(57)【要約】【課題】搬送ロボットのハンドに付着した水滴をより簡易に除去することのできる基板搬送方法及び基板搬送装置を提供する。【解決手段】濡れた状態の基板１０を搬送するための基板搬送方法であって、第１の装置４０に置かれた基板１０を搬送ロボット３０のハンド２０で把持した後、把持した基板１０を第２の装置５０に搬送する搬送工程と、前記搬送工程の後、ハンド２０に吸水部材６０を把持させることで、ハンド２０に付着した水滴を除去する水滴除去工程と、を有する基板搬送方法。ハンド２０は、本体部２１と、本体部２１の上面に取り付けられている２以上の基板把持部からなり、少なくとも１つの基板把持部を平行移動させることで、基板１０の端面１４ａ、１４ｂを把持することが好ましい。吸水部材６０は、スポンジであることが好ましい。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送方法であって、
第１の装置に置かれた前記基板を搬送ロボットのハンドで把持した後、把持した前記基板を第２の装置に搬送する搬送工程と、
前記搬送工程の後、前記ハンドに吸水部材を把持させることで、前記ハンドに付着した水滴を除去する水滴除去工程と、
を有することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項２】
前記ハンドは、本体部と、本体部の上面に取り付けられている２以上の基板把持部からなり、少なくとも１つの基板把持部を平行移動させることで、基板の端面を把持することを特徴とする請求項１記載の基板搬送方法。
【請求項３】
前記吸水部材は、スポンジであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板搬送方法。
【請求項４】
前記吸水部材は、前記基板とほぼ同じ大きさに形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【請求項５】
前記第１の装置及び前記第２の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【請求項６】
前記第１の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であり、前記第２の装置は、濡れた状態の基板をスピン乾燥するスピン乾燥装置であることを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【請求項７】
前記基板は、マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【請求項８】
前記基板は、半導体デバイスの製造に用いられる半導体ウェハであることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか１項に記載の基板搬送方法。
【請求項９】
濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送装置であって、
ハンドによって把持した前記基板を、第１の装置から第２の装置に搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットによって前記基板を搬送した後、前記ハンドに把持させることで前記ハンドに付着した水滴を除去するための吸水部材と、を備えることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項１０】
前記ハンドは、本体部と、本体部の上面に取り付けられている２以上の基板把持部からなり、少なくとも１つの基板把持部を平行移動させることで、基板の端面を把持することを特徴とする請求項９記載の基板搬送装置。
【請求項１１】
前記吸水部材は、スポンジであることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の基板搬送装置。
【請求項１２】
前記吸水部材は、前記基板とほぼ同じ大きさに形成されていることを特徴とする請求項９から請求項１１のうちいずれか１項に記載の基板搬送装置。
【請求項１３】
前記第１の装置及び前記第２の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であることを特徴とする請求項９から請求項１２のうちいずれか１項に記載の基板搬送装置。
【請求項１４】
前記第１の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であり、前記第２の装置は、濡れた状態の基板をスピン乾燥するスピン乾燥装置であることを特徴とする請求項９から請求項１２のうちいずれか１項に記載の基板搬送装置。
【請求項１５】
前記基板は、マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板であることを特徴とする請求項９から請求項１４のうちいずれか１項に記載の基板搬送装置。
【請求項１６】
前記基板は、半導体デバイスの製造に用いられる半導体ウェハであることを特徴とする請求項９から請求項１４のうちいずれか１項に記載の基板搬送装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板搬送方法及び基板搬送装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
