(57)【要約】【課題】従来よりも光取り出し効率の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ装置１は、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの第１面側の上層に形成された第１反射鏡１１と、第１反射鏡１１の上層に形成された発光部１３と、発光部１３の上層に形成された第２反射鏡１５と、第２反射鏡１５の上層に形成されたコンタクト層１７と、半導体基板１０ａの前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極１９ａと、コンタクト層１７の上層に形成された第２電極２１を備える。前記第１電極１９ａは、前記発光部１３の形成側の面において、半導体基板１０ａ側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個（２個以上）持つ。【選択図】  図１
2014183251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の第１面側の上層に形成された第１反射鏡と、
前記第１反射鏡の上層に形成された発光部と、
前記発光部の上層に形成された第２反射鏡と、
前記第２反射鏡の上層に形成されたコンタクト層と、
前記半導体基板の前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極と、
前記コンタクト層の上層に形成された第２電極と、を備え、
前記第１電極は、前記半導体基板と接触し、当該半導体基板の発光部が形成されている半導体基板側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個持つことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が円筒状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が矩形溝の波板状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状内部に電極材料を充填したことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置として、近年、基板面に垂直な方向に光を取り出す構成の垂直外部共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｅｘｔｅｒｎａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒｓ：以下、「ＶＥＣＳＥＬ」と略記する。）の開発が進められている（例えば、下記特許文献１、非特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、特許文献１や非特許文献１に開示された従来のＶＥＣＳＥＬ構造のレーザ装置の模式的断面図である。従来のレーザ装置９０は、半導体基板４０の上面に、ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、及びｐ側多層膜反射鏡１５を備え、発光部１３を一対の反射鏡１１及び１５が半導体基板４０の面に垂直な方向に挟み込む構成である。
【０００４】
また、ｐ側多層膜反射鏡１５の上層には、高濃度のコンタクト層１７を介してｐ側電極２１が形成されている。一方、発光部１３や一対の反射鏡１１及び１５が形成されていない側において、半導体基板４０の面上にはｎ側電極１９が形成されている。
【０００５】
ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５及びコンタクト層１７の多層構造体の外側には絶縁層２５が形成されている。この絶縁層２５は、ｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧が印加された際、発光効率を高めるべく発光部１３を含む上記多層構造体の領域に電流を集中させ、その外側の領域に電流を流さないようにするための高抵抗層（電流狭窄層）を構成する。そして、この絶縁層２５の周囲をパッシベーション層２７が覆っている。
【０００６】
半導体基板４０に対して、光取り出し方向ｄ１の向きに離間した位置には、外部出力ミラー３が備えられている。
【０００７】
ｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧を印加することにより、発光部１３に電流が流れて当該領域が発光する。この光は、外部出力ミラー３、ｎ側多層膜反射鏡１１、及びｐ側多層膜反射鏡１５によって形成される共振器で共振され、励起された光がレーザ光５として外部出力ミラー３から放出される。
【０００８】
