(57)【要約】【課題】電極特性を向上させつつも、小型化を可能とした光半導体素子及び光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体素子Ｃ１Ａは、レーザの共振器を構成する第１の共振器面及び第２の共振器面と、第１の共振器面と第２の共振器面とを接続する第１の側面及び第２の側面と、第１の共振器面及び第２の共振器面と、第１の側面及び第２の側面とにより囲まれる光半導体素子の上面において、共振器の光導波路の上部領域を含む領域に設けられたＰ型電極ＰＥ１と、上面において、Ｐ型電極ＰＥ１と接触しない領域に設けられたＮ型電極ＮＥ１と、を含み、第１の共振器面と第１の側面のなす角度と、第１の共振器面と第２の側面のなす角度とが異なる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザの共振器を構成する第１の共振器面及び第２の共振器面と、
前記第１の共振器面と前記第２の共振器面とを接続する第１の側面及び第２の側面と、
前記第１の共振器面及び前記第２の共振器面と、前記第１の側面及び前記第２の側面とにより囲まれる光半導体素子の上面において、前記共振器の光導波路の上部領域を含む領域に設けられた第１導電型の電極と、
前記上面において、前記第１導電型の電極と接触しない領域に設けられた、前記第１導電型とは異なる第２導電型の電極と、を含み、
前記第１の共振器面と前記第１の側面のなす角度と、前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度とが異なる
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体素子であって、
前記第１の共振器面の前記導波路に垂直な方向の幅が５０〜２００μｍであり、
前記第２の共振器面の前記導波路に垂直な方向の幅が２５０μｍ以上である
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光半導体素子であって、
前記第１の共振器面の幅と、前記第２の共振器面の幅との比が１／３以下である
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記第１の共振器面と前記第１の側面のなす角度よりも、前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度が大きく、
前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度が１００〜１１０度である
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記第１導電型の電極の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部と、前記第１導電型の電極の前記導波路に平行な方向の長さがそれぞれ９０μｍ以上であり、
前記第２導電型の電極の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部と、前記第１導電型の電極の前記導波路に平行な方向の長さがそれぞれ９０μｍ以上である
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項６】
請求項５に記載の光半導体素子であって、
前記第１導電型の電極は、前記光導波路の上部に設けられたストライプの少なくとも一部の上に設けられており、
前記第１導電型の電極のうち前記ストライプ上にない電極部分の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部が９０μｍ以上である
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記第１導電型の電極の幅の最長部と、前記第２導電型の電極の幅の最長部とを、前記導波路に垂直な方向に並べて配置した
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれかに記載の光半導体素子であって、
