(57)【要約】【課題】短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも発光層２５を含む機能層２６を第１電極２７に積層形成した後、前記機能層２６に第２電極２２を積層形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。前記第２電極２２は光透過性を有し、且つウエットプロセスにより形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発光層を含む機能層を第１電極に積層形成した後、前記機能層に第２電極を積層形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第２電極は光透過性を有し、且つウエットプロセスにより形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項２】
第１電極を支持基板として形成することを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２電極をメッシュ状に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項４】
第１電極に積層形成される少なくとも発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第２電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第１電極の機能層と反対側に支持基板を備え、前記第２電極は光透過性を有して成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項５】
第１電極に積層形成される発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第２電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第１電極は支持基板として形成され、前記第２電極は光透過性を有して成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項６】
前記第２電極がメッシュ状に形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照明器具、液晶バックライト、各種ディスプレイ、表示装置などに用いられる有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
面発光体の代表的なものとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子）がある。この有機ＥＬ素子は、図５に示すように、光透過性の支持基板１１の表面（下面）に光透過性の第２電極１２を設け、この第２電極１２の表面（下面）にホール注入層１３とホール輸送層１４と発光層１５からなる機能層１６を設けると共に、機能層１６の表面（下面）に光反射性の第１電極１７を設けることによって形成されている。そして、第２電極１２と第１電極１７との間に電圧を印加することによって機能層１６で発光した光は、第２電極１２及び支持基板１１を透過して取り出される。
【０００３】
近年、フレキシブルな支持基板を用いてロールｔｏロールで各層を塗布形成する方法が、有機ＥＬ素子の低コスト化を達成する手段として注目されている。しかし、一般的にフレキシブルな支持基板としては、封止性能のあるバリアフィルム付きフィルムの使用が想定されるが、同フィルムの価格は高く、低コスト化を達成するためには大きな障害となる。
【０００４】
また、一般的に光透過性の第２電極１２には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ，ＧＺＯ，ＦＴＯ，ＡＴＯなどの金属酸化物を透明導電材料として用い、スパッタ法や真空蒸着法などの真空プロセスで形成される。これらの製膜方法は高価な装置や多量のエネルギーが必要であり、製造コストや環境負荷を低減する技術が求められている。さらに、これらで製膜した透明導電膜の屈折率はガラス支持基板に比べて高く、有機ＥＬ素子にした場合、前後の層との界面における屈折率差による全反射ロスが光取り出し効率を低下させる要因になっている。
【０００５】
これらを克服するために、導電性ナノ粒子を含有する溶液を用いて塗布や印刷などにより、透明導電膜を形成する方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法によると、真空プロセスが必要でないため、プロセスコストを抑えられるだけでなく、導電性ナノ粒子を保持するバインダー材料の選択により、透明導電膜の屈折率を制御でき、光学的に有利な素子構造を形成することができる。しかし、このような導電性ナノ粒子とバインダーを混合した溶液を用いて塗布形成する膜では、一般的に有機ＥＬなどの有機半導体デバイスに使用されるガラス支持基板表面と比較して表面粗さが大きい。この比較的大きな表面粗さは含有する粒子に起因し、この膜上に発光層を含む機能層を積層して有機ＥＬ素子を形成した場合、短絡の発生や動作信頼性に影響を及ぼす可能性が非常に高い。そこで、これを緩和する方法として、ナノ粒子を含有した透明導電膜上に粒子を含有しない、または、含有量の少ないバインダー材料をオーバーコートするなどして平坦性を改善する手法が開示されている（特許文献２参照）。しかし、このような方法では透明導電膜に比べオーバーコート層の導電性が低いため、電極としての電気特性も低下してしまうおそれがあり、根本的な解決にはならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１８１８５６号公報
