(57)【要約】【課題】有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、複数の領域Ｉ〜ＩＩＩを含む基板１１０と、基板１１０上の複数の領域Ｉ〜ＩＩＩ各々に位置する第１電極１１２と、第１電極１１２上に位置する第２電極１３２と、第１電極１１２と第２電極１３２との間に介在する複数の発光層１１８、１２２、１２６とを含み、複数の発光層１１８、１２２、１２６のうち少なくとも二つは複数の領域ＩＩ、ＩＩＩに共通して形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の領域を含む基板と、
前記基板上の前記複数の領域各々に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に介在する複数の発光層と、を含み、
前記複数の発光層のうち少なくとも二つは前記複数の領域に共通して形成される有機発光表示装置。
【請求項２】
前記複数の領域は、第１領域、第２領域、及び第３領域を含み、
前記複数の発光層は、
前記第１領域に位置する第１発光層と、
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に共通して形成される第２発光層及び第３発光層と、を含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１発光層は、前記第２発光層と前記第３発光層との間に介在し、
前記第２発光層は、前記第１発光層と前記第２電極との間に介在し、
前記第３発光層は、前記第１発光層と前記第１電極との間に介在し、
前記第２発光層は、電子輸送能力を有し、
前記第３発光層は、正孔輸送能力を有する請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記第２電極との間に介在する複数の補助層をさらに含み、
前記複数の補助層は、前記第２発光層と前記第３発光層との間に介在し、
前記複数の補助層は、第１補助層、第２補助層、および第３補助層を含み、
前記第１補助層は、前記第１領域に位置する前記第１発光層と前記第３発光層との間に介在し
前記第２補助層は、前記第２領域に位置する前記第２発光層と前記第３発光層との間に介在し、
前記第３補助層は、前記第１補助層と前記第３発光層との間及び前記第２補助層と前記第３発光層との間のうち少なくとも一つに位置し、Ｐ型ドーパントを含む請求項２または請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１発光層は、赤光を放出し、
前記第２発光層は、緑光を放出し、
前記第３発光層は、青光を放出する請求項２〜４のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１電極と前記複数の発光層との間に介在し、電子または正孔の注入や輸送の役割をする第１媒介層と、
前記複数の発光層と前記第２電極との間に介在し、電子または正孔の注入や輸送の役割をする第２媒介層をさらに含み、
前記第１媒介層及び前記第２媒介層のうち少なくとも一つは無機物を含み、
前記無機物は、タングステンオキサイドとニッケルオキサイドのうち少なくとも一つを含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
第１領域、第２領域、及び第３領域を含む基板と、
前記基板上の前記第１領域に位置する第１電極と、
前記第１電極上に位置する第２電極と、
前記第１領域に位置し、前記第１電極と前記第２電極との間に介在する第１補助層及び複数の発光層と、を含み、
前記複数の発光層は、
前記第１補助層と前記第２電極との間に位置する第１発光層と、
前記第１発光層と前記第２電極との間に位置する第２発光層と、
前記第１電極と前記第１補助層との間に位置する第３発光層と、を含む有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第２領域に位置し、前記第２発光層と前記第３発光層との間に介在する第２補助層をさらに含み，
前記第１電極は、前記基板上の前記第２領域、及び前記第３領域にも位置し、
前記第２発光層と前記第３発光層は、前記第２領域、及び前記第３領域にまで延長して形成される請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板上の複数の領域の各々に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に複数の発光層と複数の補助層を形成する段階と、
前記複数の発光層と複数の補助層上に第２電極を形成する段階と、を含み、
前記複数の発光層のうち少なくとも二つは蒸着工程により形成し、
前記複数の補助層は、転写工程により形成する有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の領域は、第１領域、第２領域、及び第３領域を含み、
前記複数の発光層は、第１発光層、第２発光層、及び第３発光層を含み、
前記複数の補助層は、第１補助層と第２補助層とを含み、
前記複数の発光層と複数の補助層を形成する段階は、
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に位置する前記第１電極上に前記第３発光層を共通して形成する段階と、
前記第１領域に位置する前記第３発光層上に前記第１補助層と前記第１発光層を同時に形成する段階と、
前記第２領域に位置する前記第３発光層上に前記第２補助層を形成する段階と、
前記第１領域、前記第２領域及び前記第３領域に位置する前記第３発光層、前記第１補助層、前記第１発光層、及び前記第２補助層上に前記第２発光層を共通に形成する段階と、を含み、
前記第１領域に前記第１発光層と前記第１補助層を転写工程により形成し、
前記第２領域に前記第２補助層を転写工程により形成し、
前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域に前記第２発光層と前記第３発光層を蒸着工程により形成する請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）は、画素電極と共通電極、また画素電極と共通電極との間に介在する有機膜を含む。有機膜は少なくとも発光層（Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）を含み、発光層の他にも正孔注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）をさらに含む。このような有機発光表示装置は、有機膜、特に、発光層で画素電極と共通電極によって発生した正孔及び電子が結合し、正孔及び電子が結合したエキシトンが励起状態から基底状態にエネルギー準位が変動する際、変動したエネルギー準位に対応する色を有する光を放出できる。
【０００３】
このような有機発光表示装置において、フルカラー有機発光表示装置を実現するためには上記有機膜をパターニングしなければならないが、有機膜をパターニングするための方法としてはマスクを使用する蒸着方法がある。このような蒸着方法は従来から使用されている方法であって、高い効率性及び安全性を保障する。
【０００４】
しかし、最近では高解像度の有機発光表示装置を得るために有機膜がパターニングされるパターンのサイズが減少しており、これに伴い、パターンに対応する開口部を含むマスクは製造しにくいだけではなく、たとえマスクを製造するとしても、蒸着工程が開示された後、すぐにマスクの開口部が詰まってしまう現象が発生し得る。
【０００５】
したがって、最近では有機膜をパターニングするための方法としてレーザを利用した転写方法を利用している。レーザを利用した転写方法を利用すると、微細なパターンを容易に形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】韓国特許出願公開第２００８−００４７７７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、レーザを利用した転写方法を利用する際、レーザから発生した熱が転写する層、例えば、発光層に直接的に影響を及ぼし、有機発光表示装置の寿命低下が発生する。特に、緑光を放出する発光層の寿命低下が最も酷い。
【０００８】
これに対し、本発明が解決しようとする課題は、複数の発光層のうち少なくとも二つを基板の全面に渡って共通して形成することによって、寿命が向上した有機発光表示装置を提供することである。
【０００９】
