(57)【要約】【課題】チャンバ内における表面処理と製膜処理とを切り換えるのに必要な準備工程を省くことができ、さらに装置全体の省スペース化を図ることができる薄膜形成装置を提供する。【解決手段】チャンバと、プラズマを発生させる誘導結合型プラズマ電極を有する電極ユニットと、チャンバ内で基板を保持しつつ搬送する基板搬送部と、チャンバ内に製膜の原料ガスを供給する原料ガス供給部と、原料ガスに比べて飛散性が高い放電用ガスを供給する放電用ガス供給部と、を備え、原料ガス供給部から供給される原料ガスと放電用ガス供給部から供給される放電用ガスとが共通の電極ユニットにより形成されたプラズマ環境に曝されることにより、基板の表面が処理される表面処理領域と基板表面上に製膜される製膜処理領域とがチャンバ内に形成され、搬送される基板に対し基板搬送方向に表面処理と製膜処理とがこの順で同一の前記チャンバ内で行われる構成とする。【選択図】図１
2014218716.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空環境を形成するチャンバと、
プラズマを発生させる誘導結合型プラズマ電極を有する電極ユニットと、
前記チャンバ内を前記誘導結合型プラズマ電極側に基板の製膜面を向けた状態で基板を保持しつつ搬送する基板搬送部と、
前記チャンバ内に製膜の原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記原料ガスに比べて飛散性が高い放電用ガスを供給する放電用ガス供給部と、
を備え、
前記原料ガス供給部から供給される原料ガスと前記放電用ガス供給部から供給される放電用ガスとが共通の前記電極ユニットにより形成されたプラズマ環境に曝されることにより、基板の表面が処理される表面処理領域と基板表面上に製膜される製膜処理領域とが前記チャンバ内に形成され、搬送される基板に対し基板搬送方向に表面処理と製膜処理とがこの順で同一の前記チャンバ内で行われることを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
前記原料ガス供給部は、前記チャンバの基板搬送方向における下流側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
前記原料ガス供給部と放電用ガス供給部の双方が、前記チャンバの基板搬送方向における下流側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。
【請求項４】
前記放電用ガスは、水素又は酸素から選択される少なくとも１種のガスであり、前記原料ガスは、ヘキサメチルジシラザンガスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、封止膜等の薄膜の形成に適した薄膜形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ、太陽電池等の電子デバイスは水や酸に弱いため、その表面を封止膜で覆って耐久性を向上させることが提案されている。このような封止膜は、薄膜形成装置、いわゆるプラズマＣＶＤ装置で形成されている。この薄膜形成装置は、例えば下記特許文献１では、本願図５に記載するように、チャンバ内にプラズマを発生させる平行平板型の対向電極１０１と、基板１００を保持する物品ホルダ１０２（対向電極１０１の一部）と、原料ガスを供給する原料ガス供給部１０３とを備えており、平行平板型の対向電極１０１間に原料ガス供給部１０３を配置して構成されている。そして、原料ガス供給部１０３から原料ガスが供給されると、原料ガスが対向電極１０１により形成されたプラズマ雰囲気に曝されることにより製膜粒子が形成される。そして、この製膜粒子が基板１００上に堆積することにより薄膜（封止膜）が形成される。
【０００３】
