(57)【要約】【課題】製造誤差の影響を抑え、高精度の凹凸構造を有するインプリントモールドの製造方法を提供する。【解決手段】インプリントモールドの製造方法は、凹凸構造が形成されたマスターモールドの一方の面と第１基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、マスターモールドの凹凸構造を反転させた第１反転凹凸構造を有する第１転写層を形成する第１転写層形成工程と、第１転写層とマスターモールドとを離し、第１転写層を備えた第１基板を得る第１剥離工程とを含み、マスターモールドは、ウェハにより構成されてなり、マスターモールドの凹凸構造は、電子線リソグラフィ法と、側壁法及び／又は自己組織化法との組み合わせにより、マスターモールドの一方の面に形成されてなる。【選択図】図１
2014135313.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸構造が形成されたマスターモールドの一方の面と第１基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記マスターモールドの凹凸構造を反転させた第１反転凹凸構造を有する第１転写層を形成する第１転写層形成工程と、
前記第１転写層と前記マスターモールドとを離し、前記第１転写層を備えた前記第１基板を得る第１剥離工程と
を含み、
前記マスターモールドは、ウェハにより構成されてなり、
前記マスターモールドの凹凸構造は、電子線リソグラフィ法と、側壁法及び／又は自己組織化法との組み合わせにより、前記マスターモールドの一方の面に形成されてなる
ことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項２】
凹凸構造が形成されたマスターモールドの一方の面と第１基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記マスターモールドの凹凸構造を反転させた第１反転凹凸構造を有する第１転写層を形成する第１転写層形成工程と、
前記第１転写層と前記マスターモールドとを離し、前記第１転写層を備えた前記第１基板を得る第１剥離工程と、
側壁法及び／又は自己組織化法により、前記第１転写層における前記第１反転凹凸構造の寸法を縮小してなる縮小凹凸構造を形成する縮小凹凸構造形成工程と
を含み、
前記マスターモールドは、ウェハにより構成されてなり、
前記マスターモールドの凹凸構造は、電子線リソグラフィ法により前記マスターモールドの一方の面に形成されてなる
ことを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
【請求項３】
側壁法及び／又は自己組織化法により、前記第１転写層における前記第１反転凹凸構造の寸法を縮小してなる縮小凹凸構造を形成する縮小凹凸構造形成工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項４】
前記第１基板は、前記第１基板の前記一方の面に凸部を有するメサ構造の基板として構成され、
前記第１転写層形成工程において、前記凹凸構造と前記凸部との間に前記被転写材料を介在させて、前記凸部上に前記第１反転凹凸構造を有する前記第１転写層を形成する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項５】
前記第１基板は、前記第１反転凹凸構造の形成される領域部分の厚みがその他の領域部分の厚みよりも薄く構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項６】
前記第１基板は、矩形状の外形を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項７】
前記第１転写層又は前記縮小凹凸構造をマスクとして前記第１基板をエッチングし、前記第１基板に第１凹凸構造を形成する第１凹凸構造形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項８】
前記第１凹凸構造が形成された前記第１基板の一方の面と、第２基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記第１基板の前記第１凹凸構造を反転させた第２反転凹凸構造を有する第２転写層を形成する第２転写層形成工程と、
前記第２転写層と前記第１基板とを離し、前記第２転写層を備えた前記第２基板を得る第２剥離工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項９】
前記マスターモールドの一方の面の外形で規定されるエリアＳｍと、前記第１基板の一方の面の外形で規定されるエリアＳｐとを対比した場合、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項１０】
前記マスターモールドは、２００ｍｍウェハ又はそれよりも大きいウェハにより構成されることを特徴とする請求項９に記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板は、石英基板であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【請求項１２】
