(57)【要約】【課題】高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタを提供する。【解決手段】本発明による誘電体磁器組成物は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末、上記母材粉末１００モルに対し、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭化物である０．２〜２．０モルの第１の副成分、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第２の副成分、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．２〜１．５モルの第３の副成分、及びＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．０５〜０．８０モルの第４の副成分を含み、上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．５〜１．７であることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末と、
前記母材粉末１００モルに対し、
Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭化物である０．２〜２．０モルの第１の副成分と、
Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第２の副成分と、
Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．２〜１．５モルの第３の副成分と、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．０５〜０．８０モルの第４の副成分と、
を含み、
前記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．５〜１．７である、誘電体磁器組成物。
【請求項２】
前記ＢａｍＴｉＯ３で表示される母材粉末においてｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たす、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項３】
前記母材粉末の比表面積が５．０ｍ２／ｇ以下である、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項４】
前記第１の副成分の含量は０．５〜１．５モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項５】
前記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．７〜１．２である、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項６】
前記第３の副成分の含量は０．５〜１．０モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項７】
前記第４の副成分の含量は０．１〜０．４モルである、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項８】
前記磁器組成物は前記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３モル含量のバナジウム（Ｖ）酸化物をさらに含む、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項９】
前記磁器組成物は前記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５モル含量のアルミニウム（Ａｌ）酸化物をさらに含む、請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
【請求項１０】
誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック本体と、
前記セラミック本体の両端部に形成され、前記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、
を含み、
前記誘電体層は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末、前記母材粉末１００モルに対し、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭化物である０．２〜２．０モルの第１の副成分、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第２の副成分、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．２〜１．５モルの第３の副成分、及びＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．０５〜０．８０モルの第４の副成分を含み、前記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．５〜１．７である、積層セラミックキャパシタ。
【請求項１１】
前記ＢａｍＴｉＯ３で表示される母材粉末においてｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たす、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１２】
前記母材粉末の比表面積が５．０ｍ２／ｇ以下である、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１３】
前記第１の副成分の含量は０．５〜１．５モルである、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１４】
前記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．７〜１．２である、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１５】
前記第３の副成分の含量は０．５〜１．０モルである、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１６】
前記第４の副成分の含量は０．１〜０．４モルである、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１７】
前記磁器組成物は前記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３モル含量のバナジウム（Ｖ）酸化物をさらに含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【請求項１８】
