(57)【要約】【課題】  半導体レーザ素子からのレーザ光を高い効率で放射することができる半導体レーザ装置、または、半導体レーザ素子におけるレーザ光の発生効率が高く、かつ、半導体レーザ素子からのレーザ光を高い効率で放射することができる半導体レーザ装置の提供。【解決手段】  半導体レーザ装置は、平板状のサブマウントの表面上に第１のハンダ層を介して半導体レーザ素子が接合され、当該半導体レーザ素子が接合されたサブマウントが、ヒートシンクの表面上に第２のハンダ層を介して接合されてなる半導体レーザ装置であって、前記サブマウントの少なくとも表面および裏面は、各々メッキが施されてなるものであり、当該サブマウントの周側面には、少なくとも全周にわたって、周方向に伸びる、メッキが施されていない帯状の非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が形成されていることを特徴とする。【選択図】  図２
2014175565.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状のサブマウントの表面上に第１のハンダ層を介して半導体レーザ素子が接合され、当該半導体レーザ素子が接合されたサブマウントが、ヒートシンクの表面上に第２のハンダ層を介して接合されてなる半導体レーザ装置であって、
前記サブマウントの少なくとも表面および裏面は、各々メッキが施されてなるものであり、
当該サブマウントの周側面には、少なくとも全周にわたって、周方向に伸びる、メッキが施されていない帯状の非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記サブマウントは、ＣｕＷまたはＳｉから構成されており、
当該サブマウントの裏面に施されたメッキがＡｕメッキであることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
平板状のサブマウントの表面上に第１のハンダ層を介して半導体レーザ素子が接合され、当該半導体レーザ素子が接合されたサブマウントが、ヒートシンクの表面上に第２のハンダ層を介して接合されてなる半導体レーザ装置であって、
前記ヒートシンクの側端部に、余剰ハンダ収容空間が設けられていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記余剰ハンダ収容空間は、前記ヒートシンクの側端部において当該ヒートシンクの裏面方向に向かうに従って外方に傾斜した面が形成されてなる面取り部によって構成されており、
当該余剰ハンダ収容空間の、前記サブマウントの表面に垂直な方向の長さが、前記第２のハンダ層の平均厚みより大きいことを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記ヒートシンクの側端部に、余剰ハンダ収容空間が設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子がサブマウント上に搭載されてなる半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ素子をサブマウント上にハンダ層を介して接合する技術が知られている。ところが、ハンダ層を形成する際に、溶融されたハンダが表面張力と濡れ性による広がりとによって半導体レーザ素子の周側面を濡れ上がるハンダ昇りが生じて半導体レーザ素子の電極にまで達し、その結果、半導体レーザ素子自身がショートして損傷してしまうことがある、という問題がある。
【０００３】
このような問題を解決するために、例えば、特許文献１には、サブマウントの半導体レーザ素子との接合面側の端面に面取り部を設けてハンダ溜まりを形成させることにより、当該半導体レーザ素子との接合面からのハンダ昇りが生じないようにして当該半導体レーザ素子がショートすることを防止することが開示されている。
また、半導体レーザ素子をサブマウント上に接合し、当該サブマウントとヒートシンクとを更に接合してなる半導体レーザ装置が知られており、例えば、特許文献２には、ヒートシンクの表面に凹凸構造を設けることにより、半導体レーザ素子へのハンダ昇りを抑制することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３４７５９０号公報
【特許文献２】実開平０５−０２５７５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示されるようにサブマウントに面取り部を設けてハンダ溜まりを形成させると、半導体レーザ素子が側面からレーザ光を出射する構成のものである場合には、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の一部が遮られることにより、レーザ光の放射効率が低くなってしまう、という問題がある。
