(57)【要約】【課題】  負電荷ポンプ調整を提供する。【解決手段】  負電荷ポンプは、ポンプイネーブル信号に応答する。電圧制御電流源が電流を提供する。電圧制御電流源からのノードと、負電圧ポンプからの負電荷出力との間に抵抗器が結合されている。抵抗器と並列にキャパシタが配置されている。比較器が、負電荷ポンプを制御するためのポンプイネーブル信号を生成する。比較器は抵抗器およびキャパシタに結合されており、それらにわたるＩＲドロップを測定し、この測定値を基準閾値と比較する。ポンプイネーブル信号のレベルは、抵抗器の抵抗の量もしくはキャパシタを調節すること、または基準閾値を調整することによって可変であることができる。負電圧ポンプの方法によってメモリを駆動することができる。 【選択図】図１
2014183735.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力レベル調整部を有する負電荷ポンプであって、
出力において負電圧を生成するための、ポンプイネーブル信号に応答する負電荷ポンプと、
ノードにおいて電流を提供するための電圧制御電流源と、
前記電圧制御電流源の前記ノードと、前記負電荷ポンプの前記出力との間に動作可能に結合されている抵抗器回路と、
前記抵抗器回路に並列なキャパシタンス回路と、
前記抵抗器回路および前記キャパシタ回路に動作可能に結合されている、前記抵抗器回路および前記キャパシタ回路にわたるＩＲドロップを基準閾値と比較し、前記負電荷ポンプを制御するための前記ポンプイネーブル信号を生成するための比較器とを備える、負電荷ポンプ。
【請求項２】
前記負電荷ポンプの前記出力は、前記比較器によって使用される前記基準閾値を調整することによって可変である、請求項１に記載の負電荷ポンプ。
【請求項３】
前記負電荷ポンプの出力のリップルは、前記キャパシタ回路のキャパシタンスを調整することによって可変である、請求項１に記載の負電荷ポンプ。
【請求項４】
前記負電荷ポンプの前記出力の前記リップルおよびレベルは、前記抵抗器回路の抵抗の量を調節することによって可変である、請求項１に記載の負電荷ポンプ。
【請求項５】
前記抵抗器回路は複数の直列抵抗器を備える抵抗器スタックを備え、
前記負電荷ポンプは、複数のスイッチをさらに備え、該スイッチの各々は、前記直列抵抗器のうちの対応するものに動作可能に結合されており、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の選択された組合せを動作させるように制御され、
前記比較器は、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の前記選択された組合せにわたる前記ＩＲドロップを測定および比較する、請求項４に記載の負電荷ポンプ。
【請求項６】
前記電圧制御電流源は、
基準抵抗器と、
電圧入力と、
前記所定の電圧入力に基づいて前記電流を提供するために、前記ノードにおいて、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の前記選択された組合せ、ならびに、前記キャパシタ回路および前記基準抵抗器に動作可能に結合されている増幅器とを備える、請求項５に記載の負電荷ポンプ。
【請求項７】
前記電圧制御電流源は、
基準抵抗器と、
電圧入力と、
前記所定の電圧入力に基づいて前記電流を提供するために、前記ノードにおいて前記基準抵抗器に動作可能に結合されている増幅器とを備える、請求項１に記載の負電荷ポンプ。
【請求項８】
前記電圧入力はトリミング可能である、請求項７に記載の負電荷ポンプ。
【請求項９】
請求項１に記載の負電荷ポンプを含む回路であって、メモリセルを有するメモリをさらに備え、該メモリセルは、前記負電圧を使用して該メモリセルの状態を変更するために前記負電荷ポンプからの前記出力に動作可能に結合されている、回路。
【請求項１０】
前記負電圧上のリップルのサイズを制御するために前記抵抗器回路、前記キャパシタ回路、および前記基準閾値から成る群のうちの少なくとも１つに動作可能に結合されている変動設定ユニットをさらに備える、請求項９に記載の回路。
【請求項１１】
負電荷ポンプ出力レベルをポンプ調整する方法であって、
（ａ）負電荷ポンプにおいて、ポンプイネーブル信号に応答して、出力において負電圧を生成し、該負電圧を、並列な抵抗器回路およびキャパシタ回路の第１の側に提供するステップと、
（ｂ）並列な前記抵抗器回路および前記キャパシタ回路の第２の側にあるノードに電流を提供するステップと、
（ｃ）前記第１の側に対応する前記出力における前記負電圧を制御するための前記ポンプイネーブル信号を生成するために前記抵抗器回路にわたるＩＲドロップを基準閾値と比較するステップとを備える、方法。
