(57)【要約】【課題】本発明の課題は、電力効率・発光寿命に優れ、調色適性を備え、かつ優れた配光特性（視野角依存性）を得ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子１００及び２００は、いずれかが透明電極である一対の主電極２及び６の間に、少なくとも二つの発光ユニット３と、発光ユニット３間に配置される中間電極層４とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光ユニット３が、発光層を含む複数の有機機能層を有し、中間電極層４のうち、少なくとも一つの中間電極層４が、銀を主成分として含有する導電性層であり、発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニット３が、有機エレクトロルミネッセンス素子の主な光出射側の透明電極から最も遠い位置に配置されていることを特徴とする。【選択図】図１
2014120334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
いずれかが透明電極である一対の主電極の間に、少なくとも二つの発光ユニットと、前記発光ユニット間に配置される中間電極層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
（１）前記発光ユニットが、発光層を含む複数の有機機能層を有し、
（２）前記中間電極層のうち、少なくとも一つの中間電極層が、銀を主成分として含有する導電性層であり、
（３）前記発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニットが、有機エレクトロルミネッセンス素子の主な光出射側の前記透明電極から最も遠い位置に配置されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項２】
前記中間電極層の層厚が、３〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
前記複数の発光ユニットが、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層のうち少なくとも一つの発光層を有し、
前記緑色の光を発光する発光ユニットが、前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
前記発光ユニットのうち、最も長波長の光を発光する発光ユニットが二つの中間電極層の間に配置されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
前記発光ユニットを構成する複数の有機機能層の全層厚が、発光ユニット数×（１００〜２００）ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記中間電極層が、下記一般式（１）又は（２）で表される化合物を含有する下地層を有することを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2014120334.tif 000075
【化２】
2014120334.tif 000076
〔ただし一般式（１）中、Ｙ１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ１〜Ｅ３４は、各々−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。Ｅ１７〜Ｅ２５の少なくとも一つ及びＥ２６〜Ｅ３４の少なくとも一つは−Ｎ＝を表す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を表すが、ｋ１＋ｋ２は２以上の整数である。一般式（２）中、Ｅ１、Ｅ２のうち少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ６〜Ｅ１０のうち少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ１１〜Ｅ１５のうち少なくとも一つは窒素原子である。Ｒ１は置換基を表す。〕
【請求項７】
前記複数の発光ユニットが、それぞれ、有機機能層として、正孔輸送層を有し、かつ、
前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚が、２０ｎｍ以上厚いことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
前記一対の主電極のうち、一つの電極が、陽極として機能する透明電極であることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳しくは、視野角依存性が改善された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」ともいう。）が挙げられる。無機エレクトロルミネッセンス素子は、平面型光源として使用されてきたが、発光素子を駆動させるためには交流の高電圧が必要である。
【０００３】
一方、有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟持した構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、エキシトンが失活する際に放出される光（蛍光あるいはリン光）を利用して発光する素子である。有機ＥＬ素子の性能としては、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、さらに自己発光型であるため、視野角に富み、視認性が高い。また、有機ＥＬ素子は、薄膜型の完全固体素子であるため、省スペース、携帯性等の観点から注目されている。また、完全固体素子の特性を充分に活かすため、基板をリジッドなものから可撓性のプラスチックやメタルフォイルにして、フレキシブルな素子を作製することも検討されつつある。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子は、従来から実用に供されてきた主要な光源、例えば、発光ダイオードや冷陰極管と異なり、面光源であることも大きな特徴である。この特性を有効に活用できる用途として、照明用光源や様々なディスプレイのバックライトがある。特に近年、需要の増加が著しい液晶フルカラーディスプレイのバックライトとして用いることも好適である。
【０００５】
単一色の発光しかできない従来の素子に対して、色調や白色の色温度のコントロールが可能な有機ＥＬ素子を照明に使用することで新たな価値の創出が可能となり、検討が続けられている（例えば、特許文献１及び２参照。）。しかしながら、これら開示されている方法による色調のコントロール方法では、有機機能層の層厚が厚くなっていくこと、間に挟まれる屈折率の異なる中間電極の存在により、視野角依存性に難があるという問題があった。視野角依存については、有機ＥＬ素子の有用な態様の光を効率的に取り出す技術として、基板と電極との間に平滑な粒子層を設ける方法が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかし、これらの技術においても、十分な配光性を得ることができず、視野角依存性については、依然として問題が残っているのが現状である。
【０００６】
一方、トレードオフの関係にある発光効率と駆動寿命を両立する方法として、有機材料を用いて構成された発光層を含む有機機能層を一つの発光ユニットとし、中間電極層を介して複数の発光ユニットを積層することにより、発光効率を確保しつつも長寿命化を図る、いわゆるタンデム構造の有機エレクトロルミネッセンス素子が提案されている。例えば、特許文献４には、マグネシウム（Ｍｇ）を主成分として銀（Ａｇ）を含有する導電層を浮遊状態で用いた構成が開示されている。また、特許文献５には、Ｍｇ、Ｍｇ／Ａｇ、さらにはヒ素（Ａｓ）のような仕事関数が小さい金属層と、酸化インジウムスズ（ＳｎＯ２−Ｉｎ２Ｏ３：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）との積層体を中間電極とする構成が開示されている。また、特許文献６には、ＩＴＯのような透明導電膜を中間電極として用い、電界発光層（有機機能層）において先の中間電極に最も近い層にベンゾオキサゾール誘導体やピリジン誘導体などのエッチングされにくい材料を用いる構成が開示されている。
しかしながら、これら開示されている方法では、実用化するに足る十分な発光効率と寿命特性とを得ることは困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１４６８６０号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０８３９１８号
【特許文献３】特開２０１２−７９５１５号公報
【特許文献４】米国特許第６３３７４９２号明細書
【特許文献５】特許第３４９６６８１号公報
【特許文献６】特開２００５−３４０１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、電力効率・発光寿命に優れ、調色適性を備え、かつ優れた配光特性（視野角依存性）を得ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討したところ、いずれかが透明電極である一対の主電極の間に、少なくとも二つの発光ユニットと、前記発光ユニット間に配置される中間電極層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記中間電極層を銀を主成分として含有する導電性層とし、かつ特定の発光ユニットについて適切な配置にすることにより、電力効率・発光寿命に優れ、調色適性を備え、かつ配光特性（視野角依存性）に優れた有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができることを見出し本発明に至った。
【００１０】
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
１．いずれかが透明電極である一対の主電極の間に、少なくとも二つの発光ユニットと、前記発光ユニット間に配置される中間電極層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
（１）前記発光ユニットが、発光層を含む複数の有機機能層を有し、
（２）前記中間電極層のうち、少なくとも一つの中間電極層が、銀を主成分として含有する導電性層であり、
（３）前記発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニットが、有機エレクトロルミネッセンス素子の主な光出射側の前記透明電極から最も遠い位置に配置されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１１】
２．前記中間電極層の層厚が、３〜２０ｎｍの範囲内であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１２】
３．前記複数の発光ユニットが、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層のうち少なくとも一つの発光層を有し、
前記緑色の光を発光する発光ユニットが、前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されていることを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１３】
４．前記発光ユニットのうち、最も長波長の光を発光する発光ユニットが二つの中間電極層の間に配置されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１４】
５．前記発光ユニットを構成する複数の有機機能層の全層厚が、発光ユニット数×（１００〜２００）ｎｍの範囲内であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１５】
６．前記中間電極層が、下記一般式（１）又は（２）で表される化合物を含有する下地層を有することを特徴とする第１項から第５項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【化１】
2014120334.tif 000003
【化２】
2014120334.tif 000004
〔ただし一般式（１）中、Ｙ１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ１〜Ｅ３４は、各々−Ｃ（Ｒ１）＝又は−Ｎ＝を表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。Ｅ１７〜Ｅ２５の少なくとも一つ及びＥ２６〜Ｅ３４の少なくとも一つは−Ｎ＝を表す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を表すが、ｋ１＋ｋ２は２以上の整数である。一般式（２）中、Ｅ１、Ｅ２のうち少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ６〜Ｅ１０のうち少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ１１〜Ｅ１５のうち少なくとも一つは窒素原子である。Ｒ１は置換基を表す。〕
【００１６】
７．前記複数の発光ユニットが、それぞれ、有機機能層として、正孔輸送層を有し、かつ、
前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚が、２０ｎｍ以上厚いことを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【００１７】
８．前記一対の主電極のうち、一つの電極が、陽極として機能する透明電極であることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の上記手段により、電力効率・発光寿命に優れ、調色適性を備え、かつ優れた配光特性（視野角依存性）を得ることが可能な有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確になっていないが、以下のように推察している。
【００１９】
すなわち、中間電極層が銀を主成分として含有することで、中間電極層の光学定数は、素子全体の中の有機物や金属塩のみからなる電荷発生層の光学定数及び中間電極層としてＩＴＯに代表される金属酸化物の光学定数と大きく異なる。このため、中間電極層としてＩＴＯに代表される金属酸化物を用いる場合と比較して、中間電極層の主成分を銀にすることで光学的な挙動が異なると推測している。
本発明者は、Ａ．Ｃｈｕｔｉｎａｎらの報文（Ａ．Ｃｈｕｔｉｎａｎ，Ｋ．Ｉｓｈｉｈａｒａ，Ｔ．Ａｓａｎｏ，Ｍ．Ｆｕｊｉｔａ，ａｎｄ  Ｓ．Ｎｏｄａ，“Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｎ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｘｔｒａｃｔｉｏｎ  Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅｓ  ｕｓｉｎｇ  ＦＤＴＤ  ａｎｄ  Ｍｏｄｅ−Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄｓ，”  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ｖｏｌ．６，ｐｐ．３−９（２００５））の記載に基づいて、本発明のような発光ユニットが銀を主成分とする中間電極層で分離された構成の有機ＥＬ素子の光の配分についてシミュレーションを行った結果、最も短波長の発光を呈する発光ユニットを透明電極から最も遠くに配置した場合に配光特性に優れた有機ＥＬ素子が作り得ることを見出した。
本発明の中間電極層は、下地層を有し、中間電極層のうち下地層と隣接して銀を主成分として含有している導電性層が形成されている。また、当該下地層は、銀原子と親和性のある原子を有する化合物（以下において、「銀親和性化合物」という。）が含有されている。銀親和性化合物は、窒素含有芳香族性化合物であり、電子輸送能が高く電子輸送材料としても好適に用いることができる。
これにより、下地層に隣接して導電性層を中間電極層に成膜する際には、中間電極層の導電性層を構成する銀原子が、下地層に含有されている銀親和性化合物と相互作用し、当該下地層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
