(57)【要約】【課題】引張強度および耐熱性に優れ、コバ部の形状が滑らかで、繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔の提供。【解決手段】銅または銅合金からなる丸線材が圧延された圧延銅箔であって、前記圧延銅箔の表面の平均結晶粒径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が１０％を超え５０％未満である圧延銅箔。式（１）  粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００（（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅または銅合金からなる丸線材が圧延された圧延銅箔であって、
前記圧延銅箔の表面の平均結晶粒径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、
且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が１０％を超え５０％未満である圧延銅箔。
式（１）  粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）
【請求項２】
前記表面の平均結晶粒径が３μｍ以下である請求項１に記載の圧延銅箔。
【請求項３】
前記圧延銅箔の厚みが０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である請求項１または請求項２に記載の圧延銅箔。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の圧延銅箔の製造方法であって、
銅または銅合金からなる丸線材を圧延して箔とする第一圧延工程と、
３００℃以上５００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の熱処理を施す中間焼鈍工程と、
最終的な箔厚まで圧延する第二圧延工程と、
をこの順で行う圧延銅箔の製造方法。
【請求項５】
前記第二圧延工程後に、１００℃以上３００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の熱処理を施す最終焼鈍工程を行う請求項４に記載の圧延銅箔の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅または銅合金からなる丸線材が圧延された圧延銅箔およびその製造方法に係り、特に自動車用部品等において繰返して屈曲運動が行われるフレキシブルフラットケーブル等に用いられる圧延銅箔およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）は、厚みが薄く可撓性に優れる特長から、電子機器等への実装形態における自由度が高く、様々な用途に用いられている。例えば、自動車におけるエアバックシステムの構成部品であるステアリング・ロール・コネクタ（ＳＲＣ）、折り畳み式携帯電話の折り曲げ部、デジタルカメラ、プリンターヘッドなどの可動部、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ（Compact Disk）など、ディスク関連機器の可動部の配線等に広く用いられている。
尚、フレキシブルフラットケーブルの導体部分には、従来から広く圧延銅箔が用いられている。
【０００３】
ここで、特許文献１には、導体が導電率９５％以上のＣｕ濃度９９．９％以上の純銅からなり、その引張強さが３５０ＭＰａ以上４００ＭＰａ以下の範囲である平角導体が開示されている。この平角導体は８５℃もしくはそれ以上の高温環境になりうる自動車などに使用され、価格低減および導体強度の維持が達成される。
【０００４】
また、特許文献２には、最終冷間圧延工程の後で再結晶焼鈍前の圧延銅箔であって、圧延面を基準としたＸ線回折極点図測定による銅結晶の｛２２０｝Ｃｕ面回折の正極点図結果で、α角度が４０〜５０°の範囲において、β角度の少なくとも９０±５°毎に存在して４回対称性を示す結晶粒群に起因する回折ピークが存在し、さらに、前記β角度の９０±１０°毎に存在して４回対称性を示す別の結晶粒群に起因する回折ピークが存在する圧延銅箔が開示されている。この特許文献２は、フレキシブルプリント配線板等の可撓性配線部材に対する更なる高屈曲特性の要求に対応するために、優れた屈曲特性を有する圧延銅箔を提供するものである。
【０００５】
特許文献３には、タフピッチ銅または無酸素銅のインゴットを熱間圧延した後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返して、最後に冷間圧延で厚さを０．００５０ｍｍ以下に仕上げる圧延銅箔において、（１）加工度９０％以上の冷間圧延、（２）１５０〜２５０℃の炉温での１〜１０時間の再結晶焼鈍、または、５００℃〜８００℃の炉温での５〜６０秒間の再結晶焼鈍、（３）加工度５〜４０％の冷間圧延を順次行ない、再結晶焼鈍を行ったときに立方体集合組識が極度に発達する圧延銅箔の製造方法が開示されている。この特許文献３も、フレキシブルプリント回路基板等の可撓性配線用部材の用途として好適な銅箔を提供するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−０４８８１９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５０５７８号公報