近年では、封止膜の密着性を高めるため、上述した製膜処理を行う前に基板１００表面に対して表面処理が行われる。すなわち、封止膜を形成する基板１００の表面を改質して封止膜の密着性を向上させる。具体的には、下記特許文献１に記載されているように、原料ガス供給部１０３とは別に前処理用ガス供給部１０４が設けられており、製膜処理が行われる前に前処理用ガスを供給してチャンバ内にプラズマ雰囲気を形成する。このプラズマ環境に基板１００を曝すことにより基板表面の表面処理が行われ、基板１００表面が改質され封止膜の密着しやすい状態に形成される。そして、原料ガス供給部１０３から原料ガスを供給されることにより製膜処理を行って基板表面に封止膜が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３７２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記薄膜形成装置では、製膜完了までに必要なタクトタイムが長くなるという問題があった。すなわち、共通のチャンバ内で表面処理と製膜処理とを独立して行っているため、それぞれの処理を切り換える際、次の処理に応じた準備工程が必要になるという問題がある。特に、製膜処理完了後、再度、表面処理を行うには、チャンバ内に残留する原料ガスを排気する排気工程を行う必要があり、複数の基板１００を連続して処理する場合には、処理時間以外にも排気工程などの準備工程が必要になりタクトタイムが長くなるという問題があった。
【０００６】
また、上記表面処理と製膜処理とを別々のチャンバで独立して行うことも考えられるが、この場合には、チャンバ数の増加に伴い、装置大型化により省スペース化が図れないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、チャンバ内における表面処理と製膜処理とを切り換えるのに必要な準備工程を省くことができ、さらに装置全体の省スペース化を図ることができる薄膜形成装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、真空環境を形成するチャンバと、プラズマを発生させる誘導結合型プラズマ電極を有する電極ユニットと、前記チャンバ内を前記誘導結合型プラズマ電極側に基板の製膜面を向けた状態で基板を保持しつつ搬送する基板搬送部と、前記チャンバ内に製膜の原料ガスを供給する原料ガス供給部と、前記電極ユニットによりプラズマ雰囲気を形成する放電用ガス供給部と、を備え、前記原料ガス供給部から供給される原料ガスと前記放電用ガス供給部から供給される放電用ガスとが共通の前記電極ユニットにより形成されたプラズマ環境に曝されることにより、基板の表面が処理される表面処理領域と基板表面上に製膜される製膜処理領域とが前記チャンバ内に形成され、搬送される基板に対し基板搬送方向に表面処理と製膜処理とがこの順で同一の前記チャンバ内で行われることを特徴としている。
【０００９】
上記薄膜形成装置によれば、１つのチャンバ内に表面処理領域と製膜処理領域とが形成されるため、チャンバ内を基板が搬送されることにより同一のチャンバ内で表面処理と製膜処理とがこの順で行われる。具体的には、チャンバ内に供給される原料ガスと放電用ガスは、放電用ガスの方が飛散性が高いため、放電用ガスは原料ガス供給部よりも遠い位置まで飛散する。すなわち、チャンバ内では、原料ガスと放電用ガスとが共通の電極ユニットに曝されることにより、原料ガス供給部に近い領域では、相対的に製膜処理領域が形成され、原料ガス供給部から離れた領域では、相対的に表面処理領域が形成される。したがって、この表面処理領域と製膜処理領域とに基板が搬送されることにより、基板に対して表面処理と製膜処理とが同一のチャンバ内で行われる。そして、複数の基板を連続して搬送することにより、表面処理と製膜処理とがそれぞれの基板に対して連続的に行われる。すなわち、１つのチャンバ内を表面処理と製膜処理のいずれか一方に切り換えて使用する従来の場合に比べて、製膜処理から表面処理を行う際にチャンバ内に残留する原料ガスを排気する等の準備工程が不要になり、タクトタイムを短縮することができる。また、１つのチャンバで表面処理と製膜処理とを行うことができるため、各処理毎に専用のチャンバを複数有する場合に比べて省スペース化を図ることができる。
【００１０】
また、前記原料ガス供給部は、前記チャンバの基板搬送方向における下流側に配置されている構成にしてもよい。
【００１１】
この構成によれば、原料ガス供給部がチャンバの基板搬送方向下流側に設けられているため、チャンバの基板搬送方向上流側に表面処理領を形成し、チャンバの基板搬送方向下流側に製膜処理領域を形成することができる。
【００１２】
さらに、前記原料ガス供給部と放電用ガス供給部の双方が、前記チャンバの基板搬送方向における下流側に配置されている構成にしてもよい。
