(57)【要約】      （修正有）【課題】輝度視野角の低下を防ぎ、且つ良好なコントラスト特性を有する表示装置を提供する。【解決手段】光を放射するバックライト１５０の前面に配置され、開閉動作により前記バックライトから表示画面側に放射される光量を制御する複数のＭＥＭＳシャッターが配置されたＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０と、前記バックライトと前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板との間に配置されたアパーチャープレート１４０とを有し、前記アパーチャープレートは、前記ＭＥＭＳシャッターの配置された位置に対応して開口部１３４が形成され、前記バックライト側から光反射層１４２と反射抑制層１４５とが順に積層された構造を有する遮光層１４７を有し、前記反射抑制層は、前記表示画面側から入射される光の一部を反射し、一部を透過させる導電性を有する半透過反射層と、前記半透過反射層を透過した光の位相及び振幅を調整する透光性を有する位相制御層とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射するバックライトの前面に配置され、開閉動作により前記バックライトから表示画面側に放射される光量を制御する複数のＭＥＭＳシャッターが配置されたＭＥＭＳシャッターアレイ基板と、
前記バックライトと前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板との間に配置されたアパーチャープレートと、を有し、
前記アパーチャープレートは、
前記ＭＥＭＳシャッターの配置された位置に対応して開口部が形成され、前記バックライト側から光反射層と反射抑制層とが順に積層された構造を有する遮光層を有し、
前記反射抑制層は、
前記表示画面側から入射される光の一部を反射し、一部を透過させる導電性を有する半透過反射層と、前記半透過反射層を透過した光の位相及び振幅を調整する透光性を有する位相制御層と、を備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記半透過反射層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの合金や窒化物のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記位相制御層は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、又はＩＺＯのいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記半透過反射層と、前記ＭＥＭＳシャッターとが電気的に接続され、同電位であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板と、前記アパーチャープレートとの間の空間に、空気の屈折率よりも高い屈折率を有する透明流体を封入することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記透明流体の屈折率が、１．３以上、１．５以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記位相制御層上に配置された前記半透過反射層上に、透明な保護層をさらに配置することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記保護層が、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、又はＩＺＯのいずれかからなることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記半透過反射層の厚さは、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記反射抑制層が、前記ＭＥＭＳシャッターの観察者側の表面上及び前記ＭＥＭＳシャッターに電位を供給する制御電極線の観察者側の表面上にさらに配置されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記遮光層は、全て導電性の材料から構成されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記表示画面側から入射される光の反射率が２％未満であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記遮光層と同様の機能を有する外光反射抑制層が、前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板の前記ＭＥＭＳシャッターの前記観察者側であって、かつ、前記バックライトから放射される光が通過する際に障害とならない位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
光を放射するバックライトの前面に配置され、開閉動作により前記バックライトから表示画面側に放射される光量を制御する複数のＭＥＭＳシャッターが配置されたＭＥＭＳシャッターアレイと、
前記バックライトと前記ＭＥＭＳシャッターアレイとの間に配置された遮光層と、を有し、
前記遮光層は、ＭＥＭＳシャッターの配置された位置に対応して開口部が形成され、前記バックライト側から光反射層と反射抑制層とが順に積層された構造を有し、
前記反射抑制層は、前記表示画面側から入射される光の一部を反射し、一部を透過させる導電性を有する半透過反射層と、前記半透過反射層を透過した光の位相及び振幅を調整する透光性を有する位相制御層と、を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メカニカルシャッターを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したメカニカルシャッター（以下「ＭＥＭＳシャッター」、或いは単に「シャッター」という。）を用いた表示装置が注目されてきている。ＭＥＭＳシャッターを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッターを、ＴＦＴを用いて高速で開閉することによってシャッターを透過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である。ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式を採用し、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトからの光を順次切り替えることにより、画像の表示を行うことが主流である。よって、ＭＥＭＳ表示装置は、液晶表示装置に用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶表示装置と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍、消費電力は１／２以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴がある。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ表示装置の構成について、以下、図１３乃至図１６を参照して説明する。図１３は、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０の概略構成を示す斜視図であり、図１４は、アパーチャープレート１４０の概略構成を示す斜視図である。図１５及び図１６は、従来のＭＥＭＳ表示装置２００の概略構成を示す断面図である。
