(57)【要約】【課題】表面平坦性および磁気特性の双方に優れる磁気記録媒体の製造方法を提供すること。【解決手段】非磁性基体上に下地層を形成する工程と、上記下地層の表面を酸素暴露する工程と、上記酸素暴露した下地層の表面上に磁気記録層を形成する工程とを含み、上記下地層が、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含み、上記磁気記録層が規則合金からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基体上に下地層を形成する工程と、
前記下地層の表面を酸素暴露する工程と、
前記酸素暴露した下地層の表面上に磁気記録層を形成する工程と、
を含み、
前記下地層が、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含み、
前記磁気記録層が規則合金からなることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記下地層の表面を酸素暴露する工程において、酸素ガス暴露量が６０〜５００ラングミュアであることを特徴とする、請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法により製造された磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の製造方法に関する。より詳しくは、コンピュータを始めとする情報機器用記憶装置等に使用される磁気記録媒体の製造方法に関する。また、本発明は、このような製造方法により得られる磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、垂直磁気記録方式が採用されている。垂直磁気記録媒体は、硬質磁性材料から形成される磁気記録層を少なくとも含み、さらに任意選択的に、軟磁性裏打ち層、下地層、保護層などを含む構成を有する。ここで、軟磁性裏打ち層は軟磁性材料から形成され、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる役割を担う層であり、下地層は磁気記録層を目的の方向に配向させるための層であり、保護層は磁気記録層の表面を保護する層である。
【０００３】
垂直磁気記録媒体の磁気記録層を形成するための材料としては、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ等の合金材料にＳｉＯ２、ＴｉＯ２など非磁性体を添加したグラニュラー磁性膜が提案されている（例えば、特許文献１〜３を参照）。例えば、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２グラニュラー磁性膜では、ＣｏＣｒＰｔの磁性結晶粒の周囲を取り囲むように非磁性体であるＳｉＯ２が偏析し、非磁性体のＳｉＯ２によって個々のＣｏＣｒＰｔ磁性結晶粒は磁気的に分離されている。
【０００４】
近年、グラニュラー磁性膜中の磁性結晶粒の粒径を縮小して、垂直磁気記録媒体の記録密度をより一層向上させる必要に迫られている。一方で、磁性結晶粒の粒径の縮小は、記録された磁化の熱安定性を低下させる。そのため、磁性結晶粒の粒径の縮小による熱安定性の低下を補償するために、グラニュラー磁性膜中の磁性結晶粒を結晶磁気異方性のより高い材料を用いて形成することが求められている。
【０００５】
このような高い結晶磁気異方性を有する材料として、Ｌ１０系規則合金が知られており、Ｌ１０系規則合金薄膜の種々の製造方法が提案されている（例えば、特許文献４〜８を参照）。
【０００６】
一方、磁気記録媒体では、強度、耐衝撃性などの点から、アルミニウムまたはガラス製の非磁性基体が用いられている。このような非磁性基体の表面にＬ１０系規則合金を成膜する場合、下地層が重要である。なぜなら、高い結晶磁気異方性を持たせるために、Ｌ１０系規則合金の結晶を（００１）配向（結晶の［００１］軸が基板面に対して垂直である）させる必要があるためである。そのため、一般に、Ｌ１０系規則合金に対して適当な格子ミスフィットを有して格子整合性の高いＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ３が下地層として用いられている。
【０００７】
また、目的に応じて下地層の材料およびその形成方法を種々変更した磁気記録媒体も知られている。
【０００８】
例えば、特許文献９には、単層ないし多層基板と、該基板上に堆積される面内非配向かつ面外配向した下地微結晶膜と、該下地微結晶膜の個々の下地微結晶に個々にローカルエピタキシーしたナノ粒子とを具備するナノ粒子デバイスが開示されている。下地微結晶膜として、ＴｉＮ、ＶＮ、ＺｒＮ、ＮｂＮ、ＨｆＮ、ＴａＮ、ＴｈＮの窒化物、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの酸化物を用いることが開示されている。さらに、ナノ粒子デバイスの製造において、下地微結晶膜を作製させた後、大気暴露なしにＦｅＰｔないしＣｏＰｔを堆積することにより、ローカルにエピタキシャル成長を行わせることも開示されている。
