(57)【要約】【課題】  簡素な構成の成膜装置を提供する。【解決手段】  成膜装置１０は、処理容器３０と、排気装置８３と、内側支持部５０と、外側支持部５５と、一以上の載置台６０と、ガス供給部４０と、ヒータ部７０とを備える。内側支持部５０は、円筒形状を有し、処理容器３０内において軸線中心に回転可能に設けられる。外側支持部５５は、円筒形状を有し、処理容器３０内において内側支持部５０と同軸に設けられると共に軸線中心に回転可能に設けられる。載置台６０は、内側支持部５０によって支持される内側縁６０ａと外側支持部５５によって支持される外側縁６０ｂを有する。また、一以上の載置台６０は、軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域６２を提供する。ヒータ部７０は、内側支持部５０と外側支持部５５の間、且つ、一以上の載置台６０の下方において固定配置される。【選択図】  図１
2014110378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器と、
排気装置と、
円筒形状を有し、前記処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられた内側支持部と、
円筒形状を有し、前記処理容器内において前記内側支持部と同軸に設けられており、前記軸線中心に回転可能に設けられた外側支持部と、
前記内側支持部によって支持される内側縁と前記外側支持部によって支持される外側縁を有し、前記軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する一以上の載置台と、
前記一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給するガス供給部と、
前記一以上の載置台を加熱する加熱部であり、前記内側支持部と前記外側支持部の間、且つ、前記一以上の載置台の下方において固定配置された該加熱部と、
を備える成膜装置。
【請求項２】
前記一以上の載置台として、前記軸線中心に配列される扇形形状の複数の載置台を備える、請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記処理容器には、前記複数の載置台を通過させるための開口が形成されており、
前記開口を開閉させるためのゲートバルブを更に備え、
前記開口の大きさは、前記外側支持部の直径よりも小さい、
請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記内側支持部と前記外側支持部の間に配置され、前記加熱部から照射された光を前記載置台へ向けて反射させる反射部を更に備える、請求項１〜３のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項５】
処理容器と、
排気装置と、
円筒形状を有し、前記処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられた内側支持部と、
前記内側支持部によって支持される内側縁を有し、前記軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する一以上の載置台と、
前記一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給するガス供給部と、
前記一以上の載置台を加熱する加熱部であり、前記一以上の載置台の下方において固定配置された該加熱部と、
を備える成膜装置。
【請求項６】
処理容器と、
排気装置と、
円筒形状を有し、前記処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられた外側支持部と、
前記外側支持部によって支持される外側縁を有し、前記軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する一以上の載置台と、
前記一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給するガス供給部と、
前記一以上の載置台を加熱する加熱部であり、前記一以上の載置台の下方において固定配置された該加熱部と、
を備える成膜装置。
【請求項７】
処理容器と、
排気装置と、
前記処理容器内において、軸線を中心とする環状の載置台載置領域を提供する環状支持部と、
前記環状支持部が前記軸線中心に回転可能となるように前記環状支持部の内側縁を支持する内側支持部と、
前記環状支持部が前記軸線中心に回転可能となるように前記環状支持部の外側縁を支持する外側支持部と、