転写用マスクを作製する際、その原版となるマスクブランクが用いられる。マスクブランクは、基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えた構成を有している。マスクブランクの製造に用いられる基板には、矩形状あるいは方形状のものが広く用いられている。
【０００３】
一般に、マスクブランクは、所定の形状に切り出された基板を準備する工程、研磨砥粒を用いて基板の表面（主表面と端面）を鏡面に研磨する研磨工程、表面が鏡面に研磨された基板に付着している研磨砥粒等の異物を除去する洗浄を行う洗浄工程、洗浄後の基板の主表面にパターン形成用の薄膜を成膜する成膜工程を経て製造される。成膜工程において、薄膜が成膜される前の基板の表面に研磨砥粒等の異物が残存していると、出来上がったマスクブランクに除去困難な凸状欠陥が発生する等の問題が生じる。特に、露光光にＥＵＶ光が適用されるような反射型マスクに用いられる反射型マスクブランクの場合、このような異物の残存は大きな問題となる。
【０００４】
他方、半導体ウェハの場合においても、表面に異物が存在していると、この半導体ウェハを用いて作製された半導体デバイスにおいて動作不良を起こす原因となる。このため、半導体ウェハの場合においても洗浄工程で異物を除去することは重要となっている。
【０００５】
従来、基板の主表面の洗浄は、特許文献１に開示されているような、基板回転手段に基板を載置し、基板を回転させながら、洗浄液供給ノズルから洗浄液を基板の主表面に対して噴射することによって行われている。
【０００６】
一方、基板の洗浄工程では、基板の主表面の洗浄と端面の洗浄を別の洗浄装置で行う場合がある。また、洗浄水で濡れた状態の基板を乾燥する工程において、スピン式乾燥装置で基板をスピン乾燥させる場合もある。これらの場合、２つの洗浄装置の間における基板の搬送や、洗浄装置とスピン式乾燥装置との間における基板の搬送を、搬送ロボットで行うことが多い。基板を搬送するための搬送ロボットおよびそのハンドとしては、例えば、特許文献２に開示されているものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−０５２３００号公報
【特許文献２】特開２０１１−１１９３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
基板の洗浄工程において、搬送ロボットが装置間を搬送する基板は、主表面や端面が濡れた状態のものであることが多い。搬送する基板を濡れた状態としておくのは、搬送中に基板の表面に空気中の異物が直接付着することを抑制するためである。また、最終の洗浄が行われる前の基板は、異物や洗浄液が表面から十分に落とし切れていない場合があり、そのような状態で基板を乾燥させてしまうと、異物や洗浄液の固形成分が基板の表面に固着してしまう恐れがあるためである。さらに、基板の表面の一部が中途半端に乾燥した場合、その部分にウォーターマークが残ってしまう恐れもある。
【０００９】
このような表面が濡れた状態の基板を搬送ロボットで搬送した場合、そのハンドに水滴が付着することは避け難い。このハンドに付着している水滴には、異物や洗浄液の成分が含まれている場合がある。このような状態のハンドで、別の基板を把持し、搬送した場合、基板の下側の主表面や端面に水滴が異物等とともに付着してしまう、いわゆるクロスコンタミネーションが発生する恐れがある。
【００１０】
このような問題を解決する方法として、ハンドを純水洗浄するシャワー装置や、エアで水滴を飛ばすエアブロー装置を設置し、基板を搬送するたびに、基板から付着した水滴を除去することを行うことが考えられる。しかし、シャワー装置やエアブロー装置は高価であり、コストアップとなるため問題となっていた。また、洗浄工程におけるスループットを大きく低下させるため、問題となっていた。
【００１１】
そこで、本発明は、搬送ロボットのハンドに付着した水滴をより簡易に除去することのできる基板搬送方法及び基板搬送装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
（構成１）
濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送方法であって、
第１の装置に置かれた前記基板を搬送ロボットのハンドで把持した後、把持した前記基板を第２の装置に搬送する搬送工程と、
前記搬送工程の後、前記ハンドに吸水部材を把持させることで、前記ハンドに付着した水滴を除去する水滴除去工程と、
を有することを特徴とする基板搬送方法。
【００１３】
（構成２）
前記ハンドは、本体部と、本体部の上面に取り付けられている２以上の基板把持部からなり、少なくとも１つの基板把持部を平行移動させることで、基板の端面を把持することを特徴とする構成１記載の基板搬送方法。
（構成３）
前記吸水部材は、スポンジであることを特徴とする構成１または構成２に記載の基板搬送方法。
（構成４）
前記吸水部材は、前記基板とほぼ同じ大きさに形成されていることを特徴とする構成１から構成３のうちいずれかに記載の基板搬送方法。
【００１４】
（構成５）
前記第１の装置及び前記第２の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であることを特徴とする構成１から構成４のうちいずれかに記載の基板搬送方法。
（構成６）
