(57)【要約】【課題】タッチセンサを備える表示装置において、検出感度の低下を抑制しつつ装置の軽量化を実現すること。【解決手段】一対の基板の間にタッチセンサと、カラーフィルタと、表示素子を備える表示部と、を挟持させた構成とし、タッチセンサと表示部との間に、タッチセンサが設けられる基板に比べて比誘電率と比重の積が小さい緩和層を設けることで、タッチセンサと表示部を構成する電極や配線との寄生容量を低減すればよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、が対向して設けられ、
前記第２の基板と前記第１の基板との間に、センサ層と、カラーフィルタ層が前記第２の基板側から順に積層して設けられ、
前記第１の基板と前記カラーフィルタ層との間に、一対の電極を備える表示素子が設けられ、
前記センサ層と、前記カラーフィルタ層の間に、緩和層が設けられ、
前記センサ層は、透光性の電極を含み、
前記緩和層は、比重と比誘電率の積が前記第２の基板よりも小さい、
表示装置。
【請求項２】
前記センサ層は、同一表面上に形成された第１乃至第３の電極と、絶縁層と、配線と、を有し、
前記配線は、前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記第１の電極及び前記第３の電極と電気的に接続し、且つ、前記絶縁層を介して前記第２の電極上に重ねて設けられ、
前記絶縁層は、比重と比誘電率の積が前記第２の基板よりも小さい、
請求項１に記載の、表示装置。
【請求項３】
前記緩和層は、偏光子を含有した層を含む、
請求項１または請求項２に記載の、表示装置。
【請求項４】
前記表示素子は、前記一対の電極がつくる電界中に液晶を備える、
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の、表示装置。
【請求項５】
前記表示素子は、前記一対の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層を備える、
請求項１乃至請求項３のいずれか一に記載の、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチセンサを備える表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、スマートフォン、パーソナルコンピュータ、タブレット端末、携帯型ゲーム機器、携帯型音楽プレーヤなど、表示装置を備える様々な電子機器の普及が進んでいる。このような電子機器のインターフェースとして、画像表示のための表示部に重ねてタッチセンサを設けることにより、より直感的な操作が可能な電子機器が実現されている。
【０００３】
表示部には、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を備える表示装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが適用される。
【０００４】
また、タッチセンサとしては、代表的には抵抗膜方式、静電容量方式があり、そのほかにも表面弾性波方式、赤外線方式など様々な方式が知られている。
【０００５】
表示装置の表示部に重ねてタッチセンサを設ける方法としては、画像表示のための表示部を含んで構成される表示パネルと、タッチセンサを含むタッチパネルとをそれぞれ別途作製し、これらを重ねて設ける方法が多く用いられる。また近年では、表示パネルの内部にタッチパネルの機能を内蔵させ、全体の重量や作製コストを低減する検討がなされている。例えば、特許文献１には、カラーフィルタが形成される基板に、カラーフィルタと該基板との間にタッチセンサ（デジタイザセンサボード等と記載）を設ける液晶表示装置の構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１８９８５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、表示パネルを構成する一対の基板の内側にタッチセンサの電極を備える表示装置の構成とした場合、表示パネルを構成する配線や電極と、該タッチセンサの電極との寄生容量が増大し、タッチセンサによる検出感度が十分に得られないといった問題がある。
【０００８】
例えば、特許文献１の図３Ａに記載された構成では、ガラス基板上にタッチセンサ（デジタイザセンサ膜と記載）とカラーフィルタ層が積層されており、カラーフィルタ層と液晶層を介してタッチセンサと液晶素子の電極との間に極めて大きな寄生容量が生じる。したがって、このような構成ではタッチセンサの検出感度が著しく損なわれてしまう。また特許文献１の図３Ｂに記載された構成も同様に、タッチセンサとＴＦＴアレイとの間に生じる大きな寄生容量により、検出感度が著しく損なわれる。
【０００９】
さらに特許文献１に記載の構成では、指等で触れる面（タッチ面ともいう）とタッチセンサとの間には、最外層ガラスカバー、偏光板、ガラス基板等が存在し、これらの距離が比較的大きいことも検出感度の低下につながる。さらにこのような構成では全体の重量の低減が困難である。
【００１０】
したがって、本発明の一態様は、タッチセンサを備える表示装置において、検出感度の低下を抑制しつつ装置の軽量化を実現することを課題の一とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、一対の基板の間に静電容量方式のタッチセンサと、カラーフィルタと、表示素子を備える表示部と、を挟持させた構成に着眼し、タッチセンサと表示部との間に低誘電率な材料からなる層を設けることで、タッチセンサを構成する電極や配線と、表示部を構成する電極や配線との寄生容量を低減することに想到した。
【００１２】
すなわち、本発明の一態様の表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、が対向して設けられ、第２の基板と第１の基板との間に、センサ層と、カラーフィルタ層が第２の基板側から順に積層して設けられ、第１の基板とカラーフィルタ層との間に、一対の電極を備える表示素子が設けられ、センサ層と、カラーフィルタ層の間に、緩和層が設けられている。さらにセンサ層は、透光性の電極を含む。また緩和層は、比重と比誘電率の積が第２の基板よりも小さいことを特徴とする。
【００１３】
このような構成とすることで、一対の基板の間に表示素子とタッチセンサの両方を設けることができるため、表示装置の軽量化を実現できる。さらに第２の基板に比べてその比重と比誘電率の積が小さい緩和層により、表示装置の重量の増加を抑えつつ、センサ層が備える電極と表示素子の備える電極との間の寄生容量を効果的に低減することができる。
【００１４】
また、上記表示装置において、センサ層は、同一表面上に形成された第１乃至第３の電極と、絶縁層と、配線と、を有し、配線は、絶縁層に設けられた開口部を介して第１の電極及び第３の電極と電気的に接続し、且つ、絶縁層を介して第２の電極上に重ねて設けられ、絶縁層は、比重と比誘電率の積が第２の基板よりも小さい構成とすることが好ましい。
【００１５】
このように、検出のための電極を第２の基板に近い側に設けることで、該電極とタッチ面との距離が小さくなるため、検出感度の極めて高い静電容量方式のタッチセンサを実現できる。さらに、検出のための電極間を電気的に接続するための配線を、絶縁層を介して表示素子に近い側に設けることで検出のための電極と表示素子の距離を大きくでき、表示装置の重量の増加を抑えつつこれらの間の寄生容量を低減することができる。
【００１６】
また、上記いずれかの表示装置において、緩和層は、偏光子を含有した層を含むことが好ましい。
【００１７】
このような構成とすることで、緩和層に透過光を偏光させる偏光層としての機能を持たせることができる。例えば従来の液晶表示装置では、偏光板を表示装置のタッチ面側の基板よりも外側に配置し、さらにタッチ面となる最外面には偏光板を保護するための強化ガラス等の基板を配置する必要があったが、上記構成とすることで、偏光板及び最外面に設ける基板が不要となり、表示装置を極めて軽量化できる。また、有機ＥＬ素子が適用された表示装置では、緩和層を反射防止膜として機能させることができ、表示のコントラストを向上させることができる。
【００１８】
また、上記いずれかの表示装置において、表示素子は、一対の電極がつくる電界中に液晶を備えることが好ましい。
【００１９】
また、上記いずれかの表示装置において、表示素子は、一対の電極に挟持された発光性の有機化合物を含む層を備えることが好ましい。
【００２０】
なお、本明細書等において、ある物体の比誘電率とは物体の誘電率と真空の誘電率との比をいい、該比誘電率は無次元量である。また、本明細書等における、ある物体の比誘電率は、外部電場の周波数が、誘電分散が生じない程度に十分に小さい（例えば１００ｋＨｚ以下）場合における値とする。
【００２１】
なお、本明細書等において、ある物体の比重とは温度４℃、大気圧下における水の密度に対するその物体の平均密度のことをいい、該比重は無次元量である。また、特に断りの無い場合、本明細書等における、ある物体の比重は、温度２５℃、大気圧下における値とする。
【００２２】
なお、本明細書中において、表示装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、タッチセンサを備える表示装置において、検出感度の低下を抑制しつつ装置の軽量化を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図２】本発明の一態様の、タッチセンサを説明する図。
【図３】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図４】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図５】本発明の一態様の、表示装置の作製方法を説明する図。
【図６】本発明の一態様の、表示装置の作製方法を説明する図。
【図７】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図８】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図９】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図１０】本発明の一態様の、表示装置を説明する図。
【図１１】本発明の一態様の、表示装置を適用した電子機器の例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２６】
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００２７】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について、図面を参照して説明する。
【００２８】
図１は、本実施の形態で例示する表示装置１００の概略図である。表示装置１００は、第１の基板１０１と第２の基板１０２を有し、これらの間に、第１の基板１０１側からＴＦＴ層１０７、表示素子層１０６、カラーフィルタ層１０５、緩和層１０４、センサ層１０３が順に積層して設けられている。
【００２９】
ＴＦＴ層１０７は、表示素子層１０６を駆動するためのトランジスタや配線などを有する。なお、パッシブマトリクス型の表示装置とする場合にはトランジスタは不要であり、配線や電極のみを設ける。
【００３０】
表示素子層１０６は、少なくとも一対の電極を備える表示素子を複数有する。表示素子としては、代表的には液晶素子、有機ＥＬ素子などを用いることができる。また、一対の電極間に電気泳動素子などが挟持された表示素子を用いてもよい。
【００３１】
カラーフィルタ層１０５は、表示素子層１０６の各々の表示素子と重なるカラーフィルタを有する。例えばカラーフィルタ層１０５に、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の３色のカラーフィルタを設ける構成とすると、フルカラーの表示装置とすることができる。カラーフィルタ層１０５には、カラーフィルタの他にブラックマトリクス等を含んでいてもよい。
【００３２】
センサ層１０３は、第２の基板１０２に外側から指１１０等の導電性の検知対象が近接する、または触れることを検知するタッチセンサとして機能する。センサ層１０３に設けられるタッチセンサとして、静電容量方式のタッチセンサが好ましい。静電容量方式のタッチセンサとしては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。また投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【００３３】
