(57)【要約】【課題】光触媒性自己洗浄によって疎水性が維持されるバッファ層を具備するドナー基板が提供される。【解決手段】本発明によるドナー基板は、ベース層、前記ベース層上に配置された光熱変換層、前記光熱変換層上に配置され、二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層、及び前記バッファ層上に配置された転写層を含む。入射光によって自己洗浄されることによって前記バッファ層の疎水性が維持される。それによって前記バッファ層と前記転写層の分離が容易に生じ、前記バッファ層の一部が転写される不良が発生しない。【選択図】図２
2014232726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
前記ベース層上に配置された光熱変換層と、
前記光熱変換層上に配置され、入射された光によって自己洗浄される二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層と、
前記バッファ層上に配置された転写層と、を含むドナー基板。
【請求項２】
前記光熱変換層と前記バッファ層との間に配置され、前記光熱変換層に含まれた光吸収性物質が前記転写層に拡散されることを防止する中間層をさらに含む請求項１に記載のドナー基板。
【請求項３】
ベース層上に光熱変換層を形成する段階と、
前記光熱変換層上に二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層を形成する段階と、
前記バッファ層に光を照射する段階と、
前記光が照射されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含むドナー基板の製造方法。
【請求項４】
前記バッファ層を形成する段階は、ＲＦマグネトロンスパッタリング方式で二酸化チタニウムとポリテトラフルオロエチレンを同時蒸着することを特徴とする請求項３に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項５】
前記光熱変換層を形成する段階と前記転写層を形成する段階との間に、前記光熱変換層に含まれた光熱変換物質が前記転写層に拡散されることを防止する中間層を形成する段階をさらに含む請求項３または４に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項６】
前記中間層を形成する段階で、前記中間層は、前記光熱変換層上に直接配置されたことを特徴とする請求項５に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項７】
前記中間層を形成する段階で、前記中間層は、前記光熱変換層と前記バッファ層との間に配置されたことを特徴とする請求項５に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項８】
ベース層、前記ベース層上に配置された光熱変換層、前記光熱変換層上に配置され、光によって自己洗浄される二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層、及び前記バッファ層上に配置された転写層を含むドナー基板の前記転写層が被転写基板に接触されるように前記ドナー基板を前記被転写基板上に配置させる段階と、
前記被転写基板に転写パターンが転写されるように前記ドナー基板に光を照射する段階と、
前記ドナー基板を前記被転写基板から除去する段階と、を含む転写パターン形成方法。
【請求項９】
前記被転写基板は、有機発光表示基板の一部分を構成することを特徴とする請求項８に記載の転写パターン形成方法。
【請求項１０】
前記有機発光表示基板は、有機発光素子を含み、
前記転写パターンは、前記有機発光素子の一部分を構成することを特徴とする請求項９に記載の転写パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はドナー基板、その製造方法、及びこれを利用する転写パターン形成方法に関し、より詳細には疎水性が維持されるバッファ層を含むドナー基板、その製造方法、及びこれを利用する転写パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
被転写基板上に有機物／無機物パターン（以下，転写パターン）を形成する方法に光熱転写方法（ｌａｓｅｒ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｉｍａｇｉｎｇ  ＬＩＴＩ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）が利用されている。例えば、有機発光素子を形成する過程で前記光熱転写方法が利用される。
【０００３】
前記光熱転写法はドナー基板を利用する。前記ドナー基板は光源から入射された光を熱に変換する光熱変換層、前記光熱変換層上に配置されたバッファ層、及び前記バッファ層上に配置された転写層を含む。
【０００４】
