(57)【要約】【課題】色ずれが少なく、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基板１と、基板１の第１の面１Ａ上に配置された第１着色層４１Ｂと、第１の面１Ａと第１着色層４１Ｂとの間に配置された、第１画素電極３５Ｂを有する第１発光素子１２Ｂと、第１の面１Ａと第１画素電極３５Ｂとの間に配置された反射層３２と、第１画素電極３５Ｂの第１部分５１とは重ならず、第２部分５２と重なる絶縁層３４と、を有し、第１発光素子１２Ｂから放出される光は、第１部分５１と重なる領域から放出される第１の光と、第２部分と重なる領域から放出される第２の光と、を有し、第１の光が第２の光よりも第１着色層４１Ｂを多く透過するように、絶縁層３４の膜厚または第１着色層４１Ｂの光学特性が設定されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の第１の面上に配置された第１着色層と、
前記基板の前記第１の面と前記第１着色層との間に配置され、第１画素電極と、発光層を含む機能層と、対向電極とが積層された積層構造を有する第１発光素子と、
前記第１の面と前記第１画素電極との間に配置され、前記対向電極との間で第１共振器構造を形成する第１反射層と、
前記第１画素電極を介して前記第１の面と前記機能層との間に配置された絶縁層と、を有し、
前記第１画素電極は、平面視で前記絶縁層と重ならない第１部分と、前記絶縁層と重なる第２部分とを有し、
前記第１発光素子から放出される光は、前記機能層の前記第１部分と重なる部分から放出され、第１ピーク波長を有する第１の光と、前記機能層の前記第２部分と重なる部分から放出され、第２ピーク波長を有する第２の光と、を有し、
前記第１の光が前記第２の光よりも前記第１着色層を多く透過するように、前記絶縁層の膜厚または前記第１着色層の光学特性が設定されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記第１着色層における前記第２の光の透過率は１５％以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記第１着色層における前記第２の光の透過率が１５％以下となるように前記絶縁層の膜厚が設定されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記第１着色層と同層に配置され、前記第１着色層とは異なる光の透過特性を有する第２着色層と、
前記第１の面と前記第２着色層との間に配置され、第２画素電極と、前記機能層と、前記対向電極と、が積層された積層構造を有する第２発光素子と、
前記第１の面と前記第２画素電極との間に配置され、前記対向電極との間で第２共振器構造を形成する第２反射層と、を有し、
前記第２画素電極は、前記絶縁層と重ならない第３部分と、前記絶縁層と重なる第４部分とを有し、
前記第２発光素子から放出される光は、前記機能層の前記第３部分と重なる部分から放出され、第３ピーク波長を有する第３の光と、前記機能層の前記第４部分と重なる部分から放出され、第４ピーク波長を有する第４の光と、を有し、
前記第２着色層は前記第３の光よりも前記第４の光を多く吸収し、
前記第２部分と重なる前記絶縁層の膜厚と、前記第４部分と重なる前記絶縁層の膜厚とが異なることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記第１着色層と同層に配置され、前記第１着色層とは異なる光の透過特性を有する第３着色層と、
前記第１の面と前記第３着色層との間に配置され、第３画素電極と、前記機能層と、前記対向電極と、が積層された積層構造を有する第３発光素子と、
前記第１の面と前記第３画素電極との間に配置され、前記対向電極との間で第３共振器構造を形成する第３反射層と、を有し、
前記第３画素電極は、前記絶縁層と重ならない第５部分と、前記絶縁層と重なる第６部分とを有し、
前記第３発光素子から放出される光は、前記機能層の前記第５部分と重なる部分から放出され、第５ピーク波長を有する第５の光と、前記機能層の前記第６部分と重なる部分から放出され、第６ピーク波長を有する第６の光と、を有し、
前記第３着色層は、前記第５の光と前記第６の光とを１５％以上透過することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置、及び当該有機ＥＬ装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
陰極と陽極の間に有機エレクトロルミネッセンス層を挟持したＥＬ素子と、ＥＬ素子の駆動を制御するためのトランジスターとコンデンサーを含む、アクティブマトリックス型のＥＬデバイスが知られている。このようなＥＬデバイスでは、隣り合う陽極同士を電気的に絶縁するために、陽極上に開口を有し、該開口の底端が陽極上に延在するパッシベーション層が設けられている（特許文献１）。
また、透明基体上に半透明反射層と、透明導電層と、有機薄膜からなる発光層と、背面電極とを積層し、半透明反射層と背面電極との間で光共振器を構成された有機発光素子が知られている。このような有機発光素子では発光スペクトルの半値幅が狭く、発光特性を向上させることができる。（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２４１０４８号公報
【特許文献２】特開平８−２１３１７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１のＥＬ素子では、陽極上の上記開口部分だけでなく、陽極がパッシベーション層（絶縁層）に覆われた領域においても、陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが発光層において結合して発光層から光が放出されることが分かった。このような上記特許文献１のＥＬ素子において上記特許文献２の光共振器構造を設けた場合、光共振器において画素電極（陽極）の中央部分の光学的距離と、画素電極の周辺部（陽極とパッシベーション層とが重なる領域）の光学的距離とが異なる。したがって、光共振器によって得られる発光のピーク波長が画素電極（陽極）の中央部と周辺部とで異なってしまう。特に周辺部から得られる発光のピーク波長は、中央部に比べて上記光学的距離が大きくなることから、本来意図したピーク波長よりも長波長側にシフトする。ＥＬ素子に対してカラーフィルターを設けたとしても、カラーフィルターが長波長側にシフトした光と、本来意図したピーク波長の光とを透過すると、異なる色の光が混ざる混色が発生し、所望の色で表示することができないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板と、基板の第１の面上に配置された第１着色層と、基板の第１の面と第１着色層との間に配置され、第１画素電極と、発光層を含む機能層と、対向電極とが積層された積層構造を有する第１発光素子と、第１の面と第１画素電極との間に配置され、対向電極との間で第１共振器構造を形成する第１反射層と、第１画素電極を介して第１の面と機能層との間に配置された絶縁層と、を有し、第１画素電極は、平面視で絶縁層と重ならない第１部分と、絶縁層と重なる第２部分とを有し、第１発光素子から放出される光は、機能層の第１部分と重なる部分から放出され、第１ピーク波長を有する第１の光と、機能層の第２部分と重なる部分から放出され、第２ピーク波長を有する第２の光と、を有し、第１の光が第２の光よりも第１着色層を多く透過するように、絶縁層の膜厚または第１着色層の光学特性が設定されていることを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、第１発光素子の機能層から放出され、第１共振器構造で強められて第１着色層を透過する光のうち、第１部分と重なる部分から発せられる、第１ピーク波長を有する第１の光よりも、第２部分と重なる部分から発せられる、第２ピーク波長を有する第２の光の方が、第１着色層に多く吸収される。
