(57)【要約】【課題】リードフレームを用いて低コスト化を図った上で、外部接続端子の露出性を向上させた半導体メモリカードを提供する。【解決手段】実施形態の半導体メモリカード１は、外部接続端子３とリード部４とチップ部品搭載部５と半導体チップ搭載部６とを備えるリードフレーム２と、チップ部品搭載部５に搭載されたチップ部品７と、半導体チップ搭載部６に搭載されたコントローラチップ８およびメモリチップ９とを具備する。リードフレーム２は樹脂封止されている。封止樹脂層１０は、外部接続端子３の表面および側面の一部を露出させつつ、外部接続端子３の周囲を囲うように第１の面１０ａに設けられた凹部１５を有する。【選択図】図３
2014056370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部接続端子と、少なくとも一部が前記外部接続端子に接続された複数のリードを有するリード部と、前記リード部に設けられたチップ部品搭載部と、半導体チップ搭載部とを備えるリードフレームと、
前記チップ部品搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたチップ部品と、
前記半導体チップ搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたコントローラチップ、および前記コントローラチップと電気的に接続されたメモリチップと、
前記リードフレームを前記チップ部品、前記コントローラチップ、および前記メモリチップと共に封止する封止樹脂層であって、前記外部接続端子の露出面となる第１の面と、前記外部接続端子の表面および側面の一部を露出させつつ、前記外部接続端子の周囲を囲うように前記第１の面に設けられ、かつ前記第１の面からの深さが１０〜３００μｍの範囲である凹部とを有する封止樹脂層と、
前記外部接続端子の露出された前記表面および前記側面に設けられた金属めっき層とを具備し、
前記リードフレームは、前記外部接続端子とは別に、前記封止樹脂層から露出しためっき用接続端子を有し、
前記リードフレームは、前記封止樹脂層の一方の側面に設けられた第１の吊りリードと、前記封止樹脂層の他方の側面に設けられた第２の吊りリードとを有し、
前記半導体チップ搭載部は、前記第１の吊りリードと前記第２の吊りリードとの間で電気的に独立していることを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項２】
複数の外部接続端子と、少なくとも一部が前記外部接続端子に接続された複数のリードを有するリード部と、前記リード部に設けられたチップ部品搭載部と、半導体チップ搭載部とを備えるリードフレームと、
前記チップ部品搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたチップ部品と、
前記半導体チップ搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたコントローラチップ、および前記コントローラチップと電気的に接続されたメモリチップと、
前記リードフレームを前記チップ部品、前記コントローラチップ、および前記メモリチップと共に封止する封止樹脂層であって、前記外部接続端子の露出面となる第１の面と、前記外部接続端子の表面および側面の一部を露出させつつ、前記外部接続端子の周囲を囲うように、前記第１の面に設けられた凹部とを有する封止樹脂層と
を具備することを特徴とする半導体メモリカード。
【請求項３】
さらに、前記外部接続端子の露出された前記表面および前記側面に設けられた金属めっき層を具備し、
前記リードフレームは、前記外部接続端子とは別に、前記封止樹脂層から露出しためっき用接続端子を有する、請求項２に記載の半導体メモリカード。
【請求項４】
前記リードフレームは、前記封止樹脂層の一方の側面に設けられた第１の吊りリードと、前記封止樹脂層の他方の側面に設けられた第２の吊りリードとを有し、
前記半導体チップ搭載部は、前記第１の吊りリードと前記第２の吊りリードとの間で電気的に独立している、請求項２または３に記載の半導体メモリカード。
【請求項５】
複数の外部接続端子と、少なくとも一部が前記外部接続端子に接続された複数のリードを有するリード部と、前記リード部に設けられたチップ部品搭載部と、半導体チップ搭載部とを備えるリードフレームを用意する工程と、
前記チップ部品搭載部にチップ部品を搭載する工程と、
前記半導体チップ搭載部にコントローラチップとメモリチップとを搭載する工程と、
前記コントローラチップと前記リードとを電気的に接続する工程と、
前記メモリチップと前記コントローラチップとを電気的に接続する工程と、
