(57)【要約】【課題】キャパシタの電気的特性を安定とすること。【解決手段】基板上に設けられた第１電極１０と、前記第１電極１０と対向して設けられた第２電極２４と、前記第１電極１０と電気的に離間され、前記第１電極１０の上面と、前記第１電極１０の対向した側面を囲んで設けられた第３電極２１、２３ｃと、を有するキャパシタ素子。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた第１電極と、
前記第１電極と対向して設けられた第２電極と、
前記第１電極と電気的に離間され、前記第１電極の上面と、前記第１電極の対向した側面を囲んで設けられた第３電極と、
を有することを特徴とするキャパシタ素子。
【請求項２】
前記第２電極と前記第３電極とは電気的に接続されてなることを特徴とする請求項１記載のキャパシタ素子。
【請求項３】
前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１電極と前記第２電極との側面が対向して配置されてなることを特徴とする請求項１または２記載のキャパシタ素子。
【請求項４】
前記第３電極は、前記第１電極が導入される面に開口を備え、前記開口が設けられた面以外のすべての面により、前記第１電極を囲んでなることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のキャパシタ素子。
【請求項５】
前記第１電極は、下方向に導出されてなり、前記第３電極は前記第１電極の側面のすべてと上面とを囲んでなることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載のキャパシタ素子。
【請求項６】
前記第３電極は、前記対向した側面のすべてを覆ってなることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項記載のキャパシタ素子。
【請求項７】
前記第３電極は、前記第１電極の上面のすべてを覆ってなることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項記載のキャパシタ素子。
【請求項８】
前記第１電極および前記第２電極は、直線状の複数のサブ電極を有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項記載のキャパシタ素子。
【請求項９】
前記第１電極の複数の前記サブ電極は、前記第２電極の複数のサブ電極と交互に設けられていることを特徴とする請求項８記載のキャパシタ素子。
【請求項１０】
基板上に、直線状のパターンを有する第１電極と、前記第１電極から離間し、前記第１電極と対向して設けられた直線状のパターンを有する第２電極と、前記第１電極と電気的に離間され、前記第１電極の対向した側面を囲んで設けられた第３電極と、を同時に形成する工程と、
前記第１電極上に、前記第１電極から離間し、前記第３電極の上部に接触するように第４電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とするキャパシタ素子の製造方法。
【請求項１１】
基板上に設けられた第１配線と、
前記第１配線と空間を介し離間して設けられた第２配線と、
前記第１配線および前記第２配線と電気的に離間され、前記第１配線から前記第２配線にかけて前記第１配線、前記空間および前記第２配線を囲んで設けられた第３配線と、
を有することを特徴とするフィルタ。
【請求項１２】
前記第３配線は前記第１配線および前記第２配線の上面、側面および下面を囲むことを特徴とする請求項１１記載のフィルタ。
【請求項１３】
前記第１配線および前記第２配線は、前記第１配線と前記第２配線との対向する方向に延伸することを特徴とする請求項１１または１２記載のフィルタ。
【請求項１４】
前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は複数設けられ、
隣接する前記第１配線および前記第２配線が接続し、
隣接する前記空間の間において隣接する配線は離間することを特徴とする請求項１１から１３のいずれか一項記載のフィルタ。
【請求項１５】
前記第１配線および前記第２配線と、前記第３配線と、の間に設けられ、前記第１配線および前記第２配線を囲むように設けられた第４配線を具備することを特徴とする請求項１１から１４のいずれか一項記載のフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャパシタ素子およびその製造方法並びにフィルタに関し、例えばインタディジタルキャパシタ素子およびその製造方法、並びにフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波やミリ波帯のＭＭＩＣ（Monolithic Microwave Integrated Circuit）において、基板上に形成されたキャパシタ素子が用いられている。キャパシタとしては、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal）キャパシタやインタディジタルキャパシタが用いられている（特許文献１）。
