(57)【要約】【課題】  基材に存在する傷が蒸着法等で導電層を成膜しても傷は埋まることなく導電層に不連続を部分が生じ、これを跨ぐようにサブトラクティブ法で配線回路を形成すると回路断線の不具合になりやすい。高コストな保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体の製造方法を提供する。【解決手段】  基材と導電層とを有する積層体であって、基材が凹み（以下、基材の凹みを、単に凹み（基材）という）を有し、導電層が凹み（以下、導電層の凹みを、単に凹み（導電層）という）を有し、凹み（導電層）は、凹み（基材）の側面および底面に導電層を設けることで形成されたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と導電層とを有する積層体であって、
基材が凹み（以下、基材の凹みを、単に凹み（基材）という）を有し、
導電層が凹み（以下、導電層の凹みを、単に凹み（導電層）という）を有し、
凹み（導電層）は、凹み（基材）の側面および底面に導電層を設けることで形成されたものであることを特徴とする、積層体。
【請求項２】
凹み（基材）の側面に設けられた導電層（凹み（導電層）の側面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであり、
凹み（基材）の底面に設けられた導電層（凹み（導電層）の底面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
凹み（基材）について、深さが０．１〜１０μｍであり、幅が０．３〜１０μｍであり、長さが０．３μｍ以上であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
前記積層体の導電層の表面抵抗率が０．００５Ω／ｓｑ．以上３，０００Ω／ｓｑ．以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の積層体。
【請求項５】
前記積層体の導電層の主成分が金属であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の積層体。
【請求項６】
前記金属の主成分が銅であることを特徴とする請求項５に記載の積層体。
【請求項７】
基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体であって、
前記密着層が、チタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を主成分とすることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の積層体。
【請求項８】
基材、導電層をこの順に有する積層体であって、導電層がパターン状であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の積層体。
【請求項９】
基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体であって、密着層と導電層がパターン状であることを特徴とする請求項７に記載の積層体。
【請求項１０】
基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、少なくとも
系の圧力が０．１Ｐａ以上５０Ｐａ以下であるドライコート工程Ａ（以下、工程Ａとする）と
系の圧力が１×１０−５Ｐａ以上５×１０−２Ｐａ以下であるドライコート工程Ｂ（以下、工程Ｂとする）の２工程以上から成ることを特徴とする、積層体の製造方法。
【請求項１１】
基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、導電層の厚みを１００％としたときに、前記工程Ａで成膜した層の厚みが３０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの０．１％以上２０％以下であり、かつ、工程Ｂで成膜した層の厚みが２４０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの８０％以上９９．９％以下であることを特徴とする請求項１０に記載の積層体の製造方法。
【請求項１２】
基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体の製造方法であって、前記密着層がチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を主成分とし、
前記密着層がスパッタリング法によって形成（以下、工程Ｘという）された層であり、導電層の主成分がチタン、ニッケル、及びクロム以外の金属であり、工程Ａおよび工程Ｂよりも工程Ｘが先に実施されることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はサブトラクティブ方式で作製する回路基板の材料として好適に用いることができる積層体とその製造方法に関する。特に可撓性の基板上に線幅３０μｍ以下の回路を形成する際の材料となる積層体とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造において、絶縁基板上に導電層が形成された積層体が材料として用いられる。
【０００３】
該積層体の作製方法としては、金属箔などの導電体と絶縁基板を接着剤で貼り合わせる３層タイプと、接着剤を介さずに絶縁基板上にスパッタリング法など良好な密着強度が得られやすい方法で直接導電層を形成しその後必要に応じて電解めっきで導電層を増膜する２層タイプが知られている（特許文献１）。３層タイプは導電箔の厚みが限定される（例えば該導電体が銅の場合、キャリア付の特殊品を除くと容易に入手できるのは９〜３５μｍ）ことがあるのに対し、２層タイプではより広い範囲の導電膜厚みから選択できるので導電層厚みが０．５〜１０μｍというような薄めの需要に対して好適である。
【０００４】
導電層厚みが薄いと、サブトラクティブ法で回路形成をする際の加工速度が速くできたり、線幅１０μｍ以下のような高精度加工ができたり、耐屈曲性に優れたりする利点がある。また、エッチングされた部分とエッチングされていない部分の段差が小さいために配線回路形成後、粘着材を介して他の基材と貼り合わせるときに気泡を噛み込みにくい利点もある。
【０００５】
