(57)【要約】【課題】容易に接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子１０と、被実装面３０ｂ上に半導体素子１０が実装されたリードフレーム３０と、半導体素子１０とリードフレーム３０とを接続している半田２０と、半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置されて、半導体素子１０と被実装面３０ｂとの対向領域における半田２０の厚みを所定厚さｔ以上に保持するスペーサ４０と、を備えるものであり、リードフレーム３０は、半導体素子１０が実装された被実装面３０ｂに開口を有する穴部３０ａが設けられており、スペーサ４０は、半田２０の所定厚さｔと同じ厚さを有し、被実装面３０ｂに接触した状態で半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置された保持部４０ａと、保持部４０ａから突出して設けられ穴部３０ａに挿入された突出部４０ｂとを備える。【選択図】図１
2014112608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（１０，１１，１２）と、
被実装面（３０ｂ〜３９ｂ）上に前記半導体素子が実装された被実装部材（３０〜３９）と、
前記半導体素子と前記被実装面との間に配置されて、前記半導体素子と前記被実装部材とを接続している接続部材（２０）と、
少なくとも一部が前記半導体素子と前記被実装面との間に配置されて、前記半導体素子と前記被実装面との対向領域における前記接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持するスペーサ（４０〜４３）と、を備えるものであり、
前記被実装部材は、前記半導体素子が実装された前記被実装面に開口を有する穴部（３０ａ〜３９ａ）が設けられており、
前記スペーサは、少なくとも前記接続部材の前記所定厚さと同じ厚さを有し、前記被実装面に接触した状態で少なくとも一部が前記半導体素子と前記被実装面との間に配置された保持部（４０ａ〜４３ａ）と、前記保持部から突出して設けられ前記穴部に挿入された突出部（４０ｂ〜４３ｂ）とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スペーサ（４０）は、前記保持部の両端に前記突出部が設けられたコの字形状を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記穴部（３１ａ）は、前記半導体素子の複数の素子サイズに対応した位置に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記被実装部材に実装された前記半導体素子の周囲に設けられた前記穴部に、一部が挿入された位置決め部材（５０）を備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記位置決め部材は、一部が前記穴部に挿入された状態で前記被実装面から突出した部位の高さが前記半導体素子と前記被実装面との間隔以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
少なくとも三つの前記スペーサが等間隔に配置されており、
各スペーサは、前記半導体素子における前記被実装部材との積層方向に伸びる中心軸から前記対向領域の外側に向けて配置されていることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記穴部（３３ａ）は、前記被実装部材における前記被実装面から裏面に貫通して設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記突出部（４１ｂ）は、前記穴部を通って前記被実装面側から前記裏面側まで設けられており、
前記スペーサ（４１）は、前記突出部の前記裏面側の先端から連続して、前記裏面に沿って設けられた抜止部（４１ｃ）を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被実装部材上に接続部材を介して半導体素子が実装された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、被実装部材上に接続部材を介して半導体素子が実装された半導体装置の一例として、特許文献１に開示された混成集積回路装置のパワーモジュールチップ接続部構造がある。
【０００３】
