(57)【要約】  【課題】  入出力端子の半導体素子に高周波信号を入出力させる線路導体の絶縁性を向上させること。  【解決手段】  入出力端子６は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された複数の線路導体３を有するセラミックスから成る平板部１と、この平板部１の上面に複数の線路導体３の一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る直方体状の立壁部２とを具備し、線路導体３は、立壁部２の壁面から線路導体３の終端の途中までがセラミック層４に覆われており、セラミック層４は、先端側の厚みが立壁部２側の厚みよりも薄い。【選択図】  図１
2014232744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された複数の線路導体を有するセラミックスから成る平板部と、該平板部の上面に前記複数の線路導体の一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る直方体状の立壁部とを具備している入出力端子において、前記線路導体は、前記立壁部の壁面から前記線路導体の終端の途中までがセラミック層に覆われており、該セラミック層は、先端側の厚みが前記立壁部側の厚みよりも薄いことを特徴とする入出力端子。
【請求項２】
前記セラミック層は、前記立壁部から一定幅で前記線路導体および前記線路導体の間の前記平板部の表面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の入出力端子。
【請求項３】
前記線路導体は、前記立壁部の一方側において他方側よりも大きな配線密度で配置されており、少なくとも配線密度の大きい側に前記セラミック層が形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の入出力端子。
【請求項４】
上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、該基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付部に嵌着された請求項１乃至３のいずれか１つに記載の入出力端子とを具備していることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項５】
請求項４記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載の入出力端子の製造方法であって、前記平板部となるセラミックグリーンシートの上面に前記セラミック層となるセラミックペーストを所定形状に塗布し、次いで前記立壁部となるセラミックグリーンシートを前記セラミックペーストの上に積層して前記入出力端子となるセラミック積層体を作製し、その後該積層体を焼成することを特徴とする入出力端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージに関し、半導体素子収納用パッケージの信号入出力部に使用される入出力端子、およびこの入出力端子の製造方法、ならびにこの入出力端子を具備している半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージ（以下、パッケージともいう）には、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続するための入出力端子が用いられている。この入出力端子の例を図６に斜視図で示す（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
同図において、１０１は誘電体から成る四角平板状の平板部であり、平板部１０１は、その上面に、一辺から対向する他辺にかけてメタライズ金属層から成る線路導体１０３が形成されている。平板部１０１の上面には、線路導体１０３の一部を間に挟んで誘電体から成る直方体状の立壁部１０２が接合される。
【０００４】
この入出力端子の立壁部１０２は、図６に示すように、平板部１０１となるセラミックグリーンシートの上に立壁部１０２となる複数のセラミックグリーンシートを順次圧着して積層し、その後焼結させて作製される。平板部１０１および線路導体１０３を横切り、立壁部１０２が垂直に立設され、立壁部１０２の壁面が平板部１０１および線路導体１０３に対して垂直に形成される。
【０００５】
従来の他の入出力端子の立壁部１０２は、最下層のセラミック層となるセラミックグリーンシートが、残部のセラミック層となるセラミックグリーンシートよりも幅が広く形成されている（例えば、特許文献２参照）。このように最下層のセラミック層の幅を広くすることによって、セラミックグリーンシートを圧着する際に、圧着力が、幅広のセラミック層の幅狭のセラミック層から外側に出た部分に分散されて加わる。これによって、線路導体１０３が断線したりする問題を緩和するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１００６９３号
【特許文献２】特開２００４−３５６３９２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、入出力端子は線路導体１０３に金めっき等を施す場合が多い。上記従来の入出力端子では、めっき終了後に入出力端子をめっき液から揚げた際、めっき液が表面張力によって線路導体１０３の表面と立壁部１０２（または最下層のセラミック層）の側面との間の凹部に残留し、この残留めっき液によって金属層の析出が継続してしまうという問題があった。
【０００８】
場合によって、隣接する線路導体１０３の間のセラミックス表面に残留めっき液による金属層が析出してしまい、これら線路導体１０３間の絶縁耐力が劣化するという問題があった。
【０００９】
