(57)【要約】【課題】対向基板の対向電極とＴＦＴ基板の接続配線とを導通させる導通部の導通をより確実に行うことを課題の一つとする。また、導電粒子を混ぜたシール材や導電ペーストに含まれる不純物が液晶層へ拡散することを防ぐことを課題の一つとする。【解決手段】導電粒子を含むシール材や導電ペーストを液晶層から隔離するために、シール材の上面形状は、複数の環状形状を組み合わせた形状とし、開口を有していない形状とする。また、シール材は、複数の隔室を形成し、複数の隔室は画素領域を配置する隔室と導電粒部を配置する隔室とを区画するように形成される。【選択図】図１
2014081661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板のうち、一方の基板上に、第１の領域と第２の領域を区切って囲うようにシール材を形成し、
前記第１の領域上に有機薄膜で被覆された導電性材料を含む複数のナノ粒子を吐出し、
前記第２の領域上に液晶を滴下し、
減圧下で前記一対の基板の貼り合わせを行い、
加熱処理を行うことで、前記シール材を硬化させ、
前記加熱処理により、前記有機薄膜を分解させて、前記複数のナノ粒子同士を融着させることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２】
一対の基板のうち、一方の基板上に、第１の領域と第２の領域を区切って囲うようにシール材を形成し、
前記第１の領域上に有機薄膜で被覆された導電性材料を含む複数のナノ粒子を吐出し、
前記第１の領域上に導電性ポリマーを吐出し、
前記第２の領域上に液晶を滴下し、
減圧下で前記一対の基板の貼り合わせを行い、
加熱処理を行うことで、前記シール材を硬化させ、
前記加熱処理により、前記有機薄膜を分解させて、前記複数のナノ粒子同士を融着させることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記シール材の形成は、インクジェット法を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数のナノ粒子の吐出は、インクジェット法を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の作製方法に関する。例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）で構成された回路を有する液晶表示パネルに代表される電気光学装置の作製方法
、およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００３】
従来、画像表示装置として液晶表示装置が知られている。パッシブマトリクス型の液晶
表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置
が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては
、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に画像が表示され
る。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧が印加さ
れることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が行われ、
この光学変調が画像として観察者に認識される。
【０００４】
このようなアクティブマトリクス型の電気光学装置の用途は広がっており、画面サイズ
の大面積化とともに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同
時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
【０００５】
また、パネルサイズが大型化するにつれ、使用する材料のコストがかかる。特に画素電
極と対向電極との間に配置される液晶材料は高価である。
【０００６】
液晶注入法を用いる場合、液晶を封止するために、シール描画、対向基板の貼り合わせ、
分断、液晶注入、液晶注入口の封止などといった複雑な工程が必要である。特にパネルサ
イズが大型になると、毛細管現象を用いて液晶注入を行うため、シールで囲まれた領域（
少なくとも画素領域を含む）に液晶を充填することが困難となってくる。また、毛細管現
象を用いて液晶注入を行う際、液晶注入口に注入する量よりも多くの量の液晶が使用され
、無駄になってしまう。
【０００７】
また、液晶注入法を用いる場合、２枚の基板を貼り合わせた後、分断を行い、分断面に形
成されている液晶注入口から液晶材料を注入することとなるが、液晶注入口から画素領域
まで延びている液晶材料の通り道となる部分にも液晶が充填されてしまう。このように表
示部となる領域以外の余分な部分にも液晶材料が充填されてしまう。
【０００８】
また、液晶注入口から画素領域まで延びている液晶材料の通り道、特に液晶注入口付近
は、パネルのほかの部分に比べて極端に多くの液晶が通過する部分となり、注入の際に摩
擦が生じて配向膜表面が変化し、結果的に液晶の配向の乱れを生じさせる恐れもある。
【０００９】
また、液晶注入法は、液晶注入後に液晶注入口を塞ぐ工程も必要となる。
【００１０】
一方、本出願人は、液晶注入法を用いない液晶表示装置の作製方法として、液晶を滴下し
た後、減圧下で一対の基板を貼り合わせる技術を特許文献１に提案している。
【００１１】
また、本出願人は、シール材の内側に対向電極との接続を行う導通部を配置し、導通部を
囲む障壁を設ける技術を特許文献２に提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】ＵＳＰ４，６９１，９９５
【特許文献２】特開２００６−２６８０２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献１に開示されている技術は液晶滴下工法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ
）と呼ばれている。液晶滴下工法は、必要な箇所のみに必要な量の液晶が滴下されるため
、材料のロスがなくなる。また、シールパターンは閉ループとするため、液晶注入口は不
要となる。また、液晶の通り道における配向膜表面の変化に伴う不良（例えば、配向不良
など）がなくなる。
【００１４】
また、液晶滴下工法は、液晶注入法と工程順序が大きく異なる。
【００１５】
液晶注入法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にスクリーン印
刷法、またはディスペンス装置を用いてシール材を描画する。次いで、対向基板ともう一
枚の基板とを向かい合うように配置し、シール材を硬化し、貼り合わせる。次いで、基板
の端面にシール材の一部（液晶注入口）が位置するように一対の基板の分断を行う。次い
で、一対の基板を減圧下のチャンバー内に配置し、液晶材料を液晶注入口に接した状態と
したまま、チャンバー内を減圧から大気圧に徐々に戻すことによって、液晶注入口から毛
細管現象を用いて液晶注入を行う。次いで、液晶注入口を封止材で塞ぎ、紫外線照射を行
って封止材を硬化させる。最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。
【００１６】
次に、液晶滴下工法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にディ
スペンス装置を用いて閉パターンのシール材を描画する。次いで、シール材で囲まれた領
域に対して液晶を所望の量だけ対向基板上に滴下する。次いで、対向基板ともう一枚の基
板とを減圧下で貼り合わせる。次いで、一対の基板の雰囲気を減圧から大気圧にする。次
いで、紫外線照射を行い、シール材を硬化させる。次いで、さらなるシール材の硬化のた
めの加熱処理と、液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行う。最後に一対の基板の
分断を行う。
【００１７】
液晶注入法は、一対の基板を貼り合わせた後に分断し、液晶を注入するが、液晶滴下工法
は、基板上に液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、その後に分断する。
【００１８】
また、液晶の配向を整えるための加熱処理を行う必要があるが、液晶注入法は、封止材を
硬化させた後に加熱処理を行って液晶の配向を揃えている。一方、液晶滴下工法は、シー
ル材の硬化のための加熱処理と液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行うことで効
率よく液晶表示装置を作製している。
【００１９】
また、液晶滴下工法は、液晶注入法とシール材を硬化させるタイミングが異なっている。
液晶注入法は、熱プレスで硬化させたシール材と液晶とが接触するため、硬化されたシー
ル材からは不純物が液晶に拡散しにくい。しかしながら、液晶滴下工法は、硬化させてい
