(57)【要約】【課題】針とビアの電気的導通の確認に掛かる時間を短縮する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ソース、ドレイン及びゲートが形成された基板と電気的に接続されていない前記ゲートに接続されるビアに針を接触させる工程と、前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、電気特性を測定する工程と、測定された前記電気特性に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程と、を備える。【選択図】図５
2014183130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース、ドレイン及びゲートが形成された基板と電気的に接続されていない前記ゲートに接続されるビアに針を接触させる工程と、
前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、電気特性を測定する工程と、
測定された前記電気特性に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、ドレイン電流を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ドレイン電流に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加するとともに、前記ソースに交流電圧を印加して、ゲート−ソース間容量を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ゲート−ソース間容量に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加するとともに、前記ドレインに交流電圧を印加して、ゲート−ドレイン間容量を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ゲート−ドレイン間容量に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスはチップの高集積化や製品の高機能化により、複数のチップを一つのパッケージに実装するＳＩＰ（System In Package）等が行われている。ＳＩＰ等の
製造プロセスは微細かつ複雑になってきており、故障に至る過程も様々であり、故障の原因を推測しにくくなっている。近年のVery Large Scale Integration（ＶＬＳＩ、大規模集積回路）の進歩を牽引したのはMetal Oxide Semiconductor（ＭＯＳ）トランジスタの
微細化技術である。ＭＯＳトランジスタの微細化により、ＭＯＳトランジスタは性能向上、低消費電力化、集積度向上を同時に達成してきた。今や１チップ上にはゲート長が数十ｎｍ以下のＭＯＳトランジスタが数億個以上も集積されている。ＭＯＳトランジスタの微細化の進展と共に、ＭＯＳトランジスタの不良解析及び動作解析は困難さを増している。ＭＯＳトランジスタの解析では、微細な針を用いて、露出された配線やビアに直接プロービングすることによって電気特性の取得が行われる。
【０００３】
走査型プローブ顕微鏡（Scanning Probe Microscopy、ＳＰＭ）は、原子レベルの鋭利
な針により試料表面を走査し、原子単位の凹凸形状や電流マッピング像を取得する装置である。走査型プローブ顕微鏡には、検査対象となる物理量によって様々な種類が存在する。走査型プローブ顕微鏡の一種に、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscopy、ＡＦＭ
）がある。原子間力顕微鏡は、カンチレバーと呼ばれる微小な板バネに針を設け、針を試料表面に接触させながら走査し、試料の表面状態によるカンチレバーの変位量を検出して、ＡＦＭ像を取得する。取得したＡＦＭ像を基に、カンチレバーを配線やビアにプロービングして試料の電気特性を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２６０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合、まず、４本の針を、ソース、ドレイン、ゲート及び基板（又はウェル）の其々に接続されているビアに接触させる。針とビアが接触した状態で、更に針をビアに押し付けることにより、ビアと針を電気的に導通させる。そして、ビアと針の電気的導通の確認を行った後、ＭＯＳトランジスタの電気特性の測定が行われる。
【０００６】
針、ビア、ソース及び基板を流れる電流の電流量、針、ビア、ドレイン及び基板を流れる電流の電流量、針、ビア及び基板を流れる電流の電流量は、測定が容易な大きさの電流量である。また、ゲートが、基板と電気的に接続されている場合、針、ビア、ゲート及び基板を流れる電流の電流量は、測定が容易な大きさの電流量である。ソース、ドレイン、基板及び基板と電気的に接続されているゲートについては、所定の電流量が流れるか否かを確認することにより、針とビアの電気的導通の確認が短時間で行われる。
【０００７】
しかし、ゲートが基板と電気的に接続されていない場合、針、ビア、ゲート及び基板を電流が流れなかったり、針、ビア、ゲート及び基板を流れる電流の電流量が小さかったりする。そのため、基板と電気的に接続されていないゲートについては、所定の電流量が流
れるか否かを確認するのに時間が掛かり、ゲートに接続されているビアと針の電気的導通の確認に長時間を要することになる。
【０００８】
ゲートに接続されているビアと針の電気的導通の確認を行っている間や、電気特性の測定を行っている間は、針をビアに押し付けている状態にある。そのため、ゲートに接続されているビアと針の電気的導通の確認に長時間を要すると、針がビアと非接触となったり、針の先端が変形したりする。また、ゲートに接続されているビアと針の電気的導通の確認に長時間を要すると、ソース、ドレイン及び基板（又はウェル）の其々に接続されているビアと接触している３本の針について、針がビアと非接触となったり、針の先端が変形したりする。本件は、針とビアの電気的導通の確認に掛かる時間を短縮する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本件の一観点による半導体装置の製造方法は、ソース、ドレイン及びゲートが形成された基板と電気的に接続されていない前記ゲートに接続されるビアに針を接触させる工程と、前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、電気特性を測定する工程と、測定された前記電気特性に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、針とビアの電気的導通の確認に掛かる時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】測定装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】カンチレバー及び針の説明図である。
【図３】ＳＲＡＭの回路図である。
【図４】ＮＭＯＳトランジスタの断面図である。
【図５】ＭＯＳトランジスタの電気特性の測定の説明図である。
【図６Ａ】実施例１を説明するフロー図である。
【図６Ｂ】実施例１を説明するフロー図である。
【図７】直流パルス電圧の説明図である。
【図８】ＩＶ特性の一例を示す図である。
【図９】直流パルス電圧の説明図である。
【図１０Ａ】実施例２を説明するフロー図である。
【図１０Ｂ】実施例２を説明するフロー図である。
【図１１】ＣＶ曲線の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図１は、測定装置１の全体構成を示すブロック図である。測定装置１は、多極型の原子間力顕微鏡である。原子間力顕微鏡は、走査型プローブ顕微鏡の一種である。
【００１３】
測定装置１は、測定装置１全体を制御するとともに所定の処理を行う制御部２、試料３が載置されるステージ４、ステージ４をＸＹ方向（水平方向）に移動するＸＹ回路５、及び、ステージ４をＺ方向（垂直方向）に移動するＺ回路６を備える。
【００１４】
制御部２は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）及び主記憶装置を有している。ＣＰ
Ｕは、プロセッサとも呼ばれる。ＣＰＵは、主記憶装置に実行可能に展開されたコンピュータプログラムを実行する。主記憶装置は、メモリとも呼ばれる。主記憶装置は、ＣＰＵが実行するコンピュータプログラム、ＣＰＵが処理するデータ等を記憶する。主記憶装置
は、例えば、揮発性のＲＡＭ（Random Access Memory）又は不揮発性のＲＯＭ（Read Only Memory）である。主記憶装置は、ＲＡＭ及びＲＯＭを有していてもよい。制御部２は、例えば、パーソナルコンピュータであってもよい。
【００１５】
測定装置１は、カンチレバー７及びスキャナ８を備える。カンチレバー７は、微小な板バネである。カンチレバー７には、試料３と接触する導電性の針（探針）９が設けられている。カンチレバー７は、スキャナ８と接続されている。スキャナ８は、アクチュエータとして圧電素子１０を有している。スキャナ８は、圧電素子１０に印加される電圧に応じて、カンチレバー７をＸＹ方向（水平方向）に走査するとともに、カンチレバー７をＺ方向（垂直方向）に移動する。
【００１６】
測定装置１は、発光装置１１及び検出装置１２を備える。発光装置１１は、例えば、レーザーダイオードである。検出装置１２は、例えば、フォトダイオードである。カンチレバー７の上面には、ミラー１３が設けられている。発光装置１１から出射した光は、カンチレバー７の上面に設けられたミラー１３によって反射される。ミラー１３によって反射された反射光は、検出装置１２に入射する。
【００１７】
カンチレバー７をＸＹ方向に走査すると、針９が接触している試料３の表面の凹凸に応じて、カンチレバー７の撓み量が変化することにより、ミラー１３の角度が変化する。ミラー１３の角度が変化すると、検出装置１２に入射する反射光の位置が変化する。検出装置１２は、反射光の入射位置に応じた信号を出力する。
【００１８】
測定装置１は、フィードバック回路１４及び画像作成部１５を備える。検出装置１２から出力された信号は、フィードバック回路１４に入力される。フィードバック回路１４は、検出装置１２から出力される信号に基づき、検出装置１２に入射する反射光の位置が所定位置となるように、圧電素子１０に印加される電圧を変化させる。すなわち、フィードバック回路１４は、カンチレバー７の撓み量が一定となるように、圧電素子１０に印加される電圧を変化させる。スキャナ８は、圧電素子１０に印加される電圧に応じて、カンチレバー７をＺ方向に移動する。したがって、圧電素子１０に印加される電圧は、針９の先端が接触している試料３の表面の高さに応じた電圧となる。
