(57)【要約】【課題】本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。【解決手段】絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられる電子部品において、外部電極のビア加工領域における曲率が所定水準以下に低くなるようにして、レーザのグレア反射による不良発生を低減することができる。【選択図】図４ｂ
2014131009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられて、横１．０ｍｍ×縦０．５ｍｍ以下の大きさを有する電子部品であって、
前記外部電極の曲率の最大値が７°以下であることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられて、横１．０ｍｍ×縦０．５ｍｍ以下の大きさを有する電子部品であって、
前記外部電極のビア加工領域で前記外部電極の曲率の最大値が７°以下であることを特徴とする電子部品。
【請求項３】
前記ビア加工領域は、前記外部電極の表面のうち前記外部電極のバンド幅中央の９０％に該当する領域であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
長軸、短軸及び高さを有する直方体形状のボディ部と、前記ボディ部の長軸方向の両端部に備えられる外部電極と、を含む電子部品であって、
前記外部電極の表面のうち前記ボディ部の表面からの高さが最も高い最高点と、
前記外部電極の表面上の点のうち第１ビア加工領域の境界線上に位置し、前記最高点との距離が最も近い点と、
を連結する仮想の直線が前記長軸方向に平行な面となす鋭角の最大値が１〜７°であり、
前記第１ビア加工領域は、前記外部電極の前記長軸方向の最大幅である第１バンド幅の前記長軸方向中央の９０％に該当する領域であることを特徴とする電子部品。
【請求項５】
前記外部電極の表面のうち前記ボディ部の表面からの高さが最も高い最高点と、
前記外部電極の表面上の点のうち第２ビア加工領域の境界線上に位置し、前記最高点との距離が最も近い点と、
を連結する仮想の直線が前記短軸方向に平行な面となす鋭角の最大値が１〜７°であり、
前記第２ビア加工領域は、前記外部電極の前記短軸方向の最大幅である第２バンド幅の前記短軸方向中央の９０％に該当する領域であることを特徴とする請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記電子部品はＭＬＣＣであることを特徴とする請求項５に記載の電子部品。
【請求項７】
前記ＭＬＣＣは、長軸長さが１．０ｍｍ以下、短軸長さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記ＭＬＣＣは、長軸長さが０．６ｍｍ以下、短軸長さが０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の電子部品。
【請求項９】
絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられた電子部品を製造する方法であって、
８００〜１８，０００ｃｐｓの粘度を有する電極ペーストが敷かれた定盤に前記ボディ部をディッピングするディッピング段階と、
ディッピングされた前記ボディ部をブロッティングするブロッティング段階と、を含む電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記ブロッティング段階は、前記ディッピング段階の電極ペーストの高さの１／４以下の高さに電極ペーストが敷かれた定盤に前記ボディ部をブロッティングすることを特徴とする請求項９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記ブロッティング段階は２〜４０秒間行われることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の携帯性が向上し、高性能化するにつれて、より小さい体積内により多い機能を付与しようとする取り組みが持続的になされており、次世代の多機能性・小型パッケージ技術の一環として電子部品を基板に内蔵する技術が注目されている。
【０００３】
一例として、特許文献１には電子部品が内蔵された回路基板が開示されている。
【０００４】
