(57)【要約】【課題】機能素子が小型でかつ堅牢な空洞内に配置された、信頼性の良好な電子装置を提供する。【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０上に配置され、空洞１を形成する第１壁２０と、空洞１に対して、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０と、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆う蓋体４０と、空洞１内に配置された機能素子５０と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置され、空洞を形成する第１壁と、
前記空洞に対して、前記第１壁の外側に、前記第１壁と間隔を有して配置された第２壁と、
前記第１壁上に配置され、前記空洞を覆う蓋体と、
前記空洞内に配置された機能素子と、
を含む、電子装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１壁及び前記第２壁を繋ぐ第３壁を有する、電子装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１壁及び前記第２壁の間に区画が形成された、電子装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記区画は、前記第１壁に沿って複数形成された、電子装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項において、
前記基板に配置されたトランジスターをさらに含み、
前記第１壁は、前記空洞の中心と、前記トランジスターの間に配置された、電子装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項において、
前記第３壁の材質は、Ｗ若しくはＣｕ又はそれらとの合金である、電子装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６において、
前記第１壁及び前記第２壁の材質は、Ｗ若しくはＣｕ又はそれらとの合金である、電子装置。
【請求項８】
基板の第１領域に機能素子を形成する工程と、
前記基板の第２領域に、トランジスターを形成する工程と、
前記トランジスター及び前記機能素子を覆う層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に、前記機能素子を囲む第１壁、及び前記第１壁と間隔を有して配置された第２壁を形成する工程と、
前記層間絶縁層を覆い、前記第１壁と接続する蓋体を形成する工程と、
前記第１領域の前記蓋体に貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔を通じて、前記第１壁に囲まれた前記層間絶縁層をエッチングして除去し、前記機能素子が収容された空洞を形成する工程と、
を含む、電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）等の機能素子を基板上に構成された空洞内に配置した構成を含む電子装置が知られている。例えば、マイクロ振動子、マイクロセンサー、マイクロアクチュエーター等のＭＥＭＳは、微小な構造体が振動、変形、その他の動作によって機能するため、空洞内にはこれらの動作が妨げられないように収容される（例えば、以下の特許文献１及び２参照）。
【０００３】
このような空洞を形成する方法としては、特許文献１に開示されているような、一方の基板の表面上に微小機械素子を形成した後に、真空チャンバ内でＯリングを介して一方の基板と他方の基板を接合し、その後、Ｏリングの外側に密封剤を充填する方法がある。また、他の方法としては、特許文献２に開示されているように、基板上にＭＥＭＳ構造体を形成し、その上に犠牲層を形成した後に貫通孔を有する封止部材を形成し、この封止部材の貫通孔を通して犠牲層を除去してＭＥＭＳ構造体の可動部をリリースさせ、最後に封止部材の貫通孔をＣＶＤ膜等の他の封止部材で覆うことで閉鎖するといった方法も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２９７１８０号公報
【特許文献２】特開２００５−１２３５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子装置の小型化の要請から、機能素子が配置される基板上の空洞についてもその占有面積を小さくすることが求められている。ところが装置を小型化することにより、空洞や空洞を形成する部材等も小型化されることとなるため、空洞を保持する機械的強度が不足する場合がある。空洞を形成する部材の強度が不足すると、例えば、実装時の機械的及び熱的な応力又は振動などによって、空洞を維持できなくなる場合があり、電子装置の信頼性が低下することが懸念される。
【０００６】
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、その幾つかの態様に係る目的の一つは、機能素子が小型でかつ堅牢な空洞内に配置された、信頼性の良好な電子装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様又は適用例として実現することができる。
【０００８】
［適用例１］本発明に係る電子装置の一態様は、基板と、前記基板上に配置され、空洞を形成する第１壁と、前記空洞に対して、前記第１壁の外側に、前記第１壁と間隔を有して配置された第２壁と、前記第１壁上に配置され、前記空洞を覆う蓋体と、前記空洞内に配置された機能素子と、を含む。
【０００９】
本適用例の電子装置によれば、空洞を形成する側壁が、第１壁及び第２壁の２重構造で
あるので、空洞の形状の機械的な強度を高めることができる。そのため、本適用例の電子装置によれば、機能素子が小型でかつ堅牢な空洞内に配置されることにより高い信頼性を確保することができる。また、本適用例の電子装置は、第１壁及び第２壁が形成された状態で空洞内をエッチングして製造できるため、エッチング時におけるエッチャントが、側壁の外側に漏れ出すことを抑制することができる。すなわち、エッチャントが第１壁の外側に漏れ出しても、第２壁によってエッチャントの更なる漏れ出しを防ぐことができる。そのため、例えば製造歩留まりを向上させることができ、生産性が良好である。
【００１０】
［適用例２］適用例１において、前記第１壁及び前記第２壁を繋ぐ第３壁を有してもよい。
【００１１】
本適用例の電子装置によれば、第１壁及び第２壁の構造的な強度を高めることができ、より確実に空洞を形成することができ、かつより堅牢な空洞を形成することができる。
【００１２】
［適用例３］適用例２において、前記第１壁及び前記第２壁の間に区画が形成されてもよい。
【００１３】