なお、図６に示すレーザ装置９０は、ｎ側電極１９の形成側がレーザ光５の取り出し面となっているため（取り出し方向ｄ１）、ｎ側電極１９は、光の通路を遮らないような形状となっている。具体的には、図６のレーザ装置９０においては、ｎ側電極１９がドーナツ形状を構成している。また、その内側の位置であって、半導体基板４０のｎ側電極１９が形成されている側の面上には、誘電体層２９が形成されている。当該誘電体層２９は、共振中の光の損失を抑制するために設けられている。
【０００９】
コンタクト層１７は、高濃度（例えば、１×１０１８／ｃｍ３以上）のキャリアがドープされており、ｐ側電極２１との間のコンタクト抵抗値を下げる役割を果たしている。
【００１０】
ここで、同様に、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間の抵抗値を下げるべく、例えば半導体基板４０を高濃度にドープする方法が考えられる。
【００１１】
しかし、一般的に高濃度にドープされた半導体層は、光を多く吸収することが知られている。図６の構成によれば、発光部１３で生成された光は、外部出力ミラー３との間で半導体基板４０内を通過しながら反射を繰り返した後、外部へと取り出される構成である。従って、半導体基板４０を高濃度でドープした場合、発光部１３で生成された光が半導体基板４０内で吸収されてしまい、取り出し効率が低下するという問題がある。
【００１２】
このような点に鑑み、特許文献１や非特許文献１の構成では、半導体基板４０として、低濃度キャリア（例えば、５×１０１６／ｃｍ３以上、５×１０１７／ｃｍ３以下程度）のＧａＡｓ基板を採用している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特表２００６−５１１９６６号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】Ｇｒｅｇｏｒｙ  Ｔ．  Ｎｉｖｅｎ，  ｅｔ．ａｌ．  「Ｌａｓｅｒ  ｌｉｇｈｔｉｎｇ  ｒｅｖｏｌｕｔｉｏｎ  −  Ｃｏｍｉｎｇ  ｓｏｏｎ  ｔｏ  ａ  ｔｈｅａｔｅｒ  ｎｅａｒ  ｙｏｕ−  」，  Ｄｅｃｅｍｂｅｒ  ２０１０，  Ｏｐｔｉｋ  ＆  Ｐｈｏｔｏｎｉｋ  Ｎｏ．４，  ｐ３４〜ｐ３７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、半導体基板４０として、このような低濃度のＧａＡｓ基板を用いると、半導体基板４０とｎ側電極１９の間のコンタクト抵抗や、半導体基板４０内の抵抗が大きくなる。このため、駆動時にｐ側電極２１とｎ側電極１９の間にバイアス電圧を印加すると高いジュール熱が発生し、これに起因してレーザ装置９０が大きく昇温する。温度が上昇するとレーザ光５の波長が長波長側にシフトするため、所望の発光波長の光の取り出し効率は低下してしまう。
【００１６】
なお、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間の抵抗値を下げるべく、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間に高濃度のコンタクト層を形成する方法も考えられる。しかし、この方法を採用した場合、ｎ側電極１９と半導体基板４０の間のコンタクト抵抗値は低下させられるものの、低濃度の半導体基板４０内を電流が通過することには変わりがないため、素子全体の抵抗を低下させることはできない。よって、高いジュール熱が発生してレーザ光５の波長が長波長側にシフトする点において、上記従来構成と同様の課題を有している。
【００１７】
本発明は、上記の点に鑑み、従来よりも光取り出し効率の高い半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の半導体レーザ装置は、
半導体基板と、
前記半導体基板の第１面側の上層に形成された第１反射鏡と、
前記第１反射鏡の上層に形成された発光部と、
前記発光部の上層に形成された第２反射鏡と、
前記第２反射鏡の上層に形成されたコンタクト層と、
前記半導体基板の前記第１面と反対の第２面側の上層に形成された第１電極と、
前記コンタクト層の上層に形成された第２電極を備え、
前記第１電極は、前記半導体基板と接触し、当該半導体基板の発光部が形成されている半導体基板側に突き出た形状に形成され、この突き出た形状を複数個持つことを特徴とする。
【００１９】
上記構成によれば、半導体基板と第１電極間の電気を伝える接触面積は、半導体基板側に突き出た形状部の表面積分だけ加わり、増大する。つまり、半導体基板と第１電極間のコンタクト抵抗Ｒ（＝（コンタクト抵抗率）Ｘ（長さ）÷（面積））は接触面積の増大に伴い低下し、ジュール熱を減らすことができる。
また、突き出た形状の電極部分を配置された部位は、半導体基板の厚さが薄くなるので、半導体基板内部の電気抵抗を減らせ、かつ、半導体基板自身の熱伝導率による温度上昇も減らすことができる。
