(57)【要約】【課題】シフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置を提供すること。【解決手段】本発明は液晶表示技術に関するものであり、シフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタを付加し、第１の薄膜トランジスタは、フレーム開始信号が高レベルであり、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、ＰＵノードにおけるレベルをプルダウンすることにより結合回路の結合作用による出力信号の横線不良の発生を回避する。本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置は、両方向走査を実現するとき、高レベルのときに発生する不良の出力信号を回避し、モバイル製品の生産能力及び良品率の向上に有利である。【選択図】図２ａ
2014056636.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シフトレジスタユニット回路であって、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端と作業電圧入力端とグラウンド電圧入力端とのいずれかに接続される第１の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記第１の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される第２の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧の入力端に接続され、第１極が前記第１の薄膜トランジスタの第２極に接続される第３の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が前記第３の薄膜トランジスタの第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される第４の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第５の薄膜トランジスタと、
第１電極が前記第１の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２電極が前記信号出力端に接続されるコンデンサと、を有することを特徴とするシフトレジスタユニット回路。
【請求項２】
第２極が逆方向クロック信号入力端に接続される第６の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記コンデンサの第１電極に接続され、第２極が前記第６の薄膜トランジスタの第１極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第７の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記コンデンサの第１電極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第８の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第１極が前記第８の薄膜トランジスタの第２極と前記第６の薄膜トランジスタのゲート電極に接続される第９の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記第７の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２極が前記第１の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第１極が前記オフ電圧信号入力端に接続される第１０の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記第７の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第１１の薄膜トランジスタと、をさらに有する請求項１に記載のシフトレジスタユニット回路。
【請求項３】
第１極がソース電極であり、第２極がドレイン電極であり、前記コンデンサの第１電極がアノード電極であり、第２電極がカソード電極である請求項１または２に記載のシフトレジスタユニット回路。
【請求項４】
シフトレジスタであって、
少なくとも三つの請求項１ないし３のいずれかのシフトレジスタユニット回路を有し、
最初の行にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極は作業電圧入力端に接続され、
中間にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極はオフ電圧信号入力端に接続され、
最後の行にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極はグラウンド電圧入力端に接続されること
を特徴とするシフトレジスタ。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタシフトレジスタが正方向走査を行うとき、作業電圧入力端は電源のアノード電極に接続され、グラウンド電圧入力端は電源のカソード電極に接続され、前記薄膜トランジスタシフトレジスタが逆方向走査を行うとき、作業電圧入力端は電源のカソード電極に接続され、グラウンド電圧入力端は電源のアノード電極に接続される請求項４に記載のシフトレジスタ。
【請求項６】
アレイ基板であって、請求項４または５に記載のシフトレジスタを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項７】
表示装置であって、請求項４または５に記載のシフトレジスタを有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示技術に関し、特にシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在のモバイル製品液晶パネルのデザインにおいて、両方向走査を実現できるシフトレジスタ回路がゲート駆動回路として広く応用されるようになり、両方向走査のシフトレジスタ回路をアレイ基板上に集積することにより、パネルに対するスキャン駆動を形成し、コストを節約できるだけでなく、パネルを両辺対称の美観のあるデザインにすることができ、論理回路の制御チップの粘着エリア及びセクタレイアウト区間を省略でき、細枠デザインを実現すると共に、ゲート方向の粘着プロセスも省略することができるため、生産能力と良品率の向上に有利である。
【０００３】
