(57)【要約】【課題】製造歩留まりの低下を抑制することが可能な配線基板及び表示装置を提供する。【解決手段】画像を表示するアクティブエリアからその外側の周辺エリアに亘って延在した絶縁膜と、前記周辺エリアにおいて前記絶縁膜を貫通する開口部に配置されるとともに前記開口部から前記アクティブエリアに向かって延出し前記絶縁膜上に乗り上げた周辺配線と、を備え、前記周辺配線が乗り上げる前記開口部のエッジは、少なくとも１つの凹部または凸部を有する形状である、配線基板。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示するアクティブエリアからその外側の周辺エリアに亘って延在した絶縁膜と、
前記周辺エリアにおいて前記絶縁膜を貫通する開口部に配置されるとともに前記開口部から前記アクティブエリアに向かって延出し前記絶縁膜上に乗り上げた周辺配線と、を備え、
前記周辺配線が乗り上げる前記開口部のエッジは、少なくとも１つの凹部または凸部を有する形状である、配線基板。
【請求項２】
前記エッジは櫛歯状に形成された、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁膜は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物によって形成され、
前記開口部の底部には、半導体層によって形成されたエッチングストッパ層が配置された、請求項１または２に記載された配線基板。
【請求項４】
画像を表示するアクティブエリアからその外側の周辺エリアに亘って延在した第１層間絶縁膜と、前記アクティブエリアにおいて前記第１層間絶縁膜上に形成されたゲート配線と、前記第１層間絶縁膜及び前記ゲート配線を覆う第２層間絶縁膜と、前記アクティブエリアにおいて前記第２層間絶縁膜上に形成されたソース配線と、前記周辺エリアにおいて前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を貫通する開口部に配置されるとともに前記開口部から前記アクティブエリアに向かって延出し前記第２層間絶縁膜上に乗り上げた周辺配線と、を備えた配線基板と、
前記アクティブエリアにおいて前記配線基板と対向し、前記周辺配線が前記第２層間絶縁膜上に乗り上げた位置に対向する基板端部を有する対向基板と、を備え、
前記周辺配線が乗り上げる前記開口部のエッジは、少なくとも１つの凹部または凸部を有する形状である、表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、配線基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルなどの表示パネルは、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビ、携帯電話などの携帯端末機器、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置として広く利用されている。
【０００３】
このような表示パネルは、画像を表示するアクティブエリアにゲート配線及びソース配線を備えている。アクティブエリアの外側の周辺エリアには、画像を表示するのに必要な信号を供給する信号供給源が実装されている。ゲート配線及びソース配線は、周辺エリアに引き出され、信号供給源が実装されるパッドに電気的に接続されている。
【０００４】
このような信号供給源を実装するための端子の構造として、金属層と透明導電層とを積層した構造が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−０４３８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本実施形態の目的は、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な配線基板及び表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアからその外側の周辺エリアに亘って延在した絶縁膜と、前記周辺エリアにおいて前記絶縁膜を貫通する開口部に配置されるとともに前記開口部から前記アクティブエリアに向かって延出し前記絶縁膜上に乗り上げた周辺配線と、を備え、前記周辺配線が乗り上げる前記開口部のエッジは、少なくとも１つの凹部または凸部を有する形状である、配線基板が提供される。
【０００８】
本実施形態によれば、
画像を表示するアクティブエリアからその外側の周辺エリアに亘って延在した第１層間絶縁膜と、前記アクティブエリアにおいて前記第１層間絶縁膜上に形成されたゲート配線と、前記第１層間絶縁膜及び前記ゲート配線を覆う第２層間絶縁膜と、前記アクティブエリアにおいて前記第２層間絶縁膜上に形成されたソース配線と、前記周辺エリアにおいて前記第１層間絶縁膜及び前記第２層間絶縁膜を貫通する開口部に配置されるとともに前記開口部から前記アクティブエリアに向かって延出し前記第２層間絶縁膜上に乗り上げた周辺配線と、を備えた配線基板と、前記アクティブエリアにおいて前記配線基板と対向し、前記周辺配線が前記第２層間絶縁膜上に乗り上げた位置に対向する基板端部を有する対向基板と、を備え、前記周辺配線が乗り上げる前記開口部のエッジは、少なくとも１つの凹部または凸部を有する形状である、表示装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態の配線基板を備えた表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬのアクティブエリアの構造例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの構造例を概略的に示す平面図である。
