(57)【要約】【課題】ＩＤＴの動作空間を確保するための十分な弾性率と耐モールド性を具備し、顧客の実装基板等への実装端子位置に対する自由度、同種又は異種のデバイス（他の部品）を一体化して複合化デバイスとする際の相互接続の自由度を向上させたＳＡＷデバイスなどの圧電部品とを提供する。【解決手段】圧電基板１と、前記圧電基板の主面に形成した櫛歯電極部２ａと入出力電極・配線部２ｂからなるＩＤＴ２と、前記ＩＤＴの周囲に設けた樹脂材料のリブ７と、前記リブの上に設置して前記ＩＤＴの動作空間を形成する樹脂材料のカバー層８を具備し、前記カバー層を構成する樹脂８ａは、熱硬化性感光性樹脂であり、この熱硬化性感光性樹脂にフィラーとして白色マイカの微細片８ｂを含有させてなり、前記カバー層の上に、前記ＩＤＴの入出力電極・配線部２ｂと電気的に接続した複数の再配線層２０を有し、前記再配線層のそれぞれは、当該再配線層上の任意の位置に実装機器の端子パッドの位置に応じた位置に外部端子を任意に設置可能とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、前記圧電基板の主面に形成した櫛歯電極部と入出力電極・配線部からなるＩＤＴと、前記ＩＤＴの周囲に設けた樹脂材料のリブと、前記リブの上に設置して前記ＩＤＴの動作空間を形成する樹脂材料のカバー層を具備する圧電部品であって、
前記カバー層に熱硬化性感光性樹脂に白色マイカの微細片からなるフィラーを含有してなり、
前記カバー層の上に、前記ＩＤＴの入出力電極・配線と電気的に接続した複数の再配線層を有し、
前記再配線層のそれぞれは、当該再配線層上の任意の位置に外部端子を設置可能としたことを特徴とする圧電部品。
【請求項２】
請求項１において、
前記カバー層を構成する熱硬化性感光性樹脂は、ポリイミド樹脂を好適とする樹脂材料に感光剤、硬化剤などを添加したものであり、前記白色マイカの微細片の含有量は４０重量％乃至６０重量％であることを特徴とする圧電部品。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記カバー層の端縁は、前記圧電基板の端縁から後退した位置にあり、前記圧電基板の前記カバー層の端縁の後退で露呈した上面に前記ＩＤＴの入出力電極・配線と電気的に接続した再配線層に接続した金属電極層を有し、
前記再配線層は、前記カバー層上に延在して電気的に接続していることを特徴とする圧電部品。
【請求項４】
請求項１において、
前記ＩＤＴの入出力電極・配線の上に、前記圧電基板の主面の外周に延在する金属電極層を有し、
前記再配線層は、前記リブと前記カバー層を貫通する電極柱で前記金属電極層と電気的に接続していることを特徴とする圧電部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話機等の移動通信機器に使用される、ＳＡＷデュプレクサ、ＳＡＷフィルタに用いられる弾性表面波デバイス（ＳＡＷデバイス）及び圧電薄膜フィルタ等の圧電部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、携帯電話機などの電子機器に搭載される圧電部品の一つであるＳＡＷデバイスでは、そのＳＡＷ素子チップを構成する櫛歯電極部（ＩＤＴ電極部）の周囲に所定の中空部（動作空間）を確保することが必要である。
【０００３】
従来、ＳＡＷデバイスの小型化を図るため、そのＳＡＷ素子チップを金（Ａｕ）バンプあるいは半田バンプを用いて、配線基板にフリップチップボンディング（フェースダウンボンディング）し、樹脂等でＳＡＷ素子チップ全体を樹脂封止して、ＳＡＷデバイスの小型パッケージ・デバイスを構成している（特許文献１参照）。
【０００４】
さらに、この種の電子機器に搭載されるＳＡＷデバイスに要求される小型化・低背化を図るため、櫛歯電極部（ＩＤＴ電極部）の周囲に所定の中空部（動作空間）を形成し、この動作空間を保持したまま、多数の櫛歯電極を形成したマザー基板（集合圧電基板：ウェハ）全体を樹脂で封止し、外部端子（外部接続電極）を形成した後、所定のマーキングに沿ってダイシングにより個々のＳＡＷデバイスに分割してなる超小型化されたチップサイズ・パッケージＳＡＷデバイスが提案されている（特許文献２参照）。
【０００５】