【０００４】
図１３に図示したように、ＭＥＭＳシャッター１３０ａは、ガラス基板等の透光性を有する基板１１１上に形成される。基板１１１上には、ＭＥＭＳシャッター１３０ａを駆動するためのＴＦＴ及び端子を有するＴＦＴ回路層１２０が形成され、このＴＦＴ及び端子を覆うパッシベーション膜（絶縁膜）上に、端子と電気的に接続されるＭＥＭＳシャッター１３０ａが形成される。なお、説明の便宜上、図１３には一つのＭＥＭＳシャッター１３０ａを示しているが、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０は、複数のＭＥＭＳシャッター１３０ａがマトリクス状に配置されて構成される。
【０００５】
図１３に図示したＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０は、図１４に図示したアパーチャープレート１４０と、スペーサ１１５やシール材等を介して接合され、図１５及び図１６に図示したＭＥＭＳ表示装置２００を構成する。アパーチャープレート１４０は、図１４に図示したように、ガラス基板等の透光性を有する基板１４１上に、遮光層（アパーチャー層）１４７と、遮光層１４７を一部除去して形成された複数の開口部１４７ｋとを有して構成される。
【０００６】
ＭＥＭＳシャッター１３０ａは、シャッター１３１が複数の開口部１３４を有しており、シャッター１３１の位置を高速駆動により変化させることにより、開口部１３４を透過した光１６２が観察者１８０の目に視認されるように構成される。図１５に図示したように、ＭＥＭＳシャッター１３０ａが開状態の場合、バックライト１５０からの光１６１は、遮光層１４７の開口部１４７ｋを透過した後、シャッター１３１の開口部１３４を透過して観察者１８０の目に視認される。遮光層１４７は、図１５及び図１６に図示したように、バックライト１５０側から光反射層１４２と光吸収層１４９とが積層された構成を有する。光反射層１４２は、光源１５１から出射された光１６１をバックライト１５０内で再反射させることにより輝度を上昇させ、光吸収層１４９は、ＭＥＭＳ表示装置２００のコントラストの低下を防ぐために、バックライト１５０からの光１６１を遮光しつつ、表示装置の内部で反射された不要な光１６５、１６７の出射を抑えるように構成される。
【０００７】
このような遮光層１４７には、従来、バックライト１５０側の光反射層１４２を反射率の高いＡｇやＡｌ等の金属層から構成し、観察者１８０側の光吸収層１４９を、反射率の低いＣｒ、Ｍｏ、Ｗ及びこれらの合金からなる金属層により構成するものがある（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特表２０１１−４３８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、遮光層１４７の光吸収層１４９を上述したようなＣｒ、Ｍｏ、Ｗ及びこれらの合金等により構成しても、その反射率が数十％はあるため、図１６に図示したように、外光１６４またはシャッター１３１に入射して反射された光１６６が光吸収層１４９に入射すると、数十％が光吸収層１４９により反射され、観察者１８０側へ向かうこととなるため、表示画像のコントラスト比低下やそれに伴う色純度の低下など、画質劣化という問題を生じる。
【００１０】
また、光吸収層１４９に、例えば光吸収性の樹脂層を用いる場合には、反射率を数％と低くすることができるが、光吸収層１４９の厚さを１μｍ程度に厚く形成する必要がある。図１５に例示したように、光吸収層１４９の厚さが厚くなると、バックライト１５０から出射し、斜め方向に進む光１６３の一部が光吸収層１４９で吸収されるため、輝度の視野角特性が狭くなるという問題を生じる。また、この場合には光吸収層１４９が導電性を有さないため、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付き、動作不良を生じるという問題がある。
【００１１】
そこで、本発明は上述した問題を鑑みてなされてものであり、光の反射率が低く、且つ、厚さの薄い遮光層１４７を備えるアパーチャープレートを実現することにより、コントラスト比が高く、視野角の広いＭＥＭ方式の表示装置を実現することを目的とする。さらに静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付き、動作不良となることを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施形態に係る表示装置は、光を放射するバックライトの前面に配置され、開閉動作により前記バックライトから表示画面側に放射される光量を制御する複数のＭＥＭＳシャッターが配置されたＭＥＭＳシャッターアレイ基板と、前記バックライトと前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板との間に配置されたアパーチャープレートと、を有し、前記アパーチャープレートは、前記ＭＥＭＳシャッターの配置された位置に対応して開口部が形成され、前記バックライト側から光反射層と反射抑制層とが順に積層された構造を有する遮光層を有し、前記反射抑制層は、前記表示画面側から入射される光の一部を反射し、一部を透過させる導電性を有する半透過反射層と、前記半透過反射層を透過した光の位相及び振幅を調整する透光性を有する位相制御層と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
前記半透過反射層は、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、またはこれらの合金やＴｉＮなどの窒化物のいずれかであってもよい。また、前記位相制御層は、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、又はＩＺＯのいずれかであってもよい。
【００１４】
前記半透過反射層と、前記ＭＥＭＳシャッターとが電気的に接続され、同電位であってもよい。
【００１５】
前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板と、前記アパーチャープレートとの間の空間に、空気の屈折率よりも高い屈折率を有する透明流体を封入してもよい。前記透明流体の屈折率は、１．３以上、１．５以下であってもよい。
【００１６】
前記位相制御層上に配置された前記半透過反射層上に、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＩＴＯ、又はＩＺＯのいずれかからなる保護層をさらに配置してもよい。
【００１７】
前記半透過反射層の厚さは、１０ｎｍ以下であってもよい。
【００１８】
前記反射抑制層は、前記ＭＥＭＳシャッターの観察者側の表面上と、前記ＭＥＭＳシャッターに電位を供給する制御電極線の観察者側の表面上にさらに配置されてもよい。
【００１９】
前記遮光層は、全て導電性の材料から構成されてもよい。
【００２０】
前記表示画面側から入射される光の反射率は２％未満であってもよい。
