(57)【要約】【課題】生産性を高めつつ、振動損失の抑制と、小型化を成し得た振動デバイスを提供する。【解決手段】間隙を有し、一部が重なる様に対向して設けられた上部電極と下部電極とを備える振動子と、振動子に接続されている回路部とを備え、上部電極と下部電極とが重なる電極間対向面積をＳとし、上部電極と下部電極との間隙である電極間距離をｄとし、上部電極と下部電極との間に生じるギャップ間容量をＣ０とし、振動子の等価直列抵抗をＲｍとし、回路部の負性抵抗をＲｎとし、等価直列抵抗Ｒｍと負性抵抗Ｒｎの和を系全体の抵抗Ｒとした場合に、数式（１）から数式（５）を満たす系全体の抵抗Ｒを有する。【選択図】図１
2014135665.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隙を有し、一部が重なる様に対向して設けられた上部電極と下部電極とを備える振動子と、
前記振動子に接続されている回路部と、を備え、
前記上部電極と前記下部電極とが重なる電極間対向面積をＳとし、
前記上部電極と前記下部電極との前記間隙である電極間距離をｄとし、
前記上部電極と前記下部電極との間に生じるギャップ間容量をＣ０とし、
前記振動子の等価直列抵抗をＲｍとし、
前記回路部の負性抵抗をＲｎとし、
前記等価直列抵抗Ｒｍと前記負性抵抗Ｒｎの和を系全体の抵抗Ｒとした場合に、以下の数式（１）から数式（５）を満たす系全体の抵抗Ｒを有することを特徴とする振動デバイス。
【数１】
2014135665.tif 000012
【数２】
2014135665.tif 000013
【数３】
2014135665.tif 000014
【数４】
2014135665.tif 000015
【数５】
2014135665.tif 000016
ε０：真空中の誘電率
ｋ：有効バネ定数
ｍ：有効質量
Ｖｐ：直流バイアス電圧
Ｑ：構造体のＱ値
ｇｍ：トランジスターのコンダクタンス
Ｃｇ：ゲート容量
Ｃｄ：ドレイン容量
ω：角周波数
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスにおいて、
前記上部電極と前記下部電極とが重なる電極間対向面積Ｓの値が１４μｍ2から１６００μｍ2あることを特徴とする振動デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のデバイスにおいて、
前記上部電極と前記下部電極との電極間距離ｄの値が２０ｎｍから１３０ｎｍであることを特徴とする振動デバイス。
【請求項４】
間隙を有し、一部が重なる様に対向して設けられた上部電極と下部電極とを備える振動子と、
前記振動子に接続されている回路部と、を備え、
前記上部電極と前記下部電極とが重なる電極間対向面積をＳとし、
前記上部電極と前記下部電極との前記間隙である電極間距離をｄとし、
前記上部電極と前記下部電極との間に生じるギャップ間容量をＣ０とし、
前記振動子の等価直列抵抗をＲｍとし、
前記回路部の負性抵抗をＲｎとし、
前記等価直列抵抗Ｒｍと前記負性抵抗Ｒｎの和を系全体の抵抗Ｒとした場合に、以下の数式（１）から数式（５）によって前記系全体の抵抗Ｒを求め、前記上部電極と前記下部電極とを配設することを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【数６】
2014135665.tif 000017
【数７】
2014135665.tif 000018
【数８】
2014135665.tif 000019
【数９】
2014135665.tif 000020
【数１０】
2014135665.tif 000021
ε０：真空中の誘電率
ｋ：有効バネ定数
ｍ：有効質量
Ｖｐ：直流バイアス電圧
Ｑ：構造体のＱ値
ｇｍ：トランジスターのコンダクタンス
Ｃｇ：ゲート容量
Ｃｄ：ドレイン容量
ω：角周波数
【請求項５】
請求項１ないし請求項３に記載された振動デバイスを搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３に記載された振動デバイスを搭載したことを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイス、振動デバイスの製造方法、電子機器、及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）デバイスと呼ばれる機械的に可動な構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）が知られている。この中でＭＥＭＳ振動子は、水晶や誘電体を使用した振動子・共振子と比較して、振動子の駆動回路や振動の変化を増幅する回路を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化に対し有利であることから、その用途が広がっている。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ振動子の代表例としては、振動子が設けられた基板面と平行な方向に振動する櫛型振動子と、基板の厚さ方向に振動する梁型振動子とが知られている。梁型振動子は、基板上に設けられた下部電極（固定電極）と、この下部電極の上方に間隙を介して設けられた可動電極（振動部）等からなる振動子である。梁型振動子としては、可動電極の支持の方法によって、片持ち梁型（clamped−free beam）、両持ち梁型（clamped−clamped beam）、両端自由梁型（free−free beam）等が知られている。
【０００４】
