(57)【要約】【課題】消費電力を抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、メインコントローラ４００およびブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０を備える。メインコントローラ４００は、各搬送機構による基板Ｗの搬送スケジュールを生成し、搬送スケジュールに基づいて、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０に指示を与える。ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０は、対応するブロックの各搬送装置および各処理ユニットの動作を制御する。各処理ユニットは、基板Ｗの処理を行う場合には通常モードに設定され、所定時間以上基板Ｗの処理を行わない場合には、消費電力を抑制するための省電力モードに設定される。【選択図】図６
2014135381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う複数の処理ユニットと、
前記複数の処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
前記複数の処理ユニットおよび前記搬送機構の動作を制御する制御部とを備え、
各処理ユニットは、基板に予め定められた処理を行うための第１の動作モードと前記第１の動作モード時に供給される電力よりも低い電力が供給される第２の動作モードとに選択的に設定可能に構成され、
前記制御部は、前記搬送機構により前記複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールを生成し、生成された搬送スケジュールに基づいて、前記搬送機構を制御するとともに、各処理ユニットに搬入された基板に前記処理が行われるように各処理ユニットを前記第１の動作モードに設定し、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットを前記第２の動作モードに設定する、基板処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、各処理ユニットを前記第２の動作モードに設定した後、当該処理ユニットに次の基板が搬入されるべき時点で当該処理ユニットが基板の処理に適した予め定められた状態になるように、前記搬入されるべき時点の前に当該処理ユニットを前記第２の動作モードから前記第１の動作モードに切り替える、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の処理ユニットは、基板を加熱するための加熱プレートをそれぞれ有する複数の熱処理ユニットを含み、
各熱処理ユニットは、前記第１の動作モード時に前記加熱プレートの温度が基板の熱処理のための温度になるように動作し、前記第２の動作モード時に前記加熱プレートの温度が前記熱処理のための温度よりも低い温度になるように動作し、
前記予め定められた状態は、前記加熱プレートの温度が前記熱処理のために予め定められた温度に調整された状態である、請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記搬送スケジュールを生成する主制御装置と、
前記主制御装置により生成された搬送スケジュールに基づいて前記搬送機構を制御しかつ前記複数の処理ユニットを前記第１の動作モードおよび前記第２の動作モードに選択的に設定する副制御装置とを含み、
前記主制御装置は、前記搬送スケジュールに基づいて各処理ユニットに基板が搬入されるべき時点を含む時間情報を前記副制御装置に与え、
前記副制御装置は、前記主制御装置から与えられる時間情報に基づいて各処理ユニットを前記第１の動作モードおよび前記第２の動作モードに選択的に設定する、請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記副制御装置は、各処理ユニットから基板が搬出された後に次の基板が搬入されるべき時点を示す時間情報が予め定められた時間与えられない場合に当該処理ユニットを前記第１の動作モードから前記第２の動作モードに切り替える、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールを生成するステップと、
生成された搬送スケジュールに基づいて、基板に予め定められた処理を行うための第１の動作モードと前記第１の動作モード時に供給される電力よりも低い電力が供給される第２の動作モードとに各処理ユニットを選択的に設定するステップと、
生成された搬送スケジュールに基づいて搬送機構により複数の処理ユニットに基板を搬送するステップと、
前記複数の処理ユニットにおいてそれぞれ基板に処理を行うステップとを備え、
前記選択的に設定するステップは、
各処理ユニットに搬入された基板に前記処理が行われるように各処理ユニットを前記第１の動作モードに設定するステップと、
生成された搬送スケジュールに基づいて、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットを前記第２の動作モードに設定するステップと含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載された基板処理装置は、複数の処理ブロックを備える。各処理ブロックには、基板に熱処理または薬液処理を行うための複数の処理部が設けられる。各処理ブロックにおいて、搬送機構により複数の基板が複数の処理部に順次搬送される。複数の処理部において、複数の基板に並行して処理が行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
各処理部は、搬入された基板に対して即座に処理を開始することができるように、基板が搬入されていない状態でも一定の状態に維持される。このような状態の維持のために、全ての処理部に対して一定の電力が必要になる。しかしながら、常に複数の処理部の各々に継続的に基板が搬入されるわけではなく、種々の要因により長時間にわたって基板が搬入されないような処理部も存在する。そのような処理部においては、無駄に電力が消費されることになる。
【０００６】
本発明の目的は、消費電力を抑制することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う複数の処理ユニットと、複数の処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、複数の処理ユニットおよび搬送機構の動作を制御する制御部とを備え、各処理ユニットは、基板に予め定められた処理を行うための第１の動作モードと第１の動作モード時に供給される電力よりも低い電力が供給される第２の動作モードとに選択的に設定可能に構成され、制御部は、搬送機構により複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールを生成し、生成された搬送スケジュールに基づいて、搬送機構を制御するとともに、各処理ユニットに搬入された基板に処理が行われるように各処理ユニットを第１の動作モードに設定し、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットを第２の動作モードに設定するものである。