この接続部構造では、ヒートシンク（被実装部材）上に、半田（接続部材）を介してパワートランジスタチップ（半導体素子）が実装されている。被実装部材は、半導体素子の搭載部位内の３個所に穴部が設けられている。また、この穴部には、支柱（スペーサ）が差し込まれている。従って、被実装部材と半導体そしとの間の接続部材には、半導体素子を被実装部材上に所定間隔をもって支えるスペーサが少なくとも３個埋設されていることになる。これによって、半導体素子がスペーサの高さより沈み込むことはなくなり、接続部材を所定の厚さに保持することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−１３９１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の接続部構造では、接続部材の厚さを確保するために、スペーサの長さと、被実装部材に設けられた穴部の深さに精度が必要とされる。よって、このどちらかがばらつくことで、接続部材の厚さを十分に保持することができない可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、容易に接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
半導体素子（１０，１１，１２）と、
被実装面（３０ｂ〜３９ｂ）上に半導体素子が実装された被実装部材（３０〜３９）と、
半導体素子と被実装面との間に配置されて、半導体素子と被実装部材とを接続している接続部材（２０）と、
少なくとも一部が半導体素子と被実装面との間に配置されて、半導体素子と被実装面との対向領域における接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持するスペーサ（４０〜４３）と、を備えるものであり、
被実装部材は、半導体素子が実装された被実装面に開口を有する穴部（３０ａ〜３９ａ）が設けられており、
スペーサは、少なくとも接続部材の所定厚さと同じ厚さを有し、被実装面に接触した状態で少なくとも一部が半導体素子と被実装面との間に配置された保持部（４０ａ〜４３ａ）と、保持部から突出して設けられ穴部に挿入された突出部（４０ｂ〜４３ｂ）とを備えることを特徴とする。
【０００８】
このように、スペーサは、突出部が被実装部材に設けられた穴部に挿入されているため、被実装部材に対して位置ズレすることを抑制できる。また、スペーサは、少なくとも接続部材の所定厚さと同じ厚さを有した保持部が、被実装面に接触した状態で少なくとも一部が半導体素子と被実装面との間に配置されているため、保持部の厚さで接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持することができる。つまり、本発明においては、半導体素子が傾いたとしても、半導体素子がスペーサの保持部に接触することになる。よって、半導体素子が保持部の厚さよりも沈むことを抑制することができる。このように、本発明は、スペーサにおける保持部の厚みで、接続部材の厚みを確保するので、スペーサの突出部の長さの精度や穴部の深さの精度に影響されない。よって、容易に接続部材の厚みを所定厚さ以上に保持することができる。なお、接続部材の所定厚さとは、確保したい接続部材の最低厚さを示すものである。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態における半導体置の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線断面図である。
【図３】変形例１におけるリードフレームの概略構成を示す平面図である。
【図４】変形例１における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】変形例１における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図６】変形例２における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図７】図６のVII−VII線断面図である。
【図８】変形例３における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】変形例４における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１０】図９のX−X線断面図である。
【図１１】変形例５における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のXII−XII線断面図である。
【図１３】変形例６における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１４】図１３のXIV−XIV線断面図である。
【図１５】変形例７における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１６】図１５のXVI−XVI線断面図である。
【図１７】変形例８における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【図１８】図１７のXVIII−XVIII線断面図である。
【図１９】変形例９における半導体装置の概略構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。
