(57)【要約】【課題】被処理基板の外周部でエッチングバラツキを抑制できるドライエッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置は、下部電極１、上部電極６、反応室４、整流板５、及び一対の遮蔽板１１を備える。上部電極は、下部電極の上面に対向する平板状の下面を有し、下面に複数のエッチングガス供給口を有する。反応室は、下部電極と上部電極とを内部に含み、下部電極の上部電極とは反対側にエッチングガスを排出する排出口とを有する。整流板は、反応室の側壁と下部電極の側壁との間隙の上部に環状に配置され、エッチングガスを通す複数の通気口を有し、被処理基板を囲む。一対の遮蔽板は、間隙内で整流板に対向して配置され、複数の通気口の一部の通気口を通過したエッチングガスを遮り、下部電極の上面に平行な第１の方向において下部電極を介して互いに対向する。【選択図】図１
2014175606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の上面を有し被処理基板が平板状の上面に搭載される下部電極と、
前記下部電極の前記上面に対向する平板状の下面を有し、前記下面に複数のエッチングガス供給口を有する上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極とを内部に含み、前記下部電極の前記上部電極とは反対側に前記エッチングガスを排出する排出口とを有する、反応室と、
前記反応室の側壁と前記下部電極の側壁との間隙の上部に環状に配置され、前記エッチングガスを通す複数の通気口を有し、前記被処理基板を囲む整流板と、
前記間隙内で前記整流板に対向して配置され、前記複数の通気口の一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮り、前記下部電極の前記上面に平行な第１の方向において前記下部電極を介して互いに対向する一対の遮蔽板と、
を備え、
前記遮蔽板は、前記一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮る面積を変更する手段を有し、
前記面積を変更する手段は、
前記遮蔽板の前記下部電極側の一端を前記下部電極の側壁に蝶番により固定し、
前記遮蔽板の前記一端と対向する他端を前記蝶番を支点として前記下部電極の上面に垂直な方向に可動させることにより提供される平行平板型ドライエッチング装置。
【請求項２】
平板状の上面を有し被処理基板が平板状の上面に搭載される下部電極と、
前記下部電極の前記上面に対向する平板状の下面を有し、前記下面に複数のエッチングガス供給口を有する上部電極と、
前記下部電極と前記上部電極とを内部に含み、前記下部電極の前記上部電極とは反対側に前記エッチングガスを排出する排出口とを有する、反応室と、
前記反応室の側壁と前記下部電極の側壁との間隙の上部に環状に配置され、前記エッチングガスを通す複数の通気口を有し、前記被処理基板を囲む整流板と、
前記間隙内で前記整流板に対向して配置され、前記複数の通気口の一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮り、前記下部電極の前記上面に平行な第１の方向において前記下部電極を介して互いに対向する一対の遮蔽板と、
を備えた平行平板型ドライエッチング装置。
【請求項３】
前記遮蔽板は、前記一部の通気口を通過した前記エッチングガスを遮る面積を変更する手段を有する請求項２記載の平行平板型ドライエッチング装置。
【請求項４】
前記面積を変更する手段は、
前記遮蔽板の前記下部電極側の一端を前記下部電極の側壁に蝶番により固定し、
前記遮蔽板の前記一端と対向する他端を前記蝶番を支点として前記下部電極の上面に垂直な方向に可動させることにより提供される請求項３記載の平行平板型ドライエッチング装置。
【請求項５】
前記面積を変更する手段は、
前記遮蔽板を、前記下部電極の前記上面に平行な平面内で前記下部電極の側壁に沿って延伸する複数の円弧状平板により構成し、
前記複数の円弧状平板を、前記下部電極の前記上面に垂直な方向に配列し、
前記複数の円弧状平板のそれぞれを、前記下部電極の側壁に沿って設けられたスライド手段により、前記下部電極の前記上面に平行な平面内で前記下部電極の側壁に沿ってスライドすることにより、提供される請求項３記載の平行平板型ドライエッチング装置。
【請求項６】
前記複数の円弧状平板は、少なくとも第１の平板、第２の平板、及び第３の平板より構成され、前記第２の平板が前記第１の平板に対してスライドした方向と反対側の方向に第３の平板がスライドする請求項５記載の平行平板ドライエッチング装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の平行平板型ドライエッチング装置を用いて前記被処理基板の表面をドライエッチングする工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記被処理基板はストライプ状のマスクパターンを有し、
