(57)【要約】 【課題】  欠陥を含むフォトマスクを用いてパターン露光した場合にも、設計どおりのパターンを形成することのできる欠陥補正方法を提供する。【解決手段】  欠陥補正方法は、フォトマスクに存在する欠陥の位置情報と、前記フォトマスクの設計データを取得し、前記欠陥の位置情報を入力とする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データを入力とする第２の光学シミュレーション情報を生成し、前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う。【選択図】図３
2014232808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクに存在する欠陥の位置情報と、前記フォトマスクの設計データを取得し、
前記欠陥の位置情報を入力とする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データを入力とする第２の光学シミュレーション情報を生成し、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、
前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う、
ことを特徴とする欠陥補正方法。
【請求項２】
前記第１の光学シミュレーション情報は、前記フォトマスクを用いて露光を行なった場合の露光状態をシミュレーションした結果を表わすことを特徴とする請求項１に記載の欠陥補正方法。
【請求項３】
前記第２の光学シミュレーション情報は、前記フォトマスクに前記欠陥がない場合の露光状態をシミュレーションした結果を表わすことを特徴とする請求項１に記載の欠陥補正方法。
【請求項４】
フォトマスクに存在する欠陥の検査結果を示す欠陥検査データと、前記フォトマスクの設計データとを入力とし、前記欠陥検査データに基づく第１の光学シミュレーション情報、および前記設計データに基づく第２の光学シミュレーション情報を生成し、前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成する補正データ生成部と、
前記フォトマスクを用いた第１の露光を行う第１露光部と、
前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う第２露光部と、
を有する半導体製造装置。
【請求項５】
フォトマスクに存在する欠陥の検出結果と、前記フォトマスクの設計データを取得し、
前記フォトマスクを用いた場合の露光状態をシミュレーションする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データに基づき前記欠陥がない場合の露光状態をシミュレーションする第２の光学シミュレーション情報を生成し、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、
半導体基板上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に対して、前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体製造装置にインストールされて前記半導体製造装置の演算部に以下の手順を行わせる欠陥補正プログラム：
フォトマスクの欠陥位置情報を入力として、前記欠陥位置情報に基づく第１の光学シミュレーション情報を生成させ、
前記フォトマスクの設計データを入力として、前記設計データに基づく第２の光学シミュレーション情報を生成させ、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成させ、