【００１９】
フィードバック回路１４は、圧電素子１０に印加される電圧の値を、信号として画像作成部１５に入力する。制御部２は、針９の位置情報（ＸＹ座標）を、画像作成部１５に入力する。画像作成部１５は、圧電素子１０に印加される電圧の値と、針９の位置情報とに基づいて、ＡＦＭ像（凹凸像）を作成する。ＡＦＭ像は、試料３の表面形状の画像である。測定装置１は、複数のカンチレバー７及び複数のスキャナ８を備えている。したがって、画像作成部１５は、複数の圧電素子１０に印加される電圧の値と、複数の針９の位置情報に基づいて、複数の画像を重ね合わせたＡＦＭ画像を作成する。画像作成部１５は、複数の画像のうちの特定個所を目印として画像を重ね合わせてＡＦＭ像を作成する。
【００２０】
測定装置１は、カンチレバー７に設けられた針９を介して試料３に電圧を印加する電圧印加部１６、及び、試料３の電気特性を測定する測定部１７を備える。電圧印加部１６は、直流電圧源及び交流電圧源を有する。測定部１７は、例えば、電圧電流計である。画像作成部１５は、測定部１７によって測定された測定結果に基づいて、試料３の電気特性の画像を作成する。
【００２１】
電圧印加部１６は、針９と試料３の間に微弱電圧（例えば、０．２Ｖ程度の電圧）を印加する。測定部１７は、針９と試料３の間に流れる電流を測定する。画像作成部１５は、測定部１７によって測定された電流値に基づいて、ＣＡＦＭ（Conductive ＡＦＭ）像を
作成する。ＣＡＦＭ像は、試料３の表面の電流マッピング像である。画像作成部１５は、
複数の針９と試料３の間に流れる電流値と、複数の針９の位置情報に基づいて、複数の画像を重ね合わせたＣＡＦＭ画像を作成する。画像作成部１５は、複数の画像のうちの特定個所を目印として画像を重ね合わせてＣＡＦＭ像を作成する。
【００２２】
測定装置１は、試料３の光学顕微鏡像を作成する光学顕微鏡装置１８及びレーザーを用いて試料３にマーキングを施すマーキング装置１９を備える。
【００２３】
測定装置１は、ＡＦＭ像、ＣＡＦＭ像及び試料３の電気特性の画像を表示する表示部２０、所定の操作を受け付ける操作部２１、及び、測定結果等のデータを記憶する記憶部２２を備える。表示部２０は、例えば、液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンスパネル、プラズマディスプレイ等である。操作部２１は、例えば、キーボード、マウス等であり、所定のコマンドや必要なデータを入力するときなどに操作される。記憶部２２は、例えば、ハードディスク等の不揮発性記憶媒体やＲＡＭ等の揮発性記憶媒体である。
【００２４】
〈試料３の電気特性の測定〉
試料３の電気特性の測定方法について説明する。以下では、試料３の一例であるＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）のＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する例を示
す。ＭＯＳトランジスタは、半導体装置の一例である。ただし、本実施形態は、ＳＲＡＭのＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に限定されず、他のＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に適用可能である。
【００２５】
測定装置１は、複数のカンチレバー７を備えている。試料３が、ＳＲＡＭである場合、４本のカンチレバー７Ａ〜７Ｄを用いて、ＭＯＳトランジスタの電気特性の測定が行われる。図２に示すように、４本のカンチレバー７Ａ〜７Ｄに其々設けられた針Ａ９〜９Ｄは、一辺が数百ｎｍの正方形の頂点の位置に置かれ、４本の針９Ａ〜９Ｄが平行して移動するため、針９Ａ〜９Ｄが衝突しないようになっている。
【００２６】
図３を参照して、基板に形成されたＭＯＳトランジスタを有するＳＲＡＭの構成例について説明する。図３は、ＳＲＡＭの回路図である。図３に示すように、ＳＲＡＭは、転送トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、負荷トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４及び駆動トランジスタＴｒ５、Ｔｒ６を有する。転送トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２、負荷トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４及び駆動トランジスタＴｒ５、Ｔｒ６は、ＭＯＳトランジスタの一例である。転送トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２及び駆動トランジスタＴｒ５、Ｔｒ６は、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタ（ＮＭＯＳトランジスタ）である。負荷トランジスタＴｒ３、Ｔｒ４は、ＰチャンネルＭＯＳトランジスタ（ＰＭＯＳトランジスタ）である。
【００２７】
転送トランジスタＴｒ１は、ゲートがワードラインＷＬに接続され、ドレインがビットラインＢＬ１に接続され、ソースが基板ノードＮ１に接続されている。転送トランジスタＴｒ２は、ゲートがワードラインＷＬに接続され、ドレインが反転ビットラインＢＬ２に接続され、ソースが基板ノードＮ１に接続されている。したがって、転送トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のゲートは、基板と電気的に接続されていない。
【００２８】
負荷トランジスタＴｒ３及び駆動トランジスタＴｒ５は、ドレインが基板ノードＮ１に接続され、ゲートが基板ノードＮ２に接続されている。負荷トランジスタＴｒ３のソースは、電源電圧Ｖｄｄに、駆動トランジスタＴｒ５のソースは基準電位に接続されている。負荷トランジスタＴｒ３及び駆動トランジスタＴｒ５によって、基板ノードＮ２を入力とし、基板ノードＮ１を出力とする１つのＣＭＯＳ（Complementary ＭＯＳ）インバータが形成されている。
【００２９】
負荷トランジスタＴｒ４及び駆動トランジスタＴｒ６は、ドレインが基板ノードＮ２に
接続され、ゲートが基板ノードＮ１に接続されている。負荷トランジスタＴｒ４のソースは、電源電圧Ｖｄｄに、駆動トランジスタＴｒ６のソースは基準電位に接続されている。負荷トランジスタＴｒ４及び駆動トランジスタＴｒ６によって、基板ノードＮ１を入力とし、基板ノードＮ２を出力とする１つのＣＭＯＳインバータが形成されている。
【００３０】
負荷トランジスタＴｒ３及び駆動トランジスタＴｒ５によって形成されるＣＭＯＳインバータと、負荷トランジスタＴｒ４及び駆動トランジスタＴｒ６によって形成されるＣＭＯＳインバータは、互いの入力及び出力がたすき掛け接続されている。これにより、ＳＲＡＭには、１つの記憶回路が形成されている。
【００３１】
負荷トランジスタＴｒ３及び駆動トランジスタＴｒ５のゲートは、基板ノードＮ２に接続されている。したがって、負荷トランジスタＴｒ３及び駆動トランジスタＴｒ５のゲートは、基板と電気的に接続されている。負荷トランジスタＴｒ４及び駆動トランジスタＴｒ６のゲートは、基板ノードＮ１に接続されている。したがって、負荷トランジスタＴｒ４及び駆動トランジスタＴｒ６のゲートは、基板と電気的に接続されている。
【００３２】
ＭＯＳトランジスタのＡＦＭ像の作成、ＣＡＦＭ像の作成及び電気特性の測定では、ＭＯＳトランジスタのソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１（又はウェル）に接続されているビア３４を、層間絶縁膜３５から露出させておく。図４は、ＭＯＳトランジスタのソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１に接続されているビア３４が、層間絶縁膜３５から露出している場合のＮＭＯＳトランジスタの断面図である。基板４１の表面（主面）に、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３、ビア３４及び層間絶縁膜３５が形成されている。
【００３３】
基板４１に、ソース３１及びドレイン３２が形成され、基板４１上にはゲート３３が形成されている。基板４１とゲート３３の間には、ゲート絶縁膜３６が形成されている。ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１の其々に、ビア３４が接続されている。基板４１上には層間絶縁膜３５が形成されている。Chemical Mechanical Polishing（
ＣＭＰ、化学機械研磨）により、層間絶縁膜３５を研磨することにより、層間絶縁膜３５からビア３４を露出させてもよい。
【００３４】
ここでは、Ｍ１Ｃ（第１配線層）においてビア３４が露出している場合について説明するが、Ｍ２Ｃ（第２配線層）又はＭ３Ｃ（第３配線層）においてビア３４が露出していてもよい。
【００３５】
測定箇所の近傍には、レーザーを用いてマーキングを施しておく。例えば、測定箇所の左上及び右下にマーキングを施しておき、マーキングを目印として、測定箇所が特定される。
【００３６】
ＭＯＳトランジスタのＡＦＭ像の作成、ＣＡＦＭ像の作成及び電気特性の測定では、ＭＯＳトランジスタが形成された基板４１をステージ４上に載置する。基板４１の裏面（表面の反対面）がステージ４と接することにより、基板４１とステージ４とが電気的に導通する。
【００３７】
ＭＯＳトランジスタの電気特性の測定では、図５に示すように、針９Ａ〜９Ｄを、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１の其々に接続されているビア３４に接触させる。針９Ａ〜９Ｄを、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１の其々に接続されているビア３４に押し付ける。そして、針９Ａ〜９Ｄと、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１の其々に接続されているビア３４を電気的に導通させることにより、ＭＯＳトランジスタの電気特性の測定が行われる。
【００３８】
なお、ＰＭＯＳトランジスタの場合、基板４１に形成されているウェルにビア３４が接続されている。したがって、ＰＭＯＳトランジスタでは、針９Ａ〜９Ｄと、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及びウェルの其々に接続されているビア３４を電気的に導通させることにより、電気特性の測定が行われる。
【００３９】
〈実施例１〉
