(57)【要約】【課題】カーフシフトがなく、ピックアップ時に容易にテープからチップを剥離させることができ、エキスパンドの際にはリングフレームからの剥離がない放射線非硬化型の粘着テープを提供する。【解決手段】本願発明による粘着テープは、表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。【選択図】図１
2014135376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、
２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、
２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする粘着テープ。
【請求項２】
基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、
前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０〜９０質量％と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０〜３０質量％とにより構成される水酸基価が４５〜１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｅ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、（ｅ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｆ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の粘着テープ。
【請求項５】
（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｅ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、（ｅ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｆ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０〜９０質量％と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０〜３０質量％とにより構成される水酸基価が４５〜１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粘着テープ、及び粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、放射線照射により粘着力が変化することのない放射線非硬化型であって、ウェハを分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープ、及び該粘着テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハや半導体パッケージの半導体関連材料などは、回転刃などの切断刃を用いて切断され、小片の半導体素子やＩＣ部品に分離されている。例えば、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム−砒素などを材料とする半導体ウェハは、大径の状態で製造された後、所定の厚さになるまで裏面研削処理（バックグラインド処理）され、さらに必要に応じて裏面処理（エッチング処理、ポリッシング処理など）が施される。次に、半導体ウェハが切断加工（ダイシング）され剥離回収（ピックアップ）する工程を経て、マウント及びモールド工程に実装される。このダイシング工程においては、半導体加工用ウェハを固定保持してチップに切断加工するためにダイシング用粘着テープが用いられている。
【０００３】
ダイシング用粘着テープにおいては、切断加工の際、ダイシングブレードがウェハを切削する衝撃でチップが飛散することによる、歩留まりの低下や、ダイシングブレードの破損を防止するため、強保持性が求められる。また、剥離回収の際は、テープ裏面側から突き上げピンでチップを突上げることでチップをテープから剥離させるため、剥離不良によるチップ割れや歩留まり低下を防止するため易剥離性が求められる。このように、ダイシング用粘着テープには、ダイシング工程とピックアップ工程において相反する性能を有することが要求されており、これら要求を達成するため、放射線照射により粘着力が変化する、放射線硬化型のダイシング用粘着テープを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ところで近年では、ＩＣカードの普及が進み、チップの薄型化が望まれている。このため、従来は厚さが３５０μｍ程度であった半導体チップを、厚さ５０〜１００μｍあるいはそれ以下まで薄くする必要が生じている。このようなチップの薄型化を達成するため、新たなウェハの切断方法が提案されている。ウェハを完全に切断せずに、折り目となる溝を加工するハーフカットダイシング工程（例えば、特許文献２参照）や、ウェハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をウェハの厚さ部分に合わせてウェハの内部に帯状の改質領域を形成するステルスダイシング工程（例えば、特許文献３参照）など、ウェハを容易に切断可能とする工程を施し、その後に外力を加えるなどして切断する方法が提案されている。これらの方法は、特にウェハの厚さが薄い場合にチッピングなどの不良を低減する効果がある。また、ステルスダイシングを用いた場合、カーフラインを必要としないことから収率向上効果などを期待することができる。
【０００５】
