(57)【要約】【課題】単結晶基板上に設けられたＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位に配向した配向膜を容易に得るための下地となる配向膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】単結晶基板２の上面に設けられたＰｔ（１００）膜４の上面に形成された配向膜６。配向膜６は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａ（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）と、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの上面に形成された、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂ（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）とで構成されている。単結晶基板２はＭｇＯ（１００）基板である。【選択図】図１
2014218407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上に形成された配向膜であって、
前記配向膜は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）であること、
を特徴とする、配向膜。
【請求項２】
単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上に形成された配向膜であって、
前記配向膜は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）と、前記ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上に形成された、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）とで構成されていること、
を特徴とする、配向膜。
【請求項３】
前記単結晶基板がＭｇＯ（１００）基板であること、を特徴とする、請求項１または請求項２に記載の配向膜。
【請求項４】
（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）を製造するための配向膜の製造方法であって、
前記ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の原料となる第１化学溶液を、単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上にスピンコートする工程と、
前記スピンコートされた第１化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理して、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜を前記Ｐｔ（１００）膜上にエピタキシャル成長させる工程と、
を備えたことを、特徴とする、配向膜の製造方法。
【請求項５】
前記ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の原料となる第１化学溶液が、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、ジルコニウムアルコキシドもしくはカルボン酸ジルコニウムが、有機溶剤中に混合された化学溶液であること、を特徴とする、請求項４に記載の配向膜の製造方法。
【請求項６】
（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）を製造するための配向膜の製造方法であって、
前記ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の原料となる第２化学溶液を、請求項４または請求項５に記載された配向膜の製造方法によってエピタキシャル成長されたＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上にスピンコートする工程と、
前記スピンコートされた第２化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理して、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜を前記ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上にエピタキシャル成長させる工程と、
を備えたことを、特徴とする、配向膜の製造方法。
【請求項７】
前記ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の原料となる第２化学溶液が、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、チタンアルコキシドもしくはカルボン酸チタンが、有機溶剤中に混合された化学溶液であること、を特徴とする、請求項６に記載の配向膜の製造方法。
【請求項８】
前記単結晶基板がＭｇＯ（１００）基板であること、を特徴とする、請求項４〜請求項７のいずれかに記載の配向膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、センサ用の基板およびコンデンサの誘電体などに用いることができる誘電体配向膜、ディスプレイやタッチパネルにおけるスイッチ、接点およびセンサの電極などに用いることができる導電性配向膜、光通信機器の導波路における電界印加型の光スイッチなどに用いることができる透明性を有する配向膜、およびその配向膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配向膜を製造する方法には、スパッタ法、ＭＢＥ法、パルスレーザー堆積法またはＭＯＣＶＤ法などが採用されている。
【０００３】
さらに、配向膜を製造する別の方法として、特許文献１に記載された化学溶液法も提案されている。この配向膜の製造方法は、ＭｇＯ（１００）基板上に形成されたＢａ（ＴｉzＺｒ1-a）Ｏ3（１００）の配向膜上に、ＢａxＳｒyＣａzＴｉＯ3（１００）の配向膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、このスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理して、ＢａxＳｒyＣａzＴｉＯ3（１００）の配向膜をエピタキシャル成長させる方法である。化学溶液法は、安価でかつ組成比のコントロールが容易であるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４７５２９３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、ペロブスカイト系の複合酸化物の配向膜は、（１１０）方位に配向されている場合の方が、（１００）方位に配向されている場合よりも、比誘電率が大きくなる。しかし、ＭｇＯ（１００）基板上に、（１１０）方位に配向されているペロブスカイト系の複合酸化物の配向膜を形成することは困難であり、通常、ＭｇＯ（１００）基板上には、（１００）方位に配向されているペロブスカイト系の複合酸化物の配向膜が形成される。
【０００６】
