(57)【要約】【課題】  液体吐出ヘッドのシリコン基板に、良好な形状を有する液体供給口を簡易な方法で製造すること。【解決手段】  液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材と、前記液体吐出口及び液体流路に液体を供給する液体供給口を形成するシリコン基板と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、表面側に、開口が形成された第１のマスク層と、前記第１のマスク層上に液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材とを有し、裏面側に、開口が形成された第２のマスク層を有するシリコン基板を用意する工程と、前記第１のマスク層に形成された開口と前記第２のマスク層に形成された開口とからエッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングし、前記シリコン基板に液体供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。【選択図】  図２
2014083772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材と、前記液体吐出口及び液体流路に液体を供給する液体供給口を形成するシリコン基板と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、
表面側に、開口が形成された第１のマスク層と、前記第１のマスク層上に液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材とを有し、裏面側に、開口が形成された第２のマスク層を有するシリコン基板を用意する工程と、
前記第１のマスク層に形成された開口と前記第２のマスク層に形成された開口とからエッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングし、前記シリコン基板に液体供給口を形成する工程と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記流路形成部材はケイ素及び炭素を含有し、流路形成部材のケイ素の含有割合をＸ（ａｔｏｍ％）、炭素の含有割合をＹ（ａｔｏｍ％）としたときに、Ｙ／Ｘが０．００１以上である請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記Ｙ／Ｘが０．０１以上である請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記Ｙ／Ｘが０．０５以上である請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記Ｙ／Ｘが０．１以上である請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記流路形成部材は窒素を含有している請求項１〜５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記流路形成部材は炭窒化ケイ素を含有している請求項１〜６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第１のマスク層はケイ素及び炭素を含有し、第１のマスク層のケイ素の含有割合をＸ（ａｔｏｍ％）、炭素の含有割合をＹ（ａｔｏｍ％）としたときに、Ｙ／Ｘが０．００１以上である請求項１〜７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記第１のマスク層は窒素を含有している請求項１〜８のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングする工程の前に、前記第２のマスク層の開口から前記シリコン基板に未貫通穴を形成する請求項１〜９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記エッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングする工程の前に、前記流路形成部材を透過するレーザーを照射し、前記第１のマスク層の開口から前記シリコン基板に未貫通穴を形成する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記エッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングする工程の前に、前記流路形成部材を透過するレーザーを照射し、前記第１のマスク層の開口から前記シリコン基板に変質領域を形成する請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