また、外力を加える方法として、ウェハ内部に集光点を合わせレーザー照射により改質層を形成し、その後、裏面側から改質領域に到達するまで研削を行う半導体チップの製造方法が開示されている（例えば、特許文献４参照）。この工法は「先ダイシング法」と呼ばれ、ウェハの裏面研削と個々のチップへの分割を同時に行うことにより、薄型チップを効率よく製造することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１９６０７公報
【特許文献２】特開２００２−１９２３７０公報
【特許文献３】特開２００３−３３８４６７公報
【特許文献４】特開２０１２−１２４３００公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように近年では新たなダイシング方法が提案されており、その結果、ダイシング用粘着テープに要求される特性も変化してきている。ここで、ステルスダイシング法を用いて半導体装置の製造工程を行うと、ブレードによるダイシング方法と異なり、チップ間にカーフラインの形成がなされないため、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いて放射線照射にてテープを硬化させると、硬化収縮により本来のチップ間隔が崩れてしまい（カーフシフト）、ピックアップ工程にてチップの剥離がしにくくなることや、チップ同士の接触により不具合が生じることが新たな問題となっている。
【０００８】
また、ステルスダイシング法においては前述したように厚さ100μm以下の薄ウェハの加工が用いられることが多く、ピックアップ時のチップ割れが問題となっている。そのため、一般的なブレードダイシング用途に比べ、粘着テープにはより軽剥離の性能が要求される。
【０００９】
そこで、本発明は、ステルスダイシング法や先ダイシング法などウェハにカーフラインが形成されないダイシング工程において、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いることによって生ずる硬化収縮によるチップへの粘着剤の噛み込みによるカーフシフトがなく、ピックアップ時に容易にテープからチップを剥離させることができ、エキスパンドの際にはリングフレームからの剥離がない放射線非硬化型の粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本願発明による粘着テープは、表面に回路パターンが形成されたウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ内部に改質領域を形成した後、前記改質領域でチップに分割したチップをピックアップするために用いる粘着テープであって、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。
【００１１】
上記粘着テープは、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０〜９０質量％と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０〜３０質量％とにより構成される水酸基価が４５〜１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることが好ましい。
【００１２】
また、上記粘着テープは、（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｅ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることが好ましい。
【００１３】
また、上記有機粘着テープは、（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、（ｅ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｆ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法に用いることが好ましい。
【００１４】
また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまで前記ウェハの裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｅ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記改質領域で分割したチップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。
【００１５】
また、本願発明による半導体装置の製造方法は、（ａ）前記ウェハの表面に表面保護テープを貼付し、前記ウェハ内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、前記ウェハ内部に前記改質領域を形成する工程と、（ｂ）前記改質領域または前記改質領域付近に到達するまでウェハ裏面を研削する工程と、（ｃ）前記ウェハの裏面に前記粘着テープを貼付すると共に、前記粘着テープを保持するためのリングフレームに前記粘着テープを固定する工程と、（ｄ）前記ウェハおよび前記リングフレームを保持台に保持し、前記粘着テープを介し、前記ウェハ裏面側から外部応力を加えることにより、前記ウェハを前記改質領域に沿ってチップ単位に分割する工程と、（ｅ）前記ウェハの表面に貼付した前記表面保護テープを剥離する工程と、（ｆ）前記粘着テープをエキスパンドし、前記チップをピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法であって、前記粘着テープは、放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型であり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする。
【００１６】