また、本発明が解決しようとする他の課題は、複数の発光層のうち少なくとも二つを蒸着工程により、基板の全面に渡って共通して形成する有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【００１０】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていない他の技術的課題は以下の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の領域を含む基板と、基板上の複数の領域各々に位置する第１電極、第１電極上に位置する第２電極と、第１電極と第２電極との間に介在する複数の発光層と、を含み、複数の発光層のうち少なくとも二つは複数の領域に共通して形成される。
【００１２】
上記課題を達成するための本発明の他の実施形態による有機発光表示装置は、第１領域を含む基板と、基板上の第１領域に位置する第１電極と、第１電極上に位置する第２電極と、第１領域に位置し、第１電極と第２電極との間に介在する第１補助層及び複数の発光層を含み、複数の発光層は、第１補助層と第２電極との間に位置する第１発光層と、第１発光層と第２電極との間に位置する第２発光層と、第１電極と第１補助層との間に位置する第３発光層を含む。
【００１３】
上記他の課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板上の複数の領域各々に第１電極を形成する段階と、第１電極上に複数の発光層と複数の補助層を形成する段階と、複数の発光層と複数の補助層上に第２電極を形成する段階と、を含み、複数の発光層のうち少なくとも二つは蒸着工程により形成し、複数の補助層は転写工程により形成する。
【００１４】
その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施形態によれば少なくとも次のような効果がある。すなわち、高解像度有機発光表示装置の寿命を向上できる。また、有機発光表示装置の駆動電圧を減少させることができる。また、ファインメタルマスクの使用を最小化することによって工程効率性を増大させることができる。
【００１６】
本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されるものではなく、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置を概略的に図示する断面図である。
【図２】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち基板、第１電極、及び第１媒介層の積層体を備える工程を示す断面図である。
【図３】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち積層体上に第３発光層を形成する工程を示す断面図である。
【図４】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち第３発光層上に第１補助層と第１発光層を形成する工程を示す断面図である。
【図５】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち第３発光層上に第２補助層を形成する工程を示す断面図である。
【図６】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち第３発光層上に第２発光層を形成する工程を示す断面図である。
【図７】図１の有機発光表示装置の製造方法のうち第２発光層上に第２媒介層、第２電極、及び保護層を形成する工程を示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図１０】製造例１に従い製造した有機発光表示装置の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。
【図１１】比較例１に従い製造した有機発光表示装置の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。
【００１９】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が異なる素子または層「上（ｏｎ）」と指称される場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合をすべて含む。明細書全体にかけて同一参照符号は同一構成要素を指称する。
【００２０】
第１、第２等が多様な構成要素を叙述するために使用されるが、これら構成要素はこれら用語によって制限されないのは勿論である。これら用語は単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及する第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要素であり得るのはもちろんである。
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００を概略的に図示する断面図である。図１を参照すると、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００は、基板１１０、第１電極１１２、第１媒介層１１４、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）、複数の補助層（１２０、１２４）、第２媒介層１３０、第２電極１３２、及び保護層１３４を含む。
【００２３】
基板１１０は絶縁基板を含む。絶縁基板は透明なＳｉＯ2を主成分とする透明材質のガラス材で形成される。いくつかの実施形態で、絶縁基板は不透明材質からなるか、またはプラスチック材質からなる。さらに、絶縁基板はベンディング、フォールディングやローリングが可能なフレキシブル基板である。
【００２４】
図１には示していないが、基板１１０は絶縁基板上に形成された他の構造物をさらに含む。他の構造物の例としては配線、電極、絶縁膜などが挙げられる。本実施形態による有機発光表示装置１００が能動型有機発光表示装置である場合、基板１１０は絶縁基板上に形成された複数の薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極とチャンネル領域である半導体層を含む。半導体層は、非晶質シリコン、微細結晶シリコン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンで形成される。他の対案的な実施形態では、半導体層は酸化物半導体からなる場合もある。複数の薄膜トランジスタのうち少なくとも一部のドレイン電極は第１電極１１２と電気的に接続できる。
【００２５】
基板１１０は複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を含む。複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）は基板１１０上で互いに一定間隔で離隔して形成され得る。複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）は画素が位置する領域である。例示的な実施形態で、複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）は第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩを含み得る。第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩは各々赤、緑、青の光を放出できる領域であり得る。他の例示的な実施形態で、複数の領域は追加して第４領域（図示せず）を含み得る。第４領域は白色の光を放出できる領域である。
【００２６】
第１電極１１２は基板１１０上に形成される。第１電極１１２は基板１１０上の複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）各々に位置する。すなわち、第１電極１１２は画素別に相互分離するように形成される。例示的な実施形態で、第１電極１１２は基板１１０上の第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩのすべてに位置する。第１電極１１２は、基板１１０上に直接接触して形成され得、第１電極１１２と基板１１０との間に絶縁膜などの物質が介在し得る。
【００２７】
第１電極１１２はアノード電極またはカソード電極である。第１電極１１２がアノード電極である場合、第２電極１３２はカソード電極になり、以下ではこのように仮定して実施形態が例示的に説明される。ただし、第１電極１１２はカソード電極であり、第２電極１３２はアノード電極であってもよい。
【００２８】