また、ヒートシンクのサブマウントとの接合面に凹凸部を設けると、接合面にボイドが形成されてしまってサブマウントとヒートシンクとの間の密着性が低くなり、半導体レーザ素子からの熱を十分に排熱できず、その結果、半導体レーザ素子におけるレーザ光の発生効率が低下する、という問題もある。
【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、半導体レーザ素子からのレーザ光を高い効率で放射することができる半導体レーザ装置を提供することにある。
また、本発明の別の目的は、半導体レーザ素子におけるレーザ光の発生効率が高く、かつ、半導体レーザ素子からのレーザ光を高い効率で放射することができる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体レーザ装置は、平板状のサブマウントの表面上に第１のハンダ層を介して半導体レーザ素子が接合され、当該半導体レーザ素子が接合されたサブマウントが、ヒートシンクの表面上に第２のハンダ層を介して接合されてなる半導体レーザ装置であって、
前記サブマウントの少なくとも表面および裏面は、各々メッキが施されてなるものであり、
当該サブマウントの周側面には、少なくとも全周にわたって、周方向に伸びる、メッキが施されていない帯状の非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体レーザ装置においては、前記サブマウントは、ＣｕＷまたはＳｉから構成されており、
当該サブマウントの裏面に施されたメッキがＡｕメッキであることが好ましい。
【０００９】
本発明の半導体レーザ装置は、平板状のサブマウントの表面上に第１のハンダ層を介して半導体レーザ素子が接合され、当該半導体レーザ素子が接合されたサブマウントが、ヒートシンクの表面上に第２のハンダ層を介して接合されてなる半導体レーザ装置であって、
前記ヒートシンクの側端部に、余剰ハンダ収容空間が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の半導体レーザ装置においては、前記余剰ハンダ収容空間は、前記ヒートシンクの側端部において当該ヒートシンクの裏面方向に向かうに従って外方に傾斜した面が形成されてなる面取り部によって構成されており、
当該余剰ハンダ収容空間の、前記サブマウントの表面に垂直な方向の長さが、前記第２のハンダ層の平均厚みより大きいことが好ましい。
【００１１】
本発明の半導体レーザ装置においては、前記ヒートシンクの側端部に、余剰ハンダ収容空間が設けられていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体レーザ装置においては、サブマウントの周側面に周方向に伸びるメッキが施されていない帯状の非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が全周にわたって形成されている。従って、サブマウントの周側面にメッキが施されている場合には第２のハンダ層を形成する際に溶融されたハンダによってサブマウントの周側面のメッキに沿って高さ方向へハンダ昇りが生じるところ、これが抑止される。具体的には、非メッキ部はメッキが施された部分に比べて極端に濡れ性が低いものとなっているため、溶融されたハンダによるハンダ昇りが非メッキ部に到達したときに、これよりも上方にハンダ昇りが生じることが抑止される。従って、半導体レーザ素子（ダイ）にまで溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止されるので、半導体レーザ素子の電極がハンダに接触してショートすることや、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の一部が遮られることを抑止することができる。そのため、半導体レーザ素子の損傷が防止されると共にレーザ光の高い放射効率が得られる。
【００１３】
また、本発明の余剰ハンダ収容空間が設けられた半導体レーザ装置によれば、第２のハンダ層を形成する際に溶融されたハンダに余剰が存在する場合には当該余剰ハンダ収容空間に溜まることによって、溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止されるので、半導体レーザ素子の電極がハンダによってショートすることや、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の一部が遮られることを抑止することができる。従って、半導体レーザ素子の損傷が防止されると共にレーザ光の高い放射効率が得られる。
さらに、このような構成の半導体レーザ装置によれば、第２のハンダ層にボイドが形成されることが抑制されるので、良好な放熱性が得られ、その結果、半導体レーザ素子におけるレーザ光の高い発生効率が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の半導体レーザ装置の一例における構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体レーザ装置における非メッキ部を模式的に示す側面図である。
