(57)【要約】【課題】製品の薄型化、低コスト化を図り、かつ内部の気密性低下を防止することができ、また差動式リークテスタに頼ることなく、製造過程のＭＡＰ基板全体でリーク検査を一括して効率良く実施できるようにする。【解決手段】ＭＡＰ基板１に多数の誘電体ダイス１０がフリップチップ搭載された後、全体を樹脂シートで封止し、封止樹脂１６を形成した後、ダイシングブレードにより個片分割仮想線に沿ってＭＡＰ基板１に到達する深さのハーフダイシングを行い、これにより加工された溝５０に低粘度樹脂１８を塗布し、減圧した後、硬化させ、その後ハーフダイシングのブレード幅より小さい幅のダイシングブレードにより、低粘度樹脂１８及びＭＡＰ基板１をフルダイシングして個片化する。また、低粘度樹脂１８を塗布した後、減圧工程で発生する発泡痕の有無を検出し、リーク検査を実施する。【選択図】図１
2014112607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＡＰ基板に複数のチップがフリップチップ搭載された後、各チップの中空構造を確保しながら全体を樹脂封止する樹脂封止工程と、
この樹脂封止工程の後、ダイシングブレードにより封止樹脂面上の個片分割仮想線に沿って上記ＭＡＰ基板に到達する深さのハーフダイシングを行うハーフダイシング工程と、
このハーフダイシング工程で得られた加工溝に対して低粘度の樹脂を塗布し、減圧した後、硬化させる低粘度樹脂塗布工程と、
この低粘度樹脂塗布工程の後、上記ハーフダイシング工程のダイシングブレード幅より小さい幅のダイシングブレードにより上記低粘度樹脂部及びＭＡＰ基板をフルダイシングする個片化工程と、からなる中空構造を有する装置の製造方法。
【請求項２】
ＭＡＰ基板に複数のチップがフリップチップ搭載された後、各チップの中空構造を確保しながら全体を樹脂封止する樹脂封止工程と、
この樹脂封止工程の後、ダイシングブレードにより封止樹脂面上の個片分割仮想線に沿って上記ＭＡＰ基板に到達する深さのハーフダイシングを行うハーフダイシング工程と、
このハーフダイシング工程で得られた加工溝に対して低粘度の樹脂を塗布し、減圧した後、硬化させる低粘度樹脂塗布工程と、を含む中空構造を有する装置の製造において、
上記低粘度樹脂塗布工程の減圧工程で発生する発泡痕の有無を検出し、この発泡痕があるとき製品不良と判定する中空構造を有する装置の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に樹脂封止により中空構造を確保する半導体装置や誘電体装置の製造方法及び検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機器、映像機器、オーディオ機器等の小型化、薄型化の進展に伴い、これら機器に使用される半導体装置、誘電体装置の小型化、薄型化の要求が一層高まっており、一部の機器では、搭載部品点数の削減と、回路ブロック毎の動作保証、小型化を達成するために、モジュール製品を積極的に使う流れが起こっている。このモジュール製品に要求される半導体装置、誘電体装置は、モジュール基板状態で薄型化された機器に搭載するため、小型化のみならず、薄型化に対しての要求が強く、０．５〜０．６ｍｍ程度以下の厚さまで薄型化が進んでいる。
【０００３】
半導体装置、誘電体装置の小型化及び薄型化を両立するには、装置と機能チップ間の接続方式として、フリップチップボンディング方法が有効であり、積極的に様々なアプリケーションに用いられている。一方、上記誘電体装置では、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）デバイス、水晶デバイスのように中空構造（中空空間）をとる例が多く、この中空構造をとりながら、薄型化、小型化を達成する必要性が高まっている。その他、中空構造は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス関連の装置等にも用いられる。