アノード電極として使用される第１電極１１２は仕事関数が高い導電性物質からなる。有機発光表示装置１００が背面発光型表示装置である場合、第１電極１１２はＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、またはＩｎ2Ｏ3等の物質であるが、これらの積層膜で形成され得る。有機発光表示装置１００が全面発光型表示装置である場合、第１電極１１２はＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、またはＣａなどで形成された反射膜をさらに含み得る。第１電極１１２はこれらのうち互いに異なる２以上の物質を利用して２層以上の構造を有し得るなどの多様な変形することが可能である。
【００２９】
第１電極１１２は５００Åないし１５００Åの厚さを有する。好ましい第１電極１１２の厚さは概ね１０００Åである。
【００３０】
図１には示していないが、互いに異なる画素の第１電極１１２の間には画素定義膜が介在するため、各画素を区分することができる。画素定義膜は基板１１０上に形成されるが、各画素の第１電極１１２が形成される領域を露出する開口部を含む。画素定義膜は、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）、ポリミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリアミド（ｐｏｌｙ  ａｍａｉｄｅ、ＰＡ）、アクリル樹脂及びフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つの有機物質を含んでなるか、またはシリコン窒化物などのような無機物質を含んでなる。
【００３１】
第１媒介層１１４は第１電極１１２上に形成される。第１媒介層１１４は第１電極１１２と第２電極１３２との間で電子または正孔の注入や輸送を助ける役割を果たす。第１電極１１２がアノード電極である場合、第１媒介層１１４は正孔の注入や輸送に関する層であり得る。
【００３２】
第１媒介層１１４は各画素別に分離できるが、図１に示すように、基板１１０の全面に渡って一体型に形成され得る。すなわち、第１媒介層１１４は画素区分を問わず共通層として形成され得る。言い換えると、第１媒介層１１４は複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に共通して形成され得る。いくつかの実施形態で、第１媒介層１１４は省略する場合もある。
【００３３】
第１媒介層１１４は正孔注入層１１４ａ及び／または正孔輸送層１１４ｂを含む。例示的な実施形態で、第１媒介層１１４は正孔注入層１１４ａまたは正孔輸送層１１４ｂのうち一つのみを含み得る。他の例示的な実施形態で、第１媒介層１１４は正孔注入層１１４ａと正孔輸送層１１４ｂの積層膜を含み得る。
【００３４】
正孔注入層１１４ａは第１電極１１２上に位置する。正孔注入層１１４ａを成す物質は、公知の正孔注入材料から選択できる。例えば、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物またはスターバースト型アミン誘導体類のＴＣＴＡまたはｍ−ＭＴＤＡＴＡ、導電性高分子であるＰａｎｉ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ：ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）またはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙ（４−ｓｔｙｒｅｎｅｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ポリ（３、４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホナート））、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ  （Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒ  ｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ：ポリアニリン／カンファースルホン酸）またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ）／Ｐｏｌｙ  （４−ｓｔｙｒｅｎｅ−ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）：ポリアニリン）／ポリ（４−スチレンスルホナート））、などを使用できるが、これに限定されない。
【００３５】
正孔輸送層１１４ｂは正孔注入層１１４ａ上に位置する。正孔輸送層１１４ｂを成す物質は、公知の正孔注入材料から選択できる。例えば、１、３、５−トリカルバゾリルベンゼン、４、４’−ビスカルバゾリルビフェニル、ポリビニルカルバゾール、ｍ−ビスカル
バゾリルフェニル、４、４’−ビスカルバゾリル−２、２’−ジメチルビフェニル、４、
４’、４’−トリー（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、１、３、５−トリー（２
−カルバゾリルフェニル）ベンゼン、１、３、５−トリス（２−カルバゾリル−５−メトキシフェニル）ベンゼン、ビス（４−カルバゾリルフェニル）シラン、Ｎ、Ｎ’−ビス（
３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−［１、１−ビフェニル］−４、４’  ジ
アンミン（ＴＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジ（ナフタリン−１−イル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニルベ
ンジジン（ＮＰＤ）、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−（１、
１’−ビフェニル）−４、４’−ジアンミン（ＮＰＢ）、ポリ（９、９−ジオクチルフル
オレンｃｏ−Ｎ−（４−ブチルフェニル）ジフェニルアミン）（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ｃｏ−Ｎ−（４−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）  （ＴＦＢ）またはポリ（９、９−ジオクチルフルオレンｃｏ−ビス−Ｎ、Ｎ−フェニル−１、４−フェニレンジアミン（ｐｏｌｙ（９、９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｅ−ｃｏ−ｂｉｓ−（４−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ−ｂｉｓ−Ｎ、Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−１、４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅ）  （ＰＦＢ）などが含まれるが、これに限定されない。正孔輸送層１１４ｂは７００Åないし１７００Åの厚さに形成され得る。好ましい正孔輸送層１１４ｂの厚さは１２００Åである。
【００３６】
このような正孔注入層１１４ａまたは正孔輸送層１１４ｂは真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などのような多様な方法により形成され得る。真空蒸着法を用いることが好ましい。真空蒸着法によって正孔注入層１１４ａまたは正孔輸送層１１４ｂを形成する場合、その蒸着条件は、正孔注入層１１４ａまたは正孔輸送層１１４ｂの材料として使用する化合物、目的とする正孔注入層１１４ａまたは正孔輸送層１１４ｂの構造及び熱的特性などによって異なるが、通常、蒸着温度１００ないし５００℃、真空度１０-8ないし１０-3ｔｏｒｒ、蒸着速度０．０１ないし１００Å／ｓｅｃの範囲で選択するのが好ましい。
【００３７】
複数の発光層（１１８、１２２、１２６）は第１媒介層１１４上に形成される。このような複数の発光層（１１８、１２２、１２６）は特定の色の光を放出する。具体的には、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）で第１電極１１２及び第２電極１３２によって発生した正孔及び電子が結合してエキシトンを形成し、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）はエキシトンが励起状態から基底状態にエネルギー準位が変動する際に変動したエネルギー準位に対応する色を有する光を放出する。例示的な実施形態で、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）は赤、緑及び青の光を放出する。他の例示的な実施形態で、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）は赤、緑、及び青だけではなく白色の光も放出し得る。
