(57)【要約】      （修正有）【課題】高次モードの振動の発生を抑制し、スプリアスの発生を低減することができるＭＥＭＳ素子を得る。【解決手段】基板１０と、前記基板の主面に形成され、固定電極２１ａを備える第１導電層２１と、前記固定電極と離間し、前記主面の法線方向矢視で前記固定電極に重なり合い、前記主面に交差する方向に駆動する可動端部と、前記主面に接続する固定端部と、を備える可動電極２２ａを備える第２導電層２２と、を備える共振子２０と、を備え、前記可動電極の前記主面に対向する第１電極面、および前記第１電極面の反対面となる第２電極面の、少なくともどちらか一方の面に突起部を備え、前記突起部は、前記主面に交差する前記可動電極の駆動方向を含む面と交差する方向に延設されているＭＥＭＳ素子１００。【選択図】図１
2014135711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の主面に形成され、固定電極を備える第１導電層と、前記固定電極と離間し、前記主面の法線方向矢視で前記固定電極に重なり合い、前記主面に交差する方向に駆動する可動端部と、前記主面に接続する固定端部と、を備える可動電極を備える第２導電層と、を備える共振子と、を備え、
前記可動電極の前記主面に対向する第１電極面、および前記第１電極面の反対面となる第２電極面の、少なくともどちらか一方の面に突起部を備え、
前記突起部は、前記主面に交差する前記可動電極の駆動方向を含む面と交差する方向に延設されている、
ことを特徴とするＭＥＭＳ素子。
【請求項２】
前記突起部が、前記第１電極面、および前記第２電極面の、どちらか一方の面に備えられ、
前記主面の法線方向矢視において、前記可動電極の他方の面の前記突起部に重なる領域に凹部が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項３】
前記可動電極の前記突起部から前記可動電極の前記可動端部までの長さをＬ１、
前記突起部の延設方向 に交差する方向の長さをＬ２、
前記可動電極の前記可動端部から前記固定端部までの長さをＬ、としたとき、
Ｌ１≧０
であり、且つ、
（Ｌ１＋Ｌ２／２）≦Ｌ／３
である、
ことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載のＭＥＭＳ素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子と、
前記ＭＥＭＳ素子を駆動する回路を含む制御回路と、を備える、
ことを特徴とする電子デバイス。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子、または請求項４に記載の電子デバイスを備える、
ことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか一項に記載のＭＥＭＳ素子、または請求項４に記載の電子デバイス、または請求項５に記載の電子機器を備える、
ことを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ素子、電子デバイス、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、精密加工技術の一つとして半導体製造方法を用いたＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）素子の応用が拡大してきている。例えば、特許文献１に示すように、ポリシリコン構造体をシリコン基板にアンカー部によって直接接続するＭＥＭＳリゾネータが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１６５８３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１に示すＭＥＭＳリゾネータでは、ポリシリコン構造体に備える振動部は、振動部の下方に備える駆動電極に付加される電荷による上下の振動（１次モード）に加えて、２次モードあるいは３次モードの振動が発生し、いわゆるスプリアスと呼ばれる所望の共振周波数とは異なる共振周波数が発生してしまう。
【０００５】
そこで、高次モードの振動の発生を抑制し、スプリアスの発生を低減することができるＭＥＭＳ素子を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
〔適用例１〕本適用例に係るＭＥＭＳ素子は、基板と、前記基板の主面に形成され、固定電極を備える第１導電層と、前記固定電極と離間し、前記主面の法線方向矢視で前記固定電極に重なり合い、前記主面に交差する方向に駆動する可動端部と、前記主面に接続する固定端部と、を備える可動電極を備える第２導電層と、を備える共振子と、を備え、前記可動電極の前記主面に対向する第１電極面、および前記第１電極面の反対面となる第２電極面の、少なくともどちらか一方の面に突起部を備え、前記突起部は、前記主面に交差する前記可動電極の駆動方向を含む面と交差する方向に延設されていることを特徴とする。
