(57)【要約】【課題】高密度の電極を迅速（短時間）に形成可能な高密度電極付基板の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に金属シード膜を形成したのち、該金属シード膜上にレジスト膜を形成し、ついで、該レジスト膜を貫通するレジスト孔を形成した後、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子を電気泳動法によりレジスト孔に堆積させることを特徴とする電極付基板の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属シード膜を形成したのち、該金属シード膜上にレジスト膜を形成し、ついで、該レジスト膜を貫通するレジスト孔を形成した後、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子を電気泳動法によりレジスト孔に堆積させることを特徴とする電極付基板の製造方法。
【請求項２】
直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、レジスト膜表面からの深さが１〜１００μｍの範囲にあり、基板単位表面の１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲となるようにレジスト孔を形成することを特徴とする請求項１に記載の電極付基板の製造方法。
【請求項３】
基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜を貫通するレジスト孔と、基材を貫通するスルーホールないし基材内部まで削孔した深孔とを一体形成した後、金属シード膜を形成し、ついで平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子を電気泳動法により少なくともスルーホールもしくは深孔に堆積させることを特徴とする電極付基板の製造方法。
【請求項４】
直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、レジスト膜表面からの深さが１〜１００μｍの範囲にあり、基板単位表面でのスルーホールもしくは深孔の密度が１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲となるように、レジスト孔と、スルーホールもしくは深孔とを一体形成することを特徴とする請求項３に記載の電極付基板の製造方法。
【請求項５】
ゼータ電位が−８０〜−２０ｍＶの範囲にある前記金属微粒子を使用することを
特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電極付基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属微粒子が銀、銅、金、白金、パラジウム、ルテニウム、マンガン、ニッケルから選ばれる少なくとも一種の金属を含む微粒子であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電極付基板の製造方法。
【請求項７】
電流が０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ2の範囲、電圧が１〜１００Ｖの範囲で、電気泳動法により金属微粒子を堆積させることを特徴とする請求項１に記載の電極付基板の製造方法。
【請求項８】
基板と、基板上の金属シード膜と、金属シード膜上のレジスト膜と電極とからなり、該電極が円柱状であり、かつ直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、高さが１〜１００μｍの範囲にあり、電極密度が１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲にあり、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子が電気泳動法により堆積した電極であることを特徴とする電極付基板。
【請求項９】
前記金属微粒子が銀、銅、金、白金、パラジウム、ルテニウム、マンガン、ニッケルから選ばれる少なくとも一種の金属を含む微粒子であることを特徴とする請求項８に記載の電極付基板。
【請求項１０】
前記基板に、スルーホールもしくは深孔が形成されてなり、前記電極が該スルーホールもしくは深孔中に形成されていることを特徴とする請求項８または９に記載の電極付基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度の電極を迅速（短時間）に形成可能な高密度電極付基板の製造方法および該方法で得られた高密度の電極付基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン貫通電極（ＴＳＶ：Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）を用いた三次元実装技術は、小型で高速・低電力でのコンピューティングが可能な高度集積回路（ＬＳＩ）の実現できることから注目されている。