【０００９】
特許文献１０には、剛体基板上に直接あるいは接着層を介して形成した第１の軟磁性下地層と、上記第１の軟磁性下地層上に非磁性中間層を介して形成した第２の軟磁性下地層と、上記第２の軟磁性下地層上に形成した酸化物からなる低熱伝導中間層と、上記低熱伝導中間層上に直接或いは結晶配向性制御層を介して形成した結晶粒径制御層と、上記結晶粒径制御層上に直接或いは結晶配向性制御兼低熱伝導中間層を介して形成した、規則化が進んだ段階でＬ１０構造をとることが期待される組成で構成されるＦｅ−Ｐｔ合金或いはＣｏ−Ｐｔ合金を主成分とするグラニュラ記録層と、上記グラニュラ記録層上に形成したＦｅ−Ｐｔ合金或いはＣｏ−Ｐｔ合金からなるキャップ層と、上記キャップ層上に形成した保護層とを有する垂直磁気記録媒体が開示されている。上記結晶粒径制御層としてＴｉ，Ｍｏ，Ｗからなる群Ｍから選ばれる少なくとも１元素を添加したＣｒ−Ｍ−Ｂ合金層を設けることも開示されている。
【００１０】
特許文献１１には、基体と、ＣｒＮフィルムを含む下地層と、磁気記録層とを含む磁気記録媒体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００１−２９１２３０号公報
【特許文献２】特開平０８−０８３４１８号公報
【特許文献３】国際公開第２００２／０３９４３３号パンフレット
【特許文献４】特許第３３１８２０４号明細書
【特許文献５】特許第３０１０１５６号明細書
【特許文献６】特開２００１−１０１６４５号公報
【特許文献７】特開２００４−１７８７５３号公報
【特許文献８】特表２０１０−５０３１３９号公報
【特許文献９】国際公開第２００５／０２２５６５号パンフレット
【特許文献１０】特開２００９−１５８０５４号公報
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００９／１４２６２１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、下地層の材料として従来のＭｇＯおよびＳｒＴｉＯ３を用いた場合、磁気記録層の表面平坦性が極度に悪化するおそれがあった。また、引用文献９〜１１のように下地層に酸化物ではない材料を用いる磁気記録媒体も知られているが、当該記録媒体が表面平坦性および磁気特性の双方を満足することについて明らかにされていない。表面平坦性および磁気特性は共に、磁気記録媒体の性能を左右する大きな要素となるため、これら特性に優れた磁気記録媒体の製造方法に対する要求が依然として存在する。
【００１３】
したがって、本発明の目的は、表面平坦性および磁気特性の双方に優れる磁気記録媒体の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の目的を達成するため、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に下地層を形成する工程と、上記下地層の表面を酸素暴露する工程と、上記酸素暴露した下地層の表面上に磁気記録層を形成する工程とを含み、上記下地層が、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含み、上記磁気記録層が規則合金からなることを特徴とする。
【００１５】
このような磁気記録媒体の製造方法においては、上記下地層の表面を酸素暴露する工程において、酸素ガス暴露量が６０〜５００ラングミュアであることが好ましい。
【００１６】
本発明は、このような磁気記録媒体の製造方法により得られた磁気記録媒体を包含する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の方法によれば、表面平坦性および磁気特性の双方に優れる磁気記録媒体を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の磁気記録媒体１００の製造方法を示す断面模式図であり、（ａ）は非磁性基体１０２上に下地層１０４を形成する工程を示し、（ｂ）は下地層１０４の表面を酸素暴露する工程を示し、（ｃ）は酸素暴露した下地層１０５の表面上に磁気記録層１０６を形成する工程を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
本発明の磁気記録媒体の製造方法は、非磁性基体上に下地層を形成する工程と、上記下地層の表面を酸素暴露する工程と、上記酸素暴露した下地層の表面上に磁気記録層を形成する工程とを含み、上記下地層が、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含み、上記磁気記録層が規則合金からなる。
【００２０】
以下に、本発明の磁気記録媒体の製造方法を、図面に従い詳細に説明する。なお、以下に示す例は本発明の単なる例示であり、当業者であれば適宜設計変更することができる。
【００２１】