ＩＤＴの動作空間を樹脂材料のカバー層で構成したものがある。このようなＳＡＷデバイスをモールド樹脂でモールドする際に、そのモールド時の高温でカバー層が反りを起したり、潰れが生じたりして動作空間が破壊されるおそれがある。これを回避するため、ＩＤＴの周囲を囲むように樹脂材料からなる支持層（リブ）を設け、その上にカバー層（動作空間の天上層を構成）を配置することで、ＩＤＴの動作空間を確保するようにしたものが特許文献３に開示されている。
【０００６】
また、ＩＤＴの動作空間を上記したものと同様の樹脂材料からなるリブとカバー層で形成し、カバー層の外面に設けた外部端子と入出力電極・配線を電気的に接続するため、ＩＤＴの入出力電極・配線に再配線層を形成し、カバー層に貫通させた電極柱を介して外部端子と再配線層を接続したものが特許文献４に記載されている。外部端子には、その後の工程で実装基板との電気的接続を行うための半田ボール等の導電接続部材が形成される。
【０００７】
図１１は、動作空間を樹脂材料からなるカバー層で形成した従来のＳＡＷデバイスの一例を単純化して示す模式断面図である。このＳＡＷデバイス１００は、圧電板１の一方の面（主面）にＩＤＴ２が形成されている。ここでは、ＩＤＴ２が櫛歯電極部２ａとこの櫛歯電極部２ａに信号を入出力する入出力電極・配線部２ｂとで構成したものとして示してある。ＩＤＴ２の動作空間２１は、樹脂材料からなるカバー層８で形成されている。
【０００８】
図１１に示したＳＡＷデバイス１００では、入出力電極・配線２ｂに重畳させて再配線層２０が形成されている。この再配線層２０上で、ＩＤＴ２を周囲から囲むように樹脂材料のリブ７が形成されており、このリブ７の上に橋絡して上記カバー層８が設けられている。カバー層８の表面には、適用する電子機器に実装するための外部端子（実装端子）２６が設けられており、この外部端子２６に半田ボール２３などの導電接続部材が設置される。外部端子２６は、カバー層８とリブ７を貫通して設けた電極柱２２で再配線層２０に電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−１４７２２０号公報
【特許文献２】特開２００６−２４６１１２号公報
【特許文献３】ＷＯ２００６／１３４９２８号公報
【特許文献４】特開２０１０−１０８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のＳＡＷデバイスでは、図１１で説明したように、その構造上、再配線層２０がＩＤＴ２の外側に形成される。これにより、外部端子２６の位置もデバイスの外周付近に限定されるため、複合化デバイスへの適用や顧客メーカーの適用機器の実装基板に形成された接続パッド等に対する端子位置に自由度が少ない。また、外部端子２６への半田ボール２３等の導電接続部材の形成は、動作空間を形成するカバー層８の設置後、当該カバー層の上面の限定された位置にある外部端子２６に直接形成しているため、リフロー処理時における溶融半田などの熱がカバー層８の撓みを招き、動作空間に歪みを与えるおそれがあった。
【００１１】
本発明の目的は、上記従来技術に鑑みて、ＩＤＴの動作空間を確保するための十分な弾性率と耐モールド性を具備し、顧客の実装基板等への実装端子位置に対する自由度、同種又は異種のデバイス（他の部品）を一体化して複合化デバイスとする際の相互接続の自由度を向上させたＳＡＷデバイスなどの圧電部品とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、圧電基板と、前記圧電基板の主面に形成した櫛歯電極部と入出力電極・配線部と、前記ＩＤＴの周囲に設けた樹脂材料のリブと、前記リブの上に設置して前記ＩＤＴの動作空間を形成する樹脂材料のカバー層を具備する圧電部品であって、
前記カバー層を構成する樹脂は、熱硬化性感光性樹脂であり、この熱硬化性感光性樹脂にフィラーとして白色マイカの微細片を含有させてなり、
前記カバー層の上に、前記ＩＤＴの入出力電極・配線と電気的に接続した複数の再配線層を有し、
前記再配線層のそれぞれは、当該再配線層上の任意の位置に実装機器の端子パッドの位置に応じた位置に外部端子を任意に設置可能とした。
【００１３】
本発明では、前記カバー層を構成する熱硬化性感光性樹脂は、発ガス性が低いポリイミド樹脂を好適とする熱硬化性感光性樹脂材料であり、この熱硬化性感光性樹脂材料に含有した前記白色マイカの微細片の含有量を４０重量％乃至６０重量％とする。
【００１４】
また、前記カバー層の端縁は、前記圧電基板の端縁から後退した位置にあり、前記圧電基板の前記カバー層の端縁の後退で露呈した上面に前記ＩＤＴの入出力電極・配線と電気的に接続した再配線層に接続した金属電極層を有し、
