(57)【要約】【課題】パッケージ基板へのポストの形成の際に、ソルダレジスト層上にめっきを行うことなく、ビルドアップ絶縁層にポストを形成したパッケージ基板及びその製造方法の提供。【解決手段】パッケージ基板１００は、内部絶縁層１０と、内部絶縁層１０上に形成された回路パターン層２０と、内部絶縁層１０上に形成され、回路パターン層２０を保護し該回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部を露出させる外郭絶縁層３０と、外郭絶縁層３０によって露出した内側パターン２３の一部上に形成されたポストバンプ５３及び外郭絶縁層３０によって露出した外側パターン２１の一部上に形成された最外層パターン５１から成る混合パターン層５０と、外郭絶縁層３０上に形成され、混合パターン層５０の中で最外層パターン５１を保護し、オープン領域によって最外層パターン５１を露出させるレジスト層６０とを備える。【選択図】図１
2014131034.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部絶縁層と、
前記内部絶縁層上に形成された回路パターン層と、
前記内部絶縁層上に形成され、前記回路パターン層を保護し、前記回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部を露出させる外郭絶縁層と、
前記外郭絶縁層によって露出した前記内側パターンの一部上に形成されたポストバンプ及び前記外郭絶縁層によって露出した前記外側パターンの一部上に形成された最外層パターンから成る混合パターン層と、
前記外郭絶縁層上に形成され、前記混合パターン層の中で前記最外層パターンを保護し、オープン領域によって前記最外層パターンを露出させるレジスト層
とを備えるパッケージ基板。
【請求項２】
前記レジスト層は、前記最外層パターンを保護する第１のレジスト領域及び前記ポストバンプ間に現われた前記外郭絶縁層をカバーし、前記ポストバンプと前記外郭絶縁層との間の高さで形成された第２のレジスト領域を備えることを特徴とする請求項１に記載のパッケージ基板。
【請求項３】
前記外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成され、
前記レジスト層は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうち、前記外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のパッケージ基板。
【請求項４】
前記外郭絶縁層は、前記内部絶縁層と同じ材料によって形成される請求項３に記載のパッケージ基板。
【請求項５】
前記混合パターン層は、Ｃｕ材料から構成され、
前記ポストバンプは、フリップチップが接続されるパッドで、上部パッケージ基板と接続されるソルダバンプまたはメタルポストが前記レジスト層のオープン領域を通じて前記最外層パターン上に取付けされることを特徴とする請求項３に記載のパッケージ基板。
【請求項６】
前記ソルダバンプまたはメタルポストが取り付けられる前記最外層パターンの表面及び前記ポストバンプの表面にめっき層が形成されることを特徴とする請求項５に記載のパッケージ基板。
【請求項７】
前記外側及び内側パターンの表面と前記混合パターン層との間及び前記外郭絶縁層の表面と前記混合パターン層との間にシード層が形成されることを特徴とする請求項３に記載のパッケージ基板。
【請求項８】
フリップチップ、上部パッケージ基板及び下部パッケージ基板を含むパッケージ−オン−パッケージ基板であって、
前記下部パッケージ基板は、
内部絶縁層と、
前記内部絶縁層上に形成された回路パターン層と、
前記内部絶縁層上に形成され、前記回路パターン層を保護し、前記回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部を露出させる外郭絶縁層と、
前記外郭絶縁層によって露出した前記内側パターンの一部上に形成され、前記フリップチップと接続されるポストバンプ及び前記外郭絶縁層によって露出した前記外側パターンの一部上に形成された最外層パターンから成る混合パターン層と、
前記外郭絶縁層上に形成され、前記混合パターン層の中で前記最外層パターンを保護し、オープン領域によって前記最外層パターンを露出させるレジスト層とを含み、
前記上部パッケージ基板は、前記レジスト層のオープン領域を通じて前記最外層パターン上に取り付けられる接続部材によって前記下部パッケージ基板と接続されることを特徴とするパッケージ−オン−パッケージ基板。
【請求項９】
前記レジスト層は、前記最外層パターンを保護する第１のレジスト領域及び前記ポストバンプ問に現われた前記外郭絶縁層をカバーし、前記ポストバンプと前記外郭絶縁層の間の高さで形成された第２のレジスト領域を備えることを特徴とする請求項８に記載のパッケージ−オン−パッケージ基板。
【請求項１０】
前記外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成され、
前記レジスト層は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうち、前記外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成されることを特徴とする請求項８または９に記載のパッケージ−オン−パッケージ基板。
【請求項１１】
前記混合パターン層は、Ｃｕ材料から構成され、
前記接続部材は、ソルダバンプまたはメタルポストで、前記フリップチップと接続する前記ポストバンプの表面及び前記接続部材が取り付けられる前記最外層パターンの表面にめっき層が形成されることを特徴とする請求項１０に記載のパッケージ−オン−パッケージ基板。
【請求項１２】
前記外側及び内側パターンの表面と前記混合パターン層との間及び前記外郭絶縁層の表面と前記混合パターン層との間に、シード層が形成されることを特徴とする請求項１０に記載のパッケージ−オン−パッケージ基板。
【請求項１３】
上部に回路パターン層が形成された内部絶縁層上に前記回路パターン層を保護する外郭絶縁層を積層するステップと、
前記回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部が露出するように前記外郭絶縁層を加工するステップと、
前記外郭絶縁層の加工によって露出した前記内側パターンの一部上にポストバンプを形成すると共に、前記外郭絶縁層の加工によって露出した前記外側パターンの一部上に最外層パターンを形成するステップと、
前記外郭絶縁層上にレジスト層を形成して前記最外層パターンを保護し、オープン領域によって前記最外層パターンの一部を露出させるステップ
とを備えるパッケージ基板製造方法。
【請求項１４】
前記レジスト層を形成するステップは、前記最外層パターンを保護して前記最外層パターンの一部を露出させる第１のレジスト領域及び前記ポストバンプ間に現われた前記外郭絶縁層をカバーして前記ポストバンプと前記外郭絶縁層の間の高さで形成された第２のレジスト領域を含む前記レジスト層を形成することを特徴とする請求項１３に記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項１５】
