(57)【要約】【課題】導体回路の高度の微細化による高密度配線を可能にすることにある。【解決手段】下層の導体回路層と層間樹脂絶縁層と上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層と下層の導体回路層を電気的に接続するバイアホールとを備え、前記上層の導体回路層は、前記層間樹脂絶縁層の表面上に形成された第２シード層と、その第２シード層上に形成された電解銅めっき層とを有し、前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔の内壁面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層または前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第２シード層と、それらの第２シード層上に形成された電解銅めっき層と、を有するプリント配線板である。【選択図】図２
2014222733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層の導体回路層と、その導体回路層上に積層された層間樹脂絶縁層と、その層間樹脂絶縁層上に形成された上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層の導体回路層と下層の導体回路層とを電気的に接続するバイアホールと、を備えるプリント配線板において、
前記上層の導体回路層は、前記層間樹脂絶縁層の表面上に形成された第２シード層と、その第２シード層上に形成された電解銅めっき層とを有し、
前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔の内壁面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層または前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第２シード層と、それらの第２シード層上に形成された電解銅めっき層と、を有することを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
前記層間樹脂絶縁層の表面を被覆する第２シード層の厚みは、前記貫通孔の内壁面を被覆する前記複合シード層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とする、請求項１記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記上層の導体回路層はライン幅Ｌ／スペース幅Ｓ＝３／３μｍ〜１０／１０μｍであることを特徴とする、請求項１または２記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１シード層はチタンスパッタリング層または、チタンおよび銅スパッタリング層からなるものであることを特徴とする、請求項１または２記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記第１シード層は銅スパッタリング層からなるものであることを特徴とする、請求項１または２記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記第１シード層は無電解銅めっき層からなるものであることを特徴とする、請求項１または２記載のプリント配線板。
【請求項７】
下層の導体回路層と、その導体回路層上に積層されたフィルム状絶縁樹脂からなる層間樹脂絶縁層と、その層間樹脂絶縁層上に形成された上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層の導体回路層と下層の導体回路層とを電気的に接続するバイアホールと、を備えるプリント配線板を製造するに際し、
ベースフィルムと前記フィルム状絶縁樹脂とを積層した積層フィルムを、前記下層の導体回路層上に、そのフィルム状絶縁樹脂側を下層の導体回路層に向けて積層する工程と、
前記積層フィルムに、前記バイアホール用の貫通孔をレーザーで形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面と、前記積層フィルムの表面との上にスパッタリングまたは無電解銅めっきを施して第１シード層を形成する工程と、
前記ベースフィルムを前記フィルム状絶縁樹脂から剥離させてから、前記貫通孔の内壁面上と前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面上との前記第１シード層上と、前記フィルム状絶縁樹脂の表面上とに銅スパッタリングを施して第２シード層を形成し、前記貫通孔の内壁面上と前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上とでは、前記第１シード層と前記第２シード層とで複合シード層を形成する工程と、
前記フィルム状絶縁樹脂上の第２シード層上に電解銅めっきを施して導体回路を形成するとともに前記貫通孔内の複合シード層上に電解銅めっきを施してバイアホールを形成する工程と、
