(57)【要約】【課題】樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料が凝集して、これら端子同士が電気的に接続されている電子機器、および、かかる電子機器を製造するための電子機器の製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置１０は、樹脂組成物層１１、１３と金属層１２とを備える導電接続シート１を、半導体チップ（電子部品）２０とインターポーザー（対向電子部品）３０との間に配置した状態で加熱することで形成された接続部８１により、半導体チップ２０が有する端子（第１の端子）２１と、インターポーザー（対向電子部品）３０が有する端子（第２の端子）４１とが電気的に接続されたものであり、半導体チップ２０は、端子領域（第１の端子領域）４１１と、非端子領域（第１の非端子領域）４１２とを有し、非端子領域４１２に、不要な金属層１２を捕捉するダミー端子（第１の捕捉手段）２２を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートを、電子部品と対向電子部品との間に配置した状態で加熱することで形成された接続部により、前記電子部品が有する第１の端子と、前記対向電子部品が有する第２の端子とが電気的に接続された電子機器であって、
前記電子部品は、前記第１の端子が配置されている第１の端子領域と、前記第１の端子が配置されていない第１の非端子領域とを有し、該第１の非端子領域に、不要な前記金属層を捕捉する第１の捕捉手段を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記第１の捕捉手段は、前記金属層に対して親和性を有する金属材料で構成される請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記対向電子部品は、前記第２の端子が配置されている第２の端子領域と、前記第２の端子が配置されていない第２の非端子領域とを有し、該第２の非端子領域に、不要な前記金属層を捕捉する第２の捕捉手段を有する請求項１または２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１の捕捉手段は、前記電子部品に形成された複数の第１のダミー端子を有する請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記第２の捕捉手段は、前記第１のダミー端子に対応して設けられた第２のダミー端子を有する請求項４に記載の電子機器。
【請求項６】
前記対向電子部品は、その厚さ方向に貫通するように設けられた、伝熱性を有する伝熱体を備え、該伝熱体に前記第２のダミー端子が接続される請求項５に記載の電子機器。
【請求項７】
前記樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する請求項７に記載の電子機器。
【請求項９】
前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記電子部品は、その縁部に沿って前記第１の端子領域が形成されているものである請求項１ないし９のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記電子部品は、前記第１の非端子領域を取り囲むように前記第１の端子領域が形成されているものである請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記電子機器は、半導体装置である請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の電子機器の製造方法であって、前記電子部品と、対向電子部品との間に前記導電接続シートを配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、変形した前記樹脂組成物層を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１４】
前記加熱工程において、前記第１の端子と前記第２の端子とが前記接続部により電気的に接続されるとともに、前記捕捉手段により、不要な前記金属層が捕捉される請求項１３に記載の電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器および電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板（搭載基板）に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００４】
このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００５】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００６】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００７】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【００１０】
かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子同士間に凝集し、さらに、この端子間を除く領域には樹脂成分が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分により隣接する端子間の絶縁性が確保することができるようになる。
【００１１】
しかしながら、隣接する端子間におけるピッチの大きさ等によっては、溶融した金属材料を対向する端子同士間に選択的に凝集させることができず、対向する端子同士が位置する領域以外の領域において、樹脂成分中に金属材料が残存し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、樹脂成分中に金属材料を残存させることなく、端子同士間に選択的に金属材料が凝集して、これら端子同士が電気的に接続されている電子機器、および、かかる電子機器を製造するための電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（１４）に記載の本発明により達成される。
（１）  樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートを、電子部品と対向電子部品との間に配置した状態で加熱することで形成された接続部により、前記電子部品が有する第１の端子と、前記対向電子部品が有する第２の端子とが電気的に接続された電子機器であって、
前記電子部品は、前記第１の端子が配置されている第１の端子領域と、前記第１の端子が配置されていない第１の非端子領域とを有し、該第１の非端子領域に、不要な前記金属層を捕捉する第１の捕捉手段を有することを特徴とする電子機器。
【００１４】
（２）  前記第１の捕捉手段は、前記金属層に対して親和性を有する金属材料で構成される上記（１）に記載の電子機器。
【００１５】
（３）  前記対向電子部品は、前記第２の端子が配置されている第２の端子領域と、前記第２の端子が配置されていない第２の非端子領域とを有し、該第２の非端子領域に、不要な前記金属層を捕捉する第２の捕捉手段を有する上記（１）または（２）に記載の電子機器。
【００１６】
（４）  前記第１の捕捉手段は、前記電子部品に形成された複数の第１のダミー端子を有する上記（３）に記載の電子機器。
【００１７】
（５）  前記第２の捕捉手段は、前記第１のダミー端子に対応して設けられた第２のダミー端子を有する上記（４）に記載の電子機器。
【００１８】
（６）  前記対向電子部品は、その厚さ方向に貫通するように設けられた、伝熱性を有する伝熱体を備え、該伝熱体に前記第２のダミー端子が接続される上記（５）に記載の電子機器。
【００１９】
（７）  前記樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の電子機器。
【００２０】
（８）  前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する上記（７）に記載の電子機器。
【００２１】
（９）  前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の電子機器。
【００２２】
（１０）  前記電子部品は、その縁部に沿って前記第１の端子領域が形成されているものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の電子機器。
【００２３】
（１１）  前記電子部品は、前記第１の非端子領域を取り囲むように前記第１の端子領域が形成されているものである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の電子機器。
【００２４】
（１２）  前記電子機器は、半導体装置である上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の電子機器。
【００２５】
（１３）  上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の電子機器の製造方法であって、前記電子部品と、対向電子部品との間に前記導電接続シートを配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、変形した前記樹脂組成物層を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【００２６】
（１４）  前記加熱工程において、前記第１の端子と前記第２の端子とが前記接続部により電気的に接続されるとともに、前記捕捉手段により、不要な前記金属層が捕捉される上記（１３）に記載の電子機器の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の電子機器では、第１の非端子領域に、不要な前記金属層を捕捉する第１の捕捉手段を有している。そのため、電子機器を製造する際に、かかる電子機器を製造する際に用いる導電接続シートが有する金属層に含まれる金属材料が、第１の非端子領域に位置する封止層中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。その結果、金属材料が残存することに起因する、リーク電流の発生を確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第１実施形態を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図２】本発明の電子機器（半導体装置）の製造に用いられる導電接続シートの一例を示す縦断面図である。
【図３】端子間の接続方法を用いて、接続部および封止層を形成して半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図４】接続部の形成方法を用いて、接続部および封止層を形成して半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】接続部の形成方法を用いて、接続部および封止層を形成して半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図６】本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第２実施形態を示す模式図（図６（ａ）は、平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図７】本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第３実施形態を示す模式図（図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図８】本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第４実施形態を示す模式図（図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図９】導電接続シートが備える金属層の全体形状を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の電子機器、および電子機器の製造方法を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
まず、本発明の電子機器を、半導体装置に適用した場合について説明する。
＜半導体装置＞
［第１実施形態］
図１は、本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第１実施形態を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。なお、以下の説明では、図１（ａ）中の紙面手前側、および図１（ｂ）中の上側を「上」、図１（ａ）中の紙面奥側、および図１（ｂ）中の下側を「下」と言う。