したがって、本適用例の構成を備えない有機エレクトロルミネッセンス装置と比較して、意図したピーク波長である第１ピーク波長よりも長波長側にシフトした第２ピーク波長を有する光が第１発光素子からの発光に混在することを抑制することができる。これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置とすることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、第１着色層における第２の光の透過率は１５％以下であることが好ましい。
【０００９】
これにより、より色ずれの少ない、表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置とすることができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、第１着色層における第２の光の透過率が１５％以下となるように絶縁層の膜厚が設定されていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、機能層の第１部分に重なる部分において第１共振器構造によって強められる第１の光の第１ピーク波長と、機能層の第２部分に重なる部分において第１共振器構造によって強められる第２の光の第２ピーク波長との差を、絶縁層の膜厚によって調整することができる。これにより、より単純な製造工程で製造可能な表示品位に優れた有機エレクトロルミネッセンス装置とすることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、第１着色層と同層に配置され、第１着色層とは異なる光の透過特性を有する第２着色層と、第１の面と第２着色層との間に配置された、第２画素電極と、機能層と、対向電極と、が積層された積層構造を有する第２発光素子と、第１の面と第２画素電極との間に配置され、対向電極との間で第２共振器構造を形成する第２反射層と、を有し、第２画素電極は、絶縁層と重ならない第３部分と、絶縁層と重なる第４部分とを有し、第２発光素子から放出される光は、機能層の第３部分と重なる部分から放出され、第３ピーク波長を有する第３の光と、機能層の第４部分と重なる部分から放出され、第４ピーク波長を有する第４の光と、を有し、第２着色層は第３の光よりも第４の光を多く吸収し、第２部分と重なる絶縁層の膜厚と、第４部分と重なる絶縁層の膜厚とが異なることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第２発光素子の機能層から放出され、第２共振器構造で強められて第２着色層を透過する光のうち、機能層の第３部分と重なる部分から発せられる、第３ピーク波長を有する第３の光よりも、機能層の第４部分と重なる部分から発せられる、第４ピーク波長を有する第４の光の方が、第２着色層に多く吸収される。
したがって、本適用例の構成を備えない有機エレクトロルミネッセンス装置と比較して、意図したピーク波長である第３ピーク波長よりも長波長側にシフトした第４ピーク波長の光が第２発光素子からの発光に混在することを抑制することができる。
【００１４】
さらに本適用によれば、絶縁層の膜厚は、第２部分に重なる部分と、第４部分に重なる部分とで異ならせてあるから、第１着色層と第２着色層のそれぞれの光の透過特性に合わせて絶縁層の膜厚を設定することができ、より色ずれの少ない、表示品位に優れた有機ＥＬ装置とすることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置において、第１着色層と同層に配置され、第１着色層とは異なる光の透過特性を有する第３着色層と、第１の面と第３着色層との間に配置され、第３画素電極と、機能層と、対向電極と、が積層された積層構造を有する第３発光素子と、第１の面と第３画素電極との間に配置され、対向電極との間で第３共振器構造を形成する第３反射層と、を有し、第３画素電極は、絶縁層と重ならない第５部分と、絶縁層と重なる第６部分とを有し、第３発光素子から放出される光は、機能層の第５部分と重なる部分から放出され、第５ピーク波長を有する第５の光と、機能層の第６部分と重なる部分から放出され、第６ピーク波長を有する第６の光と、を有し、第３着色層は、第５の光と第６の光とを１５％以上透過することが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、第３発光素子の機能層から放出され、第３共振器構造で強められて第３着色層を透過する光のうち、機能層の第５部分と重なる部分から発せられる、第５ピーク波長を有する第５の光と、機能層の第６部分と重なる部分から発せられる、第６ピーク波長を有する第６の光とは、共に第３着色層を１５％以上透過する。換言すれば、第６部分と重なる絶縁層の膜厚は、第６ピーク波長が第３着色層の透過率が２０％以下となる範囲までシフトするような膜厚とはなっていない。
このため、第６部分と重なる部分の絶縁層の膜厚を、第２部分と重なる部分または第４部分と重なる部分の絶縁層の膜厚と同じにすることができ、第２部分、第４部分、第６部分と重なる部分の絶縁層の膜厚がそれぞれ異なっている場合と比較して、より簡便な工程で有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置を製造することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。
【００１８】
本適用例によれば、上記適用例のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えているので、色ずれが少なく、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の基本的な構成を示す概略平面図。
【図２】実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における発光素子の平面図及び断面図。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１に係る青色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフ。
【図５】（ａ）は青色の発光素子の分光特性と青色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第２部分における青色の発光素子の分光特性と青色の着色層の透過特性とを合成したグラフ。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１に係る緑色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフ。
【図７】（ａ）は緑色の発光素子の分光特性と緑色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第４部分における緑色の発光素子の分光特性と緑色の着色層の透過特性とを合成したグラフ。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１に係る赤色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフ。
【図９】（ａ）は赤色の発光素子の分光特性と赤色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第６部分における赤色の発光素子の分光特性と赤色の着色層の透過特性とを合成したグラフ。
【図１０】電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２１】
（実施形態１）
＜有機エレクトロルミネッセンス装置＞
図１は、実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の基本的な構成を示す概略平面図である。
