(57)【要約】【課題】長い配線と短い配線とが隣り合うパターンでは、長い配線のうち短い配線と対向する部分の溝幅がその他の部分の溝幅と比べて短くなることがある。【解決手段】配線溝ＩＴ１の平面視の設計パターンを示す設計データの中から、第１配線データと第２配線データとを抽出する（工程Ｓ１０４）。第１配線データは、第１配線の配置および形状を示す。第１配線は、直線状に形成された第１縁部を備える。第２配線データは、第２配線の配置および形状を示す。第２配線は、第２縁部を備える。第２縁部は、第１縁部と平行に対向し、かつ、第１縁部よりも短い。一実施の形態によれば、第１配線の第１縁部のうち第２縁部と対向する基準部を第２縁部側に移動させることで、設計データを補正する（工程Ｓ１０６）。【選択図】図５
2014149443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
レジスト膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、
パターンが形成されたマスクを介して前記レジスト膜を露光することでレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜に配線溝をエッチングにより形成する工程と、
前記配線溝に導電膜を埋め込む工程と、
を備える半導体装置の製造方法に用いられる前記マスクのパターン補正方法であって、
前記配線溝の平面視の設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データの中から、
直線状に形成された第１縁部を備える第１配線の配置および形状を示す第１配線データと、
前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部よりも短い第２縁部を備える第２配線の配置および形状を示す第２配線データと、
を抽出する工程と、
前記第１配線の前記第１縁部のうち前記第２縁部と対向する基準部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程と、
を備えるパターン補正方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン補正方法であって、
前記第１配線データを補正する前記工程で補正された前記設計データを光近接効果補正する工程をさらに備え、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部と前記第２縁部との間の間隔が、前記第１縁部の前記基準部と前記第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定されているパターン補正方法。
【請求項３】
請求項２に記載のパターン補正方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１配線の前記第１縁部のうち、前記基準部に隣接し、かつ、前記基準部の側に位置する周辺部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記周辺部を移動させる距離および前記周辺部の長さは、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部が略平坦となるように決定されているパターン補正方法。
【請求項４】
請求項１に記載のパターン補正方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第２縁部の長さが短くなるにしたがい、前記基準部を移動させる距離を増加させるパターン補正方法。
【請求項５】
請求項１に記載のパターン補正方法であって、
前記第１配線データと前記第２配線データとを抽出する前記工程は、前記第１配線および前記第２配線の近傍において前記第２配線を介して前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部から見た場合に前記第２縁部よりも外側に延伸する第３縁部を備える第３配線の配置および形状を示す第３配線データを抽出する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の距離を測定する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離に応じて決定されるパターン補正方法。
【請求項６】
請求項５に記載のパターン補正方法であって、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる前記距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離が短くなるにしたがい、減少するパターン補正方法。
【請求項７】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
レジスト膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、
パターンが形成されたマスクを介して前記レジスト膜を露光することでレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜に配線溝をエッチングにより形成する工程と、
前記配線溝に導電膜を埋め込む工程と、
を備える半導体装置の製造方法に用いられる前記マスクの製造方法であって、
前記配線溝の平面視の設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データの中から、
直線状に形成された第１縁部を備える第１配線の配置および形状を示す第１配線データと、
前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部よりも短い第２縁部を備える第２配線の配置および形状を示す第２配線データと、
を抽出する工程と、
前記第１配線の前記第１縁部のうち前記第２縁部と対向する基準部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程と、
を備えるマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のマスクの製造方法であって、
前記第１配線データを補正する前記工程で補正された前記設計データを光近接効果補正する工程をさらに備え、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部と前記第２縁部との間の間隔が、前記第１縁部の前記基準部と前記第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定されているマスクの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のマスクの製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１配線の前記第１縁部のうち、前記基準部に隣接し、かつ、前記基準部の側に位置する周辺部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記周辺部を移動させる距離および前記周辺部の長さは、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部が略平坦となるように決定されているマスクの製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載のマスクの製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第２縁部の長さが短くなるにしたがい、前記基準部を移動させる距離を増加させるマスクの製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載のマスクの製造方法であって、
前記第１配線データと前記第２配線データとを抽出する前記工程は、前記第１配線および前記第２配線の近傍において前記第２配線を介して前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部から見た場合に前記第２縁部よりも外側に延伸する第３縁部を備える第３配線の配置および形状を示す第３配線データを抽出する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の距離を測定する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離に応じて決定されるマスクの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のマスクの製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる前記距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離が短くなるにしたがい、減少するマスクの製造方法。
【請求項１３】
基板上に絶縁膜を形成する工程と、
レジスト膜を前記絶縁膜上に形成する工程と、
パターンが形成されたマスクを介して前記レジスト膜を露光することでレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜に配線溝をエッチングにより形成する工程と、