【図４】図４は、図３に示した周辺配線ＣＮＢを含む表示パネルＰＮＬの構造例を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの他の構造例を概略的に示す平面図及び断面図である。
【図６】図６は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの他の構造例を概略的に示す平面図及び断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本実施形態の配線基板を備えた表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。
【００１２】
ここに図示した表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬとして、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルを備えた液晶表示装置であるが、有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置であっても良い。本実施形態の配線基板は、例えば、図示した表示パネルＰＮＬのアレイ基板ＡＲに相当する。
【００１３】
すなわち、表示パネルＰＮＬは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。このセルギャップは、アレイ基板ＡＲまたは対向基板ＣＴに形成された図示しない柱状スペーサによって形成されている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。
【００１４】
このような表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、例えば、略長方形状であり、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、第１方向Ｘに沿って延出した複数のゲート配線Ｇ、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出した複数のソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓに接続されたスイッチング素子ＳＷ、スイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。液晶層ＬＱを介して画素電極ＰＥの各々と対向する共通電極ＣＥは、例えば対向基板ＣＴに備えられているが、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。
【００１６】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの主として縦電界を利用するモードや、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの主として横電界を利用するモードなどを適用可能に構成されている。横電界を利用するモードを適用した構成では、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方がアレイ基板ＡＲに備えられる。
【００１７】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号を供給する信号供給源は、アクティブエリアＡＣＴよりも外側の周辺エリアＰＲＰに配置される。より具体的には、アレイ基板ＡＲは、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも第２方向Ｙに沿って外側に延出した実装部ＭＴを備えている。この実装部ＭＴは、駆動ＩＣチップ２が実装される位置に、複数の入力パッド２Ｉ、及び、複数の出力パッド２Ｏを有している。また、実装部ＭＴは、ＦＰＣ基板３が実装される位置に、複数の入力パッド３Ｉを有している。入力パッド３Ｉと入力パッド２Ｉとは、それぞれ接続配線ＣＮＡによって接続されている。ゲート配線Ｇやソース配線ＳなどのアクティブエリアＡＣＴの各種配線と、出力パッド２Ｏとは、それぞれ周辺配線ＣＮＢによって接続されている。基板端部ＣＴＥは、周辺配線ＣＮＢと交差する方向に延出し、周辺配線ＣＮＢの上方に位置している。
【００１８】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬのアクティブエリアの構造例を概略的に示す断面図である。ここでは、表示パネルＰＮＬの一例として、縦電界を利用するモードに対応した構成について説明する。
【００１９】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側にスイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００２０】
