(57)【要約】【課題】設計自由度を高め、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能な表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、前記表示素子は、前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、前記共振器構造は、前記第１電極側に第１界面、前記第２電極側に第２界面を有すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有する表示装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、
前記表示素子は、前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、
前記共振器構造は、前記第１電極側に第１界面、前記第２電極側に第２界面を有すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有する
表示装置。
【請求項２】
前記多層膜は、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）を主成分とする膜により構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、高屈折率膜の第３層および低屈折率膜の第４層を有し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面、第２層と第３層との間に前記追加界面として第４界面を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、および第３層を有し、
前記第３層は、前記第２層側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、および第３層を有し、
前記第３層は、複数の層の積層構造を有し、前記複数の層の屈折率は、前記第２層側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
フーリエ変換赤外分光スペクトルにおける３３５０ｃｍ-1付近のＮ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＡ、２１６０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＢとしたとき、前記多層膜において前記第２電極に最も近い層のＢ／Ａ比率が、前記多層膜において前記第２電極から最も遠い層のＢ／Ａ比率よりも大きい
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記多層膜のうち前記第２電極から最も遠い層の厚みは、１μｍ以上である
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記多層膜のうち前記第２電極から最も遠い層の消衰係数は、０．０１以下である
請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記表示素子は、複数設けられ、前記複数の表示素子は、可視光領域の互いに異なる単色の光を発生する
請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示素子は、白色光を発生する
請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
前記表示素子は、複数設けられ、前記複数の表示素子は、白色光を発生する白色発光素子と、青色光を発生する青色発光素子とを含み、
前記白色発光素子に対向して赤色カラーフィルタおよび緑色カラーフィルタが設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有する表示装置の製造方法であって、
前記第１電極、前記発光層および前記第２電極を形成すると共に、前記第１電極側に前記共振器構造の第１界面、前記第２電極側に前記共振器構造の第２界面を形成する工程と、
前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に積層した多層膜を形成すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に前記共振器構造の少なくとも一つの追加界面を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記多層膜を、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）を主成分とする膜により構成する
請求項１２記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記多層膜を、低温ＣＶＤ法により形成すると共に、ＣＶＤ条件を調整することにより前記高屈折率膜と前記低屈折率膜とで屈折率を異ならせる
請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記多層膜を、１５０℃以下の温度で形成する
請求項１４記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
表示装置を備え、
前記表示装置は、第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、
前記表示素子は、前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、
前記共振器構造は、前記第１電極側に第１界面、前記第２電極側に第２界面を有すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有する
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いた表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間に発光層を含む有機層を有している。有機ＥＬ素子では、第１電極側に第１界面、第２電極側に第２界面を設け、第１界面および第２界面の間で光を共振させる共振器構造を導入することによって、正面方向の発光効率を高めることが可能である。その反面、発光面を斜めから見た場合には光の波長が大きくシフトし、発光特性の視野角依存性が大きくなる。
【０００３】
この問題を回避するため、例えば特許文献１では、第２電極と有機層との間に透明層を設け、この透明層と有機層との間に第３界面を導入することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５９４３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、第１界面と第２界面との光学的距離の調整に加えて、第１界面と第３界面との光学的距離を調整することにより、視野角依存性を緩和することが可能となる。しかしながら、特許文献１のように第２電極と有機層との間に透明層を設ける構成では、界面をこれ以上増やすことには限界があり、より改善の余地があった。
【０００６】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、設計自由度を高め、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能な表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示による表示装置は、第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、表示素子は、第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、共振器構造は、第１電極側に第１界面、第２電極側に第２界面を有すると共に、多層膜の高屈折率膜と低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有するものである。
【０００８】
本開示の表示装置では、第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜があり、この多層膜の高屈折率膜と低屈折率膜との間に少なくとも一つの追加界面が設けられているので、設計自由度が高くなり、二以上の単色光（例えばＲ，Ｇ，Ｂ）を合わせて発光させる場合に、それらの単色光のバランスを調整しやすくなる。よって、混色された光の三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの視野角による相対変化が揃えられ、色ずれが抑えられる。特に知覚上認識されやすい白色の色ずれが抑えられる。
【０００９】
本開示による表示装置の製造方法は、第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有する表示装置を製造するものであって、第１電極、発光層および第２電極を形成すると共に、第１電極側に共振器構造の第１界面、第２電極側に共振器構造の第２界面を形成する工程と、第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に積層した多層膜を形成すると共に、多層膜の高屈折率膜と低屈折率との間に共振器構造の少なくとも一つの追加界面を形成する工程とを含むものである。
【００１０】
本開示による電子機器は、上記本開示による表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の電子機器では、上記本開示の表示装置により視野角依存性が緩和された画像が表示される。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の表示装置、または本開示の電子機器によれば、第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を設け、この多層膜の高屈折率膜と低屈折率膜との間に少なくとも一つの追加界面を設けるようにしている。よって、設計自由度を高め、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能となる。
【００１３】
本開示の表示装置の製造方法によれば、第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に積層した多層膜を形成すると共に、多層膜の高屈折率膜と低屈折率との間に共振器構造の少なくとも一つの追加界面を形成するようにしている。よって、上記本開示の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した多層膜の構成を表す断面図である。
【図５】変形例１に係る表示装置における、多層膜の構成を表す断面図である。
【図６】変形例２に係る表示装置における、多層膜の構成を表す断面図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における、多層膜の構成を表す断面図である。
【図８】本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における、多層膜の構成を表す断面図である。
【図９】本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における、表示領域の構成を表す断面図である。
