(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザーを用いて結晶化熱処理を行う間で、基板が酸素に露出されないレーザー熱処理装置の提供する。【解決手段】内部空間に基板支持台を配設し、上面にウィンドウが設けられた反応チャンバーと、不活性ガスを噴射するようにスリット状の噴射スリットが形成された脱酸素モジュールと、ウィンドウを介して反応チャンバーの内部空間にレーザービームを照射するレーザー照射器と、サイドウォールには長手方向に長く入射スリットが形成されたシリンダーと、シリンダーに挿入され、噴射スリットに不活性ガスを流し込む不活性ガス噴射管と不活性ガス供給管と、不活性ガスの噴射量を測定する流量計と、一方の端は前記噴射スリットに連結され、他方の端は前記入射スリットに連結される緩衝流路と、測定される不活性ガスの噴射量に応じて不活性ガス供給管の一方の端及び他方の端の噴射量をそれぞれ別々に調節する噴射制御手段と、を備える。【選択図】図３
2014112670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間に基板支持台を配設し、上面にウィンドウが設けられた反応チャンバーと、
前記ウィンドウと基板支持台との間に配設され、不活性ガスを噴射するようにスリット状の噴射スリットが形成された脱酸素モジュールと、
前記ウィンドウを介して前記反応チャンバーの内部空間にレーザービームを照射するレーザー照射器と、
前記脱酸素モジュールの外部に配設され、サイドウォールには長手方向に長く入射スリットが形成されたシリンダーと、
前記シリンダーに挿入され、前記噴射スリットに不活性ガスを流し込む不活性ガス噴射管と、
前記不活性ガス噴射管の一方の端及び他方の端に不活性ガスをそれぞれ供給する不活性ガス供給管と、
前記一方の端及び他方の端を介して噴射される不活性ガスの噴射量をそれぞれ測定する流量計と、
前記シリンダーと前記脱酸素モジュールとの間に配設され、一方の端は前記噴射スリットに連結され、他方の端は前記入射スリットに連結される緩衝流路と、
前記測定される不活性ガスの噴射量に応じて前記不活性ガス供給管の一方の端及び他方の端の噴射量をそれぞれ別々に調節する噴射制御手段と、
を備えるレーザー熱処理装置。
【請求項２】
前記脱酸素モジュールは、
レーザービームが通過するビーム照射スリットが形成された下面と、
前記ビーム照射スリットの長手方向に沿って噴射スリットが形成されたサイドウォールと、
を備える請求項１に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項３】
前記不活性ガス供給管は、
前記一方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第１供給管と、
前記他方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第２供給管と、
を備え、
前記流量計は、
前記不活性ガス第１供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第１流量計と、
前記不活性ガス第２供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第２流量計と、
を備える請求項２に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項４】
前記噴射制御手段は、
前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量をそれぞれ調節する流量調節弁と、
測定される前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管のそれぞれの流量に応じて前記流量調節弁を調節する噴射制御器と、
を備える請求項３に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項５】
前記噴射制御器は、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に流入する不活性ガスの流量が等しくなるように制御する請求項４に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項６】
前記噴射制御器は、
