(57)【要約】      （修正有）【課題】製造の歩留まりを向上させることが可能な光デバイスを提供する。【解決手段】発光デバイス１００は、電極５１を有する発光部２０と、発光部２０の電極５１に配線部４０を介して電気的に接続された電極パッド３０とを備える。電極５１、配線部４０および電極パッド３０は、それぞれ、上面に形成され、Ａｕを主成分とする第１の層と、第１の層に対して下面側に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の層とを含み、電極パッドの第１の層の上面は、電極５１および配線部４０の少なくとも一方の第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない。【選択図】図７
2014175552.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する発光部と、
外部との電気的接続をとるための電極パッドと、
前記発光部の前記電極と前記電極パッドとの電気的接続をとるための配線部とを備え、
前記電極、前記電極パッドおよび前記配線部は、それぞれ、上面に形成され、Ａｕを主成分とする第１の層と、前記第１の層に対して下面側に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の層とを含み、
前記電極パッドの前記第１の層の上面は、前記電極および前記配線部の少なくとも一方の前記第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない、光デバイス。
【請求項２】
前記電極パッドの前記第１の層の上面は、前記電極および前記配線部の少なくとも一方の前記第１の層よりも、Ｃｒを主成分とする突起状の不純物の存在量が少ない、請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記電極パッドの前記第１の層の上面にエッチングが施されることにより、前記電極パッドの前記第１の層の上面から前記突起状の不純物が除去されている、請求項２に記載の光デバイス。
【請求項４】
前記電極パッドの前記第２の層の下面に形成され、Ｃｒが拡散しやすい材料からなる拡散層をさらに備える、請求項１または２に記載の光デバイス。
【請求項５】
前記拡散層は、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなる、請求項４に記載の光デバイス。
【請求項６】
前記電極、前記配線部および前記電極パッドの下面に形成された単層構造の保護層をさらに備え、
前記保護層は、前記発光部を覆うように形成されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の光デバイス。
【請求項７】
光デバイスを含む光源部と、
前記光源部からの光を偏向するための光偏向器と、
前記光偏向器により偏向された光を集光して走査するための走査光学系とを備え、
前記光デバイスは、
電極を有する発光部と、
外部との電気的接続をとるための電極パッドと、
前記発光部の前記電極と前記電極パッドとの電気的接続をとるための配線部とを含み、
前記電極、前記電極パッドおよび前記配線部は、それぞれ、上面に形成され、Ａｕを主成分とする第１の層と、前記第１の層に対して下面側に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の層とを有し、
前記電極パッドの前記第１の層の上面は、前記電極および前記配線部の少なくとも一方の前記第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない、光走査装置。
【請求項８】
少なくとも１つの感光体と、
前記感光体に対して所定の画像情報に応じた光を走査する光走査装置とを備え、
前記光走査装置は、
光デバイスを含む光源部と、
前記光源部からの光を偏向するための光偏向器と、
前記光偏向器により偏向された光を集光して走査するための走査光学系とを含み、
前記光デバイスは、
電極を有する発光部と、
外部との電気的接続をとるための電極パッドと、
前記発光部の前記電極と前記電極パッドとの電気的接続をとるための配線部とを含み、
前記電極、前記電極パッドおよび前記配線部は、それぞれ、上面に形成され、Ａｕを主成分とする第１の層と、前記第１の層に対して下面側に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の層とを有し、
前記電極パッドの前記第１の層の上面は、前記電極および前記配線部の少なくとも一方の前記第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない、画像形成装置。
【請求項９】
前記所定の画像情報は、多色のカラー画像情報である、請求項８に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光デバイス、光走査装置および画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電極を有する発光部を備えた光デバイスが知られている（たとえば、特開２０１２−２３１０７号公報：特許文献１参照）。
【０００３】
上記特開２０１２−２３１０７号公報には、ｐ側電極を有する発光部を備えた正方形のチップ状の面発光レーザ素子（光デバイス）が開示されている。この面発光レーザ素子では、ｐ側電極は、発光部を構成するコンタクト層の上面から、面発光レーザ素子の周縁部まで延びるように形成されている。なお、ｐ側電極は、Ｃｒからなる層と、ＡｕＺｎからなる層と、Ａｕからなる層とがこの順番で下から積層された三層構造を有する。
【０００４】
