(57)【要約】      （修正有）【課題】コストを抑えつつ、清澄槽の変形又は破損を防止することができるガラス基板の製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも清澄槽２０２の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられた白金又は白金合金製清澄槽２０２において熔融ガラスの清澄を行う。前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽２０２の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽２０２の温度分布に基づいた厚さ分布を有するように設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられた白金又は白金合金製清澄槽において熔融ガラスの清澄を行う清澄工程を有し、
前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づいた厚さ分布を有するように設けられている、ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記清澄槽は、耐火性化合物の溶射膜が設けられた領域と、耐火性化合物の溶射膜が設けられない領域とを含み、
前記耐火性化合物の溶射膜を設けた領域は、前記清澄槽の温度が最高温度となる領域を少なくとも含む、請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の温度が高い領域ほど厚さがあつくなるように設けられる、請求項１又は２記載のガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板は、少なくともＳｎＯ２を含む、請求項１〜３の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１領域は、前記清澄槽の温度が１６４０℃以上となる領域である、請求項１〜４の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項６】
ガラス原料を熔解する熔解工程を、有し、
前記清澄工程は、前記熔解工程の後、３℃／分以上の昇温速度で前記熔融ガラスの温度を１６３０℃以上に昇温させることにより前記熔融ガラス中に泡を生成させて脱泡を行う脱泡処理と、前記熔融ガラスを降温させることにより、前記熔融ガラス中の泡を前記熔融ガラスに吸収させる吸収処理と、を含み、
前記清澄槽の温度が最高温度となる領域は、前記脱法処理を行う領域にある、請求項１〜５の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記ガラス基板は、歪点が６８０℃以上である、請求項１〜６の何れか１項に記載のガラス基板の製造方法。
【請求項８】
熔融ガラスの清澄を行う白金又は白金合金製の清澄槽を備え、
前記清澄槽は、少なくとも前記清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられ、
前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づく厚さ分布を有するように設けられている、ガラス基板製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、欠点品質に対する要求が厳しいフラットパネルディスプレイ用ガラス基板などを製造する工程の一部には、白金又は白金合金製の装置が用いられることがある。これは、白金又は白金合金製の装置が高い熔融温度と高い耐食性を有するためであり、特に、ガラス基板の製造工程において熔融ガラス温度が最高温度となる清澄槽には、白金又は白金合金を用いることが好ましい。
【０００３】
しかし、白金又は白金合金は、酸化による揮発が生じやすい。白金又は白金合金が揮発すると、白金又は白金合金製装置の厚さが薄くなり、白金又は白金合金製装置が変形又は破損してしまうという問題が生じる。このような問題は、他のガラスと比較して高温域での粘度が高いフラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造において、より深刻な問題となる。
【０００４】
上記問題を解決するために、深さのある架台および多層の耐火ボードを用いて清澄化槽の断熱を十分に行うことで白金又は白金合金製の清澄化槽の温度分布を制御する技術が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１１−５０２９３４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ガラス基板の製造においては、用いる清澄剤によって清澄作用が効果的に発揮される温度が異なることが知られている。例えば、Ａｓ２Ｏ３（亜ヒ酸）は、気泡を除去する能力に優れており、清澄温度も１５００℃程度以上の範囲で足りるため、従来は清澄剤としてＡｓ２Ｏ３を用いるのが一般的であった。しかし、Ａｓ２Ｏ３は環境負荷が高いため、近年は環境負荷が高くない清澄剤としてＳｎＯ２（酸化錫）等が用いられるようになってきている。しかし、ＳｎＯ２はＡｓ２Ｏ３と比較して脱泡工程時に泡を放出する力が弱いため、ガラスの粘性を低くして脱泡効果を上げる必要があり、したがって高い温度で清澄を行う必要がある。例えば、酸化錫を清澄剤として使用した場合は、１６００℃以上に昇温させることが好ましい。このため、従来よりも清澄槽を構成する白金又は白金合金がより揮発しやすくなってしまうという課題があった。
【０００７】
上記課題を鑑み、本発明では、効率的よく白金又は白金合金の酸化を防止することで、白金又は白金合金製装置の変形又は破損を防止することができる、ガラス基板の製造装置及びガラス基板製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１態様は、少なくとも清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられた白金又は白金合金製清澄槽において熔融ガラスの清澄を行う清澄工程を有し、
前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づいた厚さ分布を有するように設けられている、ガラス基板の製造方法である。
【０００９】