【０００３】
一般的に、信号の周波数が高くなるとキャパシタの容量値は小さくなる。例えば、４０ＧＨｚ帯で用いられるキャパシタの容量値は３０ｆＦ程度である。このような小さな容量値をＭＩＭキャパシタを用い実現しようとすると、面積の小さなキャパシタとなる。このため、容量値のばらつきが大きくなってしまう。
【０００４】
これに対してインタディジタルキャパシタは、数十ｆＦ程度の小さな容量値を比較的精度よく実現することができる。このため、特に周波数の高いＭＭＩＣにはインタディジタルキャパシタが用いられることが多い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２９７９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
インタディジタルキャパシタは、ＭＩＭキャパシタと異なり、キャパシタ上面が電極で覆われていない。このため、近接する配線から電磁的な影響を受け易い。また、水分および／または異物が電極間に入り易い。これらにより、キャパシタの容量値等の電気的特性が不安定となる。または、フィルタは近接する配線から電磁的な影響を受け易い。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、キャパシタおよびフィルタの電気的特性を安定させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極と対向して設けられた第２電極と、前記第１電極と電気的に離間され、前記第１電極の上面と、前記第１電極の対向した側面を囲んで設けられた第３電極と、を有することを特徴とするキャパシタ素子である。本発明によれば、キャパシタの電気的特性を安定させることができる。
【０００９】
上記構成において、前記第２電極と前記第３電極とは電気的に接続されてなる構成とすることができる。
【００１０】
上記構成において、前記第１電極と前記第２電極とは、前記第１電極と前記第２電極との側面が対向して配置されてなる構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記第３電極は、前記第１電極が導入される面に開口を備え、前記開口が設けられた面以外のすべての面により、前記第１電極を囲んでなる構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記第１電極は、下方向に導出されてなり、前記第３電極は前記第１電極の側面のすべてと上面とを囲んでなる構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記第３電極は、前記対向した側面のすべてを覆ってなる構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、前記第３電極は、前記第１電極の上面のすべてを覆ってなる構成とすることができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１電極および前記第２電極は、直線状の複数のサブ電極を有する構成とすることができる。
【００１６】
上記構成において、前記第１電極の複数の前記サブ電極は、前記第２電極の複数のサブ電極と交互に設けられている構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、基板上に、直線状のパターンを有する第１電極と、前記第１電極から離間し、前記第１電極と対向して設けられた直線状のパターンを有する第２電極と、前記第１電極と電気的に離間され、前記第１電極の対向した側面を囲んで設けられた第３電極と、を同時に形成する工程と、前記第１電極上に、前記第１電極から離間し、前記第３電極の上部に接触するように第４電極を形成する工程と、を含むことを特徴とするキャパシタ素子の製造方法である。本発明によれば、キャパシタの電気的特性を安定させることができる。
【００１８】
本発明は、基板上に設けられた第１配線と、前記第１配線と空間を介し離間して設けられた第２配線と、前記第１配線および前記第２配線と電気的に離間され、前記第１配線から前記第２配線にかけて前記第１配線、前記空間および前記第２配線を囲んで設けられた第３配線と、を有することを特徴とするフィルタである。
