(57)【要約】      （修正有）【課題】複数の基板を簡易に高精度にレーザスクライブする。【解決手段】基板上に膜を形成する成膜工程と、基板上の上記膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ工程と、成膜工程後の基板をレーザスクライブ工程に投入するための基板搬送経路１３３上にて基板を搬送する搬送工程と、搬送工程の途中において、基板搬送経路１３３上に間隔を置いて設けられた複数の冷却位置１４１，１４２，１４３，１４４，１４５の少なくとも１つにて基板を停止させつつ所定の冷却能力で冷却する冷却工程とを備える。搬送工程において、基板の冷却工程における合計冷却時間を所定時間以上確保するように基板を搬送する。【選択図】図１１
2014056874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に膜を形成する成膜工程と、
基板上の前記膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ工程と、
前記成膜工程後の基板を前記レーザスクライブ工程に投入するための基板搬送経路上にて基板を搬送する搬送工程と、
前記搬送工程の途中において、前記基板搬送経路上に間隔を置いて設けられた複数の冷却位置の少なくとも１つにて基板を停止させつつ所定の冷却能力で冷却する冷却工程と
を備え、
前記搬送工程において、基板の前記冷却工程における合計冷却時間を所定時間以上確保するように基板を搬送する、太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記搬送工程において前記基板搬送経路の途中で基板の前記合計冷却時間が前記所定時間以上に達した場合、前記基板搬送経路における残りの前記冷却位置での冷却をスキップして基板を前記レーザスクライブ工程に投入する、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記搬送工程において前記基板搬送経路における最後の前記冷却位置での冷却時間を調整することにより、基板の前記合計冷却時間を前記所定時間以上確保してから基板を前記レーザスクライブ工程に投入する、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項４】
基板上に膜を形成する成膜装置と、
基板上の前記膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置と、
前記成膜装置から前記レーザスクライブ装置に基板を投入するための基板搬送経路上にて基板を搬送する搬送機構と、
前記基板搬送経路上に間隔を置いて複数設けられ、基板を停止させた状態で所定の冷却能力で冷却する冷却機構と、
基板の前記冷却機構における合計冷却時間を所定時間以上確保するように前記搬送機構を制御する制御装置と
を備える、太陽電池の製造装置。
【請求項５】
前記制御装置は、基板の前記合計冷却時間が前記基板搬送経路の途中で前記所定時間以上に達した場合、前記搬送機構に前記基板搬送経路における残りの前記冷却機構をスキップして基板を前記レーザスクライブ装置に搬送させる、請求項４に記載の太陽電池の製造装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記基板搬送経路における最後の前記冷却機構での冷却時間を調整することにより、基板の前記合計冷却時間を前記所定時間以上確保してから基板を前記レーザスクライブ装置に搬送させる、請求項４に記載の太陽電池の製造装置。
【請求項７】
前記制御装置は、前記搬送機構により搬送されている複数の基板のそれぞれの前記合計冷却時間を記憶する記憶部を有し、該記憶部に記憶された前記複数の基板の各前記合計冷却時間に基づいて前記搬送機構を制御することにより、前記複数の基板のすべてにおいて前記合計冷却時間を前記所定時間以上確保する、請求項４から６のいずれかに記載の太陽電池の製造装置。
【請求項８】
前記成膜装置が、スパッタ装置またはＣＶＤ装置である、請求項４から７のいずれかに記載の太陽電池の製造装置。
【請求項９】
前記搬送機構がコンベアである、請求項４から８のいずれかに記載の太陽電池の製造装置。
【請求項１０】
前記冷却機構がファンである、請求項４から９のいずれかに記載の太陽電池の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置に関し、特に、太陽電池の量産に対応できるインライン方式の太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜太陽電池の高集積化に伴って、高精度のレーザスクライブ加工が必要とされている。高精度でスクライブできる方法を開示した先行文献として、特開２０００−３５３８１６号公報(特許文献１)がある。
【０００３】
特許文献１に記載された薄膜太陽電池モジュールの製造方法は、基板上に透明電極を形成してレーザスクライブする工程と、透明電極上に半導体層を形成してレーザスクライブする工程と、半導体層上に裏面電極を形成してレーザスクライブする工程とを有する。薄膜太陽電池モジュールの製造方法においては、各層レーザスクライブ工程におけるスクライブ時基板温度を設定値±１０℃以内の範囲に調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５３８１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
太陽電池を量産する場合、複数の基板を順次搬送してレーザスクライブする必要がある。複数の基板のそれぞれの温度を管理しつつ複数の基板をレーザスクライブすることは必ずしも容易ではない。
【０００６】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであって、複数の基板を簡易に高精度にレーザスクライブできる太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に基づく太陽電池の製造方法は、基板上に膜を形成する成膜工程と、基板上の上記膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ工程と、成膜工程後の基板をレーザスクライブ工程に投入するための基板搬送経路上にて基板を搬送する搬送工程と、搬送工程の途中において、基板搬送経路上に間隔を置いて設けられた複数の冷却位置の少なくとも１つにて基板を停止させつつ所定の冷却能力で冷却する冷却工程とを備える。搬送工程において、基板の冷却工程における合計冷却時間を所定時間以上確保するように基板を搬送する。
【０００８】
本発明の一形態においては、搬送工程において基板搬送経路の途中で基板の合計冷却時間が所定時間以上に達した場合、基板搬送経路における残りの冷却位置での冷却をスキップして基板をレーザスクライブ工程に投入する。
【０００９】
本発明の一形態においては、搬送工程において基板搬送経路における最後の冷却位置での冷却時間を調整することにより、基板の合計冷却時間を所定時間以上確保してから基板をレーザスクライブ工程に投入する。
【００１０】
本発明に基づく太陽電池の製造装置は、基板上に膜を形成する成膜装置と、基板上の上記膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置と、成膜装置からレーザスクライブ装置に基板を投入するための基板搬送経路上にて基板を搬送する搬送機構と、基板搬送経路上に間隔を置いて複数設けられ、基板を停止させた状態で所定の冷却能力で冷却する冷却機構と、基板の冷却機構における合計冷却時間を所定時間以上確保するように搬送機構を制御する制御装置とを備える。
【００１１】
本発明の一形態においては、制御装置は、基板の合計冷却時間が基板搬送経路の途中で所定時間以上に達した場合、搬送機構に基板搬送経路における残りの冷却機構をスキップして基板をレーザスクライブ装置に搬送させる。
【００１２】
本発明の一形態においては、制御装置は、基板搬送経路における最後の冷却機構での冷却時間を調整することにより、基板の合計冷却時間を所定時間以上確保してから基板をレーザスクライブ装置に搬送させる。
【００１３】