ここで、静電容量方式のタッチセンサの動作と、検出感度への寄生容量の影響について説明する。図２（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの概略図である。簡単のため、ここでは１つのセンサ素子を例に挙げて説明する。
【００３４】
センサ素子は一対の電極（電極１１１、電極１１２）を有する。電極１１１と電極１１２の間には相互容量Ｃｆが形成される。また、電極１１１や電極１１２には、それぞれ寄生容量Ｃｐが接続されている。
【００３５】
電極１１１には交流電圧（またはパルス電圧）が入力される。電極１１２には電流を検知する検知部が電気的に接続される。したがって、電極１１１に入力される電圧の変動に伴って、電極１１１と相互容量Ｃｆによって結合された電極１１２に流れる電流Ｉｓを、検知部により検知することができる。ここでＩｓは、相互容量Ｃｆの大きさに比例する。
【００３６】
ここで図２（Ｂ）に示すように、センサ素子の一対の電極に指等の導電性の検知対象が接近すると、相互容量Ｃｆの値が小さくなる。したがって、相互容量Ｃｆの変化に伴い、電極１１２に流れる電流Ｉｓの値が小さくなる。この電流Ｉｓの差を検出することにより、タッチ動作を検出することができる。
【００３７】
しかし、電極１１１や電極１１２に接続される寄生容量Ｃｐの値が大きい場合、容量結合により電極１１２に流れる電流の値が小さくなってしまう。その結果、タッチ動作の検出感度が低下してしまう。
【００３８】
他の一例として、図２（Ｃ）に自己容量型のタッチセンサの概略図を示す。自己容量型のタッチセンサでは、電極１１１には定電位が与えられ、電極１１１と自己容量Ｃｓにより容量結合した電極１１２に交流電圧が与えられた時の電流Ｉｓを検知する。検知対象の有無で自己容量Ｃｓが変化し、これに伴う電流Ｉｓの変化を検出することにより、タッチ動作を検出することができる。しかし、上記と同様に電極１１２に接続される寄生容量Ｃｐが大きいほど、電流Ｉｓの変化が小さくなり、検出感度が低下してしまう。
【００３９】
なお、このような寄生容量Ｃｐによる検出感度の低下の問題は、表面型静電容量方式などの容量結合を用いて検出する静電容量方式のタッチセンサ全般に生じる。
【００４０】
したがって容量結合を用いて検出する静電容量方式のタッチセンサの検出感度を良好なものとするためには、寄生容量Ｃｐをできるだけ小さくすること、または検出のための容量の変化量を大きくすることのうち少なくとも一方を実現することが望まれる。
【００４１】
以上がタッチセンサについての説明である。
【００４２】
図１に示す表示装置１００は、センサ層１０３とカラーフィルタ層１０５の間に緩和層１０４を有する。緩和層１０４は、その比重と比誘電率の積が第２の基板１０２よりも小さいことを特徴とする。
【００４３】
表示装置１００において、第２の基板１０２は、最もタッチ面に近い位置に設けられる。したがって検出のための容量（例えば上述の相互容量Ｃｆ）の変化ができるだけ大きくなるように、材料や厚さを設定することが好ましい。一方、第２の基板１０２はタッチ動作による表示装置１００の破損を防ぐためにその強度を確保することが好ましい。
【００４４】
ここで、第２の基板１０２を薄くすると検出のための容量の変化は高められるが強度が低下してしまうため、強度を確保するためには第２の基板１０２に用いる材料として比誘電率の高い材料を用いることが好ましい。また第２の基板１０２として比重の大きな絶縁材料を用いると、強度と比誘電率を高められるため好ましい。
【００４５】
緩和層１０４として、その比重と比誘電率の積が第２の基板１０２よりも小さい材料を用いることで、緩和層１０４を設けることによる重量の増加を抑制しつつ、効果的にセンサ層１０３と表示素子層１０６の間のそれぞれの電極間に生じる寄生容量を低減することができる。さらに、第２の基板１０２に、その比重と比誘電率の積が緩和層１０４よりも大きな材料を用いることで、強度を損ねることなく検出のための容量の変化を大きくすることができる。したがって、寄生容量の低減と検出のための容量の増大により、タッチセンサの検出感度を極めて高いものとすることができる。
【００４６】
［適用例］
以下では、表示素子層１０６の備える表示素子に液晶素子を適用する場合、及び発光素子を適用する場合について説明する。
【００４７】
図３（Ａ）に示す表示装置１２０は、表示素子層１０６に液晶素子層１２１が適用されている点、偏光板１２２、偏光板１２３、及び保護基板１２４が設けられている点で、図１で例示した表示装置１００と相違している。
【００４８】
液晶素子層１２１には一対の電極と液晶を備える液晶素子が設けられている。液晶としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶などを用いることができる。また、ブルー相を示す液晶を使用すると、配向膜が不要であり、且つ広い視野角が得られるため好ましい。
【００４９】
また、液晶素子の構成としては、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ  Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ  ａｌｉｇｎｅｄ  Ｍｉｃｒｏ−ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードなどを用いることができる。
【００５０】
ここで、液晶素子としてＩＰＳモードやＦＦＳモードを適用することが好ましい。このようなモードが適用された液晶素子は、第２の基板１０２側に電極を配置する必要がないため、第２の基板１０２側に設けられるタッチセンサの電極と、液晶素子の電極との間で生じる寄生容量の影響が抑制され、タッチセンサの感度を向上させることができる。
【００５１】
第２の基板１０２のセンサ層１０３に対向する面とは反対側の面上には、偏光板１２２が設けられる。また第１の基板１０１のＴＦＴ層１０７に対向する面とは反対側の面に偏光板１２３が設けられる。
【００５２】
また、偏光板１２２の表面を保護するため、偏光板１２２の第２の基板１０２と対向する面とは反対側の面上に保護基板１２４が設けられる。ここで、保護基板１２４の一方の面が、タッチ面として機能するため、保護基板１２４は機械的強度が高められていることが好ましい。
【００５３】
表示装置１２０は、表示装置１２０の第１の基板１０１側に設けられたバックライト１１５からの光に対し、その透過する量を制御することにより、表示を行うことができる。
【００５４】
表示装置１２０は、センサ層１０３とカラーフィルタ層１０５の間に緩和層１０４を有しているため、軽量で、且つタッチセンサの感度が高められた表示装置である。
【００５５】
図３（Ｂ）には、表示装置１２０とは一部の構成が異なる表示装置１３０の構成例を示している。表示装置１３０は、緩和層１０４に換えて緩和層１１４が設けられている点、偏光板１２２及び保護基板１２４を有していない点で、表示装置１２０と相違している。
【００５６】
緩和層１１４は偏光子を含み、液晶素子層１２１中の液晶素子を透過したバックライト１１５からの光を偏光する、偏光板としての機能を有する。
【００５７】
このような機能を有する緩和層１１４をセンサ層１０３とカラーフィルタ層１０５の間に設けることにより、第２の基板１０２よりも外側に偏光板１２２及び保護基板１２４を設ける必要がなくなり、より表示装置１３０を軽量化することができる。さらに、偏光板１２２及び保護基板１２４を省略することで第２の基板１０２のセンサ層１０３と対向しない面がタッチ面となるため、タッチ面とセンサ層１０３の間の検出のための容量の変化を増大させ、検出感度を極めて高くできる。
【００５８】
図４に示す表示装置１４０は、表示素子層１０６に発光素子層１３１が適用されている点で、図１で例示した表示装置１００と相違している。
【００５９】
発光素子層１３１には、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を備える発光素子が設けられている。発光素子の具体的な構成例は、後の実施の形態で説明する。
【００６０】
このような構成の表示装置１４０は、バックライトや偏光板が不要なため、液晶素子が適用された表示装置と比較してより軽量な構成とすることができる。
【００６１】
以上が適用例についての説明である。
【００６２】
本実施の形態で例示した表示装置は、センサ層が第１の基板と第２の基板の間に設けられ、センサ層とカラーフィルタ層の間に、緩和層を備える。さらに緩和層は、その比重と比誘電率の積が第２の基板よりも小さいことを特徴とする。したがって、極めて軽量で、且つタッチセンサの感度が高められた表示装置を実現できる。
【００６３】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【００６４】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例として、液晶素子が適用された表示装置の作製方法例について、図面を参照して説明する。
【００６５】
［作製方法例１］
まず、第１の基板１０１上にＴＦＴ層１０７を形成する（図５（Ａ））。
【００６６】
第１の基板１０１としては、絶縁表面を有し、可視光に対して透光性を有する材料を用いる。第１の基板１０１の材料としては、ガラス材料または樹脂材料などを用いることができる。また、表示装置を湾曲して用いる場合には、第１の基板１０１に可撓性を有する樹脂材料、または可撓性を有する程度に薄いガラス材料、またはこれらの複合材料もしくは積層材料を用いる。
【００６７】
ＴＦＴ層１０７は、少なくともトランジスタを含む。ＴＦＴ層１０７にはトランジスタの他に容量素子を有していてもよい。また、ＴＦＴ層１０７は駆動回路（ゲート駆動回路、ソース駆動回路）などを含んでいてもよい。さらにＴＦＴ層１０７は配線や電極を含んでいてもよい。
【００６８】
ＴＦＴ層１０７は、適当な作製方法により作製することができる。例えば、液晶素子が適用されたアクティブマトリクス型の表示装置とする場合には、第１の基板１０１上にトランジスタを構成するゲート電極（及び配線）、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極（及び配線）を形成する。また、その上層に液晶素子の電極をトランジスタと電気的に接続するように形成する。なお該電極は、後に形成される液晶素子層１２１の一部となる。また、該電極上に液晶の配向を制御するための配向膜を形成してもよい。
【００６９】
続いて、第２の基板１０２上にセンサ層１０３を形成する（図５（Ｂ））。ここでは、センサ層１０３に投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について説明する。
【００７０】
まず、第２の基板１０２を準備する。第２の基板１０２は、第１の基板１０１と同様の材料を用いることができる。なお、第２の基板１０２のセンサ層１０３が形成されない側の面をタッチ面とする場合には、第２の基板１０２としてガラス基板、特に強度が高められた強化ガラス基板を用いることが好ましい。または、無機材料からなるハードコートが表面に施された樹脂材料を用いてもよい。また、表示装置を湾曲して用いる場合には、第２の基板１０２に可撓性を有する樹脂材料、または可撓性を有する程度に薄いガラス材料、またはこれらの複合材料もしくは積層材料を用いる。
【００７１】
例えば、第２の基板１０２に用いることのできるガラス材料の一例としては、比誘電率が３．５以上１０．０以下、比重が２．０以上４．５以下のガラス材料が挙げられる。
【００７２】
第２の基板１０２の厚さはその材料に応じて設定すればよいが、例えばガラス材料を用いる場合には、１０μｍ以上２ｍｍ以下、好ましくは５０μｍ以上１ｍｍ以下とすることが好ましい。第２の基板１０２の厚さが薄いほど、タッチセンサの検出感度を向上させることができる。
【００７３】
続いて第２の基板１０２上に、透光性を有する電極１１１及び電極１１２を形成する。まず、導電膜をスパッタリング法などの方法で成膜した後、フォトリソグラフィ法等のパターニング技術により、不要な部分を除去することで形成すればよい。
【００７４】
続いて、電極１１１及び電極１１２を覆う透光性を有する絶縁層１５１を形成する。絶縁層１５１には、その比重と比誘電率の積が第２の基板１０２よりも小さい材料を用いることが好ましい。絶縁層１５１に用いる材料としては、例えばアクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることもできる。
【００７５】
続いて、絶縁層１５１に電極１１１に達する開口部を形成した後、絶縁層１５１上に電極１１１と電気的に接続する配線１５２を形成する。配線１５２は、電極１１１及び電極１１２よりも導電性の高い材料を用いることが好ましい。
【００７６】