まず、実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置１００の概略構成について説明する。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、基板１と、基板１の第１の面上の表示領域Ｅ１に配置された複数の画素１０を有する。表示領域Ｅ１と基板１の周縁部との間の非表示領域Ｅ２には画素１０を発光させるための周辺回路が設けられている。周辺回路の例としては走査線駆動回路、データ線駆動回路、検査回路などが挙げられる。
複数の画素１０は表示領域Ｅ１にマトリックス状に配置されており、画素１０は異なる波長の光を射出する複数のサブ画素１１、例えば青色（Ｂ）のサブ画素１１Ｂと、緑色（Ｇ）のサブ画素１１Ｇと、赤色（Ｒ）のサブ画素１１Ｒとを含んで構成されている。以降、異なる色のサブ画素１１が配列する方向をＸ方向、同色のサブ画素１１が配列する方向をＹ方向として説明する。なお、異なる色のサブ画素１１の配列は、これに限定されるものではない。
【００２３】
図２は、実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における電気的な構成を示す等価回路図である。
図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線２１と、走査線２１に対して交差する方向に延びる複数のデータ線２２と、データ線２２に平行して延在する複数の電源線２３と、を有する。複数の走査線２１が走査線駆動回路２７に接続され、複数のデータ線２２がデータ線駆動回路２８に接続されている。本実施形態において電源線２３は、陽極としての画素電極３５に電位を与えるための陽極用電源線である。
【００２４】
走査線２１とデータ線２２との交差に対応して、サブ画素１１（１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ）が設けられている。複数のサブ画素１１の各々は発光素子１２と、発光素子１２の駆動を制御するための画素回路２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）とを含んでいる。
【００２５】
発光素子１２は、陽極として機能する画素電極３５と、陰極として機能する対向電極３７と、画素電極３５と対向電極３７との間に配置された有機発光層を含む機能層３６と、を含む有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子である。
【００２６】
画素回路２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）は、スイッチングトランジスター２４と、駆動トランジスター２５と、駆動トランジスター２５のゲート電極に接続された保持容量２６とを含み、発光素子１２の駆動を制御する。ここで発光素子１２の駆動の制御とは、書き込み期間にデータ線２２を介して供給されたデータ信号に基づいて、発光期間に発光素子１２を発光させることを意味する。スイッチングトランジスター２４のゲート電極には走査線２１を介して走査信号が供給され、このスイッチングトランジスター２４がオン（ＯＮ）状態にあるときに、スイッチングトランジスター２４のソースまたはドレインのいずれか一方に接続されたデータ線２２から供給されるデータ信号が保持容量２６に保持される。
【００２７】
駆動トランジスター２５がオン（ＯＮ）状態にあるときに、発光素子１２の画素電極３５と電源線２３とは駆動トランジスター２５を介して電気的に接続され、保持容量２６に保持されたデータ信号の電位に応じた量の電流が発光素子１２に供給される。発光素子１２は供給される電流量に応じた輝度で発光する。
【００２８】
図３は実施形態１に係る有機エレクトロルミネッセンス装置における発光素子の平面図及び断面図である。詳しくは、図３（ａ）はサブ画素１１の平面的な配置を示すものであり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、画素１０を構成するサブ画素１１（１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒ）の各々は、基板１の第１の面１Ａに沿った第１の方向（図３（ａ）におけるＸ方向）の長さに対して、第１の面１Ａに沿うとともに第１の方向に交差する第２の方向（図３（ａ）におけるＹ方向）の長さが長い形状（矩形状）で形成されている。
そして、青色のサブ画素１１Ｂ、緑色のサブ画素１１Ｇ、赤色のサブ画素１１ＲがＸ方向に沿って配置され、青色のサブ画素１１Ｂには第１発光素子としての発光素子１２Ｂが配置されている。緑色のサブ画素１１Ｇには第２発光素子としての発光素子１２Ｇが配置されている。赤色のサブ画素１１Ｒには第３発光素子としての発光素子１２Ｒが配置されている。
【００３０】
図３（ｂ）に示すように、本実施形態における有機ＥＬ装置１００は、基板１と、基板１の第１の面１Ａ上に形成された画素回路２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）と、画素回路２０（２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ）上に形成された平坦化層３１と、平坦化層３１上に配置された反射層３２と、反射層３２上に層間絶縁層３３を介して配置された画素電極３５と、層間絶縁層３３と画素電極３５の一部を覆って形成された絶縁層３４と、画素電極３５（３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒ）上に形成された有機発光層を含む機能層３６と、機能層３６上に形成された対向電極３７と、を含んで構成されている。
【００３１】
第１画素電極としての画素電極３５Ｂと、機能層３６と、対向電極３７とで第１発光素子としての発光素子１２Ｂが構成され、第２画素電極としての画素電極３５Ｇと、機能層３６と、対向電極３７とで第２発光素子としての発光素子１２Ｇが構成される。同じく、第３画素電極としての画素電極３５Ｒと、機能層３６と、対向電極３７とで第３発光素子としての発光素子１２Ｒが構成される。
【００３２】
本実施形態において有機ＥＬ装置１００は、対向電極３７側から光が取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基板１は、樹脂材料や石英ガラス、ソーダガラスのような材料からなる透明基板でもいいし、セラミックス材料や金属材料からなる不透明基板であってもよい。
【００３３】
画素回路２０は、図２に示したように、スイッチングトランジスター２４と、駆動トランジスター２５と、駆動トランジスター２５のゲート電極に接続された保持容量２６とを含み、発光素子１２の駆動を制御する。スイッチングトランジスター２４及び駆動トランジスター２５は、ソース領域とドレイン領域とチャネル領域とが形成される半導体領域と、チャネル領域と対向して形成されたゲート電極とを含む。また、画素回路２０を構成するこれらのトランジスターは薄膜トランジスターでもよいし、バルクシリコン基板などの半導体基板に形成する電界効果トランジスター（例えばＭＯＳトランジスター）であってもよい。
【００３４】
表示領域Ｅ１内の第１の面１Ａと発光素子１２との間の層には、スイッチングトランジスター２４のゲート電極に走査信号を供給する走査線２１、保持容量２６に保持されるデータ信号を供給するデータ線２２、発光素子１２に供給される電流を供給する電源線２３なども配置される。なお、図３（ｂ）においては画素回路２０を構成する要素の一部のみを示している。
【００３５】
画素回路２０上には酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなど、絶縁性を有する材料からなる平坦化層３１を介して反射層３２が配置される。反射層３２は、有機発光層から反射層３２側に放出された光を有機発光層側に反射する。また、反射層３２は、対向電極３７との間で共振器構造を形成している。反射層３２に用いられる材料としてはＡｌ及びその合金、Ａｇ及びその合金などが挙げられる。
