(57)【要約】      （修正有）【課題】内側空間の全体において十分な磁気シールド効果を得ることができる扉付き開放型磁気シールド構造を提供する。【解決手段】扉開口１１付き磁気シールド対象空間１をその扉１２と平行に貫く第１方向軸Ａｚと所定間隔ｄｚで交差する複数の平行な平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……上にそれぞれその空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……を設け，開口１１を閉鎖する扉１２上に第１方向軸Ａｚと平行に扉磁性板２２を設け，第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……の各々の切断部分の両端に扉磁性板２２と対向し且つ閉鎖時に磁気的に接合される繋ぎ磁性体２６ｚを取り付ける。好ましくは，扉磁性板２２を，第１方向軸Ａｚと交差する複数の平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……と扉１２との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板２３ｚ（２３ｚ１，２３ｚ２，……）とする。【選択図】図１
2014135428.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
扉開口付き磁気シールド対象空間を当該扉と平行に貫く第１方向軸と所定間隔で交差する複数の平行な平面上にそれぞれ当該空間を囲みつつ扉開口で切断された帯状の第１Ｃ字型磁性板を設け，前記開口を閉鎖する扉上に第１方向軸と平行に扉磁性板を設け，前記第１Ｃ字型磁性板の各々の切断部分の両端に扉磁性板と対向し且つ閉鎖時に磁気的に接合される繋ぎ磁性体を取り付けてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項２】
請求項１の磁気シールド構造において，前記扉磁性板を，前記第１方向軸と交差する複数の平面と扉との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板としてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項３】
請求項１の磁気シールド構造において，前記空間を扉と平行に貫く第２方向軸と所定間隔で交差する複数の平行な平面上にそれぞれ当該空間を囲みつつ扉開口で切断された帯状の第２Ｃ字型磁性板を第１Ｃ字型磁性板と入れ子状に設け，前記第２Ｃ字型磁性板の各々の切断部分の両端に扉磁性板と対向し且つ閉鎖時に磁気的に接合される繋ぎ磁性体を取り付けてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項４】
請求項３の磁気シールド構造において，前記扉磁性板を，前記第１方向軸及び第２方向軸と交差する複数の平面と扉との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板及び第２Ｉ字型磁性板としてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項５】
請求項３又は４の磁気シールド構造において，前記空間を扉と垂直に貫く第３方向軸と所定間隔で交差する複数の平行な平面上にそれぞれ当該空間を囲む環帯状磁性板を設け，前記空間の周囲に第１Ｃ字型磁性板と第２Ｃ字型磁性板と環帯状磁性板とを入れ子状に配置してなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項６】
請求項５の磁気シールド構造において，前記第１方向軸と交差する複数の第１Ｃ字型磁性板の間隔にそれぞれ前記空間を囲みつつ扉開口で切断された帯状の第１Ｃ字型導体板を設け，前記開口の内側周囲に導体開口枠を固定し，前記各第１Ｃ字型導体板の切断部分の両端を導体開口枠に電気的に接合してなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項７】
請求項５又は６の磁気シールド構造において，前記第２方向軸と交差する複数の第２Ｃ字型磁性板の間隔にそれぞれ前記空間を囲みつつ扉開口で切断された帯状の第２Ｃ字型導体板を設け，前記開口の内側周囲に導体開口枠を固定し，前記各第２Ｃ字型導体板の切断部分の両端を導体開口枠に電気的に接合してなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項８】
請求項５から７の何れかの磁気シールド構造において，前記第３方向軸と交差する複数の環帯状磁性板の間隔にそれぞれ前記空間を囲む環帯状導体板を設けてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【請求項９】
請求項２，４又は請求項２，４に従属する請求項５から８の何れかの磁気シールド構造において，前記Ｃ字型磁性板及びＩ字型磁性板を，それぞれ同じ帯幅及び板厚のＰＣパーマロイ製磁性板としてなる扉付き開放型磁気シールド構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は扉付き開放型磁気シールド構造に関し，とくに磁気シールド対象空間を帯状磁性板で囲む開放型磁気シールド構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造施設等で用いる電子顕微鏡，ＥＢ露光装置，ＥＢステッパー等の電子ビーム応用装置は，例えば１００ｎＴ（１ｍＧ）程度の微弱な磁気ノイズでも電子ビームの軌道が変化するので，製品の品質を確保するために外乱磁場（環境磁場）の影響を避ける必要がある。また，医療施設等で用いる脳磁計や心磁計等のＳＱＵＩＤ（超電導量子干渉素子）応用装置は，微弱な磁気を正確に測定するため外乱磁場の遮断が求められる。このような外乱磁場の影響を嫌う装置（嫌磁気装置）を外乱磁場から保護して正常な動作を保証するため，施設内に磁気シールドルーム（シールド空間）を設けることが求められる。
【０００３】
