(57)【要約】【課題】残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も製品寿命の長い電気光学装置を提供する事。【解決手段】電気光学装置は、信号線６ａと、信号線６ａにソース電極とドレイン電極との一方が接続された第二トランジスター６０と、第二トランジスター６０のゲート電極に接続された第一配線６１と、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方に接続された第二配線６２と、を含む。第二トランジスター６０はノーマリーオン型であり、第二配線６２には接地電位が供給される。これにより、簡単なオフシーケンスで画素Ｐやサンプルホールド回路ＳＨ等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。【選択図】図２
2014153696.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線と、
前記信号線に電気的に接続された第一トランジスターと、
前記第一トランジスターに対応する様に設けられた画素電極と、
共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との電位差によって駆動される電気光学材料と、
前記信号線にソース電極とドレイン電極との一方が電気的に接続された第二トランジスターと、
前記第二トランジスターのゲート電極に電気的に接続された第一配線と、
前記第二トランジスターの前記ソース電極と前記ドレイン電極との他方に電気的に接続された第二配線と、
を含み、
前記第二トランジスターはノーマリーオン型であり、
前記第二配線には接地電位が供給される事を特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第二トランジスターはＰ型である事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記信号線と前記第二配線との間に、前記第二トランジスターと直列に電気的に接続された抵抗素子を含む事を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、
画像表示期間には、
電気光学装置を駆動する為に、第一電位と、前記第一電位より低電位の第二電位と、が供給され、
前記画像表示期間の終了後には、
前記第二トランジスターをオン状態にする第一ステップと、
前記信号線と前記共通電極とに前記接地電位を供給した状態で前記第一トランジスターをオン状態とする第二ステップと、
前記第二ステップ終了後に、前記第一電位が供給されていた端子の電位を前記第二電位とする第三ステップと、を含む事を特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
前記第三ステップ終了後に、前記第二電位を接地電位とする第四ステップを含む事を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
前記第二電位は接地電位である事を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項７】
信号線と、
前記信号線に電気的に接続された第一トランジスターと、
前記第一トランジスターに対応する様に設けられた画素電極と、
共通電極と、
前記画素電極と前記共通電極との電位差によって駆動される電気光学材料と、
前記信号線にソース電極とドレイン電極との一方が電気的に接続された第二トランジスターと、
第一電源線と、
第二電源線と、
前記第二トランジスターの前記ソース電極と前記ドレイン電極との他方に電気的に接続された接地電位線と、
を含む電気光学装置の駆動方法であって、
画像表示期間には、
前記接地電位線に接地電位が供給され、
前記第一電源線に第一電位が供給され、
前記第二電源線に前記第一電位より低電位の第二電位が供給され、
前記第二トランジスターがオフ状態に設定され、
前記画像表示期間の終了後に、
前記第二トランジスターをオン状態にする第一ステップと、
前記第一ステップ終了後に、前記信号線と前記共通電極とに前記接地電位を供給した状態で、前記第一トランジスターをオン状態とする第二ステップと、
前記第二ステップ終了後に、前記第一電源線に前記第二電位を供給する第三ステップと、を含む事を特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置、又は請求項４乃至７のいずれか一項に記載の駆動方法にて駆動される電気光学装置、を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置と、電気光学装置の駆動方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示機能が付いた電子機器では、例えば、有機ＥＬ装置や、或いは、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置が使用されている。透過型電気光学装置や反射型電気光学装置では、これらの電気光学装置に光が照射され、電気光学装置により変調された透過光や反射光が表示画像となったり、或いはスクリーンに投影されて投射画像となったりしている。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成する物である。
【０００３】