【００３６】
本実施形態において、反射層３２はサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒごとに独立して設けられており、本発明における第１反射層、第２反射層、第３反射層に相当するものであるが、これに限定されるものではなく、複数のサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒに跨って形成されていてもよい。そのような場合は反射層３２と各画素回路２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒを電気的に絶縁する必要がある。各画素回路２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒと反射層３２とが重なる領域に開口を設け、この開口を通じてサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒの画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒと画素回路２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒとを各々接続すればよい。
【００３７】
反射層３２上には酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどからなる層間絶縁層３３が配置されている。層間絶縁層３３には画素電極３５と画素回路２０とを接続させるためのコンタクトホール３３Ｈ（図３（ａ）参照）が設けられており、コンタクトホール３３Ｈ内に配置された接続部によって、画素電極３５と画素回路２０とが電気的に接続される。
【００３８】
上記コンタクトホール３３Ｈは、接続部が画素電極３５の角部になるような位置に設けられることが好ましい。また本実施形態において、コンタクトホール３３Ｈは図３（ａ）に示すように、各サブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒにおいて、それぞれ同じ側の角部付近に設けられている。
【００３９】
層間絶縁層３３上には画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒが配置されている。本実施形態において画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒは陽極として機能し、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）やＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）などからなる透明電極である。また、本実施形態では画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒの膜厚をサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒごとに異ならせることで共振器構造の光路長を調整している。
【００４０】
青色のサブ画素１１Ｂに配置された画素電極３５Ｂの膜厚は、青色のサブ画素１１Ｂの光共振器が青色の光を強めるように設定されており、緑色のサブ画素１１Ｇに配置された画素電極３５Ｇの膜厚は、緑色のサブ画素１１Ｇの光共振器が緑色の光を強めるように設定されている。赤色のサブ画素１１Ｒに配置された画素電極３５Ｒの膜厚は、赤色のサブ画素１１Ｒの光共振器が赤色の光を強めように設定されている。画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒ以外の各層の膜厚は、全てのサブ画素１１で同じであるが、膜厚が同じと言っても製造上生じる誤差を含んでいる。
【００４１】
本実施形態において青色の波長の光とは４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長の光をいい、緑色の光とは５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光をいい、赤色の光とは６００ｎｍ以上７００ｎｍ未満の波長の光をいう。
【００４２】
本実施形態では、サブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒごとに光共振器（第１共振器、第２共振器、第３共振器）を備えることによって、青、緑、赤、それぞれの上記波長範囲において発光輝度が強められた共振波長（ピーク波長）を有する光が得られる。
なお、各光共振器（第１共振器、第２共振器、第３共振器）において光共振を生じさせるための反射層３２と対向電極３７との間の光学的距離の調整は、画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒの膜厚を異ならせる方法に限定されない。例えば、画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒの膜厚を同じにして、反射層３２と画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒとの間の層間絶縁層３３の膜厚をサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒごとに異ならせることにより各光共振器（第１共振器、第２共振器、第３共振器）の光学的距離を調整してもよい。
【００４３】
画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒはそれぞれ、平面視で絶縁層３４と重ならない部分と重なる部分とを有する。画素電極３５Ｂは絶縁層３４と重ならない第１部分５１と重なる第２部分５２とを有し、画素電極３５Ｇは絶縁層３４と重ならない第３部分５３と重なる第４部分５４とを有する。画素電極３５Ｒは絶縁層３４と重ならない第５部分５５と重なる第６部分５６とを有する。なお、本明細書において平面視とは、基板１の第１の面１Ａの法線方向（第３の方向）から見ることを意味する。
【００４４】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１部分５１は画素電極３５Ｂの中央部に位置し、第２部分５２は画素電極３５Ｂの周縁部５０Ｂに沿った領域に、第１部分５１を取り囲むように位置している。第３部分５３は画素電極３５Ｇの中央部に位置し、第４部分５４は画素電極３５Ｇの周縁部５０Ｇに沿った領域に、第３部分５３を取り囲むように位置している。第５部分５５は画素電極３５Ｒの中央部に位置し、第６部分５６は画素電極３５Ｒの周縁部５０Ｒに沿った領域に、第６部分５６を取り囲むように位置している。
【００４５】
第１部分５１及び第２部分５２は青色のサブ画素１１Ｂに配置された反射層３２と平面視で重なり、第３部分５３及び第４部分５４は緑色のサブ画素１１Ｇに配置された反射層３２と平面視で重なり、第５部分５５及び第６部分５６は赤色のサブ画素１１Ｒに配置された反射層３２と平面視で重なる。
【００４６】
基板１の第１の面１Ａ上には、各画素電極３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒの周縁部５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒを覆う絶縁層３４が配置されている。また、絶縁層３４はコンタクトホール３３Ｈと平面視で重なる領域にも配置されている。絶縁層３４には、画素電極３５の大部分（中央部）を露出させる開口３６Ｈが設けられており、この開口３６Ｈを通じて画素電極３５と機能層３６とが接している。この開口３６Ｈが設けられた絶縁層３４は酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの絶縁性の材料からなる。本明細書では開口３６Ｈを通じて画素電極３５の中央部と機能層３６とが接している領域を画素開口部ともいう。