前記半導体製造装置の露光部を制御して、前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行わせる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスで用いられるフォトマスクに起因する欠陥補正方法、半導体製造装置、半導体製造方法、及び欠陥補正プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造プロセスでは、一般にリソグラフィ技術を用いてウェーハ上に回路パターンを形成している。半導体デバイスの微細化の要請によりパターンの微細化が進み、レチクル上で許容される欠陥のレベルも非常に小さくなってきている。特に、遠紫外光（ＥＵＶ：Extreme Ultraviolet）を利用するＥＵＶリソグラフィでは、レチクル上のパターンも非常に小さくなるため、無欠陥のレチクルを作製することは困難である。そのため、レチクル作製後にレチクル上の欠陥部分を修正する、あるいは欠陥が多いときはレチクル自体を作製し直すなど、作製時間とコストの増大が問題となっている。
【０００３】
ＥＵＶ光の波長域では、物質の光吸収の関係で透過マスクが使えないため、パターン形成前のマスクブランクとして多層反射膜を用いる。多層反射膜上に吸収体パターンを形成し、光吸収部と反射部により回路パターンを形成している。
【０００４】
従来の透過型フォトマスクにおけるレチクル欠陥検査として、検査対象のレチクルパターンの透過光の光強度分布を、無欠陥のレチクルパターンの透過光の光強度分布と比較してレチクルの良否を判断する方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。この手法は、透過型レチクルの良否を判定するにとどまっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−２９７１０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＥＵＶリソグラフィで生じる欠陥として、ＥＵＶフォトマスクの吸収体パターンに起因する欠陥と、マスクブランクに起因する欠陥が考えられる。マスクブランクは多層反射膜を用いるため、多層膜のどの部分に欠陥があるのか特定が困難であり、フォトマスク（レチクル）自体の部分修正は困難である。また、ＥＵＶフォトマスク（レチクル）の作製のやり直しはコストがかかる。
【０００７】
そこで、欠陥のあるフォトマスクを使用してウェーハを露光した場合でも、本来ならレジストパターン上に欠陥として現れる部分を通常のプロセスフローの中で簡単に修正できる構成、手法が望まれる。
【０００８】
本発明は、欠陥を含むフォトマスクを用いてパターン露光した場合にも、ウェーハ上に設計どおりのパターンを形成することのできる欠陥補正の手法及び構成を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
ひとつの態様では、欠陥補正方法は、
フォトマスクに存在する欠陥の位置情報と、前記フォトマスクの設計データを取得し、
前記欠陥の位置情報を入力とする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データを入力とする第２の光学シミュレーション情報を生成し、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、
前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う、
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
欠陥を含むフォトマスク（レチクル）を用いてパターン露光した場合にも、ウェーハ上に設計どおりのパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明が適用されるＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図２】図１の露光装置で用いられるＥＵＶフォトマスクの構成例である。
【図３】実施形態の方法を示すフローチャートである。
【図４】第１実施形態で、マスクブランクに生じる欠陥を説明するための図である。
【図５】マスクブランクの欠陥に起因するレジスト欠陥を説明する図である。
【図６】マスクブランクの欠陥に起因する露光欠陥を示すシミュレーション図である。
【図７】第１実施形態の欠陥補正方法を示す図である。
【図８】第１実施形態の欠陥補正方法を示す図であり、図７の工程に引き続く工程を示す図である。