前記第１転写層形成工程において、前記マスターモールドの一方の面上又は前記第１基板の一方の面上に、インクジェット方式により前記被転写材料を滴下し、前記マスターモールドの一方の面と前記第１基板の一方の面との間に前記被転写材料を介在させることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載のインプリントモールドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オリジナルとなるマスターモールドに形成された凹凸構造を少なくとも１回反転させた凹凸構造を備えるインプリントモールドを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化、高集積化が進み、この半導体集積回路を製造するための微細加工を実現すべく、パターン形成技術としての種々のフォトリソグラフィ技術が開発されている。
【０００３】
一方で、近年、種々のフォトリソグラフィ技術に替わるパターン形成技術として、インプリント方法に注目が集まっている。このインプリント方法とは、基板の表面に微細な凹凸構造を形成した型部材（モールド）を用い、当該凹凸構造を被転写材料に転写することで微細な凹凸構造を等倍転写するパターン形成技術である。インプリント方法は、半導体素子や磁気記録媒体等の製造に応用されることが期待されている。
【０００４】
インプリント方法において用いられる微細な凹凸構造を有するモールドとしては、従来、電子線（ＥＢ）リソグラフィ法により作製されてなるものが知られている（非特許文献１参照）。具体的には、電子線描画装置を用いてモールド用基板の一方の面上にレジストパターンを形成し、当該レジストパターンをマスクとしてモールド用基板をドライエッチング処理に付することによりモールドが作製される。このようにして作製されるモールドは、その作製工程において電子線描画装置により極小スポットビームを走査させる必要があることで作製に膨大な時間を要し、作製コストの非常に高いものとなる。また、所定回数の転写工程に使用されると、被転写材料（インプリント用樹脂等）に形成される凹凸構造に欠陥が生じてしまったり、モールドの凹凸構造が損傷してしまったりすることがある。
【０００５】
このようにして被転写材料に形成される凹凸構造の欠陥やモールドの凹凸構造の損傷が生じてしまった場合に、その都度、電子線（ＥＢ）リソグラフィ法により作製された新たなモールドに交換するとなると、インプリント方法を経て製造される半導体素子等の製品の多大なるコストアップにつながってしまう。
【０００６】
そのため、産業規模でインプリント方法を実施する際には、一般に、電子線（ＥＢ）リソグラフィ法により作製されたモールドをマスターモールドとし、当該マスターモールドを用いてマスターモールドの凹凸構造を反転させた凹凸構造を有する第１コピーモールドや、当該第１コピーモールドを用いて第１コピーモールドの凹凸構造をさらに反転させた、マスターモールドの複製にあたる凹凸構造を有する第２コピーモールドを多数作製し、それらのコピーモールドをインプリント方法におけるモールドとして用いるのが通常である（特許文献１参照）。
【０００７】
このようにして得られるコピーモールドは、低コストでの大量生産が可能である。そのため、それらをインプリント方法におけるモールドとして用いることで、仮に当該モールドが損傷してしまったり、当該モールドにより被転写材料に形成される凹凸構造に欠陥が生じてしまったりしたときであっても、次々と新しいモールドに交換しながらインプリント方法を実施し、インプリント方法を経て製造される半導体素子等の製品の製造コストを低減することができる。また、多数のコピーモールドを作製しておくことで、複数のインプリント装置のそれぞれにコピーモールドをセットして同時に使用することができ、半導体素子等の製品の生産性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２８２９９５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】谷口淳著，「はじめてのナノインプリント技術」，Ｐ１８０，２００５年，工業調査会刊
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
半導体素子や磁気記録媒体等の製品の製造に用いられるモールドは、その半導体素子等において要求されるパターン寸法に応じて、ナノオーダーの極微細な寸法の凹凸構造を有するものとなる。例えば、ビットパターンドメディアと称される磁気記録媒体においては、２Ｔｂ／ｉｎｃｈ2以上の記録密度を実現するために、１ビットに対応するパターンの寸法が２０ｎｍ以下であることが要求されている。このような極微細な寸法のパターンに対応する凹凸構造は、フォトリソグラフィ法における解像限界を超えた寸法を有するものである。そのため、そのような極微細な寸法の凹凸構造を有するマスターモールドは、電子線リソグラフィ法によらなければ作製困難又は不可能である。
