(57)【要約】【課題】隔壁を含めたコネクタ全体を加熱することなく、コネクタと隔壁との半田接合部分のみを加熱して半田接続可能とした、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するためのコネクタを提供する。【解決手段】コネクタ１は、隔壁４３に形成された、気密チャンバＣの内部と外部とを貫通する開口部４４を塞ぐ平板状の基材１０を有する。基材１０の内表面１０ａには、基材１０の外周に沿って延びる、隔壁４３に半田接続される半田接合部１５が形成されている。基材１０には、内表面１０ａにおける半田接合部１５と外表面１０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール１８が半田接合部１５に沿って断続的に形成されている。【選択図】図２
2014110123.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するために用いられ、隔壁に形成された、気密チャンバの内部と外部とを貫通する開口部を塞ぐコネクタであって、前記開口部を塞ぐ平板状の基材を有するコネクタにおいて、
前記基材の内表面には、前記基材の外周に沿って延びる、前記隔壁に半田接続される半田接合部が形成され、前記基材に、前記内表面における半田接合部と前記外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記半田接合部に沿って断続的に形成したことをこと特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記基材の外表面には、前記基材の外周に沿って延びる、前記多数のめっきスルーホールに接続された伝熱層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記基材の外側面に、前記基材の内表面にある前記半田接合部と前記基材の外表面にある前記伝熱層とを接続する伝熱部を設けたことを特徴とする請求項２記載のコネクタ。
【請求項４】
前記めっきスルーホール内に、フラックス上がり防止材を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項記載のコネクタ。
【請求項５】
前記フラックス上がり防止材は、前記めっきスルーホール内に充填された導電ペーストであることを特徴とする請求項４記載のコネクタ。
【請求項６】
前記フラックス上がり防止材は、前記めっきスルーホール内に充填された樹脂であることを特徴とする請求項４記載のコネクタ。
【請求項７】
前記半田接合部に沿って断続的に形成した多数のめっきスルーホールが２列に形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか一項記載のコネクタ。
【請求項８】
隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するために用いられ、隔壁に形成された、気密チャンバの内部と外部とを貫通する開口部を塞ぐコネクタであって、
前記開口部を塞ぐ多層基板を備え、該多層基板は、平板状の第１基材と、該第１基材の内表面側に配置されて前記開口部を塞ぐ平板状の第２基材と、前記第１基材の外表面側に配置される平板状の第３基材とを備え、
前記第２基材の内表面には、前記第２基材の外周に沿って延びる、前記隔壁に半田接続される半田接合部が形成され、前記第２基材には、前記第２基材の内表面における半田接合部と前記第２基材の外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記半田接合部に沿って断続的に形成し、
前記第１基材には、該第１基材の内表面及び外表面間を電気的に相互接続する多数のバイアであって、前記第２基材に設けられた前記めっきスルーホールに接続される前記多数のバイアが形成され、
前記第３基材には、前記第３基材の内表面における前記第１基材の多数のバイアと前記第３基材の外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記第３基材の外周に沿って断続的に形成したことを特徴とするコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するために用いられ、隔壁に形成された、気密チャンバの内部と外部とを貫通する開口部を塞ぐコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続する要請がある。例えば、集積回路を搭載した半導体チッププロセスにおいて内部を真空に近い状態にまで減圧することが可能な真空チャンバを用い、この真空チャンバの内部及び外部を電気的に接続することが行われる。また、隔壁で区画される気密チャンバの内部をＨｅガスのような分子量の少ないガスで充満させて減圧することも行われている。このような圧力が調整された気密チャンバの内部と外部との電気的接続に際しては、チャンバ内部の気密性を保持すると同時に、チャンバの内部と外部との確実な電気的接続性が求められる。
【０００３】
従来のこの種のチャンバの内部と外部とを接続するためのコネクタとして、例えば、図１５に示す特許文献１に記載のコネクタが知られている。図１５は、従来例の、隔壁で区画される、圧力が調整された気密チャンバの内部側及び外部側を電気的に相互接続するコネクタの断面図である。
図１５に示すコネクタ１０１は、隔壁１０２で区画され内部の圧力が調整されるチャンバの内部Ａ側及び外部Ｂ側を電気的に相互接続するものである。
【０００４】