【図９】第２実施形態で、吸収体パターンの欠陥に起因するレジスト欠陥を説明する図である。
【図１０】第２実施形態の欠陥補正方法を示す図である。
【図１１】第２実施形態の欠陥補正方法を示す図であり、図１０の工程に引き続く工程を示す図である。
【図１２】実施形態で用いられる半導体製造装置の概略構成図である。
【図１３】実施形態の半導体製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本発明が適用されるＥＵＶ露光装置１の概略図である。ＥＵＶ光源２から出力されるＥＵＶ光は、照明光学系４により、真空チャンバ３内でマスクステージ６に保持されたＥＵＶフォトマスク１０を照射する。ＥＵＶフォトマスク１０で反射された光は、投影光学系５によりウェーハステージ８上に保持されたウェーハ９に導かれる。これによりＥＵＶフォトマスク１０に形成されたパターンが、ウェーハ９上に投射される。
【００１３】
図２は、ＥＵＶフォトマスク１０の概略図である。ＥＵＶフォトマスク１０は、基板１１上に形成された多層反射膜１２と、多層反射膜１２上に形成された吸収体パターン１３を有する。吸収体パターン１３はＴａＮ，ＴａＢＮ，Ｃｒなどの光吸収体で形成されている。ＥＵＶフォトマスク１０が図１のＥＵＶ露光装置１で用いられる場合は、吸収体パターン１３がウェーハ９と対向するように保持される。
【００１４】
多層反射膜１２は、たとえば、シリコン（Ｓｉ）１２１とモリブデン（Ｍｏ）１２２を交互に積層した膜である。吸収体パターン１３が形成される前の多層反射膜１２は、マスクブランク１２と呼ばれる。マスクブランク１２の周期長（ＳｉとＭｏを一回積層した合計の膜厚）は一般に６〜９ｎｍ程度であり、ＥＵＶ光の入射角から最大反射率が得られるように選択される。ＥＵＶフォトマスク１０に導かれる光のうち、吸収体パターン１３に入射した光成分は吸収され、多層反射膜１２に入射した光成分が反射される。吸収体パターン１３による光吸収領域と、多層反射膜１２による反射領域とで回路パターンが形成される。
【００１５】
発明者らは、ＥＵＶフォトマスク１０に起因する欠陥には、２通りの欠陥があることを見出した。ひとつはマスクブランク１２を構成する多層反射膜１２での欠陥、もうひとつは、回路パターン１３の欠陥である。
【００１６】
マスクブランク１２に起因する欠陥であろうと、回路パターン１３に起因する欠陥であろうと、フォトマスク１０自体の修正や再作製をできるだけ回避し、フォトマスク１０をそのまま用いて露光段階でウェーハ上のパターン補正を行う方法を提案するに至った。
【００１７】
具体的には、図３に示すように、実際のフォトマスク上の欠陥を検出した検出結果として、フォトマスク上の欠陥の位置情報を取得し、またこのフォトマスクの設計データを取得する（Ｓ１０１）。欠陥の位置情報を入力とする第１の光学シミュレーション情報と、設計データを入力とする第２の光学シミュレーション情報を生成する（Ｓ１０３）。第１の光学シミュレーション情報は、たとえば欠陥を含むフォトマスクをそのまま用いて露光を行なった場合の露光状態をシミュレーションしたイメージを表わす情報である。第２の光学シミュレーション情報は、たとえばフォトマスクに欠陥がない場合の露光状態をシミュレーションしたイメージを表わす情報である。
【００１８】
第１の光学シミュレーション情報と第２の光学シミュレーション情報から、欠陥補正データを生成する（Ｓ１０５）。そして、上記のフォトマスクをそのまま用いて第１の露光（たとえばＥＵＶ露光）を行い、欠陥補正データを用いて第２の露光（たとえば電子ビーム露光）を行う（Ｓ１０７）。ウェーハ上に設計データに合致する露光像を形成することで、設計データどおりの回路パターンを形成する。
【００１９】
この方法によれば、フォトマスク上に微細な欠陥が含まれていても、露光段階で露光領域を修正することにより、設計データどおりのパターンを形成することができる。
【００２０】
以下で、上記の手法とこれを実現する構成をより詳細に説明する。以下の説明では、ＥＵＶフォトマスク１０を、原版マスクという意味で「レチクル１０」と称し、吸収体パターン１３を「回路パターン１３」あるいは「レチクルパターン１３」と称する。
【００２１】
