(57)【要約】【課題】  フィルターの長寿命化を図ったIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置を提供することである。【解決手段】  III 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法は、洗浄室の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給する工程と、洗浄室の内部で洗浄の対象である部品からIII 族窒化物半導体の被膜の少なくとも一部をＧａＣｌ3 に変えて除去するとともに洗浄室からＧａＣｌ3 を含む排出ガスを排出する工程と、ＧａＣｌ3 を含む排出ガスから第１のフィルターおよび第１のフィルターよりガス流の下流に位置する第２のフィルターによりＧａＣｌ3 を捕獲する工程と、を有する。そして、第１のフィルターとして、目開きが３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内のものを用いるとともに、第２のフィルターとして、目開きが２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内のものを用いる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
III 族窒化物半導体製造装置の少なくとも一部の部品を洗浄室の内部で洗浄するIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法において、
前記洗浄室の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給する工程と、
前記部品におけるIII 族窒化物半導体の堆積した被膜の少なくとも一部を塩素系ガスと反応させることによりＧａＣｌ3 にして除去するとともに前記洗浄室からＧａＣｌ3 を含む排出ガスを排出する工程と、
ＧａＣｌ3 を含む排出ガスから第１のフィルターおよび第２のフィルターによりＧａＣｌ3 を捕獲する工程と、
を有し、
前記第１のフィルターとして、
目開きが３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内のものを用いるとともに、
前記第２のフィルターとして、
目開きが２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内のものを用い、
前記第２のフィルターを、
前記第１のフィルターよりガスの流れの下流側の位置に配置すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項２】
請求項１に記載のIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法において、
前記第１のフィルターにより、
粘度が０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内のＧａＣｌ3 粒子を捕獲すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法において、
前記洗浄室に供給する洗浄ガスとしてＨ2 ガスおよびＨＣｌガスを供給すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法。
【請求項４】
III 族窒化物半導体製造装置の少なくとも一部の部品を洗浄するIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置において、
少なくとも一部の部品を洗浄するための洗浄室と、
前記洗浄室の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給するガス供給部と、
前記洗浄室よりガスの流れの下流側の位置に位置するとともに前記洗浄室から排出される排出ガスを捕獲するフィルター部と、
を有し、
前記フィルター部は、
目開きが３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内である第１のフィルターと、
目開きが２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内である第２のフィルターと、
を有し、
前記第２のフィルターは、
前記第１のフィルターよりガスの流れの下流側の位置に配置されていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置。
【請求項５】
請求項４に記載のIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置において、
前記第１のフィルターは、
粘度が０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内のＧａＣｌ3 粒子を捕獲すること
を特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、III 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置に関する。さらに詳細には、フィルターの長寿命化を図ったIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
