(57)【要約】【課題】モールドの破損等を防止し、高精度のパターン構造体を安定して作製することができるインプリント方法とインプリント用のモールドおよびインプリント装置を提供する。【解決手段】供給位置において被成形樹脂を転写基板に供給する樹脂供給工程と、供給位置から転写位置に転写基板を搬送し、凹凸構造を有するモールドと転写基板を近接させて、モールドと転写基板との間に被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、被成形樹脂層を硬化させて凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、転写樹脂層とモールドを引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有し、少なくとも転写位置への転写基板の搬送時に、雰囲気中および／または転写基板上に存在する異物の除去操作を行うものとする。【選択図】  図１３
2014175340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
供給位置において被成形樹脂を転写基板に供給する樹脂供給工程と、
前記供給位置から転写位置に前記転写基板を搬送し、凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、
前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有し、
少なくとも前記転写位置への前記転写基板の搬送時に、雰囲気中および／または前記転写基板上に存在する異物の除去操作を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも、前記転写位置への前記転写基板の搬送方向の上流側にて、静電気力で前記異物を捕捉して除去することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
前記モールドにおいて前記凹凸構造を有する領域よりも前記搬送方向の上流側に異物捕捉領域を設定し、該異物捕捉領域を帯電させることにより前記静電気力を発現させることを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項４】
帯電列におけるモールドの構成材料の位置に対して、帯電列の反対側により離れて位置する材料を、前記モールドの前記異物捕捉領域に接触、離間させることにより前記異物捕捉領域を帯電させることを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項５】
前記剥離工程における前記転写樹脂層と前記モールドとの引き離しにより前記異物捕捉領域を帯電させることを特徴とする請求項３に記載のインプリント方法。
【請求項６】
前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも前記搬送方向の上流側に集塵機構を配設することを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
【請求項７】
前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも、前記転写位置への前記転写基板の搬送方向の上流側にて、雰囲気の吸引により前記異物を除去することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項８】
供給位置において被成形樹脂を転写基板に供給する樹脂供給工程と、
前記供給位置とは異なる位置にあり凹凸構造を有するモールドと前記供給位置にある前記転写基板とを、転写位置にて対向させるように、前記モールドあるいは前記モールドと前記転写基板の両方を搬送し、前記転写位置にて前記モールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、
前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有し、
少なくとも前記転写位置への前記モールドあるいは前記モールドと前記転写基板の両方の搬送時に、雰囲気中および／または前記転写基板上に存在する異物の除去操作を行うことを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
基部と、該基部の一の面に設定された凹凸構造領域と異物捕捉領域と、該凹凸構造領域に位置し表面に凹凸構造を有する主凸構造部と、前記異物捕捉領域に位置する副凸構造部と、を備えることを特徴とするインプリント用のモールド。
【請求項１０】
前記異物捕捉領域と前記凹凸構造領域は、前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向に対して直交する平面に投影した場合、前記異物捕捉領域の幅が前記凹凸構造領域の幅よりも大きいことを特徴とする請求項９に記載のインプリント用のモールド。
【請求項１１】
前記副凸構造部の表面は凹凸構造を有し、該凹凸構造の密度は、前記主凸構造部の表面に位置する前記凹凸構造の密度よりも高いことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のインプリント用のモールド。
【請求項１２】
前記副凸構造部の表面に位置する凸構造部は、前記異物捕捉領域内に相互に離間した状態で複数存在することを特徴とする請求項９乃至請求項１１のいずれかに記載のインプリント用のモールド。
【請求項１３】
前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向において、前記副凸構造部は相互に離間した状態で複数存在することを特徴とする請求項１２に記載のインプリント用のモールド。
【請求項１４】
前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向に対して直交する方向において、前記副凸構造部は相互に離間した状態で複数存在することを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載のインプリント用のモールド。
【請求項１５】
モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、を少なくとも備え、
前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、
前記モールド保持部は、前記基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向においてモールド保持位置よりも上流側に吸引機構を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１６】
モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、を少なくとも備え、
前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、
前記モールド保持部は、前記基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向においてモールド保持位置よりも上流側に集塵機構を有することを特徴とするインプリント装置。
【請求項１７】
モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、前記モールド保持部に保持されたモールドの少なくとも一部に帯電を生じさせる帯電発生部材と、を少なくとも備え、
前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、
前記帯電発生部材は、基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向における前記モールド保持部に保持されたモールドの上流側の所望の部位に対して接近と離間が可能な当接部材を有することを特徴とするインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂を供給して、所望のパターン（線、模様等の凹凸構造からなる図形）を有する薄膜および／またはパターンを有しない平滑な薄膜を有する構造体を製造するインプリント方法と、このインプリント方法に使用するモールドおよびインプリント装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。