前記リードフレームを前記チップ部品、前記コントローラチップ、および前記メモリチップと共に封止する封止樹脂層を形成する工程と、
前記外部接続端子の表面および側面の一部を露出させつつ、前記外部接続端子の周囲を囲う凹部を、前記封止樹脂層の前記外部接続端子の露出面となる第１の面に形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体メモリカードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体メモリカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ等を内蔵するメモリカード（半導体メモリカード）においては、小型化と高容量化が進められている。また、メモリカードの高容量化を実現する上で、メモリチップ自体の高密度化とそれに基づく高容量化が進められている。メモリカードは、一般的に外部接続端子を有する配線基板上にメモリチップやコントローラチップ等の半導体チップを搭載すると共に、配線基板上に封止樹脂層を形成して半導体チップを封止することにより構成されている。さらに、メモリカードの低コスト化等を図るために、メモリチップやコントローラチップ等の半導体チップとコンデンサやヒューズ等のチップ部品を、外部接続端子を有するリードフレーム上に搭載することも検討されている。
【０００３】
リードフレームを用いたメモリカードにおいては、半導体チップやチップ部品をリードフレーム上に搭載した後、半導体チップやチップ部品と共にリードフレームを封止する封止樹脂層を形成する。封止樹脂層を形成するにあたって、外部接続端子の表面は露出させる必要がある。封止樹脂層は、例えば外部接続端子の表面を露出させるような成形型を用いて、トランスファ成形等を適用して形成される。しかしながら、メモリカードの外部接続端子は封止樹脂層の一方の表面内に配置されるため、例えば封止樹脂層の形成時に樹脂バリの発生を完全に抑制することは困難である。このため、外部接続端子の表面の一部が樹脂で覆われてしまい、外部接続端子による外部機器との接続性が低下しやすい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６９００５２７号明細書
【特許文献２】米国特許第５８２２１９０号明細書
【特許文献３】米国特許公開２００３／２２７０７５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、リードフレームを用いて低コスト化を図った上で、外部接続端子の露出性を向上させた半導体メモリカードとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の半導体メモリカードは、複数の外部接続端子と、少なくとも一部が前記外部接続端子に接続された複数のリードを有するリード部と、前記リード部に設けられたチップ部品搭載部と、半導体チップ搭載部とを備えるリードフレームと、前記チップ部品搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたチップ部品と、前記半導体チップ搭載部に搭載され、前記リードと電気的に接続されたコントローラチップ、および前記コントローラチップと電気的に接続されたメモリチップと、前記リードフレームを前記チップ部品、前記コントローラチップ、および前記メモリチップと共に封止する封止樹脂層とを具備する。前記封止樹脂層は、前記外部接続端子の露出面となる第１の面と、前記外部接続端子の表面および側面の一部を露出させつつ、前記外部接続端子の周囲を囲うように、前記第１の面に設けられた凹部とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態による半導体メモリカードを示す上面透過図である。
【図２】図１に示す半導体メモリカードの下面図である。
【図３】図１に示す半導体メモリカードの断面図である。
【図４】図１に示す半導体メモリカードの下面の他の例を示す図である。
【図５】図１に示す半導体メモリカードにおける外部接続端子および封止樹脂層に設けられた凹部を拡大して示す断面図である。
【図６】図５に示す外部接続端子および凹部の平面図である。
【図７】図５に示す外部接続端子および凹部の他の例を示す断面図である。
【図８】図５に示す凹部の形成工程を示す断面図である。
【図９】図１に示す半導体メモリカードにおけるメモリチップの再配線層の第１の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１に示す半導体メモリカードにおけるメモリチップの再配線層の第２の構成例を示す断面図である。