それゆえに、本発明の目的は、単結晶基板上に設けられたＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位に配向した配向膜を容易に得るための下地となる配向膜およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上に形成された配向膜であって、前記配向膜は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）であること、を特徴とする、配向膜である。この発明では、単結晶基板上に設けられたＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位に配向した配向膜を容易に得るための下地となる配向膜を得ることができる。
【０００８】
また、本発明は、単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上に形成された配向膜であって、前記配向膜は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）と、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上に形成された、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）とで構成されていること、を特徴とする、配向膜である。
ここで、Ｐｔ（１００）膜は、（１００）方位に配向されているＰｔ膜を意味している。
【０００９】
本発明では、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜やＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜が、下地のＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位（１１０）に配向されているため、比誘電率が大きくなる。
【００１０】
また、本発明は、単結晶基板がＭｇＯ（１００）基板であることが好ましい。ここで、ＭｇＯ（１００）基板は、（１００）方位に配向されている単結晶ＭｇＯ基板を意味している。本発明の場合、Ｐｔ（１００）膜、すなわち、（１００）方位に配向されているＰｔ膜の作製が容易となる。
【００１１】
また、本発明は、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）を製造するための配向膜の製造方法であって、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の原料となる第１化学溶液を、単結晶基板上に設けられたＰｔ（１００）膜上にスピンコートする工程と、スピンコートされた第１化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理して、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜を前記Ｐｔ（１００）膜上にエピタキシャル成長させる工程と、を備えたことを、特徴とする、配向膜の製造方法である。
【００１２】
ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の原料となる第１化学溶液は、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、ジルコニウムアルコキシドもしくはカルボン酸ジルコニウムが、有機溶剤中に混合された化学溶液であることが好ましい。
【００１３】
本発明の場合、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の方位を制御して、下地のＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位へ配向することが可能になる。従って、下地のＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位（１１０）に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜が容易に作製できる。
【００１４】
さらに、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の原料となる第１化学溶液の混合比率を変えることによって、作製されるＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の組成比の変更が容易に行われる。
【００１５】
また、本発明は、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）を製造するための配向膜の製造方法であって、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の原料となる第２化学溶液を、前述の配向膜の製造方法によってエピタキシャル成長されたＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上にスピンコートする工程と、スピンコートされた第２化学溶液を配向が起こるような温度で熱処理して、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜をＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜上にエピタキシャル成長させる工程と、を備えたことを、特徴とする、配向膜の製造方法である。
【００１６】
ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の原料となる第２化学溶液は、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、チタンアルコキシドもしくはカルボン酸チタンが、有機溶剤中に混合された化学溶液であることが好ましい。
【００１７】
本発明の場合、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜が、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の下地となる。従って、下地のＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜の（１１０）方位と同じ（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜が容易に作製できる。
【００１８】
さらに、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の原料となる第２化学溶液の混合比率を変えることによって、作製されるＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の組成比の変更が容易に行われる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、単結晶基板上に設けられたＰｔ膜の（１００）方位の配向とは異なる方位に配向した配向膜を容易に得るための下地となる（１１０）方位へ配向したＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜を得ることができる。また、安価でかつ組成比のコントロールが容易であるＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜やＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜を得ることができる。
【００２０】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明に係る配向膜の一実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る配向膜の製造方法の一実施の形態を示すフローチャートである。