第１絶縁膜１１は、アンダーコート層であり、第１絶縁基板１０の内面１０Ａを覆っている。この第１絶縁膜１１は、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）またはシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）によって形成され、あるいは、シリコン酸化物層とシリコン窒化物層との積層体によって形成されている。
【００２１】
スイッチング素子ＳＷは、例えばトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、第１絶縁膜１１の上に形成された半導体層ＳＣを備えている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。半導体層ＳＣは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１も覆っている。この第２絶縁膜１２は、第１層間絶縁膜に相当する。
【００２２】
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。このゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇと電気的に接続されている、あるいは、ゲート配線Ｇと一体的に形成されている。このようなゲート電極ＷＧを含むゲート配線Ｇは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２も覆っている。この第３絶縁膜１３は、第２層間絶縁膜に相当する。第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３は、シリコン酸化物またはシリコン窒化物によって形成されている。
【００２３】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓと電気的に接続されている、あるいは、ソース配線Ｓと一体的に形成されている。ドレイン電極ＷＤは、ソース配線Ｓから離間している。ソース電極ＷＳは、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ１を通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通するコンタクトホールＣＨ２を通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第４絶縁膜１４によって覆われている。また、第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３も覆っている。第４絶縁膜１４は、例えば樹脂材料によって形成されている。
【００２４】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に形成され、第４絶縁膜１４を貫通したコンタクトホールＣＨ３を介してドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。この画素電極ＰＥは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）やインジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１配向膜ＡＬ１によって覆われている。
【００２５】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。この対向基板ＣＴは、第２絶縁基板３０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、遮光層３１、カラーフィルタ３２、オーバーコート層３３、共通電極ＣＥ、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００２６】
遮光層３１は、第２絶縁基板３０の内面３０Ａに形成され、アクティブエリアＡＣＴにおいて各画素ＰＸを区画する。この遮光層３１は、ゲート配線Ｇやソース配線Ｓ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部に対向している。カラーフィルタ３２は、内面３０Ａに形成され、遮光層３１の上にも延在している。カラーフィルタ３２は、例えば、着色された樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層３３は、カラーフィルタ３２を覆っている。このオーバーコート層３３は、遮光層３１やカラーフィルタ３２の表面の凹凸を平坦化する。オーバーコート層３３は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、オーバーコート層３３のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。この共通電極ＣＥは、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥは、第２配向膜ＡＬ２によって覆われている。
【００２７】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。液晶層ＬＱは、第１配向膜ＡＬ１と第２配向膜ＡＬ２との間に形成されたセルギャップに封入された液晶分子を含む液晶組成物によって構成されている。
【００２８】
アレイ基板ＡＲの外面すなわち第１絶縁基板１０の外面１０Ｂには、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。また、対向基板ＣＴの外面すなわち第２絶縁基板３０の外面３０Ｂには、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が配置されている。
