(57)【要約】 【課題】表示品位の良好な液晶表示装置を提供する。【解決手段】スリットＳＬが設けられた画素電極ＰＥと、絶縁膜を介して複数の画素電極ＰＥと対向した共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥを覆う第１配向膜ＡＬ１と、を備えたアレイ基板ＡＲと、第１配向膜ＡＬ１と対向して配置された第２配向膜ＡＬ２を備えた対向基板と、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとに保持されたネガ型の液晶材料により形成された液晶層ＬＱと、を備え、液晶層ＬＱは、スリットＳＬが延びた方向と略直交する方向に対してバイアス角θを成して初期配向する液晶分子ＬＭを含み、第１配向膜ＡＬ１の容量をＣ_ＰＩとし、液晶層ＬＱの容量をＣ_ＬＣとし、バイアス角をθとしたときに、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θを満たす。【選択図】図１
2014153605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリットが設けられた画素電極と、絶縁膜を介して複数の前記画素電極と対向した共通電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えたアレイ基板と、
前記第１配向膜と対向して配置された第２配向膜を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板とに保持されたネガ型の液晶材料により形成された液晶層と、を備え、
前記液晶層は、前記スリットが延びた方向と略直交する方向に対してバイアス角を成して初期配向する液晶分子を含み、
前記第１配向膜の容量をＣ_ＰＩとし、前記液晶層の容量をＣ_ＬＣとし、前記バイアス角をθとしたときに、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θを満たす液晶表示装置。
【請求項２】
スリットにより互いに離間した複数の電極部を備えた画素電極と、絶縁層を介して複数の前記画素電極と対向した共通電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えたアレイ基板と、
前記第１配向膜と対向して配置された第２配向膜を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記液晶層は、前記電極部が延びた方向と略直交する方向に対してバイアス角を成して初期配向する液晶分子を含み、
前記第１配向膜の容量をＣ_ＰＩとし、前記液晶層の容量をＣ_ＬＣとし、前記バイアス角をθとしたときに、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θを満たす液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１配向膜の容量は、前記第１配向膜の比誘電率を前記第１配向膜の厚さで除した値であって、
前記液晶層の容量は、前記液晶分子の長軸方向に対して⊥方向の誘電率を前記液晶層の厚さで除した値である請求項１又は請求項２記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力等の利点から特に注目を集めている。特に、各画素にスイッチング素子を組み込んだアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）モードやＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードなどの横電界（フリンジ電界も含む）を利用した構造が注目されている。このような横電界モードの液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と対向電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−８６２０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本実施形態の目的は、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態によれば、スリットが設けられた画素電極と、絶縁膜を介して複数の前記画素電極と対向した共通電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えたアレイ基板と、前記第１配向膜と対向して配置された第２配向膜を備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とに保持されたネガ型の液晶材料により形成された液晶層と、を備え、前記液晶層は、前記スリットが延びた方向と略直交する方向に対してバイアス角を成して初期配向する液晶分子を含み、前記第１配向膜の容量をＣ_ＰＩとし、前記液晶層の容量をＣ_ＬＣとし、前記バイアス角をθとしたときに、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θを満たす液晶表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した液晶表示パネルのアクティブエリアの断面の一例を概略的に示す図である。
【図３】図３は、画素電極ＰＥの電極部ＰＥＡと、液晶分子ＬＭの初期配向方向との関係の一例を説明するための図である。
