(57)【要約】【課題】過剰リン拡散濃度に起因する窒化シリコン製膜後の変色発生を前工程であるリンガラスエッチング工程で迅速に予測し、製造歩留まりの高い太陽電池を得ること。【解決手段】オキシ塩化リン拡散源をリン拡散工程で用いる太陽電池製造工程において、セル製造工程であるリンガラスエッチング工程後にモニターウエハを抜き取り、表面荒れの有無を評価し（Ｓ２０１）、５−５０ｎｍ周期・深さの表面荒れが１μｍ四方全体に検出される場合に、再生処理工程に進み（Ｓ２０３）、かつオキシ塩化リンの流量を低下させる（Ｓ２０２）。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶系シリコンからなるｐ型シリコン基板表面に、オキシ塩化リンを供給しながら加熱し、拡散源としてオキシ塩化リンを用いたリン拡散により、ｎ型拡散層を形成する拡散工程と、
前記拡散工程で生成されたリンガラスをエッチングする工程と、
前記ｎ型拡散層表面に反射防止膜を形成する工程と、
前記ｐ型シリコン基板と、前記ｎ型拡散層にそれぞれ電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法であって、
前記エッチングする工程後に、前記ｐ型シリコン基板を抜き取り、表面荒れの有無を評価する工程を含み、
前記評価する工程で、前記表面荒れがなしと評価された場合にのみ、前記反射防止膜を形成する工程に進むようにしたことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記評価する工程は、１μｍ四方の評価領域を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察する工程である請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記表面荒れが、５−５０ｎｍ周期・深さの表面荒れが１μｍ四方全体に検出される場合に、処理済の前記ｐ型シリコン基板については再生処理工程に進み、
かつ、未処理のオキシ塩化リンの流量を低下させ、前記拡散工程を実施することを特徴とする請求項２に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記評価する工程で抜き取られる前記ｐ型シリコン基板は、モニターウエハであり、規定の大きさを持つ専用ウエハである請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記反射防止膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法に係り、特に、太陽電池の拡散工程に起因する変色の防止を迅速に実施する評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽光の光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽光発電システムにおいては、多くは多結晶シリコン基板にｐｎ接合を設け、光エネルギーにより発生した電子および正孔を基板表裏から各々取り出し、光起電力を生成することをその原理とした技術が開示されている。
【０００３】
この太陽電池の製造方法について簡単に説明する。セル形成の第一段階は、通常太陽電池用の角型ｐ型シリコン基板の表面にテクスチャー（以下ＴＥＸ）処理と呼ばれるアルカリウエットエッチング処理を施す工程である。そしてテクスチャー処理のなされたｐ型シリコン基板の表面に、例えばリン（Ｐ）を熱的に拡散させ導電型を反転させたｎ型拡散層を形成する。通常、リンの拡散源としては、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）が用いられることが多い。一般的には、ｎ型拡散層はシリコン基板の全面に形成される。なおこのｎ型拡散層のシート抵抗は数十Ω／□程度であり、その深さは０．３〜０．５μｍ程度である。続いて、ｎ型拡散層の片面をレジストにより保護し、基板の一主面のみにｎ型拡散層を残すようにエッチング処理する。処理後の残存レジストは、有機溶剤等を用いて除去される。
【０００４】
次いで、プラズマＣＶＤ法等により、絶縁膜（反射防止膜）としての窒化シリコン膜をｎ型拡散層上に７０〜９０ｎｍ程度形成する。次に、基板の裏面にアルミニウムペーストをスクリーン印刷し、乾燥させる。通常、アルミニウムペースト面上の一部あるいは開口部に銀ペーストを重ねて印刷し、その上に配線を半田付けする。窒化シリコン膜上には表面電極となる銀ペーストを裏面と同様にスクリーン印刷し、乾燥し、その後表裏あわせて７００℃〜９００℃で数分から十数分間、近赤外ランプ炉中で焼成する。その結果、基板の裏面側では、焼成中にアルミニウムペーストから不純物としてのアルミニウムが基板中に拡散し、アルミニウムの高濃度不純物を含んだｐ+層が形成される。この層は、一般にＢＳＦ(Ｂａｃｋ Ｓｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ)層と呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率の向上に寄与するものである。このように、太陽電池用のシリコン基板表面にｐｎ接合を形成するとともに電極を形成して得られる太陽電池セルを、一般に太陽電池と呼んでいる。
【０００５】
オキシ塩化リンの昇華とウエハ表面への付着、および８００℃程度の加熱によりリン拡散を行ういわゆる拡散工程においては、リンガラスと呼ばれるリン、シリコン、酸素を主成分とする層が表面に形成されるため、このリンガラス層をフッ酸により除去する工程（リンガラスエッチング工程）が必要である。リンガラスエッチング工程ではウエハ表面はフッ酸により水素終端状態になるため、最終水洗での水切れが良くウオーターマークが生成されないのが通常である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４-２０７４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来の技術によれば、リンガラスエッチング工程において最終水洗での水切れが悪く、乾燥時にウオーターマークとしてシリコン酸化膜が残ってしまう場合がある。セル外観は一般には窒化シリコン膜の効果で青色ないしは黒色となっており可視光の反射率は約１０％以下で均一であるのが望ましいが、シリコン酸化膜が生成された領域では反射率が増加し白色に変色するためそのまま出荷することは困難である。このようなウオーターマークの生成が変色の原因となる場合、リンガラスエッチング工程後は変色していないため、窒化シリコン生成後になってはじめて変色領域が生成するかどうかが判明することになる。また、窒化シリコン膜生成後の変色の原因は多様であり、前工程のすべてにおいて変色要因があるため変色した時点でリンガラスエッチング工程での水切れの悪さが変色の直接原因であるかどうかも確定できない。
