(57)【要約】【課題】光電変換効率が高く、耐久性に優れた太陽電池を提供する。【解決手段】陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有し、前記正孔輸送層は、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有する太陽電池。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有し、
前記正孔輸送層は、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有することを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、共役ポリマーであり、重量平均分子量が１万〜１００万であることを特徴とする請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、チオフェン骨格、パラフェニレンビニレン骨格、ビニルカルバゾール骨格、アニリン骨格、アセチレン骨格、ピロール骨格、ペリレン骨格、フルオレン骨格、インドリン骨格、スピロビフルオレン骨格、フタロシアニン骨格及びポルフェリン骨格からなる群から選択される一種以上の骨格を有することを特徴とする請求項１又は２記載の太陽電池。
【請求項４】
光電変換層は、周期表１５族元素の硫化物を含有する層と、有機半導体を含有する層と、を含むことを特徴とする請求項１、２又は３記載の太陽電池。
【請求項５】
更に、陰極と光電変換層との間に、電子輸送層を有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換効率が高く、耐久性に優れた太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体からなる層を複数種積層し、この積層体の両側に電極を設けた光電変換素子が開発されている。また、このような積層体の代わりに、複数種の半導体を混合して複合化した複合膜を用いることも検討されている。このような光電変換素子では、各半導体がＰ型半導体又はＮ型半導体として働き、光励起によりＰ型半導体又はＮ型半導体で光キャリア（電子−正孔対）が生成し、電子がＮ型半導体を、正孔がＰ型半導体を移動することで、電界が生じる。
【０００３】
現在、実用化されている光電変換素子の多くは、シリコン等の無機半導体を用いて製造される無機太陽電池である。しかしながら、無機太陽電池は製造にコストがかかるうえ大型化が困難であり、利用範囲が限られてしまうことから、無機半導体の代わりに有機半導体を用いて製造される有機太陽電池（例えば、特許文献１、２）が注目されている。
【０００４】
有機太陽電池においては、Ｎ型半導体及びＰ型半導体を含有する光電変換層と、陽極との間に、正孔輸送層を設けることが多い。
現在、正孔輸送層の材料としては、ほとんどの場合、ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）が用いられている（例えば、特許文献３）。しかしながら、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは水溶性であるため、製膜性が悪いという問題があった。また、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳは強い酸性であるため、有機太陽電池の劣化の原因にもなっていた。
また、正孔輸送層の材料として金属酸化物等の無機物を用いることも検討されているが、この場合には、ある程度の耐久性は得られるものの光電変換効率が低下するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３４４７９４号公報
【特許文献２】特許第４１２０３６２号公報
【特許文献３】特開２００６−２３７２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、光電変換効率が高く、耐久性に優れた太陽電池を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有し、前記正孔輸送層は、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有することを特徴とする太陽電池である。
