(57)【要約】【課題】電圧のリップルを低減して、昇圧する。【解決手段】昇圧回路１は、ベースに入力されるパルス信号に応じてスイッチングするトランジスタ４と、トランジスタ４のコレクタと電源との間に設けられたインダクタ３と、トランジスタ４のコレクタとインダクタ３との接続点に接続された基本昇圧回路５と、を備え、基本昇圧回路５は、第１ダイオード５１と、第１ダイオード５１のカソードにアノードが接続された第２ダイオード５２と、第２ダイオード５２のカソードにアノードが接続された第３ダイオード５３と、第１ダイオード５１のカソードとグランドとの間に設けられた第１キャパシタ５４と、第１ダイオード５１のアノードと第２ダイオード５２のカソードとの間に設けられた第２キャパシタ５５と、第３ダイオード５３のカソードとグランドとの間に設けられた第３キャパシタ５６と、を有する。【選択図】図１
2014193072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースに入力されるパルス信号に応じてスイッチングするトランジスタと、
前記トランジスタのコレクタと電源との間に設けられたインダクタと、
前記トランジスタのコレクタと前記インダクタとの接続点に接続された基本昇圧回路と、
を備え、
前記基本昇圧回路は、
第１ダイオードと、
前記第１ダイオードのカソードにアノードが接続された第２ダイオードと、
前記第２ダイオードのカソードにアノードが接続された第３ダイオードと、
前記第１ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第１キャパシタと、
前記第１ダイオードのアノードと前記第２ダイオードのカソードとの間に設けられた第２キャパシタと、
前記第３ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第３キャパシタと、
を有する昇圧回路。
【請求項２】
前記基本昇圧回路と直列に接続された付加昇圧回路をさらに備え、
前記付加昇圧回路は、
前記第３ダイオードのカソードにアノードが接続された第４ダイオードと、
前記第４ダイオードのカソードにアノードが接続された第５ダイオードと、
前記第３ダイオードのアノードと前記第４ダイオードのカソードとの間に設けられた第４キャパシタと、
前記第５ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第５キャパシタと、
を有する請求項１に記載の昇圧回路。
【請求項３】
前記基本昇圧回路と直列に接続されたｎ個（ただし、ｎは２以上の整数）の前記付加昇圧回路を備え、
第ｎの付加昇圧回路の前記第４ダイオードのアノードは、第ｎ−１の付加昇圧回路の前記第５ダイオードのカソードに接続され、
前記第ｎの付加昇圧回路の前記第５ダイオードのアノードは、前記第ｎの付加昇圧回路の前記第４ダイオードのカソードに接続され、
前記第ｎの付加昇圧回路の前記第４キャパシタは、前記第ｎ−１の前記第５ダイオードのアノードと、前記第ｎの前記第４ダイオードのカソードとの間に設けられ、
前記第ｎの付加昇圧回路の前記第５キャパシタは、前記第ｎの付加昇圧回路の前記第５ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた、
請求項２記載の昇圧回路。
【請求項４】
前記基本昇圧回路が発生した電圧を検出する電圧検出回路と、
前記電圧検出回路が検出した検出電圧に応じて、前記パルス信号のパルス幅を制御する制御部と、
をさらに備える、
請求項１から３のいずれか１項に記載の昇圧回路。
【請求項５】
前記昇圧回路は、昇圧した電圧をガイガーミュラー管に印加し、
前記ガイガーミュラー管のプラトー電圧に基づいて定められた目標電圧を記憶する記憶部をさらに備え、
前記制御部は、前記検出電圧と前記目標電圧とに基づいて前記パルス幅を決定し、決定した前記パルス幅の前記パルス信号を発生する、
請求項４に記載の昇圧回路。
【請求項６】
入力される放射線に応じたパルス電圧を出力するガイガーミュラー管と、