【特許文献３】特開２００１−２６２２９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１のような導体は強度が高すぎるために、絶縁性のフィルム等でラミネートする際に付与される熱や、使用環境下で受ける熱などによって強度の低下が生じる。
また、特許文献２は、最終の平角導体を得るまでに、条を連続して圧延させて製造することから、線引き加工された丸線を最終段階で圧延する製法に比べて高コストとなる問題を抱えている。
さらに、特許文献３は、条圧延による高コスト化、冷間加工と焼鈍を繰り返すことによる高コスト化のほか、平均粒径が大きく、ＦＦＣ用として必要な強度ならびに屈曲特性を満足しないとの問題がある。
【０００８】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、引張強度および耐熱性に優れ、コバ部（短手方向の端部）の形状が滑らかで、且つ繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔およびその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記課題は下記の手段によって解決された。
＜１＞  銅または銅合金からなる丸線材が圧延された圧延銅箔であって、
前記圧延銅箔の表面の平均結晶粒径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下であり、
且つ前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が１０％を超え５０％未満である圧延銅箔。
式（１）  粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）
【００１０】
＜２＞  前記表面の平均結晶粒径が３μｍ以下である前記＜１＞に記載の圧延銅箔。
【００１１】
＜３＞  前記圧延銅箔の厚みが０．０２ｍｍ以上０．２ｍｍ以下である前記＜１＞または＜２＞に記載の圧延銅箔。
【００１２】
＜４＞  前記＜１＞〜＜３＞の何れか１項に記載の圧延銅箔の製造方法であって、
銅または銅合金からなる丸線材を圧延して箔とする第一圧延工程と、
３００℃以上５００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の熱処理を施す中間焼鈍工程と、
最終的な箔厚まで圧延する第二圧延工程と、
をこの順で行う圧延銅箔の製造方法。
【００１３】
＜５＞  前記第二圧延工程後に、１００℃以上３００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の熱処理を施す最終焼鈍工程を行う前記＜４＞に記載の圧延銅箔の製造方法。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、引張強度および耐熱性に優れ、コバ部（短手方向の端部）の形状が滑らかで、且つ繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】圧延銅箔のＥＢＳＤ解析をもとに、横軸に隣り合う領域の方位差を、縦軸にその方位差を有する領域の割合をプロットした図の一例である。
【図２】圧延銅箔のＥＢＳＤ解析をもとに、横軸に隣り合う領域の方位差を、縦軸にその方位差を有する領域の割合をプロットした図の一例である。
【図３】本発明の実施形態に係る圧延銅箔を示す概略斜視図である。
【図４】実施例での耐屈曲性試験に用いる屈曲試験機に圧延銅箔を固定した状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明に係る圧延銅箔は、銅または銅合金からなる丸線材が圧延され、且つ以下の要件を満たす。
・表面の平均結晶粒径の比率が前記圧延銅箔の厚みに対して１％以上６％以下
・前記圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における下記式（１）により求められる粒内歪み率が１０％を超え５０％未満
式（１）  粒内歪み率（％）＝（Ａ）／（Ｂ）×１００
（上記式（１）において、（Ａ）は、画像解析により方位差１度以上１５度以下と識別される領域の面積を、（Ｂ）は、画像解析により方位差０度以上１５度以下と識別される領域の面積を、表す。）
【００１７】
上記の通り本発明に係る圧延銅箔は、粒内歪み率が１０％を超え５０％未満である。この粒内歪み率は、前記式（１）に示す通り、方位差０度以上１５度以下の領域の面積に対する方位差１度以上１５度以下の領域の面積の比率であり、粒内歪みとして認識される方位差０度以上１５度以下の領域のうち、方位差が１度以上１５度以下の比率が特定の範囲であることを表している。
また上記の通り、表面の平均結晶粒径が圧延銅箔の厚みに対する比率で１％以上６％以下であり、最表面の結晶粒子の粒子径が圧延銅箔の厚みに対して非常に小さい。
【００１８】
上記の構成を満たす本発明に係る圧延銅箔は、繰返して屈曲変形が加えられた場合であってもクラックの発生が抑制され、その結果長寿命化が達成される。