【０００８】
本適用例のＭＥＭＳ素子によれば、可動電極の形状、寸法などのばらつき等が原因となって、可動電極を駆動（振動）させる際に発生する高次の振動モードの共振周波数、いわゆるスプリアスを抑制することができる。すなわち、可動端部において所望の変形以外の変形を抑制するように突起部を形成し、突起部が補強要素としてのリブ構造を構成することによって、可動電極の強度を上げ、スプリアスの発生を抑制する。これにより、所望の共振周波数を安定して取り出すことができるＭＥＭＳ素子を得ることができる。
【０００９】
〔適用例２〕上述の適用例において、前記突起部が、前記可動電極の前記主面に対向する第１電極面、および前記第１電極面の反対面となる第２電極面の、どちらか一方の面に備えられ、前記主面の法線方向矢視において、前記可動電極の他方の面の前記突起部に重なる領域に凹部が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
上述の適用例によれば、突起部を設けることで増加する可動電極の重量を、凹部によって削減し、可動電極の駆動効率の低下を抑制することができる。
【００１１】
〔適用例３〕上述の適用例において、前記可動電極の前記突起部から前記可動電極の前記可動端部までの長さをＬ１、前記突起部の延設方向に交差する方向の長さをＬ２、前記可動電極の前記可動端部から前記固定端部までの長さをＬ、としたとき、
Ｌ１≧０
であり、且つ、
（Ｌ１＋Ｌ２／２）≦Ｌ／３
であることを特徴とする。
【００１２】
上述の適用例によれば、スプリアスとなる高次の振動モードが出現する可動電極の可動端側で、変形が発生しにくい強度まで可動電極を基部によって補強し、スプリアスの発生を抑制する。これにより、所望の共振周波数を安定して取り出すことができるＭＥＭＳ素子を得ることができる。
【００１３】
〔適用例４〕本適用例の電子デバイスは、上述の適用例によるＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を駆動する回路を含む制御回路と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
本適用例の電子デバイスによれば、スプリアスの発生が抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができるＭＥＭＳ素子を備えることにより、所望の共振周波数を安定して取り出すことができる。
【００１５】
〔適用例５〕本適用例の電子機器は、上述の適用例によるＭＥＭＳ素子、または電子デバイスを備えることを特徴とする。
【００１６】
本適用例の電子機器によれば、スプリアスの発生が抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができるＭＥＭＳ素子を備える所望の共振周波数を安定して取り出すことができる電子デバイスを備え、安定した電子機器の動作を得ることができる。
【００１７】
〔適用例６〕本適用例の移動体は、上述の適用例によるＭＥＭＳ素子、または電子デバイス、または電子機器を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例の移動体によれば、スプリアスの発生が抑制され、所望の共振周波数を安定して取り出すことができるＭＥＭＳ素子を備える所望の共振周波数を安定して取り出すことができる電子デバイス、電子機器を備え、安定した動作を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部および（ｂ）に示すＣ−Ｃ´部の断面図。
【図２】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子の詳細を示す、（ａ）は図１（ｂ）に示すＤ部の拡大図、（ｂ）は（ａ）に示すＦ方向矢視概略外観図。
【図３】（ａ）は第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子の動作を説明する線画、（ｂ）は従来技術におけるＭＥＭＳ振動子の動作を説明する線画。
【図４】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子の形成条件を説明する断面図（図１（ｂ）に示すＤ部）。
【図５】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子の製造方法を示す断面図。
