(57)【要約】【課題】液晶滴下工法を用いても、分断により液晶の配向が乱れることを防ぐことを課題とする。また、硬化させていないシール材と液晶とが接触しても液晶に影響を与えない作製方法を提供することも課題とする。【解決手段】液晶滴下工法を用いる液晶表示装置の作製方法において、減圧下で一対の基板を貼り合わせる前に、一対の基板のうち、少なくとも一方の基板にダイヤモンドカッターなどによってスクライブを入れる。このスクライブは、基板の搬送や基板の自重によって基板が分断されない程度の切り込み深さとなるように行う。そして、スクライブを行った後、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、シール材の硬化及び液晶の配向を整えるための加熱処理を終えたら、ブレイク装置を用いて衝撃を加えて基板の分断を行う。【選択図】図１
2014081660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板を用意する第１の工程と、
第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面にシール材が設けられ、前記第１の面に溝が設けられた第２の基板を用意する第２の工程と、
前記第２の工程よりも後に、前記第１の面の前記シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する第３の工程と、
前記第３の工程よりも後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる第４の工程と、
前記第４の工程よりも後に、前記溝に沿って前記第２の基板の分断を行う第５の工程と、を有し、
前記第２の工程よりも後であって、前記第３の工程よりも前に、前記シール材を第１の減圧雰囲気に曝すことにより、前記シール材の脱気を行い、
前記第４の工程は、第２の減圧雰囲気で行われ、
前記第１の減圧雰囲気の圧力は、前記第２の減圧雰囲気の圧力よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板を用意する第１の工程と、
第１の面及び第２の面を有し、前記第１の面にシール材が設けられ、前記第２の面に溝が設けられた第２の基板を用意する第２の工程と、
前記第２の工程よりも後に、前記第１の面の前記シール材で囲まれた領域に液晶を滴下する第３の工程と、
前記第３の工程よりも後に、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる第４の工程と、
前記第４の工程よりも後に、前記溝に沿って前記第２の基板の分断を行う第５の工程と、を有し、
前記第２の工程よりも後であって、前記第３の工程よりも前に、前記シール材を第１の減圧雰囲気に曝すことにより、前記シール材の脱気を行い、
前記第４の工程は、第２の減圧雰囲気で行われ、
前記第１の減圧雰囲気の圧力は、前記第２の減圧雰囲気の圧力よりも小さいことを特徴とする液晶表示装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の作製方法に関する。例えば、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ
という）で構成された回路を有する液晶表示パネルに代表される電気光学装置の作製方法
、およびその様な電気光学装置を部品として搭載した電子機器の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜（厚さ数〜数百ｎｍ程度）を用
いて薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは
ＩＣや電気光学装置のような電子デバイスに広く応用され、特に画像表示装置のスイッチ
ング素子として開発が急がれている。
【０００３】
従来、画像表示装置として液晶表示装置が知られている。パッシブマトリクス型の液晶
表示装置に比べ高精細な画像が得られることからアクティブマトリクス型の液晶表示装置
が多く用いられるようになっている。アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては
、マトリクス状に配置された画素電極を駆動することによって、画面上に表示パターンが
形成される。詳しくは選択された画素電極と該画素電極に対応する対向電極との間に電圧
が印加されることによって、画素電極と対向電極との間に配置された液晶層の光学変調が
行われ、この光学変調が表示パターンとして観察者に認識される。
【０００４】
このようなアクティブマトリクス型の電気光学装置の用途は広がっており、画面サイズ
の大面積化とともに、高精細化や高開口率化や高信頼性の要求が高まっている。また、同
時に生産性の向上や低コスト化の要求も高まっている。
【０００５】
パネルサイズが大型化するにつれ、使用する材料のコストがかかる。特に画素電極と対
向電極との間に配置される液晶材料は高価である。
【０００６】
液晶注入法を用いる場合、液晶を封止するために、シール描画、対向基板の貼り合わせ、
分断、液晶注入、液晶注入口の封止などといった複雑な工程が必要である。特にパネルサ
イズが大型になると、毛細管現象を用いて液晶注入を行うため、シールで囲まれた領域（
少なくとも画素部を含む）に液晶を充填することが困難となってくる。毛細管現象を用い
て液晶注入を行う際、液晶注入口に注入する量よりも多くの量の液晶が使用され、無駄に
なってしまう。
【０００７】
また、液晶注入法を用いる場合、２枚の基板を貼り合わせた後、分断を行い、分断面に形
成されている液晶注入口から液晶材料を注入することとなるが、液晶注入口から画素領域
まで延びている液晶材料の通り道となる部分にも液晶を充填されてしまう。また、駆動回
路部を画素部と同一基板に設けた場合、画素部領域だけでなく駆動回路部と重なる部分に
も液晶を充填する場合がある。このように表示部となる領域以外の余分な部分にも液晶材
料が充填されてしまう。
【０００８】
また、液晶注入口から画素領域まで延びている液晶材料の通り道、特に液晶注入口付近
は、パネルのほかの部分に比べて極端に多くの液晶が通過する部分となり、注入の際に摩
擦が生じて配向膜表面が変化し、結果的に液晶の配向の乱れを生じさせる恐れもある。
【０００９】
また、液晶注入法は、液晶注入後に液晶注入口を塞ぐ工程も必要となる。
【００１０】
また、本出願人は、液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせる技術を特許
文献１に提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】ＵＳＰ４，６９１，９９５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に開示されている技術は液晶滴下工法（ＯＤＦ：Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌ
）と呼ばれている。液晶滴下工法は、必要な箇所のみに必要な量の液晶が滴下されるため
、材料のロスがなくなる。また、シールパターンは閉ループとするため、液晶注入口およ
び通り道のシールパターンは不要となる。従って、液晶注入時に生じる不良（例えば、配
向不良など）がなくなる。
【００１３】
また、液晶滴下工法は、液晶注入法と工程順序が大きく異なる。
【００１４】