【００２１】
前記遮光層と同様の機能を有する外光反射抑制層が、前記ＭＥＭＳシャッターアレイ基板の前記ＭＥＭＳシャッターの前記観察者側であって、かつ、前記バックライトから放射される光が通過する際に障害とならない位置に配置されてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の一実施形態によれば、光の反射率が低く、且つ、厚さの薄い遮光層１４７を備えるアパーチャープレートを実現することにより、コントラスト比が高く、視野角の広いＭＥＭ方式の表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る表示装置を示す図であり、（ａ）は、表示装置の斜視図であり、（ｂ）は、表示装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置の回路ブロック図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図５】本発明の第1の実施形態に係る表示装置におけるアパーチャープレートの構成を説明するための図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る表示装置におけるアパーチャープレートの分光反射率を示すグラフである。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る表示装置に用いる透明流体の屈折率と反射率との関係を示すグラフである。
【図８】本発明の第３の実施形態に係る表示装置におけるアパーチャープレートの構成を説明するための図である。
【図９】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１０】本発明の第５の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１１】本発明の第６の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１２】本発明の第７の実施形態に係る表示装置の構成例を示す断面図である。
【図１３】表示装置に用いるＭＥＭＳシャッターアレイ基板の概略構成を示す斜視図である。
【図１４】表示装置に用いるアパーチャープレートの概略構成を示す斜視図である。
【図１５】従来のＭＥＭＳ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図１６】従来のＭＥＭＳ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しながら、本発明の表示装置の実施形態について説明する。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。
【００２５】
図１（ａ）及び（ｂ）に本発明の一実施形態に係る表示装置１００を示す。図１（ａ）は、表示装置１００の斜視図であり、（ｂ）は、表示装置１００の平面図である。本実施形態に係る表示装置１００は、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０及びアパーチャープレート１４０を有している。ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０は、表示部１０１ａ、駆動回路１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄ、並びに端子部１０１ｅを有している。ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０とアパーチャープレート１４０とは、スペーサ１１５によって一定のギャップを保ち、シール材等を用いて接合される。
【００２６】
図２に本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図を示す。図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１０３から画像信号及び制御信号が供給される。また、図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１０３によって制御されるバックライト１５０から光が供給される。なお、コントローラ１０３及びバックライト１５０を含んで本発明の表示装置１００を構成するようにしてもよい。
【００２７】
図２に示すとおり、表示部１０１ａは、ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）とデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）との交点に対応する位置に、マトリクス状に配置されたＭＥＭＳシャッター１３０ａ、スイッチング素子（ＴＦＴ）１０４、及び保持容量１０５を有する画素１０６を有している。駆動回路１０１ｂ、１０１ｃは、データドライバであり、スイッチング素子１０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。駆動回路１０１ｄは、ゲートドライバであり、スイッチング素子１０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、図１に示すように、データドライバである駆動回路１０１ｂ、１０１ｃが、表示部１０１ａを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。スイッチング素子１０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッター１３０ａを駆動する。
【００２８】
ここで、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの構成について、図１３及び図１４を参照し、さらに詳細に説明する。ＭＥＭＳシャッター１３０ａは、シャッター１３１、第１バネ１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ、１３６ｄ、第２バネ１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃ、１３７ｄ、及びアンカー部１３８ａ、１３８ｂ、１３８ｃ、１３８ｄ、１３９ａ、１３９ｂを有している。シャッター１３１は複数の開口部１３４を有しており、シャッター１３１本体は遮光部となる。尚、第１バネ１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ、１３６ｄ及び第２バネ１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃ、１３７ｄは後述するように、制御電極としても機能するものである。表示装置１００は、上述した従来のＭＥＭＳ表示装置２００と同様に、アパーチャープレート１４０の背面から供給されてアパーチャープレート１４０の開口部１４７ｋを透過する光が、シャッター１３１の開口部１３４を透過し、観察者１８０の目に視認されるように構成される。なお、本実施形態に示すＭＥＭＳシャッター１３０ａは、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッターの一例に過ぎず、スイッチング素子で駆動することのできるＭＥＭＳシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