従来の磁気シールドルームは，透磁率μの高いＰＣパーマロイ，電磁鋼板等の磁性体製の板（以下，磁性板という）により床，壁，天井の全体を隙間なく覆う構造（密閉型シールド構造）とすることが多い。これに対し，図１３に示すように，帯状磁性板を簾状又はルーバー状に並べた磁気シールド構造（以下，開放型磁気シールド構造又は開放型シールド構造という）５が開発されている（特許文献１〜４参照）。図示例の開放型シールド構造５は，例えば帯幅３０〜５０ｍｍ程度の複数の帯状磁性板２を長さ方向中心軸Ｃが同一簾面Ｆ上に平行に並ぶように所要の板厚方向間隔ｄで積み重ねて磁気シールド簾体３とし（図１３（Ａ）参照），複数のシールド簾体３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄを対応する端縁の重ね合わせ（面接触）９により磁気的に接合して環状に閉じた帯状磁性板（以下，環帯状磁性板という）４を形成し，複数の環帯状磁性板４でシールド対象空間１を囲んだものである（図１３（Ｂ）参照）。
【０００４】
図１３（Ｂ）の開放型シールド構造は，環帯状磁性板４の相互間隔ｄを，磁性板４中の磁束の通りやすさ（磁性板のパーミアンス）が間隔ｄ中の磁束の通りやすさ（間隔のパーミアンス）より大きくなるように，すなわち間隔ｄの断面積Ｓａに対する磁性板４の断面積Ｓｍと比透磁率μｓとの積（Ｓｍ・μｓ）の割合（Ｓｍ・μｓ／Ｓａ）が１より充分大きくなるように設計することができる。適切な間隔ｄを設計することにより，空間１に開放性（透視性，透光性，放熱性）を与えつつ，同図に矢印で示すように磁気的に閉じた環帯状磁性板４（磁性体回路）に磁束を集中させて間隔ｄからの外乱磁場Ｍの侵入を小さく抑え，磁気シールドルームに相応しい磁気環境（磁気シールド性能）を提供できる。図示例は直流磁場Ｍが印加された場合を示しているが，交流磁場Ｍが印加された場合も磁束の方向が変化するだけで同様の効果が得られる。
【０００５】
ただし，図１３（Ｂ）の開放型シールド構造を磁気シールドルームに適用するためには，人や物が出入りするための比較的大きな扉開口を設ける必要がある。例えば，図１０（Ａ１）及び（Ｂ１）に示すような環帯状磁性板４で囲まれた開放型シールド構造の磁気シールドルーム１において，図１０（Ａ２）及び（Ｂ２）のような扉開口１１を設けると磁気的に閉じた環帯状磁性板（磁性体回路）が切断されるので，扉開口１１を開放したままにすると磁気シールド性能が劣化しうる。密閉型シールド構造では，開口１１を閉じる扉の表面に磁性板を取り付け，扉枠を介して扉の磁性板を床，壁，天井の磁性板と面的に接触させることにより，比較的容易に扉開口を磁気的に閉鎖することができる。これに対し開放型シールド構造では，扉開口１１で切断された環帯状磁性板（Ｃ字型磁性板２０）を扉面と面的に接触させることができないので，密閉型シールド構造の扉をそのまま用いても扉開口１１を磁気的に閉鎖することは難しい。
【０００６】
開放型シールド構造に設けた扉開口１１を磁気的に閉鎖する方法として，図１０（Ａ３）及び（Ｂ３）に示すように，磁気シールド簾体３（図１３（Ａ））によって扉開口１１の扉を構成すると共にその長さ方向端縁に磁性板製の拡張板（Ｌ字形アングル等）１６を取り付け，対向する開口１１の周囲壁面（Ｃ字型磁性板２０）の長さ方向端縁にも磁性拡張板１６を取り付け，両者の対向する面積を板厚方向に拡張する方法が提案されている（特許文献３参照）。扉と周囲壁面との間に多少空隙が存在していても，両者の対向する面積を拡張すれば，その間隙を介して両者を磁気的に結合して磁場の侵入を抑えることが期待できる。また，図１０（Ａ４）及び（Ｂ４）に示すように，扉開口１１の内側周囲に磁性板製の開口枠１７を設けると共にその開口枠１７を開口１１の周囲壁面のＣ字型磁性板２０と接続する方法が提案されている（特許文献２参照）。磁性開口枠１７を介して磁束を迂回させることにより，切断された環帯状磁性板（Ｃ字型磁性板２０）からの磁場の侵入を小さく抑えることが期待できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開２００４／０８４６０３号パンフレット
【特許文献２】特開２００６−２６９６５６号公報
【特許文献３】特開２００６−３５１５９８号公報
【特許文献４】特開２００７−１０３８５４号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】電気学会通信教育会編「電気学会大学講座  電気材料（改訂版）」社団法人電気学会，昭和３５年１２月２６日
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，上述した図１０（Ａ３）及び図１０（Ａ４）の方法は，開放型シールド構造の扉開口１１から侵入する微弱磁場を必ずしも十分に抑えることができない問題点がある。本発明者は，幅３０ｍｍ×長さ２８０ｍｍ×板厚０．５ｍｍの４枚の帯状磁性板２（ＰＣパーマロイ製）を井桁状に接合した環帯状磁性板４（図１３（Ｂ）参照）を作成し，図１０（Ａ１）及び（Ｂ１）に示すように，その環帯状磁性板４を板厚方向間隔ｄ＝６０ｍｍで５段重ねた開放型シールド構造５を作成して磁気シールド性能５を確認する実験を行った。実験では，図１２（Ａ）に示す環状コイルＬの中央部に開放型シールド構造５を設置し，Ｘ方向及びＹ方向の略一様の微弱磁場Ｍ（１０μＴ，直流磁場）を順次印加しながら，内側空間１の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度をそれぞれ磁気センサ８により測定した。また，数値シミュレーション（三次元非線形磁場解析）により同じ開放型シールド構造５の各評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度を解析したところ，実験値と概ね一致する解析値が得られた。そこで，図１０（Ａ２），図１０（Ａ３），及び図１０（Ａ４）のように９４ｍｍ幅の扉開口１１を設けた開放型シールド構造において，Ｘ方向及びＹ方向の微弱磁場Ｍを印加した時の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度をそれぞれ数値シミュレーションにより求め，開口１１を設ける前の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度（磁場強度の基準値）と比較する検証実験を行った。
【００１０】
図１１（Ａ２）のグラフは，図１０（Ａ２）のように扉開口１１が開放されたままの開放型シールド構造の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度（基準値に対する比率），及び５点の平均磁場強度（基準値の平均に対する比率）を示す。また図１１（Ａ３）のグラフは，図１０（Ａ３）のように磁性拡張板１６付き扉３と開口周囲とを所要空隙（幅５ｍｍ）で対向させた開放型シールド構造の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度（基準値に対する比率），及び５点の平均磁場強度（基準値の平均に対する比率）を示す。両グラフの比較から分かるように，開口１１に磁性拡張板１６付き扉３を設けることにより，Ｘ方向磁場に対して開口近くの評価点Ｓ２の磁場を小さくできるが，他の評価点Ｓ１，Ｓ３〜Ｓ５の磁場を十分に小さくすることはできていない。また，Ｙ方向磁場に対して内側空間１の磁場を全体的に小さくできるが，評価点Ｓ２の磁場を十分に小さくすることはできていない。この実験結果から，開口１１の扉３に磁性拡張板１６を取り付けただけでは，微弱磁場Ｍを対象とした開放型シールド構造の内側空間１の全体において十分な磁気シールド効果を得ることは難しいことが分かる。
