(57)【要約】【課題】半導体装置などの高密度な実装を妨げる可能性がある程度に大きな段差の形成を抑制することが可能で、かつ抵抗体への耐めっき性を高めることが可能な基板およびその製造方法を得る。【解決手段】基板シート１ａに形成された抵抗体ペーストパターン１１ａを覆う保護用ペースト１２ａの表面が基板シート１ａの表面と同一平面となるように形成された上で焼成される。保護用ペースト１２ａは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含むものである。【選択図】図８
2014183273.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する基板シートを準備する工程と、
前記基板シートの前記主表面上に導体ペーストパターンを形成する工程と、
前記導体ペーストパターン上に抵抗体ペーストパターンを形成する工程と、
前記抵抗体ペーストパターンの表面を覆う保護用ペーストを形成する工程と、
前記保護用ペーストの表面と前記基板シートの表面とが同一平面となるように前記抵抗体ペーストパターンおよび前記保護用ペーストを前記基板シート内に埋め込む工程と、
前記抵抗体ペーストパターンおよび前記保護用ペーストが前記基板シート内に埋め込まれた前記基板シートを焼成することにより前記基板シートが焼成された基板本体を形成する工程とを備え、
前記保護用ペーストは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含む、基板の製造方法。
【請求項２】
前記保護用ペーストは１０質量％以上７５質量％以下のアルミニウムの酸化物を含む、請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記基板シートが焼成された基板を形成する工程において前記保護用ペーストが焼成された保護層には１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれる、請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
前記保護用ペーストを形成する工程は、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物とを含む第１の保護用ペーストを形成する工程と、アルミニウムの酸化物を含む第２の保護用ペーストを形成する工程とを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項５】
主表面を有する基板シートを準備する工程と、
前記基板シートの前記主表面上に導体ペーストパターンを形成する工程と、
前記導体ペーストパターン上に抵抗体ペーストパターンを形成する工程と、
前記抵抗体ペーストパターンの表面と前記基板シートの表面とが同一平面となるように前記抵抗体ペーストパターンを前記基板シート内に埋め込む工程と、
前記抵抗体ペーストパターンが前記基板シート内に埋め込まれた前記基板シートを焼成することにより前記基板シートが焼成された基板本体を形成する第１の焼成工程と、
前記抵抗体ペーストパターンが焼成された抵抗体の表面を覆う保護用ペーストを平面視における前記基板本体の上面の全面に形成する工程と、
前記保護用ペーストを焼成する第２の焼成工程とを備え、
前記保護用ペーストは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含む、基板の製造方法。
【請求項６】
前記保護用ペーストは１０質量％以上７５質量％以下のアルミニウムの酸化物を含む、請求項５に記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の焼成工程において前記保護用ペーストが焼成された保護層には１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれる、請求項５または６に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
前記保護用ペーストを形成する工程は、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物とを含む第１の保護用ペーストを形成する工程と、アルミニウムの酸化物を含む第２の保護用ペーストを形成する工程とを含む、請求項５〜７のいずれかに記載の基板の製造方法。
【請求項９】
主表面を有する基板本体と、
前記基板本体内に配置される導体パターンと、
前記導体パターン上に配置される抵抗体パターンと、
前記抵抗体パターンの表面を覆う保護層とを備え、
前記保護層の表面と前記基板本体の表面とが同一平面となるように前記抵抗体パターンおよび前記保護層が前記基板本体内に埋め込まれ、
前記保護層は、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含む、基板。
【請求項１０】
前記保護層には１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれる、請求項９に記載の基板。
【請求項１１】
主表面を有する基板本体と、
前記基板本体内に配置される導体パターンと、
前記導体パターン上に配置される抵抗体パターンと、
前記抵抗体パターンの表面を覆うように平面視における前記基板本体の上面の全面に配置される保護層とを備え、
前記抵抗体パターンの表面と前記基板本体の表面とが同一平面となるように前記抵抗体パターンが前記基板本体内に埋め込まれ、
前記保護層は、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含む、基板。
【請求項１２】
前記保護層には１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれる、請求項１１に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板およびその製造方法に関し、特に保護ガラス層に覆われた抵抗体素子を有する基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高周波通信用機器などの装置および、たとえばエンジンまたはモータを制御するために当該高周波通信用機器の近傍および内部に設置される装置は、配線の微細化と多層化とに起因する高密度化および高集積化が図られている。上記のような装置に使用される半導体素子およびチップ部品を実装する回路基板として、セラミック基板が広く用いられている。上記セラミック基板にたとえば半導体素子およびチップ部品が実装された装置は、当該装置を構成する配線パターンの表面上にトリミング抵抗が配置されている。たとえばトリミング抵抗に対してレーザトリミングがなされることによりトリミング抵抗の抵抗値が調整される。トリミング抵抗の抵抗値を高精度に制御することにより、当該装置の電気特性がより高精度に制御される。
【０００３】
上記のたとえば半導体装置に用いられるトリミング抵抗については、たとえば特開２００７−１７６７８５号公報（特許文献１）、特開２００８−２７７６２８号公報（特許文献２）、国際公開２０１１／１２２４０８号（特許文献３）および特開２００５−３９１６４号公報（特許文献４）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１７６７８５号公報