前記再配線層は、前記カバー層上に延在して電気的に接続するように構成する。
【００１５】
前記ＩＤＴの入出力電極・配線の上に、前記圧電基板の主面の外周に延在する金属電極層を有し、
前記再配線層は、前記リブと前記カバー層を貫通する電極柱で前記金属電極層と電気的に接続するように構成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
カバー層の上面は電極形成を制限する構造物がないため、自由な形状と大きさで再配線層を設けることができる。このため、顧客電子機器等の実装基板にある端子パッドなどの位置に対応して実装のための半田ボールや半田バンプなどの電気的接続部材を任意に配置でき、顧客先での実装端子の設計裕度の向上に資する。
【００１７】
また、ＩＤＴの動作空間を形成するカバー層を熱硬化性感光性樹脂に透光性の白色マイカの微細片を４０重量％乃至６０重量％の範囲で含有させたことで、光効果プロセスでの樹脂の効率的硬化処理が実現でき、弾性率が格段に向上し、ＩＤＴの動作空間が部品のモールド工程等での加熱、加圧に起因するダメージを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の圧電部品の実施例１であるＳＡＷデバイスの説明図である。
【図２】図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た平面図である。
【図３】カバー層を構成する樹脂としてのポリイミド樹脂に混入するフィラー（微小マイカ片）の量（重量パーセント：ｗt％）の適量を説明する図である。
【図４】本発明の圧電部品の実施例２であるＳＡＷデバイスを説明する模式断面である。
【図５】図４を矢印Ａ方向から見た平面図である。
【図６】本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの複合化のための導電性接続部材の配置例の説明図である。
【図７】本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの集積のための導電性接続部材の配置例の説明図である。
【図８】本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの集積のための導電性接続部材の配置例の説明図である。
【図９】、本発明に係るＳＡＷデバイスを他のデバイスと集積して複合部品とする一例を説明する模式図である。
【図１０】本発明に係るＳＡＷデバイスを他のデバイスと共に適用機器の回路基板に実装する一例を説明する模式図である。
【図１１】動作空間を樹脂材料からなるカバー層で形成した従来のＳＡＷデバイスの一例を単純化して示す模式断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の圧電部品、及びその製造方法をＳＡＷデバイスの実施例について図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の圧電部品の実施例１であるＳＡＷデバイスの説明図で、図１の（ａ）は模式断面を、同（ｂ）図１（ａ）のカバーを拡大して示す模式断面図である。図２は、図１（ａ）を矢印Ａ方向から見た平面図である。ＳＡＷデバイス１００の主要部は、図１（ａ）に示されたように、圧電基板１の一方の面（主面）にＩＤＴ電極２を形成してなる。ＩＤＴ電極２は、櫛歯電極部２ａと、この櫛歯電極部２ａに信号を入出力すると共に部品外部への電気的接続を行うための入出力電極・配線部２ｂで構成される。なお、図１のＩＤＴ構造は説明を簡単にするためＩＤＴは一つのみとしてあるが、２あるいはそれ以上のＩＤＴを複合的に形成したものであっても本実施例に含まれる。後述の他の実施例でも同様である。圧電基板１は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）で構成したが、この外に、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶なども用いられる。
【００２１】
ＩＤＴ電極２は、圧電基板１の主面にアルミニウム（Ａｌ）薄膜を蒸着し、これをホトリソグラフィー手法（以下、単にホトリソと称する）でパターニングして形成される。ＩＤＴ電極２の入出力電極・配線部２ｂの上から圧電板１の外縁にかけて、アルミニウムを好適とする金属電極層６が形成されている。入出力電極・配線部２ｂの上かつ金属電極層６の上にはＩＤＴ２の櫛歯電極部２ａを周回してリブ７が設けられている。このリブ７は樹脂からなり、カバー層８を支えてＩＤＴ２の櫛歯電極部２ａの動作空間２１を確保する。