【００１３】
この構成によれば、チャンバの基板搬送方向上流側に表面処理領域を形成し、チャンバの基板搬送方向下流側に製膜処理領域を形成することができることに加え、原料ガス供給部及び放電用ガス供給部を共に下流側にまとめて配置することにより、別々に配置する場合に比べて省スペース化を図ることができる。
【００１４】
また、上記構成に使用されるガスの具体的な様態としては、前記放電用ガスは、水素又は酸素から選択される少なくとも１種のガスであり、前記原料ガスは、ヘキサメチルジシラザンガスである構成にすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の薄膜形成装置によれば、チャンバ内における表面処理と製膜処理とを切り換えるのに必要な準備工程を省くことができ、さらに装置全体の省スペース化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す正面図である。
【図２】上記薄膜形成装置の上面図である。
【図３】電極ユニット付近を示す図である。
【図４】原料ガス供給部又は放電用ガス供給部の多孔ノズルを示す図である。
【図５】従来の薄膜形成装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す概略的な正面図であり、図２は、その上面図であり、図３は、電極ユニット付近の拡大図である。
【００１８】
図１、図２に示すように、薄膜形成装置１は、チャンバ２と、基板搬送部４と、チャンバ２内に設けられる電極ユニット３とを有しており、電極ユニット３によりプラズマを発生させた状態でチャンバ２内に原料ガスが供給されると、原料ガスが励起され製膜粒子が生成される。そして、基板Ｗに堆積することにより、水分、酸などの侵入を防止する封止膜等の薄膜Ｃ（図３参照）が形成される。
【００１９】
チャンバ２は、真空環境を形成し、その内部で発生した製膜粒子を堆積させて基板Ｗ上に薄膜Ｃを形成させるための密閉容器である。このチャンバ２には、電極ユニット３と、原料ガス供給部５と、放電用ガス供給部６とが設けられている。すなわち、この電極ユニット３によりプラズマが発生する状態で、放電用ガス供給部６から放電用ガスが供給されると、放電用ガスがプラズマに曝されることにより分解され反応ガスが形成される。そして、この反応ガスが原料ガス供給部５から供給される原料ガスと反応することにより製膜粒子が形成され、製膜粒子が基板Ｗに堆積することにより薄膜（封止膜）が形成される。
【００２０】
この製膜粒子の形成は、チャンバ２内を真空環境にして行われる。すなわち、このチャンバ２には、チャンバ２内を排気する排気口２２が設けられている。この排気口２２は、真空ポンプと配管で接続されており、真空ポンプを作動させることによりチャンバ２内を所定の真空度に調節できるようになっている。すなわち、製膜粒子の形成時（薄膜形成時）には、真空ポンプを作動させることにより、チャンバ２内を所定の真空環境に調節される。
【００２１】
また、チャンバ２は、基板搬送部４により基板Ｗを搬送させながら製膜処理が行われる。この基板搬送部４は、基板Ｗを保持しつつ一方向に搬送するものである。この基板搬送部４は、基板Ｗを保持するハンド４１（図３参照）を有している。本実施形態では、ハンド４１がチャンバ２内に突出して設けられており、このハンド４１に基板Ｗが載置されることにより保持されるようになっている。
【００２２】
具体的には、基板Ｗは、矩形の平板形状を有しており、中央部分に薄膜Ｃを形成する薄膜形成領域（製膜面）とその両端に薄膜非形成領域とを有している。ハンド４１は、基板Ｗの薄膜非形成領域を支持することにより基板Ｗを保持することができる。すなわち、基板Ｗは、ハンド４１により保持された状態では、薄膜Ｃを形成する面（製膜面）が電極ユニット３側（下向き）に向く姿勢で保持される。
【００２３】