【００１１】
一方、マスターモールドを元にして多数のコピーモールドを作製するときのインプリント方法としては、一般的に光インプリント法が適用される。光インプリント法は、室温で低い印加圧力により凹凸構造の転写が可能であり、熱インプリント法のような加熱・冷却サイクルが不要であることでマスターモールドや樹脂の熱による寸法変化が生じないため、熱インプリント法に比して、解像性、アライメント精度、生産性等の点で優れていると言われている。そのため、マスターモールド用基板としては、光インプリント法における露光光を透過可能な石英基板が主に用いられている。また、上述した理由により、半導体素子等を製造するためのコピーモールドもまた光インプリント法におけるモールドとして用いられることが多いため、コピーモールド用基板としても同様に石英基板が主に用いられている。
【００１２】
電子線リソグラフィ法によりマスターモールドを作製するときに、マスターモールド用基板としての石英基板に極微細な寸法の凹凸構造を形成するにあたり、当該石英基板の一方の面上に電子線描画装置によりレジストパターンを形成し、それをマスクとして用いたドライエッチング処理が行われる。このとき、汎用されているドライエッチング装置における石英基板に対する加工精度（エッチング精度、凹凸構造の寸法のバラツキ等の精度）は、半導体素子等の製造分野において汎用されている半導体ウェハ（シリコンウェハ等）に対する当該加工精度よりも劣るのが一般的である。そのため、マスターモールドの凹凸構造において寸法のバラツキ等の製造誤差が生じるおそれがある。
【００１３】
そして、マスターモールドを元にしたインプリント法によりコピーモールドを製造する過程において、熱インプリント法に比して寸法精度に優れる光インプリント法を適用したとしても、コピーモールド用基板としての石英基板をドライエッチングする際に、上述したのと同様の理由によりコピーモールドの一方の面上に形成される凹凸構造の寸法のバラツキ等の製造誤差が生じるおそれがある。同様に、マスターモールドを元にして製造されたコピーモールドを用い、さらにコピーモールドを製造する場合にも、凹凸構造の寸法のバラツキ等の製造誤差が生じるおそれがある。
【００１４】
このように、マスターモールドの製造から半導体素子等を製造するためのコピーモールドを製造するまでの間において、凹凸構造の寸法のバラツキ等の製造誤差が増幅するおそれがあり、半導体素子等の生産性を高めるために大量のコピーモールドを準備しようとすることで当該製造誤差の増幅がより顕著に現われるおそれがある。特に、半導体素子等における凹凸構造の微細化の要求がさらに高まると、半導体素子等を製造するためのコピーモールドにおける凹凸構造の寸法のバラツキ等の製造誤差に対する要求がより厳しくなる。そのため、マスターモールドの製造からコピーモールドの製造までの一連の製造工程における凹凸構造の寸法のバラツキ等の製造誤差の影響を抑えることのできるモールド製造プロセスの提案が要望されている。
【００１５】
本発明は、上記の実情のもとに創案されたものであって、製造誤差の影響を抑え、高精度の凹凸構造を有するインプリントモールドを製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明は、凹凸構造が形成されたマスターモールドの一方の面と第１基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記マスターモールドの凹凸構造を反転させた第１反転凹凸構造を有する第１転写層を形成する第１転写層形成工程と、前記第１転写層と前記マスターモールドとを離し、前記第１転写層を備えた前記第１基板を得る第１剥離工程とを含み、前記マスターモールドは、ウェハにより構成されてなり、前記マスターモールドの凹凸構造は、電子線リソグラフィ法と、側壁法及び／又は自己組織化法との組み合わせにより、前記マスターモールドの一方の面に形成されてなることを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明１）。
【００１７】
また、本発明は、凹凸構造が形成されたマスターモールドの一方の面と第１基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記マスターモールドの凹凸構造を反転させた第１反転凹凸構造を有する第１転写層を形成する第１転写層形成工程と、前記第１転写層と前記マスターモールドとを離し、前記第１転写層を備えた前記第１基板を得る第１剥離工程と、側壁法及び／又は自己組織化法により、前記第１転写層における前記第１反転凹凸構造の寸法を縮小してなる縮小凹凸構造を形成する縮小凹凸構造形成工程とを含み、前記マスターモールドは、ウェハにより構成されてなり、前記マスターモールドの凹凸構造は、電子線リソグラフィ法により前記マスターモールドの一方の面に形成されてなることを特徴とするインプリントモールドの製造方法を提供する（発明２）。
【００１８】
上記発明（発明１）においては、側壁法及び／又は自己組織化法により、前記第１転写層における前記第１反転凹凸構造の寸法を縮小してなる縮小凹凸構造を形成する縮小凹凸構造形成工程をさらに含むのが好ましい（発明３）。