【００１１】
また図１１（Ａ４）のグラフは，図１０（Ａ４）のように所要厚さ（０．５ｍｍ）の磁性開口枠１７を設けて磁束を迂回させた開放型シールド構造の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度（基準値に対する比率），及び５点の平均磁場強度（基準値の平均に対する比率）を示す。図１１（Ａ４）と図１１（Ａ２）との比較から分かるように，開口１１に磁性開口枠１７を設けることにより，Ｘ方向磁場に対して開口から離れた評価点Ｓ３の磁場を小さくできるが，他の評価点Ｓ１〜Ｓ２，Ｓ４〜Ｓ５の磁場は逆に大きくなっている。また，Ｙ方向磁場に対しては全体的に磁場が大きくなっており，とくに評価点Ｓ２の磁場が大きくなっている。この実験結果から，開口１１に磁性開口枠１７を設けることによっても，微弱磁場Ｍを対象とした開放型シールド構造の内側空間１の全体において十分な磁気シールド効果を得ることはできないことが分かる。
【００１２】
図１１（Ａ４）の実験結果は，磁性開口枠１７を設けることにより磁性体の全体的な配置バランスが崩れ，磁性体回路に流れる磁束が非対称となって磁束の流れにくい場所が生じたため，内部空間１の磁場が全体的に増大したことを示唆している。また図１１（Ａ３）の実験結果は，磁性拡張板１６の面方向が印加する磁場Ｍの方向と異なる場合に，磁性体回路に磁束が流れにくくなり，内部空間１に磁場の増大する場所が生じることを示唆している。開放型シールド構造を開口１１のある磁気シールドルームに適用するためには，磁性体回路に流れる磁束を乱すことなく扉開口１１を磁気的に閉鎖することができ，開口１１から侵入する微弱磁場を十分に抑えて内側空間１の全体において十分な磁気シールド効果が得られる技術が必要である。
【００１３】
そこで本発明の目的は，内側空間の全体において十分な磁気シールド効果を得ることができる扉付き開放型磁気シールド構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
図１の実施例を参照するに，本発明による扉付き開放型磁気シールド構造は，扉１２の開口１１付き磁気シールド対象空間１をその扉１２と平行に貫く第１方向軸Ａｚと所定間隔ｄｚで交差する複数の平行な平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……上にそれぞれその空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……を設け，開口１１を閉鎖する扉１２上に第１方向軸Ａｚと平行に扉磁性板２２を設け，第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……の各々の切断部分の両端に扉磁性板２２と対向し且つ閉鎖時に磁気的に接合される繋ぎ磁性体２６ｚを取り付けてなるものである。
【００１５】
望ましい実施例では，図１（Ｂ）及び図１（Ｄ）に示すように，扉磁性板２２を，第１方向軸Ａｚと交差する複数の平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……と扉１２との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板２３ｚ（２３ｚ１，２３ｚ２，……）とする。或いは，図１（Ｆ）に示すように，扉磁性板２２を，第１方向軸Ａｚと平行な扉１２の面上に設けたプレート状磁性板２４としてもよい。
【００１６】
好ましくは，図２に示すように，磁気シールド対象空間１を扉１２と平行に貫く第２方向軸Ａｘと所定間隔ｄｘで交差する複数の平行な平面Ｐｘ１，Ｐｘ２，……上にそれぞれその空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……を第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と入れ子状に設け，第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……の各々の切断部分の両端に扉磁性板２２と対向し且つ閉鎖時に磁気的に接合される繋ぎ磁性体２６ｘを取り付ける。この場合においても望ましくは，図１（Ｂ）及び図２（Ｂ）に示すように，扉磁性板２２を，第１方向軸Ａｚ及び第２方向軸Ａｘと交差する複数の平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……，Ｐｘ１，Ｐｘ２，……と扉１２との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板２３ｚ（２３ｚ１，２３ｚ２，……）及び第２Ｉ字型磁性板２３ｘ（２３ｘ１，２３ｘ２，……）とする。
【００１７】
更に好ましくは，図３に示すように，磁気シールド対象空間１を扉１２と垂直に貫く第３方向軸Ａｙと所定間隔ｄｙで交差する複数の平行な平面Ｐｙ１，Ｐｙ２，……上にそれぞれ空間１を囲む環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……を設け，空間１の周囲に第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……と環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……とを入れ子状に配置する。
【００１８】
更に望ましい実施例では，図３のように磁気シールド対象空間１の周囲に第１Ｃ字型磁性板２０ｚと第２Ｃ字型磁性板２０ｘと環帯状磁性板２０ｙとを入れ子状に配置すると共に，図４に示すように，第１方向軸Ａｚと交差する複数の第１Ｃ字型磁性板２０ｚの間隔ｄｚにそれぞれ磁気シールド対象空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第１Ｃ字型導体板３０ｚを設け，開口１１の内側周囲に導体開口枠３２を固定し，各第１Ｃ字型導体板３０ｚの切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合する。