このようなインプリント方法では、モールドを樹脂層から引き離す際に静電気が発生してモールドが帯電し、このモールドに雰囲気中の異物等が付着し易くなるという問題があった。モールドに異物等が付着した状態でインプリントを行うと、パターン構造体の欠陥が生じ、さらに、モールドの破損等を生じるおそれがあった。これに対応するために、例えば、モールドを樹脂層から引き離す際に、モールドの除電を行うこと（特許文献１、２）、あるいは、モールドの電位が所定値以上となった場合に、モールドの除電を行うこと（特許文献３）が提案されている。
尚、異物とは、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、スピンコート方式で供給された樹脂の飛沫がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等、インプリントに関与することを目的としていない物質である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−９８７７９号公報
【特許文献２】特開２００８−２６０２７３号公報
【特許文献３】特開２００９−２８６０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述のような除電手段を用いてモールドを除電しても、モールドの凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填する際に、転写基板上に異物が存在すると、凹凸構造内への光硬化性樹脂の充填不良が発生し、モールドの破損等を生じるおそれもあった。
また、一般にインプリント装置は、インプリントにおける効率を向上させるために、転写基板を保持するステージが、転写基板を供給される位置、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給される位置、モールドと転写基板との近接によりインプリントを行う転写位置の間を所望の速度で移動可能に構成されている。特に、光硬化性樹脂の液滴の揮発による供給樹脂量の不足、樹脂成分比率の変化等を生じるおそれがある場合、液滴を供給される位置から転写位置に至る時間を短縮する必要があり、ステージに保持された転写基板は、転写位置に高速搬送される。しかし、このような転写基板の高速搬送の影響によりモールドに向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物がモールドに接近し付着するおそれがあり、上述のような除電手段を用いてモールドを除電しても、このような異物の付着は阻止できないという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、モールドの破損等を防止し、高精度のパターン構造体を安定して作製することができるインプリント方法とインプリントモールドおよびインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的を達成するために、本発明のインプリント方法は、供給位置において被成形樹脂を転写基板に供給する樹脂供給工程と、前記供給位置から転写位置に前記転写基板を搬送し、凹凸構造を有するモールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有し、少なくとも前記転写位置への前記転写基板の搬送時に、雰囲気中および／または前記転写基板上に存在する異物の除去操作を行うような構成とした。
【０００６】
本発明の他の態様として、前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも、前記転写位置への前記転写基板の搬送方向の上流側にて、静電気力で前記異物を捕捉して除去するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドにおいて前記凹凸構造を有する領域よりも前記搬送方向の上流側に異物捕捉領域を設定し、該異物捕捉領域を帯電させることにより前記静電気力を発現させるような構成とした。
本発明の他の態様として、帯電列におけるモールドの構成材料の位置に対して、帯電列の反対側により離れて位置する材料を、前記モールドの前記異物捕捉領域に接触、離間させることにより前記異物捕捉領域を帯電させるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記剥離工程における前記転写樹脂層と前記モールドとの引き離しにより前記異物捕捉領域を帯電させるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも前記搬送方向の上流側に集塵機構を配設するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記モールドの前記凹凸構造を有する領域よりも、前記転写位置への前記転写基板の搬送方向の上流側にて、雰囲気の吸引により前記異物を除去するような構成とした。
【０００７】
また、本発明のインプリント方法は、供給位置において被成形樹脂を転写基板に供給する樹脂供給工程と、前記供給位置とは異なる位置にあり凹凸構造を有するモールドと前記供給位置にある前記転写基板とを、転写位置にて対向させるように、前記モールドあるいは前記モールドと前記転写基板の両方を搬送し、前記転写位置にて前記モールドと前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有し、少なくとも前記転写位置への前記モールドあるいは前記モールドと前記転写基板の両方の搬送時に、雰囲気中および／または前記転写基板上に存在する異物の除去操作を行うような構成とした。
【０００８】
本発明のインプリント用のモールドは、基部と、該基部の一の面に設定された凹凸構造領域と異物捕捉領域と、該凹凸構造領域に位置し表面に凹凸構造を有する主凸構造部と、前記異物捕捉領域に位置する副凸構造部と、を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記異物捕捉領域と前記凹凸構造領域は、前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向に対して直交する平面に投影した場合、前記異物捕捉領域の幅が前記凹凸構造領域の幅よりも大きいような構成とした。
【０００９】
本発明の他の態様として、前記副凸構造部の表面は凹凸構造を有し、該凹凸構造の密度は、前記主凸構造部の表面に位置する前記凹凸構造の密度よりも高いような構成とした。
本発明の他の態様として、前記副凸構造部の表面に位置する凸構造部は、前記異物捕捉領域内に相互に離間した状態で複数存在するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向において、前記副凸構造部は相互に離間した状態で複数存在するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記異物捕捉領域を介して前記凹凸構造領域と反対側に位置する前記基部の端部側から前記凹凸構造領域に向かう方向に対して直交する方向において、前記副凸構造部は相互に離間した状態で複数存在するような構成とした。
【００１０】
本発明のインプリント装置は、モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、を少なくとも備え、前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、前記モールド保持部は、前記基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向においてモールド保持位置よりも上流側に吸引機構を有するような構成とした。
【００１１】