【００１９】
上記発明（発明１〜３）においては、前記第１基板は、前記第１基板の前記一方の面に凸部を有するメサ構造の基板として構成され、前記第１転写層形成工程において、前記凹凸構造と前記凸部との間に前記被転写材料を介在させて、前記凸部上に前記第１反転凹凸構造を有する前記第１転写層を形成するのが好ましい（発明４）。
【００２０】
上記発明（発明１〜４）においては、前記第１基板として、前記第１反転凹凸構造の形成される領域部分の厚みがその他の領域部分の厚みよりも薄く構成されているものを用いることができ（発明５）、矩形状の外形を有するものを用いることができる（発明６）。
【００２１】
上記発明（発明１〜６）においては、前記第１転写層又は前記縮小凹凸構造をマスクとして前記第１基板をエッチングし、前記第１基板に第１凹凸構造を形成する第１凹凸構造形成工程をさらに含むのが好ましい（発明７）。
【００２２】
上記発明（発明７）においては、前記第１凹凸構造が形成された前記第１基板の一方の面と、第２基板の一方の面との間に被転写材料を介在させて、前記第１基板の前記第１凹凸構造を反転させた第２反転凹凸構造を有する第２転写層を形成する第２転写層形成工程と、前記第２転写層と前記第１基板とを離し、前記第２転写層を備えた前記第２基板を得る第２剥離工程とをさらに含むのが好ましい（発明８）。
【００２３】
上記発明（発明１〜８）においては、前記マスターモールドの一方の面の外形で規定されるエリアＳｍと、前記第１基板の一方の面の外形で規定されるエリアＳｐとを対比した場合、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にあるのが好ましく（発明９）、かかる発明（発明９）においては、前記マスターモールドは、２００ｍｍウェハ又はそれよりも大きいウェハにより構成されるのが好ましい（発明１０）。
【００２４】
上記発明（発明１〜１０）においては、前記第１基板として、石英基板を用いることができる（発明１１）。
【００２５】
上記発明（発明１〜１１）においては、前記第１転写層形成工程において、前記マスターモールドの一方の面上又は前記第１基板の一方の面上に、インクジェット方式により前記被転写材料を滴下し、前記マスターモールドの一方の面と前記第１基板の一方の面との間に前記被転写材料を介在させるのが好ましい（発明１２）。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、生産性の高いインプリントモールドの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドの斜視図である。
【図２】図２は、図１に示すマスターモールドのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドの作製工程（側壁法利用）を断面図にて示す工程フロー図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドの作製工程のうち、自己組織化法を利用した作製工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドと第１基板との関係を模式的に示す斜視図である。
【図６】図６は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドの一方の面の外形で規定されるエリアＳｍと第１基板の一方の面の外形で規定されるエリアＳｐとの関係を説明する平面図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施形態におけるマスターモールドと第１基板との関係を模式的に示す断面図（図７（Ａ））及び平面図（図７（Ｂ））である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施形態における第１転写層形成工程の一例を示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施形態における第１基板の構成例を示す断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施形態における第１モールドを製造する工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施形態における第２モールドを製造する工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態における第２転写層形成工程の一例を示す断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施形態における第１モールドを製造する工程（側壁法利用）を断面図にて示す工程フロー図である。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施形態における第１モールドの製造工程のうち、自己組織化法を利用した製造工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【図１５】図１５は、本発明の第３の実施形態におけるマスターモールドと第１基板との関係を模式的に示す斜視図である。
