(57)【要約】【課題】歩留り良く製造可能なトランジスタおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法を提供する【解決手段】ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含むトランジスタの製造方法。【選択図】図１
2014056850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、
前記有機半導体膜をパターニングする工程と
を含むトランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記有機絶縁膜および有機半導体膜のうち、前記有機半導体膜を選択的に溶解させて前記パターニングを行う
請求項１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記有機半導体膜上に保護膜を設けた後、
前記保護膜と同じ平面形状に前記有機半導体膜をパターニングする
請求項２に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記有機半導体膜をパターニングした後、
前記保護膜を選択的に溶解させて除去する
請求項３に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記有機半導体膜を、前記有機絶縁膜に接するように形成する
請求項１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記有機絶縁膜、有機半導体膜それぞれの構成材料の混合溶液から、相分離により前記有機絶縁膜および有機半導体膜を形成する
請求項１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体膜にソース・ドレイン電極を電気的に接続させる工程を有する
請求項１に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項８】
基板側から、前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機絶縁膜および有機半導体膜をこの順に設け、
前記有機半導体膜をパターニングした後、前記ソース・ドレイン電極を形成する
請求項７に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板上に複数のトランジスタを形成する工程を有し、
前記トランジスタを形成する工程は、
ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、
前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含む
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板上に、前記有機絶縁膜のない領域を局所的に設ける
請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機絶縁膜のない領域では、前記ゲート電極と取出電極とを電気的に接続させる
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記有機絶縁膜のない領域を、前記複数のトランジスタが設けられた領域の外側に配置する
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
表示素子を駆動するためのトランジスタを形成する工程を有し、
前記トランジスタを形成する工程は、
ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、
前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含む
表示装置の製造方法。
【請求項１４】
ゲート電極と、
ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する有機半導体膜と、
前記有機半導体膜の一面に接すると共に、前記有機半導体膜よりも広く延在する有機絶縁膜と
を備えたトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機半導体膜および有機絶縁膜を有するトランジスタおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜およびソース・ドレイン電極を有するものであり、表示装置等の多くの電子機器の駆動素子として用いられている。このようなＴＦＴの半導体膜は無機材料あるいは有機材料から構成されるが、近年、有機材料からなる半導体膜（有機半導体膜）がコストおよびフレキシブル性の点等で期待されている（例えば、特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−７７４７０号公報
【特許文献２】特開２０１１−１８７６２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の有機半導体膜を用いたＴＦＴでは、製造欠陥を少なくして、より歩留りを向上させることが望まれる。
【０００５】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い歩留まりで製造可能なトランジスタおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術によるトランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜を間にしてゲート電極に対向する有機半導体膜と、有機半導体膜の一面に接すると共に、有機半導体膜よりも広く延在する有機絶縁膜とを備えたものである。
