(57)【要約】【課題】大型の母基板から小型の円形集合基板を容易に作製することが可能な基板の加工方法、及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法を提供する。【解決手段】大型の母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３と複数の単個ＶＬＳＩチップ７を切り出し、切り出した多角形集合基板３については、さらにその角部を直線的に複数回切断することで、巨視的に見て円形状の円形集合基板１３を作製し、それを通常の円形集合基板と同様に液晶表示パネルの作製等に使用する。また、切り出した複数の単個ＶＬＳＩチップ７については、円形状の小型基板積載用基板５１の同一面上に並べて接合し、それを通常の円形集合基板として液晶表示パネルの作製等に使用する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板を直線的に切断して当該第一の基板の外周に第一の角部を形成し、当該第一の角部を直線的に切断して当該第一の角部の両側に第二の角部を形成し、当該第二の角部を直線的に切断して当該第二の角部の両側に第三の角部を形成することにより、前記第一の基板を外形が円形に近似する第二の基板へ加工する、
ことを特徴とする基板の加工方法。
【請求項２】
前記第一の基板の前記第二の基板へ加工する領域以外の領域を直線的に切断し、当該領域を前記第二の基板を平面的に複数の分割した形状のうち何れか一つの形状に相当する外形を有する第三の基板へ加工する、ことを特徴とする請求項１に記載の基板の加工方法。
【請求項３】
前記第三の基板を複数用意し、複数の前記第三の基板を、互いに平面的に組み合わせることで前記第二の基板に相当する外形となるように、円形状の積載用基板の同一面上に並べて接合する、ことを特徴とする請求項２に記載の基板の加工方法。
【請求項４】
前記第三の基板を前記積載用基板に接合する前に前記第三の基板に対して所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された前記第三の基板を選択的に前記積載用基板に接合する、ことを特徴とする請求項３に記載の基板の加工方法。
【請求項５】
前記第一の基板の前記第二の基板へ加工する領域以外の領域を直線的に切断し、当該領域を機能的に最小単位の第四の基板へ加工する、ことを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載の基板の加工方法。
【請求項６】
前記第四の基板を複数用意し、複数の前記第四の基板を円形状の積載用基板の同一面上に並べて接合する、ことを特徴とする請求項５に記載の基板の加工方法。
【請求項７】
前記第四の基板を前記積載用基板に接合する前に前記第四の基板に対して所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された前記第四の基板を選択的に前記積載用基板に接合する、ことを特徴とする請求項６に記載の基板の加工方法。
【請求項８】
前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する前に前記第一の基板に対して所定の領域単位で所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された領域をより多く含む領域を前記第二の基板へ加工する、ことを特徴とする請求項１〜７の何れか一つに記載の基板の加工方法。
【請求項９】
前記第一の基板の外周に予め設けられた円弧部の少なくとも一部を残すように前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する、ことを特徴とする請求項１〜８の何れか一つに記載の基板の加工方法。
【請求項１０】
前記第一の基板の外周に予め設けられた位置出し部を残すように前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する、ことを特徴とする請求項１〜９の何れか一つに記載の基板の加工方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか一つに記載の基板の加工方法を用いて作製された前記第二の基板を、液晶表示パネルを構成する基板の材料として使用する、ことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の加工方法、及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型の液晶表示パネルを複数まとめて作製するに当たっては、小型の円形集合基板が必要とされる場合があり、その円形集合基板を得るために、大型の母基板から小型の円形集合基板を切り出すことが行われる。
【０００３】
