(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の金属製コンタクトバンプにグラフェンシートを転写する方法を提供する。【解決手段】インプリンタ基板１０を、バンプを備えた基板に対して位置合わせすると共に、キャビティのリム突出部１２がグラフェンシートを切断するまで、各バンプがキャビティ内に入るように前記基板の上に下降させ、インプリンタを除去する際には各バンプの上のグラフェン層１５部分を残す。好ましくは、バンプを包囲するパッシベーション層２に貼り付けることにより、グラフェンシートを基板に貼り付ける。また、インプリンタデバイス自体、およびグラフェン層により覆われたバンプを有する複数の基板を剥離する。【選択図】図１ｆ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフェンシートを金属製コンタクトバンプに転写する方法であって、
１つまたは複数の前記金属製コンタクトバンプを表面に備えた基板を準備する工程、ここで、前記バンプはパッシベーション層により包囲され、
前記基板の上にグラフェンシートを載置する工程、ここで、前記シートは前記１つまたは複数のバンプを覆い、
前記基板に対してインプリンタデバイスを位置合わせする工程、ここで、インプリンタデバイスは前面を有するインプリンタ基板を備え、前記前面には１つまたは複数のキャビティが設けられ、各キャビティにはリム部が設けられ、キャビティの数は少なくともバンプの数と同一であり、またここで、位置合わせは、各前記バンプが前記キャビティの１つに対して並ぶようにインプリンタデバイスを位置決めすることを意味し、
各バンプが対応するキャビティ内に入るように、基板に対してインプリンタデバイスを下降させ、前記グラフェンシートが前記バンプの上面と側面に接触して配置されるようにした工程、
前記リム部（１２）がグラフェンシートを切断するまでインプリンタデバイスを押し下げる工程、
前記基板に貼り付けられて各バンプを覆うグラフェンシート部分を残し、貼り付けられていないグラフェンシート部分をバンプ間で基板の上に残した状態で、インプリンタデバイスを上昇させる工程、
前記貼り付けられていないグラフェンシート部分を洗浄工程により除去する工程、を含む方法。
【請求項２】
前記リム部は、前記インプリンタ基板の前面に対して外側に突出している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記金属製バンプは、銅バンプである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
各前記キャビティのリム部をパッシベーション層の表面に押し込んで、前記リム部を前記パッシベーション層に刻印することにより、前記グラフェンシート部分を前記パッシベーション層に貼り付ける、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板は、集積回路、または表面で複数の集積回路を受容するように構成された基板である、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の方法で使用するインプリンタデバイス。
【請求項７】
前記インプリンタ基板は、金属基板、シリコン基板、または、窒化ケイ素層が上に設けられたシリコン基板である、請求項６に記載のインプリンタデバイス。
【請求項８】
２つの基板のスタックを剥離する方法であって、各基板には金属製コンタクトバンプが設けられ、少なくとも一方の基板のバンプはグラフェンシート部分に覆われ、
一方の基板のバンプを他方の基板のバンプに接触させ、
除去可能なボンディング手段により、２つの基板を併せて保持し、
前記剥離する方法は、前記ボンディング手段を除去する際に行うものであり、
前記コンタクトバンプ間の接触をなくすと共に、２つの基板を充分に分離させる方法。
【請求項９】
前記ボンディング手段は、硬化したアンダーフィル層であり、
ボンディング手段を除去する工程は、前記硬化したアンダーフィル層を溶解させる工程からなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ボンディング手段は、固化した複数のはんだボールであり、
