(57)【要約】【課題】半導体素子の両面側に金属板を設けたものをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、モールド樹脂の収縮量を低減し、モールド樹脂と金属板との剥離を抑制する。【解決手段】半導体素子１０と、半導体素子１０よりも平面サイズが大きく、半導体素子１０の一面側に接合された第１の金属板２０と、半導体素子１０よりも平面サイズが大きく、半導体素子１０の他面側に接合された第２の金属板３０と、両金属板２０、３０の対向する内面２２、３２の間および半導体素子を封止するモールド樹脂４０と、を備え、両金属板２０、３０の外面２１、３１がモールド樹脂４０から露出しており、両金属板２０、３０の内面２２、３２のうち素子搭載部２２ａ、３２ａの周辺部は突出する凸部２２ｂ、３２ｂとされており、この凸部２２ｂ、３２ｂでは、素子搭載部２２ａ、３２ａよりも両金属板２０、３０間の距離が小さくなっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（１１）と他面（１２）とが表裏の関係にある半導体素子（１０）と、
前記半導体素子よりも平面サイズが大きく、前記半導体素子の一面側に、電気的および熱伝導可能に接合された第１の金属板（２０）と、
前記半導体素子よりも平面サイズが大きく、前記半導体素子の他面側に、電気的および熱伝導可能に接合された第２の金属板（３０）と、
前記第１および第２の両金属板の対向する内面（２２、３２）の間に充填され、当該内面の間および前記半導体素子を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、
前記第１および第２の金属板のそれぞれにおける外面（２１、３１）が前記モールド樹脂から露出しており、
前記両金属板の少なくとも一方の内面のうち前記半導体素子が搭載されている素子搭載部（２２ａ、３２ａ）の周辺部は、前記素子搭載部よりも他方の前記金属板側に向かって突出する凸部（２２ｂ、３２ｂ）とされており、
この凸部では、前記素子搭載部よりも前記両金属板間の距離が小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記両金属板間の外側にリード端子（７０）が設けられており、
前記リード端子と前記半導体素子とは、ワイヤ（８０）により接続されており、
前記凸部の一部には、前記ワイヤが通る切り欠き部（２２ｃ、３２ｃ）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凸部は、前記両金属板に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部は、前記両金属板の一方にのみ設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の両面側に金属板を設けたものをモールド樹脂で封止してなる両面放熱パッケージとしての半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置としては、一対の金属板の間に半導体素子を挟み、半導体素子の表裏の各面と各金属板とを、はんだ等により電気的および熱伝導可能に接合し、これらをモールド樹脂で封止するとともに、各金属板の外面を放熱面としてモールド樹脂より露出させ、放熱するようにしたものが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここで、この半導体装置においては、各金属板は、半導体素子よりも平面サイズが大きいものであり、モールド樹脂は、両金属板の対向する内面の間に充填され、半導体素子とともに半導体素子からはみ出して対向している当該内面の間を封止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１５９０１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した従来の半導体装置においては、モールド樹脂の硬化や温度変化の際、金属板とモールド樹脂との線膨張係数差に起因して、両金属板に挟まれているモールド樹脂が収縮する。そうすることによって、その収縮により金属板の内面とモールド樹脂との界面に引っ張り応力が生じて、モールド樹脂の剥離が発生しやすくなるという問題が生じる。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、半導体素子の両面側に金属板を設けたものをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、モールド樹脂の収縮量を低減し、モールド樹脂と金属板との剥離を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記したようなモールド樹脂の収縮による引っ張り応力は、モールド樹脂の収縮量を低減すれば小さくなることから、両金属板間に挟まれているモールド樹脂の量を極力低減することに着目し、本発明を創出するに至った。
