(57)【要約】【課題】表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置を提供する。【解決手段】光源と、光源の光射出側に配置され、光変調機能を有する光変調層と、光変調層の光源とは反対側に配置され、少なくとも光源からの光によって励起され発光する発光材料を含む発光層と、を含み、光変調層の光源とは反対側には、光変調層を劣化させる短波長光を吸収する吸収材料又は短波長光を反射させる反射材料のうち少なくとも一つが配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源の光射出側に配置され、光変調機能を有する光変調層と、
前記光変調層の前記光源とは反対側に配置され、少なくとも前記光源からの光によって励起され発光する発光材料を含む発光層と、
を含み、
前記光変調層の前記光源とは反対側には、前記光変調層を劣化させる短波長光を吸収する吸収材料又は前記短波長光を反射させる反射材料のうち少なくとも一つが配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記発光層の内部に配置されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記発光層には複数の散乱体が混在しており、
前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記複数の散乱体のうち少なくとも一つを覆っている請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記光源から青色光が射出され、
前記発光層は、前記青色光によって励起されて赤色蛍光を発する赤色蛍光体層と、前記青色光によって励起されて緑色蛍光を発する緑色蛍光体層と、前記青色光を散乱させる散乱層と、を含む請求項１から３までのいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記光源と前記光変調層との間には、前記光源から射出された光の透過光量を変調する光変調装置が配置されていることを特徴とする請求項１から４までのいずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光源と、光源の光射出側に配置され、光源からの光によって励起され発光する発光材料を含む発光層と、を備えた表示装置が知られている。このような表示装置においては、発光層からの光のうち光源側に向けて進行する光を有効利用するために、光源と発光層との間に、光変調機能を有する光変調層が配置される。例えば、光変調層としては、光源からの光は透過し、発光層からの光は反射するバンドパスフィルターが用いられる。このような光変調層に外光が入射すると、外光に含まれる紫外光等により光変調層が劣化する場合がある。その結果、表示品質が低下してしまうという問題があった。
【０００３】
一方、特許文献１には、カラーフィルターの両面に紫外光を吸収する二酸化チタン（ＴｉＯ２）が配置された構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１９４５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示された発明では、ＴｉＯ２に近接する有機材料がＴｉＯ２から発生するＯＨラジカルによって分解されることによりガスが発生する惧れがある。また、特許文献１に開示された発明は、カラーフィルターそのものの劣化を抑制するものであり、光変調層の劣化を抑制することについては記載されていない。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の手段を採用した。
（１）すなわち、本発明の第一の態様に係る表示装置は、光源と、前記光源の光射出側に配置され、光変調機能を有する光変調層と、前記光変調層の前記光源とは反対側に配置され、少なくとも前記光源からの光によって励起され発光する発光材料を含む発光層と、を含み、前記光変調層の前記光源とは反対側には、前記光変調層を劣化させる短波長光を吸収する吸収材料又は前記短波長光を反射させる反射材料のうち少なくとも一つが配置されていることを特徴とする。
【０００８】
（２）上記（１）に記載の表示装置では、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記発光層の前記光変調層の側の面又は前記発光層の前記光変調層とは反対側の面のうち少なくとも一つに配置されていてもよい。
【０００９】
（３）上記（１）または（２）に記載の表示装置では、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記発光層の内部に配置されていてもよい。
【００１０】
（４）上記（３）に記載の表示装置では、前記発光層に前記吸収材料又は前記反射材料が混在していない第１の部分、前記発光層に前記吸収材料又は前記反射材料が混在している第２の部分及び前記発光層に前記吸収材料又は前記反射材料が混在していない第３の部分により三層構造が形成されていてもよい。
【００１１】
（５）上記（３）に記載の表示装置では、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記発光層の全体に混在していてもよい。
【００１２】
（６）上記（１）から（５）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記発光層には複数の散乱体が混在しており、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記複数の散乱体のうち少なくとも一つを覆っていてもよい。
【００１３】
（７）上記（１）から（６）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記光源から青色光が射出され、前記発光層は、前記青色光によって励起されて赤色蛍光を発する赤色蛍光体層と、前記青色光によって励起されて緑色蛍光を発する緑色蛍光体層と、前記青色光を散乱させる散乱層と、を含んでいてもよい。
【００１４】
（８）上記（７）に記載の表示装置では、前記散乱層には複数の散乱体が混在しており、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記複数の散乱体のうち少なくとも一つを覆っていてもよい。
【００１５】
（９）上記（７）または（８）に記載の表示装置では、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記散乱層に対応する位置にのみ選択的に配置されていてもよい。
【００１６】
（１０）上記（７）から（９）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記発光層の前記光源とは反対側の面にはカラーフィルターが配置されており、前記カラーフィルターは、前記赤色蛍光体層に対応する位置に配置され赤色光を透過する赤色カラーフィルターと、前記緑色蛍光体層に対応する位置に配置され緑色光を透過する緑色カラーフィルターと、前記散乱層に対応する位置に配置され青色光を透過する青色カラーフィルターと、を含んでいてもよい。
【００１７】
（１１）上記（１０）に記載の表示装置では、前記吸収材料又は前記反射材料のうち少なくとも一つが、前記カラーフィルターの前記発光層とは反対側の面又は前記カラーフィルターと前記発光層との間の界面のうち少なくとも一つに配置されていてもよい。
【００１８】
（１２）上記（１）から（１１）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記光源と前記光変調層との間には、前記光源から射出された光の透過光量を変調する光変調装置が配置されていてもよい。
【００１９】
（１３）上記（１２）に記載の表示装置では、前記光変調装置は、第１偏光板と、第２偏光板と、前記第１偏光板と前記第２偏光板との間に配置された液晶層と、を含む液晶光変調装置であってもよい。
【００２０】