前記配線溝に導電膜を埋め込む工程と、
を備え、
前記マスクに形成されている前記パターンは、
前記配線溝の平面視の設計パターンを示す設計データを取得する工程と、
前記設計データの中から、
直線状に形成された第１縁部を備える第１配線の配置および形状を示す第１配線データと、
前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部よりも短い第２縁部を備える第２配線の配置および形状を示す第２配線データと、
を抽出する工程と、
前記第１配線の前記第１縁部のうち前記第２縁部と対向する基準部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程と、
を経て形成される半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の方法であって、
前記第１配線データを補正する前記工程で補正された前記設計データを光近接効果補正する工程をさらに備え、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部と前記第２縁部との間の間隔が、前記第１縁部の前記基準部と前記第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定されている半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１配線の前記第１縁部のうち、前記基準部に隣接し、かつ、前記基準部の側に位置する周辺部を前記第２縁部側に移動させることで前記設計データを補正する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記周辺部を移動させる距離および前記周辺部の長さは、前記配線溝を形成する前記工程で形成される前記配線溝における前記第１縁部が略平坦となるように決定されている半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第２縁部の長さが短くなるにしたがい、前記基準部を移動させる距離を増加させる半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１配線データと前記第２配線データとを抽出する前記工程は、前記第１配線および前記第２配線の近傍において前記第２配線を介して前記第１縁部と平行に対向し、かつ、前記第１縁部から見た場合に前記第２縁部よりも外側に延伸する第３縁部を備える第３配線の配置および形状を示す第３配線データを抽出する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の距離を測定する工程を含み、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離に応じて決定される半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記設計データを補正する前記工程で前記基準部を移動させる前記距離は、前記第１縁部と前記第３縁部との間の前記距離が短くなるにしたがい、減少する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン補正方法、マスクの製造方法および半導体装置の製造方法に関し、例えば配線パターンを有する半導体装置に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
配線パターンの微細化にともない、様々な配線パターン形成方法が提唱されている。
【０００３】
特許文献１には、２枚のマスクを用いた多重投影露光により配線パターンを形成する方法が記載されている。特許文献２には、プロセスにクリティカルとなるパターンを事前に抽出する工程を含む配線パターン形成方法が記載されている。特許文献３には、エッチングの影響に起因するプロセス変換差を予め予想してフォトマスク上のパターンを補正する工程を含む配線パターン形成方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第０１／０６３６５３号
【特許文献２】特開２００８−３３２７７号公報
【特許文献３】特開２００９−８０３４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
配線パターンには、長い配線と短い配線とが隣り合うパターンが含まれることがある。本発明者は、このようなパターンにおいては、長い配線と短い配線とが対向する部分におけるエッチングの進行速度が他の部分における進行速度よりも大きいことを見出した。このようなエッチング進行度の違いは、長い配線のうち短い配線と対向する部分の溝幅がその他の部分の溝幅と比べて短くなる結果を招くことになる。このような現象は、配線の断線につながることが懸念され、ひいては配線パターンの信頼性の低下につながってしまう。
【０００６】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、配線溝の平面視の設計パターンを示す設計データの中から、第１配線データと第２配線データとを抽出する。第１配線データは、第１配線の配置および形状を示す。第１配線は、直線状に形成された第１縁部を備える。第２配線データは、第２配線の配置および形状を示す。第２配線は、第２縁部を備える。第２縁部は、第１縁部と平行に対向し、かつ、第１縁部よりも短い。一実施の形態によれば、第１配線の第１縁部のうち第２縁部と対向する基準部を第２縁部側に移動させることで、設計データを補正する。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、第１配線の基準部における幅が、第１配線の他の部分における幅よりも短くなることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態における半導体装置を示す断面図である。
【図２】第１の実施形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図３】第１の実施形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態における半導体装置の製造手順を示す工程断面図である。
【図５】第１の実施形態におけるマスクのパターン補正方法のフローチャートである。
【図６】図３（ｂ）に示される工程で形成された配線溝の基準部付近を示す平面図である。
【図７】図３（ｂ）に示される工程で形成された配線溝の基準部付近を示す平面図である。
【図８】図５に示した処理を行うためのパターン補正装置の構成を示すブロック図である。
【図９】（ａ）は、抽出設計データにおける第１配線と第２配線との配置および形状の第１例を示す図であり、（ｂ）は、抽出設計データにおける第１配線と第２配線との配置および形状の第２例を示す図である。
【図１０】（ａ）は、補正抽出設計データにおける第１配線と第２配線との配置および形状の第１例を示す図であり、（ｂ）は、補正抽出設計データにおける第１配線と第２配線との配置および形状の第２例を示す図である。
【図１１】基準記憶部が記憶している基準データをテーブル形式で示す図である。
【図１２】（ａ）は、Ｌｉｎｅ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅ（Ｌ＆Ｓ）パターンの具体例を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＬ＆Ｓパターンの加工変換差を示すグラフである。
【図１３】（ａ）は、Ｔ字型配線の突き当てパターンの具体例を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）におけるＴ字型配線の突き当てパターンの加工変換差を示すグラフである。
【図１４】図１０（ａ）に示される補正抽出設計データを光近接効果補正した光近接効果補正設計データにおける第１配線と第２配線との配置および形状の具体例を示す図である。
【図１５】（ａ）は、第１の実施形態における配線データ補正がなされた場合における効果を説明するための図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される効果との比較を説明するための図である。
【図１６】抽出設計データにおける第１配線と第２配線と第３配線との配置および形状の例を示す図である。
【図１７】基準記憶部が記憶している基準データをテーブル形式で示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
まず、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の構成について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１を示す断面図である。図１に示すように、半導体装置ＳＭ１は、たとえば半導体基板ＳＢ１と、半導体基板ＳＢ１に設けられたトランジスタＴＲ１と、複数の配線層ＷＩ１からなる多層配線構造を有している。
【００１２】
半導体基板ＳＢ１は、たとえばシリコン基板である。半導体装置ＳＭ１には、トランジスタＴＲ１を他の素子から電気的に分離するための素子分離膜ＥＩ１が設けられている。