ないシール材と液晶とが接触することとなる。液晶は流動性を有し、加熱により液晶分子
が広範囲へ移動するため、シール材を硬化するための加熱工程において、液晶中に不純物
が混入するという問題がある。本発明は、液晶滴下工法を用いて液晶表示装置を作製する
場合、液晶へ混入する不純物を低減する構成を課題の一つとする。
【００２０】
また、ＴＮモード、ＶＡモード、ＯＣＢモードのように一対の基板間に電圧を印加して駆
動させる液晶モードをアクティブマトリックス駆動する際には、アクティブマトリックス
基板に貼り合わされるＦｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ（ＦＰＣ）を
通じて電圧の印加を行っているため、一対の基板間に電位差を生じさせるためには、対向
基板の対向電極をアクティブマトリックス基板の接続配線へ導通させる導通部（コモンコ
ンタクト部分）が必要である。
【００２１】
この導通部の作製方法としては、複数の導電粒子を混ぜ合わせたシール材を一対の基板
のどちらかの導電部に接して配置する。この後、一対の基板を貼り合わせ、導電部に形成
される導電粒子が一対の基板にそれぞれ設けられた電極と接触することにより、対向基板
の対向電極とアクティブマトリクス基板の接続配線との導通がとれるようにする。本発明
は、対向基板の対向電極とＴＦＴ基板の接続配線とを導通させる導通部の導通をより確実
に行うことを課題の一つとする。
【００２２】
この導通部の作製方法においても、液晶注入法と液晶滴下法とで用いるシール材が異なる
ため、液晶滴下法においては、硬化させていないシール材の中に複数の導電粒子を混ぜた
ものを導電部に配置することとなる。従って、複数の導電粒子を混ぜ合わせたシール材と
液晶とが接触することとなる。予め、複数の導電粒子をシール材に混ぜ合わせる作業を行
っているため、当該作業中に外部から不純物が混入している恐れが高い。また、不純物が
付着した導電粒子とシール材を混ぜ合わせると、導電粒子に付着した不純物がシール材に
混入する恐れもある。
【００２３】
この不純物を含むシール材と液晶とが接した状態でシール材を硬化すると共に液晶の配向
を制御する加熱を行うと、当該不純物が液晶に拡散してしまい、液晶パネルの表示に不都
合を与えてしまう。これは、液晶は流動性を有しており、液晶分子が広範囲に移動できる
ため、不純物の液晶層全体への拡散は、短時間に行われ、極わずかな量の不純物であって
も顕著に液晶パネルの表示に現れてしまうためである。
【００２４】
また、他の導通部の作製方法として、導電粒子を混ぜたシール材ではなく、銀ペーストや
金ペーストなどの導電ペーストを導電部に配置する方法もある。しかしながら、銀ペース
トや金ペーストにおいても不純物が混入している恐れが高い。
【００２５】
本発明は、導電粒子を混ぜたシール材や導電ペーストに含まれる不純物が液晶層へ拡散す
ることを防ぐことを課題の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明の一は、第１の基板上に形成された画素電極と接続配線と、第２の基板上に形成さ
れた対向電極と、第１の基板と第２の基板の間にシール材と、第１の基板と第２の基板の
間に接続配線と対向電極とを電気的に接続する導電粒子とを有し、第１の基板、第２の基
板、及びシール材による囲まれた第１スペース及び第２スペースを有し、第１スペースは
接続配線と重なり、且つ、第１スペースの内側に導電粒子が配置され、第２スペースは画
素電極と重なり、且つ、第２スペースの内側に液晶層が配置されることを特徴とする液晶
表示装置である。
【００２７】
なお、第１スペースと第２スペースはシール材で画設される。また、第１スペースには導
電性を有する有機材料が配置される。また、導電粒子は、第２のシール材と接していても
よい。
【００２８】
また、本発明の一は、画素電極を有する表示部と導電部と端子部とを有する第１の基板と
、対向電極を有する第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に液晶層を有し、第１
の基板、第２の基板、及びシール材による囲まれた第１スペースは、導電部と重なり、第
１の基板、第２の基板、及びシール材による囲まれた第２スペースは、表示部と重なり、
表示部と端子部との間にシール材が配置され、導電部と端子部との間にシール材が配置さ
れ、記表示部と導電部との間にシール材が配置され、端子部は、第１の接続端子及び第２
の接続端子を有し、第１の接続端子は、導電部を介して対向電極と電気的に接続され、第
２の接続端子は、画素電極と電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置である。
【００２９】
なお、第１スペースには導電性を有する有機材料が配置される。また、導電部には、第２
のシール材が設けられ、前記第２のシール材の中に導電粒子が含まれていてもよい。また
、導電部には、第１の接続端子と電気的に接続する接続配線が設けられ、接続配線と対向
電極との間に導電粒子を設ける。
【００３０】
また、本発明の一は、一対の基板のうち、一方の基板上に第１のシール材を形成し、第１
のシール材で囲まれた第１の領域上に導電粒子を含む第２のシール材を形成し、第１のシ
ール材で囲まれた第２の領域上に液晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う
ことを特徴とする液晶表示装置の作製方法である。
【００３１】
なお、第１のシール材は、第１の領域と第２の領域の境界に形成する。また、第１のシー
ル材及び第２のシール材の形成は、インクジェット法を用いる。
【００３２】
また、本発明の一は、一対の基板のうち、一方の基板上にシール材を形成し、シール材で
囲まれた第１の領域上に導電性を有する有機材料を含む組成物を滴下し、シール材で囲ま
れた第２の領域上に液晶を滴下し、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行うことを特徴と
する液晶表示装置の作製方法である。
【００３３】
なお、シール材は、第１の領域と第２の領域の境界に形成する。また、導電性を有する有
機材料を含む組成物は、ナノ粒子を含むことを特徴とする。また、導電性を有する有機材
料を含む組成物の塗布は、インクジェット法を用いる。また、シール材の形成は、インク
ジェット法を用いる。
【００３４】
導電粒子を含むシール材や導電ペーストを液晶層から隔離するために、シール材の上面形
状は、複数の環状形状を組み合わせた形状とし、開口を有していない形状とする。また、
シール材は、複数の隔室を形成し、複数の隔室は画素領域を配置する隔室と導電部を配置
する隔室とを区画するように形成される。また、シール材は、導通部を配置する第１スペ
ースと、画素領域を配置する第２スペースとを画設するように形成される。
【００３５】
また、狭額縁化するために、シール材の外周縁形状を矩形とし、その矩形の角の部分に導
電粒子を配置する。または、シール材の外周縁形状は複数の辺及び当該辺を繋ぐ曲線から
なる形状、即ち、矩形状で、かつ角の部分が曲線である形状であって、当該形状の曲線の
内側に導電粒子を配置する。導電粒子と液晶層を隔て且つ外周縁のシール材と接続するシ
ール材を配置し、当該シール材の内側に液晶層を配置する。なお、導電部は、少なくとも
１箇所設ければよい。
【００３６】
導電部には、絶縁球体の表面に金属薄膜が被覆された導電粒子を配置することができる。
代表的には、有機絶縁材料で形成される球状の表面に金属薄膜がコーティングされた導電
粒子、無機絶縁材料で形成される球状の表面に金属薄膜がコーティングされた導電粒子、
または有機絶縁材料で形成される球状の表面に異なる金属薄膜が積層された導電粒子を配
置して、一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させる。また、導電部には
導電ペーストを配置して一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させてもよ
い。また、導電部には有機薄膜で被覆された金属ナノ粒子を配置して、一対の基板を貼り
あわせた後、焼成を行って一対の基板にそれぞれ設けられた電極及び配線を導通させても
よい。なお、金属ナノ粒子の粒径は１ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。また、金属ナノ粒
子を被覆している有機薄膜は、導電材料と配位結合界面活性剤より構成されている。
【００３７】
シール材で囲まれた第１スペース（隔室）は、気密性が確保されていれば、不活性気体を
充填してもよいし、減圧空間としてもよい。また、絶縁性を有する有機材料を充填しても
よいし、導電性を有する材料を充填してもよい。第１スペース（隔室）を充填する有機材
料としては、代表的には、導電粒子を第１スペース（隔室）に吐出するための媒体として
用いる有機材料や、シール材及び導電粒子の間に充填される有機材料である。
【００３８】
また、第１スペース（隔室）を充填する導電性を有する材料としては、導電性ポリマーが
