(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つ。【解決手段】基板処理装置１０であって、基板処理室４０において、基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部４７と、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部４８と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段５１と、加熱手段５１による加熱作用で基板Ｗの表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有すると共に、前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を更に有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、
加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、
前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を、更に有してなる基板処理装置。
【請求項２】
前記冷却手段を、基板の搬送過程に設けてなる請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、
揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、
基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、
前記加熱された基板を冷却手段によって冷却する工程を、更に有してなる基板処理方法。
【請求項４】
前記冷却手段により冷却する工程を、基板の搬送過程に有してなる請求項３に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体等の製造工程において、ウェーハや液晶基板等の基板の表面に処理液を供給してその基板表面を処理し、その後、基板表面に超純水等の洗浄液を供給してその基板表面を洗浄し、更にこれを乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、洗浄液の表面張力等に起因している。
【０００３】
そこで、上述のパターン崩壊を抑制することを目的として、表面張力が超純水よりも小さいＩＰＡ（２−プロパノール：イソプロピルアルコール）を用いた基板乾燥方法が提案されており（例えば、特許文献１参照）、基板表面上の超純水をＩＰＡに置換して基板乾燥を行なう方法が量産工場等で用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2008-34779号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体の微細化は益々進んでおり、ＩＰＡのように表面張力が小さい有機溶媒等の液体を用いた乾燥であっても、ウェーハの微細パターンがその液体の表面張力等により倒れてしまうことがある。
【０００６】
例えば、液体が乾燥していく過程で基板表面の各部の乾燥速度に不均一を生じ、図５（Ｂ）に示す如く、一部のパターンＰ間に液体Ａ１が残ると、その部分の液体Ａ１の表面張力によってパターンが倒壊する。特に、液体が残った部分のパターン同士が液体の表面張力による引き付けによって弾性変形的に倒れ、その液中にわずかに溶けた残渣が凝集し、その後に液体が完全に乾燥すると、倒れたパターン同士が残渣の介在等によって固着してしまう。
【０００７】
また、半導体の微細化が進むにつれ、ウェーハや液晶基板等の基板の表裏両面の異物微粒子や表面吸着化学物質等による汚染は、半導体の歩留りや性能面での信頼性に益々大きな影響を及ぼすようになっている。従って、基板表面の洗浄及び乾燥後においても、基板の表裏両面の清浄度を管理することが重要である。
【０００８】
本発明の課題は、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つことにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る基板処理装置は、基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する溶媒供給部と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する加熱手段と、加熱手段による加熱作用で基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する乾燥手段とを有してなる基板処理装置であって、前記乾燥手段によって乾燥された基板を冷却する冷却手段を、更に有してなるようにしたものである。
【００１０】