【００４７】
絶縁層３４上には有機発光層を含む機能層３６が蒸着法等により形成される。本実施形態において機能層３６は正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含むが、これらの層に加えて他の層を設けてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうちいずれかの層を設けなくてもよい。また、これらの層のうち複数の層を一体に形成してもよい。
【００４８】
本実施形態において機能層３６は、画素電極３５と対向電極３７との間に電流が流れると、赤色の光が放出される赤色発光層と、緑色の光が放出される緑色発光層と、青色の光が放出される青色発光層とを含む。このため機能層３６からは赤色の波長の光と緑色の波長の光と青色の波長の光とを含んだ光が放出され、全体として白色として視認される光が放出される。機能層３６は複数の発光素子１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒに共通に形成されており、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚となるよう設計される。
【００４９】
なお、機能層３６は、赤色の発光層と緑色の発光層と青色の発光層に換えて、青色の発光層と黄色の発光層とを含んでいてもよい。このような組み合わせによっても擬似白色光を得ることができる。
【００５０】
機能層３６上には対向電極３７が形成される。本実施形態において対向電極３７は陰極として機能し、前述の反射層３２との間で共振器構造を形成する半透過反射層でもある。対向電極３７は複数の発光素子１２（１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ）に亘って形成され、有機発光層から放出される光の一部を透過し、一部を反射層３２側に反射する。このような対向電極３７は、ＡｇやＡｌ及びこれらの合金（例えばＭｇＡｇ）からなる金属を薄く蒸着することで形成してもよいし、異なる材料からなる層を積層してもよい。
【００５１】
対向電極３７上には、機能層３６や対向電極３７を水分や酸素から保護するための保護層３８が設けられる。保護層３８は、例えばシリコンやＡｌ（アルミニウム）などの無機材料の酸化物や窒化物、あるいは酸窒化物が用いられる。また、保護層３８はこれらの無機材料と、有機材料（好ましくは気体透過性低い有機材料）との積層構造としてもよい。保護層３８は、対向電極３７の表面の凹凸が、後に保護層３８に接して形成されるカラーフィルター４０に影響しないように平坦化層としても機能している。
【００５２】
カラーフィルター４０は、各サブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒに対応した色の着色層４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒを有しており、これらの着色層４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒは同層に形成されている。着色層４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒは、着色材料としての染料や顔料が含まれた感光性樹脂材料を保護層３８に塗布して、フォトリソグラフィ法により形成することができる。
【００５３】
着色材料としては染料に比べて耐光性に優れた顔料が好んで用いられ、顔料としては例えば金属錯体などの金属有機化合物が用いられている。また、これらの着色材料を保持するバインダーとしてはアクリル樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００５４】
第１着色層としての青色の着色層４１Ｂは、平面視で画素電極３５Ｂの第１部分５１及び第２部分５２と重なっている。第２着色層としての緑色の着色層４１Ｇは、平面視で画素電極３５Ｇの第３部分５３及び第４部分５４と重なっている。第３着色層としての赤色の着色層４１Ｒは、平面視で画素電極３５Ｒの第５部分５５及び第６部分５６と重なっている。
【００５５】
青色の着色層４１Ｂは青色の波長の光の大部分を透過し、一部を吸収する。従って、青色の発光素子１２Ｂから放出され、光共振器によって強められた光は青色の着色層４１Ｂを通過することでより青色の色純度が高くなる。緑色の着色層４１Ｇは緑色の波長の光の大部分を透過し、一部を吸収する。従って、緑色の発光素子１２Ｇから放出され、光共振器によって強められた光は緑色の着色層４１Ｇを通過することでより緑色の色純度が高くなる。赤色の着色層４１Ｒは赤色の光の大部分を透過し、一部を吸収する。従って、赤色の発光素子１２Ｒから放出され、光共振器によって強められた光は赤色の着色層４１Ｒを通過することでより赤色の色純度が高くなる。
【００５６】
ところで機能層３６は、サブ画素１１の中央部分（第１部分５１、第３部分５３、第５部分５５）と重なる部分（領域）だけでなく、サブ画素１１の周辺部（第２部分５２、第４部分５４、第６部分５６）と重なる部分（領域）からも光を放出する。画素電極３５の周辺部における段差部分では、機能層３６が均一な厚さで成膜できずに他の部分（中央部に重なる部分（領域））よりも薄くなる。画素電極３５と対向電極３７とから注入されたキャリア（正孔と電子）が機能層３６の積層方向だけでなく、機能層３６が薄くなった部分を通じて水平方向（基板１の第１の面１Ａと略平行な方向）にも広がるためと考えられる。
【００５７】
画素電極３５の中央部における光共振器の光学的距離Ｄ1（第１部分５１における光共振器の光学的距離ＤB1，第３部分５３における光共振器の光学的距離ＤG1，第５部分５５における光共振器の光学的距離ＤR1）は所望のピーク波長λ1（青色の光のピーク波長λB1，緑色の光のピーク波長λG1，赤色の光のピーク波長λR1）を有する光が共振されるように設計されている。これに対し、画素電極３５の周辺部における光学的距離Ｄ2（第２部分５２における光共振器の光学的距離ＤB2，第４部分５４における光共振器の光学的距離ＤG2，第６部分５６における光共振器の光学的距離ＤR2）は、絶縁層３４の膜厚とその屈折率の積の分だけ光学的距離Ｄ2が光学的距離Ｄ1よりも大きくなっている。
【００５８】
したがって周辺部と重なる部分（領域）からは、λ1よりもΔλだけ長波長側にシフトした、発光ピーク波長λ2を有する光が取り出されることになる。具体的には、第２部分５２と重なる部分（領域）では、λB1よりもΔλだけ長波長側にシフトしたλB2のピーク波長を有する光が視認され、第４部分５４と重なる部分（領域）では、λG1よりもΔλだけ長波長側にシフトしたλG2のピーク波長を有する光が視認され、第６部分５６と重なる部分（領域）では、λR1よりもΔλだけ長波長側にシフトしたλR2のピーク波長を有する光が視認される。本明細書ではλ2（λB2，λG2，λR2）のピーク波長を有する光を異常発光とも称する。
【００５９】
異常発光が発光素子１２（１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ）から放出される光に混在すると色ずれが起こり、所望の色度で表示することができない。カラーフィルター４０を設けたとしても、一般的なカラーフィルター４０の吸光特性はブロードであるから、λ2がカラーフィルター４０の透過波長の範囲内にある場合はλ2のピーク波長を有する光を充分カットできず、色ずれを解消できないおそれがある。
【００６０】
そこで本実施形態の有機ＥＬ装置１００では、絶縁層３４の膜厚を調整することでサブ画素１１（画素電極３５）の周辺部から放出される光のピーク波長λ2をカラーフィルター４０が吸収できる範囲までシフトさせている。
【００６１】
カラーフィルター４０の光の透過特性と絶縁層３４の膜厚との関係について、図４〜図９を用いて説明する。
【００６２】
