(57)【要約】【課題】発光装置のクロストーク現象の発生を抑制する。【解決手段】絶縁層４１６と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極４２１ａと、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極４２１ｂと、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する構造物４１９と、前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記第１の下部電極の間に位置する第１の隔壁４１８ａと、前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記第２の下部電極の間に位置する第２の隔壁４１８ｂと、前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニット４２３ａと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層４２４と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニット４２３ｂと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極４２２と、を具備する発光装置である。【選択図】図２
2014175165.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する構造物と、
前記第１の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第１の下部電極の端部を覆う第１の隔壁と、
前記第２の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第２の下部電極の端部を覆う第２の隔壁と、
前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する構造物と、
前記絶縁層に形成され、前記第１の下部電極と前記構造物の間、及び、前記第２の下部電極と前記構造物の間に位置する溝部と、
前記第１の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第１の下部電極の端部を覆う第１の隔壁と、
前記第２の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第２の下部電極の端部を覆う第２の隔壁と、
前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に位置する溝部と、
前記絶縁層上であって、前記溝部内に位置する構造物と、
前記第１の下部電極の端部を覆うように、前記溝部内及び前記絶縁層上に形成された第１の隔壁と、
前記第２の下部電極の端部を覆うように、前記溝部内及び前記絶縁層上に形成された第２の隔壁と、
前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の下部電極と前記第１の発光ユニットとの間、及び前記第２の下部電極と前記第１の発光ユニットとの間の少なくとも一方に形成された光学調整層を有し、
前記構造物は、前記第１の下部電極と同一層によって形成された層と前記光学調整層と同一層によって形成された層の積層体であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記構造物の側面上に位置する前記中間層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、
前記構造物の側面上に位置する前記キャリア注入層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、
前記構造物の側面上に位置する前記ＥＬ層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記構造物の側面と底面で作る角度は６０°〜１１０°であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記構造物は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間を仕切るように配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記構造物は前記第１の下部電極と同一層によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁の上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は着色されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された複数の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記複数の下部電極の相互間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された構造物と、
前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記複数の下部電極それぞれとの間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された隔壁と、
前記複数の下部電極、前記隔壁及び前記構造物の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイの商品化が加速している。屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。
一方、有機ＥＬ素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。
【０００３】
しかし、大きな電流を流すと有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまう。このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数の発光ユニットが積層されたタンデム素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
なお、本明細書において、発光ユニットとは、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体をいう。
【０００５】
例えば、二つの発光ユニットを含むタンデム素子は、発光ユニットが一つである発光素子の半分の密度の電流を流すことによって、同等の発光を得ることができる。また、例えば電極間に一の構成の発光ユニットをｎ個積層する構成とすれば、電流密度を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できる。
【０００６】
隣接してタンデム素子が設けられた発光パネルにおいては、クロストーク現象の発生という課題がある。クロストーク現象とは、複数の副画素間で、発光層と発光層よりも導電性の高い層とを共通して含む場合に、当該導電性の高い層を介して隣接する副画素に電流がリークしてしまう現象である。例えば、第１の発光層を含む第１の発光ユニットと、第２の発光層を含む第２の発光ユニットとの間に、第１及び第２の発光層よりも導電性の高い層である中間層が設けられたタンデム素子では、当該中間層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークして発光してしまう。
なお、キャリア注入層（正孔注入層又は電子注入層）を共通とするシングル素子についても、これと同様にクロストーク現象の発生という課題がある。
【０００７】
タンデム素子では、導電性の高い中間層を介して複数の層を積層しており、構造上導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。また、タンデム素子では、駆動電圧の上昇を抑制するために有機化合物と金属酸化物との混合層や導電性高分子等の導電性の高いキャリア注入層を用いることが多い。また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。
【０００８】
図９（Ａ）は、導電性の高い中間層８６によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図である。白色を呈する光を発するタンデム素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネル（白色パネル）において、第２のタンデム素子のみ駆動させた様子を示す断面図である。
【０００９】