【０００７】
本技術によるトランジスタの製造方法は、上記トランジスタを製造する方法であり、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を間にしてゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、有機半導体膜をパターニングする工程とを含むものである。
【０００８】
本技術による半導体装置の製造方法は、上記トランジスタの製造方法を用いて複数のトランジスタを製造する方法である。
【０００９】
本技術による表示装置の製造方法は、表示素子を駆動するためのトランジスタを上記トランジスタの製造方法を用いて製造する方法である。
【００１０】
本技術のトランジスタまたはトランジスタの製造方法では、有機絶縁膜はパターニングされず、所定の厚みで延在する。従って、有機半導体膜と共に有機絶縁膜をパターニングした場合と比べて、トランジスタ内の段差が有機絶縁膜の厚み分だけ小さくなる。
【発明の効果】
【００１１】
本技術のトランジスタおよびその製造方法、並びに半導体装置の製造方法および表示装置の製造方法によれば、トランジスタ内の段差を小さくするようにしたので、段差に起因する膜剥がれや断線等の発生を抑え、高い歩留まりで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の一実施の形態に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図２Ａ】図１に示したトランジスタの製造工程を表す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図３Ａ】複数のトランジスタを製造する工程の一例を表す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示した基板の平面図である。
【図４Ａ】図２Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図５】比較例に係るトランジスタの構成を表す断面図である。
【図６】図５に示したトランジスタの他の例を表す断面図である。
【図７】図１に示したトランジスタを有する表示装置の全体構成を表す図である。
【図８Ａ】図７に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図８Ｂ】図７に示した画素駆動回路の他の例を表す等価回路図である。
【図９】図７に示した表示装置の端部の構成を表す断面図である。
【図１０Ａ】適用例１の外観の一例を表す斜視図である。
【図１０Ｂ】適用例１の外観の他の例を表す斜視図である。
【図１１】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１３Ａ】適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１３Ｂ】適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図１６Ａ】適用例７の閉じた状態を表す図である。
【図１６Ｂ】適用例７の開いた状態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
＜実施の形態＞
図１は、本技術の一実施の形態に係るトランジスタ（トランジスタ１）の構成を表したものである。トランジスタ１は、半導体膜に有機半導体材料を用いた電界効果型のトランジスタ、即ち有機ＴＦＴであり、例えば液晶，有機ＥＬおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられる。このトランジスタ１は、所謂トップコンタクト・ボトムゲート型構造のＴＦＴであり、基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、有機絶縁膜１４、有機半導体膜１５およびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂをこの順に有している。
【００１５】
基板１１はゲート電極１２等を支持するものであり、その表面（ゲート電極１２側の面）は絶縁性を有している。基板１１は、例えば、ＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＣ（ポリカーボネート）あるいはＰＩ（ポリイミド）等のプラスチック基板により構成されている。基板１１にはステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔の表面を樹脂でラミネートしたものを用いてもよく、あるいは、ガラス基板を使用するようにしてもよい。高いフレキシブル性（屈曲性）を得るためには、プラスチック基板あるいは金属箔を用いることが好ましい。基板１１の厚み（Ｚ方向）は、例えば２０ｎｍ〜１ｍｍ程度である。
【００１６】
ゲート電極１２は、トランジスタ１にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により有機半導体膜１５中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極１２は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２はチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）を含む積層体にしてもよい。このような積層構造により、基板１１あるいは加工用のレジストとの密着性を向上させることができる。ゲート電極１２には、この他の無機導電材料、または有機導電材料、更には炭素材料を使用してもよい。ゲート電極１２は、例えば５０ｎｍ〜２００ｎｍの厚みを有している。