本発明に係る基板処理方法は、基板の表面に洗浄液を供給する工程と、洗浄液が供給された基板の表面に揮発性溶媒を供給し、基板の表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する工程と、揮発性溶媒が供給された基板を加熱する工程と、基板の加熱によって基板の表面に生成された揮発性溶媒の液玉を除去し、基板の表面を乾燥する工程とを有してなる基板処理方法であって、前記加熱された基板を冷却手段によって冷却する工程を、更に有してなるようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板処理装置及び基板処理方法によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は基板処理装置を示す模式図である。
【図２】図２は基板処理装置の基板処理室の構成を示す模式図である。
【図３】図３は基板処理装置の基板搬送過程の構成を示す模式図である。
【図４】図４は基板処理装置の基板搬送過程の変形例を示す模式図である。
【図５】図５は基板表面における揮発性溶媒の乾燥状況を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
基板処置装置１０は、図１に示す如く、基板給排部２０と、基板保管用バッファ部３０と、複数の基板処理室４０とを有し、基板給排部２０と基板保管用バッファ部３０の間に搬送ロボット１１を設け、基板保管用バッファ部３０と基板処理室４０の間に搬送ロボット１２を設けている。
【００１４】
基板給排部２０は、複数の基板収納カセット２１を搬入、搬出可能とされる。基板収納カセット２１は、未処理のウェーハや液晶基板等の複数の基板Ｗを収納されて基板給排部２０に搬入されるとともに、基板処理室４０で処理された基板Ｗを収納されて基板給排部２０から搬出される。未処理の基板Ｗは、搬送ロボット１１により基板給排部２０内の基板収納カセット２１において多段をなす各収納棚から順に取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するイン専用バッファ３１に供給され、更に搬送ロボット１２により基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１から取出され、基板処理室４０に供給されて洗浄及び乾燥処理される。こうして処理済となった基板Ｗは搬送ロボット１２により基板処理室４０から取出されて基板保管用バッファ部３０の後述するアウト専用バッファ３２に投入されて冷却処理される。基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２内で所定の温度状態にまで冷却された基板Ｗは、搬送ロボット１１により取出され、基板給排部２０内の基板収納カセット２１の空の収納棚に順に排出される。処理済の基板Ｗで満杯になった基板収納カセット２１が基板給排部２０から搬出されるものになる。
【００１５】
基板保管用バッファ部３０は、図３に示す如く、未処理の基板Ｗを保管する複数のイン専用バッファ３１が多段をなす棚状に設けられるとともに、基板処理室４０で洗浄及び乾燥処理された基板Ｗを保管する複数のアウト専用バッファ３２が多段をなす棚状に設けられる。アウト専用バッファ３２の内部には冷却手段７０が後述する如くに設けられている。尚、イン専用バッファ３１やアウト専用バッファ３２は多段でなくても良い。
【００１６】
基板処理室４０は、図２に示す如く、処理室となる処理ボックス４１と、その処理ボックス４１内に設けられたカップ４２と、そのカップ４２内で基板Ｗを水平状態で支持するテーブル４３と、そのテーブル４３を水平面内で回転させる回転機構４４と、テーブル４３の周囲で昇降する溶媒吸引排出部４５とを備えている。更に、基板処理室４０は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液を供給する薬液供給部４６と、テーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液を供給する洗浄液供給部４７と、揮発性溶媒を供給する溶媒供給部４８と、ガスを供給するガス供給部４９と、揮発性溶媒が供給された基板Ｗを加熱する加熱手段５１と、各部を制御する制御部６０とを備えている。
【００１７】
処理ボックス４１は基板出し入れ口４１Ａを周壁の一部に開口している。基板出し入れ口４１Ａはシャッタ４１Ｂにより開閉される。
【００１８】
カップ４２は、円筒形状に形成されており、テーブル４３を周囲から囲んで内部に収容する。カップ４２の周壁の上部は斜め上向きに縮径しており、テーブル４３上の基板Ｗが上方に向けて露出するように開口している。このカップ４２は、回転する基板Ｗから流れ落ちた或いは飛散した薬液、洗浄液を受け取る。尚、カップ４２の底部には、受け取った薬液、洗浄液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
【００１９】
テーブル４３は、カップ４２の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。このテーブル４３は、ピン等の支持部材４３Ａを複数有しており、これらの支持部材４３Ａにより、ウェーハや液晶基板等の基板Ｗを脱着可能に保持する。
【００２０】
