(57)【要約】【課題】焼結性金属接合材料が焼結した焼結性金属接合部におけるはみ出し部の脱落を防止することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置１は、半導体素子２、３が絶縁基板４に実装され、絶縁基板４は、半導体素子２、３を、焼結性金属接合部５を介して接合する凹部６が設けられた導体パターン４１を有し、凹部６は、底面６２と底面６２よりも広い開口部を形成するように設けられた側面６１とを有し、焼結性金属接合部５は、側面６１に近接するように、または側面６１に接するように配置されたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が絶縁基板に実装された半導体装置であって、
前記絶縁基板は、前記半導体素子を、焼結性金属接合部を介して接合する凹部が設けられた導体パターンを有し、
前記凹部は、底面と前記底面よりも広い開口部を形成するように設けられた側面とを有し、前記焼結性金属接合部は、前記側面に近接するように、または前記側面に接するように配置されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記焼結性金属接合部は、前記側面に接するように配置されたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記凹部における前記半導体素子が配置されていない周辺部に、３５０°以下で流動性を有し、かつ前記半導体素子の動作環境温度で硬化している封止材が充填されたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記封止材は、融点が３５０°以下の金属であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記封止材は、硬化温度が３５０°以下の有機材料であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体素子が絶縁基板に実装された半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁基板は、底面と前記底面よりも広い開口部を形成するように設けられた側面とを有する凹部が設けられた導体パターンを備え、
前記半導体素子の裏面電極または前記凹部の前記底面の少なくとも一方に、焼結性金属接合材料を供給する焼結性金属接合材供給工程と、
前記半導体素子を前記凹部に前記焼結性金属接合材料を介して載置された中間製造物を形成する半導体素子載置工程と、
加熱プレス装置に、前記半導体素子が配置される側にクッション材を介して前記中間製造物を装着し、前記加熱プレス装置により前記中間製造物を加圧しながら加圧して前記焼結性金属接合材料を焼結させ、前記半導体素子と前記導体パターンとを接合する加熱加圧工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記凹部における前記半導体素子が配置されていない周辺部に、３５０°以下で流動性を有し、かつ前記半導体素子の動作環境温度で硬化している封止材を充填し、前記周辺部を封止する接合部封止工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記封止材は、融点が３５０°以下の金属であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記封止材は、硬化温度が３５０°以下の有機材料であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半導体素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体素子の裏面電極と絶縁基板の配線導体とを金属粒子の焼結現象を利用して接合する半導体装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
モータのインバータ制御などに用いられるパワーモジュール（電力用半導体装置）には、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やダイオード、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect-Transistor）などの縦型半導体素子が搭載されている。半導体素子の表面及び裏面には金属メタライズによる電極が形成されている。一般的な半導体装置の場合、半導体素子の裏面電極と被接合材である絶縁基板の配線導体とがはんだ接合部を介して接続される場合が多い。
【０００３】
パワーモジュールに用いられる接合材料は、半導体素子の発熱量が増大する傾向にあるため高耐熱性能が望まれている。さらに、電力損失低減の観点から、近年、例えば、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウムのようなワイドバンドギャップ半導体材料を用いた半導体素子が開発されている。こうした半導体素子ワイドギャップ半導体の場合、素子自身の耐熱性が高く、大電流による高温動作が可能であるが、その特性を発揮するためには、上述した配線構造を形成するために、高耐熱性能の接合材料が必要とされる。