前記磁器組成物は前記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５モル含量のアルミニウム（Ａｌ）酸化物をさらに含む、請求項１０に記載の積層セラミックキャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタに関し、より詳細には、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、キャパシタ、インダクター、圧電素子、バリスター又はサーミスターなどのセラミック材料を用いる電子部品は、セラミック材料からなるセラミック本体、本体の内部に形成された内部電極及び上記内部電極と接続されるようにセラミック本体の表面に設置された外部電極を備える。
【０００３】
セラミック電子部品のうち積層セラミックキャパシタは、積層された複数の誘電体層、一つの誘電体層を介して対向配置される内部電極、上記内部電極に電気的に接続された外部電極を含む。
【０００４】
積層セラミックキャパシタは、小型であり且つ高容量が保障され、実装が容易であるという長所によって、コンピューター、ＰＤＡ、携帯電話などの移動通信装置の部品として広く用いられている。
【０００５】
積層セラミックキャパシタは、通常、内部電極用ペーストと誘電体層用ペーストをシート法や印刷法などにより積層し同時焼成して製造される。
【０００６】
しかしながら、従来の積層セラミックキャパシタなどに用いられる誘電体材料は、還元性の雰囲気下で焼成する場合、還元されて半導体化する性質がある。
【０００７】
このため、内部電極の材料として、誘電体材料が焼結する温度で溶融されることなく誘電体材料を半導体化しない高い酸素分圧下で焼成しても酸化されないパラジウム（Ｐｄ）などの貴金属が用いられている。
【０００８】
しかしながら、パラジウム（Ｐｄ）などの貴金属は、高価であるため、積層セラミックキャパシタの低コスト化において大きな障害となる。
【０００９】
したがって、内部電極材料として比較的安いニッケル（Ｎｉ）やニッケル（Ｎｉ）合金などの卑金属を主に用いている。
【００１０】
しかしながら、内部電極の導電材として卑金属を用いる場合、大気中で焼成を行うと、内部電極が酸化される。
【００１１】
したがって、誘電体層と内部電極の同時焼成を還元性雰囲気中で行う必要がある。
【００１２】
しかしながら、還元性雰囲気中で焼成する場合、誘電体層が還元されて絶縁抵抗（ＩＲ）が低くなるという問題がある。
【００１３】
したがって、非還元性の誘電体材料が提案されている。
【００１４】
また、上記誘電体材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）を母材として用いる場合、不均一な粒成長を抑制して均一なグレインを形成させるためにマグネシウム酸化物（ＭｇＯ）添加剤を一般に用いてきた。
【００１５】
しかしながら、上記マグネシウム酸化物（ＭｇＯ）添加剤は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）内での固溶が容易であることから、アクセプターとして作用し、高温信頼性に問題が発生するため、その改善が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】韓国公開特許第２００２−００４０６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記のような問題を解決するためのものであり、高誘電率及び優れた高温信頼性を有する誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の一実施形態は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対し、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭化物である０．２〜２．０モルの第１の副成分と、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第２の副成分と、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．２〜１．５モルの第３の副成分と、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．０５〜０．８０モルの第４の副成分と、を含み、上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．５〜１．７である誘電体磁器組成物を提供する。
【００１９】
上記ＢａｍＴｉＯ３で表示される母材粉末においてｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たすことができる。
【００２０】
上記母材粉末の比表面積が５．０ｍ２／ｇ以下であることができる。
【００２１】
上記第１の副成分の含量は０．５〜１．５モルであることができる。
【００２２】
上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．７〜１．２であることができる。
【００２３】
上記第３の副成分の含量は０．５〜１．０モルであることができる。
【００２４】
上記第４の副成分の含量は０．１〜０．４モルであることができる。
【００２５】
上記磁器組成物は上記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３モル含量のバナジウム（Ｖ）酸化物をさらに含むことができる。
【００２６】
上記磁器組成物は上記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５モル含量のアルミニウム（Ａｌ）酸化物をさらに含むことができる。
【００２７】
本発明の他の実施形態は、誘電体層と第１及び第２の内部電極が交互に積層されたセラミック本体と、上記セラミック本体の両端部に形成され、上記第１及び第２の内部電極と電気的に連結される第１及び第２の外部電極と、を含み、上記誘電体層はＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末、上記母材粉末１００モルに対し、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つを含む酸化物又は炭化物である０．２〜２．０モルの第１の副成分、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物である第２の副成分、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．２〜１．５モルの第３の副成分、及びＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物である０．０５〜０．８０モルの第４の副成分を含み、上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．５〜１．７である積層セラミックキャパシタを提供する。
