(57)【要約】      （修正有）【課題】ＭＡＰ方式によって半導体装置を製造するためのリードフレームを対象とし、ワイヤボンディング時におけるアースリードの変形を未然に防止することにより、上記アースリードに対するボンディングワイヤの接続性の向上を達成し得るリードフレームを提供する。【解決手段】リードフレーム１は、隣り合うダイパッド１ｄから延びるアースリード１ａをコネクティングバー１ｃを介して連結するとともに、アースリード１ａおよびコネクティングバー１ｃを裏面からのハーフエッチングにより薄肉形成して成るリードフレーム１であって、隣り合うダイパッド１ｄから延びるアースリード１ａを、コネクティングバー１ｃを挟んで共通の軸線上に配置するとともに、上記軸線上におけるコネクティングバー１ｃの裏面にサポート突起部１ｓを設けている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合うダイパッドから延びるアースリードをコネクティングバーを介して連結するとともに、前記アースリードおよび前記コネクティングバーを裏面からのハーフエッチングにより薄肉形成して成るリードフレームであって、
隣り合う前記ダイパッドから延びる前記アースリードを、前記コネクティングバーを挟んで共通の軸線上に配置するとともに、前記軸線上における前記コネクティングバーの裏面にサポート突起部を設けて成ることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記サポート突起部の前記コネクティングバーにおける幅方向の寸法を、前記コネクティングバーの幅寸法と同一に設定して成ることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記サポート突起部の前記コネクティングバーにおける幅方向の寸法を、前記コネクティングバーの幅寸法よりも大きく、かつ前記ダイシングラインの幅寸法よりも小さく設定して成ることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記サポート突起部の前記アースリードにおける幅方向の寸法を、前記アースリードの幅寸法と同一に設定して成ることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＡＰ方式によって半導体装置を製造するためのリードフレームを対象とし、隣り合うダイパッドから延びるアースリードをコネクティングバーを介して連結させたリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、半導体装置の一形態であるＱＦＮ型パッケージ(Quad Flat Non-leaded Package)の製造に際しては、リードフレーム上において複数の半導体チップを一括封止したのち、ダイシングによって個々の半導体装置を個別化するＭＡＰ(Molded Array Process)方式の採用が進んでいる。
【０００３】
ここで、ＭＡＰ方式によって半導体装置を製造するためのリードフレームに対しても、ダイパッドに搭載した半導体チップの各電極端子と、ダイパッドの周囲に設けた各外部電極端子(端子リード)とを、ボンディングワイヤを用いて互いに接続する技術が用いられている(例えば特許文献１参照)。
【０００４】
また、半導体装置を製造するに際しては、ダイパッドと半導体チップの接地端子とを、ボンディングワイヤを用いて接続する必要があるものの、パッケージの大幅な小型化が進んでいる昨今では、ダイパッドの大きさが半導体チップと同等、若しくは半導体チップよりも小さい場合、ダイパッドに対してボンディングワイヤが接続できない不都合を生じる。
【０００５】
上記不都合を解消するべく、ダイパッドから延びるアースリードを形成し、このアースリードと半導体チップの接地端子とを、ボンディングワイヤで接続するよう構成したリードフレームが提供されている。
【０００６】
図６に示した従来のリードフレームＬＦは、マトリクス状に配置された複数の単位リードフレームＦＵ、ＦＵ…を有し、各々の単位リードフレームＦＵにおけるダイパッドＦｄにはアースリードＦａが形成され、隣り合うダイパッドＦｄから延びるアースリードＦａ，Ｆａは、ダイシングラインＤに沿って延びるコネクティングバーＦｃを介して連結されている。
【０００７】
図７に示すように、上述したリードフレームＬＦの各アースリードＦａとコネクティングバーＦｃとは、通常、裏面(実装面)側からハーフエッチングが施されて肉薄に形成されており、ダイパッドＦｄ上の半導体チップＣにおける接地端子は、ボンディングワイヤＷを介して上記アースリードＦａに接続されている。
【０００８】
