(57)【要約】【課題】制作コストが低下し、製造工程において崩れやクラックが生じることはなく、さらにダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。【解決手段】ウェハー製造工程の切断方法は、シリコンウェハーを用意し、シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、前記金属層にバンプ層が形成され、前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、前記シリコンウェハーの裏面に対してハーフカットし分割溝が形成される。次に、前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨した後、一部の分割溝のみが残され、バックグラインドテープを剥がし、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける。最後に、金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含む。【選択図】図２
2014183310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）シリコンウェハーを用意する工程と、
ｂ）シリコンウェハーの表面に金属層が形成される工程と、
ｃ）前記金属層にバンプ層が形成される工程と、
ｄ）前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられる工程と、
ｅ）前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第１分割溝が形成される工程と、
ｆ）前記第１分割溝が形成された後、第２ダイシングブレードを前記第１分割溝の底部に挿入させ、前記第１分割溝の底部に第２分割溝が形成される工程と、
ｇ）前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第２分割溝のみが残される工程と、
ｈ）バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける工程と、
ｉ）金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第２分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了する工程と、を含むウェハー製造工程の切断方法。
【請求項２】
前記工程ｂの金属層は印刷技術で指輪状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の切断方法。
【請求項３】
工程ｃにおいて、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成されることを特徴とする請求項２に記載の切断方法。
【請求項４】
工程ｆの前記第２分割溝の深さは、前記金属層に近いことを特徴とする請求項３に記載の切断方法。
【請求項５】
ａ）シリコンウェハーを用意する工程と、
ｂ）シリコンウェハーの表面に金属層が形成される工程と、
ｃ）前記金属層にバンプ層が形成される工程と、
ｄ）前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられる工程と、
ｅ）前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨する工程と、
ｆ）前記シリコンウェハーの裏面でカットして分割溝が形成される工程と、
ｇ）バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける工程と、
ｈ）金属層上にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させすることで、ダイの切断が完了する工程と、を含むウェハー製造工程の切断方法。
【請求項６】
前記工程ｂの金属層は印刷技術で指輪状に形成されることを特徴とする請求項５に記載の切断方法。
【請求項７】
工程ｃにおいて、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成されることを特徴とする請求項６に記載の切断方法。
【請求項８】
工程ｆの前記分割溝の深さは、前記金属層に近いことを特徴とする請求項７に記載の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハー製造工程に関し、特に、シリコンウェハーのウェハー製造工程の切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、大量の集積回路は、シリコンウェハー１０ａ（図１Ａ、図１Ｂに示すように）に作り込まれており、さらに、集積回路の製作が完了したとき、またはシリコンウェハー１０ａにバンプを形成した後、シリコンウェハー１０ａを個々のダイ（チップ）に複数カットする必要がある。
【０００３】
従来のシリコンウェハー製造工程では、シリコンウェハー１０ａを切断する時に、いずれも表向きで切断作業を行うようになっている。シリコンウェハー１０ａの切断は、非常に精密的な技術であって、切断機の主軸回転数が約３００００〜６００００ｒｐｍであり、ダイとダイのピッチが極めて小さく（約２ｍｉｌ、１ｍｉｌ＝１／１０００インチ）、しかもダイはかなりもろいため、精度に対する要求は非常に高く（切断において２０５ｍｍのウェハー内の切り痕のオフセット量は３μｍ以内）、また、ダイヤモンドブレードで切断しなければならない。切断手段として研削方式でダイを分割する。研削方式でダイを切断する際に、シリコンウェハー１０ａに削りくずが多く発生されるため、切断過程においてダイが汚染されないよう洗浄水で洗い流さなければいけない。
【０００４】