【図１１】第２の実施形態による半導体メモリカードの外部接続端子を拡大して示す断面図である。
【図１２】第２の実施形態の半導体メモリカードにおける第１の構成例とその製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１２に示す半導体メモリカードの最終構成を示す断面図である。
【図１４】第２の実施形態の半導体メモリカードにおける第２の構成例とその製造工程を示す断面図である。
【図１５】第２の実施形態の半導体メモリカードにおける第３の構成例とその製造工程を示す断面図である。
【図１６】図１５に示す半導体メモリカードの最終構成を示す断面図である。
【図１７】第２の実施形態の半導体メモリカードにおける第４の構成例とその製造工程を示す断面図である。
【図１８】図１７に示す半導体メモリカードの最終構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態の半導体メモリカードについて、図面を参照して説明する。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１ないし図３は第１の実施形態による半導体メモリカードを示す図である。図１は第１の実施形態による半導体メモリカードの上面図であって、半導体メモリカードの構成を透過して示す図（上面透過図）、図２は第１の実施形態による半導体メモリカードの下面図、図３は第１の実施形態による半導体メモリカードを長辺方向（カードスロットに挿入する方向）に切断した断面図である。これらの図に示される半導体メモリカード１は、各種規格のメモリカードとして使用されるものである。
【００１０】
メモリカード１は、端子部材と配線部材と素子搭載部材とを兼ねるリード回路部材としてリードフレーム２を具備している。リードフレーム２は、複数の外部接続端子３と、少なくとも一部が外部接続端子３に接続された複数のリードを有するリード部４と、リード部４に設けられたチップ部品搭載部５と、半導体チップ搭載部６とを備えている。チップ部品搭載部５には、チップ部品（受動部品）７が搭載されている。半導体チップ搭載部６には、コントローラチップ８とＮＡＮＤ型フラッシュメモリのようなメモリチップ９が搭載されている。コントローラチップ８は、メモリチップ９へのデータの書き込みやメモリチップ９に記憶されたデータの読み出し等を行う半導体チップである。
【００１１】
リードフレーム２は、封止樹脂層１０で封止されている。封止樹脂層１０は、外部接続端子３の表面を露出させつつ、リードフレーム２をチップ部品７、コントローラチップ８、メモリチップ９等と共に封止するように、例えばエポキシ樹脂等の封止樹脂をトランスファ成形することにより形成されている。封止樹脂層１０は概略矩形状の外形を有し、メモリカード１の全体形状を構成している。封止樹脂層１０の外部接続端子３が露出した第１の面１０ａ（図２）は、メモリカード１の裏面に相当する。封止樹脂層１０の第１の面１０ａとは反対側の第２の面１０ｂ（図１）は、メモリカード１の表面に相当する。
【００１２】
封止樹脂層１０の外形辺１１のうち、外部接続端子３に近い第１の短辺１１Ａは、メモリカード１の先端部に相当する。封止樹脂層１０の先端には、メモリカード１の前方を示す傾斜部１０ｃが設けられている。封止樹脂層１０の第２の短辺１１Ｂは、メモリカード１の後方部に相当する。封止樹脂層１０の後方には、その一部を第２の面１０ｂ側に盛り上げた取手部１０ｄが設けられている。封止樹脂層１０の第１の長辺１１Ｃには、メモリカード１の前後や表裏の向きを示すように、切り欠き部１２やくびれ部１３が形成されている。封止樹脂層１０の第２の長辺１１Ｄは直線形状とされている。
【００１３】
複数の外部接続端子３の先端は、封止樹脂層１０内に配置されている。第１の実施形態では、外部接続端子３の先端に吊りリードを設けていない。これによって、封止樹脂層１０の先端に吊りリードが残存することを防いでいる。複数の外部接続端子３は図示しないフレームから分離されているため、その上に固定テープ１４Ａが接着されている。複数の外部接続端子３は、固定テープ１４Ａにより保持されている。複数の外部接続端子３の表面は、それぞれ封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出されている。外部接続端子３の表面を封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出させるにあたって、リードフレーム２の外部接続端子３とリード部４との接続部分を曲げ加工していると共に、封止樹脂層１０の第１の面１０ａに外部接続端子３の周囲を囲う凹部１５を設けている。