前記レジスト層を形成するステップにて、前記外郭絶縁層上に塗布されたレジストに対する現像の強さを異にして、前記第１のレジスト領域は前記最外層パターンの一部を露出させ、前記第２のレジスト領域は前記ポストバンプ高さより低く形成されることを特徴とする請求項１４に記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項１６】
前記外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成され、
前記レジスト層は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうち、前記外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成されることを特徴とする請求項１３〜１５のうちのいずれか一つに記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項１７】
前記ポストバンプ及び最外層パターンは、Ｃｕ材料によって形成され、
前記パッケージ基板製造方法は、前記レジスト層のオープン領域を通じて露出した前記最外層パターン上にメタルポストまたはソルダバンプを取り付けるステップをさらに含む請求項１６に記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項１８】
前記ポストバンプ及び最外層パターンを形成する前に、前記外郭絶縁層の加工によって露出した前記外側及び内側パターンの表面及び前記外郭絶縁層の表面に無電解めっきでシード層を形成するステップと、
前記レジスト層を形成する前に、前記ポストバンプ及び最外層パターン間の前記シード層をフラッシュエッチングして除去するステップとをさらに含む請求項１６に記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項１９】
前記ポストバンプ及び最外層パターンを形成するステップは、
前記シード層上にドライフィルムレジストを積層してレジストパターンを形成するステップと、
前記レジストパターンに従って前記ポストバンプ及び最外層パターンを形成するための電解めっきを行って前記ドライフィルムレジストを除去するステップとを含むことを特徴とする請求項１８に記載のパッケージ基板製造方法。
【請求項２０】
前記シード層を形成するステップは、前記無電解めっきを行う前に、前記外郭絶縁層の加工によって露出した前記外側及び内側パターンの表面及び前記外郭絶縁層の表面にデスミア処理を行った後、無電解銅めっきで前記シード層を形成することを特徴とする請求項１８に記載のパッケージ基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板及びその製造方法、並びにパッケージ−オン−パッケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
印刷回路基板（ＰＣＢ）の製作時、Ｃｕポストは、バンプの一種類として熱変形し易い既存のＳｎ-Ａｇ-Ｐｂベースのバンプに比べて堅固で、微細ピッチの具現に有利であると知られている。しかし、Ｃｕポストの具現において、製造工程上の多くの問題点があるため、その量産化が難しいという不都合がある。例えば、ソルダレジストＳＲに化学銅を蒸着しなければならないが、その密着力が基準値に至らない。そのため、化学銅として化学Ｎｉ／Ｃｕなどを用いるか、またはＳＲの表面にプラズマ処理をする。しかしながら、Ｎｉの除去工程が必要になり、またＳＲの表面特性が変わって、パッケージングに問題を起こして、その使用範囲が非常に制限的である。
【０００３】
Ｃｕポストが微細ピッチの具現に有利なため、パッケージ基板でもチップ素子が実装される部分にＣｕポストを形成した製品がたくさん生産されている。例えば、パッケージ−オン−パッケージ（ＰＯＰ）基板の製造時、中央のいわゆるＣ４領域のポストより、外郭のいわゆるＰＯＰ領域のポストを高くして製作している。
【０００４】
このようなＣｕポストを有する従来のパッケージ基板製造方法を図６ａ〜図６ｆを参照して説明する。まず、内部絶縁層１０上に形成された回路パターン層２０の上部にソルダレジスト層６０’を塗布し（図６ａ参照）、Ｃｕポスト５１、５３が取り付けられる回路パターン層の外側及び内側パターン２１、２３をオープンする（図６ｂ参照）。図６ｃ〜図６ｅに示すように、ドライフィルムレジスタ４０にパターンを形成し、内側Ｃ４パターン領域に低い高さのＣ４領域ポスト５３をまず形成してから、ドライフィルムレジスタ１４０を塗布し、外側ＰＯＰ領域パターンを形成して高い高さを有するＰＯＰポスト５１を形成する。その後、Ｃｕポスト５１、５３の表面に導電層７０を形成する。
【０００５】
一般に、めっきによってＣｕポスト５１、５３を形成する。ポストをめっきで形成するために、ソルダレジスト６０上に、事前工程としてシード層６０ｓを塗布し、該シード層６０ｓ上にめっきによってＣｕポストを形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１１／０１２９９６０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
シード層を形成する化学銅がソルダレジスト層に蒸着されるとき、接着力が問題になる。すなわち、ソルダレジスト上にポストを形成する時、めっき過程で密着力の問題が起こる。そのため、化学銅としてＮｉ／Ｃｕを利用するかソルダレジストの表面をプラズマ処理しているが、化学銅としてＮｉ／Ｃｕを利用すると、Ｎｉの除去工程が必要になり、プラズマ処理の場合、ソルダレジストの表面特性が変わってパッケージングに問題を起こす恐れがある。
【０００８】
本発明は上記の問題点に鑑みて成されたものであって、パッケージ基板へのポストの形成の際に、ソルダレジスト層上にめっきを行うことなく、ビルドアップ絶縁層にポストを形成したパッケージ基板及びその製造方法、並びにパッケージ−オン−パッケージ基板を提供することに、その目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を解決するために、本発明の第１の実施形態によれば、内部絶縁層と、該内部絶縁層上に形成された回路パターン層と、該内部絶縁層上に形成されて回路パターン層を保護し、回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部を露出させる外郭絶縁層と、該外郭絶縁層によって露出した内側パターンの一部上に形成されたポストバンプ及び外郭絶縁層によって露出した外側パターンの一部上に形成された最外層パターンから成る混合パターン層と、該外郭絶縁層上に形成され、混合パターン層の中の最外層パターンを保護し、オープン領域によって最外層パターンを露出させるレジスト層と、を備えるパッケージ基板が提供される。
【００１０】
一実施形態によれば、レジスト層は、最外層パターンを保護する第１のレジスト領域及びポストバンプ間に現われた外郭絶縁層をカバーし、ポストバンプと外郭絶縁層との間の高さで形成された第２のレジスト領域を備える。
【００１１】
また、一実施形態によれば、外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成される。レジスト層は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成される。
【００１２】
また、外郭絶縁層は、内部絶縁層と同じ材料によって形成される。