本発明の一形態においては、制御装置は、搬送機構により搬送されている複数の基板のそれぞれの合計冷却時間を記憶する記憶部を有し、この記憶部に記憶された複数の基板の各合計冷却時間に基づいて搬送機構を制御することにより、複数の基板のすべてにおいて合計冷却時間を所定時間以上確保する。
【００１４】
本発明の一形態においては、成膜装置が、スパッタ装置またはＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置である。
【００１５】
本発明の一形態においては、搬送機構がコンベアである。
本発明の一形態においては、冷却機構がファンである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、複数の基板を効率よく高精度にレーザスクライブできる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】薄膜太陽電池の構成を示す平面図である。
【図２】薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。
【図３】透光性絶縁基板上に透明電極層を形成した状態を示す断面図である。
【図４】第１分離溝を形成した状態を示す断面図である。
【図５】光電変換層を形成した状態を示す断面図である。
【図６】コンタクトラインを形成した状態を示す断面図である。
【図７】裏面電極層を形成した状態を示す断面図である。
【図８】第２分離溝を形成した状態を示す断面図である。
【図９】周縁溝を形成した状態を示す断面図である。
【図１０】トリミングした状態を示す断面図である。
【図１１】本発明の実施形態１に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。
【図１４】図１３の太陽電池の製造装置を矢印ＸＩＶ方向から見た側面図である。
【図１５】第３の基板搬送経路を基板が搬送される状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態１に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置について図を参照して説明する。以下の実施形態の説明においては、図中の同一または相当部分には同一符号を付して、その説明は繰り返さない。
【００１９】
(実施形態１)
まず、薄膜太陽電池の構成について説明する。図１は、薄膜太陽電池の構成を示す平面図である。図２は、薄膜太陽電池の構成を示す断面図である。図２(Ａ)は図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図２(Ｂ)は図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００２０】
図１，２に示すように、薄膜太陽電池１は、基板２と、透明電極層３と、光電変換層４と、裏面電極層５と、バスバー電極１０とを備えている。基板２上に、透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５がこの順序で積層されている。
【００２１】
基板２は、上面２ａと下面２ｂとを有している。基板２としては、耐熱性および透光性を有するガラス基板またはポリイミドなどの樹脂基板を用いることができる。
【００２２】
透明電極層３は、導電膜であって、第１分離溝６によって複数の領域に分離されている。第１分離溝６は光電変換層４で埋められている。透明電極層３の材料としては、たとえば、ＳｎＯ2(酸化スズ)、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)またはＺｎＯ(酸化亜鉛)などを用いることができる。
【００２３】
光電変換層４は、積層された複数の半導体層から構成されている。光電変換層４を構成する各半導体層の材料としては、たとえば、シリコン系半導体、ＣＩＳ(ＣｕＩｎＳｅ2)化合物半導体、または、ＣＩＧＳ(Ｃｕ(Ｉｎ，Ｇａ)Ｓｅ2)化合物半導体などを用いることができる。
【００２４】
以下、各半導体層がシリコン系半導体からなる場合を例にとって説明する。「シリコン系半導体」とは、非晶質シリコンまたは微結晶シリコン、非晶質シリコンまたは微結晶シリコンに炭素、ゲルマニウムまたはその他の不純物が添加された半導体(シリコンカーバイド、シリコンゲルマニウムなど)を意味する。
【００２５】
また、「微結晶シリコン」とは、結晶粒径が小さい(数十Åから数千Å程度)結晶シリコンと非晶質シリコンとの混合相の状態のシリコンを意味する。微結晶シリコンは、たとえば、結晶シリコンの薄膜をプラズマＣＶＤ法などの非平衡プロセスを用いて低温で作製した場合に形成される。
【００２６】
光電変換層４においては、透明電極層３側から順にｐ型半導体層、ｉ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されてｐｉｎ構造が形成されている。
【００２７】
ｐ型半導体層には、ボロン、アルミニウムなどのｐ型不純物原子がドープされており、ｎ型半導体層にはリンなどのｎ型不純物原子がドープされている。ｉ型半導体層は、完全にノンドープである半導体層であってもよく、微量の不純物を含む弱ｐ型または弱ｎ型で光電変換機能を十分に備えている半導体層であってもよい。
【００２８】
光電変換層４は、ｐｉｎ構造が複数重ねられたタンデム型でもよい。たとえば、光電変換層４が、透明電極層３上にａ−Ｓｉ:Ｈｐ層、ａ−Ｓｉ:Ｈｉ層、ａ−Ｓｉ:Ｈｎ層をこの順に積層した上部半導体層と、上部半導体層上にμc−Ｓｉ:Ｈｐ層、μc−Ｓｉ:Ｈｉ層、μc−Ｓｉ:Ｈｎ層をこの順に積層した下部半導体層とから構成されてもよい。
【００２９】
また、光電変換層４を上部半導体層、中部半導体層および下部半導体層からなる３層構造としてもよい。たとえば、上部および中部半導体層にアモルファスシリコン(a−Ｓｉ)、下部半導体層に微結晶シリコン(μc−Ｓｉ)を用いてもよい。光電変換層４の材料および積層構造の組み合わせは、特に限定されるものではない。なお、本実施形態においては、薄膜太陽電池の光入射側に位置する半導体層を上部半導体層、光入射側とは反対側に位置する半導体層を下部半導体層とする。
【００３０】
裏面電極層５は導電膜である。裏面電極層５の構成および材料は特に限定されないが、たとえば裏面電極層５は透明導電膜と金属膜とが積層された積層構造を有する。透明導電膜は、ＺｎＯ、ＩＴＯまたはＳｎＯ2などからなる。金属膜は、銀またはアルミニウムなどの金属からなる。
【００３１】
なお、裏面電極層５は金属膜のみから構成されてもよいが、透明導電膜を光電変換層４側に配置した方が、光電変換層４で吸収されなかった光を裏面電極層５で反射する際の反射率が向上し、高い変換効率の薄膜太陽電池を得ることができるため好ましい。
【００３２】
裏面電極層５および光電変換層４は、第２分離溝８によって複数のセル領域１１に分離されている。光電変換層４には、貫通部であるコンタクトライン７が形成されている。
【００３３】
コンタクトライン７は、裏面電極層５によって埋められており、隣り合うセル領域１１間を電気的に直列に接続している。このように直列接続された複数のセル領域１１の端子として、バスバー電極１０が裏面電極層５上に設けられている。バスバー電極１０は、銀ペーストなどのろう材によって裏面電極層５と電気的に接続されている。
【００３４】
以下、上記薄膜太陽電池の製造方法について説明する。
図３は、透光性絶縁基板上に透明電極層を形成した状態を示す断面図である。図３(Ａ)は透明電極層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図３(Ｂ)は透明電極層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。図３に示すように、まず、基板２の上面２ａ上に透明電極層３を形成する。
【００３５】
図４は、第１分離溝を形成した状態を示す断面図である。図４(Ａ)は第１分離溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図４(Ｂ)は第１分離溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３６】
