(57)【要約】【課題】高周波アシスト素子の発振劣化の程度を早期に判定できるようにして、高周波アシスト素子の破壊進行やヘッドクラッシュなどの障害発生を未然に防止することにある。【解決手段】本実施形態によれば、ディスク記憶装置は、磁気ヘッドと、検出部と、判定部とを具備する。前記磁気ヘッドは、垂直磁気記録を行なうための記録磁界を発生する主磁極の近傍に配置されて、データ記録時に高周波磁界を磁気ディスク上に印加するための高周波アシスト素子を有する。前記検出部は、前記高周波アシスト素子の電気抵抗を検出し、電気抵抗値の時間軸上の変動を示す時間軸データを生成する。前記判定部は、前記時間軸データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する。【選択図】図１
2014120190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録を行なうための記録磁界を発生する主磁極の近傍に配置されて、データ記録時に高周波磁界を磁気ディスク上に印加するための高周波アシスト素子を有する磁気ヘッドと、
前記高周波アシスト素子の電気抵抗を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された電気抵抗値の時間軸上の変動を示す時間軸データを算出する演算手段と、
前記演算手段により算出された時間軸データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する判定手段と
を具備するディスク記憶装置。
【請求項２】
前記演算手段は、
前記記録磁界を発生するための記録電流の極性反転に同期して、前記高周波アシスト素子の電気抵抗値が時間軸上で変動する状態を示す時間同期データを前記時間軸データとして算出する請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項３】
前記演算手段は、
前記時間同期データとして、前記高周波アシスト素子の発振強度、磁気抵抗効果、安定発振するまでの発振応答時間、あるいは磁化反転時間のいずれかの変動値を算出する請求項２に記載のディスク記憶装置。
【請求項４】
前記判定手段は、
前記演算手段により算出される前記いずれかの変動値と許容値との比較に基づいて、前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する請求項３に記載のディスク記憶装置。
【請求項５】
前記検出手段は、
前記高周波アシスト素子の電気抵抗を検出するための検査用低周波信号を発生する手段と、
前記検査用低周波信号の周波数の少なくとも２倍以上となるカットオフ周波数を有するローパスフィルタ手段と
を含む請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記記録磁界を発生するための記録信号の周波数の近傍となる通過帯域を有するフィルタ手段を含み、
前記判定手段は、
前記時間軸データとして前記高周波アシスト素子の発振応答特性データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項７】
前記電気抵抗値及び前記記録磁界を発生するための記録電流値の時間軸データに基づいて、直流電流発振特性データを算出する手段を有し、
前記判定手段は、前記直流電流発振特性データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する請求項１に記載のディスク記憶装置。
【請求項８】
前記時間軸データ及び前記直流電流発振特性データの変化に応じて、前記高周波アシスト素子に印加して前記高周波磁界を発生させるための電圧を制御する電圧制御手段を有する請求項７に記載のディスク記憶装置。
【請求項９】
前記判定手段により前記高周波アシスト素子が動作不良であると判定された場合に、前記磁気ディスクの記録データを退避させる退避手段を有し、
前記退避手段は、
前記磁気ヘッドにより前記磁気ディスクの第１の記録面に記録されたデータを再生し、
当該再生データを前記磁気ディスクの第２の記録面に書き込む請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のディスク記憶装置。
【請求項１０】
垂直磁気記録を行なうための記録磁界を発生する主磁極の近傍に配置されて、データ記録時に高周波磁界を磁気ディスク上に印加するための高周波アシスト素子を有する磁気ヘッドを含むディスク記憶装置に適用する判定方法であって、
前記高周波アシスト素子の電気抵抗を検出し、
前記検出された電気抵抗値の時間軸上の変動を示す時間軸データを算出し、
前記算出された時間軸データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する判定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、高周波アシスト記録機能を有するディスク記憶装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブを代表とする磁気ディスク記憶装置（以下、ディスクドライブと表記する場合がある）の分野では、垂直磁気記録方式及び高周波アシスト記録方式の技術開発により、高記録密度と高記録容量の向上が推進されている。
【０００３】
高周波アシスト記録方式は、高周波アシスト素子を有する磁気ヘッドを使用し、磁気ディスク上に高周波磁界を印加する記録方式である。高周波アシスト素子としては、例えばスピントルク発振素子（spin-torque oscillator、以下ＳＴＯと表記する場合がある）が注目されている。ディスクドライブは、電極を通じてＳＴＯに直流電流を通電することにより、ＳＴＯを発振源として駆動させて高周波磁界を発生させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８２３３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来において、高周波アシスト素子を有する磁気ヘッドが組み込まれたディスクドライブでは、高周波アシスト素子の発振劣化が発生した場合に、その劣化程度を判定する機能が無い。このため、磁気ヘッドが記録動作を繰り返すことで、高周波アシスト素子の破壊が進行し、その破壊時にコンタミ（contaminant）と呼ぶ汚染物質がドライブ内に発生することがある。コンタミは、微小な塵埃などであり、磁気ヘッドが磁気ディスクにクラッシュする要因となる。この場合、ヘッドクラッシュにより磁気ディスク上で破壊されたデータを救出することは困難であり、また、ディスクドライブが正常に動作できない事態を招く可能性が高くなる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、高周波アシスト素子の発振劣化の程度を早期に判定できるディスク記憶装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態のディスク記憶装置は、磁気ヘッドと、検出手段と、判定手段とを具備する。前記磁気ヘッドは、垂直磁気記録を行なうための記録磁界を発生する主磁極の近傍に配置されて、データ記録時に高周波磁界を磁気ディスク上に印加するための高周波アシスト素子を有する。前記検出手段は前記高周波アシスト素子の電気抵抗を検出し、電気抵抗値の時間軸上の変動を示す時間軸データを生成する。前記判定手段は前記時間軸データに基づいて前記高周波アシスト素子の動作不良を判定する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に関するディスクドライブの構成を説明するためのブロック図。
【図２】第１の実施形態に関するＳＴＯの位置関係を説明するための図。
【図３】第１の実施形態に関するヘッドの構造を説明するための断面図。
【図４】第１の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図５】第１の実施形態に関する記録コイル制御部の内部構成を示すブロック図。
【図６】第１の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図７】第１の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の判定例を説明するための図。
【図８】第２の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図９】第２の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図１０】第２の実施形態に関するＳＴＯ抵抗値の時間軸データの一例を示す図。
【図１１】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の状態として発振強度の劣化を説明するための図。
【図１２】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第１の判定例を説明するための図。
【図１３】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第２の判定例を説明するための図。
【図１４】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の状態として磁気抵抗効果の劣化を説明するための図。
【図１５】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第３の判定例を説明するための図。
【図１６】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第４の判定例を説明するための図。
【図１７】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の状態として発振応答性の悪化を説明するための図。