これらのＭＥＭＳ振動子は、可動電極が振動することで振動子としての機能を果たすため、可動電極の振動損失を抑制させることが求められている。例えば、特許文献１には、下部電極の側面を角形状や傾斜形状とすることで下部電極形状のバラツキに起因する振動特性のバラツキを低減して、振動損失を抑制するＭＥＭＳ振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開第２０１２−８５０８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この様なＭＥＭＳ振動子は、下部電極の側面の形状を角形状や傾斜形状とするために追加工程を要し、生産効率が低下する虞があった。また、可動電極等を大きく形成することで振動特性を改善することも考えられるが、ＭＥＭＳ振動子の大型化を招来し、これらＭＥＭＳ振動子の用途が限定されてしまう虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る振動デバイスは、間隙を有し、一部が重なる様に対向して設けられた上部電極と下部電極とを備える振動子と、振動子に接続されている回路部とを備え、上部電極と下部電極とが重なる電極間対向面積をＳとし、上部電極と下部電極との間隙である電極間距離をｄとし、上部電極と下部電極との間に生じるギャップ間容量をＣ０とし、振動子の等価直列抵抗をＲｍとし、回路部の負性抵抗をＲｎとし、等価直列抵抗Ｒｍと負性抵抗Ｒｎの和を系全体の抵抗Ｒとした場合に、数式（１）から数式（５）を満たす系全体の抵抗Ｒを有することを特徴とする。
【０００９】
この様な振動デバイスによれば、上部電極と下部電極とが間隙を介して重ねて設けられた振動子に回路部が接続されている。また、振動デバイスは、回路部から交番（交流）電圧が印加され、当該電極間に生じる電荷によるクーロン力によって相互に吸引され、印加されなくなると吸引が解放され、これを繰り返すことで振動する。
これにより、振動デバイスは、電極間対向面積Ｓと電極間距離ｄとの大きさによって振動の特性である系全体の抵抗Ｒが異なる。また、系全体の抵抗Ｒの値が小さいほど振動損失を低減することができる。
従って、数式（１）から数式（５）を用いて、系全体の抵抗Ｒの値が小さくなる電極間対向面積Ｓと、電極間距離ｄとを求めることで振動損失を抑制した振動デバイスを得ることができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例に係る振動デバイスにおいて、上部電極と下部電極とが重なる電極間対向面積Ｓの値が１４μｍ2から１６００μｍ2であることが好ましい。
【００１１】
この様な振動デバイスによれば、電極間対向面積Ｓを１４μｍ2から１６００μｍ2とすることで、数式（１）から数式（５）によって振動損失を抑制することができる系全体の抵抗Ｒを求めることができる。また、当該系全体の抵抗Ｒに基づいて振動損失を抑制することができる電極間対向面積Ｓを求めるとともに、必要な上部電極と下部電極との大きさを求めることができる。従って、振動損失を抑制することができる最適な大きさの上部電極と下部電極とを設けることで振動デバイスの小型化を実現することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例に係る振動デバイスにおいて、上部電極と下部電極との電極間距離ｄの値が２０ｎｍから１３０ｎｍであることが好ましい。
【００１３】
この様な振動デバイスによれば、電極間距離ｄの値を２０ｎｍから１３０ｎｍとすることで、数式（１）から数式（５）によって振動損失を抑制することができる系全体の抵抗Ｒを求めることができる。また、当該系全体の抵抗Ｒに基づいて振動損失を抑制することができる上部電極と下部電極との電極間距離ｄを求めることができる。従って、振動損失を抑制することができる最適な上部電極と下部電極との電極間距離ｄとすることで、振動デバイスの小型化を実現することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例に係る振動デバイスの製造方法は、間隙を有し、一部が重なる様に対向して設けられた上部電極と下部電極とを備える振動子と、振動子に接続されている回路部とを備え、上部電極と下部電極とが重なる電極間対向面積をＳとし、上部電極と下部電極との間隙である電極間距離をｄとし、上部電極と下部電極との間に生じるギャップ間容量をＣ０とし、振動子の等価直列抵抗をＲｍとし、回路部の負性抵抗をＲｎとし、等価直列抵抗Ｒｍと負性抵抗Ｒｎの和を系全体の抵抗Ｒとした場合に、数式（１）から数式（５）によって系全体の抵抗Ｒを求め、上部電極と下部電極とを配設することを特徴とする。
【００１５】
この様な振動デバイスの製造方法によれば、系全体の抵抗Ｒの値が小さくなる電極間対向面積Ｓと電極間距離ｄとを数式（１）から数式（５）によって求めることができる。
これにより、振動デバイスの製造方法は、電極間対向面積Ｓ、電極間距離ｄを系全体の抵抗Ｒの値が小さくなるように上部電極及び下部電極を配設することができる。
従って、振動デバイスの製造方法は、新たな生産工程を付加すること無く振動損失を抑制することができ、上部電極と下部電極との電極間対向面積Ｓを最適な大きさとすることで生産性を高めた振動デバイスを得ることができる。
【００１６】
［適用例５］
本適用例に係る電子機器において、上記適用例に係る振動デバイスが搭載されていることを特徴とする。
【００１７】
この様な電子機器によれば、振動損失の抑制と、小型化と、を成し得た振動デバイスが搭載されることで、信頼性の高い電子機器を得ることができる。また、小型化を成し得た振動デバイスが搭載されることから幅広い用途や大きさの電子機器を得ることができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例に係る移動体において、上記適用例に係る振動子デバイスが搭載されていることを特徴とする。
【００１９】
この様な移動体によれば、振動損失の抑制と、小型化と、を成し得た振動デバイスが搭載されることで、信頼性の高い移動体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る振動デバイスの概略構成を示す斜視図。
【図２】第１実施形態に係る振動デバイスの概略構成を示す平面図及び断面図。
【図３】第１実施形態に係る振動デバイスの動作を説明する断面図。
【図４】第１実施形態に係る振動デバイスの回路と振動子の等価回路を示す模式図。
【図５】第１実施形態に係る振動デバイスの電極間対向面積Ｓと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒと、の関係を示すグラフ。
【図６】第１実施形態に係る振動デバイスの電極間距離ｄと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒと、の関係を示すグラフ。
【図７】第２実施形態に係る振動デバイスの概略構成を示す平面及び断面図。
【図８】第２実施形態に係る振動デバイスの電極間対向面積Ｓと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒと、の関係を示すグラフ。