図４に示すように、透明電極層３を複数の領域に分離するために、光ビームＬＭ１(レーザ光)を基板２の下面２ｂ側から基板２を通過させて透明電極層３に選択的に照射する。光ビームＬＭ１の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえばＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)レーザの基本波長である１０６４ｎｍである。この光ビームＬＭ１によるレーザスクライブにより、透明電極層３を複数の領域に分離する第１分離溝６が形成される。
【００３７】
図５は、光電変換層を形成した状態を示す断面図である。図５(Ａ)は光電変換層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図５(Ｂ)は光電変換層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００３８】
図５に示すように、第１分離溝６を埋めるように透明電極層３を覆う光電変換層４を形成する。たとえば、２００ｎｍ以上５μｍ以下の厚さとなるようにＣＶＤ法により光電変換層４を成膜する。
【００３９】
図６は、コンタクトラインを形成した状態を示す断面図である。図６(Ａ)はコンタクトラインを形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図６(Ｂ)はコンタクトラインを形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４０】
図６に示すように、基板２の下面２ｂ側から基板２を通過させて透明電極層３および光電変換層４に光ビームＬＭ２を照射する。光ビームＬＭ２の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより、光電変換層４の一部がアブレーションされることでコンタクトライン７が形成される。なお、ＹＡＧレーザの第２高調波の代わりに、ＹＶＯ4(Yttrium Vanadate)レーザを用いてもよい。
【００４１】
図７は、裏面電極層を形成した状態を示す断面図である。図７(Ａ)は裏面電極層を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図７(Ｂ)は裏面電極層を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４２】
図７に示すように、コンタクトライン７を埋めるように光電変換層４を覆う裏面電極層５を形成する。たとえば、裏面電極層５をスパッタ法により成膜する。
【００４３】
図８は、第２分離溝を形成した状態を示す断面図である。図８(Ａ)は第２分離溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図８(Ｂ)は第２分離溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４４】
図８に示すように、基板２の下面２ｂ側から基板２を通過させて透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５に光ビームＬＭ３を照射する。光ビームＬＭ３の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで第２分離溝８が形成される。
【００４５】
図９は、周縁溝を形成した状態を示す断面図である。図９(Ａ)は周縁溝を形成した状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図９(Ｂ)は周縁溝を形成した状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４６】
図９に示すように、基板２の下面２ｂ側から基板２を通過させて透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５に、光ビームＬＭ４を照射する。光ビームＬＭ４の波長は、光の吸収が主に光電変換層４において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの第２高調波長である５３２ｎｍである。これにより光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされることで、第２分離溝８の長手方向の両端(図９(Ａ)の左右端)の各々の近傍に周縁溝９が形成される。
【００４７】
図１０は、トリミングした状態を示す断面図である。図１０(Ａ)はトリミングした状態を図１のＩＩＡ−ＩＩＡ線矢印方向から見た断面図であり、図１０(Ｂ)はトリミングした状態を図１のＩＩＢ−ＩＩＢ線矢印方向から見た断面図である。
【００４８】
図１０に示すように、周縁溝９のさらに外側(図１０(Ａ)の破線部の外側)の領域と、第２分離溝８の延在方向に沿った外側(図１０(Ｂ)の左右側)の領域とに、光ビームＬＭ５を照射する。光ビームＬＭ５の波長は、光の吸収が主に透明電極層３において生じるように選択され、たとえばＹＡＧレーザの基本波長である１０６４ｎｍである。これにより、透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５の一部がアブレーションされる。
【００４９】
このトリミングにより、基板２の縁から内側へ所定幅の領域である周縁部において、基板２上に形成されていた積層膜が除去されて、周縁部の内側に薄膜太陽電池が位置するようになる。
【００５０】
上記のような製造方法で薄膜太陽電池を量産する場合、インライン方式の製造装置が用いられる。本発明の実施形態１に係る太陽電池の製造装置は、太陽電池の量産に対応したインライン方式の製造装置である。
【００５１】
図１１は、本発明の実施形態１に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。図１１に示すように、本発明の実施形態１に係る太陽電池の製造装置１００は、基板２上に膜を形成する成膜装置１１０と、成膜装置１１０で形成した基板２上の膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置１２０とを備える。
【００５２】
成膜装置１１０は、太陽電池の透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５の少なくともいずれかを基板２上に形成する装置である。具体的には、成膜装置１１０は、スパッタ装置またはＣＶＤ装置である。
【００５３】
レーザスクライブ装置１２０は、光ビームＬＭ１〜ＬＭ３の少なくともいずれかを照射する装置である。具体的には、上記の薄膜太陽電池の製造方法において成膜装置１１０による膜形成工程の次工程である光ビームを照射する装置である。
【００５４】
たとえば、成膜装置１１０にて透明電極層３を形成する場合、レーザスクライブ装置１２０にて光ビームＬＭ１を照射する。成膜装置１１０にて光電変換層４を形成する場合、レーザスクライブ装置１２０にて光ビームＬＭ２を照射する。成膜装置１１０にて裏面電極層５を形成する場合、レーザスクライブ装置１２０にて光ビームＬＭ３を照射する。
【００５５】
太陽電池の製造装置１００は、成膜装置１１０からレーザスクライブ装置１２０に基板２を投入するための基板搬送経路上にて基板２を搬送する搬送機構を備える。
【００５６】
本実施形態においては、搬送機構はコンベアである。具体的には、搬送機構は、基板２を支持しつつ自らの回転により基板２を移動させる複数のローラを有するローラコンベアである。ただし、搬送機構はコンベアに限られず、たとえば、ロボットハンドまたはエアー浮上式搬送装置などでもよい。
【００５７】
本実施形態においては、７つのコンベア１３１〜１３６，１３９が基板搬送経路上に配置されている。７つのコンベア１３１〜１３６，１３９は、それぞれ独立して駆動可能である。なお、設けられるコンベアの数は７つに限られず複数であればよい。
【００５８】
太陽電池の製造装置１００は、基板搬送経路上に間隔を置いて複数設けられた冷却位置のそれぞれに配置され、基板２を停止させた状態で所定の冷却能力で冷却する冷却機構を備える。
【００５９】
本実施形態においては、冷却機構はファンである。具体的には、所定温度の空気を所定流量で基板２の表面に噴き付けるファンである。ファンとしては、基板２の表面全体に均一に送風できるものが好ましい。ただし、冷却機構はファンに限られず、たとえば、冷却水を基板保持部内に循環させることにより基板２を冷却する水冷冷却器などでもよい。
【００６０】