【図１０】本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における、表示領域の構成を表す断面図である。
【図１１】本開示の第６の実施の形態に係る表示装置における、表示領域の構成を表す断面図である。
【図１２】変形例３に係る表示装置における、表示領域の構成を表す断面図である。
【図１３】本開示の実施例１に係る多層膜の構成を表す断面図である。
【図１４】本開示の比較例１に係る保護膜の構成を表す断面図である。
【図１５】色度変化量を調べた結果を表す図である。
【図１６】本開示の実施例２に係る多層膜の構成を表す断面図である。
【図１７】画素侵食発生率を調べた結果を表す図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１９】上記実施の形態の表示装置の適用例１の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例１の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２２】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２３】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２４】適用例４の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例４の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図２８】適用例７の閉じた状態の外観を表す正面図である。
【図２９】適用例７の開いた状態の外観を表す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（ＲＧＢトップエミッション；高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に４層積層した多層膜を有する例）
２．変形例１（高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に偶数層積層した多層膜を有する例）
３．変形例２（高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に奇数層積層した多層膜を有する例）
４．第２の実施の形態（高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に３層積層し、第３層の屈折率を漸減させた多層膜を有する例）
５．第３の実施の形態（高屈折率膜と低屈折率膜とを交互に３層積層し、第３層を複数の層の積層構造とし、複数の層の屈折率を逓減させた多層膜を有する例）
６．第４の実施の形態（白色トップエミッション；白黒表示の例）
７．第５の実施の形態（白色トップエミッション；カラー表示の例）
８．第６の実施の形態（ＲＧＢボトムエミッション；多層膜とＴＦＴ上の平坦化膜とを別に設ける例）
９．変形例３（ＲＧＢボトムエミッション；多層膜の第４層がＴＦＴ上の平坦化膜を兼ねる例）
１０．実施例
１１．適用例
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、モニター装置やテレビジョン装置などとして用いられる有機ＥＬカラー表示装置であり、例えば、表示素子として後述する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂよりなる画素ＰＸＬＣがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０Ａを有している。表示領域１１０Ａの周辺には、信号部である水平セレクタ（ＨＳＥＬ）１２１と、スキャナ部であるライトスキャナ（ＷＳＣＮ）１３１および電源スキャナ（ＤＳＣＮ）１３２とが配置されている。
【００１７】
表示領域１１０Ａにおいて、列方向には信号線ＤＴＬ１０１〜１０ｎが配置され、行方向には走査線ＷＳＬ１０１〜１０ｍおよび電源ラインＤＳＬ１０１〜１０ｍが配置されている。各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）を含む画素回路１４０が設けられている。各信号線ＤＴＬは、水平セレクタ１２１に接続され、この水平セレクタ１２１から信号線ＤＴＬに映像信号が供給される。各走査線ＷＳＬは、ライトスキャナ１３１に接続されている。各電源ラインＤＳＬは、電源ラインスキャナ１３２に接続されている。
【００１８】
図２は、画素回路１４０の一例を表したものである。画素回路１４０は、サンプリング用トランジスタ３Ａおよび駆動用トランジスタ３Ｂと、保持容量３Ｃと、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つよりなる発光素子３Ｄとを有するアクティブ型の駆動回路である。サンプリング用トランジスタ３Ａは、そのゲートが対応する走査線ＷＳＬ１０１に接続され、そのソースおよびドレインの一方が対応する信号線ＤＴＬ１０１に接続され、他方が駆動用トランジスタ３Ｂのゲートｇに接続されている。駆動用トランジスタ３Ｂは、そのドレインｄが対応する電源線ＤＳＬ１０１に接続され、ソースｓが発光素子３Ｄのアノードに接続されている。発光素子３Ｄのカソードは接地配線３Ｈに接続されている。なお、この接地配線３Ｈは全ての画素ＰＸＬＣに対して共通に配線されている。保持容量３Ｃは、駆動用トランジスタ３Ｂのソースｓとゲートｇとの間に接続されている。
【００１９】
サンプリング用トランジスタ３Ａは、走査線ＷＳＬ１０１から供給される制御信号に応じて導通し、信号線ＤＴＬ１０１から供給された映像信号の信号電位をサンプリングして保持容量３Ｃに保持するものである。駆動用トランジスタ３Ｂは、電源電位にある電源線ＤＳＬ１０１から電流の供給を受け、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて駆動電流を発光素子３Ｄに供給するものである。発光素子３Ｄは、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光するようになっている。
【００２０】
図３は、図１に示した表示領域１１０Ａの断面構成を表したものである。表示領域１１０Ａには、基板１０上に、複数の表示素子として可視光領域の互いに異なる単色の光を発生する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に設けられている。具体的には、基板１０上には、赤色光ＬＲを発生する有機ＥＬ素子１０Ｒと、青色光ＬＢを発生する有機ＥＬ素子１０Ｂと、緑色光ＬＧを発生する有機ＥＬ素子１０Ｇとが順に設けられている。なお、基板１０には上述した画素回路１４０が設けられ、画素回路１４０は平坦化膜（図示せず）により被覆され、この平坦化膜の上に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられている。
【００２１】
有機ＥＬ素子１０Ｒ, １０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、下部電極１１および上部電極１２の間に、発光層を含む有機層１３を有している。下部電極１１，有機層１３および上部電極１２は、基板１０の側からこの順に積層されている。
【００２２】
ここで、本実施の形態では、下部電極１１は、本開示における「第１電極」の一具体例に対応する。上部電極１２は、本開示における「第２電極」の一具体例に対応する。
【００２３】
基板１０は、例えば、透明ガラス基板、またはシリコン基板などの半導体基板により構成されている。また、基板１０は、プラスチック材料よりなる可撓性基板（フレキシブル基板）でもよい。
【００２４】
下部電極（アノード）１１は、例えば、厚みが１００ｎｍないし３００ｎｍ程度であり、アルミニウム（Ａｌ），アルミニウム合金，白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ）などの光反射材料により構成され、発光層で発生した光を上部電極１２側から取り出すようになっている（トップエミッション）。また、下部電極１１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極としてもよい。この場合には、後述する共振器構造の第１界面Ｐ１を形成するため、下部電極１１と基板１０との間にＰｔ，Ａｕ，Ｃｒ，Ｗなどの光反射材料よりなる反射層（図示せず）を設けることが望ましい。
【００２５】
下部電極１１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに別々に形成されている。また、下部電極１１は、必要に応じて、画素分離絶縁膜（図示せず）により互いに電気的に分離されていてもよい。画素分離絶縁膜は、例えば、厚みが２μｍ程度であり、ポリイミドなどの有機感光性絶縁材料、またはシリコン酸化膜，シリコン窒化膜等の無機絶縁膜により構成されている。
【００２６】
上部電極（カソード）１２は、例えば、厚みが３ｎｍないし１５ｎｍの範囲であり、マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ）あるいはそれらの合金などの金属膜により構成されている。
【００２７】
なお、上部電極１２は、図３では有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに別々に設けられているが、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通電極とすることが可能である。
【００２８】
有機層１３は、例えば、正孔注入層および正孔輸送層１３Ａ，発光層１３Ｂ，電子輸送層および電子注入層１３Ｃが下部電極１１の側からこの順に積層されたものである。
【００２９】
正孔注入層および正孔輸送層１３Ａは、発光層１３Ｂへの正孔注入効率を高めるためのものである。正孔注入層は、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）などにより構成されている。正孔輸送層は、例えば、α−ＮＰＤ〔N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-〔1,1'-biphenyl 〕- 4,4'-diamine〕により構成されている。
【００３０】
発光層１３Ｂは、電界をかけることにより、下部電極１１から正孔注入層および正孔輸送層１３Ａを介して注入された正孔と、上部電極１２から電子輸送層および電子注入層１３Ｃを介して注入された電子とが再結合して、光を発生するものである。発光層１３Ｂは、例えば、ホスト材料とドーパント材料からなる発光材料により構成されている。具体的には、青色の有機ＥＬ素子１０Ｂの発光層１３Ｂは、例えば、ホスト材料としてＡＤＮ（９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン）よりなる厚み３０ｎｍの膜に、ドーパント材料としてジアミノクリセン誘導体が相対膜厚比で５％ドーピングされたものである。緑色の有機ＥＬ素子１０Ｇの発光層１３Ｂは、例えば、Ａｌｑ3（トリスキノリノールアルミニウム錯体）により構成されている。赤色の有機ＥＬ素子１０Ｒの発光層１３Ｂは、例えば、ホスト材料としてのルブレンに、ドーパント材料としてピロメテンホウ素錯体がドーピングされたものである。
【００３１】
