(57)【要約】【課題】接着剤層に含まれる成分が染み出したり、揮発及び固化したりすることによる汚染を抑制することのできる接着フィルムを提供する。【解決手段】オレフィン基材上に接着剤層が形成されており、前記接着剤層は、テルペン樹脂を含有する接着フィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
オレフィン基材上に接着剤層が形成されており、前記接着剤層は、テルペン樹脂を含有することを特徴とする接着フィルム。
【請求項２】
テルペン樹脂は、テルペンフェノール樹脂であることを特徴とする請求項１記載の接着フィルム。
【請求項３】
接着剤層は、更に、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有することを特徴とする請求項１又は２記載の接着フィルム。
【請求項４】
硬化剤は、フェノール系硬化剤、チオール系硬化剤又はアミン系硬化剤であることを特徴とする請求項３記載の接着フィルム。
【請求項５】
テルペンフェノール樹脂は、水酸基価が１１０以上であることを特徴とする請求項２記載の接着フィルム。
【請求項６】
オレフィン基材上の接着剤層とは逆側に、糊層及び基材層がこの順で形成されていることを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の接着フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤層に含まれる成分が染み出したり、揮発及び固化したりすることによる汚染を抑制することのできる接着フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ますます進展する半導体装置の小型化及び高集積化に対応するために、半田等からなる突起電極を有する半導体チップを用いたフリップチップ実装が多用されている。フリップチップ実装においては、例えば、半導体チップに形成された突起電極と、基板又は他の半導体チップに形成された電極部とを接続した後、アンダーフィルを充填して封止する方法が用いられている。しかしながら、アンダーフィルの充填時には空気の噛み込みによるボイドが発生しやすいことから、半導体チップ又は基板に予め接着剤層を形成した後、或いは、半導体ウエハに接着剤層を形成した状態で個片化（ダイシング）を行った後、接着剤が介在した状態で突起電極と電極部とを接続する方法が提案されている。
【０００３】
また、次世代の技術として、複数の半導体チップを積層させて半導体装置の小型化及び高集積化を図った、ＴＳＶ（Ｓｉ貫通ビヤ／Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉ  ｖｉａ）を用いた３次元積層技術が注目されている。ＴＳＶを用いた３次元積層技術では、半導体装置の高密度化ができるほか、接続距離を短くできることにより低ノイズ化及び低抵抗化が可能であり、アクセススピードが飛躍的に速く、使用中に発生する熱の低減にも優れる。
【０００４】
これらの半導体装置の製造において、半導体ウエハをダイシングする際に用いられる接着フィルム（ダイシングテープとも呼ばれる）として、例えば、特許文献１には、接着層と少なくとも１層の粘着層と支持フィルムとがこの順で積層されてなり、前記接着層の前記粘着層と反対側の面に半導体ウエハーを積層させ、この状態で該半導体ウエハーおよび前記接着層を切断してそれぞれ個片化し、得られた個片をピックアップする際に用いる半導体用フィルムが記載されている。
【０００５】
特許文献１に記載された半導体用フィルムでは、得られた個片をピックアップする際に粘着層（糊層）と接着層との間が選択的に剥離し、次いで、ピックアップした個片を絶縁基板上に接着するために接着層が用いられる。糊層は、支持フィルムと接着層との間の密着性を確保するために設けられている。しかしながら、このような糊層が設けられているため、糊層に含まれる低分子量成分が接着層に移行してしまい、ピックアップした個片を絶縁基板上に接着する際に、接着層からの低分子量成分の染み出しの問題、接着力不足の問題等が生じている。特に、フリップチップ実装では半田を溶融させるために接着層は高温に曝され、また、実装する半導体チップ側に加えられる熱と、基板又は他の半導体チップ側に加えられる熱との間に温度差があるため、移行した低分子量成分が少量であっても、低分子量成分が揮発及び固化することにより汚染が生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１８８０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、接着剤層に含まれる成分が染み出したり、揮発及び固化したりすることによる汚染を抑制することのできる接着フィルムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、オレフィン基材上に接着剤層が形成されており、前記接着剤層は、テルペン樹脂を含有する接着フィルムである。
以下、本発明を詳述する。
【０００９】
