(57)【要約】      （修正有）【課題】組立性、メンテナンス性が良く、ガスの流れが均一なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理装置において、ガス供給手段を処理容器の中心軸１１ａに軸対称に配置し、アンテナ及び支持台を中心軸１１ａと同軸に配置し、排気口２１の中心２１ａが中心軸１１ａに対して弁体２２ａの開方向ＯＤに偏心するように、排気口２１を底面１７に配置し、接続口２４の中心２４ａが中心軸１１ａに対して、弁体２２ａの閉方向ＣＤに偏心するように、接続口２４を底面１７の排気口２１がない部分に配置し、用力導入管３１の上管３１ａと下管３１ｃの間の中管３１ｂを、中心軸１１ａと交差し、かつ、弁体２２ａの開閉方向となる中央線１１ｂに沿う方向に配置した。【選択図】図２
2014012875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状の処理容器の内部に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器の内部に電磁波を供給する円形リング形状のアンテナと、
前記処理容器の内部に設けられ、上面に基板が載置される円筒状の支持台と、
上部が前記支持台の下部に接続され、下部が前記処理容器の底面の接続口に接続されて、前記支持台を支えると共に、前記支持台で使用する用力が内側に挿通される管状の支持構造と、
前記底面の円形状の排気口に取り付けられ、前記排気口の開閉を行う弁体を有する振り子式ゲート弁と、
前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、
前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記処理容器内の圧力を制御し、前記アンテナからの電磁波により前記ガスのプラズマを生成し、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記ガス供給手段を、前記処理容器の中心軸に軸対称に配置し、
前記アンテナ及び前記支持台を、前記処理容器の中心軸と同軸に配置し、
前記処理容器の中心軸に対して、前記排気口の中心が前記弁体の開方向に偏心するように、前記排気口を前記底面に配置し、
前記処理容器の中心軸に対して、前記接続口の中心が前記弁体の閉方向に偏心するように、前記接続口を前記底面の前記排気口がない部分に配置し、
前記支持構造の前記上部と前記下部の間の中間部を、前記処理容器の中心軸と交差し、かつ、前記弁体の開閉方向となる直線に沿う方向に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造をクランク形状の管とし、鉛直方向の上管と鉛直方向の下管と前記上管と前記下管とを接続する水平方向の中管とから構成し、
前記上管を、前記支持台の下面に接続すると共に、前記処理容器の中心軸と同軸に配置し、
前記中管を、前記直線に沿う方向に水平に配置し、
前記下管を、前記接続口に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載のプラズマ処理装置において、
前記底面の上面から前記中管の下面までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記中管の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たす位置に前記中管を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造を斜めに形成した斜め配管とし、
前記斜め配管の上端部を、前記支持台の下面に接続し、
前記斜め配管の中間部を、上方から見て、前記直線に沿うように配置し、
前記斜め配管の下端部を、前記接続口に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載のプラズマ処理装置において、
前記排気口の前記弁体の閉方向の端部における前記底面の上面から前記斜め配管までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記斜め配管の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たすように前記斜め配管を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造をＬ字形状の管とし、水平方向の上管と前記上管に接続する鉛直方向の下管とから構成し、
前記上管を、前記支持台の下部側面に接続すると共に、前記直線に沿う方向に水平に配置し、
前記下管を、前記接続口に接続したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載のプラズマ処理装置において、
前記底面の上面から前記支持台の下面までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記支持台の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たす位置に前記支持台を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を載置する支持台を有するプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
処理容器内に設けられた支持台上に、処理対象となるウェハ等の基板を載置し、処理容器内に生成したプラズマを用いて、基板にプラズマ処理による成膜やエッチングを施すプラズマ処理装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５７９２２７２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマ処理装置において、処理容器内に設けられる支持台の構造としては、以下のような条件を満たすことが望ましい。ここで、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma；誘導結合プラズマ）型のプラズマ処理装置を図８に示し、図８を参照して説明を行う。なお、図８において、符号５１は処理容器、符号５２は支持台、符号５３は基板、符号５４はアンテナ、符号５５はＲＦ入射窓、符号５６はプラズマ領域であり、プラズマは、ＲＦ入射窓５５を透過してアンテナ５４から入射された電磁波により生成される。
【０００５】
（ａ）基板５３が載置された支持台５２の上部に円柱状のプラズマ領域５６があり、容器内部が円柱状となる円筒状の処理容器５１の中心軸５１ａと同軸に、支持台５２及び基板５３が配置されることが望ましい。