前記バッファ層は前記転写層より前記光熱変換層とさらに大きい結合力を有する。前記バッファ層は前記ドナー基板から前記転写層のみが転写されるよう誘導する。例えば、前記バッファ層が省略される場合、前記光熱変換層の一部が前記転写層に付着されて被転写基板に転写されてしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開第２００８／０００３５１９号公報
【特許文献２】米国特許第６，２１４，５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
したがって、本発明の目的は光触媒性自己洗浄（ｓｅｌｆ−ｃｌｅａｎｉｎｇ）によって疎水性が維持されるバッファ層を具備するドナー基板を提供することを目的とする。また、前記ドナー基板の製造方法を提供することを目的とする。また、前記ドナー基板を利用して転写パターンを形成する方法を提供することをその他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によるドナー基板は、ベース層、前記ベース層上に配置された光熱変換層（ｌｉｇｈｔ−ｔｏ−ｈｅａｔ  ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）、前記光熱変換層上に配置され、二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層、及び前記バッファ層上に配置された転写層を含む。前記バッファ層は、入射光によって自己洗浄されることによって、前記バッファ層の疎水性が維持される。
【０００８】
本発明の一実施形態によるドナー基板は、前記光熱変換層に含まれた光吸収性物質が前記転写層に拡散されることを防止する中間層をさらに包含することができる。前記中間層は、前記光熱変換層と前記バッファ層との間に配置され得る。
【０００９】
本発明の一実施形態によるドナー基板の製造方法は、ベース層上に光熱変換層を形成する段階、前記光熱変換層上にバッファ層を形成する段階、前記バッファ層に光を照射する段階、及び前記光が照射されたバッファ層上に転写層を形成する段階を含む。
【００１０】
前記バッファ層を形成する段階は、ＲＦマグネトロンスパッタリング方式に二酸化チタニウムとポリテトラフルオロエチレンとを同時に蒸着することを特徴とする。
本発明の一実施形態によるドナー基板の製造方法は、前記バッファ層を形成する段階と前記転写層を形成する段階との間に、前記光熱変換層に含まれた光熱変換物質が前記転写層に拡散されることを防止する中間層を形成する段階をさらに含む。
【００１１】
本発明の一実施形態による転写パターンの形成方法は、上述したドナー基板の前記転写層が被転写基板に接触されるように前記ドナー基板を前記被転写基板上に配置させる段階、前記被転写基板に転写パターンが転写されるように前記ドナー基板に光を照射する段階、及び前記ドナー基板を前記被転写基板から除去する段階を含む。前記被転写基板は、有機発光表示基板の一部分を構成し、前記転写パターンは、前記有機発光素子の一部分を構成することができる。
【発明の効果】
【００１２】
上述したことによれば、前記バッファ層は入射された光によって自己洗浄されることによって疎水性を維持する。たとえ、前記バッファ層の一部分が物質による汚染等によって親水性に変性されたとしても、前記入射された光によって自己洗浄されてこの物質が除去される。したがって、前記バッファ層と前記転写層との分離が容易に生じ、前記バッファ層の一部が転写される不良が発生しない。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態によるドナー基板の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態によるドナー基板の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるドナー基板の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態によるバッファ層のＦＥ−ＳＥＭイメージである。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるバッファ層のＦＥ−ＳＥＭイメージである。
【図５Ｂ】図５Ａの拡大イメージである。
【図６】光によって変化される接触角を示すグラフである。
【図７Ａ】水滴の接触角変化を示すイメージである。
【図７Ｂ】水滴の接触角変化を示すイメージである。
【図７Ｃ】水滴の接触角変化を示すイメージである。
【図８Ａ】本発明の一実施形態によるドナー基板の製造工程を示した断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態によるドナー基板の製造工程を示した断面図である。
【図８Ｃ】本発明の一実施形態によるドナー基板の製造工程を示した断面図である。
【図８Ｄ】本発明の一実施形態によるドナー基板の製造工程を示した断面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態による転写パターンの形成工程を示した断面図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態による転写パターンの形成工程を示した断面図である。
