(57)【要約】  【課題】  本発明は、ボンディングヘッド等の降下量を自動的に測定し、信頼度の高いダイボンダ及びボンディング方法を提供することである。【解決手段】  本発明は、ダイを吸着するコレットと、先端に前記コレットを備え、前記ダイを吸着する吸着処理と、ワークに前記ダイをボンディングするボンディング処理との少なくとも一方の処理を行う処理ヘッドと、該ボンディングするボンディング面と平行な平行面を備える測定平板と、前記ダイを保持していない時の吸着流量を測定する吸着流量測定手段と、前記処理ヘッドを昇降させる昇降手段と、前記ダイを保持していない前記処理ヘッドを前記測定平板に対して昇降させて、前記処理ヘッドの前記吸着流量が所定の吸着流量である吸着閾値流量を跨いだ時の前記処理ヘッドの昇降位置をオフセット量とし、該オフセット量に基づいて、前記処理時の前記処理ヘッドの降下量を求める制御部と、を備える。【選択図】  図４
2014056980.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイを吸着するコレットと、
先端に前記コレットを備え、前記ダイを吸着する吸着処理と、ワークに前記ダイをボンディングするボンディング処理との少なくとも一方の処理を行う処理ヘッドと、
該ボンディングするボンディング面と平行な平行面を備える測定平板と、
前記ダイを保持していない時の吸着流量を測定する吸着流量測定手段と、
前記処理ヘッドを昇降させる昇降手段と、
前記ダイを保持していない前記処理ヘッドを前記測定平板に対して昇降させて、前記処理ヘッドの前記吸着流量が所定の吸着流量である吸着閾値流量を跨いだ時の前記処理ヘッドの昇降位置をオフセット量とし、該オフセット量に基づいて、前記処理時の前記処理ヘッドの降下量を求める制御部と、
を備えることを特徴とするダイボンダ。
【請求項２】
請求項１記載のダイボンダにおいて、
前記制御部は、前記処理ヘッドを、前記測定平板から所定位置までを少なくとも前記処理時以上の速度を有する高速で降下させ、その後、前記吸着閾値流量の時の前記測定平板から距離である許容距離に基づくステップ単位で降下させる、
ことを特徴とするダイボンダ。
【請求項３】
請求項２記載のダイボンダにおいて、
前記制御部は、前記ステップ単位を前記許容距離より小さくした小ステップ単位で降下させることを特徴とするダイボンダ。
【請求項４】
請求項２記載のダイボンダにおいて、
前記制御部は、前記ステップ単位を前記許容距離より大きくして大ステップ単位で降下させ、前記処理ヘッドの下降によって前記吸着流量が前記吸着閾値流量を跨いだ後は、前記許容距離より小さくした小ステップ単位で上昇させることを特徴とするダイボンダ。
【請求項５】
請求項３又は４記載のダイボンダにおいて、
前記小ステップは、前記処理ヘッドを昇降させるモータの制御分解能であることを特徴とするダイボンダ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のダイボンダにおいて、
前記処理ヘッドは、前記ダイをウェハから吸着し、前記ワークにボンディングするボンディングヘッドであることを特徴とするダイボンダ。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれかに記載のダイボンダにおいて、
前記処理ヘッドは、前記ダイをウェハから吸着し、プリアライメントステージに載置するピックアップヘッドと、該プリアライメントステージに載置された該ダイをピックアップし、前記ワークにボンディングするボンディングヘッドとであることを特徴とするダイボンダ。
【請求項８】
請求項７記載のダイボンダにおいて、
前記プリアライメントステージは、前記測定平板の役目も果たすことを特徴とするダイボンダ。
【請求項９】
コレットでダイを吸着する吸着ステップと、
先端コレットを備える処理ヘッドで前記ダイを吸着する処理、ワークに前記ダイをボンディングする処理との少なくとも一方の処理を行う処理ステップと、
該ボンディングするボンディング面と平行な平行面を備える測定平板に対して、前記ダイを保持していない処理ヘッドを昇降させる昇降ステップと、
前記昇降中に、前記処理ヘッドの吸着流量を測定する吸着流量測定ステップと、
