(57)【要約】【課題】製造時において非接触ＩＣチップの損傷を防止でき、また、表面の平坦性を向上し、携行時等において非接触ＩＣチップの損傷を防止できる非接触ＩＣカードを提供する。【解決手段】ＩＣカード１は、ＩＣチップ２２が設けられたモジュール基材２１と、モジュール基材２１の下側に積層され、ＩＣチップ２２に対応する領域に孔部１１２ａを有するスペーサ層１１２と、モジュール基材２１よりも上側に配置された上層１１０と、モジュール基材２１よりも下側に配置された下層１３０とを備え、各シートが軟化するまで加熱後、加圧をすることにより、スペーサ層と１１２と下層１３０との層間のうちモジュール基材２１よりも外形の大きい領域が溶着され、上層１１０は、加熱により軟化した状態で徐々に加圧を増加されることにより、ＩＣチップ２２を埋め込むように形成されたＩＣチップ収容部１１０ａを有する。【選択図】図３
2014112408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触ＩＣチップが実装され、前記非接触ＩＣチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナが設けられたモジュール基材と、
前記モジュール基材の前記非接触ＩＣチップが設けられている側の面に積層され、前記非接触ＩＣチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層と、
熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第１シート層と、
熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第１シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第２シート層とを備え、
前記スペーサ層、前記第１シート層、前記モジュール基材及び前記第２シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱後、加圧をすることにより、前記スペーサ層と、前記第１又は第２シート層との層間のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部が溶着され、
前記第１及び第２シート層のうち少なくとも１つは、前記加熱により軟化した状態で徐々に前記加圧を増加されることにより、前記非接触ＩＣチップを埋め込むように形成された非接触ＩＣチップ収容部を有すること、
を特徴とする非接触ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部との間で非接触により通信可能な非接触ＩＣカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、外部との間で非接触で情報通信可能なＩＣカードがあった（例えば特許文献１）。このＩＣカードは、複数の層を積層して、加圧して製造する方法があった。
しかし、従来のＩＣカードは、総厚みを薄く形成しようとすると、製造時において、非接触ＩＣチップに加圧する場合に、非接触ＩＣチップが損傷してしまうことがあった。
また、従来のＩＣカードは、非接触ＩＣチップに対応する部分が、膨らんでしまうため、平坦性が十分ではなく、携行時等において、非接触ＩＣチップに負荷がかかりやすく、非接触ＩＣチップが損傷してしまう場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１８３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、製造時において非接触ＩＣチップの損傷を防止でき、また、表面の平坦性を向上し、携行時等において非接触ＩＣチップの損傷を防止できる非接触ＩＣカードを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下のような解決手段により、課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。また、符号を付して説明した構成は、適宜改良してもよく、また、少なくとも一部を他の構成物に代替してもよい。
【０００６】