以下、実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例１は、半導体装置の製造方法の一部の工程として、ＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する工程を用いる場合について説明する。実施例１に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法の一部として用いてもよいし、半導体装置の測定方法として用いてもよい。ＭＯＳトランジスタの電気特性の例として、ＭＯＳトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性、ＭＯＳトランジスタのＣＶ特性等を挙げることができる。
【００４０】
実施例１は、ＳＲＡＭのＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に限定されず、他のＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に適用可能である。例えば、実施例１に示す電気特性の測定方法によって、フラッシュメモリのＭＯＳトランジスタの電気特性を測定してもよい。
【００４１】
測定対象のＭＯＳトランジスタは、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタである。ここでは、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタとして、転送トランジスタを採用している。
【００４２】
フラッシュメモリのＭＯＳトランジスタは、基板４１にソース３１及びドレイン３２が形成され、基板４１上にコントロールゲート、フローティングゲート及び絶縁膜が形成されている。フローティングゲートは、絶縁膜中に形成されており、基板４１と電気的に接続されていない。したがって、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタとして、フラッシュメモリのＭＯＳトランジスタを採用してもよい。
【００４３】
図６Ａ及び図６Ｂは、実施例１を説明するフロー図である。図６ＡのＳ１０１の工程では、ＭＯＳトランジスタの測定位置の特定が行われる。なお、基板４１はステージ４上に載置されている。したがって、基板４１とステージ４は電気的に導通している状態にある。光学顕微鏡装置１８が、マーキングが施された位置を中心とした光学顕微鏡像を作成する。光学顕微鏡画像に基づいて、スキャナ８は、マーキングが施された位置近傍にカンチレバー７Ａ〜７Ｄを移動する。画像作成部１５は、マーキングが施されている位置近傍のＡＦＭ像を作成する。制御部２は、ＡＦＭ像に基づいて、ＭＯＳトランジスタの測定位置を特定し、カンチレバー７Ａ〜７Ｄの移動先を決定する。
【００４４】
図６ＡのＳ１０２の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ〜７ＤをＭＯＳトランジスタの測定位置の上方に移動させる。すなわち、カンチレバー７Ａ〜７Ｄが、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１に接続されているビア３４の上方に移動する。
【００４５】
図６ＡのＳ１０３の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ａを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ａを、ソース３１に接続されているビア３４に接触させる。
【００４６】
針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ａを更に下降させることにより、針９Ａに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ａに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ａに所定値の荷重を加えることにより、針９Ａを撓らせてビア３
４を押さえつけ、ソース３１に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【００４７】
図６ＡのＳ１０４の工程では、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【００４８】
電圧印加部１６は、ソース３１に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流電圧（ＤＣバイアス）を印加（掃引）する。電圧印加部１６は、−１Ｖから徐々に電圧値を上げて、＋１Ｖまでの直流電圧をソース３１に掃引してもよい。電圧印加部１６は、＋１Ｖから徐々に電圧値を下げて、−１Ｖまでの直流電圧をソース３１に掃引してもよい。測定部１７は、針９Ａ、ビア３４、ソース３１及び基板４１を流れる電流（電流波形）を測定する。
【００４９】
測定された電流波形が、所定基準Ａを満たしている場合、制御部２は、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定された電流波形が、所定基準Ａを満たしていない場合、制御部２は、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００５０】
制御部２は、測定された電流波形と、所定波形Ａとを比較する。所定波形Ａは、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が電気的に導通する場合における、針９Ａ、ビア３４、ソース３１及び基板４１に流れる電流の電流波形である。所定波形Ａのデータは、記憶部２２に記憶されている。所定波形Ａのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【００５１】
測定された電流波形が、所定波形Ａと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ａを満たしていると決定してもよい。したがって、測定された電流波形が、所定波形Ａと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【００５２】
測定された電流波形が、所定波形Ａと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ａを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定された電流波形が、所定波形Ａと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００５３】
電流が、針９Ａ、ビア３４、ソース３１及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ａを満たしていないと決定してもよい。したがって、電流が、針９Ａ、ビア３４、ソース３１及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００５４】
針９Ａに加える荷重が所定値となるまで、針９Ａに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７による電流測定が行われるようにしてもよい。針９Ａに過剰な荷重を加えると、針９Ａが、ソース３１に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御部２によって、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａの下降を停止し、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４の接触状態を保持する。
【００５５】
針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ソース３１に対する直流電圧の印可を停止した後、図６ＡのＳ１０５の工程に進む。一方、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ソース
３１に対する直流電圧の印可を停止した後、図６ＡのＳ１０６の工程に進む。
【００５６】
図６ＡのＳ１０５の工程では、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ａを水平方向に所定距離移動することにより、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図６ＡのＳ１０５の工程が行われた後、図６ＡのＳ１０４の工程に進む。
【００５７】
図６ＡのＳ１０４及びＳ１０５の工程が繰り返し行われる場合、図６ＡのＳ１０３の工程に進むようにしてもよい。図６ＡのＳ１０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａを上昇させて、針９Ａと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａに異物が付着しており、針９Ａとビア３４の接触が良好とならない場合があるため、針９Ａに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【００５８】
図６ＡのＳ１０６の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ｂを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ｂを、ドレイン３２に接続されているビア３４に接触させる。
【００５９】
針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ｂを更に下降させることにより、針９Ｂに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ｂに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ｂに所定値の荷重を加えることにより、針９Ｂを撓らせてビア３４を押さえつけ、ドレイン３２に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【００６０】
図６ＡのＳ１０７の工程では、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【００６１】
電圧印加部１６は、ドレイン３２に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流電圧（ＤＣバイアス）を印加（掃引）する。電圧印加部１６は、−１Ｖから徐々に電圧値を上げて、＋１Ｖまでの直流電圧をドレイン３２に掃引してもよい。電圧印加部１６は、＋１Ｖから徐々に電圧値を下げて、−１Ｖまでの直流電圧をドレイン３２に掃引してもよい。測定部１７は、針９Ｂ、ビア３４、ドレイン３２及び基板４１を流れる電流（電流波形）を測定する。
【００６２】