【００１１】
図１，図２に示すように、半導体装置１００は、主に、半導体素子１０と、半田２０と、リードフレーム３０と、スペーサ４０とを備えて構成されている。半導体装置１００は、リードフレーム３０上に半田２０とスペーサ４０とを介して半導体素子１０が実装されている。なお、以下においては、リードフレーム３０と半導体素子１０との積層方向を単に積層方向とも称する。また、以下において厚み（厚さ）とは、積層方向の厚みを示すものである。また、以下において対向領域とは、半導体素子とリードフレームとが対向する領域を示すものである。また、以下において中心軸とは、半導体素子における被実装部材との積層方向に伸びる中心軸を示すものである。
【００１２】
半導体素子１０は、特に限定されるものではないが、例えば両面に電極が形成された両面電極構造の素子などを採用することができる。また、半導体素子１０は、リードフレーム３０と対向する対向面、対向面の反対面、及び四つの側面とを有する直方体形状を有するものである。より詳細には、半導体素子１０は、対向面と反対面は平行に設けられている。また、半導体素子１０は、隣り合う側面同士のなす角度が直角であり、且つ対向する側面同士が平行に設けられている。
【００１３】
半田２０は、本発明の特許請求項の範囲における接続部材に相当するものである。半田２０は、後ほど説明するリードフレーム３０の被実装面３０ｂと半導体素子１０との間に配置されて、半導体素子１０とリードフレーム３０とを接続している。このように、本実施形態では、接続部材として導電性の接続部材である半田を採用している。よって、半導体装置１００は、半導体素子１０とリードフレーム３０が半田２０によって、熱的、機械的及び電気的に接続されている構造を有している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。接続部材としては、導電性を有していないものであっても採用することができる。
【００１４】
リードフレーム３０は、本発明の特許請求項の範囲における被実装部材に相当するものである。リードフレーム３０は、金属からなるものであり、半導体素子１０が実装される面である被実装面３０ｂと、被実装面３０ｂに開口を有する穴部３０ａが設けられている。
【００１５】
穴部３０ａは、後ほど説明するスペーサ４０の突出部４０ｂが挿入される有底凹部である。穴部３０ａは、被実装面３０ｂに対して窪んだ部位、又は自身の周辺よりも窪んだ部位であると言い換えることができる。この穴部３０ａは、被実装面３０ｂにおける半導体素子１０が対向する領域に設けられている。なお、穴部３０ａを設ける位置に関しては、後ほど詳しく説明する。
【００１６】
穴部３０ａは、自身に挿入された状態の突出部４０ｂと直接接触しにくいように設けられている。つまり、穴部３０ａは、突出部４０ｂの外形よりも大きく設けられている。よって、穴部３０ａの深さは、突出部４０ｂの長さよりも深く設けられている。更に、穴部３０ａの開口面積は、突出部４０ｂの挿入方向（積層方向）に直交する断面の断面積よりも広く設けられている。よって、突出部４０ｂは、穴部３０ａに挿入された状態であっても、穴部３０ａの内面（底面や側面）と直接接触しにくい。
【００１７】
なお、本実施形態では、被実装部材としてリードフレームを採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。被実装部材としては、ヒートシンクや、導電性を有していない台座なども採用することができる。
【００１８】
本実施形態の半導体装置１００では、半導体素子１０の側面毎に対応した四つのスペーサ４０が設けられている例を採用している。各スペーサ４０は、少なくとも一部が半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置されて、対向領域における半田２０の厚みを所定厚さｔ以上に保持（確保）するものである。言い換えると、スペーサ４０は、対向領域における半田２０の厚みを確保したい最低厚さｔ以上に保持するものである。さらに、スペーサ４０は、対向領域における半田２０の厚みを一定以上に保持するものと言い換えることもできる。より詳細には、各スペーサ４０は、後ほど説明する保持部４０ａの全体が半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置されており、後ほど説明する突出部４０ｂが穴部３０ａに挿入されている。
【００１９】
なお、ペーサ４０にて確保したい最低厚さｔは、例えば４０〜８０μｍである。また、スペーサ４０は、半田２０内に埋設されている。よって、スペーサ４０は、半田２０の濡れ性を良くするために、金や半田でめっきを施してもよい。
【００２０】
スペーサ４０は、少なくとも半田２０の所定厚さｔと同じ厚さを有した保持部４０ａと、保持部４０ａの両端から突出して設けられた突出部４０ｂとを有している。つまり、スペーサ４０は、コの字形状を有するものである。言い換えると、スペーサ４０は、ホッチキスの針のような形状を有するものである。また、突出部４０ｂは、足部と言い換えることもできる。