III 族窒化物半導体を有する素子を製造する方法として、気相エピタキシー法や、分子線エピタキシー法、液相エピタキシー法が用いられることがある。有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）やハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）等の気相エピタキシー法では、チャンバーの内部で成長基板に原料ガスを吹き付けて半導体層の積層を行う。その場合に、チャンバーの内壁や、ガス管等、半導体製造装置の内部に、ＧａＮ等のIII 族窒化物半導体が堆積した被膜が形成されることがある。このような汚れにより、部品の機械的精度や化学的性質が損なわれるおそれがある。そのため、半導体の品質を確保する上で、この半導体の堆積物である被膜を除去することが好ましい。
【０００３】
例えば、特許文献１には、塩素系ガスを主成分とする洗浄ガスを用いることにより、III 族窒化物半導体から成る被膜を除去する洗浄方法が開示されている。１０００℃以上の高温下で洗浄ガスを洗浄室に供給することにより、ＧａＮ等の被膜を装置の部品等から除去することとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３３２２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ＧａＮと塩素系ガスとが反応すると、塩化ガリウム（ＧａＣｌ3 ）が生成される。生成されたＧａＣｌ3 については、洗浄室の下流側に位置するフィルターを用いて除去するという処理が実施される。このフィルターは、比較的早い時期に目詰まりを起こす。例えば、ＭＯＣＶＤ炉のサセプター等については、１日あたり１回という非常に高い頻度で洗浄を行うからである。そのため、フィルターの交換を頻繁に行う必要が生じる。つまり、洗浄装置のメンテナンスの間隔は短い。
【０００６】
本発明者らは、フィルターの目詰まりの原因となるＧａＣｌ3 には、粘性の高い比較的粒径の大きなＧａＣｌ3 粒子と、比較的粒径の小さなＧａＣｌ3 粒子と、の２種類があることを発見した。洗浄に際して生成されるＧａＣｌ3 は、潮解性を有するものである。そのため、ＧａＣｌ3 は、洗浄装置の内部に含まれている微量の水分を吸収する。水分を吸収したＧａＣｌ3 は、粘性の高い粒子となる。また、水分をそれほど吸収していないＧａＣｌ3 の粒子に比べて、粒径がやや大きい。本発明者らは、この粘性の高いＧａＣｌ3 粒子により、フィルターにおける早期の目詰まりが引き起こされることを発見した。
【０００７】
本発明は、本発明者らにより発見された新規な技術的課題を解決するためになされたものである。その課題は、フィルターの長寿命化を図ったIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の態様におけるIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法は、III 族窒化物半導体製造装置の少なくとも一部の部品を洗浄室の内部で洗浄する方法である。この洗浄方法は、洗浄室の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給する工程と、部品におけるIII 族窒化物半導体の堆積した被膜の少なくとも一部を塩素系ガスと反応させることによりＧａＣｌ3 にして除去するとともに洗浄室からＧａＣｌ3 を含む排出ガスを排出する工程と、ＧａＣｌ3 を含む排出ガスから第１のフィルターおよび第２のフィルターによりＧａＣｌ3 を捕獲する工程と、を有する。第１のフィルターとして、目開きが３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内のものを用いるとともに、第２のフィルターとして、目開きが２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内のものを用いる。そして、第２のフィルターを、第１のフィルターよりガスの流れの下流側の位置に配置する。
【０００９】
この洗浄方法は、洗浄室で発生するＧａＣｌ3 粒子のうち、水分を含んで粘性の高い比較的粒径の大きいＧａＣｌ3 粒子を、上流側のフィルターで捕獲し、粘性のそれほど高くないＧａＣｌ3 粒子を、下流側のフィルターで捕獲する。そのため、フィルターの寿命は、従来のものに比べて長い。すなわち、メンテナンスの頻度を低くすることができる。
【００１０】
第２の態様におけるIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法は、第１のフィルターにより、粘度が０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内のＧａＣｌ3 粒子を捕獲する方法である。
【００１１】
第３の態様におけるIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法は、洗浄室に供給する洗浄ガスとしてＨ2 ガスおよびＨＣｌガスを供給する方法である。
【００１２】
第４の態様におけるIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置は、III 族窒化物半導体製造装置の少なくとも一部の部品を洗浄する装置である。この洗浄装置は、少なくとも一部の部品を洗浄するための洗浄室と、洗浄室の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給するガス供給部と、洗浄室よりガスの流れの下流側の位置に位置するとともに洗浄室から排出される排出ガスを捕獲するフィルター部と、を有する。フィルター部は、目開きが３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内である第１のフィルターと、目開きが２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内である第２のフィルターと、を有する。そして、第２のフィルターは、第１のフィルターよりガスの流れの下流側の位置に配置されている。