本適用例の電子装置は、第１壁及び第２壁を含んで形成される空洞の側壁の構造的な強度がさらに向上している。また本適用例の電子装置によれば、空洞内をエッチングする際に、エッチャントが側壁の外側に漏れ出すことをさらに抑制することができる。すなわち、エッチャントが第１壁の外側に漏れ出した場合に、第２壁によってエッチャントの更なる漏れだしが防がれるとともに、漏れ出したエッチャントを区画内に留めることができ、第２壁の一部のみが第１壁を超えたエッチャントと接触するようにできる。そのため、仮に第１壁からエッチャントが漏れ出した場合でも、第２壁の全部がエッチャントに曝されることを防ぐことができ、空洞のエッチング時のいわゆるフェールセーフを実現できる。
【００１４】
［適用例４］適用例３において、前記区画は、前記第１壁に沿って複数形成されてもよい。
【００１５】
本適用例の電子装置は、第１壁及び第２壁を含んで形成される空洞の側壁の構造的な強度がさらに向上している。また本適用例の電子装置によれば、空洞内をエッチングする際に、仮に第１壁からエッチャントが漏れ出した場合でも、第２壁がエッチャントに曝される領域をさらに小さくすることができる。
【００１６】
［適用例５］適用例１ないし適用例４のいずれか１例において、前記基板に配置されたトランジスターをさらに含んでもよく、前記第１壁は、前記空洞の中心と、前記トランジスターの間に配置されてもよい。
【００１７】
本適用例の電子装置は、空洞内をエッチングする際に、トランジスターがエッチャントに曝されることを抑制することができる。
【００１８】
［適用例６］適用例１ないし適用例５のいずれか１例において、前記第３壁の材質は、Ｗ若しくはＣｕ又はそれらとの合金であってもよい。
【００１９】
本適用例の電子装置は、第１壁及び第２壁を含んで形成される空洞の側壁の構造的な強度がさらに向上している。
【００２０】
［適用例７］適用例１ないし適用例６において、前記第１壁及び前記第２壁の材質は、Ｗ若しくはＣｕ又はそれらとの合金であってもよい。
【００２１】
本適用例の電子装置は、第１壁及び第２壁を含んで形成される空洞の側壁の構造的な強度がさらに向上している。
【００２２】
［適用例８］本発明に係る電子装置の製造方法の一態様は、基板の第１領域に機能素子を形成する工程と、基板の第２領域に、トランジスターを形成する工程と、前記トランジスター及び前記機能素子を覆う層間絶縁層を形成する工程と、前記層間絶縁層に、前記機能素子を囲む第１壁、及び前記第１壁と間隔を有して配置された第２壁を形成する工程と、前記層間絶縁層を覆い、前記第１壁と接続する蓋体を形成する工程と、前記第１領域の前記蓋体に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を通じて、前記第１壁に囲まれた前記層間絶縁層をエッチングして除去し、前記機能素子が収容された空洞を形成する工程と、
を含む。
【００２３】
本適用例の電子装置の製造方法によれば、機能素子が小型でかつ堅牢な空洞内に配置されることにより高い信頼性が確保された電子装置を製造することができる。また、本適用例の電子装置の製造方法によれば、第１壁及び第２壁が形成された状態で空洞内をエッチングするので、エッチング時におけるエッチャントが、空洞以外の領域に漏れ出すことを抑制することができる。すなわち、エッチャントが第１壁の外側に漏れ出しても、第２壁によってエッチャントの更なる漏れ出しを防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態に係る電子装置の断面を模式的に示す図。
【図２】実施形態に係る電子装置を模式的に示す平面図。
【図３】実施形態に係る電子装置の断面を模式的に示す図。
【図４】実施形態に係る電子装置を模式的に示す平面図。
【図５】実施形態に係る電子装置の要部の断面を模式的に示す図。
【図６】実施形態に係る電子装置の要部を模式的に示す平面図。
【図７】実施形態に係る電子装置の要部の断面を模式的に示す図。
【図８】実施形態に係る電子装置の要部を模式的に示す平面図。
【図９】実施形態に係る電子装置の要部を模式的に示す平面図。
【図１０】実施形態に係る電子装置の要部を模式的に示す平面図。
【図１１】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１２】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１３】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１４】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１５】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１６】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１７】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１８】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図１９】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図２０】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図２１】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図２２】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の断面を模式的に示す図。
【図２３】実施形態に係る電子装置の製造方法の一工程の要部の断面を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下に本発明のいくつかの実施形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本発明の例を説明するものであって、本発明は以下の実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において実施される各種の変形形態も含む。なお以
下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要素であるとは限らない。
【００２６】
１．第１実施形態
１．１．電子装置
本発明の第１の実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る電子装置１００の断面を模式的に示す図である。図２は、本実施形態に係る電子装置１００を模式的に示す平面図である。図１は、図２のＩ−Ｉ線の断面に相当する。
【００２７】