本実施形態においては、６つのファン１４１〜１４５，１４９が互いに間隔を置いて配置されている。６つのファン１４１〜１４５，１４９は、それぞれ独立して稼働可能である。なお、設けられるファンの数は６つに限られず複数であればよい。
【００６１】
具体的には、コンベア１３１とコンベア１３２との間にファン１４１が配置されている。コンベア１３２とコンベア１３３との間にファン１４２が配置されている。コンベア１３３とコンベア１３４との間にファン１４３が配置されている。コンベア１３４とコンベア１３５との間にファン１４４が配置されている。コンベア１３５とコンベア１３６との間にファン１４５が配置されている。コンベア１３６とコンベア１３９との間にファン１４９が配置されている。
【００６２】
上記の構成により、基板２は、コンベア１３１によって成膜装置１１０からファン１４１による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３２によってファン１４１による冷却位置からファン１４２による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３３によってファン１４２による冷却位置からファン１４３による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３４によってファン１４３による冷却位置からファン１４４による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３５によってファン１４４による冷却位置からファン１４５による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３６によってファン１４５による冷却位置からファン１４９による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア１３９によってファン１４９による冷却位置からレーザスクライブ装置１２０まで搬送される。
【００６３】
太陽電池の製造装置１００は、太陽電池の製造装置１００の各構成の稼働または駆動を制御する制御装置１５０を備える。制御装置１５０は、太陽電池の製造装置１００の各構成と信号線で接続されている。
【００６４】
具体的には、制御装置１５０は、信号線１６１により成膜装置１１０と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６２によりレーザスクライブ装置１２０と電気的に接続されている。
【００６５】
制御装置１５０は、信号線１６３によりコンベア１３１と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６４によりコンベア１３２と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６５によりコンベア１３３と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６６によりコンベア１３４と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６７によりコンベア１３５と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６８によりコンベア１３６と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１６９によりコンベア１３９と電気的に接続されている。
【００６６】
制御装置１５０は、信号線１７０によりファン１４１と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１７１によりファン１４２と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１７２によりファン１４３と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１７３によりファン１４４と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１７４によりファン１４５と電気的に接続されている。制御装置１５０は、信号線１７９によりファン１４９と電気的に接続されている。
【００６７】
上記の構成により、制御装置１５０は、成膜装置１１０の稼働周期、特に、成膜装置１１０から基板２を排出するタイミングと、レーザスクライブ装置１２０の稼働周期、特に、レーザスクライブ装置１２０へ基板２を投入するタイミングとを同期させることができる。また、制御装置１５０は、各コンベア１３１〜１３６，１３９の駆動時期、および、各ファン１４１〜１４５，１４９の稼働時期をそれぞれ連動させることができる。
【００６８】
制御装置１５０は、太陽電池の製造装置１００の各構成の稼働履歴および駆動履歴を記憶する記憶部１５１を有する。記憶部１５１は、複数の基板２のそれぞれのシリアルナンバー、特性検査結果、および、太陽電池の製造装置１００の各構成での経過履歴などを記憶する。
【００６９】
記憶部１５１に記憶されているデータは、搬送されている基板２とその基板２に関するデータとが紐付けされて随時更新される。よって、制御装置１５０は、記憶部１５１に記憶されているデータに基づいて、複数の基板２のそれぞれにおいて太陽電池の製造装置１００の各構成の稼働または駆動を制御できる。
【００７０】
以下、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。
図１１に示すように、まず、成膜装置１１０において基板２上に膜を形成する。成膜装置１１０からは、たとえば、１００秒間隔で成膜された基板２が排出される。成膜装置１１０から排出された直後の基板２の温度は、たとえば約９０℃になっている。
【００７１】
そのため、成膜直後の基板２をレーザスクライブ装置１２０に投入した場合、基板２の熱膨張による影響で高精度のレーザスクライブを行なうことができない。高精度のレーザスクライブを行なうためには、基板２の温度をたとえば３０℃以下にする必要がある。
【００７２】
そこで、本実施形態においては、成膜した基板２を所定の温度以下まで冷却してからレーザスクライブ装置１２０に投入するために、迂回した基板搬送経路上にてコンベア１３１〜１３６，１３９により基板２を搬送する。
【００７３】
上述の通り、基板搬送経路上には、６つのファン１４１〜１４５，１４９が設けられている。各ファン１４１〜１４５，１４９は、略同一の冷却能力を有している。すなわち、各ファン１４１〜１４５，１４９による基板２の時間当たりの冷却温度は略等しい。
【００７４】
たとえば、各ファン１４１〜１４５，１４９は、基板２を１秒当たり１℃冷却可能であるとする。この場合、成膜装置１１０から排出された約９０℃の基板２を、コンベア１３１〜１３６，１３９で搬送しつつ、各ファン１４１〜１４５，１４９において１０秒間冷却したとすると、レーザスクライブ装置１２０に投入される基板２の温度を約３０℃まで冷却することが可能である。
【００７５】
このように、冷却能力が略同一である複数のファン１４１〜１４５，１４９を用いて基板２を冷却することにより、各基板２において各ファン１４１〜１４５，１４９による合計冷却時間を管理するだけで、確実に所定温度以下まで冷却した基板２をレーザスクライブ装置１２０に投入することができる。
【００７６】
なお、各ファン１４１〜１４５，１４９における冷却時間は必ずしも同一時間に限られない。複数の基板２のそれぞれにおいて、各ファン１４１〜１４５，１４９における冷却時間が異なっていてもよい。
【００７７】
すなわち、ある基板２を搬送する際に、ファン１４１〜１４５，１４９のうち稼働しないファンがあってもよく、また、１つのファンのみが所定時間以上稼働して他のファンは稼働しなくてもよい。
【００７８】
上述のように制御装置１５０は記憶部１５１を有している。記憶部１５１は、コンベア１３１〜１３６，１３９により搬送されている複数の基板２のそれぞれにおける各ファン１４１〜１４５，１４９による合計冷却時間を記憶している。
【００７９】
制御装置１５０は、この記憶部１５１に記憶された複数の基板２の各合計冷却時間に基づいてコンベア１３１〜１３６，１３９の駆動を制御することにより、複数の基板２のすべてにおいて合計冷却時間を所定時間以上確保する。
【００８０】