トランジスタＴＲ１は、ゲート絶縁膜ＧＩ１と、ゲート電極ＧＥ１と、サイドウォールＳＷ１と、ソース・ドレイン領域ＳＤ１と、を有する。ゲート絶縁膜ＧＩ１は、半導体基板ＳＢ１上に設けられている。ゲート電極ＧＥ１は、ゲート絶縁膜ＧＩ１上に設けられている。サイドウォールＳＷ１は、ゲート絶縁膜ＧＩ１およびゲート電極ＧＥ１の側面上に形成されている。ソース・ドレイン領域ＳＤ１は、半導体基板ＳＢ１に形成されている。ソース・ドレイン領域ＳＤ１は、たとえばゲート電極ＧＥ１およびサイドウォールＳＷ１をマスクとしたイオン注入により形成される。ソース・ドレイン領域ＳＤ１上には、たとえばシリサイド層ＳＣ１が形成されている。
【００１３】
半導体基板ＳＢ１上には、トランジスタＴＲ１を覆うようにエッチングストッパ膜ＥＳ１が形成されている。エッチングストッパ膜ＥＳ１上には、層間絶縁膜ＩＬ１が形成されている。層間絶縁膜ＩＬ１中には、層間絶縁膜ＩＬ１およびエッチングストッパ膜ＥＳ１を貫通してソース・ドレイン領域ＳＤ１に接続するコンタクトプラグＣＰ１が形成されている。本実施形態においては、たとえばソース・ドレイン領域ＳＤ１上に設けられたシリサイド層ＳＣ１に接続するよう、コンタクトプラグＣＰ１が形成される。
【００１４】
層間絶縁膜ＩＬ１上には、複数の配線層ＷＩ１が積層されてなる多層配線層が形成されている。配線層ＷＬ１は、エッチングストッパ膜ＥＳ２、エッチングストッパ膜ＥＳ２上に設けられる層間絶縁膜ＩＬ２、ならびに層間絶縁膜ＩＬ２中に形成される配線ＩＣ１およびビアプラグＶＰ１により構成されている。配線ＩＣは、金属膜ＭＬ１（図１において不図示）と、その側面を覆うバリアメタル膜ＢＭ１（図１において不図示）と、により構成される。
配線ＩＣ１およびビアプラグＶＰ１は、たとえばこれらが一体として形成されたデュアルダマシン構造を有している。なお、配線ＩＣ１およびビアプラグＶＰ１は、それぞれシングルダマシン構造を有していてもよい。
【００１５】
次に、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法につき詳細に説明する。
本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１は、半導体基板ＳＢ１上にトランジスタＴＲ１を形成した後、トランジスタＴＲ１上に複数の配線層ＷＩ１からなる多層配線構造を形成することにより得られる。
【００１６】
各配線層ＷＩ１の形成は、図２から図４までに示されるように行われる。図２から図４までは、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造手順を示す工程断面図である。
【００１７】
まず、図２（ａ）に示されるように、基板ＳＢ１（図２から図４まででは不図示）上に形成された層間絶縁膜ＩＬ２上に、ハードマスクＨＭ１、反射防止膜ＡＲ１、レジスト膜ＲＳ１を、この順に形成する。次いで、図２（ｂ）に示されるように、パターンが形成されたマスクＭＫ１を介してレジスト膜ＲＳ１を光ＬＴ１に露光する。露光されたレジスト膜ＲＳ１を現像することで、図３（ａ）に示されるように、レジストパターンＲＰ１を形成する。次いで、図３（ｂ）に示されるように、レジストパターンＲＰ１を形成したレジスト膜ＲＳ１をマスクとして層間絶縁膜ＩＬ２に配線溝ＩＴ１をエッチングにより形成する。このときのエッチングには、ドライエッチングを用いてもよい。次いで、レジスト膜ＲＳ１と、反射防止膜ＡＲ１と、ハードマスクＨＭ１と、を層間絶縁膜ＩＬ２上から除去する。次いで、配線溝ＩＴ１の底面および側面ならびに層間絶縁膜ＩＬ２の表面全体にバリアメタル膜ＢＭ１を形成する（図４（ａ））。バリアメタル膜ＢＭ１は、例えば、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタルまたは窒化タングステンにより構成される。次いで、図４（ｂ）に示されるように、配線溝ＩＴ１に金属膜ＭＬ１（導電膜）を埋め込む。金属膜ＭＬ１は、例えば、銅により構成される。金属膜ＭＬ１は、めっき処理により形成されてもよい。図４（ｂ）に示されるように、金属膜ＭＬ１は、配線溝ＩＴ１だけでなく、配線溝ＩＴ外の層間絶縁膜ＩＬ２上にも形成される。このような金属膜ＭＬ１は、例えば、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）により除去する。これにより、図１に示すように、配線溝ＩＴ１に埋め込まれた配線ＩＣ１を得る。以上のようにして、各配線層ＷＩ１が得られることとなる。
【００１８】
次に、レジストパターンＲＰ１の形成に用いられるマスクＭＳ１について詳細に説明する。本実施形態においてマスクＭＳ１は、そのパターンが補正されている。図５および６を用いて、マスクＭＳ１のパターン補正方法について、詳細に説明する。
【００１９】
図５は、本実施形態におけるマスクＭＳ１のパターン補正方法の工程を示すフローチャートである。本実施形態におけるパターン補正方法は、設計データを取得する工程を備える（工程Ｓ１０２）。設計データとは、配線溝ＩＴ１の平面視の設計パターンを示す。次いで本実施形態におけるパターン補正方法は、取得した設計データから、第１配線データと、第２配線データと、を抽出する（工程Ｓ１０４）。第１配線データとは、第１配線の配置および形状を示すデータである。第１配線は、直線上に形成された第１縁部を備える。一方、第２配線データとは、第２配線の配置および形状を示すデータである。第２配線は、第２縁部を備える。第２縁部は、第１縁部と平行に対向し、かつ、第１縁部よりも短い。次いで、設計データを補正する（工程Ｓ１０６）。具体的には、第１配線の基準部を第２縁部側に移動させることで設計データを補正する。基準部とは、第１配線の第１縁部のうち第２縁部と対向する部分である。
【００２０】
以上の工程を経て補正された設計データに基づくマスクを用いれば、図３（ｂ）の工程で第１配線の基準部におけるエッチングの進行速度が第１配線の他の部分におけるエッチングの進行速度より高くても、第１配線の基準部における幅が、第１配線の他の部分における幅よりも短くなることを防ぐことができる。
【００２１】
図５におけるフローチャートにおいて、本実施形態におけるパターン補正方法は、工程Ｓ１０６後、工程Ｓ１０６で補正された設計パターンを光近接効果補正する（工程Ｓ１０８）。このとき工程Ｓ１０６で基準部を移動させる距離は、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定してもよい。
【００２２】
配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで「略同一」となることの意味を、図６を用いて説明する。図６は、図３（ｂ）に示される工程で形成された配線溝ＩＴ１の基準部付近を示す平面図である。図６において斜線で描かれているパターンは、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１を示す。符号ＩＰ１およびＩＰ２は、それぞれ、第１配線および第２配線を示す。符号ＩＥ１およびＩＥ２は、それぞれ、第１縁部および第２縁部を示す。第１縁部ＩＥ１および第２縁部ＩＥ２は、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１のパターンにおいて、実際には完全に平坦ではない。当該配線溝ＩＴ１のパターンにおいて、第１縁部ＩＥ１は、基準部ＲＥＦにおいて、第２縁部ＩＥ２と反対側に凹む形状となる。これは、基準部およびその周辺におけるエッチングの進行速度が他の部分におけるエッチングの進行速度よりも高いためである。第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の間隔が、第１縁部ＩＥ１の基準部ＲＥＦと第１縁部ＩＥ１のその他の部分とで「略同一」となるとは、０．９≦ｄｍｉｎ／ｄＭＡＸ≦１．０となることである。ｄｍｉｎおよびｄＭＡＸは、次のように規定される。すなわち、まず仮想点Ｐを規定する。仮想点Ｐとは、第２縁部ＩＥ２において最も第１縁部側に位置する点である。次に、仮想線ＮＬを規定する。仮想線ＮＬとは、仮想点Ｐを通り、かつ、第２縁部ＩＥ２の設計パターンに平行な直線である。ｄＭＡＸとは、仮想線ＮＬと仮想点ＰＭＡＸとの間の距離である。仮想点ＰＭＡＸとは、第１縁部ＩＥのうち基準部ＲＥＦにおいて仮想線ＮＬから最も遠い位置にある点である。ｄｍｉｎとは、仮想線ＮＬと仮想点Ｐｍｉｎとの間の距離である。仮想点Ｐｍｉｎとは、第１縁部ＩＥのうち基準部ＲＥＦ以外において仮想線ＮＬに最も近い位置にある点である。
【００２３】
以上のように工程Ｓ１０６で基準部を移動させる距離を決定すれば、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となる。
【００２４】
本実施形態の工程Ｓ１０６は、周辺部を第２縁部側に移動させることで設計データを補正する工程を含んでいてもよい。周辺部とは、第１配線の第１縁部のうち、基準部に隣接し、かつ基準部の側に位置する部分である。工程Ｓ１０６で周辺部を移動させる距離および周辺部の長さは、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部が略平坦となるように決定されている。
【００２５】
