(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ法を用いて素子分離膜上に形成された有機化合物層に割れや剥がれが生じない有機発光装置を提供する。【解決手段】有機発光素子と、前記有機発光素子の周囲に設けられる素子分離膜１１と、を有し、前記有機発光素子が、基板１０の上に設けられる第一電極と、有機化合物層と、第二電極２３と、を有し、前記有機化合物層が、素子分離膜１１の表面の少なくとも一部を被覆し、前記有機化合物層が、フォトリソグラフィ法によって所定の形状にて形成されており、前記有機化合物層が素子分離膜１１を被覆する領域の少なくとも一部において、素子分離膜１１と前記有機化合物層との間に介在層１２が設けられており、介在層１２が、分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物及びその酸化物、並びに疎水性置換基を有する有機化合物及びその酸化物のいずれかを有する、有機発光装置１。【選択図】図１
2014135250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に設けられる有機発光素子と、
前記基板の上であって、前記有機発光素子の周囲に設けられる素子分離膜と、を有し、
前記有機発光素子が、前記基板の上に設けられる第一電極と、前記第一電極の上に設けられる有機化合物層と、前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有し、
前記有機化合物層が、前記素子分離膜の表面の少なくとも一部を被覆し、
前記有機化合物層が、フォトリソグラフィ法によって所定の形状にて形成されており、
前記有機化合物層が前記素子分離膜を被覆する領域の少なくとも一部において、前記素子分離膜と前記有機化合物層との間に介在層が設けられており、
前記介在層が、分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物及びその酸化物、並びに疎水性置換基を有する有機化合物及びその酸化物のいずれかを有することを特徴とする、有機発光装置。
【請求項２】
前記素子分離膜が、無機材料からなる部材であることを特徴とする、請求項１に記載の有機発光装置。
【請求項３】
基板の上に設けられる有機発光素子と、
前記基板の上であって、前記有機発光素子の周囲に設けられる素子分離膜と、を有し、
前記有機発光素子が、前記基板の上に設けられる第一電極と、前記第一電極の上に設けられる有機化合物層と、前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有し、
前記有機化合物層が、前記素子分離膜の表面の少なくとも一部を被覆する有機発光装置の製造方法であって、
素子分離膜を形成する工程と、
前記素子分離膜に接するように介在層を形成する工程と、
フォトリソグラフィ法により所定のパターン形状を有する有機化合物層を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする、有機発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記介在層が、前記素子分離膜を形成する工程に用いられるレジスト材料からなることを特徴とする、請求項３に記載の有機発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記介在層の表面を酸化する工程をさらに有することを特徴とする、請求項３又は４に記載の有機発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光装置は、基板上に複数の有機発光素子をマトリクス状に配列してなる装置である。ここで、赤、緑又は青の色を出力する有機発光素子をそれぞれ組み合わせたものを１つの画素として、例えば、マトリクス状に配置することにより、フルカラーを表示することができる。
【０００３】
ところで、有機発光装置を構成する有機発光素子は、発光に寄与する発光層を含み膜厚数十ｎｍ乃至数百ｎｍ程度の有機化合物層を一対の電極間に配置している。ここで発光層に含ませる発光材料を適宜選択することにより、有機発光素子の発光色を様々な色に変えることができる。
【０００４】
有機発光装置に含まれる有機発光素子の構成部材である有機化合物層を形成する方法としては、真空蒸着法が広く用いられている。多色表示の有機発光装置を製造する際に、真空蒸着法により有機発光素子に応じて発光材料を選択的に形成するには、発光材料を成膜する領域に対応する領域に開口を有するメタルマスクを用い、所定の領域に所定の発光材料を選択的に形成する。しかし、メタルマスクを用いた真空蒸着法は、メタルマスクと被成膜基板とのアライメント精度が低いことやメタルマスクの熱膨張等に起因して成膜精度が低いという問題点を有する。このため、高精細な発光装置を作製するのには適さないとされている。
【０００５】
ここで、特許文献１には、高精細のメタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィ法を用いて有機化合物層を高い精度で選択的に形成する方法が開示されている。具体的には、基板の全体に形成した有機化合物層の上に、水溶性高分子からなる中間層とレジスト層とを順次設け、公知の手法によりレジスト層及び中間層を所望の形状にてパターニングを行う。そしてレジスト層及び中間層をマスクとして有機化合物層をパターニングする。そして有機化合物層のパターニング後に中間層を水により溶解させ、有機化合物層の上から中間層及びレジスト層を除去（リフトオフ）する。以上の一連の工程により、所望のパターン形状を有する有機化合物層を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５０７７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１にて開示されている方法では、レジスト層の塗布、露光、現像等を行う際に有機化合物層へのダメージを低減する目的で、有機化合物層側から中間層とフォトレジスト層とが積層された積層体をマスクとして用いている。そして特許文献１では、中間層の構成材料として水溶性の材料を用いている。これにより、中間層を水やアルコールに溶解させてフォトレジスト層を除去できるため、有機化合物層にダメージを与えることがないとされている。このような特許文献１の中間層に加えて、中間層やレジスト層の構成材料の残渣を抑制するために、中間層と有機化合物層との間に極性溶剤に可溶な犠牲層をあらかじめ形成してもよい。
【０００８】
ところが、このような犠牲層を採用した場合、犠牲層を除去する際に、犠牲層の下にある有機化合物層に割れや剥がれが生じ、割れ・剥がれに起因して生じた有機化合物層の破片が表示領域内に飛散して発光不良を招く等、有機発光装置の品質を損なう場合があった。特に、基板上の隣接する電極間を分離し、発光領域を区画するために設けられる素子分離膜上において有機化合物層の割れや剥がれが発生し易く、素子分離膜が無機化合物からなる場合においてはより顕著となる。これは、表面が親水性である素子分離膜と、相対的に疎水性である有機化合物層との密着性が不十分であり、界面に極性溶剤が浸入することによって割れや剥がれが生じたためと考えられる。