前記第１の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であり、前記第２の装置は、濡れた状態の基板をスピン乾燥するスピン乾燥装置であることを特徴とする構成１から構成４のうちいずれかに記載の基板搬送方法。
【００１５】
（構成７）
前記基板は、マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板であることを特徴とする構成１から構成６のうちいずれかに記載の基板搬送方法。
（構成８）
前記基板は、半導体デバイスの製造に用いられる半導体ウェハであることを特徴とする構成１から構成６のうちいずれかに記載の基板搬送方法。
【００１６】
（構成９）
濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送装置であって、
ハンドによって把持した前記基板を、第１の装置から第２の装置に搬送する搬送ロボットと、
前記搬送ロボットによって前記基板を搬送した後、前記ハンドに把持させることで前記ハンドに付着した水滴を除去するための吸水部材と、を備えることを特徴とする基板搬送装置。
【００１７】
（構成１０）
前記ハンドは、本体部と、本体部の上面に取り付けられている２以上の基板把持部からなり、少なくとも１つの基板把持部を平行移動させることで、基板の端面を把持することを特徴とする構成９記載の基板搬送装置。
（構成１１）
前記吸水部材は、スポンジであることを特徴とする構成９または構成１０に記載の基板搬送装置。
（構成１２）
前記吸水部材は、前記基板とほぼ同じ大きさに形成されていることを特徴とする構成９から構成１１のうちいずれかに記載の基板搬送装置。
【００１８】
（構成１３）
前記第１の装置及び前記第２の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であることを特徴とする構成９から構成１２のうちいずれかに記載の基板搬送装置。
（構成１４）
前記第１の装置は、基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄する基板洗浄装置であり、前記第２の装置は、濡れた状態の基板をスピン乾燥するスピン乾燥装置であることを特徴とする構成９から構成１２のうちいずれかに記載の基板搬送装置。
【００１９】
（構成１５）
前記基板は、マスクブランクの製造に用いられるマスクブランク用基板であることを特徴とする構成９から構成１４のうちいずれかに記載の基板搬送装置。
（構成１６）
前記基板は、半導体デバイスの製造に用いられる半導体ウェハであることを特徴とする構成９から構成１４のうちいずれかに記載の基板搬送装置。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、搬送ロボットのハンドに付着した水滴をより簡易に除去することのできる基板搬送方法及び基板搬送装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】基板の一例を示す斜視図である。
【図２】基板の拡大側面図である。
【図３】基板を把持するためのハンドの一例を示す平面図である。
【図４】図３に示すハンドの側面図である。
【図５】基板を第１の装置から第２の装置に搬送するための搬送ロボットの側面図である。
【図６】図５に示す搬送ロボットの平面図である。
【図７】搬送ロボットによって基板を第１の装置から第２の装置に搬送した後の状態を示す側面図である。
【図８】図７に示す搬送ロボットの平面図である。
【図９】搬送工程の後、吸水部材をハンドによって把持している状態の搬送ロボットの平面図である。
【図１０】吸水部材を把持した状態のハンドの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明する。
本発明の基板搬送方法は、濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送方法であって、第１の装置に置かれた前記基板を搬送ロボットのハンドで把持した後、把持した前記基板を第２の装置に搬送する搬送工程と、前記搬送工程の後、前記ハンドに吸水部材を把持させることで、前記ハンドに付着した水滴を除去する水滴除去工程と、を有することを特徴とする基板搬送方法である。
本発明の基板搬送装置は、濡れた状態の基板を搬送するための基板搬送装置であって、ハンドによって把持した前記基板を、第１の装置から第２の装置に搬送する搬送ロボットと、前記搬送ロボットによって前記基板を搬送した後、前記ハンドに把持させることで前記ハンドに付着した水滴を除去するための吸水部材と、を備えることを特徴とする基板搬送装置である。
【００２３】
本発明の基板搬送方法及び基板搬送装置は、濡れた状態の基板を搬送するのであれば、どのような基板に対しても適用可能である。
本発明によって搬送される基板には、例えば、マスクブランク、転写用マスク、およびマスクブランク製造用の基板が含まれる。
【００２４】
マスクブランクとは、転写用マスク（透過型マスクおよび反射型マスク）を作製する際の原版となる薄膜付基板のことである。マスクブランクは、露光光を透過させる透過型マスクの製造に用いられるマスクブランク（透過型マスクブランク）でもよく、露光光を反射する反射型マスクの製造に用いられるマスクブランク（反射型マスクブランク）でもよい。また、これらのマスクブランクにおいて、パターン形成用の薄膜の上に有機系材料からなるレジスト膜が積層したレジスト膜付のマスクブランクでもよい。
【００２５】
