(57)【要約】【課題】有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を適切に検査する。【解決手段】欠陥検査装置１６５は、ガラス基板Ｇ上の有機層に対して、波長が０．７μｍ〜２．５μｍである近赤外光を照射する照明部２２０と、照明部２２０から近赤外光が照射された前記有機層を撮像する撮像部２３０と、内部に照明部２２０と撮像２３０部を収容し、前記有機層の検査を行うための処理容器２００と、を有する。処理容器２００の内部は、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に維持されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、
基板上の前記有機層に対して近赤外光を照射する照明部と、
前記照明部から近赤外光が照射された前記有機層を撮像する撮像部と、を有することを特徴とする、欠陥検査装置。
【請求項２】
前記近赤外光の波長は、０．７μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の欠陥検査装置。
【請求項３】
内部に前記照明部と前記撮像部を収容し、前記有機層の検査を行うための処理容器をさらに有し、
前記処理容器の内部は、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に維持されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層であることを特徴とする、請求項３に記載の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記有機層の形成に際しては、基板上への有機材料の塗布処理と、前記有機材料の乾燥処理と、前記有機材料の焼成処理とがこの順で行われ、
前記有機層の検査は、前記乾燥処理後又は前記焼成処理後に行われることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、
照明部から基板上の前記有機層に対して近赤外光を照射し、
撮像部において前記照明部から近赤外光が照射された前記有機層を撮像することを特徴とする、欠陥検査方法。
【請求項７】
前記近赤外光の波長は、０．７μｍ〜２．５μｍであることを特徴とする、請求項６に記載の欠陥検査方法。
【請求項８】
前記有機層の検査は、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気中で行われることを特徴とする、請求項６又は７に記載の欠陥検査方法。
【請求項９】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層であることを特徴とする、請求項８に記載の欠陥検査方法。
【請求項１０】
前記有機層の形成に際しては、基板上への有機材料の塗布処理と、前記有機材料の乾燥処理と、前記有機材料の焼成処理とがこの順で行われ、
前記有機層の検査は、前記乾燥処理後又は前記焼成処理後に行われることを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載の欠陥検査方法。
【請求項１１】
請求項６〜１０のいずかに記載の欠陥検査方法を欠陥検査装置によって実行させるために、当該欠陥検査装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査装置、当該欠陥検査装置を用いた欠陥検査方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）の発光を利用した発光ダイオードである。近年、この有機発光ダイオードを用いた有機ＥＬディスプレイは、薄型軽量、低消費電力であり、さらに応答速度、視野角、コントラスト比の面で優れている等の利点を有していることから、次世代のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）として注目されている。
【０００３】
有機発光ダイオードは、例えば基板上の陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が陽極側からこの順で積層された構造を有している。積層された有機層はそれぞれ数十ｎｍの薄膜にて形成されるため、当該有機層の欠陥の影響が顕著に現れる。すなわち、例えば有機層を形成するにあたり基板上に有機材料を塗布する際に塗布ムラが生じたり、有機層にパーティクルが付着する等の欠陥があると、有機発光ダイオードの電気的物性が得られない、或いはショート等を起こして点灯不良が生じる。このため、各有機層の欠陥を検査する必要がある。
【０００４】
このような基板の検査装置としては、例えば特許文献１においてガラス基板上のレジスト膜の膜ムラを検査する検査装置が提案されている。この検査装置では、照明部からガラス基板に対して照明光が照射され、ライセンサカメラによって当該ガラス基板が撮像される。このように撮像された画像に基づいて欠陥が検査される。
【０００５】
また上記照明部の光源には、例えば特許文献２に記載されているように、一般的にハロゲンランプ等が用いられる。そして、照明部からガラス基板に対して可視光が照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−９９８７５号公報
【特許文献２】特開２００８−８９３０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、発明者らが鋭意検討した結果、従来のように基板に対して可視光を照射すると、基板上に塗布された有機材料に塗布ムラが発生し、電気的特性が低下する等、有機材料に悪影響があり、当該有機材料自体が可視光によって劣化することが分かった。このため、従来の検査方法では、有機発光ダイオードにおける各有機層を適切に検査することができない。
【０００８】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を適切に検査することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、本発明は、有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査装置であって、基板上の前記有機層に対して近赤外光を照射する照明部と、前記照明部から近赤外光が照射された前記有機層を撮像する撮像部と、を有することを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、照明部から基板上の有機層に対して近赤外光を照射し、さらに撮像部において近赤外光が照射された有機層を撮像することによって、有機層の欠陥を検査することができる。この際、発明者らが鋭意検討した結果、近赤外光が可視光よりもエネルギーが小さいため、当該近赤外光によって有機層が劣化しないことが確認されている。また、このように波長が長い近赤外光を用いた場合でも、撮像部で撮像される画像によって有機層の欠陥を十分に判別可能であることも確認されている。したがって、基板上の各有機層の欠陥を適切に検査することができる。