【００３１】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（基板）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。
【００３２】
インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、本実施形態では、長方形状の四角形とされる。
【００３３】
さらに、インターポーザー３０は、その上面（一方の面）に、電気的に接続される端子４１を有している。この端子４１は、例えば、銅等の導電性金属材料で構成され、本実施形態では、図１（ａ）に示すように、平面視において、島状をなす複数の端子４１がインターポーザー３０の上面の縁部側に配置されている。そして、各端子４１は、インターポーザー３０の縁部に沿って、直線状をなすように、一列で等間隔に配置されている。すなわち、複数の端子４１は、インターポーザー３０の縁部側にロの字状（長方形の枠状）に配置されている。
【００３４】
なお、本明細書中では、これら複数の端子４１からなる端子群が設けられている領域を「端子領域（第２の端子領域）４１１」と言い、端子領域４１１よりも内側の端子４１が設けられていない領域を「非端子領域（第２の非端子領域）４１２」と言うこととし、非端子領域４１２は、第１の辺４５１と、第２の辺４５２と、第３の辺４５３と、第４の辺４５４との４つの辺で取り囲まれた長方形の内側の領域となっており、端子領域４１１は、これら４つの辺で取り囲まれた長方形の外側の長方形の枠状をなす領域となっている。すなわち、端子領域４１１は、インターポーザー３０の縁部に沿って形成された領域となっており、非端子領域４１２は、この端子領域４１１に取り囲まれるように形成された領域となっている。
【００３５】
また、本実施形態では、中心部側の非端子領域（第２の非端子領域）４１２に、図１（ａ）に示すように、島状をなす複数のダミー端子（第２のダミー端子）４２が設けられ、平面視において、格子状をなすように縦３列・横２列で等間隔に配置されている。
【００３６】
このダミー端子４２は、例えば、端子４１と同様に銅等の導電性金属材料で構成されるが、金属層１２に対して親和性を有する金属材料で構成されていればよく、銅のほか、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇおよびこれらを含む合金のうちの少なくとも１種を主材料として構成されるものを用いることができる。
【００３７】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００３８】
各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が端子４１またはダミー端子４２の一部に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
【００３９】
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、円柱の先端に半球が接続された形状をなしている。
【００４０】
このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
【００４１】
また、半導体チップ２０は、その全体形状が長方形状をなし、インターポーザー３０が有する端子４１およびダミー端子４２に対応するように、その下面に、半導体チップ２０が有する回路に電気的に接続される端子（第１の端子）２１、および、半導体チップ２０が有する回路に電気的に接続されていないダミー端子（第１のダミー端子）２２を有している。そして、それぞれに対応する端子４１と端子２１とは、接続部８１を介して電気的に接続され、対応するダミー端子４２とダミー端子２２とは、接続部８２を介して接続されている。
【００４２】
なお、半導体装置１０では、半導体チップ２０が有する端子２１と、インターポーザー３０が有する端子４１とは、半導体チップ２０およびインターポーザー３０の面方向と垂直をなす方向に沿って、互いに対向するように配置されている。また、この関係と同様に、半導体チップ２０が有するダミー端子２２と、インターポーザー３０が有するダミー端子４２とは、前記面方向と垂直をなす方向に沿って、互いに対向するように配置されている。すなわち、１つの端子２１は、それに対応する１つの端子４１に対して、さらに、１つのダミー端子２２は、それに対応する１つのダミー端子４２に対して、１対１の関係で前記面方向と垂直をなす直線上に乗るように配置されている。したがって、端子２１からなる端子群が設けられている枠状の領域（第１の端子領域）は、前述した「端子領域（第２の端子領域）４１１」と一致し、この端子領域４１１よりも内側の端子２１が設けられておらず、ダミー端子２２が設けられている領域（第１の非端子領域）は、前述した「非端子領域（第２の非端子領域）４１２」と一致することとなる。
【００４３】
また、ダミー端子２２は、前述したダミー端子４２と同様の構成のものとすることができる。
【００４４】
なお、本実施形態では、図１に示すように、端子２１は、半導体チップ２０に形成されている面側から突出する構成をなしており、端子４１も、インターポーザー３０から突出する構成をなしている。
【００４５】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
【００４６】
なお、本実施形態では、半導体チップ２０およびインターポーザー３０は、それぞれ、その平面視形状が長方形状をなす場合としたが、これに限定されず、例えば、平面視形状が正方形状や円形状および長円状をなすものであってもよい。
【００４７】
かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１、８２と封止層８０との形成に、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが用いられている。
【００４８】
すなわち、前記導電接続シートは、半導体チップ（電子部品）２０と、対向配置されるインターポーザー（対向電子部品）３０との間に配置した状態で加熱することで形成された接続部８１により、端子領域４１１に位置する半導体チップ２０が有する端子（第１の端子）２１と、インターポーザー３０が有する端子（第２の端子）４１とを電気的に接続し、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを接合するために用いられる。
【００４９】
以下、接続部８１、８２および封止層８０の形成に用いられる導電接続シートについて説明する。
【００５０】
＜導電接続シート＞
図２は、本発明の電子機器（半導体装置）の製造に用いられる導電接続シートの一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５１】
導電接続シート１は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成されるものであり、本実施形態では、図２に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された、２つの樹脂組成物層１１、１３と１つの金属層１２との三層構造をなす積層体で構成されるものである。
【００５２】
かかる構成の導電接続シート１において、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成され、金属層１２が、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
【００５３】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。
【００５４】
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、樹脂成分を含有する樹脂組成物で構成される。
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００５５】
樹脂組成物は、樹脂成分を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００５６】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００５７】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００５８】
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂成分を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００５９】
また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【００６０】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
（i）硬化性樹脂成分
硬化性樹脂成分は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤成分として使用できるものが用いられる。
【００６１】
このような硬化性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂成分は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６２】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂成分を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００６３】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００６４】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が上記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂成分を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂成分、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００６５】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００６６】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００６７】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００６８】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００６９】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７０】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７１】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００７２】
（ii）フィルム形成性樹脂成分
上述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂組成物には、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフィルム形成性樹脂成分を含有する構成とするのが好ましい。
【００７３】
このようなフィルム形成性樹脂成分としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００７４】
具体的には、フィルム形成性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００７５】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００７６】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミドが好ましい。
【００７７】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００７８】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００７９】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８０】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８１】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂成分）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００８２】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が上記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００８３】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００８４】
