(57)【要約】【課題】ＬＥＤ反射面における銀めっきの硫化が抑制された回路基板、及び、そのような回路基板を用いたＬＥＤモジュール、ＬＥＤパッケージを提供する。【解決手段】本発明の回路基板は、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板（ベース金属基板２）と、金属基板上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される１種からなる柱状金属部（金属バンプ３）と、柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）と、絶縁樹脂層上及び柱状金属部上に形成された金属層（パッド６ｃ）と、柱状金属部上の金属層の上方に少なくとも銀めっき層（ＬＥＤ側銀めっき層１０）が形成されており、銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜（表面酸化亜鉛皮膜１１）が形成されている。【選択図】図１（ｋ）
2014120529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板と、
前記金属基板上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される１種からなる柱状金属部と、
前記柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上及び前記柱状金属部上に形成された金属層とを備え、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層が形成されており、該銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜が形成されている
回路基板。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたＬＥＤモジュール。
【請求項３】
前記金属基板の裏面に酸化亜鉛皮膜が形成されている請求項２記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
請求項１に記載の回路基板上にＬＥＤ（発光ダイオード）チップが搭載されたＬＥＤパッケージ。
【請求項５】
金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分が形成されている絶縁樹脂層の該穴部分に該柱状金属部を挿入する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記金属基板と該絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、
前記柱状金属部上に金属層を形成する工程と、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層を形成する工程と、
前記銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜を形成する工程と
を有する
回路基板の製造方法。
【請求項６】
金属基板上に柱状金属部を形成する工程と、
前記金属基板上及び前記柱状金属部上に絶縁樹脂層を配置する工程と、
前記絶縁樹脂層を加熱及び加圧することにより、前記柱状金属部及び前記金属基板と該絶縁樹脂層とを圧着させる工程と、
前記柱状金属部上の前記絶縁樹脂層を除去する工程と、
前記柱状金属部上に金属層を形成する工程と、
前記柱状金属部上の前記金属層の上方に少なくとも銀めっき層を形成する工程と、
前記銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜を形成する工程と
を有する
回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード））を搭載するための回路基板、この回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュール及びＬＥＤパッケージ、並びに回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、樹脂回路基板、セラミック基板又はリードフレーム上に、ＬＥＤチップが直接搭載されたＬＥＤモジュール及びＬＥＤパッケージが、例えば、照明光源、液晶テレビジョン装置等のバックライトの光源に用いられている（例えば特許文献１乃至３参照）。
最近、ＬＥＤは、特に、高輝度化が進むと同時に、５万時間以上の輝度の維持が要求されるようになり、そのＬＥＤチップを搭載する回路基板に対しては、ＬＥＤチップの温度を下げるべく、放熱性が高く、また、大気中の硫黄の影響を受けにくい回路基板が要求されるようになっている。
【０００３】
回路基板は、ベース基板である金属基板（以下、「ベース金属基板」とも称する。）上にＬＥＤチップを搭載するための柱状金属部（以下、「金属バンプ」とも称する。）が形成されている。
この金属バンプは、ベース金属基板とＬＥＤチップとを電気的に接続するとともに、ＬＥＤチップが発する熱をベース金属基板に放熱する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２７８０１２号公報
【特許文献２】特開平４−３３８６９２号公報
【特許文献３】特開平５−２９３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近のＬＥＤでは、ハイパワー化による放熱不足により、輝度低下の問題が発生するとともに、環境の厳しい屋外での使用により、信頼性低下の改善も必要となってきている。
特に、ハイパワーＬＥＤモジュールになると、屋外で用いられる機会が増え、高温下、大気中で、水分及び大気中の不純物に暴露され、輝度が著しく低下するという信頼性上の問題が起きている。
大気中不純物としての硫黄が、回路基板上に搭載された、ＬＥＤチップ、及び、ＬＥＤチップにより発光された光を高い輝度で反射させるために形成された銀めっき層に対し、硫化作用を引き起こし、生成された硫化銀による腐食を起こして反射率を低下し、輝度を低下させるという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意研究の結果、まず、放熱性を高めるために、金属バンプを形成した回路基板を用い、このバンプ上の銀めっき層に、無機物皮膜を形成（被覆）する技術を見出し、この回路基板上にＬＥＤチップを搭載したＬＥＤモジュール、及び、ＬＥＤパッケージを提供するに至った。
本発明は、このような点に基づいて完成したものである。具体的には、放熱性の高い金属バンプを形成した回路基板上の銀めっき層に、電解処理により、酸化亜鉛の皮膜を形成することにより、硫化による輝度低下の少ない回路基板を得た。
【０００７】
すなわち、本発明の回路基板は、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなる金属基板（ベース金属基板２）と、金属基板上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される１種からなる金属を用いた柱状金属部（金属バンプ３）と、柱状金属部の側面周囲に形成された絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）と、絶縁樹脂層上及び柱状金属部上に形成された金属層（金属めっき層６）とを備え、金属基板の全金属層（第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ、パッド６ｃ）上には、ニッケルめっき層、パラジウムめっき層、金めっき層がそれぞれ必要に応じて形成され、少なくとも柱状金属部上のパッド６ｃ上においては、これら形成しためっき層の最上層上にさらに銀めっき層（銀めっき層１０）が形成され、この銀めっき層上に酸化亜鉛皮膜（表面酸化亜鉛皮膜１１）を形成している（図１（ｉ）参照）。
【０００８】
また、本発明のＬＥＤモジュール及びＬＥＤパッケージにおいては、このような金属層上にＬＥＤチップが搭載されている。
【０００９】
また、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板（ベース金属基板２）上に柱状金属部を形成し、柱状金属部の形状に対応した柱状の穴部分（穴部分４ａ）が形成されている絶縁樹脂層（絶縁樹脂層４）の穴部分に柱状金属部（金属バンプ３）を挿入する。次に、絶縁樹脂層上に金属層を配置し、得られた積層物を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層と金属層（金属層５）とを圧着させる。その後、柱状金属部上に金属層（金属めっき層６）を形成し、柱状金属部上の金属層（金属めっき層６）の上方に少なくとも銀めっき層（銀めっき層１０）を形成し、銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜（表面酸化亜鉛皮膜１１）を形成する。
【００１０】
或いは、本発明の回路基板の製造方法は、金属基板（ベース金属基板２）上に柱状金属部（金属バンプ３）を形成し、金属基板上及び柱状金属部上に絶縁樹脂層を配置する。次に、この絶縁樹脂層上に金属層（金属層５）を配置し、得られた積層物を加熱及び加圧することにより、金属基板と絶縁樹脂層と金属層を圧着させる。その後、柱状金属部上の絶縁樹脂層を除去し、柱状金属部上に金属層（金属めっき層６）を形成する。この柱状金属部上の金属層（金属めっき層６）の上方に少なくとも銀めっき層（銀めっき層１０）を形成し、銀めっき層表面に酸化亜鉛皮膜（表面酸化亜鉛皮膜１１）を形成する。
【００１１】