【００２９】
シャッター１３１の一方の側は、第１バネ１３６ａ、１３６ｂを介してアンカー部１３８ａ、１３８ｂに接続されている。アンカー部１３８ａ、１３８ｂは、第１バネ１３６ａ、１３６ｂとともに、シャッター１３１をＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０を構成する透明基板１１１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部１３８ａは第１バネ１３６ａと電気的に接続されており、且つ、アンカー部１３８ｂは第１バネ１３６ｂと電気的に接続されている。アンカー部１３８ａ、１３８ｂには、スイッチング素子１０４からバイアス電位が供給され、第１バネ１３６ａ、１３６ｂにバイアス電位が供給される。また、第２バネ１３７ａ、１３７ｂは、アンカー部１３９ａに電気的に接続されている。アンカー部１３９ａは、第２バネ１３７ａ、１３７ｂをＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０を構成する透明基板１１１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部１３９ａには、グランド電位が供給され、第２バネ１３７ａ、１３７ｂにグランド電位が供給される。尚、アンカー部１３９ａには、上記グランド電位の替りに所定の電位を供給する構成でもよい。（以下の説明でのグランド電位でも同様である。）
【００３０】
また、シャッター１３１の他方の側は、第１バネ１３６ｃ、１３６ｄを介してアンカー部１３８ｃ、１３８ｄに接続されている。アンカー部１３８ｃ、１３８ｄは、第１バネ１３６ｃ、１３６ｄとともに、シャッター１３１をＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０を構成する透明基板１１１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部１３８ｃは第１バネ１３６ｃと電気的に接続されており、且つ、アンカー部１３８ｄは第１バネ１３６ｄと電気的に接続されている。アンカー部１３８ｃ、１３８ｄには、スイッチング素子１０４からバイアス電位が供給され、第１バネ１３６ｃ、１３６ｄにバイアス電位が供給される。また、第２バネ１３７ｃ、１３７ｄは、アンカー部１３９ｂに電気的に接続されている。アンカー部１３９ｂは、第２バネ１３７ｃ、１３７ｄをＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０を構成する透明基板１１１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。アンカー部１３９ｂは第２バネ１３７ｃ、１３７ｄと電気的に接続されている。アンカー部１３９ｂには、グランド電位が供給され、第２バネ１３７ｃ、１３７ｄにグランド電位が供給される。
【００３１】
上述したように、本実施形態においては、スイッチング素子１０４からアンカー部１３８ａ、１３８ｂにバイアス電位が供給され、第１バネ１３６ａ、１３６ｂにバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部１３９ａには、グランド電位が供給され、第２バネ１３７ａ、１３７ｂにグランド電位が供給される。第１バネ１３６ａ、１３６ｂと第２バネ１３７ａ、１３７ｂとの間の電位差により、第１バネ１３６ａと第２バネ１３７ａとが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ１３６ｂと第２バネ１３７ｂとが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター１３１が移動する。
【００３２】
また、同様に、スイッチング素子１０４からアンカー部１３８ｃ、１３８ｄにバイアス電位が供給され、第１バネ１３６ｃ、１３６ｄにバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部１３９ｂには、グランド電位が供給され、第２バネ１３７ｃ、１３７ｄにグランド電位が供給される。第１バネ１３６ｃ、１３６ｄと第２バネ１３７ｃ、１３７ｄとの間の電位差により、第１バネ１３６ｃと第２バネ１３７ｃとが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ１３６ｄと第２バネ１３７ｄとが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッター１３１が移動する。
【００３３】
このようにシャッター１３１を静電力により駆動させることにより、シャッター１３１を高速動作させることが可能となる。従って、表示装置１００は、シャッター１３１の位置を高速駆動により変化させて開口部１３４を透過する光の量を制御することにより、階調表示が可能となる。また、バックライト１５０から放射される光をＲ、Ｇ、Ｂ三色の順次駆動（フィールド・シーケンシャル駆動）とすることにより、カラー表示をすることも可能となる。この場合、液晶表示装置で必要な偏光板やカラーフィルタが不要となるので、バックライト１５０の光を減衰させることなく利用することも可能となる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、シャッター１３１の両側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置した例について説明したが、本発明の表示装置１００はこの構成に限定されるものではない。例えば、シャッター１３１の一方側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置し、シャッター１３１の他方側には第１バネ及びアンカー部のみを接続し配置し、他方側の第１バネ及びアンカー部はシャッターを基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッター１３１の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッター１３１を動作させるようにしてもよい。
【００３５】
（第１の実施形態）
以下、図３乃至図５を参照し、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の構成及びその製造方法について説明する。
【００３６】
図３及び図４は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１００の構成を示す断面図である。図３は、表示装置１００のＭＥＭＳシャッター１３０ａが閉状態である場合を示し、図４は、表示装置１００のＭＥＭＳシャッター１３０ａが開状態である場合を示す。図５は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置１００におけるアパーチャープレート１４０の構成を説明するための図である。図３及び図４に図示したように、表示装置１００は、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０、アパーチャープレート１４０、及びバックライト１５０を備える。
【００３７】