【請求項１２】
前記ポンプイネーブル信号を生成する前記ステップ（ｃ）は、前記負電荷ポンプの前記出力における前記負電圧のレベルを変化させるために前記比較によって使用される前記基準閾値を調整するサブステップ（ｃ）（２）をさらに備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１３】
前記ポンプイネーブル信号を生成する前記ステップ（ｃ）は、前記負電荷ポンプの前記出力における前記負電圧の前記レベルのリップルを変化させるために前記キャパシタ回路のキャパシタンスを調整するサブステップ（ｃ）（２）をさらに備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１４】
前記ポンプイネーブル信号を生成する前記ステップ（ｃ）は、前記負電荷ポンプの前記出力における前記負電圧の前記レベルのリップルを変化させるために前記抵抗器回路の抵抗の量を調節するサブステップ（ｃ）（２）をさらに備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１５】
前記抵抗器回路は複数の直列抵抗器を備える抵抗器スタックを備え、
前記負電荷ポンプの前記出力の前記リップルおよびレベルを変化させるために前記抵抗器回路の抵抗の量を調節するサブステップ（ｃ）（２）は、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の組合せを選択するために複数のスイッチを動作させるサブステップ（ｃ）（２）（ｉ）を備え、
前記比較するステップ（ｃ）は、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の前記選択された組合せにわたる前記ＩＲドロップを測定および比較するサブステップ（ｃ）（３）を備える、請求項１４に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法
【請求項１６】
前記電流を提供するステップ（ｂ）は、前記ノードにおいて、前記抵抗器スタック内の前記直列抵抗器の前記選択された組合せ、ならびに、前記キャパシタ回路および前記基準抵抗器に動作可能に結合されている増幅器を使用して、前記所定の電圧に基づいて前記電流を提供するサブステップ（ａ）（１）を備える、請求項１５に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１７】
前記電流を提供するステップ（ｂ）は、前記ノードにおいて、前記抵抗器回路および前記キャパシタ回路に動作可能に結合されている増幅器を使用して、前記所定の電圧および基準抵抗器に基づいて前記電流を提供するサブステップ（ａ）（１）を備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１８】
前記負電圧を使用してメモリの状態を更新するステップ（ｄ）をさらに備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項１９】
前記負電圧を使用してメモリの状態を更新するステップ（ｄ）は、
前記メモリのメモリセルを消去するサブステップ（ｄ）（１）と、
前記メモリのメモリセルをプログラミングするサブステップ（ｄ）（２）とを備える、請求項１８に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【請求項２０】
前記負電圧上のリップルのサイズを制御するために、前記抵抗器回路、前記キャパシタ回路または前記基準閾値のうちの少なくとも１つの変動設定を選択するステップ（ｅ）をさらに備える、請求項１１に記載の負電荷ポンプをポンプ調整する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電荷ポンプに関し、より詳細には、負電荷ポンプ調整に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｂｌｏｃｈ，  Ｍ．、Ｌａｕｔｅｒｂａｕｃｈ，  Ｃ．、およびＷｅｂｅｒ，  Ｗ．によって、ｔｈｅ  Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，  １９９８．  ＥＳＳＣＩＲＣ  ’９８．