【０００８】
したがって、リンガラスエッチング工程の最終水洗-乾燥後にウオーターマーク状のシリコン酸化膜が発生するかどうかを窒化シリコン膜生成の前に判断し、できるだけ迅速にその防止対策を実施することが課題となっている。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、窒化シリコン膜生成の前に判断し、できるだけ迅速にその防止対策を実施することで製造歩留まりの高い太陽電池の製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、結晶系シリコンからなるｐ型シリコン基板表面に、オキシ塩化リンを供給しながら加熱し、拡散源としてオキシ塩化リンを用いたリン拡散により、ｎ型拡散層を形成する拡散工程と、前記拡散工程で生成されたリンガラスをエッチングする工程と、前記ｎ型拡散層表面に反射防止膜を形成する工程と、前記ｐ型シリコン基板と、前記ｎ型拡散層にそれぞれ電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。そして、前記エッチングする工程後に、前記ｐ型シリコン基板を抜き取り、表面荒れの有無を評価する工程を含み、前記評価する工程で、前記表面荒れがなしと評価された場合にのみ、前記反射防止膜を形成する工程に進むようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
上記の表面荒れの発生原因は、リンガラスエッチングを行う時点でのリンガラス層の膜厚が不均一であり、リンガラスエッチングによりその不均一を反映した表面が形成されるためと考えられる。リンガラス層はリン濃度が過剰な場合にその均一性を喪失すると考えられ、オキシ塩化リンの付着条件である発生温度および流量を低下させる方向で制御することによりリンガラス層の膜厚の均一性を確保できる。その場合、表面荒れが抑制され、フッ酸による表面シリコン原子の水素終端の完全性が増加し、疎水面が形成されるため水切れが良いウエハ表面となり、結果としてウオーターマークの発生を抑制することが可能となる。したがって、本発明によれば、ウエハ表面の荒れを観察してその有無を評価することにより、窒化シリコン膜などの反射防止膜の生成以前に、拡散条件に起因する変色発生の有無を判断することができ、再生処理工程にまわすことができるセル数を確保できる、そしてさらに、原因がリン拡散工程にあることを特定し易く、その後の拡散条件の適正化を迅速に判断することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１−１】図１−１は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するための拡散工程前の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図１−２】図１−２は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するための拡散工程後の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図１−３】図１−３は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するためのリンガラスエッチング工程後の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図２−１】図２−１は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するための拡散工程前の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図２−２】図２−２は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するための拡散工程後の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図２−３】図２−３は、実施の形態１に係る表面荒れ発生を説明するためのリンガラスエッチング工程後の太陽電池用シリコン基板の表面構成を示す断面模式図である。
【図３】図３は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板の製造工程を示すフローチャート図である。
【図４】図４は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板の製造工程の検査工程を示すフローチャート図である。
【図５−１】図５−１は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５−２】図５−２は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５−３】図５−３は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５−４】図５−４は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５−５】図５−５は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図５−６】図５−６は、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程を示す工程断面図である。
【図６−１】図６−１は、実施の形態２に係る太陽電池の製造方法におけるシリコンウエハの評価に用いられるＳＥＭ写真を示す図である。
【図６−２】図６−２は、実施の形態２に係る太陽電池の製造方法におけるシリコンウエハの評価に用いられるＳＥＭ写真を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明にかかる太陽電池の製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
【００１４】
実施の形態１.