【０００３】
例えば、絶縁基板に配設されたスルーホール内に金属めっきを施し、樹脂または導電性ペーストを充填した後、スルーホールの開口部を塞ぐようにめっき層を形成する方法が開示されている。（特許文献１：特開２００３−２３２５１号公報）
しかしながら、上記した方法では、樹脂または導電性樹脂ペースト熱収縮率、熱膨張率が絶縁基板と大きく異なり、樹脂層がスルーホールから剥離したり、空隙が生じ、配線基板の信頼が懸念されている。
【０００４】
そこで、前記剥離や空隙を抑制するためにスルーホールを有するコア基板の一方の面に下地導電層を形成した後、電解めっきにより下地導電層を成長させて導電材をスルーホール内に充填する方法が開示されている。（特許文献２：特開２００６−１４７９７１号公報）
しかしながら、上記した方法では、電解めっきにより導電材をスルーホール内に充填した際に導電材充填スルーホール基板の表面に余分の導電材が存在し、これを研磨等の方法で除去するとともに、除去によって生じた導電材微粉末を除去する必要が指摘されている。
【０００５】
そこで、スルーホールが形成された絶縁基板の少なくとも一方の表面上に、当該絶縁基板に形成されているスルーホールと同心軸を有し、当該スルーホールの孔径よりも小さい孔径の貫通孔を有するレジスト膜を形成し、銅の電解めっきにより前記スルーホール内に導電材を充填した後、前記レジスト膜を除去する配線用基板の製造方法が、開示されている。（特許文献３：特開２０１２−８０００２号公報）
一方、メッキ処理による金属の析出速度が遅く、生産性が悪いことから、銀、金、銅等のナノ金属粒子をディスペンス法やインクジェット法で窪みの壁面や貫通孔の側壁面に付着させて熱処理して金属膜とする貫通電極を形成した貫通電極付基板、その製造方法ならびに貫通電極付基板を用いた発光デバイスが開示されている。（特許文献４：特開２０１０−１２３６０６号公報）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２３２５１号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７９７１号公報
【特許文献３】特開２０１２−８０００２号公報
【特許文献４】特開２０１０−１２３６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前記した従来技術において、Ｖｉａファースト、Ｖｉａミドル、あるいはＶｉａラストプロセスでは、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）への金属埋め込み方法として銅等のメッキ技術が利用されようとしていたが、メッキの堆積速度が遅いためにＴＳＶを完全に埋め込むためには長時間を要し、例えば、平均電流密度１Ａ／ｃｍ2で５時間を要するとの例が報告されており、生産性に難があり、コスト高となるためＴＳＶの実用化、普及の障害となっている。
【０００８】
また、ナノ金属粒子をディスペンス法やインクジェット法で金属電極を形成する場合、ナノ金属粒子の溶媒分散液を用いるため、一回の塗布ではスルーホールに緻密に電極を形成できず、繰り返し塗布を必要とし、溶媒除去工程を必要とし、電極の充填密度等が不均一となる場合があり、加えて、単位面積当たりの電極数を多くするには限界があり、小型で高速・低電力のコンピューティングが可能な集積回路（ＬＳＩ）の三次元実装用には限界があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記問題点について鋭意検討した結果、超微細な金属コロイド粒子を用いて、電気泳動法を採用することにより、Ｖｉａ内に容易に堆積でき、しかも極めて短時間に高密度の電極を形成できることを見出して本発明を完成するに至った。
【００１０】
本発明は高密度の電極を迅速（短時間）に形成することのできる高密度電極付基板の製造方法および高密度の電極付基板を提供することを目的としている。
[1]基板上に金属シード膜を形成したのち、該金属シード膜上にレジスト膜を形成し、ついで、該レジスト膜を貫通するレジスト孔を形成した後、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子を電気泳動法によりレジスト孔に堆積させる電極付基板の製造方法。
[2]直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、レジスト膜表面からの深さが１〜１００μｍの範囲にあり、基板単位表面の１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲となるようにレジスト孔を形成する[1]の電極付基板の製造方法。