すなわち、銀原子は、まず銀原子と親和性のある原子を有する化合物を含有する下地層表面上で２次元的な核を形成し、それを中心に２次元の単結晶層を形成するという層状成長型（Ｆｒａｎｋ−ｖａｎ  ｄｅｒ  Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになる。
なお、一般的には、下地層表面において付着した銀原子が表面を拡散しながら結合し３次元的な核を形成し、３次元的な島状に成長するという島状成長型（Ｖｏｌｕｍｅｒ−Ｗｅｂｅｒ：ＶＷ型）での膜成長により島状に成膜し易いと考えられるが、本発明では、下地層に含有されている銀親和性化合物により、このような様式の島状成長が防止され、層状成長が促進されると推察される。
したがって、薄い層厚でありながらも、均一な層厚の導電性層が得られるようになる。この結果、より薄い層厚として光透過率を保ちつつも、導電性が確保された中間電極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】二つの発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の一例を示す概略断面図
【図２】三つの発光ユニットを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の構成の一例を示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、いずれかが透明電極である一対の主電極の間に、少なくとも二つの発光ユニットと、前記発光ユニット間に配置される中間電極層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、（１）前記発光ユニットが、発光層を含む複数の有機機能層を有し、（２）前記中間電極層のうち、少なくとも一つの中間電極層が、銀を主成分として含有する導電性層であり、（３）前記発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニットが、有機エレクトロルミネッセンス素子の主な光出射側の前記透明電極から最も遠い位置に配置されていることを特徴とする。この特徴は、請求項１から請求項８に係る発明に共通する技術的特徴である。
【００２２】
本発明の実施態様としては、本発明の効果をより発現できる点で、前記中間電極層の層厚が、３〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましい。これにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、光透過率が維持される。また、導電性も確保される。
【００２３】
また、本発明においては、前記複数の発光ユニットが、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層のうち少なくとも一つの発光層を有し、前記緑色の光を発光する発光ユニットが、前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されていることが好ましい。これによる効果発現の機構は明確にはわかっていないが、実験により効果があることが確認された。
【００２４】
また、本発明においては、前記発光ユニットのうち、最も長波長の光を発光する発光ユニットが二つの中間電極層の間に配置されていることが好ましい。これによる効果発現の機構は明確にはわかっていないが、実験により効果があることが確認された。
【００２５】
また、本発明においては、前記発光ユニットを構成する複数の有機機能層の全層厚が、発光ユニット数×（１００〜２００）ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内にすることにより、ショートの発生を抑制することができ、駆動電圧が高くなることを抑制することができると考えられる。
【００２６】
また、本発明においては、前記中間電極層が、前記一般式（１）又は（２）で表される化合物を含有する下地層を有することが好ましい。これにより、下地層に隣接して導電性層を中間電極層に成膜する際には、中間電極層の導電性層を構成する銀原子が、下地層に含有されている銀親和性化合物と相互作用し、当該下地層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特異箇所での銀の凝集が抑えられる。
【００２７】
また、本発明において、前記複数の発光ユニットが、それぞれ、有機機能層として、正孔輸送層を有し、かつ、前記光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニットが有する当該正孔輸送層の層厚が、２０ｎｍ以上厚いことが好ましい。これにより、中間電極が陽極として機能する場合に、中間電極層に含まれる銀イオンが発光層まで拡散することを抑制し、局所的な電界集中の発生を抑制しているものと考えられる。
【００２８】
また、本発明において、前記一対の主電極のうち、一つの電極が、陽極として機能する透明電極であることが好ましい。これにより、陽極側に光取出しフィルム等を備えることで効率的に発光層から発光光を取り出すことができる。
【００２９】
以下、本発明とその構成要素及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。
【００３０】
《有機エレクトロルミネッセンス素子》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、いずれかが透明電極である一対の主電極の間に、少なくとも二つの発光ユニットと、前記発光ユニット間に配置される中間電極層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
（１）前記発光ユニットが、発光層を含む複数の有機機能層を有し、
（２）前記中間電極層のうち、少なくとも一つの中間電極層が、銀を主成分として含有する導電性層であり、
（３）前記発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニットが、有機エレクトロルミネッセンス素子の主な光出射側の前記透明電極から最も遠い位置に配置されている
ことを特徴とする。
以下において、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成、構成要素等について順次説明する。
［有機エレクトロルミネッセンス素子の構成］
はじめに、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下「有機ＥＬ素子」ともいう。）１００及び２００の基本的な構成の一例について図を交えて説明する。ただし、本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００は、ここに具体例を用いて例示する構成にのみ限定するものではない。
【００３１】
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００は、いずれかが透明電極である一対の主電極（第１電極２及び第２電極６）の間に、少なくとも二つの発光ユニット３と、発光ユニット３間に配置される中間電極層４とを備えている。そして、発光ユニット３は、発光層を含む複数の有機機能層を有している。また、中間電極層４のうち、少なくとも一つの中間電極層４が、銀を主成分として含有する導電性層である。また、発光層のうち、最も短波長の光を発する発光ユニット３が、有機ＥＬ素子１００及び２００の主な光射出側の透明電極（第１電極２）から最も遠い位置に配置されていることを特徴とする。
【００３２】
図１は、本発明の二つの発光ユニット３Ａ及び３Ｂを有する有機ＥＬ素子１００の構成の一例を示す概略断面図である。図１において、有機ＥＬ素子１００は、透明基板１上に、第１電極２、第１発光ユニット３Ａ、下地層４１、中間電極層４Ａ、第２発光ユニット３Ｂ、第２電極６が順次積層され、構成されている。下地層４１は、必須の構成ではないが、窒素含有芳香族性化合物である銀親和性化合物を含んでいるため、電子輸送能が高く電子輸送材料としても好適に用いることができる点で備えることが好ましい。また、透明基板１の第１電極２側とは反対側に、図示しない光取出しフィルムが形成されている。
図１の構成では、第１電極２が透明電極である陽極であり、第２電極６が陰極の場合を示している。この場合、第１発光ユニット３Ａは、例えば、透明基板１側から「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」の層順であった場合には、第２発光ユニット３Ｂも同じく、透明基板１側から「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」の層順となる。また、各発光ユニット３Ａ及び３Ｂの間には、図示しない独立した接続端子が配置されている。
【００３３】
第１電極２と中間電極層４Ａの間は、リード線で配線され、それぞれの接続端子に駆動電源Ｖ１として２〜４０Ｖの範囲内で印加することにより、第１発光ユニット３Ａが発光する。同様に、中間電極層４Ａと第２電極６の間についても、リード線で配線され、それぞれの接続端子に駆動電源Ｖ２として２〜４０Ｖの範囲内で印加することにより、第２発光ユニット３Ｂが発光する。
【００３４】
具体的には、有機ＥＬ素子１００の駆動に際して、第１電極２と中間電極層４Ａの間に印加する駆動電圧Ｖ１及び中間電極層４Ａと第２電極６の間に印加する駆動電圧Ｖ２は、直流電圧を印加する場合、陽極である第１電極２を正の極性とし、陰極である第２電極６を負の極性として、電圧２〜４０Ｖの範囲内で印加し、さらに、中間電極層４Ａについては、陽極と陰極に印加する電圧の中間電圧を印加する。
【００３５】
それぞれの発光ユニット３Ａ及び３Ｂの発光点ｈで発光した発光光Ｌは、透明電極である第１電極２側より外部に取り出される。また、第２電極６側に発光した光は、第２電極６面で反射し、同様に第１電極２側より取り出される構成である。
【００３６】
なお、第１電極２及び第２電極６を陽極とし、二つの発光ユニット３Ａ及び３Ｂ間に配置してある中間電極層４Ａを陰極とした構成であってもよい。この場合、駆動電圧Ｖ１としては、２〜４０Ｖ程度の電圧を、正側が第１電極２、負側が中間電極層４Ａとなるように印加し、駆動電圧Ｖ２としては、２〜４０Ｖ程度の電圧を、正側が第２電極６、負側が中間電極層４Ａとなるように印加して発光ユニット３Ａ及び３Ｂを発光させる。
この場合の層構成は、第１発光ユニット３Ａが、例えば、透明基板１側から「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」の層順であった場合には、第２発光ユニットＢは、逆に、透明基板１側から「電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層」の逆層構成となる。
【００３７】
図２は、三つの発光ユニット３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅを有する有機ＥＬ素子２００の構成の一例を示す概略断面図である。図２において、有機ＥＬ素子２００は、透明基板１上に、第１電極２、第１発光ユニット３Ｃ、第１中間電極層４Ｂ、第２発光ユニット３Ｄ、第２中間電極層４Ｃ、第３発光ユニット３Ｅ及び第２電極６が順次積層され、構成されている。第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃの透明基板１側には、それぞれ、窒素原子を含有する下地層４２及び４３を設けた構成を示してある。透明基板１の第１電極２側とは反対側に、図示しない光取出しフィルムが形成されている。図２の構成では、第１電極２が透明電極である陽極であり、第２電極６が陰極の場合を示している。陽極側に光取出しフィルム等を備えることで効率的に発光層から発光光Ｌを取り出すことができる。この場合、第１発光ユニット３Ｃは、例えば、透明基板１側から「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」の層順であった場合には、第２発光ユニット３Ｄ及び第３発光ユニット３Ｅも同じく、透明基板１側から「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」の層順となる。
【００３８】
第１電極２と第１中間電極層４Ｂの間は、リード線で配線され、それぞれの接続端子に駆動電圧Ｖ１として２〜４０Ｖの範囲内で印加することにより、第１発光ユニット３Ｃが発光する。同様に、第１中間電極層４Ｂと第２中間電極層４Ｃの間は、リード線で配線され、それぞれの接続端子に駆動電圧Ｖ３として２〜４０Ｖの範囲内で印加することにより、第２発光ユニット３Ｄが発光する。同様に、第２中間電極層４Ｃと第２電極６の間も、リード線で配線され、それぞれの接続端子に駆動電圧Ｖ３として２〜４０Ｖの範囲内で印加することにより、第３発光ユニット３Ｅが発光する。
【００３９】
有機ＥＬ素子２００の駆動に際し、駆動電圧Ｖ１、駆動電圧Ｖ２及び駆動電圧Ｖ３としては、直流電圧を印加する場合には、陽極である第１電極２を正の極性とし、陰極である第２電極６を負の極性として、電圧２〜４０Ｖの範囲内で印加し、さらに、第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃに対しては、陽極と陰極の中間の電圧で印加する。なお、三つの発光ユニット３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅを有する有機ＥＬ素子２００についても、二つの発光ユニット３Ａ及び３Ｂを有する場合と同様に、第１電極２及び第２電極６をともに陽極として、第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃを陰極とする構成であってもよい。
【００４０】
［発光ユニットの構成］
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００において、発光ユニット３は、第１電極２と第２電極６との間に二つ以上の発光ユニット３を積層した構造を有し、二つ以上の発光ユニット３間は中間電極層４で分離された構造であることを特徴とする。本発明においては、三つ以上の発光ユニット３が積層され、それぞれの発光ユニット３が、青色発光層を有する発光ユニット３、緑色発光層を有する発光ユニット３及び赤色発光層を有する発光ユニット３を有し、白色を含めた所望の色相の発光色を得る構成とすることもできる。
【００４１】
また、発光ユニット３を構成する複数の有機機能層の全層厚が、発光ユニット数×（１００〜２００）ｎｍの範囲内であることが好ましい。この範囲内にすることにより、ショートの発生を抑制することができ、駆動電圧が高くなることを抑制することができると考えられる。複数の有機機能層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層等を含んでいる。
【００４２】
また、複数の発光ユニット３が、それぞれ、有機機能層として、正孔輸送層を有し、かつ、光出射側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニット３が有する当該正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニット３が有する当該正孔輸送層の層厚が、２０ｎｍ以上厚いことが好ましい。これにより、中間電極が陽極として機能する場合に、中間電極層に含まれる銀イオンが発光層まで拡散することを抑制し、局所的な電界集中の発生を抑制しているものと考えられる。
【００４３】
本発明に係る発光ユニット３は、その全体的な層構造は限定されることはなく、一般的な層構造を有していてよい。一例として、陽極となる第１電極２側から順に、「正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層」を積層した構成が例示される。この構成のうち、少なくとも有機材料を用いた発光層を有することが必須である。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔輸送及び注入層として設けられてもよい。電子輸送層及び電子注入層は、電子輸送及び注入層として設けられてもよい。また発光ユニット３を構成する各層のうち、例えば、電子注入層は無機材料で構成されていてもよい。
【００４４】
発光ユニット３は、これらの層の他にも正孔阻止層や電子阻止層等が必要に応じて必要箇所に積層されていてよい。また、発光層が、各波長領域の発光光Ｌを発生させる各色発光層を有し、各色発光層を非発光性の中間層を介して積層させて、発光ユニット３が形成されていてもよい。中間層は、正孔阻止層及び／又は電子阻止層として機能してもよい。