図１は、本発明の磁気記録媒体１００の製造方法を示す断面模式図であり、（ａ）は非磁性基体１０２上に下地層１０４を形成する工程を示し、（ｂ）は下地層１０４の表面を酸素暴露する工程を示し、（ｃ）は酸素暴露した下地層１０５の表面上に磁気記録層１０６を形成する工程を示す。以下に、各工程について詳述する。
【００２２】
［工程１］
工程１は、図１（ａ）に示すように、非磁性基体１０２上に下地層１０４を形成する工程である。
【００２３】
（非磁性基体１０２の準備）
非磁性基体１０２としては、通常、磁気記録媒体に用いられる、強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。
【００２４】
非磁性基体１０２は、下地層１０４を形成する前に洗浄しておくことが好ましい。洗浄は、ブラシを用いたスクラブ方式、高圧水噴射方式、酸またはアルカリ洗剤への浸漬方式などにより行うことができることはもちろん、これらの洗浄中に超音波を加えることもできる。また洗浄を行った後にさらに紫外線照射を行うこともできる。
【００２５】
（下地層１０４の形成）
下地層１０４は、ＣｒＮを含む材料を用いて、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、ＣＶＤ法、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法および条件により形成することができる。
【００２６】
例えば、スパッタ法を用いる場合は、Ａｒなどの不活性ガス雰囲気下、ＣｒＮターゲットを用いてＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含む下地層１０４を形成することができる。
【００２７】
あるいは、ＣｒＮターゲットの代わりにＣｒターゲットを用いて、Ａｒなどの不活性ガスで希釈したＮ２雰囲気下でスパッタリングを行うことでＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮを含む下地層１０４を形成することもできる。かかる形成方法を適用する場合には、不活性ガスで希釈したＮ２ガス濃度およびガス圧を適切に選択する必要がある。これは、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮ中に、磁気記録層（例えばＦｅＰｔ層）をエピタキシャル成長させる構造として不適であるｂｃｃ構造のＣｒおよび六方晶のＣｒ２Ｎが混在した結晶状態を生成させないためである。このため、Ｎ２ガス濃度を２０〜３０体積％、ガス圧を０．５〜４Ｐａにすることが好ましい。
【００２８】
下地層１０４に含まれるＣｒＮは、従来のＭｇＯを用いる場合と比較し磁気記録媒体の表面粗さを著しく改善する観点から、ＮａＣｌ型結晶構造を有するＣｒＮであることが好ましい。Ｃｒ原子とＮ原子との比率は厳密には１：１であるが、格子欠陥などを考慮し、１：１の近傍であればよい。
【００２９】
下地層１０４がＮａＣｌ型結晶構造を有するかを確認するには、例えばＸ線回折装置を用いて確認することができる。
【００３０】
下地層１０４の厚さは、特に制限されるものではないが、配向性の観点からは厚く、生産性の観点からは薄いことが望ましいため、１０ｎｍ〜２０ｎｍとすることが好ましい。
【００３１】
（任意の層の形成）
非磁性基体１０２と下地層１０４との間に、磁気記録媒体に通常用いられる任意の層（図示せず）をさらに形成してもよい。任意の層の非限定的な例としては、密着層、プレシード層、配向制御層、熱制御層、軟磁性層等を挙げることができる。
【００３２】
任意の層は、当該層を構成する材料を、当該技術において知られている任意の方法および条件を用いて形成することができる。
【００３３】
例えば、密着層は、ＣｒＴｉ合金を始めとするＣｒ含有合金などの従来用いられている材料により、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの従来の方法を用いて形成することができる。
【００３４】
プレシード層は、ＣｒＲｕ合金を始めとするＣｒ含有合金などの従来用いられている材料により、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの従来の方法を用いて形成することができる。
【００３５】
配向制御層は、Ｎｉ合金などの従来用いられている材料により、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの従来の方法を用いて形成することができる。
【００３６】
熱制御層は、Ｃｕ合金やＡｇ合金などの従来用いられている材料により、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの従来の方法を用いて形成することができる。
【００３７】
［工程２］
工程２は、図１（ｂ）に示すように、下地層１０４の表面を酸素暴露する工程である。
【００３８】
酸素暴露は、酸素ガスを単独で、あるいは酸素を不活性ガスで希釈した混合ガスを工程１により得られた積層体１１０の下地層１０４表面に暴露して行うことができる。ここで、不活性ガスとしては、希ガス等を用いることができる。