バックライト１５０は、光源１５１、導光板１５２、反射シート１５３、及びプリズムシートや拡散シートなどの光学シート１５４を備える。図３及び図４に図示したように、光源１５１は、導光板１５２の側面に隣接して配置され、光源１５１から出射された光が導光板１５２の内部で反射・拡散された後、アパーチャープレート１４０に向かって放射される。光源１５１からの光を有効利用するために、導光板１５２の表面上にはプリズムシートや拡散シートなどの光学シート１５４が配置され、導光板１５２の底面側には反射シート１５３が配置される。光源１５１としては、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトを用いて順次駆動させてもよい。なお、バックライト１５０は、図示したエッジライト方式に限らず、仕様に応じて多様な形態に変更し得る。
【００３８】
光源１５１から発せられた光は、導光板１５２および光学シート１５４を通じてアパーチャープレート１４０に向かう。アパーチャープレート１４０の光反射層１４２で反射された光は再びバックライト１５０に戻り、バックライト１５０の構成部材で反射されて再利用される。シャッター１３１がバックライト１５０からの光を透過させる開状態の場合、遮光層１４７の開口部１４７ｋ及びシャッター１３１の開口部１３４を通った光（例えば光１６２，１６８）は人間の目に明るい画素として認識される。一方、シャッター１３１が閉状態の場合、遮光層１４７の開口部１４７ｋを通った光はシャッター１３１によって遮られるため、人間の目には暗い画素として認識される。このようなシャッター１３１の開閉動作を高速に切り替えて表示画面側に放射される光量を制御することにより、人間の目に画像として認識させることが可能となる。
【００３９】
ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０は、図３及び図４に図示したように、アパーチャープレート１４０及びバックライト１５０の前面に配置され、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０側が表示画面側となるように表示装置１００が構成される。ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０は、透光性を有するガラス基板等の基板１１１上に配置されたＴＦＴ回路層１２０及びＴＦＴ回路層１２０上に配置された複数のＭＥＭＳシャッター１３０ａを含む。
【００４０】
ＴＦＴ回路層１２０は、複数のＭＥＭＳシャッター１３０ａのそれぞれに対応して形成される複数のＴＦＴや制御電極線１２１を備え、複数のＴＦＴは、それぞれ半導体層、ソース電極、ゲート電極、ドレイン電極を含む。図示していないが、半導体層とゲート電極の間にはゲート絶縁膜が形成され、制御電極線１２１は層間絶縁膜によって絶縁性が保たれる。また、ＴＦＴ回路層１２０の表面上には保護膜が形成されて絶縁性が保たれる。なお、ゲート絶縁膜、層間絶縁膜、及び保護膜は、絶縁性及び透光性を有するものを用いる。
【００４１】
ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０の表面上には、複数のＭＥＭＳシャッター１３０ａがマトリクス状に配置され、ＴＦＴ回路層１２０の複数のＴＦＴは、保護膜上に形成された複数のＭＥＭＳシャッター１３０ａとそれぞれ接続される。上述したように、ＭＥＭＳシャッター１３０ａは、シャッター１３１及び複数の制御電極（図１３に図示した第１バネ１３６ａ、１３６ｂ、１３６ｃ、１３６ｄ及び第２バネ１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃ、１３７ｄ）がＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０を構成する透明基板１１１の表面から浮遊した状態に形成される。シャッター１３１及び複数の制御電極はそれぞれが対応するＴＦＴに接続された制御電極線１２１から電位を供給され、その電位差によりシャッター１３１が駆動され、シャッター１３１の位置が変化することによって開口部１３４を透過する光の量が制御されるように構成される。
【００４２】
アパーチャープレート１４０は、図３及び図４に図示したように、透光性を有する基板１４１上に、光反射層１４２及び半透過反射層１４４と位相制御層１４３を含む反射抑制層１４５が順に積層された構造を有する遮光層１４７を備え、遮光層１４７は、遮光層１４７を一部除去することにより形成される複数の開口部１４７ｋを有する。シャッター１３１を適切に動作させた際、バックライト１５０から出射された光が、複数の開口部１４７ｋ及びシャッター１３１に形成された複数の開口部１３４を共に透過するように、複数の開口部１４７ｋは、複数の開口部１３４にそれぞれ対応する位置に形成される。
【００４３】
以下、図４および図５を用いてより詳細に遮光層１４７について説明する。半透過反射層１４４は、導電性を有し、且つ、入射する光の一部を反射し、一部を透過する。半透過反射層１４４は、アルミニウム(Ａｌ)、タングステン(Ｗ)、モリブデン(Ｍｏ)、クロム(Ｃｒ)、チタン（Ｔｉ）やこれらの合金、またはＴｉＮなどの窒化物からなり、入射する光の一部が透過されるように、厚さを１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下に薄く成膜されることが望ましい。また、反射率を低く抑えるために、Ａｌのような反射率が高い材料ではなく、反射率の低い、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ或いはこれらの合金、またはＴｉＮなどの窒化物などの材料を用いて形成することが望ましい。
【００４４】
位相制御層１４３は、観察者１８０側から遮光層１４７へ入射する光のうち、半透過反射層１４４で反射した光と、半透過反射層１４４を透過して光反射層１４２で反射し、再び半透過反射層１４４を透過した光とが相殺するように、半透過反射層１４４を透過した光の位相や振幅を、調整し、制御するための層である。位相制御層１４３は、少なくとも可視光に対し透明な材料を用いる。例えば、位相制御層１４３には、ＳｉＯｘやＳｉＮｘなどの透明な誘電体、またはＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電体を用いることができる。
位相制御層の厚さｔｐｃはその屈折率をｎｐｃ、光の波長をλとすると、ｔｐｃ＝λ／（４ｎｐｃ）程度にすれば良い。例えば、視感度の高い波長５５０ｎｍに着目すると、位相制御層の屈折率として１．４〜２．２を想定すると、その厚さｔｐｃは概ね６０〜１００ｎｍとすれば良い。尚、実際には可視波長範囲（３８０〜７８０ｎｍ程度）における反射率の波長依存性や、半透過反射層１４４の厚さ及び材質や、光反射層１４２の材質等を考慮して最適な膜厚を選択すれば良い。いずれにしても半透過反射層１４４と位相制御層１４３とからなる反射抑制層１４５の厚さは１１０ｎｍ以下に形成することが可能であり、より望ましくは１００ｎｍ未満に形成される。
【００４５】
光反射層１４２は、反射率の高い金属層から構成する。例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、あるいはこれらの合金を用いることができる。光反射層１４２は、観察者１８０側から入射する光のうち半透過反射層１４４及び位相制御層１４３を透過した光を反射する。
【００４６】
