(57)【要約】【課題】部品内蔵基板において、微細な貫通ビアを所期の位置に精度良く形成することを可能とする技術を提供する。【解決手段】部品内蔵基板の製造方法は、支持体の表面に形成された粘着層を介して支持体に電子部品を仮固定する工程と、粘着層を介して支持体に導電性ピンを仮固定する工程と、粘着層上にモールド樹脂を供給し、仮固定された電子部品及び導電性ピンを被覆する樹脂層を形成する工程とを含み、導電性ピンを仮固定する工程において粘着層に導電性ピンの先端を突き刺した状態で導電性ピンを支持体に立設する。【選択図】図１
2014183131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の表面に形成された粘着層を介して前記支持体に電子部品を仮固定する工程と、
前記粘着層を介して前記支持体に導電性ピンを仮固定する工程と、
前記粘着層上にモールド樹脂を供給し、仮固定された前記電子部品及び前記導電性ピンを被覆する樹脂層を形成する工程と、
を含み、
前記導電性ピンを仮固定する工程において、前記粘着層に前記導電性ピンの先端を突き刺した状態で前記導電性ピンを前記支持体に立設する、
部品内蔵基板の製造方法。
【請求項２】
前記導電性ピンは、前記導電性ピンの先端近傍に形成されると共に当該導電性ピンの径よりも大径の鍔部と、前記鍔部の表面から突出すると共に当該鍔部よりも小径の突起部と、を有し、
前記導電性ピンを仮固定する工程において、前記鍔部が前記粘着層の外部に露出した状態に維持されるように前記突起部を前記粘着層内に突き刺す、
請求項１に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電性ピンを仮固定する工程において、前記突起部を前記支持体に押し当てることにより当該突起部の先端を平坦にする、
請求項２に記載の部品内蔵基板の製造方法。
【請求項４】
樹脂層及び当該樹脂層内に埋め込まれた電子部品を備え、前記樹脂層及び前記電子部品が同一面内に形成される部品内蔵基板であって、
前記樹脂層内に埋め込まれ、前記樹脂層を厚さ方向に貫通する導電性ピンを更に備え、
前記導電性ピンは、その先端部に形成されると共に前記樹脂層から突出する突起部を有し、
前記突起部は、前記樹脂層の形成時に、前記導電性ピンを仮固定する支持体に形成された粘着層に突き刺さることで当該樹脂層を形成するモールド樹脂と隔離される、
部品内蔵基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品内蔵基板の製造方法及び部品内蔵基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体のベアチップに代表される電子部品を高密度に実装するパッケージ技術として、例えばチップサイズパッケージ（Chip-Size Package、以下では「ＣＳＰ」ともいう）が
知られている。近年では、ＣＳＰの微細ピッチ化（ファインピッチ化）が加速され、その形態は樹脂インターポーザを用いたものからウエハレベルパッケージ（Wafer Level Package、以下では「ＷＬＰ」ともいう）等の部品内蔵基板の形態へと変化している。
【０００３】
ＷＬＰの一形態として、半導体ベアチップの周囲に配置された端子をチップ全面に再配置するファンイン（Fan-in）型と呼ばれる形態が知られている。現在では、半導体ベアチップの多端子化に伴ってチップ領域のみでは端子の再配置が困難となってきている。このため、近年では、チップ領域の外側に端子を再配置するファンアウト（Fan-out）型と呼
ばれる形態のＷＬＰも開発が進められている。ファンアウト型のＷＬＰは、モールド樹脂によって半導体ベアチップ等の電子部品を回路形成面が露出するように埋め込むことで樹脂層に固定する。そして、この電子部品及び樹脂層によって模擬的なウエハが再構築される。この模擬的なウエハは「再構築ウエハ」とも呼ばれている。再構築ウエハは、再配線層が形成された後、個片化される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−３３５７８３号公報
【特許文献２】特開２００９−１０５２９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ファンアウト型のＷＬＰにおいて、再構築ウエハを厚さ方向に貫通する貫通ビアを形成する第一の手法として、ドリル加工又はレーザ加工を用いる手法が挙げられる。しかしながら、第一の手法は、貫通ビアの微細化、狭ピッチ化の要請を満たすことが難しい。そこで、第二の手法として、電子部品及び微細な導電線を予め支持体上に仮固定した状態で、電子部品及び導電線をモールド樹脂によって被覆した後、電子部品及び導電線を支持体から取り除くことで再構築ウエハを得る手法が提案されている。しかし、第二の手法は、例えば両面テープ等といった簡易な手段を用いて電子部品及び導電線を支持体に仮固定した場合、モールド時に供給されるモールド樹脂の流動によって、仮固定した導電線の位置がずれたり、支持体から外れたりする虞がある。