以下、本発明を詳述する。
【０００８】
本発明者は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有する太陽電池において、正孔輸送層を、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有するものとすることにより、高い光電変換効率を維持しつつ耐久性を向上させることができることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
本発明の太陽電池は、陰極と、陽極と、前記陰極と前記陽極との間に配置された光電変換層と、前記光電変換層と前記陽極との間に配置された正孔輸送層と、を少なくとも有するものである。
上記陰極の材料は特に限定されず、従来公知の材料を用いることができるが、例えば、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウム、アルミニウム、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物、Ａｌ／ＬｉＦ混合物、ＳｎＯ２、ＦＴＯ、ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＩＴＯ等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記陽極の材料は特に限定されず、従来公知の材料を用いることができるが、例えば、金等の金属、ＣｕＩ、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＳｎＯ２、ＡＺＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ等の導電性透明材料、導電性透明ポリマー等が挙げられる。これらの材料は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００１０】
上記正孔輸送層は、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体を含有する。このような正孔輸送層は、塗工によって安定的かつ簡便に製膜される。
カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は有機溶剤に溶解可能であり、製膜性に優れるため、このような有機半導体を用いることにより、本発明の太陽電池は光電変換効率が高くなり、耐久性にも優れたものとなる。また、カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は弱い酸性であるため、太陽電池を劣化させにくい。このため、本発明の太陽電池は耐久性が更に高くなる。
上記カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は特に限定されず、例えば、カルボキシル基を有し、かつ、チオフェン骨格、パラフェニレンビニレン骨格、ビニルカルバゾール骨格、アニリン骨格、アセチレン骨格、ピロール骨格、ペリレン骨格、フルオレン骨格、インドリン骨格、スピロビフルオレン骨格、フタロシアニン骨格及びポルフェリン骨格からなる群から選択される一種以上の骨格を有することが好ましい。また、これらの誘導体等の骨格であってもよい。なかでも、チオフェン骨格、パラフェニレンビニレン骨格、インドリン骨格及びフタロシアニン骨格からなる群から選択される一種以上の骨格が好ましく、硫黄元素を有することから、チオフェン骨格がより好ましい。
【００１１】
上記チオフェン骨格として、より具体的には例えば、アルキルチオフェン、ベンゾチオフェン、エチレンジオキシチオフェン、チエノチオフェン等が挙げられる。なかでも、側鎖によって有機溶剤への溶解性が向上し、製膜性が向上することから、アルキルチオフェンが好ましい。
【００１２】
また、共役長が伸びることにより、キャリア移動度が高くなることから、上記カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、共役ポリマーであることが好ましい。上記カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体が共役ポリマーである場合、重量平均分子量は特に限定されないが、好ましい下限が１万、好ましい上限が１００万である。上記重量平均分子量が１００万を超えると、上記カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体の有機溶剤への溶解性が低下し、製膜性が低下することがある。