（１４）上記（１）から（１２）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記光源の発光スペクトルが４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長域内に少なくとも一つのピーク波長を有し、前記短波長光の波長域が４００ｎｍよりも小さくてもよい。
【００２１】
（１５）上記（１）から（１４）までのいずれか一項に記載の表示装置では、前記光変調層が少なくとも有機材料を含むバンドパスフィルターであってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２】光源の分光スペクトルを示す図である。
【図３】バンドパスフィルターの材料の透過スペクトルを示す図である。
【図４】太陽光のスペクトルを示す図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｄ）吸収材料の一例の光学特性を示す図である。
【図６】吸収材料の一例の光学特性を示す図である。
【図７】バンドパスフィルターの必要性を説明するための図である。
【図８】バンドパスフィルターが劣化する様子を説明するための図である。
【図９】第１実施形態に係る発光層の作用を説明するための図である。
【図１０】第２実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１１】第３実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１２】第４実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１３】第５実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）第５実施形態に係る発光層の作用を説明するための図である。
【図１５】第６実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１６】（Ａ）〜（Ｃ）蛍光体材料の吸収スペクトルを示す図である。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）第６実施形態に発光層の作用を説明するための図である。
【図１８】第７実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図１９】第８実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２０】カラーフィルターの分光スペクトルを示す図である。
【図２１】第８実施形態に係るカラーフィルターの作用を説明するための図である。
【図２２】第９実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２３】第１０実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２４】第１１実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２５】第１２実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２６】第１３実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２７】第１４実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【図２８】第１５実施形態に係る表示装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図９を用いて説明する。
尚、以下の全ての図面においては、各構成要素を見やすくするため、構成要素によって寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
【００２５】
図１は、本実施形態に係る表示装置１を示す断面図である。
本実施形態の表示装置１は、図１に示すように、光源２と、光変調層３と、発光層４と、を備えている。
【００２６】
光源２は、発光層３に向けて光を射出する光射出面２ａを有する面状光源である。光源２は、例えば導光板の端面に青色発光ダイオード（Light Emitting Diode, 以下、ＬＥＤと略記する）等の発光素子が配置されたエッジライト型の光源であってもよい。もしくは、光射出面２ａの直下に発光素子が配置された直下型の光源であってもよい。光源２の発光スペクトルは、４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長域内に少なくとも一つのピークを有する。すなわち、紫外域〜青色域に発光ピークを有する光が光源２から射出される。
【００２７】
図２は、光源２の分光スペクトルを示す図である。図２において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は分光透過率（％）である。
【００２８】
図２に示すように、光源２のピーク波長は概ね４５０ｎｍである。光源２の発光帯域は概ね４１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【００２９】
図１に戻り、光変調層３は、光源２の光射出側に配置され、光変調機能を有する。本実施形態では、光変調層３として、少なくとも有機材料を含むバンドパスフィルターを用いる。バンドパスフィルター３は、光源２からの光を透過し且つ発光層４からの発光光を反射する機能を有する。
【００３０】
このようなバンドパスフィルター３の材料としては、様々な組合せが考えられるが、低コストの観点からは、例えば、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）若しくはＰＥＮ（Polyethylene naphthalate）を用いることができる。本実施形態では、バンドパスフィルター３の材料として、ＰＥＮを用いる。
【００３１】
図３は、バンドパスフィルター３の材料の透過スペクトルを示す図である。図３において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は透過率（％）である。図３では、バンドパスフィルター３として、バンドパスフィルター３の厚みが７５μｍであり、バンドパスフィルター３の材料がＰＥＴであるもの（ＰＥＴ−７５μｍ）及びＰＥＮであるもの（ＰＥＮ−７５μｍ）の二種類を示している。
【００３２】
図３に示すように、ＰＥＴ−７５μｍは、概ね３５０ｎｍ以上の波長域において８０％以上の透過率を有する。しかし、概ね３５０ｎｍ未満の波長域においては、透過率が急激に低下している。これにより、ＰＥＴ−７５μｍは、概ね３５０ｎｍ未満の波長域の光を吸収しやすいことが分かる。
【００３３】
一方、ＰＥＮ−７５μｍは、概ね４００ｎｍ以上の波長域において８０％以上の透過率を有する。しかし、概ね４００ｎｍ未満の波長域においては、透過率が急激に低下している。これにより、ＰＥＮ−７５μｍは、概ね４００ｎｍ未満の波長域の光を吸収しやすいことが分かる。
【００３４】
図４は、太陽光のスペクトルを示す図である。図４において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸はエネルギー（Ｗ・ｍ−２・ｎｍ−１）である。図４では、太陽光のスペクトルとして、大気圏外におけるもの（大気圏外（ＡＭ０））及び地表におけるもの（地表（ＡＭ１．５））の二種類を示している。
【００３５】
ここで、ＡＭとは、エアマス（Ａｉｒ  Ｍａｓｓ）の略である。ＡＭの後の数字は、太陽光が地表に到達するまでに通過する大気の量（エアマス）を表す。ＡＭ０は、太陽光が大気を通過しない、つまり大気圏外での太陽光のスペクトルを示す。
ＡＭ１は、太陽光が地表に垂直に入射した場合の太陽光のスペクトルを示す。垂直入射の場合、太陽光は最短距離で地表に到達する。そのため、太陽光が地表に到達するまでに通過する大気の量は最も小さくなる。ＡＭ１は、例えば、赤道直下の場所におけるものである。一方、日本のように緯度の高い場所では、太陽光が地表に到達するまでに通過する大気の量は、赤道直下の場合に比べると大きくなる。そのため、図４では、ＡＭ１の１．５倍のＡＭ１．５を標準的な地表の太陽光スペクトルとして用いている。尚、単純計算すると、ＡＭ１．５は、太陽光が地表に対して４１．８°の角度で入射する場合に相当するが、図４では、太陽光が地表に対して３７°の角度で入射する場合をＡＭ１．５としている。
