(57)【要約】【課題】  第１軸線廻りに回転するマスクと第２軸線廻りに回転するドラムとの位置合わせを高精度に行う。【解決手段】  マスクの外周面においてパターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１基準マークが設けられ、ドラムの外周面には、複数の第１基準マークに対応するように複数の第２基準マークが円周方向に沿って設けられている。露光光によりマスクの外周面上に照明領域を形成する照明系と、照明領域内のパターンの像を感応基板上の結像領域に形成する投影光学系と、照明系により照明された第１基準マークからの光が投影光学系を介してドラムの外周面で反射された後に投影光学系を介して形成する第１基準マークの像と、照明系により投影光学系を介して照明された第２基準マークからの光が投影光学系を介して形成する第２基準マークの像とを共に検出する第１検出系とを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１軸線廻りに回転する円柱状または円筒状のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、第２軸線廻りに回転するドラムの一部に巻き付けられて一方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する露光装置であって、
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１基準マークが設けられ、
前記ドラムの外周面には、前記複数の第１基準マークに対応するように複数の第２基準マークが円周方向に沿って設けられ、
露光光により前記マスクの外周面上に照明領域を形成する照明系と、
前記照明領域内のパターンの像を前記感応基板上の結像領域に形成する投影光学系と、
前記照明系により照明された前記第１基準マークからの光が前記投影光学系を介して前記ドラムの外周面で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１基準マークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２基準マークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２基準マークの像とを共に検出する第１検出系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記第１検出系で検出された前記第１基準マークの像と前記第２基準マークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記ドラムに対する前記マスクの前記第１軸線方向に沿った相対位置、前記ドラムに対する前記マスクの前記第１軸線廻りの相対位置、前記照明領域の中心を通って前記第１軸線に垂直な第３軸線廻りの前記ドラムに対する前記マスクの相対位置を調整する第１調整系を備えていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１調整系は、前記マスクの前記第１軸線方向の移動、前記マスクの前記第１軸線廻りの回転、および前記マスクの前記第３軸線廻りの回転を駆動する駆動系と、前記第１検出系の検出結果に基づいて前記駆動系を制御する第１制御系とを有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１アライメントマークが設けられ、
前記感応基板上の前記露光領域の外側には、前記複数の第１アライメントマークに対応するように複数の第２アライメントマークが前記感応基板の長尺方向に沿って形成されており、
前記照明系により照明された前記第１アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して前記感応基板で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１アライメントマークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２アライメントマークの像とを共に検出する第２検出系を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２検出系で検出された前記第１アライメントマークの像と前記第２アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記露光領域に対する前記パターン領域の前記第１軸線に沿った相対位置、前記露光領域に対する前記パターン領域の前記第１軸線廻りの相対位置、前記照明領域の中心を通って前記第１軸線に垂直な第３軸線廻りの前記露光領域に対する前記パターン領域の相対位置を調整する第２調整系を備えていることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２調整系は、前記マスクの前記第１軸線方向の移動、前記マスクの前記第１軸線廻りの回転、および前記マスクの前記第３軸線廻りの回転を駆動する駆動系と、前記第２検出系の検出結果に基づいて前記駆動系を制御する第２制御系とを有することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記第２検出系で検出された前記第１アライメントマークの像と前記第２アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第３調整系を備えていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第３調整系は、前記第２検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第３制御系を有することを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系は、前記第２軸線方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第３制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記複数の第１アライメントマークは、前記パターン領域と前記複数の第１基準マークとの間の領域に設けられていることを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記感応基板は光透過性を有し、前記複数の第１アライメントマークと前記複数の第１基準マークとは共通のマークを有することを特徴とする請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記第２検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項６乃至１３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記第２検出系は、非露光光により前記投影光学系を介して前記第２アライメントマークを照明し、前記第２アライメントマークからの非露光光が前記投影光学系を介して形成する前記第２アライメントマークの像を検出することを特徴とする請求項６乃至１４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記第２検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項６乃至１５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記マスクの外周面において前記パターン領域の外側には、前記第１軸線方向に沿って複数の第３アライメントマークが設けられ、
前記感応基板上において隣り合う一対の露光領域の間には、前記複数の第３アライメントマークに対応するように複数の第４アライメントマークが前記感応基板の幅方向に沿って形成されており、
前記照明系により照明された前記第３アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して前記感応基板で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第３アライメントマークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第４アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第４アライメントマークの像とを共に検出する第３検出系を備えていることを特徴とする請求項６乃至１６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１８】
前記第３検出系で検出された前記第３アライメントマークの像と前記第４アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第４調整系を備えていることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記第４調整系は、前記第３検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第４制御系を有することを特徴とする請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記投影光学系は、前記第２軸線方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第４制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項１９に記載の露光装置。
【請求項２１】
前記第３検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記第３検出系は、非露光光により前記投影光学系を介して前記第４アライメントマークを照明し、前記第４アライメントマークからの非露光光が前記投影光学系を介して形成する前記第４アライメントマークの像を検出することを特徴とする請求項１７乃至２１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第３検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項１７乃至２２のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２４】