【００２８】
上記ＢａｍＴｉＯ３で表示される母材粉末においてｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たすことができる。
【００２９】
上記母材粉末の比表面積が５．０ｍ２／ｇ以下であることができる。
【００３０】
上記第１の副成分の含量は０．５〜１．５モルであることができる。
【００３１】
上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は０．７〜１．２であることができる。
【００３２】
上記第３の副成分の含量は０．５〜１．０モルであることができる。
【００３３】
上記第４の副成分の含量は０．１〜０．４モルであることができる。
【００３４】
上記磁器組成物は上記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３モル含量のバナジウム（Ｖ）酸化物をさらに含むことができる。
【００３５】
上記磁器組成物は上記母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．５モル含量のアルミニウム（Ａｌ）酸化物をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明による誘電体磁器組成物は、高誘電率及び高温信頼性が確保され、低温の還元雰囲気での焼成が可能であるため、ニッケル（Ｎｉ）内部電極を用いることが可能となる。
【００３７】
また、本発明による誘電体磁器組成物は、添加剤としてマグネシウム（Ｍｇ）元素を用いなくても高温信頼性に優れ、経済的な面においても優れる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを示す概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’に沿う積層セラミックキャパシタの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００４０】
本発明は、誘電体磁器組成物に関し、誘電体磁器組成物を含む電子部品としては、キャパシタ、インダクター、圧電体素子、バリスター、又はサーミスターなどがある。以下では、電子部品の一例として積層セラミックキャパシタについて説明する。
【００４１】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタ１００を示す概略斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線に沿う積層セラミックキャパシタ１００の概略断面図である。
【００４２】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施例による積層セラミックキャパシタ１００は、誘電体層１１１と第１及び第２の内部電極１２１、１２２が交互に積層されたセラミック本体１１０を有する。セラミック本体１１０の両端部には、セラミック本体１１０の内部に交互に配置された第１及び第２の内部電極１２１、１２２とそれぞれ導通する第１及び第２の外部電極１３１、１３２が形成されている。
【００４３】
セラミック本体１１０は、その形状に特別な制限はなく、通常、直方体形状であることができる。また、その寸法にも特別な制限はなく、用途によって適切な寸法を選択して用い、例えば、（０．６〜５．６ｍｍ）×（０．３〜５．０ｍｍ）×（０．３〜１．９ｍｍ）であることができる。
【００４４】
誘電体層１１１の厚さはキャパシタの容量設計に合わせて任意に変更可能であり、本発明の一実施例において焼成後の誘電体層の厚さは１層当たり０．２μｍ以上であることが好ましい。
【００４５】
誘電体層の厚さが薄すぎる場合は一層内に存在する結晶粒数が少ないことから信頼性に悪影響を及ぼすため、誘電体層の厚さは０．２μｍ以上であることが好ましい。
【００４６】
第１及び第２の内部電極１２１、１２２は、各端面がセラミック本体１１０の対向する両端部の表面に交互に露出するように積層されている。
【００４７】
上記第１及び第２の外部電極１３１、１３２は、セラミック本体１１０の両端部に形成され、交互に配置された第１及び第２の内部電極１２１、１２２の露出した端面に電気的に連結されてキャパシタ回路を構成する。
【００４８】
上記第１及び第２の内部電極１２１、１２２に含有される導電性材料としては、本発明の一実施形態による誘電体層の構成材料が耐還元性を有することから、卑金属を用いることができるが、特に限定されるものではない。
【００４９】
上記導電性材料として用いる卑金属としては、ニッケル（Ｎｉ）又はニッケル（Ｎｉ）合金がある。
【００５０】
ニッケル（Ｎｉ）合金はマンガン（Ｍｎ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）及びアルミニウム（Ａｌ）から選択される１種以上の元素とニッケル（Ｎｉ）の合金であり、合金中のニッケル（Ｎｉ）の含有量は９５重量％以上であることができる。
【００５１】
上記第１及び第２の内部電極１２１、１２２の厚さは、特に制限されず、用途などに応じて適宜決まり、例えば、０．１〜５μｍ又は０．１〜２．５μｍであることができる。
【００５２】
上記第１及び第２の外部電極１３１、１３２に含有される導電性材料としては、特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、又はこれら合金を用いることができる。
【００５３】
上記第１及び第２の外部電極１３１、１３２の厚さは、特に制限されず、用途などに応じて適宜決まり、例えば、１０〜５０μｍであることができる。
【００５４】
上記セラミック本体１１０を構成する誘電体層１１１は、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物を含むことができる。
【００５５】
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末と第１〜第４の副成分を含むことができる。
【００５６】
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は高誘電率及び高温信頼性が確保され低温の還元雰囲気での焼成が可能であるため、ニッケル（Ｎｉ）内部電極を用いる場合にも優れた信頼性を有する超高容量製品を具現することができる。
【００５７】
また、本発明による誘電体磁器組成物は、添加剤としてマグネシウム（Ｍｇ）元素を用いなくても高温信頼性に優れ、経済的な面においても優れる。
【００５８】
以下、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物の各成分をより具体的に説明する。
