(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁層表面を清浄に保ちつつビアホール内に選択的に導体金属をメッキして埋め込みビアを形成することができる、多層プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）をこの順序で含む多層プリント配線板の製造方法。（Ａ）回路基板１、絶縁層４、金属膜５及び支持体６を順に含む積層基板を準備する工程、（Ｂ）レーザーにてビアホール４ａを形成する工程、（Ｃ）デスミア処理を行う工程、（Ｄ）無電解メッキ用触媒を付与する工程、（Ｅ）金属膜を除去する工程、（Ｆ）無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキする工程【選択図】図１Ｂ
2014232776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）をこの順序で含む多層プリント配線板の製造方法。
（Ａ）回路基板、絶縁層、金属膜及び支持体を順に含む積層基板を準備する工程
（Ｂ）レーザーにてビアホールを形成する工程
（Ｃ）デスミア処理を行う工程
（Ｄ）無電解メッキ用触媒を付与する工程
（Ｅ）金属膜を除去する工程
（Ｆ）無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキする工程
【請求項２】
金属膜の厚さが、５μｍ以下である、請求項１に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
金属膜が、蒸着法、スパッタリング法及びイオンプレーティング法からなる群から選択される方法により形成されたものである、請求項１又は２に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項４】
工程（Ａ）において、金属膜と支持体との間にさらに離型層を含む積層基板を準備する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
離型層が、水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂及び水溶性アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂を含む、請求項４に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
工程（Ｃ）のデスミア処理が、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間に、支持体を除去する工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項８】
工程（Ｅ）において、湿式エッチングにより金属膜を除去する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項９】
さらに（Ｇ）絶縁層上に導体層を形成する工程を含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法で製造された多層プリント配線板を含む半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
各種電子機器に広く使用されている多層プリント配線板は、電子機器の更なる小型化及び高機能化のために、配線板を構成する層の薄層化や配線の微細化が進められ、回路配線の高密度化が図られている。
【０００３】
多層プリント配線板の製造技術としては、回路基板に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルドアップ方式による製造方法が知られている（例えば、特許文献１）。ビルドアップ方式による製造方法においては、絶縁層に接続ビアを形成することにより層間の電気接続が行われる。そして回路配線の高密度化を図る技術として、ビア内を導体金属で充填して埋め込みビアを形成する技術が報告されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／１０７７６０号
【特許文献２】特開２００１−１５６４５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２記載の技術においては、絶縁層表面にマスクを設け、マスク上からレーザーを照射して絶縁層にビアホールを形成した後、ビアホール内に選択的に導体金属を充填して埋め込みビアを形成する。埋め込みビアを形成することにより回路配線の高密度化が期待されるものの、斯かる技術においては、ビアホール形成時及び／又はマスク剥離時に生じるマスク由来の残渣が絶縁層表面に残存し、絶縁層表面に微細配線を形成するにあたって障害となる場合があることを本発明者らは見出した。斯かる問題は、回路配線の更なる高密度化を図るべくビアを高い密度にて形成する場合により顕著となる。ビアホール内部に生じた絶縁層由来の残渣（スミア）を除去するデスミア処理によって、絶縁層表面に付着したマスク由来の残渣を除去することも考えられるが、この場合には、絶縁層表面の粗度が高くなってしまい、やはり絶縁層表面に微細配線を形成するにあたって障害となる場合がある。
【０００６】
マスク由来の残渣の発生を防止すべく、マスクを使用せずに埋め込みビアを形成することも考えられる。例えば、絶縁層に形成したビアホールを、無電解メッキによりメッキして導体金属で充填する方法が考えられる。しかしながら、斯かる方法では、ビアホール内のみならず、絶縁層表面にも導体金属がメッキされてしまい、埋め込みビアを形成する利点が減殺される。詳細には、ビアホール内を導体金属で完全に充填しようとすると、絶縁層表面にも厚い導体金属層が形成されることとなり、絶縁層表面に微細配線を形成することが困難となる。
【０００７】
多層プリント配線板の回路配線の更なる高密度化を実現するにあたっては、絶縁層表面の配線の微細化を妨げることなく、埋め込みビアを形成することができる技術が求められる。
【０００８】
したがって本発明の課題は、絶縁層表面を清浄に保ちつつビアホール内に選択的に導体金属をメッキして埋め込みビアを形成することのできる、多層プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記の課題につき鋭意検討した結果、下記特定の方法により多層プリント配線板を製造することにより上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は以下の内容を含む。
〔１〕  下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）をこの順序で含む多層プリント配線板の製造方法。
（Ａ）回路基板、絶縁層、金属膜及び支持体を順に含む積層基板を準備する工程
（Ｂ）レーザーにてビアホールを形成する工程
（Ｃ）デスミア処理を行う工程
（Ｄ）無電解メッキ用触媒を付与する工程
（Ｅ）金属膜を除去する工程
（Ｆ）無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキする工程
〔２〕  金属膜の厚さが、５μｍ以下である、〔１〕に記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔３〕  金属膜が、蒸着法、スパッタリング法及びイオンプレーティング法からなる群から選択される方法により形成されたものである、〔１〕又は〔２〕に記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔４〕  工程（Ａ）において、金属膜と支持体との間にさらに離型層を含む積層基板を準備する、〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔５〕  離型層が、水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂及び水溶性アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の樹脂を含む、〔４〕に記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔６〕  工程（Ｃ）のデスミア処理が、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせである、〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔７〕  工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間に、支持体を除去する工程を含む、〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔８〕  工程（Ｅ）において、湿式エッチングにより金属膜を除去する、〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔９〕  さらに（Ｇ）絶縁層上に導体層を形成する工程を含む、〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の多層プリント配線板の製造方法。
〔１０〕  〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載の方法で製造された多層プリント配線板を含む半導体装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、絶縁層表面を清浄に保ちつつビアホール内に選択的に導体金属をメッキして埋め込みビアを形成することのできる、多層プリント配線板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の一実施形態における多層プリント配線板の製造方法を説明するための模式図（１）である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の一実施形態における多層プリント配線板の製造方法を説明するための模式図（２）である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の一実施形態における多層プリント配線板の製造方法を説明するための模式図（３）である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の一実施形態における多層プリント配線板の製造方法を説明するための模式図（４）である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の一実施形態における多層プリント配線板の製造方法を説明するための模式図（５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の多層プリント配線板の製造方法について詳細に説明する前に、本発明の方法において使用し得る金属膜付きフィルム及び金属膜付き接着フィルムについて説明する。
【００１４】
＜金属膜付きフィルム＞
本発明の方法において使用し得る金属膜付きフィルムは、支持体と、該支持体上に設けられた金属膜とを含む。工程（Ａ）において、金属膜と支持体との間に離型層を含む積層基板を準備する場合には、支持体と、該支持体上に設けられた離型層と、該離型層上に設けられた金属膜とを含む金属膜付きフィルムを使用すればよい。
【００１５】
（支持体）
金属膜付きフィルムに含まれる支持体は、自己支持性を有するフィルム若しくはシート状物であり、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましく、プラスチック材料からなるフィルムがより好ましい。
【００１６】
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリテトラフルオロエチレンなどが挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。
【００１７】
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられる。支持体として金属箔を使用する場合であって支持体と金属膜との間に後述する離型層を有しない場合は、金属膜を構成する金属とは異なる金属を含む金属箔を使用することが好ましい。
【００１８】
支持体の表面は、マット処理、コロナ処理等の表面処理が施してあってもよい。金属膜若しくは離型層と接合する側の支持体の表面は、算術平均粗さ（Ｒａ）が、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３５ｎｍ以下、さらにより好ましくは３０ｎｍ以下であることが好ましい。該算術平均粗さ（Ｒａ）の下限は特に限定されず、０ｎｍであってもよい。金属膜若しくは離型層と接合しない側の支持体の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、特に限定されないが、上記と同じ範囲内にあることが好ましい。
支持体の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、例えば、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００」が挙げられる。
【００１９】
支持体は市販品を用いてもよい。支持体の市販品としては、例えば、例えば、Ｔ６０、Ｒ８０(ともに東レ（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム)、Ａ４１００（東洋紡績（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム）、Ｑ８３（帝人デュポンフィルム（株）製、ポリエチレンナフタレートフィルム）、ダイアホイル０Ｂ１００（三菱化学ポリエステルフィルム（株）製、ポリエチレンテレフタレートフィルム）、ＡＬ−５（リンテック（株）製、アルキド樹脂系離型剤により表面処理されたポリエチレンテレフタレートフィルム）等が挙げられる。
【００２０】
支持体の厚さは、支持体を容易に除去し得る観点および金属膜形成時の取り扱い性の観点から、通常１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上である。支持体の厚さの上限は特に限定されないが、コストの観点から、通常７０μｍ以下である。
【００２１】
（離型層）
金属膜付きフィルムが支持体と金属膜との間に離型層を含む場合、離型層としては、無機離型層および有機離型層が挙げられ、有機離型層が好ましい。
【００２２】
無機離型層としては、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の方法で形成される金属層、又は金属箔を用いてよい。無機離型層に含まれる金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、鉛、ニッケル等が挙げられ、アルミニウムが好ましい。
【００２３】
有機離型層は、フッ素樹脂、アルキド樹脂、シリコーン樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、セルロース樹脂等の１種以上の有機高分子を含む離型層を好適に使用し得る。
【００２４】
離型層としては、その上に金属膜を均一に形成し得る観点、離型層を形成するコストの観点から、水溶性セルロース樹脂、水溶性アクリル樹脂及び水溶性ポリエステル樹脂から選択される１種以上の水溶性高分子を含む有機離型層が特に好ましい。斯かる水溶性高分子を含む有機離型層は、無機離型層に比べて、支持体上に容易に形成することができ、コストの点においても有利である。また多層プリント配線板の製造において、絶縁層の形成後に支持体−離型層間で支持体を容易に剥離可能であることから、金属膜が損傷を受けにくい。さらには、金属膜上に残る離型層は、デスミア処理において簡便に除去することが可能である。