【００３６】
図４に示すように、太陽光のスペクトルは、大気圏外（ＡＭ０）及び地表（ＡＭ１．５）の各々において、可視波長域内にピーク波長を有する。大気圏外（ＡＭ０）及び地表（ＡＭ１．５）の各々における太陽光のスペクトルのピーク波長は、概ね５００ｎｍである。大気圏外（ＡＭ０）における太陽光のスペクトルのエネルギー帯域は、概ね３００ｎｍ以上３２００ｎｍ以下である。地表（ＡＭ１．５）における太陽光のスペクトルのエネルギー帯域は、概ね３００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下である。
【００３７】
このように太陽光のスペクトルには、概ね４００ｎｍ未満の波長域にエネルギー帯域が存在する。本実施形態では、バンドパスフィルター３の材料としてＰＥＮを用いているため、概ね４００ｎｍ未満の波長域の光を吸収しやすい。このようなバンドパスフィルター３に太陽光が入射すると、太陽光に含まれる概ね４００ｎｍ未満の波長域の光によりバンドパスフィルター３が劣化する場合がある。ここで、劣化とは、バンドパスフィルターの黄変、柔軟性低下、変形（クラック等）、若しくはバンドパスフィルターの表面状態の変質を指す。太陽光に含まれる概ね４００ｎｍ未満の波長域の光は、特許請求の範囲に記載の光変調層を劣化させる短波長光に相当する。以下の説明においては、光変調層（バンドパスフィルター）を劣化させる短波長光を「短波長光」と称することがある。
【００３８】
一方、図２に示したように、光源２の発光帯域は概ね４１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。光源２から発せされる光には、バンドパスフィルター３を劣化させる光がほとんど含まれていない。そのため、光源２から発せられた光によりバンドパスフィルター３が劣化することはない。
【００３９】
図１に戻り、発光層４は、バンドパスフィルター３の光源２とは反対側に配置されている。発光層４は、少なくとも光源２からの光によって励起され発光する発光材料を含む。
【００４０】
発光材料としては、以下に例示する蛍光体材料のみから構成されていてもよい。発光層４は、任意に添加剤等を含んでいても良く、蛍光体材料が樹脂材料や無機材料等の結合材中に分散された構成であっても良い。本実施形態の発光層４は、発光材料がバインダー樹脂に分散されて構成されている。
【００４１】
本実施形態の蛍光体材料としては、公知の蛍光体材料を用いることができる。この種の蛍光体材料は、有機系蛍光体材料と無機系蛍光体材料とに分類することができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本実施形態はこれらの材料に限定されるものではない。尚、本実施形態では、発光材料は一種類である必要はなく、例えば発光スペクトルの異なる複数の発光材料が混合されていてもよい。
【００４２】
有機系蛍光体材料では、青色光を赤色光に変換する蛍光材として、シアニン系色素：４−ジシアノメチレン−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４Ｈ−ピラン、ピリジン系色素：１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１，３−ブタジエニル］−ピリジニウム−パークロレート、およびローダミン系色素：ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、ベーシックバイオレット１１、スルホローダミン１０１等が挙げられる。青色光を緑色光に変換する蛍光材として、クマリン系色素：２，３，５，６−１Ｈ、４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロメチルキノリジン（９，９ａ、１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）、３−（２′−ベンゾチアゾリル）―７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２′−ベンゾイミダゾリル）―７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、ナフタルイミド系色素：ベーシックイエロー５１、ソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６等が挙げられる。
【００４３】
無機系蛍光体材料では、青色光を赤色光に変換する蛍光材として、Ｙ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+、ＹＡｌＯ3：Ｅｕ3+、Ｃａ2Ｙ2（ＳｉＯ4）6：Ｅｕ3+、ＬｉＹ9（ＳｉＯ4）6Ｏ2：Ｅｕ3+、ＹＶＯ4：Ｅｕ3+、ＣａＳ：Ｅｕ3+、Ｇｄ2Ｏ3：Ｅｕ3+、Ｇｄ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+、Ｙ（Ｐ，Ｖ）Ｏ4：Ｅｕ3+、Ｍｇ4ＧｅＯ5.5Ｆ：Ｍｎ4+、Ｍｇ4ＧｅＯ6：Ｍｎ4+、Ｋ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25、Ｎａ5Ｅｕ2.5（ＷＯ4）6.25、Ｋ5Ｅｕ2.5（ＭｏＯ4）6.25、Ｎａ5Ｅｕ2.5（ＭｏＯ4）6.25等が挙げられる。青色光を緑色光に変換する蛍光材として、（ＢａＭｇ）Ａｌ16Ｏ27：Ｅｕ2+，Ｍｎ2+、Ｓｒ4Ａｌ14Ｏ25：Ｅｕ2+、（ＳｒＢａ）Ａl12Ｓｉ2Ｏ8：Ｅｕ2+、（ＢａＭｇ）2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、Ｙ2ＳｉＯ5：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+、Ｓｒ2Ｐ2Ｏ7−Ｓｒ2Ｂ2Ｏ5：Ｅｕ2+、（ＢａＣａＭｇ）5（ＰＯ4）3Ｃｌ：Ｅｕ2+、Ｓｒ2Ｓｉ3Ｏ8−２ＳｒＣｌ2：Ｅｕ2+、Ｚｒ2ＳｉＯ4、ＭｇＡｌ11Ｏ19：Ｃｅ3+，Ｔｂ3+、Ｂａ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、Ｓｒ2ＳｉＯ4：Ｅｕ2+、（ＢａＳｒ）ＳｉＯ4：Ｅｕ2+等が挙げられる。
【００４４】
本実施形態では、発光層４の内部に、バンドパスフィルター３を劣化させる短波長光を吸収する吸収材料が配置されている。本実施形態の発光層４は、吸収材料が発光層４の全体に混在している。具体的には、発光層４は、吸収材料が前記発光材料とともにバインダー樹脂全体に分散されて構成されている。
【００４５】
吸収材料としては、例えば、クロム（Ｃｒ）、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）、モリブデン（Ｍｏ）、二酸化チタン（チタニア）（ＴｉＯ２）、酸化セリウム（セリア）（ＣｅＯ２）、酸化亜鉛、酸化クロム、黒酸化鉄、酸化ジルコニウム等を用いることができる。
【００４６】
図５（Ａ）〜（Ｄ）は、吸収材料の一例の光学特性を示す図である。図５（Ａ）〜（Ｄ）において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は屈折率ｎ又は減衰係数ｋである。図５（Ａ）は吸収材料がＣｒの場合、図５（Ｂ）は吸収材料がＩＴＯの場合、図５（Ｃ）は吸収材料がＭｏの場合、図５（Ｄ）は吸収材料がＴｉＯ２の場合、をそれぞれ示している。
【００４７】
図６は、吸収材料の一例の光学特性を示す図である。図６において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は透過率（％）である。図６では、吸収材料の光学特性として、吸収材料を含む０．３μｍの薄膜の光学特性を示しており、吸収材料がセリア（Ｃａ２＋イオン固溶セリア）、チタニア、酸化亜鉛の三種類を示している。
【００４８】