前記第１導電型の電極の幅の最長部と、前記第２導電型の電極の幅の最長部とを、前記導波路に平行な方向に関してずらして配置した
ことを特徴とする光半導体素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の光半導体素子と、
前記光半導体素子の第１導電型の電極とワイヤボンディングしたワイヤにより接続される第１のリードと、
前記光半導体素子の第２導電型の電極とワイヤボンディングしたワイヤにより接続される第２のリードと、
を含むことを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子及び光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体素子を基板上に複数形成し、基板上に形成した複数の光半導体素子を個々の素子に分割することが行われる。ここで、下記の特許文献１に記載されているように、基板に単結晶サファイアを用いた場合に、光半導体素子の表面を平行四辺形や台形で形成しているものや、下記の特許文献２に記載されているように、基板にＧａＮ自立単結晶を用いて、Ｐ型電極とＮ型電極とを同一面に形成しない場合に、光半導体素子の表面を正三角形、菱形、平行四辺形、台形、六角形で形成しているものもあるが、光半導体素子の表面は矩形とすることが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２４３７３０号公報
【特許文献２】特開平１１−３４０５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光半導体素子のＰ側電極とＮ側電極と、それぞれの電線（ワイヤ）とを接続するために通常ワイヤボンディングが行われる。一般に、電線の直径が２０〜２５μｍである場合には、ワイヤボンディングの電極へボンディングされる領域の直径は約１００〜１２０μｍ程度必要となる。
【０００５】
ここで、光半導体素子の基板にＧａＮを用いた場合に電極特性を向上させるために、Ｐ側電極とＮ側電極とを同一面に形成した場合には、各電極のワイヤボンディングに必要とされる面積や、ワイヤボンディングの形成位置間のマージン、リッジ幅、各種のプロセスマージン等を考慮すると、光半導体素子の表面形状を矩形とする場合にはその幅（リッジと垂直方向の長さ）には３００μｍ以上は必要となり、光半導体素子を小型化する上での制約となっていた。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みて為されたものであり、その目的は、電極特性を向上させつつも、小型化を可能とした光半導体素子及び光半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明に係る光半導体素子は、レーザの共振器を構成する第１の共振器面及び第２の共振器面と、前記第１の共振器面と前記第２の共振器面とを接続する第１の側面及び第２の側面と、前記第１の共振器面及び前記第２の共振器面と、前記第１の側面及び前記第２の側面とにより囲まれる光半導体素子の上面において、前記共振器の光導波路の上部領域を含む領域に設けられた第１導電型の電極と、前記上面において、前記第１導電型の電極と接触しない領域に設けられた、前記第１導電型とは異なる第２導電型の電極と、を含み、前記第１の共振器面と前記第１の側面のなす角度と、前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度とが異なることを特徴とする。
【０００８】
（２）（１）に記載の光半導体素子において、前記第１の共振器面の前記導波路に垂直な方向の幅が５０〜２００μｍであり、前記第２の共振器面の前記導波路に垂直な方向の幅が２５０μｍ以上であることとしてよい。
【０００９】
（３）（１）又は（２）に記載の光半導体素子において、前記第１の共振器面の幅と、前記第２の共振器面の幅との比が１／３以下であることとしてよい。
【００１０】
（４）（１）乃至（３）のいずれかに記載の光半導体素子において、前記第１の共振器面と前記第１の側面のなす角度よりも、前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度が大きく、前記第１の共振器面と前記第２の側面のなす角度が１００〜１１０度であることとしてよい。