電子輸送層および電子注入層１３Ｃは、発光層１３Ｂへの電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層は、例えばＢＣＰ（２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）により構成される。電子注入層は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成される。
【００３２】
有機層１３を構成する各層の厚さは、例えば、正孔注入層が１ｎｍ〜２０ｎｍ、正孔輸送層が１５ｎｍ〜１００ｎｍ、発光層が５ｎｍ〜５０ｎｍ、電子輸送層および電子注入層は１５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。また、有機層１３およびこれを構成する各層の厚さは、その光学膜厚が後述する共振器構造の動作を可能とするような値に設定される。
【００３３】
なお、有機層１３は、図３では有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに別々に設けられているが、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通層とすることが可能である。
【００３４】
また、この有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面を第１界面Ｐ１、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面を第２界面Ｐ２とし、有機層１３を共振部として、発光層１３Ｂで発生した光を共振させる共振器構造ＭＣを有している。このように共振器構造ＭＣを有するようにすれば、発光層１３Ｂで発生した光が多重干渉を起こし、一種の狭帯域フィルタとして作用することにより、取り出される光のスペクトルの半値幅が減少し、ピーク強度を高めることが可能となる。つまり、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることが可能となる。また、上部電極１２側から入射した外光についても多重干渉により減衰させることが可能となり、カラーフィルタ（図示せず）、または位相差板および偏光板（いずれも図示せず）との組合せにより有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにおける外光の反射率を極めて小さくすることが可能となる。
【００３５】
第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１は、例えば、数１を満たすようにすることが好ましい。
【００３６】
（数１）
（２Ｌ１ ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ
（式中、Φは第１界面Ｐ１で生じる反射光の位相シフトΦ１ と第２界面Ｐ２で生じる反射光の位相シフトΦ２ との和（Φ＝Φ１ ＋Φ２ ）（ｒａｄ）、λは取り出したい光のスペクトルのピーク波長、ｍは整数をそれぞれ表す。）
【００３７】
このような共振器構造ＭＣを有する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、次数ｍが大きくなるほど、輝度や色度の視野角依存性、すなわち正面方向から見た場合と斜め方向から見た場合とでの輝度や色度の変化が大きくなる傾向がある。モニター装置やテレビジョン装置等の用途に有機ＥＬ表示装置を用いることを想定した場合、視野角による輝度低下および色度変化は小さい方が望ましい。
【００３８】
視野角特性のみを考慮するとｍ＝０の条件が理想的である。しかしながら、この条件では有機層１３の厚みが薄くなるので、発光特性への影響や下部電極１１と上部電極１２との短絡発生のおそれが生じる。そのため、例えばｍ＝１の条件を用いることにより、輝度や色度の視野角依存性が大きくなることを回避すると共に、発光特性の低下や短絡発生を抑え、生産性の向上と良好な視野角特性とを両立させることが可能となる。
【００３９】
更に、この有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂでは、上部電極１２の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜２０が設けられている。この多層膜２０の高屈折率膜と低屈折率膜との間には、少なくとも一つの追加界面が設けられている。これにより、この表示装置では、共振器構造ＭＣの設計自由度を高め、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能となっている。
【００４０】
具体的には、多層膜２０は、図４に示したように、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、高屈折率膜の第３層２３、および低屈折率膜の第４層２４を有している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有し、第２層２２と第３層２３との間に追加界面として第４界面Ｐ４を有している。
【００４１】
追加界面である第３界面Ｐ３および第４界面Ｐ４は、有機ＥＬ素子１０Ｒ, １０Ｇ，１０ＢによりＲ，Ｇ，Ｂの単色光を合わせて発光させる場合に、それらの単色光のバランスを調整するためのものである。
【００４２】
すなわち、Ｒ，Ｇ，Ｂを合わせて発光させたときは、混色された光の三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの視野角による相対変化が揃っていないと色ずれを抑えることはできない。これは特に知覚上認識されやすい白色で問題となる。本実施の形態は、これを解決するために、Ｒ，Ｇ，Ｂバランスを微調整する目的で上部電極１２上に多層膜２０を設けたものである。つまり、多層膜２０は、第１界面Ｐ１および第２界面Ｐ２に加えて、追加界面として第３界面Ｐ３および第４界面Ｐ４を作ることで設計自由度を上げ、Ｒ，Ｇ，Ｂバランスを調整しやすいようにしたものである。なお、Ｒ，Ｇ，Ｂバランスの調整は、有機層１１の厚み調整や材料選択、多層膜２０の各層の厚み調整などにより行うことが可能である。
【００４３】
このような多層膜２０は、水分等により浸食や劣化などの影響を受けやすい上部電極１２や有機層１３を保護するパッシベーション膜としての機能も有しており、無機材料、有機材料、またはそれらの組合せにより構成されている。無機材料としては、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、またはこれらの組合せが挙げられる。有機材料としては、例えば、ポリイミド、エポキシ、アクリル系の樹脂膜が挙げられる。
【００４４】
多層膜２０は、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜により構成されていることが好ましい。シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜は、低温ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）で成膜しても緻密で含水率が低い膜を得ることが可能である。よって、特にトップエミッションの場合には、有機層１３の成膜後に高温ＣＶＤで多層膜２０を成膜することによって有機層１３に熱ダメージを与えてしまうのを回避すると共に、多層膜２０のパッシベーション性能を高め、高温保存特性や信頼性を向上させることが可能となる。
【００４５】
シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜としては、例えば、ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣＮが挙げられる。中でも、ＳｉＮｘが好ましい。ＳｉＮｘ膜は、成膜中にＣＶＤ条件を調整することにより屈折率を容易に変化させることが可能である。よって、第１層２１ないし第４層２４をすべて同じＳｉＮｘ膜として屈折率のみ異ならせることにより、構成を簡素化すると共に、製造プロセスとしても設備コストを抑えることが可能となる。
【００４６】
また、上述のように混色された光（白色）の三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの視野角による相対変化を揃える目的では、必ずしも大きな屈折率差は必要ないので、高屈折率ＳｉＮ／低屈折率ＳｉＮの屈折率差で調整可能であり、材料選択の自由度がある。界面での屈折率差を大きくするためにＳｉＯのような疎で含水率の高い材料を使用する必要はなくなり、画素侵食を抑えることが可能となる。
【００４７】
以下、多層膜２０を構成する第１層２１ないし第４層２４の各層の具体的な構成について説明する。
【００４８】
第１層２１は、多層膜２０のうち上部電極１２に最も近い層であり、上部電極１２に直接接して設けられている。第１層２１は、上層膜（特に第２層２２または第４層２４）からの未反応ガスが上部電極１２および有機層１３に侵入することを抑えるための膜であり、バリア性能が高いことが求められる。そのためには、フーリエ変換赤外分光スペクトルにおける３３５０ｃｍ-1付近のＮ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＡ、２１６０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＢとしたとき、第１層２１のＢ／Ａ比率が第４層２４のＢ／Ａ比率よりも大きいことが好ましい。
【００４９】
第１層２１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。また、第１層２１は、上述の理由でバリア性能を高めるためにシリコン含有比が高く緻密な（高密度な）膜とされており、そのため多層膜２０の中で相対的に屈折率が最も高くなっている。
【００５０】
また、第１層２１は、第３界面Ｐ３を形成するという光学調整機能を有しているので、第１層２１の厚みはあまりに厚過ぎないことが望ましい。第１層２１の厚みが厚過ぎると、第３界面Ｐ３が消滅してしまうからである。例えば、第１層２１の厚みは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５１】
第２層２２は、第１層２１との間に第３界面Ｐ３を形成するための低屈折率膜である。すなわち、第１層２１の屈折率をｎ１、第２層２２の屈折率をｎ２としたとき、ｎ１＞ｎ２の関係が成立している。
【００５２】
第２層２２は、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。第２層２２は、成膜条件の調整により第１層２１よりも疎な（低密度な）膜とされており、そのため第１層２１よりも屈折率が低くなっている。なお、第２層２２は、疎な膜であることから未反応ガスを多く含んでいるが、第２層２２と上部電極１２との間にはバリア機能を有する第１層２１が設けられているので、第２層２２からの未反応ガスが上部電極１２または有機層１３へ侵入することが抑えられている。
【００５３】
また、第２層２２は、第３界面Ｐ３および第４界面Ｐ４を形成するという光学調整機能を有しているので、第２層２２の厚みはあまりに厚過ぎないことが望ましい。第２層２２の厚みが厚過ぎると、第３界面Ｐ３または第４界面Ｐ４が消滅してしまうからである。例えば、第２層２２の厚みは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
