(57)【要約】      （修正有）【課題】被吸着体の離脱を容易に行うことができる搬送用部材及びその搬送用部材を用いた搬送装置を提供すること。【解決手段】電気絶縁性を有するセラミック基板１５と、静電力によって半導体ウェハ３を吸着する吸着電極Ｋ１、Ｋ２を有する吸着電極部１７、１９、２１、２３とを備えた搬送用部材７に関するものである。この搬送用部材７は、セラミック基板１５の表面に、突出するようにスペーサ２５、２７、２９を備えるとともに、スペーサの高さは吸着電極部の高さより高く設定されている。更に、吸着電極部は、半導体ウェハ３がスペーサによって支持される少なくとも２箇所の支持位置の間に配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性を有する基材と、
該基材に配置され、静電力によって被吸着体を吸着する吸着電極を有するとともに、前記被吸着体に対向する吸着電極部と、
を備え、前記被吸着体を載置し吸着して搬送する搬送用部材において、
前記基材の表面に、前記被吸着体を支持するスペーサを備えるとともに、該スペーサの高さは前記吸着電極部の高さより高く設定されており、
且つ、前記基材をその表面と平行な方向で見た場合に、前記吸着電極部は、前記被吸着体が前記スペーサによって支持される少なくとも２箇所の支持位置の間に配置されていることを特徴とする搬送用部材。
【請求項２】
前記吸着電極部を、前記基材の表面より突出させて設けたことを特徴とする請求項１に記載の搬送用部材。
【請求項３】
前記吸着電極部を、前記基材の表面より部分的に島状に突出させて、１又は複数個設けたことを特徴とする請求項２に記載の搬送用部材。
【請求項４】
前記吸着電極部を、前記基材の表面以下に設けたことを特徴とする請求項１に記載の搬送用部材。
【請求項５】
前記吸着電極部を、前記スペーサの支持位置の間の全面にわたって設けたことを特徴とする請求項４に記載の搬送用部材。
【請求項６】
前記スペーサに、前記吸着電極を備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の搬送用部材。
【請求項７】
前記請求項１〜６のいずれか１項に記載の搬送用部材を備え、該搬送用部材上に前記被吸着体を載置して搬送することを特徴とする搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搬送装置及び搬送用部材に関し、特に搬送装置において、例えば半導体ウェハ等の被搬送体（被吸着体）を載置し吸着して搬送する搬送用部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、搬送装置において被搬送体を保持する搬送用部材（例えばセラミック部材）は、ピックとも呼ばれ、複数のセラミック層を一体焼成してなるものや（例えば特許文献１、２参照）、誘電体である被搬送体（例えば半導体ウェハ）を静電力によって吸着可能にされたものが知られている（例えば特許文献３参照）。
【０００３】
この静電力によって被搬送体を吸着して搬送する搬送用部材の内部には、静電力を発生させるための電極である吸着電極が設けられている。この技術では、静電力によって被搬送体を吸着して確実に保持することができるので、被搬送体を速やかに搬送することが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平４−３７０４７号公報
【特許文献２】特開２００９−２０２２４０号公報
【特許文献３】特開２０１１−７７２８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上述した従来技術では、被搬送体を保持するための提案はなされているものの、被搬送体を搬送用部材から離脱させる対策が十分ではなかった。
例えば半導体ウェハを静電力を用いて吸着して保持する場合には、保持した後に吸着電極への通電をオフしたときでも、残留電荷やリンキング（大気圧による密着）によって、半導体ウェハが搬送用部材から離脱しないことがあった。
【０００６】
そのため、次の作業に移るタイミングが遅くなり、作業時間が長くなるという問題があった。