【０００６】
本件は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、部品内蔵基板において、微細な貫通ビアを所期の位置に精度良く形成することを可能とする技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本件の一観点によると、支持体の表面に形成された粘着層を介して前記支持体に電子部品を仮固定する工程と、前記粘着層を介して前記支持体に導電性ピンを仮固定する工程と、前記粘着層上にモールド樹脂を供給し、仮固定された前記電子部品及び前記導電性ピンを被覆する樹脂層を形成する工程と、を含み、前記導電性ピンを仮固定する工程において、前記粘着層に前記導電性ピンの先端を突き刺した状態で前記導電性ピンを前記支持体に
立設する、部品内蔵基板の製造方法が提供される。
また、本件の他の観点によると、樹脂層及び当該樹脂層内に埋め込まれた電子部品を備え、前記樹脂層及び前記電子部品が同一面内に形成される部品内蔵基板であって、前記樹脂層内に埋め込まれ、前記樹脂層を厚さ方向に貫通する導電性ピンを更に備え、前記導電性ピンは、その先端部に形成されると共に前記樹脂層から突出する突起部を有し前記突起部は、前記樹脂層の形成時に、前記導電性ピンを仮固定する支持体に形成された粘着層に突き刺さることで当該樹脂層を形成するモールド樹脂と隔離される、部品内蔵基板が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本件によれば、部品内蔵基板において、微細な貫通ビアを所期の位置に精度良く形成することを可能とする技術を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る部品内蔵基板の断面図である。
【図２】個片化する前の再構築ウエハの集合体の平面図を示す。
【図３】実施形態に係る導電性ピンを示す図である。
【図４】実施形態に係る導電性ピンの製造方法を示す図である。
【図５】支持基板に仮固定された導電性ピンの状態を示す図である。
【図６】実施形態に係るピン仮固定用治具を示す図である。
【図７】ピン仮固定用治具に導電性ピンを装着する工程を示す図である。
【図８】支持基板に導電性ピンを仮固定する工程を示す図である（１）。
【図９】支持基板に導電性ピンを仮固定する工程を示す図である（２）。
【図１０】支持基板に導電性ピンを仮固定する工程を示す図である（３）。
【図１１】支持基板に導電性ピンを仮固定する工程を示す図である（４）。
【図１２】支持基板に対して導電性ピンを仮固定した状態を示す図である。
【図１３】支持基板に対して導電性ピン及びベアチップを仮固定した状態を示す図である（１）。
【図１４】支持基板に対して導電性ピン及びベアチップを仮固定した状態を示す図である（２）。
【図１５】支持基板に仮固定された導電性ピン及びベアチップをモールドする工程を示す図である（１）。
【図１６】支持基板に仮固定された導電性ピン及びベアチップをモールドする工程を示す図である（２）。
【図１７】再構築ウエハを支持基板から剥離する工程を示す図である。
【図１８】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（１）。
【図１９】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（２）。
【図２０】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（３）。
【図２１】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（４）。
【図２２】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（５）。
【図２３】再構築ウエハの再配線層を形成する工程を示す図である（６）。
【図２４Ａ】再構築ウエハにおける再配線層の変形例を示す図である（１）。
【図２４Ｂ】再構築ウエハにおける再配線層の変形例を示す図である（２）。
【図２４Ｃ】再構築ウエハにおける再配線層の変形例を示す図である（３）。
【図２５】変形例に係る導電性ピンを示す図である。