【００１１】
しかも、基板上に有機層が形成される毎に本発明の欠陥検査を行うことができるので、例えば当該有機層に欠陥が見つかった場合、さらに後続の有機層を形成する必要がなくなり、無駄な処理を省略できる。したがって、有機発光ダイオードの製造効率を向上させることができる。
【００１２】
前記近赤外光の波長は、０．７μｍ〜２．５μｍであるのが好ましい。
【００１３】
前記欠陥検査装置は、内部に前記照明部と前記撮像部を収容し、前記有機層の検査を行うための処理容器をさらに有し、前記処理容器の内部は、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気に維持されていてもよい。
【００１４】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層であってもよい。
【００１５】
前記有機層の形成に際しては、基板上への有機材料の塗布処理と、前記有機材料の乾燥処理と、前記有機材料の焼成処理とがこの順で行われ、前記有機層の検査は、前記乾燥処理後又は前記焼成処理後に行われてもよい。
【００１６】
別な観点による本発明は、有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、照明部から基板上の前記有機層に対して近赤外光を照射し、撮像部において前記照明部から近赤外光が照射された前記有機層を撮像することを特徴としている。
【００１７】
前記近赤外光の波長は、０．７μｍ〜２．５μｍであるのが好ましい。
【００１８】
前記有機層の検査は、大気よりも酸素濃度が低く、且つ大気よりも露点温度が低い雰囲気中で行われてもよい。
【００１９】
前記有機層は、正孔注入層、正孔輸送層又は発光層であってもよい。
【００２０】
前記有機層の形成に際しては、基板上への有機材料の塗布処理と、前記有機材料の乾燥処理と、前記有機材料の焼成処理とがこの順で行われ、前記有機層の検査は、前記乾燥処理後又は前記焼成処理後に行われてもよい。
【００２１】
また別な観点による本発明によれば、前記欠陥検査方法を欠陥検査装置によって実行させるために、当該欠陥検査装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。
【００２２】
さらに別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、有機発光ダイオードにおいて基板上に積層して形成される各有機層の欠陥を適切に検査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】有機発光ダイオードの製造方法の主な工程を示すフローチャートである。
【図２】有機発光ダイオードの構成の概略を示す側面図である。
【図３】有機発光ダイオードの隔壁の構成の概略を示す平面図である。
【図４】本実施の形態にかかる欠陥検査装置を備えた基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図５】欠陥検査装置の構成の概略を示す横断面図である。
【図６】欠陥検査装置の構成の概略を示す縦断面図である。
【図７】他の実施の形態にかかる基板処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。本実施の形態では、有機発光ダイオードを製造するに際し、ガラス基板上に積層される各有機層の欠陥を検査する欠陥検査装置と、その欠陥検査装置を用いた欠陥検査方法について説明する。
【００２６】
先ず、有機発光ダイオードを製造する方法について説明する。図１は、有機発光ダイオードの製造方法の主な処理フローを示している。
【００２７】
先ず、図２に示すように有機発光ダイオード１を製造するに際しては、基板としてのガラス基板Ｇ上に陽極（アノード）１０が形成される（図１の工程Ｓ１）。陽極１０は、例えば蒸着法を用いて形成される。なお、陽極１０には、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）からなる透明電極が用いられる。
【００２８】
その後、陽極１０上に図３に示すように隔壁２０が形成される（図１の工程Ｓ２）。隔壁２０は、例えばフォトリソグラフィー処理及びエッチング処理を行うことによって所定のパターンにパターニングされている。そして隔壁２０には、スリット状の開口部２１が列方向（Ｘ方向）と行方向（Ｙ方向）に複数並べて形成されている。この開口部２１の内部において、後述するように複数の有機層３０〜３４と陰極４０が積層されて画素が形成される。なお、隔壁２０には、例えば感光性ポリイミド樹脂が用いられる。
【００２９】
その後、隔壁２０の開口部２１内において、図２に示すように陽極１０上に複数の有機層３０〜３４が形成される。具体的には、陽極１０上に有機層である正孔注入層３０が形成され（図１の工程Ｓ３）、正孔注入層３０上に有機層である正孔輸送層３１が形成され（図１の工程Ｓ４）、正孔輸送層３１上に有機層である発光層３２が形成され（図１の工程Ｓ５）、発光層３２上に有機層である電子輸送層３３が形成され（図１の工程Ｓ６）、電子輸送層３３上に有機層である電子注入層３４が形成される（図１の工程Ｓ７）。
【００３０】
本実施の形態において、正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２は、それぞれ後述する基板処理システム１００において形成される。すなわち、インクジェット方法による有機材料の塗布処理、有機材料の減圧乾燥処理、有機材料の焼成処理が順次行われて、これら正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２が形成される。
【００３１】
また電子輸送層３３と電子注入層３４は、それぞれ例えば蒸着法を用いて形成される。
【００３２】
その後、電子注入層３４上に陰極（カソード）４０が形成される（図１の工程Ｓ８）。陰極４０は、例えば蒸着法を用いて形成される。なお、陰極４０には、例えばアルミニウムが用いられる。
【００３３】