ある。導電性ポリマーは粘度が低いため、第１スペース（隔室）に充填される。第１スペ
ース（隔室）に導電性ポリマーを充填した場合、接触面積が大きくなるため、導通部にお
ける対向電極と接続配線との導通をより確実にすることができる。
【００３９】
本明細書においては導電部を４箇所形成するため、シール材の内周縁形状は八角形となっ
ているが特に限定されず、五角形や六角形などの多角形としてもよい。導電部を４箇所形
成することで導通を確実にし、外力により第１基板または第２基板が変形した場合でも、
少なくとも一箇所導通が図れているため、耐久性を向上できる。特に可撓性を有する基板
を用いた液晶表示装置において、信頼性を向上できる。
【００４０】
また、シール材の外周縁形状の内側で、かつ、内周縁形状の外側には複数の第１スペース
が設けられる。複数の第１スペースにおいて、シール材の外周縁形状の角と対向する角は
、液晶と導通部を画設するシール材が複数の辺からなる。複数の第１スペースにおいて、
シール材の外周縁形状の角と対向する角は、一定の角度を有してもいいし、それぞれ異な
る角度を有してもよい。さらには、当該角度が９０度より大きく１８０度未満であること
が好ましい。即ち、導通部が配置されている第１スペース（隔室）の上面形状が多角形で
ある。
【００４１】
また、シール材の内周縁形状は一部が曲線を描く形状であってもよい。この場合、液晶と
導通部を画設するシール材の上面形状が曲線状である。即ち、導通部が配置されている第
１スペース（隔室）の上面形状が扇状である。
【００４２】
上記のように、第１スペース（隔室）の上面形状において、シール材の外周縁形状の角と
対向する角が９０度より大きく１８０度未満の多角形または扇状の場合、シール材の内周
縁で囲まれる平面の面積が小さくなるため、液晶の使用量を減少させることができる。ま
た、シール材と液晶の接触面積を低減することが可能であるため、シール材に含まれる不
純物が液晶に拡散する量を低減することができる。
【００４３】
また、導電粒子を有する第１スペース（隔室）と画素領域を有する第２スペース（隔室）
との間に、第３空間を設けてもよい。第１スペース（隔室）及び第２スペース（隔室）の
間に第３スペース（隔室）を設け、第１スペース（隔室）及び第２スペース（隔室）の距
離を離すことにより、導電粒子に含まれる不純物が液晶に侵入するのを防ぐことができる
。
【００４４】
シール材の粘度が低い材料は、シール材を滴下する際にはインクジェット法が向いており
、シール材の粘度が高い材料は、シール材を滴下する際にはディスペンス法が向いている
。
【００４５】
液晶を滴下する場合、液晶の粘度を低くするために液晶を加熱してディスペンス法により
滴下する。
【００４６】
また、上述した液晶表示装置としては、特に限定されず、ＴＮ液晶、ＯＣＢ液晶、ＳＴＮ
液晶、ＶＡ液晶、ＥＣＢ型液晶、ＧＨ液晶、高分子分散型液晶、ディスコティック液晶な
どを用いることができるが、中でもノーマリーブラック型の液晶パネル、例えば垂直配向
（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置とすることが好ましい。垂直配向モード
としては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃ
ａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることができる。具体的に
は、１画素を複数のサブピクセルに分割し、各サブピクセルの中央に位置する対向基板の
箇所に凸部を設けることで１画素をマルチドメイン化する。なお、凸部は、対向基板また
は素子基板の一方または両方に設けてもよく、放射状に液晶分子を配向させ、配向規制力
を向上させる。
【００４７】
また、液晶を駆動するための電極、即ち画素電極の上面形状を櫛歯状やジグザグ状として
、電圧のかかる方向を多様化させてもよい。また、光配向を用いて１画素をマルチドメイ
ン化してもよい。
【００４８】
また、画素電極に接続する能動素子としては、ダイオード、ＭＩＭ、バリスタなどの２端
子型の能動素子、或いは、非晶質半導体膜を活性層に用いたＴＦＴ、結晶性半導体膜を活
性層に用いたＴＦＴ、有機半導体材料を活性層に用いたＴＦＴ、ＺｎＯなどの金属酸化物
を活性層に用いたＴＦＴなどの３端子型の能動素子を用いることができる。
【発明の効果】
【００４９】
シール材と液晶の接触面積を低減することが可能であるため、シール材に含まれる不純物
が液晶に拡散する量を低減することができる。従って、液晶表示装置の表示不良を低減で
きる。
【００５０】
また、導通部から液晶層への不純物の拡散を防ぐことができる。従って、液晶表示装置の
表示不良を低減できる。
【００５１】
また、導通部で確実に電気的な接続が行えるため、液晶表示装置の品質向上を達成できる
。また、衝撃などの外力を加えられて基板が変形しても、導通部での接続を維持できる液
晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の液晶表示装置を説明する上面図及び断面図である。
【図２】本発明の液晶表示装置を説明する上面図である。
【図３】本発明に適用可能なインクジェット装置を説明する図である。
【図４】本発明の液晶表示装置を説明する上面図及び断面図である。
【図５】本発明の液晶表示装置を説明する断面図である。
【図６】電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５３】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさま
ざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す
実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。以下に説明する本発明の構成
において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用いる。
【００５４】
（実施の形態１）
本発明の液晶表示装置について図１乃至図２を用いて説明する。
【００５５】
図１（Ａ）に、本発明の液晶表示装置の上面図を示す。画素電極が形成されたアクティ
ブマトリックス基板となる第１基板１２１０と対向基板が形成された第２基板１２０４が
第１シール材１２０５により貼り合わされており、第１シール材１２０５の内部に液晶１
２８０が充填されている。第１基板１２１０上には信号線駆動回路１２００、走査線駆動
回路１２０１、及び画素電極がマトリクス状に形成された画素領域１２０２が形成されて
いる。
【００５６】
第１基板１２１０に形成される接続配線と第２基板１２０４に形成される対向電極とを
導通している導電粒子１２７０、及び液晶１２８０の間にも第１シール材１２０５が設け
られており、導電粒子１２７０及び液晶１２８０を画設している。即ち、第１シール材１
２０５の上面形状は、複数の環状で構成される。また、最大の環状（外周縁）は第１スペ
ース（隔室）及び第２スペース（隔室）を含み、図１（Ａ）においては矩形状である。ま
た、第１シール材で導電粒子が配置された第１スペース（隔室）１２４５を区画する第１
シール材と、画素領域が配置された第２スペース（隔室）１２４６を区画する第１シール
材が連続している。そして、第１基板１２１０にＦＰＣ１２０９が貼り付けられている。
【００５７】
図１（Ａ）においては、導電粒子１２７０が設けられる導電部、即ち第１スペース（隔室
）１２４５を４箇所形成するため、シール材の内周縁形状は八角形となっているが特に限
定されず、導電部を１箇所乃至３箇所とし、シール材の内周縁形状を五角形や六角形など
の多角形としてもよい。導電部を４箇所形成することで導通を確実にし、外力により基板
が変形した場合でも少なくとも一箇所導通が図れていればよいため、耐久性を向上できる
。特に可撓性を有する基板を用いた液晶表示装置において、信頼性を向上できる。
【００５８】
図１（Ａ）において導電粒子が配置された第１スペース（隔室）１２４５を区画する第１
シール材の形状は三角形である。即ち、第１シール材の外角に対して直線状の隔室が形成
されている。また、第１スペース（隔室）と第２スペース（隔室）を画設する第１シール
材は、第１基板及び第２基板の辺または第１基板及び第２基板の辺に沿って形成される第
１シール材に対して鋭角である。
【００５９】
なお、第１スペース（隔室）１２４５の形状は、三角形に限定されるものではない。図１
（Ａ）の第１スペース（隔室）１２４５付近の上面拡大図を図２に示す。
【００６０】
図２（Ａ）に示すように、第１スペース（隔室）１２４５の形状は、４角形以上の多角形
でもよい。図２（Ａ）においては、第１スペース（隔室）１２４５の形状が四角形の形態
を示す。なお、このとき、第１スペース（隔室）１２４５及び第２スペース（隔室）１２
４６を隔てる第１シール材１２０５ａは２辺からなり当該２辺が角度αをなし、当該角度
が９０度より大きく１８０度より小さいことが好ましい。なお、第１スペース（隔室）と