【図９】第２実施形態に係る振動デバイスの電極間距離ｄと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒと、の関係を示すグラフ。
【図１０】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１１】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１２】実施例に係る電子機器を示す斜視図。
【図１３】実施例に係る移動体を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２２】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る振動デバイスについて図１から図６を用いて説明する。
図１は、本実施形態に係る振動デバイスとしてのＭＥＭＳ振動子デバイスを模式的に示す斜視図である。図２は、ＭＥＭＳ振動デバイスを模式的に示す平面図、及び図１に示す線分Ａ−Ａ’におけるＭＥＭＳ振動デバイスの断面図である。図３は、図１に示したＭＥＭＳ振動デバイスの線分Ｂ−Ｂ’の断面を模式的に示し、ＭＥＭＳ振動デバイスの動作を説明する断面図である。図４は、ＭＥＭＳ振動デバイスの回路（等価回路）と、振動子の等価回路とを示す回路図である。図５は、ＭＥＭＳ振動デバイスの電極間対向面積Ｓと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒと、の関係を示すグラフである。図６は、ＭＥＭＳ振動デバイスの電極間距離ｄと、等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗と、Ｒの関係を示すグラフである。
なお、図１から図３において、ＭＥＭＳ振動デバイスを構成する回路部の図示を省略している。
【００２３】
図１から図３に示す本実施形態に係る振動デバイスとしてのＭＥＭＳ振動デバイス１は、いわゆる両端自由梁型（free−free beam）であり、振動子１００と、回路部１２０（図１から図３において図示省略）と、を備える。
振動子１００は、基板１０上に、振動部としての上部電極２０と、上部電極２０から延設されている支持部４０と、支持部４０を固定する固定部５０と、を有している。また、上部電極２０を固定する基部としての基板１０上には、上部電極２０を振動させるための下部電極３０を有することができる。
【００２４】
振動子１００は、上部電極２０から延設されている支持部４０によって固定部５０を介して基板１０に固定されている。
なお、上部電極２０は、図１から図３においてＺ軸方向から平面視した場合に、基板１０上に設けられた下部電極３０と重なる様に間隙３５を有して設けられている。上部電極２０は、間隙３５を介して下部電極３０と重なる様に設けられることで、振動可能となる。なお、上部電極２０と、下部電極３０と、の配置及び動作については後述する。
【００２５】
基板１０は、上部電極２０等が設けられる基部（基材）である。基板１０は、半導体加工技術によって加工容易なシリコン基板を用いると好適である。なお、基板１０はシリコン基板に限定されることなく、例えば、ガラス基板を用いることもできる。
【００２６】
基板１０上には、図２及び図３に示す様に絶縁膜１１と、絶縁膜１１に積層させて下地膜１２とが設けられている。また、下地膜１２上に下部電極３０と、固定部５０と、が設けられている。
【００２７】
絶縁膜１１は、図１から図３においてＺ軸方向から見た基板１０上の略全面に設けられている。絶縁膜１１としては、例えば、ＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）膜が用いられている。
下地膜１２は、上述した絶縁膜１１に対応（積層）して設けられている。下地膜１２としては、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）が用いられている。
【００２８】
下部電極３０は、上述した下地膜１２上に設けられている。下部電極３０は、例えば、矩形状にパターニングされた電極であり、その材料として、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性部材が用いられている。
【００２９】
固定部５０は、上述した下部電極３０と同様に下地膜１２上に設けられている。より詳しくは、固定部５０は、下地膜１２上に設けられた導電膜５１上に設けられている。固定部５０は、例えば、矩形状にパターニングされた電極である。固定部５０と、導電膜５１とは、その材料として、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等の導電性部材が用いられている。
【００３０】
上部電極２０と、支持部４０とは、図１から図３に示すＺ軸方向から見た基板１０上に設けられている。上部電極２０は、間隙３５を介して上述した下部電極３０と対向させて設けられている。
【００３１】
上部電極２０は、例えば、矩形状にパターンニングされるとともに導電性を有し、後述する可動電極として機能するものである。上部電極２０は、その材料として、ポリシリコン（Polycrystalline Silicon）が用いられている。
【００３２】
図３は、図１に示す線分Ｂ−Ｂ’における振動子１００の断面図であり、上部電極２０の振動動作を示している。
本実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス１は、下部電極３０と、可動する振動部としての上部電極２０と、の間に印加される交番（交流）電圧に伴い発生する電荷の静電力により、上部電極２０が図３に示すα方向の下部電極３０に誘引されることと、図３に示すα’方向へ遊離されることと、を繰り返すことで屈曲振動運動する。また、それぞれの電極間には、振動に伴う信号が出力される。
上部電極２０（可動電極）の振動は、上部電極２０と下部電極３０とが重なる中央部分が振動の腹となり、上部電極２０の両端部が振動の節となりなり、振動の節３１を支点とする撓み振動動作となる。換言すると、上部電極２０の振動は、節３１を支点とする屈曲運動動作となる。
図１から図３において、上部電極２０及び下部電極３０には、振動に伴う信号を取り出す配線が設けられているが、説明と、各図においてその図示と、を省略している。