図１７は、従来技術を示す母基板の平面図である。大型の母基板から小型の円形集合基板を切り出す際には、例えば図１７に示すように、シリコンで構成された大型の母ＶＬＳＩ基板１から、レーザー加工等により、複数の小型円形基板６５を切り出す。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３３１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、図１７に示す従来技術では、母ＶＬＳＩ基板１から小型円形基板６５をその形状通りに切り出さなければならないため、加工が複雑になるという問題がある。また、加工方法も、小型円形基板６５をその形状通りに切り出すことが可能な加工方法に限定されてしうという問題がある。
【０００６】
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、大型の母基板から小型の円形集合基板を容易に作製することが可能な基板の加工方法、及びそれを用いた液晶表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第一の基板を直線的に切断して当該第一の基板の外周に第一の角部を形成し、当該第一の角部を直線的に切断して当該第一の角部の両側に第二の角部を形成し、当該第二の角部を直線的に切断して当該第二の角部の両側に第三の角部を形成することにより、前記第一の基板を外形が円形に近似する第二の基板へ加工する、基板の加工方法とする。
【０００８】
前記第一の基板の前記第二の基板へ加工する領域以外の領域を直線的に切断し、当該領域を前記第二の基板を平面的に複数の分割した形状のうち何れか一つの形状に相当する外形を有する第三の基板へ加工する、基板の加工方法とすることができる。
【０００９】
前記第三の基板を複数用意し、複数の前記第三の基板を、互いに平面的に組み合わせることで前記第二の基板に相当する外形となるように、円形状の積載用基板の同一面上に並べて接合する、基板の加工方法とすることができる。
【００１０】
前記第三の基板を前記積載用基板に接合する前に前記第三の基板に対して所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された前記第三の基板を選択的に前記積載用基板に接合する、基板の加工方法とすることができる。
【００１１】
前記第一の基板の前記第二の基板へ加工する領域以外の領域を直線的に切断し、当該領域を機能的に最小単位の第四の基板へ加工する、基板の加工方法とすることができる。
【００１２】
前記第四の基板を複数用意し、複数の前記第四の基板を円形状の積載用基板の同一面上に並べて接合する、基板の加工方法とすることができる。
【００１３】
前記第四の基板を前記積載用基板に接合する前に前記第四の基板に対して所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された前記第四の基板を選択的に前記積載用基板に接合する、基板の加工方法とすることができる。
【００１４】
前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する前に前記第一の基板に対して所定の領域単位で所定の検査を行い、当該検査を通過して良品と判定された領域をより多く含む領域を前記第二の基板へ加工する、基板の加工方法とすることができる。
【００１５】
前記第一の基板の外周に予め設けられた円弧部の少なくとも一部を残すように前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する、基板の加工方法とすることができる。
【００１６】
前記第一の基板の外周に予め設けられた位置出し部を残すように前記第一の基板を前記第二の基板へ加工する、基板の加工方法とすることができる。
【００１７】
上記何れか一つの基板の加工方法を用いて作製された前記第二の基板を、液晶表示パネルを構成する基板の材料として使用する、液晶表示パネルの製造方法とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、大型の母基板から小型の多角形集合基板を切り出し、その多角形集合基板の角部を直線的に複数回切断することで、小型の円形集合基板を容易に作製することができる。
【００１９】
特に、母基板から多角形集合基板を切り出す際に、母基板の外周に設けられた位置出し部（ノッチ）を含むように切り出せば、位置出し部をそのまま多角形集合基板の位置合わせにも利用することができる。これにより、多角形集合基板に新規に位置出し部を形成する必要がなくなるため、その分の工数削減、さらには、位置出し部を形成する工程での多角形集合基板への傷の発生等を防止することができる。
【００２０】