前記エッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングする工程の前に、前記流路形成部材を透過するレーザーを照射し、前記シリコン基板に貫通穴を形成する請求項１〜９のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記流路形成部材を透過するレーザーの波長は５００ｎｍ以上である請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体を吐出し、紙等の記録媒体に着弾させて画像を記録する装置として、液体吐出装置が知られている。液体吐出装置は液体吐出ヘッドを有し、液体吐出ヘッドの吐出口から液体が吐出される。
【０００３】
液体吐出ヘッドの製造方法として、特許文献１には、基板上に液体流路の型となる型材を形成し、続いて型材を流路形成部材で覆い、その後型材を除去して液体流路を形成する方法が記載されている。この方法を、図７を用いて説明する。
【０００４】
まず、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１０１の裏面側にマスク層１０８を設ける。マスク層１０８には開口１０９が形成されている。シリコン基板１０１の表面側には開口を有さない保護膜１１６を形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、シリコン基板１０１の表面側に液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材１０３を形成する。液体流路となる部分には、液体流路の型となる型材１１０が形成されている。続いて図７（ｃ）に示すように、流路形成部材１０３を保護部材２０１で覆う。この状態において、図７（ｄ）に示すように、裏面側のマスク層１０８の開口１０９からエッチング液を供給し、シリコン基板１０１のエッチングを行う。保護部材２０１は、流路形成部材１０３をエッチング液から保護する役割を果たす。エッチングが進行すると、図７（ｅ）に示すようにエッチング液が表面側の保護膜１１６へと到達する。保護膜１１６はエッチングストップ層として機能し、エッチング液の流路形成部材１０３への到達を抑制する。このようにして、シリコン基板１０１に液体供給口１０５を形成し、図７（ｆ）に示すように液体供給口１０５の上面にある保護膜１１６をドライエッチングにより除去し、液体供給口１０５を表面側に連通させる。そして保護部材２０１を除去し、型材１１０を除去することで、図７（ｇ）に示す液体吐出ヘッドが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１１４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の方法によれば、良好な形状の液体吐出ヘッドを製造することができるが、シリコン基板１０１の表面側における液体供給口１０５の開口幅は、エッチング液によるエッチング精度と、保護膜１１６のドライエッチング精度によって決定される。このため、シリコン基板１０１の表面側の液体供給口１０５の開口幅を非常に高い精度で制御するには、高い技術を要する。
【０００７】
例えば、シリコン基板の表面側に、シリコン基板よりもエッチングされやすいアルミニウム等の犠牲層を設けることで、液体供給口の表面側の開口幅を高い精度で制御することができる。但し、この場合は犠牲層を設けるという工程が増えてしまう。
【０００８】
また、特許文献１に記載の方法では、エッチング液がシリコン基板の裏面側からのみの供給となるので、シリコン基板内にエッチング液が入りにくく、液体供給口の開口幅を小さくしたい場合にはエッチング液の供給にも高度な技術が必要である。
【０００９】
従って、本発明は、エッチング液によってシリコン基板をエッチングすることでシリコン基板に液体供給口を形成する場合において、良好な形状を有する液体供給口を簡易な方法で製造することができる液体吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題は、以下の本発明によって解決される。即ち本発明は、液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材と、前記液体吐出口及び液体流路に液体を供給する液体供給口を形成するシリコン基板と、を有する液体吐出ヘッドの製造方法であって、表面側に、開口が形成された第１のマスク層と、前記第１のマスク層上に液体吐出口及び液体流路を形成する流路形成部材とを有し、裏面側に、開口が形成された第２のマスク層を有するシリコン基板を用意する工程と、前記第１のマスク層に形成された開口と前記第２のマスク層に形成された開口とからエッチング液を供給して前記シリコン基板をエッチングし、前記シリコン基板に液体供給口を形成する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、シリコン基板にエッチング液によるエッチングで液体供給口を形成する場合に、良好な形状を有する液体供給口を簡易な方法で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明で製造する液体吐出ヘッドの一例を示すヘッド断面図。