【図３】従来の半導体レーザ装置における非メッキ部を模式的に示す側面図である。
【図４】半導体レーザ装置における非メッキ部の変形例を示す模式図である。
【図５】本発明の半導体レーザ装置における余剰ハンダ収容空間を示す模式断面図である。
【図６】余剰ハンダ収容空間が形成されていない従来の半導体レーザ装置を示す模式断面図である。
【図７】半導体レーザ装置における余剰ハンダ収容空間の変形例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１の実施の形態＞
以下、本発明の半導体レーザ装置の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の半導体レーザ装置の一例における構成を示す斜視図であり、図２は、図１に示す半導体レーザ装置における非メッキ部を模式的に示す側面図である。
この半導体レーザ装置は、平板状の半導体レーザ素子１０を有する。この半導体レーザ素子１０は、平板状のサブマウント２０の表面上に、第１のハンダ層２５を介して接合されることによって搭載されている。半導体レーザ素子１０が接合されたサブマウント２０は、例えば銅よりなるヒートシンク３０の表面上に、第２のハンダ層２６を介してサブマウント２０の裏面がヒートシンク３０の表面と対向する状態で接合されている。
【００１６】
半導体レーザ素子１０は、発光素子として機能するものであり、例えば長尺な矩形の板状を有し、長尺に伸びる方向に沿った側端面１０ｆが光出射面とされている。具体的には、長尺な矩形の板状を有するパッケージ１１の内部に、それぞれ光を出射する複数の光エミッタ（図示せず）が長尺に伸びる方向に沿って一列に直線状に並ぶよう配置されたアレー型の素子である。このパッケージ１１には、長尺に伸びる方向に沿った側端面１０ｆに光エミッタから出射される光を外部に取り出すための複数の光取り出し部（図示せず）が形成されている。これらの光取り出し部は、光エミッタの各々に対応して一列に直線状に並ぶよう配置されている。
【００１７】
この半導体レーザ装置において、半導体レーザ素子１０の光出射面の光出射方向における位置と、サブマウント２０における半導体レーザ素子１０の光出射面側の周側面（前面２０ｆ）の光出射方向における位置との関係は、半導体レーザ素子１０の光出射面が光出射方向の前方に例えば０．０１ｍｍ突出するものとすることができる。
また、サブマウント２０の前面２０ｆの位置とヒートシンク３０の半導体レーザ素子１０の光出射面側の周側面（前面３０ｆ）の位置とは、一致していることが好ましいが、半導体レーザ素子１０から放射されるレーザ光を当該ヒートシンク３０が遮らない範囲において、ヒートシンク３０の前面３０ｆが前方に例えば０．５ｍｍ突出するものとしてもよい。ヒートシンク３０の前面３０ｆが前方に突出するほど、半導体レーザ素子１０からの発熱を排熱することができる。
【００１８】
半導体レーザ素子１０は、ＡｌＧａＩｎＰ系半導体などの材料からなる活性層（図示せず）を有し、例えば長尺方向の長さが５〜４ｍｍ、幅が２〜１ｍｍ、厚さが０．０５〜０．１５ｍｍの長尺で矩形の平板状を有している。
半導体レーザ素子１０の表裏面のぞれぞれには、電極（図示せず）が設けられており、両電極間に電流を供給することで活性層がレーザ発振し、側端面１０ｆの光取り出し部からレーザ光が出射される。
【００１９】
サブマウント２０は、Ｃｕ（銅）およびＷ（タングステン）の混合材料またはＳｉ（シリコン）から構成された基体の表面にメッキが施されたものであり、例えば長尺方向の長さが１２〜９ｍｍ、幅が２〜３ｍｍ、厚さが０．２〜０．３ｍｍの長尺で矩形の平板状を有している。
【００２０】
このサブマウント２０においては、これを構成する基体の少なくとも半導体レーザ素子１０との接合面である表面およびヒートシンク３０との接合面である裏面には、各々メッキが施されており、さらに、周側面の一部にもメッキが施されてメッキ部２０ａが形成されていてもよい。
このサブマウント２０の少なくともヒートシンク３０との接合面である裏面に施されたメッキは、Ｎｉ（ニッケル）メッキにＡｕ（金）メッキを積層させたものであることが好ましい。
メッキの厚みは、例えば０．５μｍとされる。
【００２１】
そして、このサブマウント２０の周側面には、少なくとも全周にわたって、周方向に伸びる、メッキが施されていない帯状の非メッキ部２０ｂからなるハンダ昇り阻止帯が形成されている。
非メッキ部２０ｂは、例えばサブマウント２０の高さ方向の中央部において水平方向の一端から他端まで伸びる１本の帯状のものとすることができる。
【００２２】
非メッキ部２０ｂは、サブマウント２０の周側面においてメッキが施されておらずに基体が露出した面によって形成される。
非メッキ部２０ｂの幅は、５０μｍ以上であればよい。
【００２３】