【図１６】図１６は、本発明の第４の実施形態におけるマスターモールドを示す斜視図である。
【図１７】図１７は、図１６に示すマスターモールドのＢ−Ｂ線断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第４の実施形態におけるマスターモールドの具体的構成例を示す斜視図（図１８（Ａ））及びそのＣ−Ｃ線断面図（図１８（Ｂ））である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
＜第１の実施形態＞
〔マスターモールド〕
まずは、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において用いられるマスターモールドについて説明する。図１は、第１の実施形態におけるマスターモールドの斜視図であり、図２は、図１に示すマスターモールドのＡ−Ａ線断面図である。
【００２９】
図１及び図２に示すように、マスターモールド１０は、例えば半導体ウェハ等のウェハ１２の片側である一方の面１０ａに凹凸構造１４が形成されている。
凹凸構造１４は、例えば、後述する被転写材料にその形状を転写するための構造体である。図１及び図２においては、凹凸構造１４として６本の凸状ラインが例示されているが、凹凸構造１４の凸部の高さ（凹部の深さ）、ピッチ、数、配置面積（ウェハ１２の一方の面１０ａに対する凹凸構造１４の形成領域の占有面積）、形状（ライン状、ドット状等）等は特に限定されるものではなく、使用する場面に応じてそれらは適宜設定され得る。また、凹凸構造１４の寸法（凹凸構造１４がラインアンドスペース状である場合、ライン又はスペースの短手方向の幅）は、特に限定されるものではないが、例えば、４０ｎｍ以下、好ましくは１０〜３０ｎｍである。
【００３０】
半導体ウェハ等のウェハ１２としては、一般に、電子線（ＥＢ）リソグラフィ法（電子線描画装置）にて使用可能なウェハを用いることができ、２００ｍｍ（８インチ）ウェハ、又はそれよりも大きいウェハ（例えば３００ｍｍ（１２インチ）ウェハ等）を用いることもできる。なお、２００ｍｍウェハとは、直径の規格値が２００ｍｍのウェハであり、３００ｍｍウェハとは、直径の規格値が３００ｍｍのウェハである。直径の規格値が２００ｍｍ又は３００ｍｍであるとは、厳密な意味での２００ｍｍ又は３００ｍｍではなく、２００ｍｍ又は３００ｍｍを中心として±１ｍｍの許容範囲を有することを意味する。
【００３１】
ウェハ１２の厚さは、特に制限されるものではないが、強度や取扱性を考慮して３００μｍ〜１ｍｍの範囲であるのが好ましい。ウェハ１２を構成する材料としては、シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、これらの積層体等が用いられ得る。凹凸構造１４がドライエッチングにより形成されることから、微細加工を容易に、かつ高精度に行うことが可能なシリコンウェハが好適に用いられ得る。ウェハ１２は、半導体基板にガラス等からなる支持基板が接合されたものであってもよい。なお、ウェハとは、円盤状の板体であって、例えば、組成管理された素材で作製された円柱状のインゴットを薄くスライスすることによって得られるものである。また、ウェハの周縁付近の側面にはノッチやオリフラが形成されていてもよい。
【００３２】
〔マスターモールドの作製方法〕
上述のようなウェハ１２をベースとするマスターモールド１０において、凹凸構造１４は、電子線リソグラフィ法と、側壁法及び／又は自己組織化法との組み合わせにより形成される。具体的には、図３又は図４に示す工程を経て形成される。図３は、第１の実施形態におけるマスターモールド１０の作製工程であって、電子線リソグラフィ法と側壁法との組み合わせにより凹凸構造１４を形成する工程を概略的に示す断面図であり、図４は、第１の実施形態におけるマスターモールド１０の作製工程であって、電子線リソグラフィ法と自己組織化法との組み合わせにより凹凸構造１４を形成する工程を概略的に示す断面図である。
【００３３】
まず、電子線リソグラフィ法と側壁法との組み合わせにより凹凸構造１４を形成する工程を説明する。最初に、電子線リソグラフィ法によりレジストパターンＲｐを形成する。図３（Ａ）に示すように、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に形成されたレジスト膜に、電子線描画装置を用いてパターン潜像を形成し、現像することでレジストパターンＲｐを形成する。なお、ウェハ１２の一方の面１０ａ上には、少なくとも一層のハードマスク層（図示せず）等が設けられていてもよい。
【００３４】
レジストパターンＲｐを形成するために用いられる電子線描画装置としては、特に限定されるものではなく、例えば、１本の電子線を用いてパターンを描画するシングルビーム方式の電子線描画装置、複数の電子線を用いてパターンを描画するマルチビーム方式の電子線描画装置等を用いることができる。なお、寸法が極微細なレジストパターンＲｐを形成するためには、電子線描画装置において極小スポットビームを走査させる必要があるため、パターン潜像を形成するのに膨大な時間を要し、マスターモールド１０の生産性が低下するおそれがあるが、マルチビーム方式の電子線描画装置を用いることで、マスターモールド１０の生産性を向上させることができる。
