(57)【要約】【課題】発光寿命及び発光効率に優れ高い発色品質を有する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１１は、サブ画素３４Ｇとサブ画素３４Ｂとを有する画素３８と、サブ画素３４Ｇに設けられた陽極２４Ｇと、サブ画素３４Ｂに設けられた陽極２４Ｂと、サブ画素３４Ｇとサブ画素３４Ｂとに亘って設けられた陰極２５と、サブ画素３４Ｇの陽極２４Ｇと陰極２５との間に塗布方式で形成された、緑色を発光する機能を有する発光層６３Ｇと、サブ画素３４Ｇとサブ画素３４Ｂとに亘って、発光層６３Ｇと陰極２５との間と、陽極２４Ｂと陰極２５との間と、に蒸着方式で形成された、青色を発光する機能を有する発光層６３Ｂと、少なくともサブ画素３４Ｇの発光層６３Ｇと発光層６３Ｂとの間に設けられた、緑の色を発光する機能を有する発光層６４Ｇと、を備える。【選択図】図３
2014056738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、
前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、
前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、
前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、
少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層と前記第２発光層との間に設けられた、前記第１の色を発光する機能を有する第３発光層と、
を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第３発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成され、前記第２陽極と前記第２発光層との間にも設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記第１発光層との間に設けられた第１正孔輸送層と、
前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記第３発光層との間に設けられた第２正孔輸送層と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第２発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層と、をさらに備え、
前記第１サブ画素における前記第１正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和は、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きく、かつ、前記第２サブ画素における前記第２正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和は、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも小さいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記画素は第３サブ画素をさらに有し、
前記第３サブ画素には、第３陽極と、前記陰極と、前記第３陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第４発光層と、前記第４発光層と前記陰極との間に配置された前記第２発光層と、前記第４発光層と前記第２発光層との間に配置された前記第３発光層と、前記第３陽極と前記第４発光層との間に配置された第３正孔輸送層と、前記第２発光層と前記陰極との間に配置された前記電子輸送層と、が設けられ、
前記第３正孔輸送層から前記第４発光層までの膜厚の総和は、前記第３発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項４に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１陽極と前記第１正孔輸送層との間と、前記第２陽極と前記第２正孔輸送層との間と、前記第３陽極と前記第３正孔輸送層との間と、に設けられた正孔注入層を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の色は緑色または赤色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は緑色または赤色のうち前記第１の色と異なる色であることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２正孔輸送層の材料は、前記第１正孔輸送層の材料及び前記第３正孔輸送層の材料と異なることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２発光層と前記第３発光層との間に、正孔輸送機能を有する層または正孔ブロッキング機能を有する層のいずれかが設けられていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２発光層と前記第３発光層との間に、正孔輸送機能を有する層及び正孔ブロッキング機能を有する層が設けられ、
前記正孔輸送機能を有する層は、前記正孔ブロッキング機能を有する層よりも前記第２発光層側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素とを有する画素を備え、
前記第１サブ画素に第１陽極を形成する工程と、
前記第２サブ画素に第２陽極を形成する工程と、
前記第３サブ画素に第３陽極を形成する工程と、
前記第１陽極上に第１正孔輸送層を形成する工程と、
前記第２陽極上に第２正孔輸送層を形成する工程と、
前記第３陽極上に第３正孔輸送層を形成する工程と、
前記第１正孔輸送層上に、緑色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第３正孔輸送層上に、赤色を発光する機能を有する第４発光層を塗布方式で形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第２正孔輸送層上と前記第４発光層上とに、緑色を発光する機能を有する第３発光層を蒸着方式で形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３発光層上に、青色を発光する機能を有する第２発光層を蒸着方式で形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に電子輸送層を形成する工程と、
前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記電子輸送層上に陰極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１サブ画素における前記第１正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなり、前記第２サブ画素における前記第２正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも小さくなり、かつ、前記第３サブ画素における前記第３正孔輸送層から前記第４発光層までの膜厚の総和が、前記第３発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなるように各層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、陽極と陰極との間に発光層を含む発光機能層を配置した構造を有している。発光機能層としては、例えば、陽極側から順に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成を挙げることができる。そして、陽極と陰極との間に電圧を印加することによって、正孔輸送層から正孔が、電子輸送層から電子が発光層に注入され、これらが再結合することで発光が行われる。
【０００３】
有機ＥＬ装置の発光層は、例えば、インクジェット法等の塗布方式や蒸着方式を用いて形成される。インクジェット法では、発光材料を含むインク組成物をインクジェットヘッドから所定の膜形成領域（サブ画素）に吐出し、吐出されたインク組成物を乾燥することにより発光層が形成される。塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点がある。
【０００４】
発光寿命（連続駆動の耐久性）や発光効率においては、蒸着方式を用いて形成された発光層の方が優れるが、塗布方式を用いて形成された発光層でも、赤色（Ｒ）発光層、緑色（Ｇ）発光層は実用レベルに到達している。一方、塗布方式を用いて形成された青色（Ｂ）発光層は、発光寿命や発光効率において実用レベルに到達したとは言い難い。
【０００５】
そこで、塗布方式で形成された赤色発光層及び緑色発光層と、赤色発光層及び緑色発光層上を含む全面に蒸着方式で形成された青色発光層とを備えた有機ＥＬ装置の構成及びその製造方法が開示されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−７３５３２号公報
【特許文献２】特開２０１１−１０８４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成によれば、塗布方式で形成された赤色発光層及び緑色発光層上に青色発光層が蒸着方式で形成されているため、赤色発光層及び緑色発光層における発光寿命や発光効率が、青色発光層に比べて低くなることが懸念されるという課題があった。また、赤色発光層からの赤色発光及び緑色発光層からの緑色発光に青色発光層からの青色発光が混色してしまい、発色品質（色純度）が低下するおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、第１サブ画素と第２サブ画素とを有する画素と、前記第１サブ画素に設けられた第１陽極と、前記第２サブ画素に設けられた第２陽極と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って設けられた陰極と、前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された、第１の色を発光する機能を有する第１発光層と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第１発光層と前記陰極との間と、前記第２陽極と前記陰極との間と、に蒸着方式で形成された、第２の色を発光する機能を有する第２発光層と、少なくとも前記第１サブ画素の前記第１発光層と前記第２発光層との間に設けられた、前記第１の色を発光する機能を有する第３発光層と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、パターニング性に優れる塗布方式で形成された第１発光層と、発光寿命及び発光効率に優れる蒸着方式で形成された第２発光層との間に、第１の色で発光する第３発光層が設けられている。そのため、第１サブ画素において、第１発光層から第２発光層側へ移動する正孔により、両者の間に介在する第３発光層が第１発光層と同じ色で発光するので、第１サブ画素における第１の色の発光を強めることができる。また、第３発光層が間に介在することにより、第２発光層まで移動する正孔が少なくなるので、第１サブ画素における第２発光層での第２の色の発光を抑えることができる。これにより、高い発色品質（色純度）を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第３発光層は、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って蒸着方式で形成され、前記第２陽極と前記第２発光層との間にも設けられていることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、第１の色を発光する第３発光層が、第２発光層と同様に蒸着方式で形成されているので、第１サブ画素における第１の色の発光の発光寿命及び発光効率を向上させることができる。