【０００８】
すなわち、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（１１）と他面（１２）とが表裏の関係にある半導体素子（１０）と、半導体素子よりも平面サイズが大きく、半導体素子の一面側に、電気的および熱伝導可能に接合された第１の金属板（２０）と、半導体素子よりも平面サイズが大きく、半導体素子の他面側に、電気的および熱伝導可能に接合された第２の金属板（３０）と、第１および第２の両金属板の対向する内面（２２、３２）の間に充填され、当該内面の間および半導体素子を封止するモールド樹脂（４０）と、を備え、第１および第２の金属板のそれぞれにおける外面（２１、３１）がモールド樹脂から露出しており、
両金属板の少なくとも一方の内面のうち半導体素子が搭載されている素子搭載部（２２ａ、３２ａ）の周辺部は、素子搭載部よりも他方の金属板側に向かって突出する凸部（２２ｂ、３２ｂ）とされており、この凸部では、素子搭載部よりも両金属板間の距離が小さくなっていることを特徴とする。
【０００９】
それによれば、両金属板間にて、素子搭載部では半導体素子を配置するスペースを確保しつつ、素子搭載部の周辺では凸部を構成して両金属板間を狭くすることで両金属板間のモールド樹脂の量を少なくすることが可能となる。そのため、モールド樹脂の収縮量を低減し、モールド樹脂と金属板との剥離を抑制することができる。
【００１０】
ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、両金属板間の外側にリード端子（７０）が設けられており、リード端子と半導体素子とは、ワイヤ（８０）により接続されており、凸部の一部には、ワイヤが通る切り欠き部（２２ｃ、３２ｃ）が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
それによれば、半導体素子とリード端子とを接続するワイヤが、凸部に干渉するのを防止しやすくなる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中のＡ−Ａ概略断面図である。
【図２】図１（ｂ）中のモールド樹脂を透過したＢ矢視図である。
【図３】（ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中のＣ−Ｃ概略断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中のＤ−Ｄ概略断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の概略断面図、（ｂ）は、（ａ）中のＥ−Ｅ概略断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置における第１の金属板の内面を示す概略平面図、（ｂ）は、第２の金属板の内面を示す概略平面図である。
【図７】本発明の第６実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【図８】本発明の第７実施形態にかかる半導体装置を示す概略断面図であり、（ａ）は第１の例、（ｂ）は第２の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置について図１を参照して述べる。この半導体装置は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。
【００１６】
本実施形態の半導体装置は、大きくは、半導体素子１０と、半導体素子１０を挟む一対の金属板２０、３０と、半導体素子１０および一対の金属板２０、３０を封止するモールド樹脂４０と、各金属板２０、３０の外面２１、３１が放熱面としてモールド樹脂４０から露出している構成を有するものである。
【００１７】
半導体素子１０は、シリコン半導体等よりなる一面１１と他面１２とが表裏の関係にある板状をなすもので、ここでは典型的な矩形板状の半導体チップとして構成されている。具体的に、半導体素子１０は、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）やパワーＭＯＳ等のパワー素子等よりなる。