図６に示すように、セリア及び酸化亜鉛は、概ね４００ｎｍ以上の波長域において９０％以上の透過率を有する。チタニアは、概ね４００ｎｍ以上の波長域において７０％以上の透過率を有する。しかし、これらは、概ね４００ｎｍ未満の波長域においては、透過率が急激に低下している。これにより、これらは、概ね４００ｎｍ未満の波長域の光を吸収しやすいことが分かる。
【００４９】
図７は、バンドパスフィルターの必要性を説明するための図である。図７においては、発光層の上側を観察者側、発光層の下側を光源側とする。空気の屈折率ｎが１．０であり、発光層の屈折率ｎが１．５であるとする。
【００５０】
図７に示すように、発光層が光源からの光を受けて発光した場合、発光光は空間的に略等方な発光分布を持つ。そのため、観察者側及び光源側にはそれぞれ発光光の全光束のうち１１．６％の光束が進み、発光層内部の面内方向Ｖｓには発光光の全光束のうち７６．８％の光束が進む。
【００５１】
この場合、面内方向に進む光束を構造体等で観察者側に向けることが考えられるが、厚み方向Ｖｔのうち光源側に進む光束がロスしてしまう。そこで、光源側に進む光束を観察者側に向けるために、光源と発光層との間には、光源からの光を透過しかつ発光層からの発光光を観察者側に反射するバンドパスフィルターが必要となる。尚、バンドパスフィルターと発光層との間には、粘着剤が充填されていてもよいし、空気が存在していてもよい。
【００５２】
図８は、バンドパスフィルターが劣化する様子を説明するための図である。図８では、バンドパスフィルターが劣化する様子を、比較例に係る表示装置１００１を用いて説明する。図８において、符号１００２は光源、符号１００３はバンドパスフィルター、符号１００４は発光層である。比較例に係る表示装置１００１において、発光層１００４の内部には、バンドパスフィルター１００３を劣化させる短波長光を吸収する吸収材料が配置されていない。
【００５３】
図８に示すように、発光層１００４に太陽光Ｌが入射すると、発光層１００４で吸収されなかった光が発光層１００４を透過してバンドパスフィルター１００３に入射する。具体的には、発光層１００４の内部に吸収材料が配置されていないため、太陽光Ｌに含まれる短波長光が発光層１００４を透過してバンドパスフィルター１００３に入射する。バンドパスフィルター１００３に短波長光が入射する状態が続くと、短波長光によりバンドパスフィルター１００３が劣化する場合がある。この場合、バンドパスフィルター１００３において、透過率の低下、反射率の上昇、変色等が生じる。その結果、表示装置１００１の表示品質が低下してしまう。
【００５４】
図９は、本実施形態に係る発光層４の作用を説明するための図である。図９においては、便宜上、光源２の図示を省略している。
【００５５】
図９に示すように、本実施形態に係る表示装置１においては、吸収材料が発光層４の全体に混在しているため、発光層４に太陽光Ｌが入射しても、短波長光が発光層４を透過することを抑制することができる。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１を提供することができる。
【００５６】
尚、本実施形態では、光変調層３として、少なくとも有機材料を含むバンドパスフィルターを用いた例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、光変調層としては、光の色又は指向性を変調する光変調機能を有するものを用いてもよい。このような光変調層としては、例えば、視角制限フィルム（ルーバーフィルム）、レンズ機能を持つ光学シート（プリズムシート等）が挙げられる。
【００５７】
また、本実施形態では、バンドパスフィルター３の材料として、ＰＥＴやＰＥＮを挙げて説明したが、これに限らない。例えば、バンドパスフィルターとして、屈折率が互いに異なる誘電体材料からなる層を多数積層させたものを用いてもよい。各層の屈折率や厚みを調整することにより、バンドパスフィルターに波長シフト（ブルーシフト）を付与することができる。ここで、ブルーシフトとは、バンドパスフィルターを斜め方向から見たときの透過波長及び反射波長が、正面方向から見たときに比べて短波長側にシフトする現象をいう。
【００５８】
また、本実施形態では、吸収材料が発光層４の全体に混在している例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、吸収材料が発光層の一部に混在していてもよい。すなわち、吸収材料が発光層の内部に配置されていればよい。
【００５９】
また、本実施形態では、発光層３の内部に吸収材料が配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層３の内部に、短波長光を反射する反射材料が配置されていてもよい。このような反射材料としては、アルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が挙げられる。また、発光層３の内部に、吸収材料及び反射材料の双方が配置されていてもよい。すなわち、発光層３の内部には、吸収材料又は反射材料のうち少なくとも一つが配置されていればよい。
【００６０】
［第２実施形態］
図１０は、本発明の第２実施形態に係る表示装置１００を示す断面図である。図１０においては、便宜上、光源の図示を省略している。
図１０に示すように、本実施形態の表示装置１００は、発光層５の上面（バンドパスフィルター３とは反対側の面）に短波長光を吸収する吸収材料を含む吸収層６が配置されている点、が第１実施形態の表示装置１と異なる。
本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６１】
発光層５は、発光材料がバインダー樹脂に分散されて構成されている。発光材料としては、上述した蛍光体材料を用いることができる。
【００６２】
吸収層６は、吸収材料がバインダー樹脂に分散されて構成されている。吸収材料としては、上述した吸収材料を用いることができる。例えば、吸収層６は、発光層５の上面に、吸収層の形成材料を塗布することにより形成することができる。
【００６３】
本実施形態に係る表示装置１００においては、発光層５の上面に吸収層６が配置されているため、発光層５に太陽光Ｌが入射する前に、短波長光が吸収層６で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３の直上の発光層５に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１００を提供することができる。
【００６４】
尚、本実施形態では、発光層５の上面に吸収層６が配置された例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層５の上面に、短波長光を反射する反射材料を含む反射層が配置されていてもよい。また、発光層５の上面に配置される層は、吸収材料及び反射材料の双方を含んでいてもよい。すなわち、発光層５の上面に配置される層には、吸収材料又は反射材料のうち少なくとも一つが含まれていればよい。
【００６５】
［第３実施形態］
図１１は、本発明の第３実施形態に係る表示装置１０１を示す断面図である。図１１においては、便宜上、光源の図示を省略している。
図１１に示すように、本実施形態の表示装置１０１は、発光層５の下面（バンドパスフィルター３の側の面）に吸収層６が配置されている点、が第２実施形態の表示装置１００と異なる。
本実施形態において、第２実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００６６】
例えば、吸収層６は、発光層５の下面に、吸収層の形成材料を塗布することにより形成することができる。
【００６７】
本実施形態に係る表示装置１０１においては、発光層５の下面に吸収層６が配置されているため、発光層５に太陽光Ｌが入射しても、短波長光が吸収層６で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０１を提供することができる。
【００６８】
尚、図１０及び図１１では、発光層５の上面又は下面に吸収層６が配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層５の上面及び下面の双方に吸収層６が配置されていてもよい。
【００６９】
［第４実施形態］
図１２は、本発明の第４実施形態に係る表示装置１０２を示す断面図である。図１２においては、便宜上、光源の図示を省略している。