配線溝ＩＴ１における第１縁部が「略平坦」となることの意味を、図７を用いて説明する。図７は、図３（ｂ）に示される工程で形成された配線溝ＩＴ１の基準部付近を示す平面図である。図７において斜線で描かれているパターンは、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１を示す。符号ＩＰ１およびＩＰ２は、それぞれ、第１配線および第２配線を示す。符号ＩＥ１およびＩＥ２は、それぞれ、第１縁部および第２縁部を示す。第１縁部ＩＥ１は、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１のパターンにおいて、実際には完全に平坦ではない。当該配線溝ＩＴ１のパターンにおいて、第１縁部ＩＥ１は、基準部ＲＥＦにおいて、第２縁部ＩＥ２と反対側に凹む形状となる。第１縁部ＩＥ１が「略平坦」となるとは、０≦ＭＡＸ［θ］≦２０［度］となることである。ＭＡＸ［θ］とは、θの最大値を意味する。θは、次のように規定される。すなわち、まず仮想線ＮＬを規定する。仮想線ＮＬとは、第１縁部ＩＥ１の設計パターンに平行な直線である。次に仮想接線ＴＬを規定する。仮想接線ＴＬとは、第１縁部ＩＥ１上の仮想点Ｐｔにおける接線である。θは、仮想線ＮＬと仮想接線ＴＬとがなす角である。θの値は仮想点Ｐｔの位置によって変化する。
【００２６】
以上のように工程Ｓ１０６で周辺部を移動させる距離および周辺部の長さを決定すれば、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部が略平坦となる。
【００２７】
図８は、図５のパターン補正方法に用いるパターン補正装置の構成を示すブロック図である。
【００２８】
このパターン補正装置は、機能部として、入力部ＩＮＵと、設計データ生成部ＤＧＵと、設計データ取得部ＤＯＵと、配線データ抽出部ＩＥＵと、配線データ補正部ＩＡＵと、光近接効果補正部ＯＡＵと、を備えている。入力部ＩＮＵは、パターン補正装置の使用者がパターン補正装置に対して各種入力を行うために設けられている。設計データ生成部ＤＧＵは、後述のとおり、設計データの生成を行う。設計データ取得部ＤＯＵは、図５の工程Ｓ１０２に示した処理を行う。配線データ抽出部ＩＥＵは、図５の工程Ｓ１０４に示した処理を行う。配線データ補正部ＩＡＵは、図５の工程Ｓ１０６に示した処理を行う。光近接効果補正部ＯＡＵは、図５の工程Ｓ１０８に示した処理を行う。
【００２９】
このパターン補正装置は、記憶部として、設計データ記憶部ＤＳＴと、抽出条件記憶部ＥＳＴと、基準記憶部ＲＳＴと、光近接効果補正記憶部ＯＳＴと、を備えている。設計データ記憶部ＤＳＴは、設計データ取得部ＤＯＵが出力する設計データを記憶する。設計データ記憶部ＤＳＴは、さらに、配線データ抽出部ＩＥＵが出力する抽出設計データを記憶する。設計データ記憶部ＤＳＴは、さらに、配線データ補正部ＩＡＵが出力する補正抽出設計データを記憶する。設計データ記憶部ＤＳＴは、さらに、光近接効果補正部ＯＡＵが出力する光近接効果補正設計データを記憶する。以上に加えて、設計データ記憶部ＤＳＴは、設計データと、抽出設計データと、補正抽出設計データと、光近接効果補正設計データと、を互いに対応づけて記憶している。抽出条件記憶部ＥＳＴと、基準記憶部ＲＳＴと、光近接効果補正記憶部ＯＳＴと、の詳細については後述する。
【００３０】
設計データ生成部ＤＧＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、設計データを生成する。設計データとは、各配線層ＷＩ１における配線溝ＩＴ１の平面視の設計パターンを示す。設計データには、第１配線の配置および形状を示す第１配線データと、第２配線の配置および形状を示す第２配線データと、が含まれていることがある。第２配線は、第１配線と同一層に位置しており、平面視において第１配線の周囲に位置する。設計データ生成部ＤＧＵは、設計データを設計データ取得部ＤＯＵまたは設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。
【００３１】
設計データ取得部ＤＯＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、設計データを取得する（工程Ｓ１０２）。設計データ生成部ＤＧＵが設計データを設計データ取得部ＤＯＵに出力した場合は、設計データ取得部ＤＯＵは当該設計データを取得する。一方、設計データ生成部ＤＧＵが設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力した場合は、設計データ取得部ＤＯＵは、設計データ記憶部ＤＳＴから設計データを取得する。設計データ取得部ＤＯＵは、設計データ取得部ＤＯＵが取得した設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは設計データを記憶する。そして、設計データ記憶部ＤＳＴは、設計データを出力した旨を示す設計データ出力信号を配線データ抽出部ＩＥＵに出力する。
【００３２】
配線データ抽出部ＩＥＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、設計データ出力信号を受信した後、設計データ記憶部ＤＳＴから設計データを読み出す。このとき配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出条件記憶部ＥＳＴから抽出条件データも読み出す。抽出条件データは、抽出条件記憶部ＥＳＴが記憶しているデータである。また抽出条件データとは、第１配線データおよび第２配線データが満たすべき条件を示すデータである。具体的には、第１配線データおよび第２配線データは、以下の条件を満たす必要がある。すなわち、第１配線データが示す第１配線は、直線状に形成された第１縁部を備えている。第２配線データが示す第２配線は第２縁部を備えている。第２縁部は、第１縁部と平行に対向している。第２縁部は、第１縁部よりも短い。以上の条件を満たす配線パターンを示すデータを第１配線データおよび第２配線データとする。配線データ抽出部ＩＥＵは、配線データ抽出部ＩＥＵが読み出した抽出条件データにしたがって、設計データから第１配線データおよび第２配線データを抽出する（工程Ｓ１０４）。抽出された第１配線データおよび第２配線データは、抽出設計データとなる。配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは抽出設計データを記憶する。そして、配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出設計データを出力した旨を示す抽出設計データ出力信号を配線データ補正部ＩＡＵに出力する。
【００３３】
配線データ補正部ＩＡＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、抽出設計データ出力信号を受信した後、設計データ記憶部ＤＳＴから抽出設計データを読み出す。このとき配線データ補正部ＩＡＵは、基準記憶部ＲＳＴから基準データも読み出す。基準データは、基準記憶部ＲＳＴが記憶しているデータである。基準データは、第１配線および第２配線の各種パラメータ（例えば、第１縁部と第２縁部との間の距離、第２縁部の長さ）に関する基準値およびこの基準値に対応する予備補正距離δ（予備補正距離δの詳細は後述する。）を含んでいる。配線データ補正部ＩＡＵは、抽出設計データについて、第１配線および第２配線の各種パラメータを測定する。そして配線データ補正部ＩＡＵは、これらの測定値と対応する基準値を基準データ内で検索する。この検索後、配線データ補正部ＩＡＵは、抽出設計データを補正する（工程Ｓ１０６）。具体的には、配線データ補正部ＩＡＵは、第１配線の基準部を第２縁部側に移動させることで抽出設計データを補正する。基準部とは、第１配線の第１縁部のうち第２縁部と対向する部分である。このとき基準部は、第２縁部側に、検索された基準値に対応する予備補正距離δ移動させられる。補正された抽出設計データは、補正抽出設計データとなる。そして配線データ補正部ＩＡＵは、補正抽出設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは補正抽出設計データを記憶する。さらに配線データ補正部ＩＡＵは、補正抽出設計データを生成した旨を示す補正設計データ出力信号を光近接効果補正部ＯＡＵに出力する。
【００３４】
基準記憶部ＲＳＴに記憶されている基準データに含まれている予備補正距離δは、以下のように決定されている。すなわち、補正抽出設計データは、工程Ｓ１０８（詳細は後述する。）において光近接効果補正がなされる。予備補正距離δは、この光近接効果補正がされた設計データに基づくマスクＭＫ１を用いた場合に、図３（ｂ）において形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定することができる。配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで「略同一」になることの意味は、図６を用いて上述したとおりである。そして予備補正距離δは、図３（ｂ）の工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となるかを種々の予備補正距離δの条件で予め実験することで計算することができる。基準記憶部ＲＳＴは、この実験結果に基づいて、予備補正距離δを、第１配線の幅Ｗ１と、第２配線の幅Ｗ２と、第２縁部の長さＬ２と、第１縁部と第２縁部との間の距離Ｓと、に関連付けて記憶していてもよい。
【００３５】