【００１４】
すなわち、外部接続端子３は封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出されるのに対して、外部接続端子３に接続されたリード部４や半導体チップ搭載部６等は封止樹脂層１０内に埋設される。このため、リードフレーム２は外部接続端子３とリード部４との接続部分を曲げ加工した加工部１６を有している。加工部１６は、外部接続端子３を外部に露出させつつ、リード部４や半導体チップ搭載部６等を封止樹脂層１０内に配置するものであり、外部接続端子３とリード部４との接続部分を一旦上方に曲げた後に水平方向に曲げ返した形状を有している。このような加工部１６をリードフレーム２に設けることによって、外部接続端子３を外部に露出させつつ、外部接続端子３を除くリードフレーム２の構成部（リード部４、チップ部品搭載部５、半導体チップ搭載部６等）やチップ部品７、コントローラチップ８、メモリチップ９等の樹脂封止性を高めることができる。
【００１５】
第１の実施形態のメモリカード１では、外部接続端子３の外部への露出性を高めるために、リードフレーム２に加工部１６を設けることに加えて、外部接続端子３の表面および側面の一部を露出させる凹部１５を封止樹脂層１０の第１の面１０ａに設けている。凹部１５は外部接続端子３の周囲を囲うように設けられている。凹部１５は図２に示したように、複数の外部接続端子３を個々に囲うように設けてもよいし、図４に示すように複数の外部接続端子３を一括して囲うように設けてもよい。凹部１５は、図５や図６に拡大して示すように、外部接続端子３の表面３ａに加えて、側面３ｂの一部を露出させる形状を有している。このような凹部１５を封止樹脂層１０の第１の面１０ａに設けることで、外部接続端子３の表面３ａの露出性が向上する。さらに、外部接続端子３の周囲を囲うように凹部１５を設けることで、外部接続端子３の外周形状が安定する。これらによって、外部接続端子３の機能を十分に発揮させることが可能となる。
【００１６】
凹部１５は封止樹脂層１０の第１の面１０ａから凹ませるように設けられている。凹部１５の第１の面１０ａからの深さＤ１は１０〜３００μｍの範囲であることが好ましい。凹部１５の深さＤ１が１０μｍ未満の場合には、外部接続端子３の表面３ａを完全に露出させることができないおそれがある。凹部１５の深さＤ１が３００μｍを超えると、メモリカード１を外部機器のソケットから抜き出す際に、凹部１５がソケット側の端子に引っ掛かる等して、メモリカード１の取り出しが困難になるおそれがある。凹部１５の外形形状は、外部接続端子３の全周を囲うと共に、外部接続端子３の側面３ｂの一部を露出させることが可能な形状であればよく、凹部１５の幅（外部接続端子３の側面３ｂから封止樹脂層１０の壁面１５ａまでの距離）は特に限定されるものではない。
【００１７】
図５は外部接続端子３の表面３ａを封止樹脂層１０の第１の面１０ａとほぼ同一の高さとした構造を示しているが、外部接続端子３の配置構造はこれに限られるものではない。外部接続端子３は図７に示すように、表面３ａを封止樹脂層１０の第１の面１０ａから凹ませるように配置してもよい。ただし、外部接続端子３の表面３ａの封止樹脂層１０の第１の面１０ａからの深さＤ２が深すぎると、メモリカード１の挿抜性が逆に低下するおそれがあるため、深さＤ２は１００μｍ以下であることが好ましい。外部接続端子３の表面３ａを凹ませることで、外部接続端子３の傷や摩耗等の発生を抑制することができる。加えて、第２の実施形態で詳述するように、外部接続端子３の表面３ａに金属めっき層を形成する際に、端子表面が第１の面１０ａから突出することを防ぐことができる。
【００１８】
封止樹脂層１０の凹部１５は、例えば封止樹脂層１０にレーザ、紫外線、プラズマ等を照射し、封止樹脂層１０の凹部１５の形成位置に相当する部分を除去することにより形成される。凹部１５の形成工程について、図８を参照して説明する。まず、リードフレーム２上にチップ部品７、コントローラチップ８、メモリチップ９を搭載し、さらにこれらと共にリードフレーム２を封止する封止樹脂層１０を形成する。封止樹脂層１０は、例えばトランスファ成形により形成される。このため、外部接続端子３の側面３ｂは図８（ａ）に示すように、封止樹脂層１０で覆われた状態となる。
【００１９】
