャリア搬送機構１１８により搬出し、次工程へと進められる。
【００５３】
なお、図２に示すように、この磁気アニール装置１００には、例えばコンピュータからなる制御部１４０が設けられている。制御部１４０はプログラム、メモリ、ＣＰＵからなるデータ処理部などを備えており、プログラムには、制御部から磁気アニール装置の各部に制御信号を送り、各処理工程を進行させるように命令（各ステップ）が組み込まれている。その制御信号によりキャリアＣの搬送、ウエハＷの搬送、開閉ドアの開閉、蓋体の開閉、各処理が行われる。このプログラムは、コンピュータ記憶媒体、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）及びメモリーカード等の記憶媒体に格納されて制御部にインストールされる。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０      把手
１２      開閉蓋
１４      ロック機構
１００    磁気アニール装置
１０２    筐体
１０４    隔壁
１０６    第１の搬送領域
１０８    第２の搬送領域
１１０    第１の載置台
１１２    ピン
１１４    第２の載置台
１１６    キャリア保管部
１１８    キャリア搬送機構
１２０    搬送口
１２２    開閉ドア
１２４    ウエハ搬送機構
１２６    アライナー装置
１２８    ウエハボート
１３０    磁界発生手段
１３２    加熱手段
１３４    断熱部
１３６    キャップ
１３８    移載機構
１４０    制御部
Ｓ１      キャリア搬送領域
Ｓ２      ウエハ搬送領域
Ｃ        キャリア
Ｗ        ウエハ
【図１】
2014183280.tif 000003
【図２】
2014183280.tif 000004
【図３】
2014183280.tif 000005
【図４】
2014183280.tif 000006