(57)【要約】【課題】剥離処理の効率化を図ること。【解決手段】実施形態に係る剥離装置は、保持部と、複数の吸着移動部と、状態検知部と、制御部とを備える。保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち第１基板を保持する。複数の吸着移動部は、重合基板のうち第２基板を吸着し、第２基板を第１基板の板面から離す方向へ移動させる。状態検知部は、第２基板の第１基板からの剥離状態を検知する。制御部は、状態検知部によって検知された剥離状態に基づき、第２基板が第２基板の一端から他端へ向けて第１基板から徐々に剥離するように、吸着移動部の動作タイミングを制御する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第１基板を保持する保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を吸着し、前記第２基板を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部と、
前記第２基板の前記第１基板からの剥離状態を検知する状態検知部と、
前記状態検知部によって検知された前記剥離状態に基づき、前記第２基板が該第２基板の一端から他端へ向けて前記第１基板から徐々に剥離するように、前記吸着移動部の動作タイミングを制御する制御部と
を備えることを特徴とする剥離装置。
【請求項２】
前記吸着移動部は、
前記第２基板の前記一端側の周縁部を吸着し、該一端側の周縁部を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる第１吸着移動部と、
前記周縁部よりも前記第２基板の中央部寄りの領域を吸着し、該領域を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる第２吸着移動部と
を含み、
前記制御部は、
前記第１吸着移動部を動作させて、前記周縁部を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させた後、前記状態検知部の検知結果に基づき、前記一端側の周縁部と前記中央部寄りの領域との間の所定位置まで前記第２基板が剥離されたと判定した場合に、前記第２吸着移動部を動作させて、前記中央部寄りの領域を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項１に記載の剥離装置。
【請求項３】
前記吸着移動部は、
前記第２基板の前記他端側の周縁部を吸着し、該他端側の周縁部を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる第３吸着移動部
をさらに含み、
前記制御部は、
前記第２吸着移動部を動作させて、前記中央部寄りの領域を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させた後、前記状態検知部の検知結果に基づき、前記中央部寄りの領域と前記他端側の周縁部との間の所定位置まで前記第２基板が剥離されたと判定した場合に、前記第３吸着移動部を動作させて、前記他端側の周縁部を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項２に記載の剥離装置。
【請求項４】
前記第２吸着移動部は、
前記一端から他端へ向かう方向と交差する方向に複数並べて配置されること
を特徴とする請求項２または３に記載の剥離装置。
【請求項５】
前記制御部は、
前記状態検知部の検知結果に基づき、前記第２基板の前記吸着移動部によって吸着される領域が前記第１基板から剥離されたと判定した場合に、該領域を吸着する前記吸着移動部を動作させて、該領域を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項６】
前記状態検知部は、
所定の測定基準位置から前記第２基板までの距離を計測する計測部であること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項７】
前記状態検知部は、
前記一端から他端へ向かう方向と交差する方向に、前記第１基板と前記第２基板との接合部分に向けて光を投光する投光部と、
前記重合基板を挟んで前記投光部と反対側に配置され、前記投光部からの前記光を受光する受光部と
を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項８】
前記状態検知部は、
前記吸着移動部の移動量を検出する移動量検出部であること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項９】
前記状態検知部は、
前記第２基板を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる際に前記吸着移動部が前記第２基板から受ける負荷を検出する負荷検出部であること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１０】
前記第２基板の前記第１基板との接合面の全てが前記第１基板から剥がれて剥離が完了したことを検知する剥離完了検知部
を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１１】
前記剥離完了検知部は、
前記一端から他端へ向かう方向と平行な方向に、前記第１基板と前記第２基板との接合部分に向けて光を投光する剥離完了検知用投光部と、
前記重合基板を挟んで前記剥離完了検知用投光部と反対側に配置され、前記剥離完了検知用投光部からの前記光を受光する剥離完了検知用受光部と
を備えることを特徴とする請求項１０に記載の剥離装置。
【請求項１２】
前記制御部は、
前記複数の吸着移動部の全てを前記第２基板に吸着させて前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる前に、前記剥離完了検知部の検知結果に基づき、前記第２基板の剥離が完了したと判定した場合には、残りの前記吸着移動部を前記第２基板に吸着させて前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる処理を中断して前記第２基板を前記第１基板から剥離する処理を終了すること
を特徴とする請求項１０または１１に記載の剥離装置。
【請求項１３】
前記第２基板が前記第１基板から剥離するきっかけとなる部位を前記重合基板における前記一端側の側面に形成する剥離誘引部
を備えることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の剥離装置。
【請求項１４】
前記剥離誘引部は、
鋭利部材と、
前記重合基板の側面のうち、前記第２基板における前記第１基板と前記第２基板との接合部分寄りの側面に向けて前記鋭利部材を移動させる移動機構と
を備えることを特徴とする請求項１３に記載の剥離装置。
【請求項１５】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板が載置される搬入出ステーションと、
前記搬入出ステーションに載置された重合基板を搬送する基板搬送装置と、
前記基板搬送装置によって搬送された重合基板を前記第１基板と前記第２基板とに剥離する剥離装置が設置される剥離ステーションと
を備え、
前記剥離装置は、
前記重合基板のうち前記第１基板を保持する保持部と、
前記重合基板のうち前記第２基板を吸着し、前記第２基板を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部と、
前記第２基板の前記第１基板からの剥離状態を検知する状態検知部と、
前記状態検知部によって検知された前記剥離状態に基づき、前記第２基板が該第２基板の一端から他端へ向けて前記第１基板から徐々に剥離するように、前記吸着移動部の動作タイミングを制御する制御部と
を備えることを特徴とする剥離システム。
【請求項１６】
第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第１基板を保持する保持部によって、前記重合基板のうち前記第１基板を保持する保持工程と、
前記第２基板の前記第１基板からの剥離状態を検知する状態検知工程と、
前記状態検知工程で検知された前記剥離状態に基づき、前記重合基板のうち前記第２基板を吸着し、前記第２基板を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる複数の吸着移動部によって、前記第２基板が該第２基板の一端から他端へ向けて前記第１基板から徐々に剥離するように、前記吸着移動部の動作タイミングを制御する制御工程と
を含むことを特徴とする剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示の実施形態は、剥離装置、剥離システムおよび剥離方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、たとえば、半導体デバイスの製造工程において、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板の大口径化および薄型化が進んでいる。大口径で薄い半導体基板は、搬送時や研磨処理時に反りや割れが生じるおそれがある。このため、半導体基板に支持基板を貼り合わせて補強した後に、搬送や研磨処理を行い、その後、支持基板を半導体基板から剥離する処理が行われている。
【０００３】
たとえば、特許文献１には、第１保持部を用いて半導体基板を保持するとともに、第２保持部を用いて支持基板を保持し、第２保持部の外周部を鉛直方向に移動させることにより、支持基板を半導体基板から剥離する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術には、剥離処理の効率化を図るという点で更なる改善の余地があった。なお、かかる課題は、基板の剥離を伴うＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）などの製造工程においても生じ得る課題である。
【０００６】
実施形態の一態様は、剥離処理の効率化を図ることのできる剥離装置、剥離システムおよび剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態の一態様に係る剥離装置は、保持部と、複数の吸着移動部と、状態検知部と、制御部とを備える。保持部は、第１基板と第２基板とが接合された重合基板のうち前記第１基板を保持する。複数の吸着移動部は、前記重合基板のうち前記第２基板を吸着し、前記第２基板を前記第１基板の板面から離す方向へ移動させる。状態検知部は、前記第２基板の前記第１基板からの剥離状態を検知する。制御部は、前記状態検知部によって検知された前記剥離状態に基づき、前記第２基板が該第２基板の一端から他端へ向けて前記第１基板から徐々に剥離するように、前記吸着移動部の動作タイミングを制御する。
【発明の効果】
【０００８】
実施形態の一態様によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】図１Ａは、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、重合基板の模式側面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、ダイシングフレームに保持された重合基板の模式側面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、図２Ｂにおけるダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【図３Ａ】図３Ａは、第１の実施形態に係る剥離装置の構成を示す模式側面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示す剥離装置の構成を部分的に拡大して示す部分拡大模式側面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【図５】図５は、支持基板、および第１〜第３吸着移動部の吸着パッドの位置関係を示す模式平面図である。
【図６】図６は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図７Ａ】図７Ａは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図７Ｉ】図７Ｉは、剥離装置による剥離動作の説明図である。
【図８Ａ】図８Ａは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係る剥離装置の変形例において、支持基板、第１〜第３吸着移動部の吸着パッド、および剥離完了検知部の位置関係を示す模式平面図である。