【図１８】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第５の判定例を説明するための図。
【図１９】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第６の判定例を説明するための図。
【図２０】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の状態として磁化反転速度の悪化を説明するための図。
【図２１】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第７の判定例を説明するための図。
【図２２】第２の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第８の判定例を説明するための図。
【図２３】第３の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図２４】第３の実施形態に関する記録コイル制御部の内部構成を示すブロック図。
【図２５】第３の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図２６】第３の実施形態に関し、通常のデータ記録の場合においてＳＴＯ抵抗値の時間軸データの一例を示す図。
【図２７】第３の実施形態に関し、検査用低周波信号を使用する場合においてＳＴＯ抵抗値の時間軸データの一例を示す図。
【図２８】第４の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図２９】第４の実施形態に関する記録コイル制御部の内部構成を示すブロック図。
【図３０】第４の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図３１】第４の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の状態として発振応答性の悪化を説明するための図。
【図３２】第４の実施形態に関する発振応答性の第１の指標例を説明するための図。
【図３３】第４の実施形態に関する発振応答性の第１の判定例を説明するための図。
【図３４】第４の実施形態に関する発振応答性の第２の指標例を説明するための図。
【図３５】第４の実施形態に関する発振応答性の第２の判定例を説明するための図。
【図３６】第５の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図３７】第５の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図３８】第５の実施形態に関し、記録コイルＤＣ電流の変動に対するＳＴＯ抵抗値の変化を示す図。
【図３９】第５の実施形態に関し、ＳＴＯ抵抗値の変化からＳＴＯ熱抵抗変化分の補正例を示す図。
【図４０】第５の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第１の判定例を説明するための図。
【図４１】第５の実施形態に関するＳＴＯ動作不良の第２の判定例を説明するための図。
【図４２】第６の実施形態に関する記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図。
【図４３】第６の実施形態に関する記録再生制御の動作を説明するためのフローチャート。
【図４４】第６の実施形態に関するＳＴＯ抵抗値のＳＴＯ電圧依存性の一例を説明するための図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下図面を参照して、実施形態を説明する。
【００１０】
［ディスクドライブの構成］
まず、図１を参照して、第１の実施形態に関するディスクドライブの構成を説明する。なお、図１に示すディスクドライブの構成は、後述する第２から第６の各実施形態にも適用される。
【００１１】
図１に示すように、ディスクドライブは、垂直磁気記録媒体である磁気ディスク（以下単にディスクと表記する）１、及び後述する高周波アシスト素子を有する磁気ヘッド（以下単にヘッドと表記する）１０が組み込まれた垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置である。
【００１２】
ディスク１は、スピンドルモータ（ＳＰＭ）２に固定されて、回転運動するように取り付けられている。ヘッド１０は、アクチュエータ３に搭載されており、ディスク１上の半径方向に移動するように構成されている。アクチュエータ３は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）４により回転駆動する。ヘッド１０は、記録ヘッド部（ライトヘッドと表記する場合がある）１０Ｗ及び再生ヘッド部（リードヘッドと表記する場合がある）１０Ｒを有する。
【００１３】
さらに、ディスクドライブは、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣと表記する）１１と、リード／ライトチャネル（Ｒ／Ｗチャネル）１２と、ハードディスクコントローラ（ＨＤＣ）１３と、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）１４と、ドライバＩＣ１６と、メモリ１７とを有する。Ｒ／Ｗチャネル１２、ＨＤＣ１３及びＭＰＵ１４は、１チップの集積回路に組み込まれている。
【００１４】
ヘッドアンプＩＣ１１は、後述するように、高周波アシスト素子であるスピントルク発振子（spin-torque oscillator : ＳＴＯ）の駆動や電気抵抗検出などに関する回路群を含む。さらに、ヘッドアンプＩＣ１１は、Ｒ／Ｗチャネル１２から供給されるライトデータに応じたライト信号（ライト電流）をライトヘッド１０Ｗに供給するドライバを含む。また、ヘッドアンプＩＣ１１は、リードヘッド１０Ｒから出力されたリード信号を増幅して、Ｒ／Ｗチャネル１２に伝送するリードアンプを含む。
【００１５】
Ｒ／Ｗチャネル１２は、リード／ライトデータの信号処理回路である。ＨＤＣ１３は、ディスクドライブとホスト１８とのインターフェースを構成し、リード／ライトデータの転送制御を実行する。ＭＰＵ１４はディスクドライブのメインコントローラであり、リード／ライト動作の制御及び磁気ヘッド１０の位置決めに必要なサーボ制御を実行する。さらに、ＭＰＵ１４は、本実施形態に関する高周波アシスト素子（ＳＴＯ）の発振劣化の検出処理及び関連する制御を実行する。メモリ１７はＤＲＡＭからなるバッファメモリ、及びフラッシュメモリなどを含む。
【００１６】
図２は、ライトヘッド１０Ｗに実装されている高周波アシスト素子（ＳＴＯ）２２の位置関係を示す図である。図３はヘッド１０の構造を説明するための図である。
【００１７】
まず、図３に示すように、ヘッド１０は、ライトヘッド１０Ｗとリードヘッド１０Ｒとが分離して同一のスライダ内に埋め込まれている。スライダは、ディスク１の記録面と対向して浮上するためのＡＢＳ（air bearing surface）面を有する。ライトヘッド１０Ｗは、ディスク１の記録面と対向する磁気的ギャップをもつ主磁極２０とリターン磁極２１からなる磁気コアを有する。主磁極２０及びリターン磁極２１のそれぞれには、直流電流を流すための端子２５，２６が接続されている。また、記録電流用のコイル２３，２４が配置されている。コイル２３は磁気コアに巻きつくように設けられている。
【００１８】
さらに、図２に示すように、ライトヘッド１０Ｗの磁気コアのギャップ内には、ＳＴＯ２２が実装されている。ＳＴＯ２２は、ディスク１の記録面と対向するようにＡＢＳ面側に配置されている。ライトヘッド１０Ｗでは、主磁極２０、ＳＴＯ２２、リターン磁極２１の方向に直流電流が流れる。また、図３に示すように、リードヘッド１０Ｒは、磁気抵抗効果を有する磁性膜３０と、１対のシールド３１，３２を有する。シールド３１，３２は、ヘッド１０の走行方向の前後で磁性膜３０を挟むように配置されている。
【００１９】
［ヘッドの記録再生制御］
図４は、本実施形態に関するディスクドライブにおいて、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。即ち、図４は、ヘッドアンプＩＣ１１、Ｒ／Ｗチャネル１２、ＨＤＣ１３、ＭＰＵ１４、ドライバＩＣ１６及びメモリ１７により実現される機能構成を示す。
【００２０】
なお、ディスクドライブは、１枚のディスク１に対して両面のそれぞれに対向する２個のヘッド１０，５０を有する。各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。
【００２１】
図４に示すように、ヘッド１０，５０は、ＳＴＯ制御部４３，６３により端子２５，２６間に通電されている状態で、記録コイル制御部４４，６４によりコイル２３，２４に記録電流が供給されることによって、ディスク１上に磁気記録を行う。ＳＴＯ制御部４３，６３及び記録コイル制御部４４，６４は、ヘッドアンプＩＣ１１により実現される機能である。
【００２２】
ここで、記録コイル制御部４４は、図５（Ａ）に示すように、記録信号パターン制御部４４Ａ及び記録電流制御部４４Ｂを含む。同様に、記録コイル制御部６４は、図５（Ｂ）に示すように、記録信号パターン制御部６４Ａ及び記録電流制御部６４Ｂを含む。
【００２３】
このような記録制御により、ヘッド１０，５０は、磁気コアのギャップからディスク１に対して記録磁界を印加すると共に、ＳＴＯ２２から高周波磁界を局所的に印加する（図２を参照）。これにより、記録磁界に高周波磁界を重畳することにより、ディスク１に対して高密度磁気記録が可能となる。
【００２４】