特許文献１に記載された半導体用フィルムは、支持フィルムと接着層との間に糊層を有しているため、糊層に含まれる低分子量成分が接着層に移行することによって汚染が生じる。このため、本発明者は、糊層を設けず、オレフィン基材上に接着剤層が形成された接着フィルムとすることを検討した。しかしながら、糊層を設けない場合には、オレフィン基材と接着剤層との間の密着性を確保することができず、半導体ウエハのダイシングを良好に行うことが困難となった。この問題に対し、本発明者は、接着剤層にテルペン樹脂を配合することにより、糊層を設けなくてもオレフィン基材と接着剤層との間の密着性を確保することができ、その結果、接着剤層に含まれる成分が染み出すことによる汚染（以下、ブリード汚染ともいう）、及び、接着剤層に含まれる成分が揮発及び固化することによる汚染（以下、結露汚染ともいう）を抑制することのできる接着フィルムとすることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【００１０】
本発明の接着フィルムは、オレフィン基材上に接着剤層が形成されたものである。
図１は、本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図である。図１に示す接着フィルム１は、オレフィン基材２上に接着剤層３が形成されており、オレフィン基材２と接着剤層３との間に糊層は形成されていない。
【００１１】
上記オレフィン基材は特に限定されず、例えば、ポリエチレン系樹脂フィルム、ポリプロピレン系樹脂フィルム、ブタジエン系樹脂フィルム、エチレンビニルアルコール系樹脂フィルム等が挙げられる。なかでも、ポリエチレン系樹脂フィルムが好ましい。上記オレフィン基材の厚みは特に限定されないが、５〜２００μｍが好ましく、１０〜１００μｍがより好ましい。
【００１２】
上記接着剤層は、テルペン樹脂を含有する。上記接着剤層にテルペン樹脂を配合することにより、糊層を設けなくても上記オレフィン基材と上記接着剤層との間の密着性を確保することができる。
上記テルペン樹脂は、テルペン構造を有していれば特に限定されず、例えば、テルペンフェノール樹脂、ポリテルペン樹脂、芳香族変性テルペン樹脂、水素添加テルペン樹脂等が挙げられる。なかでも、上記接着剤層に含まれるエポキシ樹脂等の硬化性成分と反応する官能基を有することが好ましい。このようなテルペン樹脂として、例えば、テルペン構造とフェノール構造とを有するテルペンフェノール樹脂等が挙げられる。
【００１３】
上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価（ＫＯＨｍｇ／ｇ）は、好ましい下限が１１０である。上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価が１１０未満であると、上記接着剤層から上記テルペンフェノール樹脂が染み出すことにより汚染が生じることがある。上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価のより好ましい下限は１２０である。また、上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価は、好ましい上限が３００である。上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価が３００を超えると、上記オレフィン基材と上記接着剤層との間の密着性が低下することがある。上記テルペンフェノール樹脂の水酸基価のより好ましい上限は２５０である。
【００１４】
上記テルペン樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限が４００、好ましい上限が１２００である。上記テルペン樹脂の重量平均分子量が４００未満であると、上記テルペン樹脂が揮発しやすくなり、上記テルペン樹脂が揮発及び固化することにより汚染が生じることがある。上記テルペン樹脂の重量平均分子量が１２００を超えると、上記テルペン樹脂が上記接着剤層に含まれる他の成分と相溶しなくなることがある。上記テルペン樹脂の重量平均分子量のより好ましい下限は５００、より好ましい上限は１１００である。
【００１５】
上記テルペン樹脂の含有量は特に限定されないが、上記接着剤層がエポキシ樹脂を含有する場合、エポキシ樹脂１００重量部に対する好ましい下限が０．５重量部、好ましい上限が５０重量部である。上記テルペン樹脂の含有量が０．５重量部未満であると、上記オレフィン基材と上記接着剤層との間の密着性が低下することがある。上記テルペン樹脂の含有量が５０重量部を超えると、上記接着剤層から上記テルペン樹脂が染み出すことにより汚染が生じることがある。上記テルペン樹脂の含有量のより好ましい下限は１重量部、より好ましい上限は４０重量部である。
【００１６】
上記接着剤層は、更に、エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填剤を含有することが好ましい。
上記エポキシ樹脂は特に限定されず、例えば、軟化点が１５０℃以下のエポキシ樹脂、常温で液体又は結晶性固体のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００１７】