【図１０】図１０は、剥離完了検知部の検知結果に基づいた剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る剥離システムにおいて、支持基板、第１〜第３吸着移動部の吸着パッド、および状態検知部の位置関係を示す模式平面図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本願の開示する剥離装置、剥離システムおよび剥離方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
＜１．剥離システム＞
まず、第１の実施形態に係る剥離システムの構成について、図１Ａおよび図１Ｂを参照して説明する。図１Ａは、第１の実施形態に係る剥離システムの構成を示す模式平面図であり、図１Ｂは、重合基板の模式側面図である。
【００１２】
なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
【００１３】
図１Ａに示す第１の実施形態に係る剥離システム１は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇで接合された重合基板Ｔ（図１Ｂ参照）を、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する。
【００１４】
以下では、図１Ｂに示すように、被処理基板Ｗの板面のうち、接着剤Ｇを介して支持基板Ｓと接合される側の板面を「接合面Ｗｊ」といい、接合面Ｗｊとは反対側の板面を「非接合面Ｗｎ」という。また、支持基板Ｓの板面のうち、接着剤Ｇを介して被処理基板Ｗと接合される側の板面を「接合面Ｓｊ」といい、接合面Ｓｊとは反対側の板面を「非接合面Ｓｎ」という。
【００１５】
被処理基板Ｗは、たとえば、シリコンウェハや化合物半導体ウェハなどの半導体基板に複数の電子回路が形成された基板であり、電子回路が形成される側の板面を接合面Ｗｊとしている。また、被処理基板Ｗは、たとえば非接合面Ｗｎが研磨処理されることによって薄型化されている。具体的には、被処理基板Ｗの厚さは、約２０〜５０μｍである。
【００１６】
一方、支持基板Ｓは、被処理基板Ｗと略同径の基板であり、被処理基板Ｗを支持する。支持基板Ｓの厚みは、約６５０〜８００μｍである。かかる支持基板Ｓとしては、シリコンウェハの他、ガラス基板などを用いることができる。また、これら被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓを接合する接着剤Ｇの厚みは、約１０〜１５０μｍである。
【００１７】
かかる重合基板Ｔには、ダイシングフレームが取り付けられて保護される。ここで、ダイシングフレームの構成について図２Ａ〜図２Ｃを参照して説明する。図２Ａは、ダイシングフレームに保持された重合基板Ｔの模式平面図であり、図２Ｂは同模式側面図である。また、図２Ｃは、図２Ｂにおけるダイシングフレーム周辺の模式拡大図である。
【００１８】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、ダイシングフレームＦは、重合基板Ｔよりも大径の開口部Ｆ１が中央に形成された略環状の金属部材である。ダイシングフレームＦの厚みは、約１．５ｍｍである。
【００１９】
ダイシングフレームＦの開口部Ｆ１には、ダイシングテープＰと呼ばれる貼着部材が張設される。具体的には、ダイシングテープＰの周縁部がダイシングフレームＦの裏面に固定されることによって、ダイシングテープＰは、ダイシングフレームＦの開口部Ｆ１に張設された状態となる。
【００２０】
ダイシングテープＰの表面には粘着層が形成されており、かかる粘着層に重合基板Ｔが貼り付けられる。図２Ｃに示すように、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗの裏面すなわち非接合面ＷｎがダイシングテープＰの表面に貼り付けられる。これにより、重合基板Ｔは、ダイシングテープＰを介してダイシングフレームＦに保持された状態となる。
【００２１】
図１Ａに示すように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とを備える。第１処理ブロック１０および第２処理ブロック２０は、第２処理ブロック２０および第１処理ブロック１０の順にＸ軸方向に並べて配置される。
【００２２】
第１処理ブロック１０は、ダイシングフレームＦによって保持される基板、具体的には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗに対する処理を行うブロックである。かかる第１処理ブロック１０は、搬入出ステーション１１と、第１搬送領域１２と、待機ステーション１３と、エッジカットステーション１４と、剥離ステーション１５と、第１洗浄ステーション１６とを備える。
【００２３】
また、第２処理ブロック２０は、ダイシングフレームＦによって保持されない基板、具体的には、剥離後の支持基板Ｓに対する処理を行うブロックである。かかる第２処理ブロック２０は、受渡ステーション２１と、第２洗浄ステーション２２と、第２搬送領域２３と、搬出ステーション２４とを備える。
【００２４】
第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２と、第２処理ブロック２０の第２搬送領域２３とは、Ｘ軸方向に並べて配置される。また、第１搬送領域１２のＹ軸負方向側には、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３が、搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の順でＸ軸方向に並べて配置され、第２搬送領域２３のＹ軸負方向側には、搬出ステーション２４が配置される。
【００２５】
また、第１搬送領域１２を挟んで搬入出ステーション１１および待機ステーション１３の反対側には、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６が、剥離ステーション１５および第１洗浄ステーション１６の順でＸ軸方向に並べて配置される。また、第２搬送領域２３を挟んで搬出ステーション２４の反対側には、受渡ステーション２１および第２洗浄ステーション２２が、第２洗浄ステーション２２および受渡ステーション２１の順にＸ軸方向に並べて配置される。そして、第１搬送領域１２のＸ軸正方向側には、エッジカットステーション１４が配置される。
【００２６】
まず、第１処理ブロック１０の構成について説明する。搬入出ステーション１１では、ダイシングフレームＦに保持された重合基板Ｔが収容されるカセットＣｔおよび剥離後の被処理基板Ｗが収容されるカセットＣｗが外部との間で搬入出される。かかる搬入出ステーション１１には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｔ，Ｃｗのそれぞれが載置される複数のカセット載置板１１０ａ，１１０ｂが設けられる。
【００２７】
第１搬送領域１２では、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送が行われる。第１搬送領域１２には、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗの搬送を行う第１搬送装置３１が設置される。
【００２８】
第１搬送装置３１は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第１搬送装置３１は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって所望の場所まで搬送する。
【００２９】
なお、第１搬送装置３１が備える基板保持部は、吸着あるいは把持等によりダイシングフレームＦを保持することによって、重合基板Ｔまたは剥離後の被処理基板Ｗを略水平に保持する。
【００３０】
待機ステーション１３には、ダイシングフレームＦのＩＤ（Identification）の読み取りを行うＩＤ読取装置が配置され、かかるＩＤ読取装置によって、処理中の重合基板Ｔを識別することができる。
【００３１】
この待機ステーション１３では、上記のＩＤ読取り処理に加え、処理待ちの重合基板Ｔを一時的に待機させておく待機処理が必要に応じて行われる。かかる待機ステーション１３には、第１搬送装置３１によって搬送された重合基板Ｔが載置される載置台が設けられており、かかる載置台に、ＩＤ読取装置と一時待機部とが載置される。
【００３２】
エッジカットステーション１４では、接着剤Ｇ（図１Ｂ参照）の周縁部を溶剤によって溶解させて除去するエッジカット処理が行われる。かかるエッジカット処理によって接着剤Ｇの周縁部が除去されることで、後述する剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを剥離させ易くすることができる。かかるエッジカットステーション１４には、接着剤Ｇの溶剤に重合基板Ｔを浸漬させることによって、接着剤Ｇの周縁部を溶剤によって溶解させるエッジカット装置が設置される。
【００３３】
剥離ステーション１５では、第１搬送装置３１によって搬送された重合基板Ｔを被処理基板Ｗと支持基板Ｓとに剥離する剥離処理が行われる。かかる剥離ステーション１５には、剥離処理を行う剥離装置が設置される。かかる剥離装置の具体的な構成および動作については、後述する。
【００３４】
第１洗浄ステーション１６では、剥離後の被処理基板Ｗの洗浄処理が行われる。第１洗浄ステーション１６には、剥離後の被処理基板ＷをダイシングフレームＦに保持された状態で洗浄する第１洗浄装置が設置される。かかる第１洗浄装置としては、たとえば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００３５】
かかる第１処理ブロック１０では、待機ステーション１３においてダイシングフレームＦのＩＤ読取処理を行い、エッジカットステーション１４において重合基板Ｔのエッジカット処理を行った後で、剥離ステーション１５において重合基板Ｔの剥離処理を行う。また、第１処理ブロック１０では、第１洗浄ステーション１６において剥離後の被処理基板Ｗを洗浄した後、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する。その後、洗浄後の被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出される。
【００３６】
つづいて、第２処理ブロック２０の構成について説明する。受渡ステーション２１では、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から受け取って第２洗浄ステーション２２へ渡す受渡処理が行われる。受渡ステーション２１には、剥離後の支持基板Ｓを非接触で保持して搬送する第３搬送装置３３が設置され、かかる第３搬送装置３３によって上記の受渡処理が行われる。
【００３７】
第２洗浄ステーション２２では、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄処理が行われる。かかる第２洗浄ステーション２２には、剥離後の支持基板Ｓを洗浄する第２洗浄装置が設置される。かかる第２洗浄装置としては、たとえば特開２０１３−０３３９２５号公報に記載の洗浄装置を用いることができる。
【００３８】
第２搬送領域２３では、第２洗浄装置によって洗浄された支持基板Ｓの搬送が行われる。第２搬送領域２３には、支持基板Ｓの搬送を行う第２搬送装置３２が設置される。
【００３９】
第２搬送装置３２は、水平方向への移動、鉛直方向への昇降および鉛直方向を中心とする旋回が可能な搬送アーム部と、この搬送アーム部の先端に取り付けられた基板保持部とを備える基板搬送装置である。かかる第２搬送装置３２は、基板保持部を用いて基板を保持するとともに、基板保持部によって保持された基板を搬送アーム部によって搬出ステーション２４まで搬送する。なお、第２搬送装置３２が備える基板保持部は、たとえば支持基板Ｓを下方から支持することによって支持基板Ｓを略水平に保持するフォーク等である。
【００４０】
搬出ステーション２４では、支持基板Ｓが収容されるカセットＣｓが外部との間で搬入出される。かかる搬出ステーション２４には、カセット載置台が設けられており、このカセット載置台に、カセットＣｓが載置される複数のカセット載置板２４ａ，２４ｂが設けられる。
【００４１】
かかる第２処理ブロック２０では、剥離後の支持基板Ｓが剥離ステーション１５から受渡ステーション２１を介して第２洗浄ステーション２２へ搬送され、第２洗浄ステーション２２において洗浄される。その後、第２処理ブロック２０では、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送し、洗浄後の支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出される。