両方向走査のシフトレジスタ回路は、一つの最初の行のシフトレジスタユニット回路と、一つの最後の行のシフトレジスタユニット回路と、少なくとも一つの中間のシフトレジスタユニット回路とを有する。図１ａに示すように、実現可能な最初の行のシフトレジスタユニット回路図であり、１０つの薄膜トランジスタと１つのコンデンサからなり、フレーム開始信号（ＳＴＶ）の入力端は信号入力端（ＩＮＰＵＴ）に対応する最後の行のシフトレジスタユニット回路図であり、１０つの薄膜トランジスタと１つのコンデンサからなり、フレーム開始信号の入力端は信号リセット端（ＲＥＳＥＴ）に接続される。図１ｃは図１ａに示した最初の行のシフトレジスタユニット回路図と図１ｂに示した最後の行のシフトレジスタユニット回路図に対応する中間のシフトレジスタユニット回路図であり、１０つの薄膜トランジスタと１つのコンデンサからなる。
【０００４】
正方向走査を実現する場合、図１ｄに示すように、前の一行のシフトレジスタユニットの出力信号を後ろの一行のシフトレジスタユニットの入力信号とし、後ろの一行のシフトレジスタユニットの出力信号を前の一行のシフトレジスタユニットのリセット信号としてリセットの機能を果たす。これに対して、逆方向走査の場合は図１ｅに示すように、後ろの一行の出力信号を前の一行のシフトレジスタユニットの入力信号とし、前の一行のシフトレジスタユニットの出力信号を後ろの一行のシフトレジスタユニットのリセット信号としてリセットの機能を果たす。正方向走査のシーケンス波形図は図１ｆに示すように、正方向走査において、フレーム開始信号が高レベルのとき、正方向クロック信号（ＣＬＫ）が低レベルから高レベルに変わり、出力端が正方向クロック信号のパルスを出力する。逆方向走査のシーケンス波形図は図１ｇに示すように、逆方向走査において、フレーム開始信号が高レベルのとき、逆方向クロック信号（ＣＬＫＢ）が低レベルから高レベルに変わり、出力端が逆方向クロック信号のパルスを出力する。
【０００５】
しかしながら、正方向クロック信号又は逆方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、フレーム開始信号も高レベルである場合、図１ａ、１ｂ、１ｃにおけるＰＵ（ｐｕｌｌ  ｕｐ  ｎｏｄｅ、プルアップノード）ノードのレベルが容易にプルアップされる。図１ｈに示すように、薄膜トランジスタＭ０１のサイズが比較的大きいため、比較的大きな寄生容量Ｃ０２が存在し、正方向クロック信号が高レベルになる前は、ＰＵノードは常に低レベルを維持し、図１ｉに示すように、フレーム開始信号が高レベルのとき、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わり、ＰＵノードは薄膜トランジスタＭ０１の寄生容量によって高レベルに変わり、ＰＵノードにおける波形に小さな突起を発生させ、出力信号はコンデンサＣ０１の存在により結合して小さな突起を発生させ、表示パネルの横線（Ｈ―ｌｉｎｅ）不良を発生させる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施例は、薄膜トランジスタの横線不良を解決するシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
シフトレジスタユニット回路であって、
ゲート電極がフレーム開始信号の入力端に接続され、第１極がオフ電圧信号（ＶＧＬ）入力端と作業電圧（ＶＤＤ）入力端とグラウンド電圧（ＶＳＳ）入力端とのいずれかに接続される第１の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が前記第１の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号の入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される第２の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が第１の薄膜トランジスタの第２極に接続される第３の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が第３の薄膜トランジスタの第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される第４の薄膜トランジスタと、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第５の薄膜トランジスタと、
第１電極が第１の薄膜トランジスタの第２極に接続され、第２電極が信号出力端（ＯＵＴＰＵＴ）に接続されるコンデンサと、を有するシフトレジスタユニット回路。
【０００８】
上記のシフトレジスタユニット回路において、第１極がソース電極であり、第２極がドレイン電極であり、前記コンデンサの第１電極が正極であり、第２電極が負極であることが好ましい。
【０００９】
シフトレジスタであって、少なくとも三つの本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路を有し、最初の行にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極は作業電圧入力端に接続され、中間にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極はオフ電圧信号入力端に接続され、最後の行にあるシフトレジスタユニット回路において、前記第１の薄膜トランジスタの第１極はグラウンド電圧入力端に接続されるシフトレジスタ。
【００１０】
アレイ基板であって、本発明の実施例が提供するシフトレジスタを有するアレイ基板。
【００１１】
表示装置であって、本発明の実施例が提供するシフトレジスタを有する表示装置。
【００１２】
本発明の実施例はシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置を提供し、液晶表示技術に関するものであり、シフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタを付加し、第１の薄膜トランジスタは、フレーム開始信号が高レベルであり、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、ＰＵノードにおけるレベルをプルダウンすることにより結合回路の結合作用による出力信号の横線不良の発生を回避する。本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置は、両方向走査を実現するとき、高レベルのときに発生する不良の出力信号を回避し、モバイル製品の生産能力及び良品率の向上に有利である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１ａ】従来技術における最初の行のシフトレジスタユニット回路図。
【図１ｂ】従来技術における最後の行のシフトレジスタユニット回路図。