第３層２３は、第２層２２との間に第４界面４を形成するための高屈折率膜である。つまり、第２層２２の屈折率をｎ２、第３層２３の屈折率をｎ３としたとき、ｎ２＜ｎ３の関係が成立している。
【００５５】
第３層２３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。また、第３層２３は、成膜条件の調整により第１層２１と同様にシリコン含有比が高く緻密な膜とされており、そのため屈折率が高くなっていると共に、第１層２１のバリア性を補う機能も有することが可能となっている。
【００５６】
また、第３層２３は、第４界面Ｐ４を形成するという光学調整機能を有しているので、第３層２３の厚みはあまりに厚過ぎないことが望ましい。第３層２３の厚みが厚過ぎると、第４界面Ｐ４が消滅してしまうからである。例えば、第３層２３の厚みは１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００５７】
更に、第３層２３の屈折率ｎ３と、第１層２１の屈折率ｎ１は、ｎ１＞ｎ３を満たしていることが望ましい。このようにすることにより、第４界面Ｐ４における反射を、第３界面Ｐ３における反射よりも小さくして、取り出し効率を高めることが可能となる。
【００５８】
第４層２４は、多層膜２０のうち上部電極１２から最も遠い層である。第４層２４は、下層膜（有機層１３、上部電極１２等）に異物や突起があった際にそれらを覆うことで隙間からの水分などの浸入を抑えるための膜である。
【００５９】
第４層２４は、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。第４層２４は、成膜条件の調整により第３層２３よりも疎な膜とされており、そのため第３層２３よりも屈折率が低くなっている。なお、第４層２４は疎な膜であることから未反応ガスを多く含んでいるが、第４層２４と上部電極１２との間にはバリア機能を有する第１層２１および第３層２３が設けられているので、第４層２４からの未反応ガスが上部電極１２または有機層１３へ侵入することが抑えられている。第４層２４の屈折率ｎ４と、第２層２２の屈折率ｎ２とは、ほぼ同じである。
【００６０】
第４層２４の厚みは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。１μｍよりも薄い場合には、下層膜の異物や突起が確実に覆われなくなるおそれがあるからである。また、第４層２４は上述したように疎な膜であることから、成膜レートを高くすることができ、容易に厚みを１μｍ以上と厚くすることが可能である。
【００６１】
第４層２４の消衰係数は、例えば０．０１以下であることが好ましい。第４層２４の厚みを１μｍ以上と厚くした場合には、第４層２４の光の吸収が大きいと、有機層１３からの発光が吸収され、取り出し効率が低下してしまうおそれがあるからである。
【００６２】
なお、多層膜２０の第１層２１ないし第４層２４は、図３では有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに別々に設けられているが、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通層とすることが可能である。
【００６３】
更に、多層膜２０上には、例えば、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂よりなる接着層（図示せず）を間にして、ガラスなどよりなる対向基板（図示せず）が全面にわたって貼り合わされている。対向基板には、必要に応じて、カラーフィルタまたはブラックマトリクスとしての遮光膜が設けられている。多層膜２０と対向基板との間には、レンズシート（図示せず）が装着されていてもよい。接着層の材料としては、エポキシ、アクリル系の有機材料が挙げられる。
【００６４】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００６５】
まず、上述した材料よりなる基板１０の上に画素回路１４０を形成し、平坦化膜（図示せず）により基板１０の表面を平坦化する。次いで、平坦化膜で覆われた基板１０の表面に、例えばスパッタ法により、例えばＡｌ合金よりなる下部電極材料膜（図示せず）を、例えば１００ｎｍの厚みで形成する。この下部電極材料膜を、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて所定の形状に成形し、下部電極１１を形成する。続いて、必要に応じて下部電極１１の間に電極分離絶縁膜（図示せず）を形成する。
【００６６】
そののち、下部電極１１の上に、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１３Ａ，発光層１３Ｂ，電子輸送層および電子注入層１３Ｃを順に成膜し、有機層１３を形成する。有機層１３は、マスクを用いて蒸着することで、赤，緑および青の各色に分けて形成することが可能である。また、有機層１３は、共振器構造ＭＣにおいて発光層１３Ｂで発生した光を共振させる共振部としての機能を有している。よって、有機層１３の厚みを赤，緑および青の各色で互いに調整することにより、共振器構造ＭＣにおける共振部の厚みを調整し、取り出し効率や視野角特性を高めることが可能である。
【００６７】
有機層１３を形成したのち、例えば真空蒸着法により、有機層１３の上に、上述した厚みおよび材料よりなる上部電極１２を形成する。これにより、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第１界面Ｐ１が形成され、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第２界面Ｐ２が形成される。
【００６８】
上部電極１２を形成したのち、上部電極１２の上に、上述した厚みおよび材料よりなる第１層２１ないし第４層２４を成膜し、多層膜２０を形成する。多層膜２０の形成方法としては、例えば、無機材料の場合にはプラズマＣＶＤ法、有機材料の場合には塗布法が挙げられる。プラズマＣＶＤ法は被覆性（カバレッジ）が良好であると共に、高速成膜が可能であり、生産性向上に有利となる。塗布法は平坦性が良くなる。
【００６９】
多層膜２０をＳｉＮｘ膜により構成する場合には、例えば、シランガス、アンモニアガスおよび窒素などのキャリアガスを含むガスを原料とした低温ＣＶＤ法により形成すると共に、ＣＶＤ条件を調整することにより高屈折率膜（第１層２１，第３層２３）と低屈折率膜（第２層２２、第４層２４）とで屈折率を異ならせるようにすることが好ましい。その際のＣＶＤ条件範囲としては、例えば、シランガス流量：０．１〜５．０（ＳＬＭ）、アンモニアガス流量：０．１〜５．０（ＳＬＭ）、窒素ガス流量：０．１〜１０．０（ＳＬＭ）、ＲＦパワー：０．１〜１０．０（ｋＷ）、圧力：１０〜５００（Ｐａ）とすることが可能である。
【００７０】
多層膜２０は、基板温度１５０℃以下で形成することが好ましい。有機層１３の熱ダメージを避けることが可能となるからである。
【００７１】
このようにして、上部電極１２の上に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、高屈折率膜の第３層２３、および低屈折率膜の第４層２４が順に積層される。高屈折率膜の第１層２１と低屈折率膜の第２層２２との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第３界面Ｐ３が形成される。低屈折率膜の第２層２２と高屈折率膜の第３層２３との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第４界面Ｐ４が形成される。
【００７２】
そののち、多層膜２０の上に、接着層（図示せず）を形成し、対向基板（図示せず）を貼り合わせて封止する。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。
【００７３】
この表示装置では、走査線ＷＳＬから供給される制御信号に応じてサンプリング用トランジスタ３Ａが導通し、信号線ＤＴＬから供給された映像信号の信号電位がサンプリングされて保持容量３Ｃに保持される。また、電源線ＤＳＬから駆動用トランジスタ３Ｂに電流が供給され、保持容量３Ｃに保持された信号電位に応じて、駆動電流が発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に供給される。発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）は、供給された駆動電流により、映像信号の信号電位に応じた輝度で発光する。この光は、上部電極１２，カラーフィルタおよび対向基板（図示せず）を透過して取り出される。
【００７４】
ここでは、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面を第１界面Ｐ１、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面を第２界面Ｐ２とし、有機層１３を共振部とした共振器構造ＭＣが設けられている。よって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１３Ｂで発生した光は、第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間で多重干渉し、正面方向における輝度、色純度などが向上する。
【００７５】
また、上部電極１２の外側には、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜２０があり、この多層膜２０の高屈折率膜と低屈折率膜との間に、共振器構造ＭＣの少なくとも一つの追加界面が設けられている。具体的には、多層膜２０は、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、高屈折率膜の第３層２３、および低屈折率膜の第４層２４を有している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有し、第２層２２と第３層２３との間に追加界面として第４界面Ｐ４を有している。
【００７６】
このように、上部電極１２の外側に追加界面として第３界面Ｐ３および第４界面Ｐ４をもつことで、設計自由度が高くなり、二以上の単色光（例えばＲ，Ｇ，Ｂ）を合わせて発光させる場合に、それらの単色光のバランスを調整しやすくなる。よって、混色された光の三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの視野角による相対変化を揃えることが容易になる。これにより、特に知覚上認識されやすい白色の色度変化が抑制され、発光特性の視野角依存性が緩和される。
【００７７】
このように本実施の形態では、上部電極１２の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜２０を設け、この多層膜２０の高屈折率膜と低屈折率膜との間に少なくとも一つの追加界面を設けるようにしている。具体的には、第１層２１と第２層２２との間に第３界面Ｐ３、第２層２２と第３層２３との間に第４界面Ｐ４を設けている。よって、共振器構造ＭＣの設計自由度を向上させ、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能となる。
【００７８】
特に、多層膜２０をシリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成するようにしたので、低温ＣＶＤでも緻密で含水率の低い膜を形成可能であり、多層膜２０のパッシベーション性能を高め、信頼性を向上させることが可能となる。