【００３３】
ここで振動子１００の上部電極２０と、下部電極３０と、の配置について詳細に説明する。
本実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス１は、上述の通り上部電極２０と下部電極３０とが、間隙３５を介して重なる様に設けられている。当該電極の重なる電極間対向面積Ｓ１（以下、単に「面積Ｓ１」と称する場合がある。）と、間隙３５の大きさである電極間距離ｄ１（以下、単に「距離ｄ１」と称する場合がある。）と、によってＭＥＭＳ振動デバイス１の振動のしやすさ（いわゆる発振余裕度）を示す系全体の抵抗Ｒが変化する特性を備える。この様なＭＥＭＳ振動デバイス１において、系全体の抵抗Ｒの値が小さいほど振動損失を低減することができる。
以下に、上部電極２０と下部電極３０との重なる面積Ｓ１及び間隙３５の距離ｄ１と、系全体の抵抗Ｒと、の関係を説明する。
【００３４】
図４（ａ）に示す様にＭＥＭＳ振動デバイス１（の等価回路）は、振動子１００と、回路部１２０と、で構成されている。また、図４（ｂ）に振動子１００の等価回路を示す。
ＭＥＭＳ振動デバイス１は、その振動損失、振動のしやすさを系全体の抵抗Ｒの値で示すことができる。系全体の抵抗Ｒの値は、振動子１００の等価直列抵抗Ｒｍと、回路部１２０の負性抵抗Ｒｎと、の和で決定される。等価直列抵抗Ｒｍ、負性抵抗Ｒｎ、系全体の抵抗Ｒは、以下の計算式によって求めることができる。以下に、系全体の抵抗Ｒの求め方について説明する。
【００３５】
先ず、振動子１００の等価直列抵抗Ｒｍは、以下の数式（１）によって求めることができる。
【００３６】
【数１】
2014135665.tif 000003
【００３７】
ここで、電気機械結合係数ηは以下の数式（２）において、有効質量ｍは以下の数式（２１）で、有効バネ定数ｋは以下の数式（２２）で、それぞれ求めることができる。
なお、Ｑは振動子１００の振動の状態を現す無次元数、Ｌｒは支持部４０の幅、Ｗｒは支持部４０の長さである。
【００３８】
【数２】
2014135665.tif 000004
【００３９】
【数３】
2014135665.tif 000005
【００４０】
【数４】
2014135665.tif 000006
【００４１】
また、上部電極２０と下部電極３０との間に生じる静電容量であるギャップ間容量Ｃ０は以下の数式（３）によって求めることができる。
【００４２】
【数５】
2014135665.tif 000007
【００４３】
次に、回路部１２０の負性抵抗Ｒｎは、例えば、コルピッツ型発振回路の場合には以下の数式（４）によって求めることができる。
【００４４】
【数６】
2014135665.tif 000008
【００４５】
上記数式（４）に示すｇｍはトランジスターのコンダクタンス、Ｃｇはゲート容量、Ｃｄはドレイン容量、ωは角周波数である。
【００４６】
次に、ＭＥＭＳ振動デバイス１の系全体の抵抗Ｒは以下の数式（５）によって求めることができる。
【００４７】
【数７】
2014135665.tif 000009
【００４８】
ここで、ＭＥＭＳ振動デバイス１は、回路部１２０の負性抵抗Ｒｎの値が振動子１００の等価直列抵抗Ｒｍの値より小さい場合に、振動子１００の発振が困難となる特性を有する。
また、数式（１）で求められる等価直列抵抗Ｒｍの値と、数式（４）で求められる負性抵抗Ｒｎの値とは、共に上部電極２０と下部電極３０との間に生じるギャップ間容量Ｃ０が要因となって変化する。
また、上部電極２０と下部電極３０との間に生じるギャップ間容量Ｃ０の値は、その電極が重なる面積Ｓ１と、間隙３５の距離ｄ１と、が要因となって変化する。
【００４９】
そこで、本実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス１における等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎと、上部電極２０と下部電極３０とが重なる面積Ｓ１及び間隙３５の距離ｄ１と、の関係について以下に説明する。
【００５０】
先ず面積Ｓ１と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎと、の関係について説明する。
面積Ｓ１と、数式（１）によって求めることができる振動子１００の等価直列抵抗Ｒｍとの関係は、図５（ａ）のグラフに示す様に面積Ｓ１が大きくなると、等価直列抵抗Ｒｍの値は小さくなる。
また、面積Ｓ１と、数式（４）によって求めることができる回路部１２０の負性抵抗Ｒｎとの関係は、図５（ｂ）のグラフに示す様に面積Ｓ１が大きくなると、負性抵抗Ｒｎの値も大きくなる。換言すると、負性抵抗Ｒｎは、面積Ｓ１が大きくなると絶対値が小さくなる。
また、面積Ｓ１と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎの和である系全体の抵抗Ｒとの関係は、図５（ｃ）のグラフに示す様に、ある面積Ｓ１の値を中心として面積Ｓ１の値が小さくなると、系全体の抵抗Ｒの値が大きくなる。もしくは、ある面積Ｓ１の値を中心として面積Ｓ１の値が大きくなると系全体の抵抗Ｒの値も大きくなる。
【００５１】
次に間隙３５の距離ｄ１と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎとの関係について説明する。
距離ｄ１と、数式（１）によって求めることができる等価直列抵抗Ｒｍとの関係は、図６（ａ）のグラフに示す様に、距離ｄ１が大きくなると等価直列抵抗Ｒｍの値も大きくなる。
また、距離ｄ１と、数式（４）によって求めることができる回路部１２０の負性抵抗Ｒｎとの関係は、図６（ｂ）のグラフに示す様に、距離ｄ１が大きくなると負性抵抗Ｒｎの値は小さくなる。換言すると、負性抵抗Ｒｎは、距離ｄ１が大きくなると絶対値が大きくなる。
また、距離ｄ１と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎの和である系全体の抵抗Ｒとの関係は、図６（ｃ）のグラフに示す様に、ある距離ｄ１の値を中心として距離ｄ１の値が小さくなると系全体の抵抗Ｒの値が大きくなる。もしくは、距離ｄ１の値が大きくなると系全体の抵抗Ｒの値も大きくなる。
【００５２】