【００１３】
また、一実施形態によれば、混合パターン層はＣｕ材料から構成され、ポストバンプはフリップチップが接続されるパッドであり、上部パッケージ基板と接続されるソルダバンプまたはメタルポストがレジスト層のオープン領域を通じて最外層パターン上に取り付けられる。
【００１４】
一実施形態によれば、ソルダバンプまたはメタルポストが取り付けられる最外層パターンの表面及びポストバンプの表面にめっき層が形成される。
【００１５】
また、一実施形態によれば、外側及び内側パターンの表面と混合パターン層との間及び外郭絶縁層の表面と混合パターン層との間にシード層が形成される。
【００１６】
また、上記の目的を解決するために、本発明の第２の実施形態によれば、フリップチップ、上部パッケージ基板及び下部パッケージ基板を含むパッケージ−オン−パッケージ基板であって、前記下部パッケージ基板は、内部絶縁層と、該内部絶縁層上に形成された回路パターン層と、該内部絶縁層上に形成されて回路パターン層を保護し、該回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部を露出させる外郭絶縁層と、該外郭絶縁層によって露出した内側パターンの一部上に形成され、フリップチップと接続されるポストバンプ及び外郭絶縁層によって露出した外側パターンの一部上に形成された最外層パターンから成る混合パターン層と、該外郭絶縁層上に形成され、混合パターン層の中の最外層パターンを保護し、オープン領域によって最外層パターンを露出させるレジスト層とを含み、前記上部パッケージ基板は、レジスト層のオープン領域を通じて最外層パターン上に取り付けられる接続部材によって下部パッケージ基板と接続されることを特徴とするパッケージ−オン−パッケージ基板が提供される。
【００１７】
一実施形態によれば、レジスト層は、最外層パターンを保護する第１のレジスト領域及びポストバンプ間に現われた外郭絶縁層をカバーしてポストバンプと外郭絶縁層との間の高さで形成された第２のレジスト領域を備える。
【００１８】
また、一実施形態によれば、外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成され、レジスト層はソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成される。
【００１９】
また、一実施形態によれば、混合パターン層はＣｕ材料から構成され、接続部材はソルダバンプまたはメタルポストであり、フリップチップと接続するポストバンプの表面及び接続部材が取り付けられる最外層パターンの表面にめっき層が形成される。
【００２０】
また、一実施形態によれば、外側及び内側パターンの表面と混合パターン層との間及び外郭絶縁層の表面と混合パターン層との間にシード層が形成される。
【００２１】
また、上記の目的を解決するために、本発明の第３の実施形態によれば、上部に回路パターン層が形成された内部絶縁層上に回路パターン層を保護する外郭絶縁層を積層するステップと、回路パターン層の外側及び内側パターンの各一部が露出するように外郭絶縁層を加工するステップと、外郭絶縁層の加工によって露出した内側パターンの一部上にポストバンプを形成すると共に、外郭絶縁層の加工によって露出した外側パターンの一部上に最外層パターンを形成するステップと、外郭絶縁層上にレジスト層を形成して最外層パターンを保護し、オープン領域によって最外層パターンの一部を露出させるステップと、を備えるパッケージ基板製造方法が提供される。
【００２２】
一実施形態によれば、レジスト層を形成するステップにて、最外層パターンを保護し、最外層パターンの一部を露出させる第１のレジスト領域及びポストバンプ間に現われた外郭絶縁層をカバーしてポストバンプと外郭絶縁層との間の高さで形成された第２のレジスト領域を含むレジスト層を形成する。
【００２３】
また、レジスト層を形成するステップにて、外郭絶縁層上に塗布されたレジストに対する現像強さを異にして、第１のレジスト領域は最外層パターンの一部を露出させ、第２のレジスト領域はポストバンプ高さより低く形成させる。
【００２４】
また、一実施形態によれば、外郭絶縁層は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から構成され、レジスト層はソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層の材料と異なる材料によって形成される。
【００２５】
また、一実施形態によれば、ポストバンプ及び最外層パターンは、Ｃｕ材料によって形成される。また、パッケージ基板製造方法は、レジスト層のオープン領域を通じて露出した前記最外層パターン上にメタルポストまたはソルダバンプを取り付けるステップをさらに含む。
【００２６】
また、一実施形態によれば、ポストバンプ及び最外層パターンを形成する前に、外郭絶縁層の加工によって露出した外側及び内側パターンの表面及び外郭絶縁層の表面に無電解めっきでシード層を形成するステップと、レジスト層を形成する前に、ポストバンプ及び最外層パターン間のシード層をフラッシュエッチングして除去するステップと、をさらに含む。
【００２７】
また、ポストバンプ及び最外層パターンを形成するステップは、シード層上にドライフィルムレジストを積層してレジストパターンを形成するステップと、レジストパターンに従ってポストバンプ及び最外層パターンを形成するための電解めっきを行ってドライフィルムレジストを除去するステップとを含む。
【００２８】
また、一実施形態によれば、シード層を形成するステップにて、無電解めっきを行う前に、外郭絶縁層の加工によって露出した外側及び内側パターンの表面及び外郭絶縁層の表面にデスミア処理を行った後、無電解銅めっきでシード層を形成する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、パッケージ基板にポストを形成する時、ソルダレジスト層上にめっきを行うことなく、ビルドアップ絶縁層にポストを形成することによって、ポストめっき過程における問題を解決することができるという不都合がある。
【００３０】
また、本発明によれば、シード層を形成する化学銅工程が外郭ビルドアップ絶縁層のみに適用され、ソルダレジスト層には適用されない。例えば、外郭ビルドアップ絶縁層にポストバンプ、例えばＣｕポストを形成することによって、従来のソルダレジスト上に化学銅シード層を形成する場合に生ずる密着力が弱化されるという問題を回避することができるという効果が奏する。
【００３１】
また、本発明によれば、ＰＯＰ領域を自然にレジスト層でＣ４領域より高くすることができ、該ＰＯＰ領域にＣｕポストを形成する必要がないパッケージ基板構造を得ることができるという効果が奏する。
【００３２】
本発明の多様な実施形態によって直接的に言及されなかった多様な効果が本発明の実施形態による多様な構成から技術分野において通常の知識を持った者によって導出されることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態によるパッケージ基板を概略的に示す断面図である。
【図２】本発明の他の実施形態によるパッケージ基板を概略的に示す断面図である。
【図３】本発明の一実施形態によるパッケージ−オン−パッケージ基板を概略的に示す断面図である。
