(57)【要約】      （修正有）【課題】ゲート制御回路を簡単化できる双方向ヘテロ接合電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】トランジスタ１は、第１および第２の導電電極Ｅ１、Ｅ２と、第１および第２の導電電極Ｅ１、Ｅ２の間に設置され、第１の電極からの距離が第１および第２の導通電極間の距離の４５〜５５％であるゲートＧと、第１の半導体層４、および第２の半導体層６であって、それらの界面に電子ガス層５を形成する第１および第２の半導体層４、６と、第１の半導体層４の中に埋め込まれ、電子ガス層５のゾーンの電位に電気的に接続された基準電極７と、基準電極７に接続され、トランジスタ１をスイッチングするための、基準電極７に対するスイッチング電圧を生成するようにプログラムされた制御回路９とを備える。【選択図】図１
2014131018.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向ヘテロ接合電界効果電力トランジスタ（１）であって、
−  第１および第２の導電電極（Ｅ１、Ｅ２）と、前記第１および第２の導電電極の間に設置され、前記第１の電極からの距離が前記第１および第２の導電電極間の距離の４５〜５５％にあるゲート（Ｇ）と、
−  第１の半導体層（４）、および前記第１の半導体層（４）の上に形成された第２の半導体層（６）であって、それらの界面に電子ガス層（５）を形成する第１および第２の半導体層（４、６）と、
−  前記第１の半導体層（４）の中に埋め込まれた基準電極（７）であって、前記基準電極（７）の真下に位置する電子ガス層（５）のゾーンの電位に電気的に接続され、前記第１の導電電極（Ｅ１）からの距離が、前記第１および第２の導電電極の間の距離の４５〜５５％にある基準電極（７）と、
−  基準電極（７）に接続された制御回路（９）であって、前記トランジスタをスイッチングするための、前記基準電極に対するスイッチング電圧を生成するようにプログラムされ、前記制御電圧を前記ゲートに印加するようにプログラムされた制御回路（９）とを備えていることを特徴とするトランジスタ（１）
【請求項２】
前記電極（７）は、ゲート（Ｇ）の真下に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ（１）。
【請求項３】
前記基準電極（７）は、前記第１および第２の導電電極から同じ距離に配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のトランジスタ（１）。
【請求項４】
前記基準電極（７）は、第１の半導体層（４）に埋め込まれたドーパントインプラントであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）。
【請求項５】
インプラント（７）の中の最大ドーパント濃度は、電子ガス層（５）から１０〜８０ｎｍの距離にあることを特徴とする、請求項４に記載のトランジスタ（１）。
【請求項６】
インプラント（７）は、第１の半導体層（４）と第２の半導体層（６）との間のインタフェースから、第１の半導体層（４）を通して、深さ方向に延びていることを特徴とする、請求項４または５に記載のトランジスタ（１）。
【請求項７】
インプラント（７）は、第１および第２の半導体層の間のインタフェースから、５〜２５ｎｍの厚さの半導体（４２）によって分離されていることを特徴とする、請求項４または５に記載のトランジスタ（１）。
【請求項８】
電子ガス層（５）は、第１および第２の電極（Ｅ１、Ｅ２）の間に連続的に延びていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載のトランジスタの（１）。
【請求項９】
インプラント（７）の前記ドーパントは、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、およびＦｅを含むグループから選択されることを特徴とする、請求項４〜８のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１０】
インプラント（７）の中の最大ドーパント濃度は、１０１8〜１０２１ｃｍ-３の間にあることを特徴とする、請求項４〜９のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１１】
