(57)【要約】【課題】１Ｄレイアウトによるパターンの形成に際し、レジストパターンの剥がれを抑えるのに有利なパターンの形成方法を提供する。【解決手段】基板上のある層３にパターンを形成するパターン形成方法であって、層３上に、ラインアンドスペースパターンを形成する第１工程と、ラインアンドスペースパターンにレジストを塗布して、スペース部分にレジストを充填する第２工程と、レジストに対してパターンを露光し、露光されたレジストを現像することにより、スペース部分にレジストパターン８を形成する第３工程と、ラインアンドスペースパターンのライン部分５´とレジストパターン８とを合わせたパターンをマスクとして層にパターンを形成する第４工程とを含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上のある層にパターンを形成するパターン形成方法であって、
前記層上に、ラインアンドスペースパターンを形成する第１工程と、
前記ラインアンドスペースパターンにレジストを塗布して、スペース部分に前記レジストを充填する第２工程と、
前記レジストに対してパターンを露光し、露光された前記レジストを現像することにより、前記スペース部分にレジストパターンを形成する第３工程と、
前記ラインアンドスペースパターンのライン部分と前記レジストパターンとを合わせたパターンをマスクとして前記層にパターンを形成する第４工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記第２工程の後、塗布された前記レジストに対して平坦化を行う平坦化工程を有することを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
前記平坦化工程では、塗布された前記レジストに対してエッチバックを行うことにより平坦化を行うことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記ラインアンドスペースパターンは、直線状のラインが複数並んだパターンであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記スペース部分に充填された前記レジストの高さは、前記ライン部分の高さ以下であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記パターンが形成される前記層の厚さを、前記層の下の層の光の反射率に基づいて調整することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載のパターン形成方法を用いて基板上にパターンを形成する工程と、
前記工程により前記パターンが形成された基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンの形成方法およびそれを用いた物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
物品としての半導体デバイスの微細化に伴い、設計パターンがウエハ上に転写される忠実度が年々低下し、これまでの２次元形状のパターン形成では対応が難しくなってきている。これに対応するために、１方向に延びる線状のパターンだけで設計パターンを構成する１Ｄレイアウトが採用されている。非特許文献１は、この１Ｄレイアウトによるパターン形成方法について記載している。図１４は、この１Ｄレイアウトによるパターン形成方法にて形成される、Ｌ／Ｓ（ラインアンドスペース）パターン１００およびカットパターン（レジストパターン）１０２の形状を示す概略平面図である。このパターン形成方法によれば、まず、チップ全体にＬ／Ｓパターン１００を形成する。そして、スペース部分の所々を複数のレジストパターン１０２を用いて切断するように、下の層にＬ／Ｓパターン１００とレジストパターン１０２とを合成したパターン１０１を形成することができる。
【０００３】