【０００８】
その基板処理装置においては、複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールが生成される。生成された搬送スケジュールに基づいて搬送機構が制御され、複数の処理ユニットに基板が搬送される。各処理ユニットは、生成された搬送スケジュールに基づいて、搬入された基板に処理が行われるように第１の動作モードに設定され、所定時間以上基板が搬入されない場合に第２の動作モードに設定される。
【０００９】
第２の動作モードでの動作時には、第１の動作モードでの動作時に比べて、供給される電力が低い。それにより、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットにおいて、無駄に電力が消費されることが抑制される。
【００１０】
また、共通の搬送スケジュールに基づいて、搬送装置の制御および各処理ユニットの第１の動作モードと第２の動作モードとの切り替えがそれぞれ行われるので、各処理ユニットへの基板の搬送のタイミングに応じて適切に各処理ユニットを第１の動作モードと第２の動作モードとに切り替えることができる。したがって、無駄な電力消費をより効果的に削減することができる。
【００１１】
（２）制御部は、各処理ユニットを第２の動作モードに設定した後、当該処理ユニットに次の基板が搬入されるべき時点で当該処理ユニットが基板の処理に適した予め定められた状態になるように、搬入されるべき時点の前に当該処理ユニットを第２の動作モードから第１の動作モードに切り替えてもよい。
【００１２】
この場合、各処理ユニットが第２の動作モードに設定されていても、次の基板が搬入されるときには、その処理ユニットが第１の動作モードに切り替えられかつ基板の処理に適した状態に戻されている。そのため、その基板に対して即座に処理を開始することができる。したがって、第２の動作モードで消費電力を削減しつつ、第２の動作モードから第１の動作モードへの切り替えの際にスループットが低下することおよび基板の処理均一性が低下することを防止することができる。
【００１３】
（３）複数の処理ユニットは、基板を加熱するための加熱プレートをそれぞれ有する複数の熱処理ユニットを含み、各熱処理ユニットは、第１の動作モード時に加熱プレートの温度が基板の熱処理のための温度になるように動作し、第２の動作モード時に加熱プレートの温度が熱処理のための温度よりも低い温度になるように動作し、予め定められた状態は、加熱プレートの温度が熱処理のために予め定められた温度に調整された状態であってもよい。
【００１４】
この場合、各熱処理ユニットに搬入された基板に適切に熱処理を行うことができる。また、所定時間基板が搬入されない熱処理ユニットにおいて、無駄に電力が消費されることが抑制される。また、各熱処理ユニットが第２の動作モードに設定されていても、次の基板が搬入されるときには、その熱処理ユニットが第１の動作モードに切り替えられかつ加熱プレートの温度が基板の熱処理のために予め定められた温度に調整されている。そのため、その基板に対して即座に熱処理を開始することができる。
【００１５】
（４）制御部は、搬送スケジュールを生成する主制御装置と、主制御装置により生成された搬送スケジュールに基づいて搬送機構を制御しかつ複数の処理ユニットを第１の動作モードおよび第２の動作モードに選択的に設定する副制御装置とを含み、主制御装置は、搬送スケジュールに基づいて各処理ユニットに基板が搬入されるべき時点を含む時間情報を副制御装置に与え、副制御装置は、主制御装置から与えられる時間情報に基づいて各処理ユニットを第１の動作モードおよび第２の動作モードに選択的に設定してもよい。
【００１６】
この場合、主制御装置により生成される搬送スケジュールにかかわらず、副制御装置はそれぞれ一定の制御動作および制御プログラムで動作可能である。したがって、搬送スケジュールが異なる場合でも、副制御装置の制御動作および制御プログラムを変更する必要がない。
【００１７】
（５）副制御装置は、各処理ユニットから基板が搬出された後に次の基板が搬入されるべき時点を示す時間情報が予め定められた時間与えられない場合に当該処理ユニットを第１の動作モードから第２の動作モードに切り替えてもよい。
【００１８】
この場合、簡単な制御動作および制御プログラムで副制御装置が各処理ユニットを第１の動作モードから第２の動作モードに適切に切り替えることができる。
【００１９】
（６）第２の発明に係る基板処理方法は、複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールを生成するステップと、生成された搬送スケジュールに基づいて、基板に予め定められた処理を行うための第１の動作モードと第１の動作モード時に供給される電力よりも低い電力が供給される第２の動作モードとに各処理ユニットを選択的に設定するステップと、生成された搬送スケジュールに基づいて搬送機構により複数の処理ユニットに基板を搬送するステップと、複数の処理ユニットにおいてそれぞれ基板に処理を行うステップとを備え、選択的に設定するステップは、各処理ユニットに搬入された基板に処理が行われるように各処理ユニットを第１の動作モードに設定するステップと、生成された搬送スケジュールに基づいて、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットを第２の動作モードに設定するステップと含むものである。
【００２０】
その基板処理方法によれば、複数の処理ユニットの各々に基板が搬入されるべき時点を含む搬送スケジュールが生成される。生成された搬送スケジュールに基づいて搬送機構により複数の処理ユニットに基板が搬送される。各処理ユニットは、生成された搬送スケジュールに基づいて、搬入された基板に処理が行われるように第１の動作モードに設定され、所定時間以上基板が搬入されない場合に第２の動作モードに設定される。
【００２１】
第２の動作モードでの動作時には、第１の動作モードでの動作時に比べて、供給される電力が低い。それにより、所定時間以上基板が搬入されない処理ユニットにおいて、無駄に電力が消費されることが抑制される。
【００２２】
また、共通の搬送スケジュールに基づいて、搬送装置の制御および各処理ユニットの第１の動作モードと第２の動作モードとの切り替えがそれぞれ行われるので、各処理ユニットへの基板の搬送のタイミングに応じて適切に各処理ユニットを第１の動作モードと第２の動作モードとに切り替えることができる。したがって、無駄な電力消費をより効果的に削減することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、消費電力を抑制することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】基板処理装置の構成を示す模式的平面図である。