【００２５】
有機離型層に使用する水溶性高分子としては、水溶性セルロース樹脂及び水溶性ポリエステル樹脂がより好ましく、水溶性セルロース樹脂が特に好ましい。水溶性高分子は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。また、水溶性高分子を含む有機離型層は、単層構造を有していてもよく、異なる水溶性高分子を含む２層以上から形成される多層構造を有していてもよい。
【００２６】
なお、本発明において「水溶性高分子」または「水溶性樹脂」とは、２０℃の水１００ｇに対して１ｇ以上溶解し得る高分子または樹脂をいう。また、本発明における「水溶性高分子」または「水溶性樹脂」には、２０℃の水１００ｇに対して固体析出を生じることなく１ｇ以上分散し得る高分子または樹脂も含まれる。
【００２７】
離型層として、水溶性高分子を含む有機離型層を使用する場合、水溶性高分子を含む有機離型層と支持体との間に、これらの層間での剥離性を向上させるため、シリコーン樹脂、アルキド樹脂、フッ素樹脂等の他の材料を含む離型層が存在していてもよい。すなわち、離型層に水溶性高分子を適用する場合、離型層の少なくとも金属膜と接合する面が水溶性高分子で形成されていればよい。例えば、離型層を水溶性高分子を含む離型層のみで形成するか、又は、その金属膜と接合する面が水溶性高分子で形成されるように、水溶性高分子を含む離型層と他の材料を含む離型層との多層構造にすることができる。これらの水溶性高分子（水溶性樹脂）を少なくとも金属膜と接合する面に採用した離型層を使用する場合、絶縁層の形成後に支持体−離型層間で支持体を容易に剥離可能であり、その後、金属膜上に残る離型層はデスミア処理によって容易に除去し得る。なお支持体−離型層間での支持体の剥離は、離型層が上記水溶性高分子を含む離型層のみから形成される場合、支持体と離型層の界面で行われる。離型層がアルキド樹脂等の他の材料を含む離型層と上記水溶性高分子を含む離型層の多層構造からなる場合は、他の材料を含む離型層と水溶性高分子を含む離型層の界面で行われる。
【００２８】
離型層の厚さは、支持体を容易に剥離し得る観点から、通常０．０１μｍ以上、好ましくは０．０５μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上、さらに好ましくは０．２μｍ以上である。離型層の厚さの下限は、多層プリント配線板の製造において金属膜と離型層との熱膨張率の差異に起因する金属膜のヒビや傷の発生を抑える観点から、通常２０μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは３μｍ以下、さらにより好ましくは２μｍ以下、特に好ましくは１μｍ以下である。好適な実施形態において、離型層の厚さは、好ましくは０．０１μｍ〜２０μｍ、より好ましくは０．０５μｍ〜１０μｍ、さらに好ましくは０．１μｍ〜５μｍ、さらにより好ましくは０．１μｍ〜３μｍ、特に好ましくは０．１μｍ〜２μｍ、０．１μｍ〜１μｍ、又は０．２μｍ〜１μｍである。なお、「離型層の厚さ」とは、離型層が単層の場合は該単層の厚さであり、離型層が多層の場合は、該多層全体の厚さである。例えば、離型層が、水溶性高分子を含む離型層と、シリコーン樹脂、アルキド樹脂、フッ素樹脂等の他の材料を含む離型層とから構成される多層構造を有する場合は、これら水溶性高分子を含む離型層と他の材料を含む離型層との合計の厚さが上記範囲となるように設定する。なお、離型層が、水溶性高分子を含む離型層と、他の材料を含む離型層との多層構造を有する場合、他の材料を含む離型層の厚さは０．０１μｍ〜０．２μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２９】
−水溶性セルロース樹脂−
水溶性セルロース樹脂とは、セルロース樹脂に水溶性を付与するための処理を施したセルロース誘導体をいい、好適な例としては、セルロースエーテル、セルロースエーテルエステル等が挙げられる。
【００３０】
セルロースエーテルは、セルロース樹脂に１以上のエーテル連結基を与えるために、セルロース樹脂の１以上の無水グルコース繰り返し単位に存在する１以上のヒドロキシル基をエーテルへと変換して形成されるセルロース誘導体である。セルロースエーテルが有し得るエーテル連結基としては、通常、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アルコキシ基（炭素原子数１〜４）、及びヒドロキシアルコキシ基（炭素原子数１〜４）からなる群から選択される１種以上の置換基を有していてもよいアルキル基（炭素数１〜４）が挙げられる。ここで、「置換基を有していてもよいアルキル基」とは、その水素原子の一部若しくは全部が置換基で置換されているアルキル基と、無置換のアルキル基との双方を含む。エーテル連結基の具体例としては、２−ヒドロキシエチル、２−ヒドロキシプロピル、３−ヒドロキシプロピルなどのヒドロキシアルキル基（炭素原子数１〜４）；２−メトキシエチル、３−メトキシプロピル、２−メトキシプロピル、２−エトキシエチルなどのアルコキシ（炭素原子数１〜４）アルキル基（炭素原子数１〜４）；２−（２−ヒドロキシエトキシ）エチルまたは２−（２−ヒドロキシプロポキシ）プロピルなどのヒドロキシアルコキシ（炭素原子数１〜４）アルキル基（炭素原子数１〜４）、カルボキシメチルなどのカルボキシアルキル基（炭素原子数１〜４）等が挙げられる。セルロースエーテル分子中のエーテル連結基は単一種であっても複数種であってもよい。すなわち、セルロースエーテルは、単一種のエーテル連結基を有するセルロースエーテルであっても、複数種のエーテル連結基を有するセルロースエーテルであってもよい。
【００３１】
セルロースエーテルの具体例としては、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシブチルメチルセルロース、ヒドロキシエチルエチルセルロース、カルボキシメチルセルロース及びこれらの水溶性塩（例えば、ナトリウム塩等のアルカリ金属塩）が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００３２】
なお、セルロースエーテルにおける単位グルコース環あたりの置換されたエーテル基の平均モル数は特に限定されないが、１〜６が好ましい。また、セルロースエーテルの分子量は、重量平均分子量にて２００００〜６００００程度が好適である。
本発明において、水溶性高分子（水溶性樹脂）の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法を用いて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
【００３３】
セルロースエーテルエステルは、セルロースエーテル中に存在する１以上のヒドロキシル基と１以上の好適な有機酸またはその反応性誘導体との間で形成され、それによりエステル連結基が形成されたセルロースエーテルである。なお、ここでいう「セルロースエーテル」は上述のとおりである。「有機酸」は脂肪族若しくは芳香族カルボン酸（好ましくは炭素原子数２〜８）を含み、脂肪族カルボン酸は、非環状（分枝状または非分枝状）または環状であってもよく、飽和または不飽和であってもよい。具体的には、脂肪族カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、フマル酸、マレイン酸等の置換又は非置換の非環状脂肪族ジカルボン酸；グリコール酸または乳酸などの非環状ヒドロキシ置換カルボン酸；リンゴ酸、酒石酸、クエン酸などの非環状ヒドロキシ置換ジ−またはトリ−カルボン酸等が挙げられる。また、芳香族カルボン酸としては、炭素原子数１４以下のアリールカルボン酸が好ましく、１個以上のカルボキシル基（例えば、１、２または３個のカルボキシル基）を有するアリールカルボン酸が特に好ましい。アリールカルボン酸中のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、該アリール基は、ヒドロキシル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基（例えば、メトキシ基）およびスルホニル基からなる群から選択される１以上の置換基（例えば、１個、２個、又は３個の置換基）を有していてもよい。アリール基が２個以上の置換基を有する場合、それらは同一でも相異なっていてもよい。アリールカルボン酸の好適な例としては、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸またはトリメリット酸（１，２，４−ベンゼントリカルボン酸）等が挙げられる。
【００３４】
有機酸が１個以上のカルボキシル基を有する場合、好適には、有機酸のただ１つのカルボキシル基が、エステル連結基の形成に寄与する。例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースサクシネートの場合、コハク酸の１つのカルボキシル基がセルロースとエステル連結を形成し、他のカルボキシル基は遊離の酸として存在する。「エステル連結基」は、セルロースまたはセルロースエーテルと、既述の好適な有機酸またはその反応性誘導体との反応により形成される。好適な反応性誘導体としては、例えば、無水フタル酸などの酸無水物が含まれる。
【００３５】
セルロースエーテルエステル分子中のエステル連結基は単一種であっても複数種であってもよい。すなわち、セルロースエーテルエステルは、単一種のエステル連結基を有するセルロースエーテルエステルであっても、複数種のエステル連結基を有するセルロースエーテルエステルであってもよい。例えば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネートは、サクシネート基とアセテート基の両方を有するヒドロキシプロピルメチルセルロースのエステルである。
【００３６】
好適なセルロースエーテルエステルとしては、ヒドロキシプロピルメチルセルロースまたはヒドロキシプロピルセルロースのエステルが挙げられ、具体例としては、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルローストリメリテート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートトリメリテート、ヒドロキシプロピルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルセルロースブチレートフタレート、ヒドロキシプロピルセルロースアセテートフタレートサクシネートおよびヒドロキシプロピルセルロースアセテートトリメリテートサクシネート等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００３７】
中でも、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレートが好ましい。
【００３８】
なお、セルロースエーテルエステルにおける単位グルコース環あたりの置換されたエステル基の平均モル数は特に限定されないが、０．５〜２程度が好ましい。また、セルロースエーテルエステルの分子量は、重量平均分子量にて２００００〜６００００程度が好適である。
【００３９】
セルロースエーテル及びセルロースエーテルエステルの製法は公知であり、天然由来のセルロース（パルプ）を原料とし、定法に従って、エーテル化剤、エステル化剤を反応させることによって製造してよい。あるいはまた、セルロースエーテル及びセルロースエーテルエステルとしては、市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＨＰ−５５」、「ＨＰ−５０」（ともにヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート）、「６０ＳＨ−０６」(ヒドロキシプロピルメチルセルロース)等が挙げられる。
【００４０】
−水溶性ポリエステル樹脂−
水溶性ポリエステル樹脂とは、多価カルボン酸またはそのエステル形成性誘導体と多価アルコールまたはそのエステル形成性誘導体を主たる原料として、通常の重縮合反応によって合成される、実質的に線状のポリマーからなるポリエステル樹脂であって、分子中または分子末端に親水基が導入されたポリエステル樹脂をいう。ここで、親水基としては、例えば、スルホ基、カルボキシル基、燐酸基等の酸基およびそれらの塩等が挙げられ、好ましくは、スルホ基およびその塩、カルボキシル基およびその塩である。したがって水溶性ポリエステル樹脂としては、スルホ基およびその塩、カルボキシル基およびその塩からなる群から選択される１種以上の親水基を有する水溶性ポリエステル樹脂が好ましい。
【００４１】
水溶性ポリエステル樹脂の製造に使用する多価カルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、フタル酸、無水フタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、アジピン酸などが挙げられる。これらは、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。また、上記の種々の化合物と共に、ｐ−ヒドロキシ安息香酸等のヒドロキシモノカルボン酸、マレイン酸、フマル酸およびイタコン酸等の不飽和カルボン酸も少量であれば併用してもよい。
【００４２】
水溶性ポリエステル樹脂の製造に使用する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、１，６−ヘキサングリコール、１，４−シクロヘキサンメタノール、キシリレングリコール、ジメチロールプロピオン酸、グリセリン、トリメチロールプロパンまたはポリ（テトラメチレンオキシド）グリコール等が挙げられる。これらは、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００４３】
ポリエステル樹脂の分子中または分子末端への親水基の導入は、公知慣用の任意の方法により実施してよいが、親水基を含有するエステル形成性化合物（例えば、芳香族カルボン酸化合物、ヒドロキシ化合物等）を共重合させて導入することが好ましい。
【００４４】
例えば、スルホン酸塩基を導入する場合、５−スルホン酸ナトリウムイソフタル酸、５−スルホン酸アンモニウムイソフタル酸、４−スルホン酸ナトリウムイソフタル酸、４−メチルスルホン酸アンモニウムイソフタル酸、２−スルホン酸ナトリウムテレフタル酸、５−スルホン酸カリウムイソフタル酸、４−スルホン酸カリウムイソフタル酸および２−スルホン酸カリウムテレフタル酸等からなる群から選択される１種以上の化合物を共重合することが好適である。
【００４５】
また、カルボキシル基を導入する場合、たとえば、無水トリメリット酸、トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ピロメリット酸、トリメシン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、ジメチロールプロピオン酸等からなる群から選択される１種以上の化合物を共重合することが好適である。共重合反応の後、アミノ化合物、アンモニアまたはアルカリ金属塩などで中和することによって、カルボキシル基をカルボン酸塩基へと変換することができる。
【００４６】
水溶性ポリエステル樹脂の分子量は特に制限はないが、離型層の層形成性および水溶解性の観点から、重量平均分子量にて１００００〜４００００程度が好ましい。
【００４７】
水溶性ポリエステル樹脂は、市販品を使用してもよい。水溶性ポリエステル樹脂の市販品としては、例えば、互応化学工業（株）製の「プラスコート  Ｚ−５６１」（重量平均分子量：約２７０００）、「プラスコート  Ｚ−５６５」（重量平均分子量：約２５０００）等が挙げられる。
【００４８】
−水溶性アクリル樹脂−
水溶性アクリル樹脂とは、カルボキシル基含有単量体を必須成分として含有し、水に分散又は溶解し得るアクリル樹脂である。