また、適度な引張強度を有するため、本発明の圧延銅箔を絶縁性のフィルム等でラミネートする際の熱処理や、使用環境下にて受ける熱等による強度の低下が抑制される。更に、適度な引張強度を有するため、圧延にて製造する際に圧延ロールへのダメージが抑制され圧延ロールの長寿命化も図れる。
【００１９】
尚、矩形の銅条（板材）を圧延して得た銅箔を更にスリット加工して得た圧延銅箔では、粒内歪み率が１０％以下であっても引張強度に優れ且つ繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生を抑制できる圧延銅箔が得られる。しかし、スリット加工によって得た粒内歪み率が１０％以下である圧延銅箔では、コバ部（短手方向の端部）に「ばり」が生じ、絶縁性のフィルム等でラミネートする際の密着性に劣る。これに対し、上記の構成を満たす本発明に係る圧延銅箔は、コバ部（短手方向の端部／図３に示す圧延銅箔２であれば側面１０およびその近傍）でのばりの発生が抑制されて滑らかな形状とすることができ、絶縁性のフィルム等でラミネートする際の密着性にも優れる。
【００２０】
−粒内歪み率−
本発明においては、圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析した際における前記式（１）により求められる粒内歪み率が１０％を超え５０％未満である。粒内歪み率が５０％以上の場合、例えば１０５℃、４８時間程度の熱負荷を受けると強度が低下する欠点を生じる。一方、１０％以下の場合、引張り強度が低くなるため、絶縁性のフィルム等でラミネートする際の導体張力に耐えられずに、導体が伸び、変形、破断などが起きやすくなる欠点を生じる。
【００２１】
尚、上記粒内歪み率としては更に１５％以上４０％以下であることが好ましく、２０％以上３０％以下であることがより好ましい。
【００２２】
上記粒内歪み率は、以下の方法により測定される。
圧延銅箔を長手方向に直行する方向に切断しその断面についてＥＢＳＤ（electron backscatter diffraction）解析を行う。ＥＢＳＤ解析によって、隣り合う測定領域の方位差が１５度を超える部分は結晶粒界と識別し、且つ、方位差が１５度までのものを粒内歪みと認定する。ただし、０度以上１度未満と測定される方位差については、問題とならない程度の粒内歪みと捉える。その理由は、この範囲の歪みは、通常、焼鈍処理等を行っても消失することが少ないためである。そこで、０度から１５度までの方位差を有する領域のうち、１度以上１５度以下の領域を計算することによって圧延銅箔の歪み状態を評価する。
【００２３】
そこで、方位差が０度から１５度までの部分を抽出して、前記断面における方位差１度以上１５度以下の領域の面積と、方位差０度以上１５度以下の領域の面積を測定し、前記式（１）により粒内歪み率を求める。この粒内歪み率の値が小さいほど、圧延銅箔に存在する粒内歪みは小さいと言える。
【００２４】
図１は、隣り合う測定領域の方位差とその存在割合の一例を示したものである。この図１において、領域Ｉが、方位差０度以上１度未満の存在割合であり、領域IIが方位差１度以上１５度以下の存在割合を示す。したがって、上記式（１）との関係においては、（Ａ）が領域IIに対応し、（Ｂ）が領域Ｉと領域IIとを足しあわせた領域に対応している。すなわち、（Ａ）で示す領域IIが小さければ小さいほど、粒内歪み率は小さいと解する。図２も隣り合う測定領域の方位差とその存在割合の一例を示したものであるが、この図２の例では、領域IIが図１の例よりも広くなっている。すなわち、このような状態の圧延銅箔は、上記式（１）における（Ａ）が大きいので、図１の例よりも粒内歪み率が高い。
【００２５】
本発明者らはこのような検討により、粒内歪み率が所定の値を満たすと、引張強度および耐熱性に優れ、コバ部（短手方向の端部）の形状が滑らかで、且つ繰返し屈曲変形が加えられた場合にもクラックの発生が抑制される圧延銅箔が提供されることを見出したのである。
【００２６】
−平均結晶粒径−
本発明においては、圧延銅箔の表面を構成する結晶粒子の平均結晶粒径の圧延銅箔の厚みに対する比率が１％以上６％以下である。前記平均結晶粒径の比率が６％を超える場合、繰返して屈曲変形が加えられた際にクラックの発生が問題となる。一方、前記平均結晶粒径の比率が１％未満である場合、圧延銅箔は柔軟性に劣り容易に配索できない問題が生じる。
【００２７】
尚、良好な屈曲性という視点では、繰返して屈曲変形が加えられた際のクラックの発生がより効果的に抑制される観点から、前述の平均結晶粒径の比率がより小さい以下の範囲の順（１％以上２％以下、２％を超え３％未満、３％以上６％以下）に優れる。
一方、良好な柔軟性という視点では、前述の平均結晶粒径の比率が大きいほど耐力が低く柔軟であるという観点から、平均結晶粒径の比率が大きい以下の範囲の順（３％以上６％以下、２％を超え３％未満、１％以上２％以下）に優れる。
【００２８】
また本発明においては、表面を構成する前記結晶粒子の平均結晶粒径が６μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましく、２μｍ以下であることが更に好ましい。前記平均結晶粒径が上記範囲であることにより、繰返して屈曲変形が加えられた際のクラックの発生がより効果的に抑制される。