【００３９】
磁気記録媒体の磁気特性を飛躍的に向上させることができるという観点から、下地層１０４表面への酸素ガス暴露量が６０〜５００ラングミュアであることが好ましい。ここで、１ラングミュアは、１．３３×１０−４Ｐａ（１×１０−６ｔｏｒｒ）下、１秒間、積層体１１０を保持した際に下地層１０４表面が酸素暴露される量を意味する。また、不活性ガスと酸素との混合ガスを用いて酸素暴露を行う場合には、酸素ガス成分だけの暴露量に基づいて工程を設定する。例えば、本明細書中において、Ａｒで希釈した酸素混合ガスを用いて１００ラングミュアで酸素暴露するとは、酸素ガスを１００ラングミュア暴露することを意味する。
【００４０】
［工程３］
工程３は、図１（ｃ）に示すように、酸素暴露した下地層１０５の表面上に磁気記録層１０６を形成する工程である。
【００４１】
磁気記録層１０６は、規則合金からなる。規則合金としては高い結晶磁気異方性を有するという観点から、Ｌ１０型規則合金が特に好ましい。
【００４２】
規則合金の磁性材料としては、特に制限されるものではないが、形成温度をより低くできることからＦｅＰｔを用いることが好ましく、磁性粒の分離性を確保する観点からＦｅＰｔ合金に炭素を加えた合金が特に好ましい。
【００４３】
磁気記録層１０６は、上記材料を始めとする従来用いられている材料を用いて、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、ＣＶＤ法、真空蒸着法など当該技術において知られている任意の方法および条件により形成することができる。
【００４４】
（任意の層の形成）
磁気記録層１０６上に、磁気記録媒体１００で通常用いられる任意の層（図示せず）をさらに形成してもよい。任意の層の非限定的な例としては、保護層、液体潤滑剤層等を挙げることができる。
【００４５】
任意の層は、当該層を構成する材料を、当該技術において知られている任意の方法および条件を用いて形成することができる。
【００４６】
例えば、保護層は、カーボン（ダイヤモンド状炭素など）、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２などを用いて形成することができる。保護層は、一般的にスパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いて形成することができる。
【００４７】
液体潤滑剤層は、パーフルオロポリエーテル系の液体潤滑剤などを用いて形成することができる。液体潤滑剤層は、ディップコート法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布方法を用いて形成することができる。
【００４８】
以上に詳述したとおり、本発明の方法によれば、表面平坦性および磁気特性の双方に優れる磁気記録媒体を製造することができる。このため、本発明の磁気記録媒体は、コンピュータを始めとする種々の情報機器用記憶装置等に適用することができる。
【実施例】
【００４９】
以下に本発明の効果を実施例により実証する。なお、以下の実施例は、本発明を説明するための代表例に過ぎず、本発明をなんら限定するものではない。
【００５０】
＜磁気記録媒体の形成＞
（実施例１）
まず、直径６５ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍの化学強化ガラス基板１０２を準備した。これを真空装置内に導入しても問題ないレベルにまで洗浄を行い、真空装置内に導入した。次いで、当該基板上に、Ｃｒ５０Ｔｉ５０ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法により密着層としてＣｒＴｉ膜を４ｎｍで形成した。さらに、密着層上に、Ｃｒ９０Ｒｕ１０ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタ法によりプレシード層としてＣｒＲｕ膜を１０ｎｍで形成した。次いで、ＤＣマグネトロンスパッタ法にて、Ａｒで希釈したＮ２雰囲気（Ｎ２ガス濃度２０体積％、ガス圧１Ｐａ）下でＣｒターゲットを放電して、下地層としてＣｒＮ膜を１０ｎｍで形成し、積層体を得た。Ｐｈｉｌｉｐｓ社製のＰＷ３０４０／６０を用いたＸ線回折にて下地層がＮａＣｌ型の結晶構造を有することを確認した。
【００５１】
次いで、当該積層体を４５０℃まで加熱した後、Ａｒで希釈した酸素混合ガス（酸素ガス濃度１０体積％、ガス圧０．０１３Ｐａ）を用い、下地層表面への酸素ガス暴露量が６０ラングミュアとなるまで酸素暴露を行い、酸素暴露後の積層体を得た。
【００５２】
酸素暴露後の積層体を速やかにスパッタ装置内に移送し、（Ｆｅ５０Ｐｔ５０）−２０体積％Ｃ合金ターゲットを用いたＤＣスパッタ法により磁気記録層としてＦｅＰｔ−Ｃ膜を５ｎｍで形成し、基板温度が室温近傍に下がるまで真空中で保持した。最後に、磁気記録層上にＣＶＤ法により保護層としてダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）膜を２．５ｎｍで形成し、磁気記録媒体を得た。
