(57)【要約】      （修正有）【課題】交差して露出する水晶板の２面の交差部分の形状が、再エッチングによってばらつくことを抑制し、電気的特性を向上させた振動素子を提供する。【解決手段】圧電振動素子１の製造方法は、交差して露出する２面である周辺部１２と側面１５ａを含むＡＴカット水晶基板のエッチング加工を有し、前記エッチング加工は、エッチング液がＨＦを含み、前記エッチング液の温度が２５℃以上５５℃以下で行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部を有する水晶板を準備する工程と、
ＨＦを含み、温度が２５℃以上５５℃以下の範囲にあるエッチング液を用いて、前記凸部の表面をエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする素子の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング液は、ＮＨ4ＦＨＦ、またはＮＨ4ＨＦ2とＨＦとの混合液を含むことを特徴とする請求項１に記載の素子の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液の温度が、３０℃以上３８℃以下の範囲にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の素子の製造方法。
【請求項４】
前記ＮＨ4ＨＦ2とＨＦとの混合液は、ＨＦに対するＮＨ4ＨＦ2の重量比が１．５以上２．５以下の範囲であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の素子の製造方法。
【請求項５】
前記凸部は、前記水晶板の外形端面を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の素子の製造方法。
【請求項６】
前記水晶板は、ＡＴカット板であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の素子の製造方法。
【請求項７】
前記水晶板は、メサ形状を有し、
前記凸部は、前記メサ形状の段部を構成していることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の素子の製造方法。
【請求項８】
前記メサ形状は、順メサ形状であることを特徴とする請求項７に記載の素子の製造方法。
【請求項９】
前記メサ形状は、多段メサ形状の少なくとも一部であることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶板を用いた素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子の一例としてのＡＴカット水晶振動素子を用いた水晶振動素子は、その振動モードが厚みすべり振動であり、且つ周波数温度特性が優れた三次曲線を呈するので、電子機器等の多方面で使用されている。特許文献１には、エネルギー閉じ込め効果がベベル構造やコンベックス構造と同程度の効果を有する、所謂メサ型構造の振動素子（ＡＴカット水晶振動素子）が開示されている。また、メサ型構造の振動素子の外形形成には、フッ化水素（ＨＦ）を含む溶液によるエッチング加工が用いられていることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９１３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した振動素子の外形形成方法では、フッ化水素（ＨＦ）を含む溶液によるエッチング加工によって水晶板をエッチングし、段状のメサ型構造を形成する際に、既に外形加工がなされ、交差して露出する水晶板の２面が、再度フッ化水素（ＨＦ）を含む溶液に晒され、さらにエッチングが進んでしまう。同様に、多段のメサ型構造では、２段目のメサ型構造を形成する際に、既に加工がなされたメサ型構造部分の、交差して露出する２面が再度フッ化水素（ＨＦ）を含む溶液に晒され、さらにエッチングが進んでしまう。これにより、再度フッ化水素（ＨＦ）を含む溶液に晒された、交差して露出する２面の交差部分が侵食され、形状が安定しない、所謂形状ばらつきを生じてしまう。この形状のばらつきが生じることにより、エネルギー閉じ込め効果がばらつき、振動素子の電気的特性、特に、発振のし易さの目安となるＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値の劣化、ばらつきを生じてしまう虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る素子の製造方法は、凸部を有する水晶板を準備する工程と、ＨＦを含み、温度が２５℃以上５５℃以下の範囲にあるエッチング液を用いて、前記凸部の表面をエッチングする工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
本適用例によれば、交差して露出する２面によって構成された凸部を含む水晶板のエッチング加工に、温度が２５℃以上５０℃以下のＨＦ（フッ化水素）を含む溶液を用いる。これにより、交差して露出する水晶板の２面の交差部分の侵食が抑えられ、交差して露出する２面の交差部分の形状が安定する。その結果、エネルギー閉じ込め効果のばらつきが小さくなり、振動素子の電気的特性、特にＣＩ値の劣化、ばらつきを防止することが可能となる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記エッチング液は、ＮＨ4ＦＨＦ、またはＮＨ4ＨＦ2とＨＦとの混合液を含むことが好ましい。
【０００９】