【０００９】
また、熱衝撃等の温度ストレスによっても上述した割れや剥がれが生じることがある。そして上述した割れや剥がれは有機発光装置の信頼性を損なう原因にもなっていた。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フォトリソグラフィ法を用いて素子分離膜上に形成された有機化合物層に割れや剥がれが生じない有機発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機発光装置は、基板の上に設けられる有機発光素子と、
前記基板の上であって、前記有機発光素子の周囲に設けられる素子分離膜と、を有し、
前記有機発光素子が、前記基板の上に設けられる第一電極と、前記第一電極の上に設けられる有機化合物層と、前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有し、
前記有機化合物層が、前記素子分離膜の表面の少なくとも一部を被覆し、
前記有機化合物層が、フォトリソグラフィ法によって所定の形状にて形成されており、
前記有機化合物層が前記素子分離膜を被覆する領域の少なくとも一部において、前記素子分離膜と前記有機化合物層との間に介在層が設けられており、
前記介在層が、分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物及びその酸化物、並びに疎水性置換基を有する有機化合物及びその酸化物のいずれかを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、フォトリソグラフィ法を用いて素子分離膜上に形成された有機化合物層に割れや剥がれが生じない有機発光装置を提供することができる。
【００１３】
即ち、本発明の有機発光装置は、素子分離膜と有機化合物層との間に、所定の有機化合物からなり素子分離膜と有機化合物層との密着性を高める介在層が設けられている。このため、フォトリソグラフィ法で使用される犠牲層を除去する際に用いられる溶剤に晒されても有機化合物層の割れや素子分離膜からの剥がれを抑制することができる。また上記介在層を設けることにより、素子分離膜上の有機化合物層が温度ストレスによって素子分離膜から剥離することがない。このため本発明の有機発光装置は、信頼性の高い有機発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図である。
【図２】二種類の副画素を有する有機発光装置の製造プロセスの例を示す断面模式図である。
【図３】三種類の副画素を有する有機発光装置の製造プロセスの例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の有機発光装置は、基板の上に設けられる有機発光素子と、基板の上であって、有機発光素子の周囲に設けられる素子分離膜と、を有する。本発明において、有機発光素子は、基板の上に設けられる第一電極と、前記第一電極の上に設けられる有機化合物層と、前記有機化合物層の上に設けられる第二電極と、を有している。
【００１６】
また本発明において、有機化合物層は、素子分離膜の表面の少なくとも一部を被覆する層であって、フォトリソグラフィ法によって所定の形状にて形成される層である。
【００１７】
ここで本発明においては、有機化合物層が素子分離膜を被覆する領域の少なくとも一部において、素子分離膜と有機化合物層との間に介在層が設けられている。本発明において、介在層は、分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物及びその酸化物、並びに疎水性置換基を有する有機化合物及びその酸化物のいずれかを有する。
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。尚、図面において特に図示されない、あるいは以下の説明において特段説明されていない事項に関しては、当該技術分野の周知あるいは公知の技術を適用することができる。また、以下に説明する実施形態はあくまでも一例に過ぎず、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
［有機発光装置］
図１は、本発明の有機発光装置における実施形態の例を示す断面模式図であり、（ａ）は、第一の実施形態を、（ｂ）は、第二の実施形態を示す図である。
【００２０】
図１（ａ）の有機発光装置１は、基板１０の上に、発光色が異なる二種類の有機発光素子、即ち、第一有機発光素子２０ａと第二有機発光素子２０ｂとがそれぞれ設けられている。
【００２１】
図１（ａ）の有機発光装置１において、第一有機発光素子２０ａは、基板１０の上に設けられる第一電極２１ａと、第一有機化合物層２２ａと、第二電極２３と、が順次積層されたなる部材である。また図１（ａ）の有機発光装置１において、第二有機発光素子２０ｂは、基板１０の上に設けられる第一電極２１ｂと、第二有機化合物層２２ｂと、第二電極２３と、が順次積層されたなる部材である。
【００２２】
図１（ａ）の有機発光装置１において、第一電極（２１ａ、２１ｂ）は、素子分離膜１１によって分離されている。即ち、二種類の有機発光素子（２０ａ、２０ｂ）は、それぞれ素子分離膜１１によって区画されている。ここで図１（ａ）の有機発光装置１を構成する素子分離膜１１の上には、介在層１２が設けられている。また図１（ａ）の有機発光装置１では、第一有機化合物層２２ａ又は第二有機化合物層２２ｂの端部が介在層１２を覆っている。つまり、図１（ａ）の有機発光装置１では、第一有機化合物層２２ａ又は第二有機化合物層２２ｂの端部が素子分離膜１１を覆っている。尚、本発明において、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）は、素子分離膜１１の一部を被覆していればよいが、図１（ａ）に示されるように、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）のいずれかによって素子分離膜１１の表面を被覆している態様が好ましい。
【００２３】
図１（ｂ）の有機発光装置２は、基板１０の上に、発光色が異なる三種類の有機発光素子、即ち、第一有機発光素子２０ａと第二有機発光素子２０ｂと第三有機発光素子２０ｃとがそれぞれ設けられている。
【００２４】
図１（ｂ）の有機発光装置２において、第一有機発光素子２０ａは、図１（ａ）中の第一有機発光素子２０ａと同じである。また図１（ｂ）の有機発光装置２において、第二有機発光素子２０ｂは、図１（ａ）中の第二有機発光素子２０ｂと同じである。図１（ｂ）の有機発光装置２において、第三有機発光素子２０ｃは、基板１０の上に設けられる第一電極２１ｃと、第三有機化合物層２２ｃと、第二電極２３と、が順次積層されたなる部材である。
【００２５】