特に、母基板の外周に円弧部分がある場合には、その円弧部分を含むように多角形集合基板を切り出せば、円弧部分についてはその後の面取りをしなくて済むため、その分、工数を削減することができる。
【００２１】
特に、多角形集合基板を切り出した後に残った母基板から、多角形集合基板よりも小型の多角形集合基板あるいは個片状基板を切り出せば、母基板を無駄なく利用することができる。さらに、切り出した小型の多角形集合基板あるいは個片状基板を、円形集合基板と実質的に同形状の積載用基板上に複数並べて搭載すれば、それらを積載用基板ごと通常の円形集合基板として取り扱うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施形態における母ＶＬＳＩ基板の平面図
【図２】本発明の第１の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す平面図
【図３】本発明の第１の実施形態における多角形集合基板を示す平面図
【図４】本発明の第１の実施形態における円形集合基板を示す平面図
【図５】本発明の第１の実施形態における円形集合基板を用いて液晶表示パネルを作製している状態を示す断面図
【図６】本発明の第１の実施形態における単個液晶表示パネルを示す断面図
【図７】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置の平面図
【図８】図７に示す液晶表示装置のＡ−Ａ断面図
【図９】本発明の第１の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す断面図
【図１０】本発明の第１の実施形態における単個ＶＬＳＩチップを小型基板積載用基板上に積載した状態を示す断面図
【図１１】本発明の第１の実施形態における単個ＶＬＳＩチップが搭載された小型基板積載用基板を用いて液晶表示パネルを作製している状態を示す断面図
【図１２】本発明の第１の実施形態における単個液晶表示パネルを示す断面図
【図１３】本発明の第２実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す平面図
【図１４】本発明の第２の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す別の平面図
【図１５】本発明の第２の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す別の平面図
【図１６】本発明の第２の実施形態における分割多角形集合基板を小型基板積載用基板上に積載した状態を示す平面図
【図１７】従来技術を示す母基板の平面図
【発明を実施するための形態】
【実施例１】
【００２３】
図１は、本発明の第１の実施形態における母ＶＬＳＩ基板の平面図、図２は、本発明の第１の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す平面図、図３は、本発明の第１の実施形態における多角形集合基板を示す平面図、図４は、本発明の第１の実施形態における円形集合基板を示す平面図、図５は、本発明の第１の実施形態における円形集合基板を用いて液晶表示パネルを作製している状態を示す断面図、図６は、本発明の第１の実施形態における単個液晶表示パネルを示す断面図、図７は、本発明の第１の実施形態における液晶表示装置の平面図、図８は、図７に示す液晶表示装置のＡ−Ａ断面図、図１０は、本発明の第１の実施形態における単個ＶＬＳＩチップを小型基板積載用基板上に積載した状態を示す断面図、図１１は、本発明の第１の実施形態における単個ＶＬＳＩチップが搭載された小型基板積載用基板を用いて液晶表示パネルを作製している状態を示す断面図、図１２は、本発明の第１の実施形態における単個液晶表示パネルを示す断面図である。以下、図１〜１２を用いて本発明の第１の実施形態を説明する。
【００２４】
まず、図１に示すように、複数の単個ＶＬＳＩチップ領域（半導体回路領域）がマトリクス状に配置された直径１２インチの円形の母ＶＬＳＩ基板１を準備する。尚、母ＶＬＳＩ基板１の外周には、ノッチからなる位置出し部２が設けられている。
【００２５】
次に、図２に示すように、母ＶＬＳＩ基板１を、Ｘ軸切り出し用ダイシング部５とＹ軸切り出し用ダイシング部６とにより直線的に切断し、直径８インチの内接円（切り出し目安内接円）４に概ね外接する辺７１、７２、７３及び母ＶＬＳＩ基板１の外周の一部で構成される円弧状の一辺を備えた多角形集合基板３を一枚切り出すと共に、機能的に最小単位である矩形状の単個ＶＬＳＩチップ７を複数切り出す。ここで、多角形集合基板３の外周部には、辺７１と７２とで構成される角部と、辺７２と７３とで構成される角部と、辺７１と母ＶＬＳＩ基板１の外周部とで構成される角部と、辺７３と母ＶＬＳＩ基板１の外周部とで構成される角部とが、形成された状態となる。尚、切り出された多角形集合基板３の外周部には、母ＶＬＳＩ基板１の外周に設けられていた位置出し部２がそのまま残された状態となっている。
