(57)【要約】【課題】  電子部品が実装される基板電極と、基板電極間に存在する基板とにより発生する寄生容量による電子部品のインピーダンス変化を抑制することができる電源装置を提供することである。【解決手段】  実施形態の電源装置３は、１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で動作するスイッチング素子１と；前記スイッチング素子１が実装される基板７と；少なくとも２つの素子電極９を有し、前記素子電極９を介して前記基板７の基板電極８に実装される受動素子２と；を備え、前記基板７は、前記基板電極８間において、前記基板７内部に前記基板７の誘電率よりも誘電率が小さい物質を少なくとも１つ有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で動作するスイッチング素子と；
前記スイッチング素子が実装される基板と；
少なくとも２つの素子電極を有し、前記素子電極を介して前記基板の基板電極に実装される受動素子と；
を備え、
前記基板は、前記基板電極間において、前記基板内部に前記基板の誘電率よりも誘電率が小さい物質を少なくとも１つ有することを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記基板は、前記基板電極間において、貫通部を有することを特徴とする請求項１記載の電源装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の電源装置と；
前記電源装置に接続される負荷と；
を備えることを特徴とする電気機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電源装置および電気機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のマイクロ波、ミリ波帯に用いられる高周波集積回路は、絶縁基板上の伝送線路にインピーダンスを調整するためのスリットを設け、スリットに設けた誘導体膜のエッチング量を制御することでインピーダンスを調整していた。
【０００３】
また、スイッチング電源用装置、スイッチング電源回路および電気機器において、１００ｋＨｚ以上の領域で動作させることにより、スイッチング電源の著しい小形化を可能としたものがある。
高周波、例えば１００ｋＨｚ以上で動作する電源回路を構成する電子部品について、電子部品のインピーダンスは、電子部品が実装される基板電極間の基板の状態により影響を受ける。電子部品が実装される基板電極と、基板電極間に存在する基板とにより寄生容量（浮遊容量）が発生し、発生した寄生容量はその電子部品と並列に接続されることになる。寄生容量は電源回路の動作周波数に依存してその容量が変化するので、寄生容量と電子部品との合成インピーダンスも動作周波数に依存して変化し、回路の動作状態が変化してしまう問題がある。また、電子部品単体の損失に加え、基板の寄生容量に流れる電流による損失が発生し、回路損失を増加させてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−０９２９７６号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３４５６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で動作するスイッチング素子およびスイッチング素子が実装される基板を備える電源装置において、電子部品が実装される基板電極と、基板電極間に存在する基板とにより発生する寄生容量による電子部品のインピーダンス変化を抑制することができる電源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の電源装置は、１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で動作するスイッチング素子と；前記スイッチング素子が実装される基板と；少なくとも２つの素子電極を有し、前記素子電極を介して前記基板の基板電極に実装される受動素子と；を備え、前記基板は、前記基板電極間において、前記基板内部に前記基板の誘電率よりも誘電率が小さい物質を少なくとも１つ有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、電子部品が実装される基板電極と、基板電極間に存在する基板とにより発生する寄生容量による電子部品のインピーダンス変化を抑制することができる電源装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施例１の電源装置および電気機器の全体構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、実施例１の電源装置における受動素子の実装状態を示す模式図である。
【図３】図３は、実施例１の電源装置における基板の寄生容量成分を考慮した受動素子の等価回路図である。
【図４】図４は、実施例１の電源装置における受動素子の周波数とインピーダンスとの関係を示すグラフである。
【図５】図５は、実施例２の電源装置における受動素子の実装状態を示す断面図である。
【図６】図６は、実施例３の電源装置における受動素子の実装状態を示す模式図である。