図１５に示すコネクタ１０１は、フランジ１１０、アダプタ１２０、及びセラミック基板１３０で構成される。コネクタ１０１は、チャンバを区画する隔壁１０２に設けられた開口部１０３を塞ぐようにチャンバの外部Ｂ側に配置される。このコネクタ１０１は、フランジ１１０に複数箇所設けられたボルト締付孔１１１を用いてチャンバの隔壁１０２に取り付けられる。コネクタ１０１は、フランジ１１０の下面において開口部１０３の外周を囲むように形成されるシールエリア１１２が隔壁１０２に密着し、気密性が確保される。
【０００５】
ここで、アダプタ１２０には、図示しない２つの貫通孔が形成され、それら２つの貫通孔に一本づつ電源用ポスト１２２が挿通されている。各貫通孔の内部であって電源用ポスト１２２の周囲は、ガラスハーメチックで充填されている。各電源ポスト１２２には、チャンバの内部Ａ側及び外部Ｂ側の双方から電源用コネクタ（図示せず）が接続されている。チャンバの外部Ｂ側から内部Ａ側に電源ポスト１２２を介して電力が供給される。アダプタ１２０は、フランジ１１０に溶接により気密状態に固定される。
【０００６】
そして、セラミック基板１３０は、その下面において周縁部がロウ付け領域１３１、その内側が電気接続領域１３２となっている。セラミック基板１３０の中央部分には、電気接続領域１３２を露呈させるだけの貫通開口１２１が形成されている。そして、セラミック基板１３０は、そのロウ付け領域１３１がアダプタ１２０の貫通開口１２１の周囲の部分に、気密状態にロウ付けされている。
なお、セラミック基板１３０の電気接続領域１３２の内表面及び外表面には、多数の導電パッド（図示せず）が配置されている。内表面の導電パッドと外表面の導電パッドとは、貫通孔の内部に導電体を充填したバイア（図示せず）によって相互接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−３４９０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、この図１５に示した特許文献１に記載のコネクタ１０１にあっては、以下の問題点があった。
即ち、図１５に示す特許文献１に記載のコネクタ１０１の場合、前述したように、セラミック基板１３０は、そのロウ付け領域１３１がアダプタ１２０の貫通開口１２１の周囲の部分に、気密状態にロウ付けされる。
【０００９】
ここで、セラミック基板１３０を良好に半田接続するためには、隔壁１０２を含めたコネクタ１０１全体をリフロー炉に入れて加熱し、リフロー半田接続する必要がある。コネクタ１０１を隔壁１０２とともにリフロー炉に入れて半田溶融温度まで加熱すると、コネクタ１０１において既に半田接続した部分が溶融したり、隔壁１０２やコネクタ１０１上の他の部品がリフロー熱により劣化するおそれがある。また、隔壁１０２が大きくなると、加熱自体が困難になるとともに、加熱ができたとしても冷却に要する時間が長くなり、その生産性が極めて悪くなるとういう問題があった。
【００１０】
従って、本発明は、これら問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、隔壁を含めたコネクタ全体を加熱することなく、コネクタと隔壁との半田接合部分のみを加熱して半田接続可能とした、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するためのコネクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のうちある態様に係るコネクタは、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するために用いられ、隔壁に形成された、気密チャンバの内部と外部とを貫通する開口部を塞ぐコネクタであって、前記開口部を塞ぐ平板状の基材を有するコネクタにおいて、前記基材の内表面には、前記基材の外周に沿って延びる、前記隔壁に半田接続される半田接合部が形成され、前記基材に、前記内表面における半田接合部と前記外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記半田接合部に沿って断続的に形成したことをこと特徴としている。
【００１２】
ここで、「めっきスルーホール」とは、基材の内表面及び外表面との間を貫通する貫通孔の内周面に前記内表面と外表面との間を延びる導電めっきを施してなるものをいう。
また、このコネクタにおいて、前記基材の外表面には、前記基材の外周に沿って延びる、前記多数のめっきスルーホールに接続された伝熱層が形成されていることが好ましい。
また、このコネクにおいて、前記基材の外側面に、前記基材の内表面にある前記半田接合部と前記基材の外表面にある前記伝熱層とを接続する伝熱部を設けてもよい。
【００１３】
更に、このコネクタにおいて、前記めっきスルーホール内に、フラックス上がり防止材を設けることが好ましい。
また、このコネクタにおいて、前記フラックス上がり防止材は、前記めっきスルーホール内に充填された導電ペーストであるとよい。
また、このコネクタにおいて、前記フラックス上がり防止材は、前記めっきスルーホール内に充填された樹脂であってもよい。
また、このコネクタにおいて、前記半田接合部に沿って断続的に形成した多数のめっきスルーホールが２列に形成されていてもよい。
【００１４】
また、本発明のうち別の態様に係るコネクタは、隔壁で区画される気密チャンバの内側及び外側を電気的に相互接続するために用いられ、隔壁に形成された、気密チャンバの内部と外部とを貫通する開口部を塞ぐコネクタであって、前記開口部を塞ぐ多層基板を備え、該多層基板は、平板状の第１基材と、該第１基材の内表面側に配置されて前記開口部を塞ぐ平板状の第２基材と、前記第１基材の外表面側に配置される平板状の第３基材とを備え、前記第２基材の内表面には、前記第２基材の外周に沿って延びる、前記隔壁に半田接続される半田接合部が形成され、前記第２基材には、前記第２基材の内表面における半田接合部と前記第２基材の外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記半田接合部に沿って断続的に形成し、前記第１基材には、該第１基材の内表面及び外表面間を電気的に相互接続する多数のバイアであって、前記第２基材に設けられた前記めっきスルーホールに接続される前記多数のバイアが形成され、前記第３基材には、前記第３基材の内表面における前記第１基材の多数のバイアと前記第３基材の外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを前記第３基材の外周に沿って断続的に形成したことを特徴としている。