【図４ａ】本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図４ｂ】本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図４ｄ】本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図４ｅ】本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図５ａ】図４ｄによるステップ後のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図５ｂ】図４ｄによるステップ後のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ａ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ｂ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ｃ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ｄ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ｅ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【図６ｆ】従来のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の好適な実施の形態は図面を参考にして詳細に説明する。次に示される各実施の形態は当業者にとって本発明の思想が十分に伝達されることができるようにするために例として挙げられるものである。従って、本発明は以下示している各実施の形態に限定されることなく他の形態で具体化されることができる。そして、図面において、装置の大きさ及び厚さなどは便宜上誇張して表現されることができる。明細書全体に渡って同一の参照符号は同一の構成要素を示している。
【００３５】
本明細書で使われた用語は、実施形態を説明するためのものであって、本発明を制限しようとするものではない。本明細書において、単数形は文句で特別に言及しない限り複数形も含む。明細書で使われる「含む」とは、言及された構成要素、ステップ、動作及び／又は素子は、一つ以上の他の構成要素、ステップ、動作及び／又は素子の存在または追加を排除しないことに理解されたい。
＜パッケージ基板＞
【００３６】
まず、本発明の第１の実施形態によるパッケージ基板について詳記する。
【００３７】
図１は、本発明の一実施形態によるパッケージ基板を概略的に示す断面図で、図２は、本発明の他の実施形態によるパッケージ基板を概略的に示す断面図である。また、図５ａ及び図５ｂは各々、図４ｄによるステップ後のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【００３８】
図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、一実施形態によるパッケージ基板１００、１００’は、内部絶縁層１０、回路パターン層２０、外郭絶縁層３０、混合パターン層５０及びレジスト層６０を備える。
【００３９】
内部絶縁層１０は、通常の積層基板でビルドアップレイヤーを形成する絶縁層である。内部絶縁層１０は、通常の絶縁基板材料を使ってもよい。例えば、プリプレグ（ＰＰＧ）、アジノモトビルドアップフィルム（ＡＢＦ:Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  ｂｕｉｌｕｐ  ｆｉ１ｍ）などの熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、光・熱硬化化性樹脂などが使われる。示されていないが、内部絶縁層１０には、上部に形成された回路パターン層２０に加えて、内部と導通するか貫くビアが形成されてもよい。
【００４０】
回路パターン層２０は、内部絶縁層１０上に形成される。通常のパッケージ基板１００、１００’の場合、ソルダレジスト層（図６ｂ〜図６ｆの符号６０参照）を用いて内部絶縁層１０に形成された回路パターン層２０を保護するが、本発明では、外郭絶縁層３０を使って回路パターン層２０を保護する。
【００４１】
続いて、図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、外郭絶縁層３０は、内部絶縁層１０上に形成されて回路パターン層２０を保護する。すなわち、回路パターン層２０が形成された内部絶縁層１０上に積層されている。外郭絶縁層３０は、回路パターン層２０が外部と接続されるようにオープン加工される。これによって、外郭絶縁層３０は、回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部を外郭絶縁層３０の外部へ露出させる。外郭絶縁層３０は、ドリルリングレーザ加工、フォトリソグラフィ加工などの方式によって穿孔される。例えば、外郭絶縁層３０が熱硬化性樹脂材料の場合、レーザドリルリングなどによってオープンされ、光硬化性樹脂材料の場合、フォトリソグラフィ工法またはレーザドリルリングなどによってオープンされる。例えば、ビア形成方式と同様に穿孔されてもよい。
【００４２】
例えば、一実施形態によれば、外郭絶縁層３０は熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から成る。例えば、熱硬化樹脂の場合、ＰＰＧ、ＡＢＦなどが使われる。例えば、外郭絶縁層３０は、内部絶縁層１０と同じ材料である。
【００４３】
例えば、外郭絶縁層３０にポストバンプ５３、例えばＣｕポストを形成することによって、従来のソルダレジスト（図６ｃ〜図６ｆの符号６０参照）上に化学銅シード層６０ｓを形成する場合、密着力が弱くなる問題を回避することができる。
【００４４】
また、図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、混合パターン層５０は、ポストバンプ５３及び最外層パターン５１から成る。ポストバンプ５３は、パッケージ基板１００、１００’の内側領域に形成され、最外層パターン５１は、パッケージ基板１００、１００’の外側領域に形成される。ポストバンプ５３は、外郭絶縁層３０によって露出した内側パターン２３の一部上に形成される。内側パターン２３は、回路パターン層２０のパターンの中でパッケージ基板１００、１００’の内側区間に形成されたパターンを意味する。内側パターン２３の一部は、ポストバンプ５３を通じて外部素子、例えばフリップチップ（図３の符号２００参照）と電気的に接続される。また、最外層パターン５１は、外郭絶縁層３０によって露出した外側パターン２１の一部上に形成される。外側パターン２１の一部は、最外層パターン５１を通じて外部パッケージ、例えばパッケージ−オン−パッケージ（ＰＯＰ）基板を構成するとき、上部パッケージ基板（図３の符号３００参照）と電気的に接続される。
【００４５】
これによって、ポストバンプ５３は、例えばフリップチップ２００と接続されるいわゆるＣ４（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｃｏｌｌａｐｓｅ  ｃｈｉｐ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）パターン領域を形成し、最外層パターン５１は、例えばＰＯＰ基板の上部パッケージ基板３００と接続されるいわゆるＰＯＰパターン領域を形成する。例えば、ポストバンプ５３は、フリップチップ２００が接続されるパッドである。ＰＯＰ基板を構成する時、ポストバンプ５３上にフリップチップ２００が実装される。