【図１ｃ】従来技術における中間のシフトレジスタユニット回路図。
【図１ｄ】従来技術における正方向走査論理回路図。
【図１ｅ】従来技術における逆方向走査論理回路図。
【図１ｆ】従来技術における正方向走査シーケンス図。
【図１ｇ】従来技術における逆方向走査シーケンス図。
【図１ｈ】従来技術における寄生容量が存在する結合回路図。
【図１ｉ】従来技術におけるシフトレジスタのＰＵノードにおける波形図。
【図２ａ】本発明の実施例が提供する好ましいシフトレジスタユニット回路図。
【図２ｂ】本発明の実施例が提供するシフトレジスタにおけるＰＵノードにおける波形図。
【図２ｃ】本発明の実施例が提供する好ましい中間のシフトレジスタユニット回路図。
【図２ｄ】本発明の実施例が提供する好ましい最初の行のシフトレジスタユニット回路図。
【図２ｅ】本発明の実施例が提供する好ましい最後の行のシフトレジスタユニット回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の実施例は液晶表示技術に関するものであり、シフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置を提供し、シフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタを付加し、第１の薄膜トランジスタは、フレーム開始信号が高レベルであり、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、ＰＵノードにおけるレベルをプルダウンすることにより結合回路の結合作用による出力信号の横線不良の発生を回避する。本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置は、両方向走査を実現する場合、高レベルのときの不良の出力信号の発生を回避し、モバイル製品の生産能力及び良品率の向上に有利である。
【００１５】
図２ａに示すように、本発明の実施例は、シフトレジスタユニット回路であって、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端、作業電圧入力端又はグラウンド電圧入力端に接続される第１の薄膜トランジスタＭ１と（図２ａにおいて第１極がオフ電圧信号入力端に接続される場合を例にとる。）、
ゲート電極が第１の薄膜トランジスタＭ１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される第２の薄膜トランジスタＭ２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が第１の薄膜トランジスタＭ１の第２極に接続される第３の薄膜トランジスタＭ３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が第３の薄膜トランジスタＭ３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される第４の薄膜トランジスタＭ４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第５の薄膜トランジスタＭ５と、
第１電極が第１の薄膜トランジスタＭ１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続されるコンデンサＣ１と、を有するシフトレジスタユニット回路を提供する。
【００１６】
第１の薄膜トランジスタＭ１の機能は、フレーム開始信号が高レベルであり、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、ＰＵノードにおけるレベルをプルダウンし、こうして結合回路の結合作用により出力信号に横線不良が生じることがなくなる。本発明の実施例において、ＰＵノードにおける波形は図２ｂに示すように、フレーム開始信号が高レベルであるとき、第１の薄膜トランジスタＭ１はＰＵノードにおけるレベルをプルダウンし、ＰＵノードにおけるレベルの突起及び出力信号の横線不良を抑制する。
【００１７】
図２ａに示すように、本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路は、さらに、
第２極が逆方向クロック信号入力端に接続される第６の薄膜トランジスタＭ６と、
ゲート電極がコンデンサＣ１の第１電極に接続され、第２極が第６の薄膜トランジスタＭ６の第１極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第７の薄膜トランジスタＭ７と、
ゲート電極がコンデンサＣ１の第１電極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第８の薄膜トランジスタＭ８と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第１極が第８の薄膜トランジスタＭ８の第２極と第６の薄膜トランジスタＭ６のゲート電極に接続される第９の薄膜トランジスタＭ９と、
ゲート電極が第７の薄膜トランジスタＭ７の第２極に接続され、第２極が第１の薄膜トランジスタＭ１の第２極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第１０の薄膜トランジスタＭ１０と、
ゲート電極が第７の薄膜トランジスタＭ７の第２極に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される第１１の薄膜トランジスタＭ１１と、を有することが好ましい。
【００１８】
本発明の実施例が提供する薄膜トランジスタシフトレジスタは、少なくとも３つの本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路を有し、最初の行にあるシフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタＭ１の第１極は作業電圧入力端に接続され、中間にあるシフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタＭ１の第１極はオフ電圧信号入力端に接続され、最後の行にあるシフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタＭ１の第１極はグラウンド電圧入力端に接続される。
【００１９】
図２ｃに示すように、中間のシフトレジスタユニット回路は、具体的に、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端、作業電圧入力端又はグラウンド電圧入力端に接続される中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１と、