【００１９】
図５（Ａ）に示すように，第１Ｃ字型導体板３０ｚに代えて又は加えて，第２方向軸Ａｘと交差する複数の第２Ｃ字型磁性板２０ｘの間隔ｄｘにそれぞれ磁気シールド対象空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第２Ｃ字型導体板３０ｘを設け，各第２Ｃ字型導体板３０ｘの切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合してもよい。また，図５（Ｂ）に示すように，第１Ｃ字型導体板３０ｚ及び第２Ｃ字型導体板３０ｘに代えて又は加えて，第３方向軸Ａｙと交差する複数の環帯状磁性板２０ｙの間隔ｄｙにそれぞれ磁気シールド対象空間１を囲む環帯状導体板３０ｙを設けることもできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の扉付き開放型磁気シールド構造によれば，磁気シールド対象空間１を扉１２と平行に貫く第１方向軸Ａｚと所定間隔ｄｚで交差する複数の平行な平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……上にそれぞれ空間１を囲みつつ扉開口１１で切断されたＣ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……を配置し，扉１２上に第１方向軸Ａｚと平行に扉磁性板２２を配置し，Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……の各々の切断部分の両端に取り付けた繋ぎ磁性体２６ｚを扉磁性板２２に対向させ，扉１２の閉鎖時にＣ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と扉磁性板２２とを磁気的に接合させるので，次の効果が得られる。
【００２１】
（イ）Ｃ字型磁性板２０ｚに取り付けた繋ぎ磁性体２６ｚを扉磁性板２２と対向させ，扉１２の閉鎖時にＣ字型磁性板２０ｚと扉磁性板２２とを面接触させることにより，磁性体回路の連続性を確保して扉開口１１を磁気的に閉鎖することができる。
（ロ）また，複数の平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……と扉１２との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数のＩ字型磁性板２３ｚ１，２３ｚ２，……によって扉磁性板２２を構成し，Ｃ字型磁性板２０ｚの各々とＩ字型磁性板２３ｚの各々とを相互に絶縁しつつ磁気的に接合させることにより，磁性体回路の各々に流れる磁束を乱すことなく扉開口１１を磁気的に閉鎖することができる。
（ハ）磁性体回路に流れる磁束を乱すことなく扉開口１１を磁気的に閉鎖することにより，扉１２の閉鎖時に内側空間の全体において十分な磁気シールド効果を得ることができる。
（ニ）また，複数のＣ字型磁性板２０ｚの間隔ｄｚにそれぞれ空間１を囲みつつ扉開口１１で切断されたＣ字型導体板３０ｚを設け，開口１１の内側周囲に導体開口枠３２を固定し，Ｃ字型導体板３０ｚの切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合することにより，磁性体回路と導体回路とを組み合わせた開放型シールド構造とすることができる。
（ホ）磁性体回路による開放型シールド構造は高周波数域において磁気シールド性能が低下しうるのに対し，導体回路による開放型シールド構造は高周波数域において磁気シールド性能が向上するので，両者を組み合わせることにより比較的広い周波数範囲において高い磁気シールド性能を発揮する開放型シールド構造とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
以下，添付図面を参照して本発明を実施するための形態及び実施例を説明する。
【図１】本発明による開放型シールド構造の一実施例の説明図である。
【図２】本発明による開放型シールド構造の他の実施例の説明図である。
【図３】本発明による開放型シールド構造の更に他の実施例の説明図である。
【図４】導体回路を併用した本発明の磁気シールド構造の一実施例の説明図である。
【図５】導体回路を併用した本発明の磁気シールド構造の他の実施例の説明図である。
【図６】図１の開放型シールド構造による内側空間の磁気シールド性能を検証した実験結果である。
【図７】図４の開放型シールド構造による内側空間の磁気シールド性能を検証した実験結果である。
【図８】本発明による開放型シールド構造を磁気シールドルームに適用した実施例の説明図である。
【図９】図８の楕円部分ＶＩＩＩの拡大図である。
【図１０】開放型シールド構造の開口を閉鎖する従来技術の説明図である。
【図１１】図１０の従来技術による磁気シールド性能を検証した実験結果である。
【図１２】開放型シールド構造の磁気シールド性能を検証する実験方法の説明図である。
【図１３】開放型シールド構造の説明図である。
【図１４】導体回路を用いた開放型シールド構造の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
図１は，扉開口１１を有する磁気シールド対象空間（例えば磁気シールドルーム）１に本発明の扉付き開放型シールド構造を適用した実施例を示す。図示例の開放型シールド構造は，図１（Ａ）のように扉１２と平行に磁気シールド対象空間１を貫く第１方向軸Ａｚと所定間隔ｄｚで交差する複数の平行な平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……を想定し，図１（Ｂ）に示すように，その平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……の上にそれぞれ所定帯幅Ｗｃで空間１を囲むように配置した第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と，扉１２上に第１方向軸Ａｚと平行に配置した扉磁性板２２と，Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……の各々に扉磁性板２２と対向するように取り付けた繋ぎ磁性体２６ｚ，２６ｚ，……とにより構成されている。図示例では各平面Ｐｘを第１方向軸Ａｚと直交させているが，交差角度は直交以外とすることも可能である。また，第１方向軸Ａｚを通す対象空間１内の中心点Ｏは，例えば対象空間１内の嫌磁気装置の設置位置とすることができる。
【００２４】