測定された電流波形が、所定基準Ｂを満たしている場合、制御部２は、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定された電流波形が、所定基準Ｂを満たしていない場合、制御部２は、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００６３】
制御部２は、測定された電流波形と、所定波形Ｂとを比較する。所定波形Ｂは、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が電気的に導通する場合における、針９Ｂ、ビア３４、ドレイン３２及び基板４１に流れる電流の電流波形である。所定波形Ｂのデータは、記憶部２２に記憶されている。所定波形Ｂのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【００６４】
測定された電流波形が、所定波形Ｂと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｂを満たしていると決定してもよい。したがって、測
定された電流波形が、所定波形Ｂと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【００６５】
測定された電流波形が、所定波形Ｂと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｂを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定された電流波形が、所定波形Ｂと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００６６】
電流が、針９Ｂ、ビア３４、ドレイン３２及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｂを満たしていないと決定してもよい。したがって、電流が、針９Ｂ、ビア３４、ドレイン３２及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００６７】
針９Ｂに加える荷重が所定値となるまで、針９Ｂに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７による電流測定が行われるようにしてもよい。針９Ｂに過剰な荷重を加えると、針９Ｂが、ドレイン３２に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御部２によって、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｂの下降を停止し、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４との接触状態を保持する。
【００６８】
針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止した後、図６ＡのＳ１０８の工程に進む。一方、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止した後、図６ＢのＳ１０９の工程に進む。
【００６９】
図６ＡのＳ１０８の工程では、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｂを水平方向に所定距離移動することにより、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図６ＡのＳ１０８の工程が行われた後、図６ＡのＳ１０７の工程に進む。
【００７０】
図６ＡのＳ１０７及びＳ１０８の工程が繰り返し行われる場合、図６ＡのＳ１０６の工程に進むようにしてもよい。図６ＡのＳ１０６の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｂを上昇させて、針９Ｂと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ｂに異物が付着しており、針９Ｂとビア３４の接触が良好とならない場合があるため、針９Ｂに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。図６ＡのＳ１０７及びＳ１０８の工程が繰り返し行われる場合、図６ＡのＳ１０３の工程に進むようにしてもよい。図６ＡのＳ１０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ及び７Ｂを上昇させて、針９Ａ及び９Ｂと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａ及び９Ｂに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【００７１】
図６ＢのＳ１０９の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ｃを、ゲート３３に接続されているビア３４に接触させる。
【００７２】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が
、カンチレバー７Ｃを更に下降させることにより、針９Ｃに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ｃに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ｃに所定値の荷重を加えることにより、針９Ｃを撓らせてビア３４を押さえつけ、ゲート３３に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【００７３】
図６ＢのＳ１１０の工程では、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【００７４】
電圧印加部１６は、ソース３１に０Ｖの直流電圧（ＤＣバイアス）を印加し、ドレイン３２に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流電圧（ＤＣバイアス）を印加（掃引）する。電圧印加部１６は、−１Ｖから徐々に電圧値を上げて、＋１Ｖまでの直流電圧をドレイン３２に掃引してもよい。電圧印加部１６は、＋１Ｖから徐々に電圧値を下げて、−１Ｖまでの直流電圧をドレイン３２に掃引してもよい。電圧印加部１６は、ゲート３３に直流パルス電圧を印加する。例えば、直流パルス電圧の電圧値を＋０．６Ｖ以上＋１．０Ｖ以下、パルス幅を１００ｎｓｅｃ以上１０００ｎｓｅｃ以下、パルス間隔を１ｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下、としてもよい。測定部１７は、ソース−ドレイン間を流れるドレイン電流（ドレイン電流波形）を測定する。
【００７５】
図７に示すように、直流パルス電圧は、ナノセカンドオーダーのパルス幅（ＰＷ）、セカンドオーダーのパルス間隔（ＰＤ）で印加される。針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通する場合、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている間は、ＭＯＳトランジスタがＯＮとなる。そのため、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている時間だけドレイン電流が流れる。したがって、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている時間においてドレイン電流が測定されれば、図８に示すようなＩＶ特性が得られ、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していることになる。
【００７６】
例えば、ゲート３３に直流電圧が印加されてドレイン電流が流れると、ドレイン電流が瞬間的にコンプライアンス電流を超える場合がある。ドレイン電流がコンプライアンス電流を超えると、ＭＯＳトランジスタが破壊される可能性がある。実施例１では、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている時間だけ、ドレイン電流が流れるため、ドレイン電流が瞬間的にコンプライアンス電流を超えたとしても、ＭＯＳトランジスタを破壊するレベルの大電流は流れない。したがって、ゲート３３に直流パルス電圧を印加することにより、ＭＯＳトランジスタの破壊を抑止することができる。
【００７７】
図７では、＋１．０Ｖの直流パルス電圧を印加している例を示しているが、直流パルス電圧を印加する場合、図７に示す例に限られない。図９に示すように、直流パルス電圧の電圧値を段階的に上げたり下げたりして、直流パルス電圧を印加するようにしてもよい。
【００７８】
測定されたドレイン電流波形が、所定基準Ｃを満たしている場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定されたドレイン電流波形が、所定基準Ｃを満たしてない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００７９】
制御部２は、測定されたドレイン電流波形と、所定波形Ｃとを比較する。所定波形Ｃは、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が電気的に導通する場合における、ＭＯＳトランジスタのドレイン電流の波形である。所定波形Ｃのデータは、記憶部２２に記憶されている。所定波形Ｃのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【００８０】
測定されたドレイン電流波形が、所定波形Ｃと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定されたドレイン電流波形が、所定基準Ｃを満たしていると決定してもよい。したがって、測定されたドレイン電流波形が、所定波形Ｃと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【００８１】
測定されたドレイン電流波形が、所定波形Ｃと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定されたドレイン電流波形が、所定基準Ｃを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定されたドレイン電流波形が、所定波形Ｃと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００８２】
ドレイン電流が流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、測定されたドレイン電流波形が、所定基準Ｃを満たしていないと決定してもよい。したがって、ドレイン電流が流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００８３】