上記の半導体装置の製造方法は、前記粘着テープが、基材フィルム上に粘着剤層が形成されており、前記粘着剤層が、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０〜９０質量％と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０〜３０質量％とにより構成される水酸基価が４５〜１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドとを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、ステルスダイシング法や先ダイシング法などウェハにカーフラインが形成されないダイシング工程において、放射線硬化型ダイシング用粘着テープを用いることによって生ずる硬化収縮によるチップへの粘着剤の噛み込みによるカーフシフトがなく、ピックアップ時に容易にテープからチップを剥離させることができ、エキスパンドの際にはリングフレームからの剥離がない放射線非硬化型の粘着テープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたピックアップ工程を模式的に示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る粘着テープを用いたステルスダイシング法によるダイシング工程において外力を加える別の方法を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
本発明の実施形態に係る粘着テープ１は、基材フィルム２の少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層３が形成されている。図１は、本発明の放射線非硬化型の粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図であり、粘着テープ１は基材フィルム２を有しており、基材フィルム２の上には粘着剤層３が形成されている。また、粘着剤層３の上には、必要に応じて設けられるセパレータ４が形成されている。
【００２１】
以下、本実施形態の粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００２２】
（基材フィルム２）
基材フィルム２としては、特に制限されるものでなく、公知のプラスチックなどの樹脂を用いることができる。一般に基材フィルム２としては熱可塑性のプラスチックフィルムが用いられている。使用する基材フィルム２としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体およびスチレン−水添イソプレン／ブタジエン−スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン−（メタ）アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層３との接着性によって任意に選択することができる。
【００２３】
基材フィルム２は、市販のものを用いても良いし、常法により製膜したものであっても良い。基材フィルム２の厚さは通常のダイシング用粘着テープ１の基材フィルム２と特に異ならない。通常３０〜２００μｍ、より好ましくは５０〜１５０μｍである。
【００２４】
基材フィルム２の粘着剤層３に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
【００２５】
（粘着剤層３）
【００２６】
放射線の照射により硬化しない放射線非硬化型の粘着剤層３に使用される樹脂としては、粘着テープ１の２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍとなるものであれば、特に制限されることはなく、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシルエチル（メタ）アクリレートおよび／または２−ヒドロキシブチルアクリレートから導かれる構成単位とを含み、該（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が含まれる共重合体が、イソシアネート化合物により架橋されたものを使用することができる。
【００２７】
対シリコンミラー面、対ＳＵＳ３０４の剥離力が上記範囲内となるようにするには、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０〜９０質量％と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０〜３０質量％より構成される水酸基価が４５〜１００のアクリル系共重合体と、数平均分子量が３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドを含み、イソシアネート系架橋剤を用いて架橋されたものを用いることが好ましい。
【００２８】
ここで、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーとしては、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸２−メチルプロピル、（メタ）アクリル酸２−メチルブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルブチル、（メタ）アクリル酸２−メチルヘキシル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸１，２−ジメチルブチル、（メタ）アクリル酸ラウリルなどが挙げられ、その中でも特にアルキル基の炭素数が８以上のものが好ましい。
【００２９】