【００２０】
つまり、半導体基板と第１電極間オーミックコンタクトの電気抵抗率が大きくても、第１電極が半導体基板側へ突き出ることにより、これらの接触面積が増大する構成となる。よって、第１電極を半導体基板側に突き出た形状にすることで、第１電極から半導体基板までの電気抵抗を減らす構成にすることができる。従って、半導体基板から第１電極までに発生するジュール熱は、従来構成と比べて削減されるため、これに起因するレーザ装置の温度上昇が抑えられ、レーザ光の波長シフトも抑えられるため、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下しない。
【００２１】
また、第１電極は半導体基板側に突き出ているため、電気伝導路かつ熱伝導路でもある半導体基板の長さが短くでき、半導体基板内部の温度上昇は低い値が実現される。この結果、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトすることで、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題も解消する。
【００２２】
つまり、上記の構成によれば、素子の低抵抗化と光の取り出し効率の向上という両者を同時に実現することができる
【００２３】
より具体的な第１の構成として、前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状に円筒状を適用した構成とすることができる。
【００２４】
この構成では、円板部に側面の円筒部が追加された分だけ接触面積が増加している。
これにより、上記効果が実現される。
【００２５】
更にこのとき、円筒内部に第１電極材料を充填する構成としても構わない。
【００２６】
これらの構成によれば、半導体基板として低濃度キャリア基板を使用しても、第１電極から半導体基板までの電気抵抗を減らすことができる。よって、第１電極と半導体基板間のコンタクト抵抗を含む電気抵抗を減らし、ジュール熱による温度上昇を抑制することができ、安定して高い光の取り出し効率が実現される。
【００２７】
また、より具体的な第２の構成として、前記第１電極の半導体基板側に突き出た形状が矩形溝の波板形状を適用した構成とすることができる。なお、本発明における波板形状とは、凹凸形状が平行して複数繰り返し形成されている状態を言う。
【００２８】
この構成では、半導体基板側に突き出た矩形溝の側面部が追加された分だけ接触面積が増加している。また、第１電極は半導体基板側に突き出ているため、電気伝導路かつ熱伝導路でもある半導体基板の長さが短くなっている。これらにより上記効果が実現される。
【００２９】
更にこのとき、第１電極の反半導体基板側（素子の外表面を形成する部分）の表面積（熱伝達面積）も増加するので、第１電極表面で発生する熱伝達による冷却効果も増大し、ますます、ジュール熱による温度上昇を抑制することができる。
【００３０】
これらにより、素子の低抵抗化と光の取り出し効率の向上という両者を同時に実現することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の半導体レーザ装置によれば、光の通過経路上に高濃度領域を設けない状態で、コンタクト抵抗及び素子抵抗を低抵抗にすることができるので、従来よりも高い光取り出し効率が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。
【図２】第１実施形態のレーザ装置が搭載された半導体基板を光取り出し方向側から見たときの模式的平面図である。
【図３Ａ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｂ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｃ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｄ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｅ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｆ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｇ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図３Ｈ】第１実施形態のレーザ装置の工程断面図の一部である。
【図４】第２実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。
【図５】第２実施形態のレーザ装置が搭載された半導体基板を光取り出し方向側から見たときの模式的平面図である。