【００５９】
ａ）母材粉末
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、ＢａｍＴｉＯ３（０．９９５≦ｍ≦１．０１０）で表示される母材粉末を含むことができる。
【００６０】
上記式中、ｍが０．９９５未満の場合は、還元性雰囲気での焼成時に容易に還元されて誘電体磁器組成物が半導性物質に変わる可能性があるため、粒成長の制御が困難であるという問題がある。
【００６１】
ｍが１．０１０を超える場合は、焼成温度が高くなる可能性があるため、所望の温度特性を具現することができないという問題がある。
【００６２】
本発明の一実施形態によれば、上記ＢａｍＴｉＯ３で表示される母材粉末においてｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たす場合、より好ましい。
【００６３】
上記ｍ値が０．９９５≦ｍ≦０．９９８を満たすように調節することにより、低温の還元雰囲気での焼成が可能となり、所望の温度特性を具現することができ、特に、高温劣化による容量低下の問題がないことから、高容量製品を具現することができる。
【００６４】
上記ｍが０．９９８を超える場合は、高温劣化による容量低下の問題が発生する可能性がある。
【００６５】
また、上記母材粉末は、特に制限されず、平均粒径が２００nｍ以下であることができる。
【００６６】
また、上記母材粉末の比表面積は、特に制限されず、例えば、５．０ｍ２／ｇ以下であることができる。
【００６７】
ｂ）第１の副成分
本発明の一実施形態によれば、第１の副成分として、Ｂａ及びＣａのうち少なくとも一つ以上を含む酸化物又は炭化物を含むことができる。
【００６８】
上記第１の副成分は、誘電体磁器組成物の耐還元性、粒成長制御及び焼結安定性を付与する役割をする。
【００６９】
一般に、誘電体磁器組成物の粒成長制御、即ち、不均一な粒成長を抑制して均一なグレインを形成させるために、Ｍｇを含む酸化物を添加剤として用いてきた。
【００７０】
しかしながら、上記マグネシウムを含む酸化物（ＭｇＯ）添加剤は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）内での固溶が容易であることから、アクセプターとして作用するため、高温信頼性において問題が発生した。
【００７１】
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、上記マグネシウムを含む酸化物（ＭｇＯ）を添加剤として含まないため、高温信頼性に優れ、経済的な面においても優れた効果がある。
【００７２】
上記第１の副成分は、母材粉末１００モルに対して０．２〜２．０モルの含量で含まれることができる。
【００７３】
上記第１の副成分の含量及び後述する第２〜第４の副成分の含量は、母材粉末１００モルに対して含まれる量であり、特に、各副成分に含まれる金属イオンのモル数で定義されることができる。
【００７４】
上記第１の副成分の含量が０．２モル未満の場合は、還元性雰囲気での焼成時に容易に還元されて粒成長制御が困難となり、２．０モルを超える場合は、焼成温度が上昇して所望の高誘電定数値を得るのが困難となる可能性がある。
【００７５】
特に、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、０．５〜１．５モルの含量を有する第１の副成分を含むことができるため、粒成長制御がより容易であり、高い誘電定数値が得られる。
【００７６】
ｃ）第２の副成分
本発明の一実施形態によれば、第２の副成分として、Ｓｉを含む酸化物又はＳｉを含むガラス（Ｇｌａｓｓ）化合物を含むことができる。
【００７７】
上記第２の副成分は、他の成分、特に、上記第１の副成分又は母材粉末と反応して焼結性を付与することができる。
【００７８】
上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比は、特に制限されず、例えば、０．５〜１．７であることができる。
【００７９】
上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比が０．５未満の場合は、高温加速寿命特性において問題が発生して信頼性が低下する可能性があり、所望の温度特性、特に、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）特性が具現されないという問題がある。
【００８０】
上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比が１．７を超える場合は、焼成温度が上昇し、所望の誘電定数値が得られず、誘電特性が低下する可能性がある。
【００８１】
特に、本発明の一実施形態によれば、上記第２の副成分に対する第１の副成分の含量比が０．７〜１．２を満たすため、焼成温度が低くなり、誘電特性に優れ、信頼性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００８２】
ｄ）第３の副成分
本発明の一実施形態によれば、第３の副成分として、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ａｃ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、及びＬｕのうち少なくとも一つを含む酸化物を含むことができる。
【００８３】
上記第３の副成分は、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をするため、所望の温度特性を満たすことができる。
【００８４】
上記第３の副成分は、母材粉末１００モルに対して０．２〜１．５モルの含量で含まれることができる。
【００８５】
上記第３の副成分の含量が０．２モル未満の場合は、焼成温度が上昇し、高温加速寿命が低下し、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）が不安定になる可能性がある。
【００８６】
上記第３の副成分の含量が１．５モルを超える場合は、焼成温度が上昇して所望の誘電定数値を得るのが困難となり、２次相の発生による信頼性低下の問題が発生する可能性がある。
【００８７】
特に、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、０．５〜１．０モルの含量を有する第３の副成分を含むため、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）特性に優れ、高い誘電定数値が得られる。
【００８８】
ｅ）第４の副成分
本発明の一実施形態によれば、第４の副成分として、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＮｉのうち少なくとも一つを含む酸化物を含むことができる。
【００８９】