【００１８】
そして、一対の金属板２０、３０は、半導体素子１０の一面１１側に位置する第１の金属板２０と、他面１２側に位置する第２の金属板３０とよりなり、それぞれ半導体素子１０の一面１１側、他面１２側に対して電気的および熱伝導可能に接合されている。
【００１９】
つまり、互いの内面２２、３２が対向するように一対の金属板２０、３０が設けられており、半導体素子１０は、これら両金属板２０、３０に挟まれるように設けられて両金属板２０、３０の内面２２、３２に接合されている。ここでは、半導体素子１０と第１の金属板２０とは、導電性且つ熱伝導性を有するスペーサ５０を介して、電気的および熱伝導可能に接合されている。
【００２０】
各金属板２０、３０は、半導体素子１０の平面サイズよりも大きく、ここでは、矩形板状の半導体素子１０よりも一回り大きい矩形板状をなす。それゆえ、当然ながら、各金属板２０、３０の周辺部は半導体素子１０よりもはみ出している。
【００２１】
これら各金属板２０、３０は、導電性、放熱性を有し、半導体素子１０の電極および放熱部材として機能するものである。具体的には、金属板２０、３０は、純Ｃｕ（銅）、Ｃｕ合金などよりなる。ここでは、金属板２０、３０はリードフレームのアイランドとして構成されたものとするが、当該アイランドよりも厚く放熱性に優れたヒートシンクであってもよい。
【００２２】
なお、金属板２０、３０としては、母材が純Ｃｕ、Ｃｕ合金であって、その表面にＮｉめっきやＡｕめっきなどが設けられているものであってもよい。また、金属板２０、３０としては、ＡＬ（アルミニウム）、Ｆｅ（鉄）、Ｍｏ（モリブデン）、これらの積層材など、その他の金属材料を用いてもよい。
【００２３】
また、スペーサ５０は、半導体素子１０よりも一回り小さい板状（たとえば矩形板状）をなし、金属板２０、３０と同様の金属材料から選択された材料よりなる。このスペーサ５０は、後述する半導体素子１０とリード端子７０とのワイヤボンディングを行うにあたって、ワイヤ８０の高さを維持するために、半導体素子１０のワイヤボンディング面である一面１１と第１の金属板２０との間の高さを確保する役割を果たすものである。
【００２４】
そして、図１に示されるように、本半導体装置において、第１の金属板２０、スペーサ５０、半導体素子１０、第２の金属板３０の各間は、はんだ６０によって電気的且つ熱伝導可能に接続されている。このはんだ６０は、たとえばＳｎ−Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐなどの一般的なＰｂフリーはんだ等よりなる。
【００２５】
また、図１に示されるように、モールド樹脂４０の内部にて、両金属板２０、３０間の外側に銅等の導電性材料よりなる上記リード端子７０が設けられている。そして、このリード端子７０のインナーリード部と半導体素子１０の一面１１とが、ワイヤ８０により結線され、電気的に接続されている。
【００２６】
このワイヤ８０は、たとえば金、アルミ、銅等のワイヤボンディングにより形成されるものである。そして、リード端子７０のアウターリード部を介して、半導体素子１０と外部とが電気的に接続されるようになっている。なお、図１（ｂ）では、識別のために、ワイヤ８０を太い破線にて示してある。
【００２７】
モールド樹脂４０は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂よりなるもので、トランスファーモールド法により成形されるものである。このモールド樹脂４０は、半導体素子１０および両金属板２０、３０を包み込むように封止している。そして、モールド樹脂４０は、両金属板２０、３０の対向する内面２２、３２の間に充填され、半導体素子１０を封止するとともに、半導体素子１０からはみ出して対向している当該内面２２、３２の間を封止している。
【００２８】
また、各金属板２０、３０の外面２１、３１は、モールド樹脂４０より露出している。ここでは、図１に示されるように、モールド樹脂４０の表面と各金属板２０、３０の外面２１、３１とが同一平面にある。
【００２９】
この金属板２０、３０の外面２１、３１は、外部に露出して放熱を行う放熱面として構成されており、これら外面２１、３１には、外部の筺体や冷却器等が接続されるようになっている。
【００３０】
また、各金属板２０、３０には、モールド樹脂４０の内部から外部に突出する接続端子部２０ａ、３０ａが一体に設けられており、この接続端子部２０ａ、３０ａにおいても、外部と電気的に接続されるようになっている。
【００３１】