また、塗布方式で形成された第１発光層上に塗布方式で第３発光層を形成する場合、第３発光層を形成する工程において第１発光層に溶融や変質等が生じて発色品質に影響を及ぼすおそれがあるが、このような第１発光層の発色品質への影響を抑えることができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１サブ画素の前記第１陽極と前記第１発光層との間に設けられた第１正孔輸送層と、前記第２サブ画素の前記第２陽極と前記第３発光層との間に設けられた第２正孔輸送層と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素とに亘って、前記第２発光層と前記陰極との間に設けられた電子輸送層と、をさらに備え、前記第１サブ画素における前記第１正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和は、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きく、かつ、前記第２サブ画素における前記第２正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和は、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも小さいことが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、第１サブ画素においては、第１正孔輸送層から第３発光層までの膜厚の総和が、第２発光層から電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きい。そのため、電子と正孔との再結合を、第１の色で発光する第１発光層または第３発光層で安定的に生じさせるとともに、第２発光層での発光を抑制することができる。一方、第２サブ画素においては、第２正孔輸送層から第３発光層までの膜厚の総和が、第２発光層から電子輸送層までの膜厚の総和よりも小さい。そのため、電子と正孔との再結合を、第２の色で発光する第２発光層で安定的に生じさせるとともに、第３発光層での発光を抑制することができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記画素は第３サブ画素をさらに有し、前記第３サブ画素には、第３陽極と、前記陰極と、前記第３陽極と前記陰極との間に塗布方式で形成された第３の色を発光する機能を有する第４発光層と、前記第４発光層と前記陰極との間に配置された前記第２発光層と、前記第４発光層と前記第２発光層との間に配置された前記第３発光層と、前記第３陽極と前記第４発光層との間に配置された第３正孔輸送層と、前記第２発光層と前記陰極との間に配置された前記電子輸送層と、が設けられ、前記第３正孔輸送層から前記第４発光層までの膜厚の総和は、前記第３発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きいことが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、塗布方式で形成された第１の色で発光する第１発光層及び第３の色で発光する第４発光層と、蒸着方式で形成された第２の色で発光する第２発光層及び第１の色で発光する第３発光層とで、３色での表示が可能となる。また、第３サブ画素においては、電子と正孔との再結合を、第３の色で発光する第４発光層で安定的に生じさせるとともに、第３発光層及び第２発光層での発光を抑制することができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、３色での表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１陽極と前記第１正孔輸送層との間と、前記第２陽極と前記第２正孔輸送層との間と、前記第３陽極と前記第３正孔輸送層との間と、に設けられた正孔注入層を備えていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、第１発光層、第４発光層、及び第２発光層に対する正孔注入性を向上させることができるので、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の色は緑色または赤色であり、前記第２の色は青色であり、前記第３の色は緑色または赤色のうち前記第１の色と異なる色であることが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、青色発光材料からなる第２発光層に加えて、赤色発光材料または緑色発光材料の一方からなる第３発光層を、発光寿命や発光効率に優れる蒸着方式で形成することができる。そして、緑色に発光する第１サブ画素と、青色に発光する第２サブ画素と、赤色に発光する第３サブ画素とで、３原色での表示が可能となるため、発光寿命及び発光効率に優れ、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２正孔輸送層の材料は、前記第１正孔輸送層の材料及び前記第３正孔輸送層の材料と異なることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、塗布方式で形成された第１発光層及び第４発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層とで発光層の材料が異なる場合に、それぞれの発光層の材料に適した正孔輸送材料を用いることができる。これにより、各サブ画素において、発光寿命や発光効率の向上を図ることができる。
【００２３】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層と前記第３発光層との間に、正孔輸送機能を有する層または正孔ブロッキング機能を有する層のいずれかが設けられていることが好ましい。
【００２４】
この構成によれば、第２発光層と第３発光層との間に正孔輸送機能を有する層を設けることで、第２サブ画素における第２発光層への正孔注入を促すことができる。一方、第２発光層と第３発光層との間に正孔ブロッキング機能を有する層を設けることで、第１サブ画素及び第３サブ画素における第２発光層への正孔注入を抑制することができる。
【００２５】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２発光層と前記第３発光層との間に、正孔輸送機能を有する層及び正孔ブロッキング機能を有する層が設けられ、前記正孔輸送機能を有する層は、前記正孔ブロッキング機能を有する層よりも前記第２発光層側に配置されていることが好ましい。
【００２６】
この構成によれば、第３発光層側に正孔ブロッキング機能を有する層が設けられ、第２発光層側に正孔輸送機能を有する層が設けられているので、第１サブ画素及び第３サブ画素において第２発光層への正孔注入を抑制しつつ、第２サブ画素において第２発光層への正孔注入を促すことができる。
【００２７】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、高い表示品質の画像や映像の表示が可能な表示装置を備えた電子機器を提供することができる。
【００２９】
［適用例１１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１サブ画素と第２サブ画素と第３サブ画素とを有する画素を備え、前記第１サブ画素に第１陽極を形成する工程と、前記第２サブ画素に第２陽極を形成する工程と、前記第３サブ画素に第３陽極を形成する工程と、前記第１陽極上に第１正孔輸送層を形成する工程と、前記第２陽極上に第２正孔輸送層を形成する工程と、前記第３陽極上に第３正孔輸送層を形成する工程と、前記第１正孔輸送層上に、緑色を発光する機能を有する第１発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第３正孔輸送層上に、赤色を発光する機能を有する第４発光層を塗布方式で形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第１発光層上と前記第２正孔輸送層上と前記第４発光層上とに、緑色を発光する機能を有する第３発光層を蒸着方式で形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第３発光層上に、青色を発光する機能を有する第２発光層を蒸着方式で形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記第２発光層上に電子輸送層を形成する工程と、前記第１サブ画素と前記第２サブ画素と前記第３サブ画素とに亘って、前記電子輸送層上に陰極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００３０】
この方法によれば、パターニング性に優れる塗布方式で第１発光層及び第４発光層を形成し、第１発光層及び第４発光層上に蒸着方式で第３発光層と第２発光層とを形成する。そのため、青色発光材料からなる第２発光層に加えて、緑色発光材料からなる第３発光層を、発光寿命や発光効率に優れる蒸着方式で形成することができる。また、第１サブ画素において、第１発光層から第２発光層側へ移動する正孔により、両者の間に介在する第３発光層が第１発光層と同じ緑色で発光するので、第１サブ画素における緑色の発光を強めることができる。また、第３発光層が間に介在することにより、第２発光層まで移動する正孔が少なくなるので、第１サブ画素及び第３サブ画素における第２発光層での青色の発光を弱めることができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、フルカラー表示が可能で高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。
【００３１】
［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１サブ画素における前記第１正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなり、前記第２サブ画素における前記第２正孔輸送層から前記第３発光層までの膜厚の総和が、前記第２発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも小さくなり、かつ、前記第３サブ画素における前記第３正孔輸送層から前記第４発光層までの膜厚の総和が、前記第３発光層から前記電子輸送層までの膜厚の総和よりも大きくなるように各層を形成することが好ましい。
【００３２】
この方法によれば、第１サブ画素においては、電子と正孔との再結合を、緑色で発光する第１発光層または第３発光層で安定的に生じさせるとともに、第２発光層での発光を抑制することができる。また、第３サブ画素においては、電子と正孔との再結合を、赤色で発光する第４発光層で安定的に生じさせるとともに、第３発光層及び第２発光層での発光を抑制することができる。一方、第２サブ画素においては、電子と正孔との再結合を、青色で発光する第２発光層で安定的に生じさせるとともに、第３発光層での発光を抑制することができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】第１の実施形態に係る発光機能層の構成を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図。
【図８】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図。
【図９】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図。
【図１０】第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図。
【図１１】第５の実施形態に係る電子機器の一例としてテレビの構成を模式的に示す概略斜視図。
