(57)【要約】【課題】振動式トランスデューサにおいて、製造コストの上昇を招くことなく電極間の絶縁を保障する。【解決手段】基板上の同一の活性層により形成された振動子と振動子の端部に接続する振動子電極と振動子の近傍に配置された固定電極とを有し、固定電極と振動子電極との間にポリシリコンの埋め込み部が形成された振動式トランスデューサ。電極間の寄生容量を低減するために、ポリシリコンの埋め込み部を不純物ドープし、基準電位に接続するようにしてもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の同一の活性層により形成された振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極とを有し、
前記固定電極と前記振動子電極との間にポリシリコンの埋め込み部が形成されたことを特徴とする振動式トランスデューサ。
【請求項２】
基板上の同一の活性層により形成された振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極と前記振動子電極および前記固定電極の外周に配置された外周電極とを有し、
いずれかの電極間にポリシリコンの埋め込み部が形成されたことを特徴とする振動式トランスデューサ。
【請求項３】
前記ポリシリコンの埋め込み部が不純物ドープされ、基準電位に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の振動式トランスデューサ。
【請求項４】
前記ポリシリコンに替えて、フッ化水素酸またはフッ化水素の蒸気に耐える材料を用いたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の振動式トランスデューサ。
【請求項５】
前記材料は、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＤＬＣのいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の振動式トランスデューサ。
【請求項６】
振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極とを基板上の同一の活性層に形成する振動式トランスデューサの製造方法であって、
前記固定電極と前記振動子電極との間にポリシリコンを埋め込む工程と、
前記振動子をリリースする犠牲層エッチング工程と、
を有することを特徴とする振動式トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極と前記振動子電極および前記固定電極の外周に配置された外周電極とを基板上の同一の活性層に形成する振動式トランスデューサの製造方法であって、
いずれかの電極間にポリシリコンを埋め込む工程と、
前記振動子をリリースする犠牲層エッチング工程と、
を有することを特徴とする振動式トランスデューサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動式トランスデューサに関し、特に、電極間の絶縁を保障する電極分離構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
振動式トランスデューサは、シリコン基板上に形成された振動子の共振周波数の変化を検出することにより印加された物理量を測定する装置である。振動式トランスデューサは、圧力センサ、加速度センサ、角速度センサ、共振器等のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスとして伝送器等において広く用いられている。
【０００３】
従来、振動式トランスデューサは、両端が固定された長板状の振動子の平面側をシリコン基板と平行に形成し、シリコン基板の上下方向に振動させるようにしていたが、特許文献１には、振動子の平面側をシリコン基板と垂直に形成し、シリコン基板の横方向に振動させることが開示されている。これにより、加工工程が簡略化され、振動式トランスデューサを高精度かつ安価に製造することが可能となる。
【０００４】
図１８は、長板状の振動子の平面側をシリコン基板と垂直に形成し、シリコン基板の横方向に振動させる振動式トランスデューサの構造を説明する図である。本図は、振動子部分の断面図を示している。
【０００５】
本図に示すように、振動式トランスデューサ３００は、シリコン基板３１０と表面シリコン層（活性層３２０の下部）との間に酸化膜のＢＯＸ層３１１を挿入した構造のＳＯＩ基板上に、シリコンの活性層３２０を加工して振動子３３０と第１固定電極３４１と第２固定電極３４２とが形成され、さらに酸化膜３６０、ポリシリコン３５０によるシェル３５１が形成された構造となっている。