ここで、上記特開２０１２−２３１０７号公報による面発光レーザ素子では、ｐ側電極の面発光レーザ素子の周縁部側の端部が、外部との電気的接続をとるための電極パッドとして機能すると考えられる。すなわち、ｐ側電極の面発光レーザ素子の周縁部側の端部には、外部との電気的接続をとるためのボンディングワイヤが接着されると考えられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特開２０１２−２３１０７号公報に開示された構成では、ｐ側電極が、Ｃｒからなる層と、ＡｕＺｎからなる層と、Ａｕからなる層とがこの順番で下から積層された三層構造を有するため、面発光レーザ素子の製造プロセスにおいて熱処理（アニーリング処理）が行われた際に、下層（Ｃｒからなる層）に含まれるＣｒが熱により拡散されて電極パッドの表面（Ａｕからなる層の上面）に析出する場合があると考えられる。このため、電極パッドのボンディングワイヤが接着される部分の表面にＣｒなどからなる異物が形成される場合があるため、ボンディングワイヤが剥がれやすくなり、製造の歩留まりが低下する場合があると考えられる。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、製造の歩留まりを向上させることが可能な光デバイス、光走査装置および画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明による光デバイスは、電極を有する発光部と、外部との電気的接続をとるための電極パッドと、発光部の電極と電極パッドとの電気的接続をとるための配線部とを備え、電極、電極パッドおよび配線部は、それぞれ、上面に形成され、Ａｕを主成分とする第１の層と、第１の層に対して下面側に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の層とを含み、電極パッドの第１の層の上面は、電極および配線部の少なくとも一方の第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない。
【発明の効果】
【０００８】
本発明では、上記のように、電極パッドの第１の層の上面が、電極および配線部の少なくとも一方の第１の層の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ないことによって、光デバイスの製造プロセスにおいて電極パッドの表面（第１の層の上面）に生じるＣｒなどからなる異物を少なくすることができる。これにより、電極パッドの表面に外部との電気的接続をとるためのボンディングワイヤを接着する場合において、電極パッドの表面からボンディングワイヤが剥がれるのを抑制することができるので、光デバイスの製造の歩留まりを向上させることができる。その結果、光デバイスの低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態によるレーザプリンタの概略的な構成を示した図である。
【図２】図２は、図１に示したレーザプリンタの光走査部の概略的な構成を示した図である。
【図３】図３は、第１実施形態によるレーザチップが実装されたセラミックパッケージの構成を示した平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ−Ａ線に沿った模式的な断面図である。
【図５】図５は、図３に示したセラミックパッケージの側面図である。
【図６】図６は、第１実施形態によるレーザチップを示した平面図である。
【図７】図７は、第１実施形態によるレーザチップの具体的な構成を示した断面図である。
【図８】図８は、図７に示したレーザチップのｐ側電極、配線および電極パッドの詳細な構成を示した断面図である。
【図９】図９は、図７に示したレーザチップのｐ側電極、配線および電極パッドの上面図である。
【図１０】図１０は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１１】図１１は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１２】図１２は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１３】図１３は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１４】図１４は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１５】図１５は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１６】図１６は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１７】図１７は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１８】図１８は、図７に示したレーザチップの製造プロセスを説明するための断面図である。
【図１９】図１９は、第２実施形態によるレーザチップの具体的な構成を示した断面図である。
【図２０】図２０は、第３実施形態によるレーザチップの具体的な構成を示した断面図である。
【図２１】図２１は、第１〜第３実施形態の変形例によるカラープリンタの概略的な構成を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（第１実施形態）
以下、図１〜図１８を参照して、第１実施形態によるレーザプリンタ１０００の構成について説明する。なお、レーザプリンタ１０００は、本発明の「画像形成装置」の一例である。
【００１１】
まず、図１〜図５を参照して、第１実施形態によるレーザプリンタ１０００の概略的な構成について説明する。
【００１２】