図４は実施形態１に係る青色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフである。詳しくは、図４（ａ）は青色の発光素子から放出される光の分光特性を示すグラフ、図４（ｂ）は青色の着色層の光の透過特性を示すグラフ、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第２部分（周辺部）から放出される光の分光特性を示すグラフである。
図５（ａ）は青色の発光素子の分光特性と青色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、図５（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第２部分（周辺部）における青色の発光素子の分光特性と青色の着色層の透過特性とを合成したグラフである。
【００６３】
図６は実施形態１に係る緑色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフである。詳しくは、図６（ａ）は緑色の発光素子から放出される光の分光特性を示すグラフ、図６（ｂ）は緑色の着色層Ｇの光の透過特性を示すグラフ、図６（ｃ）及び（ｄ）は絶縁層の膜厚を変えたときに第４部分（周辺部）から放出される光の分光特性を示すグラフである。
図７（ａ）は緑色の発光素子の分光特性と緑色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、図７（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第４部分（周辺部）における緑色の発光素子の分光特性と緑色の着色層の透過特性を合成したグラフである。
【００６４】
図８は実施形態１に係る赤色の発光素子の分光特性とカラーフィルターの光の透過特性とを示すグラフである。詳しくは、図８（ａ）は赤色の発光素子から放出される光の分光特性を示すグラフ、図８（ｂ）は赤色の着色層の光の透過特性を示すグラフ、図８（ｃ）及び（ｄ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第６部分（周辺部）から放出される光の分光特性を示すグラフである。
図９（ａ）は赤色の発光素子の分光特性と赤色の着色層の透過特性とを合成したグラフ、図９（ｂ）及び（ｃ）は絶縁層の膜厚を変えたときの第６部分（周辺部）における赤色の発光素子の分光特性と赤色の着色層の透過特性を合成したグラフである。
【００６５】
図４〜図９において横軸は光の波長である。発光素子の分光特性を示すグラフの縦軸は発光強度であり、着色層４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒの光の透過特性を示すグラフの縦軸は透過率である。
【００６６】
図４（ａ）において、実線で示されたグラフは画素電極３５Ｂの中央部（第１部分５１）と重なる領域（画素開口部）から放出される光の分光特性であり、光共振器で強められる光のピーク波長が４６０ｎｍとなるように設計されている。一点鎖線で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて１００ｎｍの厚さで形成した際に画素電極３５Ｂの周辺部（第２部分５２）から放出される光の分光特性を示している。図４（ｃ）に表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて４０ｎｍの厚さで形成した際に、画素電極３５Ｂの周辺部（第２部分５２）と重なる領域から放出される光の分光特性を示している。図４（ｄ）で表されたグラフは絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて７０ｎｍの厚さで形成した際に画素電極３５Ｂの周辺部（第２部分５２）から放出される光の分光特性を示している。
【００６７】
図４（ｂ）のグラフは、青色の着色層４１Ｂの光の透過特性を示しており、青の着色材料である、Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｎｏ．ＢＬＵＥ１５：６を含有する樹脂を１．５μｍの膜厚で形成した際のものである。
【００６８】
図６（ａ）において、実線で示されたグラフは画素電極３５Ｇの中央部（第３部分５３）と重なる領域（画素開口部）から放出される光の分光特性であり、光共振器で強められる光のピーク波長が５４０ｎｍとなるように設計されている。一点鎖線で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて１００ｎｍの厚さで形成した際に画素電極３５Ｇの周辺部（第４部分５４）から放出される光の分光特性を示している。図６（ｃ）で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて４０ｎｍの厚さで形成した際に、画素電極３５Ｇの周辺部（第４部分５４）と重なる領域から放出される光の分光特性を示している。図６（ｄ）で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて７０ｎｍの厚さで形成した際に、画素電極３５Ｇの周辺部（第４部分５４）と重なる領域から放出される光の分光特性を示している。
【００６９】
図６（ｂ）のグラフは、緑色の着色層４１Ｇの光の透過特性を示しており、Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｎｏ．ＧＲＥＥＮ３６を含有する樹脂を１．５μｍの膜厚で形成した際のものである。
【００７０】
図８（ａ）において、実線で示されたグラフは画素電極３５Ｒの中央部（第５部分５５）と重なる領域（画素開口部）から放出される光の分光特性であり、一点鎖線で表されたグラフは絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて１００ｎｍの厚さで形成した際に画素電極３５Ｒの周辺部（第６部分５６）から放出される光の分光特性を示している。光共振器で強められる光のピーク波長が６１０ｎｍとなるように設計されている。図８（ｃ）で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて４０ｎｍの厚さで形成した際に、画素電極３５Ｒの周辺部（第６部分５６）と重なる領域から放出される光の分光特性を示している。図８（ｄ）で表されたグラフは、絶縁層３４を、屈折率が１．４のＳｉＯ2を用いて７０ｎｍの厚さで形成した際に、画素電極３５Ｒの周辺部（第６部分５６）と重なる領域から放出される光の分光特性を示している。
【００７１】
図８（ｂ）のグラフは、赤色の着色層４１Ｒの光の透過特性を示しており、Ｐｉｇｍｅｎｔ  Ｎｏ．ＲＥＤ２５４を含有する樹脂を１．５μｍの膜厚で形成した際のものである。
【００７２】
図４（ａ）、（ｂ）及び図５（ａ）からわかるように、発光素子１２Ｂの第１部分５１に重なる領域（画素開口部）から放出された第１の光は、そのピーク波長λB1が着色層４１Ｂの透過率の高い範囲（透過率８０％以上）にあり、第１の光のほとんどが着色層４１Ｂを透過する。
【００７３】
そして、本発明の有機ＥＬ装置１００では第２部分５２に重なる領域（周辺部）から放出された第２の光は、そのピーク波長λB2が着色層４１Ｂの透過率が波長λB1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されている。例えば絶縁層３４の膜厚が１００ｎｍまたは７０ｎｍの厚さで形成された場合、着色層４１Ｂにおける第２の光の透過率は１０％以下である（図５（ａ）及び図５（ｃ）参照）。
【００７４】
したがって、機能層３６の第２部分５２と重なる領域（周辺部）から放出され、光共振器構造によって共振された第２の光は、機能層３６の第１部分５１と重なる領域（画素開口部）から放出され、光共振器構造によって共振された第１の光よりも高い割合で青色の着色層４１Ｂに吸収される。
