(57)【要約】【課題】他の態様の伝送線路から導波管に給電する際での、導波管内の伝搬方向を選択可能にする。【解決手段】高周波伝送線路１０は、導波管２０、９０°ハイブリッド線路３０、第１、第２給電プローブ４１，４２、スイッチ回路５０を備える。導波管２０は矩形導波管であり、一方端が第１ポートＰｏｒｔ２１であり、他方端が第２ポートＰｏｒｔ２２である。９０°ハイブリッド線路３０の第１端子Ｐｈ３１は第１給電プローブ４１に接続し、第２端子Ｐｈ３２は第２給電プローブ４２に接続している。第１、第２給電プローブ４１，４２は、導波管２０内に波長λｇ／４の間隔で配置されている。９０°ハイブリッド線路３０の第３、第４端子Ｐｈ３３，Ｐｈ３４は、スイッチ回路５０を介して、第３ポートＰｏｒｔ１０に選択的に接続される。【選択図】  図１
2014131115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポートと第２のポートを備え、これらのポート間で高周波信号を伝搬可能な導波管と、
第１端子、第２端子、第３端子、第４端子を備え、前記第３端子または前記第４端子から入力された高周波信号が前記第１端子および前記第２端子に分配されて９０°位相差で出力され、前記第３端子から高周波信号が入力された場合と前記第４端子から高周波信号が入力された場合で出力される高周波信号の位相関係が逆になる９０°ハイブリッド線路と、
一方端が前記第１端子に接続し他方端が前記導波管内に挿入された第１給電プローブ、および一方端が前記第２端子に接続し他方端が前記導波管内に挿入され前記第１給電プローブから前記高周波信号の管内波長の１／４の奇数倍分離間して配置された第２給電プローブと、
前記第３端子と前記第４端子を、第３のポートに選択的に接続するスイッチ回路と、
を備えた、高周波伝送線路。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波伝送線路であって、
前記９０°ハイブリッド線路は、第１端子、第２端子、第３端子、第４端子が、それぞれ前記高周波信号の波長に対して１／４の奇数倍からなる電気長の線路で接続された構造からなる、高周波伝送線路。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の高周波伝送線路であって、
前記スイッチ回路によって前記第３のポートと離間している端子をグランドに接続する終端抵抗を備える、高周波伝送線路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の高周波伝送線路であって、
前記スイッチ回路は、電子式スイッチからなる、高周波伝送線路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の高周波伝送線路であって、
前記９０°ハイブリッド線路は、マイクロストリップラインによって形成されている、高周波伝送線路。
【請求項６】
請求項５に記載の高周波伝送線路であって、
前記スイッチ回路は、前記マイクロストリップラインを備える基板に形成されている、高周波伝送線路。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の高周波伝送線路であって、
前記第３のポートを高周波信号入力端子とし、前記第１端子および前記第２端子を高周波信号出力端子とする、高周波伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波管を備えた高周波伝送線路、特に、導波管の途中に高周波信号を給電し所定の方向へ伝搬する高周波伝送線路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、導波管を用いて高周波信号を伝搬する高周波伝送線路が各種考案されている。このような導波管を用いた高周波線路において、高周波信号の伝搬方向を切り替える場合、一般的に導波管スイッチが用いられる。導波管スイッチは、直方体形状の筐体の四側面に高周波信号を入出力する開口と、筐体内に９０°に湾曲する二つの導波管を備える。導波管スイッチは、二つの導波管の回転させることで、導通する二つの開口の組合せを切り替える。これにより、高周波信号の伝搬方向が切り替えられる。
【０００３】
また、導波管と他の態様の伝送線路（例えば、マイクロストリップ線路等）との間でモード変換を行う場合、導波管の途中に給電プローブを挿入し、当該給電プローブに他の態様の伝送線路を接続する。
【０００４】
