(57)【要約】【課題】石英ルツボやリチャージ管が破損するのを抑制できる原料充填方法を提供する。【解決手段】原料を収容する石英製の円筒部材と、該円筒部材の下端の開口部を開閉するための円錐バルブとを有するリチャージ管に原料を収容し、該原料を収容したリチャージ管をチャンバー内にセットし、円錐バルブを下降させて円筒部材の下端の開口部を開けることで石英ルツボ内にリチャージ管内に収容した原料を投入する原料充填方法であって、原料の投入開始時に前記リチャージ管の下端と石英ルツボ内の原料又は融液との距離が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下となるように、リチャージ管及び石英ルツボを配置し、その後、石英ルツボの下降速度（ＣＬ）とリチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）の比（ＣＬ／ＳＬ）が１．３以上、１．４５以下となるように、石英ルツボとリチャージ管の円錐バルブとを同時に下降させながら原料を投入することを特徴とする原料充填方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ルツボ内に原料を充填する工程と、前記石英ルツボ内で前記原料を溶融して融液とする工程と、該融液から単結晶を引き上げる工程とを有する単結晶の製造における、前記石英ルツボ内に原料を充填する工程において、前記原料を収容する石英製の円筒部材と、該円筒部材の下端の開口部を開閉するための円錐バルブとを有するリチャージ管に前記原料を収容し、該原料を収容したリチャージ管をチャンバー内にセットし、前記円錐バルブを下降させて前記円筒部材の下端の開口部を開けることで前記石英ルツボ内に前記リチャージ管内に収容した原料を投入する原料充填方法であって、
前記原料の投入開始時に前記リチャージ管の下端と前記石英ルツボ内の原料又は融液との距離が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下となるように、前記リチャージ管及び前記石英ルツボを配置し、その後、前記石英ルツボの下降速度（ＣＬ）と前記リチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）の比（ＣＬ／ＳＬ）が１．３以上、１．４５以下となるように、前記石英ルツボと前記リチャージ管の円錐バルブとを同時に下降させながら前記原料を投入することを特徴とする原料充填方法。
【請求項２】
前記リチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）を２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上、３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の原料充填方法。
【請求項３】
前記石英ルツボ内に原料を充填する工程と、前記石英ルツボ内で前記原料を溶融して融液とする工程と、該融液から単結晶を引き上げる工程とを繰り返し、同一の石英ルツボを用いて複数の単結晶を製造する方法であって、
前記原料を充填する工程において、請求項１又は請求項２に記載の原料充填方法により前記原料を充填することを特徴とする単結晶の製造方法。
【請求項４】
原料を収容する石英ルツボと、該原料を溶融して融液にするヒータを格納するチャンバーと、該チャンバー内にセットされ、前記原料を収容する石英製の円筒部材と、該円筒部材の下端の開口部を開閉するための円錐バルブとを有するリチャージ管とを具備する単結晶製造装置であって、
請求項１又は請求項２に記載の原料充填方法における前記石英ルツボ内に原料を充填する工程において、前記原料の投入開始時の前記リチャージ管及び前記石英ルツボの配置と、前記原料の投入中の前記石英ルツボと前記リチャージ管の円錐バルブの下降を自動で制御する制御装置を更に具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶の製造において、リチャージ管を用いて原料を石英ルツボに充填する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の基板として用いられるシリコン単結晶の製法としては、ＣＺ（チョクラルスキー）法や、磁場を印加するＭＣＺ（磁場印加チョクラルスキー）法が一般的である。これらＣＺ／ＭＣＺ法では、石英ルツボ内にシリコン原料を充填して溶融し、その融液に種結晶を着液した後、引き上げることでシリコン単結晶を育成することができる。ＣＺ／ＭＣＺ法の単結晶製造装置（引き上げ機）では、メインチャンバー内に融液を加熱するヒーターが設置され、その内側に融液を収容する石英ルツボが設置される。