本適用例によれば、このようなエッチング液を用いることで、エッチング加工を容易に、形状ばらつきを小さく行うことが可能となる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記エッチング液の温度が、３０℃以上３８℃以下の範囲にあることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、エッチング速度、侵食の進み具合から、特に好適にエッチング加工を行うことができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記ＮＨ4ＨＦ2とＨＦとの混合液は、ＨＦに対するＮＨ4ＨＦ2の重量比が１．５以上２．５以下の範囲であることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、このようなエッチング液を用いることで、エッチング加工を容易に、形状ばらつきを小さく行うことが可能となる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記凸部は、前記水晶板の外形端面を含むことが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、素子の外形端面の形状が安定するため、素子の位置決め精度の向上などを図ることが可能となる。さらに、素子の電気的特性の向上も図ることができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記水晶板は、ＡＴカット板であることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、電気的特性の安定したメサ型構造のＡＴカット振動素子を提供することが可能となる。
【００１８】
［適用例７］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記水晶板は、メサ形状を有し、前記凸部は、前記メサ形状の段部を構成していることが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、凸部を構成しているメサ形状の段部において、露出して交差する２面の交差部分の侵食が抑えられ、交差して露出する２面の交差部分の形状が安定する。その結果、エネルギー閉じ込め効果のばらつきが小さくなり、振動素子の電気的特性、特にＣＩ値の劣化、ばらつきを防止することが可能となる。
【００２０】
［適用例８］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記メサ形状は、順メサ形状であることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、凸部を構成している順メサ形状の段部において、交差して露出する２面の交差部分の侵食が抑えられ、交差して露出する２面の交差部分の形状が安定する。その結果、エネルギー閉じ込め効果のばらつきが小さくなり、振動素子の電気的特性、特にＣＩ値の劣化、ばらつきを防止することが可能となる。
【００２２】
［適用例９］上記適用例に記載の素子の製造方法において、前記メサ形状は、多段メサ形状の少なくとも一部であることが好ましい。
【００２３】
本適用例によれば、凸部を構成している多段メサ形状の一部である段部において、交差して露出する２面の交差部分の侵食が抑えられ、交差して露出する２面の交差部分の形状が安定する。その結果、エネルギー閉じ込め効果のばらつきが小さくなり、振動素子の電気的特性、特にＣＩ値の劣化、ばらつきを防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る素子としての振動素子の実施形態の概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＰ−Ｐ断面図、（ｃ）は（ａ）のＱ−Ｑ断面図。
【図２】水晶の結晶軸Ｘ、Ｙ、ＺをＸ軸の回りにθ回転してできた新直交座標軸Ｘ、Ｙ’、Ｚ’軸とＡＴカット水晶基板との関係を示す模式図。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は、振動素子の製造工程の概略を示す正断面図。
【図４】（ｇ）〜（ｋ）は、図３に示す製造工程に続く振動素子の製造工程の概略を示す正断面図。
【図５】露出面のエッチング状態を説明するための図１に示すＲ部の拡大図であり、（ａ）、（ｂ）は従来の方法によるエッチング状態を示し、（ｃ）、（ｄ）は実施形態の方法によるエッチング状態を示す正断面図。
【図６】水晶板の抜き加工面である振動素子外周の露出面のエッチング状態を説明するための拡大図であり、（ａ）は従来の方法によるエッチング状態を示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態によるエッチング状態を示す正断面図。
【図７】本実施形態の効果を説明するグラフであり、（ａ）は従来方法による外形寸法分布を示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態による外形寸法分布を示すグラフ正断面図、（ｃ）は従来方法によるＣＩ値分布を示し、（ｄ）は、本発明に係る実施形態によるＣＩ値分布を示すグラフ。
【図８】エッチング溶液の温度と不良率との関係を示すグラフ。
【図９】本発明にかかる振動素子を用いた電子デバイスとしての振動子を示す正断面図。
【図１０】本発明にかかる振動素子を用いた電子デバイスとしての発振器を示す正断面図。
【図１１】電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図。
【図１２】電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図１３】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図１４】移動体の一例としての自動車の構成を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。先ず、素子の一例としての振動素子とその製造方法について説明し、次にその振動素子を用いた電子デバイスとしての振動子、および発振器を説明し、次にその電子デバイスを用いた電子機器、および移動体について説明する。
【００２６】
＜振動素子＞
先ず、本発明にかかる素子としての振動素子について説明する。図１は、本発明に係る素子としての振動素子の実施形態における概略構成を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示すＰ−Ｐ断面図、（ｃ）は（ａ）のＱ−Ｑ断面図である。図２は、水晶の結晶軸Ｘ、Ｙ、ＺをＸ軸の回りにθ回転してできた新直交座標軸Ｘ、Ｙ’、Ｚ’軸とＡＴカット水晶基板との関係を示す模式図である。図３（ａ）〜（ｆ）は、実施形態の振動素子の製造工程の概略を示す正断面図である。図４（ｇ）〜（ｋ）は、図３に示す製造工程に続く振動素子の製造工程の概略を示す正断面図である。
【００２７】
（振動素子の構成）