従って、本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、半導体素子収納用パッケージに収容した半導体素子に高周波信号を入出力させる入出力端子の線路導体間の絶縁性を向上させた入出力端子、およびこれを用いた高周波信号の入出力が良好で、気密性に優れた半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態に係る入出力端子は、上面に一辺から対向する他辺にかけて形成された複数の線路導体を有するセラミックスから成る平板部と、この平板部の上面に前記複数の線路導体の一部を間に挟んで接合されたセラミックスから成る直方体状の立壁部とを具備している入出力端子において、前記線路導体は、前記立壁部の壁面から前記線路導体の終端の途中までがセラミック層に覆われており、このセラミック層は、先端側の厚みが前記立壁部側の厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１１】
また、上記入出力端子において、前記セラミック層は、前記立壁部から一定幅で前記線路導体および前記線路導体の間の前記平板部の表面に形成されているのが好ましい。
【００１２】
また、上記入出力端子において、前記線路導体は、前記立壁部の一方側において他方側よりも大きな配線密度で配置されており、少なくとも配線密度の大きい側に前記セラミック層が形成されているのが好ましい。
【００１３】
本発明の一実施形態に係る半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に半導体素子が載置される載置部を有する基体と、この基体の上面に前記載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部が形成された枠体と、前記取付部に嵌着された上記入出力端子とを具備していることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の一実施形態に係る半導体装置は、上記半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置されるとともに前記入出力端子に電気的に接続された半導体素子と、前記枠体の上面に前記枠体の内側を塞ぐように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする。
【００１５】
本発明の一実施形態に係る上記入出力端子の製造方法は、前記平板部となるセラミックグリーンシートの上面に前記セラミック層となるセラミックペーストを所定形状に塗布し、次いで前記立壁部となるセラミックグリーンシートを前記セラミックペーストの上に積層して前記入出力端子となるセラミック積層体を作製し、その後該積層体を焼成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の一実施形態に係る入出力端子によれば、線路導体は、立壁部の壁面から前記線路導体の終端の途中までがセラミック層に覆われており、このセラミック層は、先端側の厚みが立壁部側の厚みよりも薄いことから、線路導体の表面とセラミック層との間に残留するめっき液を少なくすることができ、線路導体間に析出してしまう金属層の析出を少なくすることができる。
【００１７】
また、セラミック層が立壁部から一定幅で形成されておれば、立壁部の壁面部分で金属層が形成され難くでき、金属層の析出を少なくできる。
【００１８】
また、線路導体が、立壁部の一方側において他方側よりも大きな配線密度で配置されており、少なくとも配線密度の大きい側にセラミック層が形成されていれば、絶縁耐性が改善された入出力端子とすることができる。
【００１９】
本発明の一実施形態に係る半導体素子収納用パッケージによれば、基体の上面に載置部を囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子の取付部に、上記入出力端子が嵌着されていることから、高出力の信号を入出力できる半導体素子収納用パッケージとすることができる。
【００２０】
本発明の一実施形態に係る半導体装置によれば、上記半導体素子収納用パッケージが用いられることによって、絶縁耐性が大きく、高出力な半導体装置とすることができる。
【００２１】
本発明の一実施形態に係る入出力端子の製造方法によれば、平板部となるセラミックグリーンシートの上面にセラミック層となるセラミックペーストを所定形状に塗布し、次いで立壁部となるセラミックグリーンシートを積層して入出力端子となるセラミック積層体を作製することから、容易に上記入出力端子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】（ａ）は本発明の入出力端子の実施の形態の一例を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の入出力端子の実施の形態の他の例を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）の平面図である。
【図３】図１，図２の入出力端子の要部断面を拡大して示す要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は入出力端子の製造方法を示す図である。
【図５】本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図６】従来の入出力端子の例を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の一実施形態に係る入出力端子、半導体素子収納用パッケージならびに半導体装置について以下に詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の入出力端子６の実施の形態の一例を示す斜視図である。図１（ｂ）は図１（ａ）に示す入出力端子６の平面図である。同様に、図２（ａ），図２（ｂ）は入出力端子６の実施の形態の他の例を示す斜視図および平面図である。なお、本明細書において、同じ部位を示す各部の符号は同じものとしている。