【図４】図４は、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置において配向膜の厚さを変化させたときの、電圧に対する透過率の特性の一例を示す図である。
【図５】図５は、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置と、ポジ型液晶を採用した液晶表示装置とについて、配向膜厚を変化させたときの、各階調の透過率の変化の一例を示した図である。
【図６】図６は、ネガ型液晶を採用したＦＦＳモードの液晶表示装置において、配向膜厚を５ｎｍ変化させたときの、透過率変化のバイアス角依存性の一例を示す図である。
【図７】図７は、ネガ型液晶を採用したＦＦＳモードの液晶表示装置において、バイアス角と、配向膜容量／液晶容量とを変化させたときの表示ムラの評価結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
【０００８】
図１は、本実施形態における液晶表示装置の構成及び等価回路を概略的に示す図である。  
すなわち、液晶表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＬＰＮを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板であるアレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向して配置された第２基板である対向基板ＣＴと、これらのアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。このような液晶表示パネルＬＰＮは、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。このアクティブエリアＡＣＴは、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【０００９】
液晶表示パネルＬＰＮは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ｎ本のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、ｍ本のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などを備えている。ゲート配線Ｇは、例えば、第１方向Ｘに沿って略直線的に延出している。これらのゲート配線Ｇは、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って交互に並列配置されている。ここでは、第１方向Ｘと第２方向Ｙとは互いに略直交している。ソース配線Ｓは、ゲート配線Ｇと交差している。ソース配線Ｓは、第２方向Ｙに沿って略直線的に延出している。なお、ゲート配線Ｇ、及び、ソース配線Ｓは、必ずしも直線的に延出していなくても良く、それらの一部が屈曲していてもよい。
【００１０】
各ゲート配線Ｇは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ゲートドライバＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、ソースドライバＳＤに接続されている。これらのゲートドライバＧＤ及びソースドライバＳＤの少なくとも一部は、例えば、アレイ基板ＡＲに形成され、コントローラを内蔵した駆動ＩＣチップ２と接続されている。
【００１１】
各画素ＰＸは、スイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥなどを備えている。
【００１２】
なお、本実施形態においては、液晶表示パネルＬＰＮは、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとがアレイ基板ＡＲに形成され、これらの画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界を主に利用して液晶層ＬＱの液晶分子をスイッチングする。画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に形成される電界は、第１方向Ｘと第２方向Ｙとで規定されるＸ−Ｙ平面あるいは基板主面に対してわずかに傾いた斜め電界（あるいは、基板主面にほぼ平行な横電界）である。
【００１３】
スイッチング素子ＳＷは、例えば、ｎチャネル薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって構成されている。このスイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されている。このようなスイッチング素子ＳＷは、トップゲート型あるいはボトムゲート型のいずれであっても良い。また、スイッチング素子ＳＷの半導体層は、例えば、ポリシリコンによって形成されているが、アモルファスシリコンによって形成されていても良い。
【００１４】
画素電極ＰＥは、各画素ＰＸに配置され、スイッチング素子ＳＷに電気的に接続されている。共通電極ＣＥは、絶縁層を介して複数の画素ＰＸの画素電極ＰＥに対して共通に配置されている。このような画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、共通電極ＣＥに電圧を印加するための給電部ＶＳを備えている。この給電部ＶＳは、例えば、アクティブエリアＡＣＴの外側に形成されている。共通電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴの外側に引き出され、給電部ＶＳと電気的に接続されている。