外部接続端子３の表面３ａを封止樹脂層１０の第１の面１０ａと同一面に設定した場合、外部接続端子３の表面３ａは成形型に覆われるため、封止樹脂層１０は表面３ａ上には形成されない。ただし、通常のトランスファ成形では、外部接続端子３の表面３ａへの樹脂バリの発生を完全に抑制することは困難である。このため、封止樹脂層１０を形成した段階において、外部接続端子３の表面３ａの少なくとも一部は封止樹脂層１０を構成する樹脂で覆われた状態となることが避けられない。そこで、図８（ｂ）に示すように、外部接続端子３の表面３ａ上を含めて、封止樹脂層１０の凹部１５の形成領域にレーザ光Ｌを照射する。レーザ光Ｌに代えて、紫外線やプラズマ等を照射してもよい。
【００２０】
封止樹脂層１０にレーザ光Ｌを照射することによって、外部接続端子３の表面３ａ上に存在する樹脂を除去すると同時に、外部接続端子３の側面３ｂの一部を露出させる凹部１５を、外部接続端子３の全周を囲うように形成する。凹部１５は、図２や図６に示したように、個々の外部接続端子３の外周をそれぞれ囲うように形成してもよいし、図４に示したように、複数の外部接続端子３の外周を一括して囲うように形成してもよい。このような凹部１５を封止樹脂層１０の第１の面１０ａに形成することによって、外部接続端子３の表面３ａを確実に露出させると共に、外部接続端子３の外周形状を安定させることができる。従って、外部接続端子３の機能を十分に発揮させることが可能となる。
【００２１】
リード部４は、外部接続端子３に直接接続されたリード４１と、外部接続端子３とは電気的に独立しているリード４２とを有している。これらリード４１、４２のうち、第１、第２および第３のリード４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃは、一方の端部が外部接続端子３に直接接続されている。第１のリード４１Ａの他方の端部は、コントローラチップ８の近傍領域に配置されている。第２のリード４１Ｂとそれとは電気的に独立した第４のリード４２Ａには、第１のチップ部品搭載部５Ａが設けられている。第１のチップ部品搭載部５Ａには、ヒューズ等の第１のチップ部品７Ａが第２のリード４１Ｂおよび第４のリード４２Ａと電気的に接続されつつ搭載されている。第４のリード４２Ａは、さらにコントローラチップ８の近傍領域まで引き回されている。
【００２２】
第３のリード４１Ｃは、コントローラチップ８の近傍領域を引き回された後に分岐している。第３のリード４１Ｃの一方の分岐部４１Ｃ１とそれとは電気的に独立した第５のリード４２Ｂには、第２のチップ部品搭載部５Ｂが設けられている。第２のチップ部品搭載部５Ｂには、コンデンサ等の第２のチップ部品７Ｂが第３のリード４１Ｃの分岐部４１Ｃ１および第５のリード４２Ｂと電気的に接続されつつ搭載されている。第３のリード４１Ｃの他方の分岐部４１Ｃ２とそれとは電気的に独立した第６のリード４２Ｃには、第３のチップ部品搭載部５Ｃが設けられている。第３のチップ部品搭載部５Ｃには、コンデンサ等の第３および第４のチップ部品７Ｃ、７Ｄが第３のリード４１Ｃの分岐部４１Ｃ２および第６のリード４２Ｃと電気的に接続されつつ搭載されている。第５および第６のリード４２Ｂ、４２Ｃは、さらにメモリチップ９の近傍まで引き回されている。
【００２３】
半導体チップ搭載部６は、封止樹脂層１０の短辺１１Ｂに向けて拡張された拡張部６ａを有しており、この拡張部６ａに図示しないフレームと接続された吊りリード１７が設けられている。さらに、リードフレーム２は封止樹脂層１０の両長辺１１Ｃ、１１Ｄに沿って設けられた固定部１８を有している。固定部１８には、吊りリード１７が設けられている。半導体チップ搭載部６は、固定部１８から電気的に独立している。半導体チップ搭載部６やリード部４の一部は、吊りリード１７が設けられた固定部１８に接着された固定テープ１４Ｂにより保持されている。固定テープ１４Ｂは固定部１８から半導体チップ搭載部６、さらにリード部４の一部にかけて接着されており、半導体チップ搭載部６やリード部４の一部を吊りリード１７に支持された固定部１８に固定している。
【００２４】
このように、半導体チップ搭載部６は封止樹脂層１０の両側面（長辺１１Ｃ、１１Ｄを有する面）間で電気的に独立している。すなわち、半導体チップ搭載部６は封止樹脂層１０の両側面に設けられた吊りリード１７と導通しておらず、両側面の吊りリード１７間で電気的に独立している。このような半導体チップ搭載部６を適用することによって、封止樹脂層１０の両側面が外部の導通部材等に接触した場合においても、半導体チップ搭載部６がショートするようなことはない。従って、封止樹脂層１０の両側面間がショートしたような場合においても、コントローラチップ８やメモリチップ９に不良等が発生することを抑制でき、メモリカード１の信頼性を高めることが可能となる。
【００２５】