前記導体回路を形成する電解銅めっき導体間に露出する前記第２シード層をエッチングにより除去して上層の導体回路層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
下層の導体回路層と、その導体回路層上に積層されたフィルム状絶縁樹脂からなる層間樹脂絶縁層と、その層間樹脂絶縁層上に形成された上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層の導体回路層と下層の導体回路層とを電気的に接続するバイアホールと、を備えるプリント配線板を製造するに際し、
ベースフィルムと前記フィルム状絶縁樹脂とを積層した積層フィルムを、前記下層の導体回路層上に、そのフィルム状絶縁樹脂側を下層の導体回路層に向けて積層する工程と、
前記積層フィルムに、前記バイアホール用の貫通孔をレーザーで形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面と、前記積層フィルムの表面との上にスパッタリングを施して第１シード層を形成する工程と、
前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面上の第１シード層を除去する工程と、
前記ベースフィルムを前記フィルム状絶縁樹脂から剥離させてから、前記貫通孔の内壁面上の前記第１シード層と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面と、前記フィルム状絶縁樹脂の表面との上に銅スパッタリングを施して第２シード層を形成し、前記貫通孔の内壁面上と前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上とでは、前記第１シード層と前記第２シード層とで複合シード層を形成する工程と、
前記フィルム状絶縁樹脂上の第２シード層上に電解銅めっきを施して導体回路を形成するとともに前記貫通孔内の第２シード層上に電解銅めっきを施してバイアホールを形成する工程と、
前記導体回路を形成する電解銅めっき導体間に露出する前記第２シード層をエッチングにより除去して上層の導体回路層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プリント配線板およびその製造方法に関し、特には微細配線を具えるプリント配線板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子装置の小型化、軽量化の進展に伴い、そこに用いられるプリント配線板は、コア基板の両面上に層間絶縁樹脂層と導体回路層とを交互に積層してビルドアップ層を形成するとともに、そのコア基板の表面やビルドアップ層の導体回路層における導体回路を高度に微細化して、高密度配線を可能にすることが求められている。
【０００３】
このため近年のプリント配線板では、コア基板表面やビルドアップ層を構成する下層の導体回路層上にフィルム状の絶縁樹脂からなる層間絶縁樹脂層を熱プレスにより貼り付けてその層間樹脂絶縁層にレーザーでその下の導体回路まで至る貫通孔をあけ、その貫通孔内にめっき導体を充填してバイアホールを形成し、そのバイアホールでコア基板表面や下層の導体回路層とその層間絶縁樹脂層上の導体回路層とを電気的に接続することが一般に行われている。
【０００４】
かかるプリント配線板を製造する際、従来は例えば、コア基板表面やビルドアップ層を構成する下層の導体回路層上に貼り付けたフィルム状絶縁樹脂からなる層間絶縁樹脂層に貫通孔を開けた後、その貫通孔の底部に露出する下層の導体回路層の表面と貫通孔の内壁面とその層間絶縁樹脂層の表面とにスパッタリングでチタンや銅等の金属薄膜からなるシード層を形成し、次いで層間絶縁樹脂層の表面上のシード層の上に、上層の導体回路層の導体回路に対応する開口部を持つメッキレジストを形成してから、そのシード層を電極として電解銅めっきを施して層間絶縁樹脂層の表面上のシード層上に導体回路を形成するとともに貫通孔内にバイアホールを形成し、その後、メッキレジストを剥離させて露出させたシード層をエッチングで除去することで、層間絶縁樹脂層上に上層の導体回路層を形成するとともにその上層の導体回路層と下層の導体回路層とをバイアホールで電気的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４９４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記の方法でプリント配線板を製造する場合、従来は、層間絶縁樹脂層を形成するためのフィルム状絶縁樹脂を、コア基板あるいはビルドアップ層を構成する下層の導体回路層上に貼り付ける際、その絶縁樹脂の取り扱いを容易にするため、ベースフィルムとフィルム状絶縁樹脂との二層構造となった積層フィルムを用い、この積層フィルムを下層の導体回路層上に貼り付けてから、その積層フィルムにバイアホール用の貫通孔を形成した後、ベースフィルムを剥してから、スパッタリングでシード層を形成している。
【０００７】
