(57)【要約】【課題】配線板の反りを抑制しつつ、層間絶縁層と導体パターンとの密着性を向上させる。【解決手段】配線板が、コア基板から構成されるコア部と、コア部上に少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層が積層されて構成されるビルドアップ部と、を有する。そして、層間絶縁層の１つである絶縁層１０１は、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成され、絶縁層１０１に含まれる無機フィラーは、絶縁層１０１上に形成された導体層１１０に接していない。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板から構成されるコア部と、該コア部上に少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層が積層されて構成されるビルドアップ部と、を有する配線板であって、
前記層間絶縁層の１つである第１絶縁層は、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成され、
前記無機フィラーは、前記第１絶縁層上に形成された第１導体層に接していない。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板であって、
前記第１絶縁層は、無機フィラーを含むフィラー層と、該フィラー層上に形成されている樹脂層とで形成されていて、
前記第１導体層は、前記樹脂層上に形成されている。
【請求項３】
請求項２に記載の配線板であって、
前記樹脂層は、無機フィラーを全く含まない。
【請求項４】
請求項２に記載の配線板であって、
前記樹脂層は、無機フィラーを含み、前記フィラー層に含まれる無機フィラーの量は前記樹脂層に含まれる無機フィラーの量より多い。
【請求項５】
請求項２に記載の配線板であって、
前記樹脂層の厚さは、０．０５〜１．０μｍの範囲にある。
【請求項６】
請求項１に記載の配線板であって、
前記第１絶縁層は、５０〜８０ｗｔ％の範囲で前記無機フィラーを含む。
【請求項７】
コア基板から構成されるコア部を形成することと、
前記コア部上に、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を積層してビルドアップ部を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記ビルドアップ部の形成は、
前記コア部上に、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成される絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の表面近傍に前記無機フィラーがない状態にすることと、
前記絶縁層の前記表面に導体層を形成することと、
を含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、無機繊維基材を含まない層間絶縁層を有する配線板が開示されている。薄い配線板をファインピッチ（高密度配線）にするためには、無機繊維基材を含まない層間絶縁層を用いることが有利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２７７７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、層間絶縁層が無機繊維を含まないため、層間絶縁層の熱膨張係数が高く、薄型化基板では、反りが生じる。対策として、層間絶縁層の熱膨張係数を、無機繊維と樹脂から構成される低熱膨張係数のコア基板と同等にするために、無機フィラーの含有率を大きくすることが考えられる。しかし、層間絶縁層の表面に露出する無機フィラーの面積が大きくなり、粗化処理後に表面に形成する無電解メッキ膜との密着性が悪く、高密度導体パターンの形成が困難となり、接続信頼性が低下する。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、配線板の反りを抑制しつつ、層間絶縁層と導体パターンとの密着性を向上させることを目的とする。また、本発明は、配線板の電気的信頼性を向上させることを他の目的とする。また、本発明は、配線板の歩留まり向上を他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線板は、
コア基板から構成されるコア部と、該コア部上に少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層が積層されて構成されるビルドアップ部と、を有する配線板であって、
前記層間絶縁層の１つである第１絶縁層は、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成され、
前記無機フィラーは、前記第１絶縁層上に形成された第１導体層に接していない。
【０００７】
本発明に係る配線板の製造方法は、