第１の発明は、非接触ＩＣチップ（２２）が実装され、前記非接触ＩＣチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ（２３）が設けられたモジュール基材と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第１シート層（１０）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第１シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第２シート層（３０）とを備え、前記第１シート層、前記モジュール基材及び前記第２シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱後、加圧をすることにより、前記第１及び第２シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部（１０ｂ，３０ｂ）が溶着され、前記第１及び第２シート層のうち少なくとも１つは、前記加熱により軟化した状態で徐々に前記加圧を増加されることにより、前記非接触ＩＣチップを埋め込むように形成された非接触ＩＣチップ収容部（１０ａ）を有すること、を特徴とする非接触ＩＣカードである。
第２の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ＩＣチップ（２２）が実装され、前記非接触ＩＣチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ（２３）が設けられたモジュール基材（２１）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第１シート層（１０）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第２シート層（３０）とを備え、前記第１シート層、前記モジュール基材及び前記第２シート層は、積層された状態で、前記各シートが軟化するまで加熱後、加圧をすることにより、前記第１シート層及び前記モジュール基材の層間部が溶着され、前記モジュール基材及び前記第２シート層の層間部が溶着され、前記第１及び第２シート層のうち少なくとも１つは、前記加熱により軟化した状態で徐々に前記加圧を増加されることにより、前記非接触ＩＣチップを埋め込むように形成された非接触ＩＣチップ収容部（１０ａ）を有すること、を特徴とする非接触ＩＣカードである。
【０００７】
第３の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ＩＣチップ（２２）が実装され、前記非接触ＩＣチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ（２３）が設けられたモジュール基材（２１）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記モジュール基材よりも外形が大きく、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第１シート層（１０）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、カード表面を法線方向から見たときに、前記第１シート層と外形が同等であり、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第２シート層（３０）とを積層して配置する積層工程と、前記第１シート層、前記モジュール基材及び前記第２シート層を積層した状態で、前記第１及び前記第２シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、前記加熱工程で前記第１及び前記第２シート層が軟化した状態で、徐々に加圧を増加することにより、前記第１及び第２シート層のうち少なくとも１つに、前記非接触ＩＣチップを埋め込む非接触ＩＣチップ収容部（１０ａ）を形成する非接触ＩＣチップ収容部形成工程と、前記非接触ＩＣチップ収容部を形成後、又は前記非接触ＩＣチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第１及び第２シート層のうち前記モジュール基材よりも外形の大きい領域である縁部（１０ｂ，３０ｂ）を溶着する接着工程と、を備える非接触ＩＣカードの製造方法である。
第４の発明は、熱可塑性樹脂シートにより形成され、非接触ＩＣチップ（２２）が実装され、前記非接触ＩＣチップに電気的に接続され外部との間で非接触により情報の授受を行うアンテナ（２３）が設けられたモジュール基材（２１）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の一方の面側に配置された第１シート層（１０）と、熱可塑性樹脂シートにより形成され、前記モジュール基材の前記一方の面とは異なる面である他方の面側に配置された第２シート層（３０）とを積層して配置する積層工程と、前記第１シート層、前記モジュール基材及び前記第２シート層を積層した状態で、前記第１及び前記第２シート層が軟化するまで加熱する加熱工程と、前記加熱工程で前記第１及び前記第２シート層が軟化した状態で、徐々に加圧を増加することにより、前記第１及び第２シート層のうち少なくとも１つに、前記非接触ＩＣチップを埋め込む非接触ＩＣチップ収容部（１０ａ）を形成する非接触ＩＣチップ収容部形成工程と、前記非接触ＩＣチップ収容部を形成後、又は前記非接触ＩＣチップ収容部を形成しながら、加熱及び加圧をすることにより、前記第１シート層及び前記モジュール基材の層間部を溶着し、前記モジュール基材及び前記第２シート層の層間部を溶着する接着工程と、を備える非接触ＩＣカードの製造方法である。