【０００３】
通常、まずこの石英ルツボに原料を詰め、ヒーター加熱によって原料が溶融される。近年のシリコン単結晶の大口径化や結晶長尺化に伴い、石英ルツボ内に初期に詰めた原料分だけでは足らず、さらに原料を追加する場合がある。これを追いチャージと呼び、後に説明するリチャージと同様に、円錐状のコーン（円錐バルブ）を下端に有するリチャージ管に原料を詰め、そのリチャージ管で石英ルツボ内に原料を投入する。そして、これらの原料を全て溶融した後、シリコン単結晶の育成を開始する。
【０００４】
石英ルツボ内には原料が溶解された融液が満たされており、ここからシリコン単結晶が育成される。育成された単結晶は、メインチャンバー上部にゲートバルブを介して連接されている引き上げチャンバー内に収容され、冷却される。その後、この引き上げチャンバーから単結晶を取り出す。
【０００５】
このような単結晶の製造において、１つの石英ルツボから１本の単結晶を育成するのみであれば、この時点で単結晶の育成は終了となるが、石英ルツボは割れて再使用ができないことから製造コストが高くなってしまう。そこで１つの石英ルツボから複数の単結晶を育成するマルチ操業が行われる場合がある。その場合、単結晶育成後には石英ルツボ中の融液は育成された結晶分だけ減少しているため、そのままでは次の単結晶を育成できない。従って、この減少分を補うために原料を再度投入するリチャージが行われる。
【０００６】
リチャージの方法としては、ロッドリチャージ法や、特許文献１に開示されたような原料タンクから供給する方法などが古くから提案されてきた。しかし、多くの特許文献に取り上げられている技術は、下端に円錐バルブを有するリチャージ管に原料を収容し、そのリチャージ管に収容された原料を石英ルツボ内に投入する方法である。この技術の基本が開示されているのが、特許文献２、３である。
【０００７】
このような方法において、ゲートバルブで仕切られた引き上げチャンバーからシリコン単結晶を取り出した後、原料を収容したリチャージ管をワイヤーで吊り下げて装着し、真空引きにより引き上げチャンバー内の炉内圧をメインチャンバー内の炉内圧にあわせた後ゲートバルブを開き、リチャージ管を下降させた後、円錐バルブを下降させることでリチャージ管の開口部を開けて原料を投入する。
【０００８】
上記のように充填される原料は、通常、多結晶もしくは稀に単結晶の場合もあり、それらの結晶を砕いたものが用いられ、リチャージ管に詰められた状態では空隙がある。従って、単結晶を育成した分に相当するような原料を追加するためには、リチャージ管による１回の投入では不足となる場合がある。このような場合は、複数回の投入を連続して行うことになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６２−２６０７９１号公報
【特許文献２】特開平２−１５７１８０号公報
【特許文献３】ＷＯ２００２／０６８７３２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献３には、リチャージ管本体が下方端部に向かって外方に拡開しているリチャージ管を用いて、残余融液を固化させた表面とリチャージ管の円錐バルブとを接触させるために石英ルツボを上昇させ、その固化表面と円錐バルブとを接触させた後、吊り下げているリチャージ管ワイヤーの負荷を緩め、石英ルツボを降下させることで円錐バルブを降下させ、原料を充填する方法が記載されている。
しかし、この方法で原料を投入すると原料が均一に出ず中央部に集まり、未溶融原料高さのばらつきが大きくなることがある。そのため、前に投入した原料がある程度溶けるまで待ってから次の原料投入を行ったり、うまく全原料を投入できたとしても原料の溶融に時間がかかったりし、何れにしても追加原料の溶融に時間がかかるという問題がある。
【００１１】
また、原料投入時のワイヤーや石英ルツボの操作は、オペレーターが炉内を確認しながら行っていた。このとき、ワイヤーと石英ルツボを同時に操作することが理想であるが、オペレーターによりこれら両方を確認しながら同時に操作するのは難しく、このことが最適な投入ができない要因となっている。
【００１２】