本発明の第２態様は、第１態様に記載のガラス基板の製造方法であって、前記清澄槽は、耐火性化合物の溶射膜が設けられた領域と、耐火性化合物の溶射膜が設けられない領域とを含み、前記耐火性化合物の溶射膜を設けた領域は、前記清澄槽の温度が最高温度となる領域を少なくとも含んでもよい。
【００１０】
本発明の第３態様は、第１態様又は第２態様の記載のガラス基板の製造方法であって、  前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の温度が高い領域ほど厚さが厚くなるよう設けられてもよい。
【００１１】
本発明の第４態様は、第１態様〜第３態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板は、少なくともＳｎＯ２を含んでよい。このとき、製造されたガラス基板のＳｎＯ２は、０．０１〜０．５質量％、含有していることが好ましい。さらに、製造されたガラス基板は、ＳｎＯ２とＦｅ２Ｏ３を組み合わせて含有することが好ましく、この場合、ＳｎＯ２を０．０１〜０．５質量％含有し、Ｆｅ２Ｏ３を０．０１〜０．１質量％含有することが好ましい。
【００１２】
本発明の第５態様は、第１態様〜第４態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記第１領域は、前記清澄槽の温度が１６４０℃以上となる領域であってもよい。
【００１３】
本発明の第６態様は、第１態様〜第５態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、ガラス原料を熔解する熔解工程を、有し、前記清澄工程は、前記熔解工程の後、３℃／分以上の昇温速度で前記熔融ガラスの温度を１６３０℃以上に昇温させることにより前記熔融ガラス中に泡を生成させて脱泡を行う脱泡処理と、前記熔融ガラスを降温させることにより、前記熔融ガラス中の泡を前記熔融ガラスに吸収させる吸収処理と、を含み、前記清澄槽の温度が最高温度となる領域は、前記脱法処理を行う領域にあってもよい。
このとき、前記清澄槽は、前記熔融ガラスの脱泡のための気相の空間を有する清澄槽本体と、前記清澄槽本体とガラス原料を熔解する熔解槽とを接続する移送管と、を含み、前記清澄工程における前記熔融ガラスの昇温は、前記移送管を少なくとも用いて、前記移送管に流す電流を制御することにより行われてもよい。
【００１４】
本発明の第７態様は、第１態様〜第６態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記清澄槽は、前記熔融ガラスの脱泡のための気相の空間を有する澄槽本体と、前記清澄槽本体とガラス原料を熔解する熔解槽とを接続する移送管と、を含み、前記移送管では、前記熔融ガラスが内側断面全体に充填されて搬送され、前記清澄槽本体は、前記移送管の断面より大きい断面を有し、前記移送管から供給された前記熔融ガラスが搬送され、前記清澄槽の温度は、前記清澄槽本体において最高温度となってもよい。
【００１５】
本発明の第８態様は、第１態様〜第７態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板は、歪点が６８０℃以上であってもよい。
【００１６】
本発明の第９態様は、第１態様〜第８態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板は、アルカリ金属酸化物の含有量が０〜１質量％であってもよい（アルカリ金属酸化物の含有量は、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏのうち含有する成分の合計）。
【００１７】
本発明の第１０態様は、第１態様〜第９態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板は、ＳｉＯ２を５０〜７０質量％、Ｂ２Ｏ３を０〜１５質量％、Ａｌ２Ｏ３を１０〜２５質量％、ＭｇＯを０〜１０質量％、ＣａＯを０〜２０質量％、ＳｒＯを０〜２０質量％、ＢａＯを０〜１５質量％、ＲＯを５〜２０質量％（ただしＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種であり、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、を含有してもよい。
【００１８】
本発明の第１１態様は、第１態様〜第１０態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、ＳｉＯ2  ５２質量％〜７８質量％、Ａｌ2Ｏ3  ３質量％〜２５質量％、Ｂ2Ｏ3  ３質量％〜１５質量％、ＲＯ（ただし、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの合量)３質量％〜２０質量％、Ｒ2Ｏ(ただし、Ｒ2Ｏは、Ｌｉ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ及びＫ2Ｏの合量)０．０１質量％〜０．８質量％、Ｓｂ2Ｏ3  ０質量％〜０．３質量％を含有し、Ａｓ2Ｏ3を実質的に含有せず、質量比ＣａＯ／ＲＯが０．６５以上であり、質量比（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）／Ｂ2Ｏ3は７〜３０であり、質量比（ＳｉＯ2＋Ａｌ2Ｏ3）／ＲＯは５以上であり、かつ、歪点が６８８℃以上であってもよい。
【００１９】
本発明の第１２態様は、第１態様〜第１１態様の何れか１つに記載のガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板であってもよい。また、前記ガラス基板は、液晶ディスプレイ用ガラス基板又は有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板であってもよい。さらに、前記ガラス基板は、低温ポリシリコン・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板であってもよい。
【００２０】
本発明の他の態様は、熔融ガラスの清澄を行う白金又は白金合金製の清澄槽を備え、前記清澄槽は、少なくとも前記清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられ、前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づく厚さ分布を有するように設けられている、ガラス基板製造装置である。