図１（ｂ）の有機発光装置２において、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、素子分離膜１１によって分離されている。即ち、三種類の有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、それぞれ素子分離膜１１によって区画されている。ここで図１（ｂ）の有機発光装置１を構成する素子分離膜１１の上には、図１（ａ）と同様に介在層１２が設けられている。また図１（ｂ）の有機発光装置１では、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）のいずれかの端部が介在層１２を覆っている。つまり、図１（ｂ）の有機発光装置２では、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）のいずれかの端部が素子分離膜１１を覆っている。尚、図１（ａ）と同様に図１（ｂ）においても、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）のいずれかによって素子分離膜１１の表面を被覆している態様が好ましい。
【００２６】
本発明において、介在層１２は、下記（ｉ）乃至（ｉｖ）に示される化合物のいずれかを有する層である。
（ｉ）分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物
（ｉｉ）（ｉ）を酸化させた化合物（（ｉ）の酸化物）
（ｉｉｉ）疎水性置換基を有する有機化合物
（ｉｖ）（ｉｉｉ）を酸化させた化合物（（ｉｉｉ）の酸化物）
【００２７】
尚、（ｉ）乃至（ｉｖ）に示される化合物の詳細については、後述する。
【００２８】
［有機発光装置の製造方法］
次に、本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。
【００２９】
図２は、二種類の副画素を有する有機発光装置の製造プロセスの例を示す断面模式図である。また図２に示される製造プロセスは、図１（ａ）の有機発光装置１の製造プロセスでもある。以下、図２の製造プロセスに基づいて本発明の有機発光装置の製造方法について説明する。
【００３０】
（１）基板
有機発光素子を設ける基板１０には、表示領域（不図示）及び外部接続端子（不図示）がそれぞれ設けられている。ここで表示領域には、第一有機化合物層２２ａを備える第一有機発光素子２０ａと、第二有機化合物層２２ｂを備える第二有機発光素子２０ｂと、がそれぞれ二次元に配置されている。一方、外部接続端子は、配線（不図示）によって基板１０に内蔵されている回路（不図示）に電気的に接続されている。
【００３１】
ところで、図２では、図面の簡略化のため、一つの第一有機発光素子２０ａと、一つの第二有機発光素子２０ｂと、の組み合わせからなる一画素のみ表示されている。ただし実際には、第一有機発光素子２０ａと第二有機発光素子２０ｂとからなる複数の画素が２次元に配置されている。
【００３２】
（２）第一電極等の形成工程（図２（ａ））
まず基板１０の上に、第一電極（２１ａ、２２ｂ）、素子分離膜１１及び介在層１２をそれぞれ所定の領域に順次形成する（図２（ａ））。
【００３３】
基板１０（素子基板）としては、有機発光装置を安定に製造することができ、かつ製造された有機発光装置を駆動できるものであれば特に制限はない。例えば、ガラスやシリコンウェハ等の絶縁性あるいは半導体性の支持基板と、有機発光装置を駆動するための駆動回路と、この駆動回路による凹凸を平坦化するための平坦化層と、を順次積層してなる回路付基板を用いることができる。
【００３４】
第一電極（２１ａ、２２ｂ）の具体的な構成材料として、例えば、アルミニウム、銀等の金属材料や、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料等を用いることができる。尚、第一電極（２１ａ、２１ｂ）を形成する際には、上記金属材料又は上記透明電極材料からなる単一の層として形成することができるが、上記金属材料と上記透明電極材料とを積層してなる積層電極膜として形成してもよい。
【００３５】
第一電極（２１ａ、２２ｂ）の形成方法としては、真空蒸着法やスパッタリング法、ＣＶＤ法等の従来公知の方法を用いることができる。具体的には、真空蒸着法等により、基板１０の全面にわたって導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてこの導電層を素子毎にパターニングして、各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ）にそれぞれ対応する第一電極（２１ａ、２１ｂ）をそれぞれ形成する。尚、本工程にて形成される第一電極（２１ａ、２１ｂ）は、それぞれ１つであってもよいし２つ以上であってもよい。
【００３６】
素子分離膜１１の構成材料としては、無機材料であれば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素等の絶縁性材料が望ましく、有機材料であればアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等が望ましい。本発明においては、後述するようにフォトリソグラフィ法によって有機化合物層のパターニングを行う。この際に、ドライエッチングやウェットエッチングを用いるので、素子分離膜１１の構成材料としては、エッチング耐性がある材料が望ましい。このため本発明において、素子分離膜１１の構成材料として、好ましくは、無機材料である。
【００３７】
素子分離膜１１の形成方法としては、基板１０の全面にわたって所定の材料からなる膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法によって当該膜をパターニング（加工）する方法が挙げられる。素子分離膜１１の構成材料として無機材料を用いる場合、素子分離膜１１となる膜の成膜方法としては、従来から用いられている方法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。一方、素子分離膜１１の構成材料として有機材料を用いる場合、素子分離膜１１となる膜の成膜方法としては、スピンコート法、スリットコート法等が挙げられる。
【００３８】
素子分離膜１１に次いで形成される介在層１２は、下記（ｉ）乃至（ｉｖ）に示される化合物のいずれかを有する層である。
（ｉ）分子の末端に疎水性部位を有する有機化合物
（ｉｉ）（ｉ）を酸化させた化合物（（ｉ）の酸化物）
（ｉｉｉ）疎水性置換基を有する有機化合物
（ｉｖ）（ｉｉｉ）を酸化させた化合物（（ｉｉｉ）の酸化物）
【００３９】
本発明において、介在層１２は、少なくとも後の工程にて形成される有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）が素子分離膜１１を被覆する領域に設けられていればよい。好ましくは、図２（ａ）に示されるように、素子分離膜１１の表面を被覆するように介在層１２を設ける。尚、本発明においては、有機発光素子（２０ａ、２０ｂ）の発光性能に支障をきたさなければ、介在層１２を、素子分離膜１１の表面以外の部分に形成してもよい。
【００４０】