【０００４】
図７には、従来の中空構造を持つＳＡＷデバイス（誘電体装置）の構成が示されており、このデバイスは、２層以上のセラミック基板からなるＭＡＰ（Mold Array Package）基板１において、下面側電極からＶＩＡホール２を介して設けられている電極３に誘電体ダイス４が接続され、この誘電体ダイス４には、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極（櫛歯型電極）５が形成される。また、側面部６の上面に、Ａｕ−Ｓｎ合金層７を介してコバール板（金属板）８が貼り付けられることで、ＣＡＮ封止される。
【０００５】
従来の中空構造を持つ装置は、図７のＳＡＷデバイスのように、その接続方式が小型化のためワイヤボンド接続からフリップチップ接続へ移行されつつあり、このフリップチップ方式は、従来ワイヤボンドで用いられてきたセラミック基板が一般に３層基板であったのに対し、２層基板を適用できるため、材料費のコストダウンにも有利な方法となる。また、封止方式としては、低コスト化、高生産性のため、ＣＡＮ封止方式から樹脂封止方式が新たに適用されている。また、上述のＳＡＷデバイスでは、圧電ウエハの上にＩＤＴ電極５及び反射器を形成することにより構成されており、上記圧電ウエハには、例えば、ＬＴ（ＬｉＴａＯ３）材等の高誘電材料が用いられる。
【０００６】
上記樹脂封止方式の場合、金属封止であるＣＡＮ封止方式と同様に空気（Ｎ２、Ｏ２等の大きな分子）の侵入を抑えることができるが、水分についてはある程度の透過があり、耐湿性に関する信頼性の低下が認められる。しかしながら、ＣＡＮ封止に比べ、封止材料コストが安いこと、ＭＡＰ基板に適用した場合、バッチ処理によって生産性が高い等のメリットから、要求信頼性の高くない携帯電話等の民生製品に対して適用されるようになってきている。
【０００７】
また、ＳＡＷテバイスの場合、その中空空間は真空若しくは窒素等の不活性ガス雰囲気で気密封止されるが、この封止の気密性が悪い場合は、中空空間は外気と連通し、振動条件が変化すると共に、外気によりＩＤＴ電極５が腐食して、特性劣化を引き起こすことになる。
【０００８】
上記樹脂止方式の例として、特許文献１（特開２００３−１７９７９号公報）等にて提案されているゲル状硬化性シート（樹脂シート）を用い、ヒートプレスにより製造する方法がある。この場合の樹脂シートは、一般にフリップチップ接続をされたＭＡＰ基板に対して適用されているが、樹脂がチップ端から侵入し、ＩＤＴ電極まで到達し接触すると、振動条件が変化するため、１５０℃程度の成型条件に対して、１００〜１０ＭＰａの高粘度に維持されるような特性に調整されている。この場合に用いられるＭＡＰ基板は、セラミックとすることで、基板からの水分の透過を防止することができ、またフリップチップ搭載されることで、ＩＤＴ電極がセラミックにカバーされるような断面構造となり、水分透過ルートは、１０〜３０μｍ程度の狭いフリップチップ接合高さ分の搭載チップ周辺のみとなるため、耐湿性が向上する。
【０００９】
上記中空構造を確保するために上記樹脂シートを用いる以前では、特許文献２（特開２００２−４３８８９号公報）等のように、高粘度、高チクソ性の液状樹脂を適用した例もあるが、この場合は、シール安定性、ＩＤＴ電極への樹脂接触不良、閉じ込められた大気圧の空気がキュア中の温度で膨張し、液状樹脂のシール壁を崩壊させる等の問題があり、量産では殆ど適用されていない。また、液状樹脂による方法では、搭載チップがむき出しになる例が多く、マザーボード実装の際にハンドリングダメージによるチップクラック、凹凸形状に対する吸着エラー等が発生し易くなる。