【図２】基板処理装置の模式的側面図である。
【図３】基板処理装置の模式的側面図である。
【図４】基板処理装置の模式的側面図である。
【図５】複数の熱処理ユニットのホットプレートの温度の変化を示す図である。
【図６】基板処理装置の制御系を示すブロック図である。
【図７】メインコントローラとブロックコントローラとの間の通信シーケンスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。
【００２６】
（１）基板処理装置の構成
（１−１）全体構成
図１は、基板処理装置１００の構成を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００２７】
インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００２８】
搬送部１１２には、搬送機構１１５が設けられる。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００２９】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２と搬送部１１２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。
【００３０】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。
【００３１】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００３２】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００３３】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００３４】
（１−２）塗布処理部および塗布現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００３５】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。塗布処理室２１〜２４，３２，３４の各々には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理室３１，３３の各々には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００３６】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態では、各塗布処理ユニット１２９に２組のスピンチャック２５およびカップ２７が設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００３７】
図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、塗布液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。本実施の形態では、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９のノズル２８に、反射防止膜形成用の塗布液が供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９のノズル２８に、レジスト膜形成用の塗布液が供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９のノズル２８に、レジストカバー膜形成用の塗布液が供給される。
【００３８】
各塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される状態で、そのノズル２８から塗布液が吐出される。それにより、基板Ｗ上に塗布液が塗布される。
【００３９】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。本実施の形態では、各現像処理ユニット１３９に３組のスピンチャック３５およびカップ３７が設けられる。スピンチャック３５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００４０】
図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのノズル３８およびそのノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。現像処理ユニット１３９においては、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される状態で、一方のノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給し、続いて、他方のノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。この場合、基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００４１】
図２に示すように、塗布処理室２１〜２４，３２，３４において塗布処理ユニット１２９の上方には、塗布処理室２１〜２４，３２，３４内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の上方には、現像処理室３１，３３内に温湿度調整された清浄な空気を供給するための給気ユニット４７が設けられる。
【００４２】
塗布処理室２１〜２４，３２，３４内において塗布処理ユニット１２９の下部には、カップ２７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４２が設けられる。また、現像処理室３１，３３において現像処理ユニット１３９の下部には、カップ３７内の雰囲気を排気するための排気ユニット４８が設けられる。
【００４３】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００４４】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣り合うように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００４５】
（１−３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理装置１００の模式的側面図である。
【００４６】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００４７】
