(57)【要約】【課題】２層の磁性体により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜をエッチング及びトリートメントする際のガスを適正化する。【解決手段】第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料をエッチングするエッチング処理方法であって、処理容器内にＣ，Ｏ及びＨを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をエッチングするエッチング工程と、処理容器内にＣＦ４ガスを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をトリートメントするトリートメント工程と、を含むことを特徴とするエッチング処理方法が提供される。【選択図】図８
2014112664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料をエッチングするエッチング処理方法であって、
処理容器内にＣ，Ｏ及びＨを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をエッチングするエッチング工程と、
処理容器内にＣＦ４ガスを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をトリートメントするトリートメント工程と、
を含むことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項２】
前記トリートメント工程は、前記エッチング工程の後に行われることを特徴とする請求項１に記載のエッチング処理方法。
【請求項３】
前記トリートメント工程は、前記エッチング工程の間に行われることを特徴とする請求項１又は２に記載のエッチング処理方法。
【請求項４】
前記エッチング工程及び前記トリートメント工程は、予め定められた回数繰り返されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
【請求項５】
前記トリートメント工程にてトリートメントされる前記金属積層膜には、前記エッチング工程により生成された反応生成物が含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
【請求項６】
前記エッチング処理方法は、前記金属積層膜を含む多層膜材料としてのＭＲＡＭ素子の製造工程において使用される請求項１〜５のいずれか一項に記載のエッチング処理方法。
【請求項７】
処理容器と、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給源と、
第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料を載置する載置台と、
前記処理容器内に高周波の電力を供給する高周波電源と、
前記多層膜材料の処理を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記処理容器内に供給されたＣ，Ｏ及びＨを含有するガスから前記処理容器内に供給された高周波の電力を用いて生成されたプラズマにより、前記金属積層膜をエッチングする処理を制御し、前記処理容器内に供給されたＣＦ４ガスを含有するガスから前記処理容器内に供給された高周波の電力を用いて生成されたプラズマにより、前記金属積層膜をトリートメントする処理を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記高周波電源は、１０００Ｗ以上のバイアス用の高周波電力を前記処理容器内に供給することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング処理方法及び基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ；以下、単にＭＲＡＭ素子と称呼する。）は、２層の磁性体により絶縁層を挟んだ金属積層膜を基本構成とする磁性トンネル接合（ＭＴＪ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を用いるメモリである。ＭＲＡＭ素子は、コバルト（Ｃｏ）等を含有する金属積層膜を含む多層膜材料から形成される。
【０００３】
金属積層膜は、沸点が１０００℃を超えるため、従来、金属積層膜のエッチングは、スパッタによるエッチングが主であった。近年、ＭＲＡＭ素子の金属積層膜をドライエッチングする方法が提案されている。例えば、特許文献１には、塩素ガス（Ｃｌ２）やフッ素ガス（Ｆ２）を含むエッチングガスを用いてＭＲＡＭ素子の金属積層膜をドライエッチングする方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２３０７２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、金属積層膜を塩素ガス（Ｃｌ２）やフッ素ガス（Ｆ２）を含むエッチングガスによりドライエッチングした場合、エッチング工程中に塩素（Ｃｌ）やフッ素（Ｆ）を含む反応生成物が生成される。塩素（Ｃｌ）やフッ素（Ｆ）を含む反応生成物は気化されにくく、処理容器内に残留する。この結果、エッチングにより金属積層膜の壁面に反応生成物が堆積し、下層膜の形状を悪化させる場合がある。また、気化されにくいという性質からエッチング表面の反応生成物を除去することも難しく、これにより、目標となる線幅（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｅｍｅｎｓｉｏｎ）を得られない等、エッチング処理の制御を困難にしてしまう。
【０００６】