液晶注入法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にスクリーン印
刷法、またはディスペンス装置を用いてシール材を描画する。次いで、対向基板ともう一
枚の基板とを貼り合わせ、熱プレスを行ってシール材を硬化し、貼り合わせる。次いで、
基板の端面にシール材の一部（液晶注入口）が位置するように一対の基板の分断を行う。
次いで、一対の基板を減圧下のチャンバー内に配置し、液晶材料を液晶注入口に接した状
態としたまま、チャンバー内を減圧から大気圧に徐々に戻すことによって、液晶注入口か
ら毛細管現象を用いて液晶注入を行う。次いで、液晶注入口を封止材で塞ぎ、紫外線照射
を行って封止材を硬化させる。最後に液晶の配向を整えるための加熱処理を行う。
【００１５】
また、液晶滴下工法における液晶表示装置の作製手順を説明する。まず、対向基板にディ
スペンス装置を用いて閉パターンのシール材を描画する。次いで、シール材で囲まれた領
域に対して液晶を所望の量だけ対向基板上に滴下する。次いで、対向基板ともう一枚の基
板とを減圧下で貼り合わせる。次いで、一対の基板の雰囲気を減圧から大気圧にする。次
いで、紫外線照射を行い、シール材を硬化させる。次いで、さらなるシール材の硬化のた
めの加熱処理と、液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行う。最後に一対の基板の
分断を行う。
【００１６】
液晶注入法は、一対の基板を熱プレスで貼り合わせた後に分断し、液晶を注入するが、液
晶滴下工法は、基板上に液晶を滴下した後、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、その後に
分断する。
【００１７】
また、液晶の配向を整えるための加熱処理を行う必要があるが、液晶注入法は、封止材を
硬化させた後に加熱処理を行って液晶の配向を揃えている。一方、液晶滴下工法は、シー
ル材の硬化のための加熱処理と液晶の配向を整えるための加熱処理を同時に行うことで効
率よく液晶表示装置を作製している。
【００１８】
しかしながら、液晶滴下工法を用いた場合、分断により液晶の配向が乱れてしまい、液晶
表示装置の画質の低下を招いていた。そこで、本発明は、液晶滴下工法を用いても、分断
により液晶の配向が乱れることを防ぐことを課題とする。
【００１９】
また、液晶表示装置の生産性の向上や低コスト化を実現するためには、基板の一辺が１ｍ
のものを用い、１枚の基板から複数のパネルを作製する、所謂多面取りを行って量産する
ことが好ましい。
【００２０】
本発明は、例えば、基板サイズが、３２０ｍｍ×４００ｍｍ、３７０ｍｍ×４７０ｍｍ、
５５０ｍｍ×６５０ｍｍ、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００
ｍｍ×１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍのよう
な大面積基板に対して、１枚の大面積基板から効率よく複数の液晶表示装置を作製する方
法を提供するものである。さらには、基板サイズが、１５００ｍｍ×１８００ｍｍ、１８
００ｍｍ×２０００ｍｍ、２０００ｍｍ×２１００ｍｍ、２２００ｍｍ×２６００ｍｍ、
２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用いる量産に適した液晶表示装置の作
製方法を提供する。
【００２１】
また、液晶滴下工法は、液晶注入法とシール材を硬化させるタイミングが異なっているた
め、シール材も異なる材料を用いている。液晶注入法は、熱プレスで硬化するシール材と
、液晶注入後に注入口を塞ぐ封止材として紫外線硬化樹脂を用いている。一方、液晶滴下
工法は、紫外線照射後に加熱処理を行って硬化するシール材を用いている。
【００２２】
液晶注入法は、熱プレスで硬化させたシール材と液晶とが接触するのに対して、液晶滴下
工法は、硬化させていないシール材と液晶とが接触することとなる。従って、液晶滴下工
法を用いる場合、硬化させていないシール材と液晶とが接触しても液晶に影響を与えない
シール材を選択することが好ましいとされている。また、本発明は、硬化させていないシ
ール材と液晶とが接触しても液晶に影響を与えない作製方法を提供することも課題とする
。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
液晶滴下工法を用いた場合、分断により液晶の配向が乱れてしまう原因は、液晶の配向を
整えるための加熱処理を行った後の分断工程におけるせん断力が大きいと発明者らは考え
ている。従来の分断工程は、スクライブ装置を用いてスクライブを行った後、ブレイク装
置を用いて衝撃を加えて分断を行っている。
【００２４】
そこで、液晶滴下工法を用いる液晶表示装置の作製方法において、減圧下で一対の基板を
貼り合わせる前に、一対の基板のうち、少なくとも一方の基板にダイヤモンドカッターな
どによってスクライブを入れる。このスクライブは、基板の搬送や基板の自重によって基
板が分断されない程度の切り込み深さとなるように行う。そして、スクライブを行った後
、減圧下で一対の基板を貼り合わせ、シール材の硬化及び液晶の配向を整えるための加熱
処理を終えたら、ブレイク装置を用いて衝撃を加えて基板の分断を行う。この時の基板の
分断は、予め、スクライブが行われているため、少ない押圧力で行うことができる。従っ
て、基板を貼り合わせる前にスクライブを行うことにより、基板の分断時における配向乱
れを防止することができる。
【００２５】
本明細書で開示する発明の構成は、一対の基板のうち、一方の基板上にシール材を形成し
、前記シール材で囲まれた領域上に液晶を滴下し、一対の基板を貼り合わせる前に少なく
とも一方の基板に切り込み深さを与え、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行い、貼り合
わせた後、前記切り込み深さを与えた帯状領域に沿って一対の基板の分断を行う液晶表示
装置の作製方法である。
【００２６】
本発明は、上記課題の少なくとも一つを解決する。
【００２７】
また、液晶滴下工法を用いた場合、硬化させていないシール材と液晶とが接触するため
、シール材の描画直後に減圧雰囲気に配置してシール材に含まれる気体成分を取り除くこ
とが好ましい。なお、シール材に含まれる気体成分とは、シール材の溶媒に起因する気体
やシール材に含まれる水分に起因する気体を少なくとも含む。
【００２８】
本明細書で開示する他の発明の構成は、一対の基板のうち、一方の基板上にシール材を形
成し、第１の減圧下に前記一方の基板を配置して前記シール材から気体成分を取り除き、
一対の基板を貼り合わせる前に少なくとも一方の基板に切り込み深さを与え、前記第１の
減圧とは異なる第２の減圧下で一対の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせた後、前記切
り込み深さを与えた帯状領域に沿って一対の基板の分断を行う液晶表示装置の作製方法で
ある。
【００２９】
また、貼り合わせ時の真空度により気体成分が発生することを防ぐため、貼り合わせ時の
真空度よりもシール材を描画した後の脱気時の真空度のほうが減圧、即ち高い真空度とな
るようにすることが好ましい。
【００３０】
液晶注入法は、熱プレスを行うため、一対の基板を貼り合わせる前にスクライブを行うと
、貼り合わせ時の圧力で分断されてしまい、均一な圧力を基板に加えることが困難になる
ため基板間隔が不均一になる恐れがある。