【００１７】
ゲート絶縁膜１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに電気的に接続された有機半導体膜１５とを絶縁するためのものであり、ゲート電極１２と有機半導体膜１５との間に有機絶縁膜１４と共に設けられている。このゲート絶縁膜１３は、例えば、厚み５０ｎｍ〜１０００ｎｍのＰＶＰ（ポリビニルフェノール），ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート），ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）またはＰＩなどの有機絶縁膜により構成されている。ゲート絶縁膜１３には、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁膜を用いるようにしてもよい。
【００１８】
有機絶縁膜１４は、有機半導体膜１５の一面（下面）に接しており、島状の有機半導体膜１５よりも広い領域、例えば基板１１の全面に渡って延在している。詳細は後述するが、本実施の形態では、このように有機半導体膜１５よりも広い有機絶縁膜１４が設けられているので、トランジスタ１内の段差を小さくすることができる。この有機絶縁膜１４は、例えば有機半導体膜１５と相分離をなして形成されたものであり、有機絶縁膜１４と有機半導体膜１５とは互いに密着している。これにより、有機絶縁膜１４と有機半導体膜１５との間の界面では、キャリアのトラップが少なくなり、トランジスタ１の特性、例えば移動度およびサブスレッシュホールド特性（Ｓ値）が向上する。また、有機半導体膜１５との間の界面（密着性）を考慮せずにゲート絶縁膜１３の構成材料を選択することが可能となる。有機絶縁膜１４は、例えば厚み１ｎｍ〜１０００ｎｍのＰａＭＳ（poly-(α-methylstyrene)，ＣＹＴＯＰ（登録商標、旭硝子株式会社）またはＴＯＰＡＳ（登録商標、ADVANCED POLYMERS GmbH）などにより構成されている。
【００１９】
有機半導体膜１５は有機絶縁膜１４上にゲート電極１２に対向して設けられ、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものである。有機半導体膜１５はｐ型の有機半導体材料およびｎ型の有機半導体材料のどちらで構成するようにしてもよい。有機半導体膜１５には、例えばペンタセン等のアセン系半導体，ペリ・キサンテノキサンテン（peri-Xanthenoxanthene）誘導体あるいはポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ:poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)）等を用いることができる。有機半導体膜１５の厚みは、例えば１ｎｍ〜１０００ｎｍ程度である。
【００２０】
一対のソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、有機半導体膜１５に電気的に接続されており、有機半導体膜１５の表面から側面を介して有機絶縁膜１４上に設けられている。即ち、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、有機半導体膜１５の厚みの大きさの段差を覆っている。このソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えば厚み５０ｎｍ〜２００ｎｍの金，アルミニウム，銀，銅，白金，ニッケルあるいはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２と同様に、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにもチタンやクロムを上層または下層に積層させるようにしてもよい。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは導電性微粒子を含む導電性インクをパターン化して形成することも可能である。
【００２１】
このようなトランジスタ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２２】
まず、図２Ａに表したように、基板１１上にゲート電極１２およびゲート絶縁膜１３をこの順に形成する。具体的には、まず、基板１１上の全面に、上述したゲート電極１２の導電膜を例えば蒸着法またはスパッタ法等により成膜した後、この導電膜上に例えばフォトリソグラフィー法を用いてフォトレジストをパターン形成する。次いで、このパターン形成したフォトレジストをマスクとして導電膜にエッチングを施しパターニングする。これにより、ゲート電極１２が形成される。ゲート電極１２は、この他、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷などの印刷法により形成するようにしてもよい。次いで、例えばスピンコート法、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷等の印刷法を含む塗布法を用いて、基板１１上の全面に渡り有機絶縁材料からなるゲート絶縁膜１３を形成する。ゲート絶縁膜１３を無機絶縁性材料により形成する場合には、例えば蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いることが可能である。
【００２３】