工程Ｓ１０６において、抽出設計データは、第１配線の周辺部を第２配線側に移動させることで補正されてもよい。周辺部とは、第１配線の第１縁部のうち、基準部に隣接し、かつ、基準部の側に位置する部分である。このとき周辺部は、第２縁部側に、予備補正距離δ´移動させられる。この場合において、基準データは、第１配線および第２配線の各種パラメータ（例えば、第１縁部と第２縁部との間の距離、第２縁部の長さ）に関する基準値およびこの基準値に対応する予備補正距離δ´を含んでいてもよい。予備補正距離δ´および周辺部の長さは、以下のように決定される。すなわち、補正抽出設計データは、工程Ｓ１０８（詳細は後述する。）において光近接効果補正がなされる。予備補正距離δ´および周辺部の長さは、この光近接効果補正がされた設計データに基づくマスクＭＫ１を用いた場合に、図３（ｂ）において形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部が略平坦となるように決定することができる。配線溝ＩＴ１における第１縁部が「略平坦」となることの意味は、図７を用いて上述したとおりである。
【００３６】
周辺部を第２縁部側に予備補正距離δ´移動させる意味を説明する。図６および７において説明したように、配線溝ＩＴにおける第１縁部は完全に平坦になることはなく、基準部において第２縁部側とは反対側に凹む形状を有する。工程Ｓ１０６において基準部を第２縁部側に予備補正距離δ移動させれば、基準部におけるこの凹みを抑えることができる。一方、この凹みは、基準部のみならず周辺部でも発生することがある。この場合、工程Ｓ１０６において基準部のみを移動させているとき、第１縁部は、周辺部の内側から外側に向かって急激に凹みが戻る段差状の形状を含むことになる可能性がある。このような事態になることを防ぐべく、周辺部を第２縁部側に予備補正距離δ´移動させることができる。これにより、第１縁部は、周辺部の内側から外側に向かって凹みが緩やかに戻る形状をとることができる。結果、第１縁部が上述した段差状の形状を含むことになるのを防ぐことができる。
【００３７】
そして予備補正距離δ´および周辺部の長さは、図３（ｂ）の工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部が略平坦となるかを種々の予備補正距離δ´および周辺部の長さの条件で予め実験することで計算することができる。基準記憶部ＲＳＴは、この実験結果に基づいて、周辺部の長さおよび予備補正距離δ´を、第１配線の幅Ｗ１と、第２配線の幅Ｗ２と、第２縁部の長さＬ２と、第１縁部と第２縁部との間の距離Ｓと、に関連付けて記憶していてもよい。
【００３８】
光近接効果補正部ＯＡＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、補正設計データ出力信号を受信した後、設計データ記憶部ＤＳＴから設計データおよび補正抽出設計データを読み出す。このとき光近接効果補正部ＯＡＵは、光近接効果補正記憶部ＯＳＴから光近接効果補正データも読み出す。光近接効果補正データは、光近接効果補正記憶部ＯＳＴが記憶しているデータである。また光近接効果補正データとは、図３（ａ）に示される工程で形成されるレジストパターンＲＰ１が所望のパターンになるようにマスクパターンを光近接効果補正するためのルールを示すデータである。
【００３９】
光近接効果補正部ＯＡＵは、補正設計データ出力信号を受信した後、設計データのうち抽出設計データに該当する部分を補正抽出データに置き換えた補正設計データを作成する。そして光近接効果補正部ＯＳＴは、補正設計データを光近接効果補正する（工程Ｓ１０８）。
【００４０】
以上のように光近接効果補正された補正設計データは、光近接効果補正設計データとなる。光近接効果補正後、光近接効果補正部ＯＡＵは、光近接効果補正設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。そして設計データ記憶部ＤＳＴは、光近接効果補正設計データを記憶する。
【００４１】
以上の工程により得られた光近接効果補正設計データに基づくパターンを有するマスクを製造する。このようにして製造されたマスクを、図２（ｂ）に示される工程におけるマスクＭＫ１に使用する。この場合、マスクＭＫ１は工程Ｓ１０６を経て製造されているために、第１配線の基準部における幅が、第１配線の他の部分における幅よりも短くなることを防ぐことができる。
【００４２】
次に、本実施形態におけるパターン補正方法の具体例を説明する。まず、工程Ｓ１０４における抽出設計データの具体例を図９（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。
【００４３】
図９（ａ）は、抽出設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状の第１例を示す図である。第１例では、Ｔ字型の第２配線ＩＰ２が第１配線ＩＰ１に突き当てられている。第１配線ＩＰ１は、直線状に形成された第１縁部ＩＥ１を備える。第２配線ＩＰ２は、第２縁部ＩＥ２を備える。第２縁部ＩＥ２は、第１縁部ＩＥ１と平行に対向し、かつ、第１縁部ＩＥ１よりも短い。さらに第２配線ＩＰ２は、第２縁部ＩＥ２と直交する縁部ＩＥ２１および縁部ＩＥ２２を備える。また第２配線ＩＰ２は、第２副配線ＩＰＳ２を備えていてもよい。第２副配線ＩＰＳ２は、縁部ＩＥＳ１および縁部ＩＥＳ２を備える。縁部ＩＥＳ１および縁部ＩＥＳ２は、第２縁部ＩＥ２と垂直な方向に直線状に形成されている。また、第１縁部ＩＥ１には、基準部ＲＥＦと周辺部ＰＥＲ１と周辺部ＰＥＲ２とがある。基準部ＲＥＦは、第１縁部ＩＥ１のうち第２縁部ＩＥ２と対向する部分である。周辺部ＰＥＲ１とは、第１縁部ＩＥ１のうち、基準部ＲＥＦに隣接し、かつ、基準部ＲＥＦの縁部ＩＥ２１側に位置する部分である。周辺部ＰＥＲ２とは、第１縁部ＩＥ１のうち、基準部ＲＥＦに隣接し、かつ、基準部ＲＥＦの縁部ＩＥ２２側に位置する部分である。以上に加えて、第１配線ＩＰ１の幅はＷ１である。第２配線ＩＰ２の幅はＷ２である。第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との間の距離はＳである。第２縁部ＩＥ２の長さはＬ２である。第２副配線ＩＰＳ２の幅はＷＳ２であり、第２縁部ＩＥ２の長さＬ２より短い。そして、縁部ＩＥ２１と縁部ＩＥＳ１との間の第２縁部ＩＥ２方向における距離はΔＬ１である。また縁部ＩＥ２２と縁部ＩＥＳ２との間の第２縁部ＩＥ２方向における距離はΔＬ２である。周辺部ＰＥＲ１の長さはΔＷ１である。周辺部ＰＥＲ２の長さはΔＷ２である。
【００４４】
図９（ｂ）は抽出設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状の第２例を示す図である。第２例では、Ｌ字型の第２配線ＩＰ２が第１配線ＩＰ１に突き当てられている。第２例は、ΔＬ２＝０となっている以外、第１例と同様の第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２の配置および形状を示している。すなわち、第２例では、縁部ＩＥ２２と縁部ＩＥＳ２とが同一直線上に形成されている。図９（ｂ）に示される第２例では、ΔＬ１＞０かつΔＬ２＝０の場合が示されているが、ΔＬ１＝０かつΔＬ２＞０の場合も本実施形態に当然に含まれる。
【００４５】
図９（ａ）に示される第１例および図９（ｂ）に示される第２例は、本実施形態の一例にすぎず、第１配線ＩＰ１の配置および形状ならびに第２配線ＩＰ２の配置および形状はこれに限られない。例えば、本実施形態は、ΔＬ１＝ΔＬ２＝０の場合も含む。すなわち、この場合、縁部ＩＥ２１と縁部ＩＥＳ１とが同一直線上に形成されているとともに、縁部ＩＥ２２と縁部ＩＥＳ２とが同一直線上に形成されている。
【００４６】
工程Ｓ１０４は、第１配線ＩＰ１の幅Ｗ１、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２、第１縁部の長さＬ１（図９（ａ）および（ｂ）において不図示）、第２縁部の長さＬ２、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離Ｓを検索パラメータとして第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２を抽出する。第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との関係は、Ｌ１とＬ２との大小関係によって決定する。
【００４７】
このとき距離ΔＬ１およびΔＬ２も検索パラメータとしてもよい。ΔＬ１＞０かつΔＬ２＞０となるとき（図９（ａ）に示される第１例）、第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２は、第２配線ＩＰ２がＴ字型配線のカテゴリーに属するものとして抽出することができる。ΔＬ１＝０かつΔＬ２＞０またはΔＬ１＞０かつΔＬ２＝０となるとき（図９（ｂ）に示される第２例）、第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２は、第２配線ＩＰ２がＬ字型配線のカテゴリーに属するものとして抽出することができる。
【００４８】