電極１１２は一方向（紙面に垂直な方向）に延在したストライプ状に複数設ける。また、電極１１１は１本の電極１１２を一対の電極１１１が挟むように設けられ、当該一対の電極１１１を電気的に接続する配線１５２が電極１１２と交差するように設けられる。ここで、一本の電極１１２と、配線１５２によって電気的に接続する複数の電極１１１は、必ずしも直交して設ける必要はなく、これらの成す角が９０度未満であってもよい。
【００７７】
以上の工程で第２の基板１０２上にセンサ層１０３を形成することができる。
【００７８】
続いて、センサ層１０３上に緩和層１５４を形成する（図５（Ｃ））。
【００７９】
緩和層１５４としては、実施の形態１で例示した緩和層１０４または緩和層１１４と同様の構成を用いることができる。
【００８０】
緩和層１５４としては、例えばアクリル、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、シロキサン結合を有する樹脂などの樹脂、またはバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラスなどを用いることができる。
【００８１】
また、緩和層１５４として偏光子を含む樹脂を用い、偏光板としての機能を持たせることが好ましい。その場合、自然光や円偏光から直線偏光を作り出すことができるような材料を用いる。例えば、二色性の物質を一定方向にそろえて配置することで、光学的な異方性を持たせたものを用いることができる。例えば、ヨウ素系の化合物などをポリビニルアルコールなどのフィルムに吸着させ、これを一方向に延伸することで作製することができる。なお、二色性の物質としては、ヨウ素系の化合物のほか、染料系の化合物などが用いられる。
【００８２】
緩和層１５４は、膜状、またはフィルム状、シート状、もしくは板状の材料を用いる。
【００８３】
膜状の緩和層１５４を形成する場合には、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法、スクリーン印刷等の印刷法、ドクターナイフ、ロールコータ、カーテンコータ、ナイフコータなどを用いて形成することができる。
【００８４】
また、フィルム状、シート状、もしくは板状の材料を用いる場合には、センサ層１０３上に接着層１５３を介してこれら材料を貼り付ける。接着層１５３としては、透光性を有し、緩和層１５４と被接着面を固着することができればよく、熱硬化樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。
【００８５】
例えば、緩和層１５４としてアクリルを用いる場合、比誘電率が２．５以上４．５以下、比重が１．０以上１．３以下のアクリルを用いればよい。緩和層１５４として樹脂を含む材料を用いると、比誘電率と比重のいずれも小さくできるため好ましい。
【００８６】
緩和層１５４の厚さはその材料に応じて設定すればよいが、例えばアクリルを用いる場合には、５μｍ以上３ｍｍ以下、好ましくは１０μｍ以上２ｍｍ以下とすればよい。
【００８７】
本実施の形態では、緩和層１５４として偏光子を含むシート状の材料を用い、接着層１５３によって緩和層１５４をセンサ層１０３上に貼り付ける。
【００８８】
続いて、緩和層１５４上に平坦化層１５５を形成する。平坦化層１５５には、絶縁層１５１と同様の材料を用いることができる。平坦化層１５５は、緩和層１５４の表面形状を覆って平坦化するために設ける。平坦化層１５５を設けることにより、後に形成されるカラーフィルタ層１０５内のカラーフィルタの厚さのばらつきを抑制し、各画素の輝度のばらつきを抑制することができる。また、平坦化層１５５を設けることで、後のカラーフィルタ層１０５の形成工程において、緩和層１５４の表面を保護することもできる。なお、緩和層１５４の上面が十分に平坦で、且つ後のカラーフィルタ層１０５の形成に耐えうる場合には、平坦化層１５５を設けなくてもよい。
【００８９】
続いて、平坦化層１５５上にカラーフィルタ層１０５を形成する（図５（Ｄ））。カラーフィルタ層１０５は、例えば顔料を含む感光性の材料を用い、フォトリソグラフィ法により形成することができる。また、カラーフィルタ層１０５として、異なる色のカラーフィルタの間にブラックマトリクスを設けてもよい。また、カラーフィルタやブラックマトリクスを覆うオーバーコートを設けることが好ましい。
【００９０】
なお、液晶素子の構成に応じて、カラーフィルタ層１０５上に液晶素子の一方の電極を形成してもよい。なお該電極は、後に形成される液晶素子層１２１の一部となる。また該電極上に配向膜を形成してもよい。
【００９１】
以上の工程により、第２の基板１０２上に、センサ層１０３、緩和層１５４、及びカラーフィルタ層１０５を積層することができる。
【００９２】
なお、第１の基板１０１上にＴＦＴ層１０７を形成する工程と、第２の基板１０２上にセンサ層１０３、緩和層１５４、及びカラーフィルタ層１０５を形成する工程とは、その順序は問われず、いずれの工程を先に行ってもよいし、２つの工程を並行して行うこともできる。
【００９３】
続いて、第１の基板１０１と第２の基板１０２との間に液晶を挟持した状態で、封止材１５６により封止し、液晶素子層１２１を形成する（図５（Ｅ））。
【００９４】
液晶を形成する方法として、ディスペンサ法（滴下法）や、第１の基板１０１と第２の基板１０２を貼り合わせた後に毛細管現象を用いて液晶を注入する注入法などを用いることができる。
【００９５】
封止材１５６としては、接着層１５３と同様の材料を用いることができる。また封止材１５６を、低融点ガラスを含むガラスフリットを用いて形成してもよい。
【００９６】
以上の工程により、表示装置１５０を作製することができる。表示装置１５０は、センサ層１０３の検出のための電極（電極１１１、電極１１２）と液晶素子層１２１の電極との間に、緩和層１５４の他、絶縁層１５１や接着層１５３、平坦化層１５５、カラーフィルタ層１０５などの層が挟持されているため、電極間に生じる寄生容量が極めて低減されている。さらに、緩和層１５４が偏光子を含み、偏光板として機能するため、第２の基板１０２の一面をタッチ面として用いることができる。したがってこのような構成とすることにより、軽量で、且つタッチセンサの感度の極めて高い表示装置を実現できる。
【００９７】
以上が本作製方法例についての説明である。
【００９８】
［作製方法例２］
以下では、上記作製方法例１とは一部が異なる表示装置の作製方法例について、図面を参照して説明する。なお、上記作製方法例１と重複する部分は説明を省略する場合がある。
【００９９】
まず、作製方法例１と同様に、第１の基板１０１上にＴＦＴ層１０７を形成する。
【０１００】
また同様に、第２の基板１０２上にセンサ層１０３、及び緩和層１５４を形成する。
【０１０１】
ここで、支持基板１６１を準備する。支持基板１６１には比較的平坦な表面を有する基板を用いる。支持基板１６１としては、第１の基板１０１または第２の基板１０２と同様の材料のほか、金属基板、セラミック基板などの非透光性の基板を用いることもできる。
【０１０２】
続いて、支持基板１６１上に、剥離層１６２と被剥離層１６３を積層して形成する。ここで、剥離層１６２と被剥離層１６３は、これらの界面で剥離可能な組み合わせの材料を用いる。
【０１０３】
例えば、剥離層１６２としてタングステンなどの金属を用い、被剥離層１６３として酸化シリコンなどの酸化物を用いる。このとき、金属の表面が酸化物との接触により酸化され、該金属の酸化物（例えば酸化タングステン）が形成される。ここで、剥離層１６２を物理的に剥離する外力を加えることにより、剥離層１６２と被剥離層１６３との界面で剥離が生じる。
【０１０４】
このほか、剥離層１６２として金属を、被剥離層１６３として樹脂を用いて、両者の密着性の大きさを制御することで剥離可能な構成としてもよい。また、極めて平坦性の高い面を有する剥離層１６２及び被剥離層１６３を用い、これらの平坦面を密着させることで接合した構成を用いてもよい。
【０１０５】
なお、支持基板１６１の表面を剥離層１６２として用い、支持基板１６１上に接して被剥離層１６３を形成してもよい。例えば、支持基板１６１として金属基板を用い、被剥離層１６３として樹脂を用いることもできる。また例えば、比較的厚いガラス基板を支持基板１６１として用い、比較的薄いガラス基板を被剥離層１６３として用い、これらの平坦面を密着させることで接合したものを用いることもできる。
【０１０６】
続いて、被剥離層１６３上にカラーフィルタ層１０５を形成する（図６（Ａ））。カラーフィルタ層１０５は、作製方法例１で例示した方法と同様の方法で形成することができる。
【０１０７】
続いて、第２の基板１０２と支持基板１６１を、センサ層１０３とカラーフィルタ層１０５が対向するように、接着層１６４を用いて貼り合わせる。ここで、接着層１６４としては、上記接着層１５３と同様の材料を用いることができる。
【０１０８】
第２の基板１０２と支持基板１６１を貼り合わせた後、剥離層１６２と被剥離層１６３の界面で剥離を生じさせ、支持基板１６１を剥離する（図６（Ｂ））。
【０１０９】
剥離の方法としては、例えば第２の基板１０２を吸着ステージ等で固定し、剥離層１６２と被剥離層１６３の界面に剥離の起点を形成する。例えば、これらの境界に刃物などの鋭利な形状の器具を差し込むことで、剥離の起点としてもよい。また、表面張力の低い液体（例えばアルコールや水など）を２つの基板の端部に滴下し、該液体を２枚の基板の境界に浸透させることにより、剥離の起点を形成してもよい。
【０１１０】
次いで、剥離の起点から密着面に対して略垂直方向に、緩やかに物理的な力を加えることにより、支持基板１６１を破損することなく容易に剥離することができる。このとき、例えば支持基板１６１にテープ等を貼り付け、当該テープを上記方向に引っ張ることで剥離を行ってもよいし、鉤状の部材を支持基板１６１の端部に引っかけて剥離を行ってもよい。また、真空吸着が可能な部材を支持基板１６１の裏面に貼り付け、剥離を行ってもよい。
【０１１１】
また、剥離を行う際に静電気が生じ、第２の基板１０２が帯電してしまう場合がある。第２の基板１０２が帯電すると、センサ層１０３内の回路や素子が静電気放電（ＥＳＤ：Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）により破壊してしまう恐れがある。これを抑制するため、剥離の起点に導電性を有する液体（例えばイオン性液体や、炭酸水などのイオンを含む水など）を滴下し、剥離界面に常に当該液体が接している状態で剥離を行うことが好ましい。または、イオナイザなどを用いてＥＳＤの発生を抑制しながら剥離を行ってもよい。
【０１１２】
続いて、第１の基板１０１と第２の基板１０２との間に液晶を挟持した状態で、封止材１５６により封止し、液晶素子層１２１を形成する（図６（Ｃ））。液晶の形成方法、及び封止方法としては、上記作製方法例１と同様の方法を用いることができる。
【０１１３】
以上の工程により、表示装置１６０を作製することができる。
【０１１４】
本作製方法例では、カラーフィルタ層１０５を支持基板１６１上に形成した後、緩和層１５４上にこれを転置することにより、緩和層１５４上にカラーフィルタ層１０５を形成する。したがって、緩和層１５４上に直接カラーフィルタ層１０５を形成する場合と比較して、緩和層１５４の表面の凹凸形状の影響を受けることなく、極めて平坦な面上にカラーフィルタ層１０５を形成できるため、高精細で且つ透過率のばらつきが低減されたカラーフィルタ層１０５とすることができる。また、緩和層１５４がカラーフィルタ層１０５を作製する工程の影響を受けることがないため、緩和層１５４に用いる材料の選択の自由度が高まるため好ましい。
【０１１５】
以上が本作製方法例についての説明である。
【０１１６】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１１７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置のより具体的な構成例について、図面を参照して説明する。なお以下では、上記実施の形態と重複する部分については、説明を省略する場合がある。
【０１１８】
［構成例１］
図７（Ａ）は、本構成例で例示する表示装置２００の斜視概略図である。なお図７には明瞭化のため代表的な構成要素のみを示している。また、図７（Ｂ）には、表示装置２００を展開した斜視概略図を示す。
【０１１９】
表示装置２００は、第１の基板１０１と第２の基板１０２の間に挟持された表示部２０１、及びタッチセンサ２０２を備える。
【０１２０】
第１の基板１０１には、表示部２０１と、表示部２０１と電気的に接続する複数の配線２０６を備える。また複数の配線２０６は、第１の基板１０１の外周部にまで引き回され、その一部がＦＰＣ２０４と電気的に接続するための外部接続電極２０５を構成している。
【０１２１】
表示部２０１は複数の画素を有する画素部２１１、ソース駆動回路２１２、及びゲート駆動回路２１３を有する。図７（Ｂ）では、ソース駆動回路２１２を、画素部２１１を挟んでその両側に２つ配置する構成としたが、１つのソース駆動回路２１２を画素部２１１の一方の辺に沿って配置する構成としてもよい。