熱処理ユニットＰＨＰはホットプレートＨＰ（図１）を有し、基板Ｗの加熱処理を行う。また、熱処理ユニットＰＨＰは、加熱処理後の基板Ｗに冷却処理を行う。以下、熱処理ユニットＰＨＰにおける加熱処理および冷却処理を単に熱処理と呼ぶ。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００４８】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４において、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣り合うように設けられる熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【００４９】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００５０】
（１−４）搬送部の構成
図４は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００５１】
搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００５２】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３においてインターフェイスブロック１４と隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００５３】
搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１２８は、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００５４】
搬送機構１３７は、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。搬送機構１３８は、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）の間で基板Ｗを搬送可能に構成される。
【００５５】
（２）動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。
【００５６】
第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。
【００５７】
この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００５８】
また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。
【００５９】
搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００６０】
第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。
【００６１】
この場合、塗布処理室３２において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗに熱処理が行われた後、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理が行われ、その基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。
【００６２】
また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。
【００６３】
この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。
【００６４】
搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを塗布処理室３４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、裏面洗浄処理ブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。塗布処理室３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。
【００６５】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【００６６】
搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【００６７】
インターフェイスブロック１４において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。
【００６８】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【００６９】
本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２，３２、現像処理室３１および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４，３４、現像処理室３３および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理を並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。
【００７０】
（３）通常モードおよび省電力モード
以下の説明では、図２および図３の塗布処理ユニット１２９、現像処理ユニット１３９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびエッジ露光部ＥＥＷを処理ユニットと総称する。
【００７１】
各処理ユニットは、基板Ｗの処理を行う場合には通常モードに設定され、所定時間以上基板Ｗの処理を行わない場合には、消費電力を抑制するための省電力モードに設定される。一例として、各熱処理ユニットＰＨＰにおける通常モードと省電力モードとの切り替えについて説明する。図５は、共通の熱処理部に設けられる複数（３つ）の熱処理ユニットＰＨＰのホットプレートＨＰの温度の変化を示す図である。図５（ａ）〜図５（ｃ）において、横軸は時間を示し、縦軸はホットプレートＨＰの温度を示す。以下、図５（ａ）〜図５（ｃ）の３つの熱処理ユニットＰＨＰを第１、第２および第３の熱処理ユニットと呼び、各熱処理ユニットＰＨＰにおけるホットプレートＨＰの温度をプレート温度と呼ぶ。また、図５の例において、順に処理される２つのロットを第１のロットおよび第２のロットと呼ぶ。第１のロットの処理と第２のロットの処理との間には、一定の時間的間隔が設けられる。
【００７２】