【００３８】
複数の発光層（１１８、１２２、１２６）のうち少なくとも二つは基板１１０の全面に渡って一体型に形成される。すなわち、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）のうち少なくとも二つは画素区別を問わず、共通層として形成される。言い換えると、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）のうち少なくとも二つは複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に共通して形成され得る。
【００３９】
複数の発光層（１１８、１２２、１２６）は、第１発光層１２２、第２発光層１２６及び第３発光層１１８を含む。例示的な実施形態で、第１発光層１２２は赤の光を放出し、第２発光層１２６は緑の光を放出し、第３発光層１１８は青の光を放出する。以下ではこのように仮定して説明するが、これに限定されない。
【００４０】
第１発光層１２２は第１領域Ｉに位置する。具体的には、第１発光層１２２は第１領域Ｉにのみ存在する。すなわち、第１発光層１２２は第２領域ＩＩ及び第３領域ＩＩＩに存在しない。また、第１発光層１２２は第２発光層１２６と第３発光層１１８との間に介在する。
【００４１】
第１発光層１２２は転写工程により形成され得る。ここで、転写工程はレーザ熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ、ＬＩＴＩ）を利用する工程であるが、これに限定されない。例示的な実施形態で、第１発光層１２２は後述する第１補助層１２０と同時に転写して形成され得る。
【００４２】
第１発光層１２２は、固有発光色が赤である高分子物質または低分子有機物質や高分子／低分子混合物質からなる。いくつかの実施形態で、第１発光層１２２は赤ホスト物質及び赤ドーパント物質を含む。
【００４３】
第１発光層１２２において、赤ホスト物質はビス｛２−（２−ヒドロキシフェニル）  ベンゾチアゾーレート｝亜鉛｛Ｂｉｓ（２−（２−ｈｙｄｒｏｘｙｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｏｔｈｉａｚｏｌａｔｏ）ｚｉｎｃ（Ｚｎ（ＢＴＺ）２）｝、ビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム｛Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）−４−（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ｝からなる群から選択された一つ以上であり得るが、これに限定されない。第１発光層１２２で赤ドーパント物質はＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＤＣＪＴＢなどを利用できるが、これに限定されない。
【００４４】
第２発光層１２６は第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、及び第３領域ＩＩＩのすべてに位置する。例示的な実施形態で、第２発光層１２６は基板１１０の全面に渡って一体型に形成される。すなわち、第２発光層１２６は画素区別を問わず共通層として形成され得る。言い換えると、第２発光層１２６は複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に共通して形成され得る。すなわち、第２発光層１２６は第１領域Ｉだけではなく第２領域ＩＩ及び第３領域ＩＩＩにまで延長し、第１発光層１２２及び第３発光層１１８に重なる。
【００４５】
第２発光層１２６は第１発光層１２２と第２電極１３２との間に介在する。具体的には、第２発光層１２６は第３発光層１１８と第２媒介層１３０との間に介在する。
【００４６】
第２発光層１２６は蒸着工程により形成される。ここで、蒸着工程はオープンマスク（Ｏｐｅｎ  ｍａｓｋ）を利用する真空蒸着工程であるが、これに限定されない。
【００４７】
第２発光層１２６は固有発光色が緑である高分子物質または低分子有機物質や高分子／低分子混合物質からなる。いくつかの実施形態で、第２発光層１２６は緑ホスト物質及び緑ドーパント物質を含む。
【００４８】
第２発光層１２６で緑ホスト物質はアントラセン誘導体、カルバゾール系化合物から選択された一つ以上であり得るが、これに限定されない。ここで、アントラセン誘導体としては、９、１０−（２−ジナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）などを使用し、カルバゾール系化合物としては４、４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）などを
使用できる。第２発光層１２６で緑ドーパント物質はＩｒ（ｐｐｙ）3  （ｐｐｙ  ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）2（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）3、Ｃ5４5Ｔなどを利用することができるが、これに限定されない。
【００４９】
第２発光層１２６は光を放出する機能だけではなく、電子を輸送する機能も有する。すなわち、第２発光層１２６は第２領域ＩＩでは主に光を放出する機能を行うが、第１領域Ｉ及び第３領域ＩＩＩでは各々第１発光層１２２及び第３発光層１１８に電子を輸送する機能を行う。
【００５０】
第３発光層１１８は第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩのすべてに位置する。例示的な実施形態で、第３発光層１１８は基板１１０の全面に渡って一体型に形成され得る。すなわち、第３発光層１１８は画素区別を問わず共通層として形成される。言い換えると、第３発光層１１８は複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に共通して形成される。すなわち、第３発光層１１８は第１領域Ｉだけではなく、第２領域ＩＩ及び第３領域ＩＩＩにまで延長し、第１発光層１２２及び第２発光層１２６に重なる。
【００５１】
第３発光層１１８は第１発光層１２２と第１電極１１２との間に介在する。具体的には、第３発光層１１８は第１媒介層１１４と第２発光層１２６との間に介在する。例示的な実施形態で、第１発光層１２２及び第２発光層１２６は各々第３発光層１１８の上に形成され得る。
【００５２】
第３発光層１１８は蒸着工程により形成され得る。ここで、蒸着工程はオープンマスクを利用する真空蒸着工程であるが、これに限定されない。
【００５３】
第３発光層１１８は固有発光色が青である高分子物質または低分子有機物質や高分子／低分子混合物質からなる。いくつかの実施形態で、第３発光層１１８は青ホスト物質及び青ドーパント物質を含む。
【００５４】
第３発光層１１８において、青ホスト物質はアントラセン誘導体、カルバゾール系化合物から選択された一つ以上であり得るが、これに限定されない。ここで、アントラセン誘導体としては、９、１０−（２−ジナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）などを使用し、カルバゾール系化合物としては４、４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ
）などを使用できる。第３発光層１１８において、青ドーパント物質はＦ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン（ｆｌｕｏｒｅｎｅ）などを利用できるが、これに限定されない。
【００５５】
第３発光層１１８は光を放出する機能だけではなく、正孔を輸送する機能も有する。すなわち、第３発光層１１８は第３領域ＩＩＩでは主に光を放出する機能を行うが、第１領域Ｉ及び第２領域ＩＩでは各々第１発光層１２２及び第２発光層１２６に正孔を輸送する機能を行う。
【００５６】
複数の補助層（１２０、１２４）は第１媒介層１１４上に形成される。具体的には、複数の補助層（１２０、１２４）は第２発光層１２６と第３発光層１１８との間に介在する。このような複数の補助層（１２０、１２４）は複数の発光層（１１８、１２２、１２６）で放出する光の共振周期（ｒｅｓｏｎａｎｃｅ  ｃｙｃｌｅ）を調整する機能などを有する。複数の補助層（１２０、１２４）は複数の発光層（１１８、１２２、１２６）で放出する光の色純度及び発光効率などを高めるために一定の厚さを有する。複数の補助層（１２０、１２４）は前述した正孔輸送層１１４ｂと同一物質からなる。例示的な実施形態で、複数の補助層（１２０、１２４）の各々は３００Åないし１５００Åの厚さに形成される。