また、本発明のインプリント装置は、モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、を少なくとも備え、前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、前記モールド保持部は、前記基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向においてモールド保持位置よりも上流側に集塵機構を有するような構成とした。
【００１２】
また、本発明のインプリント装置は、モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給部と、前記モールド保持部に保持されたモールドの少なくとも一部に帯電を生じさせる帯電発生部材と、を少なくとも備え、前記基板保持部は前記モールド保持部および前記樹脂供給部に対して移動可能であり、前記帯電発生部材は、基板保持部が前記モールド保持部に向けて移動する方向における前記モールド保持部に保持されたモールドの上流側の所望の部位に対して接近と離間が可能な当接部材を有するような構成とした。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、モールドの破損等を防止し、高精度のパターン構造体を安定して作製することができるという効果が奏される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための平面図である。
【図２】図２は、図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における縦断面図である。
【図３】図３は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための平面図である。
【図４】図４は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の縦断面図である。
【図５】図５は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図１相当の平面図である。
【図６】図６は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図１相当の平面図である。
【図７】図７は、本発明のインプリント装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図８】図８は、図７に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図である。
【図９】図９は、本発明のインプリント装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図１０】図１０は、図９に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図である。
【図１１】図１１は、本発明のインプリント装置の他の実施形態を示す概略構成図である。
【図１２】図１２は、図１１に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図３ある。
【図１３】図１３は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。
【図１４】図１４は、図１３に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
【図１５】図１５は、図１３に示されるインプリント方法において他のモールドを使用する例を説明する図である。
【図１６】図１６は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための図である。
【図１７】図１７は、図１６に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
【図１８】図１８は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための図である。
【図１９】図１９は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための工程図である。
【図２０】図２０は、図１９に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
【図２１】図２１は、図１９に示されるインプリント方法の他の例を説明するための図である。
【図２２】図２２は、図１９に示されるインプリント方法の他の例を説明するための図である。
【図２３】図２３は、本発明のインプリント方法の他の実施形態を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。
【００１６】
［インプリント用のモールド］
図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を説明するための平面図であり、図２は、図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における縦断面図である。図１および図２において、インプリント用のモールド１は基部２と、この基部２の一の面２ａに設定された凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４と、面２ａに設定された異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７を備えている。主凸構造部４は、その表面４ａに凹凸構造５を有しており、図示例では、凹凸構造５は凹部５ａを有している。また、図示例では、副凸構造部７の表面７ａは平坦面となっている。尚、図２における凹凸構造５は便宜的に示したものであり、これに限定されるものではなく、また、図１においては、凹凸構造５の記載を省略している。
【００１７】
図示例では、上記の凹凸構造領域Ａは略正方形であり、この凹凸構造領域Ａの全域に主凸構造部４が位置している。また、異物捕捉領域Ｂは長方形であり、この異物捕捉領域Ｂの全域に副凸構造部７が位置している。そして、凹凸構造領域Ａと異物捕捉領域Ｂは、異物捕捉領域Ｂを介して凹凸構造領域Ａと反対側に位置する基部２の端部２Ａ側から凹凸構造領域Ａに向かう方向（図１に矢印Ｘで示される方向）に対して直交する方向（図１に矢印Ｙで示される方向）における平面（例えば、図１に二点鎖線で端面が示されるような平面）に投影した場合、異物捕捉領域Ｂの幅Ｗ２は、凹凸構造領域Ａの幅Ｗ１よりも大きいことが好ましい。また、図１に示される例では、異物捕捉領域Ｂは基部２の端部２Ａと平行であるが、異物捕捉領域Ｂの長手方向が、基部２の端部２Ａと交わるような場合であっても同様である。例えば、図３（Ａ）に示すように、異物捕捉領域Ｂの長手方向が基部２の端部２Ａに対して斜め方向であっても、基部２の端部２Ａ側から凹凸構造領域Ａに向かう方向に対して直交する平面（例えば、図３（Ａ）に二点鎖線で端面が示されるような平面）に投影したときに、異物捕捉領域Ｂの幅Ｗ２は、凹凸構造領域Ａの幅Ｗ１よりも大きいことが好ましい。さらに、図１に示される例では、基部２の端部２Ａ側から凹凸構造領域Ａに向かう方向（図１に矢印Ｘで示される方向）が、基部２の端部２Ａに直交する方向であるが、例えば、図３（Ｂ）に示すように、矢印Ｘの方向が基部２の端部２Ａに対して斜め方向である場合も、これに直交する平面（例えば、図３（Ｂ）に二点鎖線で端面が示されるような平面）に投影したときに、異物捕捉領域Ｂの幅Ｗ２は、凹凸構造領域Ａの幅Ｗ１よりも大きいことが好ましい。より好ましくは、凹凸構造領域Ａのいずれの部位においても、上記の矢印Ｘ方向の上流側に異物捕捉領域Ｂが存在することが好適である。これにより、異物捕捉領域Ｂから凹凸構造領域Ａへ向かう方向（図１、図３に矢印Ｘで示される方向）からモールドに接近してくる異物を、異物捕捉領域Ｂで捕捉することがより確実となる。
【００１８】