【００１５】
このコネクタにおいて、前記第１基材は、該第１基材の内表面及び外表面との間を貫通する貫通孔の内周面に前記内表面と外表面との間を延びる第１導電めっきを施してなる第１スルーホールを有するとともに、前記第１基材の内表面に設けられた、前記第１導電めっきの内表面側に接続された第１導電層と、前記第１基材の外表面に設けられた、前記第１導電めっきの外表面側に接続された第２導電層とを備え、前記第２基材は、該第２基材の内表面及び外表面との間を貫通する貫通孔の内周面に前記内表面と外表面との間を延びる第２導電めっきを施してなる第２スルーホールを有するとともに、前記第２基材の内表面に設けられた、前記第２導電めっきの内表面側に接続された第３導電層を備え、前記第３基材は、該第３基材の内表面及び外表面との間を貫通する貫通孔の内周面に前記内表面と外表面との間を延びる第３導電めっきを施してなる第３スルーホールを有するとともに、前記第３基材の外表面に設けられた、前記第３導電めっきの外表面側に接続された第４導電層を備え、前記第２基材の外表面を前記第１基材の内表面に接するように配置して前記第２基材によって前記第１スルーホールの内表面側を塞ぐとともに、前記第１導電層と前記第２導電めっきの外表面側とを接続し、前記第３基材の内表面を前記第１基材の外表面に接するように配置して前記第３基材によって前記第１スルーホールの外表面側を塞ぐとともに、前記第２導電層と前記第３導電めっきの内表面側とを接続するとよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るコネクタによれば、基材に、内表面における半田接合部と外表面との間を連通する多数のめっきスルーホールを半田接合部に沿って断続的に形成してある。そして、半田接合部を隔壁に半田接続する際には、加熱装置により基材の外表面側から多数のめっきスルーホールを介して基材の内表面側の半田接合部に伝熱させて半田を半田溶融温度まで加熱する。このため、隔壁を含めたコネクタ全体を加熱することなく、コネクタと隔壁との半田接合部分のみを加熱して半田接続することができる。これにより、コネクタにおいて既に半田接続した部分が溶融してしまったり、隔壁や基材上の他の部品がリフロー熱により劣化してしまうおそれはなくなる。また、隔壁が大きい場合でも、加熱自体が容易であると共に、加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るコネクタの第１実施形態を用いた電気接続構造の概略模式図である。
【図２】図１に示すコネクタを用いた電気接続構造において、コネクタの周辺を詳細に示す断面図である。
【図３】図１に示すコネクタの平面図である。
【図４】図３における４−４線に沿う断面図である。
【図５】図１に示すコネクタに用いられる基材の平面図である。
【図６】図５における６−６線に沿う断面図である。
【図７】本発明に係るコネクタの第２実施形に用いられる基材の平面図である。
【図８】本発明に係るコネクタの第３実施形態に用いられる基材の平面図である。
【図９】図８における９−９線に沿う断面図である。
【図１０】本発明に係るコネクタの第３実施形態を用いた電気接続構造において、コネクタの周辺を詳細に示す断面図である。
【図１１】本発明に係るコネクタの第４実施形態に用いられる基材の断面図である。
【図１２】本発明に係るコネクタの第５実施形態に用いられる基材の断面図である。
【図１３】本発明に係るコネクタの第６実施形態に用いられる多層基板の平面図である。
【図１４】図１３における１４−１４線に沿う断面図である。
【図１５】従来例の、隔壁で区画される、圧力が調整された気密チャンバの内部側及び外部側を電気的に相互接続するコネクタの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明に係るコネクタの実施形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明に係るコネクタの第１実施形態を用いた電気接続構造の概略模式図である。
図１に示す電気接続構造において、隔壁４３で区画され内部が気密に保たれる気密チャンバＣの内側及び外側をコネクタ１を用いて電気的に相互接続する。気密チャンバＣの内部は、真空に近い状態であってもよいし、Ｈｅガスのような分子量の少ないガスで充満させて外気圧よりも低い圧力の状態に減圧してもよい。また、気密チャンバＣの内部は、外気圧よりも高い圧力の状態であってもよい。
【００１９】
ここで、隔壁４３には、図１に示すように、気密チャンバＣの内部と外部とを貫通する開口部４４が形成されている。また、隔壁４３には、隔壁４３の気密チャンバＣ内にガスを注入するためのガス注入用開口部４５が形成されている。この隔壁４３は、金属製である。
そして、隔壁４３の開口部４４は、図１及び図２に示すように、コネクタ１によって塞がれる。
【００２０】
コネクタ１は、図２に示すように、開口部４４を塞ぐ平板状の基材１０を備えている。基材１０は、図５に示すように、幅方向（図５における左右方向）及び長手方向（図５における上下方向）に延びる略矩形形状の平板状部材である。基材１０は、図２乃至図６に示すように、気密チャンバＣの内部側に位置する内表面１０ａ、及び内表面１０ａと反対側の外表面１０ｂを有する。また、基材１０は、幅方向右側面１０ｃ、幅方向左側面１０ｄ、長手方向前端面１０ｅ、及び長手方向後端面１０ｆを有する。基材１０は、例えば、ガラス入りエポキシ製である。