図５の例では、時点ｔ０において、第１、第２および第３の熱処理ユニットＰＨＰは通常モードである。通常モードでは、プレート温度が基板Ｗの処理温度ＴＡに維持される。この状態で、第１、第２および第３の熱処理ユニットＰＨＰの各々において、第１のロットの複数の基板Ｗが順次処理される。
【００７３】
時点ｔ１１から時点ｔ１２までの期間には、第１の熱処理ユニットＰＨＰで基板Ｗの処理が行われない。この場合、時点ｔ１１から予め定められた規定中断時間ｔａが経過した時点ｔ１１ａにおいて、第１の熱処理ユニットＰＨＰが通常モードから省電力モードに切り替えられる。それにより、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡから温度ＴＢに下降する。その後、時点ｔ１２よりも予め定められた時間（以下、温度調整時間と呼ぶ）ｔｂだけ前の時点ｔ１２ａにおいて、第１の熱処理ユニットＰＨＰが通常モードに切り替えられる。それにより、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＢから温度ＴＡに上昇する。この場合、時点ｔ１２で第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡとなるように、温度調整時間ｔｂが設定される。
【００７４】
ホットプレートＨＰ（図１）の昇温速度が高いほど、温度調整時間ｔｂは短くなり、省電力モードに維持可能な時間が長くなる。したがって、消費電力をさらに抑制するために、昇温速度が高いホットプレートＨＰを用いることが好ましい。
【００７５】
時点ｔ２１において、第１のロットの複数の基板Ｗのうち第１の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最後の基板Ｗの処理が終了する。この場合、第２のロットの基板Ｗが第１の熱処理ユニットＰＨＰに搬入されるまで、第１の熱処理ユニットＰＨＰで基板Ｗの処理が行われない。そのため、時点ｔ２１から規定中断時間ｔａが経過した時点ｔ２１ａにおいて、第１の熱処理ユニットＰＨＰが通常モードから省電力モードに切り替えられる。それにより、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡから温度ＴＢに下降する。
【００７６】
時点ｔ２２において、第１のロットの複数の基板Ｗのうち第２の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最後の基板Ｗの処理が終了する。この場合、第２のロットの基板Ｗが第２の熱処理ユニットＰＨＰに搬入されるまで、第２の熱処理ユニットＰＨＰで基板Ｗの処理が行われない。そのため、時点ｔ２２から規定中断時間ｔａが経過した時点ｔ２２ａにおいて、第２の熱処理ユニットＰＨＰが通常モードから省電力モードに切り替えられる。それにより、第２の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡから温度ＴＢに下降する。
【００７７】
時点ｔ２３において、第１のロットの複数の基板Ｗのうち第３の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最後の基板Ｗの処理が終了する。この場合、第２のロットの基板Ｗが第３の熱処理ユニットＰＨＰに搬入されるまで、第３の熱処理ユニットＰＨＰで基板Ｗの処理が行われない。そのため、時点ｔ２３から規定中断時間ｔａが経過した時点ｔ２３ａにおいて、第３の熱処理ユニットＰＨＰが通常モードから省電力モードに切り替えられる。それにより、第３の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡから温度ＴＢに下降する。
【００７８】
時点ｔ３１において、第２のロットの複数の基板Ｗのうち第１の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最初の基板Ｗが第１の熱処理ユニットＰＨＰに搬入される。この場合、時点ｔ３１で第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡとなるように、時点ｔ３１よりも温度調整時間ｔｂだけ前の時点ｔ３１ａにおいて、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度の上昇が開始される。その後、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡに維持され、第２のロットの複数の基板Ｗが順次処理される。
【００７９】
時点ｔ３２において、第２のロットの複数の基板Ｗのうち第２の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最初の基板Ｗが第２の熱処理ユニットＰＨＰに搬入される。この場合、時点ｔ３２で第２の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡとなるように、時点ｔ３２よりも温度調整時間ｔｂだけ前の時点ｔ３２ａにおいて、第２の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度の上昇が開始される。その後、第２の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡに維持され、第２のロットの複数の基板Ｗが順次処理される。
【００８０】
時点ｔ３３において、第２のロットの複数の基板Ｗのうち第３の熱処理ユニットＰＨＰで処理されるべき最初の基板Ｗが第３の熱処理ユニットＰＨＰに搬入される。この場合、時点ｔ３３で第３の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡとなるように、時点ｔ３３よりも温度調整時間ｔｂだけ前の時点ｔ３３ａにおいて、第３の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度の上昇が開始される。その後、第３の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が温度ＴＡに維持され、第２のロットの複数の基板Ｗが順次処理される。
【００８１】
このように、各熱処理ユニットＰＨＰは、一定時間以上基板Ｗの処理が行われない場合に通常モードから省電力モードに切り替えられ、プレート温度が基板の処理温度ＴＡよりも低い温度ＴＢに設定される。これにより、省電力モードでの動作時には、通常モードでの動作時に比べて、供給される電力が低くなる。したがって、基板Ｗの処理が行われない期間に無駄に電力が消費されることが抑制される。また、基板Ｗの処理が行われない期間においても、プレート温度が一定に維持されるので、基板Ｗが搬入される際にプレート温度を温度ＴＡに一定の時間（温度調整時間ｔｂ）で戻すことができる。それにより、温度制御の複雑化および基板Ｗの処理精度の低下が防止され、かつスループットの低下が防止される。
【００８２】