非メッキ部２０ｂは、メッキが施されたメッキ部２０ａに比べて極端に濡れ性が低いものとなる。
【００２４】
ヒートシンク３０は、銅などから構成されたものとすることができ、例えば長尺方向の長さが２５〜２６ｍｍ、幅が２５〜２６ｍｍ、厚さが６〜８ｍｍの長尺で矩形の厚みのある平板状を有している。
【００２５】
第１のハンダ層２５を形成するためのハンダ（第１のハンダ材）としては、Ｓｎ（スズ）を含むものを用いることが好ましく、例えばＡｕＳｎ共晶ハンダなどを挙げることができる。
【００２６】
第１のハンダ層２５の厚みは、例えば１〜１０μｍとされる。
【００２７】
第２のハンダ層２６を形成するためのハンダ（第２のハンダ材）としては、Ｓｎを含むものを用いることが好ましく、例えばＳｎＡｇＣｕ共晶ハンダなどを挙げることができる。
【００２８】
第２のハンダ層２６の厚みは、例えば２０〜５０μｍとされる。
【００２９】
このような第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、例えば以下のようにして製造することができる。
すなわち、まず、平板状に切断された、その表面にメッキが施されてなるサブマウント２０を形成する。さらに、当該サブマウント２０の表面および裏面以外の面すなわち周側面の全面または一部に、周方向に伸びる帯状の非メッキ部２０ｂを形成する。当該非メッキ部２０ｂは、研磨加工またはレーザ加工によりメッキを削り取ることによって形成することができる。
【００３０】
次いで、周側面に非メッキ部２０ｂが形成されたサブマウント２０の表面上に、例えば厚み４〜６μｍの層状の第１のハンダ材（ＡｕＳｎ共晶ハンダ）を介して半導体レーザ素子１０を配置する。そして、第１のハンダ材を、その融点以上の温度例えば３２０℃に加熱して溶融した後、当該第１のハンダ材を冷却して固化することにより、サブマウント２０の表面上に厚み３μｍの第１のハンダ層２５を介して半導体レーザ素子１０を接合する。
その後、ヒートシンク３０の表面上に、厚み３０〜５０μｍの層状の第２のハンダ材（ＳｎＡｇＣｕ共晶ハンダ）を介してサブマウント２０の裏面が接触する状態に配置する。そして、第２のハンダ材を、その融点以上の温度に加熱して溶融した後、当該第２のハンダ材を冷却して固化することにより、ヒートシンク３０の表面上に厚み２０μｍの第２のハンダ層２６を介してサブマウント２０の裏面が接触する状態に接合し、以て、図１に示す半導体レーザ装置が製造される。
【００３１】
半導体レーザ素子１０およびサブマウント２０の接合時およびサブマウント２０およびヒートシンク３０の接合時のハンダ材の溶融は、ハンダ材の酸化を防ぐために窒素ガス雰囲気などの不活性ガス雰囲気や窒素ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気中で行うことが好ましい。
【００３２】
また、サブマウント２０とヒートシンク３０との間の第２のハンダ層２６を形成するための第２のハンダ材としては、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０との間の第１のハンダ層２５を形成するための第１のハンダ材よりも融点の低いものを使用する。ここで、第２のハンダ材は、ヒートシンク３０を第２のハンダ材の融点よりも少し低い温度まで加熱し、この状態でヒートシンク３０に貼り付ける。その後、全体をこの貼り付けた第２のハンダ材の融点まで加熱することによって、サブマウント２０とヒートシンク３０とを接合する。
【００３３】
このとき、溶融された第２のハンダ材によって、サブマウント２０の周側面の下方にメッキ部２０ａが存在する場合には当該メッキ部２０ａに沿ってハンダ昇りが生じるが、非メッキ部２０ｂに到達すると、当該非メッキ部２０ｂによってハンダ昇りが阻害される。
【００３４】
なお、非メッキ部よりなるハンダ昇り阻止帯が形成されていない半導体レーザ装置、すなわち、サブマウントの表裏面に加えて周側面の全面にメッキが施されている半導体レーザ装置においては、図３に示すように、第２のハンダ層２６を形成する際に、溶融されたハンダが表面張力と濡れ性による広がりとによってサブマウント２０の周側面に沿って溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じて、溶融されたハンダが半導体レーザ素子１０にまで達する。その結果、半導体レーザ素子１０から放射されるレーザ光の一部が遮られたり、半導体レーザ素子１０自身がショートして損傷してしまったりする。
【００３５】
本発明の半導体レーザ装置においては、半導体レーザ素子１０に電気エネルギーが供給されることにより、当該電気エネルギーが光エネルギーに変換され、各光エミッタから光が出射される。
【００３６】