【００４９】
水溶性アクリル樹脂は、好ましくは、カルボキシル基含有単量体及び（メタ）アクリル酸エステルを必須の単量体成分として含み、必要に応じて他の不飽和単量体を単量体成分として含むアクリル系重合体である。
【００５０】
カルボキシル基含有単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、無水マレイン酸、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノブチル、イタコン酸モノメチル、イタコン酸モノブチル等が挙げられ、（メタ）アクリル酸が好ましい。これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００５１】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ペンチル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘキシル、（メタ）アクリル酸ｎ−ヘプチル、（メタ）アクリル酸ｎ−オクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸ステアリル等の炭素原子数１〜１８のアルキル基を有するメタアクリル酸アルキルエステルが挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００５２】
他の不飽和単量体としては、例えば、芳香族アルケニル化合物、シアン化ビニル化合物、共役ジエン系化合物、ハロゲン含有不飽和化合物、ヒドロキシル基含有単量体等が挙げられる。芳香族アルケニル化合物としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン等が挙げられる。シアン化ビニル化合物としては、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニトリル等が挙げられる。共役ジエン系化合物としては、例えば、ブタジエン、イソプレン等が挙げられる。ハロゲン含有不飽和化合物としては、例えば、塩化ビニル、塩化ビニリデン、パーフルオロエチレン、パーフルオロプロピレン、フッ化ビニリデン等が挙げられる。ヒドロキシル基含有単量体としては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチルアクリレート、４−ヒドロキシブチルメタクリレート、α−ヒドロキシメチルエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００５３】
離型層は、好適には、水溶性セルロース樹脂、水溶性ポリエステル樹脂及び水溶性アクリル樹脂からなる群から選択される１種以上の水溶性高分子を含む塗工液を、支持体に塗布し、乾燥することによって形成される。水溶性アクリル樹脂を使用する場合、塗工液はエマルジョン形態でも、水溶液形態でもよい。
【００５４】
水溶性アクリル樹脂をエマルジョン形態で使用する場合、コアシェル型エマルジョンが好適である。コアシェル型エマルジョンでは、コアシェル粒子のシェルにカルボキシル基が存在することが重要である。従って、シェルはカルボキシル基含有単量体及び（メタ）アクリル酸エステルを含むアクリル樹脂で構成される。
【００５５】
水溶性アクリル樹脂のコアシェル型エマルジョンは市販されており、例えば、ジョンクリル７６００（Ｔｇ：約３５℃）、７６３０Ａ（Ｔｇ：約５３℃）、５３８Ｊ（Ｔｇ：約６６℃）、３５２Ｄ（Ｔｇ：約５６℃）（いずれもＢＡＳＦジャパン（株）製）等が挙げられる。
【００５６】
水溶性アクリル樹脂を水溶液形態で使用する場合、当該アクリル樹脂は、カルボキシル基含有単量体及び（メタ）アクリル酸エステルを含むアクリル樹脂であり、比較的低分子量であることが重要である。水溶液形態で使用する場合、水溶液アクリル樹脂の分子量は、離型層の層形成性および支持体の剥離容易性の観点から、重量平均分子量にて１０００〜５００００が好ましい。
【００５７】
水溶性アクリル樹脂の水溶液は市販されており、例えば、ジョンクリル３５４Ｊ（ＢＡＳＦジャパン（株）製）等が挙げられる。
【００５８】
分子量が高く層形成性に優れることから、水溶性アクリル樹脂のエマルジョンが好適である。
【００５９】
（金属膜）
金属膜に使用する金属は特に限定されない。好適な実施形態では、金属膜は、金、白金、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。金属膜は、単金属膜であっても合金膜であってもよく、合金膜としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、後述する工程（Ｄ）における除去の容易性等の観点から、銅、チタン若しくはニッケルの単金属膜、又はニッケル・クロム合金の合金膜が好ましく、銅の単金属膜がより好ましい。
【００６０】
金属膜は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。
【００６１】
金属膜としては、蒸着法、スパッタリング法及びイオンプレーティング法からなる群から選択される方法により形成された金属膜が好ましい。
【００６２】
蒸着法（真空蒸着法）は、公知の方法を用いることができ、例えば、支持体を真空容器内に入れ、金属を加熱蒸発させることにより支持体上（離型層を有する場合は離型層上）に膜形成を行うことができる。
【００６３】
スパッタリング法も、公知の方法を用いることができ、例えば、支持体を真空容器内に入れ、アルゴン等の不活性ガスを導入し、直流電圧を印加して、イオン化した不活性ガスをターゲット金属に衝突させ、叩き出された金属により支持体上（離型層を有する場合は離型層上）に膜形成を行うことができる。
【００６４】
イオンプレーティング法もまた、公知の方法を用いることができ、例えば、支持体を真空容器内に入れ、グロー放電雰囲気下で、金属を加熱蒸発させ、イオン化した蒸発金属により支持体上（離型層を有する場合は離型層上）に膜形成を行うことができる。
【００６５】
上記特定の方法により形成された金属膜を使用することにより、表面粗度が低いにもかかわらず、導体層との剥離強度（密着強度）に優れる絶縁層を実現し得る。該金属膜に代えて銅箔等の金属箔を使用した場合は、表面粗度が低く導体層との剥離強度（密着強度）に優れる絶縁層を得ることは困難である。詳細には、金属箔の光沢面等の平滑面を被着体（絶縁層）に転写し、エッチング等により金属箔を除去した場合は、露出した絶縁層表面にメッキにより導体層を形成しても、十分な剥離強度（密着強度）を有する導体層が得られ難い。さらには、斯かる場合に得られる絶縁層は表面平滑性の点においても劣る。一方、金属箔の粗化面を被着体（絶縁層）に転写し、エッチング等により金属箔を除去した場合は、絶縁層の表面粗度が大きくなり、十分な剥離強度を有する導体層は得られたとしても、微細配線化に不利となる。
【００６６】
金属膜の厚さは特に制限はないが、金属膜の形成時間およびコストの観点から、通常５μｍ以下、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１μｍ以下、さらに好ましくは０．８μｍ以下、０．６μｍ以下、又は０．５μｍ以下である。金属膜の厚さの下限は、金属膜におけるクラック発生を防止する観点から、好ましくは０．０２５μｍ以上、より好ましくは０．１μｍ以上である。好適な実施形態において、金属膜の厚さは、好ましくは０．０２５μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．０２５μｍ〜３μｍ、さらに好ましくは０．１μｍ〜３μｍ、さらにより好ましくは０．１μｍ〜１μｍ、特に好ましくは０．１μｍ〜０．８μｍ、０．１μｍ〜０．６μｍ、又は０．１μｍ〜０．５μｍである。
【００６７】
金属膜が２層構造である場合、汎用性の観点、導体層との剥離強度に優れる絶縁層を得る観点から、銅膜と、クロム膜、ニッケル・クロム合金膜又はチタン膜との２層構造であることが好ましい。この場合、脂組成物層に接する層が、クロム膜、ニッケル・クロム合金膜又はチタン膜であることが好ましい。金属膜が２層構造である場合も、金属膜全体の厚さは上記範囲にあることが好ましい。なお、金属膜が２層構造である場合、クロム膜、ニッケル・クロム合金膜又はチタン膜の厚さは、好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍ、より好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍ、さらに好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍ、さらにより好ましくは５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００６８】
＜金属膜付き接着フィルム＞
上記の金属膜付きフィルムの金属膜上に、さらに樹脂組成物層を設けることによって、金属膜付き接着フィルムを調製することができる。
【００６９】
すなわち、本発明において使用し得る金属膜付き接着フィルムは、支持体と、該支持体上に設けられた金属膜と、該金属膜上に設けられた樹脂組成物層とを含む。工程（Ａ）で金属膜と支持体との間に離型層を含む積層基板を準備する場合は、支持体と、該支持体上に設けられた離型層と、該離型層上に設けられた金属膜と、該金属膜上に設けられた樹脂組成物層とを含む金属膜付き接着フィルムを使用すればよい。
【００７０】
（樹脂組成物層）
樹脂組成物層に使用する樹脂組成物は特に限定されず、その硬化物が十分な硬度と絶縁性を有するものであればよい。斯かる樹脂組成物としては、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の硬化性樹脂とその硬化剤を含む組成物が挙げられる。硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が好ましく、樹脂組成物層に使用する樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤を含むことが好ましい。樹脂組成物層に使用する樹脂組成物は、必要に応じて、さらに（ｃ）無機充填材、（ｄ）熱可塑性樹脂、（ｅ）硬化促進剤、（ｆ）難燃剤及び（ｇ）ゴム粒子等の添加剤を含んでいてもよい。
【００７１】
一実施形態において、樹脂組成物に使用する樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｃ）無機充填材を含む。他の実施形態において、樹脂組成物は、（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）硬化剤、及び（ｄ）熱可塑性樹脂を含む。
【００７２】
（ａ）エポキシ樹脂
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、ビスフェノール類のジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、及びアルコール類のジグリシジルエーテル化物、並びにこれらのエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物及び水素添加物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００７３】
エポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。エポキシ樹脂の不揮発成分を１００質量％とした場合に、少なくとも５０質量％以上は１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂であるのが好ましい。中でも、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で液状のエポキシ樹脂（以下、「液状エポキシ樹脂」という。）と、１分子中に３個以上のエポキシ基を有し、温度２０℃で固体状のエポキシ樹脂（以下、「固体状エポキシ樹脂」という。）とを含むことが好ましい。エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用することで、優れた可撓性を有する樹脂組成物が得られる。また、樹脂組成物を硬化して形成される絶縁層の破断強度も向上する。
【００７４】
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂が好ましく、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、又はナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。液状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ」、「ＥＸＡ４０３２ＳＳ」、「ＨＰ４０３２ＳＳ」（ナフタレン型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ｊＥＲ８２８ＥＬ」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ８０７」（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂）、「ｊＥＲ１５２」（フェノールノボラック型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製の「ＺＸ１０５９」（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂の混合品）等が挙げられる。これらは１種単独で用いてもよく、又は２種以上を併用してもよい。
【００７５】
固体状エポキシ樹脂としては、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノールエポキシ樹脂、ナフトールノボラックエポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂が好ましく、４官能ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂又はナフチレンエーテル型エポキシ樹脂がより好ましく、ビフェニル型エポキシ樹脂又はビキシレノール型エポキシ樹脂がさらに好ましい。固体状エポキシ樹脂の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＨＰ−４７００」、「ＨＰ−４７１０」（４官能ナフタレン型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９０」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「Ｎ−６９５」（クレゾールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＨＰ−７２００」（ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂）、「ＥＸＡ７３１１」、「ＥＸＡ７３１１−Ｇ３」、「ＨＰ６０００」（ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂）、日本化薬（株）製の「ＥＰＰＮ−５０２Ｈ」（トリスフェノールエポキシ樹脂）、「ＮＣ７０００Ｌ」（ナフトールノボラックエポキシ樹脂）、「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００」、「ＮＣ３０００Ｌ」、「ＮＣ３１００」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、新日鐵化学（株）製の「ＥＳＮ４７５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、「ＥＳＮ４８５」（ナフトールノボラック型エポキシ樹脂）、三菱化学（株）製の「ＹＸ４０００Ｈ」、「ＹＬ６１２１」（ビフェニル型エポキシ樹脂）、「ＹＸ４０００ＨＫ」（ビキシレノール型エポキシ樹脂）等が挙げられる。
