(57)【要約】      （修正有）【課題】光学特性に優れた偏光素子を製造する方法を提供する。【解決手段】第１の金属の粒子１１ａを透明基板１０上に付着させながら、第２の金属の粒子１１ｂを透明基板１０上に付着させることによって、金属複合膜１１を形成する工程と、第１の金属を選択的にエッチングする工程と、第１の金属がエッチングされた金属複合膜の上に保護膜１３を形成する工程と、透明基板１０が軟化する温度において透明基板１０を延伸することで、形状異方性を有する第２の金属からなる粒子１２ｃを形成する工程と、を有する偏光素子１００の製造方法。【選択図】図１
2014112137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属の粒子を透明基板上に付着させながら、第２の金属の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、
前記第１の金属を選択的にエッチングする工程と、
前記第１の金属がエッチングされた前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記第２の金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、
を有する、偏光素子の製造方法。
【請求項２】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記第１の金属と前記第２の金属の割合を変えることにより、前記第２の金属からなる形状異方性を有する粒子の密度を調整する、請求項１に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１の金属を選択的にエッチングする工程において、ハロゲンガスを励起したプラズマ環境下において前記第１の金属をエッチングする、請求項１又は２に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属を選択的にエッチングする工程において、前記第２の金属がハロゲン化される、請求項３に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項５】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記第１の金属と前記第２の金属の混合物又は合金を真空成膜の蒸着源とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項６】
金属の粒子を透明基板上に付着させながら、金属化合物の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、
前記金属化合物を選択的にエッチングする工程と、
前記金属化合物がエッチングされた前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、
を有する、偏光素子の製造方法。
【請求項７】
前記金属化合物を選択的にエッチングする工程において、ハロゲンガスを励起したプラズマ環境下において前記金属化合物をエッチングする、請求項６に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項８】
前記金属化合物を選択的にエッチングする工程において、前記金属がハロゲン化される、請求項７に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項９】
金属の粒子を透明基板上に付着させながら、透明材料からなる金属化合物の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、
前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、
前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、
を有する、偏光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属がハロゲン化される工程を有する、請求項９に記載の偏光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記金属と前記金属化合物の割合を変えることにより、前記形状異方性を有する前記金属からなる粒子の密度を調整する、請求項６から１０のいずれか１項に記載の偏光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
偏光素子の一種として、偏光ガラスが知られている。偏光ガラスは無機物のみで構成できるため、有機物を含む偏光板に比べ、光に対する劣化が著しく少ない。したがって、近年高輝度化が進んでいる液晶プロジェクターにおいて有効な光学デバイスとして注目されている。
【０００３】
一般的な偏光ガラスとしては、特許文献１に記載されたものが公知であり、その製造方法は以下の通りである。
（１）塩化物、臭化物、及びヨウ化物の群から選択した少なくとも１つのハロゲン化物及び銀を含有する組成物から、所望の形状のガラス製品を作製する。
（２）そのガラス製品を、該ガラス製品中にＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、又はＡｇＩの結晶を生成せしめるのに十分な期間にわたり、歪み点より高いが、ガラスの軟化点からは約５０℃は高くない温度にまでに加熱し、結晶含有製品を作製する。
（３）この結晶含有製品を、結晶が少なくとも５：１のアスペクト比に延伸されるように、アニール点より高いが、ガラスが約１０８ポアズの粘度を示す温度より低い温度において応力下で延伸せしめる。
（４）その製品を、該製品上に化学的な還元表面層を発達せしめるのに十分な期間にわたり、約２５０℃より高いが、ガラスのアニール点からは約２５℃は高くない温度の還元雰囲気に曝露する。これにより、延伸ハロゲン化銀粒子の少なくとも一部が銀元素に還元される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭５６−１６９１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１記載の製造方法では、ガラス製品中に万遍なく金属ハロゲン化物が析出する。しかし、還元工程ではガラス製品表層の金属ハロゲン化物しか還元できないため、ガラス製品の厚さ方向の中央部分に金属ハロゲン化物が残存する。そのため、偏光素子の透過率が低下する。