発光パネルは、互いに隣接して配置された第１〜第３のタンデム素子を有している。第１のタンデム素子は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。第２のタンデム素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。第３のタンデム素子は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。
【００１０】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、第１の発光ユニット８５、中間層８６及び第２の発光ユニット８７が順に積層されている。例えば、第１の発光ユニット８５は青色を呈する光を発する発光層を有し、第２の発光ユニット８７は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とすれば、白色を呈する発光を得ることができる。
【００１１】
透光性を有する上部電極を用いる場合、上部電極上に対向ガラス基板８８を配置することができ、反射性を有する電極を下部電極に用いることができる。対向ガラス基板８８は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、青色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、緑色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。
【００１２】
上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して青ライン（第２のタンデム素子）のみを駆動する際に、導電性の高い中間層８６を介して隣接する第１のタンデム素子または第３のタンデム素子に電流がリークし、赤ライン（第１のタンデム素子）または緑ライン（第３のタンデム素子）が発光してクロストーク現象が発生することがある。
【００１３】
図９（Ｂ）は、導電性の高いキャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）８９によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図であり、発光パネル（白色パネル）において青ライン（第２のタンデム素子）のみ駆動させた様子を示す図である。
【００１４】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層８９を含む第１の発光ユニット８５と、中間層８６と、第２の発光ユニット８７と、が順に積層されている。キャリア注入層８９としては例えば有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を用いた導電性の高い層が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２３４８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の一態様は、発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する構造物と、前記第１の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第１の下部電極の端部を覆う第１の隔壁と、前記第２の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第２の下部電極の端部を覆う第２の隔壁と、前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００１８】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する構造物と、前記絶縁層に形成され、前記第１の下部電極と前記構造物の間、及び、前記第２の下部電極と前記構造物の間に位置する溝部と、前記第１の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第１の下部電極の端部を覆う第１の隔壁と、前記第２の下部電極と前記構造物の間に配置され、前記第２の下部電極の端部を覆う第２の隔壁と、前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００１９】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極との間に位置する溝部と、前記絶縁層上であって、前記溝部内に位置する構造物と、前記第１の下部電極の端部を覆うように、前記溝部内及び前記絶縁層上に形成された第１の隔壁と、前記第２の下部電極の端部を覆うように、前記溝部内及び前記絶縁層上に形成された第２の隔壁と、前記第１の下部電極、前記第１の隔壁、前記構造物、前記第２の隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００２０】
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の下部電極と前記第１の発光ユニットとの間、及び前記第２の下部電極と前記第１の発光ユニットとの間の少なくとも一方に形成された光学調整層を有し、前記構造物は、前記第１の下部電極と同一層によって形成された層と前記光学調整層と同一層によって形成された層の積層体であるとよい。
【００２１】
また、上記の本発明の一態様において、前記構造物の側面上に位置する前記中間層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２２】
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、前記構造物の側面上に位置する前記キャリア注入層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２３】
また、上記の本発明の一態様において、ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、前記構造物の側面上に位置する前記ＥＬ層の前記側面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２４】
また、上記の本発明の一態様において、前記構造物の側面と底面で作る角度は６０°〜１１０°であるとよい。
【００２５】
また、上記の本発明の一態様において、前記構造物は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間を仕切るように配置されているとよい。
【００２６】
また、上記の本発明の一態様において、前記構造物は前記第１の下部電極と同一層によって形成されているとよい。
【００２７】
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁の上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有するとよい。
【００２８】
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の隔壁及び前記第２の隔壁は着色されているとよい。
【００２９】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記複数の下部電極の相互間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された構造物と、前記絶縁層上に形成され、前記構造物と前記複数の下部電極それぞれとの間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された隔壁と、前記複数の下部電極、前記隔壁及び前記構造物の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００３０】
なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を画素（または副画素）に備える表示装置を含むものとする。また、発光パネルは、発光素子を備える画素が隣接して設けられる表示パネルを含むものとする。なお、発光モジュールは発光素子を含んで構成され、発光素子は発光層を含む発光ユニットを備える。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一態様を適用することで、クロストーク現象の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図。
【図２】（Ａ）は画素４０２の平面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図、（Ｃ）は副画素間に設けられる構造物４１９の拡大図。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は画素４０２の変形例を示す平面図。