【００１１】
（５）（１）乃至（４）のいずれかに記載の光半導体素子において、前記第１導電型の電極の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部と、前記第１導電型の電極の前記導波路に平行な方向の長さがそれぞれ９０μｍ以上であり、前記第２導電型の電極の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部と、前記第１導電型の電極の前記導波路に平行な方向の長さがそれぞれ９０μｍ以上であることとしてよい。
【００１２】
（６）（５）に記載の光半導体素子において、前記第１導電型の電極は、前記光導波路の上部に設けられたストライプの少なくとも一部の上に設けられており、前記第１導電型の電極のうち前記ストライプ上にない電極部分の前記導波路に垂直な方向の幅の少なくとも一部が９０μｍ以上であることとしてよい。
【００１３】
（７）（１）乃至（６）のいずれかに記載の光半導体素子において、前記第１導電型の電極の幅の最長部と、前記第２導電型の電極の幅の最長部とを、前記導波路に垂直な方向に並べて配置したこととしてよい。
【００１４】
（８）（１）乃至（６）のいずれかに記載の光半導体素子において、前記第１導電型の電極の幅の最長部と、前記第２導電型の電極の幅の最長部とを、前記導波路に平行な方向に関してずらして配置したこととしてよい。
【００１５】
（９）本発明に係る光半導体装置は、（１）乃至（８）のいずれかに記載の光半導体素子と、前記光半導体素子の第１導電型の電極とワイヤボンディングしたワイヤにより接続される第１のリードと、前記光半導体素子の第２導電型の電極とワイヤボンディングしたワイヤにより接続される第２のリードと、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光半導体素子のレーザ共振器の一方の共振器面から他方の共振器面に向けて幅が次第に広くなる形状としたことで、光半導体素子を小型化しつつも、第１導電型と第２導電型のそれぞれの電極を配置する領域を広くとることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１の実施形態に係る光半導体素子の斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る光半導体素子の上面図である。
【図３】第２の実施形態に係る光半導体素子の斜視図である。
【図４】第２の実施形態に係る光半導体素子の上面図である。
【図５】光半導体素子を搭載した光半導体装置の外観図である。
【図６】光半導体素子をサブマウントにマウントした状態を表す斜視図である。
【図７】光半導体素子をサブマウントにマウントした状態を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態（以下、実施形態）について、図面を参照して説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１９】
［第１の実施形態］
図１には、本発明の第１の実施形態に係る光半導体素子（窒化物系半導体レーザ）Ｃ１Ａ及びＣ１Ｂの斜視図を、図２には、第１の実施形態に係る光半導体素子Ｃ１Ａ及びＣ１Ｂの上面図（平面図）を示した。
【００２０】
図１及び図２に示した光半導体素子は、（ＧａＮ）ウエハ上に光半導体素子Ｃ１Ａ及びＣ１Ｂのペアからなる光半導体素子ペアＣ１を複数形成し、ウエハから各光半導体素子ペアＣ１を分割した後に、各光半導体素子ペアＣ１をレーザスクライブにより、光半導体素子Ｃ１Ａと光半導体素子Ｃ１Ｂとに分割することで得られる。なお、各光半導体素子ペアＣ１の分割時と同時に半導体素子Ｃ１Ａと光半導体素子Ｃ１Ｂを分割してもよい。
【００２１】