同様に、他の処理ユニットは、その処理ユニットにおいて一定時間以上基板Ｗの処理が行われない場合に省電力モードに通常モードから切り替えられる。それにより、基板Ｗの処理が行われない期間に無駄に電力が消費されることが抑制される。例えば、塗布処理ユニット１２９、現像処理ユニット１３９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２およびエッジ露光部ＥＥＷにおいては、スピンチャックおよびノズル等を駆動する駆動装置（例えば、モータ）、ならびに給気ユニット４１，４７および排気ユニット４２，４８等の雰囲気調整装置に供給される電力が通常モードよりも省電力モードで小さく設定される。また、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰにおいては、温度調整のために供給される電力が通常モードよりも省電力モードで小さく設定される。
【００８３】
また、図５の例では、第１、第２および第３の熱処理ユニットＰＨＰが、時点ｔ１１ａ，ｔ２１ａ，ｔ２２ａ，ｔ２３ａで通常モードから省電力モードに切り替えられた後、次の基板Ｗが搬入されるべき時点ｔ１２，ｔ３１，ｔ３２，ｔ３３でプレート温度が温度ＴＡになるように、その前の時点ｔ１２ａ，ｔ３１ａ，ｔ３２ａ，ｔ３３ａで省電力モードから通常モードに切り替えられる。これにより、搬入された基板に対して即座に熱処理を開始することができる。温度ＴＡは、予め定められた温度の例であり、プレート温度が温度ＴＡに調整された状態は、基板の処理に適した予め定められた状態の例である。
【００８４】
他の処理ユニットも同様に、通常モードから省電力モードに切り替えられた後、次の基板Ｗが搬入されるべき時点で基板Ｗの処理に適した予め定められた状態になるように、次の基板Ｗが搬入されるべき時点の前に省電力モードから通常モードに切り替えられる。
【００８５】
例えば、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９は、通常モードから省電力モードに切り替えられた後、次の基板Ｗが搬入されるべき時点の前に省電力モードから通常モードに切り替えられ、処理ユニット内の雰囲気が次の基板Ｗが搬入されるべき時点で基板Ｗの処理に適した雰囲気になるように給気ユニット４１，４７および排気ユニット４２，４８により調整される。これにより、搬入された基板に対して即座に処理を開始することができる。
【００８６】
（４）制御系
以下の説明においては、塗布処理部１２１に設けられる複数の塗布処理ユニット１２９（図２）を液処理ユニット群ＬＧ１と呼び、塗布現像処理部１３１に設けられる複数の塗布処理ユニット１２９および複数の現像処理ユニット１３９（図２）を液処理ユニット群ＬＧ２と呼び、洗浄乾燥処理部１６１，１６２に設けられる複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２（図２および図３）を液処理ユニットＬＧ３と呼ぶ。また、熱処理部１２３に設けられる複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰ（図３）を熱処理ユニット群ＳＧ１と呼び、熱処理部１３３に設けられる冷却ユニットＣＰ、エッジ露光部ＥＥＷおよび複数の熱処理ユニットＰＨＰを熱処理ユニット群ＳＧ２と呼ぶ。
【００８７】
図６は、基板処理装置１００の制御系を示すブロック図である。図６に示すように、基板処理装置１００は、メインコントローラ４００およびブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０を備える。メインコントローラ４００およびブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０の各々は、例えば、ＣＰＵ（中央演算処理装置）およびメモリ、またはマイクロコンピュータを含む。
【００８８】
ブロックコントローラ４１０はインデクサブロック１１（図１）に対応して設けられ、搬送機構１１５の動作を制御する。ブロックコントローラ４２０は第１の処理ブロック１２（図１）に対応して設けられ、液処理ユニット群ＬＧ１、熱処理ユニット群ＳＧ１および搬送機構１２７，１２８の動作を制御する。ブロックコントローラ４３０は第２の処理ブロック１３（図１）に対応して設けられ、液処理ユニット群ＬＧ２、熱処理ユニット群ＳＧ２および搬送機構１３７，１３８の動作を制御する。ブロックコントローラ４４０はインターフェイスブロック１４（図１）に対応して設けられ、液処理ユニット群ＬＧ３および搬送機構１４１，１４２，１４６の動作を制御する。
【００８９】
メインコントローラ４００は、予め設定された処理レシピに基づいて、各搬送機構による基板Ｗの搬送スケジュールを生成する。ここで、搬送スケジュールとは、各基板Ｗの搬送経路、各処理ユニットに基板Ｗが搬入されるべき時刻、および各処理ユニットから基板Ｗが搬出されるべき時刻を含む。
【００９０】
また、メインコントローラ４００は、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０と通信を行い、各処理ユニットの動作状況に基づいて、搬送スケジュールを修正する。例えば、いずれかの処理ユニットに不具合が発生すると、その処理ユニットに基板Ｗが搬送されないように基板Ｗの搬送スケジュールが修正される。また、いずれかの処理ユニットに動作の遅延が発生すると、その処理ユニットに基板Ｗが搬入されるべき時刻およびその処理ユニットから基板Ｗが搬出されるべき時刻が動作の遅延に応じてずれるように基板Ｗの搬送スケジュールが修正される。
【００９１】
メインコントローラ４００は、生成および修正された搬送スケジュールに基づいて、各搬送機構および各処理ユニットが適正に動作するように、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０に指示を与える。
【００９２】
メインコントローラ４００とブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０との間の通信について説明する。ここでは、一例として、メインコントローラ４００とブロックコントローラ４２０との間の通信を説明する。図７は、メインコントローラ４００とブロックコントローラ４２０との間の通信シーケンスを示す図である。図７には、熱処理ユニット群ＳＧ１の一の熱処理ユニットＰＨＰ（以下、指定熱処理ユニットＰＨＰと呼ぶ）の制御に関する通信の例が示される。
【００９３】
図７の例では、まず、メインコントローラ４００からブロックコントローラ４２０に、指定熱処理ユニットＰＨＰに次の基板Ｗが搬入されるべき時刻が時間情報として与えられる（ステップＳ１）。次に、ブロックコントローラ４２０からメインコントローラ４００に、指定熱処理ユニットＰＨＰの現在の状態を表す現在情報が与えられる（ステップＳ２）。現在情報は、現在のモード（通常モードまたは省電力モード）、および現在のプレート温度等を含む。また、現在のモードが省電力モードである場合、現在情報は、現在のプレート温度を基板Ｗの処理温度に戻すために必要な時間を含む。
