(57)【要約】【課題】基板裏面に傷をつけたり、基板と基板把持体との接触によりパーティクルが発生したりすることなく、基板搬送に要する時間を短縮した基板処理装置を提供する。【解決手段】基板を移載する基板移載機と、前記基板移載機に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に載置された前記基板を所定の位置に位置決めする先端側位置決め部と根元側位置決め部とを有し、前記根元側位置決め部は、前記基板を前記先端側位置決め部に押圧する方向に伸縮する伸縮部と、前記伸縮部の先端に設けられた把持部と、前記伸縮部の伸縮量を制御する制御部とをさらに有し、前記制御部は前記把持部と前記基板の外縁との間に所定の間隔が形成されるように前記伸縮部の伸縮量を制御する。【選択図】図８
2014175404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を移載する基板移載機と、
前記基板移載機に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、
前記基板載置部に載置された前記基板を所定の位置に位置決めする先端側位置決め部と根元側位置決め部とを有し、
前記根元側位置決め部は、前記基板を前記先端側位置決め部に押圧する方向に伸縮する伸縮部と、
前記伸縮部の先端に設けられた把持部と、
前記伸縮部の伸縮量を制御する制御部とをさらに有し、
前記制御部は前記把持部と前記基板の外縁との間に所定の間隔が形成されるように前記伸縮部の伸縮量を制御する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ（以下、ウエハ又は基板という。）等の基板を処理するための基板処理装置に関し、特に、基板処理装置において基板を搬送する基板移載機で使用される基板載置プレート（ツィーザ）における基板の保持構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板搬送に要する時間を短縮するためには、基板載置プレートの先端と根元部分で基板を挟み込むことにより、基板搬送速度を上げることが行われている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２８３３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成の基板処理装置では、基板を挟み込み把持する際に基板が基板載置プレート上を滑ることにより基板の裏面に傷がついたり、基板と基板把持体との接触によりパーティクルが発生したりするという問題が生じていた。
【０００５】
本発明は、基板裏面に傷をつけたり、基板と基板把持体との接触によりパーティクルが発生したりすることなく、基板搬送に要する時間を短縮した基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を移載する基板移載機と、基板移載機に設けられ、基板を載置する基板載置部と、基板載置部に載置された基板を所定の位置に位置決めする先端側位置決め部と根元側位置決め部とを有し、根元側位置決め部は、基板を先端側位置決め部に押圧する方向に伸縮する伸縮部と、伸縮部の先端に設けられた把持部と、伸縮部の伸縮量を制御する制御部とを更に有し、制御部は把持部と基板の外縁との間に所定の間隔が形成されるように伸縮部の伸縮量を制御する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置によれば、半導体装置の製造品質や半導体装置の特性を向上させると共に、製造スループットを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。
【図３】本発明の実施形態で好適に用いられる基板移載機の側面図である。
【図４】本発明の実施形態で好適に用いられる基板載置プレートの斜視図である。
【図５】本発明の実施形態で好適に用いられる基板載置プレートの平面図、側面図、背面図である。
【図６】本発明の実施形態で好適に用いられる基板載置プレートの部分断面図である。
【図７】本発明の実施形態で好適に用いられる基板載置プレートの断面の模式図である。
【図８】（ａ）本発明の第１実施形態で好適に用いられる基板載置プレート及び根元側位置決め部の上面図である。（ｂ）本発明の第１実施形態で好適に用いられる基板載置プレート及び根元側位置決め部の側面図である。
【図９】本発明の第２実施形態で好適に用いられる基板載置プレート及びその周辺構造の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［基板処理装置の概略］
まず、図１、図２、図３を参照して、本実施形態に係る基板処理装置１０を概略的に説明する。図１は、本発明の１実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。図２は、本発明の１実施形態に係る基板処理装置の処理炉の垂直断面図である。図３は、本発明の実施例に係る基板移載機の側面図である。