このようなパターンの形成には、露光装置に代表されるリソグラフィー装置が用いられる。露光装置は、半導体デバイスや液晶表示デバイスなどの製造工程に含まれるリソグラフィープロセスにおいて、原版（レチクル、マスクなど）のパターンを投影光学系を介して感光性の基板（表面にレジスト層が形成されたウエハなど）に転写する装置である。この露光装置は、Ｌ／Ｓを形成する際には、解像できる範囲で、原版に形成されているパターンの像をウエハ上に転写する。特に、現在の露光装置では、プロセス係数を０．２５、光源にＡｒＦレーザーを用いたとしての波長１９３ｎｍ、および最高ＮＡ（開口数）を１．３５とすると、そのＬ／Ｓの解像限界は、０．２５×（１９３／１．３５）＝３６ｎｍ  Ｌ／Ｓである。しかしながら、現在の先端デバイスの製造に対応するためには、３０ｎｍ  Ｌ／Ｓ以下のサイズが要求されている。そこで、３６ｎｍ  Ｌ／Ｓより微細なＬ／Ｓを形成するために、近年、例えば酸化膜からなるサイドウォールの形成工程、およびその除去工程を含むパターンの形成方法が用いられている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】M. Smayling, and V.Axelrad “32nm and below Logic Patterning usingOptimized Illumination and Double Patterning”, Proc. of SPIE, Vol. 7274, 72740K-1 -72740K-8, 2009.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のようにサイドウォールを用いたパターンの形成方法は、デバイス製造工程における、主にゲート工程とメタル工程とに適用され得る。このうち、メタル工程における従来の形成方法では、カットパターン１０１は、残しパターンとなる。ここで、１Ｄレイアウトは、２０ｎｍ  ｎｏｄｅ以降で本格的に採用される可能性があるが、例えば、１６ｎｍ  ｎｏｄｅでは、そのパターンサイズは、３２×５０ｎｍとなる。このとき、レジスト膜厚は、５０〜１００ｎｍに設定される。しかしながら、この状態では、パターンアスペクトが１を超えていること、また設置面積（形成面積）が従来のパターンより狭いことなどから、すでに形成されたレジストパターンが現像時に剥がれる可能性がある。
【０００６】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、１Ｄレイアウトによるパターンの形成に際し、レジストパターンの剥がれを抑えるのに有利なパターンの形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、基板上のある層にパターンを形成するパターン形成方法であって、層上に、ラインアンドスペースパターンを形成する第１工程と、ラインアンドスペースパターンにレジストを塗布して、スペース部分にレジストを充填する第２工程と、レジストに対してパターンを露光し、露光されたレジストを現像することにより、スペース部分にレジストパターンを形成する第３工程と、ラインアンドスペースパターンのライン部分とレジストパターンとを合わせたパターンをマスクとして層にパターンを形成する第４工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、１Ｄレイアウトによるパターンの形成に際し、レジストパターンの剥がれを抑えるのに有利なパターンの形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態におけるＳＷ形成までの形成工程を示す図である。
【図２】Ｃｕ層形成後の状態を示す図である。
【図３】従来のレジストパターンの形成方法による形成工程を示す図である。
【図４】一実施形態におけるレジスト膜塗布から平坦化までの工程を示す図である。
【図５】遮光部が形成されたマスクパターンが転写された状態を示す図である。
【図６】図５のマスクパターンをマスクとして現像された後の状態を示す図である。
【図７】反射率の計算に適用される構造体を示す図である。
【図８】入射角０°での反射率の計算結果を示す等高線図である。
【図９】入射角５２°での反射率の計算結果を示す等高線図である。
【図１０】レジストとＳＷとの間における光の通過状態を示す図である。
【図１１】光の入射角と反射率との関係を示すグラフである。
【図１２】バリア膜および層間膜への各パターン形成工程を示す図である。
【図１３】レジストエッチバック後のレジストの埋め込み状態を示す図である。
【図１４】１Ｄレイアウトによるパターン形成を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１１】