シリコンウェハー１０ａの切断過程では、上記問題以外に、切断過程全体において注意すべき事項も多く、例えば、ダイ全体が割断までに分割されなければいけないが、支持するダイシングテープ（接着テープ）を切断してはならない、切断時にダイとダイとの間のスクライブラインに沿って切断しなければならない、切断時にずれや蛇行することができない、または切断した後ダイの崩れやクラックなどが生じてはならないなどの注意事項がある。しかしながら、従来、切断過程において、まず刃身の厚いダイヤモンドブレード２０ａでシリコンウェハー１０ａをカットする。第１分割溝３０ａを形成する際に、図１Ａのシリコンウェハー１０ａのｂ１の位置に崩れやクラックが生じやすい。次に、刃身の薄いダイヤモンドブレード４０ａを第１分割溝３０ａの底部まで挿入させてカットする。第２分割溝５０ａを形成する際に、図１Ｂのｂ２、ｂ３の位置に崩れやクラックが生じやすく、しかもシリコンウェハー１０ａを支持するダイシングテープ（接着テープ）６０ａまでカットされてしまう恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記従来の欠点を解決するためになされたもので、主な目的として、シリコンウェハーの裏面から切断してから研磨を行い、研磨した後にシリコンウェハーの表面から切断するか、または、先にシリコンウェハーの裏面を研磨し、そして裏面を切断し、シリコンウェハーの裏面で切断した後、表面で切断し、シリコンウェハーを複数のダイに分割していくかのように、シリコンウェハー製造工程における切断方法に対して改めて変更することにある。このようなシリコンウェハーの切断方法よって、コストが低下し、製造工程において崩れやクラックが生じることはなく、さらにダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
【解題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第１分割溝が形成され、
前記第１分割溝が形成された後、第２ダイシングブレードを前記第１分割溝の底部に挿入させ、前記第１分割溝の底部に第２分割溝が形成され、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第２分割溝のみが残され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第２分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
【０００７】
ここで、前記金属層は印刷技術で指輪状に形成される。
【０００８】
ここで、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成される。
【０００９】
ここで、第２分割溝の深さは、前記金属層に近い。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明は、さらに、
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、
前記シリコンウェハーの裏面でカットして分割溝が形成され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層上にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させすることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
【００１１】
ここで、前記金属層は印刷技術で指輪状に形成される。
【００１２】
ここで、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成される。
【００１３】
ここで、前記分割溝の深さは、前記金属層に近い。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１Ａ】図１Ａは、従来のシリコンウェハー切断の模式図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、従来のシリコンウェハー切断の模式図である。
【図２】図２は、本発明に係るシリコンウェハーの製造工程のフローチャートである。
【図３】図３は、本発明に係るシリコンウェハーの金属層及びバンプの構造図である。
【図４】図４は、本発明に係るバックグラインドテープが貼り付けられたシリコンウェハーの模式図である。
【図５】図５は、本発明に係る第１分割溝が形成されたシリコンウェハーの模式図である。
【図６】図６は、本発明に係る第２分割溝が形成されたシリコンウェハーの模式図である。
【図７】図７は、本発明に係る裏面が研磨されたシリコンウェハーの模式図である。
【図８】図８は、本発明に係る裏面にダイシングテープが貼り付けられたシリコンウェハーの模式図である。
【図９】図９は、本発明に係るシリコンウェハーに対するレーザカットの模式図である。
【図１０】図１０は、本発明に係るダイに切断したシリコンウェハーの模式図である。
【図１１】図１１は、本発明に係る他のシリコンウェハーの製造工程のフローチャートである。
【図１２】図１２は、本発明に係るシリコンウェハーの金属層及びバンプの構造図である。
【図１３】図１３は、本発明に係るバックグラインドテープが貼り付けられたシリコンウェハーの模式図である。
【図１４】図１４は、本発明に係る裏面が研磨されたシリコンウェハーの模式図である。
【図１５】図１５は、本発明に係る分割溝が形成されたシリコンウェハーの模式図である。
【図１６】図１６は、本発明に係る裏面にダイシングテープが貼り付けられたシリコンウェハーの模式図である。
【図１７】図１７は、本発明に係るシリコンウェハーに対するレーザカットの模式図である。
【図１８】図１８は、本発明に係るダイに切断したシリコンウェハーの模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の技術内容及び詳細な説明について、図面を参照しながら以下に説明する。
【００１６】
図２は、本発明に係るシリコンウェハーの製造工程のフローチャートであり、図３〜図１０は、製造工程図である。図２、図３〜図１０を参照すると、本発明のウェハー製造工程の切断方法は、まず、ステップ１００において、シリコンウェハー１を用意する（図３に示すように）。
【００１７】
ステップ１０２において、シリコンウェハー１の表面に指輪状（ｓｅａｌ  ｒｉｎｇ）の金属層２を印刷する。
【００１８】
ステップ１０４において、金属層２が印刷された後、金属層２の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層３がバンプ形成技術で形成する（図３に示すように）。