マスクブランク製造用の基板とは、パターン形成用の薄膜が形成される前の基板のことである。基板は、露光光を透過させる透過型マスクの製造に用いられるマスクブランク用の透光性基板でもよく、露光光を反射する反射型マスクの製造に用いられるマスクブランク用の基板でもよい。
【００２６】
透過型マスクブランクの製造に用いられる透光性基板としては、合成石英ガラス基板、アルミノシリケートガラス基板、ソーダライムガラス基板等のガラス基板を例として挙げることができる。
【００２７】
反射型マスクブランクの製造に用いられる基板としては、合成石英ガラス基板、低熱膨張ガラス基板（例えばＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス基板）、β石英固溶体を析出させた結晶化ガラス等のガラス基板を例として挙げることができる。このほか、インバー合金（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属基板や単結晶シリコン基板を例として挙げることができる。
【００２８】
また、本発明は、ＴＦＴ液晶パネル、プラズマパネル、有機ＥＬパネル等を製造する際に用いられるガラス基板に適用することができる。また、本発明は、これらのパネルを製造するための透明導電膜が形成されたガラス基板に適用することができる。
【００２９】
また、本発明は、半導体デバイスの製造に用いられる半導体基板に適用することができる。半導体基板としては、シリコンウェハやＳｉＣウェハを例として挙げることができる。
【００３０】
図１は、基板１０の一例を示す斜視図である。
図１に示すように、基板１０は、１組の対向する主表面１２（１２ａ、１２ｂ）を有し、かつ２組の対向する端面１４（１４ａ〜１４ｄ）を有している。主表面１２（１２ａ、１２ｂ）は、例えば正方形あるいは長方形の形状を有しており、基板１０の上面及び下面を構成している。端面１４（１４ａ〜１４ｄ）は、主表面１２の一辺を長辺とする長方形の形状を有しており、基板１０の４つの側面を構成している。このほか、各主表面１２と端面１４との間や隣接する２つの端面１４の間には、それぞれ面取り面（図２参照）が形成されている。
【００３１】
図２は、基板１０の拡大側面図である。
図２に示すように、基板１０の上側の主表面１２ａと側面部１６との間には、面取り面１８ａが形成されている。また、基板１０の下側の主表面１２ｂと側面部１６との間にも、面取り面１８ｂが形成されている。これら面取り面１８ａ、１８ｂは、基板１０の主表面１２ａ、１２ｂと側面部１６によって形成された角部が斜めに研削されて形成されている。
【００３２】
本明細書において、基板の「端面」は、主表面１２ａ、１２ｂに対して垂直な側面部１６だけでなく、その側面部１６の上側及び下側に形成された各面取り面１８ａ、１８ｂ、及び、各面取り面１８ａ、１８ｂと各主表面１２ａ、１２ｂとの境界に形成された稜線部１９ａ、１９ｂを含むものとする。
【００３３】
基板１０がマスクブランク製造用の基板である場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜や多層反射膜等が形成される面となる。
基板１０が透過型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜等が形成された面となる。
基板１０が反射型マスクブランクである場合には、上側の主表面１２ａが、パターン形成用の薄膜や多層反射膜等が形成された面となる。
【００３４】
図３は、基板１０を把持するためのハンド２０の一例を示す平面図である。
図３に示すように、ハンド２０は、略長方形の板材からなる本体部２１と、その本体部２１の上面に取り付けられた第１の把持部２２ａ、２２ｂ、第２の把持部２４ａ、２４ｂ、及び第３の把持部２６ａ、２６ｂを備えている。第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂは、基板１０に傷をつけないように合成樹脂等の材料によって形成されていることが好ましい。これら第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂが、本発明の「基板把持部」に対応している。
【００３５】
第１の把持部２２ａ、２２ｂは、基板１０の右側（図３において右側）の端面１４ｂを把持することのできる位置に設けられている。第２の把持部２４ａ、２４ｂ及び第３の把持部２６ａ、２６ｂは、基板１０の左側（図３において左側）の端面１４ａを把持することのできる位置に設けられている。つまり、ハンド２０は、基板１０の対向する２つの端面１４ａ、１４ｂを、第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂによって把持することができる。
【００３６】
また、本体部２１の上面には、第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動するためのエアシリンダ２８が取り付けられている。第３の把持部２６ａ、２６ｂは、エアシリンダ２８のロッドの先端に取り付けられており、このエアシリンダ２８の駆動力によって、第３の把持部２６ａ、２６ｂを第１の把持部２２ａ、２２ｂに接近する方向及び遠ざかる方向にそれぞれ平行移動できるようになっている。
【００３７】
図４は、図３に示すハンド２０の側面図である。
