(57)【要約】【課題】端子群に接続される配線の保護を向上させることが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】ＴＦＴ基板２は、液晶層４側に、重畳部Ａから非重畳部Ｂに延びる複数の配線２５と、複数の配線２５を覆う保護膜２７と、保護膜２７上で重畳部Ａと非重畳部Ｂとの境界に跨って各々の配線２５に対応して配置され、各々の配線２５と導通する複数の保護導体線６と、複数の保護導体線６を覆う保護膜６３と、非重畳部Ｂに配置され、複数の配線２５に接続される端子群２９ａと、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持される液晶層と、前記第１の基板と前記第２の基板とに挟まれ、前記液晶層を囲むシール部材と、を備える液晶表示装置であって、
前記第１の基板は、前記第２の基板と重なる重畳部と、前記第２の基板と重ならない非重畳部と、を含み、
前記第１の基板は、前記液晶層側に、
前記重畳部から前記非重畳部に延びる複数の配線と、
前記複数の配線を覆う第１の保護膜と、
前記第１の保護膜上で前記重畳部と前記非重畳部との境界に跨って前記各々の配線に対応して配置され、前記各々の配線と導通する複数の保護導体線と、
前記複数の保護導体線を覆う第２の保護膜と、
前記非重畳部に配置され、前記複数の配線に接続される端子群と、
を有する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記保護導体線は、対応する前記配線とそれぞれ平面視で重複する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記保護導体線は、酸化物からなる透明導電膜を含む、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、をさらに有し、
前記保護導体線の前記透明導電膜は、前記第１の透明電極と同一材料で形成される、
請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記保護導体線は、酸化物からなる透明導電膜と、前記透明導電膜上に配置される金属膜と、を含む、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に配置される金属配線と、をさらに有し、
前記保護導体線の前記透明導電膜は、前記第１の透明電極と同一材料で形成され、
前記保護導体線の前記金属膜は、前記金属配線と同一材料で形成される、
請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に配置される金属配線と、をさらに有し、
前記保護導体線は、前記金属配線と同一材料で形成される、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記保護導体線は、前記第１の保護膜及び前記第２の保護膜を通じて前記配線に接続される第１のビア部と、前記第２の保護膜を通じて前記保護導体線に接続される第２のビア部と、を有する接続導体を介して、前記配線に導通する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第２の保護膜上に配置される第２の透明電極と、をさらに有し、
前記接続導体は、前記第２の透明電極と同一材料で形成される、
請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記保護導体線は、対応する前記配線とそれぞれ一箇所で導通する、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特には配線の保護に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では、２つの基板の間に液晶層が保持されている。２つの基板のうち一方の基板は、他方の基板と重ならない非重畳部を有しており、非重畳部には、画素群から延びる複数の配線に接続された端子群が設けられている。複数の配線は、腐食を防ぐための保護膜によって覆われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２２９９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような複数の配線を備える基板は、パネル組立時やパネル切断時などに機械的な衝撃を受けることがあり、これにより、表層の保護膜が削り取られて、配線の一部が外気に晒されることがある。配線の一部が外気に晒されると、そこから腐食が進んで導電性が劣化するおそれがある。特に、端子群の近くでは、相手方の基板を切断する際に切屑が飛来するため、そのような問題が生じやすい。
【０００５】
特許文献１には、切断線に対応する箇所に樹脂材料からなる保護部材を設けることが記載されている。ところで、配線の保護の観点からは、保護部材が金属などの導電材料を含むことがより好ましいが、保護部材が導電材料を含むと、配線と保護部材との間に短絡が生じるおそれがある。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みて為されたものであり、端子群に接続される配線の保護を向上させることが可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の液晶表示装置は、第１の基板と、第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に保持される液晶層と、前記第１の基板と前記第２の基板とに挟まれ、前記液晶層を囲むシール部材と、を備える。前記第１の基板は、前記第２の基板と重なる重畳部と、前記第２の基板と重ならない非重畳部と、を含む。また、前記第１の基板は、前記液晶層側に、前記重畳部から前記非重畳部に延びる複数の配線と、前記複数の配線を覆う第１の保護膜と、前記第１の保護膜上で前記重畳部と前記非重畳部との境界に跨って前記各々の配線に対応して配置され、前記各々の配線と導通する複数の保護導体線と、前記複数の保護導体線を覆う第２の保護膜と、前記非重畳部に配置され、前記複数の配線に接続される端子群と、を有する。