【００２９】
図３は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの構造例を概略的に示す平面図である。ここでは、周辺配線ＣＮＢとその周辺の構造例について説明する。
【００３０】
周辺配線ＣＮＢは、周辺エリアＰＲＰにおいて開口部ＡＰに配置されるとともに、開口部ＡＰからアクティブエリアＡＣＴに向かって延出している。図示した例では、周辺配線ＣＮＢの延出方向は、第２方向Ｙと平行であり、第１方向Ｘと直交する。
【００３１】
開口部ＡＰは、周辺配線ＣＮＢの延出方向、つまり、第２方向Ｙに沿って略平行に延出している。この開口部ＡＰは、周辺配線ＣＮＢが乗り上げる（あるいは、周辺配線ＣＮＢと交差する）エッジＥ１と、周辺配線ＣＮＢの延出方向に略平行なエッジＥ２及びエッジＥ３と、を有している。エッジＥ２及びエッジＥ３のそれぞれは、第２方向Ｙに沿って略直線状に形成されており、いずれも周辺配線ＣＮＢから離間している。開口部ＡＰの底部には、エッチングストッパ層ＥＳが配置されている。
【００３２】
エッジＥ１は、周辺配線ＣＮＢの延出方向と直交する方向（第１方向Ｘ）とは異なる方向に延出している。図示した例では、エッジＥ１は、非直線状に形成され、より具体的には、少なくとも１つの凹部ＣＣ及び凸部ＣＶを有する矩形波の櫛歯状に形成されている。周辺配線ＣＮＢは、少なくとも１つの凹部ＣＣ及び凸部ＣＶを覆うようにエッジＥ１を乗り上げている。エッジＥ１において、凹凸の周期をａとし、凹部ＣＣ（あるいは凸部ＣＶ）の奥行きをｂとしたとき、ｂ＝ａに設定した場合には、エッジＥ１が一直線状の場合と比較して、エッジＥ１の総延長距離は３倍となる。また、ｂ＝４．５×ａに設定した場合には、エッジＥ１が一直線状の場合と比較して、エッジＥ１の総延長距離は１０倍となる。
【００３３】
なお、図示した例では、周辺エリアＰＲＰにおいて、周辺配線ＣＮＣは、開口部ＡＰとアクティブエリアＡＣＴとの間を第１方向Ｘに沿って延出しており、周辺配線ＣＮＢと交差している。周辺配線ＣＮＢと周辺配線ＣＮＣとの間には、図示しない絶縁膜が介在している。
【００３４】
図４は、図３に示した周辺配線ＣＮＢを含む表示パネルＰＮＬの構造例を概略的に示す断面図である。
【００３５】
第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、及び、第３絶縁膜１３は、それぞれ図２に示したアクティブエリアＡＣＴから周辺エリアＰＲＰに亘って延在している。エッチングストッパ層ＥＳは、周辺エリアＰＲＰにおいて、第１絶縁膜１１の上に形成されている。このエッチングストッパ層ＥＳは、半導体層ＳＣと同一材料（例えば、ポリシリコン）によって形成され、半導体層ＳＣと同時に形成可能である。エッチングストッパ層ＥＳの端部は、第２絶縁膜１２によって覆われている。
【００３６】
第２絶縁膜１２及び第３絶縁膜１３を貫通する開口部ＡＰは、例えば、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも外側に位置している。開口部ＡＰは、コンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２を形成するのと同時に形成可能である。
【００３７】
周辺配線ＣＮＣは、周辺エリアＰＲＰにおいて第２絶縁膜１２の上に形成され、第３絶縁膜１３によって覆われている。この周辺配線ＣＮＣは、ゲート配線Ｇなどと同一材料によって形成されている。
【００３８】
周辺配線ＣＮＢについては、少なくともその一部が絶縁膜によって覆われることなく露出している。このような周辺配線ＣＮＢは、リワーク耐性を向上するために、基板端部ＣＴＥよりも外側の位置では、開口部ＡＰに位置している。つまり、周辺配線ＣＮＢは、開口部ＡＰにおいてエッチングストッパ層ＥＳの上に形成され、エッジＥ１を通り、第３絶縁膜１３の上に乗り上げている。図示した例では、周辺配線ＣＮＢは、第３絶縁膜１３を介して周辺配線ＣＮＣと交差している。この周辺配線ＣＮＢは、ソース配線Ｓなどと同一材料によって形成されている。基板端部ＣＴＥは、周辺配線ＣＮＢが第３絶縁膜１３の上に乗り上げる位置に対向している。
【００３９】
周辺配線ＣＮＢは、基板端部ＣＴＥよりも内側（アクティブエリア側）では、第３絶縁膜１３の上に位置するため、開口部ＡＰのエッジＥ１を経由する必要がある。エッジＥ１においては、周辺配線ＣＮＢの膜厚が局所的に薄くなりやすく、最悪の場合には途切れてしまい、周辺配線ＣＮＢの断線が生ずることがある。エッチングストッパ層ＥＳの上面から第３絶縁膜１３の上面までの段差が大きいほど、また、エッジＥ１の傾斜が急峻なほど、エッジＥ１を通る周辺配線ＣＮＢの膜厚が薄くなりやすく、断線も発生しやすい。
【００４０】
本実施形態によれば、エッジＥ１は、周辺配線ＣＮＢの延出方向と直交する方向（第１方向Ｘ）とは異なる方向に延出し、櫛歯状に形成されている。周辺配線ＣＮＢは、少なくとも１つの凹部ＣＣ及び凸部ＣＶを覆うようにエッジＥ１を乗り上げている。このため、開口部ＡＰあるいは周辺配線ＣＮＢの幅（第１方向Ｘに沿った長さ）を拡張することなく、周辺配線ＣＮＢがエッジＥ１を覆う部分の総延長距離を延伸することができ、断線を抑制することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態によれば、開口部ＡＰあるいは周辺配線ＣＮＢの幅を拡張する必要がないため、高精細化の妨げにならず、また、レイアウトの自由度を向上することが可能となる。
