(57)【要約】【課題】屈曲性の向上と屈曲異方性の抑制を図ることが可能な撚線導体を提供する。【解決手段】撚線導体１０Ａは、中心素線２１と、中心素線２１の周囲に配置された複数の素線３１，５１，６１Ａと、を備えており、全ての素線３１，５１，６１Ａの直径ｄ１，ｄ３，ｄ４Ａは、中心素線２１の直径ｄ０以下であり、素線３１，５１，６１Ａは、撚線導体の外層５０を構成する複数の外側素線５１を含み、全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であり、複数の外側素線５１は、外側素線５１の中心が仮想円５２Ａ上に位置するように配置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心素線と、前記中心素線の周囲に配置された複数の素線と、を備えた撚線導体であって、
全ての前記素線の直径は、前記中心素線の直径以下であり、
前記素線は、前記撚線導体の外層を構成する複数の外側素線を含み、
全ての前記外側素線の直径が実質的に同一であり、
複数の前記外側素線は、前記外側素線の中心が仮想円上に位置するように配置されていることを特徴とする撚線導体。
【請求項２】
請求項１に記載の撚線導体であって、
前記素線は、
前記外層の内側に位置して前記中心素線を囲む内層を構成する内側素線と、
前記内層と前記外層との間に設けられた中間素線と、を含んでおり、
前記中間素線は、相互に接触する前記内側素線の間に形成された谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触していることを特徴とする撚線導体。
【請求項３】
請求項１に記載の撚線導体であって、
前記素線は、
前記中心素線を囲む第１の内層を構成する第１の内側素線と、
前記外層の内側に位置して前記第１の内層を囲む第２の内層を構成する第２の内側素線と、
前記内層と前記外層との間に設けられた第１及び第２の中間素線と、を含んでおり、
記第１の中間素線は、相互に接触する前記第２の内側素線の間に形成された谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触し、
前記第２の中間素線は、相互に隣り合う前記第１の中間素線の間に配置されていると共に、前記第２の内側素線及び前記外側素線と接触していることを特徴とする撚線導体。
【請求項４】
複数の中心素線から構成される中心層と、前記中心層の周囲に配置された複数の素線と、を備えた撚線導体であって、
全ての前記素線の直径は、前記中心素線の直径以下であり、
前記素線は、前記撚線導体の外層を構成する複数の外側素線を含んでおり、
全ての前記外側素線の直径が実質的に同一であり、
複数の前記外側素線は、前記外側素線の中心が仮想円上に位置するように配置されていることを特徴とする撚線導体。
【請求項５】
請求項４に記載の撚線導体であって、
前記素線は、前記中心層と前記外層との間に設けられた第１及び第２の中間素線を含んでおり、
前記第１の中間素線は、相互に接触する前記中心素線の間に形成された第１の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触しており、
前記第２の中間素線は、相互に接触する前記中心素線と前記第１の中間素線の間に形成された第２の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触していることを特徴とする撚線導体。
【請求項６】
請求項４に記載の撚線導体であって、
前記素線は、前記中心層と前記外層との間に設けられた第１、第２及び第３の中間素線を含んでおり、
前記第１の中間素線は、前記中心素線に接触すると共に前記外側素線に接触しており、
前記第２の中間素線は、相互に接触する前記中心素線の間に形成された第１の谷間部に配置されていると共に、相互に接触する前記第１の中間素線の間に形成された第２の谷間部に配置されており、
前記第３の中間素線は、相互に接触する前記中心素線と前記第２の中間素線の間に形成された第３の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線に接触していることを特徴とする撚線導体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撚線導体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
軽量化や低コスト化のために、異なる直径の素線を外層に配置して外形を概ね円形とした撚線導体が知られている（例えば特許文献１や特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１７４７７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１９０７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前者の撚線導体では、中心素線よりも太い素線が外層に使用されているため、屈曲性が劣るという問題がある。一方、後者の撚線導体では、外層が異なる直径の素線で構成されているため、曲げる方向に応じて屈曲性が変わってしまうという屈曲異方性の問題がある。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、屈曲性の向上と屈曲異方性の抑制を図ることが可能な撚線導体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
［１］本発明に係る撚線導体は、中心素線と、前記中心素線の周囲に配置された複数の素線と、を備えた撚線導体であって、全ての前記素線の直径は、前記中心素線の直径以下であり、前記素線は、前記撚線導体の外層を構成する複数の外側素線を含み、全ての前記外側素線の直径が実質的に同一であり、複数の前記外側素線は、前記外側素線の中心が仮想円上に位置するように配置されていることを特徴とする。
【０００７】