例えば、回路基板に積層セラミックキャパシタ（ｍｕｌｔｉ  ｌａｙｅｒ  ｃｅｒａｍｉｃ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ：ＭＬＣＣ）が内蔵される場合、ＭＬＣＣの外部電極がビア（ｖｉａ）を介して回路基板の回路パターンと連結される。しかし、ＭＬＣＣのサイズが小型化するほど、ビアと連結される外部電極を均一な形状を有するように形成することが困難となり、これによってビアとの接続信頼性などにおいて問題が生じる恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１２／０００６４６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の問題点を解決するためになされた本発明は、レーザのグレア反射現象を低減させることができる電子部品及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を果たすためになされた本発明の一形態による電子部品は、絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられて、横１．０ｍｍ×縦０．５ｍｍ以下の大きさを有する電子部品であって、前記外部電極の曲率の最大値が７°以下であることができる。
【０００８】
本発明の一形態による電子部品は、絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられて、横１．０ｍｍ×縦０．５ｍｍ以下の大きさを有する電子部品であって、前記外部電極のビア加工領域で前記外部電極の曲率の最大値が７°以下であることができる。
【０００９】
この際、前記ビア加工領域は、前記外部電極の表面のうち前記外部電極のバンド幅中央の９０％に該当する領域であることができる。
【００１０】
本発明の一形態による電子部品は、長軸、短軸及び高さを有する直方体形状のボディ部と、前記ボディ部の長軸方向の両端部に備えられる外部電極と、を含む電子部品であって、前記外部電極の表面のうち前記ボディ部の表面からの高さが最も高い最高点と、前記外部電極の表面上の点のうち第１ビア加工領域の境界線上に位置し、前記最高点との距離が最も近い点と、を連結する仮想の直線が前記長軸方向に平行な面となす鋭角の最大値が１〜７°であり、前記第１ビア加工領域は、前記外部電極の前記長軸方向の最大幅である第１バンド幅の前記長軸方向中央の９０％に該当する領域であることができる。
【００１１】
この際、前記外部電極の表面のうち前記ボディ部の表面からの高さが最も高い最高点と、前記外部電極の表面上の点のうち第２ビア加工領域の境界線上に位置し、前記最高点との距離が最も近い点と、を連結する仮想の直線が前記短軸方向に平行な面となす鋭角の最大値が１〜７°であり、前記第２ビア加工領域は、前記外部電極の前記短軸方向の最大幅である第２バンド幅の前記短軸方向中央の９０％に該当する領域であることができる。
【００１２】
また、前記電子部品はＭＬＣＣであることができる。
【００１３】
ここで、前記ＭＬＣＣは、長軸長さが１．０ｍｍ以下、短軸長さが０．５ｍｍ以下であることができる。
【００１４】
また、前記ＭＬＣＣは、長軸長さが０．６ｍｍ以下、短軸長さが０．３ｍｍ以下であることができる。
【００１５】
本発明の一形態による電子部品の製造方法は、絶縁体の内部に導電体が形成され、前記導電体と電気的に連結される外部電極が前記絶縁体の外部面に備えられた電子部品を製造する方法であって、８００〜１８，０００ｃｐｓの粘度を有する電極ペーストが敷かれた定盤に前記ボディ部をディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）するディッピング段階と、ディッピングされた前記ボディ部をブロッティング（Ｂｌｏｔｔｉｎｇ）するブロッティング段階と、を含むことができる。
【００１６】
この際、前記ブロッティング段階は、前記ディッピング段階の電極ペーストの高さの１／４以下の高さに電極ペーストが敷かれた定盤に前記ボディ部をブロッティングすることであることができる。
【００１７】
また、前記ブロッティング段階は２〜４０秒間行われることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
上記のように構成された本発明は、電子部品を基板に内蔵する過程でレーザでビアホールを加工する時に発生するグレア反射現象を低減することができるため、ビア不良の発生率が低くなるという有用な効果を提供する。
【００１９】
また、複数個の外部電極が短絡されて不良が発生する問題も解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】電子部品の外部電極のバンド幅と外部電極の曲率との関係を概略的に例示した図面である。
