(57)【要約】      （修正有）【課題】より高い電流効率を有する有機ルミネッセンス素子、及びこれに用いる発光材料を提供する。【解決手段】一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機エレクトロニクスルミネッセンス素子であって、フェニルピリジンまたはピリジルピリジンを配位子として有する少なくとも１種の二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機エレクトロニクスルミネッセンス素子であって、一般式（１ａ）及び（１ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2014175616.tif 000004
（式中、Ａｒは炭素原子数１〜２０のアリール基、ＺはＣＨ又はＮ、Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。）
【請求項２】
請求項１記載の素子が、バッファ層、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を含む請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
発光層に、更に、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）を含む請求項１〜２のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
発光層における二核イリジウム錯体と３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）との含有率が、２０：８０〜５：９５％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
一般式（１）
【化２】
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（式中、Ａｒはアリール基又はヘテロアリール基、ＺはＣＨ又はＮ、Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。）
で示される二核イリジウム錯体。
【請求項６】
有機エレクトロルミネッセンス素子における、請求項５記載の二核イリジウム錯体の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と称することもある。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、次世代ディスプレイ及び次世代照明として有望視され、国内外で活発に研究開発が行われている。有機ＥＬ素子の発光材料として、高効率化・色純度の向上・長寿命化を目的に、種々の金属錯体が報告されている（例えば、特許文献１及び２参照）。
【０００３】
従来、オキサミドを架橋配位子としたイリジウム二核錯体としては、例えば、２，４−ジフルオロフェニルピリジナト、２，６’−ジフルオロビピリジナトを配位子とする二種の錯体が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００１／８２３０号公報
【特許文献２】国際公開第２００５／１９３７３号公報
【特許文献３】国際公開第２０１２／７４１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、最大輝度、電流効率などについては必ずしも十分と言えるものではないため、より高い電流効率を有する有機ルミネッセンス素子、及びこれに用いる発光材料の提案が切望されていた。
本発明の課題は、即ち、より高い電流効率を有する有機ルミネッセンス素子、及びこれに用いる発光材料を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の課題は、一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機エレクトロニクスルミネッセンス素子であって、一般式（１ａ）及び（１ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子によって解決される。
【０００７】
【化１】
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【０００８】
（式中、Ａｒはアリール基又はヘテロアリール基、ＺはＣＨ又はＮ、Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。）
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、最大輝度、電流効率などが良好な二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施例の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（有機エレクトロルミネッセンス素子）
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機エレクトロニクスルミネッセンス素子であって、前記の一般式（１ａ）及び（１ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の二核イリジウム錯体を発光層に含むものである。
【００１２】
（二核イリジウム錯体）
本発明の二核イリジウム錯体は、前記の一般式（１ａ）及び（１ｂ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の二核イリジウム錯体であるが、式中、Ａｒはアリール基又はヘテロアリール基、ＺはＣＨ又はＮ、Ｒは炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。
【００１３】
前記Ａｒとしては、具体的には、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、ビフェニル基、ベンジルフェニル基、ナフチル基などのアリール基であるが、好ましくはフェニル基である。なお、これらの基は、各種異性体を含む。
【００１４】
前記Ｒとしては、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基であるが、好ましくはメチル基である。なお、これらの基は、各種異性体を含む。
【００１５】
