(57)【要約】      （修正有）【課題】実装生産性が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子１１０は、第１導電性ピラー４１と、第２導電性ピラー４２と、第１半導体層１０と、発光層３０と、第２半導体層２０と、封止部８５と、透光層７０と、を含む。第１導電性ピラー４１の上に、第１半導体層１０、発光層３０が設けられる。第２半導体層２０は、発光層３０の上及び第２導電性ピラー４２の上に設けられる。封止部８５は、第１、第２導電性ピラー４１、４２のそれぞれの側面を覆う。透光層７０は、第２半導体層２０の上に設けられ光透過性である。透光層７０のうちの上面部分の硬度は、上面部分と第２半導体層２０との間の下側部分の硬度よりも高い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延在する第１導電性ピラーと、
前記第１方向と交差する第２方向において前記第１導電性ピラーから離間し前記第１方向に延在する第２導電性ピラーと、
前記第１導電性ピラーの上に設けられた第１導電形の第１半導体層と、
前記第１半導体層の上に設けられた発光層と、
前記発光層の上及び前記第２導電性ピラーの上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、
前記第１導電性ピラーの側面と前記第２導電性ピラーの側面とを覆う封止部と、
前記第２半導体層の上に設けられた光透過性の透光層であって、前記透光層のうちの上面部分の硬度は、前記上面部分と前記第２半導体層との間の下側部分の硬度よりも高い透光層と、
を備えた半導体発光素子。
【請求項２】
前記上面部分の弾性率は、前記下側部分の弾性率よりも高い請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記透光層は、複数の粒子と前記複数の粒子が分散された透光性樹脂とを含み、
前記上面部分における前記粒子の濃度は、前記下側部分における前記粒子の濃度より高い請求項１または２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記粒子は、蛍光体粒子を含む請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記第上面部分の屈折率は、前記下側部分の屈折率よりも低い請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記透光層は、複数の粒子が第１粒子濃度で分散された第１透光材層と、前記複数の粒子が前記第１粒子濃度よりも高い第２粒子濃度で分散された第２透光材層と、を含み、
前記第２透光材層と前記第２半導体層との間に前記第１透光材層が配置される請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記透光材層は、前記第１透光材層と前記第２透光材層との間に設けられた第３透光材層をさらに含み、
前記第１透光材層は、
前記複数の粒子を第１濃度で含む第１濃度部分と、
前記第１膜から前記第２膜に向かう積層方向に対して交差する方向において前記第１濃度部分と並び、前記複数の粒子を前記第１濃度よりも高い第２濃度で含む第２濃度部分と、を含み、
前記第３透光材層は、
前記複数の粒子を第３濃度で含む第３濃度部分と、
前記交差する方向において前記第３濃度部分と並び、前記複数の粒子を前記第３濃度よりも高い第４濃度で含む第４濃度部分と、を含み、
前記積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記第１濃度部分の少なくとも一部は、前記第４濃度部分の少なくとも一部と重なり、前記第２濃度部分の少なくとも一部は前記第３濃度部分の少なくとも一部と重なる請求項６記載の半導体発光素子。
【請求項８】
基板上に第１半導体膜、発光膜及び第２半導体膜を順に形成し、
前記発光膜の一部、及び、前記第２半導体膜の一部を除去して前記第１半導体膜の一部を露出させ、
前記第２半導体膜の残存する部分の上に第１電極を形成し、前記露出した前記第１半導体膜の上に第２電極を形成し、
前記第１電極の上に第１導電性ピラーを形成し、前記第２電極の上に第２導電性ピラーを形成し、前記第１導電性ピラーの側面及び前記第２導電性ピラーの側面を覆う封止部を形成し、
前記基板を除去し、
前記基板が除去されて露出する前記第１半導体膜の表面上に、光透過性の透光層であって、前記透光層のうちの表面部分の硬度が前記表面部分と前記第１半導体膜との間の部分の硬度よりも高い透光層を形成する半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記透光層の形成は、
複数の粒子が分散された透光性樹脂液を支持体上に塗布して塗布膜を形成し、
前記複数の粒子の一部を沈降させて前記塗布膜中において、前記複数の粒子を第１の濃度で含む低濃度部分と、前記支持体と前記低濃度部分との間に設けられ前記複数の粒子を前記第１の濃度よりも高い第２の濃度で含む高濃度部分と、を形成し、
前記第２濃度部分が前記第１半導体膜に対向するように、前記塗布膜を前記第１半導体膜に積層する請求項８記載の製造方法。
【請求項１０】
前記透光層の形成は、複数の粒子が第１粒子濃度で分散された第１透光材層と、前記複数の粒子が前記第１粒子濃度よりも高い第２粒子濃度で分散された第２透光材層と、を、前記第２透光材層と前記第１半導体膜との間に前記第１透光材層が配置されるように、前記第１半導体膜の前記表面に積層することを含む請求項８記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子が各種の実装部材上に実装されて、照明機器、表示装置などが形成される。半導体発光素子において、実装時の生産性が高いことが重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１０−５０８６６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、生産性が高い半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、第１導電性ピラーと、第２導電性ピラーと、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、封止部と、透光層と、を含む半導体発光素子が提供される。前記第１導電性ピラーは、第１方向に延在する。前記第２導電性ピラーは、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１導電性ピラーから離間し前記第１方向に延在する。前記第１半導体層は、前記第１導電性ピラーの上に設けられ、第１導電形である。前記発光層は、前記第１半導体層の上に設けられる。前記第２半導体層は、前記発光層の上及び前記第２導電性ピラーの上に設けられ、第２導電形である。前記封止部は、前記第１導電性ピラーの側面と前記第２導電性ピラーの側面とを覆う。前記透光層は、前記第２半導体層の上に設けられ、光透過性である。前記透光層のうちの上面部分の硬度は、前記上面部分と前記第２半導体層との間の下側部分の硬度よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体発光素子の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を示す模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｆ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【図７】図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を示す工程順模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。  