電子装置１００は、図１及び図２に示すように、基板１０と、基板１０上に配置され、空洞１を形成する第１壁２０と、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０と、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆う蓋体４０と、空洞１内に配置された機能素子５０と、を含む。
【００２８】
基板１０は、機能素子５０を収容する空洞１が形成される第１領域Ａ１と、回路部７０が形成される第２領域Ａ２と、を有している。基板１０としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）基板等の半導体基板を用いることができる。基板１０として、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いてもよい。基板１０の厚みは、例えば、１００μｍ〜４００μｍである。
【００２９】
基板１０は、図示のような下地層１２を有することができる。下地層１２は、基板１０上に形成されている。下地層１２は、少なくとも空洞１が形成される第１領域Ａ１に形成される。下地層１２の材質としては、例えば、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）が挙げられる。下地層１２は、空洞１を形成する際に、エッチングストッパー層として機能することができる。下地層１２と基板１０との間には、図示しないトレンチ絶縁層、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）絶縁層、セミリセスＬＯＣＯＳ絶縁層等が形成されていてもよい。
【００３０】
第１壁２０は、基板１０上に配置され、空洞１を形成する部材となっている。図１に示す例では、第１壁２０は、下地層１２上の配線部２２上であって、空洞１の周囲に形成され、下地層１２と蓋体４０とを配線部２２を介しながら接続している。第１壁２０は、空洞１を区画する壁として機能する。第１壁２０は、図２の例では平面視において直線状に形成されているが、平面視において屈曲した線状や曲線状に形成されてもよい。第１壁２０は、ガードリングとみなすこともできる。図示の例では、第１壁２０は、配線部２２を下地層１２から蓋体４０までの間に２つ有しているが、その数は特に限定されず、例えば、配線部２２を有さなくてもよいし、層間絶縁層８０の積層数に応じて配線部２２の数が決定されてもよい。
【００３１】
第１壁２０は、図２に示すように、機能素子５０を囲むように配置される。ただし、全周を囲まなくてもよく、隙間が空いていてもよい。第１壁２０の平面的な形状は、機能素子５０を囲む形状であれば特に限定されず、例えば、円形状、多角形状などの任意の形状とすることができる。第１壁２０は周囲の部材と電気的に接続されていてもよい。図２に示す例では、第１壁２０は、機能素子５０を避けて形成されている。第１壁２０の材質としては、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などの金属やその合金が挙げられる。また、第１壁２０の材質としては、Ｗ又はＣｕ若しくはそれらの合金としてもよく、Ｃｕ又はその合金とすれば、例えば、シングルダマシン法、デュアルダマシン法等により形成することができ、生産性が良好となる場合がある。
【００３２】
配線部２２の材質としては、例えば、多結晶シリコン（Poly−Silicon）や、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）などの金属やその合金
が挙げられる。
【００３３】
第２壁３０は、空洞１に対して（空洞１からみて）、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置される。第２壁３０は、下地層１２上の配線部３２上であって、下地層１２と蓋体４０とを配線部３２を介しながら接続している。第２壁３０は、第１壁２０と接触しない。第２壁３０と第１壁２０の間の間隔は、特に限定されず、一定の大きさであってもよいし位置に依存して変化してもよい。図１及び図２の例では、第１壁２０及び第２壁３０は、平行に配置され、第１壁２０及び第２壁３０によって、空洞１を囲む２重の側壁が構成されている。ただし、全周を囲まなくてもよく、隙間が空いていてもよい。また、第２壁３０は、下地層１２と蓋体４０とを、配線部３２を介して接続している。
【００３４】
第２壁３０は、複数形成されてもよい。第２壁３０が複数形成される場合には、第２壁３０は、互いに間隔を有して配置され、第１壁２０とともに空洞１を囲む３重以上の側壁を構成してもよい。
【００３５】
第２壁３０は、空洞１の側壁の機械的強度を向上させる機能を有する。また、第２壁３０は、第１壁２０に欠陥等が生じた場合に、第１壁２０に代わって空洞１を区画する壁として機能する。
【００３６】
図１に示す例では、第２壁３０は、第１壁２０の配線部２２と一体化した配線部３２とが積層された態様で形成されている。第２壁３０は、配線部３２を有さなくてもよく、その場合には例えば第２壁３０が下地層１２と蓋体４０とを接続してもよい。
【００３７】
第２壁３０は、第１壁２０と合わせて、ガードリングとみなすこともできる。第２壁３０は、周囲の部材と電気的に接続されていてもよい。第２壁３０の材質は、第１壁２０と同様とすることができる。また、配線部３２の材質としては、上述の配線部２２の材質と同様とすることができる。
【００３８】
なお、第１壁２０及び第２壁３０は、図示の例では、平面視において直線状であって互いに平行な壁となっているが、第１壁２０及び第２壁３０は、いずれも平面視において折れ線状や曲線状となっていてもよく、必ずしも互いに平行である必要はない。
【００３９】
蓋体４０は、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆うように形成される。蓋体４０は、図示のように第２壁３０の上に配置され、第１壁２０と第２壁３０との間を覆ってもよい。蓋体４０は、図１に示すように、空洞１の上方に形成されている。蓋体４０は、一つの部材で構成されてもよいが、貫通孔を有する部材と、該貫通孔を有する部材の貫通孔を封止する部材とによって構成されてもよい。蓋体４０が一つの部材で構成される場合には、電子装置１００は、空洞１を例えばエッチングにより形成するための孔や封止部材等の他の構成を有してもよい。図示の例では、蓋体４０は、貫通孔４２を有する第１層４４と、第１層４４に積層されて貫通孔４２を封止する第２層４６とによって構成されている。
【００４０】