【００７６】
エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを併用する場合、それらの量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．１〜１：４の範囲が好ましい。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比を斯かる範囲とすることにより、i）接着フィルムの形態で使用する場合に適度な粘着性がもたらされる、ii）接着フィルムの形態で使用する場合に十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する、並びにiii）十分な破断強度を有する絶縁層を得ることができるなどの効果が得られる。上記i）〜iii）の効果の観点から、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂の量比（液状エポキシ樹脂：固体状エポキシ樹脂）は、質量比で、１：０．３〜１：３．５の範囲がより好ましく、１：０．６〜１：３の範囲がさらに好ましく、１：０．８〜１：２．５の範囲が特に好ましい。
【００７７】
樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、３質量％〜５０質量％が好ましく、５質量％〜４５質量％がより好ましく、５質量％〜４０質量％が更に好ましく、７質量％〜３５質量％が特に好ましい。
なお、本発明において、樹脂組成物中の各成分の含有量は、樹脂組成物中の不揮発成分の合計を１００質量％としたときの値である。
【００７８】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは５０〜３０００、より好ましくは８０〜２０００、さらに好ましくは１１０〜１０００である。この範囲となることで、硬化物の架橋密度が十分となり表面粗度の低い絶縁層をもたらす。なお、エポキシ当量は、ＪＩＳ  Ｋ７２３６に従って測定することができ、１当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。
【００７９】
（ｂ）硬化剤
硬化剤としては、エポキシ樹脂を硬化する機能を有する限り特に限定されないが、例えば、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、酸無水物系硬化剤、又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの等を挙げることができる。硬化剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。中でも、硬化剤としては、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、これらのエポキシアダクト及びマイクロカプセル化したものからなる群から選択される１種以上が好ましい。
【００８０】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するフェノール系硬化剤、又はノボラック構造を有するナフトール系硬化剤が好ましい。また、導体層（回路配線）との密着性に優れる絶縁層を得る観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。中でも、耐熱性、耐水性、及び導体層との密着性（剥離強度）を高度に満足させる観点から、（ｂ）硬化剤は、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤を含むことが好ましい。例えば、（ｂ）硬化剤は、トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤とナフトール系硬化剤とを組み合わせて含んでよい。
【００８１】
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成（株）製の「ＭＥＨ−７７００」、「ＭＥＨ−７８１０」、「ＭＥＨ−７８５１」、日本化薬（株）製の「ＮＨＮ」、「ＣＢＮ」、「ＧＰＨ」、東都化成（株）製の「ＳＮ１７０」、「ＳＮ１８０」、「ＳＮ１９０」、「ＳＮ４７５」、「ＳＮ４８５」、「ＳＮ４９５」、「ＳＮ３７５」、「ＳＮ３９５」、ＤＩＣ（株）製の「ＴＤ２０９０」等が挙げられる。トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤の具体例としては、例えば、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ３０１８」等が挙げられる。トリアジン骨格含有フェノールノボラック硬化剤の具体例としては、ＤＩＣ（株）製の「ＬＡ７０５２」、「ＬＡ７０５４」、「ＬＡ１３５６」等が挙げられる。
【００８２】
活性エステル系硬化剤としては、特に制限はないが、一般にフェノールエステル類、チオフェノールエステル類、Ｎ−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の反応活性の高いエステル基を１分子中に２個以上有する化合物が好ましく用いられる。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び／又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び／又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び／又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。カルボン酸化合物としては、例えば安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールＡ、メチル化ビスフェノールＦ、メチル化ビスフェノールＳ、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、１，５−ジヒドロキシナフタレン、１，６−ジヒドロキシナフタレン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエニルジフェノール、フェノールノボラック等が挙げられる。
【００８３】
具体的には、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が好ましく、中でもナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。
【００８４】
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエニルジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「ＥＸＢ９４５１」、「ＥＸＢ９４６０」、「ＥＸＢ９４６０Ｓ」、「ＨＰＣ−８０００−６５Ｔ」（ＤＩＣ（株）製）、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「ＥＸＢ９４１６−７０ＢＫ」（ＤＩＣ（株）製）、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「ＤＣ８０８」（三菱化学（株）製）、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「ＹＬＨ１０２６」（三菱化学（株）製）などが挙げられる。
【００８５】
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子（株）製の「ＨＦＢ２００６Ｍ」、四国化成工業（株）製の「Ｐ−ｄ」、「Ｆ−ａ」が挙げられる。
【００８６】
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、及びビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン（株）製の「ＰＴ３０」及び「ＰＴ６０」（いずれもフェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂）、「ＢＡ２３０」（ビスフェノールＡジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー）等が挙げられる。
【００８７】
（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）硬化剤との量比は、［エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数］：［硬化剤の反応基の合計数］の比率で、１：０．２〜１：２の範囲が好ましく、１：０．３〜１：１．５がより好ましく、１：０．４〜１：１がさらに好ましい。ここで、硬化剤の反応基とは、活性水酸基、活性エステル基等であり、硬化剤の種類によって異なる。また、エポキシ樹脂のエポキシ基の合計数とは、各エポキシ樹脂の固形分質量をエポキシ当量で除した値をすべてのエポキシ樹脂について合計した値であり、硬化剤の反応基の合計数とは、各硬化剤の固形分質量を反応基当量で除した値をすべての硬化剤について合計した値である。エポキシ樹脂と硬化剤との量比を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の硬化物の耐熱性がより向上する。
【００８８】
（ｃ）無機充填材
無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、クレー、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウム等が挙げられる。これらの中でも無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等のシリカが特に好適である。またシリカとしては球状シリカが好ましい。無機充填材は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。市販されている球状溶融シリカとして、（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、「ＳＯＣ１」が挙げられる。
【００８９】
無機充填材の平均粒径は、絶縁信頼性の観点から、好ましくは３μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下である。無機充填材の平均粒径の下限は特に限定されないが、通常０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．０５μｍ以上である。無機充填材の平均粒径はミー（Ｍｉｅ）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒度分布測定装置としては、株式会社堀場製作所製ＬＡ−５００等を使用することができる。
【００９０】
無機充填材は、耐湿性及び分散性を高める観点から、アミノシラン系カップリング剤、エポキシシラン系カップリング剤、メルカプトシラン系カップリング剤、シラン系カップリング剤、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤などの１種以上の表面処理剤で処理されていることが好ましい。表面処理剤の市販品としては、例えば、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ４０３」（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ８０３」（３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＥ９０３」（３−アミノプロピルトリエトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」（Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン）、信越化学工業（株）製「ＳＺ−３１」（ヘキサメチルジシラザン）等が挙げられる。
【００９１】
表面処理剤で表面処理された無機充填材は、溶剤（例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ））により洗浄処理した後に、無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のＭＥＫを表面処理剤で表面処理された無機充填材に加えて、２５℃で５分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所製「ＥＭＩＡ−３２０Ｖ」等を使用することができる。
【００９２】
無機充填材の単位表面積当たりのカーボン量は、無機充填材の分散性向上の観点から、０．０２ｍｇ／ｍ２以上が好ましく、０．１ｍｇ／ｍ２以上がより好ましく、０．２ｍｇ／ｍ２以上が更に好ましい。一方、熱硬化性樹脂組成物層の溶融粘度の上昇を防止する観点から、１ｍｇ／ｍ２以下が好ましく、０．８ｍｇ／ｍ２以下がより好ましく、０．５ｍｇ／ｍ２以下が更に好ましい。
【００９３】
樹脂組成物中の無機充填材の含有量は、得られる絶縁層の熱膨張率を低下させる観点から、好ましくは３０質量％以上であり、より好ましくは４０質量％以上が好ましく、さらに好ましくは５０質量％以上、さらにより好ましくは６０質量％以上、特に好ましくは６２質量％以上、６４質量％以上、又は６６質量％以上である。樹脂組成物中の無機充填材の含有量の上限は、得られる絶縁層の機械強度の観点から、好ましくは９０質量％以下、より好ましくは８５質量％以下である。
【００９４】
（ｄ）熱可塑性樹脂
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、及びポリスルホン樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【００９５】
熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は８，０００〜７０，０００の範囲が好ましく、１０，０００〜６０，０００の範囲がより好ましく、２０，０００〜６０，０００の範囲がさらに好ましい。熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定される。具体的には、熱可塑性樹脂のポリスチレン換算の重量平均分子量は、測定装置として（株）島津製作所製ＬＣ−９Ａ／ＲＩＤ−６Ａを、カラムとして昭和電工（株）製Ｓｈｏｄｅｘ  Ｋ−８００Ｐ／Ｋ−８０４Ｌ／Ｋ−８０４Ｌを、移動相としてクロロホルム等を用いて、カラム温度４０℃にて測定し、標準ポリスチレンの検量線を用いて算出することができる。
【００９６】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ骨格、ビスフェノールＦ骨格、ビスフェノールＳ骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される１種以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。フェノキシ樹脂は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱化学（株）製の「１２５６」及び「４２５０」（いずれもビスフェノールＡ骨格含有フェノキシ樹脂）、「ＹＸ８１００」（ビスフェノールＳ骨格含有フェノキシ樹脂）、及び「ＹＸ６９５４」（ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂）が挙げられ、その他にも、東都化成（株）製の「ＦＸ２８０」及び「ＦＸ２９３」、三菱化学（株）製の「ＹＬ７５５３」、「ＹＬ６７９４」、「ＹＬ７２１３」、「ＹＬ７２９０」及び「ＹＬ７４８２」等が挙げられる。