上記第４の副成分は、絶縁抵抗（ＩＲ）を増加させ、高温加速寿命を向上させる役割をすることができる。
【００９０】
上記第４の副成分は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．８０モルの含量で含まれることができる。
【００９１】
上記第４の副成分の和が０．０５モル未満の場合は、常温絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）特性が低下し、高温加速寿命が低下する可能性がある。
【００９２】
上記第４の副成分の和が０．８０モルを超える場合は、Ｃ＊Ｒ値（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が低下し、時間による容量変化が大きくなる可能性がある。
【００９３】
特に、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、０．１〜０．４モルの含量を有する第４の副成分を含むことができるため、常温絶縁抵抗（Ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ、ＩＲ）特性に優れ、高いＣ＊Ｒ（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ＊Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）値が得られる。
【００９４】
ｆ）その他の副成分
本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、バナジウム（Ｖ）を含む酸化物を含むことができる。
【００９５】
上記副成分は、焼成温度を低くし、高温加速寿命を向上させ、キュリー温度（Ｔｃ）以上での容量変化を安定化させる役割をする。
【００９６】
上記バナジウム（Ｖ）を含む酸化物は、母材粉末１００モルに対して０．０５〜０．３０モルの含量で含まれることができる。
【００９７】
上記バナジウム（Ｖ）を含む酸化物の含量が０．０５モル未満の場合は高温加速寿命が低下し、０．３０モルを超える場合はＣ＊Ｒ値が低下する可能性がある。
【００９８】
また、本発明の一実施形態による誘電体磁器組成物は、アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物を含むことができる。
【００９９】
上記副成分は、他の成分、特に、第１の副成分又は母材粉末と反応して焼結性を付与することができる。
【０１００】
上記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物は、母材粉末１００モルに対して０．０５モル〜０．５モルの含量で含まれることができる。
【０１０１】
上記アルミニウム（Ａｌ）を含む酸化物の含量が０．０５モル未満の場合は、焼成温度が高くなる恐れがあり、０．５モルを超える場合は、粒成長を制御するのが困難となり、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）特性が低下する可能性がある。
【０１０２】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより詳細に説明する。しかしながら、これは発明の具体的な理解のためのものであり、本発明の範囲は実施例によって限定されるものではない。
【０１０３】
下記表１に記載された組成及び含量による原料粉末を、ジルコニアボールを混合／分散メディアとして用いてエタノール／トルエンと分散剤及びバインダーと混合した後、２０時間ボールミリングしてスラリーを製造した。
【０１０４】
製造されたスラリーを、小型ドクターブレード（ｄｏｃｔｏｒ  ｂｌａｄｅ）方式のコーター（Ｃｏａｔｅｒ）を用いて約１．０μｍ〜２．０μｍの厚さを有するシートに成形した。
【０１０５】
上記約２．０μｍの厚さを有するシートにニッケル（Ｎｉ）内部電極を印刷した。
【０１０６】
約２．０μｍの厚さを有する内部電極が印刷されたシートを積層して活性層を製作し、１０〜１３μｍの厚さを有する成形シートを２５層積層して上下カバー層を製作してバーを製造した。
【０１０７】
圧着バーを切断器を用いて１００５サイズのチップに切断した。
【０１０８】
製作が終わったチップをか焼し、還元雰囲気（Ｈ２  ０．０８％）下で１１００〜１２００℃の温度で２時間焼成した後、再酸化（Ｏ２  ２０ｐｐｍ）のために１０００℃で３時間熱処理した。焼成されたチップをターミネーション工程を経て２４ｈｒ放置した後、その特性を測定した。
【０１０９】
下記表１中、各副成分の含量は母材１００モル当たりのモル数で表示し、誘電定数は０．５Ｖ／μｍ、１ｋＨｚの条件で測定した容量値を基準に換算した数値である。
【０１１０】
また、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）は、２５℃の容量値を基準として８５℃の容量値の変化率を意味し、０．５Ｖ／μｍ、１ｋＨｚの条件で測定した値を意味する。
【０１１１】
また、高温信頼性評価においては、１３０℃、４時間、１０Ｖ／μｍ（焼成後の厚さを基準）の条件で２０個のサンプルのうち不良がない場合を○、不良が発生した場合をＸで表示した。
【０１１２】
【表１】
2014177392.tif 000003
＊：比較例
【０１１３】
上記表１を参照すると、試料１〜３、７、９〜１１及び１３は、母材粉末のｍ値、第１〜第４の副成分及びその他の副成分の含量がすべて本発明の数値範囲を満たし、誘電定数、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）及び高温信頼性にすべて優れることが分かる。
【０１１４】
これに対し、比較例である試料４及び１２は、母材粉末のｍ値が本発明の数値範囲を外れ、これにより、高温信頼性において問題があることが分かる。
【０１１５】
また、比較例である試料５は、第３の副成分の含量が本発明の数値範囲を外れ、これにより、誘電率が低くなる問題があることが分かる。
【０１１６】
比較例である試料６は、第１の副成分及び第３の副成分の含量が本発明の数値範囲を外れ、これにより、誘電率が低く、静電容量変化率（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ、ＴＣＣ）及び高温信頼性において問題があることが分かる。
【０１１７】
比較例である試料８は、第３の副成分及び第４の副成分の含量が本発明の数値範囲を外れ、これにより、誘電定数（誘電率）が低下することが分かる。
【０１１８】
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
【符号の説明】
【０１１９】
１００  積層セラミックキャパシタ
１１０  セラミック本体
１１１  誘電体層
１２１、１２２  第１及び第２の内部電極
１３１、１３２  第１及び第２の外部電極
【図１】
2014177392.tif 000004
【図２】
2014177392.tif 000005