【００１９】
上記構成において、前記第３配線は前記第１配線および前記第２配線の上面、側面および下面を囲む構成とすることができる。
【００２０】
上記構成において、前記第１配線および前記第２配線は、前記第１配線と前記第２配線との対向する方向に延伸する構成とすることができる。
【００２１】
上記構成において、前記第１配線、前記第２配線および前記第３配線は複数設けられ、隣接する前記第１配線および前記第２配線が接続し、隣接する前記空間の間において隣接する配線は離間する構成とすることができる。
【００２２】
上記構成において、前記第１配線および前記第２配線と、前記第３配線と、の間に設けられ、前記第１配線および前記第２配線を囲むように設けられた第４配線を具備する構成とすることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、キャパシタおよびフィルタの電気的特性を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（ａ）から図１（ｃ）は、比較例に係るキャパシタを示す図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係るキャパシタを示す図である。
【図３】図３は、実施例１のキャパシタの断面図である。
【図４】図４（ａ）および図４（ｂ）は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その１）である。
【図５】図５（ａ）および図５（ｂ）は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その２）である。
【図６】図６（ａ）および図６（ｂ）は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その３）である。
【図７】図７（ａ）および図７（ｂ）は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その４）である。
【図８】図８（ａ）および図８（ｂ）は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その５）である。
【図９】図９は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例２に係るキャパシタを示す図である。
【図１１】図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その１）である。
【図１２】図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その２）である。
【図１３】図１３（ａ）および図１３（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その３）である。
【図１４】図１４（ａ）および図１４（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その４）である。
【図１５】図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その５）である。
【図１６】図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その６）である。
【図１７】図１７（ａ）および図１７（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す平面図および断面図（その７）である。
【図１８】図１８は、実施例１または実施例２に係るキャパシタが用いられる発振器の回路図である。
【図１９】図１９（ａ）から図１９（ｃ）は、実施例３に係るフィルタを示す図である。
【図２０】図２０（ａ）は、実施例３の変形例に係るフィルタの平面図、図２０（ｂ）は、比較例に係るフィルタの平面図である。
【図２１】図２１（ａ）から図２１（ｃ）は、実施例４に係るフィルタを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１（ａ）から図１（ｃ）は、比較例に係るインタディジタルキャパシタを示す図である。図１（ａ）および図１（ｃ）は平面図、図１（ｂ）は断面図である。図１（ａ）に示すように、インタディジタルキャパシタ１１０は、電極５０、電極６０、第１配線５６および第２配線６６を有している。電極５０、電極６０、第１配線５６および第２配線６６は、基板７０上に金属により形成されている。電極５０は、複数のフィンガー５２と、複数のフィンガー５２が接続されたバスバー５４と、を有している。バスバー５４には第１配線５６が接続されている。電極６０は、複数のフィンガー６２と、複数のフィンガー６２が接続されたバスバー６４と、を有している。バスバー６４には第２配線６６が接続されている。フィンガー５２とフィンガー６２とは互い違いに配置されている。