［２］上記発明において、前記素線は、前記外層の内側に位置して前記中心素線を囲む内層を構成する内側素線と、前記内層と前記外層との間に設けられた中間素線と、を含んでおり、前記中間素線は、相互に接触する前記内側素線の間に形成された谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触していてもよい。
【０００８】
［３］上記発明において、前記素線は、前記中心素線を囲む第１の内層を構成する第１の内側素線と、前記外層の内側に位置して前記第１の内層を囲む第２の内層を構成する第２の内側素線と、前記内層と前記外層との間に設けられた第１及び第２の中間素線と、を含んでおり、前記第１の中間素線は、相互に接触する前記第２の内側素線の間に形成された谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触し、前記第２の中間素線は、相互に隣り合う前記第１の中間素線の間に配置されていると共に、前記第２の内側素線及び前記外側素線と接触していてもよい。
【０００９】
［４］また、本発明に係る撚線導体は、複数の中心素線から構成される中心層と、前記中心層の周囲に配置された複数の素線と、を備えた撚線導体であって、全ての前記素線の直径は、前記中心素線の直径以下であり、前記素線は、前記撚線導体の外層を構成する複数の外側素線を含んでおり、全ての前記外側素線の直径が実質的に同一であり、複数の前記外側素線は、前記外側素線の中心が仮想円上に位置するように配置されていることを特徴とする。
【００１０】
［５］上記発明において、前記素線は、前記中心層と前記外層との間に設けられた第１及び第２の中間素線を含んでおり、前記第１の中間素線は、相互に接触する前記中心素線の間に形成された第１の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触しており、前記第２の中間素線は、相互に接触する前記中心素線と前記第１の中間素線の間に形成された第２の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線と接触していてもよい。
【００１１】
［６］上記発明において、前記素線は、前記中心層と前記外層との間に設けられた第１、第２及び第３の中間素線を含んでおり、前記第１の中間素線は、前記中心素線に接触すると共に前記外側素線に接触しており、前記第２の中間素線は、相互に接触する前記中心素線の間に形成された第１の谷間部に配置されていると共に、相互に接触する前記第１の中間素線の間に形成された第２の谷間部に配置されており、前記第３の中間素線は、相互に接触する前記中心素線と前記第２の中間素線の間に形成された第３の谷間部に配置されていると共に、前記外側素線に接触していてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、全ての素線の直径が中心素線の直径以下であるので、撚線導体の屈曲性の向上を図ることができる。
【００１３】
また、本発明によれば、外層を構成する全ての外側素線が実質的に同一の直径を有しているので、撚線導体の屈曲時に生じる異方性の抑制を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態における撚線導体の断面図である。
【図２】図２は、図１のII部の拡大図である。
【図３】図３は、本発明の第２実施形態における撚線導体の断面図である。
【図４】図４は、図３のIV部の拡大図である。
【図５】図５は、本発明の第３実施形態における撚線導体の断面図である。
【図６】図６は、図５のVI部の拡大図である。
【図７】図７は、本発明の第４実施形態における撚線導体の断面図である。
【図８】図８は、図７のVIII部の拡大図である。
【図９】図９は、本発明の第５実施形態における撚線導体の断面図である。
【図１０】図１０は、図９のX部の拡大図である。
【図１１】図１１は、本発明の第６実施形態における撚線導体の断面図である。
【図１２】図１２は、図１１のXII部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
<<第１実施形態>>
図１は本発明の第１実施形態における撚線導体の断面図、図２は図１のII部の拡大図である。
【００１７】
本発明の第１実施形態における撚線導体１０Ａは、図１に示すように、１心の中心素線２１と、中心素線２１を囲む内層３０と、内層３０を囲む外層５０Ａと、を備えている。この撚線導体１０Ａは、例えば、絶縁層８０で被覆された絶縁電線等の用途に用いられる。
【００１８】
中心素線２１は、直径ｄ０の円形の断面形状を有している。また、この中心素線２１は、撚線導体１０Ａの中心に位置しており、この中心素線２１の中心と撚線導体１０Ａの中心とが実質的に一致している。この中心素線２１を構成する材料としては、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等を例示することができ、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。
【００１９】
なお、後述する中心素線２１以外の素線３１，５１，６１Ａも、上述の材料で構成されているが、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００２０】
内層３０は、６心の内側素線３１から構成されており、それぞれの内側素線３１は、直径ｄ１の円形の断面形状を有している。この内側素線３１の直径ｄ１は、上述の中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一となっている（ｄ１＝ｄ０）。なお、特にこれに限定されず、内側素線３１の直径ｄ１が、中心素線２１の直径ｄ０未満であってもよい（ｄ１＜ｄ０）。
【００２１】
この内層３０を構成する全ての内側素線３１が中心素線２１に接触していると共に、相互に隣り合う内側素線３１同士が接触している。その結果、６心の内側素線３１が中心素線２１を囲んでいる。