このため絶縁層３４の膜厚が調整されていない有機ＥＬ装置と比較して、発光素子１２Ｂから放出される光に混在する異常発光の割合を軽減することができ、色ずれが抑制された、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００７５】
一方、ピーク波長λB2が、着色層４１Ｂの透過率が波長λB1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されていない場合、例えば４０ｎｍの膜厚で形成されている場合、第２の光のピーク波長は図４（ｃ）に示すようにおよそ５３０ｎｍとなる。ピーク波長が５３０ｎｍの第２の光の着色層４１Ｂの透過率は１５％以上であるので、異常発光の大部分が着色層４１Ｂを透過してしまい、色ずれを防ぐことができない（図５（ｂ）参照）。
【００７６】
図６（ａ）、（ｂ）及び図７（ａ）からわかるように、発光素子１２Ｇの第３部分５３に重なる領域（画素開口部）から放出された第３の光は、そのピーク波長λG1が着色層４１Ｇの透過率の高い範囲（透過率８０％以上）にあり、第３の光のほとんどが着色層４１Ｇを透過する。
【００７７】
発光素子１２Ｇの第４部分５４に重なる領域（周辺部）から放出された第４の光は、そのピーク波長λG2が着色層４１Ｇの透過率が波長λG1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されている。例えば絶縁層３４の膜厚が１００ｎｍまたは７０ｎｍの厚さで形成された場合、着色層４１Ｇの第４の光の透過率は１０％以下である（図７（ａ）及び図７（ｃ）参照）。
【００７８】
したがって、発光素子１２Ｇの第４部分５４と重なる領域（周辺部）から放出され、光共振器構造によって共振された第４の光は、発光素子１２Ｇの第３部分５３と重なる領域（画素開口部）から放出され、光共振器構造によって共振された第３の光よりも高い割合で緑色の着色層４１Ｇに吸収される。
このため絶縁層３４の膜厚が調整されていない有機ＥＬ装置と比較して、発光素子１２Ｇから放出される光に混在する異常発光の割合を軽減することができ、色ずれが抑制された、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００７９】
一方、ピーク波長λG2が、着色層４１Ｇの透過率が波長λG1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されていない場合、例えば４０ｎｍの膜厚で形成されている場合、第４の光のピーク波長は図６（ｃ）に示すようにおよそ６１０ｎｍとなる。ピーク波長が６１０ｎｍの第４の光の着色層４１Ｇの透過率は１５％以上であるので、異常発光の大部分が着色層４１Ｇを透過してしまい、色ずれを防ぐことができない（図７（ｂ））。
【００８０】
図８（ａ）、（ｂ）及び図９（ａ）からわかるように、発光素子１２Ｒの第５部分５５に重なる領域（画素開口部）から放出された第５の光は、そのピーク波長λR1が着色層４１Ｒの透過率の高い範囲（透過率８０％以上）にあり、第５の光のほとんどが着色層４１Ｒを透過する。
【００８１】
発光素子１２Ｒの第６部分５６に重なる領域（周辺部）から放出された第６の光は、そのピーク波長λR2が着色層４１Ｒの透過率が波長λR1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されている。例えば絶縁層３４の膜厚が１００ｎｍまたは７０ｎｍの厚さで形成された場合、着色層４１Ｒの第６の光の透過率は１０％以下である（図９（ａ）及び図９（ｃ）参照）。
【００８２】
したがって、発光素子１２Ｒの第６部分５６と重なる領域（周辺部）から放出され、光共振器構造によって共振された第６の光は、発光素子１２Ｒの第５部分５５と重なる領域（画素開口部）から放出され、光共振器構造によって共振された第５の光よりも高い割合で赤色の着色層４１Ｒに吸収される。
このため絶縁層３４の膜厚が調整されていない有機ＥＬ装置と比較して、発光素子１２Ｒから放出される光に混在する異常発光の割合を軽減することができ、色ずれが抑制された、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００８３】
一方、ピーク波長λR2が、着色層４１Ｒの透過率が波長λR1の透過率と比べて低い範囲となるように絶縁層３４の膜厚が調整されていない場合、例えば４０ｎｍの膜厚で形成されている場合、第６の光のピーク波長は図８（ｃ）に示すようにおよそ４５０ｎｍ及び６８０ｎｍとなる。ピーク波長がおよそ４５０ｎｍ及び６８０ｎｍの第６の光の着色層４１Ｒの透過率は１５％以上であるので、異常発光の大部分が着色層４１Ｒを透過してしまい、色ずれを防ぐことができない（図９（ｂ）参照）。
【００８４】
青色の着色層４１ＢがλB1のピーク波長の光を透過する割合よりも、λB2のピーク波長の光を透過する割合の方が低ければ本発明の効果は得られるが、青色の着色層４１Ｂの第２の光の透過率が１５％以下の範囲までλB2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することが好ましく、１０％以下となる範囲までλB2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することがより好ましい。これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００８５】
緑色の着色層４１ＧがλG1のピーク波長の光を透過する割合よりも、λG2のピーク波長の光を透過する割合の方が低ければ本発明の効果は得られるが、緑色の着色層４１Ｇの第４の光の透過率が１５％以下の範囲までλG2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することが好ましく、１０％以下となる範囲までλG2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することがより好ましい。これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００８６】
赤色の着色層４１ＲがλR1のピーク波長の光を透過する割合よりも、λR2のピーク波長の光を透過する割合の方が低ければ本発明の効果は得られるが、赤色の着色層４１Ｒの第６の光の透過率が１５％以下の範囲までλR2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することが好ましく、１０％以下となる範囲までλR2をシフトさせるように絶縁層３４の膜厚を調整することがより好ましい。これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００８７】
全ての色のサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒにおいて、λ2のピーク波長を有する光が対応する着色層４１を透過する透過率が１５％以下の範囲になるよう絶縁層３４の膜厚を調整すれば、ｓＲＧＢカバー率を８０％以上とすることができ、色再現性のよい有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【００８８】
上述したように絶縁層３４を膜厚７０ｎｍのＳｉＯ2とした場合にλ2はこの範囲を満たし、ｓＲＧＢカバー率は８７％であった。また絶縁層３４を膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2とした場合にはλ2はこの範囲（ｓＲＧＢカバー率を８０％以上）を満たし、ｓＲＧＢカバー率は９０％であった。
【００８９】
一方、全ての色のサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒにおいて、λ2のピーク波長を有する光が対応する着色層４１を透過する透過率が１５％以下となるよう絶縁層３４の膜厚が調整されていない場合、例えばλ2のピーク波長を有する光が対応する着色層４１を透過する透過率が２０％である場合にはｓＲＧＢカバー率は７４％であり、色再現性に劣る。
【００９０】