【０１２２】
表示部２０１の画素部２１１に適用可能な表示素子としては、有機ＥＬ素子、液晶素子の他、電気泳動方式などにより表示を行う表示素子など、様々な表示素子を用いることができる。
【０１２３】
第２の基板１０２には、タッチセンサ２０２と、タッチセンサ２０２と電気的に接続する複数の配線２０７を備える。タッチセンサ２０２は、第２の基板１０２の第１の基板１０１と対向する面側に設けられる。また複数の配線２０７は第２の基板１０２の外周部にまで引き回され、その一部がＦＰＣ２１５と電気的に接続するための外部接続電極２１６を構成している。なお、図７（Ｂ）では明瞭化のため、第２の基板１０２の裏面側（紙面奥側）に設けられるタッチセンサ２０２の電極や配線等を実線で示している。
【０１２４】
図７（Ｂ）に示すタッチセンサ２０２は、投影型静電容量方式のタッチセンサの一例である。タッチセンサ２０２は、電極１１１と電極１１２を有する。電極１１１と電極１１２は、それぞれ複数の配線２０７のいずれかと電気的に接続する。
【０１２５】
ここで、電極１１２の形状は、図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、複数の四辺形が一方向に連続した形状となっている。また電極１１１の形状は四辺形形状であり、電極１１２の延在する方向とは交差する方向に一列に並んだ複数の電極１１１のそれぞれが、配線１５２によって電気的に接続されている。このとき、電極１１２と配線１５２の交差部の面積ができるだけ小さくなるように配置することが好ましい。このような形状とすることで、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、当該電極の有無によって生じる透過率の違いにより、タッチセンサ２０２を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
【０１２６】
なお、電極１１１、電極１１２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極１１１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極１１２を、電極１１１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極１１２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０１２７】
［断面構成例１］
以下では、表示部２０１に液晶素子が適用された表示装置２００の断面構成例について説明する。
【０１２８】
図８は、図７（Ａ）に示した表示装置２００において、ＦＰＣ２０４及びゲート駆動回路２１３を含む領域を切断する切断線Ａ−Ｂと、画素部２１１を含む領域を切断する切断線Ｃ−Ｄと、ＦＰＣ２１５を含む領域を切断する切断線Ｅ−Ｆのそれぞれに沿って切断した際の断面概略図である。
【０１２９】
第１の基板１０１と第２の基板１０２はその外周部において封止材１５６によって接着されている。また第１の基板１０１、第２の基板１０２、及び封止材１５６に囲まれた領域に、少なくとも画素部２１１が設けられている。
【０１３０】
図８には、ゲート駆動回路２１３として、いずれもｎチャネル型のトランジスタ２３１とトランジスタ２３２を組み合わせた回路を有する例を示している。なお、ゲート駆動回路２１３の構成はこれに限られず、ｎチャネル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタを組み合わせた種々のＣＭＯＳ回路や、ｐチャネル型のトランジスタを組み合わせた回路を有する構成としてもよい。なお、ソース駆動回路２１２についても同様である。また、本構成例では、表示部２０１が形成される絶縁表面上にゲート駆動回路２１３とソース駆動回路２１２が形成されたドライバ一体型の表示装置の構成を示すが、表示部２０１が形成される絶縁表面とは別にゲート駆動回路２１３とソース駆動回路２１２の一方または両方を設ける構成としてもよい。例えば、ＣＯＧ方式により駆動回路用ＩＣを実装してもよいし、ＣＯＦ方式により駆動回路用ＩＣが実装されたフレキシブル基板（ＦＰＣ）を実装してもよい。
【０１３１】
なお、画素部２１１、ソース駆動回路２１２、ゲート駆動回路２１３が備えるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる半導体材料としては、例えばシリコンやゲルマニウムなどの半導体材料を用いてもよいし、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いてもよい。
【０１３２】
また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。
【０１３３】
インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくともひとつを含む酸化物半導体としては、代表的にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などが挙げられる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい酸化物半導体を用いると、オフ時のリーク電流を抑制できるため好ましい。好ましい酸化物半導体の詳細については、後の実施の形態で説明する。
【０１３４】
図８には、画素部２１１の一例として、一画素分の断面構造を示している。画素部２１１は、ＦＦＳモードが適用された液晶素子２５０を備える。液晶素子２５０は、基板面に対して斜め方向に発生する電界により液晶の配向が制御される。
【０１３５】
１つの画素には少なくとも１つのスイッチング用のトランジスタ２５６と、図示しない保持容量を有する。またトランジスタ２５６のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続するくし形状の第１の電極２５１が絶縁層２５７上に設けられている。また絶縁層２５７を介して第１の電極２５１と絶縁するように、絶縁層２４１上に第２の電極２５３が設けられている。
【０１３６】
第２の電極２５３、または第１の電極２５１と第２の電極２５３の両方には、透光性の導電性材料を用いる。これら電極の両方に、透光性の導電性材料を用いると、画素の開口率を高めることができるため好ましい。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。
【０１３７】
また、少なくとも画素部２１１と重なる領域において、第２の基板１０２上にカラーフィルタ２４３とブラックマトリクス２４２が設けられている。
【０１３８】
カラーフィルタ２４３は、画素からの透過光を調色し、色純度を高める目的で設けられている。例えば、白色のバックライト用いてフルカラーの表示装置とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに黄色（Ｙ）を加えた４色とすることもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ（及びＹ）に加えて白色（Ｗ）の画素を用い、４色（又は５色）としてもよい。
【０１３９】
また、隣接するカラーフィルタの２４３の間に、ブラックマトリクス２４２が設けられている。ブラックマトリクス２４２は隣接する画素から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ブラックマトリクス２４２は異なる発光色の隣接画素間にのみ配置し、同色画素間には設けない構成としてもよい。ここで、カラーフィルタ２４３の端部を、ブラックマトリクス２４２と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。ブラックマトリクス２４２は、画素の透過光を遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、図８に示すようにブラックマトリクス２４２はゲート駆動回路２１３などの画素部２１１以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０１４０】
また、カラーフィルタ２４３とブラックマトリクス２４２を覆うオーバーコート２５５が設けられている。オーバーコート２５５を設けることにより、カラーフィルタ２４３やブラックマトリクス２４２に含まれる顔料などの不純物が液晶２５２に拡散することを抑制できる。オーバーコートは透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることができる。
【０１４１】
さらに、オーバーコート２５５のブラックマトリクス２４２と重なる領域に、スペーサ２５４が設けられている。スペーサ２５４には、樹脂材料を用いると厚く形成できるため好ましい。例えばポジ型またはネガ型の感光性樹脂を用いて形成することができる。また、スペーサ２５４として遮光性の材料を用いると、隣接する画素から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制することができる。なお、本構成例ではスペーサ２５４を第２の基板１０２側に設ける構成としたが、第１の基板１０１側に設ける構成としてもよい。また、スペーサ２５４として、球状の酸化シリコンなどの粒を用い、液晶２５２が設けられる領域に散布された構成としてもよい。
【０１４２】
また、少なくとも第１の電極２５１と第２の電極２５３が設けられている領域には、液晶２５２が封入されている。ここで、第１の電極２５１、第２の電極２５３、及び液晶２５２により液晶素子２５０が構成されている。
【０１４３】
第１の電極２５１と第２の電極２５３の間に電圧を印加することにより、斜め方向に電界が生じ、該電界によって液晶２５２の配向が制御され、表示装置の外部に配置されたバックライトからの光の偏光を画素単位で制御することにより、画像を表示することができる。
【０１４４】
液晶２５２と接する面には、液晶２５２の配向を制御するための配向膜を設けてもよい。配向膜には透光性の材料を用いる。また、ここでは図示しないが、第１の基板１０１の液晶素子２５０から見て外側の面に偏光板を設ける。また導光板を用いてバックライトからの光を表示装置の側面から入力する構成としてもよい。
【０１４５】
本構成例では、液晶素子２５０と重なる領域にカラーフィルタが設けられているため、白色発光のバックライトを用いてフルカラーの画像表示を実現できる。また、バックライトとして異なる発光色の複数の発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を用いて、時間分割表示方式（フィールドシーケンシャル駆動方式）を行うこともできる。時間分割表示方式を用いた場合、カラーフィルタを設ける必要が無く、また例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のそれぞれの発光を呈する副画素を設ける必要がないため、画素の開口率を向上させることや、単位面積あたりの画素数を増加できるなどの利点がある。
【０１４６】
液晶２５２としては、サーモトロピック液晶、低分子液晶、高分子液晶、強誘電液晶、反強誘電液晶などを用いることができる。また、ブルー相を示す液晶を使用すると、配向膜が不要であり、且つ広い視野角が得られるため好ましい。
【０１４７】
なお、本構成例ではＦＦＳモードが適用された液晶素子２５０について説明するが、液晶素子の構成はこれに限られず、上述したモードが適用された液晶素子２５０を用いることができる。
【０１４８】
ここで、液晶素子２５０として、ＦＦＳモードやＩＰＳモードを適用することが好ましい。このようなモードが適用された液晶素子は、第２の基板１０２側に電極を配置する必要がないため、第２の基板１０２側に設けられるタッチセンサの電極と、液晶素子の電極との間の寄生容量を低減でき、タッチセンサの感度を向上させることができる。
【０１４９】
第１の基板１０１上には、第１の基板１０１の上面に接して絶縁層２３７と、トランジスタのゲート絶縁層として機能する絶縁層２３８と、トランジスタを覆う絶縁層２３９、及び絶縁層２４１が設けられている。
【０１５０】
絶縁層２３７は、第１の基板１０１に含まれる不純物の拡散を抑制する目的で設けられる。また、トランジスタの半導体層に接する絶縁層２３８及び絶縁層２３９は、トランジスタの劣化を助長する不純物の拡散を抑制する材料を用いることが好ましい。これら絶縁層には、例えばシリコンなどの半導体や、アルミニウムなどの金属の酸化物または窒化物、または酸窒化物を用いることができる。またこのような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。なお、絶縁層２３７や絶縁層２３９は不要であれば設けなくてもよい。