インプリント用のモールド１の材質は、インプリントに使用する被成形樹脂が光硬化性である場合には、これらを硬化させるための照射光が透過可能な材料を用いることができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラス類の他、サファイアや窒化ガリウム、更にはポリカーボネート、ポリスチレン、アクリル、ポリプロピレン等の樹脂、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。また、使用する被成形樹脂が光硬化性ではない場合や、転写基板側から被成形樹脂を硬化させるための光を照射可能である場合には、モールド１は光透過性を具備しなくてもよく、上記の材料以外に、例えば、シリコンやニッケル、チタン、アルミニウム等の金属およびこれらの合金、酸化物、窒化物、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。
【００１９】
また、被成形樹脂とモールドとの引き剥がしを容易とするために、モールド１の主凸構造部４の表面４ａ、副凸構造部７の表面７ａに離型剤層を備えていてもよい。但し、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７は、後述するように、帯電することにより異物を捕捉する作用を発現する部位であり、離型剤層を設ける場合、副凸構造部７への帯電の容易性を考慮することが好ましい。
モールド１の基部２の厚みは、一の面２ａに備える主凸構造部４、副凸構造部７の形状、材質の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。尚、主凸構造部４、副凸構造部７は、それらの表面４ａ、表面７ａが、その周囲の領域に対して２段以上の凸構造となっていてもよい。
【００２０】
本発明のインプリント用のモールドは、図４に示されるように、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７の表面７ａに凹凸構造８を備えるモールド１′であってもよい。図示例では、凹凸構造８は凹部８ａを有している。このように副凸構造部７の表面７ａに凹凸構造８が存在する場合、後述するように、副凸構造部７への帯電を容易とするために、凹凸構造８に凹部８ａが存在する密度を、凹凸構造５に凹部５ａが存在する密度よりも高くなるように設定することが好ましい。
【００２１】
また、本発明のインプリント用のモールドは、異物捕捉領域Ｂ内において、複数の副凸構造部が相互に離間した状態で存在するものであってもよい。例えば、図５に示されるモールド１″は、異物捕捉領域Ｂ（二点鎖線で囲まれる領域）を介して凹凸構造領域Ａと反対側に位置する基部２の端部側から凹凸構造領域Ａに向かう方向（図４に矢印Ｘで示される方向）において、異物捕捉領域Ｂ内に副凸構造部７Ａが相互に離間した状態で複数（図示例では２本）存在している。また、図６に示されるモールド１″は、異物捕捉領域Ｂ（二点鎖線で囲まれる領域）を介して凹凸構造領域Ａと反対側に位置する基部２の端部側から凹凸構造領域Ａに向かう方向（図６に矢印Ｘで示される方向）において、異物捕捉領域Ｂ内に副凸構造部７Ｂが相互に離間した状態で複数し、さらに、上記の矢印Ｘで示される方向と交差する方向（図６に矢印Ｙで示される方向）において、異物捕捉領域Ｂ内に副凸構造部７Ｂが相互に離間した状態で複数存在している。
【００２２】
このような本発明のインプリント用のモールドは、異物捕捉領域Ｂ内に位置する副凸構造部７，７Ａ，７Ｂを帯電させることにより、異物捕捉領域Ｂから凹凸構造領域Ａへ向かう方向（図１、図３、図５、図６に矢印Ｘで示される方向）からモールドに接近してくる異物を、異物捕捉領域Ｂの副凸構造部７，７Ａ，７Ｂで捕捉することができる。これにより、異物が凹凸構造領域Ａの主凸構造部４に付着することを防止することができる。
上述のインプリント用のモールドの実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。
【００２３】
［インプリント装置］
＜第１の実施形態＞
図７は本発明のインプリント装置の一実施形態を示す概略構成図であり、図８は図７に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図である。図７、図８において、本発明のインプリント装置２１は、モールド１０１を保持するためのモールド保持部２２と、吸引機構２３と、転写基板１１１を保持するための基板保持部２５と、転写基板１１１上に被成形樹脂を供給する樹脂供給部２７とを備えている。
【００２４】
（モールド保持部２２）
インプリント装置２１を構成するモールド保持部２２は、パターン形成のための凹凸構造領域１０２（図８に鎖線で囲まれる領域）を有するモールド１０１をモールド保持位置２２Ａに保持するものである。このモールド保持部２２におけるモールド１０１の保持機構は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構等であってよく、保持機構には特に制限はない。また、モールド保持部２２は、図示しない昇降機構により図７に示す矢印Ｚ方向で昇降可能とされていてもよい。このようなモールド保持部２２の上方には、被成形樹脂として光硬化性樹脂を使用した場合の樹脂硬化のための図示しない光源、光学系が配設されていてもよい。
【００２５】
そして、モールド保持部２２は、基板保持部２５がモールド保持部２２に向けて移動する方向（図７および図８に矢印Ｘで示す方向）においてモールド保持位置２２Ａよりも上流側に吸引機構２３を有している。この吸引機構２３は、モールド保持部２２に設けられた吸引口２４と、この吸引口２４から図７に示される矢印ａ方向に排気を行うための図示しない排気管、フィルタ、排気ポンプ等を備えている。図示例では、基板保持部２５がモールド保持部２２に向けて移動する方向（図８に矢印Ｘで示す方向）に対して直交する方向（図８に矢印Ｙで示す方向）において、この吸引口２４の長さＬ２が、モールド保持位置２２Ａに保持されるモールド１０１の凹凸構造領域１０２の長さＬ１よりも大きいものとされている。これにより、図８に矢印Ｘで示す方向からモールド１０１に接近してくる異物を、吸引口２４で吸引除去することがより確実となる。尚、吸引口２４は、図示例のように長方形状の１個の開口ではなく、複数の開口が隣接して配設されたものであってもよい。
図示例では、モールド保持部２２は吸引機構２３の吸引口２４を一体的に備えているが、本発明は、吸引機構２３の吸引口２４がモールド保持部２２から離間しながらも、基板保持部２５の移動方向においてモールド保持位置２２Ａよりも上流側に吸引口２４が位置している態様も包含するものである。
【００２６】
（基板保持部２５）
インプリント装置２１を構成する基板保持部２５は、インプリント用の転写基板１１１を保持するものであり、転写基板１１１の保持機構は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構等であってよく、保持機構には特に制限はない。この基板保持部１１１は、図示しない駆動機構部によってＸＹステージ上を水平面内で移動可能とされており、樹脂供給部２７にて被成形樹脂の供給を転写基板１１１に受ける樹脂供給位置、モールド保持部２２に対向し転写を行う転写位置等に移動可能である。尚、本発明のインプリント装置は、図示例に限定されるものではなく、モールド保持部２２、基板保持部２５、樹脂供給部２７の任意の部材を移動可能とし、これらの相対的な位置が変更可能とされている態様であってよい。また、図示例では、転写基板１１１は凸構造部１１２を有する、所謂メサ構造の基板であるが、基板保持部２５が保持する対象となる転写基板は、メサ構造を具備しないものであってもよい。
【００２７】
（樹脂供給部２７）
インプリント装置２１を構成する樹脂供給部２７は、基板保持部２５に保持された転写基板１１１の凸構造部１１２上に被成形樹脂の液滴を供給するものであり、例えば、樹脂供給部２７はインクジェット装置（図示例ではインクジェットヘッド２８のみを示している）を備えるものである。樹脂供給部２７が備えるインクジェット装置は、基板保持部２５に保持された転写基板１１１の凸構造部１１２上に被成形樹脂の液滴を供給するためのインクジェットヘッド２８の所望の動作、例えば、基板保持部２５の表面に沿った水平面内での往復動作等を可能とする駆動部、インクジェットヘッド２８へのインク供給部、および、インクジェットヘッド２８と駆動部やインク供給部を制御する制御部等を具備している。