前記吸着流量が所定の吸着流量である吸着閾値流量を跨いだ時の前記処理ヘッドの昇降位置をオフセット量とし、該オフセット量に基づいて、前記処理時の前記処理ヘッドの降下量を求める降下量を求めるステップと、
を備えることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１０】
請求項９記載のボンディング方法において、
前記昇降ステップは、前記処理ヘッドを、前記測定平板から所定位置までを少なくとも前記処理時以上の速度を有する高速で降下させ、その後、前記吸着閾値流量の時の前記測定平板から距離である許容距離に基づくステップ単位で降下させる、
ことを特徴とするボンディング方法。
【請求項１１】
請求項１０記載のボンディング方法において、
前記昇降ステップは、前記ステップ単位を前記許容距離より小さくした小ステップ単位で降下させることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１２】
請求項１０記載のボンディング方法において、
前記昇降ステップは、前記ステップ単位を前記許容距離より大きくして大ステップ単位で降下させ、前記処理ヘッドの下降によって前記吸着流量が前記吸着閾値流量を跨いだ後は、前記許容距離より小さくした小ステップ単位で上昇させることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２記載のボンディング方法において、
前記小ステップは、前記処理ヘッドを昇降させるモータの制御分解能であることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれかに記載のボンディング方法において、
前記処理ヘッドは、前記ダイをウェハから吸着し、前記ワークにボンディングするボンディングヘッドであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１３のいずれかに記載のボンディング方法において、
前記処理ヘッドは、前記ダイをウェハから吸着し、プリアライメントステージに載置するピックアップヘッドと、該プリアライメントステージに載置された該ダイをピックアップし、前記ワークにボンディングするボンディングヘッドとであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のボンディング方法において、
前記プリアライメントステージは、前記測定平板の役目も果たすことを特徴とするダボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンダ及びボンディング方法に係わり、信頼度の高いダイボンダ及びボンディング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイ(半導体チップ)(以下、単にダイという)を配線基板やリードフレームなどの基板や或いは基板上に既に積層されたダイ等のワークに搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ（以下、単にウエハという）からダイを分割する工程と、分割したダイを基板上に搭載するボンディング工程とがある。
【０００３】
ボンディング工程は、ウェハから分割されたダイをダイシングテープから１個ずつ剥離し、コレット（吸着ノズル)と呼ばれる吸着器具を使って基板上にボンディングする。
【０００４】
ボンディング工程を実施する従来技術としては、例えば、特許文献１に記載する技術がある。特許文献１では、コレットをダイの表面を追従させる構造を有するボンディングヘッドの技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２５３０６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、半導体装置の高密度実装を推進する目的で、ダイの薄型化が進められている。ダイの薄型化が進むと、ボンディングヘッド等の降下量を正しく把握しないと、ダイのピックアップ時、或いは基板等への搭載時又は装着時に、目的位置に届かない又はダイに損傷を与える等の悪影響を与える可能性が出てくる。
【０００７】