例えば、特許文献１は、マイクロストリップラインと導波管とのモード変換を利用した方向性結合器であり、マイクロストリップラインと導波管は、一端がマイクロストリップラインに接続し他端が導波管に挿入された給電プローブ（探針）により結合している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１３２７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、導波管内での高周波信号の伝搬方向の切り替えと、導波管と他の伝送線路とのモード変換を必要な場合、上述の導波管スイッチと変換部とを個別に設けなければならない。したがって、高周波伝送線路を小型化することが容易ではない。
【０００７】
本発明の目的は、導波管内での伝搬方向の切り替えおよび導波管と他の伝送線路との間でのモード変換を行う高周波伝送線路を、小型に形成することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の高周波伝送線路は、次の構成を特徴とする。高周波伝送線路は、第１、第２、第３のポートを備え、導波管、９０°ハイブリッド線路、第１、第２給電プローブ、スイッチ回路を備える。導波管は、第１のポートと第２のポートを備え、これらのポート間で高周波信号を伝搬可能な形状からなる。９０°ハイブリッド線路は、第１端子、第２端子、第３端子、第４端子を備え。９０°ハイブリッド線路では、第３端子または第４端子から入力された高周波信号は第１端子および第２端子に分配されて９０°位相差で出力される。９０°ハイブリッド線路では、第３端子から高周波信号が入力された場合と第４端子から高周波信号が入力された場合で出力される高周波信号の位相関係が逆になる。第１給電プローブは、一方端が第１端子に接続し他方端が導波管内に挿入されている。第２給電プローブは、一方端が第２端子に接続し他方端が導波管内に挿入されている。第１給電プローブと第２給電プローブは、高周波信号の管内波長の１／４の奇数倍分離間して配置されている。スイッチ回路は、第３端子と第４端子を、第３のポートに選択的に接続する。
【０００９】
この構成では、導波管に配置された第１給電プローブと第２給電プローブの間隔と、９０°ハイブリッド線路の構造により、スイッチ回路が第３のポートを第３端子に接続した場合と第４端子に接続した場合で、高周波信号の位相合成の態様を異ならせる。そして、この位相合成の態様を異ならせることで、導波管の第１のポートから高周波信号を出力させるか、第２のポートから高周波信号を出力させるかを選択できる。また、導波管と他の伝送線路とのモード変換が、第１給電プローブと第２給電プローブによって行われるので、切り替えを行う部分とは別にモード変換を行う部分を設けなくてもよい。
【００１０】
また、この発明の高周波伝送線路では、９０°ハイブリッド線路は、第１端子、第２端子、第３端子、第４端子が、それぞれ高周波信号の波長に対する１／４の奇数倍からなる電気長の線路で接続された構造からなる。
【００１１】
この構成では、９０°ハイブリッド線路の具体的な構造例を示している。
【００１２】
また、この発明の高周波伝送線路では、スイッチ回路によって第３のポートと離間している端子をグランドに接続する終端抵抗を備える。
【００１３】
この構成では、スイッチ切り替え前後での負荷変動が無くなり、スイッチ切り替え時の過渡応答を改善することができる。これにより、スイッチ回路によって選択されていない側の端子による高周波信号の伝搬ロスの影響を抑圧できる。
【００１４】
また、この発明の高周波伝送線路では、スイッチ回路は電子式スイッチからなる。
【００１５】
この構成では、導波管における高周波信号の伝搬方向（出力方向）を、高速に切り替えることができる。
【００１６】
また、この発明の高周波伝送線路では、９０°ハイブリッド線路は、マイクロストリップラインによって形成されている。
【００１７】
この構成では、９０°ハイブリッド線路を誘電体基板上に形成でき、９０°ハイブリッド線路を薄型に形成できる。したがって、高周波伝送線路を小型に形成できる。
【００１８】
また、この発明の高周波伝送線路では、スイッチ回路は、マイクロストリップラインを備える基板に形成されている。
【００１９】
この構成では、スイッチ回路もマイクロストリップラインが形成された誘電体基板上に形成されるので、高周波伝送線路をより小型に形成することができる。
【００２０】
また、この発明の高周波伝送線路では、第３のポートを高周波信号入力端子とし、第１端子および第２端子を高周波信号出力端子とする。
【００２１】