ゲート電極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される中間の第２の薄膜トランジスタＭ１０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続される中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される中間の第４の薄膜トランジスタＭ１０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第５の薄膜トランジスタＭ１０５と、
第１電極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される中間のコンデンサＣ１０１と、を有することが好ましい。
【００２０】
図２ｄに示すように、最初の行のシフトレジスタユニット回路は、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極が作業電圧入力端に接続される最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１と、
ゲート電極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される最初の行の第２の薄膜トランジスタＭ２０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続される最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最初の行の第４の薄膜トランジスタＭ２０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第５の薄膜トランジスタＭ２０５と、
第１電極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される最初の行のコンデンサＣ２０１とを有する。
【００２１】
図２ｅに示すように、最後の行のシフトレジスタユニット回路は、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１と、
ゲート電極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される最後の行の第２の薄膜トランジスタＭ３０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続される最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最後の行の第４の薄膜トランジスタＭ３０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第５の薄膜トランジスタＭ３０５と、
第１電極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される最後の行のコンデンサＣ３０１と、を有する。
【００２２】
本発明の実施例が提供する最初の行のシフトレジスタユニット回路及び最後の行のシフトレジスタユニット回路において、最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第１極は作業電圧入力端に接続され、最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第１極はグラウンド電圧入力端に接続されるため、全体の薄膜トランジスタシフトレジスタが正常に作業することを保証できる。
【００２３】
最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行のシフトレジスタユニット回路にはＰＵノードの突起が発生しないため、
最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１を付加しない最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１を付加しない最後の行のシフトレジスタユニット回路、
最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１を付加した最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１を付加しない最後の行のシフトレジスタユニット回路、
最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１を付加しない最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１を付加した最後の行のシフトレジスタユニット回路、または、
最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１を付加した最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１を付加した最後の行のシフトレジスタユニット回路、を使用することができる。
【００２４】
当然ながら、当業者は他の実施可能な形態で最初の行のシフトレジスタユニット回路と最後の行のシフトレジスタユニット回路を設置することができる。
【００２５】
図２ｃに示すように、本発明の実施例は好ましい中間のシフトレジスタユニット回路であって、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１と、
ゲート電極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される中間の第２の薄膜トランジスタＭ１０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続される中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される中間の第４の薄膜トランジスタＭ１０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第５の薄膜トランジスタＭ１０５と、
第１電極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される中間のコンデンサＣ１０１と、を有する中間のシフトレジスタユニット回路を提供する。
【００２６】
中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３、中間の第４の薄膜トランジスタＭ１０４、及び中間の第５の薄膜トランジスタＭ１０５は中間の第２の薄膜トランジスタＭ１０２及び中間のコンデンサＣ１０１と共に基本的なシフトレジスト機能を実現し、具体的には、入力信号が高レベルのとき、中間の第３の薄膜トランジスタＭ１０３がオンになりＰＵノードに充電し、正方向のクロック信号が高レベルのとき、中間の第２の薄膜トランジスタＭ１０２はオンになり、信号出力端は正方向クロック信号のパルスを出力し、同時に中間のコンデンサＣ１０１のブートストラップファンクションによりＰＵノードにおけるレベルが更にプルアップされ、その後、リセット信号は中間の第４の薄膜トランジスタＭ１０４と中間の第５の薄膜トランジスタＭ１０５をオンにし、ＰＵノードと信号出力端に対して放電して基本的なシフトレジスト機能を実現する。当然ながら、当業者は他の実施可能な形態で基本的なシフトレジスト機能を実現することができる。