（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ｔｈｅ  ２４ｔｈ  Ｅｕｒｏｐｅａｎ，１９９８年９月２２〜２４日，１００〜１０３ページ）において発表された、「２Ｖ供給電圧における負高電圧生成のための高効率電荷ポンプ回路（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｃｈａｒｇｅ  Ｐｕｍｐ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｏｒ  Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｈｉｇｈ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ａｔ  ２  Ｖ  Ｓｕｐｐｌｙ  Ｖｏｌｔａｇｅ）」と題する論文は、負ポンプのためのバイパス経路手法とともに分圧を開示している。
【０００３】
Ｐａｎによる、２００９年６月３０日に特許付与された米国特許第７，５５４，３１１号は、正電荷ポンプの調整を開示している。このハイブリッド方式の連続時間領域部分は、固定ＩＲドロップを課すのとは対照的に分圧を使用し、高周波サンプリング成分は、キャパシタ分割に依拠する。この従来の特許は、２つの既知の調整技法を組み合わせることを試行している。この手法は、複数のレベルを調整しようとするときには扱いにくいものになる。
【０００４】
これらの先行する手法は、負電荷ポンプに関して連続時間平均サンプリングおよび高周波応答を同時に解決することができていない。
【０００５】
本発明は例として示されており、添付の図面によって限定されない。図面において、同様の参照符号は類似の要素を示す。図面内の要素は簡潔かつ明瞭にするために示されており、必ずしも原寸に比例して描かれてはいない。
【０００６】
本発明の好ましい実施形態の詳細は、添付の図面とともに読まれると以下の詳細な記載からよりよく理解される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】米国特許第７，５５４，３１１号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】２Ｖ供給電圧における負高電圧生成のための高効率電荷ポンプ回路（Ｈｉｇｈ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｃｈａｒｇｅ  Ｐｕｍｐ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｏｒ  Ｎｅｇａｔｉｖｅ  Ｈｉｇｈ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  ａｔ  ２  Ｖ  Ｓｕｐｐｌｙ  Ｖｏｌｔａｇｅ）
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に応じた、ポンプ制御部を有する負電荷ポンプの概略ブロック図。
【図２】本発明の別の実施形態に応じた、ポンプ制御部を有する負電荷ポンプの概略ブロック図。
【図３】本発明の一実施形態に応じた、電圧制御電流源を示す図。
【図４】本発明の一実施形態に応じた、可変キャパシタ回路の一例を示す図。
【図５】本発明の実施形態に応じた、２つの異なる可変基準閾値、ならびに特定のキャパシタンスおよび抵抗を用いる方法および装置における信号の経時的なタイミング図。
【図６】本発明の実施形態に応じた、図５のものとは異なる、１つの基準閾値、ならびにキャパシタンスまたは抵抗を用いる方法および装置における信号の経時的なタイミング図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１は、本発明の実施形態に応じた、ポンプ制御部を有する負電荷ポンプの概略ブロック図を示す。負電荷ポンプ１１０は、出力３２５において負電圧３２６を生成する。負電荷ポンプ１１０には出力レベル調整が設けられている。負電荷ポンプ１１０は、ポンプイネーブル信号４１０に応答する。電圧制御電流源１２０が、電圧入力３２０に基づいてノード３５１において電流３５０を提供する。
【００１１】
ノード３５１と、負電荷ポンプ１１０からの出力３２５における負電圧３２６との間に抵抗器１５０が結合されている。抵抗器１５０と並列にキャパシタ１４２が配置されている。
【００１２】
比較器１３０が、負電荷ポンプ１１０を制御するためのポンプイネーブル信号４１０を生成する。比較器１３０は、抵抗器１５０およびキャパシタ１４２に結合されている。比較器１３０は、抵抗器およびキャパシタにわたるＩＲドロップ（別称、電圧降下）を測定する。比較器１３０は、この測定されたＩＲドロップを、基準閾値１３４と比較する。
【００１３】