【００２１】
なお、スペーサ４０は、これに限定されるものではない。保持部と、保持部の両端ではない二箇所から突出して設けられた突出部とを有するスペーサを採用することもできる。また、後ほど変形例で説明するが、保持部と、保持部の一箇所から突出して設けられた突出部とを有するスペーサを採用することもできる。さらに、図示は省略するが、保持部と、保持部の三箇所以上から突出して設けられた突出部とを有するスペーサを採用することもできる。しかしながら、このような突出部を有したスペーサを採用する場合は、その突出部の位置に応じてリードフレームの穴部を設ける必要がある。
【００２２】
スペーサ４０の保持部４０ａと突出部４０ｂは、共に四角柱形状を成すものである。つまり、スペーサ４０の保持部４０ａは、自身の長手方向に直交する断面が角形状である。また、スペーサ４０の突出部４０ｂは、積層方向に直交する断面が角形状である。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、スペーサ４０の保持部４０ａと突出部４０ｂは、共に円柱形状を成すものであってもよい。また、スペーサ４０は、四角柱形状の保持部４０ａと円柱形状の突出部４０ｂから成るものであってもよい。また、スペーサ４０は、円柱形状の保持部４０ａと四角柱形状の突出部４０ｂから成るものであってもよい。さらに、スペーサ４０の保持部４０ａと突出部４０ｂは、これらの形状以外の形状であっても採用することができる。
【００２３】
スペーサ４０は、保持部４０ａが被実装面３０ｂに接触した状態で半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置され、且つ、突出部４０ｂが穴部３０ａに挿入された状態でリードフレーム３０上に配置されている。また、スペーサ４０の保持部４０ａは、半導体素子１０と直接接触しないように、半導体素子１０と対向して配置されている。ただし、本発明においては、スペーサ４０の保持部４０ａが半導体素子１０と直接接触するものであっても採用することができる。
【００２４】
このように、各スペーサ４０は、二つの突出部４０ｂが設けられている。よって、リードフレーム３０には、一つのスペーサ４０に対して二つの穴部３０ａが設けられている。本実施形態では、四つのスペーサ４０を用いている。よって、リードフレーム３０には、八個の穴部３０ａが設けられていることになる。
【００２５】
また、図１に示すように、各スペーサ４０に対応して設けられた二つの穴部３０ａは、半導体素子１０の各側面に沿って、且つ、被実装面３０ｂにおける対向領域の縁部に設けると好ましい。この場合、各スペーサ４０は、保持部４０ａが半導体素子１０の各側面に沿って配置されることになる。
【００２６】
このように、スペーサ４０は、突出部４０ｂがリードフレーム３０に設けられた穴部３０ａに挿入されているため、リードフレーム３０に対して位置ズレすることを抑制できる。つまり、スペーサ４０の全体が位置ズレして、対向領域の外部に配置されることを抑制することができる。
【００２７】
また、スペーサ４０は、少なくとも半田２０の所定厚さｔと同じ厚さを有した保持部４０ａが、被実装面３０ｂに接触した状態で少なくとも一部が半導体素子１０と被実装面３０ｂとの間に配置されているため、保持部４０ａの厚さで半田２０の厚みを所定厚さｔ以上に保持することができる。つまり、本発明においては、半導体素子１０が傾いたとしても、半導体素子１０がスペーサ４０の保持部４０ａに接触することになる。よって、半導体素子１０が保持部４０ａの厚さよりも沈むことを抑制することができる。
【００２８】
このように、本発明は、スペーサ４０における保持部４０ａの厚みで、半田２０の厚みを確保するので、スペーサ４０の突出部４０ｂの長さの精度や穴部３０ａの深さの精度に影響されない。言い換えると、半田２０の厚さｔをスペーサ４０の保持部４０ａの厚さで一定以上に確保するため、穴部３０ａはスペーサ４０の突出部４０ｂよりも深くすることができ、穴部３０ａの深さや、スペーサ４０の突出部４０ｂの長さに高い精度は必要としない。つまり、突出部４０ｂは、保持部４０ａから突出していればよい。穴部３０ａの深さは、突出部４０ｂの長さよりも深ければよい。よって、容易に半田２０の厚みを所定厚さｔ以上に保持することができる。
【００２９】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００３０】
（変形例１）
また、図３に示すように、穴部３１ａは、リードフレーム３１に実装される半導体素子の複数の素子サイズに対応した位置に設けるようにしてもよい。つまり、リードフレーム３１は、複数の素子サイズの半導体素子（ここでは半導体素子１１や半導体素子１２）に対応した位置に穴部３１ａが設けられたものである。素子サイズとは、半導体素子における被実装面との対向面の面積の広さを示すものである。