上記粘着剤を形成する共重合体において、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０〜９０質量％含まれることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が多すぎると粘着剤の架橋点が少なくなり、十分な特性を得ることができず、少なすぎると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム２に塗布するまでのポットライフが短くなり、本発明のダイシング用粘着テープ１を製造する場合に支障が生じる。
【００３０】
また、架橋性の官能基含有モノマーとして、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが用いられ、構成単位として１０〜３０質量％含まれることが好ましい。２−ヒドロキシプロピルアクリレートよりも鎖長が短い２−ヒドロキシエチルアクリレートなどの官能基含有モノマーを用いると、架橋反応が速くポットライフが短くなり、本発明のダイシング用粘着テープ１を製造する場合に支障が生じ、２−ヒドロキシブチルアクリレートなど鎖長が長いモノマーを用いると架橋反応の進行が遅くなり、架橋反応の完結が極端に長期化する問題が生じる。また、官能基含有モノマーが１０質量％未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレーム９剥がれが発生し、３０質量％を超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ時にテープからチップ１１が剥離し難くなる。
【００３１】
また、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーから導かれる構成単位が７０〜９０質量％、かつ官能基含有モノマーが２−ヒドロキシエチルアクリレートおよび／または２−ヒドロキシプロピルアクリレートであるアクリル系共重合体の水酸基価は４５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。水酸基価が４５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であると極性が低く、被着体への密着性が低下し、リングフレーム９剥がれが発生し、１００ｍｇＫＯＨ／ｇを超えると、逆に被着体への密着性が過剰となり、ピックアップ時にテープからチップ１１が剥離し難くなるからである。
【００３２】
数平均分子量３０００〜１００００であるポリプロピレンオキシドとしては、数平均分子量として３０００〜１００００であれば特に制限されず、公知のポリプロピレンオキシドの中から適宜選択することができる。数平均分子量が３０００未満であると、低分子量成分が被着体表面に移行し、汚染性が増加し、１００００を超えるとアクリル系共重合体との相溶性が悪化し、未相溶成分が被着体表面に移行し汚染性が増加するため数平均分子量は３０００〜１００００の範囲が好ましい。
【００３３】
ポリプロピレンオキシドの配合量としては、特に制限されず、目的とする粘着力が得られる範囲内で適宜調整可能であるが、アクリル系共重合体１００質量部に対して、０．５〜５質量部の範囲から適宜選択することができる。ポリプロピレンオキシドの配合量が０．５部未満では、ピックアップ時に粘着テープ１からチップ１１（図７参照）を剥離するが困難となり、５部を超えると被着体への汚染が増加する。
【００３４】
対シリコンミラー面、対ＳＵＳ３０４の剥離力は、アルキル基の炭素数、（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーと２−ヒドロキシプロピルアクリレートの配合割合、水酸基価、ポリプロピレンオキシドの数平均分子量、ポリプロピレンオキシドの配合割合等を適宜組み合わせることにより、調整することができる。
【００３５】
粘着剤を構成する共重合体は、イソシアネート化合物により架橋されている。イソシアネート化合物としては、特に制限がなく、例えば、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等の芳香族イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート等が挙げられる。具体的には、市販品として、コロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）等を用いることができる。
【００３６】
粘着剤層３中、イソシアネート化合物の含有量は、共重合体１００質量部に対して、２〜１２質量部が好ましい。イソシアネート化合物が２質量部未満では、架橋が不十分で凝集性が低く、被着体を剥離した際に被着体に粘着剤の残渣が付着する糊残りが増加する。イソシアネート化合物が１２質量部を超えると粘着剤組成物を混合し、基材フィルム２に塗布するまでのポットライフが短くなり、粘着テープ１を製造する場合に支障が生じるからである。
【００３７】
粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。
【００３８】
粘着剤層３は、従来の粘着剤層３の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材フィルム２の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、剥離フィルム（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等）上に塗布して粘着剤層３を形成した後、該粘着剤層３を基材の所定の面に転写する方法により、基材フィルム２上に粘着剤層３を形成することができる。なお、粘着剤層３は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００３９】