【０００６】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、光学特性に優れた偏光素子を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の偏光素子の製造方法は、第１の金属の粒子を透明基板上に付着させながら、第２の金属の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、前記第１の金属を選択的にエッチングする工程と、前記第１の金属がエッチングされた前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記第２の金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、を有する。
【０００８】
第１の金属の粒子を透明基板上に付着させながら、第２の金属の粒子を該透明基板上に付着させることによって、第１の金属の粒子と第２の金属の粒子が透明基板の表面上において互いに混ざり合った金属複合膜を形成することができる。そして、この金属複合膜から第１の金属を選択的に除去することにより、第２の金属の粒子が透明基板の表面上に略均一な大きさと間隔で配置された透明基板を得ることができる。その後、この透明基板を延伸することで第２の金属からなる形状異方性を有する粒子が略均一な大きさと間隔で配置され、光学特性に優れた偏光素子を製造することができる。
【０００９】
また、第２の金属の粒子は透明基板の表面上にのみ分布しているため、第１の金属をエッチングする工程中に第２の金属がハロゲン化されたような場合であっても、還元処理を行うことによりハロゲン化した第２の金属はすべて還元される。したがって、金属ハロゲン化物の残存による偏光素子の透過率低下を生じることはない。
【００１０】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記第１の金属と前記第２の金属の割合を変えることにより、前記第２の金属からなる形状異方性を有する粒子の密度を調整することもできる。その結果、第２の金属からなる形状異方性を有する粒子の間隔を任意に変更できるため、光の透過率と吸収率を任意に調整した偏光素子を製造することができる。
【００１１】
前記第１の金属を選択的にエッチングする工程において、ハロゲンガスを励起したプラズマ環境下において前記第１の金属をエッチングすることもできる。この場合において、前記第２の金属はハロゲン化されるものであることが好ましい。
この製造方法によれば、第２の金属はハロゲン化されることで融点が下がるため、透明基板を延伸するために必要な温度及び引張応力を低減することができる。
なお、この製造方法においては、保護膜の形成方法として非プラズマ環境下での成膜法を用いることが好ましい。ハロゲン化した第２の金属が還元されるのを抑制するためである。
【００１２】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記第１の金属と前記第２の金属の混合物又は合金を真空成膜の蒸着源とすることもできる。
この製造方法によれば、第１の金属と第２の金属の混合物の割合に従って、第１の金属の粒子と第２の金属の粒子が透明基板上に付着されるため、透明基板上に第１の金属と第２の金属の割合が略均一な金属複合膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の偏光素子の製造方法は、金属の粒子を透明基板上に付着させながら、金属化合物の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、前記金属化合物を選択的にエッチングする工程と、前記金属化合物がエッチングされた前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、を有する。
【００１４】
金属の粒子を透明基板上に付着させながら、金属化合物の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属の粒子と金属化合物の粒子が透明基板の表面上において互いに混ざり合った金属複合膜を形成することができる。そして、この金属複合膜から金属化合物を選択的に除去することにより、金属の粒子が透明基板の表面上に略均一な大きさと間隔で配置された透明基板を得ることができる。その後、この透明基板を延伸することで金属からなる形状異方性を有する粒子が略均一な大きさと間隔で配置され、光学特性に優れた偏光素子を製造することができる。
【００１５】
また、金属の粒子は透明基板の表面上にのみ分布しているため、金属化合物をエッチングする工程中に金属がハロゲン化されたような場合であっても、還元処理を行うことによりハロゲン化した金属はすべて還元される。したがって、金属ハロゲン化物の残存による偏光素子の透過率低下を生じることはない。
【００１６】
また、金属複合膜を形成する２つの粒子は金属の粒子と金属化合物の粒子である。そのため、金属同士に比べて、それぞれの粒子の性質は大きく異なり、エッチングすることができる条件もそれぞれ異なるような場合が多い。したがって、より精度よく金属複合膜から金属化合物のみをエッチングすることが可能であり、金属の粒子がより均一な大きさと間隔で面上に配置された透明基板を得ることができる。その後、この透明基板を延伸することで形状異方性を有する金属の粒子が均一な大きさと間隔で配置され、光学特性に優れた偏光素子を製造することができる。
【００１７】
前記金属化合物を選択的にエッチングする工程において、ハロゲンガスを励起したプラズマ環境下において前記金属化合物をエッチングすることもできる。この場合において、前記金属はハロゲン化されるものであることが好ましい。
【００１８】
本発明の偏光素子の製造方法は、金属の粒子を透明基板上に付着させながら、透明材料からなる金属化合物の粒子を該透明基板上に付着させることによって、金属複合膜を形成する工程と、前記金属複合膜の上に保護膜を形成する工程と、前記透明基板が軟化する温度において前記透明基板を延伸することで、前記金属からなる形状異方性を有する粒子を形成する工程と、を有する。