ここで、上述したリードフレームＬＦを用いてＱＦＮ型パッケージを製造する場合、先ず、ダイパッドＦｄ上に半導体チップＣを載置して接着し、外部電極端子Ｆｔと半導体チップＣの電極端子、およびアースリードＦａと半導体チップＣの接地端子を、夫々ボンディングワイヤＷを介して互いに接続する。
【０００９】
次いで、リードフレームＬＦ上における全ての半導体チップＣ，Ｃ…、およびボンディングワイヤＷ，Ｗ…をモールド樹脂で一括封止したのち、コネクティングバーＦｃを除去する態様でダイシングを実施し、リードフレームＬＦを単位リードフレームＦＵ，ＦＵ…に切断することで、製品として個々の半導体装置を個別化している。
【００１０】
因みに、上述した半導体装置の製造工程において、仮にコネクティングバーＦｃの板厚がリードフレームＬＦの母材のままであると、切断部の板厚に起因して切断時の負荷が大きくなり、ダイシング刃物が早く摩耗してダイシング性(切断能力)が劣化するために、切断バリの発生を招く等の不都合を生じる問題があった。
【００１１】
そこで、上述したリードフレームＬＦにおいては、図７に示す如くコネクティングバーＦｃやアースリードＦａ等のダムバー全体を、裏面(実装面)側からハーフエッチングすることで肉薄としており(例えば特許文献２参照)、この構成を採用することで切断時におけるダイシング刃物の摩耗が抑制され、もって切断バリの発生を可及的に抑えることを可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００１−３１３３６３号公報
【特許文献１】特開２００５−１６６６９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、従来のリードフレームＬＦにおいては、上述した如くアースリードＦａ，Ｆａが、コネクティングバーＦｃと共に裏面(実装面)側からハーフエッチングされており肉薄であるため、図８(ａ)に示す如く、作業ステージＳ上においてリードフレームＬＦのダイパッドＦｄに半導体チップＣを接着したのち、図８(ｂ)に示す如く、作業ステージＳ上においてリードフレームＬＦのアースリードＦａ，ＦａにボンディングワイヤＷを接続する際、裏面に何等の支えも存在しないことから、ボンディングワイヤＷの端部を接続させる際の押圧力ｆ，ｆにより、アースリードＦａ，Ｆａが下方へ撓み変形することで、アースリードＦａに対するボンディングワイヤＷの接続性が低下する不都合があった。
【００１４】
本発明は、上記実状に鑑みて、ＭＡＰ方式により半導体装置を製造するためのリードフレームを対象とし、ワイヤボンディング時におけるアースリードの変形を未然に防止することによって、上記アースリードに対するボンディングワイヤの接続性の向上を達成し得るリードフレームの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するべく、請求項１の発明に関わるリードフレームは、隣り合うダイパッドから延びるアースリードをコネクティングバーを介して連結するとともに、上記アースリードおよびコネクティングバーを裏面からのハーフエッチングにより薄肉形成して成るリードフレームであって、上記隣り合うダイパッドから延びるアースリードを、コネクティングバーを挟んで共通の軸線上に配置するとともに、上記軸線上におけるコネクティングバーの裏面にサポート突起部を設けて成ることを特徴としている。
【００１６】
請求項２の発明に関わるリードフレームは、請求項１の発明に関わるリードフレームにおいて、サポート突起部のコネクティングバーにおける幅方向の寸法を、コネクティングバーの幅寸法と同一に設定したことを特徴としている。
【００１７】
請求項３の発明に関わるリードフレームは、請求項１の発明に関わるリードフレームにおいて、サポート突起部のコネクティングバーにおける幅方向の寸法を、コネクティングバーの幅寸法よりも大きく、かつダイシングラインの幅寸法よりも小さく設定したことを特徴としている。
【００１８】
請求項４の発明に関わるリードフレームは、請求項１の発明に関わるリードフレームにおいて、サポート突起部のアースリードにおける幅方向の寸法を、アースリードの幅寸法と同一に設定したことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１の発明に関わるリードフレームによれば、隣り合うダイパッドから延びるアースリードを、コネクティングバーを挟んで共通の軸線上に配置するとともに、上記軸線上におけるコネクティングバーの裏面にサポート突起部を設けたことで、アースリードおよびコネクティングバーが、裏面からのハーフエッチングにより薄肉形成されていても、作業ステージ上でアースリードにボンディングワイヤを接続する際、コネクティングバーの裏面に設けられたサポート突起部が支えと成るため、ボンディングワイヤの端部を接続させる際の押圧力でアースリードが下方へ撓み変形することを防止でき、もってアースリードに対するボンディングワイヤの接続性の低下を未然に防止することが可能となる。