第１の半導体層（４１）は、主に、二元窒化物合金を含むことを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１２】
前記２元窒化物合金は、ＧａＮであることを特徴とする、請求項１１に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１３】
前記第２の半導体層（６）は、３元窒化物合金を含むことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１４】
前記３元窒化物合金は、ＡｌＧａＮであることを特徴とする、請求項１３に記載のトランジスタ（１）。
【請求項１５】
−  請求項１〜１４のいずれか１項に記載のトランジスタ（１）と
−  トランジスタ（１）の前記第１および第２の導電電極の間に、１００Ｖよりも高い電位差を印加する電圧源とを備えていることを特徴とする電気システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波応用における双方向電力トランジスタを含む回路に関し、更に詳細には、高電子移動度トランジスタに基づく双方向機能が要求される電力トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在または将来の電子応用に対しては、ますます高い周波数における機能が要求されると考えられる。この応用は、通信市場に限られたものではない。高週波領域におけるスイッチもまた、自動車および地上の輸送手段に対する車載エレクトロニクス、航空および医用システムまたは家庭における自動化等に要求される。これらの応用の大部分においては、１メガヘルツよりも高い周波数領域で機能する高電力スイッチ（典型的に、５００Ｖ〜数キロＶ、電流は１０〜２００Ａのスイッチ）が要求される。
【０００３】
歴史的には、高周波電力スイッチは、半導体チャネルに基づく電界効果トランジスタを長い間使用してきた。低い周波数帯では、接合トランジスタが選択されている。これは、接合トランジスタは、高い電流密度に対する耐力を有するからである。しかし、これらのトランジスタは、降伏電圧が比較的低いので、電力応用に対しては、多くのトランジスタを直列に接続する必要がある。この直列に接続されたトランジスタは、定常状態およびスイッチング状態において、相当に大きい損失を発生させる。
【０００４】
代わりに、高電子移動度トランジスタ［ＨＥＭＴ］（ヘテロ接合電界効果トランジ
（ＨＦＥＴ）とも呼ばれる）を、高周波電力スイッチとして使用することができる。このトランジスタは、異なるバンドギャップを有する２つの半導体を重ね合わせたものを含み、それらの界面に量子井戸が形成される。電子がこの量子井戸に閉じこめられて、２次元の電子ガスが形成される。高電圧および温度に対する耐力から、このトランジスタは、広いバンドギャップを有するように選択される。
【０００５】
ワイドバンドギャップＨＥＭＴトランジスタのうち、窒化ガリウムに基づくトランジスタは、非常に有望である。バンドギャップの広さにより、従来の電子材料（Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ）と比較して、高いキャリア飽和速度において、高いアバランシ電圧が得られ、良好な熱的、化学的安定性（極端な環境下で使用することができる）が得られる。窒化ガリウム（ＧａＮ）の降伏電界は、３×１０６Ｖ／  ｃｍより高く、これにより、降伏電圧が１００Ｖより高いトランジスタを容易に製造することができる（３０ｎｍの ＧａＮで十分である）。更に、このトランジスタでは、インタフェースガスの中の電子移動度が高いので、非常に高い電流密度を得ることができる。
【０００６】
窒化ガリウムは、３.３９ｅＶのバンドギャップ幅を有する。更に、ＡｌＧａＮ、またはＩｎＧａＮ等の３元合金は、エピタキシャル成長によって、ＧａＮの形成のための装置で容易に製造することができる。窒化ガリウムに基づくＨＥＭＴトランジスタは、シリコン基板（半導体産業の主力基板である）上に生成することができる。従って、ＧａＮＨＥＭＴを使用したトランジスタは、例えば、ＳｉＣに基づいたトランジスタと比較して、遙かに安価に生産することができる。ＳｉＣに基づくトランジスタは、広いバンドギャップを有するが、この材料で３元合金を製造することは困難であり、標準的なシリコン基板の上に成長させることはできない。そのため、この製造は、飛躍的に高価になり、その応用範囲は、大きく限定される。