＜第１実施形態＞
第１実施形態では、マスクブランク１２に起因する欠陥を補正する。図４は、マスクブランク１２に生じる欠陥を示す図である。
【００２２】
図４（Ａ）のように欠陥のないマスクブランク１２では、入射光はＳｉを透過し、周期的に配置されるＭｏで反射され、位相の揃った光が出射する。これに対し、図４（Ｂ）のように、多層反射膜１２の内部にゴミなどが付着する場合、多層反射膜１２に歪みが生じて反射光が散乱し位相欠陥となる。また、多層反射膜１２の表面に段差や凹凸がある場合にも位相欠陥が生じる。
【００２３】
図５は、マスクブランク１２に欠陥がある場合に、どのようにレジストパターンに影響するかを示す図である。図５（Ｂ）のようにマスクブランク１２に欠陥がない場合は、マスクブランク（多層反射膜）１２で反射された光によりレジスト膜上に露光欠陥のない露光像２１が形成され、設計どおりのレジストパターン２６が形成される（ポジ型レジスト）。
【００２４】
これに対し、図５（Ａ）のように、マスクブランク１２に欠陥１５があると、レチクルパターン１３に問題がなくても、露光像２１に位相欠陥による露光欠陥２２が生じる。露光欠陥２２のある状態でレジスト膜を現像すると、レジストパターン２６に不要な突起２７が生じる。このようなレジストパターン２６をマスクとしてエッチングを行うと、ウェーハ上の回路パターンにも欠陥が生じる。
【００２５】
図６（Ａ）は、ブランク欠陥（位相欠陥）がある状態で露光した場合の光学シミュレーション像を示す。比較として、図６（Ｂ）に位相欠陥のないレチクルを用いて露光した場合の光学シミュレーション像を示す。図６（Ａ）に示すように、位相欠陥があると、その部分の露光像が細ってパターン転写を正確に行うことができない。
【００２６】
従来は、このような場合にレチクル１０自体を修正あるいは再作製していたが、第１実施形態では、マスクブランク１２に欠陥１５がある場合でも、レチクル１０をそのまま使用し、露光欠陥データを取得して追加露光することによって欠陥補正を行う。
【００２７】
図７及び図８は、マスクブランク１２に欠陥１５がある場合の欠陥補正方法を示す図である。まず、図７（Ａ）で、レチクル１０のブランク欠陥データ３１を取得する。ブランク欠陥データ３１は、任意のマスクブランク検査方法を利用して取得することができる。たとえば露光に用いるＥＵＶ光と同じ波長の検出光を用いて反射光の強度分布を得ることで、位相欠陥の存在と、位相欠陥のレチクル１０上の座標位置及び範囲を検出することができる。これらの情報をブランク欠陥データ３１として取得する。
【００２８】
ブランク欠陥データ３１とともに、レチクル描画データ３２を取得する。レチクル描画データは基本的にはあらかじめ生成された回路パターンの設計データであるが、必要に応じて、近接効果補正用のパターン修正やアシストバーなどの補助パターンの追加などがなされている場合もある。
【００２９】
図７（Ｂ）で、検出されたブランク欠陥データ３１とレチクル描画データ３２を合成して、合成データ３３を生成する。
【００３０】
図７（Ｃ）で、合成データ３３を入力とする光学シミュレーション像３７ａ（図６（Ａ）参照）と、レチクル描画データ３２のみを入力とする光学シミュレーション像３７ｂ（図６（Ｂ）参照）を取得する。光学シミュレーションは、予定しているプロセス条件あるいは既定のプロセス条件の下で行う。合成データ３３に基づくシミュレーション像３７ａには、ブランク欠陥に起因する露光欠陥３４が発生している。このシミュレーション像３７ａは、ブランク欠陥１５を含むマスクブランク（多層反射膜）１２上にレチクルパターン１３を形成してウェーハを露光した場合に得られる露光パターンの予測画像である。光学シミュレーション情報としては、露光状態をシミュレートできるデータであればどのようなデータでもよく、必ずしも図６のようなシミュレーション像に限定されない。
【００３１】
図７（Ｄ）で、合成データ３３に基づくシミュレーション像３７ａと、レチクル描画データ３２に基づくシミュレーション像３７ｂの差分データを取得する。この差分データを補正露光用の補正データ（ＥＢデータ）３５とする。
【００３２】