【００４２】
また、剥離システム１は、制御装置４０を備える。制御装置４０は、剥離システム１の動作を制御する装置である。かかる制御装置４０は、たとえばコンピュータであり、図示しない制御部と記憶部とを備える。記憶部には、剥離処理等の各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部は記憶部に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって剥離システム１の動作を制御する。
【００４３】
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置４０の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
【００４４】
次に、上述した剥離システム１の動作について説明する。まず、第１処理ブロック１０の第１搬送領域１２に配置される第１搬送装置３１（図１Ａ参照）は、制御装置４０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する処理を行う。
【００４５】
具体的には、第１搬送装置３１は、基板保持部を搬入出ステーション１１へ進入させ、カセットＣｔに収容された重合基板Ｔを保持してカセットＣｔから取り出す。このとき、重合基板Ｔは、被処理基板Ｗが下面に位置し、支持基板Ｓが上面に位置した状態で、第１搬送装置３１の基板保持部に上方から保持される。そして、第１搬送装置３１は、カセットＣｔから取り出した重合基板Ｔを待機ステーション１３へ搬入する。
【００４６】
つづいて、待機ステーション１３では、ＩＤ読取装置が、制御装置４０の制御に基づき、ダイシングフレームＦのＩＤを読み取るＩＤ読取処理を行う。ＩＤ読取装置によって読み取られたＩＤは、制御装置４０へ送信される。
【００４７】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、重合基板Ｔを待機ステーション１３から搬出し、エッジカットステーション１４へ搬送する。そして、エッジカットステーション１４では、エッジカット装置が、制御装置４０の制御に基づき、エッジカット処理を行う。かかるエッジカット処理により接着剤Ｇの周縁部が除去され、後段の剥離処理において被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離し易くなる。これにより、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【００４８】
第１の実施形態にかかる剥離システム１では、エッジカットステーション１４が第１処理ブロック１０に組み込まれているため、第１処理ブロック１０へ搬入された重合基板Ｔを第１搬送装置３１を用いてエッジカットステーション１４へ直接搬入することができる。このため、剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。また、エッジカット処理から剥離処理までの時間を容易に管理することができ、剥離性能を安定化させることができる。なお、剥離システム１は、必ずしもエッジカットステーション１４を備えることを要しない。
【００４９】
また、たとえば装置間の処理時間差等により処理待ちの重合基板Ｔが生じる場合には、待機ステーション１３に設けられた一時待機部を用いて重合基板Ｔを一時的に待機させておくことができ、一連の工程間でのロス時間を短縮することができる。
【００５０】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、エッジカット処理後の重合基板Ｔをエッジカットステーション１４から搬出して、剥離ステーション１５へ搬送する。そして、剥離ステーション１５では、剥離装置が、制御装置４０の制御に基づいて剥離処理を行う。
【００５１】
その後、剥離システム１では、剥離後の被処理基板Ｗについての処理が第１処理ブロック１０で行われ、剥離後の支持基板Ｓについての処理が第２処理ブロック２０で行われる。なお、剥離後の被処理基板Ｗは、ダイシングフレームＦによって保持されている。
【００５２】
まず、第１処理ブロック１０では、第１搬送装置３１が、制御装置４０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。
【００５３】
そして、第１洗浄装置は、制御装置４０の制御に基づき、剥離後の被処理基板Ｗの接合面Ｗｊを洗浄する被処理基板洗浄処理を行う。かかる被処理基板洗浄処理によって、被処理基板Ｗの接合面Ｗｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００５４】
つづいて、第１搬送装置３１は、制御装置４０の制御に基づき、洗浄後の被処理基板Ｗを第１洗浄装置から搬出して、搬入出ステーション１１へ搬送する被処理基板搬出処理を行う。その後、被処理基板Ｗは、搬入出ステーション１１から外部へ搬出されて回収される。こうして、被処理基板Ｗについての処理が終了する。
【００５５】
一方、第２処理ブロック２０では、受渡ステーション２１に設置された第３搬送装置３３が、制御装置４０の制御に基づいて、剥離後の支持基板Ｓの受渡処理を行う。具体的には、第３搬送装置３３は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置から受け取り、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２の第２洗浄装置へ載置する。
【００５６】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、剥離装置によって上面側すなわち非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置３３は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。そして、第３搬送装置３３は、保持した支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２へ搬入した後、支持基板Ｓを反転させて、第２洗浄装置へ載置する。これにより、支持基板Ｓは、接合面Ｓｊが上方を向いた状態で第２洗浄装置に載置される。そして、第２洗浄装置は、制御装置４０の制御に基づき、支持基板Ｓの接合面Ｓｊを洗浄する支持基板洗浄処理を行う。かかる支持基板洗浄処理によって、支持基板Ｓの接合面Ｓｊに残存する接着剤Ｇが除去される。
【００５７】
つづいて、第２搬送装置３２は、制御装置４０の制御に基づき、洗浄後の支持基板Ｓを第２洗浄装置から搬出して、搬出ステーション２４へ搬送する支持基板搬出処理を行う。その後、支持基板Ｓは、搬出ステーション２４から外部へ搬出されて回収される。こうして、支持基板Ｓについての処理が終了する。
【００５８】
このように、第１の実施形態に係る剥離システム１は、ダイシングフレームＦに保持された基板用のフロントエンド（搬入出ステーション１１および第１搬送装置３１）と、ダイシングフレームＦに保持されない基板用のフロントエンド（搬出ステーション２４および第２搬送装置３２）とを備える構成とした。これにより、洗浄後の被処理基板Ｗを搬入出ステーション１１へ搬送する処理と、洗浄後の支持基板Ｓを搬出ステーション２４へ搬送する処理とを並列に行うことが可能となるため、一連の基板処理を効率的に行うことができる。
【００５９】
また、第１の実施形態に係る剥離システム１は、第１処理ブロック１０と第２処理ブロック２０とが、受渡ステーション２１によって接続される。これにより、剥離後の支持基板Ｓを剥離ステーション１５から直接取り出して第２処理ブロック２０へ搬入することが可能となるため、剥離後の支持基板Ｓを第２洗浄装置へスムーズに搬送することができる。
【００６０】
したがって、第１の実施形態に係る剥離システム１によれば、一連の基板処理のスループットを向上させることができる。
【００６１】
なお、ここでは、重合基板ＴがダイシングフレームＦによって保持された状態で搬入されることとしたが、これに限ったものではない。たとえば、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けるためのマウント装置を第１処理ブロック１０に設け、ダイシングフレームＦが取り付けられていない重合基板Ｔを搬入して、剥離システム１の内部で、重合基板ＴにダイシングフレームＦを取り付けることとしてもよい。この場合、エッジカットステーション１４を第２処理ブロック２０に移動し、エッジカットステーション１４が設けられていた場所に前述のマウント装置を設ければよい。
【００６２】
＜２．剥離装置の構成＞
次に、剥離ステーション１５に設置される剥離装置の構成および剥離装置を用いて行われる重合基板Ｔの剥離動作について説明する。図３Ａは、剥離装置の構成を示す模式側面図であり、図３Ｂは、図３Ａに示す剥離装置の構成を部分的に拡大して示す部分拡大模式側面図である。
【００６３】
図３Ａに示すように、剥離装置５は処理部１００を備える。処理部１００の側面には、搬入出口（図示せず）が形成され、この搬入出口を介して、重合基板Ｔの処理部１００への搬入や、剥離後の被処理基板Ｗおよび支持基板Ｓの処理部１００からの搬出が行われる。搬入出口には、たとえば開閉シャッタが設けられ、この開閉シャッタによって処理部１００と他の領域とが仕切られ、パーティクルの進入が防止される。なお、搬入出口は、第１搬送領域１２に隣接する側面と受渡ステーション２１に隣接する側面とにそれぞれ設けられる。
【００６４】
剥離装置５は、第１保持部１１０と、フレーム保持部１２０と、下側ベース部１３０と、回転昇降機構１４０と、第２保持部１５０と、上側ベース部１６０と、位置決め部１７０と、押し下げ部１８０と、剥離誘引部１９０と、位置調整部２００とを備える。これらは処理部１００の内部に配置される。
【００６５】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持する。そして、第２保持部１５０は、保持した支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。これにより、剥離装置５は、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離する。以下、各構成要素について具体的に説明する。
【００６６】
第１保持部１１０は、重合基板Ｔを構成する被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する。
【００６７】
第１保持部１１０は、円盤状の本体部１１１と、本体部１１１を支持する支柱部材１１２とを備える。支柱部材１１２は、下側ベース部１３０に支持される。
【００６８】
本体部１１１は、たとえばアルミニウムなどの金属部材で構成される。かかる本体部１１１の上面には、吸着面１１１ａが設けられる。吸着面１１１ａは、重合基板Ｔと略同径であり、重合基板Ｔの下面、すなわち、被処理基板Ｗの非接合面Ｗｎと当接する。この吸着面１１１ａは、たとえば炭化ケイ素等の多孔質体や多孔質セラミックで形成される。
【００６９】
本体部１１１の内部には、吸着面１１１ａを介して外部と連通する吸引空間１１１ｂが形成される。吸引空間１１１ｂは、吸気管１１３を介して真空ポンプなどの吸気装置１１４と接続される。
【００７０】
かかる第１保持部１１０は、吸気装置１１４の吸気によって発生する負圧を利用し、被処理基板Ｗの非接合面ＷｎをダイシングテープＰを介して吸着面１１１ａに吸着させる。これにより、第１保持部１１０は被処理基板Ｗを保持する。なお、ここでは、第１保持部１１０がポーラスチャックである場合の例を示したが、第１保持部は、たとえば静電チャック等であってもよい。
【００７１】
第１保持部１１０の外方には、ダイシングフレームＦを下方から保持するフレーム保持部１２０が配置される。かかるフレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを吸着保持する複数の吸着パッド１２１と、吸着パッド１２１を支持する支持部材１２２とを備える。
【００７２】
吸着パッド１２１は、ゴムなどの弾性部材によって形成され、たとえば図２Ａに示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。なお、上記では、吸着パッド１２１を４箇所に設けるようにしたが、これは例示であって限定されるものではなく、たとえば３箇所以下または５箇所以上であってもよい。
【００７３】
この吸着パッド１２１には、吸気口（図示せず）が形成され、真空ポンプなどの吸気装置１２５が支持部材１２２および吸気管１２４を介して上記の吸気口に接続される。また、吸着パッド１２１の吸気口は、第１保持部１１０の吸着面１１１ａよりも鉛直方向において下側に位置される。