まず、本発明の一実施形態に係るパターンの形成方法について、各形成工程を時系列で説明する。ここで、本実施形態に係るパターンの形成方法は、例えば半導体デバイスなどの物品の製造に用いられるものであり、いわゆる１Ｄレイアウトを採用し、パターン形成工程中に、特にサイドウォール（ＳＷ：以下で詳説する）の形成工程および除去工程を含む。また、このパターンの形成方法は、現在、光露光技術（リソグラフィープロセス）で限界といわれるＮＡ＝１．３５で形成されるＬ／Ｓ（ラインアンドスペース）の和（ピッチ）＝７２ｎｍ以下のパターニングに用いられるものとする。具体的には、一般的にライン幅Ｌ＝スペース幅Ｓと設定されることが多いことに鑑みて、スペース幅Ｓで決まるレジストパターンの一辺が３６ｎｍ以下の微細な寸法に対応する。以下、一例として、Ｌ／Ｓ＝２０／２０ｎｍで特定のパターンを形成するものとして説明する。なお、本実施形態でいうラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓパターン）は、直線状のライン（ライン部分）が複数並んだパターンであり、そのライン形状（延設される平面に対する形状）は、直線でもよいし、曲線や、一定の角度で傾いた線分が連続する線などをも含み得る。
【００１２】
図１は、本実施形態に係るパターンの形成方法のうち、ＳＷ形成までの工程を時系列で示す概略断面図である。ここで、１Ｄレイアウトは、ゲート工程とメタル工程とに適用され得るが、本実施形態では、特にメタル工程に適用するものとすると、メタル工程でのメタル材料としては、例えばＣｕが用いられる。この場合、Ｃｕ層は、エッチングの難易度が高いため、一般的にダマシンと呼ばれるプロセスで形成される。このプロセスは、層間膜に溝を形成し、その中にＣｕをメッキで埋めた後、層間膜の上面より上に形成されているＣｕをＣＭＰ（化学機械研磨）で除去するものである。図２は、このプロセスで形成されたＣｕ埋め込み後の最終状態を示す概略平面図である。通常、メタル工程は、多層形成であるため、このようなプロセスを繰り返す。以下、図１に示すように、基板上に形成された下地層１上には層間膜２が形成され、さらに層間膜２上にはバリア膜３が形成されている構造を例とする。このうち、下地層１は、上記メタル工程の前工程で形成された層、またはその前のメタル工程で形成された層である。層間膜２は、ダマシンプロセスでＣｕ配線を形成するために用いられる膜（層）であり、例えば酸化膜で形成される。バリア膜３は、その上層と下層とのダマシンプロセスを行う上で、相互に影響を与えないために用いられる膜（層）であり、材料としては、ＳｉＯＮ、ＳｉＣなどが用いられる。
【００１３】
まず、図１（ａ）に示すように、バリア膜３上（層上）には、露光装置（リソグラフィー装置）などを用いて、例えば、解像限界よりも大きいＬ／Ｓ＝２０／６０ｎｍでレジストパターン（レジスト４）を形成する。なお、このＬ／Ｓ値は、同じピッチのＬ／Ｓ＝４０／４０ｎｍよりもリソグラフィーの難易度が高いため、例えば、４０ｎｍ  Ｌ／Ｓを形成した後に酸素プラズマなどでレジスト４を等方的にエッチングすることで、Ｌ／Ｓ＝２０／６０ｎｍを達成させてもよい。次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターンが形成されているバリア膜３（レジスト４も含む）上には、スピンコート、ＣＶＤまたはスパッタリングなどの手法により酸化膜５が形成される。このとき、レジスト４の側面に形成された酸化膜５の部分（ＳＷ５´）をサイドウォールという。酸化膜５の成膜は、等方的に行われるので、ＳＷ５´の幅は、レジスト４の上面に形成される酸化膜５の膜厚に等しい。すなわち、ＳＷ５´の幅は、形成するライン幅Ｌ（ここでは２０ｎｍ）となる。なお、ここではバリア膜３およびレジスト４の上面に形成される膜を酸化膜としているが、例えば炭化膜（カーボン層）や窒化膜などでもよい。次に、図１（ｃ）に示すように、酸化膜５が異方性エッチングされて、レジスト４の側面に接する酸化膜５のみが残り、その後、図１（ｄ）に示すように、レジスト４が酸素プラズマで除去される。これにより、２０ｎｍ  Ｌ／ＳのＳＷ５´（Ｌ／Ｓパターン）が形成される（第１工程）。
【００１４】