前記ＺがＣＨの場合にはベンゼン骨格、ＺがＮの場合にはピリジン骨格を形成する。
【００１６】
なお、本発明の二核イリジウム錯体は、特許文献３記載の方法に準じて製造することができる。
【００１７】
（素子構成）
次に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。本発明の有機ＥＬ素子は本発明の二核金属錯体、特にはイリジウム錯体を含有するものである。本発明の二核金属錯体は、通常、発光材料として使用される。
本発明の有機ＥＬ素子は、本発明の二核金属錯体が例えば発光層等において使用される以外、公知の構造、材料を使用することができる。
【００１８】
本発明の有機ＥＬ素子は、好ましくは一対の電極間に単層又は多層の有機化合物層を有する有機ＥＬ素子であり、本発明の二核金属錯体を、有機化合物薄層のうちの少なくとも１層に含むものである。なお、有機化合物層とは、バッファ層、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等である。
【００１９】
単層型の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層を有する。発光層は、発光材料を含有し、更に、陽極から注入したホール、又は陰極から注入した電子を発光材料まで輸送させるための有機化合物層に用いられる材料、例えば、ホール輸送材料や電子輸送材料を含有してもよい。
【００２０】
多層型の有機ＥＬ素子としては、例えば、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）や（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）等の多層構成が挙げられるが、他に（陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／金属酸化物層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／陰極）、（陽極／発光層／電子輸送層／陰極）、（陽極／ホール注入層／発光層／電子輸送層／陰極）等の多層構成も挙げられ、その構成はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
又、バッファ層、ホール輸送層、電子輸送層、及び発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であってもよい。又、ホール輸送層、電子輸送層は、それぞれの層で、注入機能を有する層（ホール注入層及び電子注入層）と輸送機能を有する層（ホール輸送層及び電子輸送層）を別々に設けることもできる。
【００２２】
以下、本発明の有機ＥＬ素子の構成要素に関して、（陽極／バッファ層／ホール輸送層／発光層／ホール阻止層／電子輸送層／陰極）の素子構成を例に詳細に説明する。
【００２３】
本発明の有機ＥＬ素子において有機層の発光層のホスト材料として使用される材料は、公知のホスト材料の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１’−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，３−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（ｍＣＰ）、２，２’―ジ〔４’’−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１’−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）、ジフェニルジ（ｏ−トリル）シラン、ｐ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、４、４’、４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）−トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、４９，１０−ビス−〔１，１，３’，１’〕ターフェニル−５’−イル−アントラセン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
本発明の二核金属錯体は、通常、発光層においてホスト材料と組み合わせて使用され、その場合、発光材料である本発明の二核金属錯体はホスト材料に対して、好ましくは０．００５〜４０質量％、より好ましくは０．０５〜１０質量％の量で使用される。
【００２５】
ホール阻止層として使用される材料（以下、ホール阻止材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（トリフェニルシラノラート）アルミニウム等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２６】
電子輸送層として使用される材料（以下、電子輸送材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、フルオレン、フェナントロリン、バソフェナントロリン、バソクプロイン、アントラキノジメタン、ジフェノキノン、オキサゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、イミダゾール、アントラキノジメタン、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニル（ＣＢＰ）等や、それらの化合物、金属錯体化合物もしくは含窒素五員環誘導体を挙げることができる。金属錯体化合物としては、具体的には、８−ヒドロキシキノリナートリチウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリ（２−メチル−８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）ガリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）ベリリウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナート）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（ｏ−クレゾラート）ガリウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）（１−ナフトラート）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリナート）−４−フェニルフェノラート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。