【図２】本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【図３】本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【図４】本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【図５】本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【図６】本発明の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【図７】従来の液体吐出ヘッドの製造方法の一例を示すヘッド断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１４】
図１は、本発明で製造する液体吐出ヘッドの断面図の一例である。液体吐出ヘッド１００は、シリコン基板１０１と、液体吐出口１０４及び液体流路１１５を形成する流路形成部材１０３とを有する。シリコン基板１０１の表面側には、エネルギー発生素子１０２が形成されている。エネルギー発生素子としては、熱変換素子（ヒータ）や圧電素子が挙げられる。エネルギー発生素子１０２はシリコン基板１０１に接していてもよいし、シリコン基板１０１から離れ、宙に浮いている部分を有していてもよい。シリコン基板１０１とエネルギー発生素子１０２との間には、絶縁層が設けられていることが好ましい。また、シリコン基板１０１の表面側には、エネルギー発生素子１０２を覆うように第１のマスク層１０６が設けられている。第１のマスク層１０６には開口が形成されている。また、シリコン基板１０１の裏面側には、第２のマスク層１０８が設けられており、第２のマスク層１０８にも開口が形成されている。
【００１５】
シリコン基板１０１の表面側には、上述の第１のマスク層１０６があり、第１のマスク層上には、液体吐出口１０４及び液体流路１１５を形成する流路形成部材１０３が形成されている。流路形成部材１０３のエネルギー発生素子１０２と対向する位置には、液体吐出口１０４が形成されている。
【００１６】
シリコン基板１０１には、液体供給口１０５が形成されている。液体供給口１０５は、シリコン基板１０１の表面側の開口１０７と裏面側の開口１０９とで開口し、シリコン基板１０１を縦方向に貫通している。表面側の開口１０７と裏面側の開口１０９とは、それぞれ第１のマスク層１０６の開口、第２のマスク層１０８の開口と対応している。液体供給口１０５は、液体流路１１５及び液体吐出口１０４に液体を供給する。液体供給口１０５から液体流路１１５に供給された液体には、エネルギー発生素子１０２から発生したエネルギーが与えられ、液体吐出口１０４から液体が吐出して画像が記録される。
【００１７】
次に、本発明の液体吐出ヘッドの製造方法を、実施形態を用いて説明する。
【００１８】
＜実施形態１＞
まず、図２（ａ）に示すように、開口１０７が形成された第１のマスク層１０６を表面側に有し、開口１０９が形成された第２のマスク層１０８を裏面側に有するシリコン基板１０１を用意する。シリコン基板１０１は、表面及び裏面の結晶方位が（１００）の基板、所謂（１００）基板を用いることが好ましい。第１のマスク層及び第２のマスク層は、後で行うシリコン基板１０１のエッチング時に用いるエッチング液に対して耐性を有するものが好ましい。第１のマスク層及び第２のマスク層の形成は、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて行う。第１のマスク層及び第２のマスク層の開口の形成は、例えば以下の方法で行う。まず、マスク層上に感光性レジスト（感光性樹脂等）をスピンコート等で塗布する。次に、塗布した感光性レジストをフォトリソグラフィーによってパターニングし、感光性レジストに開口パターンを形成する。そして、開口パターンを形成した感光性レジストをマスクとして用いてマスク層をドライエッチングすることで、マスク層に開口が形成される。
【００１９】
次に、シリコン基板１０１の表面側に、エネルギー発生素子やその配線等（不図示）を形成し、さらに液体流路の型となる型材１１０を形成する。型材１１０は、後で除去できる材料であればよいが、ポジ型感光性樹脂で形成することが好ましい。型材１１０の材料としては、例えばポリイミド、ポリメチルイソプロペニルケトン等が挙げられる。これらの樹脂を含有した組成物をシリコン基板の表面上に塗工し、パターニングを行って型材１１０を形成する。例えば、塗工した組成物上にマスクを形成し、Ｏ２ガス等を用いて異方的なドライエッチングを行うことでパターニングしてもよいし、型材１１０が感光性樹脂で形成されている場合は、フォトリソグラフィーによって型材１１０をパターニングしてもよい。