【００１０】
また、特許文献３（特開２０１１−１８６７１号公報）では、ＭＡＰ基板上にチップを搭載し、樹脂層で成型した後、ハーフダイシングにて基板が繋がった状態で個片部を分断し、接着層として熱溶着シート等を貼り付けた後、フッ素樹脂、テフロン（登録商標）シート等の耐湿層にて被覆し２層構造を取ることによって、水分の浸入を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１７９７９号公報
【特許文献２】特開２００２−４３８８９号公報
【特許文献３】特開２０１１−１８６７１号公報
【特許文献４】特開２００５−２７０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記特許文献３の方法では、チップを樹脂層で成型した後、接着層、耐湿層の２層でコートされるため、製品厚が厚くなり、モジュール製品へ搭載する部品には適していないという問題がある。また、上述したように、要求信頼性が高くない携帯電話等の民生製品に対しては、上記対応は必要条件ではなく、コスト高にもなる。
【００１３】
上記ＭＡＰ基板のダイシングには、ダイヤモンド砥粒を含ませた樹脂、セラミックあるいはめっきのダイシングブレード（以下、ブレードとする）を用いる。このブレードは、０．１〜０．３ｍｍ程度の幅を持った円形であり、そのブレードにて切断されたライン（以下、ダイシングライン）は、略ブレード幅と同じ幅の軌跡が残るように、基板の一部が粉砕除去されることで現れる。このダイシングラインの幅は、なるべく狭い幅とした方がＭＡＰ基板内の製品取個数が増え、切断負荷が減りダイシングバリ等の発生が抑えられる。
【００１４】
また、上記樹脂封止方式のダイシングでは、ＭＡＰ基板とそれに被覆されているモールド部分を同時に切断する場合、その切断負荷によってＭＡＰ基板とモールド部分の接着面に剥離／クラックが発生し、装置内部の気密性が低下するという問題があった。
【００１５】
更に、従来では、ＳＡＷデバイス等、中空構造を有する半導体装置或いは誘電体装置において、樹脂シートを用いて樹脂封止をする場合、製品に対して行われるリーク検査（リークテスト）を良好に実施することができないという問題があった。
即ち、図７に示した従来のＳＡＷデバイスは、上述のようにＣＡＮ封止の例であるが、このＣＡＮ封止のＳＡＷデバイスの場合、チップサイズが１．０ｍｍ□（縦横）×０．２ｍｍｔ程度、デバイス内容積サイズが２．５ｍｍ□程度、ＣＡＮ封止部の高さを０．４ｍｍｔ程度、ＭＡＰ基板とダイスのギャップを２０μｍ程度とすると、ＣＡＮ封止の中空構造（空間）の容積Ｖ１（ｍｍ３）は、
Ｖ１＝２．５×２．５×０．４−１．０×１．０×（０．２＋０．０２）
＝２．２８（ｍｍ３）
となり、一般に用いられてきた差動式（差圧式）リークテスタによってリーク選別を行うことが可能であった。
【００１６】
しかしながら、一般の差動式リークテスタの検出容積限界は、０．０５ｍｍ３程度といわれており、上記樹脂シートにより成型する場合は、ＣＡＮ封止に比べて中空構造の容積が小さく、上記検出容積限界を下回ることとなるため、リーク不良判定が困難な状況となっている。また、差動式リークテスタは、１デバイス毎の測定となるため、検査効率が悪く、生産数量の増加に伴って大きな投資が必要になるという問題がある。
【００１７】
一方、特許文献４（特開２００５−２７０８９号公報）では、検査効率の向上のため、水、アルカリ溶液に浸漬し、更に煮沸等を行うことにより、リーク不良品に対してＩＤＴ電極を腐食させ、電気特性を劣化させるバッチ処理で不良を識別する。
【００１８】