コア基板から構成されるコア部を形成することと、
前記コア部上に、少なくとも１組の層間絶縁層及び導体層を積層してビルドアップ部を形成することと、
を含む配線板の製造方法であって、
前記ビルドアップ部の形成は、
前記コア部上に、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成される絶縁層を形成することと、
前記絶縁層の表面近傍に前記無機フィラーがない状態にすることと、
前記絶縁層の前記表面に導体層を形成することと、
を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、配線板の反りを抑制しつつ、層間絶縁層と導体パターンとの密着性を向上させることが可能になる。また、本発明によれば、上記効果に加えて又は上記効果に代えて、配線板の電気的信頼性を向上させることが可能になるという効果が奏される場合がある。また、本発明によれば、上記効果に加えて又は上記効果に代えて、配線板の歩留まりを向上させることが可能になるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】図１に示される配線板のビア導体及びその周辺を拡大して示す断面図である。
【図３Ａ】図１に示される配線板の層間絶縁層に含まれる無機フィラーの分布を示す断面図である。
【図３Ｂ】図１に示される配線板の層間絶縁層の表面に形成される凹部（窪み）を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、コア部を準備する工程を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、コア部上に層間絶縁層を形成する工程を説明するための図である。
【図６Ａ】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、層間絶縁層を構成する樹脂の状態を示す図である。
【図６Ｂ】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、層間絶縁層の樹脂及び無機フィラーを示す図である。
【図７】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、下層ビルドアップ部の層間絶縁層にビア導体を形成し、その層間絶縁層上に導体層を形成する第１の工程を説明するための図である。
【図８】図７の工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図９】図８の工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１０】図９の工程の後の第４の工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、上層ビルドアップ部を形成する工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、コアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【００１１】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００１２】
「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。
【００１３】
本実施形態に係る配線板１０は、例えば図１に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。配線板１０は、基板１００と、絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４と、導体層１００ａ、１００ｂ、１１０、１２０、１３０、１４０と、スルーホール導体１００ｄと、ビア導体１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂと、ソルダーレジスト層１１、１２と、を有する。本実施形態の配線板１０は、例えば矩形板状のリジッド配線板である。配線板１０は、例えば電子機器の回路を含む。配線板１０の表面又は内部に電子部品が実装されてもよい。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を面Ｆ１１、他方（Ｚ２側）を面Ｆ１２という。
【００１４】
基板１００は、配線板１０のコア基板に相当する。基板１００の面Ｆ１１上には導体層１００ａが形成され、基板１００の面Ｆ１２上には導体層１００ｂが形成される。導体層１００ａ及び１００ｂは、基板１００に形成された孔内の導体（スルーホール導体１００ｄ）によって相互に電気的に接続される。本実施形態の配線板１０では、基板１００と、スルーホール導体１００ｄと、導体層１００ａ及び１００ｂとが、コア部に相当する。
【００１５】