ボンディング手段を除去する工程は、前記はんだボールを加熱して融解させる工程からなる、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスパッケージ技術の分野に関し、特に、例えばデバイスパッケージとキャリア基板との間にコンタクトを設けるために、銅製コンタクトバンプを使用するボンディング方法を含む技術の分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業では銅が広く用いられているが、銅の酸化は重要な問題であって妨げる必要がある。組立工程では、Ｃｕを使用して、チップとチップ、フリップチップバンプのようにチップと基板またはワイヤボンディング用ワイヤ、などを接続する。一般には、フラックス剤(flux agent)を自立型材料(stand alone material)として添付し、またはアンダーフィル内に埋め込み、組立て中のＣｕ酸化を排除している。しかし、フラックスの使用は、除去が困難であって信頼性の問題を生じさせるフラックス残留物に起因して好ましくない。
【０００３】
銅の酸化を妨げる既知の解決手段は、グラフェンの使用である。グラフェンは、薄膜として機能して酸素分子が銅表面に入り込むのを妨げることにより、銅の酸化反応を妨げることができる二次元六角形の環構造である。グラフェンは、結合距離が銅（２．５５Å）、酸素分子（３．４６Å）よりも小さい約１．４２オングストロームである、ｓｐ２結合した炭素原子からなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、文献（"Site-specific transfer-printing of individual graphene microscale patterns to arbitrary surfaces", Ya-Qing Bie et al, Advanced Materials 2011, 23, 3938-3943）に示されるように、スタンプ技術によるグラフェンシートの転写が知られている。しかしこの技術は、ＰＭＭＡ支持部(support)の上でグラフェンのマイクロスタンプを作成するパターニング工程と、マイクロマニピュレータにより制御されるグラスファイバを伴う複雑な転写プロセスとを必要とする。また、例えば文献（"A review of chemical vapour deposition of graphene on copper", Mattevi et al, Journal of Materials Chemistry, 2011, 21, 3324-3334）に示されているように、大きいグラフェンシートの表面への転写も知られている。この文献では、銅基板上でＣＶＤにより成長したグラフェンシートをキャリア（例えばＰＭＭＡ）に貼り付けると共に銅をエッチング除去することにより、当該シートを転写する転写方法について説明されている。キャリアにより基板上にシートを堆積させることが可能となり、その後、例えばＰＭＭＡの場合であればアセトンを用いて溶解させることでキャリアを除去する。しかし、単独で動作する(single functional)マイクロデバイス構造に適用する場合には、シートのほんの一部しか使用しないので、この技術により相当量のグラフェン材料の廃棄物が生じることになる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、基板の金属製コンタクトバンプにグラフェンシートを転写する方法に関する。当該基板は、半導体デバイスパッケージ、すなわち前記コンタクトバンプにより接続された基板のスタック(stack)において使用できる。特にこの方法は、銅製コンタクトバンプに関し、当該バンプ用にグラフェンが保護層を形成する。本発明の方法に従って、インプリンタ基板を備えたインプリンタデバイスを使用する。前記基板にはキャビティが設けられる。各キャビティにはリム部が設けられる。インプリンタ基板を、バンプを備えた基板に対して位置合わせする(align)と共に、キャビティのリム部がグラフェンシートを切断するまで、各バンプがキャビティ内に入る(enclosed)ように前記基板の上に下降させ、インプリンタを除去する際には各バンプの上のグラフェン層部分を残す。好ましくは、バンプを包囲するパッシベーション層に貼り付けることにより、グラフェンシートを基板に貼り付ける。また、本発明は、インプリンタデバイス自体、およびグラフェン層により覆われたバンプを有する複数の基板を剥離する(debond)方法に関する。
【０００６】
本発明は、添付の請求項で開示された方法とデバイスに関する。
第１に、本発明は、