【００４６】
ポストバンプ５３及び最外層パターン５１は導電性金属材料、例えばＣｕ材料から成ってもよく、例えば、通常使われる銅（Ｃｕ）でめっきして形成されてもよい。電解めっきや無電解メッキ、スパッターリング、蒸着メッキ方式などが使われてもよい。
【００４７】
続いて、図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、パッケージ基板１００、１００’のレジスト層６０が外郭絶縁層３０上に形成される。図１、図２、図５ａ及び図５ｂにおいて、レジスト層６０は従来の図６ｂ〜図６ｆと同じ符号を使っている。すなわち、レジスト層６０はソルダレジスト層６０である。また、レジスト層６０は同一符号でも、従来の図６ｂ〜図６ｆでのソルダレジスト層と異なる絶縁材料から成ってもよい。
【００４８】
レジスト層６０は、外郭絶縁層３０上で、混合パターン層５０中の最外層パターン５１を保護する。すなわち、ソルダレジストのような役割を行う。例えば、図１及び図２に示すように、レジスト層６０は、混合パターン層５０中のポストバンプ５３を除いた最外層パターン５１を保護するように形成される。レジスト層６０は、オープン領域によって最外層パターン５１を露出させる。
【００４９】
または図５ａ及び図５ｂに示すように、一実施形態によれば、レジスト層６０は第１のレジスト領域６１及び第２のレジスト領域６３を備える。第１のレジスト領域６１は、最外層パターン５１を保護してオープン領域によって最外層パターン５１の一部表面を露出させる。また、第２のレジスト領域６３は、ポストバンプ５３間に現われた外郭絶縁層３０をカバーする。勿論、第１のレジスト領域６１とポストバンプ５３との間で露出した外郭絶縁層３０もカバーする。第２のレジスト領域６３は、ポストバンプ５３と外郭絶縁層３０との間の高さで形成される。例えば、外郭絶縁層３０上に塗布されたレジスト材料に対する現像の強さを調節して、第１のレジスト領域６１のオープン領域及び第２のレジスト領域の高さを形成する。
【００５０】
例えば、一実施形態によれば、レジスト層６０は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層３０の材料と異なる材料によって形成される。すなわち、レジスト層６０は、外郭絶縁層３０と異種材料から成る。レジスト層６０がソルダレジストによって形成される場合、最外層パターン５１を外部から保護し、半田付けなどによる最外層パターン５１との接続を遮断する。例えば、レジスト層６０のオープン領域を通じて最外層パターン５１上に接続部材としてソルダバンプ８０が形成される場合、レジスト層６０としてソルダレジストを使ってもよい。また、レジスト層６０として光硬化樹脂を使う場合、材料特性上、デスミアの際に白浮びの不良がなく、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓを形成するための化学銅との密着力も優秀である。
【００５１】
また、図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、レジスト層６０は、オープン領域によって最外層パターン５１を露出させる。例えば、図５ａ及び図５ｂに示すように、レジスト層６０の第１のレジスト領域６１がオープン領域によって最外層パターン５１を露出させる。レジスト層６０または第１のレジスト領域６１のオープン領域を通じて、例えばＰＯＰ基板を構成する場合、上部パッケージ基板３００と接続される接続部材、例えばソルダバンプ８０またはメタルポストなどが最外層パターン５１上に取り付けられる。最外層パターン５１が形成されたいわゆるＰＯＰパターン領域が、ポストバンプ５３が形成されたいわゆるＣ４パターン領域より高く形成される。そのため、図３に示すように、ソルダバンプ８０だけでも例えばＰＯＰ基板を構成する場合、上部パッケージ基板３００及びソルダバンプ８０を通じて接続されるため、最外層パターン５１上に別途のメタルポストを形成させなくても良い。従来の場合、Ｃ４パターン領域及びＰＯＰパターン領域の高さが同じなので、ＰＯＰピッチが短い場合、一般のボールバンプを使うと、ブリジング（Ｂｒｉｄｇｉｎｇ）の不良が生じることになる。一方、本実施形態では、図１及び図２のレジスト層６０または図５ａ及び図５ｂの第１のレジスト領域６１によって、ポストバンプ５３によって形成されたいわゆるＣ４パターン領域と段差を有するようになって、ポストバンプ、例えばＣｕポストより図１及び２のレジスト層６０または図５ａ及び５ｂの第１のレジスト領域６１によって段差が形成された、いわゆるＰＯＰパターン領域が高いから、一般のボールバンプを使ってもブリジングの不良が生じないか減少することになる。
【００５２】
また、図２に示すように、一実施形態によれば、接続部材であるソルダバンプ８０またはメタルポストが取り付けられる最外層パターン５１の表面及びポストバンプ５３の表面にめっき層７０が形成される。めっき層７０は、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属材料によって形成される。
【００５３】
また、図１、図２、図５ａ及び図５ｂに示すように、一実施形態によれば、回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の表面と混合パターン層５０との間及び外郭絶縁層３０の表面と混合パターン層５０との間にシード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓが形成される。例えば、混合パターン層５０のめっきに先立って、導電シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓが混合パターン層５０の接合部位にあたる回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の表面と外郭絶縁層３０の表面とに形成される。シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓを形成する化学鋼工程が外郭絶縁層３０のみに適用され、レジスト層６０には適用されない。
【００５４】
例えば、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓは、銅（Ｃｕ）を使って無電解めっきで形成される。従来には、ソルダレジスト層（図６ｃ〜図６ｆの符号６０参照）上にシード層（図６ｃ〜図６ｆの符号６０ｓ参照）を形成したが、シード層６０ｓを形成する化学銅、例えば無電解銅めっき層がソルダレジスト層（図６ｃ〜図６ｆの符号６０参照）との密着力が低い。一方、本実施形態では、外郭絶縁層３０上にシード層３０ｓが形成されるため、密着力が従来の構造より高くなる。
【００５５】
例えば、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓを形成する前に、外郭絶縁層３０と穿孔部位でデスミア処理を行って、シード層３０ｓと結合される外郭絶縁層３０の粗さ（Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を向上させることができる。これによって、シード層３０ｓと外郭絶縁層３０との間の結着力が高くなるようになる。
