(57)【要約】【課題】スタック型透明電極を有する半導体発光装置を提供する。【解決手段】本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、外表面の上方に位置し第一の表面を有する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の上方に位置し第二の表面を有する第二の透光性導電層と、を含む。そのうち第二の透光性導電層の第二の表面の面積は、第一の透光性導電層の第一の表面の面積より小さい。【選択図】図１Ａ
2014131087.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上方に位置し、前記基板から離れる外表面を有する半導体発光層と、
前記外表面の上方に位置する第一の透光性酸化導電層と、
前記第一の透光性酸化導電層の上方に位置する第二の透光性酸化導電層と、
前記第二の透光性酸化導電層の上方に位置する第一の接点と、
を含み、
前記第一の透光性酸化導電層は、前記半導体発光層から発される光に対しての第一の透光率及び第一の抵抗率を有し、前記第二の透光性酸化導電層は、前記半導体発光層から発される光に対しての第二の透光率及び第二の抵抗率を有し、前記第一の透光率は、前記第二の透光率より大きく、前記第一の透光性酸化導電層の厚さは、前記第二の透光性酸化導電層の厚さより大きく、且つ、前記第一の抵抗率は、前記第二の抵抗率より大きい、半導体発光装置。
【請求項２】
前記第一の透光性酸化導電層は、前記半導体発光層の前記外表面全体の面積をほぼ覆う、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光層から発される光に対しての前記第一の透光率は、６０％より大きい、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光層から発される光に対しての前記第二の透光率は、５０％より小さい、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第二の透光性酸化導電層は、互いに電気的に接続される複数の区域を含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光層の中の少なくとも一つの層の一部を露出させるように前記半導体発光層の表面から底面までに窪む凹槽であって、前記凹槽は、前記半導体発光層の第一側から当該第一側に対向する第二側までに延伸する、凹槽と、
前記凹槽内に位置する第二の接点と、
を更に含む、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記凹槽に位置し、前記第二の接点から前記第一の接点へ突出する延伸部を更に含む、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記第一の透光性酸化導電層と第二の透光性酸化導電層のうち少なくとも一つは、前記凹槽を取り囲む、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記第二の透光性酸化導電層の前記第二の表面と前記第一の透光性酸化導電層の第一の表面の面積の比は、０．５以下である、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記第二の透光性酸化導電層の厚さは、前記第一の透光性酸化導電層の表面粗度より小さい、請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、特に、スタック型透明電極を有する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード構造設計のうち、一つの重要な課題は、接着パッド（Ｂｏｎｄｉｎｇ  Ｐａｄ）からの電流を如何にｐ−ｎ接合面（ｐ−ｎ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）に均一に分散させ良好な発光効率を得ることである。従来技術では、例えば、半導体ウィンドウ層、透光性導電酸化物膜及びパターン化電極などが電流の分散効果を向上するために既に用いられている。
【０００３】