２層タイプの配線回路基板用の積層体を得る別の方法として、スパッタリング法で密着強度の得られやすい金属を成膜した後に蒸着法で導電性の優れる金属を成膜する方法がある（特許文献２）。蒸着法は、電解めっきのようなウェットコート法ではなくドライコート法であるため、同じくドライコート法であるスパッタリング法と加工速度や圧力条件が近く、一度の巻き出しで連続加工するいわゆる「ワンパス」化して生産性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１６３６５４号公報
【特許文献２】特開２００７−２４５６４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１や２に記載の積層体は、基材の凹み（以下、基材の凹みを、単に凹み（基材）という）が原因となり、後に形成する配線回路が断線することがある。すなわち、例えば搬送や異物噛み込み等で発生する凹み（基材）が蒸着法等で導電層を成膜しても埋まることなく導電層に不連続な部分が生じ、これを跨ぐようにサブトラクティブ法で配線回路を形成すると回路断線の不具合になりやすい。
【０００８】
本課題を解決する方法として、導電層成膜直前まで基材上に保護フィルムを配し基材に傷が生じないようにすることが考えられるが、保護フィルムのコストがかかり、導電層成膜装置内での保護フィルムの巻き取り機構が必要となるため好ましくない。
【０００９】
また、基材に傷が生じた後に湿式塗布にてシリカ成分等から成るハードコート層を設け、傷を埋め、かつその後の搬送では傷つかないようにすることもできるが、湿式塗布の分だけコストが上がり好ましくない。
【００１０】
また、配線回路を形成する方法がサブトラクティブ法ではなく、セミアディティブ法であれば湿式めっきで傷の両側の導電膜が成長して傷をなくすことができるが、サブトラクティブ法のときよりも工程が煩雑になり、めっき設備も必要になってしまう。
【００１１】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、基材に傷があっても、高コストな保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の積層体は以下の構成をとる。
（１）  基材と導電層とを有する積層体であって、
基材が凹み（以下、基材の凹みを、単に凹み（基材）という）を有し、
導電層が凹み（以下、導電層の凹みを、単に凹み（導電層）という）を有し、
凹み（導電層）は、凹み（基材）の側面および底面に導電層を設けることで形成されたものであることを特徴とする、積層体。
（２）  凹み（基材）の側面に設けられた導電層（凹み（導電層）の側面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであり、
凹み（基材）の底面に設けられた導電層（凹み（導電層）の底面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであることを特徴とする、（１）に記載の積層体。
（３）  凹み（基材）について、深さが０．１〜１０μｍであり、幅が０．３〜１０μｍであり、長さが０．３μｍ以上であることを特徴とする、（１）又は（２）に記載の積層体。
（４）  前記積層体の導電層の表面抵抗率が０．００５Ω／ｓｑ．以上３，０００Ω／ｓｑ．以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の積層体。
（５）  前記積層体の導電層の主成分が金属であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の積層体。
（６）  前記金属の主成分が銅であることを特徴とする（５）に記載の積層体。
（７）  基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体であって、
前記密着層が、チタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を主成分とすることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の積層体。
（８）  基材、導電層をこの順に有する積層体であって、導電層がパターン状であることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の積層体。
（９）  基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体であって、密着層と導電層がパターン状であることを特徴とする（７）に記載の積層体。
（１０）  基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、少なくとも
系の圧力が０．１Ｐａ以上５０Ｐａ以下であるドライコート工程Ａ（以下、工程Ａとする）と
系の圧力が１×１０−５Ｐａ以上５×１０−２Ｐａ以下であるドライコート工程Ｂ（以下、工程Ｂとする）の２工程以上から成ることを特徴とする、積層体の製造方法。
（１１）  基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、導電層の厚みを１００％としたときに、前記工程Ａで成膜した層の厚みが３０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの０．１％以上２０％以下であり、かつ、工程Ｂで成膜した層の厚みが２４０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの８０％以上９９．９％以下であることを特徴とする（１０）に記載の積層体の製造方法。
（１２）  基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体の製造方法であって、前記密着層がチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を主成分とし、
前記密着層がスパッタリング法によって形成（以下、工程Ｘという）された層であり、導電層の主成分がチタン、ニッケル、及びクロム以外の金属であり、工程Ａおよび工程Ｂよりも工程Ｘが先に実施されることを特徴とする（１０）又は（１１）に記載の積層体の製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、以下に説明するとおり、基材に傷があっても、保護フィルムや湿式ハードコート層を用いることなく、サブトラクティブ法で配線回路形成をしても基材傷による断線を生じにくい積層体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の積層体の一例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の積層体の製造方法の一例を示す断面模式図である。