前記マスクパターンのストライプが延伸する方向が、前記平行平板型ドライエッチング装置内の前記第１の方向と直交するように、前記被処理基板を前記下部電極の前記上面に搭載して、前記平行平板型ドライエッチング装置により前記被処理基板の前記表面をエッチングする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
平行平板型のドライエッチング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の中に、被処理基板の表面にパターンを形成するためのドライエッチング工程がある。ドライエッチング工程では、ドライエッチング処理装置内で、プラズマ状態のエッチングガスを被処理基板の表面に供給することによって、被処理基板のエッチングが行われる。被処理基板の平面内でエッチングが均一に行われるようにするために、エッチングガスが被処理基板の表面から基板外周に向かって放射状に均一に供給されるように、被処理基板の周囲の構造が構成される。しかしながら、微細化が進むと、複数のストライプからなるマスクパターンを有する被処理基板の表面をエッチングした場合、マスクパターンのストライプが延伸する方向に直交する方向では、被処理基板の外周部において、エッチング後の被処理膜のストライプ幅が広い部分と狭い部分が交互に発生する。これは、多層配線層等の配線抵抗の平面内バラツキを生じさせる。被処理基板の外周部でエッチングバラツキを抑制できるドライエッチング装置が望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１８８３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
被処理基板の外周部でエッチングバラツキを抑制できるドライエッチング装置及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置は、下部電極と、上部電極と、反応室と、整流板と、一対の遮蔽板と、を備える。下部電極は、平板状の上面を有し、被処理基板が上面に搭載される。上部電極は、下部電極の上面に対向する平板状の下面を有し、下面に複数のエッチングガス供給口を有する。反応室は、下部電極と上部電極とを内部に含み、下部電極の上部電極とは反対側にエッチングガスを排出する排出口とを有する。整流板は、反応室の側壁と下部電極の側壁との間隙の上部に環状に配置され、エッチングガスを通す複数の通気口を有し、被処理基板を囲む。一対の遮蔽板は、間隙内で整流板に対向して配置され、複数の通気口の一部の通気口を通過したエッチングガスを遮り、下部電極の上面に平行な第１の方向において下部電極を介して互いに対向する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の要部模式断面図。
【図２】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の反応室内の要部模式平面図。
【図３】図２において、整流板を取り除いた平面図。
【図４】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置において、遮蔽板の面積を最小にした時の要部模式断面図。
【図５】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置において、遮蔽板の面積を最小にしたときの反応室内の要部模式平面図。
【図６】図５において、整流板を取り除いた平面図。
【図７】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法において、被処理基板が下部電極上に搭載された状態を示す平面図。
【図８】第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置を用いた比較例の半導体装置の製造方法において、被処理基板が下部電極上に搭載された状態を示す平面図。
【図９】第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の要部模式断面図。
【図１０】第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の反応室内の要部模式平面図。
【図１１】図１０において、整流板を取り除いた平面図。
【図１２】図１０において、矢印の方向からみた側面図。
【図１３】第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置において、遮蔽板の面積を最小にした時の反応室内の要部模式平面図。
【図１４】図１３において、整流板を取り除いた平面図。