第５の発明は、第３又は第４の発明の非接触ＩＣカードの製造方法において、前記非接触ＩＣチップ収容部形成工程は、前記加熱工程終了後、待機時間経過してから、加圧を開始すること、を特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
第６の発明は、第３から第５までのいずれかの発明の非接触ＩＣカードの製造方法において、接着工程及び非接触ＩＣチップ収容部形成工程は、平坦性を有する面（３１，３２）で前記第１及び第２シート層の表面を加圧すること、を特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
第７の発明は、第３から第６までのいずれかの発明の非接触ＩＣカードの製造方法において、前記第１シート層（１１０，２１０）及び前記第２シート層（１３０，２３０）のうち少なくとも１つは、厚みが前記非接触ＩＣチップ（２２）よりも薄く、前記非接触ＩＣチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層（１１２，２１２，２３２）を有し、前記積層工程は、前記スペーサ層の前記孔部に前記非接触ＩＣチップを収容するように、前記第１シート層、前記モジュール基材（２１）及び前記第２シート層を積層すること、を特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法である。
【０００８】
第８の発明は、第３から第７までのいずれかの発明の製造方法により製造された非接触ＩＣカードである。
第９の発明は、第１、第２及び第８のいずれかの発明の非接触ＩＣカードにおいて、前記非接触ＩＣチップ（２２）の厚みが７５μｍ以上１６０μｍ以下であり、カード表面のうち前記非接触ＩＣチップを収容している部分の段差が１０μｍ以下であり、このカードの総厚みが４５０μｍ以下であること、を特徴とする非接触ＩＣカードである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）本発明は、第１及び第２シート層をモジュール基材よりも大きく構成し、これらを積層した状態で、各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、第１及び第２シート層の縁部を溶着し、かつ、非接触ＩＣチップ収容部を形成するので、製造時に、非接触ＩＣチップにかかる負荷を低減して、非接触ＩＣチップの損傷を防止できる。
また、本発明は、各シートを軟化させて、非接触ＩＣチップ収容部を形成するので、カード表面の平坦性を向上できる。つまり、非接触ＩＣチップが収容している部分の膨らみを低減できる。このため、例えば、カードを重ねて携行する場合等に、この部分ばかりに外力がかかることを防止できるので、非接触ＩＣチップの損傷やこの部分の表面の損傷を防止でき、また、印字特性を向上できる。
さらに、本発明は、層構成を簡単にでき、薄型化を図ることができる。
（２）本発明は、第１シート層、モジュール基材及び第２シート層を積層した状態で、各シートが軟化するまで加熱をし、加圧をすることにより、各層間を溶着し、かつ、非接触ＩＣチップ収容部を形成するので、上記（１）と同様な効果を奏することができる。
また、本発明は、第１及び第２シート層の縁部を溶着しなくても各層間を溶着できるので、第１及び第２シート層をモジュール基材と同様な外形にでき、カードの外形を小さくできる。
【００１０】
（３）本発明は、平坦性を有する面で第１及び第２シート層の表面を押圧するので、カード表面の平坦性をより向上できる。これにより、非接触ＩＣチップの損傷防止の効果を向上できる。
（４）本発明は、非接触ＩＣチップに対応する領域に孔部を有するスペーサ層を有するので、加圧時において、非接触ＩＣチップにかかる負荷を低減できる。これにより、接触ＩＣチップに対してより大きな圧力で加圧でき、製造時間を短縮できる。また、非接触ＩＣチップ収容部を収容するために、非接触ＩＣチップに押し出された樹脂を、孔部に収容できるので、非接触ＩＣチップ収容部周囲の樹脂のひずみを低減できる。
（５）本発明は、前述したように、軟化させてから加圧するので、非接触ＩＣチップの厚みが７５μｍ以上１６０μｍ以下としても、製造時に非接触ＩＣチップが損傷すること防止できる。また、非接触ＩＣチップ収容部を形成し、非接触ＩＣチップを第１又は第２シート層に埋め込むので、カード表面のうち非接触ＩＣチップを収容している部分の段差を１０μｍ以下に形成し、かつ、総厚みが４５０μｍ以下の薄型のカードを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態のＩＣカード１の平面図及び断面図である。