第２スペース（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第２基板の辺とでなす角
度であり、且つ第１スペース（隔室）が形成される側の角度βは、鋭角である。即ち、第
１スペース（隔室）と第２スペース（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第
２基板の辺に沿って形成される第１シール材とでなす角度であり、且つ第１スペース（隔
室）が形成される側の角度βは、鋭角である。
【００６１】
また、図２（Ｂ）に示すように、第１スペースの隅が曲線状であってもよい。この場合は
、第１スペース（隔室）１２４５の形状は扇状となる。また、第１スペース（隔室）と第
２スペース（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第２基板の辺とでなす角度
であり、且つ第１スペース（隔室）が形成される側の角度βは、鋭角である。
【００６２】
また、図２（Ｃ）に示すように、第１スペース（隔室）１２４５は扇状でもよい。このと
き第１スペース（隔室）１２４５及び第２スペース（隔室）１２４６を隔てる第１シール
材１２０５ｂが曲線状である。なおここでは、第１スペース（隔室）１２４５及び第２ス
ペース（隔室）１２４６を隔てる第１シール材１２０５ｂは、第１スペースの隅に対して
凹の曲線状であるが、凸の曲線状でもよい。なお、第１スペース（隔室）と第２スペース
（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第２基板の辺とでなす角度であり、且
つ第１スペース（隔室）が形成される側の角度βは、鋭角である。即ち、第１スペース（
隔室）と第２スペース（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第２基板の辺に
沿って形成される第１シール材とでなす角度であり、且つ第１スペース（隔室）が形成さ
れる側の角度βは、鋭角である。
【００６３】
また、図２（Ｄ）に示すように、第１スペースの隅が曲線状であってもよい。この場合は
、第１スペース（隔室）１２４５は曲線で囲まれる。また、第１スペース（隔室）と第２
スペース（隔室）を画設する第１シール材と、第１基板及び第２基板の辺とでなす角度で
あり、且つ第１スペース（隔室）が形成される側の角度βは、鋭角である。
【００６４】
上記のように、第１スペース（隔室）１２４５の上面形状が第２スペース（隔室）１２４
６と接する外角が９０度より大きく１８０度未満の多角形または扇状の場合、シール材の
内周縁で囲まれる平面の面積が小さくなるため、液晶の使用量を減少させることができる
。また、シール材と液晶の接触面積を低減することができる。
【００６５】
また、図２（Ｅ）に示すように、導電粒子が配置された第１スペース（隔室）１２４５と
画素領域が配置された第２スペース（隔室）１２４６との間に、第３の空間１２４７を設
けてもよい。即ち、第１スペース（隔室）１２４５及び第２スペース（隔室）１２４６を
隔てる第１シール材１２０５ｃを複数設け、当該第１シール材１２０５ｃで第３の空間を
形成する。なお、ここでは、第１スペース（隔室）１２４５及び第２スペース（隔室）１
２４６を隔てる第１シール材１２０５ｃを２重とし、第１スペース（隔室）１２４５及び
第２スペース（隔室）１２４６の間に第３空間１２４７を設けたが、さらに複数の第１シ
ール材１２０５ｃを設け、第１スペース（隔室）１２４５及び第２スペース（隔室）１２
４６の間に複数の空間を設けてもよい。このように、第１スペース（隔室）１２４５及び
第２スペース（隔室）１２４６の距離を離すことにより、導電粒子に含まれる不純物が液
晶に侵入するのを防ぐことができる。
【００６６】
また、図２（Ｆ）に示すように、第１スペースの隅が曲線状であってもよい。この場合は
、第１スペース（隔室）１２４５は扇状である。
【００６７】
さらには、第１スペース（隔室）１２４５が複数ある場合、図１（Ａ）及び図２に示す第
１のスペース（隔室）の形状のいずれか複数を組み合わせて第１のスペース（隔室）１２
４５を形成してもよい。
【００６８】
第１シール材１２０５は、スクリーン印刷法、インクジェット装置またはディスペンス装
置を用いて第１基板または第２基板上に塗布する。第１シール材１２０５は、代表的には
可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を含む材料を用いることができる。例
えば、ビスフェノールＡ型液状樹脂、ビスフェノールＡ型固形樹脂、含ブロムエポキシ樹
脂、ビスフェノールＦ型樹脂、ビスフェノールＡＤ型樹脂、フェノール型樹脂、クレゾー
ル型樹脂、ノボラック型樹脂、環状脂肪族エポキシ樹脂、エピビス型エポキシ樹脂、グリ
シジルエステル樹脂、グリジシルアミン樹脂、複素環式エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂
等のエポキシ樹脂を用いることができる。第１シール材１２０５としては粘度４０〜４０
０Ｐａ・ｓのものを用いる。また、フィラー（直径１μｍ〜２４μｍ）を含んでもよい。
なお、第１シール材としては、後に接する液晶に溶解しないシール材料を選択することが
好ましい。
【００６９】
導電粒子１２７０として、図５（Ａ）に示すように、絶縁性球体１２３２に金属薄膜１２
３３、１２３４が被覆された導電粒子を用いることができる。絶縁性球体１２３２は、シ
リカガラス、硬質樹脂等で形成される。金属薄膜１２３３、１２３４は、金、銀、パラジ
ウム、ニッケル、ＩＴＯ、及びＩＺＯの単層または積層構造とすることができる。例えば
、金属薄膜として金薄膜や、ニッケル薄膜及び金薄膜の積層等を用いることができる。絶
縁性球体１２３２を中心に有する導電粒子１２７０を用いることで、弾性が高まり、外部
からの圧力に対する破壊を低減することができる。
【００７０】
ここで、インクジェット法により第１シール材及び導電粒子を塗布する方法について、図
３を用いて説明する。図３は、液滴吐出装置７３０の断面の一例である。図３に示す液滴
吐出装置７３０は複数のノズルが一軸方向に配列されたヘッドを具備する液滴吐出手段１
１２５、該液滴吐出手段１１２５を制御する制御部１１０３、基板１１２４を固定しＸＹ
α方向に移動するステージ１１２２等を有している。このステージ１１２２は、基板１１
２４を真空チャック等の手法で固定する機能も有する。そして、液滴吐出手段１１２５が
有する各ノズルの吐出口から基板１１２４の方向に組成物が吐出されて、第１シール材及
び導電粒子を塗布する。
【００７１】
ステージ１１２２と液滴吐出手段１１２５は、制御部１１０３により制御される。制御
部１１０３は、ステージ位置制御部１１０１を有している。また、ＣＣＤカメラなどの撮
像手段１１２０も制御部１１０３により制御される。撮像手段１１２０は、マーカーの位
置を検出して、その検出した情報を制御部１１０３に供給する。また、検出した情報をモ
ニター１１０２に表示することもできる。制御部１１０３は、アライメント位置制御部１
１００を有している。また、液滴吐出手段１１２５にはインクボトル１１２３より第１シ
ール材または導電粒子を含む組成物が供給される。
【００７２】
なお、第１シール材または導電粒子の塗布に際し、液滴吐出手段１１２５を移動しても
よいし、液滴吐出手段１１２５を固定してステージ１１２２を移動させてもよい。但し、
液滴吐出手段１１２５を移動する場合には、組成物の加速度や、液滴吐出手段１１２５に
具備されたノズルと被処理物との距離、その環境を考慮して行う必要がある。
【００７３】
その他、図示しないが、付随する構成要素として、吐出した組成物の着弾精度を向上さ
せるために、ヘッド１１２１が上下に動く移動機構とその制御手段等を設けてもよい。そ
うすると、吐出する組成物の特性に応じて、ヘッドと基板１１２４の距離を変えることが
できる。またガス供給手段とシャワーヘッドを設けてもよく、そうすると、組成物の溶媒
と同じ気体の雰囲気下に置換することができるため、乾燥をある程度防止することができ
る。さらに、清浄な空気を供給し、作業領域の埃を低減するクリーンユニット等を設けて
もよい。また、図示しないが、基板を加熱する手段、加えて温度、圧力等、種々の物性値
を測定する手段を、必要に応じて設置しても良く、これら手段も、筐体の外部に設置した
制御手段によって一括制御することが可能である。さらに制御手段をＬＡＮケーブル、無
線ＬＡＮ、光ファイバ等で生産管理システム等に接続すれば、工程を外部から一律管理す
ることが可能となり、生産性を向上させることに繋がる。なお、着弾した組成物の乾燥を
早め、また組成物の溶媒成分を除去するために、真空排気を行って、減圧下で動作させて
もよい。
【００７４】
図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＡ−Ｂ間における断面図を示している。第１基板１２１０上
に、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３とｐチャネル型ＴＦＴ１２２４とを有するＣＭＯＳ回路