【００２６】
電極５０と電極６０とが対向する長さをＬ０、電極５０と電極６０とが離間する間隔をＤ０、電極５０および電極６０の厚さをＨ０、および電極５０と電極６０との間の誘電率をεとする。このとき、キャパシタ１１０の容量値は略ε×Ｌ０×Ｈ０／Ｄ０となる。
【００２７】
比較例においては、電極５０および電極６０は、配線層と同じ層で形成されている。配線間容量値を低減するため、配線間には、比較的誘電率の低い絶縁体が形成されている。または、配線間は空隙となっている。このため、誘電率εは比較的低い。キャパシタ１１０の容量値を比較的高くするためには、長さＬ０を大きくする方法、間隔Ｄ０を小さく方法がある。長さＬ０を大きくすると、キャパシタが大きくなる。間隔Ｄ０を小さくすると、パターン精度に起因した容量値のばらつきが大きくなる。
【００２８】
図１（ｂ）に示すように、基板７０上にフィンガー５２およびフィンガー６２が形成されている。フィンガー５２およびフィンガー６２上に絶縁膜６７が形成されている。水分５７が絶縁膜６７内に侵入すると絶縁膜６７の誘電率εが変化する。このため、キャパシタ１１０の容量値が変化してしまう。
【００２９】
図１（ｃ）に示すように、キャパシタ１１０に隣接する配線５８が設けられている。配線５８とキャパシタ１１０の各フィンガー５２および６２とが電磁的に結合（矢印６８）する。このため、キャパシタ１１０における損失および／またはキャパシタ１１０の共振が生じ易くなる。これにより、キャパシタの電気的特性が変化してしまう。
【００３０】
以上のように、インタディジタルキャパシタは電気的特性が不安定である。以下に、電気的特性が安定な実施例について説明する。
【実施例１】
【００３１】
図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係るキャパシタを示す図である。図２（ａ）は、斜視図、図２（ｂ）から図２（ｄ）は、それぞれ図２（ａ）のＡ断面図、Ｂ断面図およびＣ断面図である。なお、基板は図示を省略している。図２（ａ）に示すように、電極１０（図示しない）を電極２０が囲んでいる。第１配線１８は電極１０に電気的に接続されている。第２配線２８は電極２０に電気的に接続されている。電極１０、電極２０、第１配線１８および第２配線２８は、金、銅またはアルミニウム等の金属より形成される。
【００３２】
図２（ｂ）に示すように、第１配線１８に接続する直線状の電極１０が設けられている。電極１０の上面上に電極２０の上部２１、電極１０の下面下に電極２０の下部２２が形成されている。電極１０の側面の横に側部２３ａが形成されている。第２配線２８は、側部２３ａに接続されている。
【００３３】
図２（ｃ）に示すように、電極２０は、側部２３ａから２３ｄを有している。側部２３ｂには、開口２５が形成されている。側部２３ａおよび２３ｂには、上部２１と下部２２とを接続する内部壁２４が接続されている。図２（ｄ）に示すように、電極２０内に電極１０が設けられている。電極１０は、複数のフィンガー１２と、複数のフィンガー１２が接続されるバスバー１４と、を有する。フィンガー１２と内部壁２４とは互い違いに設けられている。側部２３ｂの開口２５を介して第１配線１８が電極１０に接続されている。
【００３４】
実施例１によれば、図２（ｄ）に示すように、電極１０と、内部壁２４および側部２３ａから２３ｄと、の間に容量値Ｃ３が形成される。さらに、図２（ｂ）に示すように、電極１０と上部２１との間に容量値Ｃ１が、電極１０と下部２２との間に容量値Ｃ２が、形成される。
【００３５】
電極１０と電極２０との間には絶縁膜が形成されていてもよく、空隙でもよい。電界が集中しないように、電極１０と電極２０とは平行に形成されていることが好ましい。例えば、電極１０と電極２０との距離は各面で同じであることが好ましい。
【００３６】
図３は、実施例１のキャパシタの断面図である。図３に示すように、基板７０上に、上部２１、下部２２および側部２３を有する電極２０が形成されている。電極２０内に直線状の電極１０が形成されている。電極１０と電極２０との間には、絶縁膜６７が形成されている。電極１０と電極２０との間の絶縁膜６７は、上部２１および側部２３により囲まれている。これにより、水分５７が電極１０と電極２０との間に侵入しにくくなる。よって、絶縁膜の誘電率の変化が小さく、キャパシタ１００の容量値の変化を小さくできる。また、電極１０と電極２０との間に絶縁膜６７が形成されておらず空隙の場合、異物が電極１０と電極２０との間に混入することを抑制できる。