グラフェンシートを金属製コンタクトバンプに転写する方法であって、
１つまたは複数の前記金属製コンタクトバンプを表面に備えた基板を準備する工程、ここで、前記バンプはパッシベーション層により包囲され、すなわち、各前記バンプの周囲の直接隣接した領域を覆い、
前記基板の上にグラフェンシートを載置する工程、ここで、前記シートは前記１つまたは複数のバンプを覆い、
前記基板に対してインプリンタデバイスを位置合わせする工程、ここで、インプリンタデバイスは前面を有するインプリンタ基板を備え、前記前面には１つまたは複数のキャビティが設けられ、各キャビティにはリム部が設けられ、キャビティの数は少なくともバンプの数と同一であり、またここで、位置合わせは、各前記バンプが前記キャビティの１つに対して並ぶ(aligned)ようにインプリンタデバイスを位置決めする(position)ことを意味し、
各バンプが対応するキャビティ内に入るように、基板に対してインプリンタデバイスを下降させ、前記グラフェンシートが前記バンプの上面と側面に接触して配置されるようにした工程、
前記リム部がグラフェンシートを切断するまでインプリンタデバイスを押し下げる工程、
前記基板に貼り付けられて各バンプを覆うグラフェンシート部分を残し、貼り付けられていないグラフェンシート部分をバンプ間で基板の上に残した状態で、インプリンタデバイスを上昇させる工程、
前記貼り付けられていないグラフェンシート部分を洗浄工程により除去する工程、を含む方法
に関する。
【０００７】
一実施形態によれば、前記リム部は、前記インプリンタ基板の前面に対して外側に突出している。
【０００８】
好ましくは、前記金属製バンプは銅バンプである。
一実施形態によれば、各前記キャビティのリム部をパッシベーション層の表面に押し込んで、前記リム部を前記パッシベーション層に刻印する(imprint)ことにより、前記グラフェンシート部分を前記パッシベーション層に貼り付ける。
【０００９】
前記基板は、集積回路、または表面で複数の集積回路を受容するように構成された基板であってもよい。
【００１０】
同様に、本発明は、本発明の方法の使用に適したインプリンタデバイスに関する。
このようなインプリンタデバイスにおいて、前記インプリンタ基板は、金属基板、シリコン基板、または、窒化ケイ素層が上に設けられたシリコン基板であってもよい。
【００１１】
同様に、本発明は、
２つの基板のスタックを剥離する方法であって、各基板には金属製コンタクトバンプが設けられ、少なくとも一方の基板のバンプはグラフェンシート部分に覆われ、
一方の基板のバンプを他方の基板のバンプに接触させ、
除去可能なボンディング手段により、２つの基板を併せて保持し、
前記剥離する方法は、前記ボンディング手段を除去する際に行うものであり、
前記コンタクトバンプ間の接触をなくすと共に、２つの基板を充分に分離させる方法
に関する。
【００１２】
本発明に係る剥離方法で、
前記ボンディング手段は、硬化したアンダーフィル層であってもよく、
ボンディング手段を除去する工程は、前記硬化したアンダーフィル層を溶解させる工程からなる。
【００１３】
変形例で、
前記ボンディング手段は、固化した複数のはんだボールであってもよく、
ボンディング手段を除去する工程は、前記はんだボールを加熱して融解させる工程からなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１ａ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図１ｂ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図１ｃ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図１ｄ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図１ｅ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図１ｆ】本発明の好ましい実施形態に係る方法の工程を示す。
【図２】本発明の方法で使用するインプリンタデバイスを製造する方法を示す。
【図３】グラフェン層に覆われた銅バンプが設けられた２つの基板を貼り付けるボンディングプロセスを示す。
【図４】グラフェン層に覆われた銅バンプ間の接続を分離する方法を示す。