【図３】従来の技術の積層体とその製造方法を示す断面模式図である。
【図４】従来の技術の積層体とその製造方法を示す断面模式図である。
【図５】本発明の積層体の製造方法の別の一例を示す断面模式図である。
【図６】本発明の凹み（基材）の幅、深さを示す断面模式図である。
【図７】本発明の凹み（基材）の長さを示す斜視模式図である。
【図８】本発明の凹み（基材）の側面の導電層厚さ、および底面の導電層厚さを示す断面模式図である。
【図９】評価パターンの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の積層体は、基材と導電層とを有する。本発明により得られる積層体は、基材と導電層とをこの順に有しさえすれば、層間に他の層が介在してもよい。例えば、後述するように、基材、密着層、導電層をこの順に有する構成とすることも可能である。
【００１６】
本発明の積層体を構成する基材は、樹脂フィルム、セラミックス板など、種々の基材を用いることができる。基材は、自身の製造時や加工途中の搬送中に、その表面に深さサブミクロンから数ミクロンの凹み（基材）が生じることがある。凹み（基材）発生のメカニズムは様々であるが、例えば搬送ロール上に突起が存在して擦れたり、数ミクロンの大きさの塵が基材上に乗りその上から搬送ロールで押さえつけたりすることで生じる。凹み（基材）の発生は搬送機構の精密化やクリーニング強化によって軽減できるものの完全に除去することは困難であり、また軽減するための搬送機構の精密化やクリーニング強化によってコストが上昇してしまう問題がある。しかしながら本発明の製造方法をもってすれば、上記の傷が基材に存在しても、サブトラクティブ法で配線回路を形成するときに断線を生じる可能性が低い積層体を提供することができる。詳細を以下に説明する。
【００１７】
本発明の積層体は、基材と導電層とを有する積層体であって、基材が凹み（＝凹み（基材））を有し、導電層が凹み（＝凹み（導電層））を有し、凹み（導電層）は、凹み（基材）の側面及び底面に導電層を設けることで形成されたものであることを特徴とする。
【００１８】
凹み（基材）の側面に設けられた導電層（凹み（導電層）の側面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであることが好ましい。この導電層の厚みが０．０１μｍよりも薄いと配線回路が凹み（基材）を跨ぐ時に十分な導電性を確保できない場合がある。一方、５μｍより厚く形成するとコストの観点から好ましくない場合がある。
【００１９】
凹み（基材）の底面に設けられた導電層（凹み（導電層）の底面の導電層）は、厚み０．０１〜５μｍであることが好ましい。この導電層の厚みが０．０１μｍよりも薄いと配線回路が凹み（基材）を跨ぐ時に十分な導電性を確保できない場合がある。一方、５μｍより厚く形成するとコストの観点から好ましくない場合がある。
【００２０】
前述の通り、凹み（基材）は自身の製造時や加工途中などに発生する。深さが０．１μｍよりも小さい凹み（基材）は、導電層形成の過程で導電層により埋まることが多いため断線の問題を生じにくい。また、凹み（基材）の長さや幅が０．３μｍに満たない場合も通常サブトラクティブ法によって形成する線幅（１μｍ以上）よりも十分に短いために配線断線の問題を生じにくい。深さや幅が１０μｍよりも大きな凹み（基材）は、発生原因の特定が困難でないことが多く設備上の工夫で凹み（基材）の発生を抑制することが好ましい。
【００２１】
本発明の積層体の導電層の表面抵抗率は０．００５Ω／ｓｑ．以上３，０００Ω／ｓｑ．以下であることが好ましい。表面抵抗率が０．００５Ω／ｓｑ．で十分低抵抗であり、これより低くなると導電層が厚くなりすぎ、コストの点で不利となる場合がある。表面抵抗率が３，０００Ω／ｓｑ．よりも高くなるとパターニング後の線幅によっては十分な導電性を確保できないことがある。
【００２２】
本発明の導電層は、厚さが０．３μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。導電層の厚さが０．３μｍ未満では、基材の傷の側面や底面に成膜する導電層の膜厚が薄くて、傷を跨いだ配線の導電性が不足する場合がある。導電層の厚さが１０μｍより厚くなると、配線の耐屈曲性が弱くなることがあり、その後の工程で粘着剤を介してカバー基材と貼りあわせる際に気泡が生じやすくなる問題が起こることがある。
【００２３】
本発明の積層体の導電層には、主成分として銅や銀に代表される金属や、ＩＴＯやＡＺＯに代表される金属酸化物、グラファイトに代表される炭素などを用いることができる。本発明でいう導電層の主成分とは、導電層の全体１００原子％において、原子数基準で最も多く含まれる材料を意味する（積層体を切断し、断面をＳＴＥＭ−ＥＤＸで分析することができる）。低抵抗が得られやすい点で導電層の主成分が金属であることが好ましく、コストと導電性のバランスから銅がより好ましい。また銅は、銀と比べてマイグレーションを起こしにくい利点がある。
【００２４】
本発明の積層体は、基材と導電層の間にチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの材料を主成分であることを特徴とする密着層を設置してもよい。密着層を配することで導電層と基材との密着性が向上し、後工程で細線（線幅５μｍ以下）をサブトラクティブ法で形成する場合の導電層剥がれによる断線を低減することができる。なお、密着層の厚みは、後述するとおり０．５ｎｍ以上であることが好ましい。
【００２５】
そして積層体が密着層を有する場合には、導電層の主成分が、チタン、ニッケル、及びクロム以外の金属であることが好ましい（導電層が、密着層には該当しえない元素であることが好ましい）。
【００２６】
本発明の積層体は導電層がパターン状に形成されていてもよい。パターニングすることで回路として機能する。パターニングの方法の一つとしては基材の全面に導電層を成膜した後にフォトリソ法によりパターンを形成、エッチングによって不要部を除去する方法（すなわちサブトラクティブ法）を挙げることができる。積層体が密着層を有する場合には、密着層と導電層がともにパターン状に形成されていた方が好ましい。密着層と導電層は必ずしも同形にパターニングされている必要はないが、密着層はチタン、ニッケル、およびクロムが主成分であり、導電性を有することが多いため、密着層と導電層のいずれか一方でもパターニングされずに基材の全面に配される（いわゆるベタ膜状）と短絡の懸念がある場合がある。