また、フィルム形成性樹脂成分としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００８５】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したフィルム形成性樹脂成分の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００８６】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂成分の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層（導電接続材料）１１を容易に取り扱うことが可能となる。
【００８７】
（iii）フラックス機能を有する化合物
上述したように、硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂成分の他に、さらにフラックス機能を含有する構成とするのが好ましい。
【００８８】
フラックス機能を有する化合物は、端子２１、４１、ダミー端子２２、４２および金属層１２の表面に形成された酸化膜を除去する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、端子間の接続方法で詳述するように、たとえ、端子２１、４１、ダミー端子２２、４２および金属層１２等の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子２１およびダミー端子２２の表面に凝集することとなる。
【００８９】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。
【００９０】
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９１】
また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９２】
脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ      （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。
【００９３】
芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。
【００９４】
【化１】
2014056992.tif 000003
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【００９５】
【化２】
2014056992.tif 000004
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
【００９６】
このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレートニ酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−２−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９７】
このようなフラックス機能を有する化合物は、端子２１と端子４１とが電気的に接続され、ダミー端子２２とダミー端子４１とが接続されるように、端子２１、４１、ダミー端子２２、４２および金属層１２表面の酸化膜を除去する作用を示すとともに、硬化性樹脂成分を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂成分と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
【００９８】
このような官能基は、硬化性樹脂成分の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には端子２１、４１、ダミー端子２２、４２および金属層１２等の表面に形成された酸化膜を除去してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８１を容易に形成し、端子２１、４１間を電気的に接続するとともに、接続部８２を容易に形成し、ダミー端子２２、４２間を接続することが可能となる。さらに、接続部８１および接続部８２により端子２１、４１間およびダミー端子２２、４２間における接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂成分に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。
【００９９】
このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂成分がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
【０１００】
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１０１】
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、インターポーザー３０等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。
【０１０２】
また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。
【０１０３】
さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。
【０１０４】
上述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
【０１０５】
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
【０１０６】
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【０１０７】
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量部％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１０８】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１０９】
フラックス機能を有する化合物の含有量が上記範囲内であると、金属層１２および端子２１、４１表面の酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂成分に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１１０】
（iv）硬化剤
フラックス機能を有する化合物以外の硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂成分の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂成分としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂成分の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１１１】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【０１１２】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂成分や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【０１１３】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【０１１４】
（v）硬化促進剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【０１１５】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１６】
また、硬化性樹脂組成物において、上述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１１７】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、４１およびダミー端子２２、４２の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１１８】
（vi）シランカップリング剤
また、上述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１１９】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１２０】
なお、このようなシランカップリング剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１２１】
また、硬化性樹脂組成物において、上述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂成分等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１２２】
なお、硬化性樹脂組成物には、上述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１２３】
また、上述したような硬化性樹脂組成物は、上記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１２４】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
【０１２５】
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂成分を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１２６】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂成分の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１２７】
（i）熱可塑性樹脂成分
熱可塑性樹脂成分としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂成分は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑樹脂成分の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１２８】
熱可塑性樹脂成分の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１２９】
また、熱可塑性樹脂成分の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１３０】
また、熱可塑性樹脂組成物において、上述した熱可塑性樹脂成分の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３１】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３２】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂成分の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３３】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂成分の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１３４】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂成分の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１３５】
なお、本発明においては、上述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１３６】