本実施形態に係る配線板１０では、基板１００の面Ｆ１１上及び導体層１００ａ上に、絶縁層１０１、１０３（それぞれ層間絶縁層）と導体層１１０、１３０とが交互に形成される。また、基板１００の面Ｆ１２上及び導体層１００ｂ上に、絶縁層１０２、１０４（それぞれ層間絶縁層）と導体層１２０、１４０とが交互に形成される。各導体層は、層間絶縁層に形成された孔内の導体（例えばビア導体１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂ）によって相互に電気的に接続される。
【００１６】
コア部上に積層される導体層、層間絶縁層、及びビア導体は、ビルドアップ部に相当する。以下、最も下層に位置するビルドアップ部を、下層ビルドアップ部といい、下層ビルドアップ部よりも上層のビルドアップ部を、上層ビルドアップ部という。本実施形態では、下層ビルドアップ部が、絶縁層１０１、１０２と、導体層１１０、１２０と、ビア導体１０１ｂ、１０２ｂと、から構成される。また、上層ビルドアップ部が、絶縁層１０３、１０４と、導体層１３０、１４０と、ビア導体１０３ｂ、１０４ｂと、から構成される。
【００１７】
最外の絶縁層１０３上及び導体層１３０上には、ソルダーレジスト層１１が設けられ、最外の絶縁層１０４上及び導体層１４０上には、ソルダーレジスト層１２が設けられる。ソルダーレジスト層１１、１２にはそれぞれ開口部１１ａ、１２ａが形成され、開口部１１ａ、１２ａでそれぞれ露出する導体層１３０、１４０がパッドＰ１、Ｐ２（外部接続端子）となる。配線板１０の片面又は両面に他の配線板又は電子部品等が実装されることで、配線板１０は、例えば携帯機器（携帯電話等）の回路基板として使用することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば片面に電子部品（ＩＣチップ等）が実装され、反対側の面にマザーボートに実装するためのバンプが形成されるパッケージ基板（ＰＫＧ基板）である。また、配線板１０に、ＰｏＰ（Package on Package）技術を適用してもよい。
【００１８】
配線板１０を構成する各導体（導体層、ビア導体、及びスルーホール導体）は、例えば銅からなる。スルーホール導体及び各ビア導体はそれぞれ、例えばめっき充填されたフィルド導体からなる。ただしこれに限られず、配線板１０を構成する導体の材料は任意である。また、スルーホール導体及び各ビア導体は、例えばめっき充填されていないコンフォーマル導体からなってもよい。
【００１９】
配線板１０を構成する各絶縁層（コア基板及び層間絶縁層）は、例えば熱硬化性を有するエポキシ系樹脂から構成される。ただし、基板１００（コア基板）は、ガラスクロス（無機繊維）に、エポキシ系樹脂を含浸させたものからなる。一方、絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４（それぞれ層間絶縁層）は、無機繊維を含まない。なお、基板１００を構成する無機繊維（基材）は、ガラスクロスに限られず、アラミド繊維の不織布等であってもよい。また、基板１００及び絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４を構成する樹脂は、エポキシ系樹脂に限られず、ポリイミド系樹脂、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、又はＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）等であってもよい。
【００２０】
本実施形態では、基板１００（コア基板）が、ガラスクロス（無機繊維）に、無機フィラーを含有するエポキシ系樹脂を含浸することで構成される。樹脂中の無機フィラー含有量は、例えば４０〜７０ｗｔ％の範囲にある。無機フィラーとしては、例えばシリカ系フィラー（溶解石英、等方性シリカ、シリカ、タルク、雲母、カオリン、又はケイ酸カルシウム等）を用いることが好ましい。ただしこれに限られず、基板１００は、無機フィラーを含まなくてもよい。
【００２１】
本実施形態では、絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４（層間絶縁層）がそれぞれ、無機フィラーを含む。各絶縁層の無機フィラーの含有量（率）は、５０〜８０％であることが望ましい。無機フィラーの径は０．０５〜５．０μｍの範囲で、平均粒子径は０．５μｍである。絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４の各々の無機フィラーは、例えば、均一に分散していない（詳しくは、後述する）。
【００２２】
ソルダーレジスト層１１及び１２の各々は、例えばアクリル−エポキシ系樹脂を用いた感光性樹脂、エポキシ系樹脂を主体とした熱硬化性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂等からなる。
【００２３】
図１において、配線板１０の厚さＤ１０は、例えば約３００μｍである。各導体層の厚さはそれぞれ、例えば約１５μｍである。各層間絶縁層の厚さはそれぞれ、例えば約２０μｍであり、基板１００の厚さは、例えば約１５０μｍである。ソルダーレジスト層１１、１２の厚さはそれぞれ、例えば１３〜２５μｍの範囲にある。