図１の実施形態において、ポンプイネーブル信号４１０が、負電荷ポンプ１１０の出力３２５における負電圧３２６の変化にどの程度迅速に応答することができるかは可変であることができる。ポンプが目標出力レベルに達するのに対する、ポンプイネーブル信号４１０の応答時間が変化すると、負電荷ポンプの出力３２５における負電圧３２６上のリップルが変化されることができる。
【００１４】
図１の実施形態において、ポンプイネーブル信号４１０は、負電荷ポンプ１１０が調整されているか否かを直接指示するものである。ポンプが調整に達するまで、ポンプイネーブル信号４１０はハイである。負電荷ポンプ１１０が調整に達するとすぐに、ポンプイネーブル信号４１０はローになる。ポンプイネーブル信号４１０のハイ状態およびロー状態は、その負荷による需要に起因して、負電荷ポンプ１１０が調整されたり、調整されなくなったりするように継続する。出力３２５における負電圧３２６上にリップルが存在する。リップルは負電荷ポンプ１１０の内部のクロックによって引き起こされる。ポンプイネーブル信号４１０のためのフィードバック制御部が良好な応答時間を有し、それによって、負電荷ポンプ１１０の内部のクロックが即座に止まることができ、従って出力３２５における負電圧３２６上のリップルが低減されることが望ましい。
【００１５】
図１の一実施形態において、負電荷ポンプは負電圧を生成するのに使用される。当該ポンプは１つまたは多くの段から成り、入力としてのポンプイネーブル信号４１０およびクロック信号４１５に応答する。クロック信号４１５は、ポンプイネーブル信号４１０によって動作する電荷ポンプ内のゲートを作動させる。ポンプイネーブル信号４１０は、クロックとともに、示されている負電荷ポンプ回路１１０を調整する。ポンプイネーブル信号４１０がハイである場合、クロック信号４１５は基本ポンプセルまで伝搬し、出力３２５において負電圧３２６を生成する。出力３２５における負電圧３２６において所望の電圧レベルに達するとすぐに、基本ポンプセルに対するクロックが止まる。クロック信号４１５は単相クロックであることができ、または代替的に、４相クロックのような多相クロックであることができる。負電荷ポンプ１１０の出力３２５における負電圧出力３２６は可変抵抗器１５０の下部ノードに接続される。
【００１６】
可変構成要素のうちの１つ以上がこのレベルの変化を引き起こすことができる。第１の代替形態における負電荷ポンプ１１０の出力３２５のリップルは、キャパシタ１４２のキャパシタンスを調整することによって可変である。第２の代替形態における負電荷ポンプ１１０の出力３２５における負電圧３２６のリップルは、抵抗器１５０の抵抗の量を調節することによって可変である。第３の代替形態において、これらのうちの２つ以上を変更することができる。加えて、より単純な代替形態においては、これらのうちのいずれも変更されない。
【００１７】
抵抗器１５０の抵抗が増大すると、フィードバックループの応答時間が増大し、その結果リップルがより高くなる。抵抗器１５０の抵抗が低減すると、フィードバックループの応答時間が低減し、その結果リップルがより低くなる。キャパシタ１４２のキャパシタンスが増大すると、フィードバックループの高周波応答時間が改善してより速くなり、その結果リップルがより低くなる。キャパシタ１４２のキャパシタンスが低減すると、フィードバックループの高周波応答時間が劣化してより遅くなり、その結果リップルがより高くなる。従って、抵抗器１５０の抵抗を調整し、キャパシタ１４２のキャパシタンスを調整することによって、負電荷ポンプ１１０の出力３２５における負電圧３２６におけるリップルを調整することができる。
【００１８】
ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０が、可変基準閾値１３４、キャパシタ１４２および抵抗器１５０のうちの１つ以上に、それらを制御するために結合されている。ポンプ制御変動設定ユニット１７０は、たとえば、フラッシュメモリ１８０の消去およびプログラミングの両方の速度を制御するために、ポンプイネーブル信号４１０に影響を及ぼし、それによって負電荷ポンプ１１０からの異なる負電圧レベル３２６を選択するために、可変基準閾値１３４、可変抵抗器１５０または可変キャパシタ１４２のうちの１つまたはすべてを調整する。
【００１９】
図１の一実施形態において、負電荷ポンプ１１０の出力３２５の負電圧３２６のレベルは、可変抵抗器１５０を調整することによって、または可変基準閾値１３４を調整することによって変更することができる。
【００２０】
負電圧は、フラッシュメモリ消去動作を行うために負電荷ポンプによって生成される。フラッシュ読み出しの間も、負電荷ポンプによって負電圧が生成され、これは不揮発性セルを通じた漏れを止めるために使用される。