図８（Ａ）で、ブランク欠陥１５を含むマスクブランク（多層反射膜）１２上にレチクルパターン１３を形成してレチクル１０を作製し、作製したレチクル１０を用いてＥＵＶ露光を行う。また、図７（Ｄ）で取得した補正データ（ＥＢデータ）３５を用いて、電子線ビームによる露光を行う。ＥＢデータ３５を用いた露光は、ブランク欠陥１５に起因する露光欠陥３４（図７（Ｃ）参照）を補うための露光である。
【００３３】
図８（Ｂ）は、露光によりウェーハ上に形成される露光像を示す。レチクル１０を用いたＥＵＶ露光では、ＥＵＶ露光像２１に欠陥２２が生じるが、ＥＢ露光により、欠陥２２を補うＥＢ露光像４１が生成される。ＥＵＶ露光とＥＢ露光は同時に行われてもよいし、順次行なわれてもよい。同時に行う場合は、ＥＵＶ光源とＥＢ光源を有する露光・現像装置（不図示）内にウェーハを配置する。別々に露光する場合は、後述するようにウェーハをＥＵＶ露光装置とＥＢ露光装置の間で搬送して順次露光する。ＥＵＶ露光装置とＥＢ露光装置の構成によっては、ＥＵＶ露光の後に追加のＰＥＢ（Post Exposure Bake：露光後ベーク）工程を行ってからＥＢ露光を行なってもよい。
【００３４】
図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）のレチクルを用いたＥＵＶ露光像２１と電子線ビームによるＥＢ露光像４１がウェーハ上で重ね合わせられたときの露光領域を示す。レチクル１０のブランク欠陥１５に起因する露光欠陥２２が、ＥＢ露光像４１により補われ、レチクル描画データから期待される露光像と同じ露光像が得られる。
【００３５】
図８（Ｄ）は、露光および現像後のレジストパターン２６を示す。レチクル１０に存在するブランク欠陥１５にもかかわらず、図５（Ｂ）のような突起２７を生じさせることなく、レチクル描画データ３２より期待されるレジストパターン２６が得られる。レジストパターン２６を用いてエッチングを行うことにより、設計どおりの回路パターンをウェーハ上に形成することができる。
【００３６】
＜第２実施形態＞
図９〜図１１は、第２実施形態の欠陥補正方法を説明するための図である。第２実施形態では、レチクルパターン１３に欠陥がある場合の欠陥補正を提供する。
【００３７】
図９は、レチクルパターン１３に欠陥がある場合のレジストパターン２６への影響を示す図である。図９（Ｂ）のようにレチクルパターン１３に欠陥がない場合は、マスクブランク（多層反射膜）１２で反射された光によりレジスト膜上にＥＵＶ露光像２１が形成され、これを現像することによって、レチクルパターン１３どおりのレジストパターン２６が形成される（ポジ型レジスト）。
【００３８】
これに対し、図９（Ａ）のように、レチクルパターン１３に欠陥１６があると、マスクブランク１２に問題がなくても、ＥＵＶ露光像２１に露光欠陥２３が生じる。露光欠陥２３があると、レジストパターン２６に不要な突起２８が形成され、エッチング後の配線パターンに欠陥が生じる。
【００３９】
第２実施形態では、レチクルパターン１３に欠陥１５がある場合でも、レチクル１０をそのまま使用し、露光欠陥データを取得することによって欠陥補正を行う。
【００４０】
図１０及び図１１は、レチクルパターン１３に欠陥１６がある場合の欠陥補正方法を示す図である。まず、図１０（Ａ）で、レチクル１０の欠陥検査により得られる欠陥検査データ６１と、レチクル描画データ６２を取得する。欠陥検査データ６１は、たとえば実際のレチクル１０にＥＵＶ光を照射して得られる反射光の強度分布に基づいて取得してもよいし、任意のパターン認識方法によりパターンの境界が認識できる画像データであってもよい。欠陥検査の結果、レチクルパターン欠陥６６を含む欠陥検査データ６１が取得される。
【００４１】
図１０（Ｂ）で、欠陥検査データ６１を入力とする光学シミュレーション像６７ａと、レチクル描画データ６２を入力とする光学シミュレーション像６７ｂを取得する。光学シミュレーションは、予定しているプロセス条件あるいは既定のプロセス条件の下で行う。欠陥検査データ６１にレチクル描画データ６２と異なるレチクルパターン欠陥６６が含まれている場合、光学シミュレーション像６７ａに欠陥６４として現れる。すなわち、実際にレチクル１０を用いて露光した場合に、ウェーハ上の露光像に同様の欠陥が生じることが予測される。
【００４２】