【００１９】
ステップ１０６において、バンプ層３が作製された後、バンプ層３にバックグラインドテープ４を貼り付ける（図４に示すように）。
【００２０】
ステップ１０８において、バンプ層３にバックグラインドテープ４が貼り付けられた後、シリコンウェハー１を反転しハーフカット工程を行い、刃身の厚い第１ダイシングブレード（Ｂｌａｄｅ−１）５でシリコンウェハー１の裏面にカットし第１分割溝１１を形成する（図５に示すように）。
【００２１】
ステップ１１０において、第１分割溝１１が形成された後、刃身の薄い第２ダイシングブレード（Ｂｌａｄｅ−２）６を第１分割溝１１の底部まで挿入させ、第１分割溝１１の底部に金属層２に近い深さまで第２分割溝１２を形成する（図６に示すように）。
【００２２】
ステップ１１２において、シリコンウェハー１の裏面に対して研磨機（図示せず）によって設計に応じる所要の厚さまで研磨を行い、該研磨と同時に、シリコンウェハー１の裏面における第１分割溝１１を研磨、除去した後、シリコンウェハー１の裏面における第２分割溝１２のみが残されている。製造プロセスにおいてシリコンウェハー１に既に生じられた削りくずや崩れ、蛇行などの欠陥も、該研磨によりシリコンウェハー１の裏面における不良面として研磨、除去することができる（図７に示すように）。
【００２３】
ステップ１１４において、シリコンウェハー１の裏面が研磨された後、バックグラインドテープ４を剥がし、さらにシリコンウェハー１の裏面にダイシングテープ７を貼り付ける（図８に示すように）。
【００２４】
ステップ１１６において、レーザカットを行い、レーザ８の切断により金属層２とシリコンウェハー１とを貫通して第２分割溝１２に連通させると、シリコンウェハー１からダイへの切断が完了する（図９、図１０に示すように）。
【００２５】
上記のシリコンウェハーの製造工程によって、制作コストが低下し、製造工程においてダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
【００２６】
図１１は、本発明に係る他のシリコンウェハーの製造工程のフローチャートであり、図１２〜図１８は、製造工程図である。図に示すように、本発明のウェハー製造工程の他の切断方法は、ステップ２００において、シリコンウェハー１を用意する（図１２に示すように）。
【００２７】
ステップ２０２において、シリコンウェハー１の表面に指輪状（ｓｅａｌ  ｒｉｎｇ）の金属層２を印刷する。
【００２８】
ステップ２０４において、金属層２が印刷された後、金属層２の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層３がバンプ形成技術で形成する（図１２に示すように）。
【００２９】
ステップ２０６において、バンプ層３が作製された後、バンプ層３にバックグラインドテープ４を貼り付ける（図１３に示すように）。
【００３０】
ステップ２０８において、シリコンウェハー１の裏面に対して研磨機（図示せず）によって設計に応じる所要の厚さまで研磨を行う（図１４に示すように）。
【００３１】
ステップ２１０において、シリコンウェハー１の裏面が研磨された後、ハーフカット工程を行い、ダイシングブレード９でシリコンウェハー１の裏面にカットして金属層２に近い深さまで分割溝９１を形成する（図１５に示すように）。
【００３２】
ステップ２１２において、シリコンウェハー１の裏面で切断した後、バックグラインドテープ４を剥がし、さらにシリコンウェハー１の裏面にダイシングテープ７を貼り付ける（図１６に示すように）。
【００３３】
ステップ２１４において、レーザカットを行い、レーザ８の切断により金属層２とシリコンウェハー１とを貫通して分割溝９１に連通させれば、シリコンウェハー１からダイへの切断が完了する（図１７、図１８に示すように）。
【００３４】
上記のシリコンウェハーの製造工程によって、制作コストが低下し、製造工程においてダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
【００３５】
以上のように、単に本発明の好ましい実施例にすぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではなく、いずれの本発明の特許請求の範囲によって実施した等価な変形や補正が、本発明の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
【符号の説明】
【００３６】
１０ａ  シリコンウェハー
２０ａ  ダイヤモンドブレード
３０ａ  第１分割溝
４０ａ  ダイヤモンドブレード
５０ａ  第２分割溝
６０ａ  ダイシングテープ
ｂ１、ｂ２、ｂ３  位置
１００〜１１６  ステップ
２００〜２１４  ステップ
１  シリコンウェハー
２  金属層
３  バンプ層
４  バックグラインドテープ
５  第１ダイシングブレード
６  第２ダイシングブレード
７  ダイシングテープ
８  レーザ
９  ダイシングブレード
１１  第１分割溝
１２  第２分割溝
９１  分割溝
【図１Ａ】
2014183310.tif 000003
【図１Ｂ】
2014183310.tif 000004
【図２】
2014183310.tif 000005
【図３】
2014183310.tif 000006
【図４】
2014183310.tif 000007
【図５】
2014183310.tif 000008
【図６】
2014183310.tif 000009
【図７】
2014183310.tif 000010
【図８】
2014183310.tif 000011
【図９】
2014183310.tif 000012
【図１０】
2014183310.tif 000013
【図１１】
2014183310.tif 000014
【図１２】
2014183310.tif 000015
【図１３】
2014183310.tif 000016
【図１４】
2014183310.tif 000017
【図１５】
2014183310.tif 000018
【図１６】
2014183310.tif 000019
【図１７】
2014183310.tif 000020
【図１８】
2014183310.tif 000021