【図５】本発明の好ましい実施形態に係る方法の２つの工程を示しており、前記リム部は前記インプリンタ基板の前面に対して外側に突出していない。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１ａは、本発明の方法を適用可能な基板を示す。
これは、例えば、１つまたは複数の集積回路と、前記ＩＣを外部電源に接続するメタライゼーションスタックとを備えたシリコンウエハ１であってもよい。ＩＣとメタライゼーションは図示していない。ＩＣとメタライゼーションの上にはパッシベーション層２が存在し、パッシベーション層の上には金属製バンプ３、好ましくは銅バンプが存在する。パッシベーション層は、例えばＢＣＢまたはポリイミドであってもよい。好ましい実施形態に係るパッシベーション層についての一般的な要件は、この層が、インプリンタデバイス（後述する）をこの層の表面に刻印できる程度に変形可能であることであり、すなわち、パターニング基板が表面に刻印を残すために層が充分に「柔らかい」。少なくとも幾つかのバンプ３とデバイスウエハ１との間には、金属接続部４が存在する。バンプ３はコンタクトパッド５の上に固定され、バリアシード(barrier+seed)層６（すなわち、バリア層とシード層のスタック）はパッドとパッシベーション層からバンプを分離し、バリア層はＩＣの銅汚染を避けることに供する。シード層は、Ｃｕバンプの成長を開始する土台としての機能を果たす。これらのエレメント、およびそれらの製造に好適なプロセスと材料は、当業者に知られている。図１ａの構造の製造にとって好ましいプロセスは、まず標準的なフォトリソグラフィによりレジストを付加およびパターニングした後に、パッド５の上に堆積した、電気めっきしたバンプ３を使用する。
【００１６】
次に、バンプ３の上方にグラフェンシート７を設置する（図１ｂ参照）。シートは、銅基板の上に、任意の既知の方法、例えばＣＶＤ（化学気相成長法）により製造できる。
【００１７】
本発明に従って、次の方法でグラフェンを銅バンプに貼り付ける。特別に設計されたインプリンタデバイスをウエハに対して位置合わせする（図１ｃ）。インプリンタデバイスは、前面９にキャビティ１１のパターンを有するインプリンタ基板１０からなり、またはインプリンタ基板１０を備える。キャビティのパターンはバンプ３のパターンに対応し、インプリンタ基板１０と基板１とが位置合わせされたときに各バンプ３がキャビティ１１の１つに対面するようになっている。好ましい実施形態によれば、キャビティ１１の寸法は、キャビティの側壁とバンプの側壁との間の距離に関する最小公差で銅バンプ３よりわずかに(closely)大きい値に適合する。
【００１８】
バンプ３の側壁とキャビティ１１の内側垂直壁との間の距離は、グラフェンシートの厚さに依存してもよい。例えば、前記距離は、グラフェンシートの厚さの２倍の大きさであってもよい。グラフェンシートは、単層シートであっても多層シートであってもよいが、バンプに対するキャビティの寸法の設計を考慮に入れるべきである。本発明は、任意のバンプ径、バンプ高さおよびバンプピッチ（数ｎｍから数百ミクロンの範囲にある（直径、高さおよびピッチの各パラメータについて））、ならびにバンプの任意の形状に関連性がある。それゆえ、キャビティの大きさは各具体的事例に依存する。また、金属製バンプを充分に覆うようにグラフェンシートを配置可能である好適なキャビティサイズを決定することは、当業者の知識の範囲内である。
【００１９】
キャビティ１１のエッジには、インプリンタがウエハに対して位置合わせされたときのバンプの方向へインプリンタの前面９から突出するリム１２が設けられている。リム１２は、インプリンタ表面９から距離Ｈ１突出している。キャビティの底からリム１２の上までを測定したキャビティの深さＨ２は、パッシベーション層２の表面から測定したバンプ３の高さより大きい。
【００２０】
図１ｄに示すように、各バンプ３がキャビティ１１の１つの内側に入ってリム１２がパッシベーション層２の表面に接触するまで、インプリンタ基板１０を下降させる。これにより、グラフェンシート７はバンプの周囲に近接配置される。さらにインプリンタ基板に力を加えることにより、リム突出部１２がパッシベーション層２の表面に刻印され（図１ｅ参照）、前記パッシベーション層２の表面の上でグラフェンが切断される。インプリント工程の最後で、キャビティの底部がバンプの上部と接触してもよいが、これは必須ではない。インプリント工程は、グラフェンシートが切断された時点で終了したものとみなすことができる。
【００２１】