特許文献１に記載されている液晶装置では、図４（ａ）に示す様に、走査信号線ＰＡ１０２と映像信号線ＰＡ１０３との交点に画素部ＰＡ１０１が配置され、画素部ＰＡ１０１にはスイッチング素子ＰＡ１０４と画素容量ＰＡ１１５と画素電極ＰＡ１０９等が設けられている。又、接地電位印加手段としてＰ−ＭＯＳトランジスターＰＡ２０１が設けられ、Ｐ−ＭＯＳトランジスターＰＡ２０１のゲート電極は節点ＰＡ２１１に接続し、ソース電極は映像信号線ＰＡ１０３に接続し、ドレイン電極には接地電位が供給されていた。その上で、液晶装置の電源をオフにする際には、接地電位印加手段を用いて画素容量ＰＡ１１５等に蓄積されている電荷を放電していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１９６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている従来の液晶装置では、液晶装置の電源をオフにする際の放電が十分に為されないという課題があった。電源をオフにする際に放電が十分でないと、次に電源をオンして表示した際に液晶装置に電源をオフにする前の残像が現れて表示品位を損なうばかりか、液晶分子の傾きが固定化されるので液晶の寿命を縮める事にもなる。換言すると、従来の液晶装置では、残像が少ない高品位の表示を得る事が困難であり、而も液晶装置の製品寿命が短いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる電気光学装置は、信号線と、信号線に電気的に接続された第一トランジスターと、第一トランジスターに対応する様に設けられた画素電極と、共通電極と、画素電極と共通電極との電位差によって駆動される電気光学材料と、信号線にソース電極とドレイン電極との一方が電気的に接続された第二トランジスターと、第二トランジスターのゲート電極に電気的に接続された第一配線と、第二トランジスターのソース電極とドレイン電極との他方に電気的に接続された第二配線と、を含み、第二トランジスターはノーマリーオン型であり、第二配線には接地電位が供給される事を特徴とする。
電気光学装置の電源を切断する方法をオフシーケンスと称する。第二トランジスターがノーマリーオン型であると、第一配線の電位が接地電位などの低電位となっても、第二トランジスターはオン状態となり得る。従って、この構成によれば、複雑な構成のオフシーケンスを取らずとも、簡単なオフシーケンスで画素やサンプルホールド回路等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例１に係わる電気光学装置において、第二トランジスターはＰ型である事が好ましい。
信号線には通常、接地電位よりも高い電位の信号が画像信号として導入され、残留電荷は正となる。第二トランジスターがＰ型であると、残留電荷の放電時に第一配線の電位が接地電位などの低電位となっても、第二トランジスターのソースゲート電圧は０とはならず、負の値を取り得る。即ち、残留電荷の放電時に第二トランジスターはオン状態となり得る。従って、この構成によれば、残留電荷の放電時における第二トランジスターのコンダクタンスが大きくなり、残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例１又は２に係わる電気光学装置において、信号線と第二配線との間に、第二トランジスターと直列に電気的に接続された抵抗素子を含む事が好ましい。
画像表示期間に第二トランジスターはオフ状態に保たれる。この構成によれば、信号線毎に設けられた第二トランジスターのオフ電流が、第二トランジスター間で異なっていても、抵抗素子により信号線毎の電位変動を抑制する事ができる。即ち、縦縞等の発生が抑制された高品位な画像を表示する電気光学装置を実現する事ができる。
【００１０】
（適用例４）  本適用例に係わる電気光学装置の駆動方法は、上記適用例１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法であって、画像表示期間には、電気光学装置を駆動する為に、第一電位と、第一電位より低電位の第二電位と、が供給され、画像表示期間の終了後には、第二トランジスターをオン状態にする第一ステップと、信号線と共通電極とに接地電位を供給した状態で第一トランジスターをオン状態とする第二ステップと、第二ステップ終了後に、第一電位が供給されていた端子の電位を第二電位とする第三ステップと、を含む事を特徴とする。
この方法によれば、電気光学装置の電源を切る際に、画素やサンプルホールド回路等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【００１１】
（適用例５）  上記適用例４に係わる電気光学装置の駆動方法において、第三ステップ終了後に、第二電位を接地電位とする第四ステップを含む事が好ましい。
第二電位が接地電位と異なる場合、第二電位を接地電位とした状態で回路を動作させると、回路が動作不良を起こしたり、或いは回路を構成するトランジスターの劣化を引き起こしたりする懸念がある。これに対して、この方法によれば、第三ステップで回路動作が停止した後に、第二電位が接地電位とされるので、回路の動作不良やトランジスターの劣化を防ぐ事ができる。
【００１２】
（適用例６）  上記適用例４に係わる電気光学装置の駆動方法において、第二電位は接地電位である事が好ましい。
この方法によれば、電気光学装置の電源を切る際に、画素やサンプルホールド回路等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【００１３】
（適用例７）  本適用例に係わる電気光学装置の駆動方法は、信号線と、信号線に電気的に接続された第一トランジスターと、第一トランジスターに対応する様に設けられた画素電極と、共通電極と、画素電極と共通電極との電位差によって駆動される電気光学材料と、信号線にソース電極とドレイン電極との一方が電気的に接続された第二トランジスターと、第一電源線と、第二電源線と、第二トランジスターのソース電極とドレイン電極との他方に電気的に接続された接地電位線と、を含む電気光学装置の駆動方法であって、画像表示期間は、接地電位線に接地電位が供給され、第一電源線に第一電位が供給され、第二電源線に第一電位より低電位の第二電位が供給され、第二トランジスターがオフ状態に設定され、画像表示期間の終了後に、第二トランジスターをオン状態にする第一ステップと、第一ステップ終了後に、信号線と共通電極とに接地電位を供給した状態で、第一トランジスターをオン状態とする第二ステップと、第二ステップ終了後に、第一電源線に第二電位を供給する第三ステップと、を含む事を特徴とする。