図１に示すように、基板処理装置１０の筐体１０１内部の前面側には、カセットステージ１０５が設けられている。カセットステージ１０５は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う。カセットステージ１０５の後方には、カセット搬送機１１５が設けられている。カセット搬送機１１５の後方には、カセット１００を保管するためのカセット棚１０９が設けられる。また、カセットステージ１０５の上方には、カセット１００を保管するための予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方には、クリーンユニット１１８が設けられている。クリーンユニット１１８は、クリーンエアを筐体１０１の内部を流通させる。
【００１０】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下方には、ボートエレベータ１２１が設けられている。ボートエレベータ１２１は、ウエハ２００を搭載したボート２１７を、処理炉２０２の内と外の間で昇降させる。ボート２１７は、ウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持具である。ボートエレベータ１２１には、処理炉２０２の下端を塞ぐための蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持する。
ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には、ウエハ２００を搬送するウエハ移載機１１２が設けられている。図３に示すように、本実施例では、ウエハ移載機１１２には、基板載置プレート４０が垂直方向に複数、それぞれ所定の間隔を空けて取り付けられている。勿論、ウエハ移載機１１２に取り付けられる基板載置プレート４０は、１枚であってもよい。ボートエレベータ１２１の横には、処理炉２０２の下端を気密に閉塞するための炉口シャッタ１１６が設けられている。炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が処理炉２０２の外にあるときに、処理炉２０２の下端を閉塞することができる。
【００１１】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５に搬入される。さらに、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、カセットステージ１０５からカセット棚１０９または予備カセット棚１１０に搬送される。カセット棚１０９には、ウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３がある。ボート２１７に対してウエハ２００が移載されるカセット１００は、カセット搬送機１１５により移載棚１２３に移載される。カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２により、移載棚１２３から降下状態のボート２１７に、ウエハ２００を移載する。
【００１２】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されると、ボートエレベータ１２１により、ボート２１７が処理炉２０２内に挿入され、シールキャップ２１９により、処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内では、ウエハ２００が加熱されると共に、処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に加熱や成膜等の処理がなされる。
ウエハ２００の処理が完了すると、上記した動作の逆の手順により、ウエハ２００は、ウエハ移載機１１２により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００は、カセット搬送機１１５により、移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により、筐体１０１の外部に搬出される。
ボート２１７が降下状態において、炉口シャッタ１１６は、処理炉２０２の下端を気密に閉塞し、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
上記の例では、ウエハ収容容器としてカセットを用いて説明したが、ポッドを用いることもできる。
【００１３】
［処理炉］
図１、図２に示されているように、本実施形態に係る基板処理装置１０は、処理炉２０２を備えており、処理炉２０２は、石英製の反応管２０３を備えている。反応管２０３は、基板（本例ではウエハ２００）を収容し、加熱処理する反応容器である。反応管２０３は、加熱部（本例では抵抗ヒータ）２０７の内側に設けられている。反応管２０３は、その下端開口をシールキャップ２１９により、気密部材（図示せず）を介して気密に閉塞される。
ヒータ２０７、反応管２０３およびシールキャップ２１９により、処理炉２０２が形成されている。また、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により、処理室２０１が形成されている。シールキャップ２１９の上には、基板保持部材（ボート）２１７が立設されている。ボート２１７は、処理炉２０２内に、処理炉２０２の下端開口から挿入される。ボート２１７には、バッチ処理される複数のウエハ２００が、それぞれ水平姿勢で管軸方向（垂直方向）に多段に積載される。ヒータ２０７は、処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を、所定の温度に加熱する。
【００１４】
［ガス供給系］