【図３】実施例１で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。
【図４】比較例で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。
【図５】実施例２で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係る配向膜およびその製造方法の一実施の形態を説明する。
【００２３】
１．配向膜
図１は配向膜の一実施の形態を示す概略構成図である。配向膜６は、単結晶基板２の上面に設けられたＰｔ（１００）膜４の上面に形成されている。Ｐｔ（１００）膜４は、（１００）方位に配向されているＰｔ膜である。なお、（１００）方位に配向されているＰｔ膜は、容易に作製できるけれども、（１１０）方位に配向されているＰｔ膜は、容易に作製できない。
【００２４】
単結晶基板２には、ＭｇＯ（１００）基板などが使用される。ＭｇＯ（１００）基板は、（１００）方位に配向されている単結晶ＭｇＯ基板である。このＭｇＯ（１００）基板を使用することによって、ＭｇＯ（１００）基板の上面に、（１００）方位に配向されているＰｔ膜が容易に作製できる。
【００２５】
配向膜６は、Ｐｔ（１００）膜４の上面に形成されたＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａと、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの上面に形成されたＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂとで構成されている。ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａは、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）である。従って、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａは、Ｂａ（バリウム）とＳｒ（ストロンチウム）との中から選択された少なくとも１種以上、および、Ｚｒ（ジルコニウム）が、混合された配向膜である。ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂは、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）である。従って、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂは、Ｂａ（バリウム）とＳｒ（ストロンチウム）との中から選択された少なくとも１種以上、および、Ｔｉ（チタニウム）が、混合された配向膜である。
【００２６】
本発明では、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａやＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂが、下地のＰｔ（１００）膜４の（１００）方位の配向とは異なる方位（１１０）に配向されているため、比誘電率を大きくすることができる。
【００２７】
２．配向膜の製造方法
次に、図１に示した配向膜６の製造方法が、図２を参照して説明される。
【００２８】
ステップＳ１で、Ｐｔ（１００）膜４が、スパッタリング法によって、単結晶基板であるＭｇＯ（１００）基板２の上面に形成され、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板が作製される。
【００２９】
次に、ステップＳ２で、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａ（ただし、ｐ＋ｑ＝１．０、０．８５≦ｒ≦１．２）の原料となる第１化学溶液が、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜４の上面にスピンコートされる。
【００３０】
ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの原料となる第１化学溶液は、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、ジルコニウムアルコキシドもしくはカルボン酸ジルコニウムが、有機溶剤中に混合された化学溶液である。
【００３１】
次に、ステップＳ３で、スピンコートされた第１化学溶液が、配向が起こるような温度で熱処理される。熱処理条件は、例えば、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持する。これによって、（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａが、Ｐｔ（１００）膜４の上面にエピタキシャル成長する。ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの膜厚は、ステップＳ２，Ｓ３を繰り返して行うことによって厚くすることができる。
【００３２】
こうして、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの方位を制御して、下地のＰｔ（１００）膜４の（１００）方位の配向とは異なる方位（１１０）に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａが容易に作製できる。さらに、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの原料となる第１化学溶液の混合比率を変えることによって、作製されるＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの組成比を容易に変更することができる。
【００３３】
次に、ステップＳ４で、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂ（ただし、ｘ＋ｙ＝１．０、０．８５≦ｗ≦１．２）の原料となる第２化学溶液が、エピタキシャル成長されたＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの上面にスピンコートされる。
【００３４】
ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの原料となる第２化学溶液は、バリウムアルコキシドもしくはカルボン酸バリウムと、ストロンチウムアルコキシドもしくはカルボン酸ストロンチウムとの中から選択された少なくとも１種以上、および、チタンアルコキシドもしくはカルボン酸チタンが、有機溶剤中に混合された化学溶液である。
【００３５】
次に、ステップＳ５で、スピンコートされた第２化学溶液が、配向が起こるような温度で熱処理される。熱処理条件は、例えば、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持する。これによって、（１１０）方位に配向されているＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂが、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの上面にエピタキシャル成長する。ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの膜厚は、ステップＳ４，Ｓ５を繰り返して行うことによって厚くすることができる。
【００３６】