上記軟化点が１５０℃以下のエポキシ樹脂として、例えば、フェノールノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニルフェノールノボラックエポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック型エポキシ樹脂が好ましい。
上記常温で液体又は結晶性固体のエポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型等のビスフェノール型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、レゾルシノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等が挙げられる。なかでも、アントラセン型エポキシ樹脂が好ましい。
【００１８】
上記接着剤層は、上記エポキシ樹脂と反応可能な官能基を有する高分子化合物（以下、単に、高分子化合物ともいう）を含有してもよい。上記高分子化合物は、造膜成分としての役割を果たす。また、上記高分子化合物を含有することで、上記接着剤層の硬化物は靭性をもち、優れた耐衝撃性を発現することができる。
【００１９】
上記高分子化合物は特に限定されず、例えば、アミノ基、ウレタン基、イミド基、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基等を有する高分子化合物等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を有する高分子化合物が好ましい。上記エポキシ基を有する高分子化合物を含有することで、上記接着剤層の硬化物は、上記エポキシ樹脂に由来する優れた機械的強度、耐熱性及び耐湿性と、上記エポキシ基を有する高分子化合物に由来する優れた靭性とを兼備することにより、高い接合信頼性及び接続信頼性を発現することができる。
【００２０】
上記エポキシ基を有する高分子化合物は、末端及び／又は側鎖（ペンダント位）にエポキシ基を有する高分子化合物であれば特に限定されず、例えば、エポキシ基含有アクリルゴム、エポキシ基含有ブタジエンゴム、ビスフェノール型高分子量エポキシ樹脂、エポキシ基含有フェノキシ樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂、エポキシ基含有ウレタン樹脂、エポキシ基含有ポリエステル樹脂等が挙げられる。なかでも、エポキシ基を多く含み、上記接着剤層の硬化物が優れた機械的強度、耐熱性、靭性等を発現できることから、エポキシ基含有アクリル樹脂が好ましい。これらのエポキシ基を有する高分子化合物は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００２１】
上記高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特にエポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有する高分子化合物の重量平均分子量の好ましい下限は１万、好ましい上限は２０万である。上記重量平均分子量が１万未満であると、上記接着剤層の造膜性が不充分となり、フィルム形状を保持できないことがあり、また、低分子量化合物が多く存在するため、ボイドが発生しやすくなることがある。上記重量平均分子量が２０万を超えると、上記接着剤層の流動性が低くなり、導通がとれなくなることがある。
【００２２】
上記高分子化合物として、上記エポキシ基を有する高分子化合物、特にエポキシ基含有アクリル樹脂を用いる場合、該エポキシ基を有する高分子化合物のエポキシ当量の好ましい下限は２００、好ましい上限は１０００である。上記エポキシ当量が２００未満であると、上記接着剤層の硬化物が堅く、脆くなることがある。上記エポキシ当量が１０００を超えると、上記接着剤層の硬化物の機械的強度、耐熱性等が不充分となることがある。
【００２３】
上記高分子化合物の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ樹脂１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が２００重量部である。上記高分子化合物の含有量が５重量部未満であると、上記接着剤層の造膜性が不充分となり、フィルム形状を保持できなかったり、タックが強くなったりすることがある。上記高分子化合物の含有量が２００重量部を超えると、上記接着剤層は、未硬化状態でのハンドリング時に割れることがある。
【００２４】
上記硬化剤は特に限定されず、例えば、フェノール系硬化剤、チオール系硬化剤、アミン系硬化剤、酸無水物系硬化剤等が挙げられる。なかでも、フェノール系硬化剤、チオール系硬化剤又はアミン系硬化剤が好ましい。