一方、再生信号検出部４６，６６は、ディスク１からの記録情報を再生する。ＳＴＯ電気抵抗検出部（以下、ＳＴＯ抵抗検出部）４０，６０は、ヘッド１０，５０の各ＳＴＯ２２の電気抵抗を検出する。この場合、ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０は、各ＳＴＯ２２の電圧値を観測することにより抵抗値を求める。ＳＴＯ電気抵抗データ保存部（以下、抵抗データ保存部）４１，６１は、ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０により検出されたＳＴＯ２２の抵抗値データを保存する。
【００２５】
さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２，６２は、抵抗データ保存部４１，６１に保存された抵抗値データに基づいてＳＴＯ２２の異常（不良または劣化）を判定する。ヘッド駆動部４５，６５は、ＳＴＯ良不良判定部４２，６２がＳＴＯ２２の異常を判定した場合には、ヘッド１０，５０をディスク１からアンロードさせる制御を実行する。
【００２６】
ここで、再生信号検出部４６，６６は、ヘッドアンプＩＣ１１及びＲ／Ｗチャネル１２により実現される機能である。ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０は、ヘッドアンプＩＣ１１及びＭＰＵ１４により実現される機能である。抵抗データ保存部４１，６１は、ＭＰＵ１４及びメモリ１７により実現される機能である。ＳＴＯ良不良判定部４２，６２は、ＭＰＵ１４により実現される機能である。ヘッド駆動部４５，６５は、ＭＰＵ１４及びドライバＩＣ１６により実現される機能である。
【００２７】
以上のような機能構成において、図６のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【００２８】
図６に示すように、ヘッド１０において、ＳＴＯ抵抗検出部４０はＳＴＯ２２の電気抵抗を検出する（ブロック６００）。抵抗データ保存部４１は、検出されたＳＴＯ２２の抵抗値データを逐次保存する（ブロック６０１）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、抵抗データ保存部４１に保存された抵抗値データに基づいて、最新のＳＴＯ２２の抵抗値データと初期のＳＴＯ２２の抵抗値データ（初期値）とを比較する（ブロック６０２）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の抵抗値が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック６０３）。
【００２９】
ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の抵抗値が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック６０３のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック６０４）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック６０５）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【００３０】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の抵抗値が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック６０３のＮＯ）。ここで、図７はＳＴＯ動作不良の判定例を示す。即ち、図７に示すように、最新のＳＴＯ抵抗値が初期値に対して１０％以上変動して許容範囲を超えた場合に、ＳＴＯ良不良判定部４２はＳＴＯ２２が異常で動作不良（即ち、発振劣化）であると判定する。ここでは、図７に示すように、許容範囲を超えた時点７０は、ディスクドライブの記録動作の積算時間が１０００時間を超えたときである。
【００３１】
図６に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック６０６）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック６０７）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック６０８）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【００３２】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック６０９）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック６１０）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック６１１）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【００３３】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【００３４】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【００３５】
本実施形態によれば、高周波アシスト素子であるＳＴＯ２２を有する磁気ヘッドにおいて、ＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸変化を観測することにより、ＳＴＯ２２の発振強度の初期状態からの変動を定期的にモニタリングできる。従って、ＳＴＯ２２の劣化による動作不良を早期に検出し、異常な記録動作を未然に回避することが可能となる。また、ＳＴＯ２２の劣化が許容範囲を超えるヘッドにより記録されたディスク面のデータを再生し、別のディスク面に移動させることでデータを救出することが可能となる。
【００３６】
また、ＳＴＯ２２の発振劣化を早期に検出して記録動作を中止させることにより、ＳＴＯ２２の破壊が進行することを回避できる。従って、ディスクドライブ内に、ＳＴＯ２２の破壊時に発生するコンタミ（contaminant）が発生することを防止できる。
【００３７】
［第２の実施形態］
図８は、第２の実施形態に関して、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。第１の実施形態の場合と同様に、各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。なお、図４に示す第１の実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００３８】
本実施形態では、ＳＴＯ抵抗時間軸データ保存部（以下、抵抗時間軸データ保存部）８０，９０は、ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０により検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する。なお、ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０には、ローパスフィルタまたはバンドパスフィルタが接続されている構成でもよい。抵抗時間軸データ保存部８０，９０は、ＭＰＵ１４及びメモリ１７により実現される機能である。ＳＴＯ抵抗時間同期演算部（以下、時間同期演算部）８１，９１は、抵抗時間軸データ保存部８０，９０に保存された抵抗値の時間軸データから、記録電流時間軸データ保存部（以下、電流時間軸データ保存部）８３，９３に保存された記録電流の時間軸データに同期する抵抗値の時間同期データを算出する。電流時間軸データ保存部８３，９３は、記録コイル制御部４４，６４から出力される記録電流値の時間軸データを保存する。時間同期演算部８１，９１はＭＰＵ１４により実現される機能である。また、電流時間軸データ保存部８３，９３は、ＭＰＵ１４及びメモリ１７により実現される機能である。
【００３９】
抵抗時間同期データ保存部８２，９２は、時間同期演算部８１，９１により算出される抵抗値の時間同期データを保存する。抵抗時間同期データ保存部８２，９２は、ＭＰＵ１４及びメモリ１７により実現される機能である。ＳＴＯ良不良判定部４２，６２は、抵抗時間同期データ保存部８２，９２に保存された抵抗値の時間同期データに基づいてＳＴＯ２２の異常（不良または劣化）を判定する。
【００４０】
以下、図９のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【００４１】
図９に示すように、ヘッド１０において、ＳＴＯ抵抗検出部４０はＳＴＯ２２の電気抵抗を検出する（ブロック９００）。抵抗時間軸データ保存部８０は、検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する（ブロック９０３）。また、記録コイル制御部４４は、ヘッド１０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック９０１）。電流時間軸データ保存部８３は、当該記録電流値の時間軸データを保存する（ブロック９０２）。
【００４２】
時間同期演算部８１は、抵抗時間軸データ保存部８０に保存された抵抗値の時間軸データ、及び電流時間軸データ保存部８３に保存された記録電流の時間軸データを使用して、ＳＴＯ抵抗値の時間同期データを算出する（ブロック９０４）。抵抗時間同期データ保存部８２は、算出された抵抗値の時間同期データを保存する。
【００４３】
ここで、図１０（Ａ），（Ｂ）を参照して、時間同期演算部８１の具体的な演算処理を説明する。
【００４４】
図１０（Ａ）は、ＳＴＯ抵抗時間同期データ保存部８２に保存された抵抗値の時間同期データ、即ちＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す図である。図１０（Ｂ）は、電流時間軸データ保存部８３に保存された記録電流（記録コイル電流）の時間軸データ、即ち記録コイルに通電される電流波形を示す図である。