さらに第２副配線ＩＰＳ２の幅ＷＳ２を検索パラメータとしてもよい。ＷＳ２を検索パラメータとすると、ΔＬ１＝ΔＬ２＝０となる場合、第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２は、第２配線ＩＰ２が棒状配線のカテゴリーに属するものとして抽出することが可能である。すなわち、ΔＬ１＝ΔＬ２＝０の場合、縁部ＩＥ２１と縁部ＩＥＳ２とが同一直線上に形成されるとともに、縁部ＩＥ２２と縁部ＩＥＳ２２とが同一直線上に形成される。このため、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２が第２配線ＩＰ２と第２副配線ＩＰＳ２とを区分するパラメータとして有効に作用しない。また距離ΔＬ１およびΔＬ２も、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２が認識されないと、検索パラメータとして有効に作用しない。しかし、第２副配線ＩＰＳ２の幅ＷＳ２を検索パラメータとすれば、第２縁部の長さＬ２と、第２縁部ＩＥ２から第１縁部ＩＥ１と反対方向に所定の距離離れた箇所における第２副配線ＩＰＳ２の幅ＷＳ２とが等しい場合は、第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２は、第２配線ＩＰ２が棒状配線のカテゴリーに属するものとして抽出することができる。
【００４９】
このように第２配線ＩＰ２をＴ字型配線、Ｌ字型配線および棒状配線にカテゴリー分けすると、工程Ｓ１０８において、各カテゴリーにとって最適な配線データ補正を行うことができる。結果、形成される配線溝ＩＴ１の平面視でのパターン精度を向上させることができる。
【００５０】
次に、工程Ｓ１０６における補正抽出設計データの具体例を図１０（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。
【００５１】
図１０（ａ）は、補正抽出設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状の第１例を示す。図１０（ａ）に示される第１例では、図９（ａ）に示される第１例の抽出設計データが工程Ｓ１０６経て補正されている。この第１例では、図９（ａ）に示される抽出設計データが、基準部ＲＥＦを第２縁部ＩＥ２側に予備補正距離δ移動させることで補正されている。予備補正距離δは、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の間隔が、第１縁部ＩＥ１の基準部ＲＥＦと第１縁部ＩＥ１のその他の部分とで略同一となるように決定してもよい。配線溝ＩＴ１における第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の間隔が、第１縁部ＩＥ１の基準部ＲＥＦと第１縁部ＩＥ１のその他の部分とで「略同一」になることの意味は、図６を用いて上述したとおりである。
【００５２】
図１０（ａ）に示される第１例では、基準部ＲＥＦのみ予備補正距離δ移動させているが、周辺部ＰＥＲ１を第２縁部ＩＥ２側に予備補正距離δ１´（図１０（ａ）において不図示）移動させてもよいし、周辺部ＰＥＲ２を第２縁部ＩＥ２側に予備補正距離δ２´（図１０（ａ）において不図示）移動させてもよい。周辺部ＰＥＲ１の予備補正距離δ１´および長さΔＷ１ならびに周辺部ＰＥＲ２の予備補正距離δ２´および長さΔＷ２は、図３（ｂ）において形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部ＩＥ１が略平坦となるように決定することができる。配線溝ＩＴ１における第１縁部ＩＥ１が「略平坦」になることの意味は、図７を用いて上述したとおりである。
【００５３】
図１０（ｂ）は、補正抽出設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状の第２例を示す。図１０（ｂ）に示される第２例では、図９（ｂ）に示される第２例の抽出設計データが工程Ｓ１０６を経て補正されている。第２例は、ΔＬ２＝０となっている以外、第１例と同様の第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２の配置および形状を示している。また図１０（ｂ）に示される予備補正距離δは、図１０（ｂ）における第１配線ＩＰ１の幅Ｗ１、第１縁部ＩＥ１の長さＬ１（図８（ｂ）において不図示）、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２、第２縁部ＩＥ２の長さＬ２、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離Ｓおよび第２副配線ＩＰＳ２の幅ＷＳ２が図１０（ａ）におけるものと等しい場合であっても、図１０（ａ）に示される予備補正距離δと異なっていてもよい。この場合、工程Ｓ１０４において、図９（ａ）および１０（ａ）における第２配線ＩＰ２をＴ字型配線に、図９（ｂ）および１０（ｂ）における第２配線ＩＰ１をＬ字型配線にカテゴリー分けすると、工程Ｓ１０６は、各カテゴリーにとって最適な予備補正距離δを与えることができる。またこのようなカテゴリー分けがなされると、工程Ｓ１０６は、予備補正距離δ１´およびδ２´ならびに長さΔＷ１およびΔＷ２についても、各カテゴリーにとって適当な値を与えることが可能になる。
【００５４】
図１０（ａ）に示される第１例および図１０（ｂ）に示される第２例は、本実施形態の一例にすぎず、第１配線ＩＰ１の配置および形状ならびに第２配線ＩＰ２の配線および形状はこれに限られない。例えば、本実施形態は、ΔＬ１＝ΔＬ２＝０の場合（第２配線ＩＰ２が棒状配線のカテゴリーに属する場合）も含む。
【００５５】
次に、基準部ＲＥＦの予備補正距離δの決定方法の具体例を、図１１を用いて説明する。図１１は、基準記憶部ＲＳＴが記憶している基準データをテーブル形式で示す図である。図１１に示されるように、基準部ＲＥＦの予備補正距離δは、第１配線ＩＰ１の幅Ｗ１と、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２と、第２配線ＩＰ２の長さＬ２と、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離Ｓと、の関係によって定めてよい。例えば、図１１におけるパターン１では、第１配線ＩＰ１の幅Ｗ１が６６ｎｍであり、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２が１３２ｎｍ以下であり、第２配線ＩＰ２の長さＬ２が６６０ｎｍ未満であり、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離Ｓが７７ｎｍであるときは、予備補正距離δは２．５ｎｍと定めてよい。図１１におけるテーブルは、パターン１以外の他のパターンを含んでいてもよい。また図１１におけるテーブルは、距離ΔＬ１およびΔＬ２ならびに第２副配線ＩＰＳ２の幅ＷＳ２と予備補正距離δとの関係が定められていてもよい。これらΔＬ１、ΔＬ２およびＷＳ２の値も含まれていれば、第２配線ＩＰ２をＴ字型配線、Ｌ字型配線および棒状配線にカテゴリー分けすることができる。結果、各カテゴリーに最適な予備補正距離δを与えることができる。さらに図１１におけるテーブルは、上記の各種パラメータと予備補正距離δ１´およびδ２´ならびに長さΔＷ１およびΔＷ２との関係が定められていてもよい。
【００５６】
以上の予備補正距離δは、加工変換差を測定することで計算することができる。加工変換差の測定の具体例について、図１２および１３を用いて説明する。
【００５７】
図１２は、Ｌｉｎｅ  ａｎｄ  Ｓｐａｃｅ（Ｌ＆Ｓ）パターンにおける加工変換差の具体例を示す図である。図１２（ａ）は、幅Ｗを有する配線が間隔Ｓを置いて形成されているＬ＆Ｓパターンを示す図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）において示される設計パターンを光近接効果補正したマスクＭＫ１を用いて、図２（ｂ）、図３（ａ）および（ｂ）の処理により形成される配線溝ＩＴ１が、どのような加工変換差を有するかを示すグラフである。図１２（ｂ）においてマイナスの値で表示されている加工変換差は、図３（ｂ）において形成された配線溝ＩＴ１の幅が、図３（ａ）において形成されたレジストパターンＲＰ１の幅からどれだけ細くなったかを示す。図１２（ａ）および（ｂ）においては、Ｗ１＝６６［ｎｍ］とされている。図１２（ｂ）に示されるように、加工変換差は、密ピッチ（Ｓ＝６６［ｎｍ］）では１３ｎｍ（図１２（ａ）において「×」で表示されている箇所ではその半分の６．５ｎｍ）程度であるのに対して、疎ピッチ（Ｓ＝６００ｎｍ程度以上で飽和）では２０ｎｍ以上である。
【００５８】