【０１５１】
絶縁層２４１は、下層に設けられるトランジスタや配線などによる段差を被覆する平坦化層として機能する。絶縁層２４１としてはポリイミドやアクリルなどの樹脂材料を用いることが好ましい。また、平坦性を高められる場合には、無機絶縁材料を用いてもよい。なお、絶縁層２４１は不要であれば設けなくてもよい。
【０１５２】
ここで、絶縁層２３７から絶縁層２５７までの積層構造のうち、第１の電極２５１及び第２の電極２５３を除く構成が、ＴＦＴ層１０７に相当する。また、第１の電極２５１、第２の電極２５３、及び液晶２５２を含む構成が、液晶素子層１２１に相当する。
【０１５３】
第２の基板１０２の液晶素子２５０と対向する面上に、タッチセンサ２０２を構成する電極１１１、電極１１２、絶縁層１５１、配線１５２が設けられている。ここで、電極１１１、電極１１２、絶縁層１５１、及び配線１５２を含む構成が、センサ層１０３に相当する。
【０１５４】
電極１１１及び電極１１２としては、上述した透光性の導電性材料を用いることができる。また、配線１５２としては、同様の透光性の導電性材料の他、例えばアルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０１５５】
第２の基板１０２からみて絶縁層１５１及び配線１５２上には、接着層１５３を介して緩和層１５４が形成されている。本構成例では緩和層１５４として、偏光子を備え偏光板として機能する層を含む構成とする。
【０１５６】
第２の基板１０２からみて、緩和層１５４上に平坦化層１５５が設けられ、平坦化層１５５上にカラーフィルタ２４３、ブラックマトリクス２４２、及びオーバーコート２５５が設けられている。
【０１５７】
ここで本構成例では、接着層１５３、緩和層１５４、及び平坦化層１５５を含む構成が、実施の形態１における緩和層１０４に相当する。また、カラーフィルタ２４３、ブラックマトリクス２４２、およびオーバーコート２５５を含む構成が、カラーフィルタ層１０５に相当する。
【０１５８】
第１の基板１０１に設けられる配線２０６は、封止材１５６によって封止された領域から外側に延在して設けられ、ゲート駆動回路２１３（またはソース駆動回路２１２）と電気的に接続している。また配線２０６の端部の一部が外部接続電極２０５を成している。本構成例では、外部接続電極２０５はトランジスタのソース電極又はドレイン電極と同一の導電膜と、トランジスタのゲート電極と同一の導電膜を積層して形成されている。このように、複数の導電膜を積層して外部接続電極２０５を構成することにより、ＦＰＣ２０４などの圧着工程に対する機械的強度を高めることができるため好ましい。
【０１５９】
また、外部接続電極２０５に接して接続層２０８が設けられ、接続層２０８を介してＦＰＣ２０４と外部接続電極２０５とが電気的に接続している。接続層２０８としては、公知の異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０１６０】
また、第２の基板１０２に設けられる配線２０７は、封止材１５６によって封止された領域から外側に延在して設けられ、タッチセンサ２０２の電極１１１（または電極１１２）と電気的に接続している。また、配線２０７の端部の一部が外部接続電極２１６を成しており、上記配線２０６と同様に接続層２０８を介してＦＰＣ２１５と電気的に接続している。
【０１６１】
配線２０６、配線２０７、外部接続電極２０５の端部、及び外部接続電極２１６の端部は、その表面が露出しないように絶縁層で覆われていると、表面の酸化や意図しないショートなどの不具合を抑制できるため好ましい。
【０１６２】
なお、本構成例ではタッチセンサ２０２とＦＰＣ２１５を電気的に接続するための外部接続電極２１６を、第２の基板１０２側に設ける構成としたが、これを第１の基板１０１側に設ける構成としてもよい。その場合、例えば第１の基板１０１側に設けた外部接続電極と電気的に接続する複数の配線と、第２の基板１０２側のタッチセンサ２０２の電極１１１または電極１１２とを、液晶２５２中に分散した導電性粒子により電気的に接続する構成とすればよい。導電性粒子は、樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いればよい。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。このように、表示装置に設ける複数のＦＰＣを一方の基板側に設けると、該表示装置を電子機器の筐体などに組み込む場合のレイアウトの自由度が高まるため好ましい。
【０１６３】
以上が本構成例についての説明である。このような構成とすることで、軽量で、且つタッチセンサの検出感度が高められた表示装置を実現できる。
【０１６４】
［変形例］
以下では、上記断面構成例１において、ＶＡモードの液晶素子を適用した例について説明する。
【０１６５】
図９は、本変形例で例示する表示装置の断面概略図である、図９に示す表示装置は液晶素子の構成が異なる点で、上記断面構成例１と相違している。
【０１６６】
画素に設けられる液晶素子２６０は、第１の基板１０１側の絶縁層２４１上に設けられた第１の電極２５１と、第２の基板１０２側のオーバーコート２５５上に設けられた第２の電極２５３と、これらに挟持された液晶２５２を有する。
【０１６７】
このような構成とすると、第２の電極２５３が液晶２５２よりもタッチセンサ２０２に近い側に配置されるため、第２の電極２５３と、タッチセンサ２０２を構成する電極（電極１１１又は電極１１２）の間の寄生容量が大きくなる恐れがある。しかしながら、緩和層１５４が液晶素子２６０とタッチセンサ２０２との間に設けられることにより、該寄生容量を低減することができ、ＶＡモードの液晶素子が適用された表示装置であっても、タッチセンサ２０２の高い検出感度を実現できる。
【０１６８】
以上が、本変形例についての説明である。
【０１６９】
［断面構成例２］
以下では、表示部２０１に有機ＥＬ素子が適用された表示装置の断面構成例について説明する。なお、上記断面構成例１と重複する部分は、説明を省略する場合がある。
【０１７０】
図１０は、本構成例で例示する表示装置の断面概略図である。図１０に示す表示装置は、主に画素部２１１の構成において、上記断面構成例１と相違している。
【０１７１】
画素部２１１内の一つの画素は、スイッチング用のトランジスタ２３３と、電流制御用のトランジスタ２３４と、該トランジスタ２３４の一方の電極（ソース電極またはドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極２２１を含む。また第１の電極２２１の端部を覆う絶縁層２３５が設けられ、該絶縁層２３５上の、ブラックマトリクス２４２と重なる領域にスペーサ２３６が設けられている。スペーサ２３６を画素部２１１に複数設けることで、第１の基板１０１と第２の基板１０２の距離が必要以上に近づくことがないため、信頼性の高い表示装置とすることができる。
【０１７２】
発光素子２２０は、第１の電極２２１と、第２の電極２２３と、これらに挟持されたＥＬ層２２２を有する。以下、発光素子２２０について説明する。
【０１７３】
発光素子２２０において、光射出側に設ける電極には、ＥＬ層２２２からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
【０１７４】
透光性を有する材料としては、上述の導電性酸化物のほか、グラフェンや、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、またはチタンなどの金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。
【０１７５】
このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０１７６】
なお、透光性を有する上述の導電性酸化物をスパッタリング法によって形成する場合、当該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させることができる。
【０１７７】
また導電性酸化物膜をＥＬ層２２２上に形成する場合、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜した第２の導電性酸化物膜の積層膜とすると、ＥＬ層２２２への成膜ダメージを低減させることができるため好ましい。ここで特に第１の導電性酸化物膜を成膜する際に用いるアルゴンガスの純度が高いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガスを用いることが好ましい。
【０１７８】
光射出側とは反対側に設ける電極には、該発光に対して反射性を有する材料を用いる。
【０１７９】
光反射性を有する材料としては、例えばアルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。また、このような金属材料または合金材料にランタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。合金材料の例としては、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金などが挙げられる。銀と銅を含む合金は耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウムを含む膜に接して金属膜、または金属酸化物膜を積層することで、アルミニウムを含む膜の酸化を抑制することができる。アルミニウムを含む膜に接して設ける金属材料、または金属酸化物材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とインジウムスズ酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いることができる。
【０１８０】
このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形成することができる。
【０１８１】
ＥＬ層２２２は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層ともいう）を含めばよく、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層が積層された構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除くこれらの層はＥＬ層２２２中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複して設けることもできる。具体的にはＥＬ層２２２中に複数の発光層を重ねて設けてもよい。また、電荷発生領域など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある２以上の発光層を積層することにより白色発光を得ることができる。
【０１８２】
ＥＬ層２２２は、真空蒸着法、またはインクジェット法やディスペンス法などの吐出法、スピンコート法などの塗布法、または印刷法などを用いて形成できる。
【０１８３】
本実施の形態では、第１の電極２２１として反射性を有する材料を用い、第２の電極２２３として透光性を有する材料を用いる。したがって、発光素子２２０は上面射出型（トップエミッション型）の発光素子であり、発光素子からみて第２の基板１０２側に光を射出する。
【０１８４】
以上が発光素子２２０についての説明である。
【０１８５】
ここで、絶縁層２３８からスペーサ２３６までの積層構造のうち、第１の電極２２１を除く構成が、ＴＦＴ層１０７に相当する。また第１の電極２２１、ＥＬ層２２２、及び第２の電極２２３の積層構造が表示素子層１０６に相当する。
【０１８６】
また図１０では、第２の基板１０２に設けられる絶縁層１５１が封止材１５６と重ならないように島状に加工され、また絶縁層１５１及び配線１５２の上面に無機絶縁材料からなる絶縁層１５７を設ける構成としている。さらに、緩和層１５４及び接着層１５３を平坦化層１５５で覆い、且つ平坦化層１５５が封止材１５６と接しない構成としている。また、絶縁層２３５や絶縁層２４１も封止材１５６よりも内側で島状に形成され、封止材１５６と接しない構成としている。このように、有機材料が適用される層が封止材１５６と接しないように、または封止材１５６を越えて外側に延在しないように設けることにより、これら有機材料が適用される層を介して水分などの不純物が発光素子２２０やトランジスタに拡散することを抑制できる。トランジスタに酸化物半導体を適用した場合には水分の混入を抑制することは特に有効である。
【０１８７】
さらに、図１０に示すように封止材１５６と重なる領域に有機材料が適用される層を設けない構成とすることにより、封止材１５６にガラスフリットを用いて形成されたガラス材料を用いることができ、水などの不純物が発光素子２２０やトランジスタに拡散することをより効果的に抑制できる。