[3]基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜を貫通するレジスト孔と、基材を貫通するスルーホールないし基材内部まで削孔した深孔とを一体形成した後、金属シード膜を形成し、ついで平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子を電気泳動法により少なくともスルーホールもしくは深孔に堆積させることを特徴とする電極付基板の製造方法。
[4]直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、レジスト膜表面からの深さが１〜１００μｍの範囲にあり、基板単位表面でのスルーホールもしくは深孔の密度が１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲となるように、レジスト孔と、スルーホールもしくは深孔とを一体形成する[3]の電極付基板の製造方法。
[5]ゼータ電位が−８０〜−２０ｍＶの範囲にある前記金属微粒子を使用する[1]
〜[4]の電極付基板の製造方法。
[6]前記金属微粒子が銀、銅、金、白金、パラジウム、ルテニウム、マンガン、ニッケルから選ばれる少なくとも一種の金属を含む微粒子である[1]〜[5]の電極付基板の製造方法。
[7]電流が０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ2の範囲、電圧が１〜１００Ｖの範囲で、電気泳動法により金属微粒子を堆積させる[1]の電極付基板の製造方法。
[8]基板と、基板上の金属シード膜と、金属シード膜上のレジスト膜と電極とからなり、該電極が円柱状であり、かつ直径が０．０５〜５０μｍの範囲にあり、高さが１〜１００μｍの範囲にあり、電極の密度が１〜６４，０００，０００個/ｍｍ2の範囲にあり、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子が電気泳動法により堆積した電極である電極付基板。
[9]前記金属微粒子が銀、銅、金、白金、パラジウム、ルテニウム、マンガン、ニッケルから選ばれる少なくとも一種の金属を含む微粒子である[8]の電極付基板。
[10]前記基板に、スルーホールもしくは深孔が形成されてなり、前記電極が該スルーホールもしくは深孔中に形成されている[8]または[9]の電極付基板。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、高密度の電極を迅速（短時間）に形成することのできる高密度電極付基板の製造方法および高密度の電極付基板を提供することができる。
また、金属メッキ法、ナノ金属微粒子塗布法に比べて生産性、生産効率に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例で使用した装置のモデル図を示す。
【図２】実施例１で作成した電極付基板のＳＥＭ写真を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、まず、本発明に係る電極付基板の製造方法について説明する。
電極付基板の製造方法
基板
本発明に用いる基板としては、絶縁性を有し、三次元実装（技術）に用いることのできる基板であれば特に制限は無く、従来公知の基板を用いることができる。
【００１４】
例えば、ガラス基板、シリコン基板、炭化ケイ素基板、ダイヤモンド基板、α−アルミナ基板、エポキシ樹脂基板、ポリエステル樹脂基板、フッ素樹脂基板等が挙げられる。
本発明では、強度に優れ、膨張・収縮率が小さいので、シリコン基板が好適に用いられる。
【００１５】
金属シード膜の形成
前記基板上に金属シード膜を形成する。
金属としては、銀、銅、金、白金、パラジウム、ニッケル、マンガン等が用いられる。これらのなかでも、本発明では、電極形成用金属微粒子の種類によっても異なるが、金、銀、銅が好ましい。さらに、Ｐ、Ｗ等を含んでいても良い。
【００１６】
金属シード膜の形成方法は、スパッタ法、化学蒸着（ＣＶＤ）法、電解メッキ法、無電解メッキ法等が挙げられる。
本発明では、迅速かつ均一な厚みを容易に得やすいのでスパッタ法を用いることが好ましい。
【００１７】
金属シード膜の厚みは０．５〜５００ｎｍ、さらには１〜４００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
金属シード膜の厚みが前記範囲にあれば、電極金属の基板への拡散を抑制できる他、基板との密着性に優れ、さらに、後述する電気泳動法で高密度の電極を迅速（短時間）に形成することができる。
【００１８】
この金属シード膜を形成することで、この金属シード膜を形成することで、電気泳動法で高密度の電極を迅速に形成することができる。
レジスト膜の形成