このため、貫通孔の内壁面上に、電解めっきを施すのに充分な厚さのシード層を形成しようとすると、層間絶縁樹脂層上に形成されるシード層が厚くなりすぎ、この厚いシード層がその上に形成される電解銅めっき層とともに導体回路層を形成することとなるので、導体回路を形成するためにシード層をエッチングで除去する際に導体回路が一緒にエッチングされて細くなり過ぎてしまい、導体回路の高度の微細化による高密度配線を可能にすることが困難であるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、上記課題を有利に解決することを目的とするものであり、この発明のプリント配線板は、
下層の導体回路層と、その導体回路層上に積層された層間樹脂絶縁層と、その層間樹脂絶縁層上に形成された上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層の導体回路層と下層の導体回路層とを電気的に接続するバイアホールと、を備えるプリント配線板において、
前記上層の導体回路層は、前記層間樹脂絶縁層の表面上に形成された第２シード層と、その第２シード層上に形成された電解銅めっき層とを有し、
前記バイアホールは、前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔の内壁面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第１シード層とその第１シード層上に形成された第２シード層とからなる複合シード層または前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上に形成された第２シード層と、それらの第２シード層上に形成された電解銅めっき層と、を有することを特徴とするものである。
【０００９】
また、この発明のプリント配線板の製造方法は、
下層の導体回路層と、その導体回路層上に積層されたフィルム状絶縁樹脂からなる層間樹脂絶縁層と、その層間樹脂絶縁層上に形成された上層の導体回路層と、前記層間樹脂絶縁層を貫通してそれら上層の導体回路層と下層の導体回路層とを電気的に接続するバイアホールと、を備えるプリント配線板を製造するに際し、
ベースフィルムと前記フィルム状絶縁樹脂とを積層した積層フィルムを、前記下層の導体回路層上に、そのフィルム状絶縁樹脂側を下層の導体回路層に向けて積層する工程と、
前記積層フィルムに、前記バイアホール用の貫通孔をレーザーで形成する工程と、
前記貫通孔の内壁面と、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面と、前記積層フィルムの表面との上にスパッタリングまたは無電解銅めっきを施して第１シード層を形成する工程と、
前記ベースフィルムを前記フィルム状絶縁樹脂から剥離させてから、前記貫通孔の内壁面上と前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面上との前記第１シード層上と、前記フィルム状絶縁樹脂の表面上とに銅スパッタリングを施して第２シード層を形成し、前記貫通孔の内壁面上と前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上とでは、前記第１シード層と前記第２シード層とで複合シード層を形成する工程と、
前記フィルム状絶縁樹脂上の第２シード層上に電解銅めっきを施して導体回路を形成するとともに前記貫通孔内の複合シード層上に電解銅めっきを施してバイアホールを形成する工程と、
前記導体回路を形成する電解銅めっき導体間に露出する前記第２シード層をエッチングにより除去して上層の導体回路層を形成する工程と、
を備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明のプリント配線板にあっては、層間樹脂絶縁層の貫通孔の内壁面上に、電解銅めっきを施すのに充分な厚さの複合シード層を形成しても、層間樹脂絶縁層の表面を被覆するシード層が第２シード層だけであり、そこに第１シード層がないためその厚みが貫通孔の内壁面を被覆する複合シード層の厚みよりも薄いことから、層間絶縁樹脂層上に形成されるシード層が厚くなり過ぎることがない。
【００１１】
従って、この発明のプリント配線板によれば、層間樹脂絶縁層の表面を被覆するスパッタリング層からなるシード層と、そのシード層上に形成された電解銅めっき層とを有する上層の導体回路層をエッチングで形成する際に、その導体回路層を形成する電解銅めっき導体がエッチングで細くなり過ぎることがないので、導体回路の高度の微細化によるプリント配線板の高密度配線を可能にすることができる。
【００１２】
なお、この発明のプリント配線板においては、前記層間樹脂絶縁層の表面を被覆する第２シード層の厚みは、前記貫通孔の内壁面を被覆する前記複合シード層の厚みと等しいかそれよりも薄いと、層間絶縁樹脂層上に形成されるシード層が薄くなるので好ましい。
また、この発明のプリント配線板においては、前記第１シード層はチタンスパッタリング層または、チタンおよび銅スパッタリング層からなるものであると、チタンが層間絶縁樹脂層の貫通孔の内壁面と第１シード層との接着性を高めるため好ましい。