【０００８】
本発明の一態様において、前記保護導体線は、対応する前記配線とそれぞれ平面視で重複する。
【０００９】
本発明の一態様において、前記保護導体線は、酸化物からなる透明導電膜を含む。
【００１０】
当該態様において、前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、をさらに有し、前記保護導体線の前記透明導電膜は、前記第１の透明電極と同一材料で形成される。
【００１１】
本発明の一態様において、前記保護導体線は、酸化物からなる透明導電膜と、前記透明導電膜上に配置される金属膜と、を含む。
【００１２】
当該態様において、前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に配置される金属配線と、をさらに有し、前記保護導体線の前記透明導電膜は、前記第１の透明電極と同一材料で形成され、前記保護導体線の前記金属膜は、前記金属配線と同一材料で形成される。
【００１３】
本発明の一態様において、前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第１の保護膜上に配置される第１の透明電極と、前記第１の透明電極上に配置される金属配線と、をさらに有し、前記保護導体線は、前記金属配線と同一材料で形成される。
【００１４】
本発明の一態様において、前記保護導体線は、前記第１の保護膜及び前記第２の保護膜を通じて前記配線に接続される第１のビア部と、前記第２の保護膜を通じて前記保護導体線に接続される第２のビア部と、を有する接続導体を介して、前記配線に導通する。
【００１５】
当該態様において、前記第１の基板は、前記複数の配線に接続され、前記第１の保護膜に覆われる薄膜トランジスタと、前記第２の保護膜上に配置される第２の透明電極と、をさらに有し、前記接続導体は、前記第２の透明電極と同一材料で形成される。
【００１６】
本発明の一態様において、前記保護導体線は、対応する前記配線とそれぞれ一箇所で導通する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、重畳部と非重畳部との境界に跨って各々の配線に対応して配置される複数の保護導体線を有することによって、端子群に接続される配線の保護を向上させることが可能である。また、複数の保護導体線は、各々の配線と導通するため、短絡を防止することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】液晶表示装置の要部を模式的に示す断面図である。
【図２】ＴＦＴ基板の要部を模式的に示す平面図である。
【図３Ａ】保護導体線の構成例を模式的に示す平面図である。
【図３Ｂ】保護導体線の構成例を模式的に示す平面図である。
【図３Ｃ】保護導体線の構成例を模式的に示す平面図である。
【図４Ａ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｂ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｃ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｄ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｅ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｆ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｇ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図４Ｈ】ＴＦＴ基板の製造工程例を表す工程図である。
【図５】液晶表示装置の要部を模式的に表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の液晶表示装置の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
【００２０】
図１は、液晶表示装置１の要部を模式的に示す断面図である。図２は、ＴＦＴ基板２の要部を模式的に示す平面図である。なお、図２に示される保護導体線６、配線２５及び端子２９は、見易くするため、実物よりも幅を広くし、数を少なくしている。
【００２１】
液晶表示装置１は、第１の基板としてのＴＦＴ基板２と、第２の基板としてのＣＦ基板３と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３との間に保持される液晶層４と、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とに挟まれ、液晶層４を囲むシール部材５と、を備えている。ＴＦＴ基板２は、後述する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をスイッチング素子として備えている。ＣＦ基板３は、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に配置されたカラーフィルタ（ＣＦ）３３と、を備えている。