【００３７】
以上のように、実施例１によれば、直線状のパターンを有する電極１０から離間し、電極１０を囲むように電極２０が設けられている。電極２０は、電極１０の上下面と側面のうち３方向を上部２１、下部２２および側部２３により囲んでいる。上部２１、下部２２および側部２３により、近接する配線からの電磁結合を抑制することができる。また、図３に示すように、電極１０と電極２０との間に水分または異物が侵入することを抑制できる。
【００３８】
図２（ａ）から図２（ｄ）に示すように、電極２０は、電極１０の少なくとも上面と２つの側面を囲んでいればよい。例えば、電極１０（第１電極）と対向して内部壁２４（第２電極）が設けられている。側部２３ｃおよび上部２１（第３電極）は、電極１０の上面と対向する側面とを囲んでいる。上部２１が電極１０の上面を囲み、側部２３ｃが電極１０の対向する側面を囲むことにより、近接する配線との電磁結合、および、水分または異物の浸入を抑制できる。よって、キャパシタの電気的特性を安定化させることができる。
【００３９】
図２（ａ）から図２（ｄ）に示すように、内部壁２４と側部２３ｃおよび上部２１とは電気的に接続されている。電極１０と内部壁２４とは、側面が対向して配置されている。
【００４０】
容量値を大きくするためには、下部２２が設けられることが好ましい。さらに、側部２３ａから側部２３ｄを有することが好ましい。これにより、近接する配線との電磁結合、および水分または異物の浸入をより抑制できる。よって、キャパシタの電気的特性をより安定化させることができる。また、キャパシタをより小型化できる。
【００４１】
また、図２（ｄ）に示すように、第１配線１８は、電極１０の側面のうち２つの側面以外の側面方向から引き出されることが好ましい。さらに、電極２０は、第１配線１８が引き出される方向の面以外の全ての面において電極１０を囲むことが好ましい。つまり、電極２０は、電極１０が導入される側に開口を備え、開口が設けられた面に以外の面すべてにより、電極１０を囲む。これにより、近接する配線との電磁結合、および水分または異物の浸入をより抑制できる。よって、キャパシタの電気的特性をより安定化させることができる。また、キャパシタをより小型化できる。
【００４２】
さらに、側部２３ｃは、電極１０の対向した側面のすべてを覆っている。上部２１は、電極１０の上面のすべてを覆っている。これにより、近接する配線との電磁結合、および水分または異物の浸入をより抑制できる。よって、キャパシタの電気的特性をより安定化させることができる。また、キャパシタをより小型化できる。
【００４３】
図２（ｄ）に示すように、電極１０は、電極２０内において、直線状の複数のフィンガー１２を有する。つまり、電極１０および内部壁２４は、直線状の複数のフィンガー（サブ電極）を有する。これにより、キャパシタ１００の容量値を大きくし、キャパシタ１００をより小型化できる。また、電極２０は、フィンガー１２と交互に設けられた複数の内部壁２４（第２サブ電極）を有する。つまり、電極１０の複数のフィンガーは、内部壁２４の複数のフィンガーと交互に設けられている。これにより、キャパシタ１００の容量値を大きくし、キャパシタ１００をより小型化できる。
【００４４】
電極２０が、電極１０から絶縁膜を介して離間する場合、絶縁膜が吸湿し易い。例えばポリイミドまたはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）等の有機膜は吸湿性が高い。よって、実施例１の構造により、吸湿による容量値の変化を抑制できる。
【００４５】
図４（ａ）から図９は、実施例１に係るキャパシタの製造工程を示す図である。図４（ａ）、図５（ａ）、図６（ａ）、図７（ａ）および図８（ａ）は、平面図であり、図４（ｂ）、図５（ｂ）、図６（ｂ）、図７（ｂ）、図８（ｂ）および図９は、断面図である。なお、以下の例では、電極１０を直線状の１本のフィンガーで示すが、電極１０は複数のフィンガ−とバスバーで構成されている。なお、電極１０が一本のフィンガーの場合、下部２２または側部２３ａが第２電極となり、上部２１および側部２３ｃが第３電極となる。
【００４６】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、例えばＧａＡｓ基板７０にトランジスタ３０が形成されている。トランジスタ３０は、ソース電極３２、ゲート電極３４およびドレイン電極３６から構成されている。基板７０上に絶縁膜７１が形成されている。絶縁膜７１を貫通しトランジスタ３０に接続する金属膜３８が形成されている。絶縁膜７１上に金属膜７２が形成されている。金属膜７２は、下部２２と配線２８および３５とを含む。
【００４７】