図２に示すように、処理室２０１へ原料ガスを供給するガス供給系としてのガスノズル２３２が、反応管２０３の側壁に設けられている。ガスノズル２３２の一端は、反応管２０３の下部を水平方向に貫通するように設けられ、図示しない原料ガス供給源から、流量制御手段としてのＭＦＣ(マスフローコントローラ)、及び開閉弁を介し、原料ガスが供給される。ガスノズル２３２に供給された原料ガスは、ガスノズル２３２の他端、又はガスノズル２３２に設けられた複数の孔から、処理室２０１内に導入される。
【００１５】
反応管２０３内の中央部には、複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７はボートエレベータ機構１２１（図１参照）により反応管２０３に出入りできるようになっている。
【００１６】
［排気部］
処理室２０１には、処理室２０１内のガスを排気するガス排気管２３１の一端が接続されている。ガス排気管２３１の他端は、図示しない真空ポンプ（排気装置）にＡＰＣ（Auto  Pressure  Controller）バルブを介して接続されている。処理室２０１内は、真空ポンプによって排気される。
【００１７】
［ボート］
ボート２１７は、複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心に揃えて垂直方向に整列された状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１８】
［基板載置プレート］
次に、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の構造を、図４ないし図７を用いて説明する。図４は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の斜視図である。図５の（ａ）は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は背面図である。図６は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の部分断面図である。図６の（ａ）は、図５（ａ）におけるＡ−Ａ断面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図、（ｄ）はＤ−Ｄ断面図、（ｅ）はＥ−Ｅ断面図、（ｆ）はＦ−Ｆ断面図である。図７は、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０の断面の模式図である。
図７の（ａ）は基板載置プレート４０の先端側を示し、（ｂ）は基板載置プレート４０の根元側を示す。基板載置プレート４０の材質としては、アルミナ、カーボン、ＳｉＣ、石英から１つ又は複数を選択して用いるのが好ましい。
【００１９】
図４、図５に示すように、本発明の実施例に係る基板載置プレート４０は、板状の１枚の板が、根元側から先端側へかけて、板状に延びる２つの腕部４１ａ、４１ｂに分かれており、二股のフォーク形状をしている。基板載置プレート４０の先端側には、ウエハを載置した状態においてウエハの位置ずれを防止する先端側位置ずれ防止部４２ａおよび４２ｂ、ウエハ２００を下方から支持する先端側基板載置部４４ａおよび４４ｂ等がある。
基板載置プレート４０の根元側には、ウエハ移載機１１２の基板載置プレート固定部３２に取り付けるための取付部５２、ウエハ２００を下方から支持する根元側基板載置部４７ａおよび４７ｂ等がある。取付部５２は、取付穴５３を有する。
前記４つの基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂは、同一水平面上に位置しており、該４つの基板載置部が基板載置プレートの上側になるように配置された状態において、該基板載置部の上面の高さは、該４つの基板載置部で囲まれる基板載置プレートの面の高さよりも高く、該基板載置部の全周縁の面の高さよりも高いものである。
上記実施例では、基板載置部を４つとしたが、先端側基板載置部または根元側基板載置部を１つとし、基板載置部の総数を３つとすることも可能である。
【００２０】
図６（ｂ）に示すように、先端側基板載置部４４ａは、周囲の４３ａ、４５ａよりも高い島状に形成されている。また、先端側基板載置部４４ａの上部は平面であり、角部６３，６４は、曲面に加工されている。すなわち、先端側基板載置部４４ａは、基板を載置する基板載置面と、基板載置プレートの面４３ａ、４５ａから前記基板載置面へ立ち上がる立ち上がり面とを有し、該立ち上がり面と前記基板載置面との境界が曲面を形成する。先端側位置ずれ防止部４２ａは、基板載置プレート４０の板面である４３ａより垂直に立ち上がる垂直面、該垂直面に続く先端側への上り傾斜面、該上り傾斜面に続く上部の平面部、該上部の平面部に続く先端側への下り傾斜面を有する。前記上り傾斜面により、ウエハ２００の移動が制限される。
【００２１】
また、図６（ａ）に示すように、根元側基板載置部４７ａは、周囲の４６ａ、４８ａよりも高い島状に形成されている。また、根元側基板載置部４７ａの上部は平面であり、角部６１，６２は、曲面に加工されている。すなわち、根元側基板載置部４７ａは、基板を載置する基板載置面と、基板載置プレートの面４６ａ、４８ａから前記基板載置面へ立ち上がる立ち上がり面とを有し、該立ち上がり面と前記基板載置面との境界が曲面を形成する。