上記（ｉ）に示される材料として、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（水素化アモルファスカーボン）等の分子終端が疎水性の有機化合物が挙げられる。
【００４１】
上記（ｉｉ）に示される材料は、上記（ｉ）に示される材料の一部分が酸化剤等によって酸化された化合物である。ただし、上記（ｉｉ）に示される材料は、上記（ｉ）に示される材料と同様に疎水性の化合物である。
【００４２】
上記（ｉｉｉ）に示される材料として、例えば、アルキル基やフェニル基に代表される疎水基を有する化合物、より具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂、エポキシ系樹脂等の有機高分子化合物が挙げられる。
【００４３】
上記（ｉｖ）に示される材料は、上記（ｉｉｉ）に示される材料の一部分が酸化剤等によって酸化された化合物である。ただし、上記（ｉｖ）に示される材料は、上記（ｉｉｉ）に示される材料と同様に疎水性の化合物である。
【００４４】
介在層１２になる膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スピンコート法、スリットコート法等が挙げられ、使用する材料に応じて適宜選択する。ただし、第一電極（２１ａ、２１ｂ）の上に介在層１２になる膜が成膜されると、有機発光素子（２０ａ、２０ｂ）の発光特性が損なわれることがある。係る場合、フォトリソグラフィ法を用いて介在層１２になる膜を加工して、第一電極（２１ａ、２１ｂ）上にある介在層１２を部分的に除去することが望ましい。
【００４５】
また介在層１２は、素子分離膜１１をパターニングする前に基板１０の全面にわたって成膜した後、フォトリソグラフィ法によって素子分離膜１１と共にまとめて加工（パターニング）してもよい。
【００４６】
また介在層１２の構成材料として、フォトリソグラフィ法を用いた素子分離膜１１のパターニングの際に用いられるレジスト材料を採用することができる。係る場合では、当該レジスト材料を用いて素子分離膜１１の加工を行った後、素子分離膜１１の上にあるレジスト材料からなる膜をそのまま介在層１２として用いることが可能である。
【００４７】
ところで、フォトリソグラフィ法を用いた素子分離膜１１のパターニングの際に用いられるエッチングガス等のエッチングソースを利用して素子分離膜１１の上にあるレジスト材料からなる膜（介在層に相当する膜）の表面を酸化させてもよい。
【００４８】
（３）第一有機化合物層の形成工程（図２（ｂ））
次に、基板１０の全面にわたって第一有機化合物層２２ａを形成する（図２（ｂ））。ここで基板１０には、第一電極（２１ａ、２１ｂ）及び素子分離膜１１と介在層１２との積層体が形成されているため、第一有機化合物層２２ａは、第一電極（２１ａ、２１ｂ）の上又は介在層１２の上に形成される。
【００４９】
第一有機化合物層２２ａは、少なくとも発光層を有する単層膜あるいは複数の層からなる積層膜である。第一有機化合物層２２ａが複数の層からなる積層膜である場合、第一有機化合物層２２ａを構成する層であって発光層以外の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００５０】
第一有機化合物層２２ａの構成材料としては、公知の低分子系材料あるいは高分子系材料の中から適宜選択することができる。
【００５１】
（４）犠牲層及び剥離層の形成工程（図２（ｃ））
次に、第一有機化合物層２２ａの上に、犠牲層３１ａと剥離層３２とを順次形成する（図２（ｃ））。
【００５２】
犠牲層３１ａ及び剥離層３２は、後の工程にて形成されるレジスト層４０の溶媒や現像液から第一有機化合物層２２ａを保護する目的で形成される。
【００５３】
犠牲層３１ａの構成材料としては、後の工程（犠牲層の除去工程）で使用する極性溶剤に対するエッチングレートが、第一有機化合物層２２ａの構成材料よりも大きい材料を選択する。
【００５４】
上記極性溶媒に対する犠牲層３１ａのエッチングレートは、好ましくは、第一有機化合物層２２ａのエッチングレートの１０倍以上であり、より好ましくは、１００倍以上である。ここで上記極性溶媒に対する犠牲層３１ａのエッチングレートが第一有機化合物層２２ａのエッチングレートの１０倍を下回ると、後の工程（犠牲層の除去工程）で犠牲層３１ａを溶解する際に表出する第一有機化合物層２２ａの面内均一性が低下することがある。また表出する第一有機化合物層２２ａの一部をエッチングすることになり第一有機発光素子２０ａの素子特性を低下させることがある。
【００５５】
本発明においては、第一有機化合物２２ａの構成材料として、主骨格中及び置換基中のいずれにおいても極性部位が存在しない化合物を用いる一方で、犠牲層３１ａの構成材料として、主骨格中又は置換基中に極性部位が存在する化合物を選択するのが好ましい。ここでいう極性部位を含む化合物とは、例えば、複素環を含む化合物、具体的には、下記に示される複素環式化合物をいう。
【００５６】
【化１】
2014135250.tif 000003
【００５７】
以上説明したように、各層（第一有機化合物層２２ａ、犠牲層３１ａ）の構成材料を適宜選択することにより、犠牲層３１ａを溶解する溶剤（極性溶剤）によって犠牲層３１ａを選択的に除去することが可能になる。
【００５８】
本発明において、犠牲層３１ａを溶解する極性溶剤として、水、ヘテロ原子（Ｎ、Ｏ、Ｓ等）を有する有機化合物（極性部位を有する有機化合物）を含む溶剤が挙げられる。また本発明において、第一有機化合物層２２ａを構成する層のうち、第一電極から最も距離が離れている層の構成材料としては、犠牲層３１ａを溶解する極性溶剤に対するエッチングレートにおいて犠牲層３１ａとの差をつけやすい材料を選択するのが好ましい。
【００５９】
剥離層３２の構成材料としては、犠牲層３１ａの構成材料の溶解度が低い溶剤に対して溶解度が高く、かつ形成する際に犠牲層３１ａや第一有機化合物層２２ａにダメージを与えない材料を選択する。
【００６０】
ここで、水に対して溶解度が低い材料を犠牲層３１ａの構成材料として用いた場合、剥離層３２の構成材料としては水に溶解する材料を好適に用いることができる。係る場合、剥離層５の構成材料として、具体的には、ＬｉＦ、ＮａＣｌ等の水溶性無機材料、あるいは、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを使用することができる。
【００６１】
（５）レジスト層の形成工程（図２（ｄ））
次に、第一有機化合物層２２ａを部分的に除去する領域に開口を有するレジスト層４０を、剥離層３２の上に形成する（図２（ｄ））。
【００６２】
レジスト層４０の構成材料としては、特に、レジスト層４０の現像液に対するエッチングレートが剥離層３２のそれよりも大きい材料を選択する。
【００６３】
ここでレジスト層４０の現像液が第一有機化合物層２２ａ（の構成材料）を溶解するものであったり、剥離層３２の溶解や変質を引き起こすものであったりする場合には、剥離層３２とレジスト層４０の間に保護層を設けるのが好ましい。保護層の構成材料としては、窒化ケイ素や酸化ケイ素等の無機材料を好ましく用いることができる。保護層を用いることで、レジスト層４０の形成によって生じる剥離層３２や第一有機化合物層２２ａの溶解や変質を抑制することができ、剥離層３２の上に形成するレジスト層４０の構成材料として使用可能な材料の選択肢を増やすことができる。