【００２２】
外層５０Ａは、１８心の外側素線５１から構成されており、それぞれの外側素線５１は、直径ｄ３の円形の断面形状を有している。全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有しており、この直径ｄ３は、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ３＜ｄ０）。なお、外側素線５１の直径ｄ３が、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ３＝ｄ０）、外側素線５１の直径ｄ３が中心素線２１の直径ｄ０よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００２３】
本実施形態では、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ａ上に位置しており、その結果、１８心の外側素線５１が内層３０を囲んでいる。この仮想円５２Ａは、上述の中心素線２１や撚線導体１０Ａと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。外側素線５１は、仮想円５２Ａ上において２心置きに内側素線３１と接触している。
【００２４】
さらに、本実施形態では、内層３０と外層５０Ａとの間に中間素線６１Ａが設けられている。この中間素線６１Ａは、内側素線３１と外側素線５１の間に形成された間隙を埋めるように配置されている。
【００２５】
具体的には、図２に示すように、この中間素線６１Ａは、内層２０の第１の谷間部７１Ａに配置されていると共に、外層５０Ａの第２の谷間部７２Ａに配置されている。第１の谷間部７１Ａは、相互に接触している内側素線３１同士の間にそれぞれ形成されており、第２の谷間部７２Ａも、相互に接触している外側素線５１同士の間にそれぞれ形成されている。このように、中間素線６１Ａは、相互に対向する一対の谷間部７１Ａ，７２Ａの間に介在しており、当該内側素線３１に接触していると共に、当該外側素線５１にも接触している。
【００２６】
それぞれの中間素線６１Ａは、直径ｄ４Ａの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ａは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ａ＜ｄ０）。なお、中間素線６１Ａの直径ｄ４Ａが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ａ＝ｄ０）、中間素線６１Ａの直径ｄ４Ａが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００２７】
特に図示しないが、以上に説明した素線３１，５１，６１Ａを、中心素線２１を中心として相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ａが形成されている。
【００２８】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ａを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ａ上に位置しているので、図１に示すように、撚線導体１０Ａの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【００２９】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線３１，５１，６１Ａが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ１≦ｄ０，ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ａ≦ｄ０）、撚線導体１０Ａを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ａの屈曲性の向上を図ることができる。
【００３０】
さらに、本実施形態では、外層５０Ａを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ａ上に位置しているので、撚線導体１０Ａの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【００３１】
<<第２実施形態>>
図３は本発明の第２実施形態における撚線導体の断面図、図４は図３のIV部の拡大図である。
【００３２】
本発明の第２実施形態における撚線導体１０Ｂは、図３に示すように、１心の中心素線２１と、中心素線２１を囲む第１の内層３０と、第１の内層３０を囲む第２の内層４０と、第２の内層４０を囲む外層５０Ｂと、第２の内層４０と外層５０Ｂの間に設けられた第１及び第２の中間素線６１Ｂ，６２Ｂと、を備えている。
【００３３】
なお、本実施形態における中心素線２１及び第１の内層３０は、第１実施形態で説明した中心素線２１及び内層３０とそれぞれ同様の構成である。
【００３４】
第２の内層４０は１２心の第２の内側素線４１から構成されており、それぞれの第２の内側素線４１は直径ｄ２の円形の断面形状を有している。この第２の内側素線４１の直径ｄ２は、上述の中心素線２１の直径と実質的に同一となっている（ｄ２＝ｄ０）。なお、特にこれに限定されず、第２の内側素線４１の直径ｄ２が、中心素線２１の直径ｄ０未満であってもよい（ｄ２＜ｄ０）。
【００３５】
全ての第２の内側素線４１は、第１の内層３０を構成する第１の内側素線３１に接触していると共に、相互に隣り合う第２の内側素線４１同士が接触している。その結果、１２心の第２の内側素線４１が第１の内層３０を囲んでいる。
【００３６】
この第２の内側素線４１は、上述の中心素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第２の内側素線４１を、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００３７】