この構成では、具体的な高周波伝送線路における高周波信号の入力端と出力端とを規定している。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、導波管内での伝搬方向の切り替え、および、導波管と他の伝送線路との間でのモード変換を行う高周波伝送線路を、小型に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の回路ブロック図である。
【図２】本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の第１動作態様を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の第２動作態様を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明の実施形態に係る高周波伝送線路について、図を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の回路ブロック図である。
【００２５】
高周波伝送線路１０は、導波管２０、９０°ハイブリッド線路３０、第１給電プローブ４１、第２給電プローブ４２、スイッチ回路５０を備える。
【００２６】
導波管２０は矩形導波管であり、高周波信号の伝搬方向の一方端が第１のポートＰｏｒｔ２１であり、高周波信号の伝搬方向の他方端が第２のポートＰｏｒｔ２２である。導波管２０の開口断面の幅および高さは、導波管２０を伝搬する高周波信号の周波数（波長λｇ）に基づいて決定されている。
【００２７】
９０°ハイブリッド線路３０は、第１端子Ｐｈ３１、第２端子Ｐｈ３２、第３端子Ｐｈ３３、第４端子Ｐｈ３４を備え、これらの端子が方形の角部となる形状で形成されている。第１端子Ｐｈ３１と第２端子Ｐｈ３２は、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬する高周波信号の波長λｈ（形成される線路における波長）の略１／４の電気長で接続されている。第２端子Ｐｈ３２と第３端子Ｐｈ３３は、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬する高周波信号の波長λｈ（形成される線路における波長）の略１／４の電気長で接続されている。第３端子Ｐｈ３３と第４端子Ｐｈ３４は、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬する高周波信号の波長λｈ（形成される線路における波長）の略１／４の電気長で接続されている。第４端子Ｐｈ３４と第１端子Ｐｈ３１は、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬する高周波信号の波長λｈ（形成される線路における波長）の略１／４の電気長で接続されている。なお、ここで言う、波長λｈの略１／４の電気長とは、高周波信号の波長λｈの１／４の位相と実使用上で同等と見なせる位相になり得る範囲の電気長を意味する。
【００２８】
第１給電プローブ４１の一方端は、９０°ハイブリッド線路３０の第１端子Ｐｈ３１に接続されており、第１給電プローブ４１の他方端は、導波管２０の管内に挿入されている。
【００２９】
第２給電プローブ４２の一方端は、９０°ハイブリッド線路３０の第２端子Ｐｈ３２に接続されており、第２給電プローブ４２の他方端は、導波管２０の管内に挿入されている。
【００３０】
第１給電プローブ４１と第２給電プローブ４２は、導波管２０内において、導波管２０の伸長する方向（導波管２０の長さ方向及び幅方向に直交する方向であり高周波信号の伝搬方向）に沿って導波管２０を伝搬する高周波信号の波長λｇの略１／４の電気長の間隔で配置されている。なお、ここで言う、波長λｇの略１／４の電気長とは、高周波信号の波長λｇの１／４の位相と実使用上で同等と見なせる位相になり得る範囲の電気長を意味する。
【００３１】
スイッチ回路５０は、第１共通端子５１１、第２共通端子５２１、第１選択端子５１２、第２選択端子５１３、第３選択端子５２２、第４選択端子５２３を備える。スイッチ回路５０は、ＦＥＴやダイオードを利用した電子式スイッチである。スイッチ回路５０を電子式スイッチにすることで、高速なスイッチングを実現できる。例えば、上述の従来技術の導波管スイッチに示すような、導波管を機械的に回転させるような構造よりも、高速なスイッチングが可能となる。
【００３２】