この方法によれば、電気光学装置の電源を切る際に、画素やサンプルホールド回路等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【００１４】
（適用例８）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置、又は上記適用例４乃至７のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動方法にて駆動される電気光学装置、を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、残像がなく高品位な表示を行い、製品寿命の長い電気光学装置を備えた電子機器を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】液晶装置の構成を説明する図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第二トランジスターの伝達特性を示す図。
【図４】比較例に係わる液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにする為、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１７】
（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は液晶装置の構成を説明する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った断面図である。まず、電気光学装置の概要を、図１を参照して、説明する。本実施形態では、電気光学装置は反射型の液晶装置１００であり、液晶装置１００は、薄膜トランジスターである第一トランジスター３０を画素のスイッチング素子として備えている。尚、以下の説明で参照する図においては、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１８】
図１（ａ）及び（ｂ）に示す様に、電気光学装置（液晶装置１００）は、第一基板（素子基板１０）と、透光性の第二基板（対向基板２０）と、第一基板と第二基板とにより挟持された電気光学材料（液晶５０）と、を有する。
【００１９】
素子基板１０は、例えば透明な石英ガラスや無アルカリガラス或いは不透明なシリコン基板などを用いる事ができ、対向基板２０よりも一回り大きい。又、素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材４０を介して対向基板２０と接合されている。シール材４０によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶５０が封入されている。素子基板１０と対向基板２０との間への液晶５０の封入（充填）は、滴下方式（Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ方式、ＯＤＦ方式）が用いられる。滴下方式とは、一方の基板（本実施形態では素子基板１０）の外周に沿ってシール材４０を配置し、配置されたシール材４０を土手として、その内側に所定量の液晶を滴下し、次いで、減圧下で一方の基板と他方の基板とを貼り合わせる方式である。シール材４０としては、例えば、熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用される。シール材４０には、素子基板１０と対向基板２０との間隔を一定に保持する為のスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２０】
シール材４０の内側には、画素領域Ｅを取り囲む様に配置された見切り部２１が設けられている。画素領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。画素領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲む様に配置された複数のダミー画素を含んでいるとしても良い。尚、図１では図示を省略したが、画素領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス、ＢＭ）が設けられている。
【００２１】
素子基板１０の一辺部に沿ったシール材４０とこの一辺部との間に信号線駆動回路１０１が設けられている。又、この一辺部に対向する他の一辺部に沿ったシール材４０の内側に放電回路１０３が設けられている。更に、この一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。この一辺部と対向する他の一辺部に沿ったシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これら信号線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線１０５は、この一辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。以降、この一辺部に沿った方向をＸ方向とし、この一辺部と直交し互いに対向する他の二辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００２２】