【０１８８】
以上が、本構成例についての説明である。このような構成とすることで、軽量で、且つタッチセンサの感度が高められた表示装置を実現できる。
【０１８９】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０１９０】
（実施の形態４）
上記実施の形態で例示したトランジスタのチャネルが形成される領域に好適に用いることができる半導体の一例について、以下に説明する。
【０１９１】
酸化物半導体は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ以上と大きく、酸化物半導体を適切な条件で加工し、そのキャリア密度を十分に低減して得られた酸化物半導体膜が適用されたトランジスタにおいては、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流（オフ電流）を、従来のシリコンを用いたトランジスタと比較して極めて低いものとすることができる。
【０１９２】
適用可能な酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含むことが好ましい。特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすためのスタビライザーとして、それらに加えてガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、ランタノイド（例えば、セリウム（Ｃｅ）、ネオジム（Ｎｄ）、ガドリニウム（Ｇｄ））から選ばれた一種、または複数種が含まれていることが好ましい。
【０１９３】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯとも表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｃ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。
【０１９４】
ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０１９５】
また、酸化物半導体として、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でない）で表記される材料を用いてもよい。なお、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｍｎ及びＣｏから選ばれた一の金属元素または複数の金属元素、若しくは上記のスタビライザーとしての元素を示す。また、酸化物半導体として、Ｉｎ２ＳｎＯ５（ＺｎＯ）ｎ（ｎ＞０、且つ、ｎは整数）で表記される材料を用いてもよい。
【０１９６】
例えば、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２、あるいはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：１：３の原子数比のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物やその組成の近傍の酸化物を用いるとよい。
【０１９７】
以下では、酸化物半導体膜の構造について説明する。
【０１９８】
酸化物半導体膜は、非単結晶酸化物半導体膜と単結晶酸化物半導体膜とに大別される。非単結晶酸化物半導体膜とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ  Ａｘｉｓ  Ａｌｉｇｎｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜、多結晶酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。
【０１９９】
まずは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜について説明する。
【０２００】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つであり、ほとんどの結晶部は、一辺が１００ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさである。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に含まれる結晶部は、一辺が１０ｎｍ未満、５ｎｍ未満または３ｎｍ未満の立方体内に収まる大きさの場合も含まれる。
【０２０１】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）によって観察すると、明確な結晶部同士の境界、即ち結晶粒界（グレインバウンダリーともいう。）を確認することができない。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
【０２０２】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略平行な方向からＴＥＭによって観察（断面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が層状に配列していることを確認できる。金属原子の各層は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の膜を形成する面（被形成面ともいう。）または上面の凹凸を反映した形状であり、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面と平行に配列する。
【０２０３】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を、試料面と概略垂直な方向からＴＥＭによって観察（平面ＴＥＭ観察）すると、結晶部において、金属原子が三角形状または六角形状に配列していることを確認できる。しかしながら、異なる結晶部間で、金属原子の配列に規則性は見られない。
【０２０４】
断面ＴＥＭ観察および平面ＴＥＭ観察より、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部は配向性を有していることがわかる。
【０２０５】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ  Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）装置を用いて構造解析を行うと、例えばＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、回折角（２θ）が３１°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（００９）面に帰属されることから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶がｃ軸配向性を有し、ｃ軸が被形成面または上面に概略垂直な方向を向いていることが確認できる。
【０２０６】
一方、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、ｃ軸に概略垂直な方向からＸ線を入射させるｉｎ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが５６°近傍にピークが現れる場合がある。このピークは、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶の（１１０）面に帰属される。ＩｎＧａＺｎＯ４の単結晶酸化物半導体膜であれば、２θを５６°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸（φ軸）として試料を回転させながら分析（φスキャン）を行うと、（１１０）面と等価な結晶面に帰属されるピークが６本観察される。これに対し、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の場合は、２θを５６°近傍に固定してφスキャンした場合でも、明瞭なピークが現れない。
【０２０７】
以上のことから、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜では、異なる結晶部間ではａ軸およびｂ軸の配向は不規則であるが、ｃ軸配向性を有し、かつｃ軸が被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向を向いていることがわかる。従って、前述の断面ＴＥＭ観察で確認された層状に配列した金属原子の各層は、結晶のａｂ面に平行な面である。
【０２０８】
なお、結晶部は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜した際、または加熱処理などの結晶化処理を行った際に形成される。上述したように、結晶のｃ軸は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルに平行な方向に配向する。従って、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の形状をエッチングなどによって変化させた場合、結晶のｃ軸がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面または上面の法線ベクトルと平行にならないこともある。
【０２０９】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の結晶化度が均一でなくてもよい。例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の結晶部が、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の上面近傍からの結晶成長によって形成される場合、上面近傍の領域は、被形成面近傍の領域よりも結晶化度が高くなることがある。また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に不純物を添加する場合、不純物が添加された領域の結晶化度が変化し、部分的に結晶化度の異なる領域が形成されることもある。
【０２１０】
なお、ＩｎＧａＺｎＯ４の結晶を有するＣＡＡＣ−ＯＳ膜のｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、２θが３１°近傍のピークの他に、２θが３６°近傍にもピークが現れる場合がある。２θが３６°近傍のピークは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜中の一部に、ｃ軸配向性を有さない結晶が含まれることを示している。ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、２θが３１°近傍にピークを示し、２θが３６°近傍にピークを示さないことが好ましい。
【０２１１】
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、不純物濃度の低い酸化物半導体膜である。不純物は、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などの酸化物半導体膜の主成分以外の元素である。特に、シリコンなどの、酸化物半導体膜を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体膜から酸素を奪うことで酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径（または分子半径）が大きいため、酸化物半導体膜内部に含まれると、酸化物半導体膜の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。なお、酸化物半導体膜に含まれる不純物は、キャリアトラップやキャリア発生源となる場合がある。
【０２１２】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、欠陥準位密度の低い酸化物半導体膜である。例えば、酸化物半導体膜中の酸素欠損は、キャリアトラップとなることや、水素を捕獲することによってキャリア発生源となることがある。
【０２１３】