（ｂ）プラズマ領域５６への原料ガスの供給は、中心軸５１ａに対して軸対称であり、プラズマ処理に使用するガスを排気する流れも、中心軸５１ａに対して軸対称であることが望ましい。又、ガスの流れを整えるために、支持台５２は円筒状とすることが望ましい。
（ｃ）支持台５２には、基板５３の温調、静電吸着、自己バイアス印加のために、冷媒、ヒータ線、温度センサ、高電圧線、高周波電力などの配管やケーブルが接続されており、これらを処理容器５１の外に導く用力導入路が必要である。このような用力導入路は、支持台５２を支える支持構造（用力導入管）の内側に形成されるが、処理容器５１は真空となるため、処理容器５１側と支持構造（用力導入管）の内側との間をシールするシール構造も必要である。
【０００６】
なお、支持台５２とプラズマ領域５６との距離を調節する場合には、支持台５２を駆動する駆動機構が必要であり、そのためのリンク機構も支持台５２の円筒内で接続する必要がある。この場合、スペースの関係から用力導入管を大きくするか、又は、用力導入管をもう１つ追加する必要がある（例えば、後述する図９、図１０において点線で示す用力導入管６２参照）。
【０００７】
現状において、上記条件（ａ）〜（ｃ）を考慮すると、支持構造（用力導入管）及び排気口の配置位置としては、以下の（１）〜（４）のような配置例が考えられる。ここで、図８に示したＩＣＰ型のプラズマ処理装置を基にして、以下に述べる（１）〜（４）の配置例を図９〜図１２に図示し、図９〜図１２を参照して、各配置例における構成を説明する。なお、図９〜図１２において、図８で示した構成と同等の構成には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００８】
（１）排気口：処理容器底面に同軸の円形排気穴、支持構造：処理容器側面から支持
図９に示すプラズマ処理装置において、排気口６１は、処理容器５１の底面に中心軸５１ａと同軸に形成された円形排気穴であり、支持構造となる用力導入管６２は、処理容器５１の側面の片側から支持台５２を支持する１つの片持ち梁を有するもの、又は、当該片持ち梁構造を複数有するものである（例えば、特許文献１のＦＩＧ＿５ａ、５ｂなど参照）。このような用力導入管６２を採用する場合、支持台５２及び用力導入管６２は、処理容器５１の側面から差し込むように取り付ける構造であり、これらは１つの大きな交換部品であり、高価で重量があり、交換は容易ではない。又、用力導入管６２により、排気が偏るため、分子流領域に近い粘性流では、成膜、セルフクリーニング、エッチングの性能にガス流れの影響が現れ、プラズマ処理が不均一となるおそれがある。
【０００９】
（２）排気口：処理容器底面に非同軸の円形排気穴、支持構造：処理容器側面から支持
図１０に示すプラズマ処理装置において、排気口６３は、処理容器５１の底面に中心軸５１ａと非同軸に形成された円形排気穴であり、用力導入管６２は、図９に示したプラズマ処理装置と同様に、１つの片持ち梁を有するもの、又は、片持ち梁構造を複数有するものである。排気口６３を中心軸５１ａと非同軸とすると、排気が偏るが、排気口６３に振り子式ゲート弁６４を接続する場合には、排気口６３を中心軸５１ａと非同軸とし、中心軸５１ａから所定の位置に偏心することにより、ガスの流れを均一に近づくようにすることができる。しかしながら、用力導入管６２を採用する場合には、上述したように、高価で重量があり、交換は容易ではなく、又、用力導入管６２により、排気が偏るため、ガス流れが更に不均一になって、プラズマ処理が不均一となるおそれがある。
【００１０】
（３）排気口：処理容器側面に１つの排気穴、支持構造：処理容器底面から支持
図１１に示すプラズマ処理装置において、排気口６５は、処理容器５１の側面に形成された１つの排気穴であり、支持構造となる用力導入管６６は、処理容器５１の底面から支持台５２を中心軸５１ａと同軸に支持するものである。このような用力導入管６６を採用する場合、処理容器５１の底面のフランジを下ろして、メンテナンスを行う必要があり、その作業対象が大きく、取り外しは容易ではない。又、処理容器５１の底面に排気口を設けることが困難であり、処理容器５１の側面に１つの排気口６５を設けているので、排気が偏るため、分子流領域に近い粘性流では、成膜、セルフクリーニング、エッチングの性能にガス流れの影響が現れ、プラズマ処理が不均一となるおそれがある。
【００１１】
（４）排気口：処理容器側面に複数の排気穴、支持構造：処理容器底面から支持
図１２に示すプラズマ処理装置において、排気口６７は、処理容器５１の側面に形成された複数の排気穴であり、用力導入管６６は、図１１に示したプラズマ処理装置と同様に、処理容器５１の底面から中心軸５１ａと同軸に支持台５２を支持するものである。このような用力導入管６６を採用する場合、上述したように、メンテナンスの対象が大きく、取り外しは容易ではない。又、処理容器５１の底面に排気口を設けることは困難であるが、処理容器５１の側面に複数の排気口６７を設けているので、これらを中心軸５１ａに対して軸対称に配置すれば、ガスの流れを均一に近づくようにすることができる。しかしながら、複数の排気口６７を処理容器５１の側面に軸対称に配置するためには、その配管を当該位置まで延伸する必要があり、その結果、配管が長くなり、排気のコンダクタンスが悪化してしまう。
【００１２】
このように、図９〜図１２で説明した各配置例の構成には、各々、メリット、デメリットがある。そのため、上記条件（ａ）〜（ｃ）を満たすと共に、組立性、メンテナンス性が良く、ガスの流れが均一な配置構成とすることが望まれている。
【００１３】
本発明は上記課題に鑑みなされたもので、組立性、メンテナンス性が良く、ガスの流れが均一なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決する第１の発明に係るプラズマ処理装置は、
円筒状の処理容器の内部に所望のガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器の内部に電磁波を供給する円形リング形状のアンテナと、
前記処理容器の内部に設けられ、上面に基板が載置される円筒状の支持台と、
上部が前記支持台の下部に接続され、下部が前記処理容器の底面の接続口に接続されて、前記支持台を支えると共に、前記支持台で使用する用力が内側に挿通される管状の支持構造と、
前記底面の円形状の排気口に取り付けられ、前記排気口の開閉を行う弁体を有する振り子式ゲート弁と、
前記振り子式ゲート弁の下部に取り付けた真空ポンプとを有し、
前記振り子式ゲート弁及び前記真空ポンプを用いて前記処理容器内の圧力を制御し、前記アンテナからの電磁波により前記ガスのプラズマを生成し、前記基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記ガス供給手段を、前記処理容器の中心軸に軸対称に配置し、
前記アンテナ及び前記支持台を、前記処理容器の中心軸と同軸に配置し、