スイッチ回路５０は、外部からの制御信号により、第１共通端子５１１を第１選択端子５１２もしくは第２選択端子５１３のいずれかに選択的に接続する。スイッチ回路５０は、外部からの制御信号により、第２共通端子５２１を第３選択端子５２２もしくは第４選択端子５２３のいずれかに選択的に接続する。
【００３３】
スイッチ回路５０は、第１動作態様の場合、第１共通端子５１１を第１選択端子５１２に接続し、第２共通端子５２１を第４選択端子５２３に接続する。スイッチ回路５０は、第２動作態様の場合、第１共通端子５１１を第２選択端子５１３に接続し、第２共通端子５２１を第３選択端子５２２に接続する。
【００３４】
スイッチ回路５０の第１選択端子５１２および第３選択端子５２２は、第３のポートＰｏｒｔ１０に接続されている。スイッチ回路５０の第２選択端子５１３は、終端抵抗Ｒａを介してグランドに接続されている。スイッチ回路５０の第４選択端子５２３は、終端抵抗Ｒｂを介してグランドに接続されている。
【００３５】
次に、本実施形態に係る高周波伝送線路１０の動作原理を説明する。図２は本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の第１動作態様を説明するための図である。図３は本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の第２動作態様を説明するための図である。
【００３６】
（第１動作態様）
第１動作態様では、スイッチ回路５０は、第１共通端子５１１と第１選択端子５１２とを接続し、第２共通端子５２１と第４選択端子５２３とを接続する。この場合、第３のポートＰｏｒｔ１０から入力された高周波信号は、スイッチ回路５０の第１選択端子５１２、第１共通端子５１１を介して、９０°ハイブリッド線路３０の第４端子Ｐｈ３４に伝搬される。
【００３７】
高周波信号は、第４端子Ｐｈ３４で分配されて、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬して、第１給電プローブ４１と第２給電プローブ４２に出力される。
【００３８】
第１給電プローブ４１から導波管２０に給電される高周波信号（第１部分高周波信号）は、第４端子Ｐｈ３４から位相が９０°変化している。
【００３９】
第２給電プローブ４２から導波管２０に給電される高周波信号（第２部分高周波信号）は、第４端子Ｐｈ３４から位相が１８０°変化している。
【００４０】
第２ポートＰｏｒｔ２２方向へ進行する高周波信号を考慮した場合、導波管２０内では、第１給電プローブ４１で給電された第１部分高周波信号は、第２給電プローブ４２に達する時点で位相が９０°変化する。したがって、第１部分高周波信号は、第４端子Ｐｈ３４から第２給電プローブ４２に達するまでに、位相が１８０°変化する。これにより、第２給電プローブ４２の位置では、第１部分高周波信号と第２部分高周波信号とが同位相となり、合成される。
【００４１】
一方、第１ポートＰｏｒｔ２１方向へ進行する高周波信号を考慮した場合、導波管２０内では、第２給電プローブ４２で給電された第２部分高周波信号は、第１給電プローブ４１に達する時点で位相が９０°変化する。したがって、第２部分高周波信号は、第４端子Ｐｈ３４から第１給電プローブ４１に達するまでに、位相が２７０°変化する。これにより、第１給電プローブ４１の位置では、第１部分高周波信号と第２部分高周波信号とが逆位相となり、相殺される。
【００４２】
したがって、第１動作態様では、第３ポートＰｏｒｔ１０から入力された高周波信号は、第１ポートＰｏｒｔ２１に出力されず、殆ど損失することなく（低損失で）第２ポートＰｏｒｔ２２へ出力される。
【００４３】
なお、この際、スイッチ回路５０の第２共通端子５２１が第４選択端子５１４に接続することで、９０°ハイブリッド線路３０の第３端子Ｐｈ３３は、終端抵抗Ｒｂを介して接地される。これにより、第３端子Ｐｈ３３は無終端開放状態ではなくなり、スイッチ切り替え前後での負荷変動を無くすことができる。これにより、スイッチ切り替え時の過渡応答を改善することができる。
【００４４】
（第２動作態様）
第２動作態様では、スイッチ回路５０は、第１共通端子５１１と第２選択端子５１３とを接続し、第２共通端子５２１と第３選択端子５２２とを接続する。この場合、第３のポートＰｏｒｔ１０から入力された高周波信号は、スイッチ回路５０の第３選択端子５２２、第２共通端子５２１を介して、９０°ハイブリッド線路３０の第３端子Ｐｈ３３に伝搬される。
【００４５】
高周波信号は、第３端子Ｐｈ３３で分配されて、９０°ハイブリッド線路３０を伝搬して、第２給電プローブ４２と第１給電プローブ４１に出力される。
【００４６】