【００２６】
次に、図３に示すように、多角形集合基板３が有する４つの角部を、合計１０本の多角形集合基板切り出し辺１２でダイシングにより直線的に切断し（切断の順番は任意）、図４に示すような巨視的に見て円形の円形集合基板１３を作製する。ここで、円形集合基板１３には、多角形集合基板切り出し辺１２と、位置出し部２と、互いに対向する母ＶＬＳＩ基板外周保持部７とが設けられた状態となる。
【００２７】
尚、円形集合基板１３を作製する際に多角形集合基板３から切り離された部分は、多角形集合基板周辺小片１４となるが、この多角形集合基板周辺小片１４が単個ＶＬＳＩチップ７よりも大きい場合には、多角形集合基板周辺小片１４を切断して単個ＶＬＳＩチップ７を切り出すことも可能である。
【００２８】
次に、図５に示すように、円形集合基板１３に、透明電極を有する透明基板１６を、各液晶表示パネルに対応した複数のシール部１８と、それらを取り囲む外周シール部１９とを介して貼り合せる。
【００２９】
次に、互いに貼り合わせた円形集合基板１３と透明基板１６とをダイシング等により切断し、図６に示すような単個液晶表示パネル２１を作製する。
【００３０】
尚、ここまでの工程（母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３を作製する工程、多角形集合基板３から円形集合基板１３を作製する工程、多角形集合基板周辺小片１４から単個ＶＬＳＩチップ７を作製する工程）においては、各基板の切断（ダイシング処理）を全て同様のプロセスで行うことができるため、結果的にコストの低減へと繋がる。
【００３１】
単個液晶表示パネル２１は、円形集合基板１３から切り出された単個第一のパネル基板２２と、透明基板１６から切り出された単個第二のパネル基板２３とが、シール部１８を介して貼り合わされた状態となっており、単個第一のパネル基板２２と単個第二のパネル基板２３との間隙に、シール部１８の一部に設けられた液晶注入口（開口部）３３を介して表示領域３９内に強誘電性液晶４０を注入した後、液晶注入口３３を封止部材３４で塞ぐことで、内部に強誘電性液晶４０が封入された単個液晶表示パネル２１が完成する。
【００３２】
次に、図７、８に示すように、単個液晶表示パネル２１を、コネクタ３２等の各種電気部品が実装された外部回路基板３１に、両面テープなどの接着部４１により接着する。
【００３３】
さらに、単個液晶表示パネル２１の単個第一のパネル基板２２上に設けてある電極パッドと、外部回路基板３１上に設けてある電極パッドとをアルミニウムワイヤ３５で電気的に接続し、アルミニウムワイヤ３５と電極パッド周辺を覆うようにワイヤ保護樹脂３６を塗布する。そして、単個第二のパネル基板２３と外部回路基板３１とを導電性ペーストからなる対向電極導通部３８により電気的に接続することにより、液晶表示装置が完成する。
【００３４】
以下、母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３を切り出した後に残った部分の取り扱いについて説明する。
【００３５】
まず、図９に示すように、母ＶＬＳＩ基板１をダイシングテープ５９上に接着し、Ｘ軸切り出しダイシング部５及びＹ軸切り出しダイシング部６となる複数のダイシング溝５６を形成することで、母ＶＬＳＩ基板１を一枚の多角形集合基板３と複数の単個ＶＬＳＩチップ７とに分割する。尚、多角形集合基板３を切り出す領域は任意であるが、歩留りの観点からは、予め母ＶＬＳＩ基板１に対して所定の領域単位（例えば、単個ＶＬＳＩチップ７の領域単位）で所定の検査を行っておき、その検査を通過した良品の領域をより多く含む領域から多角形集合基板３を切り出すのが好ましく、理屈の上では、良品の領域が最も多く含む領域から多角形集合基板３を切り出すのが最も効果的である。
【００３６】
次に、図１０に示すように、複数の単個ＶＬＳＩチップ７を、チップアライメントマーク６１を有する８インチ円形状の小型基板積載用基板５１の同一面上に表面活性化接合層６２を介してマトリクス状に並べて接合する。以上により、複数の単個ＶＬＳＩチップ７は、８インチ円形状の小型基板積載用基板５１に一体化された外形が８インチ円形状の集合基板となる。小型基板積載用基板５１には、任意の材質の基板を適宜選択することができるが、母ＶＬＳＩ基板１と同様の熱膨張係数を有する材質の基板（例えばシリコン基板）を選択すれば、熱膨張係数の差に起因する基板の反り等を防止することができる。尚、歩留りの観点からは、小型基板積載用基板５１上には、予め所定の検査を通過した良品の単個ＶＬＳＩチップ７を選択的に接合するのが好ましく、理屈の上では、良品の単個ＶＬＳＩチップ７のみを接合するのが最も効果的である。
【００３７】
次に、図１１に示すように、複数の単個ＶＬＳＩチップ７を積載した小型基板積載用基板５１と８インチ円形状の第二の基板１６とをシール部１８と外周シール部１９とを介して貼り合わせ、８インチ円形状の液晶表示パネル集合体を作製する。