【図２】第１実施形態のＩＣカード１の製造方法を説明する図である。
【図３】第２実施形態のＩＣカード１０１，２０１の層構成を示す断面図である。
【図４】第２実施形態のＩＣカード１０１，２０１の製造条件を説明するグラフ及び表である。
【図５】第３実施形態のＩＣカード３０１の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
以下、図面等を参照して、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、第１実施形態のＩＣカード１の平面図及び断面図である。
図１（ａ）は、ＩＣカード１の平面図であり、図１（ｂ）は、ＩＣカード１の断面図（図１（ａ）に示すＢ−Ｂ部矢視断面図）である。
なお、以下、図１（ｂ）に示す方向Ｚ１を上側、その反対側の方向Ｚ２を下側として説明する。
【００１３】
ＩＣカード１（非接触ＩＣカード）は、上層１０（第１シート層）と、個片インレット層２０と、下層３０（第２シート層）とを備えている。
上層１０は、ＩＣカード１の上側に配置されたシートである。上層１０は、ＩＣカード１の表面をその法線方向から見たときの形状（以下、「平面形状」という）が、長方形である。上層１０は、単一のシート材により形成されていても、複数のシート材が積層されて形成されていてもよい。上層１０は、ＩＣチップ２２を収容するために、下面を窪ませるように形成したＩＣチップ収容部１０ａ（非接触ＩＣチップ収容部）を有している。
【００１４】
個片インレット層２０は、基材２１（モジュール基材）と、ＩＣチップ２２（非接触ＩＣチップ）と、アンテナコイル２３とを備えている。
基材２１は、平面形状が上層１０及び下層３０よりも一回り小さくなるように、形成されている。
【００１５】
ＩＣチップ２２は、半導体集積回路素子であり、ＩＣカード１の使用目的に応じた識別情報等が記憶されている。ＩＣチップ２２は、基材２１の上側の面に金バンプ等により実装される。
ＩＣチップ２２は、アンテナコイル２３と電気的に接続され、これから必要な電力が供給される。そして、ＩＣチップ２２は、外部のリーダライタ（図示せず）と通信して、識別情報の認証や書き換え等を行う。
【００１６】
アンテナコイル２３は、ＩＣチップ２２が外部のリーダライタと通信を行なうためのアンテナである。アンテナコイル２３は、基材２１の上側の面に形成された導体であり、エッチング等の方法により形成される。アンテナコイル２３は、リーダライタにＩＣカード１１をかざしたときに、リーダライタが形成する磁界により電流が発生して、ＩＣチップ２２に電力を供給する。これにより、ＩＣチップ２２は、外部のリーダライタとの間で無線で非接触により情報の授受を行い、ＩＣチップ２２の識別情報の認証等を行なう。また、このとき必要な情報は、この磁界に乗せられる。
【００１７】
下層３０は、ＩＣカード１の下側に配置されたシートである。下層３０は、平面形状が上層１０と同等である。
【００１８】
上層１０、基材２１及び下層３０は、全てＰＥＴ系の熱可塑性樹脂シートにより形成される。上層１０及び下層３０は、ＰＥＴ−Ｇシートであり、基材２１は、ＰＥＴシートである。
【００１９】
各層の厚みは、以下の通りである。
上層１０：  １２５μｍ
個片インレット層２０：
ＩＣチップ２２：１２０μｍ（実装状態の厚み）
基材２１：７０μｍ
下層３０：１０５μｍ
ＩＣカード１の総厚み（上層１０、基材２１、下層３０を合計した厚み）：３００μｍ
【００２０】
なお、上記各層の厚みは、一例であり、用途等に応じて、自由に設定できる。例えば、ＩＣチップ２２の上面からシート表面までの長さｄ３（図１参照）は、本実施形態では、５μｍ（＝上層１０の厚み−ＩＣチップ２２の厚み）であるが、５０μｍ以下であれば、総厚みが４５０μｍ以下の薄型のＩＣカードを製造できる。
例えば、基材２１が７０μｍ、ＩＣチップ２２が１２０μｍであり、上層１０及び下層３０がそれぞれ１３０μｍである場合には、長さｄ３は、１０μｍになり、総厚み３３０μｍの薄型のＩＣカード１を製造できる。
【００２１】
ＩＣチップ２２は、厚み７５μｍ程度の薄型のものであっても、後述するようにＩＣチップ収容部形成工程において、上層１０を軟化させてから加圧するので、集中応力が緩和されて破損の可能性が低くなる。
一方、ＩＣチップ２２は、１６０μｍ程度の厚型のものであっても、後述するようにＩＣチップ収容部形成工程において上層１０にＩＣチップ収容部１０ａを形成し、上層１０に埋め込まれるので、また、ＩＣチップ２２上部の樹脂を周囲に押し退けるので、ＩＣカード１は、薄型化が可能となる。
また、ＩＣチップ２２が薄型、厚型のものいずれであっても、後述するように、上層１０の上面及び下層３０の下面は、膨らんで盛り上ったりすることがなく、段差（窪みの谷及び膨らみの山の頂点の差）を１０μｍ以下にして、平坦に形成できる。