【００２２】
なお、ＩＤＴ電極２の材料は、上記のアルミニウムに限らず、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎの何れかを主成分とする金属材料、またはこれらの材料と酸素、窒素、珪素、との化合物、あるいはこれらの金属の合金、金属間化合物の単層膜または多層膜で構成できる。
【００２３】
本実施例のカバー層８は、図１の（ｂ）に示したように、感光剤、硬化補助剤等を添加した熱硬化性のポリイミドに８ａに白色マイカの微細片８ｂをフィラーとして混入したフィルム形状の部材である。この白色マイカの微細片８ｂは透光性であり、ウェハ段階でのフィルム貼付後のパターニングにおけるホトリソ工程で露光光（紫外光等）がフィルムの厚み方向にも十分に到達させる効果を有する。なお、以下では、白色マイカの微細片をマイカフィラー又は単にフィラーとも称する）を混入する。このフィラーは紫外線等の露光光を遮ることなく樹脂フィルム内を透過させるため、精度のよいテンティング処理が可能となる。カバー層８に用いる樹脂は、上記したポリイミドに限るものではなく、熱硬化性で発ガスが少ないものであればよい。
【００２４】
マイカフィラーの物理形状は鱗片状の薄片であり、感光性熱硬化性樹脂への混入では、このマイカフィラーの面が感光性熱硬化性樹脂フィルムの平面方向に略一致するように、かつ、近接する複数のフィラーが当該フィルムの厚み方向に互いに重畳して平面方向にも順次重畳配置するようにすることで、カバー層の機械的強度を向上させることができる。なお、感光性熱硬化性樹脂に混入するフィラーは白色マイカ片に限るものではなく、これと同等の透光性をもち、かつ感光性熱硬化性樹脂に機械的強度を付与できるものであれば、それを使用できる。
【００２５】
フィラーの混入量が少ないと機械的強度、特に撓み抑制効果が低下して空隙保持が困難になり、混入量が過大になると脆弱性が増加し、割れやすくなる。たとえば、圧電板は水晶やＬｉＴａＯ３で構成される。例えば、ＬｉＴａＯ３の圧電板を用いた場合、その熱膨張率にカバー層の熱膨張率を近似させることで熱歪によるカバー層の剥離や空隙の破壊を回避する。そのためには１０ＧＰａ以上の耐圧とすることが要求される。
【００２６】
図３は、カバー層を構成する樹脂としてのポリイミド樹脂に混入するフィラー（微小マイカ片）の量（重量パーセント：ｗt％）の適量を説明する図であり、横軸に微小マイカ片の混入量（ｗt％）を、縦軸にカバー層の強度（ＧＰａ）を取って示す。この種のデバイスを樹脂モールドする際には高い圧力が印加される。例えばトランスファーモールドでは５乃至１５ＧＰａ程度となる。このことから、カバー層の強度は１０ＧＰａを下回らないことが必要とされる。
【００２７】
また、前記したように、混入量が過大になると脆性が増し、耐衝撃性は低下する。本願の発明者は、実験により図３に示したような関係を見出した。この関係を基にして、実験的に得られた混入量（重量パーセント：ｗt％）とこのフィラーの混入した樹脂と耐圧力との関係から、リブ間距離（リブ７で両端支持された間の距離）が５〜１０μｍ、カバー層８の厚み２５〜３５μｍとしたとき、白色マイカ片の混入量は４０乃至６０ｗｔ％、好ましくは４５乃至５５ｗt％とする。
【００２８】
このＳＡＷデバイス１００は、ウェハから分離した後、樹脂モールドされる。なお、ここでは、モールド樹脂は図示を省略してある（以下の説明でも同様）。図２に示されるように、平面輪郭が略矩形であり、その動作空間２１を形成するカバー層８の端縁は、前記圧電基板１の端縁からデバイスの内方に後退した位置にあり、前記圧電基板の前記カバー層の端縁の後退で露呈した上面に前記ＩＤＴ２の入出力電極・配線２ｂと電気的に接続した金属電極層６を有する。圧電板１の表面（デバイスの上面、詳しくは金属電極層の上）からカバー層８の上面にかけて再配線層２０（本実施例では、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄの四個）が設けられている。デバイスの上面には、他に電極などがなく、比較的フラットな面であるため、この面に再配線層２０が十分な広さと任意の形状で形成される。したがって、後述するように、このデバイスを他の基板に実装する際、あるいは複合デバイスとして他のデバイスに複合化する場合、実装あるいは集積のために再配線層２０の上に形成する半田ボールあるいは半田バンプなどの導電接続部材の形成位置に大きな自由度が確保される。