図５（ａ）および図５（ｂ）に示すように、絶縁膜７１および金属膜７２上に絶縁膜７３を形成する。絶縁膜７３に開口７４を形成する。開口７４は、下部２２上に形成される。図５（ａ）に示すように、開口７４は、下部２２の外周に沿った線状であって、矩形形状の一辺がないコの字の形状を有する。
【００４８】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、開口７４（図５（ａ）および図５（ｂ）参照）内に金属膜７５を形成する。金属膜７５および絶縁膜７３上に金属膜７６を形成する。絶縁膜７３上の金属膜７６は、第１配線１８と電極１０を形成する。金属膜７５上の金属膜７６は金属膜７５と同じ平面上に形成される。
【００４９】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、絶縁膜７３および金属膜７６上に絶縁膜７７を形成する。絶縁膜７７に開口７８を形成する。開口７８は、開口７４と同じ平面上に形成される。
【００５０】
図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、開口７８（図７（ａ）および図７（ｂ）参照）内に金属膜７９を形成する。下部２２上の金属膜７５、７６および７９は側部２３を形成する。金属膜７９および絶縁膜７７上に金属膜８０を形成する。金属膜８０は上部２１を形成する。
【００５１】
図９に示すように、絶縁膜７７および金属膜８０上に絶縁膜８１を形成する。絶縁膜７１、７３、７７および８１は、有機絶縁膜または無機絶縁膜であり、例えばポリイミド膜またはＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）膜である。金属膜７２、７５、７６、７９および８０は、例えば金、銅またはアルミニウムである。
【００５２】
実施例１に係るキャパシタの製造方法によれば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、基板７０上に、電極１０（第１電極）と、電極２０の側部２３（第３電極）と、内部壁２４（第２電極）と、を同時に形成することができる。図８（ａ）および図８（ｂ）に示すように、電極１０上に、電極１０から離間し、側部２３に接触するように上部２１（第４電極）を形成する。上述のように、基板７０上に、電極１０と、電極２０の側部２３と、を同時に形成することで製造工程を少なくすることができる。
【実施例２】
【００５３】
図１０（ａ）から図１０（ｃ）は、実施例２に係るキャパシタを示す図である。図１０（ａ）は、斜視図、図１０（ｂ）および図１０（ｃ）は、それぞれ図１０（ａ）のＡ断面図およびＢ断面図である。なお、基板は図示を省略している。図１０（ａ）に示すように、キャパシタ１０２において、第１配線１８は、電極２０の下部から引き出されている。
【００５４】
図１０（ｂ）に示すように、第１配線１８に接続する直線状の電極１０が設けられている。電極１０の上面上に電極２０の上部２１、電極１０の下面下に電極２０の下部２２が形成されている。電極１０の側面の横に側部２３ａおよび２３ｂが形成されている。第２配線２８は、側部２３ａに接続されている。第１配線１８は、下部２２に形成された開口２５を介し、電極２０から引き出されている。
【００５５】
図１０（ｃ）に示すように、電極２０は、側部２３ａから２３ｄを有している。電極１０のほぼ中心において第１配線１８が電極１０に接続されている（電極１０と第１配線１８との接続箇所を破線で示す）。その他の構成は実施例１の図２（ａ）から図２（ｄ）と同様であり、説明を省略する。
【００５６】
実施例２によれば、電極１０に接続された第１配線１８は、電極１０の下面方向から引き出される。これにより、第１配線１８を引き出すための開口２５は下部２２に設けられる。つまり、電極１０は、電極１０の下面方向に導出されている。電極２０は電極１０の側面の全てと上面を囲んでいる。これにより、開口２５が基板７０側に設けられるため、近接する配線との電磁結合、および水分または異物の浸入をより抑制できる。
【００５７】
次に、実施例２の製造方法について説明する。図１１（ａ）から図１７（ｂ）は、実施例２に係るキャパシタの製造工程を示す図である。図１１（ａ）、図１２（ａ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）、図１５（ａ）、図１６（ａ）および図１７（ａ）は、平面図であり、図１１（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）および図１７（ｂ）は、断面図である。なお、以下の例では、電極１０を直線状の１本のフィンガーで示すが、電極１０は複数のフィンガ−とバスバーとで構成されている。