このようにして製造された有機発光ダイオード１では、陽極１０と陰極４０との間に電圧を印可することによって、正孔注入層３０で注入された所定数量の正孔が正孔輸送層３１を介して発光層３２に輸送され、また電子注入層３４で注入された所定数量の電子が電子輸送層３３を介して発光層３２に輸送される。そして、発光層３２内で正孔と電子が再結合して励起状態の分子を形成し、当該発光層３２が発光する。
【００３４】
次に、本実施の形態にかかる欠陥検査装置を備えた基板処理システム１００について説明する。図４は、基板処理システム１００の構成の概略を示す説明図である。なお、基板処理システム１００で処理されるガラス基板Ｇ上には予め陽極１０と隔壁２０が形成されており、当該基板処理システム１００では正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２が形成される。
【００３５】
基板処理システム１００は、複数のガラス基板Ｇをカセット単位で外部から基板処理システム１００に搬入し、カセットＣから処理前のガラス基板Ｇを取り出す搬入ステーション１０１と、ガラス基板Ｇに対して所定の処理を施す複数の処理装置を備えた処理ステーション１０２と、処理後のガラス基板ＧをカセットＣ内に収納し、複数のガラス基板Ｇをカセット単位で基板処理システム１００から外部に搬出する搬出ステーション１０３とを一体に接続した構成を有している。搬入ステーション１０１、処理ステーション１０２、搬出ステーション１０３は、Ｙ方向にこの順で並べて配置されている。
【００３６】
搬入ステーション１０１には、カセット載置台１１０が設けられている。カセット載置台１１０は、複数のカセットＣをＸ方向に一列に載置自在になっている。すなわち、搬入ステーション１０１は、複数のガラス基板Ｇを保有可能に構成されている。
【００３７】
搬入ステーション１０１には、Ｘ方向に延伸する搬送路１１１上を移動可能な基板搬送体１１２が設けられている。基板搬送体１１２は、鉛直方向及び鉛直周りにも移動自在であり、カセットＣと処理ステーション１０２との間でガラス基板Ｇを搬送できる。なお基板搬送体１１２は、例えばガラス基板Ｇを吸着保持して搬送する。
【００３８】
処理ステーション１０２には、正孔注入層３０を形成する正孔注入層形成部１２０と、正孔輸送層３１を形成する正孔輸送層形成部１２１と、発光層３２を形成する発光層形成部１２２とが、搬入ステーション１０１側からＹ方向にこの順で並べて配置されている。
【００３９】
正孔注入層形成部１２０には、第１の基板搬送領域１３０と、第２の基板搬送領域１３１と、第３の基板搬送領域１３２とが、搬入ステーション１０１側からＹ方向にこの順で並べて配置されている。各基板搬送領域１３０、１３１、１３２はＹ方向に延伸して設けられ、当該基板搬送領域１３０、１３１、１３２にはガラス基板Ｇを搬送する基板搬送装置（図示せず）が設けられている。基板搬送装置は、水平方向、鉛直方向及び鉛直周りにも移動自在であり、これら基板搬送領域１３０、１３１、１３２に隣接して設けられる各装置にガラス基板Ｇを搬送できる。
【００４０】
搬入ステーション１０１と第１の基板搬送領域１３０との間には、ガラス基板Ｇを受け渡すためのトランジション装置１３３が設けられている。同様に第１の基板搬送領域１３０と第２の基板搬送領域１３１との間、及び第２の基板搬送領域１３１と第３の基板搬送領域１３２との間にも、それぞれトランジション装置１３４、１３５が設けられている。
【００４１】
第１の基板搬送領域１３０のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ（陽極１０）上に正孔注入層３０を形成するための有機材料を塗布する塗布装置１４０が設けられている。塗布装置１４０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ上の所定の位置、すなわち隔壁２０の開口部２１の内部に有機材料が塗布される。なお、本実施の形態の有機材料は、正孔注入層３０を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液である。
【００４２】
第１の基板搬送領域１３０のＸ方向負方向側には、複数のガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファ装置１４１が設けられている。
【００４３】
第２の基板搬送領域１３１のＸ方向正方向側とＸ方向負方向側には、塗布装置１４０で塗布された有機材料を減圧乾燥する減圧乾燥装置１４２が複数積層されて、全部で例えば５つ設けられている。減圧乾燥装置１４２は、例えばターボ分子ポンプ（図示せず）を有し、その内部雰囲気を例えば１Ｐａ以下まで減圧して、有機材料が乾燥されるようになっている。
【００４４】
第３の基板搬送領域１３２のＸ方向正方向側には、減圧乾燥装置１４２で乾燥された有機材料を熱処理して焼成する熱処理装置１４３が複数、例えば２０段に積層されて設けられている。熱処理装置１４３は、その内部にガラス基板Ｇを載置する熱板（図示せず）を有し、当該熱板によって有機材料が焼成されるようになっている。
【００４５】
第３の基板搬送領域１３２のＸ方向負方向側には、熱処理装置１４３で熱処理されたガラス基板Ｇを所定の温度、例えば常温に調節する温度調節装置１４４が複数設けられている。
【００４６】
第３の基板搬送領域１３２のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ上に形成された正孔注入層３０の欠陥を検査する欠陥検査装置１４５が設けられている。
【００４７】
なお、正孔注入層形成部１２０において、これら塗布装置１４０、バッファ装置１４１、減圧乾燥装置１４２、熱処理装置１４３、温度調節装置１４４、欠陥検査装置１４５の数や配置は、任意に選択できる。
【００４８】
正孔輸送層形成部１２１には、第１の基板搬送領域１５０と、第２の基板搬送領域１５１と、第３の基板搬送領域１５２とが、正孔注入層形成部１２０側からＹ方向にこの順で並べて配置されている。各基板搬送領域１５０、１５１、１５２はＹ方向に延伸して設けられ、当該基板搬送領域１５０、１５１、１５２には、ガラス基板Ｇを搬送する基板搬送装置（図示せず）が設けられている。基板搬送装置は、水平方向、鉛直方向及び鉛直周りにも移動自在であり、これら基板搬送領域１５０、１５１、１５２に隣接して設けられる各装置にガラス基板Ｇを搬送できる。
【００４９】
なお、第３の基板搬送領域１５２には後述する熱処理装置１６３、温度調節装置１６４、欠陥検査装置１６５が隣接されて設けられており、これら各装置１６３〜１６５の内部は低酸素且つ低露点雰囲気に維持される。このため、第３の基板搬送領域１５２においても、その内部が低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。以下の説明において、低酸素雰囲気とは大気よりも酸素濃度が低い雰囲気、例えば酸素濃度が１０ｐｐｍ以下の雰囲気をいい、また低露点雰囲気とは大気よりも露点温度が低い雰囲気、例えば露点温度が−１０℃以下の雰囲気をいう。そして、かかる低酸素且つ低露点雰囲気として、例えば窒素ガス等の不活性ガスが用いられる。