半導体チップ搭載部６上に配置されたコントローラチップ８およびメモリチップ９は、それぞれ矩形状の外形を有している。コントローラチップ８は外部接続端子３とメモリチップ９との間に配置されている。すなわち、コントローラチップ８はメモリチップ９より外部接続端子３に近い側に配置されている。コントローラチップ８は、外部接続端子３に近い側の長辺に沿って配列された電極パッド１９Ａと、メモリチップ９に近い側の長辺に沿って配列された電極パッド１９Ｂとを有している。コントローラチップ８の外部接続端子３に近い側の電極パッド１９Ａは、第１、第３、第４のリード４１Ａ、４１Ｃ、４２Ａと金属ワイヤ２０を介して電気的に接続されている。
【００２６】
メモリチップ９は、例えば図９に示すように、図示を省略した半導体素子部等を有するチップ本体２１と、チップ本体２１に形成された電極パッド２２と、電極パッド２２を露出させつつ、チップ本体２１の表面を覆うように形成された絶縁樹脂膜２３と、絶縁樹脂膜２３上に形成された再配線層２４とを有している。コントローラチップ８とメモリチップ９の電極パッド１９、２２の配列や種類等によっては、メモリチップ９の電極パッド２２を再配置する必要が生じる。ポリイミド樹脂等からなる絶縁樹脂膜（保護膜）２３上に設けられる再配線層２４は、電極パッド２２をメモリチップ９上の所望の位置に再配置するものであり、例えば一方の端部は電極パッド２２と電気的に接続されており、他方の端部には金属ワイヤのボンディング部となる接続パッド２５が形成されている。
【００２７】
再配線層２４に対する金属ワイヤのボンディング性を考慮して、再配線層２４の少なくとも最表面層はＡｌやＡｌ−０．５質量％Ｃｕ合金等のＡｌ合金、あるいはＡｕやＰｄ等の貴金属材料等で形成することが好ましい。さらに、再配線層２４の絶縁樹脂膜２３上への形成性や密着性等を考慮すると、再配線層２３の最下層はＴｉやＣｒ等で形成することが好ましい。再配線層２４の具体的な構成としては、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ／Ｔｉ、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ／Ｔｉ等の積層膜が挙げられる。再配線層２４の最表面層をＡｌ層（Ａｌ合金層を含む）や貴金属層で形成する場合、最表面層の厚さはボンディング性を確保する上で２μｍ以上とすることが好ましい。最表面層を厚くしすぎてもそれ以上の効果は得られないため、その厚さは５μｍ以下とすることが好ましい。
【００２８】
再配線層２４を構成する再配線のうち、少なくとも一部の再配線２４Ａは一方の端部が電極パッド２２と電気的に接続されていると共に、他方の端部に接続パッド２５が形成されている。再配線２４Ａの端部に形成された接続パッド２５には、金属ワイヤ２６の一方の端部がボンディングされている。金属ワイヤ２６の他方の端部は、コントローラチップ８の電極パッド１９Ｂやリード４１Ｃ、４２Ｂ、４２Ｃにボンディングされている。すなわち、再配線２４Ａは金属ワイヤ２６を介してコントローラチップ８の電極パッド１９Ｂやリード４１Ｃ、４２Ｂ、４２Ｃと電気的に接続されている。
【００２９】
再配線２４Ａと電極パッド２２との電気的な接続構造は、図９に示すように直接的に接続された構造でもよいし、図１０に示すように金属ワイヤ２７を介して接続された構造でもよい。再配線２４Ａを接続する電極パッド２２の近傍に他の電極パッド（例えば異電位の電極パッド２２ａ）が存在するような場合には、図１０に示すように、異電位の電極パッド２２ａを跨ぐように金属ワイヤ２７を配置することで、電極パッド２２に再配線２４Ａを接続することができる。金属ワイヤ２７による飛び越し構造は、異電位の再配線やリードを跨ぐ構造に対しても有効である。第４のリード４２Ａは、異電位の第１のリード４１Ａを跨ぐように配置された金属ワイヤ２７を介して、同電位の第６のリード４２Ｃと電気的に接続されている。このような金属ワイヤ２７による飛び越し構造を適用することによって、単層構造の再配線層２４による回路の形成性を高めることが可能になる。
【００３０】
第１の実施形態のメモリカード１においては、外部接続端子３の表面３ａおよび側面３ｂの一部を露出させつつ、外部接続端子３の周囲を囲う凹部１５を、封止樹脂層１０の第１の面１０ａに設けているため、リードフレーム２を用いてメモリカード１の低コスト化を図った上で、外部接続端子３の露出性を向上させることができる。さらに、外部接続端子３の外周形状も安定する。従って、メモリカード１の外部接続端子３による外部機器との接続信頼性、すなわちメモリカード１の動作信頼性を高めることが可能となる。