【００４５】
図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように、記録コイル電流が極性反転する時点Ｔ０においては、ＳＴＯの抵抗値は極小値Ｒ０となる。これは、この時点Ｔ０では、ＳＴＯ２２の磁性膜内の各磁化がほぼ平行に揃うためである。ＳＴＯ２２の磁性膜は、ピン層とフリー層（発振層）とが積層されており、各磁化の方向に応じて抵抗値が変化する。その後、記録コイル電流の極性反転に伴ってＳＴＯ２２が磁化反転する時点Ｔ１において、ＳＴＯの抵抗値は極大値Ｒ１を示す。この時点Ｔ１では、ＳＴＯ２２の磁性膜内の各磁化がほぼ反平行状態となるために、磁気抵抗効果(magnetoresistive effect : ＭＲ)により抵抗値が上昇するためである。
【００４６】
さらに、ＳＴＯ２２が磁化反転終了の時点Ｔ２において、ＳＴＯの抵抗値は極小値Ｒ２を示す。この時点Ｔ２では、再びＳＴＯ２２の磁性膜内の各磁化がほぼ平行状態となるために、ＳＴＯの抵抗値が減少するためである。この後、ＳＴＯ２２が発振することにより、ＳＴＯ２２の磁性膜内の各磁化がほぼ反平行状態となる。このため、磁気抵抗効果により抵抗値が上昇し、時点Ｔ３においてＳＴＯの抵抗値は飽和値Ｒ３を示す。
【００４７】
図１０（Ａ）に示すように、抗時間同期演算部８１は、抵抗値の時間軸変化ΔR1（Ｒ３−Ｒ０）または時間軸変化ΔR2（Ｒ３−Ｒ２）に基づいて、記録データの各ビットにおけるＳＴＯ２２の発振強度ｆを算出する。ここで、図１０（Ｂ）に示すように、記録データの各ビットは記録コイル電流の極性反転に対応する。なお、発振強度ｆは、「ｆ＝α1×ΔR1」または「ｆ＝α2×ΔR2」の演算式により算出される。ここで、α1、α2は比例係数である。
【００４８】
また、時間同期演算部８１は、時間軸変化ΔR3（Ｒ１−Ｒ０）または時間軸変化ΔR4（Ｒ１−Ｒ２）に基づいて、記録データの各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する際の磁気抵抗効果の大きさＦを算出する。なお、Ｆは、「Ｆ＝β1×ΔR3」または「Ｆ＝β2×ΔR4」の演算式により算出される。ここで、β1、β2は比例係数である。
【００４９】
さらに、図１０（Ｂ）に示すように、時間同期演算部８１は、ＳＴＯ２２が安定発振するまでの発振応答時間τ1，τ2，τ3を算出する。発振応答時間τ1は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する前に、前記のようにＳＴＯ抵抗値が極小となる時点Ｔ０から、ＳＴＯ２２が安定発振する時点Ｔ３までの時間（Ｔ３−Ｔ０）である。発振応答時間τ2は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する際に、前記のようにＳＴＯ抵抗値が極大となる時点Ｔ１から、当該時点Ｔ３までの時間（Ｔ３−Ｔ１）である。発振応答時間τ3は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転終了の時点Ｔ２から、当該時点Ｔ３までの時間（Ｔ３−Ｔ２）である。
【００５０】
また、図１０（Ｂ）に示すように、時間同期演算部８１は、ＳＴＯ２２の磁化反転時間φ1，φ2，φ3を算出する。磁化反転時間φ1は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する前に、前記のように、ＳＴＯ抵抗値が極小となる時点Ｔ０からＳＴＯ２２の抵抗値が極小値Ｒ２を示す磁化反転終了の時点Ｔ２までの時間（Ｔ２−Ｔ０）である。さらに、磁化反転時間φ2は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する際に、前記のように、ＳＴＯ抵抗値が極大となる時点Ｔ１からＳＴＯ２２の抵抗値が極小値Ｒ２を示す磁化反転終了の時点Ｔ２までの時間（Ｔ２−Ｔ１）である。また、磁化反転時間φ3は、各ビットにおいてＳＴＯ２２が磁化反転する前に、前記のように、ＳＴＯ抵抗値が極小となる時点Ｔ０からＳＴＯ２２の抵抗値が極大値Ｒ１を示す時点Ｔ１までの時間（Ｔ１−Ｔ０）である。
【００５１】
図９に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、抵抗時間同期データ保存部８２に保存された抵抗値の時間同期データについて最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック９０５）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック９０６）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック９０６のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック９０７）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック９０８）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【００５２】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック９０６のＮＯ）。ここで、ＳＴＯ２２の動作不良の判定処理を具体的に説明する。
【００５３】
図１１（Ａ）はＳＴＯ動作不良の状態として発振強度の劣化の場合におけるＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す。図１１（Ｂ）は記録コイル電流の時間軸波形を示す。
【００５４】
図１１（Ａ）に示すように、ＳＴＯ２２が破損し始める際にはＳＴＯ抵抗値の時間軸変化が顕著となる。即ち、ＳＴＯ２２の発振強度が劣化すると、全ビット一様又はあるビットにおいて、ΔR1，ΔR2の絶対値が低下する（矢印1111）。この場合、発振強度の初期値1110に対して、最新の算出結果1112が減少するように変動する。
【００５５】
このような場合、図１２に示す第１の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ΔR1（またはΔR2）の全検査ビットの平均値が初期値に対して５０％低下した場合(1200)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。また、図１３に示す第２の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、検査するビット毎のΔR1（またはΔR2）のばらつきが初期値に対して５０％増大した場合(1300)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。なお、図１２，１３において点線は許容範囲を示す。
【００５６】
図１４（Ａ）はＳＴＯ動作不良の状態として、磁気抵抗効果（ＭＲ）による抵抗変化率（もしくは抵抗変化の度合）が劣化する場合のＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す。図１４（Ｂ）は記録コイル電流の時間軸波形を示す。
【００５７】
図１４（Ａ）に示すように、ＳＴＯ２２が破損し始める際にはＳＴＯ抵抗値の時間軸変化が顕著となる。即ち、ＳＴＯ２２の膜品質の指標でもある磁気抵抗効果が劣化すると、全ビット一様又はあるビットにおいて、ΔR3, ΔR4の絶対値が低下する（矢印1111）。この場合、初期値1110に対して、最新の算出結果1112が減少するように変動する。これは、ＳＴＯが記録コイル電流の極性反転に伴って磁化反転する際に、磁気抵抗効果によって生じる抵抗値の上昇も小さくなるためである。
【００５８】
このような場合、図１５に示す第３の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ΔR3（またはΔR4）の全検査ビットの平均値が初期値に対して５０％低下した場合(1500)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。また、図１６に示す第４の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、検査するビット毎のΔR3（またはΔR4）のばらつきが初期値に対して５０％増大した場合(1600)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。なお、図１５，１６において点線は許容範囲を示す。
【００５９】
図１７（Ａ）はＳＴＯ動作不良の状態として発振応答性（時間τ）の悪化の場合を示す。図１７（Ｂ）は記録コイル電流の時間軸波形を示す。
【００６０】
図１７（Ａ）に示すように、ＳＴＯ２２が破損し始める際にはＳＴＯ抵抗値の時間軸変化が顕著となる。即ち、ＳＴＯ２２が安定発振するまでの応答性が悪化すると、全ビット一様又はあるビットにおいて、発振応答時間τ1，τ2，τ3が長くなる（矢印1703）。この場合、初期値1700に対して、最新の算出結果1701が増大するように変動する。
【００６１】
このような場合、図１８に示す第５の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、発振応答時間τ1（τ2，τ3）の全検査ビットの平均値が初期値に対して５０％増大した場合(1800)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。また、図１９に示す第６の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、検査するビット毎のτ1（τ2，τ3）のばらつきが初期値に対して５０％増大した場合(1900)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。なお、図１８，１９において点線は許容範囲を示す。