【０００６】
第１固定電極３４１、第２固定電極３４２は、振動子３３０を挟むようにして形成されており、振動子３３０の周囲は真空室３７０となっている。なお、図１８には示されていないが、振動子３３０の端側にも電極が形成されており、振動子電極３３１として機能する。
【０００７】
図１９は、活性層３２０のマスクパターン例を示す図である。第１固定電極３４１、第２固定電極３４２は、大きさの等しい正負のバイアス電圧を印加するための電極である。振動子電極３３１は、振動子３３０の共振周波数と等しい周波数の交流信号を印加するための電極である。ただし、各電極に印加する電圧、信号の組合わせは変更することができる。また、固定電極を１つとする場合もある。
【０００８】
振動子３３０および振動子電極３３１と第１固定電極３４１、第２固定電極３４２とは電気的に絶縁する必要があるため、マスクパターンには、第１固定電極３４１、第２固定電極３４２と振動子電極３３１との間に電極分離隙ＷＨが設けられ、第１固定電極３４１、第２固定電極３４２と振動子３３０との間に振動子ギャップＷＶが設けられている。活性層３２０を分離するドライエッチングのエッチングレートを共通にするため、電極分離隙ＷＨと振動子ギャップＷＶとは同じ幅となっている。
【０００９】
図２０、図２１は、振動式トランスデューサ３００の作成工程を説明する図であり、図１９における電極分離隙ＷＨを含むＡ−Ａ断面と振動子ギャップＷＶを含むＢ−Ｂ断面とを示している。
【００１０】
図２０（ａ）に示すように、基板３１０とＢＯＸ層３１１と活性層から構成されるＳＯＩ基板の活性層上に、高濃度にボロンが含まれたシリコン層をエピタキシャル成長させ、活性層３２０を形成する。
【００１１】
そして、上述のマスクパターンを用いて活性層３２０のドライエッチングを行なう。この結果、図２０（ｂ）に示すように活性層３２０を分離するトレンチが形成される。
【００１２】
後の製造プロセスでエッチングチャネルを形成する線幅の狭いフォトリソグラフィを行なうため、ウェハの表面を平坦に保つ必要がある。このため、図２０（ｃ）に示すように、活性層３２０を分離するトレンチを酸化膜３６０で埋め込む。酸化膜３６０の埋め込みは、プラズマＣＶＤ、ＬＰ−ＣＶＤにより行なうが、トレンチの開口部が狭いため、一般に埋め込み部にボイド（空間）が生じる。
【００１３】
さらに、図２１（ａ）に示すように、ポリシリコン３５０を成膜し、ウェハの表面を平坦にした後、図２１（ａ）に示すように、振動子３３０付近にエッチングチャネルを形成する。エッチングチャネルは、振動子３３０周辺の酸化膜３６０、すなわち犠牲層を除去するためのエッチング液あるいはエッチングガスの導入口となる。
【００１４】
そして、図２１（ｃ）に示すように、エッチングチャネルを利用して犠牲層エッチングを行ない、振動子３３０をリリースする。その後、所定の環境下でポリシリコン成膜による真空封止を行なってエッチングチャネルを埋めるとともに真空室３７０を形成する。また、各電極にコンタクするためのホールおよび電極パッドを形成することにより、図１８に示した振動式トランスデューサ３００が作成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２０１２−５８１２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図２２（ａ）は、犠牲層エッチング前の活性層３２０の水平方向の断面図である。本図に示すように、振動子３３０と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間、振動子電極３３１と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間は、酸化膜３６０で埋められており、酸化膜３６０にはボイドが連続的に生じている。
【００１７】
図中の破線で示したエッチングチャネルを利用して犠牲層エッチングを行なうと、図２２（ｂ）に示すように、酸化膜３６０が除去されて振動子３３０と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間に振動子ギャップが生成され、振動子３３０がリリースされる。
【００１８】
このとき、酸化膜３６０にボイドが連続的に生じているため、振動子電極３３１と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間の酸化膜３６０もボイドを介してエッチングされて除去される。この結果、振動子電極３３１と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間も空隙となる。
【００１９】