また、樹脂供給部２７は、スピンコート法により転写基板１１１の凸構造部１１２上に被成形樹脂を供給するものであってもよい。この場合、転写基板１１１を回転するための駆動機構は、基板保持部２５に内蔵されていてもよく、また、基板保持部２５とは別に設け、転写基板１１１上に被成形樹脂を供給した後、転写基板１１１を基板保持部２５に保持するような構成であってもよい。
【００２８】
このような本発明のインプリント装置２１では、被成形樹脂の供給を受けた転写基板１１１をモールド１０１の下方の所定の位置（図７に二点鎖線で示す位置）に搬送するために、図７および図８に矢印Ｘで示す方向から基板保持部２５がモールド保持部２２の下方に高速移動し、これによりモールド１０１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物がモールド１０１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物が存在しても、これらの異物は吸引機構２３の吸引口２４から雰囲気とともに吸引除去され、モールド１０１に到達することが防止される。
【００２９】
＜第２の実施形態＞
図９は本発明のインプリント装置の他の実施形態を示す概略構成図であり、図１０は図９に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図である。図９、図１０において、本発明のインプリント装置３１は、モールド１０１を保持するためのモールド保持部３２と、集塵機構３３と、転写基板１１１を保持するための基板保持部３５と、転写基板１１１上に被成形樹脂を供給する樹脂供給部３７とを備えている。
【００３０】
（モールド保持部３２）
インプリント装置３１を構成するモールド保持部３２は、パターン形成のための凹凸構造領域１０２（図１０に鎖線で囲まれる領域）を有するモールド１０１をモールド保持位置３２Ａに保持するものである。このモールド保持部３２におけるモールド１０１の保持機構は、上記のモールド保持部２２と同様であってよく、図示しない昇降機構により図９に示す矢印Ｚ方向で昇降可能とされていてもよい。また、モールド保持部３２の上方には、被成形樹脂として光硬化性樹脂を使用した場合の樹脂硬化のための図示しない光源、光学系が配設されていてもよい。
そして、モールド保持部３２は、基板保持部３５がモールド保持部３２に向けて移動する方向（図９および図１０に矢印Ｘで示す方向）においてモールド保持位置３２Ａよりも上流側に集塵機構３３を有している。この集塵機構３３は、図示しない放電極と集塵板からなる集塵部３４、および、図示しない電源、配線、制御装置等を備えている。
【００３１】
図示例では、基板保持部３５がモールド保持部３２に向けて移動する方向（図１０に矢印Ｘで示す方向）に対して直交する方向（図１０に矢印Ｙで示す方向）において、この集塵機構３３の長さＬ２が、モールド保持位置３２Ａに保持されるモールド１０１の凹凸構造領域１０２の長さＬ１よりも大きいものとされている。これにより、図１０に矢印Ｘで示す方向からモールド１０１に接近してくる異物を、集塵機構３３で捕捉除去することがより確実となる。尚、集塵部３４は、図示例のように長方形状に限定されるものではなく、また、配設される集塵部３４は複数であってもよい。
図示例では、モールド保持部３２は集塵部３４を一体的に備えているが、本発明は、集塵部３４がモールド保持部３２から離間しながらも、基板保持部３５の移動方向においてモールド保持位置３２Ａよりも上流側に位置している態様も包含するものである。
【００３２】
（基板保持部３５）
インプリント装置３１を構成する基板保持部３５は、上記のインプリント装置２１を構成する基板保持部２５と同様とすることができる。
（樹脂供給部３７）
インプリント装置３１を構成する樹脂供給部３７は、上記のインプリント装置２１を構成する樹脂供給部２７と同様とすることができ、図示例では、樹脂供給部３７はインクジェット装置（図示例ではインクジェットヘッド３８のみを示している）を備えている。
このような本発明のインプリント装置３１では、被成形樹脂の供給を受けた転写基板１１１をモールド１０１の下方の所定の位置（図９に二点鎖線で示す位置）に搬送するために、図９および図１０に矢印Ｘで示す方向から基板保持部３５がモールド保持部３２の下方に高速移動し、これによりモールド１０１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物がモールド１０１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物が存在しても、これらの異物は集塵機構３３により捕捉除去され、モールド１０１に到達することが防止される。
【００３３】
＜第３の実施形態＞  
図１１は本発明のインプリント装置の他の実施形態を示す概略構成図であり、図１２は図１１に示されるインプリント装置のモールド保持部を示す拡大平面図である。図１１、図１２において、本発明のインプリント装置４１は、モールド１０１を保持するためのモールド保持部４２と、転写基板１１１を保持するための基板保持部４５と、転写基板１１１上に被成形樹脂を供給する樹脂供給部４７と、モールド保持部４２に保持されたモールド１０１の少なくとも一部に帯電を生じさせる帯電発生部材４９とを備えている。
（モールド保持部４２）
インプリント装置４１を構成するモールド保持部４２は、パターン形成のための凹凸構造領域１０２（図１２に鎖線で囲まれる領域）を有するモールド１０１をモールド保持位置４２Ａに保持するものである。このモールド保持部４２におけるモールド１０１の保持機構は、上記のモールド保持部２２と同様であってよく、図示しない昇降機構により図１１に示す矢印Ｚ方向で昇降可能とされていてもよい。また、モールド保持部４２の上方には、被成形樹脂として光硬化性樹脂を使用した場合の樹脂硬化のための図示しない光源、光学系が配設されていてもよい。
【００３４】
（基板保持部４５）
インプリント装置４１を構成する基板保持部４５は、上記のインプリント装置２１を構成する基板保持部２５と同様とすることができる。
（樹脂供給部４７）
インプリント装置４１を構成する樹脂供給部４７は、上記のインプリント装置２１を構成する樹脂供給部２７と同様とすることができ、図示例では、樹脂供給部４７はインクジェット装置（図示例ではインクジェットヘッド４８のみを示している）を備えている。
【００３５】
（帯電発生部材４９）
インプリント装置４１を構成する帯電発生部材４９は、基板保持部４５がモールド保持部４２に向けて移動する方向（図１１および図１２に矢印Ｘで示す方向）においてモールド１０１の凹凸構造領域１０２よりも上流側に位置するように配設されている。この帯電発生部材４９は、所望の帯電用材料Ｍを載置するための当接部材４９ａと、この当接部材４９ａを支持する支持部材４９ｂと、図示しない昇降装置等を備えている。昇降装置は、支持部材４９ｂを図１１の矢印Ｚ1方向で昇降可能であるとともに、支持部材４９ｂがモールド１０１の近傍に位置した状態で、当接部材４９ａがモールド１０１に対して接近と離間を行うように、当接部材４９ａを図１１に矢印Ｚ2にて示すように上下動させるための装置である。これにより、当接部材４９ａ上に載置した帯電用材料Ｍは、モールド１０１に対して接触、離間することが可能となる。帯電用材料Ｍは、帯電列におけるモールド１０１の構成材料の位置に対して、帯電列の反対側により離れて位置する材料であり、帯電用材料Ｍがモールド１０１に対して接触、離間した領域を帯電させることができる。
【００３６】
図示例では、基板保持部４５がモールド保持部４２に向けて移動する方向（図１２に矢印Ｘで示す方向）に対して直交する方向（図１２に矢印Ｙで示す方向）において、当接部材４９ａの長さＬ２が、モールド保持位置４２Ａに保持されるモールド１０１の凹凸構造領域１０２の長さＬ１よりも大きいものとされている。これにより、図１２に矢印Ｘで示す方向からモールド１０１に接近してくる異物を、帯電発生部材４９により帯電用材料Ｍを用いてモールド１０１に帯電させた領域で捕捉除去することがより確実となる。尚、当接部材４９ａは、図示例のように長方形状に限定されるものではなく、また、配設される当接部材４９ａは複数であってもよい。
【００３７】