【００２２】
図２は、第１実施形態のＩＣカード１の製造方法を説明する図である。
図２（ａ）は、積層工程及び低圧加熱工程のＩＣカード１の断面図である。
図２（ｂ）は、接着工程から加圧停止工程までのＩＣカード１の断面図である。
図２（ｃ）は、ＩＣカード１の製造時における加熱、加圧及び各工程時間の関係を説明するグラフである。
図２（ｄ）は、ＩＣカード１の製造条件を変更した場合のＩＣチップの損傷を説明する表である。
【００２３】
ＩＣカード１は、以下の手順で製造する。
（１）積層工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ０）
図２（ａ）に示すように、熱プレス機の下台３１上に、上側から上層１０、個片インレット層２０、下層３０の順に積層する。
（２）低圧加熱工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ０〜Ｔ２）
熱プレス機の上板３２を、上層１０の上面に接するまで降下して、低圧Ｐ１をかけながら、上層１０及び下層３０を加熱する。
【００２４】
低圧Ｐ１は、上層１０の上面及び上板３２の面接触を維持でき、上板３２の熱を上層１０に熱伝達でき、一方、下層３０の下面及び下台３１の面接触を維持でき、下台３１の熱を上層１０に熱伝達できればよい程度の低い圧力である。このため、低圧Ｐ１は、ＩＣチップ２２が破損しない程度の圧力である。
なお、上板３２の下面、及び、下台３１の上面は、ＩＣカード１の上面及び下面を平坦に形成するために、十分な平坦性を有している。
【００２５】
（３）定温維持工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ１〜Ｔ４）
上層１０及び下層３０の温度が温度Ａ１に達し、上層１０及び下層３０が軟化したら、加熱を停止して（図２（ｃ）に示す時間Ｔ１）、その後、加熱停止工程（後述する）まで、上層１０及び下層３０の温度が一定になるように、熱プレス機を調整する。
（４）加圧開始工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ２）
熱プレス機の圧力を、圧力Ｐ１から増加する。
【００２６】
（５）ＩＣチップ収容部形成工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ２〜Ｔ３）
熱プレス機の圧力を、圧力Ｐ１から圧力Ｐ２まで徐々に増加する。上層１０は、軟化、加圧されるので、ＩＣチップ２２に当接している部分１０ｂが徐々に変形し、ＩＣチップ２２よりも上部の樹脂を周囲に押し退け、また、ＩＣチップ２２が徐々に上層１０に埋め込まれて、ＩＣチップ２２を収容するＩＣチップ収容部１０ａが形成される。これにより、ＩＣチップ２２にかかる負荷を低減して、ＩＣチップ２２の損傷を防止できる。
また、ＩＣチップ収容部１０ａが形成されることにより、上層１０及び下層３０の隙間ｄは、徐々に小さくなっていく。
【００２７】
（６）加圧停止工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ３）
圧力Ｐ２に達したら、熱プレス機の圧力増加を停止する。
図２（ｂ）に示すように、このときには、上層１０の下面が基材２１の上面に当接し、上層１０及び下層３０の隙間ｄは、ゼロになっている。
また、上層１０が軟化して、ＩＣチップ収容部１０ａが形成されるので、上層１０の上面及び下層３０の下面は、膨らんで盛り上ったりすることがなく、平坦に形成できる。
【００２８】
（７）定圧定温接着工程（接着工程，図２（ｃ）に示す時間Ｔ３〜Ｔ４）
定圧の圧力Ｐ２、定温の温度Ａ１の状態を維持する。
この工程では、上層１０及び下層３０の隙間ｄが既にゼロになっているので、以下のように各層が接着される。
上層１０及び下層３０は、上層１０の下面の縁部１０ｂ、及び下層３０の上面の縁部３０ｂが当接しているので、熱溶着される。なお、上層１０及び下層３０は、同一のＰＥＴ−Ｇにより形成されているので、熱溶着の相性がよりよく、より強固に接着できる。
【００２９】
また、前述したように、上層１０の上面は、平坦に形成され凹凸が少なく形成されているので、全面に渡って上板３２にほぼ均等な圧力で面接触する。これにより、上層１０の上面のうちＩＣチップ２２を収容している部分に、大きな圧力がかかることを防止して、ＩＣチップ２２の破損を防止できる。
【００３０】
（８）加熱停止工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ４）
上記各層が接着されたら、加熱を停止する。
（９）冷却工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ４〜Ｔ５）
継続して加熱を停止して、各層を十分に冷却する。
なお、上層１０の厚みは、１２０μｍであり、下層３０の厚みは、１０５μｍであり、両者は、ほぼ同等の厚みである。