【図４】（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図、（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける副画素４０２Ｂに相当する断面図。
【図５】（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図、（Ｂ）は（Ａ）の画素４６２の変形例を示す断面図。
【図６】（Ａ）は実施例の表示パネルに含まれる画素５６２の模式図、（Ｂ）は比較例の表示パネルに含まれる画素６６２の模式図。
【図７】（Ａ）は実施例の発光パネルの副画素５６２Ｂ及び副画素５６２Ｇ間における断面写真、（Ｂ）及び（Ｃ）は構造物５４９の側面の領域を拡大した断面写真、（Ｄ）は比較例の発光パネルの副画素６６２Ｂ及び副画素６６２Ｇ間における断面写真。
【図８】発光パネルのＮＴＳＣ比の輝度依存性を測定した測定結果を示す図。
【図９】（Ａ）は導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図、（Ｂ）は導電性の高いキャリア注入層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】
（実施の形態１）
＜表示パネルの構成＞
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図である。
【００３５】
本実施の形態で例示して説明する表示パネル４００は、第１の基板４１０上に表示部４０１を有し、表示部４０１には画素４０２が複数設けられている。また、画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている（図１（Ａ）参照）。また、第１の基板４１０上には表示部４０１と共に当該表示部４０１を駆動するソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇが設けられている。なお、駆動回路部を第１の基板４１０上ではなく外部に形成することもできる。
【００３６】
表示パネル４００は外部入力端子を備え、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。
【００３７】
シール材４０５は、第１の基板４１０と第２の基板４４０を貼り合わせ、その間に形成された空間４３１に表示部４０１が封止されている（図１（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００３８】
表示パネル４００の断面を含む構造を図１（Ｂ）参照して説明する。表示パネル４００は、ソース側の駆動回路部４０３ｓと、画素４０２に含まれる副画素４０２Ｇと、引き回し配線４０８を備える。なお、本実施の形態で例示する表示パネル４００の表示部４０１は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。
【００３９】
ソース側の駆動回路部４０３ｓはｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。
【００４０】
引き回し配線４０８は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部４０３ｓおよびゲート側の駆動回路部４０３ｇに伝送する。
【００４１】
副画素４０２Ｇは、スイッチング用のトランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２と第２の発光素子４２０ｂとカラーフィルタ４４１Ｇを有する。また、副画素４０２Ｇと、隣接する副画素との間には、構造物４１９が設けられている。トランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６が形成されている。
【００４２】
第２の発光素子４２０ｂは、第２の下部電極４２１ｂと上部電極４２２と、これらに挟持された発光性の有機化合物を含む層（以下「ＥＬ層」ともいう。）４２３とを有する。また、第２の下部電極４２１ｂの端部は、第２の隔壁４１８ｂによって覆われている。第２の発光素子４２０ｂにおいて光射出側に設ける電極には、ＥＬ層４２３からの発光に対して透光性を有する電極を用い、光射出側とは反対に設ける電極には、該発光に対して反射性を有する材料を用いる。また、光射出側にカラーフィルタ４４１Ｇが設けられている。本実施の形態で例示する第２の発光素子４２０ｂでは、第２の下部電極４２１ｂが反射性を有し、上部電極４２２が透光性を有する構成とする。なお、表示部４０１が画像を表示する方向は、第２の発光素子４２０ｂが発する光が取り出される方向により決定される。
【００４３】
また、カラーフィルタ４４１Ｇを囲むように遮光性の膜４４２が形成されている。遮光性の膜４４２は表示パネル４００が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部４０１が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタ４４１Ｇと遮光性の膜４４２は、第２の基板４４０に形成されている。
【００４４】
絶縁層４１６は、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃは発光素子の下部電極の端部を覆い、下部電極間でパターニングされ、下部電極の縁に形成され、開口部を有する絶縁性の層である。第２の隔壁４１８ｂは第２の下部電極４２１ｂの端部を覆っている。第１の隔壁４１８ａ及び第３の隔壁４１８ｃはそれぞれ、副画素４２０Ｇと隣接する副画素に含まれる発光素子の下部電極の端部を覆っている。また、第２の発光素子４２０ｂは第２の隔壁４１８ｂの開口部に形成される。
【００４５】
構造物４１９は、第２の隔壁４１８ｂと第１の隔壁４１８ａの間、及び第２の隔壁４１８ｂと第３の隔壁４１８ｃの間に設けられ、遮光性の膜４４２に重なる位置に配置されている。構造物４１９の側面及び上面はＥＬ層４２３と接している。構造物４１９の詳細な説明については後述する。
【００４６】
＜トランジスタの構成＞
図１（Ａ）に例示する表示パネル４００には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。ソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇ並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体を挙げることができ、ＩｎとＺｎを含む酸化物半導体が好ましい。また、これらの酸化物半導体が、ガリウム（Ｇａ）またはスズ（Ｓｎ）から選ばれた一種または複数を含むと、特に好ましい。
【００４７】
トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
【００４８】
半導体層を構成する単結晶半導体としては、単結晶シリコン基板などの半導体基板の他、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。
【００４９】
＜封止構造＞
本実施の形態で例示する表示パネル４００は、第１の基板４１０、第２の基板４４０、およびシール材４０５で囲まれた空間４３１に、発光素子を封止する構造を備える（図１参照）。
【００５０】
空間４３１は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を空間４３１に導入しても良い。
【００５１】
シール材４０５および第２の基板４４０は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。
【００５２】
第２の基板４４０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。
【００５３】
次に、画素の構成の具体例について画素の構成１〜５に分けて説明する。
＜画素の構成１＞
表示部４０１に設けられた画素４０２の構成について、図２を参照して説明する。図２（Ａ）は画素４０２の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図である。また、図２（Ｃ）は、副画素間に設けられる構造物４１９の拡大図である。なお、図２（Ａ）の平面図においては、画素４０２の構成要素の一部（例えば、カラーフィルタ４４１Ｂ〜４４１Ｒなど）を図面の煩雑を避けるために、省略してある。
【００５４】