前記複数の第４アライメントマークは、前記感応基板の幅方向に沿って形成された第１群のアライメントマークと、該第１群のアライメントマークと並列的に形成された第２群のアライメントマークとを有し、
前記感応基板の移動方向に沿って前記結像領域よりも手前に配置されて、非露光光により前記第１群および前記第２群のアライメントマークを照明し、照明された前記第１群および前記第２群のアライメントマークからの光により形成された前記第１群および前記第２群のアライメントマークの像を検出する第４検出系を備えていることを特徴とする請求項６乃至２３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２５】
前記第４検出系で検出された前記複数の第４アライメントマークの像の位置情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第５調整系を備えていることを特徴とする請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記第５調整系は、前記第４検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第５制御系を有することを特徴とする請求項２５に記載の露光装置。
【請求項２７】
前記投影光学系は、前記第２軸線方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第５制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
前記第４検出系は、前記第１群のアライメントマークに対応するように配列された第１群の光学顕微鏡と、前記第２群のアライメントマークに対応するように配列された第２群の光学顕微鏡とを有することを特徴とする請求項２４乃至２７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項２９】
第１軸線廻りに回転する円柱状または円筒状のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、支持部材の円筒面状または平面状の支持面によって支持された状態で長尺方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する露光装置であって、
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１アライメントマークが設けられ、
前記感応基板上の前記露光領域の外側には、前記複数の第１アライメントマークに対応するように複数の第２アライメントマークが前記感応基板の長尺方向に沿って形成されており、
露光光により前記マスクの外周面上に照明領域を形成する照明系と、
前記照明領域内のパターンの像を前記感応基板上の結像領域に形成する投影光学系と、
前記照明系により照明された前記第１アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して前記感応基板で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１アライメントマークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２アライメントマークの像とを共に検出する第２検出系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項３０】
前記第２検出系で検出された前記第１アライメントマークの像と前記第２アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記露光領域に対する前記パターン領域の前記第１軸線に沿った相対位置、前記露光領域に対する前記パターン領域の前記第１軸線廻りの相対位置、前記照明領域の中心を通って前記第１軸線に垂直な第３軸線廻りの前記露光領域に対する前記パターン領域の相対位置を調整する第２調整系を備えていることを特徴とする請求項２９に記載の露光装置。
【請求項３１】
前記第２調整系は、前記マスクの前記第１軸線方向の移動、前記マスクの前記第１軸線廻りの回転、および前記マスクの前記第３軸線廻りの回転を駆動する駆動系と、前記第２検出系の検出結果に基づいて前記駆動系を制御する第２制御系とを有することを特徴とする請求項３０に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記第２検出系で検出された前記第１アライメントマークの像と前記第２アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第３調整系を備えていることを特徴とする請求項２９乃至３１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３３】
前記第３調整系は、前記第２検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第３制御系を有することを特徴とする請求項３２に記載の露光装置。
【請求項３４】
前記投影光学系は、前記感応基板の幅方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第３制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項３３に記載の露光装置。
【請求項３５】
前記複数の第１アライメントマークは、前記パターン領域と、前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側に円周方向に沿って設けられた複数の第１基準マークとの間の領域に設けられていることを特徴とする請求項２９乃至３４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３６】
前記感応基板は光透過性を有し、前記複数の第１アライメントマークと、前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側に円周方向に沿って設けられた複数の第１基準マークとは共通のマークを有することを特徴とする請求項２９乃至３４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３７】
前記第２検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項２９乃至３６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３８】
前記第２検出系は、非露光光により前記投影光学系を介して前記第２アライメントマークを照明し、前記第２アライメントマークからの非露光光が前記投影光学系を介して形成する前記第２アライメントマークの像を検出することを特徴とする請求項２９乃至３７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項３９】
前記第２検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項２９乃至３８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４０】
前記マスクの外周面において前記パターン領域の外側には、前記第１軸線方向に沿って複数の第３アライメントマークが設けられ、
前記感応基板上において隣り合う一対の露光領域の間には、前記複数の第３アライメントマークに対応するように複数の第４アライメントマークが前記感応基板の幅方向に沿って形成されており、
前記照明系により照明された前記第３アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して前記感応基板で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第３アライメントマークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第４アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第４アライメントマークの像とを共に検出する第３検出系を備えていることを特徴とする請求項２９乃至３９のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４１】
前記第３検出系で検出された前記第３アライメントマークの像と前記第４アライメントマークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第４調整系を備えていることを特徴とする請求項４０に記載の露光装置。
【請求項４２】
前記第４調整系は、前記第３検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第４制御系を有することを特徴とする請求項４１に記載の露光装置。
【請求項４３】
前記投影光学系は、前記感応基板の幅方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第４制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項４２に記載の露光装置。
【請求項４４】
前記第３検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項４０乃至４３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４５】
前記第３検出系は、非露光光により前記投影光学系を介して前記第４アライメントマークを照明し、前記第４アライメントマークからの非露光光が前記投影光学系を介して形成する前記第４アライメントマークの像を検出することを特徴とする請求項４０乃至４４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４６】