上記フェノール系硬化剤は特に限定されず、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノール、アラルキルフェノール、トリスフェノール、テトラキスフェノール、レゾール型フェノール、ビフェニルジメチレン型フェノール、フェノール樹脂−シリカハイブリッド及びこれらの誘導体、変性体等が挙げられる。なかでも、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノール、ビフェニルジメチレン型フェノール、フェノール樹脂−シリカハイブリッド及びこれらの誘導体、変性体が好ましい。
上記フェノール系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＴＤ−２１３１（ＤＩＣ社製）、Ｍａｔｒｉｍｉｄ（Ｈｕｎｔｓｍａｎ社製）、ＫＡ−１１６０（ＤＩＣ社製）等が挙げられる。
【００２５】
上記チオール系硬化剤は特に限定されず、例えば、トリメチロールプロパントリス（３−メルカプトプロピオネート）、トリス−［（３−メルカプトプロピオニルオキシ）−エチル］イソイアヌレート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−メルカプトプロピオネート）、ジペンタエリスリトールヘキサキス（３−メルカプトプロピオネート）等が挙げられる。なかでも、トリス−［（３−メルカプトプロピオニルオキシ）−エチル］イソイアヌレートが好ましい。
上記チオール系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＴＥＭＰＩＣ、ＤＰＭＰ（以上、ＳＣ有機化学社製）等が挙げられる。
【００２６】
上記アミン系硬化剤は特に限定されず、例えば、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルメタン等が挙げられる。なかでも、ジシアンジアミドが好ましい。
上記アミン系硬化剤のうち、市販品として、例えば、ＤＩＣＹ（和光純薬工業社製）等が挙げられる。
【００２７】
上記酸無水物系硬化剤は特に限定されないが、２官能の酸無水物系硬化剤が好ましい。上記２官能の酸無水物系硬化剤は特に限定されず、例えば、フタル酸誘導体の無水物、無水マレイン酸等が挙げられる。
また、上記酸無水物系硬化剤として、３官能以上の酸無水物系硬化剤粒子を用いてもよい。上記３官能以上の酸無水物系硬化剤粒子は特に限定されず、例えば、無水トリメリット酸等の３官能の酸無水物からなる粒子、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物等の４官能以上の酸無水物からなる粒子等が挙げられる。
【００２８】
上記３官能以上の酸無水物系硬化剤粒子の平均粒子径は特に限定されないが、好ましい下限が０．１μｍ、好ましい上限が２０μｍである。上記３官能以上の酸無水物系硬化剤粒子の平均粒子径が０．１μｍ未満であると、硬化剤粒子の凝集が生じることがある。上記３官能以上の酸無水物系硬化剤粒子の平均粒子径が２０μｍを超えると、上記接着剤層において、硬化時に硬化剤粒子が充分に拡散することができず、硬化不良となることがある。
【００２９】
上記硬化剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が５重量部、好ましい上限が１５０重量部である。上記硬化剤の含有量が５重量部未満であると、ボイドが発生しやすくなることがある。上記硬化剤の含有量が１５０重量部を超えると、上記接着剤層の接続信頼性が低下することがある。上記硬化剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は１４０重量部である。
【００３０】
上記接着剤層は、硬化促進剤を含有してもよい。
上記硬化促進剤は特に限定されないが、イミダゾール化合物が好ましい。上記イミダゾール化合物は上記エポキシ樹脂との反応性が高いことから、上記イミダゾール化合物を含有することで、上記接着剤層の速硬化性が向上する。
【００３１】
上記イミダゾール化合物は特に限定されず、例えば、イミダゾールの１位をシアノエチル基で保護した１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、イソシアヌル酸で塩基性を保護したイミダゾール化合物（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン（商品名「２ＭＺ−Ａ」、四国化成工業社製）、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（商品名「２Ｐ４ＭＨＺ」、四国化成工業社製）等が挙げられる。これらのイミダゾール化合物は、単独で用いられてもよく、二種以上が併用されてもよい。
【００３２】
上記硬化促進剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限が０．３重量部、好ましい上限が８重量部である。上記硬化促進剤の含有量が０．３重量部未満であると、上記接着剤層が充分に硬化しないことがある。上記硬化促進剤の含有量が８重量部を超えると、上記接着剤層から未反応の硬化促進剤が染み出すことにより汚染が生じ、接合信頼性が低下することがある。
【００３３】