このような本発明の回路基板の製造方法によれば、金属バンプを有するため、放熱性が高く、また、酸化亜鉛皮膜により銀めっき層の硫化を抑制することが可能な高信頼性の回路基板を容易に製造することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ＬＥＤチップが発光する光の反射光を受ける面（以下、「ＬＥＤ反射面」ともいう。）における銀めっきの硫化が抑制された回路基板を提供することができ、そのような回路基板の金属層上にＬＥＤチップを搭載するＬＥＤモジュール、さらには、外部端子を有し、ＬＥＤチップを搭載するＬＥＤパッケージを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１（ａ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｂ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｃ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｄ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｅ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｆ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｇ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｈ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｉ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｊ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｋ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。
【図１（ｌ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の他の例を説明するための模式図である。
【図２】第１の実施形態の回路基板の製造方法における絶縁樹脂層への穴部分の形成を説明するための模式図である。
【図３（ａ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｂ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｃ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるバンプ形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｄ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｅ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｆ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｇ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｈ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｉ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法におけるパターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｊ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｋ）】第２の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。
【図３（ｌ）】第１の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の他の例を説明するための模式図である。
【図４】第１の実施形態の回路基板を用いたＬＥＤモジュールの側面断面図である。
【図５（ａ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における準備工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｂ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（１）の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｃ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における回路形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｄ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における層配置工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｅ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法におけるプレス工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｆ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における凸部除去工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｇ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｈ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（２）の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｉ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における表面パターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｊ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法におけるレジスト配置工程（３）の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｋ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における裏面パターン形成工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｌ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における多層金属めっき工程の一例を説明するための模式図である。
【図５（ｍ）】第３の実施形態の回路基板の製造方法における酸化亜鉛処理工程の一例を説明するための模式図である。
【図６】第３の実施形態の回路基板を用いたＬＥＤパッケージの側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した実施形態について説明する。
本発明に係る回路基板は、例えば後に示す図１（ｋ）を参照してわかるように、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種からなるベース金属基板２と、このベース金属基板２上に形成され、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される１種からなる金属バンプ３と、金属バンプ３の側面周囲に形成された絶縁樹脂層４と、金属バンプ３及び絶縁樹脂層４上に形成された金属層（金属層５及び金属めっき層６（第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ、パッド６ｃ））とを有する回路基板において、少なくとも金属バンプ３上においてはパッド６ｃの上方にＬＥＤ側銀めっき層１０が形成され、このＬＥＤ側銀めっき層１０上に、表面酸化亜鉛皮膜１１が形成されている。回路基板上における全ての回路部（第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ、金属バンプ３上のパッド６ｃ）にＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃと、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃと、ＬＥＤ側金めっき層９ｃと、ＬＥＤ側銀めっき層１０とを形成する。その後、表面酸化亜鉛皮膜１１を形成する処理を行ってもよく、また、パッド６ｃ以外の金属層（金属層５、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ）には、それぞれ第１電極側ニッケルめっき層７ａ及び第１電極側金めっき層９ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ及び第２電極側金めっき層９ｂを形成するようにしてもよい。
【００１５】
次に、このような本発明の回路基板を製造する製造方法について説明する。
【００１６】
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。
この第１の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
１−１．準備工程
１−２．レジスト配置工程（１）
１−３．バンプ形成工程
１−４．層配置工程
１−５．プレス工程
１−６．凸部除去工程
１−７．金属めっき工程
１−８．レジスト配置工程（２）
１−９．パターン形成工程
１−１０．多層金属めっき（ニッケル、パラジウム、金、銀めっき）工程
１−１１．酸化亜鉛処理工程
【００１７】
（１−１．準備工程）
まず、図１（ａ）に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板２及び金属バンプ３を形成するための金属板１を準備する。