ＧａＰウィンドウ層が、通常、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオードに用いられている。ＧａＰは、そのネルギーギャップ（Ｅｇ）が２．２６ｅＶであり、赤色光、橙色光、黄色光及び一部の緑色光スペクトルに対して透明である。また、ＧａＰは、間接型エネルギーギャップであり、直接型エネルギーギャップに比べて光を吸収することがない。しかし、ＧａＰ層は、十分な厚さ、例えば、２μｍ〜３０μｍに成長しなければ、受け入れられる分散効果に達することができない。また、比較的厚いＧａＰウィンドウ層は、通常、良い電流分散効果を有する。ところが、成長されたＧａＰウィンドウ層が厚ければ厚いほど、その製造時間が要する。
【０００４】
透光性導電酸化物、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化カドミウムスズ（ＣＴＯ）及び酸化インジウム（Ｉｎ）なども電流の分散効果を向上するために用いられている。酸化インジウムスズを例とすれば、それは、波長が５００ｎｍ〜８００ｎｍである光に対して９０％の透過率（Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ）を有し、また、抵抗率が約３×１０−４Ω−ｃｍであり、シート抵抗（Ｓｈｅｅｔ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が約１０Ω／□である。一般的に言えば、小型の結晶粒子に対し、厚さが０．１μｍ〜１μｍである酸化インジウムスズは、所望な電流分散効果に達することができる。また、従来の半導体製造技術、例えば、スパッタリング（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、電子ビーム蒸着（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などの方法により、短時間内に所望の厚さを形成することができる。しかし、発光ダイオードの結晶粒子の面積がますます大きくなること（例えば、１５×１５ｍｉｌ以上）及び矩形状の粒子への発展につれて、透光性導電酸化物の電流分散能力も次第に不十分になる。
【０００５】
パターン化電極とは、電流の分散効果を向上するために良く用いられる他の方法である。この方法は、ｐとｎ電極を互いにずれるように電極を接点から外へ延伸させ、或いは、接点の周囲に点状、網状の電極または他のパターンを形成することである。このようなパターン化電極を介して電流がｐ−ｎ接合面に均一に分散することができる。パターン化電極を形成するには、通常、電極材料を、より多くの発光ダイオードの上表面を覆うように設ける必要がある。しかし、パターン化電極用材料が、通常、遮光金属であるので、発光ダイオードの発光効率に大きな影響を与えることがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、入力電流を分散させることにより発光効率を向上できる半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によれば、本発明による半導体発光装置は、基板と、基板の上方に位置し且つ該基板の外表面から離れる半導体発光層と、該外表面の上方に位置する第一の透光性導電層と、第一の透光性導電層の第一表面の上方に位置する第二の透光性導電層と、を含む。そのうち、第二の透光性導電層と第一の透光性導電層の接触面積が、第一の透光性導電層の第一表面全体の面積より小さい。
【０００８】
好ましくは、第二の透光性導電層と第一の透光性導電層との表面面積の比が０．５以下である。第一の透光性導電層と第二の透光性導電層の材料は、同じ又は類似する構成元素を含む。半導体発光装置の面積は、１５×１５ｍｉｌ以下である。
【０００９】
本発明の複数の実施例において、第一の透光性導電層は、前記外表面の全部又は一部の面積を覆う。半導体発光層からの光に対し、第一の透光性導電層の透過率が第二の透光性導電層の透過率より大きい。第一の透光性導電層の導電係数は、第二の透光性導電層の導電係数より小さい。第一の透光性導電層の厚さは、第二の透光性導電層の厚さより大きい。第二の透光性導電層は、互いに電気的に接続される複数のセクション部を含む。
【００１０】
本発明の他の実施例において、半導体発光装置は、さらに、凹槽と、接触層と、を含む。そのうち、凹槽は、半導体発光層の中の一つの層又は少なくとも一つの層の一部を露出させるように半導体発光層の表面から所定の底面に窪み、且つ、半導体発光層の第一側から該第一側に対向する第二側に延伸する。接触層は、前記凹槽内に位置し、また、前記底面上に位置する延伸セクション部を有する。本発明の一変形例において、第一の透光性導電層と第二の透光性導電層のうち少なくとも一つは、前記凹槽を取り囲む。また、半導体発光装置は、さらに、第二の透光性導電層と電気的に接続される接点を含む。