不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い（酸素欠損の少ない）ことを、高純度真性または実質的に高純度真性と呼ぶ。高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることができる。従って、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、しきい値電圧がマイナスとなる電気特性（ノーマリーオンともいう。）になることが少ない。また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、キャリアトラップが少ない。そのため、当該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。なお、酸化物半導体膜のキャリアトラップに捕獲された電荷は、放出するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、不純物濃度が高く、欠陥準位密度が高い酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
【０２１４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を用いたトランジスタは、可視光や紫外光の照射による電気特性の変動が小さい。
【０２１５】
次に、微結晶酸化物半導体膜について説明する。
【０２１６】
微結晶酸化物半導体膜は、ＴＥＭによる観察像では、明確に結晶部を確認することができない場合がある。微結晶酸化物半導体膜に含まれる結晶部は、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、または１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の大きさであることが多い。特に、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、または１ｎｍ以上３ｎｍ以下の微結晶であるナノ結晶（ｎｃ：ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌ）を有する酸化物半導体膜を、ｎｃ−ＯＳ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜と呼ぶ。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、例えば、ＴＥＭによる観察像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。
【０２１７】
ｎｃ−ＯＳ膜は、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。また、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳ膜は、分析方法によっては、非晶質酸化物半導体膜と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいビーム径のＸ線を用いるＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ法による解析では、結晶面を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折像が観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、結晶部の大きさと近いか結晶部より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、スポットが観測される。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、円を描くように（リング状に）輝度の高い領域が観測される場合がある。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対しナノビーム電子線回折を行うと、リング状の領域内に複数のスポットが観測される場合がある。
【０２１８】
ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも規則性の高い酸化物半導体膜である。そのため、ｎｃ−ＯＳ膜は、非晶質酸化物半導体膜よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、ｎｃ−ＯＳ膜は、異なる結晶部間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、ｎｃ−ＯＳ膜は、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜と比べて欠陥準位密度が高くなる。
【０２１９】
なお、酸化物半導体膜は、例えば、非晶質酸化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜のうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
【０２２０】
酸化物半導体膜として、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を適用する場合、該ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を形成する方法としては、三つ挙げられる。
【０２２１】
一つめは、成膜温度を１００℃以上４５０℃以下として酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【０２２２】
二つめは、酸化物半導体膜を薄い膜厚で成膜した後、２００℃以上７００℃以下の熱処理を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【０２２３】
三つめは、一層目の酸化物半導体膜を薄く成膜した後、２００℃以上７００℃以下の熱処理を行い、さらに二層目の酸化物半導体膜の成膜を行うことで、酸化物半導体膜に含まれる結晶部のｃ軸が、被形成面の法線ベクトルまたは表面の法線ベクトルに平行な方向に揃った結晶部を形成する方法である。
【０２２４】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜は、多結晶である酸化物半導体スパッタリング用ターゲットを用い、スパッタリング法によって成膜することが好ましい。当該スパッタリング用ターゲットにイオンが衝突すると、スパッタリング用ターゲットに含まれる結晶領域がａ−ｂ面から劈開し、ａ−ｂ面に平行な面を有する平板状またはペレット状のスパッタリング粒子として剥離することがある。この場合、当該平板状またはペレット状のスパッタリング粒子が、結晶状態を維持したまま被成膜面に到達することで、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜することができる。
【０２２５】
また、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜を成膜するために、以下の条件を適用することが好ましい。
【０２２６】
成膜時の不純物混入を低減することで、不純物によって結晶状態が崩れることを抑制できる。例えば、成膜室内に存在する不純物濃度（水素、水、二酸化炭素および窒素など）を低減すればよい。また、成膜ガス中の不純物濃度を低減すればよい。具体的には、露点が−８０℃以下、好ましくは−１００℃以下である成膜ガスを用いる。
【０２２７】
また、成膜時の被成膜面の加熱温度（例えば基板加熱温度）を高めることで、被成膜面に到達後にスパッタリング粒子のマイグレーションが起こる。具体的には、被成膜面の温度を１００℃以上７４０℃以下、好ましくは２００℃以上５００℃以下として成膜する。成膜時の被成膜面の温度を高めることで、平板状またはペレット状のスパッタリング粒子が被成膜面に到達した場合、当該被成膜面上でマイグレーションが起こり、スパッタリング粒子の平らな面が被成膜面に付着する。
【０２２８】
また、成膜ガス中の酸素割合を高め、電力を最適化することで成膜時のプラズマダメージを軽減すると好ましい。成膜ガス中の酸素割合は、３０体積％以上、好ましくは１００体積％とする。
【０２２９】
スパッタリング用ターゲットの一例として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットについて以下に示す。
【０２３０】
ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末およびＺｎＯＺ粉末を所定のｍｏｌ数で混合し、加圧処理後、１０００℃以上１５００℃以下の温度で加熱処理をすることで多結晶であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ化合物ターゲットとする。なお、Ｘ、ＹおよびＺは任意の正数である。ここで、所定のｍｏｌ数比は、例えば、ＩｎＯＸ粉末、ＧａＯＹ粉末およびＺｎＯＺ粉末が、１：１：１、１：１：２、１：３：２、２：１：３、２：２：１、３：１：１、３：１：２、３：１：４、４：２：３、８：４：３、またはこれらの近傍の値とすることができる。なお、粉末の種類、およびその混合するｍｏｌ数比は、作製するスパッタリング用ターゲットによって適宜変更すればよい。
【０２３１】
以上がＣＡＡＣ−ＯＳ膜の説明である。
【０２３２】
また、酸化物半導体膜に水素が多量に含まれると、酸化物半導体と結合することによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。これにより、トランジスタのしきい値電圧がマイナス方向にシフトしてしまう。そのため、酸化物半導体膜において、水素濃度は、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、更に好ましくは１×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とすることが望ましい。なお、酸化物半導体膜中の水素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）で測定されるものである。
【０２３３】
酸化物半導体膜の形成後において、脱水化処理（脱水素化処理）を行い酸化物半導体膜から、水素、または水分を除去して不純物が極力含まれないように高純度化し、脱水化処理（脱水素化処理）によって増加した酸素欠損を補填するため酸素を酸化物半導体膜に加える処理を行うことが好ましい。また、本明細書等において、酸化物半導体膜に酸素を供給する場合を、加酸素化処理、または過酸素化処理と記す場合がある。
【０２３４】
このように、酸化物半導体膜は、脱水化処理（脱水素化処理）により、水素または水分が除去され、加酸素化処理により酸素欠損を補填することによって、ｉ型（真性）化またはｉ型に限りなく近い酸化物半導体膜とすることができる。このような酸化物半導体膜中には、ドナーに由来するキャリアが極めて少なく（ゼロに近く）、キャリア濃度は１×１０１４／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１１／ｃｍ３未満、より好ましくは１．４５×１０１０／ｃｍ３未満となる。
【０２３５】
またこのように、水素濃度が十分に低減されて高純度化され、十分な酸素の供給により酸素欠損に起因するエネルギーギャップ中の欠陥準位が低減された酸化物半導体膜を備えるトランジスタは、極めて優れたオフ電流特性を実現できる。例えば、チャネル長が１μｍ、且つ室温（２５℃）における、チャネル幅１μｍあたりのオフ電流は、１００ｙＡ（１ｙＡ（ヨクトアンペア）は１×１０−２４Ａ）以下、望ましくは、１０ｙＡ以下となる。また、８５℃では、１００ｚＡ／μｍ（１ｚＡ（ゼプトアンペア）は１×１０−２１Ａ）以下、望ましくは１０ｚＡ／μｍ以下となる。このように、ｉ型（真性）化または実質的にｉ型化された酸化物半導体膜を用いることで、極めて優れたオフ電流特性のトランジスタを得ることができる。
【０２３６】
また、酸化物半導体膜は、複数の酸化物半導体膜が積層された構造でもよい。
【０２３７】
例えば、酸化物半導体膜を、第１の酸化物半導体膜、第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の積層として、各々を異なる組成としてもよい。例えば、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜に三元系金属の酸化物を用い、第２の酸化物半導体膜に二元系金属の酸化物を用いる、または、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜に二元系金属の酸化物を用い、第２の酸化物半導体膜に三元系金属の酸化物を用いることもできる。
【０２３８】