また、導電接続シート１において、上述した硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物の配合量、すなわち、樹脂組成物層１１、１３の占有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３７】
具体的には、例えば、液状の樹脂組成物の場合には、導電接続シート１００重量部に対して１０重量部以上であることが好ましく、２０重量部以上であることがより好ましく、２５重量部以上であることがさらに好ましい。また、９５重量部以下であることが好ましく、８０重量部以下であることがより好ましく、７５重量部以下であることがさらに好ましい。
【０１３８】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、導電接続シート１００重量部に対して１０重量部以上であることが好ましく、１５重量部以上であることがより好ましく、２０重量部以上であることがさらに好ましい。また、９５重量部以下であることが好ましく、８０重量部以下であることがより好ましく、７５重量部以下であることがさらに好ましい。
【０１３９】
導電接続シート１における樹脂組成物の配合量すなわち樹脂組成物層１１、１３の占有量が前記範囲内にあるとインターポーザー３０等の接続部材間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４０】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができるとともに、この形成された封止層８０に十分な機械的接着強度を付与することができる。
【０１４１】
なお、本実施形態では、導電接続シート１が第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との２層を備える構成であるが、第２の樹脂組成物層１３は、上述した第１の樹脂組成物層１１と同様の構成のものであればよく、第１の樹脂組成物層１１と同一の組成のものであっても良く、異なる組成のものであっても良い。
【０１４２】
また、導電接続シート１は、少なくとも１層の樹脂組成物層を備えていれば良く、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３のいずれか一方が省略されていても良いし、さらに、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３とは異なる第３や第４の樹脂組成物層を備える構成のものであっても良い。
【０１４３】
＜＜金属層１２＞＞
金属層（金属箔層）１２は、低融点の金属材料で構成される金属箔で構成される層である。
【０１４４】
かかる金属層１２は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去されるため、溶融状態の金属層１２の濡れ性が向上する。そのため、後述する半導体装置の製造方法において、端子２１、４１およびダミー端子２２、４２の表面に溶融状態の金属層１２が選択的に凝集し、最終的には、このものの固化物により、端子２１、４１同士を接続する接続部８１と、ダミー端子２２、４２同士を接続する接続部８２とが形成される。
【０１４５】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０の製造の際に、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４６】
さらに、接続部８１、８２形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後、および端子２２、４２間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１４７】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１４８】
このような低融点の金属材料は、上述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙げられる。
【０１４９】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ｉｎの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１５０】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１５１】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられる。
【０１５２】
また、金属層１２の厚さは、特に限定されないが、形成すべき接続部８１、８２の厚さおよび大きさ等に応じて適宜設定される。すなわち、金属層１２の厚さを薄く設定することにより、形成される接続部８１、８２の厚さは薄くなり、これとは逆に、金属層１２の厚さを厚く設定することにより、形成される接続部８１、８２の厚さは厚くなる。
【０１５３】
例えば、本実施形態のように、半導体装置１０における端子２１、４１間の接続およびダミー端子２２、４２間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、０．８μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１および未接続のダミー端子２２、４２が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。金属層１２の厚さをかかる範囲内で設定することにより、任意の厚さの接続部８１、８２を形成することができる。
【０１５４】
なお、金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、インゴット等の塊から圧延により作製する方法、樹脂組成物層１１へ直接蒸着、スパッタ、めっき等により形成する方法等が挙げられる。
【０１５５】
また、導電接続シート１において、上述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５６】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１および未接続のダミー端子２２、４２が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５７】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、２体積％以上であることがより好ましく、３体積％以上であることがさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１および未接続のダミー端子２２、４２が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５８】
なお、本実施形態では、図２に示すように、金属層１２は、樹脂組成物層１１の全面に形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、金属層１２は、平面視で樹脂組成物層１１の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されない。
【０１５９】
すなわち、金属層が、平面視で樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０１６０】
また、繰り返しパターン状の金属層の作製方法は、特に限定されないが、平面状に形成した金属箔を所定のパターンに打抜く方法、エッチング等により所定のパターンを形成する方法、また、遮蔽板やマスク等を使用することにより蒸着、スパッタ、めっき等で形成する方法等が挙げられる。
【０１６１】
以上のような導電接続シート１の形態は、樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物の形態等に応じて適宜設定される。
【０１６２】
例えば、硬化性樹脂組成物が液状をなす場合、金属層１２を用意し、その両面に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）することで樹脂組成物層１１としたものを導電接続シート１として供することができる。また、ポリエステルシート等の剥離基材上に硬化性樹脂組成物を塗布し、このものを所定温度で半硬化（Ｂステージ化）等の目的で成膜させた後に、剥離基板から引き剥がし、金属層１２に張り合わせてフィルム上にしたものを導電接続シート１として供することができる。
【０１６３】
また、樹脂組成物が固形状をなす場合は、有機溶剤に溶解した樹脂組成物のワニスをポリエステルシート等の剥離基材上に塗布し、所定の温度で乾燥させて樹脂組成物層１１を形成し、その後に金属層１２を張り合わせたものを導電接続シート１として供することができる。また、上記と同様にして得られた樹脂組成物層１１上に、蒸着等の手法を用いて金属層１２を形成してフィルム状にしたものを導電接続シート１として供することもできる。
【０１６４】
なお、金属層１２は、樹脂組成物層１１との密着性を高めることを目的に、エンボス加工が施されたものであってもよい。
【０１６５】
また、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂成分の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続端子の製造も可能にすることができる。
【０１６６】
なお、本実施形態では、金属層１２、端子２１、４１およびダミー端子２２、４２に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれているのが好ましいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。
【０１６７】
＜導電接続シートの製造方法＞
次に、上述したような構成の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１６８】
（i）２５℃で樹脂成分物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、まず、金属層１２を用意する。
この金属層１２は、例えば、インゴット等の塊から圧延により製造することができる。
【０１６９】
次に、金属層１２を、液状をなす樹脂組成物中に含浸することにより、金属層１２の両面に液状の樹脂組成物を付着させた後、樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。
【０１７０】
なお、形成すべき樹脂組成物層１１、１３に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物中に浸漬させた金属層１２を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、金属層１２に吹き付けることにより、目的とする厚さの樹脂組成物層１１、１３を容易に製造することができる。
【０１７１】
（ii）２５℃で樹脂成分物がフィルム状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物が、２５℃でフィルム状をなす場合、まず、ポリエステルシート等の剥離基材を用意する。
【０１７２】
次に、樹脂組成物を有機溶剤に溶解して得られたワニスを、剥離基材上に、塗布した後、所定の温度で乾燥させることにより、フィルム状の樹脂組成物を形成する。
【０１７３】
次に、前記工程により得られるフィルム状の樹脂組成物を２枚用意し、予め製造しておいた金属層１２を、これらフィルム状の樹脂組成物の間に挾持した状態で、熱ロールでラミネートすることにより、金属層１２の両面に樹脂組成物層１１、１３が形成された導電接続シート１を製造することができる。
【０１７４】
なお、巻重状の金属層１２を使用する場合には、金属層１２をベース基材として用いて、金属層１２の両面側に上述したフィルム状の樹脂組成物を、熱ロールを用いてラミネートすることで、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。
【０１７５】
さらに、巻重状の金属層１２を使用する場合、金属層１２の両面に、上述したようにして得られたワニスを直接塗布し、その後、溶剤を揮散させて乾燥ことにより、巻重状の導電接続シート１を得ることができる。
【０１７６】
なお、パターン状の金属層を備える導電接続シートを製造する場合には、まず、例えば、剥離基材上にシート状をなす金属層を配置し、金属層側から金型を用いて金属層をハーフカットすることで、余分な金属層を除去することでパターン状をなす金属層を形成する。
【０１７７】
次に、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物を、金属層の剥離基材と反対側の面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートとした後、剥離基材を金属層から剥離する。