【図１２】変形例に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００３５】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００３６】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。
【００３７】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、スイッチング素子としてトランジスターを用いたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ装置である。トランジスターとしては、薄膜半導体層を用いた薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）であってもよいし、半導体基板自体にチャネルが形成されるトランジスターであってもよい。
【００３８】
有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に設けられた走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる信号線１３と、信号線１３に並列に延びる電源線１４とを備えている。信号線１３には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、及びアナログスイッチを備えた信号線駆動回路１５が接続されている。また、走査線１２には、シフトレジスター及びレベルシフターを備えた走査線駆動回路１６が接続されている。
【００３９】
走査線１２と信号線１３とによりサブ画素３４の領域が区画されている。サブ画素３４は、有機ＥＬ装置１１の表示の最小単位であり、例えば、走査線１２の延在方向と信号線１３の延在方向とに沿ってマトリックス状に配列されている。各サブ画素３４には、スイッチング用トランジスター２１と、駆動用トランジスター２３と、保持容量２２と、陽極２４と、陰極２５と、発光機能層２６とが設けられている。
【００４０】
陽極２４と、陰極２５と、発光層を含む発光機能層２６とによって発光素子２７が構成される。発光素子２７では、陽極２４側から注入される正孔と、陰極２５側から注入される電子とが発光機能層２６の発光層で再結合することにより発光が得られる。
【００４１】
有機ＥＬ装置１１では、走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、信号線１３を介して供給される画像信号が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３を介して電源線１４に電気的に接続したとき、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、さらに発光機能層２６を通じて陰極２５に電流が流れる。
【００４２】
この電流は、駆動用トランジスター２３のソースとドレインの間の導通状態に応じたレベルとなる。このとき、駆動用トランジスター２３のソースとドレインとの間の導通状態、すなわち、駆動用トランジスター２３のチャネルの導通状態は、駆動用トランジスター２３のゲートの電位により制御される。そして、発光機能層２６の発光層は、陽極２４と陰極２５との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４３】
換言すれば、発光素子２７の発光状態を駆動用トランジスター２３により制御するとき、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか一方が電源線１４に電気的に接続され、駆動用トランジスター２３のソース及びドレインのいずれか他方が発光素子２７に電気的に接続される。
【００４４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１上に、略矩形の平面形状を有する発光領域３２を備えている。発光領域３２は、有機ＥＬ装置１１において、実質的に発光に寄与する領域である。有機ＥＬ装置１１は、発光領域３２の周囲に、実質的に発光に寄与しないダミー領域を備えていてもよい。
【００４５】
発光領域３２には、サブ画素３４がマトリックス状に配列されている。サブ画素３４は、例えば略矩形の平面形状を有している。サブ画素３４の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。この場合、サブ画素３４の平面形状は、４つの辺と４隅に対応する湾曲部から構成されてもよい。
【００４６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１は、第１の色としての緑色（Ｇ）を発光する第１サブ画素としてのサブ画素３４Ｇと、第２の色としての青色（Ｂ）を発光する第２サブ画素としてのサブ画素３４Ｂと、第３の色としての赤色（Ｒ）を発光する第３サブ画素としてのサブ画素３４Ｒと、を有している。サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに対応して、発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂが設けられている。以下では、対応する色を区別しない場合には、それぞれ単にサブ画素３４、発光素子２７と記す。
【００４７】
発光領域３２の周囲には、２つの走査線駆動回路１６と検査回路３５とが配置されている。検査回路３５は、有機ＥＬ装置１１の作動状況を検査するための回路である。基板３１の外周部には、陰極用配線３３が配置されている。また、基板３１の一辺側には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６は、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７を備えている。
【００４８】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１１では、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにより、画像を形成する際の一つの単位である画素３８が構成される。有機ＥＬ装置１１は、それぞれの画素３８においてサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の光を射出することができる。これにより、有機ＥＬ装置１１は、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能である。
【００４９】
続いて、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造について図３を参照して説明する。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。なお、本明細書では、図３における有機ＥＬ装置１１の陰極２５側を上方と呼ぶ。また、本明細書では、有機ＥＬ装置１１の陰極２５側表面の法線方向から見ることを「平面視」と呼ぶ。
【００５０】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極（共通電極）２５と、を備えている。陽極２４は、サブ画素３４Ｇに設けられた第１陽極としての陽極２４Ｇと、サブ画素３４Ｂに設けられた第２陽極としての陽極２４Ｂと、サブ画素３４Ｒに設けられた第３陽極としての陽極２４Ｒと、を有する。以下では、対応する色を区別しない場合には、単に陽極２４と記す。
【００５１】
有機ＥＬ装置１１は、発光機能層２６から発した光が発光領域３２（図２参照）において基板３１側に射出されるボトムエミッション型である。基板３１は、有機ＥＬ装置１１がボトムエミッション型であることから、基材に透光性材料が用いられる。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。
【００５２】
回路素子層４３は、下地保護膜４５と、駆動用トランジスター２３と、第１層間絶縁膜５４と、第２層間絶縁膜５５とを備えている。下地保護膜４５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなり、基板３１を覆って形成されている。
【００５３】
駆動用トランジスター２３は、下地保護膜４５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。駆動用トランジスター２３は、半導体膜４６とゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとドレイン電極２３ｄとソース電極２３ｓとを有している。半導体膜４６は、ポリシリコン膜からなり、下地保護膜４５上に島状に形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００５４】
ゲート絶縁膜５２は、シリコン酸化膜等の透明な絶縁膜からなり、下地保護膜４５と半導体膜４６とを覆って形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、ゲート電極２３ｇが形成されている。ゲート電極２３ｇは、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）等からなり、平面視で半導体膜４６のチャネル領域５１に重なる位置に設けられている。
【００５５】
第１層間絶縁膜５４は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）等からなり、ゲート絶縁膜５２とゲート電極２３ｇとを覆って形成されている。第１層間絶縁膜５４上には、ソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとが形成されている。
【００５６】
ソース電極２３ｓは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のソース領域４７に電気的に接続されている。ドレイン電極２３ｄは、第１層間絶縁膜５４に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜４６のドレイン領域４８に導電接続されている。
【００５７】
第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）等からなり、第１層間絶縁膜５４とソース電極２３ｓとドレイン電極２３ｄとを覆って形成されている。第２層間絶縁膜５５は、アクリル樹脂等で構成されていてもよい。
【００５８】
陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）は、第２層間絶縁膜５５上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に形成されている。陽極２４は、透光性導電材料からなり、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。陽極２４は、例えば、平面視で略矩形状の形状となっている。陽極２４は、第２層間絶縁膜５５に設けられたコンタクトホールを介して、駆動用トランジスター２３のドレイン電極２３ｄに電気的に接続されている。
【００５９】
第２層間絶縁膜５５上には、絶縁層５８と隔壁（バンク）５９とが、平面視で略格子状に設けられている。絶縁層５８は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）等の無機材料からなる。絶縁層５８は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保するとともに、サブ画素３４の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部に所定幅で乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層５８とは、平面視で一部が重なるように配置されている。
【００６０】