その結果、コンベア１３１〜１３６，１３９により搬送された基板２は全て所定の温度以下に冷却されているため、レーザスクライブ装置１２０において高精度にレーザスクライブすることができる。また、各基板２の合計冷却時間のみを管理するだけでよいため、太陽電池の製造装置１００を簡易な構成にすることができる。
【００８１】
本実施形態においては、制御装置１５０は、基板２の合計冷却時間が基板搬送経路の途中で所定時間以上に達した場合、コンベア１３１〜１３６，１３９に基板搬送経路における残りのファン１４１〜１４５，１４９をスキップして基板２をレーザスクライブ装置１２０に搬送させる。
【００８２】
このようにすることにより、基板２を必要以上に冷却することを抑制して、基板２の冷却搬送による停滞によって基板２をレーザスクライブする効率が低下することを抑制できる。その結果、効率よく基板２をレーザスクライブすることができる。
【００８３】
また、さらに効率よく基板２をレーザスクライブするために、管理する合計冷却時間を次のように設定してもよい。
【００８４】
まず、各ファン１４１〜１４５，１４９による基板２の冷却効率を１とする。各コンベア１３１〜１３６，１３９により基板２が搬送されている間の自然冷却による冷却効率をＸとする。この自然冷却による冷却効率Ｘは、予め実験により求めておく。
【００８５】
成膜装置１１０から排出されてレーザスクライブ装置１２０に投入されるまでの時間をＴ1、各ファン１４１〜１４５，１４９により冷却される合計時間をＴ2とすると、管理する合計冷却時間Ｔ3は、式(１)で表される。
Ｔ3＝Ｔ2＋(Ｔ1−Ｔ2)Ｘ・・・(１)
上記のように、管理する合計冷却時間に自然冷却時間を含めることにより、基板２の冷却過多をさらに抑制することができる。その結果、さらに効率よく基板２をレーザスクライブできる。
【００８６】
以下、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置について図を参照して説明する。なお、本実施形態に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置は、成膜装置およびレーザスクライブ装置がそれぞれ複数ある点のみ実施形態１に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【００８７】
(実施形態２)
図１２は、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。図１２に示すように、本発明の実施形態２に係る太陽電池の製造装置２００は、基板２上に膜を形成する成膜装置２１０，２２０と、成膜装置２１０，２２０で形成した基板２上の膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置２３０，２４０とを備える。
【００８８】
成膜装置２１０，２２０は、太陽電池の透明電極層３、光電変換層４および裏面電極層５の少なくともいずれかを基板２上に形成する装置である。具体的には、成膜装置２１０，２２０は、スパッタ装置またはＣＶＤ装置である。
【００８９】
レーザスクライブ装置２３０，２４０は、光ビームＬＭ１〜ＬＭ３の少なくともいずれかを照射する装置である。具体的には、上記の薄膜太陽電池の製造方法において成膜装置２１０，２２０による膜形成工程の次工程である光ビームを照射する装置である。
【００９０】
たとえば、成膜装置２１０，２２０にて透明電極層３を形成する場合、レーザスクライブ装置２３０，２４０にて光ビームＬＭ１を照射する。成膜装置２１０，２２０にて光電変換層４を形成する場合、レーザスクライブ装置２３０，２４０にて光ビームＬＭ２を照射する。成膜装置２１０，２２０にて裏面電極層５を形成する場合、レーザスクライブ装置２３０，２４０にて光ビームＬＭ３を照射する。
【００９１】
太陽電池の製造装置２００は、成膜装置２１０，２２０からレーザスクライブ装置２３０，２４０に基板２を投入するための基板搬送経路上にて基板２を搬送する搬送機構を備える。本実施形態においては、搬送機構はコンベアである。
【００９２】
本実施形態においては、大きく分けて４つの基板搬送経路が設けられている。第１の基板搬送経路は、成膜装置２１０からレーザスクライブ装置２４０に基板２を搬送する経路である。第２の基板搬送経路は、成膜装置２２０からレーザスクライブ装置２３０に基板２を搬送する経路である。第３の基板搬送経路は、成膜装置２１０からレーザスクライブ装置２３０に基板２を搬送する経路である。第４の基板搬送経路は、成膜装置２２０からレーザスクライブ装置２４０に基板２を搬送する経路である。
【００９３】
第１の基板搬送経路の長さと第２の基板搬送経路の長さとは、略同等である。第３の基板搬送経路の長さが最短であり、第４の基板搬送経路の長さが最長である。
【００９４】
第１の基板搬送経路上には、９つのコンベア２５１〜２５７，２５８ｂ，２５９ｂが配置されている。第２の基板搬送経路上には、９つのコンベア２６１〜２６７，２６８ａ，２６９ａが配置されている。第３の基板搬送経路上には、９つのコンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５９ａが配置されている。第４の基板搬送経路上には、９つのコンベア２６１〜２６７，２６８ｂ，２６９ｂが配置されている。各コンベアは、それぞれ独立して駆動可能である。なお、各基板搬送経路上に設けられるコンベアの数は９つに限られず複数であればよい。
【００９５】
太陽電池の製造装置２００は、基板搬送経路上に間隔を置いて複数設けられた冷却位置のそれぞれに配置され、基板２を停止させた状態で所定の冷却能力で冷却する冷却機構を備える。本実施形態においては、冷却機構はファンである。
【００９６】
本実施形態においては、上記の各基板搬送経路上に６つのファンが互いに間隔を置いて配置されている。６つのファンは、それぞれ独立して稼働可能である。なお、各基板搬送経路上に設けられるファンの数は６つに限られず複数であればよい。
【００９７】
具体的には、コンベア２５１，２６１とコンベア２５２，２６２との間にファン２７１が配置されている。コンベア２５２，２６２とコンベア２５３，２６３との間にファン２７２が配置されている。コンベア２５３，２６３とコンベア２５４，２６４との間にファン２７３が配置されている。コンベア２５４，２６４とコンベア２５５，２６５との間にファン２７４が配置されている。コンベア２５５，２６５とコンベア２５６，２６６との間にファン２７５が配置されている。コンベア２５８ａ，２６８ａとコンベア２５９ａ，２６９ａとの間にファン２７９ａが配置されている。コンベア２５８ｂ，２６８ｂとコンベア２５９ｂ，２６９ｂとの間にファン２７９ｂが配置されている。
【００９８】
上記の構成により、第１の基板搬送経路において、基板２は、コンベア２５１によって成膜装置２１０からファン２７１による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５２によってファン２７１による冷却位置からファン２７２による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５３によってファン２７２による冷却位置からファン２７３による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５４によってファン２７３による冷却位置からファン２７４による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５５によってファン２７４による冷却位置からファン２７５による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５６，２５７，２５８ｂによってファン２７５による冷却位置からファン２７９ｂによる冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５９ｂによってファン２７９ｂによる冷却位置からレーザスクライブ装置２４０まで搬送される。
【００９９】