【００２２】
ＴＦＴ基板２は、ＣＦ基板３よりもやや大きい矩形状に構成されており、ＣＦ基板３と重なる重畳部Ａと、ＣＦ基板３と重ならない非重畳部Ｂと、を含んでいる。具体的には、ＴＦＴ基板２のうち、ＣＦ基板３の縁３９よりも面内方向の内側に位置し、ＣＦ基板３と向かい合う部分が重畳部Ａであり、ＣＦ基板３の縁３９よりも面内方向の外側に位置し、ＣＦ基板３と向かい合わない部分が非重畳部Ｂである。
【００２３】
ＴＦＴ基板２の重畳部Ａには、ＴＦＴを含む複数の画素が格子状に配列しており、各々のＴＦＴに接続された複数の配線２５が重畳部Ａから非重畳部Ｂに延びている。複数の配線２５は、例えば、ＴＦＴのソース電極に接続されたソース信号線（或いは、ドレイン電極に接続されたドレイン信号線）である。また、複数の配線２５は、腐食を防ぐための保護膜２７によって覆われている。
【００２４】
ＴＦＴ基板２の非重畳部Ｂには、各々の配線２５の端部に接続された複数の端子２９を含む端子群２９ａが設けられている。端子群２９ａには複数の配線２５の端部が集められており、これらに接続された複数の端子２９がＴＦＴ基板２の縁２２に沿って一次元的に配列している（図２を参照）。端子群２９ａには、ドライバＩＣが実装されたフレキシブルプリント基板が接続されてもよいし、ドライバＩＣが直接実装されてもよい。
【００２５】
ＴＦＴ基板２の保護膜２７上には、保護膜２７及び複数の配線２５を機械的な衝撃から保護するための複数の保護導体線６が、重畳部Ａと非重畳部Ｂとの境界に跨って配置されている。すなわち、複数の保護導体線６は、平面視においてＣＦ基板３の縁３９と重なるように配置されている。また、複数の保護導体線６は、腐食を防ぐための保護膜２８によって覆われている。
【００２６】
複数の保護導体線６は、各々の配線２５と一対一で対応して配置されている。例えば、複数の保護導体線６は、複数の配線２５のうち自身と対応する配線２５と平面視で重複するように配置されている。具体的には、複数の保護導体線６は、重畳部Ａと非重畳部Ｂとの境界付近において、対応する配線２５と同様の延伸形状に構成され、対応する配線２５を覆うように配置されている。
【００２７】
ところで、複数の配線２５のうち、端子群２９ａの中央部の端子２９に接続される配線２５は、端子群２９ａの両端部の端子２９に接続される配線２５に長さを近づけるため、蛇行形状に構成されることがある。この場合、保護導体線６は、図３Ａ〜図３Ｃに示されるように、配線２５と同様の蛇行形状に構成されてもよいし、蛇行形状の配線２５を全体的に覆う形状に構成されてもよいし、蛇行形状の配線２５を部分的に覆う形状に構成されてもよい。
【００２８】
また、複数の保護導体線６は、各々の配線２５と導通している。例えば、対応する保護導体線６と配線２５とは、保護膜２８上に形成される接続導体６７，６９によって互いに電気的に接続されている。具体的には、保護導体線６の非重畳部Ｂ側に形成される接続導体６７は、保護膜２７，２８を通じて配線２５に接続される端子２９と一体的に形成されている。すなわち、端子２９がビア部となっている。また、接続導体６７は、保護膜２８を通じて保護導体線６に接続されるビア部６７２を有している。他方、保護導体線６の重畳部Ａ側に形成される接続導体６９は、保護膜２７，２８を通じて配線２５に接続されるビア部６９１と、保護膜２８を通じて保護導体線６に接続されるビア部６９２と、を有している。
【００２９】
上記態様に限らず、複数の保護導体線６は、各々の配線２５と一対一で対応し、各々の配線２５と導通していれば、対応する配線２５と必ずしも平面視で重複しなくてもよい。また、複数の保護導体線６は、２つの接続導体６７，６９に限らず、１つ又は３つ以上の接続導体によって各々の配線２５と接続されてもよく、保護導体線６と配線２５が各々同電位となる構成であれば足りる。
【００３０】
また、各々の保護導体線６は、保護膜２７上に配置される透明導電層６１と、透明導電層６１上に配置される金属層６２と、を含む２層構造を有している。透明導電層６１は、例えばスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電性の酸化物からなる。金属層６２は、例えばＣｕやＡｌ等の金属からなる。なお、この態様に限らず、保護導体線６は、透明導電層６１及び金属層６２の一方を含む単層構造であってもよいし、他の導電層を含む３層以上の複層構造であってもよい。
【００３１】
保護導体線６に含まれる透明導電層６１は、例えばＩＴＯ等の透明導電性の酸化物からなり、約２００〜４００ｎｍの厚さを有することが好ましい。保護導体線６に含まれる金属層６２は、例えばＣｕやＡｌ等の金属からなり、約２００〜４００ｎｍの厚さを有することが好ましい。保護導体線６上に配置される保護膜２８は、例えばＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなり、約３００〜６００ｎｍの厚さを有することが好ましい。また、保護導体線６下に配置される保護膜２７は、例えばＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなり、約３００〜６００ｎｍの厚さを有することが好ましい。また、保護膜２７下に配置される配線２５は、例えばＣｕやＡｌ等の金属からなり、約２００〜４００ｎｍの厚さを有することが好ましい。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｈは、ＴＦＴ基板２の製造工程例を表す工程図である。各々の図の左半分はＴＦＴの形成領域を示しており、右半分は保護導体線６の形成領域を示している。