針９Ｃに加える荷重が所定値となるまで、針９Ｃに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７による電流測定が行われるようにしてもよい。針９Ｃに過剰な荷重を加えると、針９Ｃが、ゲート３３に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御部２によって、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃの下降を停止し、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４の接触状態を保持する。
【００８４】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ソース３１及びドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止し、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止した後、図６ＢのＳ１１１の工程に進む。一方、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ソース３１及びドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止し、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止した後、図６ＢのＳ１１２の工程に進む。
【００８５】
図６ＢのＳ１１１の工程では、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｃを水平方向に所定距離移動することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図６ＢのＳ１１１の工程が行われた後、図６ＢのＳ１１０の工程に進む。
【００８６】
図６ＢのＳ１１０及びＳ１１１の工程が繰り返し行われる場合、図６ＢのＳ１０９の工程に進むようにしてもよい。図６ＢのＳ１０９の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃを上昇させて、針９Ｃと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ｃに異物が付着しており、針９Ｃとビア３４の接触が良好とならない場合があるため、針９Ｃに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。図６ＢのＳ１１０及びＳ１１１の工程が繰り返し行われる場合、図６ＡのＳ１０３の工程に進むようにしてもよい。図６ＡのＳ１０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ〜７Ｃを上昇させて、針９Ａ〜９Ｃと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａ〜９Ｃに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【００８７】
図６ＢのＳ１１２の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ｄを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ｄを、基板４１に接続されているビア３４に接触させる。
【００８８】
針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ｄを更に下降させることにより、針９Ｄに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ｄに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ｄに所定値の荷重を加えることにより、針９Ｄを撓らせてビア３４を押さえつけ、基板４１に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【００８９】
図６ＢのＳ１１３の工程では、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【００９０】
電圧印加部１６は、基板４１に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流電圧（ＤＣバイアス）を印加（掃引）する。電圧印加部１６は、−１Ｖから徐々に電圧値を上げて、＋１Ｖまでの直流電圧を基板４１に掃引してもよい。電圧印加部１６は、＋１Ｖから徐々に電圧値を下げて、−１Ｖまでの直流電圧を基板４１に掃引してもよい。測定部１７は、針９Ｄ、ビア３４及び基板４１を流れる電流（電流波形）を測定する。
【００９１】
測定された電流波形が、所定基準Ｄを満たしている場合、制御部２は、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定された電流波形が、所定基準Ｄを満たしていない場合、制御部２は、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００９２】
制御部２は、測定された電流波形と、所定波形Ｄとを比較する。所定波形Ｄは、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が電気的に導通する場合における、針９Ｄ、ビア３４及び基板４１に流れる電流の電流波形である。所定波形Ｄのデータは、記憶部２２に記憶されている。所定波形Ｄのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【００９３】
測定された電流波形が、所定波形Ｄと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｄを満たしていると決定してもよい。したがって、測定された電流波形が、所定波形Ｄと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【００９４】
測定された電流波形が、所定波形Ｄと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｄを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定された電流波形が、所定波形Ｄと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００９５】
電流が、針９Ｄ、ビア３４及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、測定された電流波形が、所定基準Ｄを満たしていないと決定してもよい。したがって、電流が、針９Ｄ、ビア３４及び基板４１を流れない又は殆ど流れない場合、制御部２は、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【００９６】
針９Ｄに加える荷重が所定値となるまで、針９Ｄに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７による電流測定が行われるようにしてもよい。針９Ｄに過剰な荷重を加えると、針９Ｄが、基板４１に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御
部２によって、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｄの下降を停止し、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４の接触状態を保持する。
【００９７】
針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、基板４１に対する直流電圧の印加を停止した後、図６ＢのＳ１１４の工程に進む。一方、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、基板４１に対する直流電圧の印加を停止した後、図６ＢのＳ１１５の工程に進む。
【００９８】
図６ＢのＳ１１４の工程では、基板４１に接続されているビア３４に対する針９Ｄの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｄを水平方向に所定距離移動することにより、基板４１に接続されているビア３４に対する針９Ｄの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、基板４１に接続されているビア３４に対する針９Ｄの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図６ＢのＳ１１４の工程が行われた後、図６ＢのＳ１１３の工程に進む。
【００９９】
図６ＢのＳ１１３及びＳ１１４の工程が繰り返し行われる場合、図６ＢのＳ１１２の工程に進むようにしてもよい。図６ＢのＳ１１２の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｄを上昇させて、針９Ｄと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ｄに異物が付着しており、針９Ｄとビア３４の接触が良好とならない場合があるため、針９Ｄに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。図６ＢのＳ１１３及びＳ１１４の工程が繰り返し行われる場合、図６ＡのＳ１０３の工程に進むようにしてもよい。図６ＡのＳ１０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ〜７Ｄを上昇させて、針９Ａ〜９Ｄと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａ〜９Ｄに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【０１００】
図６ＢのＳ１１５の工程では、ＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する。ＭＯＳトランジスタの電気特性の一例であるＶｇ−Ｉｄ特性の測定について説明する。電圧印加部１６は、ゲート３３に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流パルス電圧を印加（掃引）する。例えば、直流パルス電圧を０．１Ｖ刻みで段階的に変動させてもよい。例えば、直流パルス電圧のパルス幅を１００ｎｓｅｃ以上１０００ｎｓｅｃ以下、パルス間隔を１ｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下、としてもよい。電圧印加部１６は、ソース３１に０Ｖの直流電圧（ＤＣバイアス）を印加し、ドレイン３２に−１Ｖ又は＋１Ｖの直流電圧（ＤＣバイアス）を印加する。測定部１７は、Ｖｇ−Ｉｄ特性（曲線）を測定する。ただし、Ｖｇ−Ｉｄ特性の測定は、例示であって、上記の測定方法に限定されない。例えば、針９Ｄと、基板４１に接続されているビア３４の接触を解除した状態で、Ｖｇ−Ｉｄ特性を測定してもよい。