また、粘着剤層３の厚さは、３〜２０μｍが好ましく、より好ましくは５〜１５μｍである。粘着剤が５μｍ未満の場合にはウェハ５搬送時に十分にウェハ５を保持することができず、粘着剤が１５μｍよりも厚い場合には密着性が過剰となり、ピックアップ不良やチップ１１（図７参照）への糊残りが生じるからである。
【００４０】
本発明者らは、粘着テープ１における粘着特性を鋭意検討した結果、シリコンミラー面に対する剥離力を０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍテープ幅とすることで、ピックアップ時に周辺チップ１１のばらけがなく、容易にテープからチップ１１を剥離できることを見出した。一方、剥離力が０．１Ｎ／２５ｍｍテープ幅未満の場合には、ピックアップ時に周辺チップ１１がばらける不具合が増加してしまい、０．４Ｎ／２５ｍｍテープ幅より大きい場合には、ピックアップ時にテープからチップ１１（図７参照）を剥離することができず、ピックアップ不良が発生してしまうことが明らかとなった。
【００４１】
さらに、本発明者らは、粘着テープ１における粘着特性を鋭意検討した結果、ＳＵＳ３０４に対する粘着強度を０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍテープ幅とすることで、ピックアップ工程のテープ延伸（エキスパンド）時の応力によるＳＵＳ製リングフレーム９（図６，７参照）からの剥離や、糊残りを抑制できることを見出した。一方、剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍテープ幅未満の場合には、粘着力が不足しリングフレーム９（図６，７参照）からのテープ剥離が頻発し、リングフレーム部の大部分が剥離した際は、エキスパンド時にチップ間隔を拡張できずピックアップが困難となり、リングフレーム部の剥離が小さい際においても、再ピックアップやフレーム回収時にウェハカセットに収納する際に剥がれが悪化し、工程が止まる懸念が生じる。また、０．８Ｎ／２５ｍｍテープ幅より大きい場合には、密着性が過剰となり、リングフレーム９（図６，７参照）への糊残りが増加してしまうことが明らかとなった。
【００４２】
（セパレータ４）
セパレータ４は、粘着剤層３を保護する目的のため、粘着テープ１を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータ４の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータ４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータ４の厚さは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００４３】
＜使用方法＞
次に、本発明の粘着テープ１の使用方法について説明する。
【００４４】
本発明の粘着テープ１の使用用途としては、ステルスダイシングにより改質層領域が形成されたウェハ５をチップ１１単位に分割し、ピックアップによりチップ１１を取り出す工程を含む半導体製造装置の製造方法に使用する限り、特に限定されない。例えば、以下の半導体製造装置の製造方法（Ａ），（Ｂ）において好適に使用できる。
【００４５】
[半導体製造装置の製造方法（Ａ）]
（ａ）ウェハ５の表面に表面保護テープ６を貼付し、ウェハ５内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ５内部に前記改質領域７を形成する工程と、（ｂ）改質領域７または改質領域７付近に到達するまでウェハ５の裏面を研削する工程と、（ｃ）ウェハ５の裏面に粘着テープ１を貼付すると共に、粘着テープ１を保持するためのリングフレーム９に粘着テープ１を固定する工程と、（ｄ）ウェハ５の表面に貼付した表面保護テープ６を剥離する工程と、（ｅ）粘着テープ１をエキスパンドし、改質領域７で分割したチップ１１をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
【００４６】
[半導体製造装置の製造方法（Ｂ）]
（ａ）ウェハ５の表面に表面保護テープ６を貼付し、ウェハ５内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ５内部に改質領域７を形成する工程と、（ｂ）改質領域７または改質領域７付近に到達するまでウェハ５裏面を研削する工程と、（ｃ）ウェハ５の裏面に粘着テープ１を貼付すると共に、粘着テープ１を保持するためのリングフレーム９に粘着テープ１を固定する工程と、（ｄ）ウェハ５およびリングフレーム９を保持台に保持し、粘着テープ１を介し、ウェハ５裏面側から外部応力を加えることにより、ウェハ５を改質領域７に沿ってチップ１１単位に分割する工程と、（ｅ）ウェハ５の表面に貼付した表面保護テープ６を剥離する工程と、（ｆ）粘着テープ１をエキスパンドし、チップ１１をピックアップする工程とを含む半導体装置の製造方法。
【００４７】
粘着テープ１を上記半導体加工装置の製造方法（Ａ）に適用した場合の、粘着テープ１の使用方法について、図２〜６を参照しながら説明する。
【００４８】
まず、図２に示すように、回路パターンが形成された半導体ウェハ５の表面に、表面保護テープ６を貼合し、ウェハ５の裏面側よりウェハ５内部に集光点を合わせてレーザーを照射することにより、ウェハ５内部に改質領域７を形成する。
【００４９】
次に、図３（Ａ）に示すように、改質領域７を形成したウェハ５について、砥石８で裏面を研削するバックグラインド工程により、図３（Ｂ）に示すように、改質領域７に到達するまで研削を行う。
【００５０】
次に、図４に示すように、セパレータ４を剥離した粘着テープ１の粘着剤層３をウェハ５の裏面に貼り合せるとともに、粘着剤層３の外周部にリングフレーム９を貼り合せる。その後、図５に示すように、表面保護テープ６を剥離する。
【００５１】