パッシベーション層２の表面の上にはシートの緩み部分１３が残る。インプリンタが再度上昇すると、グラフェンシート部分１５（以下、グラフェン層１５ともいう）がバンプの上と側壁に残る（図１ｆ）。一実施形態によれば、インプリンタのリム１２によりパッシベーション層２内に押し込まれた部分１６、すなわちリム１２が作るリング状の圧入部(indentation)１７の底部と内側側壁の上に残るグラフェン部分１６により、グラフェン層１５を適切な位置に保持する（図１ｅと１ｆを参照）。実際にグラフェンを適切な位置に保持する部分は、圧入部１７の底の部分もしくは圧入部の側壁の部分またはその両方であってもよい。パッシベーション層２の材料、リム部１２の形状、およびインプリント力(imprinting force)は、この部分１６がパッシベーション層２に貼り付けられて、インプリンタを取り除いたときにバンプの上でグラフェンが保持されるように選択される。リム１２の形状は、前記圧入部１７の外側側壁でのみグラフェンを切断するように設計できる。シートの緩み部分１３は、ドライまたはウェット洗浄方法により除去でき、場合によっては他の用途での再利用のためにリサイクルできる。
【００２２】
以下でインプリント工程と呼ぶ、ウエハに対するインプリンタ基板１０の操作は、当業者に既知のボンディング工程として実施できる。それゆえこの操作は、当業者に既知のボンディングツール、例えばＥＶＧ（登録商標）５２０ボンダまたはSmart Equipment Technologies社の熱圧着ボンダＦＣ１５０またはＦＣ３００において実施できる。インプリント工程は、室温または高温、好ましくは２５℃から１０００℃の温度で実施できる。インプリント力は、５０ＭＰａから１０００ＭＰａの間のいずれかの値であってもよい。
【００２３】
インプリンタ基板１０は、任意の好適な材料から製造できる。例えば、インプリンタ基板は、孔版印刷(stencil printing)の領域で既知の技術、例えば化学エッチングまたはレーザカッティングにより、鋼基板から製造できる。別の実施形態によれば、インプリンタ基板は、シリコン基板または多層基板、例えば窒化ケイ素パッシベーション層が設けられたシリコン基板から製造される。この場合、ブランケット(blanket)Ｓｉ＋ＳｉＮ基板から開始し、次にＳｉＮ層を貫通するキャビティを作成できる。または、Ｓｉ基板から開始して内部にキャビティを作成し、次にキャビティにコンフォーマルにＳｉＮ層を堆積させることができる。
【００２４】
図２は、シリコン基板２０から開始してインプリンタ基板１０を製造可能な１つの方法を示す。プレ洗浄工程の後、シリコン基板の上にフォトレジスト層２１をコーティングする。フォトマスク２２を用いてレジストを露光し、その後露光したレジストを除去すると、レジストマスク２３が残る。前記マスク２３に覆われない領域でシリコン基板をエッチングする。レジストマスクを除去すると、高さＨ１の突出リム１２を示す、パターニングされたシリコン表面が得られる。次に、第２のレジスト層２４を堆積させ、第２のフォトマスク２５を用いてパターニングしてリム１２と同心円状に(concentrically)第２のレジストマスク２６を形成し、深さＨ２を有するキャビティ１１のエッチングを可能にする。好ましい実施形態によれば、Ｈ１はＨ２よりも小さい。
【００２５】
同様に、本発明は、少なくとも一方にグラフェンシートが設けられた２つのバンプを接着(bonding)および剥離する方法に関する。図３ａに示すように、ボンディングプロセスは、２つの基板３０と３１、例えば２つのＩＣ基板、または１つのＩＣ基板とキャリア基板を位置合わせすることによって行うことができる。２つの基板３０と３１にはそれぞれ金属製バンプ３が設けられ、基板３０と３１は、好ましくは上記方法により製造されたグラフェン層１５に覆われている。バンプどうしが接触するように上側基板３１を下側基板に対して下降させる前に、下側基板３０の上にアンダーフィル材料層３２を配置する（図３ｂ）。次に、アセンブリに対して、アンダーフィル材料を硬化して硬化層３３を形成する硬化工程を実施する（図３ｃ）。硬化工程は、好ましくはバンプ３に接触圧を加えている間に実施する。グラフェン層が存在しない場合、さらに、アセンブリに対してボンディング後アニールを実施し、各バンプの材料および／またはボンディング前にバンプの一方または両方に加えられたはんだ層の材料間で合金を形成する。しかし、バンプの上にグラフェン層１５を付加する場合、合金形成に必要とされる銅拡散に対するバリアをグラフェンが形成し、したがって合金を形成できない。換言すると、２つのバンプ間の接触によってのみ接続が設けられ、前記接触は、適切な位置にバンプを保持する硬化アンダーフィル層３３により維持される。これは、図４ａに示すように、アンダーフィル材料が除去されたときに基板３０／３１を再度分離できることを意味する。多くのアンダーフィル材料（例えばエポキシベースの）は、材料に溶解させることによって除去できる。これは、例えば修復(repair)目的で基板を分離する必要がある場合に有用である。