図１に示すように、レーザプリンタ１０００は、筐体１００１と、レーザプリンタ１０００の各部の制御を行う制御部１０１０と、たとえばＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）などの上位装置１５００に接続された通信部１０２０とを備える。なお、上位装置１５００は、レーザプリンタ１０００に対して所定の画像情報を送信する装置である。また、レーザプリンタ１０００は、給紙トレイ１０３１と、給紙ローラ１０３２と、搬送ローラ対１０３３と、排紙ローラ１０３４と、排紙トレイ１０３５とを備える。
【００１３】
また、レーザプリンタ１０００は、用紙Ｓに画像を印刷するための画像形成部１０４０と、画像形成部１０４０の後述する感光体ドラム１０４１に対して上位装置１５００からの画像情報に応じたレーザ光を走査する光走査部１０５０とを備える。なお、感光体ドラム１０４１は、本発明の「感光体」の一例であると共に、光走査部１０５０は、本発明の「光走査装置」の一例である。また、画像形成部１０４０は、感光体ドラム１０４１と、トナーカートリッジ１０４２と、帯電器１０４３と、除電器１０４４と、転写器１０４５と、クリーナユニット１０４６とを主として含む。
【００１４】
また、図２に示すように、光走査部１０５０は、筐体１０５１と、光源部１０５２と、カップリングレンズ１０５３と、開口板１０５４と、シリンドリカルレンズ１０５５と、反射ミラー１０５６と、ポリゴンミラー１０５７と、２つの走査レンズ１０５８および１０５９とを含む。なお、ポリゴンミラー１０５７は、光源部１０５２からの光を偏向するために設けられている。すなわち、ポリゴンミラー１０５７は、本発明の「光偏向器」の一例である。また、走査レンズ１０５８および１０５９は、ポリゴンミラー１０５７により偏向された光を集光して走査するために設けられている。すなわち、走査レンズ１０５８および１０５９は、本発明の「走査光学系」の一例である。
【００１５】
ここで、光走査部１０５０の光源部１０５２は、後述するレーザチップ１００が実装されたセラミックパッケージ１５０（図３〜図５参照）を含むように構成されている。なお、レーザチップ１００は、本発明の「光デバイス」の一例である。このレーザチップ１００は、発振波長が７８０ｎｍ帯の垂直共振器型の面発光型半導体素子（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）である。すなわち、レーザチップ１００は、いわゆるＶＣＳＥＬアレイチップである。
【００１６】
図３および図４に示すように、セラミックパッケージ１５０の中央部近傍には、レーザチップ１００を実装するためのキャビティ領域１５１が形成されている。そして、レーザチップ１００は、キャビティ領域１５１の所定のチップ搭載位置（キャビティ領域１５１の中央部近傍）に、ペースト状の樹脂性接着材料（図示せず）を介して接着されている。なお、セラミックパッケージ１５０は、レーザチップ１００の後述する電極パッド３０にボンディングワイヤ（たとえば金ワイヤ：図示せず）を介して電気的に接続されるリード端子１５２（図３参照）と、リード端子１５２に電気的に接続された外部接続端子１５３（図５参照）とを含む。これにより、外部接続端子１５３とレーザチップ１００とが、リード端子１５２およびボンディングワイヤを介して電気的に接続されるので、外部接続端子１５３を介してレーザチップ１００に外部から通電することが可能である。
【００１７】
次に、図６〜図９を参照して、第１実施形態によるレーザチップ１００の具体的な構成について説明する。
【００１８】
図６に示すように、レーザチップ１００は、１枚の半導体基板が劈開されることにより形成された基板１０と、基板１０の上面に配置された複数（図６では、３２個）の発光部２０と、複数の発光部２０にそれぞれ対応するように設けられた電極パッド３０と、発光部２０と電極パッド３０とを接続する配線部４０とを備える。基板１０は、平面視において略正方形形状を有する。また、複数の発光部２０は、基板１０の上面の中央部近傍にマトリクス状に配置されている。また、電極パッド３０は、複数の発光部２０を取り囲むように、基板１０の４辺に沿ってそれぞれ８個ずつ配置されている。
【００１９】
また、図７に示すように、レーザチップ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１の上面に積層されたバッファ層１０２と、バッファ層１０２の上面に積層された下側ＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）層１０３と、下側ＤＢＲ層１０３の上面に積層された下側スペーサ層１０４とを備える。これらの半導体基板１０１、バッファ層１０２、下側ＤＢＲ層１０３、下側スペーサ層１０４、および、後述する保護層１０９は、レーザチップ１００の基板１０（図６参照）として機能する。
【００２０】
また、図７に示すように、レーザチップ１００は、下側スペーサ層１０４の上面の一部の所定領域に積層された活性層１０５と、活性層１０５の上面に積層された上側スペーサ層１０６と、上側スペーサ層１０６の上面に積層された上側ＤＢＲ層１０７と、上側ＤＢＲ層１０７の上面に積層されたコンタクト層１０８とを備える。また、レーザチップ１００は、下側スペーサ層１０４の上面と、活性層１０５、上側スペーサ層１０６、上側ＤＢＲ層１０７およびコンタクト層１０８の側端面とを覆うように形成された保護層１０９と、保護層１０９を覆うように形成された導電層１１０とを備える。ここで、保護層１０９および導電層１１０は、コンタクト層１０８の上面の一部の所定領域を露出させるように設けられている。このように露出されたコンタクト層１０８の上面の所定領域は、レーザ光を発する発光部２０（図６参照）として機能する。
【００２１】