【図７】図７は、実施例３の電源装置における受動素子の周波数とインピーダンスとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）第１の実施形態の電源装置は、１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数で動作するスイッチング素子と；前記スイッチング素子が実装される基板と；少なくとも２つの素子電極を有し、前記素子電極を介して前記基板の基板電極に実装される受動素子と；を備え、前記基板は、前記基板電極間において、前記基板内部に前記基板の誘電率よりも誘電率が小さい物質を少なくとも１つ有することを特徴とする。
【００１０】
（第２の実施形態）第２の実施形態の電源装置は、第１の実施形態の電源装置において、前記基板は、前記基板電極間において、貫通部を有することを特徴とする。
（第３の実施形態）第３の実施形態の電気機器は、第１または第２の実施形態の電源装置と；前記電源装置に接続される負荷と；を持つ。
以下、実施形態の電源装置を図面を参照して説明する。
【００１１】
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【実施例１】
【００１２】
図１に、実施例１の電源装置３および電気機器６の全体構成を示すブロック図を示す。
【００１３】
図１に示す電源装置３は、１００ｋＨｚ以上のスイッチング周波数、例えば１ＭＨｚで動作するスイッチング素子１を有する。スイッチング素子１は、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、例えば高電子移動度トランジスタ（High Electron Mobility Transistor：ＨＥＭＴ）であり、ノーマリオン形またはノーマリーオフ形の素子である。なお、スイッチング素子１は、はＧａＮ系ＨＥＭＴには限定されない。例えば、半導体基板に炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）やダイヤモンドのようなワイドバンドギャップを有する半導体（ワイドバンドギャップ半導体）を用いて形成した半導体素子でもよい。ここで、ワイドバンドギャップ半導体とは、バンドギャップが約１．４ｅＶのヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）よりもバンドギャップの広い半導体をいう。例えば、バンドギャップが１．５ｅＶ以上の半導体、リン化ガリウム（ＧａＰ、バンドギャップ約２．３ｅＶ）、窒化ガリウム（ＧａＮ、バンドギャップ約３．４ｅＶ）、ダイヤモンド（Ｃ、バンドギャップ約５．２７ｅＶ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ、バンドギャップ約５．９ｅＶ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが含まれる。このようなワイドバンドギャップ半導体素子は、耐圧を等しくする場合、シリコン半導体素子よりも小さくできるために寄生容量が小さく、高速動作が可能なため、スイッチング周期を短くすることができ、巻線部品やコンデンサなどの小形化が可能となる。スイッチング素子１は、後述する基板に実装されている。また、基板には、受動素子２が実装されている。電源装置３は、少なくともスイッチング素子１、受動素子２および後述する基板から構成される。電源装置３の入力側には、外部電源４が接続され、外部電源４から電力が供給される。外部電源４は、交流電源であってもよいし、直流電源であってもよい。また、電源装置３の出力側には、負荷５が接続される。負荷５は、例えばＬＥＤであり、ＥＬやＯＬＥＤなどでもよい。電気機器６は、電源装置３、外部電源４および負荷５から構成される。
【００１４】
電源装置３は、外部電源４から入力された電力の電圧または電流をスイッチング素子１がオン、オフ動作を繰り返すことにより、所定の電圧または電流に変換して、負荷５に出力する。変換に際して、受動素子２に電流が流れる、または電圧が印加される。
【００１５】
図２に実施例１の電源装置３における受動素子２（抵抗器１１）の実装状態を示す模式図を示す。図２（ａ）に、電源装置３の一部の平面図を示す。図２（ａ）の線分Ａ´−Ａ´における断面図を図２（ｂ）に示す。図２（ｂ）のＡ方向視における平面図を図２（ａ）に示す。
【００１６】
電源装置３の基板７には、図示しないスイッチング素子と受動素子２としての抵抗器１１が実装されている。基板７はガラスエポキシ樹脂から形成され、厚さは１．６ｍｍである。基板７上にはパターンとしての導電路１４が形成されている。導電路１４は厚さ３５μｍであり、銅から形成されている。導電路１４の端部には、１ｍｍ四方の正方形からなる基板電極８が形成され、導電路１４と電気的に接続されている。基板電極８は、厚さ３５μｍの銅から形成されている。基板電極８は互いに１ｍｍの間隔を有して形成されている。
【００１７】
基板７には、基板電極８間に基板電極８から等距離に、長さＬ、幅ｄの貫通孔１０が設けられている。貫通孔１０において、Ｌ＝５．０ｍｍ、ｄ＝１．０ｍｍである。
【００１８】