【０１０１】
次に、ＭＯＳトランジスタの電気特性の一例であるＣＶ特性の測定について説明する。電圧印加部１６は、ゲート３３に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流パルス電圧を印加（掃引）する。例えば、直流パルス電圧を０．１Ｖ刻みで段階的に変動させてもよい。例えば、直流パルス電圧のパルス幅を１００ｎｓｅｃ以上１０００ｎｓｅｃ以下、パルス間隔を１ｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下、としてもよい。電圧印加部１６は、ドレイン３２に＋０．３Ｖｐｐ、１００ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下の交流電圧（ＡＣバイアス）を印加する。測定部１７は、ＣＶ特性（曲線）を取得する。
【０１０２】
実施例１では、直流パルス電圧をゲート３３に印加することにより、ドレイン電流（ドレイン電流波形）の測定が行われ、ドレイン電流波形に基づいて、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。ドレイン電流
波形の測定は、短時間で行うことが可能であるため、針９Ｃと、ゲート３３に接続されるビア３４との電気的導通の確認に掛かる時間を短縮することができる。
【０１０３】
実施例１によれば、配線幅が４５ｎｍのＳＲＡＭの転送トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性の測定成功率が、平均して１０％から９０％となり、測定成功率が９倍に増加した。実施例１によれば、配線幅が４０ｎｍのＳＲＡＭの転送トランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性の測定成功率が、平均して０．５％から６０％となり、成功率が１２０倍に増加した。
【０１０４】
〈実施例２〉
以下、実施例２に係る半導体装置の製造方法について説明する。実施例２は、半導体装置の製造方法の一部の工程として、ＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する工程を用いる場合について説明する。実施例２に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法の一部として用いてもよいし、半導体装置の測定方法として用いてもよい。ＭＯＳトランジスタの電気特性の例として、ＭＯＳトランジスタのＣＶ特性を挙げることができる。
【０１０５】
実施例２は、ＳＲＡＭのＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に限定されず、他のＭＯＳトランジスタの電気特性を測定する場合に適用可能である。例えば、実施例２に示す電気特性の測定方法によって、フラッシュメモリのＭＯＳトランジスタの電気特性を測定してもよい。
【０１０６】
測定対象のＭＯＳトランジスタは、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタである。ここでは、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタとして、転送トランジスタを採用している。また、基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタとして、フラッシュメモリのＭＯＳトランジスタを採用してもよい。
【０１０７】
図１０Ａ及び図１０Ｂは、実施例２を説明するフロー図である。図１０ＡのＳ２０１の工程では、ＭＯＳトランジスタの測定位置の特定が行われる。なお、基板４１はステージ４上に載置されている。したがって、基板４１とステージ４は電気的に導通している状態にある。
【０１０８】
画像作成部１５が、ＭＯＳトランジスタのＣＡＦＭ像を作成する。基板４１と電気的に接続されていないゲート３３を有するＭＯＳトランジスタについて、ゲートリークが発生している場合、本来電流が流れない箇所に電流が流れている様子が、ＣＡＦＭ像に示される。制御部２は、ＭＯＳトランジスタのＣＡＦＭ像に基づいて、ＭＯＳトランジスタにおけるゲートリークの発生位置を特定することにより、ＭＯＳトランジスタの測定位置を特定し、カンチレバー７Ａ〜７Ｄの移動先を決定する。
【０１０９】
図１０ＡのＳ２０２の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ〜７ＤをＭＯＳトランジスタの測定位置の上方に移動させる。すなわち、カンチレバー７Ａ〜７Ｄが、ソース３１、ドレイン３２、ゲート３３及び基板４１に接続されているビア３４の上方に移動する。
【０１１０】
図１０ＡのＳ２０３の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ａを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ａを、ソース３１に接続されているビア３４に接触させる。
【０１１１】
針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ａを更に下降させることにより、針９Ａに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ａに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷
重を用いてもよい。針９Ａに所定値の荷重を加えることにより、針９Ａを撓らせてビア３４を押さえつけて、ソース３１に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【０１１２】
図１０ＡのＳ２０４の工程では、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認の工程は、実施例１の工程（図６ＡのＳ１０４の工程）と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１１３】
針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ソース３１に対する直流電圧の印可を停止した後、図１０ＡのＳ２０５の工程に進む。一方、針９Ａと、ソース３１に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ソース３１に対する直流電圧の印可を停止した後、図１０ＡのＳ２０６の工程に進む。
【０１１４】
図１０ＡのＳ２０５の工程では、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ａを水平方向に所定距離移動することにより、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ソース３１に接続されているビア３４に対する針９Ａの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図１０ＡのＳ２０５の工程が行われた後、図１０ＡのＳ２０４の工程に進む。
【０１１５】
図１０ＡのＳ２０４及びＳ２０５の工程が繰り返し行われる場合、図１０ＡのＳ２０３の工程に進むようにしてもよい。図１０ＡのＳ２０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａを上昇させて、針９Ａと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａに異物が付着しており、針９Ａとビア３４の接触が良好とならない場合があるため、針９Ａに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【０１１６】
図１０ＡのＳ２０６の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ｃを、ゲート３３に接続されているビア３４に接触させる。
【０１１７】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ｃを更に下降させることにより、針９Ｃに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ｃに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ｃに所定値の荷重を加えることにより、針９Ｃを撓らせてビア３４を押さえてつけて、ゲート３３に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【０１１８】
図１０ＡのＳ２０７の工程では、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【０１１９】
電圧印加部１６は、ゲート３３に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流パルス電圧を印加（掃引）する。例えば、直流パルス電圧を０．１Ｖ刻みで段階的に変動させてもよい。例えば、直流パルス電圧のパルス幅を１００ｎｓｅｃ以上１０００ｎｓｅｃ以下、パルス間隔を１ｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下、としてもよい。電圧印加部１６は、ソース３１に＋０．３Ｖｐｐ、１００ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下の交流電圧（ＡＣバイアス）を印加する。
【０１２０】
測定部１７は、ゲート−ソース間容量（キャパシタンス）を測定する。測定部１７は、
直流パルス電圧を段階的に変動させた場合のゲート−ソース間容量を測定することにより、ＣＶ曲線（ＣＶ特性）を測定（取得）する。例えば、測定部１７は、段階的に変動させて印加した直流パルス電圧の電圧値と、直流パルス電圧の電圧値に応じて測定されたゲート−ソース間容量を対応付けたＣＶ曲線を測定（取得）する。
【０１２１】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通する場合、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている間は、ゲート３３を電流が流れる。実施例２では、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている時間だけ、ゲート３３に電流が流れるため、ゲート３３に流れる電流が瞬間的にコンプライアンス電流を超えたとしても、ＭＯＳトランジスタを破壊するレベルの大電流は流れない。したがって、ゲート３３に直流パルス電圧を印加することにより、ＭＯＳトランジスタの破壊を抑止することができる。