次に、バリア膜３に形成するＬ／Ｓパターンのスペース部分に対応するパターンの所々を切断するためのカットパターンを形成する。ここで、まず比較のために、従来のレジストパターンの形成方法を説明する。図３は、従来のレジストパターンの形成方法のうち、露光前のレジストパターン形成および転写カットパターン形成から、レジスト異方性エッチングまでの工程を時系列で示す概略断面図である。なお、図３（ａ）から図３（ｃ）までの各図では、それぞれ、上図が断面図であり、下図が平面図である。また、比較の簡単化のために、図３では、本実施形態に係る他の図面にあるものと同一構成のものには同一の符号を付す。まず、図３（ａ）に示すように、図１（ｄ）に示す工程を経てＳＷ５´が形成された後、その表面上には、ＢＡＲＣ（反射防止膜）６が塗布され、溝の埋め込みとＢＡＲＣ６の表面の平坦化とが行われる。その後、ＢＡＲＣ６の表面上には、レジストが塗布され、所望の切断位置のパターンをマスクとして切断位置にレジストパターン（カットパターン）７が形成される。この図３（ａ）からわかるとおり、このとき形成されたレジストパターン７は、残しパターンとなる。また、このレジストパターン７のＳＷ５´と直交する方向の寸法は、図３（ｂ）に示す図３（ａ）の一部を拡大した図を参照すると、スペース幅Ｓとその両側のライン幅Ｌの半分の幅との和となっている。これは、パターニングの寸法に対して重ね合わせ誤差が発生しても、レジストパターン７が所定のスペース部分を確実に覆い、隣のスペース部分にかからないようにするためである。なお、レジストパターン７のＳＷ５´のＬ／Ｓ方向の寸法は、そのまま所望の幅となっている。次に、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン７をマスクとして、ＢＡＲＣが異方性エッチングされる。その結果、ＳＷ５´とパターニングされたレジストパターン７とがバリア膜３上に形成される。ＳＷ５´とパターニングされたレジストパターン７とを合わせたパターンは、バリア膜３のエッチングマスクとなり、バリア膜３や層間膜２に線が所々カットされたパターン（図３（ｃ）に示す斜線部分のパターン）が形成される。
【００１５】
ここで、従来のレジストパターンの形成方法では、上記のように、図３（ａ）に示す段階のレジストパターン７は、残しパターンとなる。この状態では、背景技術で触れたように、現像時にレジストパターン７が剥がれる可能性がある。そこで、本実施形態では、上記の図３を参照して説明した形成工程に換えて、以下のような形成工程とすることで、レジストパターン７の剥がれを抑える。
【００１６】
図４は、本実施形態に係るレジストパターンの形成方法のうち、レジスト膜の塗布から平坦化（エッチバック）までの工程を時系列で示す概略断面図である。まず、図４（ａ）に示すように、図１（ｄ）に示す工程を経てＳＷ５´が形成された後、その表面上には、ＢＡＲＣではなくレジスト８が塗布される。これにより、ＳＷ５´のスペース部分にはレジスト８が充填されることになる（第２工程）。次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト８の表面が平坦化され、レジスト８の高さがＳＷ５´（ライン部分）の高さの近辺となるように調整される（平坦化工程）。ここで、平坦化の方法としては、レジスト８がポジ型の場合、弱い全面露光を行い現像する方法、酸素プラズマなどでエッチングを行う方法、またはＣＭＰを適用する方法などがある。
【００１７】
図５は、切断位置に遮光部が形成されたマスク（レチクル）パターンが基板上に転写された状態を示す概略断面図である。図５（ａ）に示すように、図４（ｂ）に示す工程を経て形成されたＳＷ５´およびレジスト上には、露光装置により、線状のスペース部分の所々を切断する位置に、マスクパターンが投影されたパターン９が露光され、レジストに潜像が形成される（第３工程）。図５（ｂ）は、図５（ａ）中の１つのパターン９に着目した概略斜視図である。パターンの線幅は、スペース幅以上となる。
【００１８】
図６は、露光されたレジストが現像された後の状態を示す概略断面図である。なお、図６（ａ）および図６（ｂ）は、それぞれ、図５（ａ）および図５（ｂ）に対応している。本実施形態では、図６（ａ）に示すように、パターン９にかからないスペースの部分にあるレジスト８のみが、現像によって残る（第４工程）。したがって、この露光および現像後に残存するレジストパターン（レジスト８）は、図６（ｂ）に示すようにその両側のＳＷ５´に接し支えられているので、現像した後に残るレジストパターンの剥がれが発生しにくい。
【００１９】