【００９４】
次に、メインコントローラ４００からブロックコントローラ４２０に、指定熱処理ユニットＰＨＰの動作を制御するための指示情報が与えられる（ステップＳ３）。指示情報は、目標となるプレート温度、およびプレート温度の変更を開始する時刻等を含む。
【００９５】
ブロックコントローラ４２０は、メインコントローラ４００からの指示情報に基づいて、指定熱処理ユニットＰＨＰを制御する。また、ブロックコントローラ４２０は、指定熱処理ユニットＰＨＰから基板Ｗが搬出された後、時間情報が与えられずに規定中断時間ｔａ（図５）が経過すると、指定熱処理ユニットＰＨＰを省電力モードに切り替える。
【００９６】
具体例として、図５の時点ｔ０から時点ｔ２１までの期間における第１の熱処理ユニットＰＨＰの制御について説明する。まず、メインコントローラ４００が、搬送スケジュールに基づいて、第１の熱処理ユニットＰＨＰに次の基板Ｗが搬入されるべき時刻が時点ｔ０であることを時間情報としてブロックコントローラ４２０に与える（図７のステップＳ１）。ブロックコントローラ４２０は、第１の熱処理ユニットＰＨＰが現在通常モードでありかつ現在のプレート温度が温度ＴＡであることを現在情報としてメインコントローラ４００に与える（図７のステップＳ２）。この場合、メインコントローラ４００は、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度をそのまま維持することを指示情報としてブロックコントローラ４２０に与える（図７のステップＳ３）。これにより、ブロックコントローラ４２０は、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度を温度ＴＡに維持する。
【００９７】
時点ｔ１１で第１の熱処理ユニットＰＨＰから基板Ｗが搬出された後、規定中断時間ｔａが経過すると、ブロックコントローラ４２０は、第１の熱処理ユニットＰＨＰを省電力モードに切り替え、第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度を温度ＴＡから温度ＴＢに下降させる。
【００９８】
続いて、メインコントローラ４００は、次の基板Ｗの搬入時刻が時点ｔ１２であることを時間情報としてブロックコントローラ４２０に与える（図７のステップＳ１）。ブロックコントローラ４２０は、第１の熱処理ユニットＰＨＰが現在省電力モードであること、現在のプレート温度が温度ＴＢであること、およびプレート温度を温度ＴＡに戻すために必要な時間が温度調整時間ｔｂであることを現在情報としてメインコントローラ４００に与える（図７のステップＳ２）。この場合、メインコントローラ４００は、時点ｔ１２より温度調整時間ｔｂだけ前の時点ｔ１２ａで第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度の上昇を開始し、プレート温度が温度ＴＡに達した後、プレート温度を温度ＴＡに維持することを指示情報としてブロックコントローラ４２０に与える（図７のステップＳ３）。これにより、ブロックコントローラ４２０は、時点ｔ１２ａから時点ｔ１２の期間に第１の熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度を温度ＴＢから温度ＴＡに上昇させ、その後、プレート温度を温度ＴＡに維持する。
【００９９】
このようにして、各熱処理ユニットＰＨＰが通常モードと省電力モードとに切り替えられる。他の処理ユニットについても同様に、メインコントローラ４００とブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０とが通信を行い、メインコントローラ４００の指示に基づいて、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０の各々が各処理ユニットを通常モードと省電力モードとに切り替える。
【０１００】
また、上記の例では、ブロックコントローラ４２０が、各熱処理ユニットＰＨＰから基板Ｗが搬出された後、時間情報が与えられずに規定中断時間ｔａが経過すると、その熱処理ユニットＰＨＰを省電力モードに切り替える。他の処理ユニットに関しても同様に、各ブロックコントローラは、対応する各処理ユニットから基板Ｗが搬出された後、時間情報が与えられずに予め定められた時間が経過すると、その処理ユニットを省電力モードに切り替える。これにより、簡単な制御動作および制御プログラムで各ブロックコントローラが対応する各処理ユニットを通常モードから省電力モードに適切に切り替えることができる。
【０１０１】
（５）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、各処理ユニットに基板Ｗが搬入されるべき時刻を含む搬送スケジュールが生成される。生成された搬送スケジュールに基づいて、各搬送機構および各処理ユニットを制御される。各処理ユニットは、搬入された基板Ｗに処理が行われるように通常モードに設定され、所定時間以上基板Ｗが搬入されない場合に省電力モードに設定される。
【０１０２】
通常モードでの動作時には、省電力モードでの動作時に比べて、供給される電力が低い。それにより、所定時間以上基板Ｗが搬入されない処理ユニットにおいて、無駄に電力が消費されることが防止される。
【０１０３】
また、共通の搬送スケジュールに基づいて、各搬送装置の制御および各処理ユニットのモードの切り替えがそれぞれ行われるので、各処理ユニットへの基板Ｗの搬送のタイミングに応じて適切に各処理ユニットのモードを切り替えることができる。したがって、無駄な電力消費をより効果的に削減することができる。
【０１０４】
また、本実施の形態では、各処理ユニットが通常モードから省電力モードに切り替えられた後、その処理ユニットに次の基板Ｗが搬入されるべき時点で、その処理ユニットが基板Ｗの処理に適した予め定められた状態になるように、次の基板Ｗが搬入されるべき時点の前にその処理ユニットが省電力モードから通常モードに切り替えられる。これにより、搬入された基板Ｗに対して即座に処理を開始することができる。したがって、省電力モードで消費電力を削減しつつ、省電力モードから通常モードへの切り替えの際にスループットが低下することおよび基板Ｗの処理均一性が低下することを防止することができる。
【０１０５】
また、本実施の形態の熱処理ユニットＰＨＰにおいては、通常モード時にプレート温度が基板Ｗの熱処理のための温度ＴＡに設定され、省電力モード時にプレート温度が温度ＴＡよりも低い温度ＴＢに設定される。これにより、熱処理ユニットＰＨＰに搬入された基板Ｗに適切に熱処理を行うことができ、かつ所定時間基板Ｗが搬入されない熱処理ユニットＰＨＰにおいて、無駄に電力が消費されることが抑制される。
【０１０６】