【００７９】
（変形例１）
なお、上記実施の形態では、多層膜２０として、高屈折率膜（第１層２１，第３層２３）および低屈折率膜（第２層２２，第４層２４）を交互に４層積層した場合について説明した。しかしながら、多層膜２０の積層数は４層に限られず、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に６層、８層、またはそれ以上の偶数層積層したものでもよい。
【００８０】
例えば図５に示したように、高屈折率膜（第１層２１，第３層２３，第５層２５，第７層２７）と低屈折率膜（第２層２２，第４層２４，第６層２６，第８層２８）とを交互に８層積層することも可能である。この場合、第１層２１と第２層２２との間に第３界面Ｐ３、第２層２２と第３層２３との間に第４界面Ｐ４、第３層２３と第４層２４との間に第５界面Ｐ５、第４層２４と第５層２５との間に第６界面Ｐ６、第５層２５と第６層２６との間に第７界面Ｐ７、第６層２６と第７層２７との間に第８界面Ｐ８が形成される。
【００８１】
本変形例では、多層膜２０のうち上部電極１２から最も遠い層（第８層２８）は低屈折率膜、すなわち疎な膜である。従って、第８層２８の成膜レートを高くして厚みを大きくし、下層膜（有機層１３、上部電極１２等）の異物や突起を覆い、隙間からの水分などの浸入を抑えることが可能となる。
【００８２】
（変形例２）
また、変形例１では、多層膜２０の積層数を偶数とした場合について説明したが、多層膜２０の積層数は偶数に限らず、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に奇数層積層したものでもよい。
【００８３】
例えば図６に示したように、高屈折率膜（第１層２１，第３層２３，第５層２５，第７層２７，第９層２９）と低屈折率膜（第２層２２，第４層２４，第６層２６，第８層２８）とを交互に９層積層することも可能である。この場合、第１層２１と第２層２２との間に第３界面Ｐ３、第２層２２と第３層２３との間に第４界面Ｐ４、第３層２３と第４層２４との間に第５界面Ｐ５、第４層２４と第５層２５との間に第６界面Ｐ６、第５層２５と第６層２６との間に第７界面Ｐ７、第６層２６と第７層２７との間に第８界面Ｐ８、第７層２７と第８層２８との間に第９界面Ｐ９が形成される。
【００８４】
本変形例では、多層膜２０のうち上部電極１２から最も遠い層（第９層２９）は高屈折率膜、すなわちシリコン含有比の高い緻密な膜である。この場合には、第９層２９の成膜レートを上げて厚みを大きくすることは難しい。しかしながら、多層膜２０の合計厚みが十分に厚い場合には、第９層２９の厚みが小さくても、第１層２１ないし第８層２８によって下層膜（有機層１３、上部電極１２等）の異物や突起を覆い、隙間からの水分などの浸入を抑えることが可能である。
【００８５】
（第２の実施の形態）
図７は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における、多層膜２０の断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、多層膜２０の構成が異なることを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００８６】
基板１０、下部電極１１，上部電極１２および有機層１３は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００８７】
多層膜２０は、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、および第３層３１を有している。第３層３１は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有している。
【００８８】
第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１、および第１界面Ｐ１と第３界面Ｐ３との間の光学的距離Ｌ２は、第１の実施の形態と同様である。
【００８９】
多層膜２０は、第１の実施の形態と同様に、無機材料、有機材料、またはそれらの組合せにより構成されている。中でも、多層膜２０は、第１の実施の形態と同様に、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えば、ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣＮにより構成されていることが好ましい。
【００９０】
以下、多層膜２０を構成する第１層２１，第２層２２および第３層３１の各層の構成について説明する。
【００９１】
第１層２１および第２層２２は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００９２】
第３層３１は、多層膜２０のうち上部電極１２から最も遠い層である。第３層３１は、下層膜（有機層１３、上部電極１２等）に異物や突起があった際にそれらを覆うことで隙間からの水分などの浸入を抑えるための膜である。
【００９３】
第３層３１は、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。第３層３１は、成膜条件の調整により第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて疎な膜とされており、そのため第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少している。
【００９４】
第３層３１の第２層２２側における屈折率をｎ３１とし、第２層２２の屈折率をｎ２としたとき、ｎ２＜ｎ３１の関係が成立していることが好ましい。第３層３１の第２層２２側の屈折率ｎ３１が低すぎる場合には、第１層２１と第２層２２との間の第３界面Ｐ３に共振器構造ＭＣの共振面としての反射機能を持たせることが難しくなる。
【００９５】
また、第３層３１の屈折率は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて連続的に減少している、換言すれば、途中で増加していないことが望ましい。これにより、第３層３１における光吸収を小さくし、取り出し効率を向上させることが可能となる。
【００９６】
第３層３１の厚みは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。１μｍよりも薄い場合には、下層膜の異物や突起が確実に覆われなくなるおそれがあるからである。また、第３層３１は、厚み方向の一部に疎な部分を含むので、成膜レートを高くすることができ、容易に厚みを１μｍ以上と厚くすることが可能である。
【００９７】
第３層３１の消衰係数は、例えば０．０１以下であることが好ましい。第３層３１の厚みを１μｍ以上と厚くした場合には、第３層３１の光の吸収が大きいと、有機層１３からの発光が吸収され、取り出し効率が低下してしまうおそれがあるからである。
【００９８】
この表示装置は、多層膜２０の第３層３１の形成方法が異なることを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。多層膜２０の第３層３１の形成方法は、例えば、以下の通りである。第３層３１のＣＶＤ成膜中において、シランガス流量、アンモニアガス流量、窒素ガス流量、ＲＦパワー、圧力などの条件を連続的に変化させることで、第３層３１の屈折率を第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて連続的に減少させる。
【００９９】
この表示装置では、各発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に対して第１の実施の形態で説明したと同じように駆動制御がなされ、表示が行われる。
【０１００】
ここでは、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面を第１界面Ｐ１、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面を第２界面Ｐ２とし、有機層１３を共振部とした共振器構造ＭＣが設けられている。よって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光層１３Ｂで発生した光は、第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間で多重干渉し、正面方向における輝度、色純度などが向上する。
【０１０１】
また、多層膜２０は、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、および第３層３１を有し、第３層３１は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有している。
【０１０２】
このように、上部電極１２の外側に追加界面として第３界面Ｐ３をもつことで、設計自由度が高くなり、二以上の単色光（例えばＲ，Ｇ，Ｂ）を合わせて発光させる場合に、それらの単色光のバランスを調整しやすくなる。よって、混色された光の三刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの視野角による相対変化を揃えることが容易になる。これにより、特に知覚上認識されやすい白色の色度変化が抑制され、発光特性の視野角依存性が緩和される。
【０１０３】
このように本実施の形態では、多層膜２０として、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、および第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少する第３層３１を設けると共に、第１層２１と第２層２２との間に第３界面Ｐ３を設けている。よって、共振器構造ＭＣの設計自由度を高め、視野角依存性をより緩和しやすくすることが可能となる。
【０１０４】
（第３の実施の形態）
図８は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における、多層膜２０の構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、多層膜２０の構成が異なることを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
【０１０５】
基板１０、下部電極１１，上部電極１２および有機層１３は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１０６】
多層膜２０は、上部電極１２の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、および第３層３２を有している。第３層３２は、複数の層３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ，３２Ｅの積層構造を有し、これら複数の層３２Ａ〜３２Ｅの屈折率は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有している。
【０１０７】
第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１、および第１界面Ｐ１と第３界面Ｐ３との間の光学的距離Ｌ２は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０８】