図１０（Ｃ）で、光学シミュレーション像６７ａと６７ｂを比較し、図９（Ｄ）で差分を補正データ（ＥＢデータ）６５として抽出する。第１実施形態でも第２実施形態でも、欠陥位置情報を含む欠陥検査データ６１とレチクル描画データ６２を直接比較せずに光学シミュレーション像で比較するのは、露光装置のプロセス条件によりＭＥＥＦ（Mask Error Enhancement Factor）の差があり、レチクル描画データ６２から得られる光学像は、必ずしも同じ形状や寸法を反映しないからである。
【００４３】
図１０（Ｄ）で、比較結果として、光学シミュレーション像６７ａに存在する欠陥６４がＥＢデータ６５として抽出される。ＥＢデータ６５は、たとえばパターン欠陥６６のレチクル１０上の座標位置と形状、大きさを含む。ＥＢデータ６５は、所定の閾値以上の寸法差が検出された場合にだけ算出することとしてもよい。また、光学シミュレーション像６７ａと６７ｂの差分を面積として換算し、一定の面積以上の場合にＥＢデータ６５として抽出してもよい。ＥＢデータ６５の座標位置情報は、欠陥検査装置からの情報に基づいて取得することができる。
【００４４】
図１１（Ａ）で、レチクル１０とＥＢデータ６５を用いて露光を行う。レチクル１０上に形成されたレチクルパターン１３にはパターン欠陥１６（図９（Ａ）参照）が含まれているが、そのまま用いて露光する。
【００４５】
図１１（Ｂ）で、ウェーハ上にレチクル１０を用いたＥＵＶ露光像２１と、ＥＢデータ６を用いたＥＢ露光像７１が形成される。ＥＵＶ露光像２１には、レチクル１０のパターン欠陥１６に起因する露光欠陥２３が生じるが、露光欠陥２３に対応する位置にＥＢ露光像７１が形成される。ＥＵＶ露光の後に追加のＰＥＢ工程を挿入してからＥＢ露光をおこなってもよい。
【００４６】
図１１（Ｃ）に示すように、露光の結果、ＥＵＶ露光像２１とＥＢ露光像７１がウェーは上で重なり合って、欠陥のないレチクルパターンで露光されたのと同様の露光像が得られる。
【００４７】
図１１（Ｄ）で、現像後にレチクル描画データ６２どおりのレジストパターン２６が得られる。
【００４８】
このように第２実施形態では、レチクルパターン欠陥を含むレチクルを用いて露光した場合でも、ＥＢ露光によりウェーハ上の露光像を修正することで、欠陥のない回路パターンを形成することができる。
【００４９】
＜半導体製造装置＞
図１２は、第１実施形態および第２実施形態の補正方法が適用される半導体製造装置５０の概略図である。半導体製造装置５０は、マスク検査装置５１と、補正データ生成部５５と、ＥＵＶ露光（第１露光）装置５７と、ＥＢ露光（第２露光）装置５８を含む。
【００５０】
マスク検査装置５１は、マスクブランク欠陥（位相欠陥）１５とレチクルパターン欠陥１６の少なくとも一方を欠陥検査データ５４として検出する。上述したように欠陥検出方法は任意であるが、主として光学的な強度分布から検出することができる。
【００５１】
マスク検査装置５１は、必ずしも半導体製造装置５０の構成要素でなくてもよい。外部の検査装置でレチクル１０の欠陥を検出して欠陥検査データ５４取得してもよい。
【００５２】
欠陥検査後のレチクル１０は、ＥＵＶ露光装置５７に設置される。欠陥検査がマスクブランクの欠陥検査である場合は、欠陥検査後にマスクブランク１２上にレチクルパターン１３を形成してレチクル１０を作製し、作製されたレチクルをＥＵＶ露光装置５７に設置する。
【００５３】
補正データ生成部５５は、欠陥検査データ５４を入力とする光学シミュレーションと、設計されたレチクル描画データ５２を入力とする光学シミュレーションを行い、両者の光学シミュレーション像の差分データをＥＢ補正データ３５または６５として出力する。ＥＢ補正データ３５または６５は、ＥＢ露光装置５８に入力される。
【００５４】
ＥＵＶ露光装置５７は、図１のような光学系と、図示しない塗布・現像装置を含む。ＥＵＶ露光装置５７に搬送されたウェーハ９上にレジストが塗布され、ＥＵＶ照射によりレジスト上にレチクル１０の回路パターンが描画される。ＥＵＶ露光後にベーク（ＥＰＢ）を行ってレジストをウェーハ９上に安定保持させてもよい。
【００５５】
ＥＢ露光装置５８は、ＥＢ補正データ３５または６５に基づいて、レジスト上の露光欠陥を修正する露光を行う。その後、ベークおよび現像を行ってウェーハ９上にレジスパターンを形成する。