【図６】第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子に備えるＭＥＭＳ振動子のその他の形態を示す断面図。
【図７】第２実施形態に係る電子デバイスを示す断面図。
【図８】第３実施形態に係る電子機器としてのスマートフォンを示す外観図。
【図９】第３実施形態に係る電子機器としてのデジタルスチルカメラを示す外観図。
【図１０】第４実施形態に係る移動体としての自動車を示す外観図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
図１に第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子を示し、（ａ）は後述する被覆層および蓋部を除いた状態での平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ´部の断面図、（ｃ）は（ａ）に示すＢ−Ｂ´部断面であり、（ｂ）におけるＣ−Ｃ´部断面の断面図でもある。図１（ｂ），（ｃ）に示すように、本実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００は、ウエハー基板１１と、ウエハー基板１１の主面１１ａに形成された第１酸化膜１２と、第１酸化膜１２上に形成された窒化膜１３と、により構成される基板１０を備えている。ウエハー基板１１は、シリコン基板であり、半導体製造装置および半導体製造方法を用いて、ＭＥＭＳ素子１００は製造される。
【００２２】
基板１０の主面１０ａ、すなわち窒化膜１３の表面１３ａ、に共振子としてのＭＥＭＳ振動子２０が形成されている。ＭＥＭＳ振動子２０は、図１（ｂ）に示す第１導電層２１に備える固定電極２１ａ（以下、下部電極２１ａという）と、第２導電層２２に備える可動電極２２ａ（以下、上部電極２２ａという）と、により構成される。第１導電層２１および第２導電層２２は、導電性のポリシリコンをフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成される。なお、第１導電層２１および第２導電層２２は、本実施形態ではポリシリコンを用いる例を示すが、これに限定されるものではない。
【００２３】
図１（ａ）にも示すように、第１導電層２１は、下部電極２１ａと図示しない外部配線とに接続する第１配線部２１ｂとを備えている。また、第２導電層２２は、上部電極２２ａと図示しない外部配線とに接続する第２配線部２２ｂとを備えている。また、上部電極２２ａと下部電極２１ａとの間には、上部電極２２ａが可動可能な空間としての間隙部Ｇを備えている。
【００２４】
ＭＥＭＳ振動子２０は、基板１０の主面１０ａ上に形成された空間部Ｓに収容されるように形成されている。空間部Ｓは、次のように形成される。第１導電層２１および第２導電層２２が形成された後、第２酸化膜４０を形成する。第２酸化膜４０には、第２導電層２２の形成と同時にポリシリコンによる、後述する空間壁部３０の最下層３３と接続されるように最下層３３が露出される穴が形成され、第１配線層３１がフォトリソグラフィーによるパターニングにより形成される。
【００２５】
更に、第３酸化膜５０が第２酸化膜４０上に形成される。第３酸化膜５０には、第１配線層３１が露出する穴が形成され、第２配線層３２がフォトリソグラフィーによるパターニングにより形成される。第２配線層３２は、後述する空間壁部３０の最上層を構成する壁部３２ａと、ＭＥＭＳ振動子２０を収納する空間Ｓを構成する蓋部３２ｂと、を備えている。更に、第２配線層３２の蓋部３２ｂは、空間Ｓを形成するために製造過程で形成された空間Ｓの領域にある第２酸化膜４０および第３酸化膜５０をリリースエッチングするための開口３２ｃを備えている。
【００２６】
次に、第２配線層３２の開口３２ｃを露出させるように保護膜６０が形成され、開口３２ｃより第２酸化膜４０および第３酸化膜５０をエッチングするエッチング液が導入され、リリースエッチングより空間Ｓが形成される。空間Ｓは、最下層３３と、第１配線層３１と、第２配線層３２と、によって形成される空間壁部３０に囲まれた領域である。
【００２７】
ＭＥＭＳ振動子２０に設けられている間隙部Ｇは、上述した空間Ｓの形成時におけるリリースエッチングにより形成される。すなわち、第１導電層２１が形成された後、下部電極２１ａ上に図示しない第４酸化膜が形成され、第４酸化膜上に上部電極２２ａが形成される。そして、第４酸化膜がリリースエッチングによって、第２酸化膜４０および第３酸化膜５０とともに除去され、間隙部Ｇが形成される。なお、上述したリリースエッチングによって除去される空間Ｓに相当する領域の第２酸化膜４０および第３酸化膜５０、そして第４酸化膜は、犠牲層と呼ばれている。
【００２８】