この様なＭＥＭＳ振動デバイス１は、その小型化と、安定した振動（発振）動作と、が求められている。小型化のためには、上部電極２０と下部電極３０とのそれぞれの面積を小さくすることが効果的である。また、安定した振動動作を得るためには、回路部１２０の負性抵抗Ｒｎの値が振動子１００の等価直列抵抗Ｒｍの値よりも大きくすることが求められる。
即ち、「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たしつつ、上部電極２０と下部電極３０との重なる面積Ｓ１と、間隙３５の距離ｄ１と、を小さく（極小化）することが求められる。
【００５３】
上述した数式（１）から数式（５）を用いて負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍの条件を満たす上部電極２０と下部電極３０との重なる面積Ｓ１と、間隙３５の距離ｄ１と、を求めることができる。
【００５４】
例えば、振動子１００の各定数を次の条件とする。
上部電極２０の長さｌ（エル）１を３１．６μｍ、振動子１００の幅Ｗを５１．０μｍ、振動子１００の厚みＨを１．３μｍ、支持部４０の幅Ｌｒを０．７μｍ、支持部４０の長さＷｒを１．９μｍ、とする。また、上部電極２０と下部電極３０とが重なっている部分の長さＬ１と幅Ｗ１との積を面積Ｓ１とする。また、上部電極２０と下部電極３０との間に印加する電圧Ｖｐを３．０Ｖとする。
【００５５】
また、例えば、回路部の各定数を次の条件とする。
トランジスターのコンダクタンスｇｍを２ｍＳ、ゲート容量Ｃｇを１ＰＦ、ドレイン容量Ｃｄを１ＰＦとする。また、角周波数をωとする。
【００５６】
上述した各定数を用いて数式（１）から数式（５）で求められるＭＥＭＳ振動デバイス１の系全体の抵抗Ｒの面積Ｓ１に対する微分方程式を解いて面積Ｓ１と距離ｄ１との極小値を求めると、面積Ｓ１が３９０μｍ2の時に最も系全体の抵抗Ｒが小さくなる。
同様に、系全体の抵抗Ｒの間隙３５の距離ｄ１に対する微分方程式を解いて極小値を求めると、距離ｄ１が９０ｎｍの時に最も系全体の抵抗Ｒが小さくなる。
よって、ＭＥＭＳ振動デバイス１は、系全体の抵抗Ｒの値が極小値となる上部電極２０と下部電極３０とが重なる面積Ｓ１となる様に、例えば、上部電極２０の大きさの調整と、間隙３５の距離ｄ１とすることで、安定した振動動作と、小型化とをなし得る。
【００５７】
なお、上述した面積Ｓ１及び距離ｄ１に限定されることなく、面積Ｓ１は、「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たす範囲で適宜変更しても良い。
例えば、上述した条件において、面積Ｓ１は、２００μｍ2から１６００μｍ2の範囲とすることができる。また、距離ｄ１は、上部電極２２０のスティッキングを考慮し、２０ｎｍから「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たすことのできる１３０ｎｍの範囲とすることができる。
【００５８】
（製造方法）
次に、ＭＥＭＳ振動デバイス１の製造方法について説明する。
ＭＥＭＳ振動デバイス１の製造方法は、上部電極２０と支持部４０とを形成する工程と、固定部５０と下部電極３０とを形成する工程と、上部電極２０と下部電極３０との間に中間層を形成する工程と、を含む。
【００５９】
ＭＥＭＳ振動デバイス１の製造方法は、先ず、基板１０に下部電極３０と固定部５０とを設ける。
下部電極３０と固定部５０との形成は、基板１０を準備し、主面となる面に絶縁膜１１を設ける。絶縁膜１１の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて一般的なＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon）膜を形成することができる。
次に、下地膜１２を絶縁膜１１に対応させて積層する。下地膜１２の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いてシリコン窒化膜（ＳｉＮ）を形成することができる。なお、シリコン窒化膜を用いた下地膜１２は、フッ酸を含む洗浄液（エッチャント）に対する耐性を備え、いわゆるエッチングストッパーとして機能することができる。
【００６０】
次に、下部電極３０と固定部５０とを下地膜１２上に形成する。下部電極３０と固定部５０の形成方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法を用いて導電性膜を設けることができる。
【００６１】
ＭＥＭＳ振動デバイス１の製造方法は、次に上部電極２０と、下部電極３０と、の間に間隙３５を設けるため中間層（リリース層）としての犠牲層を下地膜１２上に設ける。
犠牲層は、後述する基板１０及び下部電極３０と、上部電極２０及び支持部４０の一部と、の間に間隙３５を設けるため一時的に設けられるものである。犠牲層の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いて犠牲層としてシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を設けることができる。
また、支持部４０が固定部５０に接続される部分の犠牲層を部分的に除去する。犠牲層の部分的な除去は、フォトリソグラフィー法によって行うことができる。
なお、中間層（犠牲層）の厚みによって、上部電極２０と下部電極３０との電極間距離ｄ１が規定される。よって、前述した数式（１）から数式（５）で求められる系全体の抵抗Ｒが極小化することができる距離ｄ１に相当する厚みの中間層を形成する。
【００６２】
次に、上部電極２０と支持部４０となるシリコン層を形成する。シリコン層の形成方法としては、例えば、ＣＶＤ法を用いて上部電極２０及び支持部４０となるポリシリコン層を設けることができる。
【００６３】
次に、上部電極２０と支持部４０とを形成するため、前述のシリコン層をフォトリソグラフィー法によって、上部電極２０と支持部４０との形状のパターニングを行う。パターニングされた上部電極２０と支持部４０とのうち、上部電極２０及び支持部４０として不要なシリコン層をエッチングによって除去する。
シリコン層のエッチングは、当該シリコン層を構成するポリシリコンのみを選択的にエッチングすることができる洗浄液（エッチャント）を用いて行う。
【００６４】