【特許文献２】特開２００９−５０５３５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、少なくとも発光層を含む機能層を第１電極に積層形成した後、前記機能層に第２電極を積層形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記第２電極は光透過性を有し、且つウエットプロセスにより形成されることを特徴とするものである。
【０００９】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、第１電極を支持基板として形成することが好ましい。
【００１０】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法にあっては、前記第２電極をメッシュ状に形成することが好ましい。
【００１１】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極に積層形成される少なくとも発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第２電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第１電極の機能層と反対側に支持基板を備え、前記第２電極は光透過性を有して成ることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１電極に積層形成される発光層を含む機能層と、この機能層に積層形成される第２電極とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記第１電極は支持基板として形成され、前記第２電極は光透過性を有して成ることを特徴とするものである。
【００１３】
前記有機エレクトロルミネッセンス素子にあっては、前記第２電極がメッシュ状に形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機エレクトロルミネッセンス素子を得ることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す概略の断面図である。
【図２】本発明の他の実施の形態の一例を示す概略の断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態の一例を示し、（ａ）は概略の断面図、（ｂ）は一部の平面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態の一例を示す概略の断面図である。
【図５】従来例を示す概略の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態を説明する。
【００１７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の層構成の一例を図１に示す。この有機ＥＬ素子は、支持基板２１、支持基板２１上に形成された第１電極２７、及び発光層２５とホール輸送層２４とホール注入層２３とを備えた機能層（有機層）２６、機能層２６上に形成された光透過性の第２電極２２を具備するものである。機能層２６は第１電極２７の一方の表面に積層して形成されるが、この機能層２６が形成される第１電極２７の一方の表面は、第２電極２２の機能層２６側の表面よりも平滑に形成されている。従って、第１電極２７の表面の凹凸が機能層２６に与える影響を少なくすることができ、第１電極２７の表面よりも粗さの大きい第２電極２２の表面に機能層２６を形成する場合に比べて、機能層２６に生じやすい短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減することができるものである。また、第２電極はウェットプロセスで機能層２６上に形成することができる。従って、ウェットプロセスで形成した第２電極２２上に機能層２６を形成した場合に生じやすい短絡を抑制し、動作信頼性への影響を低減した低コストの有機ＥＬ素子を形成することができる。
【００１８】
上記の支持基板２１としては、例えばソーダガラスや無アルカリガラス等のリジッドな透明ガラス板、ポリカーボネートやポリエチレンテレフタレート等のフレキシブルな透明プラスチック板、アルミニウム・銅・ステンレスなどからなる金属フィルムなど、任意のものを用いることができるが、これらに限定されるものではない。また、何れの種類の支持基板２１においても共通するが、有機ＥＬ素子の短絡を抑制するために、支持基板２１の表面の平滑性が非常に重要である。一般的に、金属フィルムはガラスなどに比べ表面が粗いことがあるが、表面粗さＲａ１００ｎｍ以下に抑えることが好ましく、Ｒａ１０ｎｍ以下に抑えることがさらに好ましい。これにより、支持基板２１の表面の粗さが第１電極２７に与える影響を少なくすることができ、第１電極２７の短絡を抑制しやすくなるものである。
【００１９】