【図６】従来のレーザ装置の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の半導体レーザ装置（以下、適宜「レーザ装置」と略記する。）につき、図面を参照して説明する。なお、各図において図面の寸法比と実際の寸法比は必ずしも一致しない。
【実施例１】
【００３４】
図１は、第１実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。なお、図６と同一の要素に対しては、同一の符号を付している。
【００３５】
（構成）
第１実施形態のレーザ装置１は、半導体基板１０ａ、ｎ側多層膜反射鏡１１（「第１反射鏡」に対応）、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５（「第２反射鏡」に対応）、コンタクト層１７、ｎ側電極１９ａ（「第１電極」に対応）、ｐ側電極２１（「第２電極」に対応）を有する。
【００３６】
半導体基板１０ａの一方の面（「第１面」に対応）の上層にはｎ側多層膜反射鏡１１が形成されており、ｎ側多層膜反射鏡１１の上層に発光部１３が形成され、発光部１３の上層にｐ側多層膜反射鏡１５が形成される。ｐ側多層膜反射鏡１５の上層にコンタクト層１７が形成され、コンタクト層１７の上層にｐ側電極２１が形成される。
【００３７】
また、半導体基板１０ａの他方の面（「第２面」に対応）には、ｎ側電極１９ａが形成されている。
【００３８】
図１では、光取り出し方向ｄ１は半導体基板１０ａの発光部１３及び一対の反射鏡１１，１５が形成されている側と反対側であり、半導体基板１０ａとこの方向ｄ１に離間した位置には外部出力ミラー３が形成される。なお、図６に示すレーザ装置９０と同様に、図１に示すレーザ装置１も電流狭窄用の絶縁層２５、パッシベーション層２７、誘電体層２９を備えている。
【００３９】
半導体基板１０ａは、例えばＧａＡｓ基板で構成される。ここで、本実施形態においては、半導体基板１０ａは、キャリア濃度が１×１０１８／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１７／ｃｍ３以下の低濃度でドープされている。
【００４０】
発光部１３は、取り出すレーザ光５の波長に応じた材料で構成される。例えば、発光波長が０．８μｍ〜１μｍの場合はＧａＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓなどが用いられる。
【００４１】
ｎ側多層膜反射鏡１１及びｐ側多層膜反射鏡１５は、所望の波長に対して吸収が少なく、且つ屈折率の異なる２種類の材料が積層されたもの、例えば、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられる。また、各反射鏡１１，１５を構成する各層の厚さは、材料及び波長に応じた厚さとされる。なお、ｐ側多層膜反射鏡１５の反射率を９９％以上、ｎ側多層膜反射鏡１１の反射率を２０％以上９０％以下の範囲とするのが好ましい。ｎ側多層膜反射鏡１１の反射率をｐ側多層膜反射鏡１５よりも低くしているのは、発光部１３からの光が、ｎ側多層膜反射鏡１１とｐ側多層膜反射鏡１５の間で反射を繰り返すことで励起された後、ｎ側多層膜反射鏡１１を通過して外部へと取り出す必要があるためである。
【００４２】
また、ｎ側多層膜反射鏡１１は、半導体基板１０ａと接触して形成されている。
【００４３】
コンタクト層１７は、ｐ側多層膜反射鏡１５の上層に形成される。コンタクト層１７は、例えばＧａＡｓで構成され、コンタクト抵抗を小さくするために炭素（Ｃ）などのｐ型不純物が１×１０１８／ｃｍ３以上の高濃度でドープされている。
【００４４】
上述したように、ｎ側電極１９ａは、半導体基板１０ａの発光部１３及び一対の反射鏡１１，１５が形成されている側と反対側の面、すなわち光取り出し方向ｄ１側の面に接触して形成されている。ｎ側電極１９ａの材料としては、例えばＮｉ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕやＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕなどが利用可能である。
【００４５】
ｐ側電極２１は、コンタクト層１７の上層に形成される。ｐ側電極２１はｎ側電極１９ａと同一の材料で形成して構わない。
【００４６】
図２は、半導体基板１０ａを、光取り出し方向側すなわちｎ側電極１９ａ側から見たときの模式的平面図である。なお、図２では、半導体基板１０ａ上にレーザ装置１が複数配列されている状態（本実施例では３つ）を示しており、レーザ装置１からの光取り出し方向は紙面の手前側である。
【００４７】