【００３１】
液晶滴下工法を用いた場合、一対の基板を貼り合わせる前にスクライブを行っても、その
後に基板に圧力を加える工程が分断の工程まで存在しない。ただし、貼り合わせた後、減
圧下から大気圧に戻す際に基板の一部に圧力がかかるが、その一部は、閉パターンのシー
ル材に囲まれた領域の基板部分であり、基板の分断に繋がることはない。勿論、スクライ
ブを行った後に減圧下で一対の基板を貼り合わせても問題なくシール材の硬化が行え、十
分なシール材の密着特性、例えば２００Ｎ／ｃｍ２以上のシール強度を得ることができる
。
【００３２】
また、基板の搬送時や基板の位置合わせなどの基板を動かす際に、何らかの外部からの力
が加わって、基板が分断される可能性を防ぐために、スクライブの前後にスクライブを行
った帯状領域に対して接着シート、またはテープなどを破片飛散防止のために貼りつけて
もよい。帯状領域に対してテープを貼る場合、スクライブした面または反対側の面に接着
する。貼り付けるテープはあくまで仮接着するだけであり、分断後にテープは剥がすこと
ができる。テープを用いれば、搬送室や貼り合わせ装置内に基板の破片が飛散してしまう
恐れを防ぐことができる。
【００３３】
スクライブは、基板の搬送や基板の自重によって基板が分断されない程度の切り込み深さ
となるように行うが、切り込み深さｄは、基板の材質、または厚さに依存する。例えば、
０．７ｍｍのガラス基板を用いる場合、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ未満とすることが好ま
しい。０．２ｍｍ未満とした場合、ブレイク装置で分断する際に加えられる力が強くなっ
てしまうため、液晶の配向を乱す恐れがある。０．５ｍｍ以上とした場合、スクライブは
基板を真空チャックで固定して行われるため、スクライブ直後では分断されなくとも、ス
クライブが行われた後、真空チャックをオフ状態とした時に割れてしまう。従って基板厚
さをＸとした場合、切り込み深さｄは、基板厚さＸの２／７以上５／７未満とする。また
、切り込み深さはカッターの刃の種類、カッターの押圧によっても左右されるため、適宜
、スクライブ装置を調節して最適な値とすることが好ましい。使用するガラス基板厚さＸ
は、予め研削研磨機で厚さを薄くすることもでき、例えば０．５ｍｍのガラス基板を０．
２５ｍｍまで薄くすることもできる。従って、スクライブを行う前の基板厚さＸは、０．
２５ｍｍ以上２．５ｍｍ以下の範囲とする。
【００３４】
また、切り込みを行う場合、基板を分断しない程度に溝を形成できるのであれば、ダイヤ
モンドカッターを用いるスクライブ装置に限定されず、レーザ光を用いたスクライブ装置
を用いてもよい。
【００３５】
また、上述した液晶表示装置としては、特に限定されず、ＴＮ液晶、ＩＰＳ液晶、ＯＣＢ
液晶、ＳＴＮ液晶、ＶＡ液晶、ＥＣＢ型液晶、ＧＨ液晶、高分子分散型液晶、ディスコテ
ィック液晶などを用いることができるが、中でもノーマリーブラック型の液晶パネル、例
えば垂直配向（ＶＡ）モードを採用した透過型の液晶表示装置とすることが好ましい。垂
直配向モードとしては、いくつか挙げられるが、例えば、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−  Ｄｏｍ
ａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ
Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＡＳＶモードなどを用いることがで
きる。具体的には、１画素を複数のサブピクセルに分割し、各サブピクセルの中央に位置
する対向基板の箇所に凸部を設けることで１画素をマルチドメイン化する。なお、凸部は
、対向基板または素子基板の一方または両方に設けてもよく、放射状に液晶分子を配向さ
せ、配向規制力を向上させる。
【００３６】
また、液晶駆動用の電極、即ち画素電極の上面形状を櫛歯状やジグザグ状として、電圧の
かかる方向を多様化させてもよい。また、光配向を用いて１画素をマルチドメイン化して
もよい。
【００３７】
また、画素電極に接続するアクティブ素子としては、ダイオード、ＭＩＭ、ＺｎＯバリス
タなどの２端子型のアクティブ素子、或いは、アモルファスＴＦＴ、ポリシリコンＴＦＴ
などの３端子型のアクティブ素子を用いることができる。
【００３８】
上述したこれらの手段は単なる設計事項ではなく、減圧下で貼り合わせを行う基板貼り合
わせ装置を用いて液晶パネルを形成し、その液晶パネルを用いた表示装置を作製し、画像
表示させ、発明者らの深い検討の後、発明された事項である。
【発明の効果】
【００３９】
液晶滴下工法を用いても、分断により液晶の配向が乱れることを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】作製フローの一例を示す図。
【図２】ＬＣＤの作製工程を示す断面図。
【図３】工程途中の斜視図および断面図。
【図４】作製フローの一例を示す図。
【図５】アクティブマトリクス型液晶表示装置の断面構造図。
【図６】液晶モジュールの上面図。
【図７】電子機器の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本発明の実施形態について、以下に説明する。
【００４２】
（実施の形態１）
ここでは、対向基板側にシール描画、液晶滴下を行う例を説明する。パネル作製の流れ
を以下に説明する。主な工程のフローを図１（Ａ）、（Ｂ）に示す。また、工程断面図を
図２に示す。
【００４３】
まず、対向基板となる第２の基板１２０と、予めＴＦＴ（図示しない）が設けられてい
る第１の基板１１０とを用意する。第１の基板１１０および第２の基板１２０としては、
透光性を有している基板であれば特に限定されないが、代表的にはガラス基板を用いる。
本実施の形態では厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いる。ＴＦＴとしては、ポリシリコン
を活性層とするＴＦＴ（ポリシリコンＴＦＴとも呼ばれる）、アモルファスシリコンを活
性層とするＴＦＴ（アモルファスシリコンＴＦＴとも呼ばれる）、有機半導体材料を活性
層とするＴＦＴ（有機ＴＦＴとも呼ばれる）のいずれかを用いればよい。
【００４４】
次いで、第２の基板１２０上に透明導電膜からなる対向電極１２２を形成する。（図２
（Ａ））また、必要であれば、両方の基板には、配向膜（図示しない）を形成し、ラビン
グ処理を行っておく。
【００４５】
次いで、第２の基板１２０上にシール材１１２を描画する。スクリーン印刷法、インク
ジェット装置、またはディスペンス装置を用いてシール材１１２の描画を行う。このシー
ル材の描画が図１（Ａ）に示すフローの第１ステップＳ１０１に相当する。シール材を形
成するのは、第１の基板１１０および第２の基板１２０のどちらの基板でもよく、両方の
基板に設けてもよい。シール材１１２としては、アクリル系光硬化樹脂などを用いればよ
い。シール材１１２としてはフィラー（直径６μｍ〜２４μｍ）を含み、且つ、粘度４０
〜４００Ｐａ・ｓのものを用いる。なお、後に接する液晶に溶解しないシール材料を選択
することが好ましい。このシール材１１２は閉ループとなって対向電極１２２を囲んでい
る。（図２（Ｂ））
【００４６】
次いで、第２の基板１２０に対してスクライブを行う。この基板のスクライブが図１（Ａ
）に示すフローの第２ステップＳ１０２に相当する。スクライブを行うのは、第１の基板