絶縁層３４を膜厚４０ｎｍのＳｉＯ2とした場合にはλ2はこの範囲（ｓＲＧＢカバー率を８０％以上）を満たすことができず、ｓＲＧＢカバー率は７５％であった。
【００９１】
そして絶縁層３４の膜厚を、λ2が着色層４１の第２の光、第４の光、第６の光の透過率が１５％以下となる範囲までシフトできる膜厚のうち、青色のサブ画素１１Ｂと緑色のサブ画素１１Ｇと赤色のサブ画素１１Ｒとで共通な膜厚を選択することで、簡便な工程で本実施形態の有機ＥＬ装置１００を製造することができる。
【００９２】
絶縁層３４の膜厚が１５０ｎｍを超えると、絶縁層３４と画素電極３５との段差上において機能層３６や対向電極３７が断絶する恐れがあるので、絶縁層３４の膜厚は１５０ｎｍ未満とすることが好ましい。
【００９３】
本発明は、画素サイズが小さい有機ＥＬ装置に特に有効である。画素電極３５の面積が比較的大きい場合、例えば画素電極３５の長辺が１００μｍ程度の場合、画素電極３５の周辺部に重なる部分（領域）で異常発光が生じたとしても、発光素子１２から放出される光全体に占める割合は小さいため色ずれを視認しにくい。しかしながら画素電極３５の面積が小さくなると、例えば画素電極３５の長辺が１０μｍ程度まで小さくなると、発光素子１２から放出される光に占める異常発光の割合は相対的に大きくなり、サブ画素１１の周辺部での色ずれが顕著に認められるようになる。
【００９４】
例えば長辺が１００μｍ、短辺が５０μｍの画素電極３５において、絶縁層３４が画素電極３５の外縁から０．５μｍ内側までの範囲を覆っている場合、異常発光が視認される面積は画素電極３５全体のおよそ３％の範囲にすぎない。一方、長辺が１０μｍ、短辺が５μｍの画素電極３５において、絶縁層３４が画素電極３５の外縁から０．５μｍ内側までの範囲を覆っている場合は異常発光が視認される面積の割合は２８％、長辺が５μｍ、短辺が２．５μｍの場合は４８％にもなる。本発明は画素電極３５の長辺が１０μｍ以下の有機ＥＬ装置に特に有効であり、画素電極３５の長辺が５μｍ以下の有機ＥＬ装置にさらに有効である。
【００９５】
以上に述べたように、本実施形態によれば、色ずれが少なく、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００を提供することができる。
【００９６】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機エレクトロルミネッセンス装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９７】
（変形例１）上記実施形態１では、青色のサブ画素１１Ｂ、緑色のサブ画素１１Ｇ、赤色のサブ画素１１Ｒそれぞれに配置された絶縁層３４の膜厚が同じであったが、各サブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒに配置された絶縁層３４の膜厚が互いに異なってもいいし、これらのサブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒのうち２つのサブ画素に配置された絶縁層３４の膜厚が同じであり、残る１つのサブ画素に配置された絶縁層３４の膜厚と、他の２つのサブ画素に配置された絶縁層３４の膜厚とは異なっていてもよい。具体的には青色のサブ画素１１Ｂと緑色のサブ画素１１Ｇとに配置された絶縁層３４の膜厚が同じであってもよいし、青色のサブ画素１１Ｂと赤色のサブ画素１１Ｒとに配置された絶縁層３４の膜厚が同じであってもよい。緑色のサブ画素１１Ｇと赤色のサブ画素１１Ｒとに配置された絶縁層３４の膜厚が同じであってもよい。
【００９８】
これにより、各サブ画素１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒに配置される絶縁層３４の膜厚を、着色層４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒの透過率に合わせて最適な膜厚に調整することができる。
【００９９】
（変形例２）また、上記実施形態１では、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の全てのサブ画素１１において絶縁層３４の膜厚が調整されている構造としたが、１種類または２種類のサブ画素１１において絶縁層３４は膜厚が調整されていなくてもよい。
一般的に緑色の光は人間の目に視認されやすいことが知られており、発光素子１２Ｇから放出される光に異常発光が混在したとしても色ずれが生じたとは感じにくい。このような場合は緑色のサブ画素１１Ｇに配置された絶縁層３４の膜厚を調整しなかったとしても表示品位に優れた有機ＥＬ装置１００とすることができる。
【０１００】
同様に、青色の発光素子１２Ｂから放出される光に異常発光が混在しても色ずれが視認されにくい場合は青色のサブ画素１１Ｂに配置された絶縁層３４の膜厚を調整しない構成としてもよいし、赤色の発光素子１２Ｒから放出される光に異常発光が混在しても色ずれが視認されにくい場合は赤色のサブ画素１１Ｒに配置された絶縁層３４の膜厚を調整しない構成としてもよい。
【０１０１】
（変形例３）着色層４１における第２の光、第４の光、第６の光の透過率を１５％以下とする方法は、絶縁層３４の膜厚を調整する方法に限定されない。例えば、着色層４１における光の透過特性を調整してもよい。また、絶縁層３４の膜厚の調整と、着色層４１の光の透過特性の調整とを組み合わせてもよい。着色層４１の光の透過特性を調整する方法としては、着色材料及びバインダーの選択と含有量の調整、着色層４１の膜厚の調整などが挙げられる。
【０１０２】
（実施形態２）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１０を参照して説明する。図１０は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略斜視図である。
【０１０３】
図１０に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者はヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
表示部１００１には、上述した有機ＥＬ装置１００が搭載されている。したがって、色ずれが少なく、表示品位に優れたヘッドマウントディスプレイ１０００とすることができる。
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。
【０１０４】
なお、上記有機ＥＬ装置１００が搭載された電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイ、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。
【符号の説明】
【０１０５】
１…基板、１０…画素、１１，１１Ｂ，１１Ｇ，１１Ｒ…サブ画素、１２，１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ…発光素子、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…画素回路、３１…平坦化層、３２…反射層、３３…層間絶縁層、３４…絶縁層、３５，３５Ｂ，３５Ｇ，３５Ｒ…画素電極、３６…機能層、３７…対向電極、３８…保護層、４０…カラーフィルター、４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒ…着色層、５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…画素電極の周縁部、５１…第１部分、５２…第２部分、５３…第３部分、５４…第４部分、５５…第５部分、５６…第６部分、１００…有機ＥＬ装置、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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