【図２】電子部品の厚さと外部電極の曲率との関係を概略的に例示した図面である。
【図３】電子部品が基板に内蔵された状態で外部電極に接続されるビアを形成するためのビアホールの加工過程で欠陥が生じる原理を説明するための図面である。
【図４ａ】本発明の一実施形態による電子部品を概略的に例示した斜視図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による電子部品をＸ‐Ｚ平面に切断した断面を概略的に示す断面図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態による電子部品をＹ‐Ｚ平面に切断した断面を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付図面とともに詳細に後述される実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下で開示される実施形態に限定されず、相異なる多様な形態に具現されることができる。本実施形態は、本発明の開示が完全になるようにするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
【００２２】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書で、単数型は文句で特別に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／または「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作及び／または素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／または素子の存在または追加を排除しない。
【００２３】
図示の簡略化及び明瞭化のために図面は一般的な構成方式で図示し、本発明の説明された実施形態の論議を不必要に不明瞭にすることを避けるために、公知された特徴及び技術の詳細な説明は省略されることがある。さらに、図面の構成要素は必ずしも縮尺に従って示されたものではない。例えば、本発明の実施形態の理解を容易にするために図面の一部構成要素の大きさは他の構成要素に比べ誇張されることがある。互いに異なる図面の同一の参照符号は同一の構成要素を示し、類似の参照符号は必ずしもそうではないが類似の構成要素を示すことができる。
【００２４】
明細書及び特許請求の範囲において「第１」、「第２」、「第３」及び「第４」などの用語がある場合、これらは類似の構成要素を区分するために用いられるものであり、必ずしもそうではないが、特定順序または発生順序を記述するために用いられるものである。そのように用いられる用語はここに記述された本発明の実施形態が、例えば、これに図示または説明されたものではない他のシーケンスで動作できるように適切な環境下で互換可能であるということが理解されるであろう。同様に、ここに方法が一連の段階を含むと記述される場合、ここに提示されたそういう段階の順序は、必ずしもそういう段階が実行される順序であるのではなく、任意の記述された段階は省略されることができ、またはここに記述されていない任意の他の段階がその方法に付加されることができる。
【００２５】
明細書及び特許請求の範囲の「左側」、「右側」、「前」、「後」、「上部」、「底」、「上に」、「下に」などの用語がある場合、それらは説明のために用いられるものであり、必ずしも不変の相対的位置を記述するためのものではない。そのように用いられる用語はここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示または説明されたものではない他の方向に動作できるように適切な環境下で互換可能であるということが理解されるであろう。ここで用いられた用語「連結された」は、電気的または非電気的方式で直接または間接的に接続されると定義される。ここに互いに「隣接する」と記述された対象は、その文句が用いられる文脈に応じて適切に、互いに物理的に接触したり、互いに近接したり、互いに同一の一般的な範囲または領域にあることを意味することができる。ここで「一実施形態において」という文句の存在は、必ずしもそうではないが、同一の実施形態を意味する。
【００２６】
以下、添付図面を参照して本発明の構成及び作用効果をより詳細に説明する。
【００２７】
電子部品が内蔵される領域には回路パターンを形成しにくいため、内蔵される電子部品の大きさを減らそうとする取り組みが持続的に行われている。
【００２８】