【００５７】
複数の補助層（１２０、１２４）は第１補助層１２０と第２補助層１２４と、を含む。
【００５８】
第１補助層１２０は第１領域Ｉに位置する。具体的には、第１補助層１２０は第１領域Ｉにのみ存在する。すなわち、第１補助層１２０は第２領域ＩＩと第３領域ＩＩＩに存在しない。また、第１補助層１２０は第１発光層１２２と第３発光層１１８との間に介在する。第１補助層１２０は転写工程により形成される。ここで、転写工程は、レーザ熱転写法を利用した工程であるが、これに限定されない。例示的な実施形態で、第１補助層１２０は前述した第１発光層１２２と同時に転写して形成され得る。
【００５９】
第１補助層１２０は第１発光層１２２で放出する光の共振周期を調整するために一定の厚さに形成される。第１補助層１２０は第１発光層１２２で放出する光の発光効率、色純度などが高められるように、５００Åないし１８００Åの範囲の厚さに設定する。好ましい第１補助層１２０の厚さは概ね９００Åである。例示的な実施形態で、第１補助層１２０の厚さは第２補助層１２４の厚さより厚い場合もある。第１補助層１２０をなす物質は正孔輸送層１１４ｂをなす物質と同じ物質で形成されるが、これに限定されない。例示的な実施形態で、第１補助層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）及び窒酸化ケイ素（ＳｉＯN）から選択された少なくとも一つを含む。
【００６０】
第２補助層１２４は第２領域ＩＩに位置する。具体的には、第２補助層１２４は第２領域ＩＩにのみ存在する。すなわち、第２補助層１２４は第１領域Ｉ及び第３領域ＩＩＩに存在しない。また、第２補助層１２４は第２発光層１２６と第３発光層１１８との間に介在する。第２補助層１２４は転写工程により形成される。ここで、転写工程はレーザ熱転写法を利用する工程であるが、これに限定されない。例示的な実施形態で、第２補助層１２４のみ転写して形成され得る。
【００６１】
第２補助層１２４は第２発光層１２６で放出する光の共振周期を調整するために一定の厚さに形成される。第２補助層１２４は第２発光層１２６で放出する光の発光効率、色純度などが高められるように、３００ないし１５００Åの範囲の厚さに設定する。好ましい第２補助層１２４の厚さは概ね７００Åである。第２補助層１２４をなす物質は正孔輸送層１１４ｂの物質と同じ物質で形成されるが、これに限定されない。例示的な実施形態で、第２補助層１２４は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ2）及び窒酸化ケイ素（ＳｉＯN）から選択された少なくとも一つを含む。
【００６２】
前述した複数の発光層（１１８、１２２、１２６）と複数の補助層（１２０、１２４）の構造を整理すると、次の通りである。第１領域Ｉでは第１媒介層１１４上に第３発光層１１８、第１補助層１２０、第１発光層１２２、及び第２発光層１２６が順に積層される。第２領域ＩＩでは第１媒介層１１４上に第３発光層１１８、第２補助層１２４、第２発光層１２６が順に積層される。第３領域ＩＩＩでは第１媒介層１１４上に第３発光層１１８、第２発光層１２６が順に積層される。また、第２発光層１２６及び第３発光層１１８は蒸着工程により形成され、第１発光層１２２、第１補助層１２０、及び第２補助層１２４は転写工程により形成される。また、第２発光層１２６及び第３発光層１１８は基板１１０の全面に渡って共通して形成され、第１発光層１２２及び第１補助層１２０は第１領域Ｉにのみ選択的に形成され、第２補助層１２４は第２領域ＩＩにのみ選択的に形成される。また、第１発光層１２２、第１補助層１２０、及び第２補助層１２４は、第２発光層１２６と第３発光層１１８によって囲まれた形態に配置される。
【００６３】
また、前述した複数の発光層（１１８、１２２、１２６）及び複数の補助層（１２０、１２４）の発光メカニズムを整理すると、次の通りである。
【００６４】
先ず、第１領域Ｉを見ると、第１電極１１２から発生した正孔は正孔輸送能力を有する第３発光層１１８及び第１補助層１２０を通過して第１発光層１２２に伝達される。第２電極１３２から発生した電子は電子輸送能力を有する第２発光層１２６を通過して第１発光層１２２に伝達される。第１発光層１２２に伝達された正孔及び電子はエキシトンを形成し、エキシトンが励起状態から基底状態にエネルギー準位が変動することにより赤の光を放出する。ここで、第１補助層１２０の存在によって第１電極１１２から発生した正孔がすべて第１発光層１２２に伝達され、第２電極１３２から発生した電子が第３発光層１１８に伝達されないため、第３発光層１１８は光を放出できない場合もある。ただし、第２発光層１２６は第１領域Ｉで主に電子輸送層１３０ｂと同じ機能を行うが、一部の緑の光を放出することもある。すなわち、第１発光層１２２で７０％ないし８０％の赤光が放出され、第２発光層１２６で２０％ないし３０％の緑光が放出される。第１発光層１２２及び第２発光層１２６で放出された光は第１領域Ｉ内で共振することによってフィルタリングされ、最終的に第１領域Ｉでは赤光のみ有機発光表示装置１００の外部に出射される。
【００６５】
次に、第２領域ＩＩを見ると、第１電極１１２から発生した正孔は正孔輸送能力を有する第３発光層１１８及び第２補助層１２４を通過して第２発光層１２６に伝達される。第２電極１３２から発生した電子は第２媒介層１３０を通過して第２発光層１２６に伝達される。第２発光層１２６に伝達された正孔及び電子はエキシトンを形成し、エキシトンが励起状態から基底状態にエネルギー準位が変動し、緑の光を放出する。ここで、第２補助層１２４の存在によって第１電極１１２から発生した正孔がすべて第２発光層１２６に伝達され、第２電極１３２から発生した電子は第３発光層１１８に伝達されないため、第３発光層１１８は光を放出できない場合もある。すなわち、第２発光層１２６で１００％の緑光が放出され得る。第２発光層１２６から放出された緑光は第２領域ＩＩで共振することによって色純度が向上した状態で有機発光表示装置１００の外部に出射される。
【００６６】
次に、第３領域ＩＩＩを見ると、第１電極１１２で発生した正孔は正孔輸送能力を有する第１媒介層１１４を通過して第３発光層１１８に伝達される。第２電極１３２で発生した電子は電子輸送能力を有する第２発光層１２６を通過して第３発光層１１８に伝達される。第３発光層１１８に伝達された正孔及び電子はエキシトンを形成し、エキシトンが励起状態から基底状態にエネルギー準位が変動し、青の光を放出する。ここで、第２発光層１２６は第３領域ＩＩＩで主に電子輸送層１３０ｂと同じ機能を行うが、一部の緑の光を放出する場合もある。すなわち、第３発光層１１８で７０％ないし８０％の青光が放出され、第２発光層１２６で２０％ないし３０％の緑光が放出される。第３発光層１１８及び第２発光層１２６で放出された光は第３領域ＩＩＩ内で共振することによってフィルタリングされ、最終的に第３領域ＩＩＩでは青光のみ有機発光表示装置１００の外部に出射される。
【００６７】
第２媒介層１３０は第２発光層１２６上に形成される。第２媒介層１３０は第１電極１１２と第２電極１３２との間で電子または正孔の注入や輸送を助ける役割を果たす。第２電極１３２がカソード電極である場合、第２媒介層１３０は電子の注入や輸送に関する膜である。
【００６８】
第２媒介層１３０は画素定義膜の側面及び画素定義膜の上部面に延長される。第２媒介層１３０は各画素別に分離もできるが、図１に図示するように、基板１１０の全面に渡って一体型に形成される。すなわち、第２媒介層１３０は画素区別を問わず、共通層として形成される。言い換えると、第２媒介層１３０は複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に共通して形成される。いくつかの実施形態で、第２媒介層１３０は省略できる。
【００６９】
第２媒介層１３０は電子輸送層１３０ｂ及び／または電子注入層１３０ａを含む。例示的な実施形態で、第２媒介層１３０は電子輸送層１３０ｂまたは電子注入層１３０ａのうち一つのみを含み得る。他の例示的な実施形態で、電子輸送層１３０ｂと電子注入層１３０ａの積層膜を含み得る。
【００７０】
電子輸送層１３０ｂは第２発光層１２６上に位置する。電子輸送層１３０ｂをなす電子輸送層材料は電子注入電極（Ｃａｔｈｏｄｅ）から注入された電子を安定するように輸送する機能を果たすものであって、キノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ3）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑなどのように公知の材料を使用できるが、これに限定されない。電子輸送層１３０ｂは２００Åないし４００Åの厚さを有する。好ましい電子輸送層１３０ｂの厚さは概ね３００Åである。
【００７１】