【００６２】
図２０（Ａ）はＳＴＯ動作不良の状態として磁化反転速度（時間φ）の悪化の場合を示す。図２０（Ｂ）は記録コイル電流の時間軸波形を示す。
【００６３】
図２０（Ａ）に示すように、ＳＴＯ２２が破損し始める際にはＳＴＯ抵抗値の時間軸変化が顕著となる。即ち、記録コイル電流の極性反転に伴って、ＳＴＯ２２が磁化反転する磁化反転速度が遅くなる（悪化する）と、全ビット一様又はあるビットにおいて、磁化反転時間φ1，φ2，φ3が長くなる（矢印2003）。この場合、初期値2000に対して、最新の算出結果2001が増大するように変動する。
【００６４】
このような場合、図２１に示す第７の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、磁化反転時間φ1（φ2，φ3）の全検査ビットの平均値が初期値に対して５０％増大した場合(2100)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。また、図２２に示す第８の判定例として、ＳＴＯ良不良判定部４２は、検査するビット毎のφ1（φ2，φ3）のばらつきが初期値に対して５０％増大した場合(2200)に、ＳＴＯ動作不良であると判定する。なお、図２１，２２において点線は許容範囲を示す。
【００６５】
図９に戻り、以上のように、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック９０９）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック１０００）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック１００１）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【００６６】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック１００２）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック１００３）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック１００４）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【００６７】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【００６８】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【００６９】
このような第２の実施形態の場合でも、前述した第１の本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７０】
［第３の実施形態］
図２３は、第３の実施形態に関して、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。第１の実施形態の場合と同様に、各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。なお、図８に示す第２の実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００７１】
図２３に示すように、本実施形態では、ＳＴＯ２２の抵抗値を検出するＳＴＯ抵抗検出部４０，６０の出力には、ローパスフィルタ２００，３００が接続される。ローパスフィルタ２００，３００は、カットオフ周波数制御部２０１，３０１によりカットオフ周波数が制御される。カットオフ周波数制御部２０１，３０１は、後述するように、記録コイル制御部４４，６４に含まれる検査用低周波信号発生部（以下、低周波信号発生部）４４Ｃ，６４Ｃから出力される検査用信号の周波数の少なくとも２倍以上の周波数となるようにカットオフ周波数を制御する。
【００７２】
ここで、記録コイル制御部４４は、図２４（Ａ）に示すように、記録信号パターン制御部４４Ａ、記録電流制御部４４Ｂ及び低周波信号発生部４４Ｃを含む。同様に、記録コイル制御部６４は、図２４（Ｂ）に示すように、記録信号パターン制御部６４Ａ、記録電流制御部６４Ｂ及び低周波信号発生部６４Ｃを含む。
【００７３】
以下、図２５のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【００７４】
図２５に示すように、ヘッド１０において、ＳＴＯ抵抗検出部４０はＳＴＯ２２の電気抵抗を検出する（ブロック2500）。抵抗時間軸データ保存部８０は、検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する（ブロック2503）。また、記録コイル制御部４４は、低周波信号発生部４４Ｃからヘッド１０のコイル２３，２４に検査用低周波信号の電流を供給する（ブロック2501）。電流時間軸データ保存部８３は、当該検査用低周波信号の時間軸データを保存する（ブロック2502）。
【００７５】
時間同期演算部８１は、抵抗時間軸データ保存部８０に保存された抵抗値の時間軸データ、及び電流時間軸データ保存部８３に保存された検査用低周波信号の時間軸データを使用して、ＳＴＯ抵抗値の時間同期データを算出する（ブロック2504）。抵抗時間同期データ保存部８２は、算出された抵抗値の時間同期データを保存する。
【００７６】
ここで、図２６（Ａ），（Ｂ）及び図２７（Ａ），（Ｂ）を参照して、ＳＴＯ抵抗時間同期演算部８１の演算処理について説明する。
【００７７】
図２６（Ａ）は、ＳＴＯ検査時に記録コイル制御部４４から通常のデータ記録において記録電流を記録コイルに供給する場合におけるＳＴＯ抵抗値の時間同期データ、即ちＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す図である。また、図２６（Ｂ）は、記録電流（記録コイル電流）の時間軸データ、即ち記録コイルに通電される電流波形を示す図である。
【００７８】
図２６（Ｂ）に示すように、通常のデータ記録においては、記録コイル制御部４４は、周波数が高く、極性反転近傍の強度変化が大きい記録電流を記録コイルに供給する。この場合、ＳＴＯ２２では、記録コイル電流が極性反転する近傍において磁化反転する際に、膜内の磁化が平行、反平行、平行へと変化する。この後、ＳＴＯ２２が発振して膜内磁化が平行から揃わなくなるために、磁気抵抗効果（ＭＲ）により生じる抵抗値の変化の過程が非常に短時間に生じる。このため、図２６（Ａ）に示すように、前述したような時間軸上の時点Ｔ０〜Ｔ３におけるＳＴＯの抵抗値Ｒ０〜Ｒ３の変化2600を観測することは困難である。この結果として、時間同期演算部８１は、前述したように、抵抗値の時間軸変化ΔR1，ΔR2、時間軸変化ΔR3，ΔR4、発振応答時間τ1，τ2，τ3、及び磁化反転時間φ1，φ2，φ3のようなＳＴＯ抵抗値の時間同期データを正しく算出できない可能性がある。
【００７９】
一方、図２７（Ａ）は、ＳＴＯ検査時に低周波信号発生部４４Ｃから検査用低周波信号を記録コイルに供給する場合における、ＳＴＯ抵抗値の時間同期データ、即ちＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す図である。図２７（Ｂ）は、記録電流（記録コイル電流）の時間軸データ、即ち記録コイルに通電される電流波形を示す図である。
【００８０】
図２７（Ｂ）に示すように、低周波信号発生部４４Ｃは、周波数が例えば１kHz以下のような検査用低周波信号で、極性反転近傍の強度変化が例えば５A/s以下程度と小さい電流を記録コイルに供給する。検査用低周波信号は、データ記録信号の帯域よりも小さい帯域である。この場合、ＳＴＯ２２では、記録コイル電流が極性反転する近傍において磁化反転する際に、膜内の磁化が平行、反平行、平行へと変化した後に、磁気抵抗効果により生じる抵抗値変化の過程が長い時間間隔で生じる。
【００８１】
従って、図２７（Ａ）に示すように、前述したような時間軸上の時点Ｔ０〜Ｔ３におけるＳＴＯの抵抗値Ｒ０〜Ｒ３の変化を高精度で観測することが可能となる。即ち、時間同期演算部８１は、前述したように、抵抗値の時間軸変化ΔR1，ΔR2、時間軸変化ΔR3，ΔR4、発振応答時間τ1，τ2，τ3、及び磁化反転時間φ1，φ2，φ3のようなＳＴＯ抵抗値の時間同期データを正しく算出できる。
【００８２】
図２５に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、抵抗時間同期データ保存部８２に保存された抵抗値の時間同期データについて最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック2505）。なお、初期値も検査用低周波信号を記録して得られる値である。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック2506）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック2506のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック2507）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック2508）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【００８３】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック2506のＮＯ）。ここで、ＳＴＯ２２の動作不良の判定処理は、前述の第２の実施形態の場合と同様である。ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック2509）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック2510）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック2511）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【００８４】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック2512）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック2513）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック2514）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【００８５】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【００８６】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【００８７】