【００２０】
続いて、型材１１０を覆うようにして流路形成部材１０３を形成する。流路形成部材１０３も、後で行うシリコン基板１０１のエッチング時に用いるエッチング液に対して耐性を有するものが好ましい。流路形成部材１０３は、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて形成する。
【００２１】
その後、流路形成部材上にレジストを塗布し、フォトリソグラフィーによってレジストにパターンを形成する。続いて、パターンを形成したレジストをマスクとして用いて流路形成部材をドライエッチングし、図２（ｂ）に示すように、流路形成部材に液体吐出口１０４を形成する。液体吐出口１０４はフォトリソグラフィーで流路形成部材を露光、現像することで形成してもよい。
【００２２】
次に、図２（ｃ）に示すように、型材１１０を除去し、液体流路１１５を形成する。型材１１０の除去は、例えばＯ２ガス等を用いた等方的なドライエッチングによって行う。尚、第１のマスク層１０６や流路形成部材１０３は、このときのエッチングによってエッチングされにくい材料であることが好ましい。
【００２３】
このようにして型材１１０を除去した後、流路形成部材１０３を有するシリコン基板１０１をエッチング液に浸漬させる。流路形成部材１０３は、保護部材等で覆わなくてもよい。エッチング液に浸漬させると、シリコン基板１０１の裏面側から第２のマスク層１０８の開口１０９を通じてエッチング液が供給される。それとほぼ同時に、シリコン基板１０１の表面側からも、第１のマスク層１０６の開口１０７を通じてエッチング液が供給される。流路形成部材１０３には液体吐出口１０４及び液体流路１１５が形成されており、エッチング液が液体吐出口及び液体流路を通って開口１０７へとすぐに到達するためである。エッチング液は、例えばＴＭＡＨ溶液やＫＯＨ溶液等が挙げられる。シリコン基板１０１のエッチングは、これらエッチング液を用いた異方性エッチングであることが好ましい。シリコン基板の両面側からエッチング液が供給されると、シリコン基板のエッチングが表面側と裏面側の両方から行われ、図２（ｄ）に示すような状態となる。そのままエッチングを続けることで、シリコン基板の両側からのエッチングがつながり、図２（ｅ）に示すようにシリコン基板１０１に液体供給口１０５が形成される。エッチングが異方性エッチングである場合、エッチング面が全て（１１１）面となるとエッチングが実質的に止まってしまう。即ち、表面側からのエッチングによって形成した供給口の一部と、裏面側からのエッチングによって形成した供給口の一部とがいずれも全て（１１１）面が露出した形となると、エッチングが止まってしまうので、このような状態を避ける必要がある。従って、この点を考慮し、第１のマスク層１０６の開口１０７の開口幅と、第２のマスク層１０８の開口１０９の開口幅とを設定する。ここで、裏面側の開口１０９の幅をａ、表面側の開口１０７の幅をｂ、シリコン基板の厚みをｃとする。シリコン基板の表面及び裏面が（１００）面である場合には、（ａ／２＋ｂ／２）×ｔａｎ５４．７＞ｃとする。
【００２４】
本発明では、液体供給口１０５の開口に関し、シリコン基板の裏面側の開口は第２のマスク層１０８の開口１０９によって、表面側の開口は第１のマスク層１０６の開口１０７によって制御されている。このように、液体供給口の形成を、犠牲層等を用いない簡易な手法で行い、かつ形成する液体供給口の形状を高精度なものとすることができる。
【００２５】
第１のマスク層１０６及び流路形成部材１０３は、エッチング時に用いるエッチング液に対して耐性を有するものであることが好ましい。このため、これら部材（第１のマスク層及び流路形成部材）はケイ素や炭素等で構成することが好ましい。この点に関し、本発明者らがさらなる検討を行ったところ、これら部材中のケイ素に対する炭素の含有割合を増やすことで、エッチング液に対して耐性が非常に向上することを見出した。具体的には、これら部材がケイ素及び炭素を含有し、部材のケイ素の含有割合をＸ（ａｔｏｍ％）、炭素の含有割合をＹ（ａｔｏｍ％）としたときに、Ｙ／Ｘが０．００１以上であることが好ましいことを見出した。Ｙ／Ｘは０．０１以上であることがより好ましく、０．０５以上、０．１以上であることがさらに好ましい。また、成膜性の観点から、Ｙ／Ｘは１０以下であることが好ましい。部材中のケイ素と炭素は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）として存在することが好ましい。ケイ素と炭素の合計量、即ちＸ＋Ｙは５０以上であることが好ましい。これら部材はケイ素、炭素のみで構成されていてもよく、その場合は、Ｘ＋Ｙ＝１００となる。
【００２６】