リリースエッチングが終了し、空間Ｓが形成されると被覆層７０が形成され、保護膜６０に覆われていない第２配線層３２の蓋部３２ｂを覆い、開口３２ｃが封止される。これにより空間Ｓは密閉される。
【００２９】
図２（ａ）は図１（ｂ）に示すＭＥＭＳ振動子２０のＤ部拡大図、図２（ｂ）は（ａ）に示すＦ方向の矢視外観図である。図２（ａ）に示すように、上部電極２２ａの主面１０ａに対向する第１電極面２２ｃに突起部２２ｄが形成されている。上部電極２２ａは、基板１０の主面１０ａと接合されている固定端部２２ｅを固定部として、可動端部２２ｆが図示するＨ方向に振動する片持振動片を構成している。この上部電極２２ａの第１電極面２２ｃに形成された突起部２２ｄは、図２（ｂ）にも示すように、可動端部２２ｆの面に沿って延設されている。すなわち振動方向Ｈを含む平面Ｊに交差する方向に突起部２２ｄが延設されている。
【００３０】
更に、第１電極面２２ｃの裏面となる第２電極面２２ｇには、凹部２２ｈが形成されている。凹部２２ｈは、突起部２２ｄの配置位置に対して、図２（ａ）の図示上方からの平面視、すなわち主面１０ａの法線方向の矢視において重なるように配設され、突起部２２ｄ同様に振動方向Ｈを含む平面Ｊに交差する方向に延設されている。
【００３１】
次に、本実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００に備える上部電極２２ａの動作について模式図を用いて説明する。図３（ａ）は上部電極２２ａの動作を説明する外観模式腺図であり、図３（ｂ）は従来技術における上部電極２２Ａの動作を示す概観模式線図である。図３（ａ）に示すように、上部電極２２ａは、図示しない下部電極２１ａとともに電荷が付加されると、上部電極２２ａは静電力によりＨ方向に駆動され、図示上方向に上部電極２２ａ´、図示下方向に上部電極２２ａ´´のように移動し、振動する。このとき、図２（ａ）に示すように上部電極２２ａは固定端部２２ｅを有する片持梁構造となっており、可動端部２２ｆがＨ方向に振動する。
【００３２】
同様に、従来技術においても、図３（ｂ）に示すように上部電極２２Ａが静電力によって振動すると、可動端部２２Ｆは可動端部２２Ｆ´に示すようにＨ方向に駆動される。しかし、このとき上部電極２２Ａの電極厚みのばらつきや、平面形状のばらつき等の要因によって、可動端部２２Ｆ´´のように直線的に形成される可動端部２２Ｆが２次曲線的、もしくは３次曲線的に変位し振動することがある。この２曲線的な変位を示す振動を２次モード、３次曲線的な変位を示す振動を３次モードと呼び、それ以上の高次の曲線的変位を示す振動を含めて、可動端部２２Ｆ´のように変位しない振動を１次モードとして、区別して高次モード振動と呼ばれる。この高次モード振動によって生じる共振周波数、いわゆるスプリアスの発生によって、正確なＭＥＭＳ素子の共振周波数を得ることが困難になっていた。
【００３３】
そこで、本実施形態にかかるＭＥＭＳ素子１００に係るＭＥＭＳ振動子２０の上部電極２２ａに、突起部２２ｄを形成することにより、図３（ａ）に示すように、高次モードの振動に対して突起部２２ｄはリブ構造、すなわち補強構造となって、高次モードの振動を抑制することができる。従って、上部電極２２ａは、所望の１次モードの振動により正確に駆動され、安定した共振周波数を得ることができるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。
【００３４】
上述した通り、ＭＥＭＳ振動子２０の上部電極２２ａは、固定端部２２ｅで固定された片持梁構造である。従って、リブ構造を構成する突起部２２ｄの配置によって、上部電極２２ａの振動特性が変化する。所望の振動特性、すなわち共振周波数を得るためには、次の条件を満たす必要がある。図４に示すように、可動端部２２ｆから固定端部２２ｅまでの長さをＬ、可動端部２２ｆから突起部２２ｄの可動端部２２ｆ側の第１電極面２２ｃとの交接部２２ｊまでの長さをＬ１、突起部２２ｄの延設方向に交差する方向の幅をＬ２とした場合、
Ｌ１≧０                      （１）
であり、尚且つ、
（Ｌ１＋Ｌ２／２）≦Ｌ／３    （２）
の条件により、突起部２２ｄを形成する。そして、式（２）に示す条件は、すなわち可動端部２２ｆから突起部２２ｄの中心位置ＣPまでの距離ＬPとした場合、
ＬP≦Ｌ／３                  （３）
と表される。
【００３５】
式（１）および式（２），（３）の条件によって突起部２２ｄが形成されることにより、上部電極２２ａの高次モードの振動が抑制され、所望の１次モードの振動により正確に駆動し、安定した共振周波数を得ることができるＭＥＭＳ素子１００を得ることができる。
【００３６】