図１（ｂ）に示す様に、素子基板１０の液晶５０側の表面には、画素Ｐ毎に設けられた光反射性を有する画素電極１５と、スイッチング素子としての第一トランジスター３０と、各種の配線１０５と、複数の画素電極１５を覆う絶縁膜（図示省略）と、配向膜１８とが形成されている。画素電極１５は、光反射性の例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）、或いはこれらの金属の合金や酸化物などの化合物を用いて形成される。又、第一トランジスター３０の半導体層に光が入射して光リーク電流が流れ、不適切なスイッチング動作となる事を防ぐ遮光構造が採用されている。
【００２３】
対向基板２０は、例えば、透明な石英ガラスや無アルカリガラスなどが用いられ、本実施形態では石英ガラスが用いられている。対向基板２０の液晶５０側の表面には、見切り部２１と、見切り部２１を覆う透明導電膜２２と、少なくとも画素領域Ｅに渡って透明導電膜２２を覆う様に設けられた配向膜２５とが形成されている。
【００２４】
見切り部２１は、例えば遮光性の金属或いは金属酸化物などからなり、図１（ａ）に示す様に、平面的に走査線駆動回路１０２や放電回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止している。又、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しない様に遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２５】
透明導電膜２２は、可視光波長にて高い光透過率を有する様に構成されており、共通電極として機能している。透明導電膜２２は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により、素子基板１０の配線に電気的に接続している。
【００２６】
素子基板１０の配向膜１８及び対向基板２０の配向膜２５は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されている。本実施形態では、酸化珪素（ＳｉＯｘ）などの無機材料が、物理気相堆積法（斜め蒸着法や斜めスパッター法）にて成膜され、配向膜１８や配向膜２５となっている。配向膜１８や配向膜２５により、液晶分子は、配向膜面に対して所定の方向にプレチルト角をなして配向する。
【００２７】
対向基板２０は、シール材４０と平面的に重なる部分が一定の深さで形成された凹部２０ａを有している。凹部２０ａは対向基板２０の見切り部２１の外側から基板外周に至って形成されている。透明導電膜２２や配向膜２５は、それぞれ凹部２０ａにも形成されている。素子基板１０と対向基板２０とを液晶５０を挟んで対向配置した際の液晶５０の厚みをｄとすると、シール材４０には、凹部２０ａの深さを考慮して、液晶５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサー（図示省略）が含まれている。この様な対向基板２０の断面構造によれば、液晶５０の厚みｄよりも大きな径を有するスペーサーが含まれたシール材４０を用いて素子基板１０と対向基板２０とを対向配置して接着する事ができるので、液晶５０の厚みばらつきを抑える事ができる。
【００２８】
この様な液晶装置１００は反射型であって、画素Ｐが非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードや、非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側（出射側）に偏光素子が配置される。
【００２９】
「回路構成」
図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。又、図３は第二トランジスターの伝達特性を示す図である。次に、図２と図３とを参照して、回路構成を説明する。
【００３０】
図２に示す様に、電気光学装置（液晶装置１００）は、信号線６ａと走査線３ａと画素Ｐと第一配線６１と第二配線６２と放電回路１０３とを含んでいる。複数の走査線３ａと複数の信号線６ａとは、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて交差している。そして走査線３ａと信号線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、第一トランジスター３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。更に、液晶装置１００は、走査線３ａに対して平行する容量線３ｂを有する。尚、容量線３ｂの配置はこれに限定されず、信号線６ａに対して平行する様に配置しても良い。
【００３１】
画素Ｐでは、第一トランジスター３０のゲート電極に走査線３ａが電気的に接続され、第一トランジスター３０のソース電極とドレイン電極の一方は、信号線６ａに電気的に接続されており、第一トランジスターに対応する様に画素電極１５が設けられている。本実施形態では、各画素Ｐにて画素電極１５が第一トランジスター３０のソース電極とドレイン電極の他方に電気的に接続されている。液晶５０などの電気光学材料は画素電極１５と共通電極（本実施形態では透明導電膜２２）との間に配置され、電気光学材料は画素電極１５と共通電極との電位差によって駆動される。尚、本実施形態で電気光学材料は液晶５０であるが、電気光学材料としては画素電極１５と共通電極との電位差によって駆動される物であればこれに限られない。例えば、電気泳動材料や有機ＥＬ材料等であっても構わない。有機ＥＬ材料の場合、アノード（例えば画素電極１５）とカソード（例えば共通電極）との間の僅かな電位差の変化が電流量の変化をもたらして表示しているので、画素電極１５と共通電極との電位差によって駆動されていると言える。又、本実施形態では、画素電極１５が第一基板に形成され、共通電極が第二基板に形成されているが、画素電極１５と共通電極とを第一基板に形成して、所謂、横電界方式の電気光学装置としても良い。