【００１６】
図２は、図１に示した液晶表示パネルのアクティブエリアの断面の一例を概略的に示す図である。
【００１７】
アレイ基板ＡＲは、光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。ソース配線Ｓは、第１層間絶縁膜１１の上に形成され、第２層間絶縁膜１２によって覆われている。第２層間絶縁膜１２は平坦化膜であって、本実施形態では透明有機絶縁膜である。なお、図示しないゲート配線や補助容量線は、例えば、第１絶縁基板１０と第１層間絶縁膜１１の間に配置されている。共通電極ＣＥは、第２層間絶縁膜１２の上に形成され、第３層間絶縁膜１３によって覆われている。画素電極ＰＥは、第３層間絶縁膜１３の上に形成されている。画素電極ＰＥは、例えば第２方向Ｙに延びたスリットＳＬとスリットＳＬにより互いに離間した複数の電極部ＰＥＡとを有している。共通電極ＣＥは、第３層間絶縁膜１３を介して複数の画素電極ＰＥと対向している。
【００１８】
第１配向膜ＡＬ１は、アレイ基板ＡＲの対向基板ＣＴと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。この第１配向膜ＡＬ１は、画素電極ＰＥなどを覆っており、第２層間絶縁膜１２の上にも配置されている。このような第１配向膜ＡＬ１は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００１９】
対向基板ＣＴは、光透過性を有する第２絶縁基板２０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、ブラックマトリクスＢＭ、カラーフィルタＣＦ、オーバーコート層ＯＣ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００２０】
ブラックマトリクスＢＭは、各画素ＰＸを区画し、画素電極ＰＥと対向する開口部ＡＰを形成する。すなわち、ブラックマトリクスＢＭは、ソース配線Ｓ、ゲート配線、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスＢＭは、第２方向Ｙに沿って延出した部分のみが図示されているが、第１方向Ｘに沿って延出した部分を備えていても良い。ブラックマトリクスＢＭは、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する内面２０Ａに配置されている。
【００２１】
カラーフィルタＣＦは、各画素ＰＸに対応して配置されている。すなわち、カラーフィルタＣＦは、第２絶縁基板２０の内面２０Ａにおける開口部ＡＰに配置されるとともに、その一部がブラックマトリクスＢＭに乗り上げている。第１方向Ｘに隣接する画素ＰＸにそれぞれ配置されたカラーフィルタＣＦは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタＣＦは、赤色、青色、緑色といった３原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタＣＦＲは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタＣＦＢは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタＣＦＧは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタＣＦ同士の境界は、ブラックマトリクスＢＭと重なる位置にある。
【００２２】
オーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦを覆っている。このオーバーコート層ＯＣは、カラーフィルタＣＦの表面の凹凸の影響を緩和する。
【００２３】
第２配向膜ＡＬ２は、対向基板ＣＴのアレイ基板ＡＲと対向する面に配置され、アクティブエリアＡＣＴの略全体に亘って延在している。第２配向膜ＡＬ２は、オーバーコート層ＯＣなどを覆っている。このような第２配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
【００２４】
これらの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２には、液晶層ＬＱの液晶分子を所定の方向に初期配向させるための配向処理（例えば、ラビング処理や光配向処理）がなされている。なお、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差（あるいは電界）が形成されていない状態（ＯＦＦ時）が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００２５】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、それぞれの第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサ（図示せず）が配置され、これにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、所定のセルギャップが形成された状態で、アクティブエリアＡＣＴの外側のシール材（図示せず）によって貼り合わせられている。
【００２６】