前記ガイガーミュラー管に電圧を印加する請求項１から５のいずれか１項に記載の昇圧回路と、
を備える放射線測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力された電圧を昇圧する昇圧回路、及び当該昇圧回路を備える放射線測定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数のダイオード及びキャパシタを用いて電圧を昇圧する昇圧回路が知られている。例えば、特許文献１には、入力された電圧をｎ倍（ただし、ｎは２以上の整数）に昇圧するｎ倍圧整流回路２００が開示されている。図４は、ｎ倍整流回路により構成される従来の昇圧回路を示す図である。
【０００３】
ｎ倍圧整流回路２００では、入力端子側からｎ個のダイオード２０１−１〜２０１−ｎが直列に接続されている。そして、ｎ倍圧整流回路２００では、第１のダイオード２０１−１のアノードと、第３のダイオード２０１−３のアノードとの間に、第１のキャパシタ２０２−１が接続され、第２のダイオード２０１−２のアノードと、第４のダイオード２０１−４のアノードとの間に、第２のキャパシタ２０２−２が接続される。そして、このｎ倍圧整流回路２００では、同様に、第ｎ−２のダイオード２０１−（ｎ−２）のアノードと、第ｎのダイオード２０１−ｎのアノードとの間に第ｎのキャパシタ２０２−（ｎ−２）が接続される。また、このｎ倍圧整流回路２００では、第１のダイオード２０１−１のカソードとグランドとの間にキャパシタ２０３を備えるとともに、第ｎのダイオード２０１−ｎのカソードとグランドとの間にキャパシタ２０４を備える。
【０００４】
このようなｎ倍圧整流回路２００において、例えば、入力電圧が、第１のダイオード２０１−１のカソードの電圧よりも高いオン状態である場合には、キャパシタ２０３に電気エネルギーが蓄積され、入力電圧が、第１のダイオード２０１−１のカソードの電圧よりも低いオフ状態になったことに応じて、キャパシタ２０３に蓄積された電気エネルギーが解放され、第２のダイオード２０１−２を介して第１のキャパシタ２０２−１に電気エネルギーが蓄積される。同様に、オン状態である場合には、枝番が偶数のキャパシタに電気エネルギーが蓄積され、オフ状態になったことに応じて、枝番が偶数のキャパシタに蓄積された電気エネルギーが解放され、枝番が奇数のキャパシタに蓄積される。これにより、ｎ倍圧整流回路２００は、入力電圧を昇圧することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−２６４８５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に記載されたｎ倍圧整流回路２００では、２つのキャパシタ２０３及びキャパシタ２０４のみ接地されているため、回路内で発生した高周波成分及び入力信号に含まれる高周波成分を除去しにくいという問題がある。したがって、ｎ倍圧整流回路２００が出力する電圧はリップルが大きく、例えば、ｎ倍圧整流回路２００をガイガーカウンター等の放射線測定装置に適用した場合に、ガイガーミュラー管に印加する電圧が変動することにより、放射線検出パルスが誤出力されるという問題が発生する。
【０００７】
そこで、本発明はこれらの点に鑑みてなされたものであり、電圧のリップルを低減して昇圧することができる昇圧回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様においては、ベースに入力されるパルス信号に応じてスイッチングするトランジスタと、トランジスタのコレクタと電源との間に設けられたインダクタと、トランジスタのコレクタとインダクタとの接続点に接続された基本昇圧回路と、を備え、基本昇圧回路は、第１ダイオードと、第１ダイオードのカソードにアノードが接続された第２ダイオードと、第２ダイオードのカソードにアノードが接続された第３ダイオードと、第１ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第１キャパシタと、第１ダイオードのアノードと第２ダイオードのカソードとの間に設けられた第２キャパシタと、第３ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第３キャパシタと、を有する昇圧回路を提供する。