【００３２】
信号線６ａはその一端が信号線駆動回路１０１に電気的に接続されており（図１参照）、反対側の他端は放電回路１０３に電気的に接続されている。又、信号線６ａにはサンプルホールド回路ＳＨも電気的に接続されている。信号線駆動回路１０１は画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎを、信号線６ａを介して、画素Ｐに供給する。信号線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１からＤｎは、信号線６ａ毎に順次供給されても良いし、或いは複数の信号線６ａを幾つかのグループに分け、グループ毎に供給されても良い。
【００３３】
走査線３ａは走査線駆動回路１０２に電気的に接続されており（図１参照）、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣｍは走査線３ａを介して各画素Ｐに供給される。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１からＳＣｍを供給し、複数の走査線３ａから一本或いは複数本の走査線３ａを適宜選択する。
【００３４】
信号線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２等には、不図示の第一電源線と第二電源線とが設けられている。第一電源線と第二電源線とは、場合によっては、画素領域Ｅにも設けられていても良く、各画素Ｐに第一電源線と第二電源線とが配線されていても良い。又、第二電源線と容量線３ｂとを兼用しても良い。画像表示期間には、電気光学装置を駆動する為に、第一電源線に第一電位が供給され、第二電源線に第二電位が供給される。第一電位と第二電位とは共に電源電位であり、第二電位は第一電位より低電位となっている。本実施形態では、第一電位が正電源電位（例えば＋２０Ｖ）であり、第二電位が負電源電位（例えば＋０Ｖ）である。
【００３５】
画像表示期間には、ｉ行ｊ列（ｉは１からｍの整数、ｊは１からｎの整数）に位置する画素Ｐでは、走査信号ＳＣｉが選択信号となっている期間（選択期間）に第一トランジスター３０がオン状態となり、信号線６ａから第一トランジスター３０を介して、画像信号Ｄｊが画素電極１５に供給される。こうして、画素電極１５には選択期間の画像信号Ｄｊに応じた電位が供給され、画素電極１５と共通電極との間の電位差に応じて、液晶５０等の電気光学材料の光学状態が定められる。走査信号ＳＣｉが非選択信号となる期間（非選択期間）には、第一トランジスター３０はオフ状態となり、画素電極１５の電位が保持される。非選択期間中の画素電極１５の電位変動を小さくすべく、保持容量１６が、画素電極１５と共通電極（透明導電膜２２）との間に形成される液晶容量と並列して、接続される。保持容量１６は、第一トランジスター３０のソース電極とドレイン電極の他方と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００３６】
放電回路１０３は信号線６ａの他端に電気的に接続されており、少なくとも第二トランジスター６０を含んでいる。本実施形態では、第二トランジスター６０と抵抗素子６３とを放電回路１０３は含んでいる。放電回路１０３では、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との一方が信号線６ａに電気的に接続され、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方が第二配線６２に電気的に接続され、第二トランジスター６０のゲート電極が第一配線６１に電気的に接続されている。本実施形態では、第二トランジスター６０は、図３に示す様に、Ｐ型のノーマリーオン型である。第二トランジスター６０と抵抗素子６３とは、信号線６ａと第二配線６２との間で直列に電気的に接続されている。第二配線６２には接地電位が供給され、第二配線６２は接地電位線である。第一配線６１には放電制御信号が供給され、少なくとも画像表示期間には第二トランジスター６０はオフ状態とされている。尚、本明細書で、端子１と端子２とが電気的に接続されているとは、端子１と端子２とが配線により直に接続されている場合の他に、抵抗素子やスイッチング素子を介して接続されている場合を含む。従って、例えば、上記の抵抗素子６３に代わりに第三トランジスターというスイッチング素子を用いた場合も、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との一方が信号線６ａに電気的に接続され、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方が第二配線６２に電気的に接続されている事になる。或いは、上記の抵抗素子６３を省いて第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との一方を信号線６ａに直に接続し、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方を第二配線６２に直に接続した場合も、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との一方が信号線６ａに電気的に接続され、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方が第二配線６２に電気的に接続されている事になる。又、図２では、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との一方と信号線６ａとの間に抵抗素子６３が配置されているが、勿論、第二トランジスター６０のソース電極とドレイン電極との他方と第二配線６２との間に抵抗素子６３が配置されている構成としても良い。