本実施の形態で例示する画素４０２は青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒを有する（図２（Ａ）参照）。副画素４０２Ｂは、駆動用トランジスタと第１の発光素子４２０ａとカラーフィルタ４４１Ｂを備える。副画素４０２Ｇは、駆動用トランジスタと第２の発光素子４２０ｂとカラーフィルタ４４１Ｇを備える。副画素４０２Ｒは、駆動用トランジスタと第３の発光素子４２０ｃとカラーフィルタ４４１Ｒを備える。第１の発光素子４２０ａは、第１の下部電極４２１ａと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。第２の発光素子４２０ｂは、第２の下部電極４２１ｂと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。第３の発光素子４２０ｃは、第３の下部電極４２１ｃと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。また、第１の下部電極４２１ａの端部は第１の隔壁４１８ａに覆われ、第２の下部電極４２１ｂの端部は第２の隔壁４１８ｂに覆われ、第３の下部電極４２１ｃの端部は第３の隔壁４１８ｃに覆われている。
【００５５】
ＥＬ層４２３は、発光物質を含む発光層と、発光層よりも導電性の高い層とを、少なくとも含む積層膜である。発光層よりも導電性の高い層としては、例えば、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）または、中間層が挙げられる。本実施の形態において、ＥＬ層４２３は、少なくとも、第１の発光ユニット４２３ａと、第２の発光ユニット４２３ｂと、第１の発光ユニット４２３ａと第２の発光ユニット４２３ｂの間に設けられた中間層４２４と、を含む（図２（Ｂ）参照）。中間層４２４の導電性は、第１及び第２の発光ユニット４２３ａ，４２３ｂより高い。
【００５６】
なお、発光ユニットは、発光物質を含む発光層を少なくとも１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
【００５７】
副画素４０２Ｂは、第１の発光素子４２０ａと重なるように上部電極４２２の側に、青色の光Ｂを取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｂを含む（図２（Ｂ）参照）。同様に、副画素４０２Ｇは、第２の発光素子４２０ｂと重なるように緑色の光Ｇを取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｇを含む。また、副画素４０２Ｒは、第３の発光素子４２０ｃと重なるように赤色の光Ｒを取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｒを含む。各副画素に含まれる第１〜第３の発光素子４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃの構成は、副画素間で共通している。第１〜第３の発光素子４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃとして、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する発光素子を用いることで、フルカラー表示が可能な表示パネルとすることができる。
【００５８】
≪構造物４１９≫
絶縁層４１６上に形成された構造物４１９は、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃの相互間に位置し、且つ第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃそれぞれを囲むように配置されている。即ち、構造物４１９は格子状に設けられている。別言すれば、構造物４１９は画素４０２の周囲及び副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの周囲に形成されている（図２（Ａ）参照）。
【００５９】
絶縁層４１６上に形成された第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃは、構造物４１９と第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃそれぞれとの間に位置し、且つ第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃの端部をそれぞれ囲むように配置されている。別言すれば、第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃは副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの周囲に形成されている（図２（Ａ）参照）。隔壁４１８の材料としては、ポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる。
【００６０】
構造物４１９の側面のテーパ角θ（即ち構造物４１９の側面と底面で作る角度）は６０°〜１１０°であることが好ましい（図２（Ｃ）参照）。構造物４１９は、絶縁材料でもよいし、導電性を有する材料でもよいが、テーパ角θを大きくすることができるため、無機材料、または金属材料を用いることが好ましい。
【００６１】
本画素の構成１において、構造物４１９は第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃと同一層によって形成されている。ここでいう「同一層によって形成され」とは、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃと同じ工程で形成されることを意味する。このようにすることで、フォトリソグラフィ工程のマスク枚数を増やすことなく、構造物４１９を形成することができ、製造工程を簡略化することができる。
【００６２】
また、第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃは第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃそれぞれの端部を覆って形成されている。このため、第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃの構造物４１９側の斜面の高低差は、構造物４１９と反対側の斜面（すなわち、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃ側の斜面）の高低差よりも大きい。よって、第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃの構造物４１９側の斜面は、構造物４１９と反対側の斜面に比べて大きな傾斜を有する（図２（Ｂ）参照）。
【００６３】
なお、本画素の構成１では、図２（Ａ）に示すように構造物４１９を副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの周囲に形成しているが、この構成に限定されるものではなく、例えば図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃそれぞれの相互間にのみ構造物４１９を形成してもよい。別言すれば、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃそれぞれの相互間を仕切るように構造物４１９を配置してもよい。つまり、異色の副画素間に構造物４１９（４５９Ａ，４５９Ｂ）を形成し、同色の副画素間には構造物を形成しない構成を採用してもよい。なお、図３（Ａ）に示す構成は、一つの副画素に対応して、一つの構造物４５９Ａを配置した例である。また、図３（Ｂ）は、異色の副画素間にストライプ状に構造物４５９Ｂを配置した例である。
【００６４】
第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃ、第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃ及び構造物４１９の上には第１の発光ユニット４２３ａが成膜されており、第１の発光ユニット４２３ａ上には中間層４２４が成膜されている。中間層４２４上には第２の発光ユニット４２３ｂが成膜されており、第２の発光ユニット４２３ｂ上には上部電極４２２が成膜されている。なお、上部電極４２２は、スパッタリング法によって成膜されてもよいし、蒸着法または基板表面に対して斜め方向からの蒸着法によって成膜されてもよい。
【００６５】
構造物４１９の側面は、構造物４１９の上面と比較してＥＬ層４２３が成膜されにくいため、構造物４１９の側面のＥＬ層４２３には局所的に膜厚の薄い領域４２３ｃが形成される（図２（Ｃ）参照）。当該領域４２３ｃでは、ＥＬ層４２３に含まれる導電性の高い層（例えば、中間層４２４）の厚さも薄くなることで当該導電性の高い層の抵抗が高くなる。これにより、隣接する副画素へ電流が流れにくくなるため、クロストークを抑制することができる。
【００６６】