各々の図は、フォトリソグラフィー工程及びエッチングによる薄膜加工が終了し、フォトレジストが除去された状態を示している。ここで、フォトリソグラフィー工程とは、フォトレジストの塗布から、フォトマスクを使用した選択的な露光を経て、現像を行うまでの、レジストパターンを形成するための一連の処理を含む工程であり、以下では詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４Ａに示される工程では、ＴＦＴの形成領域において、ガラス基板２１上にＣｕやＡｌ等の金属からなるゲート電極７１が形成される。具体的には、始めに、スパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により金属膜上にレジストパターンが形成され、次いで、金属膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、ゲート電極７１が形成される。
【００３４】
図４Ｂに示される工程では、ガラス基板２１及びゲート電極７１を覆うＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる絶縁膜２３が形成されると共に、ゲート電極７１上かつ絶縁膜２３上に非晶質Ｓｉ（ａ−Ｓｉ）等の半導体からなる半導体層７３が形成される。具体的には、始めに、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することでＳｉＮからなる絶縁膜が形成される。次いで、シランガス及び水素ガスを導入することで非晶質Ｓｉからなる半導体膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により半導体膜上にレジストパターンが形成され、次いで、半導体膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、絶縁膜２３及び半導体層７３が形成される。
【００３５】
図４Ｃに示される工程では、半導体層７３上にＣｕやＡｌ等の金属からなるソース電極７４及びドレイン電極７５が形成され、ＴＦＴが完成する。また、同工程では、絶縁膜２３上にＣｕやＡｌ等の金属からなる複数の配線２５も形成される。複数の配線２５は、ソース電極７４に接続されるソース信号線であり、保護導体線６の形成領域を通って、端子群２９ａの形成領域まで延びる（図１を参照）。具体的には、始めに、スパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により金属膜上にレジストパターンが形成され、次いで、金属膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、ソース電極７４、ドレイン電極７５及び複数の配線２５が形成される。
【００３６】
図４Ｄに示される工程では、ソース電極７４、ドレイン電極７５及び複数の配線２５を覆うＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる保護膜２７が形成される。また、保護膜２７には、ドレイン電極７５が底に露出したホール２７ａが形成される。具体的には、始めに、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することでＳｉＮからなる保護膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により保護膜上にレジストパターンが形成され、次いで、保護膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、ホール２７ａを有する保護膜２７が形成される。
【００３７】
図４Ｅに示される工程では、保護膜２７上にスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電材料からなる共通電極７６が形成される。この共通電極７６は、第１の透明電極の一例である。また、同工程では、保護導体線６の形成領域における保護膜２７上にＩＴＯ等の透明導電性の酸化物からなる透明導電層６１も形成される。具体的には、始めに、保護膜２７上にスパッタリングによりＩＴＯからなる透明導電膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により透明導電膜上にレジストパターンが形成され、次いで、透明導電膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、共通電極７６及び透明導電層６１が形成される。
【００３８】
図４Ｆに示される工程では、共通電極７６に接続されるＣｕやＡｌ等の金属からなる共通信号線（コモン信号線）７７が形成される。また、同工程では、保護導体線６の形成領域における透明導電層６１上にＣｕやＡｌ等の金属からなる金属層６２も形成される。具体的には、始めに、スパッタリングによりＣｕやＡｌ等の金属からなる金属膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により金属膜上にレジストパターンが形成され、次いで、金属膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、共通信号線７７及び金属層６２が形成される。
【００３９】