【００１１】
本発明の他の実施例において、半導体発光層は、第一型の半導体層と、第二型の半導体層と、第一型の半導体層と第二型の半導体層の間に位置する発光層と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、入力電流を分散させることにより発光効率を向上できる半導体発光装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】本発明の一実施例に係る発光ダイオードの断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す発光ダイオードの上面図である。
【図２】本発明の他の実施例に係る発光ダイオードの断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施例に係る透光性導電層の配置図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施例に係る透光性導電層の配置図である。
【図４Ａ】本発明の他の実施例に係る透光性導電層の配置図である。
【図４Ｂ】本発明の他の実施例に係る透光性導電層の配置図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る透光性導電層の配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１５】
なお、次に記載された「層」とは、一つの層、或いは、同じまたは異なる材料からなる複数の層を含む層の構造であり、各層は、直接または間接に接触される。
【実施例１】
【００１６】
図１Ａに示すように、本発明の半導体発光装置１０は、電極１５と、基板１１と、半導体発光層１２と、第一の透光性導電層１３０１と、第二の透光性導電層１３０２と、接点１４と、を含む。半導体発光層１２の中には、少なくとも、第一型の半導体層１２０１と、第二型の半導体層１２０３と、第一型の半導体層１２０１と第二型の半導体層１２０３との間に位置する発光層１２０２とがある。第一型の半導体層１２０１と第二型の半導体層１２０３が有する電気特性が互いに異なり、例えば、ｐ型、ｎ型及びｉ型のうち少なくとも二つであっても良い。ダブルヘテロ構造（Ｄｏｕｂｌｅ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ：ＤＨ）において、第一型の半導体層１２０１と第二型の半導体層１２０３は、発光層１２０２のエネルギーギャップより大きいエネルギーギャップを有する。半導体発光層１２にバイアス電圧が印加されるときには、電子と正孔が発光層１２０２及び／又はその付近に結合し光を発する。
【００１７】
本発明において、第一の透光性導電層１３０１と第二の透光性導電層１３０２は、半導体発光層１２上に順に形成される。第一の透光性導電層１３０１は、半導体発光層１２の上表面の全部又は一部の領域を覆う。第二の透光性導電層１３０２は、第一の透光性導電層１３０１の上表面の一部の領域のみを覆い、即ち、第二の透光性導電層１３０２の面積は、第一の透光性導電層１３０１の面積より小さい。なお、本実施例において、二つの透光性導電層のみを有する透光性導電スタック層が例示されるが、面積が次第に減少する二つ以上の透光性導電層を有する透光性導電スタック層も本発明に適用できる。
【００１８】
好適な一実施例において、第一の透光性導電層１３０１と第二の透光性導電層１３０２は、電気特性及び／又は光学特性が異なる同じ材料からなる。ところが、このような材料の構成元素の成分又は成分の量が互いに異なっても良く、このようにすると、第一の透光性導電層１３０１の抵抗率及び透過率が第二の透光性導電層１３０２の抵抗率及び透過率より大きくなるようにさせることができる。
【００１９】
第二の透光性導電層１３０２は、適当な抵抗率を有しなければならず、このようにすると、電流がその下にある面積の大きな第一の透光性導電層１３０１までに分散するようにさせることができる。第一の透光性導電層１３０１のシート抵抗又は抵抗率が第二の透光性導電層１３０２のシート抵抗又は抵抗率より大きい。第二の透光性導電層１３０２の機能の一つは、適当な透過率を保った上で、電流が接点１４から離れる方向に流れるようにさせることである。このような機能を実現するために、第二の透光性導電層１３０２の材料の構成、厚さ及びレイアウトは、実際の需要に応じて調整される必要がある。
【００２０】