図１に示すように、本実施形態に係る圧電振動素子１は、中央に位置する多段メサ構造の励振部１４、および励振部１４の周縁に連設形成された薄肉の周辺部１２を有する圧電基板１０と、励振部１４の両主面上に夫々対向配置された励振電極２０ａ、２０ｂと、各励振電極２０ａ、２０ｂから圧電基板１０の端部に向かって延びる引出電極２２ａ、２２ｂと、引出電極２２ａ、２２ｂの端部であり且つ圧電基板１０の２つの角隅部に夫々形成されたパッド２４ａ、２４ｂと、を備えている。
【００２８】
圧電基板１０は、その中央部に位置し主たる振動領域となる励振部１４と、励振部１４より薄肉で励振部１４の全周縁に沿って鍔状に張出し形成された周辺部１２と、を有している。平面形状がほぼ矩形である励振部１４は、圧電基板１０の略中央部を両主面方向へ多段（２段）に突出させた構成である。周辺部１２は、励振部１４の外周側面の厚み方向中間部から外径方向へ張出し形成されている。このように、圧電基板１０は、側面が階段状をした励振部１４と、励振部１４の厚さの略中央部の周囲に連接された周辺部１２と、を有している。なお、本例に係る周辺部１２は、励振部１４の全外周側面から鍔状に張出し形成されているが、外周側面の少なくとも一部の厚み方向中間部から外径方向へ張出し形成されている構成でもよい。
【００２９】
励振部１４は、図１（ａ）に示すように、平面形状が、Ｘ軸方向を長辺とし、Ｚ’軸方向を短辺とするほぼ矩形であり、中央部に一段メサ部１５が設けられ、一段メサ部１５の周囲に二段メサ部１６が設けられている。二段メサ部１６は、全ての側面１７が段差状であって、その全周を周辺部１２に囲まれており、周辺部１２のＹ’軸方向の厚みよりも大きい厚み（厚肉）を有している。一段メサ部１５は、全ての側面１５ａが段差状であって、その全周を二段メサ部１６に囲まれており、二段メサ部１６のＹ’軸方向の厚みよりも大きい厚み（厚肉）を有している。即ち、励振部１４は、図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、周辺部１２に対してＹ’軸方向両方向に２段構造で突出している。図示の例では、励振部１４は周辺部１２に対して、＋Ｙ’軸側と−Ｙ’軸側とに突出している。また、励振部１４は、例えば対称の中心となる点（図示せず）を有し、この中心点に関して点対称（平面的、立体的に点対称）となる形状とすることができる。
【００３０】
このように励振部１４は、厚みの異なる２種類の段差で構成され、その中央部に一段メサ部１５が設けられ、一段メサ部１５の周囲に二段メサ部１６を有している。即ち、圧電振動素子１は、２段型の順メサ構造を有していると言える。励振部１４は、厚みすべり振動を主振動として振動する。励振部１４が２段型のメサ構造であることによって、圧電振動素子１は、エネルギー閉じ込め効果を有することができる。
【００３１】
励振電極２０ａ、２０ｂは、励振部１４を構成する一段メサ部１５の両主面上に夫々対向配置されている。表裏の励振電極２０ａ、２０ｂに交番電圧を印加すると、圧電振動素子１は、厚さに反比例した固有の振動周波数で励振される。励振された振動変位は周囲に広がり、振動変位が十分に減衰する領域の周辺部１２の表裏面にパッド２４ａ、２４ｂが設けられている。
【００３２】
水晶等の圧電材料は三方晶系に属し、図２に示すように互いに直交する結晶軸Ｘ、Ｙ、Ｚを有する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、夫々電気軸、機械軸、光学軸と呼称される。ＡＴカット水晶基板１０１は、ＸＺ面をＸ軸の回りに角度θだけ回転させた平面に沿って、水晶から切り出された平板である。ＡＴカット水晶基板１０１の場合は、θは略３５°１５′である。なお、Ｙ軸およびＺ軸もＸ軸の周りにθ回転させて、夫々Ｙ’軸、およびＺ’軸とする。従って、ＡＴカット水晶基板１０１は、直交する結晶軸Ｘ、Ｙ’、Ｚ’を有する。ＡＴカット水晶基板１０１は、厚み方向がＹ’軸であって、Ｙ’軸に直交するＸＺ’面（Ｘ軸およびＺ’軸を含む面）が主面であり、厚みすべり振動が主振動として励振される。このＡＴカット水晶基板１０１を加工して、圧電基板１０を得ることができる。
【００３３】
即ち、圧電基板１０は、図２に示すようにＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）、Ｚ軸（光学軸）からなる直交座標系のＸ軸を中心として、Ｚ軸をＹ軸の−Ｙ方向へ傾けた軸をＺ’軸とし、Ｙ軸をＺ軸の＋Ｚ方向へ傾けた軸をＹ’軸とし、Ｘ軸とＺ’軸に平行な面で構成され、Ｙ’軸に平行な方向を厚みとするＡＴカット水晶基板１０１からなる。
【００３４】
圧電基板１０は、図１（ａ）に示すように、Ｙ’軸に平行な方向（以下、「Ｙ’軸方向」という）を厚み方向として、Ｘ軸に平行な方向（以下、「Ｘ軸方向」という）を長辺とし、Ｚ’軸に平行な方向（以下、「Ｚ’軸方向」という）を短辺とする矩形の形状を有することができる。圧電基板１０は、励振部１４と、励振部１４の周縁に沿って形成された周辺部１２と、を有する。ここで、「矩形の形状」とは、文字通りの矩形状と、各角部が面取りされた略矩形をも含むものとする。
【００３５】
（振動素子の製造方法）
次に、図３、および図４を参照して振動素子の製造方法について説明する。図３、および図４は、本発明に係る振動素子の製造工程（製造方法）の概略を模式的に示す正断面図である。なお、図４および図５は、図１（ｂ）に対応しており、Ｚ’軸方向から見た断面を示している。
【００３６】
先ず、図３（ａ）に示すように、ＡＴカット水晶基板１０１の表裏主面（ＸＺ’平面に平行な面）に耐蝕膜３０を形成する。耐蝕膜３０は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法などによりクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）をこの順で積層した後、このクロムおよび金を所望の形状にパターニングすることによって形成される。このパターニングは、例えば、次段落で説明するフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって行われる。耐蝕膜３０は、ＡＴカット水晶基板１０１を加工する際に、エッチング液となるフッ酸（ＨＦ）を含む溶液に対して耐蝕性を有する。
【００３７】