＜パッケージ基板の製造方法＞
【００５６】
次に、本発明の第３の実施形態によるパッケージ基板製造方法について詳記する。前述の第１の実施形態によるパッケージ基板に重複する説明は省略することにする。
【００５７】
図４ａ〜図４ｅは各々、本発明の他の一実施形態によるパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【００５８】
図５ａ及び図５ｂは各々、図４ｄによるステップ後のパッケージ基板製造方法の各ステップを概略的に示す断面図である。
【００５９】
図４ａ〜図４ｅに示すように、一実施形態によるパッケージ基板製造方法は、外郭絶縁層積層ステップ（図４ａ参照）、外郭絶縁層加工ステップ（図４ｂ参照）、混合パターン層形成ステップ（図４ｃ及び４ｄ参照）及びレジスト層形成ステップ（図４ｅ参照）を備える。また、図２に示すように、接続部材取付けステップをさらに含む。
【００６０】
まず、図４ａに示すように、外郭絶縁層積層ステップでは、上部に回路パターン層２０が形成された内部絶縁層１０を準備し、内部絶縁層１０上に回路パターン層２０を保護する外郭絶縁層３０を積層する。内部絶縁層１０上に形成された回路パターン層２０は、以後に形成されるポストバンプ５３及び最外層パターン層の形成位置によって内側パターン２３と外側パターン２１とに区分される。回路パターン層２０の内側パターン２３は、回路パターン層２０のパターンの中でパッケージ基板１００、１００’の内側区間に形成されたパターンを意味し、外側パターン２１はパッケージ基板１００、１００’の外側区間に形成されたパターンを意味する。回路パターン層２０の内側パターン２３の一部は、ポストバンプ５３を通じて外部素子、例えばフリップチップ２００と電気的に接続される。また、回路パターン層２０の外側パターン２１の一部は、最外層パターン５１を通じて外部パッケージ、例えばＰＯＰ基板を構成する場合、上部パッケージ基板３００と電気的に接続される。
【００６１】
図４ａにおいて、符号３０’は内部絶縁層１０の材料が積層されて硬化される前を示す。符号３０’が硬化されれば符号３０と等しくなる。内部絶縁層１０は、通常の積層基板でビルドアップレイヤーを形成する絶縁層であるため、通常の絶縁基板材料を使ってもよい。外郭絶縁層も通常のビルドアップ絶縁材料を使ってもよい。
【００６２】
例えば、一実施形態によれば、外郭絶縁層３０は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から成る。例えば、熱硬化樹脂材料としては、ＰＰＧ、ＡＢＦなどが使われる。
【００６３】
また、一実施形態によれば、外郭絶縁層３０は、内部絶縁層１０と同じ絶縁材を使ってもよい。
【００６４】
続いて、図４ｂに示すように、外郭絶縁層加工ステップでは、回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部が露出するように外郭絶縁層３０が加工される。外郭絶縁層３０は、通常の基板用絶縁材が使われるため、基板の絶縁層加工方式であるビア加工と同様にまたは同じく加工される。例えば、外郭絶縁層３０が熱硬化樹脂材料から成る場合、ＣＯ２レーザ、ヤグ（ｙａｇ）レーザなどのレーザ加工などによって回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部が露出されるようにできる。また、外郭絶縁層３０が光硬化樹脂材料から成る場合、フォトリソグラフィ工法、ＣＯ２レーザ、ヤグレーザなどのレーザ加工などによって回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部が露出されるようにできる。
【００６５】
図４ｂにおいて符号３１ａは、最外層パターン５１が取り付けられる領域である回路パターン層２０の外側パターン２１の一部を露出させる領域を示し、符号３３ａは、ポストバンプ５３が取り付けられる回路パターン層２０の内側パターン２３の一部を露出させる領域を示す。
【００６６】
外郭絶縁層加工によって生じたスミア（ｓｍｅａｒ）を除去するためにデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）処理が行われる。外郭絶縁層の表面に対してデスミア処理を行って、外郭J絶縁層３０の表面粗さを改善させる。
【００６７】
一実施形態によれば、図４ｂ及び図４ｃに示すように、外郭絶縁層加工ステップと混合パターン層形成ステップとの間にシード層形成ステップをさらに含む。シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓは、混合パターン層５０のメッキ時、混合パターン層５０の成長のために予め形成された層である。シード層形成ステップでは、ポストバンプ５３及び最外層パターン５１を形成する前に、外郭絶縁層３０の加工によって露出した外側及び内側パターン２１、２３の表面及び外郭絶縁層３０の表面に無電解めっきでシード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓを形成する。図６ｃ〜図６ｅに示すように、従来には、ソルダレジスト層（図６ｃ〜図６ｅの符号６０）上にシード層（図６ｃ〜図６ｅの符号６０ｓ）が形成されるため、シード層（図６ｃ〜図６ｅの符号６０ｓ）の密着力が低かったが、図４ｃ及び図４ｄに示すように、本実施形態では、外郭絶縁層３０上にシード層３０ｓが形成されるため、無電解めっきによる化学銅の密着力が高くなる。例えば、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓは、無電解銅めっきを行って形成される。混合パターン層形成後に、混合パターン層５０が形成されない領域に残ったシード層は、例えばフラッシュエッチングによって除去される。
【００６８】
また、示されていないが、一実施形態によれば、シード層形成ステップにて、無電解めっきを行う前に、外郭絶縁層３０の加工によって露出した外側及び内側パターン２１、２３の表面及び外郭絶縁層３０の表面にデスミア処理を行った後、無電解銅めっきでシード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓを形成してもよい。例えば、デスミア処理を行って、シード層３０ｓと結合される外郭絶縁層３０の粗さを向上させ、シード層３０ｓと外郭絶縁層３０との間の結着力が高くなるようになる。
【００６９】
次に、図４ｃ及び図４ｄを参照して、混合パターン層形成ステップについて詳記する。混合パターン層５０は、ポストバンプ５３と最外層パターン５１とから成る。混合パターン層形成ステップでは、ポストバンプ５３及び最外層パターン５１が同時に形成される。ポストバンプ５３は、外郭絶縁層３０の加工によって露出した回路パターン層２０の内側パターン２３の一部上に形成される。同時に、最外層パターン５１は、外郭絶縁層３０の加工によって露出した回路パターン層２０の外側パターン２１の一部上に形成される。ポストバンプ５３は、パッケージ基板の完成後、外部素子、例えばフリップチップ２００と電気的に接続される。また、最外層パターン５１は、パッケージ基板の完成後、例えばＰＯＰ基板を構成する場合、上部パッケージ基板３００と電気的に接続される。すなわち、ポストバンプ５３は、例えばフリップチップ２００と接続される、いわゆるＣ４パターン領域を形成し、最外層パターン５１は例えばＰＯＰ基板の上部パッケージ基板３００と接続される、いわゆるＰＯＰパターン領域を形成する。例えば、ポストバンプ５３は、ブリップチップ２００が接続されるパッドである。パッケージ基板１００、１００’の製造後、例えばＰＯＰ基板を構成する場合、ポストバンプ５３上にフリップチップ２００が実装される。