図１２に示すように、本実施形態の表示装置１０２は、発光層７において、発光層７に吸収材料が混在していない第１の層８（第１の部分）、発光層７に吸収材料が混在している第２の層９（第２の部分）及び発光層７に吸収材料が混在していない第３の層１０（第３の部分）により三層構造が形成されている点、が第１実施形態の表示装置１と異なる。
本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００７０】
発光層７は、第１の層８、第２の層９及び第３の層１０がバンドパスフィルター３の側からこの順に積層されて構成されている。
【００７１】
第１の層８及び第３の層１０は、発光材料がバインダー樹脂に分散されて構成されている。発光材料としては、上述した蛍光体材料を用いることができる。第１の層８及び第３の層１０は、上述した発光層に相当する。
【００７２】
第２の層９は、吸収材料がバインダー樹脂に分散されて構成されている。吸収材料としては、上述した吸収材料を用いることができる。第２の層９は、上述した吸収層に相当する。
【００７３】
本実施形態に係る表示装置１０２においては、発光層７が第１の層８、第２の層９及び第３の層１０の三層構造からなるため、第３の層１０に太陽光Ｌが入射しても、短波長光が第２の層９で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３の上の第１の層８に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０２を提供することができる。
【００７４】
尚、本実施形態では、発光層７が三層構造からなる例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層が四層以上の複数層構造からなっていてもよい。
【００７５】
また、本実施形態では、発光層７に吸収材料が混在している第２の層９を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層７に反射材料が混在している第２の層としてもよい。また、第２の層は、吸収材料及び反射材料の双方を含んでいてもよい。すなわち、第２の層には、吸収材料又は反射材料のうち少なくとも一つが含まれていればよい。
【００７６】
また、本実施形態では、第１の部分、第２の部分、第３の部分の各々が層構造である例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、第１の部分、第２の部分、第３の部分のうち少なくとも一つが層構造でなくてもよい。
【００７７】
［第５実施形態］
図１３は、本発明の第５実施形態に係る表示装置１０３を示す断面図である。図１３においては、便宜上、光源の図示を省略している。
図１３に示すように、本実施形態の表示装置１０３は、発光層１１に複数の散乱体１３が混在しており、吸収材料１４が複数の散乱体１３の各々を覆っている点、が第１実施形態の表示装置１と異なる。
本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００７８】
本実施形態の発光層１１は、複数の散乱体１３が前記発光材料（図示略）とともにバインダー樹脂１２全体に分散されて構成されている。吸収材料１４は、複数の散乱体１３の全部を覆っている。
【００７９】
図１４（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態に係る発光層１１の作用を説明するための図である。図１４（Ａ）は、比較例に係る表示装置１１００を説明するための図である。図１４（Ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１０３を説明するための図である。図１４（Ａ）、（Ｂ）においては、便宜上、光源の図示を省略している。
【００８０】
図１４（Ａ）に示すように、比較例に係る表示装置１１００では、複数の散乱体１１１３が発光材料（図示略）とともにバインダー樹脂１１１２全体に分散されることにより発光層１１１１が構成されているが、複数の散乱体１１１３が吸収材料で覆われていない。
【００８１】
発光層１１１１に太陽光Ｌが入射すると、発光層１１１１で吸収されなかった光が発光層１１１１を透過してバンドパスフィルター１００３に入射する。具体的には、発光層１１１１の内部の散乱体１１１３が吸収材料で覆われていないため、太陽光Ｌに含まれる短波長光が散乱体１１１３によって散乱されてバンドパスフィルター１００３に入射する。バンドパスフィルター１００３に短波長光が入射する状態が続くと、短波長光によりバンドパスフィルター１００３が劣化する場合がある。この場合、バンドパスフィルター１００３において、透過率の低下、反射率の上昇、変色等が生じる。その結果、表示装置１１００の表示品質が低下してしまう。
【００８２】
これに対し、本実施形態に係る表示装置１０３においては、図１４（Ｂ）に示すように、発光層１１に太陽光Ｌが入射しても、短波長光が散乱体１３を覆う吸収材料１４によって吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０３を提供することができる。
また、吸収材料１４が散乱体１３を覆う構成にすれば、バインダー樹脂の内部に吸収材料が分散された構成に比べて、吸収材料１４の使用量を削減することができるため、低コスト化を図ることができる。
【００８３】
尚、本実施形態では、吸収材料１４が複数の散乱体１３の全部を覆っている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、吸収材料が複数の散乱体のうちの一部の散乱体を覆っていてもよい。すなわち、吸収材料は、複数の散乱体のうち少なくとも一つを覆っていればよい。
【００８４】
［第６実施形態］
図１５は、本発明の第６実施形態に係る表示装置１０４を示す断面図である。
図１５に示すように、本実施形態の表示装置１０４は、光源２Ｂから青色光が射出され、発光層１５が、赤色蛍光体層１６と、緑色蛍光体層１７と、散乱層１８と、ブラックマトリクス２２と、を備えている点、が第１実施形態の表示装置１と異なる。
本実施形態において、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００８５】
光源２Ｂは、発光スペクトルにおいて、４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長域内に少なくとも一つの極大値を有するものが用いられる。すなわち、光源２Ｂは、青色領域内に強度のピークを持つ光を射出する。４４０ｎｍ〜４７０ｎｍの波長域に極大値を有する光は、後述の蛍光体層に吸収された際に蛍光体層を効率良く励起して蛍光を生じさせる。
【００８６】
赤色蛍光体層１６は、上述した青色光を赤色光に変換する蛍光体材料を用いてもよく、公知の蛍光体材料を用いてもよい。本実施形態では、赤色蛍光体層１６を構成する蛍光体材料として、ＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いる（図１６（Ａ）参照）。
【００８７】
緑色蛍光体層１７は、上述した青色光を緑色光に変換する蛍光体材料を用いてもよく、公知の蛍光体材料を用いてもよい。本実施形態では、緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料として、Ｃｏｕｍａｒｉｎを用いる（図１６（Ｂ）参照）。尚、緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料として、ＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いてもよい（図１６（Ｃ）参照）。
【００８８】