このような構成の下、ｐ側電極２１とｎ側電極１９ａの間にバイアス電圧を印加すると、ｐ側電極２１、コンタクト層１７、ｐ側多層膜反射鏡１５、発光部１３、ｎ側多層膜反射鏡１１、半導体基板１０ａ、及びｎ側電極１９ａからなる電流経路が形成される。これにより、発光部１３に電流が流れ、当該領域が光を発する。この光は、ｐ側多層膜反射鏡１５、ｎ側多層膜反射鏡１１、及び外部出力ミラー３にて構成される共振器内を共振しながら励起され、レーザ光５として外部に取り出される。
【００４８】
そして、ｎ側電極１９ａは低いキャリア濃度の半導体基板１０ａに接触しているためコンタクト抵抗率は大きいが、ｎ側電極１９を半導体基板１０側に突き出た形状にすることにより、ｎ側電極１９と半導体基板１０との間の電気伝導面積を大きくし、且つ、コンタクト抵抗を小さくできる。また、半導体基板１０ａ内部の電流経路長さを短くできるので半導体基板１０内部の電圧降下も小さくできる。さらに、ｐ側電極２１は高濃度のコンタクト層１７と接触しているので、コンタクト抵抗は低く抑えられる。これらにより素子全体の抵抗は低く抑えられる。これにより、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトし、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題は解消する。
【００４９】
なお、図１の構成において、誘電体層２９を備えない構成としても構わない。
【００５０】
また、上記実施形態では、半導体基板１０ａの光取り出し方向ｄ１側をｎ側、反対側をｐ側として説明したが、ｐ側とｎ側の位置を反転させても構わない。以下の実施形態でも同様である。
【００５１】
（製造方法）
以下、図１に示すレーザ装置１の製造方法の一例につき、図３Ａ〜図３Ｇの各工程断面図を参照して説明する。
【００５２】
（ステップＳ１）
図３Ａに示すように、半導体基板１０ａ上に、ｎ側多層膜反射鏡１１、発光部１３、ｐ側多層膜反射鏡１５及びコンタクト層１７を下からこの順に結晶成長させる。
【００５３】
ここで、半導体基板１０ａとしては、例えばキャリア濃度が５×１０１７／ｃｍ３以下の低濃度のＧａＡｓ基板が採用される。
【００５４】
ｎ側多層膜反射鏡１１としては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられ、反射率が２０％以上９０％以下となるように積層数が設定される。発光部１３としては、ＧａＩｎＡｓ又はＡｌＧａＡｓなどが用いられ、発光波長に応じて採用される材料や組成比が設定される。ｐ側多層膜反射鏡１５としては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ又はＧａＡｓ／ＡｌＡｓなどが用いられ、反射率が９９％以上となるように積層数が設定される。なお、積層される膜厚の例としては、ｎ側多層膜反射鏡１１が１００ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、発光部１３が５０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度、ｐ側多層膜反射鏡１５が１０００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度である。
【００５５】
また、コンタクト層１７としては、例えばＣなどのｐ型不純物が１×１０１８／ｃｍ３以上の高濃度でドープされたＧａＡｓが膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度成膜される。
【００５６】
（ステップＳ２）
ステップＳ１で成膜された多層構造体を、ウェットエッチング法又はドライエッチング法によりメサ形状に加工する（図３Ｂ参照）。
【００５７】
（ステップＳ３）
多層構造体のうち、例えば中央付近の領域をマスクしてイオン注入を行うことにより、電流狭窄層としての絶縁層２５（高抵抗層）を形成する（図３Ｃ参照）。なお、当該箇所を酸化することで絶縁層２５を形成してもよい。
【００５８】
（ステップＳ４）
図３Ｄに示すように、スパッタ法又はＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：物理気相成長）法にて、例えばＳｉＮやＳｉＯ２などの絶縁材料を膜厚１０ｎｍ〜２０００ｎｍ程度成膜し、パッシベーション層２７を形成する。
【００５９】
（ステップＳ５）
例えば、コンタクト層１７の上方に係る位置以外をマスクして、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により非マスク領域に形成されたパッシベーション層２７を除去する。その後、当該領域にスパッタ法又は真空蒸着法によって例えばＡｕ／Ｚｎ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕなどの電極材料を膜厚１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度成膜して、ｐ側電極２１を形成する。（図３Ｅ参照）。