ここで、第１実施形態では、図８に示すように、導電層１１０は、Ｃｒを主成分とする層１１１と、ＡｕＺｎを主成分とする層１１２と、Ａｕを主成分とする層１１３とが、保護層１０９の上面（表面）にこの順番で下から積層された三層構造を有する。すなわち、Ａｕを主成分とする層１１３は、導電層１１０の上面に形成されているとともに、Ｃｒを主成分とする層１１１は、Ａｕを主成分とする層１１３に対して下面側に形成されている。なお、Ａｕを主成分とする層１１３およびＣｒを主成分とする層１１１は、それぞれ、本発明の「第１の層」および「第２の層」の一例である。
【００２２】
図９に示すように、導電層１１０のうち、コンタクト層１０８の上面の発光領域を取り囲むように形成された部分（図９の左側の網掛け表示された枠状の部分参照）は、レーザチップ１００のｐ側電極５１として機能する。なお、ｐ側電極５１は、本発明の「電極」の一例である。また、図７に示すように、ｐ側電極５１に対応するｎ側電極５２は、半導体基板１０１の下面に形成されている。このｎ側電極５２は、ＡｕＧｅからなる層と、Ｎｉからなる層と、Ａｕからなる層とからなる多層膜である。
【００２３】
また、図９に示すように、導電層１１０のうち、発光領域を含まないコンタクト層１０８の上面を覆うように形成された部分（図９の右側の網掛け表示された矩形状の部分参照）は、リード端子１５２（図３参照）に接続される電極パッド３０（図６参照）として機能する。また、導電層１１０のうち、ｐ側電極５１と電極パッド３０との間に形成された部分（図９の中央部近傍の網掛け表示された細長い部分参照）は、ｐ側電極５１と電極パッド３０（図６参照）とを電気的に接続する配線部４０（図６参照）として機能する。このように、第１実施形態では、ｐ側電極５１と、電極パッド３０と、配線部４０とは、互いに一体的に形成されている。
【００２４】
ここで、第１実施形態では、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面は、ｐ側電極５１および配線部４０のＡｕを主成分とする層１１３の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ない。すなわち、第１実施形態では、後述するように、ｐ側電極５１とｎ側電極５２とのオーミック導通をとるためにアニーリング処理が行われるが、この工程によれば、Ｃｒを主成分とする層１１１に含まれるＣｒが熱により拡散されて、Ａｕを主成分とする層１１３の上面にＣｒが析出する。そして、Ａｕを主成分とする層１１３の上面に、ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａ（図１７参照）が形成される。この場合において、第１実施形態では、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面にエッチングが施されることにより、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面から、ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａが除去されている。その結果、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面は、ｐ側電極５１および配線部４０のＡｕを主成分とする層１１３の上面よりも、Ｃｒを含む突起状の不純物１１１ａの存在量が少ない。
【００２５】
なお、半導体基板１０１は、ｎ型のＧａＡｓ単結晶基板である。また、バッファ層１０２は、ｎ型のＧａＡｓからなる層である。また、下側ＤＢＲ層１０３は、ｎ型のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ型のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層とのペアを４０．５ペア有する。この下側ＤＢＲ層１０３は、電気抵抗を低減するために、各屈折率層の間に、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層を有する。また、下側ＤＢＲ層１０３の各屈折率層は、共に、隣接する組成傾斜層の１／２を含み、発振波長をλとした場合に、λ／４の光学的厚さを有するように設定されている。ここで、ある層の光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（ｎは、その層の媒質の屈折率）である。
【００２６】
また、下側スペーサ層１０４は、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。また、活性層１０５は、３層のＡｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓからなる量子井戸層と、４層のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる障壁層とを有する三重量子井戸構造の活性層である。なお、活性層１０５のバンドギャップエネルギーに対応する波長は、約７８０ｎｍである。また、上側スペーサ層１０６は、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。これらの下側スペーサ層１０４、活性層１０５および上側スペーサ層１０６からなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、１波長の光学的厚さを有するように設定されている。ここで、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。この共振器構造体は、共振器反射率が約９９％以上になるように設計されている。
【００２７】