【図２６】変形例に係る部品内蔵基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、部品内蔵基板及びその製造方法に係る実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１１】
＜実施形態＞
図１は、実施形態に係る部品内蔵基板１の断面図である。部品内蔵基板１は、半導体のベアチップ（ダイ）１０及び樹脂層３０を含む再構築ウエハ２を有するファンアウト型のウエハレベルパッケージである。再構築ウエハ２におけるベアチップ１０は、樹脂層３０に埋め込まれており、これらは同一面内に配置されている。具体的には、樹脂層３０における一方の表面と、ベアチップ１０の回路形成面とが、再構築ウエハ２の一方の平坦な表面を画定する。そして、樹脂層３０における他方の表面と、ベアチップ１０の裏面とが、再構築ウエハ２の他方の平坦な表面を画定する。
【００１２】
ベアチップ１０は、部品内蔵基板に内蔵される電子部品の一例である。ベアチップ１０には、例えば、トランジスタや配線が形成されたシリコーン基板、化合物半導体基板等を用いてもよい。また、ベアチップ１０には、その他の機能素子が形成されたチップを用いてもよい。例えば、ＭＥＭＳ素子、センサー素子、受動素子等の機能素子が形成された無機材料からなる基板を、ベアチップ１０としてもよい。
【００１３】
ベアチップ１０の回路形成面１０ａには、複数の電極パッド１１が配置されている。以下では、再構築ウエハ２の両面のうち、ベアチップ１０の回路形成面１０ａを含む表面を再構築ウエハ２の「上面２ａ」といい、その反対側の表面を「下面２ｂ」と呼ぶ。再構築ウエハ２の上面２ａには、再配線層４０が形成されている。再配線層４０は、再構築ウエハ２の上面２ａ側から、第１層４１、第２層４２、第３層４３の順に積層されている。第１層は４１及び第３層４３は絶縁層であり、第２層４２は、配線４２ａを含む配線層である。また、第３層４３は、部品内蔵基板１の保護膜として機能する。再配線層４０に含まれる各層の積層数は、適宜変更することができる。
【００１４】
ベアチップ１０の回路形成面１０ａには配線がパターン形成されており、この配線に電極パッド１００が接続されている。また、第２層４２には、配線４２ａが形成されており、一部の配線４２ａは、ビア４４を介して電極パッド１００に接続されている。また、一部の配線４２ａは、導電性ピン２０に接続されている。また、第３層４３には開口が形成されており、この開口には半田バンプ４５が形成されている。第３層４３の開口に形成された半田バンプ４５は、当該開口を通じて配線４２ａに接続されている。
【００１５】
再構築ウエハ２の樹脂層３０には導電性ピン２０が埋め込まれている。この導電性ピン２０は、樹脂層３０を厚さ方向に貫通しており、貫通ビア（貫通電極）として機能する。導電性ピン２０は、再構築ウエハ２の製造時に樹脂層３０内に埋め込まれる。
【００１６】
次に、本実施形態に係る部品内蔵基板１の製造方法について説明する。図２に、個片化する前の再構築ウエハ２の集合体の平面図を示す。図２には、再構築ウエハ２を個片化する前のベアチップ１０、及び、導電性ピン２０の平面的な配置状態を示す。図３に、導電性ピン２０を示す。図２に示すように、支持体としての支持基板３の上に、複数のベアチップ１０が行列状に配置されている。また、各ベアチップ１０の周囲には、複数の導電性ピン２０がベアチップ１０を囲むように立設している。一例として、ベアチップ１０の平面形状は正方形又は長方形である。また、支持基板３の形状は、円形でもよいし、多角形でもよい。本実施形態では、八角形の支持基板３を用いており、再構築ウエハ２の製造に、半導体製造設備を利用することができる。また、支持基板３に配置されるベアチップ１０の数、及び、その周囲に配置される導電性ピン２０の数は適宜変更することができる。また、本実施形態では、支持基板３にステンレスを用いているが、例えば、アルミニウム、シリコーン、ガラス等、種々の材料を適用することができる。また、図２に示す再構築ウエハ２の集合体は、円形の平面形状を有している。本実施形態では、直径が６インチの円形状となるように、再構築ウエハ２の集合体を形成するようにしている。但し、再構築
ウエハ２の集合体の形状及び大きさは適宜変更することができる。
【００１７】
図２に示すように、ベアチップ１０及び導電性ピン２０は、樹脂層３０によって封止されている。つまり、樹脂層３０は、ベアチップ１０及び導電性ピン２０を埋め込むようにして、これらを被覆している。詳しくは後述するが、図２に示す再構築ウエハ２の集合体は、その両面又は片面に配線層が再配線された後、例えば、図示の鎖線に沿ってダイシングされることにより、個々の再構築ウエハ２に個片化される。