【００１９】
この製造方法によれば、金属複合膜における金属化合物の粒子が付着した部分は透明となるため、金属化合物の粒子を除去せずとも、製造される偏光素子の光学特性に影響を与えることがない。したがって、金属複合膜から金属化合物を選択的に除去する必要がなく、エッチング工程を行う手間を省くことができる。
【００２０】
また、本発明の偏光素子の製造方法においては、前記金属がハロゲン化される工程を有することもできる。
【００２１】
これらの製造方法によれば、金属はハロゲン化されることで融点が下がるため、透明基板を延伸するために必要な温度及び引張応力を低減することができる。
なお、これらの製造方法においては、保護膜の形成方法として非プラズマ環境下での成膜法を用いることが好ましい。ハロゲン化された金属が還元されるのを抑制するためである。
【００２２】
前記金属複合膜を形成する工程において、前記金属と前記金属化合物の割合を変えることにより、前記形状異方性を有する金属からなる粒子の密度を調整することもできる。その結果、形状異方性を有する金属からなる粒子の間隔を任意に変更できるため、光の透過率と吸収率を任意に調整した偏光素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態の偏光素子の製造方法を示す図。
【図２】第１実施形態の金属複合膜の形成方法を示す図。
【図３】透明基板に付着する第１の金属の粒子と第２の金属の粒子の割合を変更した場合を示す図。
【図４】透明基板の平面構成を示す図。
【図５】第２実施形態の偏光素子の製造方法を示す図。
【図６】第２実施形態の金属複合膜の形成方法を示す図。
【図７】第２実施形態の変形例の偏光素子の製造方法を示す図。
【図８】第２実施形態の金属複合膜の形成工程の検証実験結果を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００２５】
［第１実施形態］
まず、第１実施形態について説明する。
図１は、本実施形態の偏光素子の製造方法を示す図である。
【００２６】
本実施形態の偏光素子の製造方法は、図１に示すように、金属複合膜形成工程Ｓ１１と、エッチング工程Ｓ１２と、保護膜形成工程Ｓ１３と、延伸工程Ｓ１４と、還元工程Ｓ１５と、を有する。
下記各工程の詳細な説明は、後段に示す第１の金属をＡｌ、第２の金属をＡｇとした場合を例示するものである。
【００２７】
金属複合膜形成工程Ｓ１１は、図１（ａ）に示すように、透明基板１０の表面上に第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂを付着させ、金属複合膜１１を形成する工程である。
透明基板１０としては、特に限定されず、公知のいかなる透明基板も用いることができる。これは本実施形態の偏光素子の製造方法では、透明基板中に金属ハロゲン化物を析出させたり、透明基板の表面にイオン交換により金属イオンを導入したりする必要がなく、金属複合膜１１を形成可能なものであればよいからである。具体的には、石英ガラス、ソーダライムガラス、サファイアガラス、ホウ珪酸ガラス、アルミノホウ珪酸ガラス等、偏光素子の用途に応じて種々の透明基板を用いることができる。
【００２８】
金属複合膜１１は、複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂとを含む。第１の金属の粒子１１ａは、後段で説明する金属複合膜形成工程Ｓ１１において、蒸着源から透明基板１０の表面に飛来する第１の金属を含む複数の金属粒子が互いに凝集してなる粒子である。第２の金属の粒子１１ｂは、後段で説明する金属複合膜形成工程Ｓ１１において、蒸着源から透明基板１０の表面に飛来する第２の金属を含む複数の金属粒子が互いに凝集してなる粒子である。複数の第１の金属の粒子１１ａ各々は微小かつ略均一な大きさを有し、複数の第２の金属の粒子１１ｂ各々は微小かつ略均一な大きさを有する。複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂとは、透明基板１０の表面上において互いに混ざり合うように透明基板１０の表面に付着している。金属複合膜１１が形成された透明基板１０の表面はほとんど露出しておらず、複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂとが同一平面上に敷き詰められている。
【００２９】
金属複合膜１１は、第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂとが膜厚方向に積層されない、実質的に１層からなる膜であることが好ましい。透明基板１０の表面上に付着した第１の金属の粒子１１ａの上に第２の金属の粒子１１ｂが積層すると、後段のエッチング工程Ｓ１２において、第１の金属を完全には除去しきれないことが考えられるためである。また、第１の金属を完全に除去しきれたとしても、第２の金属の粒子１１ｂがどのような状態で透明基板１０の表面上に残留するか予測できず、形状や分布が均一でなくなることも考えられるためである。
【００３０】
金属複合膜形成工程Ｓ１１において、透明基板１０の表面上に付着した多数の金属粒子は、一の金属を含む金属粒子同士で凝集することにより大きくなる。しかし、一の金属を含む複数の金属粒子を透明基板１０の表面上に付着させながら、他の金属を含む複数の金属粒子を透明基板１０の表面上に付着させることにより、一の金属を含む金属粒子の成長は、同様に凝集する他の金属を含む金属粒子によって阻害される。これにより、凝集する金属粒子の大きさが微小なものに抑えられ、透明基板１０の表面が露出する領域がなくなったところで各金属粒子の凝集は止まる。その結果、それぞれ微小かつ略均一な大きさ（１０〜４０ｎｍ程度）の第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂが透明基板１０の表面上に略均一な間隔で敷き詰められた金属複合膜１１が形成される。
【００３１】