第２給電プローブ４２から導波管２０に給電される高周波信号（第３部分高周波信号）は、第３端子Ｐｈ３３から位相が９０°変化している。
【００４７】
第１給電プローブ４１から導波管２０に給電される高周波信号（第４部分高周波信号）は、第３端子Ｐｈ３３から位相が１８０°変化している。
【００４８】
第１ポートＰｏｒｔ２１方向へ進行する高周波信号を考慮した場合、導波管２０内では、第２給電プローブ４２で給電された第３部分高周波信号は、第１給電プローブ４１に達する時点で位相が９０°変化する。したがって、第３部分高周波信号は、第３端子Ｐｈ３３から第１給電プローブ４１に達するまでに、位相が１８０°変化する。これにより、第１給電プローブ４１の位置では、第３部分高周波信号と第４部分高周波信号とが同位相となり、合成される。
【００４９】
一方、第２ポートＰｏｒｔ２２方向へ進行する高周波信号を考慮した場合、導波管２０内では、第１給電プローブ４１で給電された第４部分高周波信号は、第２給電プローブ４２に達する時点で位相が９０°変化する。したがって、第４部分高周波信号は、第３端子Ｐｈ３３から第２給電プローブ４２に達するまでに、位相が２７０°変化する。これにより、第２給電プローブ４２の位置では、第３部分高周波信号と第４部分高周波信号とが逆位相となり、相殺される。
【００５０】
したがって、第２動作態様では、第３ポートＰｏｒｔ１０から入力された高周波信号は、第２ポートＰｏｒｔ２２に出力されず、殆ど損失することなく（低損失で）第１ポートＰｏｒｔ２１へ出力される。
【００５１】
なお、この際、スイッチ回路５０の第１共通端子５１１が第２選択端子５１３に接続することで、９０°ハイブリッド線路３０の第４端子Ｐｈ３４は、終端抵抗Ｒａを介して接地される。これにより、第４端子Ｐｈ３４は無終端開放状態ではなくなり、高周波信号の伝搬ロスを、さらに抑圧することができる。
【００５２】
以上のように、本実施形態の構成を用いることで、スイッチ回路５０のスイッチ制御により、第３ポートＰｏｒｔ１０から入力された高周波信号を、導波管２０の第１ポートＰｏｒｔ２１もしくは第２ポートＰｏｒｔ２２のいずれかに選択して出力することができる。
【００５３】
このような高周波伝送線路１０は、図４に示すような構造で実現される。図４は本発明の実施形態に係る高周波伝送線路の外観斜視図である。なお、図４では、導波管２０の一部、９０°ハイブリッド線路３０、第１給電プローブ４１、および第２給電プローブ４２のみを記載している。
【００５４】
導波管２０は、断面が矩形の管状導体２００からなる。管状導体２００の一方のＨ面には、２つの貫通穴（図示せず）が形成されている。２つの貫通穴は、管状導体２００の伸長する方向に沿って、波長λｇの略１／４の間隔で形成されている。
【００５５】
第１給電プローブ４１および第２給電プローブ４２は、棒状導体であり、それぞれが上述の貫通穴を挿通するように、配置されている。
【００５６】
９０°ハイブリッド線路３０は、マイクロストリップ線路の態様からなり、誘電体基板３００を備える。誘電体基板３００は、管状導体２００の貫通穴が形成される面に配置されている。この際、誘電体基板３００は、平板面が管状導体２００の外面に当接するように配置される。誘電体基板３００の管状導体２００に当接する側の面には、グランド導体３４０が略全面に形成されている。
【００５７】
誘電体基板３００のグランド導体３４０と反対側の面には、マイクロストリップライン３１１，３１２，３１３，３１４が形成されている。マイクロストリップライン３１１，３１３は、管状導体２００の伸長する方向に長い形状である。マイクロストリップライン３１２，３１４は、マイクロストリップライン３１１，３１３の伸長する方向に直交する方向に長い形状である。マイクロストリップライン３１１の長さ方向の一方端は、マイクロストリップライン３１４の長さ方向の他方端に接続し、マイクロストリップライン３１１の長さ方向の他方端は、マイクロストリップライン３１２の長さ方向の一方端に接続する。マイクロストリップライン３１２の長さ方向の他方端はマイクロストリップライン３１３の長さ方向の一方端に接続する。マイクロストリップライン３１３の長さ方向の他方端はマイクロストリップライン３１４の長さ方向の一方端に接続する。
【００５８】
マイクロストリップライン３１１，３１２，３１３，３１４の幅は、誘電体基板３００の誘電率および厚みを加味した上で、伝搬する高周波信号の特性インピーダンスに基づいて決定されている。さらに、マイクロストリップライン３１１，３１２，３１３，３１４の長さは、誘電体基板３００の誘電率および厚みを加味した上で、伝搬する高周波信号の波長λｈの略１／４に設定されている。
