(57)【要約】【課題】高精細化を行っても、消費電力が低減され、かつ色再現に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】第一電極が設けられた基板の上に高抵抗材料からなる高抵抗材料層を形成する高抵抗材料層の形成工程と、前記高抵抗材料層の上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、前記剥離層を所定のパターン形状に加工する剥離層の加工工程と、前記剥離層が配置されていない領域にある前記高抵抗材料層を加工して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する高抵抗材料層の加工工程と、前記高抵抗材料層が配置されていない領域及び前記剥離層の上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、前記剥離層の上に設けられている有機化合物層を、前記剥離層ごと前記基板から除去するリフトオフ工程と、を少なくとも有する。【選択図】図２
2014135251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に少なくとも１つの有機ＥＬ素子を備え、
前記有機ＥＬ素子が、前記基板の上に設けられる第一電極と、発光層を有する有機化合物層と、第二電極と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第一電極が設けられた基板の上に高抵抗材料からなる高抵抗材料層を形成する高抵抗材料層の形成工程と、
前記高抵抗材料層の上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、
前記剥離層を所定のパターン形状に加工する剥離層の加工工程と、
前記剥離層が配置されていない領域にある前記高抵抗材料層を加工して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する高抵抗材料層の加工工程と、
前記高抵抗材料層が配置されていない領域及び前記剥離層の上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記剥離層の上に設けられている有機化合物層を、前記剥離層ごと前記基板から除去するリフトオフ工程と、を少なくとも有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記剥離層の加工工程において加工される前記剥離層の加工領域が、前記高抵抗材料層の加工工程において加工される前記高抵抗材料層の加工領域を包括していることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記高抵抗材料が、有機材料であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板の上に、前記第二電極と電気接続する給電用電極がさらに形成されており、
前記有機化合物層の形成工程を行う際に、少なくとも前記給電用電極が表出されている領域を除いた領域について前記有機化合物層を形成し、
前記リフトオフ工程の後、前記有機化合物層及び前記給電用電極を覆うように第二電極を形成する第二電極の形成工程をさらに有することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記発光層から出力される光が白色であり、
前記有機ＥＬ素子の上に所定の色を出力させるためのカラーフィルタが設けられていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記剥離層の加工工程において、前記基板の上に残存する前記剥離層の少なくとも一部に、前記剥離層の上部を少なくとも２つ以上に分断する溝部を設けることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
基板の上に、第一有機ＥＬ素子と、第二有機ＥＬ素子と、第三有機ＥＬ素子と、を備え、
前記第一有機ＥＬ素子が、第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される第一有機化合物層と、を有し、
前記第二有機ＥＬ素子が、第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される第二有機化合物層と、を有し、
前記第三有機ＥＬ素子が、第一電極と、第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に配置される第三有機化合物層と、を有し、
前記第一有機ＥＬ素子、前記第二有機ＥＬ素子及び前記第三有機ＥＬ素子の発光色がそれぞれ異なる有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第一電極が設けられた基板の上に高抵抗材料からなる高抵抗材料層を形成する高抵抗材料層の形成工程と、
前記高抵抗材料層の上に第一剥離層を形成する第一剥離層の形成工程と、
第一有機ＥＬ素子を設ける領域にある前記第一剥離層と前記高抵抗材料層とを除去して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する第一除去工程と、
前記第一有機ＥＬ素子を設ける領域及び前記第一剥離層の上に第一有機化合物層を形成する第一有機化合物層の形成工程と、
前記第一剥離層の上に設けられている第一有機化合物層を、前記第一剥離層ごと除去するリフトオフ工程と、
前記高抵抗材料層と前記第一有機化合物層の上に第二剥離層を形成する第二剥離層の形成工程と、
第二有機ＥＬ素子を設ける領域にある前記第二剥離層と前記高抵抗材料層とを除去して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する第二除去工程と、
前記第二有機ＥＬ素子を設ける領域及び前記第二剥離層の上に第二有機化合物層を形成する第二有機化合物層の形成工程と、
前記第二剥離層の上に設けられている第二有機化合物層を、前記第二剥離層ごと除去するリフトオフ工程と、
前記高抵抗材料層と前記第一有機化合物層と前記第二有機化合物層の上に第三剥離層を形成する第三剥離層の形成工程と、
第三有機ＥＬ素子を設ける領域にある前記第三剥離層と前記高抵抗材料層とを除去して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する第三除去工程と、
前記第三有機ＥＬ素子を設ける領域及び前記第三剥離層の上に第三有機化合物層を形成する第三有機化合物層の形成工程と、
前記第三剥離層の上に設けられている第三有機化合物層を、前記第三剥離層ごと除去するリフトオフ工程と、
前記第一有機化合物層、前記第二有機化合物層及び前記第三有機化合物層を覆うように第二電極を形成する第二電極の形成工程と、を有することを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板の上に、前記第二電極への給電用電極がさらに形成されており、
前記高抵抗材料層の形成工程において、前記給電用電極の上に前記高抵抗材料層を形成し、
前記第三除去工程において、前記給電用電極の少なくとも一部を同時に表出し、
前記第三有機化合物層の形成工程において、前記第三除去において少なくとも前記給電用電極が表出された領域を除いた領域について前記第三有機化合物層を形成することを特徴とする、請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第一除去工程において、前記基板の上に残存する第一剥離層の少なくとも一部に、前記第一剥離層の上部を少なくとも２つ以上に分断する溝部をさらに設けることを特徴とする、請求項７又は８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第二除去工程において、前記基板の上に残存する第二剥離層の少なくとも一部に、前記第二剥離層の上部を少なくとも２つ以上に分断する溝部をさらに設けることを特徴とする、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第三除去工程において、前記基板の上に残存する第三剥離層の少なくとも一部に、前記第三剥離層の上部を少なくとも２つ以上に分断する溝部をさらに設けることを特徴とする、請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置が注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置を用いてカラー表示を行う場合、従来から知られている構成としては、白色光を出力する白色有機ＥＬ素子を用いる構成と、出力する色がそれぞれ異なる複数種類の有機ＥＬ素子を用いる構成と、がある。ここで白色有機ＥＬ素子を用いる場合は、当該白色有機ＥＬ素子上に、透過する色の種類がそれぞれ異なるカラーフィルタを複数種類設ける必要がある。また出力する色がそれぞれ異なる複数種類の有機ＥＬ素子を用いる場合は、例えばメタルマスクを用いた真空蒸着法を用いて、発光色が異なる有機化合物層を画素列毎に塗り分ける必要がある。
【０００４】