電子注入層１３０ａは電子輸送層１３０ｂ上に位置する。電子注入層１３０ａは公知の材料を利用して形成でき、例えば、ＬｉＦ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＯなどを利用して形成できるが、これに限定されない。電子注入層１３０ａは１０Åないし１５Åの厚さを有する。好ましい電子注入層１３０ａの厚さは概ね１３Åである。
【００７２】
このような電子輸送層１３０ｂまたは電子注入層１３０ａは真空蒸着法、スピンコーティング法などの多様な方法を利用して形成する。電子輸送層１３０ｂまたは電子注入層１３０ａを真空蒸着法またはスピンコーティング法を利用して形成する場合、蒸着条件及びコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、通常、正孔注入層１１４ａの形成条件とほぼ同じ条件の範囲から選択される。
【００７３】
第２電極１３２は第２媒介層１３０上に形成される。第２電極１３２がカソード電極として使用される場合、仕事関数が低い導電性物質からなる。第２電極１３２はＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、またはＣａなどで形成される。第２電極１３２は５０Åないし１５０Åの厚さを有する。好ましい第２電極１３２の厚さは概ね１００Åである。
【００７４】
保護層１３４は第２電極１３２の上部に配置される。保護層１３４は保護層１３４の下部の積層膜を保護する。保護層１３４は絶縁基板からなる。第２電極１３２と保護層１３４との間にスペーサ（図示せず）が配置される場合もある。保護層１３４は４００Åないし８００Åの厚さを有する。好ましい保護層１３４の厚さは概ね６００Åである。本発明の他のいくつかの実施形態では、保護層１３４を省略する場合もある。この場合、絶縁物質からなる封止膜が全体構造物を覆って保護する。
【００７５】
高解像度有機発光表示装置を製造するためには転写工程、例えば、レーザ熱転写法を利用する必要がある。しかし、レーザ６００を利用した転写工程を利用する際、レーザ６００から発生した熱が転写する層に直接影響を及ぼし、有機発光表示装置の寿命低下が生じる。特に、緑光を放出する発光層の寿命低下が最も酷くなる。
【００７６】
これに、本発明による一実施形態によれば、有機発光表示装置１００の製造時、転写工程を利用することによって高解像度有機発光表示装置１００を得ると共に、第１発光層１２２及び複数の補助層（１２０、１２４）のみを転写工程により形成することによって有機発光表示装置１００の寿命低下を最小化できる。特に、緑の光を放出する第２発光層１２６を蒸着工程により形成することによって、第２発光層１２６の寿命低下を防止できる。
【００７７】
また、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）及び複数の補助層（１２０、１２４）を形成する際、ドナー基板及びオープンマスクを使用し、ファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ、ＦＭＭ）を使用しないことによって工程効率性を高める。
【００７８】
以下、図２〜図７を参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００の製造方法について説明する。図２は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、基板１１０、第１電極１１２、及び第１媒介層１１４の積層体を備える工程を示す断面図である。図３は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、積層体上に第３発光層１１８を形成する工程を示す断面図である。図４は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、第３発光層１１８上に第１補助層１２０及び第１発光層１２２を形成する工程を示す断面図である。図５は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、第３発光層１１８上に第２補助層１２４を形成する工程を示す断面図である。図６は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、第３発光層１１８上に第２発光層１２６を形成する工程を示す断面図である。図７は、図１の有機発光表示装置１００の製造方法中、第２発光層１２６上に第２媒介層１３０、第２電極１３２、保護層１３４を形成する工程を示す断面図である。説明の便宜上、図１に図示した図面に示す各エレメントと実質的に同じエレメントは同一符号で示し、重複する説明は省略する。
【００７９】
図２ないし図７を参照すると、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００の製造方法は、基板１１０上の複数の領域（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）の各々に第１電極１１２を形成する段階、第１電極１１２上に複数の発光層（１１８、１２２、１２６）と複数の補助層（１２０、１２４）を形成する段階と、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）と複数の補助層（１２０、１２４）上に第２電極１３２を形成する段階を含む。ここで、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）のうち少なくとも二つは蒸着工程により形成し、複数の補助層（１２０、１２４）はすべて転写工程により形成する。具体的には、第１領域Ｉに第１発光層１２２と第１補助層１２０を転写工程により形成し、第２領域ＩＩに第２補助層１２４を転写工程により形成し、第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩに第２発光層１２６と第３発光層１１８を蒸着工程により形成する。
【００８０】
工程順に説明する。先ず、図２を参照すると、基板１１０、第１電極１１２、及び第１媒介層１１４の積層体を備える。第１電極１１２及び第１媒介層１１４は通常の蒸着工程等により形成する。
【００８１】
次に、図３を参照すると、積層体を備えた後、積層体上に第３発光層１１８を形成する。ここで、第３発光層１１８はマスク２００を利用した蒸着工程により形成される。具体的には、積層体上に開口部を含むマスク２００、例えば、オープンマスクを整列し、第１媒介層１１４の一面と対向するように蒸着源３００を配置した後、蒸着源３００で第３発光層１１８をなす有機物を噴射することによって、第１媒介層１１４の一面上に第３発光層１１８を蒸着する。すなわち、第３発光層１１８は第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩに共通して形成する。
【００８２】
次に、図４を参照すると、第３発光層１１８を形成した後、第３発光層１１８上に第１補助層１２０と第１発光層１２２を形成する。第１補助層１２０と第１発光層１２２は第１ドナー基板４００を利用した転写工程により同時に形成される。
【００８３】
ここで、第１ドナー基板４００は、第１補助層１２０及び第１発光層１２２を形成するための手段であって、第１ベースフィルム４１０、第１光−熱変換層４１２、第１転写層４１４を含む。
【００８４】
第１ベースフィルム４１０は、透明性高分子からなるが、このような高分子としては、ポリエチレンテレフタラートのようなポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリスチレンなどを使用する。そのうち、ポリエチレンテレフタラートフィルムを主に使用する。第１ベースフィルム４１０はサポートフィルムとしての光学的性質と機械的安全性を有しなければならない。第１ベースフィルム４１０の厚さは１０μｍないし５００μｍであることが好ましい。
【００８５】
第１光−熱変換層４１２は第１ベースフィルム４１０上に位置する。第１光−熱変換層４１２は赤外線−可視光線領域の光を吸収して光の一部を熱に変換させる層であり、光学密度（ｏｐｔｉｃａｌ  ｄｅｎｓｉｔｙ）を有し、光吸水性物質を含む。第１光−熱変換層４１２には例えば、アルミニウム酸化物またはアルミニウム硫化物を光吸水性物質として含む金属膜、カーボンブラック、黒鉛や、赤外線染料を光吸水性物質として含む高分子有機膜がある。この際、金属膜の場合は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法またはスパッタリングを利用して１００Åないし５、０００Åの厚さに形成することが好ましく、有機膜の場合、通常のフィルムコーティング方法であるロールコーティング（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、グラビア（ｇｒａｖｕｒｅ）、押出（ｅｘｔｒｕｓｉｏｎ）、スピン（ｓｐｉｎ）及びナイフ（ｋｎｉｆｅ）コーティング方法を利用して０．１μｍないし１０μｍ厚さに形成することが好ましい。