例えば、金属積層膜にコバルト（Ｃｏ）が含まれる場合、塩素ガス（Ｃｌ２）やフッ素ガス（Ｆ２）を含むエッチングガスによりドライエッチングすると、エッチング工程中に生成された反応生成物には、コバルト（Ｃｏ）と塩素（Ｃｌ）との反応生成物、又はコバルト（Ｃｏ）とフッ素（Ｆ）との反応生成物が含まれる。ここで、コバルト（Ｃｏ）と塩素（Ｃｌ）との化合物の融点は７３７℃であり、コバルト（Ｃｏ）とフッ素（Ｆ）との化合物の融点は１１２７℃である。このように、化合物の融点が高いと、エッチング工程中に生成された反応生成物は気化されにくく、処理容器内に残留する。エッチングを効率よく行い、かつ垂直なエッチング形状を得るためには、エッチング工程中に生成される反応生成物が直ちに気化され、排気されるように、融点や沸点が低い反応生成物が生成されるようなエッチングガスを選定することが重要である。
【０００７】
上記課題に対して、２層の磁性体により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜をエッチング及びトリートメントする際のガスを適正化することにより、良好なプラズマ処理が可能なエッチング処理方法及び基板処理装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、
第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料をエッチングするエッチング処理方法であって、
処理容器内にＣ，Ｏ及びＨを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をエッチングするエッチング工程と、
処理容器内にＣＦ４ガスを含有するガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより前記金属積層膜をトリートメントするトリートメント工程と、
を含むことを特徴とするエッチング処理方法が提供される。
【０００９】
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、
前記処理容器内にガスを供給するガス供給源と、
第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料を載置する載置台と、
前記処理容器内に高周波の電力を供給する高周波電源と、
前記多層膜材料の処理を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記処理容器内に供給されたＣ，Ｏ及びＨを含有するガスから前記処理容器内に供給された高周波の電力を用いて生成されたプラズマにより、前記金属積層膜をエッチングする処理を制御し、前記処理容器内に供給されたＣＦ４ガスを含有するガスから前記処理容器内に供給された高周波の電力を用いて生成されたプラズマにより、前記金属積層膜をトリートメントする処理を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
以上説明したように、２層の磁性体により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜をエッチング及びトリートメントする際のガスを適正化することにより、良好なプラズマ処理が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態に係るエッチング処理方法により製造されるＭＲＡＭ素子の一例。
【図２】一実施形態に係るＭＲＡＭ素子の製造工程を示すフローチャート。
【図３】金属元素とその化合物の融点を示す表。
【図４】一実施形態に係るエッチング工程、トリートメント工程を示すフローチャート。
【図５】一実施形態に係るエッチング処理方法によるＭＲＡＭ素子の製造工程を示す図。
【図６】一実施形態に係るエッチング処理方法によるＭＲＡＭ素子の製造工程(続き)を示す図。
【図７】一実施形態の変形例に係るエッチング工程、トリートメント工程を示すフローチャート。
【図８】一実施形態に係るエッチング工程、トリートメント工程の結果を示す図。
【図９】一実施形態に係るトリートメント工程のガス混合比依存の結果を示す図。
【図１０】一実施形態に係るトリートメント工程のガス種依存の結果を示す図。
【図１１】一実施形態に係るトリートメント工程のバイアス用高周波電力依存の結果を示す図。
【図１２】一実施形態に係るトリートメント工程の圧力依存の結果を示す図。
【図１３】一実施形態に係るトリートメント工程における反応生成物の除去を説明するための図。
【図１４】一実施形態に係る基板処理システムの概要図。
【図１５】一実施形態に係るプロセスモジュールＰＭ１（エッチング処理装置）の縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１３】
［ＭＲＡＭ素子］
はじめに、ＭＲＡＭ素子の構造について説明する。ＭＲＡＭ素子は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｎ，Ｉｒ，Ｒｕ，Ｍｇ，Ｔｉ、Ｗ等が含まれた金属積層膜を含む多層膜から形成される。図１は、一実施形態に係るエッチング処理方法で製造されるＭＲＡＭ素子１００の断面図である。図１に示すＭＲＡＭ素子１００は、基板Ｂ上に配置されており、下層から順に下部電極層１０１、ピン止め層１０２、第２磁性層１０３、絶縁層１０４、第１磁性層１０５、上部電極層１０６、及びマスク１０７が積層されている。ＭＲＡＭ素子１００の第１磁性層１０５、上部電極層１０６、及びマスク１０７の側壁には、保護膜１０８が設けられている。以下では、第１磁性層１０５及び第２磁性層１０３により絶縁層１０４を挟んで積層された積層膜を金属積層膜１０４ａとも称呼する。
【００１４】
下部電極層１０１は、基板Ｂ上に形成される電気伝導性を有する電極部材である。下部電極層１０１の厚さは、例えば約５ｎｍである。ピン止め層１０２は、下部電極層１０１及び第２磁性層１０３の間に配置される。ピン止め層１０２は、反強磁性体によるピン止め効果により下部電極層１０１の磁化の方向を固定する。ピン止め層１０２としては、例えばＩｒＭｎ（イリジウムマンガン）、ＰｔＭｎ（プラチナマンガン）等の反強磁性体材料が用いられ、その厚さは、例えば約７ｎｍである。
【００１５】
第２磁性層１０３は、ピン止め層１０２上に配置される強磁性体を含む層である。第２磁性層１０３は、ピン止め層１０２によるピン止め効果により、磁化の方向が外部磁界の影響を受けず一定に保持されるいわゆるピンド層として機能する。第２磁性層１０３としては、ＣｏＦｅＢが用いられ、その厚さは、例えば約２．５ｎｍである。