【００６４】
ところで、本工程は、例えば、下記（５−１）乃至（５−３）に示されるプロセスで行われる。
（５−１）レジスト膜の成膜工程
（５−２）露光工程
（５−３）現像工程
【００６５】
尚、フォトリソグラフィ法を採用して所定のパターンのレジスト層４０を形成する場合、上記（５−１）乃至（５−３）のプロセスは必須であるが、本発明において、所定のパターンのレジスト層４０を形成する方法は、フォトリソグラフィ法に限定されない。例えば、インクジェット法や印刷法等を採用してもよい。
【００６６】
（６）第一有機化合物層の加工工程（図２（ｅ））
次に、レジスト層４０をマスクとして、レジスト層４０が形成されていない領域に設けられる剥離層３２、犠牲層３１ａ及び第一有機化合物層２２ａを部分的に除去することで、剥離層３２、犠牲層３１ａ及び第一有機化合物層２２ａを順次加工する。これにより、第一電極２１ｂが露出される（図２（ｅ））。
【００６７】
剥離層３２、犠牲層３１ａ及び第一有機化合物層２２ａの加工方法として、ドライエッチングあるいはウェットエッチングが挙げられる。本工程を終えた段階で、所定のパターン形状を有する第一有機化合物層２２ａが形成される。
【００６８】
尚、本工程を行う際に、レジスト層４０の一部又は全てが除去されても構わない。つまり、本工程を終えた段階で、図２（ｅ）に示されるように、マスクとして使用されたレジスト層４０がエッチングされて除去されてもよい。またレジスト層４０が形成されていない領域に設けられている第一有機化合物層２２ａを除去した後、加工された剥離層３２の表面にレジスト層４０は残存する場合は、別工程で残存するレジスト層４０を除去してもよい。
【００６９】
（７）第二有機化合物層及び犠牲層の形成工程（図２（ｆ））
次に、前工程（第一有機化合物層の加工工程）にて露出した第一電極２１ｂの上に、第二有機化合物層２２ｂと、犠牲層３２ｂと、を順次形成する。尚、本工程は、基板１０の全面にわたって第二有機化合物層２２ｂ及び犠牲層３２ｂを形成する工程であるため、前工程（第一有機化合物層の加工工程）において残存している剥離層３２の上にも第二有機化合物層２２ｂ及び犠牲層３２ｂが形成される（図２（ｆ））。
【００７０】
第二有機化合物層２２ｂの構成材料としては、第一有機化合物層２２ａと同様に、公知の低分子系材料あるいは高分子系材料の中から適宜選択することができる。
【００７１】
第二有機化合物層２２ｂは、少なくとも発光層を有する単層膜あるいは複数の層からなる積層膜である。第二有機化合物層２２ｂが複数の層からなる積層膜である場合、第二有機化合物層２２ｂを構成する層であって発光層以外の層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。
【００７２】
また第二有機化合物層２２ｂは、第一有機化合物層２２ａを形成する際に採用した方法にて形成することができる。
【００７３】
本工程にて形成される犠牲層３１ｂの構成材料としては、第一有機化合物層２２ａの上に形成された犠牲層３１ａと同様の基準で選択するのが好ましく、犠牲層３１ａと同じ材料にするのが望ましい。
【００７４】
また本工程にて形成される犠牲層３１ｂは、犠牲層３１ａを形成する際に採用した方法にて形成することができる。
【００７５】
（８）リフトオフ工程（図２（ｇ））
次に、剥離層３２に剥離液を接触させることで、剥離層３２を溶解させる。これにより、剥離層３２が除去されると共に、剥離層３２の上に形成された第二有機化合物層２２ｂと犠牲層３１ｂを除去（リフトオフ）する（図２（ｇ））。
【００７６】
尚、剥離層３２の下方に設けられる各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）は、犠牲層（３１ａ、３１ｂ）にて保護されているため、剥離液の影響を受けない。
【００７７】
（９）犠牲層の除去工程（図２（ｈ））
次に、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）の上に形成された犠牲層（３１ａ、３１ｂ）を極性溶剤によって選択的に溶解して、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）の上から除去する（図２（ｈ））。
【００７８】
（１０）第二電極等の形成工程（図２（ｉ））
最後に、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）の上に第二電極２３を形成する。以上により、有機発光装置の基本構成が完成する（図２（ｉ））。
【００７９】
第二電極２３の構成材料としては、アルミニウム、銀等の金属材料や、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物等の透明電極材料、あるいはそれらの積層膜など、公知の電極材料を用いることができる。
【００８０】
尚、第二電極２３の構成材料は、有機化合物層から出力された光の取り出し方法を考慮して適宜選択するのが好ましい。ここで有機化合物層から出力された光を外部に出射させるためには、第一電極（２１ａ、２１ｂ）及び第二電極２３の少なくとも一方を、透明あるいは半透明の材料からなる電極とする。ここで、透明とは、可視光に対して８０％以上の透過率を有するものをいい、半透明とは、可視光に対して２０％以上８０％未満の透過率を有するものをいう。
【００８１】
尚、本発明においては、第二電極２３の形成に先だって、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）の上に共通する有機化合物層として共通層を形成してもよい。共通層は、画素毎にパターニングする必要のある発光層よりも後に形成する層であれば、特に限定されない。例えば、第一電極（２１ａ、２１ｂ）を陽極とした場合、共通層としては、電子輸送層や電子注入層等が挙げられる。また第一電極（２１ａ、２１ｂ）を陰極とした場合、共通層としては、正孔輸送層や正孔注入層等が挙げられる。
【００８２】
本発明では、第二電極２３を形成した後、有機発光素子に外部から水分が浸入するのを抑制するため、公知の封止部材（不図示）を適宜設けるのが好ましい。
【００８３】
本実施形態では、発光色がそれぞれ異なる二種類の有機発光素子を有する有機発光装置を例にして説明したが、本発明はこれに限定されることなく、三種類以上の有機発光素子を備える有機発光装置についても適用することができる。
【００８４】
例えば、第一有機化合物層２２ａをパターニングするプロセスと同様なプロセスを他の有機化合物層に対して適宜繰り返すことによって、三種類以上の有機化合物層を有する有機発光装置が得られる。具体的には、第一有機化合物層２２ａを形成し、次いで第一有機化合物層２２ａの上に犠牲層３１ａを形成した後、下記に示されるプロセスを適宜繰り返せばよい。
・剥離層の形成工程
（・保護層の形成工程）
・レジスト層の形成工程
・露光、現像工程
・（保護層、）剥離層、犠牲層、有機化合物層の加工工程
・他の有機化合物層の形成工程
・犠牲層の形成工程