そしてこの発明のプリント配線板においては、前記第１シード層がチタンスパッタリング層または、チタンおよび銅スパッタリング層からなるものである場合に、
前記第１シード層は、前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔の内壁面上と前記下層の導体回路層の表面上とに形成される代わりに、前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔の内壁面上だけに形成され、
前記第２シード層は、前記層間樹脂絶縁層の表面上と前記第１シード層上とに形成される代わりに、前記層間樹脂絶縁層の表面上と、前記第１シード層上と、前記下層の導体回路層の表面上とに形成されると、第２シード層と下層の導体回路層の表面との間にチタンが介在しないためバイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
【００１３】
そして、この発明のプリント配線板においては、前記第１シード層は銅スパッタリング層からなるものであると、第２シード層と下層の導体回路層の表面との間にチタンが介在しないためバイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
また、この発明のプリント配線板においては、前記第１シード層は無電解銅めっき層からなるものであると、これも第２シード層と下層の導体回路層の表面との間にチタンが介在しないためバイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
【００１４】
一方、この発明のプリント配線板の製造方法によれば、ベースフィルムをフィルム状絶縁樹脂から剥離させてから、層間樹脂絶縁層の貫通孔の内壁面と、貫通孔の底部に位置する下層の導体回路の表面と、フィルム状絶縁樹脂の表面との上に銅スパッタリングを施して、貫通孔の内壁面上ではスパッタリング層または無電解銅めっき層とその上の銅スパッタリング層とで複合シード層を形成し、フィルム状絶縁樹脂の表面上では銅スパッタリング層でシード層を形成し、貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上ではスパッタリング層または無電解銅めっき層とその上の銅スパッタリング層とで複合シード層を形成し、フィルム状絶縁樹脂上のシード層上に電解銅めっきを施して導体回路を形成するとともに貫通孔内の複合シード層上に電解銅めっきを施してバイアホールを形成し、そしてその導体回路を形成する電解銅めっき導体間に露出するシード層をエッチングにより除去して上層の導体回路層を形成するので、層間樹脂絶縁層の表面を被覆するシード層の厚みを、貫通孔の内壁面を被覆する複合シード層の厚みよりも薄くすることができ、これにより、上層の導体回路層をエッチングで形成する際に、その導体回路層を形成する電解銅めっき導体がエッチングで細くなり過ぎることがないので、導体回路の高度の微細化によるプリント配線板の高密度配線を可能にすることができる。
【００１５】
なお、この発明のプリント配線板の製造方法においては、
前記第１シード層を形成する工程で、チタンスパッタリングにより第１シード層を形成し、
前記シード層を形成する工程で、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上では、前記複合シード層を形成する代わりに前記第２シード層だけを形成し、
前記バイアホールを形成する工程で、前記貫通孔の底部に位置する下層の導体回路層の表面上では、前記複合シード層上の代りに前記第２シード層上に電解銅めっきを施すこととすると、チタンを介さずにバイアホールの銅めっき層と下層の導体回路層とが電気的に接続されるためバイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態のプリント配線板を製造するための、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法における各工程を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、上記実施形態のプリント配線板を製造するための、上記実施形態のプリント配線板の製造方法における、図１に示す工程後の各工程を模式的示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明の一実施形態のプリント配線板について、図面を参照して詳細に説明する。ここに、図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態のプリント配線板を製造するための、本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法における各工程を模式的に示す断面図であり、図２（ａ）〜（ｅ）は、上記実施形態のプリント配線板を製造するための、上記実施形態のプリント配線板の製造方法における、図１に示す工程後の各工程を模式的示す断面図である。
【００１８】