このような本発明のインプリント装置４１では、被成形樹脂の供給を受けた転写基板１１１をモールド１０１の下方の所定の位置（図１１に二点鎖線で示す位置）に搬送するために、図１１および図１２に矢印Ｘで示す方向から基板保持部４５がモールド保持部４２の下方に高速移動し、これによりモールド１０１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物がモールド１０１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物が存在しても、これらの異物は帯電発生部材４９により帯電用材料Ｍを用いてモールド１０１に帯電させた領域で捕捉除去され、モールド１０１の凹凸構造領域１０２に到達することが防止される。
【００３８】
［インプリント方法］
本発明のインプリント方法は、樹脂供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程を有している。そして、少なくとも転写位置への転写基板の搬送時に、雰囲気中および／または転写基板上に存在する異物の除去操作を行うものである。
＜第１の実施形態＞
このような本発明のインプリント方法の一実施形態を、上述の本発明のインプリント用のモールド１（図１および図２参照）とインプリント装置４１（図１１および図１２参照）を使用した場合を例として図１３、図１４を参照しながら説明する。図１３では、モールド保持部と基板保持部のみを示し、インプリント装置４１を構成する他の部材は図示していない。また、図１４は、図１３に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
【００３９】
本実施形態では、ステップＳ１において、インプリント装置４１のモールド保持部４２に保持したモールド１の異物捕捉領域Ｂの副凸構造部７を帯電させる（図１３（Ａ））。図示例では、モールド１の副凸構造部７がプラスに帯電している状態を示している。このような副凸構造部７の帯電は、インプリント装置４１の帯電発生部材４９により帯電用材料Ｍを副凸構造部７の面７ａに対して接触、離間させることにより行うことができる。例えば、モールド１の材質が石英ガラスである場合、帯電用材料Ｍは、帯電列においてプラスに帯電し易い石英ガラスの位置に対して、帯電列の反対側により離れて位置する材料、例えば、マイナスに帯電し易いフッ素系、シリコン系、ビニル系、アクリル系、ポリエチレン系、ウレタン系、セルロイド、ポリエステル系等の材料から適宜選択することができる。モールド１の副凸構造部７の面７ａに対して帯電用材料Ｍを接触、離間する回数は、特に制限はなく、例えば、帯電量が０．１ｋＶ〜２０ｋＶの範囲となるように、使用する帯電用材料Ｍの材質等を考慮して回数を設定することができる。
【００４０】
次に、樹脂供給工程で、基板保持部４５に保持されているインプリント用の転写基板１１１上の所望の領域に、図示しない樹脂供給部４７のインクジェットヘッド４８から被成形樹脂の液滴Ｒを吐出して供給する（ステップＳ２）。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板１１１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。
【００４１】
次に、ステップＳ３にて、被成形樹脂の液滴Ｒが供給された転写基板１１１を、供給位置から転写位置に搬送し、この搬送に際して、異物を除去する（図１３（Ｂ））。すなわち、図１３（Ｂ）に矢印Ｘで示す方向に基板保持部材４５による転写基板１１１の搬送が行われることにより、モールド１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物Ｐがモールド１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物Ｐが存在する場合、これらの異物Ｐをモールド１の異物捕捉領域Ｂの副凸構造部７が発現する静電気力により捕捉除去する。
次に、接触工程にて、モールド保持部４２と基板保持部４５とを近接させて凹凸構造５を備えたモールド１と転写基板１１１を近接させて、このモールド１と転写基板１１１との間に樹脂の液滴Ｒを展開して被成形樹脂層を形成する（ステップＳ４）。
【００４２】
次いで、硬化処理にて、モールド１側から光照射を行い、被成形樹脂層を硬化させて、モールド１の凹凸構造５が転写された転写樹脂層とする（ステップＳ５）。この硬化工程では、転写基板１１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板１１１とモールド１の両側から光照射を行ってもよい。また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂、あるいは、熱可塑性樹脂である場合には、それぞれ被成形樹脂層に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことにより硬化させることができる。
次に、離型工程にて、転写樹脂層とモールド１を引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板１１１上に位置させた状態とする（ステップＳ６）。
次いで、ステップＳ７にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断し、到達している場合は、インプリントを終了する。
【００４３】
また、インプリントが必要回数に到達していない場合、ステップＳ８にて、モールド１の副凸構造部７の帯電による静電気力が十分なものであるか否かを判断する。そして、副凸構造部７が十分に帯電している場合、ステップＳ２の樹脂供給工程からステップＳ６の離型工程までを繰り返し、ステップＳ７にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する。一方、副凸構造部７の帯電が不十分、あるいは、帯電していない場合、ステップＳ１のモールド１の副凸構造部７を帯電する操作に戻り、その後、ステップＳ２の樹脂供給工程からステップＳ６の離型工程までを繰り返し、ステップＳ７にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する。
本実施形態では、上記の本発明のモールド１に代えて、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７の表面７ａに凹凸構造８を備えた本発明のインプリント用のモールド１′（図４参照）を使用することができる。
【００４４】
また、使用するモールドは、上記の本発明のモールド１と異なり、主凸構造部４と副凸構造部７を備えていない、所謂メサ構造を具備していないモールドであってもよい。図１５は、ステップＳ１にて、このようなモールド１０１の凹凸構造領域１０２よりも転写基板１１１の搬送方向の上流側に位置する異物捕捉領域１０３を帯電させる状態を示す図である。この場合も、インプリント装置４１の帯電発生部材４９により帯電用材料Ｍを、モールド１０１の異物捕捉領域１０３に対して接触、離間させることにより帯電させることができる。
また、本実施態様では、本発明のインプリント装置４１を用いることに限定されるものではなく、帯電用材料Ｍを副凸構造部７の面７ａに対して接触、離間させ帯電させる操作は、所望の手段を用いて行うことができる。
【００４５】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明のインプリント方法の他の実施形態を、上述の本発明のインプリント装置２１（図７および図８参照）を使用した場合を例として図１６、図１７を参照しながら説明する。図１６では、モールド保持部と基板保持部のみを示し、インプリント装置２１を構成する他の部材は図示していない。また、図１７は、図１６に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態では、樹脂供給工程で、基板保持部２５に保持されているインプリント用の転写基板１１１の凸構造部１１２上の所望の領域に、図示しない樹脂供給部２７のインクジェットヘッド２８から被成形樹脂の液滴Ｒを吐出して供給する（ステップＳ１１）。