【００４５】
さらに、発光ユニット３は、図１及び図２で例示したように、二つの発光ユニット３Ａ及び３Ｂが積層された構成であっても、三つの発光ユニット３Ｃ、３Ｄ及び３Ｅが積層された構成であってもよい。また、一色の発光光Ｌが得られる構成でもよいし、異なる色の発光光Ｌが得られるように構成されていてもよい。
【００４６】
［発光ユニットの配列］
青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色光を発光する赤色発光層のうち少なくとも一つの発光層を有する複数の発光ユニットの配列について説明する。具体的には、発光ユニット３を二つ以上備える有機ＥＬ素子１００及び２００について、発光ユニットを二つ備える場合（有機ＥＬ１００）と三つ備える場合（有機ＥＬ２００）に分けて、発光ユニット３の配列を説明する。
発光ユニット３を二つ備える場合、図１に示すように、有機ＥＬ素子１００は、第１発光ユニット３Ａと第２発光ユニット３Ｂの各発光ユニット３間に中間電極層４Ａが備えられている。発光層のうち最も短波長の光を発する発光ユニット３が、有機ＥＬ素子１００の主な光射出側の透明電極から最も遠い位置に配置されていればよく、種々の組み合わせにより構成することができる。
例えば、有機ＥＬ素子１００が、赤色光を発光する赤色発光層を有する発光ユニット３と青色光を発光する青色発光層を有する発光ユニット３の二つの発光ユニット３Ａ及び３Ｂを備える場合、赤色よりも青色の光の方が短波長の光であることから、赤色発光層を有する発光ユニット３が光射出側の発光ユニット３（第１発光ユニット３Ａ）となる。一方、青色発光層を有する発光ユニット３は、光射出側の透明電極から最も遠い位置の発光ユニット３（第２発光ユニット３Ｂ）に配置される。
これにより、中間電極層４が銀を主成分として含む場合に、電力効率・発光寿命に優れ、調色適性を備え、かつ優れた配光特性（視野角依存性）を得ることができる。発光層を二つ備える場合については、一つの発光ユニット３が一つの発光層を備える場合に限定されず、例えば、一つの発光ユニット３が複数の発光層を備えてもよい。例えば、第１発光ユニット３Ａが赤色発光層と緑色発光層を備え、第２発光ユニット３Ｂが青色発光層を備える構成であってもよい。
【００４７】
発光ユニット３を三つ備える場合、図２に示すように、有機ＥＬ素子２００は、第１発光ユニット３Ｃと第２発光ユニット３Ｄと第３発光ユニット３Ｅの各発光ユニット３間に中間電極層４（第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃ）が備えられている。発光ユニット３を三つ備える場合についても、発光層のうち最も短波長の光を発する発光ユニット３が、有機ＥＬ素子２００の主な光射出側の透明電極から最も遠い位置に配置される。これにより、配光特性に優れた有機ＥＬ素子２００を作製することができる。また、緑色発光層を有する発光ユニット３が光射出側の透明電極に最も近い位置に配置されていることが好ましい。
また、発光ユニット３のうち、最も長波長の光を発光する発光ユニット３が二つの第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃの間に配置されていることが好ましい。具体的には、三つの発光ユニット３Ｃ、３Ｄ、３Ｅのそれぞれが一つの発光層を備える場合、例えば、光射出側に最も近い発光ユニット３（第１発光ユニット３Ｃ）が緑色発光層を備え、光射出側に最も遠い発光ユニット３（第３発光ユニット３Ｅ）が青色発光層を備え、三つの発光ユニット３のうち、二つの第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃの間に配置される発光ユニット３（第２発光ユニット３Ｄ）が赤色発光層を備える構成が最も好ましい。なお、一つの発光ユニット３が複数の発光層を有していてもよく、三つの発光ユニット３が同一色の発光層を複数備える構成であってもよい。
【００４８】
以下に、有機ＥＬ素子１００及び２００を構成する各構成要素を詳細に説明する。
【００４９】
［透明基板］
有機ＥＬ素子１００及び２００に適用可能な透明基板１としては、例えば、ガラス、プラスチック等の透明材料を挙げることができる。好ましく用いられる透明な透明基板１としては、ガラス、石英、樹脂フィルムを挙げることができる。
【００５０】
ガラス材料としては、例えば、シリカガラス、ソーダ石灰シリカガラス、鉛ガラス、ホウケイ酸塩ガラス、無アルカリガラス等が挙げられる。これらのガラス材料の表面には、隣接する層との密着性、耐久性、平滑性の観点から、必要に応じて、研磨等の物理的処理、無機物又は有機物からなる被膜や、これらの被膜を組み合わせたハイブリッド被膜を形成することができる。
【００５１】
樹脂フィルムを構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）及びアペル（商品名三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。
【００５２】
透明基板１の表面は、表面活性処理により清浄化されていることが好ましい。このような表面活性処理としては、例えば、コロナ処理、プラズマ処理、フレーム処理が挙げられる。
【００５３】
［ガスバリアー層］
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００においては、本発明に係る透明基板１上に、ガスバリアー層を設ける構成であることが好ましい。
ガスバリアー層を形成した透明基板１は、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましい。
【００５４】
ガスバリアー層を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素などを用いることができる。さらにガスバリアー層の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
【００５５】
ガスバリアー層の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法及びコーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものも好ましい。また、ポリシラザン含有液を湿式塗布方式により塗布及び乾燥し、形成された塗布膜に波長２００ｎｍ以下の真空紫外光（ＶＵＶ光）を照射して、形成した塗布膜に改質処理を施して、ガスバリアー層を形成する方法も好ましい。
【００５６】
ガスバリアー層の厚さは、１〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは１０〜３００ｎｍの範囲内である。ガスバリアー層の厚さが１ｎｍ以上であれば、所望のガスバリアー性能を発揮することができ、５００ｎｍ以下であれば、緻密な酸窒化ケイ素膜でのクラックの発生等の膜質劣化を防止することができる。
【００５７】
［第１電極］
第１電極２は、透明基板１の一方の面側に備えられている場合、陽極として機能する透明電極である。陽極を透明電極とする場合、陽極側に光取出しフィルム等を備えることで効率的に発光層から発光光を取り出すことができる。また、第１電極２は、光透過性を保てる程度、かつ、照射された光がプラズモン損失されない程度に極薄い金属膜である。具体的には、波長５５０ｎｍにおける光透過率が６０％以上であり、膜厚が１〜３０ｎｍであり、シート抵抗が０．０００１〜５０Ω／□、好ましくは０．０１〜３０Ω／□である。
【００５８】
第１電極２が有機ＥＬ素子１００及び２００における陽極として用いられる場合には、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウム−スズの複合酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２及びＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。
【００５９】
また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等の湿式成膜法を用いることもできる。
【００６０】
〔中間電極層〕
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００においては、第１電極２と第２電極６との間に、発光ユニット３を二つ以上積層した構造を有し、二つ以上の発光ユニット３間を、電気的接続を得るための独立した接続端子を有する中間電極層４（４Ａ若しくは４Ｂ及び４Ｃ）で分離した構造を有することを特徴とする。
本発明に係る中間電極層４としては、少なくとも一つの中間電極層４が、銀を主成分として含有する導電性層である。また、中間電極層４は、波長５５０ｎｍにおける光透過率が６０％以上である透明な層である。
また、中間電極層４は、特に制限はないが、下地層４１、４２及び４３を有する構成が好ましい。下地層４１、４２及び４３についての詳細は後述する。
【００６１】
中間電極層４は、層厚が１〜３０ｎｍの範囲内にあることが好ましく、３〜２０ｎｍの範囲内にあることがより好ましい。層厚を上記範囲内とすることにより、層の吸収成分又は反射成分が低く抑えられ、光透過率が維持されるため好ましい。また、導電性も確保される。
【００６２】
このような中間電極層４の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタリング法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、中間電極層４は、下地層４１、４２及び４３の窒素原子を含有する層上に成膜されることが好ましく、成膜後の高温アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ってもよい。
【００６３】
中間電極層４を構成する銀の純度は、９９％以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）等が添加されていてもよい。
また、中間電極層４が銀を主成分とする合金から構成される場合には、銀の含有率が５０％以上であることが好ましい。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）、銀金（ＡｇＡｕ）、銀アルミ（ＡｇＡｌ）、銀亜鉛（ＡｇＺｎ）、銀錫（ＡｇＳｎ）、銀白金（ＡｇＰｔ）、銀チタン（ＡｇＴｉ）及び銀ビスマス（ＡｇＢｉ）等が挙げられる。
【００６４】
また、以上のような中間電極層４は、銀又は銀を主成分とする合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。つまり、銀の層と、合金の層とが交互に複数回積層された構成であってもよく又は異なる合金の層が複数層積層された構成であってもよい。また、中間電極層４が二層構造である例として、下地層４１、４２及び４３上にアルミニウム（Ａｌ）の層を介して銀の層を積層した構成が挙げられる。この場合のアルミニウムの層は連続層ではなく、島状や孔を有する層であってもよい。また、銀の層の一部が下地層４１、４２及び４３に隣接して設けられる。このように、下地層４１、４２及び４３と銀を主成分とする層との間に他の金属を挟んだ構成であってもよい。
【００６５】
［下地層］
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００においては、中間電極層４の少なくとも一方の面側に設けられる下地層４１、４２及び４３が窒素原子を含有する化合物を含む構成が好ましい態様である。
下地層４１、４２及び４３が含有する窒素原子含有化合物は、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ−Ｃ−シンノリン、ポルフィリン、クロリン及びコリン等が挙げられる。
【００６６】
さらには、下地層４１、４２及び４３が含有する窒素原子含有化合物は、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物であることが好ましい。
本発明において、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子とは、非共有電子対（「孤立電子対」ともいう。）を持つ窒素原子であって、不飽和環状化合物の芳香族性に、当該非共有電子対が必須要素として直接的に関与していない窒素原子をいう。すなわち、共役不飽和環構造（芳香環）上の非局在化したπ電子系に、当該非共有電子対が、化学構造式上、芳香族性発現のために必須のものとして、関与していない窒素原子をいう。
【００６７】
ここでいう芳香族性とは、π電子を持つ原子が環状に並んだ共役（共鳴）不飽和環構造において、当該環上の非局在化したπ電子系に含まれる電子の数が４ｎ＋２（ｎ＝０又は自然数）を満たすことをいう（いわゆるヒュッケル則）。例えば、ピリジンの窒素原子、置換基としてのアミノ基の窒素原子等は、本発明に係る「芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子」に該当するものとする。
【００６８】
窒素原子含有層に含有される芳香族複素環化合物としては、分子内に、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有していればその構造は特に限定されるものではないが、好ましくは、分子内にピリジン環を有し、より好ましくは、分子内にアザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環又はアザジベンゾチオフェン環を有し、さらに好ましくは、分子内にγ，γ′−ジアザカルバゾール環又はσ−カルボリン環を有する。
【００６９】
窒素原子を含有する下地層４１、４２及び４３に含有される芳香族複素環化合物として好ましくは、一般式（１）又は（２）で表される化合物である。また、一般式（３）、一般式（４）、一般式（５）又は一般式（６）のいずれかで表される化合物も、下地層４１、４２及び４３に含有される芳香族複素環化合物として好ましく用いることができる。
【００７０】
【化３】
2014120334.tif 000005
【００７１】
上記一般式（１）の式中、Ｙ１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。Ｅ１〜Ｅ３４は、各々Ｃ（Ｒ１）又はＮを表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。ただし、Ｅ１７〜Ｅ２５の少なくとも一つ及びＥ２６〜Ｅ３４の少なくとも一つはＮを表す。ｋ１及びｋ２は０〜４の整数を表すが、ｋ１＋ｋ２は２以上の整数である。
【００７２】
一般式（１）において、Ｙ１で表されるアリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、ナフタセンジイル基、ピレンジイル基、ナフチルナフタレンジイル基、ビフェニルジイル基（例えば、［１，１′−ビフェニル］−４，４′−ジイル基、３，３′−ビフェニルジイル基、３，６−ビフェニルジイル基等）、テルフェニルジイル基、クアテルフェニルジイル基、キンクフェニルジイル基、セキシフェニルジイル基、セプチフェニルジイル基、オクチフェニルジイル基、ノビフェニルジイル基及びデシフェニルジイル基等が例示される。
【００７３】
また一般式（１）において、Ｙ１で表されるヘテロアリーレン基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環及びインドール環からなる群から導出される２価の基等が例示される。
【００７４】
Ｙ１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、ヘテロアリーレン基の中でも、３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基を含むことが好ましく、また、当該３環以上の環が縮合してなる縮合芳香族複素環から導出される基としては、ジベンゾフラン環から導出される基又はジベンゾチオフェン環から導出される基が好ましい。
【００７５】
一般式（１）において、Ｅ１〜Ｅ３４で各々表される−Ｃ（Ｒ１）＝のＲ１が置換基である場合の置換基の例を以下に示す。
【００７６】