前記不活性ガス第１供給管に流れる流量が不活性ガス第２供給管に流れる流量よりも多い場合には、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に流入する不活性ガスの流量が等しくなるまで、前記不活性ガス第１供給管に供給される流量を段階別に減らす請求項５に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項７】
前記噴射制御器は、
前記基板支持台の移動速度に応じて前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量を調節する請求項４に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項８】
前記噴射制御器は、前記基板支持台の移動速度が大きくなるほど、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量を増大させる請求項７に記載のレーザー熱処理装置。
【請求項９】
前記噴射制御器は、前記基板支持台の移動速度が３００ｍ／ｓ未満であるときには、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量をモニターリングし続けず、前記基板支持台の移動速度が３００ｍ／ｓ以上であるときには、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量をモニターリングし続けて同じ流量が供給されるように調節する請求項７に記載のレーザー熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザー熱処理装置に係り、特に、レーザーを用いて結晶化熱処理を行う過程で、基板が酸素に露出されることを防ぐことのできるレーザー熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイや太陽光素子などの製造は、ほとんどの場合に、非晶質多結晶シリコンを結晶化させる熱処理を伴う。このとき、低融点のガラス基板を用いる場合に、レーザーを用いて結晶化を行うことが有利であるが、このとき、大気中の酸素がシリコンと結合してシリコン酸化物が形成されてしまうという問題が生じることがある。
【０００３】
図１は、従来のレーザー熱処理装置を説明するための概略図である。図１を参照すれば、反応チャンバー１０の上面にはウィンドウ２０が配設され、ウィンドウ２０の上方にはレーザー照射器４０が配設される。レーザー照射器４０から出射されるレーザー４１は、ウィンドウ２０を通過して反応チャンバー１０内の基板Ｗに照射される。
【０００４】
図２は、図１のレーザービーム４１を説明するための図である。図２（ａ）は、基板を上から見下ろした状態を示す図であり、図２（ｂ）は、基板の斜視図である。図２に示すように、レーザービーム４１はライン状に基板Ｗに照射されるため、カーテン状を呈する。基板Ｗは、レーザービーム４１の面に対して垂直またはやや斜めの方向に水平移動して、基板Ｗの前面へのレーザービーム４１の照射が行われる。このとき、レーザービーム４１が照射される個所Ａが酸素雰囲気に露出されれば、基板Ｗの表面に蒸着されている多結晶シリコンが結晶化される過程で結晶質シリコンが形成されるのではなく、酸素と結合してシリコン酸化物が形成されてしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】大韓民国公開特許２０１１−００１０２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の技術的課題は、レーザーを用いて結晶化熱処理を行う過程で基板が酸素に露出されることを防ぐことのできるレーザー熱処理装置を提供することである。
【０００７】
また、本発明の他の技術的課題は、多数の不活性ガスの噴射方向に応じて不活性ガスを均一に噴射することのできるレーザー熱処理装置を提供することである。
【０００８】