【００１６】
絶縁層１０４は、第２磁性層１０３及び第１磁性層１０５により挟まれ、磁性トンネル接合（ＭＴＪ：Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を構成する。磁性トンネル接合（ＭＴＪ）では、第２磁性層１０３と第１磁性層１０５との間に絶縁層１０４が介在することにより、第２磁性層１０３と第１磁性層１０５との間に、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Ｔｕｎｎｅｌ  ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が生じる。すなわち、第２磁性層１０３と第１磁性層１０５との間には、第２磁性層１０３の磁化方向と第１磁性層１０５の磁化方向との相対関係（平行または反平行）に応じた電気抵抗が生じる。絶縁層１０４としては、Ａｌ２Ｏ３やＭｇＯが用いられ、その厚さは、例えば１．３ｎｍである。
【００１７】
第１磁性層１０５は、絶縁層１０４上に配置される強磁性体を含む層である。第１磁性層１０５は、磁気情報である外部磁場に磁化の向きが追従する、いわゆるフリー層として機能する。第１磁性層１０５としては、ＣｏＦｅＢが用いられ、その厚さは、例えば約２．５ｎｍである。
【００１８】
上部電極層１０６は、第１磁性層１０５上に形成される電気伝導性を有する電極部材である。上部電極層１０６の厚さは、例えば約５ｎｍである。マスク１０７は、上部電極層１０６上に形成される。マスク１０７は、ＭＲＡＭ素子１００の平面形状に応じた形状に形成される。マスク１０７としては、例えばＴａ、ＴｉＮ、Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ等が用いられ、その厚さは例えば５０ｎｍである。
【００１９】
［ＭＲＡＭ素子の製造工程］
次に、上記構成を有するＭＲＡＭ素子の製造工程について、図２を参照しながら説明する。図２は、ＭＲＡＭ素子の製造工程を示すフローチャートである。
【００２０】
ＭＲＡＭ製造工程が開始されると、まず、工程Ｓ１において、成膜装置によって多層膜からなる被処理基板Ｗが製造される。次に、被処理基板Ｗがエッチング処理装置の静電チャックに載置される。図５（ａ）には、ＭＲＡＭ素子１００を製造方法の中間工程において生成される被処理基板Ｗの一例が示されている。この被処理基板Ｗは、基板Ｂ上に、下部電極層１０１、ピン止め層１０２、第２磁性層１０３、絶縁層１０４、第１磁性層１０５、及び上部電極層１０６からなる多層膜材料が積層された基板である。上部電極層１０６上には、所定の平面形状を有するマスク１０７が配置されている。以下、図５（ａ）に示す被処理基板Ｗを例に挙げて、一実施形態のエッチング処理方法を用いたＭＲＡＭ素子の製造工程について説明する。
【００２１】
工程Ｓ２においては、まず上部電極層１０６をエッチングする。この際に用いられるエッチングガスは任意であり、例えばＣｌ２、ＣＨ４、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等を用いることができる。例えば塩素Ｃｌ２を含む処理ガスを供給し、プラズマを発生させて被処理基板Ｗをエッチングする。処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガス、Ｈ２を含み得る。続いて、工程Ｓ２において前記処理ガスにより第１磁性層１０５のうちマスク１０７で覆われていない領域がエッチングされる。処理ガスには、第１磁性層１０５と絶縁層１０４との選択比を十分とることができる種類のガスが採用されているため、絶縁層１０４はエッチングされない。このため、工程Ｓ２においては、図５（ｂ）に示したように、絶縁層１０４の表面でエッチングが終了する。
【００２２】
一実施形態のエッチング処理方法では、続く工程Ｓ３において、被処理基板Ｗを成膜装置（例えばＲＬＳＡ装置やＣＶＤ装置）へ移動させ、図５（ｃ）に示すように、被処理基板Ｗの表面を絶縁物の保護膜１０８で被覆する。保護膜１０８としては、例えばＳｉＮやＳｉＯ２が用いられる。その後、被処理基板Ｗをエッチング処理装置へ戻し、第１磁性層１０５、上部電極層１０６及びマスク１０７の側壁に保護膜１０８が残るようにエッチングを実行する。すなわち、工程Ｓ４において絶縁層１０４（金属積層膜１０４ａ）をエッチング及びトリートメントする。
【００２３】
具体的には、工程Ｓ４で呼び出される図４の工程Ｓ４１において、処理容器内にＣＯ２ガス及びＣＨ４ガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより絶縁層１０４（金属積層膜１０４ａ）をエッチングする（エッチング工程）。これにより、図６（ａ）に示したように、絶縁層１０４（金属積層膜１０４ａ）がエッチングされるが、エッチング工程で生成された反応生成物Ｚが堆積する。
【００２４】
反応生成物Ｚには、マスク１０７、保護膜１０８及び絶縁層１０４に含まれる金属、該金属の酸化物、ＣやＨを含有する化合物等が含まれる可能性がある。この反応生成物Ｚは、図６（ａ）に示すように、絶縁層１０４、第１磁性層１０５、上部電極層１０６及びマスク１０７の側壁に付着する。金属積層膜のエッチング面に堆積した反応生成物Ｚは、エッチング形状を垂直にすること妨げる。また、導電性物質を含むため、そのまま残しておくと、反応生成物Ｚを通じてＭＲＡＭ素子１００にリーク電流を発生される要因となる。
【００２５】
よって、工程Ｓ４２において、処理容器内にＣＦ４ガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより絶縁層１０４（金属積層膜１０４ａ）をトリートメントする（トリートメント工程）。これにより、反応生成物Ｚが除去される（図６（ｂ））。なお、本実施形態では、エッチング工程及びトリートメント工程は、同じエッチング処理装置（基板処理装置）で実行される。基板処理装置の構成については後述する。
【００２６】