【００５８】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示すように、基板７０にトランジスタ３０が形成されている。基板７０上に金属膜８５が形成されている。金属膜８５は、配線１５を形成する。基板７０および金属膜８５上に絶縁膜７１が形成されている。
【００５９】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示すように、絶縁膜７１に開口８６を形成する。開口８６は、配線１５、ソース電極３２およびドレイン電極３６の上面を露出するように形成されている。図１３（ａ）および図１３（ｂ）に示すように、開口８６（図１２（ａ）および図１２（ｂ）を参照）内に金属膜８７を形成する。金属膜８７は、配線１６および金属膜３８を形成する。絶縁膜７１上に金属膜７２を形成する。金属膜７２は、下部２２、配線１７、第２配線２８および配線３５を形成する。
【００６０】
図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、絶縁膜７１および金属膜７２上に絶縁膜７３を形成する。絶縁膜７３に開口７４を形成する。開口７４は、下部２２上に形成される。開口７４は下部２２の外周に沿って形成され閉じた線状であって、矩形形状に形成される。さらに、開口７４は、配線１７上に形成される。
【００６１】
図１５（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、開口７４（図１４（ａ）および図１４（ｂ）を参照）内に金属膜７５を形成する。配線１７上に形成された金属膜７５は、配線１９である。絶縁膜７３および金属膜７５上に金属膜７６を形成する。金属膜７６は、閉じた線状かつ矩形形状の開口７４と同じ形状を有する金属膜と、矩形に囲まれた電極１０を形成する。
【００６２】
図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、絶縁膜７３および金属膜７６上に絶縁膜７７を形成する。絶縁膜７７に開口７８を形成する。開口７８は、閉じた線状かつ矩形形状の開口７４と同じ形状である。
【００６３】
図１７（ａ）および図１７（ｂ）に示すように、開口７８（図１６（ａ）および図１６（ｂ）を参照）内に金属膜７９を形成する。下部２２上の閉じた線状かつ矩形形状の金属膜７５、７６および７９は側部２３を形成する。金属膜７９および絶縁膜７７上に金属膜８０を形成する。金属膜８０は上部２１を形成する。その後、図９に示すように、絶縁膜７７および金属膜８０上に絶縁膜８１を形成する。
【００６４】
図１８は、実施例１または実施例２に係るキャパシタが用いられる発振器の回路図である。図１８に示すように、発振器４０は、増幅器４２、キャパシタ４４および４８、伝送線路４６および可変容量ダイオード４５を有する。ダイオード４５はカソード同士が接続されている。ダイオード４５の一方のアノードと増幅器４２との間にキャパシタ４８、伝送線路４６およびキャパシタ４４が直列に接続されている。
【００６５】
ダイオード４５と伝送線路４６とで共振した信号がキャパシタ４８および４４を介し増幅器４２に入力する。増幅器４２は負性抵抗回路を形成しており、共振周波数の周波数で発振する。これにより、共振周波数の信号が出力される。実施例１および実施例２のキャパシタは、例えばキャパシタ４４および４８に用いられる。実施例１および実施例２に係るキャパシタは、図１８以外の回路に用いることができる。
【実施例３】
【００６６】
図１９（ａ）から図１９（ｃ）は、実施例３に係るフィルタを示す図である。図１９（ａ）は、斜視図、図１９（ｂ）および図１９（ｃ）は、それぞれ図１９（ａ）のＢ断面図およびＡ断面図である。なお、図１９（ａ）において、基板７０の図示を省略している。図１９（ｂ）、図１９（ｃ）において、絶縁膜９４は、白塗りで図示している。以下の図も同様である。図１９（ａ）から図１９（ｃ）に示すように、フィルタ１２０において、基板７０上に、配線９０ａ、９０ｂおよび９２が形成されている。配線９０ａおよび９０ｂは絶縁膜９４を介して離間している。配線９０ａと９０ｂとは、配線９０ａおよび９０ｂが対向する方向に延伸している。配線９２は、配線９０ａ、９０ｂ、および、配線９０ａと９０ｂとの間の空間を、絶縁膜９４を介し囲んでいる。配線９０ａ、９０ｂおよび９２は、金、銅またはアルミニウム等の金属より形成される。絶縁膜９４は、例えば、有機絶縁膜または無機絶縁膜であり、ポリイミド膜またはＢＣＢ膜である。配線９０ａおよび９０ｂと配線９２との間は、空隙でもよい。
【００６７】
フィルタ１２０は、配線９０ａから入力されたミリ波またはマイクロ波等の高周波信号のうち特定の周波数の信号を通過させ、配線９０ｂから出力させるフィルタとして機能する。
【００６８】