【００１３】
第５の態様におけるIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置では、第１のフィルターは、粘度が０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内のＧａＣｌ3 粒子を捕獲するものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、フィルターの長寿命化を図ったIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本実施形態で洗浄の対象となる半導体製造装置（ＭＯＣＶＤ炉）の概略構成を部分的に示す図である。
【図２】本実施形態の洗浄装置の概略構成を示す図である。
【図３】フィルターの組み合わせとその寿命について行った実験結果を示す図（その１）である。
【図４】フィルターの組み合わせとその寿命について行った実験結果を示す図（その２）である。
【図５】フィルターの組み合わせとその寿命について行った実験結果を示す図（その３）である。
【図６】フィルターの組み合わせとその寿命について行った実験結果を示す図（その４）である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、具体的な実施形態について、III 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法および洗浄装置を例に挙げて図を参照しつつ説明する。しかし、これらの実施形態に限定されるものではない。
【００１７】
１．III 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置
１−１．III 族窒化物半導体製造装置（洗浄対象）
本実施形態のIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置は、III 族窒化物半導体製造装置の少なくとも一部の部品を洗浄するためのものである。そのため、洗浄装置について説明する前に、その洗浄対象であるIII 族窒化物半導体製造装置について簡単に説明する。
【００１８】
III 族窒化物半導体製造装置は、ＭＯＣＶＤ炉である。ＭＯＣＶＤ炉は、気相エピタキシー法により、成長基板の上にIII 族窒化物半導体から成る半導体層を積層するためのものである。図１にＭＯＣＶＤ炉１０を例示する。各種ガスの供給口および排気口等については、簡略化して描いてある。このＭＯＣＶＤ炉１０は、半導体発光素子を製造するためのものである。ＭＯＣＶＤ炉１０は、チャンバー１１と、サセプター１２と、その他の各部と、を有している。チャンバー１１は、成長基板上に原料ガスを供給して半導体の積層を行うための炉本体である。サセプター１２は、半導体層の形成にあたって成長基板を含むウエハを保持するためのものである。
【００１９】
ＭＯＣＶＤ炉１０の内部では、成長基板の上に半導体層が積層されることとなる。しかし、ＭＯＣＶＤ炉１０を継続して使用することにより、チャンバー１１の内壁や、サセプター１２の表面に、III 族窒化物半導体の堆積した被膜が形成される。この被膜等の汚れが、製造する半導体の品質に悪影響を与えるおそれがある。特に、サセプター１２に被膜が形成されると、成長基板に成長させる半導体層の結晶性に影響が出る。そのため、サセプター１２を頻繁に洗浄することが好ましい。
【００２０】
１−２．洗浄装置
図２に本実施形態の洗浄装置１００の概略構成を示す。洗浄装置１００は、洗浄ガス供給部１１０と、マスフローコントローラー１２１、１２２と、洗浄室１３０と、フィルター部１５０と、ロータリーポンプ１７０と、除害装置１８０と、を有している。
【００２１】
洗浄ガス供給部１１０は、第１の洗浄ガス供給部１１１と、第２の洗浄ガス供給部１１２と、を有している。第１の洗浄ガス供給部１１１は、洗浄室１３０にＨ2 ガスを供給するためのものである。第２の洗浄ガス供給部１１２は、洗浄室１３０にＨＣｌガスを供給するためのものである。
【００２２】
マスフローコントローラー１２１、１２２は、それぞれ、Ｈ2 ガスもしくはＨＣｌガスの供給量を制御するためのものである。洗浄室１３０は、サセプター１２を洗浄するための反応室である。洗浄室１３０の雰囲気温度は、１０００℃以上である。フィルター部１５０は、洗浄室１３０で発生したＧａＣｌ3 を除去するためのものである。詳細については後述する。ロータリーポンプ１７０は、洗浄室１３０の内部を真空引きするためのものである。除害装置１８０は、ＨＣｌガスを除去するためのものである。
【００２３】
２．フィルター部
２−１．フィルター部の構成
図２に示すように、フィルター部１５０は、洗浄室１３０よりガスの流れの下流側の位置に配置されている。この配置は、洗浄室１３０で発生したＧａＣｌ3 を除去するためである。フィルター部１５０は、２段階構成になっている。すなわちフィルター部１５０は、第１のフィルター１５１と、第２のフィルター１５２と、を有している。図２に示すように、第２のフィルター１５２は、第１のフィルター１５１よりもガスの流れの下流側の位置に配置されている。
【００２４】
２−２．第１のフィルター
第１のフィルター１５１は、粘性の高い比較的粒径の大きいＧａＣｌ3 粒子を除去するためのものである。第１のフィルター１５１における目開き（開口幅）は、３００μｍ以上５００μｍ以下の範囲内である。