多層膜２０は、第１の実施の形態と同様に、無機材料、有機材料、またはそれらの組合せにより構成されている。中でも、多層膜２０は、第１の実施の形態と同様に、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えば、ＳｉＮｘ，ＳｉＯＮ，ＳｉＣＮにより構成されていることが好ましい。
【０１０９】
以下、多層膜２０を構成する第１層２１，第２層２２および第３層３２の各層の構成について説明する。
【０１１０】
第１層２１および第２層２２は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１１１】
第３層３２は、多層膜２０のうち上部電極１２から最も遠い層である。第３層３２は、下層膜（有機層１３、上部電極１２等）に異物や突起があった際にそれらを覆うことで隙間からの水分などの浸入を抑えるための膜である。
【０１１２】
第３層３２の複数の層３２Ａ〜３２Ｅは、例えば、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜、例えばＳｉＮｘ膜により構成されている。複数の層３２Ａ〜３２Ｅは、成膜条件の調整により第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に密度が減少しており、そのため、複数の層３２Ａ〜３２Ｅの屈折率は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少している。
【０１１３】
複数の層３２Ａ〜３２Ｅのうち第２層２２に最も近い層３２Ａの屈折率をｎ３１とし、第２層２２の屈折率をｎ２としたとき、ｎ２＜ｎ３１の関係が成立していることが好ましい。層３２Ａの屈折率ｎ３１が低すぎる場合には、第１層２１と第２層２２との間に第３界面Ｐ３に共振器構造ＭＣの共振面としての反射機能を持たせることが難しくなる。
【０１１４】
また、複数の層３２Ａ〜３２Ｅの屈折率は、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少している、換言すれば、途中で増加していないことが望ましい。これにより、第３層３２における光吸収を小さくし、取り出し効率を向上させることが可能となる。
【０１１５】
第３層３２の厚み（複数の層３２Ａ〜３２Ｅの合計厚み）は、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上１０μｍ以下である。１μｍよりも薄い場合には、下層膜（有機層１３、上部電極１２等）の異物や突起が確実に覆われなくなるおそれがあるからである。また、第３層２６は、厚み方向の一部に疎な部分を含むので、成膜レートを高くすることができ、容易に厚みを１μｍ以上と厚くすることが可能である。
【０１１６】
第３層３２の消衰係数は、例えば０．０１以下であることが好ましい。第３層３２の厚みを１μｍ以上と厚くした場合には、第３層３２の光の吸収が大きいと、有機層１３からの発光が吸収され、取り出し効率が低下してしまうおそれがあるからである。
【０１１７】
この表示装置は、多層膜２０の第３層３２の形成方法が異なることを除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。多層膜２０の第３層３２の形成方法は、例えば、以下の通りである。第３層３２の複数の層３２Ａ〜３２ＥのＣＶＤ成膜中において、シランガス流量、アンモニアガス流量、窒素ガス流量、ＲＦパワー、圧力などの条件を段階的に変化させることで、複数の層３２Ａ〜３２Ｅの屈折率を、第２層２２側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少させる。
【０１１８】
この表示装置では、各発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に対して第１の実施の形態で説明したと同じように駆動制御がなされ、表示が行われる。この表示装置の作用および効果については、第２の実施の形態と同様である。
【０１１９】
（第４の実施の形態）
図９は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における、表示領域１１０Ａの断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、表示素子として白色光（青色光ＬＢと黄色光ＬＹとの混色）を発生する有機ＥＬ素子１０Ｗを有していることを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、同一の構成要素には同一の符号を付して説明する。
【０１２０】
基板１０、多層膜２０および共振器構造ＭＣは、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１２１】
有機ＥＬ素子１０Ｗは、それぞれ、下部電極１１および上部電極１２の間に、発光層を含む有機層１３を有している。下部電極１１，有機層１３および上部電極１２は、基板１０の側からこの順に積層されている。
【０１２２】
ここで、本実施の形態では、下部電極１１は、本開示における「第１電極」の一具体例に対応する。上部電極１２は、本開示における「第２電極」の一具体例に対応する。
【０１２３】
下部電極（アノード）１１および上部電極１２は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１２４】
有機層１３は、例えば、下部電極１１の側から順に、黄色光ＬＹ（または橙色光）を発生する第１発光ユニット１４，電荷発生層１５および青色光ＬＢ（または青緑色）を発生する第２発光ユニット１６を積層した構成を有している。
【０１２５】
第１発光ユニット１４は、例えば、下部電極１１の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１４Ａ，第１発光層１４Ｂおよび電子輸送層１４Ｃを有している。
【０１２６】
電荷発生層１５は、電圧印加時において、上部電極１２（陰極）側に配置された第２発光ユニット１６に対しては正孔を注入する一方、下部電極１１（陽極）側に配置された第１発光ユニット１４に対しては電子を注入するものである。電荷発生層１５は、例えば、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）、酸化タングステン（ＷＯ3）、酸化バナジウム（Ｖ2 Ｏ5 ）や７酸化レニウム（Ｒｅ2 Ｏ7 ）のような金属酸化物やポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、ヘキサシアノアザトリフェニレン、７,７,８,８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、７,７,８,８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４−ＴＣＮＱ）などの電荷移動錯体化合物を単層として構成させるほかに、アミン化合物にドーピングして構成されていてもよい。
【０１２７】
第２発光ユニット１６は、例えば、電荷発生層１５の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１６Ａ，第２発光層１６Ｂ，電子輸送層および電子注入層１６Ｃを有している。
【０１２８】
第１発光ユニット１４および第２発光ユニット１６の各層の構成材料は特に限定されない。正孔注入層は、例えば、ヘキサアザトリフェニレン（ＨＡＴ）などにより構成されている。正孔輸送層は、例えば、ベンジジン誘導体、スチリルアミン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体などの正孔輸送材料により構成されている。第１発光層１４Ｂおよび第２発光層１６Ｂは、例えば、ベリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素、トリフェニルアミン誘導体等の有機物質を微量含む有機膜により構成されている。電子輸送層は、例えばキノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体などの電子輸送材料により構成される。電子注入層は、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）により構成される。
【０１２９】
有機層１３を構成する各層の厚さは、例えば、正孔注入層が１ｎｍ〜２０ｎｍ、正孔輸送層が１５ｎｍ〜１００ｎｍ、発光層が５ｎｍ〜５０ｎｍ、電子輸送層および電子注入層は１５ｎｍ〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。また、有機層１３およびこれを構成する各層の厚さは、その光学膜厚が共振器構造ＭＣの動作を可能とするような値に設定される。
【０１３０】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【０１３１】
まず、第１の実施の形態と同様にして、基板１０に画素回路１４０、平坦化膜（図示せず）および下部電極１１を形成する。
【０１３２】
次いで、下部電極１１の上に、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる第１発光ユニット１４，電荷発生層１５および第２発光ユニット１６を順に形成し、有機層１３を形成する。
【０１３３】
続いて、有機層１３の上に、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる上部電極１２を形成する。これにより、下部電極１１の第１発光層１４Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第１界面Ｐ１が形成され、上部電極１２の第２発光層１６Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第２界面Ｐ２が形成される。
【０１３４】
上部電極１２を形成したのち、第１の実施の形態と同様にして、上部電極１２の上に、上述した厚みおよび材料よりなる第１層２１ないし第４層２４を成膜し、多層膜２０を形成する。高屈折率膜の第１層２１と低屈折率膜の第２層２２との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第３界面Ｐ３が形成される。低屈折率膜の第２層２２と高屈折率膜の第３層２３との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第４界面Ｐ４が形成される。
【０１３５】
そののち、多層膜２０の上に、接着層（図示せず）を形成し、対向基板（図示せず）を貼り合わせて封止する。以上により、図９に示した表示装置が完成する。
【０１３６】
この表示装置では、各発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｗ）に対して第１の実施の形態で説明したと同じように駆動制御がなされ、白黒の表示が行われる。この表示装置の作用および効果については、第１の実施の形態と同様である。
【０１３７】
なお、上記変形例１，変形例２，第２の実施の形態および第３の実施の形態は、本実施の形態にも適用可能である。
【０１３８】
（第５の実施の形態）