次に、図３（ｂ）に示すように、耐蝕膜３０上にフォトレジスト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光および現像して、所定の形状にフォトレジスト膜が除去された開口部４１、４２を有するレジスト膜４０を形成する。このようにして、レジスト膜４０は、耐蝕膜３０の一部を覆うように形成される。
【００３８】
次に、図３（ｃ）に示すように、レジスト膜４０をマスクとして耐蝕膜３０、およびＡＴカット水晶基板１０１の外形部分３１、３２をエッチングする。耐蝕膜３０のエッチングは、マスクの開口部４１、４２に露出した金を、例えば、ヨウ化カリウム溶液を用いてエッチング（除去）し、次いで金が除去されて露出したクロムを、例えば、硝酸２セリウムアンモニウム溶液によりエッチング（除去）する。ＡＴカット水晶基板１０１の外形部分３１、３２のエッチングは、耐蝕膜３０がエッチングされて露出したＡＴカット水晶基板１０１を、例えば、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）と水（Ｈ2Ｏ）の混合水溶液（バッファードフッ酸）をエッチング液として行われる。
【００３９】
なお、本例では、混合比が、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）：水（Ｈ2Ｏ）＝３０．８ｗｔ％：１４．２ｗｔ％：５５．０ｗｔ％の混合水溶液（バッファードフッ酸）を用いた。即ち、本例でのフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比は、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）＝２．２ｗｔ％：１ｗｔ％となっている。このように本例では、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比が、２．２ｗｔ％：１ｗｔ％の混合液を用いたが、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比は、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）＝１．５ｗｔ％以上２．５ｗｔ％以下：１ｗｔ％の範囲であれば適用可能である。また、本工程での混合水溶液（バッファードフッ酸）の温度（液温）は、８５℃に設定してエッチングを行った。
【００４０】
続いて、レジスト膜４０をアッシング（レジスト剥離）することによって、図３（ｄ）に示すように、表裏主面に耐蝕膜３０が設けられた圧電基板１０の外形（Ｙ’軸方向から見たときの形状）が形成される。
【００４１】
次に、図３（ｅ）に示すように、耐蝕膜３０上にフォトレジスト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光および現像して、所定の形状にフォトレジスト膜が除去された開口部５１を有するレジスト膜５０を形成する。このようにして、レジスト膜５０は、耐蝕膜３０の一部を覆うように形成される。
【００４２】
次に、図３（ｅ）に示すレジスト膜５０をマスクとして、レジスト膜５０の開口部５１に露出する耐蝕膜３０、およびＡＴカット水晶基板１０１をエッチングし、周辺部１２を形成する。耐蝕膜３０のエッチングは、前述のＡＴカット水晶基板１０１の外形形成と同様に、マスクとしてのレジスト膜５０の開口部５１に露出した金を、例えば、ヨウ化カリウム溶液を用いてエッチング（除去）し、次いで金が除去されて露出したクロムを、例えば、硝酸２セリウムアンモニウム溶液によりエッチング（除去）する。ＡＴカット水晶基板１０１のエッチングは、耐蝕膜３０がエッチングされて露出したＡＴカット水晶基板１０１を、例えば、フッ化水素酸（フッ酸：ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）と水（Ｈ2Ｏ）との混合水溶液をエッチング液として行われる。ここで用いる混合水溶液（バッファードフッ酸）は、前述の圧電基板１０の外形を形成する際に用いたものと同じ組成の混合水溶液（バッファードフッ酸）であり、且つ同じ温度（液温）でエッチング加工を行う。
【００４３】
図３（ｆ）に示すように、ＡＴカット水晶基板１０１のエッチングは、所定の深さまでハーフエッチングされ、薄肉の周辺部１２が形成される。その後、レジスト膜５０の剥離、および耐蝕膜３０のアッシング（耐蝕膜剥離）を行うことによって、図４（ｇ）に示すように、周囲に周辺部１２が設けられ、周辺部１２の表裏面と交差する面である側面１７から延在する厚肉部（凸部）を有する圧電基板１０が形成される。ここで外枠３５も形成され、部分的に圧電基板１０と外枠３５とが連結されているが、図示は省略している。
【００４４】
次に、二段メサ部１６を形成する工程について説明する。先ず、前述した図４（ｇ）に示す圧電基板１０を含むＡＴカット水晶基板１０１の露出面に、図４（ｈ）に示すような耐蝕膜６０を形成する。耐蝕膜６０は、例えば、スパッタ法や真空蒸着法などによりクロム（Ｃｒ）および金（Ａｕ）をこの順で積層した後、このクロムおよび金を所望の形状にパターニングすることによって形成される。このパターニングは、例えば、次段落で説明するフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって行われる。耐蝕膜６０は、ＡＴカット水晶基板１０１を加工する際に、エッチング液となるフッ酸を含む溶液に対して耐蝕性を有する。
【００４５】
次に、図４（ｉ）に示すように、耐蝕膜６０上にフォトレジスト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光および現像して、所定の形状にフォトレジスト膜が除去された開口部７１を有するレジスト膜７０を形成する。このようにして、レジスト膜７０は、耐蝕膜６０の一部を覆うように形成される。
【００４６】
次に、図４（ｊ）に示すように、レジスト膜７０をマスクとして耐蝕膜６０、および圧電基板１０の二段メサ部１６をエッチングする。耐蝕膜６０のエッチングは、マスクの開口部７１に露出した金を、例えば、ヨウ化カリウム溶液を用いてエッチング（除去）し、次いで金が除去されて露出したクロムを、例えば、硝酸２セリウムアンモニウム溶液によりエッチング（除去）する。圧電基板１０のエッチングは、耐蝕膜６０がエッチングされて露出した圧電基板１０を含むＡＴカット水晶基板１０１を、例えば、フッ化水素酸（フッ酸：ＨＦ）とフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）と水（Ｈ2Ｏ）の混合水溶液（バッファードフッ酸）をエッチング液として行われる。