【００９７】
ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製の電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製のエスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【００９８】
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化（株）製の「リカコートＳＮ２０」及び「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報及び特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【００９９】
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡績（株）製の「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」及び「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【０１００】
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学（株）製の「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【０１０１】
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【０１０２】
樹脂組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、好ましくは０．１質量％〜６０質量％、より好ましくは０．１質量％〜５０質量％、さらに好ましくは０．５質量％〜３０質量％、さらにより好ましくは０．５質量％〜１０質量％である。熱可塑性樹脂の含有量を斯かる範囲とすることにより、樹脂組成物の粘度が適度となり、厚さやバルク性状の均一な樹脂組成物を形成することができる。
【０１０３】
（ｅ）硬化促進剤
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤等が挙げられ、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【０１０４】
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、ｎ−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、（４−メチルフェニル）トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられる。
【０１０５】
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６，−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン等が挙げられる。
【０１０６】
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）]−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられる。
【０１０７】
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、１−メチルグアニジン、１−エチルグアニジン、１−シクロヘキシルグアニジン、１−フェニルグアニジン、１−（ｏ−トリル）グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、７−メチル−１，５，７−トリアザビシクロ［４．４．０］デカ−５−エン、１−メチルビグアニド、１−エチルビグアニド、１−ｎ−ブチルビグアニド、１−ｎ−オクタデシルビグアニド、１，１−ジメチルビグアニド、１，１−ジエチルビグアニド、１−シクロヘキシルビグアニド、１−アリルビグアニド、１−フェニルビグアニド、１−（ｏ−トリル）ビグアニド等が挙げられる。
【０１０８】
樹脂組成物中の硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．０１質量％〜３質量％、より好ましくは０．０１質量％〜２質量％、さらに好ましくは０．０１質量％〜１質量％である。
【０１０９】
（ｆ）難燃剤
難燃剤としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等が挙げられる。難燃剤は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。樹脂組成物層中の難燃剤の含有量は特に限定はされないが、０．５質量％〜１０質量％が好ましく、１質量％〜９質量％がより好ましく、１．５質量％〜８質量％がさらに好ましい。
【０１１０】
（ｇ）ゴム粒子
ゴム粒子としては、例えば、後述する有機溶剤に溶解せず、上述のエポキシ樹脂、硬化剤、及び熱可塑性樹脂などとも相溶しないものが使用される。このようなゴム粒子は、一般には、ゴム成分の分子量を有機溶剤や樹脂に溶解しないレベルまで大きくし、粒子状とすることで調製される。
【０１１１】
ゴム粒子としては、例えば、コアシェル型ゴム粒子、架橋アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、架橋スチレンブタジエンゴム粒子、アクリルゴム粒子などが挙げられる。コアシェル型ゴム粒子は、コア層とシェル層とを有するゴム粒子であり、例えば、外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、内層のコア層がゴム状ポリマーで構成される２層構造、又は外層のシェル層がガラス状ポリマーで構成され、中間層がゴム状ポリマーで構成され、コア層がガラス状ポリマーで構成される３層構造のものなどが挙げられる。ガラス状ポリマー層は、例えば、メチルメタクリレート重合物などで構成され、ゴム状ポリマー層は、例えば、ブチルアクリレート重合物（ブチルゴム）などで構成される。ゴム粒子は１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【０１１２】
ゴム粒子の平均粒径は、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍの範囲であり、より好ましくは０．２μｍ〜０．６μｍの範囲である。ゴム粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。例えば、適当な有機溶剤にゴム粒子を超音波などにより均一に分散させ、濃厚系粒径アナライザー（ＦＰＡＲ−１０００；大塚電子（株）製）を用いて、ゴム粒子の粒度分布を質量基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。樹脂組成物中のゴム粒子の含有量は、好ましくは１質量％〜１０質量％であり、より好ましくは２質量％〜５質量％である。
【０１１３】
熱硬化性樹脂組成物層に用いる樹脂組成物は、必要に応じて、他の添加剤を含んでいてもよく、斯かる他の添加剤としては、例えば、有機銅化合物、有機亜鉛化合物及び有機コバルト化合物等の有機金属化合物、並びに有機フィラー、増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤、及び着色剤等の樹脂添加剤等が挙げられる。
【０１１４】
樹脂組成物層の厚さは、多層プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５０μｍ以下である。樹脂組成物層の厚さの下限は、回路基板の厚さなどにもよるが、絶縁信頼性の観点から、通常、１０μｍ以上である。
【０１１５】
樹脂組成物層は、二層以上からなる複層構造であってもよい。複層構造の樹脂組成物層を使用する場合、全体の厚さが上記範囲にあることが好ましい。
【０１１６】
金属膜付き接着フィルムは、金属膜付きフィルムの金属膜上に樹脂組成物層を設けることによって調製し得る。
【０１１７】
樹脂組成物層は、公知の方法で、金属膜付きフィルムの金属膜上に設けることができる。例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどの塗布装置を用いて金属膜付きフィルムの金属膜の表面に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させて樹脂組成物層を設けることができる。
【０１１８】
樹脂ワニスの調製に用いる有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル類、セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール類、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素類、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒等を挙げることができる。有機溶剤は、１種単独で又は２種以上を組み合わせて使用してよい。
【０１１９】
樹脂ワニスの乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の公知の乾燥方法により実施してよい。樹脂組成物層中に溶剤が多く残留すると、硬化後に膨れが発生する原因となるため、樹脂組成物中の残留溶剤量が通常１０質量％以下、好ましくは５質量％以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば３０質量％〜６０質量％の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、５０℃〜１５０℃で３〜１０分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。
【０１２０】
あるいはまた、樹脂組成物層を含む接着フィルムを用いて、金属膜付きフィルムの金属膜上に樹脂組成物層を設けることができる。斯かる態様では、支持体と、該支持体上に設けられた樹脂組成物層とを含む接着フィルムを、樹脂組成物層が金属膜付きフィルムの金属膜と接するように金属膜付きフィルムに積層する。ここで、支持体としては、金属膜付きフィルムについて説明した支持体と同じものを使用してよい。該接着フィルムは、例えば、有機溶剤に樹脂組成物を溶解した樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーターなどを用いて支持体上に塗布し、樹脂ワニスを乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより調製することができる。有機溶剤としては、上記と同じものを用いてよい。
【０１２１】
接着フィルムと金属膜付きフィルムとの積層は、作業性が良好であり、一様な接触状態が得られやすいので、ロール圧着やプレス圧着等で、接着フィルムを金属膜付きフィルムにラミネート処理することが好ましい。中でも、減圧下でラミネートする真空ラミネート法がより好ましい。ラミネートの方法は、バッチ式でも連続式であってもよい。
【０１２２】
ラミネート処理は、一般に、圧着圧力を１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７８ＭＰａ）の範囲とし、圧着温度を７０〜１２０℃の範囲とし、圧着時間を５〜１８０秒間の範囲とし、空気圧が２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施することが好ましい。
【０１２３】
ラミネート処理は、市販されている真空ラミネーターを用いて実施することができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製の真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。
【０１２４】
得られた金属膜付き接着フィルムは、多層プリント配線板を製造する際には、接着フィルム由来の支持体を除去ことによって使用可能となる。
【０１２５】
金属膜付き接着フィルムにおける樹脂組成物層はまた、シート状繊維に上記の樹脂組成物を含浸させたプリプレグであってもよい。
【０１２６】
プリプレグに用いるシート状繊維基材は特に限定されず、ガラスクロス、アラミド不織布、液晶ポリマー不織布等のプリプレグ用基材として常用されているものを用いることができる。多層プリント配線板の絶縁層の形成に用いる場合には、厚さが５０μｍ以下の薄型のシート状繊維基材が好適に用いられ、特に厚さが１０μｍ〜４０μｍのシート状繊維基材が好ましく、１０μｍ〜３０μｍのシート状繊維基材がより好ましく、１０〜２０μｍのシート状繊維基材が更に好ましい。シート状繊維基材として用いられるガラスクロス基材の具体例としては、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０２７ＭＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量２０ｇ／ｍ２、厚さ１９μｍ）、旭シュエーベル（株）製の「スタイル１０３７ＭＳ」（経糸密度７０本／２５ｍｍ、緯糸密度７３本／２５ｍｍ、布重量２４ｇ／ｍ２、厚さ２８μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０７８」（経糸密度５４本／２５ｍｍ、緯糸密度５４本／２５ｍｍ、布重量４８ｇ／ｍ２、厚さ４３μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０３７ＮＳ」（経糸密度７２本／２５ｍｍ、緯糸密度６９本／２５ｍｍ、布重量２３ｇ／ｍ２、厚さ２１μｍ）（株）有沢製作所製の「１０２７ＮＳ」（経糸密度７５本／２５ｍｍ、緯糸密度７５本／２５ｍｍ、布重量１９．５ｇ／ｍ２、厚さ１６μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０１５ＮＳ」（経糸密度９５本／２５ｍｍ、緯糸密度９５本／２５ｍｍ、布重量１７．５ｇ／ｍ２、厚さ１５μｍ）、（株）有沢製作所製の「１０００ＮＳ」（経糸密度８５本／２５ｍｍ、緯糸密度８５本／２５ｍｍ、布重量１１ｇ／ｍ２、厚さ１０μｍ）等が挙げられる。また液晶ポリマー不織布の具体例としては、(株)クラレ製の、芳香族ポリエステル不織布のメルトブロー法による「ベクルス」（目付け量６〜１５ｇ／ｍ２）や「ベクトラン」などが挙げられる。
【０１２７】
プリプレグは、ホットメルト法、ソルベント法等の公知の方法により製造することができる。
【０１２８】
樹脂組成物層としてプリプレグを使用する場合にも、樹脂組成物層の厚さは、上述の範囲とすることが好ましい。
【０１２９】
樹脂組成物層としてプリプレグを使用する場合、支持体と、該支持体上に設けられたプリプレグとを含む接着フィルムを使用して、上記と同様の手順で金属膜付きフィルムの金属膜上に樹脂組成物層（プリプレグ）を設けることによって金属膜付き接着フィルムを調製することができる。得られた金属膜付き接着フィルムは、多層プリント配線板を製造する際には、接着フィルム由来の支持体を除去することによって使用可能となる。
【０１３０】
以下、本発明の多層プリント配線板の製造方法をその好適な実施形態に即して詳細に説明する。
【０１３１】
［多層プリント配線板の製造方法］
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、下記工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）をこの順序で含む。
（Ａ）回路基板、絶縁層、金属膜及び支持体を順に含む積層基板を準備する工程
（Ｂ）レーザーにてビアホールを形成する工程
（Ｃ）デスミア処理を行う工程