【特許文献２】特開２００８−２７７６２８号公報
【特許文献３】国際公開２０１１／１２２４０８号
【特許文献４】特開２００５−３９１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の各特許文献では、トリミング抵抗が、シリコン、ホウ素、カルシウムの酸化物を含むガラス層により保護される。ガラス層がシリコン、ホウ素、カルシウムの酸化物を含むため、半導体装置を構成する導体パターンにめっきを施す際に、めっきの前処理などに起因するガラス層の表面の腐食の発生を抑制することができる。すなわちガラス層が上記の組成を有することにより、ガラス層の表面の耐めっき性を向上させ、ガラス層が保護するトリミング抵抗に意図せずめっきがなされる不具合の発生が抑制される。しかし上記の各特許文献では、たとえばセラミック基板の積層構造の最上面の上に、一定の厚みを有するトリミング抵抗および／またはガラス層が形成されているため、セラミック基板の積層構造の最上面とガラス層などの最上面との間に段差が形成される。半導体装置におけるこのような段差が大きくなれば、セラミック基板への高密度な実装を妨げる可能性があるという問題点があった。
【０００６】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、半導体装置などの高密度な実装を妨げる可能性がある程に大きな段差の形成を抑制することが可能で、かつトリミング抵抗への耐めっき性を高めることが可能な基板およびその製造方法を得ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る基板の製造方法においては、基板シートに形成された抵抗体ペーストパターンを覆う保護用ペーストの表面が基板シートの表面と同一平面となるように形成された上で焼成される。保護用ペーストは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含むものである。
【０００８】
また、基板シートに形成された抵抗体ペーストパターンの表面が基板シートの表面と同一平面となるように形成された上で焼成され、焼成後の抵抗体の表面を覆う保護用ペーストを焼成するように形成されるものである。
【０００９】
この発明に係る基板においては、基板本体内の導体パターン上に配置される抵抗体パターンと、抵抗体パターンの表面を覆う保護層とを備え、保護層の表面と基板本体の表面とが同一平面となるように両者が基板本体内に埋め込まれている。保護用ペーストは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含むものである。
【００１０】
また、基板本体内の導体パターン上に配置される抵抗体パターンの表面と基板本体の表面とが同一平面となるように両者が基板本体内に埋め込まれたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明は、半導体装置などの高密度な実装を妨げる可能性がある程度に大きな段差の形成を抑制することが可能で、かつ抵抗体への耐めっき性を高めることが可能な基板およびその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第１工程を示す概略断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第２工程を示す概略断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第３工程を示す概略断面図である。
【図４】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第４工程を示す概略断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第５工程を示す概略断面図である。
【図６】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第６工程を示す概略断面図である。
【図７】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第７工程を示す概略断面図である。
【図８】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第８工程を示す概略断面図である。
【図９】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第１例の第９工程を示す概略断面図である。
【図１０】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第２例の、上記図６に相当する工程を示す概略断面図である。
【図１１】この発明の実施の形態１に係る基板の製造方法の第２例の、上記図７に相当する工程を示す概略断面図である。
【図１２】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の、上記図６に相当する第１工程を示す概略断面図である。
【図１３】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の、上記図１２に続く第２工程を示す概略断面図である。
【図１４】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の第３工程を示す概略断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の第４工程を示す概略断面図である。
【図１６】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の第５工程を示す概略断面図である。
【図１７】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第１例の第６工程を示す概略断面図である。
【図１８】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第２例の、上記図１０に相当する工程を示す概略断面図である。
【図１９】この発明の実施の形態２に係る基板の製造方法の第２例の、上記図１１に相当する工程を示す概略断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第１例の、上記図６に相当する第１工程を示す概略断面図である。
【図２１】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第１例の、上記図２０に続く第２工程を示す概略断面図である。
【図２２】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第１例の第３工程を示す概略断面図である。
【図２３】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第１例の第４工程を示す概略断面図である。
【図２４】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第２例の、上記図１０に相当する工程を示す概略断面図である。
【図２５】この発明の実施の形態３に係る基板の製造方法の第２例の、上記図１１に相当する工程を示す概略断面図である。
【図２６】この発明の実施の形態４に係る基板の製造方法の、上記図１５に続く第１工程を示す概略断面図である。