受動素子２としての抵抗器１１は、１．６ｍｍ×０．８ｍｍの外形を有するとともに、２２０ｋΩの抵抗値を有するチップ抵抗器である。内部に受動素子基板１３を有し、受動素子基板１３上に図示しない抵抗体が形成されている。図示しない抵抗体と抵抗器１１の端部に形成された素子電極９は電気的に接続されるとともに、受動素子基板１３の端部を覆うように形成されている。受動素子基板１３上に形成された図示しない抵抗体は保護膜１２により覆われている。
抵抗器１１は、素子電極９が基板電極８に図示しない半田で電気的かつ機械的に接続されることにより、基板７に実装されている。
【００１９】
図示しないスイッチング素子は、導電路１４に直接あるいは、ほかの電子部品を介して電気的に接続され、スイッチング素子により制御された電流は、導電路１４、基板電極８、素子電極９、図示しない抵抗体、素子電極９、基板電極８、導電路１４の順に流れ、抵抗器１１に電流が流れるとともに、電圧が印加される。
【００２０】
抵抗器１１のインピーダンスは、図示しない抵抗体のレジスタンス（抵抗成分）とリアクタンスによって表される。抵抗器１１のリアクタンスは、誘導性リアクタンスと容量性リアクタンスとに大別され、誘導性リアクタンス（インダクタンス）は、抵抗器１１の形状に依存し、容量性リアクタンス（キャパシタンス）は、素子電極９の大きさ、厚さ、間隔、および抵抗器１１の素子電極９間の基板７の寄生容量（浮遊容量）成分、すなわち、基板電極８間の寄生容量成分に依存する。
図３に実施例１の電源装置３における基板７の寄生容量成分Ｃを考慮した抵抗器１１の等価回路図を示す。
【００２１】
基板電極８間に基板７のガラスエポキシ樹脂（絶縁物）を誘電体とするコンデンサが形成されることが、寄生容量成分Ｃの発生要因である。基板電極８間に基板７を介して寄生容量成分Ｃが形成され、基板電極８間に抵抗器１１が実装されると、図３に示すように抵抗器１１と寄生容量成分Ｃとの並列回路が形成される。寄生容量成分Ｃは、基板電極８の面積をＳ、基板電極間の距離をＤ、基板７の材料の誘電率をεとすると、Ｃ＝εＳ／Ｄで表される。
【００２２】
図４は、実施例１の電源装置３における受動素子２（抵抗器１１）の周波数Ｆ（Ｈｚ）とインピーダンスＺ（Ω）との関係を示すグラフである。図４のグラフは、横軸を周波数Ｆ（Ｈｚ）とし、縦軸をインピーダンスＺ（Ω）として、抵抗器１１のインピーダンスＺの周波数Ｆ（Ｈｚ）への依存性を示している。図４において、（ａ）は、周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、抵抗器１１のみのインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。（ｂ）は、基板７の基板電極８間に抵抗器１１を実装し、かつ、貫通孔１０を基板７に設けないで周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。（ｃ）は、基板７の基板電極８間に抵抗器１１を実装し、かつ、貫通孔１０を基板７に設けて、周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。
【００２３】
図４において、抵抗器１１を基板に実装しない場合（（ａ）の場合）は、周波数Ｆが３．１ＭＨｚになるまで、２２０ｋΩの抵抗値を維持するが、貫通孔１０を有さない基板７に抵抗器１１を実装した場合（（ｂ）の場合）は、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）は周波数Ｆが１．２ＭＨｚから２２０ｋΩを下回り始める。周波数Ｆが１ＭＨｚを超えると、（ａ）および（ｂ）の場合で、インピーダンスＺが異なるのは、（ｂ）の場合には、図３に示すような等価回路が形成され、寄生容量成分Ｃが抵抗器１１に並列に接続されるためである。
【００２４】
一方で、貫通孔１０を有する基板７に抵抗器１１を実装した場合（（ｃ）の場合）は、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）は周波数Ｆが１．６ＭＨｚから２２０ｋΩを下回り始める。すなわち、基板７に貫通孔１０を形成することにより、周波数Ｆを４００ｋＨｚ分だけ抵抗器１１単体のインピーダンスの周波数特性（（ａ）の場合）に近づけることができる。よって、基板７に貫通孔１０を形成することにより、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。
基板７に貫通孔１０を形成することにより、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる理由を以下に述べる。
【００２５】
前述の通り、寄生容量成分Ｃは、基板電極８の面積をＳ、基板電極間の距離をＤ、基板７の材料の誘電率をεとすると、Ｃ＝εＳ／Ｄで表される。基板７はガラスエポキシ樹脂で形成されており、ガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1は、４．５〜５．２である。なお、ガラスエポキシ樹脂の誘電率ε1は真空中の誘電率ε0とガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1との積で表され、寄生容量成分Ｃは、Ｃ＝（ε0×εr1×Ｓ）／Ｄで表される。誘電率ε0は一定であるので、寄生容量成分Ｃはεr1に比例する。一方で、空気の比誘電率εr2は１．０である。基板７の材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（貫通孔１０）を基板電極８間に設けることで、寄生容量成分Ｃを減少させ、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。