上側ＤＢＲ層１０７は、ｐ型のＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｐ型のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層とのペアを２５ペア有する。この上側ＤＢＲ層１０７も、下側ＤＢＲ層１０３と同様に、電気抵抗を低減するために、各屈折率層の間に、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層を有する。また、上側ＤＢＲ層１０７の各屈折率層は、共に、隣接する組成傾斜層の１／２を含み、発振波長をλとした場合に、λ／４の光学的厚さを有するように設定されている。
【００２８】
ここで、図７に示すように、上側ＤＢＲ層１０７の低屈折率層の１つには、ｐ型のＡｌＡｓからなる被選択酸化層１０７ａが挿入されている。この被選択酸化層１０７ａは、上側ＤＢＲ層１０７の上下方向の中央部よりも下寄りの部分（活性層１０５付近の電界の定在波分布における節に対応する位置）に挿入されている。また、被選択酸化層１０７ａは、電流狭窄層として機能するＡｌ酸化物からなる領域１０７ｂと、電流通過層として機能する酸化されていない領域１０７ｃとを有する。この酸化されていない領域１０７ｃは、被選択酸化層１０７ａの中央部において、Ａｌ酸化物からなる領域１０７ｂに取り囲まれている。また、酸化されていない領域１０７ｃは、１辺の長さが約４μｍの略正方形形状を有する。なお、コンタクト層１０８は、ｐ型のＧａＡｓからなる層である。また、保護層１０９は、ＳｉＮを主成分とする材料からなる単層構造の層である。
【００２９】
次に、図１０〜図１８を参照して、第１実施形態によるレーザチップ１００の製造プロセスについて説明する。
【００３０】
まず、図１０に示すように、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）または分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）を用いた結晶成長により、半導体基板１０１の上面に、バッファ層１０２と、下側ＤＢＲ層１０３と、下側スペーサ層１０４と、活性層１０５と、上側スペーサ層１０６と、上側ＤＢＲ層１０７と、コンタクト層１０８とをこの順番で積層する。このとき、上側ＤＢＲ層１０７の中央部よりも下寄りの位置に、被選択酸化層１０７ａを挿入しておく。なお、ＭＯＣＶＤ法を用いて上記工程を行う場合では、ＩＩＩ族の原料として、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）や、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）や、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）などを用いるとともに、Ｖ族の原料として、ホスフィン（ＰＨ３）やアルシン（ＡｓＨ３）などを用いるのが好ましい。また、ｐ型ドーパントの原料として、四臭化炭素（ＣＢｒ４）を用いるとともに、ｎ型ドーパントの原料として、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）などを用いるのが好ましい。
【００３１】
次に、上記図１０に示した構造体に上面からエッチング（たとえば、Ｃｌ２ガスを用いたＥＣＲエッチング）を施して、レーザ光を発する発光部２０（図７参照）として機能する部分以外の部分を、下側スペーサ層１０４の途中まで除去する。この工程においては、発光部２０として機能する部分まで除去されないように、１辺が約２５μｍの正方形形状のレジストパターンをフォトマスクとして用いる。このようにして、図１１に示すようなメサ構造体を作製する。その後、エッチングに用いたフォトマスクを除去する。
【００３２】
次に、上記図１１に示したメサ構造体を水蒸気中で熱処理して、被選択酸化層１０７ａに含まれるＡｌを外側から選択的に酸化する。これにより、図１２に示すように、被選択酸化層１０７ａの外周側に電流狭窄層として機能するＡｌ酸化物からなる領域１０７ｂを形成するとともに、被選択酸化層１０７ａの中央部に電流通過層として機能する酸化されていない領域１０７ｃを形成する。
【００３３】
次に、図１３に示すように、気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、上記図１２に示したメサ構造体の表面に保護層１０９を形成する。次に、コンタクト層１０８を覆う保護層１０９に超高純度バッファードフッ酸（ＢＨＦ）を用いたエッチングを施す。これにより、図１４に示すように、コンタクト層１０８の上面から保護層１０９を除去して、コンタクト層１０８の上面の発光部２０として機能する領域を露出させる。
【００３４】
次に、図１５に示すように、保護層１０９の上面に導電層１１０を形成する。具体的には、コンタクト層１０８の上面の発光部２０として機能する領域に１辺が約１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、Ｃｒを主成分とする層１１１と、ＡｕＺｎを主成分とする層１１２と、Ａｕを主成分とする層１１３とをこの順番で保護層１０９の上面に積層する。これにより、ｐ側電極５１と電極パッド３０と配線部４０とを同時に形成する。
【００３５】
次に、図１６に示すように、半導体基板１０１の厚みが所定の厚み（たとえば、約２００μｍ）になるように半導体基板１０１の下面を研磨して、その研磨した半導体基板１０１の下面に、ｐ側電極５１に対応するｎ側電極５２を形成する。なお、ｎ側電極５２は、ＡｕＧｅからなる層と、Ｎｉからなる層と、Ａｕからなる層とからなる多層膜である。
【００３６】
次に、上記図１６に示したメサ構造体にアニーリング処理を施して、ｐ側電極５１とｎ側電極５２とのオーミック導通をとる。これにより、コンタクト層１０８の上面の露出された領域（ｐ側電極５１に囲まれた領域）が、レーザ光を発する発光部２０として機能するようになる。そして、このように作製された構造体を劈開して、複数のレーザチップ１００を形成する。
【００３７】