【００５０】
正孔注入層形成部１２０と第１の基板搬送領域１５０との間、及び第１の基板搬送領域１５０と第２の基板搬送領域１５１との間には、それぞれガラス基板Ｇを受け渡すためのトランジション装置１５３、１５４が設けられている。第２の基板搬送領域１５１と第３の基板搬送領域１５２の間には、ガラス基板Ｇを一時的に収容可能なロードロック装置１５５が設けられている。ロードロック装置１５５は、内部雰囲気を切り替え可能、すなわち大気雰囲気と低酸素且つ低露点雰囲気に切り替え可能に構成されている。
【００５１】
第１の基板搬送領域１５０のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ（正孔注入層３０）上に正孔輸送層３１を形成するための有機材料を塗布する塗布装置１６０が設けられている。塗布装置１６０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ上の所定の位置、すなわち隔壁２０の開口部２１の内部に有機材料が塗布される。なお、本実施の形態の有機材料は、正孔輸送層３１を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液である。
【００５２】
第１の基板搬送領域１５０のＸ方向負方向側には、複数のガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファ装置１６１が設けられている。
【００５３】
第２の基板搬送領域１５１のＸ方向正方向側とＸ方向負方向側には、塗布装置１６０で塗布された有機材料を減圧乾燥する減圧乾燥装置１６２が複数積層されて、全部で例えば５つ設けられている。減圧乾燥装置１６２は、例えばターボ分子ポンプ（図示せず）を有し、その内部雰囲気を例えば１Ｐａ以下まで減圧して、有機材料が乾燥されるようになっている。
【００５４】
第３の基板搬送領域１５２のＸ方向正方向側には、減圧乾燥装置１６２で乾燥された有機材料を熱処理して焼成する熱処理装置１６３が複数、例えば２０段に積層されて設けられている。熱処理装置１６３は、その内部にガラス基板Ｇを載置する熱板（図示せず）を有し、当該熱板によって有機材料が焼成されるようになっている。また、熱処理装置１６３の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００５５】
第３の基板搬送領域１５２のＸ方向負方向側には、熱処理装置１６３で熱処理されたガラス基板Ｇを所定の温度、例えば常温に調節する温度調節装置１６４が複数設けられている。温度調節装置１６４の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００５６】
第３の基板搬送領域１５２のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ上に形成された正孔輸送層３１の欠陥を検査する欠陥検査装置１６５が設けられている。欠陥検査装置１６５の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００５７】
なお、正孔輸送層形成部１２１において、これら塗布装置１６０、バッファ装置１６１、減圧乾燥装置１６２、熱処理装置１６３、温度調節装置１６４、欠陥検査装置１６５の数や配置は、任意に選択できる。
【００５８】
発光層形成部１２２には、第１の基板搬送領域１７０と、第２の基板搬送領域１７１と、第３の基板搬送領域１７２とが、正孔輸送層形成部１２１側からＹ方向にこの順で並べて配置されている。各基板搬送領域１７０、１７１、１７２はＹ方向に延伸して設けられ、当該基板搬送領域１７０、１７１、１７２には、ガラス基板Ｇを搬送する基板搬送装置（図示せず）が設けられている。基板搬送装置は、水平方向、鉛直方向及び鉛直周りにも移動自在であり、これら基板搬送領域１７０、１７１、１７２に隣接して設けられる各装置にガラス基板Ｇを搬送できる。
【００５９】
なお、第３の基板搬送領域１７２には後述する熱処理装置１８３、温度調節装置１８４、欠陥検査装置１８５が隣接されて設けられており、これら各装置１８３〜１８５の内部は低酸素且つ低露点雰囲気に維持される。このため、第３の基板搬送領域１７２においても、その内部が低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００６０】
正孔輸送層形成部１２１と第１の基板搬送領域１７０との間、及び第１の基板搬送領域１７０と第２の基板搬送領域１７１との間には、それぞれガラス基板Ｇを受け渡すためのトランジション装置１７３、１７４が設けられている。第２の基板搬送領域１７１と第３の基板搬送領域１７２の間、及び第３の基板搬送領域１７２と搬出ステーション１０３との間には、それぞれガラス基板Ｇを一時的に収容可能なロードロック装置１７５、１７６が設けられている。ロードロック装置１７５、１７６は、内部雰囲気を切り替え可能、すなわち大気雰囲気と低酸素且つ低露点雰囲気に切り替え可能に構成されている。
【００６１】
第１の基板搬送領域１７０のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ（正孔輸送層３１）上に発光層３２を形成するための有機材料を塗布する塗布装置１８０が例えば２つ設けられている。塗布装置１８０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ上の所定の位置、すなわち隔壁２０の開口部２１の内部に有機材料が塗布される。なお、本実施の形態の有機材料は、発光層３２を形成するための所定の材料を有機溶媒に溶解させた溶液である。
【００６２】
第１の基板搬送領域１７０のＸ方向負方向側には、複数のガラス基板Ｇを一時的に収容するバッファ装置１８１が設けられている。
【００６３】
第２の基板搬送領域１７１のＸ方向正方向側とＸ方向負方向側には、塗布装置１８０で塗布された有機材料を減圧乾燥する減圧乾燥装置１８２が複数積層されて、全部で例えば５つ設けられている。減圧乾燥装置１８２は、例えばターボ分子ポンプ（図示せず）を有し、その内部雰囲気を例えば１Ｐａ以下まで減圧して、有機材料が乾燥されるようになっている。
【００６４】