そのため、予め円錐バルブの下降分を見込んで、石英ルツボとの距離を多めにとって、すなわち石英ルツボ位置を十分に下方に下げて投入を開始することが多かったが、このようにすると投入された原料が石英ルツボに勢いよくぶつかり、大きくダメージを与えてしまうという問題がある。反対に、投入開始時の石英ルツボの位置を高くすると、リチャージ管と石英ルツボ間の距離が狭くなり、投入終盤で円錐バルブが投入された原料の上に乗り、それによって円錐バルブが大きく振られ、石英製のリチャージ管のヒビや割れが発生したり、原料投入後の面がフラットにならず溶け方にムラができる等の問題がある。
【００１３】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、ルツボ内に原料をスムースに投入し、溶融時間を短縮するとともに、石英ルツボやリチャージ管が破損するのを抑制できる原料充填方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明によれば、石英ルツボ内に原料を充填する工程と、前記石英ルツボ内で前記原料を溶融して融液とする工程と、該融液から単結晶を引き上げる工程とを有する単結晶の製造における、前記石英ルツボ内に原料を充填する工程において、前記原料を収容する石英製の円筒部材と、該円筒部材の下端の開口部を開閉するための円錐バルブとを有するリチャージ管に前記原料を収容し、該原料を収容したリチャージ管をチャンバー内にセットし、前記円錐バルブを下降させて前記円筒部材の下端の開口部を開けることで前記石英ルツボ内に前記リチャージ管内に収容した原料を投入する原料充填方法であって、前記原料の投入開始時に前記リチャージ管の下端と前記石英ルツボ内の原料又は融液との距離が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下となるように、前記リチャージ管及び前記石英ルツボを配置し、その後、前記石英ルツボの下降速度（ＣＬ）と前記リチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）の比（ＣＬ／ＳＬ）が１．３以上、１．４５以下となるように、前記石英ルツボと前記リチャージ管の円錐バルブとを同時に下降させながら前記原料を投入することを特徴とする原料充填方法が提供される。
【００１５】
このような原料充填方法であれば、リチャージ管と石英ルツボとを適切な位置に配置してから適切な投入速度で原料を投入できるので、落下する原料によって石英ルツボが破損したり、リチャージ管と投入した原料とが干渉してリチャージ管が破損することを抑制できる。しかも、投入された原料の上面は平坦となり、その後の溶融も効率的に行うことができる。
【００１６】
このとき、前記リチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）を２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上、３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
このように下降速度（ＳＬ）が２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上であれば、原料の投入が断続的となって投入時間が増加するのを抑制でき、原料を確実に均一に投入できる。これにより、原料の溶融時間や連続投入する際の次の投入までの待ち時間を低減できる。また、下降速度（ＳＬ）が３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下であれば、原料が勢いよく投入されて石英ルツボを破損してしまうのをより確実に抑制できる。
【００１７】
また、本発明によれば、前記石英ルツボ内に原料を充填する工程と、前記石英ルツボ内で前記原料を溶融して融液とする工程と、該融液から単結晶を引き上げる工程とを繰り返し、同一の石英ルツボを用いて複数の単結晶を製造する方法であって、前記原料を充填する工程において、上記本発明の原料充填方法により前記原料を充填することを特徴とする単結晶の製造方法が提供される。
【００１８】
このような単結晶の製造方法であれば、原料を充填する工程において、落下する原料によって石英ルツボが破損したり、リチャージ管と投入した原料とが干渉してリチャージ管が破損することを抑制できる。また、原料を石英ルツボ内に均一に投入できるので、原料の溶融時間や連続投入する際の次の投入までの待ち時間を低減でき、単結晶の製造時間を低減できる。
【００１９】