図４に示すように、第１の把持部２２ａ、２２ｂには、断面略Ｖ字型のテーパー面２２ｃが形成されている。第２の把持部２４ａ、２４ｂには、第１の把持部２２ａ、２２ｂに向かってその高さが低くなるように傾斜したテーパー面２４ｃが形成されている。第３の把持部２６ａ、２６ｂには、第１の把持部２２ａ、２２ｂに向かってその高さが高くなるように傾斜したテーパー面２６ｃが形成されている。これらのテーパー面２２ｃ、２４ｃ、２６ｃによって、基板１０の位置を所定位置に調整できるようになっている。例えば、基板１０がハンド２０上の所定位置からずれた位置に載置された場合であっても、第３の把持部２６ａ、２６ｂが基板１０を第１の把持部２２ａ、２２ｂに向かって押圧することによって、基板１０の位置が所定位置に調整されるようになっている。
【００３８】
つぎに、ハンド２０によって基板１０を把持する動作について説明する。
まず、エアシリンダ２８によって第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動することによって、第３の把持部２６ａ、２６ｂを第１の把持部２２ａ、２２ｂから遠ざかる方向に退避させておく。
つぎに、ハンド２０を後述する搬送ロボットのアームによって移動させ、ハンド２０の上に基板１０を載置する。具体的には、基板１０は、下側の主表面１２ｂの下側に所定の空間が確保された状態で置かれており、ハンド２０の本体部２１をその空間に端面１４ａ側から端面１４ｂ側に向かう方向に平行移動させることで、下側の主表面１２ａの下側に本体部２１を入り込ませ、その状態から本体部２１を上方へ移動させることで基板１０はハンド２０の上に置かれた状態となる。
つぎに、エアシリンダ２８によって第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動することによって、第３の把持部２６ａ、２６ｂを第１の把持部２２ａ、２２ｂに接近する方向に平行移動させる。
これにより、基板１０の位置を所定位置に調整できるとともに、第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂによって基板１０を把持することができる。
【００３９】
図５は、基板１０を第１の装置４０から第２の装置５０に搬送するための搬送ロボット３０の側面図である。図６は、図５に示す搬送ロボット３０の平面図である。
図５及び図６に示すように、搬送ロボット３０は、基板１０を把持することのできるハンド２０と、そのハンド２０を駆動するためのアーム３２を備えている。アーム３２は、回転可能に連結された２本のリンクアーム３２ａ、３２ｂによって構成されている。第１のリンクアーム３２ａは、ハンド２０の本体部２１に回転可能に連結されている。第２のリンクアーム３２ｂは、駆動装置３４の駆動軸に回転可能に連結されている。駆動装置３４は、例えばサーボモータ等によって構成されている。
【００４０】
図７は、搬送ロボット３０によって基板１０を第１の装置４０から第２の装置５０に搬送した後の状態を示す側面図である。図８は、図７に示す搬送ロボット３０の平面図である。
図７及び図８に示すように、駆動装置３４によってアーム３２を回転駆動することによって、ハンド２０によって把持した基板１０を、第１の装置４０から第２の装置５０に搬送することができる。
【００４１】
第１の装置４０は、搬送ロボットで搬送される直前における基板１０が水で濡れた状態におかれる装置であれば、どのような装置でもよい。
第１の装置４０は、基板を洗浄液や純水で洗浄する洗浄装置であると好ましい。このほかにも、第１の装置４０は、例えば、基板を保管するための保管装置、基板をスピン乾燥するためのスピン乾燥装置、エッチング液を用いて基板の表面を微小にウェットエッチングするパドルエッチング装置、基板の表面やパターン形成用の薄膜に対して表面処理を行う表面処理装置、基板に対してスパッタ処理を行うためのスパッタ装置、基板上のレジスト膜に対して現像処理を行う現像装置、基板を検査するための検査装置等であってもよい。これらの装置は、いずれも最終的に純水等による洗浄処理が行われ、基板が濡れた状態になるからである。
【００４２】
第２の装置５０は、搬送ロボットで搬送される直前における基板１０が水で濡れた状態におかれる装置であれば、どのような装置でもよい。具体的には、第１の装置４０と同様の装置があげられる。
【００４３】
基板が例えばマスクブランク製造用の基板である場合、基板の洗浄工程では、基板の主表面の洗浄と端面の洗浄を別の洗浄装置で行う場合がある。この場合、第１の装置４０によって基板の主表面の洗浄を行い、第２の装置５０によって基板の端面の洗浄を行ってもよい。あるいは、第１の装置４０によって基板の端面の洗浄を行い、第２の装置５０によって基板の主表面の洗浄を行ってもよい。
【００４４】
また、基板の洗浄工程では、基板洗浄装置によって基板の主表面及び端面のうち少なくとも一方を洗浄した後、濡れた状態の基板をスピン乾燥装置によってスピン乾燥させる場合がある。この場合、第１の装置４０を基板洗浄装置とし、第２の装置５０をスピン乾燥装置としてもよい。
【００４５】
第１の装置４０に置かれた基板１０を搬送ロボット３０のハンド２０で把持した後、把持した基板１０を第２の装置５０に搬送する（搬送工程）。搬送工程の後、濡れた状態の基板１０を把持したハンド２０には、水滴が付着している場合がある。このハンド２０に付着している水滴には、異物や洗浄液の成分等が含まれている場合がある。このような状態のハンド２０で、別の基板を把持し、搬送した場合、基板の下側の主表面や端面に水滴が異物等とともに付着してしまう、いわゆるクロスコンタミネーションが発生する恐れがある。