【００３５】
レジストパターンＲｐの寸法は、特に限定されるものではないが、マスターモールド１０の凹凸構造１４の寸法の約２倍程度に設定することができる。例えば、マスターモールド１０の凹凸構造１４の寸法が２０ｎｍである場合、レジストパターンＲｐの寸法は４０ｎｍ程度である。
【００３６】
レジストパターンＲｐは、後述する側壁パターン形成工程（図３（Ｄ））により側壁パターンＷｐを形成するための芯材Ｃとしての役割を果たすものであり、側壁パターンＷｐは芯材Ｃの側壁に形成されることから、側壁パターン形成工程（図３（Ｄ））後の芯材Ｃ及び側壁パターンＷｐの高さ（厚さ）は略同一となる。
【００３７】
この側壁パターンＷｐは、後述するエッチング工程（図３（Ｆ））においてウェハ１２をエッチングするためのエッチングマスクとしての役割を果たすものである。そのため、側壁パターンＷｐの高さ（厚さ）は、側壁パターンＷｐ及びウェハ１２のそれぞれを構成する材料のエッチング選択比にもよるが、ウェハ１２のエッチング処理中に側壁パターンＷｐが消失してしまわない程度の高さ（厚さ）であることが要求される。
【００３８】
一方で、後述する芯材形成工程（図３（Ｂ））において、レジストパターンＲｐをスリミング処理に付することで芯材Ｃが形成されるため、芯材Ｃの高さ（厚さ）は、レジストパターンＲｐの高さ（厚さ）よりも低く（薄く）なる。したがって、レジストパターンＲｐの高さ（厚さ）は、後述する芯材形成工程（図３（Ｂ））におけるスリミング量等を考慮して、側壁パターンＷｐに要求される高さ（厚さ）よりも高く（厚く）しておく必要がある。
【００３９】
なお、第１の実施形態において、レジストパターンＲｐを構成するレジスト材料としては、電子線の照射面積を考慮して、ネガ型、ポジ型のいずれかを選択して使用することができ、またこれらの化学増幅型を使用してもよい。
【００４０】
続いて、側壁法により微細な側壁パターンＷｐを形成する。図３（Ｂ）に示すように、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に形成したレジストパターンＲｐに対しスリミング処理を施して、当該レジストパターンＲｐを細らせた芯材Ｃを形成する（芯材形成工程）。レジストパターンＲｐのスリミング処理は、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、それらの組み合わせ等により実施することができる。
【００４１】
レジストパターンＲｐのスリミング量は、特に限定されるものではないが、マスターモールド１０の凹凸構造１４がラインアンドスペース状である場合、当該凹凸構造１４におけるスペース寸法（短手方向の幅）がレジストパターンＲｐのスリミング処理により形成される芯材Ｃの寸法に依存するため、当該凹凸構造１４におけるスペース寸法に応じてレジストパターンのスリミング量を設定すればよい。通常、芯材Ｃの寸法がレジストパターンＲｐの約半分となるように、スリミング量が設定される。
【００４２】
続いて、図３（Ｃ）に示すように、芯材Ｃを含むウェハ１２の一方の面１０ａ上に、側壁パターンＷｐを構成する側壁材料膜Ｗｍを形成し（側壁材料膜形成工程）、図３（Ｄ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の異方性エッチングによりエッチバックして、芯材Ｃの側壁に側壁パターンＷｐを形成する（側壁パターン形成工程）。
【００４３】
側壁材料膜Ｗｍは、シリコン系材料（シリコン酸化物等）の側壁材料をＡＬＤ法（Atomic layer deposition）、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の従来公知の成膜法により堆積させることで形成され得る。第１の実施形態のように、芯材Ｃの構成材料としてレジスト材料を用いる場合、より低温で成膜可能であり、かつ原子層レベルで膜厚コントロールが可能なＡＬＤ法により側壁材料膜Ｗｍを形成するのが望ましい。
【００４４】
マスターモールド１０における凹凸構造１４の寸法（凹凸構造１４がラインアンドスペース状である場合、ライン又はスペースの短手方向の幅）は、この側壁材料膜Ｗｍの成膜厚さに依存するため、側壁材料膜Ｗｍの成膜厚さは、凹凸構造１４の設計寸法に応じて設定され得る。
【００４５】
エッチバックにより形成される側壁パターンＷｐは、ウェハ１２のエッチングマスクとして用いられるものであるため、側壁パターンＷｐの高さＴWP（ウェハ１２の厚さ方向に平行な方向の長さ）は、ウェハ１２の構成材料に対応したエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。
【００４６】