なお、一の金属を含む複数の金属粒子と他の金属を含む複数の金属粒子を順次付着させた場合、先に付着させた複数の金属粒子が凝集して膜を形成してしまい、後に付着させる複数の金属粒子は先に付着させた複数の金属粒子からなる膜の上に積層して付着することとなる。そのため、複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂとが透明基板１０の表面上において互いに混ざり合った金属複合膜１１を形成することができない。
【００３２】
金属複合膜１１の形成方法は、上記の条件を満たす方法であれば特に限定されず、気相法、液相法のいずれであってもよい。気相法を用いる場合に、物理蒸着法、化学蒸着法のいずれであってもよい。物理蒸着法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等が選択できる。
【００３３】
図２は金属複合膜形成工程Ｓ１１において、真空蒸着法を用いた場合の金属複合膜形成方法を示す図である。
図２（ａ）に示すように、真空チャンバー２００内に、透明基板１０、第１の金属からなる蒸着源２１ａ、第２の金属からなる蒸着源２１ｂが設置されている。また、蒸着源２１ａと蒸着源２１ｂとを配置する代わりに、図２（ｂ）に示すように、第１の金属と第２の金属の混合物又は合金からなる蒸着源２１ｃを配置してもよい。また、図２の各図に示すように、透明基板１０は、基板ホルダー２０に固定されている。各蒸着源は、透明基板１０の金属複合膜１１が形成される面に対向する位置に設置されている。
【００３４】
なお、透明基板１０の表面上において複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂが互いに略均一に混ざり合った状態で金属複合膜１１を形成するために、各蒸着源は透明基板１０から十分な距離をあけた位置に設置することが好ましい。
【００３５】
内部を真空ポンプで真空状態とした真空チャンバー２００内で、蒸着源を加熱し、蒸発させることで金属の粒子を飛ばし、透明基板１０の表面に付着させることで金属複合膜１１を形成する。
【００３６】
蒸着源の加熱方法としては、選択した蒸着源を真空状態で蒸発できる方法であれば特に限定されず、例えば、抵抗加熱法、電子ビーム加熱法、高周波誘導加熱法などを選択できる。
【００３７】
真空蒸着法により金属複合膜１１を形成する場合、図２（ａ）に示すように、第１の金属からなる蒸着源２１ａと第２の金属からなる蒸着源２１ｂを同時に加熱し、透明基板１０の表面上に第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂを付着させる同時成膜法と、図２（ｂ）に示すように、第１の金属と第２の金属の混合物又は合金からなる蒸着源２１ｃを用いる混合物成膜法が選択できる。
【００３８】
金属複合膜形成方法として、図２（ａ）に示す同時成膜法を用いる場合においては、第１の金属からなる蒸着源２１ａと、第２の金属からなる蒸着源２１ｂとに加える熱量をそれぞれ変えることにより、第１の金属と第２の金属との間で単位時間あたりに蒸発する金属粒子の量を変えることができる。すなわち、蒸着源の加熱量を増やした場合には蒸発する金属粒子の量も増え、蒸着源の加熱量を減らした場合には蒸発する金属粒子の量も減る。これにより、透明基板１０の表面に付着する第１の金属と第２の金属の割合を調整することができる。
【００３９】
金属複合膜形成方法として、図２（ｂ）に示す混合物成膜法を用いる場合においては、第１の金属と第２の金属の混合物又は合金からなる蒸着源２１ｃの混合比率又は合金比率を任意に選択することで、単位時間あたりに蒸発する第１の金属を含む金属粒子と第２の金属を含む金属粒子の量の割合を変えることができる。これにより、透明基板１０の表面に付着する第１の金属と第２の金属の割合を調整することができる。
【００４０】
図３は、金属複合膜形成工程Ｓ１１において、透明基板１０の表面に付着する第１の金属と第２の金属の割合を変化させた場合を模式的に示した図である。透明基板１０の表面上に付着する、Ａｌからなる第１の金属と、Ａｇからなる第２の金属の割合をそれぞれ、Ａｌ：Ａｇ＝１：１とした場合（図３（ａ））と、Ａｌ：Ａｇ＝３：１とした場合（図３（ｂ））が示されている。
【００４１】
例えば、図２（ａ）示す同時成膜法を用いて、図３（ｂ）に示すような金属複合膜１１を形成する場合においては、第１の金属からなる蒸着源２１ａ（Ａｌ）から蒸発する金属粒子の量が、第２の金属からなる蒸着源２１ｂ（Ａｇ）から蒸発する金属粒子の量に比べて３倍多くなるように、第１の金属からなる蒸着源２１ａに加える熱量を増やせばよい。
【００４２】
例えば、図２（ｂ）に示す混合物成膜法を用いて、図３（ｂ）に示すような金属複合膜１１を形成する場合においては、第１の金属（Ａｌ）と第２の金属（Ａｇ）の混合比率又は合金比率が３：１であるような、第１の金属と第２の金属の混合物又は合金からなる蒸着源２１ｃを用いればよい。
【００４３】
次に、エッチング工程Ｓ１２では、図１（ｂ）に示すように、金属複合膜１１から第１の金属（Ａｌ）を選択的に除去する（選択的にエッチングする）。
エッチング方法としては、金属複合膜１１に含まれる第１の金属を選択的に除去できれば特に限定されず、ドライエッチングとウエットエッチングのいずれも用いることができる。
【００４４】
本実施形態の場合には、ドライエッチングとしてＣｌ系ガス（Ｃｌ２、ＢＣｌ３等）のプラズマに金属複合膜１１を曝すプラズマエッチングが選択できる。これにより、Ａｌからなる第１の金属はＡｌＣｌｘとなって気化するため金属複合膜１１から除去することができる。一方、Ａｇからなる第２の金属はＡｇＣｌｘとなって透明基板１０の表面上に残留する。したがって、該エッチング方法によりＡｌからなる第１の金属の選択的除去が可能である。また、Ａｇからなる第２の金属がハロゲン化されＡｇＣｌｘとなることで、後段の延伸工程Ｓ１４において必要となる透明基板１０の加熱温度を下げることができる。そのため、エッチング工程Ｓ１２においては、第１の金属の除去と同時に第２の金属をハロゲン化できるエッチング方法を選択することが好ましい。
【００４５】
図４（ａ）は、エッチング工程Ｓ１２後の透明基板１０の表面を示す平面図である。図４（ａ）に示すように、エッチング工程Ｓ１２により、第１の金属は選択的に除去され、透明基板１０の表面が露出した領域１０ａが形成される。これにより、第２の金属のハロゲン化物である複数の島状粒子１２ａが透明基板１０の表面上に残留し、島状膜１２が形成される。
【００４６】