このような第３の実施形態の場合でも、前述した第１の本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８８】
［第４の実施形態］
図２８は、第４の実施形態に関して、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。第１の実施形態の場合と同様に、各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。なお、図８に示す第２の実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【００８９】
図２８に示すように、本実施形態では、ＳＴＯ２２の抵抗値を検出するＳＴＯ抵抗検出部４０，６０の出力には、バンドパスフィルタ４００，５００が接続される。バンドパスフィルタ４００，５００は、通過帯域制御部４０１，５０１により通過帯域が制御される。通過帯域制御部４０１，５０１は、後述するように、記録コイル制御部４４，６４に含まれる記録信号パターン制御部４４Ａ，６４Ａから出力される記録信号の周波数の近傍になるように通過帯域を制御する。
【００９０】
ここで、図２９（Ａ）に示すように、記録コイル制御部４４は、記録信号パターン制御部４４Ａ及び記録電流制御部４４Ｂを含む。記録信号パターン制御部４４Ａは、通過帯域制御部４０１及び記録コイル電流周波数データ保存部（以下、周波数データ保存部）４０２に記録コイル電流の周波数データを出力する。周波数データ保存部４０２は、当該周波数データを保存する。同様に、図２９（Ｂ）に示すように、記録コイル制御部６４は、記録信号パターン制御部６４Ａ及び記録電流制御部６４Ｂを含む。記録信号パターン制御部６４Ａは、通過帯域制御部５０１及び周波数データ保存部５０２に記録コイル電流の周波数データを出力する。周波数データ保存部５０２は当該周波数データを保存する。
【００９１】
さらに、図２８に示すように、ＳＴＯ発振強度応答性演算部（以下、応答性演算部）４０３，５０３は、周波数データ保存部４０２，５０２に保存されている記録コイル電流の周波数データに基づいて、ＳＴＯの発振強度応答性データを算出する。ＳＴＯ発振強度応答性データ保存部（以下、応答性データ保存部）４０４，５０４は、算出されたＳＴＯの発振強度応答性データを保存する。ＳＴＯ良不良判定部４２，６２は、応答性データ保存部４０４，５０４に保存された発振強度応答性データに基づいてＳＴＯ２２の異常（不良または劣化）を判定する。
【００９２】
以下、図３０のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【００９３】
図３０に示すように、ヘッド１０において、ＳＴＯ抵抗検出部４０はＳＴＯ２２の電気抵抗を検出する（ブロック3000）。抵抗時間軸データ保存部８０は、検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する（ブロック3003）。
【００９４】
また、記録コイル制御部４４は、記録電流制御部４４Ｂからヘッド１０のコイル２３，２４に記録コイル電流を供給する（ブロック3001）。この際、周波数データ保存部５０２は、記録信号パターン制御部４４Ａから出力される記録コイル電流の周波数データを保存する（ブロック3002）。
【００９５】
応答性演算部４０３は、抵抗時間同期データ保存部８２に保存された抵抗値の時間同期データ、及び周波数データ保存部４０２に保存された記録コイル電流の周波数データを使用して、ＳＴＯの発振強度応答性データを算出する（ブロック3004）。応答性データ保存部４０４は、算出されたＳＴＯの発振強度応答性データを保存する。
【００９６】
ここで、図３１（Ａ），（Ｂ）を参照して、応答性演算部４０３の演算処理について説明する。図３１（Ａ）はＳＴＯ動作不良の状態として発振応答性の悪化の場合におけるＳＴＯ抵抗値の時間軸変化波形を示す。図３１（Ｂ）は記録コイル電流の時間軸波形を示す。
【００９７】
記録コイル電流の周波数が最高周波数以上の高周波数の場合に、ＳＴＯ２２の発振応答性が悪化すると、当該記録コイル電流周波数に追従できない状態となる。このため、図３１（Ａ）に示すように、全ビット一様又はあるビットにおいて、ΔR1，ΔR2の絶対値が大幅に低下する（3102）。この場合、ＳＴＯの発振応答性が正常な場合には、ΔR1，ΔR2の初期値3101は十分に大きな値を示す。ＳＴＯの発振応答性が悪化すると、安定発振状態になる前に次のビットが来るため、ΔR1，ΔR2の値は低減する（矢印3100）。
【００９８】
図３２は、ＳＴＯの発振応答性を示す第１の指標例を示す。即ち、図３２に示すように、ＳＴＯの発振応答性を示す第１の指標例とは、例えばΔR1（ΔR2）の全検査bit平均値についての記録コイル電流周波数の依存性に対する値である。具体的には、応答性演算部４０３は、ＳＴＯの発振強度応答性データとして、ある高周波数fohにおけるΔR1またはΔR2と、ある低周波数folにおけるΔR1またはΔR2との差分「f-ΔR」を算出する。
【００９９】
図３０に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、応答性データ保存部４０４に保存されたＳＴＯの発振強度応答性データ（f-ΔR）について最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック3005）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック3006）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック3006のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック3007）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック3008）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【０１００】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック3006のＮＯ）。即ち、図３２に示す第１の指標例において、第１の判定例として図３３に示すように、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果「f-ΔR」が初期値に対して５０％以上増大した場合(3300)に、ＳＴＯの応答性が劣化したとしてＳＴＯ動作不良であると判定する。
【０１０１】
また、図３４は、ＳＴＯの発振応答性を示す第２の指標例を示す。即ち、図３４に示すように、ＳＴＯの発振応答性を示す第２の指標例とは、検査するbit毎の例えばΔR1（ΔR2）のばらつきについての記録コイル電流周波数の依存性に対する値である。具体的には、応答性演算部４０３は、ＳＴＯの発振強度応答性データとして、ある高周波数fohにおけるΔR1またはΔR2のσと、ある低周波数folにおけるΔR1またはΔR2のσとの差分「σ-f-ΔR」を算出する。
【０１０２】
従って、図３４に示す第２の指標例において、ＳＴＯ良不良判定部４２は、第２の判定例として図３５に示すように、最新の算出結果「σ-f-ΔR」が初期値に対して５０％以上増大した場合(3500)に、ＳＴＯの応答性が劣化したとしてＳＴＯ動作不良であると判定する。
【０１０３】
図３０に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック3009）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック3010）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック3011）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【０１０４】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック3012）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック3013）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック3014）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【０１０５】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【０１０６】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【０１０７】