ゲート絶縁膜１３を設けた後、例えば相分離によりゲート絶縁膜１３上に有機絶縁膜１４および有機半導体膜１５Ａを形成する（後述の図２Ｃ）。詳細には、まず、有機絶縁膜１４、有機半導体膜１５それぞれの構成材料、例えばＰａＭＳおよびＣ２ＰＸＸ（３，９−ビス（ｐ−エチルフェニル）ペリキサンテノキサンテン）をトルエン等の溶媒Ａに溶解させた混合溶液１７を、スピンコート法等によりゲート絶縁膜１３上に塗布する（図２Ｂ）。溶媒Ａには、有機絶縁膜１４、有機半導体膜１５それぞれの構成材料を溶解させ、かつ、有機半導体膜１５Ａをパターニングするためのマスク（後述の図２Ｃ  保護膜１８）に対しては不溶性を示すものを使用する。ここで不溶性とは、完全に不溶であることに加え、多少溶解させても膜厚にはほとんど影響しない状態を含んでいる。次いで、混合溶液１７をベーク乾燥させることにより、有機半導体材料と有機絶縁材料とが分離して、上層に有機半導体膜１５Ａ、下層に有機絶縁膜１４がそれぞれ形成される（積層膜）。即ち、このとき有機半導体膜１５Ａは有機絶縁膜１４と同じ平面形状となっている。このような相分離を用いることにより、有機絶縁膜１４および有機半導体膜１５Ａを一度の成膜工程により形成することが可能となる。
【００２４】
複数のトランジスタ１を有する半導体装置（例えば、後述の図７  表示装置９０）などを製造する場合には、図３Ａ，図３Ｂに示したように、基板１１に局所的に取出部Ｃを設けることが好ましい。取出部Ｃは、有機絶縁膜１４が形成されない領域であり、取出部Ｃには例えば混合溶液１７を塗布しないようにする。基板１１の全面に混合溶液１７を塗布した後、有機絶縁膜１４を除去して取出部Ｃを形成するようにしてもよい。取出部Ｃには例えば取出電極（後述の図９  取出電極１９）が形成される。取出部Ｃは、例えば複数のトランジスタ１が設けられた表示領域（後述の図７  表示領域１１０）の外側（例えば、２辺）に配置される。一枚の基板１１に複数の表示領域を形成する場合には、それぞれの表示領域の外側に取出部Ｃを形成する（図３Ｂ）。
【００２５】
有機絶縁膜１４および有機半導体膜１５Ａを成膜した後、図２Ｃに示したように、有機半導体膜１５Ａ上に例えば印刷法によりＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなる保護膜１８を形成する。保護膜１８は、上述のようにマスクとして使用するため、所望の形状にパターニングしておく。
【００２６】
続いて、例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の溶媒Ｂを用いて、保護膜１８から露出された部分の有機半導体膜１５Ａのみを選択的に溶解させ、保護膜１８と同じ平図形状の有機半導体膜１５を形成する（図４Ａ）。溶媒Ｂには、有機半導体膜１５（有機半導体膜１５Ａ）の構成材料を溶解させ、かつ、保護膜１８および有機絶縁膜１４に対しては不溶性のものを使用する。ここでは、このように有機半導体膜１５（有機半導体膜１５Ａ）のみを選択的にパターニングするので、トランジスタ内に形成される段差（段差Ｓ1）を小さくして、歩留りを向上させることが可能となる。以下、これについて詳細に説明する。
【００２７】
有機半導体膜と共に有機絶縁膜がパターニングされると、図５に示したようにゲート絶縁膜１３上に、有機絶縁膜１１４および有機半導体膜１５の厚みの段差（段差Ｓ100）が形成される。このような大きな段差Ｓ100は、上層に形成される配線等の膜剥がれや断線を引き起こし、歩留りを低下させる。例えば、トップコンタクト構造のトランジスタでは、段差Ｓ100をソース・ドレイン電極が覆うため、ソース・ドレイン電極に断線が生じる虞がある。また、有機絶縁膜をパターニングすると、図６に示したように、過剰なエッチングにより有機絶縁膜１１４および有機半導体膜１５近傍のゲート絶縁膜１１３が削られ、絶縁性が十分に維持できない場合がある。ボトムゲート構造のトランジスタでは、ゲート絶縁膜１１３が薄くなると、ゲートリークが大きくなる。
【００２８】
段差を小さくするための方法として、例えば有機半導体膜１５Ａを残しておくことが考えられるが、この場合には、有機半導体膜１５Ａを介したリーク電流が発生する虞がある。
【００２９】
これに対して、トランジスタ１では、溶媒Ｂにより、有機半導体膜１５Ａのみを選択的に溶解させる（パターニングする）ので、有機絶縁膜１４はパターニングされずにそのまま残る。従って、トランジスタ１内には、有機絶縁膜１４から有機半導体膜１５にかけての段差Ｓ1、即ち有機半導体膜１５の厚みの大きさの段差Ｓ1が形成される。段差Ｓ100（図５）と比較すると、段差Ｓ1は有機絶縁膜の厚み分小さくなっており、歩留りを向上させることができる。また、ゲート絶縁膜１３（ゲート電極１２）と有機半導体膜１５との間に、広い領域に渡って有機絶縁膜１４が存在するため、絶縁性が十分に保たれる。特に、ボトムゲート・トップコンタクト構造のトランジスタ１ではソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの断線およびゲートリークを防ぐことができる。
【００３０】
有機半導体膜１５を形成した後、例えば水等の溶媒Ｃを用いて、保護膜１８のみを選択的に溶解させ、有機半導体膜１５上からこれを除去する（図４Ｂ）。溶媒Ｃには、保護膜１８の構成材料を溶解させ、かつ、有機半導体膜１５および有機絶縁膜１４に対しては不溶性のものを使用する。次いで、有機半導体膜１５上および有機絶縁膜１４上に、金属膜を成膜した後、これをパターニングしてソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂを形成する。以上の工程によりトランジスタ１が完成する。
【００３１】
本実施の形態のトランジスタ１では、ゲート電極１２に所定の電位が供給されると、有機半導体膜１５のチャネルに電界が生じて、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ間に電流が流れ、いわゆる電界効果トランジスタとして機能する。ここでは、有機絶縁膜１４および有機半導体膜１５Ａのうち、有機半導体膜１５Ａを溶媒Ｂに選択的に溶解させてパターニングしているので、トランジスタ１内に形成される段差が小さくなる。