を備えた信号線駆動回路１２００を示す。なお、信号線駆動回路１２００や図１（Ａ）に
示す走査線駆動回路１２０１は、ＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路又はＮＭＯＳ回路で形成し
てもよい。
【００７５】
画素領域１２０２は、スイッチングＴＦＴ１２１１及び容量素子１２２５を有する。ま
た、絶縁層１２１４上にはスイッチングＴＦＴ１２１１に接続する画素電極１２５０が形
成される。
【００７６】
第１基板１２１０及び第２基板１２０４としては、アルミノシリケートガラス、アルミ
ノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスのような電子工業用に使われるガラス基
板（「無アルカリガラス基板」とも呼ばれる）、石英基板、セラミック基板、プラスチッ
ク基板等を適宜用いることができる。第１基板１２１０及び第２基板１２０４として、可
撓性を有するプラスチック基板を用いることで、可撓性を有する液晶表示装置を作製する
ことができる。
【００７７】
また、第１基板１２１０上には絶縁層１２１５を介してスイッチングＴＦＴ１２１１、ｎ
チャネル型ＴＦＴ１２２３、及びｐチャネル型ＴＦＴ１２２４、並びに容量素子１２２５
が形成される。絶縁層１２１５は、下地膜として機能する絶縁層を形成すればよく、酸化
窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化珪素、窒化珪素を単層または積層して形成する。
【００７８】
スイッチングＴＦＴ１２１１、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３、ｐチャネル型ＴＦＴ１２２
４は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有する半導体層、ゲート絶縁
層、並びにゲート電極で構成される。
【００７９】
半導体層は、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上７０ｎｍ
以下の非単結晶半導体または単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層とし
ては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体として
は、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、瞬間熱アニ
ール（ＲＴＡ）又はファーネスアニール炉を用いた熱処理により結晶化させた結晶性半導
体、加熱処理とレーザビームの照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用する
ことが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニ
ッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
【００８０】
加熱処理に加えてレーザビームを照射して結晶化する場合には、連続発振レーザビーム
の照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好
ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、
結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザビームの照射方向に連続的に移動させなが
ら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が
一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。
【００８１】
また、半導体層を単結晶半導体を用いて形成する場合は、第１基板１２１０に酸化珪素層
を形成した単結晶半導体基板を接合し、当該単結晶基板の一部を研磨または剥離すること
により、第１基板１２１０上に単結晶半導体を用いた半導体層を形成することができる。
【００８２】
ゲート絶縁層は、厚さ５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下
の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
【００８３】
ゲート電極は、金属または一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することが
できる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ
）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を
窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と
当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物
とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶
縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場
合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
【００８４】
半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極などを組み合わせて構成されるスイッチングＴＦ
Ｔ１２１１、ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３、ｐチャネル型ＴＦＴ１２２４は、シングルド
レイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各
種構造を適用することができる。ここでは、ＬＤＤ構造の薄膜トランジスタを示す。さら
には、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形と
なるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、逆スタ
ガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【００８５】
半導体層のソース領域及びドレイン領域に接する配線は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウ
ム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、
アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）など
の高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【００８６】
なお、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トラ
ンジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムイ
ンジウムの酸化物等がある。
【００８７】
容量素子１２２５は、不純物が添加された半導体層と、ゲート電極とゲート電極とに挟
まれたゲート絶縁層により構成される。ｎチャネル型ＴＦＴ１２２３、ｐチャネル型ＴＦ
Ｔ１２２４、スイッチングＴＦＴ１２１１、そして容量素子１２２５上を覆うように絶縁
層１２１４が設けられている。絶縁層１２１４上にはスイッチングＴＦＴ１２１１の一方
の電極と接続された画素電極１２５０がある。また、絶縁層１２１４上には、対向電極と
導電粒子１２７０を介して接続される接続配線１２０８が形成される。また、接続配線１
２０８は、図示しないがＦＰＣ１２０９と接続する。画素領域、信号線駆動回路、または
走査線駆動回路の構造によっては、接続配線１２０８と絶縁層１２１４が何層にも重なっ
ていてもよい。当該場合は、より少ない面積に信号線駆動回路または走査線駆動回路を形
成することが可能であるため、画素領域の面積を拡大することができる。
【００８８】
画素電極１２５０の種類は、透過型の液晶表示装置の場合と反射型の液晶表示装置で異
なる。透過型液晶表示装置の場合、画素電極１２５０は透光性を有する材料を用いて形成
する。透光性を有する材料とは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、
酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、ガリウムを添加した酸化亜鉛（ＧＺＯ）等がある。
【００８９】
また、画素電極１２５０として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性