この空隙により、振動子電極３３１と第１固定電極３４１および第２固定電極３４２との間の絶縁が十分保障されないおそれが生じる。例えば、製造工程中に振動子電極３３１と第１固定電極３４１あるいは第２固定電極３４２との間に異物が入り込んだ場合等に電極間の絶縁が不十分となり品質の低下を招くおそれがある。
【００２０】
また、ボイドを介して電極の下面側のＢＯＸ層３１１までエッチングが進むと、電極の一部が浮いた状態になり、やはり電極間の絶縁が十分保障されなくなる。
【００２１】
酸化膜３６０の成膜の際にボイドレスの埋め込みを行なうことでボイドを介したエッチング進行を防止し、電極間の絶縁を確実にすることも考えられるが、テーパー構造にするなど、アスペクト比の高いトレンチ構造が形成しにくくなるため、製造工程が複雑となり製造コストの上昇を招くことになる。
【００２２】
そこで、本発明は、振動式トランスデューサにおいて、製造コストの上昇を招くことなく電極間の絶縁を保障することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様である振動式トランスデューサは、基板上の同一の活性層により形成された振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極とを有し、前記固定電極と前記振動子電極との間にポリシリコンの埋め込み部が形成されたことを特徴とする。
【００２４】
本発明の振動式トランスデューサは、基板上の同一の活性層により形成された振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極と前記振動子電極および前記固定電極の外周に配置された外周電極とを有し、いずれかの電極間にポリシリコンの埋め込み部が形成されたことを特徴としてもよい。
ここで、前記ポリシリコンの埋め込み部を不純物ドープし、基準電位に接続するようにしてもよい。
また、前記ポリシリコンに替えて、フッ化水素酸またはフッ化水素の蒸気に耐える材料を用いてもよい。例えば、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＤＬＣを用いることができる。
上記課題を解決するため、本発明の第２の態様である振動式トランスデューサの製造方法は、振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極とを基板上の同一の活性層に形成する振動式トランスデューサの製造方法であって、前記固定電極と前記振動子電極との間にポリシリコンを埋め込む工程と、前記振動子をリリースする犠牲層エッチング工程とを有することを特徴とする。
本発明の振動式トランスデューサの製造方法は、振動子と前記振動子の端部に接続する振動子電極と前記振動子の近傍に配置された固定電極と前記振動子電極および前記固定電極の外周に配置された外周電極とを基板上の同一の活性層に形成する振動式トランスデューサの製造方法であって、いずれかの電極間にポリシリコンを埋め込む工程と、前記振動子をリリースする犠牲層エッチング工程とを有することを特徴としてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、振動式トランスデューサにおいて、製造コストの上昇を招くことなく電極間の絶縁が保障される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本実施形態に係る振動式トランスデューサの構造を説明する図である。
【図２】振動式トランスデューサの作成工程の特徴部分を説明する図である。
【図３】犠牲層エッチング前の活性層の水平方向の断面図である。
【図４】犠牲層エッチング後の活性層の水平方向の断面図である。
【図５】本実施形態に係る振動式トランスデューサのマスクパターンの第１の別例を示す図である。
【図６】犠牲層エッチング前の活性層の水平方向の断面図である。
【図７】犠牲層エッチング後の活性層の水平方向の断面図である。
【図８】本実施形態に係る振動式トランスデューサのマスクパターンの第２の別例を示す図である。
【図９】犠牲層エッチング前の活性層の水平方向の断面図である。
【図１０】犠牲層エッチング後の活性層の水平方向の断面図である。
【図１１】本実施形態の変形例を示す図である。
【図１２】従来のガード用電極を説明する図である。
【図１３】外周電極について説明する図である。
【図１４】外周電極を設けたときのポリシリコン埋め込み部の形成例を示す図である。
【図１５】外周電極を設けたときのポリシリコン埋め込み部の形成例を示す図である。
【図１６】外周電極を設けたときのポリシリコン埋め込み部の形成例を示す図である。
【図１７】外周電極を設けたときのポリシリコン埋め込み部の形成例を示す図である。