【図９Ｃ】本発明の一実施形態による転写パターンの形成工程を示した断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態にしたがって形成された転写パターンを含む有機発光表示基板を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面では様々な層及び領域を明確に表現するために一部構成要素のスケールを誇張するか、或いは縮小して示した。明細書の全体に掛けて類似な参照符号は類似な構成要素を称する。そして、いずれかの層が他の層の‘上に’形成される（配置される）ことは、２つの層が接している場合のみならず、２つの層の間に他の層が存在する場合も含む。また、図面でいずれの層の一面が平らに図示されたが、必ず平たいことを要求しなく、積層工程で下部層の表面形状によって上部層の表面に段差が発生することもあり得る。
【００１５】
図１は本発明の一実施形態によるドナー基板の平面図であり、図２及び図３は本発明の一実施形態によるドナー基板の断面図である。図２及び図３は図１のＩ−Ｉ’に対応する断面図である。以下、図１乃至図３を参照して本発明の実施形態によるドナー基板を説明する。
【００１６】
図１及び図２に示したように、ドナー基板１００はベース層１０、光熱変換層２０、バッファ層３０、及び転写層４０を含む。図示しないが、前記ベース層１０と前記光熱変換層２０との間にはその他の機能層が配置され得る。
【００１７】
前記ベース層１０は入射光を通過させるために透明である。前記ベース層１０は、例えばポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレン、及びポリエチレンテレフタレートからなされた群から選択された１つ以上の高分子物質を包含することができる。前記ベース層１０は前記高分子物質で構成された高分子フィルムであるか、或いはガラス又は石英等からなされ得る。前記ベース層１０の厚さは１０μｍ乃至５００μｍであることが望ましい。
【００１８】
前記光熱変換層２０は前記ベース層１０上に配置される。前記光熱変換層２０は前記入射光を吸収して前記吸収された光を熱に変換させる。前記光熱変換層２０は前記入射光の特定な波長帯、例えば赤外線領域又は可視光線領域を吸収することができる。
【００１９】
前記光熱変換層２０は所定の光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）及び光吸収性を有する物質を包含することができる。例えば、光熱変換層２０はアルミニウムＡｌ、ニッケルＮｉ、モリブデンＭｏ、チタニウムＴｉ、ジルコニウムＺｒ、銅Ｃｕ、バナジウムＶ、タンタルＴａ、パラジウムＰｄ、ルテニウムＲｕ、イリジウムＩｒ、金Ａｕ、銀Ａｇ、白金Ｐｔ等の金属、これらの金属の酸化物、これらの金属の黄化物、カーボンブラック（ｃａｒｂｏｎ  ｂｌａｃｋ）、黒鉛又は赤外線染料を光吸収性物質として含む高分子を包含することができる。これらは単独に或いは互いに組合されて使用され得る。また、光熱変換層２０は前記物質を含む単層或いは多層構造を有することができる。
【００２０】
前記光熱変換層２０は結合剤（ｂｉｎｄｅｒ）をさらに包含することができる。前記光熱変換層２０はカーボンブラックを有機結合剤内に分散させた有機膜であり得り、金属酸化物又は金属黄化物を含む金属膜であり得る。
【００２１】
前記バッファ層３０は前記光熱変換層２０上に配置される。前記バッファ層３０は二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含む。前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は疎水性を有する。転写パターンの形成過程で前記疎水性の前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は前記バッファ層３０と前記転写層４０との分離を促進させ、前記バッファ層３０の一部が転写される不良を防止する。
【００２２】
また、前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体はこの物質によって汚染された前記バッファ層３０の表面を治癒する。前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は入射された光によって自己洗浄（ｓｅｌｆ−ｃｌｅａｎｉｎｇ）させることによって、前記この物質を除去する。光触媒性自己洗浄性質（ｐｈｏｔｏｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｓｅｌｆ−ｃｌｅａｎｉｎｇ  ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ）を有する前記バッファ層３０は一時的に汚染されても疎水性を維持することができる。これに対する詳細な説明は後述する。