【００７０】
ポストバンプ５３及び最外層パターン５１は、導電性金属材料、例えばＣｕ材料から成ってもよく、例えば、通常使われる銅（Ｃｕ）でめっきして形成されてもよい。この場合、電解めっきや無電解メッキ、スパッターリング、蒸着メッキ方式などが使われる。例えば、ポストバンプ５３及び最外層パターン５１をメッキで形成する場合、前もってシード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓが形成され、シード層２１ｓ、２３ｓ，３０ｓ上にポストバンプ５３及び最外層パターン５１を形成する場合、例えば電気分解メッキ方式によってめっきされる。
【００７１】
図４ｃ及び図４ｄを参照して、混合パターン層形成ステップについて詳記する。一実施形態によれば、混合パターン層形成ステップは、ドライフィルムレジスト積層ステップ（図４ｃ参照）及び電解めっき及びレジスト除去ステップ（図４ｄ参照）を含む。混合パターン層形成ステップの前に、前述のシード層形成ステップが予め行われでもよい。
【００７２】
図４ｃに示すように、ドライフィルムレジスト積層ステップでは、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓ上にドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）４０を積層してレジストパターンを形成する。レジストパターンは、後のめっきによってポストバンプ５３及び最外層パターン５１を形成するためのパターンである。
【００７３】
続いて、図４ｄに示すように、電解めっき及びレジスト除去ステップでは、レジストパターンに従ってポストバンプ５３及び最外層パターン５１を形成するための電解めっきが行われる。また、電解めっき及びレジスト除去ステップでは、電解めっきを行った後、ドライフィルムレジスト４０が除去される。ドライフィルムレジスト４０が除去されれば、ポストバンプ５３と最外層パターン５１が残るようになる。例えば、ドライフィルムレジスト４０を除去する前にポストバンプ５３と最外層パターン５１の表面を仕上げるラッピング（ｌａｐｐｉｎｇ）工程が行われる。
【００７４】
また、図４ｄ及び図４ｅに示すように、ドライフィルムレジスト４０の除去後に残余シード層を除去するステップをさらに含む。すなわち、ドライフィルムレジスト４０の除去後、レジスト層６０を形成する前に、フラッシュエッチングによってポストバンプ５３及び最外層パターン５１間の残余シード層を除去することができる。
【００７５】
続いて、図４ｅ及び図５ａを参照して、レジスト層形成ステップについて詳記する。図４ｅ及び図５ａは各々レジスト層形成ステップを示し、実施形態によれば、互いに選択的に行われてもよい。図４ｅ及び図５ａに示すように、レジスト層形成ステップでは、外郭絶縁層３０上にレジスト層６０を形成する。レジスト層６０は、最外層パターン５１を保護し、オープン領域によって最外層パターン５１の一部を露出させる。例えば、レジスト層６０は、従来のソルダレジスト層と同じ役割を行う。
【００７６】
例えば、一実施形態によれば、図４ｅに示すように、レジスト層６０は、混合パターン層５０中のポストバンプ５３を除いた最外層パターン５１を保護するように形成される。レジスト層６０は、オープン領域によって最外層パターン５１を露出させる。
【００７７】
または、他の実施形態によれば、図５ａに示すように、第１のレジスト領域６１及び第２のレジスト領域６３を含むレジスト層６０を外郭絶縁層３０上に形成させる。第１のレジスト領域６１は、最外層パターン５１を保護してオープン領域によって最外層パターン５１の一部表面を露出させる。
【００７８】
また、第２のレジスト領域６３は、ポストバンプ５３間に現われた外郭絶縁層３０をカバーする。第２のレジスト領域６３は、ポストバンプ５３と外郭絶縁層３０との間の高さで形成される。
【００７９】
例えば、一実施形態によれば、外郭絶縁層３０上に塗布されたレジスト材料に対する現像の強さを調節し、第１のレジスト領域６１のオープン領域と第２のレジスト領域の高さを設ける。すなわち、外郭絶縁層３０上に塗布されたレジストに対する現像の強さを異にして、第１のレジスト領域６１は最外層パターン５１の一部を露出させ、第２のレジスト領域６３はポストバンプ５３高さより低く形成させる。
【００８０】
図４ｅ及び図５ａに示すように、レジスト層形成によって、ポストバンプ５３が形成されたいわゆるＣ４パターン領域より、最外層パターン５１が形成されたいわゆるＰＯＰパターン領域が高く形成される。最外層パターン５１が形成されたＰＯＰパターン領域がポストバンプ５３が形成されたＣ４パターン領域より高く形成されるため、最外層パターン５１上に別途のポストを形成させなくても良い。図２、図５ｂ及び図３に示すように、図２のレジスト層６０または図５ｂの第１のレジスト領域６１のオープン領域によって露出した最外層パターン５１上に、メタルポストではないソルダバンプ８０が形成されたことが示されている。他の実施形態によれば、最外郭パターン上にメタルポストを追加で設けてもよい。
【００８１】
例えば、図４ｅ及び図５ａに示すように、レジスト層６０は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層３０の材料と異なる材料によって形成される。例えば、レジスト層６０のオープン領域を通じて最外層パターン５１上に接続部材としてソルダバンプ８０が形成される場合、レジスト層６０としてソルダレジストを使ってもよく、これに限定するものではない。また、レジスト層６０として光硬化樹脂を使う場合、材料特性上、デスミアの際に白浮びの不良がなく、シード層を形成するための化学銅との密着力も優秀である。
【００８２】
また、図２及び図５ｂを参照して、さらに他の実施形態について詳記する。パッケージ基板製造方法は、接続部材取付けステップをさらに含む。例えば、図２のレジスト層６０または図５ｂの第１のレジスト領域６１のオープン領域を通じて露出した最外層パターン５１上に接続部材として、メタルポストまたはソルダバンプ８Oを取り付けてもよい。図２及び図５ｂには、最外層パターン５１上にソルダバンプ８０が取付けされたことが示されている。
＜パッケージ−オン−パッケージ基板＞
【００８３】
次に、本発明の第２の実施形態によるパッケージ−オン−パッケージ基板について詳記する。前述の第１の実施形態によるパッケージ基板に重複する説明は省略することにする。
【００８４】
図３は、本発明の一実施形態によるパッケージ−オン−パッケージ基板を概略的に示す断面図である。
【００８５】