第１層４４は、貫通孔４２を有する。図１及び図２に示す例では、貫通孔４２の数は、１２だが、その数は限定されない。第１層４４は、第１壁２０の一部又は全部と一体的に形成されてもよい。第１層４４は、例えば、ＴｉＮ、ＴａＮ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｏ及びＮｉよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金若しくは複合窒化物で形成されることができる。また、第１層４４は、例えば、３層以上の積層構造を含み、前記積層構造の最上層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔの少なくともいずれか一つ若しくはこれらの合金よりなる層であり、前記積層構造の最下層は、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｕ、Ｐｔの少なくともいずれか一つ若しくはこれらの合金よりなる層であり、前記積層構造の少なくとも一つの層は、Ａｌ−Ｃｕ合金層であってもよい。第１層４４の厚みは、例えば
、１μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。
【００４１】
第２層４６は、第１層４４上に形成されている。第２層４６は、第１層４４の貫通孔４２を塞ぐことができる。第２層４６の材質としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗが挙げられる。第２層４６の材質は、Ａｌ、Ｗ及びＣｕよりなる群から選ばれた１種又は２種以上の合金からなる層を含む場合には、空洞１を保持する機械的強度をさらに向上させることができる。第２層４６の膜厚は、例えば、１μｍ以上５μｍ以下である。第１層４４及び第２層４６は、空洞１を上方から覆って、空洞１を封止する蓋体４０として機能することができる。
【００４２】
空洞１は、機能素子５０を収容するための空間である。空洞１は、図示の例では、下地層１２、第１壁２０、配線部２２及び蓋体４０によって画成されている。空洞１内は、例えば、減圧状態にすることができ、これにより機能素子５０の動作精度の向上を図ることができる。
【００４３】
第１壁２０、第２壁３０及び蓋体４０には、一定の電位（例えば接地電位）が与えられるようにしてもよい。これにより、第１壁２０、第２壁３０及び蓋体４０を、電磁シールドとして機能させることができる。そのため、機能素子５０を、空洞１の外部の電界や磁界から遮蔽することができ、機能素子５０の特性等をより安定させることができる。
【００４４】
機能素子５０は、空洞１に配置される。機能素子５０は、空洞１に収容されうる限り任意であり特に限定されない。機能素子５０としては、例えば、振動子、水晶振動子、ＳＡＷ（弾性表面波）素子、加速度センサー、ジャイロスコープ、マイクロアクチュエーターなどを例示することができる。機能素子５０の具体例としては、図示のような下地層１２上に形成された固定電極５２と、固定電極５２と一定間隔を空けて形成された可動電極５４と、を有する振動子を挙げることができる。固定電極５２及び可動電極５４は図示せぬ配線層と接続されていてもよい。固定電極５２及び可動電極５４の材質としては、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。
【００４５】
１．２．その他の構成等
電子装置１００は、回路部７０と、層間絶縁層８０と、配線２６と、ビア２８と、パッド４８と、絶縁層８２とを含んでもよい。
【００４６】
基板１０には、図１に示すように、機能素子５０を駆動させるための回路部７０が形成されていてもよい。回路部７０は、トランジスター７２やキャパシター（図示せず）などで構成されることができる。回路部７０は、例えば、トランジスター７２を含む。トランジスター７２は、基板１０に形成されている。トランジスター７２は、例えば、ゲート絶縁膜７４と、ゲート電極７５と、ソース又はドレイン領域７８と、サイドウォール７６と、を有するＭＯＳトランジスターである。また、図示の例において、基板１０の第２領域Ａ２には、配線２６、ビア２８が形成されている。配線２６、ビア２８は、例えば、回路部７０を構成するその他の素子（図示せず）とを電気的に接続していてもよい。
【００４７】
トランジスター７２のゲート絶縁膜７４は、基板１０上に形成されている。ゲート絶縁膜７４は、例えば、酸化シリコン層からなる。ゲート絶縁膜７４は、基板１０とゲート電極７５とに挟まれている。ゲート電極７５の材質は、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンである。ソース又はドレイン領域７８は、基板１０に形成されている。ソース又はドレイン領域７８は、基板１０に所定の不純物をドーピングすることにより形成される。サイドウォール７６は、ゲート電極７５の側方に形成されている。サイドウォール７６の材質は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）
、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、又は、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）である。
【００４８】
図示の例では、層間絶縁層８０は、基板１０の上方に形成されている。図１に示す例では、電子装置１００の層間絶縁層８０は連続して描かれているが、層間絶縁層８０は、複数の層の積層体であってもよい。層間絶縁層８０の材質としては、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）が挙げられる。なお、空洞１は、層間絶縁層８０が除去された領域に相当する。
【００４９】
パッド４８は、ビア２８上に形成されている。パッド４８の材質は、例えば、蓋体４０の第１層４４と同じ材質である。図示の例では、ビア２８は、配線２６と、パッド４８とを接続して回路を構成している。ビア２８の材質は、例えば、第１壁２０と同じ材質とすることができる。配線２６の材質は、例えば、配線部２２と同じ材質とすることができる。
【００５０】
絶縁層８２は、例えば、層間絶縁層８０上及び蓋体４０上に形成されてもよい。絶縁層８２の材質としては、酸化シリコン、窒化シリコン等が挙げられる。絶縁層８２は、例えば、パッシベーション層として機能することができる。
【００５１】
電子装置１００は、さらに、図示せぬ樹脂層、パッド、外部端子、配線層、レジスト層等を有してもよい。また、電子装置１００は、ＷＣＳＰ構造であってもよい。
【００５２】
電子装置１００において、第１壁２０が、平面視において空洞１を切れ目なく包囲している場合には、第１壁２０は、空洞１の中心と、トランジスター７２の間に配置されることになる。しかし、例えば、機能素子５０の配線等のために、第１壁２０の一部が不連続となる（隙間がある）場合であって、電子装置１００が、トランジスター７２を含む場合には、第１壁２０は、空洞１の中心と、トランジスター７２の間に配置されることが好ましい。すなわち、図２に示すように、平面視において第１壁２０の不連続となる部分（隙間）は、空洞１の中心と、トランジスター７２の間を避けて配置されることが好ましい。このようにすれば、製造の際のエッチングにおけるエッチャントが、第１壁２０及び第２壁３０によって、トランジスター７２の方向に向かって漏れ出しにくいので、例えば電子装置の製造歩留まりを向上させることができ生産性を高めることができる。第２壁３０の一部が不連続となる（隙間がある）場合であって、電子装置１００が、トランジスター７２を含む場合には、第２壁３０は、空洞１の中心と、トランジスター７２の間に配置されることが好ましい。