【００３８】
次に、液晶表示パネル集合体を所定の切断線に沿って切断し、図１２に示すような単個液晶表示パネルを複数作製する。
【００３９】
尚、小型基板積載用基板５１を用いて作製された単個液晶表示パネルは、小型基板積載用基板５１の分だけ厚みが増加するが、円形集合基板１３を用いて作製された単個液晶表示パネルと厚さを揃える場合には、例えば、単個ＶＬＳＩチップ７のＶＬＳＩを形成していない表面（裏面）を予め研磨して単個ＶＬＳＩチップ７を薄型化しておくと共に、予め表裏面の両方又は何れか一方の面が研磨により薄型化された小型基板積載用基板５１を利用する、あるいは、単個ＶＬＳＩチップ７のＶＬＳＩを形成していない表面（裏面）を予め研磨して単個ＶＬＳＩチップ７を薄型化しておくと共に、単個ＶＬＳＩチップ７を積載した後に小型基板積載用基板５１の単個ＶＬＳＩチップ７が積載されていない表面（裏面）を研磨して薄型化する方法がある。
【００４０】
以上に示すように、第１の実施形態によれば、１２インチの母ＶＬＳＩ基板１から８インチの円形集合基板１３を容易に作製することができ、さらに、母ＶＬＳＩ基板１から切り出した複数の単個ＶＬＳＩチップ７も８インチ円形状の小型基板積載用基板５１上に積載することで８インチ円形状の集合基板として利用することができる。
【実施例２】
【００４１】
図１３は、本発明の第２実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す平面図、図１４は、本発明の第２の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す別の平面図、図１５は、本発明の第２の実施形態における母ＶＬＳＩ基板を切断した状態を示す別の平面図、図１６は、本発明の第２の実施形態における分割多角形集合基板を小型基板積載用基板上に積載した状態を示す平面図である。以下、本発明の第２の実施形態を図１３〜１６を用いて説明する。
【００４２】
第２の実施形態の特徴は、母ＶＬＳＩ基板１から、多角形集合基板３と分割多角形集合基板と単個ＶＬＳＩチップ７の３種類を切り出し、さらに、３個の分割多角形集合基板（第一の分割多角形集合基板４３、第二の分割多角形集合基板４４、第三の分割多角形集合基板４５）を用いて概ね８インチ円形状の１個の小型基板積載用基板５１を作製する点にある。
【００４３】
第２の実施形態では、まず、図１３に示すように、１２インチ円形状の母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３を切り出すと共に、それと同様に第一の分割多角形集合基板４３を切り出し、さらに複数の単個ＶＬＳＩチップ７を切り出す。尚、母ＶＬＳＩ基板１の外周の一部には、位置出し部（ノッチ）２が設けられている。多角形集合基板３と第一の分割多角形集合基板４３と単個ＶＬＳＩチップ７は、Ｘ軸切り出し用ダイシング部５とＹ軸切り出し用ダイシング部６とにより分割される。
【００４４】
多角形集合基板３は、複数の多角形集合基板切り出し辺１２により角部を切断することで、円形集合基板１３とする。尚、多角形集合基板３には、母ＶＬＳＩ基板１の外周に設けられていた位置出し部（ノッチ）２とその近傍の母ＶＬＳＩ基板外周保持部９とが含まれている。
【００４５】
第一の分割多角形集合基板４３は、多角形集合基板３と同様に複数の多角形集合基板切り出し辺１２により角部を切断し、円形集合基板１３を縦方向に３つに分割した下側の部位に相当する概ね扇状に成形する。
【００４６】
次に、図１４に示すように、別の１２インチ円形状の母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３を切り出すと共に、それと同様に第二の分割多角形集合基板４４を切り出し、さらに複数の単個ＶＬＳＩチップ７を切り出す。尚、母ＶＬＳＩ基板１の外周の一部には、位置出し部（ノッチ）２が設けられている。多角形集合基板３と第二の分割多角形集合基板４４と単個ＶＬＳＩチップ７は、Ｘ軸切り出し用ダイシング部５とＹ軸切り出し用ダイシング部６とにより分割される。
【００４７】
多角形集合基板３は、複数の多角形集合基板切り出し辺１２により角部を切断することで、円形集合基板１３とする。尚、多角形集合基板３には、母ＶＬＳＩ基板１の外周に設けられていた位置出し部（ノッチ）２とその近傍の母ＶＬＳＩ基板外周保持部９とが含まれている。
【００４８】
第二の分割多角形集合基板４４は、円形集合基板１３を縦方向に３つに分割した中央の部位に相当する概ね矩形状に成形する。
【００４９】