この置換基の例としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基及びペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基及びアリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基及びプロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基又はアリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基及びビフェニリル基）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基及びジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）及びフタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基及びオキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基及びドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基及びナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基及びドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基及びシクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基及びナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基及びドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基及びナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基及び２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基及びピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基及びフェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基及びナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基及び２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基及び２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基及び２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基及びドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基及び２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）及び２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基及びペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基及びフェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えばジフェニルホスフィニル基等）及びホスホノ基等が挙げられる。
【００７７】
これらの置換基の一部は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７８】
一般式（１）において、Ｅ１〜Ｅ８のうちの六つ以上及びＥ９〜Ｅ１６のうちの六つ以上が、各々−Ｃ（Ｒ１）＝で表されることが好ましい。
【００７９】
一般式（１）において、Ｅ２１〜Ｅ２５の少なくとも一つ及びＥ３０〜Ｅ３４の少なくとも一つが、−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００８０】
さらには、一般式（１）において、Ｅ２１〜Ｅ２５のいずれか一つ及びＥ３０〜Ｅ３４のいずれか一つが、−Ｎ＝を表すことが好ましい。
【００８１】
また、一般式（１）において、Ｅ１７〜Ｅ２０及びＥ２６〜Ｅ２９が、各々−Ｃ（Ｒ１）＝で表されることが好ましい態様として挙げられる。
【００８２】
さらに、一般式（１）で表される化合物において、Ｅ３が−Ｃ（Ｒ１）＝で表され、かつＲ１が連結部位を表すことが好ましく、さらに、Ｅ１１も同時に−Ｃ（Ｒ１）＝で表され、かつＲ１が連結部位を表すことが好ましい。
【００８３】
さらに、Ｅ２１及びＥ３０が−Ｎ＝で表されることが好ましく、Ｅ１７〜Ｅ２０及びＥ２６〜Ｅ２９が、各々−Ｃ（Ｒ１）＝で表されることが好ましい。
【００８４】
【化４】
2014120334.tif 000006
【００８５】
上記一般式（２）の式中、Ｅ１及びＥ２のうちの少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ６〜Ｅ１０のうちの少なくとも一つは窒素原子であり、Ｅ１１〜Ｅ１５のうちの少なくとも一つは窒素原子である。またＲ１は置換基を表す。
【００８６】
上記一般式（２）において、Ｒ１が置換基を表す場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１として例示した置換基が同様に適用される。
【００８７】
【化５】
2014120334.tif 000007
【００８８】
上記一般式（３）の式中、Ｅ１〜Ｅ８は、各々Ｃ（Ｒ２）又はＮを表し、Ｅ１〜Ｅ８のうち少なくとも一つはＮである。また、一般式（３）中のＲ１、及び上記Ｒ２は水素原子又は置換基を表す。置換基としては、一般式（１）のＲ１として例示した置換基が同様に適用される。
【００８９】
【化６】
2014120334.tif 000008
【００９０】
上記一般式（４）は、一般式（３）の一形態でもある。上記一般式（４）の式中、Ｅ１〜Ｅ１２は、各々−Ｃ（Ｒ１）＝を表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。また、Ｙ１は、アリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基を表す。
【００９１】
上記一般式（４）において、Ｅ１〜Ｅ１２で各々表される−Ｃ（Ｒ１）＝のＲ１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（３）のＲ１として例示した置換基が同様に適用される。
【００９２】
また一般式（４）において、Ｙ１で表されるアリーレン基、ヘテロアリーレン基又はそれらの組み合わせからなる２価の連結基の好ましい態様としては、一般式（１）のＹ１と同様のものが挙げられる。
【００９３】
【化７】
2014120334.tif 000009
【００９４】
上記一般式（５）は、一般式（３）の一形態でもある。上記一般式（５）の式中、Ｅ１〜Ｅ１４は、各々−Ｃ（Ｒ１）＝を表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。またＡｒ１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。さらにｋ１は３以上の整数を表す。
【００９５】
上記一般式（５）において、Ｅ１〜Ｅ１４で各々表される−Ｃ（Ｒ１）＝のＲ１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１として例示した置換基が同様に適用される。
【００９６】
また一般式（５）において、Ａｒ１が芳香族炭化水素環を表す場合、この芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環及びアンスラアントレン環等が挙げられる。これらの環は、さらに一般式（３）のＲ１として例示した置換基を有しても良い。
【００９７】
また一般式（５）において、Ａｒ１が芳香族複素環を表す場合、この芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環及びアザカルバゾール環等が挙げられる。なお、アザカルバゾール環とは、カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が一つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。これらの環は、さらに一般式（１）において、Ｒ１として例示した置換基を有しても良い。
【００９８】
【化８】
2014120334.tif 000010
【００９９】
上記一般式（６）の式中、Ｅ１〜Ｅ１２は、各々−Ｃ（Ｒ１）＝又はＮ＝を表し、Ｒ１は水素原子又は置換基を表す。またＡｒ１は、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環を表す。
【０１００】
上記一般式（６）において、Ｅ１〜Ｅ１２で各々表される−Ｃ（Ｒ１）＝のＲ１が置換基である場合、その置換基の例としては、一般式（１）のＲ１として例示した置換基が同様に適用される。
【０１０１】
また一般式（６）において、Ａｒ１が表す、置換あるいは無置換の、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環は、一般式（５）のＡｒ１と同様のものが挙げられる。
【０１０２】
［下地層に含有される芳香族複素環化合物の具体例］
以下に、本発明に係る下地層４１、４２及び４３に含有される、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を含有する芳香族複素環化合物の具体例Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４０を示す。Ｎｏ．１〜Ｎｏ．４０は、一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）及び（６）で表される化合物の具体例である。
【０１０３】
【化９】
2014120334.tif 000011
【０１０４】
【化１０】
2014120334.tif 000012
【０１０５】
【化１１】
2014120334.tif 000013
【０１０６】
【化１２】
2014120334.tif 000014
【０１０７】
【化１３】
2014120334.tif 000015
【０１０８】
以下に、本発明に係る下地層４１、４２及び４３に含有される、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を含有する芳香族複素環化合物の具体例ＡＮ１〜１１８を示す。ＡＮ１〜１１８は、一般式（１）、（２）、（３）、（４）、（５）及び（６）で表される化合物以外の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１０９】
【化１４】
2014120334.tif 000016
【０１１０】
【化１５】
2014120334.tif 000017
【０１１１】
【化１６】
2014120334.tif 000018
【０１１２】
【化１７】
2014120334.tif 000019
【０１１３】
【化１８】
2014120334.tif 000020
【０１１４】
【化１９】
2014120334.tif 000021
【０１１５】
【化２０】
2014120334.tif 000022
【０１１６】
【化２１】
2014120334.tif 000023
【０１１７】
【化２２】
2014120334.tif 000024
【０１１８】
【化２３】
2014120334.tif 000025
【０１１９】
【化２４】
2014120334.tif 000026
【０１２０】
【化２５】
2014120334.tif 000027
【０１２１】
【化２６】
2014120334.tif 000028
【０１２２】
【化２７】
2014120334.tif 000029
【０１２３】
【化２８】
2014120334.tif 000030
【０１２４】
【化２９】
2014120334.tif 000031
【０１２５】
【化３０】
2014120334.tif 000032
【０１２６】
【化３１】
2014120334.tif 000033
【０１２７】
【化３２】
2014120334.tif 000034
【０１２８】
【化３３】
2014120334.tif 000035
【０１２９】
【化３４】
2014120334.tif 000036
【０１３０】
【化３５】
2014120334.tif 000037
【０１３１】
【化３６】
2014120334.tif 000038
【０１３２】
【化３７】
2014120334.tif 000039
【０１３３】
【化３８】
2014120334.tif 000040
【０１３４】
【化３９】
2014120334.tif 000041
【０１３５】
【化４０】
2014120334.tif 000042
【０１３６】
【化４１】
2014120334.tif 000043
【０１３７】
（下地層の形成方法）
窒素原子を含有する層を有する下地層４１、４２及び４３の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法又はディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱又はＥＢ法など）、スパッタリング法又はＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。
【０１３８】
特に、複数の化合物を用いて下地層４１、４２及び４３を成膜する場合であれば、複数の蒸着源から複数の化合物を同時に供給する共蒸着又は複数の化合物を順次積層する成膜法が適用される。具体的には、前述の下地層４１、４２及び４３に用いることができる化合物と、例えば、フッ化カリウム又はリチウム等との共蒸着若しくは積層する成膜法が適用される。また、化合物として高分子材料を用いる場合であれば、塗布法が好ましく適用される。この場合、化合物を溶媒に溶解させた塗布液を用いる。溶媒は、化合物を溶解させることができる溶媒であれば限定されることはない。さらに、複数の化合物を用いて窒素原子を含有する下地層４１、４２及び４３を成膜する場合であれば、複数の化合物を溶解させることが可能な溶媒を用いて塗布液を作製すればよい。
【０１３９】
［発光ユニット］
以下、発光ユニット３を構成する各層について、発光層、注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び阻止層の順に説明する。
【０１４０】
（発光層）
有機ＥＬ素子１００及び２００の発光ユニット３を構成する発光層は、発光材料としてリン光発光化合物が含有されている構成が好ましい。
【０１４１】
この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。
【０１４２】
このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
【０１４３】
発光層の厚さの総和は、１〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
【０１４４】
複数の層を積層した構成の発光層の場合、個々の発光層の厚さとしては、１〜５０ｎｍの範囲内に調整することが好ましく、さらに好ましくは１〜２０ｎｍの範囲内に調整することがより好ましい。積層された複数の発光層が、青、緑及び赤のそれぞれの発光色に対応する場合は、青、緑及び赤の各発光層の厚さの関係について特に制限されない。
【０１４５】
以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）及びインクジェット法等の公知の方法により形成することができる。
【０１４６】
また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）及び発光材料（発光ドーパント化合物ともいう。）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
【０１４７】
〈ホスト化合物〉
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が０．０１未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
【０１４８】
ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、あるいは、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
【０１４９】
発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
【０１５０】