前記処理容器の中心軸に対して、前記排気口の中心が前記弁体の開方向に偏心するように、前記排気口を前記底面に配置し、
前記処理容器の中心軸に対して、前記接続口の中心が前記弁体の閉方向に偏心するように、前記接続口を前記底面の前記排気口がない部分に配置し、
前記支持構造の前記上部と前記下部の間の中間部を、前記処理容器の中心軸と交差し、かつ、前記弁体の開閉方向となる直線に沿う方向に配置したことを特徴とする。
【００１５】
上記課題を解決する第２の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第１の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造をクランク形状の管とし、鉛直方向の上管と鉛直方向の下管と前記上管と前記下管とを接続する水平方向の中管とから構成し、
前記上管を、前記支持台の下面に接続すると共に、前記処理容器の中心軸と同軸に配置し、
前記中管を、前記直線に沿う方向に水平に配置し、
前記下管を、前記接続口に接続したことを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する第３の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第２の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記底面の上面から前記中管の下面までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記中管の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たす位置に前記中管を配置したことを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する第４の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第１の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造を斜めに形成した斜め配管とし、
前記斜め配管の上端部を、前記支持台の下面に接続し、
前記斜め配管の中間部を、上方から見て、前記直線に沿うように配置し、
前記斜め配管の下端部を、前記接続口に接続したことを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決する第５の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第４の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記排気口の前記弁体の閉方向の端部における前記底面の上面から前記斜め配管までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記斜め配管の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たすように前記斜め配管を配置したことを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決する第６の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第１の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記支持構造をＬ字形状の管とし、水平方向の上管と前記上管に接続する鉛直方向の下管とから構成し、
前記上管を、前記支持台の下部側面に接続すると共に、前記直線に沿う方向に水平に配置し、
前記下管を、前記接続口に接続したことを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決する第７の発明に係るプラズマ処理装置は、
上記第６の発明に記載のプラズマ処理装置において、
前記底面の上面から前記支持台の下面までの高さ方向の距離をＨ、前記排気口の前記弁体の閉方向の端部から前記支持台の前記弁体の開方向の端部までの水平方向の距離をＷとするとき、［Ｈ≧Ｗ／４］を満たす位置に前記支持台を配置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、円筒状の処理容器の中心軸に軸対称にガスを供給し、プラズマを生成するためのアンテナを中心軸と同軸に配置し、支持構造により支える円筒状の支持台を中心軸と同軸に配置するので、支持台上に載置される基板付近において、中心軸に対して使用するガスの流れを軸対称とし、ガスの流れを均一にすることができる。又、支持台の下方において、振り子式ゲート弁が接続された排気口や支持構造は、処理容器の中心軸と同軸に配置されていないが、処理容器の中心軸と交差し、かつ、振り子式ゲート弁の弁体の開閉方向となる直線に沿う方向に配置されているので、当該直線を含む鉛直面に対して使用するガスの流れを面対称とし、ガスの流れを均一にすることができる。従って、処理容器で使用するガスを均一に排気することができ、その結果、基板や処理容器などに対するプラズマ処理を均一に行うことができ、プラズマ処理の性能向上と信頼性向上を図ることができる。
【００２２】
又、処理容器の側面ではなく、その底面に排気口や支持構造を設けるので、その側面に排気口や支持構造を設ける場合より、構造がシンプルとなり、排気口や支持構造の作製、組立及びメンテナンスが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の実施形態の一例（実施例１）を示す概略構成図である。
【図２】図１に示したプラズマ処理装置の排気口部分における各構成部材同士の位置関係を示す上面図である。
【図３】図１に示したプラズマ処理装置の用力導入管の取り付け部分の断面図である。
【図４】本発明に係るプラズマ処理装置の実施形態の他の一例（実施例２）を示す概略構成図である。
【図５】図４に示したプラズマ処理装置の用力導入管の取り付け部分の断面図である。
【図６】本発明に係るプラズマ処理装置の実施形態の他の一例（実施例３）を示す概略構成図である。
【図７】図６に示したプラズマ処理装置の排気口部分における各構成部材同士の位置関係を示す上面図である。
【図８】一般的なプラズマ処理装置の構成を説明する概略構成図である。
【図９】図８に示したプラズマ処理装置における支持構造（用力導入管）及び排気口の配置の一例を示す概略構成図である。
【図１０】図８に示したプラズマ処理装置における支持構造（用力導入管）及び排気口の配置の他の一例を示す概略構成図である。
【図１１】図８に示したプラズマ処理装置における支持構造（用力導入管）及び排気口の配置の他の一例を示す概略構成図である。