また、これら部材は窒素を含有していることが好ましく、ケイ素及び炭素と合わせて炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）として含有していることが好ましい。窒素を含有することで、部材の絶縁性を高めることができる。部材中の窒素の含有割合をＺ（ａｔｏｍ％）とすると、Ｘ＋Ｙ＋Ｚは５０を超えることが好ましい。部材はケイ素、炭素、窒素のみで構成されていてもよく、その場合は、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００となる。
【００２７】
第２のマスク層１０６も、マスク層である以上、当然エッチング時に用いるエッチング液に対して耐性を有するものであることが好ましく、例えばＳｉＣやＳｉＣＮで形成することが好ましい。他にも、ＳｉＯ２やポリエーテルアミド等で形成することも好ましい。
【００２８】
第１のマスク層、第２のマスク層、流路形成部材のケイ素や炭素の割合は、プラズマＣＶＤ法の条件を適宜調整することで制御できる。例えば、炭化ケイ素を成膜する場合、ＳｉＨ４ガス流量：８０ｓｃｃｍ〜１ｓｌｍ、ＣＨ４ガス流量：１０ｓｃｃｍ〜５ｓｌｍ、ＨＲＦ電力：２５０Ｗ〜９００Ｗ、ＬＲＦ電力：８Ｗ〜５００Ｗ、圧力：３１０Ｐａ〜７００Ｐａ、温度：３００℃〜４５０℃の成膜条件から、部材の厚み、ケイ素と炭素の含有割合に応じて適宜調整する。炭窒化ケイ素を成膜する場合は、ＳｉＨ４ガス流量：８０ｓｃｃｍ〜１ｓｌｍ、ＮＨ３ガス流量：１４ｓｃｃｍ〜４００ｓｃｃｍ、Ｎ２ガス流量：０ｓｌｍ〜１０ｓｌｍ、ＣＨ４ガス流量：１０ｓｃｃｍ〜５ｓｌｍ、ＨＲＦ電力：２５０Ｗ〜９００Ｗ、ＬＲＦ電力：８Ｗ〜５００Ｗ、圧力：３１０Ｐａ〜７００Ｐａ、温度：３００℃〜４５０℃の成膜条件から、部材の厚み、ケイ素、炭素及び窒素の含有割合に応じて適宜調整する。
【００２９】
部材中のケイ素に対する炭素の含有割合を増やすことで、エッチング液に対して耐性が非常に向上することを、流路形成部材を例にして以下に示す。
【００３０】
シリコン基板上に、ポリイミドにて型材を形成し、型材を覆うようにＳｉＣ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ、ＳｉＮをプラズマＣＶＤ法にて成膜し、流路形成部材とする。部材のケイ素の含有割合をＸ（ａｔｏｍ％）、炭素の含有割合をＹ（ａｔｏｍ％）、部材中の窒素の含有割合をＺ（ａｔｏｍ％）とする。次に、形成した流路形成部材をドライエッチングし、流路形成部材に液体吐出口を形成する。
【００３１】
これら流路形成部材を形成した基板を、ｐＨ８．５の顔料インク（７０℃）に１カ月浸漬し、流路形成部材及び液体吐出口の形状を顕微鏡にて観察し、以下の基準で評価を行った。
（流路形成部材の形状）
１；流路形成部材の変形はほとんど見られない。
２；流路形成部材の変形が見られる。
３；流路形成部材の全部或いは大半が消失している。
（液体吐出口の形状）
１；液体吐出口の変形はほとんど見られない。
２；液体吐出口の変形がわずかに見られる。
３；液体吐出口の形状が存在しない程度に変形している。
【００３２】
これらの評価結果を、型材の厚み、流路形成部材の厚み（型材上の厚み）、液体吐出口の直径とともに、表１及び表２に示す。
【００３３】
【表１】
2014083772.tif 000003
【００３４】
【表２】
2014083772.tif 000004
【００３５】
＜実施形態２＞
上述の方法では、エッチング液のみでシリコン基板に供給口を形成したが、シリコン基板に先に未貫通穴を形成し、その後でエッチング液によってエッチングを行う方法でもよい。この方法を用いた形態を、図３を用いて説明する。
【００３６】
まず、図３（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の図２（ａ）及び（ｂ）と同様にする。
【００３７】
続いて、型材１１０を除去した後、第２のマスク層１０８の開口１０９内から、シリコン基板に未貫通穴１１１を形成する。図３（ｃ）に示す断面では、２本の未貫通穴１１１を形成している。未貫通穴は、レーザー照射やドライエッチング等によって形成することができるが、レーザー照射によって形成することが好ましい。
【００３８】
次に、図３（ｄ）及び図３（ｅ）に示すように、エッチング液によって液体供給口１０５を形成する。この液体供給口の一部に未貫通穴からのエッチングが到達するよう、未貫通穴の配置や本数、深さ等を調整する。エッチング液によるエッチングは異方性エッチングであることが好ましい。
【００３９】
本実施形態のように未貫通穴を形成することにより、基板表面側の開口幅を安定化させることができる。この理由は以下のように考えられる。
【００４０】