しかしながら、上記の水、アルカリ溶液を用いた場合は、浸漬及び煮沸等の処理によって外部接続電極を腐食させる懸念があり、良品に対してもダメージを与える可能性がある。また、特許文献４では、フッ素系不活性液体を用いる例も示されており、この場合は、腐食および耐絶縁性等の懸念はないが、小容積の樹脂封止製品に対しては、不良品の中空構造に侵入したフッ素系不活性液体の容積が小さいため乾燥が早く、浸漬引き上げ後の電特評価までの時間管理が厳しく、個片サイズが小さくなり、ＭＡＰ基板上の製品取個数が多くなるにつれて、測定時間を要する状況となるため、リーク不良品が良品復帰する誤選別を引き起こす危険性がある。
【００１９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、製品の薄型化、低コスト化を図り、かつ内部の気密性低下を防止することができる中空構造を有する装置の製造方法、また差動式リークテスタに頼ることなく、製造過程のＭＡＰ基板全体でリーク検査を一括して効率良く実施することが可能となる中空構造を有する装置の検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明の中空構造を有する装置の製造方法は、ＭＡＰ基板に複数のチップがフリップチップ搭載された後、各チップの中空構造を確保しながら全体を樹脂封止する樹脂封止工程と、この樹脂封止工程の後、ダイシングブレードにより封止樹脂面上の個片分割仮想線に沿って上記ＭＡＰ基板に到達する深さのハーフダイシングを行うハーフダイシング工程と、このハーフダイシング工程で得られた加工溝に対して低粘度の樹脂を塗布し、減圧した後、硬化させる低粘度樹脂塗布工程と、この低粘度樹脂塗布工程の後、上記ハーフダイシング工程のダイシングブレード幅より小さい（細い）幅のダイシングブレードにより上記低粘度樹脂部及びＭＡＰ基板をフルダイシングする個片化工程と、からなることを特徴とする。
請求項２に係る発明の中空構造を有する装置の検査方法は、ＭＡＰ基板に複数のチップがフリップチップ搭載された後、各チップの中空構造を確保しながら全体を樹脂封止する樹脂封止工程と、この樹脂封止工程の後、ダイシングブレードにより封止樹脂面上の個片分割仮想線に沿って上記ＭＡＰ基板に到達する深さのハーフダイシングを行うハーフダイシング工程と、このハーフダイシング工程で得られた加工溝に対して低粘度の樹脂を塗布し、減圧した後、硬化させる低粘度樹脂塗布工程と、を含む中空構造を有する装置の製造において、上記低粘度樹脂塗布工程の減圧工程で発生する発泡痕の有無を検出し、この発泡痕があるとき製品不良と判定することを特徴とする。
【００２１】
上記の請求項１の構成によれば、ＭＡＰ基板上に複数のチップがフリップチップ搭載され、その上から樹脂シートを載せ、ヒートプレスにて成型した後、隣接製品間を第１ダイシングブレード（ダイサー）にて切断し、樹脂シート部を完全切断し、ＭＡＰ基板を完全切断しない深さでハーフダイシングが行われる。その後、樹脂シート表面に付着しないように、その狭いハーフダイシング溝の幅を狙って、ジェットディスペンス式によって、アンダーフィル樹脂等の低粘度樹脂が塗布され、この低粘度樹脂の塗布の後、真空チャンバー内で減圧処理を行い、樹脂を硬化させた後、上記第１ダイシングブレード幅より小さい幅の第２ダイシングブレードにより上記低粘度樹脂部及びＭＡＰ基板がフルダイシングされ、個々の装置が個片化される。
【００２２】
