(57)【要約】【課題】本発明の一実施形態は、体積抵抗率が小さい導電性パターンを形成することが可能な分散剤を提供することができる。【解決手段】本発明の一実施形態は、金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する構成単位を有し、一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、
一般式
【化１】
2014177600.tif 000006
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１以上９以下のアルキル基、フェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、１以上である。）
で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する構成単位を有し、
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下であることを特徴とする分散剤。
【請求項２】
前記イオン性基は、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基であることを特徴とする請求項１に記載の分散剤。
【請求項３】
金属粒子の分散に用いられる分散剤を製造する方法であって、
一般式
【化２】
2014177600.tif 000007
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１以上９以下のアルキル基、フェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、自然数である。）
で表される化合物と、イオン性基を有するモノマーを含む組成物を重合する工程を有し、
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下であることを特徴とする分散剤の製造方法。
【請求項４】
導電性パターンの形成に用いられるインクであって、
請求項１又は２に記載の分散剤、金属粒子及び分散媒を含むことを特徴とするインク。
【請求項５】
前記分散媒は、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル又はジアルキルグリコールエーテルを含むことを特徴とする請求項４に記載のインク。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のインクを基材上に塗布する工程と、
該基材上に塗布されたインクを焼成する工程を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項７】
前記基材上に塗布されたインクを光焼成することを特徴とする請求項６に記載の導電性パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一実施形態は、分散剤、分散剤の製造方法、インク及び導電性パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材上に、配線、アンテナ等の導電性パターンを形成する方法として、フォトリソグラフィー、エッチング等が主に利用されているが、プロセスの工程数、材料の使用効率等の点で問題があり、製造コストも高い。
【０００３】
そこで、インクジェット印刷法等の印刷法を用いて、導電性パターンを形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
インクジェット印刷法は、インクジェット法を用いて、基板上にインクを印刷した後、乾燥・焼成する方法である。
【０００５】
インクとしては、一次粒径がｎｍオーダーの金属粒子が分散媒中に分散しているナノメタルインクが知られている。
【０００６】
特許文献２には、導電性フィルムを形成する方法として、基板の表面上に複数の銅ナノ粒子を含有するフィルムを堆積させる段階と、フィルムの少なくとも一部を露光して、露光部分を導電性にする段階とを備えた方法が開示されている。このとき、フィルムが、銅ナノ粒子、溶媒及び分散剤を含有する溶液から堆積される。
【０００７】
しかしながら、露光部分の体積抵抗率が高くなるという問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の一実施形態は、上記従来技術が有する問題に鑑み、体積抵抗率が小さい導電性パターンを形成することが可能な分散剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態は、金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、一般式
【００１０】
【化１】
2014177600.tif 000002
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１以上９以下のアルキル基又はフェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、１以上である。）
で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する構成単位を有し、前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下である。
【００１１】
本発明の一実施形態は、金属粒子の分散に用いられる分散剤を製造する方法であって、一般式
【００１２】
【化２】
2014177600.tif 000003
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、水素原子、炭素数が１以上９以下のアルキル基、フェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、１以上である。）
で表される化合物と、イオン性基を有するモノマーを含む組成物を重合する工程を有し、前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の一実施形態によれば、体積抵抗率が小さい導電性パターンを形成することが可能な分散剤を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１５】
分散剤は、一般式（Ｉ）で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する構成単位を有し、金属粒子の分散に用いられる。
【００１６】
分散剤は、一般式
【００１７】
【化３】
2014177600.tif 000004
で表される基を側鎖に有するため、焼成時に分解されやすく、体積抵抗率が小さい導電性パターンを形成できると考えられる。なお、一般式（Ａ）で表される基は、金属粒子を分散させる分散媒に対する溶解性にも寄与する。