次に、図２に戻り、工程Ｓ５において、第２磁性層１０３及びピン止め層１０２を、ＣＨ４ガスを含むガスによりエッチングする（図６（ｃ））。処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガスやカルボニル基を含有するガス、Ｈ２等、メタン以外のガスを含み得る。工程Ｓ５において、第２磁性層１０３及びピン止め層１０２のうち、マスク１０７及び保護膜１０８に覆われていない領域がエッチングされる。これにより、ピン止め層１０２、第２磁性層１０３、及び絶縁層１０４の幅は、保護膜１０８の幅分だけ第１磁性層１０５、上部電極層１０６及びマスク１０７よりも広くなるように形成される。
【００２７】
一実施形態のエッチング処理方法では、続く工程Ｓ６において、処理ガスを供給し、プラズマを発生させて、下部電極層１０１をエッチングする（図６（ｄ））。処理ガスとしては、Ｈｅ、Ｎ２、Ａｒ等の不活性ガスやカルボニル基を含有するガス、ＣＨ４、Ｈ２等のガスを含み得る。工程Ｓ６において、下部電極層１０１のうち、マスク１０７及び保護膜１０８に覆われていない領域がエッチングされる。これにより、下部電極層１０１の幅は、保護膜１０８の幅分だけ第１磁性層１０５、上部電極層１０６及びマスク１０７よりも広くなるように形成される。
【００２８】
以上の全工程により、被処理基板Ｗ上に多層膜構造を有する所望のＭＲＡＭ素子１００が形成される。
【００２９】
［変形例］
なお、本実施形態におけるトリートメント工程は、エッチング工程と同様にプラズマを生成し、プラズマ処理を実行する。エッチング工程では、Ｃ，Ｏ及びＨを含有するガスを使用してプラズマが生成される。エッチング工程で供給するガスには、Ｃ，Ｏ及びＨを含有するガスに他ガスが含まれても良い。他ガスには、ＣＦ４ガスが含まれてもよい。
【００３０】
トリートメント工程では、ＣＦ４ガスを含有するガスを使用してプラズマが生成される。トリートメント工程で供給するガスには、ＣＦ４ガスに他ガスが含有された混合ガスであっても良い。
【００３１】
本実施形態におけるトリートメント工程は、エッチング工程後に行われる。しかしながら、本実施形態におけるトリートメント工程は、エッチング工程の間に行われてもよい。また、エッチング工程及びトリートメント工程は、予め定められた回数繰り返されてもよい。例えば、本実施形態に係るエッチング処理方法の変形例としては、図７に示したように、エッチング工程とトリートメント工程とを繰り返し実行する場合が一例として挙げられる。本変形例では、工程Ｓ４７のエッチング工程において、処理容器内にＣＯ２ガス及びＣＨ４ガスを供給してプラズマを生成し、生成されたプラズマにより絶縁層１０４（金属積層膜１０４ａ）をエッチングする。次に、工程Ｓ４８のトリートメント工程において、ＣＦ４ガスにより反応生成物Ｚを除去する。
【００３２】
その後、工程Ｓ４９において、工程Ｓ４７及び工程Ｓ４８を予め定められた回数繰り返したかを判定し、繰り返していない場合には、工程Ｓ４７に戻り、予め定められた回数になるまで工程Ｓ４７〜工程Ｓ４９を繰り返す。繰り返し回数は、１回であってもよく、複数回であってもよい。
【００３３】
このようにして、エッチング工程及びトリートメント工程を予め定められた回数だけ繰り返すことによって、エッチング工程にて生成された反応生成物Ｚをトリートメント工程にて除去しながら、次のエッチング工程を実行することができる。このため、エッチングの制御性を悪くする反応生成物Ｚを取り除きながら次のエッチング工程を実行することができる。この結果、エッチングレートを高めることができる。また、トリートメント工程によりエッチング工程中に堆積した反応生成物Ｚをその都度除去し、マスクＭの側壁をより垂直に保つことができるため、エッチング形状をより垂直に形成することができる。
【００３４】
［ガス選定］
次に、エッチング工程で使用するガス、及びトリートメント工程で使用するガスの選定について説明する。例えば、金属積層膜１０４ａにコバルト（Ｃｏ）が含まれる場合、塩素ガス（Ｃｌ２）やフッ素ガス（Ｆ２）を含むエッチングガスによりドライエッチングすると、エッチング工程中に生成された反応生成物Ｚには、コバルト（Ｃｏ）と塩素（Ｃｌ）との反応生成物、又はコバルト（Ｃｏ）とフッ素（Ｆ）との反応生成物が含まれる。
【００３５】
ここで、図３の金属元素とその化合物の融点を示した表を参照しながら説明する。なお、図３の出典は、「ＨＡＮＤＢＯＯＫ  ＯＦ  ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ  ａｎｄ  ＰＨＹＳＩＣＳ」  Ｗ．Ｍ．Ｈａｙｎｅｓ  Ｅｄｉｔｏｒ−ｉｎ−Ｃｈｉｅｆ９２ＮＤ  ＥＤＩＴＩＯＮ  ２０１１−２０１２、気相成長株式会社である。
【００３６】
図３では、コバルト（Ｃｏ）と塩素（Ｃｌ）との化合物の融点は７３７℃であり、コバルト（Ｃｏ）とフッ素（Ｆ）との化合物の融点は１１２７℃である。化合物の融点が高いと、その化合物は気化されにくく、処理容器内に残留する。エッチングを効率よく行い、かつ垂直なエッチング形状を得るためには、エッチング工程中に生成される反応生成物Ｚが直ちに気化され、排気されるように、融点や沸点が低い反応生成物が生成されるエッチングガスを選定することが重要である。
【００３７】
そこで、発明者らは、エッチング工程にて、２層の磁性体に挟まれた絶縁層（金属積層膜１０４ａ）をＣ，Ｏ及びＨを含有するガスを使用してエッチングしたときに発生する反応生成物Ｚをトリートメント工程にてスムーズに除去することが可能なガスの選定を検討した。具体的には、発明者らは、絶縁層をドライエッチングした後、トリートメント工程において反応生成物Ｚを除去する際にＣＦ４ガスまたはＣＦ４ガスを含有するガスを使用することを検討した。トリートメント工程にＣＦ４ガスを使用すると、コバルト（Ｃｏ）と一酸化炭素（ＣＯ）とが結合し、カルボニル基を含有する化合物が作られる。カルボニル基を含有する化合物は、融点及び沸点が低く昇華しやすいことがわかっている。例えば、図３を参照すると、コバルト（Ｃｏ）と一酸化炭素（ＣＯ）との化合物の融点は、６０．５１℃と低く、昇華しやすい。
【００３８】