上記接着剤層は、ベンゾオキサジン化合物を含有してもよい。本明細書中、ベンゾオキサジン化合物とは、ベンゾオキサジン環を有する化合物を意味する。ベンゾオキサジン環には、ベンゾオキサジン環に加えてジヒドロベンゾオキサジン環も含まれる。
【００３４】
上記ベンゾオキサジン化合物は特に限定されないが、ジアミンとモノフェノールとから合成されるジヒドロベンゾオキサジン化合物が好ましい。上記ジヒドロベンゾオキサジン化合物は、上記エポキシ樹脂及び上記高分子化合物との相溶性が良好である。このため、上記ジヒドロベンゾオキサジン化合物を含有することで、上記接着剤層に含まれるそれぞれの成分が硬化系に取り込まれやすくなり、未反応物の残存が抑制されてボイドが発生しにくくなる。
【００３５】
上記ジアミンは特に限定されず、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス［（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベンゼン等が挙げられる。
上記モノフェノールは特に限定されず、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、キシレノール、ノニルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、オクチルフェノール等が挙げられる。
【００３６】
上記ジヒドロベンゾオキサジン化合物は、例えば、モノフェノールとパラホルムアルデヒドとを溶剤中に懸濁させ、加熱しながら１５〜３０分程度かけてジアミンを添加した後、反応温度を還流温度（約８０℃）にまで昇温し、２時間程度反応させる方法により合成されてもよい。なお、このような方法においては、反応終了後に減圧下で溶剤及び水分を除去することにより、上記ジヒドロベンゾオキサジン化合物が得られる。
【００３７】
上記ジアミンを添加する際の加熱温度は、５０〜７０℃が好ましい。上記加熱温度が５０℃未満であると、モノフェノールとパラホルムアルデヒドとが溶剤中に溶解しないまま反応が進行し、未反応物が反応系内に残存することがある。上記加熱温度が７０℃を超えると、反応系内で部分的に反応が進行し、均質な化合物が得られないことがある。
上記溶剤の使用量は特に限定されないが、パラホルムアルデヒドの使用量に対して０．５〜２倍であることが好ましい。上記溶剤の使用量がパラホルムアルデヒドの使用量の０．５倍未満であると、パラホルムアルデヒドの未溶解部分が多くなり、均一に反応しないため、未反応物が反応系内に残存することがある。上記溶剤の使用量がパラホルムアルデヒドの使用量の２倍を超えると、反応で副生する水を除去するのに時間がかかり過ぎることがある。上記溶剤の使用量は、パラホルムアルデヒドの使用量に対して１．０〜１．５倍であることがより好ましい。
【００３８】
上記ジヒドロベンゾオキサジン化合物のうち、市販品として、例えば、Ｆ−ａ型ベンゾオキサジン、Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン（以上、四国化成工業社製）等が挙げられる。
【００３９】
上記無機充填剤を含有することで、上記接着剤層の硬化後の線膨張率が更に低下し、半導体チップ等への応力の発生及び半田等の導通部分のクラックの発生を良好に防止することができる。上記無機充填剤は特に限定されず、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等のシリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、ガラスパウダー、ガラスフリット等が挙げられる。
【００４０】
上記無機充填剤として粒子状の無機充填剤を用いる場合、平均粒子径の好ましい下限は１ｎｍ、好ましい上限は３０μｍである。上記粒子状の無機充填剤の平均粒子径が１ｎｍ未満であると、上記接着剤層の流動性が低くなり、導通がとれないことがある。上記粒子状の無機充填剤の平均粒子径が３０μｍを超えると、電極間で上記無機充填剤を噛み込むことがある。
【００４１】
上記無機充填剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は５００重量部である。上記無機充填剤の含有量が５重量部未満であると、上記無機充填剤を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記無機充填剤の含有量が５００重量部を超えると、上記接着剤層の硬化後の線膨張率は低下するものの、引張り弾性率が上昇し、半導体チップ等への応力及び半田等の導通部分のクラックが発生しやすくなることがある。上記無機充填剤の含有量のより好ましい下限は１０重量部、より好ましい上限は４００重量部、更に好ましい下限は１５重量部、更に好ましい上限は３００重量部である。
【００４２】
上記接着剤層は、本発明の効果を阻害しない範囲内で希釈剤を含有してもよい。