【００１８】
一般式（Ｉ）で表される化合物の数平均分子量は、１００００以下であり、５０００以下であることが好ましい。一般式（Ｉ）で表される化合物の数平均分子量が１００００を超えると、金属粒子を分散させる分散媒に対する溶解性が低下するため、体積抵抗率が小さい導電性パターンを形成することができない。
【００１９】
なお、数平均分子量は、ＧＰＣを用いて測定されるポリスチレン換算の分子量である。
【００２０】
一般式（Ｉ）で表される化合物としては、特に限定されないが、ポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート、エチレングリコールメチルエーテルメタクリレート、ジエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルメタクリレート、トリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート、ポリエチレングリコールエチルエーテルメタクリレート等のメタクリレート系モノマー、エチレングリコールメチルエーテルアクリレート、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、ジエチレングリコールエチルエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールメチルエーテルアクリレート、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレート、ジエチレングリコール２−エチルヘキシルエーテルアクリレート、ポリピロピレングリコール４−ノニルフェニルエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールフェニルエーテルアクリレート、ポリプロピレングリコールメチルエーテルアクリレート、ポリプロピレングリコールモノアクリレート等のアクリレート系モノマーが挙げられる。
【００２１】
一方、分散剤は、イオン性基を有する構成単位を有するため、金属粒子に吸着することができる。なお、分散剤は、高分子鎖を有するため、立体障害により金属粒子の凝集を抑制することができる。
【００２２】
イオン性基としては、特に限定されないが、アミノ基及びその塩、カルボキシル基及びその塩、スルホ基及びその塩、ホスホ基及びその塩等が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、金属粒子に対する吸着性の点から、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基が好ましい。
【００２３】
分散剤は、一般式（Ｉ）で表される化合物と、イオン性基を有するモノマーを含む組成物を重合することにより合成することができる。
【００２４】
なお、イオン性基がアミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基の塩である場合、一般式（Ｉ）で表される化合物と、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基を有するモノマーを含む組成物を重合した後、中和することにより、分散剤を合成してもよい。
【００２５】
アミノ基を有するモノマーとしては、特に限定されないが、Ｎ−メチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ−エチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ−ジブチルアミノエチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアミノエチルアクリレート、Ｎ−フェニルアミノエチルメタクリレート、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノエチルメタクリレート、アリルアミン、４−アミノスチレン、４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスチレン、Ｎ−メチルアミノエチルスチレン、ジメチルアミノエトキシスチレン、ジフェニルアミノエチルスチレン、Ｎ−フェニルアミノエチルスチレン、２−Ｎ−ピペリジルエチル（メタ）アクリレート、２−ビニルピリジン、４−ビニルピリジン、２−ビニル−６−メチルピリジン等が挙げられる。
【００２６】
カルボキシル基を有するモノマーとしては、特に限定されないが、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸、イタコン酸、無水イタコン酸、フマル酸、桂皮酸、クロトン酸、ビニル安息香酸、２−メタクリロキシエチルコハク酸、２−メタクリロキシエチルマレイン酸、２−メタクリロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−メタクリロキシエチルトリメリット酸等が挙げられる。
【００２７】
スルホ基を有するモノマーとしては、特に限定されないが、ビニルスルホン酸、アリルスルホン酸、スチレンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸等が挙げられる。
【００２８】
ホスホ基を有するモノマーとしては、特に限定されないが、３−（メタ）アクリロキシプロピルホスホン酸等が挙げられる。
【００２９】
分散剤を合成する際のイオン性基を有するモノマーに対する一般式（Ｉ）で表される化合物のモル比は、分散剤の金属粒子に対する吸着性及び立体障害のバランスから、適宜決定することができるが、通常、９〜９９９である。
【００３０】
インクは、前述の分散剤、金属粒子及び分散媒を含み、導電性パターンの形成に用いられる。
【００３１】
分散媒としては、金属粒子を分散させることが可能であれば、特に限定されないが、有機溶媒が挙げられる。中でも、分散剤の溶解性の点で、極性有機溶媒が好ましく、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル又はジアルキルグリコールエーテルがさらに好ましい。
【００３２】
モノアルキルグリコールエーテルとしては、特に限定されないが、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル等のエチレングリコール系エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコール系エーテルが挙げられる。
【００３３】
グリコールモノアルキルエーテルエステルとしては、特に限定されないが、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等が挙げられる。