金属板１の厚みは、特に限定されないが、例えば、１０μｍ乃至３００００μｍとすることができる。
金属板１を構成する金属としては、金属バンプ３を形成することから、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましい。具体的には、銅、銅合金、アルミニウムから選択される１種の金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。
【００１８】
（１−２．レジスト配置工程（１））
次に、エッチングレジストＭを、図１（ｂ）に示すように、金属板１上の金属バンプ３を形成する位置に配置する。
（１−３．バンプ形成工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、金属板１の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ（柱状金属部）３を形成する。金属バンプ３の形状は、特に限定されず、例えば三角形、四角形でも良いが、通常は、上面が円形の柱状である。
【００１９】
金属バンプ３を構成する金属としては、上述したように、放熱性及び高い電気伝導性の金属であることが好ましく、具体的には、銅、銅合金、アルミニウム、ニッケルから選択される１種からなる金属が好ましく、特に、熱伝導性や電気伝導性の点から、銅がより好ましい。
【００２０】
エッチングレジストＭとしては、感光性樹脂やドライフィルムレジスト（フォトレジスト）等が挙げられる。
【００２１】
エッチングの方法としては、金属板１を構成する各金属の種類に応じた各種エッチング液を用いたエッチング方法が挙げられる。
金属板１が銅である場合には、過硫酸アンモニウム、過酸化水素−硫酸等の市販のアルカリエッチング液を使用できる。このようなエッチング液により、金属板１におけるエッチングレジストＭで表面がマスクされた部分以外の部分をエッチングした後、エッチングレジストＭを除去する。
【００２２】
エッチングレジストＭを除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去など、エッチングレジストＭの種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００２３】
金属バンプの形成方法は、上述の金属バンプ３を形成する例に限定されない。例えば、特許第３２１７３８１号、特許第３１７８６７７号に記載されている方法で金属バンプを形成するようにしてもよい。
【００２４】
このように、金属バンプ３を形成した回路基板とすることで、後に、放熱性の高いＬＥＤモジュールを得ることができる。また、金属バンプ３の上面の面積（バンプ面積）を従来よりも大きいもの（例えば９ｍｍ２以上の面積）とすることにより、ＬＥＤモジュールにおいて、より高い放熱性を確保することができる。
【００２５】
（１−４．層配置工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４を配置し、その絶縁樹脂層４上に金属層５を配置する。
絶縁樹脂層４としては、金属バンプ３の形状に対応した柱状の穴部分４ａが形成されたものを用いる。この層配置工程では、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入するバンプ挿入工程を有する。
絶縁樹脂層４の上面側における穴部分の面積（以下、これを「穴面積」ともいう。）は、金属バンプ３のバンプ面積よりも僅かに大きい。
【００２６】
バンプ挿入工程では、ベース金属基板２上に形成された金属バンプ３の上面の中心と、絶縁樹脂層４の上面側における穴部分の中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層４の穴部分４ａに金属バンプ３を挿入する。これにより、ベース金属基板２上の金属バンプ３が形成されていない位置に絶縁樹脂層４が配置される。
このようにして、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４が配置され、少なくとも金属バンプ３の側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。
穴部分４ａが形成された絶縁樹脂層４を用いることで、金属バンプ３のバンプ面積が大きい場合であっても、その金属バンプ３上に樹脂が存在しないことから、接続信頼性（電気的及び機械的）の高い高性能な回路基板を製造することができる。
【００２７】
絶縁樹脂層４を構成する絶縁性材料は、特に限定されない。例えば、加熱及び加圧によって変形して固化すると共に、通常の配線基板に要求される耐熱性を有する絶縁性樹脂に、絶縁樹脂層４の強度を上げる所定の材料を含有するものを挙げることができる。例えば、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂等の各種反応硬化性樹脂からなる絶縁性樹脂に、ガラス繊維（ガラスクロス）、セラミック繊維、アラミド繊維等の繊維を複合させてなる複合体（プリプレグ）等を挙げることができる。
【００２８】
絶縁樹脂層４をこのような複合体とすることで、ドリル加工等により穴部分４ａを形成する際に、絶縁樹脂層４に割れ、剥がれ等の形状変化が生じないようにすることができる。
特に、ガラスクロスは、容易に絶縁樹脂層４の強度を上げることができるため、好適である。
絶縁樹脂層４の複合体における絶縁性樹脂としては、硬化状態下において、ベース金属基板２との接合力に優れ、さらには耐電圧特性等を損なわない樹脂を挙げることができる。
【００２９】
このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂の他、各種のエンジニアリングプラスチック等を、単独で、または２種以上混合して用いることができる。この内、エポキシ樹脂が金属同士の接合力に優れるので好ましい。
エポキシ樹脂の中では、例えば、流動性が高い、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマー、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂構造を両末端に有するトリブロックポリマーが好ましい。
【００３０】
絶縁樹脂層４の絶縁性樹脂には、熱伝導性を高めるために熱伝導性フィラーを含ませるようにしてもよい。
【００３１】
図２（ａ）に示すように、穴部分４ａを形成するための絶縁樹脂層４は、所定の厚さを有する絶縁性の部材である。この絶縁樹脂層４の厚さは、特に限定されないが、金属バンプ３の高さと同程度であることが好ましい。なお、後のプレス工程で加圧されることを考慮し、金属バンプ３の高さよりもやや厚いものであってもよい。
【００３２】
絶縁樹脂層４における穴部分４ａは、例えば以下のような形成方法によって形成することができる。
図２（ｂ）に示すように、絶縁樹脂層４に穴部分４ａを形成する際には、凸型の先端加工部３０ａを有するドリル或いはルーター等の加工器具３０を用いてドリル加工を行う。
これにより、図２（ｃ）の絶縁樹脂層４の上面図に示すように、絶縁樹脂層４の上面と下面とを貫通する円形の穴部分４ａを形成する。
【００３３】
なお、このようなドリル加工に代えて、金型を用いた金属プレス加工等の従来一般に行われているプレス加工、或いはトムソン刃により絶縁樹脂層４を打ち抜くことにより、穴部分４ａを形成するようにしてもよい。
【００３４】
さらになお、この穴部分４ａの形状は、図２（ｃ）に示すように、絶縁樹脂層４の上方から見た場合に、上側の面が円形の円柱形状を想定しているが、この形状に限定される趣旨ではない。金属バンプ３の形状に適合させて、上側の面の形状が正方形、長方形、三角形状等であってもよく、何れの形状であってもよい。また、この円柱の形状も、絶縁樹脂層４の上側から下側まで同じ長さである必要はない。例えば、穴の形状は円錐台であってよい。
【００３５】
金属層５は、特に限定されないが、銅箔とすることができる。銅箔としては、各種市販のものを使用することができる。
【００３６】
（１−５．プレス工程）
次に、図１（ｅ）に示すように、金属層５上面を加熱及び加圧する（熱プレス）。これにより、ベース金属基板２と、絶縁樹脂層４と、金属層５とを圧着させる。
金属バンプ３の存在により、熱プレスによって金属層５が凹状に変形することに対応して金属バンプ３上に凸部Ａが形成され、プレス工程では、凸部Ａを有する積層体が形成される。
【００３７】
加熱及び加圧の方法としては、加熱加圧装置（熱ラミネータ、加熱プレス装置）等を用いて行えばよく、その際、空気の混入を避けるために、雰囲気を真空（真空ラミネータ等）にしてもよい。加熱温度、圧力等の諸条件は、絶縁樹脂層４の材料や厚さに応じて適宜設定すればよいが、圧力としては、例えば０．５ＭＰａ乃至３０ＭＰａとすることができる。
【００３８】
シート材は、加熱プレス時に凹状変形を許容する材料であればよく、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、不織布、織布、多孔質シート、発泡体シート、金属箔、これらの複合体等を挙げることができる。特に、クッション紙、ゴムシート、エラストマーシート、発泡体シート、これらの複合体等の弾性変形可能なものが好ましい。
【００３９】
（１−６．凸部除去工程）
次に、図１（ｆ）に示すように、金属バンプ３上の凸部Ａを除去する処理を行い、金属バンプ３の上面が露出されて平坦面Ｂが形成される。この凸部Ａの除去の際には、金属層５上面と金属バンプ３上面とが平坦化するように、凸部Ａを除去する。これにより、ベース金属基板２の底面から金属バンプ３の上面までの高さと、ベース金属基板２の底面から金属層５の上面までの高さとが同一となるようにする。
【００４０】
凸部Ａを除去する方法としては、研削、研磨等を挙げることができる。
例えば、ダイヤモンド製等の硬質刃を回転板の半径方向に複数配置した硬質回転刃を有する研削装置を使用する方法や、サンダ、ベルトサンダー、グラインダ、平面研削盤、硬質砥粒成形品等を用いる方法等が挙げられる。