公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、かつ高Ｔｇ（ガラス転移点）化合物が好ましい。ここでいうガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ−７１２１に準拠した方法により求められる値である。
【０１５１】
以下に、発光ユニット３に適用可能なホスト化合物の具体例として、Ｈ１〜Ｈ７９を示すが、これらに限定されない。なお、ホスト化合物Ｈ６８において、ｘ及びｙはランダム共重合体の比率を表す。その比率は、例えば、ｘ：ｙ＝１：１０などとすることができる。また、ホスト化合物Ｈ６９についても、ｐ、ｑ及びｒは比率を表す。
【０１５２】
【化４２】
2014120334.tif 000044
【０１５３】
【化４３】
2014120334.tif 000045
【０１５４】
【化４４】
2014120334.tif 000046
【０１５５】
【化４５】
2014120334.tif 000047
【０１５６】
【化４６】
2014120334.tif 000048
【０１５７】
【化４７】
2014120334.tif 000049
【０１５８】
【化４８】
2014120334.tif 000050
【０１５９】
【化４９】
2014120334.tif 000051
【０１６０】
【化５０】
2014120334.tif 000052
【０１６１】
【化５１】
2014120334.tif 000053
【０１６２】
【化５２】
2014120334.tif 000054
【０１６３】
【化５３】
2014120334.tif 000055
【０１６４】
【化５４】
2014120334.tif 000056
【０１６５】
【化５５】
2014120334.tif 000057
【０１６６】
【化５６】
2014120334.tif 000058
【０１６７】
本発明に適用可能な公知のホスト化合物の具体例としては、以下の各文献に記載されている化合物を挙げることができる。例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報及び同２００２−３０８８３７号公報等に記載されている化合物が挙げられる。
【０１６８】
〈発光材料〉
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物又はリン光発光材料ともいう。）及び蛍光発光性化合物（蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。）が挙げられる。
【０１６９】
〈リン光発光性化合物〉
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
【０１７０】
上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として０．０１以上が達成されればよい。
【０１７１】
リン光発光性化合物の発光の原理としては、二つの方法が挙げられる。一つの方法は、キャリアが輸送されるホスト化合物上で、キャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光発光性化合物に移動させることでリン光発光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つの方法は、リン光発光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光発光性化合物上でキャリアの再結合が生じ、リン光発光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光性化合物の励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。
【０１７２】
リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０１７３】
本発明においては、少なくとも一つの発光層が、二種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。
【０１７４】
リン光発光性化合物の含有量としては、好ましくは発光層の総量に対し０．１〜３０体積％の範囲である。
【０１７５】
〈１〉一般式（Ａ）で表される化合物
本発明において、リン光発光性化合物として、下記一般式（Ａ）で表される化合物を用いることが好ましい。
【０１７６】
なお、下記一般式（Ａ）で表されるリン光発光性化合物（リン光発光性の金属錯体ともいう。）は、有機ＥＬ素子１００及び２００の発光層に発光ドーパントとして含有されることが好ましい態様であるが、発光層以外の発光ユニット３に含有されていてもよい。
【０１７７】
【化５７】
2014120334.tif 000059
【０１７８】
上記一般式（Ａ）において、Ｐ及びＱは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ１は、Ｐ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ２は、Ｑ−Ｎと共に芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１及びＰ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｐ１及びＰ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。
【０１７９】
一般式（Ａ）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環及びアンスラアントレン環等が挙げられる。
【０１８０】
これらの環は、さらに置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、例えば、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基及びペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基及びアリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、芳香族炭化水素基（芳香族炭素環基、アリール基等ともいい、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基及びビフェニリル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）及びフタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基及びオキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基及びドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基及びシクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基及びナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基及びドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基及びシクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基及びナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基及びドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基及びナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基及び２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基及びピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基及びフェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基及びナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基及び２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基及び２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基及び２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基及びドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基及び２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基、ピペリジル基（ピペリジニル基ともいう）及び２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基及びペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基及びフェニルジエチルシリル基等）、リン酸エステル基（例えば、ジヘキシルホスホリル基等）、亜リン酸エステル基（例えば、ジフェニルホスフィニル基等）及びホスホノ基等が挙げられる。
【０１８１】
上記一般式（Ａ）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環及びアザカルバゾール環等が挙げられる。
【０１８２】
ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が一つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
【０１８３】
これらの環はさらに、上記した置換基を有していてもよい。
【０１８４】
一般式（Ａ）において、Ａ２がＱ−Ｎと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環及びトリアゾール環等が挙げられる。
【０１８５】
これらの環はさらに、上記した置換基を有していてもよい。
【０１８６】
一般式（Ａ）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１及びＰ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１及びＰ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。
【０１８７】
Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン及びピコリン酸等が挙げられる。
【０１８８】
一般式（Ａ）において、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す。中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。
【０１８９】
一般式（Ａ）において、Ｍ１としては、元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）が用いられるが、中でも、イリジウムが好ましい。
【０１９０】
〈２〉一般式（Ｂ）で表される化合物
上記説明した一般式（Ａ）で表される化合物が、さらには、下記一般式（Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。
【０１９１】
【化５８】
2014120334.tif 000060
【０１９２】
上記一般式（Ｂ）において、Ｚは、炭化水素環基又は複素環基を表す。Ｐ及びＱは、各々炭素原子又は窒素原子を表す。Ａ１は、Ｐ−Ｃと共に芳香族炭化水素環又は芳香族複素環を形成する原子群を表す。Ａ３は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−又は−Ｎ＝Ｎ−を表し、Ｒ０１及びＲ０２は、各々水素原子又は置換基を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は、２座の配位子を表す。Ｐ１及びＰ２は、各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１は、Ｐ１及びＰ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。
【０１９３】
一般式（Ｂ）において、Ｚで表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基及び芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも、あるいは前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものを有していてもよい。
【０１９４】
また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基又はアリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基及びビフェニリル基等が挙げられる。
【０１９５】
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０１９６】
一般式（Ｂ）において、Ｚで表される複素環基としては、非芳香族複素環基及び芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環及びジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げられる。
【０１９７】
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０１９８】
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基及び１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基及びフタラジニル基等が挙げられる。
【０１９９】
これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２００】
好ましくは、Ｚで表される基は、芳香族炭化水素環基又は芳香族複素環基である。
【０２０１】
一般式（Ｂ）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環及びアンスラアントレン環等が挙げられる。
【０２０２】
これらの環はさらに、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２０３】
一般式（Ｂ）において、Ａ１がＰ−Ｃと共に形成する芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、フタラジン環、カルバゾール環、カルボリン環及びアザカルバゾール環等が挙げられる。
【０２０４】
ここで、アザカルバゾール環とは、前記カルバゾール環を構成するベンゼン環の炭素原子が一つ以上窒素原子で置き換わったものを示す。
【０２０５】
これらの環はさらに、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２０６】
一般式（Ｂ）のＡ３で表される−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｃ（Ｒ０２）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ０２）−、又は−Ｃ（Ｒ０１）＝Ｎ−において、Ｒ０１及びＲ０２で各々表される置換基は、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同義である。
【０２０７】
一般式（Ｂ）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子としては、例えば、フェニルピリジン、フェニルピラゾール、フェニルイミダゾール、フェニルトリアゾール、フェニルテトラゾール、ピラザボール、アセチルアセトン及びピコリン酸等が挙げられる。
【０２０８】
また、ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３を表す、中でも、ｊ２は０である場合が好ましい。
【０２０９】