上記希釈剤は特に限定されないが、上記接着剤層の硬化系に取り込まれる反応性希釈剤が好ましい。なかでも、上記接着剤層の接合信頼性を悪化させないために、１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤がより好ましい。上記１分子中に２以上の官能基を有する反応性希釈剤として、例えば、脂肪族型エポキシ、エチレンオキサイド変性エポキシ、プロピレンオキサイド変性エポキシ、シクロヘキサン型エポキシ、ジシクロペンタジエン型エポキシ、フェノール型エポキシ等が挙げられる。
【００４３】
上記希釈剤の含有量は特に限定されないが、上記エポキシ樹脂と上記高分子化合物との合計１００重量部に対する好ましい下限は１重量部、好ましい上限は３００重量部である。上記希釈剤の含有量が１重量部未満であると、上記希釈剤を添加する効果をほとんど得ることができないことがある。上記希釈剤の含有量が３００重量部を超えると、上記接着剤層の硬化物が硬く脆くなるため、接合信頼性が劣ることがある。上記希釈剤の含有量のより好ましい下限は５重量部、より好ましい上限は２００重量部である。
【００４４】
上記接着剤層は、必要に応じて、無機イオン交換体を含有してもよい。
上記無機イオン交換体のうち、市販品として、例えば、ＩＸＥシリーズ（東亞合成社製）等が挙げられる。上記接着剤層が上記無機イオン交換体を含有する場合、上記無機イオン交換体の含有量は特に限定されないが、上記接着剤層中の好ましい下限が１重量％、好ましい上限が１０重量％である。
【００４５】
上記接着剤層は、その他必要に応じて、ブリード防止剤、シランカップリング剤、イミダゾールシランカップリング剤等の接着性付与剤、増粘剤等の添加剤を含有してもよい。
【００４６】
上記接着剤層の厚みは特に限定されないが、好ましい下限が２μｍ、好ましい上限が２００μｍである。上記接着剤層の厚みが２μｍ未満であると、上記接着剤層の接着力が低下することがある。上記接着剤層の厚みが２００μｍを超えると、上記接着剤層を製膜するために用いた溶媒が残存し、ボイドの原因となることがある。上記接着剤層の厚みのより好ましい下限は５μｍ、より好ましい上限は１００μｍである。
【００４７】
本発明の接着フィルムは、上記接着剤層側が半導体ウエハに接するようにして、常圧ラミネート、真空ラミネート等により半導体ウエハに貼り合わされて用いられる。本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハを、ブレードダイシング、レーザーダイシング等によりダイシングし、得られた半導体チップをピックアップして基板又は他の半導体チップ上に実装することにより、ブリード汚染及び結露汚染を抑制しつつ、半導体装置を製造することができる。
【００４８】
図２は、本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。図２においては、オレフィン基材２が接着剤層３よりもサイズが大きく、オレフィン基材２の外周にはダイシングリング６が配置されている。接着フィルム１が貼り合わされた半導体ウエハ７をダイシングすることで、半導体チップ９が得られる。図示しないが、ダイシングリング６とオレフィン基材２との間には、接着剤層３と接触しないように、又は、半導体ウエハ７にかからない範囲で重なるように、粘着剤層（糊層）を形成する必要がある。
なお、本発明の接着フィルムにおいて、上記接着剤層は粘着性を示さないものであり、上記オレフィン基材に対する親和性が高いことにより上記オレフィン基材に対する密着性が確保されているものである。このため、半導体チップのピックアップ時には上記オレフィン基材と上記接着剤層との間が剥離して上記接着剤層が付着した半導体チップが得られるが、上記接着剤層が付着した半導体チップは、上記接着剤層が粘着性を示さないものであり、取扱い性に優れる。
【００４９】
本発明の接着フィルムは、上記オレフィン基材上の上記接着剤層とは逆側に、糊層及び基材層がこの順で形成されていてもよい。糊層及び基材層が形成されていることより、接着フィルムの厚みが増して取扱い性が向上し、また、ダイシングリングと接着フィルムとの間の密着性が容易に得られる。
図３は、糊層及び基材層が形成された本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図である。図３においては、オレフィン基材２上に接着剤層３が形成されており、オレフィン基材２上の接着剤層３とは逆側に、糊層４及び基材層５がこの順で形成されている。
【００５０】
図４は、糊層及び基材層が形成された本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。図４においては、糊層４及び基材層５が、オレフィン基材２及び接着剤層３よりもサイズが大きく、糊層４の外周にはダイシングリング６が配置されている。糊層４及び基材層５が形成された接着フィルム１が貼り合わされた半導体ウエハ７をダイシングすることで、半導体チップ９が得られる。
【００５１】