図１３は、Ｔ字型の突き当てパターンにおける加工変換差の具体例を示す図である。図１３（ａ）は、Ｔ字型の突き当てパターンを示す図である。図１３（ａ）においては、第１配線ＩＰ１と、第２配線ＩＰ２とが形成されている。図１３（ａ）に示される第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状は、図９（ａ）に示される第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状と同様である。図１３（ａ）において、第１配線の幅はＷ１である。第２縁部ＩＥ２の長さはＬ２である、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離はＳである。また図１３（ａ）に示されるパターンは、第２配線ＩＰ２に加えて、第２配線ＩＰ２´が形成されている。第２配線ＩＰ２´は、第２配線ＩＰ２と同一の形状を有する。また第２配線ＩＰ２´は、第１配線ＩＰ１の長手方向の中心を対象軸として第２配線ＩＰ２と線対称の位置にある。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）において示される設計パターンを光近接効果補正したマスクＭＫ１を用いて、図２（ｂ）、図３（ａ）および（ｂ）の処理により形成される配線溝ＩＴ１が、どのような加工変換差を有するかを示すグラフである。図１３（ｂ）においてマイナスの値で表示されている加工変換差は、図３（ｂ）において形成された配線溝ＩＴ１の幅が、図３（ａ）において形成されたレジストパターンＲＰ１の幅からどれだけ細くなったかを示す。図１３（ａ）および（ｂ）においては、Ｗ１＝６６［ｎｍ］、Ｓ＝６６［ｎｍ］とされている。図１１（ｂ）に示されるように、加工変換差は、Ｌ２＝１０００［ｎｍ］では図１２（ｂ）における密ピッチにおける値（１３ｎｍ程度（図１３（ａ）において「×」で表示されている箇所ではその半分の６．５ｎｍ程度））であるのに対して、Ｌ２＝６６０［ｎｍ］では図１０（ｂ）における疎ピッチにおける値（２１ｎｍ程度（図１３（ａ）において「×」で表示されている箇所ではその半分の１０．５ｎｍ程度））となる。Ｌ２の値を小さくすると、加工変換差の絶対値はさらに大きくなる。
【００５９】
以上のように加工変換差を測定することで、予備補正距離δを定めることができる。特に、図１３（ｂ）におけるＬ２と加工変換差との関係から、第２縁部ＩＥ２の長さが短くなるにしたがい、予備補正距離δを増加させてもよい。
【００６０】
次に、工程Ｓ１０８における光近接効果補正の具体例について、図１４を用いて説明する。図１４は、図１０（ａ）に示される補正抽出設計データを光近接効果補正した光近接効果補正設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２との配置および形状の具体例を示す図である。図１４における第１配線ＩＰ１、第２配線ＩＰ２および第２副配線ＩＰＳ２は、それぞれ、図９（ａ）および１０（ａ）における第１配線ＩＰ１、第２配線ＩＰ２および第２副配線ＩＰＳ２に相当する。
【００６１】
次に、本実施形態におけるパターン補正方法の効果の具体例について、図１５（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。図１５（ａ）は、本実施形態における工程Ｓ１０６の配線データ補正がなされた場合における効果を説明するための図である。図１５（ｂ）は、図１５（ａ）に示される効果との比較を説明するための図である。図１５（ａ）および（ｂ）において左側の破線内で囲まれている箇所に斜線で描かれているパターンは、図３（ａ）に示される工程で形成されるレジストパターンＲＰ１を示す。一方、図１５（ａ）および（ｂ）において右側の破線内で囲まれている箇所に斜線で描かれているパターンは、図３（ｂ）に示される工程で形成される配線溝ＩＴ１を示す。図１５（ａ）および（ｂ）で形成されるパターンは、図１５（ａ）ではマスクＭＫ１について工程Ｓ１０６の配線データ補正がされているのに対して、図１５（ｂ）ではマスクＭＫ１についてそのような配線データ補正がなされていない点でのみ異なる。
【００６２】
図１５（ａ）と図１５（ｂ）とを比較すると、図１５（ａ）では、第１配線ＩＰ１の基準部ＲＥＦにおける幅が、レジストパターンＲＰ１（図１５（ａ）左側破線内）および配線溝ＩＴ１（図１５（ａ）右側破線内）いずれについても、第１配線ＩＰ１のその他の部分における幅とほとんど変わりがない。これに対して、図１５（ｂ）では、第１配線ＩＰ１の基準部ＲＥＦにおける幅が、レジストパターンＲＰ１（図１５（ｂ）左側破線内）および配線溝ＩＴ１（図１５（ｂ）右側破線内）いずれについても、第１配線ＩＰ１のその他の部分における幅よりも細くなっている。この比較から、工程Ｓ１０６の配線データ補正によって、第１配線ＩＰ１の基準部ＲＥＦにおける幅が、第１配線ＩＰ１の他の部分における幅よりも短くなることを防ぐことができるといえる。
【００６３】
（第２の実施形態）
第２の実施形態におけるフローチャートおよびパターン補正装置の構成を示すブロック図はそれぞれ図５および８と同じである。本実施形態ついて、図５および８を用いて説明する。
【００６４】
本実施形態においては、工程Ｓ１０４は、第３配線データを抽出する工程を含む。第３配線データとは、第３配線の配置および形状を示すデータである。第３配線は、第３縁部を備える。第３縁部は、第１配線および第２配線の近傍において第２配線を介して第１縁部と平行に対向している。また第３縁部は、第１縁部から見た場合に第２縁部よりも外側に延伸している。さらに本実施形態においては、工程Ｓ１０６は、第１縁部と第３縁部との間の距離を測定する工程を含む。そして、本実施形態においては、工程Ｓ１０６において基準部を移動させる距離は、第１縁部と第３縁部との間の距離に応じて決定される。以上の点を除いて、本実施形態は、第１の実施形態と同様である。
【００６５】
設計データ生成部ＤＧＵは、第１の実施形態と同様に、設計データを生成する。そして、設計データ取得部ＤＯＵは、第１の実施形態と同様に、設計データを取得する（工程Ｓ１０２）。設計データ取得部ＤＯＵは、設計データ取得部ＤＯＵが取得した設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは設計データを記憶する。そして、設計データ記憶部ＤＳＴは、設計データを出力した旨を示す設計データ出力信号を配線データ抽出部ＩＥＵに出力する。
【００６６】
配線データ抽出部ＩＥＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、設計データ出力信号を受信した後、設計データ記憶部ＤＳＴから設計データを読み出す。このとき配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出条件記憶部ＥＳＴから抽出条件データも読み出す。抽出条件データは、抽出条件記憶部ＥＳＴが記憶しているデータである。また抽出条件データとは、第１配線データ、第２配線データおよび第３配線データが満たすべき条件を示すデータである。第１配線データおよび第２配線データが満たすべき条件は、第１の実施形態と同様である。これに対して、第３配線データは、以下の条件を満たす必要がある。すなわち、第３配線データが示す第３配線は、第３縁部を備えている。第３縁部は、第１配線および第２配線の近傍において、第２配線を介して第１縁部と平行に対向している。また第３縁部は、第１縁部から見た場合に第２縁部よりも外側に延伸している。以上の条件を満たす配線パターンを示すデータを第３配線データとする。配線データ抽出部ＩＥＵは、配線データ抽出部ＩＥＵが読み出した抽出条件データにしたがって、設計データから第１配線データ、第２配線データおよび第３配線データを抽出する（工程Ｓ１０４）。抽出された第１配線データ、第２配線データおよび第３配線データは、抽出設計データとなる。配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは抽出設計データを記憶する。そして、配線データ抽出部ＩＥＵは、抽出設計データを出力した旨を示す抽出設計データ出力信号を配線データ補正部ＩＡＵに出力する。
【００６７】
配線データ補正部ＩＡＵは、入力部ＩＮＵに入力される指示にしたがって、抽出設計データ出力信号を受信した後、設計データ記憶部ＤＳＴから抽出設計データを読み出す。このとき配線データ補正部ＩＡＵは、基準記憶部ＲＳＴから基準データも読み出す。基準データは、基準記憶部ＲＳＴが記憶しているデータである。基準データは、第１配線、第２配線および第３配線の各種パラメータ（例えば、第１縁部と第２縁部との間の距離、第１縁部と第３縁部との間の距離、第２縁部の長さ）に関する基準値およびこの基準値に対応する予備補正距離δ（予備補正距離δの詳細は後述する。）を含んでいる。配線データ補正部ＩＡＵは、抽出設計データについて、第１配線、第２配線および第３配線の各種パラメータを測定する。そして配線データ補正部ＩＡＵは、これらの測定値と対応する基準値を基準データ内で検索する。この検索後、配線データ補正部ＩＡＵは、抽出設計データを補正する（工程Ｓ１０６）。具体的には、配線データ補正部ＩＡＵは、第１配線の基準部を第２縁部側に移動ことで抽出設計データを補正する。基準部とは、第１配線の第１縁部のうち第２縁部と対向する部分である。このとき基準部は、第２縁部側に、検索された基準値に対応する予備補正距離δ移動させられる。補正された抽出設計データは、補正抽出設計データとなる。そして配線データ補正部ＩＡＵは、補正抽出設計データを設計データ記憶部ＤＳＴに出力する。設計データ記憶部ＤＳＴは補正抽出設計データを記憶する。さらに配線データ補正部ＩＡＵは、補正抽出設計データを生成した旨を示す補正設計データ出力信号を光近接効果補正部ＯＡＵに出力する。
【００６８】