その後、図３（Ｅ）に示すように、側壁に側壁パターンＷｐが形成された芯材Ｃをアッシング（酸素含有ガスを用いたプラズマアッシング等）により除去する（芯材除去工程）。これにより、芯材Ｃのみが除去され、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に側壁パターンＷｐを残存させることができる。
【００４７】
続いて、図３（Ｆ）に示すように、側壁パターンＷｐをマスクとして用いてウェハ１２をドライエッチング法により選択的にエッチングし、凹凸構造１４を形成する（エッチング工程）。ウェハ１２がシリコン製である場合、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを行うのが好ましい。
【００４８】
このようにして、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に凹凸構造１４が形成されてなるマスターモールド１０を得ることができる。そして、マスターモールド１０用基板として石英基板よりも加工精度（エッチング精度）の優れたウェハ１２を用いるため、従来に比して製造誤差の影響を抑え、高精度の凹凸構造１４を有するマスターモールド１０を作製することができる。また、図３に示すように、電子線リソグラフィ法と側壁法とを組み合わせることで、電子線リソグラフィ法により形成可能な凹凸構造の寸法の縮小化を図ることができ、電子線リソグラフィ法によっても形成困難又は形成不可能な寸法の凹凸構造１４を高精度に形成することができる。
【００４９】
なお、上述した工程において、一例としてレジストパターンＲｐを芯材Ｃとして利用する態様を示したが、本発明はこのような態様に限定されるものではない。例えば、電子線描画装置により形成されたレジストパターンＲｐをもとに、シリコン酸化物等の無機材料により構成される芯材Ｃを形成してもよい。また、レジストパターンＲｐを芯材Ｃと略同一寸法で形成可能な限り、レジストパターンＲｐをスリミングする工程（図３（Ｂ）参照）を省略してもよい。
【００５０】
続いて、電子線リソグラフィ法と自己組織化法との組み合わせにより凹凸構造１４を形成する工程を説明する。
まずは、電子線リソグラフィ法によりレジストパターンＲｐを形成する。図４（Ａ）に示すように、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に形成されたレジスト膜に、電子線描画装置を用いてパターン潜像を形成し、現像してレジストパターンＲｐを形成する。
【００５１】
レジストパターンＲｐを形成するために用いられる電子線描画装置としては、特に限定されるものではなく、例えば、１本の電子線を用いてパターンを描画するシングルビーム方式の電子線描画装置、複数の電子線を用いてパターンを描画するマルチビーム方式の電子線描画装置等を用いることができる。なお、寸法が極微細なレジストパターンＲｐを形成するためには、電子線描画装置において極小スポットビームを走査させる必要があるため、パターン潜像を形成するのに膨大な時間を要し、マスターモールド１０の生産性が低下するおそれがあるが、マルチビーム方式の電子線描画装置を用いることで、マスターモールド１０の生産性を向上させることができる。
【００５２】
得られるレジストパターンＲｐは、後述する自己組織化材料の相分離によるパターン形成のためのガイドパターンとしての役割を果たすものである。そのため、マスターモールド１０の一方の面１０ａに形成される凹凸構造１４が実質的に等ピッチのラインアンドスペース形状である場合、隣接するレジストパターンＲｐ，Ｒｐの間隔ＤRPが当該凹凸構造１４の寸法（ライン又はスペースの短手方向の幅）の整数倍、好ましくは奇数の整数倍となるようにレジストパターンＲｐを形成する。
【００５３】
また、形成されるレジストパターンＲｐは、後述する工程においてエッチングにより除去され（図４（Ｃ）参照）、ウェハ１２におけるレジストパターンＲｐの存在していた領域がエッチングされる（図４（Ｄ）参照）。そのため、上記凹凸構造１４が実質的に等ピッチのラインアンドスペース形状である場合、レジストパターンＲｐの寸法（ラインの短手方向の幅）と凹凸構造１４のスペース寸法（短手方向の幅）とは略同一であることを要する。したがって、レジストパターンＲｐの寸法がマスターモールド１０の一方の面１０ａに形成される凹凸構造１４の寸法と略同一となるようにレジストパターンＲｐを形成する。
【００５４】
なお、凹凸構造１４の寸法と略同一寸法のレジストパターンＲｐは、上述した電子線リソグラフィ法により形成されてなるものであってもよいし、凹凸構造１４の寸法よりも大きい寸法のレジストパターンを形成した後、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、それらの組み合わせ等によるスリミング処理を当該レジストパターンに施すことで形成されてなるものであってもよい。
【００５５】
続いて、自己組織化法により微細なパターンを形成する。
図４（Ｂ）に示すように、ウェハ１２の一方の面１０ａ上のレジストパターンＲｐ，Ｒｐ間に、異なる２成分を含む自己組織化材料を塗布し、所定の温度でベークすることにより、自己組織化材料の相分離を引き起こさせる。自己組織化材料の相分離の際にレジストパターンＲｐがガイドパターンとしての役割を果たすため、自己組織化材料は、ガイドパターンであるレジストパターンＲｐに対して親和性の高い一方の成分からなるパターンＳＡ1と、他方の成分からなるパターンＳＡ2とに相分離され、各パターンＳＡ1，ＳＡ2がレジストパターンＲｐに沿って交互に整列する。