前記環状支持部の前記載置台載置領域に載置され、前記軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する一以上の載置台と、
前記一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給するガス供給部と、
前記一以上の載置台を加熱する加熱部であり、前記内側支持部と前記外側支持部の間、且つ、前記一以上の載置台の下方において固定配置された該加熱部と、
を備える成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、成膜装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるプロセスの一つに、成膜プロセスがある。成膜プロセスでは、一般的に、処理容器内に収容された基板を加熱した状態で、処理容器内に原料ガスを供給することにより、基板上に成膜が行われる。
【０００３】
このような成膜プロセスを行うための成膜装置には、一枚の基板に対して成膜を行う枚葉式の装置と、複数の基板に対して同時に成膜を行うセミバッチ式の装置とがある。後者のタイプの装置は、その上に複数の基板を載置可能な基板ホルダーを、処理容器内に設けられた回転台上に搭載する構成を有している。このタイプの装置では、回転台を回転させることにより複数の基板を処理容器内で回転させるので、当該複数の基板は原料ガスに均一に曝される。このような成膜装置は、特許文献１に記載されている。
【０００４】
特許文献１に記載された成膜装置では、基板に対して原料ガスを供給するためにシャワーヘッドが回転台の上方に設けられる。また、基板を加熱するためのヒータが略円盤状の回転台内に設けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−９６９１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された装置では、回転台内にヒータが設けられているので、ヒータに電力を供給する電源とヒータとの間の配線等の構成が複雑になる。
【０００７】
従って、本技術分野においては、簡素な構成の成膜装置が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面に係る成膜装置は、処理容器と、排気装置と、内側支持部と、外側支持部と、一以上の載置台と、ガス供給部と、加熱部とを備える。内側支持部は、円筒形状を有し、処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられる。外側支持部は、円筒形状を有し、処理容器内において内側支持部と同軸に設けられると共に軸線中心に回転可能に設けられる。載置台は、内側支持部によって支持される内側縁と外側支持部によって支持される外側縁を有する。また、一以上の載置台は、軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する。ガス供給部は、一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給する。加熱部は、一以上の載置台を加熱する。また、加熱部は、内側支持部と外側支持部の間、且つ、一以上の載置台の下方において固定配置される。
【０００９】
一実施形態に係る成膜装置は、一以上の載置台として、軸線中心に配列される扇形形状の複数の載置台を備え得る。
【００１０】
一実施形態に係る成膜装置において、処理容器には、複数の載置台を通過させるための開口が形成され得る。開口を開閉させるためのゲートバルブを更に備え得る。開口の大きさは、外側支持部の直径よりも小さくし得る。
【００１１】
一実施形態に係る成膜装置は、内側支持部及び外側支持部の間に反射部を更に備え得る。反射部は、加熱部から照射された光を載置台へ向けて反射させ得る。
【００１２】
本発明の他の一側面に係る成膜装置は、処理容器と、排気装置と、内側支持部と、一以上の載置台と、ガス供給部と、加熱部とを備える。内側支持部は、円筒形状を有し、処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられる。一以上の載置台は、内側支持部によって支持される内側縁を有し、軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する。ガス供給部は、一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給する。加熱部は、一以上の載置台を加熱する加熱部であり、一以上の載置台の下方において固定配置される。
【００１３】