以上のように、上記の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、第２のハンダ層２６を形成する際に、溶融されたハンダによってサブマウント２０の周側面のメッキ部２０ａに沿って高さ方向へハンダ昇りが生じても、サブマウント２０の周側面に周方向に伸びるメッキが施されていない帯状の非メッキ部２０ｂからなるハンダ昇り阻止帯が全周にわたって形成されており、非メッキ部２０ｂはメッキ部２０ａに比べて極端に濡れ性が低いものとなっている。そのために、溶融されたハンダによるハンダ昇りが非メッキ部２０ｂに到達したときに、非メッキ部２０ｂよりも上方にハンダ昇りが生じることが抑止される。従って、半導体レーザ素子１０にまで溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止されるので、半導体レーザ素子１０の電極がハンダに接触してショートすることや、半導体レーザ素子１０から放射されるレーザ光の一部が遮られることを抑止することができる。従って、半導体レーザ素子１０の損傷が防止されると共にレーザ光の高い放射効率が得られる。
【００３７】
以上、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置について説明したが、この半導体レーザ装置は、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、非メッキ部２０ｂは、全周にわたって伸びる１本の帯状のものであることに限定されず、全周にわたって、サブマウント２０の高さ方向のいずれかの位置に存在すればよい。
【００３８】
具体的には、非メッキ部２０ｂは、図４（ａ）に示すように、サブマウント２０の周側面における高さ方向の下端部において水平方向の一端から他端まで伸びる１本の帯状のものであってもよい。
また、非メッキ部２０ｂは、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）に示す非メッキ部の角エッジにＲ加工を施すことにより形成されたものであってもよい。
また、非メッキ部２０ｂは、図４（ｃ）に示すように、各側面において水平方向の一端における上方から他端における下方に向かって斜めに伸びる１本の帯状のものであってもよい。
また、非メッキ部２０ｂは、図４（ｄ）に示すように、サブマウント２０の周側面の全てのメッキが削り取られて形成されたものであってもよい。
また、非メッキ部２０ｂは、図４（ｅ）および（ｆ）に示すように、複数本の帯状の非メッキ部２０ｂが、全周にわたってサブマウント２０の高さ方向のいずれかに存在するよう、高さ方向の位置がずれた非連続状態で配置されたものであってもよい。
【００３９】
＜第２の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、非メッキ部が形成されておらず、かつ、ヒートシンク３０の側端部に余剰ハンダ収容空間が設けられたこと以外は第１の実施の形態と同様の構成を有する。
具体的に説明すると、図５に示されるように、ヒートシンク３０側端部において、当該ヒートシンク３０の平面状の表面と光出射方向の前面３０ｆとの角部に、ヒートシンク３０の裏面方向（図５において下方向）に向かうに従って外方に傾斜した面（以下「傾斜面」ともいう。）３０Ａが形成されており、余剰ハンダ収容空間Ｓは、この傾斜面３０Ａが形成されて得られる面取り部によって構成された三角柱形状のものである。
【００４０】
余剰ハンダ収容空間Ｓにおいては、サブマウント２０の表面に水平な方向の長さ（Ａ）とサブマウント２０の表面に垂直な方向の長さ（Ｂ）との関係が、Ｂ≧Ａを満たすこと、すなわちＢ／Ａ≧１であることが好ましい。このような構成を有することにより、第２のハンダ層２６を形成する際の余剰のハンダが余剰ハンダ収容空間Ｓに流れやすくなり、余剰のハンダを確実に余剰ハンダ収容空間に溜めることができる。
余剰ハンダ収容空間Ｓの縦横比（Ｂ／Ａ）は１以上とされ、好ましくは１〜２であるが、この縦横比（Ｂ／Ａ）が小さくなるほど、ハンダ昇り量（高さ）は大きくなる。
【００４１】
余剰ハンダ収容空間Ｓにおいては、サブマウント２０の表面に垂直な方向の長さ（Ｂ）が、第２のハンダ層２６の平均厚みより大きいものとされている。このような構成を有することにより、ハンダ昇りを確実に抑制することができるという効果が得られる。
【００４２】
余剰ハンダ収容空間Ｓにおいて、サブマウント２０の表面に水平な方向の長さ（Ａ）サブマウント２０の厚みによっても異なるが、例えば０．０５〜０．０８ｍｍとされる。
【００４３】
また、余剰ハンダ収容空間Ｓの容積は、例えば０．０４〜０．１５ｍｍ3 とすることが好ましい。
【００４４】
なお、余剰ハンダ収容空間Ｓが形成されていない半導体レーザ装置においては、図６に示すように、第２のハンダ層を形成する際に、溶融されたハンダが表面張力と濡れ性による広がりとによって、サブマウント２０の周側面に沿って溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じて、溶融されたハンダが半導体レーザ素子１０にまで達する。その結果、半導体レーザ素子１０から放射されるレーザ光の一部が遮られたり、半導体レーザ素子１０自身がショートして損傷してしまったりする。