なお、上部電極２０と下部電極３０との重なる面積Ｓ１、及び上部電極２０と下部電極３０とのそれぞれの大きさ（平面積）は、前述した数式（１）から数式（５）で求められる系全体の抵抗Ｒが極小化する面積Ｓ１となる様に形成（配設）することができる。
【００６５】
次に、犠牲層と、当該犠牲層上にシリコン層として形成された上部電極２０及び支持部４０と、を切り離すため、犠牲層の除去（リリースエッチング）を行う。
犠牲層のリリースエッチングは、例えば、犠牲層を選択的にエッチング（除去）可能な洗浄液（エッチャント）を用いて行うことができる。なお、ウエットエッチング法で行う場合には、洗浄液としてフッ酸を含む洗浄液を用いることができる。この様な洗浄液を用いることで、例えば、シリコン酸化膜で形成した犠牲層を選択的にエッチングすることができ、シリコン窒化膜で形成された下地膜１２によって、ＬＯＣＯＳ膜で形成した絶縁膜の保護が可能である。
犠牲層１３の除去が完了することで上述したＭＥＭＳ振動デバイス１の製造工程が完了する。
【００６６】
これにより、ＭＥＭＳ振動デバイス１は、その小型化と、安定した振動（発振）動作とを両立することができる。また、ＭＥＭＳ振動デバイス１は、上述した数式（１）から数式（５）によって系全体の抵抗Ｒを求め、その値を極小にすることができる上部電極２０と下部電極３０との大きさを以て、ＭＥＭＳ振動デバイス１を製造することができる。
【００６７】
上述した第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様なＭＥＭＳ振動デバイス１によれば、系全体の抵抗Ｒの値を上述した数式（１）から数式（５）によって求めることができる。このことから、数式（１）から数式（５）で求められる系全体の抵抗Ｒの値と、振動損失の最も小さくなる上部電極２０と下部電極３０とが重なる電極間対向面積Ｓ１、及び電極間距離ｄ１と、を求めることができる。
また、数式（１）から数式（５）を用いることで、ＭＥＭＳ振動デバイス１の振動損失が最も小さくなる好適な電極間対向面積Ｓ１に基づいて上部電極２０及び下部電極３０を形成することができる。よって、上部電極２０及び下部電極３０を形成する材料、及び形成する工程時間を抑制することができる。
従って、系全体の抵抗Ｒの値を小さくし、かつ、電極間対向面積Ｓ１と電極間距離ｄ１とを小さくすることで、生産効率を高めつつ、振動損失の抑制と、小型化と、を成し得たＭＥＭＳ振動デバイスを得ることができる。
【００６８】
［第２実施形態］
図７は、第２実施形態に係る振動デバイスとしてのＭＥＭＳ振動デバイスの平面と断面との概略構成を示すものである。図８及び図９は、上部電極と下部電極との重なる面積及び間隙の距離と、等価直列抵抗、負性抵抗、系全体の抵抗と、の関係を示すグラフである。
第２実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス２は、第１実施形態で説明をしたＭＥＭＳ振動デバイス１とは、上部電極２２０を支持する構造が異なる。第２実施形態では相違点を説明し、第１実施形態と同様の構成等には同等の符号を付して説明は省略または簡略とする。
【００６９】
本実施形態に係るＭＥＭＳ振動デバイス２は、いわゆる片持ち梁型の振動子を備える構造である。
ＭＥＭＳ振動デバイス２は、振動子２００と、回路部（図示省略）と、を備える。
振動子２００は、基板２１０上に、振動部としての上部電極２２０と、上部電極２２０から延設されている支持部２４０と、支持部２４０を固定する固定部２５０と、を有する。
また、上部電極２２０を固定する基部としての基板２１０上には、上部電極２２０を振動させるために下部電極２３０を有する。
【００７０】
振動子２００は、支持部２４０から延設されている上部電極２２０が、固定部２５０を介して基板２１０に接続されている。
なお、上部電極２２０は、図７においてＺ軸方向から平面視した場合に、基板２１０上に設けられた下部電極２３０と重なる様に間隙２３５を介して設けられている。上部電極２２０は、間隙２３５を介して下部電極２３０と重なる様に設けられることで、振動可能となる。より詳しくは、ＭＥＭＳ振動デバイス２は、下部電極２３０と、振動部（可動電極）としての上部電極２２０との間に印加される交番（交流）電圧に伴い発生する電荷の静電力により、上部電極２２０が下部電極２３０の方向に誘引されることと、また、その反対の方向に遊離されることと、を繰り返すことで屈曲振動運動する。また、それぞれの電極間には、振動に伴う信号が出力される。
上部電極２２０及び下部電極２３０には、振動に伴う信号を取り出す配線が設けられているが、説明と各図においてその図示とを省略している。また、下地膜と絶縁膜との図示を省略している。
【００７１】
ここで振動子２００の上部電極２２０（振動部）と下部電極２３０との配置について詳細に説明する。
本実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス２は、第１実施形態で説明したＭＥＭＳ振動デバイス１と同様に、上部電極２２０と下部電極２３０とは、間隙２３５を介して重なる様に設けられている。上部電極２２０と下部電極２３０との重なる電極間対向面積Ｓ２と、間隙２３５の電極間距離ｄ２と、によってＭＥＭＳ振動デバイス２の振動のしやすさ（いわゆる発振余裕度）を示す系全体の抵抗Ｒが変化する特性を備える。この様なＭＥＭＳ振動デバイス２において系全体の抵抗Ｒが小さいほど振動損失を低減することができる。
以下に、系全体の抵抗Ｒと、上部電極２２０と下部電極２３０との重なる電極間対向面積Ｓ２（以下、単に面積Ｓ２と称する場合がある。）、及び間隙２３５の寸法である電極間距離ｄ２（以下、単に距離ｄ２と称する場合がある。）との関係を説明する。
【００７２】
ＭＥＭＳ振動デバイス２の系全体の抵抗Ｒは、振動子２００の等価直列抵抗Ｒｍと、図示を省略する回路部の負性抵抗Ｒｎと、の和である。
また、ＭＥＭＳ振動デバイス２の系全体の抵抗Ｒ、及び振動子２００の等価直列抵抗Ｒｍと回路部の負性抵抗Ｒｎとは、第１実施形態で説明した数式（１）から数式（５）で求めることができる。
なお、ＭＥＭＳ振動デバイス２の振動子２００の形状は、第１実施形態で説明したＭＥＭＳ振動デバイス１の振動子１００の形状と異なる。よって、振動子２００の有効質量ｍと、有効バネ定数ｋとを求める数式が異なる。振動子２００において有効質量ｍと、有効バネ定数ｋとは、以下の数式（２２１）と数式（２２２）とで求めることができる。