また、本発明によれば、原料を収容する石英ルツボと、該原料を溶融して融液にするヒータを格納するチャンバーと、該チャンバー内にセットされ、前記原料を収容する石英製の円筒部材と、該円筒部材の下端の開口部を開閉するための円錐バルブとを有するリチャージ管とを具備する単結晶製造装置であって、上記本発明の原料充填方法における前記石英ルツボ内に原料を充填する工程において、前記原料の投入開始時の前記リチャージ管及び前記石英ルツボの配置と、前記原料の投入中の前記石英ルツボと前記リチャージ管の円錐バルブの下降を自動で制御する制御装置を更に具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置が提供される。
【００２０】
このような単結晶製造装置であれば、単結晶製造の原料を充填する工程において、リチャージ管及び石英ルツボの制御を確実に短時間で実施して、上記した原料充填方法の実施を確実に可能とするものとなる。これにより、単結晶製造の生産性を向上できる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、単結晶製造の石英ルツボ内に原料を充填する工程において、原料の投入開始時にリチャージ管の下端と石英ルツボ内の原料又は融液との距離が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下となるようにし、石英ルツボの下降速度（ＣＬ）とリチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）の比（ＣＬ／ＳＬ）を１．３以上、１．４５以下となるようにするので、リチャージ管と石英ルツボとを適切な位置に配置してから適切な投入速度で原料を投入でき、これにより落下する原料によって石英ルツボが破損したり、リチャージ管と投入した原料とが干渉してリチャージ管が破損することを抑制できる。また、オペレーターによる作業の時間ばらつきを低減し、安定した運転が可能となる。
また、円錐バルブの下降速度（ＳＬ）を２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上、３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下とすれば、原料を石英ルツボ内に確実に均一に投入できる。これにより、原料の溶融時間や連続投入する際の次の投入までの待ち時間を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の単結晶製造装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に用いることができるリチャージ管の一例を示す概略図である。
【図３】リチャージ管の下端と石英ルツボ内の原料又は融液との距離を決定する方法の一例を説明する説明図である。
【図４】実施例１−２、比較例１−２で用いた石英ルツボの概略を示す図である。
【図５】実施例１、比較例１の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明について、実施態様の一例として、図を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２４】
まず、本発明の単結晶製造装置について説明する。
図１に示すように、単結晶製造装置２０は、メインチャンバー１と、メインチャンバー１内で融液８を収容する石英ルツボ９及び黒鉛ルツボ１０と、石英ルツボ９及び黒鉛ルツボ１０の周囲に配置されたヒーター１２と、ヒーター１２の外側周囲の断熱部材１１と、メインチャンバー１の上部にゲートバルブ１６を介して連設され、育成した単結晶（単結晶インゴット）を収納するプルチャンバー２と、リチャージ管４とを備えている。
【００２５】
プルチャンバー２には炉内を循環させるガスを導入するガス導入口１４が設けられ、メインチャンバー１の底部には炉内を循環したガスを排出するガス流出口１５が設けられている。石英ルツボ９及び黒鉛ルツボ１０は支持軸１３を介して設置され、結晶成長軸方向に昇降可能であり、結晶成長中に結晶化して減少した融液８の液面下降分を補うように石英ルツボ９及び黒鉛ルツボ１０を上昇させる。これにより、融液８の液面の高さはほぼ一定に保たれる。
【００２６】