【図２７】この発明の実施の形態４に係る基板の製造方法の、上記図２６に続く第２工程を示す概略断面図である。
【図２８】各実施の形態１〜４における焼成工程における温度制御を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
実施の形態１．
まずこの発明の実施の形態１の第１例における基板の製造方法について、図１〜図９を用いて説明する。図１を参照して、まずアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などのセラミック原材料の粉末にたとえばイソプロピルアルコールなどの若干の有機物を加えたものがボールミルで混合されることによりスラリーが形成される。このスラリーにはたとえばシリコン、ホウ素、カルシウムの酸化物を混合した結晶化ガラス粉末が含まれていてもよく、セラミック原材料の粉末と結晶化ガラス粉末とを結合させるためのバインダ（エチルセルロースなどの有機樹脂）が含まれていてもよい。上記のスラリーを、たとえばいわゆるドクターブレードまたは圧延により薄い平板状になるように成型することにより、たとえば矩形状の主表面を有するセラミックグリーンシート１ａ（基板シート）が形成される。
【００１４】
図２を参照して、セラミックグリーンシート１ａの一方（図２の上側）の主表面から、一方の主表面に対向する他方（図２の下側）の主表面までセラミックグリーンシート１ａを貫通するように、セラミックグリーンシート１ａの開口部としてのビアホール２が形成される。ビアホール２は、金型パンチングまたはレーザ加工機により形成される。
【００１５】
図３を参照して、ビアホール２内を充填するように導体ペーストが印刷されることによりビア３が形成される。この導体ペーストはいわゆるスクリーン印刷法などにより、ビア３を形成したい部分のみ開口したスクリーンマスクを用いて印刷されることが好ましい。ビア３を構成する導体ペーストは、たとえば銀の粉末を含むものであってもよいし、銀の粉末に白金、パラジウム、ロジウムの粉末を含ませた混合粉末を含むものであってもよい。
【００１６】
図４を参照して、ビア３が形成されたセラミックグリーンシート１ａの一方の主表面上に、スクリーン印刷法などにより、配線パターンを形成したい部分のみ開口したスクリーンマスクを用いて、導体ペーストパターン４が形成される。このようにしてセラミックグリーンシート１ａの一方の主表面上に導体ペーストパターン４が形成された第１の積層用シート５ａが形成される。なお導体ペーストパターン４を構成する導体ペーストは上記のビア３を構成する導体ペーストと同様の組成を有していてもよい。
【００１７】
図５を参照して、必要に応じて、セラミックグリーンシート１ａの他方の主表面上にも、セラミックグリーンシート１ａの一方の主表面上と同様に導体ペーストパターン６が形成されていてもよい。
【００１８】
図６を参照して、上記図１〜図５と同様に、セラミックグリーンシート１ａの一方の主表面から他方の主表面まで（第１の積層用シート５ａとは異なる位置を）貫通するビア３が形成され、またセラミックグリーンシート１ａの（一方の）主表面上（第１の積層用シート５ａとは異なる位置）に導体ペーストパターン４が形成された第４の積層用シート５ｄが形成される。図６に示すように導体ペーストパターン４はあらかじめプレス機または静水圧プレス機などにより加圧されることでセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように形成されてもよい。
【００１９】
第４の積層用シート５ｄの導体ペーストパターン４上には、抵抗体ペーストパターン８ａが、たとえばスクリーン印刷法により形成される。抵抗体ペーストパターン８ａは導体ペーストパターン４の上面の少なくとも一部を覆うように形成されることが好ましい。一例として図６においては互いに一定の間隔を隔て（セラミックグリーンシート１ａ内に埋もれ）た１対の導体ペーストパターン４の双方の上面の一部を覆うように、１対の導体ペーストパターン４の双方を跨ぐように、抵抗体ペーストパターン８ａが形成されている。抵抗体ペーストパターン８ａはルテニウムの酸化物（ＲｕＯ2）を含む材料であることが好ましく、たとえばルテニウムの酸化物の粉末とガラス粉末とを混合したものにバインダを添加したものであってもよい。またマンガンの酸化物、チタンの酸化物、銅の酸化物などを添加することにより抵抗体ペーストパターン８ａを焼成して得られる抵抗体パターンの電気抵抗の温度特性を調整してもよい。
【００２０】
抵抗体ペーストパターン８ａの表面（上面および側面）を覆うように保護用ペースト９ａが、たとえばスクリーン印刷法により形成される。保護用ペースト９ａは抵抗体ペーストパターン８ａの上面に加えて側面をも覆うため、平面視において抵抗体ペーストパターン８ａよりも大きな面積を有するように形成される。保護用ペースト９ａはシリコンの酸化物（ＳｉＯ2）と、ホウ素の酸化物（Ｂ2Ｏ3）と、カルシウムの酸化物（ＣａＯ）と、アルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）とを含むように形成されることが好ましい。保護用ペースト９ａはこれらの酸化物の粉末材料に、バインダ（エチルセルロースなどの有機樹脂）が加えられることにより形成されており、保護用ペースト９ａは焼成することにより固体のガラス層が形成され得る材料からなる。一例として保護用ペースト９ａは、酸化物の粉末材料とバインダとの質量の総和に対して粉末材料が約７０質量％、バインダが約３０質量％であるものが用いられ得るが、粉末材料とバインダとの割合（質量％）はこれに限られない。
【００２１】
保護用ペースト９ａは、酸化物の粉末材料とバインダとの質量の総和に対して１０質量％以上７５質量％以下のアルミニウムの酸化物を含むことが好ましく、その中でも特に２５質量％以上５０質量％以下のアルミニウムの酸化物を含むことが特に好ましい。また保護用ペースト９ａは抵抗体ペーストパターン８ａの表面のうち、抵抗体ペーストパターン８ａがその真下のセラミックグリーンシート１ａまたは導体ペーストパターン４と接する部分以外の全部分を覆うように形成されることが好ましい。すなわち図６では保護用ペースト９ａは抵抗体ペーストパターン８ａの上面および側面の全面を覆うように形成されている。
【００２２】
第４の積層用シート５ｄの導体ペーストパターン４は、他の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃの導体ペーストパターン４よりも厚く形成されることが好ましい。このようにすれば、第４の積層用シート５ｄの導体ペーストパターン４内に抵抗体ペーストパターンなどを容易に埋め込むことができる。
【００２３】
図７を参照して、上記図１〜図５と同様の手法により、セラミックグリーンシート１ａに（第１および第４の積層用シート５ａ，５ｄとは異なる位置に）ビア３および導体ペーストパターン４が形成された第２の積層用シート５ｂおよび第３の積層用シート５ｃが形成される。図７に示すように、第１、第２、第３の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃについても第４の積層用シート５ｄと同様に、導体ペーストパターン４はあらかじめプレス機または静水圧プレス機などにより加圧されることでセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように形成されてもよい。