研削装置を使用すると、硬質回転刃を回転させながら、固定支持された配線基板の上面に沿って移動させることによって、金属バンプ３の上面を平坦化することができる。
研磨の方法としては、例えば、ベルトサンダー、バフ研磨等により軽く研磨する方法が挙げられる。
【００４１】
（１−７．金属めっき工程）
次に、図１（ｇ）に示すように、露出された、金属バンプ３上面、絶縁樹脂層４上面、及び金属層５上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ３上面のみを金属めっきしてもよい。
金属めっき層６のめっき金属種としては、例えば銅、銀、ニッケル等が好ましい。金属めっき層６を形成する方法としては、例えば、エッチングレジストを使用してパターン形成するパネルめっき法や、パターンめっき用レジストを使用してめっきで形成するパターンめっき法等が挙げられる。
【００４２】
（１−８．レジスト配置工程（２））
次に、図１（ｈ）に示すように、エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３をそれぞれ金属めっき層６の後述の第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ、パッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。
【００４３】
（１−９．パターン形成工程）
次に、図１（ｉ）に示すように、エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３による所定のパターンで金属めっき層６を部分的にエッチングする。これにより、パターン部、すなわち、ＬＥＤチップが搭載されるパッド６ｃ、及び、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂを形成する。これにより、絶縁樹脂層４が、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部４ｂ）から露出されるようになる。
【００４４】
この金属バンプ３を挟む第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂは、アノード又はカソードである電極とされる。
第１周辺パターン部６ａがカソードを形成した場合は、第２周辺パターン部６ｂがアノードを形成する。アノード又はカソードの関係は、この逆であってもよい。
【００４５】
パッド６ｃの幅は、特に限定されないが、実装されるＬＥＤチップの幅よりも小さくする必要がある。パッド６ｃの上面の形状は、四角形、円形等の何れでもよい。非パターン部４ｂの幅は、短絡を防止することができれば特に限定されない。
【００４６】
エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３を除去する方法としては、薬剤除去、剥離除去等、エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３の種類に応じて適宜選択すればよい。例えば、スクリーン印刷により形成された感光性のインクである場合、アルカリ等の薬品にて除去される。
【００４７】
（１−１０．多層金属めっき（ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっき、銀めっき）工程）
図１（ｊ）に示すように、第１周辺パターン部６ａ上に、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第１電極側金めっき層９ａを順に形成することで、第１電極部１３を構成する。
また、第２周辺パターン部６ｂ上に、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂ、第２電極側金めっき層９ｂを順に形成することで、第２電極部１４を構成する。
また、パッド６ｃ上には、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃ、ＬＥＤ側銀めっき層１０を順に形成する。
【００４８】
これらの多層金属めっき（ニッケルめっき、パラジウムめっき、金めっき、銀めっき）について、以下に詳述する。
【００４９】
ＬＥＤ側銀めっき層１０は、回路基板にＬＥＤチップを搭載してなるＬＥＤモジュールにおいて、ＬＥＤチップが発光する光の反射効率を高めるために形成されるものである。ＬＥＤ側銀めっき層１０を形成するめっき処理としては、電解銀めっきでも無電解銀めっきのいずれでもよいが、高い反射率を実現するためには、電解銀めっきが望ましく、厚さは０．１μｍ乃至１０μｍが望ましい。
電解銀めっきを行う場合、ベース金属基板２（銅板等）より電極をとり、導通しているパッド６ｃに対して選択的に電解めっきを行う。
【００５０】
ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃは、金属層５及びパッド６ｃ（銅層等）からのＬＥＤ側銀めっき層１０内部への金属（銅等）の拡散を抑えるために形成するものである。ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃは、電解めっき又は無電解めっきにより、０．１μｍ乃至３０μｍの厚みに形成される。なお、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃは、必ずしも形成しなくてもよい。
【００５１】
第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂの上方には、後述するように、金属ワイヤ（金線）（後に図４で示す第１金属ワイヤ４２ａ、第２金属ワイヤ４２ｂ）をワイヤボンディングする。このため、ワイヤボンディングにおける信頼性を向上させるために、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂに、それぞれ第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂを形成し、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ上に、それぞれ第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂを形成し、第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂ上に、それぞれ第１電極側金めっき層９ａ，第２電極側金めっき層９ｂを形成する。
第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂは、無電解めっきで、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ上に、例えば０．１μｍ乃至３０μｍ厚みでそれぞれ形成するものである。
第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂは、無電解めっきで、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ上に、例えば０．０１μｍ乃至５μｍ厚みでそれぞれ形成するものである。
第１電極側金めっき層９ａ、第２電極側金めっき層９ｂは、無電解めっきで、第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂ上に、例えば０．０００１μｍ乃至５μｍ厚みでそれぞれ形成するものである。
【００５２】
なお、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ、第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂ、第１電極側金めっき層９ａ、第２電極側金めっき層９ｂは、必ずしも形成しなくてもよい。また、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ上に、第１電極側金めっき層９ａ、第２電極側金めっき層９ｂをそれぞれ直接形成するようにしてもよい。しかしながら、ワイヤボンディングにおいてより一層の信頼性の向上を図るためには、第１電極側ニッケルめっき層７ａと第１電極側金めっき層９ａとの間に第１電極側パラジウムめっき層８ａを、また、第２電極側ニッケルめっき層７ｂと第２電極側金めっき層９ｂとの間に第２電極側パラジウムめっき層８ｂを形成するようにすることが望ましい。
【００５３】
ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃは、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ上のめっき処理と同様の処理により、パッド６ｃ上に順に、同様の厚みで形成するものである。なお、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃは、必ずしも形成しなくてもよい。
【００５４】
なお、このような多層めっき処理に代え、処理工程の簡略化のために、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ上、パッド６ｃ上には、電解めっきにより、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃをそれぞれ形成し、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ上に、電解めっきにより、第１電極側銀めっき層１０ａ、第２電極側銀めっき層１０ｂ、ＬＥＤ側銀めっき層１０をそれぞれ形成するようにしてもよい。
【００５５】
（１−１１．酸化亜鉛処理工程）
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板（図１（ｊ））を浸漬し、ベース金属基板２より陰極の電極をとり、電解処理を行う。