本実施形態における外層５０Ｂは、２４心の外側素線５１から構成されている。この外側素線５１は、第１実施形態で説明した外側素線５１と同様の構成であり、全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有している。
【００３８】
また、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｂ上に位置しており、その結果、２４心の外側素線５１が第２の内層４０を囲んでいる。この仮想円５２Ｂは、中心素線２１や撚線導体１０Ｂと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。本実施形態では、外側素線５１は、仮想円５２Ｂ上において３心置きに第２の内側素線４１と接触している。
【００３９】
本実施形態では、図４に示すように、第１及び第２の中間素線６１Ｂ，６２Ｂが、第２の内側素線４１と外側素線５１の非接触部分を埋めるように、第２の内層４０と外層５０Ｂの間に配置されている。
【００４０】
第１の中間素線６１Ｂは谷間部７１Ｂに配置されており、この谷間部７１Ｂは、相互に接触している第２の内側素線４１同士の間に形成されている。この第１の中間素線６１Ｂは、第２の内側素線４１に非接触の外側素線５１と接触している。
【００４１】
この第１の中間素線６１Ｂは、直径ｄ４Ｂの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ｂは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ｂ＜ｄ０）。なお、第１の中間素線６１Ｂの直径ｄ４Ｂが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ｂ＝ｄ０）、第１の中間素線６１Ｂの直径ｄ４Ｂが中心素線２１の直径ｄ０よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００４２】
相互に隣り合う一対の第１の中間素線６１Ｂの間には、２つの第２の中間素線６２Ｂが介在しており、当該一対の第２の中間素線６２Ｂは相互に接触している。この２つの第２の中間素線６２Ｂは、第２の内側素線４１にそれぞれ接触していると共に、第２の内側素線４１及び第１の中間素線６１Ｂのいずれにも非接触の外側素線５１にそれぞれ接触している。
【００４３】
この第２の中間素線６２Ｂは、直径ｄ５Ｂの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ５Ｂは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ５Ｂ＜ｄ０）。なお、第２の中間素線６２Ｂの直径ｄ５Ｂが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ５Ｂ＝ｄ０）、第２の中間素線６２Ｂの直径ｄ５Ｂが中心素線２１の直径ｄ０よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００４４】
第１及び第２の中間素線６１Ｂ，６２Ｂは、上述の中間素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第１及び第２の中間素線６１Ｂ，６２Ｂを、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００４５】
特に図示しないが、以上に説明した素線３１，４１，５１，６１Ｂ，６２Ｂを、中心素線２１を中心として相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ｂが形成されている。
【００４６】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ｂを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｂ上に位置しているので、図３に示すように、撚線導体１０Ｂの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線３１，４１，５１，６１Ｂ，６２Ｂが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ１≦ｄ０，ｄ２≦ｄ０，ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ｂ≦ｄ０，ｄ５Ｂ≦ｄ０）、撚線導体１０Ｂを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ｂの屈曲性の向上を図ることができる。
【００４８】
さらに、本実施形態では、外層５０Ｂを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｂ上に位置しているので、撚線導体１０Ｂの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【００４９】
<<第３実施形態>>
図５は本発明の第３実施形態における撚線導体の断面図、図６は図５のVI部の拡大図である。
【００５０】
本実施形態における撚線導体１０Ｃは、図５に示すように、中心層２０と、中心層２０を囲む外層５０Ｃと、中心層２０と外層５０Ｃの間に設けられた第１及び第２の中間素線６１Ｃ，６２Ｃと、を備えている。
【００５１】
中心層２０は、３心の中心素線２１から構成されており、全ての中心素線２１が相互に接触するように配置されている。この中心層２０は撚線導体１０Ｃの中心に設けられており、この中心層２０の中心と撚線導体１０Ｃの中心とが実質的に一致している。この中心層２０を構成している中心素線２１は、第１実施形態で説明した中心素線２１と同様の構成である。
【００５２】