【００２１】
また、コネクタ１の基材１０には、図５及び図６に示すように、基材１０の内表面１０ａ及び外表面１０ｂ間を電気的に相互接続する複数のバイア１３が形成されている。複数のバイア１３は、基材１０の幅方向において２列状に形成されている。各列のバイア１３は、前後方向に沿って所定ピッチで形成される。各スバイア１３は、基材１０の内表面１０ａと外表面１０ｂとを貫通する貫通孔の内周面に設けられた導電めっき部１１と、この導電めっき部１１内に充填された充填材１２とからなる。導電めっき部１１は、図５及び図６に示すように、基材１０の内表面１０ａと外表面１０ｂとの間を延びるとともに、基材１０の内表面１０ａ及び外表面１０ｂで矩形状に施された導電パッド１４を構成する。この導電めっき部１１は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。また、充填材１２は、導電体が好ましいが、樹脂であってもよい。
【００２２】
また、基材１０の内表面１０ａには、図２乃至図６に示すように、隔壁４３に半田接続される半田接合部１５が形成されている。半田接合部１５は、基材１０の外周に沿って無端状に延びている。半田接合部１５は、層状に形成され、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。半田接合部１５は、図５に示すように、２列状に形成されたバイア１３及び導電パッド１４を取り囲むようにバイア１３及び導電パッド１４から離間して形成される。
【００２３】
そして、基材１０には、図５及び図６に示すように、内表面１０ａにおける半田接合部１５と外表面１０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール１８が半田接合部１５に沿って断続的に形成されている。つまり、多数のめっきスルーホール１８が半田接合部１５に沿って略等ピッチに形成されている。各めっきスルーホール１８は、図６に示すように、基材１０の内表面１０ａ及び外表面１０ｂとの間を貫通する貫通孔１６の内周面に導電めっき１７を施してなる。導電めっき１７は、内表面１０ａと外表面１０ｂとの間を延びる。導電めっき１７は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。各めっきスルーホール１８の導電めっき１７は、基材１０の内表面１０ａにおいて半田接合部１５に接続される。
【００２４】
また、基材１０の外表面１０ｂには、多数のめっきスルーホール１８の導電めっき１７に接続された伝熱層１９が形成されている。伝熱層１９は、基材１０の外周に沿って無端状に延びている。伝熱層１９は、２列状に形成されたバイア１３及び導電パッド１４を取り囲むようにバイア１３及び導電パッド１４から離間して形成される。伝熱層１９は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。
【００２５】
また、コネクタ１は、図２及び図４に示すように、基材１０の内表面１０ａ側に配置される第１コネクタ２０と、基材１０の外表面１０ｂ側に配置される第２コネクタ３０とを備えている。
ここで、第１コネクタ２０は、図４に示すように、絶縁性のハウジング２１と、ハウジング２１に収容される複数の電気コンタクト２２とを備えている。複数の電気コンタクト２２は、基材１０に形成されたバイア１３に対応してハウジング２１の幅方向において２列状に配置されている。各列の電気コンタクト２２は、前後方向に沿って所定ピッチで形成される。各電気コンタクト２２は、基材１０に形成された導電パッド１４に半田接続される。
【００２６】
また、第２コネクタ３０は、第１コネクタ２０と同一の構成を有し、絶縁性のハウジング３１と、ハウジング３１に収容される複数の電気コンタクト３２とを備えている。複数の電気コンタクト３２は、基材１０に形成されたバイア１３に対応してハウジング３１の幅方向において２列状に配置されている。各列の電気コンタクト３２は、前後方向に沿って所定ピッチで形成される。各電気コンタクト３２は、基材１０に形成された導電パッド１４に半田接続される。
【００２７】
次に、気密チャンバＣの内側及び外側をコネクタ１を用いて電気的に相互接続する方法について説明する。
先ず、図１に示すように、第１回路基板４１を気密チャンバＣ内に配置しておく。
そして、図２に示すように、コネクタ１の内表面１０ａを隔壁６０側にして開口部４４側に向け、コネクタ１により開口部４４を塞ぐ。この際には、コネクタ１の基材１０の内表面１０ａに形成された半田接合部１５を隔壁４３の外側面に半田Ｓにより接続する。この半田接続にあたっては、先ず、隔壁４３の外側面上に半田Ｓを位置させてからコネクタ１の半田接合部１５を半田Ｓ上に載置する。次いで、基材１０の外表面１０ｂに形成された伝熱層１９にはんだごて等の加熱装置（図示せず）を押し当てて伝熱層１９を加熱する。このとき、熱は、基材１０の外表面１０ｂから内表面１０ａに連通する多数のめっきスルーホール１８の導電めっき１７を介して半田接合部１５に伝わる。加熱装置による加熱は、半田接合部１５に接する半田Ｓが半田溶融温度になり溶融するまで行う。その後、半田Ｓを冷却する。これにより、コネクタ１の基材１０の内表面１０ａに形成された半田接合部１５が隔壁４３の外側面に半田接続される。
【００２８】