【００２３】
前記転写層４０は前記バッファ層３０上に配置される。前記転写層４０は熱エネルギーが供給されて転写される有機／無機物質を含む。例えば、前記転写層４０はカラーフィルターを構成する有機物質又は有機発光素子を構成する機能性物質を包含でき、特定な物質で限定されることではない。
【００２４】
図３に示したように、本発明の一実施形態によるドナー基板１００−１は中間層５０をさらに包含することができる。前記中間層５０は前記光熱変換層２０と前記バッファ層３０との間に配置される。前記中間層５０は前記光熱変換層２０に含まれるカーボンブラック等のような光吸収性物質によって転写層４０が汚染されることを防止する。前記中間層５０は、例えば重合体、金属、無機物、及び無機酸化物、有機／無機複合物質を含む。
【００２５】
図４は本発明の一実施形態によるバッファ層のＦＥ−ＳＥＭイメージである。図５Ａは本発明の一実施形態によるバッファ層のＦＥ−ＳＥＭイメージであり、図５Ｂは図５Ａの拡大イメージである。
【００２６】
図４は石英基板に蒸着された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を示し、図５Ａ及び図５Ｂはチタニウム基板に蒸着された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を示す。前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体はＲＦマグネトロンスパッタリング（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ−ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式で蒸着された。
【００２７】
図４に示したように、前記石英基板に蒸着された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は一定なパターンを有する。前記ポリテトラフルオロエチレンと前記二酸化チタニウムとは海と島（ｓｅａ−ｉｓｌａｎｄｓ）との関係と類似である。前記ポリテトラフルオロエチレンは前記海に該当し、前記二酸化チタニウムは前記島に該当する。図４に図示された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体のチタニウムとフルオロのモル比は１５：１００を有する。
【００２８】
前記ポリテトラフルオロエチレンに含まれたフルオロは前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体に疎水性を提供する。前記二酸化チタニウムは前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体に自己洗浄性質を提供する。
【００２９】
図５Ａ及び図５Ｂに示したように、前記ＦＥ−ＳＥＭイメージ（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｓｃａｎｎｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ  ｉｍａｇｅ）で前記チタニウム基板の表面は縺れた（ｔａｎｇｌｅｄ）ロード形状の前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含む。前記チタニウム基板の表面は針形状の縺れた突起を含む。前記突起の各々は前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体でコーティングされ、それによって前記ロード形状の前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体が形成される。
【００３０】
前記ロード形状の前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は前記ポリテトラフルオロエチレンの突起に丸い形状の二酸化チタニウムが散発的に配置される。前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレンロードの各々は前記ポリテトラフルオロエチレンの海に前記二酸化チタニウムの島が配置された形状である。
【００３１】
図６は光によって変化される接触角を示すグラフである。図７Ａ乃至図７Ｃは水滴の接触角変化を示すイメージである。
【００３２】
図６に図示された第１グラフＧＲ１は前記チタニウム基板に蒸着された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体の接触角を、第２グラフＧＲ２は前記チタニウム基板に蒸着されたポリテトラフルオロエチレンの接触角を、第３グラフＧＲ３は前記チタニウム基板に蒸着された二酸化チタニウムの接触角を示す。
【００３３】
前記第１グラフＧＲ１、前記第２グラフＧＲ２、及び前記第３グラフＧＲ３の各々はオレイン酸によって汚染された表面に提供された水滴の接触角を示す。図６の第１区間ＰＲ１は光が提供されない区間であり、第２区間ＰＲ２は光が提供された区間である。例えば、前記第２区間ＰＲ２で紫外線が提供される。