まず、光半導体素子Ｃ１Ａの構成について説明する。図１及び図２に示されるように、第１の実施形態に係る光半導体素子Ｃ１Ａは、上面にメサストライプＭＳと、Ｐ型電極ＰＥ１と、Ｎ型電極ＮＥ１と、レーザの前方出射方向を示す出射方向指示部ＩＡが設けられている。メサストライプＭＳは、光導波路と平行に形成されており、メサストライプＭＳの端部に形成されたメサストライプＭＳと垂直な２面が、劈開により形成されたレーザの共振面である。光半導体素子Ｃ１Ａにおいては、面積が小さい共振面側が前方出射方向となっており、出射方向指示部ＩＡの頂点は前方出射方向を示すように形成されている。ここで、光半導体素子Ｃ１Ａに関し、上面は辺Ｓ１Ａ、辺Ｓ２Ａ、辺Ｓ３Ａ及び辺Ｓ４Ａから構成されることとし、図２の辺Ｓ１Ａを含む光半導体素子Ｃ１Ａの側面を前方共振面、辺Ｓ２Ａを含む光半導体素子Ｃ１Ａの側面を後方共振面、辺Ｓ３Ａを含む光半導体素子Ｃ１Ａの側面をペア間分割面、辺Ｓ４Ａを含む光半導体素子Ｃ１Ａの側面を素子間分割面とする。
【００２２】
Ｐ型電極ＰＥ１は、メサストライプＭＳの少なくとも一部の上とメサストライプＭＳ上にない領域に設けられている。例えば、Ｐ型電極ＰＥ１は、台形形状に形成されることとしてよく、台形形状のＰ型電極ＰＥ１の短辺は辺Ｓ１Ａと平行であって辺Ｓ１Ａに近い側に設けられ、台形形状のＰ型電極ＰＥ１の長辺は辺Ｓ２Ａと平行であって辺Ｓ２Ａと近い側に設けられていることとしてよい。ここで、Ｐ型電極ＰＥ１の長辺において、メサストライプＭＳとの交点から頂点までの距離であって、長い側の距離（図２におけるＷ１４に相当）は、例えば１１０μｍとしてよい。ここで、Ｐ型電極ＰＥ１におけるワイヤボンディングの形成領域を確保するという観点からはＷ１４は９０μｍ以上としてよく、光半導体素子の小型化の観点からはＷ１４は１２０μｍ以下としてよい。
【００２３】
Ｎ型電極ＮＥ１は、光半導体素子Ｃ１Ａの上面のうち、Ｐ型電極ＰＥ１と、出射方向指示部ＩＡが形成されている以外の領域に形成される。例えば、Ｎ型電極ＰＥ１は、台形形状に形成されることとしてよく、台形形状のＮ型電極ＮＥ１の短辺は辺Ｓ１Ａと平行であって辺Ｓ１Ａに近い側に設けられ、台形形状のＮ型電極ＮＥ１の長辺は辺Ｓ２Ａと平行であって辺Ｓ２Ａと近い側に設けられていることとしてよい。ここで、Ｎ型電極ＮＥ１の長辺の長さ（図２におけるＷ１３に相当）は、例えば９７μｍとしてよい。ここで、Ｎ型電極ＮＥ１におけるワイヤボンディングの形成領域を確保するという観点からはＷ１３は９０μｍ以上としてよく、また、光半導体素子の小型化の観点からはＷ１３は１２０μｍ以下としてよい。
【００２４】
図１及び図２に示されるように、Ｐ型電極ＰＥ１における幅方向（レーザの出射方向と垂直方向）の最長部位と、Ｎ型電極ＮＥ１における幅方向の最長部位とは、辺Ｓ２Ａに最も近くなるようにＰ型電極ＰＥ１とＮ型電極ＮＥ１とを形成することとしてよい。例えば、Ｐ型電極ＰＥ１における幅方向の最長部位と、Ｎ型電極ＮＥ１における幅方向の最長部位とは一直線上に配置されるようにしてもよい。
【００２５】
ここで、光半導体素子Ｃ１Ａの上面形状の具体例について説明する。例えば、光半導体素子Ｃ１Ａの辺Ｓ１Ａの長さＷ１１と、辺Ｓ２Ａの長さＷ１２とはＷ１１／Ｗ１２＝１／４〜１／３の関係にあることとしてよい。具体例を挙げれば、Ｗ１１＝１００μｍ、Ｗ１２＝３１５μｍとしてよい。さらに、光半導体素子Ｃ１Ａの辺Ｓ３Ａは、辺Ｓ１Ａと辺Ｓ３Ａと垂直としてよく、辺Ｓ３Ａと辺Ｓ１Ａのなす角度と、辺Ｓ４Ａと辺Ｓ１Ａとのなす角度とが異なっていることとしてよい。辺Ｓ３Ａと辺Ｓ１Ａのなす角度は９０度であり、辺Ｓ４Ａと辺Ｓ１Ａとのなす角度（図２におけるθ１に相当）とすると、θ１は１００〜１１０度としてよい。θ１の具体例を挙げれば、θ１＝１０５度としてよい。
【００２６】
次に、光半導体素子Ｃ１Ｂの構成について説明する。図１及び図２に示されるように、第１の実施形態に係る光半導体素子Ｃ１Ｂは、上面にメサストライプＭＳと、Ｐ型電極ＰＥ１と、Ｎ型電極ＮＥ１と、レーザの前方出射方向を示す出射方向指示部ＩＢが設けられている。メサストライプＭＳは、光導波路と平行に形成されており、メサストライプＭＳの端部に形成されたメサストライプＭＳと垂直な２面が、劈開により形成されたレーザの共振面である。光半導体素子Ｃ１Ｂにおいては、面積が大きい共振面側が前方出射方向となっており、出射方向指示部ＩＢの頂点は前方出射方向を示すように形成されている。ここで、光半導体素子Ｃ１Ｂに関しては、上面は辺Ｓ１Ｂ、辺Ｓ２Ｂ、辺Ｓ３Ｂ及び辺Ｓ４Ｂから構成されることとし、図２の辺Ｓ２Ｂを含む光半導体素子Ｃ１Ｂの側面が前方共振面、辺Ｓ１Ｂを含む光半導体素子Ｃ１Ｂの側面が後方共振面、辺Ｓ３Ｂを含む光半導体素子Ｃ１Ｂの側面がペア間分割面、辺Ｓ４Ｂを含む光半導体素子Ｃ１Ｂの側面が素子間分割面となっている。