【００２４】
図に示すように、入出力端子６は、四角平板状の平板部１と、この平板部１の上面に接合して平板部１と一体化させた直方体状の立壁部２と、平板部１の上面の一辺から対向する他辺にかけて形成され、中央部が平板部１と立壁部２との間に挟まれた線路導体３とを具備している。立壁部２は線路導体３の中央部を横切るようにして、線路導体３の一端側と他端側との間を遮っている。
【００２５】
平板部１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体等のセラミックスから成る。立壁部５は、Ａｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体等のセラミックスから成る。
【００２６】
線路導体３は、一部が立壁部２の壁面から延びるセラミック層４に覆われている。セラミック層４は立壁部２の壁面から線路導体３が延びる方向に形成されている。図１に示す入出力端子６においては、複数の線路導体３は平板部１の上面の一辺から対向する他辺にかけて平行に、同じ配線密度で形成されている。
【００２７】
入出力端子６の線路導体３は、図２（ａ），図２（ｂ）に示すように、立壁部２の一方
側の配線密度が他方側の配線密度よりも大きくなるように配置されていてもよい。本入出力端子６においては、一方側の配線幅および配線間の間隔が他方側の配線幅および配線間隔よりも狭く形成されている。このように、線路導体３は線路導体３と外部回路との間の接続方法に対して、最適な配線密度となるように配置することができる。
【００２８】
線路導体３は、平板部１の上面に一辺から対向する他辺にかけて形成されたタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等のメタライズ層から成る。線路導体３のパッケージの外部に露出する一端には、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るリード端子５等が接続される。線路導体３は通常厚さ５〜５０μｍ、幅0.1〜３ｍｍに形成される。
【００２９】
なお、図１（ｂ），図２（ｂ）においては、線路導体３が入出力端子６の中央部に関して対称に配置されているが、これに限られることはない。一方端側に配線を集中させたり、場所ごとに配線密度を変化させたりしてもよい。また、斜視図、平面図において識別を容易にするために線路導体３にはハッチングを付している。
【００３０】
図３は、図１，図２に示す入出力端子６のセラミック層４を横切る断面における入出力端子６の部分断面を示す。セラミック層４は、図３に示すように、立壁部２の壁面の位置からほぼ同じ厚みで延び、先端４ａ部において立壁部２の壁面の位置の厚みよりも厚みが薄くなるように形成される。また、先端４ａは線路導体３に接する面と線路導体３の表面との成す角度が９０度以上に形成されるのが好ましい。セラミック層４の立壁部２の壁面位置での厚みは、例えば５μｍ乃至５０μｍである。
【００３１】
セラミック層４は、図１（ｂ），図２（ｂ）に示されているように、立壁部２の壁面から一定の幅Ｗで線路導体３の表面および線路導体３の間の平板部１の表面を覆っているのが好ましい。しかし、セラミック層４は、線路導体３の間の平板部１の表面は覆わずに、線路導体３の表面だけを覆う形状としてもよい。つまり、線路導体３の表面のみを覆うように立壁部２の壁面から線路導体３に沿ってセラミック層４を形成してもよい。
【００３２】
また、図２（ｂ）に示すように、立壁部２の両側で線路導体３の配線密度が異なる場合、少なくとも配線密度が大きい側にはセラミック層４を形成するのがよい。なお、配線密度によらず、立壁部２の両側にセラミック層４を形成してもよいことは言うまでもない。
【００３３】
セラミック層４は、平板部1または立壁部２と同じく、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質焼結
体，窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体等のセラミックスから成る。
【００３４】
このような入出力端子６の製造方法を図４を用いて説明する。例えば、Ａｌ２Ｏ３質焼結体（アルミナ質セラミックス）から成る場合、先ず酸化アルミニウム，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）および酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，溶剤等を添加混合して泥漿状と成す。これを従来周知のドクターブレード法やカレンダーロール法等のテープ成形技術により複数のセラミックグリーンシートとし、その後、図４（ａ）に示すように、それぞれのセラミックグリーンシートを積層して平板部１となる積層体Ｃ１を形成する。
【００３５】
次に、図４（ｂ）に示すように、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダ，可塑剤，溶剤等を添加混合して得た金属ペーストＣ３を、平板部1となるセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷法等の厚膜形成技術により印刷塗布する。これによって線路導体３となるメタライズ層を所定パターンに形成する。
【００３６】
次に、図４（ｃ）に示すように、平板部１の上面の線路導体３となるメタライズ配線パターンＣ３を横切るようにして、セラミック層４となるセラミックペーストＣ４、すなわち上記泥奨状のセラミック混合物を所定形状および所定厚みに塗布する。セラミックペーストＣ４を塗布すると、先端４ａ上部の角は表面張力で曲面となり、側面に向けて次第に角度を増して線路導体３表面に接する形状になる。厚みやセラミック層４の先端４ａ形状は、セラミックペーストＣ４の粘度を調整することで管理することができる。