次に、ＭＥＭＳ振動子２０を形成する製造方法について説明する。図５は、ＭＥＭＳ振動子２０の突起部２２ｄを形成する製造方法を示す概略断面図であり、図１（ａ）に示すＡ−Ａ´部における断面図を表す。先ず図５（ａ）に示すように、基板１０の主面１０ａ、すなわち窒化膜１３の表面１３ａ上に、ポリシリコンの第１導電層２１の下部電極２１ａおよび第１配線部２１ｂと、第２導電層２２の第２配線部２２ｂと、最下層３３と、がフォトリソグラフィーによってパターニングされ、形成される。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、パターニングされた配線部２１ｂ，２２ｂおよび最下層３３を覆うように第４酸化膜８０が成膜される。第４酸化膜８０は、後から形成される上部電極２２ａと下部電極２１ａとの間隙部Ｇを形成する厚さで成膜される。更に、凹部８０ａおよび貫通溝８０ｂが、例えばフォトリソグラフィーによって形成され、凹部８０ａは上部電極２２ａの突起部２２ｄが、貫通溝８０ｂは上部電極２２ａと第２配線部２２ｂとの接続部が、形成される部位となる。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示すように、凹部８０ａおよび貫通溝８０ｂが形成された第４酸化膜８０の表層に、上部電極２２ａとなるポリシリコン層がフォトリソグラフィーによってパターニングされる。パターニングの際、上部電極２２ａの凹部２２ｈも形成される。上部電極２２ａがパターニング形成された後、上述したように、第２酸化膜４０、第１配線層３１、第３酸化膜５０、第２配線層３２が形成され空間壁部３０を構成し、リリースエッチングによって空間Ｓを形成しＭＥＭＳ素子１００が得られる（図１参照）。
【００３９】
図５（ｃ）に示す上部電極２２ａの凹部２２ｈの形成は、図５（ｄ）に示す方法によっても形成される。すなわち図５（ｄ）に示すように、第４酸化膜８０に形成された凹部８０ａに上部電極２２ａが同じ膜厚で形成されることによって凹み２２ｋが生じる。凹み２ｋを上部電極２２ａの凹部２２ｈとすることができる。
【００４０】
図６に、上部電極２２ａに形成される突起部および凹部のその他の形態を示す。図６（ａ）に示す上部電極２２ａは、上部電極２２ａの第２電極面２２ｇの側に突起部２２ｍが形成されている。また図６（ｂ）に示す上部電極２２ａは、上部電極の第１電極面２２ｃの側に突起部２２ｄと、第２電極面２２ｇの側に突起部２２ｍと、が形成されている。図６（ｃ）に示す上部電極２２ａは、第１電極面２２ｃの側に三角形の断面形状を有する突起部２２ｎと、第２電極面２２ｇに三角形の断面形状を有する凹部２２ｐが形成されている。図６（ｄ）に示す上部電極２２ａは、第１電極面２２ｃの側に略半円形の断面形状を有する突起部２２ｑと、第２電極面２２ｇに略半円形の断面形状を有する凹部２２ｒが形成されている。
【００４１】
上部電極２２ａに形成される突起部２２ｄおよび凹部２２ｈの形態は、上述した図１、図２、あるいは図６（ａ）〜（ｄ）に示す形態に限定されない。例えば、突起部２２ｄ，２２ｎ，２２ｑと、凹部２２ｈ，２２ｐ，２２ｒと、を組み合わせた形態であっても良い。一例として、図６（ｅ）に示すように、上部電極２２ａの第１電極面２２ｃには三角形の断面形状を有する突起部２２ｎが、第２電極面２２ｇには略円形の断面形状を有する凹部２２ｒが、形成された上部電極２２ａであっても良い。図６に示す上部電極２２ａのいずれの形態であっても、可動端部２２ｆから固定端部２２ｅまでの長さをＬ、可動端部２２ｆから、突起部２２ｍ，２２ｎ，２２ｑの可動端部２２ｆ側の第１電極面２２ｃもしくは第２電極面２２ｇとの交接部２２ｊまで、の長さをＬ１、突起部２２ｄの延設方向に交差する方向の幅をＬ２とした場合、
Ｌ１≧０                      （１）
であり、尚且つ、
（Ｌ１＋Ｌ２／２）≦Ｌ／３    （２）
の条件、すなわち可動端部２２ｆから突起部２２ｄの中心位置ＣPまでの距離ＬPとした場合、
ＬP≦Ｌ／３                  （３）
により、突起部２２ｄ，２２ｍ，２２ｎ，２２ｑを形成する。
【００４２】
（第２実施形態）
図７に第２実施形態に係る電子デバイスとして、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００と、半導体装置と、を１チップに構成した形態を示す。図７に示す電子デバイスとしての発振器１０００は、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００と、発信回路あるいは制御回路を含む電子回路が構成された半導体装置２００（以下、ＩＣ２００という）と、が一体的に形成されている。
【００４３】