【０００９】
上記の昇圧回路は、基本昇圧回路と直列に接続された付加昇圧回路をさらに備え、付加昇圧回路は、第３ダイオードのカソードにアノードが接続された第４ダイオードと、第４ダイオードのカソードにアノードが接続された第５ダイオードと、第３ダイオードのアノードと第４ダイオードのカソードとの間に設けられた第４キャパシタと、第５ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられた第５キャパシタと、を有してもよい。
【００１０】
上記の昇圧回路は、基本昇圧回路と直列に接続されたｎ個（ただし、ｎは２以上の整数）の付加昇圧回路を備え、第ｎの付加昇圧回路の第４ダイオードのアノードは、第ｎ−１の付加昇圧回路の第５ダイオードのカソードに接続され、第ｎの付加昇圧回路の第５ダイオードのアノードは、第ｎの付加昇圧回路の第４ダイオードのカソードに接続され、第ｎの付加昇圧回路の第４キャパシタは、第ｎ−１の第５ダイオードのアノードと、第ｎの第４ダイオードのカソードとの間に設けられ、第ｎの付加昇圧回路の第５キャパシタは、第ｎの付加昇圧回路の第５ダイオードのカソードとグランドとの間に設けられてもよい。
【００１１】
上記の昇圧回路は、基本昇圧回路が発生した電圧を検出する電圧検出回路と、電圧検出回路が検出した検出電圧に応じて、パルス信号のパルス幅を制御する制御部と、をさらに備えてもよい。また、上記の昇圧回路は、昇圧した電圧をガイガーミュラー管に印加し、ガイガーミュラー管のプラトー電圧に基づいて定められた目標電圧を記憶する記憶部をさらに備え、制御部は、検出電圧と目標電圧とに基づいてパルス幅を決定し、決定したパルス幅のパルス信号を発生してもよい。
【００１２】
本発明の第２の態様においては、入力される放射線に応じたパルス電圧を出力するガイガーミュラー管と、ガイガーミュラー管に電圧を印加する上記の昇圧回路と、を備える放射線測定装置を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る昇圧回路によれば、電圧のリップルを低減して昇圧することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態の放射線測定装置の構成を示す図である。
【図２】第２の実施形態の放射線測定装置の構成を示す図である。
【図３】第３の実施形態の放射線測定装置の昇圧回路におけるｎ個の付加昇圧回路の接続を示す図である。
【図４】従来の昇圧回路の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜第１の実施形態＞
［第１の実施形態に係る昇圧回路１の回路構成］
図１は、第１の実施形態の放射線測定装置１００の構成を示す図である。
放射線測定装置１００は、昇圧回路１と、ガイガーミュラー管１０と、パルス検出回路２０とを備える。
【００１６】
昇圧回路１は、制御部２と、インダクタ３と、トランジスタ４と、基本昇圧回路５と、電圧検出回路８と、記憶部９とから構成されている。昇圧回路１は、ガイガーミュラー管１０の電源端子に接続されている。昇圧回路１は、インダクタ３に接続された電源Ｖｃｃの電圧を昇圧し、昇圧した電圧をガイガーミュラー管１０に印加する。
【００１７】
ガイガーミュラー管１０は、パルス検出回路２０と接続されている。パルス検出回路２０は、ガイガーミュラー管１０に放射線粒子が入射することによってガイガーミュラー管１０から出力される電圧のパルスを検出して計数する。
【００１８】
制御部２は、トランジスタ４のベースと、電圧検出回路８と、記憶部９とに接続されている。制御部２は、トランジスタ４のベースに入力するパルス信号のパルス幅を制御する。
インダクタ３は、トランジスタ４のコレクタと、電源Ｖｃｃとの間に設けられている。
【００１９】