外層５０Ｃは、１２心の外側素線５１から構成されている。この外層５０Ｃを構成する外側素線５１は、第１実施形態で説明した外側素線５１と同様の構成であり、当該外層５０Ｃを構成する全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有している。
【００５３】
また、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｃ上に位置しており、その結果、１２心の外側素線５１が中心層２０を囲んでいる。この仮想円５２Ｃは、中心層２０や撚線導体２０Ｃと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。本実施形態では、相互に隣接する２心の外側素線５１が中心素線２１に接触し、且つ、それに連なる２心の外側素線５１が中心素線２１と非接触であるパターンを繰り返すように、１２心の外側素線５１が仮想円５２Ｃ上に配置されている。
【００５４】
本実施形態では、図６に示すように、第１及び第２の中間素線６１Ｃ，６２Ｃが、中心素線２１と外側素線５１との間に形成された間隙を埋めるように、中心層２０と外層５０Ｃとの間に配置されている。
【００５５】
第１の中間素線６１Ｃは、中心層２０の第１の谷間部７１Ｃに配置されていると共に、外層５０Ｃの第３の谷間部７３Ｃに配置されている。第１の谷間部７１Ｃは、相互に接触している中心素線２１同士の間にそれぞれ形成されており、第３の谷間部７３Ｃも、相互に接触している外側素線５１同士の間にそれぞれ形成されている。このように、第１の中間素線６１Ｃは、相互に対向する一対の谷間部７１Ｃ，７３Ｃの間に介在しており、当該中心素線２１に接触していると共に、当該外側素線５１にも接触している。
【００５６】
この第１の中間素線６１Ｃは、直径ｄ４Ｃの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ｃは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ｃ＜ｄ０）。なお、第１の中間素線６１Ｃの直径ｄ４Ｃが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ｃ＝ｄ０）、第１の中間素線６１Ｃの直径ｄ４Ｃが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００５７】
一方、第２の中間素線６２Ｃは第２の谷間部７２Ｃに配置されており、この第２の谷間部７２Ｃは、相互に接触している中心素線２１と第１の中間素線６１Ｃとの間に形成されている。この第２の中間素線６２Ｃは、第１の中間素線６１Ｃに接触している外側素線５１と接触している。
【００５８】
この第２の中間素線６２Ｃは、直径ｄ５Ｃの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ５Ｃは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ５Ｃ＜ｄ０）。なお、第２の中間素線６２Ｃの直径ｄ５Ｃが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ５Ｃ＝ｄ０）、第２の中間素線６１Ｃの直径ｄ５Ｃが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００５９】
第１及び第２の中間素線６１Ｃ，６２Ｃは、上述の中間素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第１及び第２の中間素線６１Ｃ，６２Ｃを、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００６０】
特に図示しないが、以上に説明した中心素線２１、外側素線５１及び中間素線６１Ｃ，６２Ｃを相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ｃが形成されている。
【００６１】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ｃを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｃ上に位置しているので、図５に示すように、撚線導体１０Ｃの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【００６２】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線５１，６１Ｃ，６２Ｃが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ｃ≦ｄ０，ｄ５Ｃ≦ｄ０）、撚線導体１０Ｃを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ｃの屈曲性の向上を図ることができる。
【００６３】
さらに、本実施形態では、外層５０Ｃを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｃ上に位置しているので、撚線導体１０Ｃの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【００６４】
<<第４実施形態>>
図７は本発明の第４実施形態における撚線導体の断面図、図８は図７のVIII部の拡大図である。
【００６５】
本実施形態における撚線導体１０Ｄは、図７に示すように、中心層２０と、中心層２０を囲む外層５０Ｄと、中心層２０と外層５０Ｄの間に設けられた第１及び第２の中間素線６１Ｄ，６２Ｄと、を備えている。なお、本実施形態における中心層２０は、第３実施形態で説明した中心層２０と同様の構成である。
【００６６】
本実施形態における外層５０Ｄは、１５心の外側素線５１から構成されている。この外層５０Ｄを構成する外側素線５１は、第１実施形態で説明した外側素線５１と同様の構成であり、当該外層５０Ｄを構成する全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有している。