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、被吸着体の離脱を容易に行うことができる搬送用部材及びその搬送用部材を用いた搬送装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本発明（搬送用部材）は、第１態様として、電気絶縁性を有する基材と、該基材に配置され、静電力によって被吸着体を吸着する吸着電極を有するとともに、前記被吸着体に対向する吸着電極部と、を備え、前記被吸着体を載置し吸着して搬送する搬送用部材において、前記基材の表面に、前記被吸着体を支持するスペーサを備えるとともに、該スペーサの高さは前記吸着電極部の高さより高く設定されており、且つ、前記基材をその表面と平行な方向で見た場合に、前記吸着電極部は、前記被吸着体が前記スペーサによって支持される少なくとも２箇所の支持位置の間に配置されていることを特徴とする。
【０００８】
本第１態様では、基材には、スペーサと吸着電極部とが設けられており、スペーサの高さは吸着電極部の高さより高く設定され、しかも、基材の表面と平行な方向で（即ち表面に正対する方向に対して垂直の方向にて）見た場合、吸着電極部は、スペーサの少なくとも２箇所の支持位置の間に配置されている。
【０００９】
従って、搬送用部材の上に例えば半導体ウェハのような誘電体である被吸着体を載置した場合、即ち、スペーサ上に被吸着体を載置した場合には、被吸着体は、スペーサによって基材表面より離隔された箇所を有する。つまり、被吸着体は、スペーサの少なくとも２箇所の支持位置にて支持されて基材表面より離れた状態で保持される。
【００１０】
この状態で、吸着電極に電力（電圧）が印加されると、吸着電極によって発生した静電力によって、被吸着体が吸引されるので、被吸着体が湾曲する。すなわち、被吸着体の支持位置側（両側）が支持された状態で、その間の部分が吸着電極によって引き寄せられるので、被吸着体の中央部分が湾曲して吸着電極部に接触する。
【００１１】
よって、この状態では、被吸着体が確実に吸着されているので、被吸着体を搬送用部材に載置した状態で、例えば搬送装置によって、速やかに移動させることができる。
そして、吸着電極への電力の印加を停止した場合には、被吸着体は自身の弾性力（復元力）によって、速やかに吸着電極部から離脱するので、搬送用部材から被吸着体を容易に且つ速やかに分離（デチャック）することができる。
【００１２】
ここで、搬送用部材において、「少なくとも２箇所の支持位置の間に吸着電極部が配置されている」という構成が、１箇所でもあれば、本発明の範囲である。
なお、前記吸着電極部とは、吸着電極が設けられて、実際に被吸着体が吸着される箇所であり、通常は、吸着電極とその周囲（特に被吸着体が配置される上方）の基材部分（例えばセラミック部分）から構成されている。
【００１３】
（２）本発明は、第２態様として、前記吸着電極部を、前記基材の表面より突出させて設けたことを特徴とする。
本第２態様では、吸着電極部は、基材表面より突出している。よって、（全面で吸着する場合に比べて）リンキングを減らすことができるので、残留吸着力を低減できる。
【００１４】
（３）本発明は、第３態様として、前記吸着電極部を、前記基材の表面より部分的に島状に突出させて、１又は複数個設けたことを特徴とする。
本第３態様では、吸着電極部を、離散的に島状（例えば平面形状で円形）に設けている。よって、一層リンキングを減らすことができるので、残留吸着力を大きく低減できる。
【００１５】
特に、吸着電極部を複数（特に近接して）配置した場合には、異電極間において電荷を打ち消し合い易くなるので、残留電荷を低減する効果もある。
なお、ここで、島状とは、吸着電極部がスペーサより離れて（例えば離散的に）配置されていることを示している。具体的には、１箇所の吸着電極部の大きさ（即ち平面方向の寸法）は、例えば前記２つの支持位置間の距離の１／２未満とすることができ、この場合には、支持位置間に吸着電極部を複数個配置することができる。
【００１６】
（４）本発明は、第４態様として、前記吸着電極部を、前記基材の表面以下に設けたことを特徴とする。
本第４態様では、吸着電極部を基材の表面以下に、例えば吸着電極部の表面（上面）が基材表面と一致する様に設けたので、吸着電極部を基材表面より突出するように加工するよりも、容易に製造することができる。
【００１７】
例えば、基材を製造する際にその内部に吸着電極を設けることにより、基材の製造の際に吸着電極部の形成を同時に行うことができる。
（５）本発明は、第５態様として、前記吸着電極部を、前記スペーサの支持位置の間の全面にわたって設けたことを特徴とする。
【００１８】