【００７３】
【数８】
2014135665.tif 000010
【００７４】
【数９】
2014135665.tif 000011
【００７５】
ＭＥＭＳ振動デバイス２は、ＭＥＭＳ振動デバイス１と同様に回路部の負性抵抗Ｒｎが振動子２００の等価直列抵抗Ｒｍより小さいと振動子２００の発振が困難となる特性を有する。
また、数式（１）で求められる等価直列抵抗Ｒｍの値と、数式（４）で求められる負性抵抗Ｒｎの値とは、共に上部電極２２０と下部電極２３０との間に生じるギャップ間容量Ｃ０が要因となって変化する。
また、上部電極２２０と下部電極２３０との間に生じるギャップ間容量Ｃ０の値は、その電極が重なる面積Ｓ２と、間隙２３５の距離ｄ２と、が要因となって変化する。
【００７６】
そこで、本実施形態のＭＥＭＳ振動デバイス２における等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎと、上部電極２２０と下部電極２３０とが重なる面積Ｓ２及び間隙２３５の距離ｄ２と、の関係について説明する。
【００７７】
先ず面積Ｓ２と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎと、の関係について説明する。
面積Ｓ２と、上述した数式（１）によって求めることができる等価直列抵抗Ｒｍと、の関係は、図８（ａ）のグラフに示す様に面積Ｓ２が大きくなると等価直列抵抗Ｒｍの値は小さくなる。
また、面積Ｓ２と、上述した数式（４）によって求めることができる回路部３２０の負性抵抗Ｒｎとの関係は、図８（ｂ）のグラフに示す様に面積Ｓ２が大きくなると負性抵抗Ｒｎの値も大きくなる。
また、面積Ｓ２と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎの和である系全体の抵抗値Ｒとの関係は、図８（ｃ）のグラフに示す様に、ある面積Ｓ２の値を中心として面積Ｓ２の値が小さくなると、系全体の抵抗値Ｒの値が大きくなる。もしくは、ある面積Ｓ２の値を中心として面積Ｓ２の値が大きくなると系全体の抵抗値Ｒの値も大きくなる。
【００７８】
次に間隙２３５の距離ｄ２と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎと、の関係について説明する。
距離ｄ２と、上述した数式（１）によって求めることができる等価直列抵抗Ｒｍと、の関係は、図９（ａ）のグラフに示す様に、距離ｄ２が大きくなると等価直列抵抗Ｒｍの値も大きくなる。
また、距離ｄ２と、上述した数式（４）によって求めることができる回路部３２０の負性抵抗Ｒｎと、の関係は、図９（ｂ）のグラフに示す様に距離ｄ２が大きくなると負性抵抗Ｒｎの値は小さくなる。
また、距離ｄ２と、等価直列抵抗Ｒｍ及び負性抵抗Ｒｎの和である系全体の抵抗Ｒと、の関係は、図９（ｃ）のグラフに示す様に、ある距離ｄ２の値を中心として、距離ｄ２の値が小さくなると系全体の抵抗Ｒの値は大きくなる。もしくは、ある距離ｄ２の値を中心として、距離ｄ２の値が大きくなると系全体の抵抗Ｒの値も大きくなる。
【００７９】
このようなＭＥＭＳ振動デバイス２は、その小型化と、安定した振動（発振）動作とのため、ＭＥＭＳ振動デバイス１と同様に、「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たしつつ、上部電極２２０と下部電極２３０との重なる面積Ｓ２と、間隙２３５の距離ｄ２と、を小さく（極小化）することが求められる。
【００８０】
上述した数式（１）から数式（５）を用いて間隙２３５の距離ｄ２と、「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たす上部電極２２０と下部電極２３０との重なる面積Ｓ２と、を求めることができる。
【００８１】
例えば、振動子２００の各定数を次の条件とする。
上部電極２２０の長さｌ（エル）２を３．９２３μｍ、振動子２００の幅Ｗを３０μｍ、振動子２００の厚みＨを０．３μｍとする。また、上部電極２２０と下部電極２３０とが重なっている部分の長さＬ２と幅Ｗ２との積を面積Ｓ２とする。また、上部電極２２０と下部電極２３０との間に印加する電圧Ｖｐを３．０Ｖとする。
【００８２】
また、例えば、回路部の各定数を次の条件とする。
トランジスターのコンダクタンスｇｍを２ｍＳ、ゲート容量Ｃｇを１ＰＦ、ドレイン容量Ｃｄを１ＰＦとする。また、角周波数をωとする。
【００８３】
上述した各定数を用いて数式（１）から数式（５）で求められるＭＥＭＳ振動デバイス２の系全体の抵抗Ｒの面積Ｓ２に対する微分方程式を解いて面積Ｓ２と距離ｄとの極小値を求めると、面積Ｓ２が７３．２μｍ2の時に最も系全体の抵抗Ｒが小さくなる。
同様に、系全体の抵抗Ｒの間隙２３５の距離ｄ２に対する微分方程式を解いて極小値を求めると、距離ｄ２が７０．８ｎｍの時に最も系全体の抵抗Ｒが小さくなる。
よって、ＭＥＭＳ振動デバイス２は、系全体の抵抗Ｒの値が極小となる上部電極２２０と下部電極２３０とが重なる面積Ｓ２となる様に、例えば、上部電極２２０の大きさを調整と、間隙２３５の距離ｄ２とすることで、ＭＥＭＳ振動デバイス２の安定した振動動作と、小型化とをなし得る。
【００８４】
なお、上述した面積Ｓ２及び距離ｄ２に限定されることなく、面積Ｓ２は、「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たす範囲で適宜変更しても良い。
例えば、上述した条件において、面積Ｓ２は、１４μｍ2から１２０μｍ2の範囲とすることができる。また、距離ｄ２は、上部電極２２０のスティッキングを考慮し、２０ｎｍから「負性抵抗Ｒｎ＞等価直列抵抗Ｒｍ」の条件を満たすことのできる１７０ｎｍの範囲とすることができる。
【００８５】
これにより、ＭＥＭＳ振動デバイス２は、その小型化と、安定した振動（発振）動作とを両立することができる。また、ＭＥＭＳ振動デバイス２は、上述した数式（１）から数式（５）によって系全体の抵抗Ｒを求め、その値を極小にすることができる上部電極２２０と下部電極２３０との大きさを以て、ＭＥＭＳ振動デバイス２を製造することができる。
その他の点は、第１実施形態で説明したＭＥＭＳ振動デバイス１と同様のため説明を省略する。
【００８６】