【００３２】
以上のように、本実施の形態では、有機絶縁膜１４および有機半導体膜１５Ａのうち、有機半導体膜１５Ａのみをパターニングするようにしたので、上層の配線糖の膜剥がれや断線の発生を抑えて製造の歩留りを向上させることができる。
【００３３】
＜適用例＞
図７は、上記トランジスタ１を駆動素子として備えた表示装置（表示装置９０）の全体構成を表すものである。表示装置９０は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイまたは電子ペーパーディスプレイなどであり、基板１１上の表示領域１１０に、マトリクス状に配設された複数の表示素子１０と、表示素子１０を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。基板１１上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０と、画素駆動回路１４０とが配設されている。この基板１１には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより上記駆動回路および表示層（図示せず）などが封止されている。
【００３４】
図８Ａは、画素駆動回路１４０の回路図である。画素駆動回路１４０は、上記トランジスタ１として、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の少なくとも一方が配設されたアクティブ型の駆動回路である。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられ、第１の電源ライン（Ｖcc）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、表示素子１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。このような画素駆動回路１４０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介してトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。図８Ｂに示したように、画素駆動回路１４０のトランジスタとして、トランジスタＴｒ１のみを用いることも可能である。この表示装置９０では、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、上記実施の形態のトランジスタ１により構成されているので、表示装置９０の歩留りが向上すると共に、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の良好なＴＦＴ特性により、高品質な表示が可能となる。
【００３５】
図９は、基板１１の端部の断面構成の一部を表したものである。表示装置９０は、トランジスタ１上に、保護膜２１および層間絶縁膜２２をこの順に有している。この層間絶縁膜２２上に、画素電極２３が表示素子１０毎に配置されている。画素電極２３と共通電極（図示せず）との間に、例えば、液晶層、有機ＥＬ（Electroluminescence）層、無機ＥＬ層あるいは電気泳動型の表示体等（表示層）が設けられている（図示せず）。取出部Ｃでは、ゲート絶縁膜１３の接続孔１３Ａを介して、取出電極１９とゲート配線１２Ａとが電気的に接続されるようになっている。ゲート配線１２Ａは、ゲート電極１２に接続された配線、例えば走査線１３０Ａ（図８Ａ，８Ｂ）である。取出電極１９には、例えばＴＡＢ（Tape-Automated Bonding）方式によりＩＣ（Integrated Circuit）が接続される。このような表示装置９０は、例えば次の適用例１〜７に示した電子機器に搭載することができる。
【００３６】
＜適用例１＞
図１０Ａおよび図１０Ｂは、電子ブックリーダーの外観を表したものである。この電子ブックリーダーは、例えば、表示部２１０および非表示部２２０を有し、この非表示部２２０に操作部２３０が設けられている。この表示部２１０が上記表示装置９０により構成されている。操作部２３０は、図１０Ａに示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図１０Ｂに示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００３７】
＜適用例２＞
図１１は、タブレットパーソナルコンピュータの外観を表したものである。このタブレットパーソナルコンピュータは、例えば、タッチパネル部３１０および筐体３２０を有しており、タッチパネル部３１０が上記表示装置９０により構成されている。
【００３８】
＜適用例３＞
図１２は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル４１０およびフィルターガラス４２０を含む映像表示画面部４００を有しており、映像表示画面部４００が上記表示装置９０により構成されている。
【００３９】
＜適用例４＞
図１３Ａ，１３Ｂは、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５１０、表示部５２０、メニュースイッチ５３０およびシャッターボタン５４０を有しており、表示部５２０が上記表示装置９０により構成されている。
【００４０】
＜適用例５＞
図１４は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体６１０、文字等の入力操作のためのキーボード６２０および画像を表示する表示部６３０を有しており、表示部６３０が上記表示装置９０により構成されている。