上記のとおり、従来のパターンの形成方法ではＢＡＲＣを用いていたのに対して、本実施形態では用いていない。ここで、本実施形態においてＢＡＲＣを用いなくてもよい理由について説明する。従来、パターンの形成にＢＡＲＣを利用するのは、下層からの反射の低減と、露光時のレジスト表面の凹凸の低減とのためである。具体的には、前者は、不要な反射光を低減することで、より精度の高いレジストパターンを形成するためであり、後者は、パターニングのデフォーカスを軽減するためである。
【００２０】
まず、下層からの反射に関して説明する。レジストへの露光光の反射は、バリア膜とＳＷとからが想定される。まず、バリア膜での反射について、バリア膜にＳｉＯＮを用いた場合の反射防止機能を考える。なお、ＳｉＯＮの屈折率（複素屈折率）は、１．９０−０．５０ｉである。パターニングに寄与する回折光は、様々な入射角を有するが、この入射角は、露光装置のＮＡで決定する角度が最大であり、例えば、ＮＡ＝１．３５の場合、レジスト中では５２°である。そこで、ここでは、回折光の代表として最小入射角０°（垂直）と最大入射角５２°との場合の反射率を計算する。図７は、この場合の反射率の計算に適用される構造体を示す概略断面図である。Ｃｕ配線構造は、多層構造であり、その多層度で下層の構成は変わるが、ここでは、メタル工程前の構造は、下地層（Ｓｉ層）、層間膜、およびバリア膜とする。なお、反射に関しては最下層の影響が小さいので、下地層をＳｉ層で代表しても以下の結果の差は小さい。そして、バリア膜上には、レジスト、液浸露光時の水、および露光装置を構成する投影光学系のレンズが存在する。図８は、入射角０°で、層間膜の膜厚とバリア膜の膜厚とを変数とした場合の反射率の計算結果を示す等高線図（ｃｏｎｔｏｕｒマップ）である。この図８を参照すると、例えば、バリア膜を８０ｎｍ以上に設定すれば、その下層である層間膜の膜厚に依存せず、反射率が４％以下となる。図９は、入射角５２°で、層間膜の膜厚とバリア膜の膜厚とを変数とした場合の反射率の計算結果を示す等高線図である。特に、図９（ａ）は、Ｐ偏光の場合を示し、図９（ｂ）は、Ｓ偏光の場合を示している。図９（ａ）と図９（ｂ）とを比較し参照すると、Ｓ偏光の反射率の方が高いが、例えば、バリア膜を１００ｎｍ以上に設定すれば、その下層である層間膜の膜厚に依存せず、反射率が１０％以下となる。反射率は、入射角が大きくなるにつれて大きくなるが、１０％以下であれば、露光装置による転写上、許容範囲である。
【００２１】
次に、ＳＷでの反射について、露光光は、レジストとＳＷとの交互構造を通過する。図１０は、ＳＷ５´からレジスト４に向かう光と、レジスト４からＳＷ５´に向かう光とに関し、最も入射角が大きい場合の通過状態を示す概略断面図である。図１０に示すレジスト４とＳＷ５´とでの光の角度は、最高ＮＡを１．３５とし、ＳＷ５´（酸化膜）の屈折率が１．５６、レジスト４の屈折率が１．７２−０．０２ｉであるので、（屈折率）×ｓｉｎθ＝１．３５の関係から、それぞれ５２°、６０°となる。なお、ここで考慮する反射屈折は、バリア膜３での反射状態と方向が９０°異なるため、入射角は、９０°−θであり、それぞれ３８°、３０°となる。図１１は、この場合の入射角と反射率との関係を示すグラフである。特に、図１１（ａ）は、ＳＷ５´からレジスト４に向かう光に関してのものであり、一方、図１１（ｂ）は、レジスト４からＳＷ５´に向かう光に関してのものである。図１１（ａ）および図１１（ｂ）を参照すると、入射角が３８°、３０°では、反射率は、ともにほぼゼロである。これに対して、図１１（ａ）では、入射角８０°の辺り、一方、図１１（ｂ）では、入射角６０°の辺りから、それぞれ反射率が高くなる。しかしながら、露光装置による結像では、このような光も存在するが、微細パターンでは、投影光学系の投影レンズから出射する回折光のレジスト表面への入射角は大きく、すなわちここで考慮すべき９０°回転している入射角は小さい。その結果、結像に重要な光は、レジスト４とＳＷ５´とからなる層中ではほとんど反射せず、一方、結像にあまり寄与しない一部の光が複雑な経路をたどるが、ＳＷ５´での反射はほとんど無視できる。すなわち、光は、屈折で曲がるが、最終的なレジスト４中での角度は、レジスト４を構成する物質の屈折率だけで決まるので、パターンで決まる回折光の角度で結像することになる。
【００２２】
一方、パターニングのデフォーカスに関しては、本実施形態では、上記のとおりレジストエッチバックによりレジスト８の表面高さがＳＷ５´とほぼ同じとなるため（図４（ｂ）参照）、ＢＡＲＣなしでも低減される。
【００２３】