【００５３】
１．３．作用効果
本実施形態の電子装置１００は、空洞１を形成する側壁が、第１壁２０及び第２壁３０の２重構造であるので、空洞１の形状の機械的な強度を高めることができる。そのため、電子装置１００によれば、機能素子５０が小型でかつ堅牢な空洞１内に配置されることにより高い信頼性を確保することができる。また、本実施形態の電子装置１００は、第１壁２０及び第２壁３０が形成された状態で空洞１内をエッチングして製造でき、エッチング時におけるエッチャントが、側壁を超えて外側に漏れ出すことを低減することができる。すなわち、エッチャントが第１壁２０の外側に漏れ出しても、第２壁３０によってエッチャントの更なる漏れ出しを防ぐことができ、いわゆるフェールセーフの構成となっている。そのため、例えば電子装置の製造歩留まりを向上させることができ生産性を高めることができる。
【００５４】
２．第２実施形態
２．１．電子装置
本発明の第２の実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図３
及び図４は、本実施形態に係る電子装置１１０の断面を模式的に示す図である。図３は、図４のＩＩ−ＩＩ線の断面に相当する。また図４は、図３のＩ−Ｉ線の断面に相当する。
【００５５】
電子装置１１０は、上記第１実施形態で述べた電子装置１００と同様に、基板１０と、基板１０上に配置され、空洞１を形成する第１壁２０と、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０と、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆う蓋体４０と、空洞１内に配置された機能素子５０と、を含む。そして、第１壁２０及び第２壁３０を繋ぐ第３壁６０を有する。
【００５６】
本実施形態の電子装置１１０は、第３壁６０を有する以外は、変形例も含め、上記第１実施形態で述べた電子装置１００と同様であるので、同様の部材は、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５７】
第３壁６０は、第１壁２０及び第２壁３０の間の間隔に配置され、第１壁２０及び第２壁３０を連結している。第３壁６０の数は、特に限定されない。すなわち、第３壁６０は、１つ（１箇所）でも形成されれば、第１壁２０及び第２壁３０の構造的な強度を高めることができる。図示の例では、第３壁６０は、第１壁２０及び第２壁３０の間に複数形成されている。また、第３壁６０は、図示の例では、基板１０に対して垂直な壁として描かれているが、基板１０に対して平行又は傾斜した壁であってもよい。第３壁６０の材質は、Ｗ又はＣｕ若しくはそれらの合金とすることができるが、第１壁２０及び第２壁３０とともにＣｕ又はその合金とすれば、例えば、シングルダマシン法、デュアルダマシン法等により形成することができ、生産性が良好となる。
【００５８】
第３壁６０は、第１壁２０及び第２壁３０の一部を接続するように形成されていてもよいし、第１壁２０及び第２壁３０の間の間隔を間仕切るように形成されてもよい。第３壁６０が第１壁２０及び第２壁３０の間の間隔を間仕切る形状であれば、第１壁２０及び第２壁３０の間を空間的に仕切って区画６２を形成することができるため、構造的な強度が高まるとともに、空洞１を形成する際のエッチング時のエッチャントの漏れ出しを抑制する効果を高めることができる。図示の例では、第３壁６０が複数形成され、第１壁２０及び第２壁３０の間に複数の区画６２が形成されている。
【００５９】
また、図示の例では区画６２は、第１壁２０の周回方向に沿って複数形成されている。区画６２がこのような態様で形成されると、構造的な強度をより高めるとともに、後述するエッチング時のエッチャントの漏れ出しを抑制する効果をさらに高めることができる。また、図示しないが区画６２は、基板１０に対して平行な第３壁６０によって、第１壁２０の高さ方向に沿って複数形成されてもよい。第３壁６０によって形成される第１壁２０及び第２壁３０の間の区画６２は、図示の例では、平面視において矩形となっているが、平面視において円形、楕円形、六角形、三角形などの形状としてもよい。
【００６０】
３．２．作用効果等
本実施形態の電子装置１１０では、空洞１を形成する側壁が、第１壁２０、第２壁３０の２重構造である上、これらを繋ぐ第３壁６０によって構造的にさらに強化されている。したがって、空洞１の形状の機械的な強度がさらに高くなっている。そのため、本実施形態の電子装置１１０によれば、機能素子５０が小型でかつ堅牢な空洞１内に配置されることにより高い信頼性を確保することができる。
【００６１】
また、本実施形態の電子装置１１０において、第１壁２０及び第２壁３０の間の間隔を第３壁６０によって間仕切るように形成すると、第１壁２０及び第２壁３０の間に区画６２が形成される。したがって、製造時に空洞１内をエッチングする際に、エッチング時におけるエッチャントが第１壁２０を超えた場合に、第２壁３０がエッチャントと接する面
積を制限することができ、第２壁３０を超えて空洞１の外側にエッチャントが漏れ出すことをさらに低減することができる。
【００６２】
３．第３実施形態
３．１．電子装置
本発明の第３の実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図５及び図６は、本実施形態に係る電子装置１２０の要部の断面を模式的に示す図である。図５は、図６のＩＩ−ＩＩ線の断面に相当する。また、図６は、図５のＩ−Ｉ線の断面に相当する。本実施形態の電子装置１２０を示す図５及び図６は、それぞれ第２実施形態の電子装置１１０を示す図３及び図４に二点鎖線で示した領域に対応する領域の図であり、説明のために拡大して示している。
【００６３】
電子装置１２０は、上記第２実施形態で述べた電子装置１１０と同様に、基板１０と、基板１０上に配置され、空洞１を形成する第１壁２０と、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０と、第１壁２０及び第２壁３０を繋ぐ第３壁６０と、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆う蓋体４０と、空洞１内に配置された機能素子５０と、を含む。そして、第２壁３０を２つ有し、隣り合う第２壁３０間を繋ぐ第４壁９０を有する。
【００６４】
本実施形態の電子装置１２０は、第２壁３０を２つ有し、第４壁９０を有する以外は、上記第２実施形態で述べた電子装置１１０と同様であるので、同様の部材は、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００６５】