【０００７】
非特許文献１は、共通ドレインを使用して背面接続された２つのＡｌＧａＮ／ＧａＮノーマリーオフトランジスタを含むモノリシック双方向スイッチについて述べている。これらのトランジスタのスイッチングは、それぞれのゲートによって制御される。それぞれのゲートの電圧は、対応するトランジスタのソース電位を基準にしている。従って、ゲート電圧は、異なる電位を基準にしている。従って、ゲートの制御回路の製作は、特にこの周波数では、複雑なものになる。
【０００８】
特許文献１は、単一のノーマリーオントランジスタに対して、単一の制御信号を印加する解決策を提案している。この場合には、トランジスタのソースとドレインとの間に、２つのショットキーダイオードが直列の接続されている。２つのダイオードは、共通のアノードを有し、一方のカソードは、トランジスタのソースに接続され、他方のカソードは、トランジスタのドレインに接続されている。トランジスタのソースとドレインとは、電流の方向によって、機能が反転する。ダイオードのアノードの接続ノードは、基準電位を供給し、トランジスタのゲートは、この基準に対する値でバイアスされる。この基準の電位は、スイッチを通して流れる電流の方向に応じて変化する。
【０００９】
しかしながら、このような構造はまた、欠点を有する。ダイオードは、高電圧に対応した寸法にしなければならない。このようなダイオードの追加は、製造工程中に、エッチングマスクを追加しなければならないことを意味する。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許第7982240号明細書
【特許文献２】国際特許第WO 2005/070009号明細書
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】M. Tatsuo Morita, “650 V 3.1 mΩ.cm2 GaN-based monolithic bidirectional switch using normally-off gate injection transistor(ノーマリーオフゲートインジェクショントランジスタを使用した650 V 3.1 mΩ.cm2GaNに基づくモノリシック双方向スイッチ)”, pp 865-868, Proceedings of the IEEE conference ‘Electron Devices Meeting 2007.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、これらの欠点の１つまたは複数を改善することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
すなわち、本発明は、双方向ヘテロ接合電界効果電力トランジスタに関し、この双方向ヘテロ接合電界効果電力トランジスタは、
−  第１および第２の導電電極と、第１および第２の導電電極の間に設けられ、第１の電極からの距離が、第１および第２の導電電極間の距離の４５〜５５％にあるゲートと、
−  第１の半導体層、および第１の半導体層の上に形成された第２の半導体層であって、それらの界面に、電子ガス層が形成されている第１および第２の半導体層と、
−  第１の半導体層に埋め込まれた基準電極であって、基準電極の真下に位置する電子ガス層のゾーンの電位に電気的に接続され、第１の導電電極からの距離が、第１および第２の導電電極の間の距離の４５〜５５％にある基準電極と、
−  基準電極に接続された制御回路であって、トランジスタをスイッチングするための、基準電極に対するスイッチング電圧を生成するようにプログラムされ、前記制御電圧をゲートに印加するようにプログラムされた制御回路とを備えていることを特徴としている。
【００１４】
１つの実施形態においては、前記電極は、ゲートの真下に配置されている。
【００１５】
別の実施形態においては、前記基準電極は、第１および第２の導電電極から同じ距離に配置されている。
【００１６】
別の実施形態においては、前記基準電極は、第１の半導体層に埋め込まれたドーパントインプラントである。
【００１７】
更に別の実施形態においては、インプラントの中の最大ドーパント濃度は、電子ガス層から１０〜８０ｎｍの距離にある。