【００４６】
本発明の基板搬送方法では、搬送工程の後、ハンド２０に吸水部材を把持させることによって、ハンド２０に付着した水滴を除去する（水滴除去工程）。これにより、別の基板を把持する前にハンド２０に付着した水滴を除去することができるため、クロスコンタミネーションの発生を未然に防止することができる。
【００４７】
吸水部材としては、ハンド２０に付着した水滴を除去できるのであればどのような部材でも使用できる。例えば、スポンジ、紙、布、吸水性ポリマー等を用いることができる。この中では、ハンド２０への異物の付着の恐れが少なく、かつ、基板１０とほぼ同じ形状に成形することが容易であることから、スポンジを用いることが好ましい。特に、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）製のスポンジを用いることが好ましい。
【００４８】
図９は、搬送工程の後、吸水部材６０をハンド２０によって把持している状態の搬送ロボット３０の平面図である。
図９に示すように、駆動装置３４によってアーム３２を回転駆動することによって、吸水部材６０をハンド２０の上に載置することができる。そして、エアシリンダ２８によって第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動することによって、第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂによって吸水部材６０を把持することができる。
【００４９】
ハンド２０によって吸水部材６０を把持する動作について説明する。
まず、エアシリンダ２８によって第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動することによって、第３の把持部２６ａ、２６ｂを第１の把持部２２ａ、２２ｂから遠ざかる方向に退避させておく。
つぎに、ハンド２０を搬送ロボット３０のアーム３２によって移動させることによって、ハンド２０の上に吸水部材６０を載置する。具体的には、吸水部材６０は、その下面の下側に所定の空間が確保された状態で置かれており、ハンド２０の本体部２１をその空間に平行移動させることで、下面の下側に本体部２１を入り込ませ、その状態から本体部２１を上方へ移動させることで吸水部材６０はハンド２０の上に置かれた状態となる。
つぎに、エアシリンダ２８によって第３の把持部２６ａ、２６ｂを駆動することによって、第３の把持部２６ａ、２６ｂを第１の把持部２２ａ、２２ｂに接近する方向に平行移動させる。
これにより、第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂによって吸水部材６０を把持することができる。
【００５０】
図１０は、吸水部材６０を把持した状態のハンド２０の側面図である。
図１０に示すように、吸水部材６０がハンド２０によって把持された状態では、第１の把持部２２ａ、２２ｂのテーパー面２２ｃに、吸水部材６０が接触している。また、第２の把持部２４ａ、２４ｂのテーパー面２４ｃにも、吸水部材６０が接触している。さらに、第３の把持部２６ａ、２６ｂのテーパー面２６ｃにも、吸水部材６０が接触している。これにより、第１〜第３の把持部２２ａ、２２ｂ、２４ａ、２４ｂ、２６ａ、２６ｂに付着した水滴を、吸水部材６０に吸収させて除去することができる。さらに、本体部２１の上面に付着している水滴についても、水滴の表面に吸水部材６０を接触させることで、その水滴を吸水部材６０に吸収させて除去することができる。
【００５１】
吸水部材６０は、基板１０とほぼ同じ大きさに形成されていることが好ましい。なぜなら、吸水部材６０が基板１０とほぼ同じ大きさに形成されている場合、吸水部材６０が基板１０とほぼ同じ部位においてハンド２０に接触するため、ハンド２０に付着した水滴をより確実に除去できるからである。なお、ここでいう「ほぼ同じ大きさ」とは、例えば、吸水部材６０の縦、横、及び高さ寸法が、基板１０の寸法と同じか、あるいは、基板１０の寸法から±１０％以内、より好ましくは±８％以内、さらに好ましくは±５％以内の範囲にあることを意味する。
【００５２】
本発明の基板搬送装置１００は、ハンド２０によって把持した基板１０を、第１の装置４０から第２の装置５０に搬送する搬送ロボット３０と、搬送ロボット３０によって基板１０を搬送した後、ハンド２０に把持させることでハンド２０に付着した水滴を除去するための吸水部材６０と、を備えている。このような構成の基板搬送装置１００によれば、搬送工程の後にハンド２０によって吸水部材６０を把持させるだけでよいため、ハンド２０を純水洗浄するシャワー装置や、エアで水滴を吹き飛ばすエアブロー装置等を新たに設置する必要がない。このため、従来よりも低コストで基板搬送装置１００を実現することができる。
【００５３】
本発明の基板搬送方法及び基板搬送装置によれば、ハンド２０を純水洗浄する工程や、ハンド２０に付着した水滴をエアブロー装置によって吹き飛ばす工程が不要であるため、基板１０の洗浄工程におけるスループットを飛躍的に向上させることができる。
【００５４】
本発明の基板搬送方法及び基板搬送装置は、以下の（１）〜（５）に示すマスクブランクや反射型マスクブランクに適用することができる。
（１）遷移金属を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