（Ｄ）無電解メッキ用触媒を付与する工程
（Ｅ）金属膜を除去する工程
（Ｆ）無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキする工程
【０１３２】
本発明において、工程（Ａ）乃至（Ｆ）についていう「この順序で含む」とは、工程（Ａ）乃至（Ｆ）の各工程を含み且つ工程（Ａ）乃至（Ｆ）の各工程がこの順序で実施される限り、他の工程を含むことを妨げるものではない。
【０１３３】
以下、図１Ａ乃至図１Ｅを参照しつつ、各工程について説明する。
【０１３４】
＜工程（Ａ）＞
工程（Ａ）において、回路基板１、絶縁層４、金属膜５及び支持体６を順に含む積層基板を準備する（図１Ａ）。
【０１３５】
工程（Ａ）で準備する積層基板は、回路基板１、絶縁層４、金属膜５及び支持体６の各部材を含み且つ各部材をこの順序で含む限り、他の部材を含むことを妨げるものではない。すなわち、工程（Ａ）で準備する積層基板は、必ずしも回路基板１上に絶縁層４、金属膜５及び支持体６が順に積層されている必要はなく、各部材間には他の部材が積層されていてもよい。例えば、金属膜５と支持体６との間にはさらに離型層（図示せず）が積層されていてもよい。
【０１３６】
好適な実施形態において、工程（Ａ）で準備する積層基板は、回路基板上１上に絶縁層４、金属膜５及び支持体６が順に積層された積層基板である。他の好適な実施形態において、工程（Ａ）で準備する積層基板は、回路基板上１上に絶縁層４、金属膜５、離型層及び支持体６が順に積層された積層基板である。
【０１３７】
本発明において、「回路基板」とは、対向する第１及び第２の主面を有し、該第１及び第２の主面の片方又は両方にパターン加工された回路配線を有する板状の基板をいう。図１Ａには、回路基板１の端面を模式的に示しており、回路基板１は、基板２と、ビア配線、表面配線等の回路配線３とを含む。
【０１３８】
回路基板１に用いられる基板２としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられ、ガラスエポキシ基板が好ましい。またプリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層及び／又は導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう「回路基板」に含まれる。
【０１３９】
回路基板１の基板２の厚さは、多層プリント配線板の薄型化の観点から、薄い方が好適であり、好ましくは４００μｍ未満、より好ましくは３５０μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下、さらにより好ましくは２５０μｍ以下、特に好ましくは２００μｍ以下、１８０μｍ以下、１７０μｍ以下、１６０μｍ以下、又は１５０μｍ以下である。基板２の厚さの下限は特に制限されないが、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上である。
【０１４０】
回路基板１の備える回路配線３の寸法は、所望の特性に応じて決定してよい。例えば、表面配線の厚さは、多層プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは２５μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、１９μｍ以下、又は１８μｍ以下である。表面配線の厚さの下限は特に制限されないが、通常、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上などである。
【０１４１】
回路基板１、絶縁層４、金属膜５及び支持体６を順に含む積層基板を準備し得る限り、工程（Ａ）の手順は特に限定されない。以下、工程（Ａ）の好適な手順の一例を示す。
【０１４２】
好適な実施形態において、工程（Ａ）は、下記（Ａ−１）および（Ａ−２）を含む。
（Ａ−１）回路基板、樹脂組成物層、金属膜及び支持体を順に含む積層基板を準備すること
（Ａ−２）樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成すること
【０１４３】
（Ａ−１）において、回路基板上に樹脂組成物層、金属膜及び支持体が順に積層された積層基板を準備する。
【０１４４】
一実施形態において、積層基板は、先述の金属膜付き接着フィルムを使用して準備する。斯かる実施形態では、積層基板は、先述の金属膜付き接着フィルムを、その樹脂組成物層が回路基板と接合するように、回路基板に積層することによって準備してよい。（Ａ−１）において、回路基板上に樹脂組成物層、金属膜、離型層及び支持体が順に積層された積層基板を準備する場合、金属膜と支持体との間に離型層を含む金属膜付き接着フィルムを使用すればよい。
【０１４５】
他の実施形態において、積層基板は、先述の金属膜付きフィルムを使用して準備する。斯かる実施形態では、積層基板は、回路基板上に樹脂組成物層を積層した後、先述の金属膜付きフィルムを、その金属膜が樹脂組成物層と接合するように積層することによって準備してよい。樹脂組成物層は、先述の樹脂ワニスを使用する方法、接着フィルムを使用する方法をはじめとする公知の方法によって、回路基板上に積層してよい。（Ａ−１）において、回路基板上に樹脂組成物層、金属膜、離型層及び支持体が順に積層された積層基板を準備する場合、金属膜と支持体との間に離型層を含む金属膜付きフィルムを使用すればよい。
【０１４６】
（Ａ−１）において、金属膜付き接着フィルム又は金属膜付きフィルムの積層は、作業性が良好であり、一様な接触状態が得られやすいので、ロール圧着やプレス圧着等でフィルムを被着体表面にラミネート処理することが好ましい。中でも、減圧下でラミネートする真空ラミネート法がより好ましい。ラミネートの方法は、バッチ式でも連続式であってもよい。
【０１４７】
ラミネート処理条件は、圧着圧力を好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．０９８ＭＰａ〜１．０７８ＭＰａ）、より好ましくは２〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（０．１９６ＭＰａ〜１．０７８ＭＰａ）の範囲とし、圧着温度を好ましくは７０〜１８０℃、より好ましくは８０〜１５０℃の範囲とし、圧着時間を好ましくは５〜１８０秒間、より好ましくは１０〜６０秒間の範囲とし、空気圧が２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で実施することが好ましい。ラミネート処理に使用し得る装置は、金属膜付き接着フィルムの調製手順について説明したものと同様である。
【０１４８】
（Ａ−１）において、金属膜付き接着フィルム又は金属膜付きフィルムは、回路基板の片面に積層してもよく、両面に積層してもよい。
【０１４９】
（Ａ−１）の後、（Ａ−２）において、樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する。
【０１５０】
樹脂組成物層の熱硬化条件は特に限定されず、多層プリント配線板の絶縁層を形成するに際して通常採用される条件を使用してよい。
【０１５１】
例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の組成等によっても異なるが、硬化温度は１２０℃〜２４０℃の範囲（好ましくは１５０℃〜２１０℃の範囲、より好ましくは１７０℃〜１９０℃の範囲）、硬化時間は５分間〜９０分間の範囲（好ましくは１０分間〜７５分間、より好ましくは１５分間〜６０分間）とすることができる。
【０１５２】
樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、５０℃以上１２０℃未満（好ましくは６０℃以上１１０℃以下、より好ましくは７０℃以上１００℃以下）の温度にて、樹脂組成物層を５分間以上（好ましくは５分間〜１５０分間、より好ましくは１５分間〜１２０分間）予備加熱してもよい。
【０１５３】
＜工程（Ｂ）＞
工程（Ｂ）において、レーザーにてビアホール４ａを形成する（図１Ｂ）。
【０１５４】
例えば、支持体６上からレーザー光を照射して、絶縁層４にビアホール４ａを形成することができる。レーザーにてビアホールを形成する場合、支持体（使用する場合には離型層）由来の残渣が発生する場合があるが、金属膜を備えた積層基板を使用し且つ工程（Ｅ）を実施する本発明の方法においては、斯かる支持体（使用する場合には離型層）由来の残渣を工程（Ｅ）にて容易に除去することができ、絶縁層表面を清浄に保つことができる。また、支持体剥離後に金属膜層上からレーザー光を照射して、ビアホールを形成することもできる。
【０１５５】
レーザー光源としては、例えば、炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等が挙げられる。中でも、加工速度、コストの観点から、炭酸ガスレーザーが好ましい。
【０１５６】
レーザー光源として炭酸ガスレーザー装置を使用する場合、一般に９．３μｍ〜１０．６μｍの波長のレーザー光が使用される。また、ショット数は、形成すべきビアホールの深さ、孔径によっても異なるが、通常１〜１０ショットの範囲で選択される。加工速度を高めて多層プリント配線板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、１〜５ショットの範囲であることが好ましく、１〜３ショットの範囲であることがより好ましい。なお、ショット数が２ショット以上である場合、バーストモード、サイクルモードの何れのモードでレーザー光を照射してもよい。
【０１５７】
レーザー光源として炭酸ガスレーザー装置を使用する場合、レーザー光のエネルギーは、ショット数、ビアホールの深さ、支持体及び金属膜の厚さにもよるが、好ましくは０．２ｍＪ以上、より好ましくは０．３ｍＪ以上、さらに好ましくは０．４ｍＪ以上、特に好ましくは０．５ｍＪ以上、０．７５ｍＪ以上、又は１ｍＪ以上に設定される。本発明においては、高エネルギーのレーザー光を使用する場合であっても、支持体（使用する場合には離型層）由来の残渣のない表面の清浄な絶縁層を有利に実現することができる。例えば、レーザー光のエネルギーの上限は、２０ｍＪ以下、１５ｍＪ以下、又は１０ｍＪ以下とし得る。
【０１５８】
工程（Ｂ）は、市販されているレーザー装置を用いて実施することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、日立ビアメカニクス（株）製のＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ、三菱電機（株）製のＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ、松下溶接システム（株）製の基板穴あけレーザ加工機が挙げられる。
【０１５９】
ビアホール４ａのトップ径（絶縁層表面の開口直径）は、回路配線の設計にもよるが、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは１５μｍ以上である。ビアホール４ａのトップ径の上限は、回路配線の高密度化の観点から、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは４００μｍ以下、さらに好ましくは３００μｍ以下、さらにより好ましくは２００μｍ以下、特に好ましくは１００μｍ以下、８０μｍ以下、又は６０μｍ以下である。
【０１６０】
図１Ｂには、２つのビアホール４ａのみを示しているが、ビアホール４ａは、互いに所定の間隔をあけて多数設けることができる。ビアホール４ａ間のピッチは、回路配線の高密度化の観点から、短いことが好適である。ビアホール４ａ間のピッチを短くしてビアホールの密度を高くすると、支持体（使用する場合には離型層）由来の残渣の問題がより顕著となる傾向にある。絶縁層表面に斯かる残渣が沈着すると絶縁層表面の配線の微細化を妨げる要因となるが、本発明においては、工程（Ｅ）において金属膜と共に斯かる残渣を容易に除去し得る。よって本発明においては、ビアホールを高密度にて形成する場合であっても、残渣のない清浄な表面を有する絶縁層を実現することができ、絶縁層の表面に微細な配線を形成することが可能である。
【０１６１】
ビアホール４ａ間のピッチは、回路配線の設計にもよるが、好ましくは５ｍｍ以下、より好ましくは３ｍｍ以下、さらに好ましくは２ｍｍ以下、さらにより好ましくは１ｍｍ以下、特に好ましくは０．５ｍｍ以下である。本発明の方法によれば、ビアホールを斯かる短いピッチにて設ける場合（すなわち、ビアホールを高密度にて設ける場合）であっても、支持体（使用する場合には離型層）由来の残渣のない表面の清浄な絶縁層を有利に実現することができる。ビアホール４ａ間のピッチの下限は、ビアホール４ａ自体の開口寸法にもよるが、通常、０．００５ｍｍ以上、０．０２ｍｍ以上などである。ビアホール４ａ間の各ピッチは、多層プリント配線板にわたって同じである必要はなく、異なっていてもよい。
【０１６２】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｃ）において、デスミア処理を行う。
【０１６３】
工程（Ｂ）において形成されたビアホール内部（特にビアホール底部）には、一般に、絶縁層由来の樹脂残渣（スミア）が付着している。斯かるスミアは、層間の電気接続不良の原因となるため、工程（Ｃ）においてスミアを除去する処理（デスミア処理）を実施する。
【０１６４】
なお、工程（Ｃ）の前に、積層基板から支持体６を除去することが好ましい（図１Ｃ）。工程（Ｃ）の前に支持体を除去することによって、離型層を使用した場合には、工程（Ｃ）においてスミアと共に離型層を容易に除去することが可能である。
【０１６５】
したがって好適な一実施形態において、本発明の多層プリント配線板の製造方法は、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間に、支持体を除去する工程を含む。支持体は、一般に、手動または自動剥離装置により機械的に剥離することによって除去してよい。工程（Ｂ）においてビアホールを高い密度にて形成した場合には、支持体を剥離することが困難となり、支持体由来の残渣が生じ易い。斯かる場合であっても、本発明においては、本工程（Ｃ）および工程（Ｅ）において支持体由来の残渣を容易に除去することが可能である。
支持体として金属箔を使用した場合は、エッチングにより支持体を除去してもよい。
【０１６６】
工程（Ｃ）において、デスミア処理は、特に制限なく、公知の各種方法により行うことができる。一実施形態において、デスミア処理は、乾式デスミア処理、湿式デスミア処理又はこれらの組み合わせとし得る。
【０１６７】
乾式デスミア処理としては、例えば、プラズマを用いたデスミア処理等が挙げられる。プラズマを用いたデスミア処理に関しては、プラズマによる絶縁層の表面変性等に起因して絶縁層と導体層との密着強度が低下し易いことが知られているが、絶縁層に金属膜が付着した状態でデスミア処理を行う本発明の方法においては、絶縁層の表面変性なしに、有利にデスミア処理することができる。
【０１６８】
プラズマを用いたデスミア処理は、市販のプラズマデスミア処理装置を使用して実施することができる。市販のプラズマデスミア処理装置の中でも、プリント配線板の製造用途に好適な例として、（株）ニッシン製のマイクロ波プラズマ装置、積水化学工業（株）製の常圧プラズマエッチング装置等が挙げられる。
【０１６９】
乾式デスミア処理としてはまた、研磨材をノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る乾式サンドブラスト処理を用いてもよい。乾式サンドブラスト処理は、市販の乾式サンドブラスト処理装置を用いて実施することができる。研磨材として、水溶性の研磨材を使用する場合には、乾式サンドブラスト処理後に水洗処理することにより、研磨材がビアホール内部に残留することもなく、スミアを効果的に除去することができる。
【０１７０】