以上から、発明者らは、トリートメント工程にＣＦ４ガスを供給することで、エッチング工程にて堆積した反応生成物Ｚが昇華するのではないか、と考えた。そこで、発明者らは、この知見に基づきガス選定の最適値を求めるべく、実際に実験を行った。
【００３９】
［実験］
以下では、ＣＯ２ガス及びＣＨ４ガスを用いたエッチング工程後のトリートメント工程のガス選定、及びその他のプロセス条件を最適化するために行った実験結果について説明する。その結果を、図８〜図１２に示す。
（実験結果１）
図８（ａ）は、タングステンＷ及び窒化チタンＴｉＮをマスクＭとして、ＣＯ２ガス及びＣＨ４ガスを用いて金属積層膜１０４ａをエッチングした後の断面ＳＥＭ像であり、エッチング工程後の金属積層膜の一例を示している。ここでは、金属積層膜１０４ａとしてコバルト（Ｃｏ）及びパラジウム（Ｐｄ）含有の膜を使用している。図８（ａ）では、金属積層膜１０４ａのエッチング面に反応生成物Ｚが堆積していることがわかる。
【００４０】
図８（ｂ）は、図８（ａ）に示した反応生成物Ｚを除去するために、ＣＦ４ガスを用いて金属積層膜１０４ａをトリートメントした後の断面ＳＥＭ像であり、トリートメント工程後の金属積層膜の一例を示している。図中では、金属積層膜１０４ａと反応生成物Ｚとを分けて図示しているが、反応生成物Ｚには、マスク１０７、保護膜１０８及び絶縁層１０４に含まれる金属、該金属の酸化物、ＣやＨを含有する化合物等が含まれる可能性があり、金属積層膜に含まれるとしてもよい。
【００４１】
このときのトリートメント工程のプロセス条件としては、圧力が５ｍＴ（０．６６７Ｐａ）、上部電極及び下部電極へ印加する高周波電力が８００Ｗ／１５００Ｗ、時間が３０秒であった。この結果、図８（ｂ）に示したように、ＣＦ４ガスの作用により、反応生成物Ｚが概ね除去されていることがわかる。以上から、ＣＯ２ガス及びＣＨ４ガスを用いて金属積層膜１０４ａをエッチングした際に堆積される反応生成物Ｚは、トリートメント工程によりＣＦ４ガスを用いて気化しやすい結合状態に変化し、昇華したと考察される。
（実験結果２）
次に、トリートメント工程のガスとしてＣＦ４ガスに希ガスを加えた場合について、図９を参照しながら説明する。本実験では、希ガスとしてＡｒガスを混合する。このときのトリートメント工程のプロセス条件としては、圧力が５ｍＴ〜１０ｍＴ（０．６６７Ｐａ〜１．３３Ｐａ）、上部電極及び下部電極へ印加する高周波電力が８００Ｗ／１０００Ｗ〜１５００Ｗ、時間が６０秒であった。
【００４２】
図９（ａ）は、図８（ａ）と同じ画像である。図９（ｂ）、図９（ｃ）は、ＣＦ４ガスとＡｒガスとの混合ガスを用いたトリートメント工程後の状態を示す。図９（ｂ）は、ＣＦ４ガスとＡｒガスとの流量比が１：４の混合ガスを使用した場合、図９（ｃ）は、ＣＦ４ガスとＡｒガスとの流量比が１：２の混合ガスを使用した場合の実験結果である。図９（ｄ）は、ＣＦ４ガスのみ（Ａｒガスを付加しない）を使用した場合の実験結果である。図９（ｄ）は、図８（ｂ）と同じ画像である。
【００４３】
図９（ｂ）〜図９（ｄ）を考察すると、図９（ｄ）のＣＦ４ガスのみを使用した場合が、最も効率的に反応生成物Ｚを除去できることがわかった。ただし、図９（ｂ）及び図９（ｃ）のＣＦ４ガスにＡｒガスを混合した混合ガスでも反応生成物Ｚを除去できる点では良い結果が得られた。また、ＣＦ４ガス（単一ガス）の場合には、化学的に反応生成物Ｚを除去することができ、マスクＭの減りが少なかった。これに対して、Ａｒガスが付加されていると、Ａｒガスが物理的に反応生成物Ｚを含む金属積層膜１０４ａをアタックするため、マスクＭの減りが大きかった。また、Ａｒガスが付加されていると、テーパ状に形成されたマスクＭに対応してＡｒガスも斜め方向に金属積層膜１０４ａをアタックするため、エッチング形状がより垂直形状になりにくくテーパ状になりやすいことがわかった。その点で、ＣＦ４ガスにＡｒガスを付加した混合ガスよりＣＦ４ガスの単一ガスの方が、トリートメント工程のガス種として、よりふさわしいことがわかった。ただし、ＣＦ４ガスとＡｒガスと混合ガスもトリートメント工程に使用できる。
（実験結果３）
次に、トリートメント工程のガス種依存について、図１０を参照しながら説明する。本実験では、図８（ａ）のエッチング工程後の状態に対して、多種のガス種を用いたトリートメント工程を実施した。このときのトリートメント工程のプロセス条件としては、圧力が５ｍＴ〜１０ｍＴ（０．６６７Ｐａ〜１．３３Ｐａ）、上部電極及び下部電極へ印加する高周波電力が８００Ｗ／１０００Ｗ〜１５００Ｗ、時間が６０秒であった。
【００４４】
図１０（ａ）は、ＣＯ２ガスとＡｒガスとの混合ガスを使用した場合、図１０（ｂ）は、Ｈ２ガスとＮ２ガスとの混合ガスを使用した場合、図１０（ｃ）は、Ｃ４Ｆ６ガスとＡｒガスを使用した場合、図１０（ｄ）は、ＣＦ４ガスのみを使用した場合の実験結果である。図１０（ｄ）は、図８（ｂ）及び図９（ｄ）と同じ画像である。
【００４５】
図１０（ａ）〜図１０（ｄ）を考察すると、図１０（ｄ）のＣＦ４ガス（単一ガス）の場合が、最も効率的に反応生成物Ｚを除去できることがわかった。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示したトリートメント工程では、図１０（ｄ）のトリートメント工程のように反応生成物Ｚが昇華されて除去されるまでには至っていないことがわかる。特に、図１０（ｃ）のトリートメント工程では、Ｃ４Ｆ６ガスを使用している。このＣ４Ｆ６ガスは、図１０（ｄ）のトリートメント工程で使用したＣＦ４ガスよりＦに対するＣの含有率が高い。その結果、図１０（ｃ）のトリートメント工程では、Ｃが過剰に存在するために、反応生成物を生成してしまったと考えられる。これに対して、図１０には図示していないが、トリートメント工程にＮＦ３ガスを使用することも考えられる。しかしながら、ＮＦ３ガスにはＣが含まれないため、マスクＭもエッチングされ、消失してしまう。よって、トリートメント工程では、ある程度の堆積物（反応生成物）を生じさせるためにＣが含まれることが必要であることがわかる。以上から、ＣＦ４ガス（単一ガス）は、反応生成物Ｚを最も効率的に除去できること、ＣＦ４ガスにＡｒガスを混合させた混合ガスでも反応生成物Ｚを除去できるが、ＣＦ４ガスの単一ガスよりもその効果は低いこと、ＣＦ４ガスを使用せずに他のガスでトリートメント工程を実行しても反応生成物Ｚを除去できないことがわかった。