【０１７８】
さらに、上述した方法により得られたフィルム状の樹脂組成物を、金属層の剥離基材を剥離した面上に配置し、この状態で熱ロールを用いてラミネートすることにより、金属層の両面に樹脂組成物層が形成された導電接続シートを製造することができる。
【０１７９】
なお、導電接続シートの製造方法は、上述した方法に限定されるものではなく、導電接続シートの製造方法は、目的や用途に応じて適宜選択することができる。
【０１８０】
次に、上述したような導電接続シート１を用いて、半導体装置１０は、例えば、以下のような端子間の接続方法または接続部の形成方法を適用して、製造される。
【０１８１】
＜端子間の接続方法＞
以下では、まず、端子間の接続方法を適用して、接続部８１、８２と封止層８０とを形成して半導体装置１０を得る場合について詳述する。
【０１８２】
図３は、端子間の接続方法を用いて、接続部および封止層を形成して半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１８３】
以下に説明する端子間の接続方法では、導電接続シート１を半導体チップ（電子部品）２０が有する端子２１と、インターポーザー（対向電子部品）３０に設けられた端子４１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１８４】
なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１の接続方法とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２の接続方法としてそれぞれ説明する。
【０１８５】
＜＜第１の接続方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１の接続方法では、半導体チップ２０が有する端子２１およびダミー端子２２と、インターポーザー３０に設けられた端子４１およびダミー端子４２との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１８６】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを用意する。
【０１８７】
次いで、半導体チップ２０の端子２１およびダミー端子２２が設けられている面上に、導電接続シート１を載置する。
【０１８８】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態（変形可能な状態）となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０１８９】
さらに、この状態を維持したまま、インターポーザー３０の端子４１およびダミー端子４２が設けられている面上に、半導体チップ２０を載置する。この際、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向し、ダミー端子２２とダミー端子４２とがそれぞれ対向するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする（図３（ａ）参照。）。
【０１９０】
これにより、半導体チップ２０を、導電接続シート１を介してインターポーザー３０上に配置したとき、対向する端子２１、４１同士の間および対向するダミー端子２２、４２同士の間には、導電接続シート１が位置することになる。
【０１９１】
なお、導電接続シート１は、図３（ａ）に示すように、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着される場合に限らず、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０１９２】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０１９３】
加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０１９４】
具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０１９５】
さらに、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０１９６】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０１９７】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間、および対向配置されたダミー端子２２、４２間に凝集し易い状態となる。
【０１９８】
さらに、たとえ端子２１、４１およびダミー端子２２、４２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間、および対向配置されたダミー端子２２、４２間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０１９９】
なお、本実施形態では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２００】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間およびダミー端子２２、４２間に選択的に凝集する。
【０２０１】
その結果、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。
【０２０２】
また、以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、接続部８１が形成され、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された封止層８０が形成される。その結果、特に、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２０３】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２０４】
さらに、本実施形態では、端子２１、４１の間における接続部８１の形成の際には、これと同時に、ダミー端子２２、４２の間には金属材料で構成される接続部８２が形成され、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続される。
【０２０５】
このように、端子２１、４１間に接続部８１が形成されるばかりでなく、半導体チップ２０の回路に電気的に接続されていないダミー端子２２、４２間にも接続部８２が形成される。
【０２０６】
このとき、接続部８１、８２の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間、さらには隣接するダミー端子２２、４２の絶縁性が確保されることから、端子２１、４１においてショートが生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【０２０７】
さらに、本実施形態では、上記のように、半導体チップ２０およびインターポーザー３０の非端子領域４１２に、それぞれ、ダミー端子２２およびダミー端子４２が設けられ、これらダミー端子２２、４２間に接続部８２が形成される。
【０２０８】
このように、非端子領域４１２において、ダミー端子２２およびダミー端子４２が存在し、これらの間に、かかる非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２が形成される構成とすることで、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。これにより、金属材料が残存することに起因する、リーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２０９】
したがって、非端子領域４１２に配置されたダミー端子２２およびダミー端子４２は、それぞれ、不要な金属層（金属材料）１２を捕捉する第１の捕捉手段および第２の捕捉手段として機能する。
【０２１０】
また、本実施形態では、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続され、さらに、インターポーザー３０にその厚さ方向に貫通するように設けられたバンプ７０にダミー端子４２が接続されている。バンプ７０は、前述したとおり、ろう材を主材料として構成されているため、伝熱性を有する伝熱体として機能する。そのため、半導体装置１０の使用時に生じる半導体チップ２０の熱を、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０を介して、半導体装置１０外に確実に放熱することができる。すなわち、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０は、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能する。
【０２１１】
なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図３（ｂ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の接続部８１（接続部８２）による接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２１２】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２１３】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１、８２と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２１４】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、端子２２、４２間の接続部８２による接続信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２１５】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０２１６】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定することができる。具体的には、前記加熱工程［２］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０２１７】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、接続部８１、８２および封止層８０が形成されることから、半導体チップ２０とインターポーザー３０とが電気的に接続される。
【０２１８】
＜＜第２の接続方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２の接続方法では、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０２１９】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１の接続方法と同様にして、半導体チップ２０の端子２１が設けられている面上に、導電接続シート１を載置する。
【０２２０】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０と、端子４１が設けられたインターポーザー３０との間に配置された導電接続シート１を、図３（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０２２１】
加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２２２】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１の接続方法の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２２３】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２２４】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間、および対向配置されたダミー端子２２、４２間に凝集し易い状態となる。
【０２２５】
さらに、たとえ端子２１、４１およびダミー端子２２、４２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間、および対向配置されたダミー端子２２、４２間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２２６】