実施例１の変形例を以下に述べる。
【００２６】
基板７の貫通部１０は、貫通させずに溝であってもよい。基板電極８間に溝が設けられることにより、基板７の材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（溝）が存在するので、寄生容量成分Ｃを減少し、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。
【実施例２】
【００２７】
図５は、実施例２の電源装置３ａにおける受動素子２（抵抗器１１）の実装状態を示す断面図である。なお、実施例１と同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００２８】
電源装置３ａの基板７ａは、実施例１に記載の電源装置３と貫通孔１０ａの構成が異なっている。貫通孔１０ａには、比誘電率εr3の充填部材１５と比誘電率εr4の充填部材１６が充填されている。なお、ガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1よりも充填部材１５の比誘電率εr3は小さく、ガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1よりも充填部材１６の比誘電率εr4は小さい。また、充填部材１５の比誘電率εr3と充填部材１６の比誘電率εr4との大小関係は問わない。
【００２９】
基板７の材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（貫通孔１０ａ）を基板電極８間に設けることで、寄生容量成分Ｃを減少させ、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。なお、充填部材１５の比誘電率εr3および充填部材１６の比誘電率εr4が空気の比誘電率εr2（＝１．０）よりも小さい場合は、周波数Ｆの増加に伴う抵抗器１１のインピーダンスＺの減少の抑制により効果が期待できる。
実施例２の変形例を以下に述べる。
【００３０】
基板７の貫通部１０ａは、貫通させずに溝であってもよい。基板電極８間に溝が設けられることにより、基板７の材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（溝）が存在するので、寄生容量成分Ｃを減少し、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。
【実施例３】
【００３１】
図６に実施例１の電源装置３ｂにおける受動素子２（インダクタ１７）の実装状態を示す模式図を示す。図６（ａ）に、電源装置３ｂの一部の平面図を示す。図６（ａ）の線分Ｂ´−Ｂ´における断面図を図６（ｂ）に示す。図６（ｂ）のＢ方向視における平面図を図６（ａ）に示す。なお、実施例１および２と同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００３２】
電源装置３ｂの基板７ｂには、図示しないスイッチング素子と受動素子２としてのインダクタ１７が実装されている。基板７ｂはガラスエポキシ樹脂から形成され、厚さは０．５ｍｍである。導電路１４の端部には、１ｍｍ四方の正方形からなる基板電極８が形成され、導電路１４と電気的に接続されている。基板電極８は互いに０．５ｍｍの間隔を有して形成されている。
【００３３】
基板７ｂには、基板電極８間に基板電極８から等距離に、長さＬ、幅ｄの貫通孔１０が設けられている。貫通孔１０において、Ｌ＝５．０ｍｍ、ｄ＝０．５ｍｍである。
インダクタ１７の端部に形成された素子電極９ｂは、基板電極８に図示しない半田で電気的かつ機械的に接続されることにより、基板７ｂに実装されている。
【００３４】
図示しないスイッチング素子は、導電路１４に電気的に接続され、スイッチング素子により制御された電流は、導電路１４、基板電極８、素子電極９ｂ、インダクタ１７、素子電極９ｂ、基板電極８、導電路１４の順に流れ、インダクタ１７に電流が流れる。
【００３５】
インダクタ１７のインピーダンスは、レジスタンス（抵抗成分）とリアクタンスによって表される。インダクタ１７のリアクタンスは、誘導性リアクタンスと容量性リアクタンスとに大別され、容量性リアクタンス（キャパシタンス）は、インダクタ１７の素子電極９ｂ間の基板７の寄生容量（浮遊容量）成分、すなわち、基板電極８間の寄生容量成分に依存する。
【００３６】
基板電極８間に基板７のガラスエポキシ樹脂（絶縁物）を誘電体とするコンデンサが形成されることが、寄生容量成分Ｃの発生要因である。基板電極８間に基板７ｂを介して寄生容量成分Ｃが形成され、基板電極８間にインダクタ１７が実装されると、インダクタ１７と寄生容量成分Ｃとの並列回路が形成される。寄生容量成分Ｃは、基板電極８の面積をＳ、基板電極間の距離をＤ、基板７の材料の誘電率をεとすると、Ｃ＝εＳ／Ｄで表される。
【００３７】