【００４７】
なお、本例では前述した外形形状の形成と同様に、混合比が、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）：水（Ｈ2Ｏ）＝３０．８ｗｔ％：１４．２ｗｔ％：５５．０ｗｔ％の混合水溶液（バッファードフッ酸）を用いた。また、本例でのフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比は、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）：＝２．２ｗｔ％：１ｗｔ％となっている。このように本例では、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比が、２．２ｗｔ％：１ｗｔ％の混合液を用いたが、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）とフッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）との混合比は、フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）に対するフッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）の重量比が１．５以上２．５以下の範囲であれば適用可能である。また、本工程での混合水溶液（バッファードフッ酸）の温度（液温）は、３５℃に設定してエッチングを行った。なお、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）は、ＮＨ4ＨＦ2であってもよい。
【００４８】
ＡＴカット水晶基板１０１のエッチングは、圧電基板１０の厚肉部の外周部分を除くＡＴカット水晶基板１０１に行われ、二段メサ部１６の所定の深さである側面１７の中間部までハーフエッチングすることによって、二段メサ部１６が形成される。この工程でのＡＴカット水晶基板１０１のエッチングは、耐蝕膜６０の形成されている圧電基板１０の中央部を除くＡＴカット水晶基板１０１に対して行われるため、既にエッチングされた部分である周辺部１２や側面１７（二段メサ部１６の段部（凸部））に対してもエッチングが行われてしまう。換言すれば、さらにエッチングが進んでしまう追加エッチングが行われてしまう。
【００４９】
この追加エッチングの影響と本実施形態のエッチング方法の効果について、図５、および図６を用いて説明する。図５は、水晶板の露出面のエッチング状態を説明するための図１に示すＲ部の拡大図であり、（ａ）、（ｂ）は従来の方法によるエッチング状態を示し、（ｃ）、（ｄ）は本実施形態の方法によるエッチング状態を示す正断面図である。また、図６は、水晶板の抜き加工面である振動素子外周の露出面（水晶外形）のエッチング状態を説明するための拡大図であり、（ａ）は従来の方法によるエッチング状態を示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態によるエッチング状態を示す正断面図である。
【００５０】
先ず、図５（ａ）、（ｂ）を用いて、従来のエッチング方法の二段メサ部の形成における水晶板のエッチング状態について説明する。二段メサ部１６の形成は、既に外形加工がなされ、交差して露出する水晶板の２面である周辺部１２と、側面１５ａと、耐蝕膜６０に覆われていない水晶面（二段メサ部１６となる部分）とが、フッ化水素（ＨＦ）を含むエッチング液によってエッチングされることによって行われる。
【００５１】
従来の水晶板のエッチング方法におけるエッチング液としては、前述で説明した本発明に係る振動素子の製造方法で説明したフッ化水素酸（フッ酸：ＨＦ）を含む混合水溶液（バッファードフッ酸）を用いている。詳述すると、混合比が、フッ化アンモニウム（ＮＨ4Ｆ）：フッ化水素酸（フッ酸；ＨＦ）：水（Ｈ2Ｏ）＝３０．８ｗｔ％：１４．２ｗｔ％：５５．０ｗｔ％の混合水溶液（バッファードフッ酸）を用いる。そして、エッチング液の温度（液温）を６５℃に設定して行われていた。これは、エッチング液の温度を高くすることによってエッチング速度を早くし、エッチングの工数を少なくするためである。
【００５２】
このように高温のエッチング液で二段メサ部１６をエッチング加工すると、図５（ａ）に示す矢印のように、既に外形加工がなされ、交差して露出する水晶板の２面である周辺部１２と側面１７とが、再度フッ化水素（ＨＦ）を含むエッチング液に晒され、追加エッチングされる。特に、側面１７の図示Ｘ軸方向のエッチングが大きくなるため、二段メサ部１６のエッチングに加えて側面１７のエッチングが重なり、図５（ｂ）に示すように、二段メサ部１６と側面１７とが交差する部分１８が大きく削られる（侵食される）と共に形状のばらつきが大きくなってしまう。
【００５３】
このように、二段メサ部１６の外周の側面１７の形状が大きく変形したり、形状がばらついたりすることによって、振動エネルギー閉じ込め効果がばらつき、振動素子の電気的特性、特に、発振のし易さの目安となるＣＩ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ）値の劣化、ばらつきを生じてしまっていた。
【００５４】
このような従来のエッチング方法に対し、本発明に係るエッチング方法によれば、二段メサ部１６の外周の側面１７の形状を安定させることができる。このことについて、図５（ｃ）、（ｄ）を用いて説明する。本発明に係るエッチング方法では、エッチング液は従来の物と同様であるが、エッチング液の温度（液温）が異なる。従来のエッチング液の温度が６５℃であったのに対し、本発明に係るエッチング方法でのエッチング液の温度は、３５℃に設定されている。
【００５５】
このように、３５℃と低い温度にエッチング液の温度を設定し、二段メサ部１６をエッチング加工することにより、エッチング速度が遅くなる。特に図５（ｃ）に示すように、Ｘ軸方向のエッチングの進みが遅くなる。これにより、図５（ｄ）に示すように、二段メサ部１６と側面１７とが交差する部分１９の侵食を小さくすることができる。このように侵食を小さくすることによって形状のばらつきも小さくすることができる。