ついで、金属シード膜上にレジスト膜を形成する。レジスト膜の厚みは、後述する電極の所要の高さ、あるいは孔の深さと概ね同程度とし、１〜１００μｍ、さらには２〜８０μｍの範囲にあることが好ましい。なお、レジスト孔は、レジスト膜を貫通させて金属シード膜へ到達する孔であり、金属シード膜を貫通させて基板に到達するものであってもよく、さらに基板を貫通させてもよい。
【００１９】
レジスト膜の厚みが薄いと、形成される電極層とレジスト膜の密着が不十分で信頼性の高い電極が得られない場合がある。また  レジスト膜の厚みが厚いと、電極の厚みが厚くなり、電極付基板の積層数が減少したり、経済性が低下することがある。
【００２０】
レジスト膜を構成するレジストとしては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等の有機樹脂が挙げられる。レジスト膜の形成方法としては、公知の手段を特に制限なく採用することが可能であり、スピンコート法等を採用できる。
（第１の態様）
第１の態様では、基板上に金属シード膜を形成したのち、該金属シード膜上にレジスト膜を形成し、ついで、該レジスト膜を貫通するレジスト孔を形成する。
【００２１】
レジスト孔形成
形成されたレジスト膜に、孔の直径が０．０５〜５０μｍ、好ましくは２〜３０μｍのレジスト孔を形成する。この範囲にあれば、均一で精度の高い孔を作成することは可能であり、高速応答の集積回路を得るには充分な大きさである。レジスト孔の直径が小さすぎるものは、均一で精度の高いレジスト孔を形成することが困難であり、電極を形成しても目的の導電性が得られず高速応答性を有する集積回路が得られない場合がある。レジスト孔の直径が大きすぎると、電極密度が低下し、高集積回路に用いるには不向きである。
【００２２】
レジスト孔は、レジスト膜の単位面積に対して１〜６４，０００，０００個／ｍｍ2、好ましくは１０〜５０，０００，０００個／ｍｍ2で形成されることが望ましい。
レジスト孔の密度が低いと、電極個数が少なく高密度高集積回路には不向きである。レジスト孔の密度が高すぎると、孔自体が多くなりすぎてしまい、単離した孔を形成することが困難となり、十分な導通性、強度を有する電極が形成できない場合がある。
【００２３】
レジスト孔の深さは、レジスト膜を貫通すれば、レジスト膜の厚さなどに応じて適宜変更可能であるものの、レジスト膜表面から深さが１〜１００μｍの範囲にある。
レジスト孔の形成方法は、特に制限はないものの、孔となる部分にマスキングを行いフォトリソグラフィー法にて形成するのが最適である。
【００２４】
こうし形成されたレジスト孔に金属微粒子を堆積させる。金属微粒子の堆積方法については後述する。
（第２の態様）
第２の態様では、基板上にレジスト膜を形成した後、該レジスト膜を貫通するレジスト孔と、基材を貫通するスルーホールないし基材内部まで削孔した深孔とを一体形成した後、金属シード膜を形成したのち、金属微粒子を堆積させる。レジスト膜の形成方法は前記と同様である。
【００２５】
スルーホール・深孔の形成
第２の態様では、ついで、必要に応じてレジスト膜の厚さをも薄くすることができる。
ついで、基板とレジスト膜に、孔の直径が０．０５〜５０μｍ、好ましくは２〜３０μｍ、孔の密度が１〜６４，０００，０００個／ｍｍ2、好ましくは１０〜５０，０００，０００個／ｍｍ2の孔を形成する。なお、孔は、レジスト膜を貫通し、基板をも貫通するスルーホールであっても、貫通せずに基材内部まで削孔した深孔であってもよい。
【００２６】
なお、基板にスルーホールやあらかじめ深孔が形成されたものを用いた場合は、スルーホールや深孔と一致したレジスト孔を形成すればよい。場合によっては、レジスト膜の形成、レジスト孔の形成を省略することができる。
【００２７】
スルーホール・深孔およびレジスト孔の直径は０．０５〜５０μｍ、さらには２〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。
スルーホール・深孔およびレジスト孔が小さいと、均一で精度の高いスルーホール（レジスト孔）を形成することが困難であり、電極を形成しても目的の導電性が得られず高速応答性を有する集積回路が得られない場合がある。スルーホール・深孔およびレジスト孔が大きすぎると、電極密度が不充分となる場合がある。
【００２８】
また、スルーホールおよびレジスト孔・深孔の各々の深さは、レジスト膜や金属シード膜、基板の厚さによって適宜選択され、各表面から１〜１００μｍ、さらには２〜８０μｍの範囲にあることが好ましい。スルーホールおよびレジスト孔・深孔の深さが浅いと、形成される電極層との密着が不十分で信頼性の高い電極が得られない場合がある。スルーホール・深孔およびレジスト孔の深さが深すぎても、電極の厚みが厚くなり、電極付基板の積層数が減少したり、経済性が低下する。なお深さの基準は、基板上面、レジスト膜上面などからである。
【００２９】
つぎに、基材単位表面あたりの、スルーホール・深孔およびレジスト孔の密度は１〜６４，０００，０００／ｍｍ2、好ましくは１０〜５０，０００，０００／ｍｍ2の範囲にあることが好ましい。孔密度が高すぎると、単離した孔を形成することが困難であり、このため単離した電極が形成できない場合がある。