なお、本実施形態では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２２７】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１、４１間およびダミー端子２２、４２間に選択的に凝集する。
【０２２８】
その結果、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。
【０２２９】
また、以上のような導電接続シート１を用いた接続部８１および封止層８０の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、４１間で凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された封止層８０を形成することができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性を確保してリーク電流の発生を確実に防ぐことができるので、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２３０】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２３１】
さらに、本実施形態では、端子２１、４１の間における接続部８１の形成の際には、これと同時に、ダミー端子２２、４２の間には金属材料で構成される接続部８２が形成され、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続される。
【０２３２】
このように、端子２１、４１間に接続部８１が形成されるばかりでなく、半導体チップ２０の回路に電気的に接続されていないダミー端子２２、４２間にも接続部８２が形成される。
【０２３３】
このとき、接続部８１、８２の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料を混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間、さらには隣接するダミー端子２２、４２の絶縁性が確保されることから、端子２１、４１においてショートが生じるのを的確に抑制または防止することができる。
【０２３４】
さらに、本実施形態では、上記のように、半導体チップ２０およびインターポーザー３０の非端子領域４１２に、それぞれ、ダミー端子２２およびダミー端子４２が設けられ、これらダミー端子２２、４２間に接続部８２が形成される。
【０２３５】
このように、非端子領域４１２において、ダミー端子２２およびダミー端子４２が存在し、これらの間に、かかる非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２が形成される構成とすることで、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。これにより、金属材料が残存することに起因する、リーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２３６】
したがって、非端子領域４１２に配置されたダミー端子２２およびダミー端子４２は、不要な金属層（金属材料）１２を捕捉する第１の捕捉手段および第２の捕捉手段として機能する。
【０２３７】
また、本実施形態では、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続され、さらに、インターポーザー３０にその厚さ方向に貫通するように設けられたバンプ７０にダミー端子４２が接続されている。バンプ７０は、前述したとおり、ろう材を主材料として構成されているため、伝熱性を有する伝熱体として機能する。そのため、半導体装置１０の使用時に生じる半導体チップ２０の熱を、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０を介して、半導体装置１０外に確実に放熱することができる。すなわち、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０は、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能する。
【０２３８】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１、８２と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２３９】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、端子２２、４２間の接続部８２による接続信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２４０】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２４１】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２４２】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いことが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２４３】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１、８２および封止層８０が形成される。
【０２４４】
＜接続部の形成方法＞
次に、接続部の形成方法を適用して、接続部８１、８２と封止層８０とを形成して半導体装置１０を得る場合について詳述する。
【０２４５】
この場合、まず、接続部の形成方法を適用して、半導体チップ２０に、端子２１およびダミー端子２２にそれぞれ対応して接続部８１および接続部８２を形成するともに、これら接続部８１、８２を取り囲むように補強層８６を形成する。次いで、これら接続部８１、８２と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に接続（実装）することで、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に接続部８１、８２と封止層８０とが形成される。
【０２４６】
以下では、かかる構成の接続部の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１、２２側の面に接続部８１、８２と補強層８６とを形成した後、接続部８１、８２と封止層８０とを形成して半導体装置１０を得る方法について詳述する。
【０２４７】
図４、５は、接続部の形成方法を用いて、接続部および封止層を形成して半導体装置を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４、５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２４８】
以下に説明する接続部の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱して、接続部８１、８２と補強層８６とを形成する加熱工程とを有している。そして、形成された接続部８１、８２と補強層８６とを用いて、インターポーザー３０上に半導体チップ２０を搭載することで、半導体装置１０が得られる。
【０２４９】
なお、接続部８１と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１の形成方法とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２の形成方法として実施形態ごとに説明する。
【０２５０】
＜＜第１の形成方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２（第１の金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。そして、形成された接続部８１、８２と補強層８６とを用いて、インターポーザー３０上に半導体チップ２０を搭載すること（搭載工程）で、半導体装置１０が得られる。
【０２５１】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０を用意する。
【０２５２】
次いで、半導体チップ２０の端子２１側の面上に導電接続シート１を載置する。図４（ａ）参照。）。
【０２５３】
そして、この状態で、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。これにより、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０２５４】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。
【０２５５】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記端子間の接続方法（第１の接続方法）の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２５６】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２５７】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用より除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１およびダミー端子２２上に凝集し易い状態となる。
【０２５８】
さらに、たとえ端子２１およびダミー端子２２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２５９】
なお、本実施形態では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２６０】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂成分中を移動して端子２１およびダミー端子２２上に選択的に凝集する。
【０２６１】
すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続部８１が形成され、さらに、ダミー端子２２の表面には金属材料で構成される接続部８２が形成される。このとき、接続部８１、８２の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、特に、隣接する接続部８１間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続部８１間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２６２】
以上のような接続部８１、８２および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、ダミー端子２２に凝集させて接続部８１、８２を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続部８１、８２間の絶縁性を確保することができる。
【０２６３】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１およびダミー端子２２に対応して、それぞれ、複数の接続部８１および接続部８２を一括して形成することが可能となる。
【０２６４】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１およびダミー端子２２との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１およびダミー端子２２の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２６５】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２６６】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続部８１、８２および補強層８６が形成される。すなわち、接続部８１、８２および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、接続部の形成方法が適用される。
【０２６７】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておく。これにより、次工程［３］において、接続部８１、８２と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０２６８】
［３］搭載工程
