(57)【要約】【課題】他の材料や部材との接触面である最表面の弾性率が高いゴム成形体及びその製造方法を提供する。【解決手段】加硫ゴム１０と、少なくとも加硫ゴム１０の最表面に設けられるオスミウム原子を含む膜１１と、を有し、加硫ゴム１０の最表面における厚み方向のヤング率が、加硫ゴム１０の電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の２．０倍以上であることを特徴とする、ゴム成形体１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加硫ゴムと、
少なくとも前記加硫ゴムの最表面に設けられるオスミウム原子を含む膜と、を有し、
前記加硫ゴムの最表面における厚み方向のヤング率が、前記加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の２．０倍以上であることを特徴とする、ゴム成形体。
【請求項２】
前記加硫ゴムの最表面における厚み方向のヤング率が、前記加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の１０倍であることを特徴とする、請求項１に記載のゴム成形体。
【請求項３】
前記オスミウム原子を含む膜が、金属オスミウムからなる膜であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のゴム成形体。
【請求項４】
前記オスミウム原子を含む膜の厚さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のゴム成形体。
【請求項５】
前記オスミウム原子を含む膜が蒸着法によって得られた膜であることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のゴム成形体。
【請求項６】
少なくとも加硫ゴムの最表面にオスミウム原子を含む膜を形成する工程と、
前記加硫ゴムの最表面に形成された前記オスミウム原子を含む膜へ向けて電子線を照射する工程と、を含み、
前記加硫ゴムの最表面における厚み方向のヤング率が、前記加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の２．０倍以上であることを特徴とする、ゴム成形体の製造方法。
【請求項７】
前記加硫ゴムの最表面における厚み方向のヤング率が、前記加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の１０倍であることを特徴とする、請求項６に記載のゴム成形体の製造方法。
【請求項８】
前記オスミウム原子を含む膜が、金属オスミウムからなる膜であることを特徴とする、請求項６又は７のいずれか一項に記載のゴム成形体の製造方法。
【請求項９】
前記オスミウム原子を含む膜の厚さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項６乃至８のいずれか一項に記載のゴム成形体の製造方法。
【請求項１０】
前記オスミウム原子を含む膜が蒸着法によって成膜されることを特徴とする、請求項６乃至９のいずれか一項に記載のゴム成形体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゴム成形体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
工業製品の中に含まれるゴム成形体は、マトリックスとなるポリマーと、当該ポリマーを分子内あるいは分子間で架橋させるための硫黄や加硫促進剤と、当該ポリマーが酸素と反応するのを抑制するための老化防止剤と、を有するゴム組成物から製造される。具体的には、ポリマーと加硫促進剤と老化防止剤とを有するゴム組成物を加熱処理等の架橋処理を施すことによってゴム成形体が製造される。架橋処理を行う際に、ゴム組成物は、所定の位置に架橋点が形成される。この架橋点の形成によって、外部からの力に追従した変形と復元を繰り返すゴム弾性が発現する。
【０００３】