湿式デスミア処理としては、例えば、酸化剤溶液を用いたデスミア処理等が挙げられる。酸化剤溶液を用いてデスミア処理する場合、膨潤液による膨潤処理、酸化剤溶液による酸化処理、中和液による中和処理をこの順に行うことが好ましい。膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  Ｐ）」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Ｓｗｅｌｌｉｎｇ  Ｄｉｐ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ＳＢＵ）」等を挙げることができる。膨潤処理は、ビアホールの形成された基板を、６０℃〜８０℃に加熱した膨潤液に５分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。酸化剤溶液としては、アルカリ性過マンガン酸水溶液が好ましく、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。酸化剤溶液による酸化処理は、膨潤処理後の基板を、６０℃〜８０℃に加熱した酸化剤溶液に１０分間〜３０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。アルカリ性過マンガン酸水溶液の市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「コンセントレート・コンパクトＰ」、「コンセントレート・コンパクトＣＰ」、「ド−ジングソリューション・セキュリガンスＰ」等が挙げられる。中和液による中和処理は、酸化処理後の基板を、３０℃〜５０℃の中和液に３分間〜１０分間浸漬させることにより行うことが好ましい。中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「リダクションソリューシン・セキュリガントＰ」が挙げられる。
【０１７１】
湿式デスミア処理としてはまた、研磨材と分散媒とをノズルから吹き付けて処理対象を研磨し得る湿式サンドブラスト処理を用いてもよい。湿式サンドブラスト処理は、市販の湿式サンドブラスト処理装置を用いて実施することができる。
【０１７２】
乾式デスミア処理と湿式デスミア処理を組み合わせて実施する場合、乾式デスミア処理を先に実施してもよく、湿式デスミア処理を先に実施してもよい。
【０１７３】
水溶性高分子を含む離型層を使用する場合、スミアと共に離型層を容易に除去し得る観点から、工程（Ｃ）は、湿式デスミア処理を含むことが好ましい。
【０１７４】
本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、絶縁層に金属膜が付着した状態でデスミア処理を行う。絶縁層の表面は金属膜により保護されているため、絶縁層の表面が粗化されることなく、ビアホール内部のスミアを除去することができる。また、絶縁層の表面がダメージを受けるという制約がないため、広範なデスミア処理方法およびデスミア処理条件を採用することができる。これにより、除去し難い樹脂残渣（スミア）に帰着する組成の樹脂組成物やビアホール形成条件を採用する場合であっても、絶縁層表面の粗度を高めることなく、スミアを効果的に除去することが可能となる。
【０１７５】
＜工程（Ｄ）＞
工程（Ｄ）において、無電解メッキ用触媒を付与する。
【０１７６】
無電解メッキ用触媒は特に限定はされず、多層プリント配線板の製造において導体層を無電解メッキにて形成するに際し通常使用される触媒を使用してよい。
【０１７７】
好適な一実施形態において、無電解メッキ用触媒は、貴金属を含む。無電解メッキ用触媒に使用し得る貴金属としては、例えば、金、銀、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム等が挙げられ、中でも、パラジウムが好ましい。
【０１７８】
無電解メッキ用触媒において、貴金属は、貴金属の化合物及び／又はイオンとして存在してよい。貴金属化合物としては、後の還元工程（後述する工程（Ｆ））において無電解メッキの核となる０価の貴金属の粒子をもたらす限り特に限定はされず、多層プリント配線板の製造において採用し得る任意の貴金属化合物を使用してよい。例えば、パラジウム化合物としては、パラジウム（ＩＩ）塩、パラジウム錯体、パラジウムコロイドなどが挙げられる。パラジウム（ＩＩ）塩としては、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウム、硝酸パラジウム、炭酸パラジウム、硫酸パラジウム、ビス（アセトニトリル）ジクロロパラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。パラジウム錯体としては、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム錯体、ジパラジウムトリスベンジリデンアセトン錯体などが挙げられる。パラジウムコロイドとしては、例えば、スズ−パラジウムコロイドなどが挙げられる。
【０１７９】
無電解メッキ用触媒は市販品を使用してもよい。市販品としては、例えば、アトテックジャパン（株）製の「Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４」（パラジウム系触媒）、上村工業（株）製の「ＭＡＴ  ３１」、ＤＯＷ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳの「ＣＡＴ４４」が挙げられる。
【０１８０】
工程（Ｄ）を実施する際の温度は、無電解メッキ用触媒を被着対象に付与し得る限り特に限定されないが、好ましくは１０℃〜８０℃、より好ましくは２０℃〜７０℃、さらに好ましくは２５℃〜６０℃である。
【０１８１】
工程（Ｄ）を実施する時間は、十分な量の無電解メッキ用触媒を被着対象に付与し得る限り特に限定されないが、好ましくは０．１〜３０分間、より好ましくは２〜１５分間である。
【０１８２】
工程（Ｄ）において、無電解メッキ用触媒は、積層基板の露出表面、すなわち、金属膜表面、ビア底部及びビア側壁部に付与される。
【０１８３】
なお、工程（Ｄ）に先立ち、ビアホール内の絶縁層露出表面（ビア側壁部）を表面処理することが好ましい。好適な表面処理としては、洗浄処理、表面電荷の調整処理が挙げられ、両方の処理を実施することが好ましい。洗浄処理は、絶縁層露出表面に付着している油脂等の不純物を除去し得る限り特に限定されず、例えば、アルカリ性溶液による洗浄処理が挙げられる。洗浄処理は、ビアホール内の絶縁層露出表面を、４０℃〜８０℃に加熱したアルカリ性溶液に５分間〜１０分間接触させることにより行うことが好ましい。アルカリ性溶液の市販品としては、アトテックジャパン（株）製の「Ｃｌｅａｎｉｎｇ  ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２」が挙げられる。また、表面電荷の調整処理は、無電解メッキ用触媒が円滑に付与されるような表面電荷へと絶縁層露出表面の電荷を調整する処理であり、例えば、絶縁層露出表面に表面電荷調整剤を接触させて実施することができる。表面電荷の調整処理は、ビアホール内の絶縁層露出表面を、１０℃〜４０℃の表面電荷調整剤に０．１分間〜５分間接触させることにより行うことが好ましい。表面電荷調整剤の市販品としては、アトテックジャパン（株）製の「Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ」が挙げられる。
【０１８４】
＜工程（Ｅ）＞
工程（Ｅ）において、金属膜５を除去する（図１Ｄ）。
【０１８５】
金属膜を除去する方法は、絶縁層の表面の損傷なしに金属膜を除去し得る限り特に限定されない。好適な実施形態において、工程（Ｅ）は、湿式エッチングにより金属膜を除去することによって実施される。
【０１８６】
湿式エッチングでは、金属膜を形成する金属を溶解させる溶液をエッチング液として使用する。エッチング液は、選択した金属膜に応じて、公知のエッチング液を使用してよい。銅を含む金属膜を使用する場合、エッチング液としては、例えば、塩化第二鉄水溶液、ペルオキソ二硫酸ナトリウムと硫酸の水溶液等の酸性エッチング液、メック（株）製のＣＦ−６０００、メルテックス（株）製のＥ−プロセス―ＷＬ等のアルカリ性エッチング液を使用してよい。ニッケルを含む金属膜を使用する場合、硝酸／硫酸を主成分とする酸性エッチング液を使用してよく、その市販品としては、メック（株）製のＮＨ−１８６５、メルテックス（株）製のメルストリップＮ−９５０等が挙げられる。
【０１８７】
工程（Ｅ）を実施する際の温度は、金属膜を円滑に除去し得る限り特に限定されないが、好ましくは１０℃〜８０℃、より好ましくは２０℃〜６０℃である。
【０１８８】
工程（Ｅ）を実施する時間は、金属膜の厚さ、金属膜を形成する金属によっても異なるが、好ましくは０．０５〜６０分間、より好ましくは０．１〜１５分間である。
【０１８９】
金属膜上に支持体及び／又は離型層の残渣が存在する場合であっても、斯かる残渣は工程（Ｅ）において金属膜と共に容易に除去することが可能である。
【０１９０】
工程（Ｅ）により、絶縁層の表面が露出することとなるが、斯かる絶縁層の露出表面は清浄であり、また、先述のとおり、その粗度は極めて低い。絶縁層の露出表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下、特に好ましくは７０ｎｍ以下又は６０ｎｍ以下である。Ｒａ値の下限は特に限定はされないが、０．５ｎｍ以上が好ましく、１ｎｍ以上がより好ましい。詳しくは後述するが、工程（Ｅ）において露出する絶縁層の表面は上記のように低い表面粗度を有するにもかかわらず、該絶縁層表面に十分な剥離強度を有する導体層を実現することができる。
なお、絶縁層の表面粗さは、非接触型表面粗さ計を用いて測定することができる。非接触型表面粗さ計の具体例としては、ビーコインスツルメンツ製の「ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００」が挙げられる。
【０１９１】
また、工程（Ｅ）により、工程（Ｄ）において付与された無電解メッキ用触媒のうち、金属膜上に付与された無電解メッキ用触媒は、金属膜と共に除去される。よって、工程（Ｅ）の後、無電解メッキ用触媒は、ビア底部及びビア側壁部にのみ残存することとなる。
【０１９２】
＜工程（Ｆ）＞
工程（Ｆ）において、無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキする。
【０１９３】
先述のとおり、工程（Ｅ）の後、無電解メッキ用触媒は、ビア底部及びビア側壁部にのみ残存する。工程（Ｆ）において還元処理を行うことによって、無電解メッキ用触媒を活性化して、無電解メッキの核となる触媒能を発現させることができる。
【０１９４】
無電解メッキ用触媒の還元処理は、十分な触媒能を発現するまで無電解メッキ用触媒を還元し得る限り特に限定されず、多層プリント配線板の製造において採用し得る任意の還元処理を使用してよい。好適な実施形態では、無電解メッキ用触媒の還元処理は、ビア底部及びビア側壁部に残存する無電解メッキ用触媒に還元剤を接触させることによって実施する。
【０１９５】
還元処理に使用する還元剤は、無電解メッキ用触媒の種類に応じて公知の還元剤を選択してよい。例えば、還元剤としては、スズイオンを含む還元剤（例えば、塩化スズ水溶液）；水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミノボランなどのホウ素系還元剤；ホルムアルデヒド；次亜リン酸などが挙げられる。
【０１９６】
還元剤は市販品を使用してもよい。市販品としては、アトテックジャパン（株）製の「Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ」、「Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．」などが挙げられる。
【０１９７】
還元処理の際の温度は、無電解メッキ用触媒を円滑に還元し得る限り特に限定されないが、好ましくは１０℃〜６０℃、より好ましくは２０℃〜５０℃である。
【０１９８】
還元処理の時間は、還元剤の種類によっても異なるが、好ましくは０．５〜３０分間、より好ましくは０．５〜１５分間である。
【０１９９】
還元処理を行った後、無電解メッキにより導体金属をメッキする。無電解メッキの核となる触媒は、先述のとおり、ビア底部及びビア側壁部にのみ存在することから、ビアホール内にのみ選択的に導体金属をメッキすることができる。
【０２００】
通常、接続ビアは、ビア底部及びビア側壁部に薄く導体金属をメッキして形成され、ビア内は導体金属で充填されていない。このため、層を重ねる際に、ビアの真上にパッドを配置することはできず、ビアの部分とパッドの部分がそれぞれ必要となり、回路配線の高密度化には限界があった。ビアを導体金属で充填することにより、ビアの上にパッドを配置して層間を電気接続することが可能となる。さらには、ビアの上にビアを重ねて層間を電気接続することも可能となり、多層プリント配線板の回路配線の高密度化が期待される。
【０２０１】
本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、ビアホール内を導体金属で充填することによって埋め込みビア７を形成する（図１Ｅ）。
【０２０２】
好適な実施形態において、埋め込みビアは、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキしてビアホール内を導体金属で充填することにより形成する。
【０２０３】
斯かる実施形態において、無電解メッキの条件は、ビアホール内を導体金属で充填する限り特に限定されないが、メッキ浴の温度は好ましくは１０℃〜８０℃、より好ましくは２０℃〜７０℃、メッキ処理の時間は好ましくは１５分間以上、より好ましくは２０分間以上である。メッキ処理の時間の上限は特に限定されないが、通常２００分間以下とし得る。
【０２０４】
あるいはまた、埋め込みビアは、無電解メッキによりビアホール内にのみ導体金属をメッキしてビア底部及びビア側壁部に導体金属の薄層を形成した後、電解メッキによりビアホール内に導体金属を充填することにより形成してもよい。斯かる場合、回路基板の回路配線を使用することで、互いに離散したビアホール内に設けられた導体金属の薄層をメッキ電極として利用することができる。
【０２０５】
ビアホールの充填に使用し得る好適な導体金属としては、例えば、銅、ニッケル、金、パラジウム等が挙げられ、中でも銅が好ましい。
【０２０６】
斯かる実施形態において、無電解メッキ及び電解メッキの条件は特に限定されず、ビアホールの寸法、導体金属の種類等に応じて、メッキ浴の温度、メッキ時間等の条件を選択してよい。
【０２０７】
上記の工程（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）及び（Ｆ）をこの順序で含む本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、ビアホール内に選択的に導体金属をメッキして埋め込みビアを形成することが可能である。また、ビア密度が高い場合であっても、絶縁層表面を清浄に保ったまま埋め込みビアを形成することが可能である。
【０２０８】
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、さらに（Ｇ）絶縁層上に導体層を形成する工程を含んでもよい。
【０２０９】
導体層に使用する金属は特に限定されないが、好適な一実施形態では、導体層は、金、白金、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される１種以上の金属を含む。導体層は、単金属層であっても合金層であってもよい。合金層としては、例えば、上記の群から選択される２種以上の金属の合金（例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金）から形成された層が挙げられる。中でも、汎用性、コスト、エッチングによる除去の容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層が好ましく、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、銀若しくは銅の単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層がより好ましく、銅の単金属層が更に好ましい。