【００３４】
ジアルキルグリコールエーテルとしては、特に限定されないが、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等が挙げられる。
【００３５】
金属粒子としては、導電性パターンを形成することが可能であれば、特に限定されないが、銅粒子、銀粒子、ニッケル粒子等が挙げられる。
【００３６】
金属粒子の平均粒径は、通常、２〜１００ｎｍである。
【００３７】
なお、金属粒子の平均粒径は、動的光散乱法を用いて測定することができる。
【００３８】
金属粒子を分散媒中に分散させる際に用いる分散機としては、特に限定されないが、ホモジナイザー、ボールミル、サンドミル、アトライター等が挙げられる。
【００３９】
導電性パターンの形成方法は、前述のインクを基材上に塗布する工程と、基材上に塗布されたインクを焼成する工程を有する。
【００４０】
インクの塗布方法としては、特に限定されないが、スピンコート法、インクジェット法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。中でも、直接パターニングできる点で、インクジェット法が好ましい。
【００４１】
基材上に塗布されたインクを焼成すると、金属粒子同士が融合することにより、金属粒子間の界面を消失させることができる。
【００４２】
基材上に塗布されたインクを焼成する方法としては、金属粒子同士を融合させることが可能であれば、特に限定されないが、熱焼成、光焼成等が挙げられる。中でも、基材のダメージを抑制できる点で、光焼成が好ましい。
【００４３】
基材上に塗布されたインクを光焼成する温度は、通常、２００℃以下である。
【００４４】
光焼成する際に用いる光源としては、特に限定されないが、キセノンランプ等が挙げられる。
【００４５】
なお、基材上に塗布されたインクを焼成する前に、加熱乾燥させることが好ましい。
【実施例】
【００４６】
本発明を実施例によりさらに詳細に説明する。ただし、本発明は、実施例に限定されない。なお、部は、質量部である。
【００４７】
（分散剤１の合成）
撹拌機、温度計及び還流冷却器を備えた反応容器に、エタノール３００部を入れた後、窒素パージの下、６０℃に加熱した。次に、数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部及び重合開始剤アゾビスジメチルバレロニトリル１部からなる混合液を１時間で滴下した後、６０℃で５時間撹拌した。さらに、エバポレーターを用いてエタノールを蒸発させ、分散剤１を得た。
【００４８】
（分散剤２の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、エチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９５部及びＮ，Ｎ−ジメチルアミノエチルメタクリレート５部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤２を得た。
【００４９】
（分散剤３の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、ジエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９９部及び２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸１部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤３を得た。
【００５０】
（分散剤４の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、エチレングリコールフェニルエーテルメタクリレート９０部及び３−メタクリロキシプロピルホスホン酸１０部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤４を得た。
【００５１】
（分散剤５の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、トリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９５部及びメタクリル酸５部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤５を得た。
【００５２】
（分散剤６の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が５００のポリエチレングリコールエチルエーテルメタクリレート９９部及びＮ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート１部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤６を得た。
【００５３】
（分散剤７の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、エチレングリコールメチルエーテルアクリレート９０部及びアクリル酸１０部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤７を得た。
【００５４】
（分散剤８の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、エチレングリコールフェニルエーテルアクリレート９５部及びＮ，Ｎ−ジエチルアミノエチルメタクリレート５部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤８を得た。
【００５５】
（分散剤９の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、ジエチレングリコールエチルエーテルアクリレート９９部及びアクリル酸１部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤９を得た。
【００５６】
（分散剤１０の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が４８０のポリエチレングリコールメチルエーテルアクリレート９０部及びアリルアミン１０部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１０を得た。
【００５７】
（分散剤１１の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、エチレングリコールジシクロペンテニルエーテルアクリレート９５部及びアクリル酸５部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１１を得た。
【００５８】