上記糊層は特に限定されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的に用いられる粘着剤により構成されることが好ましい。上記アクリル系粘着剤を構成するモノマーとして、例えば、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸エステル、これらと共重合可能な不飽和モノマー等が挙げられる。上記共重合可能な不飽和モノマーは特に限定されず、例えば、酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等が挙げられる。
上記糊層は、更に、粘着性を制御するために、ウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物等のモノマー又はオリゴマーを含有してもよく、接着強度を高めるために、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤材等を含有してもよい。
【００５２】
上記基材層は特に限定されず、上記オレフィン基材と同様の基材を用いることができる。なかでも、ポリエチレン系樹脂フィルムが好ましい。
【００５３】
また、半導体ウエハの配線面に本発明の接着フィルムを貼り合わせる必要がある場合には、本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハの本発明の接着フィルムとは逆側を、基材層上に形成された糊層上に貼り合わせ、この状態で半導体ウエハをダイシングすることが好ましい。
図５は、本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。図５においては、接着フィルム１が貼り合わされた半導体ウエハ７の接着フィルム１とは逆側が、基材層５上に形成された糊層４上に貼り合わされている。接着フィルム１が貼り合わされた半導体ウエハ７をダイシングすることで、半導体チップ９が得られる。なお、ダイシングを行う前に予めオレフィン基材２を剥がし、オレフィン基材２を剥がした状態でダイシングを行ってもよい。
【００５４】
本発明の接着フィルムを製造する方法は特に限定されず、例えば、離型ＰＥＴフィルム上に接着剤層を形成した後、接着剤層とオレフィン基材とを貼り合わせる方法等が挙げられる。
離型ＰＥＴフィルム上に接着剤層を形成する方法は特に限定されず、例えば、テルペン樹脂、エポキシ樹脂、硬化剤、無機充填剤等の材料を溶媒に所定量添加し、ホモディスパー、万能ミキサー、バンバリーミキサー、ニーダー等を用いて混合することにより接着剤溶液を製造した後、接着剤溶液を、アプリケーター等を用いて離型ＰＥＴフィルム上に塗工し、乾燥する方法等が挙げられる。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、接着剤層に含まれる成分が染み出したり、揮発及び固化したりすることによる汚染を抑制することのできる接着フィルムを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】糊層及び基材層が形成された本発明の接着フィルムの一例を模式的に示す断面図である。
【図４】糊層及び基材層が形成された本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の接着フィルムが貼り合わされた半導体ウエハをダイシングする方法の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００５７】
以下に実施例を掲げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００５８】
（実施例１〜１４及び比較例１〜６）
表１に記載の配合組成に従って、下記の各材料を溶媒としてのＭＥＫに添加し、ホモディスパーを用いて攪拌混合することにより接着剤溶液を製造した。得られた接着剤溶液を、アプリケーターを用いて離型ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが４０μｍとなるように塗工し、乾燥することにより、接着剤層を形成した。得られた接着剤層と、厚みが２０μｍのオレフィン基材としてのポリエチレンフィルム（ＰＥ）（ＧＦ−１、タマポリ社製）又はポリプロピレンフィルム（ＰＰ）（Ｆ１０９Ｖ、プライムポリプロ社製）とをラミネートすることにより、接着フィルムを得た。
（比較例７）
表１に記載の配合組成に従って、下記の各材料を溶媒としてのＭＥＫに添加し、ホモディスパーを用いて攪拌混合することにより接着剤溶液を製造した。得られた接着剤溶液を、アプリケーターを用いて離型ＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚みが４０μｍとなるように塗工し、乾燥することにより、接着剤層を形成した。得られた接着剤層と、粘着剤層（糊層）を有するダイシングテープとを、接着剤層と粘着剤層（糊層）とが接するようにラミネートすることにより、接着フィルムを得た。
【００５９】
（１）高分子化合物
グリシジル基含有アクリル樹脂（重量平均分子量２０万、商品名「Ｇ−２０５０Ｍ」、日油社製）
【００６０】
（２）エポキシ樹脂
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名「ＨＰ−７２００ＨＨ」、ＤＩＣ社製）