ここで、上記アニーリング処理を施す工程においては、ｐ側電極５１、電極パッド３０および配線部４０を構成する導電層１１０の上面に、図１７に示すような突起状の不純物１１１ａが形成される。すなわち、上記工程においては、導電層１１０のＣｒを主成分とする層１１１に含まれるＣｒが熱により拡散されて、Ａｕを主成分とする層１１３の上面にＣｒが析出する。そして、Ａｕを主成分とする層１１３の上面に析出したＣｒが大気中の酸素と反応してＣｒ酸化物となる。これにより、図１７に示すように、Ａｕを主成分とする層１１３の上面に、ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａが形成される。
【００３８】
次に、導電層１１０のうちの電極パッド３０を構成する部分（セラミックパッケージ１５０（図３参照）のリード端子１５２にボンディングワイヤを介して接続される部分）にエッチングを施して、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面から、上記突起状の不純物１１１ａ（図１７参照）を除去する。具体的には、まず、図１８に示すように、導電層１１０のうちの電極パッド３０を構成する部分以外の部分を、レジストマスクＲＭにより覆う。そして、この状態で、硝酸第二セリウムアンモニウムや過塩素酸や水などを用いたエッチングを行って、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面から、上記突起状の不純物１１１ａ（図１７参照）を除去する。なお、この工程では、レジストマスクＲＭを、導電層１１０のうちの電極パッド３０を構成する部分のみを露出させるように形成するのが好ましい。すなわち、レジストマスクＲＭを、発光部２０を含む部分（電極パッド３０よりも内側の部分）だけでなく、レーザチップ１００の端部（劈開される端面）をも覆うように形成するのが好ましい。
【００３９】
第１実施形態では、上記のように、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面が、ｐ側電極５１および配線部４０のＡｕを主成分とする層１１３の上面よりも、Ｃｒの存在量が少ないことによって、レーザチップ１００の製造プロセスにおいて電極パッド３０の表面（Ａｕを主成分とする層１１３の上面）に生じる異物（ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａ）を少なくすることができる。これにより、電極パッド３０の表面に外部（セラミックパッケージ３００のリード端子１５２）との電気的接続をとるためのボンディングワイヤを接着する場合において、電極パッド３０の表面からボンディングワイヤが剥がれるのを抑制することができるので、レーザチップ１００の製造の歩留まりを向上させることができる。その結果、レーザチップ１００の低コスト化を図ることができる。
【００４０】
また、第１実施形態では、上記のように、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面にエッチングが施されることにより、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面から、ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａが除去されている。これにより、エッチングによって、容易にかつ確実に、電極パッド３０のＡｕを主成分とする層１１３の上面から、ＣｒまたはＣｒ酸化物からなる突起状の不純物１１１ａを除去することができる。
【００４１】
ここで、本願発明者らは、第１実施形態の効果を確認するための実験を以下のように行った。具体的には、まず、本願発明者らは、第１実施形態と同様の構成を有するレーザチップ（３２個の電極パッドを有するレーザチップ）を５０個作製した。この実験においては、全てのレーザチップの電極パッド上に異物は確認されなかった。また、全てのレーザチップの電極パッドにおいてボンディングワイヤの剥がれが起こらなかった。
【００４２】
また、本願発明者らは、比較実験として、電極パッド上の異物を除去していないレーザチップを５０個作製した。この比較実験では、５０個中３０個以上のレーザチップで、少なくとも１本以上のボンディングワイヤの剥がれが起こった。
【００４３】
このようにして、本願発明者らは、第１実施形態によれば、電極パッドからのボンディングワイヤの剥がれが抑制され、レーザチップの製造の歩留まりが向上するという効果を奏することを確認した。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、図８および図１９を参照して、本発明の第２実施形態によるレーザチップ２００の構成について説明する。なお、レーザチップ２００は、本発明の「光デバイス」の一例である。
【００４５】
図１９に示すように、第２実施形態においても、上記第１実施形態と同様に、レーザチップ２００は、半導体基板１０１と、バッファ層１０２と、下側ＤＢＲ層１０３と、下側スペーサ層１０４と、活性層１０５と、上側スペーサ層１０６と、被選択酸化層１０７ａを含む上側ＤＢＲ層１０７と、コンタクト層１０８と、保護層１０９と、導電層１１０とを備える。また、図８に示すように、導電層１１０は、Ｃｒを主成分とする層１１１と、ＡｕＺｎを主成分とする層１１２と、Ａｕを主成分とする層１１３とがこの順番で下から積層された三層構造を有する。
【００４６】
ここで、図１９に示すように、第２実施形態では、上記第１実施形態とは異なり、導電層１１０のうちの電極パッド３０を構成する部分と、保護層１０９との間に、Ｃｒが拡散しやすい拡散層１２０が形成されている。すなわち、拡散層１２０は、電極パッド３０のＣｒを主成分とする層１１１（図８参照）の下面にのみ形成されている。なお、拡散層１２０は、ＳｉＯ２を主成分とする材料により構成されている。また、拡散層１２０は、プラズマＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いた低温ＣＶＤ法などにより形成されている。