また、第１の酸化物半導体膜、第２の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の構成元素を同一とし、組成を異ならせてもよい。例えば、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１とし、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２としてもよい。また、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２とし、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝３：１：２としてもよい。また、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：３：２とし、第２の酸化物半導体膜の原子数比をＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１としてもよい。
【０２３９】
この時、第１の酸化物半導体膜および第３の酸化物半導体膜のＩｎとＧａの含有率をＩｎ≦Ｇａとするとよい。
【０２４０】
酸化物半導体では主として重金属のｓ軌道がキャリア伝導に寄与しており、Ｉｎの含有率を多くすることによりｓ軌道のオーバーラップが多くなる傾向があるため、Ｉｎ＞Ｇａの組成となる酸化物はＩｎ≦Ｇａの組成となる酸化物と比較して高い移動度を備える。また、ＧａはＩｎと比較して酸素欠損の形成エネルギーが大きく酸素欠損が生じにくいため、Ｉｎ≦Ｇａの組成となる酸化物はＩｎ＞Ｇａの組成となる酸化物と比較して安定した特性を備える。
【０２４１】
なお、酸化物半導体膜に接して酸化物半導体膜とは異なる膜（例えばゲート絶縁膜など）を形成する際に、酸化物半導体膜に接して形成される膜から酸化物半導体膜中に不純物が拡散する恐れがある。シリコンやカーボンなどが酸化物半導体膜中に拡散すると、トランジスタの電気特性に悪影響を及ぼす可能性がある。
【０２４２】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【０２４３】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様であるタッチセンサを備える表示装置を備える電子機器の例について、図１１を参照して説明する。
【０２４４】
図１１（Ａ）に示す電子機器は、携帯型情報端末の一例である。
【０２４５】
図１１（Ａ）に示す電子機器は、筐体１０１１と、筐体１０１１に設けられたパネル１０１２と、ボタン１０１３と、スピーカー１０１４と、を具備する。
【０２４６】
なお、筐体１０１１に、外部機器に接続するための接続端子及び操作ボタンが設けられていてもよい。
【０２４７】
ボタン１０１３は、筐体１０１１に設けられる。例えば、ボタン１０１３が電源ボタンであれば、ボタン１０１３を押すことにより、電子機器をオン状態にするか否かを制御することができる。
【０２４８】
スピーカー１０１４は、筐体１０１１に設けられる。スピーカー１０１４は音声を出力する。
【０２４９】
なお、筐体１０１１にマイクが設けられていてもよい。筐体１０１１にマイクを設けられることにより、例えば図１１（Ａ）に示す電子機器を電話機として機能させることができる。
【０２５０】
図１１（Ａ）に示す電子機器は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０２５１】
ここで、パネル１０１２に、本発明の一態様のタッチセンサを備える表示装置を適用することができる。
【０２５２】
図１１（Ｂ）に示す電子機器は、折り畳み式の情報端末の一例である。
【０２５３】
図１１（Ｂ）に示す電子機器は、筐体１０２１ａと、筐体１０２１ｂと、筐体１０２１ａに設けられたパネル１０２２ａと、筐体１０２１ｂに設けられたパネル１０２２ｂと、軸部１０２３と、ボタン１０２４と、接続端子１０２５と、記録媒体挿入部１０２６と、スピーカー１０２７と、を備える。
【０２５４】
筐体１０２１ａと筐体１０２１ｂは、軸部１０２３により接続される。
【０２５５】
図１１（Ｂ）に示す電子機器は、軸部１０２３を有するため、パネル１０２２ａとパネル１０２２ｂを対向させて折り畳むことができる。
【０２５６】
ボタン１０２４は、筐体１０２１ｂに設けられる。なお、筐体１０２１ａにボタン１０２４を設けてもよい。例えば、電源ボタンとしての機能を有するボタン１０２４を設けることより、ボタン１０２４を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
【０２５７】
接続端子１０２５は、筐体１０２１ａに設けられる。なお、筐体１０２１ｂに接続端子１０２５が設けられていてもよい。また、接続端子１０２５が筐体１０２１ａ及び筐体１０２１ｂの一方又は両方に複数設けられていてもよい。接続端子１０２５は、図１１（Ｂ）に示す電子機器と他の機器を接続するための端子である。
【０２５８】
記録媒体挿入部１０２６は、筐体１０２１ａに設けられる。筐体１０２１ｂに記録媒体挿入部１０２６が設けられていてもよい。また、記録媒体挿入部１０２６が筐体１０２１ａ及び筐体１０２１ｂの一方又は両方に複数設けられていてもよい。例えば、記録媒体挿入部にカード型記録媒体を挿入することにより、カード型記録媒体のデータを電子機器に読み出し、又は電子機器内のデータをカード型記録媒体に書き込むことができる。
【０２５９】
スピーカー１０２７は、筐体１０２１ｂに設けられる。スピーカー１０２７は、音声を出力する。なお、筐体１０２１ａにスピーカー１０２７を設けてもよい。
【０２６０】
なお、筐体１０２１ａ又は筐体１０２１ｂにマイクを設けてもよい。筐体１０２１ａ又は筐体１０２１ｂにマイクが設けられることにより、例えば図１１（Ｂ）に示す電子機器を電話機として機能させることができる。
【０２６１】
図１１（Ｂ）に示す電子機器は、例えば電話機、電子書籍、パーソナルコンピュータ、及び遊技機の一つ又は複数としての機能を有する。
【０２６２】
ここで、パネル１０２２ａ及びパネル１０２２ｂに、本発明の一態様のタッチセンサを備える表示装置を適用することができる。
【０２６３】
図１１（Ｃ）に示す電子機器は、据え置き型情報端末の一例である。図１１（Ｃ）に示す電子機器は、筐体１０３１と、筐体１０３１に設けられたパネル１０３２と、ボタン１０３３と、スピーカー１０３４と、を具備する。
【０２６４】
なお、筐体１０３１の甲板部１０３５にパネル１０３２と同様のパネルを設けてもよい。
【０２６５】
さらに、筐体１０３１に券などを出力する券出力部、硬貨投入部、及び紙幣挿入部などを設けてもよい。
【０２６６】
ボタン１０３３は、筐体１０３１に設けられる。例えば、ボタン１０３３が電源ボタンであれば、ボタン１０３３を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
【０２６７】
スピーカー１０３４は、筐体１０３１に設けられる。スピーカー１０３４は、音声を出力する。
【０２６８】
図１１（Ｃ）に示す電子機器は、例えば現金自動預け払い機、チケットなどの注文をするための情報通信端末（マルチメディアステーションともいう）、又は遊技機としての機能を有する。
【０２６９】
ここで、パネル１０３２に、本発明の一態様のタッチセンサを備える表示装置を適用することができる。
【０２７０】
図１１（Ｄ）は、据え置き型情報端末の一例である。図１１（Ｄ）に示す電子機器は、筐体１０４１と、筐体１０４１に設けられたパネル１０４２と、筐体１０４１を支持する支持台１０４３と、ボタン１０４４と、接続端子１０４５と、スピーカー１０４６と、を備える。
【０２７１】
なお、筐体１０４１に外部機器に接続させるための接続端子を設けてもよい。
【０２７２】
ボタン１０４４は、筐体１０４１に設けられる。例えば、ボタン１０４４が電源ボタンであれば、ボタン１０４４を押すことで電子機器に対する電源電圧の供給を制御できる。
【０２７３】
接続端子１０４５は、筐体１０４１に設けられる。接続端子１０４５は、図１１（Ｄ）に示す電子機器と他の機器を接続するための端子である。例えば、接続端子１０４５により図１１（Ｄ）に示す電子機器とパーソナルコンピュータを接続すると、パーソナルコンピュータから入力されるデータ信号に応じた画像をパネル１０４２に表示させることができる。例えば、図１１（Ｄ）に示す電子機器のパネル１０４２が接続する他の電子機器のパネルより大きければ、当該他の電子機器の表示画像を拡大することができ、複数の人が同時に視認しやすくなる。
【０２７４】
スピーカー１０４６は、筐体１０４１に設けられる。スピーカー１０４６は、音声を出力する。
【０２７５】
図１１（Ｄ）に示す電子機器は、例えば出力モニタ、パーソナルコンピュータ、及びテレビジョン装置の一つ又は複数としての機能を有する。
【０２７６】
ここで、パネル１０４２に、本発明の一態様のタッチセンサを備える表示装置を適用することができる。
【０２７７】
以上が図１１に示す電子機器の例の説明である。
【０２７８】
図１１を参照して説明したように、本実施の形態に係る電子機器は、パネルに本発明の一態様のタッチセンサを備える表示装置が適用されている。したがって、電子機器自体の軽量化、小型化、薄型化が実現されている。
【０２７９】
また、本発明の一態様の表示装置はその総厚が極めて薄いため可撓性を持たせることも可能である。したがって、上述した電子機器として、曲面を有するパネルを備える構成や、湾曲可能なパネルを備える構成とすることもできる。
【０２８０】
本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【０２８１】
１００    表示装置
１０１    第１の基板
１０２    第２の基板
１０３    センサ層
１０４    緩和層
１０５    カラーフィルタ層
１０６    表示素子層
１０７    ＴＦＴ層
１１０    指
１１１    電極
１１２    電極
１１４    緩和層
１１５    バックライト
１２０    表示装置
１２１    液晶素子層
１２２    偏光板
１２３    偏光板
１２４    保護基板
１３０    表示装置
１３１    発光素子層
１４０    表示装置
１５０    表示装置
１５１    絶縁層
１５２    配線
１５３    接着層
１５４    緩和層
１５５    平坦化層
１５６    封止材
１５７    絶縁層
１６０    表示装置
１６１    支持基板
１６２    剥離層
１６３    被剥離層
１６４    接着層
２００    表示装置
２０１    表示部
２０２    タッチセンサ
２０４    ＦＰＣ
２０５    外部接続電極
２０６    配線
２０７    配線
２０８    接続層
２１１    画素部
２１２    ソース駆動回路
２１３    ゲート駆動回路
２１５    ＦＰＣ
２１６    外部接続電極
２２０    発光素子
２２１    電極
２２２    ＥＬ層
２２３    電極
２３１    トランジスタ
２３２    トランジスタ
２３３    トランジスタ
２３４    トランジスタ
２３５    絶縁層
２３６    スペーサ
２３７    絶縁層
２３８    絶縁層
２３９    絶縁層
２４１    絶縁層
２４２    ブラックマトリクス
２４３    カラーフィルタ
２５０    液晶素子
２５１    電極
２５２    液晶
２５３    電極
２５４    スペーサ
２５５    オーバーコート
２５６    トランジスタ
２５７    絶縁層
２６０    液晶素子
１０１１    筐体
１０１２    パネル
１０１３    ボタン
１０１４    スピーカー
１０２１ａ    筐体
１０２１ｂ    筐体
１０２２ａ    パネル
１０２２ｂ    パネル
１０２３    軸部
１０２４    ボタン
１０２５    接続端子
１０２６    記録媒体挿入部
１０２７    スピーカー
１０３１    筐体
１０３２    パネル
１０３３    ボタン
１０３４    スピーカー
１０３５    甲板部
１０４１    筐体
１０４２    パネル
１０４３    支持台
１０４４    ボタン
１０４５    接続端子
１０４６    スピーカー
【図１】
2014056566.tif 000003
【図２】
2014056566.tif 000004
【図３】
2014056566.tif 000005
【図４】
2014056566.tif 000006
【図５】
2014056566.tif 000007
【図６】
2014056566.tif 000008
【図７】
2014056566.tif 000009
【図８】
2014056566.tif 000010
【図９】
2014056566.tif 000011
【図１０】
2014056566.tif 000012
【図１１】
2014056566.tif 000013