【００２４】
図８を参照して、以上に示す第１〜第４の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが図７に示すように、積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄの順に下側から上側に積層される。積層されたシート５ａ〜５ｄがそれぞれのセラミックグリーンシート１ａの一方の主表面から他方の主表面に向かう方向（図８の上下方向）に加圧圧縮されて一体のグリーンシート（積層グリーンシート１３ａ）となる。ここでの加圧圧縮はたとえばプレス機または静水圧プレス機などによりなされることが好ましい。
【００２５】
上記の加圧圧縮により、それまで導体ペーストパターン４上に形成されていた抵抗体ペーストパターン８ａ、および保護用ペースト９ａは、セラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれる。図８においては導体ペーストパターン４が（図６〜図７において元々セラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれているが）圧縮導体ペーストパターン１０ａとなる。圧縮導体ペーストパターン１０ａ内に、抵抗体ペーストパターン８ａが圧縮された圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａ、および保護用ペースト９ａが圧縮された圧縮保護用ペースト１２ａ、の少なくとも一部が埋め込まれるように形成されている。
【００２６】
このとき、特に第４の積層用シート５ｄにおいて、圧縮保護用ペースト１２ａの上側の表面とセラミックグリーンシート１ａの上側の表面とが同一平面（いわゆるツライチ）となるように、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａおよび圧縮保護用ペースト１２ａがセラミックグリーンシート１ａ（導体ペーストパターン４が圧縮された圧縮導体ペーストパターン１０ａ）内に埋め込まれる。すなわち圧縮保護用ペースト１２ａの上側の表面とセラミックグリーンシート１ａの上側の表面との間に段差がほぼ存在しないように、圧縮保護用ペースト１２ａがセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれる。
【００２７】
図９を参照して、各シート５ａ〜５ｄが一体化された積層グリーンシート１３ａ（基板シート）が焼成される。言いかえればセラミックグリーンシート１ａと圧縮導体ペーストパターン１０ａ、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａおよび圧縮保護用ペースト１２ａとが共焼成される。この焼成によりセラミックグリーンシート１ａが基板の本体である基板本体１ｂとなり、積層グリーンシート１３ａは、基板本体１ｂが積層された積層基板１３ｂとなる。また圧縮導体ペーストパターン１０ａ、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａおよび圧縮保護用ペースト１２ａはそれぞれ導体パターン１０ｂ、抵抗体パターン１１ｂ、保護層１２ｂとなる。保護層１２ｂは平面視において抵抗体パターン１１ｂよりも大きな面積を有するように形成される。
【００２８】
保護層１２ｂは基本的に非晶質のガラスの固体からなるガラス層であるが、部分的にアノーサイト結晶と呼ばれる結晶となった領域を含んでいる。このアノーサイト結晶は、保護用ペースト９ａ，１２ａがシリコンの酸化物（ＳｉＯ2）と、ホウ素の酸化物（Ｂ2Ｏ3）と、カルシウムの酸化物（ＣａＯ）と、アルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）とを含むために形成される結晶層であり、その組成は概ねＣａＯ・Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2である。アノーサイト結晶層は、上記の各酸化物を含む保護用ペースト９ａ，１２ａの各ガラス相同士が反応することにより形成され、上記の反応は特にアルミニウムの酸化物により促進される。
【００２９】
圧縮保護用ペースト１２ａが焼成された保護層１２ｂには１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が形成されていることが好ましい。上記の１質量％以上１５質量％以下という保護層１２ｂのアノーサイト結晶の割合は、たとえばＸ線回折装置により計測される数値である。
【００３０】
一般に保護層１２ｂのアノーサイト結晶は、保護層１２ｂの表面側（第４の積層用シート５ｄ側など）にその割合が多く、保護層１２ｂの内部側（第１の積層用シート５ａ側など）にその割合が少ないという分布を有するように形成される。したがって保護層１２ｂにおけるアノーサイト結晶の割合は、保護層１２ｂの上側の領域においては１５質量％を超え、保護層１２ｂの下側の領域においては１質量％を下回ってもよく、保護層１２ｂの最上部から最下部までの全体の平均のアノーサイト結晶化率が上記の１質量％以上１５質量％以下であることが好ましい。
【００３１】
図９の焼成工程により、積層基板１３ｂが形成される。この積層基板１３ｂは、第１〜第４の積層用シート５ａ〜５ｄの焼成により積層形成された４つの基板本体１ｂにより構成されている。このうち特に最上段に積層された第４の積層用シート５ｄの基板本体１ｂに注目して、積層基板１３ｂは、矩形状の主表面を有する基板本体１ｂと、基板本体１ｂ内に配置される導体パターン１０ｂと、導体パターン１０ｂ上に配置される抵抗体パターン１１ｂと、抵抗体パターン１１ｂの表面を覆う保護層１２ｂとを備えているといえる。
【００３２】
抵抗体パターン１１ｂは、１対の導体パターン１０ｂの双方の内部において、導体パターン１０ｂの比較的下の方の領域を覆いかつ１対の導体パターン１０ｂの双方を跨ぐように、形成されている。保護層１２ｂは、１対の導体パターン１０ｂの双方の内部において、抵抗体パターン１１ｂの上面および側面（の全面）を覆うように、言い換えれば抵抗体パターン１１ｂの上面および側面を囲むように、かつ１対の導体パターン１０ｂの双方を跨ぐように、形成されている。
【００３３】
図９における保護層１２ｂの上側の表面と、第４の積層用シート５ｄにより形成された基板本体１ｂの上側の表面とが同一平面となるように、抵抗体パターン１１ｂおよび保護層１２ｂが基板本体１ｂ内に埋め込まれている。保護層１２ｂは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含んでいる。また保護層１２ｂには１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれている。
【００３４】
保護層１２ｂ中には、アノーサイト結晶化された領域とアノーサイト結晶化されない領域との双方を含む全体に含まれるアルミニウムの酸化物Ａｌ2Ｏ3が４０質量％以上６０質量％であることが好ましく、その中でも５０質量％であることがより好ましい。
【００３５】
なお図示されないが、図９に示す積層基板１３ｂが形成された後、導体パターン１０ｂの表面に無電解めっきが施される。無電解めっきは電解めっきが施せない導体パターン１０ｂに対してもめっきを施すことが可能であるため、ここでは無電解めっきがなされることが好ましい。このとき抵抗体パターン１１ｂはその表面（の全面）が保護層１２ｂに覆われているためめっきが施されることがない。このため抵抗体パターン１１ｂの電気抵抗値が変化するなどの不具合の発生を抑制することができる。