そして、このハンド４１は、一方向に走行できるように構成されている。すなわち、ハンド４１には、ボールネジ、リニアモータ等の駆動装置が設けられており、この駆動装置を駆動制御することにより基板Ｗを一方向に搬送することができる。具体的には、チャンバ２には、上流側装置９１における処理が完了した基板Ｗが搬入される上流側連結部２３と、チャンバ２内の処理が完了した基板Ｗが下流側装置９２に排出される下流側連結部２４とを有しており、上流側連結部２３と下流側連結部２４は、同一高さ位置に設けられている。この上流側連結部２３及び下流側連結部２４は、基板Ｗが通過できる程度に開口して形成されており、駆動装置を駆動制御することによりハンド４１が基板Ｗを保持した状態でこの開口を通過し、基板Ｗを搬入、排出できるようになっている。すなわち、上流側装置９１の処理を終えた基板Ｗは、駆動装置を駆動制御することにより、上流側連結部２３を通じてチャンバ２内に搬入される。そして、基板Ｗは、ハンド４１に保持された状態で製膜面が電極ユニット３側に向く姿勢を維持しつつ搬送され、下流側連結部２４を通じてチャンバ２から排出され下流側装置９２の別のチャンバ２に搬送される。なお、上流側連結部２３及び下流側連結部２４には、基板Ｗが通過できる程度に開口して形成されているが、上流側連結部２３、下流側連結部２４には真空ポンプが接続されており、この真空ポンプを調節することにより、チャンバ２内に供給されるガスがこれら連結部２３，２４を通じて隣接する他の製造装置のチャンバ２に侵入するのを抑えることができるようになっている。
【００２４】
このように、基板搬送部４により上流側連結部２３から下流側連結部２４に基板Ｗが一方向に搬送される。この基板Ｗが搬送される領域を本実施形態では基板搬送経路といい、基板Ｗが搬送される方向を基板搬送方向という。
【００２５】
この駆動装置は、駆動制御することにより基板Ｗの搬送速度を調節できるようになっている。すなわち、基板Ｗの搬送速度を調節することにより、チャンバ２内における基板Ｗの処理時間を変更することができる。具体的には、後述するように、チャンバ２内では、基板Ｗの表面を改質する表面処理領域βと基板Ｗ上に薄膜を形成する製膜処理領域αとが形成されており、基板Ｗがそれぞれの領域を通過することによりその領域における処理が行われる。基板Ｗの搬送速度を調節することにより、それぞれの領域における処理時間を変更することができる。
【００２６】
また、電極ユニット３は、プラズマを発生させるものである。本実施形態の電極ユニット３は、直線状の誘導結合型のプラズマ電極であり、図２に示すように、基板搬送方向に対して直交する姿勢で配置されている。この誘導結合型プラズマ電極３１は、Ｃｕ等の導体で形成される電極部と、ガラス等の非誘電体で形成される誘電体部とを有しており、電極部を芯材として誘電体部で外周を覆うように形成されている。そして、電極ユニット３は、図２に示すように、外側からチャンバ２の壁面を貫通してチャンバ２内部に侵入し、貫通したチャンバ２の壁面に対面するチャンバ２の壁面を貫通するように延びている。すなわち、誘導結合型プラズマ電極３１の中央部分がチャンバ２内部に配置され、両端部分がチャンバ２の外側に位置するように設けられている。
【００２７】
また、電極ユニット３の端部に位置する電極部は、高周波電源７と接続されており、高周波電源７のスイッチが入れられることにより、チャンバ２内に位置する誘導結合型プラズマ電極３１の中央部分を中心としてプラズマが発生するようになっている。なお、この誘導結合型プラズマ電極３１は、平行平板型電極に比べて放電範囲が広く、チャンバ２内全体にプラズマ環境を形成することができる。
【００２８】
また、チャンバ２には、原料ガス供給部５と放電用ガス供給部６とが設けられている。本実施形態では、原料ガス供給部５と放電用ガス供給部６は、基板搬送方向下流側に配置されている。
【００２９】
また、チャンバ２には、原料ガス供給部５と放電用ガス供給部６が設けられており、この原料ガス供給部５及び放電用ガス供給部６から供給される原料ガス及び放電用ガスにより、チャンバ２内に表面処理領域βと製膜処理領域αとが形成されている。
【００３０】