隔壁５９は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、サブ画素３４の領域を囲むように形成されている。換言すれば、隔壁５９の開口部が、サブ画素３４の領域となる。隔壁５９は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料からなる。なお、後述するように、発光機能層２６のうちの一部の層をインクジェット法等の塗布方式を用いて形成する場合は、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。
【００６１】
発光機能層２６は、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎、すなわち、発光素子２７（２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂ）毎に異なる構成を有している。サブ画素３４Ｒ（発光素子２７Ｒ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｒ上に、正孔注入層６１Ｒと、第３正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｒと、第４発光層（赤色発光層）としての発光層６３Ｒとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。
【００６２】
サブ画素３４Ｇ（発光素子２７Ｇ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｇ上に、正孔注入層６１Ｇと、第１正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｇと、第１発光層（緑色発光層）としての発光層６３Ｇとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。
【００６３】
サブ画素３４Ｂ（発光素子２７Ｂ）においては、絶縁層５８及び隔壁５９によって囲まれた領域の陽極２４Ｂ上に、正孔注入層６１Ｂと、第２正孔輸送層としての正孔輸送層６２Ｂとが、塗布方式（インクジェット法）によって順に形成されている。
【００６４】
発光層６３Ｒ，６３Ｇ、正孔輸送層６２Ｂ、及び隔壁５９上には、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、緑色を発光する機能を有する第３発光層（緑色発光層）としての発光層６４Ｇが蒸着方式により形成されている。そして、発光層６４Ｇ上には、青色を発光する機能を有する第２発光層（青色発光層）としての発光層６３Ｂが蒸着方式により積層形成されている。
【００６５】
発光層６３Ｂ上には、電子輸送層６５が蒸着方式により積層されている。これらの正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ，６４Ｇと、電子輸送層６５とにより、発光機能層２６が構成される。
【００６６】
発光機能層２６（電子輸送層６５）上には、陰極２５が、基板３１上の全面に形成されている。そして、陰極２５上には、例えば、缶封止方式等により封止が施されている（図示せず）。缶封止方式では、例えば、陰極２５側に凹型のガラスや金属製の対向基板がエポキシ等の接着剤を介して貼り付けられ、その間に乾燥剤が入れられる。
【００６７】
上述のように、有機ＥＬ装置１１は、塗布方式（インクジェット法）によって形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇと、蒸着方式よって形成された発光層６３Ｂ，６４Ｇとを有している。塗布方式は、パターニング性が高いこと、大面積化が容易であること、材料の使用効率が高いこと、等の利点があり、生産性に優れる。発光寿命（連続駆動の耐久性）や発光効率においては、蒸着方式によって形成された青色発光層６３Ｂ、緑色発光層６４Ｇが優れるが、塗布方式によって形成された発光層でも、赤色発光層６３Ｒ、緑色発光層６３Ｇは実用レベルに到達している。
【００６８】
したがって、有機ＥＬ装置１１では、塗布方式によって形成された赤色で発光する発光層６３Ｒ及び緑色で発光する発光層６３Ｇと、蒸着方式によって形成された青色で発光する発光層６３Ｂ及び緑色で発光する発光層６４Ｇとにより３原色での表示が可能となるため、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【００６９】
ここで、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成によれば、塗布方式によって形成された赤色発光層及び緑色発光層上に、青色発光層が蒸着方式により形成されている。そのため、赤色発光層及び緑色発光層における発光寿命や発光効率が、青色発光層に比べて低くなることが懸念されるという課題があった。また、赤色発光層からの赤色発光及び緑色発光層からの緑色発光に青色発光層からの青色発光が混色してしまい、発色品質（色純度）が低下するおそれがあるという課題があった。
【００７０】
有機ＥＬ装置１１では、蒸着方式により形成された発光層６３Ｂが、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って設けられており、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいては、発光層６３Ｒ，６３Ｇの上層に位置している点では、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置の構成と同様である。
【００７１】
しかしながら、有機ＥＬ装置１１では、発光層６３Ｒ，６３Ｇと発光層６３Ｂとの間に蒸着方式により形成された発光層６４Ｇが設けられている。そのため、発光層６３Ｒ，６３Ｇから発光層６３Ｂ側に移動する正孔が、間に介在する発光層６４Ｇで電子と結合することにより、発光層６３Ｂまで到達する正孔が少なくなるので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｂでの青色発光を弱め、混色を抑えることができる。
【００７２】
また、サブ画素３４Ｇにおいては、発光層６３Ｇから発光層６３Ｂ側へ移動する正孔により、蒸着方式によって形成された発光層６４Ｇが発光層６３Ｇと同じ緑色で発光するので、サブ画素３４Ｇにおける緑色発光を強めるとともに発光寿命及び発光効率を向上させることができる。これにより、特許文献１及び特許文献２に記載の有機ＥＬ装置に比べて、発光寿命や発光効率等に優れ高い発色品質を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【００７３】
続いて、発光機能層２６の各層の構成材料を説明する。正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、ドーパントを含有する導電性高分子材料からなる。正孔注入層６１，６１Ｇ，６１Ｂは、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）等で構成される。
【００７４】
塗布方式により形成される正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂは、例えば、下記化１に示すＴＦＢ（poly(2,7-(9,9-di-n-octylfluorene)-alt-(1,4-phenylene-((4-sec-butylphenyl)imino-1,4-phenylene)))）等のトリフェニルアミン系ポリマーを含んだ材料で構成される。
【００７５】
【化１】
2014056738.tif 000003
【００７６】
発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ，６４Ｇは、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。塗布方式により形成される赤色の発光層６３Ｒの構成材料として、例えば、下記化２に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１１１ＲＥ（Poly[{9,9-dihexyl-2,7-bis(1-cyanovinylene)fluorenylene}-alt-co-{2,5-bis(N,N−diphenylamino)-1,4-phenylene}]）を用いることができる。
【００７７】
【化２】
2014056738.tif 000004
【００７８】
同じく塗布方式により形成される緑色の発光層６３Ｇの構成材料として、例えば、下記化３に示すアメリカンダイソース社（American Dye Source,Inc.）製のＡＤＳ−１０９ＧＥ（Poly[(9,9-dioctyl-2,7-bis{2-cyanovinylenefluorenylene})-alt-co-(2-methoxy-5-{2-ethylhexyloxy}-1,4-phenylene)]）を用いることができる。
【００７９】
【化３】
2014056738.tif 000005
【００８０】
蒸着方式により形成される緑色の発光層６４Ｇの構成材料として、例えば、下記化４に示すホスト材料のＣＢＰ（4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl）及び、下記化５に示すゲスト材料のＩｒ（ｐｐｙ）３（Tris(2-phenylpyridine)iridium）を用いることができる。
【００８１】
【化４】
2014056738.tif 000006
【００８２】
【化５】
2014056738.tif 000007
【００８３】
また、蒸着方式により形成される青色の発光層６３Ｂの構成材料として、例えば、下記化６に示すホスト材料のＢＤＡＦ（2-[9,9-di(4-methylphenyl)-fluoren-2-yi]-9,9-di(4-methylphenyl)fluoren）及び、下記化７に示すゲスト材料のＢＣｚＶＢ（1,4-bis[2-(3-N-ethylcarbazoryl)vinyl]benzene）を用いることができる。
【００８４】
【化６】
2014056738.tif 000008
【００８５】
【化７】
2014056738.tif 000009
【００８６】
電子輸送層６５は、陰極２５から発光層６３Ｂへの電子注入を高める機能を有する層である。電子輸送層６５の構成材料としては、例えば、下記化８に示すＡｌｑ３を用いることができる。
【００８７】
【化８】
2014056738.tif 000010
【００８８】
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体とすることができる。
【００８９】
次に、有機ＥＬ装置１１における発光機能層２６の膜厚構成について図４を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係る発光機能層の構成を示す模式断面図である。図４において、各サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおける発光機能層２６の各層を実線で示す。
【００９０】
図４に示すように、サブ画素３４Ｒにおいて、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒと、正孔輸送層６２Ｒと、発光層６３Ｒと、発光層６４Ｇと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。サブ画素３４Ｇにおいては、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｇと、正孔輸送層６２Ｇと、発光層６３Ｇと、発光層６４Ｇと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。サブ画素３４Ｂにおいては、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｂと、発光層６４Ｇと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。
【００９１】