【００３７】
図３に示す様に、本実施形態で、第二トランジスター６０はＰ型のノーマリーオン型（Ｐ型ディプリーションタイプトランジスター）である。図３で横軸はソースゲート電圧を表し、縦軸はソースドレイン電流を表している。Ｐ型のノーマリーオン型とは、トランジスターの閾値電圧Ｖｔｈが正で、ソースゲート電圧が０Ｖの際にオン状態になるトランジスターである。電気光学装置が画像表示を行う際には（この期間を画像表示期間と称する）、第一配線６１に第二トランジスター６０の閾値電圧Ｖｔｈよりも高い電位を供給し、第二トランジスター６０をオフ状態に保つ。具体的には、画像表示期間には、第二トランジスター６０の閾値電圧Ｖｔｈよりも高く、且つ画像信号Ｄ１からＤｎの最高電位以上の電位を、第一配線６１に供給する。こうする事で、画像表示期間に信号線６ａが、接地電位が供給される第二配線６２と短絡する事態を防いでいる。Ｐ型のノーマリーオン型トランジスターはＰ型トランジスターを製造する際に、チャンネル形成領域に硼素などのアクセプター型イオンを適当量導入する事で製造される。
【００３８】
本明細書では、電気光学装置の電源を切断する手順をオフシーケンスと称するが、第二トランジスター６０がノーマリーオン型であると、電気光学装置の電源を切断する際に第一配線６１の電位が接地電位などの低電位となっても、第二トランジスター６０はオン状態となり得る。従って、本実施形態によれば、複雑な構成のオフシーケンスを取らずとも、簡単なオフシーケンスで画素Ｐやサンプルホールド回路ＳＨ等に発生する残留電荷を効果的に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができるのである。
【００３９】
信号線６ａには、通常、第二電位よりも高く第一電位よりも低い電位の信号、即ち、接地電位よりも高い電位の信号、が画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎとして導入される。従って、オフシーケンス時に画素Ｐやサンプルホールド回路ＳＨ等に発生する残留電荷の電位も正である。第二トランジスター６０がＰ型であるので、残留電荷の放電時に第一配線６１の電位が接地電位などの低電位となっても、第二トランジスター６０のソースゲート電圧は０とはならず、負の値を取り得る。例えば残留電荷による信号線６ａの電位が＋１Ｖの場合、信号線６ａに接続する端子が第二トランジスター６０のソースとなるので、第二トランジスター６０のソースゲート電圧は−１Ｖとなり、残留電荷の放電時に、第二トランジスター６０はオン状態となり得る。こうして、残留電荷の放電時における第二トランジスター６０のコンダクタンスが大きくなり、残留電荷を効果的に放電する事ができる。
【００４０】
上述の如く、画像表示期間に第二トランジスター６０はオフ状態に保たれ、信号線６ａが互いに緩衝する事態を防いでいる。従って、本実施形態のように抵抗素子６３を配置する事で、信号線６ａ毎に設けられた第二トランジスター６０のオフ電流が、トランジスター間で異なっていても（トランジスター間でオフ電流の変動があっても）、抵抗素子６３により信号線毎の電位変動を抑制する事ができる。もし、第二トランジスター６０のオフ電流の変動がトランジスター間で大きく抵抗素子６３がないと、画像表示期間に画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎが第二トランジスター６０を介して漏れ出る量が信号線６ａ毎に異なる事となり、画素領域Ｅに縦縞が発生する恐れがある。抵抗素子６３を設ける事により、縦縞等の発生が抑制された高品位な画像を表示する電気光学装置を実現する事ができる。次にこれを効率的に達成する為に抵抗素子６３に求められる条件を記す。
【００４１】
一本の走査線が選択されている期間をτとする（例えばτ＝４５ナノ秒）。信号線６ａに導入された画像信号Ｄ１、Ｄ２、…、Ｄｎの電位をＶ（例えばＶ＝１５．５Ｖ）とする。抵抗素子６３を介する漏れ電流をＩLと、抵抗素子６３の抵抗値をＲとし、画像信号が変動しても良い許容電圧をΔＶとする。電気光学装置が２５６階調を表示する場合、１階調が最も急峻に変化する電圧は６．６ミリＶ（ｍＶ）であるので、許容電圧ΔＶはその１／１０以下とする。従って、漏れが最も大きい最悪の状況では、ΔＶ＝０．６６ｍＶである。信号線６ａ一本当たりの容量をＣとする。この容量はサンプルホールド回路ＳＨの容量や、画素容量、寄生容量の和で２ピコファラッド（ｐＦ）程度である。この際に漏れ電流ＩLは数式１にて表される。
【００４２】
【数１】
2014153696.tif 000003
【００４３】
漏れ電流ＩLと抵抗素子６３の抵抗値Ｒとにオームの法則を適応し、数式１を代入すると、抵抗素子６３の抵抗値Ｒが満たすべき条件が数式２と表現される。
【００４４】
【数２】
2014153696.tif 000004
【００４５】
抵抗素子６３の抵抗値Ｒが数式２の関係を満たしていると、たとえ第二トランジスター６０のオフ電流が大きくてばらつくという最悪の状況でも、放電回路１０３が表示に及ぼす影響は無視できる程度に小さくなり、高品位な画像を表示する電気光学装置を実現する事ができる。数式２に上記の数値例を代入すると、一例として、抵抗素子６３の抵抗値は５３０メガオーム以上（Ｒ≧５３０ＭΩ）となる。
【００４６】
「オフシーケンス」
電気光学装置の電源を切断する手順であるオフシーケンスに関して説明する。画像表示期間の終了後に電気光学装置はオフシーケンスに入る。画像表示期間の終了とは、電気光学装置が表示を止めたり、或いは電気泳動表示装置であればそのまま表示されている画像維持したりと、次の画像が表示される迄の期間が数秒以上及ぶ場合に、電気光学装置の電源を切断し始める事を意味し、所謂、３Ｄのシャッターを閉じた期間や、色順次の切り替え期間、水平帰線区間、垂直帰線区間、等は画像表示期間の終了には当たらない。