（分散剤１２の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、ジエチレングリコール２−エチルヘキシルエーテルアクリレート９９部及び４−アミノスチレン１部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１２を得た。
【００５９】
（分散剤１３の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が４１９のポリプロピレングリコール４−ノニルフェニルエーテルアクリレート９０部及びアクリル酸１０部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１３を得た。
【００６０】
（分散剤１４の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が３２４のポリエチレングリコールフェニルエーテルアクリレート９５部及び４−ビニルピリジン５部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１４を得た。
【００６１】
（分散剤１５の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が２６０のポリプロピレングリコールメチルエーテルアクリレート９９部及びアクリル酸１部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１５を得た。
【００６２】
（分散剤１６の合成）
数平均分子量が５００のポリエチレングリコールメチルエーテルメタクリレート９０部、メタクリル酸１０部の代わりに、数平均分子量が４７５のポリプロピレングリコールモノアクリレート９０部及びＮ，Ｎ−ジブチルアミノエチルアクリレート１０部を用いた以外は、分散剤１と同様にして、分散剤１６を得た。
【００６３】
（実施例１）
５部の分散剤１、銅粒子ＱＳＩ−Ｎａｎｏ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｐｏｗｄｅｒ（ＱｕａｎｔｕｍＳｐｈｅｒｅ社製）４０部及びエチレングリコールモノメチルエーテル１００部を１０分間超音波分散させた後、高速ミキサーのフィルミックス（プライミクス社製）を用いて１０分間分散させた。次に、孔径が１μｍのフィルターを用いて粗大粒子を除去し、平均粒径が７５ｎｍのインクを得た。
【００６４】
（実施例２）
５部の分散剤１の代わりに、２部の分散剤２を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が６９ｎｍのインクを得た。
【００６５】
（実施例３）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤３を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が８３ｎｍのインクを得た。
【００６６】
（実施例４）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤４を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、トリエチレングリコールジメチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が８２ｎｍのインクを得た。
【００６７】
（実施例５）
分散剤１の代わりに、分散剤５を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が６８ｎｍのインクを得た。
【００６８】
（実施例６）
５部の分散剤１の代わりに、２部の分散剤６を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、トリプロピレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が７３ｎｍのインクを得た。
【００６９】
（実施例７）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤７を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が８２ｎｍのインクを得た。
【００７０】
（実施例８）
分散剤１の代わりに、分散剤８を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、エチレングリコールモノプロピルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が７９ｎｍのインクを得た。
【００７１】
（実施例９）
５部の分散剤１の代わりに、２部の分散剤９を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、プロピレングリコールモノフェニルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が８５ｎｍのインクを得た。
【００７２】
（実施例１０）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤１０を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９１ｎｍのインクを得た。
【００７３】
（実施例１１）
分散剤１の代わりに、分散剤１１を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、トリエチレングリコールモノメチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９３ｎｍのインクを得た。
【００７４】
（実施例１２）
５部の分散剤１の代わりに、２部の分散剤１２を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が８７ｎｍのインクを得た。
【００７５】
（実施例１３）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤１３を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジエチレングリコールジメチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９２ｎｍのインクを得た。
【００７６】
（実施例１４）
分散剤１の代わりに、分散剤１４を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が７１ｎｍのインクを得た。
【００７７】
（実施例１５）
５部の分散剤１の代わりに、２部の分散剤１５を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が７４ｎｍのインクを得た。