ボンディングヘッド等の降下量の変動は、特に、コレット製造時の高さのばらつきによる影響が大きい。ダイの薄膜化に伴い、コレット製造時の高さのばらつきが前記悪影響に大きく関与する。また、品種(ダイサイズ)の多様化に伴いコレットを交換する、或いは、高速化に伴いダイの表面の傷や汚染を防止するために、ダイの表面に接触するコレットの交換頻度を高める必要がある。
【０００８】
従って、本発明の目的は、ボンディングヘッド等の降下量を自動的に測定し、信頼度の高いダイボンダ及びボンディング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、ダイを吸着するコレットと、先端に前記コレットを備え、前記ダイを吸着する吸着処理と、ワークに前記ダイをボンディングするボンディング処理との少なくとも一方の処理を行う処理ヘッドと、該ボンディングするボンディング面と平行な平行面を備える測定平板と、前記ダイを保持していない時の吸着流量を測定する吸着流量測定手段と、前記処理ヘッドを昇降させる昇降手段と、前記ダイを保持していない前記処理ヘッドを前記測定平板に対して昇降させて、前記処理ヘッドの前記吸着流量が所定の吸着流量である吸着閾値流量を跨いだ時の前記処理ヘッドの昇降位置をオフセット量とし、該オフセット量に基づいて、前記処理時の前記処理ヘッドの降下量を求める制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、コレットでダイを吸着する吸着ステップと、先端コレットを備える処理ヘッドで前記ダイを吸着する処理、ワークに前記ダイをボンディングする処理との少なくとも一方の処理を行う処理ステップと、該ボンディングするボンディング面と平行な平行面を備える測定平板に対して、前記ダイを保持していない処理ヘッドを昇降させる昇降ステップと、前記昇降中に、前記処理ヘッドの吸着流量を測定する吸着流量測定ステップと、前記吸着流量が所定の吸着流量である吸着閾値流量を跨いだ時の前記処理ヘッドの昇降位置をオフセット量とし、該オフセット量に基づいて、前記処理時の前記処理ヘッドの降下量を求める降下量を求めるステップと、を備えることを特徴とする。
【００１１】
さらに、前記処理ヘッドを、前記測定平板から所定位置までを少なくとも前記処理時以上の速度を有する高速で降下させ、その後、前記吸着閾値流量の時の前記測定平板から距離である許容距離に基づくステップ単位で降下させてもよい。
また、本発明は、前記ステップ単位を前記許容距離より小さくした小ステップ単位で降下させてもよい。
【００１２】
さらに、本発明は、前記ステップ単位を前記許容距離より大きくして大ステップ単位で降下させ、前記処理ヘッドの下降によって前記吸着流量が前記吸着閾値流量を跨いだ後は、前記許容距離より小さくした小ステップ単位で上昇させてもよい。
また、本発明は、前記小ステップは、前記処理ヘッドを昇降させるモータの制御分解能としてもよい。
【００１３】
さらに、本発明は、前記処理ヘッドは、前記ダイをウェハから吸着し、前記ワークにボンディングするボンディングヘッド、又は、前記ダイをウェハから吸着し、プリアライメントステージに載置するピックアップヘッドと、該プリアライメントステージに載置された該ダイをピックアップし、前記ワークにボンディングするボンディングヘッドとであってもよい。
【発明の効果】
【００１４】
従って、本発明によれば、ボンディングヘッド等の降下量を自動的に測定し、信頼度の高いダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態であるダイボンダ１００の概略図を示す図である。
【図２】ボンディングヘッド３１の構成と、ボンディングヘッドの昇降及びダイＤの吸着制御するためのブロックを示す図である。
【図３】吸着流量とコレットの降下量と関係、特に吸着閾値流量と許容距離との関係を示す図である。
【図４】ボンディングヘッドの降下量を定める第１の実施例を示す図である。
【図５】ボンディングヘッドの降下量を定める第２の実施例を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態であるダイボンダを上から見た概念図である。
【図７】実施形態１、２にダイのボンディングフローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施形態１）