トランジスタ４のベースは、制御部２に接続されており、パルス信号が入力される。トランジスタ４のコレクタは、インダクタ３に接続されている。トランジスタ４のエミッタは、グランドに接続されている。トランジスタ４は、ベースに入力されるパルス信号に応じてスイッチングを行い、コレクタとエミッタとを導通させるか否かを切り換える。
【００２０】
基本昇圧回路５は、トランジスタ４のコレクタと、インダクタ３との接続点に接続されている。基本昇圧回路５は、電源Ｖｃｃの電圧を昇圧し、この昇圧した電圧を、ガイガーミュラー管１０に印加する。基本昇圧回路５は、第１ダイオード５１と、第２ダイオード５２と、第３ダイオード５３と、第１キャパシタ５４と、第２キャパシタ５５と、第３キャパシタ５６と、を備える。
【００２１】
第１ダイオード５１、第２ダイオード５２、及び第３ダイオード５３は、直列に接続されている。
第１ダイオード５１は、アノードが、トランジスタ４のコレクタとインダクタ３との接続点に接続されており、カソードが、第２ダイオード５２のアノードに接続されている。
【００２２】
第２ダイオード５２は、アノードが、第１ダイオード５１のカソードに接続されており、カソードが、第３ダイオード５３のアノードに接続されている。
第３ダイオード５３は、アノードが、第２ダイオード５２のカソードに接続されており、カソードが、ガイガーミュラー管１０に接続されている。
【００２３】
第１キャパシタ５４は、第１ダイオード５１のカソードとグランドとの間に設けられている。
第２キャパシタ５５は、第１ダイオード５１のアノードと、第２ダイオード５２のカソードとの間に設けられている。
第３キャパシタ５６は、第３ダイオード５３のカソードとグランドとの間に設けられている。
【００２４】
電圧検出回路８は、第１ダイオード５１のカソードと、制御部２とに接続されている。電圧検出回路８は、基本昇圧回路５が昇圧した電圧を検出し、検出結果を制御部２に出力する。
記憶部９は、ガイガーミュラー管１０のプラトー電圧に基づいて定められた第１ダイオード５１のカソードにおける電圧を、目標電圧として記憶する。
【００２５】
制御部２は、電圧検出回路８が検出した検出電圧に応じて、トランジスタ４のベースに印加するパルス信号のパルス幅を制御する。具体的には、制御部２は電圧検出回路８が検出した検出電圧と、記憶部９に記憶されている目標電圧とに基づいてパルス信号のパルス幅を決定し、トランジスタ４のベースに印加するパルス信号のパルス幅を制御する。例えば、検出電圧が目標電圧に比べて低い場合、制御部２は、パルス信号のパルス幅を長くする。また、検出電圧が目標電圧に比べて高い場合、制御部２は、パルス信号のパルス幅を短くする。
【００２６】
［第１の実施形態に係る昇圧回路１の動作］
続いて、第１の実施形態に係る昇圧回路１の動作について説明する。
まず、制御部２がパルス電圧をトランジスタ４のベースに印加して、トランジスタ４のコレクタとエミッタとを導通状態にすると、インダクタ３に磁気エネルギーが蓄積される。続いて、制御部２がパルス電圧をオフにしてトランジスタ４のコレクタとエミッタとを非導通状態にすると、インダクタ３に蓄積されている磁気エネルギーが解放され、第１キャパシタ５４と第３キャパシタ５６とに電気エネルギーとして蓄積される。ここで、インダクタ３から解放される磁気エネルギーの高周波成分は、第１キャパシタ５４及び第３キャパシタ５６を介してそれぞれグランドに流れ込む。
【００２７】
この状態において、制御部２がパルス電圧をトランジスタ４のベースに印加して、トランジスタ４のコレクタとエミッタとを導通状態にすると、インダクタ３に磁気エネルギーが蓄積されるとともに、第１キャパシタ５４に蓄積されていた電気エネルギーが解放されて、第２ダイオード５２を介して第２キャパシタ５５に蓄積される。続いて、制御部２がパルス電圧をオフにしてトランジスタ４のコレクタとエミッタとを非導通状態にすると、インダクタ３に蓄積されている磁気エネルギーが解放されるとともに、第２キャパシタ５５に蓄積されている電気エネルギーが解放される。インダクタ３が解放する磁気エネルギーは、第１キャパシタ５４及び第３キャパシタ５６に電気エネルギーとして蓄積される。また、第２キャパシタ５５に蓄積されている電気エネルギーは、第３キャパシタ５６に蓄積される。第２キャパシタ５５に蓄積されている電気エネルギーは、第１キャパシタ５４には蓄積されないので、第３ダイオード５３のカソードにおける電圧は、第１ダイオード５１のカソードにおける電圧に比べて高くなる。