このとき、前記清澄槽は、耐火性化合物の溶射膜が設けられた領域と、耐火性化合物の溶射膜が設けられない領域とを含み、前記耐火性化合物の溶射膜を設けた領域は、前記清澄槽の温度が最高温度となる領域を少なくとも含んでもよい。
あるいは、前記耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の温度が高い領域ほど厚さが厚くなるよう設けられてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のガラス基板の製造方法および製造装置によれば、白金又は白金合金製装置の変形又は破損を効率よく防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本実施形態のガラス基板の製造方法の工程図である。
【図２】本実施形態のガラス基板の製造方法のうち、熔解工程〜切断工程を行う装置を模式的に示す図である。
【図３】本実施形態の清澄工程を行う装置構成を主に示す図である。
【図４】図２に示すガラス基板を製造する装置を用いてガラス基板を製造したときのガラス基板内に存在する泡レベルと昇温速度の関係を示す図である。
【図５】図２に示すガラス基板を製造する装置を用いてガラス基板を製造したときのガラス基板内に存在する泡レベルと降温速度の関係を示す図である。
【図６】本実施形態の熔解工程から成形工程に至る温度履歴の一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本実施形態のガラス基板の製造方法は、少なくとも清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように耐火性化合物の溶射膜が設けられた白金又は白金合金製清澄槽において熔融ガラスの清澄を行う清澄工程を有する。そして、当該耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づく厚さ分布を有するように設けられている。前記清澄槽を構成する白金又は白金合金は高温になるとほど酸化及び揮発が生じやすい。そのため、清澄槽において最高温度になる領域の厚さは、他の領域よりも薄くなりやすいので、清澄槽において最高温度になる領域における変形又は破損が生じやすくなる。そこで、少なくとも白金又は白金合金の揮発が特に生じやすい領域を含むように耐火性化合物の溶射膜を設けることで、効果的に清澄槽の変形又は破損を防止することができる。さらに、清澄槽全体に均一に耐火性化合物の溶射膜を設けるのではなく、清澄槽の温度分布に応じて耐火性化合物の溶射膜の厚さを変化させることで、効率的に清澄槽を構成する白金又は白金合金の酸化及び揮発を低減できる。このとき、耐火性化合物の溶射膜の厚さは、清澄槽の温度が高い領域の方が厚くなるように設けられる。ただし、必ずしも清澄槽全体に耐火性化合物の溶射膜を設ける必要はなく、「耐火性化合物の溶射膜は、前記清澄槽の白金又は白金合金製の揮発を抑制するように、前記清澄槽の温度分布に基づく厚さ分布を有するように設けられている」とは、清澄槽には耐火性化合物の溶射膜が設けられない領域があってもよいことを示す。
【００２４】
以下、本実施形態のガラス基板の製造方法及びガラス基板製造装置の詳細について説明する。ただし、本発明は下記に限定されるものではない。
【００２５】
（ガラス基板の製造方法の全体概要）
図１は、本実施形態のガラス基板の製造方法の工程図である。
ガラス基板の製造方法は、熔解工程（ＳＴ１）と、清澄工程（ＳＴ２）と、供給工程（ＳＴ４）と、成形工程（ＳＴ５）と、を主に有する。また、均質化工程（ＳＴ３）と、徐冷工程（ＳＴ６）と、切断工程（ＳＴ７）と、を有していてもよい。この他に、研削工程、研磨工程、洗浄工程、検査工程、梱包工程等を有してもよい。
【００２６】
図２は、熔解工程（ＳＴ１）〜切断工程（ＳＴ７）を行うガラス基板製造装置を模式的に示す図である。当該装置は、図２に示すように、主に熔解装置２００と、成形装置３００と、切断装置４００と、を有する。熔解装置２００は、熔解槽２０１と、清澄槽本体２０２と、攪拌槽２０３と、ガラス供給管２０４，２０５，２０６と、を主に有する。なお、ガラス供給管２０４，２０５は、後述するように熔融ガラスＭＧを流す金属管であるとともに清澄機能を有するので、実質的に清澄槽でもある。そこで、本実施形態では、清澄槽とは、清澄槽２０２と、ガラス供給管２０４，２０５を含むものとする。また、以降では、ガラス供給管２０４を第１清澄槽２０４、清澄槽本体２０２を第２清澄槽２０２、ガラス供給管２０５を第３清澄槽２０５という。なお、熔解槽２０１以降、成形装置３００までの各槽間を接続する第１清澄槽２０４，第３清澄槽２０５，ガラス供給管２０６および第２清澄槽２０２と攪拌槽２０３の本体部分は、白金あるいは白金合金管により構成されている。第１清澄槽２０４および第３清澄槽２０５は円筒形状もしくは、樋形状を成している。
【００２７】
熔解工程（ＳＴ１）では、熔解槽２０１内に供給されたガラス原料を、少なくとも電極を用いた通電加熱により熔解することで、熔融ガラスを得る。電極を用いた通電加熱の他に、図示されない火焔を用いてガラス原料を熔解して熔融ガラスを得てもよい。なお、熔解工程、あるいは熔解工程と清澄工程の間において、熔融ガラス中で酸素ガスによるバブリングを行ってもよい。なお、バブリングは、熔解工程の初期において行わないことが好ましい。これは、熔解工程の初期（例えば、熔融ガラスが１５４０℃未満の温度）では、熔解槽２０１において熔融ガラスＭＧに通電加熱をするとき、熔解槽２０１を構成するレンガなどの部材の電気抵抗よりも、ガラスの電気抵抗の方が大きいため、レンガなどの部材に電流が流れ易くなり、電極を用いた熔融ガラスＭＧへの通電加熱が困難となるためである。
【００２８】