【００３６】
次にこの発明の実施の形態１の第２例における基板の製造方法について、図１０から図１１を用いて説明する。上記第２例においても図１〜図５の第１例の製造方法と同様の手順により、第１の積層用シート５ａが形成される。
【００３７】
図１０を参照して、上記第２例においても図６の第１例の製造方法と基本的に同様の手順により、第４の積層用シート５ｄが形成される。ただし図１０においては、導体ペーストパターン４があらかじめセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように加圧されることなく、セラミックグリーンシート１ａの主表面を外側から覆うように形成されている。図１１に示す第１、第２、第３の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃも第４の積層用シート５ｄと同様にセラミックグリーンシート１ａの主表面を外側から覆うように形成されている。このような構成であっても、図１１の工程に続いて図８および図９の工程を行なうことにより、最終的に形成される積層基板１３ｂの態様は第１例と同様に各導体ペーストパターン４はセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように加圧された態様となるため、第２例のような手順に従ってもよい。
【００３８】
次に実施の形態１の作用効果について説明する。この実施の形態１のように抵抗体ペーストパターン８ａの表面を覆うように、シリコンの酸化物とホウ素の酸化物とカルシウムの酸化物とアルミニウムの酸化物とを含む保護用ペースト９ａが形成され、それが焼成されれば、形成される保護層１２ｂはアノーサイト結晶を含む。このアノーサイト結晶は非晶質（ガラス層）としての保護層１２ｂに比べて耐酸性および強度が高いため保護沿う１２ｂに比べて耐めっき性に優れており、めっきの前処理などがなされても非晶質（ガラス層）に比べてアノーサイト結晶の表面が腐食するなどの不具合が起こりにくい。したがってアノーサイト結晶を含む保護層１２ｂが抵抗体パターン１１ｂの表面を覆うように形成されれば、抵抗体パターン１１ｂにめっきが形成されることを抑制することができる。
【００３９】
また上記のようにアノーサイト結晶は保護層１２ｂの中でも比較的表面に近い、特に保護層１２ｂの上面などの近傍に高い割合で形成される。このため保護層１２ｂの表面（上面）を起点とするめっき形成およびそれに起因する腐食（めっき腐食）をより確実に抑制でき、その結果として抵抗体パターン１１ｂへのめっき腐食の浸透をより確実に抑制することができる。以上より、抵抗体パターン１１ｂの抵抗値をより高精度に制御することができる。
【００４０】
保護層１２ｂはめっきによる保護層１２ｂ（抵抗体パターン１１ｂ）の腐食を抑制する役割を有するとともに、空気中の酸素、硫黄、水分が抵抗体パターン１１ｂに浸入することなどによる抵抗体パターン１１ｂの抵抗値の変動を抑制する役割を有している。また保護層１２ｂは抵抗体パターン１１ｂへの異物の付着を抑制する役割を有している。
【００４１】
【表１】
2014183273.tif 000003
【００４２】
上記の表１は保護用ペースト９ａに含まれる（酸化物の粉末材料とバインダとの総和に対する）アルミニウムの酸化物の含有割合（質量％）と、形成されるガラス層である保護層１２ｂの表面における本来形成されるべきでない異常めっきの形成の有無と、保護層１２ｂの全体に対するアノーサイト結晶の形成される割合（質量％）とを示している。表１に示すように、保護用ペースト９ａに含まれるアルミニウムの酸化物の含有量（質量％）を１０質量％以上７５質量％以下とすることにより、保護層１２ｂにおけるアノーサイト結晶の形成される割合（質量％）が１質量％以上１５質量％以下となり、保護層１２ｂの表面に異常めっきが形成されない良好な状態とすることができる。
【００４３】
また、保護用ペースト９ａの表面と、第４の積層用シート５ｄのセラミックグリーンシート１ａ（積層グリーンシート１３ａ）の表面とが同一平面となるように抵抗体ペーストパターン８ａおよび保護用ペースト９ａがセラミックグリーンシート１ａ（積層グリーンシート１３ａ）内に埋め込まれた上で焼成される。このため図９の積層基板１３ｂにおいては、形成される保護層１２ｂの表面と基板本体１ｂ（積層基板１３ｂ）の表面とが同一平面となるように抵抗体パターン１１ｂおよび保護層１２ｂが基板本体１ｂ（積層基板１３ｂ）内に埋め込まれている。
【００４４】
このようにすれば、形成される保護層１２ｂの表面と基板本体１ｂ（積層基板１３ｂ）の表面との間に段差が形成されず、形成される積層基板１３ｂ全体の最上面はほぼ平坦となる。したがって、たとえば当該積層基板１３ｂの表面または積層基板１３ｂの実装される近傍の領域に、いわゆるチップマウンタ、ワイヤボンダ、リボンボンダ、ダイボンダ、フリップチップボンダなどのロボットを用いて部品を実装する場合に、上記段差とロボットの手先とが干渉する可能性を排除することができる。このため高密度な実装を実現することが可能となる。
実施の形態２．
まずこの発明の実施の形態２の第１例における基板の製造方法について、図１２〜図１７を用いて説明する。実施の形態２においても、実施の形態１の図１〜図５に示す工程と同様に第１の積層用シート５ａが形成される。
【００４５】
図１２を参照して、実施の形態１の図６に示す工程と同様に、第４の積層用シート５ｄを形成するために、たとえば矩形状の主表面を有するセラミックグリーンシート１ａ（基板シート）が形成される。セラミックグリーンシート１ａにはビア３が形成され、かつセラミックグリーンシート１ａの一方の主表面上（第１の積層用シート５ａとは異なる位置）に導体ペーストパターン４が形成される。
【００４６】
図１２を参照して、実施の形態１の図６に示す工程と同様に、第４の積層用シート５ｄの導体ペーストパターン４上には抵抗体ペーストパターン８ａが形成される。ただしこの時点では保護用ペースト９ａは形成されない。図１３を参照して、実施の形態１の図７に示す工程と同様に第２の積層用シート５ｂおよび第３の積層用シート５ｃが形成される。
【００４７】
図１４を参照して、実施の形態１の図８に示す工程と同様に第１〜第４の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが積層され、加圧圧縮されて一体のセラミックグリーンシート（積層グリーンシート１３ａ）となる。このとき、第４の積層用シート５ｄの圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａの上側の表面とセラミックグリーンシート１ａの上側の表面とが同一平面（いわゆるツライチ）となるように、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａがセラミックグリーンシート１ａ（導体ペーストパターン４が圧縮された圧縮導体ペーストパターン１０ａ）内に埋め込まれる。
【００４８】