本発明の更に他の一側面に係る成膜装置は、処理容器と、排気装置と、外側支持部と、一以上の載置台と、ガス供給部と、加熱部とを備える。外側支持部は、円筒形状を有し、処理容器内において軸線中心に回転可能に設けられる。一以上の載置台は、外側支持部によって支持される外側縁を有し、軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する。ガス供給部は、一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給する。加熱部は、一以上の載置台を加熱する加熱部であり、一以上の載置台の下方において固定配置される。
【００１４】
本発明のより更に他の一側面に係る成膜装置は、処理容器と、排気装置と、環状支持部と、内側支持部と、外側支持部と、一以上の載置台と、ガス供給部と、加熱部とを備える。環状支持部は、処理容器内において、軸線を中心とする環状の載置台載置領域を提供する。内側支持部は、環状支持部が軸線中心に回転可能となるように環状支持部の内側縁を支持する。外側支持部は、環状支持部が軸線中心に回転可能となるように環状支持部の外側縁を支持する。一以上の載置台は、環状支持部の載置台載置領域に載置され、軸線を中心とする環状の領域において複数の基板載置領域を提供する。ガス供給部は、一以上の載置台の上方から該一以上の載置台に向けて処理ガスを供給する。加熱部は、一以上の載置台を加熱する加熱部であり、内側支持部と外側支持部の間、且つ、一以上の載置台の下方において固定配置される。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明の種々の側面・種々の実施形態によれば、簡素な構成の成膜装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図２に示す成膜装置から、載置台を取り除いた状態を示す断面図である。
【図４】図１に示す成膜装置を適用した成膜システムの概略構成を示す平面図である。
【図５】変形例に係る成膜装置を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本発明に係る成膜装置の種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附す。
【００１８】
図１は、一実施形態に係る成膜装置を概略的に示す断面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図２に示す成膜装置から、載置台を取り除いた状態を示す断面図である。図１〜図３に示すように、成膜装置１０は、処理容器３０、ガス供給部４０、内側支持部５０、外側支持部５５、載置台６０、及び、ヒータ部（加熱部）７０を含んで構成される。本実施形態の成膜装置１０は、薄膜を成膜するＭＯＣＶＤ（Metal  Organic  Chemical  Vapor  Deposition）装置である。
【００１９】
処理容器３０は、軸線Ｘ方向に延在する円筒形状の容器である。処理容器３０は、その内部に、基板Ｗに対して成膜処理を行うための円筒形状の処理空間Ｓを画成する。一実施形態において、処理容器３０は、天板３１、底板３２、外周壁３３、及び、内周壁３４を含んで構成され得る。天板３１及び底板３２は、それぞれ環状に形成される。外周壁３３及び内周壁３４は、それぞれ円筒形状に形成される。外周壁３３は、内周壁３４よりも大径となっている。天板３１の内周縁に、内周壁３４の上端が接続される。天板３１の外周縁に外周壁３３の上端が接続される。底板３２の内周縁に、内周壁３４の下端が接続される。これにより、軸線Ｘを中心軸とした円筒形状の処理空間Ｓが形成される。底板３２の外周縁と外周壁３３の内周面との間には、所定の隙間が設けられる。
【００２０】
内側支持部５０は、円筒形状を有し、処理容器３０内において軸線Ｘと同軸に配置される。内側支持部５０の下端は、内周壁３４の下端部に設けられたベアリング５０ｂによって底板３２に対して回転可能に支持される。内側支持部５０は、軸線Ｘを回転軸として処理容器３０に対して相対的に回転する。
【００２１】
外側支持部５５は、円筒形状を有し、内側支持部５０よりも大径に形成される。外側支持部５５は、処理空間Ｓ内において内側支持部５０と同軸に配置される。外側支持部５５の下端は、底板３２の上面に設けられたベアリング５５ｂによって底板３２に対して回転可能に支持される。外側支持部５５は、軸線Ｘを回転軸として処理容器３０に対して相対的に回転する。
【００２２】
載置台６０は、複数設けられ、軸線Ｘを中心とする環状の領域において複数の基板載置領域６２（図２参照）を提供する。複数の載置台６０は、それぞれ、内側支持部５０によって着脱可能に支持される内側縁６０ａと、外側支持部５５によって着脱可能に支持される外側縁６０ｂとを有する。