一方、前記平均結晶粒径が０．２μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以上であることがより好ましく、１．０μｍ以上であることが更に好ましい。前記平均結晶粒径が上記範囲であることにより、圧延銅箔の柔軟性が得られ配索をより容易に行うことができる。
【００２９】
上記平均結晶粒径および上記平均結晶粒径の比率は、以下の方法により測定される。
圧延銅箔を長手方向に直行する方向に切断しその断面についてＥＢＳＤ解析を行う。ＥＢＳＤ解析によって、方位差が１５度を超える部分を粒界と識別し、結晶粒子の画像を得る。この画像において、特定の幅方向長さ（Ｈ）（少なくとも４０μｍ以上）内における最表面を構成する結晶粒子の数（Ｋ）を求め、前記幅方向長さ（Ｈ）を前記結晶粒子の数（Ｋ）で割ることで、表面を構成する結晶粒子の平均結晶粒径を求める。更にこの平均結晶粒径の値を圧延銅箔の厚みで割ることで、圧延銅箔の厚みに対する表面を構成する結晶粒子の平均結晶粒径の比率が求められる。
【００３０】
−圧延銅箔の製造方法−
本発明に係る圧延銅箔の製造においては、銅または銅合金からなる丸線材（丸線型の銅材）を圧延によって所定の銅箔状に成形（圧延工程）することで製造する。
尚、前記所定の銅箔状に成形する工程では、前記圧延は多段階で行なってもよく、また圧延以外の方法を併用して成形を行なってもよい。ただし、前記所定の銅箔状に成形する前（最終的な形状に成形する前）の工程で熱処理を施す。特に、第一の圧延工程と第二の圧延工程との間に熱処理（焼鈍）工程を設ける。更に、所定の銅箔状に成形した後に熱処理（焼鈍）および冷却を行う工程（焼鈍工程）を設けてもよい。
【００３１】
また、前記銅または銅合金からなる丸線材（丸線型の銅材）としては、銅からなる材料に加え銅合金からなる材料を用いることができる。なお、これらの材料は導電率が９０％ＩＡＣＳ以上であることが好ましい。前記銅からなる材料および銅合金からなる材料における銅としては、例えばタフピッチ銅、無酸素銅、銀（Ａｇ）やスズ（Ｓｎ）などを微量添加した銅合金などが挙げられる。なお、導電率が９０％ＩＡＣＳを下回らないようにするために、Ａｇ単体の添加ならば０．５０質量％以下、Ｓｎ単体の添加ならば０．３０質量％以下とすることが好ましい。また、導電率を損なわない範囲であれば、銅または銅合金中には微小な析出相や介在物等があってもよい。さらに、銅または銅合金中には、精錬や鋳造等での工程上、混入が回避できない不可避不純物も含まれる。
【００３２】
尚、ここで重要となるのが圧延の際の減面率を調整すること、及び熱処理（焼鈍）における温度、時間といった条件や熱処理を施すタイミングを調整することである。
本発明の圧延銅箔は、表面を構成する前記結晶粒子の平均結晶粒径の圧延銅箔の厚みに対する比率、および粒内歪み率が前述の範囲である。例えば、前記圧延の際の減面率を高くしつまり圧延による断面積の減少量を高くするほど上記粒内歪み率が大きくなる傾向にある。また、銅箔に対し熱が付与されると粒内歪みは除去される傾向があり、特に最終的な形状に成形した後つまり全ての圧延工程が済んだ後においては、加熱による粒内歪みの除去への影響が強くなる傾向にある。また、加熱温度を低くするほど、加熱時間を短くするほど結晶粒子の平均結晶粒径が小さく保持される傾向にあり、つまり結晶粒子の平均結晶粒径の圧延銅箔の厚みに対する比率が小さくなる傾向にある。
従って、圧延前の投入線径の調質、線径、圧延後の板厚等に応じた適切な条件設定が必要である。
【００３３】
以上の点から、具体的に前記結晶粒子の平均結晶粒径の比率および粒内歪み率を前記範囲に制御する方法として、まず、第一圧延工程によって出来うる限り幅出し制御を行い、第一圧延工程後に歪みを含んだ結晶組織を再結晶による結晶粒の粗大化を出来る限り避けつつ、結晶粒内の歪を除去するために必要な最低限の熱処理を施す中間焼鈍工程を設け、その後の第二圧延工程によって所望の平角導体形状を得る。尚、さらに歪を少なくして屈曲性を向上させたい場合には、第二圧延工程にて加わった歪を再度除去するための最終熱処理を施す最終焼鈍工程を設ける方法が好適に挙げられる。しかし、ここで中間焼鈍工程で与えた熱負荷と同程度の熱負荷を与えてしまうと、導体が所望の強度より軟らかくなりすぎるため、最終焼鈍工程を設ける場合は軽度の熱負荷を与えることが望ましい。
【００３４】
ここで、複数の例を挙げて、本発明に係る圧延銅箔の作製について詳述する。
【００３５】
−第１の製造例−
・第一圧延工程
まず所定の径（例えばΦ０．２４ｍｍ）を有する軟銅線（丸線型）を準備する。例えば上記Φ０．２４ｍｍの軟銅線は、それよりも径の大きい軟銅線（例えばΦ８．０ｍｍ）を伸線した後、更に熱処理を施す（例えば３００℃２時間）ことで形成することができる。
【００３６】
前記所定の径（例えばΦ０．２４ｍｍ）の軟銅線に第一の圧延を施して、銅箔状（例えば厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状）に成形する。
【００３７】
・中間焼鈍工程
次いで、第一の圧延によって銅箔状に成形されたものに中間熱処理（中間焼鈍）を施す。熱処理の条件としては、３００℃以上５００℃以下の温度範囲で、加熱時間１秒以上１０秒以下で行う（例えば、加熱温度３００℃で加熱時間５秒の条件で行われる）。その後、冷却する。尚、冷却の方法としては水冷等の急冷却の方法が好ましい。この水冷等の急冷却を施すことで、結晶粒径の粗大化を防ぐことができる。