【００１８】
１つの実施形態においては、インプラントは、第１の半導体層と第２の半導体層との間のインタフェースから、第１の半導体層を通して、深さ方向に延びている。
【００１９】
別の実施形態においては、インプラントは、第１および第２の半導体層の間のインタフェースから、５〜２５ｎｍの厚さの半導体によって分離されている。
【００２０】
別の実施形態においては、電子ガス層は、第１および第２の電極の間に連続的に延びている。
【００２１】
更に別の実施形態においては、インプラントのドーパントは、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、およびＦｅを含むグループから選択される。
【００２２】
１つの実施形態においては、インプラントの中の最大ドーパント濃度は、１０１８〜１０２１ｃｍ-３の間にある。
【００２３】
別の実施形態においては、第１の半導体層は、主として、２元窒化物合金を含んでいる。
【００２４】
別の実施形態においては、前記２元窒化物合金は、ＧａＮである。
【００２５】
更に別の実施形態においては、前記第２の半導体層は、主に３元窒化物合金を含んでいる。
【００２６】
１つの実施形態においては、前記３元窒化物合金は、ＡｌＧａＮである。
【００２７】
また本発明は、電気システムに関し、この電気システムは、
−  上記したトランジスタと、
−  トランジスタの第１および第２の導電電極間に、１００Ｖより高い電位差を印加する電圧源とを備えている。
【００２８】
本発明の他の特徴および利点は、以下に示す説明と、添付の図面から明らかになると思う。なおこれらの説明は、非限定的な例に関するものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の例示的な実施形態によるＨＥＭＴトランジスタの１つの例を示す図である。
【図２】図１に示すトランジスタの平面図である。
【図３】インプラント構造の縦断面図である。
【図４】異なるインプラント構造の縦断面図である。
【図５】ＧａＮ層の中にマグネシウムを注入した場合の注入の深さを示すグラフである。フで示す。
【図６】ＧａＮ層の中にマグネシウムを注入した場合の注入深さを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、ＨＥＭＴトランジスタ１の一例の縦断面図である。ＨＥＭＴトランジスタは、「高電子移動度トランジスタ」、または「ヘテロ接合電界効果トランジスタ」とも呼ばれる。図２は、同じトランジスタ１の平面図である。トランジスタ１は、基盤２、基盤２の上に設置されたバッファ層３、および半導体層４（例えば、ＩＩＩ−Ｖタイプとすれば、例えば、ＩＩＩ族元素の窒化物）、別の材料（例えば、ＩＩＩ−Ｖタイプとすれば、例えば、ＩＩＩ族元素の窒化物））からなる半導体層６、および電子ガス層５を備えている。この電子ガス層は、それ自体公知の方法で、層４および６の間に形成される。
【００３１】
基板２は、絶縁体、または真性またはドープされたシリコン等の半導体でもよい。基板２は、例えば［１１１］格子配向を有するシリコンであってもよい。基板２は、シリコンカーバイド、またはサファイアとすることができる。基板２は、厚さ約６５０μｍであってもよく、典型的には、厚さは、５００μm〜２mmの間にある。
【００３２】
基板２の上に堆積されたバッファ層３は、基板と窒化物層４との間の中間層として機能し、基板２と、窒化物層４との間の格子整合を可能にしている。バッファ層３は、典型的に、窒化アルミニウムで形成することができる。
【００３３】
窒化物層４は、典型的に、１００ｎｍ〜５μｍの厚さを有することができる。窒化物層４は、バッファ層３の上に、それ自体は公知のエピタキシャル成長によって形成することができる。窒化物層４は、典型的には、例えばＧａＮ等の、ＩＩＩ族元素窒化物２元合金である。
【００３４】
窒化物層６は、バリア層と呼ばれ、その厚さは、典型的に、５〜４０ｎｍであり、例えば、２５ｎｍである。窒化物層６は、窒化物層４の上に、それ自体は公知のエピタキシャル成長によって形成することができる。窒化物層６は、典型的には、例えば、ＡｌＧａＮ等の、ＩＩＩ族元素窒化物３元合金である。
【００３５】