【００２４】
以下、図２〜図３Ｂを参照して、本実施形態に係る配線板１０の層間絶縁層について詳述する。
【００２５】
図２は、図１に示される配線板１０におけるビア導体１０１ｂ及びその周辺を拡大して示す断面図である。
【００２６】
本実施形態に係る配線板１０では、図２に示すように、絶縁層１０１（層間絶縁層）上に、導体層１１０が形成される。また、絶縁層１０１には、導体層１１０とその下層の導体層１００ｂとを相互に接続するビア導体１０１ｂが形成される。導体層１１０及びビア導体１０１ｂは、例えば絶縁層１０１にビア導体１０１ｂのビアホール１０１ａが形成された状態で、無電解めっき及び電解めっきを行うことにより、形成することができる。導体層１１０及びビア導体１０１ｂはそれぞれ、例えば銅の無電解めっき膜１００１（下層）と、例えば銅の電解めっき１００２（上層）と、から構成される。
【００２７】
図３Ａは、絶縁層１０１に含まれる無機フィラーの分布を示す断面図である。
【００２８】
本実施形態に係る配線板１０では、図３Ａに示すように、絶縁層１０１（層間絶縁層）が、無機フィラーＦを含むフィラー層１０１１と、フィラー層１０１１上に形成されている樹脂層１０１２と、から構成される。導体層１１０は、樹脂層１０１２上に形成されている（図２参照）。本実施形態では、樹脂層１０１２が、無機フィラーを全く含まない。これに限られず、樹脂層１０１２が無機フィラーを含んでいてもよい。この場合、樹脂層１０１２に含まれる無機フィラーの含有量（率）は、フィラー層１０１１に含まれる無機フィラーの含有量（率）より小さい。フィラー層１０１１は、絶縁層１０１における基板１００の上面から樹脂層１０１２の下面までの部分であり、樹脂層１０１２は、絶縁層１０１におけるフィラー層１０１１の上面から導体層１１０の下面までの部分である。
【００２９】
フィラー層１０１１に含まれる無機フィラーＦとしては、例えばシリカ系フィラー（溶解石英、等方性シリカ、シリカ、タルク、雲母、カオリン、又はケイ酸カルシウム等）を用いることが好ましい。無機フィラーＦの形状は、球形状であることが好ましい。
【００３０】
本実施形態では、各絶縁層の無機フィラーの含有量（率）が、５０〜８０％であることが望ましい。無機フィラーの含有率が５０％未満では熱膨張係数が高くなり基板に反りを生じる。無機フィラーの含有率が８０％を超えると、導体パターンの密着性が低下する。フィラー層１０１１には無機フィラーが含まれるが、樹脂層１０１２には、無機フィラーが全く含まれていない。すなわち、本実施形態では、絶縁層１０１が、表層部に、無機フィラーを全く含まない。また、フィラー層１０１１は、小さな無機フィラーＦと大きな無機フィラーＦとの両方を含む。無機フィラーの径は０．０５〜５．０μｍの範囲にあり、その平均粒子径は０．５μｍである。ただし、樹脂層１０１２は無機フィラーを少量含有していても構わない。樹脂層１０１２の無機フィラー含有量は、例えばフィラー層１０１１の無機フィラー含有量の５分の１以下であることが好ましい。無機フィラーＦの含有量は、例えばフィラー層１０１１の全体にわたって略均一である。
【００３１】
樹脂層１０１２の厚さは、０．０５〜１．０μｍの範囲にあることが望ましい。０．０５μｍ未満では、粗化処理後、絶縁層１０１の表面に無機フィラーが大量に露出する。１．０μｍを超えると粗面形成が困難である。絶縁層１０１の厚さは、例えば２０μｍである。フィラー層１０１１の厚さＤ１１は、例えば１９．０〜１９．９５μｍの範囲にある。
【００３２】
上記のような薄い樹脂層１０１２は、塗布で形成するのは難しい。そこで、本実施形態では、後述するような、加熱による樹脂収縮を利用した方法により、上記のような薄い樹脂層１０１２を形成するようにしている。本実施形態では、フィラー層１０１１と樹脂層１０１２とを別々に形成するのではなく、絶縁層全体を形成した後、その絶縁層内の無機フィラー又は樹脂を移動させることにより、その絶縁層内に、フィラー層１０１１と樹脂層１０１２とを形成する。このため、フィラー層１０１１と樹脂層１０１２とは連続しており、両者の間に明確な境界（界面）は形成されない。
【００３３】
絶縁層１０３及び導体層１１０に接する絶縁層１０１の表面（詳しくは、樹脂層１０１２）には、凹部（窪み）Ｒが形成される。凹部Ｒは、図３Ｂに示されるように、絶縁層１０１の表面（Ｘ−Ｙ平面）の略全体に形成される。絶縁層１０３（又は導体層１１０）側の絶縁層１０１（樹脂層１０１２）の表面のＲａ（算術平均粗さ）は、例えば約０．２０μｍである。本実施形態では、上層の絶縁層１０３が、凹部Ｒ（図３Ａ、図３Ｂ）に入り込むため、絶縁層１０１（層間絶縁層）と絶縁層１０３（上層の層間絶縁層）との密着性が向上する。絶縁層１０１と絶縁層１０３との密着性を高めるためには、絶縁層１０１（樹脂層１０１２）の表面のＲａが、０．１〜０．３μｍの範囲にあることが好ましい。０．１μｍ未満では、パターンレジストとの密着性が低い問題が生じる。０．３μｍを超えると、幅の狭い配線形成が困難となる。
【００３４】