【０２１０】
導体層は、単層構造であっても、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層が２層以上積層した複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁体と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。
【０２１１】
導体層は、乾式メッキ又は湿式メッキにより形成することができる。乾式メッキとしては、例えば、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の公知の方法が挙げられる。湿式メッキの場合は、例えば、無電解メッキと電解メッキとを組み合わせて金属層を形成する。あるいは、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解メッキのみで金属層を形成することもできる。配線パターン形成の方法としては、例えば、当業者に公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを用いることができる。
【０２１２】
導体層の厚さは、多層プリント配線板の薄型化の観点から、好ましくは４０μｍ以下、より好ましくは３５μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは２５μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、１９μｍ以下、又は１８μｍ以下である。導体層の厚さの下限は特に制限されないが、通常、１μｍ以上、３μｍ以上、５μｍ以上などである。導体層が複層構造である場合も、導体層全体の厚みは上記範囲であることが好ましい。
【０２１３】
得られる多層プリント配線板において、絶縁層と導体層との剥離強度は、好ましくは０．５ｋｇｆ／ｃｍ以上、より好ましくは０．５５ｋｇｆ／ｃｍ以上、さらに好ましくは０．６０ｋｇｆ／ｃｍ以上、特に好ましくは０．６５ｋｇｆ／ｃｍ以上である。剥離強度の上限値は特に限定されないが、１．２ｋｇｆ／ｃｍ以下、０．９ｋｇｆ／ｃｍ以下などとなる。
なお、絶縁層と導体層との剥離強度とは、導体層を絶縁層に対して垂直方向（９０度方向）に引き剥がしたときの剥離強度（９０度ピール強度）をいい、導体層を絶縁層に対して垂直方向（９０度方向）に引き剥がしたときの剥離強度を引っ張り試験機で測定することにより求めることができる。引っ張り試験機としては、例えば、（株）ＴＳＥ製の「ＡＣ−５０Ｃ−ＳＬ」等が挙げられる。
【０２１４】
上記の工程を適宜繰り返すことによって、回路基板上に、埋め込みビアを有する絶縁層と、導体層とを複数回交互に積み重ねてもよい。
【０２１５】
本発明の方法により製造される多層プリント配線板は、絶縁層の表面粗度が低いにもかかわらず、上記のように高い剥離強度を呈する導体層を実現できる。高い密度にて埋め込みビアを形成し得る効果とも相俟って、本発明は、多層プリント配線板の製造において、回路配線の高密化に著しく寄与するものである。
【０２１６】
［半導体装置］
本発明の方法により製造された多層プリント配線板を用いて、半導体装置を製造することができる。
【０２１７】
かかる半導体装置としては、電気製品（例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等）及び乗物（例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等）等に供される各種半導体装置が挙げられる。
【実施例】
【０２１８】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、以下の記載において、「％」は、別途記載のない限り、「質量％」を意味する。
【０２１９】
実施例及び比較例で使用した金属膜付きフィルムおよび金属膜付き接着フィルムは、下記の方法に従って調製した。
【０２２０】
（金属膜付きフィルムの調製）
支持体として、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（以下、「ＰＥＴフィルム」という。）を用意した。該ＰＥＴフィルム上に、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート（信越化学工業（株）製「ＨＰ−５５」）の固形分１０％の溶液をダイコータにより塗布した。溶剤としては、メチルエチルケトン（以下、「ＭＥＫ」という。）とシクロヘキサノンの１：１混合溶剤を使用した。得られた積層フィルムを熱風乾燥炉に入れ、室温から１４０℃まで昇温速度３℃／秒で昇温し溶剤を除去して、ＰＥＴフィルム上に離型層として厚さ０．５μｍのヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート層を形成した。次いで、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート層上に、スパッタリングにより、厚さ２５０ｎｍの金属膜（実施例２以外は銅膜、実施例２はニッケル・クロム合金膜）を形成して、金属膜付きフィルムを得た。スパッタリング装置としては、キャノンアネルバ製「Ｅ−４００Ｓ」を使用した。
【０２２１】
（金属膜付き接着フィルムの調製）
（１）接着フィルムの作製
ビスフェノール型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製「ＺＸ１０５９」、ビスフェノールＡ型とビスフェノールＦ型の１：１混合品、エポキシ当量約１６９）５部、ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製「ＨＰ４０３２ＳＳ」、エポキシ当量約１４４）５部、ビキシレノール型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＸ４０００ＨＫ」、エポキシ当量約１８５）５部、ビフェニル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、エポキシ当量約２８８）１５部、及びフェノキシ樹脂（三菱化学（株）製「ＹＬ７５５３ＢＨ３０」、重量平均分子量約３５０００、固形分３０％のＭＥＫ溶液）１０部を、ソルベントナフサ２５部に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、トリアジン骨格含有フェノールノボラック系硬化剤（ＤＩＣ（株）製「ＬＡ−７０５４」、水酸基当量１２５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、ナフトール系硬化剤（新日鐵化学（株）製「ＳＮ−４８５」、水酸基当量２１５、固形分６０％のＭＥＫ溶液）１０部、硬化促進剤（４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）、固形分５質量％のＭＥＫ溶液）１部、難燃剤（三光（株）製「ＨＣＡ−ＨＱ」、１０−（２，５−ジヒドロキシフェニル）−１０−ヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド、平均粒径２μｍ）３部、アミノシラン系カップリング剤（信越化学工業（株）製「ＫＢＭ５７３」）で表面処理した球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯＣ２」、平均粒径０．５μｍ、単位表面積当たりのカーボン量０．３９ｍｇ／ｍ２）１００部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、樹脂ワニスを調製した。
次に、支持体として、アルキド樹脂系離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製「ＡＬ５」、厚さ３８μｍ）を用意した。上記で調製した樹脂ワニスを、該支持体の離型層側表面に、ダイコータにて均一に塗布し、８０℃〜１２０℃（平均１００℃）で５分間乾燥させて接着フィルムを作製した。得られた接着フィルムにおいて、樹脂組成物層の厚さは１５μｍであった。
【０２２２】
（２）金属膜付き接着フィルムの作製
金属膜付きフィルムと上記（１）で得た接着フィルムとを、金属膜と樹脂組成物層とが接合するように、空気圧１３ｈＰａ以下とした後、圧着温度９０℃、圧着圧力１ｋｇｆ／ｃｍ２、圧着時間１０秒の条件で（株）ニチゴー・モートン製「ＣＶＰ−７００」にてラミネート処理し、金属膜付き接着フィルムを得た。得られた金属膜付き接着フィルムは、接着フィルム由来の支持体を剥離した後、実施例及び比較例に使用した。
【０２２３】
＜算術平均粗さ（Ｒａ値）の測定＞
金属膜除去後の絶縁層表面について、非接触型表面粗さ計（ビーコインスツルメンツ社製「ＷＹＫＯ  ＮＴ３３００」）を用いて、ＶＳＩコンタクトモード、５０倍レンズにより測定範囲を１２１μｍ×９２μｍとして得られる数値によりＲａ値を求めた。無作為に選んだ１０点の平均値を求めることにより測定した。
【０２２４】
＜実施例１＞
（Ａ）積層基板の調製
回路基板として、厚さ１８μｍの銅配線層が両面に形成されているガラスエポキシ基板（厚さ７００μｍ）を用意した。該基板の銅配線層を表面処理剤（メック（株）製「ＣＺ８１００」、有機酸を含む表面処理剤）を使用して粗化処理した。次いで、金属膜付き接着フィルムを、該フィルムの樹脂組成物層と銅配線層とが接するように、回路基板の両面に積層した。金属膜付き接着フィルムと回路基板との積層は、バッチ式真空加圧ラミネーター（名機（株）製「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて実施した。積層は３０秒間減圧して気圧を１３ｈＰａ以下とした後、圧着温度１００℃、圧着圧力０．７ＭＰａ、圧着時間３０秒間の条件にて実施した。得られた積層基板（回路基板、樹脂組成物層、金属膜、離型層及び支持体を順に含む積層基板）を、クリーンオーブンにて、１００℃で３０分間予備加熱した後、１８０℃で３０分間加熱して樹脂組成物層を熱硬化した。これにより、回路基板、絶縁層、金属膜、離型層及び支持体を順に含む積層基板を得た。
【０２２５】
（Ｂ）レーザーによるビアホールの形成
日立ビアメカニクス（株）製炭酸ガスレーザー装置「ＬＣ−２Ｅ２１Ｂ／１Ｃ」を使用して、支持体上から絶縁層を穴あけ加工して、ビアホールを形成した。絶縁層表面におけるビアホールのトップ径は約２５μｍで、金属膜の捲り上がりもなく、良好なビアホールが形成された。なお、穴あけ加工の条件は、マスク径３．５ｍｍ、パルス幅２μｓ、エネルギー０．４ｍＪ／ショット（出力０．８Ｗ、周波数２０００Ｈｚ）、アパーチャー１２、ショット数２、バーストモードであった。
【０２２６】
（Ｃ）デスミア処理
ビアホールの形成後、支持体ＰＥＴフィルムを剥離した後、デスミア処理した。デスミア処理は下記手順にて実施した。積層基板を、膨潤液（アトテックジャパン（株）「スエリングディップ・セキュリガントＰ」）に６０℃で５分間、次いで酸化剤溶液（アトテックジャパン（株）製「コンセントレート・コンパクトＰ」、ＫＭｎＯ４：６０ｇ／Ｌ、ＮａＯＨ：４０ｇ／Ｌの水溶液）に８０℃で１５分間、最後に中和液（アトテックジャパン（株）製「リダクションショリューシン・セキュリガントＰ」）に４０℃で５分間、浸漬した。次いで、水洗し、乾燥させた。
デスミア処理の後、ＳＥＭでビア底部を観察したところ、樹脂残渣は確認されなかった。
【０２２７】
（Ｄ）無電解メッキ用触媒の付与
次いで、ビアホール内の絶縁層露出表面を表面処理した後、無電解メッキ用触媒を付与した。ビアホール内の絶縁層露出表面の表面処理および無電解メッキ用触媒の付与は下記のとおり実施した。
（１）アルカリクリーニング（絶縁層露出表面の洗浄）
商品名：アトテックジャパン（株）製、Ｃｌｅａｎｉｎｇ  ｃｌｅａｎｅｒ  Ｓｅｃｕｒｉｇａｎｔｈ  ９０２  
条件：６０℃で５分間
（２）プレディップ（絶縁層露出表面の電荷調整）
商品名：アトテックジャパン（株）製、Ｐｒｅ．  Ｄｉｐ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  Ｂ
条件：室温で１分間
（３）無電解メッキ用触媒の付与
商品名：アトテックジャパン（株）製、Ａｃｔｉｖａｔｏｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ８３４
条件：３５℃で５分間
【０２２８】
（Ｅ）金属膜の除去
無電解メッキ用触媒を付与した後、湿式エッチングにより金属膜を除去した。湿式エッチングの条件は下記のとおりである。
エッチング液：１５％塩化第二鉄水溶液
温度：２５℃
時間：１０秒間
金属膜を除去した後、露出した絶縁層表面を観察したが、支持体、離型層、金属膜由来の残渣はなく、絶縁層表面は清浄であった。また、絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は７０ｎｍであった。
【０２２９】
（Ｆ）無電解メッキ用触媒の還元および無電解メッキ
次いで、無電解メッキ用触媒の還元処理を行った後、無電解メッキによりビアホール内に銅メッキした。還元処理および無電解メッキの条件は下記のとおりである。
（１）還元処理
商品名：アトテックジャパン（株）製Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ｎｅｏｇａｎｔｈ  ＷＡ、Ｒｅｄｕｃｅｒ  Ａｃｃｅｒａｌａｔｏｒ  ８１０  ｍｏｄ．の混合液
条件：３０℃で５分間
（２）無電解銅メッキ
商品名：上村工業（株）製、スルカップＥＬＣ−ＳＰ２（ＥＬＣ−ＳＰ−Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの混合液）
条件：６５℃で１８０分間
【０２３０】
その結果、ビアホール内にのみ選択的に無電解銅メッキが形成され、絶縁層表面を清浄に保ったまま埋め込みビアを形成することができた。
【０２３１】
＜実施例２＞
金属膜として厚さ２５０ｎｍのニッケル・クロム合金膜を含む金属膜付き接着フィルムを使用した点、および工程（Ｅ）にてエッチング液としてメック（株）製「ＣＨ−１９６０」（硝酸誘導体、メルカプト酢酸、塩酸の混合物）を使用した点以外は、実施例１と同様に実施した。
その結果、金属膜を除去した後の絶縁層表面の算術平均粗さ（Ｒａ）は６０ｎｍであった。また、ビアホール内にのみ選択的に無電解銅メッキが形成され、絶縁層表面を清浄に保ったまま埋め込みビアを形成することができた。
【０２３２】
＜比較例１＞
工程（Ｅ）を実施しなかった以外は実施例１と同様に実施した。その結果、金属膜表面をはじめとする基板全面に無電解銅メッキが形成されてしまい、ビアホール内に選択的に銅メッキを形成することはできなかった。
【０２３３】
＜比較例２＞
工程（Ｄ）と工程（Ｅ）の順番を逆にした以外は実施例１と同様に実施した。その結果、絶縁層表面をはじめとする基板全面に無電解銅メッキが形成されてしまい、ビアホール内に選択的に銅メッキを形成することはできなかった。
【符号の説明】
【０２３４】
１  回路基板
２  基板
３  回路配線
４  絶縁層
４ａ  ビアホール
５  金属膜
６  支持体
７  埋め込みビア
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
2014232776.tif 000005
【図１Ｄ】
2014232776.tif 000006
【図１Ｅ】
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