図１は、本発明の第１の実施形態であるダイボンダ１００の概略図を示す図である。図１(ａ)は、ダイボンダ１００の上面図であり、図１(ｂ)は、図１(ａ)において矢印Ａから見た正面図である。
ダイボンダ１００は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２と、プリアライメント部３と、ボンディング部４と、基板供給部６と、基板搬出部７と、搬送部５と、各部の動作を監視し制御する制御部８とを備える。
【００１７】
まず、ダイ供給部１を説明する。ウェハ保持台１２は、ウェハ保持ステージ１４(図1(ａ)参照)の４辺側に固定されている。ウェハ保持ステージ１４は、図１(ｂ)に示す保持部基台１７に設けられたＸＹ駆動部１５によりＸ、Ｙ方向に移動し、さらにＸＹ駆動部１５上に設けられた回転駆動部１６により回転するように設けられている。一方、突き上げユニット１３は、保持部基台１７の所定位置に固定され、回転駆動部１６によって選択されたウェハ１１のダイＤを突き上げる。
【００１８】
ピックアップ部２は、突き上げユニット１３で突き上がられたダイを吸着してピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＸ方向に移動させるＸ駆動軸２２と、ウェハ１１のアライメントマーク(図示せず)を撮像し、ピックアップすべきダイＤの位置を認識するウェハ認識カメラ２３(図１(ｂ)参照)とを、備える。Ｘ駆動軸２２によってピックアップヘッド２１は、ダイＤの突き上げ位置とプリステージ３１間を往復し、４個のダイをプリステージ３１にプリステージの長手(Ｙ)方向に列状に配置する。
【００１９】
ボンディング部４は、プリステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｐにボンディングするボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１のダイＤの保持状態を撮像する部品認識カメラ４２と、複数本(図１で４本)のボンディングヘッド４１をＹ方向に移動させるＹ駆動軸４３と、搬送されていた基板Ｐの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディングすべきダイＤのボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４と、を備える。各ボンディングヘッド４１はＹ駆動軸４３の他、図２に示すように、先端に設けられたコレット(吸着ノズルともいう)６０を昇降するためのＺ駆動軸４７を有する。
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、プリステージ３１からダイＤをピックアップし、Ｙ駆動軸に沿って移動中に部品認識カメラ４２でダイＤの保持状態を撮像し、その結果に基づいてボンディング位置・姿勢を補正して、基板ＰにダイＤをボンディングする。この動作をプリステージ３１上の４個のダイに対して同時に又は個別に行なう。
【００２０】
プリアライメント部３は、ピックアップヘッド２１によりピックアップされたダイＤを載置するプリステージ３１と、プリステージ３１を固定する固定板３２と、固定板を水平である図１(ａ)の紙面上下(Ｙ)方向に移動させるＹ駆動軸(プリステージ水平移動手段)３３と、固定板３２を図１(ａ)の紙面左右(Ｘ)方向に移動させるＸ駆動軸３４と、ダイＤのプリステージ３１への載置状態を撮像する載置部品認識カメラ３５と、を備える。
この構成によって、プリアライメント部３は、ピックアップヘッド２１、ボンディングヘッド４１の移動に協調してプリステージ３１をＸ、Ｙ、Ｚ方向に移動させ、ピックアップヘッド、ボンディングヘッドの動作が最短になるようにする。
【００２１】
なお、このようなダイボンダでは、品種(ダイサイズ)に応じてコレットを交換する、或いは、ダイの表面の傷や汚染を防止するために、ダイの表面に接触するコレットの交換頻度を高める必要がある。そのために、ピックアップ部２、ボンディング４に交換用のノズルストッカそれぞれ２４、４５を備えている。
【００２２】