【図１８】長板状の振動子の平面側をシリコン基板と垂直に形成し、シリコン基板の横方向に振動させる振動式トランスデューサの構造を説明する図である。
【図１９】活性層のマスクパターン例を示す図である。
【図２０】振動式トランスデューサの作成工程を説明する図である。
【図２１】振動式トランスデューサの作成工程を説明する図である。
【図２２】犠牲層エッチング前後の活性層の水平方向の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る振動式トランスデューサの構造を説明する図であり、図１（ａ）は活性層のマスクパターンを示し、図１（ｂ）は電極分離隙ＷＨを含むＡ−Ａ断面を示し、図１（ｃ）は振動子ギャップＷＶを含むＢ−Ｂ断面を示している。
【００２８】
本図に示すように、振動式トランスデューサ１００は、従来の振動式トランスデューサ３００と同様に、シリコン基板１１０と表面シリコン層との間に酸化膜のＢＯＸ層１１１を挿入した構造のＳＯＩ基板上に、シリコンの活性層１２０を加工して振動子１３０と振動子電極１３１と第１固定電極１４１と第２固定電極１４２とが形成され、さらに酸化膜１６０、ポリシリコン１５０によるシェル１５１が形成された構造となっている。
【００２９】
第１固定電極１４１、第２固定電極１４２は、振動子１３０を挟むようにして形成されており、振動子１３０の周囲は真空室１７０となっている。
【００３０】
本実施形態の振動式トランスデューサ１００は、図１（ｂ）に示すように、振動子電極１３１と第１固定電極１４１との間に、ポリシリコン１５０の埋め込み層が形成されている点において従来の振動式トランスデューサ３００と異なる構成をしている。ただし、ポリシリコンに替えて、フッ化水素酸またはフッ化水素の蒸気に耐えられる材料、例えば、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、ＤＬＣ（Diamond‐Like Carbon）等を用いるようにしてもよい。
【００３１】
なお、本図に示すマスクパターンの場合は、振動子電極１３１と第２固定電極１４２との間にも、ポリシリコン１５０の埋め込み層が形成される。ただし、振動子１３０および振動子電極１３１の形状を「エの字」ではなく「コの字」等として、振動子電極１３１と第２固定電極１４２との間に電極分離隙が存在しない場合や第２固定電極を用いない場合等は、振動子電極１３１と第１固定電極１４１との間に、ポリシリコン１５０の埋め込み層を形成すれば足りる。
【００３２】
このポリシリコン１５０の埋め込み層は、犠牲層エッチングの際にエッチングストップ層として機能する。このため、ポリシリコン１５０の埋め込み層の周辺の酸化膜１６０は、犠牲層エッチングの際に完全には除去されず、一部または全部が残ることになる。このため、電極間が絶縁体で埋められ保護されるため、電極間の絶縁が保障される。
【００３３】
本実施形態では、ポリシリコン１５０の埋め込み層を形成するために、電極分離隙ＷＨを振動子ギャップＷＶよりも大きくして、酸化膜１６０の成膜の際に電極分離隙ＷＨで酸化膜１６０が開口するようにしている。この開口部からポリシリコンが埋め込まれることになる。他の条件は、従来と同様とすることができるため、電極間の絶縁の保障に伴う製造コストの上昇を招くことはない。
【００３４】
図２は、本実施形態の振動式トランスデューサ１００の作成工程の特徴部分を説明する図である。ＢＯＸ層１１１を挟んで基板１１０上に形成された活性層１２０を図１（ａ）に示したマスクパターンを用いてドライエッチングを行なうと、図２（ａ）に示すように活性層１２０を分離するトレンチが形成される。ここで、Ｂ−Ｂ断面図に示す２つのトレンチ幅よりも、Ａ−Ａ断面図に示すトレンチ幅の方が大きくなっている。
【００３５】
そして、プラズマＣＶＤ、ＬＰ−ＣＶＤにより酸化膜１６０を成膜すると、図２（ｂ）に示すように、振動子ギャップ部分は酸化膜１６０で埋め込まれ、ボイドが生成されるが、電極分離隙ＷＨ部分は幅が広いため、酸化膜１６０で埋まらず、酸化膜１６０に覆われた溝が生成される。
【００３６】
さらに、図２（ｃ）に示すように、酸化膜１６０の表面にポリシリコン１５０を成膜し、振動子１３０付近にエッチングチャネルを形成する。電極分離隙ＷＨ部分はポリシリコン１５０で埋め込まれ、ボイドが生じるが、表面は平坦となるため、エッチングチャネルを形成する工程のフォトリソグラフィに影響は与えない。
【００３７】
図３は、犠牲層エッチング前の活性層１２０の水平方向の断面図である。本図に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は、ボイドが生じた酸化膜１６０で埋められているが、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間では酸化膜１６０にポリシリコン１５０が埋め込まれている。