ところで、近年では、表示装置の高精細化に伴い、メタルマスクを用いた真空蒸着法では、所定の有機化合物層を所定の画素領域内に収まるように正確に成膜することが困難となってきている。この課題は、メタルマスクの加工精度や、蒸着時の輻射熱によるメタルマスクの歪みによって生じている。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献１では、フォトリソプロセスを利用したカラー有機ＥＬ表示装置の製造方法が提案されている。具体的には、基板上に塗布した有機化合物層をリフトオフを利用して加工することで、発光色の異なる複数の有機化合物層を基板上に形成する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許２００３−３６９７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１にて提案された方法で有機化合物層を形成する際には、有機化合物層の端部を画素電極部の端部よりも外側に配置する必要があった。これは、露光装置のアライメント誤差を考慮して所定の画素電極部の全域が有機化合物層に被覆されるように有機化合物層を形成する必要があることに起因する。即ち、有機化合物層が設けられる領域は、画素電極部が設けられる領域よりも広い領域である。また、画素電極と対向する電極は、有機ＥＬ表示装置の表示領域に含まれる全ての画素に共通する電極として形成される。
【０００８】
ところで、各々の有機ＥＬ素子の発光領域は、原則として画素電極が設けられている領域である。しかし特許文献１にて提案された方法によって作製された有機ＥＬ表示装置において、実際の発光領域は、画素電極が設けられている領域に限られずその周辺の領域にも及んでいることが発明者らの検討によって明らかとなった。画素電極が設けられている領域の周辺の領域にも発光領域が存在するのは、画素電極が設けられている領域の周辺の領域に有機化合物層や電極（共通電極）が存在するためと考えられる。そして、その具体的範囲は、有機化合物層の電気伝導率、印加電圧、画素電極の端からの距離等によって定まる。
【０００９】
ここで、表示装置の精細度が高まると、画素電極の面積に対する画素電極の周囲長比が大きくなる。そうすると、画素領域の周辺の領域の発光が有機ＥＬ素子の発光特性に及ぼす影響は無視できなくなる。また画素領域の周辺の領域では、画素電極がない又は画素電極と有機化合物層との間に絶縁性材料からなるバンクが配置されている。このため、画素領域の周辺の領域では、光学干渉条件が画素領域とは異なっている。従って、画素領域の周辺の領域は画素領域とは異なる発光特性を有することになるので、画素領域の周辺の領域の発光が有機ＥＬ素子の色度や発光効率に影響を及ぼすことになる。特に、画素領域の周辺の領域の発光は、印加電圧が下がっているほど、発光している領域が広がることから、特に、有機ＥＬ素子といった電流駆動型の発光素子では、色度や視野角といった発光特性が輝度によって変化するという問題が生じていた。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、高精細化を行っても、消費電力が低減され、かつ色再現に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板の上に少なくとも１つの有機ＥＬ素子を備え、
前記有機ＥＬ素子が、前記基板の上に設けられる第一電極と、発光層を有する有機化合物層と、第二電極と、を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
第一電極が設けられた基板の上に高抵抗材料からなる高抵抗材料層を形成する高抵抗材料層の形成工程と、
前記高抵抗材料層の上に剥離層を形成する剥離層の形成工程と、
前記剥離層が配置されていない領域にある前記高抵抗材料層を加工して、前記第一電極の少なくとも一部を表出する高抵抗材料層の加工工程と、
前記高抵抗材料層が配置されていない領域及び前記剥離層の上に有機化合物層を形成する有機化合物層の形成工程と、
前記剥離層の上に設けられている有機化合物層を、前記剥離層ごと前記基板から除去するリフトオフ工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高精細化を行っても、消費電力が低減され、かつ色再現に優れた有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【００１３】
即ち、本発明の製造方法によって製造された有機ＥＬ表示装置は、画素電極に相当する第一電極が露出している領域と有機化合物層の形成領域を略同一にすることができる。このため、第二電極として全ての画素に共通する共通電極層を形成したとしても、画素の周辺の領域には有機ＥＬ層がほとんど存在しない。このため、画素領域の周辺の領域が発光することによる発光効率の低下及び輝度変化に伴う発光色の変化を抑制することができる。
【００１４】
以上より、本発明の製造方法によって作製された表示装置は、表示装置の高精細化を行ったとしても、消費電力を低くすることができると共に色再現に優れている表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の製造方法によって作製される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第四の実施形態を示す断面模式図である。
【図５】（ａ）は、第一電極付基板の例を示す平面模式図であり、（ｂ１）及び（ｂ２）は、所定のパターン形状を有する高抵抗材料層、剥離層及び保護層を備えた第一電極付基板の例を示す平面模式図である。
【図６】基板上に設けられる発光領域の具体的配置位置の例を示す平面図である。
【図７】溝部を設けることによって分断された剥離層の具体的態様を示す平面模式図である。
【図８】給電用電極と第二電極との接続プロセスを示す断面模式図である。
【図９Ａ】本発明の有機ＥＬ表示装置における第七の実施形態を示す断面模式図である。
【図９Ｂ】本発明の有機ＥＬ表示装置における第七の実施形態を示す断面模式図である。
【図１０】（ａ）は、第一電極付基板の例を示す平面模式図であり、（ｂ１）及び（ｂ２）は、所定のパターン形状を有する高抵抗材料層、剥離層及び保護層を備えた第一電極付基板の例を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置は、基板の上に少なくとも１つの有機ＥＬ素子を備えている。またこの有機ＥＬ素子は、基板の上に設けられる第一電極と、発光層を有する有機化合物層と、第二電極と、を有している。
【００１７】
尚、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置は、所定の色のみを出力する表示装置であってもよいし、フルカラー表示をする表示装置であってもよい。本発明の製造方法によって所定の色のみを出力する有機ＥＬ表示装置を製造する場合、出力させる色の種類は、特に限定されない。つまり、本発明の製造方法によって白色を出力する有機ＥＬ表示装置を製造することが可能である。また本発明の製造方法によってフルカラー表示をする有機ＥＬ表示装置を製造する場合、作製される有機ＥＬ表示装置の具体的態様としては、下記（Ａ）及び（Ｂ）の態様がある。
（Ａ）発光層から出力される光が白色である有機ＥＬ素子を有し、この有機ＥＬ素子の上に所定の色を出力させるためのカラーフィルタが設けられている態様
（Ｂ）基板の上に、発光色がそれぞれ異なる複数種類の有機発光素子（例えば、第一有機ＥＬ素子、第二有機ＥＬ素子、第三有機ＥＬ素子）が設けられている態様
【００１８】
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施形態を詳細に説明する。尚、図面において図示、又は以下の説明において特段の説明がなかった部分に関しては、当該技術分野の周知あるいは公知の技術を適用することができる。また、以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の１つに過ぎないものであり、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
（１）有機ＥＬ表示装置
図１は、本発明の製造方法によって作製される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。尚、図１（ａ）の有機ＥＬ表示装置１及び図１（ｂ）の有機ＥＬ表示装置２は、いずれもフルカラー表示が可能な表示装置である。
【００２０】
図１（Ａ）の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０の上に、第一電極（下部電極）２１と、有機化合物層（白色有機化合物層２２ｗ）と、第二電極２４と、がこの順に積層されてなる有機ＥＬ素子２０が複数設けられている。尚、有機ＥＬ素子２０には、全ての有機ＥＬ素子に共通して設けられる共通層２３を、有機化合物層２２と第二電極２４との間に設けてもよい。また図１（Ａ）の有機ＥＬ表示装置１に示されるように、第二電極２４は、全ての有機ＥＬ素子に共通する電極層として設けてもよい。ここで、有機ＥＬ素子２０は、有機化合物層が有する発光層から出力される光が白色である白色有機ＥＬ素子である。また図１（Ａ）の有機ＥＬ表示装置１には、赤色を出力させるための第一カラーフィルタ３１、緑色を出力させるための第二カラーフィルタ３２又は青色を出力させるための第三カラーフィルタ３３が、封止層２５を介して有機ＥＬ素子２０の上方に設けられている。
【００２１】