【００３１】
なお、変形例１では、上述の実施形態と異なる点を重点的に説明する。よって、変形例１と上述の実施形態とで同様の箇所は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。また、変形例１の技術は、上述の実施形態や他の変形例に適宜適用することができる。さらに、以下の変形例においても同様に、上述の実施形態や他の変形例と異なる点を重点的に説明し、上述の実施形態や変形例と同様の箇所は、図面において同じ符号を付与するなどして説明を省略する。
【００３２】
図４は、リードフレーム３１に対して、素子サイズが比較的小さい半導体素子１１を実装した半導体装置１１１の平面図である。この場合、半導体素子１１の素子サイズに合わせて、リードフレーム３１の中心に近い穴部３１ａのみにスペーサ４０を挿入して、半田２０の厚さを確保している。
【００３３】
また、図５は、リードフレーム３１に対して、半導体素子１１よりも素子サイズが大きい半導体素子１２を実装した半導体装置１１２の平面図である。この場合、半導体素子１１で使用した穴部３１ａよりも外側に位置する穴部３１ａにスペーサ４０を挿入して、半田２０の厚さを確保している。なお、図４，５においては、スペーサ４０の突出部４０ｂが挿入された穴部３１ａの図示を省略している。
【００３４】
つまり、リードフレーム３１は、半導体素子１１を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａと、半導体素子１２を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａが設けられている。さらに、リードフレーム３１は、半導体素子１２よりも素子サイズが大きい半導体素子（図示省略）を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａが設けられている。このように、リードフレーム３１には、被実装面３１ｂに開口を有する合計二十四個の穴部３１ａが設けられている。
【００３５】
なお、半導体素子１２を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａは、半導体素子１１を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａで囲まれた領域の外側に設けられている。同様に、半導体素子１２よりも素子サイズが大きい半導体素子を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａは、半導体素子１２を実装する際にスペーサ４０を挿入するための八個の穴部３１ａで囲まれた領域の外側に設けられている。
【００３６】
この変形例１であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、このように、予めリードフレーム３１に複数の穴部３１ａを開けておくことで、素子サイズが違う半導体素子（ここでは半導体素子１１や半導体素子１２）にも対応することができる。
【００３７】
（変形例２）
また、図６，図７に示すように、半導体装置１２０は、リードフレーム３２に実装された半導体素子１０の周囲に設けられた穴部３２ａに、一部が挿入された複数の位置決め部材５０を備える。また、変形例２の技術は、上述の実施形態や他の変形例に適宜適用することができる。なお、ここでは、四個の位置決め部材５０を用いている。
【００３８】
リードフレーム３２は、上述の変形例１で説明したリードフレーム３１と同様に、複数の素子サイズに対応した穴部３２ａが設けられている。つまり、図６において、半導体素子１０の周辺に設けられた穴部３２ａは、半導体素子１０よりも素子サイズが大きい半導体素子をリードフレーム３２に実装する際にスペーサ４０を挿入するためのものである。
【００３９】
上述のように、この半導体素子１０の周囲に設けられた穴部３２ａには、複数の位置決め部材５０が挿入されている。よって、位置決め部材５０は、リードフレーム３２に実装された半導体素子１０よりも大きな素子サイズの半導体素子（図示省略）を実装するための穴部３２ａに挿入されていると言い換えることもできる。この位置決め部材５０は、スペーサ４０と同様にコの字形状を有するものなどを採用することができる。さらに、位置決め部材５０は、図７に示すように、一部が穴部３２ａに挿入された状態で被実装面３２ｂから突出した部位の高さが半導体素子１０と被実装面３２ｂとの間隔以上となるものである。
【００４０】
この変形例２であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、このように、予めリードフレーム３２に複数の素子サイズに対応して穴部３２ａを設けておくことで、対向領域の外側にある穴部３２ａに位置決め部材５０を挿入することができる。また、位置決め部材５０は、半導体素子１０をリードフレーム３２に載置する前に、穴部３２ａに挿入しておくことによって、半導体素子１０をリードフレーム３２に載置する際のガイドとして利用することができる。