本第５態様では、吸着電極部（従って吸着電極）の面積が大きいので、大きな吸着力を得ることが可能である。
（６）本発明は、第６態様として、前記スペーサに、前記吸着電極を備えたことを特徴とする。
【００１９】
本第６態様では、スペーサも吸着電極部として機能するので、吸着力が高いという利点がある。
（７）本発明（搬送装置）は、第７態様として、前記請求項１〜６のいずれか１項に記載の搬送用部材を備え、該搬送用部材上に前記被吸着体を載置して搬送することを特徴とする。
【００２０】
本第６態様では、上述した搬送用部材を用いて、被吸着材を確実に吸着して速やかに搬送することができ、しかも、搬送後等には、被吸着材を速やかに離脱させることができる。よって、作業能率が高いという顕著な効果を奏する。
【００２１】
なお、以下に、本発明の各構成について説明する。
前記吸着電極部やスペーサの個数は、半導体ウェハ等の被吸着材を湾曲させて保持できる限りは、その個数に限定はない。また、吸着電極の構成や形状（平面形状）としては、公知の各種の構成や形状を採用でき、被吸着材を吸着できる限りは、特に限定はない。
【００２２】
前記基材としては、平板状の基板を採用でき、この基材を構成する材料として、電気絶縁性を有するセラミックや樹脂材料等を使用できる。
このセラミックとしては、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、酸化珪素（ＳｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）等のセラミックスを利用できる。また、ガラスセラミック（例えばアルミナとホウケイ酸ガラスとの混合物）等を利用できる。更に、ポリイミド等の有機樹脂等を利用できる。
【００２３】
なお、吸着電極、更には吸着電極に電気的に接続される導体パターンやビアなどの導電性を有する材料としては、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）や、これらの合金、又は、導電性炭化ケイ素（ＳｉＣ）を採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施例１の搬送装置のシステム構成を示す説明図である。
【図２】実施例１の搬送用部材を示す平面図である。
【図３】実施例１の搬送用部材を破断し、島状の吸着電極部を示す斜視図である。
【図４】実施例１の搬送用部材を板厚方向に沿って破断し拡大して、その要部を模式的に示す断面図である。
【図５】（ａ）は実施例１の搬送用部材上に半導体ウェハが載置された状態を示す正面図（セラミック基板の表面と平行な方向で見た状態（図２の左右方向と垂直の矢視Ａ）を示す正面図）、（ｂ）はその搬送用部材に載置された半導体ウェハが吸着されて湾曲した状態を示す正面図である。
【図６】実施例１の搬送用部材の製造手順を示す説明図である。
【図７】実施例２の搬送用部材を板厚方向に沿って破断し拡大して、その要部を模式的に示す断面図である。
【図８】（ａ）は実施例３の搬送用部材を板厚方向に沿って破断して模式的に示す断面図、（ｂ）は実施例４の搬送用部材を板厚方向に沿って破断して模式的に示す断面図、（ｃ）は実施例５の搬送用部材を板厚方向に沿って破断して模式的に示す断面図である。
【図９】（ａ）は実施例６の搬送用部材の平面図、（ｂ）はその搬送用部材を板厚方向に沿って破断して模式的に示す断面図である。
【図１０】実施例７の搬送用部材の平面図である。
【図１１】実施例８の搬送用部材の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明を実施するための形態（実施例）の搬送装置及び搬送用部材について説明する。
【実施例１】
【００２６】
ａ）まず、搬送用部材を使用する搬送装置の全体の構成について説明する。
図１に示す様に、本実施例１では、半導体製造装置の一部を構成する装置として、搬送装置１が用いられており、搬送装置１によって搬送される被搬送体（被吸着体）は、円盤状の誘電体であり、弾性を有するシリコン製のウェハ（半導体ウェハ）３である。
【００２７】
前記搬送装置１は、制御部５と、（セラミック部材からなる静電チャックである）搬送用部材７と、アーム機構９と、移動機構１１と、吸着電極駆動部１３とを備えている。
このうち、制御部５は、アーム機構９、移動機構１１、吸着電極駆動部１３の各部の動作を制御する電子制御装置（例えばマイクロコンピュータ）である。つまり、この制御部５は、コンピュータプログラムに基づいてＣＰＵが動作することによって実現される。