【０１２２】
測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｅを満たしている場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｅを満たしていない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１２３】
制御部２は、測定されたＣＶ曲線と、所定のＣＶ曲線Ａとを比較する。所定のＣＶ曲線Ａは、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が電気的に導通する場合に、ゲートリークが発生していないＭＯＳトランジスタのゲート−ソース間容量を測定することにより測定されたＣＶ曲線である。所定のＣＶ曲線Ａのデータは、記憶部２２に記憶されている。所定のＣＶ曲線Ａのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【０１２４】
ＣＶ曲線の一例を、図１１に示す。図１１の縦軸が容量（Ｃ）であり、横軸が電圧（Ｖ）である。図１１は、ＮＭＯＳトランジスタのＣＶ曲線であるため、容量（Ｃ）が正の値となり、ゲート３３に正の電圧を印加した場合、容量（Ｃ）が増加する。ゲート−ソース間でゲートリークが発生していない場合、図１１に示すようなＣＶ曲線が測定される。
【０１２５】
測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ａと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｅを満たしていると決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ａと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【０１２６】
測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ａと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｅを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ａと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１２７】
測定されたＣＶ曲線の容量（Ｃ）が増加していない場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｅを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線の容量（Ｃ）が増加していない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１２８】
針９Ｃに加える荷重が所定値となるまで、針９Ｃに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７によるＣＶ曲線の測定が行われるようにしてもよい。針９Ｃに過剰な荷重を加えると、針９Ｃが、ゲート３３に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御部２によって、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導
通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃの下降を停止し、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４の接触状態を保持する。
【０１２９】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止し、ソース３１に対する交流電圧の印加を停止した後、図１０ＡのＳ２０８の工程に進む。一方、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止し、ソース３１に対する交流電圧の印加を停止した後、図１０ＡのＳ２０９の工程に進む。
【０１３０】
図１０ＡのＳ２０８の工程では、制御部２は、ＭＯＳトランジスタのゲート３３とソース３１の間にゲートリークが発生していないと決定する。すなわち、制御部２は、ＭＯＳトランジスタのゲート３３とドレイン３２の間にゲートリークが発生していると決定する。
【０１３１】
図１０ＡのＳ２０９の工程では、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達したかを、制御部２が判定する。
【０１３２】
ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達していない場合、図１０ＡのＳ２１０の工程に進む。一方、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達している場合、図１０ＢのＳ２１１の工程に進む。所定回数のデータは、記憶部２２に記憶されている。所定回数のデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。図１０ＢのＳ２１１の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃを上昇させて、針９Ｃと、ビア３４が接触している状態を解除した後、カンチレバー７Ｃを下降させることにより、針９Ｃを、ゲート３３に接続されているビア３４に接触させてもよい。針９Ｃと、ビア３４が接触している状態を解除した場合、針９Ｃに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【０１３３】
図１０ＡのＳ２１０の工程では、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｃを水平方向に所定距離移動することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図１０ＡのＳ２１０の工程が行われた後、図１０ＡのＳ２０７の工程に進む。
【０１３４】
図１０ＢのＳ２１１の工程では、スキャナ８は、カンチレバー７Ｂを下降させる（下方に移動する）ことにより、針９Ｂを、ドレイン３２に接続されているビア３４に接触させる。
【０１３５】
針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４とを接触させた状態で、スキャナ８が、カンチレバー７Ｂを更に下降させることにより、針９Ｂに所定値の荷重を加える。制御部２は、針９Ｂに加える所定値の荷重を設定する。所定値の荷重として、第１基準値の荷重を用いてもよい。針９Ｂに所定値の荷重を加えることにより、針９Ｂを撓らせてビア３４を押さえつけ、ドレイン３２に接続されているビア３４の表面に形成されている酸化膜を削り取る。
【０１３６】
図１０ＢのＳ２１２の工程では、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が
、電気的に導通しているかの確認が行われる。針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認の工程は、実施例１の工程（図６ＡのＳ１０７の工程）と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【０１３７】
針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止した後、図１０ＢのＳ２１３の工程に進む。一方、針９Ｂと、ドレイン３２に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ドレイン３２に対する直流電圧の印加を停止した後、図１０ＢのＳ２１４の工程に進む。
【０１３８】
図１０ＢのＳ２１３の工程では、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｂを水平方向に所定距離移動することにより、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ドレイン３２に接続されているビア３４に対する針９Ｂの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図１０ＢのＳ２１３の工程が行われた後、図１０ＢのＳ２１２の工程に進む。
【０１３９】
図１０ＢのＳ２１４の工程では、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。
【０１４０】
電圧印加部１６は、ゲート３３に−１Ｖ以上＋１Ｖ以下の直流パルス電圧を印加（掃引）する。例えば、直流パルス電圧を０．１Ｖ刻みで段階的に変動させてもよい。例えば、直流パルス電圧のパルス幅を１００ｎｓｅｃ以上１０００ｎｓｅｃ以下、パルス間隔を１ｓｅｃ以上１０ｓｅｃ以下、としてもよい。電圧印加部１６は、ドレイン３２に＋０．３Ｖｐｐ、１００ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下の交流電圧（ＡＣバイアス）を印加する。
【０１４１】
測定部１７は、ゲート−ドレイン間容量（キャパシタンス）を測定する。測定部１７は、直流パルス電圧を段階的に変動させた場合のゲート−ドレイン間容量を測定することにより、ＣＶ曲線（ＣＶ特性）を測定する。例えば、測定部１７は、段階的に変動させて印加した直流パルス電圧の電圧値と、直流パルス電圧の電圧値に応じて測定されたゲート−ドレイン間容量を対応付けたＣＶ曲線を測定（取得）する。
【０１４２】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通する場合、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている間は、ゲート３３を電流が流れる。実施例２では、ゲート３３に直流パルス電圧が印加されている時間だけ、ゲート３３に電流が流れるため、ゲート３３に流れる電流が瞬間的にコンプライアンス電流を超えたとしても、ＭＯＳトランジスタを破壊するレベルの大電流は流れない。したがって、ゲート３３に直流パルス電圧を印加することにより、ＭＯＳトランジスタの破壊を抑止することができる。
【０１４３】
測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｆを満たしている場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｆを満たしていない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１４４】