図２に示すように、リチャージ管４は、原料（多結晶又は単結晶）７を収容する石英製の円筒部材５と、該円筒部材５の下端の開口部を開閉するための円錐バルブ６と、円筒部材５の上端に取付けるリチャージ管蓋１７を有している。リチャージ管４に収容した原料７はヒーター１２のパワーを低下させ、石英ルツボ９内の融液８の表面を固化させてから、図１に示すように、円錐バルブ６を下降させて開口部を開けることで原料７を石英ルツボ９内に投入することができる。リチャージ管４は原料を投入する際にプルチャンバー２内にワイヤー３で吊してセットされ、原料投入後に単結晶を製造する際には取り外される。ここで、ワイヤー３の先端はリチャージ管４の円錐バルブ６に固定され、ワイヤー３を下方に送ることで円錐バルブ６を下降させることができる。
【００２７】
本発明の単結晶製造装置２０は、更に、下記で詳述する本発明の原料充填方法における石英ルツボ内に原料を充填する工程において、原料７の投入開始時のリチャージ管４及び石英ルツボ９の配置位置と、原料７の投入中の石英ルツボ９とリチャージ管４の円錐バルブ６の下降速度を自動で制御する制御装置１８を有している。この制御装置１８によって、リチャージ管４及び石英ルツボ９の制御を確実に短時間で実施することができ、生産性を向上し、省力化を図ることができる。この場合、例えば石英ルツボ９内の融液面や投入された原料の位置を検出するレーザー測長センサ又はカメラを設けることができる。
【００２８】
次に、本発明の原料充填方法及び単結晶の製造方法について説明する。ここでは、図１に示す上記した本発明の単結晶製造装置２０を用いた場合を例として説明する。
本発明の単結晶の製造方法は、石英ルツボ９内に原料７を充填する工程と、石英ルツボ９内で原料７を溶融して融液８とする工程と、該融液８から単結晶を引き上げる工程とを繰り返し、同一の石英ルツボ９を用いて複数の単結晶を製造する方法である。また、本発明の原料充填方法は、本発明の単結晶の製造における石英ルツボ９内に原料７を充填する工程において、石英ルツボ９内にリチャージ管４内に収容した原料７を投入する方法である。
【００２９】
本発明の単結晶の製造方法では、本発明の原料充填方法により石英ルツボ９内に原料７を充填する。まず、図２に示すように、リチャージ管４に原料７を収容する。次に、図１に示すように、原料７を収容したリチャージ管４をプルチャンバー２内にワイヤー３で吊してセットする。ヒーター１２のパワーを低下させ、石英ルツボ９内の融液８の表面を固化させてから、原料７の投入開始時にリチャージ管４の下端と石英ルツボ９内の原料又は融液８との距離が２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下となるように、リチャージ管４及び石英ルツボ９を配置する。この際、上記距離は石英ルツボ９を上下方向に動かすことで調整できる。
【００３０】
更に、上記距離は下記の式（１）を用いて、２００ｍｍ以上、２５０ｍｍ以下の範囲内で詳細に決定できる。ここで、各記号の説明を図３に示す。
Ｈ＝ｋ×Ｌ２          （１）
Ｌ２＝Ｖ／（（Ｄ２×１０−３）２×π／４）          （２）
Ｈ：距離［ｍｍ］
Ｌ２：投入後の原料の推定高さ[ｍｍ]
Ｖ：原料容積[ｍ３]
Ｄ２：石英ルツボ内径[ｍｍ]
ここで、ｋは予め実験等で定められた定数である。例えば、直径８００ｍｍの石英ルツボを用いた場合のｋを１．４２とすることができる。
【００３１】
次に、円錐バルブ６を下降させて円筒部材５の開口部を開けることでリチャージ管４内に収容した原料７を石英ルツボ９内に投入する。この際、石英ルツボ９の下降速度（ＣＬ）とリチャージ管４の円錐バルブ６の下降速度（ＳＬ）の比（ＣＬ／ＳＬ）が１．３以上、１．４５以下となるように、石英ルツボ９とリチャージ管４とを同時に下降させながら原料７を投入する。
全ての原料を１度に投入できない場合には、投入を複数に分け、上記の原料充填方法を繰り返し行うようにすることができる。
【００３２】
このように本発明の原料充填方法では、リチャージ管と石英ルツボを適切な位置に配置してから投入を開始するので、石英ルツボの位置が低すぎることによって原料が空中散布される状態、すなわち原料が勢いよく石英ルツボに落下して石英ルツボを破損させたり、石英ルツボの位置が高すぎることによって円錐バルブと投入した原料とが干渉してリチャージ管を破損させてしまうことを抑制できる。また、石英ルツボの下降速度（ＣＬ）を円錐バルブの下降速度（ＳＬ）より早くして、その比（ＣＬ／ＳＬ）を１．３以上、１．４５以下とすれば、原料の投入量に応じた分だけ石英ルツボの位置を早めに下降させることができるので、上記した石英ルツボやリチャージ管の破損を確実に抑制できる。
【００３３】