【００７８】
（実施例１６）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤１６を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、プロピレングリコールモノフェニルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９６ｎｍのインクを得た。
【００７９】
（比較例１）
分散剤１の代わりに、ポリビニルピロリドンを用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、エチレングリコールを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９０ｎｍのインクを得た。
【００８０】
（比較例２）
分散剤１の代わりに、ポリビニルアルコールを用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、イソプロピルアルコールを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が１２５ｎｍのインクを得た。
【００８１】
（平均粒径）
濃厚系粒径アナライザーＦＰＡＲ−１０００（大塚電子社製）を用いて、平均粒径を測定した。
【００８２】
（導電性パターン１の形成）
ガラス基板上にインクをスピンコートした後、１２０℃のホットプレートを用いて分散媒を蒸発させた。次に、窒素を流した電気炉を用いて、３００℃で１時間加熱し、導電性パターン１を形成した。さらに、抵抗率計ロレスタ（三菱化学社製）及びアルファステップ（ＫＬＡ社製）を用いて、導電性パターン１の電気抵抗及び厚さを測定し、体積抵抗率を算出した。
【００８３】
（導電性パターン２の形成）
インクジェット塗布装置（リコープリンティングシステムズ社製）を用いて、受容層付きフィルム（ＯＨＰシート）上にインクをパターニングした後、１２０℃のホットプレートを用いて分散媒を蒸発させた。次に、キセノンランプを用いて１分間光を照射し、導電性パターン２を形成した。さらに、抵抗率計ロレスタ（三菱化学社製）及びアルファステップ（ＫＬＡ社製）を用いて、導電性パターン２の電気抵抗及び厚さを測定し、体積抵抗率を算出した。
【００８４】
表１に、導電性パターン１及び２の体積抵抗率の評価結果を示す。
【００８５】
【表１】
2014177600.tif 000005
表１から、実施例１〜１６のインクは、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性パターンの体積抵抗率が低くなることがわかる。
【００８６】
一方、比較例１のインクは、分散剤が分解しにくく、十分に焼成することが困難であるため、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性パターンの体積抵抗率が高くなることがわかる。このとき、導電性パターンの体積抵抗率が高くなるのは、光焼成の場合に顕著である。
【００８７】
また、比較例２のインクは、塗布時に金属粒子が緻密に堆積した膜を形成することが困難であるため、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性パターンの体積抵抗率が高くなることがわかる。このとき、導電性パターンの体積抵抗率が高くなるのは、光焼成の場合に顕著である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００８８】
【特許文献１】特開２００８−６０５４４号公報
【特許文献２】特表２０１０−５２８４２８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成26年3月12日(2014.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属粒子の分散に用いられる分散剤であって、
一般式
【化１】
2014177600.tif 000008
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、炭素数が１以上９以下のアルキル基、フェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、１以上である。）
で表される化合物由来の構成単位と、イオン性基を有する構成単位を有し、
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下であることを特徴とする分散剤。
【請求項２】
前記イオン性基は、アミノ基、カルボキシル基、スルホ基又はホスホ基であることを特徴とする請求項１に記載の分散剤。
【請求項３】
金属粒子の分散に用いられる分散剤を製造する方法であって、
一般式
【化２】
2014177600.tif 000009
（式中、Ｒ１は、水素原子又はメチル基であり、Ｒ２は、炭素数が１以上９以下のアルキル基、フェニル基、ビシクロペンテニル基又はノニルフェニル基であり、ｘは、２又は３であり、ｎは、自然数である。）
で表される化合物と、イオン性基を有するモノマーを含む組成物を重合する工程を有し、
前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、数平均分子量が１００００以下であることを特徴とする分散剤の製造方法。
【請求項４】
導電性パターンの形成に用いられるインクであって、
請求項１又は２に記載の分散剤、金属粒子及び分散媒を含むことを特徴とするインク。
【請求項５】
前記分散媒は、モノアルキルグリコールエーテル、グリコールモノアルキルエーテルエステル又はジアルキルグリコールエーテルを含むことを特徴とする請求項４に記載のインク。
【請求項６】
請求項４又は５に記載のインクを基材上に塗布する工程と、
該基材上に塗布されたインクを焼成する工程を有することを特徴とする導電性パターンの形成方法。
【請求項７】
前記基材上に塗布されたインクを光焼成することを特徴とする請求項６に記載の導電性パターンの形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
（参考例１６）
５部の分散剤１の代わりに、１０部の分散剤１６を用い、エチレングリコールモノメチルエーテルの代わりに、プロピレングリコールモノフェニルエーテルを用いた以外は、実施例１と同様にして、平均粒径が９６ｎｍのインクを得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
【表１】
2014177600.tif 000010
表１から、実施例１〜１５、参考例１６のインクは、熱焼成及び光焼成のいずれの場合においても、導電性パターンの体積抵抗率が低くなることがわかる。