【００２６】
銅バンプ３が設けられた２つの基板３０と３１の間に接続を確立する変形例は、図４ｂ
に示すはんだボール４０を用いたはんだ接続である。このようなはんだボールは、例えばＩＣとキャリア基板との間のＩ／Ｏ接続を確立するものとして知られており、それゆえ当該はんだボール接続を設けるプロセスについて、本明細書に詳細には説明しない。通常、これらのはんだボール４０は、接続されることになる基板の周辺に（または少なくとも２つの基板の小さい方の周辺に）存在する。また、銅バンプ３は、グラフェンシート１５の存在に起因して、銅拡散を通じた単一体の形成を行わない。それゆえ、図４ｂに示すように、はんだボール４０をはんだ材料の融点より高温に加熱した場合、基板を分離できる。
【００２７】
上記実施形態の幾つかの変形例は、本発明の範囲に含まれる。グラフェンの単一シート７の代わりに、より小さいグラフェンシートを各バンプ３の上に別々に配置できる。
【００２８】
リム部１２の形状は、図示したような突出するリング状部とは異なっていてもよい。リム部は、四角形断面でない断面を有する突出リングであってもよい。一実施形態によれば、リム部はインプリンタ基板の前面９に対して外側に突出しないが、キャビティ１１の充分に鋭いエッジにより（場合によって、直線状エッジを刻印できるバンプ周囲の階段形状５０をパッシベーション層２が形成するように、明確にパターニングされた層２と組み合わせて）形成され、グラフェンシートを切断し（図５参照）、前記シートの部分１６（または前記部分１６の少なくとも一部）によってグラフェンシート部分１５をパッシベーション層２に取り付ける。
【００２９】
図面と先の説明により、本発明を詳細に図示し説明してきたが、このような図面や説明は説明的、例示的であって、限定的でない。請求項記載の発明を実施する分野の当業者であれば、図面、開示および添付の請求項の記載を研究することにより、開示した実施形態の他のバリエーションを理解し、達成できる。請求項中、用語「備える、有する、含む」(comprising)は、他のエレメントまたは工程を除外せず、不定冠詞(１つの)("a"または"an")は複数を除外しない。特定の複数の手段(measure)が互いに異なる従属請求項に記載されているという単なる事実は、これらの手段の組合せを有利に使用できないということを意味するのではない。請求項のどの参照符号も、範囲を限定するものとして解釈すべきでない。
【００３０】
先の説明は、本発明の特定の実施形態を詳細に説明している。しかし、先の説明が文章でいかに詳細になされようと、本発明は多くの方法で実施でき、それゆえ開示した実施形態に限定されないことが理解されるであろう。本発明の特定の特徴または態様を説明する際の特定の用語の使用は、当該用語が本明細書で再定義されて、当該用語が関連する本発明の特徴または態様の任意の特定の特性を含むように制限されることを意味すると解釈すべきでない。
【００３１】
明確に記載しない限り、他層または基板の「上」(on)に堆積し、または製造される層の説明は、
・前記層は、前記他層または基板の上に直接に、すなわち接触して製造され、または堆積している、
・前記層は、当該層と前記他層または基板との間の中間層の一層またはスタックの上に製造される、という選択肢を含む。
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図１ｃ】
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【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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2014120767.tif 000015
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