第２の基板搬送経路において、基板２は、コンベア２６１によって成膜装置２２０からファン２７１による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６２によってファン２７１による冷却位置からファン２７２による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６３によってファン２７２による冷却位置からファン２７３による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６４によってファン２７３による冷却位置からファン２７４による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６５によってファン２７４による冷却位置からファン２７５による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６６，２６７，２６８ａによってファン２７５による冷却位置からファン２７９ａによる冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６９ａによってファン２７９ａによる冷却位置からレーザスクライブ装置２３０まで搬送される。
【０１００】
第３の基板搬送経路において、基板２は、コンベア２５１によって成膜装置２１０からファン２７１による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５２によってファン２７１による冷却位置からファン２７２による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５３によってファン２７２による冷却位置からファン２７３による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５４によってファン２７３による冷却位置からファン２７４による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５５によってファン２７４による冷却位置からファン２７５による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５６，２５７，２５８ａによってファン２７５による冷却位置からファン２７９ａによる冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２５９ａによってファン２７９ａによる冷却位置からレーザスクライブ装置２３０まで搬送される。
【０１０１】
第４の基板搬送経路において、基板２は、コンベア２６１によって成膜装置２２０からファン２７１による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６２によってファン２７１による冷却位置からファン２７２による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６３によってファン２７２による冷却位置からファン２７３による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６４によってファン２７３による冷却位置からファン２７４による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６５によってファン２７４による冷却位置からファン２７５による冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６６，２６７，２６８ｂによってファン２７５による冷却位置からファン２７９ｂによる冷却位置まで搬送される。次に、コンベア２６９ｂによってファン２７９ｂによる冷却位置からレーザスクライブ装置２４０まで搬送される。
【０１０２】
上記のように、コンベア２５７は、第１の基板搬送経路と第３の基板搬送経路とを切り替える機能を有している。具体的には、コンベア２５７は、コンベア２５６と、コンベア２５８ａまたはコンベア２５８ｂとを択一的に接続する。
【０１０３】
コンベア２６７は、第２の基板搬送経路と第４の基板搬送経路とを切り替える機能を有している。具体的には、コンベア２６７は、コンベア２６６と、コンベア２６８ａまたはコンベア２６８ｂとを択一的に接続する。
【０１０４】
太陽電池の製造装置２００は、太陽電池の製造装置２００の各構成の稼働または駆動を制御する制御装置２８０を備える。制御装置２８０は、太陽電池の製造装置２００の各構成と信号線で接続されている。
【０１０５】
具体的には、制御装置２８０は、信号線２８１により成膜装置２１０と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８２により成膜装置２２０と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８３によりレーザスクライブ装置２３０と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８４によりレーザスクライブ装置２４０と電気的に接続されている。
【０１０６】
制御装置２８０は、信号線２８５によりコンベア２５１と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８６によりコンベア２５２と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８７によりコンベア２５３と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８８によりコンベア２５４と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２８９によりコンベア２５５と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２９０によりコンベア２５６と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２９１によりコンベア２５７と電気的に接続されている。
【０１０７】
制御装置２８０は、信号線２９２によりコンベア２５８ａと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２９３によりコンベア２５９ａと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２９４によりコンベア２５８ｂと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線２９５によりコンベア２５９ｂと電気的に接続されている。
【０１０８】
制御装置２８０は、信号線３８５によりコンベア２６１と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３８６によりコンベア２６２と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３８７によりコンベア２６３と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３８８によりコンベア２６４と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３８９によりコンベア２６５と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３９０によりコンベア２６６と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３９１によりコンベア２６７と電気的に接続されている。
【０１０９】
制御装置２８０は、信号線３９２によりコンベア２６８ａと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３９３によりコンベア２６９ａと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３９４によりコンベア２６８ｂと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３９５によりコンベア２６９ｂと電気的に接続されている。
【０１１０】