回転機構４４は、テーブル４３に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ（いずれも図示せず）等を有しており、モータの駆動により回転軸を介してテーブル４３を回転させる。この回転機構４４は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。
【００２１】
溶媒吸引排出部４５は、テーブル４３の周囲を囲んで環状に開口する溶媒吸引口４５Ａを備える。溶媒吸引排出部４５は溶媒吸引口４５Ａを昇降する昇降機構（図示せず）を有し、テーブル４３のテーブル面より下位に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける待機位置と、テーブル４３に保持された基板Ｗの周囲に溶媒吸引口４５Ａを位置付ける作業位置とに、溶媒吸引口４５Ａを昇降する。溶媒吸引口４５Ａは、回転する基板Ｗ上から飛散した揮発性溶媒を吸引して受け取る。尚、溶媒吸引口４５Ａには、揮発性溶媒を吸引するための排気ファン又はバキュームポンプ（図示せず）、及び吸引して受け取った揮発性溶媒を排出するための排出管（図示せず）が接続されている。
【００２２】
薬液供給部４６は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から薬液を吐出するノズル４６Ａを有しており、このノズル４６Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に薬液、例えばレジスト剥離処理用のＡＰＭ（アンモニア水及び過酸化水素水の混合液）を供給する。ノズル４６Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この薬液供給部４６は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。尚、薬液供給部４６は、薬液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２３】
洗浄液供給部４７は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から洗浄液を吐出するノズル４７Ａを有しており、このノズル４７Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に洗浄液、例えば洗浄処理用の純水（超純水）を供給する。ノズル４７Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に薬液が供給されるように調整されている。この洗浄液供給部４７は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。尚、洗浄液供給部４７は、洗浄液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２４】
溶媒供給部４８は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向から揮発性溶媒を吐出するノズル４８Ａを有しており、このノズル４８Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面に揮発性溶媒、例えばＩＰＡを供給する。この溶媒供給部４８は洗浄液供給部４７によって供給された洗浄液で洗浄された基板Ｗの表面に揮発性溶媒を供給し、基板Ｗの表面の洗浄液を揮発性溶媒に置換する。ノズル４８Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近に揮発性溶媒が供給されるように調整されている。この溶媒供給部４８は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。尚、溶媒供給部４８は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２５】
ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノール等の１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテル等のエーテル類、更に、炭酸エチレン等を用いることが可能である。
【００２６】
ガス供給部４９は、テーブル４３上の基板Ｗの表面に対して斜め方向からガスを吐出するノズル４９Ａを有しており、このノズル４９Ａからテーブル４３上の基板Ｗの表面にガス、例えば窒素ガスを供給し、処理ボックス４１内で基板Ｗの表面上の空間を窒素ガス雰囲気にする。ノズル４９Ａはカップ４２の周壁の上部に装着されており、その角度や吐出流速等は基板Ｗの表面中心付近にガスが供給されるように調整されている。このガス供給部４９は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。尚、ガス供給部４９は、ガスを貯留するタンクや供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）等を備えている。
【００２７】