【図１２】図８に示したプラズマ処理装置における支持構造（用力導入管）及び排気口の配置の他の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明に係るプラズマ処理装置の実施形態について、図１〜図７を参照して、その説明を行う。なお、本発明に係るプラズマ処理装置は、基板を載置する支持台を有するプラズマＣＶＤ装置やプラズマエッチング装置に適用可能なものである。
【００２５】
（実施例１）
図１〜図３は、本実施例のプラズマ処理装置を示す図であり、図１は、本実施例のプラズマ処理装置を示す概略構成図であり、図２は、図１に示したプラズマ処理装置の排気口部分における各部材同士の位置関係を示す上面図であり、図３は、図１に示したプラズマ処理装置の用力導入管の取り付け部分の断面図である。
【００２６】
本実施例のプラズマ処理装置１０Ａは、図１に示すように、内部に所望のガスが供給されると共に、内部の圧力が真空領域で制御される円筒状の処理容器１１と、処理容器１１の内部に配置され、所望のプラズマ処理が施される基板１３を載置する円筒状の支持台１２と、処理容器１１の上部開口部を閉塞するセラミクス製の円板状の天井板１５と、天井板１５の上方（直上）に配置された複数の円形リング状のアンテナ１４とを有している。
【００２７】
図示は省略しているが、アンテナ１４には、整合器を介して高周波電源が接続されている。高周波電源から高周波（例えば、１３．５６ＭＨｚなど）の電力をアンテナ１４に給電すると、入射窓となる天井板１５を透過して、高周波電磁波（ＲＦ）が入射されて、処理容器１１内でプラズマ１６が生成される。これは、所謂、ＩＣＰ型のプラズマ発生機構の構成である。
【００２８】
これも図示は省略しているが、処理容器１１には、その内部に所望のガスを供給するガス供給機構（ガス供給手段）が設けられており、例えば、円筒状の処理容器１１の中心軸１１ａに対して、複数のガスノズルを軸対称に配置して、ガスを供給することにより、プラズマ処理に使用するガスの流れを、中心軸１１ａに対して軸対称となるようにしている。
【００２９】
又、処理容器１１の底面１７には、排気口２１が設けられおり、この排気口２１の下部に、処理容器１１内部の圧力の制御を行う振り子式ゲート弁２２が取り付けられており、この振り子式ゲート弁２２の下部に、処理容器１１内部の雰囲気を排気するＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）２３が取り付けられている。
【００３０】
詳細は後述の図２において説明するが、排気口２１は、振り子式ゲート弁２２の特性を考慮して、処理容器１１の中心軸１１ａから偏心して配置しており、この排気口２１の位置に合わせて、振り子式ゲート弁２２、ＴＭＰ２３も偏心して配置されることになる。一方、円筒状の支持台１２の中心軸は、中心軸１１ａと同軸に配置されており、その上面に載置される基板１３の中心も、中心軸１１ａと同軸に配置されることになる。又、生成されるプラズマ１６を中心軸１１ａと同軸の円柱状とすることを考慮して、円形リング状のアンテナ１４及び円板状の天井板１５の中心も、中心軸１１ａと同軸に配置されている。つまり、プラズマ発生機構としては、円形リング状のアンテナを使用するＩＣＰ型が望ましい。
【００３１】
上述した構成において、支持台１２の支持構造となる用力導入管を処理容器１１の側壁に設けると、前述の図９、図１０で説明したように、組立性、メンテナンス性が悪く、又、ガス流れの均一性も悪くなってしまう。一方、処理容器１１の底面１７には排気口２１が設けてあるので、前述の図１１、図１２で示したように、用力導入管を中心軸１１ａと同軸に配置することは難しい。
【００３２】
そこで、本実施例では、支持台１２の支持構造として、支持台１２の下部から処理容器１１の底面１７までの用力導入管３１をクランク状に屈曲した形状としている。更に詳細には、支持台１２の直下の部分である上管３１ａは、中心軸１１ａと同軸に鉛直に配置し、底面１７へ接続する部分である下管３１ｃは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に鉛直に配置し、上管３１ａと下管３１ｃとの間を接続する部分である中管３１ｂは、水平に配置されている。このクランク形状の用力導入管３１は、市販のエルボウ管とストレート管の組み合わせで容易に構成することができる。
【００３３】
この用力導入管３１には、基板１３の温調、静電吸着、自己バイアス印加のために、冷媒、ヒータ線、温度センサ、高電圧線、高周波電力などの配管やケーブル（用力）が挿通されて、支持台１２内部のヒータや電極などと接続されている。このような用力導入管３１は、例えば、円筒や四角筒などの管を複数接続してクランク形状に形成すればよい。
【００３４】
そして、用力導入管３１の下管３１ｃの外周には、図３に示すように、フランジ３１ｄが設けられており、Ｏリング３２を介して、底面１７の上面に配置され、底面１７の下面から挿通された複数のボルト３３により、底面１７に固定される構造である。下管３１ｃとフランジ３１ｄの接続部は、全周に渡り、溶接などでシールされており、Ｏリング３２の内周にあるボルト３３用のボルト穴は、フランジ３１ｄを貫通させないで形成されている。このような構造により、処理容器１１の内部を大気側からシールすることになる。又、用力導入管３１の内側も大気側となるため、この部分のメンテナンスも容易となる。又、用力導入管３１を底面１７の接続口２４に上から差し込み、底面１７の下からフランジ３１ｄのボルト穴にボルト３３を差し込むため、処理容器１１内の狭い領域で工具を使用する作業を行う必要が無く、その組立作業は容易となる。又、フランジ３１ｄのボルト穴の位置で、回転方向の位置決めができる。なお、組立のミスを防ぎ、精度の高い設置を行うため、位置決めピンなどをフランジ３１ｄや底板１７に設けるようにしてもよい。
【００３５】
更に、排気口２１の部分における各構成部材同士の位置関係について、図１と共に図２も参照して説明する。ここで、中心軸１１ａと垂直に交差し、かつ、振り子式ゲート弁２２の弁体２２ａの開閉方向となる直線を中央線１１ｂと呼び、以降の説明を行う。なお、振り子式ゲート弁２２の構造上、円形状の弁体２２ａの移動方向は、厳密には円弧であるが、略直線とみなすことができるため、ここでは、弁体２２ａの移動方向を直線として説明する。
【００３６】
排気口２１は、振り子式ゲート弁２２の特性を考慮して、処理容器１１の中心軸１１ａから偏心して配置されている。具体的には、排気口２１と振り子式ゲート弁２２の弁体２２ａが形成する開口領域の面積中心Ｍｃと処理容器１１の中心軸１１ａが一致するように、弁体２２ａの開方向ＯＤに偏心して排気口２１が配置されている。従って、排気口２１自体の開口中心２１ａは、処理容器１１の中心軸１１ａに対して、中央線１１ｂ上を開方向ＯＤに偏心することになる。
【００３７】