組成物を用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シー
ト抵抗が１００００Ω／□以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上であること
が好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が０．１Ω・ｃｍ以下
であることが好ましい。
【００９０】
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
【００９１】
共役導電性高分子の具体例としては、ポリピロ−ル、ポリ（３−メチルピロ−ル）、ポリ
（３−ブチルピロ−ル）、ポリ（３−オクチルピロ−ル）、ポリ（３−デシルピロ−ル）
、ポリ（３，４−ジメチルピロ−ル）、ポリ（３，４−ジブチルピロ−ル）、ポリ（３−
ヒドロキシピロ−ル）、ポリ（３−メチル−４−ヒドロキシピロ−ル）、ポリ（３−メト
キシピロ−ル）、ポリ（３−エトキシピロ−ル）、ポリ（３−オクトキシピロ−ル）、ポ
リ（３−カルボキシルピロ−ル）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシルピロ−ル）、ポ
リ（Ｎ−メチルピロール）、ポリチオフェン、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリ（３
−ブチルチオフェン）、ポリ（３−オクチルチオフェン）、ポリ（３−デシルチオフェン
）、ポリ（３−ドデシルチオフェン）、ポリ（３−メトキシチオフェン）、ポリ（３−エ
トキシチオフェン）、ポリ（３−オクトキシチオフェン）、ポリ（３−カルボキシルチオ
フェン）、ポリ（３−メチル−４−カルボキシルチオフェン）、ポリ（３，４−エチレン
ジオキシチオフェン）、ポリアニリン、ポリ（２−メチルアニリン）、ポリ（２−オクチ
ルアニリン）、ポリ（２−イソブチルアニリン）、ポリ（３−イソブチルアニリン）、ポ
リ（２−アニリンスルホン酸）、ポリ（３−アニリンスルホン酸）等がある。
【００９２】
上記導電性高分子を、単独で導電性組成物として用いて画素電極を形成してもよい。また
、導電性組成物で形成される画素電極の膜質、膜強度等の膜特性を調整するために導電性
高分子に有機樹脂を添加して導電性組成物とすることができる。
【００９３】
有機樹脂としては、導電性高分子と相溶または混合分散可能である硬化性樹脂、熱可塑性
樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル樹脂、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド等のポリイミド樹脂、ポリアミド６、ポリアミド６，６、ポリアミ
ド１２、ポリアミド１１等のポリアミド樹脂、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニル
、ポリテトラフルオロエチレン、エチレンテトラフルオロエチレンコポリマー、ポリクロ
ロトリフルオロエチレン等のフッ素樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、
ポリビニルブチラール、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル等のビニル樹脂、エポキシ樹脂
、キシレン樹脂、アラミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリウレア樹脂、メラミン樹脂、フ
ェノール樹脂、ポリエーテル、アクリル樹脂及びこれらの共重合体等がある。
【００９４】
さらに、導電性組成物の電気伝導度を調整するために、導電性組成物にアクセプタ性ドー
パントまたはドナー性ドーパントをドーピングすることにより、共役導電性高分子の共役
電子の酸化還元電位を変化させてもよい。
【００９５】
アクセプタ性ドーパントとしては、ハロゲン化合物、ルイス酸、プロトン酸、有機シアノ
化合物、有機金属化合物等を使用することができる。ハロゲン化合物としては、塩素、臭
素、ヨウ素、塩化ヨウ素、臭化ヨウ素、フッ化ヨウ素等が挙げられる。ルイス酸としては
五フッ化燐、五フッ化ヒ素、五フッ化アンチモン、三フッ化硼素、三塩化硼素、三臭化硼
素等が挙げられる。プロトン酸としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、ホウフッ化水素酸
、フッ化水素酸、過塩素酸等の無機酸と、有機カルボン酸、有機スルホン酸等の有機酸を
挙げることができる。有機カルボン酸及び有機スルホン酸としては、安息香酸、酢酸、フ
タル酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン
酸、アントラキノンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などがあり、これらの金属
塩も用いることができる。有機シアノ化合物としては、共役結合に二つ以上のシアノ基を
含む化合物が使用できる。例えば、テトラシアノエチレン、テトラシアノエチレンオキサ
イド、テトラシアノベンゼン、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノアザナフタレン
等がある。
【００９６】
ドナー性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、４級アミン化合物等が
ある。
【００９７】
また、導電性組成物を、水または有機溶剤（アルコール溶剤、ケトン溶剤、エステル溶剤
、炭化水素溶剤、芳香族溶剤など）に溶解させて、湿式法により画素電極層を形成するこ
とができる。
【００９８】
導電性組成物を溶解する溶媒としては、特に限定することはなく、上記した導電性高分子
及び有機樹脂などの高分子樹脂化合物を溶解するものを用いればよく、例えば、水、メタ
ノール、エタノール、プロピレンカーボネート、Ｎ‐メチルピロリドン、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、アセトン、メチルエチルケトン、メ
チルイソブチルケトン、トルエンなどの単独もしくは混合溶剤に溶解すればよい。
【００９９】
導電性組成物を、塗布法、コーティング法、液滴吐出法（インクジェット法ともいう）、
印刷法等の湿式法を用いて絶縁層１２１４上に塗布し画素電極１２５０を形成する。導電
性組成物に溶媒が含まれる場合は、溶媒を乾燥させるための熱処理を行ってもよいし、減
圧下で導電性組成物を用いて画素電極を形成してもよい。また、導電性組成物に含まれる
有機樹脂が熱硬化性の場合は、さらに加熱処理を行い、光硬化性の場合は、光照射処理を
行って、硬化すればよい。
【０１００】
一方、反射型の液晶表示装置の場合、画素電極は反射率の高い金属電極が用いられる。
具体的には、アルミニウム、銀等が用いられる。また、画素電極の表面を凹凸状にするこ
とで、反射率が高まる。このため、画素電極の下地膜を凹凸とすればよい。
【０１０１】
また、半透過型の液晶表示装置の場合には、画素電極は透過型の材料と反射型の材料が
用いられる。
【０１０２】
ここで、接続配線及び導電粒子の接続構造、並びに接続配線及び画素領域の接続構造につ
いて、図４を用いて説明する。
【０１０３】
図４（Ａ）は、第１基板１２１０にＦＰＣを貼り付ける前の液晶表示装置の上面図であり
、図４（Ｂ）は、導電粒子と接続配線の接続領域を示す図４（Ａ）のＣ−Ｄの断面図を示
し、図４（Ｃ）は画素領域と接続配線の接続領域を示す図４（Ａ）のＥ−Ｆの断面図を示
す。
【０１０４】
図４（Ａ）に示すように、液晶表示装置は、導電粒子１２７０を含む第１スペース（隔室
）１２４５と、表示領域を含む第２スペース（隔室）１２４６を有する。第１スペース（
隔室）１２４５は、第１基板１２１０、第２基板１２０４、及び第１シール材１２０５に
より囲まれており、かつ導電粒子１２７０が配置される。また、第２スペース（隔室）１
２４６は、第１基板１２１０、第２基板１２０４、及び第１シール材１２０５により囲ま
れており、且つ画素領域１２０２が配置される。
【０１０５】
また、第１基板１２１０の端部には、端子部１２４０が形成される。端子部１２４０には
、接続配線上に接続端子が形成される。
【０１０６】
図４（Ｂ）は、第１スペース（隔室）１２４５の導電粒子１２７０と接続端子とが接続さ
れる領域の断面図である。絶縁層１２１４上に接続配線１２０８が形成される。接続配線
１２０８上には画素電極と同時に形成される接続端子１２４１が形成される。接続端子１
２４１は、接続配線１２０８及び導電粒子１２７０を介して、対向電極１２５１と電気的
に接続される。また、接続端子１２４１はＦＰＣと接続される。
【０１０７】
図４（Ｃ）は、第２スペース（隔室）１２４６の画素電極と接続端子とが接続される領域
の断面図である。絶縁層１２１４上に接続配線１２４２が形成される。接続配線１２４２
上には画素電極１２５０と同時に形成される接続端子１２４３が形成される。接続端子１