【００３１】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態によるメモリカードについて、図１１ないし図１８を参照して説明する。第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、その説明を一部省略する。第２の実施形態によるメモリカード３１は、図１１に示すように、封止樹脂層１０から露出された外部接続端子３の表面３ａおよび側面３ｂ上に設けられた金属めっき層３２を備えている。第２の実施形態によるメモリカード３１において、基本的な構成は外部接続端子３上に金属めっき層３２が設けられていることを除いて、第１の実施形態のメモリカード１と同様とされている。封止樹脂層１０の第１の面１０ａには、外部接続端子３の表面３ａおよび側面３ｂの一部を露出させつつ、外部接続端子３の周囲を囲う凹部１５が設けられている。凹部１５の具体的な構成等も第１の実施形態と同様である。
【００３２】
リードフレーム２は、一般的にＦｅ−Ｎｉ系合金（例えばＦｅ−４２％Ｎｉ合金）やＣｕ合金等により形成されている。このため、外部に露出された外部接続端子３の表面３ａや側面３ｂには、使用時に表面酸化膜が形成されたり、また腐食や錆等が生じるおそれがある。このような表面酸化膜、腐食、錆等の発生を抑制するために、外部接続端子３の露出された表面３ａや側面３ｂに金属めっき層３２が形成される。金属めっき層３２の代表的な構成材料としては、ＡｕやＰｄ等の貴金属が挙げられる。金属めっき層３２はＡｕやＰｄの単層膜に限らず、Ａｕ／Ｃｕ、Ｐｄ／Ｃｕ、Ａｕ／Ｎｉ、Ｐｄ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ、Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ、Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ、Ａｕ／Ｐｄ／Ｎｉ／Ｃｕ等の積層膜であってもよい。なお、メモリカード３１の使用用途等によっては、外部接続端子３上に金属めっき層３２を形成することなく、メモリカード３１を使用することもできる。
【００３３】
外部接続端子３の露出された表面３ａおよび側面３ｂ上に電解めっき法で金属めっき層３２を形成するためには、外部接続端子３に電解めっき用コンタクトピンを接続する必要がある。金属めっき層３２の形成前の段階において、外部接続端子３の表面３ａは露出している。従って、電解めっき用コンタクトピンを外部接続端子３の露出した表面３ａに接触させることによって、外部接続端子３の露出された表面３ａおよび側面３ｂに電解めっきを行うことができる。しかしながら、コンタクトピンを外部接続端子３の表面３ａに接触させて電解めっきを行うと、表面３ａのコンタクトピンを接触させた部分にめっき金属が付着せず、表面酸化膜、腐食、錆等を発生させる原因となる。
【００３４】
第２の実施形態のメモリカード３１において、リードフレーム２は外部接続端子３とは別に、封止樹脂層１０から露出しためっき用接続端子を有している。めっき用接続端子の具体的な構成について述べる。図１２はめっき用接続端子３３の第１の構成例を示している。図１２に示すリードフレーム２は、外部接続端子３に接続されたリード４１の一部が封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出するように、リード４１を曲げ加工することにより形成されためっき用接続端子３３Ａを有している。リード４１は、一旦封止樹脂層１０の第１の面１０ａに向けて折り曲げられており、リード４１の一部を第１の面１０ａと同一の高さに配置した後、半導体チップ搭載部６の高さまで曲げ戻されている。
【００３５】
図１２に示すように、封止樹脂層１０から露出されためっき用接続端子３３Ａに電解めっき用コンタクトピン３４を接触させて電解めっきを行うことによって、外部接続端子３の露出された表面３ａおよび側面３に金属めっき層３２を形成する。このようにして電解めっきを行うことによって、外部接続端子３の露出された表面３ａおよび側面３の全体に金属めっき層３２を良好に形成することができる。金属めっき層３２を形成した後には、図１３に示すように、めっき用接続端子３３Ａを覆うように絶縁樹脂層３５を封止樹脂層１０の第１の面１０ａに形成する。絶縁樹脂層３５は、絶縁フィルムを貼り付けたり、あるいは絶縁樹脂ペーストを塗布することにより形成される。
【００３６】