【００２３】
一実施形態においては、図２に示すように、複数の載置台６０を、軸線Ｘを中心として配列される扇形形状の複数の載置台６０により構成してもよい。このように、載置台６０を扇形形状とすることで、複数の載置台６０を、軸線Ｘを中心とする環状に配列することができ、多くの基板載置領域６２を提供することができる。図２では、８枚の載置台６０が設けられた例を示しているが、載置台６０の枚数は８枚に限定されない。基板載置領域６２は、載置台６０の上面に形成される。基板載置領域６２は、当該領域に載置される基板Ｗの直径と略同様、又は、基板Ｗの直径よりも若干大きな直径を有する凹部として構成されている。載置台６０に基板載置領域６２を形成する際に、軸線Ｘから離れるにしたがって載置台６０に形成される基板載置領域６２の数を多くしてもよい。
【００２４】
ヒータ部７０は、内側支持部５０及び外側支持部５５の間であって載置台６０の下方に固定配置される。ヒータ部７０は、底板３２に固定される。図１及び図３に示すように、ヒータ部７０は、内側ヒータ部７１、中央ヒータ部７２、及び、外側ヒータ部７３を含んで構成される。内側ヒータ部７１は、環状を有し、内側支持部５０の周りに配置される。内側ヒータ部７１は、環状を有し、内側ヒータ部７１の周りに配置される。外側ヒータ部７３は、環状を有し、中央ヒータ部７２の周りに配置される。中央ヒータ部７２における径方向の幅は、内側ヒータ部７１及び外側ヒータ部７３における径方向の幅よりも広い。
【００２５】
内側ヒータ部７１は、内側ヒータ部７１の周方向に沿って並べて配置された第１内側ヒータ部７１Ａ、第２内側ヒータ部７１Ｂ、及び、第３内側ヒータ部７１Ｃを含んで構成される。中央ヒータ部７２は、中央ヒータ部７２の周方向に沿って並べて配置された第１中央ヒータ部７２Ａ、第２中央ヒータ部７２Ｂ、及び、第３中央ヒータ部７２Ｃを含んで構成される。外側ヒータ部７３は、外側ヒータ部７３の周方向に沿って並べて配置された第１外側ヒータ部７３Ａ、第２外側ヒータ部７３Ｂ、及び、第３外側ヒータ部７３Ｃを含んで構成される。
【００２６】
第１内側ヒータ部７１Ａ、第２内側ヒータ部７１Ｂ、第３内側ヒータ部７１Ｃ、第１中央ヒータ部７２Ａ、第２中央ヒータ部７２Ｂ、第３中央ヒータ部７２Ｃ、第１外側ヒータ部７３Ａ、第２外側ヒータ部７３Ｂ、及び、第３外側ヒータ部７３Ｃは、配線７４ａを介して電力供給部７４に接続される。ヒータ部７０は、電力供給部７４から供給された電力により発熱する。配線７４ａは、内側支持部５０と外側支持部５５との間の空間を通り、電力供給部７４に接続される。
【００２７】
内側ヒータ部７１及び外側ヒータ部７３は、中央ヒータ部７２よりも外部に熱が逃げ易い場合がある。この場合、電力供給部７４は、内側ヒータ部７１及び外側ヒータ部７３が、中央ヒータ部７２よりも高温となるように、供給する電力を制御してもよい。このような制御を行うことで、載置台６０に載置された基板Ｗを均一に加熱することができる。また、内側ヒータ部７１、中央ヒータ部７２、及び外側ヒータ部７３の設定温度をそれぞれ異なるように、供給する電力を制御してもよい。このような制御を行うことで、成膜温度以外に起因する膜質の差を補正することができ、最終的に均一な膜質を得ることもできる。ヒータ部７０を複数のヒータ部によって構成することで、ヒータ部７０に不具合が生じた場合に、不具合が生じたヒータ部のみを容易に交換することができる。
【００２８】
一実施形態においては、ヒータ部７０の下方に、反射板（反射部）７５を設けてもよい。反射板７５は、ヒータ部７０から照射された光を載置台６０側に向けて反射させ得る。この場合、載置台６０上の基板Ｗを効率よく加熱することができる。
【００２９】
また、成膜装置１０は、内側ヒータ部７１、中央ヒータ部７２、及び外側ヒータ部７３の温度を計測する温度計測器７６を備えていてもよい。内側ヒータ部７１、中央ヒータ部７２、及び外側ヒータ部７３には、それぞれ、温度計測用のセンサー７６ａが設けられる。センサー７６ａとして、例えば、熱電対を用いることができる。センサー７６ａは、内側支持部５０と外側支持部５５との間の空間を通り、温度計測器７６に接続される。
【００３０】
外周壁３３と外側支持部５５とに間には、環状の排気路８０が形成される。排気路８０の上部には、複数の貫通孔が設けられた環状のバッフル板８１が取り付けられる。バッフル板８１の外周縁は外周壁３３の内周壁に固定され、バッフル板８１の内周縁は外側支持部５５の上端部の位置まで延びている。
【００３１】