図示例のＣ字型磁性板２０ｚは，図１（Ｃ）に示すように各平面Ｐｚ上において空間１を囲みつつ扉開口１１の部分で切断されたものであり，例えば図１３（Ａ）と同様に透磁率μの高いＰＣパーマロイその他の帯状磁性板２を用い，対象空間１の内面と各平面Ｐｚとの交差線に沿って帯状磁性板２を多角形状に配置して接合することにより作成できる。望ましくは，Ｃ字型磁性板２０を構成する帯状磁性板２を，複数のＰＣパーマロイ製薄板と絶縁性薄帯材とを交互に重ね合わせて積層した積層磁性板とする。ＰＣパーマロイの磁気特性は薄いほど高いことが知られており，さらに絶縁性薄帯材を介して必要な板厚ｔに積層することで断面に流れる渦電流（渦電流損）を小さく抑え，高周波数域における磁気シールド性能の低下を抑えることができる。絶縁性薄帯材の一例は，シート状又はフィルム状（厚さ３０μｍ以下）の紙や樹脂である。
【００２５】
また扉１２上の扉磁性板２２は，図１（Ｄ）に示すように，第１方向軸Ａｚと交差する各平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……と扉本体１２との交線に沿ってそれぞれ，相互に絶縁しつつ扉本体１２上に配置した複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板２３ｚ１，２３ｚ２，……とすることができる。例えば扉本体１２を非磁性ステンレス（ＳＵＳ）製とし，その上にＣ字型磁性板２０ｚと同様の帯状磁性板２を固定してＩ字型磁性板２３ｚとし，Ｉ字型磁性板２３ｚの相互間に電気絶縁性を確保する。好ましくは，Ｉ字型磁性板２３ｚを，Ｃ字型磁性板２０ｚと同じ帯幅及び板厚のＰＣパーマロイ製薄板を絶縁性薄帯材と交互に重ね合わせて積層した積層磁性板とする。Ｃ字型磁性板２０ｚとＩ字型磁性板２３ｚとを同じ帯幅及び板厚の帯状磁性板とすることにより，後述するように，両者を磁気的に結合した磁性体回路に流れる磁束の乱れを小さく抑えることができる。ただし，扉磁性板２２はＩ字型磁性板２３ｚに限定されず，例えば図１（Ｆ）に示すように，第１方向軸Ａｚと平行な扉１２の面上に設けたプレート状磁性板２４とすることも可能である。
【００２６】
Ｃ字型磁性板２０ｚ上に取り付ける繋ぎ磁性体２６ｚは，各Ｃ字型磁性板２０ｚの切断部分に臨む両端に取り付けられるものであり，Ｃ字型磁性板２０ｚの帯幅面と直角に配置された扉１２上の扉磁性板２２と対向するように，例えば図１（Ｅ）に示すような磁性板製のＬ字形アングルとすることができる。繋ぎ磁性体２６ｚを介してＣ字型磁性板２０ｚと扉磁性板２２とを対向させて面接触させることにより，扉１２の閉鎖時に磁性体回路の連続性を確保して扉開口１１を磁気的に閉鎖することができる。
【００２７】
図６（Ａ）は，図１（Ｄ）に示す第１Ｉ字型磁性板２３ｚを扉磁性板２２とした扉付き開放型シールド構造において，Ｘ方向及びＹ方向の磁場Ｍを印加した時の内側空間１の評価点Ｓ１〜Ｓ５における磁場強度を上述した数値シミュレーション（三次元非線形磁場解析）により求め，開口１１を設ける前の評価点Ｓ１〜Ｓ５の磁場強度（磁場強度の基準値）と比較した検証実験の結果を示す。図６（Ａ）のグラフと図１１（Ａ２）のグラフとの比較から，Ｘ方向磁場に対して内側空間１の磁場を全体的に小さくすることができることが分かる。また，Ｙ方向磁場に対しても，開口近くの評価点Ｓ２の磁場が若干大きくなるものの，やはり内側空間１の磁場を全体的に小さくすることができる。この実験結果から，複数のＩ字型磁性板２３ｚの各々を相互に絶縁しつつＣ字型磁性板２０ｚと１対１で磁気的に接合することにより，各磁性体回路に流れる磁束を乱すことなく扉開口１１を磁気的に閉鎖することができ，その結果として内側空間の全体において十分な磁気シールド効果を得られることが分かる。
【００２８】
また図６（Ｂ）は，扉磁性板２２として，図１（Ｄ）に示す第１Ｉ字型磁性板２３ｚに代えて，図１（Ｆ）に示すプレート状磁性板２４を用いた開放型シールド構造にＸ方向及びＹ方向の磁場Ｍを印加した時の内側空間１の評価点Ｓ１〜Ｓ５における磁場強度を，数値シミュレーションにより求めた検証実験結果を示す。図６（Ｂ）のグラフと図１１（Ａ２）のグラフとの比較から，Ｘ方向磁場に対して内側空間１の評価点Ｓ１〜Ｓ５による磁場のバラツキが大きく，中心点である評価点Ｓ１及び開口から離れた評価点Ｓ３の磁場は非常に小さくなっているが，開口近くの評価点Ｓ２の磁場は大きくなることが分かる。また，Ｙ方向磁場に対しても，評価点Ｓ１〜Ｓ５による磁場のバラツキが大きく，評価点Ｓ１及びＳ３の磁場は小さくなっているが，Ｘ方向磁場に対する場合よりも全体的に内側空間１の磁場が大きくなっている。この実験結果から，扉開口１１をプレート状磁性板２４で塞いた場合は，磁性体配置のバランスが崩れて磁性体回路に流れる磁束に偏りが生じるために，内部空間１の磁場が全体的に増大すると考えられる。ただし，図６（Ｂ）は，内側空間１の特定部位（例えば中心点である評価点Ｓ１）の磁場を小さく抑える場合には，Ｉ字型磁性板２３ｚに代えてプレート状磁性板２４を用いることが有効であることを示している。
【００２９】
本発明の扉付き開放型シールド構造は，必要に応じて，Ｃ字型磁性板２０ｚと扉磁性板２２とを磁気的に接合して一体とするために，繋ぎ磁性体２６ｚを介して両者を対面させると共に，適当な圧力を加えて接触させることができる。例えば，従来の密閉型シールド構造の磁気シールド扉に用いられている押圧機構（例えばローラ絞りハンドル，ロッドを介したサイドローラ絞り等で構成される機構）を転用することにより，扉磁性板２２に押圧力を加えてＣ字型磁性板２０ｚとの密着度を高めることができる。
【００３０】
こうして本発明の目的である「内側空間の全体において十分な磁気シールド効果を得ることができる扉付き開放型磁気シールド構造」の提供が達成できる。
【００３１】
好ましくは，図２（Ａ）に示すように，磁気シールド対象空間１を扉１２と平行に貫く第２方向軸Ａｘと所定間隔ｄｘで交差する複数の平行な平面Ｐｘ１，Ｐｘ２，……を想定し，その平面Ｐｘ１，Ｐｘ２，……上にそれぞれ，所定帯幅Ｗｃで空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……を設け，空間１の周囲に図１（Ｂ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と図２（Ｂ）の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……とを入れ子状に配置する。図２において第２方向軸Ａｘは，図１の第１方向軸Ａｚと異なる方向，例えば方向軸Ａｚと垂直な方向に選択する。また，各平面Ｐｘと第２方向軸Ａｘとの交差角度は直交以外とすることも可能である。