【図１５】図１３において、矢印の方向からみた側面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。実施形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１〜図８を用いて、本発明の第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置について説明する。図１及び図４は、第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の要部模式断面図である。図２及び図５は、本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の反応室内の要部模式平面図である。図３及び図６は、それぞれ、図２及び図５において、整流板５を取り除いたときの模式平面図である。
【０００９】
図１に示したように、本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置は、下部電極１と、上部電極６と、反応室４と、整流板５と、遮蔽板１１と、を備える。下部電極１は、平面状の上面を有する。上面には、被処理基板２が搭載される。被処理基板２は、表面に被処理膜を有する。被処理膜上には、マスクパターンが設けられる。本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置を用いて被処理膜をドライエッチングすることにより、マスクパターンが被処理膜に転写される。
【００１０】
環状のフォーカスリング３が、被処理基板２の周囲を取り囲むように、下部電極１上に設けられる。フォーカスリング３の上面が、被処理基板の表面と略同一面上に配置されるようにフォーカスリング３が加工されていることが望ましい。フォーカスリング３は、被処理基板１と同じ材料により構成されることが望ましいが、必ずしもこれに限定されない。フォーカスリング３は、被処理基板２と類似した材料、または、被処理膜と同一若しくは類似の材料とすることができる。例えば、被処理基板２がシリコン（Ｓｉ）の場合は、フォーカスリング３は、シリコンまたは炭化シリコン（ＳｉＣ）により構成されることが可能である。フォーカスリング３は、被処理基板２の表面がプラズマ化したエッチングガスにより均一にエッチングされるために設けられる。また、フォーカスリング３は、被処理基板２の面内温度分布を均一に保持するため、または、下部電極との位置合わせを可能にするために、設けられる。
【００１１】
上部電極６は、下部電極１の上面に平行で対向する平板状の下面を有する。上部電極６の下面には、複数のエッチングガス供給口６ｂが設けられている。上部電極６は、エッチングガスが上部電極６内に導入されるためのエッチングガス導入管６ａを有する。エッチングガスは、エッチングガス導入管６ａから上部電極６内に導入され、エッチングガス供給口６ｂから、下部電極１上に搭載された被処理基板２の表面に供給される。
【００１２】
ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法のドライエッチング装置の場合は、上部電極６は接地され、下部電極１はコンデンサ９を介して高周波電源８に接続される。ＲＩＥ法のドライエッチング装置では、コンデンサ９により下部電極に電子が蓄積されるので、下部電極１の電位が降下する。これにより、上部電極６と下部電極１との間でプラズマ化したエッチングガス中の正イオンが、被処理基板２に略垂直に入射する。このため、エッチングは物理的及び化学的であり、異方性エッチングとなる。
【００１３】
これに対してＣＤＥ（Chemical Dry Etching)法の場合は、上部電極６に高周波電源が接続される。ＣＤＥ法のドライエッチング装置では、下部電極の電位降下が起こらないので、エッチングガス中の正イオンが略垂直に被処理基板の表面に入射しない。このため、物理的なエッチングよりも化学的なエッチングが支配的になるため、エッチングは、等方性エッチングとなる。
【００１４】
本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置は、ＲＩＥ法のドライエッチング装置を例に説明されるが、ＣＤＥ法のドライエッチング装置に対しても適用可能である。
【００１５】
反応室４は、下部電極１及び上部電極６を内部に包含する。反応室は、底部に、すなわち、下部電極１の上部電極６とは反対側に、エッチングガスを排出するための排気口７を有する。上部電極６のエッチングガス供給口６ｂから被処理基板２に向かって供給されたエッチングガスは、被処理基板２の表面上を被処理基板２の中心から外周に向かって放射状に流れ、反応室４の側壁と下部電極１との環状の間隙を通り抜けて、排気口７から反応室４の外に排出される。
【００１６】