電流は、まず、接点１４を経由して第二の透光性導電層１３０２に流れ込み、次に、第二の透光性導電層１３０２を経由して第一の透光性導電層１３０１に流れ込み、そして、第一の透光性導電層１３０１を経由して半導体発光層１２の中に流れ込む。電流が二つの透光性導電層を経由して周囲に流れ込むことにより、電流集中効果（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｃｒｏｗｄｉｎｇ）を有効に下げることができる。発光層１２０２には、光電変換がより全面的に行われるので、均一且つ有効利用可能な発光領域が得られる。
【００２１】
図１Ｂは、図１Ａに示す半導体発光装置１０の上面図である。図示するように、接点１４から第一の透光性導電層１３０１を経由して第二の透光性導電層１３０２までの面積が次第に大きくなり、この三つの層の厚さ、シート抵抗及び／又は抵抗率を適当に組み合わせた後に接点１４からの電流が１層ずつに外及び下に流れ込み、このようにすると、電流は、発光層１２０２に均一に分散することができる。
【００２２】
一実施例において、第一の透光性導電層１３０１と第二の透光性導電層１３０２を構成する材料がＩＴＯであるが、この二つの層のＩＴＯに含まれるＩｎ、Ｏ及びＳｎのうち少なくとも一つの成分が互いに異なり、或いは、この二つの層のＩＴＯが異なる製造条件により形成され、例えば、スパッタリングを用いて第一の透光性導電層１３０１を形成し、電子ビーム蒸着法を用いて第二の透光性導電層１３０２を形成し、或いは、逆にしても良い。好ましくは、第一の透光性導電層１３０１のＩＴＯは、比較的高い透過率、例えば、９０％、８０％、７０％または６０％以上を有するが、第二の透光性導電層１３０２のＩＴＯは、比較的低い透過率、例えば、５０％以下を有し、また、比較的低い抵抗率も有する。このようにすれば、適当な光学及び電気効果（例えば、透過率及び抵抗）を有する発光装置を得ることができる。
【００２３】
一実施例において、第一の透光性導電層１３０１及び第二の透光性導電層１３０２は、それぞれ、ＩＴＯ、及び、Ｎｉ／ＡｕまたはＡｕなどの金属からなっても良い。金属が適当な透過率と抵抗率を同時に有するようにさせるには、その厚さが０．００５μｍ〜０．２μｍに維持される必要がある。他の実施例において、第二の透光性導電層１３０２の厚さが第一の透光性導電層１３０１の表面粗度Ｒａより小さいが、製造プロセスの許容範囲内において、第二の透光性導電層１３０２の厚さが第一の透光性導電層１３０１の表面粗度Ｒａより大きくなっても良い。薄い金属層は、その抵抗率がＩＴＯの抵抗率より小さいので、電流がＩＴＯ層に拡散することを役に立つことができる他に、光線を過度に遮蔽することもない。
【００２４】
一実施例において、第一の透光性導電層１３０１と第二の透光性導電層１３０２のうち少なくとも一つの全部又は一部の領域は、発光層１２０１からの光に対して透明となり又は５０％以上の透過率を有し、且つ、第一の透光性導電層１３０１は、第二の透光性導電層の透過率より高い透過率を有する。なお、一つの透光性導電層は、異なる透過率を有する複数の部分からなっても良い。電流が第二の透光性導電層１３０２の中において好適な電流分散特性を有するようにさせるには、第二の透光性導電層１３０２の抵抗率を下げなければならないと同時に、第二の透光性導電層１３０２が発光層１２０２からの光をできれば吸収しないようにしなければならない。他の実施例において、透過率の高い第一の透光性導電層１３０１の厚さが抵抗率の低い第二の透光性導電層１３０２の厚さより大きい。ところが、本発明では、これに限ることがなく、二つの透光性導電層の厚さの組合せが、使用される材料の特性に合わせて調整されることも可能である。
【００２５】
上述した実施例において、基板１１の材料はＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＺｎＳｅ、ＩＩＩ族窒化物（例えばＧａＮ）、サファイア、Ｓｉ又はガラスを含むが、これらの材料に限ることがない。第一型の半導体層１２０１と第二型の半導体層１２０３の材料は、ＡｌＧａＩｎＰ系又はＩＩＩ族窒化物系材料を含むが、これらの材料に限ることがない。発光層１２０２の構造は、シングルヘテロ構造、ダブルヘテロ構造、ダブルサイド（double-side）ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造を含むが、これらの構造に限ることが無い。
【００２６】