【００１３】
上記カルボキシル基を有し、かつ、チオフェン骨格を有する有機半導体のうち、市販品として、例えば、Ｐ３ＣＴ（Ｒｉｅｋｅ  ｍｅｔａｌｓ社製、カルボキシル基を有し、かつ、チオフェン骨格を有する共役ポリマー、下記式（１）で表される構成単位を有する）等が挙げられる。
【００１４】
【化１】
2014112663.tif 000002
式（１）中、ｎは整数を表す。
【００１５】
上記カルボキシル基を有し、かつ、インドリン骨格を有する有機半導体のうち、市販品として、例えば、Ｄ−１４９（ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製、下記式（２）で表される構造を有する）等が挙げられる。
【００１６】
【化２】
2014112663.tif 000003
【００１７】
上記カルボキシル基を有し、かつ、パラフェニレンビニレン骨格を有する有機半導体として、例えば、カルボキシル基を導入したパラフェニレンビニレン誘導体（下記式（３）で表される構成単位を有する）等が挙げられる。
【００１８】
【化３】
2014112663.tif 000004
式（３）中、ｎは整数を表す。
【００１９】
上記カルボキシル基を有し、かつ、フタロシアニン骨格を有する有機半導体として、例えば、カルボキシル基を導入したフタロシアニン誘導体（下記式（４）で表される構造を有する）等が挙げられる。
【００２０】
【化４】
2014112663.tif 000005
【００２１】
上記正孔輸送層の厚みは、好ましい下限は１ｎｍ、好ましい上限は２０００ｎｍである。上記厚みが１ｎｍ以上であると、充分に電子をブロックできるようになる。上記厚みが２０００ｎｍ以下であると、正孔輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率の低下を防ぐことができる。上記正孔輸送層の厚みのより好ましい下限は３ｎｍ、より好ましい上限は１０００ｎｍであり、更に好ましい下限は５ｎｍ、更に好ましい上限は５００ｎｍである。
【００２２】
上記光電変換層は、Ｎ型半導体及びＰ型半導体を含有していれば特に限定されないが、太陽電池の光電変換効率及び耐久性が高くなることから、周期表１５族元素の硫化物を含有する層（以下、硫化物層ともいう）と、有機半導体を含有する層（以下、有機半導体層ともいう）とを含む層であることが好ましい。
このような光電変換層においては、上記硫化物層が主にＮ型半導体として、上記有機半導体層が主にＰ型半導体として働くと推測されるが、上記硫化物層は、部分的にはＰ型半導体として働いていてもよいし、上記有機半導体層は、部分的にはＮ型半導体として働いていてもよい。また、このような光電変換層は、上記硫化物層と上記有機半導体層とを含む積層体であってもよいし、上記硫化物層と上記有機半導体層とを混合して複合化した複合膜であってもよいが、有機半導体の電荷分離効率を向上させることができるため、複合膜であることがより好ましい。
なお、上記光電変換層において主にＮ型半導体として働く半導体は、上記周期表１５族元素の硫化物のほかにも、例えば、周期表１５族元素以外の元素の硫化物（例えば、硫化カドミウム）、有機半導体（例えば、フラーレン誘導体）等が挙げられる。
【００２３】
上記周期表１５族元素の硫化物は、硫化アンチモン、硫化ビスマスであることが好ましく、硫化アンチモンであることがより好ましい。硫化アンチモンは、有機半導体とのエネルギー準位の相性がよく、かつ、従来の酸化亜鉛、酸化チタン等より可視光に対する吸収が大きい。このため、上記周期表１５族元素の硫化物が硫化アンチモンであることにより、太陽電池の光電変換効率が高くなる。これらの周期表１５族元素の硫化物は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記周期表１５族元素の硫化物は、周期表１５族元素の２種以上の元素を同一の分子に含有する複合硫化物であってもよい。
【００２４】