【０００４】
しかしながら、鉛フリーでかつ高耐熱性能を有するはんだ材は現状見出されていない。そこで、はんだに代わり、金属粒子の焼結現象を利用した接合方法のパワーモジュールへの適用が検討されている（例えば、特許文献１参照）。焼結接合技術に用いる接合材料（焼結性金属接合材料）は金属粒子と有機溶剤成分から構成されている。この焼結性金属接合材料は、金属粒子の焼結現象によって被接合部の配線導体との金属結合を達成するものである。はんだが溶融を伴って金属結合を達成するのとは異なり、焼結性金属接合材料は、溶融することなく金属結合を達成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２１４３４０号公報（００１３段〜００２０段、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このように、金属粒子の焼結現象を利用した接合方法は、高耐熱性能が要求されるパワーモジュールに用いられる。上記接合技術は、接合の際に加熱すると共に、焼結性金属接合材料と被接合材とを押さえつけるように加圧する必要があり、これまでのはんだ付けプロセスと大きく異なる。上記接合技術は、圧力を付与しないと、焼結現象が十分に進行せず、金属粒子の結合状態が非常に弱く脆弱な状態となる。半導体素子と絶縁基板の配線導体とを接合する接合工程において、半導体素子の裏面電極と絶縁基板の配線導体との間に供給された焼結性金属接合材料は、接合時の加圧によって流動し、接合したい領域外に少量なりともはみ出す。その結果、はみ出した接合材料には圧力が十分にかからないため、非常に脆い金属片が接合部周辺に残存することとなる。このようなはみ出し部が、その後の製造工程や、市場での製品使用中に脱落する場合には、パワーモジュールの動作不良を誘発するおそれがある。
【０００７】
特許文献１の半導体装置は、焼結性金属接合材料（特許文献１の１０５）が半導体素子（特許文献１の１０１）からはみ出したはみ出し部が存在している。特許文献１の半導体装置では、非常に弱く脆弱なはみ出し部の対策はとられていないので、パワーモジュールの動作不良が頻発することが予想される。
【０００８】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、焼結性金属接合材料が焼結した焼結性金属接合部におけるはみ出し部の脱落を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置は、半導体素子が絶縁基板に実装され、絶縁基板は、半導体素子を、焼結性金属接合部を介して接合する凹部が設けられた導体パターンを有し、凹部は、底面と底面よりも広い開口部を形成するように設けられた側面とを有し、焼結性金属接合部は、側面に近接するように、または側面に接するように配置されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置によれば、絶縁基板の導体パターンに底面よりも広い開口部を形成するように設けられた側面を有する凹部を有し、側面に近接するように、または側面に接するように焼結性金属接合部が配置されたので、焼結性金属接合材料が焼結した焼結性金属接合部におけるはみ出し部の脱落を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置の断面図である。
【図２】図１の領域Ａの拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態１による半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図６】図５の領域Ｂの拡大図である。
【図７】比較例による半導体装置の製造方法の要部を説明する図である。
【図８】本発明の実施の形態２による半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による半導体装置の断面図である。図２は、図１の領域Ａの拡大図である。半導体装置１は、シリコン（Ｓｉ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のワイドバンドギャップ半導体材料を基材とした半導体素子２、３が、絶縁基板４の上に配置された導体パターン４１上に、実装されている。半導体素子２は、ＭＯＳＦＥＴであり、表面にゲート電極２３とソース電極２１を有し、裏面にドレイン電極２２を有する。半導体素子３は、ダイオードであり、表面にアノード電極３１を有し、裏面にカソード電極３２を有する。絶縁基板４は、絶縁層４２の表面及び裏面にそれぞれ導体パターン４１、４３が形成されている。絶縁基板４における表面側の導体パターン４１には、半導体素子２、３を接続する凹部６が設けられている。凹部６は、底面６２と、底面６２に対して傾斜した側面６１を有する。凹部６の開口部は、底面６２に対して傾斜した側面６１により、底面６２よりも広くなっている。半導体素子２及び半導体素子３は、それぞれ導体パターン４１の凹部６において、金属粒子を用いた焼結接合技術により形成された焼結性金属接合部５を介して接続されている。焼結性金属接合部５は、半導体素子２、３の裏面電極であるドレイン電極２２、アノード電極３１の外周部から水平方向にはみだしたはみ出し部５２を有する。