図７は、実施例３の電源装置３ｂにおける受動素子２（インダクタ１７）の周波数Ｆ（Ｈｚ）とインピーダンスＺ（Ω）との関係を示すグラフである。図７のグラフは、横軸を周波数Ｆ（Ｈｚ）とし、縦軸をインピーダンスＺ（Ω）として、インダクタ１７のインピーダンスＺの周波数Ｆ（Ｈｚ）への依存性を示している。図７において、（ａ）は、周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、インダクタ１７のみのインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。（ｂ）は、基板７ｂの基板電極８間にインダクタ１７を実装し、かつ、貫通孔１０ｂを基板７ｂに設けないで周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。（ｃ）は、基板７ｂの基板電極８間にインダクタ１７を実装し、かつ、貫通孔１０ｂを基板７ｂに設けて、周波数Ｆ（Ｈｚ）を変化させて、基板電極８間のインピーダンスＺ（Ω）を測定した結果である。
【００３８】
図７において、インダクタ１７を基板に実装しない場合（（ａ）の場合）は、インダクタ１７と基板７ｂとによる自己共振周波数は約６０ＭＨｚであるが、貫通孔１０ｂを有さない基板７ｂにインダクタ１７を実装した場合（（ｂ）の場合）は、自己共振周波数は約４５ＭＨｚである。
【００３９】
一方で、貫通孔１０ｂを有する基板７ｂにインダクタ１７を実装した場合（（ｃ）の場合）は、インダクタ１７と基板７ｂとによる自己共振周波数は約５３ＭＨｚである。すなわち、基板７ｂに貫通孔１０ｂを形成することにより、周波数Ｆを８ＭＨｚ分だけインダクタ１７単体のインピーダンスの周波数特性（（ａ）の場合）に近づけることができる。
基板７ｂに貫通孔１０ｂを形成することにより、自己共振周波数の減少を抑制することができる理由を以下に述べる。
【００４０】
前述の通り、寄生容量成分Ｃは、基板電極８の面積をＳ、基板電極間の距離をＤ、基板７の材料の誘電率をεとすると、Ｃ＝εＳ／Ｄで表される。基板７はガラスエポキシ樹脂で形成されており、ガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1は、４．５〜５．２である。なお、ガラスエポキシ樹脂の誘電率ε1は真空中の誘電率ε0とガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1との積で表され、寄生容量成分Ｃは、Ｃ＝（ε0×εr1×Ｓ）／Ｄで表される。誘電率ε0は一定であるので、寄生容量成分Ｃはεr1に比例する。一方で、空気の比誘電率εr2は１．０である。基板７の材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（貫通孔１０ｂ）を基板電極８間に設けることで、寄生容量成分Ｃを減少させ、周波数Ｆが増加したとしても、インダクタ１７の自己共振周波数の減少を抑制することができる。
実施例３の変形例を以下に述べる。
【００４１】
基板７ｂの貫通部１０ｂは、貫通させずに溝であってもよい。基板電極８間に溝が設けられることにより、基板７ｂの材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（溝）が存在するので、寄生容量成分Ｃを減少し、周波数Ｆが増加したとしても、インダクタ１７のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。
【００４２】
また、貫通部１０ｂには、ガラスエポキシ樹脂の比誘電率εr1よりも比誘電率が小さく、空気とは異なる比誘電率を有する材料が充填されていてもよい。基板７ｂの材料であるガラスエポキシ樹脂の比誘電率よりも比誘電率の小さい部分（貫通孔１０ｂおよび充填材料）を基板電極８間に設けることで、寄生容量成分Ｃを減少させ、周波数Ｆが増加したとしても、抵抗器１１のインピーダンスＺの減少を抑制することができる。なお、充填材料の比誘電率が空気の比誘電率εr2（＝１．０）よりも小さい場合は、周波数Ｆの増加に伴う抵抗器１１のインピーダンスＺの減少の抑制により効果が期待できる。なお、この場合も貫通部１０ｂは溝であってもよい。
【００４３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態または実施例は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態または実施例は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態または実施例やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４４】
１・・・スイッチング素子
２・・・受動素子
７、７ａ、７ｂ・・・基板
９、９ｂ・・・素子電極
８、８ａ、８ｂ・・・基板電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図４】
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【図７】
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