図１５を参照して、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａがセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれ、各シート５ａ〜５ｄが一体化された積層グリーンシート１３ａ（基板シート）が、実施の形態１の図９に示す工程と同様に焼成されて積層基板１３ｂとなる（第１の焼成工程）。
【００４９】
図１６を参照して、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａが焼成された抵抗体パターン１１ｂの表面（上面）を覆うように、かつ平面視における第４の積層用シート５ｄの基板本体１ｂの上面の全面を覆うように、保護用ペースト９ａが全体にほぼ均一の厚みとなるように形成される。その状態で、図１７に示すように保護用ペースト９ａが焼成されて保護層９ｂとなる（第２の焼成工程）。なお図１７の工程での焼成条件に応じて、基板本体１ｂおよび保護用ペースト９ａを含む積層基板１３ｂが加熱により再度焼成されてもよい。また図１７の焼成工程を行なう前に保護用ペースト９ａの全面がほぼ平坦になるように圧縮されてもよい。
【００５０】
図１７の焼成工程により形成される積層基板１３ｂは、矩形状の主表面を有する基板本体１ｂと、基板本体１ｂ内に配置される導体パターン１０ｂと、導体パターン１０ｂ上に配置される抵抗体パターン１１ｂと、抵抗体パターン１１ｂの表面を覆うように平面視における（第４の積層用シート５ｄの）基板本体１ｂの上面の全面に配置される保護層９ｂとを備えているといえる。以上より保護用ペースト９ａおよび保護層９ｂは抵抗体パターン１１ｂよりも平面視において非常に大きな面積を有する。
【００５１】
図１７における抵抗体パターン１１ｂの表面と、（第４の積層用シート５ｄの）基板本体１ｂの表面とが同一平面となるように抵抗体パターン１１ｂが（第４の積層用シート５ｄの）基板本体１ｂ内に埋め込まれている。保護層９ｂは、シリコンの酸化物と、ホウ素の酸化物と、カルシウムの酸化物と、アルミニウムの酸化物とを含んでいる。また保護層９ｂには１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が含まれている。その他については実施の形態１と同様である。
【００５２】
以上の第１例においては、実施の形態１の第１例と同様に、導体ペーストパターン４があらかじめ加圧されてセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれている。しかし図１８および図１９に示す実施の形態２の第２例を参照して、実施の形態１の第２例と同様に、導体ペーストパターン４があらかじめセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように加圧されることなく、セラミックグリーンシート１ａの主表面を覆うように形成されてもよい。
【００５３】
以上に示す実施の形態２においても、実施の形態１と同様に、保護用ペースト９ａはシリコンの酸化物（ＳｉＯ2）と、ホウ素の酸化物（Ｂ2Ｏ3）と、カルシウムの酸化物（ＣａＯ）と、アルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）とを含むように形成されることが好ましい。保護用ペースト９ａは１０質量％以上７５質量％以下のアルミニウムの酸化物を含むことが好ましく、その中でも２５質量％以上５０質量％以下のアルミニウムの酸化物を含むことが特に好ましい。保護用ペースト９ａが焼成された保護層９ｂには１質量％以上１５質量％以下のアノーサイト結晶が形成されていることが好ましい。
【００５４】
次に実施の形態２の作用効果について説明する。実施の形態２においても実施の形態１と同様に、シリコンの酸化物とホウ素の酸化物とカルシウムの酸化物とアルミニウムの酸化物とを含む保護用ペースト９ａが焼成されることにより、アノーサイト結晶を含む保護層９ｂが形成される。このためめっきの前処理などに起因する腐食の発生を抑制することができる。
【００５５】
また図１５の工程において、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａの表面とセラミックグリーンシート１ａの表面とが同一平面となるように圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａがセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれた状態でセラミックグリーンシート１ａが焼成されるため、焼成後の基板本体１ｂの最上面はほぼ平坦である。圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａの表面を含む、ほぼ平坦な基板本体１ｂの上面の全面に、保護用ペースト９ａがほぼ均一な厚みを有するように形成されるため、保護用ペースト９ａは基板本体１ｂ上の全体においてほぼ平坦となる。このため図１７の積層基板１３ｂ全体の最上面すなわち保護層９ｂの最上面はほぼ平坦となる。したがって実施の形態１と同様に、積層基板１３ｂ全体の最上面には段差が形成されなくなるため、積層基板１３ｂを用いた高密度な実装を実現することが可能となる。
実施の形態３．
まずこの発明の実施の形態３の第１例における基板の製造方法について、図２０〜図２３を用いて説明する。図２０を参照して、上記の実施の形態と同様に第４の積層用シート５ｄの導体ペーストパターン４に抵抗体ペーストパターン８ａが形成された後、抵抗体ペーストパターン８ａの表面（上面および側面）を覆うように保護用ペースト９ａが、たとえばスクリーン印刷法により形成される。ただしここでは保護用ペースト９ａが第１の保護用ペースト９ａｓ１と第２の保護用ペースト９ａｓ２とを有している。すなわち保護用ペースト９ａを形成する工程が、第１の保護用ペースト９ａｓ１を形成する工程と第２の保護用ペースト９ａｓ２を形成する工程とを有している。
【００５６】
第１の保護用ペースト９ａｓ１は、シリコンの酸化物（ＳｉＯ2）と、ホウ素の酸化物（Ｂ2Ｏ3）と、カルシウムの酸化物（ＣａＯ）とを含んでおり、抵抗体ペーストパターン８ａの表面（上面および側面）を覆うように形成されている。第２の保護用ペースト９ａｓ２は、アルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）を含んでおり、第１の保護用ペースト９ａｓ１の表面（上面および側面）を覆うように形成されている。このため第１の保護用ペースト９ａｓ１は平面視において抵抗体ペーストパターン８ａよりも大きな面積を有するように、かつ第２の保護用ペースト９ａｓ２は平面視において第１の保護用ペースト９ａｓ１よりも大きな面積を有するように、形成される。保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２は、上記の各酸化物の粉末材料にバインダ（エチルセルロースなどの有機樹脂）が加えられることにより形成されている。
【００５７】
第１の保護用ペースト９ａｓ１は厚みが１０μｍ以上２０μｍ以下となるように形成されることが好ましく、１５μｍ（１４μｍ以上１６μｍ以下）となるように形成されることが特に好ましい。第２の保護ペースト９ａｓ２は厚みが３μｍ以上１０μｍ以下となるように形成されることが好ましい。
【００５８】
第１の保護用ペースト９ａｓ１にもアルミニウムの酸化物が含まれてもよいが、アルミニウムの酸化物は含まれなくてもよい。また第１の保護用ペースト９ａｓ１にはシリコン、ホウ素、カルシウム、アルミニウム以外の材料の酸化物が含まれていてもよい。また第２の保護用ペースト９ａｓ２はバインダにアルミニウムの酸化物のみが含まれる構成であってもよいが、アルミニウム以外の材料の酸化物をさらに含む構成であってもよい。