この厚みの設定と、冷却工程により、ＩＣカード１は、反りや、変形を防止でき、製造後にも形態が維持できる。
（１０）加圧停止工程（図２（ｃ）に示す時間Ｔ５）
各層が十分に冷却されたら、熱プレス機の圧力増加を停止して、一連の工程を終了する。製造されたＩＣカード１は、熱プレス機から取り出す。
【００３１】
なお、上記工程は、その工程における主な作用を説明するものであり、上記説明は、各工程が、完全に分離していることを限定するものでない。例えば、ＩＣチップ収容部形成工程（時間Ｔ２〜Ｔ３）と、接着工程（時間Ｔ３〜Ｔ４）とは、一部が重複するようにしてもよい。つまり、ＩＣチップ収容部１０ａが完全に形成されていない状態で、接着工程が開始されて、各層間の接着が開始されてもよい。
【００３２】
ＩＣカード１の製造における加熱及び加圧条件について説明する。
図２（ｄ）は、Ａ１＝１２０℃、Ｐ２＝２００Ｎ／ｃｍ２を固定条件とし、低圧加熱工程における低圧Ｐ１及び加圧時間Ｔ０〜Ｔ２、定圧定温接着工程における定圧Ｐ２及び時間Ｔ３〜Ｔ４の条件を変更してＩＣカード１を製造した場合に、ＩＣチップ２２の損傷を調べたものである。つまり、ＰＥＴの溶着条件を、Ａ１＝１２０℃、圧力Ｐ２＝２００Ｎ／ｃｍ２として、これを固定条件にして、他の条件を変更したものである。
【００３３】
条件１では、Ｐ１＝３０Ｎ／ｃｍ２の圧力であり、Ｔ０〜Ｔ２＝１５分であり、高圧力かつ長時間の加圧により、ＩＣチップが損傷してしまったと考えられる。
条件２では、Ｐ１＝１０Ｎ／ｃｍ２であり、Ｔ０〜Ｔ２＝５分であり、条件１よりも各条件を緩和したが十分ではないために、ＩＣチップが損傷しまったと考えられる。
条件３では、Ｐ１＝０．５Ｎ／ｃｍ２であり、Ｔ０〜Ｔ２＝５分であり、条件２よりも加圧条件を緩和することにより、ＩＣチップが損傷することがなかった。
【００３４】
以上のように、上記工程及び条件３に従ってＩＣカード１を製造することにより、ＩＣチップ２２が損傷しないことを確認できた。
なお、実際に条件３で製造したＩＣカード１は、上面及び下面のうちＩＣチップ２２を収容している部分の段差（凹凸の差）を測定し、段差を１０μｍ以下にできることを確認済みである。
また、条件３で製造したＩＣカード１は、ＩＳＯ／ＩＥＣ１４４４３  ＴｙｐｅＡの規格を満足できることを確認済みである。
【００３５】
以上説明したように、簡単の層構成、簡単な工程により、ＩＣチップ２２を損傷させることなく、薄型のＩＣカード１を製造できる。
また、ＩＣカード１は、その上面及び下面を、ＩＣチップが収容している部分の膨らみを低減して、平坦に形成できる。このため、例えば、カードを重ねて携行する場合等に、この部分ばかりに外力がかかることを防止できるので、ＩＣチップ２２の損傷を防止できるし、カード表面の亀裂等の損傷を防止できる。さらに、上面及び下面を平坦に形成できるので、印刷特性を向上できる。
【００３６】
（第２実施形態）
次に、本発明を適用した第２実施形態について説明する。
なお、以下の説明及び図面において、前述した第１実施形態と同様の機能を果たす部分には、同一の符号又は末尾に同一の符号を付して、重複する説明を適宜省略する。
図３は、第２実施形態のＩＣカード１０１，２０１の層構成を示す断面図である。
図３（ａ）は、ＩＣカード１０１の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
図３（ｂ）は、ＩＣカード２０１の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
【００３７】
図３（ａ−１）に示すように、上層１１０は、上シート１１１と、スペーサ層１１２とを備えている。上シート１１１及びスペーサ層１１２は、ＰＥＴ−Ｇにより形成される。
上シート１１１の厚みは、１２０μｍである。
スペーサ層１１２の厚みは、８０μｍであり、ＩＣチップ２２よりも薄い。スペーサ層１１２は、ＩＣチップ２２に対応する領域に、孔部１１２ａを有している。孔部１１２ａの開口径は、ＩＣチップ２２の平面形状の外形よりも大きい。
このため、スペーサ層１１２の孔部１１２ａにＩＣチップ２２を収容するように、上層１１０、個片インレット層２０、下層３０を積層すると、上シート１１１の下面が、ＩＣチップ２２に当接することになる。
【００３８】
ＩＣカード１０１の製造時には、上シート１１１及びＩＣチップ２２が当接して、上シート１１１にＩＣチップ収容部１１０ａが形成される。
図３（ａ−２）に示すように、このとき、その部分の樹脂は、ＩＣチップ２２に押し出されるようにして、孔部１１２ａに収容される。
これにより、上シート１１１のうちＩＣチップ収容部１１０ａの周囲の樹脂のひずみを低減できる。
【００３９】
図３（ｂ−１）に示すように、ＩＣカード２０１は、上層２１０だけではなく、下層２３０もスペーサ層２３２及び下シート２３１の２層構成である。