前記第３検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項４０乃至４５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４７】
前記複数の第４アライメントマークは、前記感応基板の幅方向に沿って形成された第１群のアライメントマークと、該第１群のアライメントマークと並列的に形成された第２群のアライメントマークとを有し、
前記感応基板の移動方向に沿って前記結像領域よりも手前に配置されて、非露光光により前記第１群および前記第２群のアライメントマークを照明し、照明された前記第１群および前記第２群のアライメントマークからの光により形成された前記第１群および前記第２群のアライメントマークの像を検出する第４検出系を備えていることを特徴とする請求項２９乃至４６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項４８】
前記第４検出系で検出された前記複数の第４アライメントマークの像の位置情報に基づいて、前記投影光学系を介して前記露光領域に重ねて形成されるパターン像を調整する第５調整系を備えていることを特徴とする請求項４７に記載の露光装置。
【請求項４９】
前記第５調整系は、前記第４検出系の検出結果に基づいて前記投影光学系の光学調整を行う第５制御系を有することを特徴とする請求項４８に記載の露光装置。
【請求項５０】
前記投影光学系は、前記感応基板の幅方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットを有し、
前記第５制御系は、前記複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことを特徴とする請求項４９に記載の露光装置。
【請求項５１】
前記第４検出系は、前記第１群のアライメントマークに対応するように配列された第１群の光学顕微鏡と、前記第２群のアライメントマークに対応するように配列された第２群の光学顕微鏡とを有することを特徴とする請求項４７乃至５０のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５２】
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１基準マークが設けられ、
前記支持部材は、第２軸線廻りに回転する円筒状または円柱状の回転ドラムであり、該ドラムの外周面には、前記複数の第１基準マークに対応するように複数の第２基準マークが円周方向に沿って設けられ、
前記照明系により照明された前記第１基準マークからの光が前記投影光学系を介して前記ドラムの外周面で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１基準マークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２基準マークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２基準マークの像とを共に検出する第１検出系を備えていることを特徴とする請求項２９乃至５１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５３】
前記第１検出系で検出された前記第１基準マークの像と前記第２基準マークの像との相対位置に関する情報に基づいて、前記ドラムに対する前記マスクの前記第１軸線方向に沿った相対位置、前記ドラムに対する前記マスクの前記第１軸線廻りの相対位置、前記照明領域の中心を通って前記第１軸線に垂直な第３軸線廻りの前記ドラムに対する前記マスクの相対位置を調整する第１調整系を備えていることを特徴とする請求項５２に記載の露光装置。
【請求項５４】
前記第１調整系は、前記マスクの前記第１軸線方向の移動、前記マスクの前記第１軸線廻りの回転、および前記マスクの前記第３軸線廻りの回転を駆動する駆動系と、前記第１検出系の検出結果に基づいて前記駆動系を制御する第１制御系とを有することを特徴とする請求項５３に記載の露光装置。
【請求項５５】
前記第１検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光を遮る遮蔽部材を有することを特徴とする請求項５２乃至５４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５６】
前記第１検出系は、前記照明系から前記投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターするセンサを有することを特徴とする請求項５２乃至５５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５７】
請求項１乃至５６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて、所定のパターンを基板に露光することと、
前記所定のパターンが転写された前記基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、およびデバイス製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、例えば一方向に移動する可撓性の感応基板にパターンを走査露光する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フレキシブルな高分子シート上に透明薄膜電極をフォトリソグラフィの手法でパターニングすることにより、有機ＥＬ素子、液晶表示素子などの表示素子（電子デバイス）を製造する手法が考案されている。このフォトリソグラフィ工程において用いられる露光装置として、ロール・ツー・ロール（Roll to Roll）で搬送される帯状の可撓性の感応基板（感光性のシート基板）にマスクのパターンを転写する露光装置（以下、ロール・ツー・ロール型の露光装置という）が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
特許文献１に記載された露光装置では、軸線廻りに回転する円筒状のマスクの外周面に設けられたパターンを、円筒面に沿ってその円周方向へ搬送される感応基板上の露光領域に露光している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２２１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ロール・ツー・ロール型の露光装置として、例えば第１軸線廻りに回転する円柱状（または円筒状）のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、第２軸線廻りに回転するドラムの一部に巻き付けられて一方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する構成が考えられる。この場合、感応基板上の露光領域においてパターンを高精度に重ね合わせるために、第１軸線廻りに回転するマスクと第２軸線廻りに回転するドラムとの位置合わせを高精度に行うことが求められる。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、第１軸線廻りに回転するマスクと第２軸線廻りに回転するドラムとの位置合わせを高精度に行うことのできる露光装置、およびデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、第１形態では、第１軸線廻りに回転する円柱状または円筒状のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、第２軸線廻りに回転するドラムの一部に巻き付けられて一方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する露光装置であって、
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１基準マークが設けられ、
前記ドラムの外周面には、前記複数の第１基準マークに対応するように複数の第２基準マークが円周方向に沿って設けられ、
露光光により前記マスクの外周面上に照明領域を形成する照明系と、
前記照明領域内のパターンの像を前記感応基板上の結像領域に形成する投影光学系と、
前記照明系により照明された前記第１基準マークからの光が前記投影光学系を介して前記ドラムの外周面で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１基準マークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２基準マークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２基準マークの像とを共に検出する第１検出系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
【０００８】
第２形態では、第１軸線廻りに回転する円柱状または円筒状のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、支持部材の円筒面状または平面状の支持面によって支持された状態で長尺方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する露光装置であって、
前記マスクの外周面において前記パターン領域の両側には、円周方向に沿って複数の第１アライメントマークが設けられ、
前記感応基板上の前記露光領域の外側には、前記複数の第１アライメントマークに対応するように複数の第２アライメントマークが前記感応基板の長尺方向に沿って形成されており、
露光光により前記マスクの外周面上に照明領域を形成する照明系と、
前記照明領域内のパターンの像を前記感応基板上の結像領域に形成する投影光学系と、
前記照明系により照明された前記第１アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して前記感応基板で反射された後に前記投影光学系を介して形成する前記第１アライメントマークの像と、前記照明系により前記投影光学系を介して照明された前記第２アライメントマークからの光が前記投影光学系を介して形成する前記第２アライメントマークの像とを共に検出する第２検出系とを備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