制御装置２８０は、信号線３７０によりファン２７１と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７１によりファン２７２と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７２によりファン２７３と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７３によりファン２７４と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７４によりファン２７５と電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７９ａによりファン２７９ａと電気的に接続されている。制御装置２８０は、信号線３７９ｂによりファン２７９ｂと電気的に接続されている。
【０１１１】
上記の構成により、制御装置２８０は、成膜装置２１０の稼働周期、特に、成膜装置２１０から基板２を排出するタイミングと、レーザスクライブ装置２４０の稼働周期、特に、レーザスクライブ装置２４０へ基板２を投入するタイミングとを同期させることができる。
【０１１２】
制御装置２８０は、成膜装置２２０の稼働周期、特に、成膜装置２２０から基板２を排出するタイミングと、レーザスクライブ装置２３０の稼働周期、特に、レーザスクライブ装置２３０へ基板２を投入するタイミングとを同期させることができる。
【０１１３】
また、制御装置２８０は、各コンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５８ｂ，２５９ａ，２５９ｂの駆動時期、および、各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂの稼働時期をそれぞれ連動させることができる。制御装置２８０は、各コンベア２６１〜２６７，２６８ａ，２６８ｂ，２６９ａ，２６９ｂの駆動時期、および、各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂの稼働時期をそれぞれ連動させることができる。
【０１１４】
制御装置２８０は、太陽電池の製造装置２００の各構成の稼働履歴および駆動履歴を記憶する記憶部２８１を有する。記憶部２８１は、複数の基板２のそれぞれのシリアルナンバー、特性検査結果、および、太陽電池の製造装置２００の各構成での経過履歴などを記憶する。
【０１１５】
記憶部２８１に記憶されているデータは、搬送されている基板２とその基板２に関するデータとが紐付けされて随時更新される。よって、制御装置２８０は、記憶部２８１に記憶されているデータに基づいて、複数の基板２のそれぞれにおいて太陽電池の製造装置２００の各構成の稼働または駆動を制御できる。
【０１１６】
以下、本実施形態に係る太陽電池の製造方法について説明する。
図１２に示すように、まず、成膜装置２１０，２２０において基板２上に膜を形成する。成膜装置２１０，２２０からは、たとえば、１００秒間隔で成膜された基板２が排出される。
【０１１７】
本実施形態においては、成膜した基板２を所定の温度以下まで冷却してからレーザスクライブ装置２３０，２４０に投入するために、迂回した第１および第２の基板搬送経路上にてコンベアにより基板２を搬送する。
【０１１８】
上述の通り、各基板搬送経路上には、６つのファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂが設けられている。各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂは、略同一の冷却能力を有している。すなわち、各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂによる基板２の時間当たりの冷却温度は略等しい。
【０１１９】
このように、冷却能力が略同一である複数のファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂを用いて基板２を冷却することにより、各基板２において各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂによる合計冷却時間を管理するだけで、確実に所定温度以下まで冷却した基板２をレーザスクライブ装置２３０，２４０に投入することができる。
【０１２０】
なお、各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂにおける冷却時間は必ずしも同一時間に限られない。複数の基板２のそれぞれにおいて、各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂにおける冷却時間が異なっていてもよい。
【０１２１】
すなわち、ある基板２を搬送する際に、ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂのうち稼働しないファンがあってもよく、また、１つのファンのみが所定時間以上稼働して他のファンは稼働しなくてもよい。
【０１２２】
上述のように制御装置２８０は記憶部２８１を有している。記憶部２８１は、コンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５８ｂ，２５９ａ，２５９ｂ，２６１〜２６７，２６８ａ，２６８ｂ，２６９ａ，２６９ｂにより搬送されている複数の基板２のそれぞれにおける各ファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂによる合計冷却時間を記憶している。
【０１２３】
制御装置２８０は、この記憶部２８１に記憶された複数の基板２の各合計冷却時間に基づいてコンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５８ｂ，２５９ａ，２５９ｂ，２６１〜２６７，２６８ａ，２６８ｂ，２６９ａ，２６９ｂの駆動を制御することにより、複数の基板２のすべてにおいて合計冷却時間を所定時間以上確保する。
【０１２４】
その結果、コンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５８ｂ，２５９ａ，２５９ｂ，２６１〜２６７，２６８ａ，２６８ｂ，２６９ａ，２６９ｂにより搬送された基板２は全て所定の温度以下に冷却されているため、レーザスクライブ装置２３０，２４０において高精度にレーザスクライブすることができる。また、各基板２の合計冷却時間のみを管理するだけでよいため、太陽電池の製造装置２００を簡易な構成にすることができる。
【０１２５】
本実施形態においては、制御装置２８０は、基板２の合計冷却時間が基板搬送経路の途中で所定時間以上に達した場合、コンベア２５１〜２５７，２５８ａ，２５８ｂ，２５９ａ，２５９ｂ，２６１〜２６７，２６８ａ，２６８ｂ，２６９ａ，２６９ｂに基板搬送経路における残りのファン２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂをスキップして基板２をレーザスクライブ装置２３０，２４０に搬送させる。
【０１２６】
このようにすることにより、基板２を必要以上に冷却することを抑制して、基板２の冷却搬送による停滞によって基板２をレーザスクライブする効率が低下することを抑制できる。その結果、効率よく基板２をレーザスクライブすることができる。
【０１２７】
たとえば、第１の基板搬送経路と第４の基板搬送経路とにおいて同時に基板２を搬送してレーザスクライブ装置２４０のみでレーザスクライブする際、または、第２の基板搬送経路と第３の基板搬送経路とにおいて同時に基板２を搬送してレーザスクライブ装置２３０のみでレーザスクライブする際、ファン２７９ａ，２７９ｂに基板２が集中するためファン２７９ａ，２７９ｂより上流側で基板２が滞留してファン２７１〜２７５による合計冷却時間が所定時間以上に達している場合、ファン２７９ａ，２７９ｂをスキップして基板２をレーザスクライブ装置２３０，２４０に搬送させる。
【０１２８】
このように、経路長さの異なる複数の基板搬送経路を組み合わせて用いた場合にも、基板２の冷却搬送による停滞を抑制して、効率よく基板２をレーザスクライブすることができる。
【０１２９】
以下、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置について図を参照して説明する。なお、本実施形態に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置は、ファンがコンベアの中央部上に位置して連続運転している点が主に実施形態２に係る太陽電池の製造方法および太陽電池の製造装置と異なるため、他の構成については説明を繰り返さない。