上記硫化物層は、本発明の効果を阻害しない範囲内であれば、上記周期表１５族元素の硫化物に加えて他の元素を含有していてもよい。上記他の元素は特に限定されないが、周期表の第４周期、第５周期及び第６周期に属する元素が好ましく、具体的には例えば、インジウム、ガリウム、スズ、カドミウム、銅、亜鉛、アルミニウム、ニッケル、銀、チタン、バナジウム、ニオブ、モリブデン、タンタル、鉄、コバルト等が挙げられる。これらの他の元素は単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。なかでも、電子の移動度が高くなることから、インジウム、ガリウム、スズ、カドミウム、亜鉛、銅が好ましい。
【００２５】
上記他の元素の含有量は、上記硫化物層中の好ましい上限が５０重量％である。上記含有量が５０重量％以下であると、硫化物層と有機半導体との相性に悪影響を与えず、光電変換効率の低下が生じにくい。
【００２６】
上記硫化物層は、結晶性半導体であることが好ましい。上記硫化物層が結晶性半導体であることにより、電子の移動度が高くなり、光電変換効率が高くなる。
なお、結晶性半導体とは、Ｘ線回折測定等で測定し、散乱ピークが検出できる半導体を意味する。
【００２７】
また、上記硫化物層の結晶性の指標として、結晶化度を用いることもできる。上記硫化物層の結晶化度は、好ましい下限が３０％である。上記結晶化度が３０％以上であると、電子の移動度がより高くなり、光電変換がより向上する。上記結晶化度のより好ましい下限は５０％、更に好ましい下限は７０％である。
なお、結晶化度は、Ｘ線回折測定等により検出された結晶質由来の散乱ピークと、非晶質部由来のハローとをフィッティングにより分離し、それぞれの強度積分を求めて、全体のうちの結晶質部分の比を算出することにより求めることができる。
【００２８】
上記硫化物層の結晶化度を高める方法として、例えば、硫化物層に対して、熱アニール、レーザー又はフラッシュランプ等の強度の強い光の照射、エキシマ光照射、プラズマ照射等を行う方法が挙げられる。なかでも、上記周期表１５族元素の硫化物の酸化を低減できることから、強度の強い光の照射、プラズマ照射等を行う方法が好ましい。
【００２９】
上記有機半導体は特に限定されず、例えば、ポリ（３−アルキルチオフェン）等のチオフェン骨格を有する化合物等が挙げられる。また、例えば、ポリパラフェニレンビニレン骨格、ポリビニルカルバゾール骨格、ポリアニリン骨格、ポリアセチレン骨格、スピロビフルオレン骨格等を有する導電性高分子等も挙げられる。更に、例えば、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ペンタセン骨格、ベンゾポルフィリン骨格等のポルフィリン骨格等を有する化合物も挙げられる。なかでも、比較的耐久性が高いことから、チオフェン骨格、フタロシアニン骨格、ナフタロシアニン骨格、ベンゾポルフィリン骨格を有する化合物が好ましい。
上記有機半導体は、上述したような正孔輸送層に含まれるカルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体であってもよい。即ち、上記カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体は、上記正孔輸送層と、上記光電変換層において主にＰ型半導体として働く半導体とを兼ねることも可能である。
【００３０】
上記有機半導体は、長波長領域の光を吸収できることから、ドナー−アクセプター型であることも好ましい。なかでも、チオフェン骨格を有するドナー−アクセプター型の化合物がより好ましく、チオフェン骨格を有するドナー−アクセプター型の化合物のなかでも、光吸収波長の観点から、チオフェン−ジケトピロロピロール重合体が特に好ましい。
【００３１】
上記光電変換層が積層体である場合、上記硫化物層の厚みは、好ましい下限が５ｎｍ、好ましい上限が５０００ｎｍである。上記厚みが５ｎｍ以上であると、充分に光を吸収できるようになり、光電変換効率がより向上する。上記厚みが５０００ｎｍ以下であると、電荷分離できない領域が発生することを抑制して、光電変換効率の向上につながる。上記硫化物層の厚みのより好ましい下限は１０ｎｍ、より好ましい上限は１０００ｎｍであり、更に好ましい下限は２０ｎｍ、更に好ましい上限は５００ｎｍである。
【００３２】
上記光電変換層が積層体である場合、上記有機半導体層の厚みは、好ましい下限が５ｎｍ、好ましい上限が１０００ｎｍである。上記厚みが５ｎｍ以上であると、充分に光を吸収できるようになり、光電変換効率がより向上する。上記厚みが１０００ｎｍ以下であると、電荷分離できない領域が発生することを抑制して、光電変換効率の向上につながる。上記有機半導体層の厚みのより好ましい下限は１０ｎｍ、より好ましい上限は５００ｎｍであり、更に好ましい下限は２０ｎｍ、更に好ましい上限は２００ｎｍである。