図１−１及び図２−１は、リンガラスエッチング後の表面荒れ発生を説明するための拡散工程後リンガラスエッチング工程前の太陽電池セル表面構成を示す断面略図である。オキシ塩化リンの昇華分解物である酸化リンがシリコンウエハ１に付着しリンガラス層２Ｇを形成しリン拡散源となるが、図２−２はリンガラス層２Ｇのシリコンウエハ１の表面への食い込み厚が不均一になっている様子を示している。リンガラス層２Ｇの下層にはいずれもｎ型拡散層２が形成されている。図１−２はリンガラス層２Ｇのシリコンウエハ１の表面への食い込み厚がほぼ均一になっている様子を示している。
【００１５】
本実施の形態では、リン拡散層を備える太陽電池セルの製造において初期からリンガラスエッチング工程まで製品にならないモニターウエハを製品ウエハと共存させる。そして、ＣＶＤ工程直前に当該ウエハを採取し、当該ウエハ表面に５〜５０ｎｍ周期および同じ程度の深さの表面荒れが１μｍ四方程度の観察領域全体に観察されるかどうかを評価する。Ｘは観察領域を示し、１μｍ四方程度の領域である。この評価工程で、当該表面荒れが観察された場合には該当する製造ロットを再生処理工程にまわすとともに、オキシ塩化リンの流量を１０％低下させる。
【００１６】
図１−３および２−３は、リンガラスエッチング後の表面荒れ発生を説明するためのリンガラスエッチング工程後の太陽電池セル表面構成を示す断面略図であり、図１−２および２−２のリンガラス層２Ｇがエッチングされて消失した状態であり、シリコンウエハ１の表面に荒れが残っている状態を示している。
【００１７】
図３は実施の形態１に係る製造工程図であり、通常工程であるａ：テクスチャー形成工程（ステップＳ１０１）→ｂ：リン拡散工程（ステップＳ１０２）→ｃ：リンガラスエッチング（ステップＳ１０３）→ｄ：ＣＶＤ工程（ステップＳ１０４）に対して、ｅ：モニターウエハ挿入（ステップＳ１０５）、ｆ：モニターウエハ抜き取り（ステップＳ１０６）、ｇ：モニターウエハ検査（ステップＳ１０６）の工程を導入した工程図である。ここで、ａ：テクスチャー形成工程は、メーカから購入したシリコンウエハ１表面にテクスチャー１Ｔと呼ばれる数μｍサイズのほぼ四角錐形状の連なりをアルカリエッチングにより形成する工程である。ｂ：リン拡散工程は、表面に付着した酸化リンを拡散源としてリンをシリコンウエハ表面層に拡散させる工程である。前記のように液体のオキシ塩化リンに１０００℃近い高温雰囲気で酸素を通し、オキシ塩化リン昇華物が分解して酸化リン（Ｐ2Ｏ5）となりシリコンウエハ表面に付着する。この酸化リンを拡散源としてシリコンウエハ表面にリン拡散を行う。ｃ：リンガラスエッチング工程は、ｂ：リン拡散工程で生成したリンガラス層２をフッ酸で除去する工程である。ｄ：ＣＶＤ工程は、アンモニアガスとシランガスを高周波誘導電極間でプラズマ化することにより窒化シリコン膜をシリコンウエハ表面に形成する工程である。
【００１８】
また、ｅ：モニターウエハ挿入工程は、新たに導入する工程であり、モニターウエハをテクスチャー工程前に挿入する工程である。ｆ：モニターウエハ抜き取り工程は、新たに導入する工程であり、そのモニターウエハをｃ：リンガラスエッチング工程後に抜き取る工程であるｇ：モニターウエハ検査工程は、新たに導入する工程であり、抜き取ったモニターウエハ表面を観察し、検査する工程である。
【００１９】
図４は図３のｇ：モニターウエハ検査工程の詳細を示したものである。リンガラスエッチング前のウエハ表面領域の断面略図である図１−２に示すようにリンガラス層２Ｇの膜厚が小さな周期で変化しほぼ均一であると、フッ酸によるガラスエッチング後に図１−３に示すように表面はほぼ均一となる。ここで表面荒れの周期はほぼ５−５０ｎｍ程度、深さもその程度であることが一般的である。一方、図２−２のようなリンガラス層２Ｇの膜厚不均一が生じることがある。これは鋭意研究の結果、拡散工程におけるオキシ塩化リンが過剰に存在する場合に発生することが判明している。これは、リンガラスと呼ばれるＳｉ−Ｏ−Ｐの化合物がシリコン界面に不均一に存在してＨＦでエッチングされやすくなるからと推定される。