ＥＬ層４２３は、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての厚さに比べて、構造物４１９の側面に垂直な方向についての厚さが薄くなる。このため、ＥＬ層４２３に含まれる導電性の高い層（例えばキャリア注入層４２３ａ１等）の厚さについても同様に、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての厚さに比べて、構造物４１９の側面に垂直な方向についての厚さが薄くなる（図２（Ｃ）参照）。これにより、構造物４１９の側面に重なる部分の導電性の高い層は電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、導電性の高い層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００６７】
また、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての中間層の厚さに比べて、構造物４１９の側面に垂直な方向についての中間層４２４の厚さが薄くなる。これにより、構造物４１９の側面に重なる部分の中間層４２４は電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、中間層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００６８】
なお、構造物４１９の側面上に位置する中間層４２４を含むＥＬ層４２３及び上部電極４２２それぞれは、一部切断されていてもよいが、上部電極４２２は切断（断線）されないことが好ましい。上部電極４２２を断線させないと、隣接する画素において、上部電極４２２の電位が等しくなり、上部電極４２２が面状に等電位、好ましくは上部電極４２２の全体が等電位となり、電圧降下を抑制できる等の効果がある。
【００６９】
第１の隔壁４１８ａの構造物４１９側の斜面及び第２の隔壁４１８ｂの構造物４１９側の斜面は、第１及び第２の下部電極４２１ａ，４２１ｂによって高低差が大きくなるため、ＥＬ層４２３が成膜されにくい。その結果、当該斜面上に位置するＥＬ層４２３には局所的に膜厚の薄い領域が形成される（図２（Ｂ）参照）。
【００７０】
ＥＬ層４２３は、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての厚さに比べて、第１の隔壁４１８ａの構造物４１９側の斜面及び第２の隔壁４１８ｂの構造物４１９側の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さが薄くなる。このため、ＥＬ層４２３に含まれる導電性の高い層（例えばキャリア注入層等）の厚さについても同様に、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての厚さに比べて、当該斜面に垂直な方向についての厚さが薄くなる（図２（Ｂ）参照）。これにより、当該斜面に重なる部分の導電性の高い層は電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、導電性の高い層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００７１】
また、第２の下部電極４２１ｂに垂直な方向についての中間層の厚さに比べて、第１の隔壁４１８ａの構造物４１９側の斜面及び第２の隔壁４１８ｂの構造物４１９側の斜面それぞれに垂直な方向についての中間層４２４の厚さが薄くなる。これにより、当該斜面に重なる部分の中間層４２４は電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、中間層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００７２】
また、第１の隔壁４１８ａの構造物４１９側の斜面及び第２の隔壁４１８ｂの構造物４１９側の斜面それぞれの上に位置する中間層４２４を含むＥＬ層４２３及び上部電極４２２それぞれは、一部切断されていてもよいが、上部電極４２２は断線しないことが好ましい。上部電極４２２を断線させないと、隣接する画素において、上部電極４２２の電位が等しくなり、上部電極４２２が面状に等電位、好ましくは上部電極４２２の全体が等電位となり、電圧降下を抑制できる等の効果がある。
【００７３】
また、構造物４１９を設けることにより、一方の副画素から他方の副画素に流れる電流の経路が長くなる。つまり、構造物４１９上の中間層４２４の長さが構造物４１９のない場合に比べて長くなる。このため、構造物４１９上の中間層４２４の電気抵抗を高くすることができる。これにより、中間層に流れる電流が抑制され、画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制できる。
つまり、隔壁の高さを高くすることなく、中間層４２４を流れる電流の経路を長くすることで、電気的なクロストークを防止できる。
【００７４】
また、カラーフィルタ４４１Ｇを隔壁４１８上に位置する上部電極４２２に近接または接するように配置することにより、カラーフィルタ４４１Ｇを第２の発光素子４２０ｂに近接して設けることができる。このため、副画素に対して斜め方向から観察した時に生じる光学的なクロストーク（光漏れともいうことができる）を防止できる。
【００７５】
詳細には、カラーフィルタ４４１Ｇと第２の発光素子４２０ｂの距離が離れていると、発光させる第２の発光素子４２０ｂに隣接するカラーフィルタ４４１Ｂ，４４１Ｒに光が混じる現象が起こり、色純度が低下する。これに対し、第１の下部電極４２１ａの端部を覆う第１の隔壁４１８ａと第２の下部電極４２１ｂの端部を覆う第２の隔壁４１８ｂとの間に構造物４１９を形成することで、構造物４１９を形成しない場合に比べて、第１及び第２の隔壁４１８ａ，４１８ｂの高さを低くすることができる。このため、高さを低くした第１及び第２の隔壁４１８ａ，４１８ｂ上に位置する上部電極４２２に近接または接するカラーフィルタ４４１Ｇを、第２の発光素子４２０ｂに重ねて設けると、カラーフィルタ４４１Ｇと第２の発光素子４２０ｂの間の距離を、構造物４１９を形成しない場合に比べて縮めることができ、パネルの色純度を向上させることができる。
【００７６】
また、第１の隔壁４１８ａと第２の隔壁４１８ｂの間に構造物４１９を形成すると、導波光が直進できなくなるため、一方の画素の光が第１及び第２の隔壁４１８ａ，４１８ｂを通過して隣接する画素に到達することが困難になる。その結果、光学的なクロストークの発生を抑制できる。
【００７７】
また、構造物４１９を設け、且つ隔壁４１８に可視光を吸収する材料を適用して隔壁４１８を着色されたものとすることで、隔壁内に入り込んだ発光素子の導波光を吸収することができる。従って、隣接する発光素子の一方から他方へ光が漏れる現象を抑制する効果を奏する。
【００７８】
また、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃを含む下部電極として半透過・半反射膜を第１の基板４１０側に設けて、第１〜第３の発光素子４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃが発する光を第１の基板４１０側に取り出すことにより、画像を第１の基板４１０側に表示してもよい。
【００７９】
＜画素の構成２＞
表示部に設けられた画素４５２の構成について、図４（Ａ）を参照して説明する。図４（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図である。図４（Ａ）に示された画素４５２、副画素４５２Ｂ，４５２Ｇ，４５２Ｒは、それぞれ図２（Ａ）に示された画素４０２、副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒに対応する。
なお、図４（Ａ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００８０】
≪構造物４１９≫
第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃ及び構造物４１９それぞれの下層の絶縁層４１６をエッチングすることで、当該絶縁層４１６の構造物４１９と第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃとの間の領域に、溝部４１６ａを形成する。溝部４１６ａを設けることで、ＥＬ層４２３の被成膜面の高低差を図２（Ｂ）に示す場合に比べて大きくすることができる。その結果、ＥＬ層４２３は、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃに垂直な方向についての厚さに比べて、構造物４１９の側面、溝部４１６ａの側面、及び第１〜第３の隔壁４１８ａ，４１８ｂ，４１８ｃの構造物４１９側の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さがより薄くなる（図４（Ａ）参照）。従って、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を効果的に抑制することができる。