排気路８０には、圧力調整器８２を介して排気装置８３が接続される。排気装置８３は、真空ポンプを有している。圧力調整器８２は、排気装置８３の排気量を調整して処理空間Ｓ内の圧力を調整する。排気装置８３により、処理容器３０内の処理空間Ｓを所望の真空度まで減圧することができる。
【００３２】
ガス供給部４０は、第１ガス供給部４１、第２ガス供給部４２、及び、シャワーヘッド４３を含んで構成される。シャワーヘッド４３は、天板３１における処理空間Ｓ側の面に取り付けられる。即ち、シャワーヘッド４３は、載置台６０に載置された基板Ｗの上面に対向する。シャワーヘッド４３には、複数の第１吐出孔４３ａ、及び、複数の第２吐出孔４３ｂが設けられる。第１吐出孔４３ａ及び第２吐出孔４３ｂは、軸線Ｘ方向から見てマトリックス状に交互に配置される。
【００３３】
第１ガス供給部４１は、第１吐出孔４３ａに２種類の処理ガスを供給する。第１ガス供給部４１からシャワーヘッド４３に供給された処理ガスは、第１吐出孔４３ａから基板Ｗに向けて吐出される。第１ガス供給部４１は、第１弁４１ａ、第１流量制御器４１ｂ、及び、第１ガス源４１ｃと、第２弁４１ｄ、第２流量制御器４１ｅ、及び、第２ガス源４１ｆとを含んで構成される。
【００３４】
第１流量制御器４１ｂは、第１ガス源４１ｃから供給される処理ガスの流量を制御する。第１弁４１ａは、第１流量制御器４１ｂからシャワーヘッド４３への処理ガスの流通及び流通の遮断を切り替える。第１ガス源４１ｃとして、例えば、窒化ガリウムを成膜する際のガリウムの前駆体となるトリメチルガリウムガス源を用いることができる。
【００３５】
第２流量制御器４１ｅは、第２ガス源４１ｆから供給される処理ガスの流量を制御する。第２弁４１ｄは、第２流量制御器４１ｅからシャワーヘッド４３への処理ガスの流通及び流通の遮断を切り替える。希釈ガスとして用いられる第２ガス源４１ｆとして、例えば、水素ガスを用いることができる。
【００３６】
第２ガス供給部４２は、第２吐出孔４３ｂに２種類の処理ガスを供給する。第２ガス供給部４２からシャワーヘッド４３に供給された処理ガスは、第２吐出孔４３ｂから基板Ｗに向けて吐出される。第２ガス供給部４２は、第３弁４２ａ、第３流量制御器４２ｂ、及び、第３ガス源４２ｃと、第４弁４２ｄ、第４流量制御器４２ｅ、及び、第４ガス源４２ｆとを含んで構成される。
【００３７】
第３流量制御器４２ｂは、第３ガス源４２ｃから供給される処理ガスの流量を制御する。第３弁４２ａは、第３流量制御器４２ｂからシャワーヘッド４３への処理ガスの流通及び流通の遮断を切り替える。窒化ガリウムを成膜する際の窒素源となる第３ガス源４２ｃとして、少なくとも窒素が含まれるガスが用いられる。例えば、アンモニア、窒素、ヒドラジンを用いることができる。
【００３８】
第４流量制御器４２ｅは、第４ガス源４２ｆから供給される処理ガスの流量を制御する。第４弁４２ｄは、第４流量制御器４２ｅからシャワーヘッド４３への処理ガスの流通及び流通の遮断を切り替える。希釈ガスとして用いられる第４ガス源４２ｆとして、例えば、水素ガスを用いることができる。
【００３９】
第１吐出孔４３ａ及び第２吐出孔４３ｂのそれぞれから吐出された処理ガスは、処理空間Ｓで混合される。
【００４０】
排気装置８３によって処理空間Ｓを所望の真空度にした後、ヒータ部７０によって基板Ｗを加熱し、シャワーヘッド４３から処理ガスを吐出することで、載置台６０に載置された基板Ｗの処理が行われる。
【００４１】
また、載置台６０上の複数の基板Ｗに均一に処理ガスが供給されるように、軸線Ｘを回転軸として載置台６０を回転させる。載置台６０を回転駆動する機構の一例について説明する。内周壁３４の内側に、軸線Ｘを回転軸として回転する電磁コイル２１を備えた駆動装置２０を設ける。内側支持部５０を磁性体によって形成し、内周壁３４を非磁性体によって形成する。電磁コイル２１の極性を変更することによって、内側支持部５０と共に複数の載置台６０を回転させることができる。他の例として、電磁コイル２１と内側支持部５０とが互いに引き付けあっている状態で、電磁コイル２１を回転させることで、内側支持部５０と共に複数の載置台６０を回転させることができる。なお、この場合は、電磁コイル２１の代わりに、永久磁石を用いてもよい。また、他の例として、処理空間Ｓ内に内側支持部５０及び外側支持部５５のうちの少なくともいずれかを駆動するモータを設け、このモータの駆動力によって載置台６０を回転させてもよい。載置台６０を回転駆動する機構については上述した機構に限定されず、種々の機構を用いることができる。
【００４２】