特にＭＬＣＣやインダクタなどのチップ部品の場合、現在、横１．０ｍｍ×縦０．５ｍｍの大きさの製品（いわゆる１００５サイズ製品ともいう）を商用化しようとする試みがなされている。このような製品をさらに小型化するための研究が持続的に行われており、これからは横０．６ｍｍ×縦０．３ｍｍの大きさの製品（いわゆる０６０３サイズ製品ともいう）も商用化されると予想されている。
【００２９】
ところが、大多数の電子部品の場合、電子部品が小型化されるほどバンド幅も細くなる必要があるが、バンド幅の減少は外部電極の形状に影響を与える可能性がある。
【００３０】
図１は電子部品の外部電極のバンド幅と外部電極の曲率との関係を概略的に例示した図面である。
【００３１】
図１に例示されたように、ディッピング方式で外部電極２を形成する場合、電子部品１のサイズが同一であるとしても、バンド幅が細くなるほど外部電極２の曲率が大きくなる。即ち、バンド幅が最も小さいＢＷ１に比べＢＷ２やＢＷ３に向かって外部電極２の曲率、特にビア加工領域での曲率がより大きくなり、これによってレーザ光のグレア反射現象がさらに激しくなる。
【００３２】
図２は電子部品の厚さと外部電極の曲率との関係を概略的に例示した図面である。
【００３３】
図２に例示されたように、電子部品１の大きさ及び外部電極２のバンド幅が同一である場合にも、電子部品１の厚さが増加するほど外部電極２の曲率が大きくなる。即ち、厚さが最も小さいＴ１の場合に比べ、Ｔ３に向かって外部電極２の曲率、特にビア加工領域での曲率がより大きくなることが分かる。
【００３４】
一方、半導体パッケージの全体的な高さを減少させ、コストを低減させるために、ＭＵＦを用いるＴＭＶタイプのパッケージからＣＵＦを用いるベアダイパッケージオンパッケージ（Ｂａｒｅ  ｄｉｅ  Ｐａｃｋａｇｅ  Ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）に変更されている傾向にある。
【００３５】
このようなベアダイパッケージオンパッケージでは、基板の高温反り特性を改善するためにコアの厚さを１５０ｕｍ〜２５０ｕｍまで増加させて設計している。
【００３６】
そのため、このようなベアダイパッケージオンパッケージに電子部品を内蔵するためには、内蔵される電子部品の厚さが増加されなければならず、現在商用化段階にある埋め込み専用のＭＬＣＣより５０〜１００ｕｍ以上厚いＭＬＣＣが要求されている。
【００３７】
したがって、既存よりも厚いＭＬＣＣなどが要求されている状況もまた外部電極の曲率を大きくする要因となり、レーザ光のグレア反射現象が激しくなる恐れがある。
【００３８】
一方、従来の電子部品の場合、外部電極を形成するにあたりメッキ方式が適用されていたが、このようなメッキ方式を適用すると、外部電極が電子部品の外面に薄い膜形状に形成されるため外部電極の曲率が問題となることはなかった。
【００３９】
しかし、上述のような電子部品の小型化によって従来のようにメッキなどの方式で外部電極を形成することが困難となり、現在極小型の電子部品は外部電極を形成するために、電極ペーストに電子部品の一部を浸漬させて外部電極が形成される位置に電極ペーストを付けた後で硬化させる、いわゆるディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）工程を適用している。
【００４０】
このようなディッピング工程で外部電極を形成する場合、電極ペーストの表面張力によって外部電極が丸い形状を有することになる。
【００４１】
また、小型の電子部品を基板の内部に内蔵する際に外部と電気的に連結されるようにビアを形成するが、外部電極の幅（いわゆるバンド幅（ＢＷ）ともいう）が広いほどビアとの連結性が良く、ビア加工効率が向上される。
【００４２】
しかし、外部電極が複数個備えられ、これら外部電極が電気的に分離されていなければならないＭＬＣＣなどの場合、その大きさが小型化されるほど短絡を防止しながら具現されえる最大限のバンド幅に限界がある。
【００４３】
また、バンド幅を最大に確保するために電極ペーストを多く付けると、外部電極の曲率が大きくなる。
【００４４】
この際、電子部品内蔵基板分野で電子部品を外部と電気的に連結するために最も普遍的に用いられているビア連結方式の場合、レーザを照射して電子部品の外部電極を露出させるビアホールを加工するが、この過程で曲率が大きい外部電極の表面でレーザがグレア反射され、加工されてはならない領域にまで到逹して、ビア形成不良問題を起こしていた。
【００４５】
図３は電子部品が基板に内蔵された状態で外部電極に接続されるビアを形成するためのビアホールの加工過程で欠陥が生じる原理を説明するための図面である。