また、熱処理ユニットＰＨＰは、通常モードから省電力モードに切り替えられた後、次の基板Ｗが搬入されるべき時点より予め定められた温度調整時間ｔｂだけ前の時点で、省電力モードから通常モードに切り替えられ、プレート温度の上昇が開始される。それにより、次の基板Ｗが搬入されたときにプレート温度が温度ＴＡまで上昇しており、その基板Ｗに対して即座に熱処理を開始することができる。
【０１０７】
また、本実施の形態では、メインコントローラ４００により搬送スケジュールが生成されるとともに、複数のブロックコントローラにより各搬送機構および各処理ユニットが制御され、各ブロックコントローラは、メインコントローラ４００からの時間情報に基づいて各処理ユニットのモードを切り替える。これにより、搬送スケジュールの内容にかかわらず、各ブロックコントローラは一定の制御動作および制御プログラムで動作可能である。したがって、搬送スケジュールが異なる場合でも、各ブロックコントローラは制御動作および制御プログラムを変更する必要がない。
【０１０８】
また、本実施の形態では、各ブロックコントローラが、対応する各処理ユニットから基板Ｗが搬出された後、時間情報が与えられずに予め定められた時間が経過すると、その処理ユニットを省電力モードに切り替える。これにより、簡単な制御動作および制御プログラムで各ブロックコントローラが対応する各処理ユニットを通常モードから省電力モードに適切に切り替えることができる。
【０１０９】
（６）他の実施の形態
（６−１）
上記実施の形態において、各ブロックコントローラは、予め定められた時間（規定中断時間ｔａ）内に時間情報が与えられない場合に、対応する処理ユニット（熱処理ユニットＰＨＰ）を通常モードから省電力モードに切り替えるが、他の条件で処理ユニットが通常モードから省電力モードに切り替えられてもよい。
【０１１０】
例えば、規定中断時間ｔａ内に時間情報が与えられた場合でも、次の基板Ｗの搬入時刻が到来するまで所定時間以上要する場合には、対応する処理ユニットが通常モードから省電力モードに切り替えられてもよい。あるいは、メインコントローラ４００が搬送スケジュールに基づいて各処理ユニットのモードを切り替えるべき時刻を予め決定し、決定された時刻に基づいて、各ブロックコントローラにモードの切替の指示を与えてもよい。または、各処理ユニットから基板Ｗが搬出された後、次の基板Ｗが搬入されることなく予め定められた時間が経過した時点で、その処理ユニットが通常モードから省電力モードに切り替えられてもよい。
【０１１１】
（６−２）
上記実施の形態では、メインコントローラ４００がブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０に指示を与え、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０が与えられた指示に基づいてそれぞれ対応するブロックの各処理ユニットおよび各搬送機構を制御するが、これに限らない。例えば、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０が設けられず、メインコントローラ４００が各ブロックの各処理ユニットおよび各搬送機構を制御してもよい。
【０１１２】
（６−３）
上記実施の形態では、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４にそれぞれ対応するようにブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０が設けられるが、これに限らない。例えば、処理ユニットごとにコントローラが設けられてもよく、または、同種類の複数の処理ユニットごとにコントローラが設けられてもよい。
【０１１３】
（６−４）
上記実施の形態では、各熱処理ユニットＰＨＰのプレート温度が通常モードで温度ＴＡに設定され、省電力モードで温度ＴＢに設定されるが、これに限らず、通常モードおよび省電力モードの各々において、プレート温度が適宜変動してもよい。
【０１１４】
（６−５）
上記実施の形態は、液浸法による露光処理の前後に基板Ｗに成膜処理および現像処理を行う基板処理装置に本発明を適用した例であるが、他の基板処理装置に本発明を適用してもよい。例えば、液体を用いない露光処理の前後に基板Ｗに処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。あるいは、エッチング処理および洗浄処理等の他の処理を行う基板処理装置に本発明を適用してもよい。
【０１１５】
（７）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１１６】
上記実施の形態では、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、塗布処理ユニット１２９、現像処理ユニット１３９、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、熱処理ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが処理ユニットの例であり、搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送機構の例であり、メインコントローラ４００およびブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０が制御部の例であり、通常モードが第１の動作モードの例であり、省電力モードが第２の動作モードの例であり、熱処理ユニットＰＨＰが熱処理ユニットの例であり、メインコントローラ４００が主制御装置の例であり、ブロックコントローラ４１０，４２０，４３０，４４０が副制御装置の例である。
【０１１７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明は、基板の種々の処理に有効に利用可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１４  インターフェイスブロック
１５  露光装置
１００  基板処理装置
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１２９  塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
４００  メインコントローラ
４１０，４２０，４３０，４４０  ブロックコントローラ
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＨＰ  ホットプレート
ＬＧ１，ＬＧ２，ＬＧ３  液処理ユニット群
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
ＳＧ１，ＳＧ２  熱処理ユニット群
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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