【００３３】
また、上記光電変換層が複合膜である場合には、硫化物層と有機半導体層との比率が非常に重要である。硫化物層と有機半導体層との比率は、１：９〜９：１（体積比）であることが好ましい。上記比率が上記範囲から外れると、正孔又は電子が電極まで到達することができないことがあり、そのため光電変換効率の低下につながることがある。上記比率は、２：８〜８：２（体積比）であることがより好ましい。
【００３４】
上記複合膜の厚みの好ましい下限は３０ｎｍ、好ましい上限は３０００ｎｍである。上記厚みが３０ｎｍ以上であると、充分に光を吸収できるようになり、光電変換効率がより向上する。上記厚みが３０００ｎｍ以下であると、電荷が電極に到達しやすくなり、光電変換効率の向上につながる。上記複合膜の厚みのより好ましい下限は４０ｎｍ、より好ましい上限は１０００ｎｍであり、更に好ましい下限は５０ｎｍ、更に好ましい上限は５００ｎｍである。
【００３５】
本発明の太陽電池は、更に、上記陰極と上記光電変換層との間に、電子輸送層を有していてもよい。
上記電子輸送層の材料は特に限定されず、例えば、Ｎ型導電性高分子、Ｎ型低分子有機半導体、Ｎ型金属酸化物、Ｎ型金属硫化物、ハロゲン化アルカリ金属、アルカリ金属、界面活性剤等が挙げられ、具体的には例えば、シアノ基含有ポリフェニレンビニレン、ホウ素含有ポリマー、バソキュプロイン、バソフェナントレン、ヒドロキシキノリナトアルミニウム、オキサジアゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、ナフタレンテトラカルボン酸化合物、ペリレン誘導体、ホスフィンオキサイド化合物、ホスフィンスルフィド化合物、フルオロ基含有フタロシアニン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ガリウム、硫化スズ、硫化インジウム、硫化亜鉛等が挙げられる。
【００３６】
上記電子輸送層の厚みは、好ましい下限が１ｎｍ、好ましい上限が２００ｎｍである。上記厚みが１ｎｍ以上であると、充分に正孔をブロックできるようになる。上記厚みが２００ｎｍ以下であると、電子輸送の際の抵抗になり難く、光電変換効率の低下を防ぐことができる。上記電子輸送層の厚みのより好ましい下限は３ｎｍ、より好ましい上限は１５０ｎｍであり、更に好ましい下限は５ｎｍ、更に好ましい上限は１００ｎｍである。
【００３７】
本発明の太陽電池を製造する方法は特に限定されず、例えば、基板上に電極（陽極）を形成した後、この電極（陽極）の表面上に正孔輸送層を塗工等により製膜し、次いで、この正孔輸送層の表面上に光電変換層をスピンコート法等の印刷法、真空蒸着法等により製膜し、次いで、必要に応じてこの光電変換層の表面上に電子輸送層を製膜し、更に、この電子輸送層の表面上に電極（陰極）を形成する方法等が挙げられる。また、基板上に電極（陰極）を形成した後、電子輸送層、光電変換層、正孔輸送層、電極（陽極）をこの順で形成してもよい。
【発明の効果】
【００３８】
本発明によれば、光電変換効率が高く、耐久性に優れた太陽電池を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されない。
【００４０】
（実施例１）
透明電極（陰極）としてのＩＴＯ膜の表面上に、電子輸送層としてＴｉＯ２層をスピンコート法により製膜した。次いで、ＴｉＯ２層の表面上に、硫化アンチモンを蒸着法により積層し、得られた硫化アンチモンからなる層の表面上に、Ｐ３ＨＴ（Ｍｅｒｃｋ社製、３位にヘキシル基を有するチオフェン骨格を有する共役ポリマー、下記式（５）で表される構成単位を有する、重量平均分子量７７５００）をスピンコート法により膜厚１０〜２０ｎｍ程度となるように塗布し、光電変換層を形成した。次いで、光電変換層の表面上に、Ｐ３ＣＴ（Ｒｉｅｋｅ  ｍｅｔａｌｓ社製、カルボキシル基を有し、かつ、チオフェン骨格を有する共役ポリマー、上述した式（１）で表される構成単位を有する、重量平均分子量２００００）を膜厚１５ｎｍ程度となるように塗布し、正孔輸送層を形成した。更に、正孔輸送層の表面上に、金属電極（陽極）として蒸着法により金を積層し、太陽電池を得た。
【００４１】
【化５】