このような第４の実施形態の場合でも、前述した第１の本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０８】
［第５の実施形態］
図３６は、第５の実施形態に関して、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。第１の実施形態の場合と同様に、各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。なお、図８に示す第２の実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【０１０９】
図３６に示すように、本実施形態では、抵抗データ保存部４１，６１は、ＳＴＯ抵抗検出部４０，６０により検出されたＳＴＯ２２の抵抗値データを逐次保存する。ＤＣ電流発振特性演算部（以下、発振特性演算部）６００，７００は、抵抗データ保存部４１，６１に保存されたＳＴＯ２２の抵抗値データ及び記録コイル電流値データ保存部（以下、電流値データ保存部）４８，６８に保存された記録コイル電流値データに基づいて、ＤＣ電流発振特性データを算出する。電流値データ保存部４８，６８は、記録コイル制御部４４，６４により記録コイルに供給される記録コイル電流値のデータを保存する。
【０１１０】
ＤＣ電流発振特性データ保存部（以下、発振特性データ保存部）６０２，７０２は、算出されたＤＣ電流発振特性データを保存する。ＳＴＯ熱抵抗変化成分データ保存部（以下、変化成分データ保存部）６０１，７０１は、算出されたＤＣ電流発振特性データからＳＴＯ熱抵抗変化成分を補正した熱抵抗変化成分データを保存する。ＳＴＯ良不良判定部４２，６２は、抵抗データ保存部８２，９２に保存された抵抗値の時間同期データ及び発振特性データ保存部６０２，７０２に保存されたＤＣ電流発振特性データに基づいて、ＳＴＯ良不良の判定処理を実行する。
【０１１１】
以下、図３７のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【０１１２】
図３７に示すように、ヘッド１０において、抵抗時間軸データ保存部８０は、ＳＴＯ抵抗検出部４０により検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する（ブロック3700）。また、電流時間軸データ保存部８３は、記録コイル制御部４４により供給される記録コイル電流の時間軸データを保存する。
【０１１３】
発振特性演算部６００は、記録コイル電流値データに基づいてＳＴＯ２２の抵抗変化値を算出する（ブロック3701）。また、発振特性演算部６００は、算出されたＳＴＯ２２の抵抗変化値からＳＴＯ熱抵抗変化成分を補正した熱抵抗変化成分データを算出する（ブロック3702）。
【０１１４】
ここで、図３８、３９を参照して、発振特性演算部６００の演算処理に関して、ＳＴＯ熱抵抗影響の補正処理及びＤＣ電流発振特性の算出例を説明する。
【０１１５】
図３８は、記録コイル制御部４４により記録コイルに通電されるＤＣ電流の変動に対するＳＴＯ２２の抵抗値の変化を示す。図３８に示すように、記録コイルのＤＣ電流の絶対値が増大するのに伴って、発熱影響によりＳＴＯ抵抗値も上昇する。この際、ＤＣ電流発振特性演算部６００は、例えば、ＳＴＯ抵抗値の変化を２次近似成分として算出し、当該２次近似成分をＳＴＯ抵抗値から差し引くことによりＳＴＯの熱抵抗変化成分を算出する（ブロック3702）。
【０１１６】
図３９は、算出されたＳＴＯの熱抵抗変化成分による補正例を示す。図３９に示すように、記録コイルに通電するＤＣ電流値の絶対値が例えば１０mAを超えたあたりから徐々にＳＴＯ２２が発振し、そのＤＣ電流の領域において磁気抵抗効果による抵抗値の増大が見られる。発振特性演算部６００はＳＴＯ発振強度を示す指標として、ディスク上にデータを記録する際の記録電流値Iwopにおける抵抗値の増大分を「ΔR5」として算出する。なお、発振強度ｆに対する関係式は「ｆ＝γ×（ΔR5）」となる。ここで、γは比例係数である。また、図３９に示すように、記録コイルに通電するＤＣ電流値の極性が反転する際にＳＴＯが磁化反転するため、例えば１０mA以下などの低電流領域においては磁気抵抗効果（ＭＲ）による抵抗値の増大が見られる。発振特性演算部６００は、ＳＴＯの磁気抵抗効果である当該抵抗値の増大分を「ΔR6」として算出する。なお、ＳＴＯの磁気抵抗効果Ｆに対する関係式は「Ｆ＝θ×（ΔR6）」となる。ここで、θは比例係数である。
【０１１７】
図３７に戻り、時間同期演算部８１は、ＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データ及び記録コイル電流の時間軸データから、発振特性演算部６００により算出された熱抵抗変化成分データを差し引く（ブロック3703）。これにより、時間同期演算部８１は、ＳＴＯ抵抗値の時間軸変化から熱抵抗影響を除去できるため、前述したＳＴＯ抵抗時間同期データ（ΔR，τ，φ）を高精度に算出する（ブロック3704）。一方、発振特性演算部６００は、前述したように、熱抵抗変化成分データを差し引いたＤＣ電流発振特性データ（ΔR5，ΔR6）を算出する（ブロック3706）。
【０１１８】
ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ抵抗時間同期データ保存部８２に保存された抵抗値の時間同期データについて最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック3705）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック3708）。また、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＤＣ電流発振特性データ（ΔR5，ΔR6）について最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック3707）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック3708）。
【０１１９】
ＳＴＯ良不良判定部４２は、いずれの比較結果でも最新の算出結果が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック3708のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック3709）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック3710）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【０１２０】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、いずれかの比較結果において最新の算出結果が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック3708のＮＯ）。具体的には、第１の判定例として図４０に示すように、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果「ΔR5」の絶対値が初期値に対して５０％未満に低下した場合(4000)に、ＳＴＯの発振強度が劣化してＳＴＯ動作不良であると判定する。また、第２の判定例として図４１に示すように、ＳＴＯ良不良判定部４２は、最新の算出結果「ΔR6」の絶対値が初期値に対して５０％未満に低下した場合(4100)に、ＳＴＯの磁気抵抗効果が劣化してＳＴＯ動作不良であると判定する。
【０１２１】
図３７に戻り、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック3711）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック3712）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック3713）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【０１２２】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック3714）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック3715）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック3716）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【０１２３】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【０１２４】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【０１２５】
このような第５の実施形態の場合でも、前述した第１の本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２６】
［第６の実施形態］
図４２は、第６の実施形態に関して、ヘッドの記録再生制御を実現する機能構成を示すブロック図である。第１の実施形態の場合と同様に、各ヘッド１０，５０は同一のアクチュエータ３に搭載されており、同一の構成により記録再生制御が実現される。但し、便宜的に、各ヘッド１０，５０のそれぞれに対する機能構成を示す。なお、図３６に示す第５の実施形態と同様の構成については、同一符号を付して説明を省略する。
【０１２７】