・リフトオフ工程
【００８５】
尚、三種類の有機発光素子を備える有機発光装置の製造プロセスについては、実施例にて詳細に説明する。
【実施例】
【００８６】
以下、実施例により、本発明を具体的に説明する。
【００８７】
［実施例１］
図３に示される製造プロセスに従って、図１（ｂ）に示される有機発光装置を作製した。
【００８８】
（１）電極付基板の形成工程
まずスパッタリング法により、基板１０上の全面に、ＡｌＮｄを成膜して反射電極を形成した。このときＡｌＮｄ膜の膜厚を１００ｎｍとした。次に、スパッタリング法により、反射電極の上にＩＴＯを成膜してＩＴＯ膜を形成した。このときＩＴＯ膜の膜厚を１０ｎｍとした。
【００８９】
次に、公知のフォトリソグラフィ法を用いて反射電極（ＡｌＮｄ膜）とＩＴＯ膜とからなる積層膜をパターニングした。これにより、第一有機発光素子２０ａ、第二有機発光素子２０ｂ又は第三有機発光素子２０ｃを構成する第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）をそれぞれ複数個ずつ形成した（図３（ａ））。
【００９０】
尚、本実施例にて用いられた基板１０は、基材（不図示）と、この基材の上に設けられ各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を駆動するための回路（不図示）と、この回路を被覆する絶縁層（不図示）と、を有する回路付基板を用いた。また、図１（ｂ）及び図３には図示されていないが、各第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、絶縁層の所定の領域に設けられたコンタクトホールを介して上記回路と電気的に接続されている。
【００９１】
（２）素子分離膜及び介在層の形成工程（図３（ａ））
次に、プラズマＣＶＤ法により、基板１０上の全面にわたって酸化ケイ素を成膜してＳｉＯ2膜を形成した。このときＳｉＯ2膜の膜厚は１００ｎｍであった。次に、ＳｉＯ2膜の上に、ポリイミド系樹脂からなるフォトレジストを、スピンコーターを用いて塗布・成膜してレジスト膜を形成した。このときレジスト膜の膜厚は１．４μｍであった。次に、フォトマスクを介してレジスト膜の所定の領域について露光を行い、現像することでレジスト膜を加工した。これによって、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の上に設けられていたレジスト膜を除去した。次に、四フッ化炭素プラズマによるドライエッチングを行い、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の上に設けられていたＳｉＯ2膜を除去することで、ＳｉＯ2膜のパターニングを行った。
【００９２】
以上により、各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を設ける領域、即ち、発光領域を区画する素子分離膜１１を形成した（図３（ａ））。尚、上述した四フッ化炭素プラズマによるドライエッチングにより、素子分離膜１１の上に設けられるレジスト膜は、その一部が除去されたものの膜厚１．０μｍ乃至１．３μｍの範囲で素子分離膜１１の上に残存していた。以下、本工程において素子分離膜１１の上に残存していたレジスト膜を、介在層１２とする。
【００９３】
（３）第一有機化合物層の形成工程（図３（ｂ））
次に、真空蒸着法を用いた連続成膜により、基板１０の全面にわたって青色発光層を含む第一有機化合物層２２ａを、以下に説明する方法により形成した（図３（ｂ））。尚、第一有機化合物層２２ａは、正孔輸送層、青色発光層及び正孔ブロック層が順次積層されてなる積層体である。
【００９４】
まず２面ある基板１０の面のうち、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）が形成されている面において、面全体にわたって正孔輸送層を膜厚１２０ｎｍで形成した。次に、青色発光材料を含む青色発光層を膜厚３０ｎｍで形成した。次に、下記に示される縮合多環炭化水素化合物（化合物１）を成膜して正孔ブロック層を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。
【００９５】
【化２】
2014135250.tif 000004
【００９６】
（４）犠牲層の形成工程
次に、真空蒸着法により、第一有機化合物層２２ａの上に、下記に示されるフェナントロリン誘導体（化合物２）を成膜して、犠牲層３１ａを形成した。このとき犠牲層３１ａの膜厚を４０ｎｍとした。
【００９７】
【化３】
2014135250.tif 000005
【００９８】
（５）剥離層の形成工程（図３（ｃ））
次に、水溶性高分子材料であるポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、犠牲層３１ａの上に、調製したＰＶＰ水溶液を塗布した後、乾燥させることで、剥離層３２を形成した。このとき剥離層３２の膜厚は５００ｎｍであった（図３（ｃ））。
【００９９】
（６）レジスト層の形成工程
次に、スピンコート法により、剥離層３２の上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜し、レジスト層４０を形成した。このときレジスト層４０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１００】
（７）露光・現像工程（図３（ｄ））
次に、第一有機発光素子２０ａの構成部材となる第一電極２１ａが設けられている領域及びその周辺の領域を除いた領域に開口を有するフォトマスクを用いて、レジスト層４０に光を照射した。次に、レジスト層４０の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」）を用いてレジスト層４０の現像を行った。この現像処理により、第一電極２１ａが設けられている領域及びその周辺の領域を除いた領域に形成されたレジスト層４０を選択的に除去することでレジスト層４０を加工した（図３（ｄ））。
【０１０１】
（８）有機化合物層等の加工工程（図３（ｅ））
次に、基板１０の上に残存するレジスト層４０ａをマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層４０ａで被覆されていない剥離層３２を除去することで、剥離層３２を加工した。このとき反応ガスを酸素とし、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとした。
【０１０２】
次に、エッチング条件を剥離層３２のときと同じ条件として、ドライエッチングにより、剥離層３２に被覆されていない犠牲層３１ａ及び第一有機化合物層２２ａを部分的に除去して、各層をそれぞれ加工した（図３（ｅ））。このようにして、所定の第一電極（２１ｂ、２１ｃ）の上に設けられた第一有機化合物層２２ａを選択的に除去して当該所定の第一電極（２１ｂ、２１ｃ）を露出させた。また、上述したドライエッチングによって、第一有機化合物層２２ａの加工（部分的エッチング）が完了した時点で、剥離層３２の上に設けられていたレジスト層４０ａは、完全に除去されていた。