図２（ｅ）は、この実施形態のプリント配線板のビルドアップ層の一部を示し、このビルドアップ層は、コア基板１の両面（図では片面のみ示す）に設けられた下層の導体回路層２と、その導体回路層２上に積層された層間樹脂絶縁層３と、その層間樹脂絶縁層３上に形成された上層の導体回路層４と、その層間樹脂絶縁層３を貫通してそれら上層の導体回路層４と下層の導体回路層２とを電気的に接続するバイアホール５とを具えている。
【００１９】
ここで、上層の導体回路層４は、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するスパッタリング層からなる第２シード層としてのシード層６と、そのシード層６上に形成された電解銅めっき層７とを有し、バイアホール５は、層間樹脂絶縁層３を貫通する貫通孔８の内壁面を被覆する二層のスパッタリング層である第１シード層および第２シード層からなる複合シード層としてのシード層９と、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路２の表面を被覆する二層のスパッタリング層である第１シード層および第２シード層からなる複合シード層としてのシード層１０と、シード層６上の電解銅めっき層７と一緒にそれらのシード層９，１０上に形成された電解銅めっき層７とを有し、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するシード層６の厚みは、貫通孔８の内壁面を被覆する複合シード層としてのシード層９の厚みよりも薄くされている。
【００２０】
ここにおける層間樹脂絶縁層３の表面を被覆する第２シード層としてのシード層６は、銅スパッタリング層１１からなるものであり、貫通孔８の内壁面を被覆する複合シード層としてのシード層９は、層間樹脂絶縁層３の貫通孔８の内壁面との接着性が高いチタンで形成されたチタンスパッタリング層１２からなる第１シード層とその上の銅スパッタリング層１１からなる第２シード層とで構成された複合シード層である。また、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面を被覆するシード層１０は、シード層９と同様、チタンスパッタリング層１２からなる第１シード層とその上の銅スパッタリング層１１からなる第２シード層とで構成された複合シード層である。
【００２１】
なお、図２（ｅ）に示すプリント配線板は、コア基板１上のビルドアップ層が、１層ずつの層間樹脂絶縁層３と導体回路層４とバイアホール５とを具えるものであるが、ビルドアップ層は、これら層間樹脂絶縁層３と導体回路層４とを交互に複数層ずつ具えるとともに各層間樹脂絶縁層３を貫通するバイアホール５を具えていてもよい。
【００２２】
かかる実施形態のプリント配線板にあっては、貫通孔８の内壁面上に、電解銅めっきを施すのに充分な厚さの複合シード層でシード層９を形成しても、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するシード層６が第２シード層のみから形成されてそのシード層６の厚みが貫通孔８の内壁面を被覆するシード層９の厚みよりも薄いことから、層間絶縁樹脂層３上に形成されるシード層６が厚くなり過ぎることがない。
【００２３】
従って、この実施形態のプリント配線板によれば、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するスパッタリング層からなるシード層６と、そのシード層６上に形成された電解銅めっき層７とを有する上層の導体回路層４を後述の如くエッチングで形成する際に、その導体回路層４を形成する電解銅めっき導体がエッチングで細くなり過ぎることがないので、導体回路の高度の微細化によるプリント配線板の高密度配線を可能にすることができる。
【００２４】
また、この実施形態のプリント配線板によれば、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するシード層６が、銅スパッタリング層１１からなり、貫通孔８の内壁面を被覆するシード層９が、チタンスパッタリング層１２とその上の銅スパッタリング層１１とからなるので、層間樹脂絶縁層３の表面を被覆するシード層６を、チタンスパッタリング層１２がない分、貫通孔８の内壁面を被覆するシード層９より薄くすることができる。
【００２５】
なお、この実施形態のプリント配線板の一変形形態では、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面を被覆するシード層１０を、上記実施形態のようにチタンスパッタリング層１２からなる第１シード層とその上の銅スパッタリング層１１からなる第２シード層とで複合シード層として形成する代わりに、先にチタンスパッタリング層１２を除去してから銅スパッタリングを施すことで、銅スパッタリング層１１からなる第２シード層だけのものとする。このようにすると、電気抵抗が銅よりも高いチタンのスパッタリング層を介さずにバイアホールの銅めっき層と下層の導体回路層とが電気的に接続されて、バイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