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。  
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）  
図１は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。  図１に表したように、本実施形態に係る半導体発光素子１１０は、第１導電性ピラー４１と、第２導電性ピラー４２と、第１電極５１と、第２電極５２と、積層体９０と、封止部８５と、透光層７０と、を含む。積層体９０は、第１半導体層１０と、第２半導体層２０と、発光層３０と、を含む。  
第１導電性ピラー４１の上に、第１電極５１、第１半導体層１０、発光層３０、第２半導体層２０が、この順に積層される。第２半導体層２０は、第２導電性ピラー４２の上に設けられた第２電極５２の上にも設けられる。
【０００９】
本願明細書において、「上に設けられる」状態は、直接接して設けられる状態の他に、間に他の層が挿入される状態も含む。
【００１０】
第１半導体層１０から第２半導体層２０に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向と直交する１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。
【００１１】
第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２は、積層方向(第１方向）に延在する。第２導電性ピラー４２は、第１方向と交差する方向すなわち非平行な方向(第２方向）において第１導電性ピラー４１から離間している。この例では、第１方向は、Ｚ軸方向であり、第２方向は、Ｘ軸方向である。
【００１２】
第１電極５１は、第１導電性ピラー４１の上に設けられる。第１電極５１は、第１導電性ピラー４１と電気的に接続される。  
第２電極５２は、第２導電性ピラー４２の上に設けられる。第２電極５２は、第２導電性ピラー４２と電気的に接続される。
【００１３】
第１半導体層１０は、第１電極５１の上に設けられる。発光層３０は、第１半導体層１０の上に設けられる。第２半導体層２０は、発光層３０の上及び第２電極５２の上に設けられる。
【００１４】
第１半導体層１０は第１導電形であり、第２半導体層２０は第２導電形である。例えば、第１導電形はｐ形であり、第２導電形はｎ形である。第１導電形がｎ形で、第２導電形がｐ形でもよい。以下の例では、第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形である。
【００１５】
第１半導体層１０は、第１側面１０ｓを有する。第２半導体層２０は、第２側面２０ｓを有する。発光層３０は、第３側面３０ｓを有する。第１導電性ピラー４１は、第４側面４１ｓを有する。第２導電性ピラー４２は、第５側面４２ｓを有する。これらの側面は、Ｘ−Ｙ平面に対して交差する。すなわち、Ｘ−Ｙ平面に対して非平行である。
【００１６】
封止部８５は、第４側面４１ｓ及び第５側面４２ｓを少なくとも覆う。この例では、封止部８５は、第１側面１０ｓ、第２側面２０ｓ及び第３側面３０ｓの上にも設けられる。
【００１７】
透光層７０は、第２半導体層２０の上に設けられる。透光層７０は、光透過性を有する。透光層７０は、第１主面７０ａと第２主面７０ｂとを有する。第１主面７０ａは、第２半導体層２０に対向する面である。第２主面７０ｂは、第１主面７０ａと反対側の面である。第１主面７０ａは下面であり、第２主面７０ｂは上面である。
【００１８】
本願明細書において、対向する状態は、直接面している状態に加え、間に別の要素が挿入されている状態も含む。
【００１９】
この例では、半導体発光素子１１０は、中間層８７をさらに含む。中間層８７は、第２半導体層２０と透光層７０との間に設けられる。光透過性である中間層８７は、例えば、積層体９０（第２半導体層２０）と、透光層７０との密着性を高める。
【００２０】
第１導電性ピラー４１と第２導電性ピラー４２との間に電圧を印加することで、第１電極５１、第１半導体層１０、第２電極５２及び第２半導体層２０を介して、発光層３０に電流が供給される。例えば、第１電極５１から、キャリア（例えばホール）が第１半導体層１０に注入される。例えば、第２電極５２から、キャリア（例えば電子）が第２半導体層２０に注入される。これにより、発光層３０から、光が放出される。光は、主に、第２半導体層２０の上面から、透光性を有する透光層７０（及び中間層８７）を介して半導体発光素子１１０の外部に放出される。透光層７０の第２主面７０ｂは、光出射面となる。発光層３０から放出される発光光の波長（ピーク波長）は、例えば、３７０ｎｍ以上７００ｎｍ以下である。
【００２１】
透光層７０は、第１部分７１と、第２部分７２と、を含む。第１部分７１は、第２半導体層２０の近くに配置される。第２部分７２は、第１部分７１の上に配置される。第２部分７２は、例えば、第２主面７０ｂの少なくとも一部を含む。第２部分７２は、透光層７０のうちの上面部分である。第１部分７１は、透光層７０のうちの下側部分である。第１部分７１は、第２部分７２と第２半導体層２０との間に設けられる。
【００２２】
本実施形態においては、第２部分７２は、第１部分７１よりも硬い。第２部分７２の硬度は、第１部分７１の硬度よりも高い。例えば、第２部分７２の材料及び処理状件の少なくともいずれかは、第２部分７１とは異なる。例えば、透光層７０が粒子（例えばフィラーやタルクなど）を含む場合、第２部分７２における粒子の濃度は、第１部分７１における粒子の濃度よりも高い。
【００２３】
透光層７０は、例えば、発光部（例えば、第２半導体層２０）を保護する。後述するように、透光層７０は、発光層３０から放出する光の波長を変換する機能を有していてもよい。
【００２４】
透光層７０には、例えば透光性を有する樹脂材料が用いられる。透光層７０のうちの少なくとも第２半導体層２０に対向する第１部分７１には、柔らかい材料が用いられる。これにより、例えば製造工程中または使用中に素子に応力が加わった場合においても、損傷が生じ難くできる。さらに、第２半導体層２０（または中間層８７）との密着性を高めることができる。
【００２５】
本実施形態に係る半導体発光素子１１０においては、半導体層が結晶成長された基板は、結晶成長の後に除去される。半導体層は、例えば、透光層７０と封止層８５とによって保持される。すなわち、半導体発光素子１１０は、薄膜型の発光素子である。基板が除去されているため、半導体発光素子１１０は、基板が除去されない場合に比べて軽い。
【００２６】
本願発明者の検討によると、このように軽い薄膜型の発光素子においては、実装工程において、発光素子が実装用の工具から離れ難く、このために、生産性が低下する場合があることが分かった。上記のように、透光層７０として柔らかい材料を用いると、透光層７０は、変形しやすい。透光層７０が変形しやすいと、工具等への密着性が高まる。透光層７０の表面のタック性が高くなる。このような場合において、素子が軽い場合には、特にこの問題が深刻になることが分かった。
【００２７】
透光層７０の第２主面７０ｂは、例えば、半導体素子や電子部品などを収納するエンボステープのカバーテープが接する面となる。第２主面７０ｂは、例えば、半導体発光素子１１０を実装する実装装置のノズルに接触する面となる。このように、半導体発光素子１１０の実装工程において、第２主面７０ｂを含む第２部分７２（上面部分）に、各種の部材や工具が接触する。第２主面７０ｂの硬度が低いと、第２主面７０ｂのタック性が高くなる。透光層７０の第２主面７０ｂのタック性が高いと、カバーテープに透光層７０が貼り付き、実装装置への供給不良が起こりやすくなる。さらに、例えば、実装工程において、半導体発光素子１１０は、透光層７０側を実装装置のノズルで吸引して所定位置まで搬送さる際に、ノズルの吸引を止めても半導体発光素子１１０がノズルに密着されたままとなり、リリース不良が発生する場合がある。  