図１６（Ａ）〜（Ｃ）は、本実施形態に係る蛍光体材料の吸収スペクトルを示す図である。図１６（Ａ）〜（Ｃ）において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は吸光度（規格化）である。図１６（Ａ）は赤色蛍光体層１６を構成する蛍光体材料としてＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いた場合の吸収スペクトルであり、図１６（Ｂ）は緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料としてＣｏｕｍａｒｉｎを用いた場合の吸収スペクトルであり、図１６（Ｃ）は緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料としてＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いた場合の吸収スペクトルである。
【００８９】
図１６（Ａ）に示すように、赤色蛍光体層１６を構成する蛍光体材料としてＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いた場合の吸収スペクトルは、概ね５７０ｎｍにピーク波長を有する。図１６（Ｂ）に示すように、緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料としてＣｏｕｍａｒｉｎを用いた場合の吸収スペクトルは、概ね４４０ｎｍにピーク波長を有する。  図１６（Ｃ）に示すように、緑色蛍光体層１７を構成する蛍光体材料としてＢＡＳＦ社製のＬｕｍｏｇｅｎ（登録商標）を用いた場合の吸収スペクトルは、概ね４８０ｎｍにピーク波長を有する。
【００９０】
図１５に戻り、散乱層１８は、入射した青色光を散乱させて射出させる層である。散乱層１８には、複数の散乱体２０が混在しており、吸収材料２１が複数の散乱体２０の各々を覆っている。具体的には、複数の散乱体２０がバインダー樹脂１９全体に分散されて構成されている。吸収材料２１は、複数の散乱体２０の全部を覆っている。
【００９１】
ブラックマトリクス２２は、赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７及び散乱層１８を区画する位置に設けられている。ブラックマトリクス２２は、例えば黒色樹脂や金属等の光吸収性の高い材料で構成されている。
【００９２】
図１７（Ａ）、（Ｂ）は、本実施形態に係る発光層１５の作用を説明するための図である。図１７（Ａ）は、比較例に係る表示装置１１０１を説明するための図である。図１７（Ｂ）は、本実施形態に係る表示装置１０４を説明するための図である。図１７（Ａ）において、符号１１１５は発光層、符号１１１６は赤色蛍光体層、符号１１１７は緑色蛍光体層、符号１１１８は散乱層、符号１１１９はバインダー樹脂、符号１１２０は散乱体、符号１１２２はブラックマトリクスである。
【００９３】
図１７（Ａ）に示すように、比較例に係る表示装置１１０１では、複数の散乱体１１２０がバインダー樹脂１１１９全体に分散されることにより散乱層１１１８が構成されているが、複数の散乱体１１２０が吸収材料で覆われていない。
【００９４】
発光層１１１５が赤色蛍光体層１１１６、緑色蛍光体層１１１７及び散乱層１１１８を含む構成であると、散乱層１１１８は蛍光体層１１１６，１１１７に比べて短波長光を透過しやすい。そのため、発光層１１１５に太陽光Ｌが入射すると、太陽光Ｌに含まれる短波長光が散乱層１１１８によって散乱されてバンドパスフィルター１００３に入射する。バンドパスフィルター１００３に短波長光が入射する状態が続くと、短波長光によりバンドパスフィルター１００３が劣化する場合がある。この場合、バンドパスフィルター１００３において、透過率の低下、反射率の上昇、変色等が生じる。その結果、表示装置１１０１の表示品質が低下してしまう。
【００９５】
これに対し、本実施形態に係る表示装置１０４においては、図１７（Ｂ）に示すように、発光層１５に太陽光Ｌが入射しても、短波長光が散乱体２１を覆う吸収材料２１によって吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０４を提供することができる。
【００９６】
尚、本実施形態では、吸収材料２１が複数の散乱体２０の全部を覆っている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、吸収材料が複数の散乱体のうちの一部の散乱体を覆っていてもよい。すなわち、吸収材料は、複数の散乱体のうち少なくとも一つを覆っていればよい。
【００９７】
［第７実施形態］
図１８は、本発明の第７実施形態に係る表示装置１０５を示す断面図である。
図１８に示すように、本実施形態の表示装置１０５は、光源２Ｂとバンドパスフィルター３との間に、光源２Ｂから射出された光の透過光量を変調する液晶光変調装置２３が配置されている点、が第６実施形態の表示装置１０４と異なる。
本実施形態において、第６実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００９８】
本実施形態の表示装置１０５は、Ｒ，Ｇ，Ｂの各色の蛍光をそれぞれ発する蛍光体を備えた蛍光励起型のカラー液晶表示装置である。
【００９９】
液晶光変調装置２３は、第１偏光板２４と、液晶パネル２６と、第２偏光板２５と、を備えている。表示装置１０５においては、光源２Ｂから射出された光を液晶光変調装置２３で透過率変調した後、発光層１５により波長変換し、発せられたＲ、Ｇ、Ｂの色光によって所望のカラー表示を行う。観察者は、光源２Ｂが配置された側と反対側、すなわち、発光層１５が配置された側（図１８の上側）から表示を視認する。
【０１００】
液晶パネル２６は、第１基板２７と、第２基板２８と、第１基板２７と第２基板２８との間に挟持された液晶層２９と、を備えている。第１基板２７及び第２基板２８は、光透過性を有するガラス基板等で構成される。液晶パネル２６は、マトリクス状に配置されたＲ、Ｇ、Ｂのサブ画素毎に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）を備えたアクティブマトリクス型の液晶パネルである。
【０１０１】
第１基板２７には、ＩＴＯ等の透明導電膜で構成された複数の画素電極（図示略）が設けられている。１つの画素電極は１つのサブ画素に対応して設けられている。各画素電極にはＴＦＴ（図示略）が接続されている。さらに、第１基板２７には、データバスライン、ゲートバスライン等の配線（図示略）が設けられている。配向膜（図示略）は、複数の画素電極を覆うように設けられている。
【０１０２】
第２基板２８に、ＩＴＯ等の透明導電膜で構成された対向電極（図示略）が形成されている。配向膜（図示略）は、対向電極を覆うように形成されている。
【０１０３】
本実施形態の液晶パネル２６は、例えばＶＡ（Vertical Alignment, 垂直配向）モードで表示を行うものであり、液晶層２９には負の誘電異方性を有する垂直配向液晶が用いられる。表示モードとしては、上記のＶＡモードに限らず、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モード等を用いることができる。
【０１０４】
第１偏光板２４は、液晶パネル２６を構成する第１基板２７の外面に配置されている。
第２偏光板２５は、第２基板２８の外面に配置されている。本実施形態の第１偏光板２４及び第２偏光板２５は、液晶パネル２６の外側に位置する偏光板、いわゆるアウトセル型の偏光板である。第１偏光板２４及び第２偏光板２５は、例えば２色性染料からなる２色性色素、もしくはヨウ素を樹脂基材中に含む偏光板である。また、第１偏光板２４と第１基板２７との間、もしくは第２偏光板２５と第２基板２８との間に位相差板が設けられていてもよい。
【０１０５】
本実施形態の表示装置１０５においても、表示品質の低下を抑制することができる、という第６実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０６】
［第８実施形態］
図１９は、本発明の第８実施形態に係る表示装置１０６を示す断面図である。
図１９に示すように、本実施形態の表示装置１０６は、ブラックマトリクス２２を有する発光層１５に替えて光反射性を有する隔壁３６を有する発光層３５を備えている点、発光層３５の上面（光源２Ｂとは反対側の面）にカラーフィルター３０が配置されている点、が第７実施形態の表示装置１０５と異なる。
本実施形態において、第７実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１０７】