【００２８】
アーム機構９は、搬送用部材７と移動機構１１との間を連結する機構であり、搬送用部材７を移動機構１１に対して相対的に移動させ、搬送装置１の外部に対して半導体ウェハ３の受け渡しを行う。
【００２９】
移動機構１１は、搬送用部材７及びアーム機構９を搭載し、搬送装置１の外部に対して相対的に移動可能に構成された機構であり、搬送用部材７に保持された半導体ウェハ３の移動を行う。
【００３０】
吸着電極駆動部１３は、後述する一対の吸着電極Ｋ１、Ｋ２（図３参照）に対して、半導体ウェハ３を保持する静電力を発生させるための電圧を印加する回路である（即ち、一対の電極が異なる極性の電位となるように電圧を印加する）。
【００３１】
ｂ）次に、本実施例の要部である搬送用部材７について説明する。
図２に示す様に、本実施例の搬送用部材７は、半導体ウェハ３を載置し吸着して搬送するセラミック部材であり、略Ｕ字形状のセラミック基板１５と、該セラミック基板１５上に島状に分散して設けられた円盤形状の４個の吸着電極部１７、１９、２１、２３と、前記セラミック基板１５上に設けられた直方体形状の３個のスペーサ２５、２７、２９と、前記セラミック基板１５の基端側（同図左側）に設けられた一対の給電部３１、３３と、前記セラミック基板１５の（給電部３１、３３より）基端側に設けられた一対の固定穴３５、３７とを備えている。
【００３２】
以下、各構成について説明する。
前記セラミック基板１５は、複数のセラミック層１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ（図４参照）が積層一体化された平板状の基板であり、電気絶縁性を有する例えば酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ2Ｏ3）等のセラミックからなる。
【００３３】
このセラミック基板１５は、略台形の基部４１を有しており、その基部４１から、左右対称（図２では上下方向）に、長方形の第１アーム部４３及び第２アーム部４５が、平行に先端側（同図右側）に向かって突出している。
【００３４】
前記吸着電極部１７、１９は、半導体ウェハ３に対向する様に、第１アーム部４３の表面に、長手方向に沿って、その中央部分に２個配置されており、同様に、吸着電極部２１、２３は、半導体ウェハ３に対向する様に、第２アーム部４５の表面に、長手方向に沿って、その中央部分に２個配置されている。なお、第１アーム部４３と第２アーム部４５とにおける各吸着電極部１７〜２３の配置は、同図の上下方向において同じ位置である。
【００３５】
この吸着電極部１７〜２３は、図３に拡大して示すように、セラミック基板１５の表面から島状に突出するように形成されている。つまり、吸着電極部１７〜２３は、セラミック基板１５の一方の側（表面側：同図上方）から、僅かに（例えば０．５ｍｍ）円盤状（円柱状）に突出したものであり、この（セラミックからなる）突出した部分４９の内部に、表面と平行に上述した（左右対称の形状の）一対の吸着電極Ｋ１、Ｋ２が配置されている。
【００３６】
なお、突出した部分４９のセラミック材料は、セラミック基板１５と同じであり、突出した吸着電極部１７〜２３の厚み方向における吸着電極Ｋ１、Ｋ２の位置は、例えばほぼ中央である。
【００３７】
前記スペーサ２５〜２９は、図２に示す様に、平面形状が長方形である。そのうち、第２スペーサ２７は、第１アーム部４３の先端部分にて、同図の上下方向に伸びるように配置され、同様に、第３スペーサ２９は、第２アーム部４５の先端部分にて、同図の上下方向に伸びるように配置されている。また、第１スペーサ２５は、基部４１の右側部分（即ちＵ字の根元部分）にて、同図の上下方向に伸びるように配置されている。
【００３８】
このスペーサ２５〜２９は、図４に一部を示すように、セラミック基板１５の一方の側（表面１６側：同図上方）において、吸着電極部１７〜２３の高さΔＨ１より僅かに（ΔＨ２：例えば０．５ｍｍ）高くなるように直方体状（四角柱状）に突出したものであり、その材料は、セラミック基板１５と同じである。なお、吸着電極部１７〜２３の高さΔＨ１は、基板の表面１６からの高さである。
【００３９】
ここで、上述した搬送用部材７の外形形状と内部構造との関係について説明する。