【００２１】
既知の基準閾値を抵抗回路にわたるＩＲドロップと比較していた従来の電荷ポンプ調整フィードバックではＲＣ時定数が長く、従って、フィードバックループを遅くしていた。この遅いフィードバック応答によってリップルが経時的に成長することを許し、結果として、この遅いフィードバックループに対処するために大きい減結合キャパシタが使用されていた。減結合キャパシタを大きくする要件を克服するために、調整回路の高周波応答を増大させることが望ましい。本発明の実施形態は、抵抗器１５０および基準閾値１３４のようなパラメータを調整することによって、調整回路の高周波応答を増大し、従って、リップルを低減する。本発明の実施形態はまた、調整回路の高周波応答を増大し、従ってリップルをまたさらに低減するために、抵抗器１５０にわたってキャパシタ１４２または２４０を導入する。可変キャパシタ１４２のキャパシタンスを調整することによってリップルをさらに低減することができる。キャパシタ１４２または２４２は、高周波応答のためのバイパス経路を提供する。このバイパス経路が、依然として連続時間領域調整を維持しながら、リップルを低減する。このバイパス経路は、そのフットプリントが以前は減結合キャパシタのために現在必要とされていない領域によって占有されていた、電荷ポンプ回路モジュールのサイズを低減することも可能にする。
【００２２】
一実施形態において、メモリ１８０は、負電圧３２６を使用してメモリセルの状態を変化させるために、メモリセルを、電荷ポンプ１１０の負電荷ポンプ出力３２５に結合されている。負電圧３２６は、メモリセル１８５の状態を消去またはプログラムするために使用される。
【００２３】
本発明の負電荷ポンプは、負ウェルバイアスのために負ポンプを使用するフラッシュメモリ１８０において使用することができる。本発明の負電荷ポンプは、他のメモリタイプおよび他の用途に使用されてもよい。他の例の用途は、負ポンプ調整を用いる調節可能フローティングバッテリにある。
【００２４】
図２は、本発明の別の実施形態に応じた、ポンプ制御部を有する負電荷ポンプの概略ブロック図を示す。図２は、図１における抵抗器１５０の抵抗の量を調節することによる第３の代替形態の１つの構成を示している。図１における抵抗器１５０は抵抗器回路でもある。図１におけるキャパシタ１４２はキャパシタ回路でもある。図２の抵抗器回路は、複数の直列抵抗器２５０〜２５９を備える抵抗器スタックを備える。複数のスイッチ２６０〜２６７が設けられる。スイッチの各々は直列抵抗器２５０〜２５９のうちの対応するものに結合されており、抵抗器スタック内の直列抵抗器の選択された組合せを動作させるように制御される。抵抗器スタック内の直列抵抗器２５０〜２５９の各々は、同じまたは基本的に同じ値を有することができる。これは、図３において後述する基準抵抗器３６０を補助する。比較器１３０が、抵抗器スタック内の直列抵抗器２５０〜２５９の選択された組合せにわたるＩＲドロップを測定し、これを既知の閾値と比較する。
【００２５】
スイッチコントローラ２７０がスイッチ２６０〜２６７に結合されており、所望の抵抗を求めて抵抗器スタック内の直列抵抗器の選択された組合せを動作させるように、それらを制御する。スイッチコントローラ２７０は、たとえば、フラッシュメモリの消去およびプログラミングの両方の速度を制御するために、ポンプイネーブル信号４１０に影響を及ぼし、それによって負電荷ポンプ１１０からの異なる負電圧レベル３２６を選択するために、抵抗を調整する。
【００２６】
ＩＲドロップは既知の抵抗にわたるＩＲドロップの電圧サンプリングによって測定される。既知の電流３５０が抵抗器１５０の既知の抵抗にわたって強制的に流され、ＩＲドロップを使用して、比較器の負入力上の電圧が、グランドを上回る電圧を探すように昇圧された。この場合、比較は０ＶまたはＶｓｓに対して行われる。異なる抵抗量においてスイッチングすることによって、ＩＲドロップが変更され、目標電圧が変化する。この電圧サンプリングはキャパシタの代わりに抵抗器を利用するため、リフレッシュを必要とせず、連続的に調整することが可能になる。抵抗器を使用することの欠点は、フィードバックループに導入される時定数がより遅くなることである。バイパスキャパシタを導入することによって、連続時間領域調整を依然として維持しながら、出力３２５における負電圧３２６上のリップル（別称、高周波雑音）に対してより速いフィードバックが達成される。
【００２７】