【００２５】
ここで、粘性の高いＧａＣｌ3 粒子の粘度は、０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内である。水分を含んで０．５Ｐａ・ｓ以上１０Ｐａ・ｓ以下の範囲内の粘度となった塩化ガリウム（ＧａＣｌ3 ）を９５％以上捕獲するには、フィルターの目開きは、５００μｍ以下である必要がある。
【００２６】
２−３．第２のフィルター
第２のフィルター１５２は、比較的粒径の小さいＧａＣｌ3 粒子を除去するためのものである。第２のフィルター１５２における目開き（開口幅）は、２μｍ以上１００μｍ以下の範囲内である。粘性の高い比較的粒径の大きい粒子は、第１のフィルター１５１で除去済みである。そのため、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子は、第２のフィルター１５２の箇所に突入することはない。したがって、第２のフィルター１５２は、第１のフィルター１５１が捕獲するＧａＣｌ3 よりも粘度の低いＧａＣｌ3 を捕獲することとなる。
【００２７】
これらの第１のフィルター１５１および第２のフィルター１５２の材質として、ポリエステル、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリプロピレン、ナイロン、セルロース、ＰＴＦＥ、グラスウール、アクリルウール等、種々の材質を用いることができる。そして、第１のフィルター１５１の材質と、第２のフィルター１５２の材質とは、互いに異なっていてもよい。もちろん、これらの材質として同じものを用いてもよい。
【００２８】
２−４．ＧａＣｌ3 の捕獲
ここで、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子も、比較的粒径の小さい粒子のいずれも、ＧａＣｌ3 である。ただし、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子は、水分を含んでいる。そのため、この粒子の粘性は高い。このように、本実施形態の洗浄装置１００は、洗浄室１３０の下流のフィルター部１５０で、まず、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子を除去した後に、比較的粒径の小さい粒子を除去することに特徴がある。
【００２９】
３．III 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法
３−１．洗浄ガス供給工程
次に、本実施形態の洗浄装置１００で実施される洗浄方法について説明する。まず、洗浄室１３０の内部に、洗浄の対象であるサセプター１２を配置する。次に、第１の洗浄ガス供給部１１１からＨ2 ガスを洗浄室１３０の内部に供給するとともに、第２の洗浄ガス供給部１１２からＨＣｌ（塩化水素）ガスを洗浄室１３０の内部に供給する。つまり、洗浄室１３０の内部に少なくとも塩素系の洗浄ガスを供給する。
【００３０】
３−２．反応工程
そして、これらの洗浄ガスの供給を継続しつつ、洗浄室１３０の内部の温度を１０００℃以上まで上昇させる。そのときの炉内雰囲気温度およびサセプター１２の温度を１０５０℃以上１１５０℃以下とするとよい。この条件下で、１０分から３０分程度保持することにより、サセプター１２の表面のＧａＮは除去される。このとき、ＧａＮと塩素系ガスとが反応することにより、ＧａＣｌ3 が生成される。また、ＧａＮとＨ2 ガスとが反応することにより、ＧａＨ3 が生成される。また、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮのように、ＡｌやＩｎを含む被膜についても同様に除去される。そして、ＧａＣｌ3 を含む排出ガスを洗浄室１３０から排出する。
【００３１】
３−３．塩化ガリウム捕獲工程
次に、ＧａＣｌ3 を含む排出ガスから第１のフィルター１５１および第２のフィルター１５２によりＧａＣｌ3 を捕獲する。前述したように、粘度の高いＧａＣｌ3 を第１のフィルター１５１が捕獲した後に、粘度の比較的低いＧａＣｌ3 を第２のフィルター１５２が捕獲する。
【００３２】
４．実験
４−１．フィルターの構成
本実験では、外径２００ｍｍの市販の円筒形状のフィルターを用いた。この円筒形状のフィルターは、その円筒内部に、第２のフィルター１５２の目開きに相当するフィルターを有している。この円筒形状のフィルターの外径の周囲に、厚さ１０ｍｍの不織布を巻きつけた。この不織布が、第１のフィルター１５１に相当する。そして、上流側のフィルター（第１のフィルター１５１）と下流側のフィルター（第２のフィルター１５２）との間の隙間は、１０ｍｍであった。
【００３３】
４−２．実験結果
図３は、フィルターの寿命を示すグラフである。図３の横軸は、ガスの流量を積算したガス積算流量である。図３の縦軸は、フィルター内の圧力である。フィルターに目詰まりが生じると、このフィルター内の圧力が急上昇する。ここで、Ｋ１は、目詰まりが生じたことを示す閾値である。フィルター内の圧力が閾値Ｋ１以上になることは、フィルターの寿命が到来したことを意味する。
【００３４】
（実施例１）
図３中の線Ｌ１は、実施例に係るフィルター部の結果を示すものである。線Ｌ１は、上流側のフィルター（第１のフィルター１５１）として、目開き５００μｍのポリエステルのフィルターを用いるとともに、下流側のフィルター（第２のフィルター１５２）として、目開き２μｍのポリエステルのフィルターを用いた結果を示す線である。図３に示すように、この場合には、ガス積算流量が５５００Ｌ程度で、フィルターに目詰まりが生じた。