これにより、図１（ｋ）に示すように、金属バンプ３の上方のＬＥＤ側銀めっき層１０上に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成する。この表面酸化亜鉛皮膜１１を形成することで、回路基板のＬＥＤチップを搭載する側においてＬＥＤ側銀めっき層１０が大気中の硫黄によって腐食されるのを抑制することができる。
【００５６】
なお、図１（ｌ）に示すように、ベース金属基板２の裏面側及び金属バンプ３上側の両方を陰極として電解処理することにより、金属バンプ３上方に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成するとともに、さらに、ベース金属基板２の裏面上に裏面酸化亜鉛皮膜１２を形成するようにしてもよい。これにより、回路基板のＬＥＤチップを搭載する側だけでなく、ベース金属基板２の裏面側も、ベース金属基板２を構成する金属（例えば銅）が大気中の不純物（硫黄、酸素等）により腐食されるのを抑制することができる。
【００５７】
加温硝酸溶液としては、亜鉛濃度が１ｇ/Ｌ〜１０ｇ/Ｌ、ｐＨ４乃至ｐＨ６程度の硝酸溶液であることが好ましく、溶液温度は、室温（１０乃至２８℃程度）乃至８０℃程度が好ましく、４０℃乃至６０℃程度がより好ましい。
なお、このような酸化亜鉛皮膜を形成する電解処理（酸化亜鉛処理）を行う前に、回路基板の銀めっき層の表面を硝酸によって洗浄する処理を行うようにしてもよい。
陽極には亜鉛板を用いる。電流密度は０．０１Ａ/ｄｍ２乃至０．１Ａ/ｄｍ２程度が望ましく、電解時間は、１分以内で酸化亜鉛皮膜が十分に形成される。実際の電解時間は、５秒程度でよく、厚さ数ｎｍ〜数百ｎｍの薄い酸化亜鉛皮膜でよい。このような薄い酸化亜鉛皮膜であっても、大気中の硫黄による腐食を十分に抑制することができる。
【００５８】
このように、パッド６ｃ上において、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃ、ＬＥＤ側銀めっき層１０を順に形成し、ＬＥＤ側銀めっき層１０表面に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成することにより、ＬＥＤ搭載部１５を構成する。
【００５９】
＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態の回路基板を製造する製造工程の一例について説明する。なお、第１の実施形態と同一の処理については説明を省略する。
この第２の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
２−１．準備工程
２−２．レジスト配置工程（１）
２−３．バンプ形成工程
２−４．層配置工程
２−５．プレス工程
２−６．凸部除去工程
２−７．金属めっき工程
２−８．レジスト配置工程（２）
２−９．パターン形成工程
２−１０．多層金属めっき（ニッケル、パラジウム、金、銀めっき）工程
２−１１．酸化亜鉛処理工程
【００６０】
（２−１．準備工程）
まず、図３（ａ）に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板２及び金属バンプ３を形成するための金属板１を準備する。
【００６１】
（２−２．レジスト配置工程（１））
次に、エッチングレジストＭを、図３（ｂ）に示すように、金属板１上の金属バンプ３を形成する位置に配置する。
（２−３．バンプ形成工程）
次に、図３（ｃ）に示すように、エッチングレジストＭを用いて、金属板１の選択的なエッチングを行うことにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ（柱状金属部）３を形成する。
【００６２】
（２−４．層配置工程）
次に、図３（ｄ）に示すように、ベース金属基板２上に絶縁樹脂層４００を配置し、その絶縁樹脂層４００上に金属層５を配置する。
絶縁樹脂層４００は、第１の実施形態で用いた絶縁樹脂層４とは異なり、穴部分４ａが形成されていない単層構造であるが、それ以外の点（材料、サイズ等）については絶縁樹脂層４と同じ構成である。この絶縁樹脂層４００を構成する絶縁性材料は、特に限定されず、上述の絶縁樹脂層４を構成する材料として挙げた何れの材料でもよい。絶縁樹脂層４００としては、上述の絶縁樹脂層４と同様に、複合体（プリプレグ）を好ましく適用することができる。
【００６３】
（２−５．プレス工程）
次に、図３（ｅ）に示すように、金属層５上面を加熱及び加圧する（熱プレス）。これにより、ベース金属基板２と、絶縁樹脂層４００と、金属層５とを圧着させて張り合わせる。その結果、金属バンプ３上に絶縁樹脂層４００及び金属層５による凸部Ａ’を有する積層体が形成される。
【００６４】
（２−６．凸部除去工程）
次に、図３（ｆ）に示すように、金属バンプ３上の凸部Ａ’を除去する処理を行い、金属バンプ３の上面が露出されて平坦面Ｂが形成される。
【００６５】
（２−７．めっき工程）
次に、図３（ｇ）に示すように、露出された、金属バンプ３上面、絶縁樹脂層４上面、及び金属層５上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層６を形成する。或いは、図示しないが、露出された金属バンプ３上面のみに金属めっき層６を形成するようにしてもよい。
【００６６】
（２−８．レジスト配置工程（２））
次に、図３（ｈ）に示すように、エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３をそれぞれ金属めっき層６の第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂ、パッド６ｃを形成する部分の上面に配置する。
【００６７】
（２−９．パターン形成工程）
次に、図３（ｉ）に示すように、エッチングレジストＮ１，Ｎ２，Ｎ３による所定のパターンで金属めっき層６を部分的にエッチングする。これにより、パッド６ｃ、及び、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂを形成し、さらには、絶縁樹脂層４が、非パターン部４ｂから露出されるようになる。
【００６８】
（２−１０．多層金属めっき（ニッケル、パラジウム、金、銀めっき）工程）
図３（ｊ）に示すように、第１周辺パターン部６ａ上に、第１電極側ニッケルめっき層７ａ、第１電極側パラジウムめっき層８ａ、第１電極側金めっき層９ａを順に形成することで、第１電極部１３を構成する。
また、第２周辺パターン部６ｂ上に、第２電極側ニッケルめっき層７ｂ、第２電極側パラジウムめっき層８ｂ、第２電極側金めっき層９ｂを順に形成することで、第２電極部１４を構成する。
また、パッド６ｃ上には、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃ、ＬＥＤ側銀めっき層１０を順に形成する。
【００６９】
（２−１１．酸化亜鉛処理工程）
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板（図３（ｊ））を浸漬し、ベース金属基板２より陰極の電極をとり、電解処理を行う。これにより、図３（ｋ）に示すように、金属バンプ３の上方のＬＥＤ側銀めっき層１０上に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成する。
【００７０】
このように、パッド６ｃ上において、ＬＥＤ側ニッケルめっき層７ｃ、ＬＥＤ側パラジウムめっき層８ｃ、ＬＥＤ側金めっき層９ｃ、ＬＥＤ側銀めっき層１０を順に形成し、ＬＥＤ側銀めっき層１０表面に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成することにより、ＬＥＤ搭載部１５を構成する。
【００７１】
なお、図３（ｌ）に示すように、ベース金属基板２の裏面側及び金属バンプ３上側の両方を陰極として電解処理することにより、金属バンプ３上方に表面酸化亜鉛皮膜１１を形成するとともに、さらに、ベース金属基板２の裏面上に裏面酸化亜鉛皮膜１２を形成するようにしてもよい。
【００７２】
＜ＬＥＤモジュール＞
第１の実施形態又は第２の実施形態で製造した回路基板上にＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤモジュールを製造する方法の一例について説明する。なお、この方法は、特に限定されるものではない。
例えば図４に示すように、ＬＥＤチップ４１をＬＥＤ搭載部１５上（表面酸化亜鉛皮膜１１上）に搭載する。なお、簡略のために、図４では、ＬＥＤチップを１つのＬＥＤチップ４１として図示しているが、実際は、ＬＥＤチップを多数搭載するのが通常である。
ＬＥＤチップ４１と、第１電極部１３及び第２電極部１４とは、それぞれ第１金属ワイヤ４２ａ、第２金属ワイヤ４２ｂによるワイヤボンディングにより強固に接続する。
なお、これに代えて、パッド６ｃ、及び、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、ＬＥＤチップ４１とパッド６ｃとを電気的に接続することも可能である。
そして、回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂４３）で封止する。これにより、図４に示すＬＥＤモジュール５０を製造する。
【００７３】
回路基板のＬＥＤチップ４１の搭載面を封止するレンズ樹脂４３は、ＬＥＤチップ４１が発光する光を透過するとともに、ＬＥＤチップ４１の発熱に対する耐熱性を有する透明な合成樹脂であることが好ましい。レンズ樹脂４３としては、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等を挙げることができる。
【００７４】
より具体的に、レンズ樹脂４３としては、例えばメタアクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ブチラール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の単体又は混合体を挙げることができる。
セルロース樹脂としては、例えばエチルセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレート等を挙げることができる。