【００７４】
支柱部材１２２は、下側ベース部１３０に支持される。このように構成されたフレーム保持部１２０は、吸気装置１２５の吸気によって発生する負圧を利用し、ダイシングフレームＦを吸着する。これにより、フレーム保持部１２０は、ダイシングフレームＦを保持する。
【００７５】
下側ベース部１３０は、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０の下方に配置され、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を支持する。下側ベース部１３０は、処理部１００の床面に固定された回転昇降機構１４０によって支持される。
【００７６】
回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直軸回りに回転させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に回転する。また、回転昇降機構１４０は、下側ベース部１３０を鉛直方向に移動させる。これにより、下側ベース部１３０に支持された第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０が一体的に昇降する。
【００７７】
第１保持部１１０の上方には、第２保持部１５０が対向配置される。第２保持部１５０は、複数の吸着移動部を備える。具体的には、第１の実施形態に係る第２保持部１５０は、第１吸着移動部２１０と、第２吸着移動部２２０と、第３吸着移動部２３０とを備える。第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０は、上側ベース部１６０に支持される。上側ベース部１６０は、処理部１００の天井部に取り付けられた固定部材１０１に支柱１０２を介して支持される。
【００７８】
第１吸着移動部２１０は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を吸着保持する。また、第２吸着移動部２２０は、支持基板Ｓの周縁部よりも支持基板Ｓの中央部寄りの領域を吸着保持する。なお、第２吸着移動部２２０は、後述するように、Ｘ軸方向に複数、たとえば２つ並べて配置されるが、図３Ａ，３Ｂでは紙面奥側の第２吸着移動部２２０の図示を省略した。
【００７９】
また、第３吸着移動部２３０は、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部を吸着保持する。そして、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０は、吸着保持した領域をそれぞれ独立に被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。
【００８０】
第１吸着移動部２１０は、吸着パッド２１１と、支柱部材２１２と、移動機構２１３とを備える。また、第２吸着移動部２２０は、吸着パッド２２１と、支柱部材２２２と、移動機構２２３とを備える。同様に、第３吸着移動部２３０も、吸着パッド２３１と、支柱部材２３２と、移動機構２３３とを備える。
【００８１】
吸着パッド２１１，２２１，２３１は、ゴムなどの弾性部材によって形成される。各吸着パッド２１１，２２１，２３１には、吸気口（図示せず）が形成されており、それぞれの吸気口には、吸気管２１４，２２４，２３４を介して真空ポンプなどの吸気装置２１５，２２５，２３５が接続される。
【００８２】
支柱部材２１２，２２２，２３２は、先端部において吸着パッド２１１，２２１，２３１を支持する。支柱部材２１２，２２２，２３２の基端部は、移動機構２１３，２２３，２３３によって支持される。移動機構２１３，２２３，２３３は、上側ベース部１６０の上部に固定されており、支柱部材２１２，２２２，２３２を鉛直方向に移動させる。
【００８３】
第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０は、吸気装置２１５，２２５，２３５の吸気によって発生する負圧を利用して支持基板Ｓを吸着する。これにより、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０は、支持基板Ｓを保持する。
【００８４】
また、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０は、支持基板Ｓを保持した状態で、それぞれ移動機構２１３，２２３，２３３によって支柱部材２１２，２２２，２３２および吸着パッド２１１，２２１，２３１を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、支持基板Ｓを鉛直方向に沿って移動させる。
【００８５】
剥離装置５は、まず、移動機構２１３を動作させ、次いで、移動機構２２３を動作させて、最後に、移動機構２３３を動作させる。すなわち、剥離装置５は、支持基板Ｓを一端Ｓ１側の周縁部から先に引っ張り、次いで中央部を引っ張り、最後に他端Ｓ２側の周縁部を引っ張る。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓを、その一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に、かつ連続的に剥離させる。この動作の具体的内容については、後述する。
【００８６】
第１保持部１１０の上方には、位置決め部１７０が配置される。位置決め部１７０は、第１搬送装置３１によって剥離ステーション１５へ搬送され、第１保持部１１０に載置された重合基板Ｔを規定の位置（たとえば吸着面１１１ａと一致する位置）に位置決めする、換言すればセンタリングする。
【００８７】
位置決め部１７０は、たとえば図２Ａに示す重合基板Ｔの外周の前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ設けられる。なお、位置決め部１７０が設置される場所は、上記の４箇所に限定されるものではなく、たとえば重合基板Ｔの外周の前後または左右の２箇所、重合基板Ｔの中央部を中心として相互に１２０度の間隔をおいた３箇所、または５箇所以上に設置してもよい。
【００８８】
位置決め部１７０は、図３Ｂによく示すように、アーム部１７１と、回転移動機構１７２とを備える。アーム部１７１は、長尺状の部材であり、基端部が回転移動機構１７２に回転可能に接続される。また、アーム部１７１の長手方向の長さは、たとえば、回転移動機構１７２によって先端部が鉛直下向きになるまで回転移動させられたときにその先端部が重合基板Ｔの側面に当接するような値に設定される。
【００８９】
回転移動機構１７２は、たとえば上側ベース部１６０の下部に固定され、アーム部１７１を基端側を中心に回転移動させる。各位置決め部１７０のアーム部１７１がそれぞれ回転移動機構１７２によって回転移動させられると、図３Ｂに想像線で示す如く、アーム部１７１の先端部が重合基板Ｔの側面に当接する。これにより、重合基板Ｔは、規定の位置に位置決めされる。このように、位置決め部１７０を備えることにより、仮に、重合基板Ｔが規定の位置からずれた状態で第１保持部１１０に載置された場合であっても、かかる重合基板Ｔを第１保持部１１０の正しい位置、詳しくはたとえば吸着面１１１ａと一致する位置に移動させて修正することができる。
【００９０】
フレーム保持部１２０の各吸着パッド１２１の上方にはそれぞれ、押し下げ部１８０が配置される。すなわち、押し下げ部１８０は、各吸着パッド１２１に対応する位置に配置され、具体的にたとえば図２Ａに示すダイシングフレームＦの前後左右の４箇所に対応する位置にそれぞれ配置される。なお、上記では、押し下げ部１８０を、吸着パッド１２１と同じ４箇所に設けるようにしたが、これは例示であって、吸着パッド１２１の数に応じて変更してもよい。
【００９１】
上記した押し下げ部１８０は、ダイシングフレームＦを鉛直下向きに押し下げて吸着パッド１２１に吸着させる。具体的には、吸着パッド１２１の吸気口は、上記したように、第１保持部１１０の吸着面１１１ａよりも鉛直方向において下側に位置される。そのため、第１搬送装置３１によって剥離ステーション１５へ搬送された重合基板Ｔが第１保持部１１０の吸着面１１１ａに載置された状態のとき、ダイシングフレームＦと吸着パッド１２１との間には、吸着パッド１２１が下がっている分だけ間隙が生じることとなる。そこで、押し下げ部１８０でダイシングフレームＦを吸着パッド１２１側へ押し下げ、吸着パッド１２１に吸着させるようにする。
【００９２】
具体的に押し下げ部１８０は、図３Ｂによく示すように、押圧パッド１８１と、支柱部材１８２と、移動機構１８３とを備える。
【００９３】
押圧パッド１８１は、ゴムなどの弾性部材によって形成される。支柱部材１８２は、先端部に押圧パッド１８１が接続される。支柱部材１８２の基端部は、移動機構１８３によって支持される。移動機構１８３は、上側ベース部１６０の上部に固定されており、支柱部材１８２を鉛直方向に移動させる。
【００９４】
押し下げ部１８０は、移動機構１８３によって支柱部材１８２および押圧パッド１８１を鉛直方向に沿って移動させる。したがって、たとえば、移動機構１８３によって支柱部材１８２および押圧パッド１８１が鉛直下向きに移動させられると、押圧パッド１８１はダイシングフレームＦに当接し、図３Ｂに想像線で示す如く、ダイシングフレームＦを押圧して移動させる。それによって、ダイシングフレームＦは鉛直下向きへ移動し、吸着パッド１２１に吸着保持される。
【００９５】
これにより、重合基板Ｔの側面側には、後述する剥離誘引部１９０が侵入可能な空間が形成されることとなる。それによって剥離誘引部１９０の鋭利部材（後述）を重合基板Ｔの側面、正確には支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に容易に近づけて当接させることができる。
【００９６】
図３Ａに示すように、第２保持部１５０の外方には、剥離誘引部１９０が配置される。剥離誘引部１９０は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。
【００９７】
剥離誘引部１９０は、鋭利部材１９１と、移動機構１９２とを備える。鋭利部材１９１は、たとえば刃物であり、先端が重合基板Ｔへ向けて突出するように移動機構１９２に支持される。なお、鋭利部材１９１は、たとえばカミソリ刃やローラ刃あるいは超音波カッター等を用いてもよい。
【００９８】
移動機構１９２は、Ｙ軸方向に延在するレールに沿って鋭利部材１９１を移動させる。剥離装置５は、移動機構１９２を用いて鋭利部材１９１を移動させることにより、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１９１を当接させる。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離するきっかけとなる部位（以下、「剥離開始部位」と記載する）を重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面に形成する。
【００９９】
また、移動機構１９２は、位置調整部２００によって上方から支持される。位置調整部２００は、たとえば上側ベース部１６０の下部に固定され、移動機構１９２を鉛直方向に沿って移動させる。これにより、鋭利部材１９１の高さ位置、すなわち、重合基板Ｔの側面への当接位置を調整することができる。
【０１００】
ここで、剥離誘引部１９０を用いて行われる剥離誘引処理の内容について図４Ａ〜図４Ｃを参照して具体的に説明する。図４Ａ〜図４Ｃは、剥離誘引処理の動作説明図である。
【０１０１】
なお、この剥離誘引処理は、重合基板Ｔのうちの被処理基板Ｗが第１保持部１１０（図３Ａ参照）によって保持され、ダイシングフレームＦがフレーム保持部１２０によって保持された後、かつ、支持基板Ｓが第２保持部１５０によって保持される前に行われる。すなわち、剥離誘引処理は、支持基板Ｓがフリーな状態で行われる。また、剥離装置５は、制御装置４０の制御に基づき、図４Ａ〜図４Ｃに示す剥離誘引処理を行う。
【０１０２】
剥離装置５は、位置調整部２００を用いて鋭利部材１９１の高さ位置を調整した後、移動機構１９２（図３Ａ参照）を用いて鋭利部材１９１を重合基板Ｔの側面へ向けて移動させる。具体的には、図４Ａに示すように、重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面のうち、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材１９１を略水平に移動させる。
【０１０３】