整流板５は、下部電極１と反応室４との間隙上に配置され、下部電極１の上面に平行な円環状の平板であり、下部電極１の上面と平行な平面内で、被処理基板２及びフォーカスリング３を取り囲む。図２に示したように、整流板５は、整流板５を貫通する複数の通気口１２を有する。複数の通気口５は、整流板５の円周方向に沿って配列される。被処理基板２の表面上を放射上に流れてきたエッチングガスは、整流板５の通気口を通って、下部電極１と反応室４の側壁との間隙に流れ込む。後述の遮蔽板１１が無い状態で、エッチングガスが被処理基板１の表面上を放射上に均一に流れるように、複数の通気口１２が整流板５に形成される。
【００１７】
遮蔽板１１は、下部電極１と反応室４の側壁との間隙内に、整流板５に対向して設けられる。遮蔽板１１は、図３に示したように、下部電極１の上面と平行な平板であって円環状の平板の一部の形状を有する平板（以下、円弧状平板）である。遮蔽板１１は、下部電極１の上面と平行な平面において、下部電極１の側壁に沿って延伸する。遮蔽板１１は、整流板５の複数の通気口１２のうちの一部に対向するように設けられ、この一部の通気口を通り抜けたエッチングガスの流れを遮る。このため、被処理基板２の表面の中心から遮蔽板１１が対向する通気口１２へ向かうエッチングガスの流れが減少し、被処理基板２の表面から遮蔽板１１が対向していない通気口１２へのエッチングガスの流れが増加する。
【００１８】
もう一つの同じ遮蔽板１１が、下部電極１を介して対向するように、下部電極１と反応室４の側壁との間隙に配置される。すなわち、一対の遮蔽板１１が、下部電極１の上面に平行な第１の方向において、下部電極１を挟むように、下部電極１と反応室４の側壁との間隙に設けられる。これにより、被処理基板２の表面の第１の方向の線上では、被処理基板２の中心から被処理基板の外側に向かうエッチングガスの流れが減少する。これに対して、被処理基板２の表面の第１の方向と直交する第２の方向の線上では、被処理基板２の中心から被処理基板の外側に向かうエッチングガスの流れが増加する。
【００１９】
遮蔽板１１は、下部電極１側の一端で蝶番１０により下部電極１の側壁に支持される。遮蔽板１１は、下部電極１とは反対側の他端を上下することにより、蝶番１０を支点にして下部電極１の上面に垂直な方向に可動することができる。この遮蔽板１１の可動により、遮蔽板１１が、整流板５の通気口から流れてくるエッチングガスを遮る面積を変更することができる。すなわち、遮蔽板１１の整流板５に投影した射影の面積を変更することができる。遮蔽板１１は、エッチングガスの流れを遮る面積を変更する手段を上記のように有する。図１〜図３に示した上記の遮蔽板１１の状態は、遮蔽板がエッチングガスの流れを遮る面積が最大の状態である。このとき、反応室内において前述の第１の方向におけるエッチングガスの流れが減少する。
【００２０】
これに対して、図４〜図６は、整流板５の通気口から流れてくるエッチングガスの流れを遮る遮蔽板１１の面積が最小の場合の遮蔽板１１の状態を示す。図４及び図６に示したように、このとき、遮蔽板１１は、下部電極１の上面に垂直な方向（または側面に平行な方向）に平行になるように折りたたまれる。また、図５に示したように、整流板５の全ての通気口１２が遮蔽板１１と対向しない。このとき、エッチングガスは、被処理基板２の表面上を被処理基板２の中心から外周に向かって略均一に放射状に流れる。
【００２１】
次に、本実施形態に係る上記平行平板型ドライエッチング装置を用いて、半導体装置の製造工程の一部である、ドライエッチングの工程を実施する半導体装置の製造方法について、図７及び図８を用いて説明する。上記本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置は、遮蔽板１１のエッチングガスの流れを遮る面積が最大の状態で使用される。遮蔽板１１は、整流板５に対して略平行になっている。この場合、前述のように、被処理基板２の表面上のエッチングガスの流れは、整流板１１が配置された第１の方向ではほとんど無く、第１の方向に垂直な第２の方向で支配的になっている。図７及び図８は、エッチングガスの流れる反応室内の第２の方向と、下部電極１上に搭載された被処理基板２の表面に形成されたストライプ状のマスクパターン１３の延伸する方向との関係を示す。
【００２２】
被処理基板２の表面には、例えば、図７に示したように、ストライプ状のマスクパターン１３が形成されている。半導体装置の多層配線構造を形成する場合に、各細線層を形成する際に、このようなマスクパターンが用いられる。図７に示した矢印は、本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の反応室４内で、被処理基板１の表面を第２の方向に流れるエッチングガスの支配的な流れを簡単に示す。
【００２３】