トランジスタ１は、第１の電極Ｅ１および第２の電極Ｅ２を備え、これらの電極の間に、電流が選択的に確立されるものでなければならない。トランジスタ１は、電流を電極Ｅ１から電極Ｅ２へ、また電極Ｅ２から電極Ｅ１への両方向の電流を流すことができなくてはならない。
更に、トランジスタ１は、制御電極Ｇを備え、制御電極Ｇの電位は、トランジスタ１が導通であるか遮断であるかを決定する。電極Ｅ１、電極Ｅ２、およびゲートＧは、層６の頂部に配置される。ゲートＧは、それ自体は公知の方法で、層６の上に配置される。ゲートＧは、種々のタイプであって良く、トランジスタ１の構造を変更する必要がなければ、例えば、ショットキー、またはＭＩＳ（金属絶縁物半導体）ゲート構造も可能である。
【００３６】
導電電流を増やすために、電極Ｅ１およびＥ２は、それ自体は公知の方法で、層５に接続することができる。これは、一方は、これら電極を層６の中に拡散させ、他方は、層５によるトンネル効果を使用する。初期にこの層６の上に堆積された電極Ｅ１およびＥ２の金属は、アニーリングステップの間に、層６の中に拡散する。この金属は、低い仕事関数を有するＴｉまたはＡｌでよい。アニーリングの間に、例えばＴｉは、ＧａＮと反応してＴｉＮを形成する。この反応によって窒素原子が抽出され、ＧａＮ層の中に窒素空孔が生成される。これらの窒素空孔は、ｎ型のドーパントとして働き、数ｎｍの厚さの高密度にドープされた領域を生成し、層５に対するトンネリングを介してのオーム接触を形成する。オプションとして、層６は、電極Ｅ１およびＥ２に沿って、エッチングにより薄くすることができる。
【００３７】
層５は、ゲートＧの直下にゾーン５１を備えている。ゾーン５１は、ゲートＧに印加される電圧によって、選択的に導電性または絶縁性にすることができる。トランジスタ１の設計によって、ゲートＧにバイアスがかかっていない状態で、ゾーン５１が導電性か絶縁性かによって、このトランジスタをノーマリーオントランジスタか、またはノーマリーオフトランジスタかにすることができる。制御回路９は、ゲートＧにバイアス電圧を印加し、バイアス電圧は、基準電圧に対して決められる。トランジスタ１は、アイソレーショントレンチ８１，および８２によって、他の電子素子から分離される。
【００３８】
ゲートＧは、電極Ｅ１およびＥ２のほぼ中間に配置される。ゲートＧは、電極Ｅ１からの距離が、例えば、電極Ｅ１およびＥ２の間の距離の４５〜５５％のところに配置される。従って、ゾーン５１は、実質的に、電極Ｅ１およびＥ２の中間に位置する。インプラント７は、層４の中に形成される。インプラント７は、実質的に、電極Ｅ１およびＥ２の中間に位置する。インプラント７は、例えば、電極Ｅ１からの距離が、電極Ｅ１およびＥ２の間の距離の４５〜５５％のところに位置する。この距離は、層５を通した導電パスと比較して考慮されなければならない。電極Ｅ１およびＥ２は、物理的に互いに近接していてよいが、アイソレーショントレンチによって分離される、アイソレーショントレンチの電気伝導距離は、物理距離よりも長く、これにより、アイソレーショントレンチは、バイパスされる。
【００３９】
インプラント７は、ゲートＧの下、またはゲートＧの真下のゲート幅より短い距離のところに配置すると有利である。インプラント７は、電気コネクタを介して、制御回路９に電気的に接続される。形成されるインプラント７は、電流を通過させるように意図されていないので、薄くてよく、例えば、幅が５００ｎｍでよい。
【００４０】
インプラント７の電位は、制御回路９に対する基準電位として使用される。従って、Ｖ７をインプラントの電圧、Ｖｇをゲート電圧とすると、Ｖｇ＝Ｖ７＋ΔＶとなる。制御回路９は、トランジスタ１に対する希望する導電状態に応じて、電圧差ΔＶを選択的に追加する。従って、電圧差ΔＶは、トランジスタ１の閾値電圧に応じて適合される。インプラント７は、実質的に、電極Ｅ１およびＥ２の中間に位置しているので、その電位は、実質的に、Ｖ２１／２（Ｖ２１は、電極Ｅ１の電位と電極Ｅ２の電位との差である）に等しい。従って、インプラント７の電位は、電極Ｅ１およびＥ２の間に流れる電流の方向に関わらない浮いた基準電位として使用することができる。そのため、トランジスタ１の制御は、特に簡単になる。更に、インプラント７によって、トランジスタ１の閾値の良好な制御が可能になる。更に、特許文献１のものでは、これらのダイオードは、電極Ｅ１およびＥ２の間に印加される電圧に耐えるための寸法でなければならなかったが、これに対して、この場合には、電流の方向を検出するショットキーダイオードを設ける必要がないので、トランジスタ１は、小さな専有面積で、双方向電流機能を有することができる。このトランジスタは、完全に対称的な動作を示し、従って、インプラント７を形成することは、トランジスタ１の製造に対する工程の複雑さを、若干増大させるだけである。