【００７５】
また、レンズ樹脂４３には、発光強度を向上させるとともに実用上の発光色を確立させるため、蛍光体を含有させることが好ましい。蛍光体としては、黄色発光蛍光体、赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体、それらの間の色を発光する蛍光体を挙げることができる。
このような蛍光体は、無機物、有機物の何れの蛍光体であってもよい。無機物の蛍光体としては、例えば、酸化物蛍光体、窒化物蛍光体、酸窒化物蛍光体、シリケート蛍光体等を挙げることができる。
【００７６】
黄色発光蛍光体としては、例えば、Ｙを含み、Ｃｅ又はＰｒで賦活されたイットリウム・アルミニウムガーネット酸化物蛍光体、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表わされるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、Ｓｉ１２−（ｍ＋ｎ）Ａｌ（ｍ＋ｎ）Ｎ１６−ｎＯｎで表されるαサイアロン蛍光体等を挙げることができる。
【００７７】
赤色発光蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｃａ，Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類金属シリケート蛍光体、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンナイトライド蛍光体、（Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活希土類オキシカルコゲナイト蛍光体等を挙げることができる。
【００７８】
緑色発光蛍光体としては、例えば、（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）Ｓｉ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類シリコンオキシナイトライド蛍光体、（Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ）２ＳｉＯ４：Ｅｕで表されるユーロピウム賦活アルカリ土類マグネシウムシリケート蛍光体、Ｓｉ６−ＺＡｌＺＮ８−ＺＯＺで表されるβサイアロン蛍光体等を挙げることができる。
【００７９】
このように構成されるＬＥＤモジュール５０は、単体もしくは複数個配列されることでＬＥＤ発光装置とされる。
【００８０】
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態の回路基板（ＬＥＤパッケージ用回路基板）を製造する製造工程の一例について説明する。なお、第１の実施形態（又は第２の実施形態）と同一の処理については説明を省略する。
この第３の実施形態の回路基板の製造工程は、以下の順序による各工程からなる。
３−１．準備工程
３−２．レジスト配置工程（１）
３−３．回路形成工程
３−４．層配置工程
３−５．プレス工程
３−６．凸部除去工程
３−７．金属めっき工程
３−８．レジスト配置工程（２）
３−９．表面パターン形成工程
３−１０．レジスト配置工程（３）
３−１１．裏面パターン形成工程
３−１２．多層金属めっき（ニッケル、パラジウム、金、銀めっき）工程
３−１３．酸化亜鉛処理工程
【００８１】
（３−１．準備工程）
まず、図５（ａ）に示すように、後のバンプ形成工程でベース金属基板６２、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、及び金属バンプ６３ｃを形成するための金属板６１を準備する。
【００８２】
（３−２．レジスト配置工程（１））
次に、図５（ｂ）に示すように、エッチングレジストＰ１，Ｐ２，Ｐ３を、金属板６１上の後述の第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃをそれぞれ形成する位置に配置する。
【００８３】
（３−３．回路形成工程）
次に、図５（ｃ）に示すように、エッチングレジストＰ１，Ｐ２，Ｐ３を用いて、金属板６１の選択的なエッチングを行う。これにより、回路基板上におけるＬＥＤチップの搭載位置に金属バンプ（柱状金属部）６３ｃを形成するとともに、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂを形成する。
【００８４】
金属バンプ６３ｃを形成した回路基板とすることで、後に、放熱性の高いＬＥＤパッケージを得ることができる。また、金属バンプ６３ｃの上面の面積（バンプ面積）を従来よりも大きいもの（例えば９ｍｍ２以上の面積）とすることにより、ＬＥＤパッケージにおいて、より高い放熱性を確保することができる。
【００８５】
（３−４．層配置工程）
次に、図５（ｄ）に示すように、ベース金属基板６２上に絶縁樹脂層６４を配置し、その絶縁樹脂層６４上に金属層６５を配置する。
絶縁樹脂層６４としては、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃの形状にそれぞれ対応した柱状の第１穴部分６４ａ、第２穴部分６４ｂ、第３穴部分６４ｃが形成されたものを用いる。この層配置工程では、絶縁樹脂層６４の第１穴部分６４ａに第１回路部６３ａを、第２穴部分６４ｂに第２回路部６３ｂを、第３穴部分６４ｃに金属バンプ６３ｃをそれぞれ挿入する金属部挿入工程を有する。
【００８６】
金属部挿入工程では、ベース金属基板６２上に形成された金属バンプ６３ｃの上面の中心と、絶縁樹脂層６４の上面側における第３穴部分６４ｃの中心とが重なるようにして、絶縁樹脂層６４の第３穴部分６４ｃに金属バンプ６３ｃを挿入する。これと同じように、第１穴部分６４ａに第１回路部６３ａを、第２穴部分６４ｂに第２回路部６３ｂを、それぞれ挿入する。このようにして、ベース金属基板６２上に絶縁樹脂層６４が配置され、少なくとも、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃそれぞれの側面周囲に絶縁樹脂層が形成される。
なお、この図５（ｄ）に示す第１穴部分６４ａ、第２穴部分６４ｂ、第３穴部分６４ｃが形成された絶縁樹脂層６４ではなく、第２の実施形態で説明した図３（ｄ）に示すような穴部分が一切形成されていない絶縁樹脂層４００を用いるようにしてもよい。この場合、第２の実施形態における図３（ｄ）及び図３（ｅ）を参照して説明した処理と同様の処理を行うようにする。
【００８７】
（３−５．プレス工程）
次に、図５（ｅ）に示すように、金属層６５上面を加熱及び加圧する（熱プレス）。これにより、ベース金属基板６２と、絶縁樹脂層６４と、金属層６５とを圧着させる。これにより、第１回路部６３ａ上、第２回路部６３ｂ上、金属バンプ６３ｃ上にそれぞれ金属層５による第１凸部Ａ１、第２凸部Ａ２、第３凸部Ａ３を有する積層体が形成される。
【００８８】
（３−６．凸部除去工程）
次に、図５（ｆ）に示すように、第１回路部６３ａ上の第１凸部Ａ１、第２回路部６３ｂ上の第２凸部Ａ２、金属バンプ６３ｃ上の第３凸部Ａ３をそれぞれ除去する処理を行い、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃの上面がそれぞれ露出されて第１平坦面Ｂ１、第２平坦面Ｂ２、第３平坦面Ｂ３がそれぞれ形成される。
【００８９】
（３−７．金属めっき工程）
次に、図５（ｇ）に示すように、露出された、第１回路部６３ａ上面、第２回路部６３ｂ上面、金属バンプ６３ｃ上面、絶縁樹脂層６４上面、及び金属層６５上面を覆うように、例えば無電解めっき及び電解めっきにより、金属めっき層６６を形成する。或いは、図示しないが、露出された、第１回路部６３ａ上面、第２回路部６３ｂ上面、及び金属バンプ６３ｃ上面のみを金属めっきしてもよい。
【００９０】
（３−８．レジスト配置工程（２））
次に、図５（ｈ）に示すように、エッチングレジストＱ１，Ｑ２，Ｑ３を金属めっき層６６の第１周辺パターン部６６ａ、第２周辺パターン部６６ｂ，パッド６６ｃをそれぞれ形成する部分の上面に配置する。
【００９１】
（３−９．表面パターン形成工程）
次に、図５（ｉ）に示すように、エッチングレジストＱ１，Ｑ２，Ｑ３による所定のパターンで金属めっき層６６を部分的にエッチングする。これにより、パッド６６ｃ、第１周辺パターン部６６ａ、及び第２周辺パターン部６６ｂを形成し、さらには、絶縁樹脂層６４が、回路基板の表面側（上面側）において、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部６４ｂ）から露出されるようになる。
【００９２】
（３−１０．レジスト配置工程（３））
次に、図５（ｊ）に示すように、エッチングレジストＲ１，Ｒ２，Ｒ３をベース金属基板６２裏面の第１電極部７３、第２電極部７４、パッド７５をそれぞれ形成する部分上に配置する。
【００９３】
（３−１１．裏面パターン形成工程）
次に、図５（ｋ）に示すように、エッチングレジストＲ１，Ｒ２，Ｒ３による所定のパターンでベース金属基板６２を部分的にエッチングする。これにより、第１電極側ベース部分６２ａ、第２電極側ベース部分６２ｂ、及びＬＥＤ側ベース部分６２ｃを形成し、さらには、絶縁樹脂層６４が、回路基板の裏面側において、これらのパターン部が形成されていない部分（非パターン部６４ｃ）から露出されるようになる。
【００９４】
（３−１２．多層金属めっき（ニッケル、パラジウム、金、銀めっき）工程）
図５（ｌ）に示すように、第１周辺パターン部６６ａ上に、第１電極側表面ニッケルめっき層６７ａ、第１電極側表面銀めっき層６８ａを何れも電解めっきにより順に形成する。
また、第２周辺パターン部６６ｂ上に、第２電極側表面ニッケルめっき層６７ｂ、第２電極側表面銀めっき層６８ｂを何れも電解めっきにより順に形成する。
また、パッド６６ｃ上には、ＬＥＤ側表面ニッケルめっき層６７ｃ、ＬＥＤ側表面銀めっき層６８ｃを何れも電解めっきにより順に形成する。
【００９５】
また、回路基板の裏面側の第１電極側ベース部分６２ａの露出面上に第１電極側裏面ニッケルめっき層７７ａを電解めっきにより形成した後、第１電極側裏面銀めっき層７８ａを電解めっきにより形成する。