【００４６】
図３を参照すると、コア基板３のキャビティに電子部品１が内蔵され、電子部品１とコア基板３上にビルドアップ絶縁層４が形成された場合、外部電極２に電気的に接続されるビア５を加工するためにレーザを照射することになる。
【００４７】
この際、レーザが外部電極２の表面でグレア反射されるため、ビルドアップ絶縁層４を不必要にさらに加工することになり、これによってビアホールの内部に導電性物質を満たす過程で不良Ｆが発生する。
【００４８】
図４ａは本発明の一実施形態による電子部品１００を概略的に例示した斜視図であり、図４ｂは本発明の一実施形態による電子部品１００をＸ‐Ｚ平面に切断した断面を概略的に示す断面図であり、図４ｃは本発明の一実施形態による電子部品１００をＹ‐Ｚ平面に切断した断面を概略的に示す断面図である。
【００４９】
本発明の一実施形態による電子部品１００は、外部電極１２０の曲率の最大値が７゜以下になるようにして、上述の問題点を解決することができる。
【００５０】
図４ａから図４ｃを参照すると、本発明の一実施形態による電子部品１００は、絶縁体の内部に導電体が形成され、この導電体と電気的に連結される外部電極１２０が絶縁体の外部面に備えられて形成されることができる。
【００５１】
この際、絶縁体はセラミックなどであることができ、絶縁体及び導電体を含んでボディ部１１０と称する。
【００５２】
ボディ部１１０の長軸方向の両端には外部電極１２０が備えられる。この際、長軸方向はＸ軸に平行な方向を意味し、外部電極１２０はディッピング方式で形成されたものであることができる。また、ボディ部１１０の短軸はＹ軸に平行な方向を意味する。
【００５３】
一方、外部電極１２０の曲率が小さいことも重要であるが、レーザが照射されるビア加工領域の曲率が一定範囲以下に小さく形成されることがより重要である。
【００５４】
この際、ビア加工領域はバンド幅の９０％に該当する領域である。
【００５５】
図４ｂを参照すると、電子部品１００の長軸方向に外部電極１２０の最大幅を第１バンド幅ＢＷｘと定義することができる。
【００５６】
また、第１ビア加工領域Ｌｘは、第１バンド幅ＢＷｘの長軸方向中央の９０％に該当する領域であることができる。
【００５７】
電子部品１００を実装する過程で発生する位置公差及びビアホール加工公差などを考慮すると、外部電極１２０とビアの連結性を確保するために外部電極１２０の中央にビアが位置されることが好ましい。
【００５８】
したがって、第１ビア加工領域Ｌｘも第１バンド幅ＢＷｘの中央に位置されることが好ましく、第１バンド幅ＢＷｘにおいて片側に少なくとも５％程度の余裕空間を設けることが好ましい。
【００５９】
一方、ビア加工領域の曲率を限定するにあたり、下記のような方式も可能である。
【００６０】
図４ｂに図示されたように、外部電極１２０の最高点または最低点、即ち、ボディ部１１０から最も遠く離れている外部電極１２０の表面上の点をＡと定義することができる。
【００６１】
また、第１ビア加工領域Ｌｘの境界線及び外部電極１２０の表面が交わる点のうち上述のＡ点から最も近い距離にある点をＢ１及びＢ２と定義することができる。
【００６２】
また、Ａ点を通り、ボディ部１１０の長軸に平行な線と、Ａ点からＢ１を連結する仮想の直線及びＡ点からＢ２点を連結する仮想の直線と、がなす鋭角をそれぞれθ１及びθ２と定義することができる。
【００６３】
また、θ１及びθ２を変えながらレーザのグレア反射が発生する程度を実験した結果、θ１及びθ２の最大値が７°以下である場合にグレア反射がほとんど発生しないことが確認された。
【００６４】
一方、θ１及びθ２の最大値が１°未満であると、第１バンド幅ＢＷｘが大きすぎて外部電極１２０の短絡現象が発生する場合があった。
【００６５】
したがって、θ１及びθ２の最大値が１〜７°の範囲にあるようにすることが好ましい。
【００６６】
図４ｃを参照すると、電子部品１００の短軸方向に外部電極１２０の最大幅を第２バンド幅ＢＷｙと定義することができる。
【００６７】
また、第２ビア加工領域Ｌｙは、第２バンド幅ＢＷｙの長軸方向中央の９０％に該当する領域であることができる。
【００６８】
電子部品１００を実装する過程で発生する位置公差及びビアホール加工公差などを考慮すると、外部電極１２０とビアの連結性を確保するために外部電極１２０の中央にビアが位置されることが好ましい。
【００６９】
したがって、第２ビア加工領域Ｌｙも第２バンド幅ＢＷｙの中央に位置されることが好ましく、第２バンド幅ＢＷｙにおいて片側に少なくとも５％程度の余裕空間を設けることが好ましい。
【００７０】