２４３は、接続配線１２４２を介して、画素電極１２５０と電気的に接続される。なお、
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の形態を用いているため、画
素電極１２５０と接続配線１２４２は直接接続せず、スイッチングＴＦＴ１２１１、また
は信号線駆動回路１２００を介して接続する。
【０１０８】
そして図１（Ｂ）に示すように、画素電極１２５０上に配向膜１２０６が設けられ、ラ
ビング処理が施されている。この配向膜１２０６およびラビング処理は、使用する液晶の
モードにより必要な場合と不必要な場合がある。
【０１０９】
対向基板となる第２基板１２０４には、信号線駆動回路１２００と重なる位置にブラッ
クマトリクス１２５３が設けられ、少なくとも画素領域１２０２と重なる位置にカラーフ
ィルタおよび保護層１２５２が設けられる。カラー表示をフィールドシーケンシャルと言
われる色順次方式で表示する場合にはカラーフィルタは設けなくともよい。また、カラー
フィルタおよび保護層１２５２に対向電極１２５１が形成され、対向電極１２５１上に配
向膜１２０７が設けられ、ラビング処理が施されている。この第２基板１２０４も第１基
板１２１０と同様に、使用する液晶のモードにより配向膜およびラビング処理が必要な場
合と不必要な場合がある。
【０１１０】
対向電極１２５１が形成された第２基板１２０４または画素電極１２５０が形成された
第１基板１２１０に、柱状スペーサー１２５５が設けられている。柱状スペーサー１２５
５は第１基板１２１０と第２基板１２０４とのギャップを保持するためのものである。こ
の柱状スペーサーはフォトリソスペーサー、ポストスペーサー、貝柱スペーサー、カラム
スペーサーとも呼ばれている。本実施の形態では、柱状スペーサーを用いて示す。柱状ス
ペーサー１２５５の作製方法としては、感光性アクリルなどの有機絶縁材料を基板の全面
にスピンコート法により塗布し、これを一連のフォトリソグラフィーの工程を行うことに
より、基板上に残った感光性アクリルがスペーサーとしての役割を果たす。当該方法によ
り、露光時のマスクパターン次第でスペーサーの配置したい場所に露光できるため、液晶
が駆動しない部分にこの柱状スペーサーを配置することにより、上下基板間のギャップを
維持するだけでなく、液晶の光漏れも防ぐことができる。また、柱状スペーサー１２５５
は、インクジェット法により有機絶縁材料を含む組成物を吐出し焼成して形成することが
できる。
【０１１１】
なお、ここでは、柱状スペーサー１２５５を対向電極１２５１が形成された第２スペース
（隔室）１２４６に設けたが第１スペース１２４５にも設けることにより、さらに上下基
板間のギャップを維持することが可能である。
【０１１２】
第１基板１２１０及び第２基板１２０４の間には、第１シール材１２０５、導電粒子１
２７０、および第２シール材１２７１が設けられている。
【０１１３】
ここで、導電部の構造、即ち、導電粒子１２７０が配置される第１スペース（隔室）１２
４５の断面について、図１（Ｂ）及び図５を用いて説明する。図５は図１（Ａ）の領域１
２３１の断面図である。
【０１１４】
図１（Ｂ）に示すように、第１スペース（隔室）には、導電粒子１２７０と導電粒子１２
７０を介して接続する接続配線１２０８及び対向電極１２５１と、導電粒子１２７０の周
りを覆う第２シール材１２７１とを有する。また、第１スペース（隔室）は第１シール材
１２０５に囲まれる。また、第１シール材１２０５及び第２シール材１２７１の間には空
間１２７３が形成される。空間１２７３は真空でもいい。また、不活性ガス若しくは空気
が充填されていても良い。第２シール材１２７１は、導電粒子１２７０を第１シール材１
２０５の間に吐出しやすくするための媒体であり、また硬化後は導電粒子１２７０を固定
するための媒体である。第２シール材１２７１は、第１シール材１２０５と同様の材料を
用いて形成することができる。
【０１１５】
図１（Ｂ）の第１スペース（隔室）の構成と異なる形態について図５を用いて説明する。
【０１１６】
図５（Ａ）に示すように、第１シール材１２０５及び第２シール材１２７１の間に空間が
存在せず、第１シール材１２０５及び第２シール材１２７１が接していても良い。この場
合は、第１シール材１２０５の材料を塗布し、導電粒子及び第２シール材１２７１を吐出
した後、第１基板１２１０及び第２基板１２０４を貼り合わせる。なお、第１シール材１
２０５及び第２シール材１２７１が接する場合は、各々が、混じりあわない材料を適宜選
択する。
【０１１７】
また、図５（Ｂ）に示すように、導電粒子１２７０の周囲には導電性ポリマー１２３５が
充填されてもよい。導電性ポリマー１２３５の代表例としては、導電性ポリアニリン、導
電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯ
Ｔ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の錯体等も用いることができる。また、画素電
極１２５０に用いることが可能な導電性ポリマーに列挙したものを適宜用いることができ
る。導電性ポリマー１２３５は、インクジェット装置、ディスペンサ装置等で導電性ポリ
マーを塗布して形成する。この場合は、第１シール材１２０５の材料を塗布し、導電粒子
を含む導電性ポリマー１２３５を吐出した後、第１基板１２１０及び第２基板１２０４を
貼り合わせる。なお、図５（Ｂ）では、導電性ポリマー１２３５及び第１シール材１２０
５が接する構成を示したが、第１の基板１２１０側または第２の基板１２０４側に空間を
有してもよい。即ち、少なくとも、対向電極または接続配線に導電性ポリマーが接してい
ることにより、導電粒子１２７０と導電性ポリマーが接し、対向電極及び接続配線の接続
抵抗を低減することが可能である。
【０１１８】
なお、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す導電粒子１２７０は、第１基板１２１０及び第２
基板１２０４を第１シール材１２０５で貼り合せし、ＵＶ光で第１シール材１２０５の材
料が硬化されると、第１基板１２１０上に形成される接続配線１２０８と、第２基板１２
０４上に形成される対向電極１２５１が導電粒子１２７０を介して導通する。
【０１１９】
また、導電粒子１２７０として、図５（Ｃ）に示すように、有機薄膜１２３７で被覆され
た導電性材料１２３６よりなるナノ粒子を用いて形成してもよい。ナノ粒子は、第１基板
１２１０及び第２基板１２０４を貼りあわせた後、第１シール材の硬化及び液晶の再配向
のための加熱工程により有機薄膜が分解され、導電性材料よりなるナノ粒子同士が接触し
融着することで、図５（Ｄ）に示すように導電粒子１２３９を形成することができる。こ
の場合は、第１シール材１２０５の材料を塗布し、有機薄膜１２３７で被覆された導電性
材料１２３６よりなるナノ粒子を吐出し、第１シール材１２０５及びナノ粒子の間に導電
性ポリマー１２３５を吐出し充填した後、第１基板１２１０及び第２基板１２０４を貼り
合わせる。なお、導電性ポリマー１２３５及び第１シール材１２０５の間に絶縁材料を充
填してもよい。また、第１の基板１２１０側または第２の基板１２０４側に空間を有して
もよい。
【０１２０】
ナノ粒子は、液滴吐出法を用いて吐出される。液滴吐出法とは所定の物質を含む液滴を細
孔から吐出してパターンを形成する方法であり、ここでは溶媒に有機薄膜で被覆された導
電性材料よりなるナノ粒子が分散された組成物を液滴として吐出（噴出）し、乾燥するこ
とで該溶媒を気化する。
【０１２１】
ナノ粒子を形成する導電性材料には、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ニッケ
ル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、イリジウム（Ｉｒ）
、ロジウム（Ｒｈ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）等から選択された金属
元素又はこれらの元素を主成分とする合金材料が用いられる。また、カドミウム（Ｃｄ）
、亜鉛（Ｚｎ）の金属硫化物、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ケ
イ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、バリウム（Ｂａ）などの酸化物、ハロゲン化銀の
一種又は複数種が混合されていてもよい。なお、導電性材料に２種以上の元素もしくは化
合物が用いられる場合、その混合状態については特に限定されず、例えばこれらの各々が
均一に存在しても、コア部にいずれか一が偏在していても良い。また、ナノ粒子は、少な
くとも表面が導電性材料より形成されていれば良く、内部が絶縁性を有する物質であって
も良い。
【０１２２】
ナノ粒子の粒径は、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上１００ｎｍ以下
が良く、吐出材料に含まれるナノ粒子の粒径は均一であるほうが好ましい。