一般式（Ｂ）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素（単に遷移金属ともいう）は、前記一般式（Ａ）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。
【０２１０】
〈３〉一般式（Ｃ）で表される化合物
本発明においては、上記一般式（Ｂ）で表される化合物の好ましい態様の一つとして、下記一般式（Ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０２１１】
【化５９】
2014120334.tif 000061
【０２１２】
上記一般式（Ｃ）において、Ｒ０３は置換基を表す。Ｒ０４は、水素原子又は置換基を表し、複数のＲ０４は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０１は１〜４の整数を表す。Ｒ０５は水素原子又は置換基を表し、複数のＲ０５は互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０２は１〜２の整数を表す。Ｒ０６は水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。ｎ０３は１〜４の整数を表す。Ｚ１は、Ｃ−Ｃと共に６員の芳香族炭化水素環若しくは、５員又は６員の芳香族複素環を形成するのに必要な原子群を表す。Ｚ２は、炭化水素環基又は複素環基を形成するのに必要な原子群を表す。Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２は２座の配位子を表し、Ｐ１及びＰ２は各々独立に炭素原子、窒素原子又は酸素原子を表す。Ｌ１はＰ１及びＰ２と共に２座の配位子を形成する原子群を表す。ｊ１は１〜３の整数を表し、ｊ２は０〜２の整数を表すが、ｊ１＋ｊ２は２又は３である。Ｍ１は元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素を表す。また、Ｒ０３とＲ０６、Ｒ０４とＲ０６及びＲ０５とＲ０６は、それぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。
【０２１３】
一般式（Ｃ）において、Ｒ０３、Ｒ０４、Ｒ０５及びＲ０６で各々表される置換基は、前記一般式（Ａ）において、Ａ１で表される環が有していても良い置換基と同義である。
【０２１４】
一般式（Ｃ）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する６員の芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環等が挙げられる。
【０２１５】
これらの環は、さらに置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２１６】
一般式（Ｃ）において、Ｚ１がＣ−Ｃと共に形成する５員又は６員の芳香族複素環としては、例えば、オキサゾール環、オキサジアゾール環、オキサトリアゾール環、イソオキサゾール環、テトラゾール環、チアジアゾール環、チアトリアゾール環、イソチアゾール環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、イミダゾール環、ピラゾール環及びトリアゾール環等が挙げられる。
【０２１７】
これらの環は、さらに置換基を有していても良く、そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２１８】
一般式（Ｃ）において、Ｚ２で表される炭化水素環基としては、非芳香族炭化水素環基、芳香族炭化水素環基が挙げられ、非芳香族炭化水素環基としては、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していても良く、そのような置換基としては、一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２１９】
また、芳香族炭化水素環基（芳香族炭化水素基又はアリール基等ともいう）としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基及びビフェニリル基等が挙げられる。これらの基は、無置換でも良いし、置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２２０】
一般式（Ｃ）において、Ｚ２で表される複素環基としては、非芳香族複素環基、芳香族複素環基等が挙げられ、非芳香族複素環基としては、例えば、エポキシ環、アジリジン環、チイラン環、オキセタン環、アゼチジン環、チエタン環、テトラヒドロフラン環、ジオキソラン環、ピロリジン環、ピラゾリジン環、イミダゾリジン環、オキサゾリジン環、テトラヒドロチオフェン環、スルホラン環、チアゾリジン環、ε−カプロラクトン環、ε−カプロラクタム環、ピペリジン環、ヘキサヒドロピリダジン環、ヘキサヒドロピリミジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロピラン環、１，３−ジオキサン環、１，４−ジオキサン環、トリオキサン環、テトラヒドロチオピラン環、チオモルホリン環、チオモルホリン−１，１−ジオキシド環、ピラノース環、ジアザビシクロ［２，２，２］−オクタン環等から導出される基を挙げることができる。これらの基は無置換でも良いし、置換基を有していても良い。そのような置換基としては、一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２２１】
芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基及び１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基及びフタラジニル基等が挙げられる。
【０２２２】
これらの環は無置換でも良いし、置換基を有していてもよい。そのような置換基としては、前記一般式（Ａ）においてＡ１で表される環が有していても良い置換基と同様のものが挙げられる。
【０２２３】
一般式（Ｃ）において、Ｚ１及びＺ２で形成される基としてはベンゼン環が好ましい。
【０２２４】
一般式（Ｃ）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子は、前記一般式（Ａ）において、Ｐ１−Ｌ１−Ｐ２で表される２座の配位子と同義である。
【０２２５】
一般式（Ｃ）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素は、前記一般式（Ａ）において、Ｍ１で表される元素周期表における８族〜１０族の遷移金属元素と同義である。
【０２２６】
また、リン光発光性化合物は、有機ＥＬ素子１００の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。
【０２２７】
本発明に係るリン光発光性化合物は、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【０２２８】
本発明に係るリン光発光性化合物の具体例（Ｐｔ−１〜Ｐｔ−３、Ｏｓ−１、Ｉｒ−１〜Ｉｒ−５０）を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。なお、これらの化合物において、ｍ及びｎは各々繰り返し数を表す。
【０２２９】
【化６０】
2014120334.tif 000062
【０２３０】
【化６１】
2014120334.tif 000063
【０２３１】
【化６２】
2014120334.tif 000064
【０２３２】
【化６３】
2014120334.tif 000065
【０２３３】
【化６４】
2014120334.tif 000066
【０２３４】
【化６５】
2014120334.tif 000067
【０２３５】
【化６６】
2014120334.tif 000068
【０２３６】
【化６７】
2014120334.tif 000069
【０２３７】
【化６８】
2014120334.tif 000070
【０２３８】
上記のリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中の参考文献等に記載されている方法を適用することにより合成できる。
【０２３９】
〈蛍光発光性化合物〉
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
【０２４０】
（注入層）
注入層（正孔注入層及び電子注入層）とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
【０２４１】
注入層は、必要に応じて設けることができる。正孔注入層であれば、アノードと発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であればカソードと発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
【０２４２】
正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン層、酸化バナジウムに代表される酸化物層、アモルファスカーボン層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子層等が挙げられる。
【０２４３】
電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属層、フッ化カリウムに代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデンに代表される酸化物層等が挙げられる。本発明においては、電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。
【０２４４】
（正孔輸送層）
光射出側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニットが有する正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニットが有する正孔輸送層の層厚は、２０ｎｍ以上厚いことが好ましい。これにより、中間電極が陽極として機能する場合に、中間電極層に含まれる銀イオンが発光層まで拡散することを抑制し、局所的な電界集中の発生を抑制しているものと考えられる。なお、正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料から構成されており、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、正孔輸送層は、単層又は複数層設けることができる。
【０２４５】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【０２４６】
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
【０２４７】
芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン及びＮ−フェニルカルバゾール等が挙げられる。さらには米国特許第５０６１５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（略称：ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが三つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【０２４８】
さらに、これらの材料を高分子鎖に導入した、あるいはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【０２４９】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ  ｅｔ．ａｌ．，Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られる観点から、これらの材料を用いることが好ましい。
【０２５０】
正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ  Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。
【０２５１】
また、正孔輸送層の材料に不純物をドープすることにより、ｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
【０２５２】
このように、正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【０２５３】
（電子輸送層）
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
【０２５４】
単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【０２５５】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
【０２５６】
その他、メタルフリー又はメタルフタロシアニン若しくはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層の材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層の材料として用いることができるし、正孔注入層及び正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。
【０２５７】
電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる単一構造であってもよい。
【０２５８】
また、電子輸送層に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに、電子輸送層には、カリウムやカリウム化合物などを含有させることが好ましい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように、電子輸送層のｎ性を高くすることにより、より低消費電力の有機ＥＬ素子を得ることができる。
【０２５９】
また、電子輸送層の材料（電子輸送性化合物）として、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いても良い。これは、電子注入層を兼ねた電子輸送層であっても同様であり、上述した中間層を構成する材料と同様のものを用いても良い。
【０２６０】
（阻止層）
阻止層（正孔阻止層及び電子阻止層）は、上記説明した発光ユニット３の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層等を挙げることができる。
【０２６１】
正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
【０２６２】
一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
【０２６３】
［第２電極］
第２電極６は、第２発光ユニット３Ｂ又は第３発光ユニット３Ｅに正孔を供給するために機能する電極膜であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物若しくはこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられる。
【０２６４】
第２電極６は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させて作製することができる。また、第２電極６としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【０２６５】
なお、有機ＥＬ素子１００及び２００が、第２電極６からも発光光Ｌを取り出す、両面発光型の場合には、光透過性の良好な第２電極６を選択して構成すればよい。この場合、上述の下地層４１、４２及び４３を各発光ユニット３の第２電極６側の面に設けてもよい。
【０２６６】
［封止部材］
有機ＥＬ素子１００及び２００の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、第２電極６及び透明基板１とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。
【０２６７】
封止部材としては、有機ＥＬ素子１００及び２００の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また透明性及び電気絶縁性は特に限定されない。