【０１３０】
(実施形態３)
図１３は、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造装置の構成を示す平面図である。図１４は、図１３の太陽電池の製造装置を矢印ＸＩＶ方向から見た側面図である。
【０１３１】
図１３に示すように、本発明の実施形態３に係る太陽電池の製造装置３００は、基板２上に膜を形成する成膜装置３１０，３２０と、成膜装置３１０，３２０で形成した基板２上の膜にレーザ光を照射してスクライブするレーザスクライブ装置３３０，３４０とを備える。
【０１３２】
太陽電池の製造装置３００は、成膜装置３１０，３２０からレーザスクライブ装置３３０，３４０に基板２を投入するための基板搬送経路上にて基板２を搬送する搬送機構を備える。本実施形態においては、搬送機構はコンベアである。
【０１３３】
本実施形態においては、大きく分けて４つの基板搬送経路が設けられている。第１の基板搬送経路は、成膜装置３１０からレーザスクライブ装置３４０に基板２を搬送する経路である。第２の基板搬送経路は、成膜装置３２０からレーザスクライブ装置３３０に基板２を搬送する経路である。第３の基板搬送経路は、成膜装置３１０からレーザスクライブ装置３３０に基板２を搬送する経路である。第４の基板搬送経路は、成膜装置３２０からレーザスクライブ装置３４０に基板２を搬送する経路である。
【０１３４】
第１の基板搬送経路の長さと第２の基板搬送経路の長さとは、略同等である。第３の基板搬送経路の長さが最短であり、第４の基板搬送経路の長さが最長である。
【０１３５】
第１の基板搬送経路上には、１３個のコンベア３７０，３５４〜３６１，３８０〜３８３が配置されている。第２の基板搬送経路上には、１３個のコンベア３５０〜３６２が配置されている。第３の基板搬送経路上には、１０個のコンベア３７０，３５４〜３６２が配置されている。第４の基板搬送経路上には、１６個のコンベア３５０〜３６１，３８０〜３８３が配置されている。各コンベアは、それぞれ図示しない制御装置と接続されており、独立して駆動可能である。
【０１３６】
図１３，１４に示すように、太陽電池の製造装置３００は、基板搬送経路上に間隔を置いて複数設けられた冷却位置のそれぞれに配置され、基板２を停止させた状態で所定の冷却能力で冷却する冷却機構を備える。本実施形態においては、冷却機構はファンである。ファンは、冷却位置に該当するコンベアの平面視における中央部の上方に配置されている。
【０１３７】
具体的には、コンベア３５２の中央部の上方にファン３７１が配置されている。コンベア３５３の中央部の上方にファン３７２が配置されている。コンベア３５５の中央部の上方にファン３７３が配置されている。コンベア３５７の中央部の上方にファン３７４が配置されている。コンベア３５８の中央部の上方にファン３７５が配置されている。コンベア３６０の中央部の上方にファン３７６が配置されている。コンベア３６２の中央部の上方にファン３７７が配置されている。コンベア３８３の中央部の上方にファン３７８が配置されている。
【０１３８】
基板２は、各基板搬送路にて各コンベアの中央部を通過するように搬送される。ファンは、上記制御装置とは接続されておらず、連続運転している。そのため、基板２は、ファンが上方に設けられたコンベアの中央部上で停止している間に、ファンによって冷却される。
【０１３９】
本実施形態においては、通常時、第２の基板搬送経路上にて基板２を搬送する。図１３の点線で示すように、基板２が第２の基板搬送経路を構成するコンベア３５０〜３６２の各中央部を経由して、成膜装置３２０からレーザスクライブ装置３３０へ搬送される。この場合、たとえば、ファン３７１〜３７７が上方に設けられたコンベア３５２，３５３，３５５，３５７，３５８，３６０，３６２の中央部にてそれぞれ１０秒間基板２が停止して冷却されたとすると、１枚の基板２の合計冷却時間は７０秒になる。ここで、合計冷却時間の必要所定時間を７０秒とする。
【０１４０】
図１５は、第３の基板搬送経路を基板が搬送される状態を示す平面図である。成膜装置３２０にトラブルが発生した場合、成膜装置３１０を稼働させて基板２を成膜処理する。この場合、図１５に示すように、第３の基板搬送経路上にて基板２を搬送する。ファン３７３〜３７７が上方に設けられたコンベア３５５，３５７，３５８，３６０，３６２の中央部にてそれぞれ１０秒間基板２が停止して冷却されたとすると、１枚の基板２の合計冷却時間は５０秒になる。
【０１４１】
このように、基板２が通常時よりも長さの短い基板搬送経路を搬送される場合、各ファンによる冷却時間を通常時と同一に設定すると、基板２の合計冷却時間が短くなり、合計冷却時間を所定時間以上確保することができないことがある。
【０１４２】
その場合、本実施形態においては、基板搬送経路における最後のファン３７７での冷却時間を調整することにより、基板２の合計冷却時間を所定時間以上確保してから基板２をレーザスクライブ装置３３０に搬送させる。たとえば、コンベア３６２の中央部に基板２が停止する時間を３０秒にし、その他では１０秒のままとする。すると、第３の基板搬送経路を搬送される基板２の合計冷却時間は７０秒となり、合計冷却時間を所定時間以上確保することができる。
【０１４３】
一方、基板２を第１の基板搬送経路上にて搬送中にレーザスクライブ装置３３０において滞留が生じて、ファン３７１〜３７６による基板２の合計冷却時間が７０秒を超えている場合には、最後のファン３７７での冷却時間を０秒にする。このようにすることにより、基板２を必要以上に冷却することを抑制して、基板２の不要な冷却時間によって基板２をレーザスクライブする効率が低下することを抑制できる。その結果、効率よく基板２をレーザスクライブすることができる。
【０１４４】
上記のように基板搬送経路上における最後のファンによる冷却時間を調整することにより、基板２の合計冷却時間を所定時間以上確保しつつ、不要な冷却時間を削減することができる。
【０１４５】
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【０１４６】
１  薄膜太陽電池、２  基板、２ａ  上面、２ｂ  下面、３  透明電極層、４  光電変換層、５  裏面電極層、６  第１分離溝、７  コンタクトライン、８  第２分離溝、９  周縁溝、１０  バスバー電極、１１  セル領域、１００，２００  太陽電池の製造装置、１１０，２１０，２２０，３１０，３２０  成膜装置、１２０，２３０，２４０，３３０，３４０  レーザスクライブ装置、１３１〜１３６，１３９，２５１〜２５７，２５８ａ，２５９ａ，２５８ｂ，２５９ｂ，２６１〜２６７，２６８ａ，２６９ａ，２６８ｂ，２６９ｂ，３５０〜３６２，３７０，３８０〜３８３  コンベア、１４１〜１４５，１４９，２７１〜２７５，２７９ａ，２７９ｂ，３７１〜３７８  ファン、１５０，２８０  制御装置、１５１，２８１  記憶部、１６１，１６２，１６３，１６４，１６５，１６６，１６７，１６８，１６９，１７０，１７１，１７２，１７３，１７４，１７９，２８１，２８２，２８３，２８４，２８５，２８６，２８７，２８８，２８９，２９０，２９１，２９２，２９３，２９４，２９５，３７０，３７１，３７２，３７３，３７４，３７９ａ，３７９ｂ，３８５，３８６，３８７，３８８，３８９，３９０，３９１，３９２，３９３，３９４，３９５  信号線、ＬＭ１〜ＬＭ５  光ビーム。
【図１】
2014056874.tif 000003
【図２】
2014056874.tif 000004
【図３】
2014056874.tif 000005
【図４】
2014056874.tif 000006
【図５】
2014056874.tif 000007
【図６】
2014056874.tif 000008
【図７】
2014056874.tif 000009
【図８】
2014056874.tif 000010
【図９】
2014056874.tif 000011
【図１０】
2014056874.tif 000012
【図１１】
2014056874.tif 000013
【図１２】
2014056874.tif 000014
【図１３】
2014056874.tif 000015
【図１４】
2014056874.tif 000016
【図１５】
2014056874.tif 000017