【００３８】
・第二圧延工程
次いで、中間焼鈍工程を経た銅箔（例えば厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状）に第二の圧延を施して、最終的な銅箔状（例えば厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８ｍｍの箔状）に成形することで、図３に示すような圧延銅箔２が作製される。
【００３９】
−第２の製造例（最終焼鈍を行う方法）−
・第一圧延工程
まず所定の径（例えばΦ０．２０ｍｍ）を有する軟銅線（丸線型）を準備する。例えば上記Φ０．２０ｍｍの軟銅線は、それよりも径の大きい軟銅線（例えばΦ８．０ｍｍ）を伸線した後、更に熱処理を施す（例えば３００℃２時間）ことで形成することができる。
【００４０】
次いで、前記所定の径（例えばΦ０．２０ｍｍ）の軟銅線に第一の圧延を施して、銅箔状（例えば厚さ０．０４０ｍｍ×幅０．７０ｍｍの箔状）に成形する。
【００４１】
・中間焼鈍工程
次いで、第一の圧延によって銅箔状に成形されたものに中間熱処理（中間焼鈍）を施す。中間焼鈍の条件としては、３００℃以上５００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の範囲で行う（例えば、加熱温度３００℃で加熱時間５秒の条件で行われる）。その後、冷却する。尚、冷却の方法としては水冷等の急冷却の方法が好ましい。この水冷等の急冷却を施すことで、結晶粒径の粗大化を防ぐことができる。
【００４２】
・第二圧延工程
次いで、中間焼鈍工程を経た銅箔（例えば厚さ０．０４０ｍｍ×幅０．７０ｍｍの箔状）に第二の圧延を施して、最終的な銅箔状（例えば厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８ｍｍの箔状）に成形する。
【００４３】
・最終焼鈍工程
次いで、第二の圧延によって最終的な銅箔状に成形されたものに最終熱処理（最終焼鈍）を施す。最終焼鈍の条件としては、前記中間焼鈍よりも加熱温度を低くしたり加熱時間を短くするなどして付与される総熱量を下げて行われ、具体的には１００℃以上３００℃以下の温度範囲で、１秒以上１０秒以下の範囲で行う（例えば、加熱温度１００℃で加熱時間５秒の条件で行われる）。
その後、冷却することで図３に示すような圧延銅箔２が作製される。尚、冷却の方法としては水冷等の急冷却の方法が好ましい。この水冷等の急冷却を施すことで、結晶粒径の粗大化を防ぐことができる。
【００４４】
上記第１〜第２の製造例に示した圧延の方法としては、２つあるいは複数の回転するロールの間に前記銅線を通すことで加工する方法が挙げられる。尚、ロールの径や、パス数、潤滑剤の有無等は適宜調整される。
また、熱処理（焼鈍）を行う方法としては、ソルトバスを用いた熱処理や、バッチ炉による熱処理、その他インライン中の電流焼鈍等の方法が挙げられる。但し、圧延の方法や熱処理の方法は上記の方法に限定されるものではない。
【００４５】
尚、本発明に係る圧延銅箔の厚みとしては、特に限定されるものではないが、０．０２ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の範囲が好ましい。
【００４６】
−用途−
本発明に係る圧延銅箔は、可撓性に優れ且つ耐屈曲性に優れることから、電子機器等への実装形態における自由度が高く、フレキシブルフラットケーブル（ＦＦＣ）として好適に用いられる。例えば、自動車におけるエアバックシステムの構成部品であるステアリング・ロール・コネクタ（ＳＲＣ）、ルーフハーネス、ドアハーネス、フロアハーネス等として好適に用いられる。
【実施例】
【００４７】
以下に、本発明に係る圧延銅箔について、実施例により説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。
【００４８】
〔実施例１〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．２４ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００４９】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて３００℃５ｓｅｃの条件で熱処理（焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００５０】
この熱処理（焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形し、圧延銅箔を得た。
【００５１】
前述の方法により、表面の平均結晶粒径、該平均結晶粒径の圧延銅箔の厚みに対する比率、および圧延銅箔の長手方向に直行する断面をＥＢＳＤ解析した際における前述の式（１）により求められる粒内歪み率を求めた。結果を表１に示す。
【００５２】
〔実施例２〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．２０ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０４０ｍｍ×幅０．７０ｍｍの箔状に成形した。