図７に示したように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、被処理基板２のマスクパターン１３のストライプの延伸方向が、本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置内のエッチングガスが支配的に流れる第２の方向に平行、すなわち、第１の方向に直交するように、被処理基板２を下部電極１上に搭載する。この後、被処理基板２の表面上の被処理膜のドライエッチングが実施されて、マスクパターン１３が被処理膜に転写される。このように被処理基板２を下部電極１上に搭載してドライエッチングを実施することにより、被処理膜のパターンの幅は被処理基板２の表面内で均一となる。
【００２４】
これに対して、図８に示したように、被処理基板２の表面に形成されたマスクパターン１３の延伸する方向が、矢印で示したエッチングガスが支配的に流れる反応室内の第２の方向と直交、すなわち、第１の方向と平行となるように、被処理基板２が下部電極１上に搭載されて、ドライエッチングが実施される場合を考える。この場合は、マスクパターン１３のストライプが延伸する方向では、被処理膜に転写されたマスクパターンの幅が、被処理基板２の中心と外周近傍において、ほぼ均一となる。しかしながら、マスクパターン１３のストライプが延伸する方向と直交する方向では、被処理基板２の外周側に向かうほど、被処理膜に転写されたマスクパターン１３のストライプ幅が、交互に大小を繰り返す。多層配線層の各層で、細線幅にこのようなバラツキがでると、配線間の抵抗値のバラツキが大きくなってしまう。
【００２５】
従って、多層配線構造のように、ストライプ状のパターンを主に形成するドライエッチングの場合は、被処理基板２の表面に形成されたストライプ状のマスクパターン１３の延伸する方向が、平行平板型ドライエッチング装置内の一対の遮蔽板１１が対向している第１の方向に直交するように、被処理基板２を下部電極１上に搭載することが望ましい。
【００２６】
また、多層配線層の各配線層間の配線を垂直方向に電気的に接続する導電性のビアを形成する場合は、一対の遮蔽板１１を図４〜図６に示したように折りたたんで、遮蔽板１１がエッチングガスの流れを遮る面積を最小にして、ドライエッチングが実施されることが望ましい。被処理基板２の表面が方向性のあるマスクパターン１３を有する場合と違い、方向性のないマスクパターンを有する場合は、エッチングガスが被処理基板２の表面上を均一に放射状に流れる方が、エッチング後の被処理膜のパターンの幅が均一になる。
【００２７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置について、図９〜図１５を用いて説明する。図９は、第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の要部模式断面図である。図１０は、第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置の反応室内の要部模式平面図。図１１は、図１０において、整流板を取り除いた平面図である。図１２は、図１０において、矢印の方向からみた側面図である。図１３は、第２の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置において、遮蔽板の面積を最小にした時の反応室内の要部模式平面図である。図１４は、図１３において、整流板を取り除いた平面図である。図１５は、図１３において、矢印の方向からみた側面図である。なお、第１の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第１の実施形態との相異点について主に説明する。
【００２８】
本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置では、遮蔽板１１の有するエッチングガスを遮る面積を変更する手段が、第１の実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置と相異する。図９、図１１、及び図１２に示したように、本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置では、一対の遮蔽板１１の各々は、３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃにより構成される。３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃは、それぞれ、下部電極１の上面に平行な平面内で下部電極１の側壁に沿って延伸する。３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃは、下部電極１の上面に垂直な方向に３段に配列される。
【００２９】