図３は、本発明の一実施形態に応じた、電圧制御電流源１２０の１つの構成を示す。基準抵抗器３６０が設けられる。増幅器３１０の非反転端子が、所定の電圧入力３２０に結合されており、増幅器３１０の反転端子が、基準抵抗器３６０に結合されている。電圧入力３２０は、電圧調整のための基準として使用される絶対電圧としてのバンドギャップ基準電圧によって提供することができる。一例における電圧入力３２０は、較正のために可変的にトリミングされる公称１．２ボルト３２７であることができる。この較正トリミングは、一般的に前もって実行され、動作中ではないが、実施形態によっては動作中に実行され得る。電流３５０は既知の抵抗器、すなわち、基準抵抗器３６０にわたる既知の電圧を降下させることによって生成される。ＦＥＴ３３０およびＦＥＴ３４０がＶｄｄに結合されており、電流３５０を生成するのに使用される。次いで、電流３５０は図１の抵抗器１５０を通じて、または図２における直列抵抗器２５０〜２５９の選択された組合せを通じて強制的に流される。
【００２８】
基準抵抗器３６０は、抵抗器スタック内の直列抵抗器２５０〜２５９の値のある倍数に対応する値とすることができる。
【００２９】
既知の正ＩＲドロップが１５０のような既知の抵抗器にわたって整合され、負電圧をサンプリングするためにその電流を、３６０のような既知の抵抗値を通じて強制的に流す。一実施形態において、電圧制御電流源は、電流３５０を生成するために、１．２ボルトの所定の電圧入力３２０を有することができる。
【００３０】
図４は、本発明の一実施形態に応じた、可変キャパシタ回路１４２の一例を示す。固定キャパシタ４４０〜４４４が並列に接続されている。ノード３５１と出力３２５との間の所望の可変キャパシタンスを求めるために、スイッチ４５０〜４５４がキャパシタを接続および接続解除する。スイッチ４５０〜４５４の各々１つが、固定キャパシタ４４０〜４４４のうちの１つに対応する。
【００３１】
図５は、本発明の実施形態に応じた、２つの異なる可変基準閾値１３４、ならびにキャパシタ１４２の特定のキャパシタンスおよび抵抗器１５０の抵抗を用いる方法および装置における信号の経時的なタイミング図を示す。出力３２５からの２つの異なる負電圧３２６および３２６’が示されている。負電圧３２６’は、０．５ボルトの基準閾値１３４に対応する。負電荷電圧出力３２６は、Ｖｓｓの基準閾値１３４に対応する。基準閾値１３４の信号波形は平坦な線の電圧であることになる。リップル５１０も、ピークから底までの長さを用いて示されている。
【００３２】
たとえば、ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０によって、可変基準閾値１３４はあるレベルまで調整される。この調整は、負電荷ポンプがオフである動作間に行われることが好ましい。抵抗器１５０およびキャパシタ１４２にわたるノード３５１と出力３２５との間のＩＲドロップが測定され、比較器１３０によって可変基準閾値１３４と比較されて、示されているポンプイネーブル信号４１０が生成される。負電荷ポンプ１１０は、示されているクロック信号４１５を使用してポンプイネーブル信号４１０をゲート制御する内部ゲートを含む。従って、示されている負電圧３２６または３２６’は、示されているリップル５１０とともに電荷ポンプ１１０から出力される。
【００３３】
図６は、本発明の実施形態に応じた、図５のものとは異なる、１つの可変基準閾値１３４、ならびにキャパシタ１４２のキャパシタンスまたは抵抗または抵抗器１５０を用いる方法および装置における信号の経時的なタイミング図を示す。Ｖｓｓの基準閾値１３４に対応する負電圧３２６が示されている。基準閾値１３４の信号波形は平坦な線の電圧であることになる。リップル６１０も、ピークから底までの長さを用いて示されている。
【００３４】
図６のタイミング図における抵抗器１５０の抵抗の値またはキャパシタ１４２のキャパシタンスの値は、図５のタイミング図における抵抗器１５０の抵抗の値またはキャパシタ１４２のキャパシタンスの値とは異なる。図解において、リップル６１０は、抵抗またはキャパシタンスが異なることによって、図５におけるリップル５１０よりも短いことが分かる。
【００３５】
たとえば、一例の用途において、フラッシュメモリ１８０のセル１８５を消去またはプログラミングするために負電荷を制御するために、ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０またはスイッチコントローラ２１０によって、抵抗器１５０または抵抗器スタック２５０〜２５９の示されている可変抵抗が調整される。たとえば、一例の用途において、フラッシュメモリ１８０のセル１８５を消去またはプログラミングするために負電荷を制御するために、ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０またはスイッチコントローラ２１０によって、キャパシタ１４２または２４０の示されている可変キャパシタンスが調整される。この調整は、負電荷ポンプがオフである動作間に行われることが好ましい。