【００６７】
また、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｄ上に位置しており、その結果、１５心の外側素線５１が中心層２０を囲んでいる。この仮想円５２Ｄは、中心層２０や撚線導体１０Ｄと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。本実施形態では、２心の外側素線５１が中心素線２１に接触し、且つ、それに連なる３心の外側素線５１が中心素線２１と非接触であるパターンを繰り返すように、１５心の外側素線５１が仮想円５２Ｄ上に配置されている。
【００６８】
本実施形態では、図８に示すように、第１及び第２の中間素線６１Ｄ，６２Ｄが、中心素線２１と外側素線５１との間に形成された間隙を埋めるように、中心層２０と外層５０Ｄとの間に配置されている。
【００６９】
第１の中間素線６１Ｄは、中心層２１の第１の谷間部７１Ｄに配置されており、この第１の谷間部７１Ｄは、相互に接触している中心素線２１同士の間に形成されている。この第１の中間素線６１Ｄは、中心素線２１に非接触の外側素線５１と接触している。
【００７０】
この第１の中間素線６１Ｄは、直径ｄ４Ｄの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ｄは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ｄ＜ｄ０）。なお、第１の中間素線６１Ｄの直径ｄ４Ｄが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ｄ＝ｄ０）、第１の中間素線６１Ｄの直径ｄ４Ｄが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００７１】
一方、第２の中間素線６２Ｄは第２の谷間部７２Ｄに配置されており、この第２の谷間部７２Ｄは、相互に接触している中心素線２１と第１の中間素線６１Ｄとの間に形成されている。この第２の中間素線６２Ｄは、中心素線２１及び第１の中間素線６１Ｄのいずれにも非接触の外側素線５１と接触している。
【００７２】
この第２の中間素線６２Ｄは、直径ｄ５Ｄの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ５Ｄは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ５Ｄ＜ｄ０）。なお、第２の中間素線６２Ｅの直径ｄ５Ｄが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ５Ｄ＝ｄ０）、第２の中間素線６２Ｄの直径ｄ５Ｄが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００７３】
第１及び第２の中間素線６１Ｄ，６２Ｄは、上述の中間素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第１及び第２の中間素線６１Ｄ，６２Ｄを、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００７４】
特に図示しないが、以上に説明した中心素線２１、外側素線５１及び中間素線６１Ｄ，６２Ｄを相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ｄが形成されている。
【００７５】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ｄを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｄ上に位置しているので、図７に示すように、撚線導体１０Ｄの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【００７６】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線５１，６１Ｄ，６２Ｄが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ｄ≦ｄ０，ｄ５Ｄ≦ｄ０）、撚線導体１０Ｄを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ｄの屈曲性の向上を図ることができる。
【００７７】
さらに、本実施形態では、外層５０Ｄを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｄ上に位置しているので、撚線導体１０Ｄの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【００７８】
<<第５実施形態>>
図９は本発明の第５実施形態における撚線導体の断面図、図１０は図９のX部の拡大図である。
【００７９】
本実施形態における撚線導体１０Ｅは、図９に示すように、中心層２０と、中心層２０を囲む外層５０Ｅと、中心層２０と外層５０Ｅの間に設けられた第１及び第２の中間素線６１Ｅ，６２Ｅと、を備えている。なお、本実施形態における中心層２０は、第３実施形態で説明した中心層２０と同様の構成である。
【００８０】
外層５０Ｅは、１８心の外側素線５１から構成されている。この外側素線５１は、第１実施形態で説明した外側素線５１と同様の構成であり、当該外層５０Ｅを構成する全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有している。
【００８１】
また、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｅ上に位置しており、その結果、１８心の外側素線が中心層２０を囲んでいる。この仮想円５２Ｅは、中心層２０や撚線導体１０Ｅと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。本実施形態では、相互に隣接する２心の外側素線５１が中心素線２１に接触し、且つ、それに連なる４心の外側素線５１が中心素線２１と非接触であるパターンを繰り返すように、１８心の外側素線５１が仮想円５２Ｅ上に配置されている。