【００５３】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて３００℃５ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００５４】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形した。
【００５５】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて１００℃５ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００５６】
〔実施例３〕
Φ０．６ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線しΦ０．２２ｍｍの硬銅線（丸線型）を準備した。この硬銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００５７】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃５ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００５８】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００５９】
〔実施例４〕
Φ０．６ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線しΦ０．２２ｍｍの硬銅線（丸線型）を準備した。この硬銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００６０】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃５ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００６１】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形した。
【００６２】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて１００℃５ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００６３】
〔実施例５〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．６ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．１９ｍｍ×幅１．３ｍｍの箔状に成形した。
【００６４】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃７ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００６５】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．１４ｍｍ×幅１．５ｍｍの箔状に成形し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００６６】
〔実施例６〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．６ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．１９ｍｍ×幅１．３ｍｍの箔状に成形した。
【００６７】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃７ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００６８】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．１４ｍｍ×幅１．５ｍｍの箔状に成形した。
【００６９】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて１００℃７ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００７０】
〔比較例１〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．２３ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００７１】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて３００℃５ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００７２】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形した。
【００７３】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて２００℃２ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００７４】
〔比較例２〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．２３ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００７５】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃５ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００７６】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形した。
【００７７】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて４００℃５ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００７８】
〔比較例３〕
タフピッチ銅の鋳塊を用意し、熱間圧延後、圧延、焼鈍を適宜繰り返して行い、厚さ０．４ｍｍ×幅２００ｍｍの銅条を得て、これをさらに圧延とスリット加工を適宜繰り返して、最終的に厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形した。
【００７９】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて３００℃５ｓｅｃの条件で熱処理（焼鈍）と水冷による急冷を施した。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００８０】
〔比較例４〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線しΦ０．２３ｍｍの硬銅線（丸線型）を準備した。この硬銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．０５０ｍｍ×幅０．７４ｍｍの箔状に成形した。
【００８１】
次いで前記箔状のものに対し、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．０３５ｍｍ×幅０．８０ｍｍの箔状に成形し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００８２】
〔実施例５〕
Φ８．０ｍｍの軟銅線（タフピッチ銅）を伸線した後、更に３００℃２時間の熱処理を施すことでΦ０．６ｍｍの軟銅線（丸線型）を準備した。この軟銅線に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて圧延を施して、厚さ０．１９ｍｍ×幅１．３ｍｍの箔状に成形した。
【００８３】
次いで前記箔状のものに対し、ソルトバスを用いて４００℃７ｓｅｃの条件で中間熱処理（中間焼鈍）と水冷による急冷を施した。
【００８４】
この中間熱処理（中間焼鈍）を施した銅箔に、Φ１００ｍｍのロールを有する圧延機（無潤滑）を用いて２回目の圧延を施して、厚さ０．１４ｍｍ×幅１．５ｍｍの箔状に成形した。
【００８５】
更に、２回目の圧延を施した銅箔に対し、ソルトバスを用いて４００℃７ｓｅｃの条件で最終熱処理（最終焼鈍）を施し、更に最終焼鈍の後水冷によって急冷し、圧延銅箔を得た。実施例１同様、結果を表１に示す。
【００８６】
また、タフピッチ銅に限らず、無酸素銅、Ａｇを０．５０質量％含む銅合金やＳｎを０．３０質量％含む銅合金、Ａｇ及びＳｎを合計で０．３０質量％含む銅合金などについても、同様の傾向となり、発明の効果が発揮されることを確認した。
【００８７】
−評価：耐屈曲性試験−
図４に示す上島製作所製ＦＰＣ屈曲試験機（ＦＴ−２１３０）を用い、試料固定板４および稼動板６に圧延銅箔２を固定し、モーター８により稼動板６を稼働させて屈曲試験を行った。尚、屈曲Ｒ：１２．５ｍｍまたは７．５ｍｍ（表１に記載の値）、ストロークＳ：±１３ｍｍ、環境温度：８５℃、回転速度：９００ｒｐｍ、断線定義：初期抵抗値＋５００Ωとし、断線が確認されるまで屈曲試験を繰返した。
２００万回以上を評価：Ａと、１００万回以上２００万回未満を評価：Ｂと、１００万回未満を評価：Ｃとした。
【００８８】
−評価：引張強度（ラミネート加工性）−
圧延銅箔に引張試験を行い、引張強度を測定した。
試験方法はＪＩＳ−Ｚ２２４１（１９９８年）に準拠して行った。
３００ＭＰａ以上を評価：Ａと、３００ＭＰａ未満を評価：Ｂとした。
【００８９】
−評価：ラミネート密着性−
得られた圧延銅箔のコバ部（短手方向の端部）にばりが生じているかを目視で確認し、コバ部が滑らかに形成されているかを評価した。
ばりが生じていない場合を評価：Ａと、ばりが生じている場合を評価：Ｂとした。
【００９０】
−評価：耐熱性−
得られた圧延銅箔を１０５℃で４８時間保持した後、引張試験を行い引張強度を測定した。引張試験方法はＪＩＳ−Ｚ２２４１（１９９８年）に準拠して行った。
２５０ＭＰａ以上を評価：Ａと、２５０ＭＰａ未満を評価：Ｂとした。
【００９１】
【表１】
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【符号の説明】
【００９２】
２  圧延銅箔
４  試料固定板
６  稼動板
８  モーター
１０  圧延銅箔の側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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