【００３０】
こうして、形成されたレジスト孔、スルーホール・深孔に金属微粒子を堆積させる。
金属微粒子の堆積
本発明に用いる金属微粒子は、後述する電気泳動法によって電極を形成できれば特に制限はないが、銀、銅、金、白金、パラジウム、ルテニウム、マンガン、ニッケルから選ばれる少なくとも一種の金属を含む微粒子であることが好ましい。
【００３１】
具体的には、単成分の金属微粒子であっても、複合金属微粒子（合金微粒子）であっても良い。複合金属微粒子（合金微粒子）としては、Ｐｄ・Ａｇ、Ｐｄ・Ｃｕ、Ａｇ・Ｐｄ、Ｒｕ・Ａｕ、Ａｕ・Ａｇ、Ａｇ・Ｃｕ、Ａｇ・Ｓｎ、Ｃｕ・Ｓｎ、Ｐｔ・Ａｕ、Ｐｔ・Ｐｄ、Ｐｔ・Ｃｕ、Ｐｔ・Ａｇ等が挙げられる。
【００３２】
金属微粒子の平均粒子径は１〜５０ｎｍ、さらには２〜２０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
金属微粒子の平均粒子径が１ｎｍ未満の金属微粒子は得ることが困難であり、得られたとしても容易に酸化物やイオンとなる場合があり、電極としての性能、耐久性等が不充分となる場合がある。
【００３３】
金属微粒子の平均粒子径が大きすぎると、後述する電気泳動の際に粒子が沈降したり、粒子間空隙が大きくなるためか電極密度が低くなりその導電性が不充分となる場合がある。
【００３４】
本発明での金属微粒子の平均粒子径は、金属としての濃度が０．１重量％の金属微粒子分散液を用い、粒子径分布測定装置（日機装(株)製：マイクロトラックＵＰＡ）で測定し、その体積換算粒子径のD50の頻度の粒子径を平均粒子径とした。
【００３５】
このような金属微粒子は、ゼータ電位が−８０〜−２０ｍＶ、さらには−７０〜−３０ｍＶの範囲にあることが好ましい。
金属微粒子のゼータ電位が−８０ｍＶ未満(マイナスが大きい)の場合は、電気泳動の際に金属微粒子の堆積速度が速くなりすぎて均一で緻密な電極が得られない場合がある。
【００３６】
金属微粒子のゼータ電位が−２０ｍＶを超える（０に近づく）と、電気泳動の際に金属微粒子の体積速度が遅くなり、本発明の迅速な電極形成効果が充分得られない場合がある。
【００３７】
なお、電気泳動法では、堆積速度を上げるために電圧を上げると、金属微粒子の種類によってはイオン化する場合がある。金属微粒子のゼータ電位が前記範囲にあれば、短時間で均一で高密度の電極を形成することができる。
【００３８】
上記において、ゼータ電位は金属微粒子の種類、粒子径等によっても異なるが、ゼータ電位を調整するには、金属微粒子を表面処理剤で表面処理したり、調製時に残存することのある金属微粒子分散液中のイオン性不純分を調整する等の方法があり、例えば、カルボン酸、アニオン系界面活性剤、高分子樹脂等を吸着させたり、電解質を添加するとゼータ電位は高くなり、カルボン酸、アニオン系界面活性剤、高分子樹脂等を吸着させたり、電解質をイオン交換樹脂等で低減するとゼータ電位を低くする(マイナスが大きい)ことができる。また、用いる金属微粒子の粒子径が小さいとゼータ電位は低い傾向(マイナスが大きい)にある。
【００３９】
本発明では、ゼータ電位は、金属微粒子の０．１重量％分散液を用い、Ｍａｌｖｅｒｎ製ゼータサイザーナノＺＳ９０を用いて測定した。
前記した金属微粒子は、前記平均粒子径範囲にあり、好ましくは前記範囲のゼータ電位を有していれば、従来公知の金属微粒子を用いることができる。
【００４０】
金属微粒子の堆積は、前記金属微粒子分散液を入れた絶縁性容器に、前記基板上に所定のレジスト孔を形成したもの、あるいは前記所定のスルーホール・深孔を有する基板を陽極、これと所定の距離で離間した陰極（炭素電極）を対向して配置し、これに、所定の電圧をかけ、所定の電流が流れるように調整して、金属微粒子の電気泳動により、金属微粒子をレジスト孔、あるいはスルーホールに堆積させる。
【００４１】
分散媒としては、特に制限されず水などが挙げられる。また固形分濃度としては０．１〜２０重量％、好ましくは0.5〜１５重量％である。
離間距離は電圧、電流等によって変えることができるが、概ね０．５〜２０ｃｍ、さらには１〜１０ｃｍの範囲にあることが好ましい。
【００４２】
本発明では、前記電圧は１〜１００Ｖ、さらには２〜２０Ｖの範囲にあることが好ましい。
前記電圧が弱いと、充分な電流が流れずに金属微粒子の堆積速度が不充分となり、前記電圧が強すぎても、堆積速度が速いもの均一で緻密な電極が得られない場合がある。
【００４３】
また、電流は０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ2、さらには０．３〜５０ｍＡ／ｃｍ2の範囲にあることが好ましい。
前記電流が低いと、金属微粒子の堆積速度が不充分となり、前記電流が大きすぎても、堆積速度が速く均一で緻密な電極が得られない場合がある。
【００４４】