図４に示すように、セラミック基板１５の内部には、給電部３１、３３と吸着電極部１７、１９、２１、２３の吸着電極Ｋ１、Ｋ２とを電気的に接続するために、例えばタングステン（Ｗ）を主成分とする導電材材料を用いた導電パターン４７が形成されている。この導電パターン４７は、セラミック基板１５の第３セラミック層１５ｃと第４セラミック層１５ｄとの間に配置されている。
【００４０】
更に、第３セラミック層１５ｃの上には、第１セラミック層１５ａと第２セラミック層１５ｂが積層されているが、この第１セラミック層１５ａと第２セラミック層１５ｂとの一部が（表面側より）削られていることにより、前記スペーサ２５〜２９や吸着電極部１７〜２３が、基板表面１６より上方に突出するように構成されている。
【００４１】
また、吸着電極部１７〜２３のうち、第１セラミック層１５ａと第２セラミック層１５ｂとの間には、吸着電極Ｋ１、Ｋ２が形成されており、吸着電極Ｋ１、Ｋ２は、ビア５１によって、導電パターン４７と接続されている。
【００４２】
この導電パターン４７は、給電口５３に嵌め込まれた金属製（導電性）の給電部材５５に接続されており、この給電口５３及び給電部材５５によって給電部３１、３３が構成されている。
【００４３】
なお、導電パターン４７としては、前記図２に示す様に、吸着電極部１７〜２３における一方の電極である４個の吸着電極Ｋ１と第１給電部３１とを接続する第１導電パターン４７ａと、吸着電極部１７〜２３における他方の電極である４個の吸着電極Ｋ２と第２給電部３３とを接続する第２導電パターン４７ｂとが形成されている。
【００４４】
ｃ）次に、搬送用部材７によって半導体ウェハ３を湾曲させて吸着する構成について説明する。
本実施例では、吸着電極部１７〜２３及びスペーサ２５〜２９の高さ及び配置に特徴があり、吸着電極Ｋ１、Ｋ２の静電力によって半導体ウェハ３を吸着したときに、吸着電極部１７〜２３とスペーサ２５〜２９によって、半導体ウェハ３の中央部分が凹むように、吸着電極部１７〜２３及びスペーサ２５〜２９の高さ及びそれらの配置が設定されている。
【００４５】
つまり、上述した様に、吸着電極部１７〜２３の高さ（ΔＨ１）より、各スペーサ２５〜２９の高さが僅かに（ΔＨ２）高いように設定されている。なお、４個の吸着電極部２１７〜２３同士の高さは同じであり、３個のスペーサ２５〜２９同士の高さも同じである。
【００４６】
しかも、図５（ａ）に示す様に、セラミック基板１５をその表面と平行な方向で見た場合、即ち、セラミック基板１５の厚み方向（又は基板表面）に対して垂直の方向から見た場合、吸着電極部１７〜２３は、半導体ウェハ３がスペーサ２５〜２９によって支持される少なくとも２箇所の支持位置（ここでは、左のスペーサ２５と右のスペーサ２７、２９）の間に配置されている。なお、支持位置とは、スペーサ２５〜２９が半導体ウェハ３に接触して支持される位置である。
【００４７】
つまり、前記図２に示す様に、吸着電極部１７〜２３（従って吸着電極Ｋ１、Ｋ２）が含まれる平面領域より外側、即ち、吸着電極部１７〜２３の外周部分を結んだ四角形の平面領域より外側に、スペーサ２５〜２９が配置されている。
【００４８】
従って、図５（ａ）に示す様に、搬送用部材７の上に半導体ウェハ３が載置される場合には、半導体ウェハ３は、吸着電極部１７〜２３より高い３個のスペーサ２５〜２９の上に載置されることになり、吸着電極部１７〜２３には接触しない。
【００４９】
次に、図５（ｂ）に示す様に、吸着電極部１７〜２３によって（即ち、吸着電極Ｋ１、Ｋ２への通電によって）、半導体ウェハ３が吸着される場合には、半導体ウェハ３の中央部分は、吸着電極Ｋ１、Ｋ２の静電力によって、同図下方に（吸引されて）移動する（凹む）が、半導体ウェハ３の外周側（同図左右側）は、各吸着電極部１７〜２３より高いスペーサ２５〜２９に規制されて、それより下方には移動しない。
【００５０】
よって、同図に示す様に、吸着電極部１７〜２３によって、半導体ウェハ３が吸着されて、半導体ウェハ３が吸着電極部１７〜２３の上部に接触した場合には、半導体ウェハ３は下方に凸の湾曲した状態（凹んだ状態）となる。
【００５１】
その後、吸着電極Ｋ１、Ｋ２への通電がオフされて、半導体ウェハ３の吸着が解除される場合には、半導体ウェハ３は、自身の弾性によって、図５（ａ）に示す様に、その中央部分は、吸着電極部１７〜２３から離脱して上昇し、スペーサ２５〜２９のみによって保持された（即ち下方より支持された）状態となる。
【００５２】
ｄ）ここで、本実施例の搬送用部材の製造方法について簡単に説明する。