清澄工程（ＳＴ２）は、少なくとも第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２および第３清澄槽２０５において行われる。清澄工程では、第１清澄槽２０４内の熔融ガラスＭＧが昇温されることにより、熔融ガラスＭＧ中に含まれるＯ２、ＣＯ２あるいはＳＯ２等のガス成分を含んだ泡が、清澄剤であるＳｎＯ２の還元反応により生じたＯ２を吸収して成長し、熔融ガラスＭＧの液面に浮上して放出される。また、清澄工程では、熔融ガラスＭＧの温度の低下による泡中のガス成分の内圧が低下することと、ＳｎＯ２の還元反応により得られたＳｎＯが熔融ガラスＭＧの温度の低下によって酸化反応をすることにより、熔融ガラスＭＧに残存する泡中のＯ２等のガス成分が熔融ガラスＭＧ中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスＭＧの温度を調整することにより行われる。熔融ガラスＭＧの温度の調整は、第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２、第３清澄槽２０５の温度を調整することにより、行われる。各清澄槽の温度の調整は、管そのものへ電気を流す直接通電加熱、或いは、第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２、第３清澄槽２０５の周りに配置した加熱装置あるいは冷却装置を用いて行われる。また、図２では、清澄を行う槽が、第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２、第３清澄槽２０５の３つの部分に分かれているが、さらに細分化されてもよい。
【００２９】
本実施形態の熔融ガラスＭＧの温度の調整では、上述した方法の一つである直接通電加熱が用いられる。具体的には、第２清澄槽２０２に熔融ガラスＭＧを供給する第１清澄槽２０４に設けられた図示されない金属製フランジと、第２清澄槽２０２に設けられた金属製フランジとの間で電流を流し、さらに、第２清澄槽２０２に設けられた金属製フランジと、この金属フランジに対して熔融ガラスＭＧの下流側の第２清澄槽２０２に設けられた金属製フランジとの間に電流を流すことにより熔融ガラスＭＧの温度が調整される。
【００３０】
均質化工程（ＳＴ３）では、第３清澄槽２０５を通って供給された攪拌槽２０３内の熔融ガラスＭＧを、スターラ２０３ａを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。攪拌槽２０３は２つ以上設けられてもよい。
【００３１】
供給工程（ＳＴ４）では、ガラス供給管２０６を通して熔融ガラスが成形装置３００に供給される。
【００３２】
成形装置３００では、成形工程（ＳＴ５）及び徐冷工程（ＳＴ６）が行われる。
成形工程（ＳＴ５）では、熔融ガラスを板状ガラスＧに成形し、板状ガラスＧの流れを作る。本実施形態では、後述する成形体３１０を用いたオーバーフローダウンドロー法を用いる。徐冷工程（ＳＴ６）では、成形されて流れる板状ガラスＧが、内部歪が生じないように冷却される。
【００３３】
切断工程（ＳＴ７）では、切断装置４００において、成形装置３００から供給された板状ガラスＧを所定の長さに切断することで、ガラス基板を得る。なお、切断工程（ＳＴ７）は、必ずしも徐冷工程（ＳＴ６）の直後に設けられなくてもよい。例えば、短面の研削・研磨を行った後に切断工程（ＳＴ７）が設けられてもよい。
【００３４】
（清澄工程）
図３は、清澄工程を行う装置構成を主に示す図である。
清澄工程は、脱泡工程と吸収工程とを含む。脱泡工程では、熔融ガラスＭＧを１６３０℃以上に昇温させて、清澄剤であるＳｎＯ２が酸素を放出させ、この酸素を熔融ガラスＭＧの既存の泡Ｂに取り込ませ、既存の泡Ｂの泡径を拡大させる。これにより、熔融ガラスＭＧの温度上昇に起因した泡Ｂ内のガス成分の内圧上昇による泡径の拡大と、熔融ガラスＭＧの温度上昇に起因した熔融ガラスＭＧの粘性の低下との相乗効果により、泡Ｂの浮上速度が高まり、脱泡が促進する。
吸収処理では、脱泡処理とは逆に熔融ガラスＭＧの温度を低下させることにより、熔融ガラスＭＧ中の泡Ｂ内の酸素を再び熔融ガラスＭＧに吸収させることと、熔融ガラスＭＧの温度低下により泡Ｂ内のガス成分の内圧を低下させることとの相乗効果により、泡径を縮小させ、熔融ガラスＭＧ中に泡Ｂを消滅させる。
【００３５】
なお、脱泡工程では、３℃／分以上の昇温速度で熔融ガラスＭＧの温度を１６３０℃以上に昇温させる。３℃／分以上の昇温速度とは、熔融ガラスＭＧの温度が、熔解工程後の熔融ガラスＭＧの温度（例えば、１５６０〜１６２０℃の範囲である）から清澄温度（例えば、１６３０〜１７００℃）に到達する範囲における、熔融ガラスＭＧの平均昇温速度が３℃／分以上であることをいう。例えば、第１清澄槽２０４内において熔融ガラスＭＧの温度が１６３０℃以上となる場合、昇温速度とは、熔解槽２００の出口から接続した第１清澄槽２０４内の熔融ガラスＭＧの流入から流出までの平均昇温速度を示す。このように３℃／分以上の昇温速度で熔融ガラスＭＧの温度を１６３０℃以上に昇温させることで、製造されるガラス基板中の泡数を低減することができる。図４は、当該昇温速度とガラス基板中の泡数の関係を示す図である。図４で示す泡レベルとは、昇温速度を２℃／分としたときの単位質量当たりの泡数を基準として、泡数がどの程度悪化するかを表す。例えば泡レベル５は、昇温速度を２℃／分としたときの泡数に対して５倍の泡数が含有されていることを意味する。例えば、昇温速度が２℃／分の泡レベルは１であり、昇温速度が３℃／分の泡レベルは０．８であり、昇温速度が６℃／分の泡レベルは０．６であった。これより、熔解工程の後、熔融ガラスＭＧが１６３０℃以上となるまで３℃／分以上、より好ましくは３℃／分〜１０℃／分の昇温速度で昇温されると、泡数が低減することがわかる。
【００３６】
第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２及び第３清澄槽２０５は、上述した温度履歴を、熔融ガラスＭＧに与えることにより、熔融ガラスＭＧの脱泡と、泡Ｂの吸収を行う装置である。
【００３７】
第１清澄槽２０４は、第２清澄槽２０２よりも管断面が小さく、かつ第２清澄槽２０２とは異なり上部開空間が気相の雰囲気空間を有していない。つまり、第１清澄槽２０４では、熔融ガラスＭＧが第１清澄槽２０４の内側断面全体に充填されて流れるため、第２清澄槽２０２と比較して効率的に熔融ガラスＭＧの温度を上昇させることができる。つまり、第２清澄槽２０２内で熔融ガラスＭＧの温度を１６３０℃以上まで昇温するよりも、第１清澄槽２０４内で熔融ガラスＭＧの温度を１６３０℃以上まで昇温する方が、第２清澄槽２０２の加熱温度を低くできるので、第２清澄槽２０２を構成する白金合金の揮発や熔損を抑制するという観点から好ましい。
【００３８】
続いて、この熔融ガラスＭＧが第２清澄槽２０２に導入される。
第２清澄槽２０２は、第１清澄槽２０４と異なり、第２清澄槽２０２内部の上部開空間が気相の雰囲気空間であり、熔融ガラスＭＧ中の泡Ｂが熔融ガラスＭＧの液面に浮上して熔融ガラスＭＧの外に放出できるようになっている。