【００３５】
（比較例１）
線Ｒ１は、目開き２μｍのポリエステルのフィルターを用いた結果を示す線である。図３に示すように、この場合には、ガス積算流量が９００Ｌ程度で、フィルターに目詰まりが生じた。粘性の高く比較的粒径の大きい粒子が、目詰まりの原因になっていると考えられる。
【００３６】
このように、線Ｌ１（実施例１：２段階フィルター）の場合には、線Ｒ１（比較例１：１段階フィルター）の場合に比べて、寿命が６倍程度長い。
【００３７】
（実施例２）
図４は、図３と同様の図である。そして、図４の線Ｌ１は、図３の線Ｌ１と同じである。図４中の線Ｌ２は、実施例に係るフィルター部の結果を示すものである。線Ｌ２は、上流側のフィルター（第１のフィルター１５１）として、目開き３００μｍのポリエステルのフィルターを用いるとともに、下流側のフィルター（第２のフィルター１５２）として、目開き２μｍのポリエステルのフィルターを用いた結果を示す線である。図４に示すように、線Ｌ２（実施例２：２段階フィルター）の場合には、ガス積算流量が５１００Ｌ程度で、フィルターに目詰まりが生じた。
【００３８】
（比較例２）
図５は、図３と同様の図である。そして、図５の線Ｒ１は、図３の線Ｒ１と同じである。図５の線Ｒ２は、目開き５０μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）のフィルターを用いた結果を示す線である。図５に示すように、線Ｒ２（比較例２：１段階フィルター）の場合には、ガス積算流量が１９００Ｌ程度で、フィルターに目詰まりが生じた。
【００３９】
４−３．シミュレーション
図６は、図３と同様の図である。そして、図６の線Ｌ１は、図３の線Ｌ１と同じである。図６中の線Ｓ１は、シミュレーションによる結果を示す線である。線Ｓ１は、上流側のフィルター（第１のフィルター１５１）として、目開き５００μｍのポリエステルのフィルターを用いるとともに、下流側のフィルター（第２のフィルター１５２）として、目開き５０μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）のフィルターを用いた場合のシミュレーション結果を示す線である。
【００４０】
図６に示すように、線Ｓ１の場合（２段階フィルター）には、ガス積算流量が１２０００Ｌ程度で、フィルターに目詰まりが生じるものと考えられる。なお、図６には、ガス積算流量が３０００Ｌ程度までのフィルター内の圧力が実測値としてプロットしてある。ただし、３０００Ｌ以上の領域には、シミュレーションの結果が示されている。
【００４１】
このように、２段階フィルターを用いた場合には、フィルターの寿命が十分に長い。一方、１段階フィルターを用いた場合には、フィルターの寿命がやや短い。
【００４２】
比較例（１段階フィルター）では、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子が、フィルターのメッシュをある程度埋めるとともに、そこに粘性の高い比較的粒径の大きい粒子および比較的粒径の小さい粒子の双方が、そこに進入したためと考えられる。実施例（２段階フィルター）では、粘性の高い比較的粒径の大きい粒子と、比較的粒径の小さい粒子とを、別々に２段階で捕獲することとしたため、フィルターの寿命が長いと考えられる。また、実施例（２段階フィルター）では、流れてくるガスに含まれている水分を、上流側のフィルターで捕獲されている粒子がある程度吸収したということも考えられる。
【００４３】
５．変形例
５−１．半導体素子
本実施形態のＭＯＣＶＤ炉１０は、半導体発光素子を製造するために用いるものであるとした。しかし、もちろん、その他の素子を製造するために用いることができる。なお、ここでいう半導体素子は、III 族窒化物系の半導体を有するものであれば、他の素子であってもよい。例えば、パワー素子等であっても、もちろん構わない。
【００４４】
５−２．洗浄する部品
本実施形態では、サセプター１２を洗浄することとした。しかし、それ以外の部品を洗浄することとしてももちろん構わない。例えば、炉本体を洗浄することもできる。また、本実施形態では、ＭＯＣＶＤ炉１０の部品を洗浄することとしたが、その他の気相エピタキシー法、例えば、ＨＶＰＥ炉の部品等を洗浄することとしてもよい。なお、これらの洗浄する部品として、ＳｉＣを材質とするものや、ＳｉＣをコーティングしたものに対して特に有効である。ＧａＮ等の半導体がその部品の表面に堆積しやすいからである。
【００４５】
６．本実施形態のまとめ
以上詳細に説明したように、本実施形態のIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄方法では、粘度の高い粒子を第１のフィルター１５１で除去した後に、粘度の低い粒子を第２のフィルター１５２で除去することとした。そのため、これらを含むフィルター部１５０の長寿命化を実現している。これにより、メンテナンスサイクルの短いIII 族窒化物半導体製造装置の洗浄装置が実現されている。
【符号の説明】
【００４６】
１０…ＭＯＣＶＤ炉
１２…サセプター
１００…洗浄装置
１１０…洗浄ガス供給部
１１１…第１の洗浄ガス供給部
１１２…第２の洗浄ガス供給部
１２１、１２２…マスフローコントローラー
１３０…洗浄室
１５０…フィルター部
１５１…第１のフィルター
１５２…第２のフィルター
１７０…ロータリーポンプ
１８０…除害装置
【図１】
2014183245.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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