次に、図１５に示すように、さらに別の１２インチ円形状の母ＶＬＳＩ基板１から多角形集合基板３を切り出すと共に、それと同様に第三の分割多角形集合基板４５を切り出し、さらに複数の単個ＶＬＳＩチップ７を切り出す。尚、母ＶＬＳＩ基板１の外周の一部には、位置出し部（ノッチ）２が設けられている。多角形集合基板３と第三の分割多角形集合基板４５と単個ＶＬＳＩチップ７は、Ｘ軸切り出し用ダイシング部５とＹ軸切り出し用ダイシング部６とにより分割される。
【００５０】
多角形集合基板３は、複数の多角形集合基板切り出し辺１２により角部を切断し、円形集合基板１３とする。尚、多角形集合基板３には、母ＶＬＳＩ基板１の外周に設けられていた位置出し部（ノッチ）２とその近傍の母ＶＬＳＩ基板外周保持部９とが含まれている。
【００５１】
第三の分割多角形集合基板４５は、多角形集合基板３と同様に複数の多角形集合基板切り出し辺１２により角部を切断し、円形集合基板１３を縦方向に３つに分割した上側の部位に相当する概ね扇状に成形する。
【００５２】
各母ＶＬＳＩ基板１から切り出した円形集合基板１３は、第１の実施形態と同様に８インチ円形状の集合基板として単個液晶表示パネル２１の作製に利用し、複数の単個ＶＬＳＩチップ７も第１の実施形態と同様に小型基板積載用基板５１上に積載して８インチ円形状の集合基板として単個液晶表示パネル２１の作製に利用する。
【００５３】
一方、第一の分割多角形集合基板４３と第二の分割多角形集合基板４４と第三の分割多角形集合基板４５は、図１６に示すように、８インチ円形状の小型基板積載用基板５１の同一面上に外形が円形集合基板１３の外形に相当する概ね円形となるように並べて接合し、８インチ円形状の集合基板として単個液晶表示パネル２１の作製に利用する。尚、分割多角形集合基板の数や外形は、ここに示したものに限らず、互いに組み合わせることで外形が概ね円形となる範囲で、任意の数や外形を適宜選択することが可能である。また、単個液晶表示パネル２１を薄型化したい場合には、例えば、単個ＶＬＳＩチップ７と同様に、第一の分割多角形集合基板４３と第二の分割多角形集合基板４４と第三の分割多角形集合基板４５の小型基板積載用基板５１に接合される表面（裏面）を予め研磨により薄型化しておけば良い。
【００５４】
以上に示すように、第２の実施形態によれば、単個ＶＬＳＩチップ７に比べてより大きな面積を有する小型基板として分割多角形集合基板を母ＶＬＳＩ基板１から切り出しているため、切り出した小型基板を小型基板積載用基板５１上へ積載する工数を削減することができる。
【００５５】
以上、液晶表示パネルの製造方法を例に挙げて本発明について説明をしたが、本発明の基板の加工方法を用いて作製された円形状の集合基板は、液晶表示パネルの製造に限らず、その他種々のデバイスの製造に利用することが可能である。
【００５６】
また、切断の対象となる母基板は、半導体回路が形成された円形状のＶＬＳＩ基板（シリコン基板）に限らず、半導体回路が形成されたその他の材料及び形状の基板や、半導体回路が形成されていない種々の材料及び形状の基板などであっても良く、基板の用途に応じて適宜選択することが可能である。
【００５７】
また、母基板から切り出す多角形基板は、三角形以上の角数を有する任意の形状の多角形基板を適宜選択することが可能であり、さらに、切り出す多角形基板の数については、１つに限らず、複数であっても良い。
【００５８】
また、基板の加工方法についても、ダイシングに限定されるものではなく、基板の材料や形状に応じてレーザー等のその他の手段を適宜選択することが可能である。
【００５９】
また、単個ＶＬＳＩチップ７や分割多角形集合基板（４３、４４、４５）を小型基板積載用基板５１上に接合する手段は、表面活性化接合に限らず、接着媒体を用いた接合方法等、その他の手段を適宜選択することが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１  母ＶＬＳＩ基板（第一の基板）
２  位置出し部
３  多角形集合基板
４  内接円
５  Ｘ軸切り出し用ダイシング部
６  Ｙ軸切り出し用ダイシング部
７  単個ＶＬＳＩチップ（第四の基板）
９  母ＶＬＳＩ基板外周保持部
１２  多角形集合基板切り出し辺
１３  円形集合基板（第二の基板）
１４  多角形集合基板周辺小片
１６  透明基板
１８  シール部
１９  外周シール部
２１  単個液晶表示パネル
２２  単個第一のパネル基板
２３  単個第二のパネル基板
３１  外部回路基板
４０  強誘電性液晶
４３  第一の分割多角形集合基板（第三の基板）
４４  第二の分割多角形集合基板（第三の基板）
４５  第三の分割多角形集合基板（第三の基板）
５１  小型基板積載用基板
５６  ダイシング溝
５９  ダイシングテープ
６１  チップアライメントマーク
６２  表面活性化接合層
６５  小型円形基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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