このように半透過反射層１４４と位相制御層１４３を含む反射抑制層１４５及び光反射層１４２からなる遮光層１４７を形成することにより、本発明の第１の実施形態に係る遮光層１４７によれば、反射抑制層１４５側から遮光層１４７に入射される光の反射率を、２％未満の低い反射率とすることが可能となる。
【００４７】
すなわち、図３に図示したように、観察者１８０側から外光１６４が遮光層１４７に入射した場合や、バックライト１５０側からシャッター１３０に入射して反射された光１６６が遮光層１４７に入射した場合に、一部は半透過反射層１４４により反射され、一部は半透過反射層１４４及び位相制御層１４３を透過した後、光反射層１４２により反射されるところ、位相制御層１４３を透過した光は位相や振幅が制御される。そして、位相制御層１４３を透過して位相や振幅が制御された光と、半透過反射層１４４により反射される光とは、光干渉を利用して相殺させることが可能となり、最終的に遮光層１４７の反射率を２％未満の低い反射率とすることが可能となる。従って、本発明の第１の実施形態によれば、不要な光の出射を抑えることが可能となるため、良好なコントラスト特性を得ることのできる表示装置１００を提供できる。
【００４８】
さらに、遮光層１４７は、基板１４１と光反射層１４２との間に形成された誘電体多層膜からなる増反射層１４６を含んでもよい。増反射層１４６は、公知の技術を用いて形成したものであればよく、例えば、高屈折率と低屈折率の２種類の層を交互に積層したものを用いてもよい。具体的には、光の波長をλ、層の屈折率をｎとしたときに、λ／（４ｎ）の厚さとなるように、高屈折率と低屈折率の層を積層すれば良い。また、層の数を増やすことで所定の波長における反射率をより高めることができるが、コスト及び波長帯域の広さを考慮すると、２層または４層がよい。このとき、低屈折率層としてはＳｉＯｘを用いることができ、高屈折率層としてはＳｉＮｘ，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ５などを用いることができる。具体的な構成としては、例えば、以下の表１に示す構成が考えられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４９】
【表１】
2014081416.tif 000003
【００５０】
半透過反射層１４４は、ＭＥＭＳシャッター１３０ａと対向する遮光層１４７の最上部にあたり、導電性を有するため、例えば、図３及び図４に図示した導電体１３３を用いてシャッター１３１と半透過反射層１４４とを電気的に接続して同電位にすることにより、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付き、動作不良となることを防ぐことができる。
【００５１】
以上のような構成を有するアパーチャープレート１４０の遮光層１４７によれば、上述したように、観察者１８０側から入射する光の反射率を２％未満の低い反射率とすることができるため、表示装置１００におけるコントラスト比の低下を防止することができる。
【００５２】
また、本実施形態に係る遮光層１４７によれば、反射抑制層１４５の厚さを１１０ｎｍ以下と薄くできるため、図４に図示したように、バックライト１５０から出射されて斜め方向に進む光１６３が反射抑制層１４５で吸収されることを抑制することができ、輝度及び視野角の低下を防ぐことができる。
【００５３】
さらに、遮光層１４７の最上部にあたる半透過反射層１４４が導電性を有していることから、シャッター１３１と半透過反射層１４４とを同電位にすることにより、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付き、動作不良となることを防ぐことができる。
【００５４】
従って、本発明の第１の実施形態によれば、アパーチャープレート１４０の遮光層１４７を、バックライト１５０側から順に、光反射層１４２と、位相制御層１４３及び半透過反射層１４４を備える反射抑制層１４５とを積層した構成とすることにより、輝度や視野角の低下を防ぎ、且つ良好なコントラスト特性を有する表示装置１００を実現することができる。
【００５５】
（第２の実施形態）
次に、図６及び図７を参照し、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００において、観察者側から光を入射したときのアパーチャープレート１４０の遮光層１４７の分光反射率を示すグラフである。図７は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置に用いる透明流体１１２の屈折率と、観察者側から光を入射したときのアパーチャープレート１４０の遮光層１４７の反射率との関係を示すグラフである。
【００５６】
第２の実施形態に係る表示装置１００は、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０と、アパーチャープレート１４０との間の空間に、後述する透明流体１１２を封入する以外は、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成を有するものである。従って、以下、第１の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成については説明を省略する。
【００５７】
図３及び図４を参照して上述したように、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０と、アパーチャープレート１４０とをスペーサ１１５及びシール材を用いて接合した後、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０とアパーチャープレート１４０との間の空間に、透明流体１１２を封入してもよい。透明流体１１２は、空気の屈折率よりも高い屈折率を有し、その屈折率によって遮光層１４７の観察者１８０側の反射率の低減を図ることを可能とするものである。透明流体１１２は、シリコンオイル等のダンピング材であってもよい。ダンピング材は、シャッター１３１の動作を妨げることなく、且つ腐食等を起こさないように所望の粘性を有する材料や封入条件を選択し得る。
【００５８】
図６は、光反射層１４２を厚さ１５０ｎｍのＡｌ、位相制御層１４３をＳｉＯｘ、半透過反射層１４４をＷとした場合の遮光層１４７の観察者１８０側の分光反射率を示している。また、以下の表２は、透明流体１１２、反射抑制層１４５、及び光反射層１４２についてそれぞれ膜構成と視感反射率（以下、単に反射率とも称する）との関係を示したものである。これらはいずれも透明流体１１２の屈折率が気体のように１．０の場合とオイルのように屈折率が１．４の場合において最適化した結果である。
【００５９】
【表２】
2014081416.tif 000004
【００６０】
図６及び表２を参照すると、透明流体１１２の屈折率を1.0より高くすると、反射率がより広い波長範囲で低減し、反射率を0.46％とすることが可能となることがわかる。
【００６１】
屈折率が1.0よりも大きな透明流体１１２としては、化学的に安定で、流動性が高く粘度の温度依存性が小さいことが望ましい。このような透明流体１１２としては例えばジメチルシリコーンオイルを用いることができる。このようなオイルの屈折率は1.3以上である。但し、屈折率を高くすると粘度が高くなり、粘度が高くなりすぎるとシャッター１３１の動作に影響を与えるため、透明流体１１２の屈折率は1.5以下とする。
【００６２】