「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」とは、支持基板Ｓの側面のうち、支持基板Ｓの厚みの半分の位置ｈ１よりも接合面Ｓｊ寄りの側面である。すなわち、支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されており、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、鋭利部材１９１と接合面Ｓｊとのなす角度を０度とした場合における鋭利部材１９１とのなす角度θが０度以上９０度未満の側面である。
【０１０４】
剥離装置５は、まず、鋭利部材１９１を予め決められた位置まで前進させる（予備前進）。その後、剥離装置５は、鋭利部材１９１をさらに前進させて鋭利部材１９１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させる。なお、剥離誘引部１９０には、たとえばロードセル（図示せず）が設けられており、剥離装置５は、かかるロードセルを用いて鋭利部材１９１にかかる負荷を検出することによって、鋭利部材１９１が支持基板Ｓに当接したことを検出する。
【０１０５】
上述したように支持基板Ｓの側面は略円弧状に形成されている。したがって、鋭利部材１９１が支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接することにより、支持基板Ｓには、上方向きの力が加わることとなる。
【０１０６】
つづいて、図４Ｂに示すように、剥離装置５は、鋭利部材１９１をさらに前進させる。これにより、支持基板Ｓは、側面の湾曲に沿って上方へ押し上げられる。この結果、支持基板Ｓの一部が接着剤Ｇから剥離して剥離開始部位Ｍが形成される。
【０１０７】
なお、支持基板Ｓは第２保持部１５０によって保持されておらずフリーな状態であるため、支持基板Ｓの上方への移動が阻害されることがない。本処理において、鋭利部材１９１を前進させる距離ａ１は、たとえば２ｍｍ程度である。
【０１０８】
また、剥離装置５においては、上記した処理による支持基板Ｓの剥離状態を確認する確認装置、具体的には剥離開始部位Ｍが形成されたことを確認する確認装置（図示せず）を設けるように構成してもよい。具体的に確認装置は、たとえば支持基板Ｓの上方に設置されたＩＲ (Infrared。赤外線)カメラ（図示せず）である。
【０１０９】
詳しくは、赤外線は、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位と剥離していない部位とでその反射率が変化する。そこで、先ずＩＲカメラで支持基板Ｓを撮像することで、支持基板Ｓにおける赤外線の反射率の違い等が示された画像データを取得する。そして、画像データは制御装置４０へ送信され、制御装置４０では、その画像データに基づき、支持基板Ｓにおいて被処理基板Ｗから剥離した部位、すなわち剥離開始部位Ｍを検出することができる。
【０１１０】
制御装置４０において剥離開始部位Ｍが検出された場合、剥離装置５は後述する次の処理へ移行する。一方、制御装置４０において剥離開始部位Ｍが検出されない場合、剥離装置５は、たとえば鋭利部材１９１をさらに前進させる、または鋭利部材１９１を一旦後退させて支持基板Ｓから離し、その後図４Ａ，４Ｂで示した動作を再度実行するなどして、剥離開始部位Ｍを形成するようにする。このように、支持基板Ｓの剥離状態を確認する確認装置を設け、剥離状態に応じて剥離装置５を動作させることで、剥離開始部位Ｍを確実に形成することができる。
【０１１１】
剥離開始部位Ｍが形成されると、つづいて、図４Ｃに示すように、剥離装置５は、回転昇降機構１４０（図３Ａ参照）を用いて第１保持部１１０を降下させつつ、鋭利部材１９１をさらに前進させる。これにより、被処理基板Ｗおよび接着剤Ｇには下方向きの力が加わり、鋭利部材１９１によって支持された支持基板Ｓには上方向きの力が加わる。これにより、剥離開始部位Ｍが拡大する。
【０１１２】
なお、本処理において、鋭利部材１９１を前進させる距離ａ２は、たとえば１ｍｍ程度である。
【０１１３】
このように、剥離装置５は、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１９１を突き当てることにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥がれるきっかけとなる剥離開始部位Ｍを重合基板Ｔの側面に形成することができる。
【０１１４】
支持基板Ｓは、接着剤Ｇの約５〜１５倍程度の厚みを有する。したがって、鋭利部材１９１を接着剤Ｇに当接させて剥離開始部位を形成する場合と比較して、鋭利部材１９１の鉛直方向の位置制御が容易である。
【０１１５】
また、支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に鋭利部材１９１を当接させることによって、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力（すなわち、上向きの力）を支持基板Ｓに加えることができる。しかも、支持基板Ｓの最外縁部に近い部位を持ち上げるため、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから引き剥がす方向の力を支持基板Ｓに対して効率的に加えることができる。
【０１１６】
また、鋭利部材１９１を接着剤Ｇに突き当てる場合と比較して、鋭利部材１９１が被処理基板Ｗに接触する可能性を低下させることができる。
【０１１７】
なお、「支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面」は、より好ましくは、図４Ａに示すように、支持基板Ｓの接合面Ｓｊから支持基板Ｓの厚みの１／４の位置ｈ２までの側面、すなわち、鋭利部材１９１とのなす角度θが０度以上４５度以下の側面であるのが好ましい。鋭利部材１９１とのなす角度θが小さいほど、支持基板Ｓを持ち上げる力を大きくすることができるためである。
【０１１８】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的弱い場合には、図４Ａに示すように、鋭利部材１９１を支持基板Ｓの接着剤Ｇ寄りの側面に当接させるだけで剥離開始部位Ｍを形成することができる。このような場合、剥離装置５は、図４Ｂおよび図４Ｃに示す動作を省略することができる。
【０１１９】
また、支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的強い場合には、剥離装置５は、たとえば図４Ｃに示す状態からさらに回転昇降機構１４０を回転させ、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を鉛直軸回りにたとえば３６０度回転させるようにしてもよい。これにより、剥離開始部位Ｍが支持基板Ｓの接合面Ｓｊの全周に亘って形成されることとなり、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥がし易くすることができる。
【０１２０】
次に、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０の配置等について図５を参照して説明する。図５は、支持基板Ｓ、第１吸着移動部２１０が備える吸着パッド２１１、第２吸着移動部２２０が備える吸着パッド２２１、および第３吸着移動部２３０が備える吸着パッド２３１の位置関係を示す模式平面図である。
【０１２１】
図５に示すように、第１吸着移動部２１０が備える吸着パッド２１１は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を吸着する。また、第２吸着移動部２２０は、支持基板Ｓの一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かう方向（すなわちＹ軸方向）と交差する方向（すなわちＸ軸方向）に複数並べて配置される、具体的にたとえば２つ並列に配置される。それら第２吸着移動部２２０が備える吸着パッド２２１は、支持基板Ｓの一端Ｓ１と他端Ｓ２との間の領域、詳しくは一端Ｓ１側の周縁部よりも支持基板Ｓの中央寄りの領域を吸着する。また、第３吸着移動部２３０が備える吸着パッド２３１は、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部を吸着する。
【０１２２】
吸着パッド２２１，２３１は、吸着面積が略同じとなるように形成される一方、吸着パッド２１１は、吸着パッド２２１，２３１よりも吸着面積が小さく形成される。これは、吸着パッド２１１を小さく形成することで、剥離開始部位Ｍが形成された部分に対応する支持基板Ｓの周縁部のみを吸着して引き上げることができるためである。これにより、剥離開始部位Ｍが形成されていない周縁部まで吸着して引き上げることで剥離力が低下することを防止することができる。
【０１２３】
なお、吸着パッド２１１は、たとえば鋭利部材１９１のＸ軸方向における刃幅よりも小さく形成されることが好ましい。これにより、剥離開始部位Ｍが形成されていない支持基板Ｓの周縁部を吸着パッド２１１が吸着してしまうことを確実に防止することができる。言い換えれば、剥離開始部位Ｍが形成された支持基板Ｓの周縁部のみを正確に吸着することができる。なお、吸着パッド２２１，２３１は、鋭利部材１９１のＸ軸方向における刃幅よりも大きく形成される。
【０１２４】
図５に示すように、吸着パッド２１１，２２１，２３１は、鋭利部材１９１の移動方向（Ｙ軸方向）に沿うようにして配置される。剥離装置５は、吸着パッド２１１を吸着パッド２２１，２３１よりも先に引き上げ、その後吸着パッド２２１を吸着パッド２３１よりも先に引き上げる、すなわち、支持基板Ｓを一端Ｓ１側の周縁部から先に引っ張り、吸着パッド２２１，２３１の順で引っ張る。これにより、剥離装置５は、支持基板Ｓを、その一端Ｓ１から中央部付近を経て他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に、かつ連続的に剥離させる。
【０１２５】
ところで、支持基板Ｓは、上記したように、一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に剥離させられる。しかしながら、たとえば支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が未だ被処理基板Ｗから剥離していない状態のときに、第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを吸着して引き上げる方向へ移動させると、第２吸着移動部２２０に過度な負荷が作用し、たとえば吸着パッド２２１が支持基板Ｓから外れてしまうおそれがある。また、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離していない場合の第３吸着移動部２３０についても同様である。
【０１２６】
そこで、第１の実施形態に係る剥離装置５においては、支持基板Ｓの被処理基板Ｗからの剥離状態を検知する状態検知部を備え、制御装置４０が、状態検知部によって検知された剥離状態に基づき、支持基板Ｓが支持基板Ｓの一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に剥離するように、第２、第３吸着移動部２２０，２３０の動作タイミングを制御するようにした。
【０１２７】
これにより、第２、第３吸着移動部２２０，２３０で支持基板Ｓを吸着し、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる動作を適切なタイミングで行うことができ、よって第２、第３吸着移動部２２０，２３０に過度な負荷が作用するのを防止することができる。
【０１２８】
ここで、状態検知部について詳しく説明する。第１の実施形態に係る状態検知部は、図３Ａに示すように、たとえば上側ベース部１６０に設けられ、所定の測定基準位置から支持基板Ｓまでの距離ｄ１，ｄ２を計測する計測部２４０，２５０である。計測部２４０，２５０としては、たとえばレーザ変位計を用いることができる。なお、図５においては、支持基板Ｓにおいて計測部２４０，２５０が配置される位置に対応する部分を破線で示した。
【０１２９】
また、上記では、計測部２４０，２５０としてレーザ変位計を例に挙げたが、これに限定されるものではなく、たとえば静電容量センサなど所定の測定基準位置から支持基板Ｓまでの距離ｄ１，ｄ２を計測することができればどのようなものであってもよい。
【０１３０】
図３Ｂおよび図５に示すように、計測部２４０は、第１吸着移動部２１０と第２吸着移動部２２０との間のうち、第２吸着移動部２２０寄りの位置に配置される。具体的には、計測部２４０は、支持基板Ｓにおいて第２吸着移動部２２０の吸着パッド２２１で吸着される領域の上方の位置に近接して設けられる。
【０１３１】