図４Ｇに示される工程では、共通電極７６、共通信号線７７及び金属層６２を覆うＳｉＮ等の透明な絶縁材料からなる保護膜２８が形成される。また、保護膜２８には、上記保護膜２７と同様に、ドレイン電極７５が底に露出したホール２７ａが形成される。また、保護導体線６の形成領域では、保護膜２８に保護導体線６が底に露出したホール２８ａ，２８ｂが形成されると共に、保護膜２７，２８に配線２５が底に露出したホール２８ｃが形成される。具体的には、始めに、ＣＶＤ装置の反応室内にアンモニアガス、シランガス及び窒素ガスを導入することでＳｉＮからなる保護膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により保護膜上にレジストパターンが形成され、次いで、保護膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、ホール２７ａ，２８ａ〜２８ｃを有する保護膜２８が形成される。なお、同工程では、非重畳部Ｂに端子２９（図１を参照）を形成するためのホールも形成される。
【００４０】
図４Ｈに示される工程では、保護膜２８上及びホール２７ａ内にスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透明導電材料からなる画素電極７８が形成される。画素電極７８は、ホール２７ａを通じてドレイン電極７５に接続される。この画素電極７８は、第２の透明電極の一例である。また、同工程では、保護導体線６の形成領域における保護膜２８上及びホール２８ａ〜２８ｃ内にもＩＴＯ等の透明導電材料からなる接続導体６７，６９が形成される。接続導体６７，６９は、ホール２８ａ〜２８ｃを通じて保護導体線６及び配線２５に接続される。具体的には、始めに、保護膜２８上にスパッタリングによりＩＴＯからなる透明導電膜が形成される。次いで、フォトリソグラフィー工程により透明導電膜上にレジストパターンが形成され、次いで、透明導電膜がエッチングされ、その後、フォトレジストが剥離される。これにより、ドレイン電極７５に接続された画素電極７８と、保護導体線６及び配線２５に接続された接続導体６７，６９と、が形成される。なお、同工程では、非重畳部ＢにＩＴＯ等の透明導電材料からなる端子２９（図１を参照）も形成される。
【００４１】
以上の工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。そして、ＴＦＴ基板２とＣＦ基板３とシール部材５との間に液晶層４を注入することで液晶表示パネルが完成し、液晶表示パネルにドライバＩＣ等を組み付けることで液晶表示装置１が完成する。
【００４２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が当業者にとって可能であるのはもちろんである。
【００４３】
上記実施形態では、保護導体線６と配線２５とは保護膜２８上に形成される接続導体６７，６９によって導通されているが、これに限らず、図５に示されるように保護導体線６と配線２５とが一箇所で導通されてもよい。同図の例では、保護導体線６と配線２５とは、保護膜２７に形成されたビア部６８によって導通されている。具体的には、保護導体線６は金属層６２からなり、保護膜２７に形成されたホールが金属層６２と同一の金属材料で充填されることで、保護導体線６と配線２５とを導通させるビア部６８が形成されている。
【００４４】
また、上記実施形態ではＴＦＴよりも上方に共通信号線７７が設けられた画素構造を示したが、これに限られず、共通信号線７７がゲート電極７１と同層に設けられる画素構造であってもよい。
【００４５】
また、上記実施形態ではＴＦＴ基板２に共通電極７６及び画素電極７８が設けられたＩＰＳ（In Plane Switching）方式について説明したが、ＴＮ方式やＶＡ方式の液晶表示装置にも本発明を適用できる。
【００４６】
また、上記実施形態ではＴＦＴ基板２の各々の画素にＴＦＴが設けられたアクティブマトリクス方式について説明したが、単純マトリクス方式の液晶表示装置にも本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００４７】
１  液晶表示装置、２  ＴＦＴ基板（第１の基板の一例）、２１  ガラス基板、２２  縁、２３  絶縁膜、２５  配線、２７  保護膜（第１の保護膜の一例）、２７ａ  ホール、２８  保護膜（第２の保護膜の一例）、２８ａ〜２８ｃ  ホール、２９  端子、２９ａ  端子群、３  ＣＦ基板（第２の基板の一例）、３１  ガラス基板、３３  カラーフィルタ、３９  縁、４  液晶層、５  シール部材、６  保護導体線、６１  金属層（金属膜の一例）、６２  透明導電層（透明導電膜の一例）、６７  接続導体、６７２  ビア部（第２のビア部の一例）、６８  ビア部、６９  接続導体、６９１  ビア部（第１のビア部の一例）、６９２  ビア部（第２のビア部の一例）、７１  ゲート電極、７３  半導体層、７４  ソース電極、７５  ドレイン電極、７６  共通電極（第１の透明電極の一例）、７７  共通信号線、７８  画素電極（第２の透明電極の一例）、７９  ビア導体、Ａ  重畳部、Ｂ  非重畳部。
【図１】
2014149482.tif 000003
【図２】
2014149482.tif 000004
【図３Ａ】
2014149482.tif 000005
【図３Ｂ】
2014149482.tif 000006
【図３Ｃ】
2014149482.tif 000007
【図４Ａ】
2014149482.tif 000008
【図４Ｂ】
2014149482.tif 000009
【図４Ｃ】
2014149482.tif 000010
【図４Ｄ】
2014149482.tif 000011
【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５】
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