【００３８】
このため、図中の破線で示したエッチングチャネルを利用して犠牲層エッチングを行なうと、図４に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は振動子ギャップが生成され、振動子１３０がリリースされるのに対して、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間では、ポリシリコン１５０がエッチングストップ層となって、酸化膜１６０が残る。
【００３９】
したがって、第１固定電極１４１と振動子電極１３１との間、および第２固定電極１４２と振動子電極１３１との間の絶縁が保障される。また、振動子電極１３１の下面のＢＯＸ層１１１が過剰に除去されて振動子電極１３１や第１固定電極１４１、第２固定電極１４２の一部が浮いてしまうことも防ぐことができる。
【００４０】
なお、本実施形態に係る振動式トランスデューサ１００のマスクパターンは、図１（ａ）に示したような形状に限られない。図５は、本実施形態に係る振動式トランスデューサ１００のマスクパターンの第１の別例を示す図である。
【００４１】
第１の別例では、第１固定電極１４１、第２固定電極１４２と振動子電極１３１との電極分離隙を一定幅ではなく、振動子１３０に近い部分に絞り部を設け、絞り部以外を幅広部としている。幅広部は、酸化膜１６０の成膜の際に電極分離隙ＷＨで酸化膜１６０が開口するようにしており、Ａ−Ａ断面とＢ−Ｂ断面とは上記の実施形態と同様となる。
【００４２】
図６は、第１の別例における犠牲層エッチング前の活性層１２０の水平方向の断面図である。本図に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は、ボイドが生じた酸化膜１６０で埋められているが、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間の幅広部では酸化膜１６０にポリシリコン１５０が埋め込まれている。また、振動子１３０に近い部分の絞り部は酸化膜１６０で埋め込まれている。この部分は幅広部に露出しているため、酸化膜１６０が十分に成膜してボイドは生じない。
【００４３】
このため、図中の破線で示したエッチングチャネルを利用して犠牲層エッチングを行なうと、図７に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は振動子ギャップが生成され、振動子１３０がリリースされるのに対して、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間では、ポリシリコン１５０がエッチングストップ層となって、酸化膜１６０が残る。第１の別例では、酸化膜１６０で埋め込まれた絞り部を有するため、犠牲層エッチングにより振動子１３０の端部を十分リリースすることが可能となる。
【００４４】
このように、第１の別例においても第１固定電極１４１と振動子電極１３１との間、および第２固定電極１４２と振動子電極１３１との間の絶縁が保障される。また、振動子電極１３１の下面のＢＯＸ層１１１が過剰に除去されて振動子電極１３１や第１固定電極１４１、第２固定電極１４２の一部が浮いてしまうことも防ぐことができる。
【００４５】
図８は、本実施形態に係る振動式トランスデューサ１００のマスクパターンの第２の別例を示す図である。
【００４６】
第２の別例では、幅広部を振動子１３０に近い部分を避けて部分的に設けるようにしている。幅広部は、酸化膜１６０の成膜の際に電極分離隙ＷＨで酸化膜１６０が開口するようにしており、Ａ−Ａ断面とＢ−Ｂ断面とは上記の実施形態と同様となる。
【００４７】
図９は、第２の別例における犠牲層エッチング前の活性層１２０の水平方向の断面図である。本図に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は、ボイドが生じた酸化膜１６０で埋められているが、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間の幅広部では酸化膜１６０にポリシリコン１５０が埋め込まれている。幅広部の周囲は、酸化膜１６０が十分に成膜してボイドは生じない。
【００４８】
このため、図中の破線で示したエッチングチャネルを利用して犠牲層エッチングを行なうと、図１０に示すように、振動子１３０と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間は振動子ギャップが生成され、振動子１３０がリリースされるのに対して、振動子電極１３１と第１固定電極１４１および第２固定電極１４２との間では、ポリシリコン１５０がエッチングストップ層となって、酸化膜１６０が残る。第２の別例でも、振動子１３０の根本部分は酸化膜１６０で埋め込まれているため、犠牲層エッチングにより振動子１３０の端部を十分リリースすることが可能となる。