先端側基板載置部４４ｂ、根元側基板載置部４７ｂについても、それぞれ、先端側基板載置部４４ａ、根元側基板載置部４７ａと同様の構造である。
【００２２】
図７に模式的に示すように、先端側位置ずれ防止部４２ａの高さは、先端側基板載置部４４ａや、根元側基板載置部４７ａの高さよりも高くなっている。同様に、先端側位置ずれ防止部４２ｂの高さは、先端側基板載置部４４ｂや、根元側基板載置部４７ｂの高さよりも高くなっている。この高さの差により、先端側位置ずれ防止部４２ａおよび４２ｂが、ウエハ２００の位置ずれを防止する。
【００２３】
また、先端側基板載置部４４ａの周囲は、全周に亘って、４３ａ、４５ａのように、先端側基板載置部４４ａよりも低くなっている。先端側基板載置部４４ｂの周囲も、４４ａと同様である。また、根元側基板載置部４７ａの周囲は、全周に亘って、４６ａ、４８ａのように、根元側基板載置部４７ａよりも低くなっている。根元側基板載置部４７ｂの周囲も、４７ａと同様である。つまり、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂは、全周に亘って、周囲よりも高い島状となっている。基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂの上部は平面となっている。
このように、基板載置部４４ａ、４７ａ等の高さを、その周囲の４３ａ、４８ａ等の高さより高くすることにより、ウエハ２００の裏側周縁部が、基板載置プレート４０に接触しないようにしている。
【００２４】
基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂの高さｄ、すなわち、ウエハ２００を載置したときの、ウエハ２００の裏面と基板載置プレート４０の凹部である４５ａ等との距離ｄは、１〜１．５ｍｍが好ましい。一度に処理するウエハ２００の数を増やすには、ボート２１７に積載するウエハ２００の間隔（ピッチ）を小さくする必要がある。そのためには、基板載置プレート４０の厚さｔを小さくするとともに、距離ｄも小さくするのが好ましい。しかし、距離ｄを小さくしすぎると、ウエハ２００と基板載置プレート４０が接触するので、上述したように、距離ｄは、１〜１．５ｍｍが好ましい。
【００２５】
また、本実施例では、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂの位置は、ウエハ２００を載置したときに、ウエハ２００の端から５ｍｍ以上離れた位置となるようにしている。図７において、ウエハ２００の端と位置ずれ防止部４２ａ、（後述する）ウエハ把持部７０との間には、隙間ｆ（理想としては１ｍｍ）が存在するので、例えばウエハ２００が、基板載置プレート３２の根元側にずれた場合を考慮すると、（ｅ−ｆ）が５ｍｍ以上であることが必要となる。
このように、ウエハ２００の裏側周縁部が、基板載置プレート４０に接触しないようにする理由は、ＣＶＤ法により成膜する際に、ウエハ２００の裏側周縁部に、結晶化されてないＣＶＤ膜が生成されるためである。この結晶化されてないＣＶＤ膜は、脆いため、基板載置プレート４０に接触すると、剥がれて、パーティクルの原因となる。ＩＳＭＩ（International  Sematech  Manufacturing  Initiative）では、ウエハの周縁３ｍｍ以内を支持しないように規定している。
【００２６】
また、図６の部分断面図に示すように、先端側基板載置部４４ａ、４４ｂや、根元側基板載置部４７ａ、４７ｂにおいて、ウエハ接触面と隣接する角部は、すべて曲面となるように加工している。例えば、図６（ａ）において角部６１、６２を、図６（ｂ）において角部６３、６４を、曲面となるように加工している。これにより、ウエハ２００の裏面に傷が付くことを防止できる。
【００２７】
次に、本発明の特徴である根元側位置決め部の第１実施形態について、図８を用いて説明する。
図８は、基板載置プレート４０及びその周辺構造の概略図を示す。図８（ａ）は、基板載置プレート４０及び根元側位置決め部７３（７０、７１、７２含め）の上面図を示し、図８（ｂ）は、基板載置プレート４０及び根元側位置決め部７３（７０、７１、７２含め）の側面図を示す。基板載置プレート４０は、二股の板状部材により形成され、この上面にウエハ２００が載置される。基板載置プレート４０の二股に分かれた先端側には、基板載置プレート４０に載置されたウエハ２００の先端側の位置決めをする一対の先端側位置決め部４２ａ、４２ｂが設けられている。先端側位置決め部４２ａ、４２ｂは、例えば樹脂ブロックからなり、ウエハ２００が基板載置プレート４０上から滑り落ちないように、一定の厚みをもつように構成されている。また、基板載置プレート４０は取付部５２を有し、この取付部５２により基板載置プレート４０は基板載置プレート固定部３２（図３参照）に取り付けられている。
【００２８】
根元側位置決め部７３は、駆動装置としてのエアシリンダ７２と、このエアシリンダ７２により基板載置プレート固定部３２から基板載置プレート４０方向に対し伸縮するシャフト（伸縮部）７１と、このシャフト７１の先端に設けられウエハ２００の端から所定のクリアランスをもった位置で停止され、ウエハ２００が移動してしまった際にも最低限の移動量で済むようにする、ウエハ把持部７０により構成される。
【００２９】