第２清澄槽２０２では、第２清澄槽２０２の本体である白金あるいは白金合金管の加熱により熔融ガラスＭＧは引き続き１６３０℃以上の高温に維持され、熔融ガラスＭＧ中の泡Ｂは、第２清澄槽２０２の上方に向かって浮上して、熔融ガラスＭＧの液表面で破泡することにより熔融ガラスＭＧは脱泡される。特に、熔融ガラスＭＧが１６３０℃以上まで加熱されると（例えば１６３０〜１７００℃になると）、ＳｎＯ２は、還元反応を加速的に起こす。このとき、例えば、液晶ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ用ガラス基板を製造する場合、ガラスの粘度は、熔融ガラスＭＧの温度の上昇により、泡Ｂの浮上、脱泡に適した粘度（２００〜８００ｐｏｉｓｅ）になっている。
ここで、第２清澄槽２０２の上方の上部開空間で破泡、放出されたガス成分は、図示されない、ガス放出口より、第２清澄槽２０２外に放出される。第２清澄槽２０２において、泡Ｂの浮上、脱泡によって浮上速度の速い径の大きな泡Ｂが除去された熔融ガラスＭＧは、第３清澄槽２０５に導入される。
【００３９】
第３清澄槽２０５では、第３清澄槽２０５の本体である白金あるいは白金合金管の冷却により、あるいは第３清澄槽２０５の加熱の程度を抑制することにより、熔融ガラスＭＧは冷却される。この冷却により熔融ガラスＭＧの温度が下がるので、泡Ｂの浮上、脱泡は行われず、残存した小さな泡Ｂ内のガス成分の圧力は下がり、泡径は徐々に小さくなる。さらに、熔融ガラスＭＧの温度が１６００℃以下になると、脱泡処理においてＳｎＯ２の還元反応で得られたＳｎＯの一部は酸素を吸収して、ＳｎＯ２に戻ろうとする。このため、泡Ｂ内のガス成分である酸素は、熔融ガラスＭＧ中に再吸収され、泡Ｂはますます小さくなり、熔融ガラスＭＧ中に吸収されて最終的に消失する。この時、熔融ガラスＭＧは、１６００℃から１５００℃の温度範囲で平均２℃／分以上、より好ましくは平均３℃／分以上の速度で冷却される。図５は、１６００℃から１５００℃の温度範囲での降温速度と泡数の関係を示す図である。図５で示す泡レベルとは、降温速度を８．４℃／分としたときの単位質量当たりの泡数を基準として、泡数がどの程度悪化するかを表す。例えば泡レベル５は、降温速度を８．４℃／分としたときの泡数に対して５倍の泡数が含有されていることを意味する。降温速度が７．９℃／分の泡レベルは１．１であり、降温速度が３．０℃／分の泡レベルは１．８であった。他方、降温速度が１．８℃／分の泡レベルは３．０であり、降温速度を８．４℃／分としたときの泡数に対して３倍以上の泡が含まれている。つまり、熔融ガラスＭＧを１６００℃から１５００℃の温度範囲で２℃／分以上、より好ましくは３℃／分〜８℃／分の降温速度で降温されると、泡数が低減することができる。
なお、第３清澄槽２０５は、第２清澄槽２０２よりも断面が小さいため、第２清澄槽２０２と比較して効率的に熔融ガラスＭＧを冷却させることができる。つまり、第２清澄槽２０２内で熔融ガラスＭＧの温度を冷却するよりも、第３清澄槽２０５内で熔融ガラスＭＧの温度を冷却する方が、降温速度を速くできる観点から好ましい。
【００４０】
ここで、清澄工程における熔融ガラスの温度は、ガラス基板製造工程の他の工程における温度よりも高い。また、脱泡工程における熔融ガラス温度は、吸収工程における熔融ガラス温度よりも高い。つまり、ガラス基板製造工程の全工程の中で、脱泡工程における熔融ガラス温度が最も高い。
【００４１】
なお、上記説明では簡略化のために、第１清澄槽２０４では熔融ガラスＭＧが１６３０℃まで昇温され、第２清澄槽２０２では、熔融ガラスＭＧの泡Ｂの浮上、脱泡が行われ、第３清澄槽２０５では、熔融ガラスＭＧが熔融ガラスＭＧの降温により泡Ｂの吸収が行われるように、清澄槽毎に機能を分けて説明したが、清澄槽毎に機能が完全に分かれていなくてもよい。第２清澄槽２０２の長さ方向の途中までの部分が熔融ガラスＭＧを昇温させる構成としてもよく、第２清澄槽２０２の長さ方向の途中から第３清澄槽２０５の間を、熔融ガラスＭＧの降温を開始させる部分とするように構成することもできる。
【００４２】
本実施形態では、熱伝対などを用いて第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２、第３清澄槽２０５の表面温度を測定することで、清澄槽の最高温度の領域を特定する。なお、耐火性化合物の溶射膜を設ける領域は、予め上記最高温度の位置をコンピューターシミュレーションにより求め、決定することが好ましい。また、第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２、第３清澄槽２０５の表面温度、つまり熔融ガラスＭＧが流れていない清澄槽の外側の表面温度を測定して温度制御をすることにより溶融ガラスＭＧの昇温速度、降温速度を管理することができる。第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２及び第３清澄槽２０５の表面温度と、第１清澄槽２０４、第２清澄槽２０２及び第３清澄槽２０５の中を流れる熔融ガラスＭＧの平均温度（清澄槽内で温度分布を持つ熔融ガラスＭＧの温度の平均値）との関係を、コンピューターシミュレーションにより、清澄槽に供給する熔融ガラスＭＧの流速と温度の条件を用いて、予め算出することができる。このため、清澄槽の外側の測定された表面温度から、上記関係を用い昇温速度、降温速度を算出して昇温速度、降温速度を管理することができる。なお、熔融ガラスＭＧの流速は各装置の容積と、成形装置３００に流入される単位時間当たりの熔融ガラスＭＧの量から算出することができる。また、熔融ガラスＭＧの温度は、ガラスの粘性と熱伝導度から算出することができる。
【００４３】
（耐火性化合物の溶射膜）
耐火性化合物の溶射膜は、白金又は白金合金の酸化及び揮発が生じる領域に設けられる。白金又は白金合金の酸化量及び揮発量は、白金又は白金合金の種類、白金又は白金合金の温度、白金又は白金合金の周辺雰囲気の白金又は白金合金濃度（分圧）、白金又は白金合金の周辺雰囲気の酸素濃度（分圧）によって変化する。例えば、白金又は白金合金の温度が高いほど白金又は白金合金の酸化量及び揮発量は増加する。そこで、本実施形態では、少なくとも白金又は白金合金の揮発が生じやすい清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように、耐火性化合物の溶射膜を設ける。つまり、耐火性化合物の溶射膜は、少なくとも上述した脱泡工程を行う領域に設けることが好ましく、特に、脱泡工程を行う清澄槽において最高温度となる領域を含むように設けられることが好ましい。
【００４４】