振り子式ゲート弁２２の開口領域は、その開口率により当然ながら変化するが、本実施例では、振り子式ゲート弁２２における開口率の使用推奨値（１０％〜５０％）の中心値３０％の開口領域を基準にして、そのときの三日月状の開口領域の面積中心Ｍｃを求め、その面積中心Ｍｃと中心軸１１ａが一致するように、排気口２１を偏心して配置している。
【００３８】
又、用力導入管３１の上管３１ａは、その直上の支持台１２と共に、中心軸１１ａと同軸に配置されている。又、用力導入管３１の下管３１ｃは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に配置されており、その中心２４ａは、中央線１１ｂ上を閉方向ＣＤ（開方向ＯＤとは反対方向）に中心軸１１ａから偏心して配置されている。そして、上管３１ａと下管３１ｃとの間を接続する中管３１ｂは、中央線１１ｂに沿う方向に水平に配置されている。
【００３９】
上述したように、処理容器１１の内部においては、円筒状の支持台１２及び円筒状の用力導入管３１の上管３１ａが、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されている。そして、処理容器１１内には、処理に使用するガスが中心軸１１ａに対して軸対称に供給され、中心軸１１ａと同軸に配置されたアンテナ１４から高周波電磁波が供給されて、円柱状のプラズマ１６が生成され、更に、処理に使用するガスが、中心軸１１ａに対して軸対称に均一となるように、支持台１２及び用力導入管３１の上管３１ａの周囲を流れる。従って、図９〜図１０に示すような処理容器側面に取り付ける場合と比較して、基板１３付近のガス流れを均一化して、基板１３に対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００４０】
一方、支持台１２の下方において、用力導入管３１の中管３１ｂ及び下管３１ｃは、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されてはいないが、中管３１ｂは中央線１１ｂに沿う方向に配置されている。又、排気口２１も、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されてはいないが、その開口中心２１ａは、中心軸１１ａに対して、中央線１１ｂ上を開方向ＯＤに偏心して配置されている。この場合、処理容器１１の上方から見ると、図２に示すように、排気口２１と弁体２２ａが形成する三日月状の開口領域の一部は中管３１ｂに隠れてしまうことになる。そして、弁体２２ａが移動して、三日月状の開口領域の大きさが変化しても、中管３１ｂに隠れていない開口領域の形状は、中管３１ｂ（中央線１１ｂ）に対して線対称的に変化することになる。従って、中央線１１ｂを含む鉛直な面（以降、中央鉛直面と呼ぶ。）を考慮すると、処理に使用するガスは、中央鉛直面に対して面対称に均一となるように、中管３１ｂの周囲を流れることになる。
【００４１】
ここで、排気コンダクタンスへの影響を考慮すると、排気口２１の上方に配置される用力導入管３１の中管３１ｂの高さ位置を考慮する必要がある。底面１７の上面と水平に配置された中管３１ｂの下面の位置との高さ方向の距離をＨとし、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と用力導入管３１の中管３１ｂの開方向ＯＤの端部との水平方向の距離をＷとすると、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置に、用力導入管３１の中管３１ｂの下面が位置するように配置することが望ましい。
【００４２】
上記配置は以下の理由による。弁体２２ａが全開位置（図２中の一点鎖線の位置）に移動して、排気口２１が全開であるときを考慮すると、排気口２１の直径Ｄを用いて、［Ｈ≧Ｄ／４］とすればよいが、実際のプラズマ処理時における排気制御中に排気口２１を全開とすることはない。通常は、上述した使用推奨値（１０％〜５０％）の開口率で使用されるので、排気コンダクタンスに影響を及ぼす可能性がある用力導入管３１の中管３１ｂの大きさを考慮した方がよく、そのため、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と用力導入管３１の中管３１ｂの開方向ＯＤの端部との水平方向の距離Ｗを用いて、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置としている。
【００４３】
このような高さ位置Ｈに、用力導入管３１の中管３１ｂを配置することにより、排気コンダクタンスに影響を与えることなく、処理に使用するガスを排気することができる。
【００４４】
上記構成による効果は、比較的高い真空領域の圧力でプラズマ処理を行う場合に顕著に表れる。例えば、プラズマＣＶＤ装置におけるプラズマクリーニングは、比較的高い真空領域の圧力で実施される。特に、図９〜図１１に示すような構成では、プラズマクリーニングに偏りがあり、所定のクリーニングを実施するために、余分なガスを消費したり、一部余分にクリーニングが行われて、プラズマダメージが発生したりすることがあった。これに対し、本実施例では、上述した構成を用いることにより、処理容器１１、支持台１２に対して、均一なプラズマクリーニング（プラズマ処理）が施される。その結果、無駄なガスの使用やプラズマによるダメージが低減され、メンテナンス頻度の低減や部品の長寿命化を図ることができる。特に、［Ｈ＝Ｗ／４］とする場合は、用力導入管３１の中管３１ｂの下面の高さ位置Ｈが、排気口２１におけるガス流れのコンダクタンスに影響しない最短の高さ位置であり、支持台１２や処理容器１１の高さを必要以上に高くする必要がなくなる。
【００４５】
又、図１に示したように、排気口２１と共に、振り子式ゲート弁２２、ＴＭＰ２３も偏心して配置しているので、用力導入管３１の下管３１ｃの下方には、振り子式ゲート弁２２、ＴＭＰ２３がなく、スペースが生まれて、この部分へのアクセスが容易となり、用力の配線や配管の施工が容易となる。特に、振り子式ゲート弁２２には、弁体２２ａを格納する弁体格納部２２ｂがあり、この弁体格納部２２ｂの設置スペースが必要であるが、振り子式ゲート弁２２を開方向ＯＤへ偏心して配置しているので、弁体格納部２２ｂも偏心した方向へ移動して配置されることになり、用力導入管３１の下管３１ｃの下方にスペースが生まれることになる。従って、用力導入管３１の組立やメンテナンスが容易となり、その組立性、メンテナンス性を向上させることができる。又、偏心して配置した振り子式ゲート弁２２の弁体格納部２２ｂが、図１からわかるように、装置側面から外側に出るような配置となるため、偏心して配置しない場合よりも弁体２２ａの交換などの保守が容易となる。
【００４６】