原料ガス供給部５は、チャンバ２内に薄膜Ｃを形成する原料ガスを供給するものである。本実施形態の原料ガス供給部５は、図３に示すように、複数の噴出口５１（図４参照）を有する多孔ノズル５ａを有している。この多孔ノズル５ａは、複数の噴出口５１の配列方向が基板搬送方向と直交するようにして誘電結合型プラズマ電極と基板搬送部４（基板搬送経路）との間に配置されており、すべての噴出口５１が基板Ｗが搬送される基板搬送経路に向かう姿勢で配置されている。そして、原料ガス供給部５は、原料ガスタンク（不図示）と配管で接続されており、原料ガスタンクから供給された原料ガスが噴出口５１を通じて基板搬送経路側に噴出される（図中の矢印で示す）。本実施形態では、原料ガスとして、ＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）が使用されており、基板搬送部４により搬送される基板Ｗの幅方向（搬送方向と直交する方向）に亘ってほぼ一様にＨＭＤＳガスが供給されるようになっている。すなわち、原料ガス供給部５から供給される原料ガスは、プラズマ雰囲気に曝されることにより製膜粒子が形成される。チャンバ２内では、この原料ガスが噴出される領域には製膜処理領域αが形成されている。
【００３１】
また、放電用ガス供給部６は、チャンバ２内にプラズマ雰囲気を形成するものである。本実施形態の放電用ガス供給部６は、原料ガス供給部５と同様に多孔ノズル６ａを有している。この多孔ノズル６ａは、多孔ノズル５ａと同じものであり、複数の噴出口５１の配列方向が基板搬送方向と直交するようにして誘電結合型プラズマ電極の基板搬送経路側と反対側に配置されており、すべての噴出口５１が基板Ｗが搬送される搬送経路に向かう姿勢で配置されている。すなわち、チャンバ２内の下流側には、基板搬送経路に近い側に原料ガス供給部５、基板搬送経路から離れる側に放電用ガス供給部６がこの順で上下方向に並んで配置されている。そして、放電用ガス供給部６は、放電用ガスタンク（不図示）と配管を通じて接続されており、放電用ガスタンクから供給された放電用ガスが噴出口５１を通じて基板搬送経路側に噴出される。本実施形態では、放電用ガスとして水素又は酸素が使用されており、基板搬送部４により搬送される基板Ｗの幅方向（搬送方向と直交する方向）に亘ってほぼ一様に放電用ガスを供給できるようになっている。すなわち、放電用ガス供給部６から放電用ガスが供給されると、電極ユニット３により形成されるプラズマに曝されることにより反応ガスが形成される。すなわち、この反応ガスによるプラズマ雰囲気に原料ガスが供給されると製膜粒子が形成される一方で、この反応ガスによるプラズマ雰囲気に基板Ｗが曝されると基板Ｗの表面が改質される。チャンバ２内では、放電用ガスが噴出される領域には、表面処理領域βが形成される。
【００３２】
上述のように、この原料ガス供給部５及び放電用ガス供給部６から供給される原料ガス及び放電用ガスにより、チャンバ２内に表面処理領域βと製膜処理領域αとが形成される。本実施形態では、チャンバ２内には、原料ガス供給部５に近い側に製膜処理領域αが形成され、原料ガス供給部５から離れる側に表面処理領域βが形成される。すなわち、放電用ガスとして使用される水素又は酸素は、原料ガスとして使用されるＨＭＤＳガスよりも分子直径が小さいため、平均自由工程（ガス粒子が他のガス粒子に妨害されることなく進むことのできる距離の平均値。本発明では飛散性ともいう）が大きく、水素又は酸素の方がＨＭＤＳよりも飛散性が高く、広範囲に分散する。一方、放電用ガス供給部６の噴出口５１と原料ガス供給部５の噴出口５１は、共にチャンバ２の基板搬送方向下流側に配置されていることから、原料ガスの濃度は、原料ガス供給部５付近で高く、原料ガス供給部５から離れるに従って原料ガスの濃度が低くなり、上流側連結部２３付近では放電用ガスの影響が大きくなる。すなわち、相対的に原料ガス供給部５に近い側に製膜処理領域αが形成され、原料ガス供給部５から離れる側（上流側連結部２３側）に基板Ｗ処理領域が形成される。
【００３３】
したがって、基板搬送部４により上流側連結部２３を通じて基板Ｗが搬入されると、基板Ｗが表面処理領域βを通過することにより基板Ｗの製膜面が表面処理される。すなわち、表面処理領域βを通過することにより基板Ｗが放電用ガスによるプラズマ環境に曝されるため、基板Ｗの製膜面が改質され封止膜の密着しやすい状態に形成される。そして、表面処理領域βを通過した基板Ｗは、そのまま基板搬送部４に搬送されて製膜処理領域αを通過する。この製膜処理領域αでは、放電用ガスによるプラズマ環境に原料ガスが曝されることにより原料ガスが分解されて製膜粒子が形成され、この製膜粒子が表面処理された製膜面に付着し薄膜（封止膜）が形成される。このように、チャンバ２内に表面処理領域βと製膜処理領域αとが形成されているため、同一のチャンバ２内を基板Ｗが搬送されることにより表面処理と製膜処理とがこの順で行われる。
【００３４】