このような半導体装置において、さらに、図１に示されるように、モールド樹脂６０の内部にて、両金属板２０、３０の内面２２、３２のうち半導体素子１０が搭載されている素子搭載部２２ａ、３２ａの外側に位置する周辺部は、当該素子搭載部２２ａ、３２ａよりも他方の金属板２０、３０側に向かって突出する凸部２２ｂ、３２ｂとされている。
【００３２】
ここで、各金属板２０、３０の内面２２、３２における素子搭載部２２ａ、３２ａとは、当該内面２２、３２のうちの半導体素子１０を投影した領域に相当する部位であり、両素子搭載部２２ａ、３２ａは、半導体素子１０を挟んで、互いに正対して位置するものである。
【００３３】
つまり、両素子搭載部２２ａ、３２ａは、それぞれ半導体素子１０の直上、直下に位置するものであり、ここでは、共に、半導体素子１０の平面形状と実質的に同一形状、同一サイズの矩形をなす部位とされている。こうして、両素子搭載部２２ａ、３２ａは、半導体素子１０が存在するためのスペースに見合ったサイズを有する。
【００３４】
そして、本実施形態では、各凸部２２ｂ、３２ｂは、各素子搭載部２２ａ、３２ａを取り巻く枠形状をなしている。ここでは、両凸部２２ｂ、３２ｂは共に矩形枠形状をなしており、互いに正対した位置に設けられている。なお、このような内面２２、３２に凹凸を有する金属板２０、３０は、プレス加工、型加工、切削加工、エッチング加工等により形成される。
【００３５】
そして、図１に示されるように、両金属板２０、３０の間において、凸部２２ｂ、３２ｂでは、素子搭載部２２ａ、３２ａよりも両金属板２０、３０間の距離が小さくなっている。その結果、両金属板２０、３０の間におけるモールド樹脂４０の厚さは、凸部２２ｂ、３２ｂのほうが素子搭載部２２ａ、３２ａよりも大幅に薄いものとされている。
【００３６】
このように、各凸部２２ｂ、３２ｂは、素子搭載部２２ａ、３２ａを取り囲むように設けられているが、ここでは更に、図１に加えて図２にも示されるように、第１の金属板２０における凸部２２ｂの一部には、ワイヤ８０が通る切り欠き部２２ｃが設けられている。この切り欠き部２２ｃも上記した金属板２０、３０の加工時に形成できる。
【００３７】
なお、両金属板２０、３０の間から外側のリード端子７０まで、両金属板２０、３０、特に凸部２２ｂ、３２ｂに干渉することなく、ワイヤ８０が引き出されるならば、この切り欠き部２２ｃは省略された構成であってもよい。しかし、通常、ワイヤ８０は、ワイヤボンディングによるループ形状をなすので、このような切り欠き部２２ｃが設けられていた方が望ましい。
【００３８】
次に、本半導体装置を製造する製造方法について、述べる。まず、半導体素子１０および金属板２０、３０が積層された構造体を形成する（構造体形成工程）。この構造体形成工程では、まず、第２の金属板３０とリード端子７０とを平面的に配置し、第２の金属板３０の内面３２上に、はんだ６０を介して半導体素子１０、スペーサ５０を順次積層し、はんだ付けする。
【００３９】
次に、半導体素子１０の一面１１とリード端子７０との間でワイヤボンディングを行い、これらの間をワイヤ８０で結線する。次に、スペーサ５０の上に、はんだ６０を介して、第１の金属板２０を搭載し、はんだ付けする。こうして上記構造体を形成する。その後、この構造体を、トランスファーモールド法等により、モールド樹脂４０で封止する樹脂成形工程を行う。これにより、本実施形態の半導体装置ができあがる。
【００４０】
ところで、本実施形態によれば、両金属板２０、３０間にて、素子搭載部２２ａ、３２ａでは半導体素子１０を配置するスペースを確保しつつ、素子搭載部２２ａ、３２ａの周辺では凸部２２ｂ、３２ｂを構成して両金属板２０、３０間を狭くすることで両金属板２０、３０間のモールド樹脂４０の量を少なくすることが可能となる。
【００４１】
つまり、従来では、両金属板２０、３０間の距離は、全体的に同一であり、両金属板２０、３０間のモールド樹脂４０量を低減するためには、両金属板２０、３０間を全体的に狭くする必要があった。しかし、この場合、両金属板２０、３０間における半導体素子１０の配置スペースが確保しにくくなる。
【００４２】
その点、本実施形態によれば、素子搭載部２２ａ、３２ａでは、両金属板２０、３０間の距離を小さくしなくてもよいので、そのような問題を回避しつつ、凸部２２ｂ、３２ｂにてモールド樹脂４０の量を低減できる。そのため、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制することができる。
【００４３】
（第２実施形態）
図３を参照して、本発明の第２実施形態を述べる。なお、図３（ｂ）でも、識別のために、ワイヤ８０を太い破線にて示してある。本第２実施形態でも上記第１実施形態と同様、凸部２２ｂ、３２ｂは、両金属板２０、３０に設けられているが、本実施形態では、その凸部２２ｂ、３２ｂの配置パターンを変形したものである。