【００３４】
前記第１グラフＧＲ１、前記第２グラフＧＲ２、及び前記第３グラフＧＲ３は前記第１区間ＰＲ１で類似な接触角を有する。前記第２区間ＰＲ２で光が提供されれば、前記第１グラフＧＲ１、前記第２グラフＧＲ２、及び前記第３グラフＧＲ３は互いに異なった変化となる。
【００３５】
前記第２グラフＧＲ２のように、前記チタニウム基板に蒸着されたポリテトラフルオロエチレンの湿潤性は入射光によって実質的に変化されない。前記第３グラフＧＲ３のように、前記チタニウム基板に蒸着された前記二酸化チタニウムは前記入射光によって親水性を回復する。前記二酸化チタニウムの自己洗浄性質によって前記オレイン酸は除去される。前記第１グラフＧＲ１のように、前記チタニウム基板に蒸着された前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は前記入射光に応答して疎水性を回復する。前記二酸化チタニウムの自己洗浄性質によって前記オレイン酸は除去され、ポリテトラフルオロエチレンによって疎水性を有する。
【００３６】
図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃはそれぞれ図６の前記第１グラフＧＲ１、前記第２グラフＧＲ２、及び前記第３グラフＧＲ３に対応する水滴の接触角変化を示す。図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃの各々の第１番目のイメージ１は汚染されない状態の水滴を示す。図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃの各々の第２番目のイメージ２はオレイン酸によって汚染された表面に提供された水滴を示す。図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃの各々の第３番目のイメージ３はオレイン酸によって汚染された表面に光を照射した後、変化された水滴を示す。図７Ａ、図７Ｂ、及び図７Ｃの各々の第３番目のイメージ３は図６の前記第１グラフＧＲ１、前記第２グラフＧＲ２、及び前記第３グラフＧＲ３の前記第２区間ＰＲ２に対応する接触角を有する。
【００３７】
図６乃至図７Ｃで説明したように、前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体はこの物質によって汚染されても、前記入射光に誘発されて自己洗浄され得る。それによって、前記二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体は疎水性を維持する。
【００３８】
図８Ａ乃至図８Ｄは本発明の一実施形態によるドナー基板の製造工程を示した断面図である。図８Ａ乃至図８Ｄは図２に図示されたドナー基板１００の製造工程を図示している。
【００３９】
先ず、図８Ａに示したように、ベース層１０上に光熱変換層２０を形成する。前記光熱変換層２０をなす物質にしたがって形成方法が選択され得る。例えば、金属、金属酸化物、金属黄化物、カーボンブラック、黒鉛等で構成された前記光熱変換層２０は真空蒸着工程、電子ビーム蒸着工程、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工程等で形成され得る。高分子で構成された前記光熱変換層２０はロールコーティング（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、圧出コーティング（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スピンコーティング（ｓｐｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）、ナイフコーティング（ｋｎｉｆｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）工程等で形成され得る。
【００４０】
次に、図８Ｂに示したように、前記光熱変換層２０上に二酸化チタニウム−ポリテトラフルオロエチレン複合体を含むバッファ層３０を形成する。ＲＦマグネトロンスパッタリング方式に二酸化チタニウムとポリテトラフルオロエチレンを同時蒸着する。
【００４１】
以後、図８Ｃに示したように、前記バッファ層３０に光ＬＳを照射する。紫外線又は可視光線を照射する。前記バッファ層３０は自己洗浄されて疎水性を維持する。
【００４２】
次に、図８Ｄに示したように、前記バッファ層３０上に転写層４０を形成する。構成物質にしたがって真空蒸着工程、スパッタリング工程、又はコーティング工程等で前記転写層４０を形成する。前記転写層４０は直前工程で自己洗浄された前記バッファ層３０の疎水性の表面上に形成される。
【００４３】
図示していないが、図３に図示されたドナー基板１００−１は前記光熱変換層２０と前記バッファ層３０とを形成する段階の間に、中間層５０を形成する段階をさらに含む。前記中間層５０は真空蒸着工程、熱蒸着工程、スリットコーティング工程、スピンコーティング工程等を通じて形成され得る。