【００４２】
また、本実施形態によれば、周辺配線ＣＮＢのエッジＥ１を覆う部分の膜厚を十分に確保できるため、静電気の影響で周辺配線ＣＮＢが帯電したとしても、エッジＥ１を覆う部分での静電放電による断線の発生を抑制することが可能となる。
【００４３】
一方で、周辺配線ＣＮＢを形成する過程で、配線材料を成膜する際には、配線材料が方向付けされて成膜されることがある。段差部分に配線材料を成膜する際には、エッジＥ１が一方向に面した端面のみの場合（つまり、エッジＥ１が一直線状の場合）には、配線材料の成膜時の方向付けの影響で、エッジＥ１に成膜された配線材料の膜厚が薄くなることがある。
【００４４】
本実施形態では、エッジＥ１を非直線形状としたことにより、周辺配線ＣＮＢは、エッジＥ１のうちの複数の方向に面する端面を覆うことになる。図３に示した例では、エッジＥ１の凸部ＣＶに着目すると、３方向に面した端面Ｓ１乃至Ｓ３を有している。周辺配線ＣＮＢは、３方向の端面Ｓ１乃至Ｓ３のいずれも覆っている。つまり、周辺配線ＣＮＢを形成する過程で、配線材料を成膜する際、配線材料の成膜時の方向付けの影響が緩和される。このため、エッジＥ１を覆う周辺配線ＣＮＢのうち、局所的に膜厚が薄くなることがあっても、その他の部分では十分な膜厚で成膜することが可能であり、断線の発生を抑制することが可能である。したがって、製造歩留まりの低下を抑制することが可能となる。
【００４５】
寸法の一例について、以下に述べる。開口部ＡＰの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ１が１５５μｍであり、周辺配線ＣＮＢの第１方向Ｘに沿った幅Ｗ２は幅Ｗ１よりも小さく、１５０μｍである。周辺配線ＣＮＢとエッジＥ２との間隔、及び、周辺配線ＣＮＢとエッジＥ３との間隔はそれぞれ２．５μｍである。エッジＥ１において、凹凸の第１方向Ｘに沿った周期ａは３０μｍであり、凹部ＣＣ（あるいは凸部ＣＶ）の第２方向Ｙに沿った奥行きｂは１００μｍである。開口部ＡＰの深さ（つまり、エッチングストッパ層ＥＳの上面から第３絶縁膜１３の上面までの高さ）は６００ｎｍ〜７００ｎｍであり、周辺配線ＣＮＢの膜厚は３００ｎｍ程度である。
【００４６】
次に、本実施形態の他の構造例について説明する。
【００４７】
図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの他の構造例を概略的に示す平面図及び断面図である。
【００４８】
図５に示した例は、図３及び図４に示した例と比較して、エッジＥ１を構成する凹部ＣＣ及び凸部ＣＶの向きが異なる点で相違している。すなわち、凹部ＣＣ及び凸部ＣＶは、第２方向Ｙに沿って周期ａをもって形成され、また、凹部ＣＣ（あるいは凸部ＣＶ）は、第１方向Ｘに沿った奥行きｂを有している。
【００４９】
このような構造例においても、上記の構造例と同様の効果が得られる。
【００５０】
なお、上記の例では、エッジＥ１が非直線状に形成された例として、矩形波の櫛歯状である例について説明したが、凸部及び凹部が他の多角形（三角形など）の櫛歯状であっても良いし、正弦波などの櫛歯状（曲線状）であっても良い。いずれの形状のエッジＥ１であっても、周辺配線ＣＮＢは、エッジＥ１に含まれる少なくとも１つの凸部及び凹部を覆うように配置される。また、エッジＥ１は、複数の凸部及び凹部を有する形状に限らず、単一の凸部または凹部を有する形状であっても良く、この場合には、周辺配線ＣＮＢは単一の凸部または凹部を覆うように配置される。つまり、非直線状のエッジＥ１とは、少なくとも１つの凸部または凹部を有する形状のエッジである。
【００５１】
図６は、図１に示した表示パネルＰＮＬの周辺エリアの他の構造例を概略的に示す平面図及び断面図である。
【００５２】
図６に示した例は、図３及び図４に示した例と比較して、エッジＥ１が周辺配線ＣＮＢの延出方向（第２方向）及び延出方向と直交する方向（第１方向Ｘ）のいずれとも異なる方向に直線状に延出した点で相違している。
【００５３】
このような構造例においても、エッジＥ１が第１方向Ｘに沿った一直線状に形成された場合と比較して、周辺配線ＣＮＢがエッジＥ１を覆う部分の総延長距離を延伸することができ、上記の構造例と同様の効果が得られる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、製造歩留まりの低下を抑制することが可能な配線基板及び表示装置を提供することができる。
【００５５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
ＤＳＰ…表示装置
ＰＮＬ…表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＡＣＴ…アクティブエリア  ＰＲＰ…周辺エリア
１１…第１絶縁膜  １２…第２絶縁膜（第１層間絶縁膜）  １３…第３絶縁膜（第２層間絶縁膜）
ＣＮＢ…周辺配線
ＡＰ…開口部  Ｅ１…エッジ  ＣＣ…凹部  ＣＶ…凸部
ＥＳ…エッチングストッパ層
【図１】
2014081421.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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