なお、本実施形態では、他の層間絶縁層（絶縁層１０２、１０３、１０４）、及びその層間絶縁層上の導体層、並びにその層間絶縁層に形成されるビア導体も、図２〜図３Ｂに示されるような絶縁層１０１、導体層１１０、及びビア導体１０１ｂの上記構造と同様の構造を有する。
【００３５】
本実施形態では、絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４（それぞれ層間絶縁層）の各々が、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成される。層間絶縁層が無機繊維を含まないことで、薄い配線板１０をファインピッチ（高密度配線）にし易くなる。また、層間絶縁層が、高い含有率で無機フィラーを含有する樹脂から構成されることで、配線板１０の反りが抑制される。
【００３６】
また、本実施形態では、樹脂層１０１２を設けることで、粗化工程後、各層間絶縁層に含まれる無機フィラーが、その層間絶縁層上に形成された無電解めっき層に接しないようにしている。無電解めっき層は、無機フィラーとの密着性が悪く、剥離を生じる。高密度配線パターンでは、配線幅が小さいため、パターンレジストで配線パターンを形成するときに、下層の無電解めっき層が存在せず、電解めっき層に断線が生じると考えられる。すなわち、樹脂層１０１２を設けることで、無電解めっき層と層間絶縁層との密着性が向上し接続信頼性の高い高密度配線の形成が可能になると考えられる。
【００３７】
本実施形態では、樹脂層１０１２が、無機フィラーを全く含まない。このため、より確実に、各層間絶縁層に含まれる無機フィラーが、その層間絶縁層上に形成された導体層に接しないようになる。
【００３８】
配線板１０の反りを抑制するためには、樹脂層１０１２を薄くする（フィラー層１０１１を厚くする）ことが好ましい。ただし、樹脂層１０１２を薄くし過ぎると、その形成が困難になる。この点、本実施形態では、樹脂層１０１２の厚さが、０．０５〜１．０μｍの範囲にあり、絶縁層１０１に占める割合は、５％未満であることが望ましい。こうした構成によれば、配線板１０の反りを抑制し易くなる。
【００３９】
本実施形態において、フィラー層１０１１は、絶縁層が５０〜８０ｗｔ％の範囲で含有するすべての無機フィラーを含有する。これにより、層間絶縁層が無機繊維（基材）を含まない場合でも、層間絶縁層の熱膨張率を小さくすることが可能になる。その結果、配線板１０の反りを抑制し易くなる。本実施形態では、各層間絶縁層（絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４）の熱膨張率が、３０ｐｐｍ／Ｋ未満である。
【００４０】
また、配線板１０の反りを抑制しつつ、層間絶縁層と導体パターンとの密着性を向上させることができれば、配線板１０の電気的信頼性を向上させることが可能になり、ひいては配線板１０の歩留まりを向上させることが可能になると考えられる。
【００４１】
以下、本実施形態に係る配線板１０の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、図４に示すように、配線板１０のコア部を準備する。配線板１０のコア部は、例えば両面銅張積層板又は絶縁板を出発材料として形成することができる。具体的には、スルーホール導体１００ｄを形成するためのスルーホールは、例えばレーザ又はドリルにより形成することができる。導体層１００ａ、１００ｂ、及びスルーホール導体１００ｄは、例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、形成することができる。
【００４３】
基板１００は、例えばガラスクロスに無機フィラーを含有するエポキシ系樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。エポキシ系樹脂は、４０〜７０ｗｔ％の無機フィラー（例えばシリカフィラー）を含有する。
【００４４】
続けて、コア部上に、ビルドアップ部を形成する。本実施形態では、基板１００の面Ｆ１１側に、２組の層間絶縁層及び導体層（絶縁層１０１及び導体層１１０の組、並びに絶縁層１０３及び導体層１３０の組）を積層し、基板１００の面Ｆ１２側に、２組の層間絶縁層及び導体層（絶縁層１０２及び導体層１２０の組、並びに絶縁層１０４及び導体層１４０の組）を積層する。
【００４５】
詳しくは、基板１００の面Ｆ１１上及び導体層１００ａ上に、半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁層１０１を塗布し、基板１００の面Ｆ１２上及び導体層１００ｂ上に、半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁層１０２を塗布する。
【００４６】
絶縁層１０１、１０２の材料としては、例えばＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film：味の素ファインテクノ株式会社製）を用いることができる。絶縁層１０１、１０２はそれぞれ、無機繊維を含まず、無機フィラーを含有する樹脂から構成される。詳しくは、絶縁層１０１、１０２は、エポキシ系樹脂と、ポリマー系樹脂と、硬化剤と、を含む。