なお、電気泳動時間は、電極の形成量、電圧、電流等によって異なるが、概ね数分から１時間以内であり、従来のメッキ法に比して極めて短時間である。
形成された電極は、通常、乾燥され、そのまま使用してもよいし、必要に応じて原子状水素還元もしくは焼成、大気もしくは不活性ガス下で、焼成、UV照射、プラズマ焼成などを行っても良い。これらの処理を行うと、粒子のシンタリングが促進され、導電性が向上する。
【００４５】
つぎに、本発明に係る電極付基板について説明する。
［電極付基板］
本発明に係る電極付基板は、基板と、基板上の金属シード膜と、金属シード膜上の電極とからなり、該電極の直径が１〜５０μｍの範囲にあり、高さが１〜１００μｍの範囲にあり、電極密度が１〜６４，０００，０００個／ｍｍ2、の範囲にあり、平均粒子径が１〜５０ｎｍの範囲にある金属微粒子が電気泳動法により堆積した電極であることを特徴としている。
【００４６】
基板
基板としては、前記した基板を用いることができる。前記したように、本発明では、三次元実装技術に用いることができ、強度に優れ、膨張・収縮率が小さいので、シリコン基板が好適に用いられる。
【００４７】
金属シード膜
基板上には金属シード膜が形成されている。  金属としては、銀、銅、金、白金、パラジウム等が用いられる。  本発明では、電極形成用金属微粒子の種類によっても異なるが、金、銀、銅、が好ましい。  金属シード膜の厚みは０．５〜５００ｎｍ、さらには１〜４００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００４８】
電極
電極は前記した金属微粒子から構成される。電極は、直径が０．０５〜５０μｍ、好ましくは２〜３０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００４９】
電極の直径がこの範囲を外れて小さいものは、均一で精度の高いスルーホール（レジスト孔）を形成することが困難であり、このため電極を形成しても目的の導電性が得られず高速応答性を有する集積回路が得られない場合がある。
【００５０】
電極の直径が大きすぎると、均一で精度の高い孔を作成することは可能であるが、高速応答の集積回路を得るには充分な大きさである。
電極の高さは１〜１００μｍ、さらには２〜８０μｍの範囲にあることが好ましい。
電極の高さが低すぎると、導電性が不充分となり、高集積化には好ましくない場合がある。
電極の高さが高すぎても、金属微粒子分散液と金属メッキ膜との距離が遠くなるため電流が均一に流れない場合があり、金属粒子の堆積の均一性が悪く、均一な膜となる電極が得られにくくなる場合がある。
【００５１】
このような電極の密度は、１〜６４，０００，０００個／ｍｍ2、好ましくは１０〜５０，０００，０００個／ｍｍ2の範囲にあることが好ましい。密度が高すぎると、単離した電極を形成することができない場合がある。
［実施例］
以下に示す実施例により、本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定するものではない。
［実施例１］
金属微粒子(1)分散液の調製
純水１００ｇにクエン酸３ナトリウム水和物（関東化学(株)製：特級）３０ｇを溶解した。
別途、純水に１００ｇに硫酸第一鉄（関東化学(株)製：特級）２０ｇを溶解し、上記クエン酸３ナトリウム水溶液と混合した。ついで、純水１００ｇと硝酸銀（関東化学(株)製）１０ｇを溶解した水溶液を混合し、１０時間撹拌後、遠心分離を行ない上澄み液を除去し沈降物を回収した。
【００５２】
沈降物に純水を加えて銀として濃度１５重量％の分散液を調製し、イオン交換樹脂（三菱化学(株)製：ＳＭＮＵＰＢ）を用いて電気電導度が５０μＳ/ｃｍ以下になるように不純分除去を行った。その後遠心分離機（１００００Ｇ）にて１０分間遠心分離し、上澄みを回収し、銀としての濃度が１０．４重量％の銀からなる金属微粒子(1)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは４．５であった。
【００５３】
得られた銀からなる金属微粒子(1)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(1)の製造
シリコン基板（フジミ電子(株)製：シリコンウエハー、６インチφ）を１ｃｍ×２ｃｍにカットし、この上にスパッタ法で厚さ350ｎｍの金シード膜を形成した。
【００５４】
ついで、金シード膜上に、アクリル樹脂からなるレジスト膜を、スピンコート法で塗布し、ついで、硬化することで、形成し、ついで、直径１０μｍ、深さ５μｍの孔を１１０行×１１０列形成した。このとき、孔数は１２１００個（密度は６０．５個／ｍｍ2）である。
【００５５】
ついで、ガラスビーカーに金属微粒子(1)分散液を、シリコン基板を浸せる程度添加し、これに、上記で調製したシリコン基板上に金シード膜、レジスト膜を形成した基板を陽極とし、炭素電極を陰極とし、３ｃｍ離間させて浸漬した。
【００５６】