このような生産性を低下させる問題が、薄膜型の発光素子においては特に深刻になる。
【００２８】
本実施形態は、このように新たに見出された課題を解決する。  
本実施形態においては、透光層７０のうちの上面部分を選択的に硬くする。すなわち、透光層７０の第２主面７０ｂを含む第２部分７２の硬度を第１部分７２の硬度よりも高くする。これにより、透光層７０の表面のタック性が低くなり、カバーテープへの貼り付きや実装時のリリース不良を抑制することができる。これにより、実装時の生産性が向上できる。
【００２９】
そして、本実施形態においては、透光層７０は、第２部分７２よりも硬度が低い第１部分７１を有している。これにより、素子に応力が加わった場合にも損傷が生じ難くでき、高い密着性が得られる。すなわち、高い信頼性を得つつ、実装時の生産性を向上できる。
【００３０】
このように、本実施形態に係る半導体発光素子１１０においては、信頼性が高く、実用性を維持しながら、実装時の生産性を向上できる。
【００３１】
第２部分７２の硬度は、第１部分７１の硬度よりも高い。第２部分７２の引張弾性率は、第１部分７１の引張弾性率よりも高い。
【００３２】
本実施形態において、第１半導体層１０は、例えば、窒化物半導体を含む。第１半導体層１０は、例えば、第１ｐ側層を含む。第１ｐ側層は、例えば、ｐ形クラッド層である。第１半導体層１０の厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、例えば、５ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第１半導体層１０の厚さは、例えば、１００ｎｍである。
【００３３】
第２半導体層２０は、第３主面２０ａと第４主面２０ｂとを有する。第３主面２０ａは、発光層３０と対向する面である。第４主面２０ｂは、第３主面２０ａの反対側である。
【００３４】
第２半導体層２０は、第１半導体部分２０ｐと、第２半導体部分２０ｑとを含む。積層方向に対して垂直な平面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、第１半導体部分２０ｐは第１半導体層１０と重なる。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第２半導体部分２０ｑは、第１半導体層１０と重ならない。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、第１半導体部分２０ｐと第２半導体部分２０ｑとは、並置される。
【００３５】
第２半導体層２０は、例えば、窒化物半導体を含む。第２半導体層２０は、例えば、第１ｎ側層を含む。第１ｎ側層は、例えば、ｎ形クラッド層である。第２半導体層２０の厚さ（Ｚ軸方向に沿う長さ）は、例えば、１μｍ以上１０μｍ以下である。第２半導体層２０の厚さは、例えば、５μｍである。
【００３６】
半導体発光素子１１０では、第２半導体層２０の第４主面２０ｂが、光取り出し面となる。例えば、ウエットエッチング処理やドライエッチング処理などによるフロスト処理を第４主面２０ｂに施し、微小な凹凸を第４主面２０ｂに形成してもよい。これにより、例えば、発光層３０から放出される光の第４主面２０ｂでの全反射が抑えられ、半導体発光素子１１０の光取り出し効率が向上する。
【００３７】
発光層３０は、第２半導体層２０の第１半導体部分２０ｐと第１半導体層１０との間に設けられる。発光層３０の厚さは、例えば、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。発光層３０の厚さは、例えば、１０ｎｍである。
【００３８】
発光層３０は、例えば、単一量子井戸（ＳＱＷ：Single Quantum Well）構成、または、多重量子井戸（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）構成を有する。
【００３９】
単一量子井戸構成を有する発光層３０は、２つの障壁層と、障壁層どうしの間に設けられた井戸層と、を含む。多重量子井戸構成を有する発光層３０は、例えば、３つ以上の障壁層と、障壁層どうしのそれぞれの間に設けられた井戸層と、を含む。例えば、複数の障壁層と、複数の井戸層と、がＺ軸方向に沿って交互に積層される。
【００４０】
発光層３０は、例えば、窒化物半導体を含む。障壁層には、例えば、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０≦ｘ１＜１）が用いられる。井戸層には、例えば、Ｉｎｘ２Ｇａ１−ｘ２Ｎ（０＜ｘ２≦１、ｘ１＜ｘ２）が用いられる。障壁層がＩｎを含む場合は、障壁層におけるＩｎの組成比は、井戸層におけるＩｎの組成比よりも低くする。または、障壁層は、Ｉｎを実質的に含まない。障壁層におけるバンドギャップエネルギーは、井戸層におけるバンドギャップエネルギーよりも大きい。
【００４１】
第１導電性ピラー４１は、第１半導体層１０と電気的に接続される。この例では、第１導電性ピラー４１は、第１電極５１と反射層１５(後述する）とを介して第１半導体層１０と電気的に接続される。第１導電性ピラー４１の一部を第１電極５１としてもよい。第１導電性ピラー４１は、第１電極５１と対向する側の反対側に第１端部４１ａを有する。
【００４２】
第２導電性ピラー４２は、第２半導体層２０と電気的に接続される。第２導電性ピラー４２の一部を第２電極５２としてもよい。第２導電性ピラー４２は、第２電極５２と対向する側の反対側に第２端部４２ａを有する。第１導電性ピラー４１の第１端部４１ａ及び第２導電性ピラー４２の第２端部４２ａは、封止部８５によって覆われない。
【００４３】
第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２には、導電性を有する材料が用いられる。第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２には、例えば、銅などの金属材料が用いられる。第１導電性ピラー４１を複数設けてもよい。第２導電性ピラー４２を複数設けてもよい。第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２は、例えば、円柱状（扁平円柱状も含む）または多角柱状である。第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２の積層方向に沿う長さ（高さ）は任意である。例えば、第２半導体層２０の第４主面２０ｂと第１端部４１ａとの間の積層方向に沿う距離は、第４主面２０ｂと第２端部４２ａとの間の積層方向に沿う距離と等しくなるように設定されている。
【００４４】
第１電極５１は、第１半導体層１０と第１導電性ピラー４１との間に設けられる。第２電極５２は、第２半導体層２０と第２導電性ピラー４２との間に設けられる。第２電極５２は、例えば、第２半導体層２０の第３主面２０ａ側に設けられる。第２電極５２は、例えば、第２半導体層２０の第２半導体部分２０ｑと対向して設けられる。  
第１電極５１及び第２電極５２には、導電性を有する材料が用いられる。第１電極５１及び第２電極５２には、例えば、Ｎｉ／Ａｕなどの金属材料が用いられる。
【００４５】
第１導電性ピラー４１と第１電極５１との間、及び、第２導電性ピラー４２と第２電極５２との間には、例えば、導電層（図示しない）をさらに設けてもよい。この導電層には、例えば、銅などの金属材料が用いられる。