【０１０３】
（９）第二有機化合物層の形成工程
次に、第一有機化合物層と同様の方法（真空蒸着法を用いた連続成膜）により、正孔輸送層、緑色発光層及び正孔ブロック層が順次積層されてなる第二有機化合物層２２ｂを、基板１０の全面にわたって形成した。このとき第二有機化合物層２２ｂを構成する正孔輸送層、緑色発光層及び正孔ブロック層の膜厚を、それぞれ１６０ｎｍ、３０ｎｍ、１０ｎｍとし、緑色発光層に含まれる発光材料を、公知の緑発光材料とした。
【０１０４】
（１０）犠牲層の形成工程（図３（ｆ））
次に、真空蒸着法により、第二有機化合物層２２ｂの上に、化合物２を成膜して、犠牲層３１ｂを形成した（図３（ｆ））。このとき犠牲層３１ｂの膜厚を４０ｎｍとした。
【０１０５】
（１１）リフトオフ工程（図３（ｇ））
次に、犠牲層３１ｂまで形成された基板１０を剥離層３２の剥離液である水に浸漬した。ここで、水溶性のポリビニルピロリドンからなる剥離層３２の水に対するエッチングレートは、化合物２（フェナントロリン誘導体）からなる犠牲層（３１ａ、３１ｂ）の水に対するエッチングレートよりも１００倍以上大きい。このため、剥離層３２を選択的に溶解させることができた。このように剥離層３２を溶解させることで、剥離層３２の上に形成された層がリフトオフされた（図３（ｇ））。尚、本工程を終えた段階で、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ）の上に形成された犠牲層（３１ａ、３１ｂ）、及び第三有機発光素子２０ｃを構成する第一電極２１ｃの上に形成されている犠牲層３１ｂが残存していた（図３（ｇ））。
【０１０６】
（１２）剥離層の形成工程（図３（ｈ））
次に、水溶性高分子材料のポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）と水とを混合してＰＶＰ水溶液を調製した。次に、スピンコート法により、基板１０の全面にわたって、調製したＰＶＰ水溶液を塗布・成膜した後、乾燥させることにより、犠牲層（３１ａ、３１ｂ）の上に剥離層３２を形成した（図３（ｈ））。このとき剥離層３２の膜厚は５００ｎｍであった。
【０１０７】
（１３）レジスト層の形成工程
次に、スピンコート法により、剥離層３２の上に、市販のフォトレジスト材料（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「ＡＺ１５００」）を成膜し、レジスト層４０を形成した。このときレジスト層４０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１０８】
（１４）露光・現像工程（図３（ｉ））
次に、第三有機発光素子２０ｃの構成部材となる第一電極２１ｃが設けられている領域及びその周辺の領域に開口を有するフォトマスクを用いて、レジスト層４０に光を照射した。次に、レジスト層４０の現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ製、製品名「３１２ＭＩＦ」）を用いてレジスト層４０の現像を行った。この現像処理により、第一電極２１ｃが設けられている領域及びその周辺の領域に形成されたレジスト層４０を選択的に除去することでレジスト層４０を加工した（図３（ｉ））。
【０１０９】
（１５）有機化合物層等の加工工程（図３（ｊ））
次に、基板１０の上に残存するレジスト層４０ｂをマスクとして、ドライエッチングにより、レジスト層４０ｂで被覆されていない剥離層３２を除去することで、剥離層３２を加工した。このとき反応ガスを酸素とし、反応ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、装置内の圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとした。
【０１１０】
次に、エッチング条件を剥離層３２のときと同じ条件として、ドライエッチングにより、剥離層３２に被覆されていない犠牲層３１ｂ及び第二有機化合物層２２ｂを部分的に除去して、各層をそれぞれ加工した（図３（ｊ））。このようにして、第三有機発光素子２０ｃを構成する第一電極２１ｃの上に設けられた第二有機化合物層２２ｂを選択的に除去して当該第一電極２１ｃを露出させた。また、上述したドライエッチングによって、第二有機化合物層２２ｂの加工（部分的エッチング）が完了した時点で、剥離層３２の上に設けられていたレジスト層４０ｂは、完全に除去されていた。
【０１１１】
（１６）第三有機化合物層の形成成工程
次に、第一有機化合物層と同様の方法（真空蒸着法を用いた連続成膜）により、正孔輸送層、赤色発光層及び正孔ブロック層が順次積層されてなる第三有機化合物層２２ｃを、基板１０の全面にわたって形成した。このとき第三有機化合物層２２ｃを構成する正孔輸送層、赤色発光層及び正孔ブロック層の膜厚を、それぞれ２００ｎｍ、３０ｎｍ、１０ｎｍとし、赤色発光層に含まれる発光材料を、公知の赤発光材料とした。
【０１１２】
（１７）犠牲層の形成工程（図３（ｋ））
次に、真空蒸着法により、第三有機化合物層２２ｃの上に、化合物２を成膜して、犠牲層３１ｃを形成した（図３（ｋ））。このとき犠牲層３１ｃの膜厚を４０ｎｍとした。
【０１１３】
（１８）リフトオフ工程（図３（ｌ））
次に、犠牲層３１ｃまで形成された基板１０を剥離層３２の剥離液である水に浸漬した。これにより剥離層３２が溶解・除去されると共に、剥離層３２の上に形成された層がリフトオフされた（図３（ｌ））。
【０１１４】
（１９）犠牲層の除去工程（図３（ｍ））
次に、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）と水とをＩＰＡが６０重量％となるように混合してＩＰＡ溶液を調製した。次に、基板１０を、調製したＩＰＡ溶液中に浸漬して、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に設けられる犠牲層（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ）を除去した（図３（ｍ））。
【０１１５】
（２０）共通層の形成工程
次に、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上に、化合物２を成膜して電荷輸送層（電子輸送層、不図示）を形成した。このとき電荷輸送層の膜厚を２０ｎｍとした。次に、電荷輸送層上に、化合物２と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを共蒸着して電子注入層（不図示）を形成した。このとき電子注入層の膜厚を２９ｎｍとした。尚、電荷輸送層と電子注入層とが順次積層してなる積層体は、各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する共通層として機能する。
【０１１６】
（２１）第二電極の形成工程（図３（ｎ））
次に、スパッタリング法により、共通層の上に銀を成膜して、第二電極２４を、各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する半透明な電極として形成した（図３（ｎ））。このとき第二電極２４の膜厚を１６ｎｍとした。