図７は透明流体１１２の屈折率と反射率との関係を示すグラフである。図７を参照すると、透明流体１１２の屈折率を1.3以上にすれば反射率を0.5％程度以下にすることができることがわかる。特に、透明流体１１２の屈折率ｎｔを、1.35≦ｎｔ≦1.50の範囲から選択すれば遮光層１４７の反射率は0.5％未満と極めて低くできるため望ましい。この場合、光漏れや外光反射の低減によって周囲が暗い環境、明るい環境、いずれの環境においてもコントラスト比が高い表示装置１００を実現できる。
【００６３】
表３に、透明流体１１２の屈折率ntを１．３７５とした場合の遮光層１４７の構成例を示す。
【００６４】
【表３】
2014081416.tif 000005
【００６５】
表３を参照すると、位相制御層１４３としてＳｉＯｘを用いる場合には、ＳｉＮｘを用いる場合よりも、遮光層１４７の観察者１８０側の反射率を低くすることができることがわかる。位相制御層１４３には、ＳｉＯｘのように、屈折率の絶対値が低く、波長分散の小さい材料を用いることが、遮光層１４７の反射率低減の観点から望ましいことがわかる。
【００６６】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１００によれば、反射抑制層１４５の上部を、屈折率ｎｔが1.35≦ｎｔ≦1.50の範囲にある透明流体１１２で覆うことにより、反射抑制層１４５の厚みを増大させることなく、遮光層１４７の観察者１８０側の反射率を１％未満の極めて低い反射率にすることができる。従って、本発明の第２の実施形態によれば、輝度視野角の低下を防ぎ、且つ良好なコントラスト特性を有する表示装置１００を実現することができる。
【００６７】
（第３の実施形態）
次に、図８を参照し、本発明の第３の実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図８は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置におけるアパーチャープレート１４０の構成を説明するための図である。
【００６８】
第３の実施形態に係る表示装置１００は、アパーチャープレート１４０の半透過反射層１４４上に保護層１４８を形成する以外は、第１及び第２の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成を有するものである。従って、以下、第１または第２の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成については説明を省略する。
【００６９】
半透過反射層１４４としてＭもしくはＭｏＷなどの合金を用いる場合、表面が酸化して透明流体１１２中に溶け出す可能性がある。また、半透過反射層１４４の厚さは１０ｎｍ以下と極めて薄いため、表示装置１００の組立工程時や表示動作時に何からの理由で外力が加わると、削れなどによりその機能を果たさなくなる虞がある。そこで、これらの不良の発生を防ぐため、図８に示すように、半透過反射層１４４の表面をＩＴＯなどの透明導電体やＳｉＮｘ、ＳｉＯｘなどの透明誘電体からなる保護層１４８を設けて保護するようにしてもよい。この場合は保護層１４８の屈折率を考慮して、保護層１４８の膜厚及び反射抑制層１４５の光学的条件が本発明の主旨に沿うようにする。例えば、以下の表４に例示する構成を有することにより、観察者１８０側の反射率が低い遮光層１４７を実現できる。
【００７０】
【表４】
2014081416.tif 000006
【００７１】
表４を参照すると、保護層１４８として、ＳｉＯｘのような屈折率が１．５程度と比較的低く波長分散が小さな透明誘電体を用いた場合、屈折率が２を超え、波長分散が比較的大きいＩＴＯを用いた場合と比較して、遮光層１４７の観察者１８０側の反射率を低くすることができることがわかる。従って、保護層１４８は屈折率の絶対値が低く、波長分散が小さいことが、遮光層１４７の反射率低減の観点から望ましいことがわかる。
【００７２】
一方、保護層１４８としてＩＴＯなどの導電体を用いる場合には、保護層１４８とシャッター１３１とを、例えば、導電体１３３により導通させて保護層１４８をシャッター１３１と同電位とすることにより、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付き、動作不良となることを防ぐことができる。
【００７３】
このように、本発明の第３の実施形態によれば、半透過反射層１４４の上に保護層１４８を設けることにより、ＭｏもしくはＭｏＷなどの合金を用いた半透過反射層１４４の表面が酸化して透明流体１１２中に溶け出すことを防止すること、および何からの理由で外力が加わった場合にも半透過反射層１４４などの削れを防止することを可能としつつ、観察者１８０側の反射率を十分に低くすることができるため、輝度視野角の低下を防ぎ、且つ良好なコントラスト特性を有する表示装置１００を実現することができる。
【００７４】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態として、遮光層１４７を全て導電性の材料で構成した表示装置１００について説明する。本発明の第４の実施形態に係る表示装置１００は、上述した本発明の第１乃至第３の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成を有しているため、同様の構成については説明を省略する。
【００７５】
本発明の第４の実施形態に係る表示装置１００は、位相制御層１４３をＩＴＯ等の透明な導電性材料で構成することにより、遮光層１４７をすべて導電性の材料から構成することにより遮光層１４７の抵抗値を下げることが可能となり、表示領域の全領域において、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付いて動作不良となることを防ぎ、ＭＥＭＳシャッター１３０ａを安定的に動作させることが可能となる。
【００７６】
表５に、遮光層１４７を構成する全層を導電材料で構成する場合の例を示す。
【００７７】
【表５】
2014081416.tif 000007
【００７８】
以上のとおり、本発明の第４の実施形態によれば、遮光層１４７を構成する全層を導電材料で構成することにより、静電気の影響でシャッター１３１がアパーチャープレート１４０に張り付くことを防止することができる。従って、第４の実施形態に係る表示装置１００によれば、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの安定的動作を実現でき、且つ、遮光層１４７の観察者１８０側の反射率を十分に低くすることができるため、輝度や視野角の低下を防ぎつつ良好なコントラスト特性を有する表示装置１００を実現することができる。
【００７９】
（第５の実施形態）
次に、図９及び図１０を参照し、本発明の第５の実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図９及び図１０は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置１００の構成例を示す断面図であり、図９は、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの閉時の断面概略図を示し、図１０は、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの開時の断面概略図を示す。