このような接続部８１、８２と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１およびダミー端子４２が設けられている面上に、半導体チップ２０を載置する。この際、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向し、ダミー端子２２とダミー端子４２とがそれぞれ対向するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする（図５（ａ）参照。）。
【０２６９】
次いで、この状態を維持したまま、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを加熱する。これにより、接続部８１、８２と補強層８６とが加熱され、接続部８１、８２が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１、８２と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０上に半導体チップ２０が搭載された半導体装置１０が製造される（図５（ｂ）参照。）。
【０２７０】
なお、この際、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、硬化性樹脂成分が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在することから、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１、８２および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２７１】
このように、本実施形態では、端子２１、４１間に接続部８１が形成されるばかりでなく、非端子領域４１２において、半導体チップ２０の回路に電気的に接続されていないダミー端子２２、４２間にも接続部８２が形成される。
【０２７２】
非端子領域４１２において、ダミー端子２２およびダミー端子４２が存在し、これらの間に、かかる非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２が形成される構成とすることで、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。これにより、金属材料が残存することに起因する、リーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２７３】
したがって、非端子領域４１２に配置されたダミー端子２２およびダミー端子４２は、それぞれ、不要な金属層（金属材料）１２を捕捉する第１の捕捉手段および第２の捕捉手段として機能する。
【０２７４】
また、本実施形態では、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続され、さらに、インターポーザー３０にその厚さ方向に貫通するように設けられたバンプ７０にダミー端子４２が接続されている。バンプ７０は、前述したとおり、ろう材を主材料として構成されているため、伝熱性を有する伝熱体として機能する。そのため、半導体装置１０の使用時に生じる半導体チップ２０の熱を、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０を介して、半導体装置１０外に確実に放熱することができる。すなわち、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０は、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能する。
【０２７５】
なお、本工程［３］では、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ａ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の接続部８１（接続部８２）による接続信頼性を高めることが可能となる。
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２７６】
＜＜第２の形成方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。そして、形成された接続部８１、８２と補強層８６とを用いて、インターポーザー３０上に半導体チップ２０を搭載すること（搭載工程）で、半導体装置１０が得られる。
【０２７７】
以下、各工程について詳述する。
［１］配置工程
樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される本実施形態においても、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される前記第１の形成方法と同様にして、導電接続シート１を半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着（配置）させる。
【０２７８】
［２］加熱工程
次に、前記配置工程［１］において、半導体チップ２０上に配置された導電接続シート１（金属層１２）を、図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０２７９】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記端子間の接続方法（第１の接続方法）の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２８０】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２８１】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、端子２１およびダミー端子２２上に凝集し易い状態となる。
【０２８２】
さらに、たとえ端子２１およびダミー端子２２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２８３】
なお、本実施形態では、金属層１２が層状をなしており、導電接続シート１中には、金属材料で構成される粒子等が含まれていないため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１上に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が残存することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２８４】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂成分中を移動して端子２１およびダミー端子２２上に選択的に凝集する。
【０２８５】
すなわち、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続部８１が形成され、さらに、ダミー端子２２の表面には金属材料で構成される接続部８２が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続部８１の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続部８１間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続部８１間のショートが確実に防止されることとなる。
【０２８６】
以上のような接続部８１、８２および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を選択的に端子２１、ダミー端子２２に凝集させて接続部８１、８２を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続部８１、８２間の絶縁性を確保することができる。
【０２８７】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１およびダミー端子２２に対応して、それぞれ、複数の接続部８１および接続部８２を一括して形成することが可能となる。
【０２８８】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１およびダミー端子２２との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１およびダミー端子２２の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０２８９】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２９０】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続部８１、８２および補強層８６が形成される。すなわち、接続部８１、８２および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、接続部の形成方法が適用される。
【０２９１】
［３］搭載工程
このような接続部８１、８２と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０の端子４１およびダミー端子４２が設けられている面上に、半導体チップ２０を載置する。この際、これらが備える端子２１と端子４１とがそれぞれ対向し、ダミー端子２２とダミー端子４２とがそれぞれ対向するように、インターポーザー３０に半導体チップ２０を位置あわせする（図５（ａ）参照。）。
【０２９２】
次いで、この状態を維持したまま、インターポーザー３０と半導体チップ２０とを加熱する。これにより、接続部８１、８２と補強層８６とが加熱され、接続部８１、８２が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１、８２と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０上に半導体チップ２０が搭載された半導体装置１０が製造される（図５（ｂ）参照。）。
【０２９３】
なお、この際、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂成分として、熱可塑性樹脂成分が含まれ、このものが冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続部８１、８２の周囲を取り囲んで固化することで、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１、８２および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２９４】
このように、本実施形態では、端子２１、４１間に接続部８１が形成されるばかりでなく、非端子領域４１２において、半導体チップ２０の回路に電気的に接続されていないダミー端子２２、４２間にも接続部８２が形成される。
【０２９５】
非端子領域４１２において、ダミー端子２２およびダミー端子４２が存在し、これらの間に、かかる非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２が形成される構成とすることで、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。これにより、金属材料が残存することに起因する、リーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２９６】
したがって、非端子領域４１２に配置されたダミー端子２２およびダミー端子４２は、それぞれ、不要な金属層（金属材料）１２を捕捉する第１の捕捉手段および第２の捕捉手段として機能する。
【０２９７】
また、本実施形態では、ダミー端子２２とダミー端子４２とが接続部８２を介して接続され、さらに、インターポーザー３０にその厚さ方向に貫通するように設けられたバンプ７０にダミー端子４２が接続されている。バンプ７０は、前述したとおり、ろう材を主材料として構成されているため、伝熱性を有する伝熱体として機能する。そのため、半導体装置１０の使用時に生じる半導体チップ２０の熱を、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０を介して、半導体装置１０外に確実に放熱することができる。すなわち、ダミー端子２２、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０は、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能する。
【０２９８】
なお、本工程［３］では、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図５（ａ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間（ダミー端子２２、４２間）の接続部８１（接続部８２）による接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２９９】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０３００】