【００４７】
オフシーケンスには、第二トランジスター６０をオン状態にする第一ステップと、信号線と共通電極とに接地電位を供給した状態で第一トランジスターをオン状態とする第二ステップと、第二ステップ終了後に、第一電位が供給されていた端子の電位を第二電位とする第三ステップと、が含まれる。第二電位が接地電位である場合には、上述の通りだが、第二電位が接地電位と異なる場合には、第三ステップ終了後に、第二電位を接地電位とする第四ステップを含んでも良い。
【００４８】
第一ステップでは、第一配線６１の電位を接地電位として第二トランジスター６０がオン状態とされ、信号線６ａやサンプルホールド回路ＳＨは接地電位とされる。第一ステップで信号線６ａの寄生容量とサンプルホールド回路ＳＨとに残留する電荷が放電される。
【００４９】
次に、第二ステップで、信号線６ａと共通電極とに接地電位を供給した状態で第一トランジスター３０をオン状態とする。第二ステップでは、信号線駆動回路１０１から信号線６ａに接地電位が供給されても良いし、信号線６ａを信号線駆動回路１０１と遮断してオン状態の第二トランジスター６０を介して接地電位が信号線に供給されてもよい。第二ステップでは第一配線６１の電位は接地電位である。いずれにしても、信号線６ａと共通電極とに接地電位を供給した状態で画素領域Ｅに存在する第一トランジスター３０を総てオン状態とし、画素電極１５や保持容量１６など画素Ｐと共通電極とに残留する電荷が放電される。第二ステップで画素Ｐの電荷を放電するには、画像表示と同様に走査線３ａを順次選択していっても良いし、全ての走査線３ａを一斉に選択しても良い。走査線３ａを順次選択する場合、画素Ｐに残留する電荷を確実に放電する為には２フレームから５フレーム程度、接地電位を画素Ｐに書き込む動作を行うのが好ましい。同様に、全ての走査線３ａを一斉に選択する場合も、画素Ｐに残留する電荷を確実に放電する為には、２フレーム期間から５フレーム期間程度、接地電位を画素Ｐに書き込む動作を行うのが好ましい。
【００５０】
第二ステップ終了後に第三ステップで、第一電位が供給されていた端子（即ち、第一電源線）の電位を第二電位とする。これにより、第三ステップで、総ての回路はその動作を停止する。但し、放電回路１０３だけは、もし信号線６ａに電荷が残留していれば、第三ステップでも放電動作を自動的に継続する。これは、上述の如く、第二トランジスター６０がＰ型のノーマリーオン型である為である。こうして、電気光学装置の電源遮断時に残留電荷は効率的に放電される。
【００５１】
尚、第二電位が接地電位と異なる場合、第三ステップ終了後に、第二電位を接地電位とする第四ステップを含むのが好ましい。第二電位を接地電位とした状態で回路を動作させると、回路が動作不良を起こしたり、或いは回路を構成するトランジスターの劣化を引き起こしたりする懸念がある。これに対して、この方法によれば、第三ステップで回路動作が停止した後に、第二電位が接地電位とされるので、回路の動作不良やトランジスターの劣化を防ぐ事ができるからである。
【００５２】
「原理」
図４は比較例に係わる液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。次に、図４を参照して、本願の原理を説明する。
【００５３】
本願発明者が鋭意研究したところに依ると、従来の液晶装置で電源遮断時に残留電荷が発生していた原因は接地電位印加手段の構成不備に基づく。比較例に係わる液晶装置では、Ｐ−ＭＯＳトランジスターＰＡ２０１はノーマリーオフ型の（エンハンスメントタイプトランジスター）である。Ｐ型のノーマリーオフ型とは、トランジスターの閾値電圧Ｖｔｈが負で、ソースゲート電圧が０Ｖの際にオフ状態になり、ソースゲート電圧がトランジスターの閾値電圧Ｖｔｈよりも低い電位の際にオン状態となるトランジスターである。
【００５４】
図４（ａ）に示される様に、従来の液晶装置では電源遮断時に節点ＰＡ２１１に負の大きな電位（例えば−１５Ｖ）を供給し、図４（ｂ）に示される様に、映像信号線ＰＡ１０３の電荷を放電していた。次に図４（ｃ）に示される様に、節点ＰＡ２１１を接地電位として、電源遮断が終了していたが、この際に、それまでオン状態とされていたＰ−ＭＯＳトランジスターＰＡ２０１の電荷が再配分され、これが残留電荷となっていた。
【００５５】
これに対し、本実施形態では、第二トランジスター６０がＰ型のノーマリーオン型である為、電荷の再分配などは発生し得ず、効果的且つ確実に残留電荷の放電が行われるのである。
【００５６】
「電子機器」
図５は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す模式図である。次に、図５を参照して、本実施形態の電子機器を説明する。
【００５７】
図５に示す様に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、３つのダイクロイックミラー１１１１，１１１２，１１１５と、２つの反射ミラー１１１３，１１１４と、３つの光変調素子としての反射型の液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０と、クロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００５８】
偏光照明装置１１００は、ハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００５９】
偏光照明装置１１００から出射された偏光光束は、互いに直交して配置されたダイクロイックミラー１１１１とダイクロイックミラー１１１２とに入射する。光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１１は、入射した偏光光束のうち赤色光Ｒを反射する。もう一方の光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１２は、入射した偏光光束のうち緑色光Ｇと青色光Ｂとを反射する。