図１（Ｂ）の有機ＥＬ表示装置２は、基板１０の上に、発光色がそれぞれ異なる三種類の有機発光素子が設けられている。具体的には、赤色を出力する第一有機ＥＬ素子２０ａと、緑色を出力する第二有機ＥＬ素子２０ｂと、青色を出力する第三有機ＥＬ素子２０ｃと、が設けられている。尚、各有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）には、全ての有機ＥＬ素子に共通して設けられる共通層２３を、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）と第二電極２４との間に設けてもよい。また図１（Ｂ）の有機ＥＬ表示装置２に示されるように、第二電極２４は、全ての有機ＥＬ素子に共通する電極層として設けてもよい。
【００２２】
図１（Ａ）の有機ＥＬ表示装置１において、基板１０の上に設けられる複数の有機ＥＬ素子２０（白色有機ＥＬ素子）は、それぞれバンク１６によって区画されている。また図１（Ａ）の有機ＥＬ表示装置１は、赤色を出力する第一副画素１１ａと、緑色を出力する第二副画素１１ｂと、青色を出力する第三副画素１１ｃと、からなる画素を有する。尚、図１（Ａ）では、三種類の副画素（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）からなる１組の画素が示されているが、本発明の製造方法で作製される有機ＥＬ表示装置は、この画素が所定の配列形式（マトリックス配列等）に従って複数設けられている。
【００２３】
図１（Ｂ）の有機ＥＬ表示装置２において、基板１０の上に設けられる三種類の有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、それぞれバンク１６によって区画されている。また図１（Ｂ）の有機ＥＬ表示装置２は、第一有機ＥＬ素子２０ａを有する第一副画素１１ａと、第二有機ＥＬ素子２０ｂを有する第二副画素１１ｂと、第三有機ＥＬ素子２０ｃを有する第三副画素１１ｃと、からなる画素を有する。尚、図１（Ｂ）では、三種類の副画素（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）からなる１組の画素が示されているが、本発明の製造方法で作製される有機ＥＬ表示装置は、この画素が所定の配列形式（マトリックス配列等）に従って複数設けられている。
【００２４】
（２）有機ＥＬ表示装置の製造方法
本発明の製造方法は、少なくとも下記（２−１）乃至（２−５）に示される工程を有する。
（２−１）第一電極が設けられた基板の上に高抵抗材料からなる高抵抗材料層を形成する工程（高抵抗材料層の形成工程）
（２−２）高抵抗材料層の上に剥離層を形成する工程（剥離層の形成工程）
（２−３）剥離層が配置されていない領域にある高抵抗材料層を加工する工程（高抵抗材料層の加工工程）
（２−４）高抵抗材料層が配置されていない領域及び剥離層の上に有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（２−５）剥離層の上に設けられている有機化合物層を、剥離層ごと基板から除去する工程（リフトオフ工程）
【００２５】
また本発明においては、高抵抗材料層・剥離層の加工工程において、第一電極の少なくとも一部が表出されている。ただし本発明においては、高抵抗材料層・剥離層の加工工程において、第一電極の一部分が表出されていれば十分であり、例えば、第一電極の端部が高抵抗材料層で被覆されていてもよい。
【００２６】
（２ａ）第一の実施形態
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。尚、図２は、特定の色を出力する一種類の有機発光素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造プロセスである。以下、図２に示されるプロセスに基づいて各工程を説明する。
【００２７】
（ａ−１）第一電極の形成工程（図２（ａ））
まず基板１０上に、第一電極２１を形成する（図２（ａ））。ここで複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、図２（ａ）に示されるように、複数の第一電極２１を形成する。
【００２８】
第一電極２１を設けるための基板１０としては、有機ＥＬ表示装置を安定に製造することができるものであれば特に制限はない。例えば、ガラス、Ｓｉウェハ等を用いることができる。また基板１０として、ガラス、Ｓｉウェハ等の基材の上に、有機ＥＬ表示装置を駆動するための駆動回路が設けられている回路付基板を用いてもよい。ここで回路付基板を用いる場合は、駆動回路を設けたことによって生じた凹凸を平坦にさせることを目的として駆動回路の上に平坦化層（不図示）を適宜設けておく。
【００２９】
第一電極２１は、導電性材料を成膜することで形成される薄膜状の導電性部材である。導電性材料として、公知の方法でパターニング可能な導電性材料、例えば、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料を用いることができる。また第一電極２１は、単一の層であってもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。ここで第一電極２１が複数の層からなる積層体である場合、例えば、金属材料からなる層と、透明導電性材料からなる層と、をこの順に積層してなる積層電極膜を用いることができる。
【００３０】
（ａ−２）高抵抗材料層の形成工程（図２（ｂ））
次に、基板１０及び第一電極２１の上に、高抵抗材料からなる高抵抗材料層１２を形成する（図２（ｂ））。本工程で用いられる高抵抗材料とは、後の工程で形成される有機化合物層２２のうち、第一電極２１と発光層との間にある層のシート抵抗が大きい材料であれば特に限定されるものではない。これにより、第一電極２１からの電荷の基板１０の面内方向への拡散を抑制することができ、これにより周囲の発光を抑制することができる。ここで高抵抗材料のシート抵抗は、大きい方が効果を奏する。好ましくは、高抵抗材料は、電気絶縁性を示す材料である。
【００３１】
高抵抗材料として、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン等の無機材料、ポリイミド樹脂等の高分子材料、公知の有機蒸着材料であって有機化合物層２２よりもシート抵抗が大きい材料等が挙げられる。尚、後述する剥離層１３を塗布法で形成する場合、高抵抗材料としては、剥離層１３の構成材料を溶解する溶媒に不溶な材料を選択する。
【００３２】
高抵抗材料層１２の形成方法として、好ましくは、塗布法等の被覆性の高い膜形成方法が挙げられる。例えば、塗布法で形成された高抵抗材料層１２は、第一電極２１を設けたことによって生じた第一電極２１と第一電極２１の周囲との段差を効果的に平坦化させることができ、後の工程で形成される第二電極２４との短絡を防止することができるので、好ましい。
【００３３】
（ａ−３）剥離層の形成工程（不図示）
次に、剥離層１３を形成する。剥離層１３としては、有機化合物層２２が溶解しない溶液に対して溶解し、形成時に高抵抗材料層１２にダメージを与えない材料を選択することが好ましい。剥離層１３を溶解するために用いられる溶媒として、例えば、水が挙げられる。剥離層１３を溶解するために用いられる溶媒として水を使用する場合、剥離層１３の構成材料としては、ＬｉＦ等の水溶性無機材料、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン等の水溶性ポリマーが挙げられる。
【００３４】
剥離層１３の形成方法としては、使用する材料に応じて適宜選択することができるが、具体的には、蒸着法、塗布法等を選択することができる。
【００３５】
（ａ−４）保護層の形成工程（不図示）
次に、剥離層１３の上に保護層１４を形成する。前工程（剥離層の形成工程）で形成された剥離層１３が、所定の溶媒に可溶な材料からなる層である場合、剥離層１３を保護する目的で保護層１４が形成される。尚、ここでいう所定の溶媒とは、後述するレジスト層を形成する際に使用される溶媒、レジスト層の現像の際に使用される現像液及びレジスト層を剥離する際に使用される溶媒である。このように剥離層１３の上に保護層１４を形成することにより剥離層１３の構成材料の選択の余地を増やすことができる。
【００３６】
尚、保護層１４を形成する際には、剥離層１３が溶解する等して変質しないように材料や成膜法を選択する必要がある。保護層１４の構成材料としては無機材料が望ましいが、剥離層１３の加工（パターニング）の際に用いるもの（部材、溶媒等）から剥離層１３を保護することができる材料あれば、無機材料に限定されず、高分子材料等の有機材料を用いてもよい。また保護層１４の形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスが好ましいが、形成する際に剥離層１３に影響を及ぼさなければ、塗布法等のウェットプロセスを利用することができる。
【００３７】
保護層１４として、特に好ましくは、窒化シリコン、酸化シリコン等の無機材料をスパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いて形成した膜が挙げられる。窒化シリコン、酸化シリコン等は、一般的なフォトレジスト用溶媒に対して不溶であり、またこれら無機材料からなる薄膜はフォトレジスト用溶媒が剥離層１３に浸透し、剥離層１３が溶解等の損傷を受けるのを防ぐ役割を果たすからである。このため、これら無機材料で保護層１４を形成した場合では、保護層１４、剥離層１３及び高抵抗層１２のパターニングを行う方法として、フォトレジストを用いた一般的なフォトリソグラフィ法を採用することができる。