【００５３】
（実施例２）
下地層の表面を６０ラングミュアの代わりに１００ラングミュアで酸素暴露したこと以外は、実施例１と同一の条件で実施例２の磁気記録媒体を得た。
【００５４】
（実施例３）
下地層の表面を６０ラングミュアの代わりに２００ラングミュアで暴露したこと以外は、実施例１と同一の条件で実施例３の磁気記録媒体を得た。
【００５５】
（実施例４）
下地層の表面を６０ラングミュアの代わりに５００ラングミュアで暴露したこと以外は、実施例１と同一の条件で実施例４の磁気記録媒体を得た。
【００５６】
（実施例５）
下地層の表面を６０ラングミュアの代わりに１，０００ラングミュアで暴露したこと以外は、実施例１と同一の条件で実施例５の磁気記録媒体を得た。
【００５７】
（実施例６）
下地層の表面を６０ラングミュアの代わりに２，０００ラングミュアで暴露したこと以外は、実施例１と同一の条件で実施例６の磁気記録媒体を得た。
【００５８】
（比較例１）
下地層の表面を酸素暴露しなかったことを除き、実施例１と同一の条件で比較例１の磁気記録媒体を得た。
【００５９】
（比較例２）
下地層としてＣｒＮ膜を１０ｎｍで形成して下地層の表面を酸素混合ガスで酸素暴露する代わりに、下地層としてＭｇＯ膜を１０ｎｍで形成したこと以外は、実施例１と同一の条件で比較例２の磁気記録媒体を得た。
【００６０】
＜評価項目＞
（磁気記録媒体の平滑性）
実施例１〜６および比較例１〜２の各磁気記録媒体について、原子間力顕微鏡（ビーコ社製のナノスコープＶ）を用いて、１×１μｍの視野で磁気記録媒体の表面粗さＲａを測定した。プローブはＳｉ製のものを用いた。その結果を表１に示す。
【００６１】
【表１】
2014081980.tif 000003
【００６２】
下地層としてＣｒＮ膜を形成した実施例１〜６の磁気記録媒体はいずれも０．６ｎｍの表面粗さであり、非常に平滑な表面を有していることが判明した。
【００６３】
これに対し、ＭｇＯ膜を形成した比較例２の磁気記録媒体は１．０ｎｍの表面粗さであり、本発明の磁気記録媒体と比較し、非常に平滑性に劣るものであった。この結果、比較例２の磁気記録媒体は磁気ヘッド浮上時の磁気ヘッドと媒体表面間の接触危険性が高く、信頼性を欠くものであった。
【００６４】
（磁気記録媒体の磁気特性）
磁気記録媒体の磁気特性を評価する項目として、磁性粒の分離性の観点から、保磁力Ｈｃおよび磁化曲線の傾きαを採用した。
【００６５】
実施例１〜６および比較例１〜２の各磁気記録媒体について、振動試料型磁力計（玉川工業社製）を用いて、最大印可磁場２０ｋＯｅで磁気記録媒体の保磁力Ｈｃを測定した。なお、保磁力Ｈｃは、磁化曲線がＸ軸（磁化ゼロ）を横切る前後各２点（計４点）を直線近似した関数がＸ軸を横切る磁界を、＋磁場および−磁場側で算出し加算平均することにより得た。また、磁化曲線の傾きαは、前記近似関数の傾きに４πを乗算し、こちらも＋磁場および−磁場側で各々算出し加算平均することにより得た。その結果を表２に示す。なお、磁気記録媒体の磁化特性は、保磁力Ｈｃの値が大きいほど、また磁化曲線の傾きαが小さいほど良好である。
【００６６】
【表２】
2014081980.tif 000004
【００６７】
下地層の表面を酸素暴露した実施例１〜６の磁気記録媒体は、酸素暴露をしなかった比較例１と比較し、保磁力Ｈｃの値が高く、磁化曲線の傾きαが同等または小さいことから、磁気記録媒体の磁化特性がより優れることが判明した。
【００６８】
下地層の表面を酸素暴露した場合に磁気特性が向上する理由としては、暴露した酸素が下地層の表面に吸着し、吸着した酸素を核として、磁気記録層を構成するＦｅＰｔ粒子の成長、または粒界Ｃ層の成長が生じるからであると思われる。
【００６９】
また、下地層の表面への酸素ガス暴露量が６０〜５００ラングミュアである実施例１〜４の磁気記録媒体は、暴露量が１，０００ラングミュア以上の実施例５および６と比較して保磁力Ｈｃの値がより大きく、磁化曲線の傾きαが小さかったことから、磁化特性がより優れるといえる。特に、下地層の表面への酸素ガス暴露量が１００〜５００ラングミュアの実施例２〜４の磁気記録媒体では、下地層としてＭｇＯ膜を形成した比較例２と同様、非常に優れた磁化特性を有していた。
【００７０】
下地層表面での酸素暴露量が１，０００ラングミュア以上となると磁化特性が低下する傾向にあるのは、磁気記録層を構成するＦｅＰｔもしくはＣが下地層表面の多数箇所でトラップされ、その結果、下地層表面での原子拡散（移動）が阻害されるために、ＦｅＰｔ相とＣ相の分離が不十分となることが原因として考えられる。
【００７１】
以上、本発明の方法によれば、表面平坦性および磁気特性の双方に優れる磁気記録媒体を製造することができることが明らかとなった。
【符号の説明】
【００７２】
１００    磁気記録媒体
１０２    非磁性基体
１０４    下地層
１０５    酸素暴露した下地層
１０６    磁気記録層
【図１】
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