さらに、本発明のさらに他の技術的課題は、基板の移動速度に応じて不活性ガスの噴射を制御することのできるレーザー熱処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態に係るレーザー熱処理装置は、内部空間に基板支持台を配設し、上面にウィンドウが設けられた反応チャンバーと、前記ウィンドウと基板支持台との間に配設され、不活性ガスを噴射するようにスリット状の噴射スリットが形成された脱酸素モジュールと、前記ウィンドウを介して前記反応チャンバーの内部空間にレーザービームを照射するレーザー照射器と、前記脱酸素モジュールの外部に配設され、サイドウォールには長手方向に長く入射スリットが形成されたシリンダーと、前記シリンダーに挿入され、前記噴射スリットに不活性ガスを流し込む不活性ガス噴射管と、前記不活性ガス噴射管の一方の端及び他方の端に不活性ガスをそれぞれ供給する不活性ガス供給管と、前記一方の端及び他方の端を介して噴射される不活性ガスの噴射量をそれぞれ測定する流量計と、前記シリンダーと前記脱酸素モジュールとの間に配設され、一方の端は前記噴射スリットに連結され、他方の端は前記入射スリットに連結される緩衝流路と、前記測定される不活性ガスの噴射量に応じて前記不活性ガス供給管の一方の端及び他方の端の噴射量をそれぞれ別々に調節する噴射制御手段と、を備える。
【００１０】
また、脱酸素モジュールは、レーザービームが通過するビーム照射スリットが形成された下面と、前記ビーム照射スリットの長手方向に沿って噴射スリットが形成されたサイドウォールと、を備える。
【００１１】
さらに、不活性ガス供給管及び流量計は、前記一方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第１供給管と、前記不活性ガス第１供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第１流量計と、前記他方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第２供給管と、前記不活性ガス第２供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第２流量計と、を備える。
【００１２】
また、噴射制御手段は、前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に供給される不活性ガスの流量をそれぞれ調節する流量調節弁と、測定される前記不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管のそれぞれの流量に応じて前記流量調節弁を調節する噴射制御器と、を備える。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザーが照射される個所に不活性ガスを吹き込んでその個所の酸素をなくす脱酸素モジュールを設けることにより、基板の上に不所望のシリコン酸化物が形成されることを防ぐことができる。このため、レーザー熱処理を用いた基板結晶化に際しての不良率を減らすことができる。また、本発明によれば、脱酸素モジュールの内部に単一の方向ではなく、多数の方向から不活性ガスを噴射することにより、不活性ガスを均一に脱酸素モジュールの内部に拡散することができる。さらに、基板の移動速度が臨界速度を上回る場合には、多数の方向から噴射される不活性ガスの流量を測定して同じ噴射量になるように制御することにより、基板の高速移動中にも不活性ガスを均一に噴射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１は、従来のレーザー熱処理装置を説明するための概略図である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、レーザー熱処理装置へのレーザービームの照射を説明するための図である。
【図３】図３は、本発明の実施形態に係るレーザー熱処理装置を説明するための断面図である。
【図４】図４は、本発明の実施形態に係るレーザー熱処理装置の斜視図である。
【図５】図５は、本発明の実施形態に係る脱酸素モジュールの両サイドウォールに設けられた不活性ガス供給管及び噴射制御手段を示す概念図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の不活性ガス噴射管を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明の実施形態に係るシリンダーを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面に基づき、本発明の実施形態を詳述する。しかしながら、本発明は後述する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる態様で実現され、単にこれらの実施形態は本発明の開示を完全たるものにし、且つ、通常の知識を有する者に発明の範囲を完全に知らせるために提供されるものである。図中、同じ符号は同じ構成要素を示す。