【００４５】
このような第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、上記の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置と同様にして製造することができる。
そして、この半導体レーザ装置に余剰ハンダ収容空間Ｓが形成されていることによって、サブマウント２０とヒートシンク３０との接合時に、溶融された第２のハンダ材が当該余剰ハンダ収容空間Ｓに流れ込んで溜まり、その結果、サブマウント２０の周側面に沿って溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止される。
【００４６】
以上のように、上記の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、第２のハンダ層２６を形成する際に溶融されたハンダに余剰が存在する場合には余剰ハンダ収容空間Ｓに溜まることによって、溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止される。そのため、半導体レーザ素子１０の電極がハンダによってショートすることや、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の一部が遮られることを抑止することができ、従って、半導体レーザ素子の損傷が防止されると共にレーザ光の高い放射効率が得られる。
さらに、このような構成の半導体レーザ装置によれば、ヒートシンク３０の表面が平面状であるために、第２のハンダ層２６にボイドが形成されることが抑制されるので、良好な放熱性が得られ、その結果、半導体レーザ素子１０におけるレーザ光の高い発生効率が得られる。
【００４７】
以上、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置について説明したが、この半導体レーザ装置は、種々の変更を加えることが可能である。
例えば、余剰ハンダ収容空間Ｓの形状は、傾斜面３０Ａを有する三角柱形状のものに限定されず、図７に示されるように、四角柱状の窪みによって形成されていてもよい。
【００４８】
＜第３の実施の形態＞
本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、第２の実施の形態と同様にヒートシンクに傾斜面が形成されて余剰ハンダ収容空間が形成されていること以外は、第１の実施の形態と同様の構成を有してサブマウントに非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が形成された構成を有する。
【００４９】
以上のように、上記の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置によれば、第２のハンダ層を形成する際に、溶融されたハンダに余剰が存在する場合には余剰ハンダ収容空間に溜まり、さらに、溶融されたハンダによってサブマウントの周側面のメッキが施されている部分に沿って高さ方向へハンダ昇りが生じても、サブマウントの周側面に周方向に伸びるメッキが施されていない帯状の非メッキ部からなるハンダ昇り阻止帯が形成されており、非メッキ部はメッキが施された部分に比べて極端に濡れ性が低いものとなっているために、溶融されたハンダによるハンダ昇りが非メッキ部に到達したときに、非メッキ部よりも上方にハンダ昇りが生じることが抑止される。従って、半導体レーザ素子にまで溶融されたハンダによるハンダ昇りが生じることが抑止されるので、半導体レーザ素子の電極がハンダに接触してショートすることや、半導体レーザ素子から放射されるレーザ光の一部が遮られることを抑止することができ、従って、半導体レーザ素子の損傷が防止されると共にレーザ光の高い放射効率が得られる。
さらに、このような構成の半導体レーザ装置によれば、ヒートシンクの表面が平面状であるために、第２のハンダ層にボイドが形成されることが抑制されるので、良好な放熱性が得られ、その結果、半導体レーザ素子におけるレーザ光の高い発生効率が得られる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  半導体レーザ素子
１０ｆ  側端面
１１  パッケージ
２０  サブマウント
２０ａ  メッキ部
２０ｂ  非メッキ部
２０ｆ  前面
２５  第１のハンダ層
２６  第２のハンダ層
３０  ヒートシンク
３０Ａ  傾斜面
３０ｆ  前面
Ｓ  余剰ハンダ収容空間
【図１】
2014175565.tif 000003
【図２】
2014175565.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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