図１０は、本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における、表示領域１１０Ａの断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、表示素子として、上記第４の実施の形態で説明した白色光（黄色光ＬＹと青色光ＬＢとの混色）を発生する有機ＥＬ素子１０Ｗと、上記第１の実施の形態で説明した青色光ＬＢを発生する有機ＥＬ素子１０Ｂとを有し、これらとカラーフィルタ４０との組合せによりカラー表示を行うものである。このことを除いては、この表示装置は上記第１および第４の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、第１および第４の実施の形態と同様にして製造することができる。
【０１３９】
カラーフィルタ４０は、例えば、赤色カラーフィルタ４０Ｒ，緑色カラーフィルタ４０Ｇおよび青色カラーフィルタ４０Ｂを有している。赤色カラーフィルタ４０Ｒおよび緑色カラーフィルタ４０Ｇは、白色光（黄色光ＬＹと青色光ＬＢとの混色）を発生する有機ＥＬ素子１０Ｗに対向して設けられている。青色カラーフィルタ４０Ｂは、青色光ＬＢを発生する有機ＥＬ素子１０Ｂに対向して設けられている。なお、青色カラーフィルタ４０Ｂは省略可能である。
【０１４０】
赤色カラーフィルタ４０Ｒ，緑色カラーフィルタ４０Ｇおよび青色カラーフィルタ４０Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【０１４１】
更に、カラーフィルタ４０における透過率の高い波長範囲と、共振器構造ＭＣ１から取り出したい光のスペクトルのピーク波長λとは一致している。これにより、上部電極１２側から入射する外光のうち、取り出したい光のスペクトルのピーク波長λに等しい波長を有するもののみがカラーフィルタ４０を透過し、その他の波長の外光が有機ＥＬ素子１０Ｗ，１０Ｂに侵入することが防止される。
【０１４２】
なお、上記変形例１，変形例２，第２の実施の形態および第３の実施の形態は、本実施の形態にも適用可能である。
【０１４３】
（第６の実施の形態）
図１１は、本開示の第６の実施の形態に係る表示装置における、表示領域１１０Ａの断面構成を表したものである。本実施の形態は、発光層１３Ｂで発生した光を下部電極１１側から取り出す（ボトムエミッション）ことを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【０１４４】
表示領域１１０Ａにおいて、基板１０上には、画素回路１４０、平坦化膜５０、多層膜２０が順に設けられ、多層膜２０の上に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられている。なお、図１１では、画素回路１４０の駆動用トランジスタ３Ｂのみが示されている。
【０１４５】
有機ＥＬ素子１０Ｒ, １０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、下部電極１１および上部電極１２の間に、発光層を含む有機層１３を有している。下部電極１１，有機層１３および上部電極１２は、基板１０の側からこの順に積層されている。
【０１４６】
ここで、本実施の形態では、下部電極１１は、本開示における「第２電極」の一具体例に対応する。上部電極１２は、本開示における「第１電極」の一具体例に対応する。
【０１４７】
基板１０および有機層１３は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１４８】
下部電極１１は、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ2などの透明電極により構成されている。
【０１４９】
上部電極１２は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、上部電極１２は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【０１５０】
本実施の形態では、共振器構造ＭＣの第１界面Ｐ１は、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面となり、共振器構造ＭＣの第２界面Ｐ２は、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面となる。
【０１５１】
多層膜２０は、下部電極１１の側から順に、高屈折率膜の第１層２１、低屈折率膜の第２層２２、高屈折率膜の第３層２３、および低屈折率膜の第４層２４を有している。共振器構造ＭＣは、第１層２１と第２層２２との間に追加界面として第３界面Ｐ３を有し、第２層２２と第３層２３との間に追加界面として第４界面Ｐ４を有している。このことを除いては、多層膜２０は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【０１５２】
第１界面Ｐ１と第２界面Ｐ２との間の光学的距離Ｌ１、第１界面Ｐ１と第３界面Ｐ３との間の光学的距離Ｌ２、および第１界面Ｐ１と第４界面Ｐ４との間の光学的距離Ｌ３は、第１の実施の形態と同様である。
【０１５３】
平坦化膜５０は、画素回路１４０等による凹凸を軽減するものであり、例えば、厚みが１μｍないし５μｍ程度であり、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ２ ）などの無機材料により構成されている。
【０１５４】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【０１５５】
まず、基板１０に画素回路１４０を形成し、平坦化膜５０により基板１０の表面を平坦化する。次いで、平坦化膜５０の上に、上述した厚みおよび材料よりなる第４層２４ないし第１層２１を成膜し、多層膜２０を形成する。多層膜２０の形成方法は、第１の実施の形態と同様である。第１層２１と第２層２２との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第３界面Ｐ３が形成される。第２層２２と第３層２３との間には、共振器構造ＭＣの追加界面として第４界面Ｐ４が形成される。
【０１５６】
続いて、多層膜２０の上に、例えばスパッタ法により、例えばＩＴＯよりなる下部電極材料膜（図示せず）を、例えば１００ｎｍの厚みで形成する。この下部電極材料膜を、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを用いて所定の形状に成形し、下部電極１１を形成する。続いて、必要に応じて下部電極１１の間に電極分離絶縁膜（図示せず）を形成する。
【０１５７】
そののち、下部電極１１の上に、第１の実施の形態と同様にして、例えば真空蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１３Ａ，発光層１３Ｂ，電子輸送層および電子注入層１３Ｃを順に成膜し、有機層１３を形成する。
【０１５８】
有機層１３を形成したのち、例えば真空蒸着法により、有機層１３の上に、上述した厚みおよび材料よりなる上部電極１２を形成する。これにより、下部電極１１の発光層１３Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第２界面Ｐ２が形成され、上部電極１２の発光層１３Ｂ側の端面に、共振器構造ＭＣの第１界面Ｐ１が形成される。
【０１５９】
そののち、多層膜２０の上に、接着層（図示せず）を形成し、対向基板（図示せず）を貼り合わせて封止する。以上により、図１１に示した表示装置が完成する。
【０１６０】
この表示装置では、各発光素子３Ｄ（有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に対して第１の実施の形態で説明したと同じように駆動制御がなされ、表示が行われる。この表示装置の作用および効果については、第１の実施の形態と同様である。
【０１６１】
なお、上記変形例１，変形例２，第２の実施の形態および第３の実施の形態は、本実施の形態にも適用可能である。
【０１６２】
（変形例３）
図１２は、変形例３に係る表示装置における、表示領域１１０Ａの断面構成を表したものである。本変形例は、上記第６の実施の形態において、多層膜２０の第４層２４が平坦化膜５０を兼ねるようにしたものである。このことを除いては、本変形例は、上記第６の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、上記第６の実施の形態と同様にして製造することができる。
【０１６３】
なお、上記変形例１，変形例２，第２の実施の形態および第３の実施の形態は、本変形例にも適用可能である。
【実施例】
【０１６４】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【０１６５】
（実施例１）
上記第１の実施の形態の表示装置を作製した。その際、図１３に示したように、多層膜２０の第１層２１ないし第４層２４をＳｉＮｘ膜により構成した。
【０１６６】
（比較例１）
上部電極の外側に、図１４に示したようなＳｉＮｘ膜よりなる単層の保護膜６０を設けたことを除いては、実施例１と同様にして表示装置を作製した。保護膜６０の屈折率ｎ６０は一定とした。
【０１６７】
（視野角特性）
得られた実施例１および比較例１の表示装置を白色発光させ、発光面を正面（０°）から見たときと斜め方向（１５°、３０°、４５°、６０°）から見たときとの色度変化量（Δｕ′ｖ′）を調べた。その結果を図１５に示す。
【０１６８】
図１５から分かるように、実施例１では比較例１に比べて視野角による色度変化が大幅に抑えられていた。すなわち、上部電極１２の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜２０を設け、この多層膜２０の高屈折率膜と低屈折率膜との間に少なくとも一つの追加界面を設けるようにすれば、視野角依存性をより緩和しやすくなることが分かった。
【０１６９】
（実施例２）
実施例１と同様にして表示装置を作製した。その際、図１６に示したように、多層膜２０の第２層２２（低屈折率膜）をＳｉＯｘ膜により構成した。
【０１７０】
（高温保存特性）
得られた実施例１および実施例２の表示装置について温度８０℃湿度９０％保存後の画素浸食発生率を調べた。その結果を図１７に示す。
【０１７１】
図１７から分かるように、実施例１では実施例２に比べて画素浸食発生率が改善されていた。すなわち、多層膜２０を、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）とを主成分とする膜により構成するようにすれば、低温ＣＶＤで成膜しても緻密で含水率が低い膜を得ることが可能であり、多層膜２０のパッシベーション性能を高め、高温保存特性や信頼性を向上させることが可能となることが分かった。
【０１７２】
（適用例）
続いて、図１８ないし図２９を参照して、上記実施の形態に係る表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話やスマートフォン等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、この表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１７３】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１８に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜７などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１０の額縁領域１１０Ｂに、配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）１５０が設けられていてもよい。