【００２７】
本発明の積層体の製造方法は、
基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、少なくとも
系の圧力が０．１Ｐａ以上５０Ｐａ以下であるドライコート工程Ａ（以下、工程Ａとする）と
系の圧力が１×１０−５Ｐａ以上５×１０−２Ｐａ以下であるドライコート工程Ｂ（以下、工程Ｂとする）の２工程以上から成ることを特徴とする。なお、図５は本発明における積層体の製造方法を説明する概念図である。（Ａ）乃至（Ｄ）は製造工程の順を示す。
【００２８】
本発明でいうドライコート工程とは、減圧条件下で気相あるいは溶融状態で膜を形成する工程のことで、例えば真空蒸着法やスパッタリング法、イオンプレーティング法に代表される物理気相成長法や化学気相成長法（ＣＶＤ法）などが挙げられる。２種類の系の圧力を使い分けることによって成膜中に導電層を形成する材料粒子の平均自由行程を制御し、凹み（基材）の側面あるいは底面のいずれかに優先的に着膜させることができる。すなわち凹み（基材）の側面および底面の両方に導電層を設けることができる。
【００２９】
工程Ａのドライコートにはスパッタリング法やＣＶＤ法が０．１Ｐａ以上５０Ｐａ以下の圧力域に好適である。工程Ａの圧力においては導電層を形成する材料粒子の平均自由行程が短く（温度や気体の直径にも依存するが、例えばアルゴンガスで２０℃環境であれば１３０μｍ〜１３０ｍｍ程度）、材料粒子自身や雰囲気ガスと衝突をしながら様々な角度から基材に入射し、堆積し、膜化する。よって凹み（基材）の側面の方が底面よりも多く着膜する。
【００３０】
また、本発明の積層体の製造方法は、
導電層の厚みを１００％としたときに、前記工程Ａで成膜した層の厚みが３０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの０．１％以上２０％以下であり、かつ、工程Ｂで成膜した層の厚みが２４０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの８０％以上９９．９％以下であることを特徴とする。
【００３１】
工程Ａによる成膜厚みが３０ｎｍ未満の場合や導電層厚みの０．１％未満の場合は凹み（基材）の側面の導電層が薄すぎて導電機能を十分に果たせないことがある。工程Ａによって導電層厚みの２０％を超えて成膜すると、相対的に工程Ｂによる成膜が少なくなり凹み（基材）の底面が薄くなって十分な導電性を得られないことがある。また、一般的に平均自由行程が短い場合は材料粒子が拡散して被着膜物（基材）以外にも着膜する割合が多くなり材料の使用効率が低い場合がある。材料効率の高い工程Ｂで多く着膜させる方がより好適である。
【００３２】
工程Ａは一度で実施する必要はなく、複数回に分けて実施してもよい。その場合、本発明で好適な厚み範囲は、工程Ａで成膜した層の厚みの合計が３０ｎｍ以上でかつ導電層の厚みの０．１％以上２０％以下である。
【００３３】
工程Ｂのドライコートには真空蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法（特にセルフスパッタ法）などが１×１０−５Ｐａ以上５×１０−２Ｐａ以下の圧力域に対して好適である。工程Ｂの圧力においては導電層を形成する材料粒子の平均自由行程が長く（アルゴンガスで２０℃環境であれば１３０ｍｍ以上）、材料粒子自身や雰囲気ガスとほとんど衝突することなく、主に基材に対して垂直方向に入射し、堆積し、膜化する。よって凹み（基材）の底面の方が側面よりも多く着膜する。
【００３４】
工程Ｂによる成膜厚みが２４０ｎｍ未満の場合や導電層厚みの８０％未満の場合は凹み（基材）の底面の導電層が薄すぎて導電機能を十分に果たせないことがある。工程Ｂによって導電層厚みの９９．９％を超えて成膜すると、相対的に工程Ａによる成膜が少なくなり凹み（基材）の側面が薄くなって十分な導電性を得られないことがある。
【００３５】
工程Ａと工程Ｂはそれぞれ少なくとも１度ずつ実施すればよく、どちらが先でも構わない。また工程Ａ、工程Ｂ、工程Ａ、工程Ｂのように何度も繰り返しても構わないし、工程Ａとも工程Ｂとも異なる工程を入れても構わない。
【００３６】
工程Ａと工程Ｂで必ずしも同じ材料を成膜する必要はないが、同じ材料を成膜した方が密着性を得るためにはより好ましい。
【００３７】
本発明の積層体が基材と導電層の間にチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの材料からなる密着層を有する場合の製造方法は、
基材、密着層、導電層をこの順に有する積層体の製造方法であって、前記密着層がチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を主成分とし、
前記密着層がスパッタリング法によって形成（以下、工程Ｘという）された層であり、導電層の主成分がチタン、ニッケル、及びクロム以外の金属であり、工程Ａおよび工程Ｂよりも工程Ｘが先に実施されることを特徴とする。密着層を密着強度が得やすいスパッタリング法で導電層を形成する前に成膜することで導電層と基材との密着性が向上し、後工程で細線（線幅５μｍ以下）をサブトラクティブ法で形成する場合の導電層剥がれによる断線を低減することができる。なお、図２は本発明における密着層を有する積層体の製造方法を説明する概念図である。（Ａ）乃至（Ｄ）は製造工程の順を示す。
【００３８】
本発明の積層体は基材と導電層とを有し、基材が凹み（凹み（基材））を有し、導電層が凹み（凹み（導電層））を有している。凹み（導電層）は、凹み（基材）の側面および底面に導電層を形成されている。
【００３９】
基材は、樹脂フィルム、セラミックス板などを用いることができる。樹脂フィルムはロール状での入手が容易であるためロールトゥロールでの加工ができ、生産性に優れる。セラミックス板は樹脂フィルムに比べて熱膨張が小さいため複数の基板を積層して使用するときなど位置精度が要求される用途に好適である。
【００４０】
基材として樹脂フィルムを用いる場合、樹脂フィルムを構成する樹脂として、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアラミド、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロピレンなどが挙げられる。