【００２６】
次に、上記実施形態のプリント配線板を製造するための、上記実施形態の製造方法について図１，２を参照して説明する。
（１）先ず、コア基板１を準備する。ここでは厚さ６０〜２００μｍの、例えばガラスクロスまたはアライミドクロスにエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド、オレフィン等の絶縁樹脂を浸漬してなる基材、ガラスクロス、アライミドクロス等の芯材を有さない絶縁樹脂からなる基材、あるいは芯材を絶縁樹脂フィルムで挟んだ基材の両面に、１０〜２５μｍの銅箔がラミネートされている銅張積層板を用い、この銅張積層板に例えばレーザーによりスルーホール用貫通孔を形成した後、この銅張積層板の表面およびスルーホール用貫通孔内に無電解めっき処理により無電解銅めっき膜を設ける。
【００２７】
（２）次に、その銅張積層板の両面に所定パターンのめっきレジストを形成し、無電解銅めっき膜を電極とする電解銅めっき処理により、めっきレジストの非形成部に電解銅めっき膜を形成するとともに、スルーホール用貫通孔内に電解銅めっきを充填する。
（３）めっきレジストを剥離し、めっきレジスト下の無電解銅めっき膜および銅箔をエッチングにより除去して、両面に下層の導体回路層２を持つとともに絶縁性基板を貫通してそれら下層の導体回路層２を電気的に接続する図示しないスルーホールを持つコア基板１を形成する。
【００２８】
（４）上記工程を経たコア基板１の両面（図では上向きの面のみ示す）上に、ベースフィルム１３とフィルム状絶縁樹脂３とを積層した厚さ１０〜４０μｍの積層フィルム１４を、温度３０〜２００℃まで昇温しながら平板でプレスして真空圧着ラミネートする（図１（ａ）参照）。ここでベースフィルム１３は、取り扱いの容易な比較的硬質の樹脂からなり、またフィルム状絶縁樹脂３は、例えばエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）、ポリイミド、オレフィン等の絶縁樹脂をフィルム状に形成してなるもので、この積層フィルム１４において、ベースフィルム１３は、フィルム状絶縁樹脂３から引き剥すことができる。なお、フィルム状絶縁樹脂３の表面をベースフィルム１３で覆った積層フィルム１４の代わりに、コア基板１の両面上にフィルム状絶縁樹脂３のみを貼り付けた後、それらのフィルム状絶縁樹脂３の表面上に液インクを印刷塗布してその液インクでフィルム状絶縁樹脂３の表面を覆ってもよい。
【００２９】
（５）次いでＣＯ２ガスレーザーにて、コア基板１の両面上の積層フィルム１４に直径７０〜１２０μｍのバイアホール用貫通孔８を形成する（図１（ｂ）参照）。このとき、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面上には溶け残った樹脂等の残滓１５が存在する場合がある。このためその後、ドライデスミア処理を施して、残滓１５を除去する（図１（ｃ）参照）。
（６）上記処理を終えたコア基板１の両面の積層フィルム１４のベースフィルム１３の表面上と、その積層フィルム１４の貫通孔８の内壁面および、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面上とに、チタンスパッタリングを施してチタンスパッタリング層１２からなる第１シード層を形成する（図１（ｄ）参照）。
【００３０】
（７）次いで、コア基板１の両面の積層フィルム１４におけるフィルム状絶縁樹脂３からベースフィルム１３を引き剥がす。この引き剥がしは、例えば作業員が手で行うことができる。これにより、フィルム状絶縁樹脂３の貫通孔８の内壁面および、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面上にはチタンスパッタリング層１２からなる第１シード層が存在するが、フィルム状絶縁樹脂３の表面上にはチタンスパッタリング層１２からなる第１シード層が存在しない状態となる（図１（ｅ）参照）。なお、フィルム状絶縁樹脂３をベースフィルム１３で覆う代わりに液インクで覆った場合には、この工程で洗浄によりフィルム状絶縁樹脂３の表面上から液インクを除去する。
【００３１】
（８）次に、このコア基板１の両面に積層されたフィルム状絶縁樹脂３の表面上並びに貫通孔８の内壁面および貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面上に、銅スパッタリングを施して銅パッタリング層１１からなる第２シード層を形成する（図２（ａ）参照）。これにより、フィルム状絶縁樹脂３の表面上には、銅パッタリング層１１のみからなる例えば０．２μｍ程度の厚みのシード層６が形成され、その一方、貫通孔８の内壁面上には、チタンスパッタリング層１２とその上の銅パッタリング層１１とからなる例えば０．６μｍ程度の厚みの複合シード層であるシード層９が形成され、また貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面上には、チタンスパッタリング層１２とその上の銅パッタリング層１１とからなる例えば０．８μｍ程度の厚みの複合シード層であるシード層１０が形成される。