第３の基板搬送領域１７２のＸ方向正方向側には、減圧乾燥装置１８２で乾燥された有機材料を熱処理して焼成する熱処理装置１８３が複数、例えば２０段に積層されて設けられている。熱処理装置１８３は、その内部にガラス基板Ｇを載置する熱板（図示せず）を有し、当該熱板によって有機材料が焼成されるようになっている。また、熱処理装置１８３の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００６５】
第３の基板搬送領域１７２のＸ方向負方向側には、熱処理装置１８３で熱処理されたガラス基板Ｇを所定の温度、例えば常温に調節する温度調節装置１８４が複数設けられている。温度調節装置１８４の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００６６】
第３の基板搬送領域１７２のＸ方向正方向側には、ガラス基板Ｇ上に形成された発光層３２の欠陥を検査する欠陥検査装置１８５が設けられている。欠陥検査装置１８５の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。
【００６７】
なお、発光層形成部１２２において、これら塗布装置１８０、バッファ装置１８１、減圧乾燥装置１８２、熱処理装置１８３、温度調節装置１８４、欠陥検査装置１８５の数や配置は、任意に選択できる。
【００６８】
搬出ステーション１０３には、カセット載置台１９０が設けられている。カセット載置台１９０は、複数のカセットＣをＸ方向に一列に載置自在になっている。すなわち、搬出ステーション１０３は、複数のガラス基板Ｇを保有可能に構成されている。
【００６９】
搬出ステーション１０３には、Ｘ方向に延伸する搬送路１９１上を移動可能な基板搬送体１９２が設けられている。基板搬送体１９２は、鉛直方向及び鉛直周りにも移動自在であり、カセットＣと処理ステーション１０２との間でガラス基板Ｇを搬送できる。なお基板搬送体１９２は、例えばガラス基板Ｇを吸着保持して搬送する。
【００７０】
なお、搬出ステーション１０３の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されているのが好ましい。
【００７１】
次に、上述した欠陥検査装置１４５、１６５、１８５の構成について説明する。欠陥検査装置１６５は、図５及び図６に示すように内部を閉鎖可能な処理容器２００を有している。処理容器２００の第３の基板搬送領域１５２側の側面には、ガラス基板Ｇの搬入出口（図示せず）が形成され、当該搬入出口には開閉シャッタ（図示せず）が設けられている。
【００７２】
処理容器２００の天井面には、当該処理容器２００の内部に例えば窒素ガス等の低露点の不活性ガスを供給する給気口２０１が形成されている。給気口２０１には、ガス供給源２０２に連通するガス供給管２０３が接続されている。ガス供給管２０３には、不活性ガスの流れを制御するバルブや流量調節部等を含む供給機器群２０４が設けられている。
【００７３】
処理容器２００の底面には、当該処理容器２００の内部の雰囲気を排気する排気口２０５が形成されている。排気口２０５には、例えば真空ポンプなどの負圧発生装置２０６に連通する吸気管２０７が接続されている。
【００７４】
このように給気口２０１から処理容器２００の内部に低露点の不活性ガスを供給しつつ、排気口２０５から処理容器２００の内部の雰囲気を排気することで、当該処理容器２００の内部が低酸素且つ低露点の雰囲気に維持される。
【００７５】
処理容器２００の内部には、Ｙ方向に延伸する浮上ステージ２１０が設けられている。浮上ステージ２１０の上面には、複数のガス噴出口２１１が形成されている。これらガス噴出口２１１からガスを噴出することにより、浮上ステージ２１０全面においてガラス基板Ｇを浮上させることができる。そして、浮上ステージ２１０は、ガラス基板ＧをＹ方向に搬送できる。
【００７６】
浮上ステージ２１０の幅方向（Ｘ方向）の両側には、Ｙ方向に延伸する一対のガイドレール２１２が形成されている。各ガイドレール２１２には、ガラス基板Ｇの幅方向の端部を保持して移動する保持アーム２１３が設けられている。浮上ステージ２１０上で浮上したガラス基板Ｇの両端部を保持アーム２１３により保持して、そのガラス基板Ｇをガイドレール２１２に沿ってＹ方向に移動させることができる。
【００７７】
処理容器２００の内部中央付近であって、浮上ステージ２１０の上方には、ガラス基板Ｇ上の正孔輸送層３１に対して近赤外光を照射する照明部２２０と、照明部２２０から近赤外光が照射された正孔輸送層３１を撮像する撮像部２３０とが設けられている。照明部２２０と撮像部２３０は、浮上ステージ２１０の長手方向（Ｙ方向）に並べて配置されている。
【００７８】
照明部２２０は、浮上ステージ２１０の幅方向（Ｘ方向）に延伸し、且つ保持アーム２１３に保持されたガラス基板Ｇの幅方向よりも長く延伸している。そして照明部２２０は、少なくとも撮像部２３０によって撮像される範囲の正孔輸送層３１に近赤外光を照射するように配置されている。なお、照明部２２０は近赤外光の光源（図示せず）を有し、当該照明部２２０から照射される近赤外光は、０．７μｍ〜２．５μｍの波長、より好ましくは０．８μｍ〜１．０μｍの波長を有している。
【００７９】
撮像部２３０は、浮上ステージ２１０を幅方向（Ｘ方向）に跨ぐように設けられた支持部２４０に支持されている。支持部２４０は、浮上ステージ２１０の両外側に設けられ、鉛直方向に延伸する一対の鉛直部材２４１と、これら一対の鉛直部材２４１間に架け渡され、浮上ステージ２１０の上方において当該浮上ステージ２１０の幅方向に延伸する水平部材２４２とを有している。撮像部２３０は、水平部材２４２に支持され、例えばモータ等の駆動部（図示せず）によって水平部材２４２に沿ってＸ方向に移動自在になっている。
【００８０】
撮像部２３０には、例えばラインセンサカメラが用いられる。撮像部２３０で撮像された画像は、検査部２５０に出力される。そして検査部２５０では、出力された画像、例えば画像の階調に基づいて正孔輸送層３１の欠陥が検査される。
【００８１】
なお、本実施の形態では撮像部２３０は１つ設けられていたが、複数設けられていてもよい。
【００８２】
欠陥検査装置１８５の構成は、上述した欠陥検査装置１６５の構成と同様であるので説明を省略する。また、欠陥検査装置１４５も、上述した欠陥検査装置１６５とほぼ同様の構成を有している。但し、欠陥検査装置１４５は、その内部を低酸素且つ低露点雰囲気に維持する必要がないため、欠陥検査装置１６５における給気口２０１、ガス供給源２０２、ガス供給管２０３、供給機器群２０４、排気口２０５、負圧発生装置２０６、吸気管２０７を省略してもよい。
【００８３】