【００４１】
また基材としてセラミックス板を用いる場合、例えばアルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、炭化アルミニウム、ジルコニア、石英、ホウケイ酸ガラス、青板ガラス、白板ガラスなどが挙げられる。
【００４２】
形成した回路の短絡を防止するため、基材の表面は絶縁性を有することが好ましく、もし基材の素材が絶縁性でない場合は、例えば表面酸化処理等で表面絶縁性を付与することが好ましい。基材の厚みは特に限定されるものではないが、好ましくは１μｍ以上５，０００μｍ以下であり、より好ましくは１０μｍ以上５００μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以上２５０μｍ以下である。基材が薄すぎるとハンドリングが困難となることがあり、厚すぎると電子機器内で回路基板の占める体積が大きくなり機器の小型化が難しくなることがある。
【００４３】
基材が透明性を有していると電磁波シールドフィルムやタッチパネル用透明導電性フィルム、透明ヒーターなどに適用できるため好ましい。本発明で基材が透明性を有するとは、基材の全光線透過率が２０％以上であることを意味し、好ましくは５０％以上である。
【００４４】
基材には、凹み（基材）が存在することがある。凹み（基材）のサイズは、幅、深さがサブミクロン乃至数ミクロンであることが多い。本発明で注目している凹み（基材）のサイズは深さが０．１〜１０μｍであり、幅が０．３〜１０μｍであり、長さが０．３μｍ以上のものである。深さが０．１μｍよりも小さい凹み（基材）は、導電層形成の過程で導電層により埋まることが多いため断線の問題を生じにくい。また、凹み（基材）の長さや幅が０．３μｍに満たない場合も通常サブトラクティブ法によって形成する線幅（１μｍ以上）よりも十分に短いために配線断線の問題を生じにくい。深さや幅が１０μｍよりも大きな凹み（基材）は、発生原因の特定が困難でないことが多く設備上の工夫で凹み（基材）の発生を抑制することが好ましい。
【００４５】
本発明で注目しているサイズの凹み（導電層）において、凹み（導電層）の側面の導電層は、厚み０．０１〜５μｍであり、凹み（基材）の底面の導電層は、厚み０．０１〜５μｍであることが好ましい。この導電層の厚みが０．０１μｍよりも薄いと配線回路が凹み（基材）を跨ぐ時に十分な導電性を確保できない場合がある。この導電層の厚みは５μｍあれば導電性の観点からは十分であり、それより厚く形成するとコストの観点から好ましくない場合がある。
【００４６】
導電層の表面抵抗率は０．００５Ω／ｓｑ．以上３，０００Ω／ｓｑ．以下であることが好ましい。表面抵抗率が０．００５Ω／ｓｑ．で十分低抵抗であり、これより低くなると導電層の厚くなりすぎ、コストの点で不利となる場合がある。表面抵抗率が３，０００Ω／ｓｑ．よりも高くなるとパターニング後の線幅によっては十分な導電性を確保できないことがある。
【００４７】
本発明の積層体の導電層には、主成分として銅や銀に代表される金属や、ＩＴＯやＡＺＯに代表される金属酸化物、グラファイトに代表される炭素などを用いることができる。低抵抗が得られやすい点で導電層の主成分が金属であることが好ましく、コストと導電性のバランスから銅がより好ましい。また銅は、銀と比べてマイグレーションを起こしにくい利点がある。本発明でいう金属は導電層全体１００原子％において、金属元素の合計含有量（原子数基準）が５０原子％以上１００原子％以下の層であることがより好ましく、さらに好ましくは９５原子％以上１００原子％以下の層である。酸素や窒素、炭素といった非金属元素を含有していてもよいが、金属層Ａの全体１００原子％における非金属元素の合計含有量（原子数基準）は、５原子％以下であることが好ましい。導電層中の非金属元素の合計含有量が５原子％を超えると、導電性が十分に得られないことがある。
【００４８】
本発明の積層体は、基材と導電層の間にチタン、ニッケル、及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも１つの材料を主成分であることを特徴とする密着層を設置してもよい。密着層を配することで導電層と基材との密着性が向上し、後工程で細線（線幅５μｍ以下）をサブトラクティブ法で形成する場合の導電層剥がれによる断線を低減することができる。密着層の厚さは、０．５ｎｍ以上３０ｎｍ未満が好適であり、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下がより好適であり、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下が更に好適である。密着層の厚さが０．５ｎｍより小さいと、十分な密着効果が得られないことがある。また、密着層の厚さが３０ｎｍ以上でも、得られる密着性が更に増すわけではないので、コストの観点から、密着層は３０ｎｍ未満であることが好ましい。
【００４９】
本発明の積層体は導電層がパターン状に形成されていてもよい。パターニングすることで回路として機能する。パターニングの方法の一つとしては基材の全面に導電層を成膜した後にフォトリソ法によりパターンを形成、エッチングによって不要部を除去する方法（すなわちサブトラクティブ法）を挙げることができる。積層体が密着層を有する場合には、密着層と導電層がともにパターン状に形成されていた方が好ましい。密着層と導電層は必ずしも同形にパターニングされている必要はないが、密着層はチタン、ニッケル、およびクロムが主成分であり導電性を有することが多いため、密着層と導電層のいずれか一方でもパターニングされずに基材の全面に配される（いわゆるベタ膜状）と短絡の懸念がある場合がある。
【００５０】
本発明の製造方法は、
基材と導電層とを有する積層体の製造方法であって、少なくとも
系の圧力が０．１Ｐａ以上５０Ｐａ以下であるドライコート工程Ａ（以下、工程Ａとする）と
系の圧力が１×１０−５Ｐａ以上５×１０−２Ｐａ以下であるドライコート工程Ｂ（以下、工程Ｂとする）の２工程以上から成ることを特徴とする。
【００５１】
図３は工程Ａだけで成膜した（導電層を形成した）ときの概念図である。凹み（基材）の側面には導電層が成膜されるが、底面に到達する導電層が少ないため、傷内部を底面に沿って電流が流れることができずに断線となりやすい。
【００５２】
図４は工程Ｂだけで成膜したときの概念図である。凹み（基材）の底面には導電層が成膜されるが、側面には導電層が成膜されにくいため、凹み（基材）内部を側面に沿って電流が流れることができずに断線となりやすい。