【００３７】
図４（ｃ）に示す入出力端子６であれば、立壁部２の両側側面部分にそれぞれセラミックペーストＣ４を塗布している。この他、立壁部２の下面全面に立壁部２の幅より広い一定幅にセラミックペーストＣ４を塗布したりしてもよい。
【００３８】
なお、スクリーン印刷やマスキング等の方法によってセラミックペーストＣ４を塗布すれば、セラミック層４が線路導体３の表面のみを覆うようにする等、適宜の形状に形成することもできる。
【００３９】
その後、図４（ｄ）に示すように、平板部１となるセラミックグリーンシートＣ１の上面のセラミックペーストＣ４を塗布した部分を一部含む所定位置に、立壁部２となるセラミックグリーンシートＣ２を積層する。立壁部２の高さが高い場合は、セラミックグリーンシートＣ２同士を複数枚積層し、これを平板部１のセラミックグリーンシートＣ１の上に積層し、入出力端子６となるセラミックグリーンシートＣ１，Ｃ２の積層体を得る。
【００４０】
立壁部２をセラミックペーストＣ４上に積層する場合、積層時に行なう圧着管理が容易となる。グリーンシート同志を積層する場合に、積層時の圧力管理が不十分であると、焼成後のセラミック層同志の間に剥離等が生じてしまう場合がある。セラミックペーストＣ４上への立壁部２となるグリーンシートＣ２の積層は、圧力管理幅を大きくすることができる。よって、焼成後にセラミック層４が平板部1から剥離して、平板部1との間に隙間を生じたりする虞が少なくなる。
【００４１】
また、メタライズ層Ｃ３表面のように材質が異なる部分にも容易にグリーンシートＣ２を接着できる。さらに、セラミックペーストＣ４上への積層においては、平板部1や線路
導体３に加わる圧力を小さくすることができるので、これらを変形させてしまう虞も少なくできる。
【００４２】
最後に、入出力端子６の個片となるように切断加工を行ない、必要に応じて、この積層体の側面、上面、下面の接地導体となる部分およびろう付け接合する部分に上記メタライズ層Ｃ３と同様の金属ペーストを塗布して乾燥し、その後にこれを還元雰囲気中、約1600℃の温度で焼成する。このようにして入出力端子６が製作される。
【００４３】
このようにして製作された入出力端子６の線路導体３等のメタライズ層表面には、酸化腐食やろう材による接合性向上のために、例えば、厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍの金（Ａｕ）層とをめっき法により順次被着させる場合が多い。
【００４４】
めっき処理は、めっき液を入れためっき曹に入出力端子６を所定時間投入し、電気めっき法や無電解めっき法等によって行なう。所定時間投入後に入出力端子６をめっき曹から取り出して、めっき処理を中断するのであるが、入出力端子６の平板部１と立壁部２の壁面との間等の凹部にはめっき液が残留してしまう場合がある。そして、この残留めっき液から金属が析出してしまう場合がある。
【００４５】
本入出力端子６においては、立壁部２の壁面の線路導体３表面は、絶縁体であるセラミ
ック層４で覆われているので、析出しためっき層が線路導体３と接続してしまうことがない。
【００４６】
また、セラミック層４は先端４ａ部で厚みが薄くなるように形成されているし、さらに線路導体３表面と線路導体３に接する先端４ａ面との間の角度が９０度以上になるように形成されていれば、セラミック層４の先端４ａ部にめっき液が残留したとしても、残留めっき液量を少なくすることができる。よって、線路導体３表面に金属が析出してしまい、隣接する線路導体３同志の間の絶縁耐性が劣化しにくいものとできる。
【００４７】
次に、本発明のパッケージについて図５に基づいて説明する。同図は本発明のパッケージの実施の形態の一例を示す斜視図であり、１１は基体、１２は枠体、１３は取付部である。
【００４８】
本発明のパッケージは、上面の中央部に半導体素子が載置される載置部１１ａを有する基体１１と、この基体１１の上面に載置部１１ａを囲繞するように取着され、側部に形成された貫通孔または切欠きから成る入出力端子６の取付部１３が形成された枠体１２と、取付部１３に嵌着された入出力端子６とを具備している。
【００４９】
本発明のパッケージによれば、上記本発明の入出力端子６を具備していることから、絶縁耐圧が大きく、気密性に優れたパッケージとすることができる。また、多数の信号を入出力するための多数の線路導体３を備えた小型のパッケージとすることができる。そして、このような特性を有するパッケージを製造する際に、入出力端子６に層間剥離等の破損が発生し難い高信頼性のパッケージとすることができる。
【００５０】
基体１１は、上面にＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子を載置するための載置部１１ａを有している。図５では載置部１１ａを凹部底面とした例を示した。載置部１１ａには、基体１１の上面に載置台や回路基板等を介して半導体素子を載置してもよい。
【００５１】
基体１１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金，銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）合金等の金属、またはＡｌ２Ｏ３質焼結体，ＡｌＮ質焼結体，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体等のセラミックスから成る。基体１１が金属から成る場合、そのインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法を施すことによって所定形状に製作される。一方、基体１１がセラミックスから成る場合、その原料粉末に適当な有機バインダや溶剤等を添加混合しペースト状と成し、このペーストをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってセラミックグリーンシートと成し、しかる後、このセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施し、これを複数枚積層し約1600℃の高温で焼成することによって作製される。