【００２９】
なお、金属電極層６、再配線層２０は、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉなどの薄膜で形成される。膜厚は、０．１乃至０．５μｍ程度である。
【実施例２】
【００３０】
図４は、本発明の圧電部品の実施例２であるＳＡＷデバイスを説明する模式断面である。図５は、図４を矢印Ａ方向から見た平面図で、デバイスの上面からみた平面輪郭は前記実施例１と同様の略矩形であるが、カバー層８による段差はない。以下では、主として実施例１に係るＳＡＷデバイスと異なる構成について説明する。この実施例でも、モールド樹脂は図示を省略してある。
【００３１】
実施例２のＳＡＷデバイス２００は、実施例１と同様に、入出力電極・配線部２ｂの上かつ金属電極層６の上にＩＤＴ２の櫛歯電極部２ａを周回してリブ７が設けられている。このリブ７の上で、圧電板１の主面外周の全域にカバー層８がテンティングで形成されている。そして、金属電極層６とカバー層８を貫通して電極柱２２が形成されている。この電極柱２２は、金属電極層６に接続して情報に延び、上端面がカバー層８の上面に露呈されている。再配線層２０は、カバー層８の上、かつ前記図５に示したような形状と配置に、アルミニウム膜の蒸着とホトリソ等でパターニングして形成されている。
【００３２】
本実施例の電極柱２２は、Ｃｕの電界メッキで形成される。この電極柱の端面にはＮｉ及びＡｕの無電界メッキが施されるが、図示は省略してある。このＮｉ及びＡｕの無電界メッキを施すことで、Ｃｕの電極柱２２の酸化防止と実装の際の半田付け性が良好となる。なお、Ｎｉ及びＡｕの無電界メッキに代えて、Ａｕのみ、Ｎｉ、Ｐｄ及びＡｕの無電界メッキとすることもできる。
【００３３】
実施例２に係るＳＡＷデバイス２００も、当該デバイスの上面には、他に電極などがなく、比較的フラットな面であるため、この面に再配線層２０が十分な広さと任意の形状で形成される。したがって、後述するように、このデバイスを他の基板に実装する際、あるいは複合デバイスとして他のデバイスに集積する場合、実装あるいは集積のために再配線層２０の上に形成する半田ボールあるいは半田バンプなどの導電接続部材の形成位置に大きな自由度が確保される。
【００３４】
図６は、本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの複合化のための導電性接続部材の配置例の説明図である。ここでは、前記図１で説明した実施例１に係るＳＡＷデバイス１００について、実装基板に実装するための導電性接続部材として半田ボール２３を用いた例を説明する。再配線層２０がカバー層８の表面で広がりをもって配置されているので、半田ボール２３は実装相手の配線基板あるいはデバイスの端子電極や接続パッドに対応させた位置に設けることができる。図６は四個の半田ボール２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが実装基板の端子パッドの位置対応で、デバイスの上面上で整列することなく設けられている状態を示す。実装基板等の端子パッドの配列によっては、四個の半田ボール２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを直交する二方向に整列させて設けることもあることは言うまでもない。
【００３５】
図７は、本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの集積のための導電性接続部材の配置例の説明図である。ここでは、前記図４で説明した実施例２に係るＳＡＷデバイス２００について、実装基板に実装するための導電性接続部材として半田ボールを用いた例を説明する。実施例１と同様に、再配線層２０がカバー層８の表面で広がりをもって配置されているので、半田ボール２３は実装相手の配線基板あるいはデバイスの端子電極や接続パッドに対応させた位置に設けることができる。図７は四個の半田ボール２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄが実装基板の端子パッドの位置対応で、整列することなく設けられている状態を示す。実装基板等の端子パッドの配列によっては、四個の半田ボール２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを直交する二方向に整列させて設けることもあることは言うまでもない。