次に、ステップＳ１２にて、被成形樹脂の液滴Ｒが供給された転写基板１１１を、供給位置から転写位置へ矢印Ｘ方向に搬送するが、この搬送に際して、異物を除去する（図１６）。すなわち、基板保持部材２５による転写基板１１１の搬送によりモールド１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物Ｐがモールド１０１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物Ｐが存在する場合、これらの異物Ｐは、インプリント装置２１のモールド保持部２２が備える吸引機構２３によって、吸引口２４から雰囲気とともに吸引除去され、モールド１０１に到達することが防止される。
【００４６】
次に、接触工程にて、モールド保持部２２と基板保持部２５とを近接させてモールド１０１と転写基板１１１を近接させて、このモールド１０１と転写基板１１１との間に樹脂の液滴Ｒを展開して被成形樹脂層を形成する（ステップＳ１３）。尚、図示例では、モールド１０１が有する凹凸構造は省略している。
次いで、硬化処理にて、モールド１０１側から光照射を行い、被成形樹脂層を硬化させて、モールド１０１の凹凸構造が転写された転写樹脂層とする（ステップＳ１４）。この硬化工程では、転写基板１１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板１１１とモールド１０１の両側から光照射を行ってもよい。また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂、あるいは、熱可塑性樹脂である場合には、それぞれ被成形樹脂層に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことにより硬化させることができる。
【００４７】
次に、離型工程にて、転写樹脂層とモールド１０１を引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板１１１上に位置させた状態とする（ステップＳ１５）。
次いで、ステップＳ１６にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断し、到達している場合は、インプリントを終了する。
また、インプリントが必要回数に到達していない場合、ステップＳ１１の樹脂供給工程からステップＳ１５の離型工程までを繰り返し、ステップＳ１６にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する。
本実施形態では、使用するモールドは、上記の本発明のモールド１０１と異なり、凸構造部を備えた、所謂メサ構造のモールドであってもよい。
また、本実施態様では、本発明のインプリント装置２１を用いることに限定されるものではなく、モールドの凹凸構造領域よりも転写基板の搬送方向の上流側となるように、所望の吸引機構を配設してもよい。
【００４８】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明のインプリント方法の他の実施形態を、上述の本発明のインプリント装置３１を使用した場合を例として図１８、および、上述の図１７を参照しながら説明する。図１８では、モールド保持部と基板保持部のみを示し、インプリント装置３１を構成する他の部材は図示していない。また、図１７は、図１８に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態では、樹脂供給工程で、基板保持部３５に保持されているインプリント用の転写基板１１１の凸構造部１１２上の所望の領域に、図示しない樹脂３７のインクジェットヘッド３８から被成形樹脂の液滴Ｒを吐出して供給する（ステップＳ１１）。
次に、ステップＳ１２にて、被成形樹脂の液滴Ｒが供給された転写基板１１１を、供給位置から転写位置へ矢印Ｘ方向に搬送するに際して、異物を除去する（図１８）。すなわち、基板保持部材３５による転写基板１１１の搬送によりモールド１０１に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物Ｐがモールド１に接近したり、搬送される転写基板１１１上に異物Ｐが存在する場合、これらの異物Ｐは、インプリント装置３１のモールド保持部３２が備える集塵機構３３の集塵部３４により捕捉除去され、モールド１０１に到達することが防止される。
【００４９】
次に、接触工程にて、モールド保持部３２と基板保持部３５とを近接させてモールド１０１と転写基板１１１を近接させて、このモールド１０１と転写基板１１１との間に樹脂の液滴Ｒを展開して被成形樹脂層を形成する（ステップＳ１３）。尚、図示例では、モールド１０１が有する凹凸構造は省略している。
次いで、硬化処理にて、モールド１０１側から光照射を行い、被成形樹脂層を硬化させて、モールド１０１の凹凸構造が転写された転写樹脂層とする（ステップＳ１４）。この硬化工程では、転写基板１１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板１１１とモールド１０１の両側から光照射を行ってもよい。また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂、あるいは、熱可塑性樹脂である場合には、それぞれ被成形樹脂層に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことにより硬化させることができる。
次に、離型工程にて、転写樹脂層とモールド１０１を引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板１１１上に位置させた状態とする（ステップＳ１５）。
次いで、ステップＳ１６にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断し、到達している場合は、インプリントを終了する。
【００５０】
また、インプリントが必要回数に到達していない場合、ステップＳ１１の樹脂供給工程からステップＳ１５の離型工程までを繰り返し、ステップＳ１６にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する。
本実施形態においても、使用するモールドは、上記の本発明のモールド１０１と異なり、凸構造部を備えた、所謂メサ構造のモールドであってもよい。
また、本実施態様では、本発明のインプリント装置３１を用いることに限定されるものではなく、モールドの凹凸構造領域よりも転写基板の搬送方向の上流側となるように、所望の集塵機構を配設してもよい。
【００５１】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明のインプリント方法の他の実施形態を、上述の本発明のインプリント用のモールド１′（図４参照）を使用した場合を例として図１９、および、図２０を参照しながら説明する。尚、図２０は、図１９に示されるインプリント方法の工程の流れを示すフローチャートである。
本実施形態では、樹脂供給工程で、基板保持部１１に保持されているインプリント用の転写基板１１１上の所望の領域に被成形樹脂の液滴Ｒを供給する（ステップＳ２１）。この樹脂供給工程では、後工程の接触工程にて、使用するモールド１′の凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４と異物捕捉領域Ｂに位置する副凸構造部７とに滴量の液滴Ｒが接触するように、転写基板１１１上に液滴Ｒを供給する。尚、図示例では、モールド１′の副凸構造部７に位置する凹凸構造８のパターン密度が、主凸構造部４に位置する凹凸構造５のパターン密度よりも大きいものとなっている。
次に、接触工程にて、被成形樹脂の液滴Ｒが供給された転写基板１１１を、供給位置から転写位置に搬送し（図１９（Ａ））、次いで、モールド１′と転写基板１１１を近接させて、このモールド１′と転写基板１１１との間に樹脂の液滴Ｒを展開して被成形樹脂層を形成する（ステップＳ２２）。
【００５２】
次いで、硬化処理にて、モールド１′側から光照射を行い、被成形樹脂層を硬化させて（図１９（Ｂ））、モールド１′の凹凸構造５が転写された転写樹脂層とする（ステップＳ２３）。この硬化工程では、転写基板１１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板１１１とモールド１′の両側から光照射を行ってもよい。また、被成形樹脂が熱硬化性樹脂、あるいは、熱可塑性樹脂である場合には、それぞれ被成形樹脂層に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことにより硬化させることができる。