【００５２】
なお、基体１１が金属からなる場合、その表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍの金（Ａｕ）層とを順次めっき法により被着させておくのがよい。これにより、基体１１が酸化腐蝕するのを防止できるとともに、基体１１上面の載置部１１ａに半導体素子を強固に接合固定させることができる。一方、基体１１がセラミックスから成る場合、載置部１１ａに、Ｗ，Ｍｏ等のメタライズ層を下地層として形成し、この表面に耐蝕性に優れ、かつロウ材との濡れ性に優れる金属、具体的には厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層とを順次めっき法により被着させておくのがよい。これにより、載置部１１ａに半導体素子を強固に接着固定することができる。
【００５３】
枠体１２は、基体１１上に載置部１１ａを囲繞するようにＡｇロウ、Ａｇ−Ｃｕロウ材
等の高融点金属ロウ材により接合されており、基体１１と同様にセラミックスまたは金属から成る。また、枠体１２の側部には、貫通孔または切欠きから成る入出力端子６の取付部１３が形成されている。
【００５４】
取付部１３は、枠体１２および基体１１がセラミックスからなる場合、内面にメタライズ層等の金属層が形成されている。この金属層は、基体１１および枠体１２またはこれらのうち一方に被着形成された接地導体に接続されて接地される。
【００５５】
取付部１３には本発明の入出力端子６がＡｇロウ、Ａｇ−Ｃｕロウ材等の高融点金属ロウ材により嵌着接合されている。そして、入出力端子６の下部接地導体、上部接地導体および側面接地導体は、枠体１２および基体１１がセラミックスからなる場合、取付部１３の内面に形成された導電層に接続されることにより接地され、ケースグランドとなる。あるいは、枠体１２および基体１１が金属からなる場合、入出力端子６の下部接地導体、上部接地導体および側面接地導体は、金属製の枠体１２や基体１１に接続されて接地され、ケースグランドとなる。また、入出力端子６の上部接地導体は、図５に示すように枠体１２の上面に取着されるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属からなるシールリング１４に接続されて接地され、ケースグランドとなっていてもよい。
【００５６】
なお、枠体１２がセラミックスから成る場合、入出力端子６は枠体１２の一部として一体的に成形されてもよい。
【００５７】
このような本発明のパッケージは、入出力端子６を具備していることから、高周波信号の損失を最小限に抑え、良好な伝送特性を有するものとなるとともに、気密性に優れたものとすることができ、また多数の信号を入出力するための多数の線路導体３を備えた小型のものとすることができる。
【００５８】
そして、このようなパッケージの載置部１１ａに半導体素子（図示せず）を載置した後、半導体素子の電極と線路導体３とをボンディングワイヤ等の接続手段（図示せず）を介して接続し、パッケージの外側の線路導体３にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属からなるリード端子５等をＡｇロウなどの導電性接着材を介して接合して、半導体素子と外部電気回路基板とを電気的に接続する。
【００５９】
次に、必要に応じて枠体１２の上面にシールリング１４を鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）半田やＡｕ−Ｓｎ半田等の低融点金属ロウ材やＡｇ−Ｃｕロウ材等の高融点金属ロウ材等により取着し、シールリング１４の上面にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る蓋体１５を半田付けやシームウエルド法等により取着することにより、半導体素子がパッケージ内部に収納された製品としての半導体装置となる。
【００６０】
また、図５の実施の形態では枠体１２の対向する側部にも入出力端子６を設けているが、必要に応じて他の側部に設けてもよく、または１つの側部に複数の入出力端子６を取り付けてもよい。この場合取付部１３を１つの側部に複数設けて入出力端子６を並列的に複数取り付ければよい。
【００６１】
このような本発明の半導体装置は、上記本発明の入出力端子６を具備しているパッケージを備えていることから、高周波信号の伝送損失が少なく、気密性に優れた信頼性の高い高出力な半導体装置とすることができ、また多数の信号を入出力するための多数の線路導体３を備えた多機能なものとすることができる。
【００６２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を施すことは何等差し支えない。例えば、線路導体３となるメ
タライズ層には、Ｃｕ，Ａｇ等の導電性に優れた金属が含まれていてもよい。線路導体３を伝送する高周波信号の伝送損失をさらに低減させ、高周波信号の伝送特性に優れたものとすることができる。
【符号の説明】
【００６３】
１：平板部
２：立壁部
３：線路導体
４：セラミック層
４ａ：先端
５：リード端子
６：入出力端子
１１：基体
１２：枠体
１３：取付部
１４：シールリング
１５：蓋体
【図１】
2014232744.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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