本実施形態では、耐火性化合物の溶射膜は、少なくとも清澄槽の温度が最高温度となる領域を含むように設けられる。また、耐火性化合物の溶射膜は、清澄槽の温度分布に基づく厚さ分布を有するように設けられる。例えば、耐火性化合物の溶射膜は、清澄槽の温度が最高温度となる領域にのみ選択的に設けられてもよい。あるいは、耐火性化合物の溶射膜は、清澄槽全体に設けられてもよいが、清澄槽の温度が最高温度となる領域の厚さが、他の領域よりも厚くなるように設けられることが好ましい。耐火性化合物の溶射膜自体も、温度が高いほど揮発により薄化する。そのため、清澄槽の温度が高い領域ほど、耐火性化合物溶射膜の厚さを厚くすることが、確実に白金又は白金合金の揮発を抑制する観点からは有効である。
このように、少なくとも清澄槽の温度が最高温度となる領域における白金又は白金合金の揮発を低減することで、コストを抑えつつ、効率的に清澄槽の変形又は破損を防止できる。このとき、清澄槽の温度が最高温度となる領域とは、最高温度から（最高温度−２０℃）となる領域であってもよく、最高温度から（最高温度−１０℃）の領域であってもよい。
【００４５】
清澄槽の最高温度は、例えば、フラットパネルディスプレイ用がラス基板の製造の場合、１６５０℃〜１７８０℃であってもよく、清澄効果と清澄槽強度低下防止を両立する観点からは、１６６０℃〜１７３０℃であることが好ましい。ここで、白金又は白金合金の酸化量及び揮発量は、白金又は白金合金の温度によって一義的に決まるものではないが、例えば、フラットパネルディスプレイ用がラス基板の製造の場合、清澄槽温度が１６４０℃以上となる領域で白金又は白金合金の酸化及び揮発が特に生じやすく、１６５０℃以上となる領域で白金又は白金合金の酸化及び揮発がより生じやすい。そこで、耐火性化合物の溶射膜は、例えば、清澄槽温度が１６４０℃以上になる領域に設けられることが好ましく、例えば、１６５０℃以上となる領域に設けられることが好ましい。
【００４６】
なお、熔融ガラスが最高温度となる領域と清澄槽が最高温度となる領域は必ずしも一致しない。そのため、清澄槽の最高温度及び清澄槽において最高温度となる領域は、予めコンピュータシュミレーションにより算出することが好ましい。また、コンピュータシュミレーションを用いて清澄槽の温度分布を算出し、当該清澄槽の温度分布に基づいて、耐火性化合物の溶射膜の厚さを決定することが好ましい。より詳細には、耐火性化合物の溶射膜を設けるか否か、耐火性化合物の溶射膜を設ける場合には、耐火性化合物の溶射膜の厚さを、当該清澄槽の温度に基づいて決定するとよい。
【００４７】
図３では、脱泡処理を第１清澄槽２０４と第２清澄槽の一部で行い、清澄槽の温度及び熔融ガラス温度が、第２清澄槽（清澄槽本体）２０２の中央よりも第１清澄槽２０４に近い領域において最高温度となり、清澄槽の温度が領域Ａで最高温度となる例を示している。図３では、清澄槽の温度が最高温度となる領域Ａを含むように、耐火性化合物の溶射膜（図３中の網掛けで示す領域）が設けられている。なお、耐火性化合物の溶射膜は、図３に示すように、清澄槽本体２０２の円周方向に設けてもよいが、特に限定されない。また、耐火性化合物の溶射膜は、少なくとも酸素を含む雰囲気と接触する清澄槽の外表面に設けられることが好ましいが、清澄槽の内表面に設けてもよい。しかし、清澄槽の内表面のうち熔融ガラスと接触する領域においては、白金又は白金合金の酸化及び揮発は進行しないため、清澄槽の内表面のうち気相空間と接触する領域にのみ耐火性化合物の溶射膜を設けることが、コストを抑えつつ清澄槽の変形又は破損を効率的に防止するためには好ましい。コストを抑えつつ清澄槽の変形又は破損をより効率的に防止するためには、少なくとも酸素を含む雰囲気と接触する清澄槽の外表面にのみ耐火性化合物の溶射膜が設けられることが好ましい。
【００４８】
耐火性化合物としては、例えば、高温に耐えられる耐火性化合物であればよく、例えば、金属、金属合金、セラミックなどの酸化物、窒化物、珪化物、炭化物及びその組み合わせ例として挙げられる。フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の製造の清澄槽の白金又は白金合金の酸化量を低減するという観点からは、耐火性酸化物を用いることが好ましく、例えば、Ｚｒ，Ａｌ、Ｍｇ又はＴｉの酸化物、もしくはこれら酸化物の混合物がであってもよい。中でも、耐火性酸化物は、ジルコニアを含み、当該ジルコニアが、完全安定化ジルコニアであり、Ｃａ、Ｍｇ及び／又はＹ化合物で安定化されていることが好ましい。
【００４９】
溶射の方法は特に限定されないが、フレーム溶射、プラズマ溶射を用いることができる。白金又は白金合金の酸化及び揮発を効果的に防止するためには、プラズマ溶射を用いることが好ましい。
【００５０】
耐火性化合物の溶射膜は、コストを抑えつつ白金又は白金合金の酸化及び揮発を効果的に防止するためには、５０μｍ〜８００μｍの厚さに形成されることが好ましく、より好ましくは１００μｍ〜５００μｍである。
【００５１】
（ガラス組成）
本実施形態のガラス基板の製造方法により製造されるガラス基板は、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板に好適に用いられる。例えば、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏのいずれも実質的に含有されていないか、あるいは、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏのいずれか少なくとも１つが含有されているとしても、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、及びＫ２Ｏの内含有する成分の合計量が、１質量％以下であるガラス組成を有することが、本実施形態の効果を効率よく発揮する点で好ましい。ガラス組成は、以下に示すものが好適に例示される。
（ａ）ＳｉＯ２：５０〜７０質量％、
（ｂ）Ｂ２Ｏ３：０〜１８質量％、
（ｃ）Ａｌ２Ｏ３：１０〜２５質量％、
（ｄ）ＭｇＯ：０〜１０質量％、
（ｅ）ＣａＯ：０〜２０質量％、
（ｆ）ＳｒＯ：０〜２０質量％、
（ｇ）ＢａＯ：０〜１５質量％、
（ｈ）ＲＯ：５〜２０質量％（ただしＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａから選ばれる少なくとも１種であり、ＲＯは、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのうち含有する成分の合計）、