【０１７４】
（適用例１）
図１９および図２０はそれぞれ、上記実施の形態の表示装置が適用される電子ブック２１０の外観を表したものである。この電子ブック２１０は、例えば、表示部２１１および非表示部２１２を有しており、この表示部２１１が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１７５】
（適用例２）
図２１および図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用されるスマートフォン２２０の外観を表したものである。このスマートフォン２２０は、例えば、表側に表示部２２１および操作部２２２を有し、裏側にカメラ２２３を有しており、この表示部２２１が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１７６】
（適用例３）
図２３は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置２３０の外観を表したものである。このテレビジョン装置２３０は、例えば、フロントパネル２３１およびフィルターガラス２３２を含む映像表示画面部２３３を有しており、この映像表示画面部２３３は、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１７７】
（適用例４）
図２４および図２５は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラ２４０の外観を表したものである。このデジタルカメラ２４０は、例えば、フラッシュ用の発光部２４１、表示部２４２、メニュースイッチ２４３およびシャッターボタン２４４を有しており、この表示部２４２が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１７８】
（適用例５）
図２６は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータ２５０の外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータ２５０は、例えば、本体２５１，文字等の入力操作のためのキーボード２５２および画像を表示する表示部２５３を有しており、この表示部２５３が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１７９】
（適用例６）
図２７は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラ２６０の外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部２６１，この本体部２６１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ２６２，撮影時のスタート／ストップスイッチ２６３および表示部２６４を有している。そして、この表示部２６４が上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１８０】
（適用例７）
図２８および図２９は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機２７０の外観を表したものである。この携帯電話機２７０は、例えば、上側筐体２７１と下側筐体２７２とを連結部（ヒンジ部）２７３で連結したものであり、ディスプレイ２７４，サブディスプレイ２７５，ピクチャーライト２７６およびカメラ２７７を有している。ディスプレイ２７４またはサブディスプレイ２７５が、上記実施の形態の表示装置により構成されている。
【０１８１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【０１８２】
例えば、第４および第５の実施の形態で説明した有機ＥＬ素子１０Ｗにおいて、黄色光ＬＹを発生する第１発光ユニット１４に代えて、緑色光を発生する発光ユニットおよび赤色光を発生する発光ユニットを設け、赤色光，緑色光および青色光の混色により白色光を得ることも可能である。
【０１８３】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１８４】
更に、上記実施の形態および実施例では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【０１８５】
加えて、本開示は、有機ＥＬ素子のほか、無機ＥＬ素子、または電気泳動型の表示素子などの他の表示素子を用いた表示装置にも適用可能である。
【０１８６】
なお、本発明は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、
前記表示素子は、前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、
前記共振器構造は、前記第１電極側に第１界面、前記第２電極側に第２界面を有すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有する
表示装置。
（２）
前記多層膜は、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）を主成分とする膜により構成されている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、高屈折率膜の第３層および低屈折率膜の第４層を有し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面、第２層と第３層との間に前記追加界面として第４界面を有する
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（４）
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、および第３層を有し、
前記第３層は、前記第２層側から発光出射方向に向かうにつれて屈折率が連続的に減少し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面を有する
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（５）
前記多層膜は、前記第２電極の側から順に、高屈折率膜の第１層、低屈折率膜の第２層、および第３層を有し、
前記第３層は、複数の層の積層構造を有し、前記複数の層の屈折率は、前記第２層側から発光出射方向に向かうにつれて階段状に減少し、
前記共振器構造は、前記第１層と前記第２層との間に前記追加界面として第３界面を有する
前記（１）または（２）記載の表示装置。
（６）
フーリエ変換赤外分光スペクトルにおける３３５０ｃｍ-1付近のＮ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＡ、２１６０ｃｍ-1付近のＳｉ−Ｈ伸縮振動に帰属されるピーク強度をＢとしたとき、前記多層膜において前記第２電極に最も近い層のＢ／Ａ比率が、前記多層膜において前記第２電極から最も遠い層のＢ／Ａ比率よりも大きい
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
前記多層膜のうち前記第２電極から最も遠い層の厚みは、１μｍ以上である
前記（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記多層膜のうち前記第２電極から最も遠い層の消衰係数は、０．０１以下である
前記（１）ないし（７）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）
前記表示素子は、複数設けられ、前記複数の表示素子は、可視光領域の互いに異なる単色の光を発生する
前記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１０）
前記表示素子は、白色光を発生する
前記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
前記表示素子は、複数設けられ、前記複数の表示素子は、白色光を発生する白色発光素子と、青色光を発生する青色発光素子とを含み、
前記白色発光素子に対向して赤色カラーフィルタおよび緑色カラーフィルタが設けられている
前記（１）ないし（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）
第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有する表示装置の製造方法であって、
前記第１電極、前記発光層および前記第２電極を形成すると共に、前記第１電極側に前記共振器構造の第１界面、前記第２電極側に前記共振器構造の第２界面を形成する工程と、
前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜を交互に積層した多層膜を形成すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に前記共振器構造の少なくとも一つの追加界面を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
（１３）
前記多層膜を、シリコン（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）を主成分とする膜により構成する
前記（１２）記載の表示装置の製造方法。
（１４）
前記多層膜を、低温ＣＶＤ法により形成すると共に、ＣＶＤ条件を調整することにより前記高屈折率膜と前記低屈折率膜とで屈折率を異ならせる
前記（１３）記載の表示装置の製造方法。
（１５）
前記多層膜を、１５０℃以下の温度で形成する
前記（１４）記載の表示装置の製造方法。
（１６）
表示装置を備え、
前記表示装置は、第１電極および第２電極の間に発光層を有すると共に、前記発光層で発生した光を複数の界面の間で共振させる共振器構造を備えた表示素子を有し、
前記表示素子は、前記第２電極の外側に、高屈折率膜および低屈折率膜が交互に積層された多層膜を有し、
前記共振器構造は、前記第１電極側に第１界面、前記第２電極側に第２界面を有すると共に、前記多層膜の前記高屈折率膜と前記低屈折率との間に少なくとも一つの追加界面を有する
電子機器。
【符号の説明】
【０１８７】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗ…有機ＥＬ素子、１０…基板、１１…下部電極、１２…上部電極、１３…有機層、１３Ｂ…発光層、１４…第１発光ユニット、１４Ｂ…第１発光層、１５…電荷発生層、１６…第２発光ユニット、１６Ｂ…第２発光層、２０…多層膜、２１…第１層、２２…第２層、２３，３１，３２…第３層、２４…第４層、４０…カラーフィルタ、４０Ｒ…赤色カラーフィルタ、４０Ｇ，緑色カラーフィルタ、４０Ｂ…青色カラーフィルタ、５０…平坦化膜、１１０Ａ…表示領域、１２１…水平セレクタ、１３１…ライトスキャナ、１３２…電源スキャナ、１４０…画素回路、ＭＣ…共振器構造、Ｐ１…第１界面、Ｐ２…第２界面、Ｐ３…第３界面、Ｐ４…第４界面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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