【００３８】
（ａ−５）保護層、剥離層の加工工程（図２（ｃ））
次に、有機化合物層２２を設ける領域に設けられている保護層１４及び剥離層１３を部分的に除去することで、保護層１４、剥離層１３を順次加工する（図２（ｃ））。保護層１４及び剥離層１３の加工方法（パターニング方法）としては、フォトレジストを用いたパターニング法が挙げられる。
【００３９】
具体的には、まず保護層１４の上にフォトレジストを塗布してレジスト層（不図示）を形成し、レジスト層の一部を露光した後、現像を行うことで、有機化合物層２２を設ける領域（第一電極２１が形成された領域）に開口を有するレジスト材料からなるマスクを形成する。次いで、このマスクを用いて部分的なエッチングを行うことにより、有機化合物層２２を設ける領域に設けられている保護層１４及び剥離層１３を部分的に除去する。ここで保護層１４及び剥離層１３のエッチングの具体的方法としては、保護層１４や剥離層１３の構成材料に応じてドライエッチング又はウェットエッチングを選択することができる。
【００４０】
以上、（ａ−３）乃至（ａ−５）の工程を経て高抵抗材料層１２の加工（パターニング）の際に用いられるパターニング部材が形成される。尚、本発明において、パターニング部材の形成方法としては、（ａ−３）乃至（ａ−５）の工程を経る方法に限定されるものではない。例えば、感光性材料を用いて、剥離層１３を形成する場合は、剥離層１３自身がレジスト層になるので、有機化合物層２２を設ける領域に設けられている剥離層１３に光を照射し、現像処理を行うことでパターニング部材を作製することができる。またインクジェット法やマスク蒸着法等を用いて、剥離層１３を、有機化合物層２２を設ける領域以外の領域に部分的に形成する方法も採用することができる。
【００４１】
（ａ−６）高抵抗材料層の加工工程（図２（ｄ））
次に、前工程で作製したパターニング部材を用いて、有機化合物層２２を設ける領域に設けられる高抵抗材料層１２を部分的に除去して高抵抗材料層１２を加工する（図２（ｄ））。このとき図２（ｄ）に示されるように、第一電極２１の一部が表出される。高抵抗材料層１２の加工を行う際は、ドライエッチング、ウェットエッチング等の手法を用いることができる。尚、本工程では、前工程で形成した剥離層１３と保護層１４とからなるパターニング部材により、有機化合物層２２を設ける領域に設けられている高抵抗材料層１２を選択的に除去することができる。図２（ｄ）に示されるように、少なくとも剥離層１４からなるパターニング部材を用いて高抵抗材料層１２のパターニングを行うことで、高抵抗材料層１２を、剥離層１３と略同一のパターンをアライメント誤差のない状態で形成することができる。尚、本工程において所定のパターン形状に加工された高抵抗材料層１２は、バンク１６として、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層２２を素子単位で区画する機能を有する。
【００４２】
（ａ−７）有機化合物層の形成工程（図２（ｅ））
次に、有機化合物層２２を形成する（図２（ｅ））。尚、有機化合物層２２は、図２（ｅ）に示されるように、第一電極２１や剥離層１３が設けられている基板１０の全面にわたって形成してもよい。
【００４３】
本発明において、有機化合物層２２は、有機化合物からなり有機ＥＬ素子の駆動に関わる機能（発光機能、電荷注入・輸送機能）を有する単層又は複数の層からなる積層体である。有機化合物層２２として含まれ得る層として、ホール輸送層、ホール注入層、発光層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００４４】
本発明において、有機化合物層２２の構成材料としては、公知の低分子系材料や高分子系材料を適宜選択することができる。また有機化合物層２２の形成方法としては、使用する材料に応じて蒸着法、塗布法等の成膜方法を適宜選択することができる。
【００４５】
（ａ−８）リフトオフ工程（図２（ｆ））
次に、基板１０の上に残存する剥離層１３を除去する（図２（ｆ））。尚、本工程において、剥離層１３の上に形成されている有機化合物層２２は剥離層１３と共に除去（リフトオフ）される。剥離層１３の除去方法としては、例えば、剥離層１３を溶解する溶解液中に基板１０を浸漬し、剥離層１３を溶解する方法が挙げられる。尚、本工程を行う際に、剥離層１３を効果的に除去するために、溶解液に流れを設けてもよい。
【００４６】
（ａ−９）共通層、第二電極の形成工程（図２（ｇ））
次に、共通層２３と、第二電極２４（上部電極）と、を順次形成する（図２（ｇ））。本発明において、共通層２３は、全ての有機ＥＬ素子に含まれ、かつ発光領域の全域にわたって形成される有機化合物からなる層である。
【００４７】
本発明において、共通層２３は、有機化合物層２２と同様に、有機化合物からなり有機ＥＬ素子の駆動に関わる機能（発光機能、電荷注入・輸送機能）を有する単層又は複数の層からなる積層体である。尚、発光層が有機化合物層２２に含まれている場合、共通層２３の形成工程を省略して、次の工程（第二電極２４の形成工程）を行うことができる。正孔注入層、正孔輸送層及び発光層を、共通層２３としてではなく有機化合物層２２として各有機ＥＬ素子ごとにパターニングすることで、画素電極上以外の発光領域を小さくすることができるため、好ましい。
【００４８】
共通層２３の構成材料としては、公知の低分子系材料又は高分子系材料を適宜選択することができる。また共通層２３の形成方法としては、使用する材料に応じて蒸着法、塗布法等を選択することができる。
【００４９】
共通層２３について形成される第二電極２４の構成材料としては、成膜の際に有機化合物層２２又は共通層２３にダメージを与えない導電性材料であれば、特に限定されることはない。導電性材料として、例えば、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の透明導電性材料等が挙げられる。尚、第二電極２４は、一層で構成されてもよいし、複数の層で構成されてもよい。第二電極２４が複数の層で構成される場合、例えば、金属材料からなる膜と透明導電性材料からなる膜とが積層されてなる積層電極膜を用いることができる。
【００５０】
尚、本発明においては、有機化合物層から出力される光（発光）を取り出すために、第一電極２１及び第二電極２４のいずれかが光透過性の電極であることを要する。尚、光透過性の電極には、透明電極の他に、半透明の電極も含まれる。
【００５１】
（ａ−１０）封止工程
以上の工程により、基板１０の上に複数の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を作製することができるが、通常は、第二電極２４の形成工程の後に、有機ＥＬ表示装置を構成する有機化合物層に水分が浸入することを防ぐための封止工程が行われる。この封止工程は、第二電極２４の上に、有機化合物層２２に水分が浸入することを防ぐための封止手段（不図示）を設ける工程である。封止手段としては、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン等からなる封止膜を第二電極２４の上に形成する方法、あるいは基板１０を対向基板（不図示）と貼り合せて、周囲を樹脂、ガラスフリット等で固定する方法等の公知の手法を採用することができる。
【００５２】
（ａ−１１）有機ＥＬ表示装置
以上の工程により得られた有機ＥＬ表示装置は、高抵抗材料層１２の加工領域、即ち、
第一電極２１が露出されている開口領域に沿って有機化合物層２２を形成することができるため、有機化合物層２２の成膜領域は上記開口領域と略同一となる。また有機化合物層２２を区画するバンク１６は高抵抗材料からなる部材である。このため、本実施形態に係る製造方法によって作製された有機ＥＬ表示装置は、第一電極２１の周辺の領域が発光することはない。従って、色度や視野角といった発光特性が有機ＥＬ素子の発光特性（輝度等）によって変化するという問題が生じない。
【００５３】
（２ｂ）第二の実施形態
図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００５４】
本実施形態（第二の実施形態）は、第一の実施形態と同様に、特定の色を出力する一種類の有機発光素子を複数有する有機ＥＬ表示装置の製造プロセスである。ただし、剥離層１３の加工方法において第一の実施形態と異なる。
【００５５】
本実施形態においては、剥離層１３と高抵抗材料層１２とをそれぞれ加工する際に、図３（ｄ）に示すように、剥離層１３の加工領域を高抵抗層１２の加工領域よりも大きくして、高抵抗層１２の加工領域が剥離層１３の加工領域に含まれるようにする。
【００５６】
図３（ｄ）に示される断面構造は、例えば、剥離層１３及び高抵抗材料層１２のパターニングを行った後に、剥離層１３のみがエッチングされ、他の部材（高抵抗材料層１２、保護層１４）がエッチングされない条件でエッチングを行えば得られる。このときドライエッチングを採用すると、電界に対して垂直方向に限定されずに、電界に対して水平方向にもエッチング（サイドエッチング）が進行する。このため、サイドエッチングによる凹み１３ａを有する有機化合物層のパターニング部材が形成されることになる。このパターニング部材を用いて、有機化合物層２２を形成すると、高抵抗材料層１２の加工領域において露出されている第一電極２１が有機化合物層２２によって必要十分に被覆することが可能となる。このため、第一電極と第二電極の短絡の可能性を低減することができる。尚、本実施形態では、有機化合物層２２の端部が、第一電極２１が露出されている領域の周辺に到達しているが、このはみ出し量はナノメートルのオーダーで制御できるため、露光装置のアライメント精度に比べて制御性が高い。このため、色度や視野角といった発光特性が有機ＥＬ素子の発光特性（輝度等）によって変化するという問題が軽減される。有機化合物層２２を斜め方向の成膜する蒸着方法で形成する場合には、第一の実施形態では、各副画素（各発光領域）の有機化合物層２２の中央部と周辺部とでは膜厚が変わる可能性がある。これに対して、本実施形態で説明した態様を採用することによって、副画素（各発光領域）内の有機化合物層２２の膜厚むらを小さくすることができる。