図４２に示すように、本実施形態では、ＳＴＯ制御部４３，６３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する。この際、ＳＴＯ入力電圧データ保存部（以下、入力電圧データ保存部）８００，９００は、ＳＴＯ制御部４３，６３から入力されるＳＴＯ入力電圧データを保存する。
【０１２８】
以下、図４３のフローチャートを参照して本実施形態の記録再生制御の動作を説明する。
【０１２９】
図４３に示すように、ヘッド１０において、抵抗時間軸データ保存部８０は、ＳＴＯ抵抗検出部４０により検出されたＳＴＯ２２の抵抗値の時間軸データを保存する（ブロック4300）。また、電流時間軸データ保存部８３は、記録コイル制御部４４により供給される記録コイル電流の時間軸データを保存する。
【０１３０】
発振特性演算部６００は、記録コイル電流値データに基づいてＳＴＯ２２の抵抗変化値を算出する（ブロック4301）。また、発振特性演算部６００は、算出されたＳＴＯ２２の抵抗変化値からＳＴＯ熱抵抗変化成分を補正した熱抵抗変化成分データを算出する（ブロック4302）。
【０１３１】
ＳＴＯ制御部４３は、ΔR１，ΔR２のSTO電圧依存性に基づいて、ΔR１，ΔR２が飽和するときの飽和ＳＴＯ電圧Ｖｓを算出する（ブロック4303）。ここで、図４４は、ＳＴＯ制御部４３からＳＴＯへ通電される電圧を変動させた場合、ＳＴＯの前記ΔR１，ΔR２の変化例を示す。図４４に示すように、ＳＴＯOへ通電する電圧が増大すると共に、ＳＴＯが発振し始めるとΔR１，ΔR２が上昇する。これは、ＳＴＯ膜内の磁化が揃わなくなるために磁気抵抗効果により生じる。ＳＴＯへ通電する電圧が充分大きくなると、ＳＴＯがほぼ膜面内で大回転発振するようになり、ΔR１，ΔR２は飽和する。このときの飽和ＳＴＯ電圧をＶｓとする。また、ＳＴＯ制御部４３は、ΔR5のSTO電圧依存性に基づいて、ΔR5が飽和するときの飽和ＳＴＯ電圧Ｖｓを算出してもよい（ブロック4304）。
【０１３２】
ＳＴＯ制御部４３がＳＴＯ電圧を「Vs×0.1」以上または「Vs×0.8」以下の範囲に制御する場合に、発振特性演算部６００は、前述したように、ＤＣ電流発振特性データ（ΔR6）を算出する。また、時間同期演算部８１は、前述したＳＴＯ抵抗時間同期データ（ΔR3，ΔR4）を算出する（ブロック4305）。これにより、ＳＴＯのスピントルクノイズが大きい場合でも、STOの磁化反転時に磁気抵抗効果により生じるＳＴＯ抵抗値変動（ΔR3，ΔR4，ΔR6）を高精度で算出することが可能となる。ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ抵抗時間同期データ（ΔR3，ΔR4）及びＤＣ電流発振特性データ（ΔR6）について最新の算出結果と初期値とを比較する（ブロック4306）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、比較結果に基づいて最新の算出結果が初期値と同等か否かをチェックする（ブロック4307）。
【０１３３】
ＳＴＯ良不良判定部４２は、いずれの比較結果でも最新の算出結果が初期値と同等の場合には、ＳＴＯ２２が正常であると判定する（ブロック4307のＹＥＳ）。この判定結果により、ＳＴＯ制御部４３はＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック4308）。さらに、記録コイル制御部４４はコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック4309）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が行われる。
【０１３４】
一方、ＳＴＯ良不良判定部４２は、いずれかの比較結果において最新の算出結果が初期値に対して変動している場合には、ＳＴＯ２２が異常で動作不良であると判定する（ブロック4307のＮＯ）。ＳＴＯ良不良判定部４２は、ＳＴＯ２２が動作不良であると判定すると、ＳＴＯ制御部４３に動作オフの指令を出力する（ブロック4310）。同時に、ＳＴＯ良不良判定部４２は、記録コイル制御部４４に動作オフの指令を出力する（ブロック4311）。さらに、ＳＴＯ良不良判定部４２は、ヘッド駆動部４５及び再生信号検出部４６に動作オンの指令を出力する（ブロック4312）。これにより、再生信号検出部４６は、ヘッド１０が走行しているディスク面から記録データを再生し、再生信号保存部４７を介して再生したデータをメモリ１７に保存する。
【０１３５】
この後に、ＳＴＯ良不良判定部６２は、ヘッド５０において、ＳＴＯ制御部６３及び記録コイル制御部６４に記録動作オンの指令を出力する（ブロック4313）。これにより、ＳＴＯ制御部６３は、ヘッド５０のＳＴＯ２２に通電させるように電流制御を実行する（ブロック4314）。さらに、記録コイル制御部６４は、ヘッド５０のコイル２３，２４に記録電流を供給する電流制御を実行する（ブロック4315）。これにより、ディスク１上には、記録磁界と高周波磁界が印加される高密度磁気記録が可能となる。
【０１３６】
即ち、記録コイル制御部６４は、メモリ１７に保存されているデータをヘッド５０によりディスク１上に磁気記録することができる。即ち、ディスク１において、ヘッド５０側のディスク面に、ヘッド１０側のディスク面に記録されているデータを移動させることが可能である。
【０１３７】
なお、当然ながら、ヘッド１０におけるＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）を含む記録再生制御は、ヘッド５０にも適用できる。また、ＳＴＯ２２の破損検査（良不良判定処理）は、ディスク１上からヘッド１０，５０をアンロードさせた状態で行っても良い。また、ディスク１上にＳＴＯ検査専用ゾーンを設けて、そのゾーン上にヘッド１０，５０を移動させて行っても良い。
【０１３８】
このような第６の実施形態の場合でも、前述した第１の本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１３９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１４０】
１…磁気ディスク、２…スピンドルモータ（ＳＰＭ）、３…アクチュエータ、
４…ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、１０…磁気ヘッド、
１０Ｗ…記録ヘッド部（ライトヘッド）、１０Ｒ…再生ヘッド部（リードヘッド）、
１１…ヘッドアンプ集積回路（ヘッドアンプＩＣ）、
１２…リード／ライトチャネル（Ｒ／Ｗチャネル）、
１３…ディスクコントローラ（ＨＤＣ）、１４…マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、
１６…ドライバＩＣ、１７…メモリ、２０…主磁極、２１…リターン磁極、
２２…スピントルク発振素子（ＳＴＯ）、２３，２４…コイル、２５，２６…端子、
３０…磁性膜、３１，３２…シールド。
【図１】
2014120190.tif 000003
【図２】
2014120190.tif 000004
【図３】
2014120190.tif 000005
【図４】
2014120190.tif 000006
【図５】
2014120190.tif 000007
【図６】
2014120190.tif 000008
【図７】
2014120190.tif 000009
【図８】
2014120190.tif 000010
【図９】
2014120190.tif 000011
【図１０】
2014120190.tif 000012
【図１１】
2014120190.tif 000013
【図１２】
2014120190.tif 000014
【図１３】
2014120190.tif 000015
【図１４】
2014120190.tif 000016
【図１５】
2014120190.tif 000017
【図１６】
2014120190.tif 000018
【図１７】
2014120190.tif 000019
【図１８】
2014120190.tif 000020
【図１９】
2014120190.tif 000021
【図２０】
2014120190.tif 000022
【図２１】
2014120190.tif 000023
【図２２】
2014120190.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2014120190.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
2014120190.tif 000029
【図２８】
2014120190.tif 000030
【図２９】
2014120190.tif 000031
【図３０】
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【図３１】
2014120190.tif 000033
【図３２】
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【図３３】
2014120190.tif 000035
【図３４】
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【図３５】
2014120190.tif 000037
【図３６】
2014120190.tif 000038
【図３７】
2014120190.tif 000039
【図３８】
2014120190.tif 000040
【図３９】
2014120190.tif 000041
【図４０】
2014120190.tif 000042
【図４１】
2014120190.tif 000043
【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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