１１０および第２の基板１２０のどちらの基板でもよく、両方の基板にスクライブ溝を設
けてもよい。また、一枚の基板の表面、裏面、もしくは表裏両面にスクライブを行っても
よい。ダイヤモンドカッターなどを有するスクライブ装置でスクライブを行う。図２（Ｃ
）に示すように、ここでは基板の一方の面に切り込み深さｄのスクライブ溝を形成する。
【００４７】
厚さ０．７ｍｍのガラス基板に対してスクライブを行い、スクライブ装置の切り込み深さ
Ｄをそれぞれ０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍとなるよう
にカッター圧の条件などを振って設定し、実際に得られた切り込み深さｄと、カッター圧
（ｋｇｆ／ｃｍ２）の関係を表１に示す。また、切り込み深さｄの値が、本実施の形態に
おける作製方法に適しているかを評価した。
【００４８】
【表１】
2014081660.tif 000003
【００４９】
表１に示すように、切り込み深さｄを０．１３ｍｍとした場合、圧力を加えて分断する際
の圧力値が比較的高いため、本発明には不適（×）である。また、切り込み深さｄを０．
２７ｍｍとした場合、圧力を加えて分断する際の圧力値が低減できるが、基板間隔や液晶
の配向状態によっては、液晶の配向を乱す恐れがある。また、切り込み深さｄを０．５２
ｍｍとした場合、少し力を加えるだけで簡単に基板が分断されてしまうため、基板の搬送
時に基板が分断されてしまう。従って、切り込み深さｄを０．５２ｍｍとした場合、本発
明には不適（×）である。表１からスクライブ装置の切り込み深さＤは、０．２ｍｍ以上
０．５ｍｍ未満とすることが好ましく、さらに望ましくは、スクライブ装置の切り込み深
さＤは、０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ未満とする。
【００５０】
次いで、第２の基板１２０に対して液晶の滴下を行う。インクジェット装置、またはデ
ィスペンス装置を用いて液晶の滴下を行う。この基板の液晶の滴下が図１（Ａ）に示すフ
ローの第３ステップＳ１０３に相当する。液晶を滴下するのは、第１の基板１１０および
第２の基板１２０のどちらの基板でもよく、両方の基板に滴下してもよい。図２（Ｄ）に
示すように、シール材１１２に囲まれた領域に液晶１１４を液晶ディスペンサ１１８によ
り大気圧下で滴下する。液晶１１４としては、滴下可能な粘度を有する公知の液晶材料を
用いればよい。液晶ディスペンサにより無駄なく必要な量だけの液晶１１４をシール材１
１２に囲まれた領域に保持することができる。また、インクジェット法を用いて液晶の滴
下を行ってもよい。
【００５１】
次いで、減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。この減圧下での貼り合わせが図１（
Ａ）に示すフローの第４ステップＳ１０４に相当する。第１の基板１１０には予め、画素
電極１１１と端子電極１１３と、柱状スペーサ１１５を形成しておく。そして、画素電極
１１１を有する画素部が設けられた第１の基板１１０と、対向電極１２２や配向膜が設け
られた第２の基板１２０とを気泡が入らないように減圧下で貼りあわせている。（図２（
Ｅ））
【００５２】
次いで、シール材への紫外線照射を行う。このシール材への紫外線照射が図１（Ａ）に示
すフローの第５ステップＳ１０５に相当する。
【００５３】
次いで、熱処理を行って、シール材１１２をさらに硬化させると同時に、液晶を加熱して
液晶の配向を揃える。このシール材または液晶の加熱処理が図１（Ａ）に示すフローの第
６ステップＳ１０６に相当する。この加熱処理によって、基板間隔が固定される。図２（
Ｆ）に示すように、基板間隔は柱状スペーサ１１５で保持される。
【００５４】
なお、ここでは紫外線照射の後に加熱処理を行うことでシール材の硬化を行っているが、
特に限定されず、十分なシール材の密着特性、例えば２００Ｎ／ｃｍ２以上のシール強度
が得られるのであれば、シール材としてアクリル系熱硬化樹脂を用いてもよい。
【００５５】
次いで、図２（Ｇ）に示すように、基板の分断を行う。この基板の分断が、図１（Ａ）に
示すフローの第７ステップＳ１０７に相当する。スクライブ溝が連続しているスクライブ
ラインに沿って圧力を加え、分断を行い、端子電極１１３を露呈させる。予め、スクライ
ブラインが形成されているため、弱い力で第２の基板の一部を分断することができる。従
って、液晶の配向を揃えるための熱処理後に分断を行っても、液晶の配向の乱れが発生す
ることを抑えることができる。
【００５６】
なお、ここでは、ＴＮ液晶を例に説明したが、ＩＰＳ液晶の場合、対向基板には対向電極
を設けない。
【００５７】
また、図１（Ａ）では、シール描画の後に基板のスクライブを行うフローを示したが、減
圧下での貼り合わせ前にスクライブを行うのであれば、特に限定されず、図１（Ｂ）に示
すように基板のスクライブの後にシール材の描画を行ってもよい。その場合、第１ステッ
プＳ２０１が基板のスクライブ、第２ステップＳ２０２がシール材の描画、第３ステップ
Ｓ２０３が液晶の滴下、第４ステップＳ２０４が減圧下での貼り合わせ、第５ステップＳ
２０５がシール材への紫外線照射、第６ステップＳ２０６がシール材または液晶の加熱処
理、第７ステップＳ２０７が基板の分断となる。
【００５８】
（実施の形態２）
本実施の形態では、１枚の基板から複数のパネルを作製する、所謂多面取りと呼ばれる方
法の一例を示す。
【００５９】
図３（Ａ）に示す基板３１０としては厚さ１．１ｍｍの石英基板を用いる。この基板３１
０上に画素電極を有する画素部３１１を形成する。ここでは４箇所に画素部３１１を形成
する例を示す。
【００６０】
次いで、ダイヤモンドカッターまたはレーザ光を用いてスクライブ溝３１３を形成する。
スクライブ溝は、それぞれの画素部３１１を区切るように形成する。石英基板を用いる場
合、切り込み深さｄは、０．３ｍｍを超え０．７ｍｍ以下の範囲、ここでは０．６ｍｍ程
度とすることが好ましい。石英基板はガラス基板より硬いため、０．７ｍｍを超える切り
込み深さを形成しようとカッター圧を大きくするとスクライブを行うだけで割れてしまう
。また、切り込み深さｄが０．３ｍｍ以下であると分断する際の力を大きくしなければ分
断することが困難である。
【００６１】
次いで、画素部３１１を囲むようにシール材３１２を形成する。このシール材３１２は閉
パターン形状とし、画素部３１１の外周縁と基板３１０の端面の間、またはスクライブ溝
３１３と画素部３１１の外周縁との間に形成する。
【００６２】
図３（Ｂ）は、液晶ディスペンサ３１８による液晶層形成の途中の断面図を示しており、
シール材３１２で囲まれた画素部３１１を覆うように液晶材料３１４を液晶ディスペンサ
３１８から滴下、または、吐出させている。液晶ディスペンサ３１８を移動させてもよい
し、液晶ディスペンサ３１８を固定し、基板を移動させることによって液晶層を形成して
もよい。また、一つの処理室に複数の液晶ディスペンサ３１８を設置して一度に液晶を一
枚の基板の複数箇所に対して滴下してもよい。
【００６３】
また、図３（Ｃ）には液晶層形成後の斜視図を示している。シール３１２で囲まれた領
域にそれぞれ選択的に液晶材料３１４を滴下、または吐出させている。
【００６４】
次いで、もう一枚の基板を用意して、減圧下で基板３１０と貼り合わせる。最後に分断を
行って、４つのパネルを作製する。予め、貼り合わせる前にスクライブ溝を設けているた
め、貼り合わせ後の分断は比較的小さな力で分断を行うことができる。従って、貼り合わ