第２壁３０は、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置され、第１実施形態で述べたと同様であるが、本実施形態では、第２壁３０は、２つ形成され互いに間隔を有して配置され、第１壁２０とともに空洞１を囲む３重の側壁を構成している。
【００６６】
第４壁９０は、隣り合う第２壁３０の間の間隔に配置され、第２壁３０間を連結している。第４壁９０の数は、特に限定されない。すなわち、第４壁９０は、１つ（１箇所）でも形成されれば、空洞１を区画する壁の構造的な強度を高めることができる。図示の例では、第４壁９０は、第２壁３０間に複数形成されている。また、第４壁９０は、図示の例では、基板１０に対して垂直な壁として描かれているが、基板１０に対して平行、又は傾斜した壁であってもよい。第４壁９０の材質は、Ｗ又はＣｕ若しくはそれらの合金とすることができるが、第２壁３０とともにＣｕ又はその合金とすれば、例えば、シングルダマシン法、デュアルダマシン法等により形成することができ、生産性が良好となる。
【００６７】
第４壁９０は、隣り合う第２壁３０の一部を接続するように形成されていてもよいし、隣り合う第２壁３０の間の間隔を間仕切るように形成されてもよい。第３壁６０が隣り合う第２壁３０の間の間隔を間仕切る形状であれば、隣り合う第２壁３０の間を空間的に仕切って区画６２を形成することができるため、構造的な強度が高まるとともに、空洞１を形成する際のエッチング時のエッチャントの漏れ出しを抑制する効果をさらに高めることができる。
【００６８】
また、図示のように、第４壁９０が複数形成され、隣り合う第２壁３０の間に複数の区画６２が形成されてもよい。図示の例では区画６２は、第２壁３０の周回方向に沿って複数形成されている。区画６２がこのような態様で形成されると、構造的な強度をより高めるとともに、後述するエッチング時のエッチャントの漏れ出しを抑制する効果をさらに高めることができる。また、図示しないが、区画６２は、基板１０に対して平行な第４壁９０によって、第２壁３０の高さ方向に沿って複数形成されてもよい。第４壁９０によって形成される隣り合う第２壁３０の間の区画６２は、図示の例では、平面視において矩形と
なっているが、平面視において円形、楕円形、六角形、三角形などの形状としてもよい。
【００６９】
３．２．作用効果等
本実施形態の電子装置１２０では、空洞１を形成する側壁が、第１壁２０及び２つの第２壁３０の３重構造である上、これらを繋ぐ第３壁６０、及び第４壁９０によって構造的にさらに強化されている。したがって、空洞１の形状の機械的な強度がさらに高くなっている。そのため、本実施形態の電子装置１２０によれば、機能素子５０が小型でかつ堅牢な空洞１内に配置されることにより高い信頼性を確保することができる。なお、上記実施形態では空洞１を形成する側壁が、３重構造である例を示したが、第２壁３０は３つ以上形成することもでき、その場合には空洞１の形状の機械的な強度がさらに向上することは容易に理解されよう。また、本実施形態の電子装置１２０において、第４壁９０が隣り合う第２壁３０の間の間隔を間仕切るように形成されると、製造時に空洞１内をエッチングする際に、エッチング時におけるエッチャントが空洞１の外側に漏れ出すことをさらに低減することができる。
【００７０】
４．第４実施形態
４．１．電子装置
本発明の第４の実施形態に係る電子装置について、図面を参照しながら説明する。図７、図８、図９及び図１０は、本実施形態に係る電子装置１３０の要部の断面を模式的に示す図である。図７は、図８〜１０のＩ−Ｉ線の断面に相当する。また、図８は、図７のＩＩ−ＩＩ線の断面、図９は、図７のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面、図１０は、図７のＩＶ−ＩＶ線の断面にそれぞれ相当する。本実施形態の電子装置１３０における図７ないし図１０は、第２実施形態の電子装置１１０における図３及び図４に二点鎖線で示した領域に対応する領域の拡大図にあたる。
【００７１】
電子装置１３０は、上記第３実施形態で述べた電子装置１２０と同様に、基板１０と、基板１０上に配置され、空洞１を形成する第１壁２０と、第１壁２０の外側に、第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０と、第１壁２０及び第２壁３０を繋ぐ第３壁６０と、第１壁２０上に配置され、空洞１を覆う蓋体４０と、空洞１内に配置された機能素子５０と、複数の第２壁３０とを有し、隣り合う第２壁３０間を繋ぐ第４壁９０を有する。そして、本実施形態の電子装置１３０は、第１壁２０及び第２壁３０の間、及び隣り合う第２壁３０の間を繋ぎ、かつ基板１０に平行な第５壁９２を有する以外は、上記第３実施形態で述べた電子装置１３０と同様であるので、同様の部材は、同様の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００７２】
本実施形態の電子装置１３０は、基板１０に平行に配置された第５壁９２が、第１壁２０及び第２壁３０の間、及び隣り合う第２壁３０の間を繋いでいる。これにより、第３実施形態で述べたと同様に、空洞１の側壁の構造的な強度が高められている。また、本実施形態においても、第５壁９２は、第１壁２０及び第２壁３０の間、及び隣り合う第２壁３０の間に複数形成されている。第５壁９２の材質は、第１壁２０及び第２壁３０とともにＷ又はＣｕ若しくはそれらの合金とすることができるが、Ｃｕ又はその合金とすれば、例えば、シングルダマシン法、デュアルダマシン法等により形成することができ、生産性が良好となる。
【００７３】
第５壁９２は、接続する第１壁２０又は第２壁３０を周回するように形成されてもよいし、接続する第１壁２０又は第２壁３０の一部を接続するように形成されていてもよい。そして、図７〜図１０に示すように、第３壁６０及び第４壁９０と複合して、第１壁２０及び第２壁３０の間、又は隣り合う第２壁３０の間を空間的に仕切ってもよい。また、図示のように、第１壁２０及び第２壁３０の間、又は隣り合う第２壁３０の間に形成される区画６２は、第１壁２０又は第２壁３０の高さ方向に沿って複数形成されてもよい。これ
により、構造的な強度が高まるとともに、後述するエッチング時のエッチャントの漏れ出しを抑制する効果をさらに高めることができる。第５壁９２によって形成される区画６２は、平面視及び断面視において円形、楕円形、六角形、三角形などの形状としてもよい。
【００７４】
４．２．作用効果等
本実施形態の電子装置１３０では、空洞１を形成する側壁が、第１壁２０及び複数の第２壁３０の多重構造である上、これらを繋ぐ第３壁６０、第４壁９０及び第５壁９２によって構造的にさらに強化されている。したがって、空洞１の形状の機械的な強度がさらに高くなっている。そのため、本実施形態の電子装置１３０によれば、機能素子５０が小型でかつ堅牢な空洞１内に配置されることにより高い信頼性を確保することができる。
【００７５】