ここで、供給するガスとしては、窒素ガス以外の不活性ガス、例えばアルゴンガスや二酸化炭素ガス、ヘリウムガス等を用いることが可能である。この不活性ガスが基板Ｗの表面に供給されるため、基板Ｗの表面上の酸素を除去し、ウォーターマーク（水シミ）の生成を防ぐことが可能となる。
【００２８】
加熱手段５１は、複数のランプ５１Ａを有しており、テーブル４３の上方に設けられ、各ランプ５１Ａの点灯によりテーブル４３上の基板Ｗの表面に光を照射する。この加熱手段５１は移動機構５１Ｂにより上下方向（昇降方向）に移動可能に構成されており、カップ４２に近接した照射位置（図２中の実線で示すように、基板Ｗの表面に近接した位置）とカップ４２から所定距離だけ離間した待機位置（図２中の一点鎖線で示すように、基板Ｗの表面から離間した位置）とに移動する。この加熱手段５１は制御部６０に電気的に接続されており、その駆動が制御部６０により制御される。
【００２９】
ここで、加熱手段５１としては、例えば直管タイプのランプ５１Ａを複数本並列に設けたものや電球タイプのランプ５１Ａを複数個アレイ状に設けたものを用いることが可能である。また、ランプ５１Ａとしては、例えばハロゲンランプやキセノンフラッシュランプ等を用いることが可能である。
【００３０】
加熱手段５１を用いた基板Ｗの加熱工程では、その加熱手段５１による加熱によって、図５（Ａ）に示すように、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１が他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１よりも早く気化を始める。つまり、基板Ｗの表面に供給された揮発性溶媒の液体Ａ１のうち、基板Ｗの表面に接触している部分のみが気相になるように急速加熱される。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲には、揮発性溶媒の液体Ａ１の気化（沸騰）によりガスの層（気泡の集合）、即ち、揮発性溶媒の気層Ａ２が薄膜のように形成される。このため、隣り合うパターンＰの間の揮発性溶媒の液体Ａ１はその気層Ａ２によって基板Ｗの表面に押し出されながら自らの表面張力で多数の液玉になる。
【００３１】
しかるに、基板処理装置１０にあっては、基板処理室４０において洗浄及び乾燥処理され、加熱手段５１により加熱されて高温になった基板Ｗを冷却する冷却手段７０を有している。尚、加熱手段５１による加熱段階で、基板Ｗは後述する如くに数秒で数百度の高温まで加熱される。
【００３２】
本実施例の冷却手段７０は、基板処理室４０から搬出された基板Ｗの搬送過程に設けた。例えば、下記(A)及び(B)である。
【００３３】
(A)基板処理室４０から取り出された基板Ｗが保管される、基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に不活性ガス供給手段からなる冷却手段７０を設ける（図３）。これにより、冷却手段７０が供給する例えば室温の窒素ガス等の不活性ガスでアウト専用バッファ３２の内部空間を満たし、基板処理室４０から基板給排部２０の基板収納カセット２１への搬送過程でこのバッファ３２に投入される高温の基板Ｗを所定温度以下、例えば室温程度にまで冷却可能にする。尚、冷却手段７０から供給されるガスは、基板冷却能力があれば良いことから室温の空気でも良く、これを効率的に基板面に供給するための、ファン機構でも良い。また、冷却手段７０は、アウト専用バッファ３２に保管される基板Ｗを冷却するものであれば良いわけで、気体に限るものでもない。
【００３４】
(B)基板処理室４０から基板Ｗを取り出す搬送ロボット１２における搬送アーム１２Ａの基板載置部１２Ｂにペルチェ素子等を用いた電子冷却器等からなる冷却手段７０を内蔵する（図４）。これにより、基板処理室４０から基板保管用バッファ部３０への搬送過程で、搬送アーム１２Ａの基板載置部１２Ｂに載置される高温の基板Ｗを所定温度以下、例えば室温程度にまで冷却可能にする。この冷却手段７０は搬送ロボット１１に組み込まれても良い。
【００３５】
上述(A)及び／又は(B)の冷却手段７０により冷却された基板Ｗは、その後、基板給排部２０の基板収納カセット２１に排出されるものになる。
【００３６】
制御部６０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラム等を記憶する記憶部とを備えている。この制御部６０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構４４や溶媒吸引排出部４５、薬液供給部４６、洗浄液供給部４７、溶媒供給部４８、ガス供給部４９、加熱手段５１、冷却手段７０等を制御し、回転中のテーブル４３上の基板Ｗの表面に対し、溶媒吸引排出部４５による吸引、薬液供給部４６による薬液の供給、洗浄液供給部４７による洗浄液の供給、溶媒供給部４８による揮発性溶媒の供給、ガス供給部４９によるガスの供給、加熱手段５１による加熱、冷却手段７０による冷却等の制御を行なう。
【００３７】
以下、基板処理装置１０による基板Ｗの洗浄及び乾燥処理手順について説明する。