【００８０】
第５の実施形態に係る表示装置１００は、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００の反射抑制層１４５を、シャッター１３１の観察者１８０側の表面上及び制御電極線１２１の観察者１８０側の表面上に形成する以外は、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成を有するものである。従って、以下、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成については説明を省略する。
【００８１】
第５の実施形態に係る表示装置１００は、図９及び図１０に図示したように、位相制御層１４３と半透過反射層１４４から構成される反射抑制層１４５を、シャッター１３１の観察者１８０側の表面上及びＴＦＴの制御電極線１２１の観察者１８０側の表面上に形成する。これにより、図９及び図１０に図示したように、観察者１８０側から入射する外光１６４などのシャッター１３１及びＴＦＴの制御電極線１２１に向かって入射する光についても、反射抑制層１４５を備えることにより、観察者１８０側に反射される光の反射率を低減することが可能となる。従って、第５の実施形態に係る表示装置１００によれば、外光１６４下であっても、より一層高いコントラスト比を実現できる。
【００８２】
（第６の実施形態）
次に、図１１を参照し、本発明の第６の実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図１１は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置１００の構成例を示す断面図であり、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの開時の断面概略図を示す。
【００８３】
第６の実施形態に係る表示装置１００は、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００において、基板１１１とＴＦＴ回路層１２０の間であって、バックライトから放射される光が通過する際に障害とならない位置に外光反射抑制層１４５Ａを有するものである。従って、以下、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成については説明を省略する。
【００８４】
第６の実施形態に係る表示装置１００は、遮光層１４７と同様の機能を有する外光反射抑制層１４５ＡをＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０側にも形成するものである。外光反射抑制層１４５Ａはバックライトから放射される光が通過する際に障害とならない位置に配置し、遮光層１４７と同様に観察者１８０側から半透過反射層と位相制御層と光反射層が形成される。この際、光反射層の反射率は高い必要がないため、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉまたはこれらの合金や窒化物などの反射率が高くない、半透過反射層に用いるものと同様のものを用いればよい。
【００８５】
この場合、図１１に図示したように、観察者１８０側から入射する外光１６４のうち、ＴＦＴや制御電極線１２１及びその他の構造物に向かって入射する光は外光反射抑制層１４５Ａで遮られ、観察者１８０側に反射される光の反射率を低減することが可能となる。従って、第６の実施形態に係る表示装置１００によれば、外光１６４下であっても、より一層高いコントラスト比を実現できる。
【００８６】
（第７の実施形態）
次に、図１２を参照し、本発明の第７の実施形態に係る表示装置１００の構成について説明する。図１２は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置１００の構成例を示す断面図であり、ＭＥＭＳシャッター１３０ａの閉時の断面概略図を示す。
【００８７】
第７の実施形態に係る表示装置１００は、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００において、ＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０上に形成されていたＴＦＴ回路層１２０やＭＥＭＳシャッター１３０aのアレイをアパーチャープレート１４０上に形成したものである。従って、以下、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００と同様の構成については説明を省略する。
【００８８】
第７の実施形態に係る表示装置１００では、第１乃至第４の実施形態に係る表示装置１００におけるアパーチャープレート１４０上にＭＥＭＳシャッターアレイ基板１３０上の構造を形成したものであり、ここでは便宜上、この基板をアパーチャー付きＭＥＭＳシャッターアレイ基板１７０と称する。アパーチャー付きＭＥＭＳシャッターアレイ基板１７０と対向する位置には透明な基板１１３を配置する。
【００８９】
第７の実施形態に係る表示装置１００では特に、遮光層１４７とＭＥＭＳシャッター１３０ａとを同じ基板１４１上に形成できるため、合わせずれに必要なマージンを小さくできる。この場合、遮光層１４７の開口部１４７Ｋをより大きくできるため、より明るい表示装置が実現できる。また、遮光層１４７を構成する反射抑制層１４５は厚さが１１０nm以下と薄くできるため、輝度の視野角の低下を抑えつつ、高いコントラスト特性を有する表示装置を実現することができる。
【００９０】
なお、本発明の第１乃至第７の実施形態は、適宜組み合わせ可能である。適宜組み合わせることにより、各実施例による作用効果を重畳的に得ることが可能となる。
【符号の説明】
【００９１】
１００  表示装置
１１１  基板
１１２  透明流体
１２０  ＴＦＴ回路層
１２１  制御電極線
１３０  ＭＥＭＳシャッターアレイ基板
１３０ａ  ＭＥＭＳシャッター
１３１  シャッター
１３４  開口部
１４０  アパーチャープレート
１４１  基板
１４２  光反射層
１４３  位相制御層
１４４  半透過反射層
１４５  反射抑制層
１４６  増反射層
１４７  遮光層
１４７ｋ  開口部
１５０  バックライト
１５１  光源
１５２  導光板
１５３  反射シート
１５４  光学シート
１７０  アパーチャー付きＭＥＭＳシャッターアレイ基板
【図１】
2014081416.tif 000008
【図２】
2014081416.tif 000009
【図３】
2014081416.tif 000010
【図４】
2014081416.tif 000011
【図５】
2014081416.tif 000012
【図６】
2014081416.tif 000013
【図７】
2014081416.tif 000014
【図８】
2014081416.tif 000015
【図９】
2014081416.tif 000016
【図１０】
2014081416.tif 000017
【図１１】
2014081416.tif 000018
【図１２】
2014081416.tif 000019
【図１３】
2014081416.tif 000020
【図１４】
2014081416.tif 000021
【図１５】
2014081416.tif 000022
【図１６】
2014081416.tif 000023