次に、離型工程にて、転写樹脂層とモールド１′を引き離して、転写樹脂層であるパターン構造体を転写基板１１１上に位置させた状態とする（ステップＳ２４）。この転写樹脂層とモールド１′との引き離しにより、モールド１′の凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４と、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７が帯電する（図１９（Ｃ））。図示例では、モールド１′の主凸構造部４と副凸構造部７が共にプラスに帯電しているが、副凸構造部７に位置する凹凸構造８のパターン密度が、主凸構造部４に位置する凹凸構造５のパターン密度よりも高いので、モールド１′の凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４における帯電量よりも、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７における帯電量が高いものとなる。
【００５３】
次いで、ステップＳ２５にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断し、到達している場合は、インプリントを終了する。
また、インプリントが必要回数に到達していない場合、ステップＳ２１の樹脂供給工程から、次のインプリントを開始する。この場合、ステップＳ２１にて、被成形樹脂の液滴Ｒが供給された転写基板１１を、供給位置から転写位置へ矢印Ｘ方向に搬送するに際して、異物が除去される（図１９（Ｄ））。すなわち、転写基板１１の搬送によりモールド１′に向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物Ｐがモールド１′に接近したり、搬送される転写基板１１上に異物Ｐが存在する場合、これらの異物Ｐは、モールド１′の異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７が発現する静電気力により捕捉除去され、モールド１′の凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４に到達することが防止される。その後、ステップＳ２２の接触工程からステップＳ２４の離型工程までを繰り返し、ステップＳ２５にて、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する。
【００５４】
本実施形態では、上述の本発明のインプリント用のモールド１′（図４参照）に代えて、モールド１の異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７が凹凸構造８を備えていないインプリント用のモールド１（図１および図２参照）を使用してもよい。この場合、図２１に示すように、モールド１の凹凸構造領域Ａに位置する主凸構造部４に接触するように転写基板１１１に液滴Ｒ１として供給する被成形樹脂と、異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７に接触するように転写基板１１１に液滴Ｒ２として供給する樹脂とを、異なるものとしてもよい。すなわち、液滴Ｒ１として供給する樹脂に比べて、液滴Ｒ２として供給する樹脂を、モールド１の材料に対して、帯電列の反対側により離れて位置する樹脂とすることができる。これにより、凹凸構造８を備えていない副凸構造部７が十分な静電気力を発現することが可能となる。
【００５５】
また、本実施形態では、上述の本発明のインプリント用のモールド１′（図４参照）に代えて、主凸構造部４と副凸構造部７を備えていないモールドを使用してもよい。図２２は、このようなモールド１０１を使用し、転写基板１１１として、モールド１０１の凹凸構造領域１０２に対応する凸構造部１１２と、モールド１０１の異物捕捉領域１０３に対応する凸構造部１１３とを備えた転写基板を使用する例を示している。この場合も、上記のステップＳ２４の剥離において、モールド１０１の異物捕捉領域１０３を帯電させることができる。
さらに、本実施形態では、初回のインプリント時、あるいは、モールドを洗浄した後の最初のインプリント時に、ステップＳ２１の樹脂供給工程の前に、モールド１′の異物捕捉領域Ｂに位置している副凸構造部７を帯電させてもよい。このようなモールド１′の副凸構造部７の帯電は、例えば、上述の第１の実施形態と同様に、本発明のインプリント装置４１を用いて行うことができる。
このような本発明のインプリント方法では、転写基板の搬送によりモールドに向かう気流が発生し、この気流に引き込まれて異物がモールドに接近したり、搬送される転写基板上に異物が存在していても、これらの異物は、モールドの凹凸構造領域に到達する前に除去され、パターン構造体の欠陥発生、モールドの破損等を防止することができる。
【００５６】
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上述の実施形態では、モールドが転写位置にあり、転写基板が転写位置に搬送される場合であるが、モールドのみが転写位置に搬送される場合、あるいは、モールドと転写基板が転写位置に搬送される場合であってもよい。以下において、上述の第１の実施形態と同様に、本発明のインプリント用のモールド１（図１および図２参照）とインプリント装置４１（図１１および図１２参照）を使用した場合を例として、モールドのみが転写位置に搬送される場合を、図２３を参照しながら説明する。図２３に実線で示されるモールド１は、副凸構造部７の帯電（図１３（Ａ）参照）が終了した状態であり、また、転写基板１１１は、被成形樹脂の液滴Ｒが供給されて転写位置にある。そして、本発明では、モールド１を転写位置へ向けて図示の矢印Ｘ′方向に搬送し、この搬送に際して、異物を除去する。すなわち、上記のように、モールド１が転写位置へ向けて図示の矢印Ｘ′方向に搬送される場合、相対的に転写基板１１１はモールド１に対して図示の矢印Ｘ方向に搬送されることになる。したがって、モールド１の異物捕捉領域Ｂは、凹凸構造領域Ａよりも転写基板１１１の搬送方向（図示の矢印Ｘ方向）の上流側に位置していることになる。そして、モールド１が矢印Ｘ′方向に搬送されて鎖線で示される位置まで搬送されたときに、近傍の雰囲気中に異物Ｐ1が存在しても、モールド１の異物捕捉領域Ｂの副構造物７が発現する静電気力により捕捉除去される。また、モールド１が更に矢印Ｘ′方向に搬送され、転写基板１１１に接近した位置（二点鎖線で示される位置）まで搬送されたときに、転写基板１１１上に異物Ｐ2が存在しても、モールド１の異物捕捉領域Ｂの副構造物７が発現する静電気力により捕捉除去される。したがって、異物がモールドに接近したり、転写基板上に異物が存在していても、これらの異物は、モールドの凹凸構造領域に到達する前に除去され、パターン構造体の欠陥発生、モールドの破損等を防止することができる。このようにモールドが転写位置に搬送される場合における作用効果は、上述の第２〜第４の実施形態においても同様に奏される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
インプリント方法を用いた種々のパターン構造体の製造、基板等の被加工体へ微細加工等に適用可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１，１′，１″…インプリント用のモールド
２…基部
４…主凸構造部
５…凹凸構造
７，７Ａ，７Ｂ…副凸構造部
８…凹凸構造
Ａ…凹凸構造領域
Ｂ…異物捕捉領域
２１，３１，４１…インプリント装置
２２，３２，４２…モールド保持部
２３…吸引機構
３３…集塵機構
２５，３５，４５…基板保持部
２７，３７，４７…樹脂供給部
４９…帯電発生部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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