液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に形成されたセルギャップに保持され、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に配置されている。このような液晶層ＬＱは、誘電率異方性が負（ネガ型）の液晶材料によって構成されている。
【００２７】
アレイ基板ＡＲの外面、つまり、アレイ基板ＡＲを構成する第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１光学素子（図示せず）が接着剤などにより貼付される。この第１光学素子は、液晶表示パネルＬＰＮのバックライト（図示せず）と対向する側に位置しており、バックライトから液晶表示パネルＬＰＮに入射する入射光の偏光状態を制御する。この第１光学素子は、第１偏光軸（あるいは第１吸収軸）を有する第１偏光板（図示せず）を含んでいる。
【００２８】
対向基板ＣＴの外面、つまり、対向基板ＣＴを構成する第２絶縁基板２０の外面２０Ｂには、第２光学素子（図示せず）が接着剤などにより貼付されている。この第２光学素子は、液晶表示パネルＬＰＮの表示面側に位置しており、液晶表示パネルＬＰＮから出射した出射光の偏光状態を制御する。この第２光学素子は、第２偏光軸（あるいは第２吸収軸）を有する第２偏光板（図示せず）を含んでいる。
【００２９】
第１偏光板の第１偏光軸と、第２偏光板の第２偏光軸とは、例えば、直交する位置関係（クロスニコル）にある。このとき、例えば一方の偏光板は、例えば、その偏光軸が液晶分子の初期配向方向つまり第１配向処理方向あるいは第２配向処理方向と平行または直交するように配置されている。
【００３０】
図３は、画素電極ＰＥの電極部ＰＥＡと、液晶分子ＬＭの初期配向方向との関係の一例を説明するための図である。
【００３１】
液晶分子ＬＭの初期配向方向は、スリットＳＬが延びた方向或いは電極部ＰＥＡが延びた方向と略直交した方向に対して傾いた方向である。スリットＳＬが延びた方向或いは電極部ＰＥＡが延びた方向に略直交した方向と、初期配向方向とが成す角（バイアス角）θは、第１配向膜ＡＬ１および第２配向膜ＡＬ２の配向処理方向により規定される。バイアス角θは、例えば、液晶層ＬＱにリバースドメインが発生することを防止するために所定の角度に設定される。
【００３２】
上記液晶表示装置において、液晶層ＬＱに電圧が印加されていない状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差（あるいは電界）が形成されていない状態（ＯＦＦ時）には、液晶層ＬＱの液晶分子ＬＭは、その長軸が第１配向膜ＡＬ１の第１配向処理方向及び第２配向膜ＡＬ２の第２配向処理方向を向くように配向している。このようなＯＦＦ時が初期配向状態に相当し、ＯＦＦ時の液晶分子ＬＭの配向方向が初期配向方向に相当する。
【００３３】
バックライト４からのバックライト光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶表示パネルＬＰＮに入射した光の偏光状態は、液晶層ＬＱを通過する際に液晶分子ＬＭの配向状態によって異なる。ＯＦＦ時においては、液晶層ＬＱを通過した光は、第２偏光板ＰＬ２によって吸収される（黒表示）。
【００３４】
一方、液晶層ＬＱに電圧が印加された状態、つまり、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に電位差（あるいは電界）が形成された状態（ＯＮ時）では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に基板と略平行な横電界（あるいは斜め電界）成分が形成される。液晶分子ＬＭは、電界の影響を受け、Ｘ−Ｙ平面と略平行な平面内で回転する。
【００３５】
このようなＯＮ時には、バックライト４から液晶表示パネルＬＰＮに入射したバックライト光は、その一部が第１偏光板ＰＬ１を透過し、液晶表示パネルＬＰＮに入射する。液晶層ＬＱに入射したバックライト光は、その偏光状態が変化する。このようなＯＮ時においては、液晶層ＬＱを通過した少なくとも一部の光は、第２偏光板ＰＬ２を透過する（白表示）。
【００３６】
ここで、ポジ型の液晶を採用した液晶表示装置では、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間と、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥと対向基板ＣＴとの間に生じる縦電界成分によりセルギャップ方向Ｚへ液晶分子ＬＭのダイレクタが変形する傾向があり、所定のバイアス角を設けても、高電圧の印加や押圧によりリバースドメイン発生する可能性があった。一方、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置の場合は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に生じる縦電界成分によりセルギャップ方向Ｚへ液晶分子ＬＭのダイレクタの変形が略ない為、リバースドメインについてはポジ型液晶に対して良好な結果が得られた。
【００３７】
図４は、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置において配向膜の厚さを変化させたときの、電圧に対する透過率の特性の一例を示す図である。
【００３８】