又、上記の含窒素五員環誘導体としては、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾールもしくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−チアゾール、２，５−ビス（１−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４’−ビフェニル）１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，４−ビス［２−（５−フェニルチアジアゾリル）］ベンゼン、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−トリアゾール、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，２，４ートリアゾール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。さらに、ポリマー有機発光素子に使用されるポリマー材料も使用することができる。例えば、ポリパラフェニレン及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２７】
一方、ホール輸送層として使用される材料（以下、ホール輸送材料という）は、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’ジアミン（ＴＰＤ）や４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、ｐ，ｐ’−［Ｎ，Ｎ’−テトラ（ｐ−トルイル）ジアニリノ−ｏ，ｏ’−ビフェニル］（３ＤＴＡＰＢＰ）等の芳香族ジアミン化合物、スチルベン誘導体、ピラゾリン誘導体、ポリアリールアルカン、４，４’，４’−トリス（Ｎ−（３−メチルフェニル）Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、２，２’，７，７’−テトラキス−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン、及びポリビニルカルバゾール等の高分子材料が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００２８】
又、有機ＥＬ素子には、ホールの注入性向上のために、ホール輸送層と陽極との間にバッファ層を設けることができる。バッファ層に用いる材料としては、公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。バッファ層に用いる材料として、より好適には、上記ホール輸送材料に酸化モリブデンを１〜３０質量％ドープしたものが使用されるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
陽極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅＶ前後より大きいもの、例えば、炭素原子、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム及びそれらの合金、ＩＴＯ（酸化インジウムに酸化スズを５〜１０％添加した物質）基板、ＮＥＳＡ基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、更にポリチオフェンやポリピロール等の有機導電性樹脂を用いることが出来る。ただし、陽極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陰極に使用される導電性材料の仕事関数より０．１ｅＶ以上大きなものを用いることが望ましい。
【００３０】
陰極に使用される導電性材料としては、仕事関数が４ｅＶ前後より小さいもの、例えば、マグネシウム、カルシウム、錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム等又はそれらの合金を用いることが出来る。ここで合金としては、マグネシウム／銀、マグネシウム／インジウム、リチウム／アルミニウム等が挙げられる。合金の比率は、蒸着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、特に限定されない。ただし、陰極に使用される導電性材料の仕事関数が当該素子の陽極に使用される導電性材料の仕事関数より０．１ｅＶ以上小さいものを用いることが望ましい。
【００３１】
陽極及び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていてもよい。
【００３２】
本発明の有機ＥＬ素子は、電子注入性向上のために、電子輸送層と陰極との間に電子注入層を設けることも出来る。電子注入層に用いる材料として、例えば、ＬｉＦ等のアルカリ金属フッ化物；ＢａＦ２、ＳｒＦ２等のアルカリ土類金属フッ化物；Ｌｉ２Ｏ等のアルカリ金属酸化物；ＲａＯ、ＳｒＯ等のアルカリ土類金属酸化物を用いることが出来るが、これらに限定されるものではない。
【００３３】
本発明の有機ＥＬ素子は、少なくとも一方の面は素子の発光波長領域において透明であることが望ましい。又、基板も透明であることが望ましい。
【００３４】
透明電極は、例えば、前記の導電性材料を使用して、蒸着又はスパッタリング等の方法で、所定の透光性を確保するように設定して形成することができる。
【００３５】
発光面の電極は、光透過率を１０％以上にすることが望ましい。
【００３６】
基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものであれば特に限定されるものではないが、ガラス基板又は透明性樹脂フィルムが好適に使用される。
【００３７】
透明性樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
【００３８】
本発明の有機ＥＬ素子は、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護層を設けるか、又はシリコンオイル、樹脂等により素子全体を保護してもよい。