【００５９】
マイクロストリップライン３１１，３１４の接続点は、第１端子Ｐｈ３１に相当し、マイクロストリップライン３２１を介して第１給電プローブ４１に接続されている。マイクロストリップライン３１１，３１２の接続点は、第２端子Ｐｈ３２に相当し、マイクロストリップライン３２２を介して第２給電プローブ４２に接続されている。マイクロストリップライン３２１，３２２の長さは同じであることが好ましく、第１給電プローブ４１と第２給電プローブ４２に供給される高周波信号の位相が９０°位相差となるようにすることが好ましい。マイクロストリップライン３２１，３２２の長さは、マイクロストリップライン３１１，３１２，３１３，３１４と比較して極短い。
【００６０】
マイクロストリップライン３１２，３１３の接続点は、第３端子Ｐｈ３３に相当し、マイクロストリップライン３３２を介して、スイッチ回路５０の第２共通端子５２１（図示せず）に接続されている。マイクロストリップライン３１３，３１４の接続点は、第４端子Ｐｈ３４に相当し、マイクロストリップライン３３１を介して、スイッチ回路５０の第１共通端子５１１（図示せず）に接続されている。マイクロストリップライン３３１，３３２の長さは、同じであることが好ましい。さらには、マイクロストリップライン３３１，３３２の長さは、マイクロストリップライン３１１，３１２，３１３，３１４と比較して極短い方がよく、これにより、高周波伝送線路をより一層小型化することができる。
【００６１】
このような構成とすることで、薄型の９０°ハイブリッド線路３０を実現することができる。そして、この薄型の９０°ハイブリッド線路３０を、導波管２０に装着することで、高周波伝送線路１０を小型に形成することができる。
【００６２】
なお、スイッチ回路５０および終端抵抗Ｒａ，Ｒｂは、図示していないが、誘電体基板３００上に実装するとよい。これにより、さらに高周波伝送線路１０を小型化することができる。
【００６３】
なお、上述の実施形態では、マイクロストリップ線路と導波管とのモード変換器を兼用した高周波伝送線路を例に説明したが、マイクロストリップ線路以外で導波管と異なる高周波伝送線路に関しても、上述の構成を適用することができる。ただし、誘電率の比較的高い基板を用いたマイクロストリップ線路を適用することで、より小型化・薄型化を実現できる。
【００６４】
また、上述の実施形態における、第１給電プローブ４１と第２給電プローブ４２との間隔はλｇ／４の奇数倍であればよく、第１、第２、第３、第４端子Ｐｈ３１−Ｐｈ３４間の間隔はλｈ／４の奇数倍であればよい。
【００６５】
また、上述の実施形態では、マイクロストリップ線路による９０°ハイブリッド線路を用いる例を示したが、次の条件を満たす回路であってもよい。第１、第２、第３、第４端子Ｐｈ３１−Ｐｈ３４を備える。第３端子Ｐｈ３３から入力された高周波信号は、第１、第２端子Ｐｈ３１，Ｐｈ３２に出力され、これらの出力信号の位相差は９０°である。第４端子Ｐｈ３４から入力された高周波信号は、第１、第２端子Ｐｈ３１，Ｐｈ３２に出力され、これらの出力信号の位相差は９０°である。第３端子Ｐｈ３３から入力され第１、第２端子Ｐｈ３１，Ｐｈ３２に出力される高周波信号の位相関係と、第４端子Ｐｈ３４から入力され第１、第２端子Ｐｈ３１，Ｐｈ３２に出力される高周波信号の位相関係は逆である。
【００６６】
また、上述の説明では、第１給電プローブ４１と第２給電プローブ４２との間隔を、略λｇ／４に限定する場合を示した。しかしながら、第１、第２給電プローブ４１，４２間の間隔を略λｇ／４から異ならせても、第１、第２、第３、第４端子Ｐｈ３１−Ｐｈ３４間の間隔を調整することで、同様の作用効果を得ることは可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１０：高周波伝送線路、
２０：導波管、
３０：９０°ハイブリッド線路、
４１：第１給電プローブ、
４２：第２給電プローブ、
５０：スイッチ回路、
２００：管状導体、
３００：誘電体基板、
３１１，３１２，３１３，３１４，３２１，３２２，３３１，３３２：マイクロストリップライン、
３４０：グランド導体、
Ｐｏｒｔ２１：第１のポート、
Ｐｏｒｔ２２：第２のポート、
Ｐｏｒｔ１０：第３のポート、
Ｒａ，Ｒｂ：終端抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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