エアシリンダ７２は、ウエハ２００と図示しない隔壁を隔てて設置されている。このため、処理後のウエハ２００からの放熱が隔壁によって遮断され、熱によるエアシリンダ７２の劣化や損傷が防止される。また、エアシリンダ７２には、エア導入排出口及びごみ吸い取り口であるクリーンバキュームライン等の配管が備えられている。この配管は、積み重ねられた上下にあるエアシリンダ７２の配管とは反対側の側面に配置される。つまり、配管が配置された側面が交互となるように、エアシリンダ７２は積み重ねられている。このため、配管や配線等が片側に偏るのを避け、スペースを有効に使用することができる。
【００３０】
ウエハ把持部７０は、例えば樹脂ブロックにより形成される。ウエハ２００は、基板載置プレート４０上の先端側位置決め部４２ａ、４２ｂ及びウエハ把持部７０と各々一定のクリアランス（間隔）をもつ所定の位置に載置される。エアシリンダ７２によりシャフト７１が伸ばされることで、後端根元側からウエハ把持部７０が、基板載置プレート４０上を先端側方向へ動き、ウエハ２００と所定のクリアランスをもった位置で止まるように制御部８０により制御される。なお、制御部８０は、エアシリンダ７２と電気的に接続されている。制御部８０より、把持部７０とウエハ２００の端との間に所定の間隔が形成されるように、シャフト（伸縮部）の伸縮量を制御する信号をエアシリンダ７２に送ることにより、シャフトの伸縮量が制御される。このようにして、ウエハ２００は、ウエハ把持部７０と先端側位置決め部４２ａ、４２ｂと所定の間隔を有した位置で保持される。ウエハ２００が搬送される工程において、ウエハ２００は毎回基板載置プレート４０上の同じ位置に載置され、保持される。また、基板載置プレート４０上でウエハ２００がウエハ把持部７０と先端側位置決め部４２ａ、４２ｂと所定の間隔を有した位置で挟まれるようにされているため、ウエハ把持部７０と先端側位置決め部４２ａ、４２ｂと接触することがない。このため、ウエハを接触把持する場合に接触部が擦れることによるパーティクルの発生を防止することができ、ウエハ搬送によるパーティクルを最小限とすることができる。また、仮にウエハ２００が根元側位置決め部７３側に位置ずれをおこして基板載置プレート４０上に載置された場合には、ウエハ把持部７０の動作によって、所定の位置にウエハ２００が位置決めされるため、ウエハ２００の移動を最小限とすることができ、落下等を防止でき、搬送動作速度を上げることが可能となる。
【００３１】
ウエハ把持部７０は、エアシリンダ７２によるシャフト７１の伸縮によって、退避位置、ウエハ接近位置、これら２つの位置に移動される。退避位置でもウエハ接近位置であっても、ウエハ把持部７０は、ウエハ２００とは、基本的には接触しない位置で移動する。ウエハ把持部７０のウエハ接近位置は、上述したように、ウエハ２００を載置したときに、ウエハ２００の端から５ｍｍ以上離れた位置となるようにしている。
【００３２】
図９に本発明の第２実施形態に係る基板載置プレート及びその周辺構造の概略図を示す。本実施例においては、ウエハ把持部７０の形状をウエハ２００の外縁と同一曲率のグリップ状とした例を示す。更に、ウエハ２００の直径が４５０ｍｍのウエハの場合には、このグリップ状のウエハ把持部７０の両端とウエハの中心とを結ぶ線が形成する角度αを７４°以下とすることにより、ウエハ２００を基板載置プレート４０上の所定の載置範囲内に保持することができる。また、ウエハ２００の直径が３００ｍｍのウエハの場合には、このグリップ状のウエハ把持部７０の両端とウエハの中心とを結ぶ線が形成する角度αを１１２°以下とすることにより、ウエハ２００を基板載置プレート４０上の所定の載置範囲内に保持することができる。これらウエハ把持部７０の両端とウエハの中心とを結ぶ線が形成する角度αは、基板載置プレート４０の幅により決定される。
【００３３】
次に、上述のような基板移載機を用いて基板を移載する例を以下に示す。
カセット１００内に垂直に多段に収納されたウエハ２００の間に基板載置プレートを進入させ、ウエハ２００をウエハ下面側から上面側にすくい上げ、基板載置部４４ａ、４４ｂ、４７ａ、４７ｂにウエハ２００を載置させる。ウエハ２００を基板載置部に載置させた後、基板載置プレートをカセット１００から退出させ、ウエハ２００をカセット１００から取り出す。シャフト７１のウエハ接近位置への伸縮はウエハ２００をすくい上げ、基板載置部にウエハ２００を載置させ、基板載置プレートをカセット１００から退出させる一連の動作と同時に行っても良いし、ウエハ２００をすくい上げ、ウエハ２００を基板載置部に載置させた後、基板載置プレートをカセット１００から退出させる前に一時停止させて行っても良い。カセット１００から取り出されたウエハ２００は降下状態のボート２１７に移載される。ウエハ２００を移載した後、シャフト７１を伸縮しシャフト７１を退避位置へと退避させる。このシャフト７１の退避位置への伸縮はウエハ２００をボート２１７に移載し、次のウエハをカセット１００から取り出すまでの間の任意のタイミングで行われる。ボート２１７からカセット１００へウエハを移載する時も、上述と同様の手順により移載される。
【００３４】
なお、上記実施例では縦型装置の基板移載機を用いて説明したが、枚葉装置の基板移載機にも同様に適用可能である。
また、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。例えば前記実施例ではウエハの径が４５０ｍｍのものを例にして説明したが、２００ｍｍ、３００ｍｍのように径の異なるウエハを処理する基板処理装置に適用できる事は言うまでもない。