【００３２】
図２（Ｂ）に示すように，第２Ｃ字型磁性板２０ｘの各々の切断部分の両端には，第１Ｃ字型磁性板２０ｚと同様に，扉磁性板２２と対向するように繋ぎ磁性体２６ｘを取り付ける。そして，繋ぎ磁性体２６ｘを介してＣ字型磁性板２０ｘと扉磁性板２２とを対向させて面接触させることにより，扉１２の閉鎖時に磁性体回路の連続性を確保する。扉磁性板２２は，図１（Ｆ）のようなプレート状磁性板２４とすることも可能であるが，図示例のように第２方向軸Ａｘと交差する複数の平面Ｐｘ１，Ｐｘ２，……と扉１２との交線に沿ってそれぞれ相互に絶縁しつつ設けた複数の帯状の第２Ｉ字型磁性板２３ｘ（２３ｘ１，２３ｘ２，……）とすることが望ましい。
【００３３】
図１（Ａ）の開放型シールド構造ではＺ方向（第１方向軸Ａｚの方向）の外乱磁場Ｍに対して対応できないが，第１Ｃ字型磁性板２０ｚ及び第２Ｃ字型磁性板２０ｘを組み合わせた図２（Ａ）の開放型シールド構造によれば，Ｚ方向の外来磁場Ｍに対しても高い磁気シールド効果が期待できる。また，相互に絶縁された図１（Ｂ）の第１Ｉ字型磁性板２３ｚと図２（Ｂ）の第２Ｉ字型磁性板２３ｘとにより扉磁性板２２を構成し，複数のＩ字型磁性板２３ｚ，２３ｘの各々を相互に絶縁しつつＣ字型磁性板２０ｚ，２０ｘと１対１で磁気的に接合することにより，各磁性体回路に流れる磁束を乱すことなく扉開口１１を磁気的に閉鎖することができる。
【００３４】
更に好ましくは，図３（Ａ）に示すように，磁気シールド対象空間１を扉１２と垂直に貫く第３方向軸Ａｙと所定間隔ｄｙで交差する複数の平行な平面Ｐｙ１，Ｐｙ２，……を想定し，その平面Ｐｙ１，Ｐｙ２，……上にそれぞれその空間１を囲む環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……を設け，空間１の周囲に図１（Ｂ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と図３（Ｂ）の環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……との２層を入れ子状に配置する。或いは，空間１の周囲に図１（Ｂ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と図２（Ｂ）の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……と図３（Ｂ）の環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……との３層を入れ子状に配置する。環帯状磁性板２０ｙは扉開口１１と交差しないので，切断部分のない環状に閉じた帯状磁性板とすることができる。
【００３５】
図３において，第３方向軸Ａｙは，図１の第１方向軸Ａｚ及び図２の第２方向軸Ａｘの何れとも異なる方向，例えば方向軸Ａｚ，Ａｘの何れとも垂直な方向に選択する。また，各平面Ｐｙと第３方向軸Ａｙとの交差角度を直交以外とすることも可能である。図２（Ａ）の開放型シールド構造でも方向の決まっていない（全方向から到来しうる）外乱磁場Ｍを遮蔽できるが，シールド対象空間１を囲む全ての平面（Ｘ−Ｚ平面，Ｘ−Ｙ平面，Ｙ−Ｚ平面）にそれぞれ２層の磁性体回路が配置されている図３（Ａ）の開放型シールド構造によれば，方向の決まっていない外乱磁場Ｍに対する高い磁気シールド効果が期待できる。
【実施例１】
【００３６】
以上，磁性体回路を用いた扉付き開放型磁気シールド構造について説明したが，磁性体回路を用いた開放型磁気シールド構造は，外乱磁場が直流ないし数Ｈｚ以下の低周波数の交流であれば略設計どおりの磁気シールド性能を示すものの，１０Ｈｚ〜商用周波数以上の高周波数域になるとシールド性能が劣化する問題点がある。図１２（Ｂ）のグラフは，図１０（Ａ１）及び（Ｂ１）に示す開放型シールド構造を図１２（Ａ）の環状コイルＬの中央部に設置し，周波数を１Ｈｚ，１０Ｈｚ，６０Ｈｚ，２００Ｈｚに切り替えながら略一様磁場Ｍ（１０μＴ）を印加したときの内側中心の磁場強度の測定値を示す。同グラフは，印加磁場Ｍの周波数が高くなるに従って開放型シールド構造の内側中心の磁場強度が大きくなること，つまり磁気シールド性能が低下することを示している。高周波数域において磁気シールド性能が劣化する原因は，環帯状磁性板４（磁性体回路）に電磁誘導によって渦電流（渦電流損）が生じるからと推測される。
【００３７】
他方，電磁誘導によって導体板に流れる渦電流を利用した磁気シールド構造は，周波数が高いほど有効に働くことが知られている（非特許文献１参照）。そこで，図１４（Ａ）に示すように，外寸法２８０ｍｍ×２８０ｍｍ，板厚５ｍｍの銅製及びアルミニウム製の導体板を用いて幅３０ｍｍの環帯状導体板６を作成し，その環帯状導体板６（導体回路）を板厚方向間隔ｄ＝６０ｍｍで５段重ねた開放型シールド構造を図１２（Ａ）の環状コイルＬの中央部に中心軸方向が磁場方向と一致するように設置し，周波数１Ｈｚ，１０Ｈｚ，６０Ｈｚ，２００Ｈｚの略一様磁場Ｍ（１０μＴ）を印加したときの内側中心の磁場強度（実験値）を測定する実験を行った。図１４（Ｂ）の実験結果は，印加磁場Ｍの周波数が高くなるに従って開放型シールド構造の内側中心の磁場強度が小さくなること，つまり磁気シールド性能が向上することを示している。また，渦電流に基づく数値シミュレーション（三次元非線形磁場解析）により同じ開放型シールド構造の内側中心の磁場強度を解析したところ，図１４（Ｂ）に示すように実験値と概ね一致する解析値が得られた。なお，同グラフはアルミニウムよりも導電率の大きい銅の磁気シールド性能が高いことを示している。
【００３８】
環帯状磁性板４（磁性体回路）を用いた図１０（Ａ１）及び（Ｂ１）の開放型シールド構造の磁気シールド性能は印加磁場Ｍの周波数が高くなると低下するのに対し（図１２（Ｂ）参照），環帯状導体板６（導体回路）を用いた図１４（Ａ）の開放型シールド構造の磁気シールド性能は印加磁場Ｍの周波数が高くなると向上することから（図１４（Ｂ）参照），両者を組み合わせて配置することにより，高周波数域（１０Ｈｚ〜商用周波数以上）の外乱磁場Ｍに対してもシールド性能が劣化しない開放型シールド構造とすることができる（本発明者らの先願である特願２０１２−２３６１６６号参照）。
【００３９】