金属複合膜１１は、同一平面上に略均一に分布する微小かつ略均一な大きさの第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂからなるため、第１の金属を選択的に除去することで形成される島状膜１２は、構成粒子（島状粒子１２ａ）の大きさ、分布の均一性がすぐれたものとなる。
【００４７】
金属複合膜形成工程Ｓ１１において、透明基板１０の表面に付着する第１の金属と第２の金属の割合を変化させることにより、透明基板１０の表面上に領域１０ａを介して配置される島状粒子１２ａの分布密度を調整できる。すなわち、第１の金属の割合が多いほど、エッチング工程Ｓ１２において除去されずに透明基板１０の表面上に残留する第２の金属の粒子１１ｂが少なくなる。その結果、後段の延伸工程Ｓ１４で形成される形状異方性粒子１２ｂの分布密度を調整することができる。
【００４８】
次に、保護膜形成工程Ｓ１３では、図１（ｃ）に示すように、島状膜１２を覆うようにして保護膜１３が形成される。
保護膜１３の材質は、透明な被膜を形成可能であり、後段の延伸工程Ｓ１４における加熱温度に耐えるものであれば特に限定されない。例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物、チタン酸化物やジルコニウム酸化物などを用いることができる。透明基板１０としてガラスを選択する場合、成分が共通するシリコン酸化物を用いることが好ましい。
【００４９】
保護膜１３の成膜方法は、上記の被膜を形成できる方法であれば特に限定されないが、エッチング工程Ｓ１２において形成されたＡｇＣｌｘからなる島状粒子１２ａが還元されることを抑制するために、島状膜１２をプラズマに曝さない成膜方法（非プラズマ環境下の成膜方法）が好ましい。非プラズマ環境下での成膜方法としては、気相法、液相法のいずれも用いることができる。金属ハロゲン化物からなる島状粒子１２ａが還元されなければ、プラズマ環境下での成膜方法であってもよい。
【００５０】
保護膜１３を非プラズマ環境下において気相法で形成する場合、物理蒸着法、化学蒸着法のいずれを用いてもよい。物理蒸着法としては、真空蒸着法を挙げることができる。真空蒸着法としては、加熱蒸着法、電子蒸着法のいずれも用いることができる。また化学蒸着法としては、熱ＣＶＤや光ＣＶＤを用いることができる。
【００５１】
保護膜１３を非プラズマ環境下において液相法で形成する場合、例えばポリシラザンやポリヒドリドシランなどのシリコン系高分子化合物を含むＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）材料を、スピンコート法、スプレーコート法、スリットコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法、液対噴射法などにより塗布し、これを焼成する方法を用いることができる。
【００５２】
保護膜１３の膜厚は、特に限定されないが、例えば保護膜１３をシリコン酸化膜で形成する場合には、１００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲が好ましい。保護膜１３が薄すぎる場合、後段の延伸工程Ｓ１４において保護膜１３が破断し、島状粒子１２ａが露出する可能性がある。一方、保護膜１３を厚くするほど保護膜中で発生する内部応力が大きくなり、保護膜自体の膜剥がれが生じる。そのため、保護膜１３の膜厚は、保護性能を得られる範囲であればよい。
【００５３】
次に、延伸工程Ｓ１４では、図１（ｄ）に示すように、透明基板１０が軟化する温度において、透明基板１０を、島状粒子１２ａが付着している透明基板１０の面と平行な方向に引き延ばす（延伸させる）。引き延ばす方法としては、透明基板１０を面と平行な方向に引っ張る延伸処理であってもよく、圧力により薄く延ばす圧延処理であってもよい。延伸工程Ｓ１４における加熱温度は透明基板１０や島状粒子１２ａの材質に応じて設定される。本実施形態の場合、透明基板１０を溶解させることなく軟化させることができ、かつ島状粒子１２ａを引き延ばすことができる温度とされる。
【００５４】
延伸工程Ｓ１４により、透明基板１０は延伸方向に引き延ばされるとともに薄く加工される。また、透明基板１０の表面上の島状粒子１２ａも延伸方向に引き延ばされ、図４（ｂ）に示すように、透明基板１０の表面上で延伸方向（図示左右方向）に配向した多数の形状異方性粒子１２ｂとなる。形状異方性粒子１２ｂは形状異方性を有し、アスペクト比が例えば５以上の細長い形状である。例えば、幅３〜１０ｎｍ、長さ１５〜５０ｎｍ程度の大きさである。また、図１（ｄ）に示すように、島状粒子１２ａを覆っている保護膜１３も透明基板１０とともに薄く引き延ばされ、形状異方性粒子１２ｂを覆う保護膜となる。
【００５５】
延伸工程Ｓ１４により形成される複数の形状異方性粒子１２ｂの間の領域には、図４（ａ）に示した領域１０ａが引き延ばされることによって、細長いスリット状の領域１０ｂが形成される。このスリット状の領域１０ｂの大きさは、島状粒子１２ａの形成密度により変化するが、幅３〜１０ｎｍ、長さ１５〜５０ｎｍ程度である。
【００５６】
次に、還元工程Ｓ１５では、図１（ｅ）に示すように、透明基板１０の表面上に形成されたＡｇＣｌｘからなる形状異方性粒子１２ｂが、還元性雰囲気中で熱処理されることによりＡｇに還元され、形状異方性金属粒子１２ｃとなる。形状異方性金属粒子１２ｃも形状異方性粒子１２ｂと同様な形状異方性を有する。化学的な還元表面層を発達せしめるのに十分な期間にわたり、約２５０℃より高いが、ガラスのアニール点からは約２５℃は高くない温度の還元雰囲気に曝露する。本実施形態では、形状異方性粒子１２ｂは透明基板１０の表面上で保護膜１３に覆われているため、保護膜１３の膜厚以上の還元表面層が生じる程度の時間、還元熱処理を行えばよい。
【００５７】
還元性雰囲気としては、水素ガスを用いることが効率的である。アンモニア分解ガス、ＣＯ２とＣＯの混合物等の他の既知の還元性雰囲気を用いてもよい。
【００５８】
以上の工程により、透明基板１０の表面上に、基板面内の一方向に配向した多数の形状異方性金属粒子１２ｃがスリット状の領域１０ｂ（図４（ｂ）参照）を介して配列された偏光素子１００を製造することができる。
【００５９】