【００４７】
積層（塗工）の段階では、絶縁層１０１、１０２は、例えば全体的に略均一に無機フィラーを含む。その後、基板１００上に積層された絶縁層１０１、１０２を熱硬化する際、昇温時に樹脂の熱硬化が始まり、一部の未硬化樹脂が分離して、表層に樹脂層１０１２が形成される（図６Ａ及び図６Ｂ参照）。例えば、絶縁層１０１、１０２がそれぞれエポキシ系樹脂Ａ、エポキシ系樹脂Ｂ、ポリマー系樹脂Ａ、及びポリマー系樹脂Ｂからなり、エポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａは、昇温時に、ある温度ＴＡで、ある一定時間保持されることで硬化する。このとき、エポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａよりも高温で硬化するエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂは未硬化状態であり、分離し、一部のエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂは未硬化状態で絶縁層１０１、１０２の表層部を形成する。なお、無機フィラーは、硬化したエポキシ系樹脂Ａとポリマー系樹脂Ａにより固定される。次に、温度ＴＡよりも高温である温度ＴＢ（温度ＴＡ＜温度ＴＢ）に昇温し、ある一定時間保持されることで、分離したエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂが硬化して樹脂層１０１２を形成してもよい。このとき、無機フィラーは、絶縁層１０１、１０２の表層部に分離したエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂには存在しない。ただし、絶縁層中のエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂの存在割合が多い場合、あるいは、絶縁層に含有される無機フィラーのうち、粒子径が１μｍ以下の無機フィラーの存在割合が多い場合には、無機フィラーの流動性が高くなるため、分離して絶縁層の表層部を形成する未硬化のエポキシ系樹脂Ｂとポリマー系樹脂Ｂが無機フィラーを含有することがある。ただし、樹脂層１０１２の形成方法は、上記のものに限られない。
【００４８】
続けて、絶縁層１０１、１０２の表面（詳しくは、樹脂層１０１２）を粗化する。具体的には、絶縁層１０１、１０２の各々を構成するエポキシ系樹脂とポリマー系樹脂のうち、ポリマー系樹脂（図６Ａに示されるポリマーＰ）のみを選択的にエッチングする。樹脂層１０１２には、ポリマー系樹脂とエポキシ系樹脂とによる海島構造が形成され、粗化処理時には、ポリマー系樹脂のエッチング量がエポキシ系樹脂のエッチング量よりも高いので、粗面が形成される。この粗化処理により、絶縁層１０１、１０２の各々の表面（詳しくは、樹脂層１０１２）に、前述したような凹部（窪み）Ｒ（図３Ａ、図３Ｂ）が形成される。
【００４９】
続けて、図７に示すように、例えばＣＯ２レーザにより、絶縁層１０１にビアホール１０１ａを形成し、絶縁層１０２にビアホール１０２ａを形成する。その後、必要に応じて、デスミアを行う。
【００５０】
続けて、例えば化学めっき法により、図８に示すように、絶縁層１０１、１０２上及びビアホール１０１ａ、１０２ａ内に、例えば銅の無電解めっき膜１００１を形成する。無電解めっき膜１００１は、絶縁層１０１、１０２の樹脂層１０１２（図３Ａ）上に形成される。なお、無電解めっきに先立って、例えば浸漬により、パラジウム等からなる触媒を、絶縁層１０１、１０２の表面に吸着させてもよい。
【００５１】
続けて、リソグラフィ技術又は印刷等により、面Ｆ１１側の主面（無電解めっき膜１００１上）に、開口部を有するめっきレジスト２００１を、また、面Ｆ１２側の主面（無電解めっき膜１００１上）に、開口部を有するめっきレジスト２００２を、それぞれ形成する（図９参照）。めっきレジスト２００１、２００２の開口部はそれぞれ、導体層１１０、１２０（図１０）に対応したパターンを有する。
【００５２】
続けて、図９に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト２００１、２００２の開口部に、それぞれ例えば銅の電解めっき１００２を形成する。無電解めっき膜１００１をシードにして電解めっきを行って、無電解めっき膜１００１の表面に銅を析出させる。これにより、ビアホール１０１ａ、１０２ａにそれぞれ、無電解めっき膜１００１と電解めっき１００２とが充填され、例えば銅のめっきからなるビア導体１０１ｂ、１０２ｂが形成される。
【００５３】
その後、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト２００１、２００２を除去し、続けて不要な無電解めっき膜１００１を除去することにより、図１０に示すように、導体層１１０及び導体層１２０が形成される。その後、必要に応じて、導体層１１０、１２０の上面をそれぞれ、例えば化学エッチングにより粗化する。本実施形態では、導体層１１０及び１２０がそれぞれ、例えば無電解銅めっき（下層）及び電解銅めっき（上層）の２層構造からなる。これにより、下層ビルドアップ部が完成する。