また、本実施形態の電子装置１３０においては、第１壁２０及び第２壁３０の間、及び隣り合う第２壁３０の間に、区画６２を、第１壁２０又は第２壁３０の高さ方向に沿って複数形成されるため、製造時に空洞１内をエッチングする際に、エッチング時におけるエッチャントが、第１壁２０を超えた場合に、第２壁３０がエッチャントに接する領域を制限できるため、空洞１から外側に漏れ出すことをさらに低減することができる。
【００７６】
５．電子装置の製造方法
次に、電子装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１１〜図２３は、実施形態に係る電子装置１００の製造工程を模式的に示す断面図である。
【００７７】
本実施形態の電子装置の製造方法は、基板１０の第１領域Ａ１に機能素子５０を形成する工程と、基板１０の第２領域Ａ２に、トランジスター７２を形成する工程と、トランジスター７２及び機能素子５０を覆う層間絶縁層８０を形成する工程と、層間絶縁層８０に、機能素子５０を囲む第１壁２０、及び第１壁２０と間隔を有して配置された第２壁３０を形成する工程と、層間絶縁層８０を覆い、第１壁２０と接続する蓋体４０を形成する工程と、第１領域Ａ１の蓋体４０に貫通孔４２を形成する工程と、貫通孔４２を通じて、第１壁２０に囲まれた層間絶縁層８０をエッチングして除去し、機能素子５０が収容された空洞１を形成する工程と、を含む。
【００７８】
まず図１１に示すように、基板１０上に下地層１２を形成する。下地層１２は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法により成膜された後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によってパターニングされることにより形成される。
【００７９】
次に、図１２に示すように、下地層１２上に固定電極５２を形成する。具体的には、多結晶シリコン等の半導体層（図示せず）をＣＶＤ法やスパッタ法などにより成膜した後、フォトリソフラフィー技術及びエッチング技術などによりパターニングする。そして、パターニングされた半導体層に、リン（Ｐ）やボロン（Ｂ）等の不純物を注入して固定電極５２を形成する。
【００８０】
次いで，図１３に示すように、固定電極５２を覆う被覆層（犠牲層）５６及びゲート絶縁膜７４を形成する。被覆層５６及びゲート絶縁膜７４は、例えば、酸化シリコン層である。被覆層５６は、例えば、固定電極５２が熱酸化されることにより形成される。ゲート絶縁膜７４は、基板１０が熱酸化されることにより形成される。固定電極５２及びゲート絶縁膜７４の熱酸化処理は、例えば、８００℃以上１１００℃以下の温度で行われる。本工程において、被覆層５６及びゲート絶縁膜７４を同一工程で形成することができる。被覆層５６の膜厚とゲート絶縁膜７４の膜厚の関係は、固定電極５２と基板１０の結晶性や不純物濃度の関係を調整することにより、制御することができる。なお、被覆層５６及びゲート絶縁膜７４は、ＣＶＤ法やスパッタ法を用いて形成してもよい。その後、被覆層５
６上に可動電極５４、及びゲート絶縁膜７４上にゲート電極７５を形成する。可動電極５４及びゲート電極７５の形成は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、及びフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術などのパターニングにより行われる。可動電極５４及びゲート電極７５の形成は、同時に行ってもよいし別工程としてもよい。また、可動電極５４及びゲート電極７５の形成と同時に、配線部２２を形成してもよく、この例では可動電極５４及びゲート電極７５の形成と同時に配線部２２，３２を形成している。
【００８１】
次に、可動電極５４及びゲート電極７５に不純物を注入する。これにより、可動電極５４及びゲート電極７５に対して導電性を付与することができる。注入される不純物としては、例えば、リン（Ｐ）やボロン（Ｂ）が挙げられる。また、不純物を活性化するための熱処理を行ってもよい。なお、可動電極５４及びゲート電極７５に不純物を注入する工程は、パターニングする工程の前に行ってもよい。
【００８２】
次に、基板１０の第２領域Ａ２に所定の不純物を注入して、ソース又はドレイン領域７８の一部を形成する。次いでＣＶＤ法、ドライエッチング法などによって、サイドウォール７６を形成する。次に、サイドウォール７６をマスクとして、所定の不純物を注入して、ソース又はドレイン領域７８を形成する。これらの工程により、基板１０の第２領域Ａ２にトランジスター７２が形成される。この例では、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｄｒａｉｎ）構造を形成しているが、他の構造のトランジスター７２を形成してもよい。
【００８３】
次に、図１４に示すように、層間絶縁層８０を形成する。層間絶縁層８０は、例えば、ＣＶＤ法や塗布（スピンコート）法等により形成される。層間絶縁層８０を形成した後に、層間絶縁層８０の表面を平坦化する処理を行ってもよい。
【００８４】
次に、図１５に示すように、配線部２２及び配線部３２上に第１壁２０及び第２壁３０を形成する。第１壁２０及び第２壁３０は、例えば、層間絶縁層８０をパターニングして層間絶縁層８０を貫通する溝を形成し、その溝にＷ若しくはＣｕ又はそれらとの合金を埋め込むことによって形成される。次に、層間絶縁層８０、回路部７０の配線２６、必要に応じて配線部２２を形成する。この例では、配線部２２，３２を形成しているが、これは必須の工程ではなく、例えば、次の工程で形成する第１壁２０及び第２壁３０を、前の工程で形成した第１壁２０及び第２壁３０又は配線部２２，３２に連続させるように形成してもよい。層間絶縁層８０は、上述と同様の工程で形成され、図には層間絶縁層８０は一体化して描いてある。そして、再度同様にして、図１６に示すように、配線部２２上に第１壁２０及び第２壁３０、並びに回路部７０のビア２８を形成する。層間絶縁層８０を形成した後に、層間絶縁層８０の表面を平坦化する処理を行ってもよい。
【００８５】
ここで、複数の第２壁３０、第３壁６０、及び第４壁９０を形成するには、層間絶縁層８０をパターニングする際のマスクパターンを適宜変更して行うことができる。また、第３壁６０及び第４壁９０が下地層１２から蓋体４０まで連続しない場合には、層間絶縁層８０を形成する工程と、層間絶縁層８０をパターニングする工程を組み合わせ、適宜マスクパターンを変更することにより第３壁６０及び第４壁９０を形成することができる。
【００８６】
次に、蓋体４０の第１層４４及び回路部７０のパッド４８を形成する。第１層４４及びパッド４８は、上述の配線２６と同様にして形成される。なお、第１層４４及びパッド４８は、同一工程で形成されてもよいし、別工程で形成されてもよい。また、第１層４４並びに第１壁２０及び第２壁３０は、一体的に形成されてもよい。また、配線２６、ビア２８、及びパッド４８は、配線部２２、第１壁２０及び第１層４４を形成する工程と同一工程で形成すると、製造工程の共通化により、製造工程の簡略化を図ることができる。図１７及び図１８では、パッド４８と蓋体４０とを同一工程で形成する例を示しており、図１