【００３６】
図８は、本発明に係るＳＡＷデバイスを実装基板に実装するための導電接続部材、あるいは他のデバイスとの集積のための導電性接続部材の配置例の説明図である。ここでは、前記図１で説明した実施例１に係るＳＡＷデバイス１００について、実装基板に実装するための導電性接続部材として半田ボールを用いた例を説明する。この実装例は、本願発明に係るＳＡＷデバイスであっても、従来のデバイスと同様の実装ができることを説明する。半田ボール２３（２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄ）をデバイスの上面の四隅に従来のデバイスと同様の固定された位置に設けた場合を示す。
【００３７】
図９は、本発明に係るＳＡＷデバイスを他のデバイスと集積して複合部品とする一例を説明する模式図である。ここでは、前記図１で説明した実施例１に係るＳＡＷデバイス１００を他の部品３００に集積する例を示す。他の部品３００は圧電部品あるいは圧電部品以外の複合化可能なディスクリート部品である。他の部品の一方の面（同図の上面）には、ＳＡＷデバイス１００の外部端子の配置を考慮しない端子パッド３０２を有している。また、他の部品３００の他方の面（同図の下面）には、図示しない実装基板の実装端子（パッド）に接続する実装端子３０３が設けられている。
【００３８】
このような他の部品３００にＳＡＷデバイス１００を複合化する場合、当該ＳＡＷデバイス１００の再配線層２０に他の部品３００の端子パッド３０２と対向する位置に半田ボール２３、あるいはバンプ（半田バンプ等）２５を配置して位置づけし、両者を仮固定する。この状態応対でリフロー処理することで両者は一体に接合され、複合化した部品となる。このように、本発明に係るＳＡＷデバイス１００は複合化する他の部品３００の端子パッド３０２の配置に応じた任意の位置で接続することができる。
【００３９】
図１０は、本発明に係るＳＡＷデバイスを他のデバイスと共に適用機器の回路基板に実装する一例を説明する模式図である。ここでは、図１で説明した本発明に係るＳＡＷデバイス１００、および図４で説明した本発明に係るＳＡＷデバイス２００を適用機器の回路基板３０１に実装する一例を説明する。回路基板３０１の一方の面（同図の上面）には配線パターンと共に、複数の端子パッド３０２が形成されている。なお、回路基板３０１には、この他に、図示しない他の部品も搭載される。
【００４０】
回路基板３０１に設けた端子パッド３０２は本発明に係るＳＡＷデバイス１００、２００の外部端子の配置を考慮したものではない。このような回路基板３０１に対し、ＳＡＷデバイス１００、２００は、その再配線層２０と回路基板３０１に設けた端子パッド３０２との間に、当該端子パッド３０２の位置と対向する適宜の位置に半田ボール２３、あるいは半田バンプ２５を配置して接続する。これにより、適用機器を製作する顧客側での回路設計における自由度が広がり、効率のよい回路設計が可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、極めて高い耐衝撃性、高信頼性が要求されるＳＡＷデバイス、圧電薄膜フィルタ、ＦＢＡＲ（エフバー；Film Bulk Acoustic Resonator）、ＭＥＭＳ（メムス；Micro Electro Mechanical Systems）等の圧電素子・部品及びそれらの製造に広く利用できる。また、所謂フィルタバンク、複数フィルタモジュールなどにも適用でき、あるいは一個の部品に動作特性の異なる圧電素子を複数搭載するものにも適用できる。
【符号の説明】
【００４２】
１・・圧電板（ＬｉＴａＯ３）、２・・ＩＤＴ、２ａ・・櫛歯電極部、２ｂ・・入出力電極・配線部、６・・金属電極層、７・・リブ、８・・カバー層（天井層）、８ａ・・樹脂、８ｂ・・フィラー（微小マイカ片）、２０・・再配線層、２１・・空隙（動作空間、中空構造、キャビティー）、２２・・電極柱、２３・・半田ボール、２５・・半田バンプ、１００，２００・・圧電部品（ＳＡＷデバイス）、３００・・他の部品、３０１・・回路基板、３０２・・端子パッド。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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