【００２８】
［第１の実施形態の効果］
以上、第１の実施形態によれば、昇圧回路１の基本昇圧回路５は、第１ダイオード５１と、第１ダイオード５１のカソードにアノードが接続された第２ダイオード５２と、第２ダイオード５２のカソードにアノードが接続された第３ダイオード５３と、第１ダイオード５１のカソードとグランドとの間に設けられた第１キャパシタ５４と、第１ダイオード５１のアノードと第２ダイオード５２のカソードとの間に設けられた第２キャパシタ５５と、第３ダイオード５３のカソードとグランドとの間に設けられた第３キャパシタ５６とを備える。これにより、第３ダイオード５３のカソードにおける電圧を、第１ダイオード５１のカソードにおける電圧に比べて高くすることができる。また、この昇圧回路１では、従来の昇圧回路よりも少ない部品点数で、電圧のリップルを低減して昇圧することができる。
【００２９】
また、制御部２は、電圧検出回路８が検出した検出電圧に応じて、パルス信号のパルス幅を制御する。すなわち、制御部２は、検出電圧と目標電圧とに基づいてパルス信号のパルス幅を決定するので、昇圧回路１は、ガイガーミュラー管１０のプラトー電圧の仕様に合わせた電圧を出力することができる。
【００３０】
＜第２の実施形態＞
［第２の実施形態に係る放射線測定装置１００の構成］
続いて、第２の実施形態について説明する。
図２は、第２の実施形態の放射線測定装置１００の構成を示す図である。
第２の実施形態の放射線測定装置１００は、昇圧回路１が付加昇圧回路６を備える点で第１の実施形態と異なる。
【００３１】
第２の実施形態において、付加昇圧回路６は、基本昇圧回路５とガイガーミュラー管１０とに直列に接続されている。付加昇圧回路６は、基本昇圧回路５が昇圧した電圧をさらに昇圧し、この昇圧した電圧をガイガーミュラー管１０に印加する。
付加昇圧回路６は、第４ダイオード６１と、第５ダイオード６２と、第４キャパシタ６３と、第５キャパシタ６４とを備える。
【００３２】
第４ダイオード６１と、第５ダイオード６２とは直列に接続されている。
第４ダイオード６１のアノードは、第３ダイオード５３のカソードに接続されており、第４ダイオード６１のカソードは、第５ダイオード６２のアノードに接続されている。
第５ダイオード６２のアノードは、第４ダイオード６１のカソードに接続されており、第５ダイオード６２のカソードは、ガイガーミュラー管１０に接続されている。
【００３３】
第４キャパシタ６３は、第３ダイオード５３のアノードと、第４ダイオード６１のカソードとの間に設けられている。
第５キャパシタ６４は、第５ダイオード６２のカソードと、グランドとの間に設けられている。
【００３４】
［第２の実施形態に係る昇圧回路１の動作］
続いて、第２の実施形態に係る昇圧回路１の動作について説明する。
基本昇圧回路５の昇圧動作については、第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００３５】
基本昇圧回路５の各キャパシタが充電されている状態において、制御部２がパルス電圧をトランジスタ４のベースに印加して、トランジスタ４のコレクタとエミッタを導通状態にすると、インダクタ３に磁気エネルギーが蓄積される。また、第１キャパシタ５４に蓄積されていた電気エネルギーは、第２ダイオード５２を介して第２キャパシタ５５に蓄積される。また、第３キャパシタ５６に蓄積されていた電気エネルギーは、第４ダイオード６１を介して第４キャパシタ６３に蓄積される。
【００３６】