【００４４】
上記第１実施形態では、第１の金属板２０の凸部２２ｂには、切り欠き部２２ｃが設けられているものの、両金属板２０、３０の凸部２２ｂ、３２ｂは、金属板２０、３０の全周に設けられていた。
【００４５】
それに対して、図３に示されるように、本実施形態では、各金属板２０、３０の対向する２辺のみ、ここでは長方形板状の金属板２０、３０の２つの短辺に、凸部２２ｂ、３２ｂを設けている。
【００４６】
本実施形態によっても、両金属板２０、３０間において、素子搭載部２２ａ、３２ａでは半導体素子１０を配置するスペースを確保しつつ、凸部２２ｂ、３２ｂではモールド樹脂４０の量を少なくすることが可能となり、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制することができる。
【００４７】
また、図３に示される例では、凸部２２ｂ、３２ｂは、各金属板２０、３０の２つの短辺のみに設けられていたが、たとえば、２つの長辺のみ、あるいは、任意の１辺または任意の３辺のみ、というように部分的に設けられていてもよい。
【００４８】
（第３実施形態）
図４を参照して、本発明の第３実施形態を述べる。なお、図４（ｂ）でも、識別のために、ワイヤ８０を太い破線にて示してある。上記第１および第２実施形態では、凸部２２ｂ、３２ｂは、両方の金属板２０、３０に設けられていたが、図４に示されるように、凸部３２ｂは、第２の金属板３０のみに設けられていてもよい。ここでは、第２の金属板３０における凸部３２ｂの一部に切り欠き部３２ｃを設け、ワイヤ８０と両金属板２０、３０との干渉を防止するようにしている。
【００４９】
本実施形態によれば、両金属板２０、３０間において、素子搭載部２２ａ、３２ａでは半導体素子１０を配置するスペースを確保しつつ、凸部３２ｂではモールド樹脂４０の量を少なくすることが可能となり、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制することができる。
【００５０】
なお、図４に示される例では、第２の金属板３０のみに凸部３２ｂが設けられているが、第１の金属板２０のみに凸部２２ｂを設けた構成であってもよい。また、この場合にも、必要に応じて当該第１の金属板２０の凸部２２ｂに切り欠き部２２ｃを設けるものとしてもよい。
【００５１】
（第４実施形態）
図５を参照して、本発明の第４実施形態を述べる。なお、図５（ｂ）でも、識別のために、ワイヤ８０を太い破線にて示してある。本第４実施形態でも上記第３実施形態と同様、凸部３２ｂは、第２の金属板３０のみに設けられているが、本実施形態では、その凸部３２ｂの配置パターンを変形したものである。
【００５２】
上記第３実施形態では、第２の金属板３０の凸部３２ｂは、第２の金属板３０の全周に設けられていたが、図５に示されるように、本実施形態では、第２の金属板３０の対向する２辺のみ、ここでは長方形板状の第２の金属板３０の２つの短辺に、凸部３２ｂを設けている。
【００５３】
この場合も、凸部３２ｂによるモールド樹脂４０の量の低減が図れ、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制することができる。
【００５４】
なお、図５に示される例では、第２の金属板３０のみに凸部３２ｂが設けられているが、本実施形態においても、第１の金属板２０のみに凸部２２ｂを設けた構成であってもよい。さらには、図５に示される例以外にも、たとえば、凸部３２ｂは、各金属板２０、３０の２つの長辺のみ、あるいは、任意の１辺または任意の３辺のみ、というように部分的に設けられていてもよい。
【００５５】
（第５実施形態）
図６を参照して、本発明の第５実施形態を述べる。なお、図６では、素子搭載部２２ａ、３２ａを破線で示してある。上記第１および第２実施形態では、凸部２２ｂ、３２ｂは、両金属板２０、３０に設けられており、互いの凸部２２ｂ、３２ｂが正対した位置にあるものであった。
【００５６】
それに対して、本実施形態では、凸部２２ｂ、３２ｂは両金属板２０、３０に設けられているものの、第１の金属板２０の凸部２２ｂと第２の金属板３０の凸部３２ｂとは正対せず、図６に示されるように、それぞれ異なる位置に設けられている。
【００５７】
図６に示される例では、第１の金属板２０の凸部２２ｂは、長方形板状の第１の金属板２０の２つの長辺に設けられ、第２の金属板３０の凸部３２ｂは、長方形板状の第２の金属板３０の２つの短辺に設けられている。
【００５８】