【００６０】
反射した赤色光Ｒは反射ミラー１１１３により再び反射され、液晶ライトバルブ１２５０に入射する。一方、反射した緑色光Ｇと青色光Ｂとは反射ミラー１１１４により再び反射して光分離素子としてのダイクロイックミラー１１１５に入射する。ダイクロイックミラー１１１５は緑色光Ｇを反射し、青色光Ｂを透過する。反射した緑色光Ｇは液晶ライトバルブ１２６０に入射する。透過した青色光Ｂは液晶ライトバルブ１２７０に入射する。
【００６１】
液晶ライトバルブ１２５０は、反射型の液晶パネル１２５１と、反射型偏光素子としてのワイヤーグリッド偏光板１２５３とを備えている。液晶ライトバルブ１２５０は、ワイヤーグリッド偏光板１２５３によって反射した赤色光Ｒがクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に垂直に入射する様に配置されている。又、ワイヤーグリッド偏光板１２５３の偏光度を補う補助偏光板１２５４が液晶ライトバルブ１２５０における赤色光Ｒの入射側に配置され、もう１つの補助偏光板１２５５が赤色光Ｒの出射側においてクロスダイクロイックプリズム１２０６の入射面に沿って配置されている。尚、反射型偏光素子として偏光ビームスプリッターを用いた場合には、一対の補助偏光板１２５４，１２５５を省略する事も可能である。この様な反射型の液晶ライトバルブ１２５０の構成と各構成の配置は、他の反射型の液晶ライトバルブ１２６０，１２７０においても同じである。
【００６２】
液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０に入射した各色光は、画像情報に基づいて変調され、再びワイヤーグリッド偏光板１２５３，１２６３，１２７３を経由してクロスダイクロイックプリズム１２０６に入射する。クロスダイクロイックプリズム１２０６では、各色光が合成され、合成された光は投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００６３】
本実施形態では、液晶ライトバルブ１２５０，１２６０，１２７０における反射型の液晶パネル１２５１，１２６１，１２７１として上述の反射型の液晶装置１００が適用されている。
【００６４】
この様な投射型表示装置１０００によれば、残像がなく高品位な表示を行い、製品寿命の長い電気光学装置を備えた電子機器（投射型表示装置１０００）を提供できる。
【００６５】
以上述べて来た様に、本実施形態の電気光学装置では、電気光学装置の電源を切断する際に、第一配線６１の電位が接地電位などの低電位となっても、第二トランジスター６０はオン状態となり得るので、複雑な構成のオフシーケンスを取らずとも、簡単なオフシーケンスで画素Ｐやサンプルホールド回路ＳＨ等に発生する残留電荷を効果的に且つ確実に放電する事ができる。その結果、電気光学装置に残像のない高品位な表示を可能とせしめ、而も電気光学装置の製品寿命を長く保つ事ができる。
【００６６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及びこの電気光学装置を適用する電子機器も又本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００６７】
（変形例１）
本発明が適用される電気光学装置は反射型に限定されず、透過型にも適用可能である。
【００６８】
（変形例２）
本発明が適用される電気光学装置の液晶５０における液晶分子の配向制御は垂直配向（ＶＡ；Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）に限定されない。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）やＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）などにも適用可能である。
【００６９】
（変形例３）
本発明が適用される電気光学装置では、放電回路１０３が配置される位置は限定されず、例えば、放電回路１０３を信号線駆動回路１０１側に設けても良いし、放電回路１０３を信号線駆動回路１０１側と対向する反対側とに二箇所設けても良い。
【００７０】
（変形例４）
上記実施形態の電気光学装置を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、又は電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型或いはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いる事ができる。
【符号の説明】
【００７１】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…信号線、１０…素子基板、１５…画素電極、１６…保持容量、１８…配向膜、２０…対向基板、２２…透明導電膜、３０…第一トランジスター、５０…液晶、６０…第二トランジスター、６１…第一配線、６２…第二配線、６３…抵抗素子、１００…液晶装置、１０１…信号線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…放電回路、１０４…外部接続用端子、１０００…投射型表示装置。
【図１】
2014153696.tif 000005
【図２】
2014153696.tif 000006
【図３】
2014153696.tif 000007
【図４】
2014153696.tif 000008
【図５】
2014153696.tif 000009