【０００９】
第３形態では、第１形態または第２形態の露光装置を用いて、所定のパターンを基板に露光することと、
前記所定のパターンが転写された前記基板を現像し、前記所定のパターンに対応する形状のマスク層を前記基板の表面に形成することと、
前記マスク層を介して前記基板の表面を加工することと、を含むことを特徴とするデバイス製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の一形態によれば、第１軸線廻りに回転するマスクと第２軸線廻りに回転するドラムとの位置合わせを高精度に行うことができ、ひいてはドラムの一部に巻き付けられて一方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域においてパターンを高精度に重ね合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】マスクの外周面を平面状に展開して示す図である。
【図３】ドラムの外周面およびシート基板を平面状に展開して示す図である。
【図４】投影光学系を介してマークの像を検出する複数の検出系の配置を示す図である。
【図５】図４の各検出系の内部構成を概略的に示す図である。
【図６】マスク基準マークのドラム基準マーク像とが検出系の検出視野内に形成される様子を示す図である。
【図７】並列配置された複数の投影光学ユニットを備える構成を概略的に示す図である。
【図８】シートアライメントマークの反射像を十分なコントラストで検出するための構成例を説明する図である。
【図９】非露光光を用いてシートアライメントマークの反射像を検出する検出系の変形例を概略的に示す図である。
【図１０】照明系から投影光学系を経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターする検出系の変形例を概略的に示す図である。
【図１１】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【図１２】液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。図１では、その紙面における鉛直方向すなわち投影光学系ＰＬの入射側（マスクＭ側）の光軸ＡＸ１および射出側（ドラムＲＬ側）の光軸ＡＸ２の方向にＺ軸を、図１の紙面における水平方向にＸ軸を、図１の紙面に垂直な方向にＹ軸を設定している。
【００１３】
本実施形態の露光装置は、Ｙ方向に沿った軸線Ｍａを中心として、図１中のＸＺ面内で、反時計廻りに回転する円柱状（または円筒状）の反射型マスクＭと、光源ＬＳからの光によりマスクＭの外周面上に照明領域を形成する照明系ＩＬと、マスクＭのパターンの像を帯状の可撓性の感応基板であるシート基板ＳＨ上に形成する投影光学系ＰＬと、シート基板ＳＨを保持した状態でＹ方向に沿った軸線ＲＬａを中心として図１中時計廻りに回転する円柱状（または円筒状）のドラム（ローラー）ＲＬと、中心軸線Ｍａ廻りにマスクＭを回転駆動する第１駆動系ＤＲ１と、中心軸線ＲＬａ廻りにドラムＲＬを回転駆動する第２駆動系ＤＲ２と、駆動系ＤＲ１，ＤＲ２等の動作を統括的に制御する制御系ＣＲとを備えている。
【００１４】
シート基板ＳＨは、フォトレジスト（感光材料）が塗布されたフレキシブルな（可撓性を有する）帯状の高分子シートである。シート基板ＳＨは、ドラムＲＬの外周面である円筒面に当接した状態で且つ円筒面に沿って滑動しないように保持されている。その結果、シート基板ＳＨは、ドラムＲＬの軸線ＲＬａ廻りの回転に伴って円筒面の円周方向に移動する。換言すれば、シート基板ＳＨは、軸線ＲＬａ廻りに回転するドラムＲＬの一部に巻き付けられて一方向に移動する。
【００１５】
照明系ＩＬには、光源ＬＳから露光用の照明光（露光光）が供給される。露光光として、例えば、超高圧水銀ランプの射出光から選択されたｉ線（波長３６５ｎｍ）の光、ＹＡＧレーザの３倍高調波（波長３５５ｎｍ）よりなるパルス光、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などを用いることができる。照明系ＩＬは、複数のレンズ、ｓ偏光生成用の偏光子などを有し、光源ＬＳより供給された光から生成したｓ偏光の照明光をＸ方向に沿って射出する。
【００１６】
照明系ＩＬからＸ方向に沿って射出されたｓ偏光の照明光は、投影光学系ＰＬの入射側の光軸ＡＸ１上に配置された偏光ビームスプリッターＰＢＳでＺ方向へ反射され、１／４波長板ＷＣを経てｓ偏光から円偏光になり、マスクＭの外周面上においてＹ方向に延びる帯状の照明領域ＩＲを形成する。すなわち、照明領域ＩＲは、マスクＭの外周面である円筒面に沿った面形状を有する。円柱状（または円筒状）の形態を有するマスクＭの外周面には、シート基板ＳＨに転写すべきパターン、すなわち有機ＥＬ素子、液晶表示素子などの電子デバイス用のパターンが設けられている。マスクＭの外周面に設けられる転写パターンは、例えば多層膜により形成されて高反射部と低反射部とからなるパターンである。
【００１７】
図２は、マスクＭの外周面をＸＹ平面に沿った平面状に展開して示す図である。図２に示すように、Ｚ方向から見た照明領域ＩＲは、Ｙ方向に沿って長辺を有しＸ方向に沿って短辺を有する矩形状の外形を有する。マスクＭの外周面において、パターンが設けられたパターン領域ＰＡの両側には、円周方向（図２中水平方向）に沿って複数のマスク基準マーク１１および１２が設けられている。図２では、単純な例として、パターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側に５つのマスク基準マーク１１が間隔を隔てて設けられ、パターン領域ＰＡの−Ｙ方向側に５つのマスク基準マーク１２が間隔を隔てて設けられている。
【００１８】
また、マスクＭの外周面において、パターン領域ＰＡと一群のマスク基準マーク１１との間には円周方向に沿って複数のマスクアライメントマーク１３が設けられ、パターン領域ＰＡと一群のマスク基準マーク１２との間には円周方向に沿って複数のマスクアライメントマーク１４が設けられている。図２では、単純な例として、パターン領域ＰＡの＋Ｙ方向側に５つのマスクアライメントマーク１３が間隔を隔てて設けられ、パターン領域ＰＡの−Ｙ方向側にマスクアライメントマーク１４が間隔を隔てて設けられている。
【００１９】
さらに、マスクＭの外周面において、パターン領域ＰＡの外側には、中心軸線Ｍａの方向すなわちＹ方向に沿って第１群のマスクアライメントマーク１５および第２群のマスクアライメントマーク１６が設けられている。図２では、単純な例として、Ｙ方向に沿って３つのマスクアライメントマーク１６が間隔を隔てて設けられ、第２群のマスクアライメントマーク１６とパターン領域ＰＡとの間にはＹ方向に沿って３つのマスクアライメントマーク１５が設けられている。
【００２０】
図２に示すように、Ｙ方向に沿った帯状の照明領域ＩＲは、例えば光軸ＡＸ１を中心として、マスク基準マーク１１および１２を照明するように形成される。マスクＭの外周面に設けられるマーク１１〜１６として、外周面が鏡面状である場合には、彫り込み型の位相マーク（凹凸パターン）などを用いることができる。あるいは、マーク１１〜１６として、ガラス基板製の埋め込み型の明暗マーク（Ｃｒパターンなど）または位相マークなどを用いることができる。マスクＭの外周面に設けられるマーク１１〜１６の形態、数、配置などについては、様々な形態が可能である。
【００２１】
パターン領域ＰＡ内のパターンのうち、照明領域ＩＲにより照明されたパターンからの反射光は、１／４波長板ＷＣを経て円偏光からｐ偏光になり、偏光ビームスプリッターＰＢＳを透過し、例えば２回結像型の反射屈折光学系として構成された投影光学系ＰＬに入射する。投影光学系ＰＬは、シート基板ＳＨ上の結像領域ＥＲに、照明領域ＩＲ内のパターンの投影像を形成する。結像領域ＥＲは、照明領域ＩＲと光学的に対応する領域であって、照明領域ＩＲと同様に、円柱状（または円筒状）のドラムＲＬの外周面である円筒面に沿った面形状を有する。
【００２２】
投影光学系ＰＬの具体的な構成については、様々な形態が可能である。例えば特開２００１−２１５７１８号公報に開示されているように、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を用いて、感光性の基板にパターンを走査露光する構成も可能である。本実施形態の場合には、シート基板ＳＨの移動方向と交差する方向、すなわちドラムＲＬの中心軸線ＲＬａの方向に沿って複数の投影光学ユニットを配列することができる。ただし、以下の説明では、単一の投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨにマスクＭのパターンを走査露光するものとする。
【００２３】
図３は、ドラムＲＬの外周面およびシート基板ＳＨをＸＹ平面に沿った平面状に展開して示す図である。図３に示すように、軸線ＲＬａ廻りに回転するドラムＲＬの一部に巻き付けられて一方向に移動するシート基板ＳＨ上およびドラムＲＬの外周面上には、例えば投影光学系ＰＬの射出側の光軸ＡＸ２を中心としてＹ方向に沿って帯状に延びる結像領域ＥＲが形成される。投影光学系ＰＬは、シート基板ＳＨ上の結像領域ＥＲに照明領域ＩＲ内のパターンの投影像および照明領域ＩＲ内のマスクアライメントマーク１３〜１６の像を形成し、ドラムＲＬの外周面上の結像領域ＥＲに照明領域ＩＲ内のマスク基準マーク１１，１２の像を形成する。
【００２４】
投影光学系ＰＬの投影倍率に応じてマスクＭの回転とシート基板ＳＨの移動とを同期させることにより、シート基板ＳＨ上にはパターン領域ＰＡのＹ方向寸法に対応する幅を有する露光領域ＳＲに対してマスクパターンが走査露光される。具体的に、マスクＭが中心軸線Ｍａ廻りに１回転すると、ドラムＲＬの外周面に沿って円周方向へ移動するシート基板ＳＨ上の第１露光領域ＳＲ１には、マスクＭのパターン領域ＰＡ内のパターンが走査露光により転写される。
【００２５】