この場合も、凸部２２ｂ、３２ｂによるモールド樹脂４０の量の低減が図れ、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制できることはもちろんである。また、本実施形態においても、各凸部２２ｂ、３２ｂについて、必要に応じて上記切り欠き部を設けてもよいことはもちろんである。
【００５９】
（第６実施形態）
図７を参照して、本発明の第６実施形態を述べる。上記各実施形態では、両金属板２０、３０間に設けられる半導体素子１０は、１個であったが、本実施形態のように、複数個であってもよい。図７の例では、２個の半導体素子１０としている。
【００６０】
ここでは、各半導体素子１０は、互いに電気的に独立したものであり、各半導体素子１０ついて、第２の金属板３０は共通の１個のものであるが、第１の金属板２０は分離して独立したものが設けられている。
【００６１】
図７（ａ）に示される第１の例では、第２の金属板３０の周辺部に凸部３２ｂが設けられ、この凸部３２ｂに正対する各第１の金属板２０の部位に凸部２２ｂが設けられている。また、図７（ｂ）に示される第２の例では、さらに、各半導体素子１０における素子搭載部２２ａの間にも、各金属板２０、３０に凸部２２ｂ、３２ｂが設けられている。
【００６２】
これら両例によっても、上記同様、凸部２２ｂ、３２ｂの効果により、モールド樹脂４０の収縮量を低減し、モールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離を抑制できることは言うまでもない。なお、本実施形態においても、上記第３および第４実施形態のように、片側の金属板２０、３０のみに凸部２２ｂ、３２ｂが設けられている構成を採用してもかまわない。
【００６３】
（第７実施形態）
図８を参照して、本発明の第７実施形態を述べる。本実施形態は、上記第６実施形態と同様に、両金属板２０、３０間に設けられる半導体素子１０を複数個としたものである。図８の例では、２個の半導体素子１０としている。
【００６４】
本実施形態では、各半導体素子１０を互いに同電位のものとした構成としている。そのため、本実施形態では、各半導体素子１０ついて、第１の金属板２０および第２の金属板３０ともに、それぞれ共通の１個のものとしている。
【００６５】
そして、この場合も、図８（ａ）に示される第１の例では、第２の金属板３０の周辺部に凸部３２ｂが設けられ、この凸部３２ｂに正対する第１の金属板２０の周辺部に凸部２２ｂが設けられている。また、図８（ｂ）に示される第２の例では、さらに、各半導体素子１０における素子搭載部２２ａの間にも、各金属板２０、３０に凸部２２ｂ、３２ｂが設けられている。
【００６６】
これら両例によっても、上記第６実施形態と同様のモールド樹脂４０と金属板２０、３０との剥離抑制の効果が発揮される。なお、本実施形態においても、上記第３および第４実施形態のように、片側の金属板２０、３０のみに凸部２２ｂ、３２ｂが設けられている構成を採用してもかまわない。
【００６７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、モールド樹脂４０の表面と各金属板２０、３０の外面２１、３１とが同一平面にあったが、各金属板２０、３０の外面２１、３１がモールド樹脂４０より露出していればよく、各金属板２０、３０の外面２１、３１は、モールド樹脂４０の表面より突出していてもよいし、引っ込んでいるものであってもよい。
【００６８】
また、半導体素子１０とリード端子７０との電気接続が適切に行われる構成ならば、両金属板２０、３０間にて上記スペーサ５０は無くてもよい。つまり、半導体素子１０の一面１１に第１の金属板２０の内面２２が直接はんだ付けされたものであってもよい。
【００６９】
また、半導体素子１０と外部との電気的接続構成については、上記したリード端子７０およびワイヤ８０を介して行うものに限定するものではなく、適宜変更が可能であることはもちろんである。
【００７０】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００７１】
１０    半導体素子
２０    第１の金属板
２２ａ  第１の金属板の素子搭載部
２２ｂ  第１の金属板の凸部
２２ｃ  切り欠き部
３０    第２の金属板
３２ａ  第２の金属板の素子搭載部
３２ｂ  第２の金属板の凸部
３２ｃ  切り欠き部
４０    モールド樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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