【００１６】
図３は、本発明の実施形態に係るレーザー熱処理装置を説明するための断面図であり、図４は、本発明の実施形態に係るレーザー熱処理装置の斜視図である。
【００１７】
反応チャンバー１００は、基板Ｗを支持する基板支持台１３０を内部空間に有し、基板支持台１３０の上に置かれた基板Ｗを対象としてをレーザー熱処理が行われる。反応チャンバー１００の上面にはウィンドウ１２０が設けられるが、例えば、反応チャンバー１００の上面の一部に貫通領域が設けられ、この貫通領域にウィンドウが設けられる。具体的には、反応チャンバー１００の貫通領域にウィンドウ保持体１２１が設けられて、ウィンドウ保持体１２１を用いてウィンドウ１２０を保持することにより、反応チャンバー１００の上面にはウィンドウ１２０を配設することができる。ウィンドウ１２０は石英製のものであり、レーザー照射器１４０から出射されたレーザービームを基板支持台に通過させる。
【００１８】
ウィンドウ１２０と基板支持台１３０上の基板との間に脱酸素モジュール１８０が配設される。脱酸素モジュール１８０（ｏｘｙｇｅｎｐａｒｔｉａｌ ｄｅｇａｓｓｉｎｇ ｍｏｄｕｌｅ；ＯＰＤＭ）は、レーザーを用いて結晶化熱処理を行う過程で基板が酸素されないようにレーザーが照射される個所に不活性ガスを吹き込んでその個所の酸素をなくすモジュールである。レーザービーム１４１の経路に複数枚のウィンドウが存在すれば、レーザービーム１４１が経路が変わることがあるため、ウィンドウ１２１に脱酸素モジュール１８０の上面を兼ねさせる。
【００１９】
また、脱酸素モジュール１８０の下面には、レーザービームが通過するビーム照射スリット１８２が形成される。すなわち、脱酸素モジュール１８０と基板支持台１３０の上に置かれた基板Ｗは、所定の間隔を隔てて配置され、その底面にはライン状のレーザービーム１４１が通過して基板Ｗに達するようにライン状のビーム照射スリット１８２が形成される。図３に、不活性ガス、例えば、窒素ガスの経路を破線の矢印で示す。
【００２０】
また、脱酸素モジュール１８０のサイドウォールには、モジュールの内部に不活性ガスを流入させる噴射スリット１８１が形成される。噴射スリット１８１は、ビーム照射スリット１８２と平行な方向の長手方向に沿って形成されることにより、噴射スリット１８１を介して脱酸素モジュール１８０に供給される不活性ガスはビーム照射スリット１８２を介して基板に向かって噴出されてレーザービームが照射されている個所の酸素を外部に追い出すことができる。
【００２１】
噴射ハウジング１７０は、脱酸素モジュール１８０の一方の側に配設されるが、ビーム照射スリット１８２と平行な長手方向を有する。噴射ハウジング１７０には、シリンダー２６０と、不活性ガス噴射管２５０と、不活性ガス供給管１５０と、流量計１６０及び緩衝流路１５１が設けられる。
【００２２】
脱酸素モジュール１８０の外部には、ビーム照射スリット１８２と平行になるようにシリンダー２６０が配設され、シリンダー２６０の内部には不活性ガス噴射管２５０が挿入される。不活性ガス噴射管２５０は、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、外管２５１及び内管２５２からなる二重管構造となっている。この実施形態においては二重管構造を採用しているが、不活性ガス噴射管２５０を３重管以上に構成してもよい。図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ本発明の不活性ガス噴射管２５０を説明するための断面図及び斜視図である。外部から内管２５２に供給される不活性ガス、例えば、Ｎ２ガスは、内管スリット２５２ａを通って二重壁の間を経由し、次いで、外管スリット２５１ａを通ってシリンダー２６０に噴出される。不活性ガスがシリンダー２６０に緩衝的に満たされるように内管スリット２５２ａと外管スリット２５１ａは互いに反対側に配設される。シリンダー２６０にはライン状に長く入射スリット２６１が形成され、不活性ガス噴射管２５０は、外管スリット２５１ａが入射スリット２６１に臨むように配設される。
【００２３】
入射スリット２６１には、図７に示すように、バッファ２６５が外嵌される。バッファ２６５はくし状を呈し、くしの歯が入射スリット２６１に外嵌される。外管スリット２５１ａから噴出される不活性ガスは、バッファ２６５のくしの歯同士の隙間を通って入射スリット２６１に流入する。このようにバッファ２６５を配設する理由は、不活性ガスが脱酸素モジュール１８０に緩衝的に供給されて均一に脱酸素モジュール１８０に満たされるようにするためである。