また、上述と同様の原理で、図４ｃに図示されたように、外部電極１２０の最高点または最低点、即ち、ボディ部１１０から最も遠く離れている外部電極１２０の表面上の点をＡと定義することができる。
【００７１】
また、第２ビア加工領域Ｌｙの境界線及び外部電極１２０の表面が交わる点のうち上述のＡ点から最も近い距離にある点をＢ３及びＢ４と定義することができる。
【００７２】
また、Ａ点を通り、ボディ部１１０の短軸に平行な線と、Ａ点からＢ３を連結する仮想の直線及びＡ点からＢ４点を連結する仮想の直線と、がなす鋭角をそれぞれθ３及びθ４と定義することができる。
【００７３】
また、θ３及びθ４を変えながらレーザのグレア反射が発生する程度を実験した結果、θ３及びθ４の最大値が７°以下である場合にグレア反射がほとんど発生しないことが確認された。
【００７４】
一方、θ３及びθ４の最大値が１°未満であると、第１バンド幅ＢＷｘが大きすぎて外部電極１２０の短絡現象が発生する場合があった。
【００７５】
したがって、θ３及びθ４の最大値が１〜７°の範囲にあるようにすることが好ましい。
【００７６】
一方、本発明の一実施形態による電子部品１００の製造方法は、ボディ部１１０に外部電極１２０を形成するにあたり、通常のディッピング段階を行った後ブロッティング段階をさらに行うことを特徴とする。
【００７７】
この際、ディッピング段階を行う過程及びブロッティング段階を行う過程で用いられる電極ペーストは、所定範囲の粘度を有するようにしなければならない。
【００７８】
電極ペーストの粘度が低すぎるとボディ部１１０に十分なペーストが残留されないだけでなく、バンド幅が広すぎるようになって外部電極１２０の間に短絡現象が発生する恐れがある。
【００７９】
また、電極ペーストの粘度が高すぎると外部電極１２０の曲率が増加するため、レーザのグレア反射現象が発生する頻度が増加する。
【００８０】
したがって、本発明の一実施形態による電子部品１００の製造方法は、ディッピング段階及びブロッティング段階を行う過程で８００〜１８，０００ｃｐｓの粘度の電極ペーストを用いることが好ましい。
【００８１】
一方、ディッピング段階では、ボディ部１１０を電極ペーストに浸漬させる際に、外部電極１２０のバンド幅位の深さにボディ部１１０を浸漬させることができる。
【００８２】
このようにディッピング段階を行うとボディ部１１０に電極ペーストが付き、電極ペーストの表面張力によって外部電極１２０の曲率が増加する。
【００８３】
したがって、ディッピング段階を行った電子部品１００にブロッティング段階を行って外部電極１２０の曲率を減少させることが好ましい。
【００８４】
この際、ブロッティング段階は、ディッピング段階でボディ部１１０が浸漬された深さより低い高さに電極ペーストが敷かれた定盤にディッピング段階を行った電子部品１００を浸漬させる方式で行われることができる。ここで、必要に応じて電子部品１００が定盤の底に所定の力で衝突する過程を繰り返すこともできる。
【００８５】
また、ブロッティング段階を行う時に、定盤から電極ペーストの表面までの高さが高すぎるとボディ部１１０に付いている電極ペーストを十分に取り出すことができないため、ディッピング段階時の電極ペーストの高さの１／４以下になるようにすることが好ましい。
【００８６】
このようなブロッティング段階によって外部電極１２０の曲率が調節されることができる。換言すれば、外部電極１２０の平坦度がブロッティング段階を行うことにより調節されることができるのである。
【００８７】
一方、外部電極１２０の曲率または平坦度はブロッティング段階を行う時間によっても変わる。
【００８８】
ブロッティング段階を行う時間が短すぎると外部電極１２０を十分平らに具現することができなく、長すぎると外部電極１２０の平坦度が大きくなりすぎる恐れがある。
【００８９】
したがって、本発明の一実施形態による電子部品１００の製造方法では、２〜３０秒範囲でブロッティング段階が行うことが好ましい。
【符号の説明】
【００９０】
１  ボディ部
２  外部電極
３  コア基板
４  ビルドアップ絶縁層
５  ビア
１００  電子部品
１１０  ボディ部
１２０  外部電極
ＢＷｘ  第１バンド幅
ＢＷｙ  第２バンド幅
Ｌｘ  第１ビア加工領域
Ｌｙ  第２ビア加工領域
Ａ  最高点
【図１】
2014131009.tif 000003
【図２】
2014131009.tif 000004
【図３】
2014131009.tif 000005
【図４ａ】
2014131009.tif 000006
【図４ｂ】
2014131009.tif 000007
【図４ｃ】
2014131009.tif 000008