第１電極２７は陰極として形成することができる。第１電極２７を構成する材料としては、ＡｌやＡｇなど、もしくはこれら金属を含む化合物を用いることができるが、Ａｌと他の電極材料を組み合わせて積層構造などとして構成するものであっても良い。このような電極材料の組み合わせとしては、アルカリ金属とＡｌとの積層体、アルカリ金属と銀との積層体、アルカリ金属のハロゲン化物とＡｌとの積層体、アルカリ金属の酸化物とＡｌとの積層体、アルカリ土類金属や希土類金属とＡｌとの積層体、これらの金属種と他の金属との合金などが挙げられ、具体的には、例えばナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム、マグネシウムなどとＡｌとの積層体、マグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金、ＬｉＦ／Ａｌ混合物／積層体、Ａｌ／Ａｌ２Ｏ３混合物などを例として挙げることができる。さらに、上記に列挙したもの以外についても、第１電極２７から発光層２５への電子注入を促進させる層、すなわち電子注入層を第１電極２７と発光層２５の間に挿入することはより好ましい。電子注入層を構成する材料としては、上記の第１電極２７を構成する材料と共通のもの、酸化チタン、酸化亜鉛などの金属酸化物、上記材料を含めて、電子注入を促進させるドーパントを混合した有機半導体材料などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２０】
発光層２５を構成する有機エレクトロルミネッセンス材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等や、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、トリス（５−フェニル−８−キノリナート）アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−（ｐ−ターフェニル−４−イル）アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、１−アリール−２，５−ジ（２−チエニル）ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物等が挙げられる。また上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばＩｒ錯体、Ｏｓ錯体、Ｐｔ錯体、ユーロピウム錯体等々の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。
【００２１】
ホール輸送層２４を構成する材料としては、ＬＵＭＯが小さい低分子〜高分子材料を用いることができ、例えば、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）や、ポリピリジン、ポリアニリンなどの側鎖や主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体などの芳香族アミンを含むポリマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２２】
ホール注入層２３を構成する材料としては、チオフェン、トリフェニルメタン、ヒドラゾリン、アリールアミン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニルアミンなどを含む有機材料が挙げられる。具体的には、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリエチレンジオキシチオフェン：ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ＴＰＤなどの芳香族アミン誘導体などで、上記材料を単独で用いてもよく、また二種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
第２電極２２は陽極として形成することができる。第２電極２２を構成する導電性物質としては、銀、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、錫酸化物、Ａｕ等の金属の微粒子、導電性高分子、導電性の有機材料、ドーパント（ドナーまたはアクセプタ）含有機能層、導電体と導電性有機材料（高分子含む）の混合物、これら導電性材料と非導電性材料の混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、非導電性材料としてはアクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン、ポリアクリルニトリル、ポリビニルアセタール、ポリアミド、ポリイミド、ジアクリルフタレート樹脂、セルロース系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、その他の熱可塑性樹脂や、これらの樹脂を構成する単量体の２種以上の共重合体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、導電性を高めるために、以下のようなドーパントを用いたドーピングを行っても良い。ドーパントとしては、スルホン酸、ルイス酸、プロトン酸、アルカリ金属、アルカリ土類金属などが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