【００４６】
封止部８５は、例えば、積層体９０（第１半導体層１０、第２半導体層２０、発光層３０）、第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２を保持する。封止部８５は、例えば、積層体９０、第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２を保護する。封止部８５は、絶縁性である。封止部８５には、例えば、絶縁性の樹脂が用いられる。封止部８５には、例えば、エポキシ樹脂が用いられる。封止部８５は、例えば、石英フィラーやアルミナフィラーなどを含む。これにより、封止部８５の熱伝導性が向上し、放熱性を高めることができる。
【００４７】
透光層７０の屈折率は、例えば、１．０以上２．０以下である。透光層７０の屈折率は、上記範囲内でなるべく小さくすることが望ましい。透光層７０の屈折率を空気の屈折率に近づけることで、光取り出し効率が向上する。透光層７０の屈折率は、例えば、１．５である。
【００４８】
透光層７０の第１部分７１と第２部分７２とで、屈折率を変えても良い。例えば、光出射面となる第２部分７２の屈折率を低くする。例えば、第２部分７２の屈折率は、第１部分７１の屈折率よりも低い。光出射面となる部分の屈折率を低く設定することで、光取り出し効率が向上する。
【００４９】
透光層７０には、例えば、透光性を有する樹脂層が用いられる。樹脂層は、例えば、シリコーン樹脂を含む。樹脂層は、例えば、メチルフェニルシリコーンを含む。発光層３０から放出される光の輝度が低く、青色光による劣化が少ない場合には、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合樹脂、または、ウレタン樹脂などを用いてもよい。
【００５０】
透光層７０は、１つの層でもよく、透光層７０が複数の層を含んでもよい。
【００５１】
透光層７０の厚さは、例えば、１０μｍ以上３００μｍ以下である。透光層７０の厚さは、例えば、１２０μｍである。
【００５２】
この例では、半導体発光素子１１０は、反射層１５と、第１端子６１と、第２端子６２と、絶縁層８０と、をさらに含む。
【００５３】
反射層１５は、例えば、第１電極５１と第１半導体層１０との間に設けられる。反射層１５は、発光層３０から放出される光を反射する。発光層３０から放出される光に対する反射層１５の反射率は、例えば、発光層３０から放出される光に対する封止部８５の反射率よりも高い。これにより、例えば、半導体発光素子１１０の発光効率を向上させることができる。反射層１５には、例えば、ＡｇやＡｌなどの金属材料またはそれらを含む金属積層膜が用いられる。反射層１５の厚さは、例えば、０．２μｍ以上０．４μｍ以下である。反射層１５の厚さは、例えば、０．３μｍである。
【００５４】
第１導電性ピラー４１の第１端部４１ａ側に、第１端子６１が設けられる。第１端子６１の上に第１導電性ピラー４１が設けられる。第１端子６１は、第１導電性ピラー４１に電気的に接続される。第１端子６１は、例えば、第１導電性ピラー４１の第１端部４１ａに接触して第１導電性ピラー４１と導通する。
【００５５】
第２導電性ピラー４２の第２端部４２ａ側に、第２端子６２が設けられる。第２端子６２の上に第２導電性ピラー４２が設けられる。第２端子６２は、上記の第２方向において第１端子６１と離間している。第２端子６２は、第２導電性ピラー４２に電気的に接続される。第２端子６２は、例えば、第２導電性ピラー４２の第２端部４２ａに接触して第２導電性ピラー４２と導通する。
【００５６】
第１端子６１及び第２端子６２は、例えば、半導体発光素子１１０と外部の機器との電気的な接続に用いられる。この例では、第１端子６１が、ｐ側のアノードであり、第２端子６２が、ｎ側のカソードである。半導体発光素子１１０の使用時には、第１端子６１が正、第２端子６２が負となるように、第１端子６１と第２端子６２との間に電圧を印加する。これにより、積層体９０に順方向の電圧が加わり、発光層３０から光が放出される。
【００５７】
第１端子６１及び第２端子６２には、例えば、金属材料などの導電性を有する材料が用いられる。第１端子６１及び第２端子６２は、例えば、１つの材料を用いた単層構造を有してもよく、複数の材料を用いた積層構造を有してもよい。
【００５８】
絶縁層８０の一部は、例えば、第１半導体層１０の一部と封止部８５の一部との間、発光層３０の一部と封止部８５の一部との間、及び、第２半導体層２０の一部と封止部８５の一部との間に設けられる。絶縁層８０は、例えば、第１側面１０ｓ（第１半導体層１０）、第２側面２０ｓ（第２半導体層２０）、第３側面３０ｓ（発光層３０）を覆う。
【００５９】
絶縁層８０の一部は、例えば、第１半導体層１０の一部と第２導電性ピラー４２の一部との間の一部、発光層３０の一部と第２導電性ピラー４２との間、及び、第２半導体層２０と第２導電性ピラー４２との間の一部にも設けられる。半導体発光素子１１０が反射層１５を含む場合、絶縁層８０の一部は、反射層１５の一部と封止部８５の一部との間、反射層１５の一部と第１導電性ピラー４１の一部との間、及び、反射層１５の一部と第２導電性ピラー４２の一部との間にも設けられる。
【００６０】
絶縁層８０によって、第１半導体層１０と第２導電性ピラー５２とが電気的に絶縁される。絶縁層８０によって、例えば、第１半導体層１０、第２半導体層２０、発光層３０及び反射層１５と、封止部８５と、の間の絶縁性が高められる。絶縁層８０を設けることで、封止部８５に含まれる不純物などから第１半導体層１０、第２半導体層２０及び発光層３０を保護する。
【００６１】
絶縁層８０には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、リン・シリケート・ガラス（ＰＳＧ）、及び、ボロン・リン・シリケート・ガラス（ＢＰＳＧ）などの無機材料が用いられる。また、絶縁層８０には、例えば、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（Benzocyclobutene）などの有機材料を用いてもよい。用いる有機材料は、感光性を有していても良い。無機膜と有機膜との積層体を用いてもよい。
【００６２】
絶縁層８０の厚さは、例えば、１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。絶縁層８０の厚さは、例えば、約４００ｎｍである。絶縁層８０の形成には、例えば、ＣＶＤ、蒸着及びスパッタなどが用いられる。塗布法を用いてもよい。
【００６３】
中間層８７には、光透過性の材料が用いられる。中間層８７には、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料、シリコーン樹脂などの有機材料が用いられる。中間層８７の厚さは、例えば、０．１μｍ以上１０μｍ以下である。
【００６４】
例えば、中間層８７の屈折率を透光層７０の屈折率よりも高くしても良い。それによって、半導体発光素子１１０の光取り出し効率を高めることができる。
【００６５】
積層方向に対して垂直な平面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、半導体発光素子１１０の外形は、例えば、矩形状である。例えば、半導体発光素子１１０の一つの辺が、Ｘ軸方向に対して平行である。例えば、半導体発光素子１１０の別の辺が、Ｙ軸方向に対して平行である。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、半導体発光素子１１０のＸ軸方向に沿う辺の長さ（幅）は、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、例えば、６００μｍである。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、半導体発光素子１１０のＹ軸方向に沿う辺の長さ（幅）は、例えば、１００μｍ以上１０００μｍ以下であり、例えば、６００μｍである。  