本実施形態の製造方法により製造される偏光素子１００は、可視光の波長よりも狭い幅を有する形状異方性金属粒子１２ｃが狭ピッチで配列されていることにより、透過光を所定の振動方向の直線偏光に分離する機能を奏する光学素子として用いることができる。
【００６０】
また、従来の偏光ガラスでは、形状異方性を有する金属粒子の配置密度は１μｍ３あたり２０本以下程度であったため、高い偏光分離特性を得るためには、形状異方性を有する金属粒子をガラス基板の厚さ方向に広く分布させる必要があった。これに対して本実施形態の偏光素子では、形状異方性金属粒子１２ｃは、透明基板１０の表面上に高密度で配置されているため、任意の厚さの透明基板１０を用いることができ、薄型の偏光素子とすることも容易である。
【００６１】
以上に詳細に説明した本実施形態の製造方法によれば、金属複合膜形成工程Ｓ１１において、複数の第１の金属の粒子１１ａを透明基板１０の表面上に付着させながら、第２の金属の粒子１１ｂを透明基板１０の表面上に付着させることで、微小かつ略均一な大きさの複数の第１の金属の粒子１１ａと複数の第２の金属の粒子１１ｂとが、同一平面上において互いに混ざり合うように略均一に分布して敷き詰められた金属複合膜１１が形成される。そして、エッチング工程Ｓ１２において、第１の金属が選択的に除去され、第２の金属のハロゲン化物からなる島状粒子１２ａが透明基板１０の表面上に略均一かつ島状に分布する島状膜１２が形成される。その後、保護膜形成工程Ｓ１３、延伸工程Ｓ１４、及び還元工程Ｓ１５を経ることで、島状粒子１２ａは形状異方性金属粒子１２ｃとなる。その結果、複数の形状異方性金属粒子１２ｃは大きさが略均一であり、かつ透明基板１０の表面上に略均一な間隔で高密度に配置されるため、従来に比べ、光学特性に優れた均一な偏光素子を簡便に製造することが可能となる。
【００６２】
また本実施形態の製造方法によれば、形状異方性粒子１２ｂは透明基板１０の表面上に形成されるため、還元工程Ｓ１５において保護膜１３の膜厚以上の還元表面層が生じるような条件にすることで、第２の金属のハロゲン化物からなる形状異方性粒子１２ｂを確実に還元することができる。したがって、従来の偏光ガラスのようにガラス基板内部に金属ハロゲン化物が残留することによる透過率の低下を引き起こすことはない。
【００６３】
また本実施形態の製造方法によれば、金属複合膜形成工程Ｓ１１において、透明基板１０の表面に付着させる第１の金属と第２の金属の割合を変化させることで、２種の金属粒子が所望の割合で略均一に分布する金属複合膜１１を形成できる。そして、エッチング工程Ｓ１２において、第１の金属が選択的に除去され、第２の金属がハロゲン化した島状粒子１２ａが２種の金属の割合に応じた密度で透明基板１０の表面上に分布することとなる。その後、保護膜形成工程Ｓ１３、延伸工程Ｓ１４、還元工程Ｓ１５を経て、島状粒子１２ａは形状異方性金属粒子１２ｃとなるため、形状異方性金属粒子１２ｃの密度を任意に調整することができる。その結果、スリット状の領域１０ｂ（図４（ｂ）参照）の大きさを任意に変更できるため、光の透過率と吸収率を任意に調整した偏光素子１００を製造することができる。
【００６４】
また本実施形態では、エッチング工程Ｓ１２においてＣｌ系ガス（Ｃｌ２、ＢＣｌ３等）を用いたプラズマエッチングを選択することで、Ａｇからなる第２の金属がハロゲン化されＡｇＣｌｘとなる。Ａｇの融点が１０００℃程度であるのに対し、ＡｇＣｌｘの融点は４５０℃程度であるため、島状粒子１２ａがハロゲン化されていない場合と比較して容易に島状粒子１２ａを引き延ばすことができる。具体的には、透明基板１０を６００℃〜７００℃に加熱すれば、透明基板１０とともに島状粒子１２ａを容易に延伸させることができる。
【００６５】
このように本実施形態では、Ａｇからなる第２の金属のハロゲン化が、エッチング工程Ｓ１２において並行して行われるため、別途ハロゲン化の工程を行う必要がなく、製造プロセスを簡略化できる。
【００６６】
また本実施形態の製造方法において、図２（ｂ）に示す混合物成膜法を用いた場合には、蒸着源が１つであるため、図２（ａ）に示す同時成膜法に比べ、透明基板１０の表面上に付着する第１の金属の粒子１１ａと第２の金属の粒子１１ｂの分布がより均一なものとなる。また、透明基板１０の表面に付着させる第１の金属と第２の金属の割合を変化させる場合において、第１の金属と第２の金属の混合物又は合金からなる蒸着源２１ｃの混合率又は合金率を変化させることで可能なため、簡便である。
【００６７】
なお、本実施形態においては下記方法を選択することも可能である。
【００６８】
金属複合膜形成工程Ｓ１１において、第１の金属をＳｉとして、第２の金属をＡｇ又はＡｌとすることもできる。エッチング方法としては、エッチングガスとしてＣＦ系ガス（ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等）を用いたプラズマエッチングが選択できる。このプラズマエッチングプロセスでは、第１の金属はＳｉＦ４となり気化し、第２の金属はハロゲン化物（ＡｇＦｘ又はＡｌＦ３）となり、透明基板１０の表面上に島状に残留する。
【００６９】
エッチング工程Ｓ１２において、例えば、ウエットエッチングを用いたような場合、金属複合膜１１を構成する第２の金属はハロゲン化されないことがある。このような場合においては、エッチング工程Ｓ１２の後に透明基板１０の表面上に島状に分布している第２の金属（島状粒子１２ａ）をハロゲン化する工程を行ってもよい。また、第２の金属をハロゲン化させずに、次の保護膜形成工程Ｓ１３へと移行してもよい。
【００７０】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態について説明する。本実施形態において、上記の実施形態と同様の構成要素については、適宜、上記の実施形態と同様の符号を付してその説明を簡略化、あるいは省略する。
【００７１】
図５は、本実施形態の偏光素子の製造方法を示す図である。
【００７２】
本実施形態の偏光素子の製造方法は、図５に示すように、金属複合膜形成工程Ｓ２１と、エッチング工程Ｓ２２と、保護膜形成工程Ｓ２３と、延伸工程Ｓ２４と、還元工程Ｓ２５と、を有する。
【００７３】
金属複合膜形成工程Ｓ２１は、図５（ａ）に示すように、透明基板１０の表面上に金属化合物粒子５１ａと金属粒子５１ｂとを付着させ、金属複合膜５１を形成する工程である。