また、回路基板の裏面側の第２電極側ベース部分６２ｂの露出面上に第２電極側裏面ニッケルめっき層７７ｂを電解めっきにより形成した後、第２電極側裏面銀めっき層７８ｂを電解めっきにより形成する。
また、回路基板の裏面側のＬＥＤ側ベース部分６２ｃの露出面上にＬＥＤ側裏面ニッケルめっき層７７ｃを電解めっきにより形成した後、ＬＥＤ側裏面銀めっき層７８ｃを電解めっきにより形成する。
【００９６】
（３−１３．酸化亜鉛処理工程）
次に、亜鉛が溶解された加温硝酸溶液中に多層金属めっき処理がされた回路基板（図５（ｌ））を浸漬し、回路基板の表裏全面（第１電極側ベース部分６２ａ、第２電極側ベース部分６２ｂ、ＬＥＤ側ベース部分６２ｃ、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃを含む）から陰極の電極をとり、電解処理を行う。これにより、図５（ｍ）に示すように、第１電極側表面銀めっき層６８ａ上、第２電極側表面銀めっき層６８ｂ上、ＬＥＤ側銀めっき層６８ｃ上に、第１電極側表面酸化亜鉛皮膜６９ａ、第２電極側表面酸化亜鉛皮膜６９ｂ、ＬＥＤ側表面酸化亜鉛皮膜６９ｃをそれぞれ形成する。これとともに、回路基板の裏面側における第１電極側裏面銀めっき層７８ａの露出面上、第２電極側裏面銀めっき層７８ｂの露出面上、ＬＥＤ側裏面銀めっき層７８ｃの露出面上に、第１電極側裏面酸化亜鉛皮膜７９ａ、第２電極側裏面酸化亜鉛皮膜７９ｂ、ＬＥＤ側裏面酸化亜鉛皮膜７９ｃをそれぞれ形成する。
【００９７】
このように、第１回路部６３ａ上の第１周辺パターン部６６ａ上に、第１電極側表面ニッケルめっき層６７ａ、第１電極側表面銀めっき層６８ａを順に形成し、第１電極側表面酸化亜鉛皮膜６９ａを形成する。これとともに、第１電極側ベース部分６２ａの露出面上に第１電極側裏面ニッケルめっき層７７ａを形成した後、第１電極側裏面銀めっき層７８ａを形成し、第１電極側裏面酸化亜鉛皮膜７９ａを形成する。これにより、第１電極部８３を構成する。
【００９８】
また、このように、第２回路部６３ｂ上の第２周辺パターン部６６ｂ上に、第２電極側表面ニッケルめっき層６７ｂ、第２電極側表面銀めっき層６８ｂを順に形成し、第２電極側表面酸化亜鉛皮膜６９ｂを形成する。これとともに、第２電極側ベース部分６２ｂの露出面上に第２電極側裏面ニッケルめっき層７７ｂを形成し、その後、第２電極側裏面銀めっき層７８ｂを形成し、第２電極側裏面酸化亜鉛皮膜７９ｂを形成する。これにより、第２電極部８４を構成する。
【００９９】
また、このように、金属バンプ６３ｃ上のパッド６６ｃ上に、ＬＥＤ側表面ニッケルめっき層６７ｃ、ＬＥＤ側表面銀めっき層６８ｃを順に形成し、ＬＥＤ側表面酸化亜鉛皮膜６９ｃを形成する。これとともに、ＬＥＤ側ベース部分６２ｃの露出面上にＬＥＤ側裏面ニッケルめっき層７７ｃを形成し、その後、ＬＥＤ側裏面銀めっき層７８ｃを形成し、ＬＥＤ側裏面酸化亜鉛皮膜７９ｃを形成する。これにより、ＬＥＤ搭載部８５を構成する。
【０１００】
＜ＬＥＤパッケージ＞
第３の実施形態で製造した回路基板上にＬＥＤチップを搭載し、ＬＥＤパッケージを製造する方法の一例について説明する。なお、この方法は、特に限定されるものではない。
例えば図６に示すように、ＬＥＤチップ９１をＬＥＤ搭載部８５（ＬＥＤ側表面酸化亜鉛皮膜６９ｃ）上に搭載する。なお、簡略のために、図６では、ＬＥＤチップを１つのＬＥＤチップ９１として図示しているが、実際は、ＬＥＤチップを複数搭載するのが通常である。なお、ＬＥＤパッケージにおいては、ＬＥＤモジュールに搭載するＬＥＤチップよりも大きいＬＥＤチップを、ＬＥＤモジュールへの搭載数よりも少ない数搭載するのが通常である。
【０１０１】
ＬＥＤチップ９１と、第１電極部８３及び第２電極部８４とは、それぞれ第１金属ワイヤ９２ａ、第２金属ワイヤ９２ｂによるワイヤボンディングにより強固に接続する。
なお、これに代えて、パッド６６ｃ、及び、第１周辺パターン部６６ａ、第２周辺パターン部６６ｂの両方に対してソルダにより接続するようにしてもよい。或いは、導電性ペースト、異方性導電膜等によって、ＬＥＤチップ９１とパッド６６ｃとを電気的に接続することも可能である。
そして、回路基板のＬＥＤチップ９１の搭載面をレンズ形状の封止樹脂（レンズ樹脂９３）で封止する。これにより、図６に示すＬＥＤパッケージ１００を製造する。このＬＥＤパッケージは、第１電極部８３の裏面側、及び、第２電極部８４の裏面側が、それぞれ第１外部端子８３ａ、第２外部端子８４ｂとして使用される。
【０１０２】
ＬＥＤモジュール５０が上述の構成を有することにより、また、ＬＥＤパッケージ１００においても上述の構成を有し、さらに金属基板、樹脂基板等のマザーボードに半田等で実装されることにより、適切な発光量を有するＬＥＤ発光装置を提供することができる。
【０１０３】
また、このように構成されるＬＥＤモジュール５０、ＬＥＤパッケージ１００は、何れも、照明器具、液晶ＴＶバックライトを含む発光器具等に広く用いられる。発光器具としては、屋内或いは屋外に設置される電灯、広告用ネオンライト、トンネル内に設置されるライト、懐中電灯等の照明器具、パーソナルコンピュータやテレビジョンで用いられる液晶パネルのバックライト、自動車や自動二輪に設置されるヘッドライトやウインカー、画像を映し出すプロジェクターの光源等を挙げることができる。
【０１０４】
以上の実施形態は、あくまで一例であり、製造方法、材料等は適宜変更することが可能である。
【実施例】
【０１０５】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
＜実施例１＞
まず、厚さ１ｍｍの銅板上の銅バンプを形成する位置にエッチングレジストを配置した。そして、この銅板におけるエッチングレジストの配置部分以外を選択的にエッチングする処理を行い、円形の銅バンプを形成した。なお、銅板における銅バンプの形成部分以外の部分はベース銅板（ベース金属基板２に相当）とする。
【０１０６】
次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ０．０６ｍｍの絶縁樹脂層（日立化成社プリプレグ「ＧＥＡ−６７９Ｎ」）であって銅バンプの形状に対応した円柱状の穴部分が形成されたものを用いて層配置処理を行った。
この層配置処理においては、絶縁樹脂層の穴部分に銅板の銅バンプを挿入した。これにより、銅板上の銅バンプが形成されていない位置（ベース銅板）上に絶縁樹脂層が配置された。
次に、この絶縁樹脂層上及び銅バンプ上に、金属層として銅箔を配置した。
【０１０７】
次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。
【０１０８】
次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上に生じた凸部を、研磨装置（ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製）を用いた研磨により除去した。
【０１０９】
次に、無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングを行うことにより、銅バンプ上に厚さ０．０３０ｍｍの銅めっき層（パッド６ｃに相当）を形成するとともに、電子部品等を実装する２つの銅回路（銅メッキ層を有する回路、第１周辺パターン部６ａ、第２周辺パターン部６ｂに相当）を形成した。
【０１１０】
次に、銅めっき層、２つの銅回路の全ての上に厚さ０．００４ｍｍの無電解ニッケルめっき層を形成した。その後、全ての無電解ニッケルめっき層上に厚さ０．０００１ｍｍの無電解金めっき層を形成した。
【０１１１】
次に、銅バンプ上の銅回路において形成した無電解金めっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。
【０１１２】
次に、亜鉛濃度５ｇ/Ｌの亜鉛を含有する硝酸亜鉛溶液（ｐＨ５）を用い、溶液温度５０℃で、ベース銅板を陰極に、また陽極には亜鉛板を用いて、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２で、１０秒間、還元処理を行った。これにより、銅バンプの電解銀めっき層上に、酸化亜鉛皮膜を形成した。その後、光電子分光装置（ＸＰＳ：日本電子社製  ＪＰＳ−９０１０ＭＣ）によって回路基板を検査し、その酸化亜鉛皮膜の存在を確認した。
【０１１３】
次に、１個の回路基板に銅バンプは１個含まれるように、外形３．５ｍｍ×３．５ｍｍの回路基板にカッティングした。
【０１１４】
次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成され、酸化亜鉛皮膜が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、６０個のＬＥＤチップをシリコーンダイボンディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに、回路基板のＬＥＤチップを搭載した側の面をシリコーン封止材（製品名「ＯＥ６６３６」、東レ・ダウコーニング社製）で封止（被覆）した。このようにして、実施例１のＬＥＤモジュールを製造した。
【０１１５】
この実施例１のＬＥＤモジュールをアルミフィンにネジ止めし、硫化水素ガス１０ｐｐｍ、４０℃、８０％ＲＨ中に１００時間放置した。これを全光束測定器（大塚電子社製  ＨＭ−９１００）により測定した。その結果、実施例１のＬＥＤモジュールにおけるＬＥＤチップが発する光束の量（発光量）は、初期値１５０ｌｍ/ｗに対し、１４０ｌｍ/ｗに低下していた。
【０１１６】
＜比較例１＞
以下の比較例１において、実施例１と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。
【０１１７】
この比較例１では、実施例１における電解処理による酸化亜鉛皮膜の形成を行わない以外は、実施例１と同様の処理を行い、ＬＥＤモジュールを製造した。
その結果、比較例１のＬＥＤモジュールにおける発光量は、初期値１５０ｌｍ/ｗに対し、９８ｌｍ/ｗまで低下していた。