【００８１】
絶縁層４１６に溝部４１６ａを形成する方法は、構造物４１９を第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃと同一層によって形成する場合に、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃ及び構造物４１９を形成するフォトリソグラフィ工程において、オーバーエッチングを行うことで形成してもよいし、第１〜第３の下部電極４２１ａ，４２１ｂ，４２１ｃ及び構造物４１９をマスクとして絶縁層４１６をエッチングすることで形成してもよい。この方法によれば、マスクを増加させることなく溝部４１６ａを形成できるため、好ましい。
【００８２】
＜画素の構成３＞
表示部に設けられた画素の構成について、図４（Ｂ）を参照して説明する。図４（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける副画素４０２Ｂに相当する断面図である。図４（Ｂ）では図２（Ｂ）に示すような第２の基板４４０を図示していない。
なお、図４（Ｂ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００８３】
≪構造物４１９≫
図４（Ｂ）に示すように、駆動用トランジスタと、第１の下部電極４２１ａを接続するためのコンタクトホール４１５ａを絶縁層４１６に形成する工程と同時に、第１の下部電極４２１ａと第２の下部電極４２１ｂの間に位置する溝部４１５ｂを絶縁層４１６に形成している。
【００８４】
溝部４１５ｂ内には構造物４１９が形成されている。溝部４１５ｂ内及び絶縁層４１６上には、構造物４１９と第１の下部電極４２１ａの間に位置する第１の隔壁４１８ａと、構造物４１９と第２の下部電極の間に位置する第２の隔壁４１８ｂと、が形成されている。第１の下部電極４２１ａ、第１の隔壁４１８ａ、構造物４１９、第２の隔壁４１８ｂ及び第２の下部電極の上にはＥＬ層４２３が形成されている。ＥＬ層４２３上には上部電極４２２が形成されている。
【００８５】
本画素の構成３によれば、ＥＬ層４２３の被成膜面の高低差を図２（Ｂ）に示す場合に比べて大きくすることができる。その結果、ＥＬ層４２３は、第１の下部電極４２１ａに垂直な方向についての厚さに比べて、構造物４１９の側面、及び第１の隔壁４１８ａの構造物４１９側の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さがより薄くなる（図４（Ｂ）参照）。従って、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を効果的に抑制することができる。
【００８６】
また、本画素の構成３では、コンタクトホール４１５ａを絶縁層４１６に形成する工程と同時に、溝部４１５ｂを形成するため、マスクを増加させることなく溝部４１５ｂを形成できるため、好ましい。
【００８７】
＜画素の構成４＞
表示部に設けられた画素４６２の構成について、図５（Ａ）を参照して説明する。
画素４６２は、図２に示すカラーフィルタに代えて、微小共振器を設けた例である。
なお、図５（Ａ）において上記の画素の構成２と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００８８】
図５（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図である。図５（Ａ）に示された画素４６２、副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒ、構造物４４９は、それぞれ図２（Ａ）に示された画素４０２、副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒ、構造物４１９に対応する。
なお、図５（Ａ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００８９】
図５（Ａ）で例示する画素４６２は青色を呈する光を射出する副画素４６２Ｂ、緑色を呈する光を射出する副画素４６２Ｇ、赤色を呈する光を射出する副画素４６２Ｒを有する。副画素４６２Ｂは、駆動用トランジスタと第１の発光素子４５０Ｂとを備える。副画素４６２Ｇは、駆動用トランジスタと第２の発光素子４５０Ｇとを備える。副画素４６２Ｒは、駆動用トランジスタと第３の発光素子４５０Ｒとを備える。また、それぞれの副画素の間には、第１の構造物４４９ａ及び第２の構造物４４９ｂを含む構造物４４９が設けられている。
【００９０】
副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒに含まれる第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒは、反射膜と半透過・半反射膜とを重ねることで微小共振器を形成し、その間にＥＬ層４２３を設けた構成を有する。図５（Ａ）では、反射膜として反射性を有する第１〜第３の下部電極４５４ａ，４５４ｂ，４５４ｃを設け、半透過・半反射膜として半透過・半反射性を有する上部電極４５６を設ける。このような構成とすることで、半透過・半反射性を有する上部電極４５６から特定の波長の光を効率良く取り出せる。また、取り出す光が強め合うように微小共振器の光学距離を設けると、光を取り出す効率を高められる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、反射膜と半透過・半反射膜の間に光学調整層を形成して調整できる。なお、ＥＬ層４２３及び上部電極４５６は、各副画素間で共通している。
【００９１】
副画素４６２Ｂに含まれる第１の発光素子４５０Ｂは、反射性を有する第１の下部電極４５４ａと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、青色の光（４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第１の下部電極４５４ａと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｂを含む。光学調整層４３１Ｂを設けることで、青色の光を効率良く取り出すことができる。
【００９２】
副画素４６２Ｇに含まれる第２の発光素子４５０Ｇは、反射性を有する第２の下部電極４５４ｂと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、緑色の光（５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第２の下部電極４５４ｂと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｇを含む。光学調整層４３１Ｇを設けることで、緑色の光を効率良く取り出すことができる。
【００９３】
副画素４６２Ｒに含まれる第３の発光素子４５０Ｒは、反射性を有する第３の下部電極４５４ｃと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、赤色の光（６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第３の下部電極４５４ｃと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｒを含む。光学調整層４３１Ｒを設けることで、赤色の光を効率良く取り出すことができる。
【００９４】
このような構成の第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒは、反射膜と半透過・半反射膜の間でＥＬ層４２３が発する光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合う。
【００９５】
光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域の厚さを調整することにより、電荷発生領域が光学調整層を兼ねる構成としてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性の物質を含む領域の厚さを調整することにより、当該混合材料層が光学調整層を兼ねる構成としてもよく、この構成を用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【００９６】
光学調整層の厚さは、発光素子から取り出す光の波長の長さに応じて調整する。
【００９７】
≪構造物４４９≫