【００５７】
（２ｃ）第三の実施形態
本発明において、高抵抗材料層１２を構成する高抵抗材料は、好ましくは、有機材料である。これは、高抵抗材料が無機材料であるのと比較して高抵抗材料層１２の上に形成される有機化合物層２２との密着性が高くなり、リフトオフ工程にて剥離層１３を除去する際に有機化合物層２２の剥離が生じにくくなるためである。
【００５８】
また高抵抗材料層１２を有機材料で形成すると、高抵抗材料層１２を加工する際に用いられるエッチングガスとしてＯ2ガスを用いることができるが、Ｏ2ガスはＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物等の第一電極２１の構成材料となる透明導電材料の変質を起こしにくい。
【００５９】
以上より、第一電極２１（の表層）を透明電極材料で形成した場合、高抵抗材料層１２の構成材料を有機材料にするのが好ましい。
【００６０】
尚、高抵抗材料層１２は積層構成でもよく、例えば無機材料からなる層と、有機材料からなる層と、をこの順に積層してなる積層体であってもよい。このように、高抵抗材料層１２が無機材料からなる層と、有機材料からなる層と、をこの順に積層してなる積層体である場合では、無機材料からなる層を形成した後でシランカップリング剤を塗布してから有機材料からなる層を形成するのが好ましい。高抵抗材料層１２を構成する二つの層の間の密着性を向上させることができるからである。
【００６１】
（２ｄ）第四の実施形態
図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第四の実施形態を示す断面模式図である。また図５（ａ）は、第一電極付基板の例を示す平面模式図であり、図５（ｂ１）及び図５（ｂ２）は、所定のパターン形状を有する高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４を備えた第一電極付基板の例を示す平面模式図である。尚、図４に示される断面図は、図５（ｂ）のＡＡ’断面を示す図である。以下、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６２】
本実施形態では、下記（ｄ−１）乃至（ｄ−４）のプロセスについては第一の実施形態と共通している。
（ｄ−１）第一電極２１の形成工程（図４（ａ））
（ｄ−２）高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４をそれぞれ形成する工程（図４（ｂ））
（ｄ−３）有機化合物層の形成工程（図４（ｄ））
（ｄ−４）リフトオフ工程（リフトオフによる剥離層１３等の除去工程、図４（ｅ））
（ｄ−５）共通層２３及び第二電極２４をそれぞれ形成する工程（図４（ｆ））
【００６３】
本実施形態においては、高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４の具体的な加工（部分除去）方法が第一の実施形態と異なる。即ち、本実施形態では、高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４からなる積層体を加工して各層について所定のパターン形状を形成することになるが、このパターン形状の一部について溝部１５をさらに設ける（図４（ｃ））。
【００６４】
この溝部１５を設けることにより、有機化合物層２２の形成工程において形成される有機化合物層２２を、表示領域全体で連続した膜ではなく複数に分割された膜として形成することができる。またこの溝部１５を設けることにより、リフトオフ工程（図４（ｅ））を行う際に、有機化合物層２２に被覆された剥離層１３に剥離層１３の溶解液が侵入しやすくなると共に溶解液が侵入しなければならない距離を縮めることができる。このため、リフトオフの効率をよくすることができる。
【００６５】
溝部１５を設ける方法としては、フォトリソプロセス等の公知の方法を採用することができる。ここで溝部１５を設ける具体的な方法としては、例えば、高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４からなる積層体を形成した後、第一電極２１の露出領域及び溝部１５を設ける領域に開口を有するパターンを形成する方法がある。
【００６６】
また溝部１５を設ける位置・領域としては、列方向にのみ設ける態様（図５（ｂ１））や行方向にのみ設ける態様（図５（ｂ２））があるが、これらに限定されず、行方向及び列方向にそれぞれ溝部１５を設けてもよい。ここで図５（ｂ１）のように列方向に溝部１５を設ける場合、溝部１５は、各副画素をそれぞれ分割する形式で設けてもよいし、複数の副画素からなる画素単位で分割する形式で設けてもよい。
【００６７】
図６は、基板上に設けられる発光領域の具体的配置位置の例を示す平面図である。本発明の製造方法によって製造される図６に示される有機ＥＬ表示装置１は、基板１０の上の所定の領域に、第一電極２１の形成された発光領域３と、第二電極２４への給電用電極が形成された領域４と、をそれぞれ有している。本発明の製造方法において、少なくとも高抵抗材料層１２及び剥離層１３は、図６に示される発光領域３の全面にわたって形成される。また剥離層１３の上に保護層１４を設ける場合、保護層１４は、高抵抗材料層１２や剥離層１３と同様に、図６に示される発光領域３の全面にわたって形成される。
【００６８】
そして、図６に示される発光領域３の所定の領域に溝部１５を設けることにより、剥離層１３（や保護層１４）は、複数の面に分断される。図７は、溝部１５を設けることによって分断された剥離層１３の具体的態様を示す平面模式図である。溝部１５を設けることによる剥離層１３の分断の具体的態様としては、図７（ａ）に示される２分割、図７（ｂ）に示される４分割、図７（ｃ）に示されるストライプ分割等が挙げられる。
【００６９】
（２ｅ）第五の実施形態
本発明の製造方法においては、上述した溝部の他に、第二電極２４と電気接続する給電用電極を、基板１０の上の所定の領域、例えば、基板１０の上に設けられる発光領域（有機ＥＬ素子を設ける領域）以外の領域に設けるのが好ましい。
【００７０】
図８は、給電用電極と第二電極との接続プロセスを示す断面模式図である。
【００７１】
給電用電極３０は、第一電極２１と同様に、基板１０の上に設けられる電極部材である（図８（ａ））。給電用電極３０は、高抵抗材料層１２を形成する際に高抵抗材料層１２に被覆され（図８（ｂ））、フォトリソグラフィを利用した高抵抗材料層１２の加工の際にその一部が露出する（図８（ｃ））。ここで高抵抗材料層１２の加工の後、リフトオフを利用した剥離層１３及び保護層１４の除去（図８（ｄ））を行うまでの工程では、露出した給電用電極３０に少なくとも有機化合物層２２の構成材料が付着しないようにしておく必要がある。具体的には、給電用電極３０を設ける領域に開口部が存在しないラフマスクを用いて有機化合物層２２を形成する。尚、共通層２３を形成する際には、素子特性上の問題が生じない場合に限って給電用電極３０の上に形成することができる。そして第二電極２４を給電用電極３０上に形成することで、第二電極２４と給電用電極３０とが電気接続されることになる。
【００７２】
（２ｆ）第六の実施形態
第一の実施形態において、有機化合物層２２に白色を出力する白色発光層が含まれる場合、作製される有機ＥＬ表示装置は、白色有機ＥＬ発光素子をマトリクス状に配置した表示装置となる。この場合、白色有機ＥＬ発光素子を有する有機ＥＬ表示装置は、照明装置等として使用する目的で、そのまま使用することができる。ただし、図１（ａ）に示されるように、光の取り出し方向に所定の色を透過するカラーフィルタ（３１、３２、３３）を画素開口のパターンに応じて配列させることで、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００７３】
（２ｇ）第七の実施形態
図９は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第七の実施形態を示す断面模式図である。尚、図９に示される製造プロセスは、図１（ｂ）の有機ＥＬ表示装置２の製造プロセスでもある。以下、各製造プロセスについて、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。ここで、以下に説明するプロセスは、第一有機ＥＬ素子２０ａとして緑色有機ＥＬ素子を、第二有機ＥＬ素子２０ｂとして青色有機ＥＬ素子を、第三有機ＥＬ素子２０ｃとして赤色有機ＥＬ素子を、それぞれ製造するプロセスである。ただし本発明はこの態様に限定されるものではない。
【００７４】
（ｇ−１）第一電極の形成工程（図９（ａ））