次いで、マスクＭが中心軸線Ｍａ廻りにもう１回転すると、ドラムＲＬの外周面に沿って円周方向へ移動するシート基板ＳＨ上において第１露光領域ＳＲ１からシート基板ＳＨの長尺方向（長手方向）に間隔を隔てた第２露光領域ＳＲ２にも、パターン領域ＰＡ内のパターンが走査露光により転写される。すなわち、制御系ＣＲからの指令にしたがって第１駆動系ＤＲ１による中心軸線Ｍａ廻りのマスクＭの回転と第２駆動系ＤＲ２による円筒面に沿ったシート基板ＳＨの移動とを同期させることにより、ドラムＲＬの外周面に沿って円周方向へ移動するシート基板ＳＨ上には、パターン領域ＰＡ内のパターンがそれぞれ転写された複数の露光領域ＳＲがシート基板ＳＨの長尺方向に間隔を隔てて順次形成される。
【００２６】
マスクＭの外周面において、その円周方向に沿って間隔を隔てて複数のパターン領域を設けることもできる。この場合、マスクＭが中心軸線Ｍａ廻りに所定角度だけ回転する度に、各パターン領域内のパターンが各露光領域に走査露光により転写される。ただし、以下の説明では、マスクＭの外周面に単一のパターン領域ＰＡが設けられ、マスクＭが中心軸線Ｍａ廻りに１回転する度に、パターン領域ＰＡ内のパターンが各露光領域ＳＲに走査露光により転写されるものとする。
【００２７】
図３を参照すると、ドラムＲＬの外周面には、複数のマスク基準マーク１１，１２に対応するように、複数のドラム基準マーク２１，２２が円周方向（図３中水平方向）に沿って間隔を隔てて設けられている。また、例えば前回の露光工程などを経て、シート基板ＳＨ上の露光領域ＳＲ１，ＳＲ２の外側には、マスクアライメントマーク１３，１４に対応するように、複数のシートアライメントマーク２３，２４がシート基板ＳＨの長尺方向に沿って間隔を隔てて形成されている。さらに、例えば前回の露光工程などを経て、シート基板ＳＨ上において隣り合う一対の露光領域ＳＲ１とＳＲ２との間には、複数のマスクアライメントマーク１５，１６に対応するように、複数のシートアライメントマーク２５，２６がシート基板ＳＨの幅方向（Ｙ方向）に沿って間隔を隔てて形成されている。
【００２８】
ドラムＲＬの外周面に設けられるドラム基準マーク２１，２２として、外周面が鏡面状である場合には、彫り込み型の位相マーク（凹凸パターン）などを用いることができる。あるいは、ドラム基準マーク２１，２２として、ガラス基板製の埋め込み型の明暗マーク（Ｃｒパターンなど）または位相マークなどを用いることができる。一方、シート基板ＳＨ上に形成されるシートアライメントマーク２３〜２６として、例えばアルミニウムなどの金属薄膜に覆われた高反射パターンなどを用いることができる。ドラムＲＬの外周面に設けられるドラム基準マーク２１，２２、およびシート基板ＳＨ上に形成されるシートアライメントマーク２３〜２６の形態、数、配置などについても、様々な形態が可能である。
【００２９】
再び図１を参照すると、本実施形態の露光装置は、投影光学系ＰＬを介してマスク基準マーク１１，１２の像とドラム基準マーク２１，２２の像とを共に検出する検出系３１，３２を備えている。また、投影光学系ＰＬを介してマスクアライメントマーク１３，１４の像とシートアライメントマーク２３，２４の像とを共に検出する検出系３３，３４を備えている。さらに、投影光学系ＰＬを介してマスクアライメントマーク１５，１６の像とシートアライメントマーク２５，２６の像とを共に検出する検出系３０ａ，３０ｂ，３０ｃを備えている。
【００３０】
検出系３１〜３４，３０ａ〜３０ｃは、図４に示すように、検出対象マークのＹ方向位置に応じてＹ方向に並んで配置されている。すなわち、検出系３１，３２は、マスク基準マーク１１，１２およびドラム基準マーク２１，２２のＹ方向位置に応じて最も外側に配置されている。検出系３３，３４は、マスクアライメントマーク１３，１４およびシートアライメントマーク２３，２４のＹ方向位置に応じて、検出系３１，３２の内側に配置されている。検出系３０ａ，３０ｂ，３０ｃは、マスクアライメントマーク１５，１６およびシートアライメントマーク２５，２６の３つのＹ方向位置に応じて、検出系３３と３４との間に並んで配置されている。
【００３１】
また、本実施形態の露光装置は、シート基板ＳＨの移動方向に沿って結像領域ＥＲよりも手前に配置され、シート基板ＳＨ上において隣り合う一対の露光領域ＳＲ１とＳＲ２との間に形成された３つのシートアライメントマーク２５に対応するように配列された３つの光学顕微鏡３５ａ，３５ｂ，３５ｃを備えている。また、シート基板ＳＨの移動方向に沿って結像領域ＥＲよりも手前に配置され、シート基板ＳＨ上において隣り合う一対の露光領域ＳＲ１とＳＲ２との間に形成された３つのシートアライメントマーク２６に対応するように配列された３つの光学顕微鏡３６ａ，３６ｂ，３６ｃを備えている。
【００３２】
光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃ，３６ａ〜３６ｃは、公知の構成にしたがって、シート基板ＳＨが感応しない非露光光を用いてシートアライメントマーク２５，２６を照明し、照明されたシートアライメントマーク２５，２６からの光により形成されたシートアライメントマーク２５，２６の像を検出する。光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃ，３６ａ〜３６ｃの検出結果は、制御系ＣＲに供給される。
【００３３】
以下、説明を簡素化するために、検出系３１〜３４，３０ａ〜３０ｃは、互いに同じ内部構成を有するものとする。具体的に、検出系３１〜３４，３０ａ〜３０ｃは、図５に示すように、偏光ビームスプリッターＰＢＳと投影光学系ＰＬとの間の光路中に設けられる１／４波長板４１を備えている。さらに、検出系３１〜３４，３０ａ〜３０ｃは、偏光ビームスプリッターＰＢＳ側からＸ方向に沿って光の入射順に、第１リレーレンズ４２と、ｓ偏光透過偏光子４３と、開口絞り４４と、第２リレーレンズ４５と、光電変換器４６とを備えている。光電変換器４６として、例えばＣＣＤ型またはＣＭＯＳ型の二次元撮像素子を用いることができる。
【００３４】
上述したように、照明系ＩＬから供給された露光光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳおよび１／４波長板ＷＣを介して、マスク基準マーク１１，１２を含む照明領域ＩＲを照明する。照明されたマスク基準マーク１１，１２およびその近傍からの光は、１／４波長板ＷＣを経て円偏光からｐ偏光になり、偏光ビームスプリッターＰＢＳを透過し、検出系３１，３２の１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経てｐ偏光から円偏光になった光は、投影光学系ＰＬを介して、ドラムＲＬの外周面上においてドラム基準マーク２１，２２の近傍にマスク基準マーク１１，１２の像を形成するとともに、ドラム基準マーク２１，２２を照明する。
【００３５】
マスク基準マーク１１，１２の像およびドラム基準マーク２１，２２からの光は、投影光学系ＰＬを介して、検出系３１，３２の１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経て円偏光からｓ偏光になった光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳで反射され、検出系３１，３２の第１リレーレンズ４２、ｓ偏光透過偏光子４３、開口絞り４４、および第２リレーレンズ４５を介して、光電変換器４６に達する。こうして、図６に示すように、検出系３１（３２）の光電変換器４６の検出視野３１ａ（３２ａ）内には、マスク基準マーク１１（１２）の像１１ａ（１２ａ）と、ドラム基準マーク２１（２２）の像２１ａ（２２ａ）とが形成される。
【００３６】
検出系３１，３２において、ｓ偏光透過偏光子４３は、投影光学系ＰＬ、１／４波長板４１、および偏光ビームスプリッターＰＢＳを経て入射したｓ偏光の検出光を透過し、例えば照明系ＩＬから投影光学系ＰＬを経ることなく偏光ビームスプリッターＰＢＳを介して入射したｐ偏光の有害光を遮る。開口絞り４４は、例えば輪帯状の開口部（光透過部）を有し、照明系ＩＬから投影光学系ＰＬを経ることなく偏光ビームスプリッターＰＢＳを介して入射した光、すなわち照明系ＩＬから供給される照明０次光を遮る遮蔽部材として機能する。したがって、ｓ偏光透過偏光子４３の設置を省略し、開口絞り４４だけを設置しても、照明系ＩＬから投影光学系ＰＬを経ることなく入射する有害光を遮ることができる。
【００３７】
このように、検出系３１，３２は、照明系ＩＬにより照明されたマスク基準マーク１１，１２からの光が投影光学系ＰＬを介してドラムＲＬの外周面で反射された後に投影光学系ＰＬを介して形成するマスク基準マーク１１，１２の像１１ａ，１２ａと、照明系ＩＬにより投影光学系ＰＬを介して照明されたドラム基準マーク２１，２２からの光が投影光学系ＰＬを介して形成するドラム基準マーク２１，２２の像２１ａ，２２ａとを検出視野３１ａ，３２ａ内において共に検出する。
【００３８】
同様に、照明系ＩＬから供給された露光光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳおよび１／４波長板ＷＣを介して、マスクアライメントマーク１３，１４を含む照明領域ＩＲを照明する。照明されたマスクアライメントマーク１３，１４およびその近傍からの光は、１／４波長板ＷＣを経て円偏光からｐ偏光になり、偏光ビームスプリッターＰＢＳを透過し、検出系３３，３４の１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経てｐ偏光から円偏光になった光は、投影光学系ＰＬを介して、シート基板ＳＨ上においてシートアライメントマーク２３，２４の近傍にマスクアライメントマーク１３，１４の像を形成するとともに、シートアライメントマーク２３，２４を照明する。
【００３９】
マスクアライメントマーク１３，１４の像およびシートアライメントマーク２３，２４からの光は、投影光学系ＰＬを介して、検出系３３，３４の１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経て円偏光からｓ偏光になった光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳで反射され、検出系３３，３４の第１リレーレンズ４２、ｓ偏光透過偏光子４３、開口絞り４４、および第２リレーレンズ４５を介して、光電変換器４６に達する。こうして、図示を省略するが、検出系３３，３４の光電変換器４６の検出視野内には、マスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａと、シートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとが形成される。