また、請求項２の構成によれば、上記の低粘度樹脂塗布工程で、減圧処理が行われると、リーク不良品では、装置の中空構造空間に取り込まれている常圧又は常圧に近い空気が、減圧された周辺雰囲気との差圧によって装置外部に排出され、排出された空気が低粘度樹脂をバブル状態で通過し、封止樹脂表面に到達したとき、体積が膨張して割れる時に発生する低粘度樹脂飛散物が封止樹脂表面に付着するという現象が生じ、痕跡として発泡痕が残る。従って、この発泡痕を画像検査によって検出することで、発泡痕のある部分の製造物（装置）が不良品として判定される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の中空構造を有する装置の製造方法によれば、従来のように、接着層である熱溶融シート等と耐湿性樹脂とからなる２層構造によって耐湿性を確保する方法を採用することなく、製品の薄型化、低コスト化を図ることができ、特にモジュール製品へ搭載する装置に適したものを得ることが可能となる。
また、個々の装置（製品）の側面周囲に低粘度樹脂が残るため、ダイシング負荷時に懸念されるＭＡＰ基板とモールド部分の接着面の剥離／クラックが発生し難くなり、この剥離／クラックによる装置内部（中空構造）の気密性の低下が防止できるという効果がある。
【００２４】
更に、リーク不良品は、上記真空チャンバー内での減圧処理の過程で、ハーフダイシングの加工溝に塗布されている低粘度樹脂がリーク経路を通して中空構造内に侵入し、例えばＳＡＷデバイスであれば、侵入した樹脂が、ＩＤＴ電極まで到達し接触すると、振動条件が変化して特性変動を起こすので、特性テストで不良選別することも可能となる。
【００２５】
本発明の中空構造を有する装置の検査方法によれば、小容積の中空構造（中空空間）におけるリーク検出感度が高いため、差動式リークテスタに頼ることなく、容易にリーク検査を実施することができる。また、ハーフダイシング、ジェットディスペンス式塗布をＭＡＰ基板単位で行い、真空チャンバー内での減圧処理を数枚のＭＡＰ基板で行うことができるため（バッチ処理となるため）、高い効率で検査を実施することが可能となる。
また、発泡痕は電極がない封止樹脂表面にのみに現れるため、水、アルカリ又はフッ素系不活性液体を用いる従来の試験方法とは違い、外部電極の導電性の不具合が発生することがなく、または測定時間の制約による誤判定を引き起こすという問題もないという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施例に係る中空構造を有する装置の製造方法において、低粘度樹脂塗布工程までの製造物（装置）の構成を示す側面断面図である。
【図２】図１の製造物の上面図である。
【図３】実施例の中空構造を有する装置の検査方法において、減圧処理時の製造物の構成を示す側面断面図である。
【図４】実施例の製造物（中空構造を有する装置）の一部の上面を示し、図（Ａ）はリーク発生時の状態図、図（Ｂ）はリーク発生がないときの状態図である。
【図５】実施例の中空構造を有する装置の製造方法において、ダイシングブレードにて個片化したときの製造物の構成を示す側面断面図である。
【図６】実施例で個片化された装置の斜視図である。
【図７】従来のＳＡＷデバイスの構成を示す側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
図１には、実施例の中空構造を有する装置の製造方法において、樹脂封止工程、ハーフダイシング工程を終了し、低粘度樹脂塗布工程での製造物の状態が示され、図２には、図１の製造物の上面が示されており、実施例の中空構造を有する装置は、ＳＡＷデバイス（誘電体装置）である。図１において、１０は、チップとしての誘電体ダイス（ＬｉＴａＯ３又はＬｉＮｂＯ３）であり、この誘電体ダイス１０の下面（表面）側にＩＤＴ電極５が形成されている。また、ＭＡＰ基板１の下面に、半田実装面側の電極１２が設けられ、ＭＡＰ基板１の上面には、ＶＩＡホール２を介して上記電極１２に接続されるチップ搭載面側の電極３が設けられており、この電極３に対して上記誘電体ダイス１０のボンディングパッド１３が金等のバンプ１４を介してフリップチップ接合されることで、多数個の誘電体ダイス１０がＭＡＰ基板１上に配置される。