このように、本実施形態によるコネクタ１によれば、基材１０に、内表面１０ａにおける半田接合部１５と外表面１０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール１８を半田接合部１５に沿って断続的に形成してある。そして、半田接合部１５を隔壁４３に半田接続する際には、加熱装置により基材１０の外表面１０ｂ側から多数のめっきスルーホール１８を介して基材１０の内表面１０ｂ側の半田接合部１５に伝熱させて半田Ｓを半田溶融温度まで加熱する。このため、隔壁４３を含めたコネクタ１全体を加熱することなく、コネクタ１と隔壁４３との半田接合部分のみを加熱して半田接続することができる。これにより、従来において隔壁４３を含めたコネクタ１全体をリフロー炉に入れて加熱する際に問題となる、コネクタ１において既に半田接続した部分が溶融してしまったり、隔壁や基材上の他の部品（例えば、第１及び第２コネクタ２０，３０）がリフロー熱により劣化してしまうおそれはなくなる。また、隔壁４３が大きい場合でも、加熱自体が容易であると共に、加熱及び冷却に要する時間を短縮することができる。
【００２９】
また、本実施形態のコネクタ１においては、基材１０の外表面１０ｂに、多数のめっきスルーホール１８に接続された伝熱層１９が形成されている。このため、加熱装置により基材１０の外表面１０ｂ側から多数のめっきスルーホール１８を介して半田接合部１５に伝熱させる際に、伝熱層１９に加熱装置を押し当てて伝熱層１９を加熱すれば多数のめっきスルーホール１８を加熱することができる。このため、めっきスルーホール１８の各々を独立して加熱する必要はなく、加熱装置を簡単な構成で実現できる。
【００３０】
そして、隔壁４３の開口部４４をコネクタ１により塞いだ際には、第１コネクタ２０の電気コンタクト２２が第１回路基板４１に接触する。
次いで、図１に示すように、第２回路基板４２を、第２コネクタ３０における電気コンタクト３２に接触させる。これにより、第１回路基板４１及び第２回路基板４２がコネクタ１を介して電気的に相互接続される。
【００３１】
次に、本発明に係るコネクタの第２実施形態に用いられる基材について、図７を参照して説明する。図７において、図１乃至図６と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
図７に示す基材１０は、図１乃至図６に示す基材１０と同様にコネクタ１に用いられ、基本構成は同様であるが、次の点が異なっている。
【００３２】
即ち、図７に示す基材１０において、半田接合部１５に沿って断続的に形成した多数のめっきスルーホール１８が２列に形成されている。即ち、多数のめっきスルーホール１８が、基材１０において、２列に略等ピッチに形成されている。
このように、多数のめっきスルーホール１８を２列に形成した場合、めっきスルーホールを１列に形成する場合よりも、加熱装置により基材１０の外表面１０ｂ側から多数のめっきスルーホール１８を介して基材１０の内表面１０ａ側の半田接合部１５に伝熱させる際に、伝熱効果を高めることができる。
【００３３】
次に、本発明に係るコネクタの第３実施形態に用いられる基材について、図８乃至図１０を参照して説明する。図８乃至図１０において、図１乃至図６と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
図８乃至図１０に示す基材１０は、図１乃至図６に示す基材１０と同様にコネクタ１に用いられ、基本構成は同様であるが、次の点が異なっている。
【００３４】
即ち、図８乃至図１０に示す基材１０の内表面１０ａには、基材１０の外周に沿って連続的に無端状に延びる所定幅の切欠１０ｇが形成されている。そして、半田接合部１５は、基材１０の内表面１０ａ、切欠１０の内側面１０ｈ及び底面１０ｉ上において基材１０の外周に沿って無端状に延びている。
そして、本実施形態のコネクタ１によっても、半田接合部１５を隔壁４３に半田接続する際には、加熱装置により基材１０の外表面１０ｂ側から多数のめっきスルーホール１８を介して基材１０の内表面１０ｂ側の半田接合部１５に伝熱させて半田Ｓを半田溶融温度まで加熱する。このため、隔壁４３を含めたコネクタ１全体を加熱することなく、コネクタ１と隔壁４３との半田接合部分のみを加熱して半田接続することができる。
【００３５】
次に、本発明に係るコネクタの第４実施形態に用いられる基材について、図１１を参照して説明する。図１１において、図１乃至図６と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
図１１に示す基材１０は、図１乃至図６に示す基材１０と同様にコネクタ１に用いられ、基本構成は同様であるが、次の点が異なっている。
【００３６】
即ち、図１１に示す基材１０の外側面、即ち幅方向右側面１０ｃ、幅方向左側面１０ｄ、長手方向前端面１０ｅ（図３参照）、及び長手方向後端面１０ｆ（図３参照）には、伝熱部２３が設けられている。伝熱部２３は、基材１０の内表面１０ａにある半田接合部１５と基材１０の外表面１０ｂにある伝熱層１９とを接続する。
そして、本実施形態のコネクタ１によれば、半田接合部１５を隔壁４３（図２参照）に半田接続する際には、加熱装置により基材１０の外表面１０ｂの伝熱層１９から多数のめっきスルーホール１８及び伝熱部２３を介して基材１０の内表面１０ｂ側の半田接合部１５に伝熱させる。そして、半田Ｓを半田溶融温度まで加熱する。このため、伝熱層１９から半田接合部１５に至る伝熱をめっきスルーホール１８のみで行う場合よりも、伝熱効果を高めることができる。
【００３７】
次に、本発明に係るコネクタの第５実施形態に用いられる基材について、図１２を参照して説明する。図１２において、図１乃至図６と同一の部材については同一の符号を付し、その説明を省略することがある。
図１２に示す基材１０は、図１乃至図６に示す基材１０と同様にコネクタ１に用いられ、基本構成は同様であるが、次の点が異なっている。
即ち、図１２に示す基材１０において、各めっきスルーホール１８内には、フラックス上がり防止材２４が設けられている。