以上の基板処理システム１００には、図４に示すように制御部２６０が設けられている。制御部２６０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、基板処理システム１００におけるガラス基板Ｇの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部２６０にインストールされたものであってもよい。
【００８４】
次に、以上のように構成された基板処理システム１００を用いて行われるガラス基板Ｇの処理方法について説明する。
【００８５】
先ず、複数のガラス基板Ｇを収容したカセットＣが、搬入ステーション１０１に搬入され、カセット載置台１１０上に載置される。その後、基板搬送体１１２によって、カセット載置台１１０上のカセットＣからガラス基板Ｇが順次取り出される。なお、本実施の形態では、基板処理システム１００におけるガラス基板Ｇのタクトは９０秒である。
【００８６】
カセットＣから取り出されたガラス基板Ｇは、基板搬送体１１２によって正孔注入層形成部１２０のトランジション装置１３３に搬送され、さらに第１の基板搬送領域１３０を介して塗布装置１４０に搬送される。そして塗布装置１４０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ（陽極１０）上の所定の位置、すなわち隔壁２０の開口部２１の内部に、正孔注入層３０用の有機材料が塗布される。この塗布装置１４０における塗布処理に要する時間は、例えば９０秒である。
【００８７】
次にガラス基板Ｇは、第１の基板搬送領域１３０を介してトランジション装置１３４に搬送され、さらに第２の基板搬送領域１３１を介して減圧乾燥装置１４２に搬送される。そして減圧乾燥装置１４２では、その内部雰囲気が減圧され、ガラス基板Ｇ上に塗布された有機材料が乾燥される。この減圧乾燥装置１４２における減圧乾燥処理に要する時間は、例えば７分である。
【００８８】
次にガラス基板Ｇは、第２の基板搬送領域１３１を介してトランジション装置１３５に搬送され、さらに第３の基板搬送領域１３２を介して熱処理装置１４３に搬送される。そして熱処理装置１４３では、熱板上に載置されたガラス基板Ｇが所定の温度、例えば１８０℃に加熱され、当該ガラス基板Ｇの有機材料が焼成される。この熱処理装置１４３における熱処理に要する時間は、例えば３０分である。
【００８９】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１３２を介して温度調節装置１４４に搬送される。そして温度調節装置１４４では、ガラス基板Ｇが所定の温度、例えば常温に温度調節される。こうして、ガラス基板Ｇ（陽極１０）上に正孔注入層３０が形成される。
【００９０】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１３２を介して欠陥検査装置１４５に搬送される。このとき、欠陥検査装置１４５の処理容器２００の内部は大気雰囲気に開放されている。また処理容器２００の内部は、光のない暗所に維持されている。
【００９１】
欠陥検査装置１４５に搬入されたガラス基板Ｇは、保持アーム２１３に保持される。その後、ガラス基板Ｇは、浮上ステージ２１０のガス噴出口から噴出されたガスによって浮上した状態で、当該浮上ステージ２１０の長手方向（Ｙ方向）に沿って照明部２２０と撮像部２３０側に所定の速度で移動する。ガラス基板Ｇが撮像部２３０の下方を通過する際に、照明部２２０から斜め下方にガラス基板Ｇの正孔注入層３０に対して近赤外光を照射する。このとき、発明者らが鋭意検討した結果、波長が０．７μｍ〜２．５μｍの近赤外光を正孔注入層３０に照射しても、近赤外光のエネルギーが小さいため、正孔注入層３０が劣化しないことが確認されている。また、このように波長が長い近赤外光を用いた場合でも、撮像部２３０で撮像される画像によって正孔注入層３０の欠陥を十分に判別可能であることも確認されている。そして、撮像部２３０によって当該撮像部２３０の下方のガラス基板Ｇの正孔注入層３０が撮像される。撮像された正孔注入層３０の画像は検査部２５０に出力され、検査部２５０において、出力された画像に基づいて正孔注入層３０の欠陥が検査される。
【００９２】
なお、欠陥検査装置１４５において、撮像部２３０がガラス基板Ｇの幅方向（Ｘ方向）全体を一度に撮像できない場合もある。この場合には、浮上ステージ２１０の長手方向（Ｙ方向）にガラス基板Ｇを往復させつつ、撮像部２３０を浮上ステージ２１０の幅方向（Ｘ方向）に移動させることによって、撮像部２３０でガラス基板Ｇの正孔注入層３０全体が撮像される。
【００９３】
そして欠陥検査装置１４５において、正孔注入層３０に欠陥があると判断された場合、当該ガラス基板Ｇは基板処理システム１００の外部に搬出される。
【００９４】
一方、欠陥検査装置１４５において、正孔注入層３０に欠陥がないと判断された場合、当該ガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１３２を介して正孔輸送層形成部１２１のトランジション装置１５３に搬送され、さらに第１の基板搬送領域１５０を介して塗布装置１６０に搬送される。そして塗布装置１６０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ（正孔注入層３０）上に、正孔輸送層３１用の有機材料が塗布される。この塗布装置１６０における塗布処理に要する時間は、例えば９０秒である。
【００９５】
次にガラス基板Ｇは、第１の基板搬送領域１５０を介してトランジション装置１５４に搬送され、さらに第２の基板搬送領域１５１を介して減圧乾燥装置１６２に搬送される。そして減圧乾燥装置１６２では、その内部雰囲気が減圧され、ガラス基板Ｇ上に塗布された有機材料が乾燥される。この減圧乾燥装置１６２における減圧乾燥処理に要する時間は、例えば７分である。
【００９６】
次にガラス基板Ｇは、第２の基板搬送領域１５１を介してロードロック装置１５５に搬送される。ロードロック装置１５５にガラス基板Ｇが搬入されると、その内部が低酸素且つ低露点雰囲気に切り替えられる。その後、ロードロック装置１５５の内部と、同様に低酸素且つ低露点雰囲気に維持された第３の基板搬送領域１５２の内部とが連通させられる。
【００９７】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１５２を介して熱処理装置１６３に搬送される。この熱処理装置１６３の内部も低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして熱処理装置１６３では、熱板上に載置されたガラス基板Ｇが所定の温度、例えば２００℃に加熱され、当該ガラス基板Ｇの有機材料が焼成される。この熱処理装置１６３における熱処理に要する時間は、例えば３０分である。