【００２７】
光半導体素子Ｃ１Ｂを１８０度回転させると、出射方向指示部ＩＢの向きが逆となる以外には、同一形状となるため、光半導体素子Ｃ１Ｂの構成の詳細についての説明は省略する。
【００２８】
本実施例の光半導体素子によれば、Ｐ型電極ＰＥ１、Ｎ型電極ＮＥ１が同一面に形成された場合であっても、ワイヤボンディングに必要な電極の大きさを確保するとともに、光半導体素子のメサに垂直な方向のサイズ（長さ）を小型化することができる。そのため、１枚のウエハから取得できる光半導体素子の数を増大させることができる。
【００２９】
［第２の実施形態］
図３には、本発明の第２の実施形態に係る光半導体素子（窒化物系半導体レーザ）Ｃ２Ａ及びＣ２Ｂの斜視図を、図４には、第２の実施形態に係る光半導体素子Ｃ２Ａ及びＣ２Ｂの上面図（平面図）を示した。
【００３０】
図３及び図４に示した光半導体素子は、（ＧａＮ）ウエハ上に光半導体素子Ｃ２Ａ及びＣ２Ｂのペアからなる光半導体素子ペアＣ２を複数形成し、ウエハから各光半導体素子ペアＣ２を分割した後に、各光半導体素子ペアＣ１をレーザスクライブにより、光半導体素子Ｃ１Ａと光半導体素子Ｃ１Ｂとに分割することで得られる。
【００３１】
まず、光半導体素子Ｃ２Ａの構成について説明する。図３及び図４に示されるように、第２の実施形態に係る光半導体素子Ｃ２Ａは、上面にメサストライプＭＳと、Ｐ型電極ＰＥ２と、Ｎ型電極ＮＥ２と、レーザの前方出射方向を示す出射方向指示部ＩＡが設けられている。メサストライプＭＳは、光導波路と平行に形成されており、メサストライプＭＳの端部に形成されたメサストライプＭＳと垂直な２面が、劈開により形成されたレーザの共振面である。光半導体素子Ｃ２Ａにおいては、面積が小さい共振面側が前方出射方向となっており、出射方向指示部ＩＡの頂点は前方出射方向を示すように形成されている。ここで、光半導体素子Ｃ２Ａに関し、上面は辺Ｓ１Ａ、辺Ｓ２Ａ、辺Ｓ３Ａ及び辺Ｓ４Ａから構成されることとし、図２の辺Ｓ１Ａを含む光半導体素子Ｃ２Ａの側面を前方共振面、辺Ｓ２Ａを含む光半導体素子Ｃ２Ａの側面を後方共振面、辺Ｓ３Ａを含む光半導体素子Ｃ２Ａの側面をペア間分割面、辺Ｓ４Ａを含む光半導体素子Ｃ２Ａの側面を素子間分割面とする。
【００３２】
Ｐ型電極ＰＥ２は、メサストライプＭＳの少なくとも一部の領域（メサストライプ上領域）上とメサストライプＭＳ上にない領域（メサストライプ外領域）に設けられている。例えば、メサストライプ上領域におけるＰ型電極ＰＥ２ａと、メサストライプ外領域におけるＰ型電極ＰＥ２ｂとはそれぞれ、矩形形状に形成されることとしてよく、Ｐ型電極ＰＥ２ｂはワイヤボンディングの形成領域として用いられる。ここで、例えば、Ｐ型電極ＰＥ２ｂの幅方向（レーザ出射方向と垂直方向）の長さ（図４におけるＷ２３）は１００μｍ、Ｐ型電極ＰＥ２ｂのレーザ出射方向の長さ（図４におけるＷ２４）は１００μｍとしてよい。ここで、Ｐ型電極ＰＥ２ｂにおけるワイヤボンディングの形成領域を確保するという観点からはＷ２３，Ｗ２４は９０μｍ以上あることが望ましく、光半導体素子の小型化の観点からはＷ２３，Ｗ２４は１２０μｍ以下とすることが望ましい。
【００３３】
Ｎ型電極ＮＥ２は、光半導体素子Ｃ２Ａの上面のうち、Ｐ型電極ＰＥ２と、出射方向指示部ＩＡが形成されている以外の領域に形成される。例えば、Ｎ型電極ＰＥ２は、矩形形状に形成されることとしてよく、Ｎ型電極ＮＥ２はワイヤボンディングの形成領域として用いられる。ここで、例えば、Ｎ型電極ＮＥ２の幅方向（レーザ出射方向と垂直方向）の長さ（図４におけるＷ２５）は１００μｍ、Ｎ型電極ＮＥ２のレーザ出射方向の長さ（図４におけるＷ２６）は１００μｍとしてよい。ここで、Ｎ型電極ＮＥ２におけるワイヤボンディングの形成領域を確保するという観点からはＷ２５，Ｗ２６は９０μｍ以上としてよく、光半導体素子の小型化の観点からはＷ２５，Ｗ２６は１２０μｍ以下としてよい。
【００３４】