第１導電性ピラー４１から第２導電性ピラー４２に向かう第２方向は、Ｘ軸方向と平行でなくてもよい。第２方向は、Ｙ軸方向と平行でなくてもよい。第２方向が、半導体発光素子１１０の辺と交差しても（すなわち、非平行であっても）よい。
【００６６】
半導体発光素子１１０の製造方法の例について説明する。  
図２（ａ）〜図２（ｅ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。
【００６７】
図２（ａ）に表したように、成長用基板５の表面５ａの上に、積層体９０となる積層体膜９０ｆを形成する。成長用基板５には、例えば、半導体基板などの基板が用いられる。成長用基板５には、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板が用いられる。成長用基板５は、サファイアでもよい。積層体膜９０ｆの形成には、例えば、有機金属気層成長（ＭＯＣＶＤ）法が用いられる。
【００６８】
積層体膜９０ｆの形成においては、成長用基板５の上に、第１半導体膜２１ｆ、発光膜３０ｆ、第２半導体膜１２ｆが、この順で結晶成長（エピタキシャル成長）される。第１半導体膜２１ｆは、第２半導体層２０となる。発光膜３０ｆは、発光層３０となる。第２半導体膜１２ｆは、第１半導体層１０となる。
【００６９】
成長用基板５と第１半導体膜２１ｆとの間に、バッファ層（図示しない）を設けてもよい。バッファ層により、例えば、積層体９０（第２半導体層２０）の結晶性が高まる。バッファ層により、例えば、応力が緩和される。
【００７０】
例えば、リソグラフィ処理及びエッチング処理により、第２半導体膜１２ｆの側から、第２半導体膜１２ｆの一部、及び、発光膜３０ｆの一部を除去して、第１半導体膜２１ｆの一部を露出させる。このとき、第１半導体膜２１ｆの一部を除去してもよい。これにより、第１半導体膜２１ｆに、凹部２０ｄが形成される。凹部２０ｄが形成され、露出される部分が第２半導体部分２０ｑとなる。他の部分は、第１半導体部分２０ｐとなる。これによって、第１半導体層１０、第２半導体層２０及び発光層３０を含む積層体９０が形成される。  
図２（ａ）に表したように、この例では、成長用基板５の表面５ａの上に、複数の積層体９０が形成される。
【００７１】
図２（ｂ）に表したように、成膜処理、リソグラフィ処理及びエッチング処理により、複数の積層体９０の第１半導体層１０のそれぞれの上に、反射層１５を形成する。
【００７２】
複数の反射層１５及び複数の第２半導体部分２０ｑの上に、電極膜５０ｆを成膜する。電極膜５０ｆは、例えば、第１電極５１及び第２電極５２となる。例えば、第１電極５１及び第２電極５２は、同時に形成される。第１電極５１と第２電極５２とを別々に形成してもよい。この場合、第１電極５１となる第１電極膜５１ｆを反射層１５の上に、第２電極５２となる第２電極膜５２ｆを第２半導体層２０の第２半導体部分２０ｑの上に、それぞれ成膜する。
【００７３】
リソグラフィ処理及びエッチング処理により、電極膜５０ｆを加工する。これにより、複数の反射層１５のそれぞれの上に、第１電極５１が形成される。複数の第２半導体層２０のそれぞれの第２半導体部分２０ｑの上に、第２電極５２が形成される。
【００７４】
複数の積層体９０及び反射層１５のそれぞれの上に、絶縁層８０となる絶縁膜８０ｆを形成する。形成された絶縁膜８０ｆにリソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、第１開口８１及び第２開口８２を形成する。これにより、絶縁層８０が形成される。第１開口８１において、第１電極５１が露出する。第２開口８２において、第２電極５２が露出する。
【００７５】
図２（ｃ）に表したように、第１半導体層１０の上であって第１電極５１が形成されていない領域、及び、第２半導体層２０の上であって第２電極５２が形成されていない領域の上に封止部８５となる封止膜８５ｆを形成する。例えば、複数の積層体９０上の絶縁層８０のそれぞれの上、及び、成長用基板５の上に、封止膜８５ｆを形成する。封止膜８５ｆは、例えば、樹脂膜である。  
封止膜８５ｆに、第１貫通孔８５ａと第２貫通孔８５ｂとを形成する。第１貫通孔８５ａは、第１電極５１に繋がる。第２貫通孔８５ｂは、第２電極５２に繋がる。
【００７６】
図２（ｄ）に表したように、第１貫通孔８５ａ及び第２貫通孔８５ｂを埋めるように、導電膜４０ｆを形成する。導電膜４０ｆは、第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２となる。この場合、第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２は、同時に形成される。第１導電性ピラー４１となる第１導電膜４１ｆと、第２導電性ピラー４２となる第２導電膜４２ｆとを別々に形成してもよい。  
導電膜４０ｆ（第１導電膜４１ｆ及び第２導電膜４２ｆ）を研削等により平坦化して、第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２が形成される。研削面が、第１端部４１ａ及び第２端部４２ａとなる。
【００７７】
この例では、封止膜８５ｆ（封止部８５）を形成した後に、導電膜４０ｆ（第１導電性ピラー４１及び第２導電性ピラー４２）を形成している。実施形態において、導電膜４０ｆ（第１導電膜４１ｆ及び第２導電膜４２ｆ）を形成した後で、封止膜８５ｆ（封止部８５）を形成してもよい。
【００７８】
例えば、成膜処理、リソグラフィ処理及びエッチング処理により、第１導電性ピラー４１の第１端部４１ａの上に、第１端子６１を形成し、第２導電性ピラー４２の第２端部４２ａの上に、第２端子６２を形成する。第１端子６１及び第２端子６２は、同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。
【００７９】
図２（ｅ）に表したように、例えば、エッチング法により、成長用基板５を除去する。成長用基板５が、例えば、サファイアの場合には、レーザリフトオフ法などによって成長用基板５を除去してもよい。
【００８０】
この例では、成長用基板５が除去されて露出した第２半導体層２０及び封止膜８５ｆの上に、中間層８７となる中間膜８７ｆを、さらに形成する。
【００８１】
図３（ａ）に表したように、中間膜８７ｆの上に、透光層７０となる透光膜７０ｆを形成する。透光膜７０ｆは、例えば、透光性を有する樹脂膜である。
【００８２】
例えば、中間膜８７ｆの上に液状の透明樹脂を、例えば、スクリーン印刷法、ポッティング、モールドまたは圧縮成形などの方法により塗布及び形状加工し、加熱硬化させて、透光膜７０ｆを形成する。  
透光膜７０ｆは、第２部分７２となる上部分７０ｕと、第１部分７１となる下部分７０ｄとを含む。上部分７０ｕが下部分７０ｄよりも硬くなるように、透光膜７０ｆを形成する。例えば、上部分７０ｕと下部分７０ｄとで、形成条件を変更してもよい。例えば、上部分７０ｕと下部分７０ｄとで、用いる材料（組成など）を変更してもよい。
【００８３】
透光膜７０ｆは、例えば１つの膜でもよく、透光膜７０ｆは、複数の膜（積層膜）を含んでもよい。透光膜７０ｆが複数の膜を含む場合、複数の膜どうしの境界は、観察される場合と観察されない場合がある。
【００８４】
図３（ｂ）に表したように、複数の積層体９０どうしの間で、透光膜７０ｆ、中間膜８７ｆ及び封止膜８５ｆを切断する。例えば、透光膜７０ｆ、中間膜８７ｆ及び封止膜８５ｆを、ダイシングラインＤＬに沿って切断する。これにより、複数の半導体発光素子１１０が互いに分離される。すなわち、封止部８５、中間層８７及び透光層７０が形成され、半導体発光素子１１０が形成される。半導体発光素子１１０においては、上面（第２主面７０ｂ）におけるタック性が低い。これにより、例えば半導体発光素子１１０を他の実装部材に実装する際の生産性が高くなる。