【００２７】
中間のシフトレジスタユニット回路は、さらに、
第２極が逆方向クロック信号入力端に接続される中間の第６の薄膜トランジスタＭ１０６と、
ゲート電極が中間のコンデンサＣ１０１の第１電極に接続され、第２極が中間の第６の薄膜トランジスタＭ１０６の第１極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第７の薄膜トランジスタＭ１０７と、
ゲート電極が中間のコンデンサＣ１０１の第１電極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第８の薄膜トランジスタＭ１０８と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が逆方向クロック信号に接続され、第１極が中間の第８の薄膜トランジスタＭ１０８の第２極と中間の第６の薄膜トランジスタＭ１０６のゲート電極に接続される中間の第９の薄膜トランジスタＭ１０９と、
ゲート電極が中間の第７の薄膜トランジスタＭ１０７の第２極に接続され、第２極が中間の第１の薄膜トランジスタＭ１０１の第２極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第１０の薄膜トランジスタＭ１１０と、
ゲート電極が中間の第７の薄膜トランジスタＭ１０７の第２極に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される中間の第１１の薄膜トランジスタＭ１１１と、を有することが好ましい。
【００２８】
図２ｄに示すように、本発明の実施例の好ましい最初の行のシフトレジスタユニット回路は、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極が作業電圧入力端に接続される最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１と、
ゲート電極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される最初の行の第２の薄膜トランジスタＭ２０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続される最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最初の行の第４の薄膜トランジスタＭ２０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第５の薄膜トランジスタＭ２０５と、
第１電極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される最初の行のコンデンサＣ２０１とを有する。
【００２９】
最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３、最初の行の第４の薄膜トランジスタＭ２０４及び最初の行の第５の薄膜トランジスタＭ２０５は最初の行の第２の薄膜トランジスタＭ２０２及び最初の行のコンデンサＣ２０１と共に基本的なシフトレジスト機能を実現し、具体的には、入力信号が高レベルのとき、最初の行の第３の薄膜トランジスタＭ２０３がオンになりＰＵノードに充電し、正方向のクロック信号が高レベルのとき、最初の行の第２の薄膜トランジスタＭ２０２はオンになり、信号出力端は正方向クロック信号のパルスを出力し、同時に最初の行のコンデンサＣ２０１のブートストラップファンクションによりＰＵノードにおけるレベルが更にプルアップされ、その後、リセット信号は最初の行の第４の薄膜トランジスタＭ２０４と最初の行の第５の薄膜トランジスタＭ２０５をオンにし、ＰＵノードと信号出力端に対して放電して基本的なシフトレジスト機能を実現する。当然ながら、当業者は他の実施可能な形態で基本的なシフトレジスト機能を実現することができる。
【００３０】
最初の行のシフトレジスタユニット回路は、さらに、
第２極が逆方向クロック信号入力端に接続される最初の行の第６の薄膜トランジスタＭ２０６と、
ゲート電極が最初の行のコンデンサＣ２０１の第１電極に接続され、第２極が最初の行の第６の薄膜トランジスタＭ２０６の第１極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第７の薄膜トランジスタＭ２０７と、
ゲート電極が最初の行のコンデンサＣ２０１の第１電極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第８の薄膜トランジスタＭ２０８と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第１極が最初の行の第８の薄膜トランジスタＭ２０８の第２極と最初の行の第６の薄膜トランジスタＭ２０６のゲート電極に接続される最初の行の第９の薄膜トランジスタＭ２０９と、
ゲート電極が最初の行の第７の薄膜トランジスタＭ２０７の第２極に接続され、第２極が最初の行の第１の薄膜トランジスタＭ２０１の第２極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第１０の薄膜トランジスタＭ２１０と、
ゲート電極が最初の行の第７の薄膜トランジスタＭ２０７の第２極に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最初の行の第１１の薄膜トランジスタＭ２１１と、を有することが好ましい。
【００３１】
図２ｅに示すように、本発明の実施例が提供する好ましい最後の行のシフトレジスタユニット回路は、
ゲート電極がフレーム開始信号入力端に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１と、
ゲート電極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続され、第２極が正方向クロック信号入力端に接続され、第１極が信号出力端に接続される最後の行の第２の薄膜トランジスタＭ３０２と、
ゲート電極が信号入力端に接続され、第２極が作業電圧入力端に接続され、第１極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続される最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３と、