下層２３０のスペーサ層２３２は、上層２１０のスペーサ層２１２の孔部２１２ａと同様な、孔部２３２ａを備えている。
各層の厚みは、以下の通りである。
上層２１０：
上シート２１１：７０μｍ
スペーサ層２１２：４０μｍ
個片インレット層（第１実施形態と同様）：
ＩＣチップ２２：１２０μｍ
基材：７０μｍ
下層２３０：
スペーサ層２３２：４０μｍ
下シート２３１：８０μｍ
【００４０】
図３（ｂ−２）に示すように、ＩＣカード２０１は、以上の層構成により、ＩＣチップ収容部２１０ａを形成するときに、個片インレット層２０が下側にも変形して、ＩＣチップ収容部２１０ａが下層２３０側にも形成される。このため、ＩＣカード２０１は、上層２１０を薄く形成できるので、カードの総厚みをより薄くできる。
【００４１】
図４は、第２実施形態のＩＣカード１０１，２０１の製造条件を説明する表である。
図４（ａ）は、製造工程における熱プレス機の圧力の変化を説明するグラフである。
図４（ｂ）は、ＩＣカード１０１，２０１の製造条件を説明する表である。
【００４２】
ＩＣカード１０１，２０１の製造条件は、第１実施形態のＩＣカード１の条件３と比較すると、低圧Ｐ１がＰ１＝１５Ｎ／ｃｍ２であり、第１実施形態よりも大きい。
【００４３】
このように、本実施形態が低圧Ｐ１を第１実施形態よりも大きくできる理由は、Ｐ１＝１６Ｎ／ｃｍ２という高い圧力で加圧することにより、ＩＣチップ２２が変形しても、スペーサを有しているために、各層が面接触する。このため、ＩＣチップ２２がある程度以上変形せず、ＩＣチップ２２が破損するまで、ＩＣチップ２２に圧力がかかることがない。
【００４４】
以上説明したように、第２実施形態のＩＣカード１０１，２０１は、スペーサ層を備えることにより、第１実施形態よりも大きな圧力がかかっても、ＩＣチップ２２が損傷することがないので、製造時におけるＩＣチップ２２の損傷を防止できる。
【００４５】
（第３実施形態）
次に、本発明を適用した第２実施形態について説明する。
図５は、第３実施形態のＩＣカード３０１の接着前及び接着後の層構成を示す断面図である。
図５（ａ）に示すように、下層３３０には、予め、上面に窪み３３０ａが設けられている。
このため、ＩＣカード３０１は、製造工程において、加圧されると、個片インレット層２０が下側にも変形して、ＩＣチップ収容部３１０ａが下層３３０側にも形成される。
これによっても、ＩＣカード３０１は、第２実施形態のＩＣカード２０１と同様に、上層３１０を薄く形成できるので、カードの総厚みをより薄く形成することができる。
【００４６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、後述する変形形態のように種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の技術的範囲内である。また、実施形態に記載した効果は、本発明から生じる最も好適な効果を列挙したに過ぎず、本発明による効果は、実施形態に記載したものに限定されない。なお、前述した実施形態及び後述する変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。
【００４７】
（変形形態）
（１）実施形態において、上層及び下層の縁部を溶着して、カードを形成する例を示したがこれに限定されない。例えば、上層、下層及びモジュール基材を全てＰＥＴ−Ｇとして、上層及びモジュール基材を溶着可能とし、モジュール基材及び下層を溶着可能としてもよい。この場合、接着（溶着）面積を大きくできるので、各層間を強固に接着でき、また、縁部を設ける必要ないので、カード外形を小さくできる。なお、異なる樹脂同士でも、熱溶着可能で接着できるものであれば、種々の樹脂シートを選択できる。
また、例えば、上層及びモジュール基材の間に接着シートを配置して溶着可能とし、モジュール基材及び下層の間に接着シートを配置して溶着可能としてもよい。
【００４８】
（２）実施形態において、ＩＣチップは、基材の上面に実装されている例を説明したが、これに限定されない。例えば、ＩＣチップは、基材の両面に実装していてもよい。この場合には、前述した工程により、上層及び下層の両層にＩＣチップ収容部を設けることができる。
【符号の説明】
【００４９】
１，１０１，２０１，３０１  ＩＣカード
１０，１１０，２１０，３１０  上層
１０ａ，１１０ａ，２１０ａ，３１０ａ  ＩＣチップ収容部
２０  個片インレット層
２１  基材
２２  ＩＣチップ
２３  アンテナコイル
３０，２３０，３３０  下層
１１１  上シート
１１２  スペーサ層
１１２ａ  孔部
２３１  下シート
２３２  スペーサ層
２３２ａ  孔部
３３０ａ  窪み
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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