【００３５】
また、ウエハ把持部のウエハ側端部の形状は前記実施例や図面に記載の形状に限定されるものではない。例えば、先端側位置決め部の形状と同様に、ウエハ把持部の高さは、先端側基板載置部４４や、根元側基板載置部４７の高さよりも高くなっていても良い。この高さの差により、ウエハ把持部が、ウエハ２００の位置ずれを防止する。さらに、ウエハ把持部のウエハ側端部はウエハに対して垂直に立ち上がり面となっていても良いし、傾斜面となっていても良い。さらに、ウエハ接触面と隣接する角部は、すべて曲面となるように加工すると、ウエハ２００の裏面に傷が付くことを防止できるため、よりパーティクルの発生を抑制できる。
【００３６】
（本発明の効果）
本発明によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。
【００３７】
（ａ）基板の搬送速度を上げても、所定のクリアランス以上の基板の位置ずれを起こすことがないため、パーティクルの発生を低減することができる。
【００３８】
（ｂ）基板搬送に要する時間を短縮できるため、全体としてスループットを向上させることができる。
【００３９】
なお、本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜を形成する成膜処理を行う場合に適用できるほか、プラズマ処理、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理を行う場合にも適用できる。また、本発明は、薄膜形成装置の他、エッチング装置、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、乾燥装置、加熱装置、検査装置等の他の基板処理装置にも適用できる。また、本発明では、縦型の基板処理装置１００に限らず、横型の基板処理装置や、枚葉式の各種基板処理装置であってもよい。
【００４０】
また、本発明は、本実施形態に係る基板処理装置１００のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置や太陽電池製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
【００４１】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００４２】
（付記１）
一態様によれば、基板を移載する基板移載機と、前記基板移載機に設けられ、前記基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部に載置された前記基板を所定の位置に位置決めする先端側位置決め部と根元側位置決め部とを有し、前記根元側位置決め部は、前記基板を前記先端側位置決め部に押圧する方向に伸縮する伸縮部と、前記伸縮部の先端に設けられた把持部と、前記伸縮部の伸縮量を制御する制御部とをさらに有し、前記制御部は前記把持部と前記基板の外縁との間に所定の間隔が形成されるように前記伸縮部の伸縮量を制御する基板処理装置が提供される。
【００４３】
（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、前記把持部は前記基板の外縁と同曲率のグリップ状に形成される。
【００４４】
（付記３）
付記２の基板処理装置であって、好ましくは、前記グリップ状の把持体の両端と前記基板の中心とを結ぶそれぞれの線が形成する角度が７４°以下である。
【００４５】
（付記４）
本発明の他の態様によれば、
基板を移載する基板移載機に設けられた基板載置部に前記基板を載置する工程と、
前記基板載置部に載置された前記基板の位置を前記基板載置部に設けられた先端側位置決め部と根元側位置決め部のそれぞれとの間に所定の間隔が形成される位置に位置決めする工程と、
前記基板を基板保持具に移載する工程と、
前記基板保持具に移載した前記基板を処理室に搬送し、前記基板を処理する工程と、
を有する基板処理方法。
【００４６】
（付記５）
本発明のさらに他の態様によれば、
基板を移載する基板移載機に設けられた基板載置部に前記基板を載置する工程と、
前記基板載置部に載置された前記基板の位置を前記基板載置部に設けられた先端側位置決め部と根元側位置決め部のそれぞれとの間に所定の間隔が形成される位置に位置決めする工程と、
前記基板を基板保持具に移載する工程と、
前記基板保持具に移載した前記基板を処理室に搬送し、前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４７】
１０                基板処理装置
４０                基板載置プレート（ツィーザ）
４２ａ、４２ｂ      先端側位置決め部
７０                ウエハ把持部
７１                シャフト
７２                エアシリンダ
７３                根元側位置決め部
１１２              基板移載機
２００              ウエハ（基板）
２０２              処理炉
２１７              ボート（基板保持具）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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