【００８５】
図４は、第１の実施形態に係る別の半導体発光素子の構成を例示する模式的断面図である。
図４に表した半導体発光素子１１１においては、透光層７０以外の構成は、半導体発光素子１１０と同じである。以下では、半導体発光素子１１１に関して、透光層７０について説明する。
【００８６】
半導体発光素子１１１において、透光層７０は、樹脂部７６と、複数の粒子７７と、を含む。樹脂部７６は、例えば、透光性の樹脂を含む。  
樹脂部７６には、例えば、シリコーン樹脂（例えばメチルフェニルシリコーン）、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との混合樹脂、または、ウレタン樹脂などが用いられる。
【００８７】
複数の粒子７７は、例えば、樹脂部７６中に分散されている。透光層７０は、例えば、複数の粒子７７を分散させた液状の樹脂を熱硬化させることで形成される。複数の粒子７７の平均粒子径は、例えば、１μｍ以上５０μｍ以下である。
【００８８】
粒子７７には、例えば、フィラーが用いられる。フィラーには、例えば、無機材料のフィラーを用いてもよい。粒子７７には、例えば、ＳｉＯ２、または、ＴｉＯ２などを用いることができる。
【００８９】
粒子７７は、例えば、蛍光体粒子を含んでもよい。粒子７７には、例えば、アルミン酸イットリウムに賦活剤としてセリウムを導入したＹＡＧ：Ｃｅが用いられる。粒子７７は、例えば、珪酸ストロンチウム・バリウムに賦活剤としてユーロピウムを導入した（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４，Ｃａｐ（Ｓｉ，Ａｌ）１２を用いてもよい。
【００９０】
粒子７７に蛍光体粒子を用いる場合は、透光層７０は、例えば、発光層３０から放出された光のピーク波長を変換する波長変換層として機能する。透光層７０は、例えば、発光層３０から放出される第１光Ｌ１（発光光）の少なくとも一部を吸収し、第２光Ｌ２を放出する。第２光Ｌ２のピーク波長は、第１光Ｌ１のピーク波長とは異なる。第２光Ｌ２は、第１光Ｌ１のピーク波長と異なる複数のピーク波長を有する複数の光を含んでいてもよい。例えば、発光層３０から放出される第１光Ｌ１は、青色光である。複数の粒子７７は、例えば、第１光Ｌ１（青色光）を第２光Ｌ２（黄色光）に変換する蛍光体粒子である。例えば、第１光Ｌ１と第２光Ｌ２との合成光が実質的に白色になるように設計される。
【００９１】
透光層７０において、第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなるように、透光層７０のうち、例えば、第１部分７１と第２部分７２とで複数の粒子７７の濃度を変更する。例えば、第２部分７２における複数の粒子７７の濃度は、第１部分７１における複数の粒子７７の濃度よりも高い。例えば、第２部分７２に含まれる粒子７７と、第１部分７１に含まれる粒子７７とにおいて、材料、粒径の少なくともいずれかを変更してもよい。このときも、第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなるようにする。第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなり、生産性が高くなる。
【００９２】
例えば、第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなるように、第１主面７０ａから第２主面７０ｂに向かう方向に沿って、透光層７０における複数の粒子７７の濃度が上昇する濃度分布を設ける。
【００９３】
例えば、複数の粒子７７の濃度が透光層７０内で均一な場合、半導体発光素子から出射される光に色ずれが生じる場合がある。すなわち、発光層３０から放出された第１光Ｌ１において、第１光Ｌ１の進行方向と積層方向（Ｚ軸方向）との間の角度が大きいと、角度が小さいときに比べて、透光層７０中の光路長が長くなる。このため、角度が大きい光においては、第１光Ｌ１の強度に対する第２光Ｌ２の強度の比が高まる。このため、角度が大きくなると、黄色味の程度が高くなる。このような光は、例えば、イエローリングのように知覚される。
【００９４】
これに対して、本実施形態においては、透光層７０における複数の粒子７７の濃度を、例えば、第１主面７０ａから第２主面７０ｂに向かう方向に沿って上昇する濃度分布を設ける。これにより、光の進行方向とＺ軸方向との間の角度が大きいときには、光路中における粒子７７の濃度が低くできる。すなわち、角度による光路長の変化を濃度分布により補償する。これにより、半導体発光素子１１１においては、色ずれの発生が抑制される。
【００９５】
さらに、蛍光体粒子である複数の粒子７７の濃度が高い部分が、発熱源である発光層３０から遠い位置に配置されるため、発光層３０からの熱が粒子７７に伝わりにくい。これにより粒子７７において温度消光により発光効率が低下することが抑制される。
【００９６】
図５（ａ）〜図５（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
これらの図は、半導体発光素子１１１の透光層７０の形成方法を例示している。以下に説明する製造方法においては、透光層７０の形成以外の工程は、例えば、図２（ａ）〜図２（ｅ）に関して説明した方法を適用できる。
【００９７】
図５（ａ）に表したように、透光材層７０ｓを支持体６の上に形成する。透光材層７０ｓは、複数の粒子７７を含んでいる。例えば、複数の粒子７７が分散された液状の透光性樹脂を、支持体６の上に塗布して塗布膜（透光材層７０ｓ）を形成する。透光性樹脂として、例えば、熱硬化性樹脂が用いられる。透光材層７０ｓの形成には、例えば、スクリーン印刷法、ポッティング、モールド、圧縮成形などの方法が用いられる。透光材層７０ｓは、第１面７０ｓａと第２面７０ｓｂとを有する。第１面７０ｓａは、支持体６と対向する。第２面７０ｓｂは、第１面７０ｓａと反対側の面である。
【００９８】
図５（ｂ）に表したように、液状を保持している透光材層７０ｓにおいて、複数の粒子７７の一部を支持体６側（第１面７０ｓａ側）に沈降させる。例えば、透光材層７０ｓとなる材料の層（液状の層）を支持体６上に形成した後に保持すると、透光材層７０ｓ中において第１面７０ｓａから第２面７０ｓｂに向かう方向に沿って、複数の粒子７７に濃度分布を設ける。これによって、透光材層７０ｓにおいて、複数の粒子７７を第１濃度で含む低濃度部分７０ｄ１と、複数の粒子７７を第１濃度よりも高い第２濃度で含む高濃度部分７０ｄ２とが形成される。この例では、支持体６と第１濃度部分７０ｄ１との間に、第２濃度部分７０ｄ２が形成される。
【００９９】
透光材層７０ｓを加熱して、透光材層７０ｓに含まれる樹脂をプレ硬化（第１の硬化）させる。プレ硬化は、複数の粒子７７の濃度分布が実質的にが保持される条件で行う。
【０１００】
図５（ｃ）に表したように、この例では、透光材層７０ｓを支持体６から剥離する。
【０１０１】
図５（ｄ）に表したように、透光材層７０ｓを第２半導体層２０の上に積層する。この例では、透光材層７０ｓを中間膜８７ｆの上に積層させる。このとき、透光材層７０ｓの第２面７０ｓｂが第２半導体層２０（中間膜８７ｆ）と対向するように積層する。加熱して透光材層７０ｓに含まれる樹脂を硬化（第２の硬化）させる。例えば、第２の硬化における温度は、第１の硬化における温度よりも高い。第２の硬化により、透光材層７０ｓと第２半導体層２０（中間膜８７ｆ）とが、例えば、接着される。透光材層７０ｓ（塗布膜）は、透光膜７０ｆとなる。  