しかし、架橋処理を行うことで得られるゴム成形体において、ゴム成形体を構成するポリマーは分子の運動性が高いため、ゴム成形体に含まれる老化防止剤等の低分子化合物はゴム成形体内に保持しづらくなっている。このため、上記低分子化合物はゴム成形体の表面から染み出すことがある。ここで上記低分子化合物の染み出しはゴム成形体の化学的安定性を損なう要因となっている。またゴム成形体の、特に、その力学特性を鑑みると、ゴム成形体は、他の材料や部材と接触あるいは接合する部材として用いられることが多い。そのため他の材料や部材との接触面あるいは接合面であるゴム成形体の最表面においては、耐摩耗性等の機械的特性を高める必要がある。
【０００４】
これら課題に対して特許文献１には、ゴム成形体の表面に紫外線を照射する方法が提案されている。この方法によれば、紫外線に晒されているゴム成形体の最表面において、ゴム成形体を構成するポリマーはラジカル反応を起こしゴム弾性率の高い硬化膜が生成し、この硬化膜がポリマーの分子運動性を低下させる。これによりゴム成形体の最表面から低分子化合物の染み出しを抑制している。
【０００５】
しかし、特許文献１の方法、即ち、ゴム成形体の表面に紫外線を照射する方法では、硬化処理が施された後のゴム成形体が空気中の酸素と接触することがある。この接触により、ゴム成形体を構成するポリマーの酸化反応が必要以上に進行する結果、ゴム成形体が有するゴム弾性特性が低下するため機械的安定性が損なわれる。またゴム成形体を構成するポリマーの酸化反応により、ゴム成形体の架橋点密度が低下するので、結果的に低分子化合物の染み出し抑制効果が低減されることになる。
【０００６】
この課題を解決する方法として、特許文献２に示された方法が提案されている。具体的には、ゴム成形体の最表面に他の高分子化合物膜を保護膜として付与し、ゴム成形体を直接酸素に暴露させない方法である。これによりゴム弾性特性の低下の原因となる酸化反応を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−２５７７２３号公報
【特許文献２】特開昭６０−３００１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献２にて提案された方法では、ゴム成形体の表面に付与される保護膜を構成する高分子化合物の酸化反応が発生・進行することがある。この酸化反応は、保護膜を構成する高分子化合物が、酸素が存在する環境に暴露されていることによって起こるラジカル反応である。このラジカル反応によって発生した保護膜中に残留しているラジカルは近接するゴム成形体を酸化させる。従って、特許文献２にて提案されている方法ではゴム成形体を保護しきれずにゴム成形体が有する弾性率は低下してしまう。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、他の材料や部材との接触面である最表面の弾性率が高いゴム成形体及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のゴム成形体は、加硫ゴムと、
少なくとも前記加硫ゴムの最表面に設けられるオスミウム原子を含む膜と、を有し、
前記加硫ゴムの最表面における厚み方向のヤング率が、前記加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の２．０倍以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、他の材料や部材との接触面である最表面の弾性率が高いゴム成形体及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明のゴム成形体における実施形態の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明のゴム成形体を構成するオスミウム原子を含む膜の成膜態様の例を示す断面模式図である。
【図３】ゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフであり、（ａ）は、実施例１で作製したゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフであり、（ｂ）は、比較例１で作製したゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフである。