【００４９】
このように、第２の別例においても第１固定電極１４１と振動子電極１３１との間、および第２固定電極１４２と振動子電極１３１との間の絶縁が保障される。また、振動子電極１３１の下面のＢＯＸ層１１１が過剰に除去されて振動子電極１３１や第１固定電極１４１、第２固定電極１４２の一部が浮いてしまうことも防ぐことができる。
【００５０】
上述の実施形態および別例とも、図１１に示すように、振動子電極１３１と第１固定電極１４１、第２固定電極１４２との間のポリシリコン１５０に対して不純物をドープして、基準電位に接続するようにしてもよい。
【００５１】
これにより、振動子電極１３１と第１固定電極１４１、第２固定電極１４２との間に寄生する容量を無くすことができ、電極間に交流信号を流す場合に発生するクロストークノイズを低減することができる。
【００５２】
従来、振動子電極１３１と第１固定電極１４１、第２固定電極１４２との間に寄生する容量を無くすためには、図１２に示すようにガード用電極１４３を設ける必要があったが、上述の実施形態および別例では、振動子電極１３１と第１固定電極１４１、第２固定電極１４２との間のポリシリコン１５０に対して、不純物をドープすることで同様の効果を得ることができる。
【００５３】
また、他の電極間おいても同様にポリシリコン１５０を埋め込み、ポリシリコン１５０に対して不純物をドープして基準電位に接続するようにして寄生容量を介したクロストークノイズを低減してもよい。電極を囲む形状にポリシリコンを成膜し、不純物をドープして基準電位に接続することで静電シールドとして機能させて外乱ノイズを低減するようにしてもよい。
【００５４】
ところで、図１３に示すように、振動電極１３１、第１固定電極１４１、第２固定電極１４１の外側を囲むように外周電極１４４を設ける場合がある。外周電極１４４は、基板１１０、シェル１５１とともに、静電シールドとして機能する。このような外周電極１４４と振動子電極１３１、第１固定電極１４１、第２固定電極１４１との間の絶縁を確保するために、本発明を適用することもできる。
【００５５】
例えば、図１４に示すように、外周電極１４４の内側の電極分離隙に形成される酸化膜１６０にポリシリコン１５０を埋め込んで、外周電極１４４と振動電極１３１、第１固定電極１４１、第２固定電極１４１との間の絶縁を確保するとともに、これらの電極の下面のＢＯＸ層１１１が過剰に除去されて電極の一部が浮いてしまうことを防ぐようにしてもよい。
【００５６】
このとき、図１５に示すように、外周電極１４４と振動電極１３１、第１固定電極１４１、第２固定電極１４１との間の電極分離隙の一部を幅広部として、ポリシリコン１５０の埋め込み部の領域を限定するようにしてもよい。あるいは、図１６に示すように、幅広部に隣接する絞り部を形成して酸化膜１６０をより保護するようにしてもよい。
【００５７】
さらには、図１７に示すように、振動子電極１３１と第１固定電極１４１、第２固定電極１４２との電極分離隙にポリシリコン１５０の埋め込み部を形成するようにしてもよい。
【００５８】
これらの例に限られず、本発明では、すべての電極分離隙にポリシリコン１５０の埋め込み部を形成したり一部の電極分離隙にポリシリコン１５０の埋め込み部を形成する等、任意の電極分離隙にポリシリコン１５０の埋め込み部を形成することができる。これにより、任意の電極間の絶縁を確保するとともに任意の電極の下面のＢＯＸ層１１１が過剰に除去されて電極の一部が浮いてしまうことを防ぐことができる。また、任意の電極分離隙に形成されたポリシリコン１５０の埋め込み部に対して不純物をドープして基準電位に接続するようにして寄生容量を介したクロストークノイズを低減してもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１００…振動式トランスデューサ、１１０…基板、１１１…ＢＯＸ層、１２０…活性層、１３０…振動子、１３１…振動子電極、１４１…第１固定電極、１４２…第２固定電極、１４３…ガード用電極、外周電極１４４、１５０…ポリシリコン、１５１…シェル、１６０…酸化膜、１７０…真空室、３００…振動式トランスデューサ、３１０…基板、３１１…ＢＯＸ層、３２０…活性層、３３０…振動子、３３１…振動子電極、３４１…第１固定電極、３４２…第２固定電極、３５０…ポリシリコン、３５１…シェル、３６０…酸化膜、３７０…真空室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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