（実験結果４）
次に、トリートメント工程のバイアス用高周波電力依存について、図１１を参照しながら説明する。本実験では、バイアス用高周波電力を可変に設定して、ＣＦ４ガスを用いたトリートメント工程を実施した。このときのトリートメント工程のプロセス条件としては、圧力は５ｍＴ〜１０ｍＴ（０．６６７Ｐａ〜１．３３Ｐａ）であり、高周波電力及びトリートメント時間は以下の通りであった。
【００４６】
図１１（ａ）がバイアス用高周波電力を印加しない場合、図１１（ｂ）がバイアス用高周波電力を１００Ｗ印加した場合、図１１（ｃ）がバイアス用高周波電力を５００Ｗ印加した場合、図１１（ｄ）がバイアス用高周波電力を１０００Ｗ印加した場合の実験結果である。なお、いずれの場合にもプラズマ生成用の高周波電力は８００Ｗであった。また、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）ではトリートメント工程を６０秒行ったのに対して、図１１（ｄ）ではトリートメント工程を２０秒行った。
【００４７】
その結果、図１１（ｄ）の高周波電源から１０００Ｗのバイアス用の高周波電力を供給した場合、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）の０Ｗ，１００Ｗ、５００Ｗのバイアス用の高周波電力を供給した場合より反応生成物Ｚの除去が進んでいることが分かった。図８（ｂ）のトリートメント工程では、１５００Ｗのバイアス用の高周波電力が供給され、良好な結果を得ていることも踏まえると、トリートメント工程では１０００Ｗ以上のバイアス用の高周波電力が印加されることが好ましいことがわかった。
（実験結果５）
最後に、トリートメント工程の圧力依存について、図１２を参照しながら説明する。本実験では、処理容器内の圧力を可変に設定して、ＣＦ４ガスを用いたトリートメント工程を実施した。このときのトリートメント工程のプロセス条件としては、上部電極及び下部電極へ印加する高周波電力が８００Ｗ／１５００Ｗ、時間が１０秒であった。
【００４８】
図１２（ａ）が圧力を１０ｍＴ（１．３３Ｐａ）とした場合、図１２（ｂ）が圧力を３０ｍＴ（４．００Ｐａ）とした場合の実験結果である。これによれば、図１２（ｂ）の圧力が高い場合、図１２（ａ）の圧力が低い場合に比べてエッチングが異方性になりにくく、等方的にエッチングされている。その結果、エッチング形状がテーパになり、垂直性に欠ける結果となっている。以上から、トリートメント工程中の圧力は低い方がよいことがわかった。
【００４９】
［考察］
以上の実験結果から、本実施形態によるエッチング工程で生成された反応生成物Ｚは、本実施形態によるトリートメント工程においてＣＦ４ガス又はＣＦ４ガスにＡｒガスを含む混合ガスを用いて除去可能であることが証明された。これについて以下に考察する。
【００５０】
前述したように、トリートメント工程にＣＦ４ガスを使用すると、コバルト（Ｃｏ）と一酸化炭素（ＣＯ）とが結合し、カルボニル基を有する化合物が作られる。例えば、図１３のＣＬａ内に示したように、一酸化炭素（ＣＯ）や炭素（Ｃ）がコバルト（Ｃｏ）を取り巻くように結合し、クラスタ化していると考えられる。カルボニル基を有する化合物は、融点及び沸点が低く昇華しやすいことがわかっている。例えば、図３を参照すると、コバルト（Ｃｏ）と一酸化炭素（ＣＯ）との化合物の融点は、６０．５１℃と低い。
【００５１】
このように、コバルト（Ｃｏ）はカルボニル基を作る。これに対して、パラジウム（Ｐｄ）はカルボニル基を作らない。パラジウム（Ｐｄ）は、一酸化炭素（ＣＯ）や炭素（Ｃ）と結合しにくく、水を吸収し易い性質を持っている。つまり、パラジウム（Ｐｄ）は水素（Ｈ）と結合し易い。よって、図１３のＣＬｂ内に示したように、複数の水素（Ｈ）がパラジウム（Ｐｄ）を取り巻くように結合し、クラスタ化する。そして、コバルト（Ｃｏ）とパラジウム（Ｐｄ）の間は、例えば、パラジウム（Ｐｄ）−水素（Ｈ）−一酸化炭素（ＣＯ）−コバルト（Ｃｏ）のように順に結合する。
【００５２】
この状態の反応生成物Ｚに対して、トリートメント工程にてＣＦ４ガスのプラズマを生成することで、プラズマ中に含まれるフッ素（Ｆ）が水素（Ｈ）と結びつく。この結果、水素（Ｈ）と一酸化炭素（ＣＯ）の結合が切れる。結合が切れると、図１３のＣＬａに示したカルボニル基を有する化合物は昇華していく。図１３のＣＬｂに示したパラジウム（Ｐｄ）を中心としたクラスタ構造の化合物も昇華していく。これについて説明する。例えば、パラジウム（Ｐｄ）を中心としたクラスタ構造には、パラジウム（Ｐｄ）に結合した水素（Ｈ）が一酸化炭素（ＣＯ）と結合している部分（すなわち、水素（Ｈ）と一酸化炭素（ＣＯ）との結合がフッ素（Ｆ）によって切られていない部分）も一部存在すると考えられる。その場合、図３を参照すると、パラジウム（Ｐｄ）とＣＨ＊Ｏとの化合物の融点は２０５℃と低い。このため、パラジウム（Ｐｄ）を中心としたクラスタ構造の化合物も昇華しやすい状態になっていると考えられる。以上から、トリートメント工程にはＣＦ４ガスを用いることが重要であることがわかった。
【００５３】
以上、本実施形態にかかるエッチング処理方法について説明した。以下では、本実施形態にかかるエッチング処理方法を使用してＭＲＡＭ素子１００を製造するための基板処理システム及び基板処理装置について説明する。
【００５４】
［基板処理システム］
ＭＲＡＭ素子１００は、例えば図１４に示す基板処理システムを用いて製造される。基板処理システム２０は、ロードポート２２ａ〜２２ｄ、フープ２４ａ〜２４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックチャンバＬＬ１、ＬＬ２、プロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２及びトランスファーチャンバ２１を備えている。
【００５５】