【００４０】
このように、検出系３３，３４は、照明系ＩＬにより照明されたマスクアライメントマーク１３，１４からの光が投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨで反射された後に投影光学系ＰＬを介して形成するマスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａと、照明系ＩＬにより投影光学系ＰＬを介して照明されたシートアライメントマーク２３，２４からの光が投影光学系ＰＬを介して形成するシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとを共に検出する。
【００４１】
さらに、照明系ＩＬから供給された露光光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳおよび１／４波長板ＷＣを介して、マスクアライメントマーク１５，１６を含む照明領域ＩＲを照明する。照明されたマスクアライメントマーク１５，１６およびその近傍からの光は、１／４波長板ＷＣを経て円偏光からｐ偏光になり、偏光ビームスプリッターＰＢＳを透過し、検出系３０ａ〜３０ｃの１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経てｐ偏光から円偏光になった光は、投影光学系ＰＬを介して、シート基板ＳＨ上においてシートアライメントマーク２５，２６の近傍にマスクアライメントマーク１５，１６の像を形成するとともに、シートアライメントマーク２５，２６を照明する。
【００４２】
マスクアライメントマーク１５，１６の像およびシートアライメントマーク２５，２６からの光は、投影光学系ＰＬを介して、検出系３０ａ〜３０ｃの１／４波長板４１に入射する。１／４波長板４１を経て円偏光からｓ偏光になった光は、偏光ビームスプリッターＰＢＳで反射され、検出系３０ａ〜３０ｃの第１リレーレンズ４２、ｓ偏光透過偏光子４３、開口絞り４４、および第２リレーレンズ４５を介して、光電変換器４６に達する。こうして、図示を省略するが、検出系３０ａ〜３０ｃの光電変換器４６の検出視野内には、マスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａと、シートアライメントマーク２５，２６の像２５ａ，２６ａとが形成される。
【００４３】
このように、検出系３０ａ〜３０ｃは、照明系ＩＬにより照明されたマスクアライメントマーク１５，１６からの光が投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨで反射された後に投影光学系ＰＬを介して形成するマスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａと、照明系ＩＬにより投影光学系ＰＬを介して照明されたシートアライメントマーク２５，２６からの光が投影光学系ＰＬを介して形成するシートアライメントマーク２５，２６の像２５ａ，２６ａとを共に検出する。
【００４４】
本実施形態の露光装置では、シート基板ＳＨへの走査露光に先立って、軸線Ｍａを中心として回転するマスクＭと軸線ＲＬａを中心として回転するドラムＲＬとの相対位置ずれを計測し、その計測結果に基づいてマスクＭとドラムＲＬとの位置合わせを必要に応じて行う。具体的に、マスクＭとドラムＲＬとの相対位置ずれの計測に際して、検出系３１，３２の１／４波長板４１と偏光ビームスプリッターＰＢＳとを介して、走査露光の場合と同様にマスクＭとドラムＲＬとを同期的に回転させつつ、マスク基準マーク１１，１２の像１１ａ，１２ａとドラム基準マーク２１，２２の像２１ａ，２２ａとを検出視野３１ａ，３２ａ内において検出する。
【００４５】
制御系ＣＲは、検出系３１，３２の検出結果、すなわち検出系３１，３２で検出されたマスク基準マーク１１，１２の像１１ａ，１２ａとドラム基準マーク２１，２２の像２１ａ，２２ａとの相対位置に関する情報に基づいて、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ方向（軸線Ｍａの方向）に沿った相対位置ずれ、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ軸廻り（軸線Ｍａ廻り）の相対位置ずれ、ドラムＲＬに対するマスクＭのＺ軸廻り（照明領域ＩＲの中心を通ってＹ方向に垂直な軸線廻り：光軸ＡＸ１廻り）の相対位置ずれを計測する。
【００４６】
具体的には、例えば図６の検出視野３１ａ（３２ａ）内におけるマスク基準マーク１１（１２）の像１１ａ（１２ａ）とドラム基準マーク２１（２２）の像２１ａ（２２ａ）との鉛直方向に沿った間隔と所定の基準値とを比較することにより、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ方向に沿った相対位置のずれを計測する。また、像１１ａ（１２ａ）と像２１ａ（２２ａ）との水平方向に沿った間隔と所定の基準値とを比較することにより、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ軸廻りの相対位置のずれを計測する。さらに、複数の計測点におけるドラムＲＬに対するマスクＭのＹ方向に沿った相対位置を参照して、ドラムＲＬに対するマスクＭのＺ軸廻りの相対位置のずれを計測する。
【００４７】
制御系ＣＲは、ドラムＲＬに対するマスクＭの相対位置ずれの計測結果に基づいて、例えばマスクＭを駆動する第１駆動系ＤＲ１を介して、ドラムＲＬに対するマスクＭの相対位置を調整する。換言すると、制御系ＣＲは、検出系３１，３２の検出結果に基づいて第１駆動系ＤＲ１を制御し、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ方向に沿った相対位置、ドラムＲＬに対するマスクＭのＹ軸廻りの相対位置、ドラムＲＬに対するマスクＭのＺ軸廻りの相対位置を調整する。こうして、感応基板であるシート基板ＳＨ上の露光領域ＳＲにおいてパターンを高精度に重ね合わせることができる。
【００４８】
また、本実施形態の露光装置では、シート基板ＳＨへの走査露光に際して、マスクＭ上のパターン領域ＰＡとシート基板ＳＨ上の露光領域ＳＲとの相対位置ずれを随時計測し、その計測結果に基づいて、パターン領域ＰＡと露光領域ＳＲとの位置合わせ、および／または投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を必要に応じて行う。具体的に、パターン領域ＰＡと露光領域ＳＲとの相対位置ずれの計測に際して、検出系３３，３４の１／４波長板４１と偏光ビームスプリッターＰＢＳとを介して、マスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａとシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとを共に検出する。
【００４９】
制御系ＣＲは、検出系３３，３４の検出結果、すなわち検出系３３，３４で検出されたマスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａとシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとの相対位置に関する情報に基づいて、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ方向に沿った相対位置ずれ、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ軸廻りの相対位置ずれ、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＺ軸廻りの相対位置ずれを計測する。
【００５０】
具体的には、例えば検出系３３，３４の検出視野内におけるマスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａとシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとの鉛直方向に沿った間隔と所定の基準値とを比較することにより、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ方向に沿った相対位置のずれを計測する。また、像１３ａ，１４ａと像２３ａ，２４ａとの水平方向に沿った間隔と所定の基準値とを比較することにより、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ軸廻りの相対位置のずれを計測する。さらに、複数の計測点における露光領域ＳＲに対するマスクＭのＹ方向に沿った相対位置を参照して、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＺ軸廻りの相対位置のずれを計測する。
【００５１】
制御系ＣＲは、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡの相対位置ずれに関する検出系３３，３４の計測結果に基づいて、例えばマスクＭを駆動する第１駆動系ＤＲ１を介して、ドラムＲＬに対するマスクＭの相対位置を調整し、ひいては露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡの相対位置を調整する。換言すると、制御系ＣＲは、検出系３３，３４の検出結果に基づいて第１駆動系ＤＲ１を制御し、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ方向に沿った相対位置、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＹ軸廻りの相対位置、露光領域ＳＲに対するパターン領域ＰＡのＺ軸廻りの相対位置を調整する。
【００５２】
また、制御系ＣＲは、ドラムＲＬに対するマスクＭの相対位置の調整に代えて、あるいはドラムＲＬに対するマスクＭの相対位置の調整に加えて、検出系３３，３４の検出結果に基づく投影光学系ＰＬの光学調整を行うことにより、露光領域ＳＲに既に形成されているパターンに対して新たなパターンを高精度に重ね合わせて転写することができるように、投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行う。投影光学系の光学調整の調整については、例えば特開２００１−２１５７１８号公報に開示されているように、投影光学系内に像シフト調整、像回転調整、倍率調整、フォーカス調整などを行う機構を設ける構成を参照することができる。