続いて、制御部２がパルス電圧をオフにしてトランジスタ４のコレクタとエミッタとを非導通状態にすると、インダクタ３に蓄積されている磁気エネルギーが解放されるとともに、第２キャパシタ５５及び第４キャパシタ６３に蓄積されている電気エネルギーが解放される。インダクタ３が解放する磁気エネルギーは、第１ダイオード５１を介して、第１キャパシタ５４に電気エネルギーとして蓄積される。
【００３７】
また、第２キャパシタ５５に蓄積されている電気エネルギーは、第３ダイオード５３を介して第３キャパシタ５６に蓄積される。また、第４キャパシタ６３に蓄積されている電気エネルギーは、第５ダイオード６２を介して第５キャパシタ６４に蓄積される。
これにより、第５ダイオード６２のカソードにおける電圧は、第３ダイオード５３のカソードにおける電圧に比べて高くなる。
【００３８】
［実施例］
続いて、第２実施形態に係る昇圧回路１によって、電源電圧を昇圧させた実験結果を示す。電源Ｖｃｃの電圧を３Ｖ、インダクタ３を１０ｍＨ、各キャパシタを１０００ｐＦとし、制御部２からトランジスタ４にパルス信号を入力した。この結果、第１ダイオード５１のカソードにおける電圧は１４７Ｖ、第２ダイオード５２のカソードにおける電圧は１６２Ｖ、第３ダイオード５３のカソードにおける電圧は２９７Ｖ、第４ダイオード６１のカソードにおける電圧は３００Ｖ、第５ダイオード６２のカソードにおける電圧は４１５Ｖであった。また、第５ダイオード６２のカソードにおけるリップル電圧の最大値は、約２２０ｍＶであった。
【００３９】
［比較例］
続いて、図４に示す昇圧回路において、図２に示す回路と同様にダイオードを５個接続した状態でリップル電圧を測定する実験を行った。この場合、出力端子におけるリップル電圧の最大値は、約１３００ｍＶであり、上述の実施例に比べてリップル電圧の最大値が大きいという結果が得られた。この結果から、本発明に係る昇圧回路が、従来の昇圧回路よりも電圧のリップルを低減できることが確認できた。
【００４０】
［第２の実施形態の効果］
以上、第２の実施形態によれば、昇圧回路１の付加昇圧回路６は、第３ダイオード５３のカソードにアノードが接続された第４ダイオード６１と、第４ダイオード６１のカソードにアノードが接続された第５ダイオード６２と、第３ダイオード５３のアノードと第４ダイオード６１のカソードとの間に設けられた第４キャパシタ６３と、第５ダイオード６２のカソードとグランドとの間に設けられた第５キャパシタ６４とを備える。これにより、インダクタ３から解放される磁気エネルギーから変換された電気エネルギーに含まれる高周波成分を除去して電圧リップルを低減しつつ、基本昇圧回路５によって昇圧された電圧をさらに昇圧することができる。
【００４１】
＜第３の実施形態＞
［第３の実施形態に係る昇圧回路１の回路構成］
続いて、第３の実施形態について説明する。
第３の実施形態の放射線測定装置１００は、昇圧回路１が付加昇圧回路６をｎ個（ただし、ｎは２以上の整数）備える点で第２の実施形態と異なる。
図３は、第３の実施形態の昇圧回路１におけるｎ個の付加昇圧回路６（付加昇圧回路６−１〜付加昇圧回路６−ｎ）の接続を示す図である。以下、ｎの付加昇圧回路６、・・・付加昇圧回路６−（ｎ−１）、及び付加昇圧回路６−ｎを、付加昇圧回路６ともいう。
【００４２】
第３の実施形態において、ｎ個の付加昇圧回路６は、基本昇圧回路５と直列に接続されている。
ｎ個の付加昇圧回路６は、直列に接続されている。
第ｉ（ただし、ｉは２以上かつｎ以下の任意の整数）の付加昇圧回路６−ｉの第４ダイオード６１−ｉのアノードは、第ｉ−１の付加昇圧回路６−（ｉ−１）の第５ダイオード６２−（ｉ−１）のカソードに接続され、第４ダイオード６１−ｉのカソードは、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５ダイオード６２−ｉのアノードに接続されている。
第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５ダイオード６２−ｉのアノードは、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの、第４ダイオード６１−ｉのカソードに接続されている。また、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５ダイオード６２−ｉのカソードは、ｉ＜ｎの場合、第ｉ＋１の付加昇圧回路６−（ｉ＋１）の第４ダイオード６１−（ｉ＋１）のアノードに接続されている。また、第５ダイオード６２−ｉのカソードは、ｉ＝ｎの場合、ガイガーミュラー管１０に接続されている。