例えば、処理容器１１の内部の組立を行う際には、まず、予め一体に作製しておいたクランク形状の用力導入管３１に支持台１２を取り付ける。このとき、支持台１２側の用力（配管やケーブルなど）を、用力導入管３１の上管３１ａの内側に上方から挿入し、中管３１ｂを経由して、下管３１ｃから引き出しておき、その後、上管３１ａに支持台１２を固定する。つまり、支持台１２及びその用力と用力導入管３１とを組み立てた状態としておく。
【００４７】
次に、図３で説明したように、処理容器１１の底面１７の接続口２４の位置に、Ｏリング３２を介して、用力導入管３１を配置し、底面１７の下面側から複数のボルト３３を挿通して、底面１７に用力導入管３１の下管３１ｃを仮止めしておく。このとき、支持台１２の用力は、接続口２４から底面１７の下方まで引き出しておく。
【００４８】
次に、支持台１２及び用力導入管３１の上管３１ａが処理容器１１の中心軸１１ａと同軸になるように配置を調整すると共に、用力導入管３１の中管３１ｂが水平になるように配置を調整し、これらの調整後、ボルト３３により最終的な固定を行う。用力導入管３１の底面１７への固定は、処理容器１１の外側から行うことができ、その作業は容易である。
【００４９】
最後に、支持台１２側の用力と、接続口２４の近傍まで延設された装置側の用力と接続する。
【００５０】
このように、支持台１２や用力導入管３１の組立は、図９〜図１０に示すような処理容器側面に取り付ける場合と比較して容易となる。
【００５１】
又、メンテナンスの際、支持台１２や用力導入管３１を取り外す場合には、上述した手順と逆の手順で、支持台１２や用力導入管３１を取り外せばよいので、そのメンテナンスも容易となる。なお、支持台１２の消耗品（交換部品）としては、支持台１２の上部に取り付けられた静電チャックがあるが、このような軽量な部品の交換は、処理容器１１の上方から行うことができる。
【００５２】
以上説明したように、本実施例のプラズマ処理装置１０Ａにおいては、支持台１２及び用力導入管３１の上管３１ａまでは、使用するガスの流れを中心軸１１ａに対して軸対称とし、ガス流れを均一にしており、又、上管３１ａより下方では、使用するガスの流れを中央鉛直面に対して面対称とし、ガス流れを均一にしており、処理容器１１で使用するガスを均一に排気可能であり、その結果、基板１３や処理容器１１などに対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００５３】
又、処理容器１１の側面ではなく、その底面１７に排気口２１や用力導入管３１を設けるので、その側面に排気口や用力導入管を設ける場合より、構造がシンプルとなり、排気口２１や用力導入管３１の作製、組立及びメンテナンスが容易となる。
【００５４】
（実施例２）
図４、図５は、本実施例のプラズマ処理装置を示す図であり、図４は、本実施例のプラズマ処理装置を示す概略構成図であり、図５は、図４に示したプラズマ処理装置の用力導入管の取り付け部分の断面図である。
【００５５】
本実施例のプラズマ処理装置１０Ｂは、図４に示すように、用力導入管３４の構成が実施例１で説明した用力導入管３１と相違するが、その他の構成については、基本的には、実施例１で説明したプラズマ処理装置１０Ａと同等の構成である。従って、ここでは、同等の構成には同じ符号を用い、重複する説明については、その記載を省略する。
【００５６】
本実施例でも、支持台１２の支持構造として、用力導入管３４を設けているが、実施例１で説明した用力導入管３１とは、その形状に相違があり、支持台１２の下部から処理容器１１の底面１７までの用力導入管３４を、傾斜した斜め配管から構成している。更に詳細に説明すると、支持台１２の下面に接続される用力導入管３４の上端部３４ａは、例えば、前述の図２で示したように、用力導入管３１の上管３１ａと同様に、中心軸１１ａと同軸に配置するが、この配置位置に限定する必要はない。一方、底面１７へ接続する下端部３４ｃは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に配置し、上端部３４ａと下端部３４ｃとの間を接続する中間部３４ｂが斜めに配置されている。
【００５７】
この用力導入管３４には、実施例１と同様に、用力（配管やケーブルなど）が挿通される。本実施例の場合、クランク形状の用力導入管３１と異なり、用力導入管３４が略直管となっており、内部が見通せるので、用力導入管３４の内側において、用力を曲げる量が略無くなり、用力の挿通はより容易となる。又、用力導入管３４の長さや挿通する用力の長さを短くすることもできる。
【００５８】
そして、用力導入管３４の下端部３４ｃの外周には、図５に示すように、フランジ３４ｄが設けられており、Ｏリング３２を介して、底面１７の上面に配置され、底面１７の下面から挿通された複数のボルト３３により、底面１７に固定される構造である。このような構造により、処理容器１１の内部を大気側からシールすることになる。又、用力導入管３４の内側も大気側となるため、この部分のメンテナンスも容易となる。なお、用力導入管３４は、その下端部３４ｃも含めて、全て斜め配管としてもよいが、フランジ３４ｄを形成することを考慮すると、図５に示すように、下端部３４ｃを底面１７に対して鉛直に配置した管から構成し、この下端部３４ｃと中間部３４ｂとを接続した形状がよい。その場合、例えば、円筒や四角筒などの管を複数接続して形成すればよい。
【００５９】
排気口２１の部分における各構成部材同士の位置関係について、排気口１２の配置位置は、実施例１と同様である。又、用力導入管３４の配置位置は、用力導入管３１とは形状が相違するが、実施例１と略同様である。具体的には、用力導入管３４の上端部３４ａは、その直上の支持台１２と共に、中心軸１１ａと同軸に配置されている。又、下端部３４ｃは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に配置されており、その中心２４ａは、中央線１１ｂ上を閉方向ＣＤに中心軸１１ａから偏心して配置されている。そして、上端部３４ａと下端部３４ｃとの間を接続する中間部３４ｂは、側方から見ると斜めに配置されているが、上方から見ると、中央線１１ｂに沿う方向に配置されている。
【００６０】
上述したように、処理容器１１の内部においては、円筒状の支持台１２が、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されている。そして、処理容器１１内には、処理に使用するガスが中心軸１１ａに対して軸対称に供給され、中心軸１１ａと同軸に配置されたアンテナ１４から高周波電磁波が供給されて、円柱状のプラズマ１６が生成され、更に、処理に使用するガスが、中心軸１１ａに対して軸対称に均一となるように、支持台１２の周囲を流れる。従って、図９〜図１０に示すような処理容器側面に取り付ける場合と比較して、基板１３付近のガス流れを均一化して、基板１３に対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００６１】