【００２０】
請求項２の発明に関わるリードフレームによれば、サポート突起部のコネクティングバーにおける幅方向の寸法を、コネクティングバーの幅寸法と同一に設定したことで、上記サポート突起部による十分な支持作用を確保しつつ、ダイシング刃物の摩耗を可及的に抑制することが可能となる。
【００２１】
請求項３の発明に関わるリードフレームによれば、サポート突起部のコネクティングバーにおける幅方向の寸法を、コネクティングバーの幅寸法よりも大きく、かつダイシングラインの幅寸法よりも小さく設定したことで、ダイシング刃物における摩耗の抑制に関しては劣るものの、上記サポート突起部による格段に良好な支持作用を確保することが可能となる。
【００２２】
請求項４の発明に関わるリードフレームによれば、サポート突起部のアースリードにおける幅方向の寸法を、アースリードの幅寸法と同一に設定したことで、上記サポート突起部による十分な支持作用を確保しつつ、ダイシング刃物の摩耗を可及的に抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係るリードフレームを示す要部底面図。
【図２】（ａ）は図１中のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図１中のｂ−ｂ線断面図。
【図３】（ａ）は本発明のリードフレームに半導体チップを搭載する工程を示す要部断面図、（ｂ）は本発明のリードフレームに対するワイヤボンディング工程を示す要部断面図。
【図４】（ａ）および（ｂ）は本発明に係るリードフレームのサポート部を示す要部底面図。
【図５】（ａ）および（ｂ）は本発明に係るリードフレームのサポート部を示す要部底面図。
【図６】従来のリードフレームを示す要部底面図。
【図７】（ａ）は図５中のａ−ａ線断面図、（ｂ）は図５中のｂ−ｂ線断面図。
【図８】（ａ）は従来のリードフレームに半導体チップを搭載する工程を示す断面図、（ｂ）は従来のリードフレームに対するワイヤボンディング工程を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係るリードフレームについて、実施例を示す図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２５】
図１および図２は、半導体装置の一形態であるＱＦＮ型パッケージ(Quad Flat Non-leaded Package)を、ＭＡＰ(Molded Array Process)方式によって製造するための、本発明に係るリードフレームの実施例を示している。
【００２６】
実施例におけるリードフレーム１は、複数の単位リードフレーム１Ｕ、１Ｕ…がマトリクス状に配置形成され、夫々の単位リードフレーム１Ｕは、矩形状を呈するダイパッド１ｄと、該ダイパッド１ｄの周囲に配置形成された複数の外部電極端子(端子リード)１ｔ，１ｔ…とを有している。
【００２７】
また、各単位リードフレーム１Ｕのダイパッド１ｄには、該ダイパッド１ｄから一体に延びるアースリード１ａが形成されており、隣り合う単位リードフレーム１Ｕ，１Ｕにおける、隣り合うダイパッド１ｄ，１ｄから延びるアースリード１ａ，１ａは、ダイシングラインＤに沿って延びるコネクティングバー１ｃを介して連結されている。
【００２８】
ここで、隣り合うダイパッド１ｄ，１ｄから延びるアースリード１ａ，１ａは、図１に示す如く、コネクティングバー１ｃを挟んで同一の直線ｘ−ｘ上に配置されて延在している。
【００２９】
また、上記リードフレーム１においては、切断時におけるダイシング刃物の摩耗を抑えるべく、アースリード１ａ、サポートバー１ｂ、コネクティングバー１ｃ等のダムバー全体が、裏面(実装面)側からハーフエッチングすることによって肉薄に形成されている。
【００３０】
さらに、コネクティングバー１ｃを挟んでアースリード１ａ，１ａが延在する直線ｘ−ｘ上における、上記コネクティングバー１ｃの裏面には、略直方体のブロック形状を呈するサポート突起部１ｓが形成されている。
【００３１】
ここで、サポート突起部１ｓは、アースリード１ａやコネクティングバー１ｃ等を裏面(実装面)側からハーフエッチングする際、上記サポート突起部１ｓに相当する部位をエッチングせず残存させることによって突出形成されている。
【００３２】