前述のとおり本発明の積層体は、基材２と導電層３の間に密着層６が存在すると好ましい。
【００５３】
本発明の積層体は、導電層の基材とは反対側に黒化層を備えてもよい。つまり、基材、導電層、及び黒化層をこの順に有する積層体としたり、基材、密着層、導電層、及び黒化層をこの順に有する積層体としたりしてもよい。黒化層とは電磁波シールドフィルムの電極やタッチパネルの電極、透明ヒーターの電極などこの積層体が視認される用途で使用されるとき、金属層表面の色や表面光沢によって透過像のコントラストが低下するのを防ぐ効果があるので好適である。
【００５４】
黒化層はベタ膜であることが好ましく、積層体を基材と反対側から見たときの反射色が、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系の値でＬ＊≦６５かつ−２０≦ａ＊≦２０かつ−２０≦ｂ＊≦２０である。黒化層の素材は特に限定されるものではないが、例えば窒化ニッケル、窒化銅、酸化ニッケル、酸化銅などが挙げられる。
【００５５】
黒化層の厚みは特に限定されないが、５ｎｍ以上２００μｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以上１，０００ｎｍ以下がより好ましい。黒化層の厚みが５ｎｍ未満の場合には、黒化層を透過する光が多くなり前述の効果を十分に発揮できないことがある。黒化層の厚みが２００μｍを超えると黒化層表面から接触式のピンプローブで導通を得る際に抵抗となってしまうことがある。
【００５６】
本発明の積層体は回路の断線によるショート等が発生しにくいことから、高精細なパターン形状が要求される電子部材として好ましく使用することができる。例えば、電磁波シールドフィルムやタッチパネル用透明導電性フィルム、透明ヒーター等に用いることができる。
【００５７】
また、本発明の積層体の製造方法では、基材の傷を埋めるためにハードコート処理や保護フィルムを用いたフィルムの搬送等を行う必要がなく、大掛かりなめっき設備等も不要であるため、製造コストの低減を図ることができる。したがって、より低コスト化が求められる汎用電子回路にも好ましく用いることができる。
【実施例】
【００５８】
（測定方法）
（１）全光線透過率
全光線透過率は、日本電色工業株式会社製のＮＤＨ２０００を用い、ＪＩＳ  Ｋ７３６１−１（１９９７年制定）に則り測定した。基材の両面から測定して値の大きかった方を採用した。
【００５９】
（２）表面抵抗率
表面抵抗率は、８０ｍｍ×５０ｍｍサイズの試料の中央をＪＩＳ  Ｋ７１９４（１９９４年制定）準拠の三菱化学株式会社製ＭＣＰ−Ｔ３６０を用いて四探針法で測定した。なお、プローブには三菱化学株式会社製のＥＳＰプローブ（電極間隔５ｍｍ、電極直径２ｍｍ）を用い、抵抗率補正係数（ＲＣＦ）は４．５３２とした。
【００６０】
この四探針法では、プローブが接する表面の層（表面抵抗率を求めたい層）のすぐ下に別の導電性の層が存在する場合、それらの層を複合した層としての表面抵抗率が得られる。表面の層（表面抵抗率を求めたい層）だけの表面抵抗率を求めたい場合は、抵抗を並列接続した場合の式に従い計算した。
【００６１】
後述の実施例１では、密着層と導電層それぞれの表面抵抗率をＲＸ、ＲＣとし、密着層と導電層の積層状態での表面抵抗率をＲＸＣとしたとき、方程式（式１）が成り立つものとし、導電層の表面抵抗率を求めた。
１／ＲＸＣ  ＝  １／ＲＸ  ＋  １／ＲＣ                    （式１）
（３）膜厚
膜厚は、ＦＩＢ（収束イオンビーム）法により積層体を切断し、その断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）により観察することで測定した。厚みの測定は、基材の凹みのない部分の上に形成された層を選択して測定した。
【００６２】
（４）反射色
反射色は、ＪＩＳ  Ｚ８７２２（２００９年制定）に準拠のコニカミノルタ株式会社製分光測色計ＣＭ−２６００ｄを用いて、積層体の基材とは反対側から測定した。光源はＣ光源を用い、ＳＣＩ（正反射光込み）を測定した。
【００６３】
（５）断線率
断線率は、積層体の導電層側に旭化成イーマテリアルズ製のドライフィルムレジスト（商品名：サンフォートＡＤＨ−１５１）を貼合し、フォトマスク越しに露光、現像した。
【００６４】
次に塩化第二鉄水溶液で密着層、導電層を部分的に除去し、図９の断線率評価パターン回路を得た（図９で、密着層、導電層のいずれかがが除去されずに基材表面に残っている部分を線部とし、それらの層の全てが除去された部分をスペース部とする）。配線回路のパターンは線部の幅を２０μｍとし、スペース部の幅を５０μｍとし、長さ４０ｍｍの線を１２．５往復折り返した九十九折状であり、両端に電極パッドを配置した。
【００６５】
このパターンを２００個作製し、パッド間の抵抗を測定することで断線率を求めた。パッド間抵抗が１０ｋΩを超える場合を断線とした。
【００６６】
（６）密着強度
導電層の基材に対する密着強度はＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６（１９９９年制定）に従いクロスカット法で評価した。感圧付着テープには、ニチバン株式会社製Ｎｏ．４０５と日東電工株式会社製Ｎｏ．７５６の２種類を用いた（Ｎｏ．７５６の方が粘着力が高い）。
【００６７】
（７）凹み（基材）のサイズ
凹み（基材）のサイズは以下の手順で測定した。
ｉ）基材の略平面（図６のＸ−Ｘ‘）に対して、０．１μｍ以上凹んでいる基材の部位を凹み（基材）とした。また、導電層の略平面に対して、０．０５μｍ以上凹んでいる部位を凹み（導電層）とした。
ｉｉ）凹み（基材）を囲い最小面積となる長方形（図７の記号１４）を考え、その長辺長さを凹み（基材）の長さとした（図７の記号１３）
ｉｉｉ）凹み（基材）を囲い最小面積となる長方形を考え、その短辺と平行で凹み（基材）と最も長く跨る部位の幅を凹み（基材）の幅とした（図６の記号１１）。また、この断面図で基材略平面に対して最も深い部分の深さを凹み（基材）の深さとした（図６の記号１２）。
ｉｖ）凹み（基材）の幅を含む断面において、凹みを構成する任意の面と基材の略平面のなす角度をθとすると、４５≦θ≦１３５°となる部位を凹み（基材）の側面とし、その面から垂直に凹み（導電層）に達するまでの距離を、凹みを構成する各面の算術平均化した値を凹み（基材）の側面の厚さとした（図８の記号１６）。もし任意の面でその面からの垂線上に凹み（導電層）がない場合は、凹み（基材）の側面の厚さを測定するには相応しくない部位であり、凹み（基材）の側面の厚さの平均値計算から除外した。