一方、支持台１２の下方において、用力導入管３４の中間部３４ｂ及び下端部３４ｃは、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されてはいないが、中間部３４ｂは上方から見て中央線１１ｂに沿うように配置されている。又、排気口２１も、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されてはいないが、その開口中心２１ａは、図２で説明したように、中心軸１１ａに対して、中央線１１ｂ上を開方向ＯＤに偏心して配置されている。そのため、本実施例の場合も、処理容器１１の上方から見ると、図２で説明したように、排気口２１と弁体２２ａが形成する三日月状の開口領域の一部は中間部３４ｂに隠れてしまうことになり、中間部３４ｂに隠れていない開口領域の形状は、中間部３４ｂ（中央線１１ｂ）に対して線対称的に変化することになる。従って、処理に使用するガスは、中央鉛直面に対して面対称に均一となるように、中間部３４ｂの周囲を流れることになる。
【００６２】
本実施例においても、排気コンダクタンスへの影響を考慮すると、排気口２１の上方に配置される用力導入管３４の中間部３４ｂの高さ位置を考慮する必要がある。本実施例においては、中間部３４ｂが傾斜しているので、排気口２１の閉方向ＣＤの端部における、底面１７の上面と中間部３４ｂの下面の位置との高さ方向の距離をＨとし、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と中間部３４ｂの開方向ＯＤの端部との水平方向の距離をＷとしている。そして、排気口２１の閉方向ＣＤの端部において、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置となるように、中間部３４ｂの下面が位置するように配置することが望ましい。
【００６３】
実施例１で説明したように、通常は、上述した使用推奨値（１０％〜５０％）の開口率で使用されるので、本実施例の配置でも、排気コンダクタンスに影響を及ぼす可能性がある用力導入管３４の中間部３４ｂの大きさを考慮しており、そのため、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と用力導入管３４の中間部３４ｂの開方向ＯＤの端部との水平方向の距離Ｗを用いて、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置としている。
【００６４】
このような高さ位置Ｈに、用力導入管３４を配置することにより、排気コンダクタンスに影響を与えることなく、処理に使用するガスを排気することができる。又、本実施例の場合、高さ位置Ｈが実施例１と同じであっても、排気口２１と支持台１２との距離が短くなるため、処理容器１１全体の高さを低くすることができる。
【００６５】
上記構成により、実施例１と同等に、処理容器１１、支持台１２に対して、均一なプラズマ処理が施される。その結果、無駄なガスの使用やプラズマによるダメージが低減され、メンテナンス頻度の低減や部品の長寿命化を図ることができる。
【００６６】
処理容器１１の内部の組立やメンテナンスの手順は、実施例１で説明した手順と同様であるが、用力導入管３４が直管又は略直管であるので、特に、支持台１２側の用力（配管やケーブルなど）の挿通が容易となる。又、用力導入管３４が用力導入管３１より簡単な構成であるため、その組立やメンテナンスは容易となり、その組立性、メンテナンス性を向上させることができる。
【００６７】
以上説明したように、本実施例のプラズマ処理装置１０Ｂにおいては、支持台１２の下端までは、使用するガスの流れを中心軸１１ａに対して軸対称とし、ガス流れを均一にしており、又、支持台１２の下端より下方では、使用するガスの流れを中央鉛直面に対して面対称とし、ガス流れを均一にしており、処理容器１１で使用するガスを均一に排気可能であり、その結果、基板１３や処理容器１１などに対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００６８】
又、処理容器１１の側面ではなく、その底面１７に排気口２１や用力導入管３４を設けるので、その側面に排気口や用力導入管を設ける場合より、構造がシンプルとなり、排気口２１や用力導入管３４の作製、組立及びメンテナンスが容易となる。
【００６９】
（実施例３）
図６、図７は、本実施例のプラズマ処理装置を示す図であり、図６は、本実施例のプラズマ処理装置を示す概略構成図であり、図７は、図６に示したプラズマ処理装置の排気口部分における各部材同士の位置関係を示す上面図である。
【００７０】
本実施例のプラズマ処理装置１０Ｃも、図６に示すように、用力導入管３５の構成が実施例１で説明した用力導入管３１と相違するが、その他の構成については、基本的には、実施例１で説明したプラズマ処理装置１０Ａと同等の構成である。又、図７も、用力導入管３５を除き、基本的には、実施例１で説明したプラズマ処理装置１０Ａと同等の構成である。従って、ここでも、同等の構成には同じ符号を用い、重複する説明については、その記載を省略する。
【００７１】
本実施例でも、支持台１２の支持構造として、用力導入管３５を設けているが、実施例１で説明した用力導入管３１とは、その形状に相違があり、支持台１２の下部側面から処理容器１１の底面１７までの用力導入管３５をＬ字状に屈曲した形状としている。更に詳細には、支持台１２の下部側面に接続する上管３５ａは、図７で示した中央線１１ｂに沿って水平に配置されており、底面１７へ接続する部分である下管３５ｂは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に鉛直に配置されている。なお、上管３５ａの支持台１２の下部側面に接続する位置は、できるだけ、支持台１２の下端に近い位置がよい。
【００７２】
この用力導入管３５には、実施例１と同様に、用力（配管やケーブルなど）が挿通される。本実施例の場合、クランク形状の用力導入管３１と同様に屈曲しているが、用力導入管３５の屈曲部分は１箇所であるため、用力導入管３５の内側において、用力を曲げる量が少なくなり、用力の挿通はより容易となる。このような用力導入管３５は、例えば、円筒や四角筒などの管を複数接続してＬ字形状に形成すればよい。
【００７３】
そして、図示は省略するが、用力導入管３５の下管３５ｂの外周には、図３で説明したように、フランジが設けられ、Ｏリング３２を介して、底面１７の上面に配置され、底面１７の下面から挿通された複数のボルト３３により、底面１７に固定される構造である。このような構造により、処理容器１１の内部を大気側からシールすることになる。又、用力導入管３５の内側も大気側となるため、この部分のメンテナンスも容易となる。
【００７４】