【００３９】
又、有機ＥＬ素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法、又はスピンコーティング、ディッピング、フローコーティング等の湿式成膜法のいずれかを適用することができる。各層の膜厚は特に制限されないが、好ましくは０．１ｎｍ〜１０μｍ、更に好ましくは０．５ｎｍ〜０．２μｍである。
【００４０】
湿式成膜法の場合、各層に使用する材料をエタノール、クロロホルム、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン、クロロベンゼン、イオン交換水等の溶媒に溶解又は分散させたものを用いて、薄膜を調製（成膜）することが出来る。
【実施例】
【００４１】
以下に実施例を挙げて、更に本発明を具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００４２】
参考例１（４−ベンジルピリジン−Ｎ−オキシドの合成）
攪拌装置、還流冷却器及び温度計を備えた５００ｍｌのガラス製四つ口フラスコに、クロロホルム３００ｍｌを加え、冷却した。次いで、６５質量％ｍ−クロロ過安息香酸２６．５ｇ（１００ｍｍｏｌ）を加えた後、４−ベンジルピリジン１６．９ｇ（１００ｍｍｏｌ）をクロロホルム１００ｍｌに溶解した溶液を、液温を０〜１０℃に維持しながら滴下した。滴下終了後、攪拌しながら０〜１０℃で１時間反応させた後、１５〜２０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応溶液を、１ｍｏｌ／ｌ水酸化ナトリウム水溶液１００ｍｌで３回、飽和食塩水１回で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、得られた濾液を減圧下で濃縮し、粘性のある淡黄色液体として、４−ベンジルピリジン−Ｎ−オキシド１６ｇを得た（単離収率；８６％）。
【００４３】
参考例２（２−クロロ−４−ベンジルピリジンの合成）
攪拌装置、還流冷却器及び温度計を備えた１０００ｍｌのガラス製三つ口フラスコに、オキシ塩化リン０．１９Ｌ（２．０ｍｏｌ）を加え、参考例１と同様な方法で合成した４−ベンジルピリジン−Ｎ−オキシド１６ｇ（８６ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、攪拌しながら１００〜１１０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を水中に添加した後（過剰のオキシ塩化リンを分解処理）、炭酸水素ナトリウムを加えてクロロホルムで抽出した。抽出液を水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮した後、濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；４００／２０））で精製し、褐色液体として、２−クロロ−４−ベンジルピリジン１．２ｇを得た（単離収率：５％）。
【００４４】
参考例３（２−（２’，６’−ジフルオロピリジン−３−イル）−４−ベンジルピリジンの合成）
攪拌装置、還流冷却器及び温度計を備えた１００ｍｌのガラス製四つ口フラスコに、実施例２と同様な方法で合成した２−クロロ−４−ベンジルピリジン１．２ｇ（５．９ｍｍｏｌ）、２、６−ジフルオロ−３−ピリジルボロン酸０．９ｇ（５．８ｍｍｏｌ）、１．３５ｍｏｌ／ｌリン酸カリウム水溶液１８ｍｌ（２５ｍｍｏｌ）及びジオキサン６０ｍｌを加え、窒素を１時間通気した。次いで、トリスジベンジリデンアセトンジパラジウム（０）０．４ｇ（０．４ｍｍｏｌ）及びトリシクロヘキシルホスフィン０．３ｇ（１．１ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら８０〜９０℃で８時間反応させた。次いで、２、４−ジフルオロ−３−ピリジルフェニルボロン酸０．５ｇ（５．９ｍｍｏｌ）を追加し、攪拌しながら８０〜９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却した後、減圧下で濃縮した。濃縮物に水と酢酸エチルを加えて抽出し、得られた有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、濃縮物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン／酢酸エチル（容量比；４００／２０→３８０／２０→３５０／５０）で精製し、淡褐色液体として、２−（２’，６’−ジフルオロピリジン−３−イル）−４−ベンジルピリジン０．５ｇを得た（単離収率：６３％）。
【００４５】
なお、２−（２’，６’−ジフルオロピリジン−３−イル）−４−ベンジルピリジンの物性値は以下の通りであった。
【００４６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３、δ（ｐｐｍ））；８．７０〜８．５６（２Ｈ，ｍ）、７．６８（１Ｈ，ｍ）、７．４０〜７．１８（５Ｈ，ｍ）、７．１０（１Ｈ，ｍ）、６．９４（１Ｈ，ｍ）、４．１０（２Ｈ，ｓ）
【００４７】
参考例４（ジ−μ−クロロテトラキス−［２’，６’−ジフルオロ−４−ベンジル［２、３’−ビピリジン］−４’−イル−κＣ４’、κＮ１］ジイリジウムの合成）
攪拌装置、還流冷却器及び温度計を備えた５０ｍｌのガラス製四つ口フラスコに、参考例９と同様な方法で合成した２−（２’，６’−ジフルオロピリジン−３−イル）−４−ベンジルピリジン０．５ｇ（１．８ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール１５ｍｌを加え、窒素を１時間通気した。次いで、三塩化イリジウム三水和物０．２ｇ（０．７ｍｍｏｌ）を加え、攪拌しながら１２０〜１３０℃で２２時間反応させた。反応終了後、反応液を室温まで冷却し、水１５ｍｌを添加した後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を添加した。濾過後、得られた濾物を乾燥させ、ジ−μ−クロロテトラキス−［２’，６’−ジフルオロ−４−ベンジル［２、３’−ビピリジン］−４’−イル−κＣ４’、κＮ１］ジイリジウム０．４ｇを得た（単離収率：５７％）。
【００４８】
実施例１（テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−５−ベンジル−２，３’−ビピリジナト）（μ−ジメチルオキサミデート）ジイリジウム（ＩＩＩ），略称；［Ｉｒ（ｄｆｐｙＢｎｐｙ）２ＤＭＯ］２）の合成