ここで、赤色、緑色、青色のそれぞれの良好な発光を得るには、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいて、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂが電界強度の中心に位置するように、発光機能層２６の各層の膜厚を設定することが望ましい。換言すれば、サブ画素３４Ｒにおいては発光層６３Ｒが、サブ画素３４Ｇにおいては発光層６３Ｇが、サブ画素３４Ｂにおいては発光層６３Ｂが、発光機能層２６の厚さ方向における中央に位置するように、発光機能層２６の各層の膜厚が設定されていることが望ましい。なお、サブ画素３４Ｇにおいては、発光層６４Ｇも緑色に発光するので、発光層６３Ｇまたは発光層６４Ｇが電界強度の中心に位置していればよい。
【００９２】
図４において、正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの膜厚は、例えば、ともに１５ｎｍ程度である。発光層６３Ｒの膜厚は、例えば、７０ｎｍであり、発光層６３Ｇの膜厚は、例えば、６０ｎｍである。発光層６４Ｇの膜厚は、例えば、１０ｎｍであり、発光層６３Ｂの膜厚は、例えば、３０ｎｍである。電子輸送層６５の膜厚は、例えば、２０ｎｍである。
【００９３】
なお、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの膜厚は、例えば５０ｎｍであるが、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂは、導電材料で形成されるため、以下に述べる電子と正孔との再結合位置には関与しない。したがって、以下の説明においては、正孔注入層６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂの膜厚は考慮しないものとする。
【００９４】
サブ画素３４Ｒにおいて、正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和をＴ１Ｒとし、発光層６４Ｇから電子輸送層６５までの膜厚の総和をＴ２Ｒとすると、Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒであることが好ましい。上述の例では、Ｔ１Ｒが８５ｎｍとなり、Ｔ２Ｒが６０ｎｍとなるので、Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒとなる。Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒとすることで、サブ画素３４Ｒの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、赤色で発光する発光層６３Ｒで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇ，６３Ｂでの発光を抑制することができる。これにより、サブ画素３４Ｒにおいて、発光層６３Ｒを選択的に発光させることができる。
【００９５】
サブ画素３４Ｇにおいて、正孔輸送層６２Ｇから発光層６４Ｇまでの膜厚の総和をＴ１Ｇとし、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和をＴ２Ｇとすると、Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇであることが好ましい。上述の例では、Ｔ１Ｇが８５ｎｍとなり、Ｔ２Ｇが５０ｎｍとなるので、Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇとなる。Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇとすることで、サブ画素３４Ｇの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、緑色で発光する発光層６３Ｇまたは発光層６４Ｇで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。これにより、サブ画素３４Ｇにおいて、発光層６３Ｇ，６４Ｇを選択的に発光させることができる。
【００９６】
サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂと発光層６４Ｇとの膜厚の総和をＴ１Ｂとし、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和をＴ２Ｂとすると、Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂであることが好ましい。上述の例では、Ｔ１Ｂが２５ｎｍとなり、Ｔ２Ｂが５０ｎｍとなるので、Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂとなる。Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂとすることで、サブ画素３４Ｂの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、青色で発光する発光層６３Ｂで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇでの発光を抑制することができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６３Ｂを選択的に発光させることができる。
【００９７】
このように、有機ＥＬ装置１１では、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいて、発光層６３Ｒ，６３Ｇ（または６４Ｇ），６３Ｂのそれぞれで電子と正孔との再結合を安定的に生じさせることができるので、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。なお、発光機能層２６の各層の膜厚は、上述した値に限定されるものではなく、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいて、発光層６３Ｒ，６３Ｇ（または６４Ｇ），６３Ｂが発光機能層２６の厚さ方向における中央に位置するような範囲で適宜設定することができる。
【００９８】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を図を参照して説明する。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法を説明する模式断面図である。なお、公知の方法を採用することができる工程については、詳細な説明を省略する。
【００９９】
まず、図５（ａ）に示すように、基板３１上に、公知の成膜技術やフォトリソ技術を用いて回路素子層４３（詳細は、図３参照）を形成する。そして、回路素子層４３上に、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）毎に、ＩＴＯ等からなる陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）を形成する。
【０１００】
次に、図５（ｂ）に示すように、回路素子層４３及び陽極２４上に、絶縁層５８及び隔壁５９を形成する。詳しくは、まず、例えば、絶縁層５８の材料であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる絶縁膜を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、回路素子層４３及び陽極２４上を覆うように成膜形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁膜のうちサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、絶縁層５８が完成する。
【０１０１】
続いて、絶縁層５８上に隔壁５９を形成する。まず、隔壁５９の材料であるアクリル樹脂を含む溶液を絶縁層５８上及び陽極２４上に塗布する。そして、塗布した溶液を乾燥させて隔壁層を形成する。その後、この隔壁層におけるサブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）に対応する領域に開口部を形成する。これにより、隔壁５９が完成する。
【０１０２】
ここで、発光機能層２６のうちの一部の層はインクジェット法等の塗布方式を用いて形成されるので、隔壁５９の表面が撥液性を有していることが望ましい。隔壁５９に撥液性を持たせる方式としては、例えば、フッ素等の撥液成分を予め混入させた樹脂（例えばアクリル樹脂）を用い、隔壁形成工程におけるキュア時において撥液成分を樹脂表層に拡散集積させる方法がある。
【０１０３】
次に、図５（ｃ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、隔壁５９によって囲まれた陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）上に、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）を、例えば５０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０４】
詳しくは、正孔注入層６１の材料を含んだ液状組成物としての機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ大気下で焼成する。正孔注入層６１の機能液としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体にドーパントとしてのポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）を加えた混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等を用いることができる。
【０１０５】
続いて、図５（ｃ）に示すように、サブ画素３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）の各領域において、正孔注入層６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）上に、正孔輸送層６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）をそれぞれ、塗布方式により、例えば１５ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０６】
詳しくは、正孔輸送層６２の材料を含んだ液状組成物としての機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ低酸素下で焼成する。正孔輸送層６２の機能液としては、例えば、ＴＦＢをシクロヘキシルベンゼンに溶解させたインク組成物を用いることができる。
【０１０７】
次に、図６（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおける正孔輸送層６２Ｒ上に、発光層６３Ｒを、塗布方式により、例えば７０ｎｍの膜厚で形成する。また、サブ画素３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｇ上に、発光層６３Ｇを、塗布方式により、例えば６０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１０８】
詳しくは、赤色または緑色の発光材料を含んだ液状組成物としての機能液を液滴吐出法（例えば、インクジェット法）により吐出し、その後機能液を乾燥させ、不活性雰囲気下で焼成する。発光材料の機能液としては、例えば、上記化２または上記化３で示された発光材料が溶媒に溶解されたものである。溶媒としては、シクロヘキシルベンゼンなどが挙げられる。
【０１０９】