搬送部５は、一枚又は複数枚の基板(図１では４枚)を載置した基板搬送パレット５１と、基板搬送パレット５１が移動するパレットレール５２とを具備する同一構造の第１、第２搬送部とが並行して設けられている。
【００２３】
このような構成によって、基板搬送パレット５１は、基板供給部６で基板を載置され、パレットレール５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後基板搬出部７まで移動して基板搬出部７に基板を渡す。第１、第２搬送部は、互いに独立して駆動される。
【００２４】
図２は、ボンディングヘッド３１の構成と、ボンディングヘッドの昇降及びダイＤの吸着制御するためのブロックを示す図である。ピックアップヘッド２１とボンディングヘッド４１と同一構造を備えているので、ここでは、代表してボンディングヘッド４１で説明する。以下のその他の説明も代表してボンディングヘッド４１で行う。
【００２５】
ボンディンング４１は、コレット６０を保持し、必要な時にコレットを交換できるコレットホルダ６１を先端に備える。ボンディングヘッド４１、コレットホルダ６１及びコレット６０には、ダイＤを吸着保持するために、エアを吸引する連通した吸引孔６０ｖ、６１ｖ及び４１ｖがある。ボンディングヘッド４１の吸引孔４１ｖは、外部に設けられた吸引設備２０に連通し、流量センサＲＳを介してポンプＰＯに接続されている。
【００２６】
図１に示した制御装置８は、内部にボンディングヘッド４１を制御する制御部８Ｃと、制御に必要な制御プログラム、データ等を記憶しているメモリ８Ｍと、ボンディングヘッド４１のＺ駆動軸４７のドライバー４７Ｄ、モータ４７Ｍを備える。制御部８Ｃは、予め得られたデータや位置情報を下にドライバー４７Ｄを駆動する。モータ４３Ｍはパルスモータでもよいし、サーボモータでもよい。なお、図２には、各ボンディングヘッド４１の構成は同じであるので１本のみの構成を示している。
【００２７】
上記構成によって、ダイボンダ１００は、ピックアップヘッド２１でウェハ１１からダイＤをピックアップし、プリステージ３１に載置し、その後、ボンディングヘッド４１でプリステージからダイをピックアップし、基板Ｐに装着する実装処理を行う。実施形態１では、ピックアップヘッド２１とボンディングヘッド４１とが実装処理を行う処理ヘッドである。
【００２８】
上記実装処理において、課題で示したように、例えばボンディングヘッド４１が保持しているコレット６０の交換時における、コレット６０の高さの製造時のバラつきによって、ボンディングヘッド４１の降下量の補正を行う必要がある。
【００２９】
本実施形態では、ダイＤを保持していないボンディングヘッド４１をプリステージ３１に降下させた時に、吸引孔４１ｖ等で構成される吸引経路に流れる吸着流量Ｌが所定の流量になった時、その時のボンディングヘッドの降下量Ｚを、ピックアップ、ボンディング等の諸処理に適したオフセット量Ｚｏと判断する。
【００３０】
本実施形態では、プリステージ３１をボンディングヘッドの降下量Ｚを測定する測定平板５０として用いる。また、所定の流量は、ダイＤを確実にプリステージ３１に載置でき、ダイＤにダメージを与えない流量として規定される。このオフセット量Ｚｏに基づいて、ダイＤの保持する又は保持したボンディングヘッド４１、即ちコレット６０のプリステージ３１及び基板Ｐへの降下量Ｚを定める。
なお、当該所定の吸着流量Ｒを吸着閾値流量Ｒｖとし、吸着閾値流量Ｒｖ時のコレット６０のプリステージ３１からの距離を許容距離Ｌｖとする。図３は、吸着流量Ｒとコレットの降下量Ｚと関係、特に吸着閾値流量Ｒｖと許容距離Ｌｖとの関係を示す。
【００３１】
（実施例１）
図４は、ボンディングヘッド４１の降下量Ｚを定める第１の実施例を示す図である。本実施例では、先ず、目標位置の手前の位置Ｚｔ迄高速に降下さる。次に、許容距離Ｌｖより小さいステップ単位で閾値流量Ｒｖ以下になる迄降下させる。Ｚｔの位置は、使用するコレット６０の高さのばらつきなど考慮して定める。この場合、異なるダイサイズを一括して処理する場合もあり、その場合はＺｔの値は大きくなる場合もある。
本実施例は、許容距離Ｌｖが＋５μｍであり、Ｚ軸の駆動モータＺＭとして１μｍ／パルスのパルスモータを使用する例である。
【００３２】