【００５９】
図２１を参照して、実施の形態１と同様に第１、第２、第３の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃが形成される。図２２を参照して、実施の形態１の図８に示す工程と同様に第１〜第４の積層用シート５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄが積層され、加圧圧縮されて一体のセラミックグリーンシート（積層グリーンシート１３ａ）となる。
【００６０】
上記の加圧圧縮により、それまで導体ペーストパターン４上に形成されていた抵抗体ペーストパターン８ａ、および保護用ペースト９ａはセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれてそれぞれ圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａ、圧縮保護用ペースト１２ａとなる。圧縮保護用ペースト１２ａは、第１の保護用ペースト９ａｓ１が圧縮されて（セラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれて）形成される第１の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１と、第２の保護用ペースト９ａｓ２が圧縮されて（セラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれて）形成される第２の圧縮保護用ペースト１２ａｓ２とを有している。ここでは圧縮保護用ペースト１２ａのうち特に第２の圧縮保護用ペースト１２ａｓ２の上側の表面とセラミックグリーンシート１ａの上側の表面とが同一平面となるように、第１および第２の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１，１２ａｓ２がセラミックグリーンシート１ａ（導体ペーストパターン４が圧縮された圧縮導体ペーストパターン１０ａ）内に埋め込まれる。
【００６１】
つまり図２０に示す工程において、第１の保護用ペースト９ａｓ１が抵抗体ペーストパターン８ａの上面および側面を覆うように形成され、第２の保護用ペースト９ａｓ２が第１の保護用ペースト９ａｓ１の上面および側面を覆うように形成される。このためこれらが圧縮された態様の図２２においては、第１の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１が圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａの上面および側面を覆うように形成され、第２の保護用ペースト１２ａｓ２が第１の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１の上面および側面を覆いかつその上面が第４の積層用シート５ｄの上面と同一平面となるように形成される。
【００６２】
図２３を参照して、図９に示す工程と同様に焼成される。このとき第２の圧縮保護用ペースト１２ａｓ２に含まれるアルミニウムの酸化物が、これと接する第１の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１内に拡散したうえで共焼成される。したがって焼成後は第１の圧縮保護用ペースト１２ａｓ１と第２の圧縮保護用ペースト１２ａｓ２とが一体となり保護層１２ｂｓとなる。保護層１２ｂｓは平面視において抵抗体パターン１１ｂよりも大きな面積を有するように形成される。
【００６３】
以上の第１例においては、実施の形態１の第１例と同様に、導体ペーストパターン４があらかじめ加圧されてセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれている。しかし図２４および図２５に示す実施の形態２の第２例を参照して、実施の形態１の第２例と同様に、導体ペーストパターン４があらかじめセラミックグリーンシート１ａ内に埋め込まれるように加圧されることなく、セラミックグリーンシート１ａの主表面を覆うように形成されてもよい。
【００６４】
次に実施の形態３の作用効果について説明する。保護層１２ｂｓは基本的に実施の形態１の保護層１２ｂと同様の構成であるが、実施の形態３では第１の保護用ペースト９ａｓ１の外側にアルミニウムの酸化物を含む第２の保護用ペースト９ａｓ２が形成されるので、実施の形態１に比べてアルミニウムの酸化物が保護用ペースト９ａ全体の比較的外側に配置される。このため実施の形態３の保護層１２ｂｓは実施の形態１の保護層１２ｂに比べて保護層１２ｂｓ全体のより外側（保護層１２ｂｓの上面などの近傍）にアルミニウムの酸化物によるアノーサイト結晶が高い割合で形成される傾向がある。このため実施の形態３は実施の形態１よりもいっそう確実に、保護層１２ｂの表面（上面）を起点とするめっき形成およびそれに起因する腐食（めっき腐食）を抑制でき、その結果として抵抗体パターン１１ｂへのめっき腐食の浸透をより確実に抑制することができる。
【００６５】
さらに実施の形態３においてはアルミニウムの酸化物を含む（他の酸化物を含まないことが多い）第２の保護用ペースト９ａｓ２が、（通常はアルミニウムの酸化物を含まない）第１の保護用ペースト９ａｓ１とは別個に形成される。このため第２の保護用ペースト９ａｓ２の形成される厚みなどを調整することにより、実施の形態１よりも容易にアルミニウムの酸化物の量を調整することができる。したがって形成される保護層１２ｂｓのアノーサイト結晶の割合をより容易に高精度に調整することができる。
【００６６】
なおここでは第１の保護用ペースト９ａｓ１が形成された後に（第１の保護用ペースト９ａｓ１の表面（上面および側面）を覆うように）アルミニウムの酸化物を含む第２の保護用ペースト９ａｓ２が形成されることが好ましいが、これとは逆に第２の保護用ペースト９ａｓ２が形成された後に第１の保護用ペースト９ａｓ１が形成されてもよい。また実施の形態３においても他の実施の形態と同様に最終的に形成される図２３の積層基板１３ｂの最上面が平坦となり、実装の密度を高めることができる。
実施の形態４．
この発明の実施の形態４は、実施の形態２の第１および第２の焼成工程を行なう製造方法に、実施の形態３の第１および第２の保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２を適用したものである。
【００６７】
図２６を参照して、実施の形態２の図１２〜図１５に示す工程と同様の処理（第１の焼成工程）がなされた後、圧縮抵抗体ペーストパターン１１ａが焼成された抵抗体パターン１１ｂの表面を覆うように、かつ平面視における第４の積層用シート５ｄの基板本体１ｂの上面の全面を覆うように、保護用ペースト９ａが形成される。ただしここでは実施の形態３と同様に、保護用ペースト９ａがシリコンの酸化物（ＳｉＯ2）と、ホウ素の酸化物（Ｂ2Ｏ3）と、カルシウムの酸化物（ＣａＯ）とを含む第１の保護用ペースト９ａｓ１と、アルミニウムの酸化物（Ａｌ2Ｏ3）を含む第２の保護用ペースト９ａｓ２とを有している。すなわち保護用ペースト９ａを形成する工程が、第１の保護用ペースト９ａｓ１を形成する工程と第２の保護用ペースト９ａｓ２を形成する工程とを有している。