せ後の分断で加えられる圧力による液晶配向の乱れを抑えることができる。
【００６５】
特に多面取りの場合、一枚の基板から複数のパネルを効率よく作製するためには、隣り合
う画素部との間隔を狭めることが望ましい。また、隣り合うシール材の間隔が狭いと、基
板を分断させることが困難になるため、加える圧力を大きくして分断を行うこととなる。
従って、スクライブ溝とシール材との距離、及びスクライブ溝と液晶層との距離は短くな
るため、予め、貼り合わせる前にスクライブ溝を設けて分断時に加える圧力を低減する本
発明が非常に有効となる。
【００６６】
なお、本実施の形態では、画素部を形成する基板にシール材と液晶層とを形成した後、も
う一枚の基板、即ち対向基板とを貼り合わせる例を示したが、特に限定されず、実施の形
態１のように対向基板にシール材と液晶層を形成してもよい。
【００６７】
また、本実施の形態は、実施の形態１と自由に組み合わせができる。例えば、画素部を形
成する基板にシール材の形成とスクライブ溝の形成を行い、対向基板にもシール材の形成
とスクライブ溝の形成を行い、減圧下で一対の基板を貼り合わせた後、分断を行ってもよ
い。この場合、両方の基板に予めスクライブ溝が形成されているため、両方の基板の分断
を１回の分断で行うこともできる。
【００６８】
（実施の形態３）
本実施の形態では、シール材の脱気処理を貼り合わせ時よりも高真空度の減圧下で行う例
を示す。
【００６９】
まず、基板上にシール材の描画を行う。このシール材の描画が図４に示すフローの第１ス
テップＳ４０１に相当する。シール材は光硬化樹脂を用いる。このシール材は、紫外光を
照射した後に加熱を行うことで効率よく硬化する材料を用いる。液晶滴下工法を用いる場
合、貼り合わせた後に紫外線を照射し、熱処理を順序よく行うことで、シールの硬化及び
液晶の配向を揃えているため、紫外線の照射と加熱の順序は重要である。このようなシー
ル材は、先に加熱を行ってから紫外線を照射すると重合反応が生じにくくなり、所望のシ
ール強度を得ることが困難となる恐れがある。
【００７０】
次いで、第１減圧下（例えば、真空度を１０−５〜１０−６Ｐａ）でシール材の脱気を行
い、後に滴下される液晶と接するシールの表面を乾燥させる。こうすることで、シール材
と液晶とが接触することによる影響を低減することができる。この第１減圧下でのシール
材の脱気が図４に示すフローの第２ステップＳ４０２に相当する。液晶滴下工法を用いる
場合、硬化させていないシール材と液晶とが接触するため、シール材の描画直後に減圧雰
囲気に配置してシール材に含まれる気体成分を取り除くことが好ましい。ただし、シール
材が硬化するような加熱は行わずに減圧雰囲気に配置することが好ましい。
【００７１】
また、貼り合わせ時の真空度により気体成分が発生することを防ぐため、貼り合わせ時の
真空度よりもシール材を描画した後の脱気時の真空度のほうが減圧、即ち高い真空度とな
るようにすることが好ましい。
【００７２】
次いで、一対の基板の少なくとも一方の基板に対してスクライブを行う。この基板のスク
ライブが図４に示すフローの第３ステップＳ４０３に相当する。
【００７３】
次いで、基板に対して液晶の滴下を行う。この基板の液晶の滴下が図４に示すフローの第
４ステップＳ４０４に相当する。液晶を滴下するのは、一対の基板の少なくとも一方に対
して行えばよい。シール材に囲まれた領域に液晶を液晶ディスペンサにより大気圧下で滴
下する。液晶としては、滴下可能な粘度を有する公知の液晶材料を用いればよい。液晶デ
ィスペンサにより無駄なく必要な量だけの液晶をシール材に囲まれた領域に保持すること
ができる。
【００７４】
次いで、第２減圧下で一対の基板の貼り合わせを行う。この第２減圧下での貼り合わせが
図４に示すフローの第５ステップＳ４０５に相当する。予め、第１減圧下でのシール材の
脱気が行われているため、この貼り合わせ作業の間、シール材からの気体の放出が抑制さ
れる。
【００７５】
次いで、シール材への紫外線照射を行う。このシール材への紫外線照射が図４に示すフロ
ーの第６ステップＳ４０６に相当する。
【００７６】
次いで、熱処理を行って、シール材をさらに硬化させると同時に、液晶を加熱して液晶の
配向を揃える。このシール材または液晶の加熱処理が図４に示すフローの第７ステップＳ
４０７に相当する。この加熱処理によって、基板間隔が固定される。
【００７７】
次いで、基板の分断を行う。この基板の分断が、図４に示すフローの第８ステップＳ４０
８に相当する。スクライブ溝が連続しているスクライブラインに沿って圧力を加え、分断
を行う。予め、スクライブラインが形成されているため、弱い力で基板を分断することが
できる。従って、液晶の配向を揃えるための熱処理後に分断を行っても、液晶の配向の乱
れが発生することを抑えることができる。
【００７８】
また、液晶滴下工法を用いる場合、硬化させていないシール材と液晶とが接触するため、
シール材の描画直後に減圧雰囲気に配置してシール材に含まれる気体成分を取り除くこと
が好ましい。なお、シール材に含まれる気体成分とは、シール材の溶媒に起因する気体や
シール材に含まれる水分に起因する気体を少なくとも含む。
【００７９】
本明細書で開示する他の発明の構成は、一対の基板のうち、一方の基板上にシール材を形
成し、第１の減圧下に前記一方の基板を配置して前記シール材から気体成分を取り除き、
一対の基板を貼り合わせる前に少なくとも一方の基板に切り込み深さを与え、前記第１の
減圧とは異なる第２の減圧下で一対の基板の貼り合わせを行い、貼り合わせた後、前記切
り込み深さを与えた帯状領域に沿って一対の基板の分断を行う液晶表示装置の作製方法で
ある。
【００８０】
また、貼り合わせ時の真空度により気体成分が発生することを防ぐため、貼り合わせ時の
真空度よりもシール材を描画した後の脱気時の真空度のほうが減圧、即ち高い真空度とな
るようにすることが好ましい。
【００８１】
以上の工程により、硬化させていないシール材と液晶とが接触しても液晶に影響を与えな
い液晶表示装置の作製方法を提供することができる。また、貼り合わせ後の分断で加えら
れる圧力による液晶配向の乱れを抑えることができる。
【００８２】
また、本実施の形態は、実施の形態１または実施の形態２と自由に組み合わせができる。
例えば、図１（Ｂ）のフローチャートで示したように、基板のスクライブを行った後にシ
ール材の描画を行ってもよい。
【００８３】
以上の構成でなる本発明について、以下に示す実施例でもってさらに詳細な説明を行う
こととする。
【実施例１】
【００８４】
本実施例では図５を用い、アクティブマトリクス型の液晶表示装置の作製工程を以下に
示す。
【００８５】
最初に、透光性を有する基板６００を用いてアクティブマトリクス基板を作製する。基
板サイズとしては、６００ｍｍ×７２０ｍｍ、６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、１０００ｍｍ×
１２００ｍｍ、１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ、１１５０ｍｍ×１３００ｍｍ、１５００ｍ
ｍ×１８００ｍｍ、１８００ｍｍ×２０００ｍｍ、２０００ｍｍ×２１００ｍｍ、２２０
０ｍｍ×２６００ｍｍ、または２６００ｍｍ×３１００ｍｍのような大面積基板を用い、
製造コストを削減することが好ましい。用いることのできる基板として、コーニング社の
７０５９ガラスや１７３７ガラスなどに代表されるバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノ
ホウケイ酸ガラスなどのガラス基板を用いることができる。更に他の基板として、石英基
板などの透光性基板を用いることもできる。
【００８６】
まず、スパッタ法を用いて絶縁表面を有する基板６００上に導電層を基板全面に形成し
た後、第１のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングに
より不要な部分を除去して配線及び電極（ゲート電極、保持容量配線、及び端子など）を
形成する。なお、必要があれば、基板６００上に下地絶縁膜を形成する。
【００８７】
上記の配線及び電極の材料としては、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、
クロム、ネオジムから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分
とする窒化物で形成する。さらに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロ
ム、ネオジムから選ばれた元素、前記元素を成分とする合金、または前記元素を成分とす
る窒化物から複数選択し、それを積層することもできる。
【００８８】
また、画面サイズが大画面化するとそれぞれの配線の長さが増加して、配線抵抗が高く
なる問題が発生し、消費電力の増大を引き起こす。よって、配線抵抗を下げ、低消費電力
を実現するために、上記の配線及び電極の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金、ク
ロム、鉄、ニッケル、白金またはこれらの合金を用いることもできる。また、銀、金、銅
、またはパラジウムなどの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高
濃度で分散した独立分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極
を形成してもよい。
【００８９】
次に、ＰＣＶＤ法によりゲート絶縁膜を全面に成膜する。ゲート絶縁膜は窒化シリコン
膜と酸化シリコン膜の積層を用い、膜厚を５０〜２００ｎｍとし、好ましくは１５０ｎｍ
の厚さで形成する。尚、ゲート絶縁膜は積層に限定されるものではなく酸化シリコン膜、
窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化タンタル膜などの絶縁膜を用いることもでき
る。
【００９０】
次に、ゲート絶縁膜上に、５０〜２００ｎｍ好ましくは１００〜１５０ｎｍの膜厚で第
１の非晶質半導体膜を、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成膜す
る。代表的には非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜を１００ｎｍの膜厚で成膜する。なお、大
面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理時
間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を用
いて非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい。
【００９１】
次に、一導電型（ｎ型またはｐ型）の不純物元素を含有する第２の非晶質半導体膜を２
０〜８０ｎｍの厚さで成膜する。一導電型（ｎ型またはｐ型）を付与する不純物元素を含
む第２の非晶質半導体膜は、プラズマＣＶＤ法やスパッタ法などの公知の方法で全面に成
膜する。本実施例ではリンが添加されたシリコンターゲットを用いてｎ型の不純物元素を
含有する第２の非晶質半導体膜を成膜する。
【００９２】
次に、第２のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングに
より不要な部分を除去して島状の第１の非晶質半導体膜、および島状の第２の非晶質半導
体膜を形成する。この際のエッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチ
ングを用いる。
【００９３】
次に、島状の第２の非晶質半導体膜を覆う導電層をスパッタ法で形成した後、第３のフォ
トリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成し、エッチングにより不要な部分を
除去して配線及び電極（ソース配線、ドレイン電極、保持容量電極など）を形成する。上
記の配線及び電極の材料としては、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、モ
リブデン、クロム、ネオジム、銅、銀、金、クロム、鉄、ニッケル、白金から選ばれた元
素、または前記元素を成分とする合金で形成する。また、銀、金、銅、またはパラジウム
などの金属からなる超微粒子（粒径５〜１０ｎｍ）を凝集させずに高濃度で分散した独立
分散超微粒子分散液を用い、インクジェット法で上記の配線及び電極を形成してもよい。
インクジェット法で上記の配線及び電極を形成すれば、フォトリソグラフィー工程が不要
となり、さらなる低コスト化が実現できる。
【００９４】
次に、第４のフォトリソグラフィー工程によりレジストマスクを形成し、エッチングに
より不要な部分を除去してソース配線、ドレイン電極、容量電極を形成する。この際のエ
ッチング方法としてウエットエッチングまたはドライエッチングを用いる。この段階でゲ
ート絶縁膜と同一材料からなる絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。そして、ソ
ース配線、ドレイン電極をマスクとして自己整合的に第２の非晶質半導体膜の一部を除去
し、さらに第１の非晶質半導体膜の一部を薄膜化する。薄膜化された領域はＴＦＴのチャ
ネル形成領域となる。
【００９５】
次に、プラズマＣＶＤ法により１５０ｎｍ厚の窒化シリコン膜からなる第１の保護膜と、
１５０ｎｍ厚の酸化窒化シリコン膜から成る第１の層間絶縁膜を全面に成膜する。なお、
大面積基板に成膜する際、チャンバーも大型化するためチャンバー内を真空にすると処理
時間がかかり、成膜ガスも大量に必要となるため、大気圧で線状のプラズマＣＶＤ装置を
用いて窒化シリコン膜からなる保護膜の成膜を行ってさらなる低コスト化を図ってもよい
。この後、水素化を行い、チャネルエッチ型のＴＦＴが作製される。
【００９６】
なお、本実施例ではＴＦＴ構造としてチャネルエッチ型とした例を示したが、ＴＦＴ構造
は特に限定されず、チャネルストッパー型のＴＦＴ、トップゲート型のＴＦＴ、或いは順
スタガ型のＴＦＴとしてもよい。
【００９７】
次いで、ＲＦスパッタ法で第２の保護膜６１９を形成する。この第２の保護膜６１９は
、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを用いて背圧を１×１０−３Ｐａ以下とし、
単結晶シリコンターゲットをＮ２ガスもしくはＮ２と希ガスとの混合ガスでスパッタして
作製される窒化珪素膜である。この緻密な窒化珪素膜は、ナトリウム、リチウム、マグネ
シウム等のアルカリ金属又はアルカリ土類金属がＴＦＴを汚染してしきい値電圧の変動等
を効果的に防ぎ、且つ、水分や酸素に対して極めて高いブロッキング効果を有する。また
、ブロッキング効果を高めるために、窒化珪素膜中における酸素及び水素含有量は１０原