【００３８】
コネクタ１の基材１０の内表面１０ａに形成された半田接合部１５が隔壁４３（図２参照）の外側面に半田接続される際には、半田Ｓ（図２参照）に供給されているフラックスが各めっきスルーホール１８内を上昇し、伝熱層１９に至ることがある。フラックスが伝熱層１９に至ると、フラックスが伝熱層１９の表面に付着することによって、伝熱層１９に押し付けられる加熱装置が汚れてしまうことがある。伝熱層１９に付着したフラックスは、加熱装置から伝熱層１９への伝熱効率を低下させる。このため、各めっきスルーホール１８内にフラックス上がり防止材２４を設けることによって、フラックス上がりを防止し、フラックスが伝熱層１９の表面に付着を阻止することができる。
【００３９】
ここで、フラックス上がり防止材２４は、導電ペーストであり、めっきスルーホール１８内に内表面１０ａから外表面１０ｂに至るまで充填されている。フラックス上がり防止材２４として導電ペーストをめっきスルーホール１８内に充填すると、熱伝導率が高い。このため、基材１０の外表面１０ｂ側から多数のめっきスルーホール１８を介して基材１０の内表面１０ａ側の半田接合部１５に伝熱させる際に、伝熱効果をより高めることができる。
なお、フラックス上がり防止材２４として、樹脂を用い、めっきスルーホール１８内に充填してもよい。この場合にも、加熱の際にフラックス上がりを防止することができる。
【００４０】
最後に、本発明に係るコネクタの第６実施形態に用いられる多層基板について、図１３及び図１４を参照して説明する。
図１３及び図１４に示す多層基板５０は、図１乃至図６に示す基材１０と同様にコネクタ１に用いられて隔壁４３の開口部４４（図２参照）を塞ぐものであるが、その基本構造が基材１０と異なっている。
【００４１】
即ち、図１３及び図１４に示す多層基板５０は、平板状の第１基材６０と、第１基材６０の内表面６０ａ側に配置されて開口部４４を塞ぐ平板状の第２基材７０と、第１基材６０の外表面６０ｂ側に配置される平板状の第３基材８０とを備えている。
ここで、第１基材６０は、図１３に示すように、幅方向（図１３における左右方向）及び長手方向（図１３における上下方向）に延びる略矩形形状の平板状部材である。第１基材６０は、気密チャンバＣ（図１参照）の内部側に位置する内表面６０ａと外表面６０ｂとを有する。第１基材６０は、例えば、ガラス入りエポキシ製である。
【００４２】
また、第１基材６０には、図１４に示すように、第１基材６０の内表面６０ａ及び外表面６０ｂ間を電気的に相互接続する複数の第１スルーホール６３が形成されている。複数の第１スルーホール６３は、第１基材６０の幅方向において２列状に形成されている。図示はしないが、各列の第１スルーホール６３は、前後方向に沿って所定ピッチで形成されている。そして、各第１スルーホール６３は、第１基材６０の内表面６０ａと外表面６０ｂとの間を貫通する貫通孔６１の内周面に、環状の第１導電めっき６２を施してなる。第１導電めっき６２は、第１基材６０の内表面６０ａと外表面６０ｂとの間を延びる。第１導電めっき６２は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。また、環状の第１導電めっき６２の中央の空間には、導電体が充填されている。なお、この導電体は設けなくてもよい。そして、第１基材６０の内表面６０ａには、第１導電めっき６２の内表面６０ａ側に接続された複数の第１導電層６４が設けられている。各第１導電層６４は、第１導電めっき６２の周囲を囲む部分と、この部分から幅方向外側に延びる部分とを含むように形成されている。また、第１基材６０の外表面６０ｂには、第１導電めっき６２の外表面６０ｂ側に接続された複数の第２導電層６５が設けられている。各第２導電層６５も、第１導電めっき６２の周囲を囲む部分と、この部分から幅方向外側に延びる部分とを含むように形成されている。
【００４３】
そして、第２基材７０は、図１３に示すように、幅方向（図１３における左右方向）及び長手方向（図１３における上下方向）に延びる略矩形形状の平板状部材である。第２基材７０は、第１基６０の内表面６０ａと同一の幅及び長さを有する。そして、第２基材７０は、図１に示す気密チャンバＣの内部側に位置する内表面７０ａとこの内表面７０ａと反対側の外表面７０ｂとを有する。第２基材７０は、例えば、ガラス入りエポキシ製である。
【００４４】
また、第２基材７０には、図１４に示すように、第２基材７０の内表面７０ａ及び外表面７０ｂ間を電気的に相互接続する複数の第２スルーホール７３が形成されている。複数の第２スルーホール７３は、第２基材７０の幅方向において第１スルーホール６３よりも外側の位置に２列状に形成されている。各列の第２スルーホール７３は、前後方向に沿って所定ピッチで形成されている。そして、各第２スルーホール７３は、第２基材７０の内表面７０ａと外表面７０ｂとの間を貫通する貫通孔７１の内周面に、第２導電めっき７２を施してなる。第２導電めっき７２は、第２基材７０の内表面７０ａと外表面７０ｂとの間を延びる。第２導電めっき７２は、図１４に示すように、貫通孔７１の内部をすべて埋め尽くすように形成されている。第２導電めっき７２は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。そして、第２基材７０の内表面７０ａには、第２導電めっき７２の内表面側に接続された複数の第３導電層７４が設けられている。各第３導電層７４は、図１３及び図１４に示すように、第２導電めっき７２の内表面側端部を覆いかつ幅方向内側に延びる長方形状に形成されている。
【００４５】
更に、第３基材８０は、幅方向（図１３における左右方向）及び長手方向（図１３における上下方向）に延びる略矩形形状の平板状部材である。第３基材８０は、第１基材６０の外表面６０ｂと同一の幅及び長さを有する。そして、第３基材８０は、図１に示す気密チャンバＣの内部側に位置する内表面８０ａとこの内表面８０ａと反対側の外表面８０ｂとを有する。第３基材８０は、例えば、ガラス入りエポキシ製である。