【００５６】
なお、ＥＵＶ露光装置５７へのウェーハの搬送と、ＥＢ露光装置５８へのウェーハの搬送は、いずれを先に行なってもよい。また、ＥＵＶ露光とＥＢ露光が１つのチャンバ内で行われる場合は、いずれの露光を先に行なってもよい。
【００５７】
半導体製造装置５０における欠陥補正は、あらかじめインストールされた欠陥補正プログラムにより制御されてもよい。その場合、欠陥補正プログラムは、半導体製造装置５０の図示しないＣＰＵに以下の手順を行わせる。すなわち、レチクル１０の欠陥検査データ５４とレチクル描画データ５２を補正データ生成部５５に入力させ、欠陥検査データ５４に基づく光学シミュレーション像とレチクル描画データ５２に基づく光学シミュレーション像を生成させ、両者の光学シミュレーション像に基づいてＥＢ補正データ６５を生成させる。ＥＢ補正データ６５をＥＢ露光装置５８に供給させ、ＥＢ補正データ３５または６５に基づくＥＢ露光を行わせる。
【００５８】
図１３は、図１２の半導体製造装置５０を用いた半導体装置の製造工程図である。図１２（Ａ）に示すように、基板８１上にレジスト膜８２を形成する。図１３（Ｂ）で、レチクル１０を用いて、ＥＵＶ露光を行う。レチクル１０は、多層反射膜で構成されるマスクブランク１２上に回路パターン１３を有する。図示しない光源からのＥＵＶ光は、回路パターン１３が形成されている箇所で吸収され、回路パターン１３のない箇所で反射されてレジスト膜８２上にＥＶＵ露光領域８３を形成する。
【００５９】
図１３（Ｃ）で、ＥＢ補正データを用いて、レジスト膜８２の所定の箇所をＥＢ露光する。これにより、レジスト膜８２上にＥＢ露光領域８４が形成される。ＥＢ露光により、レチクル１０を用いたＥＶＵ露光に露光欠陥がある場合でも、露光欠陥が修正された正しい露光パターンが形成される。
【００６０】
図１３（Ｄ）でベーク（ＰＥＢ）と現像を行って、レジストパターン２６を形成する。その後、レジストパターン２６をマスクとして、基板８１上のエッチング対象膜（不図示）をエッチング加工する。
【００６１】
このように、マスクブランク１２またはレチクルパターン１３のいずれかに微細な欠陥がある場合でも、そのままレチクル１０を用いてＥＵＶ露光を行う。露光に先立って、欠陥検出データに基づく光学イメージとレチクル描画データに基づく光学イメージから補正データを生成し、露光の段階で補正データを用いて露光修正する。これにより、ウェーハ上に適正な回路パターンを形成することができる。
【００６２】
実施形態の欠陥補正方法は、レチクル作製時の欠陥個数のトレランスを緩和でき、良品レチクルを作製するまでにかかっていた日数を削減することができる。またそれに伴うコストを削減することができ、最終的な半導体チップを低コストで製造することができる。
【００６３】
実施形態の方法は、マスクブランク（多層反射膜）に欠陥がある場合に特に有効であるが、ＥＵＶ照射による露光に限定されず、従来の透過型フォトマスクを用いたパターン形成の欠陥補正にも適用することができる。
【００６４】
また、補正データに基づく露光は、ＥＢ露光に限定されず、露光に適した任意の照射線を照射して行うことができる。
【００６５】
レチクルパターンに起因する欠陥は、ポジ型のレジスト膜を用いる場合は、露光欠損を生じさせるタイプのパターン欠陥の補正に有効であり、ネガ型のレジスト膜を用いる場合は、過剰露光を生じさせるタイプのパターン欠陥の補正に有効である。
【００６６】
以下の説明に対し、以下の付記を提示する。
（付記１）
フォトマスクに存在する欠陥の位置情報と、前記フォトマスクの設計データを取得し、
前記欠陥の位置情報を入力とする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データを入力とする第２の光学シミュレーション情報を生成し、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、
前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う、
ことを特徴とする欠陥補正方法。
（付記２）