【００１８】
図３に示される導電性ピン２０は、例えば銅（Ｃｕ）の導電線である。導電性ピン２０は、軸方向の一端側から軸本体部２１、鍔（ツバ）部２２、突起部２３が形成されている。軸本体部２１及び鍔部２２は円柱形状を有しており、軸本体部２１に比べて鍔部２２の方が大径となっている。また、突起部２３は、円錐形状を有しており、円錐の底面に相当する部分が鍔部２２の一端面に接続されており、この鍔部２２の一端面から突起部２３が突出している。そして、導電性ピン２０は、軸本体部２１、鍔部２２、及び突起部２３は、それぞれ同心（同軸）状に配置されており、突起部２３の底面の径は、鍔部２２の径よりも小さい。また、符号２２ａは、鍔部２２における突起部２３側の端面であり、以下では「前端面」と称する。本実施形態において、導電性ピン２０における鍔部２２の径を０．２ｍｍ、厚さを０．１ｍｍとし、突起部２３の径を０．１５ｍｍ、高さを０．４ｍｍとしているが、これらの各寸法は適宜変更してもよいのは勿論である。
【００１９】
導電性ピン２０は、図４に示すように、Ｃｕのワイヤー２００及び金型４を用意し、ワイヤー２００の先端を金型４に押し当てることで成形することができる。金型４は、Ｃｕのワイヤー２００を導電性ピン２０に加工した後における鍔部２２及び突起部２３に相当する凹部４１を有している。図４の上段は、ワイヤー２００の先端を金型４の凹部４１に押し当てる前の状態、図４の中段は、ワイヤー２００の先端を金型４の凹部４１に押し当てている状態を示す。図４の下段は、加工後のワイヤー２００を金型４から取り外した後の状態を示す。ワイヤー２００の先端を金型４の凹部４１に押し当てて加工した後、脱型し、ワイヤー２００の軸部の切断することで、図３において説明した導電性ピン２０を成形することができる。
【００２０】
上記のようにして形成された導電性ピン２０は、図５に示すように、支持基板３の表面に形成した粘着層５を介して、支持基板３に仮固定される。粘着層５には、例えば、両面粘着テープを用いることができる。また、粘着層５に適用する粘着テープには、例えば、耐熱性や剥離容易性の観点から、加熱発泡型の粘着テープ、紫外線照射によって密着強度を低下させる粘着テープ等を用いることが好ましい。
【００２１】
支持基板３に対して導電性ピン２０を仮固定する工程は、図６に示すようなピン仮固定用治具（冶具）６を用いて行われる。ピン仮固定用治具６は、複数のピン収容孔６１が形成された板状の治具である。ピン収容孔６１は、ピン仮固定用治具６を厚さ方向に貫通している。また、ピン収容孔６１は、導電性ピン２０における軸本体部２１の径よりも若干大きく、かつ、鍔部２２よりも小さい。また、ピン収容孔６１の深さは、軸本体部２１の長さ以上となっており、本実施形態では、軸本体部２１の長さと同じ寸法としている。
【００２２】
ピン仮固定用治具６のピン収容孔６１は、図２に示した導電性ピン２０の平面配置に対応するような配置パターンとして、ピン仮固定用治具６に形成されている。すなわち、図６は、ピン仮固定用治具６の一部を示したものであり、実際には多数のピン収容孔６１がピン仮固定用治具６に穿設されている。
【００２３】
導電性ピン２０の仮固定に際しては、まず、図７の上段に示すように、ピン仮固定用治具６の上面６ａに、多数の導電性ピン２０を載置する。そして、ピン仮固定用治具６を例
えば上下方向、左右方向に振動させつつ、ピン仮固定用治具６の下面６ｂ側から吸引機等により吸引する。上記の通りピン収容孔６１の径は、導電性ピン２０における軸本体部２１の径よりも大きい。従って、ピン仮固定用治具６の振動及び下面６ｂ側からの吸引を行うことにより、図７の下段に示すように、導電性ピン２０がピン収容孔６１に振り込まれる。すなわち、導電性ピン２０の軸本体部２１がピン収容孔６１に挿入（収容）される。なお、導電性ピン２０の鍔部２２の径は、ピン収容孔６１の径よりも大きい。このため、図示のように、ピン収容孔６１の縁部に鍔部２２が引っ掛かった状態で、導電性ピン２０がピン収容孔６１に収容される。また、導電性ピン２０の鍔部２２の径をピン収容孔６１の径よりも大きくすることで、導電性ピン２０が逆さの状態で突起部２３側からピン収容孔６１に挿入されることが抑制される。その結果、図７の下段に示すように、軸本体部２１がピン収容孔６１に収容され、鍔部２２及び突起部２３がピン収容孔６１から突出した状態で、導電性ピン２０がピン仮固定用治具６に装着される。つまり、所定の配列パターンで形成されたピン収容孔６１に導電性ピン２０が収容される。
【００２４】