【００４１】
なお、位置決め部材５０としてスペーサ４０を採用することもできる。この場合、位置決め部材５０は、半導体素子１０をリードフレーム３２に載置する前に、穴部３２ａに挿入しておくことによって、半導体素子１０をリードフレーム３２に載置する際の目印として利用することができる。これによって、半導体素子１０をリードフレーム３２に載置する際の位置決め用の治具が不要となる。
【００４２】
ところで、位置決め部材５０は、半導体素子１０とリードフレーム３２とを半田２０で接続した後に取り外すようにしてもよい。つまり、半導体装置１２０の製造方法として、リードフレーム３２と位置決め部材５０とを用いてもよい。この場合、リードフレーム３２の穴部３２ａに複数の位置決め部材５０及び複数のスペーサ４０を挿入する。その後、複数の位置決め部材５０で囲まれた領域であり、且つ複数のスペーサ４０で囲まれた領域上に、半導体素子１０を載置する。その後、半導体素子１０とリードフレーム３２との間に半田２０を流し込んで、半導体素子１０とリードフレーム３２とを接続する。その後、複数の位置決め部材５０をリードフレーム３２から取り外す。このようにしても上述と同様の効果を奏することができる。
【００４３】
（変形例３）
なお、上述の実施形態や変形例１〜２では、スペーサの突出部が挿入される穴部として有底凹部を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。ここで、変形例３として、スペーサの突出部が挿入される穴部の変形例を説明する。さらに、変形例３における穴部に対応するスペーサの変形例に関して説明する。なお、変形例３の技術は、上述の実施形態や他の変形例に適宜適用することができる。
【００４４】
図８に示すように、穴部３３ａは、リードフレーム３３における被実装面３３ｂから裏面に貫通して設けられていてもよい。つまり、リードフレーム３３は、穴部３３ａとして、突出部４１ｂの積層方向に直交する断面の断面積以上の開口面積を有する貫通孔が設けられている。よって、変形例３における半導体装置１３０は、このようなリードフレーム３３を備えて構成されている。なお、図８は、上述の実施形態で説明した図２に相当する断面図である。
【００４５】
この変形例３であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、上述のように穴部３３ａを貫通孔とすることによって、穴部３３ａの深さの精度を必要としないので好ましい。
【００４６】
さらに、このように穴部３３ａを貫通孔とした場合、図８に示すようなスペーサ４１を採用すると好ましい。スペーサ４１は、突出部４１ｂが穴部３３ａを通って被実装面３３ｂ側からリードフレーム３３の裏面側まで設けられており、突出部４１ｂの裏面側の先端から連続して、リードフレーム３３の裏面に沿って設けられた抜止部４１ｃを有するものである。よって、半導体装置１３０は、上述のようなリードフレーム３３とスペーサ４１とを備えて構成されている。
【００４７】
抜止部４１ｃは、例えばリードフレーム３３の裏面側から突出したスペーサ４１の一部を潰すことで形成することができる。このようにして形成された抜止部４１ｃは、穴部３３ａを完全に覆いつつ、リードフレーム３３の裏面に沿って設けられている。よって、スペーサ４１は、リードフレーム３３の裏面に沿って設けられた抜止部４１ｃとしてのフランジを有すると言い換えることもできる。
【００４８】
このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、このように、抜止部４１ｃを有するスペーサ４１を採用することによって、スペーサ４１がリードフレーム３３から抜けることを抑制することができる。また、抜止部４１ｃをフランジ状（蓋状）にすることによって、穴部３３ａから半田２０が漏れることを抑制できる。つまり、抜止部４１ｃが穴部３３ａの蓋として機能することで、穴部３３ａから半田２０が漏れることを抑制できる。
【００４９】
ただし、抜止部４１ｃは、リードフレーム３３の裏面に沿って設けられるものであれば、スペーサ４１がリードフレーム３３から抜けることを抑制することができる。例えば、スペーサ４１は、突出部４１ｂと抜止部４１ｃとからなる部位がＬ字形状をなすものであっても、スペーサ４１がリードフレーム３３から抜けることを抑制することができる。
【００５０】
（変形例４）
上述の実施形態や変形例１〜３では、各スペーサが半導体素子の各側面に沿って配置された例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。なお、変形例４の技術は、上述の実施形態や他の変形例に適宜適用することができる。
【００５１】
図９に示すように、変形例４における半導体装置１４０は、四つのスペーサ４０が等間隔に配置されている。また、図９，１０に示すように、半導体装置１４０は、各スペーサ４０（保持部４０ａ）が中心軸から対向領域の外側に向けて配置されている。