【０２６８】
具体的には、ガラス板、ポリマー板、フィルム、金属板、フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属又は合金が挙げられる。
【０２６９】
封止部材としては、有機ＥＬ素子１００及び２００を薄膜化できることからポリマーフィルム及び金属フィルムを好ましく使用することができる。さらに、ポリマーフィルムは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ  Ｋ  ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０−３ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０−３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましい。
【０２７０】
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工又は化学エッチング加工等が使われる。接着剤としては、具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマー等の反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤並びに２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル及びポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
【０２７１】
なお、有機ＥＬ素子１００及び２００が熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までに接着硬化できる接着剤が好ましい。また、接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部材への接着剤の塗布は、市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
【０２７２】
また、発光ユニット３を挟み、透明基板１と対向する側の第２電極６の外側に、第２電極６と発光ユニット３を被覆し、透明基板１と接する形で無機物又は有機物の層を形成して封止膜とすることも好適にできる。この場合、封止膜を形成する材料としては、有機ＥＬ素子１００及び２００を劣化させる水分や酸素等の浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素及び窒化ケイ素等を用いることができる。さらに、封止膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造をもたせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法及びコーティング法等を用いることができる。
【０２７３】
封止部材と有機ＥＬ素子１００及び２００の表示領域との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、封止部材と有機ＥＬ素子１００及び２００の表示領域との間隙を真空とすることや、間隙に吸湿性化合物を封入することもできる。
【０２７４】
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム又は酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム又は硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム又はヨウ化マグネシウム等）及び過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム又は過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水物が好適に用いられる。
【０２７５】
《光取り出し》
有機ＥＬ素子１００及び２００は、空気よりも屈折率の高い（屈折率１．６〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板１と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板１との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【０２７６】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、基板表面に凹凸を形成し、基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（例えば、米国特許第４７７４４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（例えば、特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（例えば、特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（例えば、特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（例えば、特開２００１−２０２８２７号公報）並びに基板、透明電極層及び発光層のいずれかの層間（基板と外界間を含む）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）などが挙げられる。
【０２７７】
本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００と組み合わせて用いることができるが、透明基板１と発光ユニット３の間に透明基板１よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは透明基板１、透明電極（第１電極２）や発光ユニット３のいずれかの層間（基板と外界間も含む）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、さらに高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【０２７８】
透明電極（第１電極２）と透明基板１の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極（第１電極２）から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
【０２７９】
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム及びフッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板１の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましく、１．３５以下であることがより好ましい。
【０２８０】
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が透明基板１内に入り込む厚さになると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
【０２８１】
全反射を起こす界面又はいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは媒質中（透明基板１内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。
【０２８２】
導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
【０２８３】
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【０２８４】
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中（透明基板１内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【０２８５】
また、本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００は、透明基板１の光取出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、あるいは、後述する集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
【０２８６】
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０〜１００μｍが好ましい。  
【０２８７】
集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基板に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状又はその他の形状であってもよい。
【０２８８】
また、光取出しフィルムは、光放射角を制御するためだけでなく、面方向の領域で、異なる発光色を散乱させて白色発光を得る。光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）などを用いることができる。
【０２８９】
〈用途〉
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられる。これに限定されないが、特にカラーフィルターと組み合わせた液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。カラーフィルターと組み合わせてディスプレイのバックライトとして用いる場合には、輝度をさらに高めるため、集光シートと組み合わせて用いるのが好ましい。
【実施例】
【０２９０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「部」あるいは「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量部」あるいは「質量％」を表す。
【０２９１】
［実施例１］
《試料の作製》
〔有機ＥＬ素子Ｎｏ．１の作製：発光ユニット数２〕
発光ユニット数が２の有機ＥＬ素子１００の試料作製の一例を有機ＥＬ素子Ｎｏ．１を用いて説明する。
（透明基板の準備）
透明基板１として、厚さ１５０μｍの透明な無アルカリガラスを用いた。
透明基板１の易接着面に、ＵＶ硬化型有機／無機ハイブリッドハードコート材  ＯＰＳＴＡＲ  Ｚ７５０１（ＪＳＲ株式会社製）を乾燥後の膜厚が４μｍになるようにワイヤーバーで塗布した。８０℃で３分乾燥した後、空気雰囲気下にて高圧水銀ランプ使用して１．０Ｊ／ｃｍ２の照射を行って硬化した。
【０２９２】
（ガスバリアー層の形成）
次いで、下記エキシマ法に従って、薄膜層上に、厚さ３００ｎｍのガスバリアー層を形成した。
【０２９３】
〈ポリシラザン層形成用塗布液の調製〉
パーヒドロポリシラザン（アクアミカ  ＮＮ１２０−１０、無触媒タイプ、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製）の１０質量％ジブチルエーテル溶液を、ポリシラザン層形成用塗布液として用いた。
【０２９４】
〈ポリシラザン層の形成〉
上記調製したポリシラザン層形成用塗布液を、ワイヤレスバーにて、乾燥後の（平均）層厚が３００ｎｍとなるように塗布し、温度８５℃、相対湿度５５％の雰囲気下で１分間処理して乾燥させ、さらに温度２５℃、相対湿度１０％（露点温度−８℃）の雰囲気下に１０分間保持し、除湿処理を行って、ポリシラザン層を形成した。
【０２９５】
〈ガスバリアー層の形成：紫外光によるポリシラザン層のシリカ転化処理〉
次いで、上記形成したポリシラザン層に対し、下記紫外線装置を真空チャンバー内に設置して、装置内の圧力を調整して、シリカ転化処理を実施した。
【０２９６】
〈紫外線照射装置〉
装置：株式会社  エム・ディ・コム製エキシマ照射装置ＭＯＤＥＬ：ＭＥＣＬ−Ｍ−１−２００
照射波長：１７２ｎｍ
ランプ封入ガス：Ｘｅ
〈改質処理条件〉
稼動ステージ上に固定したポリシラザン層を形成した基板に対し、以下の条件で改質処理を行って、ガスバリアー層を形成した。
【０２９７】
エキシマランプ光強度：１３０ｍＷ／ｃｍ２（１７２ｎｍ）
試料と光源の距離：１ｍｍ
ステージ加熱温度：７０℃
照射装置内の酸素濃度：１．０％
エキシマランプ照射時間：５秒
【０２９８】
（第１電極の形成）
上記透明基板１上に、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide：酸化インジウムスズ）膜をスパッタリング法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第１電極２（陽極）を形成した。なお、パターンは、発光面積が５０ｍｍ平方になるようなパターンとして形成した。
【０２９９】
（第１発光ユニットの形成）
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、基板を移動させながら化合物ＨＡＴ−ＣＮを、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０３００】
次いで、化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、４０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。ホスト材料Ｈ−１が入った加熱ボートと、リン光発光性の化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）、化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）が入ったそれぞれの加熱ボートを独立に通電し、ホスト材料Ｈ−１と青色のリン光発光性化合物とを有する３０ｎｍの発光層を、正孔輸送層上に成膜した。この際、蒸着速度が、ホスト化合物Ｈ−１：化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）＝９３：７（体積比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。
【０３０１】
その後、化合物ＥＴ−１を蒸着して２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０３０２】
（下地層及び中間電極層の形成）
次いで、第１発光ユニット３Ａまで形成した試料を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３０３】
窒素原子含有化合物として、例示化合物Ｎｏ．１０を、タンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。
【０３０４】
真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱した。次いで、第２真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱し、銀（Ａｇ）を含有する中間電極層４Ａを厚さ１０ｎｍで形成した。
【０３０５】
（第２発光ユニットの形成）
中間電極層４Ａ上に、第１発光ユニットの形成と同様にして、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、基板を移動させながら化合物ＨＡＴ−ＣＮを、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０３０６】
次いで、第２発光ユニット３Ｂを、第１発光ユニット３Ａと同様の方法で形成した。具体的には、化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、８０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。ホスト材料Ｈ−１と緑色のリン光発光性化合物及び赤色のリン光発光性化合物とを有する３０ｎｍの発光層を、正孔輸送層上に成膜した。この際、蒸着速度が、ホスト化合物Ｈ−１：化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）：化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）＝８９：１０：１（体積比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。