子％以下、好ましくは１原子％以下とすることが望ましい。
【００９８】
次に、第５のフォトリソグラフィー工程を行い、レジストマスクを形成して、その後ドラ
イエッチング工程により、ドレイン電極や保持容量電極に達するコンタクトホールを形成
する。また、同時にゲート配線と端子部を電気的に接続するためのコンタクトホール（図
示しない）を端子部分に形成し、ゲート配線と端子部を電気的に接続する金属配線（図示
しない）を形成してもよい。また、同時にソース配線に達するコンタクトホール（図示し
ない）を形成し、ソース配線から引き出すための金属配線を形成してもよい。これらの金
属配線を形成した後にＩＴＯ等の画素電極を形成してもよいし、ＩＴＯ等の画素電極を形
成した後にこれらの金属配線を形成してもよい。
【００９９】
次に、ＩＴＯ（酸化インジウム酸化スズ合金）、酸化インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２
Ｏ３―ＺｎＯ）、酸化亜鉛等の透明導電膜を１１０ｎｍの厚さで成膜する。その後、第６
のフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を行うことにより、画素電極６０１を形成
する。
【０１００】
以上、画素部においては、６回のフォトリソグラフィー工程により、ソース配線と、逆
スタガ型の画素部のＴＦＴ及び保持容量と、端子部で構成されたアクティブマトリクス基
板を作製することができる。
【０１０１】
次いで、アクティブマトリクス基板上に配向膜６２３を形成しラビング処理を行う。な
お、本実施例では配向膜６２３を形成する前に、アクリル樹脂膜等の有機樹脂膜をパター
ニングすることによって基板間隔を保持するための柱状のスペーサ６０２を所望の位置に
形成する。また、柱状のスペーサに代えて、球状のスペーサを基板全面に散布してもよい
。
【０１０２】
次いで、対向基板を用意する。この対向基板には、着色層、遮光層が各画素に対応して
配置されたカラーフィルタ６２０が設けられている。また、このカラーフィルタと遮光層
とを覆う平坦化膜を設けている。次いで、平坦化膜上に透明導電膜からなる対向電極６２
１を画素部と重なる位置に形成し、対向基板の全面に配向膜６２２を形成し、ラビング処
理を施す。
【０１０３】
そして、実施の形態１に従って、アクティブマトリクス基板の画素部を囲むようにシー
ル材６０７を描画した後、スクライブを行い、切り込み深さｄのスクライブ溝を形成する
。そして、シール材６０７に囲まれた領域に液晶ディスペンサ装置で液晶を滴下する。次
いで、液晶層６２４を封止するため、減圧下でアクティブマトリクス基板と対向基板とを
シール材６０７で貼り合わせる。シール材６０７にはフィラー（図示しない）が混入され
ていて、このフィラーと柱状スペーサ６０２によって均一な間隔を持って２枚の基板が貼
り合わせられる。液晶を滴下する方法を用いることによって作製プロセスで使用する液晶
の量を削減することができ、特に、大面積基板を用いる場合に大幅なコスト低減を実現す
ることができる。
【０１０４】
そして、アクティブマトリクス基板または対向基板を所望の形状に分断する。予め、スク
ライブ溝が形成されているため、液晶の乱れを生じない範囲内の圧力を加えることで分断
を行うことができる。このようにしてアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
【０１０５】
さらに、公知の技術を用いて偏光板６０３やカラーフィルタ等の光学フィルムを適宜設け
る。そして、公知の技術を用いてＦＰＣを貼りつける。
【０１０６】
以上の工程によって得られた液晶モジュールに、バックライト６０４、導光板６０５を
設け、カバー６０６で覆えば、図５にその断面図の一部を示したようなアクティブマトリ
クス型液晶表示装置（透過型）が完成する。なお、カバーと液晶モジュールは接着剤や有
機樹脂を用いて固定する。また、透過型であるので偏光板６０３は、アクティブマトリク
ス基板と対向基板の両方に貼り付ける。
【０１０７】
また、本実施例は透過型の例を示したが、特に限定されず、反射型や半透過型の液晶表
示装置も作製することができる。反射型の液晶表示装置を得る場合は、画素電極として光
反射率の高い金属膜、代表的にはアルミニウムまたは銀を主成分とする材料膜、またはそ
れらの積層膜等を用いればよい。
【０１０８】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、または実施の形態３と自由に組み合わせ
ることができる。
【実施例２】
【０１０９】
本実施例では、実施例１で得られる液晶モジュールの上面図を図６（Ａ）に示すとともに
、実施例１と異なる液晶モジュールの上面図を図６（Ｂ）に示す。
【０１１０】
実施例１により得られる非晶質半導体膜で活性層を形成したＴＦＴは、電界効果移動度
が小さく１ｃｍ２／Ｖｓｅｃ程度しか得られていない。そのために、画像表示を行うため
の駆動回路はＩＣチップで形成され、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄ
ｉｎｇ）方式やＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）方式で実装することとなる。
【０１１１】
図６（Ａ）中、７０１は、アクティブマトリクス基板、７０６は対向基板、７０４は画
素部、７０７はシール材、７０５はＦＰＣである。なお、減圧下で液晶をディスペンサ装
置またはインクジェット装置により滴下させ、一対の基板７０１、７０６をシール材７０
７で貼り合わせている。
【０１１２】
実施例１により得られるＴＦＴは、電界効果移動度は小さいが、大面積基板を用いて量
産する場合、低温プロセスであり作製プロセスにかかるコストを低減することができる。
減圧下で液晶をディスペンサ装置またはインクジェット装置により滴下させ、一対の基板
を貼り合わせる本発明により、基板サイズに関係なく一対の基板間に液晶を保持させるこ
とができるようになるため、２０インチ〜８０インチの大画面を有する液晶パネルを備え
た表示装置を作製することができる。
【０１１３】
また、公知の結晶化処理を行って非晶質半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体
膜、代表的にはポリシリコン膜で活性層を構成した場合、電界効果移動度の高いＴＦＴが
得られるため、画素部だけでなく、ＣＭＯＳ回路を有する駆動回路をも同一基板上に作製
することができる。また、駆動回路に加えＣＰＵなども同一基板上に作製することができ
る。
【０１１４】
ポリシリコン膜からなる活性層を有するＴＦＴを用いた場合、図６（Ｂ）のような液晶
モジュールを作製することができる。
【０１１５】
図６（Ｂ）中、７１１は、アクティブマトリクス基板、７１６は対向基板、７１２はソ
ース信号線駆動回路、７１３はゲート信号線駆動回路、７１４は画素部、７１７は第１シ
ール材、７１５はＦＰＣである。なお、減圧下で液晶をディスペンサ装置またはインクジ
ェット装置により滴下させ、一対の基板７１１、７１６を第１シール材７１７および第２
シール材で貼り合わせている。駆動回路部７１２、７１３には液晶は不要であるため、画
素部７１４のみに液晶を保持させており、第２シール材７１８はパネル全体の補強のため
に設けられている。
【０１１６】
また、本実施例は実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３、または実施例１と自由に