【００８６】
図４には示していないが、第１光−熱変換層４１２上には第１中間層が位置する。第１中間層は、第１光−熱変換層４１２に含まれた光吸水性物質、例えば、カーボンブラックが後続する工程により形成される第１転写層４１４を汚染させることを防止する役割を果たす。第１中間層はアクリル樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）またはアルキド樹脂（ａｌｋｙｄ  ｒｅｓｉｎ）で形成する。第１中間層の形成は、溶媒コーティングなどの通常のコーティング過程と紫外線硬化過程などの硬化過程を経て行われる。
【００８７】
第１光−熱変換層４１２（または第１中間層）上には第１転写層４１４が位置する。第１転写層４１４は二重層からなる。すなわち、第１転写層４１４は上部転写層４１４ａと下部転写層４１４ｂを含む。上部転写層４１４ａは第１発光層１２２と同じ物質からなり、下部転写層４１４ｂは第１補助層１２０と同じ物質からなる。
【００８８】
このような第１ドナー基板４００の第１転写層４１４が第３発光層１１８と対向するように整列した後、第１領域Ｉにレーザ６００を照射する。第１領域Ｉにレーザ６００が照射されると、レーザ６００によって伝達された光エネルギーが第１領域Ｉに位置する第１光−熱変換層４１２で熱エネルギーに変換される。変換された熱エネルギーは第１光−熱変換層４１２を膨張させると同時に第１転写層４１４に伝達され、第１転写層４１４を第３発光層１１８上に転写させる。第３発光層１１８上に転写された第１転写層４１４、すなわち、上部転写層４１４ａ及び下部転写層４１４ｂは各々第１発光層１２２及び第１補助層１２０になる。
【００８９】
次に、図５を参照すると、第１発光層１２２と第１補助層１２０を形成した後、第３発光層１１８上に第２補助層１２４を形成する。第２ドナー基板５００を利用した転写工程により第２補助層１２４のみ形成され得る。
【００９０】
ここで、第２ドナー基板５００は、第２補助層１２４を形成するための手段として、第２ベースフィルム５１０、第２光−熱変換層５１２、及び第２転写層５１４を含む。また、図５には示していないが、第２光−熱変換層５１２と第２転写層５１４との間には第２中間層が介在する場合もある。
【００９１】
第２ベースフィルム５１０及び第２光−熱変換層５１２は、各々第１ベースフィルム４１０及び第１光−熱変換層４１２に対応するため、詳細な説明は省略する。
【００９２】
第２転写層５１４は単一層からなる。第２転写層５１４は第２補助層１２４をなす物質と同じ物質からなる。
【００９３】
このような第２ドナー基板５００の第２転写層５１４が第３発光層１１８と対向するように整列した後、第２領域ＩＩにレーザ６００を照射する。第２領域ＩＩにレーザ６００が照射すると、レーザ６００によって伝達された光エネルギーが第２領域ＩＩに位置する第２光−熱変換層５１２で熱エネルギーに変換する。変換された熱エネルギーは第２光−熱変換層５１２を膨張させると同時に第２転写層５１４に伝達され、第２転写層５１４を第３発光層１１８上に転写させる。第３発光層１１８上に転写した第２転写層５１４は第２補助層１２４になる。
【００９４】
次に、図６を参照すると、第２補助層１２４を形成した後、第１発光層１２２、第２補助層１２４、第３発光層１１８上に第２発光層１２６を形成する。ここで、第２発光層１２６はマスク２００を利用した蒸着工程により形成される。具体的には、第１発光層１２２、第２補助層１２４、第３発光層１１８上に開口部を含むマスク２００、例えば、オープンマスクを整列し、第１発光層１２２、第２補助層１２４、第３発光層１１８の一面と対向するように蒸着源３００を配置した後、蒸着源３００で第２発光層１２６をなす有機物を噴射することによって、第１発光層１２２、第２補助層１２４、第３発光層１１８の一面上に第２発光層１２６を蒸着する。すなわち、第２発光層１２６は第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩに共通して形成される。また、第２発光層１２６は第３発光層１１８と完全に重なるように形成する。
【００９５】
前述した図３ないし図６の工程により、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）及び複数の補助層（１２０、１２４）の厚さを調整することによって、第１領域Ｉ、第２領域ＩＩ、第３領域ＩＩＩで放出する光の共振周期を調整する。すなわち、第１領域Ｉで赤光が放出し、第２領域ＩＩで緑光が放出し、第３領域ＩＩＩで青光が放出するように複数の発光層（１１８、１２２、１２６）及び複数の補助層（１２０、１２４）の厚さを調整する。
【００９６】
次に、図７を参照すると、第２発光層１２６を形成した後、第２発光層１２６上に第２媒介層１３０、第２電極１３２、保護層１３４を順に積層する。第２媒介層１３０、第２電極１３２、保護層１３４は通常の蒸着工程などにより形成できる。
【００９７】
このような本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００の製造方法によれば、有機発光表示装置１００の製造時、転写工程を利用することによって、高解像度の有機発光表示装置１００が得られると共に、第１発光層１２２及び複数の補助層（１２０、１２４）のみを転写工程により形成することによって、有機発光表示装置１００の寿命低下を最小化できる。特に、緑の光を放出する第２発光層１２６を蒸着工程により形成することによって、第２発光層１２６の寿命低下を防止できる。
【００９８】
また、複数の発光層（１１８、１２２、１２６）と複数の補助層（１２０、１２４）を形成する際、ドナー基板とオープンマスクを使用し、ファインメタルマスク（Ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ、ＦＭＭ）を使用しないことによって、工程効率性が高められる。
【００９９】
以下、図８を参照して本発明の他の実施形態による有機発光表示装置１０２を説明する。図８は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置１０２を概略的に図示する断面図である。説明の便宜上、図１に図示した各エレメントと実質的に同一なエレメントは同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【０１００】
図８を参照すると、複数の補助層（１２０、１２４、１２５）は第３補助層１２５をさらに含む。第３補助層１２５は第１補助層１２０と第３発光層１１８との間及び／または第２補助層１２４と第３発光層１１８との間に位置する。また、第３発光層１１８はＰ型ドーパントを含む。他の実施形態で、第３補助層１２５はＰ型ドーパントのみ含み得る。また他の実施形態で、第３補助層１２５は第１補助層１２０及び／または第２補助層１２４の下部領域、すなわち、第３発光層１１８と接する領域に第１補助層１２０及び／または第２補助層１２４と一体型に形成され得る。
【０１０１】
このような本発明の他の実施形態による有機発光表示装置１０２によれば、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００に第３補助層１２５を追加することによって、第１電極１１２で発生した正孔を第１発光層１２２と第２発光層１２６により簡単に伝達できる。また、第２電極１３２で発生した電子が第３発光層１１８に伝達されることを確実に防止できる。また、第３補助層１２５にＰ型ドーパントを含めることによって、有機発光表示装置１０２の駆動電圧を減少させる。
【０１０２】
以下、図９を参照して本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置１０４について説明する。図９は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置１０４を概略的に図示する断面図である。説明の便宜上、図１に図示した各エレメントと実質的に同一なエレメントは同一符号で示し、重複する説明を省略する。
【０１０３】
図９を参照すると、第１媒介層１１４'は無機物を含む。ここで、無機物とは、タングステンオキサイドまたはニッケルオキサイドのうち少なくとも一つである。
【０１０４】
具体的には、正孔注入層１１４ａ'が無機物を含む。例示的な実施形態で、正孔注入層１１４ａ'は無機物のみからなる。無機物を含む正孔注入層１１４ａ'の厚さは７００Åないし１３００Åであり得、好ましくは１０００Åである。また、正孔注入層１１４ａ'の厚さが厚くなることにより、相対的に正孔輸送層１１４ｂ'の厚さが薄くなる。例示的な実施形態で、正孔輸送層１１４ｂ'の厚さは１００Åないし３００Åであり得、好ましくは２００Åである。