図２に示すように、外周壁３３の一部には、ゲートバルブ９０が設けられる。ゲートバルブ９０は、外周壁３３に設けられた開口部３３ａを開閉する。ゲートバルブ９０を介して、基板Ｗが載置された載置台６０が処理空間Ｓに搬入、又は、処理空間Ｓから載置台６０が搬出される。一実施形態においては、開口部３３ａを、外側支持部５５の直径よりも小さく、且つ、載置台６０が通過可能な大きさに形成してもよい。この場合、載置台６０を開口部３３ａを介して搬送可能としつつ、ゲートバルブ９０の小型化を図ることができる。また、図３に示すように、処理容器３０内において、ゲートバルブ９０の近傍には載置台６０の上げ下げを行う受渡機構９１を備え得る。受渡機構９１は、搬送アーム１２１から内側支持部５０及び外側支持部５５への載置台６０の受け渡し時、及び、内側支持部５０及び外側支持部５５から搬送アーム１２１への載置台６０の受け渡し時に載置台６０を上下させ、受け渡しの補助を行う。
【００４３】
図４に、成膜装置を適用した成膜システムの概略構成を示す。図４に示すように、成膜システム１は、成膜装置１０及び１０Ａ、ロードロックチャンバ１１０、搬送室１２０、及び、ストッカ１３０を含んで構成される。なお、成膜装置１０Ａは、成膜装置１０と同じ構成である。
【００４４】
搬送室１２０は、成膜装置１０と成膜装置１０Ａとの間に配置される。搬送室１２０の室内空間１２０ａは、成膜装置１０のゲートバルブ９０を介して、成膜装置１０の処理空間Ｓに接続される。また、搬送室１２０の室内空間１２０ａは、成膜装置１０Ａのゲートバルブ９０を介して、成膜装置１０Ａの処理空間Ｓに接続される。更に、搬送室１２０には、ロードロックチャンバ１１０、及び、ストッカ１３０が接続される。
【００４５】
搬送室１２０の室内空間１２０ａには、搬送アーム１２１が備えられる。搬送アーム１２１は、ロードロックチャンバ１１０内に搬送された載置台６０を、ストッカ１３０又は成膜装置１０等に搬送したり、成膜装置１０及び１０Ａ内の載置台６０をストッカ１３０又はロードロックチャンバ１１０に搬送したりする。
【００４６】
成膜装置１０から処理済みの基板Ｗが載置された載置台６０を取り出し、未処理の基板Ｗが載置された載置台６０を成膜装置１０内に搬入する搬送処理の一例について説明する。まず、外部の装置からロードロックチャンバ１１０内に、未処理の基板Ｗが載置された８枚の載置台６０を搬入する。そして、ロードロックチャンバ１１０内を減圧する。なお、搬送室１２０及びストッカ１３０内は減圧状態であるものとする。次に、ロードロックチャンバ１１０と搬送室１２０との間のゲートバルブを開け、ロードロックチャンバ１１０内の載置台６０を、搬送アーム１２１によって１枚ずつストッカ１３０に収納する。そして、搬送室１２０とロードロックチャンバ１１０との間のゲートバルブを閉じる。
【００４７】
次に、成膜装置１０と搬送室１２０との間のゲートバルブ９０を開け、成膜装置１０内の処理済みの基板Ｗが載置された載置台６０を搬送アーム１２１によって受け取り、ストッカ１３０に収納する。そして、ストッカ１３０に収納された未処理の基板Ｗが載置された載置台６０を搬送アーム１２１によって受け取り、成膜装置１０の処理空間Ｓに搬送する。この成膜装置１０とストッカ１３０との間での載置台６０の交換を繰り返し、成膜装置１０内の載置台６０を、全て、未処理の基板Ｗが載置された載置台６０に交換する。
【００４８】
交換が完了すると、成膜装置１０と搬送室１２０との間のゲートバルブ９０を閉じ、搬送室１２０とロードロックチャンバ１１０との間のゲートバルブを開ける。そして、ストッカ１３０に収納された処理済みの基板Ｗが載置された８枚の載置台６０を搬送アーム１２１によって１枚ずつロードロックチャンバ１１０に収納する。そして、搬送室１２０とロードロックチャンバ１１０との間のゲートバルブを閉じ、ロードロックチャンバ１１０内から、処理済みの基板Ｗが載置された載置台６０を取り出す。なお、上述した搬送処理の手順は一例であり、他の手順で載置台６０の搬送を行ってもよい。また、ロードロックチャンバ１１０は、載置台６０を一枚のみ搬入可能な狭隘な空間で構成されていてもよい。この場合であっても、ストッカ１３０が設けられているのでスループットを低下させずに載置台６０の搬入出が可能となる。
【００４９】
本実施形態は以上のように構成され、載置台６０を、内側支持部５０と外側支持部５５とによって支持することで、内側支持部５０と外側支持部５５との間に空間が形成される。内側支持部５０と外側支持部５５との間、且つ、載置台６０の下方にヒータ部７０を配置することで、ヒータ部７０を、底板３２に容易に固定配置することができる。ヒータ部７０が内側支持部５０等のように回転しないため、ヒータ部７０に電力を供給する配線７４ａ等の配置位置や構成を簡素なものとすることができる。従って、簡素な構成の成膜装置１０を得ることができる。
【００５０】