図６（ａ）に示すように、始めに、各セラミック層１５ａ〜１５ｄの元となる各グリーンシート６１（６１ａ、６１ｂ、６１ｃ、６１ｄ）を用意する。このグリーンシート６１は、周知のように、例えばアルミナからなるセラミック材料粉末に、有機バインダ、可塑剤、溶剤などを混合してシート状に形成したものである。
【００５３】
次に、各セラミック層１５ａ〜１５ｄに応じて、各グリーンシート６１ａ〜６１ｄを加工する。
具体的には、各グリーンシート６１ａ〜６１ｄを正方形に切断した後に、後加工（スクリーン印刷、切削加工、熱圧着など）における位置合わせに適したガイド孔（図示せず）を、各グリーンシート６１ａ〜６１ｄの外周付近にパンチング加工する。また、必要に応じて、各グリーンシート６１ａ〜６１ｄの所定箇所に、導電体ペースト６３、６５をスクリーン印刷する。更に、必要に応じて、ビア５１を形成する位置に、ビア孔６７をパンチング加工し、そのビア孔６７に導電体ペースト６８を穴埋めする。
【００５４】
次に、上述した加工を行った各グリーンシート６１ａ〜６１ｄを積層し、熱圧着によって接合して、グリーンシート積層体６９を形成する。
次に、図６（ｂ）に示す様に、グリーンシート積層体６９に対して切削加工を行う。具体的には、スペーサ２５〜２９や吸着電極部１７〜２３となる部分以外のグリーンシート積層体６９の表面を切削して、スペーサ用の凸部７１や吸着電極用の凸部７３を形成する。
【００５５】
次に、グリーンシート積層体６９を、大気中で例えば２５０℃で１０時間曝することにより、脱脂を行う。
次に、図６（ｃ）に示す様に、グリーンシート積層体６９を一体焼成する。具体的には、１４００〜１６００℃の還元雰囲気にて、グリーンシート積層体６９を焼成し、焼成体７５を得る。なお、この際に、スペーサ２５〜２９が形成される。
【００５６】
次に、図６（ｄ）に示す様に、焼成体７５の表面を研磨する。具体的には、吸着電極用の凸部７３の表面（上部）を研磨して、その高さを（高さΔＨ１となるように）低くする。これによって、吸着電極部１７〜２３が形成される。なお、スペーサ用の凸部７１の上部を、若干研磨して、スペーサ２５〜２９を形成してもよい。
【００５７】
その後、給電口５３に給電部材５５を装着する。
これによって、本実施例の搬送用部材７が得られる。
ｅ）次に、本実施例の効果を説明する。
【００５８】
本実施例では、搬送用部材７のセラミック基板１５には、複数のスペーサ２５〜２９と複数の吸着電極部１７〜２３とが設けられており、スペーサ２５〜２９の高さは吸着電極部１７〜２３の高さ（ΔＨ１）より若干（ΔＨ２）高く設定され、しかも、吸着電極部１７〜２３は、スペーサ２５〜２９の少なくとも２箇所の支持位置の間（図２に示す左右のスペーサ２５〜２９の間）に配置されている。
【００５９】
従って、搬送用部材７の上に（誘電体で且つ弾性体である）半導体ウェハ３を載置した場合、即ち、スペーサ２５〜２９上に半導体ウェハ３が載置された場合には、半導体ウェハ３は、スペーサ２５〜２９によって基材表面より離隔された状態となる。即ち、半導体ウェハ３は、スペーサ２５〜２９の少なくとも２箇所の支持位置にて支持されて基材表面より離れた状態で保持される。
【００６０】
この状態で、吸着電極Ｋ１、Ｋ２に電力（電圧）が印加されると、吸着電極Ｋ１、Ｋ２によって発生した静電力によって、半導体ウェハ３が吸引されるので、半導体ウェハ３が基板表面側に湾曲する。すなわち、半導体ウェハ３の両側が支持された状態で、その間の部分が吸着電極Ｋ１、Ｋ２によって引き寄せられるので、半導体ウェハ３の中央部分が湾曲して吸着電極部１７〜２３に接触する。
【００６１】
よって、この状態では、半導体ウェハ３が確実に吸着されているので、半導体ウェハ３を搬送用部材７に載置した状態で、搬送装置１によって、速やかに移動させることができる。
【００６２】
そして、吸着電極Ｋ１、Ｋ２への電力の印加を停止した場合には、半導体ウェハ３は自身の弾性力（復元力）によって、速やかに吸着電極部１７〜２３から離脱するので、搬送用部材７から半導体ウェハ３を容易に且つ速やかに分離（デチャック）することができる。
【００６３】
また、本実施例では、複数の吸着電極部１７〜２３を、セラミック基板１５の表面より部分的に島状に突出させて設けている。
よって、残留応力を低減できるとともに、リンキングを減らすことができるので、残留吸着力を大きく低減できる。
【実施例２】
【００６４】