【００６８】
図２６においては第１の保護用ペースト９ａｓ１の表面（上面および側面）を覆うように第２の保護用ペースト９ａｓ２が形成されている。第１の保護用ペースト９ａｓ１は抵抗体パターン１１ｂの表面（上面）を覆うように、かつ平面視における第４の積層用シート５ｄの基板本体１ｂの上面のほぼ全面を覆うように、保護用ペースト９ａが形成される。また第２の保護用ペースト９ａｓ２は第１の保護用ペースト９ａｓ１の表面（上面および側面）を覆うように、かつ平面視における基板本体１ｂの上面の全面を覆うように形成される。
【００６９】
ただし、第１および第２の保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２の双方が抵抗体パターン１１ｂの表面（上面）を含む基板本体１ｂの上面の全面を覆うように形成されてもよい。いずれにせよ、以上より保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２は抵抗体パターン１１ｂよりも平面視において非常に大きな面積を有し、その結果図２７に示す焼成後の保護層９ｂｓも抵抗体パターン１１ｂよりも平面視において非常に大きな面積を有する。
【００７０】
図２７においては第１および第２の保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２が焼成される（第２の焼成工程）。これにより第２の保護用ペースト９ａｓ２に含まれるアルミニウムの酸化物が、これと接する第１の保護用ペースト９ａｓ１内に拡散したうえで共焼成される。したがって焼成後は第１の保護用ペースト９ａｓ１と第２の保護用ペースト９ａｓ２とが一体となり保護層９ｂｓとなる。なお図２７の焼成工程を行なう前に保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２の全面がほぼ平坦になるように圧縮されてもよい。以上により形成される積層基板１３ｂは、基板本体１ｂと、基板本体１ｂ内に配置される導体パターン１０ｂと、抵抗体パターン１１ｂと、保護層９ｂｓとを備えていると言える。
【００７１】
次に実施の形態４の作用効果について説明する。実施の形態４においても実施の形態２と同様に、ほぼ平坦な基板本体１ｂの上面の沿面に保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２が形成されるため保護用ペースト９ａｓ１，９ａｓ２は基板本体１ｂ上の全体においてほぼ平坦となる。このため図２７の積層基板１３ｂ全体の最上面すなわち保護層９ｂの最上面はほぼ平坦となる。したがって実施の形態１と同様に、積層基板１３ｂ全体の最上面には段差が形成されなくなるため、積層基板１３ｂを用いた高密度な実装を実現することが可能となる。
【００７２】
また実施の形態４も実施の形態３と同様に保護用ペーストが２つの構成９ａｓ１，９ａｓ２を有するため、実施の形態１に比べてアルミニウムの酸化物が保護用ペースト９ａ全体の比較的外側に配置される。そのことにより実施の形態３と同様に一層確実にめっき腐食などを抑制する効果を奏する。さらに実施の形態４も実施の形態３と同様に、保護用ペースト９ａｓ２の厚みなどの調整により、形成される保護層９ｂｓのアノーサイト結晶化率を容易に調整することができる。
【００７３】
以上の各実施の形態１〜４における焼成工程の詳細は、図２８のグラフに示すとおりである。図２８のグラフの横軸は焼成工程における経過時間を示し、縦軸はセラミックグリーンシート１ａまたは基板本体１ｂの加熱温度を示す。図２８に示すように、まず１０分以上１０時間以下の時間をかけて常温から３００℃以上６００℃以下の温度に加熱される。３００℃以上６００℃以下の温度で１０分以上１００時間以下の時間保温される。このとき、特にセラミックグリーンシート１ａおよび保護用ペースト９ａなどの中に含まれるバインダなどの有機物がガス化され蒸発する。次に１０分以上４時間以下の時間をかけてさらに８００℃以上２０００℃以下の時間をかけて昇温される。
【００７４】
次に８００℃以上２０００℃以下の温度が１０時間以下の時間保持され、この間にセラミックグリーンシート１ａが焼成される。その後４０時間以下の時間をかけて常温まで冷却されるか、または焼成温度から常温まで自然冷却される。
【００７５】
なお８００℃以上２０００℃以下に保持する工程は、たとえばセラミックグリーンシート１ａが既に焼成されており保護用ペースト９ａなどのみ焼成する第２の焼成工程（図１７、図２７の工程参照）においては省略されてもよい。
【００７６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
この発明は、装置の電気特性を制御するための抵抗を保護するガラス層を有する基板に、特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００７８】
１ａ  セラミックグリーンシート、１ｂ  基板本体、２  ビアホール、３  ビア、４  導体ペーストパターン、５ａ  第１の積層用シート、５ｂ  第２の積層用シート、５ｃ  第３の積層用シート、５ｄ  第４の積層用シート、８ａ  抵抗体ペーストパターン、９ａ  保護用ペースト、９ａｓ１  第１の保護用ペースト、９ａｓ２  第２の保護用ペースト、９ｂ，１２ｂ，１２ｂｓ  保護層、１０ａ  圧縮導体ペーストパターン、１０ｂ  導体パターン、１１ａ  圧縮抵抗体ペーストパターン、１１ｂ  抵抗体パターン、１２ａ  圧縮保護用ペースト、１２ａｓ１  第１の圧縮保護用ペースト、１２ａｓ２  第２の圧縮保護用ペースト、１３ａ  積層グリーンシート、１３ｂ  積層基板。
【図１】
2014183273.tif 000004
【図２】
2014183273.tif 000005
【図３】
2014183273.tif 000006
【図４】
2014183273.tif 000007
【図５】
2014183273.tif 000008
【図６】
2014183273.tif 000009
【図７】
2014183273.tif 000010
【図８】
2014183273.tif 000011
【図９】
2014183273.tif 000012
【図１０】
2014183273.tif 000013
【図１１】
2014183273.tif 000014
【図１２】
2014183273.tif 000015
【図１３】
2014183273.tif 000016
【図１４】
2014183273.tif 000017
【図１５】
2014183273.tif 000018
【図１６】
2014183273.tif 000019
【図１７】
2014183273.tif 000020
【図１８】
2014183273.tif 000021
【図１９】
2014183273.tif 000022
【図２０】
2014183273.tif 000023
【図２１】
2014183273.tif 000024
【図２２】
2014183273.tif 000025
【図２３】
2014183273.tif 000026
【図２４】
2014183273.tif 000027
【図２５】
2014183273.tif 000028
【図２６】
2014183273.tif 000029
【図２７】
2014183273.tif 000030
【図２８】
2014183273.tif 000031