【００４７】
なお、第２実施形態のその他の構成は、上記第１実施形態と同様である。
【００４８】
第２実施形態では、上記のように、電極パッド３０のＣｒを主成分とする層１１１の下面に、Ｃｒが拡散しやすい材料（ＳｉＯ２）を主成分とする拡散層１２０が形成されていることによって、レーザチップ２００の製造プロセスにおいて熱処理（アニーリング処理）を行った場合でも、Ｃｒを主成分とする層１１１中のＣｒが、Ａｕを主成分とする層１１３側ではなく、ＳｉＯ２を主成分とする拡散層１２０側に拡散される。これにより、電極パッド３０の表面（Ａｕを主成分とする層１１３の上面）にＣｒなどからなる異物が形成されるのを効果的に抑制することができる。
【００４９】
なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５０】
ここで、本願発明者らは、第２実施形態の効果を確認するために、以下のような実験を行った。具体的には、本願発明者らは、第２実施形態と同様の構成を有するレーザチップ（電極パッドの下面に拡散層が形成されたレーザチップ）を５０個作製した。この実験においては、電極パッド上の異物は少量確認されたのみであり、電極パッド上のＣｒの含有量は、配線部上のＣｒの含有量よりも少なかった。また、全てのレーザチップの電極パッドにおいてボンディングワイヤの剥がれが起こらなかった。
【００５１】
このようにして、本願発明者らは、第２実施形態によっても、上記第１実施形態と同様に、電極パッドからのボンディングワイヤの剥がれが抑制され、レーザチップの製造の歩留まりが向上するという効果を奏することを確認した。
【００５２】
（第３実施形態）
次に、図８および図２０を参照して、本発明の第３実施形態によるレーザチップ３００の構成について説明する。なお、レーザチップ３００は、本発明の「光デバイス」の一例である。
【００５３】
図２０に示すように、第３実施形態においても、上記第２実施形態と同様に、レーザチップ３００は、半導体基板１０１と、バッファ層１０２と、下側ＤＢＲ層１０３と、下側スペーサ層１０４と、活性層１０５と、上側スペーサ層１０６と、被選択酸化層１０７ａを含む上側ＤＢＲ層１０７と、コンタクト層１０８と、保護層１０９と、導電層１１０とを備える。また、導電層１１０のうちの電極パッド３０を構成する部分の下面に、ＳｉＯ２を主成分とする材料からなる拡散層１２０が形成されている。なお、図８に示すように、導電層１１０は、Ｃｒを主成分とする層１１１と、ＡｕＺｎを主成分とする層１１２と、Ａｕを主成分とする層１１３とがこの順番で下から積層された三層構造を有する。
【００５４】
ここで、図２０に示すように、第３実施形態では、コンタクト層１０８の上面のｐ側電極５１に取り囲まれた部分（発光部２０として機能する部分）が露出された上記第２実施形態（図１９参照）と異なり、コンタクト層１０８の上面が、導電層１１０の下面（Ｃｒを主成分とする層１１１（図８参照）の下面）に形成された保護層１０９により覆われている。そして、第３実施形態では、コンタクト層１０８の上面のうちの、保護層１０９に覆われるとともにｐ側電極５１に囲まれた部分が、レーザ光を発する発光部２１として機能する。このコンタクト層１０８を覆う保護層１０９は、発光部２１の機能（光学的特性）に影響を与えないように形成されている。具体的には、保護層１０９は、ＳｉＮを主成分とする材料からなり、単層構造を有する。また、保護層１０９の厚みは、発振波長をλとした場合に、λ／４の奇数倍に設定されている。
【００５５】
なお、第３実施形態のその他の構成は、上記第２実施形態と同様である。
【００５６】
第３実施形態では、上記のように、ｐ側電極５１、配線部４０および電極パッド３０の下面に形成された単層構造の保護層１０９が、発光部２１を覆うように形成されていることによって、単層構造の保護層１０９により、発光部２１の光学的特性に悪影響を与えるのを抑制しながら、発光部２１を保護することができる。
【００５７】
なお、第３実施形態のその他の効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００５８】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５９】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、感光体ドラムが１つだけ設けられたレーザプリンタ（図１参照）に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明は、図２１に示すような、感光体ドラム２０４１を複数有するカラープリンタ２０００にも適用可能である。なお、カラープリンタ２０００は、本発明の「画像形成装置」の一例である。
【００６０】
図２１に示す変形例によるカラープリンタ２０００は、Ｙ（Ｙｅｌｌｏｗ）、Ｍ（Ｍａｇｅｎｔａ）、Ｃ（Ｃｙａｎ）およびＫ（Ｂｌａｃｋ）の４色にそれぞれ対応する４つの感光体ドラム２０４１を備える。これら４つの感光体ドラム２０４１は、搬送ベルト２０３０の延びる方向に沿って一列に配置されている。すなわち、カラープリンタ２０００は、いわゆるタンデム型の画像形成装置である。また、４つの感光体ドラム２０４１のそれぞれの近傍には、トナーカートリッジ２０４２や、帯電器２０４３や、転写器２０４５や、クリーナユニット２０４６などが設けられている。
【００６１】