【００６０】
（ステップＳ６）
その後、ＳｉＯ２，  Ｔａ２Ｏ５，  ＳｉＮＯなどで構成される光学薄膜を、露出されている半導体基板１０ａの面に発光層１３が形成されている側と反対側の方向から、スパッタ法又は真空蒸着法によって膜厚１０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度成膜し、誘電体層２９を形成する（図３Ｆ参照）
【００６１】
（ステップＳ７）
半導体基板１０ａの発光層１３が形成されている側と反対側の面に対し、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により、基板面に直交する方向に半導体基板１０ａ側にｎ側電極１９ａが突き出るように半導体基板１０ａに円筒状の凹みを形成する（図３Ｇ参照）。この凹みは、半導体基板１０ａの発光層１３が形成されている側と反対側の面から見て環状（円環状など）を示す。
【００６２】
（ステップＳ８）
半導体基板１０ａの面に、発光層１３が形成されている側と反対側の方向から、スパッタ法又は真空蒸着法によって例えばＮｉ／Ｇｅ／Ａｕ／Ｎｉ／ＡｕやＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉ／Ａｕなどの電極材料を膜厚１００ｎｍ〜３０００ｎｍ程度成膜して、ｎ側電極１９を形成する（図３Ｈ参照）。
【００６３】
上記ステップＳ１〜Ｓ８を経てレーザ装置１を製造する方法は、あくまで一例であり、この方法に限定されるものではない。また、成膜する膜厚の条件や用いられる材料も一例であり、上述した内容に限定されるものではない。
【実施例２】
【００６４】
レーザ装置の第２実施形態につき、第１実施形態と異なる箇所のみを説明する。
【００６５】
（構成）
図４は、第２実施形態のレーザ装置の模式的断面図である。第２実施形態のレーザ装置１ａにおいては、ｎ側電極（第１電極）が半導体基板側に突き出た矩形溝の波板形状として形成されている。
【００６６】
なお、本実施形態では、半導体基板１０ａは第１実施形態と同等のキャリア濃度、すなわち、例えばキャリア濃度が５×１０１７／ｃｍ３以下の低濃度のＧａＡｓ基板が採用される。
【００６７】
図５は、図２にならって、本実施形態のレーザ装置１ａが搭載された半導体基板１０ａを光取り出し方向側すなわちｎ側電極１９ａ側から見たときの模式的平面図である。
【００６８】
このような構成においても、第１実施形態と同様、ｎ側電極１９ａは低いキャリア濃度の半導体基板１０ａに接触しているためコンタクト抵抗率は大きい。しかし、ｎ側電極１９ａを半導体基板１０ａ側に突き出た形状にすることにより、ｎ側電極１９ａと半導体基板１０ａとの間の電気伝導面積を大きくでき、且つ、コンタクト抵抗を小さくできる。
また、半導体基板１０ａ内部の電流経路長さを短くできるので半導体基板１０ａ内部の電圧降下も小さくできる。ここで、ｐ側電極２１は高濃度のコンタクト層１７と接触しているので、コンタクト抵抗は低く抑えられている。さらに、ｎ側電極１９ａの反半導体基板側の表面積（熱伝達面積）も増加するので、ｎ側電極１９ａ表面における熱伝達による冷却効果も増大する。これにより、ますます、ジュール熱による温度上昇を抑制することができる。
これらにより素子全体の抵抗は低く抑えられる。よって、高いジュール熱が発生して、発光波長がシフトすることで、所望の発光波長の光の取り出し効率が低下するという問題は解消できる。      
【００６９】
（製造方法）
図４に示すレーザ装置１ａの製造方法については、第１実施形態と同じ手順で製造できるため、省略する。
【符号の説明】
【００７０】
１      ：    半導体レーザ装置
３      ：    外部出力ミラー
５      ：    レーザ光
１０      ：    半導体基板
１０ａ    ：    低キャリア濃度の半導体基板
１１      ：    ｎ側多層膜反射鏡（第１反射鏡）
１３      ：    発光部
１５      ：    ｐ側多層膜反射鏡（第２反射鏡）
１７      ：    コンタクト層
１９      ：    ｎ側電極（第１電極）
１９ａ    ：    非平面形状のｎ側電極（第１電極）
２１      ：    ｐ側電極（第２電極）
２５      ：    電流狭窄層としての絶縁層
２７      ：    パッシベーション層
２９      ：    誘電体層
４０      ：    半導体基板
９０      ：    従来のＶＥＣＳＥＬ構造のレーザ装置
ｄ１      ：    レーザ光の取り出し方向
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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