まず基板１０上に、各有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を構成する下部電極となる第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を形成する（図９（ａ））。ここで、本工程で使用される基板１０、第一電極２１の構成材料、層構成及び形成方法については、第一の実施形態と同様の部材、材料、構成、形成方法をそれぞれ採用することができる。
【００７５】
（ｇ−２）高抵抗材料層の形成工程
次に、基板１０及び第一電極２１の上に、高抵抗材料からなる高抵抗材料層１２を形成する。ここで、本工程で用いられる高抵抗材料及び高抵抗材料層の形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法をそれぞれ用いることができる。即ち、高抵抗材料は、後の工程で形成される各有機化合物層のうち第一電極２１と発光層の間の層のいずれよりもシート抵抗が大きい材料であればよい。即ち、第一有機化合物層２２ａのうち第一電極２１と発光層の間の層、第二有機化合物層２２ｂのうち第一電極２１と発光層の間の層、第三有機化合物層２２ｃのうちのうち第一電極２１と発光層の間の層のいずれよりもシート抵抗が大きい材料であればよい。尚、高抵抗材料層１２の構成材料として、好ましくは、有機材料である。高抵抗材料層１２の構成材料を有機材料とすることで、有機化合物層２２の剥離を防止し、かつ第一電極２１に影響を及ぼさないエッチングガスを選択することができるからである。また高抵抗材料層１２の形成方法として、好ましくは、塗布法等の被覆性の高い膜形成方法が挙げられる。例えば、塗布法で形成された高抵抗材料層１２は、第一電極２１を設けたことによって生じた第一電極２１と第一電極２１の周囲との段差を効果的に平坦化させることができ、後の工程で形成される第二電極２４との短絡を防止することができるので、好ましい。
【００７６】
（ｇ−３）第一有機化合物層の形成工程（図９（ｂ）乃至（ｆ））
次に、第一有機ＥＬ素子２０ａを設ける領域（第一副画素２０ａを設ける領域）に第一有機化合物層を形成する。本実施形態において、第一有機化合物層の形成工程は、下記（ｉ）乃至（ｖ）に示されるプロセスからなる工程である。
（ｉ）剥離層１３（第一剥離層）の形成工程
（ｉｉ）保護層１４の形成工程（図９（ｂ））
（ｉｉｉ）保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２の加工工程（第一除去工程、図９（ｃ）、（ｄ））
（ｉｖ）第一有機化合物層２２ａの成膜工程（図９（ｅ））
（ｖ）リフトオフ工程（図９（ｆ））
【００７７】
工程（ｉ）（剥離層１３の形成工程）において、剥離層１３は、第一の実施形態と同様に、有機化合物層２２が溶解しない溶液に対して溶解し、形成時に高抵抗材料層１２にダメージを与えない材料からなる層である。ここで剥離層１３の構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法を採用することができる。
【００７８】
工程（ｉｉ）（保護層１４の形成工程）において形成される保護層１４は、第一の実施形態と同様に、レジスト層の形成、レジスト層の現像、レジスト層の剥離の際にそれぞれ使用される溶媒から剥離層１３を保護する目的で形成される。
【００７９】
工程（ｉｉｉ）（保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２の加工工程）において、各層の加工方法としては、例えば、フォトリソグラフィを利用した加工方法が用いられる。また各層の加工方法としては、第一の実施形態と同様の方法を用いることができる。尚、工程（ｉｉｉ）を行う際に、図９（ｃ）に示されるように、所定の領域、より具体的には、互いに隣接する任意の二つの副画素間の領域に溝部１５を設けるのが好ましい。
【００８０】
図１０（ａ）は、第一電極付基板の例を示す平面模式図であり、図１０（ｂ１）及び図１０（ｂ２）は、所定のパターン形状を有する高抵抗材料層１２、剥離層１３及び保護層１４を備えた第一電極付基板の例を示す平面模式図である。尚、図９に示される断面図は、図１０（ｂ１）のＢＢ’断面を示す図である。溝部１５を設ける位置・領域としては、列方向にのみ設ける態様（図１０（ｂ１））や行方向にのみ設ける態様（図１０（ｂ２））があるが、これらに限定されない。好ましくは、図１０（ｂ２）に示される行方向に（のみ）設ける態様である。これは、列方向における第一電極２１の設置間隔（ピッチ）が行方向における第一電極２１の設置間隔よりも大きくとることができるためである。
【００８１】
工程（ｉｖ）（第一有機化合物層２２ａの成膜工程）において、成膜される第一有機化合物層２２ａは、緑色を出力する緑色発光層を少なくとも有する単層又は複数の層からなる積層体である。
【００８２】
ここで工程（ｉｉｉ）において、図９（ｃ）に示される溝部１５を形成する。これにより、工程（ｉｖ）にて第一有機化合物層２２ａを成膜する際に、第一有機化合物層２２ａを、表示領域全体で連続した膜ではなく複数に分割された膜として形成させることができる。またこの溝部１５を設けることにより、工程（ｖ）（リフトオフ工程）を行う際に、第一有機化合物層２２ａに被覆された剥離層１３に剥離層１３の溶解液が侵入しやすくなると共に溶解液が侵入しなければならない距離を縮めることができる。このため、リフトオフの効率をよくすることができる。
【００８３】
工程（ｖ）（リフトオフ工程）において、剥離層１３の上に形成された保護層１４及び第一有機化合物層２２ａを剥離層１３ごと除去する方法としては、第一の実施形態にて説明した方法と同様の方法を採用することができる。
【００８４】
以上説明した工程により、第一有機化合物層２２ａを、第一副画素１１ａを設ける領域に選択的に形成することができる。
【００８５】
（ｇ−４）第二有機化合物層の形成工程（図９（ｇ）乃至（ｊ））
次に、第二有機ＥＬ素子２０ｂを設ける領域（第二副画素２０ｂを設ける領域）に第二有機化合物層２２ｂを形成する。本実施形態において、第二有機化合物層の形成工程は、下記（ｖｉ）乃至（ｘ）に示されるプロセスからなる工程である。
（ｖｉ）剥離層１３（第二剥離層）の形成工程
（ｖｉｉ）保護層１４の形成工程（図９（ｇ））
（ｖｉｉｉ）保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２の加工工程（第二除去工程、図９（ｈ））
（ｉｘ）第二有機化合物層２２ｂの成膜工程（図９（ｉ））
（ｘ）リフトオフ工程（図７（ｊ））
【００８６】
尚、（ｖｉ）乃至（ｘ）に示されるプロセスは、成膜する有機化合物層（第二有機化合物層）の種類が異なることを除いては、上述した（ｉ）乃至（ｖ）に示されるプロセスと同様である。また（ｖｉ）乃至（ｘ）に示されるプロセスを経て形成される第二有機化合物層２２ｂは、青色を出力する青色発光層を有する単層又は複数の層からなる積層体である。
【００８７】
（ｇ−５）第三有機化合物層の形成工程（図９（ｋ）乃至（ｎ））
次に、第三有機ＥＬ素子２０ｃを設ける領域（第三副画素２０ｃを設ける領域）に第三有機化合物層２２ｃを形成する。本実施形態において、第三有機化合物層の形成工程は、下記（ｘｉ）乃至（ｘｖ）に示されるプロセスからなる工程である。
（ｘｉ）剥離層１３（第三剥離層）の形成工程
（ｘｉｉ）保護層１４の形成工程（図９（ｋ））
（ｘｉｉｉ）保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２の加工工程（第三除去工程、図９（ｌ））
（ｘｉｖ）第三有機化合物層２２ｃの成膜工程（図９（ｍ））
（ｘｖ）リフトオフ工程（図９（ｎ））
【００８８】
尚、（ｘｉ）乃至（ｘｖ）に示されるプロセスは、成膜する有機化合物層（第三有機化合物層）の種類が異なることを除いては、上述した（ｉ）乃至（ｖ）に示されるプロセスと同様である。また（ｘｉ）乃至（ｘｖ）に示されるプロセスを経て形成される第三有機化合物層２２ｃは、赤色を出力する赤色発光層を有する単層又は複数の層からなる積層体である。
【００８９】
本実施形態においては、本工程（第三有機化合物層の形成工程）において、剥離層の加工工程及び高抵抗材料層の加工工程を行う際に、給電用電極３０の少なくとも一部を同時に表出させておくのが好ましい。つまり、本工程よりも前の工程にて、給電用電極３０の上に薄膜がある場合では、上記工程（ｘｉｉｉ）の際に、当該薄膜を除去して給電用電極３０を表出させていることが好ましい。また本実施形態においては、第三有機化合物層の構成材料の成膜工程（第三有機化合物層の成膜工程）を行う際に、少なくとも給電用電極が表出されている領域を除いた領域について第三有機化合物層を形成する。例えば、給電用電極３０を設ける領域が遮蔽領域となっているラフマスクを用いて第三有機化合物層２２ｃを形成すると、給電用電極３０の上に第三有機化合物層２２ｃの構成材料が付着することがない。
【００９０】
（ｇ−６）共通層、第二電極の形成工程（図９（ｏ））
次に、共通層２３と、第二電極２４（上部電極）と、を順次形成する（図９（ｏ））。本実施形態において、共通層２３、並びに第二電極２４の構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法を採用することができる。
【００９１】
（ｇ−７）封止工程
以上の工程により、基板１０の上に三種類の有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を有する図１（ｂ）に示される有機ＥＬ表示装置２を作製することができる。ただし、通常は、第二電極２４の形成工程の後に、有機ＥＬ表示装置を構成する有機化合物層に水分が浸入することを防ぐための封止工程が行われる。ここで封止工程において第二電極２４の上に設けられる封止手段（不図示）及びこの手段を設ける方法としては、第一の実施形態と同様の方法を採用することができる。