【００１３】
焼結性金属接合部５を形成する焼結性金属接合材料５１は、ナノメーターレベルの金属微粒子（金属ナノ粒子）の反応性により、その金属がバルクで示す融点よりも低い温度で焼結する現象を利用した焼結性金属接合材料である。しかし、金属ナノ粒子は、その反応性の高さから、常温でも接触するだけで焼結が進行する。そのため、焼結性金属接合材料５１では、金属ナノ粒子が凝集して焼結反応が進行するのを抑制するため、金属ナノ粒子間を独立した状態で分散保持するための有機成分の分散材によって保持されている。さらに、半導体素子２、３の裏面に形成された裏面電極（ドレイン電極２２、カソード電極３２）と絶縁基板４の導体パターン４１との接合工程において焼結反応を生じさせるため、焼結性金属接合材料５１には、加熱により分散材と反応して金属ナノ粒子を裸にする分散材捕捉材と、分散材と分散材捕捉材とが反応して生成された反応物質を捕捉して揮散する揮発性有機成分等が添加されている。
【００１４】
焼結性金属接合材料５１は、骨材たる金属ナノ粒子が有機成分中に分散されてペースト状になったもの、あるいは上記のペーストを乾燥させたシート状の材料であり、この焼結性金属接合材料を所望の被接合部材間に供給し、加熱することで焼結接合を達成するものである。この金属ナノ粒子は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどの貴金属に分類される純物質でも、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ−Ｓｉ、Ａｕ−Ｇｅ、Ａｕ−Ｃｕなどの合金組成のどちらでもよい。焼結性金属接合材料５１中の有機成分の分解と金属ナノ粒子の焼結によって初期のペースト時の体積に対して、接合後の接合部の体積は約半分程度に減少するため、ボイドの少ない信頼性の高い接合部を得るためには、接合時に加圧しながら加熱しなければならない。このように、焼結接合技術を用いるためには、接合部を加圧できる半導体装置の構造とその製造方法が必要である。
【００１５】
次に、図１に示した半導体装置１の製造方法について、図３〜６を用いて説明する。図３は、絶縁基板４と半導体素子２の間に焼結性金属接合材料５１を介在させた半導体装置１であり、焼結性金属接合部５が形成される前の状態を示している。図４は、半導体装置１を加熱プレス装置７に装着した状態を示している。図５は、半導体装置１を加熱プレス装置７で加熱加圧している状態を示している。図６は、図５の領域Ｂの拡大図である。
【００１６】
まず、図３のように、絶縁基板４の導体パターン４１上に設けた凹部６の底面６２の所定箇所、あるいは半導体素子２、３の裏面電極（ドレイン電極２２、カソード電極３２）上の所定箇所、あるいは双方に、焼結性金属接合部５となる焼結性金属接合材料５１を供給する（焼性金属接合材料供給工程）。続いて、半導体素子２、３を、焼結性金属接合材料５１を介して凹部６の底面６２上に位置合わせをして載置する（半導体素子載置工程）。半導体素子載置工程の後の半導体装置１は、焼結性金属接合材料５１が焼結される前の状態であり、中間製造物である。焼結性金属接合材料５１は、ペースト状のものやシート状のもの等を用いる。
【００１７】
ペースト状の焼結性金属接合材料５１を用いる場合は、後述する加熱加圧工程の前に、予備乾燥工程を設けることが望ましい。また、上記予備乾燥工程は、絶縁基板４上に半導体素子２、３を載置する前、あるいは載置後のいずれに実施しても良い。ただし、絶縁基板４上に半導体素子２、３を載置する前に予備乾燥する場合は、焼結性金属接合材料５１に、絶縁基板４と半導体素子２、３とを仮固定させるほどの粘着力がないので、焼結反応が開始しない程度の温度と低荷重を付与して仮固定する仮固定工程があっても良い。
【００１８】
一方、シート状の焼結性金属接合材料５１を用いる場合は、所望のサイズに成形した焼結性金属接合材料５１を絶縁基板４と半導体素子２、３間に載置する。このとき、焼結性金属接合材料５１に、絶縁基板４と半導体素子２、３とを仮固定させるほどの粘着力がないので、焼結反応が開始しない程度の温度と低荷重を付与して仮固定する仮固定工程があっても良い。
【００１９】
続いて、図４のように、加熱プレスステージ７１及び加熱プレスツール７２を有する加熱プレス装置７に半導体装置１（中間製造物）を装着し、加熱プレス装置７にて荷重を加えながら２００〜３５０℃に加熱する（加熱加圧工程）。このとき、半導体素子２、３を保護するとともに、半導体素子２、３や焼結性金属接合材料５１の厚さが異なる場合にも付与する圧力が均等にかかるように、半導体装置１と加熱プレスツール７２の間には、クッション材８を用いる。
【００２０】