【０１０５】
通常、タングステンオキサイドまたはニッケルオキサイドのような無機物は不導体である。しかし、このような無機物を熱蒸着して無機層を形成すると、形成される無機層の内部に酸素原子が空く空間が生じ、空間で自由電子が発生する。自由電子によって無機層は一般的な有機物より高い伝導度を有する。
【０１０６】
したがって、このような本発明のまた他の実施形態によれば、有機発光表示装置１０４の駆動電圧を減少させることができる。
【０１０７】
以下、図１０及び図１１を参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００と既存の有機発光表示装置を比較する。図１０は、下記製造例１により製造された有機発光表示装置１００の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。図１１は、下記比較例１により製造された有機発光表示装置の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。すなわち、図１０は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置１００に対するグラフであり、図１１は、従来の有機発光表示装置に対するグラフである。
【０１０８】
［製造例１］
ＳｉＯ2を主成分とする基板１１０上にスパッタリング方法によりＩＴＯを蒸着して第１電極１１２を１０００Åに形成した。
【０１０９】
第１電極１１２上にｍ−ＭＴＤＡＴＡを蒸着して正孔注入層１１４ａを１００Åに形成した。
【０１１０】
正孔注入層１１４ａ上にＮＰＢを蒸着して正孔輸送層１１４ｂを１２００Åに形成した。
【０１１１】
正孔注入層１１４ａ上に青ホスト物質で４、４’−（カルバゾール−９−イル）ビフェ
ニル（ＣＢＰ）、青ドーパント物質でＦ2Ｉｒｐｉｃを含む第３発光層１１８を、オープンマスクを利用して共通層として蒸着した。この際、第３発光層１１８は１００Åに形成した。
【０１１２】
第３発光層１１８上の第１領域Ｉに第１発光層１２２及び第１補助層１２０を形成した。第１発光層１２２及び第１補助層１２０は第１ドナー基板４００を利用したレーザ熱転写法により形成した。ここで、第１ドナー基板４００はポリエチレンテレフタラートからなる第１ベースフィルム４１０上にアルミニウム酸化物からなる第１光−熱変換層４１２、アクリル樹脂からなる第１中間層と第１転写層４１４とを積層して形成した。ここで、第１転写層４１４はビス−（２−メチル−８−キノリノラト）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム｛Ｂｉｓ−（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｅ）−４−（ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｏｌａｔｅ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ｝とＢｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）からなる上部転写層４１４ａ及びＮＰＢからなる下部転写層４１４ｂとした。このような第１ドナー基板４００を第１転写層４１４が第３発光層１１８に対向するように互いに離隔して配置した後に、レーザ６００を照射して第１発光層１２２及び第１補助層１２０を形成した。第１発光層１２２と第１補助層１２０は、各々上部転写層４１４ａ及び下部転写層４１４ｂと同じ物質とした。この際、第１発光層１２２は２００Åに形成し、第１補助層１２０は９００Åに形成した。
【０１１３】
第３発光層１１８上の第２領域ＩＩに第２補助層１２４を形成した。第２補助層１２４は第２ドナー基板５００を利用したレーザ熱転写法により形成した。ここで、第２ドナー基板５００は、ポリエチレンテレフタラートからなる第２ベースフィルム５１０上にアルミニウム酸化物からなる第２光−熱変換層５１２、アクリル樹脂からなる第２中間層と第２転写層５１４とを積層して形成した。ここで、第２転写層５１４はＮＰＢにした。このような第２ドナー基板５００を第２転写層５１４が第３発光層１１８に対向するように互いに離隔して配置した後に、レーザ６００を照射して第２補助層１２４を形成した。第２補助層１２４は第２転写層５１４と同じ物質で形成した。この際、第２補助層１２４は７００Åに形成した。
【０１１４】
第１発光層１２２、第２補助層１２４、第３発光層１１８上に９、１０−（２−ジナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）とＩｒ（ｐｐｙ）2（ａｃａｃ）からなる第２発光層１２６を、オープンマスクを利用して共通層として蒸着した。この際、第２発光層１２６は２００Åに形成した。第２発光層１２６上にＡｌｑ３を蒸着して電子輸送層１３０ｂを３００Åに形成した。
【０１１５】
電子輸送層１３０ｂ上にＬｉＦを蒸着して電子注入層１３０ａを１３Åに形成した。
【０１１６】
電子注入層１３０ａ上にＭｇＡｇを蒸着して第２電極１３２を１００Åに形成した。
【０１１７】
第２電極１３２上にＳｉＯ2を蒸着して保護層１３４を６００Åに形成した。
【０１１８】
このような製造例１により製造された有機発光表示装置１００の時間に伴う輝度低下率を示すグラフを図１０に示す。具体的には、図１０に示すグラフは製造例１により製造された有機発光表示装置１００の駆動電圧を６Ｖにし、効率を７５ｃｄ／Ａに設定した状態で第２発光層１２６の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。
【０１１９】
［比較例１］
製造例１と同一であるが、第２領域ＩＩに第２発光層を第２補助層１２４と同時に転写工程により形成した。
【０１２０】
このような比較例１により製造された有機発光表示装置の時間に伴う輝度低下率を示すグラフを図１１に示す。具体的には、図１１に示すグラフは比較例１により製造された有機発光表示装置の駆動電圧を６Ｖにし、効率を７５ｃｄ／Ａに設定した状態で第２発光層の時間に伴う輝度低下率を示すグラフである。
【０１２１】
このように、製造例１により製造された有機発光表示装置１００の寿命が比較例１により製造された有機発光表示装置の寿命より長かった。
【０１２２】
以上で本発明の実施形態を中心に説明したが、これは単に例示するだけであり、本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば、本発明の実施形態の本質的な特性から外れない範囲で上記例示の他に多様に変更及び応用できることが分かる。例えば、本発明の実施形態において具体的に示す各構成要素は変形して実施できる。また、このような変形と応用に関する差異点は添付する請求範囲で規定する本発明の範囲に含まれると解釈すべきである。
【符号の説明】
【０１２３】
１００、１０２、１０４    有機発光表示装置、
１１０    基板、
１１２    第１電極、
１１４、１１４'    第１媒介層、
１１４ａ、１１４ａ'    正孔注入層、
１１４ｂ、１１４ｂ'    正孔輸送層、
１１８    第３発光層、
１２０    第１補助層、
１２２    第１発光層、
１２４    第２補助層、
１２５    第３補助層、
１２６    第２発光層、
１３０    第２媒介層、
１３０ａ    電子注入層、
１３０ｂ    電子輸送層、
１３２    第２電極、
１３４    保護層、
２００    マスク、
３００    蒸着源、
４００    第１ドナー基板、
４１０    第１ベースフィルム、
４１２    第１光−熱変換層、
４１４    第１転写層、
４１４ａ    上部転写層、
４１４ｂ    下部転写層、
５００    第２ドナー基板、
５１０    第２ベースフィルム、
５１２    第２光−熱変換層、
５１４    第２転写層、
６００    レーザ、
Ｉ    第１領域、
ＩＩ    第２領域、
ＩＩＩ    第３領域。
【図１】
2014232720.tif 000003
【図２】
2014232720.tif 000004
【図３】
2014232720.tif 000005
【図４】
2014232720.tif 000006
【図５】
2014232720.tif 000007
【図６】
2014232720.tif 000008
【図７】
2014232720.tif 000009
【図８】
2014232720.tif 000010
【図９】
2014232720.tif 000011
【図１０】
2014232720.tif 000012
【図１１】
2014232720.tif 000013