（ｉ）Ｒ’２Ｏ：０．１質量％を超え１質量％以下（ただしＲ’はＬｉ、ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種であり、Ｒ’２ＯはＬｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ及びＫ２Ｏのうち含有する成分の合計）、
（ｊ）ＳｎＯ２、Ｆｅ２Ｏ３および酸化セリウムなどから選ばれる少なくとも１種の金属酸化物を合計で０．０５〜１．５質量％。
なお、上記（ｉ），（ｊ）の組成は必須ではないが、（ｉ），（ｊ）の組成を含むことができる。上記のガラスには、Ａｓ２Ｏ３およびＰｂＯを実質的に含まず、少なくともＳｎＯ２が含まれている。なお、環境問題の観点からは、Ｓｂ２Ｏ３も実質的に含まないことが好ましい。
また、（ｉ）のＲ’２Ｏの含有が０質量％であっても構わない。
【００５２】
上述したように近年、環境負荷の観点から清澄剤として、Ａｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３を使用しないことが望まれており、代替としてＳｎＯ２を使用することがある。しかし、ＳｎＯ２は、Ａｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３と比較して、清澄効果が弱く、還元反応が生じる温度域が高い。つまり、ＳｎＯ２を清澄剤として使用する場合、Ａｓ２Ｏ３やＳｂ２Ｏ３を使用する場合と比較して、清澄工程における温度を益々高くする必要がある。上述したように、清澄槽を構成する白金又は白金合金は、温度が高くなるほど酸化及び揮発が生じやすくなる。つまり、ＳｎＯ２を清澄剤として使用する場合、言い換えると、製造するガラス基板が清澄剤としてＳｎＯ２を含む場合、清澄槽の変形及び破損という問題がより顕著となるため、本実施形態がより好適となる。
【００５３】
また、上記（ｉ）のＲ’２Ｏ（アルカリ金属酸化物）は、ガラスから溶出してＴＦＴの特性を劣化させ、また、ガラスの熱膨張係数を大きくして熱処理時に基板を破損するおそれのある成分であることから、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板として適用する場合には、含有量が制限される。アルカリ金属酸化物は、熔融ガラスの粘度を下げる効果があるため、アルカリ金属酸化物の含有量が制限された（例えば、１質量％以下）のガラスは、アルカリ金属酸化物の含有量が制限されないガラスと比較して、熔融ガラスの粘度が高くなる。ここで、高温域の熔融ガラス粘度が高くなると、清澄工程における泡の浮上速度が低下し、十分に清澄を行えないという問題がある。この問題を解決するためには、清澄工程における熔融ガラス温度を十分に上昇させ、熔融ガラス粘度を低下させる必要がある。しかし、清澄工程における熔融ガラス温度を十分に上昇させるために清澄槽の温度を上昇させると、清澄槽の白金又は白金合金の酸化量及び揮発量が益々増加し、清澄槽の変形又は破損の問題が顕著となる。つまり、例えば、アルカリ金属酸化物の含有量が１質量％以下のガラス基板を製造する場合には、本実施形態がより好適となる。
【００５４】
上記（ｉ）のＲ’２Ｏは、上述したようにガラスから溶出してＴＦＴの特性を劣化させるおそれのある成分であるため、液晶ディスプレイ用ガラス基板や有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板として適用する場合には、含有しないことが好ましい。しかし、ガラス中に上記成分を敢えて特定量含有させることによって、ＴＦＴの特性の劣化を招くことなしに、ガラスの熱膨張を一定範囲内に抑制しつつ、ガラスの塩基性度を高め、価数変動する金属の酸化を容易にして、清澄性を発揮させることが可能である。また、Ｒ’２Ｏはガラスの電気比抵抗を下げ、熔解性を向上させることができる。そこで、Ｒ’２Ｏは０〜１質量％であることが好ましく、０．１質量％を超え１質量％以下であることがより好ましく、０．２〜０．５質量％がさらに好ましい。なお、Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏは実質的に含有させずに、上記成分中でも、最もガラスから溶出してＴＦＴの特性劣化を生じ難いＫ２Ｏを含有させることが好ましい。Ｋ２Ｏの含有率は、０〜１質量％であることが好ましく、０．１〜０．４質量％がより好ましい。
【００５５】
上述した成分に加え、本実施形態のガラス基板は、ガラスの物理的、熔融、清澄、および成形の特性を調節するために、様々な他の酸化物を含有しても差し支えない。そのような他の酸化物の例としては、以下に限られないが、ＴｉＯ２、ＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｏＯ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、およびＬａ２Ｏ３が挙げられる。また、本実施形態においては、ＳｎＯ２はガラスを失透しやすくする成分であるため、清澄性を高めつつ失透を起こさせないためには、その含有率が０．０１〜０．５質量％であることが好ましく、０．０５〜０．３質量％であることがより好ましく、０．１〜０．３質量％であることがさらに好ましい。
Ｆｅ２Ｏ３は、ガラスの赤外線吸収を高める成分であり、Ｆｅ２Ｏ３を含有させることで脱泡を促進することができる。しかし、Ｆｅ２Ｏ３はガラスの透過率を低下させる成分である。そのため、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が多すぎると、ディスプレイ用ガラス基板には不適となる。以上のことから、上記金属酸化物にＦｅ２Ｏ３を含む場合、上記Ｆｅ２Ｏ３は、清澄性を高めつつガラスの透過率の低下を抑制する観点から、その含有量が０．０１〜０．１質量％であることが好ましく、０．０１〜０．０８質量％であることがより好ましい。また、清澄性を高めて短時間で脱泡工程を完了させ、吸収工程におけるＳＯ２泡の発生も抑制するという観点からは、０．０１〜０．５質量％のＳｎＯ２と０．０１〜０．１質量％のＦｅ２Ｏ３とを組み合わせて使用することが好ましい。
【００５６】