ついで、電極を直流電源に接続し、電圧が４．３Ｖ、電流が１ｍＡ／ｃｍ2の条件で１分間、電気泳動を行った。このときの装置のモデル図を図１に示す。
ついで、陽極基板を取り出し、純水で充分に洗浄し、Ｎ2ガス気流中で乾燥して電極付基板(1)を製造した。
【００５７】
得られた電極付基板(1)について、電極の直径、高さを測定し、また、以下の基準で電極の均一性を評価し、結果を表に示す。また、ＳＥＭ写真を図２に示す。
なお、電極の直径、高さ、レジスト膜の深さ等は走査型電子顕微鏡（日立製作所(株)製：Ｓ-２０００）を使用し表面及び断面観察を行ない測定した。
【００５８】
電極の均一性の評価は、上記の測定時に電極の表面観察を行ない以下の判定基準で測定した。
電極の表面が平滑である          ：  ○
電極表面にムラ、クラックがある  ：  ×
［実施例２］
電極付基板(2)の製造
実施例１において、電圧が１０．７Ｖ、電流が３ｍＡ／ｃｍ2の条件で０．５分間、電気泳動を行った以外は同様にして電極付基板(2)を製造した。
【００５９】
得られた電極付基板(2)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例３］
電極付基板(3)の製造
実施例１において、電圧が２．５Ｖ、電流が０．５ｍＡ／ｃｍ2の条件で1分間、電気泳動を行った以外は同様にして電極付基板(3)を製造した。
【００６０】
得られた電極付基板(3)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例４］
金属微粒子(2)分散液の調製
実施例１において、クエン酸３ナトリウム水和物（関東化学(株)製：特級）４０ｇを用いた以外は同様にして、銀としての濃度が１０．４重量％の銀からなる金属微粒子(2)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは４．０であった。
【００６１】
得られた銀からなる金属微粒子(2)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(4)の製造
実施例１において金属微粒子(2)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(4)を製造した。
【００６２】
得られた電極付基板(4)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例５］
金属微粒子(3)分散液の調製
実施例１において、クエン酸３ナトリウム水和物（関東化学(株)製：特級）２０ｇを用いた以外は同様にして、銀としての濃度が１０．４重量％の銀からなる金属微粒子(3)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは５．０であった。
【００６３】
得られた銀からなる金属微粒子(3)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(5)の製造
実施例１において、金属微粒子(3)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(5)を製造した。
【００６４】
得られた電極付基板(5)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例６］
金属微粒子(4)分散液の調製
純水に１００ｇにポリビニルピロリドン（Ｍｗ１５００）１０ｇを溶解させた。
【００６５】
別途、純水に１００ｇに硫酸銅水和物（関東化学(株)製：特級）２０ｇを溶解させ、上記リビニルピロリドン水溶液と混合した。その後、水素気流下で１９時間混合した後、イオン交換樹脂（三菱化学製ＳＭＮＵＰＢ）を用いて電気電導度が５０μＳ/ｃｍ以下になるように不純分除去を行った。次いでロータリーエバポレーターにて濃縮し、銅として濃度１０．４重量％になるように純水にて希釈して、銅としての濃度が１０．４重量％の銅からなる金属微粒子(4)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは３．５であった。
【００６６】
得られた銅からなる金属微粒子(4)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(6)の製造
実施例１において金属微粒子(4)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(6)を製造した。
【００６７】
得られた電極付基板(6)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例７］
電極付基板(7)の製造
実施例１において、Ａｇ-Ｐｄコロイド溶液（日揮触媒化成(株)製：標準Ａｇ-Ｐｄコロイド、平均粒子径３ｎｍ、Ａｇ-Ｐｄ濃度３．０重量％、ゼータ電位−５０ｍＶ）を用いた以外は同様にして電極付基板(7)を製造した。
【００６８】