以下に、上記の有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。
【００２５】
まず、支持基板２１の一方の表面に第１電極２７を形成する。第１電極２７はその構成材料に応じて、各種の形成方法を採用することができるが、例えば、非ウエットプロセスやウエットプロセスを挙げることができる。非ウエットプロセスは溶剤を使用しないで第１電極２７を形成するものであり、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法など挙げることができる。ウエットプロセスは溶剤を使用して第１電極２７を形成するものであり、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法などを挙げることができる。第１電極２７は第２電極２２よりも表面の粗さ（凹凸）が少ない方が好ましいので、第１電極２７はウエットプロセスよりも平滑な表面を形成しやすい非ウエットプロセスで形成するのが好ましい。
【００２６】
次に、支持基板２１に形成された第１電極２７の一方の表面（支持基板２１と反対側の表面）に機能層２６を形成する。機能層２６はその構成材料に応じて、各種の形成方法を採用することができるが、例えば、上記のウエットプロセスを挙げることができる。機能層２６は第１電極２７側から発光層２５、ホール輸送層２４、ホール注入層２３の順で順次形成することができる。
【００２７】
塗布法などのウエットプロセスで機能層２６の各層を積層した場合、下地となる層を溶解させてしまうこと、機能層２６の上に次層の塗布溶液が均一に広がらない、濡れ性が悪いなどの問題がある。図５に示すような一般的な有機ＥＬ素子の機能層形成順では問題にはならなかった場合でも、逆順の構成にすると、上記の問題が顕著に現れてくる場合がある。このような問題が生じた場合、例えば膜厚については、溶解する分を考慮に入れて、狙いの膜厚以上の膜を形成しておくなどが１つの方法として挙げられる。また、濡れ性の改善するためには、塗布溶液に濡れ性を向上させる溶媒（アルコールなど）を添加する方法などが挙げられる。
【００２８】
次に、支持基板２１上の第１電極２７に形成された機能層２６の一方の表面（第１電極２７と反対側の表面）に第２電極２２を形成する。第２電極２２は上記のウエットプロセスで形成することができ、この場合、真空蒸着法などのような大掛かりな設備を必要とせず、低コスト化を図ることができるものである。
【００２９】
ウェットプロセスで第２電極を形成した場合、第２電極上に機能層を形成する構成の有機ＥＬ素子については短絡を抑制するため、第２電極上の表面粗さを低減する必要がある。一般的に第２電極部分は発光エリアを規定するため、第１電極との短絡を防ぐためにパターニング形成する必要がある。これらパターニングをするためには膜形成後のバンク形成やエッチング、スクリーン印刷などによる印刷パターニングの方法がある。通常、バンク形成やエッチングではレジスト塗布、現像液、レジスト剥離液への浸漬の工程があり、ウェットプロセスで形成した第２電極はダメージを受けやすく、第２電極としての特性を低下させてしまう可能性が非常に高い。これに対して、印刷によるパターニングでは、例えば、スクリーン印刷を用いた場合は版メッシュに起因する表面凹凸、グラビア印刷やスリットダイコートなどを用いた場合は塗り始め、塗り終わりに膜厚段差が発生する可能性が非常に高い。これらの表面粗さや膜厚段差は、これら第２電極の上部に機能層を積層して有機ＥＬ素子を形成した場合には、短絡の要因になる可能性が高い。何れの印刷においても、印刷インクの粘度を低下させることで塗布後のレベリング性を上げて改善できるが、粘度低下に伴い厚膜化が困難になる。ウェットプロセスで形成する電極材料として、一般的によく使用される高導電タイプＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの導電性高分子材料を用いた場合、膜厚１００〜２００ｎｍ程度のＩＴＯなどの透明酸化物導電膜と同等の導電性を得ようとすると、５００〜１０００ｎｍ程度の膜厚が必要となる。このため、これら導電性高分子材料を用いた場合、印刷インクの粘度を下げることは難しい。また、導電性の高い材料の場合、比較的薄膜で済むため、印刷インクの粘度も低くて問題ないが、粘度を低くした場合、下地との濡れ性の問題やにじみ等の問題があり、安定的に形成するのは容易ではない。
【００３０】
しかし、上述のような有機ＥＬ素子において、図１に示すような通常の素子形成順序とは逆の積層構造にすることにより、ウェットプロセスで形成された光透過性の第２電極２２上に機能層２６を形成した場合に比べて、短絡の抑制と動作信頼性が向上するとの知見が得られた。特に、フレキシブルな支持基板２１を使用してロールｔｏロールで各層を塗布形成することにより、プロセスコストを低減させることができる。
【００３１】
上記の有機ＥＬ素子は、第１電極２７及び第２電極２２を通じて機能層２６に給電し、この給電により発光層２５で発光させ、この発光を第２電極２２や支持基板２１と第１電極２７とを通じて取り出すことができる。
【００３２】