隔壁３６は、赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７及び散乱層１８を区画する位置に設けられている。隔壁３６は順テーパ形状を有している。隔壁３６には、少なくとも側面に光反射性の膜が形成されていればよい。光反射性の膜を形成する反射材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−ネオジウム合金、アルミニウム−シリコン合金等の反射性金属等が挙げられる。これらの反射材料の中でも、可視光全域に渡って高い反射率を有する観点から、アルミニウムまたは銀が好ましい。
なお、本実施形態において、反射材料は上記のものに限定されるものではないが、反射材料としては、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ表示系において８０％以上の反射率を有するものが好ましい。
【０１０８】
カラーフィルター３０は、赤色光を透過する赤色カラーフィルター３１と、緑色光を透過する緑色カラーフィルター３２と、青色光を透過する青色カラーフィルター３３と、ブラックマトリクス３４と、を備えている。
【０１０９】
赤色カラーフィルター３１は、赤色蛍光体層１６に対応する位置に配置されている。緑色カラーフィルター３２は、緑色蛍光体層１７に対応する位置に配置されている。青色カラーフィルター３３は、散乱層１８に対応する位置に配置されている。
【０１１０】
ブラックマトリクス３４は、隔壁３６に対応する位置に配置されている。ブラックマトリクス３４は、赤色カラーフィルター３１、緑色カラーフィルター３２及び青色カラーフィルター３３を区画する位置に設けられている。ブラックマトリクス３４は、例えば黒色樹脂や金属等の光吸収性の高い材料で構成されている。
【０１１１】
カラーフィルター３０は、発光層３５から射出される光の分光スペクトルを調整する機能と、表示装置１０６の上方から入射する外光の反射を抑制する機能を併せ持つ。
【０１１２】
図２０は、カラーフィルター３０の分光スペクトルを示す図である。図２０において、横軸は波長（ｎｍ）であり、縦軸は透過率（％）である。符号Ｒは赤色カラーフィルター３１の透過スペクトル、符号Ｇは緑色カラーフィルター３２の透過スペクトル、符号Ｂは青色カラーフィルター３３の透過スペクトルである。
【０１１３】
図２０に示すように、赤色カラーフィルター３１の透過スペクトルＲは、概ね７２０ｎｍにピーク波長を有する。緑色カラーフィルター３２の透過スペクトルＧは、概ね５２０ｎｍにピーク波長を有する。青色カラーフィルター３３の透過スペクトルＲは、概ね４６０ｎｍにピーク波長を有する。
【０１１４】
尚、対応する発光層３５（赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７、散乱層１８）とカラーフィルター３０（赤色カラーフィルター３１、緑色カラーフィルター３２、青色カラーフィルター３３）とにおいて、発光層３５（赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７、散乱層１８）からの射出光の分光スペクトルとカラーフィルター３０（赤色カラーフィルター３１、緑色カラーフィルター３２、青色カラーフィルター３３）の透過光の分光スペクトルとは、完全に一致する必要はなく、双方のスペクトルの少なくとも一部が重なっていればよい。すなわち、発光層３５（赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７、散乱層１８）から射出される光の色相とカラーフィルター３０（赤色カラーフィルター３１、緑色カラーフィルター３２、青色カラーフィルター３３）を透過する光の色相とが少なくとも一致していればよい。  
【０１１５】
図２１は、本実施形態に係るカラーフィルター３０の作用を説明するための図である。図２１においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
【０１１６】
図２１に示すように、本実施形態に係る表示装置１０６においては、発光層３５の上面にカラーフィルター３０が配置されているため、カラーフィルター３０に入射する外光のうち隔壁３６に向かう光Ｌ１をブラックマトリクス３４によって吸収することができる。一方、カラーフィルター３０に入射する外光のうち隔壁３６で区画された領域（赤色蛍光体層１６、緑色蛍光体層１７、散乱層１８）に向かう光Ｌ２は、カラーフィルター３０、発光層３５を透過し、バンドパスフィルターで反射され、発光層３５、カラーフィルター３０を透過するため、カラーフィルター３０、発光層３５の各々を２回透過することとなる。カラーフィルター３０、発光層３５の各々を２回透過した光の光量は、カラーフィルター３０に入射する前の光の光量に比べて、非常に小さくなる。
【０１１７】
本実施形態の表示装置１０６においても、表示品質の低下を抑制することができる、という第７実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態に係る表示装置１０６においては、発光層３５の上面にカラーフィルター３０が配置されているため、カラーフィルター３０の分光スペクトルを適宜調整することで、発光層３５から射出される光を所望の色相に調整することができる。また、カラーフィルター３０により外光の反射が抑制されるため、表示のコントラスト比を高めることができる。また、隔壁３６が順テーパ形状を有するため、発光層３５からその側方へ進行する光を光取出方向に効率よく伝播することができる。
【０１１８】
［第９実施形態］
図２２は、本発明の第９実施形態に係る表示装置１０７を示す断面図である。図２２においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２２に示すように、本実施形態の表示装置１０７は、複数の散乱体２０がバインダー樹脂１９全体に分散されることにより散乱層３９が構成されているが複数の散乱体２０が吸収材料で覆われていない点、カラーフィルター３０の上面（発光層３８とは反対側の面）全体に短波長光を吸収する吸収材料を含む吸収層３７が配置されている点、が第８実施形態の表示装置１０６と異なる。
本実施形態において、第８実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１１９】
本実施形態に係る表示装置１０７においては、カラーフィルター３０の上面全体に吸収層３７が配置されているため、カラーフィルター３０に太陽光が入射する前に、短波長光が吸収層３７で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３の上のカラーフィルター３０に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０７を提供することができる。
【０１２０】
尚、本実施形態では、カラーフィルター３０の上面に吸収層３７が配置された例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、カラーフィルター３０の上面に、短波長光を反射する反射材料を含む反射層が配置されていてもよい。また、カラーフィルター３０の上面に配置される層は、吸収材料及び反射材料の双方を含んでいてもよい。すなわち、カラーフィルター３０の上面に配置される層には、吸収材料又は反射材料のうち少なくとも一つが含まれていればよい。
【０１２１】
［第１０実施形態］
図２３は、本発明の第１０実施形態に係る表示装置１０８を示す断面図である。図２３においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２３に示すように、本実施形態の表示装置１０８は、発光層３８の下面（バンドパスフィルター３の側の面）全体に吸収層３７が配置されている点、が第９実施形態の表示装置１０７と異なる。
本実施形態において、第９実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１２２】