2014112663.tif 000006
式（５）中、ｎは整数を表す。
【００４２】
（実施例２〜１０、比較例１〜１０）
正孔輸送層の材料、光電変換層の材料として表１、２に示したものを用いたこと以外は実施例１と同様にして、太陽電池を得た。なお、実施例及び比較例で使用した材料を以下に示した。
【００４３】
（１）カルボキシル基を有し、かつ、共役構造を有する有機半導体
・Ｐ３ＣＴ（Ｒｉｅｋｅ  ｍｅｔａｌｓ社製、カルボキシル基を有し、かつ、チオフェン骨格を有する共役ポリマー、上述した式（１）で表される構成単位を有する、重量平均分子量２００００）
・Ｄ−１４９（上述した式（２）で表される構造を有する、ｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製の５−［［４−［４−（２，２−Ｄｉｐｈｅｎｙｌｅｔｈｅｎｙｌ）ｐｈｅｎｙｌ］−１，２，３−３ａ，４，８ｂ−ｈｅｘａｈｙｄｒｏｃｙｃｌｏｐｅｎｔ［ｂ］ｉｎｄｏｌ−７−ｙｌ］ｍｅｔｈｙｌｅｎｅ］−２−（３−ｅｔｈｙｌ−４−ｏｘｏ−２−ｔｈｉｏｘｏ−５−ｔｈｉａｚｏｌｉｄ）
・パラフェニレンビニレン誘導体（上述した式（３）で表される構成単位を有するカルボキシル基を導入したパラフェニレンビニレン誘導体、重量平均分子量５００００）
・フタロシアニン誘導体（上述した式（４）で表される構造を有するカルボキシル基を導入したフタロシアニン誘導体）
【００４４】
（２）その他
・Ｐ３ＨＴ（Ｍｅｒｃｋ社製、３位にヘキシル基を有するチオフェン骨格を有する共役ポリマー、上述した式（５）で表される構成単位を有する、重量平均分子量７７５００）
・Ｄ−１４９誘導体（Ｄ−１４９のカルボキシル基を加水分解によりエステル基としたもの）
・ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホン酸）
・ＰＥ（ポリエチレン）
・α−６Ｔ（下記式（６）で表される構造を有するα−ｓｅｘｕｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）
・ＤＰＰ（下記式（７）で表される構造を有する３，６−Ｄｉ（２−ｔｈｉｅｎｙｌ）−２，５−ｄｉｈｙｄｒｏｐｙｒｒｏｌｏ［３，４−ｃ］ｐｙｒｒｏｌｅ−１，４−ｄｉｏｎｅ）
・ＭＫ−２（下記式（８）で表される構造を有する綜研化学社製の有機半導体）
・ＰＣＢＭ（下記式（９）で表される構造を有するｓｉｇｍａ−ａｌｄｒｉｃｈ社製のフラーレン誘導体）
【００４５】
【化６】
2014112663.tif 000007
【化７】
2014112663.tif 000008
【化８】
2014112663.tif 000009
【化９】
2014112663.tif 000010
【００４６】
＜評価＞
実施例及び比較例で得られた太陽電池について、以下の評価を行った。結果を表１、２に示した。
【００４７】
（１）正孔輸送層の製膜性
光電変換層の表面上に正孔輸送層を形成したときの製膜性について、下記の基準で評価した。
○：可視的にムラがなく、一様な膜が得られた
×：可視的にムラが見られ、一様な膜が得られなかった
【００４８】
（２）光電変換効率の測定、及び、耐久性評価
太陽電池特性評価システムＣＥＰ−０１５（分光計器社製）を用いて、ＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ２）の疑似太陽光照射下での太陽電池の電流密度電圧特性を測定した。実施例１で得られた太陽電池の電流密度電圧特性を１として規格化した。
また、太陽電池をガラス封止せずに、温度６０℃、湿度３０％の条件下で７２時間経過した後の電流密度電圧特性を測定し、７２時間経過前に対する７２時間経過後の電流密度電圧特性の値を耐久性として評価した。
【００４９】
（３）総合評価
下記の基準で評価した。
○：正孔輸送層の製膜性が○、かつ、光電変換効率が０．８以上、かつ、耐久性が０．６以上であった
×：正孔輸送層の製膜性が×、又は、光電変換効率が０．８未満、又は、耐久性が０．６未満であった
【００５０】
【表１】
2014112663.tif 000011
【００５１】
【表２】
2014112663.tif 000012
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明によれば、光電変換効率が高く、耐久性に優れた太陽電池を提供することができる。