図２に他の実施の形態の一例を示す。この有機ＥＬ素子は、図１のものにおいて、支持基板２１と第１電極２７とを兼用したものである。その他の構成は、図１と同様である。このように支持基板２１と第１電極２７とを兼用することにより、支持基板２１と第１電極２７とを別々に形成する必要が無く、部品点数を低減することができ、また、第１電極２７の形成工程も不要となって、低コスト化を図ることができるものである。また、支持基板２１にフレキシブルな金属を使用することで、バリアフィルムよりも安価で同等の封止性能を有し、かつ第１電極２７を兼ねることができ、これにより大幅なコストダウンを図ることができる。
【００３３】
図３に他の実施の形態の一例を示す。この有機ＥＬ素子は、図１のものにおいて、第２電極２２をメッシュ状（網状）に形成したものである。その他の構成は図１と同様である。この第２電極２２は上記のような導電性材料で形成することができるが、例えば、銀や銅などの金属材料やカーボンなどの導電性材料を細線材に形成し、複数本の細線材を縦横斜めに適宜クロスさせて形成することができる。細線材の幅のサイズとしては１〜１００μｍ程度にすることができるが、これらに限定されるものではない。また、細線材の幅間隔、細線材のアスペクト比についても任意のものを用いることができる。また、これらのメッシュ状の第２電極２２は上記を含む導電性ペーストをスクリーン印刷などを用いて形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００３４】
このようなメッシュ状の第２電極２２の網目（開口部）３０の平面視形状は適宜設定可能であり、図３（ｂ）に示すように、メッシュ状の第２電極２２をグリッド構造（格子構造）として、平面視で四角形の網目３０に形成することができる。また、網目３０は平面視形状で三角形や六角形や円等の任意の形状に形成することができる。
【００３５】
この第２電極２２は網目３０を通じて機能層２６の発光層２５からの発光を容易に取り出すことができる。そして、この有機ＥＬ素子は、第２電極２２が、導電性透明酸化物により形成された薄膜の場合に比べて、第２電極２２の抵抗率およびシート抵抗を小さくすることが可能となり、第２電極２２の低抵抗化により輝度むらを低減することが可能となる。
【００３６】
図４に他の実施の形態の一例を示す。この有機ＥＬ素子は、図３のものにおいて、支持基板２１と第１電極２７とを兼用したものである。その他の構成は、図３と同様である。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
【００３８】
（実施例１）
支持基板として厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス板（Ｎｏ．１７３７、コーニング製）を用い、真空蒸着法により、支持基板上にアルミニウムを８０ｎｍの厚みで成膜して第１電極（陰極）とした。次に、赤色高分子（アメリカンダイソース社製「Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ＡＴＳ１１１ＲＥ」）をＴＨＦ溶媒に１ｗｔ％になるよう溶解した溶液を、陰極上に膜厚が約２００ｎｍになるようにスピンコーターで塗布し、１００℃で１０分間焼成することによって発光層を得た。次に、ＴＦＢ（Ｐｏｌｙ［（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｙｌ−２，７−ｄｉｙｌ）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ））ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ａｍｉｎｅ）］）（アメリカンダイソース社製「Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＡＤＳ２５９ＢＥ」）をＴＨＦ溶媒に１ｗｔ％になるよう溶解した溶液を、発光層の上に膜厚約１２ｎｍになるようにスピンコーターで塗布してＴＦＢ被膜を作製し、これを２００℃で１０分間焼成することによって、ホール輸送層を得た。このホール輸送層上にポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）（スタルクヴィテック社製「Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ４０８３」、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６）とイソプロピルアルコールを１：１で混合した溶液をＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコーターで塗布し、１５０℃で１０分間焼成することにより、ホール注入層を得た。さらに、ホール注入層上にＩＴＯナノ粒子（粒子径約４０ｎｍ、シーアイ化成社製  ＮａｎｏＴｅｋ（登録商標）ＩＴＣＷ１５ｗｔ％−Ｇ３０）にメチルセルロース（信越化学社製ＭＥＴＯＬＯＳＥ（登録商標）６０ＳＨ）を５ｗｔ％混合した溶液を、スクリーン印刷機を用いて膜厚が３００ｎｍ程度になるようパターン形成し、１２０℃１５分間乾燥することにより第２電極（陽極）を形成して、図１のような層構成の有機ＥＬ素子を得た。
【００３９】
（実施例２）
支持基板としてアルミ箔（約３０μｍ厚）を用い、この支持基板を第１電極として兼用した。また、支持基板の平滑面側に発光層を実施例１と同一の方法で形成した以外は、実施例１と同様にして図２のような層構成の有機ＥＬ素子を得た。
【００４０】
（実施例３）