【図４】ゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図であり、（ａ）は、実施例１で作製したゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図であり、（ｂ）は、比較例１で作製したゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明のゴム成形体は、加硫ゴムと、少なくともこの加硫ゴムの最表面に設けられるオスミウム原子を含む膜と、を有している。
【００１４】
以下、図面を適宜参照しながら本発明について詳細に説明する。図１は、本発明のゴム成形体における実施形態の例を示す断面模式図である。図１のゴム成形体１は、加硫ゴム１０と、この加硫ゴム１０の所定の一面に設けられているオスミウム原子を含む膜１１と、を有している。
【００１５】
［加硫ゴム］
図１のゴム成形体１において、加硫ゴム１０は、少なくともポリマーと、架橋材と、老化防止剤と、を有するゴム組成物を加硫することによって得られるゴム材料である。
【００１６】
ゴム組成物に含まれるポリマーとして、例えば、ニトリルブタジエンゴム、ブタジエンゴム等の電子線照射によって架橋するジエン系のポリマーが用いられる。
【００１７】
ゴム組成物に含まれる架橋材として、例えば、硫黄、テトラメチルチウラムジスルフィドに代表されるチウラム系加硫促進剤、２−メルカプトベンゾチアゾールに代表されるチアゾール系加硫促進剤等が挙げられる。
【００１８】
ゴム組成物に含まれる老化防止剤として、例えば、３，５−ジ−ｔ−ブチルヒドロキノンや４，４’−チオビス（２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール）に代表されるフェノール系酸化防止剤等が挙げられる。
【００１９】
この他、ゴム組成物には、カーボンブラック、シリカ等の補強性充填剤を添加剤として含ませてもよい。
【００２０】
ゴム組成物の加硫の具体的な方法としては、公知の加硫方法を採用することができる。
【００２１】
図１のゴム成形体１を構成する加硫ゴム１０の形状は、特に限定されないが、シート状、円柱状、球状等が挙げられる。
【００２２】
加硫ゴム１０の形状がシート状である場合、加硫ゴムの厚さは特に限定されないが、例えば、１００μｍ乃至２ｍｍの範囲である。
【００２３】
［オスミウム原子を含む膜］
図１のゴム成形体１において、オスミウム原子を含む膜１１は、オスミウム金属からなる膜又はオスミウム化合物からなる膜である。
【００２４】
オスミウム原子を含む膜１１がオスミウム金属からなる膜である場合、膜１１の態様として、例えば、オスミウム金属を薄膜状にしたものが挙げられるが、膜１１の表面に存在するオスミウムが酸化されているオスミウム金属膜もオスミウム金属からなる膜に含まれる。
【００２５】
発明者は、電子線を照射することにより表面を硬化したゴム成形体を対象に、成形体自体の弾性率が低下する原因を調べた。その結果、硬化処理後のゴム成形体の表面では、ゴム成形体を構成するポリマーの酸化反応が起こっており、大気中の保管したときにこの酸化反応が経時的に進行していることを確認した。ポリマーの酸化反応は、ポリマー分子鎖の切断を引き起こし、ゴムの弾性率を低下させることが一般に知られている。従って、硬化処理後のゴム成形体の弾性率低下を抑制するためには、ゴム成形体の最表面が空気中の酸素に触れないように処理を行う必要がある。
【００２６】
一方で、ゴム成形体の弾性率を向上させるには、架橋反応を誘発するに十分なエネルギーを有する電子線をゴム成形体に照射させる必要がある。従って、ゴム成形体の最表面に設ける部材としては、電子線のエネルギー損失をできるだけ抑える部材である必要がある。
【００２７】
上記二つの要件を満たす手段を検討した結果、酸素を透過させない程度に緻密かつ外部からのエネルギー損失を極力抑制した薄い膜をゴム成形体の最表面に付与するのが適当であることが判明した。また発明者は、酸素を透過させない程度に緻密であって電子線をある程度透過させる薄い膜を形成するための材料としてオスミウムが適切であるとの結論に至った。
【００２８】