【００９２】
以上説明した工程により得られたＲＧＢの三色発光が可能な有機ＥＬ表示装置は、高抵抗材料層１２の加工により表れる第一電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の露出領域に合わさるように各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）を形成することができる。このため、画素周辺領域が発光することがない。このため、色度や視野角といった発光特性が有機発光素子の輝度によって変化することがない。
【００９３】
また以上説明した工程により得られた有機ＥＬ表示装置は、三種類の有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）の駆動電圧がそれぞれ異なる場合であっても、互いに隣接し発光色が異なる有機ＥＬ素子を確実に分離することができる。このため、クロストークの発生を抑制できるのはもちろんのこと、フォトリソグラフィの露光装置の能力に応じて、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の高精細化が可能となる。
【実施例】
【００９４】
以下、実施例により本発明を詳細に説明する。
【００９５】
［実施例１］
図４及び図８に示される製造プロセスを利用して、図１（ａ）に示される有機ＥＬ表示装置１を作製した。以下、具体的な製造プロセスについて説明する。
【００９６】
（１）第一電極等の形成工程（図４（ａ）、図８（ａ））
まずスパッタ法を用いて、シリコン基板（基板１０）上に、Ｔｉを成膜してＴｉ膜を成膜した。このときＴｉ膜の膜厚を５０ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングによりＴｉ膜を加工することで、複数の第一電極２１及び給電用電極３０を形成した（図４（ａ）、図８（ａ））。このとき第一電極２１の寸法は、縦１１μｍ横３μｍであり、それぞれの電極の間隔は１μｍであった。
【００９７】
（２）高抵抗材料層の形成工程
次に、スピン塗布法により、基板１０、第一電極２１及び給電用電極３０の上に、ポリイミド樹脂膜を成膜して高抵抗材料層１２を形成した。このとき高抵抗材料層１２の膜厚は１００ｎｍであった。
【００９８】
（３）剥離層の形成工程
次に、スピン塗布法により、高抵抗材料層１２の上に、ポリビニルピロリドン樹脂膜を成膜して剥離層１３を形成した。このとき剥離層１３の膜厚は３００ｎｍであった。
【００９９】
（４）保護層の形成工程（図４（ｂ）、図８（ｂ））
次に、ＣＶＤ法により、剥離層１３の上に窒化シリコン膜を成膜して保護層１４を形成した（図４（ｂ）、図８（ｂ））。このとき保護層１４の膜厚を５００ｎｍとした。
【０１００】
（５）保護層、剥離層、高抵抗材料層の加工工程（図４（ｃ）、図８（ｃ））
次に、ドライエッチング装置（ＲＩＥ装置）を用いて、保護層、剥離層及び高抵抗材料層の加工（部分的除去）をそれぞれ行った。具体的には、ＣＦ4とＯ2ガスとの混合ガス（エッチングガス）を用いたドライエッチングにより、保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２の加工（部分的除去）を行った。このドライエッチングにより、所定の領域、具体的には、第一電極を表出させる領域及び溝部１５を設ける領域にそれぞれ設けられている保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２を部分的に除去した。続いて、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、剥離層１３を横方向に掘り進めるサイドエッチングを行った。尚、このサイドエッチングにより高抵抗材料層１２の一部も同様にエッチングされるが、ポリビニルピロリドン樹脂の方がエッチングレートが高いことから、図４（ｃ）に示すような断面形状を有するパターニング部材が形成された。
【０１０１】
以上のエッチングが終了した段階で、表出されている第一電極２１のサイズ（高抵抗材料層１２の部分除去によってできた開口部のサイズに相当）は、縦１０μｍ横２μｍであり、各開口部の間隔は２μｍであった。
【０１０２】
（６）有機化合物層の形成工程（図４（ｄ））
次に、ラフマスクを用いた蒸着法により、基板１０の全面にわたって有機化合物層２２（白色有機化合物層２２ｗ）を形成した。尚、形成される有機化合物層２２は、ホール注入層、ホール輸送層及び白色発光層が順次設けられてなる積層体であり、本工程で有機化合物層２２を形成するために用いられる材料として、公知の低分子有機材料を使用した。このとき有機化合物層２２の総膜厚は２００ｎｍであった。尚、ラフマスクを用いて、有機化合物層２２を形成したため、有機化合物層２２の構成材料が給電用電極３０の上に付着することはなかった。
【０１０３】
（７）リフトオフ工程（図４（ｅ）、図８（ｄ））
次に、流水中に基板１０を浸漬することで剥離層１３を溶解させ、剥離層１３及び剥離層１２の上に設けられる保護層１４及び有機化合物層２２を除去した（図４（ｅ）、図８（ｄ））。
【０１０４】
（８）共通層、第二電極の形成工程（図４（ｆ）、図８（ｅ））
次に、蒸着法により、有機化合物層２２上に、電子輸送層と電子注入層とが順次積層してなる共通層を形成した。このとき共通層２３を構成する電子輸送層及び電子注入層の構成材料として公知の低分子材料を使用し、共通層２３の総膜厚を５０ｎｍとした。尚、共通層２３を形成する際にラフマスクを用いたため、給電用電極３０の上には共通層２３は形成されなかった。
【０１０５】
次に、スパッタ法を用いて、共通層２３の上に、Ａｇを成膜して第二電極２４を形成した（図４（ｆ）、図８（ｅ））。このとき第二電極２４の膜厚を２０ｎｍとした。尚、Ａｇは、第一電極２１を設ける領域及び給電用電極３０を設ける領域に渡る範囲に形成したため、第二電極２４は給電用電極３０と電気接続された。
【０１０６】
（９）封止工程等
次に、ＣＶＤ法により、第二電極２４の上に窒化シリコンを成膜して有機化合物層への水分浸入防止用の封止部材（封止層２５）を形成した。このとき封止部材の膜厚は２０００ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ法により、封止部材の上に、画素を設ける領域に対応して所望の色を透過するカラーフィルタ（３１，３２，３３）を形成した。
【０１０７】
以上のようにして得られた図１（ａ）の有機ＥＬ表示装置１は、第一電極２１が開放された領域と有機化合物層２２の成膜領域とが略同一となるため、色度や視野角といった発光特性が輝度によって変化してしまうという課題は解決される。
【０１０８】
［実施例２］
図９に示される製造プロセスを利用して、図１（ｂ）に示される有機ＥＬ表示装置２を作製した。以下、具体的な製造プロセスについて説明する。
【０１０９】
（１）第一電極等の形成工程（図９（ａ））
まずスパッタ法を用いて、ガラス基板（基板１０）上に、Ａｌを成膜してＡｌ膜を形成した。このときＡｌ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、Ａｌ膜の上にＩＴＯを成膜してＩＴＯ膜を形成した。このときＩＴＯ膜の膜厚を２０ｎｍとした。次に、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングにより、Ａｌ膜とＩＴＯ膜とがこの順に積層してなる複合電極膜を加工することで、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）及び給電用電極３０を形成した（図９（ａ）、図８（ａ））。このとき第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の寸法は、縦４１μｍ横１３μｍであり、それぞれの電極の間隔は１μｍであった。
【０１１０】
（２）高抵抗材料層の形成工程
次に、ＣＶＤ法により、基板１０、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）及び給電用電極３０の上に、窒化シリコン膜を成膜して高抵抗材料層１２を形成した。このとき高抵抗材料層１２の膜厚は１５０ｎｍであった。
【０１１１】
（３）第一有機化合物層の形成工程（図９（ｂ）乃至（ｆ））
次に、以下に説明する方法により第一有機化合物層２２ａを、第一副画素１１ａを設ける領域に選択的に形成した。
【０１１２】
（３−１）剥離層の形成工程
まずスピン塗布法により、高抵抗材料層１２の上に、ポリビニルピロリドン樹脂膜を成膜して剥離層１３を形成した。このとき剥離層１３の膜厚は３００ｎｍであった。
【０１１３】
（３−２）保護層の形成工程（図９（ｂ）、図８（ｂ））
次に、ＣＶＤ法により、剥離層１３の上に窒化シリコンを成膜して保護層１４を形成した（図９（ｂ）、図８（ｂ））。このとき保護層１４の膜厚を５００ｎｍとした。
【０１１４】
（３−３）保護層、剥離層、高抵抗材料層の加工工程（第一除去工程、図９（ｃ）、（ｄ）、図８（ｃ））