【００３２】
なお、上記変形形態のように、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面を被覆するシード層１０を、銅スパッタリング層１１からなる第２シード層だけにする場合には、上記工程（６）の後、上記工程（８）までの間に、貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面を被覆するチタンスパッタリング層１２を例えばレーザーで除去してから、そこに銅スパッタリングを施して銅パッタリング層１１からなる第２シード層を形成する。
【００３３】
（９）その後、コア基板１の両面に積層された層間樹脂絶縁層としてのフィルム状絶縁樹脂３の表面上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、その上にフォトマスクフィルムを載置して感光性ドライフィルムを露光させた後、炭酸ナトリウムで感光性ドライフィルムを現像処理することで、所定導体回路パターンを持つ厚さ１５μｍのめっきレジスト１６を設ける（図２（ｂ））。
（１０）次いで、電解銅めっき処理により、めっきレジスト１６の開口部に露出しているシード層６上に厚さ５〜１０μｍの導体回路層になるように電解銅めっき層７を形成するとともに、貫通孔８内のシード層９，１０上に電解銅めっき層７を形成することでその貫通孔８内に電解銅めっき充填バイアホール７を形成し（図２（ｃ）参照）、その後、このめっきレジスト１６を５％ＮａＯＨで剥離除去する（図２（ｄ）参照）。
【００３４】
（１１）しかる後、めっきレジスト１６を除去したあとに露出した銅スパッタリング層１１からなるシード層６を、硝酸と硫酸と過酸化水素との混合液を用いるエッチングにて溶解除去し、シード層６とその上の電解銅めっき層７とからなる厚さ５〜１０μｍでライン幅Ｌ／スペース幅Ｓ＝１〜１０／１〜１０μｍ、好ましくは３〜１０／３〜１０μｍの上層の導体回路層４と、その上層の導体回路層４と下層の導体回路層２とを電気的に接続する、シード層９，１０と電解銅めっき層７とからなるバイアホール５とを形成する（図２（ｅ）参照）。
【００３５】
（１２）上述のようにすることで、導体回路の高度の微細化による高密度配線を可能にする上記実施形態のプリント配線板を製造することができ、その後、上記（４）〜（１１）の工程を繰返すことで、ビルドアップ層を多層に形成することができ、ひいては高密度配線を可能にする多層プリント配線板を製造することができる。
【００３６】
以上、図示例に基づき説明したが、この発明のプリント配線板およびその製造方法は上述の例に限定されるものでなく、特許請求の範囲の記載の範囲内で適宜変更し得るものであり、例えば上記第１シード層をチタンスパッタリング層１２で形成する代わりに、チタンおよび銅を一緒にターゲットとしたスパッタリングによりチタンおよび銅スパッタリング層で形成してもよく、あるいは上記第１シード層をスパッタリング層でなく無電解銅めっき層で形成してもよく、後者の場合には貫通孔８の底部に位置する下層の導体回路層２の表面を被覆するシード層１０を、その無電解銅めっき層からなる第１シード層とその上の銅スパッタリング層１１からなる第２シード層とで複合シード層として形成することになり、下層の導体回路層２の表面と電解銅めっき層７との間にチタンが介在しないため、バイアホールの電気抵抗が低くなるので好ましい。
【００３７】
さらに、上記実施形態では特に説明していないが、この発明のプリント配線板およびその製造方法では、下層や上層の導体回路層２，４の表面に適宜粗化処理を施して層間樹脂絶縁層や最外層の図示しないソルダーレジスト層との接着性を高めてもよく、また、一方の最外層の導体回路層に半田パッドを設け、その半田パッド上に半田バンプ等を介して半導体素子を搭載して、高密度配線を持ついわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を構成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
かくして本発明のプリント配線板および本発明のプリント配線板の製造方法によれば、層間樹脂絶縁層の表面を被覆するスパッタリング層からなるシード層と、そのシード層上に形成された電解銅めっき層とを有する上層の導体回路層をエッチングで形成する際に、その導体回路層を形成する電解銅めっき導体がエッチングで細くなり過ぎることがないので、導体回路の高度の微細化によるプリント配線板の高密度配線を可能にすることができる。
【符号の説明】
【００３９】
１  コア基板
２  下層の導体回路層
３  層間樹脂絶縁層（フィルム状絶縁樹脂）
４  上層の導体回路層
５  バイアホール
６，９，１０  シード層
７  電解銅めっき層
８  貫通孔
１１  銅スパッタリング層
１２  チタンスパッタリング層
１３  ベースフィルム
１４  積層フィルム
１５  残滓
１６  めっきレジスト
【図１】
2014222733.tif 000003
【図２】
2014222733.tif 000004