従って、当該膜厚不均一を抑制するためにはオキシ塩化リンの流量を低下させることが効果的である。ここではオキシ塩化リンの流量を１０％程度低下させ、状況を観察している。また、リンガラスの膜厚不均一が発生する一連の製造工程を通過したウエハは、リンガラスエッチング工程の次工程である窒化シリコン膜の製膜後に変色部を有する可能性が高い。このため、早期に後続ロットのリン拡散工程における拡散条件を変更する一方、ガラスエッチング表面荒れを観察した場合には該当ロットのウエハ群は再生処理工程に移行することが望ましい。この拡散条件の変更は、ここでは、オキシ塩化リンの流量を１０％程度低下することによって実施している。
【００２０】
そこで、本実施の形態においては、変色発生の原因となるリンガラスエッチング後の表面荒れの有無を観察することにより、表面荒れが検出された場合には再生工程に進むとともに、オキシ塩化リンの流量を１０％低下させる製造フローを新たに導入する。すなわち、図３に示すように、通常フローに対して、新たな製造フローである、ｅ，ｆ，ｇの３工程を追加したものである。モニターウエハをテクスチャー形成工程前に挿入しておき、このモニターウエハを検査する。ここでモニターウエハとは実際の製品化に用いることなく評価のためだけに用いるウエハを指すものである。具体的には、初期から３００枚程度からなる１バッチ集団のウエハにつき１枚のモニターウエハを同時に流しておく。そして、ｃ：リンガラスエッチング工程後にそのモニターウエハを抜き取り（ｆ：モニターウエハ抜き取り工程）、表面荒れの有無を観察する。観察手段としては、通常は二次電子顕微鏡（ＳＥＭ）が望ましいが、表面粗さ計や何らかの光学的手段を用いてもよい。この場合の検査の具体的基準としては当該シリコンウエハ表面に５−５０ｎｍ周期および同じ程度の深さの表面荒れが１μｍ四方程度の観察領域全体に観察されるかどうかを検査することが望ましい。
【００２１】
次に検査後の工程について説明する。ｃ：リンガラスエッチング工程後にそのモニターウエハを抜き取り（ｆ：モニターウエハ抜き取り工程）、表面荒れの有無をＳＥＭによって観察する。そして、図４に示すように、あらかじめ決定された規格以上の、表面荒れを検知したかどうかの判断を行う（判断ステップＳ２０１）。そして当該表面荒れが観察された場合（判断ステップＳ２０１：ＹＥＳ）には、拡散条件の変更を行い、オキシ塩化リンの流量を１０％低下させる（調整ステップＳ２０２）アラームを発生させ、拡散条件の適正化を図る。一方このモニターウエハと同時処理のなされた該当製造ロットを再生処理工程にまわす（再生ステップＳ２０３）。
【００２２】
なお、上記判断ステップＳ２０１で表面荒れを検知しないと判断された場合（判断ステップＳ２０１：ＮＯ）には次工程に進み、ＣＶＤ工程によって窒化シリコン膜が形成される（窒化シリコン膜成膜ステップＳ２０４）。
【００２３】
以上図４のフローにしたがうことにより、窒化シリコン膜工程に進むことなく再生処理が可能であるとともに拡散条件の適正化を早期に達成できるため、低コストでかつ迅速な
変色防止が可能となる。
【００２４】
このようにして太陽電池が製造されるが、図５−１〜５−６に示す工程断面図に従って、実施の形態１に係る太陽電池用シリコン基板を用いた太陽電池の製造工程について説明する。
【００２５】
まず、図５−１に示すように、ｐ型単結晶シリコンからなるシリコンウエハ１を用意する。このシリコンウエハ１としては、例えば引き上げ法により製造される単結晶シリコン基板を用い、これに反射防止構造の凹凸構造であるテクスチャーを形成したものである。太陽電池の場合、引き上げ法により得られたインゴットからスライスしたままの基板を用いることが多い。この基板を本実施の形態では、モニターウエハとして用いる。そして後続工程については、リンガラスエッチング工程までは、モニターウエハについても実際のシリコンウエハと同様に形成する。