ロードポート２２ａ〜２２ｄは、ローダモジュールＬＭの一縁に沿って配列されている。これらロードポート２２ａ〜２２ｄ上には、フープ２４ａ〜２４ｄがそれぞれ載置されている。フープ２４ａ〜２４ｄ内には、被処理基板Ｗが多段に収容されている。
【００５６】
ローダモジュールＬＭ内には、搬送ロボットＲｂ１が設けられている。搬送ロボットＲｂ１は、フープ２４ａ〜２４ｄの何れかに収容されている被処理基板Ｗを取り出して、ロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２に搬送する。
【００５７】
ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、ゲートバルブを介してローダモジュールＬＭに接続されている。ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２はまた、ゲートバルブを介してトランスファーチャンバ２１に接続されている。ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、大気側のローダモジュールＬＭと真空側のトランスファーチャンバ２１との間で被処理基板Ｗを搬送する。
【００５８】
トランスファーチャンバ２１は、減圧可能なチャンバであり、当該チャンバ内には搬送ロボットＲｂ２が設けられている。トランスファーチャンバ２１には、ゲートバルブを介してプロセスモジュールＰＭ１、ＰＭ２が接続されている。搬送ロボットＲｂ２は、未処理の被処理基板ＷをロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２から取り出してプロセスモジュールＰＭ１又はＰＭ２に搬送し、処理後の被処理基板ＷをプロセスモジュールＰＭ１又はＰＭ２から取り出してロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２に搬送する。
【００５９】
プロセスモジュールＰＭ１は、エッチング工程及びトリートメント工程を実施する一実施形態としてのエッチング処理装置（図１５参照：基板処理装置)の一例である。プロセスモジュールＰＭ２は、成膜装置（例えば、金属積層膜や保護膜を成膜）の一例である。成膜装置としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やＲＬＳＡ（Ｒａｄｉａｌ  Ｌｉｎｅ  Ｓｌｏｔ  Ａｎｔｅｎｎａ）装置を用いてもよい。
【００６０】
以下では、エッチング工程及びトリートメント工程を行うプロセスモジュールＰＭ１の概略構成を、図１５を参照しながら説明する。
【００６１】
［エッチング処理装置／プロセスモジュールＰＭ１］
図１５には、エッチング工程及びトリートメント工程を行う一実施形態に係るプロセスモジュールＰＭ１の一例を示す。エッチング処理装置としてのプロセスモジュールＰＭ１は、処理容器１２を備えている。処理容器１２は、略円筒形状を有しており、その内部空間として処理空間Ｓを画成している。プロセスモジュールＰＭ１は、処理容器１２内に、略円板形状のサセプタ１４を備えている。サセプタ１４は、処理空間Ｓの下方に設けられている。サセプタ１４は、例えばアルミニウム製であり、下部電極を構成している。サセプタ１４は、プロセスにおいて後述する静電チャック５０の熱を吸熱して、静電チャック５０を冷却する機能を有する。
【００６２】
サセプタ１４の内部には、冷媒流路１５が形成されており、冷媒流路１５には、冷媒入口配管、冷媒出口配管が接続され、冷媒流路１５中に適宜、例えば冷却水等の冷媒を循環させることによって、サセプタ１４及び静電チャック５０を所定の温度に制御する。
【００６３】
プロセスモジュールＰＭ１は、筒状保持部１６及び筒状支持部１７を更に備えている。筒状保持部１６は、サセプタ１４の側面及び底面の縁部に接して、サセプタ１４を保持している。筒状支持部１７は、処理容器１２の底部から垂直方向に延在し、筒状保持部１６を介してサセプタ１４を支持する。プロセスモジュールＰＭ１は、この筒状保持部１６の上面に載置されるフォーカスリング１８を更に備えている。フォーカスリング１８は、例えば、シリコン又は石英から構成され得る。
【００６４】
処理容器１２の側壁と筒状支持部１７との間には、排気路２０が形成されている。排気路２０の入口又はその途中には、バッフル板２２が取り付けられている。また、排気路２０の底部には、排気口２４が設けられている。排気口２４は、処理容器１２の底部に嵌め込まれた排気管２８によって画成されている。この排気管２８には、排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、真空ポンプを有しており、処理容器１２内の処理空間Ｓを所定の真空度まで減圧することができる。処理容器１２の側壁には、被処理基板Ｗの搬入出口を開閉するゲートバルブ３０が取り付けられている。
【００６５】
サセプタ１４には、プラズマ生成用の第２高周波電源３２が整合器３４を介して接続されている。第２高周波電源３２は、第２周波数（例えば、４００ＫＨｚ）の高周波電力を下部電極、即ち、サセプタ１４に印加する。
【００６６】
プロセスモジュールＰＭ１は、天井側にシャワーヘッド３８を備えている。シャワーヘッド３８は、処理空間Ｓの上方に設けられている。シャワーヘッド３８は、電極板４０及び電極支持体４２を含み、上部電極としても機能する。
【００６７】
電極板４０は、略円板形状を有する導電性の板であり、プラズマ生成用の第１高周波電源３５が整合器３６を介して接続されている。第１高周波電源３５は、第１周波数（例えば６０ＭＨｚ）の高周波電力を電極板４０に印加する。第２高周波電源３２及び第１高周波電源３５によってサセプタ１４及び電極板４０に高周波電力がそれぞれ与えられると、サセプタ１４と電極板４０との間の空間、即ち、処理空間Ｓには高周波電界が形成される。
【００６８】