また、本発明の原料充填方法では従来のようなオペレータによる操作のばらつきをなくすことができ、作業時間のばらつきを低減し、安定した原料充填が期待できる。また、安定した原料充填が可能となることで、リチャージ管をプルチャンバ−内にセットしてから、ゲートバルブを開き、原料充填し、リチャージ管のプルチャンバ−内への引き上げ、ゲートバルブを閉じ、プルチャンバ−内を常圧に戻すまでの一連の工程を自動で行うようにすることができ、これらの制御を上記した制御装置１８で行うことができる。
【００３４】
また、原料投入時におけるリチャージ管の円錐バルブの下降速度（ＳＬ）を２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上、３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下とすることが好ましい。
このように下降速度（ＳＬ）が２５０ｍｍ／ｍｉｎ以上であれば、原料の投入が断続的となって投入時間が増加するのを抑制でき、原料を確実に均一に投入できる。これにより、原料の溶融時間や連続投入する際の次の投入までの待ち時間を低減できる。また、下降速度（ＳＬ）が３７５ｍｍ／ｍｉｎ以下であれば、勢いよく投入された原料が石英ルツボを破損してしまうのをより確実に抑制できる。
【００３５】
原料充填後、ヒーター１２により石英ルツボ９内で原料７を溶融して融液８とする。その後、融液８に種結晶（不図示）を接触させ、引上げながら単結晶を成長させる。そして、本発明の原料充填方法により充填し、同一の石英ルツボを用いて単結晶を引き上げる工程を繰り返し、複数の単結晶を製造する。
このような本発明の単結晶の製造方法では、原料を充填する工程において、落下する原料によって石英ルツボが破損したり、リチャージ管と投入した原料とが干渉してリチャージ管が破損することを抑制しつつ、原料を石英ルツボ内に均一に投入できる。そのため、原料の溶融時間や連続投入する際の次の投入までの待ち時間を低減でき、単結晶の製造時間を低減できる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）
図１に示すような本発明の単結晶製造装置を用い、本発明の原料充填方法に従って原料７５ｋｇを石英ルツボ内に投入し、投入された原料の落下の様子及び投入の均一さについて評価した。使用した石英ルツボは直径８００ｍｍ（３２インチ）のものとした。また、図４に示すように、石英ルツボの内部に嵩上げ用原料、クッション材、板をこの順に配置して仮想固化面を作り、ルツボ冷間時の条件で原料を投入した。ここで、原料の落下の様子は、投入された原料と石英ルツボとの衝突頻度と、投入された原料とリチャージ管との干渉の有無をカメラによる動画によって評価した。また、図４に示すように、原料の投入の均一さは、仮想固化面からの原料の高さの最大ｈｍａｘと最小ｈｍｉｎの差Δｈをデプスゲージにて測定することにより評価した。
【００３８】
原料の投入時の条件は以下のようにした。
投入開始時のリチャージ管の下端と石英ルツボ内の仮想固化面との距離Ｈ：２００ｍｍ、２５０ｍｍ
石英ルツボの下降速度（ＣＬ）：３６２．５ｍｍ／ｍｉｎ
円錐バルブの下降速度（ＳＬ）：２５０ｍｍ／ｍｉｎ
ＣＬ／ＳＬ：１．４５
また、仮想固化面の位置を、融液の量が少ない（Ａ）、中間（Ｂ）、多い（Ｃ）状態となるように３段階に分けて実施した。
【００３９】
原料の落下の様子の結果を表１に示す。尚、表中の落下状態の○は原料と石英ルツボとの衝突が少なく、原料とリチャージ管との干渉が無かったことを示し、△は原料と石英ルツボとの衝突があったか、又は、原料とリチャージ管との干渉が少なかったことを示し、×は原料と石英ルツボとの衝突が多かったか、又は、原料とリチャージ管との干渉も多かったことを示す。
表１に示すように、実施例１ではいずれの場合も原料の落下状態は良好で、石英ルツボとの衝突は少なく抑えられ、原料とリチャージ管との干渉は無かった。また、仮想固化面からの原料の高さの最大と最小の差Δｈも少なく抑えられ、原料が均一に投入されていた。
【００４０】
これに対し、後述する比較例１では原料の落下状態が実施例１と比べ悪化し、原料と石英ルツボとの衝突や原料とリチャージ管との干渉が増加していた。
【００４１】