【００４３】
第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第４キャパシタ６３−ｉは、第ｉ−１の第５ダイオード６２−（ｉ−１）のアノードと、第ｉの第４ダイオード６１−ｉのカソードとの間に設けられている。
第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５キャパシタ６４−ｉは、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５ダイオード６２−ｉのカソードとグランドとの間に設けられている。
【００４４】
［第３の実施形態に係る昇圧回路１の動作］
続いて、第３の実施形態に係る昇圧回路１の動作について説明する。
基本昇圧回路５の昇圧動作については、第１の実施形態及び第２の実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００４５】
基本昇圧回路５の各キャパシタが充電されている状態において、制御部２がパルス電圧をトランジスタ４のベースに印加して、トランジスタ４のコレクタとエミッタを導通状態にすると、第ｉ−１の付加昇圧回路６−（ｉ−１）の第５キャパシタ６４−（ｉ−１）に蓄積されていた電気エネルギーが解放されて、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第４キャパシタ６３−ｉに蓄積される。
【００４６】
続いて、制御部２がパルス電圧をオフにしてトランジスタ４のコレクタとエミッタとを非導通状態にすると、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第４キャパシタ６３−ｉに蓄積されている電気エネルギーが解放される。これにより、第４キャパシタ６３−ｉに蓄積されている電気エネルギーは、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５キャパシタ６４−ｉに蓄積される。
これにより、第ｉの付加昇圧回路６−ｉの第５ダイオード６２−ｉのカソードにおける電圧は、第ｉ−１の付加昇圧回路６−（ｉ−１）の第５ダイオード６２−（ｉ−１）のカソードにおける電圧に比べて高くなる。
【００４７】
［第３の実施形態の効果］
以上、第３の実施形態によれば、昇圧回路１のｎ個の付加昇圧回路６を多段に構成することによって、基本昇圧回路５によって昇圧された電圧をさらに昇圧することができる。
【００４８】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・昇圧回路、２・・・制御部、３・・・インダクタ、４・・・トランジスタ、５・・・基本昇圧回路、６・・・付加昇圧回路、８・・・電圧検出回路、９・・・記憶部、１０・・・ガイガーミュラー管、２０・・・パルス検出回路、５１・・・第１ダイオード、５２・・・第２ダイオード、５３・・・第３ダイオード、５４・・・第１キャパシタ、５５・・・第２キャパシタ、５６・・・第３キャパシタ、６１・・・第４ダイオード、６２・・・第５ダイオード、６３・・・第５キャパシタ、６４・・・第４キャパシタ、６−ｉ・・・第ｉの付加昇圧回路、６１−ｉ・・・第ｉの付加昇圧回路の第４ダイオード、６２−ｉ・・・第ｉの付加昇圧回路の第５ダイオード、６３−ｉ・・・第ｉの付加昇圧回路の第５キャパシタ、６４−ｉ・・・第ｉの付加昇圧回路の第４キャパシタ、１００・・・放射線測定装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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