次に、図６（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、サブ画素３４Ｒにおける発光層６３Ｒ上と、サブ画素３４Ｇにおける発光層６３Ｇ上と、サブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６２Ｂ上と、隔壁５９上とに、緑色を発光する機能を有する発光層６４Ｇを、蒸着方式により形成する。発光層６４Ｇは、例えば、ホスト材料（ＣＢＰ）とゲスト材料（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）とを用いて１０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１１０】
次に、図７（ａ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６４Ｇ上に発光層６３Ｂを、蒸着方式により形成する。発光層６３Ｂは、ホスト材料（ＢＤＡＦ）とゲスト材料（ＢＣｚＶＢ）とを、例えば、体積比１０：１で共蒸着して３０ｎｍの膜厚で形成する。
【０１１１】
次に、図７（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って、発光層６３Ｂ上に電子輸送層６５を、例えば２０ｎｍの膜厚で蒸着方式により形成する。電子輸送層６５の材料としては、例えば、Ａｌｑ３を用いることができる。これにより、発光機能層２６が完成する。
【０１１２】
次に、図３に示すように、電子輸送層６５上に陰極２５を蒸着方式により形成する。陰極２５としては、例えば、フッ化リチウム膜を１ｎｍ及びアルミニウム膜を１５０ｎｍこの順に積層させて形成する。
【０１１３】
その後、図示しないが、例えば、缶封止方式を用いて陰極２５上を封止することにより、有機ＥＬ装置１１が完成する。
【０１１４】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１５】
（１）パターニング性に優れる塗布方式で形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇと、発光寿命及び発光効率に優れる蒸着方式で形成された発光層６３Ｂとの間に、緑色で発光する発光層６４Ｇが設けられている。そのため、サブ画素３４Ｇにおいて、発光層６３Ｇから発光層６３Ｂ側へ移動する正孔により、両者の間に介在する発光層６４Ｇが発光層６３Ｇと同じ色で発光するので、サブ画素３４Ｇにおける緑色の発光を強めることができる。また、発光層６４Ｇが間に介在することにより、発光層６３Ｂまで移動する正孔が少なくなるので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｂでの青色の発光を抑えることができる。これにより、高い発色品質（色純度）を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１１６】
（２）この構成によれば、緑色を発光する発光層６４Ｇが、発光層６３Ｂと同様に蒸着方式で形成されているので、サブ画素３４Ｇにおける緑色の発光の発光寿命及び発光効率を向上させることができる。また、塗布方式で形成された発光層６３Ｒ，６３Ｇ上に塗布方式で発光層６４Ｇを形成する場合、発光層６４Ｇを形成する工程において発光層６３Ｒ，６３Ｇに溶融や変質等が生じて発色品質に影響を及ぼすおそれがあるが、このような発光層６３Ｒ，６３Ｇの発色品質への影響を抑えることができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１１７】
（３）サブ画素３４Ｒにおいては、正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｒとの膜厚の総和Ｔ１Ｒが、発光層６４Ｇから電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｒよりも大きいので、電子と正孔との再結合を、赤色で発光する発光層６３Ｒで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。また、サブ画素３４Ｇにおいては、正孔輸送層６２Ｇから発光層６４Ｇまでの膜厚の総和Ｔ１Ｇが、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｇよりも大きいので、電子と正孔との再結合を、緑色で発光する発光層６３Ｇまたは発光層６４Ｇで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。一方、サブ画素３４Ｂにおいては、正孔輸送層６２Ｂと発光層６４Ｇとの膜厚の総和Ｔ１Ｂが、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｂよりも小さい。そのため、電子と正孔との再結合を、青色で発光する発光層６３Ｂで安定的に生じさせることができる。これにより、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１１８】
（４）赤色に発光するサブ画素３４Ｒと、緑色に発光するサブ画素３４Ｇと、青色に発光するサブ画素３４Ｂとで、３原色での表示が可能となるため、フルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１１９】
（５）陽極２４Ｒと正孔輸送層６２Ｒとの間と、陽極２４Ｇと正孔輸送層６２Ｇとの間と、陽極２４Ｂと正孔輸送層６２Ｂとの間と、に正孔注入層６１を備えているため、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂに対する正孔注入性を向上させることができるので、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発光表示性能を有する有機ＥＬ装置１１を提供することができる。
【０１２０】
（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図８は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図である。詳しくは、図８（ａ）は第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図であり、図８（ｂ）は第２の実施形態に係る発光機能層の構成を示す模式断面図である。
【０１２１】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、蒸着方式で形成された第３発光層として、赤色で発光する機能を有する発光層６４Ｒが設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２２】
図８（ａ）に示すように、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の発光機能層２６では、発光層６３Ｒ（第１発光層）と発光層６３Ｂ（第２発光層）との間と、発光層６３Ｇ（第４発光層）と発光層６３Ｂ（第２発光層）との間とに、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って発光層６４Ｒ（第３発光層）が蒸着方式により形成されている。
【０１２３】
そのため、発光層６３Ｒ，６３Ｇから発光層６３Ｂ側に移動する正孔が、間に介在する発光層６４Ｒで電子と結合することにより、発光層６３Ｂまで到達する正孔が少なくなるので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける発光層６３Ｂでの青色発光を弱めることができる。また、サブ画素３４Ｒにおいては、発光層６３Ｒから発光層６３Ｂ側へ移動する正孔により、発光層６４Ｒが発光層６３Ｒと同じ赤色で発光するので、サブ画素３４Ｒにおける赤色発光を強めるとともに発光寿命及び発光効率を向上させることができる。
【０１２４】
発光層６４Ｒは、発光層６３Ｒ，６３Ｇを形成する工程の後に、第１の実施形態における発光層６４Ｇと同様の方法で形成することができる。蒸着方式で形成する赤色の発光層６４Ｒの構成材料として、例えば、上記化４に示すホスト材料のＣＢＰ（4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl）及び、下記化９に示すゲスト材料の（ｂｔｐ）２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis(3-(2-(2-pyridyl)benzothenoyl)mono-acetylacetonate iridium III ）を用いることができる。
【０１２５】
【化９】
2014056738.tif 000011
【０１２６】
図８（ｂ）に示すように、サブ画素３４Ｒにおいて、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｒと、正孔輸送層６２Ｒと、発光層６３Ｒと、発光層６４Ｒと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。サブ画素３４Ｇにおいては、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｇと、正孔輸送層６２Ｇと、発光層６３Ｇと、発光層６４Ｒと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。サブ画素３４Ｂにおいては、発光機能層２６は、正孔注入層６１Ｂと、正孔輸送層６２Ｂと、発光層６４Ｒと、発光層６３Ｂと、電子輸送層６５とで構成される。
【０１２７】
図８（ｂ）において、発光層６３Ｒの膜厚は、例えば、６０ｎｍであり、発光層６３Ｇの膜厚は、例えば、７０ｎｍである。また、発光層６４Ｒの膜厚は、例えば、１０ｎｍである。これら以外の各層の膜厚は、第１の実施形態の有機ＥＬ装置１１の発光機能層２６と同じである。
【０１２８】
サブ画素３４Ｒにおいて、正孔輸送層６２Ｒから発光層６４Ｒまでの膜厚の総和Ｔ１Ｒは８５ｎｍとなり、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｒは５０ｎｍとなる。Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒとなるので、サブ画素３４Ｒの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、赤色で発光する発光層６３Ｒまたは発光層６４Ｒで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１２９】
サブ画素３４Ｇにおいて、正孔輸送層６２Ｇと発光層６３Ｇとの膜厚の総和Ｔ１Ｇは８５ｎｍとなり、発光層６４Ｒから電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｇは６０ｎｍとなる。Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇとなるので、サブ画素３４Ｇの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、緑色で発光する発光層６３Ｇで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｒ，６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１３０】
サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂと発光層６４Ｒとの膜厚の総和Ｔ１Ｂは２５ｎｍとなり、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｂは５０ｎｍとなる。Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂとなるので、サブ画素３４Ｂの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、青色で発光する発光層６３Ｂで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｒでの発光を抑制することができる。