このような工程により、半導体発光素子１１１が、積層方向に対して垂直な方向に複数並んで形成される。
【０１０２】
この例では、透光材層７０ｓを支持体６から剥離した後で、第２半導体層２０の上に積層している。実施形態はこれに限らず、例えば、透光材層７０ｓと第２半導体層２０とを積層させた後で、支持体６を剥離してもよい。さらに、支持体６が光透過性であり、支持体６の硬度が透光材層７０ｓの硬度よりも高い場合には、支持体６を剥離しなくてもよい。この場合、支持体６が透光層７０の上面部分（第２部分７２）となる。
【０１０３】
例えば、透光膜７０ｆ、中間膜８７ｆ及び封止膜８５ｆをダイシングラインＤＬに沿って切断する。これによって、透光膜７０ｆは透光層７０、中間膜８７ｆは中間層８７、封止膜８５ｆは封止部８５となり、複数の半導体発光素子１１１が形成される。半導体発光素子１１１においては、例えば、実装時の生産性を向上できる。
【０１０４】
図６（ａ）〜図６（ｆ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
これらの図は、半導体発光素子１１２の透光層７０の製造方法を例示している。以下に説明する製造方法においては、透光層７０の形成以外の工程は、例えば、図２（ａ）〜図２（ｅ）に関して説明した方法を適用できる。
【０１０５】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に表したように、第１透光材層７１ｓ、第２透光材層７２ｓ及び第３透光材層７３ｓを、それぞれ形成する。第１透光材層７１ｓの形成には、例えば、複数の粒子７７が第１の透光性樹脂に分散された第１の溶液が用いられる。第２透光材層７２ｓの形成には、例えば、複数の粒子７７が第２の透光性樹脂に分散された第２の溶液が用いられる。第３透光材層７３ｓの形成には、例えば、複数の粒子７７が第３の透光性樹脂に分散された第３の溶液が用いられる。第１〜第３の透光性樹脂のそれぞれの材料は互いに同じでもよいし、異なってもよい。
【０１０６】
第１〜第３の溶液（第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓ）においては、例えば、複数の粒子７７の濃度（粒子濃度）が異なる。この例では、第２の溶液（第２透光材層７２ｓ）における粒子７７の第２粒子濃度は、第１の溶液（第１透光材層７１ｓ）における粒子７７の第１粒子濃度よりも高い。第３の溶液（第３透光材層７３ｓ）における粒子７７の第３粒子濃度は、第１の溶液における粒子７７の第１粒子濃度よりも高く、第２の溶液における粒子７７の第２粒子濃度よりも低い。
【０１０７】
例えば、支持体６上に第１〜第３の溶液を、スクリーン印刷法、ポッティング、モールド、圧縮成形などにより塗布及び形状加工する。このとき、例えば、第１支持体の上に第１の溶液を塗布する。第２支持体の上に第２の溶液を塗布する。第３支持体の上に第３の溶液を塗布する。第１〜第３支持体は、例えば、それぞれ異なる。加熱によりプレ硬化（第１の硬化）させ、例えば、支持体６（第１〜第３支持体）から剥離して、第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓを形成する。
【０１０８】
図６（ｄ）に表したように、第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓを、接着材層を介して接着する。第３透光材層７３ｓは、第１透光材層７１ｓと第２透光材層７２ｓとの間に配置される。この例では、第１透光材層７１ｓと第３透光材層７３ｓとを第１接着材層７１ｇｓにより接着する。第２透光材層７２ｓと第３透光材層７３ｓとを第２接着材層７２ｇｓにより接着する。これによって、透光材層７０ｓが形成される。
【０１０９】
図６（ｅ）に表したように、透光材層７０ｓを中間膜８７ｆの上に配置する。このとき、第２透光材層７２ｓ（粒子７７の濃度が高い層）が、上側（中間膜８７ｆと対向する側と反対側）になるように配置する。すなわち、第２透光材層７２ｓと第２半導体層２０との間に第１透光材層７１ｓ（及び第３透光材層７３ｓ）が配置される。
【０１１０】
加熱して、透光材層７０ｓに含まれる樹脂を硬化（第２の硬化）させて、透光膜７０ｆを形成する。第１透光材層７１ｓが第１透光膜７１ｆとなる。第２透光材層７２ｓが第２透光膜７２ｆとなる。第３透光材層７３ｓが第３透光膜７３ｆとなる。第１接着材層７１ｇｓが第１接着膜７１ｇｆとなる。第２接着材層７２ｇｓが第２接着膜７２ｇｆとなる。
【０１１１】
例えば、透光材層７０ｓ、中間膜８７ｆ、封止膜８５ｆをダイシングラインＤＬに沿って切断する。これにより、図６（ｆ）に表した半導体発光素子１１２が形成される。
【０１１２】
図６（ｆ）に表したように、半導体発光素子１１２においては、第１透光膜７１ｆは、透光層７０の第１部分７１となる。第２透光膜７２ｆは、透光層７０の第２部分７２となる。第３透光膜７３ｆは、例えば、透光層７０の第３部分７３となる。第１接着膜７１ｇｆは、第１接着層７１ｇとなる。第２接着膜７２ｇｆは、第２接着層７２ｇとなる。半導体発光素子１１２においても、第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなるように、第２部分７２における複数の粒子７７の濃度が第１部分７１における複数の粒子７７の濃度よりも高く設定されている。半導体発光素子１１２においても、例えば実装時において高い生産性が得られる。
【０１１３】
この例において、透光層７０における第３部分７３は必要に応じて設けられ、省略しても良い。すなわち、第３透光材層７３ｓ及び第２接着材層７２ｇｓは、必要に応じて設けられ、省略しても良い。すなわち、透光層７０に設けられる透光材層の数は、２でもよく、３以上でもよい。
【０１１４】
半導体発光素子１１２において、透光層７０は、例えば、第１部分７１、第２部分７２、第３部分７３、第１接着層７１ｇ及び第２接着層７２ｇを含む。透光層７０において、屈折率に分布が設けられても良い。例えば、第２部分７２の屈折率は、第１部分７１の屈折率よりも低く設定してもよい。これにより、光取り出し効率を高くすることができる。
【０１１５】
半導体発光素子１１２においては、粒子７７として蛍光体粒子を用いており、粒子７７の濃度分布が形成されている。これにより、色ずれが抑制される。
【０１１６】
この例では、透光層７０の第２部分７２の硬度が第１部分７１の硬度よりも高くなるように、第２部分７２に含まれる粒子７７の密度を第１部分７１に含まれる粒子７７の密度よりも高く設定している。実施形態は、これに限らず、第１部分７１に含まれる樹脂材料と第２部分７２に含まれる樹脂材料とを互いに異ならせることで、硬度を変化させても良い。
【０１１７】
図７（ａ）〜図７（ｃ）は、第１の実施形態に係る半導体発光素子の製造方法を例示する工程順模式的断面図である。  
これらの図は、半導体発光素子１１３の透光層７０の製造方法を例示している。
【０１１８】
図７（ａ）に表したように、透光材層７０ｓは、第１透光材層７１ｓ、第２透光材層７２ｓ及び第３透光材層７３ｓを含む。例えば、支持体６（第１〜第３支持体）上に前述の第１〜第３溶液をスクリーン印刷法、ポッティング、モールドまたは圧縮成形などにより塗布及び形状加工して塗布膜（第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓ）を形成する。この塗布膜を、例えば、プレ硬化させ、塗布膜（第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓ）を、支持体６（第１〜第３支持体）からそれぞれ剥離する。例えば、第１透光材層７１ｓと第３透光材層７３ｓとを、第１接着材層７１ｇｓで接着する。第２透光材層７２ｓと第３透光材層７３ｓとを、第２接着材層７２ｇｓで接着する。これにより、透光材層７０ｓが形成される。第２透光材層７２ｓと第１透光材層７１ｓとの間に第３透光材層７３ｓが配置される。