配向膜ＡＬ１、ＡＬ２の厚さのムラは、液晶表示装置の透過率に影響を及ぼす。ＦＦＳの液晶表示装置では、液晶表示装置の透過率は第１配向膜ＡＬ１の厚さのムラの影響を受ける。具体的には、液晶層ＬＱに同じ電圧が印加されているときに、第１配向膜ＡＬ１が薄くなると透過率は高くなり、第１配向膜ＡＬ１が厚くなると透過率は低くなった。換言すると、同じ透過率が得られたときに、液晶層ＬＱに印加される電圧は第１配向膜ＡＬ１が薄いほど小さくなった。したがって、アクティブエリアＡＣＴ内で第１配向膜ＡＬ１の膜厚にムラが生じると、液晶の透過率が第１配向膜ＡＬ１の膜厚に依存するため、表示ムラとなることがある。
【００３９】
図５は、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置と、ポジ型液晶を採用した液晶表示装置とについて、配向膜厚を変化させたときの、各階調の透過率の変化の一例を示した図である。ここでは、配向膜厚を変えないときの透過率を基準として、配向膜を薄膜化したときの厚膜化したときとの透過率の変化を示している。
【００４０】
例えば誘電率異方性が正（ポジ型）の液晶を採用した液晶表示装置と、ネガ型の液晶を採用した液晶表示装置とでは、第１配向膜ＡＬ１の膜厚に対する感度が異なっている。具体的には、ネガ型の液晶を採用した場合には、ポジ型の液晶を採用した場合と比較して第２配向膜ＡＬ１の膜厚に対する感度が高く、表示ムラが生じやすい傾向があった。
【００４１】
図６は、ネガ型液晶を採用したＦＦＳモードの液晶表示装置において、配向膜厚を５ｎｍ変化させたときの、透過率変化のバイアス角依存性の一例を示す図である。  
この例では、第１配向膜ＡＬ１の厚さが変化したときには、バイアス角が大きいほど透過率の変化が小さくなった。
【００４２】
本願発明者は、上記の点に着目し、ネガ型液晶を採用した液晶表示装置において、第１配向膜ＡＬ１の容量Ｃ_ＰＩ、液晶容量Ｃ_ＬＣ、および、バイアス角θを適切に設定することにより、第１配向膜ＡＬ１の膜厚ムラによる表示ムラを抑制可能であることを見出した。
【００４３】
図７は、ネガ型液晶を採用したＦＦＳモードの液晶表示装置において、バイアス角と、配向膜容量／液晶容量とを変化させたときの表示ムラの評価結果の一例を示す図である。
【００４４】
一般的なネガ液晶及び配向膜、すなわち、バイアス角θを１０°としたとき、配向膜厚ムラ（例えば±５ｎｍ）による透過率変動により生じる表示ムラが寛容可能である結果が得られた。したがって、この例では、一般的なネガ液晶及び配向膜、すなわち、バイアス角θを１０°としたときの配向膜厚変動による透過率変動を基準（Ａ＝０）として、一般的なネガ液晶及び配向膜を採用した液晶表示装置において、配向膜容量／液晶容量とバイアス角θとを変化させた時の透過率変動（＝Ａ）について、透過率変動の範囲により等高線状に示している。したがって、透過率変動（＝Ａ）の値が小さいほど表示ムラが抑制された状態となる。
【００４５】
この例において、基準とした透過率変動が上記基準（Ａ＝０）よりも小さく、表示ムラを抑制して良好な表示品位が得られる条件は、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θであった。したがって、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θが成り立つように、バイアス角θと配向膜容量Ｃ_ＰＩ／液晶容量Ｃ_ＬＣとを設定することにより、表示ムラを抑制することが可能となる。
【００４６】
なお、配向膜容量Ｃ_ＰＩは第１配向膜ＡＬ１の比誘電率ｅ_ＰＩと第１配向膜ＡＬ１の厚さｄ_ＰＩとからＣ_ＰＩ＝ｅ_ＰＩ／ｄ_ＰＩとして演算することができる。ここで、第１配向膜ＡＬ１の厚さは、平坦な領域に塗布した第１配向膜ＡＬ１の第３方向Ｚにおける幅である。
【００４７】
液晶容量Ｃ_ＬＣは液晶分子ＬＭの長軸方向に対して垂直方向の誘電率ｅ⊥と液晶層ＬＱの厚さｄ_ＬＣとから、Ｃ_ＬＣ＝ｅ⊥／ｄ_ＬＣとして演算することができる。ここで、液晶層ＬＱの厚さは例えば画素電極ＰＥの上において第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に保持された液晶層ＬＱの第３方向Ｚにおける幅である。また、本実施形態において、液晶分子ＬＭの長軸方向は、スリットＳＬが延びた方向或いは電極部ＰＥＡが延びた方向に略直交した方向とバイアス角θを成す方向である。
【００４８】
上記の結果に基づいて、本実施形態の液晶表示装置では、−１．１１≧−０．０３５３×Ｃ_ＰＩ／Ｃ_ＬＣ−０．０５２３×θ成り立つように、第１配向膜ＡＬ１の比誘電率および厚さを設定するとともに液晶分子の長軸方向に対して⊥方向の誘電率および液晶層の厚さを設定している。したがって、本実施形態によれば、第１配向膜ＡＬ１の膜厚ムラに依存した表示ムラを抑制することが可能となり、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することが可能となる。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
ＬＰＮ…液晶表示パネル、ＡＲ…アレイ基板、ＣＴ…対向基板、ＬＱ…液晶層、ＰＸ…画素、Ｓ…ソース配線、Ｇ…ゲート配線、ＳＷ…スイッチング素子、ＰＥ…画素電極、ＣＥ…共通電極、ＳＬ…スリット、ＰＥＡ…電極部、ＬＭ…液晶分子、θ…バイアス角、ＡＬ１、ＡＬ２…配向膜、１１〜１３…層間絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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