この場合、スライスに用いたワイヤーソー等の傷による基板表面ダメージおよびウエハスライス工程の汚染を取り除くために、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液あるいは弗酸と硝酸の混合液などを用いて、およそ１０〜２０μｍ程度、基板表面をエッチングする。更には、基板表面に付着した鉄など重金属類の除去のために、塩酸と過酸化水素の混合液で洗浄する工程を付加してもよい。その後、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液等を用いて反射防止構造であるテクスチャ構造を形成する（図３のステップＳ１０１）。なおこのシリコンウエハとしては鋳造法などにより製造される多結晶シリコンを用いることも可能である。この場合はモニターウエハについても同様に多結晶シリコンを用いる。
【００２６】
次に、図５−２に示すように、シリコンウエハ１の表面に例えばリン（Ｐ）を熱的に拡散させ導電型を反転させたｎ型拡散層２を形成する。リンの拡散源としては、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）が用いられる。このとき、ｎ型拡散層２はシリコンウエハ１の全面に形成される。なおこのｎ型拡散層２のシート抵抗は数十Ω／□程度であり、その深さは０．３〜０．５μｍ程度である。ｎ型拡散層２の深さは、拡散温度や時間をコントロールすることにより容易に変えることができる。
【００２７】
続いて、図５−３に示すように、ｎ型拡散層２の片面をレジストにより保護した後、シリコンウエハ１の一主面のみにｎ型拡散層２を残すようにエッチング処理する。処理後の残存レジストは、有機溶剤等を用いて除去される。そしてこのときのシリコンウエハ１およびモニターウエハの要部拡大図を図１−２に示すようにさらにリン拡散工程で生成されたリンガラス層２Ｇをフッ酸で除去し、図１−３に示すようなｎ型拡散層２を得る。
【００２８】
この状態でモニターウエハは抜き取られ（モニターウエハ抜き取りステップＳ１０６）、モニターウエハ検査がなされる（モニターウエハ検査ステップＳ１０７）。図１−３に示すように、リンガラスエッチング後のｎ型拡散層２表面は若干の荒れはあるものの、周期はほぼ５−５０ｎｍ程度、深さもその程度で、一応均一となっている。一方、図２−１から図２−３に要部拡大断面図を示すようなモニターウエハであった場合、図２−３に示すように、リンガラスエッチング後のｎ型拡散層２表面は荒れが大きく、周期はほぼ５−５０ｎｍの範囲を超え、深さも大きいものがあり、不均一となっている。
【００２９】
このようにして、このモニターウエハ検査ステップＳ１０７において図１−１〜図１−３に示すようなモニターウエハであった場合には、モニターウエハによる評価は合格とし、通常通り次工程に進む（図４のＳ２０４）。
【００３０】
次工程は、図５−４に示すように、ｎ型拡散層２上に絶縁膜（例えば反射防止膜）として機能する窒化シリコン膜３を形成する。この窒化シリコン膜３により、太陽電池の入射光に対する表面反射率が低減するために大幅に発生電流を増加させることが可能となる。
【００３１】
なお、図５−４の工程において、窒化シリコン膜３に代えて酸化チタン膜を形成してもよい。酸化チタン膜は、熱ＣＶＤ法などで形成することができる。更に、窒化シリコン膜３に代えてシリコン酸化膜を形成してもよい。シリコン酸化膜は、熱酸化法、好ましくは熱ＣＶＤ法もしくはプラズマＣＶＤ法によって形成することができる。
【００３２】
次に、図５−５および図５−６において、シリコンウエハ１の裏面の所望の位置に、アルミニウムペーストおよび裏面用銀ペーストをそれぞれスクリーン印刷し、乾燥させ、裏面アルミニウム電極５及び裏面銀電極６を形成する。窒化シリコン膜３上には表面電極となる導電性金属ペースト材料４ｓを裏面と同様にスクリーン印刷し、乾燥し、ドライエア雰囲気中の近赤外炉中で焼成する。導電性金属ペースト材料４ｓは、焼成中に窒化シリコン膜３を溶融・貫通し、ｎ型拡散層２と電気的な接触を取ることが可能な表面銀電極４となる。なお、本発明においては、耐湿性等の所望の効果を奏するためには、焼成は、この温度範囲内で行う必要がある。一方、シリコンウエハ１の裏面側では、焼成中にアルミニウムペーストから不純物としてのアルミニウムがシリコンウエハ１中に拡散し、アルミニウムの高濃度不純物を含んだｐ+層１Ｐが形成される。焼成後、アルミニウムペーストは、裏面アルミニウム電極５となり、裏面用銀ペーストも同時に裏面銀電極６となる。焼成時において、裏面アルミニウム電極５と裏面銀電極６の境界は合金状態となり電気的にも接続される。裏面銀電極６は、アルミニウム電極には半田付けが不可能であるため、銅箔等による太陽電池を相互に接続するための電極として裏面の一部に形成される。