【０１１８】
実施例１、比較例１の結果について述べる。実施例１のＬＥＤモジュールは、比較例１のＬＥＤモジュールよりも、硫化水素による全光束の低下が少ないことがわかる。すなわち、実施例１のＬＥＤモジュールは、銀めっき層の表面に酸化亜鉛皮膜を形成することにより、硫化水素による銀の腐食（硫化銀の生成）を低減することができ、ＬＥＤチップが発する光束量（発光量）の著しい低減を防止できたことがわかる。
【０１１９】
＜実施例２＞
厚さ０．２ｍｍの銅板の銅バンプを形成する位置、及び、２つの銅回路を形成する位置に、エッチングレジストを配置した。そして、この銅板におけるエッチングレジストの配置部分以外を選択的にエッチングする処理を行い、円形の銅バンプとともに、電子部品等を実装する２つの銅回路を形成した。なお、銅板における銅バンプ及び２つの銅回路の形成部分以外の部分は、ベース銅板（ベース金属基板６２に相当）とする。
【０１２０】
次に、エポキシ絶縁樹脂にガラスクロスを含有させた厚さ０．０６ｍｍの絶縁樹脂層（日立化成社プリプレグ「ＧＥＡ−６７９Ｎ」）をベース銅板上、銅バンプ上、及び２つの回路部上に配置した。
次に、この絶縁樹脂層上に、金属層として銅箔を配置した。
【０１２１】
次に、加圧圧力３０ｋｇｆ／ｃｍ２、加熱温度１７０℃として３時間、加熱及び加圧することにより、絶縁樹脂層を硬化させた。
【０１２２】
次に、この加熱及び加圧によって銅バンプ上及び２つの銅回路上に生じた凸部を、研磨装置（ベルトサンダー、株式会社丸源鉄工所社製）を用いた研磨により除去した。
【０１２３】
次に、銅バンプ上及び２つの銅回路上を少なくとも覆うように、無電解及び電解銅めっきを行った後、エッチングレジストを用いた選択的なエッチングを行うことにより、銅バンプ上に厚さ０．０３０ｍｍの銅めっき層を形成するとともに、銅めっき層（図５（ｋ）の第１周辺パターン部６６ａに相当）を有する第１の銅回路、銅めっき層（第２周辺パターン部６６ｂに相当）を有する第２の銅回路を形成した
【０１２４】
また、ベース銅板裏面側においても、エッチングレジストを用いた選択的なエッチングを行った。これにより、ベース銅板から３つのベース部分（図５（ｋ）の第１電極側ベース部分６２ａ、第２電極側ベース部分６２ｂ、及びＬＥＤ側ベース部分６２ｃに相当）を形成した。
【０１２５】
次に、全ての銅めっき層（第１周辺パターン部６６ａ、第２周辺パターン部６６ｂに相当）上、及び、全てのベース部分（第１電極側ベース部分６２ａ、第２電極側ベース部分６２ｂ、及びＬＥＤ側ベース部分６２ｃ）の露出面上に、厚さ０．００４ｍｍの電解ニッケルめっき層を形成し、さらに、その電解ニッケルめっき層上に、厚さ０．００３ｍｍの電解銀めっき層を形成した。
【０１２６】
次に、亜鉛濃度５ｇ/Ｌ程度、硝酸溶液ｐＨ５、溶液温度５０℃で、回路基板の表裏全面（第１電極側ベース部分６２ａ、第２電極側ベース部分６２ｂ、ＬＥＤ側ベース部分６２ｃ、第１回路部６３ａ、第２回路部６３ｂ、金属バンプ６３ｃを含む回路基板の表裏全面に相当）を陰極に、また陽極には亜鉛板を用いて、電流密度０．５Ａ／ｄｍ２、１０秒間、還元処理を行った。これにより、全ての銀めっき層上に、酸化亜鉛皮膜を形成した。その後、光電子分光装置（ＸＰＳ：日本電子社製  ＪＰＳ−９０１０ＭＣ）によって回路基板を検査し、その酸化亜鉛皮膜の存在を確認した。
【０１２７】
次に、１個の回路基板に銅バンプは１個含まれるように、外形３．５ｍｍ×３．５ｍｍの回路基板にカッティングした。
【０１２８】
次に、この回路基板の電解銀めっき層が形成され、酸化亜鉛皮膜が形成された銅バンプを有する銅ランド上に、１個のＬＥＤチップをシリコーンダイボンディング材で搭載した。その後、ＬＥＤチップと、他の銅回路とを金ワイヤで接続し、さらに回路基板のＬＥＤチップを搭載した側の面をシリコーン封止材（製品名「ＯＥ６６３６」、東レ・ダウコーニング社製）で封止（被覆）した。このようにして、実施例２のＬＥＤパッケージを製造した。
【０１２９】
その結果、実施例２のＬＥＤパッケージにおけるＬＥＤチップが発する光束の量（発光量）は、初期値８０ｌｍ/ｗに対し、７５ｌｍ/ｗに低下していた。
＜比較例２＞
以下の比較例２において、実施例２と同様の処理については、簡略のため、部材、材料、装置等の説明を省略する。
【０１３０】
比較例２では、実施例２における電解処理による酸化亜鉛皮膜の形成を行わない以外は、実施例２と同様の処理を行い、ＬＥＤパッケージを製造した。
その結果、比較例２のＬＥＤパッケージにおける発光量は、初期値８０ｌｍ/ｗに対し、５６ｌｍ/ｗまで低下していた。
【０１３１】
実施例２、比較例２の結果について述べる。実施例２のＬＥＤパッケージは、比較例２のＬＥＤパッケージよりも、硫化水素による全光束の低下が少ないことがわかる。すなわち、実施例２のＬＥＤパッケージは、銀めっき層の表面に酸化亜鉛皮膜を形成することにより、硫化水素による銀の腐食を低減することができ、ＬＥＤチップが発する光束量（発光量）の著しい低減を防止できたことがわかる。
【符号の説明】
【０１３２】
１，６１  金属板
２，６２  ベース金属基板
３，６３ｃ  金属バンプ
４，６４，４００  絶縁樹脂層
４ａ  穴部分
４ｂ  非パターン部
５，６５  金属層
６，６６  金属めっき層
６ａ，６６ａ  第１周辺パターン部
６ｂ，６６ｂ  第２周辺パターン部
６ｃ，６６ｃ  パッド
３０  加工器具
３０ａ  先端加工部
７ａ  第１電極側ニッケルめっき層
７ｂ  第２電極側ニッケルめっき層
７ｃ  ＬＥＤ側ニッケルめっき層
８ａ  第１電極側パラジウムめっき層
８ｂ  第２電極側パラジウムめっき層
８ｃ  ＬＥＤ側パラジウムめっき層
９ａ  第１電極側金めっき層
９ｂ  第２電極側金めっき層
９ｃ  ＬＥＤ側金めっき層
１０  ＬＥＤ側銀めっき層
１０ａ  第１電極側銀めっき層
１０ｂ  第２電極側銀めっき層
１１  表面酸化亜鉛皮膜
１２  裏面酸化亜鉛皮膜
１３，７３，８３  第１電極部
１４，７４，８４  第２電極部
１５，８５  ＬＥＤ搭載部
４１，９１  ＬＥＤチップ
４２ａ，９２ａ  第１金属ワイヤ
４２ｂ，９２ｂ  第１金属ワイヤ
４３，９３  レンズ樹脂
５０  ＬＥＤモジュール
６２ａ  第１電極側ベース部分
６２ｂ  第２電極側ベース部分
６２ｃ  ＬＥＤ側ベース部分
６３ａ  第１回路部
６３ｂ  第２回路部
６４ａ  第１穴部分
６４ｂ  第２穴部分
６４ｃ  第３穴部分
６７ａ  第１電極側表面ニッケルめっき層
６７ｂ  第２電極側表面ニッケルめっき層
６７ｃ  ＬＥＤ側表面ニッケルめっき層
６８ａ  第１電極側表面銀めっき層
６８ｂ  第２電極側表面銀めっき層
６８ｃ  ＬＥＤ側表面銀めっき層
６９ａ  第１電極側表面酸化亜鉛皮膜
６９ｂ  第２電極側表面酸化亜鉛皮膜
６９ｃ  ＬＥＤ側表面酸化亜鉛皮膜
７７ａ  第１電極側裏面ニッケルめっき層
７７ｂ  第２電極側裏面ニッケルめっき層
７７ｃ  ＬＥＤ側裏面ニッケルめっき層
７８ａ  第１電極側裏面銀めっき層
７８ｂ  第２電極側裏面銀めっき層
７８ｃ  ＬＥＤ側裏面銀めっき層
７９ａ  第１電極側裏面酸化亜鉛皮膜
７９ｂ  第２電極側裏面酸化亜鉛皮膜
７９ｃ  ＬＥＤ側裏面酸化亜鉛皮膜
１００  ＬＥＤパッケージ
Ａ，Ａ’  凸部
Ａ１  第１凸部
Ａ２  第２凸部
Ａ３  第３凸部
Ｂ  平坦面
Ｂ１  第１平坦面
Ｂ２  第２平坦面
Ｂ３  第３平坦面
Ｍ，Ｎ１，Ｎ2，Ｎ3，Ｐ１，Ｐ2，Ｐ3  エッチングレジスト
【図１（ａ）】
2014120529.tif 000003
【図１（ｂ）】
2014120529.tif 000004
【図１（ｃ）】
2014120529.tif 000005
【図１（ｄ）】
2014120529.tif 000006
【図１（ｅ）】
2014120529.tif 000007
【図１（ｆ）】
2014120529.tif 000008
【図１（ｇ）】
2014120529.tif 000009
【図１（ｈ）】
2014120529.tif 000010
【図１（ｉ）】
2014120529.tif 000011
【図１（ｊ）】
2014120529.tif 000012
【図１（ｋ）】
2014120529.tif 000013
【図１（ｌ）】
2014120529.tif 000014
【図２】
2014120529.tif 000015
【図３（ａ）】
2014120529.tif 000016
【図３（ｂ）】
2014120529.tif 000017
【図３（ｃ）】
2014120529.tif 000018
【図３（ｄ）】
2014120529.tif 000019
【図３（ｅ）】
2014120529.tif 000020
【図３（ｆ）】
2014120529.tif 000021
【図３（ｇ）】
2014120529.tif 000022
【図３（ｈ）】
2014120529.tif 000023
【図３（ｉ）】
2014120529.tif 000024
【図３（ｊ）】
2014120529.tif 000025
【図３（ｋ）】
2014120529.tif 000026
【図３（ｌ）】
2014120529.tif 000027
【図４】
2014120529.tif 000028
【図５（ａ）】
2014120529.tif 000029
【図５（ｂ）】
2014120529.tif 000030
【図５（ｃ）】
2014120529.tif 000031
【図５（ｄ）】
2014120529.tif 000032
【図５（ｅ）】
2014120529.tif 000033
【図５（ｆ）】
2014120529.tif 000034
【図５（ｇ）】
2014120529.tif 000035
【図５（ｈ）】
2014120529.tif 000036
【図５（ｉ）】
2014120529.tif 000037
【図５（ｊ）】
2014120529.tif 000038
【図５（ｋ）】
2014120529.tif 000039
【図５（ｌ）】
2014120529.tif 000040
【図５（ｍ）】
2014120529.tif 000041
【図６】
2014120529.tif 000042