【００５３】
例えば図７に示すように、単一の投影光学系ＰＬに代えて、シート基板ＳＨの移動方向と交差する方向に沿って配列された複数（図７では例示的に３つ）の投影光学ユニットＰＬａ，ＰＬｂ，ＰＬｃを備える構成も可能である。図７の構成では、第１投影光学ユニットＰＬａに対応する第１結像領域ＥＲａと、第２投影光学ユニットＰＬｂに対応する第２結像領域ＥＲｂと、第３投影光学ユニットＰＬｃに対応する第３結像領域ＥＲｃとが、シート基板ＳＨの移動方向に沿って見たときに互いに部分的に重なるように設定される。
【００５４】
上述したように、所定方向に沿って配列された複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を用いて感光性の基板にパターンを走査露光する手法は、例えば特開２００１−２１５７１８号公報に開示されている。図７の構成を採用する場合、投影光学系を構成する複数の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｃの光学調整を個別に行うことにより、投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行うことができる。
【００５５】
また、本実施形態の露光装置では、シート基板ＳＨへの走査露光に際して、露光領域ＳＲの変形を随時計測し、その計測結果に基づいて投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を必要に応じて行う。具体的に、露光領域ＳＲの変形に関する計測に際して、検出系３０ａ〜３０ｃの１／４波長板４１と偏光ビームスプリッターＰＢＳとを介して、マスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａとシートアライメントマーク２５，２６の像２５ａ，２６ａとを共に検出する。
【００５６】
制御系ＣＲは、検出系３０ａ〜３０ｃの検出結果、すなわち検出系３０ａ〜３０ｃで検出されたマスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａとシートアライメントマーク２５，２６の像２５ａ，２６ａとの相対位置に関する情報に基づいて、露光領域ＳＲの外形形状の所定形状からのずれ、すなわち露光領域ＳＲの変形を計測する。また、制御系ＣＲは、露光領域ＳＲの変形の計測に際して、検出系３３，３４の検出結果、すなわち検出系３３，３４で検出されたマスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａとシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとの相対位置に関する情報を参照する。
【００５７】
具体的には、例えば検出系３０ａ〜３０ｃの検出視野内におけるマスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａとシートアライメントマーク２５，２６の像２５ａ，２６ａとの間隔と所定の基準値とを比較することにより、露光領域ＳＲの変形を計測する。また、必要に応じて、例えば検出系３３，３４の検出視野内におけるマスクアライメントマーク１３，１４の像１３ａ，１４ａとシートアライメントマーク２３，２４の像２３ａ，２４ａとの間隔と所定の基準値との比較も参照し、露光領域ＳＲの変形を計測する。
【００５８】
制御系ＣＲは、露光領域ＳＲの変形に関する検出系３０ａ〜３０ｃの計測結果に基づく投影光学系ＰＬの光学調整（結像特性の調整；収差調整など）を行うことにより、露光領域ＳＲに既に形成されているパターンに対して新たなパターンを高精度に重ね合わせて転写することができるように、投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行う。複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を用いる場合、複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことにより、複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行うことができる。
【００５９】
また、本実施形態の露光装置では、シート基板ＳＨへの走査露光に際して、露光中の露光領域ＳＲの次に露光対象となる手前の露光領域ＳＲの変形を事前に随時計測し、その計測結果に基づいて投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を必要に応じて行う。具体的に、露光領域ＳＲの変形に関する事前計測に際して、光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃにより露光中の露光領域とその手前の露光領域との間に形成された３つのシートアライメントマーク２５の像を検出し、光学顕微鏡３６ａ〜３６ｃにより露光中の露光領域とその手前の露光領域との間に形成された３つのシートアライメントマーク２６の像を検出する。
【００６０】
制御系ＣＲは、光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃ；３６ａ〜３６ｃの検出結果、すなわち光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃで検出された３つのシートアライメントマーク２５の像の所定位置からのずれ、光学顕微鏡３６ａ〜３６ｃで検出された３つのシートアライメントマーク２６の像の所定位置からのずれに関する位置ずれ情報に基づいて、次の露光対象である露光領域ＳＲの外形形状の所定形状からのずれ、すなわち露光領域ＳＲの変形を、走査露光の開始に先立って事前に計測する。
【００６１】
制御系ＣＲは、事前計測の対象だった露光領域ＳＲへの走査露光に際して、露光領域ＳＲの変形に関する光学顕微鏡３５ａ〜３５ｃ；３６ａ〜３６ｃの計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬの光学調整（結像特性の調整；収差調整など）を行う。すなわち、露光領域ＳＲに既に形成されているパターンに対して新たなパターンを高精度に重ね合わせて転写することができるように、投影光学系ＰＬを介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行う。複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を用いる場合、複数の投影光学ユニットの光学調整を個別に行うことにより、複数の投影光学ユニットからなる投影光学系を介して露光領域ＳＲに重ねて形成されるパターン像の調整を行うことができる。
【００６２】
ところで、レジスト（感光材料）からなる感光膜の露光光に対する反射率は小さく、露光光は感光膜に吸収され易い。したがって、感光膜の下に形成されたシートアライメントマーク２３〜２６の反射像を十分なコントラストで検出するための工夫が求められる。図８に示す構成例では、感光膜８１とシート基板ＳＨの本体部分８２との境界面８３に、シートアライメントマーク８４が設けられている。露光光に対する感光膜８１の反射率は５％程度であり、屈折率は１．６程度である。
【００６３】
露光光に対するシート基板ＳＨの本体部分８２の屈折率は１．５程度であり、露光光に対する境界面８３の反射率は０．１％程度である。この場合、露光光に対する反射率が例えば１％以下になるようにドラムＲＬの外周面を加工し、露光光に対して７０％程度の反射率を有する高反射パターンからなるシートアライメントマーク８４を用いることにより、比較的良好なコントラストを有するシートアライメントマーク８４の反射像を検出することができる。
【００６４】
ただし、露光光は感光膜に吸収され易く、感光膜の下に形成されたシートアライメントマーク２３〜２６の反射像を十分なコントラストで検出することが困難な場合もある。そこで、例えば図９に示すように、検出系３３，３４，３０ａ〜３０ｃの変形例として、感光膜に吸収されにくい所定波長域の可視光（比較的広い波長域の可視光）、すなわちシート基板ＳＨが感応しない非露光光を用いて、シートアライメントマーク２３〜２６の反射像を十分なコントラストで検出する構成が可能である。
【００６５】
図９を参照すると、変形例にかかる検出系３３Ａ，３４Ａ，３０Ａａ，３０Ａｂ，３０Ａｃは、図５に示す検出系３３，３４，３０ａ〜３０ｃと類似の構成を有するが、ｓ偏光透過偏光子４３と開口絞り４４との間の光路中に配置されたダイクロイックプリズム（またはダイクロイックミラー）５１とシート基板ＳＨが感応しない非露光光であるアライメント光を供給する光源５２とが付設されている。また、ダイクロイックプリズム５１と光源５２との間には、光源５２側から順に、第３リレーレンズ５３と、ビームスプリッター５４とが配置されている。
【００６６】
さらに、ダイクロイックプリズム５１から入射してビームスプリッター５４で反射された光は、第４リレーレンズ５５を介して、例えばＣＣＤ型またはＣＭＯＳ型の二次元撮像素子からなる光電変換器５６に入射するように構成されている。図９の変形例にかかる検出系３３Ａ，３４Ａ，３０Ａａ〜３０Ａｃでは、光源５２から供給されたアライメント光が、第３リレーレンズ５３およびビームスプリッター５４を介して、ダイクロイックプリズム５１に入射する。ダイクロイックプリズム５１はアライメント光を反射し且つ露光光を透過させるように構成されている。
【００６７】
ダイクロイックプリズム５１で反射されたアライメント光は、ｓ偏光透過偏光子４３および第１リレーレンズ４２を介して、偏光ビームスプリッターＰＢＳに入射する。偏光ビームスプリッターＰＢＳで反射されたアライメント光は、１／４波長板４１および投影光学系ＰＬを経て、シートアライメントマーク２３〜２６を照明する。シートアライメントマーク２３〜２６で反射されたアライメント光は、投影光学系ＰＬおよび１／４波長板４１を経て、偏光ビームスプリッターＰＢＳに入射する。
【００６８】