また、図２１に示すように、カラープリンタ２０００は、４つの感光体ドラム２０４１に対して上位装置（図示せず）からのカラー画像情報に応じた光（図１の矢印付きの点線参照）を走査する光走査部２０５０を備える。なお、光走査部２０５０は、本発明の「光走査装置」の一例である。ここで、図２１には図示していないが、この光走査部２０５０も、上記第１〜第３実施形態と同様に、レーザチップなどの光デバイスを含む光源部と、光源部からの光を偏向するための光偏向器と、光偏向器により偏向された光を集光して走査するための走査光学系とを含む。そして、光デバイスは、電極パッドの表面からボンディングワイヤが剥がれるのを抑制し、光デバイスの製造の歩留まりを向上させることが可能な構造を有する。なお、この光走査部２０５０では、光デバイスは、Ｙ（Ｙｅｌｌｏｗ）、Ｍ（Ｍａｇｅｎｔａ）、Ｃ（Ｃｙａｎ）およびＫ（Ｂｌａｃｋ）の４色に対応するように４つ設けられている。
【００６２】
また、本発明は、レーザプリンタやカラープリンタ以外の画像形成装置にも適用可能である。たとえば、本発明は、レーザ光によって発色する媒体（用紙など）に直接レーザ光を照射する画像形成装置に適用可能である。また、本発明は、いわゆるＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）に用いる画像形成装置にも適用可能である。すなわち、本発明は、レーザアブレーションによって印刷版材料に直接画像形成を行うことにより形成された印刷版を用いる画像形成装置にも好適である。
【００６３】
また、本発明は、媒体としていわゆるリライタブルペーパーやカラーリライタブルペーパーなどを用いた画像形成装置にも適用可能である。なお、リライタブルペーパーおよびカラーリライタブルペーパーとは、照射するレーザ光のエネルギーを制御して発色に可逆性を与えることにより、表示および消去を可逆的に行うことが可能な媒体のことである。
【００６４】
また、本発明は、感光体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。このような画像形成装置として、光製版装置や、ＣＴスキャン画像などを描画する光描画装置などが挙げられる。
【００６５】
また、上記第１〜第３実施形態では、レーザチップの発光部の個数が３２個である例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、発光部の個数が３１個以下であってもよいし、３３個以上であってもよい。
【００６６】
また、上記第１〜第３実施形態では、レーザチップの発振波長が７８０ｎｍ帯である例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、感光体の特性に応じて、発振波長の波長帯を種々に変更してもよい。
【００６７】
また、上記第１〜第３実施形態では、レーザチップを画像形成装置の一例としてのレーザプリンタに用いる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明のレーザチップ（光デバイス）は、画像形成装置以外の用途にも使用可能である。この場合、レーザチップの発振波長の波長帯を用途に応じて種々に変更するのが好ましい。たとえば、発振波長の波長帯を、６５０ｎｍ帯や、８５０ｎｍ帯や、９８０ｎｍ帯や、１．３μｍ帯や、１．５μｍ帯などに設定してもよい。
【００６８】
なお、発振波長の波長帯を６５０ｎｍ帯に設定する場合では、活性層を構成する半導体材料として、ＡｌＧａＩｎＰ系混晶半導体材料を用いることができる。また、発振波長の波長帯を９８０ｎｍ帯に設定する場合では、活性層を構成する半導体材料として、ＩｎＧａＡｓ系混晶半導体材料を用いることができる。また、発振波長の波長帯を１．３μｍ帯または１．５μｍ帯に設定する場合では、活性層を構成する半導体材料として、ＧａＩｎＮＡｓ（Ｓｂ）系混晶半導体材料を用いることができる。
【符号の説明】
【００６９】
２０、２１  発光部
３０  電極パッド
４０  配線部
５１  ｐ側電極（電極）
１００、２００、３００  レーザチップ（光デバイス）
１０９  保護層
１１１  Ｃｒを主成分とする層（第２の層）
１１１ａ  突起状の不純物
１１３  Ａｕを主成分とする層（第１の層）
１２０  拡散層
１０００  レーザプリンタ（画像形成装置）
１０４１、２０４１  感光体ドラム（感光体）
１０５０、２０５０  光走査部（光走査装置）
１０５２  光源部
１０５７  ポリゴンミラー（光偏向器）
１０５８、１０５９  走査レンズ（走査光学系）
２０００  カラープリンタ（画像形成装置）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００７０】
【特許文献１】特開２０１２−２３１０７号公報
【図１】
2014175552.tif 000003
【図２】
2014175552.tif 000004
【図３】
2014175552.tif 000005
【図４】
2014175552.tif 000006
【図５】
2014175552.tif 000007
【図６】
2014175552.tif 000008
【図７】
2014175552.tif 000009
【図８】
2014175552.tif 000010
【図９】
2014175552.tif 000011
【図１０】
2014175552.tif 000012
【図１１】
2014175552.tif 000013
【図１２】
2014175552.tif 000014
【図１３】
2014175552.tif 000015
【図１４】
2014175552.tif 000016
【図１５】
2014175552.tif 000017
【図１６】
2014175552.tif 000018
【図１７】
2014175552.tif 000019
【図１８】
2014175552.tif 000020
【図１９】
2014175552.tif 000021
【図２０】
2014175552.tif 000022
【図２１】
2014175552.tif 000023