【０１１９】
この例では、第１透光材層７１ｓ及び第３透光材層７３ｓのそれぞれにおいて、粒子７７の分布は不均一である。  
例えば、第１透光材層７１ｓは、第１濃度部分７１ｄ１と、第２濃度部分７１ｄ２と、を含む。第１濃度部分７１ｄ１における粒子７７の濃度（第１濃度）は、第２濃度部分７１ｄ２における粒子７７の濃度（第２濃度）よりも高い。第１濃度部分７１ｄ１と第２濃度部分７１ｄ２とは、積層方向に対して垂直な平面に投影したときに並置される。  
例えば、第３透光材層７３ｓは、第３濃度部分７３ｄ３と、第４濃度部分７３ｄ４と、を含む。第３濃度部分７３ｄ３における粒子７７の濃度（第３濃度）は、第４濃度部分７３ｄ４における粒子７７の濃度（第４濃度）よりも高い。第３濃度部分７３ｄ３と第４濃度部分７３ｄ４とは、積層方向に対して垂直な平面に投影したときに並置される。
【０１２０】
この例では、第２透光材層７２ｓにおいて、粒子はほぼ均一に分布している。この例では、第２透光材層７２ｓにおける粒子７７の濃度は、第１透光材層７１ｓにおける粒子７７の平均の濃度よりも高い。第２透光材層７２ｓにおける粒子７７の濃度は、第３透光材層７３ｓにおける粒子７７の平均の濃度よりも高い。
【０１２１】
このような第１〜第３透光材層７１ｓ〜７３ｓが互いに積層されている。このとき、図７（ａ）に表したように、積層方向に対して垂直な平面に投影したときに、第１濃度部分７１ｄ１と第４濃度部分７３ｄ４とが重なるように積層する。例えば、第２濃度部分７１ｄ２と第３濃度部分７３ｄ３とが重なるように積層する。これにより、粒子７７の濃度の面内のばらつきが抑制できる。
【０１２２】
図７（ｂ）に表したように、透光材層７０ｓを中間膜８７ｆの上に配置する。このとき、第２透光材層７２ｓと第２半導体層２０との間に第１透光材層７１ｓ（及び第３透光材層７３ｓ）が配置される。
【０１２３】
加熱によって、透光材層７０ｓに含まれる樹脂を硬化させて透光膜７０ｆを形成する。第１〜第３透光材層７１ｓは、それぞれ、第１〜第３透光膜７１ｆとなる。第１、第２接着材層７２ｇｓは、それぞれ、第１、第２接着膜７２ｇｆとなる。
【０１２４】
例えば、透光材層７０ｓ、中間膜８７ｆ、封止膜８５ｆをダイシングラインＤＬに沿って切断する。これにより、図７（ｃ）に表した半導体発光素子１１３が形成される。
【０１２５】
第１透光膜７１ｆは、例えば、透光層７０の第１部分７１の少なくとも一部となる。第２透光膜７２ｆは、例えば、透光層７０の第２部分７２の少なくとも一部となる。第３透光膜７３ｆは、例えば、透光層７０の第３部分７３の少なくとも一部となる。
【０１２６】
半導体発光素子１１３において、第２部分７２における粒子７７の濃度が高いため、硬度が高い。半導体発光素子１１３においても、実装時の生産性が高い。
【０１２７】
また、半導体発光素子１１３において、透光層７０における面内の粒子７７の濃度のばらつきが低減されている。さらに、半導体発光素子１１３から出射される光における色ずれが抑制される。  
この例では、透光材層において粒子７７の濃度にばらつきが生じた場合であっても、複数の透光材層を濃度ばらつきが補償されるように積層することで、濃度のばらつきが低減される。これにより、半導体発光素子の製造における生産性が向上する。
【０１２８】
実施形態によれば、実装生産性が高い半導体発光素子及びその製造方法が提供される。
【０１２９】
本明細書において「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１，０≦ｚ≦１，ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）なる化学式において組成比ｘ、ｙ及びｚをそれぞれの範囲内で変化させた全ての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、導電形などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【０１３０】
本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であればよい。
【０１３１】
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、半導体発光素子に含まれる、第１半導体層、発光層、第２半導体層、第１電極、第２電極、第１導電性ピラー、第２導電性ピラー、封止部、透光層、透光部、粒子、中間層、絶縁層及び反射層などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。  
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
【０１３２】
その他、本発明の実施の形態として上述した半導体発光素子及びその製造方法を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての半導体発光素子及びその製造方法も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
【０１３３】
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
【０１３４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１３５】
５…成長用基板、  ６…支持体、  １０…第１半導体層、  １０ｓ…第１側面、  １２ｆ…第２半導体膜、  １５…反射層、  ２０…第２半導体層、  ２０ａ…第３主面、  ２０ｂ…第４主面、  ２０ｄ…凹部、  ２０ｐ…第１半導体部分、  ２０ｑ…第２半導体部分、  ２０ｓ…第２側面、  ２１ｆ…第１半導体膜、  ３０…発光層、  ３０ｆ…発光膜、  ３０ｓ…第３側面、  ４０ｆ…導電膜、  ４１…第１導電性ピラー、  ４１ａ…第１端部、  ４１ｆ…第１導電膜、  ４１ｓ…第４側面、  ４２…第２導電性ピラー、  ４２ａ…第２端部、  ４２ｆ…第２導電膜、  ４２ｓ…第５側面、  ５０ｆ…電極膜、  ５１…第１電極、  ５１ｆ…第１電極膜、  ５２…第２電極、  ５２ｆ…第２電極膜、  ６１…第１端子、  ６２…第２端子、  ７０…透光層、  ７０ａ…第１主面、  ７０ｂ…第２主面、  ７０ｄ…下部分、  ７０ｄ１・・・低濃度部分  ７０ｄ２・・・高濃度部分  ７０ｆ…透光膜、  ７０ｓ…透光材層、  ７０ｓａ…第１面、  ７０ｓｂ…第２面、  ７０ｕ…上部分、  ７１…第１部分、  ７１ｄ１…第１濃度部分、  ７１ｄ２…第２濃度部分、  ７１ｆ…第１透光膜、  ７１ｇ…第１接着層、  ７１ｇｆ…第１接着膜、  ７１ｇｓ…第１接着材層、  ７１ｓ…第１透光材層、  ７２…第２部分、  ７２ｆ…第２透光膜、  ７２ｇ…第２接着層、  ７２ｇｆ…第２接着膜、  ７２ｇｓ…第２接着材層、  ７２ｓ…第２透光材層、  ７３…第３部分、  ７３ｄ３…第３濃度部分、  ７３ｄ４…第４濃度部分、  ７３ｆ…第３透光膜、  ７３ｓ…第３透光材層、  ７６…樹脂部、  ７７…粒子、  ８０…絶縁層、  ８０ｆ…絶縁膜、  ８１…第１開口、  ８２…第２開口、  ８５…封止部、  ８５ａ…第１貫通孔、  ８５ｂ…第２貫通孔、  ８５ｆ…封止膜、  ８７…中間層、  ８７ｆ…中間膜、  ９０…積層体、  ９０ｆ…積層体膜、  １１０〜１１３…半導体発光素子、  ＤＬ…ダイシングライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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