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（商品名「ＥＰ−４０８８」、アデカ社製）
【００６１】
（３）硬化剤
フェノール系硬化剤  クレゾールノボラック（商品名「ＫＡ−１１６０」、ＤＩＣ社製）
チオール系硬化剤（商品名「ＴＥＭＰＩＣ」、ＳＣ有機化学社製）
アミン系硬化剤（商品名「ＤＩＣＹ」、和光純薬工業社製）
酸無水物系硬化剤（商品名「ＹＨ−３０６」、ＪＥＲ社製）
【００６２】
（４）ベンゾオキサジン化合物
Ｐ−ｄ型ベンゾオキサジン（四国化成工業社製）
【００６３】
（５）硬化促進剤
２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン  イソシアヌル酸付加塩（商品名「２ＭＡ−ＯＫ」、四国化成工業社製）
【００６４】
（６）テルペン樹脂
テルペンフェノール樹脂（商品名「ＹＳポリスター  Ｋ１２５」、水酸基価２００、重量平均分子量６００、ヤスハラケミカル社製）
テルペンフェノール樹脂（商品名「ＹＳポリスター  Ｇ１５０」、水酸基価１４０、重量平均分子量７００、ヤスハラケミカル社製）
テルペンフェノール樹脂（商品名「ＹＳポリスター  Ｓ１２５」、水酸基価１００、重量平均分子量６５０、ヤスハラケミカル社製）
芳香族変性テルペン樹脂（商品名「ＹＳレジン  ＴＯ１０５」、重量平均分子量７００、ヤスハラケミカル社製）
【００６５】
（７）その他
無機充填剤（商品名「ＳＥ−１０５０」、アドマテックス社製）
シランカップリング剤（商品名「ＫＢＥ−４０２」、信越化学工業社製）
【００６６】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた接着フィルムについて、以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【００６７】
（１）密着力（オレフィン基材−接着剤層間）
接着フィルムの離型ＰＥＴフィルムを剥がし、接着剤層を半導体ウエハに貼り合わせた。テンシロン（ＲＴＣ−１３１０Ａ、オリエンテック社製）を用いて、オレフィン基材−接着剤層間（比較例７では、ダイシングテープ−接着剤層間）の１８０℃での剥離強度を測定した。
剥離強度が４ｇｆ／ｉｎｃｈ以上１５ｇｆ／ｉｎｇｈ未満であった場合を○、２ｇｆ／ｉｎｃｈ以上４ｇｆ／ｉｎｃｈ未満、又は、１５ｇｆ／ｉｎｃｈ以上２０ｇｆ／ｉｎｃｈ未満であった場合を△、２ｇｆ／ｉｎｃｈ未満、又は、２０ｇｆ／ｉｎｃｈ以上であった場合を×とした。
【００６８】
（２）汚染
半田からなる先端部を有する突起電極が形成された半導体チップ（ＷＡＬＴＳ  ＭＢ５０−０１０１ＪＹ、半田溶融点２３５℃、厚さ１００μｍ、ウォルツ社製）と、シリコン基板（厚さ７２５μｍ）とを用意した。接着フィルム（オレフィン基材２０μｍ、接着剤層４０μｍ）の離型ＰＥＴフィルムを剥がし、真空ラミネーター（ＡＴＭ−８１２Ｍ、タカトリ社製）を用いて、ステージ温度８０℃、真空度８０Ｐａで半導体チップ上に貼り合わせた。
接着フィルムのオレフィン基材（比較例７では、ダイシングテープ）を剥がし、フリップチップボンダ（ＦＣ−３０００Ｓ、東レエンジニアリング社製）を用いて、ボンディングステージ温度１２０℃の条件下で、１６０℃接触で２８０℃まで５秒で昇温し、０．８ＭＰａで５秒間荷重をかけ、半導体チップをシリコン基板上に実装した。その後、１７０℃で０．５時間加熱することにより接着剤層を完全に硬化させて、半導体装置を得た。
半導体チップからはみ出した接着剤層端部から連続した面状の汚染を「ブリード汚染」として、独立した点状の汚染を「結露汚染」としてそれぞれ評価を行った。ブリード汚染又は結露汚染が、半導体チップから１００μｍ以下の範囲内であった場合を○、半導体チップから１００μｍを超えるが５００μｍ以下の範囲内であった場合を△、半導体チップから５００μｍ以上の範囲にまで広がっていた場合を×とした。
【００６９】
（３）総合判定
上記（１）密着力及び上記（２）汚染の評価において、全評価が○であった場合を総合判定◎、全評価のうち１つだけ△であった場合を総合判定○、全評価のうち２つ以上が△であった場合を総合判定△、全評価のうち１つでも×であった場合を総合判定×とした。
【００７０】
【表１】
2014101430.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明によれば、接着剤層に含まれる成分が染み出したり、揮発及び固化したりすることによる汚染を抑制することのできる接着フィルムを提供することができる。
【符号の説明】
【００７２】
１    接着フィルム
２    オレフィン基材
３    接着剤層
４    糊層
５    基材層
６    ダイシングリング
７    半導体ウエハ
８    切り込みライン
９    半導体チップ
【図１】
2014101430.tif 000003
【図２】
2014101430.tif 000004
【図３】
2014101430.tif 000005
【図４】
2014101430.tif 000006
【図５】
2014101430.tif 000007