【００９８】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１５２を介して温度調節装置１６４に搬送される。この温度調節装置１６４の内部も低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして温度調節装置１６４では、ガラス基板Ｇが所定の温度、例えば常温に温度調節される。こうして、ガラス基板Ｇ（正孔注入層３０）上に正孔輸送層３１が形成される。
【００９９】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１５２を介して欠陥検査装置１６５に搬送される。このとき、欠陥検査装置１６５の内部は低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして欠陥検査装置１６５において、正孔輸送層３１の欠陥が検査される。なお、この正孔輸送層３１の欠陥の検査は、上述した欠陥検査装置１４５における正孔注入層３０の欠陥の検査と同様であるので説明を省略する。
【０１００】
欠陥検査装置１６５において、正孔輸送層３１に欠陥があると判断された場合、当該ガラス基板Ｇは基板処理システム１００の外部に搬出される。
【０１０１】
一方、欠陥検査装置１６５において、正孔輸送層３１に欠陥がないと判断された場合、当該ガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１５２を介して発光層形成部１２２のトランジション装置１７３に搬送され、さらに第１の基板搬送領域１７０を介して塗布装置１８０に搬送される。そして塗布装置１８０では、インクジェット方法でガラス基板Ｇ（正孔輸送層３１）上に、発光層３２用の有機材料が塗布される。この塗布装置１８０における塗布処理に要する時間は、例えば２分である。
【０１０２】
次にガラス基板Ｇは、第１の基板搬送領域１７０を介してトランジション装置１７４に搬送され、さらに第２の基板搬送領域１７１を介して減圧乾燥装置１８２に搬送される。そして減圧乾燥装置１８２では、その内部雰囲気が減圧され、ガラス基板Ｇ上に塗布された有機材料が乾燥される。この減圧乾燥装置１８２における減圧乾燥処理に要する時間は、例えば７分である。
【０１０３】
次にガラス基板Ｇは、第２の基板搬送領域１７１を介してロードロック装置１７５に搬送される。ロードロック装置１７５にガラス基板Ｇが搬入されると、その内部が低酸素且つ低露点雰囲気に切り替えられる。その後、ロードロック装置１７５の内部と、同様に低酸素且つ低露点雰囲気に維持された第３の基板搬送領域１７２の内部とが連通させられる。
【０１０４】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１７２を介して熱処理装置１８３に搬送される。この熱処理装置１８３の内部も低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして熱処理装置１８３では、熱板上に載置されたガラス基板Ｇが所定の温度、例えば１６０℃に加熱され、当該ガラス基板Ｇの有機材料が焼成される。この熱処理装置１８３における熱処理に要する時間は、例えば１０分である。
【０１０５】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１７２を介して温度調節装置１８４に搬送される。この温度調節装置１８４の内部も低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして温度調節装置１８４では、ガラス基板Ｇが所定の温度、例えば常温に温度調節される。こうして、ガラス基板Ｇ（正孔輸送層３１）上に発光層３２が形成される。
【０１０６】
次にガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１７２を介して欠陥検査装置１８５に搬送される。このとき、欠陥検査装置１８５の内部は低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして欠陥検査装置１８５において、発光層３２の欠陥が検査される。なお、この発光層３２の欠陥の検査は、上述した欠陥検査装置１４５における正孔注入層３０の欠陥の検査と同様であるので説明を省略する。
【０１０７】
欠陥検査装置１８５において、発光層３２に欠陥があると判断された場合、当該ガラス基板Ｇは基板処理システム１００の外部に搬出される。
【０１０８】
一方、欠陥検査装置１８５において、発光層３２に欠陥がないと判断された場合、当該ガラス基板Ｇは、第３の基板搬送領域１７２を介してロードロック装置１７６に搬送される。このロードロック装置１７６の内部は、低酸素且つ低露点雰囲気に維持されている。そして、ロードロック装置１７６の内部と、同様に低酸素且つ低露点雰囲気に維持された搬出ステーション１０３の内部とが連通させられる。
【０１０９】
次にガラス基板Ｇは、搬出ステーション１０３の基板搬送体１９２によってカセット載置台１９０上の所定のカセットＣに搬送される。こうして、基板処理システム１００における一連のガラス基板Ｇの処理が終了する。
【０１１０】
以上の実施の形態によれば、照明部２２０からガラス基板Ｇ上の各有機層３０〜３２（正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２）に対して近赤外光を照射し、さらに撮像部２３０において近赤外光が照射された有機層３０〜３２を撮像することによって、各有機層３０〜３２の欠陥を検査することができる。この際、波長が０．７μｍ〜２．５μｍの近赤外光のエネルギーは可視光のエネルギーが小さいので、当該近赤外光によって各有機層３０〜３２が劣化しない。また、このように波長が長い近赤外光を用いた場合でも、撮像部２３０で撮像される画像によって各有機層３０〜３２の欠陥を十分に判別可能である。したがって、ガラス基板Ｇ上の各有機層３０〜３２の欠陥を適切に検査することができる。
【０１１１】
ここで、本実施の形態の基板処理システム１００におけるガラス基板Ｇのタクトは９０秒であるため、操業時、基板処理システム１００には約１００枚程度のガラス基板Ｇが搬入されて所定の処理が行われる。そして、ガラス基板Ｇ上のいずれかの有機層３０〜３２に欠陥があるにも関わらず、本実施の形態のように各有機層３０〜３２の欠陥を検査しない場合、当該欠陥が発見されず、基板処理システム１００内の全てのガラス基板Ｇが不良になる可能性がある。かかる場合、製品の歩留まりが落ちてしまう。
【０１１２】