未貫通穴を形成しない場合、裏面側から表面側まで（１１１）面を有する液体供給口となる。このとき、エッチングの途中でシリコン基板に結晶欠陥があると、表面側の開口幅が広がってしまう。しかし、未貫通穴を形成してからエッチングを行うと、（１１１）面を少なくすることができ、表面側の開口幅を安定化することができる。
【００４１】
また、エッチング液によるエッチングの前に未貫通穴を形成しておくことで、エッチング時間を短縮することもできる。
【００４２】
＜実施形態３＞
液体供給口の形成に未貫通穴を用いる方法はこの他にもある。その例を、図４及び図５を用いて説明する。
【００４３】
まず、図４に示す方法を説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の図２（ａ）及び（ｂ）と同様にする。
【００４４】
続いて、型材１１０を除去した後、第２のマスク層１０８の開口１０９内から、シリコン基板に未貫通穴１１１を形成する。さらに、第１のマスク層１０６の開口１０７内からも、未貫通穴１１２を形成する。即ち、図４（ｃ）に示すように、シリコン基板１０１には、裏面側から未貫通穴１１１が、表面側から未貫通穴１１２が形成される。未貫通穴１１１と未貫通穴１１２との形成順序はどちらが先でもよく、同時でもよい。未貫通穴１１１は、上述したようにレーザー照射で形成してもよいし、ドライエッチングによって形成してもよい。但し、未貫通穴１１２は、レーザー照射によって形成する。これは、基板１０１の表面側に形成された流路形成部材１０３を破損させないためである。表面側に照射するレーザーは流路形成部材１０３を透過する必要があるので、波長を適切なものとする必要がある。例えば、流路形成部材１０３がＳｉＣやＳｉＣＮで形成されている場合、波長５００ｎｍ以上のレーザーを照射する。
【００４５】
その後は、図４（ｄ）及び（ｅ）に示すように、エッチング液によるエッチングを行い、液体供給口１０５を形成する。このように未貫通穴を両面から形成することで、液体供給口１０５の形成をさらに早めることができる。
【００４６】
＜実施形態４＞
次に、図５に示す方法を説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の図２（ａ）及び（ｂ）と同様にする。
【００４７】
続いて、図５（ｃ）に示すように、型材１１０を除去した後、第２のマスク層１０８の開口１０９内から、シリコン基板に未貫通穴１１１を形成する。さらに、第１のマスク層１０６の開口１０７内からは、シリコンの結晶欠陥が連続して存在する変質領域１１３を形成する。変質領域１１３は、シリコンの結晶構造が崩れており、エッチングが非常に早く進む。変質領域１１３の形成は、レーザーの焦点を集光させ、多光子吸収のレーザー加工により行う。例えば、ＹＡＧレーザーの基本波（波長１０６０ｎｍ）のレーザー光を用い、レーザー光のパワーおよび周波数を適切な値に設定して行う。基板の材料であるシリコンに対して多光子吸収ができるものであれば、加工に用いることができるレーザー光は制限されず。例えば、フェムト秒レーザーを用いることができる。また、流路形成部材１０３がＳｉＣやＳｉＣＮで形成されている場合、レーザー光の波長は５００ｎｍ以上とする。
【００４８】
その後は、図５（ｄ）及び（ｅ）に示すように、エッチング液によるエッチングを行い、液体供給口１０５を形成する。このようにレーザー照射を両面から行うことで、液体供給口１０５の形成をさらに早めることができる。また、変質領域の形成であれば、図４に示すような通常のレーザー照射とは異なり、基板の表面側にデブリ（破片）はほとんど発生しない。よって、表面側に変質領域を形成するレーザーを照射しても、流路形成部材１０３に大きな影響を与えない。
【００４９】
＜実施形態５＞
液体供給口の形成に未貫通穴ではなく貫通穴を用いる方法を、図６を用いて説明する。図６（ａ）及び（ｂ）は、実施形態１の図２（ａ）及び（ｂ）と同様にする。
【００５０】
続いて、図６（ｃ）に示すように、型材１１０を除去した後、第１のマスク層１０６の開口１０７及び第２のマスク層１０８の開口１０９内に、これらの開口を通るような貫通穴１１４を形成する。貫通穴１１４の形成は、レーザー照射によって行うことが好ましい。レーザー照射の場合、流路形成部材１０３を透過する必要があるので、適切な波長のレーザーを照射する必要がある。例えば、流路形成部材１０３がＳｉＣやＳｉＣＮで形成されている場合、波長５００ｎｍ以上のレーザーを照射することが好ましい。
【００５１】
その後は、図６（ｄ）及び（ｅ）に示すように、エッチング液によるエッチングを行い、液体供給口１０５を形成する。この方法によれば、液体供給口１０５の形成をさらに早めることができる。また、液体供給口１０５の形状をより安定化させることができ、特にはシリコン基板表面側の開口幅を非常に高精度に制御することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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