上述したように、本実施形態のガラス基板が、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等に用いられるガラス基板として好適に用いられるような特性を得るためには、熔融ガラスＭＧの清澄温度における粘度が、アルカリを多量に含有したガラス基板等に比較して高くなるので、脱泡処理において泡の浮上速度が遅くなりやすい。特に、低温ポリシリコン・ＴＦＴをガラス表面に形成するガラス基板は歪点が高いことが求められるため、高温域の粘性（高温粘性）が高くなりやすく、熔融ガラスＭＧの清澄温度における粘度がさらに高くなる。これは、ガラスの歪点を上昇させるようにガラス組成を調整すると、高温域の粘性が高くなる傾向にあるためである。このため、例えば、歪点が６８０℃以上、特に歪点が６９０℃以上のガラスを製造する場合には、脱泡処理において泡の浮上速度がさらに遅くなりやすい。そのため、上述したようなガラスの製造時に十分な清澄を行うためには、歪点が低いガラス基板と比較して、上記清澄温度を高くする必要があり、清澄槽の酸化及び揮発による清澄槽の破損・変形の問題がより顕著となる。つまり、歪点が６８０℃以上のガラス基板の製造には本実施形態が好適となり、歪点が６９０℃以上のガラス基板の製造には本実施形態がより好適となり、歪点が７００℃以上のガラス基板の製造には本実施形態がさらに好適となる。同様の理由で、ガラス基板を構成するガラスは、ガラス粘度がｌｏｇη＝２．５のときのガラス温度が、１５５０℃〜１６８０℃であると本実施形態が好適となり、１５７０℃〜１６８０℃の範囲であると本実施形態がより好適となり、１５９０℃〜１６８０℃の範囲であると本実施形態がさらに好適となる。すなわち、本実施形態は、低温ポリシリコン・ＴＦＴディスプレイ用ガラス基板又は有機ＥＬディスプレイ用ガラス基板の製造に好適である。
【００５７】
図６は、本実施形態における熔解工程から成形工程に至る温度履歴の一例を説明する図である。なお、図６中、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３であるが、Ｔ２＝Ｔ３あるいは、Ｔ２＞Ｔ３であってもよく、少なくともＴ１＜Ｔ３であればよい。脱泡処理は、図６中では、温度Ｔ３から熔融ガラスＭＧの温度が温度Ｔ４に上昇し、その後、温度Ｔ４と略同じ温度Ｔ５に維持される期間で行われる。図６中、Ｔ４とＴ５が略同じであるが、Ｔ４＜Ｔ５であってもよいし、Ｔ４＞Ｔ５であってもよい。なお、熔融ガラスＭＧの温度が温度Ｔ４に達するのは、第１清澄槽２０４である例を挙げて説明したが、第２清澄槽２０２内であってもよい。また、熔融ガラスＭＧが第１清澄槽２０４を流れるときの熔融ガラスの第１の最高温度は、第２清澄槽２０２内を流れるときの熔融ガラスＭＧの第２の最高温度と同等、あるいはそれより高いことが好ましい。これにより、熔融ガラスが第１清澄槽２０４から第２清澄槽２０２に移動するとき、熔融ガラスＭＧの温度は十分に高く、清澄剤の還元反応が生じる温度以上に維持されるので、第２清澄槽２０２は、熔融ガラスをさらに昇温するための加熱を要しない。このため、第２清澄槽２０２の加熱温度を従来よりも低く抑えることができる。したがって、白金あるいは白金合金で構成される第２清澄槽２０２から白金の揮発を抑制し、白金の揮発により第２清澄槽２０２内の内壁面に付着する白金結晶物などの異物が熔融ガラスＭＧに混入してできる欠陥、すなわち上記異物に起因する欠陥が少ないガラス基板を製造することができる。
【００５８】
次に、第２清澄槽２０２から第３清澄槽２０５に進んだ熔融ガラスＭＧは、残存する泡Ｂを吸収するため、温度Ｔ５から、温度Ｔ６（例えば、１６００℃）を経て、温度Ｔ７（攪拌工程に適した温度であり、ガラス硝種と攪拌装置のタイプで異なるが、例えば、１５００℃である。）まで、冷却される。熔融ガラスＭＧがより高温状態にあるときの降温速度を大きくして、ＳＯ２の拡散を早期に抑制して、泡Ｂ内に取り込まれるＳＯ２を減少させる点で、温度Ｔ５〜Ｔ６の降温速度が、温度Ｔ６〜Ｔ７の降温速度に比べて速いことが好ましい。すなわち、吸収処理において、熔融ガラスＭＧが１５００℃以下（具体的には、１５００℃から成形工程に供給されるときの熔融ガラス温度までの範囲であり、例えば１５００℃〜１３００℃）である温度範囲における降温速度は、１６００℃から１５００℃の温度範囲における降温速度よりも遅いことが好ましい。
【００５９】
上記吸収処理後、あるいは吸収処理の途中で、攪拌槽２０３に熔融ガラスＭＧは進入する。攪拌槽２０３は、熔融ガラスＭＧ中の組成ムラを小さくして熔融ガラスＭＧを均質化する。なお、攪拌槽２０３において、上記吸収処理が継続して行われてもよい。この後、成形工程における成形に適した温度Ｔ８、例えば１２００〜１３００℃になるまで熔融ガラスＭＧは降温される。
【００６０】
（実施例）
ＳｉＯ２  ６０質量％、Ａｌ２Ｏ３  １９．５質量％、Ｂ２Ｏ３  １０質量％、ＣａＯ  ５．３質量％、ＳｒＯ  ５質量％、ＳｎＯ２  ０．１５質量％、Ｆｅ２Ｏ３  ０．０５質量％を含有するガラス組成となるように調合されたガラス原料を、熔解槽で１５８０℃（＝Ｔ３）にて熔融した後、第１清澄槽において平均４℃／分の速度で１６４０℃（＝Ｔ４）まで昇温した。第２清澄槽においてさらに１６５０℃まで昇温させて一定時間保持した後、１６００℃（＝Ｔ６）まで平均１０℃／分の速度で降温し、第３清澄槽において１５００℃（＝Ｔ５）まで５℃／分の速度で降温した。この後、攪拌、オーバーフローダウンドロー法による成形、徐冷、切断を行い、液晶ディスプレイ用ガラス基板を得た。
このとき、図３に示す領域Ａが清澄槽の最高温度であり、図３に示す領域に予め耐火性化合物の溶射膜を設けた。耐火性化合物は、Ｙ（イットリウム）化合物で安定化された完全安定化ジルコニアを含んでいた。また、溶射膜の厚さは、３００μｍであった。なお、第１清澄槽及び第２清澄槽は、白金とロジウムの合金で構成されていた。
上述した方法でガラス基板を３ヶ月製造しても、清澄槽の変形及び破損は生じなかった。
また、ＳｉＯ２  ６１質量％、Ａｌ２Ｏ３  １９．５質量％、Ｂ２Ｏ３  １０質量％、ＣａＯ  ９質量％、ＳｎＯ２  ０．３質量％、アルカリ金属酸化物（Ｌｉ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ，Ｋ２Ｏの合計量）  ０．２質量％を有するガラス基板（歪点７００℃）の製造においても、上記と同様の結果が得られた。
【符号の説明】
【００６１】
２００ 熔解装置
２０１ 熔解槽
２０２ 清澄槽
２０３ 攪拌槽
２０３ａ スターラ
２０４，２０５，２０６ ガラス供給管
３００ 成形装置
４００ 切断装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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