次に、図６に示すように、ウェハ５及びリングフレーム９が貼り合わされた粘着テープ１を、基材フィルム２側を下にして、エキスパンド装置のステージ（図示しない）上に載置し、リングフレーム９を固定した状態で、エキスパンド装置の突き上げ部材１０を上昇させ、粘着テープ１をエキスパンドする。このように粘着テープ１が周方向に引き伸ばされることで、ウェハ５が、改質領域７を起点としてチップ１１単位で分断される。
【００５２】
そして、図７に示すように、粘着テープ１の裏面側から突き上げピン１２でチップ１１を突上げてコレット１３により吸着するピックアップ工程により、半導体チップ１１を得ることができる。
【００５３】
なお、上述の半導体装置の製造方法では、粘着テープ１をエキスパンドすることにより、ウェハ５に外力を加えて改質領域７を起点として、ウェハ５をチップ１１単位に分断するようにしたが、セパレータ４を剥離した粘着テープ１の粘着剤層３をウェハ５の裏面に貼り合せるとともに、粘着剤層３の外周部にリングフレーム９を貼り合せた後、表面保護テープ６を剥離する前に、図８（Ａ）に示すように、粘着テープ１の裏面側すなわち基材フィルム２側から、ローラー１４を摺動させることにより、ウェハ５に外力を加えて改質領域７を起点として、ウェハ５をチップ１１単位に分断するようにしてもよい（図８（Ｂ）参照）。その後、上述の半導体装置の製造方法と同様に、表面保護テープ６を剥離し、粘着テープ１をエキスパンドし、粘着テープ１の裏面側から突き上げピン１２でチップ１１を突上げて、半導体チップ１１をピックアップするとよい（図６，７参照）。
【００５４】
（実施例）
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５５】
[基材フィルム]
基材フィルムとして、エチレン−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合体−Ｚｎ++−アイオノマー樹脂である、ハイミランＡＭ−７３１６（商品名、三井デュポンケミカル社製）を使用し、厚さ８０μｍのフィルムを作成した。このフィルムの片面にはコロナ処理を施し、基材フィルムＡを得た。
【００５６】
[アクリル系共重合体]
アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、またはアクリル酸２−エチルヘキシルから導かれる構成単位と、２−ヒドロキシプロピルアクリレートから導かれる構成単位を原料として、下記の表１に示した配合比（重量部）で所定の水酸基価となるよう重合を行い、アクリル系重合体を含有するベースポリマーＡ〜Ｈを得た。
【００５７】
【表１】
2014135376.tif 000003
【００５８】
＜実施例１＞
ベースポリマーＢ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量３０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール３０００、純正化学株式会社製）2質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムＡのコロナ処理面に厚さ１０μｍとなるように塗工し、実施例１に係る粘着テープを作成した。
【００５９】
＜実施例２＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る粘着テープを作成した。
【００６０】
＜実施例３＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量１００００であるポリプロピレンオキシド（商品名：プレミノールＳ４０１１、旭硝子株式会社製）を用い、添加部数を１．０質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る粘着テープを作成した。
【００６１】
＜実施例４＞
ベースポリマーＣ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る粘着テープを作成した。
【００６２】
＜実施例５＞
ベースポリマーＦ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例５に係る粘着テープを作成した。
【００６３】
＜実施例６＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量１００００であるポリプロピレンオキシド（商品名：プレミノールＳ４０１１、旭硝子株式会社製）を用い、添加部数を１．０質量部とした以外は実施例５と同様にして、実施例６に係る粘着テープを作成した。
【００６４】
＜実施例７＞
ベースポリマーＧ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は実施例1と同様にして、実施例７に係る粘着テープを作成した。
【００６５】
＜比較例１＞
ベースポリマーＡ１００質量部に対して、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部の配合比で混合し、粘着剤組成物を得た。
得られた粘着組成物を、基材フィルムＡのコロナ処理面に厚さ１０μｍとなるように塗工し、ダイシング用粘着テープを作成した。
【００６６】
＜比較例２＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例２に係る粘着テープを作成した。
【００６７】
＜比較例３＞
ベースポリマーＢ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量２０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール２０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例３に係る粘着テープを作成した。
【００６８】