組み合わせることができる。
【実施例３】
【０１１７】
本発明を実施して得た液晶表示装置を表示部に組み込むことによって電子機器を作製す
ることができる。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラなどのカメラ、ゴー
グル型ディスプレイ（ヘッドマウントディスプレイ）、ナビゲーションシステム、音響再
生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲ
ーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子
書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉ
ｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを
備えた装置）などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図７に示す。
【０１１８】
図７（Ａ）はテレビであり、筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３、スピー
カー部２００４、ビデオ入力端子２００５等を含む。本発明は表示部２００３に適用する
ことができる。なお、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表
示用のテレビが含まれる。
【０１１９】
図７（Ｂ）はデジタルカメラであり、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３
、操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッターボタン２１０６等を含む。本
発明は、表示部２１０２に適用することができる。
【０１２０】
図７（Ｃ）はノート型パーソナルコンピュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、
表示部２２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０５、ポインティングデバイ
ス２２０６等を含む。本発明は、表示部２２０３に適用することができる。
【０１２１】
図７（Ｄ）はモバイルコンピュータであり、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ
２３０３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含む。本発明は、表示部２３０
２に適用することができる。
【０１２２】
図７（Ｅ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）で
あり、本体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部Ｂ２４０４、記録媒体（
ＤＶＤ等）読み込み部２４０５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含む。表
示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表
示するが、本発明は表示部Ａ、Ｂ２４０３、２４０４に適用することができる。なお、記
録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
【０１２３】
図７（Ｆ）はゲーム機器であり、本体２５０１、表示部２５０５、操作スイッチ２５０
４等を含む。
【０１２４】
図７（Ｇ）はビデオカメラであり、本体２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外
部接続ポート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０６、バッテリー２６０７
、音声入力部２６０８、操作キー２６０９等を含む。本発明は、表示部２６０２に適用す
ることができる。
【０１２５】
図７（Ｈ）は携帯電話であり、本体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入
力部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、外部接続ポート２７０７、アン
テナ２７０８等を含む。本発明は、表示部２７０３に適用することができる。
【０１２６】
以上の様に、本発明を実施して得た表示装置は、あらゆる電子機器の表示部として用い
ても良い。なお、本実施例の電子機器には、実施の形態１、実施の形態２、実施の形態３
、実施例１、または実施例２のいずれの構成を用いて作製された液晶表示装置を用いても
良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
多面取りを行うのに適した減圧下での貼り合わせを用いて、液晶材料の利用効率が高く、
且つ、配向乱れの低減された液晶表示装置を生産することが可能となる。
【符号の説明】
【０１２８】
１１０：第１の基板
１１１：画素電極
１１２：シール材
１１３：端子電極
１１４：液晶
１１５：柱状スペーサ
１１８：液晶ディスペンサ
１２０：第２の基板
１２２：対向電極
３１０：基板
３１１：画素部
３１２：シール材
３１３：スクライブ溝
３１４：液晶材料
３１８：液晶ディスペンサ
６００：基板
６０１：画素電極
６０２：スペーサ
６０３：偏光板
６０４：バックライト
６０５：導光板
６０６：カバー
６０７：シール材
６１９：保護膜
６２０：カラーフィルタ
６２１：対向電極
６２２：配向膜
６２３：配向膜
６２４：液晶層
７０１：アクティブマトリクス基板
７０４：画素部
７０５：ＦＰＣ
７０６：対向基板
７０７：シール材
７１１：基板
７１２：ソース信号線駆動回路
７１３：ゲート信号線駆動回路
７１４：画素部
７１５：ＦＰＣ
７１６：対向基板
７１７：第１シール材
７１８：第２シール材
２００１：筐体
２００２：支持台
２００３：表示部
２００５：ビデオ入力端子
２１０１：本体
２１０２：表示部
２１０３：受像部
２１０４：操作キー
２１０５：外部接続ポート
２１０６：シャッターボタン
２２０１：本体
２２０２：筐体
２２０３：表示部
２２０４：キーボード
２２０５：外部接続ポート
２２０６：ポインティングデバイス
２３０１：本体
２３０２：表示部
２３０３：スイッチ
２３０４：操作キー
２３０５：赤外線ポート
２４０１：本体
２４０２：筐体
２４０３：表示部Ａ
２４０４：表示部Ｂ
２４０５：記録媒体読込部
２４０６：操作キー
２４０７：スピーカー部
２５０１：本体
２５０４：操作スイッチ
２５０５：表示部
２６０１：本体
２６０２：表示部
２６０３：筐体
２６０４：外部接続ポート
２６０５：リモコン受信部
２６０６：受像部
２６０７：バッテリー
２６０８：音声入力部
２６０９：接眼部
２７０１：本体
２７０２：筐体
２７０３：表示部
２７０４：音声入力部
２７０５：音声出力部
２７０６：操作キー
２７０７：外部接続ポート
２７０８：アンテナ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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