また、載置台６０の内側縁６０ａと外側縁６０ｂとをそれぞれ内側支持部５０と外側支持部５５とで支持することで、載置台６０が大型化しても確実に載置台６０を支持することができる。
【００５１】
また、本実施形態に係る成膜装置１０では、内側支持部５０と外側支持部５５との間に広い空間を形成することができる。この空間を用いて、温度計測器７６のセンサー７６ａを容易に設置することができる。センサー７６ａを設置する空間が広いので、センサー７６ａの交換作業等も容易に行うことができる。また、センサー７６ａ周辺は、処理容器３０内が減圧状態であるために異常放電が発生する恐れがある。しかしながら、センサー７６ａを設置する空間が広いため、センサー７６ａを設置したとしても異常放電の発生を抑制できる。加えて、ヒータ部７０に直流電流を供給する場合、処理容器３０内が減圧状態であるために異常放電が発生する恐れがある。しかしながら、配線７４ａを設置する空間が広いため、配線７４ａを設置したとしても異常放電の発生を抑制できる。なお、温度計測器７６及びセンサー７６ａの例として熱電対を示したが、ヒータ部７０の下方側の空間が広いため、測定ゾーンを直接狙う赤外放射温度計や、パイロメーター等の非接触温度計を容易に設けることができる。
【００５２】
本実施形態に係る成膜装置１０は、載置台６０上の基板Ｗを軸線Ｘを中心として公転のみさせるものである。このため、本実施形態に係る成膜装置１０は、基板を公転と自転とをさせる成膜装置に対して簡素な構成とすることができる。また、本実施形態に係る成膜装置１０は、シャワーヘッド４３を用いて基板Ｗに処理ガスを供給する構成であるので、基板Ｗが公転のみしか行わないものであったとしても、複数の基板Ｗに均一に処理ガスを供給することができる。
【００５３】
以上、種々の実施形態について説明したが、上述した実施形態に限定されることなく、種々の変形形態を構成可能である。例えば、上述した、処理空間Ｓに供給する処理ガスの種類は一例であり、他の処理ガスを供給してもよい。また、本実施の形態では、ＭＯＣＶＤ装置について説明したが、これにとらわれず、ＭＯＶＰＥ(Metal-Organic  Vapor  Phase  Epitaxy)装置、ＣＶＤ装置、ＡＬＤ（Atomic  Layer  Deposition）装置、ＰＶＤ装置のような成膜装置であってよく、膜の改質を行う装置やエッチング装置等の処理装置であってもよい。
【００５４】
また、上述した実施形態では、シャワーヘッド４３を用いて基板Ｗに処理ガスを供給するものとしたが、シャワーヘッド４３を用いるものに限定されない。例えば、シャワーヘッド４３に代えて、環状に配置された複数の載置台６０の中央部から周辺部に向けて処理ガスを供給するインジェクタ等を用いることもできる。
【００５５】
また、上述した実施形態では、載置台６０の内側縁及び外側縁を、それぞれ内側支持部５０及び外側支持部５５によって支持するものとしたが、内側支持部５０によって載置台６０の内側縁のみを支持する構成であってもよく、外側支持部５５によって載置台６０の外側縁のみを支持する構成であってもよい。この場合であっても、実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５６】
また、内側支持部５０及び外側支持部５５に代えて、図５に示す成膜装置１０Ａのように、軸線Ｘを中心とする環状の載置台載置領域を提供する環状支持部１００により、複数の載置台６０を下方側から支持する構成であってもよい。この場合、環状支持部１００の内側縁を、ベアリング等によって構成された内側支持部１０１によって、軸線Ｘを中心に回転可能に支持する。また、環状支持部１００の外側縁を、ベアリング等によって構成された外側支持部１０２によって、軸線Ｘを中心に回転可能に支持する。ヒータ部７０及び反射板７５は、環状支持部１００の下方側であって、内側支持部１０１と外側支持部１０２との間に配置する。この場合であっても、実施形態と同様に、ヒータ部７０が回転しないため、ヒータ部７０に電力を供給する配線７４ａ等の配置位置や構成を簡素なものとすることができる。従って、簡素な構成の成膜装置１０Ａを得ることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１０，１０Ａ…成膜装置、３０…処理容器、４０…ガス供給部、５０，１０１…内側支持部、５５，１０２…外側支持部、６０…載置台、７０…ヒータ部（加熱部）、７５…反射板（反射部）、８３…排気装置、９０…ゲートバルブ、１００…環状支持部、Ｓ…処理空間、Ｗ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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