次に、実施例２について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図７に示す様に、本実施例２の搬送用部材８１は、前記実施例１と同様なセラミック基板８３の表面において、前記実施例１と同様な凸形状のスペーサを設ける位置に、そのスペーサの平面形状と同様な凹部８５を有している。そして、この凹部８５に、前記スペーサと同様な凸部を構成するように、別体の直方体形状の部材（別体のスペーサ８７）が嵌められている。
【００６５】
なお、この別体のスペーサ８７としては、例えばＰＥＥＫ等の樹脂製の部材を採用できる。
また、本実施例２の搬送用部材８１を製造する場合には、実施例１と同様にセラミック製の（凹部８５を有する）焼結体を製造した後に、凹部８５に別体のスペーサ８７を嵌めこみ、接着剤等で固定すればよい。
【００６６】
本実施例２によっても、前記実施例１と同様な効果を奏する。また、スペーサ用の凸部を浮き彫りするよりも、凹部を形成する方が製造が容易であるという利点がある。更に、別体のスペーサ８７の高さを容易に調節できるという効果がある。
【実施例３】
【００６７】
次に、実施例３について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図８（ａ）に示す様に、本実施例３の搬送用部材９１は、前記実施例１と同様に、同図の左右にスペーサ９３、９５を配置するとともに、その間に吸着電極部９７を配置したものである。
【００６８】
特に本実施例３は、スペーサ９３、９５の内部に吸着電極Ｋ１、Ｋ２を設けることにより、スペーサ９３、９５も吸着電極部として機能させるものである。
本実施例３でも、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、スペーサ９３、９５も吸着電極部として機能するので、吸着力が高いという利点がある。
【００６９】
なお、本実施例では、左右のスペーサ９３、９５の間に、１箇所に吸着電極部９７を配置した例を示したが、複数個の吸着電極部を設けてもよい（他の実施例も同様である）。
【実施例４】
【００７０】
次に、実施例４について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図８（ｂ）に示す様に、本実施例４の搬送用部材１０１は、前記実施例１と同様に、同図の左右にスペーサ１０３、１０５を配置するとともに、その間に（吸着電極Ｋ１、Ｋ２を有する）吸着電極部１０７を配置したものである。
【００７１】
特に本実施例４では、吸着電極部１０７は、セラミック基板１０９の表面から上方に突出しておらず、吸着電極Ｋ１、Ｋ２は、セラミック基板１０９の内部に配置されている。従って、スペーサ１０３、１０５の間の基板表面は、凹凸がなく平坦である。
【００７２】
本実施例４でも、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、吸着電極部１０７が基板表面から突出していないので、その加工が容易であるという利点がある。
【実施例５】
【００７３】
次に、実施例５について説明するが、前記実施例４と同様な内容の説明は簡略化する。
図８（ｃ）に示す様に、本実施例５の搬送用部材１１１は、前記実施例４と同様に、同図の左右にスペーサ１１３、１１５を配置するとともに、その間に（吸着電極Ｋ１、Ｋ２からなる）吸着電極部１１７を、セラミック基板１１９の内部に配置したものである。
【００７４】
特に本実施例５は、前記実施例３と同様に、スペーサ１１３、１１５の内部に吸着電極Ｋ１、Ｋ２を設けることにより、スペーサ１１３、１１５も吸着電極部として機能させるものである。
【００７５】
本実施例５でも、前記実施例４と同様な効果を奏するとともに、スペーサ１１３、１１５も吸着電極部として機能するので、吸着力が高いという利点がある。
【実施例６】
【００７６】
次に、実施例６について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図９に示す様に、本実施例６の搬送用部材１２１は、同図の左右にスペーサ１２３、１２５、１２７、１２９を配置するとともに、その間に（吸着電極Ｋ１、Ｋ２を有する）吸着電極部１３１、１３３を、セラミック基板１３５の内部に配置したものである。
【００７７】
特に本実施例６では、前記実施例１の様に吸着電極部１３１、１３３を島状に配置するのではなく、左側のスペーサ１２３、１２５から右側のスペーサ１２７、１２９に至るまで、全面にわたって吸着電極Ｋ１、Ｋ２を設けたものである。