【００４４】
図９Ａ乃至図９Ｃは本発明の一実施形態による転写パターンを形成する工程を示した断面図である。以下、図９Ａ乃至図９Ｃを参照して転写パターンを形成する方法を説明する。図９Ａ乃至図９Ｃは図２に図示されたドナー基板１００を図示したが、図３に図示されたドナー基板１００−１も同じ工程によって転写パターンを形成することができる。
【００４５】
先ず、図９Ａに示したように、前記転写層４０が前記被転写基板ＳＵＢに接触するように前記ドナー基板１００を前記被転写基板ＳＵＢ上に配置させる。前記被転写基板ＳＵＢは未図示された絶縁層をさらに包含することができる。前記絶縁層は有機膜及び／又は無機膜を包含することができる。後述のように、前記被転写基板ＳＵＢは有機発光表示基板の一部を構成することができる。
【００４６】
次に、図９Ｂに示したように、前記ドナー基板１００に光を照射する。前記光は紫外線又は可視光線であり得る。また、前記光は一定な波長のレーザービームであり得る。
【００４７】
前記転写層４０の一部分のみに４０−ＴＰを転写させるために前記ドナー基板１００の一部分のみに光が照射され得る。局地的に光を提供する光源が本段階で使用され得る。
【００４８】
他の実施形態で前記ドナー基板１００の全体に光を提供する光源と前記光源から提供された光を部分的に透過させる開口部が具備されたマスクとが本段階で使用され得る。付加的に、前記転写層４０の全体を転写させるために前記ドナー基板１００の全体に光が照射されることもあり得る。
【００４９】
以後、図９Ｃに示したように、前記ドナー基板１００の前記光が入射された部分に対応するように前記被転写基板ＳＵＢに転写パターンＴＰが形成される。前記転写パターンＴＰが形成されれば、前記ドナー基板１００を前記被転写基板ＳＵＢから除去する。
【００５０】
図１０は本発明の一実施形態にしたがって形成された転写パターンを含む有機発光表示基板を示した断面図である。前記有機発光表示基板はベース基板ＳＵＢ１０、前記ベース基板ＳＵＢ１０上に配置された薄膜トランジスターＴＦＴ、絶縁層ＩＬ、及び有機発光素子ＯＬＥＤを含む。前記薄膜トランジスターＴＦＴと前記有機発光素子ＯＬＥＤとは前記有機発光表示基板に具備された画素毎に配置される。前記画素は前記ベース基板ＳＵＢ１０上でマトリックス形態に配列され得る。別に図示しないが、前記有機発光表示基板は前記画素に電気的信号を提供する複数個の配線をさらに含む。
【００５１】
図１０に示したように、前記ベース基板ＳＵＢ１０上に前記薄膜トランジスターＴＦＴの制御電極ＧＥが配置される。前記ベース基板ＳＵＢ１０は図９Ａ乃至図９Ｃを参照して説明した被転写基板ＳＵＢに対応する。
【００５２】
前記ベース基板ＳＵＢ１０上に前記制御電極ＧＥをカバーする第１絶縁層ＩＬ１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ１上に半導体層ＡＬが配置される。前記半導体層ＡＬと重畳するように前記第１絶縁層ＩＬ１上に入力電極ＳＥと出力電極ＤＥとが配置される。
【００５３】
前記第２絶縁層ＩＬ２が前記入力電極ＳＥ及び前記出力電極ＤＥをカバーする。前記第２絶縁層ＩＬ２上に前記有機発光素子ＯＬＥＤが配置される。前記有機発光素子ＯＬＥＤは前記第２絶縁層ＩＬ２上に順次的に積層された第１電極ＡＥ、正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、有機発光層ＥＭＬ、電子注入層ＥＩＬ、第２電極ＣＥを含む。前記第１電極ＡＥは前記第２絶縁層ＩＬ２を貫通するコンタクトホールＣＨを通じて前記出力電極ＤＥに連結される。
【００５４】
一方、前記有機発光素子ＯＬＥＤの構造はこれに制限されない。前記電子注入層ＥＩＬは省略され得、前記有機発光素子ＯＬＥＤは前記有機発光層ＥＭＬと前記電子注入層ＥＩＬとの間に電子輸送層をさらに包含することができる。
【００５５】
前記正孔注入層ＨＩＬと前記電子注入層ＥＩＬとが前記画素との間に共通的に配置されることと異なり、前記正孔輸送層ＨＴＬと前記有機発光層ＥＭＬとは前記画素毎に各々独立的に配置される。
【００５６】
図９Ａ乃至図９Ｃを参照して説明した方法によって、前記正孔輸送層ＨＴＬと前記有機発光層ＥＭＬとが形成され得る。また、図９Ｂを参照して付加説明したことのように、前記ドナー基板１００の全体に光が提供されることによって、前記正孔注入層ＨＩＬと前記電子注入層ＥＩＬとが形成されることもあり得る。
【００５７】
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることは理解できる。
【符号の説明】
【００５８】
１０・・・ベース層
２０・・・光熱変換層
３０・・・バッファ層
４０・・・転写層     
５０・・・中間層
ＳＵＢ・・・被転写基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図１０】
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