【００４６】
また、第３基材８０には、図１４に示すように、第３基材８０の内表面８０ａ及び外表面８０ｂ間を電気的に相互接続する複数の第３スルーホール８３が形成されている。複数の第３スルーホール８３は、第３基材８０の幅方向において第１スルーホール６３よりも外側の位置に２列状に形成されている。各列の第３スルーホール８３は、前後方向に沿って所定ピッチで形成されている。そして、各第３スルーホール８３は、第３基材８０の内表面８０ａと外表面８０ｂとの間を貫通する貫通孔８１の内周面に、第３導電めっき８２を施してなる。第３導電めっき８２は、第３基材８０の内表面８０ａと外表面８０ｂとの間を延びる。第３導電めっき８２は、図１４に示すように、貫通孔８１の内部をすべて埋め尽くすように形成されている。第３導電めっき８２は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。そして、第３基材８０の外表面８０ｂには、第３導電めっき８２の外表面側に接続された複数の第４導電層８４が設けられている。各第４導電層８４は、第３導電めっき８２の外表面側端部を覆いかつ幅方向内側に延びる長方形状に形成されている。
【００４７】
そして、図１４に示すように、第２基材７０の外表面７０ｂが第１基材６０の内表面６０ａに接するように配置されて、第２基材７０によって第１基材６０に形成された第１スルーホール６３の内表面側が塞がれる。また、第１導電層６４と第２導電めっき７２の外表面側とが接続される。
更に、第３基材８０の内表面８０ａが第１基材６０の外表面６０ｂに接するように配置されて、第３基材８０によって第１基材６０に形成された第１スルーホール６３の外表面側が塞がれる。また、第２導電層６５と第３導電めっき８２の内表面側とが接続される。
【００４８】
この多層基板５０において、内表面側から外表面側に向かう第２基材７０、第１基材６０、及び第３基材８０の積層方向に、第３導電層７４、第１導電層６４、第１導電層６５、及び第４導電層８４の４個の導電層が配置されている。このため、多層基板５０は、４層基板を構成している。
ここで、第２基材７０の内表面７０ａには、図１３及び図１４に示すように、隔壁４３（図２参照）に半田接続される半田接合部７５が形成されている。半田接合部７５は、第２基材７０の外周に沿って無端状に延びている。半田接合部７５は、層状に形成され、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。半田接合部７５は、図１３に示すように、２列状に形成された第３導電層７４を取り囲むように第３導電層７４から離間して形成される。
【００４９】
そして、第２基材７０には、図１３及び図１４に示すように、内表面７０ａにおける半田接合部７５と外表面７０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール７８が半田接合部７５に沿って断続的に形成されている。つまり、多数のめっきスルーホール７８が半田接合部７５に沿って略等ピッチに形成されている。各めっきスルーホール７８は、図１４に示すように、第２基材７０の内表面７０ａ及び外表面７０ｂとの間を貫通する貫通孔７６の内周面に導電めっき７７を施してなる。導電めっき７７は、内表面７０ａと外表面７０ｂとの間を延びる。導電めっき７７は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。各めっきスルーホール７８の導電めっき７７は、第２基材７０の内表面７０ａにおいて半田接合部７５に接続される。
【００５０】
また、第１基材６０には、第１基材６０の内表面６０ａ及び外表面６０ｂ間を電気的に相互接続する多数のバイア６８が形成されている。これら多数のバイア６８は、第２基材７０に設けられた多数のめっきスルーホール７８に接続するように、第１基材６０の外周に沿って断続的に形成されている。そして、各バイア６８は、第１基材６０の内表面６０ａと外表面６０ｂとを貫通する貫通孔の内周面に設けられた導電めっき部６６と、導電めっき部６６内に充填された充填材６７とからなっている。導電めっき部６６は、第１基材６０の内表面６０ａと外表面６０ｂとの間を延び、内表面６０ａ側でめっきスルーホール７８の導電めっき７７に接続される。導電めっき部６６は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。また、充填材６７は、導電体が好ましいが、樹脂であってもよいし、或いは充填材６７はなくてもよい。
【００５１】
更に、第３基材８０には、内表面８０ａにおける第１基材６０のバイア６８と外表面８０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール８８が第３基材８０の外周に沿って断続的に形成されている。つまり、多数のめっきスルーホール８８が第３基材８０の外周に沿って略等ピッチに形成されている。各めっきスルーホール８８は、図１４に示すように、第３基材８０の内表面８０ａ及び外表面８０ｂとの間を貫通する貫通孔８６の内周面に導電めっき８７を施してなる。導電めっき８７は、第３基材８０の内表面８０ａと外表面８０ｂとの間を延び、内表面８０ａ側で第１基材６０のバイア６８の導電めっき部６６に接続される。導電めっき８７は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。また、第３基材８０の外表面８０ｂには、第３基材８０の外周に沿って無端状に延びる伝熱層８５が形成されている。伝熱層８５は、多数のめっきスルーホール８８の導電めっき８７に接続される。この伝熱層８５は、２列状に形成された第３スルーホール８３を取り囲むように第３スルーホール８３から離間して形成される。伝熱層８５は、例えば、すずめっきあるいは金めっきで形成される。