また、前記第１実施形態では、半導体装置１０を構成する半導体チップ２０およびインターポーザー３０に、それぞれ、その非端子領域４１２において、ダミー端子２２およびダミー端子４２が設けられている場合について説明したが、半導体装置１０の構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような第２〜第４実施形態の半導体装置であってもよい。
【０３０１】
［第２実施形態］
図６は、本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第２実施形態を示す模式図（図６（ａ）は、平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。なお、以下の説明では、図６（ａ）中の紙面手前側、および図６（ｂ）中の上側を「上」、図６（ａ）中の紙面奥側、および図６（ｂ）中の下側を「下」と言う。
【０３０２】
以下、本発明の電子機器を適用した第２実施形態の半導体装置１０について説明するが、前述した第１実施形態の半導体装置１０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３０３】
本実施形態の半導体装置１０では、このものが備える捕捉手段の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３０４】
すなわち、第２実施形態の半導体装置１０では、インターポーザー３０に対するダミー端子４２の形成が省略され、半導体チップ２０に対して単独でダミー端子２２が設けられていること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３０５】
かかる構成の第２実施形態の半導体装置１０によっても、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の効果を得ることができる。すなわち、端子間の接続方法および接続部の形成方法を適用して、接続部８１および封止層８０を形成する際に、ダミー端子２２が、捕捉手段（第１の捕捉手段）として機能して、非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２がダミー端子２２上に形成される。その結果、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３０６】
［第３実施形態］
図７は、本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第３実施形態を示す模式図（図７（ａ）は、平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。なお、以下の説明では、図７（ａ）中の紙面手前側、および図７（ｂ）中の上側を「上」、図７（ａ）中の紙面奥側、および図７（ｂ）中の下側を「下」と言う。
【０３０７】
以下、本発明の電子機器を適用した第３実施形態の半導体装置１０について説明するが、前述した第１実施形態の半導体装置１０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３０８】
本実施形態の半導体装置１０では、このものが備える捕捉手段の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３０９】
すなわち、第３実施形態の半導体装置１０では、半導体チップ２０に対するダミー端子２２の形成が省略され、インターポーザー３０に対して単独でダミー端子４２が設けられていること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３１０】
かかる構成の第３実施形態の半導体装置１０によっても、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の効果を得ることができる。すなわち、端子間の接続方法および接続部の形成方法を適用して、接続部８１および封止層８０を形成する際に、ダミー端子４２が、捕捉手段（第２の捕捉手段）として機能して、非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２がダミー端子４２上に形成される。その結果、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３１１】
なお、本実施形態の半導体装置１０を、さらに、ダミー端子４２に接続されたバンプ７０を備える構成とすることで、接続部８２、ダミー端子４２およびバンプ７０を、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能させることができる。
【０３１２】
［第４実施形態］
図８は、本発明の電子機器を、半導体装置に適用した第４実施形態を示す模式図（図８（ａ）は、平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。なお、以下の説明では、図８（ａ）中の紙面手前側、および図８（ｂ）中の上側を「上」、図８（ａ）中の紙面奥側、および図８（ｂ）中の下側を「下」と言う。
【０３１３】
以下、本発明の電子機器を適用した第４実施形態の半導体装置１０について説明するが、前述した第１実施形態の半導体装置１０との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３１４】
本実施形態の半導体装置１０では、このものが備える捕捉手段の構成が異なること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３１５】
すなわち、第４実施形態の半導体装置１０では、非端子領域４１２における、半導体チップ２０およびインターポーザー３０に対するダミー端子２２およびダミー端子４２の形成に代えて、捕捉部２５および捕捉部４５が設けられていること以外は、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の構成である。
【０３１６】
捕捉部２５は、半導体チップ２０に設けられ、図８（ａ）に示すように、平面視において、半導体チップ２０の非端子領域４１２の縁部に沿って、直線状に配置されている。すなわち、捕捉部２５は、半導体チップ２０の非端子領域４１２の縁部側に長方形の枠状（ロの字状）に配置される。さらに、捕捉部４５は、インターポーザー３０に設けられ、図８（ａ）に示すように、平面視において、インターポーザー３０の非端子領域４１２の縁部に沿って、直線状に配置されている。すなわち、捕捉部４５は、インターポーザー３０の非端子領域４１２の縁部側に長方形の枠状（ロの字状）に配置される。
【０３１７】
かかる構成の第４実施形態の半導体装置１０によっても、前述した第１実施形態の半導体装置１０と同様の効果を得ることができる。すなわち、端子間の接続方法および接続部の形成方法を適用して、接続部８１および封止層８０を形成する際に、捕捉部２５および捕捉部４５が、捕捉手段（第１の捕捉手段および第２の捕捉手段）として機能して、非端子領域４１２に位置する導電接続シート１に由来する接続部８２が捕捉部２５と捕捉部４５との間に形成される。その結果、導電接続シート１が有する金属層１２に含まれる金属材料が、非端子領域４１２に位置する封止層８０中に残存してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０３１８】
さらに、接続部８２と捕捉部２５、４５とで、捕捉部２５、４５よりも内側の領域を取り囲むことができるため、たとえかかる領域に位置する封止層８０中に金属材料が残存していたとしても、この金属材料に起因するリーク電流の発生をより確実に防止することができる。
【０３１９】
なお、本実施形態の半導体装置１０を、さらに、捕捉部４５に接続されたバンプ７０を備える構成とすることで、捕捉部２５、接続部８２、捕捉部４５およびバンプ７０を、半導体チップ２０で生じた熱を放熱（冷却）する放熱（冷却）手段として機能させることができる。
【０３２０】
なお、第１〜第４実施形態では、電子部品が半導体チップ２０であり、対向電子部品がインターポーザー３０であることとしたが、電子部品と対向電子部品との関係は逆であってもよく、電子部品がインターポーザー３０であり、対向電子部品が半導体チップ２０であってもよい。
【０３２１】
また、このような電子部品と対向電子部品との組み合わせは、半導体チップ２０とインターポーザー３０との組み合わせに限らず、例えば、半導体チップと半導体チップの組み合わせ、半導体チップとフレキシブル基板との組み合わせ、フレキシブル基板とフレキシブル基板との組み合わせ、半導体ウエハとリジット基板との組み合わせ、および、半導体ウエハとフレキシブル基板との組み合わせ等が挙げられる。
【０３２２】
なお、本発明の電子機器では、非端子領域に不要な金属を捕捉する捕捉手段を有していればよく、上述した第１〜第４実施形態の半導体装置１０に限定されず、例えば、第４実施形態の半導体装置と、第２実施形態または第３実施形態の半導体装置とを組み合わせるようにしてもよい。
【０３２３】
また、前記実施形態では、図２に示すように、金属層１２は、樹脂組成物層１１の全面に形成されている場合について説明したが、かかる場合に限定されず、金属層１２は、平面視において、樹脂組成物層１１の少なくとも一部に形成されていればよく、その形状は特に限定されない。
【０３２４】
すなわち、金属層が、平面視において、樹脂組成物層１１の一部に形成されている場合、一定の形状が繰り返しパターン状に形成されていてもよいし、形状が不規則であってもよいし、規則的な形状と不規則な形状とが混在していてもよい。
【０３２５】
具体的には、金属層１２をパターン状に形成する場合、その形状としては、図９に示すように、例えば、点線の抜き模様状（ａ）、縞模様状（ｂ）、水玉模様状（ｃ）、矩形模様状（ｄ）、チェッカー模様状（ｅ）、額縁状（ｆ）、格子模様状（ｇ）または多重の額縁状（ｈ）等が挙げられる。なお、これらの形状は一例であり、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３２６】
以上、本発明の電子機器、および電子機器の製造方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０３２７】
例えば、本発明の電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０３２８】
また、本発明の電子機器の製造方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【０３２９】
１                          導電接続シート
１０                        半導体装置
１１                        第１の樹脂組成物層
１２                        金属層
１３                        第２の樹脂組成物層
２０                        半導体チップ
２１                        端子
２２                        ダミー端子
２５                        捕捉部
３０                        インターポーザー
４１                        端子
４２                        ダミー端子
４５                        捕捉部
４１１                      端子領域
４１２                      非端子領域
４５１                      第１の辺
４５２                      第２の辺
４５３                      第３の辺
４５４                      第４の辺
７０                        バンプ（端子）
８０                        封止層
８１、８２                  接続部
８６                        補強層
【図１】
2014056992.tif 000005
【図２】
2014056992.tif 000006
【図３】
2014056992.tif 000007
【図４】
2014056992.tif 000008
【図５】
2014056992.tif 000009
【図６】
2014056992.tif 000010
【図７】
2014056992.tif 000011
【図８】
2014056992.tif 000012
【図９】
2014056992.tif 000013