オスミウム原子を含む膜１１は、少なくとも加硫ゴム１０の所定の一面に設けられているが、加硫ゴム１０が有する面のうち２面以上についてオスミウム原子を含む膜１１を設けてもよい。図２は、本発明のゴム成形体を構成するオスミウム原子を含む膜の成膜態様の例を示す断面模式図である。オスミウム原子を含む膜１１は、図２（ａ）乃至（ｃ）に示されるように、少なくとも加硫ゴム１０の所定の一面に成膜される。ここでオスミウム原子を含む膜１１が設けられている加硫ゴム１０の所定の一面とは、加硫ゴム１０の最表面に該当する面である。また加硫ゴム１０の最表面とは、加硫ゴム１０を工業製品の一部材として組み入れたときに外気に触れかつ他の部材・材料と接触する面をいう。本発明において、オスミウム原子を含む膜１１は、少なくとも加硫ゴム１０の最表面に成膜されるがこれに限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）に示されるように、他の面（加硫ゴム１０の側面）の一部や、図２（ｃ）に示されるように、他の面（加硫ゴム１０の側面）の全面にオスミウム原子を含む膜１１を設けてもよい。
【００２９】
［ゴム成形体の製造方法］
次に、本発明のゴム成形体の製造方法について説明する。本発明のゴム成形体の製造方法は、少なくとも以下に示す工程（Ａ）及び（Ｂ）を有する。
（Ａ）加硫ゴムの最表面にオスミウム原子を含む膜を形成する工程
（Ｂ）加硫ゴムの最表面に形成されたオスミウム原子を含む膜へ向けて電子線を照射する工程
【００３０】
（オスミウム原子を含む膜を形成する工程）
加硫ゴムの最表面にオスミウム原子を含む膜を形成する方法としては、蒸着法が挙げられる。蒸着法により加硫ゴムの少なくとも最表面にオスミウム原子を含む膜を成膜する際には、加硫ゴムを真空層中に静置し、オスミウム蒸気を所定時間導入して、加硫ゴムの最表面に蒸着させることにより行う。
【００３１】
本工程にて加硫ゴムの最表面に成膜されるオスミウム原子を含む膜は、加硫ゴムの最表面を酸素から遮断し、かつ加硫ゴムの最表面の機械的及び化学的機能を長時間保全させるために設けられる。このため、オスミウム原子を含む膜は、緻密な膜であることが望ましい。オスミウム原子を含む膜を緻密な膜として成膜する方法として、好ましくは、蒸着法である。
【００３２】
本工程にて加硫ゴムに成膜されるオスミウム原子を含む膜は、少なくとも加硫ゴムの最表面に設けられる。ただし、加硫ゴムの形状が薄いシート状である場合、オスミウム原子を含む膜は、図２（ｂ）及び（ｃ）に示されるように、加硫ゴム１０の最表面１０ａだけでなく加硫ゴム１０の側面１０ｂの一部あるいは側面１０ｂの全面にわたって設けるのが好ましい。例えば、加硫ゴム１０の厚さが１００μｍのシート状である場合、図２（ｃ）に示されるように、加硫ゴム１０の側面１０ｂの全面にわたって設けるのが好ましい。
【００３３】
また次の工程（電子線の照射工程）で電子線を、オスミウム原子を含む膜を通過させた上で加硫ゴムの最表面に照射するため、本工程にて加硫ゴムに成膜されるオスミウム原子を含む膜は、電子線が所望のエネルギーを加硫ゴムに供給できる程度の厚みで形成するのが好ましい。本工程にて加硫ゴムに成膜されるオスミウム原子を含む膜の厚みは、好ましくは、１０ｎｍ以下である。ただし本工程よりも高いエネルギーを電子線によって加硫ゴムに供給する場合、オスミウム原子を含む膜の厚みを１０ｎｍよりも厚くしてもよい。
【００３４】
（電子線の照射工程）
オスミウム原子を含む膜を成膜した後、電子線を加硫ゴムの最表面に照射する。電子線を照射することで、電子線が照射される部位では、加硫ゴムを構成するポリマーについて電子線が照射されることで発生するラジカルによる分子間架橋反応が発生する。これにより、電子線が照射される部位においてはゴム成形体の弾性率（ヤング率）が大きくなる。
【００３５】
ただし、電子線が照射されることで発生するラジカルは酸素とも反応する。このラジカルと酸素との反応によって発生する酸化物は、ゴム成形体の弾性率（ヤング率）を小さくする要因になる。そこで本発明では、電子線が照射される部位である加硫ゴムの最表面について酸素を遮断するためのオスミウム原子を含む膜が成膜されている。このため本工程において電子線が照射される部位（加硫ゴムの最表面）では酸化反応が抑えられ架橋反応が優先的に進行する。
【００３６】
また本発明では、加硫ゴムの最表面における酸化及び各種線源への損傷を抑制するため、本工程については、酸素濃度が低減された環境下で行うのが望ましい。例えば、減圧環境下にして酸素濃度が低減された環境や窒素置換して酸素を極力追い出した環境下で本工程を行うのが望ましい。
【００３７】