得られた電極付基板(7)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例８］
金属微粒子(5)分散液の調製
実施例１と同様にして調製した金属微粒子(1)分散液１００ｇにイオン交換樹脂（三菱化学製ＳＭＮＵＰＢ）１０ｇを入れて攪拌し、電気電導度が３０μＳ／ｃｍ以下になるまで不純分及び表面処理剤（クエン酸）を除去して銀としての濃度１０．４重量％の金属微粒子(5)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは３．８であった。
【００６９】
得られた銀からなる金属微粒子(5)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(8)の製造
実施例１において、金属微粒子(5)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(8)を製造した。
【００７０】
得られた電極付基板(8)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例９］
金属微粒子(6)分散液の調製
実施例１と同様にして調製した金属微粒子(1)分散液１００ｇに表面処理剤としてポリビニルピロリドン（分子量：５５，０００ ）を1ｇ添加し、一昼夜攪拌して  銀としての濃度１０．３重量％の金属微粒子(6)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは４．５であった。
【００７１】
得られた銀からなる金属微粒子(6)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
電極付基板(9)の製造
実施例１において、金属微粒子(6)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(9)を製造した。
【００７２】
得られた電極付基板(9)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［実施例１０］
電極付基板(10)の製造
シリコン基板（フジミ電子(株)製：シリコンウエハー、６インチφ）を１ｃｍ×２ｃｍにカットし、この上にアクリル樹脂からなる厚さ５μｍのレジスト膜を形成し、ついで、プラズマエッチング法で直径１０μｍ、深さ２０μｍの孔を形成した。この時の密度は６０．５個／ｍｍ2である。ついでスパッタ法で厚さ３５０ｎｍの銀シード膜を形成した。
【００７３】
以下、実施例１において金属微粒子(6)分散液を用い、電気泳動時間を２分間泳動とした以外は同様にして電極付基板(10)を製造した。
得られた電極付基板(10)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［比較例１］
電極付基板(R1)の製造
実施例１と同様にしてシリコン基板上に金シード膜、レジスト膜を形成し、ついで、孔を形成した。
【００７４】
ついで、Ａｇメッキ液（硫酸５０ｇ／Ｌ、硝酸銀２００ｇ／Ｌ及び塩素イオン５０ｍｇ／Ｌ）に浸漬させ1ｍＡ／ｃｍ2の条件で１分行った。電極付基板(R1)を製造した。
得られた電極付基板(R1)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［比較例２］
電極付基板(R2)の製造
比較例１において、Ａｇメッキ液に２．５時間浸漬した以外は同様にして電極付基板(R2)を製造した。
【００７５】
得られた電極付基板(R2)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
［比較例３］
金属微粒子(R1)分散液の調製
実施例１において、クエン酸３ナトリウム水和物（関東化学(株)製：特級）１８ｇを溶解した以外は同様にしてＡｇとしての濃度１０．４重量％の銀からなる金属微粒子(R1)分散液を調製した。このとき、分散液のｐＨは５．０であった。
得られた銀からなる金属微粒子(R1)について、平均粒子径、ゼータ電位を測定し結果を表に示す。
【００７６】
電極付基板(R3)の製造
実施例１において、金属微粒子(R1)分散液を用いた以外は同様にして電極付基板(R3)を製造した。
【００７７】
得られた電極付基板(R3)について、電極の直径、高さおよび均一性を測定し、結果を表に示す。
【００７８】
【表１−１】
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【００７９】
【表１−２】
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【図１】
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【図２】
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