前記第１の光学シミュレーション情報は、前記フォトマスクを用いて露光を行なった場合の露光状態をシミュレーションした結果を表わすことを特徴とする付記１に記載の欠陥補正方法。
（付記３）
前記第２の光学シミュレーション情報は、前記フォトマスクに前記欠陥がない場合の露光状態をシミュレーションした結果を表わすことを特徴とする付記１に記載の欠陥補正方法。
（付記４）
前記欠陥は、前記フォトマスクのマスクブランクに存在する欠陥であることを特徴とする付記１〜３のいずれかに記載の欠陥補正方法。
（付記５）
前記欠陥は、前記フォトマスクの回路パターンに存在する欠陥であることを特徴とする付記１〜３のいずれか記載の欠陥補正方法。
（付記６）
前記第１の露光は、遠紫外光による露光であることを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の欠陥補正方法。
（付記７）
前記第２の露光は、電子線ビームによる露光であることを特徴とする付記１〜５のいずれかに記載の欠陥補正方法。
（付記８）
前記欠陥補正データは、前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報の差分を表わすことを特徴とする付記１〜７のいずれかに記載の欠陥補正方法。
（付記９）
フォトマスクに存在する欠陥の位置情報を示す欠陥検査データと、前記フォトマスクの設計データとを入力とし、前記位置情報に基づく第１の光学シミュレーション情報、および前記設計データに基づく第２の光学シミュレーション情報を生成し、前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成する補正データ生成部と、
前記フォトマスクを用いた第１の露光を行う第１露光部と、
前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う第２露光部と、
を有する半導体製造装置。
（付記１０）
フォトマスクに存在する欠陥の位置情報と、前記フォトマスクの設計データを取得し、
前記フォトマスクを用いて露光した露光状態をシミュレーションする第１の光学シミュレーション情報と、前記フォトマスクの設計データに基づき前記欠陥がない場合の露光状態をシミュレーションする第２の光学シミュレーション情報を生成し、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成し、
半導体基板上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に対して、前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行う、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
半導体製造装置にインストールされて前記半導体製造装置の演算部に以下の手順を行わせる欠陥補正プログラム：
フォトマスクの欠陥位置情報を入力として、前記欠陥位置情報に基づく第１の光学シミュレーション情報を生成させ、
前記フォトマスクの設計データを入力として、前記設計データに基づく第２の光学シミュレーション情報を生成させ、
前記第１の光学シミュレーション情報と前記第２の光学シミュレーション情報に基づいて欠陥補正データを生成させ、
前記半導体製造装置の露光部を制御して、前記フォトマスクを用いた第１の露光と、前記欠陥補正データを用いた第２の露光を行わせる。
【符号の説明】
【００６７】
１０  レチクル（フォトマスク）
１２  マスクブランク（多層反射膜）
１３  吸収体パターン（レチクルパターンまたは回路パターン）
１５  マスクブランクの欠陥
１６  レチクルパターンの欠陥
３１  ブランク欠陥データ（欠陥検査データ）
３２、５２  レチクル描画データ
３５、６５  ＥＢ補正データ
５０  半導体製造装置
５１  マスク検査装置
５４、６１  欠陥検査データ
５５  補正データ生成部
５７  ＥＵＶ露光装置
５８  ＥＢ露光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図６】
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