上述したリード４１の曲げ加工は、めっき用接続端子３３Ａの形成のみならず、チップ部品搭載部５に対して実施してもよい。すなわち、チップ部品７の高さは、一般的にコントローラチップ８やメモリチップ９の高さより高い。このため、チップ部品搭載部５の高さ（封止樹脂層１０の第１の面１０ａからの高さ）を半導体チップ搭載部６の高さと同一とすると、チップ部品７上の樹脂厚が薄くなり、封止樹脂層１０によるチップ部品７の被覆性が低下するおそれが生じる。このような点に対しては、図１４に示すように、半導体チップ搭載部６の高さを、半導体チップ搭載部６から第１の面１０ａまでの樹脂厚Ｔ１とコントローラチップ８やメモリチップ９の上面から第２の面１０ｂまでの樹脂厚Ｔ２とがおおよそ等しくなるように設定した上で、チップ部品搭載部５を半導体チップ搭載部６より封止樹脂層１０の第１の面１０ａに近い位置に配置することが有効である。
【００３７】
このように、半導体チップ搭載部６を樹脂厚Ｔ１と樹脂厚Ｔ２とがおおよそ等しくなるような位置に配置しつつ、チップ部品搭載部５をチップ部品７が封止樹脂層１０で十分に被覆される位置に配置することによって、チップ部品７の被覆性の低下やそれに伴うチップ部品７の外部への露出等を防止した上で、樹脂封止工程における半導体チップ搭載部６の位置ずれや封止樹脂層１０の反り等の発生を抑制することが可能となる。すなわち、リードフレーム２を用いたメモリカード３１の製造性や信頼性等を高めることができる。
【００３８】
図１４に示すチップ部品搭載部５Ａ、５Ｂは、それらが半導体チップ搭載部６より封止樹脂層１０の第１の面１０ａに近い位置に配置されるように、曲げ加工されたリード４１、４２に設けられている。これらのうち、チップ部品搭載部５Ａはリード４１の一部が封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出するように、曲げ加工されたリード４１に設けられており、めっき用接続端子３３Ｂを兼ねている。このようなめっき用接続端子３３Ｂに電解めっき用コンタクトピン３４を接触させることによって、電解めっきを行ってもよい。図１４に示すめっき用接続端子３３Ｂも、図１３に示すめっき用接続端子３３Ａと同様に、金属めっき層３２を形成した後には絶縁樹脂層３５で覆われる。
【００３９】
図１５はめっき用接続端子３３の第２の構成例を示している。図１５に示すメモリカード３１は、外部接続端子３の裏面を露出させるように、封止樹脂層１０の第２の面１０ｂから設けられた開口部３６を有している。外部接続端子３の裏面の一部は開口部３６内に露出しており、その部分がめっき用接続端子３３Ｃとして機能する。開口部３６内に露出された外部接続端子３の裏面（めっき用接続端子３３Ｃ）に電解めっき用コンタクトピン３４を接触させて電解めっきを行うことによっても、封止樹脂層１０の第１の面１０ａ側に露出された外部接続端子３の表面３ａおよび側面３の全体に金属めっき層３２を良好に形成することができる。金属めっき層３２を形成した後には、図１６に示すように、開口部３６内に絶縁樹脂３７を充填する。あるいは、第１の構成例と同様に、封止樹脂層１０の第２の面１０ｂに絶縁樹脂層３５を形成して開口部３６を塞いでもよい。
【００４０】
図１７はめっき用接続端子３３の第３の構成例を示している。図１７に示すリードフレーム２では、外部接続端子３の先端に吊りリード１７が設けられており、この封止樹脂層１０の先端面１０ｅから突出した吊りリード１７をめっき用接続端子３３Ｄとして機能させている。封止樹脂層１０の先端面から突出しためっき用接続端子３３Ｄに電解めっき用コンタクト３８を接触させて電解めっきを行うことによっても、封止樹脂層１０の第１の面１０ａに露出された外部接続端子３の表面３ａおよび側面３の全体に金属めっき層３２を良好に形成することができる。金属めっき層３２を形成した後には、図１８に示すように、吊りリード１７の封止樹脂層１０の先端面１０ｅから突出した部分を切断した後、先端面１０ｅに絶縁樹脂層３５を形成する。絶縁樹脂層３５は、第１の構成例と同様に、絶縁フィルムの貼り付けや絶縁樹脂ペーストの塗布等により形成される。
【００４１】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４２】
１，３１…メモリカード、２，２…リードフレーム、３…外部接続端子、４…リード部、４１，４２…リード、５…チップ部品搭載部、６…半導体チップ搭載部、７…チップ部品、８…コントローラチップ、９…メモリチップ、１０…封止樹脂層、１５…凹部、１６…加工部、１９，２２…電極パッド、２０，２６，２７…金属ワイヤ、２４…再配線層、３２…金属めっき層、３３…めっき用接続端子、３５，３７…絶縁樹脂層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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