図３及び図４に示されるように、Ｐ型電極ＰＥ２ｂと、Ｎ型電極ＮＥ２とは、レーザ出射方向において少なくとも一部の領域が上下の位置となるように形成することとしてよい。図３及び図４に示した例では、光半導体素子Ｃ２Ａの後方共振面に近い順にＰ型電極ＰＥ２ｂと、Ｎ型電極ＮＥ２を設けるようにしているが、光半導体素子Ｃ２Ａの後方共振面に近い順にＮ型電極ＮＥ２、Ｐ型電極ＰＥ２ｂを設けるようにしても構わない。
【００３５】
ここで、光半導体素子Ｃ２Ａの上面形状の具体例について説明する。例えば、光半導体素子Ｃ１２Ａの辺Ｓ１Ａの長さＷ２１と、辺Ｓ２Ａの長さＷ２２とはＷ２１／Ｗ２２＝１／５〜１／３の関係にあることとしてよい。具体例を挙げれば、Ｗ２１＝７０μｍ、Ｗ２２＝２８５μｍとしてよい。さらに、光半導体素子Ｃ２Ａの辺Ｓ３Ａは、辺Ｓ１Ａと辺Ｓ３Ａと垂直としてよく、辺Ｓ３Ａと辺Ｓ１Ａのなす角度と、辺Ｓ４Ａと辺Ｓ１Ａとのなす角度とが異なっていることとしてよい。辺Ｓ３Ａと辺Ｓ１Ａのなす角度は９０度であり、辺Ｓ４Ａと辺Ｓ１Ａとのなす角度（図４におけるθ２に相当）とすると、θ２は１００〜１１０度としてよい。θ２の具体例を挙げれば、θ２＝１０５度としてよい。
【００３６】
次に、光半導体素子Ｃ２Ｂの構成について説明する。図３及び図４に示されるように、第２の実施形態に係る光半導体素子Ｃ２Ｂは、上面にメサストライプＭＳと、Ｐ型電極ＰＥ２と、Ｎ型電極ＮＥ２と、レーザの前方出射方向を示す出射方向指示部ＩＢが設けられている。メサストライプＭＳは、光導波路と平行に形成されており、メサストライプＭＳの端部に形成されたメサストライプＭＳと垂直な２面が、劈開により形成されたレーザの共振面である。光半導体素子Ｃ２Ｂにおいては、面積が大きい共振面側が前方出射方向となっており、出射方向指示部ＩＢの頂点は前方出射方向を示すように形成されている。ここで、光半導体素子Ｃ２Ｂに関しては、上面は辺Ｓ１Ｂ、辺Ｓ２Ｂ、辺Ｓ３Ｂ及び辺Ｓ４Ｂから構成されることとし、図４の辺Ｓ２Ｂを含む光半導体素子Ｃ２Ｂの側面が前方共振面、辺Ｓ１Ｂを含む光半導体素子Ｃ２Ｂの側面が後方共振面、辺Ｓ３Ｂを含む光半導体素子Ｃ２Ｂの側面がペア間分割面、辺Ｓ４Ｂを含む光半導体素子Ｃ２Ｂの側面が素子間分割面となっている。
【００３７】
光半導体素子Ｃ２Ｂを１８０度回転させると、出射方向指示部ＩＡに対して出射方向指示部ＩＢの向きが逆となる以外には、同一形状となるため、光半導体素子Ｃ２Ｂの構成の詳細についての説明は省略する。
【００３８】
［光半導体装置について］
次に、以上説明した本発明の実施形態に係る光半導体素子１を搭載した光半導体装置の例について説明する。なお、以下の光半導体素子１には上述した光半導体素子Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂ，Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂのいずれか、又はこれらの変形例を用いることとしてよい。
【００３９】
図５には、本発明の実施形態に係る（ＧａＮ系）光半導体素子１を内蔵する光半導体装置１００の一部断面の斜視図を示した。
【００４０】
図５に示すように、サブマウント２は、ヒートブロック３に取り付けられている。ヒートブロック３は、例えばＣｕなどの熱伝導性が良好な金属からなる。ヒートブロック３の一面に、サブマウント２が半田（図示せず）を介して固定されている。サブマウント２は、光半導体素子１の発光時に発生する熱をその外部に放散するための放熱板としての機能と、光半導体素子１を支持するための支持基板としての機能を兼ねており、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＣｕＷなどのセラミックで構成されることとしてよい。
【００４１】
ヒートブロック３は、例えばロウ材（図示せず）を介して、ステム４（詳しくはその上面）に固定されている。ヒートブロック３は、ステム４の上面中央部又はその近傍に搭載されている。ヒートブロック３を介して、ステム４にサブマウント２が取り付けられている。あるいは、サブマウント２とステム４との間にヒートブロック３が介在する。ステム４は、円盤状になっており、例えば直径が５．６ｍｍ程度、厚さが１．０ｍｍ程度のＦｅ合金からなる。
【００４２】