第一の透光性導電層１３０１の材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＣＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｇＯ、ＣｄＯ及び他の透明金属酸化物を含むが、これらの材料に限ることが無い。第二の透光性導電層１３０２の材料は、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、ＣＴＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＭｇＯ、ＣｄＯ及び他の透明金属酸化物を含むが、これらの材料に限ることが無い。第二の透光性導電層１３０２の材料は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、及び、これらの材料の合金又はスタック層、或いは、光電特性を有する他の金属を含むが、これらの材料に限ることが無い。
【実施例２】
【００２７】
図２を参照する。本発明の他の実施例による半導体発光装置２０は、基板２１と、半導体発光層２２と、第一の透光性導電層２３０１と、第二の透光性導電層２３０２と、第一の接点２４と、第二の接点２５と、を含む。そのうち、第一の接点２４と第二の接点２５は、基板２１の同じ側に位置する。半導体発光層２２は、少なくとも、第一型の半導体層２２０１と、第二型の半導体層２２０３と、第一型の半導体層２２０１と第二型の半導体層２２０３との間に位置する発光層２２０２と、を含む。
【００２８】
本実施例において、第一の接点２４を経由して入力された電流は、まず、第二の透光性導電層２３０２に流れ込み、次に、第二の透光性導電層２３０２を介して第一の透光性導電層２３０１に流れ込み、そして、第一の透光性導電層２３０１を経由して半導体発光層２２の中に流れ込む。電流が二つの透光性導電層を経由して周囲に流れ込むことにより、発光効率を向上することができる。
【００２９】
なお、本実施例における半導体発光装置２０に使用される材料、及び、第一の透光性導電層２３０１と第二の透光性導電層２３０２との間の配置関係は、前述した実施例１に述べた内容を参照する。また、第二の接点２５と第一の透光性導電層２２０１との間は、第一の透光性導電層２３０１と第二の透光性導電層２３０２と類似する構造又は設計原則を採用しても良く、このようにすれば、電流の分散効果を向上することができる。
【００３０】
本発明における第一の透光性導電層と第二の透光性導電層の設計は、次の実施例に示す変形例を有しても良い。しかし、次の実施例は、本発明を限定するものでなく、他のあらゆる適当な配置方式も本発明の範囲に属する。
【実施例３】
【００３１】
図３Ａと図３Ｂは、半導体発光装置１０の第一の透光性導電層１３０１と第二の透光性導電層１３０２の上面図である。図３Ａと図３Ｂに示すように、第二の透光性導電層１３０２は、第一の透光性導電層１３０１上に形成され、且つ、第二の透光性導電層１３０２の面積は、第一の透光性導電層１３０１の面積より小さい。
【００３２】
本実施例において、第二の透光性導電層１３０１は、取り囲みセクション部１３０４と、通り抜けセクション部１３０３と、を含む。図３Ａに示すように、取り囲みセクション部１３０４は、接点１４を取り囲む二つのリング状のセクション部を含む。通り抜けセクション部１３０３は、接点１４から外へ延伸し、且つ、接点１４に接近する第一のリング状のセクション部を通り抜けて、接点１４から離れる第二のリング状のセクション部までに直接達する。これらのセクション部の間は、電流を流すように互いに電気的に接続されるが、セクション部自体は、互いに直接物理的に接続しなくでも良い。接点１４からの電流は、通り抜けセクション部１３０３を経由して外へ分散し、そして、第一のリング状のセクション部と第二のリング状のセクション部に流れ込み、さらに、この二つのリング状のセクション部を経由してより広くの領域に分散する。
【００３３】
本実施例において、取り囲みセクション１３０４部と通り抜けセクション部１３０３は、図示されるようなもの又は数量に限ることがない。取り囲みセクション部は、三角形、四辺形、五辺形、六辺形などの多辺形のセクション部であって良い。図３Ｂに示すように、取り囲みセクション部１３０４は、二つの四辺形のセクション部を含む。また、通り抜けセクション部１３０３は、取り囲みセクション部１３０４を貫通し又は貫通しなくでも良い。取り囲みセクション部１３０４は、接点１４に対して放射対称又は左右対称しても良い。接点１４は、取り囲みセクション部１３０４の中の任意の箇所に位置しても良い。
【００３４】