(1)搬送ロボット１１が基板給排部２０の基板収納カセット２１から基板保管用バッファ部３０のイン専用バッファ３１に供給した基板Ｗを搬送ロボット１２により取り出し、この基板Ｗを基板処理室４０のテーブル４３上にセットした状態で、基板処理室４０の制御部６０は回転機構４４を制御し、テーブル４３を所定の回転数で回転させ、次いで、溶媒吸引排出部４５を待機位置に位置付けた状態で、薬液供給部４６を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４６Ａから薬液、即ちＡＰＭを所定時間供給する。薬液としてのＡＰＭは、ノズル４６Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面はＡＰＭにより覆われて処理されることになる。
【００３８】
尚、制御部６０はテーブル４３を上述(1)から後述(6)まで継続して回転させる。このとき、テーブル４３の回転数や所定時間等の処理条件は予め設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
【００３９】
(2)次に、制御部６０は、薬液の供給を停止されてから、洗浄液供給部４７を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４７Ａから洗浄液、即ち超純水を所定時間供給する。洗浄液としての超純水は、ノズル４７Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水により覆われて洗浄されることになる。
【００４０】
(3)次に、制御部６０は、溶媒吸引排出部４５を作業位置に位置付け、溶媒供給部４８を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４８Ａから揮発性溶媒、即ちＩＰＡを所定時間供給する。揮発性溶媒としてのＩＰＡは、ノズル４８Ａから、回転するテーブル４３上の基板Ｗの中央に向けて吐出され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面全体に広がっていく。これにより、テーブル４３上の基板Ｗの表面は超純水からＩＰＡに置換されることになる。尚、このときのテーブル４３、即ち基板Ｗの回転数は、基板Ｗの表面が露出しない程度に、揮発性溶媒の膜が基板Ｗの表面上で薄膜となるように設定されている。
【００４１】
また、溶媒供給部４８のノズル４８Ａから吐出されるＩＰＡの温度はその沸点未満とされ、ＩＰＡを確実に液体の状態として基板Ｗの表面に供給することにより、基板Ｗの表面の全域において超純水がＩＰＡにより均等に置換されることの確実を図る。
【００４２】
(4)次に、制御部６０は、ガス供給部４９を制御し、回転するテーブル４３上の基板Ｗの表面にノズル４９Ａからガス、即ち窒素ガスを所定時間供給する。窒素ガスは、ノズル４９Ａから、テーブル４３上の基板Ｗの全域に向けて吐出される。これにより、テーブル４３上の基板Ｗを包む空間は窒素雰囲気となる。この空間を窒素雰囲気にすることで、酸素濃度を減少させて、基板Ｗの表面におけるウォーターマークの発生を抑止することができる。
【００４３】
(5)次に、制御部６０は、加熱手段５１を制御し、加熱手段５１の各ランプ５１Ａを点灯して、回転するテーブル４３上の基板Ｗを所定時間加熱する。このとき、加熱手段５１は、基板Ｗの温度が10秒で100度以上になることを可能にする加熱を行なうことができる。これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰに接触している揮発性溶媒の液体Ａ１を瞬時に気化させ、基板Ｗの表面上における他の部分の揮発性溶媒の液体Ａ１を直ちに液玉化させることが可能となる。
【００４４】
ここで、加熱手段５１による加熱乾燥では、基板ＷのパターンＰに接触している揮発性溶媒たるＩＰＡを瞬時に気化させるため、数秒で数百度の高温まで基板Ｗを加熱することが重要である。また、ＩＰＡは加熱せず、基板Ｗだけを加熱することも必要である。このためには、波長500〜3000nmにピーク強度を有するランプ５１Ａを用いることが望ましい。また、確実な乾燥のためには、基板Ｗの最終温度（加熱による到達する最終温度）は、処理液や溶媒の大気圧の沸点よりも20℃以上の加熱温度であることが望ましく、加えて、最終温度に達する時間が10秒以内、例えば、数10msec〜数秒の範囲内であることが望ましい。
【００４５】
(6)加熱手段５１による加熱作用で基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、基板Ｗの回転による遠心力で外周に飛ばされ、溶媒吸引排出部４５に到達する。このとき溶媒吸引口４５Ａには吸引力が付与されているから、溶媒吸引排出部４５に到達したＩＰＡの液玉は、溶媒吸引口４５Ａを経由して吸引され除去される。これにより乾燥が終了する。従って、本実施例では、回転テーブル４３、回転機構４４、溶媒吸引排出部４５は、基板の表面を乾燥する乾燥手段を構成する。基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの表面より除去されるが、基板Ｗの表面に向けて気体を吹きかけることでＩＰＡの液玉を吹き飛ばし除去することで基板Ｗの乾燥を行なうようにしても良い。この場合、吹飛ばしたＩＰＡを受ける受け部材等の回収手段を配置させておくと好ましい。