【００３３】
一方評価工程において図２−１〜図２−３に示すようなモニターウエハであった場合には、モニターウエハによる評価は不合格とし、オキシ塩化リンの流量を１０％少なくし、次なるロットの処理を続行する。一方当該ロットのシリコンウエハは、再生工程（図４のＳ２０３）に入り、例えばダメージ層除去工程を実施する。
【００３４】
このように、早期に対策を実施することで、歩留まり向上を図ることができる。
【００３５】
実施の形態２．
なお、評価基準については、前記実施の形態に限定されることなく、１μｍの評価領域内に目視可能な荒れがあるかどうか、周期が５０ｎｍを越える場合に不良と判断するなど、種々の基準が適用可能である。その本発明の実施の形態２の太陽電池の製造方法における評価方法を図６−１、図６−２に示す。図６−１，図６−２は、リンガラスエッチング後のシリコンウエハ表面のＳＥＭ写真である。図６−１は表面が均一でＯＫである状態を示し、図６−２は表面が荒れてＮＧである状態を示す。このように半定量的な判定基準を設け、このままの条件でリン拡散エッチングを進めてもよいか否かを判断するようにしてもよい。
【００３６】
また、前記実施の形態１，２においてはシリコンウエハとして単結晶シリコン基板を用いたが、多結晶シリコン基板、シリコンカーバイド基板など、結晶系シリコン基板が適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
以上のように、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、リン拡散を用いた拡散型太陽電池に有用であり、特に、製造歩留まりの向上をはかることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１  シリコンウエハ、１Ｐ  ｐ+層、２Ｇ  リンガラス層、２  ｎ型拡散層、３  窒化シリコン膜、４  表面銀電極、５  裏面アルミニウム電極、６  裏面銀電極。
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図３】
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【図４】
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【図５−１】
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【図５−２】
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【図５−３】
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【図５−４】
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【図５−５】
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【図５−６】
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【図６−１】
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【図６−２】
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