図１２は、本実施形態に係るレジストパターンの形成方法のうち、バリア膜３および層間膜２への各パターン形成工程を時系列で示す概略断面図である。まず、図１２（ａ）に示すように、図６（ｂ）に示す工程を経て形成されたレジストパターン（レジスト８）とＳＷ５´とをマスクとして、バリア膜異方性エッチングにより、Ｌ／Ｓとカットパターンとの合成パターンがバリア膜３に形成される。そして、図１２（ｂ）に示すように、このバリア膜パターンをマスクとして、層間膜異方性エッチングにより、最終的に層間膜２に所望のパターンが形成されることになる。
【００２４】
このように、従来のレジストパターンの形成方法では、レジストの埋め込みを、ホール形状のパターンに対して実施していたのに対して、本実施形態では、Ｌ／Ｓのスペースの部分のすべてにレジストを埋め込み、そのレジストとＳＷとからなる層を露光する。これにより、形成されるレジストパターンは、単なる残しパターンではなく、ＳＷに支持された状態のパターンとなる。したがって、パターンサイズやレジスト膜厚の制約により、パターンアスペクトが１を超え、また設置面積（形成面積）が従来のパターンよりも狭いものとなる場合でも、形成されたレジストパターンの現像時の剥がれを極力抑えることができる。そして、本実施形態に係るレジストパターンの形成方法では、ＢＡＲＣを使用しないが、レジストとＳＷとの屈折率が近く、またメタル工程では層間膜上のバリア膜の膜厚を調整することにより反射防止機能を持たせることで対応可能となる。
【００２５】
以上のように、本実施形態によれば、１Ｄレイアウトによるパターンの形成に際し、レジストパターンの剥がれを抑えるのに有利なレジストパターンの形成方法を提供することができる。
【００２６】
なお、図４（ｂ）に示すレジスト８の平坦化工程において、エッチバックしたレジスト８の高さ（膜厚）は、ＳＷ５´の高さと同一となることが理想である。しかしながら、いずれのエッチバック技術によってもエッチバック量に誤差は生じるため、厳密には、ＳＷ５´の高さよりも高めまたは低めとなり得る。図１３は、この状態を説明するための概略図（断面図および斜視図）である。特に、図１３（ａ）は、参考のためにレジスト８とＳＷ５´との高さが同一の場合を示し、図１３（ｂ）は、レジスト８の高さがＳＷ５´の高さよりも高めとなる場合を示し、図１３（ｃ）は、レジスト８の高さがＳＷ５´の高さよりも低めとなる場合を示している。まず、図１３（ｂ）に示すようにレジスト８の高さが高めである場合、ＳＷ５´に挟まれたレジスト８は、ＳＷ５´と同一幅を有しているが、その上部には、ＳＷ５´の上部にかかり、マスクパターンで決まるレジストパターン８´が形成される。この量が過大であれば、レジスト８に剥がれが生じる可能性はあるが、本実施形態ではエッチバックを行っているので、影響し得るＳＷ５´上部のレジスト部分が従来の形成方法よりもはるかに小さくなり、剥がれの可能性を極力抑えることができる。一方、図１３（ｃ）に示すようにレジスト８の高さが低めである場合、まず、レジスト８全体がＳＷ５´に挟まれていることについてはレジスト８の高さがＳＷ５´の高さと同一の場合と同じであり、レジスト８に剥がれが生じる可能性は低い。これとは別に、レジスト８の高さが低めである場合には、エッチングのマスクとして機能するに十分な高さであるかが重要となる。これについては、通常、ＳＷ５´の高さは、バリア膜３のエッチングに十分な膜厚に設定されているので、この高さで決まるレジスト８の高さも十分なエッチング耐性を有している。したがって、現状のレジスト８の高さを考慮し、ある程度エッチバックを過大としても特に影響はない。
【００２７】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子など）、またはデバイスを構成し得る物品としての中間製造物の製造方法は、上述のパターンの形成方法を用いて基板上（ウエハ、ガラスプレートなど）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該製造方法は、パターンを形成された基板をエッチングする工程を含み得る。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００２９】
３      バリア膜
４      レジスト
５´    サイドウォール
８      レジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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