金属複合膜５１は、複数の金属化合物粒子５１ａと複数の金属粒子５１ｂとを含む。金属化合物粒子５１ａは、後段で説明する金属複合膜形成工程Ｓ２１において、ターゲット６１ａから透明基板１０の表面に飛来する金属化合物を含む複数の粒子（スパッタ粒子）が互いに凝集してなる粒子である。金属粒子５１ｂは、後段で説明する金属複合膜形成工程Ｓ２１において、ターゲット６１ｂから透明基板１０の表面に飛来する金属を含む複数の粒子（スパッタ粒子）が互いに凝集してなる粒子である。複数の金属化合物粒子５１ａ各々は微小かつ略均一な大きさを有し、複数の金属粒子５１ｂ各々は微小かつ略均一な大きさを有する。複数の金属化合物粒子５１ａと複数の金属粒子５１ｂとは、透明基板１０の表面上において互いに混ざり合うように透明基板１０の表面に付着している。金属複合膜５１が形成された透明基板１０の表面はほとんど露出しておらず、複数の金属化合物粒子５１ａと複数の金属粒子５１ｂとが同一平面上に敷き詰められている。
【００７４】
金属複合膜５１の形成方法は、第１実施形態で説明した金属複合膜１１の形成条件と同様の条件を満たす方法であれば特に限定されず、気相法、液相法のいずれであってもよい。気相法を用いる場合に、物理蒸着法、化学蒸着法のいずれであってもよい。物理蒸着法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等が選択できる。
【００７５】
図６は金属複合膜形成工程Ｓ２１において、スパッタ法を用いた場合の金属複合膜形成方法を示す図である。
図６に示すように、真空チャンバー６００内に、透明基板１０、金属化合物からなるターゲット６１ａ、金属からなるターゲット６１ｂが設置されている。透明基板１０は、基板ホルダー６０に固定されている。ターゲット６１ａ、ターゲット６１ｂは、透明基板１０の金属複合膜５１が形成される面に対向する位置に設置され、それぞれターゲットホルダー６２に固定されている。ターゲットホルダー６２にはそれぞれ高周波電源装置６３が接続されている。
【００７６】
内部を真空ポンプで真空状態とした真空チャンバー６００内にスパッタガスを導入し、ターゲットに電圧を印加する。これにより、プラズマが発生し、プラズマ中のイオンにより、ターゲット６１ａからはじき出された複数の粒子とターゲット６１ｂからはじき出された複数の粒子が、透明基板１０の表面上に付着する。このように、ターゲット６１ａからはじき出された金属化合物を含む複数の粒子を透明基板１０の表面上に付着させつつ、ターゲット６１ｂからはじき出された金属を含む複数の粒子を透明基板１０の表面上に付着させることで、金属複合膜５１が形成される。
【００７７】
金属複合膜形成方法として、図６に示す方法を用いる場合においては、高周波電源装置６３からターゲット６１ａに入力する電力とターゲット６１ｂに入力する電力を変化させることにより、透明基板１０に付着する単位時間あたりのターゲット６１ａから飛来するスパッタ粒子の量とターゲット６１ｂから飛来するスパッタ粒子の量とをそれぞれ変えることができる。
【００７８】
すなわち、高周波電源装置６３からターゲットに入力する電力を上げた場合には、はじき出されるスパッタ粒子は多くなるため、単位時間あたりに透明基板１０に付着するスパッタ粒子は多くなる。
一方、高周波電源装置６３からターゲットに入力する電力を下げた場合には、はじき出されるスパッタ粒子は少なくなるため、単位時間あたりに透明基板１０に付着するスパッタ粒子は少なくなる。
このように、高周波電源装置６３からターゲット６１ａに入力する電力とターゲット６１ｂに入力する電力を調整することで、透明基板１０の表面上に付着するターゲット６１ａから飛来する金属化合物とターゲット６１ｂから飛来する金属の割合を調整することができる。
【００７９】
次に、エッチング工程Ｓ２２では、図５（ｂ）に示すように、金属複合膜５１から金属化合物を選択的に除去する。
エッチング方法としては、金属複合膜５１に含まれる金属化合物を選択的に除去できれば特に限定されず、ドライエッチングとウエットエッチングのいずれも用いることができる。
【００８０】
本実施形態の場合には、ドライエッチングとしてプラズマに金属複合膜５１を曝すプラズマエッチングが選択できる。例えば、金属化合物としてＳｉＯ２を用いた場合には、ＣＦ系ガス（ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等）のプラズマに曝すことにより、ＳｉＯ２からなる金属化合物はＳｉＦ４となって気化するため、金属複合膜５１から除去することができる。一方、例えば、ターゲット６１ｂの材料である金属としてＡｇを選択した場合には、Ａｇからなる金属はＡｇＦｘとなって透明基板１０の表面上に残留する。
これにより、金属化合物は選択的に除去され、金属粒子５１ｂのハロゲン化物である島状粒子５２ａが透明基板１０の表面上に島状に残留し、島状膜５２が形成される。
【００８１】
金属粒子５１ｂがハロゲン化されることで、後段の延伸工程Ｓ２４において必要となる透明基板１０の加熱温度を下げることができる。そのため、エッチング工程Ｓ２２においては、金属化合物の除去と同時に金属粒子５１ｂをハロゲン化できるエッチング方法を選択することが好ましい。
【００８２】
保護膜形成工程Ｓ２３は、図５（ｃ）に示すように、第１実施形態で説明した保護膜形成工程Ｓ１３と同様である。これにより、保護膜１３が形成される。
【００８３】
延伸工程Ｓ２４は、図５（ｄ）に示すように、第１実施形態で説明した延伸工程Ｓ１４と同様である。これにより、形状異方性粒子５２ｂが形成される。
【００８４】
還元工程Ｓ２５は、図５（ｅ）に示すように、第１実施形態で説明した延伸工程Ｓ１５と同様である。これにより、形状異方性金属粒子５２ｃが形成される。
【００８５】
以上の工程により、透明基板１０の表面上に、基板面内の一方向に配向した多数の形状異方性金属粒子５２ｃがスリット状の領域を介して配列された偏光素子５００を製造することができる。
【００８６】