【００５２】
言い換えると、半導体装置１４０は、四つのスペーサ４０を有している。そして、各スペーサ４０は、各スペーサ４０の保持部４０ａに沿う仮想直線が交わる点（ここでは、中心軸）を基点とした各仮想直線間のなす角度が等しくなるように配置されている。つまり、中心軸を回転軸とした回転方向において隣り合うスペーサ４０の保持部４０ａ同士は、自身の保持部４０ａに沿う仮想直線が交わる点を基点とした各仮想直線間のなす角度が等しくなるように配置されている。
【００５３】
また、半導体装置１４０は、各スペーサ４０が対向領域内と対向領域外に跨って配置されている。よって、各スペーサ４０は、一部が半導体素子１０下（対向領域内）からはみ出す形になっている。つまり、各スペーサ４０（保持部４０ａ）は、半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面と直交するように配置されている。より詳細には、各スペーサ４０（保持部４０ａ）は、半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面の中心部と直交するように配置されている。この場合、リードフレーム３４は、例えば、各スペーサ４０に対応する二つの穴部３４ａが、半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面と直交する方向に沿って設けられている。なお、図９，図１０における符号３４ｂは、リードフレーム３４の被実装面である。
【００５４】
この変形例４であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、素子サイズが異なる半導体素子１０にも対応することができる。なお、スペーサ４０が載置されたリードフレーム３４上に、図９に示す半導体素子１０よりも素子サイズが大きい半導体素子を実装した場合、スペーサ４０の全体が対向領域内に配置されることもありうる。この場合であっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５５】
また、スペーサ４０の半導体素子１０下に位置する部分については、金や半田でめっきを施す。このようにすることで、スペーサ４０における半田２０の濡れ性を良くすることができる。一方、スペーサ４０の半導体素子１０下の外側（対向領域外）に位置する部分については、めっきを施さない。これによって、スペーサ４０の対向領域外に位置する部分の半田２０の濡れ性を悪くすることができ、半田２０のはみ出しを抑制することができる。なお、ここでは、四つのスペーサ４０を用いる例を採用したが、少なくとも三つのスペーサ４０が等間隔に配置されていれば目的は達成することができる。
【００５６】
（変形例５）
上述の変形例４では、各スペーサ４０が半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面の中心部と直交するように配置されている例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。図１１，図１２に示す変形例５の半導体装置１５０のように、半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面が交差する位置に各スペーサ４０が設けられていてもよい。つまり、半導体装置１５０は、各スペーサ４０が半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面が交わる部位を通り、対向領域内と対向領域外に跨って配置されている。この場合、リードフレーム３５は、例えば、各スペーサ４０に対応する二つの穴部３５ａが、半導体素子１０の各側面に沿う仮想平面が交わる部位を通る直線上に沿って設けられている。なお、図１１，図１２における符号３５ｂは、リードフレーム３５の被実装面である。
【００５７】
このように、半導体装置１５０は、四つのスペーサ４０が等間隔に配置されている。また、図１１に示すように、半導体装置１５０は、各スペーサ４０（保持部４０ａ）が中心軸から対向領域の外側に向けて配置されている。言い換えると、半導体装置１５０は、四つのスペーサ４０を有している。そして、中心軸を回転軸とした回転方向において隣り合うスペーサ４０の保持部４０ａ同士は、自身の保持部４０ａに沿う仮想直線が交わる点を基点とした各仮想直線間のなす角度が等しくなるように配置されている。
【００５８】
この変形例５であっても上述の実施形態や変形例４と同様の効果を奏することができる。なお、変形例５の技術は、上述の実施形態や他の変形例に適宜適用することができる。
【００５９】
（変形例６）
また、図１３，図１４に示す変形例６の半導体装置１６０のように、対向領域の中央部にもスペーサ４０が配置されたものであっても採用することができる。
【００６０】