【０１２３】
なお、ナノ粒子を構成する導電性材料によっては電圧を印加した際、粒子間にボイドが
発生することがある。これは、導電性材料の結晶成長が非常に速く進行したためであり、
液晶表示装置への印加電圧を低く設定することやナノ粒子に合金材料を用いることでこの
ようなボイドの発生を抑制することができる。よって、より信頼性の高い液晶表示装置を
得ることができる。
【０１２４】
ナノ粒子を被覆する有機薄膜は、溶媒中においてナノ粒子の凝集を防ぎ、粒子を安定に
分散させる機能を有する分散剤に相当する。そのため、有機薄膜を形成する化合物は、導
電性材料が有する金属元素と配位結合を形成することが可能な物質や界面活性剤等により
構成されている。ここで、金属元素と配位結合を形成する物質としては、アミノ基、チオ
ール基（−ＳＨ）、スルファンジイル基（−Ｓ−）、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、オキシ基
（−Ｏ−）、カルボキシル基（−ＣＯＯＨ）、シアノ基（−ＣＮ）等の窒素、硫黄、酸素
原子などが有する孤立電子対を有する物質が挙げられる。例えば、エタノールアミン等の
ヒドロキシアミン類、ポリエチレンイミンやポリビニルピロリドン等のアミン化合物、ポ
リビニルアルコール等のアルコール類、アルカンチオール類、ジチオール類、エチレング
リコール、ジエチレングリコールやポリエチレングリコール等のグリコール類、ポリアク
リル酸やカルボキシメチルセルロース等を用いることができる。また、界面活性剤として
は、例えば、ビス（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸やドデシルベンゼンスルホン酸
ナトリウム等のアニオン性界面活性剤、ポリアルキルグルコールのアルキルエステルやア
ルキルフェニルエーテル等の非イオン性界面活性剤、フッ素界面活性剤、ポリエチレンイ
ミンとポリエチレンオキサイドとを有する共重合体等を用いることができる。なお、分散
剤はナノ粒子に対し３０ｗｔ％以上とした場合には吐出材料の粘度が高くなるため、１．
０ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下が好ましい。
【０１２５】
上記のような有機薄膜で被覆された導電性材料よりなるナノ粒子は溶媒に分散されて吐
出される。溶媒には、水または有機溶媒を用いることができ、有機溶媒は水溶性有機溶媒
であっても、非水溶性有機溶媒であっても良い。例えば、水溶性有機溶剤にはメタノール
、エタノール、プロパノール、ブチルアルコール、グリセリン、ジプロピレングリコール
、エチレングレコール等のアルコール、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレン
グリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のグリコー
ルエーテル、２−ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性含窒素有機化合物や酢酸
エチル等が挙げられる。また、非水溶性有機溶媒には、オクタン、ノナン、デカン等のア
ルカン、シクロアルカン、トルエン、キシレン、ベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族
等がある。もちろん、これら溶媒は必ずしも一種で使用する必要はなく、溶媒同士におい
て相分離が生じなければ複数種を混合して用いることも可能である。
【０１２６】
なお、第１スペース（隔室）が複数ある場合は、それぞれの導電部で、図５（Ａ）乃至図
５（Ｄ）に示す異なる導電部の構造を組み合わせてもよい。即ち、液晶表示装置の第１ス
ペースにおいて、図５（Ａ）に示す導電部の構造と、図５（Ｂ）に示す導電部の構造とを
有してもよい。また、図５（Ａ）に示す導電部の構造と、図５（Ｃ）に示す導電部の構造
とを有してもよい。
【０１２７】
第１シール材１２０５及び導電粒子１２７０を、第１基板１２１０上または第２基板１２
０４上に吐出し、その後、第１シール材１２０５の内側に液晶を吐出する。この後、第１
基板１２１０及び第２基板１２０４を減圧雰囲気で貼り合せ、ＵＶ光を照射して第１シー
ル材１２０５を硬化した後、加熱して第１シール材１２０５を更に硬化して第１基板１２
１０及び第２基板１２０４を固着する。また、当該加熱により、液晶の配向を均一にする
。
【０１２８】
この結果、図１（Ｂ）のように第１基板１２１０と第２基板１２０４が貼り合わせるこ
とができる。この第１シール材１２０５が塗布される形状は、図１（Ａ）のようにすべて
接続しており、穴の閉じたループ状である必要がある。
【０１２９】
そして、第１基板１２１０と、第２基板１２０４がパネルの形に分断される。さらに、
コントラストを高めるために第１基板１２１０の外側に第１偏光板１２９０と、第２基板
１２０４の外側に第２偏光板１２９５が設けられている。なお、反射型の表示装置の場合
には第１偏光板１２９０が必要ない場合がある。
【０１３０】
以上のように、本実施の形態で示す液晶表示装置は、シール材と液晶の接触面積を低減
することが可能であるため、シール材に含まれる不純物が液晶に拡散する量を低減するこ
とができる。従って、液晶表示装置の表示不良を低減できる。
【０１３１】
また、導通部から液晶層への不純物の拡散を防ぐことができる。従って、液晶表示装置の
表示不良を低減できる。
【０１３２】
また、導通部で確実に電気的な接続が行えるため、液晶表示装置の品質向上を達成できる
。また、衝撃などの外力を加えられて基板が変形しても、導通部での接続を維持できる液
晶表示装置を提供することができる。
【０１３３】
（実施の形態２）
本発明によれば様々な電気器具を構成することができる。電気器具としては、ビデオカ
メラ及びデジタルカメラ等のカメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオー
ディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコ
ンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装
置（具体的にはＤＶＤ（ｄｉｇｉｔａｌ  ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  ｄｉｓｃ）等の記録媒体
を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが含まれる。
【０１３４】
図６（Ａ）は携帯電話機３０１の一例を示している。この携帯電話機３０１は、表示部３
０２、操作部３０３などを含んで構成されている。表示部３０２においては、上記実施の
形態で説明した液晶表示装置を適用することで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構
成することができる。
【０１３５】
また、図６（Ｂ）は、デジタルプレーヤー３０４を示しており、オーディオ装置の１つの
代表例である。図６（Ｂ）に示すデジタルプレーヤー３０４は、表示部３０２、操作部３
０３、イヤホン３０５などを含んでいる。イヤホン３０５の代わりにヘッドホンや無線式
イヤホンを用いることができる。本構成のデジタルプレーヤー３０４は小型軽量化が可能
であるが、表示部３０２においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用する
ことで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
【０１３６】
また、図６（Ｃ）は、電子ブック３０６を示している。この電子ブック３０６は、表示部
３０２、操作部３０３を含んでいる。またモデムが内蔵されていてもよいし、無線で情報
を送受信できる構成としてもよい。表示部３０２においては、上記実施の形態で説明した
液晶表示装置を適用することで、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することがで
きる。
【０１３７】
また、図６（Ｄ）に示す携帯型のコンピュータは、本体４０１、表示部４０２等を含ん
でいる。表示部４０２に、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用することにより
、表示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
【０１３８】
また、図６（Ｅ）に示すテレビジョン装置は、本体５０１、表示部５０２等を含んでい
る。表示部５０２に、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を適用することにより、表
示斑が少なく画質の優れた表示部を構成することができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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