図２に示す如く、リードフレーム１の外部電極端子１ｔは、半導体チップＣの接地端子とボンディングワイヤＷを介して接続され、またリードフレーム１のアースリード１ａは、半導体チップＣの接地端子とボンディングワイヤＷを介して接続されている。
【００３３】
以下に、上述したリードフレーム１を用いてＱＦＮ型パッケージを製造する手順を説明すると、先ず、ダイパッド１ｄ上に半導体チップＣを載置して接着し、外部電極端子１ｔと半導体チップＣの電極端子、およびアースリード１ａと半導体チップＣの接地端子を、夫々ボンディングワイヤＷを介して互いに接続する。
【００３４】
次いで、リードフレーム１上における全ての半導体チップＣ，Ｃ…、およびボンディングワイヤＷ，Ｗ…をモールド樹脂で一括封止したのち、コネクティングバー１ｃを除去する態様で、ダイシングラインＤ上に沿ってダイシングを実施し、リードフレーム１を単位リードフレーム１Ｕ，１Ｕ…に切断することで、製品として個々のＱＦＮ型パッケージを個別化している。
【００３５】
ここで、実施例のリードフレーム１においては、図３(ａ)に示す如く、作業ステージＳ上においてリードフレーム１のダイパッド１ｄに半導体チップＣを載置して接着したのち、図３(ｂ)に示す如く、作業ステージＳ上においてリードフレーム１のアースリード１ａ，１ａにボンディングワイヤＷを接続する際、上述の如くコネクティングバー１ｃの裏面に形成されたサポート突起部１ｓが作業ステージＳと当接することで、アースリード１ａおよびコネクティングバー１ｃを支えることとなる。
【００３６】
これにより、アースリード１ａおよびコネクティングバー１ｃが薄肉形成されていても、ボンディングワイヤＷの端部を接続させる際の押圧力ｆ，ｆにより、アースリード１ａ，１ａが下方へ撓み変形することを防止でき、もってアースリード１に対するボンディングワイヤＷの接続性の低下を未然に防止することが可能となる。
【００３７】
図４(ａ)は、上記リードフレーム１におけるサポート突起部１ｓの一例であり、該サポート突起部１ｓのコネクティングバー１ｃにおける幅方向の寸法Ｓａを、コネクティングバー１ｃの幅寸法Ｃｗと同一に設定している。
【００３８】
上記構成によれば、サポート突起部１ｓの寸法Ｓａを抑えながら、十分な支持作用を確保することができるとともに、サポート突起部１ｓの体積(ダイシング刃物が切削する金属部分)も抑えられることで、ダイシング刃物の摩耗を可及的に抑えることができる。
【００３９】
図４(ｂ)は、サポート突起部１ｓの他の例であり、該サポート突起部１ｓのコネクティングバー１ｃにおける幅方向の寸法Ｓａを、コネクティングバー１ｃの幅寸法Ｃｗよりも大きく、かつダイシングラインＤの幅寸法Ｄｗよりも小さく設定している。
【００４０】
上記構成によれば、図４(ａ)のサポート突起部１ｓよりも寸法Ｓａが大きいため、サポート突起部１ｓの体積が増加することでダイシング刃物の耐摩耗性は劣るものの、上記サポート突起部１ｓによって格段に良好な支持作用を確保することができる。
【００４１】
図５(ａ)は、サポート突起部１ｓの他の例であり、該サポート突起部１ｓのアースリード１ａにおける幅方向の寸法Ｓｂを、アースリード１ａの幅寸法Ａｗと同一に設定している。
【００４２】
上記構成によれば、サポート突起部１ｓの寸法Ｓｂを抑えながら、十分な支持作用、特にアースリード１ａの長手軸を中心とした捻れの防止に効果を奏するとともに、サポート突起部１ｓの体積も抑えられることにより、ダイシング刃物の摩耗を可及的に抑えることができる。
【００４３】
図５(ｂ)は、サポート突起部１ｓの更に他の例であり、該サポート突起部１ｓのアースリード１ａにおける幅方向の寸法Ｓｂを、０．０５mmよりも大きく、かつアースリード１ａの幅寸法Ａｗよりも小さく設定している。
【００４４】
上記構成によれば、サポート突起部１ｓの寸法Ｓｂを可及的に小さく抑えながら、十分な支持作用(アースリード１ａの長手軸を中心とした捻れの防止)を確保し得るとともに、サポート突起部１ｓの体積も可及的に小さく抑えられるため、ダイシング刃物の摩耗を可及的に抑えることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１…リードフレーム、
１Ｕ…単位リードフレーム、
１ａ…アースリード、
１ｃ…コネクティングバー、
１ｄ…ダイパッド、
１ｓ…サポート突起部、
１ｔ…外部電極端子、
Ｃ…半導体チップ、
Ｄ…ダイシングライン、
Ｓ…作業ステージ、
Ｗ…ボンディングワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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