【００４６】
(7)次に、搬送ロボット１２により基板処理室４０の回転停止されたテーブル４３上にて洗浄及び乾燥済となっている基板Ｗを取り出し、この基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２に投入する。基板Ｗのこのような基板処理室４０から基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２への搬送過程で、基板Ｗは、前述(A)のアウト専用バッファ３２に設けた冷却手段７０、又は前述(B)の搬送ロボット１２における搬送アーム１２Ａの基板載置部１２Ｂに内蔵した冷却手段７０により所定温度以下にまで冷却される。
【００４７】
(8)搬送ロボット１１は、上述(7)により冷却されて低温化された基板Ｗを基板保管用バッファ部３０のアウト専用バッファ３２から取り出し、基板給排部２０の基板収納カセット２１に排出する。尚、基板Ｗは、搬送ロボット１１による基板保管用バッファ部３０から基板給排部２０への搬送過程で例えば上述(7)におけると同様にして冷却されても良い。
【００４８】
本実施例によれば以下の作用効果を奏する。
(a)加熱手段５１による基板Ｗの加熱作用により、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲で置換済の揮発性溶媒たるＩＰＡの液体が気化し、これにより、基板Ｗの表面上のパターンＰの周囲にはＩＰＡが気化した気層が薄膜のように形成される。このため、基板Ｗの隣り合うパターンＰの間のＩＰＡの液体は気層によって押し出されながら、自らの表面張力で多数の液玉になる。このようにして基板Ｗの表面に生成されたＩＰＡの液玉は、基板Ｗの回転による遠心力で外周に飛ばされ、溶媒吸引排出部４５の溶媒吸引口４５Ａを経由して吸引され除去される。従って、基板Ｗの全表面でＩＰＡの液体を瞬時に乾燥されることができ、基板Ｗの表面の各部の乾燥速度を均一にする結果、一部のパターンＰの間にＩＰＡの残留を生じることがなく、そのような残留ＩＰＡの液体の表面張力によるパターンＰの倒壊を抑止できる。
【００４９】
(b)加熱手段５１を経て加熱されて乾燥され、清浄化された基板Ｗを冷却手段７０により冷却するものにした。従って、乾燥後の基板Ｗを低温状態で下流側の基板給排部２０、基板収納カセット２１の如くの基板収納設備等に送り込みでき、下流側設備を高温の基板Ｗによって熱的に損傷させることがない。これにより、下流側設備の例えば樹脂系構造材が熱的な損傷に基づく染物質を放出する等がなく、基板Ｗの表裏両面の清浄を保つことができる。
【００５０】
(c)冷却手段７０を基板Ｗの搬送過程に設けた。従って、基板Ｗの下流側設備への搬送時間中に、冷却手段７０による冷却作業を行なうものになり、基板Ｗの生産性を損なうことがない。基板Ｗが大型化するときにも、その量産性を向上できる。
【００５１】
以上、本発明の実施例を図面により詳述したが、本発明の具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても本発明に含まれる。例えば、本実施例において、上述した手順(4)と(5)は順番を逆にしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明によれば、基板の乾燥時に表面上の液体を瞬時に乾燥させるとともに、洗浄及び乾燥後の基板の表裏両面の清浄度を保つ基板処理装置及び基板処理方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１０  基板処理装置
４３  回転テーブル（乾燥手段）
４４  回転機構（乾燥手段）
４５  溶媒吸引排出部（乾燥手段）
４７  洗浄液供給部
４８  溶媒供給部
５１  加熱手段
７０  冷却手段
Ｗ  基板
【図１】
2014183063.tif 000003
【図２】
2014183063.tif 000004
【図３】
2014183063.tif 000005
【図４】
2014183063.tif 000006
【図５】
2014183063.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2014183063.tif 000008
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2014183063.tif 000009
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2014183063.tif 000010
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2014183063.tif 000011
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014183063.tif 000012