具体的なフローは次の通りである。まず、目標位置であるプリステージ３１の搭載表面の手前０．５ｍｍまで高速で降下させる(Ｓ１)。次に、真空吸着バルプＶを開く(Ｓ２)。その後、ステップ単位としてパルスモータの制御分解能である１μｍ毎に降下させ(Ｓ３)、吸着流量が吸着閾値流量Ｌｖ以下で有るかを判断する(Ｓ４)。勿論、ステップ単位を１μｍではなく、２μｍ乃至４μｍとしてもよい。
【００３３】
次に、Ｓ４で着閾値流量Ｌｖに達した位置をオフセット量Ｚoとして記憶する(Ｓ５)。オフセット量ＺoにダイＤの厚さを加えた量をプリステージ３１における降下量Ｚｐとする(Ｓ６)。また、オフセット量Ｚoにプリステージ３１の表面と基板表面とのＺ方向の位置ずれを加えたものを基板へのダイ装着時の降下量Ｚｓとする(Ｓ７)。
【００３４】
実施例１では、ステップ単位を許容距離Ｌｖより小さくしたことで、コレット６０が必要以上に降下することなく、ボンディングヘッド４１がウェハ１１、プリステージ３１及び基板Ｐにおいて、ダイＤを確実に処理できる。
【００３５】
（実施例２）
図５は、ボンディングヘッド４１の降下量Ｚを定める第２の実施例を示す図である。本実施例では、まず、目標位置の手前Ｚｔの位置迄高速に降下させ、次に、許容距離Ｌｖより大きいステップ単位で閾値流量Ｌｖ以下になる迄降下させ、その後、許容距離Ｌｖより小さいステップ単位で閾値流量Ｌｖ以上になる迄上昇させる。なお、 実施例２も、許容距離Ｌｖが＋５μｍであり、Ｚ軸の駆動モータＺＭとして１μｍ／パルスのパルスモータを使用する例とする。
【００３６】
従って、実施例２の実施例１と異なる点は、Ｓ２３と、Ｓ２５及びＳ２６である。その他のＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２４及びＳ２７乃至Ｓ２９は、それぞれＳ１、Ｓ２、Ｓ４及びＳ５乃至Ｓ７に対応し同じである。
【００３７】
Ｓ２３では、ステップ単位を、実施例１のＳ３の１μｍではなく、許容距離Ｌｖの２倍の１０μｍとしている。ステップＳ２５、Ｓ２６は、実施例１になく、ステップ単位を許容距離Ｌｖの１／５であるモータの制御分解の１μｍとして上昇させて、許容距離Ｌｖ内に収めている。
【００３８】
実施例２は、実施例１に比べて目標位置の手前Ｚｔに位置に早く到達できる利点がある。
【００３９】
以上説明した実施例１、２を備える実施形態によれば、ボンディングヘッド等の降下量Ｚを自動的に測定でき、信頼度の高いダイボンダを提供できる。
【００４０】
（実施形態２）
図６は、本発明の第２の実施形態であるダイボンダ２００を上から見た概念図である。
ダイボンダ２００は、大別してウェハ供給部２１０と、ワーク供給・搬送部２２０と、ボンディング部２３０と、各部及び後述する各実施例におけるボンディングフローを制御する制御装置２０８とを備える。
【００４１】
ワーク供給・搬送部２２０はスタックローダ２２１と、フレームフィーダ２２２と、アンローダ２２３とを有する。スタックローダ２２１によりフレームフィーダ２２２に供給されたワークは、フレームフィーダ２２２上の２箇所の処理位置を介してアンローダ２２３に搬送される。
【００４２】
ウェハ供給部２１０は、ウエハカセットリフタ２１１とピックアップ装置２１２とを備える。ウエハカセットリフタ２１１は、ウエハリングが充填されたウエハカセット(図示せず）を備え，順次ウエハリングをピックアップ装置２１２に供給する。ウエハリングはダイＤを有するウェハＷを保持し、ピックアップ装置２１２はウエハリングを保持する。
【００４３】
ボンディング部２３０は、プリフォーム部２３１とボンディングヘッド部２３２とを備える。プリフォーム部２３１は、フレームフィーダ２２２により搬送されてきたワークにダイ接着剤を塗布する。
【００４４】
ボンディングヘッド部２３２は、ボンディングヘッド４１と測定平板５０とを有する。ボンディングヘッド４１は、ピックアップ装置２１２からダイＤをピックアップして上昇し、ダイＤを平行移動してフレームフィーダ２２２上のボンディングポイントまで移動させる。そして、ボンディングヘッド４１は、ダイＤを下降させダイ接着剤が塗布されたワーク上にボンディングする。測定平板５０は、実施形態１のプリステージ３１の替わりに設けたもので、実施例１、２に説明した方法でボンディングヘッド４１の降下量Ｚを定めるためのものである。