【００８２】
本実施形態では、図１０に示すように、第１及び第２の中間素線６１Ｅ，６２Ｅが、中心素線２１と外側素線５１との間に形成された間隙を埋めるように、中心層２０と外層５０Ｅの間に配置されている。
【００８３】
第１の中間素線６１Ｅは、中心層２０の第１の谷間部７１Ｅに配置されていると共に、外層５０Ｃの第３の谷間部７３Ｅに配置されている。第１の谷間部７１Ｅは、相互に接触している中心素線２１同士の間にそれぞれ形成されており、第３の谷間部７３Ｅも、相互に接触している外側素線５１同士の間にそれぞれ形成されている。結果的に、第１の中間素線６１Ｅは、相互に対向する一対の谷間部７１Ｅ，７３Ｅの間に介在しており、当該中心素線２１に接触していると共に、当該外側素線５１にも接触している。
【００８４】
この第１の中間素線６１Ｅは、直径ｄ４Ｅの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ｅは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ｅ＜ｄ０）。なお、第１の中間素線６１Ｅの直径ｄ４Ｅが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ｅ＝ｄ０）、第１の中間素線６１Ｅの直径ｄ４Ｅが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００８５】
一方、第２の中間素線６２Ｅは第２の谷間部７２Ｅに配置されており、この第２の谷間部７２Ｅは、相互に接触している中心素線２１と第１の中間素線６１Ｅとの間に形成されている。この第２の中間素線６２Ｅは、中心素線２１及び第１の中間素線６１Ｅのいずれにも非接触の外側素線５１と接触している。
【００８６】
この第２の中間素線６２Ｅは、直径ｄ５Ｅの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ５Ｅは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ５Ｅ＜ｄ０）。なお、特にこれに限定されず、第２の中間素線６２Ｅの直径ｄ５Ｅが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ５Ｅ＝ｄ０）、第２の中間素線６１Ｅの直径ｄ５Ｅが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００８７】
この第１及び第２の中間素線６１Ｅ，６２Ｅは、上述の中間素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第１及び第２の中間素線６１Ｅ，６２Ｅを、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【００８８】
特に図示しないが、以上に説明した中心素線２１、外側素線５１及び中間素線６１Ｅ，６２Ｅを相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ｅが形成されている。
【００８９】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ｅを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｅ上に位置しているので、図９に示すように、撚線導体１０Ｅの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【００９０】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線５１，６１Ｅ，６２Ｅが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ｅ≦ｄ０，ｄ５Ｅ≦ｄ０）、撚線導体１０Ｅを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ｅの屈曲性の向上を図ることができる。
【００９１】
さらに、本実施形態では、外層５０Ｅを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｅ上に位置しているので、撚線導体１０Ｅの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【００９２】
<<第６実施形態>>
図１１は本発明の第６実施形態における撚線導体の断面図、図１２は図１１のXII部の拡大図である。
【００９３】
本実施形態における撚線導体１０Ｆは、図１１に示すように、中心層２０と、中心層２０を囲む外層５０Ｆと、中心層２０と外層５０Ｆの間に設けられた第１〜第３の中間素線６１Ｆ〜６３Ｆと、を備えている。なお、本実施形態における中心層２０は、第３実施形態で説明した中心層２０と同様の構成である。
【００９４】
本実施形態における外層５０Ｆは、１８心の外側素線５１から構成されている。この外層５０Ｆを構成する外側素線５１は、第１実施形態で説明した外側素線５１と同様の構成であり、当該外層５０Ｆを構成する全ての外側素線５１は実質的に同一の直径ｄ３を有している。
【００９５】
また、相互に隣り合う外側素線５１同士が接触していると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｆ上に位置しており、その結果、１８心の外側素線５１が中心層２０を囲んでいる。この仮想円５２Ｆは、中心層２０や撚線導体１０Ｆと共通の中心を持つ仮想上の同心円である。本実施形態では、２心の外側素線５１が中心素線２１に接触し、且つ、それに連なる４心の外側素線５１が中心素線２１と非接触であるパターンを繰り返すように、１８心の外側素線５１が仮想円５２Ｆ上に配置されている。
【００９６】