ＭＥＭＳ素子１００は、半導体製造装置を用い、半導体製造方法によって製造することができる微細装置であることから、ＩＣ２００をＭＥＭＳ素子１００と同一のウエハー基板１１に容易に形成することができる。ＩＣ２００には、ＭＥＭＳ素子１００を駆動する発信回路、およびＭＥＭＳ素子１００の周波数変動に対する駆動あるは外部への出力信号の制御を行う制御回路、などを備えている。このように、ＩＣ２００を、ＭＥＭＳ素子１００と１チップに形成することにより、小型の発振器１０００を得ることができる。また、ＩＣ２００に、ＭＥＭＳ振動子２０の振動から加速度を演算する演算回路を含ませることにより、小型のジャイロセンサー２０００を容易に得ることができる。
【００４４】
（第３実施形態）
第３実施形態に係る電子機器として、第２実施形態に係る発振器１０００もしくはジャイロセンサー２０００を備えるスマートフォンおよびデジタルスチルカメラについて説明する。
【００４５】
図８はスマートフォン３０００を示す外観図である。スマートフォン３０００には基準クロックの発信源としての図示しない発振器１０００と、スマートフォン３０００の姿勢を検出するジャイロセンサー２０００と、が組み込まれている。ジャイロセンサー２０００が組み込まれることにより、いわゆるモーションセンシングが実施され、スマートフォン３０００の姿勢を検出することができる。ジャイロセンサー２０００の検出信号は、例えばマイクロコンピューターチップ３１００（以下、ＭＰＵ３１００という）に供給され、ＭＰＵ３１００はモーションセンシングに応じてさまざまな処理を実行することができる。その他、モーションセンシングは、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ゲームコントローラー、カーナビゲーションシステム、ポインティングシステム、ヘッドマウンティングディスプレイ、タブレットパソコン等の電子機器でジャイロセンサー２０００を組み込むことにより、利用することができる。
【００４６】
図９はデジタルスチルカメラ４０００（以下、カメラ４０００という）を示す外観図である。カメラ４０００には基準クロックの発信源としての図示しない発振器１０００と、カメラ４０００の姿勢を検出するジャイロセンサー２０００と、が組み込まれている。組み込まれたジャイロセンサー２０００の検出信号は手ぶれ補正装置４１００に供給される。手ぶれ補正装置４１００はジャイロセンサー２０００の検出信号に応じて、例えばレンズセット４２００内の特定のレンズを移動させ、手ぶれによる画像不良を抑制することができる。また、デジタルビデオカメラへジャイロセンサー２０００および手ぶれ補正装置４１００を組み込むことによりカメラ４０００と同様に手ぶれの補正をすることができる。
【００４７】
（第４実施形態）
第２実施形態に係る発振器１０００、もしくはジャイロセンサー２０００を備える第４実施形態としての移動体の具体例として、自動車について説明する。図１０は、第４実施形態に係る自動車５０００の外観図である。図１０に示すように、自動車５０００にはジャイロセンサー２０００が組み込まれている。ジャイロセンサー２０００は車体５１００の姿勢を検出する。ジャイロセンサー２０００の検出信号は車体姿勢制御装置５２００に供給される。車体姿勢制御装置５２００は供給された信号に基づき車体５１００の姿勢状態を演算し、例えば車体５１００の姿勢の応じた緩衝装置（いわゆるサスペンション）の硬軟を制御したり、個々の車輪５３００の制動力を制御したりすることができる。このようなジャイロセンサー２０００を用いた姿勢制御は、二足歩行ロボット、航空機、あるいはラジコンヘリコプターなどの玩具に利用することができる。
【００４８】
また図１０の自動車５０００は、搭載されている図示しない各種電子制御式装置（例えば、電子制御式燃料噴射装置、電子制御式ＡＢＳ装置、電子制御式一定速度走行装置など）の基準クロックを発生するタイミングデバイスとして、第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子１００を用いている。また、第２実施形態に係る発振器１０００を備える移動体としては、上記自動車５０００に限らず、自走式ロボット、自走式搬送機器、列車、船舶、飛行機、人口衛星などを含む移動体のタイミングデバイスとして好適に用いることができ、いずれの場合にも上記実施形態で説明した効果が反映された移動体を提供することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０…基板、２０…ＭＥＭＳ振動子、３０…空間壁部、４０…第２酸化膜、５０…第３酸化膜、６０…保護膜、７０…被覆層、１００…ＭＥＭＳ素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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