＜比較例４＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量２０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール２０００、純正化学株式会社製）を用い、添加部数を５．０質量部とした以外は比較例３と同様にして、比較例４に係る粘着テープを作成した。
【００６９】
＜比較例５＞
ベースポリマーＤ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例５に係る粘着テープを作成した。
【００７０】
＜比較例６＞
ベースポリマーＥ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量１００００であるポリプロピレングリコール（商品名：プレミノールＳ４０１１、旭硝子株式会社製）１．０質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例６に係る粘着テープを作成した。
【００７１】
＜比較例７＞
ベースポリマーF１００質量部に対して、架橋剤としてコロネートL（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例７に係る粘着テープを作成した。
【００７２】
＜比較例８＞
ベースポリマーＦ１００質量部に対して、ポリプロピレンオキシドとして分子量２０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール２０００、純正化学株式会社製）２質量部、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例８に係る粘着テープを作成した。
【００７３】
＜比較例９＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量１００００であるポリプロピレンオキシド（商品名：プレミノールＳ４０１１、旭硝子株式会社製）を用い、添加部数を６．０質量部とした以外は比較例８と同様にして、比較例９に係る粘着テープを作成した。
【００７４】
＜比較例１０＞
ベースポリマーＨ１００質量部に対して、架橋剤としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を６質量部含む粘着剤を用いた以外は比較例１と同様にして、比較例１０に係る粘着テープを作成した。
【００７５】
＜比較例１１＞
ポリプロピレンオキシドとして分子量４０００であるポリプロピレングリコール（商品名：ポリプロピレングリコール４０００、純正化学株式会社製）を用いた以外は比較例１０と同様にして、比較例１１に係る粘着テープを作成した。
【００７６】
上記実施例および比較例で得られた粘着テープについて、以下の評価を行った。実施例についての評価結果を表２に、比較例についての評価結果を表３に示した。
【００７７】
〔試験１：シリコンミラー面剥離力測定〕
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、それらをシリコンミラーウェハに貼着した後、２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、１８０°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは３００ｍｍ／ｍｉｎとした。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％であった。
【００７８】
〔試験２：ＳＵＳ面剥離力測定〕
各実施例、比較例に係る粘着テープから幅２５ｍｍ×長さ３００ｍｍの試験片を３点採取し、それらをＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍ〜２．０ｍｍのＳＵＳ３０４鋼板上に貼着した後、２ｋｇのゴムローラを３往復かけて圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機を用いて粘着力を測定した。測定は、１８０°引き剥がし法によるものとし、この時の引張速さは３００ｍｍ／ｍｉｎとした。測定温度は２３℃、測定湿度は５０％であった。
【００７９】
〔評価１：ピックアップ性評価〕
厚さ７２５μｍ、直径３００ｍｍのシリコンウェハに表面保護テープを貼合した後、レーザーダイシング装置（東京精密社製、商品名：ＭＬ３００）を使用し、ウェハ内部に改質領域を形成し、前記改質領域が形成されたウェハを、グラインダ装置（東京精密社製、商品名：ＰＧ３０００ＲＭ）を使用し、改質領域に到達するまで研削を行うことで厚さ１００μｍ、チップサイズ１０ｍｍ×１０ｍｍにウェハをチップ状に個片化した。
さらに、実施例および比較例に係る粘着テープを前記ウェハの研削面側に貼付すると共にリングフレームに固定した後、表面保護テープを剥離し、ダイスピッカー装置（キャノンマシナリー社製、商品名：ＣＡＰ−３００ＩＩ）によるピックアップ試験を行った。
【００８０】
ピックアップ条件は以下のとおりである。
突き上げピン形状：半径０．７ｍｍ、先端曲率半径Ｒ＝０．２５ｍｍ、先端θ＝１５
ピン突き上げ高さ：６００μｍ
ピン突き上げスピード：５０ｍｍ／ｓｅｃ
コレット形状：吸着穴０．８９ｍｍφ
エキスパンド拡張量：１０ｍｍ
リングフレーム：ＤＩＳＣＯ社製 型式ＤＴＦ−２−６−１（ＳＵＳ４２０Ｊ２製）
【００８１】
上記条件にて個片化したチップを５０個ピックアップし、ピックアップ成否を確認した。全チップについて取り出し可能であったものを「○」、チップが１つでも粘着テープ上に留まり取り出しが不可能であったものを「×」と評価した。
【００８２】
〔評価２：リングフレーム剥がれ性評価〕
上記評価１にてピックアップ性評価をした後の実施例および比較例に係る粘着テープについて、リングフレームからの剥離の有無を確認した。リングフレームから粘着テープの剥離がなかったものを「○」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の１/４未満が剥離したものを「△」、粘着テープにおいてリングフレームに貼合されている部分の１/４以上が剥離したものを「×」と評価した。