【００２４】
シリンダー２６０と脱酸素モジュール１８０との間には、折れ曲がった緩衝流路１５１（１５１ａ、１５１ｂ）が形成される。緩衝流路１５１の一方の端は脱酸素モジュール１８０のサイドウォールにライン状に長く形成された噴射スリット１８１に連結され、他方の端はシリンダー２６０の入射スリット２６１に連結される。
【００２５】
一方、不活性ガス噴射管２５０には、一方の端及び他方の端の両端からそれぞれ不活性ガスが供給される。一方の端ではない両端から不活性ガスが供給されることにより、不活性ガスの均一な噴射が行われる。このために、不活性ガス供給管及び流量計は、前記一方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第１供給管１５０ａと、前記不活性ガス第１供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第１流量計１６０ａと、前記他方の端に不活性ガスを供給する不活性ガス第２供給管１５０ｂと、前記不活性ガス第２供給管に流れる不活性ガスの流量を測定する第２流量計１６０ｂと、を備える。
【００２６】
また、不活性ガス第１、２供給管１５０ａ、１５０ｂには、不活性ガス第１供給管及び不活性ガス第２供給管に流れる不活性ガスの流量をそれぞれ測定する流量計（フローメーター）１６０（１６０ａ、１６０ｂ）が設けられる。このため、第１流量計１６０ａは不活性ガス第１供給管１５０ａの内部に流れるガスの流量を測定することができ、これとは別途に、第２流量計１６０ｂは、不活性ガス第２供給管１５０ｂの内部に流れるガスの流量を測定することができる。
【００２７】
噴射制御手段は、測定される不活性ガスの噴射量に応じて流量調節弁を調節して噴射スリットの両端の噴射量をそれぞれ別々に調節する。例えば、不活性ガス噴射管２５０の一方の端を介して噴射される不活性ガスの量が、不活性ガス噴射管２５０の他方の端を介して噴射される不活性ガスの量よりも多く測定されれば、不活性ガス噴射管２５０の一方の端を介して噴射される不活性ガスの量を減らしたり、不活性ガス噴射管２５０の他方の端を介して噴射される不活性ガスの量を減らしたりして同量の不活性ガスが噴射されるようにする。
【００２８】
上述したように、不活性ガス噴射管２５０の両端から同量の不活性ガスが噴射されるようにする理由は、不活性ガス供給管１５０に不活性ガスを供給する不活性ガス貯留部と最終端である不活性ガス噴射管２５０との距離が長ければ、２本の不活性ガス供給管１５０ａ、１５０ｂに同量のガスを供給しても流量ロスが生じ、これにより、不活性ガス噴射管２５０の一方の端と他方の端との間にガス噴射量の相違が生じる虞があるためである。このようなガス噴射量の相違は、脱酸素モジュールの内部の環境を均一にできず、レーザー熱処理に際して基板の上にかすれ（ｂｌｕｒ）が生じることがある。このため、上記の問題を防ぐために、それぞれ別々の供給管となっている不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂに同量の不活性ガスを供給するように制御して、結果的に、不活性ガス噴射管の一方の端及び他方の端に同量の不活性ガスが噴射されるようにする。この詳細については、後述する。
【００２９】
一方、緩衝流路１５１ｂと噴射スリット１８１との繋ぎ部Ｂは、下向きにやや傾斜させる。これは、不活性ガスを脱酸素モジュール１８０内にやや下向きに噴射して脱酸素モジュール１８０内における不活性ガスの流れを均一にすることにより、基板Ｗにかすれが生じなることを防ぐためである。
【００３０】
また、噴射スリット１８１から脱酸素モジュール１８０に噴射される不活性ガスが乱流になることなくスムーズに脱酸素モジュール１８０内に満たされるように、脱酸素モジュール１８０の下側の角は参照符号Ｃで示すように凹んだ曲面状を呈し、ビーム照射スリット１８２の近くは凸状（参照符号Ｄ）を呈する。噴射スリット１８１を介して脱酸素モジュール１８０に供給される不活性ガスは、ビーム照射スリット１８２を介して基板Ｗに向かって噴出されてレーザービーム１４１が照射されている個所の酸素を外部に追い出す。このとき、不活性ガスが基板Ｗの全面にスムーズに拡散されるように、基板支持台１３０上の基板Ｗと脱酸素モジュール１８０との間にはプレート１９０が配設される。このため、不活性ガスは基板Ｗとプレート１９０との間の隙間に拡散され、酸素の影響が最大限に防がれる。
【００３１】