【００５２】
そして、第２基材７０の内表面７０ａに形成された半田接合部７５を隔壁４３の外側面に半田接続する際には、第３基材８０の外表面８０ｂに形成された伝熱層８５にはんだごて等の加熱装置（図示せず）を押し当てて伝熱層８５を加熱する。これにより、熱は、第３基材８０の多数のめっきスルーホール８８の導電めっき８７、第１基材６０のバイア６８の導電めっき部６６、及び第２基材７０の多数のめっきスルーホール７８の導電めっき７７を介して半田接合部７５に伝わる。加熱装置による加熱は、半田接合部７５に接する半田が半田溶融温度になり溶融するまで行う。その後、半田を冷却する。これにより、半田接合部７５が隔壁４３の外側面に半田接続される。
【００５３】
このように、本実施形態による多層基板５０を用いたコネクタ１によれば、第２基材７０には、第２基材７０の内表面７０ａにおける半田接合部７５と第２基材７０の外表面７０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール７８を半田接合部７５に沿って断続的に形成してある。また、第１基材６０には、第１基材６０の内表面６０ａ及び外表面６０ｂ間を電気的に相互接続する多数のバイア６８が形成されている。各バイア６８は、第２基材７０の各めっきスルーホール７８に接続される。更に、第３基材８０には、第３基材８０の内表面８０ａにおける第１基材６０の多数のバイア６８と第３基材８０の外表面８０ｂとの間を連通する多数のめっきスルーホール８８を第３基材８０の外周に沿って断続的に形成してある。そして、半田接合部７５を隔壁４３に半田接続する際には、加熱装置により第３基材８０の多数のめっきスルーホール８８、第１基材６０のバイア６８、及び第２基材７０の多数のめっきスルーホール７８を介して半田接合部７５に伝熱させて半田を半田溶融温度まで加熱する。このため、隔壁４３を含めたコネクタ１全体を加熱することなく、コネクタ１と隔壁４３との半田接合部分のみを加熱して半田接続することができる。
【００５４】
なお、本実施形態に係るコネクタ１によれば、多層基板５０において、第２基材７０の外表面７０ｂを第１基材６０の内表面６０ａに接するように配置した第２基材７０によって、第１基材６０に形成された第１スルーホール６３の内表面側を塞ぐ。また、第３基材８０の内表面８０ａを第１基材６０の外表面６０ｂに接するように配置した第３基材８０によって、第１スルーホール６３の外表面側を塞ぐ。このため、多層基板５０を構成する第２基材７０及び第３基材８０により、第１基板６０の第１スルーホール６３の内表面側及び外表面側を塞ぐことができ、チャンバＣの内部の気密性を保持することができる。
【００５５】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、種々の変更、改良を行うことができる。
例えば、半田接合部１５，７５は、基材１０あるいは第２基材７０の外周に沿って延び、隔壁４３に半田接続され、多数のめっきスルーホール１８、７８が接続しているものであれば、必ずしも無端状に形成されている必要はない。
【００５６】
また、伝熱層１９，８５、伝熱部２３、及びフラックス上がり防止材２４は必ずしも設ける必要はない。
更に、半田接合部１５に沿って断続的に形成した多数のめっきスルーホール１８は、１列、２列に限らず３列以上で形成されていってもよい。
また、多層基板５０におけるめっきスルーホール７８，８８及びバイア６８は、１列に限らず２列以上で形成されていてもよい。
【００５７】
さらにまた、基材１０の内表面１０ａ及び外表面１０ｂ間をバイア１３で電気的に相互接続しているが、バイア以外の手段で相互接続してもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１  コネクタ
１０  基材
１０ａ  内表面
１０ｂ  外表面
１３  バイア
１５  半田接合部
１８  めっきスルーホール
１９  伝熱層
２３  伝熱部
２４  フラックス上がり防止材
４３  隔壁
４４  開口部
５０  多層基板
６０  第１基材
６０ａ  内表面
６０ｂ  外表面
６１  貫通孔
６２  第１導電めっき
６３  第１スルーホール
６４  第１導電層
６５  第２導電層
６８  バイア
７０  第２基材
７０ａ  内表面
７０ｂ  外表面
７１  貫通孔
７２  第２導電めっき
７３  第２スルーホール
７４  第３導電層
７５  半田接合部
７８  めっきスルーホール
８０  第３基材
８０ａ  内表面
８０ｂ  外表面
８１  貫通孔
８２  第３導電めっき
８３  第３スルーホール
８４  第４導電層
８８  めっきスルーホール
Ｃ  気密チャンバ
【図１】
2014110123.tif 000003
【図２】
2014110123.tif 000004
【図３】
2014110123.tif 000005
【図４】
2014110123.tif 000006
【図５】
2014110123.tif 000007
【図６】
2014110123.tif 000008
【図７】
2014110123.tif 000009
【図８】
2014110123.tif 000010
【図９】
2014110123.tif 000011
【図１０】
2014110123.tif 000012
【図１１】
2014110123.tif 000013
【図１２】
2014110123.tif 000014
【図１３】
2014110123.tif 000015
【図１４】
2014110123.tif 000016
【図１５】
2014110123.tif 000017