スライド手段１４が、下部電極１の上面に平行な平面内で下部電極１の側壁に沿って設けられる。スライド手段１４は、例えば、側壁に設けられた溝状のレール１４であり、３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃのそれぞれの円弧状平板の下部電極１の側壁側の一端が、溝状のレール１４に嵌合される。このスライド手段１４により、円弧状平板１１ａ〜１１ｃの各々は、下部電極１の上面に平行な平面内で、それぞれ、独立して下部電極１の側壁に沿ってスライドされることが可能である。
【００３０】
例えば、３枚の円弧状平板のうち中段の第１の円弧状平板１１ａを固定して、上段の第２の円弧状平板１１ｂをスライドさせる。下段の第３の円弧状平板１１ｃを、第２の円弧状平板１１ｂが第１の円弧状平板１１ａに対してスライドした方向と逆の方向にスライドさせる。第２の円弧状平板１１ｂは、第１の円弧状平板１１ａと重なる部分を保持しながらスライドされる。同様に、第３の円弧状平板１１ｃも、第１の円弧状平板１１ａと重なる部分を保持しながらスライドされる。このようにして、第２の円弧状平板１１ｂと第３の円弧状平板１１ｃとを第１の円弧状平板１１ａに対してスライドさせることにより、遮蔽板１１のエッチングガスの流れを遮る面積を変化させることができる。すなわち、遮蔽板１１のエッチングガスの遮る面積を変更する手段は、３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃが、スライド手段によりスライドされることにより提供される。
【００３１】
図１１は、遮蔽板１１の３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃがスライドして、遮蔽板１１のエッチングガスを遮る面積が最大になっている時の下部電極１を含む部分の平面図である。図１０は、その時に、遮蔽板１１が、整流板５の複数の通気口１２のうちの一部に対向して、エッチングガスの流れを遮る状態を示す。図１２は、その時に図１０の矢印の方向からみた３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃの状態を示す。
【００３２】
これに対して、図１４は、３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃが重なって、遮蔽板１１のエッチングガスの流れを遮る面積が最小になっている時の下部電極１を含む部分の平面図である。図１３は、その時に、遮蔽板１１が、整流板５の複数の通気口１２のうちの一部に対向して、エッチングガスの流れを遮る状態を示す。図１０の状態に比べて、遮蔽板１１が整流板５の通気口と対向する面積が大きく減少する。これにより、遮蔽板１１が、整流板５に対向していても、エッチングガスの流れを均一な放射状の流れに近づけることができる。
【００３３】
本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置では、遮蔽板１１は、３枚の円弧状平板１１ａ〜１１ｃにより構成されていたが、実施形態はこれに限定されない。遮蔽板１１は、４枚以上の円弧状平板により構成されていてもよい。円弧状平板が多いほど、遮蔽板１１がエッチングガスを遮る面積を広範囲に変更することが可能となる。
【００３４】
本実施形態に係る平行平板型ドライエッチング装置を用いた半導体装置の製造方法も、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法と同様である。多層配線層を形成する場合のように、ストライプ状のパターンを主に形成するドライエッチングの場合は、被処理基板２の表面に形成されたストライプ状のマスクパターン１３の延伸する方向が、平行平板型ドライエッチング装置内の一対の遮蔽板１１が対向している第１の方向に直交するように、被処理基板２を下部電極１上に搭載することが望ましい。また、多層配線層の各配線層間の配線を垂直方向に電気的に接続する導電性のビアを形成する場合は、一対の遮蔽板１１を図１４及び図１５に示したように、遮蔽板１１のエッチングガスの流れを遮る面積を最小にして、ドライエッチングが実施されることが望ましい。
【００３５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００３６】
１  下部電極
２  比処理基板
３  フォーカスリング
４  反応室
５  整流板
６  上部電極
６ａ  エッチングガス導入管
６ｂ  エッチングガス供給口
７  排気口
８  高周波電源
９  コンデンサ
１０  蝶番
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ  遮蔽板
１２  通気口
１３  マスクパターン
１４  スライド機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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