【００２８】
このＭＡＰ基板１上の多数個の誘電体ダイス１０の上面（裏面）側に対して、封止樹脂１６となるタックのある樹脂シートを仮貼り付けした後、この樹脂シートにヒートプレスにて誘電体ダイス１０とＭＡＰ基板１の上面に密着するよう圧力をかけて成型（封止）する。このとき、封止樹脂１６のシートは、１５０℃程度の成型条件に対して１００〜１０ＭＰａの高粘度に維持されるような特性に調整されている。また、ＭＡＰ基板１と誘電体ダイス１０のギャップを１０〜３０μｍ程度と低く設定することによって、変形流動する樹脂シート（１６）は、ＭＡＰ基板１にしっかり密着するが、中空構造の空間（中空空間）Ｓにはダイス端より５０μｍ程度しか侵入しない条件とすることができ、ＩＤＴ電極５には樹脂が接触することはなく、振動条件が変化することはない。この封止樹脂１６は、ポリマーであるため、Ｎ２、Ｏ２等の大きな気体分子を透過させることはなく、完全にシールができていれば、中空空間Ｓはその雰囲気を推持することができる。
【００２９】
上記ヒートプレス時には、プレス金型を内側、外側の２重構造とし、封止樹脂１６のシートをプレスする前に外側の金型でクランプし、不活性ガスの充填、真空ポンプによる減圧をした後、内側の金型でプレスすることによって、中空空間Ｓもその雰囲気にすることができる。封止の気密性が悪い場合は、中空空間Ｓは外気と連通されてしまい、振動条件が変化すると共に、外気によりＩＤＴ電極５が腐食して、特性劣化を引き起こしてしまう。
【００３０】
モールド厚は、封止樹脂１６のシートの厚みによって決定され、所望の厚みにする場合、中空空間Ｓと誘電体ダイス１０を除く容積を満たす樹脂シート厚を選択することによって達成される。従来のトランスファー成型方法では、樹脂流動性を考慮し、ダイス１０上の樹脂厚を１５０μｍ程度以上とする設計が行われており、薄型化の限界であったが、この樹脂シートを用いた成型方法は、ダイス１０上の樹脂厚を１００μｍ以下にすることも可能であり、薄型製品の製造に適した方法である。
【００３１】
例えば、誘電体ダイス１０のサイズが１．０□（縦横）ｍｍ程度、ＭＡＰ基板１と誘電体ダイス１０のギャップが２０μｍ程度とすると、中空空間Ｓの容積Ｖ２（ｍｍ３）は、
Ｖ２＝１．０×１．０×０．０２＝０．０２（ｍｍ３）
となり、従来のＣＡＮ封止による上記容積Ｖ１に比べて、中空空間容積は約１／１００と小さくなる。封止樹脂１６による中空空間容積Ｖ２は、差動式リークテスタの検出限界０．０５ｍｍ３を下回っており、このテスタによるリーク不良品の選別を実施することは不可能な状況となっている。
【００３２】
次に、上記封止樹脂１６の成型後に１５０℃で２時間程度の硬化が実施された後、隣接製品間を、０．２〜０．３ｍｍ程度のブレード幅を持った第１ダイシングブレードによって、ハーフダイシングが行われ、図２にも示される溝５０が形成される。この溝５０の深さは、封止樹脂１６の部分を完全切断し、かつＭＡＰ基板１が完全切断されない程度の深さとなるように実施する。例えば、樹脂厚［＝ダイス上樹脂厚（０．１ｍｍ程度）＋ダイス厚（０．２ｍｍ程度）＋ＭＡＰ基板１とダイス１０のギャップ（０．０２ｍｍ程度）］を完全切断し、０．２〜０．３ｍｍ程度の厚みを持つＭＡＰ基板１が破壊をしない程度の切り込み深さ（０．０５ｍｍ程度）に設定すると、０．４ｍｍ程度が最適な切り込み深さとなる。
【００３３】