次いで、図８に示すように、粘着層５を保持した支持基板３と導電性ピン２０をピン収容孔６１に収容した状態のピン仮固定用治具６とを対向して配置する。図示の例では、支持基板３の粘着層５が鉛直下向き、ピン仮固定用治具６に保持されている導電性ピン２０の突起部２３が鉛直上向きの姿勢に保持されているが、これには限られない。また、符号５ａは、粘着層５の「表面」を表す。また、符号３ａは、支持基板３の「表面」を表す。
【００２５】
支持基板３に対する導電性ピン２０の仮固定に際して、図８に示す状態から支持基板３及びピン仮固定用治具６を互いに近づけていき、導電性ピン２０を粘着層５及び支持基板３に押し当てることで、仮固定する。上記のように、支持基板３に対してピン仮固定用治具６を接近させていくと、導電性ピン２０における突起部２３が粘着層５の表面５ａに到達する。その際、導電性ピン２０の突起部２３は尖った形状を有しているため、粘着層５に容易に突き刺すことができる。図９には、導電性ピン２０を仮固定する工程において、粘着層５に導電性ピン２０の突起部２３が途中まで突き刺さった状態、つまり埋め込まれた状態が示されている。その後、導電性ピン２０における突起部２３の先端部が支持基板３の表面３ａに衝突する。
【００２６】
本実施形態では、導電性ピン２０における突起部２３の先端が支持基板３の表面３ａに衝突した後も、支持基板３及びピン仮固定用治具６の間の離間距離を更に接近させることで、突起部２３を支持基板３の表面３ａに押し付ける（押し当てる）。これにより、図１０に示すように、突起部２３の先端が平坦になる。言い換えると、本実施形態では、突起部２３の先端が平坦になるように、導電性ピン２０を支持基板３に押し当てる。例えば、突起部２３が略円錐台形状、或いは略円柱形状となるまで、突起部２３を支持基板３の表面に押し付けるようにしてもよい。
【００２７】
以上のように、導電性ピン２０は、鍔部２２を粘着層５の外部に露出させた状態で突起部２３を粘着層５に突き刺すようにして、支持基板３に仮固定される。その後、支持基板３からピン仮固定用治具６を離反させることで、図１１に示されるように、ピン収容孔６１に挿入されている導電性ピン２０の軸本体部２１をピン収容孔６１から引き抜く。これにより、支持基板３に対して導電性ピン２０を仮固定する工程が完了する。
【００２８】
なお、図１１に示されるように、支持基板３に導電性ピン２０が仮固定された状態では、鍔部２２が粘着層５の外部に露出している。図示の例では、鍔部２２における前端面２２ａの高さ（位置）が、粘着層５の表面５ａの高さ（位置）に略一致している。つまり、導電性ピン２０は、突起部２３が粘着層５の内部に埋め込まれた状態で、鍔部２２が粘着層５の表面５ａ上に載置された状態で支持基板３に仮固定される。また、図示のように、導電性ピン２０は、粘着層５内に突起部２３を突き刺した状態で支持基板３に立設してい
る。以上のように、支持基板３への導電性ピン２０の仮固定が完了すると、次いで、軸本体部２１の後端（鍔部２２と遠位にある方の端部）が鉛直上向きとなるように、支持基板３を反転する。図１２は、支持基板３に対して仮固定が完了した状態の導電性ピン２０の平面的な配置パターンを示している。
【００２９】
次いで、図１３、図１４に示すように、ベアチップ１０を粘着層５上の所定位置に搭載する。その際、粘着層５上にベアチップ１０をフェイスダウンで搭載する。すなわち、ベアチップ１０の回路形成面１０ａが、粘着層５の表面５ａに面するように（接するように）粘着層５上に載置し、ベアチップ１０を支持基板３に仮固定する。
【００３０】
次に、図１５に示すように、支持基板３における粘着層５の上にモールド樹脂３０を供給（ディスペンス）する。ここで、支持基板３には、粘着層５によってベアチップ１０及び導電性ピン２０が仮固定されている。そのため、粘着層５上に供給されたモールド樹脂３０は、ベアチップ１０及び導電性ピン２０を被覆する。つまり、支持基板３に仮固定されているベアチップ１０及び導電性ピン２０は、モールド樹脂３０に埋め込まれる。モールド樹脂３０は、例えばエポキシ等の絶縁性の樹脂組成物であり、無機材料からなるフィラーを含有していてもよい。モールド樹脂３０に含有される無機フィラーとしては、例えば、アルミナ、シリカ、水酸化アルミニウム、及び窒化アルミニウム等が例示できる。
【００３１】
次に、図１６に示すように、モールド樹脂３０を加熱プレスする。これにより、モールド樹脂３０は、その表面が略平坦になると共に、硬化する。この状態では、先の図２に示した平面状態となる。これにより、複数のベアチップ１０がウエハ状態に再構築され、再構築ウエハ２が得られる。以下、硬化した後のモールド樹脂３０を「樹脂層３０」と呼ぶこととする。
【００３２】