また、０°＜θ＜４５°または１３５°＜θ＜１８０°となる部位、または凹みを構成する任意の面と基材の略平面が平行な部位を凹み（基材）の底面とし、その面から垂直に凹み（導電層）に達するまでの距離を、凹みを構成する各面の算術平均化した値を凹み（基材）の底面の厚さとした（図８の記号１７）。もし任意の面でその面からの垂線上に凹み（導電層）がない場合は、凹み（基材）の側面の厚さを測定するには相応しくない部位であり、凹み（基材）の底面の厚さの平均値計算から除外した。
【００６８】
（実施例１）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【００６９】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、基材表面と対向するニッケルターゲット表面との距離は２５０ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
得られた密着層の表面抵抗率は６６Ω／ｓｑ．であった。
【００７０】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を、厚みがおおよそ８０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、系の圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【００７１】
得られた導電層（工程Ａによって形成されたもの）の厚みは８５ｎｍであり、表面抵抗率は０．２７Ω／ｓｑ．であった。
【００７２】
次に導電層（工程Ａによって形成されたもの）の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を厚みがおおよそ２μｍとなるように電子ビーム方式の真空蒸着法で成膜した（工程Ｂ）。電子銃の出力は成膜幅に対して５３．５ｋＷ／ｍとした。系の圧力は０．００１０Ｐａであった。
【００７３】
得られた導電層の厚さは２．１４μｍであり、導電層（工程Ａによって形成されたもの）は金導電層の厚みの４．０％であり、導電層（工程Ｂによって形成されたもの）は全導電層の厚みの９６．０％であった。
【００７４】
得られた積層体の凹み（基材）を無作為に３ヵ所抽出し、そのサイズを測定したところ、凹み（基材）の側面に設けられた導電層の厚みは０．１μｍ（３ヶ所算術平均値）であり、凹み（基材）の底面に設けられた導電層の厚みは０．８μｍ（３ヶ所算術平均値）であった。また、凹み（基材）の深さは１．４μｍ（３ヶ所算術平均値）、幅は１．２μｍ（３ヶ所算術平均値）で長さはいずれも１５μｍ以上であった。
【００７５】
得られた積層体の密着強度は、Ｎｏ．４０５とＮｏ．７５６いずれのテープを使っても分類０（どの格子の目にもはがれがない）であり良好であった。
【００７６】
この積層体を使って、前述の方法で断線率を求めたところ、断線率は４％であった（図２参照）。
【００７７】
（実施例２）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【００７８】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を、厚みがおおよそ８０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、系の圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【００７９】
得られた導電層（工程Ａによって形成されたもの）の厚みは８４ｎｍであり、表面抵抗率は０．２６９Ω／ｓｑ．であった。
【００８０】
次に導電層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を厚みがおおよそ２μｍとなるように電子ビーム方式の真空蒸着法で成膜した（工程Ｂ）。電子銃の出力は成膜幅に対して５３．５ｋＷ／ｍとした。系の圧力は０．００１２Ｐａであった。
【００８１】
得られた導電層の厚さは２．０８μｍであり、導電層（工程Ａによって形成されたもの）は金導電層の厚みの４．０％であり、導電層（工程Ｂによって形成されたもの）は金導電層の厚みの９６．０％であった。
【００８２】
得られた積層体の密着強度は、Ｎｏ．４０５のテープを使った場合では分類０（どの格子の目にもはがれがない）であり良好であったが、Ｎｏ．７５６のテープを使った場合は分類４の部分的な剥がれが生じた。
【００８３】
この積層体を使って、前述の方法で断線率を求めたところ、断線率は３．５％であった（図５参照）。
【００８４】
（実施例３）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【００８５】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、基材表面と対向するニッケルターゲット表面との距離は２５０ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【００８６】
得られた密着層の表面抵抗率は６４Ω／ｓｑ．であった。
【００８７】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を、厚みがおおよそ３００ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、系の圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【００８８】
得られた導電層（工程Ａによって形成されたもの）の厚みは３１０ｎｍであり、表面抵抗率は０．０６８Ω／ｓｑ．であった。
【００８９】
次に導電層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を厚みがおおよそ１．５μｍとなるように電子ビーム方式の真空蒸着法で成膜した（工程Ｂ）。電子銃の出力は成膜幅に対して５３．５ｋＷ／ｍとした。系の圧力は０．００１０Ｐａであった。
【００９０】
得られた導電層の厚さは１．８３μｍであり、導電層（工程Ａで形成されたもの）は全導電層の厚みの１６．９％であり、導電層（工程Ｂで形成されたもの）は全導電層の厚みの８３．１％であった。
【００９１】
得られた積層体の密着強度は、Ｎｏ．４０５とＮｏ．７５６いずれのテープを使っても分類０（どの格子の目にもはがれがない）であり良好であった。