また、表面処理領域βと製膜処理領域αの割合は、原料ガスと放電用ガスの流量を変えることにより調節することができる。すなわち、原料ガス供給部５から噴出される原料ガスの流量を小さくし、放電用ガスの流量を大きくすることにより、原料ガス供給部５及び放電用ガス供給部６の流量が共に同じ場合に比べて、相対的にチャンバ２内に形成される表面処理領域βを大きくすることができる。これにより、基板搬送部４によって搬送される基板Ｗが表面処理される時間を長くとることができるため、放電ガスの成分と基板Ｗの材質との選択により、表面処理に時間を要する場合でも製膜面を改質し密着性の良い封止膜を形成することができる。
【００３５】
このように、上記薄膜形成装置によれば、１つのチャンバ２内に表面処理領域βと製膜処理領域αとが形成されるため、チャンバ２内を基板Ｗが搬送されることにより同一のチャンバ２内で表面処理と製膜処理とがこの順で行われる。すなわち、チャンバ２内に供給される原料ガスと放電用ガスは、放電用ガスの方が飛散性が高いため、放電用ガスは原料ガス供給部５よりも遠い位置まで飛散する。そのため、チャンバ２内では、原料ガスと放電用ガスとが共通の電極ユニット３に曝されることにより、原料ガス供給部５に近い領域では、相対的に製膜処理領域αが形成され、原料ガス供給部５から離れた領域では、相対的に表面処理領域βが形成される。したがって、この表面処理領域βと製膜処理領域αとに基板Ｗが搬送されることにより、基板Ｗに対して表面処理と製膜処理とが同一のチャンバ２内で行われる。そして、複数の基板Ｗを連続して搬送することにより、表面処理と製膜処理とがそれぞれの基板Ｗに対して連続的に行われる。すなわち、１つのチャンバ２内を表面処理と製膜処理のいずれか一方に切り換えて使用する従来の場合に比べて、製膜処理から表面処理を行う際にチャンバ２内に残留する原料ガスを排気する等の準備工程が不要になり、タクトタイムを短縮することができる。また、１つのチャンバ２で表面処理と製膜処理とを行うことができるため、各処理毎に専用のチャンバ２を複数有する場合に比べて省スペース化を図ることができる。
【００３６】
また、上記実施形態では、前記原料ガス供給部５と放電用ガス供給部６の双方が基板搬送方向における下流側に配置されている例について説明したが、原料ガス供給部５のみをチャンバ２の基板搬送方向下流側に配置するように構成されていてもよい。原料ガス供給部５が基板搬送方向下流側に配置されることにより、原料ガス供給部５から噴出される原料ガスの濃度が原料ガス供給部５付近で高くなり、原料ガス供給部５から離れるに従って原料ガスの濃度が低くなる。すなわち、搬送方向下流側の原料ガス供給部５付近には製膜処理領域αが形成され、原料ガス供給部５から離れた搬送方向上流側に表面処理領域βが形成され、搬送方向上流側から表面処理領域β、製膜処理領域αがこの順に形成される。なお、上記実施形態のように、前記原料ガス供給部５と放電用ガス供給部６の双方が基板搬送方向下流側に配置された方が、チャンバ２から突出する配管部分をチャンバ２の一側面にまとめたり、配管等を集合させて配置できるなど、別々に配置される場合に比べて装置全体の省スペース化を図ることができる。
【００３７】
また、上記実施形態では、電極ユニット３について直線状の誘導結合型プラズマ電極３１を有する場合について説明したが、Ｕ字状を有する誘導結合型プラズマ電極３１であってもよく、また、コイル状に巻回された誘導結合型プラズマ電極３１であってもよい。
【００３８】
また、上記実施形態では、基板搬送部４が有するハンド４１により基板Ｗが保持されて搬送される例について説明したが、上流側と下流側にリールを設け、いわゆるロール  トゥ  ロールにより基板Ｗが搬送されるものであってもよい。
【符号の説明】
【００３９】
１  薄膜形成装置
２  チャンバ
３  電極ユニット
４  基板搬送部
５  原料ガス供給部
５ａ  多孔ノズル
６  放電用ガス供給部
６ａ  多孔ノズル
３１  誘導結合型プラズマ電極
α  製膜処理領域
β  表面処理領域
Ｗ  基板
【図１】
2014218716.tif 000003
【図２】
2014218716.tif 000004
【図３】
2014218716.tif 000005
【図４】
2014218716.tif 000006
【図５】
2014218716.tif 000007