図５（Ａ）において副画素間に設けられる構造物４４９は、第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒそれぞれの第１〜第３の下部電極４５４ａ，４５４ｂ，４５４ｃと同じ工程で作製される第１の構造物４４９ａと、第３の発光素子４５０Ｒの光学調整層４３１Ｒと同じ工程で作製される第２の構造物４４９ｂとの積層構造を含む場合を例に示す。但し、本発明の実施の形態はこれに限られず、例えば、第１の構造物４４９ａと、第１の発光素子４５０Ｂの光学調整層４５０Ｂと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよいし、また第１の構造物４４９ａと、第２の発光素子４５０Ｇの光学調整層４５０Ｇと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよい。
【００９８】
＜画素の構成５＞
表示部に設けられた画素４７２の構成について、図５（Ｂ）を参照して説明する。
図５（Ｂ）に示す画素４７２は、図５（Ａ）の画素４６２の変形例であり、第２の基板４４０側にカラーフィルタ４４１Ｂ，４４１Ｇ，４４１Ｒと遮光性の膜４４２を設けた構成である。つまり、画素４７２は、カラーフィルタと微小共振器の双方を設けた例である。
【００９９】
図５（Ｂ）において副画素４７２Ｂは、駆動用トランジスタと、第１の発光素子４５０Ｂと、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｂとを含む。また、副画素４７２Ｇは、駆動用トランジスタと、第２の発光素子４５０Ｇと、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｇとを含む。また、副画素４７２Ｒは、駆動用トランジスタと、第３の発光素子４５０Ｒと、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｒとを含む。
【０１００】
図５（Ａ）に示す構成にさらにカラーフィルタを設けることで、該カラーフィルタが不要な光を吸収するため色純度を高めることができる。
なお、カラーフィルタ以外の構成は、図５（Ａ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【実施例】
【０１０１】
本実施例では、本発明の一態様に係る表示パネル及び比較例の表示パネルを作製し、副画素間に作製された構造物によるクロストークの低減効果を確認した。
【０１０２】
＜本実施例の表示パネル＞
本実施例の表示パネルに含まれる画素５６２の模式図を図６（Ａ）に示す。画素５６２は、青色の光を射出する副画素５６２Ｂ、緑色の光を射出する副画素５６２Ｇ、及び赤色の光を射出する副画素５６２Ｒを含む。副画素５６２Ｂは、カラーフィルタ層５４１Ｂ及び発光素子５５０Ｂを含む。副画素５６２Ｇは、カラーフィルタ層５４１Ｇ及び発光素子５５０Ｇを含む。副画素５６２Ｒは、カラーフィルタ層５４１Ｒ及び発光素子５５０Ｒを含む。
【０１０３】
本実施例の表示パネルの作製方法を以下に示す。なお、本実施例の表示パネルは上記の画素の構成５に相当する。
【０１０４】
まずガラス基板５１０上に、下地絶縁層５１７として、膜厚３００ｎｍの酸化シリコン膜をスパッタリング法で形成した。次いで、後に形成される発光素子の下部電極と電気的に接続するための配線５６０ａ，５６０ｂ，５６０ｃを形成した。配線５６０ａ，５６０ｂ，５６０ｃは、実施の形態における電流制御用のトランジスタのソース電極又はドレイン電極に相当する。
配線５６０ａ，５６０ｂ，５６０ｃは、膜厚１００ｎｍのチタン膜、膜厚９００ｎｍのアルミニウム膜及び膜厚１００ｎｍのチタン膜を積層構造とした。また、配線５６０ａと配線５６０ｂとの間隔、または配線５６０ｂと配線５６０ｃとの間隔は、１２μｍとした。
【０１０５】
次いで、配線５６０ａ，５６０ｂ，５６０ｃ上に絶縁層５１６として膜厚１．４μｍのポリイミド膜を形成した。その後、絶縁層５１６上に、スパッタリング法でランタンを含むアルミニウム−ニッケル合金膜（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）を膜厚２００ｎｍで形成し、さらにスパッタリング法でチタン膜を膜厚６ｎｍで形成した。
【０１０６】
成膜したＡｌ−Ｎｉ−Ｌａ膜及びチタン膜をフォトリソグラフィ工程によって加工して、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃ及び構造物５４９を形成した。構造物５４９は、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃそれぞれの相互間にストライプ状に、副画素間に設けられている。
ここで、第１の下部電極５５４ａと第２の下部電極５５４ｂの間隔、または、第２の下部電極５５４ｂと第３の下部電極５５４ｃとの間隔は、８μｍとした。また、図６（Ａ）の断面図における構造物５４９の幅は２μｍとした。本実施例における構造物５４９のテーパ角は１１０°狙いとした。
【０１０７】
なお、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃ及び構造物５４９を形成する際に、オーバーエッチングを行うことで、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃ及び構造物５４９と重ならない領域の絶縁層５１６をエッチングした。これにより、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃと、構造物５４９との間に溝部を形成した。
【０１０８】
次いで、第２及び第３の下部電極５５４ｂ，５５４ｃ上に、光学調整層を形成した。本実施例においては、第２の下部電極５５４ｂ上に、光学調整層５３１Ｇとして４０ｎｍの酸化シリコンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜を形成した。また、第３の下部電極５５４ｃ上に、光学調整層５３１Ｒとして８０ｎｍのＩＴＳＯ膜を形成した。なお、第１の下部電極５５４ａ上には、光学調整層を形成しなかった。
【０１０９】
次いで、ポリイミド膜を膜厚１．４μｍで形成し、フォトリソグラフィ工程によって加工して、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃの端部を覆う第１〜第３の隔壁層５１８ａ，５１８ｂ，５１８ｃを形成した。本実施例において、第１の下部電極５５４ａ上の第１の隔壁層５１８ａの端部と第２の下部電極５５４ｂ上の第２の隔壁層５１８ｂの端部の間隔（図６（Ａ）のＬ１）は、１１μｍとした。なお、第２の下部電極５５４ｂ上の第２の隔壁層５１８ｂの端部と第３の下部電極５５４ｃ上の第３の隔壁層５１８ｃの端部の間隔についても同様である。また、副画素間における第１の隔壁層５１８ａと第２の隔壁層５１８ｂの最短の間隔（図６（Ａ）のＬ２）は、６μｍとした。第２の隔壁層５１８ｂと第３の隔壁層５１８ｃの最短の間隔についても同様である。
【０１１０】
その後、第１〜第３の隔壁層５１８ａ，５１８ｂ，５１８ｃ、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃ、構造物５４９、及び光学調整層５３１Ｇ，５３１Ｒ上にＥＬ層５２２を膜厚１９５．３ｎｍで形成した。
【０１１１】
ＥＬ層５２２上に上部電極５２３として、膜厚１．１ｎｍのマグネシウム銀合金膜、膜厚１３．９ｎｍの銀膜、及び膜厚７０ｎｍのインジウム錫酸化物膜を形成した。
【０１１２】
以上によって、発光素子５５０Ｂ，５５０Ｇ，５５０Ｒを形成した。
【０１１３】
次いで、対向基板５４０の作製方法を以下に示す。
【０１１４】
対向基板５４０は、ガラス基板上に下地膜５４３として膜厚１００ｎｍの酸化窒化シリコン膜をスパッタリング法で成膜し、下地膜５４３上に、遮光層５４２を形成した。遮光層５４２の材料には、黒色樹脂（カーボンブラック）を含む有機樹脂を用いた。そして、遮光層５４２上に、カラーフィルタ層５４１Ｂ，５４１Ｇ，５４１Ｒを形成した。
【０１１５】
ガラス基板５１０を、対向基板５４０と貼り合わせて本実施例の表示パネルを作製した。
【０１１６】
＜比較例の表示パネル＞
比較例の表示パネルに含まれる画素６６２の模式図を図６（Ｂ）に示す。画素６６２は、青色の光を射出する副画素６６２Ｂ，緑色の光を射出する副画素６６２Ｇ，及び赤色の光を射出する副画素６６２Ｒを含み、副画素間に構造物を有しない点及び下部電極間に溝部を有しない点において本実施例の発光パネルと相違する。その他の構成は、本実施例の発光パネルと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【０１１７】
副画素６６２Ｂは、発光素子６５０Ｂ及びカラーフィルタ層５４１Ｂを含み、副画素６６２Ｇは、発光素子６５０Ｇ及びカラーフィルタ層５４１Ｇを含み、副画素６６２Ｒは、発光素子６５０Ｒ及びカラーフィルタ層５４１Ｒを含む。また、それぞれの発光素子は、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃと上部電極６２３との間に、ＥＬ層６２２を有する。発光素子６５０Ｇでは、第２の下部電極５５４ｂ上に光学調整層５３１Ｇを含み、発光素子６５０Ｒでは、第３の下部電極５５４ｃ上に光学調整層５３１Ｒを含む。