【００４１】
＜適用例６＞
図１５は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部７１０、この本体部７１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ７２０、撮影時のスタート／ストップスイッチ７３０および表示部７４０を有しており、表示部７４０が上記表示装置９０により構成されている。
【００４２】
＜適用例７＞
図１６Ａ，１６Ｂは、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体８１０と下側筐体８２０とを連結部（ヒンジ部）８３０で連結したものであり、ディスプレイ８４０、サブディスプレイ８５０、ピクチャーライト８６０およびカメラ８７０を有しており、ディスプレイ８４０およびサブディスプレイ８５０のうちの少なくともどちらか一方が上記表示装置９０により構成されている。
【００４３】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、ボトムゲート・トップコンタクト型のトランジスタ１について説明したが、本技術はボトムゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタ，トップゲート・トップコンタクト型のトランジスタあるいはトップゲート・ボトムコンタクト型のトランジスタに適用させることも可能である。
【００４４】
また、上記実施の形態等では、有機絶縁膜１４が基板１１の略全面（取出部Ｃを除く全面）に設けられる場合について説明したが、有機絶縁膜１４は有機半導体膜１５よりも広くその周囲に延在していれば、隣りあうトランジスタ１の間で分断されていてもよい。
【００４５】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００４６】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含むトランジスタの製造方法。
（２）前記有機絶縁膜および有機半導体膜のうち、前記有機半導体膜を選択的に溶解させて前記パターニングを行う前記（１）に記載のトランジスタの製造方法。
（３）前記有機半導体膜上に保護膜を設けた後、前記保護膜と同じ平面形状に前記有機半導体膜をパターニングする前記（２）に記載のトランジスタの製造方法。
（４）前記有機半導体膜をパターニングした後、前記保護膜を選択的に溶解させて除去する前記（３）に記載のトランジスタの製造方法。
（５）前記有機半導体膜を、前記有機絶縁膜に接するように形成する前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタの製造方法。
（６）前記有機絶縁膜、有機半導体膜それぞれの構成材料の混合溶液から、相分離により前記有機絶縁膜および有機半導体膜を形成する前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載のトランジスタの製造方法。
（７）前記有機半導体膜にソース・ドレイン電極を電気的に接続させる工程を有する
前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載のトランジスタの製造方法。
（８）基板側から、前記ゲート電極、ゲート絶縁膜、有機絶縁膜および有機半導体膜をこの順に設け、前記有機半導体膜をパターニングした後、前記ソース・ドレイン電極を形成する前記（７）に記載のトランジスタの製造方法。
（９）基板上に複数のトランジスタを形成する工程を有し、前記トランジスタを形成する工程は、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含む半導体装置の製造方法。
（１０）前記基板上に、前記有機絶縁膜のない領域を局所的に設ける前記（９）に記載の半導体装置の製造方法。
（１１）前記有機絶縁膜のない領域では、前記ゲート電極と取出電極とを電気的に接続させる前記（１０）に記載の半導体装置の製造方法。
（１２）前記有機絶縁膜のない領域を、前記複数のトランジスタが設けられた領域の外側に配置する前記（１０）または（１１）に記載の半導体装置の製造方法。
（１３）表示素子を駆動するためのトランジスタを形成する工程を有し、前記トランジスタを形成する工程は、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する、有機絶縁膜および有機半導体膜の積層膜を形成する工程と、前記有機半導体膜をパターニングする工程とを含む表示装置の製造方法。
（１４）ゲート電極と、ゲート絶縁膜を間にして前記ゲート電極に対向する有機半導体膜と、前記有機半導体膜の一面に接すると共に、前記有機半導体膜よりも広く延在する有機絶縁膜とを備えたトランジスタ。
【符号の説明】
【００４７】
１…トランジスタ、１１…基板、１２…ゲート電極、１３…ゲート絶縁膜、１４…有機絶縁膜、１５，１５Ａ…有機半導体膜、１６Ａ，１６Ｂ…ソース・ドレイン電極、１７…混合溶液、１８…保護膜、Ｃ…取出部、１９…取出電極、２１…保護膜、２２…層間絶縁膜、２３…画素電極、９０・・・表示装置、１０・・・画素、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１４０・・・画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２・・・トランジスタ。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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