次に、図１７に示すように、ベアチップ１０、導電性ピン２０、及び樹脂層３０を含む再構築ウエハ２を、支持基板３から剥離する。本実施形態では、粘着層５に加熱発泡型の粘着テープを用いている。このため、再構築ウエハ２を支持基板３から剥離する際、粘着層５を加熱することで粘着テープを発泡させることで、容易にこれらの剥離を行うことができる。また、粘着層５に係る粘着テープが、紫外線照射によって密着強度を弱めるものである場合、紫外線を照射することによって容易に剥離することができる。このように、再構築ウエハ２（ベアチップ１０、導電性ピン２０及び樹脂層３０）の支持基板３からの剥離が完了すると、ベアチップ１０の回路形成面１０ａ及び導電性ピン２０の一部が外部に露出する。導電性ピン２０は、鍔部２２の前端面２２ａと、この前端面２２ａより先端側に位置する突起部２３の全体が、樹脂層３０の外部に露出している。つまり、再構築ウエハ２の導電性ピン２０は、突起部２３を外部に突出させた状態で樹脂層３０に埋め込まれている。
【００３３】
次に、再構築ウエハ２の上面及び下面のうち少なくとも一方、すなわち再構築ウエハ２の両面若しくは片面に再配線層を形成する。ここでは、再構築ウエハ２の上面２ａに再配線層を形成する例を説明する。図１に示したように、再構築ウエハ２の上面２ａに、再配線層４０を形成する。再配線層４０は、再構築ウエハ２側から、第１層４１、第２層４２、第３層４３がこれらの順に積層された層構造を有している。以下、適宜図１を参照しつつ、再配線層４０について説明する。
【００３４】
第１層４１の形成に際して、例えば、図１８に示すように、再構築ウエハ２の上面２ａに、感光性の絶縁樹脂膜４１０を形成する。この絶縁樹脂膜４１０には、例えば感光性エポキシ、感光性ポリベンゾオキサゾール、感光性ポリイミド等を用いてもよい。次いで、絶縁樹脂膜４１０を露光し、現像することにより、ビア４４（図１を参照）に整合する位置、すなわち図示の例では電極パッド１００と上下に重なる位置に開口４１１を形成する
。開口４１１の底面には、電極パッド１００が露出する。
【００３５】
その後、図１９に示すように、絶縁樹脂膜４１０の上面及び開口４１１の内面に、スパッタリング等を適用してシード層４１２を形成する。そして、形成すべき第２層４２における配線４２ａとビア４４（図１を参照）に整合する位置に開口４１３が形成されるようにフォトレジストパターン４１４を形成する。そして、シード層４１２を電極として銅を電解めっきすることにより、図２０に示すように、開口４１３内にビア４４及び配線４２ａを形成する。その後、フォトレジストパターン４１４を除去し、これによって露出したシード層４１２を除去することにより、図２１に示すような配線４２ａが形成される。なお、図２１においては、配線４２ａの下のシード層４１２の表示を省略している。図２１に示すように、第１層４１の絶縁樹脂膜４１０は、樹脂層３０のから突出する突起部２３の側面を覆うように形成される。これにより、導電性ピン２０の突起部２３を、第１層４１を貫通するビアとして機能させることができる。以上の工程により、再構築ウエハ２の上面２ａに、導電性ピン２０の突起部２３及びビア４４を断面内に含む絶縁膜としての第１層４１が形成され、第１層４１の上に配線４２ａを含む配線層としての第２層４２が形成される。
【００３６】
次に、図２２に示すように、第２層４２の上に絶縁樹脂膜４１０によって第３層４３を形成し、第３層４３の適所に開口を形成することで、配線４２ａの一部を露出させる。配線４２ａのうち、第３層４３に形成された開口によって露出する部位は、外部接続端子として機能することになる。そして、第３層４３の開口に半田バンプ４５を形成し、配線４２ａの外部接続端子と半田バンプ４５とを電気的に接続させる。以上の工程により、再構築ウエハ２における再配線層４０の形成が完了する。
【００３７】
次に、図２３に示すように、再構築ウエハ２における上面２ａとは反対側の樹脂層３０を、導電性ピン２０における軸本体部２１の後端側が露出するまで研磨し、再構築ウエハ２の下面２ｂを形成する。なお、樹脂層３０の研磨は、再構築ウエハ２に再配線層４０を形成する前に行ってもよい。あるいは、樹脂層３０の研磨を行ってから、再構築ウエハ２を支持基板３から剥離してもよい。次いで、再構築ウエハ２の下面２ｂに露出している導電性ピン２０の軸本体部２１の後端面に半田バンプ４５を形成した後、各再構築ウエハ２をダイシングによって個片化する。これにより、図１に示すようなベアチップ１０を内蔵する部品内蔵基板１が得られる。そして、図１に示すように、導電性ピン２０の突起部２３は、再構築ウエハ２の樹脂層３０から外部に突出し、再構築ウエハ２の上部に形成された再配線層４０に埋め込まれている。
【００３８】