偏光ビームスプリッターＰＢＳで反射されたアライメント光は、第１リレーレンズ４２およびｓ偏光透過偏光子４３を介して、ダイクロイックプリズム５１に入射する。ダイクロイックプリズム５１で反射されたアライメント光は、ビームスプリッター５４で反射され、第４リレーレンズ５５を介して光電変換器５６に達する。光電変換器５６の検出面には、シートアライメントマーク２３〜２６の像が十分なコントラストで形成される。
【００６９】
すなわち、検出系３３Ａ，３４Ａ，３０Ａａ〜３０Ａｃは、非露光光により投影光学系ＰＬを介してシートアライメントマーク２３〜２６を照明し、シートアライメントマーク２３〜２６からの非露光光が投影光学系ＰＬを介して形成するシートアライメントマーク２３〜２６の像を検出する。こうして、検出系３３Ａ，３４Ａ，３０Ａａ〜３０Ａｃでは、非露光光であるアライメント光を用いて形成されたシートアライメントマーク２３〜２６の像を光電変換器５６により検出し、露光光を用いて形成されたシートアライメントマーク２３〜２６の像を光電変換器４５により検出することができる。
【００７０】
また、例えば図１０に示すように、検出系３１〜３４，３０ａ〜３０ｃのうちの少なくとも１つの検出系、例えば検出系３１の変形例として、照明系ＩＬから投影光学系ＰＬを経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターする照度センサ６１を有する構成も可能である。図１０を参照すると、変形例にかかる検出系３１Ｂ（３２Ｂ，３３Ｂ，３４Ｂ，３０Ｂａ，３０Ｂｂ，３０Ｂｃ）は、図５に示す検出系３１（３２〜３４，３０ａ〜３０ｃ）と類似の構成を有するが、第１リレーレンズ４２の後段に偏光ビームスプリッター６２が付設され、偏光ビームスプリッター６２の反射光が開口絞り４４および第２リレーレンズ４５を介して光電変換器４６へ導かれ、偏光ビームスプリッター６２の透過光が照度センサ６１へ導かれるように構成されている。
【００７１】
図１０の変形例にかかる検出系３１Ｂでは、照明系ＩＬから偏光ビームスプリッターＰＢＳに入射して透過した照明光、すなわちｐ偏光の漏れ光が、第１リレーレンズ４２を介して偏光ビームスプリッター６２に入射する。偏光ビームスプリッター６２を透過した照明光の漏れ光は、照度センサ６１に達する。こうして、照度センサ６１は、照明系ＩＬから投影光学系ＰＬを経ることなく入射した光の一部を光路から取り出してモニターし、ひいては投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨに達する露光光の強度（光量）をモニターする。照度センサ６１のモニター結果は、制御系ＣＲに供給される。
【００７２】
制御系ＣＲは、照度センサ６１のモニター結果に基づいて、光源ＬＳの出力を調整することにより、投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨに達する露光光の強度をほぼ一定に保持する。また、制御系ＣＲは、光源ＬＳの出力の調整に代えて、あるいは光源ＬＳの出力の調整に加えて、光路中の減光手段の減光率を照度センサ６１のモニター結果に基づいて調整することにより、投影光学系ＰＬを介してシート基板ＳＨに達する露光光の強度をほぼ一定に保持する。
【００７３】
なお、上述の本実施形態では、検出系３０ａ〜３０ｃのうちの少なくとも１つの検出系を用いて、マスクアライメントマーク１５，１６の像１５ａ，１６ａを検出し、像１５ａ，１６ａのコントラストからフォーカス調整を行うことができる。具体的には、例えば試し露光によりマスクＭ上の照明領域ＩＲとシート基板ＳＨ上の結像領域ＥＲとが投影光学系ＰＬを介してベストフォーカス状態にあるときに得られる像１５ａ，１６ａのコントラストをベストコントラストとする。制御系ＣＲは、検出系３０ａ〜３０ｃの検出結果を参照し、像１５ａ，１６ａのコントラストがベストコントラストに近づくように、マスクＭのＺ方向位置を、ひいては照明領域ＩＲのＺ方向位置を調整する。
【００７４】
また、上述の本実施形態では、複数のマスクアライメントマーク１３，１４がパターン領域ＰＡと複数のマスク基準マーク１１，１２との間の領域に設けられている。しかしながら、シート基板ＳＨが光透過性を有する場合には、複数のマスクアライメントマーク１３，１４と複数のマスク基準マーク１１，１２とを共通のマークにすることも可能である。
【００７５】
また、上述の本実施形態では、軸線Ｍａ廻りに回転する円柱状（または円筒状）のマスクＭの外周面のパターン領域ＰＡに設けられたパターンを、軸線ＲＬａ廻りに回転するドラムＲＬの一部に巻き付けられて一方向に移動するシート基板ＳＨ上の露光領域ＳＲに走査露光している。しかしながら、これに限定されることなく、マスクアライメントマークおよびシートアライメントマークを用いる実施形態については、第１軸線廻りに回転する円柱状または円筒状のマスクの外周面のパターン領域に設けられたパターンを、支持部材の円筒面状または平面状の支持面によって支持された状態で長尺方向に移動する可撓性の感応基板上の露光領域に走査露光する露光装置に対しても適用可能である。
【００７６】
上述の実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７７】
上述の実施形態にかかる露光装置を用いて、半導体デバイス、液晶デバイスなどを製造することができる。図１１は、半導体デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１１に示すように、半導体デバイスの製造工程では、半導体デバイスの基板となるウェハに金属膜を蒸着し（ステップＳ４０）、この蒸着した金属膜上に感光性材料であるフォトレジストを塗布する（ステップＳ４２）。つづいて、上述の実施形態の露光装置を用い、マスクＭに形成されたパターンをウェハ上の各露光領域に転写し（ステップＳ４４：露光工程）、この転写が終了したウェハの現像、つまりパターンが転写されたフォトレジストの現像を行う（ステップＳ４６：現像工程）。
【００７８】
その後、ステップＳ４６によってウェハの表面に生成されたレジストパターンをウェハ加工用のマスクとし、ウェハの表面に対してエッチング等の加工を行う（ステップＳ４８：加工工程）。ここで、レジストパターンとは、上述の実施形態の露光装置によって転写されたパターンに対応する形状の凹凸が生成されたフォトレジスト層（転写パターン層）であって、その凹部がフォトレジスト層を貫通しているものである。ステップＳ４８では、このレジストパターンを介してウェハの表面の加工を行う。ステップＳ４８で行われる加工には、例えばウェハの表面のエッチングまたは金属膜等の成膜の少なくとも一方が含まれる。なお、ステップＳ４４では、上述の実施形態の露光装置は、フォトレジストが塗布されたウェハを感光性基板としてパターンの転写を行う。
【００７９】
図１２は、液晶表示素子等の液晶デバイスの製造工程を示すフローチャートである。図１２に示すように、液晶デバイスの製造工程では、パターン形成工程（ステップＳ５０）、カラーフィルタ形成工程（ステップＳ５２）、セル組立工程（ステップＳ５４）およびモジュール組立工程（ステップＳ５６）を順次行う。ステップＳ５０のパターン形成工程では、感光性基板としてフォトレジストが塗布されたガラス基板上に、上述の実施形態の露光装置を用いて回路パターンおよび電極パターン等の所定のパターンを形成する。このパターン形成工程には、上述の実施形態の露光装置を用いてフォトレジスト層にパターンを転写する露光工程と、パターンが転写された感光性基板の現像、つまりガラス基板上のフォトレジスト層の現像を行い、パターンに対応する形状のフォトレジスト層（転写パターン層）を生成する現像工程と、この現像されたフォトレジスト層を介してガラス基板の表面を加工する加工工程とが含まれている。
【００８０】
ステップＳ５２のカラーフィルタ形成工程では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応する３つのドットの組をマトリックス状に多数配列するか、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を水平走査方向に複数配列したカラーフィルタを形成する。ステップＳ５４のセル組立工程では、ステップＳ５０によって所定パターンが形成されたガラス基板と、ステップＳ５２によって形成されたカラーフィルタとを用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。具体的には、例えばガラス基板とカラーフィルタとの間に液晶を注入することで液晶パネルを形成する。ステップＳ５６のモジュール組立工程では、ステップＳ５４によって組み立てられた液晶パネルに対し、この液晶パネルの表示動作を行わせる電気回路およびバックライト等の各種部品を取り付ける。
【００８１】
また、本発明は、半導体デバイスまたは液晶デバイス製造用の露光装置への適用に限定されることなく、例えば、プラズマディスプレイ等のディスプレイ装置用の露光装置や、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシーン、薄膜磁気ヘッド、及びＤＮＡチップ等の各種デバイスを製造するための露光装置にも広く適用できる。更に、本発明は、各種デバイスのマスクパターンが形成されたマスク（フォトマスク、レチクル等）をフォトリソグラフィ工程を用いて製造する際の、露光工程（露光装置）にも適用することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１１，１２  マスク基準マーク
１３〜１６  マスクアライメントマーク
２１，２２  ドラム基準マーク
２３〜２６  シートアライメントマーク
３１〜３４，３０ａ〜３０ｃ  検出系
３５ａ〜３５ｃ；３６ａ〜３６ｃ  光学顕微鏡
ＬＳ  光源
ＩＬ  照明系
Ｍ  マスク
Ｍａ  マスクの中心軸線
ＩＲ  照明領域
ＰＬ  投影光学系
ＰＢＳ  偏光ビームスプリッター
ＷＣ  １／４波長板
ＳＨ  シート基板
ＥＲ  結像領域
ＲＬ  ドラム（ローラー）
ＲＬａ  ドラムの中心軸線
ＤＲ１，ＤＲ２  駆動系
ＣＲ  制御系
【図１】
2014081452.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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