【００９２】
この積層体を使って、前述の方法で断線率を求めたところ、断線率は１％であった（図２参照）。
【００９３】
（実施例４）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【００９４】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、基材表面と対向するニッケルターゲット表面との距離は２５０ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
得られた密着層の表面抵抗率は６６Ω／ｓｑ．であった。
【００９５】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を、厚みがおおよそ８０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、系の圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【００９６】
得られた導電層（工程Ａによって形成されたもの）の厚みは８４ｎｍであり、表面抵抗率は０．２７Ω／ｓｑ．であった。
【００９７】
次に導電層（工程Ａによって形成されたもの）の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を厚みがおおよそ１μｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、系の圧力が０．５Ｐａとしてプラズマを点火した後、徐々にアルゴンの流量を絞り系の圧力を０．００８Ｐａとした。
【００９８】
得られた導電層の厚さは１．１３μｍであり、導電層（工程Ａによって形成されたもの）は金導電層の厚みの７．４％であり、導電層（工程Ｂによって形成されたもの）は全導電層の厚みの９２．６％であった。
【００９９】
得られた積層体の密着強度は、Ｎｏ．４０５とＮｏ．７５６いずれのテープを使っても分類０（どの格子の目にもはがれがない）であり良好であった。
【０１００】
この積層体を使って、前述の方法で断線率を求めたところ、断線率は５％であった（図２参照）。
【０１０１】
（比較例１）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【０１０２】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、基材表面と対向するニッケルターゲット表面との距離は２５０ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【０１０３】
得られた密着層の表面抵抗率は６３．１Ω／ｓｑ．であった。
【０１０４】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を、厚みがおおよそ２，０８０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した（工程Ａ）。この際、基材と対向する銅ターゲット表面の距離は２００ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は５００Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は１６６．７ｋＷ／ｍ２であった。スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
【０１０５】
得られた導電層の厚みは２μｍであり、表面抵抗率は０．０１０６Ω／ｓｑ．であった。
【０１０６】
このようにして得られた積層体を使って前述の方法で断線率を求めた。断線率は１６．５％であった（図３参照）。
【０１０７】
（比較例２）
基材として東レ株式会社製ＰＥＴフィルム（商品名：ルミラーＵ４８）を用いた。基材の厚みは１００μｍであった。基材の全光線透過率は９２％であった。
【０１０８】
基材の一方の面側（これを上面側とする）に、ロールトゥロールにて密着層（ニッケル）を、厚みが１０ｎｍとなるようにＤＣマグネトロンスパッタリング法で成膜した。この際、基材表面と対向するニッケルターゲット表面との距離は２５０ｍｍであり、ターゲットに印加した電圧は３２５Ｖであり、ターゲットに対する電力密度は６６．７ｋＷ／ｍ２であった。また、スパッタリングガスとしてはアルゴンを用い、圧力が０．５Ｐａとなるように流量を調整した。
得られた密着層の表面抵抗率は６２Ω／ｓｑ．であった。
【０１０９】
次に密着層の上面側に、ロールトゥロールにて導電層（銅）を厚みが２．０４μｍとなるように電子ビーム方式の真空蒸着法で成膜した（工程Ｂ）。電子銃の出力は成膜幅に対して５３．５ｋＷ／ｍとした。系の圧力は０．００１２Ｐａであった。
得られた導電層の厚さは２μｍであった。
【０１１０】
このようにして得られた積層体を使って前述の方法で断線率を求めた。断線率は４０％であった（図４参照）。
【０１１１】
実施例１乃至４と比較例１および比較例２を比較することで、本発明の製造方法が積層体をサブトラクティブ方式で回路形成する際の断線抑制に有効なことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、セミアディティブ法と比べて安価なサブトラクティブ法で配線回路を形成する際に好適である。特に、基材を搬送時に基材表面をロールで触れることが多いロールトゥロールプロセスに適用する場合には、基材表面の深さサブミクロンから数ミクロンの傷が発生しやすく断線を誘発する可能性が高いため、本発明の効果が顕著に現れる。
【符号の説明】
【０１１３】
１：  積層体
２：  基材
３：  導電層
４：  凹み（基材）
５：  凹み（導電層）
６：  密着層
１１：  凹み（基材）の幅
１２：  凹み（基材）の深さ
１３：  凹み（基材）の長さ
１４：  凹み（基材）を囲い最小面積となる長方形
１５：  凹みを構成する任意の面と基材の略平面のなす角度θ
１６：  凹み（導電層）の側面の厚さ
１７：  凹み（導電層）の底面の厚さ
２１：  線部
２２：  スペース部
２３：  電極パッド
３１：  導電層（工程Ａによって形成されたもの）
３２：  導電層（工程Ｂによって形成されたもの）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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