また、プレート１９０の両端近くの上にはエアカーテン手段２００ａ、２００ｂが配設される。エアカーテン手段２００ａ、２００ｂは、不活性ガスを基板Ｗに向かって噴射するが、やや外側に噴射して外部から基板Ｗとプレート１９０との間に酸素などが浸透することを防ぐ役割を果たし、不活性ガスが均一に抜け出るように補助する。エアカーテン手段２００ａ、２００ｂは、噴射される不活性ガスが任意の角度を形成するように傾きを調整し、基板支持台１３０の進行方向（矢印Ｔ）による気流の動きを考慮してプレート１９０の長さを異ならせて、基板支持台１３０の進行方向側のエアカーテン手段２００ａが反対方向側のエアカーテン手段２００ｂよりも遠くなるように配設する。
【００３２】
また、レーザービーム長Ｌカット手段１９５がビーム照射スリット１８２の両側に配設されて、ビーム照射スリット１８２がＳ方向に前進または後進することにより、レーザービーム長Ｌが調節される。図４には、後側のレーザービーム長カット手段は示されていない。
【００３３】
一方、上述したように、本発明の実施形態は、不活性ガス噴射管２５０の一方の端及び他方の端を介して不活性ガスを脱酸素モジュールの内方に噴射することができて、脱酸素モジュールの内部に不活性ガスを均一に供給することが可能になる。また、本発明の実施形態は、一方の端及び他方の端から噴射される不活性ガスの流量を測定して、同量の不活性ガスが脱酸素モジュール１８０の内部に流入するように制御して、脱酸素モジュールの内部及びビーム照射スリット１８２に均一な不活性ガスを形成する。以下、これについて図５に基づいて詳述する。
【００３４】
図５は、本発明の実施形態に係る脱酸素モジュールの両サイドウォールに設けられた不活性ガス供給管、流量計及び噴射制御手段を示す概念図である。
【００３５】
不活性ガス第１供給管１５０ａは、不活性ガス噴射管２５０の一方の端を介して不活性ガスを噴射する。同様に、不活性ガス第２供給管は、不活性ガス噴射管の他方の端を介して不活性ガスを供給する。
【００３６】
第１流量計１６０ａは、不活性ガス第１供給管１５０ａに流れる不活性ガスの流量を測定し、これとは別途に、第２流量計１６０ｂは、不活性ガス第２供給管１５０ｂに流れる不活性ガスの流量を測定する。測定された不活性ガス第１供給管１５０ａの流量値及び不活性ガス第２供給管１５０ｂの流量値は、噴射制御器３００に与えられる。
【００３７】
噴射制御手段は、噴射制御器３００と流量調節弁３５０とからなり、各不活性ガス供給管１５０ａ、１５０ｂにおいて測定される不活性ガスの流量に応じて流量調節弁３５０を調節して、不活性ガス噴射管２５０の両端における噴射量を別々に制御する。
【００３８】
流量調節弁は、弁の調節によって不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂに供給される不活性ガスの流量を決定する。流量調節弁３５０は、３ウェイ方式により形成可能であり、この場合に、不活性ガス第１供給管及び不活性ガス第２供給管を異にして別々に調節することができる。あるいは、流量調節弁３５０は、不活性ガス第１供給管及び不活性ガス第２供給管ごとに別々に設けられた２つの流量調節弁により実現可能であり、噴射制御器３００の制御によって各流量を別々に調節することができる。
【００３９】
噴射制御器３００は、測定される不活性ガスの噴射量に応じて流量調節弁３５０を調節して、不活性ガス噴射管の一方の端及び他方の端に供給される不活性ガスの噴射量を制御する。噴射制御器３００は、不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂに流入する不活性ガスの流量が等しくなるように制御することができる。
【００４０】
２本の不活性ガス供給管に流れる不活性ガスの流量の相違は、脱酸素モジュールの内部環境を均一にできず、レーザー熱処理に際して基板の上にかすれを生じることがある。このため、このような問題を防ぐために、それぞれ別々の供給管となっている不活性ガス第１供給管及び不活性ガス第２供給管の流量をモニターリングし続けながら測定し、もし、相違があれば、流量調節弁を調節して不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂに流入する不活性ガスの流量を同量にして、最終的に不活性ガス噴射管の一方の端及び他方の端における噴射量を等しくすることができる。
【００４１】