（１１０）方位に配向されているＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａが、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜の下地となっているので、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂは、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの（１１０）方位と同じ（１１０）方位に容易に配向される。従って、（１１０）方位に配向されたＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂが容易に作製できる。さらに、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの原料となる第２化学溶液の混合比率を変えることによって、作製されるＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの組成比を容易に変更することができる。
【００３７】
以上説明した製造方法は、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの方位を制御して、下地のＰｔ（１００）膜４の（１００）方位の配向とは異なる（１１０）方位へ配向することができる。また、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの方位を制御して、下地のＰｔ（１００）膜４の（１００）方位の配向とは異なる（１１０）方位へ配向することができ、比誘電率を大きくすることができる。また、安価でかつ組成比のコントロールが容易であるＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａやＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂを得ることができる。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
単結晶基板２には、ＭｇＯ（１００）基板を使用した。Ｐｔ（１００）膜４が、スパッタリング法によって、単結晶基板であるＭｇＯ（１００）基板２の上面に形成され、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板が作製された。
【００３９】
また、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａにおいて、ｐ＝０．１、ｑ＝０．９、ｒ＝１．０になるように、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの原料となる第１化学溶液が、次の溶液作製条件で作製された。
（Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3の第１化学溶液作製条件）
Ａ．原料塩
酢酸ストロンチウム            ０．１３５ｇ
酢酸バリウム                  ０．０２６ｇ
ジルコニウムイソプロポキシド  ０．２２９ｇ
Ｂ．溶媒
酢酸                          ３ｍｌ
２−メトキシエタノール        ７ｍｌ
【００４０】
さらに、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂにおいて、ｘ＝１．０、ｙ＝０、ｗ＝１．０になるように、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの原料となる第２化学溶液が、次の溶液作製条件で作製された。
（ＢａＴｉＯ3の第２化学溶液作製条件）
Ａ．原料塩
酢酸バリウム                  １．１４９ｇ
チタンイソプロポキシド        ０．８５ｇ
Ｂ．溶媒
酢酸                          ３ｍｌ
２−メトキシエタノール        ７ｍｌ
【００４１】
次に、作製されたＢａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａの第１化学溶液が、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜４の上面にスピンコートされた。その後、スピンコートされた第１化学溶液が熱処理された。すなわち、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持された。こうして、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａが、Ｐｔ（１００）膜４の上面に形成された。
【００４２】
次に、作製されたＢａＴｉＯ3配向膜６ｂの第２化学溶液が、形成されたＢａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａの上面にスピンコートされた。その後、スピンコートされた第２化学溶液が熱処理された。すなわち、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持された。以上の第２化学溶液のスピンコートおよび熱処理が、ＢａＴｉＯ3配向膜６ｂの膜厚を厚くするために、６回繰り返された。こうして、ＢａＴｉＯ3配向膜６ｂが、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａの上面に形成された。
【００４３】
このように、実施例１では、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜４の上面に、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａが形成され、そのＢａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａの上面に、ＢａＴｉＯ3配向膜６ｂが形成された試料が作製される。
【００４４】
図３は、実施例１で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。図３から、ＢａＴｉＯ3の（１１０）のピークが認められた。これは、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板上に形成されたＢａＴｉＯ3配向膜６ｂが、（１１０）方位に配向していることを示している。従って、実施例１の試料は、前述の実施の形態で説明した効果と同様の効果を奏することができる。なお、ＭｇＯの（２００）のピークと、Ｐｔの（２００）のピークとは、ＭｇＯ（１００）基板２およびＰｔ（１００）膜４が、それぞれ（１００）方位に配向していることを示している。
【００４５】
さらに、実施例１の試料のＢａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａおよびＢａＴｉＯ3配向膜６ｂのトータルの比誘電率（すなわち、配向膜６の比誘電率）を測定するために、ＢａＴｉＯ3配向膜６ｂの上面にＰｔ電極を形成した。そして、ＬＣＲメーターを用いて比誘電率を測定すると、作製したＢａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜６ａおよびＢａＴｉＯ3配向膜６ｂのトータルの比誘電率は５０００で、誘電損失は０．２％だった。
【００４６】
（比較例）
実施例１と同様にして、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板が作製された。
【００４７】
さらに、ＢａＴｉＯ3配向膜の原料となる化学溶液が、次の溶液作製条件で作製された。
（ＢａＴｉＯ3の化学溶液作製条件）
Ａ．原料塩
酢酸バリウム                  １．１４９ｇ
チタンイソプロポキシド        ０．８５ｇ