クッション材８は、半導体素子２、３と導体パターン４１との接合の際の加熱に対して十分な耐熱性を有するとともに、クッション性を発揮する程度に柔らかい材料が望ましい。具体的には、ゴム、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂等が挙げられる。クッション材８のサイズは、絶縁基板４の凹部６の底面６２の寸法より大きく、焼結性金属接合材料５１のはみ出し部５３を包含するような大きさである。また、クッション材８の厚さは、所望の荷重を加えてクッション材８が変形した時に、半導体素子２、３の表面だけでなく、絶縁基板４上の凹部６の底面６２にも接触し荷重を付与できるほどの厚さが必要である。図４〜６には、半導体素子２を実装する凹部６と半導体素子３を実装する凹部６よりも大きいクッション材８の例を示した。
【００２１】
実施の形態１では、絶縁基板４上の半導体素子２、３を搭載する部分に底面６２と傾斜を設けた側面６１を備えた凹部６を設けた。側面６１に傾斜がつけられているため、図５、６に示すように、クッション材８が加圧により変形し、はみ出し部５２に対して底面６２に垂直な方向の圧力だけでなく、クッション材８が受ける側面６１からの反作用により、矢印１０に示す水平内側方向へも加圧することが可能となる。そのため、焼結性金属接合部５のはみ出し部５２を強固に焼結することができ、その後の工程や市場での使用時においてはみ出し部５２が脱落することを防止することができる。
【００２２】
実施の形態１の特徴を、従来の構造と比較する。図７は、比較例による半導体装置の製造方法の要部を説明する図である。図７は、実施の形態１の図６に相当する拡大図である。従来の半導体装置は、絶縁基板１０３における凹部を有しない導体パターン１０４に半導体素子２が焼結性金属焼結接合部１０５を介して実装される。図７の従来の構造では、焼結性金属焼結接合部１０５のはみ出し部１０６に、クッション材８が当たってはいるが、加熱プレス装置７により半導体素子２を介して与えられる圧力は、はみ出し部１０６には十分に付与できず、クッション材８が変形したとしてもはみ出し部１０６全体に十分な圧力を付与することが難しかった。
【００２３】
したがって、従来の半導体装置は、半導体素子２、３と絶縁基板１０３とを接合する接合工程において、接合したい領域の外に焼結性金属接合材料がはみ出し、焼結性金属接合材料のはみ出し部１０６に十分な圧力がかからないために、はみ出し部１０６が脆い金属片として残存していた。従来の半導体装置は、はみ出し部１０６が脆いので、その後の製造工程ではみ出し部１０６が脱落して絶縁部に付着する場合に、絶縁不良となる問題があった。また、従来の半導体装置は、脆いはみ出し部１０６が、その後の製造工程で脱落して配線部に付着する場合は、導体パターンやボンディングワイヤ等の金属配線間で短絡し、動作不良を生じる問題があった。また、従来の半導体装置は、脆いはみ出し部１０６が、その後の製造工程で脱落しワイヤボンディングパッドに付着する場合に、ワイヤボンディングパッドとボンディングワイヤとのボンディングを阻害する問題があった。
【００２４】
実施の形態１の半導体装置１は、従来の半導体装置と異なり、絶縁基板４の半導体素子２、３が搭載される部分に、傾斜を設けた側面６１を有する凹部６を備えたので、半導体素子２、３を絶縁基板４に接合する接合工程で用いるクッション材８が焼結性金属接合材料５１のはみ出し部５３を加圧する際、はみ出し部５３を斜め下方向に十分に加圧することができ、すなわち、底面６２に対して水平方向及び垂直方向に十分に加圧することができ、強固な焼結体となった焼結性金属接合部５が形成できる。そのため、焼結性金属接合部５のはみ出し部５２の脱落を防止することができ、はみ出し部５２の脱落によるモジュールの動作不良を防止することができる。このため、実施の形態１の半導体装置１は、半導体素子２、３の裏面電極（ドレイン電極２２、カソード電極３２）と絶縁基板４とを接合する際に、はんだに代わり高耐熱性能に優れる焼結性金属接合材料５１を用いることが可能となり、ひいてはパワーモジュールの耐熱性を向上させることができる。
【００２５】
半導体素子２、３は、シリコンウエハを基材とした一般的な素子でもよいが、本発明においては炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料、またはダイヤモンドといったシリコンと較べてバンドギャップが広い、いわゆるワイドバンドギャップ半導体材料を適用できる。半導体素子２、３のデバイス種類としては、特に限定する必要はないが、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴのようなスイッチング素子、やダイオードのような整流素子を搭載することができる。例えば、スイッチング素子や整流素子として機能する半導体素子２、３に、炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）系材料又はダイヤモンドを用いた場合、従来から用いられてきたシリコン（Ｓｉ）で形成された素子よりも電力損失が低いため、パワーモジュールの高効率化が可能となる。また、耐電圧性が高く、許容電流密度も高いため、パワーモジュールの小型化が可能となる。さらにワイドバンドギャップ半導体素子は、耐熱性が高いので、高温動作が可能であり、放熱フィンの小型化や、水冷部の空冷化も可能となるので、放熱フィンを備えたパワーモジュールの一層の小型化が可能になる。
【００２６】