基準記憶部ＲＳＴに記憶されている基準データに含まれている予備補正距離δは、以下のように決定されている。すなわち、補正抽出設計データは、工程Ｓ１０８において光近接効果補正がなされる。予備補正距離δは、この光近接効果補正がされた設計データに基づくマスクＭＫ１を用いた場合に、図３（ｂ）において形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となるように決定することができる。配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が、第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで「略同一」になることの意味は、図６を用いて上述したとおりである。そして予備補正距離δは、図３（ｂ）の工程で形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部と第２縁部との間の間隔が第１縁部の基準部と第１縁部のその他の部分とで略同一となるかを種々の予備補正距離δの条件で予め実験することで計算することができる。基準記憶部ＲＳＴは、この実験結果に基づいて、予備補正距離δを、第１配線の幅Ｗ１と、第２配線の幅Ｗ２と、第２縁部の長さＬ２と、第１縁部と第２縁部との間の距離Ｓと、第１縁部と第３縁部との間の距離ＳＳに関連付けて記憶していてもよい。
【００６９】
本実施形態においては、予備補正距離δは、第１縁部と第３縁部との間の距離ＳＳが短くなるにしたがい、減少させてもよい。これは図１２から得られる知見に基づくものである。図１２（ｂ）によれば、配線間距離が短くなるほど、すなわち、配線密度が高くなるほど、加工変換差は小さくなっている。したがって、第１縁部と第３縁部との間の距離ＳＳが短くなるにしたがって第１配線、第２配線および第３配線の密度が高くなることに基づき、予備補正距離δを減少させてもよい。
【００７０】
本実施形態においては、第１の実施形態と同様、工程Ｓ１０６において、抽出設計データは、第１配線の周辺部を第２配線側に移動させることで補正されてもよい。周辺部とは、第１配線の第１縁部のうち、基準部に隣接し、かつ、基準部の側に位置する部分である。このとき周辺部は、第２縁部側に、予備補正距離δ´移動させられる。この場合において、基準データは、第１配線および第２配線の各種パラメータ（例えば、第１縁部と第２縁部との間の距離、第１縁部と第３縁部との間の距離、第２縁部の長さ）に関する基準値およびこの基準値に対応する予備補正距離δ´を含んでいてもよい。予備補正距離δ´および周辺部の長さは、以下のように決定される。すなわち、補正抽出設計データは、工程Ｓ１０８において光近接効果補正がなされる。予備補正距離δ´および周辺部の長さは、この光近接効果補正がされた設計データに基づくマスクＭＫ１を用いた場合に、図３（ｂ）において形成される配線溝ＩＴ１における第１縁部が略平坦となるように決定することができる。配線溝ＩＴ１における第１縁部が「略平坦」となることの意味は、図７を用いて上述したとおりである。
【００７１】
光近接効果補正部ＯＡＵは、第１の実施形態と同様に、補正設計データを光近接効果補正する（工程Ｓ１０８）。
【００７２】
以上の工程により得られた光近接効果補正設計データに基づくパターンを有するマスクを製造する。このようにして製造されたマスクを、図２（ｂ）に示される工程におけるマスクＭＫ１に使用する。この場合、マスクＭＫ１は第３配線による加工変換差を考慮した工程Ｓ１０６を経て製造されているために、第１の実施形態よりも精度の高い配線パターンを形成することが可能である。
【００７３】
次に、本実施形態におけるパターン補正方法の具体例を説明する。まず、工程Ｓ１０４における抽出設計データの具体例について図１６を用いて説明する。
【００７４】
図１６は、抽出設計データにおける第１配線ＩＰ１と第２配線ＩＰ２と第３配線ＩＰ３との配置および形状の例を示す図である。この例では、Ｔ字型の第２配線ＩＰ２が第１配線ＩＰ１に突き当てられている。第１配線ＩＰ１、第２配線ＩＰ２および第２副配線ＩＰＳ２の配置および形状は、図９（ａ）に示される第１配線ＩＰ１、第２配線ＩＰ２および第２副配線ＩＰＳ２の配置および形状とそれぞれ同じである。図１６に示される例では、第３配線ＩＰ３が設けられている。第３配線ＩＰ３は、第３縁部ＩＥ３を備える。第３縁部ＩＥ３は、第１配線ＩＰ１および第２配線ＩＰ２の近傍において第２配線ＩＰ２を介して第１縁部ＩＥ１と平行に対向している。また第３縁部ＩＥ３は、第１縁部ＩＥ１から見た場合に第２縁部ＩＥ２よりも外側に延伸している。一方、第２配線ＩＰ２は、第４縁部ＩＥ４を備える。第４縁部ＩＥ４は、第２配線ＩＰ２において第２縁部ＩＥ２と平行に対向している縁部である。そして、第３縁部ＩＥ３と第４縁部ＩＥ４との間の距離はＤである。また第１縁部ＩＥ１と第３縁部ＩＥ３との間の距離はＳＳである。
【００７５】
図１６に示される例は、本実施形態の一例にすぎず、第１配線ＩＰ１の配置および形状、第２配線ＩＰ２の配置および形状ならびに第３配線の配置および形状はこれに限られない。例えば、本実施形態は、図９（ｂ）に示されるように、Ｌ字型の第２配線ＩＰ２が第１配線ＩＰ１に突き当たっている例（ΔＬ１＝０かつΔＬ２＞０またはΔＬ１＞０かつΔＬ２＝０）を含む。本実施形態は、さらに、棒状の第２配線ＩＰ２が第１配線ＩＰ１に突き当たっている例（ΔＬ１＝ΔＬ２＝０）を含む。
【００７６】
次に、基準部ＲＥＦの予備補正距離δの決定方法の具体例を、図１７を用いて説明する。図１７は、基準記憶部ＲＳＴが記憶している基準データをテーブル形式で示す図である。図１７に示すように、基準部ＲＥＦを移動させる予備補正距離δは、第１配線ＩＰ１の幅Ｗ１と、第２配線ＩＰ２の幅Ｗ２と、第２配線ＩＰ２の長さＬ２と、第１縁部ＩＥ１と第２縁部ＩＥ２との間の距離Ｓと、第３縁部ＩＥ３と第４縁部ＩＥ４との間の距離Ｄと、の関係によって定めてよい。予備補正距離δは、第３縁部ＩＥ３と第４縁部ＩＥ４との間の距離Ｄではなく、第１縁部ＩＥ１と第３縁部ＩＥ３との間の距離ＳＳとの関係で定めてもよいが、図１７に示されるテーブルでは距離Ｄを用いている。図１６に示される例であれば、Ｄ＝ＳＳ−（Ｓ＋Ｗ２）によりＤを規定することができるため、Ｄとの関係で予備補正距離δを定めることは、ＳＳとの関係で予備補正距離δを定めることと同義である。図１５におけるテーブルに示されるように、予備補正距離δは、第３縁部ＩＥ３と第４縁部ＩＥ４との間の距離Ｄによって変化させてもよい。距離Ｄが大きいとき、すなわち、配線密度が小さいときは、図１２（ｂ）に示される傾向にしたがって、予備補正距離δを大きくする（図１７におけるパターン１）。一方、距離Ｄが小さいとき、すなわち、配線密度が大きいときは、図１２（ｂ）に示される傾向にしたがって、予備補正距離δを小さくする（図１７におけるパターン２）。なお、第２配線ＩＰ２が棒状配線の場合（ΔＬ１＝ΔＬ２＝０）は、第３縁部ＩＥ３と第４縁部ＩＥ４との間の距離Ｄを規定することができない。このため、この場合は、予備補正距離δは、距離Ｄとの関係を用いるのではなく、第１縁部ＩＥ１と第４縁部ＩＥ４との間の距離ＳＳとの関係を用いる。さらに図１７におけるテーブルは、上記の各種パラメータと予備補正距離δ´との関係が定められていてもよい。
【００７７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００７８】
ＳＭ１    半導体装置
ＴＲ１    トランジスタ
ＳＢ１    半導体基板
ＥＩ１    素子分離膜
ＳＤ１    ソース・ドレイン領域
ＥＳ１    エッチングストッパ膜
ＥＳ２    エッチングストッパ膜
ＳＣ１    シリサイド層
ＧＩ１    ゲート絶縁膜
ＧＥ１    ゲート電極
ＳＷ１    サイドウォール
ＩＬ１    層間絶縁膜
ＩＬ２    層間絶縁膜
ＣＰ１    コンタクトプラグ
ＶＰ１    ビアプラグ
ＩＣ１    配線
ＷＩ１    配線層
ＨＭ１    ハードマスク
ＡＲ１    反射防止膜
ＲＳ１    レジスト膜
ＭＫ１    マスク
ＬＴ１    光
ＲＰ１    レジストパターン
ＩＴ１    配線溝
ＢＭ１    バリアメタル膜
ＭＬ１    金属膜
ＩＮＵ    入力部
ＤＧＵ    設計データ生成部
ＤＯＵ    設計データ取得部
ＩＥＵ    配線データ抽出部
ＩＡＵ    配線データ補正部
ＯＡＵ    光近接効果補正部
ＤＳＴ    設計データ記憶部
ＥＳＴ    抽出条件記憶部
ＲＳＴ    基準記憶部
ＯＳＴ    光近接効果補正記憶部
ＩＰ１    第１配線
ＩＰ２    第２配線
ＩＰ２´  第２配線
ＩＰ３    第３配線
ＩＰＳ２  第２副配線
ＩＥ１    第１縁部
ＩＥ２    第２縁部
ＩＥ３    第３縁部
ＩＥ４    第４縁部
ＩＥ２１  縁部
ＩＥ２２  縁部
ＩＥＳ１  縁部
ＩＥＳ２  縁部
ＲＥＦ    基準部
ＰＥＲ１  周辺部
ＰＥＲ２  周辺部
【図１】
2014149443.tif 000003
【図２】
2014149443.tif 000004
【図３】
2014149443.tif 000005
【図４】
2014149443.tif 000006
【図５】
2014149443.tif 000007
【図６】
2014149443.tif 000008
【図７】
2014149443.tif 000009
【図８】
2014149443.tif 000010
【図９】
2014149443.tif 000011
【図１０】
2014149443.tif 000012
【図１１】
2014149443.tif 000013
【図１２】
2014149443.tif 000014
【図１３】
2014149443.tif 000015
【図１４】
2014149443.tif 000016
【図１５】
2014149443.tif 000017
【図１６】
2014149443.tif 000018
【図１７】
2014149443.tif 000019