【０１３１】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態で得られる効果と同様の効果が得られるので、発光寿命や発光効率等に優れ高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７１を提供することができる。
【０１３２】
（第３の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図９は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図である。詳しくは、図９（ａ）は第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図であり、図９（ｂ）は第３の実施形態に係る発光機能層の構成を示す模式断面図である。
【０１３３】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、蒸着方式で形成された第３発光層と、蒸着方式で形成された第２発光層との間に、正孔輸送機能を有する層が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１３４】
図９（ａ）に示すように、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２の発光機能層２６では、発光層６４Ｇ（第３発光層）と発光層６３Ｂ（第２発光層）との間に、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って正孔輸送層６６が蒸着方式により形成されている。正孔輸送層６６は、サブ画素３４Ｂにおいて、発光層６３Ｂに対する正孔注入を促進する役割がある。これにより、サブ画素３４における青色発光を強めることができる。
【０１３５】
なお、正孔輸送層６６は、電子ブロッキング機能を有していることが望ましい。正孔輸送層６６が電子ブロッキング機能を有していると、サブ画素３４Ｂにおいて、緑色で発光する機能を有する発光層６４Ｇに対する電子注入が阻害されるので、サブ画素３４における緑色発光の混色を抑えることができる。
【０１３６】
正孔輸送層６６は、発光層６４Ｇを形成する工程の後に、例えば、５ｎｍの膜厚で蒸着方式により形成する。蒸着方式で形成する正孔輸送層６６の構成材料として、例えば、下記化１０に示すα−ＮＰＤを用いることができる。
【０１３７】
【化１０】
2014056738.tif 000012
【０１３８】
図９（ｂ）に示すように、第３の実施形態に係る発光機能層２６は、第１の実施形態に対して、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのそれぞれにおいて、発光層６４Ｇと発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が配置された構成を有する。
【０１３９】
サブ画素３４Ｒにおいて、正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和Ｔ１Ｒは８５ｎｍとなり、発光層６４Ｇから電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｒは６５ｎｍとなる。Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒとなるので、サブ画素３４Ｒの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、赤色で発光する発光層６３Ｒで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇ，６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１４０】
サブ画素３４Ｇにおいて、正孔輸送層６２Ｇから発光層６４Ｇまでの膜厚の総和Ｔ１Ｇは８５ｎｍとなり、正孔輸送層６６から電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｇは５５ｎｍとなる。Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇとなるので、サブ画素３４Ｇの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、緑色で発光する発光層６３Ｇまたは発光層６４Ｇで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１４１】
サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂから正孔輸送層６６までの膜厚の総和Ｔ１Ｂは３０ｎｍとなり、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｂは５０ｎｍとなる。Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂとなるので、サブ画素３４Ｂの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、青色で発光する発光層６３Ｂで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇでの発光を抑制することができる。
【０１４２】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２では、第１の実施形態で得られる効果に加えて、発光層６４Ｇと発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられていることにより、サブ画素３４Ｂにおいて発光層６３Ｂに対する正孔注入が促進される。これにより、サブ画素３４における青色発光が強められるので、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７２を提供することができる。
【０１４３】
なお、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２の構成は、第２の実施形態にも適用することができる。すなわち、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の発光層６４Ｒと発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６を設けた構成とすることができ、このような構成によれば、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１４４】
（第４の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する。図１０は、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を説明する図である。詳しくは、図１０（ａ）は第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図であり、図１０（ｂ）は第４の実施形態に係る発光機能層の構成を示す模式断面図である。
【０１４５】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置７２に対して、蒸着方式で形成された第３発光層と、蒸着方式で形成された正孔輸送機能を有する層との間に、正孔ブロッキング機能を有する層が設けられている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。なお、第３の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１４６】
図１０（ａ）に示すように、第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３は、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と陽極２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）と絶縁層５８及び隔壁５９と発光機能層２６と陰極２５とを備えている。第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３の発光機能層２６では、発光層６４Ｇ（第２発光層）と正孔輸送層６６との間に、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って正孔ブロッキング層６７が蒸着方式により形成されている。正孔ブロッキング層６７は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、発光層６３Ｂに対する正孔注入を阻害する役割がある。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける青色発光をさらに弱め、混色をより抑えることができる。
【０１４７】
また、発光層６４Ｇ側に正孔ブロッキング層６７が設けられ、発光層６３Ｂ側に正孔輸送層６６が設けられているので、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて発光層６３Ｂへの正孔注入を抑制しつつ、サブ画素３４Ｂにおいて発光層６３Ｂへの正孔注入を促すことができる。
【０１４８】
正孔ブロッキング層６７は、発光層６４Ｇを形成する工程の後に、例えば、３ｎｍの膜厚で蒸着方式により形成する。蒸着方式で形成する正孔ブロッキング層６７の構成材料として、例えば、下記化１１に示す材料（Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum、ＢＡｌｑ）や、下記化１２に示す材料（4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline、Ｂｐｈｅｎ）を用いることができる。
【０１４９】
【化１１】
2014056738.tif 000013
【０１５０】
【化１２】
2014056738.tif 000014
【０１５１】
図１０（ｂ）に示すように、第４の実施形態に係る発光機能層２６は、第３の実施形態に対して、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂのそれぞれにおいて、発光層６４Ｇと正孔輸送層６６との間に正孔ブロッキング層６７が配置された構成を有する。
【０１５２】
サブ画素３４Ｒにおいて、正孔輸送層６２Ｒと発光層６３Ｒとの膜厚の総和Ｔ１Ｒは８５ｎｍとなり、発光層６４Ｇから電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｒは６８ｎｍとなる。Ｔ１Ｒ＞Ｔ２Ｒとなるので、サブ画素３４Ｒの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、赤色で発光する発光層６３Ｒで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇ，６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１５３】
サブ画素３４Ｇにおいて、正孔輸送層６２Ｇから発光層６４Ｇまでの膜厚の総和Ｔ１Ｇは８５ｎｍとなり、正孔ブロッキング層６７から電子輸送層６５までの膜厚の総和Ｔ２Ｇは５８ｎｍとなる。Ｔ１Ｇ＞Ｔ２Ｇとなるので、サブ画素３４Ｇの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、緑色で発光する発光層６３Ｇまたは発光層６４Ｇで安定的に生じさせるとともに、発光層６３Ｂでの発光を抑制することができる。
【０１５４】
サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂから正孔輸送層６６までの膜厚の総和Ｔ１Ｂは３３ｎｍとなり、発光層６３Ｂと電子輸送層６５との膜厚の総和Ｔ２Ｂは５０ｎｍとなる。Ｔ１Ｂ＜Ｔ２Ｂとなるので、サブ画素３４Ｂの発光機能層２６における電子と正孔との再結合を、青色で発光する発光層６３Ｂで安定的に生じさせるとともに、発光層６４Ｇでの発光を抑制することができる。