通り抜けセクション部と取り囲みセクション部は、所定の幅を有しなければならない。なぜかというと、この所定の幅は、電流を分散させるために必要であり、また、光を過度に遮蔽又は吸収しないためにも必要ある。取り囲みセクション部１３０４と通り抜けセクション部１３０３の幅は、それぞれ、０．１μｍ〜５０μｍであり、好ましくは、２０μｍより小さい。また、この二つのセクション部の厚さは、使用される材料により定まる。例えば、使用される材料が金属であれば、その厚さは、０．００１μｍ〜１μｍであっても良く、好ましくは、０．００５μｍ〜０．０５μｍであり、このようにすると、適当な透過率を保つことができる。また、使用される材料がＩＴＯなどの透明酸化物であれば、その厚さは、より厚くなっても良い。
【００３５】
本実施例において、図１Ａに示す半導体発光装置１０を例として説明したが、本発明は、これに限ることが無い。また、前述した透光性導電層の配置方式は、図２に示すような半導体発光装置２０の第一の透光性導電層２３０１、第二の透光性導電層２３０２又はこの両者に適用することもできる。
【実施例４】
【００３６】
図４Ａに示すように、二つの電流分散セクション部２３０２ａと２３０２ｂが第一の透光性導電層２３０１上に位置し、且つ、それぞれ、第一の接点２４から第二の接点２５へ延伸する。図示されるように、電流分散セクション部２３０１ａと２３０２ｂは、Ｕ字形のアッチ状のものを形成する。しかし、電流分散セクション部２３０１ａと２３０２ｂは、直線状、曲線状又はこの両者の組合せからなっても良い。好ましくは、電流分散セクション部２３０２ａと２３０２ｂは、電流をより広くの領域までに分散させることができるように第一の透光性導電層２３０１の境界に接近しても良い。
【００３７】
第二の接点２５は、凹槽２６の底面に位置する。凹槽２６の底面と第一の接点２４は、電通路を形成できるように、それぞれ、発光層２２０２の両側に位置する。凹槽２６は、半導体発光層の任意の箇所から発光層を超えた厚さまでエッチングすることにより形成されることができる。エッチングは、化学又は物理エッチングを採用しても良い。
【００３８】
本実施例の他の変形例は、図４Ｂに示されるようである。凹槽２６は、第一の接点２４へ延伸する。凹槽２６の中には延伸セクション部２５０１が形成され、この延伸セクション部２５０１は、第二の接点２５から第一の接点２４へ延伸する。電流分散セクション部２３０２ａと２３０２ｂの配置は、図４Ａに示されるようである。延伸セクション部２５０１により、電流が第一の接点２４と第二の接点２５との間までにより均一に分散することができる。このようにすると、より多くの有効な発光領域が形成され、発光効率がさらに向上されることができる。
【００３９】
本実施例において、セクション部のカバー面積と位置関係は、半導体発光装置のサイズにより調整される。例えば、最も近く隣接する独立なセクション部間の隙間は１μｍ〜５００μｍである。セクション部の厚さは０．１μｍ〜５０μｍである。金属材料からなるセクション部の厚さは、０．００１μ〜１μｍであり、好ましくは、０．００５μｍ〜０．０５μｍである。ＩＴＯからなるセクション部の厚さは、より厚くなっても良く、例えば、０．６μｍ以上である。
【実施例５】
【００４０】
図５に示すように、電流分散セクション部２３０２は、第一の透光性導電層２３０１上に位置し、且つ、第一の接点２４から第二の接点２５へ延伸する。図示されるように、電流分散セクション部２３０２は、直線状であるが、それは、曲線状、Ｚ字形の線状又はこの両者の組合せであっても良い。特に、半導体発光装置２０の上面からを見ると、半導体発光装置２０は、矩形であり、その長さと幅の比は、１．１〜３であり、好ましくは、１．５以上である。なお、凹槽２６についての詳細な説明は、上述した実施例を参照する。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００４２】
１０  半導体発光装置
１１  基板
１２  半導体発光層
１２０１  第一型の半導体層
１２０２  発光層
１２０３  第二型の半導体層
１３０１  第一の透光性導電層
１３０２  第二の透光性導電層
１４  接点
１５  電極
２０  半導体発光装置
２１  基板
２２  半導体発光層
２２０１  第一型の半導体層
２２０２  発光層
２２０３  第二型の半導体層
２３０１  第一の透光性導電層
２３０２  第二の透光性導電層
２３０２ａ  電流分散セクション部
２３０２ｂ  電流分散セクション部
２４  第一の接点
２５  第二の接点
２５０１  延伸セクション部
２６  凹槽
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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