その後、上記０．２〜０．３ｍｍ程度の狭いハーフダイシングの溝５０を狙って、封止樹脂１６上１ｍｍ程度の高さからジェットディスペンサー１７（ジェットディスペンス式）により低粘度樹脂１８を塗布する。従来から、液状樹脂の塗布には、一般にエアーディスペンス式が用いられるが、この方式では、内径φ０．１５〜φ０．５ｍｍ程度の内径をもつニードルを用いて塗布され、樹脂塗布サイズは樹脂の表面張力等の影響も受け、φ０．５ｍｍ程度が最小サイズとなる。一方、ジェットディスペンス式は、ある一定容積の空間に樹脂をエア圧で充填し、充填された樹脂に対して、高速に上下運動をするロットをぶつけ、そのインパクトによって押し出すもので、塗布サイズをφ０．０７５ｍｍ程度まで小さくすることができる。
【００３４】
即ち、上記低粘度樹脂１８は、常温で数Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓの樹脂を用い、例えば含有フィラーも１０μｍ程度と小さく、流動性が高いアンダーフィル樹脂が好適である。上記ジェットディスペンス式では、シリンジから２ｋｇｆ／ｃｍ２程度の圧力を加えて、樹脂を射出空間に充填しつつ、充填前近傍の樹脂及び射出空間に充填された樹脂をヒータで４０℃程度に暖め、５Ｐａ・ｓ程度以下と更に低粘度化しながら、ロットと呼ばれるニードルにて樹脂を叩きだすようにして射出する。この射出した低粘度樹脂１８の粒は、射出空間を小さくすることで、φ０．０７５ｍｍ程度まで小さくできるため、ハーフダイシングの溝５０の位置を直接画像にて確認するか、ダイシングと同じ基準のアライメントマークを用いることによって、封止樹脂１６表面に低粘度樹脂１８を付着させることなく、溝５０の中に低粘度樹脂１８を良好に塗布することができる。この塗布量は、溝５０の底面を完全に充填させる量が下限で、溝５０から溢れないことが上限の範囲であり、またジェットディスペンス式の場合、上記射出空間の容積、射出周波数、塗布速度の３要素でほぼ決定され、エアーディスペンス式で一般に起こる樹脂粘度増加による塗布量の減少は起こり難い。
【００３５】
図３には、実施例の中空構造を有する装置の検査方法おいて、真空チャンバー内で減圧処理をしたときの状況が示され、図４には、検査時の製造物の上面が示されている。上述したように、ジェットディスペンス式によって、ハーフダイシングの溝５０に低粘度樹脂１８が塗布された製造物（ＭＡＰ基板１）を、通常は数基板単位で、それら基板１を収納できる容器毎に真空チャンバー２０に入れ、真空ポンプにて数１０Ｔｏｒｒ程度まで周辺雰囲気を減圧させる。このとき、図３のように、リーク不良部２１が発生すると、このリーク不良部２１があるハーフダイシングの溝５０では、本来リークすることがない中空空間Ｓから常圧又は常圧に近い空気等が漏れ、その空気等が周辺雰囲気との差圧によって装置外部に排出され、この排出された空気等が低粘度樹脂１８の中をバブルＢａ状態で通過し、低粘度樹脂１８の表面に到達した際、減圧された雰囲気下で体積膨張が起こり、発泡Ｂｂが発生する。この発泡Ｂｂは、ある程度の大きさ以上になると破裂し、樹脂飛散物が封止樹脂１６表面に付着することで、発泡痕２２が確認される。真空チャンバー２０内での減圧処理は３０分程度とすることで、低粘度樹脂１８に含有している溶剤等の揮発成分が抜け、硬化物性に問題が出ないようにするができ、またリーク不良部２１を確実に検出することができる。上記リーク不良部２１の検査工程は、基板単位でのバッチ処理にて行うことができるため、従来の差動式リークテスタに比べて、検査効率が高いという利点がある。なお、発泡Ｂｂは、リーク不良部２１に隣接する部分にも飛散するが、リーク不良部２１は集合的に発生することが多く、歩留り低下を招くことは少ない。
【００３６】