計測部２５０は、図３Ａおよび図５に示す如く、第２吸着移動部２２０と第３吸着移動部２３０との間のうち、第３吸着移動部２３０寄りの位置に配置される。具体的には、計測部２５０は、支持基板Ｓにおいて第３吸着移動部２３０の吸着パッド２３１で吸着される領域の上方の位置に近接して設けられる。上記した計測部２４０，２５０の計測結果は、制御装置４０へ送信される。
【０１３２】
制御装置４０は、計測部２４０，２５０の計測結果に基づき、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０または第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたか否かを判定する。
【０１３３】
具体的には、制御装置４０は、第１吸着移動部２１０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、計測部２４０によって計測された距離ｄ１がしきい値Ｄ１以上の場合、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域は未だ被処理基板Ｗから剥離されていないと判定する。そして、制御装置４０は、支持基板Ｓの剥離が進んで距離ｄ１がしきい値Ｄ１未満となった場合、一端Ｓ１側の周縁部と中央部寄りの領域との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。正確には、制御装置４０は、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。しきい値Ｄ１は、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離した際の距離ｄ１に相当する。
【０１３４】
そして、制御装置４０は、上記した領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定した場合、その領域を吸着する第２吸着移動部２２０を動作させて吸着保持し、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させるようにする。これにより、第２吸着移動部２２０に過度な負荷が作用するのを防止することができる。
【０１３５】
同様に、制御装置４０は、第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、計測部２５０によって計測された距離ｄ２がしきい値Ｄ２以上の場合、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域は未だ被処理基板Ｗから剥離されていないと判定する。そして、制御装置４０は、支持基板Ｓの剥離が進んで距離ｄ２がしきい値Ｄ２未満となった場合、中央部寄りの領域と他端Ｓ２側の周縁部との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。正確には、制御装置４０は、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。しきい値Ｄ２は、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離した際の距離ｄ２に相当する。
【０１３６】
そして、制御装置４０は、第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定した場合、その領域を吸着する第３吸着移動部２３０を動作させて、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させるようにする。これにより、第３吸着移動部２３０に過度な負荷が作用するのを防止することができる。
【０１３７】
上記した剥離動作の具体的な内容について図６および図７Ａ〜図７Ｉを参照して説明する。図６は、剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。また、図７Ａ〜図７Ｉは、剥離装置５による剥離動作の説明図である。なお、剥離装置５は、制御装置４０の制御に基づき、図６に示す各処理手順を実行する。
【０１３８】
まず、剥離装置５は、第１搬送装置３１によって剥離ステーション１５へ搬入され、第１保持部１１０に載置された重合基板Ｔを、位置決め部１７０でセンタリングする（ステップＳ１０１）。これにより、重合基板Ｔは第１保持部１１０の規定の位置に位置決めされる（図７Ａ参照）。
【０１３９】
次いで、剥離装置５は、第１保持部１１０を用い、被処理基板ＷをダイシングテープＰを介して吸着保持する（ステップＳ１０２）。これにより、重合基板Ｔは、第１保持部１１０によって被処理基板Ｗが保持される。
【０１４０】
つづいて、剥離装置５は、押し下げ部１８０を用いてダイシングフレームＦを鉛直下向きに押し下げ、ダイシングフレームＦをフレーム保持部１２０で吸着保持する（ステップＳ１０３）。これにより、重合基板Ｔの側面側には、剥離誘引部１９０が侵入可能な空間が形成される（図７Ｂ参照）。
【０１４１】
その後、剥離装置５は、剥離誘引部１９０を上記した空間に侵入させつつ、図４Ａ〜図４Ｃを参照して説明した剥離誘引処理を行う（ステップＳ１０４）。これにより、重合基板Ｔの一端Ｓ１側の側面に剥離開始部位Ｍ（図４Ｂ参照）が形成される（図７Ｃ参照）。
【０１４２】
なお、前述したように、たとえば支持基板Ｓと接着剤Ｇとの接着力が比較的強い場合には、剥離装置５は、Ｓ１０４の処理においてさらに回転昇降機構１４０を回転させ、第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を鉛直軸回りにたとえば３６０度回転させるようにしてもよい。これにより、剥離開始部位Ｍが支持基板Ｓの接合面Ｓｊの全周に亘って形成されることとなり、支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥がし易くすることができる。
【０１４３】
つづいて、剥離装置５は、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０の吸着パッド２１１，２２１，２３１を、支持基板Ｓの近傍まで降下させる（ステップＳ１０５。図７Ｄ参照）。
【０１４４】
その後、剥離装置５は、第１吸着移動部２１０を用いて支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着保持する（ステップＳ１０６）。上述したように、第１吸着移動部２１０は、剥離開始部位Ｍに対応する支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を吸着保持する。
【０１４５】
つづいて、剥離装置５は、第１吸着移動部２１０の吸着パッド２１１を上昇させる（ステップＳ１０７）。すなわち、剥離装置５は、剥離開始部Ｍに対応する支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を引っ張る。これにより、支持基板Ｓが、その周縁部から中心部へ向けて被処理基板Ｗから連続的に剥離し始める（図７Ｅ参照）。
【０１４６】
そして、剥離装置５は、計測部２４０によって計測された、所定の測定基準位置から支持基板Ｓまでの距離ｄ１がしきい値Ｄ１未満か否かを判定する（ステップＳ１０８）。距離ｄ１がしきい値Ｄ１以上の場合（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域は未だ被処理基板Ｗから剥離されていないと判定し、ステップＳ１０８の処理を繰り返す。
【０１４７】
他方、距離ｄ１がしきい値Ｄ１未満の場合（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。そして、剥離装置５は、第２吸着移動部２２０を下降させ、第２吸着移動部２２０を用いて支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着保持する（ステップＳ１０９）。上述したように、第２吸着移動部２２０は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部よりも中央部寄りの領域を吸着保持する（図７Ｆ参照）。
【０１４８】
その後、剥離装置５は、第２吸着移動部２２０の吸着パッド２２１を上昇させる（ステップＳ１１０）。すなわち、剥離装置５は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を引っ張りつつ、支持基板Ｓの中央部付近をさらに引っ張る（図７Ｇ参照）。
【０１４９】
つづいて、剥離装置５は、計測部２５０によって計測された、所定の測定基準位置から支持基板Ｓまでの距離ｄ２がしきい値Ｄ２未満か否かを判定する（ステップＳ１１１）。距離ｄ２がしきい値Ｄ２以上の場合（ステップＳ１１１，Ｎｏ）、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域は未だ被処理基板Ｗから剥離されていないと判定し、ステップＳ１１１の処理を繰り返す。
【０１５０】
他方、距離ｄ２がしきい値Ｄ２未満の場合（ステップＳ１１１，Ｙｅｓ）、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。そして、剥離装置５は、第３吸着移動部２３０を下降させ、第３吸着移動部２３０を用いて支持基板Ｓの非接合面Ｓｎを吸着保持する（ステップＳ１１２）。上述したように、第３吸着移動部２３０は、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部を吸着保持する（図７Ｈ参照）。
【０１５１】
その後、剥離装置５は、第３吸着移動部２３０の吸着パッド２３１を上昇させる（ステップＳ１１３）。すなわち、剥離装置５は、支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部および支持基板Ｓの中央部付近を引っ張りつつ、支持基板Ｓの他端Ｓ２側の周縁部をさらに引っ張る。これにより、支持基板Ｓが被処理基板Ｗから剥離する。
【０１５２】
その後、剥離装置５は、第２、第３吸着移動部２２０，２３０のみを上昇させ、あるいは、第１、第２吸着移動部２１０，２２０のみを降下させるなどして支持基板Ｓを水平にし、鋭利部材１９１を後退させて、剥離処理を終了する（図７Ｉ参照）。
【０１５３】
このように、第１の実施形態に係る剥離装置５では、第１吸着移動部２１０が支持基板Ｓの周縁部を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させた後で、第２、第３吸着移動部２２０，２３０が支持基板Ｓの中央部や他端Ｓ２を被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させることとした。
【０１５４】
これにより、支持基板Ｓに対して大きな負荷をかけることなく、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離することができる。
【０１５５】
すなわち、たとえば特表２００７−５２６６２８号公報に記載の技術のように、重合基板の一方の周縁部を支点とし他方の周縁部に引張力を加えることによって重合基板を剥離する場合、剥離が進むに連れて支持基板が大きく反ってしまうという問題がある。これに対し、剥離装置５によれば、支持基板Ｓの周縁部を吸着保持する第１吸着移動部２１０と、支持基板Ｓの中央部を吸着保持する第２吸着移動部２２０とを用いて剥離動作を行うことで、支持基板Ｓの変形を抑えつつ剥離を進めることができる。
【０１５６】
また、第１の実施形態に係る剥離装置５においては、状態検知部によって検知された剥離状態に基づき、第２、第３吸着移動部２２０，２３０の動作タイミングを制御することとした。これにより、たとえば支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が未だ被処理基板Ｗから剥離していない状態のときに、第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを吸着して引き上げる方向へ移動させてしまうのを防止することができる。これによって第２吸着移動部２２０に過度な負荷が作用することはなく、たとえば吸着パッド２２１が支持基板Ｓから外れることもない。
【０１５７】
なお、剥離装置５は、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが剥離した後、回転昇降機構１４０を用いて第１保持部１１０およびフレーム保持部１２０を回転させてもよい。これにより、仮に、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに跨って貼り付いた接着剤Ｇが存在する場合に、かかる接着剤Ｇをねじ切ることができる。
【０１５８】