Ｂ．溶媒
酢酸                          ３ｍｌ
２−メトキシエタノール        ７ｍｌ
【００４８】
このように、比較例では、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜の上面に、ＢａＴｉＯ3配向膜が形成された試料が作製される。
【００４９】
図４は、比較例で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。図４から、ＢａＴｉＯ3の（１００）、（２００）のピークが認められた。これは、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板の上面に形成されたＢａＴｉＯ3配向膜が、（１００）方位に配向していることを示している。つまり、（１００）方位に配向したＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板の上面に薄膜を形成すると、通常、（１００）方位に配向した薄膜が形成されることがわかる。
【００５０】
さらに、比較例の試料のＢａＴｉＯ3配向膜の比誘電率を、実施例１と同様にして測定すると、比誘電率は２３００で、誘電損失は０．９％だった。従って、実施例１の（１１０）方位に配向した配向膜６の比誘電率は、比較例の（１００）方位に配向したＢａＴｉＯ3配向膜の比誘電率の約２倍になることがわかる。
【００５１】
（実施例２）
実施例１と同様にして、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板が作製された。
【００５２】
また、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａにおいて、ｐ＝０．３、ｑ＝０．７、ｒ＝１．０になるように、ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜６ａの原料となる第１化学溶液が、次の溶液作製条件で作製された。
（Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3の第１化学溶液作製条件）
Ａ．原料塩
酢酸ストロンチウム            ０．４５ｇ
酢酸バリウム                  ０．３２ｇ
ジルコニウムイソプロポキシド  ０．２２９ｇ
Ｂ．溶媒
酢酸                          ３ｍｌ
２−メトキシエタノール        ７ｍｌ
【００５３】
さらに、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂにおいて、ｘ＝０．１、ｙ＝０．９、ｗ＝１．０になるように、ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜６ｂの原料となる第２化学溶液が、次の溶液作製条件で作製された。
（Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3の第２化学溶液作製条件）
Ａ．原料塩
酢酸バリウム                  ０．１４９ｇ
酢酸ストロンチウム            ０．５７ｇ
チタンイソプロポキシド        ０．８５ｇ
Ｂ．溶媒
酢酸                          ３ｍｌ
２−メトキシエタノール        ７ｍｌ
【００５４】
次に、作製されたＢａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａの第１化学溶液が、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜４の上面にスピンコートされた。その後、スピンコートされた第１化学溶液が熱処理された。すなわち、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持された。以上の第１化学溶液のスピンコートおよび熱処理が、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａの膜厚を厚くするために、３回繰り返された。こうして、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａが、Ｐｔ（１００）膜４の上面に形成された。
【００５５】
次に、作製されたＢａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜６ｂの第２化学溶液が、形成されたＢａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａの上面にスピンコートされた。その後、スピンコートされた第２化学溶液が熱処理された。すなわち、酸素流量が２００ｍｌ／分の酸素雰囲気下で、３００℃／分の昇温速度で８００℃まで過熱して２０分間保持された。以上の第２化学溶液のスピンコートおよび熱処理が、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜６ｂの膜厚を厚くするために、３回繰り返された。こうして、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜６ｂが、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａの上面に形成された。
【００５６】
このように、実施例２では、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板のＰｔ（１００）膜４の上面に、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａが形成され、そのＢａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａの上面に、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜６ｂが形成された試料が作製される。
【００５７】
図５は、実施例２で作製した試料のＸ線回折スペクトル図である。図５から、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3の（１１０）のピークとＢａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3の（１１０）のピークが認められた。これは、ＭｇＯ（１００）／Ｐｔ（１００）基板上に形成されたＢａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜６ａおよびＢａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜６ｂが、それぞれ（１１０）方位に配向していることを示している。従って、実施例２の試料は、前述の実施の形態で説明した効果と同様の効果を奏することができる。
【００５８】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００５９】
２  単結晶基板（ＭｇＯ（１００）基板）
４  Ｐｔ（１００）膜
６  配向膜
６ａ  ＢａpＳｒqＺｒrＯ3配向膜（Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＺｒＯ3配向膜、Ｂａ0.3Ｓｒ0.7ＺｒＯ3配向膜）
６ｂ  ＢａxＳｒyＴｉwＯ3配向膜（ＢａＴｉＯ3配向膜、Ｂａ0.1Ｓｒ0.9ＴｉＯ3配向膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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