図３に示すように、一実施形態によるパッケージ−オン−パッケージ（ＰＯＰ）基板は、フリップチップ２００、上部パッケージ基板３００及び下部パッケージ基板（図１及び図２の符号１００、１００’参照）を備える。下部パッケージ基板１００、１００’上の内側領域にはフリップチップ２００が実装され、下部パッケージ基板１００、１００’の外側領域は、接続部材を通じて上部パッケージ基板３００と接続される。図３で符号２５０は、フリップチップ２００の下部に形成されたソルダボールで、下部パッケージ基板１００、１００’のポストバンプ５３に付着される。図３において、符号３１０は上部パッケージ基板３００の基板積層体を示し、符号３３０は接続部材、例えばソルダバンプ８０と接続するバンプパッドを示す。
【００８６】
図１、図２、図５ａ及び図５ｂは、下部パッケージ基板を例示している。下部パッケージ基板１００、１００’に対する説明は、前述の第１及び第３の実施形態の説明を参照されたい。
【００８７】
図１、図２、図３、図５ａ及び図５ｂに示すように、下部パッケージ基板１００、１００’は、内部絶縁層１０、回路パターン層２０、外郭絶縁層３０、混合パターン層５０及びレジスト層６０を備える。
【００８８】
内部絶縁層１０は、通常の基板絶縁材から成る。例えば、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から成る。
【００８９】
内部絶縁層１０上に回路パターン層２０が形成される。
【００９０】
図１、図２、図３、図５ａ及び図５ｂに示すように、外郭絶縁層３０は、内部絶縁層１０上に形成されて回路パターン層２０を保護する。また、外郭絶縁層３０は、混合パターン層５０が取り付けられるように回路パターン層２０の外側及び内側パターン２１、２３の各一部を露出させる。
【００９１】
例えば、一実施形態によれば、外郭絶縁層３０は、熱硬化樹脂、光硬化樹脂、光・熱硬化性樹脂のうちのいずれか一つの材料から成る。例えば、熱硬化樹脂の場合、ＰＰＧ、ＡＢＦなどが使われてもよい。例えば、外郭絶縁層３０は、内部絶縁層１０と同じ材料である。
【００９２】
混合パターン層５０は、ポストバンプ５３と最外層パターン５１から成る。ポストバンプ５３は、外郭絶縁層３０によって露出した回路パターン層２０の内側パターン２３の一部上に形成される。ポストバンプ５３は、フリップチップ２００と接続される。最外層パターン５１は、外郭絶縁層３０によって露出した回路パターン属の外側パターン２１の一部上に形成される。
【００９３】
ポストバンプ５３及び最外層パターン５１は、導電性金属材料、例えばＣｕ材料から成ってもよく、例えば、通常使われる銅（Ｃｕ）にめっきして形成される。この場合、電解めっきや無電解メッキ、スバッターリング、蒸着メッキ方式などが使われる。
【００９４】
また、図２、図３及び図５ｂに示すように、一実施形態によれば、外側及び内側パターン２１、２３の表面と混合パターン層５０との間及び外郭絶縁層３０の表面と混合パターン層５０との間にシード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓが形成される。例えば、シード層２１ｓ、２３ｓ、３０ｓは、銅（Ｃｕ）を使って無電解めっきによって形成される。
【００９５】
また、図２、図３及び図５ｂに示すように、一実施形態によれば、フリップチップ２００と接続するポストバンプ５３の表面及び接続部材が取り付けられる最外層パターン５１の表面にめっき層７０が形成される。めっき層７０は、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属材料を用いて形成される。
【００９６】
続いて、図１、図２、図３、図５ａ及び図５ｂに示すように、レジスト層６０が外郭絶縁層３０上に形成され、混合パターン層５０中のポストバンプ５３を除いた最外層パターン５１を保護する。すなわち、ソルダレジストのような役割を行う。
【００９７】
例えば、図１及び図２に示すように、レジスト層６０は、混合パターン層５０中のポストバンプ５３を除いた最外層パターン５１を保護するように形成される。レジスト層６０は、オープン領域によって最外層パターン５１を露出させる。
【００９８】
または図５ａ及び図５ｂに示すように、一実施形態によれば、レジスト層６０は第１のレジスト領域６１及び第２のレジスト領域６３を備える。第１のレジスト領域６１は、最外層パターン５１を保護してオープン領域によって最外層パターン５１の一部表面を露出させる。また、第２のレジスト領域６３は、ポストバンプ５３間に現われた外郭絶縁層３０をカバーする。第２のレジスト領域６３は、ポストパンプ５３と外郭絶縁層３０との間の高さで形成される。例えば、外郭絶縁層３０上に塗布されたレジスト材料に対する現像の強さを調節し、第１のレジスト領域６１のオープン領域と第２のレジスト領域との高さを設ける。
【００９９】
図３に示すように、上部パッケージ基板３００は、レジスト層６０のオープン領域を通じて最外層パターン５１上に取り付けられる接続部材によって下部パッケージ基板１００、１００’と接続される。
【０１００】
例えば、一実施形態によれば、レジスト層６０は、ソルダレジスト及び光硬化樹脂のうちで外郭絶縁層３０の材料と異なる材料によって形成される。すなわち、レジスト層６０は、外郭絶縁層３０と異種の材料から成る。
【０１０１】
また、一実施形態によれば、接続部材は、ソルダバンプまたはメタルポストである。図２、図３及び図４ｅに示すように、最外層パターン５１が形成されたいわゆるＰＯＰパターン領域が、ポストバンプ５３が形成されたいわゆるＣ４パターン領域より高く形成されるため、最外層パターン５１上に別途のポストを形成することなく、ソルダバンプ８０だけで、上部パッケージ基板３００と接続されるようにできる。図３に示すように、上部パッケージ基板３００のバンプパッド３３０が下部パッケージ基板１００、１００’の最外層パターン５１上に形成されたソルダバンプ８０に接触されている。
【０１０２】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、前記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  内部絶縁層
２０  回路パターン層
２１  外側パターン
２３  内側パターン
３０  外郭絶縁層
４０、１４０  ドライブイルムレジスト
５０  混合パターン層
５１  最外層パターン
５３  ポストバンプ
６０  レジスト層またはソルダレジスト層
７０  めっき層
８０  ソルダバンプ
１００、１００’  パッケージ基板または下部パッケージ基板
２００  フリップチップ
２５０  ソルダボール
３００  上部パッケージ基板
３１０基板積層体
３３０  バンプパッド
【図１】
2014131034.tif 000003
【図２】
2014131034.tif 000004
【図３】
2014131034.tif 000005
【図４ａ】
2014131034.tif 000006
【図４ｂ】
2014131034.tif 000007
【図４ｃ】
2014131034.tif 000008
【図４ｄ】
2014131034.tif 000009
【図４ｅ】
2014131034.tif 000010
【図５ａ】
2014131034.tif 000011
【図５ｂ】
2014131034.tif 000012
【図６ａ】
2014131034.tif 000013
【図６ｂ】
2014131034.tif 000014
【図６ｃ】
2014131034.tif 000015
【図６ｄ】
2014131034.tif 000016
【図６ｅ】
2014131034.tif 000017
【図６ｆ】
2014131034.tif 000018