ホール注入層上に高導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を塗布して約２００ｎｍの高導電ポリマー層を形成した。さらにその表面に印刷用銀ペースト材料を用いて、図３（ａ）（ｂ）に示すようなメッシュ状の第２電極をスクリーン印刷で形成して陽極とした。線幅は約４０μｍ、線中心間ピッチは約１０００μｍ、メッシュ高さは約５μｍであった。それ以外は、実施例１と同様にして図３（ａ）のような層構成の有機ＥＬ素子を得た。
【００４１】
（実施例４）
ホール注入層上に高導電性のポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を塗布して約２００ｎｍの高導電ポリマー層を形成した。さらにその表面に印刷用銀ペースト材料を用いて、図４に示すようなメッシュ状の第２電極をスクリーン印刷で形成して陽極とした。線幅は約４０μｍ、線中心間ピッチは約１０００μｍ、メッシュ高さは約５μｍであった。それ以外は、実施例２と同様にして図４のような層構成の有機ＥＬ素子を得た。
【００４２】
（比較例１）
支持基板として厚み０．７ｍｍの無アルカリガラス板（Ｎｏ．１７３７、コーニング製）を用い、ホール注入層上にＩＴＯナノ粒子（粒子径約４０ｎｍ、シーアイ化成社製  ＮａｎｏＴｅｋ（登録商標）ＩＴＣＷ１５ｗｔ％−Ｇ３０）にメチルセルロース（信越化学社製ＭＥＴＯＬＯＳＥ（登録商標）６０ＳＨ）を５ｗｔ％混合した溶液を、スクリーン印刷機を用いて膜厚が３００ｎｍ程度になるようパターン形成し、１２０℃１５分間乾燥することにより第２電極（陽極）を形成した。次に、陽極上に、ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）（スタルクヴィテック社製「Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ  ＡＩ４０８３」、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ＝１：６）とイソプロピルアルコールを１：１で混合した溶液をＰＥＤＯＴ−ＰＳＳの膜厚が３０ｎｍになるようにスピンコーターで塗布し、１５０℃で１０分間焼成することにより、ホール注入層を得た。さらに、ＴＦＢ（Ｐｏｌｙ［（９，９−ｄｉｏｃｔｙｌｆｌｕｏｒｅｎｙｌ−２，７−ｄｉｙｌ）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（４−ｓｅｃ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ））ｄｉｐｈｅｎｙｌ  ａｍｉｎｅ）］）（アメリカンダイソース社製「Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  ＡＤＳ２５９ＢＥ」）をＴＨＦ溶媒に１ｗｔ％になるよう溶解した溶液を、ホール注入層の上に膜厚約１２ｎｍになるようにスピンコーターで塗布してＴＦＢ被膜を作製し、これを２００℃で１０分間焼成することによって、ホール輸送層を得た。次に、赤色高分子（アメリカンダイソース社製「Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｐｏｌｙｍｅｒ  ＡＴＳ１１１ＲＥ」）をＴＨＦ溶媒に１ｗｔ％になるよう溶解した溶液を、ホール輸送層上に膜厚が約２００ｎｍになるようにスピンコーターで塗布し、１００℃で１０分間焼成することによって発光層を得た。最後に真空蒸着法により、基板上にアルミニウムを８０ｎｍの厚みで成膜して第１電極（陰極）とすることで、有機ＥＬ素子を得た。
【００４３】
（比較例２）
支持基板としてアルミ箔（約３０μｍ厚）を用いて、平滑面側に発光層を比較例１と同一の方法で形成した以外は、比較例１と同様にして有機ＥＬ素子を得た。
【００４４】
各実施例および比較例にて得られた有機ＥＬ素子において、電極間に電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２となるように電流を流し、正面輝度を輝度計（トプコンテクノハウス社製ＢＭ−７Ａ）により計測した。
【００４５】
表１において、比較例１の正面輝度を１としたときの各正面輝度の相対値を示す。
【００４６】
表１に見られるように、正面輝度については実施例１〜４は比較例１と同等であるが、駆動電圧については比較例１は実施例１〜４に比べて増大している。さらに、金属箔上に順積層構造を形成した比較例２については発光を確認することができなかった。従って、図１に示すような通常の素子形成順序とは逆の積層構造にすることにより、ウェットプロセスで形成された光透過性の陽極（第２電極）上に機能層（有機層）を形成した場合に生じやすい短絡の抑制が確認できる。また実施例２、４の結果から、基板として金属箔を用いた場合、金属箔が陰極を兼ねたとしても、特性の低下はみられないことが確認できる。
【００４７】
【表１】
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【符号の説明】
【００４８】
２１  支持基板
２２  第２電極
２５  発光層
２６  機能層
２７  第１電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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