ゲート電極が信号リセット端に接続され、第２極が最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３の第１極に接続され、第１極がグラウンド電圧入力端に接続される最後の行の第４の薄膜トランジスタＭ３０４と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第５の薄膜トランジスタＭ３０５と、
第１電極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続され、第２電極が信号出力端に接続される最後の行のコンデンサＣ３０１と、を有する。
【００３２】
最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３、最後の行の第４の薄膜トランジスタＭ３０４及び最後の行の第５の薄膜トランジスタＭ３０５は最後の行の第２の薄膜トランジスタＭ３０２及び最後の行のコンデンサＣ３０１と共に基本的なシフトレジスト機能を実現し、具体的には、入力信号が高レベルのとき、最後の行の第３の薄膜トランジスタＭ３０３はＰＵノードへの充電をオンにし、正方向のクロック信号が高レベルのとき、最後の行の第２の薄膜トランジスタＭ３０２はオンになり、信号出力端は正方向クロック信号のパルスを出力し、同時に最後の行のコンデンサＣ３０１のブートストラップファンクションによりＰＵノードにおけるレベルが更にプルアップされ、その後、リセット信号は最後の行の第４の薄膜トランジスタＭ３０４と最後の行の第５の薄膜トランジスタＭ３０５をオンにし、ＰＵノードと信号出力端に対して放電して基本的なシフトレジスト機能を実現する。当然ながら、当業者は他の実施可能な形態で基本的なシフトレジスト機能を実現することができる。
【００３３】
最後の行のシフトレジスタユニット回路は、さらに、
第２極が逆方向クロック信号入力端に接続される最後の行の第６の薄膜トランジスタＭ３０６と、
ゲート電極が最後の行のコンデンサＣ３０１の第１電極に接続され、第２極が最後の行の第６の薄膜トランジスタＭ３０６の第１極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第７の薄膜トランジスタＭ３０７と、
ゲート電極が最後の行のコンデンサＣ３０１の第１電極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第８の薄膜トランジスタＭ３０８と、
ゲート電極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第２極が逆方向クロック信号入力端に接続され、第１極が最後の行の第８の薄膜トランジスタＭ３０８の第２極と最後の行の第６の薄膜トランジスタＭ３０６のゲート電極に接続される最後の行の第９の薄膜トランジスタＭ３０９と、
ゲート電極が最後の行の第７の薄膜トランジスタＭ３０７の第２極に接続され、第２極が最後の行の第１の薄膜トランジスタＭ３０１の第２極に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第１０の薄膜トランジスタＭ３１０と、
ゲート電極が最後の行の第７の薄膜トランジスタＭ３０７の第２極に接続され、第２極が信号出力端に接続され、第１極がオフ電圧信号入力端に接続される最後の行の第１１の薄膜トランジスタＭ３１１と、を有することが好ましい。
【００３４】
本発明の実施例が提供する薄膜トランジスタシフトレジスタが正方向走査を行うとき、作業電圧入力端は電源の正極に接続され、グラウンド電圧入力端が電源の負極に接続され、逆方向走査を行うとき、作業電圧入力端は電源の負極に接続され、グラウンド電圧入力端は電源の正極に接続される。言い換えれば、本発明のシフトレジスタは、作業電圧とグラウンド電圧が接続される電源極性を切り替えることによって、両方向の駆動がなし得る。
【００３５】
本発明の実施例は、アレイ基板であって、本発明の実施例が提供する薄膜トランジスタシフトレジスタを有するアレイ基板を提供する。
【００３６】
本発明の実施例は、表示装置であって、本発明の実施例が提供する薄膜トランジスタシフトレジスタを有する表示装置を提供する。
【００３７】
本発明の実施例は液晶表示技術に関するものであり、シフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置を提供し、シフトレジスタユニット回路において、第１の薄膜トランジスタを付加し、第１の薄膜トランジスタは、フレーム開始信号が高レベルであり、正方向クロック信号が低レベルから高レベルに変わるとき、ＰＵノードにおけるレベルをプルダウンすることにより結合回路の結合作用による出力信号の横線不良の発生を回避する。本発明の実施例が提供するシフトレジスタユニット回路、シフトレジスタ、アレイ基板及び表示装置は、両方向走査を実現するとき、高レベルのときに発生する不良の出力信号を回避し、モバイル製品の生産能力及び良品率の向上に有利である。
【００３８】
当業者は本発明に対して種々変更と変型可能であり、本発明の趣旨と範囲を逸脱しないことは明らかである。したがって、本発明のこれら修正と変型が本発明登録請求の範囲及びその均等な技術的範囲内に含まれる場合は、本発明もこれらの変更と変型を含む意図があるものとする。
【符号の説明】
【００３９】
ＩＮＰＵＴ    信号入力端
ＲＥＳＥＴ    信号リセット端
ＶＳＳ        グラウンド電圧
ＶＤＤ        作業電圧
ＶＧＬ        オフ電圧信号
ＯＵＴＰＵＴ  信号出力端
ＳＴＶ        フレーム開始信号
ＣＬＫ        正方向クロック信号
ＣＬＫＢ      逆方向クロック信号
【図１ａ】
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【図１ｂ】
2014056636.tif 000004
【図１ｃ】
2014056636.tif 000005
【図１ｄ】
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【図１ｅ】
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【図１ｆ】
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【図１ｇ】
2014056636.tif 000009
【図１ｈ】
2014056636.tif 000010
【図１ｉ】
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【図２ａ】
2014056636.tif 000012
【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
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