【００５６】
このように、二段メサ部１６の外周の側面１７の形状の変形を小さくでき、さらに形状のばらつきが小さくできることによって、振動エネルギー閉じ込め効果を安定的に行うことができるため、振動素子の電気的特性、特に、ＣＩ値の劣化を防止し安定した発振を行うことが可能な振動素子を提供することが可能となった。
【００５７】
また、本発明に係るエッチング方法によれば、エッチングによる二段メサ部の形成における圧電基板１０の外形形状のばらつきも小さくすることが可能となる。このことについて、図６を用いて説明する。なお、前述と同様な説明は省略し、異なる項目について説明する。図６は、水晶板の抜き加工面である振動素子外周の露出面（外形端面）のエッチング状態を説明するための拡大図であり、（ａ）は従来の方法によるエッチング状態を示し、（ｂ）は本発明に係る実施形態によるエッチング状態を示す正断面図である。
【００５８】
図６（ａ）に示す、従来のエッチング液の温度を８５℃にするエッチング方法では、水晶板の抜き加工面である振動素子外周の露出面１２ａ、１２ｂ（水晶板の外形端面）と、露出面１２ｂと交差する周辺部１２の露出面との２面が、図示しない二段メサ部を形成するためのエッチング液に晒される。エッチング液に晒された露出面１２ａおよび露出面１２ａと周辺部１２の露出面との交差部分である露出面１２ｂは、前述と同様に早いエッチング速度でエッチングが進み、傾斜面が大きくなると共に形状のばらつきも大きくなる。
【００５９】
それに対し、図６（ｂ）に示す、本発明に係る実施形態のエッチング液の温度を３５℃に設定したエッチング方法では、水晶板の抜き加工面である振動素子外周の露出面１２ｃ、１２ｄ（水晶板の外形端面）と、露出面１２ｄと交差する周辺部１２の露出面との２面が、図示しない二段メサ部を形成するためのエッチング液に晒される。なお、ここで露出面１２ｃと露出面１２ｄとによって凸部が形成されている。エッチング液に晒された露出面１２ｃおよび露出面１２ｃと周辺部１２の露出面との交差部分である露出面１２ｄは、前述と同様にエッチングが進むが進行速度が遅くなり、結果として傾斜面が小さくなると共に形状のばらつきも小さくすることができる。
【００６０】
次に、図４に戻り、二段メサ部１６をエッチング加工する工程に続く工程について説明する。図４（ｋ）に示すように、二段メサ部１６がエッチング加工された圧電基板１０を含むＡＴカット水晶基板１０１から、レジスト膜７０をアッシング（レジスト剥離）する。これによって、一段メサ部１５の表裏の主面に励振電極２０ａ、２０ｂが設けられた圧電基板１０が形成される。なお、励振電極２０ａ、２０ｂは、耐蝕膜６０をそのまま用いて形成される。
【００６１】
以上の工程によって、厚みの異なる２種類の段差、即ち中央部に一段メサ部１５が設けられ、一段メサ部１５の周囲に二段メサ部１６を有し、その周囲に周辺部１２を有している圧電振動素子１が設けられたＡＴカット水晶基板１０１が形成される。
【００６２】
（製造方法の変形例）
なお、前述した振動素子の製造方法に変えて下記の変形例における工程でも圧電振動素子１が設けられたＡＴカット水晶基板１０１実現可能である。なお、前述の実施形態と同様な構成には、図４および図５と同符号を付し、同図を適宜参照ながら説明する。
【００６３】
耐蝕膜３０上にポジ型のフォトレジスト膜を塗布した後、このフォトレジスト膜を露光および現像して、所定の形状（開口部４１、４２など）を有するレジスト膜４０を形成する。そして、このレジスト膜４０の開口部４１、４２の部分の耐蝕膜３０、およびＡＴカット水晶基板１０１をエッチングして圧電振動素子１外形を形成する。
【００６４】
次に、マスクを用いて再度レジスト膜４０の一部（周辺部１２に対応する部分）を露光および現像して、所定の形状（開口部５１）を有するレジスト膜５０を形成する。即ち、マスクをＹ’軸方向から見てレジスト膜４０の外縁の内側に配置して露光を行う。そして、このレジスト膜５０の開口部５１の部分の耐蝕膜３０、およびＡＴカット水晶基板１０１をエッチングして圧電振動素子１の周辺部１２を形成する。
【００６５】
次に、マスクを用いて再度レジスト膜５０の一部（二段メサ部１６に対応する部分）を露光および現像して、所定の形状（開口部７１）を有するレジスト膜７０を形成する。即ち、マスクをＹ’軸方向から見てレジスト膜５０の外縁の内側に配置して露光を行う。そして、このレジスト膜７０の開口部７１の部分の耐蝕膜３０、およびＡＴカット水晶基板１０１をエッチングして圧電振動素子１の二段メサ部１６を形成する。以上のような変形例としての製造方法を用いても、二段メサ部１６を有する圧電振動素子１を製造することができる。
【００６６】
上述の振動素子の製造方法を用いた振動素子によれば、二段メサ部１６の形成時に生じる二段メサ部１６と側面１７とが交差する部分１９の侵食を小さくすることができる。また、この侵食を小さくすることによって形状のばらつきも小さくすることができる。図７に沿って、本実施形態の製造方法における効果について説明する。図７には、圧電振動素子１の外形寸法の分布および振動特性（ＣＩ値）の分布を示してある。図７（ａ）が従来方法で形成した圧電振動素子１（２４ＭＨｚ）の外形寸法であり、（ｂ）が本実施形態で形成した圧電振動素子１（２４ＭＨｚ）の外形寸法の実測値分布であり、（ｃ）が従来方法で形成した圧電振動素子１（２４ＭＨｚ）のＣＩ値分布であり、（ｄ）が本実施形態で形成した圧電振動素子１（２４ＭＨｚ）のＣＩ値分布である。なお、図７（ａ）、（ｂ）は、縦軸に外形寸法の設計値をゼロとしたときの測定品ごとの寸法差、横軸に発生数（度数）を示した、所謂寸法ばらつき分布（偏差）を表している。
【００６７】
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の製造方法を用いた圧電振動素子１の外形寸法のばらつきは、従来方法の外形寸法のばらつきの１／２以内に収まっていることが分かる。また、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、圧電振動素子１（２４ＭＨｚ）のＣＩ値分布においても、本実施形態の製造方法を用いた圧電振動素子１は、一般的な規格値である９５Ω以下に殆んど収まっている（良品率９５％以上）。これに対し、従来方法の製造方法を用いた圧電振動素子１は、約１／３が規格値以上、即ち不良となってしまっていることが分かる。
【００６８】