半導体装置１６０のリードフレーム３６は、上述の実施形態と同様に、各スペーサ４０に対応して設けられた二つの穴部３６ａが、半導体素子１０の各側面に沿って、且つ、被実装面３０ｂにおける対向領域の縁部に設けられている。さらに、半導体装置１６０のリードフレーム３６は、この縁部に設けられた八個の穴部３６ａで囲まれた領域（中央部）に、各スペーサ４０に対応して設けられた二つの穴部３６ａが、半導体素子１０の各側面に沿って設けられている。つまり、半導体装置１６０は、縁部に設けられた八個の穴部３６ａと、この八個の穴部３６ａで囲まれた領域に設けられた八個の穴部３６ａとを有するリードフレーム３６を備えて構成されている。よって、リードフレーム３６には、十六個の穴部３６ａが設けられていることになる。なお、図１３，図１４における符号３６ｂは、リードフレーム３６の被実装面である。
【００６１】
この変形例６であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。更に、変形例６では、図１４に示すように、中央部が底となるような反った半導体素子１０でも、半田２０の厚みを確保したい最低厚さｔ以上に保持しやすくすることができる。
【００６２】
（変形例７）
また、図１５，図１６に示す変形例７の半導体装置１７０のように、保持部４２ａが十字形状のスペーサ４２を採用することもできる。この四方向に伸びた保持部４２ａの各部位は、等間隔になるように設けられている。言い換えると、スペーサ４２は、保持部４２ａにおける四方向に伸びた各部位のなす角度（９０度）が等しくなるように設けられている。また、スペーサ４２は、保持部４２ａにおける交差部（十字形状の中央部）から突出して一つの突出部４２ｂが設けられている。この場合、リードフレーム３７は、被実装面３７ｂに開口部を有する穴部３７ａが一箇所に設けられたものを採用することができる。
【００６３】
この変形例７であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、突出部４２ｂを挿入するための穴部３７ａが一つであるため、リードフレーム３７に対するスペーサ４２の挿入が容易になる。また、対向領域の中央部にもスペーサ３７があるため、中央部が底となるような反った半導体素子１０であっても、半田２０の厚みを最低厚さｔに確保することができる。
【００６４】
なお、ここでは、スペーサ４２として、保持部４２ａにおける交差部に突出部４２ｂが設けられた例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。スペーサ４２は、突出部４２ｂの先端部から突出して突出部４２ｂが設けられていてもよい。
【００６５】
（変形例８）
また、図１７，図１８に示す変形例８の半導体装置１８０のように、保持部４３ａが三つ又形状のスペーサ４３を採用することもできる。この三方向に伸びた保持部４３ａの各部位は、等間隔になるように設けられている。言い換えると、スペーサ４３は、保持部４３ａにおける三方向に伸びた各部位のなす角度（１２０度）が等しくなるように設けられている。また、スペーサ４３は、保持部４３ａにおける交差部（三つ又形状の中央部）から突出して一つの突出部４３ｂが設けられている。この場合、リードフレーム３８は、被実装面３８ｂに開口を有する穴部３８ａが一箇所に設けられたものを採用することができる。この変形例８であっても上述の実施形態や変形例７と同様の効果を奏することができる。
【００６６】
なお、ここでは、スペーサ４３として、保持部４３ａにおける交差部に突出部４３ｂが設けられた例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。スペーサ４３は、突出部４３ｂの先端部から突出して突出部４３ｂが設けられていてもよい。
【００６７】
（変形例９）
また、図１９に示す変形例９の半導体装置１９０のように、二箇所のみにスペーサ４０が配置されたものでも採用することができる。半導体装置１９０は、半導体素子１０の対角に位置する二つのコーナー付近に、この二つのコーナーを結ぶ対角線と交差するようにスペーサ４０が配置されている。また、リードフレーム３９は、上述の対角線を挟んだ位置に、各スペーサ４０に対応する二つの穴部３９ａが形成されている。なお、符号３９は、リードフレーム３９の被実装面である。
【００６８】
この変形例９であっても上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、変形例９では、単純な形状のスペーサ４０を二箇所のみに配置することで、半田２０の厚みを最低厚さｔに確保することができる。
【符号の説明】
【００６９】
１０  半導体素子、２０  半田、３０  リードフレーム、３０ａ  穴部、４０  スペーサ、４０ａ  保持部、４０ｂ  突出部、１００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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