【０１５５】
第４の実施形態に係る有機ＥＬ装置７３では、第３の実施形態で得られる効果に加えて、発光層６４Ｇと正孔輸送層６６との間に正孔ブロッキング層６７が設けられていることにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて発光層６３Ｂに対する正孔注入が阻害される。これにより、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける青色発光がより弱められるので、より一層高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７２を提供することができる。
【０１５６】
なお、サブ画素３４Ｂにおいては、発光層６３Ｂに対して、正孔ブロッキング層６７により阻害される正孔注入性が正孔輸送層６６により補完される。
【０１５７】
（第５の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第５の実施形態に係る電子機器の構成を説明する。図１１は、第５の実施形態に係る電子機器の一例として、テレビの構成を模式的に示す概略斜視図である。以下、第５の実施形態に係るテレビの構成を、図１１を参照して説明する。
【０１５８】
図１１に示すように、第５の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２と、枠部１０３と、脚部１０４と、リモコン（リモートコントローラー）１０５とを有する。表示部１０２には、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかが実装されている。枠部１０３は、表示部１０２をガイドするために用いられる。脚部１０４は、表示部１０２及び枠部１０３を一定の高さで固定するために用いられる。リモコン１０５は、例えば、テレビ１０１の電源をＯＮ／ＯＦＦしたり、チャンネルを変えたりするために用いられる。
【０１５９】
第５の実施形態に係るテレビ１０１は、表示部１０２に、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかを備えているので、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有している。
【０１６０】
なお、電子機器は、テレビの他に、例えば、ディスプレイ、携帯電話機、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーション装置、オーディオ機器等であってもよい。これらの電子機器であっても、上述の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３のいずれかを備えることで、発光寿命及び発光効率に優れ、高い発色品質を有する電子機器を提供することができる。
【０１６１】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。図１２は、変形例に係る有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。
【０１６２】
（変形例１）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいて正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂが同じ材料で形成された構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。サブ画素３４Ｂにおける第２の正孔輸送層としての正孔輸送層６８Ｂの材料が、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの材料と異なる構成であってもよい。
【０１６３】
図１２（ａ）に示すように、変形例１に係る有機ＥＬ装置７４は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１１に対して、サブ画素３４Ｂにおける正孔輸送層６８Ｂの材料がサブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおける正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇの材料と異なる点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。
【０１６４】
正孔輸送層６８Ｂは、正孔注入層６１Ｂ上に、塗布方式で形成されている。正孔輸送層６８Ｂの材料としては、発光層６３Ｂの材料の特性に適した材料であることが好ましい。例えば、発光層６３Ｂの材料が低分子材料である場合、正孔輸送層６８Ｂの材料も低分子材料であることが好ましい。正孔輸送層６８Ｂの材料として、例えば、α−ＮＰＤを用いることができる。
【０１６５】
変形例１の構成によれば、第１の実施形態で得られる効果に加え、発光層６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂのそれぞれの材料に適した正孔輸送材料を用いることができる。これにより、各サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂにおいて、発光効率や発光寿命の向上を図ることができる。また、サブ画素３４Ｂにおいて、蒸着方式で形成される発光層６３Ｂに対して特性が適した正孔輸送材料を用いることにより、発光層６３Ｂへの正孔注入性を改善することができる。これにより、サブ画素３４Ｂにおける青色発光が強められるので、より高い発色品質を有する有機ＥＬ装置７４を提供することができる。なお、変形例１の構成は、第１の実施形態以外の実施形態にも適用することができる。
【０１６６】
（変形例２）
第３の実施形態の有機ＥＬ装置７２は、発光層６４Ｇと発光層６３Ｂとの間に正孔輸送層６６が設けられた構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。発光層６４Ｇと発光層６３Ｂとの間に、正孔輸送層６６の代わりに、正孔ブロッキング層６７が設けられた構成を有していてもよい。図１２（ｂ）に示すように、変形例２に係る有機ＥＬ装置７５は、第１の実施形態、第２の実施形態に対して、発光層６４Ｇと発光層６３Ｂとの間に、正孔ブロッキング層６７が設けられている。
【０１６７】
変形例２は、例えば、第１の実施形態、第２の実施形態において、塗布方式で形成された発光層６３Ｒ，６３と蒸着方式で形成された発光層６３Ｂとの間に発光層６４Ｇまたは発光層６４Ｒを設けても、発光層６３Ｒ，６３Ｇの発光に比べて、蒸着方式で形成された発光層６３Ｂの発光が良好であるような場合に好適に適用できる。すなわち、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇにおいて、正孔ブロッキング層６７により、発光層６３Ｂへ移動する正孔をさらに抑制することができる。
【０１６８】
（変形例３）
第３の実施形態の有機ＥＬ装置７２、第４の実施形態の有機ＥＬ装置７３は、サブ画素３４Ｂにおいて正孔輸送層６２Ｂと正孔輸送層６６とを備える構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。サブ画素３４Ｂにおいて正孔輸送層６２Ｂを有していない構成であってもよい。変形例３は、有機ＥＬ装置７２，７３において正孔輸送層６２Ｂをなくした構成であるので、図示を省略する。
【０１６９】
変形例３は、例えば、発光層６３Ｒ，６３Ｇの発光に比べて、蒸着方式で形成された発光層６３Ｂの発光が良好であるような場合に好適に適用できる。すなわち、サブ画素３４Ｂにおいて、正孔輸送層６２Ｂの役割を正孔輸送層６６で兼ねさせることで、正孔輸送層６２Ｂをなくすことができる。これにより、有機ＥＬ装置の製造工程において、正孔輸送層６２Ｂを形成する工程をなくすことができるので、有機ＥＬ装置の生産性を向上させることができる。
【０１７０】
（変形例４）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３は、３つのサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂを有し、赤色、緑色、青色の３色を発光する構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇのいずれかとサブ画素３４Ｂとの２つのサブ画素を有し２色を発光するする構成であってもよいし、サブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂの他に他の色を発行する１つ以上のサブ画素を有する構成であってもよい。
【０１７１】
（変形例５）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３において、発光層６４Ｇ，６４Ｒ（第３の発光層）はサブ画素３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂに亘って形成された構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、発光層６４Ｇ，６４Ｒがサブ画素３４Ｒ，３４Ｇに選択的に形成された構成を有していてもよい。
【０１７２】
（変形例６）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３において、塗布方式で形成する発光層６３Ｒ，６３Ｇの材料、及び塗布方式で形成する正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの材料として、高分子材料を例示したが、本発明はこのような形態に限定されない。発光層６３Ｒ，６３Ｇの材料、及び正孔輸送層６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂの材料は、低分子材料であってもよい。
【０１７３】
（変形例７）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３は、回路素子層４３及び陽極２４上に絶縁層５８及び隔壁５９を備える構成を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、回路素子層４３及び陽極２４上に隔壁５９のみを備える構成としてもよい。
【０１７４】
（変形例８）
上述の実施形態の有機ＥＬ装置１１，７１，７２，７３は、発光機能層２６から発した光が基板３１側に射出されるボトムエミッション型であったが、本発明はこのような形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、発光機能層２６から発した光が陰極２５側に射出されるトップエミッション型であってもよい。
【符号の説明】
【０１７５】
１１，７１，７２，７３，７４，７５…有機ＥＬ装置、２４（２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ）…陽極（第３陽極、第１陽極、第２陽極）、２５…陰極、２６…発光機能層、３４（３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ）…サブ画素（第３サブ画素、第１サブ画素、第２サブ画素）、６１（６１Ｒ，６１Ｇ，６１Ｂ）…正孔注入層、６２（６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂ）…正孔輸送層（第３正孔輸送層、第１正孔輸送層、第２正孔輸送層）、６３Ｒ，６３Ｇ，６３Ｂ…発光層（第４発光層、第１発光層、第２発光層）、６４Ｒ，６４Ｇ…発光層（第３発光層）、６５…電子輸送層、６６…正孔輸送層（正孔輸送機能を有する層）、６７…正孔ブロッキング層（正孔ブロッキング機能を有する層）、６８Ｂ…正孔輸送層（第２正孔輸送層）、１０１…電子機器としてのテレビ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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