【００４１】
図３は、第１の実施形態の、層６と電気的接触を作るためのインプラント７に沿って見た断面図である。インプラント７は、例えば、層４の中に注入されている。そして、層６は、インプラント７および層４の上に、エピタキシャル成長によって形成される。インプラント７は、ゾーン５１の電位にある。
インプラント７の最大注入ドーパント密度は、例えば、３０ｎｍの深さのところに位置し、これにより、一方は、ゾーン５１の中の導電に干渉を与えないようにし、他方は、近傍界効果によって、ゾーン５１の電圧を検出することができる。この注入の深さは、１０〜８０ｎｍであると有利であり、２０〜６０ｎｍであることが望ましい。
【００４２】
この実施形態例においては、インプラント７は、典型的に、高インピーダンス入力を介して制御回路９に接続され、インプラント７および制御回路９との間に流れる電流を防止している。
【００４３】
図４は、層５から分離されたインプラント７に沿う第２の実施形態例の断面図である。この場合には、インプラント７は、半導体層４２によってゾーン５１から分離されている。半導体層４２は、例えば、下部半導体層４１の上のインプラント７の上に、インプラント７が形成された後に、エピタキシャル成長によって生成される。この場合には、層４は、同じ半導体を基本として、層４１，および４２から形成される。層４２の厚さが適切に選定された場合（例えば、５〜２５ｎｍ、好ましくは、５〜１５ｎｍ）には、インプラント７の電位は、トンネル効果を介して、ゾーン５１の電位に近づく。この場合には、インプラント７は、制御回路９の高インピーダンス入力に電気的に接続されることが望ましい。
【００４４】
インプラント７に使用されるドーパントの種類の選択は、注入ステップが容易にスケールアップできるように、また注入ステップを容易に現状製造工程の中に組み入れることができるように、決定される。
【００４５】
図５および図６は、層４の中の深さの関数として、インプラント７の中のドーパント濃度を示すグラフである。実線は、ＧａＮ中における濃度１.１×１０２０原子／ｃｍ３のマグネシウムの注入に対応している。注入されたマグネシウムは、アニールによって活性化される。密度は、０〜２０ｎｍの深さでは、深さとともに減少し、２０〜４０ｎｍの深さでは、深さと共に増加している。４０ｎｍでピークであり、４０ｎｍを越えると、徐々に減少する。マグネシウムの注入は最も有利な工程である。これは、インプラントの密度は、ゾーン５１に干渉を与える可能性がある、本質的に存在し得る電界を生成しないこと、および、トンネル効果を通してゾーン５１の電位を検出できる十分な密度を有するからである。
【００４６】
トランジスタ１は、典型的には、例えば、電力応用に対する寸法にされている。例えば、
−  電極Ｅ１とＥ２との間の電圧は、１００Ｖよりも高く、また２００Ｖよりも高いことが望ましく、更に、５００Ｖよりも高いと有利である。また、
−  電極Ｅ１とＥ２との間の電流は、１０Ａより大きく、５０Ａより大きいことが望ましく、更に、２００Ａより大きいと有利である。
【００４７】
。
トランジスタ１は、例えば、１ＭＨｚより高く、更には１ＧＨｚよりも高いスイッチ周波数で使用することができ、例えば、移動電話ネットワークの装置の中のエミッタの中に統合することができる
【符号の説明】
【００４８】
１  トランジスタ
２  基板
３  バッファ層
４  第１の半導体層
５  電子ガス層
６  第２の半導体層
７  基準電極
９  制御回路
４１  半導体層
４２  半導体層
５１  電子ガス層のゾーン
８１、８２  アイソレーショントレンチ
Ｅ１  第１の導電電極
Ｅ２  第２の導電電極
Ｇ  ゲート
【図１】
2014131018.tif 000003
【図２】
2014131018.tif 000004
【図３】
2014131018.tif 000005
【図４】
2014131018.tif 000006
【図５】
2014131018.tif 000007
【図６】
2014131018.tif 000008
【外国語明細書】
2014131018000001.pdf