【００７８】
本実施例６でも、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、吸着電極Ｋ１、Ｋ２の面積が広いので、吸着力が高いという利点がある。
【実施例７】
【００７９】
次に、実施例７について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図１０に示す様に、本実施例７の搬送用部材１４１は、実施例１と同様に、同図の左右にスペーサ１４３、１４５、１４７を配置するとともに、その間に（吸着電極Ｋ１、Ｋ２を有する）島状に突出する吸着電極部１４９、１５１、１５３、１５５を配置したものである。
【００８０】
特に本実施例７では、前記実施例１の様に、Ｕ字状のセラミック基板を使用するのではなく、（２箇所の角部が斜めにカットされた）略長方形の板状のセラミック基板１５７を使用している。
【００８１】
本実施例７でも、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、略長方形のセラミック基板１５７を使用するので、加工が容易で、且つ、丈夫であるという利点がある。
また、４個の吸着電極部１４９〜１５５を、中央部分にまとめて配置できるので、半導体ウェハ３を容易に湾曲できるという効果がある。
【００８２】
なお、本実施例７の変形例として、吸着電極部１４９、１５１、１５３、１５５の周囲を取り囲むように、（複数のスペーサ１４３〜１４７ではなく）環状のスペーサを１個設けてよい。
【実施例８】
【００８３】
次に、実施例８について説明するが、前記実施例１と同様な内容の説明は簡略化する。
図１１に示す様に、本実施例８の搬送用部材１６１は、実施例１と同様に、同図の左右にスペーサ１６３、１６５、１６７を配置するとともに、その間に（吸着電極Ｋ１、Ｋ２を有する）島状に突出する吸着電極部１６９、１７１を配置したものである。
【００８４】
特に本実施例８では、前記実施例１の様に、Ｕ字状のセラミック基板を使用するのではなく、先端側が３つに分かれた三つ又状のセラミック基板１７３を使用している。
そして、中央の第１アーム部１７５の先端に第１スペーサ１６７を設けるとともに、第１アーム部１７５より短い左右（同図では上下方向）の第２、第３アーム部１７７、１７９に、（半導体ウェハ３の円形の外周に沿って）斜めに第２、第３スペーサ１６３、１６５を設けている。
【００８５】
本実施例８でも、前記実施例１と同様な効果を奏するとともに、第２、第３アーム部１７７、１７９が短いので、搬送用部材１６１を軽量化でき、しかも、第２、第３スペーサ１６３、１６５は半導体ウェハ３の円形の外周に沿って形成されていので、半導体ウェハ３を保持し易いという利点がある。
【００８６】
尚、本発明は前記実施例や変形例になんら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の態様で実施しうることはいうまでもない。
（１）例えば、搬送される部材は、半導体ウェハに限らず、ガラス基板等が挙げられる。
【００８７】
（２）また、搬送用部材の形状は、前記各実施例の形状に限らず、本発明の要件を満たす限り各種の形状を採用できる。
（３）更に、各実施例における個々の構成は、適宜、他の実施例に組み合わせることができる。
【符号の説明】
【００８８】
１…搬送装置
３…半導体ウェハ
７、８１、９１、１０１、１１１、１２１、１４１、１６１…搬送用部材
１５、８３、１０９、１１９、１３５、１５７、１７３…セラミック基板
Ｋ１、Ｋ２…吸着電極
１７、１９、２１、２３、９７、１１７、１１７、１３１、１３３、１４９、１５１、１５３、１５５、１６９、１７１…吸着電極部（第１〜第４吸着電極部）
２５、２７、２９、８７、９３、９５、１０３、１０５、１１３、１１５、１２３、１２５，１２７、１２９、１４３、１４５、１４７、１６３、１６５、１６７…スペーサ（第１〜第３スペーサ）
【図１】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図２】
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【図３】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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