図４は，磁性体回路と導体回路とを組み合わせた本発明の扉付き開放型シールド構造の実施例を示す。図示例の開放型シールド構造は，シールド対象空間１の周囲に図１（Ｂ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……と図２（Ｂ）の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ１，２０ｘ２，……と図３（Ｂ）の環帯状磁性板２０ｙ１，２０ｙ２，……とを入れ子状に配置すると共に，そのうち図４（Ａ）に示すように扉１２と平行に磁気シールド対象空間１を貫く第１方向軸Ａｚと所定間隔ｄｚで交差する複数の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ１，２０ｚ２，……の間隔ｄｚにそれぞれ，図４（Ｂ）に示すように空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第１Ｃ字型導体板３０ｚ１，３０ｚ２，……を配置し，扉開口１１の内側周囲に導体開口枠３２を固定し，各第１Ｃ字型導体板３０ｚ１，３０ｚ２，……の切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合したものである。
【００４０】
Ｃ字型導体板３０ｚは，例えば図４（Ｃ）に示すように，対象空間１の内面と第１方向軸Ａｚと交差する平面Ｐｘと対象空間１の内面との交差線に沿って，帯幅Ｗｍで適当な長さの複数の帯状導体板を接合することにより作成できる。接合部の接触抵抗により磁気シールド効果が大きく異なりうるため，複数の帯状導体板を接合する方法に代えて，１枚の大きな導体板からＣ字型導体板３０ｚをくり抜いて作成することも可能である。Ｃ字型導体板３０ｚの材質は，例えば銅，アルミニウム等の適当な導体板から対象空間１に必要なシールド性能に応じて適宜選択できるが，上述したように導電率が大きいとシールド性能も高いことから，導電率の大きい材質とすることが望ましい。
【００４１】
また，扉開口１１に固定する導体開口枠３２は，Ｃ字型導体板３０ｚと同じ導体板製とすることができる。例えば，図４（Ｄ）に示すように，各Ｃ字型導体板３０ｚの切断部分に臨む両端にＬ字形アングル等の繋ぎ導体３６ｚ，３６ｚ，……を取り付け，その繋ぎ導体３６ｚによって各Ｃ字型導体板３０ｚの切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合することにより，導体回路の連続性を確保して扉開口１１を電気的に閉鎖することができる。接合部の接触抵抗により磁気シールド効果が大きく異なりうるため，例えばＣ字型導体板３０ｚの切断部分の両端と導体開口枠３２との接合部分にそれぞれ鏡状仕上げ面を形成し，その鏡面仕上げ面同士を重ね合わせて押圧することにより接合することが望ましい（本発明者らの先願である特願２０１２−２７６６５２号参照）。
【００４２】
図７（Ｓ１）〜（Ｓ５）のグラフは，外寸法２８０ｍｍ×２８０ｍｍ，板厚５ｍｍの銅製の環帯状導体板６を用いた図１４（Ａ）に示す開放型シールド構造（開口なし），９４ｍｍ幅の扉開口１１を設けたままの開放型シールド構造（枠なし），同じく９４ｍｍ幅の扉開口１１の内側周囲に導体開口枠３２を設けた図４（Ｂ）に示す開放型シールド構造（枠５ｍｍ，枠１０ｍｍの２モデル）の４つのモデルを用い，それぞれ中心軸方向の磁場Ｍを印加した時の内側空間１の評価点Ｓ１〜Ｓ５における磁場強度を，上述した数値シミュレーション（三次元非線形磁場解析）により求めた検証実験の結果を示す。図７のグラフから，扉開口１１を開放したまま（枠なし）では渦電流が流れないため，磁気シールド効果が得られないことが分かる。また，開口枠３２を設けた場合は，開口近くの評価点Ｓ２において磁場が若干大きくなっている点を除き，開口のない場合に近い磁気シールド性能が得られることが分かる。
【００４３】
図４（Ａ）の扉付き開放型シールド構造において，第１Ｃ字型導体板３０ｚ及び導体開口枠３２からなる導体回路は，その中心軸方向（第１方向軸Ａｚの方向）の外乱磁場Ｍに対してシールド性能を発揮する。また，第２Ｃ字型磁性板２０ｘ及び扉磁性板２２からなる磁性体回路，環帯状磁性板２０ｙからなる磁性体回路も，それぞれ第１方向軸Ａｚの外乱磁場Ｍに対してシールド性能を発揮する。従って，図４（Ｂ）のように磁気シールド対象空間１を囲むＣ字型導体板３０ｚを配置すると共に扉１２に導体開口枠３２を配置することにより，第１方向軸Ａｚの方向から到来する外乱磁場Ｍに対する磁性体回路の高周波数域における磁気シールド性能の低下を，導体回路の高周波数域における磁気シールド性能の向上によって補うことができ，第１方向軸Ａｚの方向から到来する高周波数域（１０Ｈｚ〜商用周波数以上）の外乱磁場Ｍに対してもシールド性能が劣化しない扉付き開放型シールド構造とすることができる。
【００４４】
また，図４（Ａ）のように第１Ｃ字型磁性板２０ｚと第２Ｃ字型磁性板２０ｘと環帯状磁性板２０ｙとを入れ子状に配置したシールド対象空間において，上述した図４（Ｂ）の第１Ｃ字型導体板３０ｚに代えて又は加えて，図５（Ａ）に示すように扉１２と平行に磁気シールド対象空間１を貫く第２方向軸Ａｘと交差する複数の第２Ｃ字型磁性板２０ｘの間隔ｄｘにそれぞれ，空間１を囲みつつ扉開口１１で切断された帯状の第２Ｃ字型導体板３０ｘを配置し，各第２Ｃ字型導体板３０ｘの切断部分の両端を導体開口枠３２に電気的に接合することも可能である。第２Ｃ字型導体板３０ｘ及び導体開口枠３２からなる導体回路は，その中心軸方向（第２方向軸Ａｘの方向）の外乱磁場Ｍに対してシールド性能を発揮するので，図５（Ａ）のように空間１を囲むＣ字型導体板３０ｘを配置すると共に扉１２に導体開口枠３２を配置することにより，第２方向軸Ａｘの方向から到来する外乱磁場Ｍに対する磁性体回路の高周波数域における磁気シールド性能の低下を，導体回路の高周波数域における磁気シールド性能の向上によって補うことができる。
【００４５】
更に，図４（Ａ）のように第１Ｃ字型磁性板２０ｚと第２Ｃ字型磁性板２０ｘと環帯状磁性板２０ｙとを入れ子状に配置したシールド対象空間において，上述した図４（Ｂ）の第１Ｃ字型導体板３０ｚ及び図５（Ａ）の第２Ｃ字型導体板３０ｘに代えて又は加えて，図５（Ｂ）に示すように磁気シールド対象空間１を扉１２と垂直に貫く第３方向軸Ａｙと交差する複数の環帯状磁性板２０ｙの間隔ｄｙにそれぞれ磁気シールド対象空間１を囲む環帯状導体板３０ｙを設けることも可能である。環帯状導体板３０ｙからなる導体回路は，その中心軸方向（第３方向軸Ａｙの方向）の外乱磁場Ｍに対してシールド性能を発揮するので，図５（Ｂ）のように空間１を囲む環帯状導体板３０ｙを配置することにより，第３方向軸Ａｙの方向から到来する外乱磁場Ｍに対する磁性体回路の高周波数域における磁気シールド性能の低下を，導体回路の高周波数域における磁気シールド性能の向上によって補うことができる。
【実施例２】
【００４６】