【００８３】
〔評価３：チップばらけ性評価〕
試験３にてピックアップ性評価を行った際、ピックアップ箇所周辺のチップばらけの有無を目視にて確認した。ピックアップ箇所周辺のチップ配列の乱れ、飛散が認められないものを「○」、チップ配列の乱れが生じたものやチップが粘着テープ外に飛散したものを「×」と評価した。
【００８４】
【表２】
2014135376.tif 000004
【００８５】
【表３】
2014135376.tif 000005
【００８６】
表２に示すように、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が、０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍである実施例１〜７は、ピックアップ時には突き上げチップ以外の周辺チップのばらけが生じることなく、粘着テープからチップを容易に取り出し可能であった。さらに、ピックアップ工程時のエキスパンドにおいて、リングフレームからの粘着テープの剥離が発生することもなかった。
【００８７】
一方、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍを超え、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が０．８Ｎ／２５ｍｍを超える比較例１，２，３，６は、リングフレームからのテープの剥離は見られないものの、ピックアップ時に粘着テープ上に留まり取り出しが不可能なチップが存在し、ピックアップ性に劣る結果であった。
【００８８】
比較例１，２については、アルキル基の炭素数が４未満の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーを用いていることから、ベースポリマーの極性が高く、シリコンウェハとの密着性が過剰となったためと考えられる。また、比較例３については、粘着剤中のポリプロピレンオキシドの数平均分子量が３０００未満と、分子量が低いことで十分な離型効果を得ることができなかったためと考えられる。また、比較例６については、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが７０％未満で、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが３０％を超え、水酸基価が１００ｍｇＫＯＨ/ｇを超えるため、ベースポリマーの極性が高く、シリコンウェハとの密着性が過剰となったためと考えられる。
【００８９】
また、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が、０．４〜０．８Ｎ／２５ｍｍであるものの、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍを超える比較例４，７，８についても、リングフレームからのテープの剥離は見られないものの、ピックアップ時に粘着テープ上に留まり取り出しが不可能なチップが存在し、ピックアップ性に劣る結果であった。
【００９０】
比較例４，８については、粘着剤中のポリプロピレンオキシドの数平均分子量が３０００未満と、分子量が低いことで十分な離型効果を得ることができなかったためと考えられる。また、比較例７については、粘着剤中にポリプロピレンオキシドが含まれていないため、離型効果を得ることができなかったためと考えられる。
【００９１】
また、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、シリコンミラー面との剥離力が０．１Ｎ／２５ｍｍ未満である比較例９は、ピックアップ時に粘着テープからチップを容易に剥離可能であったが、ピン突き上げ部以外のチップも剥離しチップばらけが生じてしまった。また、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度１８０度、剥離速度３００ｍｍ／ｍｉｎにおける、ＳＵＳ３０４面との剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍ未満である比較例５，１０は、ピックアップ時に粘着テープからチップを容易に剥離可能であったが、リングフレームから粘着テープの剥離が一部生じた。比較例１１は、リングフレームから粘着テープの剥離部分が多く、粘着テープをエキスパンドすることができず、ピックアップを行うことができなかった。
【００９２】
比較例９については、ポリプロピレンオキシドの配合量が多く離型効果が過剰であったためと考えられる。比較例５，１０，１１については、アルキル基の炭素数が４以上の（メタ）アクリル酸アルキルエステルモノマーが９０％を超え、２−ヒドロキシプロピルアクリレートが１０％未満であり、水酸基価が４５ｍｇＫＯＨ/ｇ未満であるため、ベースポリマーの極性が低く、リングフレームとの密着性が不足したためと考えられる
【符号の説明】
【００９３】
１：粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：セパレータ
５：ウェハ
６：表面保護テープ
７：改質領域
８：砥石
９：リングフレーム
１１：チップ
【図１】
2014135376.tif 000006
【図２】
2014135376.tif 000007
【図３】
2014135376.tif 000008
【図４】
2014135376.tif 000009
【図５】
2014135376.tif 000010
【図６】
2014135376.tif 000011
【図７】
2014135376.tif 000012
【図８】
2014135376.tif 000013