かかるバイナリマスクブランクは、透光性基板上に遮光膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであり、この遮光膜は、クロム、タンタル、ルテニウム、タングステン、チタン、ハフニウム、モリブデン、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ロジウム等の遷移金属単体あるいはその化合物を含む材料からなる。例えば、クロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したクロム化合物で構成した遮光膜が挙げられる。また、例えば、タンタルに、酸素、窒素、ホウ素などの元素から選ばれる１種以上の元素を添加したタンタル化合物で構成した遮光膜が挙げられる。
かかるバイナリマスクブランクは、遮光膜を、遮光層と表面反射防止層の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層を加えた３層構造としたものなどがある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
【００５５】
（２）遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる光半透過膜を備えた位相シフトマスクブランク
かかる位相シフトマスクブランクとしては、透光性基板（ガラス基板）上に光半透過膜（パターン形成用の薄膜）を有する形態のものであって、該光半透過膜をパターニングしてシフタ部を設けるタイプであるハーフトーン型位相シフトマスクが作製される。かかる位相シフトマスクにおいては、光半透過膜を透過した光に基づき転写領域に形成される光半透過膜パターンによる被転写基板のパターン不良を防止するために、透光性基板上に光半透過膜とその上の遮光膜（遮光帯）とを有する形態とするものが挙げられる。また、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクのほかに、透光性基板をエッチング等により掘り込んでシフタ部を設ける基板掘り込みタイプであるレベンソン型位相シフトマスク用やエンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクが挙げられる。
【００５６】
前記ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものであって、所定の位相差（例えば１８０度）を有するものである。この光半透過膜をパターニングした光半透過部と、光半透過膜が形成されていない実質的に露光に寄与する強度の光を透過させる光透過部とによって、光半透過部を透過して光の位相が光透過部を透過した光の位相に対して実質的に反転した関係になるようにすることによって、光半透過部と光透過部との境界部近傍を通過し回折現象によって互いに相手の領域に回り込んだ光が互いに打ち消しあうようにし、境界部における光強度をほぼゼロとし境界部のコントラスト即ち解像度を向上させるものである。
【００５７】
この光半透過膜は、例えば遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイドを含む）の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
また、光半透過膜上に遮光膜を有する形態の場合、上記光半透過膜の材料が遷移金属及びケイ素を含むので、遮光膜の材料としては、光半透過膜に対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物で構成することが好ましい。
【００５８】
レベンソン型位相シフトマスクは、バイナリマスクブランクと同様の構成のマスクブランクから作製されるため、パターン形成用の薄膜の構成については、バイナリマスクブランクの遮光膜と同様である。エンハンサー型位相シフトマスク用のマスクブランクの光半透過膜は、実質的に露光に寄与しない強度の光（例えば、露光波長に対して１％〜３０％）を透過させるものではあるが、透過する露光光に生じさせる位相差が小さい膜（例えば、位相差が３０度以下。好ましくは０度。）であり、この点が、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜とは異なる。この光半透過膜の材料は、ハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素を含むが、各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率と所定の小さな位相差となるように調整される。
【００５９】
（３）遷移金属、遷移金属及びケイ素（遷移金属シリサイド、特にモリブデンシリサイドを含む）の化合物を含む材料からなる遮光膜を備えたバイナリマスクブランク
この遮光膜（パターン形成用の薄膜）は、遷移金属及びケイ素の化合物を含む材料からなり、これらの遷移金属及びケイ素と、酸素及び／又は窒素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。また、遮光膜は、遷移金属と、酸素、窒素及び／又はホウ素を主たる構成要素とする材料が挙げられる。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ニオブ、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、クロム等が適用可能である。