本発明において、加硫ゴムの最表面に照射される電子線のエネルギー量は、電子線の照射装置に印加する加速電圧に依存する。ここで電子線の照射装置に印加する加速電圧は、好ましくは、７０ｋＶ乃至３００ｋＶである。ここで加速電圧が７０ｋＶ未満だと加硫ゴムが降下しない場合がある。一方、加速電圧が３００ｋＶを超えると、電子線の照射装置から放射線が発生し、この放射線によって加硫ゴムを構成するポリマーが劣化することがある。
【００３８】
尚、本発明においては、本工程（電子線の照射工程）において、加硫ゴムの最表面を硬化させれば十分であるので、電子線のエネルギーを加硫ゴムの最表面を硬化させるのに十分なエネルギー量に制御すればよい。またエネルギー量に大きな差がなければ、本工程において、電子線に代えて紫外線を加硫ゴムの最表面に照射してもよい。
【００３９】
［ゴム成形体］
以上の工程を経て得られるゴム成形体は、成形体を構成する加硫ゴムの最表面の弾性率（ヤング率）が、電子線が届いていない加硫ゴムの内部と比較して大きくなっている。本発明において、加硫ゴム１０の最表面における厚み方向のヤング率は、加硫ゴムの電子線に照射されていない部位における厚み方向のヤング率の２．０倍以上である。より好ましくは、１０倍である。
【００４０】
尚、加硫ゴム１０の厚み方向のヤング率は、ＡＦＭ等を用いて評価することができる。また本発明において、電子線が届いていない加硫ゴムの内部とは、電子線の照射前と照射後において厚み方向のヤング率があまり変化していない領域であり、ゴム成形体の形状によって異なるが、例えば、加硫ゴム１０の最表面から１００μｍ以上離れた領域をいう。
【実施例】
【００４１】
［実施例１］
以下に説明する製造プロセスに基づいて、少なくとも最表面にオスミウム原子を含む膜を有するゴム成形体を作製した。
【００４２】
（１）加硫ゴムの作製工程
まず以下に示される材料を、加圧式ニーダー内に投入した後、１５分間混練して混練物を調製した。
・ベースポリマー：アクリロニトリルブタジエンゴム（ＪＳＲ株式会社製、Ｎ２３０ＳＶ、アクリロニトリル含量３５重量％）：１００重量部
・ステアリン酸亜鉛：１重量部
・酸化亜鉛：５重量部
【００４３】
次に、上記混練物に、ＴＢｚＴＤ（テトラベンジルチウラムジスルフィド、加硫促進剤）４．５重量部及び硫黄１．２重量部を加えた。
【００４４】
次に、オープンロールを用いて、加圧式ニーダー内に投入した材料を１５分間混練することで未加硫のゴム組成物を調製した。
【００４５】
次に、調製したゴム組成物を一対のステンレス板に挟み込んで厚さ２ｍｍのシート状とした。次に、シート状のゴム組成物を、１６０℃で２０分間加熱して加硫を行うことでシート状の加硫ゴムを得た。
【００４６】
（２）オスミウム原子を含む膜の形成工程
次に、オスミウムコーター（メイワフォーシス株式会社製、商品名：Ｎｅｏｃ−ＳＴＢ）を用いて、（１）にて作製した加硫ゴムの少なくとも最表面（電子線が照射される面）にオスミウム金属膜（オスミウム原子を含む膜）を成膜した。具体的には、上記オスミウムコーター内に、四酸化オスミウム蒸気を真空中でプラズマ放電することにより生成した微粒子状の金属オスミウムを、オスミウムコーター内に静置した加硫ゴムの少なくとも最表面に蒸着することによりオスミウム金属膜を成膜した。このときオスミウム金属膜の膜厚を２．５ｎｍとした。
【００４７】
（３）電子線照射工程
次に、加硫ゴムのオスミウム金属膜（オスミウム原子を含む膜）が設けられている面に向けて電子線を照射した。具体的には、電子線照射装置（岩崎電気株式会社製）を用いて、最大加速電圧を１５０ｋＶに、最大電子電流を４０ｍＡにそれぞれ設定した上で、装置内を窒素ガスでパージしながら、加硫ゴムのオスミウム金属膜が設けられている面に向けて電子線を５秒照射した。尚、電子線照射時において装置内の酸素濃度は約３００ｐｐｍとした。以上の工程により、少なくとも最表面にオスミウム金属膜（オスミウム原子を含む膜）が設けられているゴム成形体を得た。
【００４８】
［比較例１］
実施例１において、実施例１（２）の工程（オスミウム原子を含む膜の形成工程）を省略したことを除いては、実施例１と同様の方法によりゴム成形体を得た。
【００４９】
［ゴム成形体の評価］
得られたゴム成形体について、以下の測定・評価を行った。
【００５０】
（１）ゴム成形体の弾性率（ヤング率）の評価
得られたゴム成形体について、電子線の照射面から内部にかけての厚み方向の弾性率（ヤング率）を、以下に示す方法にて評価した。