このように、二段メサ部１６の外周の側面１７の形状の変形を小さくでき、さらに形状のばらつきが小さくできることによって、振動エネルギー閉じ込め効果を安定的に行うことができるため、振動素子の電気的特性、特に、ＣＩ値の劣化を防止し安定した発振を行うことが可能な振動素子を提供することが可能である。また、ＣＩ値の良品率を高めることができるため、不良コストの削減につながり、結果としてコスト低減を実現することが可能となる。
【００６９】
なお、エッチング液（バッファードフッ酸）のエッチング時の温度（液温）は、前述の実施形態では３５℃の例で説明したがこの温度に限らない。図８は、バッファードフッ酸の温度と圧電振動素子１の不良率との相関を示している。図８に示すように、バッファードフッ酸の温度を２５℃以上５５℃以下（図示の範囲１）とすることで、許容できる不良率であるとされるＰｎ＝１０％以下を達成することができる。なお、２５℃未満では混合液の析出、液温の管理などが困難となり実用性に適しない。このように、バッファードフッ酸の温度は、２５℃以上５５℃以下とすることが好ましい。
【００７０】
また、エッチング液（バッファードフッ酸）のエッチング時の温度（液温）は、３０℃以上３８℃以下（図示の範囲２）とすることがさらに好適である。これは、バッファードフッ酸の温度管理のし易さ（加工精度の向上）、エッチングスピードの好適さ（加工工数の低減）、あるいは図８に示すように不良率が少ない（Ｐｎ＝５％以下）ことによる製造コスト低減など、さらに好適な温度範囲となる。
【００７１】
前述の説明では、振動素子としてＡＴカット水晶基板１０１を用いた圧電振動素子１を例に説明したが、振動素子としては本例に限らない。本発明は、露出して交差する２つの面が、エッチング液にさらされる水晶板を用いた構成であればよく、例えば、音叉型水晶振動片など他のカット角で切り出された水晶基板を用いた振動片にも提供可能である。また、振動片に限らず、例えば、圧力センサー素子、ジャイロセンサー素子などにも適用することができる。
【００７２】
また、前述の説明では、振動素子としてＡＴカット水晶基板１０１を用いた、多段（２段）順メサ構造の圧電振動素子１を例に説明したがこれに限らず、１段順メサ構造、３段以上の多段順メサ構造、或いは逆メサ構造などの構成の圧電振動片にも適用することができる。
【００７３】
また、前述の説明では、圧電基板１０の外形形成、および周辺部１２の形成においては、エッチング液の温度を８５℃としてエッチングする例で説明したがこれに限らず、二段メサ部１６の形成時と同様なエッチング液およびエッチング液の温度（液温）を用いることもできる。
【００７４】
＜電子デバイス＞
次に、上記実施形態で述べた振動素子を備えた電子デバイスについて説明する。先ず、振動子について図９を参照しながら説明し、次に発振器について図１０を参照しながら説明する。
【００７５】
（振動子）
電子デバイスとしての振動子について図９を用いて説明する。図９は、本発明にかかる振動素子を用いた電子デバイスとしての振動子を示す正断面図である。図９に示すように、振動子２００は、上記実施形態で説明したＡＴカット水晶基板１０１を用いた圧電振動素子１と、圧電振動素子１を収容したパッケージ２０４と、パッケージ２０４を気密に封止する蓋体としてのリッド２０８とを備えている。
【００７６】
パッケージ２０４は、平板上の第１基板２０１と、第１基板２０１上に、枠状の第２基板２０２、枠状の第３基板２０３、を順に積層、固着して形成され、圧電振動素子１が収容される凹部が形成される。第１基板２０１、第２基板２０２、第３基板２０３は、例えばセラミックスなどにより形成される。
【００７７】
第２基板２０２は、圧電振動素子１の励振部が含まれる大きさの開口を有する枠状の形状に形成されている。第３基板２０３は、第２基板２０２の開口より広い開口を有する枠状の形状に形成され、第２基板２０２上に積層され、固着される。そして第２基板２０２に第３基板２０３が積層されて第３基板２０３の開口の内側に現れる第２基板２０２の露出面に、圧電振動素子１が接続固着されている。第２基板２０２の露出面には、図示しない電極が設けられており、その電極に圧電振動素子１が導電性接着剤２０６によって接続固着される。なお、図示しない電極は、図示しないパッケージ２０４の内部配線により第１基板２０１の外部底面に設けられた複数の外部接続端子２０９に電気的に接続されている。
【００７８】
更に、第３基板２０３の開口の上側に蓋体としてのリッド２０８が配置され、パッケージ２０４の開口を封止し、パッケージ２０４の内部が気密封止され、振動子２００が得られる。リッド２０８は、例えば、４２アロイ（鉄にニッケルが４２％含有された合金）やコバール（鉄、ニッケルおよびコバルトの合金）等の金属、セラミックス、あるいはガラスなどを用いて形成することができる。例えば、金属によりリッド２０８を形成した場合には、コバール合金などを矩形環状に型抜きして形成されたシールリング２０７を介してシーム溶接することによりパッケージ２０４と接合される。パッケージ２０４およびリッド２０８によって形成される凹部空間２０５は、圧電振動素子１が動作するための空間となるため、減圧空間（真空に近い空間）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気に密閉・封止することが好ましい。
【００７９】
上述した振動子２００によれば、前述した圧電振動素子１を備えていることから、振動エネルギー閉じ込め効果を安定的に行うことができ、電気的特性、特に、ＣＩ値の劣化がされた安定した発振を行うことが可能な振動子を提供することができる。
【００８０】
（発振器）
電子デバイスとしての発振器について図１０を用いて説明する。図１０は、本発明にかかる振動素子を用いた電子デバイスとしての発振器を示す正断面図である。図１０に示すように、発振器３００は、上記実施形態で説明したＡＴカット水晶基板１０１を用いた圧電振動素子１と、圧電振動素子１を収容したパッケージ３０４と、パッケージ３０４を気密に封止する蓋体としてのリッド３０８とを備えている。
【００８１】
パッケージ３０４は、平板上の第１基板３０１と、第１基板３０１上に、枠状の第２基板３０２、第３基板３０３を順に積層、固着して形成され、半導体装置３１０と圧電振動素子１とが収容される凹部が形成される。第１基板３０１、第２基板３０２、および第３基板３０３は、例えばセラミックスなどにより形成される。