また、距離Ｈが２００ｍｍの条件で、原料２２５ｋｇを３回に分割して（１回７５ｋｇ）原料充填し、分割した各原料充填の終了―開始間の時間（原料７５ｋｇの投入を完了してから次の投入を開始するまでに要した時間）を測定した。これを繰り返し行い（データ数４６回）平均値及び最大値と最小値の差を評価した。この結果を図５（Ａ）に示す。図５（Ａ）に示すように、実施例１では工程時間のばらつきが抑制できた。これは原料が安定して均一に投入できたことを示しており、しかも原料の均一投入の再現性も高いと言える。これに対し、後述する比較例１では工程時間のばらつきが次第に大きくなってしまった。また、図５（Ｂ）に投入開始前の石英ルツボの高さ位置（ＣＰ）の平均値及び最大値と最小値の差を測定した結果を示す。図５（Ｂ）に示すように、実施例１では石英ルツボの高さ位置（ＣＰ）のばらつきが少ない一方、後述する比較例１ではこのばらつきが大きくなっていた。
【００４２】
（実施例２）
原料の投入時の条件は以下のようにした以外、実施例１と同じ条件で原料を投入し、実施例１と同様に評価した。
投入開始時のリチャージ管の下端と石英ルツボ内の仮想固化面との距離Ｈ：２００ｍｍ
円錐バルブの下降速度（ＳＬ）：１２５ｍｍ／ｍｉｎ、２５０ｍｍ／ｍｉｎ、３７５ｍｍ／ｍｉｎ
ＣＬ／ＳＬ：１．３、１．４５
尚、距離Ｈの２００ｍｍは、実施例１での結果が一番良かった条件である。
【００４３】
原料の落下の様子の結果を表２に示す。表２に示すように、実施例２ではいずれの場合も原料の落下状態は良好で、石英ルツボとの衝突は少なく抑えられ、原料とリチャージ管との干渉は無かった。さらに、円錐バルブの下降速度が２５０ｍｍ／ｍｉｎ及び３７５ｍｍ／ｍｉｎの場合では、Δｈも少なく抑えられ、原料が均一に投入されていた。
これに対し、後述する比較例２では原料の落下状態が実施例２と比べ悪化し、原料と石英ルツボとの衝突や原料とリチャージ管との干渉が増加していた。
【００４４】
（比較例１）
原料の投入時の条件は以下のようにした以外、実施例１と同じ条件で原料を投入し、実施例１と同様に評価した。
投入開始時のリチャージ管の下端と石英ルツボ内の仮想固化面との距離Ｈ：１５０ｍｍ、３００ｍｍ、３５０ｍｍ
【００４５】
原料の落下の様子の結果を表１に示す。表１に示すように、距離Ｈが１５０ｍｍの場合は、原料投入終盤で円錐バルブが投入された原料の上に乗ってしまい、リチャージ管は破損しなかったものの、原料が最後まで完全に出ずに原料投入が完了しなかった。また、距離Ｈが３００ｍｍ及び３５０ｍｍの場合は、原料が空中散布をした時のように遠くへ飛んでしまい、石英ルツボに勢いよく衝突してしまった。このように石英ルツボに与えるダメージが大きい場合には最悪湯漏れに至るケースも有るため好ましくない。
【００４６】
また、距離を３００ｍｍとした以外、実施例１と同様に、原料２２５ｋｇを３回に分割して（１回７５ｋｇ）原料充填し、分割した各原料充填の終了―開始間の時間を測定した。これを繰り返し行い（データ数９３回）平均値及び最大値と最小値の差を評価した。その結果、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、工程時間のばらつき及び石英ルツボの高さ位置（ＣＰ）のばらつきが共に実施例１と比べて悪化していた。
【００４７】
（比較例２）
原料の投入時の条件は以下のようにした以外、実施例２と同じ条件で原料を投入し、実施例２と同様に評価した。
ＣＬ／ＳＬ：１．０、１．１５、１．６０、１．７５、１．９０
【００４８】
ＣＬ／ＳＬが１．０の場合、原料投入終盤で原料と円錐バルブの干渉が見られ、また、原料を均一に投入できなかった。ＣＬ／ＳＬが１．６以上の場合、原料は均一に投入できたが、原料と石英ルツボの衝突が増加してしまった。これは、投入開始時にリチャージ管と石英ルツボを適切な距離に配置したとしても、次第に石英ルツボと円錐バルブ間の距離が増加し、結局空中散布のような投入になってしまったためである。
【００４９】
【表１】
2014101254.tif 000003
【００５０】
【表２】
2014101254.tif 000004
【００５１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５２】
１…メインチャンバ−、  ２…プルチャンバ−、  ３…ワイヤー、
４…リチャージ管、  ５…円筒部材、  ６…円錐バルブ、  ７…原料、
８…融液、  ９…石英ルツボ、  １０…黒鉛ルツボ、  １１…断熱部材、
１２…ヒーター、  １３…支持軸、  １４…ガス導入口、  
１５…ガス流出口、  １６…ゲートバルブ、  １７…リチャージ管蓋、
１８…制御装置、  ２０…単結晶製造装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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