特に、遮光膜をモリブデンシリサイドの化合物で形成する場合であって、遮光層（ＭｏＳｉ等）と表面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）の２層構造や、さらに遮光層と基板との間に裏面反射防止層（ＭｏＳｉＯＮ等）を加えた３層構造がある。
また、遮光膜の膜厚方向における組成が連続的又は段階的に異なる組成傾斜膜としてもよい。
【００６０】
また、レジスト膜の膜厚を薄膜化して微細パターンを形成するために、遮光膜上にエッチングマスク膜を有する構成としてもよい。このエッチングマスク膜は、遷移金属シリサイドを含む遮光膜のエッチングに対してエッチング選択性を有する（エッチング耐性を有する）特にクロムや、クロムに酸素、窒素、炭素などの元素を添加したクロム化合物からなる材料で構成することが好ましい。このとき、エッチングマスク膜に反射防止機能を持たせることにより、遮光膜上にエッチングマスク膜を残した状態で転写用マスクを作製してもよい。
【００６１】
（４）１以上の半透過膜と遮光膜との積層構造を備えた多階調マスクブランク
半透過膜（パターン形成用の薄膜）の材料については、前記のハーフトーン型位相シフトマスクブランクの光半透過膜と同様の元素のほか、クロム、タンタル、チタン、アルミニウムなどの金属単体や合金あるいはそれらの化合物を含む材料も含まれる。各元素の組成比や膜厚は、露光光に対して所定の透過率となるように調整される。遮光膜（パターン形成用の薄膜）の材料についても、前記のバイナリマスクブランクの遮光膜が適用可能であるが、半透過膜との積層構造で、所定の遮光性能（光学濃度）となるように、遮光膜材料の組成や膜厚は調整される。
【００６２】
また、上記（１）〜（４）において、透光性基板（ガラス基板）と遮光膜との間、又は光半透過膜と遮光膜との間に、遮光膜や光半透過膜に対してエッチング耐性を有するエッチングストッパー膜を設けてもよい。エッチングストッパー膜は、エッチングストッパー膜をエッチングするときにエッチングマスク膜を同時に剥離することができる材料としてもよい。
【００６３】
（５）高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層してなる多層反射膜上に吸収体膜を備える反射型マスクブランク
反射型マスクは、ＥＵＶリソグラフィに用いられるマスクである。反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜（パターン形成用の薄膜）がパターン状に形成された構造を有する。露光装置に搭載された反射型マスクに入射した光（ＥＵＶ光）は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
【００６４】
多層反射膜は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層して形成される。多層反射膜の例としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択することができる。
【００６５】
吸収体膜は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
【００６６】
Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、さらにＯとＮの少なくともいずれかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、ＴａとＨｆを含む材料、ＴａとＨｆとＮを含む材料、ＴａとＺｒを含む材料、ＴａとＺｒとＮを含む材料、等を用いることができる。ＴａにＢやＳｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
【００６７】
反射型マスクは、露光装置のマスクステージに装着される際、基板の多層反射膜が形成されていない側の主表面（裏面側の主表面）を静電チャックする場合が多い。基板自体の導電性が低い場合、裏面側の主表面に導電性膜を形成することが多い。この導電性膜は、静電チャックが可能な程度の導電性が確保できる金属系材料であればよい。導電性膜は、クロムを含有する材料や、タンタルを含有する材料が好ましい。
【符号の説明】
【００６８】
１０    基板
１２    主表面
１４    端面
２０    ハンド
２１    本体部
２２ａ  第１の把持部
２４ａ  第２の把持部
２６ａ  第３の把持部
３０    搬送ロボット
４０    第１の装置
５０    第２の装置
６０    吸水部材
１００  基板搬送装置
【図１】
2014120601.tif 000003
【図２】
2014120601.tif 000004
【図３】
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【図４】
2014120601.tif 000006
【図５】
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【図６】
2014120601.tif 000008
【図７】
2014120601.tif 000009
【図８】
2014120601.tif 000010
【図９】
2014120601.tif 000011
【図１０】
2014120601.tif 000012