【００４５】
上記に説明したように、実施形態２の実施形態１と異なる点は、ピックアップ部２がなく、ボンディンングヘッド３１が直接ウェハＷからダイＤをピックアップし、基板などのワークに装着する点である。それ故、実施例１、２に説明した方法でボンディングヘッド４１の降下量Ｚを定めるために、ボンディングヘッド４１の可動範囲に測定平板５０を設けたものである。プリステージ３１を測定平板に変えても、実施例１、２に示す方法は変わることなく適用できる。実施形態２では、実装処理を行う処理へッドはボンディングヘッド４１のみである。
【００４６】
実施形態２おいても、実施例１、２を備えることができ、実施形態１と同様にボンディングヘッドの降下量Ｚを自動的に測定でき、信頼度の高いダイボンダを提供できる。
【００４７】
図７は、実施形態１、２にダイのボンディングフローを示す図である。
まず、コレット６０をボンディングヘッドに取り付ける(Ｓ１)。実施例１又は実施例２に基づいてオフセット量Ｚo を測定する(Ｓ２)。次に、オフセット量Ｚoに基づいて、ボンディングヘッド４１、必要によってはピックアップヘッド２１の処理を実施するため降下量Ｚを補正する(Ｓ３)。その後，ダイＤの実装を行う(Ｓ４)。実装中にコレット６０の交換時期を判断する(Ｓ５)。交換が必要であれば、Ｓ１に行きコレット６０を交換し、Ｓ２以下の処理を継続する。最後に、所定の実装処理が終了したかを判断し処理を終了させる(Ｓ６)。
【００４８】
以上説明した処理フローによれば、ボンディングヘッド等の降下量Ｚを自動的に測定でき、信頼度の高いボンディング方法を実現できる。
【００４９】
なお、図４、図５及び図７に示した制御は、制御装置８又は制御装置２０８に設けられた制御部で行われる。
【００５０】
以上のように本発明の実施態様について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々の代替例、修正又は変形を包含するものである。
【符号の説明】
【００５１】
１：ダイ供給部                            １１：ウェハ
１２：ウェハ保持台                        １３：突き上げユニット
１４：ウェハ保持ステージ                  １５：ＸＹ駆動部
１６：回転駆動部                          ２：ピックアップ部
２１：ピックアップヘッド                  ２２：Ｘ駆動軸
２４：ピックアップ用ノズルストッカ        ３：プリアライメント部
３１：プリアライメントステージ(プリステージ）
４：ボンディング部                        ４０ｖ：吸引孔
４１：ボンディングヘッド                  ４１ｖ：吸引孔
４５：ボンディングヘッド用ノズルストッカ  ４７：Ｚ駆動軸
５：搬送部                                ６：基板供給部
７：基板搬出部                            ８、２０８：制御部
５０：測定平板                            ６０：コレット
６０ｖ；吸引孔                            ６１：コレットホルダ
６１ｖ；吸引孔                            １００，２００：ダイボンダ
２１０：ウェハ供給部                      ２２０：ワーク供給・搬送部
２３０：ボンディング部                    Ｄ：ダイ
Ｌｖ：許容距離                            Ｐ：基板
ＰＯ：ポンプ                              ＲＳ：流量センサ
Ｒｖ：吸着閾値流量                        Ｖ：真空吸着バルプ
Ｚ：降下量                                Ｚｏ：オフセット量
Ｚｔ：目標位置の手前の位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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