【０１１８】
比較例の表示パネルにおいて、隔壁層６１８は、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃの端部を覆うように形成される。
【０１１９】
作製した本実施例の発光パネルの副画素５６２Ｂ及び副画素５６２Ｇ間における断面写真を図７（Ａ）に示す。また、構造物５４９の側面の領域を拡大した断面写真を図７（Ｂ）及び図７（Ｃ）に示す。また、比較例の発光パネルの副画素６６２Ｂ及び副画素６６２Ｇ間における断面写真を図７（Ｄ）に示す。
【０１２０】
図７（Ｄ）より、比較例の発光パネルにおいては、隔壁層６１８と重ならず、且つ第２の下部電極５５４ｂと重なる領域Ｂ１における上部電極の膜厚は１７９ｎｍであった。また、隔壁層６１８の側面と重なる領域Ｂ２における上部電極の膜厚は１４０ｎｍであった。また、第１の下部電極５５４ａと第２の下部電極５５４ｂの間と重なる領域Ｂ３における上部電極の膜厚は１９４ｎｍであった。すなわち、比較例の発光パネルに含まれる上部電極の膜厚は、第１の下部電極５５４ａと第２の下部電極５５４ｂの全領域において、概略一様であることが確認された。ここから、比較例の発光パネルに含まれるＥＬ層の膜厚も、第１の下部電極５５４ａと第２の下部電極５５４ｂの全領域において、概略一様であることが示唆される。
【０１２１】
一方、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）より、本実施例の発光パネルでは、第２の隔壁層５１８ｂと重ならず、且つ第２の下部電極５５４ｂと重なる領域Ａ１における上部電極の膜厚は１８０ｎｍであるのに対して、第２の隔壁層５１８ｂの側面と重なる領域Ａ２における上部電極の膜厚は８７ｎｍと、膜厚の減少が確認された。また、構造物５４９の側面周辺の領域Ａ３（より具体的には、構造物５４９をマスクとしてエッチングされた絶縁層５１６の溝部と接する領域）における上部電極の膜厚は３８ｎｍと、さらなる膜厚の減少が確認された。ここから、本実施例の発光パネルに含まれるＥＬ層の膜厚は、第２の隔壁層５１８ｂの側面と重なる領域Ａ２及び構造物５４９の側面周辺の領域Ａ３において膜厚が減少していることが示唆される。また、図７（Ｃ）より、構造物５４９のテーパ角は１０９°であった。
【０１２２】
次いで、作製した発光パネルのＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ  Ｓｔａｎｄａｒｄｓ  Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）比の輝度依存性を測定した。測定結果を図８に示す。
【０１２３】
図８において、横軸は、輝度（ｃｄ／ｍ２）を表し、縦軸は、ＮＴＳＣ比の変化率（％）を示す。なお、図８においては、輝度を１５０ｃｄ／ｍ２で発光させた際のＮＴＳＣ比の値を１００％として変化率を規格化している。
【０１２４】
図８より、比較例の発光パネルにおいては、低輝度とするにつれてＮＴＳＣ比の低下が確認された。一方、本実施例の発光パネルにおいては、輝度を１ｃｄ／ｍ２とした場合であっても、輝度を１５０ｃｄ／ｍ２で発光させた場合の９７．３％のＮＴＳＣ比を維持していた。
【０１２５】
よって、本実施例の発光パネルにおいては、局所的に膜厚の薄い領域を有するＥＬ層を形成することで、クロストークを抑制することが可能であり、特に低輝度側におけるＮＴＳＣ比の劣化を抑制することができることが示された。
【符号の説明】
【０１２６】
８１      上部電極
８２      第１の下部電極
８３      第２の下部電極
８４      第３の下部電極
８５      第１の発光ユニット
８６      中間層
８７      第２の発光ユニット
８８      対向ガラス基板
８９      キャリア注入層
４００    表示パネル
４０１    表示部
４０２    画素
４０２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４０３ｇ  ゲート側の駆動回路部
４０３ｓ  ソース側の駆動回路部
４０５    シール材
４０８    引き回し配線
４０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０    第１の基板
４１１    スイッチング用のトランジスタ
４１２    電流制御用のトランジスタ
４１３    ｎチャネル型トランジスタ
４１４    ｐチャネル型トランジスタ
４１５ａ  コンタクトホール
４１５ｂ  溝部
４１６    絶縁層
４１６ａ  溝部
４１８ａ  第１の隔壁
４１８ｂ  第２の隔壁
４１８ｃ  第３の隔壁
４１９    構造物
４２０ａ  第１の発光素子
４２０ｂ  第２の発光素子
４２０ｃ  第３の発光素子
４２１ａ  第１の下部電極
４２１ｂ  第２の下部電極
４２１ｃ  第３の下部電極
４２２    上部電極
４２３    ＥＬ層
４２３ａ  第１の発光ユニット
４２３ｂ  第２の発光ユニット
４２３ｃ  ＥＬ層の膜厚の薄い領域
４２４    中間層
４３１    空間
４３１Ｂ，４３１Ｇ，４３１Ｒ  光学調整層
４４０    第２の基板
４４１Ｂ，４４１Ｇ，４４１Ｒ  カラーフィルタ
４４２    遮光性の膜
４４９    構造物
４４９ａ  第１の構造物
４４９ｂ  第２の構造物
４５０Ｂ  第１の発光素子
４５０Ｇ  第２の発光素子
４５０Ｒ  第３の発光素子
４５２    画素
４５２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４５２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４５２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４５４ａ  第１の下部電極
４５４ｂ  第２の下部電極
４５４ｃ  第３の下部電極
４５６    上部電極
４５９Ａ  構造物
４５９Ｂ  構造物
４６２    画素
４６２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４６２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４６２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４７２    画素
４７２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４７２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４７２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
５１０    ガラス基板
５１６    絶縁層
５１７    下地絶縁層
５１８ａ    第１の隔壁層
５１８ｂ    第２の隔壁層
５１８ｃ    第３の隔壁層
５２２    ＥＬ層
５２３    上部電極
５３１Ｇ，５３１Ｒ  光学調整層
５４０    対向基板
５４１Ｂ，５４１Ｇ，５４１Ｒ  カラーフィルタ層
５４２    遮光層
５４３    下地膜
５４９    構造物
５５０Ｂ，５５０Ｇ，５５０Ｒ  発光素子
５５４ａ    第１の下部電極
５５４ｂ    第２の下部電極
５５４ｃ    第３の下部電極
５６０ａ，５６０ｂ，５６０ｃ  配線
５６２    画素
５６２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
５６２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
５６２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
６１６    絶縁層
６１８    隔壁層
６２２    ＥＬ層
６２３    上部電極
６６２    画素
６６２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
６６２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
６６２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
【図１】
2014175165.tif 000003
【図２】
2014175165.tif 000004
【図３】
2014175165.tif 000005
【図４】
2014175165.tif 000006
【図５】
2014175165.tif 000007
【図６】
2014175165.tif 000008
【図８】
2014175165.tif 000009
【図９】
2014175165.tif 000010
【図７】
2014175165.tif 000011