排気口２１部分における各構成部材同士の位置関係について、排気口１２の配置位置は、実施例１と同様である。一方、用力導入管３５の配置位置は、上管３５ａが、支持台１２の下部側面に接続されると共に、水平に配置されて、その配置方向は図７で示した中央線１１ｂに沿う方向となっている。又、下管３５ｂは、偏心して配置された排気口２１がない底面１７の部分（接続口２４）に配置されているが、その中心２４ａは、中央線１１ｂ上を閉方向ＣＤに中心軸１１ａから偏心して配置されている。なお、上管３５ａは、上方から見て、配置方向が中央線１１ｂに沿う方向であれば、実施例２の中間部３４ｂのように、斜め配管から構成してもよい。
【００７５】
上述したように、処理容器１１の内部においては、円筒状の支持台１２が、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されている。そして、処理容器１１内には、処理に使用するガスが中心軸１１ａに対して軸対称に供給され、中心軸１１ａと同軸に配置されたアンテナ１４から高周波電磁波が供給されて、円柱状のプラズマ１６が生成され、更に、処理に使用するガスが、中心軸１１ａに対して軸対称に均一となるように、支持台１２の周囲を流れる。従って、用力導入管３５の上管３５ａの上端部ＵＬより上方の支持台１２においては、図９〜図１０に示すような処理容器側面に取り付ける場合と比較して、基板１３付近のガス流れを均一化して、基板１３に対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００７６】
一方、上端部ＵＬより下方において、用力導入管３５の上管３５ａ及び下管３５ｂは、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されていないが、本実施例の場合、上管３５ａは、中央線１１ｂに沿う方向に水平に配置されているので、処理に使用するガスは、中央鉛直面に対して面対称に均一となるように、上管３５ａの周囲を流れることになる。
【００７７】
又、排気口２１も、処理容器１１の中心軸１１ａと同軸に配置されてはいないが、その開口中心２１ａは、図２で説明したように、中心軸１１ａに対して、中央線１１ｂ上を開方向ＯＤに偏心して配置されている。ここで、図７を参照して、本実施例の場合を説明する。本実施例の場合、処理容器１１の上方から見ると、排気口２１と弁体２２ａが形成する三日月状の開口領域の一部は支持台１２及び上管３５ａに隠れてしまうことになり、支持台１２及び上管３５ａに隠れていない開口領域の形状は、中央線１１ｂに対して線対称的に変化することになる。従って、処理に使用するガスは、中央鉛直面に対して面対称に均一となるように、支持台１２及び上管３５ａの周囲を流れることになる。
【００７８】
本実施例においても、排気コンダクタンスへの影響を考慮すると、排気口２１の上方に配置される支持台１２の高さ位置を考慮する必要がある。本実施例においては、底面１７の上面と支持台１２の下面の位置との高さ方向の距離をＨとし、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と支持台１２の開方向ＯＤの端部との水平方向の距離をＷとすると、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置に、支持台１２の下面が位置するように配置することが望ましい。
【００７９】
実施例１で説明したように、通常は、上述した使用推奨値（１０％〜５０％）の開口率で使用されるので、本実施例の配置でも、排気コンダクタンスに影響を及ぼす可能性がある支持台１２の大きさを考慮しており、そのため、排気口２１の閉方向ＣＤの端部と支持台１２の開方向ＯＤの端部との水平方向の距離Ｗを用いて、［Ｈ≧Ｗ／４］となる高さ位置としている。
【００８０】
このような高さ位置Ｈに、支持台１２を配置することにより、排気コンダクタンスに影響を与えることなく、処理に使用するガスを排気することができる。又、本実施例の場合、高さ位置Ｈが実施例１と同じであっても、実施例１に示したような上管３１ｂがないため、処理容器１１全体の高さを低くすることができる。
【００８１】
上記構成により、実施例１と同等に、処理容器１１、支持台１２に対して、均一なプラズマ処理が施される。その結果、無駄なガスの使用やプラズマによるダメージが低減され、メンテナンス頻度の低減や部品の長寿命化を図ることができる。
【００８２】
処理容器１１の内部の組立やメンテナンスの手順は、実施例１で説明した手順と同様であるが、用力導入管３５がＬ字状であるので、支持台１２側の用力（配管やケーブルなど）の挿通は、実施例１より容易となる。又、用力導入管３５が用力導入管３１より簡単な構成であるため、その組立やメンテナンスは容易となり、その組立性、メンテナンス性を向上させることができる。
【００８３】
以上説明したように、本実施例のプラズマ処理装置１０Ｃにおいては、上端部ＵＬより上方の支持台１２では、使用するガスの流れを中心軸１１ａに対して軸対称とし、ガス流れを均一にしており、又、上端部ＵＬより下方の支持台１２では、使用するガスの流れを中央鉛直面に対して面対称とし、ガス流れを均一にしており、処理容器１１で使用するガスを均一に排気可能であり、その結果、基板１３や処理容器１１などに対するプラズマ処理を均一に行うことができる。
【００８４】
又、処理容器１１の側面ではなく、その底面１７に排気口２１や用力導入管３５を設けるので、その側面に排気口や用力導入管を設ける場合より、構造がシンプルとなり、排気口２１や用力導入管３５の作製、組立及びメンテナンスが容易となる。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明は、基板を載置する支持台を有するプラズマ処理装置（プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置）に適用されるものであるが、特に、ＩＣＰ型のプラズマ処理装置に好適なものである。
【符号の説明】
【００８６】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  プラズマ処理装置
１１  処理容器
１２  支持台
１３  基板
１４  アンテナ
１７  底面
２１  排気口
２２  振り子式ゲート弁
２３  真空ポンプ
３１、３４、３５  用力導入管
【図１】
2014012875.tif 000003
【図２】
2014012875.tif 000004
【図３】
2014012875.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014012875.tif 000009
【図８】
2014012875.tif 000010
【図９】
2014012875.tif 000011
【図１０】
2014012875.tif 000012
【図１１】
2014012875.tif 000013
【図１２】
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