本実施形態に係る部品内蔵基板１においては、導電性ピン２０を予め再構築ウエハ２の樹脂層３０内に埋め込み、再構築ウエハ２を貫通する貫通ビアとして機能させることができる。従って、従来のようにレーザやドリル等を用いることなく微細なビアを狭ピッチで構築することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、導電性ピン２０の先端側、すなわち突起部２３を粘着層５に突き刺すようにして導電性ピン２０を支持基板３に仮固定するようにした。このため、例えば、粘着層５の表面に対して導電性ピン２０の先端部を単に載置して接着する場合に比べて、支持基板３（粘着層５）への導電性ピン２０の定着力を高めることができる。これにより、導電性ピン２０及びベアチップ１０をモールドする際に、モールド樹脂３０の樹脂流動によって導電性ピン２０が粘着層５から外れたり、導電性ピン２０が立設する平面位置が正規の位置からずれたりすることを抑制できる。
【００４０】
また、導電性ピン２０のうち、突起部２３は、樹脂層３０の形成時において、導電性ピン２０を仮固定する支持基板３に形成された粘着層５に突き刺さることでモールド樹脂３
０から隔離されることになる。つまり、本実施形態では、導電性ピン２０の鍔部２２を粘着層５の外部に露出させた状態で且つ粘着層５内に突起部２３を突き刺した状態で導電性ピン２０を仮固定した後、モールド樹脂３０によるモールドを行う。これによれば、再構築ウエハ２における樹脂層３０の外部に突起部２３を突出させることができる。そして、樹脂層３０から突出した突起部２３は、再配線層４０を形成する際に、第１層４１の絶縁樹脂膜４１０を貫通するビアとして利用することができる。従って、第１層４１にビアを別途個別に形成する場合に比べて、製造工数を減らすことができる。その結果、部品内蔵基板１の製造に際しての製造効率を高めることが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態においては、導電性ピン２０を支持基板３に仮固定する際、突起部２３を支持基板３に押し当てて先端を平坦にするようにしたので、導電性ピン２０の突起部２３をビアとして用いるときの接続信頼性を高めることができる。
【００４２】
更に、導電性ピン２０における鍔部２２の径は、軸本体部２１の径よりも大きいため、導電性ピン２０の仮固定時において粘着層５との接着面積を十分に確保することができる。その結果、粘着層５に対する導電性ピン２０の定着力を増やすことができる。よって、モールド時に導電性ピン２０の位置ずれ、浮きなどの不具合をより一層起こり難くすることができる。これにより、部品内蔵基板１において、再構築ウエハ２を厚さ方向に貫通して層間接続を行う微細な貫通ビアを、所期の位置に精度よく形成することができる。
【００４３】
＜変形例＞
次に、本実施形態に係る部品内蔵基板１の製造方法の変形例について説明する。本実施形態に係る部品内蔵基板１及びその製造方法には、種々の変形を加えることができる。例えば、再構築ウエハ２の上面２ａ、或いは下面２ｂに形成される再配線層には、種々の層構造を採用することができる。
【００４４】
図２４Ａ〜図２４Ｃに、再構築ウエハに形成する再配線層の変形例を示す。図２４Ａ〜図２４Ｃにおいて、再構築ウエハにおける断面の一部が示されている。なお、上述までの実施形態と共通する構成については同一の参照符号を付すことで、その詳しい説明は省略する。図２４Ａに示される再構築ウエハ２の上面２ａには、再配線層４０Ａが形成されている。再配線層４０Ａの形成に際しては、まず、再構築ウエハ２の上面２ａ上に配線４２ａを形成した後、配線４２ａと導電性ピン２０の突起部２３とを覆うように絶縁樹脂膜４１０を形成する。その後、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）等を適用して絶縁樹脂膜４１０の表層部を研磨し、突起部２３の先端面を露出させる。その後、導電性ピン２０における突起部２３の先端面及び軸本体部２１の後端面に半田バンプ４５を形成する。以上の工程により、再構築ウエハ２に対して再配線層４０Ａが形成される。なお、導電性ピン２０の突起部２３及び軸本体部２１に対する半田バンプ４５の形成は、適宜省略してもよい。
【００４５】
ここで、再構築ウエハ２の上面２ａ上に配線４２ａを形成する際、導電性ピン２０における鍔部２２の前端面２２ａは、上面２ａに露出している。従って、上記のように再構築ウエハ２の上面２ａに配線４２ａを形成することで、鍔部２２の前端面２２ａを介して配線４２ａを導電性ピン２０と容易に接続することができる。つまり、導電性ピン２０の鍔部２２は、導電性ピン２０の仮固定時に粘着層５との接着面積を増やして粘着層５に対する導電性ピン２０の定着力を増加させる機能の他、配線４２ａを引き出すためのパッドとして機能することができる。これによれば、再構築ウエハ２を構築した時点で、再配線層４０Ａを形成する際に必要なパッドを既に形成しておくことができる。すなわち、部品内蔵基板１の製造工程における工数を減らすことができ、部品内蔵基板１の製造効率を高めることが可能となる。