上述のように、真空チャンバー２０内の減圧処理を行った後は、１５０℃、２時間程度のキュアを行い、低粘度樹脂１８を硬化させる。この低粘度樹脂１８は、常温で数Ｐａ・ｓ〜５０Ｐａ・ｓの低粘度のものを用いることで、封止樹脂１６表面に飛散した樹脂１８は広がり、発泡痕２２は、図４（Ａ）で示されるように、数１００μｍ以上と比較的大きく現れる。この発泡痕２２は、図４（Ｂ）のリーク発生がない状態から分かるように、ビジュアル検査にて不良品を選別することが容易となる。画像で自動選別を行うことも容易であるため、画像検査機にて不良を識別し、基板内のアドレスを後工程に受け渡すことによって、識別除去することが可能となる。上記のような追加工程を用いるケースもあるが、製品にレーザー等を用いてマークを印字しているケースでは、付着樹脂によってマークの視認性が著しく低下するため、一般に行われるテーピング外観の自動検査時に不良検査を併用することも可能であり、この場合は、上記の特別な検査用の追加工程を準備する必要もない。
【００３７】
図５には、フルダイシングによる個片化の工程が示され、図６には、個片化された装置（ＳＡＷデバイス）が示されており、上記真空チャンバー２０内で減圧処理し、キュアの後、ハーフダイシングをする第１ダイシングブレードのブレード幅より小さい（細い）０．１〜０．１５ｍｍ程度の第２ダイシングブレードを用いて、フルダイシングを実行することで、製品の個別化が行われる。この結果、図６にも示されるように、低粘度樹脂１８が樹脂フィレット２４として封止樹脂１６とＭＡＰ基板１の両方を跨ぐようにして装置の側面に形成される。
【００３８】
上記ハーフダイシング工程では、ＭＡＰ基板１の途中までを切り込み深さに設定し、そして個片化工程のフルダイシングの幅を、ハーフダイシングの幅に比べダイシング位置ズレも考慮しても十分に狭い加工とするため、装置の側面全周にＭＡＰ基板１と封止樹脂１６との接着面を含め、低粘度樹脂の硬化物としての樹脂フィレット２４が残る。この樹脂フィレット２４が存在することで、ダイシング負荷時に懸念されるＭＡＰ基板１と封止樹脂１６との接着面の剥離／クラックの発生もなくなり、この剥離／クラックによる装置内部（中空構造）の気密性の低下が防止され、気密性が保証されるという利点がある。
【００３９】
また、実施例によれば、誘電体ダイス１０上のモールドは、薄型化が達成される上記樹脂シート（１６）によってのみ成立しており、上述したように、０．３ｍｍ程度の樹脂厚、０．２〜０．３ｍｍ程度の基板によって、０．５〜０．６ｍｍ程度の薄型の製品、装置を得ることが可能となる。ここで、ＭＡＰ基板１をセラミックとすることで、ＭＡＰ基板１からの水分の透過を防止することができ、しかもフリップチップ搭載されることで、ＩＤＴ電極５がセラミックにカバーされるような断面構造となり、水分透過ルートは、１０〜３０μｍ程度の狭いフリップチップ接合高さ分の搭載チップ周辺のみとなるため、耐湿性が向上することになる。
【００４０】
更に、搭載されるチップ（誘電体ダイス１０）を完全に被覆できるため、マザーボード実装の際にハンドリングダメージによるチップクラックが防止され、また製品表面が平坦化できるため、吸着エラーも発生しないという利点がある。
【符号の説明】
【００４１】
１…ＭＡＰ（Mold Array Package）基板、
２…ＶＩＡホール、          ３，１２…電極、
４，１０…誘電体ダイス、    ５…ＩＤＴ電極、
１３…ボンディングパッド、  １４…バンプ、
１６…封止樹脂（樹脂シート）、
１７…ジェットディスペンサー、
１８…低粘度樹脂、          ２０…真空チャンバー、
２１…リーク不良部、        ２２…発泡痕、
２４…樹脂フィレット、      ５０…ハーフダイシングの溝、
Ｓ…中空空間（中空構造の空間）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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