また、剥離装置５は、支持基板Ｓの剥離時に移動機構２１３，２２３，２３３に作用する負荷を検出し、検出結果に応じて図６の剥離処理を途中で停止するようにしてもよい。具体的には、剥離装置５は、たとえば第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０にそれぞれロードセル（図示せず）を設け、支持基板Ｓを吸着して剥離させる際に移動機構２１３，２２３，２３３が支持基板Ｓから受ける負荷を検出する。そして、剥離装置５は、検出された移動機構２１３，２２３，２３３の負荷のうち、少なくともいずれかがしきい値を超えた場合、具体的には移動機構２１３，２２３，２３３に作用する負荷のいずれかが過度に増加した場合、図６の剥離処理を途中で停止する。これにより、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０が支持基板Ｓを被処理基板Ｗから過度な力で剥離させることはなく、よってたとえば重合基板Ｔに割れなどが生じるのを防止することができる。
【０１５９】
剥離装置５が剥離処理を終えると、第３搬送装置３３（図１参照）は、剥離後の支持基板Ｓを剥離装置５から受け取り、受け取った支持基板Ｓを第２洗浄ステーション２２（図１参照）の第２洗浄装置へ載置する。
【０１６０】
ここで、剥離後の支持基板Ｓは、第１吸着移動部２１０および第２吸着移動部２２０によって非接合面Ｓｎ側が保持された状態となっており、第３搬送装置３３は、支持基板Ｓの接合面Ｓｊ側を下方から非接触で保持する。このように、第２保持部１５０は、剥離後の支持基板Ｓを第３搬送装置３３へ受け渡す受渡部としても機能する。第１の実施形態では、第２吸着移動部２２０が支持基板Ｓの中央部付近を吸着することとしたため、剥離後の支持基板Ｓを安定して保持しておくことができる。
【０１６１】
また、第１搬送装置３１（図１参照）は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出して、第１洗浄ステーション１６へ搬送する。このとき、剥離後の被処理基板Ｗは、図７Ｉに示すように、洗浄すべき接合面Ｗｊが上面に位置した状態で、第１保持部１１０に保持されている。このため、第１搬送装置３１は、剥離後の被処理基板Ｗを剥離装置５から搬出した後、かかる被処理基板Ｗを反転させることなくそのまま第１洗浄ステーション１６へ搬送することができる。
【０１６２】
このように、剥離装置５では、第１保持部１１０が被処理基板Ｗを下方から保持し、第２保持部１５０が重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを上方から保持するため、剥離後の被処理基板Ｗを反転させる必要がなく、剥離処理を効率化させることができる。
【０１６３】
上述してきたように、第１の実施形態に係る剥離装置５は、第１保持部（保持部）１１０と、複数の吸着移動部２１０，２２０，２３０と、計測部（状態検知部）２４０，２５０と、制御装置（制御部）４０とを備える。第１保持部１１０は、被処理基板Ｗ（第１基板の一例）と支持基板Ｓ（第２基板の一例）とが接合された重合基板Ｔのうち被処理基板Ｗを保持する。複数の吸着移動部２１０，２２０，２３０は、重合基板Ｔのうち支持基板Ｓを吸着し、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる。計測部２４０，２５０は、支持基板Ｓの被処理基板Ｗからの剥離状態を検知する。制御装置４０は、計測部２４０，２５０によって検知された剥離状態に基づき、支持基板Ｓが支持基板Ｓの一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向けて被処理基板Ｗから徐々に剥離するように、吸着移動部２１０，２２０，２３０の動作タイミングを制御する。
【０１６４】
したがって、第１の実施形態に係る剥離装置５によれば、剥離処理の効率化を図ることができる。また、第１の実施形態に係る剥離装置５によれば、第２、第３吸着移動部２２０，２３０および支持基板Ｓに大きな負荷をかけることなく、重合基板Ｔを支持基板Ｓと被処理基板Ｗとに剥離することができる。さらに、重合基板Ｔを短時間で剥離することができる。
【０１６５】
また、第１の実施形態に係る剥離装置５では、剥離誘引部１９０が、鋭利部材１９１と、重合基板Ｔにおける一端Ｓ１側の側面のうち、支持基板Ｓにおける被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分である接着剤Ｇ寄りの側面に向けて鋭利部材１９１を移動させる移動機構１９２とを備える。また、鋭利部材１９１が被処理基板Ｗに接触して被処理基板Ｗが傷つく可能性も低下させることができる。
【０１６６】
ところで、状態検知部の構成は、第１の実施形態において示した構成に限定されない。たとえば、状態検知部は、図３Ｂに想像線で示すように、第１、第２吸着移動部２１０，２２０の移動量、正確には第１、第２吸着移動部２１０，２２０の吸着パッド２１１，２２１の移動量を検出する移動量検出部２６０，２７０であってもよい。移動量検出部２６０，２７０は、たとえばエンコーダである。すなわち、支持基板Ｓの剥離に伴って、第１、第２吸着移動部２１０，２２０の移動量が増加することを利用して、剥離状態を判定するようにした。
【０１６７】
この場合の制御装置４０は、第１吸着移動部２１０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、移動量検出部２６０で検出された吸着パッド２１１の移動量が増加してしきい値以上になった場合、一端Ｓ１側の周縁部と中央部寄りの領域との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。
【０１６８】
同様に、制御装置４０は、第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、移動量検出部２７０で検出された吸着パッド２２１の移動量が増加してしきい値以上になった場合、中央部寄りの領域と他端Ｓ２側の周縁部との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。
【０１６９】
また、状態検知部は、図３Ｂに想像線で示すように、支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる際に第１、第２吸着移動部２１０，２２０が支持基板Ｓから受ける負荷を検出する負荷検出部２８０，２９０であってもよい。負荷検出部２８０，２９０は、たとえばロードセルである。すなわち、支持基板Ｓの剥離に伴って、第１、第２吸着移動部２１０，２２０に作用する負荷が減少することを利用して、剥離状態を判定するようにした。
【０１７０】
この場合の制御装置４０は、第１吸着移動部２１０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、負荷検出部２８０で検出された負荷が減少してしきい値未満になった場合、一端Ｓ１側の周縁部と中央部寄りの領域との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。
【０１７１】
同様に、制御装置４０は、第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、負荷検出部２９０で検出された負荷が減少してしきい値未満になった場合、中央部寄りの領域と他端Ｓ２側の周縁部との間の所定位置まで支持基板Ｓが剥離されたと判定する。
【０１７２】
また、第２保持部の構成は、第１の実施形態において示した構成に限定されない。そこで、以下では、第２保持部の変形例について図８Ａ〜図８Ｃを参照して説明する。図８Ａ〜図８Ｃは、第２保持部の変形例を示す模式平面図である。
【０１７３】
上述した第１の実施形態では、第１吸着移動部が支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部を１箇所で吸着保持する場合の例を示したが、たとえば第１吸着移動部が周縁部を複数箇所で吸着保持するようにしてもよい。
【０１７４】
具体的には図８Ａに示すように、第１吸着移動部２１０の吸着パッド２１１Ａ，２１１Ｂ，２１１Ｃが支持基板Ｓの一端Ｓ１側の周縁部に沿って複数個（たとえば３個）配置される。このように、複数個の吸着パッド２１１Ａ，２１１Ｂ，２１１Ｃを用いて支持基板Ｓを吸着保持することで、支持基板Ｓの一端Ｓ１側を被処理基板Ｗから確実に剥離させることができる。
【０１７５】
また、図８Ａに示すように、第３吸着移動部を除去するようにしてもよい。これにより、第２保持部の構成を簡素化することができる。なお、図８Ａにおいて、第３吸着移動部を除去する場合を示したが、これはあくまでも例示であって第３吸着移動部を除去しなくてもよい。
【０１７６】
また、図８Ａでは、吸着パッド２１１Ａ，２１１Ｂ，２１１Ｃ，２２１の吸着面積が略同じとなるようにした。これにより、たとえば吸着パッドの部材を共通化することができる。なお、ここでは吸着パッド２１１Ａ，２１１Ｂ，２１１Ｃ，２２１の吸着面積が略同じとなる例を示したが、これに限定されるものではなく、互いの吸着面積が異なるようにしてもよい。
【０１７７】
また、上述した第１の実施形態では、第２吸着移動部が支持基板Ｓの中央部付近を複数箇所（２箇所）で吸着保持する場合の例を示したが、第２吸着移動部が吸着保持する領域は、支持基板Ｓの中央部のみであってもよい。
【０１７８】
具体的には図８Ｂに示すように、吸着パッド２２１Ａが支持基板Ｓの中心部に配置され、中心部を吸着することとしてもよい。これにより、第２保持部の構成を簡素化することができる。
【０１７９】
また、第２保持部は、複数の第２吸着移動部を一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かう方向（Ｙ軸方向）と平行に直線状に並べ、さらに一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かうにつれて吸着保持される領域が徐々に大きくなるようにしてもよい。
【０１８０】
たとえば、図８Ｃに示すように、第２保持部は、支持基板Ｓの中心部に配置される吸着パッド２２１Ａと、吸着パッド２２１Ａと吸着パッド２１１との間に配置される吸着パッド２２１Ｂとを備える。また、吸着パッド２１１，２２１Ｂ，２２１Ａ，２３１Ａは、一端Ｓ１から他端Ｓ２に向かうにつれて吸着面積が大きくなる。
【０１８１】
これにより、支持基板Ｓの剥離が進むにつれて、支持基板Ｓは吸着面積の大きい吸着パッドによって吸着保持されるため、支持基板Ｓを効率良く剥離できるとともに、剥離された支持基板Ｓを第２保持部で確実に保持することができる。なお、第２保持部の構成は、上記した例に限定されるものではなく、たとえば第３吸着移動部２３０を除去して剥離システム１の簡素化を図るようにしてもよい。
【０１８２】
また、第１の実施形態に係る剥離装置５がさらに、支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊの全てが被処理基板Ｗから剥がれて剥離が完了したことを検知する剥離完了検知部を備えるようにしてもよい。以下では、第１の実施形態に係る剥離装置５のさらなる変形例について説明する。
【０１８３】
図９は、第１の実施形態に係る剥離装置５の変形例において、支持基板Ｓ、第１吸着移動部２１０の吸着パッド２１１、第２吸着移動部２２０の吸着パッド２２１、第３吸着移動部２３０の吸着パッド２３１、および剥離完了検知部３００の位置関係を示す模式平面図である。
【０１８４】
剥離完了検知部３００は、たとえば光電センサである。図９に示すように、剥離完了検知部３００は、具体的には、支持基板Ｓの一端Ｓ１付近に配置され、一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かう方向と平行な方向に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分（たとえば接着剤Ｇ）に向けて光を投光する投光部（剥離完了検知用投光部）３００ａを備える。また、剥離完了検知部３００は、重合基板Ｔを挟んで投光部３００ａと反対側、すなわち他端Ｓ２付近に配置され、投光部３００ａからの光を受光する受光部（剥離完了検知用受光部）３００ｂを備える。なお、図９においては、上記した光を破線で示した。
【０１８５】
詳しくは、支持基板Ｓの被処理基板Ｗとの接合面Ｓｊの全てが被処理基板Ｗから剥がれて剥離が完了すると、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの間には間隙が形成される。受光部３００ｂは、その間隙が形成された場合に、投光部３００ａからの光を受光するような位置に配置される。そして、受光部３００ｂは、光を受光した場合、受光したことを示す信号を制御装置４０に送信する。
【０１８６】