次に、保護層１４上にレジスト膜（不図示）を成膜した後、このレジスト膜について露光・現像処理を行うことにより、第一副画素１１ａ及び溝部１５を設ける領域、並びに給電用電極３０を露出させる領域にそれぞれ開口を有するレジストパターンを形成した。次に、先程形成したレジストパターンをマスクとしてドライエッチングを行うことにより、保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２をそれぞれ加工した（図９（ｃ））。このときドライエッチング装置としてＲＩＥ装置を用い、エッチングガスとしてＣＦ4ガスとＯ2ガスとを混合してなる混合ガスを用いた。またこのドライエッチングにより、第一副画素１１ａを設ける領域に設けられている第一電極２１ａ及び給電用電極３０を表出させると共に、図９（ｃ）及び図１０（ｂ１）に示される所定の領域に溝部１５を形成した。ここで表出させた第一電極２２ａの開口サイズは、縦４０μｍ横１２μｍであった。
【０１１５】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、剥離層１３の選択的なエッチングを行った。このエッチングにより剥離層１３は横方向にさらにエッチング（サイドエッチング）された。尚、高抵抗材料層１２は、窒化シリコンからなる層であるためエッチングされなかった。従って、この剥離層１３の選択的なエッチングにより、図９（ｄ）や図８（ｃ）に示される断面形状を得た。
【０１１６】
（３−４）第一有機化合物層の形成工程（図９（ｅ））
次に、蒸着法を用いて、基板１０の全面にわたってホール注入層とホール輸送層と青色発光層とが順次積層してなる第一有機化合物層２２ａを形成した。ここで第一有機化合物層２２ａを構成する各層（ホール注入層、ホール輸送層、青色発光層）の構成材料として公知の低分子有機材料を使用し、第一有機化合物層２２ａの総膜厚を２００ｎｍとした。
【０１１７】
ところで、剥離層１３の加工領域は、高抵抗材料層１２の加工領域を包括する程の広さであることから、第一有機化合物層２２ａを形成する際には、第一電極２１ａの露出部分を必要十分に被覆するように制御した。
【０１１８】
（３−５）リフトオフ工程（図９（ｆ）、図８（ｄ））
次に、流水中に基板１０を浸漬した。ここで剥離層１３の構成材料であるポリビニルピロリドンは水溶性であるため、剥離層１３は流水中で溶解する。また剥離層１３の溶解により、この剥離層１３の上に設けられている保護層１４及び第一有機化合物層２２ａは基板１０から分離され、除去された（図９（ｆ）、図８（ｄ））。尚、本実施例では、剥離層１３の加工の際に所定の領域に溝部１５が設けられている。この溝部１５により、作製する有機ＥＬ表示装置が大面積であっても剥離層１３の上に形成される層（保護層１４、第一有機化合物層２２ａ）が小片に分割されるため、剥離層１３を溶解させる水を効果的に剥離層に浸透させることができる。このため剥離層１３及び剥離層１３の上に設けられる層（保護層１４、第一有機化合物層２２ａ）を除去することができる。
【０１１９】
（４）第二有機化合物層の形成工程（図９（ｇ）乃至（ｊ））
次に、以下に説明する方法により第二有機化合物層２２ｂを、第二副画素１１ｂを設ける領域に選択的に形成した。
【０１２０】
（４−１）剥離層の形成工程
まず上記（３−１）と同様の方法により剥離層１３を形成した。
【０１２１】
（４−２）保護層の形成工程（図９（ｇ））
次に、上記（３−２）と同様の方法により、剥離層１３の上に保護層１４を形成した（図９（ｇ））。
【０１２２】
（４−３）保護層、剥離層、高抵抗材料層の加工工程（第二除去工程、図９（ｈ））
次に、第二副画素１１ｂを設ける領域及び溝部１５を設ける所定の領域を加工領域として、上記（３−３）と同様の方法により、保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２をそれぞれ加工した（図９（ｈ））。このドライエッチングにより、第二副画素１１ｂを設ける領域に設けられている第一電極２１ｂを表出させると共に、図９（ｈ）に示される所定の領域に溝部１５を形成した。
【０１２３】
（４−４）第二有機化合物層の形成工程（図９（ｉ））
次に、蒸着法を用いて、基板１０の全面にわたってホール注入層とホール輸送層と緑色発光層とが順次積層してなる第二有機化合物層２２ｂを形成した（図９（ｉ））。ここで第二有機化合物層２２ｂを構成する各層（ホール注入層、ホール輸送層、緑色発光層）の構成材料として公知の低分子有機材料を使用し、第二有機化合物層２２ｂの総膜厚を２４０ｎｍとした。
【０１２４】
（４−５）リフトオフ工程（図９（ｊ））
次に、上記（３−５）と同様の方法により、剥離層１３及び剥離層１３の上に設けられる層（保護層１４、第二有機化合物層２２ｂ）を除去した（図９（ｊ））
（５）第三有機化合物層の形成工程（図９（ｋ）乃至（ｎ））
次に、以下に説明する方法により第三有機化合物層２２ｃを第三副画素１１ｃを設ける領域に選択的に形成した。
【０１２５】
（５−１）剥離層の形成工程
まず上記（３−１）と同様の方法により剥離層１３を形成した。
【０１２６】
（５−２）保護層の形成工程（図９（ｋ））
次に、上記（３−２）と同様の方法により、剥離層１３の上に保護層１４を形成した（図９（ｋ））。
【０１２７】
（５−３）保護層、剥離層、高抵抗材料層の加工工程（第三除去工程、図９（ｌ））
次に、第三副画素１１ｃを設ける領域、溝部１５を設ける所定の領域及び給電用電極３０を露出させる領域を加工領域として、上記（３−３）と同様の方法により、保護層１４、剥離層１３及び高抵抗材料層１２をそれぞれ加工した（図９（ｌ））。このドライエッチングにより、第三副画素１１ｃを設ける領域に設けられている第一電極２１ｃ及び給電用電極３０を表出させると共に、図９（ｌ）に示される所定の領域に溝部１５を形成した。
【０１２８】
（５−４）第三有機化合物層の形成工程（図９（ｍ））
次に、給電用電極が露出されている領域が遮蔽されているラフマスクを用いた蒸着法により、当該ラフマスクの開口領域において、ホール注入層とホール輸送層と赤色発光層とが順次積層してなる第三有機化合物層２２ｂを形成した（図９（ｍ））。ここで第三有機化合物層２２ｃを構成する各層（ホール注入層、ホール輸送層、赤色発光層）の構成材料として公知の低分子有機材料を使用し、第三有機化合物層２２ｃの総膜厚を３００ｎｍとした。
【０１２９】
（５−５）リフトオフ工程（図９（ｎ））
次に、上記（３−５）と同様の方法により、剥離層１３及び剥離層１３の上に設けられる層（保護層１４、第三有機化合物層２２ｃ）を除去した（図９（ｎ））。
【０１３０】
（６）共通層、第二電極の形成工程（図９（ｏ））
次に、蒸着法により、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に、公知の有機低分子材料を成膜して、各副画素（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）に共通し、電子輸送層と電子注入層とからなる共通層２３を形成した。このとき共通層２３の総膜厚を５０ｎｍとし、層を形成する際には給電用電極が露出されている領域が遮蔽されているラフマスクを用いた。
【０１３１】
次に、スパッタ法を用いて、共通層２３の上に、Ａｇを成膜して第二電極２４を形成した。このとき第二電極２４の膜厚を２０ｎｍとした。尚、第二電極２４は給電用電極３０が露出されている領域も含めて形成されているため、第二電極２４は給電用電極３０と電気的に接続されることとなった。
【０１３２】
（７）封止工程
最後に、ＣＶＤ法により、第二電極２４の上に窒化シリコンを成膜して、大気中の水分が各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）へ浸入するのを防止するための封止膜（図示せず）を形成した。このとき封止膜の膜厚は２０００ｎｍであった。以上の工程により、図１（ｂ）に示される有機ＥＬ表示装置２を得た。
【０１３３】
得られた三色発光の有機ＥＬ表示装置２は、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の開露出領域と各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の成膜領域が略同一となる。このため、色度や視野角といった発光特性が有機ＥＬ素子の輝度によって変化するという課題は解決された。
【符号の説明】
【０１３４】
１（２）：有機ＥＬ表示装置、１０：基板、１１ａ：第一副画素、１１ｂ：第二副画素、１１ｃ：第三副画素、１２：高抵抗材料層、１３：剥離層、１４：保護層、１５：溝部、２０ａ：第一有機ＥＬ素子、２０ｂ：第二有機ＥＬ素子、２０ｃ：第三有機ＥＬ素子、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：第一電極（下部電極）、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２３：共通層、２４：第二電極（上部電極）
【図１】
2014135251.tif 000003
【図２】
2014135251.tif 000004
【図３】
2014135251.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2014135251.tif 000008
【図７】
2014135251.tif 000009
【図８】
2014135251.tif 000010
【図９Ａ】
2014135251.tif 000011
【図９Ｂ】
2014135251.tif 000012
【図１０】
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