その後、化合物ＥＴ−１を蒸着して２０ｎｍの電子輸送層を形成した。
【０３０７】
（第２電極の形成）
次いで、フッ化カリウム（ＫＦ）を厚さ２ｎｍで形成した後、アルミニウムを厚さ１１０ｎｍで蒸着して第２電極６（陰極）を形成した。
【０３０８】
（封止）
第２電極６（陰極）まで作製した試料を、厚さ１００μｍのアルミ箔の片面に熱硬化型の液状接着剤（エポキシ系樹脂）を厚さ３０μｍで塗設してある封止部材を用いて、有機ＥＬ素子１００の第１電極２、第２電極６の引き出し電極の端部が外に出るように、封止部材の接着剤面と、有機ＥＬ素子１００の第２電極６の層面を連続的に重ね合わせ、ドライラミネート法により接着を行って、封止済みの発光ユニット３が二層構成の有機ＥＬ素子１００を作製した。
【０３０９】
上記封止工程は、大気圧下、含水率１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下で、ＪＩＳ  Ｂ  ９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス１００で、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍ以下の大気圧で行った。なお、陽極、陰極からの引き出し配線等の形成に関する記載は省略してある。
【０３１０】
なお、上記化合物ＨＡＴ−ＣＮ、ＨＴ−１、化合物Ａ−１〜３、化合物Ｈ−１、及び化合物ＥＴ−１は、以下に示す化合物である。
【０３１１】
【化６９】
2014120334.tif 000071
【０３１２】
また、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２、３、７、９、１１、１３及び１５〜２３については、表１に示す条件（発光ユニット３Ａ及び３ＢのＨＴＬ層厚及び発光色、中間電極層４Ａの下地層４１に用いた化合物、材質及び層厚並びに有機機能層の総層厚）に従って、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。有機ＥＬ素子Ｎｏ．８、１０、１２及び１４については、第２電極６をＡｌに代えてＡｇを用いた点以外は有機ＥＬ素子Ｎｏ．１と同様に表１の条件に従い有機ＥＬ素子を作製した。また、有機ＥＬ素子Ｎｏ．４〜６については、上述した試料の作製において、銀（Ａｇ）で構成された中間電極層４Ａの形成に換えて、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜して形成している。この際、第１発光ユニット３Ａへのダメージを防止するため、成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓｅｃとして、層厚１２０ｎｍのＩＴＯからなる中間電極層を形成した。これ以外は同様の手順で表１の条件に従い有機ＥＬ素子を作製した。なお、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜２３については、共通して透明基板１として透明な無アルカリガラスを用いて、第１電極２（陽極）として透明基板１上に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜して形成している。
【０３１３】
【表１】
2014120334.tif 000072
【０３１４】
〔有機ＥＬ素子Ｎｏ．３０の作製：発光ユニット数３〕
（基板の準備）
有機ＥＬ素子Ｎｏ．１の作製に用いたのと同様の透明基板１を準備した。
【０３１５】
（ガスバリアー層の形成）
次いで、透明基板１上に、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１の作製に用いたガスバリアー層の形成方法（エキシマ法）と同様の方法で、ガスバリアー層を形成した。
【０３１６】
（第１電極の形成）
上記透明基板１上に、厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行い、第１電極２（陽極）を形成した。なお、パターンは、発光面積が５０ｍｍ平方になるようなパターンとして形成した。
【０３１７】
（赤色発光層を含む第１発光ユニットの形成）
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、基板を移動させながら化合物ＨＡＴ−ＣＮを、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０３１８】
次いで、化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、４０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。ホスト材料Ｈ−１が入った加熱ボートと、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）が入った加熱ボートを独立に通電し、ホスト材料Ｈ−１と赤色発光ドーパントとからなる３０ｎｍの赤色発光の発光層を、正孔輸送層上に成膜した。この際、蒸着速度が、ホスト化合物Ｈ−１：化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）＝９５：５（体積比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。
【０３１９】
その後、化合物ＥＴ−１を層厚２０ｎｍに蒸着して電子輸送層を形成した。
【０３２０】
（下地層及び第２中間電極層の形成）
次いで、第１発光ユニット３Ｃまで形成した試料を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３２１】
窒素原子含有化合物として、例示化合物Ｎｏ．１０を、タンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。
【０３２２】
真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱した。次いで、第２真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱し、銀（Ａｇ）を含有する第１中間電極層４Ｂを厚さ１０ｎｍで形成した。
【０３２３】
（緑色発光層を有する第２発光ユニットの形成）
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１中間電極層４Ｂを設けた基板を移動させながら、化合物ＨＡＴ−ＣＮを、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０３２４】
次いで、化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、８０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。ホスト材料Ｈ−１が入った加熱ボートと、リン光発光性の化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）が入った加熱ボートを独立に通電し、ホスト材料Ｈ−１と緑色発光ドーパントとからなる３０ｎｍの緑色発光の発光層を、正孔輸送層上に成膜した。この際、蒸着速度が、ホスト化合物Ｈ−１：化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）＝９０：１０（体積比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。
【０３２５】
その後、化合物ＥＴ−１を層厚２０ｎｍに蒸着して電子輸送層を形成した。
【０３２６】
（下地層及び第２中間電極層の形成）
次いで、第２発光ユニット３Ｄまで形成した試料を、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置の真空槽に取り付けた。
【０３２７】
窒素原子含有化合物として、例示化合物Ｎｏ．１０を、タンタル製抵抗加熱ボートに入れた。これらの基板ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、第２真空槽内に取り付けた。
【０３２８】
真空槽を４×１０−４Ｐａまで減圧した後、第１真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱した。次いで、第２真空槽の抵抗加熱ボートを通電して加熱し、銀（Ａｇ）を含有する第２中間電極層４Ｃを厚さ１０ｎｍで形成した。
【０３２９】
（青色発光層を有する第３発光ユニットの形成）
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０−４Ｐａまで減圧した後、基板を移動させながら化合物ＨＡＴ−ＣＮを、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
【０３３０】
次いで、化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、８０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。ホスト材料Ｈ−１が入った加熱ボートと、リン光発光性の化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）が入った熱ボートを独立に通電し、ホスト材料Ｈ−１と青色発光ドーパントとからなる３０ｎｍの青色発光の発光層を、正孔輸送層上に成膜した。この際、蒸着速度が、ホスト化合物Ｈ−１：化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）＝９３：７（体積比）となるように、加熱ボートの通電を調節した。
【０３３１】
その後、化合物ＥＴ−１を層厚２０ｎｍに蒸着して電子輸送層を設けて、青色発光層を有する第３発光ユニット３Ｅを形成した。
【０３３２】
（第２電極の形成及び封止）
次いで、有機ＥＬ素子Ｎｏ．１の作製と同様の方法で、第３発光ユニット３Ｅ上に第２電極６の形成及び封止を行って、発光ユニット３が三層構成の有機ＥＬ素子Ｎｏ．３０を作製した。
【０３３３】
なお、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２４〜２７、３２及び３４〜５１についても表２に示す条件（発光ユニットのＨＴＬ層厚及び発光色、第１中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃに用いた材質及び層厚並びに有機機能層の総層厚）に従って同様に有機ＥＬ素子を作製した。有機ＥＬ素子Ｎｏ．３１、３３及び５３〜５６については、第２電極６をＡｌに代えてＡｇを用いた点以外は有機ＥＬ素子Ｎｏ．３０と同様に表２の条件に従い有機ＥＬ素子を作製した。また、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２８及び２９については、上述した試料の作製において、銀（Ａｇ）で構成された中間電極層４Ｂ及び第２中間電極層４Ｃの形成に換えて、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜して形成している。この際、第１発光ユニット３Ｃ及び第２発光ユニット３Ｄへのダメージを防止するため、成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓｅｃとして、層厚１２０ｎｍのＩＴＯからなる中間電極層を形成した。これ以外は同様の手順で表２の条件に従い有機ＥＬ素子を作製した。なお、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２４〜５６についても、共通して透明基板１として透明な無アルカリガラスを用いて、第１電極２（陽極）として透明基板１上に、ＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜して形成している。また、有機ＥＬ素子Ｎｏ．２４〜５６の第１中間電極層４Ｂの下地層４２及び第２中間電極層４Ｃの下地層４３には共通して例示化合物Ｎｏ．１０を用いている。
【０３３４】
【表２】
2014120334.tif 000073
【０３３５】
《有機ＥＬ素子の評価》
［電力効率］
分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタオプティクス社製）を用いて、各照明装置を構成する有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５６の各発光ユニット３の正面輝度及び輝度角度依存性を測定し、それぞれ正面輝度１０００ｃｄ／ｍ２における電力効率を求めた。なお、電力効率の評価は、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７の電力効率を１００とする相対値で表示した。数値が大きいほど、電力効率が優れていることを表す。
【０３３６】
［発光寿命］
２３℃、５０％ＲＨの環境下で、各発光ユニット３の５０ｍＡ／ｃｍ２の定電流条件による連続発光を行い、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタオプティクス社製）を用いて、初期輝度の半分の輝度になるのに要する時間（半減期：τ１／２）を測定した。なお、発光寿命の評価は、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７の半減期（時間）を１００とする相対値で表示した。数値が大きいほど、発光寿命が長いことを表す。
【０３３７】
［配光特性］
有機ＥＬ検討会（２０１２年）第１４回例会予稿集  ｐ１１−１２に記載の視野角依存性評価法をもちいて有機ＥＬ素子Ｎｏ．１〜５６の各発光ユニット３の評価を行った。評価結果は、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７の視野角依存性（配光性）をＢとし、それより良好であればＡ、やや劣るものの充分な性能を示すものをＣと判定した。また、有機ＥＬ素子Ｎｏ．７の視野角依存性（配光性）に対し、劣る性能であればＤ、著しく劣る性能であればＥと判定した。
【０３３８】
【表３】
2014120334.tif 000074
【０３３９】
《まとめ》
表３に記載の結果より明らかなように、本発明で規定する構成からなる本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００は、比較例に対し、電力効率及び発光寿命に優れ、加えて、視野角依存性（配光性）及び耐久性が向上していることが分かる。
【０３４０】
本発明の有機ＥＬ素子１００及び２００においては、さらには、中間電極層４の層厚が、３〜２０ｎｍの範囲内であること、複数の発光ユニット３が、青色光を発光する青色発光層、緑色光を発光する緑色発光層及び赤色を発光する赤色発光層のうち少なくとも一つの発光層を有し、緑色の光を発光する発光ユニット３が、光射出側の透明電極に最も近い位置に配置されていること、発光ユニット３のうち、最も長波長の光を発光する発光ユニット３が二つの中間電極層４の間に配置されていること、発光ユニット３を構成する複数の有機機能層の全層厚が発光ユニット数×（１００〜２００）ｎｍの範囲内であること、中間電極層４が、一般式（１）又は（２）で表される化合物を含有する下地層４１、４２又は４３に隣接して配置されること、複数の発光ユニット３が、それぞれ、有機機能層として正孔輸送層を有し、かつ、光射出側の透明電極に最も近い位置に配置されている発光ユニット３が有する当該正孔輸送層の層厚よりも他の発光ユニット３が有する当該正孔輸送層の層厚が、２０ｎｍ以上厚いこと、一対の主電極のうち、一つの電極が、陽極として機能する透明電極であること、とする構成により、上記各効果がより発揮されていることが分かる。
【符号の説明】
【０３４１】
１００、２００                      有機ＥＬ素子
１                                  透明基板
２                                  第１電極（主電極）
３（３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ、３Ｅ）  発光ユニット
４（４Ａ、４Ｂ、４Ｃ）              中間電極層
４１、４２、４３                    下地層
６                                  第２電極（主電極）
【図１】
2014120334.tif 000077
【図２】
2014120334.tif 000078