【０１１７】
（２２）封止工程
最後に、窒素雰囲気下にて、紫外線硬化性樹脂からなる接着剤を用いて封止ガラス（不図示）を基板１０に接着して、各有機発光素子（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を封止することにより、有機発光装置を得た。
【０１１８】
（２３）有機発光装置の評価
以上の方法にて得られた有機発光装置を１０基用意して評価を行った。
【０１１９】
得られた有機発光装置に含まれる有機発光素子の表面を顕微鏡で観察したところ、各有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）において、割れや剥がれは認められなかった。
【０１２０】
また得られた有機発光装置について、冷熱衝撃試験を行った。具体的には、得られた有機発光装置を、−３０℃乃至８５℃の温度範囲で加熱冷却を１０００サイクル行った。その結果、１０００サイクル後の有機発光装置において有機化合物層の変化は見られなかった。
【０１２１】
［比較例１］
実施例１（２）において、ドライエッチングによるＳｉＯ2膜の加工を行った後、有機アミン系剥離液を用いてＳｉＯ2膜の上に設けられているレジスト層を除去した。これ以外は、実施例１と同様の方法により、有機発光装置を作製した。
【０１２２】
得られた有機発光装置について、実施例１と同様の方法により評価を行った。
【０１２３】
その結果、顕微鏡観察においては、素子分離膜の上に設けられる有機化合物層の端部において割れや剥がれが発生していた。ここで本比較例の有機発光装置を全色点灯させて白色発光を行ってみたところ、装置内に含まれる有機発光素子の一部が点灯していなかった。ここで点灯しなかった有機発光素子を調べたところ、その約８割が有機化合物層の剥がれによって発生し飛散した有機化合物層の破片が非発光の原因であることがわかった。
【０１２４】
また冷熱衝撃試験を行ったところ、素子分離膜の上に設けられている有機化合物層の割れや剥がれが増加し、この割れや剥がれに隣接する発光部において非発光領域の拡大が観察された。
【０１２５】
［実施例２］
実施例１（２）において、介在層を以下に示すプロセスにより形成すること以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を得た。
【０１２６】
（素子分離膜及び介在層の形成工程）
まず実施例１（２）と同様の方法により、基板１０の全面にわたってＳｉＯ2膜を成膜した。次に、アセチレンガスを用いたプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯ2膜の上に、ダイヤモンドライクカーボン（水素化アモルファスカーボン）を成膜して、ＤＬＣ層を形成した。このときＤＬＣ層の膜厚を５０ｎｍとした。
【０１２７】
次に、実施例１（２）と同様の方法により、ＤＬＣ層の上に、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を設ける領域に開口を有するレジスト膜を形成した。
【０１２８】
次に、酸素及び四フッ化炭素プラズマを用いたドライエッチングにより、レジスト膜にて被覆されていないＤＬＣ層及びＳｉＯ2膜を除去することで、ＤＬＣ層及びＳｉＯ2膜のパターニングを行った。
【０１２９】
最後に剥離液を用いてＤＬＣ層の上に残ったフォトレジストを除去した。以上により、ＳｉＯ2膜を加工してなる素子分離膜１１と、素子分離膜１１の上に設けられＤＬＣ層を加工してなる介在層１２と、をそれぞれ形成した。
【０１３０】
得られた有機発光装置について実施例１と同様の方法により評価を行った。ここで顕微鏡観察の結果、本実施例（実施例２）の有機発光素子を構成する有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）について、割れや剥がれは認められなかった。
【０１３１】
また、冷熱衝撃試験を行った後においても有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に変化はなかった。
【０１３２】
［実施例３］
実施例１（２）において、介在層を以下に示すプロセスにより形成すること以外は、実施例１と同様の方法により有機発光装置を得た。
【０１３３】
（素子分離膜及び介在層の形成工程）
まず実施例１（２）と同様の方法により、基板１０の全面にわたってＳｉＯ2膜を成膜した。次に、スピンコーターを用いて、ＳｉＯ2膜の上に、ポリイミド系樹脂からなるフォトレジストを成膜してレジスト膜を形成した。このときレジスト膜の膜厚は１．４μｍであった。次に、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を設ける領域に開口を有するフォトマスクを介して露光を行い、現像した。これによって、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）上のフォトレジストを除去した。
【０１３４】
次に、四フッ化炭素プラズマによるドライエッチングを行い、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）上に形成されているＳｉＯ2膜を除去し、ＳｉＯ2膜のパターニングを行った。次に、酸素プラズマによるドライエッチングを行い、基板１０の上に残存するＳｉＯ2膜の上に形成されているレジスト膜を酸化させて介在層１２を形成した。ここでポリイミド系樹脂の酸化物からなる介在層１２の膜厚は、０．０５μｍ乃至０．１μｍの範囲であった。
【０１３５】
得られた有機発光装置について実施例１と同様の方法により評価を行った。ここで顕微鏡観察の結果、本実施例（実施例３）の有機発光素子を構成する有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）について、割れや剥がれは認められなかった。
【０１３６】
また、冷熱衝撃試験を行った後においても有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に変化はなかった。
【０１３７】
以上の結果から、本実施例の有機発光装置は、比較例の有機発光装置と比べて、収率良く、かつ安定した発光を得ることがわかった。また本実施例の有機発光装置は、温度ストレスによっても劣化しにくい信頼性の高い有機発光装置であることがわかった。
【符号の説明】
【０１３８】
１（２）：有機発光装置、１０：基板、１１：素子分離膜、１２：介在層、２０ａ：第一有機発光素子、２０ｂ：第二有機発光素子、２０ｃ：第三有機発光素子、２１ａ（２１ｂ、２１ｃ）：第一電極、２２ａ：第一有機化合物層、２２ｂ：第二有機化合物層、２２ｃ：第三有機化合物層、２３：第二電極、３１ａ（３１ｂ）：犠牲層、３２：剥離層、４０（４０ａ、４０ｂ）：レジスト層
【図１】
2014135250.tif 000006
【図２】
2014135250.tif 000007
【図３】
2014135250.tif 000008