光半導体素子１は、メサストライプＭＳの長さに沿った方向の両端面からレーザビームを出射する。そのため、光半導体素子１を支持するサブマウント２は、そのチップ実装面がステム４の上面に対して垂直な方向を向くように、ヒートブロック３に固定されている。
【００４３】
ステム４の光半導体素子１が搭載された面とその反対面を貫通して、リード６ａ、第１リード６ｃ及び第２リード６ｂを含むリードがステム４に設けられている。第１リード６ｃ及び第２リード６ｂは、光半導体素子１が搭載された面とは反対側で外部端子となる。
【００４４】
第１リード６ｃには、ステム４の光半導体素子１が搭載された側から突出する部分に、ｐ型電極と接続したＡｕワイヤがボンディングされている。また、第２リード６ｂには、光半導体素子１が搭載された側から突出する部分に、ｎ型電極と接続したＡｕワイヤがボンディングされている。ボンディングはいずれも、ウェッジボンディングとしてもよいし、ボールボンディングとしてもよい。
【００４５】
図５に示すように、ステム４の上面側で光半導体素子１をキャップ９が覆って、光半導体素子１を収容するパッケージ（封止容器）が構成されている。キャップ９の周縁部にはフランジ部５が設けられ、フランジ部５でキャップ９はステム４の上面に固定されている。キャップ９の上面中央部分には、穴８（例えば丸穴）が形成されており、レーザビームを透過するガラス板７が穴８に接合されている。光半導体素子１の端面（図１では上側の端面）から出射されたレーザビーム（前方光）は、キャップ９の穴８を通じて外部に出射される。
【００４６】
図６及び図７には、光半導体素子１をサブマウント２にマウントした状態の斜視図を示した。
【００４７】
図６は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体素子Ｃ１Ａをサブマウント２にマウントした状態の斜視図を示している。なお、サブマウント２の表面にはサブマウント電極１１３が形成されており、Ｐ型電極ＰＥ１とリード６ｂとはＡｕワイヤ１０ａで接続され、Ｎ型電極ＮＥ１とリード６ｃとはＡｕワイヤ１０ｂで接続されている。光半導体素子Ｃ１Ａは、Ａｕワイヤ１０ａとＡｕワイヤ１０ｂにて通電され発光する。このときダイボンド用パッド側に電気が流れないように、サブマウント２のサブマウント電極１３はＡｕワイヤ１０ａとＡｕワイヤ１０ｂとは絶縁された状態としている。
【００４８】
図７は、本発明の第１の実施形態に係る光半導体素子Ｃ１Ｂをサブマウント２にマウントした状態の斜視図を示している。Ｐ型電極ＰＥ１とリード６ｂとはＡｕワイヤ１０ａで接続され、Ｎ型電極ＮＥ１とリード６ｃとはＡｕワイヤ１０ｂで接続されている。
【００４９】
以上説明した通り、本実施形態の光半導体素子においては、一方の共振器面から他方の共振器面に向けて次第に幅を広くなるくさび形としたことで、Ｐ型電極とＮ型電極とを同一面に配置する場合に各電極のワイヤボンディングに必要なサイズの電極面積を確保し易くなるとともに、一方の共振器面を他方に比べて小さくしたことで光半導体素子の上面の面積を小さくすることができる。さらに、図１〜４に示されるように一対の光半導体素子を矩形のパターンで形成した後に、一対の光半導体素子をレーザスクライブにより斜めに分割して各光半導体素子を得ることができるため、歩留まりの向上にも寄与できる。
【００５０】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。また、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００５１】
Ｃ１Ａ，Ｃ１Ｂ，Ｃ２Ａ，Ｃ２Ｂ，１  光半導体素子、Ｃ１，Ｃ２  光半導体素子ペア、ＭＳ  メサストライプ、ＰＥ１，ＰＥ２  Ｐ型電極、ＮＥ１，ＮＥ２  Ｎ型電極、ＩＡ，ＩＢ  出射方向指示部、３  ヒートブロック、４  ステム、５  フランジ部、６ａ，６ｂ，６ｃ  リード、７  ガラス板、８  穴、９  キャップ、１３  サブマウント電極、１００  光半導体装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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