アルゴン雰囲気下、攪拌装置を備えた３０ｍｌシュレンク管に、Ｎ，Ｎ’−ジメチルオキサミド８．１ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム（ｔ−ＢｕＯＫ（８５質量％品））１９ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）、テトラヒドロフラン７ｍｌを加え、１時間室温で攪拌した後、ジ−μ−クロロテトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−ベンジル−２、３’−ビピリジナト）ジイリジウム（ＩＩＩ）１１１ｍｇ（０．０７ｍｍｏｌ）を加え、室温で攪拌し１６時間反応させた。反応後、テトラヒドロフランを減圧留去し、得られた残留物に塩化メチレンを加え、不溶物を濾別した。濾液を減圧下で濃縮し、得られた反応粗生成物をシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：塩化メチレン／酢酸エチル、容量比；２０／１）によって精製した後、エタノールで洗浄し、黄色固体である目的物を４７ｍｇ得た。（収率；４１％）
得られた目的物は少なくとも３種類の異性体混合物で、その生成比は異性体１（主生成物）：異性体２：異性体３＝３３：２７：２０と考えられた。
【００４９】
なお、（テトラキス（２’，６’−ジフルオロ−４−ベンジル−２，３’−ビピリジナト）（μ−ジメチルオキサミデート）ジイリジウム（ＩＩＩ）は、以下の物性値で示される新規な化合物であった。
【００５０】
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤ２Ｃｌ２）δ：８．１３−７．７９（ｍ，８Ｈ），７．４５−７．２７（ｍ，２０Ｈ），７．１４−６．６６（ｍ，４Ｈ），５．６６−５．５７（ｍ，４Ｈ），４．２４−４．１４（ｍ，８Ｈ），２．５２−２．４５（ｍ，６Ｈ）
ＦＡＢ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：１６２４（Ｍ＋Ｈ）＋
【００５１】
実施例２（本発明のイリジウム錯体を含む有機ＥＬ素子の製造）
イーエッチシー製インジウムスズ酸化物（以下、ＩＴＯと略す）被膜付きガラスを透明電極基板として用い、アルバック機工製真空蒸着装置を使用して、同基板上に５×１０−４Ｐａ以下の真空度で、順次、次のようにホール輸送層３、発光層４、電子輸送層５、電子注入層６、アルミニウム電極７を真空蒸着により成膜して有機ＥＬ素子を作製した。
【００５２】
なお、真空蒸着は、基板に対向して置かれた坩堝に原料を仕込み、坩堝ごと原料を加熱することによって行った。
【００５３】
前記基板上に、ホール輸送材料であるｐ，ｐ’−［Ｎ，Ｎ’−テトラ（ｐ−トルイル）ジアニリノ−ｏ，ｏ’−ビフェニル］（以下、３ＤＴＡＰＢＰと略す）を膜厚６０ｎｍで成膜し、ホール輸送層３を形成した後、発光層４として３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン）（以下、３５ＤＣｚＰＰｙと略す）：二核イリジウム錯体（１）（実施例２と同様な方法で合成）＝９５：５を膜厚４０ｎｍで成膜した。次いで、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（以下、ＴＡＺと略す）を膜厚４０ｎｍで成膜し、電子輸送層５を形成した。更に電子輸送層の上に、フッ化リチウム（以下、ＬｉＦと略す）を膜厚０．５ｎｍで成膜し、電子注入層６を形成した。その上にアルミニウム（Ａｌ）を膜厚１００ｎｍで成膜し、電極７を形成した。
【００５４】
本素子の層構成を簡略化して示すと、
陽極２：  ＩＴＯ（１３０ｎｍ）
ホール輸送層３：  ３ＤＴＡＰＢＰ（６０ｎｍ）
発光層４：  ３５ＤＣｚＰＰｙ：二核イリジウム錯体（１）（４０ｎｍ、９５／５）
電子輸送層５：  ＴＡＺ（４０ｎｍ）
電子注入層６：  ＬｉＦ（０．５ｎｍ）
陰極７：  Ａｌ（１００ｎｍ）
である。
【００５５】
前記素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し、電極間電圧を上げていくと、＋７Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の水青色発光を開始し、＋１３Ｖにおいて３２８７ｃｄ／ｍ２で発光した。電流効率は＋１３Ｖで４．７７ｃｄ／Ａであった。
【００５６】
この素子の発光色を、プレサイスゲージ社製有機ＥＬ評価装置ＥＬ１００３を用いて測定した。電極間電圧＋１７Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ  Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．１９４，ｙ＝０．３１７であった（ＣＩＥ（国際照明委員会）表色系より）。
【００５７】
比較例１（特許文献３のイリジウム錯体を含む有機ＥＬ素子の製造）
二核イリジウム錯体（１）をテトラキス（２’，６’−ジフルオロ−２，３’−ビピリジナト）（μ−ジメチルオキサミデート）ジイリジウム（ＩＩＩ）に変更した以外は実施例２と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
【００５８】
前記素子のＩＴＯ電極２を正極、Ａｌ電極７を負極として通電し、電極間電圧を上げていくと、＋７Ｖ付近から素子は肉眼ではっきりと分かる程度の水青色発光を開始し、＋１３Ｖにおいて２０５６ｃｄ／ｍ２で発光した。電流効率は＋１３Ｖで２．６８ｃｄ／Ａであった。
この素子の発光色を、プレサイスゲージ社製有機ＥＬ評価装置ＥＬ１００３を用いて測定した。電極間電圧＋１７Ｖにおいて得られたスペクトルより、ＪＩＳ  Ｚ８７０１によって求めた色度座標の値はｘ＝０．１６１，ｙ＝０．２６４であった（ＣＩＥ（国際照明委員会）表色系より）。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明により、最大輝度、電流効率などが良好な二核イリジウム錯体を発光層に含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１．硝子基板
２．ＩＴＯ透明電極
３．ホール輸送層
４．発光層
５．電子輸送層
６．電子注入層
７．アルミニウム電極
【図１】
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