【００５１】
クライオミクロトーム（ライカ社製、商品名：ＦＣ６）を用いて、ゴム成形体自体の温度環境を−１１０℃にし、ゴム成形体を切断した。この切断により平滑なゴム成形体の断面を得た。次に、上記断面に対して原子間力顕微鏡（ＳＩＩナノテクノロジー社製、商品名：Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて所定点の引張弾性率（ヤング率）を測定した。
【００５２】
図３は、ゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフであり、（ａ）は、実施例１で作製したゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフであり、（ｂ）は、比較例１で作製したゴム成形体の厚み方向におけるヤング率を示すグラフである。
【００５３】
図３（ａ）より、実施例１のゴム成形体において、オスミウム原子を含む膜に接する部位（深さ０μｍ）のヤング率は、電子線が到達していないと考えられる部位（深さ１００μｍ近辺）のヤング率の少なくとも２倍であることがわかった。また図３（ａ）より、実施例１のゴム成形体は、深さが０μｍから１０μｍの範囲においては、厚み方向のヤング率（弾性率）が上昇傾向にあり、深さが１０μｍにおいて厚み方向のヤング率（弾性率）が最大（極大）であることが示された。
【００５４】
一方、比較例１のゴム成形体は図３（ｂ）に示されるように、深さが０μｍから１０μｍの範囲においては、厚み方向のヤング率（弾性率）が上昇傾向にあり、深さが１０μｍにおいて厚み方向のヤング率（弾性率）が最大（極大）であることが示された。しかし、実施例１と異なり、深さが０μｍにおけるヤング率は、電子線が到達していないと考えられる部位（深さ１００μｍ近辺）のヤング率とほぼ等しかった（図３（ｂ））。
【００５５】
（２）ゴム成形体の最表面の化学構造の評価
全反射型赤外吸収分光法（ＡＴＲ−ＩＲ法）を用いて、得られたゴム成形体の最表面の化学構造を評価した。具体的には、ＡＴＲ結晶（ダイアモンド）上にゴム成形体を設置した後、赤外吸収分光装置（Ａｇｉｌｅｎｔ社製ＦＴＳ−７０００）を用いて、４０００ｃｍ-1から６００ｃｍ-1の波数範囲で赤外吸収スペクトルを測定した。
【００５６】
図４は、ゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図であり、（ａ）は、実施例１で作製したゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図であり、（ｂ）は、比較例１で作製したゴム成形体の赤外吸収スペクトルを示す図である。尚、赤外吸収スペクトルの測定の際には、電子線を照射してから１週間経過後のゴム成形体について測定を行った。
【００５７】
図４より、実施例１のゴム成形体（図４（ａ））では、１７００ｃｍ-1近傍のカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）の伸縮振動に相当するピークが明確に現れなかった。このため、実施例１のゴム成形体は、最表面においてベースポリマー（アクリロニトリルブタジエンゴム）の酸化反応が抑制されていることが示された。一方、比較例１のゴム成形体（図４（ｂ））では、１７００ｃｍ-1近傍のカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）の伸縮振動に相当するピークが明確に現れていた。このため、比較例１のゴム成形体は、最表面においてベースポリマー（アクリロニトリルブタジエンゴム）の酸化反応が進行していることが示された。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明のゴム成形体は、例えば、帯電ローラの構成部材として用いることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１：ゴム成形体、１０：加硫ゴム、１１：膜（オスミウム原子を含む膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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