【００４６】
次に、図２４Ｂに示される再配線層４０Ｂを形成する場合、再構築ウエハ２の上面２ａ
に絶縁樹脂膜４１０を形成した後、この絶縁樹脂膜４１０のうち導電性ピン２０の鍔部２２に対応する部分を開口し、配線４２ａを形成する。そして、導電性ピン２０の突起部２３及び配線４２ａを絶縁樹脂膜４１０によって被覆した後、この絶縁樹脂膜４１０の表層部を研磨することにより、導電性ピン２０における突起部２３の先端面を露出させる。その後、導電性ピン２０における突起部２３の先端面及び軸本体部２１の後端面に半田バンプ４５を形成する。以上の工程により、再構築ウエハ２における再配線層４０Ｂの形成が完了する。なお、上述の再配線層４０Ａと同様に、導電性ピン２０の突起部２３及び軸本体部２１に対する半田バンプ４５の形成は、適宜省略してもよい。また、図２４Ｃに示す再配線層４０Ｃのように、再配線層４０Ｃに含まれる配線４２ａを複層化（多層化）するようにしてもよい。再配線層４０Ｂ、４０Ｃの形成時においても、再配線層４０Ａと場合と同様、導電性ピン２０における鍔部２２の前端面２２ａを、配線４２ａを引き出すためのパッドとして好適に利用することができる。その結果、部品内蔵基板１における製造効率を向上させることができる。
【００４７】
図２５に、変形例に係る導電性ピン２０Ａを示す。導電性ピン２０Ａは、鍔部２２の前端面２２ａから突出する突起部２３を複数備えている点で、図３に示す導電性ピン２０と相違する。その他、軸本体部２１、及び鍔部２２については、図３に示す導電性ピン２０と同様である。本変形例に係る導電性ピン２０Ａのように、鍔部２２の前端面２２ａから複数の突起部２３を突出形成することにより、導電性ピン２０Ａを支持基板３に仮固定する際、粘着層５に対する突起部２３の定着力を一層高めることができる。よって、再構築ウエハ２のモールド時に、粘着層５を介して支持基板３に仮固定されている導電性ピン２０Ａの位置ずれや、浮き等といった不具合を、より一層起こり難くすることができる。つまり、部品内蔵基板１の製造時に、再構築ウエハ２の上下面を層間接続するための貫通ビアを、所期の位置に精度良く形成することができる。
【００４８】
なお、図２５に示す導電性ピン２０Ａを支持基板３に仮固定する際には、複数の突起部２３の各々の支持基板３の表面３ａに押し当て、各突起部２３の先端を平坦にするとよい。これにより、導電性ピン２０Ａの各突起部２３をビアとして用いる場合の接続信頼性を高めることができる。図２６は、変形例に係る導電性ピン２０Ａを用いて構築した再構築ウエハを有する部品内蔵基板１Ａの断面図である。図１に示す部品内蔵基板１との相違点は、導電性ピン２０Ａに複数の突起部２３が形成されている点であり、その他の点は共通である。導電性ピン２０Ａは、複数の突起部２３を有しているため、当該突起部２３をビアとして用いる際にビアの断面積を確保し易く、接続信頼性を高めることができる。
【００４９】
以上、実施形態に沿って本件に係る部品内蔵基板１及びその製造方法について説明したが、本件はこれらに制限されるものではない。そして、上記実施形態について、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者にとって自明である。例えば、部品内蔵基板１は、複数の電子部品を内蔵していてもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・部品内蔵基板
２・・・再構築ウエハ
３・・・支持基板
４・・・金型
５・・・粘着層
６・・・ピン仮固定用治具
１０・・・ベアチップ
１０ａ・・回路形成面
２０・・・導電性ピン
２１・・・軸本体部
２２・・・鍔部
２３・・・突起部
３０・・・モールド樹脂（樹脂層）
４０・・・再配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２４Ｃ】
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【図２５】
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【図２６】
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