配線９０ａ、９０ｂおよび配線９２に電界が集中しないように、配線９０ａおよび９０ｂと配線９２とは平行に形成されていることが好ましい。例えば、配線９０ａおよび９０ｂと配線９２との距離は各面で同じであることが好ましい。また、配線９０ａと９０ｂとは、１つの直線上に設けられることが好ましい。
【００６９】
図２０（ａ）は、実施例３の変形例に係るフィルタの平面図、図２０（ｂ）は、比較例に係るフィルタの平面図である。図２０（ａ）において配線９２に囲まれた配線９０を破線で示す。図２０（ａ）に示すように、フィルタ１２２において、フィルタ１２０が複数接続されている。フィルタ１２０の配線９０ａと隣接するフィルタ１２０の配線９０ｂとが接続し一体の配線９０を形成する。隣接する配線９２は、隣接する空間（隣接する配線９０が対向する空間）の間において、離間する。フィルタ１２２は、一端９１ａから入力された高周波信号のうち特性の信号を通過させ、他端９１ｂから出力させるフィルタとして機能する。
【００７０】
図２０（ｂ）に示すように、比較例に係るフィルタ１２８においては、マイクロストリップ線路を形成する複数の配線９８が隣接して設けられている。複数の配線９８は、他の配線９７から矢印９９ａのように、電磁的な干渉を受ける。また、複数の配線９８間の矢印９９ｂのような干渉を受ける。これらにより、フィルタ１２８の損失または特性変動が生じる。
【００７１】
実施例３およびその変形例によれば、配線９２（第３配線）は、配線９０ａ（第１配線）および配線９０ｂ（第２配線）と電気的に離間され、配線９０ａ、配線９０ａと９０ｂとの間の空間、配線９０ｂを囲むように設けられている。これにより、配線９０ａおよび９０ｂと、近接する配線と、の間の電磁結合を抑制できる。また、配線９０ａと９０ｂとの間の電磁結合も抑制できる。よって、フィルタ１２０および１２２の電気的特性を安定にできる。
【００７２】
また、配線９２は、配線９０ａおよび９０ｂの上面、側面および下面を囲む。これにより、配線９０ａおよび９０ｂと、近接する配線と、の電磁結合をより抑制できる。また、配線９０ａと９０ｂとの間の電磁結合をより抑制できる。
【実施例４】
【００７３】
図２１（ａ）から図２１（ｃ）は、実施例４に係るフィルタを示す図である。図２１（ａ）は、斜視図、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）のＡ断面図、図２１（ｃ）は、実施例４の変形例に係るフィルタの平面図である。なお、図２１（ｃ）において、配線９２に囲まれた配線９０および９６を破線で示す。図２１（ａ）および図２１（ｂ）に示すように、実施例４に係るフィルタ１２４においては、配線９０ａおよび９０ｂと配線９２との間に配線９６が設けられている。配線９６は、配線９０ａおよび９０ｂの少なくとも１つの面と配線９２との間に設けられていればよい。配線９６は、金、銅またはアルミニウム等の金属より形成される。配線９０ａおよび９０ｂと配線９６との間には絶縁膜９４が設けられている。配線９２と配線９６との間には絶縁膜９４が設けられている。絶縁膜９４は、例えば、有機絶縁膜または無機絶縁膜であり、例えばポリイミド膜またはＢＣＢ膜である。絶縁膜９４は設けられず、空隙でもよい。
【００７４】
図２１（ｃ）に示すように、フィルタ１２６においては、複数のフィルタ１２４が設けられている。隣接する配線９６は、隣接する空間（隣接する配線９０が対向する空間）の間において、離間する。
【００７５】
実施例４およびその変形例によれば、配線９６（第４配線）は、配線９０ａおよび９０ｂと配線９２との間に、電気的に離間して設けられ、配線９０ａおよび９０ｂを囲んでいる。これにより、配線９０ａおよび９０ｂと、近接する配線と、の間の電磁結合をより抑制できる。また、配線９０ａと９０ｂとの間の電磁結合をより抑制できる。よって、フィルタ１２４および１２６の電気的特性を安定にできる。
【００７６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１０      電極
１２      フィンガー
１４      バスバー
１５−１７、１９  配線
１８      第１配線
２０      電極
２１      上部
２２      下部
２３、２３ａ〜２３ｄ  側部
２４      内部壁
２５      開口
２８      第２配線
７０      基板
７１、７３、７７、８１  絶縁膜
７２、７５、７６、７９、８０、８５  金属膜
９０ａ、９０ｂ、９２、９６  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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