図８（Ａ）は，図１（Ｂ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ，図２（Ｂ）の第２Ｃ字型磁性板２０ｘ，図３（Ｂ）の環帯状磁性板２０ｙ，図４（Ｂ）の第１Ｃ字型導体板３０ｚ，図５（Ａ）の第２Ｃ字型導体板３０ｘ，及び図５（Ｂ）の環帯状磁性板３０ｚをそれぞれ周囲に配置した本発明の磁気シールドルーム１の実施例を示す。図示例は，磁気シールドルーム１における非磁性ステンレス（ＳＵＳ）製の扉１２の正面図を示しており，周辺壁には磁性体回路として幅５０ｍｍ，厚さ０．５ｍｍのＰＣパーマロイ製薄板を８枚積層した積層磁性板製（合計厚さ４ｍｍ）の第１Ｃ字型磁性板２０ｚ（外層）及び第２Ｃ字型磁性板２０ｘ（内層）が，水平方向及び垂直方向にそれぞれ２００ｍｍ間隔で配置されている。また，導体回路として幅５０ｍｍ，厚さ５ｍｍの銅製の第１Ｃ字型導体板３０ｚ（外層）及び第２Ｃ字型導体板３０ｘ（内層）が，水平方向及び垂直方向にそれぞれ２００ｍｍ間隔で配置されている。更に，扉１２には，保持，回転，ロック（開閉）が可能な押圧機構として，従来の密閉型シールド構造の磁気シールド扉に用いられている押圧機構（例えばローラ絞りハンドル，ローラ絞りハンドル，リフトヒンジ，ロッド，サイドローラ絞り等）を取付けられている。
【００４７】
図８（Ｂ）に示すように，扉１２の外層には，図１（Ｄ）を参照して上述したように第１方向軸Ａｚと交差する各平面Ｐｚ１，Ｐｚ２，……と扉本体１２との交線に沿って複数の帯状の第１Ｉ字型磁性板２３ｚが相互に絶縁しつつ配置されている。また，図８（Ｃ）に示すように，扉１２の内層には，図２（Ｂ）に示したように第２方向軸Ａｘと交差する各平面Ｐｘ１，Ｐｘ２，……と扉本体１２との交線に沿って複数の帯状の第２Ｉ字型磁性板２３ｘが相互に絶縁しつつ配置されている。Ｉ字型磁性板２３ｚ，２３ｘは，例えばステンレス製ビス等によりＰＣパーマロイの磁気特性が応力によって低下しない範囲内で締め付け，扉本体１２に固定することができる。更に，図８（Ｅ）に示すように，扉１２の内層の内側周囲には導体開口枠３２を固定され，図８（Ｄ）及び（Ｅ）に示すように，第１Ｃ字型導体板３０ｚ（外層）及び第２Ｃ字型導体板３０ｘ（内層）がそれぞれＬアングル形状の繋ぎ導体３６ｚ，３６ｘを介して導体開口枠３２に電気的に接合されている。
【００４８】
図９（Ａ）は図８の楕円ＶＩＩＩの部分拡大正面図を示し，図９（Ｂ）及び（Ｃ）は，図９（Ａ）の線Ｂ−Ｂ及び線Ｃ−Ｃにおける断面図を示す。図９（Ｃ）に示すように，第１Ｃ字型磁性板２０ｚ（外層）と第１Ｉ字型磁性板２３ｚ（外層）とを磁気的に接合する繋ぎ磁性体２６ｚは，Ｃ字型磁性板２０ｚの切断部分の両端に取り付けられたＬ字形アングル部材２７ｚと，そのアングル部材２７ｚから扉開口１１内に張り出した張出し部材２８ｚと，扉本体１２の周縁に延在する断面コ字状の被覆部材２９ｚとにより構成されている。アングル部材２７ｚ及び張出し部材２８ｚは，例えばステンレス製ボルトを用いて相互に面接触させながらＣ字型磁性板２０ｚに磁気的に連結されている。また被覆部材２９ｚは，例えばステンレス製ビスを用いてＩ字型磁性板２３ｚに面接触させながら磁気的に連結されており，扉１２の閉鎖時に張出し部材２８ｚと面接触することにより，磁性体回路の水平方向の連続性が確保される。
【００４９】
また，図９（Ｂ）に示すように，第２Ｃ字型磁性板２０ｘ（内層）と第２Ｉ字型磁性板２３ｘ（内層）とを磁気的に接合する繋ぎ磁性体２６ｘも，Ｃ字型磁性板２０ｘの切断部分の両端に取り付けられたＬ字形アングル部材２７ｘと，そのアングル部材２７ｘから扉開口１１内に張り出した張出し部材２８ｘと，扉本体１２の周縁に延在する断面コ字状の被覆部材２９ｘとにより構成されている。アングル部材２７ｘ及び張出し部材２８ｘは相互に面接触しながらＣ字型磁性板２０ｘに磁気的に連結されており，被覆部材２９ｘはＩ字型磁性板２３ｘに面接触しながら磁気的に連結されており，扉１２の閉鎖時に張出し部材２８ｘと面接触することにより磁性体回路の垂直方向の連続性が確保される。なお，繋ぎ磁性体２６ｚ，２６ｘも，ＰＣパーマロイの磁気特性が応力によって低下しない範囲内で締め付けて固定することにより，磁性体回路を磁気的に一体化することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１…磁気シールド対象空間（磁気シールドルーム）
２…帯状磁性板（短冊形磁性板）          ３…シールド簾体
４…環帯状磁性板                        ５…開放型磁気シールド構造
６…環状導体板                          ８…磁気センサ
９…重ね合わせ部
１１…扉開口                            １２…扉（扉本体）
１４…扉枠体                            １６…拡張板
１７…開口枠（磁束迂回路）
２０，２０ｘ，２０ｙ…帯状Ｃ字型磁性板
２２…扉磁性板                          ２３，２３ｘ，２３ｙ…帯状磁性板
２４…プレート状磁性板                  ２６，２６ｘ，２６ｙ…繋ぎ磁性体
２７…アングル部材                      ２８…張出し部材
２９…被覆部材
３０，３０ｘ，３０ｙ…帯状Ｃ字型導体板
３２…導体開口枠                        ３６，３６ｘ，３６ｙ…繋ぎ導体
３７…アングル部材                      ３８…張出し部材
３９…被覆部材
Ａｘ，Ａｙ，Ａｚ…軸                    Ｃ…長さ方向中心軸
Ｆ…簾面                                ｄ…間隔
Ｉ…電流                                Ｌ…コイル
Ｍ…外乱磁場                            Ｏ…中心点
Ｐｘ，Ｐｙ，Ｐｚ…平面
Ｗｃ…環帯状磁性板の帯幅                Ｗｍ…環帯状導体板の帯幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１３】
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【図６】
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【図７】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１４】
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