本実施形態では、図１２に示すように、第１〜第３の中間素線６１Ｆ〜６３Ｆが、中心素線２１と外側素線５１との間に形成された間隙を埋めるように、中心層２０と外層５０Ｆとの間に配置されている。
【００９７】
第１の中間素線６１Ｆは、中心素線２１と外側素線５１の両方に接触するように配置されており、２心の第１の中間素線６１Ｆが相互に接触するように中心素線２１と外側素線５１の間に介在している。
【００９８】
この第１の中間素線６１Ｆは、直径ｄ４Ｆの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ４Ｆは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ４Ｆ＜ｄ０）。なお、第１の中間素線６１Ｆの直径ｄ４Ｆが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ４Ｆ＝ｄ０）、第１の中間素線６１Ｆの直径ｄ４Ｆが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【００９９】
第２の中間素線６２Ｆは、第１の谷間部７１Ｆに配置されていると共に、第２の谷間部７２Ｆに配置されている。第１の谷間部７１Ｆは、相互に接触している中心素線２１の間に形成されており、第２の谷間部７２Ｆは、相互に接触する第１の中間素線６１Ｆ同士の間に形成されている。このように、第２の中間素線６２Ｆは、相互に対向する一対の谷間部７１Ｆ，７２Ｆの間に介在しており、当該中心素線２１に接触していると共に、当該第１の中間素線６１Ｆに接触している。
【０１００】
この第２の中間素線６２Ｆは、直径ｄ５Ｆの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ５Ｆは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ５Ｆ＜ｄ０）。なお、第２の中間素線６２Ｆの直径ｄ５Ｆが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ５Ｆ＝ｄ０）、第２の中間素線６２Ｆの直径ｄ５Ｆが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【０１０１】
第３の中間素線６３Ｆは、第３の谷間部７３Ｆに配置されている。この第３の谷間部７３Ｆは、相互に接触している中心素線２１と第１の中間素線６１Ｆとの間に形成されている。この第３の中間素線６３Ｆは、中心素線２１及び第１の中間素線６１Ｆのいずれにも非接触の外側素線５１と接触している。
【０１０２】
この第３の中間素線６３Ｆは、直径ｄ６Ｆの円形の断面形状を有しており、この直径ｄ６Ｆは、上述の中心素線２１の直径ｄ０よりも小さくなっている（ｄ６Ｆ＜ｄ０）。なお、第３の中間素線６２Ｆの直径ｄ６Ｆが、中心素線２１の直径ｄ０と実質的に同一であってもよいが（ｄ６Ｆ＜ｄ０）、第３の中間素線６３Ｆの直径ｄ６Ｆが中心素線２１よりも小さい方が、屈曲性向上の観点から好ましい。
【０１０３】
この第１〜第３の中間素線６１Ｆ〜６３Ｆは、上述の中間素線２１と同様に、例えば、銅、アルミニウム、各種合金等から構成された線材であり、その素線の表面に、錫、ニッケル、銀等のめっき処理を施してもよい。なお、この第１〜第３の中間素線６１Ｆ〜６３Ｆを、中心素線２１と同種の材料で素線を構成してもよいし、中心素線２１とは異種の材料で素線を構成してもよい。
【０１０４】
特に図示しないが、以上に説明した中心素線２１、外側素線５１及び中間素線６１Ｆ〜６３Ｆを相互に撚り合わせることで、本実施形態における撚線導体１０Ｆが形成されている。
【０１０５】
以上のように、本実施形態では、外層５０Ｆを構成する全ての外側素線５１の直径ｄ３が実質的に同一であると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｆ上に位置しているので、図１１に示すように、撚線導体１０Ｆの外形を円形に近づけることができる。このため、絶縁層８０の厚さが均一化され肉厚部分が減少するので、絶縁電線の軽量化や低コスト化を図ることができる。
【０１０６】
また、本実施形態では、中心素線２１以外の全ての素線５１，６１Ｆ〜６３Ｆが、中心素線２１の直径ｄ０以下の直径を有しており（ｄ３≦ｄ０，ｄ４Ｆ≦ｄ０，ｄ５Ｆ≦ｄ０，ｄ６Ｆ≦ｄ０）、撚線導体１０Ｆを構成する素線の中で中心素線２１が最も太くなっている。このため、撚線導体１０Ｆの屈曲性の向上を図ることができる。
【０１０７】
さらに、本実施形態では、外層５０Ｆを構成する全ての外側素線５１が実質的に同一の直径ｄ３を有すると共に、全ての外側素線５１の中心が仮想円５２Ｆ上に位置しているので、撚線導体１０Ｆの屈曲時に生じる異方性を抑制することができる。
【０１０８】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０Ａ〜１０Ｆ…撚線導体
２０…中心層
２１…中心素線
３０…第１の内層
３１…第１の内側素線
４０…第２の内層
４１…第２の内側素線
５０Ａ〜５０Ｆ…外層
５１…外側素線
５２Ａ〜５２Ｆ…仮想円
６１Ａ〜６１Ｆ…第１の中間素線
６２Ｂ〜６２Ｆ…第２の中間素線
６３Ｆ…第３の中間素線
７１Ａ〜７３Ｆ…第１〜第３の谷間部
８０…絶縁層
【図１】
2014175137.tif 000003
【図２】
2014175137.tif 000004
【図３】
2014175137.tif 000005
【図４】
2014175137.tif 000006
【図５】
2014175137.tif 000007
【図６】
2014175137.tif 000008
【図７】
2014175137.tif 000009
【図８】
2014175137.tif 000010
【図９】
2014175137.tif 000011
【図１０】
2014175137.tif 000012
【図１１】
2014175137.tif 000013
【図１２】
2014175137.tif 000014