本実施形態に係る表示装置１０８においては、発光層３８の下面全体に吸収層３７が配置されているため、発光層３８に太陽光が入射しても、短波長光が吸収層３７で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０８を提供することができる。
【０１２３】
尚、図２２及び図２３では、カラーフィルター３０の上面又は発光層３８の下面に吸収層３７が配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、カラーフィルター３０の上面及び発光層３８の下面の双方に吸収層３７が配置されていてもよい。
【０１２４】
［第１１実施形態］
図２４は、本発明の第１１実施形態に係る表示装置１０９を示す断面図である。図２４においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２４に示すように、本実施形態の表示装置１０９は、発光層３８とカラーフィルター３０との間の界面全体に吸収層３７が配置されている点、が第９実施形態の表示装置１０７と異なる。
本実施形態において、第９実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１２５】
本実施形態に係る表示装置１０９においては、発光層３８とカラーフィルター３０との間の界面全体に吸収層３７が配置されているため、カラーフィルター３０に太陽光が入射しても、短波長光が吸収層３７で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１０９を提供することができる。
【０１２６】
［第１２実施形態］
図２５は、本発明の第１２実施形態に係る表示装置１１０を示す断面図である。図２５においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２５に示すように、本実施形態の表示装置１１０は、カラーフィルター３０の上面（発光層３８とは反対側の面）の一部に吸収層４０が配置されている点、が第９実施形態の表示装置１０７と異なる。
本実施形態において、第９実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１２７】
本実施形態の吸収層４０は、カラーフィルター３０の上面のうち青色カラーフィルター３３の上面にのみ選択的に配置されている。吸収層４０は、散乱層３９に対応する位置にのみ選択的に配置されている。
【０１２８】
本実施形態の表示装置１１０においても、表示品質の低下を抑制することができる、という第９実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態に係る表示装置１１０においては、カラーフィルター３０の上面全体に吸収層が配置される構成に比べて、吸収層の大きさを小さくすることができるため、低コスト化を図ることができる。
【０１２９】
［第１３実施形態］
図２６は、本発明の第１３実施形態に係る表示装置１１１を示す断面図である。図２６においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２６に示すように、本実施形態の表示装置１１１は、発光層３８の下面（バンドパスフィルター３の側の面）の一部に吸収層４０が配置されている点、が第１０実施形態の表示装置１０８と異なる。
本実施形態において、第１０実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３０】
本実施形態の吸収層４０は、発光層３８の下面のうち散乱層３９の下面にのみ選択的に配置されている。吸収層４０は、散乱層３９に対応する位置にのみ選択的に配置されている。
【０１３１】
本実施形態の表示装置１１１においても、表示品質の低下を抑制することができる、という第１０実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態に係る表示装置１１１においては、発光層３８の下面全体に吸収層が配置される構成に比べて、吸収層の大きさを小さくすることができるため、低コスト化を図ることができる。
【０１３２】
［第１４実施形態］
図２７は、本発明の第１４実施形態に係る表示装置１１２を示す断面図である。図２７においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２７に示すように、本実施形態の表示装置１１２は、発光層３８とカラーフィルター３０との間の界面の一部に吸収層４０が配置されている点、が第１１実施形態の表示装置１０９と異なる。
本実施形態において、第１１実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３３】
本実施形態の吸収層４０は、発光層３８とカラーフィルター３０との間の界面のうち散乱層３９と青色カラーフィルター３３との間の界面にのみ選択的に配置されている。吸収層４０は、散乱層３９に対応する位置にのみ選択的に配置されている。
【０１３４】
本実施形態の表示装置１１２においても、表示品質の低下を抑制することができる、という第１１実施形態と同様の効果が得られる。さらに、本実施形態に係る表示装置１１２においては、発光層３８とカラーフィルター３０との間の界面全体に吸収層が配置される構成に比べて、吸収層の大きさを小さくすることができるため、低コスト化を図ることができる。
【０１３５】
［第１５実施形態］
図２８は、本発明の第１５実施形態に係る表示装置１１３を示す断面図である。図２８においては、便宜上、光源２Ｂ及び液晶光変調装置２３の図示を省略している。
図２８に示すように、本実施形態の表示装置１１３は、発光層３５の下面（バンドパスフィルター３の側の面）全体に吸収層３７が配置されている点、が第８実施形態の表示装置１０６と異なる。
本実施形態において、第８実施形態と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【０１３６】
本実施形態に係る表示装置１１３においては、発光層３５に太陽光が入射しても、短波長光が散乱体２０を覆う吸収材料２１によって吸収される。さらに、発光層３５の下面全体に吸収層３７が配置されているため、短波長光が散乱層１８を透過しても、短波長光が吸収層３７で吸収される。そのため、バンドパスフィルター３に短波長光が入射することを抑制することができ、バンドパスフィルター３が短波長光により劣化してしまうことを抑制することができる。従って、本実施形態によれば、表示品質の低下を抑制することが可能な表示装置１１３を提供することができる。
【０１３７】
尚、本実施形態では、発光層３５の下面に吸収層３７が配置された例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、発光層３５の下面に、短波長光を反射する反射材料を含む反射層が配置されていてもよい。また、発光層３５の下面に配置される層は、吸収材料及び反射材料の双方を含んでいてもよい。すなわち、発光層３５の下面に配置される層には、吸収材料又は反射材料のうち少なくとも一つが含まれていればよい。
【０１３８】
また、図２８では、発光層３５の下面に吸収層３７が配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。例えば、カラーフィルター３０の上面に吸収層３７が配置されていてもよいし、カラーフィルター３０の上面及び発光層３８の下面の双方に吸収層３７が配置されていてもよい。さらに、カラーフィルター３０と発光層３８との間の界面に吸収層が配置されていてもよい。
【０１３９】
尚、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１４０】
本発明は、蛍光励起型の液晶表示装置などの各種表示装置に利用可能である。
【符号の説明】
【０１４１】
２，２Ｂ…光源、３…バンドパスフィルター（光変調層）、４，５，７，１１，３５，３８…発光層、１３，２０…散乱体、１４，２１…吸収材料、１６…赤色蛍光体層、１７…緑色蛍光体層、１８，３９…散乱層、２３…液晶光変調装置（光変調装置）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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