７に示すように、ＣＶＤ法又はスパッタ法により第１層４４ａを形成した後、図１８に示すように、マスクＭ１をマスクとしてパターニングすることによりパッド４８と蓋体４０の第１層４４とが形成される様子を示している。
【００８７】
次に、層間絶縁層８０上及びパッド４８上に、蓋体４０の平面視における空洞１に対応する領域を避けて絶縁層８２を形成する。絶縁層８２は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法などにより成膜した後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニングによって形成される。必要に応じて、シンターなどの熱処理を行ってもよい。その後、図１９に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって、マスクＭ２を用いて、第１層４４をパターニングし、空洞１となる領域に連通する貫通孔４２を形成する。
【００８８】
次いで、図２０に示すように、貫通孔４２にエッチング液又はエッチングガスを通して、空洞１となる領域に存在する層間絶縁層８０及び被覆層５６を除去し、空洞１を形成する（本明細書ではこの工程をリリース工程ということがある。）。リリース工程は、例えば、フッ化水素酸や緩衝フッ酸（フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの混合液）などを用いたウェットエッチング、フッ化水素系のガスなどを用いたドライエッチングなどにより行うことができる。第１壁２０は、リリース工程においてエッチングされない材料で形成されることにより、空洞１が第１壁２０の外側へ拡がることを防止することができる。また、下地層１２は、エッチングストッパー層として機能することができる。この工程を経ることにより、基板１０の第１領域Ａ１に機能素子５０が形成される。
【００８９】
また、当該リリース工程においては、少なくとも絶縁層８２が、マスクＭ２によってマスクされた状態で行ってもよい（図１９参照）。その後、必要に応じて空洞１を洗浄する。洗浄は、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）や水によって行うことができる。
【００９０】
そして、図２１に示すように、第１層４４上に第２層４６ａを形成する。第２層４６ａは、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法などの気相成長法により形成される。第２層４６ａは、気相成長法により形成されることにより、貫通孔４２を封止することができる。また、気相成長法により形成されることにより、空洞１内を減圧状態のまま封止することもできる。そして、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって第２層４６ａをパターニングし、図１及び図２に示すような形状の第２層４６を形成し、蓋体４０を形成することができる。
【００９１】
その後、必要に応じて第２領域Ａ２のパッド４８等との電気的接続をするために、図２２に示すような、マスクＭ３を用いて絶縁層８２をエッチングする工程などを行ってもよい。以上例示した工程により、電子装置１００を製造することができる。また、同様にして、上述の第２実施形態、第３実施形態の電子装置１１０、電子装置１２０を製造することができる。
【００９２】
本実施形態の電子装置の製造方法によれば、機能素子５０が小型でかつ堅牢な空洞１内に配置されることにより高い信頼性が確保された電子装置を製造することができる。また、本実施形態の電子装置の製造方法によれば、第１壁２０及び第２壁３０が形成された状態で空洞１内をエッチングするので、エッチング時におけるエッチャントが、空洞１以外の領域に漏れ出すことを抑制することができる。すなわち、エッチャントが第１壁２０の外側に漏れ出しても、第２壁３０によってエッチャントの更なる漏れ出しを防ぐことができ、製造歩留まりを向上させることができる。
【００９３】
上述の製造方法の例では、第３壁６０、第４壁９０がいずれも基板１０に対して垂直に形成される場合を示した。しかし、第３壁６０及び第４壁９０が基板１０に対して平行に
形成される場合や、第４実施形態で述べた第５壁９２を形成する場合には、図２３に示すような、ダマシン法を適用することができる。すなわち、図２３に示すように、まず、符号Ａの厚みまで層間絶縁層８０を形成し、第１壁２０、第２壁３０及び第５壁９２の形状をパターニングによって形成し、Ｗ又はＣｕ若しくはそれらの合金を埋め込み、必要に応じてＣＭＰ（化学機械研磨）を行う。次に符号Ｂの厚みまで層間絶縁層８０を形成し、第１壁２０、第２壁３０及び第５壁９２の形状をパターニングによって形成し、Ｗ又はＣｕ若しくはそれらの合金を埋め込み、必要に応じてＣＭＰを行う。これらの工程を適宜繰り返すことによって、例えば第４実施形態で述べた第５壁９２などの基板１０に対して平行な壁を形成することができる。また、これらの工程の繰り返し回数は特に制限はなく、設計に応じた回数繰り返すことで所望の構造を形成することができる。
【００９４】
なお、本発明において、特定の部材Ａの上（または下）に特定の部材Ｂを配置する（または形成する）というとき、部材Ａの上（または下）に直接部材Ｂが配置される（または形成される）態様に限定されず、本発明の作用効果を阻害しない範囲で、部材Ａの上（または下）に、他の部材を介して部材Ｂが配置される（または形成される）態様を含む。
【００９５】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【００９６】
１…空洞、１０…基板、１２…下地層、２０…第１壁、２２…配線部、２４…壁部、２６…配線、２８…ビア、３０…第２壁，３２…配線部、３４…壁部、４０…蓋体、４２…貫通孔、４４…第１層、４６…第２層、４８…パッド、５０…機能素子、５２…固定電極、５４…可動電極、５５…配線、５６…被覆層、６０…第３壁、６２…区画、７０…回路部、７２…トランジスター、７４…ゲート絶縁膜、７５…ゲート電極、７６…サイドウォール、７８…ソース又はドレイン領域、８０…層間絶縁層、８２…絶縁層、９０…第４壁、９２…第５壁、１００，１１０，１２０，１３０…電子装置、Ａ１…第１領域、Ａ２…第２領域、
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３…マスク
【図１】
2014120598.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014120598.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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