これにより、制御装置４０は、剥離完了検知部３００の検知結果に基づき、支持基板Ｓの剥離が完了したか否かを判定することができる。すなわち、制御装置４０は、受光部３００ｂで光が受光されない場合には支持基板Ｓの剥離が完了していないと判定する一方、光が受光された場合には支持基板Ｓの剥離が完了したと判定する。なお、投光部３００ａおよび受光部３００ｂの配置は、図示の例に限定されるものではなく、たとえば投光部３００ａが他端Ｓ２付近に、受光部３００ｂが一端Ｓ１付近に配置してもよい。
【０１８７】
上記のように構成したことから、剥離装置５にあっては、剥離処理によって支持基板Ｓの剥離が完了したことを容易に、かつ簡易な構成で判定することができる。なお、剥離完了検知部３００の構成は、上記に限定されるものではない。
【０１８８】
すなわち、図９に想像線で示すように、たとえば支持基板Ｓにおいて最後に被処理基板Ｗから剥離される他端Ｓ２の被処理基板Ｗとの接合部分に、Ｘ軸方向と平行な光が通過するように、投光部３００ａおよび受光部３００ｂを配置してもよい。このように構成した場合であっても、制御装置４０は、受光部３００ｂで光が受光された場合、支持基板Ｓの他端Ｓ２が被処理基板Ｗから剥離したことを意味するため、支持基板Ｓの剥離が完了したと判定することができる。
【０１８９】
また、支持基板Ｓにおける剥離の完了は、上記した計測部２５０によって計測される距離ｄ２からも検知することが可能である。具体的に制御装置４０は、たとえば第３吸着移動部２３０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させた後、距離ｄ２がしきい値Ｄ３以上となった場合に、支持基板Ｓの剥離が完了したと判定してもよい。なお、しきい値Ｄ３は、前述したしきい値Ｄ２よりも大きい値に設定される。
【０１９０】
さらに、剥離装置５の制御装置４０は、剥離完了検知部３００の検知結果に基づいて、たとえば剥離処理が行われている第２保持部１５０の動作を制御するようにしてもよい。すなわち、剥離処理において、たとえば第３吸着移動部２３０が支持基板Ｓを吸着保持する前に、支持基板Ｓの剥離が完了した場合、その後第３吸着移動部２３０で支持基板Ｓを吸着保持しなくてもよい。
【０１９１】
そこで、剥離装置５の制御装置４０は、支持基板Ｓの剥離が完了したと判定した場合、残りの吸着移動部、具体的には吸着前の吸着移動部による支持基板Ｓの吸着保持を中断して剥離処理を終了するように構成してもよい。
【０１９２】
図１０は、その剥離完了検知部３００の検知結果に基づいた剥離処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、図１０の処理は、剥離装置５の制御装置４０によって、上記した図６のフローチャートの処理と並行して実行される。
【０１９３】
まず、剥離装置５は、第１〜第３吸着移動部２１０，２２０，２３０の全てを支持基板Ｓに吸着させて被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる前に、具体的には図６のステップＳ１１３の処理前に、剥離完了検知部３００の検知結果に基づき、支持基板Ｓの剥離が完了したか否かを判定する（ステップＳ２０１）。
【０１９４】
剥離装置５は、支持基板Ｓの剥離が完了していないと判定した場合（ステップＳ２０１，Ｎｏ）、ステップＳ２０１の処理を繰り返す。一方、剥離装置５は、支持基板Ｓの剥離が完了したと判定した場合（ステップＳ２０１，Ｙｅｓ）、残りの吸着移動部を支持基板Ｓに吸着させて被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる処理を中断して支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離する処理を終了する（ステップＳ２０２）。Ｓ２０２では、たとえば図６のＳ１１１以降の処理が実行される前に剥離が完了した場合、第３吸着移動部２３０を支持基板Ｓに吸着させて被処理基板Ｗの板面から離す方向へ移動させる処理（図６のステップＳ１１１以降の処理）を中断して支持基板Ｓを被処理基板Ｗから剥離する処理を終了する。
【０１９５】
これにより、たとえば第３吸着移動部２３０の動作前に、支持基板Ｓの剥離が完了した場合、第３吸着移動部２３０は動作されないことから、剥離処理に要する時間を短縮させることができる。
【０１９６】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る剥離システム１において、支持基板Ｓ、第１吸着移動部２１０の吸着パッド２１１、第２吸着移動部２２０の吸着パッド２２１、第３吸着移動部２３０の吸着パッド２３１、および状態検知部３１０，３２０の位置関係を示す模式平面図である。なお、以下においては、第１の実施形態と共通の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
【０１９７】
第１の実施形態との相違点に焦点をおいて説明すると、第２の実施形態に係る剥離システム１においては、支持基板Ｓの被処理基板Ｗからの剥離状態を検知する状態検知部３１０，３２０の構成が、第１の実施形態のそれと異なる。
【０１９８】
具体的に状態検知部３１０，３２０は、たとえば光電センサである。図１１に示すように、状態検知部３１０，３２０はともに、一端Ｓ１から他端Ｓ２へ向かう方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）に、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとの接合部分に向けて光を投光する投光部３１０ａ，３２０ａを備える。また、状態検知部３１０，３２０はともに、重合基板Ｔを挟んで投光部３１０ａ，３２０ａと反対側に配置され、投光部３１０ａ，３２０ａからの光を受光する受光部３１０ｂ，３２０ｂを備える。
【０１９９】
そして、状態検知部３１０にあっては、支持基板Ｓにおいて第２吸着移動部２２０の吸着パッド２２１に吸引される領域の被処理基板Ｗとの接合部分に、Ｘ軸方向と平行な光が通過するように、投光部３１０ａと受光部３１０ｂとが配置される。
【０２００】
また、状態検知部３２０にあっては、支持基板Ｓにおいて第３吸着移動部２３０の吸着パッド２３１に吸引される領域の被処理基板Ｗとの接合部分に、Ｘ軸方向と平行な光が通過するように、投光部３２０ａと受光部３２０ｂとが配置される。上記のように配置された受光部３１０ｂ，３２０ｂは、光を受光した場合、受光したことを示す信号を制御装置４０に送信する。
【０２０１】
これにより、制御装置４０は、状態検知部３１０，３２０の検知結果に基づいて、支持基板Ｓの剥離状態を判定することができる。すなわち、制御装置４０は、たとえば第１吸着移動部２１０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、状態検知部３１０の受光部３１０ｂで光を受光した場合、支持基板Ｓの第２吸着移動部２２０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。
【０２０２】
また、制御装置４０は、たとえば第２吸着移動部２２０で支持基板Ｓを被処理基板Ｗから離れる方向に移動させた後、状態検知部３２０の受光部３２０ｂで光を受光した場合、支持基板Ｓの第３吸着移動部２３０によって吸着される領域が被処理基板Ｗから剥離されたと判定する。
【０２０３】
このように、状態検知部３１０，３２０を上記のように構成したことから、剥離システム１は、支持基板Ｓと被処理基板Ｗとの剥離状態を容易に、かつ簡易な構成で判定することができる。なお、残余の構成および効果は、第１の実施形態と同一であるので、説明を省略する。
【０２０４】
（その他の実施形態）
上述してきた各実施形態では、剥離対象となる重合基板が、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとが接着剤Ｇによって接合された重合基板Ｔである場合の例について説明した。しかし、剥離装置の剥離対象となる重合基板は、この重合基板Ｔに限定されない。たとえば、上述してきた各実施形態の剥離装置では、ＳＯＩ基板を生成するために、絶縁膜が形成されたドナー基板と被処理基板とが張り合わされた重合基板を剥離対象とすることも可能である。
【０２０５】
ここで、ＳＯＩ基板の製造方法について図１２Ａおよび図１２Ｂを参照して説明する。図１２Ａおよび図１２Ｂは、ＳＯＩ基板の製造工程を示す模式図である。図１２Ａに示すように、ＳＯＩ基板を形成するための重合基板Ｔａは、ドナー基板Ｋとハンドル基板Ｈとを接合することによって形成される。
【０２０６】
ドナー基板Ｋは、表面に絶縁膜６が形成されるとともに、ハンドル基板Ｈと接合する方の表面近傍の所定深さに水素イオン注入層７が形成された基板である。また、ハンドル基板Ｈとしては、たとえばシリコンウェハ、ガラス基板、サファイア基板等を用いることができる。
【０２０７】
上述してきた各実施形態に係る剥離装置では、たとえば、第１保持部でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部でハンドル基板Ｈを保持した状態で、重合基板Ｔａの周縁部を引っ張ることで、ドナー基板Ｋに形成された水素イオン注入層７に対して機械的衝撃を与える。これにより、図１２Ｂに示すように、水素イオン注入層７内のシリコン−シリコン結合が切断され、ドナー基板Ｋからシリコン層８が剥離する。その結果、ハンドル基板Ｈの上面に絶縁膜６とシリコン層８とが転写され、ＳＯＩ基板Ｗａが形成される。なお、第１保持部でドナー基板Ｋを保持し、第２保持部でハンドル基板Ｈを保持することが好適であるが、第１保持部でハンドル基板Ｈを保持し、第２保持部でドナー基板Ｋを保持してもよい。
【０２０８】
なお、上述した実施形態では、被処理基板Ｗと支持基板Ｓとを接着剤Ｇを用いて接合する場合の例について説明したが、接合面Ｗｊ，Ｓｊを複数の領域に分け、領域ごとに異なる接着力の接着剤を塗布してもよい。
【０２０９】
また、上述した実施形態では、重合基板Ｔが、ダイシングフレームＦに保持される場合の例について説明したが、重合基板Ｔは、必ずしもダイシングフレームＦに保持されることを要しない。
【０２１０】
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【０２１１】
１  剥離システム
５  剥離装置
４０  制御装置
１１０  第１保持部
１２０  フレーム保持部
１４０  回転昇降機構
１５０  第２保持部
１７０  位置決め部
１８０  押し下げ部
１９０  剥離誘引部
２００  位置調整部
２１０  第１吸着移動部
２１１  吸着パッド
２２０  第２吸着移動部
２２１  吸着パッド
２３０  第３吸着移動部
２３１  吸着パッド
２４０，２５０  計測部
２６０，２７０  移動量検出部
２８０，２９０  負荷検出部
３００  剥離完了検知部
３１０，３２０  状態検知部
Ｆ  ダイシングフレーム
Ｐ  ダイシングテープ
Ｓ  支持基板
Ｔ  重合基板
Ｗ  被処理基板
【図１Ａ】
2014175420.tif 000003
【図１Ｂ】
2014175420.tif 000004
【図２Ａ】
2014175420.tif 000005
【図２Ｂ】
2014175420.tif 000006
【図２Ｃ】
2014175420.tif 000007
【図３Ａ】
2014175420.tif 000008
【図３Ｂ】
2014175420.tif 000009
【図４Ａ】
2014175420.tif 000010
【図４Ｂ】
2014175420.tif 000011
【図４Ｃ】
2014175420.tif 000012
【図５】
2014175420.tif 000013
【図６】
2014175420.tif 000014
【図７Ａ】
2014175420.tif 000015
【図７Ｂ】
2014175420.tif 000016
【図７Ｃ】
2014175420.tif 000017
【図７Ｄ】
2014175420.tif 000018
【図７Ｅ】
2014175420.tif 000019
【図７Ｆ】
2014175420.tif 000020
【図７Ｇ】
2014175420.tif 000021
【図７Ｈ】
2014175420.tif 000022
【図７Ｉ】
2014175420.tif 000023
【図８Ａ】
2014175420.tif 000024
【図８Ｂ】
2014175420.tif 000025
【図８Ｃ】
2014175420.tif 000026
【図９】
2014175420.tif 000027
【図１０】
2014175420.tif 000028
【図１１】
2014175420.tif 000029
【図１２Ａ】
2014175420.tif 000030
【図１２Ｂ】
2014175420.tif 000031