【００５４】
なお、電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜１００１に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【００５５】
続けて、例えば図１１に示すように、例えば下層ビルドアップ部と同様にして、上層ビルドアップ部を形成する。続けて、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、絶縁層１０３、１０４上及び導体層１３０及び１４０上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト層１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト層１２を形成する（図１参照）。さらに続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１３０、１４０上、詳しくはソルダーレジスト層１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜、又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理、又はＳｎめっき処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。
【００５６】
以上の工程により、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。本実施形態の製造方法は、配線板１０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１０が得られると考えられる。特に、上記方法によれば、薄い樹脂層１０１２を形成し易くなる。
【００５７】
本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。
【００５８】
上記実施形態では、樹脂層１０１２が、無機フィラーを全く含まない。しかしこれに限られず、樹脂層１０１２は、フィラー層１０１１よりも少ない無機フィラーを含んでいてもよい。そうした場合も、樹脂層１０１２を設けない場合よりは、層間絶縁層同士の密着性を高め易くなる。
【００５９】
配線板１０の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【００６０】
例えば上記実施形態において、コア部を構成する導体層１００ａ、１００ｂは、必要がなければ割愛してもよい。
【００６１】
例えば上記実施形態において、ビルドアップ部の層数は任意に変更できる。また、基板１００の面Ｆ１１側と基板１００の面Ｆ１２側とで、ビルドアップ部の層数が異なっていてもよい。ただし、応力を緩和するためには、基板１００の面Ｆ１１側と基板１００の面Ｆ１２側とで、ビルドアップ部の層数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。また、基板１００の片面のみに導体層及び層間絶縁層が積層される片面配線板であってもよい。
【００６２】
配線板の製造方法は、上記実施形態に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【００６３】
上記実施形態及び変形例（各要素について列記した材質等）は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。
【００６４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【００６５】
１０  配線板
１１、１２  ソルダーレジスト層
１１ａ、１２ａ  開口部
１００  基板
１００ａ、１００ｂ  導体層
１００ｄ  スルーホール導体
１０１、１０２、１０３、１０４  絶縁層
１０１ａ、１０２ａ  ビアホール
１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂ  ビア導体
１１０、１２０、１３０、１４０  導体層
１００１  無電解めっき膜
１００２  電解めっき
１０１１  フィラー層
１０１２  樹脂層
２００１、２００２  めっきレジスト
Ｆ  無機フィラー
Ｆ１１、Ｆ１２  面
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ１１、Ｌ１２  線
Ｐ  ポリマー
Ｐ１、Ｐ２  パッド
Ｒ  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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