この点、本実施の形態によれば、ガラス基板Ｇ上に各有機層３０〜３２を形成する毎に当該有機層３０〜３２の欠陥を検査するので、不良なガラス基板Ｇのみを基板処理システム１００から搬出することができる。そうすると、当該不良なガラス基板Ｇに後続の処理を行う必要がなくなり、無駄な処理を省略することができる。また、その他のガラス基板Ｇに対しては適切な処理を行うことが可能となる。したがって、製品である有機発光ダイオード１の歩留まりを向上させることができ、当該有機発光ダイオード１の製造効率を向上させることができる。
【０１１３】
また、欠陥検査装置１６５、１８５の内部は低酸素且つ低露点雰囲気に維持されているので、これら欠陥検査装置１６５、１８５で検査される正孔輸送層３１と発光層３２が、それぞれ酸化したり水分が付着するのを抑制することができる。したがって、ガラス基板Ｇ上にこれら正孔輸送層３１と発光層３２を適切に形成することができる。
【０１１４】
なお本実施の形態では、欠陥検査装置１４５の内部は大気雰囲気としているが、この内部を低酸素且つ低露点雰囲気に維持してもよい。
【０１１５】
以上の実施の形態では、欠陥検査装置１４５、１６５、１８５は、それぞれ熱処理装置１４３、１６３、１８３における熱処理後に各有機層３０〜３２の検査を行っていたが、減圧乾燥装置１４２、１６２、１８２における減圧乾燥後に各有機層３０〜３２の検査を行ってもよい。減圧乾燥装置１４２、１６２、１８２における減圧乾燥後には、各有機層３０〜３２中の有機溶媒がほとんど蒸発して、各有機層３０〜３２が乾燥している。このため、欠陥検査装置１４５、１６５、１８５において、これら減圧乾燥後の有機層３０〜３２の欠陥を適切に検査することができる。
【０１１６】
以上の実施の形態の基板処理システム１００のレイアウトは、図４に示したレイアウトに限定されない。
【０１１７】
例えば処理ステーション１０２の正孔注入層形成部１２０では、各基板搬送領域１３０、１３１、１３２がＹ方向に直線状に並べて配置されていたが、図７に示すように平面視において折れ曲がって配置されていてもよい。かかる場合、基板搬送領域１３０、１３１、１３２に加えて、第３の基板搬送領域１３２と正孔輸送層形成部１２１のトランジション装置１５３との間に第４の基板搬送領域３００が配置される。また、第３の基板搬送領域１３２と第４の基板搬送領域３００との間にはトランジション装置３０１がさらに設けられる。そして、第１の基板搬送領域１３０と第４の基板搬送領域３００は、それぞれＹ方向に延伸し且つＹ方向に並べて配置される。また第２の基板搬送領域１３１と第３の基板搬送領域１３２は、それぞれＸ方向に延伸して且つ平行に配置される。
【０１１８】
また、正孔輸送層形成部１２１においても、同様に各基板搬送領域１５０、１５１、１５２が折れ曲がって配置される。かかる場合、第４の基板搬送領域３１０とトランジション装置３１１が、それぞれ第３の基板搬送領域１５２と発光層形成部１２２のトランジション装置１７３との間に追加で配置される。そして、第１の基板搬送領域１５０と第４の基板搬送領域３１０は、それぞれＹ方向に延伸し且つＹ方向に並べて配置される。また第２の基板搬送領域１５１と第３の基板搬送領域１５２は、それぞれＸ方向に延伸して且つ平行に配置される。
【０１１９】
さらに、発光層形成部１２２においても、同様に各基板搬送領域１７０、１７１、１７２が折れ曲がって配置される。そして、第１の基板搬送領域１７０はＹ方向に延伸して配置される。また第２の基板搬送領域１７１と第３の基板搬送領域１７２は、それぞれＸ方向に延伸して且つ平行に配置される。
【０１２０】
本実施の形態においても、上記実施の形態と同様の効果を享受できる。すなわち、ガラス基板Ｇ上に形成される各有機層３０〜３２を適切に検査することができ、有機発光ダイオード１の歩留まりと製造効率を向上させることができる。
【０１２１】
以上の実施の形態では、基板処理システム１００において形成される正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２の欠陥を検査していたが、本発明は、基板処理システム１００の外部で形成される電子輸送層３３と電子注入層３４の欠陥を検査する際にも適用できる。かかる場合においても、上述した欠陥検査装置１４５、１６５、１８５と同様の構成の欠陥検査装置が用いて、電子輸送層３３と電子注入層３４の欠陥を適切に検査することができる。但し、当該欠陥検査装置の内部は、電子輸送層３３と電子注入層３４を蒸着法によって形成する際と同程度の真空度に維持するのが好ましい。
【０１２２】
以上の実施の形態では、電子輸送層３３と電子注入層３４は、基板処理システム１００の外部において蒸着法によってガラス基板Ｇ上に形成されていたが、正孔注入層３０、正孔輸送層３１及び発光層３２と同様に基板処理システム１００においてガラス基板Ｇ上に形成されてもよい。すなわち、電子輸送層３３と電子注入層３４に用いられる有機材料に応じて、当該電子輸送層３３と電子注入層３４は、それぞれインクジェット方法による有機材料の塗布処理、有機材料の減圧乾燥処理、有機材料の焼成処理を行ってガラス基板Ｇ上に形成される。
【０１２３】
かかる場合、基板処理システム１００の処理ステーション１０２において、各層形成部１２０〜１２２と同様の構成を有する電子輸送層形成部と電子注入層形成部がそれぞれ配置される。そして、基板処理システム１００において、電子輸送層３３と電子注入層３４に対する欠陥検査が行われ、当該電子輸送層３３と電子注入層３４が適切に形成される。
【０１２４】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１２５】
１    有機発光ダイオード
１０  陽極
３０  正孔注入層
３１  正孔輸送層
３２  発光層
３３  電子輸送層
３４  電子注入層
４０  陰極
１００  基板処理システム
１０１  搬入ステーション
１０２  処理ステーション
１０３  搬出ステーション
１２０  正孔注入層形成部
１２１  正孔輸送層形成部
１２２  発光層形成部
１４０、１６０、１８０  塗布装置
１４２、１６２、１８２  減圧乾燥装置
１４３、１６３、１８３  熱処理装置
１４４、１６４、１８４  温度調節装置
１４５、１６５、１８５  欠陥検査装置
２００  処理容器
２１０  浮上ステージ
２０１  給気口
２０５  排気口
２２０  照明部
２３０  撮像部
２５０  検査部
２６０  制御部
Ｇ    ガラス基板
【図１】
2014232689.tif 000003
【図２】
2014232689.tif 000004
【図３】
2014232689.tif 000005
【図４】
2014232689.tif 000006
【図５】
2014232689.tif 000007
【図６】
2014232689.tif 000008
【図７】
2014232689.tif 000009