なお、図１〜図６では、焼結性金属接合部５が凹部６の側面６１に接するように配置された例を示したが、焼結性金属接合部５が凹部６の側面６１に近接するように配置されてもよい。焼結性金属接合部５が凹部６の側面６１に近接するように配置された場合も、半導体素子２、３を絶縁基板４に接合する接合工程で用いるクッション材８が焼結性金属接合材料５１のはみ出し部５３を加圧する際、はみ出し部５３を斜め下方向に十分に加圧することができ、すなわち、底面６２に対して水平方向及び垂直方向に十分に加圧することができ、強固な焼結体となった焼結性金属接合部５を形成できる。
【００２７】
以上のように、実施の形態１の半導体装置１によれば、半導体素子２、３が絶縁基板４に実装され、絶縁基板４は、半導体素子２、３を、焼結性金属接合部５を介して接合する凹部６が設けられた導体パターン４１を有し、凹部６は、底面６２と底面６２よりも広い開口部を形成するように設けられた側面６１とを有し、焼結性金属接合部５は、側面６１に近接するように、または側面６１に接するように配置されたので、焼結性金属接合材料５１が焼結した焼結性金属接合部５におけるはみ出し部５２の脱落を防止することができる。
【００２８】
また、実施の形態１の半導体装置１の製造方法によれば、半導体素子２、３が絶縁基板４に実装され、絶縁基板４は、底面６２と底面６２よりも広い開口部を形成するように設けられた側面６１とを有する凹部６が設けられた導体パターン４１を備えた半導体装置１の製造方法であって、半導体素子２、３の裏面電極（ドレイン電極２２、カソード電極３２）または凹部６の底面６２の少なくとも一方に、焼結性金属接合材料５１を供給する焼結性金属接合材供給工程と、半導体素子２、３を凹部６に焼結性金属接合材料５１を介して載置された中間製造物を形成する半導体素子載置工程と、加熱プレス装置７に、半導体素子２、３が配置される側にクッション材８を介して中間製造物を装着し、加熱プレス装置７により中間製造物を加圧しながら加熱して焼結性金属接合材料５１を焼結させ、半導体素子２、３と導体パターン４１とを接合する加熱加圧工程と、を含むことを特徴とするので、クッション材８が焼結性金属接合材料５１のはみ出し部５３を加圧する際、はみ出し部５３を斜め下方向に十分に加圧することができ、すなわち、底面６２に対して水平方向及び垂直方向に十分に加圧することができ、強固な焼結体となった焼結性金属接合部５が形成できる。したがって、実施の形態１の製造方法により製造された半導体装置１は、焼結性金属接合部５が強固なので、焼結性金属接合材料５１が焼結した焼結性金属接合部５におけるはみ出し部５２の脱落を防止することができる。
【００２９】
実施の形態２．
図８は、本発明の実施の形態２による半導体装置の断面図である。実施の形態２の半導体装置１は、凹部６に封止材９を充填してある点で、実施の形態１とは異なる。具体的には、凹部６における半導体素子２、３が配置されていない周辺部に、封止材９が充填される。その他は、実施の形態１と同様に、半導体素子２、３が、焼結性金属接合部５を介して絶縁基板４上の凹部６の底面６２上に接合されている。図８に示した封止材９は、流動して凹部６を充填でき、かつその後硬化することで、はみ出し部５２の脱落をより確実に防止する効果を有する。
【００３０】
封止材９の材質は、金属材料でも有機材料でも良い。封止材９は、半導体素子２、３を構成する部分の耐熱性を考慮し、３５０°以下で流動性を有し、かつ半導体素子２、３の動作環境温度で硬化していることが必要である。金属材料であれば、例えば、Ｓｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｚｎ、Ｓｎ−Ｓｂ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｂｉ、Ｂｉ−Ａｇ、Ｂｉ−Ｃｕ、などの非鉛系はんだを用いることができる。また、有機材料であれば、エポキシ、ポリイミド、シリコーンゴムといった耐熱樹脂を用いることができる。上記に記載した材料は、３５０℃以下で流動し、硬化する材料である。
【００３１】
加熱加圧工程で半導体素子２、３が焼結接合技術によって絶縁基板４の導体パターン４１に接合された後に、封止材９を凹部６に充填し硬化させる（接合部封止工程）。はんだ等の溶融を伴う封止材９を用いる場合は、ペースト状やペレット状で供給するか、あるいはスパッタもしくはメッキ等により所望の領域に配置しておき、加熱加圧工程後にリフロー炉で溶融させた状態で半導体装置１を取り出し、自然冷却により封止材９を硬化させる。封止材９が熱硬化性樹脂などの場合も同様に、加熱加圧工程後にディスペンス（塗布）等により封止材９を所望の領域に供給し、加熱硬化させる。
【００３２】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００３３】
１…半導体装置、２、３…半導体素子、４…絶縁基板、５…焼結性金属接合部、６…凹部、７…加熱プレス装置、８…クッション材、９…封止材、４１…導体パターン、５１…焼結性金属接合材料、６１…側面、６２…底面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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