電極板４０には、複数のガス通気孔４０ｈが形成されている。電極板４０は、電極支持体４２によって着脱可能に支持されており、交換することができる。電極支持体４２の内部には、バッファ室４２ａが設けられている。バッファ室４２ａのガス導入口２５にはガス供給導管４６を介してガス供給源４４が接続されている。ガス供給源４４は、処理空間Ｓに処理ガスを供給する。ガス供給源４４は、例えば、エッチング工程においてはＣＯ２ガス及びＣＨ４ガス、トリートメント工程においてはＣＦ４ガスを供給し得る。電極支持体４２には、複数のガス通気孔４０ｈにそれぞれ連続する複数の孔が形成されており、当該複数の孔はバッファ室４２ａに連通している。したがって、ガス供給源４４から供給されるガスは、ガス供給導管４６、バッファ室４２ａ、ガス通気孔４０ｈを経由して、処理空間Ｓに供給される。なお、被処理基板Ｗの中心領域における処理ガスの流量と、被処理基板Ｗの周囲領域における処理ガスの流量とを制御してもよい。
【００６９】
処理容器１２の天井部に、環状又は同心状に延在する磁場形成機構４８が設けられている。この磁場形成機構４８は、処理空間Ｓにおける高周波放電の開始（プラズマ着火）を容易にして放電を安定に維持するよう機能する。
【００７０】
サセプタ１４の上面に静電チャック５０が設けられている。この静電チャック５０は、電極５２、並びに、一対の絶縁膜５４ａ及び５４ｂを含んでいる。絶縁膜５４ａ及び５４ｂは、セラミック等の絶縁体により形成される膜である。電極５２は、導電膜であり、絶縁膜５４ａと絶縁膜５４ｂの間に設けられている。この電極５２には、スイッチＳＷを介して直流電源５６が接続されている。直流電源５６から電極５２に直流電圧が与えられると、クーロン力が発生し、当該クーロン力によって被処理基板Ｗが静電チャック５０上に吸着保持される。静電チャック５０の内部には、加熱素子であるヒータ（図示せず）が埋め込まれ、被処理基板Ｗを所定温度に加熱できるようになっている。ヒータは、配線を介してヒータ電源（図示せず）に接続される。サセプタ１４及び静電チャック５０は、載置台７０を構成している。
【００７１】
プロセスモジュールＰＭ１は、伝熱ガス供給ライン５８及び６０、並びに、伝熱ガス供給源６２及び６４を備えている。伝熱ガス供給源６２は、伝熱ガス供給ライン５８に接続されている。伝熱ガス供給ライン５８は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面の中央部分において環状に延在している。伝熱ガス供給源６２は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基板Ｗとの間に供給する。また、伝熱ガス供給源６４は伝熱ガス供給ライン６０に接続されている。伝熱ガス供給ライン６０は、静電チャック５０の上面まで延びて、当該上面において伝熱ガス供給ライン５８を囲むように環状に延在している。伝熱ガス供給源６４は、例えばＨｅガスといった伝熱ガスを、静電チャック５０の上面と被処理基板Ｗとの間に供給する。
【００７２】
プロセスモジュールＰＭ１は、制御部６６を更に備えている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、第２高周波電源３２、整合器３４、第１高周波電源３５、整合器３６、ガス供給源４４、並びに、伝熱ガス供給源６２及び６４に接続されている。制御部６６は、排気装置２６、スイッチＳＷ、第２高周波電源３２、整合器３４、第１高周波電源３５、整合器３６、ガス供給源４４、並びに、伝熱ガス供給源６２及び６４のそれぞれに制御信号を送出する。制御部６６からの制御信号により、排気装置２６による排気、スイッチＳＷのオン、オフ、第１及び第２高周波電源３２、３５からの電力供給、整合器３４、３６のインピーダンス調整、ガス供給源４４による処理ガスの供給、伝熱ガス供給源６２及び６４それぞれによる伝熱ガスの供給が制御される。
【００７３】
プロセスモジュールＰＭ１では、載置台７０に第１磁性層及び第２磁性層により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜を含む多層膜材料が載置された状態で、エッチング工程及びトリートメント工程が行われる。エッチング工程では、ガス供給源４４から処理空間ＳにＣ，Ｏ及びＨを含有するガスが供給される。供給されたガスは高周波電界により電離及び解離しプラズマとなる。エッチング工程では、このようにして生成されたプラズマ中のラジカルやイオンにより、金属積層膜のエッチングが行われる。
【００７４】
トリートメント工程では、ＣＦ４ガスを含有するガが供給される。ガスは、高周波電界により電離及び解離しプラズマとなる。トリートメント工程では、このようにして生成されたプラズマによりエッチング工程で生成された反応生成物Ｚを除去する。以上、エッチング工程及びトリートメント工程を行うプロセスモジュールＰＭ１の概略構成について説明した。
【００７５】
以上に説明したように本実施形態によれば、２層の磁性体により絶縁層を挟んで積層された金属積層膜をエッチング及びトリートメントする際のガスを適正化することにより、良好なエッチング処理が可能になる。
【００７６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係るエッチング処理方法及び基板処理装置の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明に係るエッチング処理方法及び基板処理装置はかかる例に限定されない。本発明に係るエッチング処理方法及び基板処理装置の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明に係るエッチング処理方法及び基板処理装置の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００７７】
２０：基板処理システム、４４：ガス供給源、３２：第２高周波電源、３５：第１高周波電源、６６：制御部、１００：ＭＲＡＭ素子、１０１：下部電極層、１０２：ピン止め層、１０３：第２磁性層、１０４：絶縁層、１０５：第１磁性層、１０６：上部電極層、１０７：マスク、１０８：保護膜、Ｍ：マスク、Ｚ：反応生成物、ＰＭ１、ＰＭ２：プロセスモジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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