【００８２】
第１基板３０１は、凹部側の半導体装置３１０が搭載される電子部品搭載面に、半導体装置３１０が載置され固定されるダイパッド（図示せず）が設けられている。半導体装置３１０はダイパッド上に、例えば、図示しない導電性接着剤（ダイアタッチ材）によって接着され、固定されている。さらに、第１基板３０１の電子部品搭載面には、半導体装置３１０の図示しない電極パッドと電気的に接続するボンディングワイヤー３１１が接続される複数のＩＣ接続端子（図示せず）が形成されている。そして、半導体装置３１０の電極パッドとＩＣ接続端子とが、ワイヤーボンディング法を用いて電気的に接続されている。また、ＩＣ接続端子のいずれかは、パッケージ３０４の図示しない内部配線により、第１基板３０１の外部底面に設けられた複数の外部接続端子３０９に電気的に接続されている。
【００８３】
半導体装置３１０は、圧電振動素子１を駆動振動させるための励振手段としての駆動回路などを有している。具体的には、半導体装置３１０が有する駆動回路は、圧電振動素子１を駆動させ、受信した駆動信号を増幅するなどして外部に供給する。
【００８４】
第２基板３０２は、搭載される半導体装置３１０が収容可能な大きさの開口を有する枠状の形状に形成されている。第３基板３０３は、第２基板３０２の開口より広い開口を有する枠状の形状に形成され、第２基板３０２上に積層され、固着される。そして第２基板３０２に第３基板３０３が積層されて第３基板３０３の開口の内側に現れる第２基板３０２の露出面に、圧電振動素子１が接続固着されている。第２基板３０２の露出面には、図示しない電極が設けられており、その電極に圧電振動素子１が導電性接着剤３０６によって接続固着される。なお、図示しない電極は、図示しないパッケージ２０４の内部配線により図示しないＩＣ接続端子に電気的に接続されている。
【００８５】
更に、第３基板３０３の開口の上側に蓋体としてのリッド３０８が配置され、パッケージ３０４の開口を封止し、パッケージ３０４の内部が気密封止され、発振器３００が得られる。リッド３０８は、例えば、４２アロイ（鉄にニッケルが４２％含有された合金）やコバール（鉄、ニッケルおよびコバルトの合金）等の金属、セラミックス、あるいはガラスなどを用いて形成することができる。例えば、金属によりリッド３０８を形成した場合には、コバール合金などを矩形環状に型抜きして形成されたシールリング３０７を介してシーム溶接することによりパッケージ３０４と接合される。パッケージ３０４およびリッド３０８によって形成される凹部空間３０５は、圧電振動素子１が動作するための空間となるため、減圧空間（真空に近い空間）または窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気に密閉・封止することが好ましい。
【００８６】
上述した発振器３００によれば、前述した圧電振動素子１を備えていることから、振動エネルギー閉じ込め効果を安定的に行うことができ、電気的特性、特に、ＣＩ値の劣化がされた安定した発振を行うことが可能な発振器を提供することができる。
【００８７】
＜電子機器＞
次いで、本発明の一実施形態に係る振動素子としての圧電振動素子１、圧電振動素子１を用いた振動子２００、あるいは圧電振動素子１を用いた発振器３００を適用した電子機器について、図１１〜図１３に基づき、詳細に説明する。なお、説明では、圧電振動素子１を用いた振動子２００を適用した例を示している。
【００８８】
図１１は、本発明の一実施形態に係る振動子２００を備える電子機器としてのモバイル型（又はノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、基準信号源などとして振動子２００が内蔵されている。
【００８９】
図１２は、本発明の一実施形態に係る振動子２００を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、基準信号源などとして振動子２００が内蔵されている。
【００９０】
図１３は、本発明の一実施形態に係る振動子２００を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【００９１】
撮影者が表示部１００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、基準信号源などとして振動子２００が内蔵されている。
【００９２】
なお、本発明の一実施形態に係る振動子２００は、図１１のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１２の携帯電話機、図１３のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００９３】
＜移動体＞
図１４は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１０６には本発明に係る圧電振動素子１を用いた振動子２００が搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１０６には、振動子２００を内蔵してタイヤ１０９などを制御する電子制御ユニット１０８が車体１０７に搭載されている。また、圧電振動素子１を用いた振動子は、他にもキーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【符号の説明】
【００９４】
１…圧電振動素子、１０…圧電基板、１２…周辺部、１４…励振部、１５…一段メサ部、１５ａ…一段メサ部の側面、１６…二段メサ部、１７…二段メサ部の側面、１８、１９…２面の交差部分、２０ａ、２０ｂ…励振電極、２２ａ、２２ｂ…引出電極、２４ａ、２４ｂ…パッド、３０、６０…耐蝕膜、３１、３２…外形部分、３５…外枠、４０、５０、７０…レジスト膜、４１、４２、５１、７１…レジスト膜の開口部、１０１…ＡＴカット水晶基板、１０６…移動体としての自動車、２００…電子デバイスとしての振動子、３００…電子デバイスとしての発振器、１１００…電子機器としてのパーソナルコンピューター、１２００…電子機器としての携帯電話機、１３００…電子機器としてのデジタルスチールカメラ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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