例えば、不活性ガス第１供給管１５０ａに流れる流量が不活性ガス第２供給管１５０ｂに流れる流量よりも多い場合には、不活性ガス第１供給管１５０ｂ及び前記不活性ガス第２供給管１５０ｂに流入する不活性ガスの流量が等しくなるまで、不活性ガス第１供給管１５０aに供給される流量を段階別に減らす。不活性ガス第１供給管１５０ａに供給される流量を段階別に減らす度に、不活性ガス第２供給管１５０ｂの流量を測定して、流量が等しくなったか否かをモニターリングし続ける。
【００４２】
また、不活性ガス第１供給管に流れる流量が不活性ガス第２供給管に流れる流量よりも多い場合には、逆に、不活性ガス第１供給管及び前記不活性ガス第２供給管に流入する不活性ガスの流量が等しくなるまで、不活性ガス第２供給管に供給される流量を段階別に増大させることができる。
【００４３】
一方、基板支持台の移動速度が大きくなるほど、不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂに供給される不活性ガスの流量を増大させることができる。
【００４４】
具体的に、レーザービームによって走査されながら通り過ぎる基板支持台の移動速度が低いときには不活性ガスの流量を減らす。例えば、２０ｍ／ｓ以下の低い基板搬送速度を有するオーバーラップ工程（レーザービームの走査を基板の上に一部重なり合わせて行う工程）の場合には、噴射される不活性ガスの流量を減らしてもあまり問題とならない。低速で基板の搬送を行っている状態では、不活性ガスの少ない流量によって酸素の雰囲気に基板が露出されても結晶化過程で結晶質シリコンではなく、シリコン酸化物が形成される割合が高くないため、無視できるためである。
【００４５】
これに対し、レーザービームによって走査されながら通り過ぎる基板支持台の移動速度が大きくなるほど、不活性ガスの流量を増大させる。例えば、２０ｍ／ｓ以上の基板搬送速度を有するパーシャル工程（レーザービームの走査が基板上で部分的に行われる工程）の場合には、噴射される不活性ガスの流量が少なければ、不所望のシリコン酸化物が形成される割合が高くなって問題となるため、基板支持台の移動速度が大きくなるほど、不活性ガスの流量を増大させる。
【００４６】
一方、基板支持台の移動速度が臨界速度（３００ｍ／ｓ）未満である場合には、あえて不活性ガス第１供給管と不活性ガス第２供給管内との間の流量差を測定するためにモニターリングを行う必要がない。移動速度が臨界速度を超えない場合には、ガス第１供給管と不活性ガス第２供給管内との間に流量差が生じても、シリコン酸化物が形成される割合が無視できる程度に高くないため、流量計を用いた持続的な測定及び弁制御を行う必要がないためである。
【００４７】
ところが、実験の結果、基板支持台の移動速度が３００ｍ／ｓ以上の高速である場合には、不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂ内との間に流量差が少しでも発生すれば、不活性ガスの不均一による酸素雰囲気への露出に起因して、シリコン酸化物が形成される割合が高くなって基板不良が生じる。このため、基板支持台の移動速度が臨界速度である３００ｍ／ｓ以上の高速である場合には、流量計を用いて各供給管の流量をモニターリングし続け、噴射制御器３００は、不活性ガス第１供給管１５０ａ及び不活性ガス第２供給管１５０ｂの流量が等しくなるように流量調節弁３５０を制御しなければならない。
【００４８】
以上、添付図面に基づき、本発明に係る基板搬送装置及び基板処理装置の好適な実施形態について詳述したが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではなく、後述する特許請求の範囲によって限定される。よって、この技術分野における通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲の技術的な思想から逸脱しない範囲内で本発明を様々に変形及び修正することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１００：反応チャンバー
１２０：ウィンドウ
１３０：基板支持台
１４０：レーザー照射器
１５０：不活性ガス供給管
１６０：流量制御器
１８０：脱酸素モジュール
１８１：噴射スリット
１８２：ビーム照射スリット
２５０：不活性ガス噴射管
２６０：シリンダー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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