上述した第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様なＭＥＭＳ振動デバイス２によれば、系全体の抵抗Ｒの値を上述した数式（１）から数式（５）によって求めることができる。このことから、数式（１）から数式（５）で求められる系全体の抵抗Ｒの値と、振動損失の最も小さくなる上部電極２２０と下部電極２３０とが重なる電極間対向面積Ｓ２、及び電極間距離ｄ２と、を求めることができる。
従って、系全体の抵抗Ｒの値を小さくし、かつ、電極間対向面積Ｓ２と電極間距離ｄ２とを小さくすることで、振動損失の抑制と、小型化と、を成し得たＭＥＭＳ振動デバイス２を得ることができる。
【００８７】
なお、上述した数式（１）から数式（５）を用いて振動デバイスの系全体の抵抗値Ｒを求めることは、両端自由梁型のＭＥＭＳ振動デバイス１（振動子１００）、片持ち梁型のＭＥＭＳ振動デバイス２（振動子２００）に限定されることなく、上部電極と下部電極とを備え、当該電極間の静電吸引などによって振動（可動）する振動デバイスに適用することができる。上部電極及び下部電極の構造に応じて、有効質量ｍと、有効バネ定数ｋとを求めることで適用することができる。
【００８８】
［電子機器］
次いで、本発明の実施形態に係る電子部品としての上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２を適用した電子機器について、図１０から図１３を用いて説明する。
【００８９】
図１０は、本発明の一実施形態に係るＭＥＭＳ振動デバイス１，２を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。この様なパーソナルコンピューター１１００には、加速度センサー、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としての上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２が内蔵されている。
【００９０】
図１１は、本発明の一実施形態に係る上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、加速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としての上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２が内蔵されている。
【００９１】
図１２は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動デバイス１，２を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶モニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶モニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。この様なデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、加速度センサー等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動デバイス１，２が内蔵されている。
【００９２】
上述したように、電子機器は本発明の実施形態に係る上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２が適用されることにより、より高性能で動作が安定した電子機器を提供することができる。
【００９３】
なお、本発明の実施形態に係る電子部品としての上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２は、図１０に示すパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１１に示す携帯電話機、図１２に示すデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００９４】
［移動体］
次いで、本発明の実施形態に係る電子部品としての上記ＭＥＭＳ振動デバイス１、又は２を適用した移動体について、図１３を用いて説明する。
図１３は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００には本発明に係るＭＥＭＳ振動デバイス１，２を備える。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知するセンサーとして上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。また、上記ＭＥＭＳ振動デバイス１，２は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）、に広く適用できる。
【００９５】
上述したように、移動体は、本発明の実施形態に係るＭＥＭＳ振動デバイス１，２が適用されることにより、より高性能で安定した走行を実現できる移動体を提供することができる。
【符号の説明】
【００９６】
１，２…ＭＥＭＳ振動デバイス、１０，２１０…基板、１１…絶縁膜、１２…下地膜、１３…犠牲層、２０，２２０…上部電極、３０，２３０…下部電極、３１…振動の節、３５，２３５…間隙、４０，２４０…支持部、５０，２５０…固定部、５１…導電膜、１００…振動子、１２０，３２０…回路部、１１００…パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
2014135665.tif 000022
【図２】
2014135665.tif 000023
【図３】
2014135665.tif 000024
【図４】
2014135665.tif 000025
【図５】
2014135665.tif 000026
【図６】
2014135665.tif 000027
【図７】
2014135665.tif 000028
【図８】
2014135665.tif 000029
【図９】
2014135665.tif 000030
【図１０】
2014135665.tif 000031
【図１１】
2014135665.tif 000032
【図１２】
2014135665.tif 000033
【図１３】
2014135665.tif 000034