制御部２は、測定されたＣＶ曲線と、所定のＣＶ曲線Ｂとを比較する。所定のＣＶ曲線Ｂは、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が電気的に導通する場合に、ゲートリークが発生していないＭＯＳトランジスタのゲート−ドレイン間容量を測定することにより測定されたＣＶ曲線である。所定のＣＶ曲線Ｂのデータは、記憶部２２に記憶され
ている。所定のＣＶ曲線Ｂのデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。
【０１４５】
測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ｂと一致している又は近似している場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｆを満たしていると決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ｂと一致している又は近似している場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定する。
【０１４６】
測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ｂと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｆを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線が、所定のＣＶ曲線Ｂと一致していない又は近似していない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１４７】
測定されたＣＶ曲線の容量（Ｃ）が増加していない場合、制御部２は、測定されたＣＶ曲線が、所定基準Ｆを満たしていないと決定してもよい。したがって、測定されたＣＶ曲線の容量（Ｃ）が増加していない場合、制御部２は、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していないと決定する。
【０１４８】
針９Ｃに加える荷重が所定値となるまで、針９Ｃに少しずつ荷重を加えながら、測定部１７によるＣＶ曲線の測定が行われるようにしてもよい。針９Ｃに過剰な荷重を加えると、針９Ｃが、ゲート３３に接続されているビア３４の位置を通り越す場合がある。そのため、制御部２によって、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していると決定された場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ｃの下降を停止し、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４の接触状態を保持する。
【０１４９】
針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通している場合、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止し、ドレイン３２に対する交流電圧の印加を停止した後、図１０ＢのＳ２１５の工程に進む。一方、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通していない場合、ゲート３３に対する直流パルス電圧の印加を停止し、ドレイン３２に対する交流電圧の印加を停止した後、図１０ＢのＳ２１６の工程に進む。
【０１５０】
図１０ＢのＳ２１５の工程では、制御部２は、ＭＯＳトランジスタのゲート３３とドレイン３２の間にゲートリークが発生していないと決定する。すなわち、制御部２は、ＭＯＳトランジスタのゲート３３とソース３１の間にゲートリークが発生していると決定する。
【０１５１】
図１０ＢのＳ２１６の工程では、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達したかを、制御部２が判定する。ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達していない場合、図１０ＢのＳ２１７の工程に進む。
【０１５２】
一方、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整の回数が、所定回数に達している場合、図１０ＡのＳ２０３の工程に進む。所定回数のデータは、記憶部２２に記憶されている。所定回数のデータは、制御部２が有する主記憶装置に記憶されていてもよい。図１０ＡのＳ２０３の工程に進む場合、スキャナ８は、カンチレバー７Ａ〜７Ｃを上昇させて、針９Ａ〜９Ｃと、ビア３４が接触している状態を解除する。針９Ａ〜９Ｃに異物が付着しており、針９Ａ〜９Ｃとビア３４の接触が良好と
ならない場合があるため、針９Ａ〜９Ｃに異物が付着していないかを確認するようにしてもよい。
【０１５３】
図１０ＢのＳ２１７の工程では、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置及び接触圧力の調整が行われる。スキャナ８が、カンチレバー７Ｃを水平方向に所定距離移動することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触位置の調整が行われる。制御部２が、所定値の荷重を再設定することにより、ゲート３３に接続されているビア３４に対する針９Ｃの接触圧力の調整が行われる。再設定された所定値の荷重として、第１基準値よりも値が大きい第２基準値の荷重又は第１基準値よりも値が小さい第３基準値の荷重を用いてもよい。図１０ＢのＳ２１７の工程が行われた後、図１０ＢのＳ２１４の工程に進む。
【０１５４】
実施例２では、直流パルス電圧をゲート３３に印加することにより、ＣＶ曲線（ＣＶ特性）の測定が行われ、ＣＶ曲線に基づいて、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。ＣＶ曲線の測定は、短時間で行うことが可能であるため、針９Ｃと、ゲート３３に接続されるビア３４との電気的導通の確認に掛かる時間を短縮することができる。
【０１５５】
実施例２では、ゲート−ソース間容量を測定することにより、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。その後、ゲート−ドレイン間容量を測定することにより、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われる。これに限らず、まず、ゲート−ドレイン間容量を測定することにより、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われてもよい。その後、ゲート−ソース間容量を測定することにより、針９Ｃと、ゲート３３に接続されているビア３４が、電気的に導通しているかの確認が行われてもよい。
【０１５６】
以上の実施例１及び実施例２を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ソース、ドレイン及びゲートが形成された基板と電気的に接続されていない前記ゲートに接続されるビアに針を接触させる工程と、
前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、電気特性を測定する工程と、
測定された前記電気特性に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１５７】
（付記２）
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加して、ドレイン電流を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ドレイン電流に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１５８】
（付記３）
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加するとともに、前記ソースに交流電圧を印加して、ゲート−ソース間容量を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ゲート−ソース間容量に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１５９】
（付記４）
前記電気特性を測定する工程は、前記ゲートに直流パルス電圧を印加するとともに、前記ドレインに交流電圧を印加して、ゲート−ドレイン間容量を測定する工程を有し、
前記決定する工程は、測定された前記ゲート−ドレイン間容量に基づき、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通しているかを決定する工程を有する、
ことを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
【０１６０】
（付記５）
前記ゲートに接続される前記ビアと前記針が電気的に導通していない場合、前記ゲートに接続される前記ビアと前記針の接触位置及び接触圧力を調整する工程を、備えることを特徴とする付記１〜４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１６１】
１    測定装置
２    制御部
３    試料
４    ステージ
５    ＸＹ回路
６    Ｚ回路
７    カンチレバー
８    スキャナ
９    針
１０  圧電素子
１１  発光装置
１２  検出装置
１３  ミラー
１４  フィードバック回路
１５  画像作成部
１６  電圧印加部
１７  測定部
１８  光学顕微鏡装置
１９  マーキング装置
２０  表示部
２１  操作部
２２  記憶部
３１  ソース
３２  ドレイン
３３  ゲート
３４  ビア
３５  層間絶縁膜
３６  ゲート絶縁膜
４１  基板
【図１】
2014183130.tif 000003
【図２】
2014183130.tif 000004
【図３】
2014183130.tif 000005
【図４】
2014183130.tif 000006
【図５】
2014183130.tif 000007
【図６Ａ】
2014183130.tif 000008
【図６Ｂ】
2014183130.tif 000009
【図７】
2014183130.tif 000010
【図８】
2014183130.tif 000011
【図９】
2014183130.tif 000012
【図１０Ａ】
2014183130.tif 000013
【図１０Ｂ】
2014183130.tif 000014
【図１１】
2014183130.tif 000015