本実施形態によれば、金属複合膜５１を形成する２つの粒子は金属化合物粒子５１ａと金属粒子５１ｂである。そのため、金属同士に比べて、それぞれの粒子の性質は大きく異なり、エッチングすることができる条件もそれぞれ異なるような場合が多い。したがって、より精度よく金属複合膜５１から金属化合物を選択的にエッチングすることが可能である。その結果、透明基板１０の表面上には、ハロゲン化された金属粒子５１ｂからなる島状粒子５２ａがより均一な大きさと間隔で島状に配置された島状膜５２が形成される。その後、保護膜形成工程Ｓ２３、延伸工程Ｓ２４、還元工程Ｓ２５を経て、島状粒子５２ａは形状異方性金属粒子５２ｃとなる。これにより、形状異方性金属粒子５２ｃは、大きさが略均一で、かつ透明基板１０の表面上に略均一な間隔で高密度に配置されるため、光学特性に優れた偏光素子５００を製造することができる。
【００８７】
なお、本実施形態においては下記方法を選択することも可能である。
【００８８】
エッチング工程Ｓ２２において、例えば、金属化合物としてＳｉＯ２、金属としてＡｕを選択したような場合、金属複合膜５１を構成する金属粒子５１ｂはハロゲン化されないことがある。このような場合においては、金属粒子５１ｂをハロゲン化させずに、次の保護膜形成工程Ｓ２３へと移行してもよい。
【００８９】
［第２実施形態の変形例］
第２実施形態の変形例について説明する。本変形例は、金属化合物として透明材料を用いた場合を示すものである。
【００９０】
本実施形態の変形例における偏光素子の製造方法は、図７に示すように、金属複合膜形成工程Ｓ３１と、ハロゲン化工程Ｓ３２と、保護膜形成工程Ｓ３３と、延伸工程Ｓ３４と、還元工程Ｓ３５と、を有する。
下記各工程の詳細な説明は、金属化合物をＳｉＯ２、金属をＡｇとした場合を例示するものである。
【００９１】
金属複合膜形成工程Ｓ３１は、図７（ａ）に示すように、本実施形態の金属複合膜形成工程Ｓ２１と同様である。これにより、金属複合膜５１が形成される。
【００９２】
ハロゲン化工程Ｓ３２では、図７（ｂ）に示すように、金属粒子５１ｂがハロゲン化され金属ハロゲン化物粒子７１ａとなり、複合膜７１が形成される。
【００９３】
本変形例においては、透明基板１０をハロゲン又はハロゲン化合物を含むガスに曝して金属複合膜５１を該ガスと接触させることで金属粒子５１ｂをハロゲン化する方法を用いることができる。ガスとしては、例えば、Ｃｌ系ガス（Ｃｌ２、ＢＣｌ３等）を選択できる。このとき、Ａｇからなる金属粒子５１ｂは、ＡｇＣｌｘからなる金属ハロゲン化物粒子７１ａとなる。
【００９４】
保護膜形成工程Ｓ３３は、図７（ｃ）に示すように、第１実施形態で説明した保護膜形成工程Ｓ１３と同様である。これにより、保護膜１３が形成される。
【００９５】
ここで、金属化合物粒子５１ａとして、透明材料であるＳｉＯ２を用いているため、透明基板１０の表面上に付着した金属化合物粒子５１ａは、同じく透明材料によって形成される保護膜１３と一体化する。
その結果、金属ハロゲン化物粒子７１ａは、透明基板１０の表面上に島状に分布することとなる。
【００９６】
延伸工程Ｓ３４は、図７（ｄ）に示すように、第１実施形態で説明した延伸工程Ｓ１４と同様である。これにより、形状異方性粒子７１ｂが形成される。
【００９７】
還元工程Ｓ３５は、図７（ｅ）に示すように、第１実施形態で説明した延伸工程Ｓ１５と同様である。これにより、形状異方性金属粒子７１ｃが形成される。
【００９８】
以上の工程により、透明基板１０の表面上に、基板面内の一方向に配向した多数の形状異方性金属粒子７１ｃがスリット状の領域を介して配列された偏光素子７００を製造することができる。
【００９９】
本変形例によれば、透明基板１０の表面上に付着する金属化合物粒子５１ａとして透明材料を用いているため、金属化合物粒子５１ａの付着部分は透明となる。そのため、金属化合物粒子５１ａを除去しなくとも、製造される偏光素子７００の光学特性に影響を与えることがない。その結果、エッチング工程を行う必要がなく、手間を省くことができる。
【０１００】
なお、本変形例においては下記方法を選択することも可能である。
【０１０１】
金属複合膜形成工程Ｓ３１において、金属化合物をＳｉＯ２、金属をＡｌとすることもできる。この場合において、ハロゲン化工程Ｓ３２におけるハロゲン化方法として、ＣＦ系ガス（ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６等）に金属複合膜５１を曝す方法を選択できる。このハロゲン化プロセスでは、Ａｌからなる金属粒子５１ｂは、ＡｌＦ３からなる金属ハロゲン化物粒子７１ａとなる。
【０１０２】
また、金属複合膜形成工程Ｓ３１において、金属化合物をＳｉＯ２、金属をＡｕとすることもできる。この場合においては、ハロゲン化工程Ｓ３２を行わなくてもよい。
【０１０３】
また、本変形例においては、ハロゲン化工程Ｓ３２において、金属化合物が選択的にエッチングされるようなハロゲン化方法を用いてもよい。
【０１０４】
また、本変形例においては、ハロゲン化工程Ｓ３２を省略することもできる。その場合、透明基板１０の表面上に付着した金属粒子５１ｂはハロゲン化されないため、還元工程Ｓ３５も省略することができる。
【０１０５】
［第２実施形態の検証実験］
本実施形態における、金属複合膜形成工程Ｓ２１の検証実験を行った。
ＳｉＯ２からなる金属化合物と、Ａｕからなる金属の割合が、ＳｉＯ２：Ａｕ＝２：１である金属複合膜を形成し、光学特性実験を行った。形成された膜厚は２７６ｎｍである。
【０１０６】
図８に示すのは、上記において形成された金属複合膜の光学特性である。実験により得られた透過率、反射率、吸収率の実測値と、ＦＤＴＤ法により求めた吸収率の計算値が示されている。吸収率の実測値と計算値とを比較すると、共に５４０ｎｍ付近でピークがあることが認められる。Ａｕナノ粒子のプラズモン吸収スペクトルの波長は５２０〜５７０ｎｍ程度であることから、該金属複合膜はＡｕナノ粒子特有の光学特性を有していることが認められる。したがって、該金属複合膜はナノサイズのＡｕの金属粒子を有するものである。
以上より、本実施形態における金属複合膜形成工程Ｓ２１によって、偏光素子５００を製造するために必要な金属複合膜５１を形成できることが確認された。
【符号の説明】
【０１０７】
１０…透明基板、１１，５１…金属複合膜、１１ａ，１１ｂ，５１ｂ…金属粒子、５１ａ…金属化合物粒子、１２ｃ，５２ｃ，７１ｃ…形状異方性金属粒子、１３…保護膜、２１ｃ…蒸着源、１００，５００，７００…偏光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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