【００３６】
抵抗器１５０およびキャパシタ１４２にわたるノード３５１と出力３２５との間のＩＲドロップが測定され、比較器１３０によって可変基準閾値１３４と比較されて、示されているポンプイネーブル信号４１０が生成される。負電荷ポンプ１１０は、示されているクロック信号４１５を使用してポンプイネーブル信号４１０をゲート制御する内部ゲートを含む。従って、ノード３２５における示されている負電圧３２６は、抵抗１５０またはキャパシタンス１４２が異なるときは、示されているより短いリップル６１０とともに電荷ポンプ１１０から出力される。
【００３７】
いくつかの実施形態の調整器の目的は、負電荷ポンプ１１０の負電圧３２６出力を調整することである。しかしながら、負電荷ポンプ１１０の出力３２５上の負電圧３２６は、図５における５１０および図６における６１０において示すように、リップルを有する。調整器は、負電圧３２６が所定の目標電圧を中心としたリップルを有するようにポンプ制御信号４１０を変調するためにフィードバックループを使用する。この目標電圧は、図５および図６に示す時間平均レベル５２０としても既知である。可変基準閾値１３７、抵抗器回路１５０の抵抗、およびキャパシタ回路１４２のキャパシタンスのいずれかを調整することによって、目標電圧を調整することができる。ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０が、可変基準閾値１３７、抵抗器回路１５０の抵抗またはキャパシタ回路１４２のキャパシタンスに対してこれらの調整を行う。
【００３８】
調整に加えて、いくつかの実施形態のもう１つの目的は、負電圧３２６が所望の目標電圧を中心として実際的であるほどに一定であるように、リップル５１０または６１０を最小限に抑えることである。抵抗器回路１５０の抵抗を低下させること、またはキャパシタ回路１４２のキャパシタンスを増大させることによって、リップルを最小限に抑える、言い換えれば、短くすることができる。ポンプコントローラ変動設定ユニット１７０が、抵抗器回路１５０の抵抗およびキャパシタ回路１４２のキャパシタンスに対してこれらの調整を行う。しかし、抵抗およびキャパシタンスのうちの一方を調整するために利用可能な自由度がない場合、抵抗およびキャパシタンスのうちの他方の調整を検討することができる。一般的に、目標電圧を選択するための調整には抵抗が最良である。しかし、抵抗は、時として応答時間に悪影響を及ぼす可能性があるため、バイパスキャパシタンス１４２を追加することが、フィードバックループの応答時間を高速化する助けとなる。
【００３９】
本明細書において、具体的な実施形態を参照して本発明を説明したが、添付の特許請求の範囲に明記されているような本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな改変および変更を為すことができる。従って、本明細書および図面は限定的な意味ではなく例示とみなされるべきであり、すべてのこのような改変が本発明の範囲内に含まれることが意図されている。回路は、図面に示す例とは異なる構成を有することができる。本明細書において具体的な実施形態に関して記載されているいかなる利益、利点、または問題に対する解決策も、任意のまたはすべての請求項の重要な、必要とされる、または基本的な特徴または要素として解釈されるようには意図されていない。
【００４０】
本明細書において方法請求項のいずれかのステップをラベリングするのに使用されている（ａ）または（ｂ）などのような任意の文字表示は、読解を簡便にするために適用されているステップ見出しであり、特許請求されている方法ステップの順序または工程順序の解釈に使用されるべきではない。特定の順序または工程順序を記載している任意の方法請求項は、その文字表示ではなく、それらの本文の文言によってそれを行う。
【００４１】
別途記載されない限り、「第１の」および「第２の」のような用語は、そのような用語が説明する要素間で適宜区別するように使用される。従って、これらの用語は必ずしも、このような要素の時間的なまたは他の優先順位付けを示すようには意図されていない。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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