【００５６】
自己組織化材料としては、相互に溶解し難い構造を有する異なる２種類のポリマーからなるブロック共重合体を用いることができ、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）等のブロック共重合体等を用いることができる。なお、ブロック共重合体を構成する２種類のポリマーは、エッチング耐性の異なるもの（特定のエッチャントに対するエッチング耐性の高いものと低いもの）であるのが好ましい。
【００５７】
自己組織化材料の相分離により形成されるパターンＳＡ1，ＳＡ2の寸法は、自己組織化材料としてのブロック共重合体の分子量により決定される。そのため、マスターモールド１０の凹凸構造１４の寸法に応じて、自己組織化材料として用いるブロック共重合体の分子量は適宜設定され得る。
【００５８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、レジストパターンＲｐ及び他方の成分からなるパターンＳＡ2をエッチングにより除去し、一方の成分からなるパターンＳＡ1のみをウェハ１２の一方の面１０ａ上に残存させる。
【００５９】
続いて、図４（Ｄ）に示すように、パターンＳＡ1をマスクとして用いてウェハ１２をドライエッチング法により選択的にエッチングし、凹凸構造１４を形成する（エッチング工程）。ウェハ１２がシリコン製である場合、フッ素系のガスを用いたドライエッチングを行うのが好ましい。
【００６０】
このようにして、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に凹凸構造１４が形成されてなるマスターモールド１０を得ることができる。そして、マスターモールド１０用基板として石英基板よりも加工精度（エッチング精度）の優れたウェハ１２を用いるため、従来に比して製造誤差の影響を抑え、高精度の凹凸構造１４を有するマスターモールド１０を作製することができる。また、図４に示すように、電子線リソグラフィ法と自己組織化法とを組み合わせることで、電子線リソグラフィ法により形成可能な凹凸構造の寸法の縮小化を図ることができ、電子線リソグラフィ法によっても形成困難又は形成不可能な寸法の凹凸構造１４を高精度に形成することができる。
【００６１】
なお、上述のようにして得られるマスターモールド１０は、凹凸構造１４の形成領域全体が非凹凸構造の領域（凹凸構造１４の非形成領域）に対して凸構造１３となっている、いわゆるメサ構造を有していてもよい（図７（Ａ）参照）。マスターモールド１０がメサ構造（凸構造１３）を有している場合、メサ構造（凸構造１３）の段差の数は１段に限定されるものではなく、複数段であってもよい。メサ構造（凸構造１３）を有するマスターモールド１０についての詳細は後述する。
【００６２】
また、上述のようにして得られるマスターモールド１０の凹凸構造１４として、凸状の構造を例に挙げて説明しているが、このような態様に限定されるものではなく、当該凹凸構造１４が凹状の構造であってもよい。
【００６３】
〔コピーモールドの製造方法〕
次に、上述のようにして得られるマスターモールド１０を用いてインプリントモールド（コピーモールド）を製造する方法について説明する。図５は、第１の実施形態におけるマスターモールド１０と第１基板２２との関係を模式的に示す斜視図である。
【００６４】
（マスターモールド・第１基板準備工程）
図５に示すように、マスターモールド１０の一方の面１０ａに形成された凹凸構造１４が第１基板２２の一方の面２２ａに対向するように、マスターモールド１０を配置する。なお、第１基板２２は、マスターモールド１０の凹凸構造１４を反転させた第１凹凸構造２４が形成されてなるコピーモールド２０（図１０（Ｅ）参照）を構成する基板である。
【００６５】
第１の実施形態においては、マスターモールド１０を用いて、マスターモールド１０よりも寸法の小さい第１基板２２の一方の面２２ａ上に、凹凸構造１４を反転させた第１凹凸構造パターン１９が形成される（図１０（Ｃ）参照）。すなわち、図６に示すように、マスターモールド１０と第１基板２２とは、マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形で規定されるエリアＳｍと、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐとを対比したときに、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にある。
【００６６】
第１の実施形態において「エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係」とは、図６に示すように、マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形で規定されるエリアＳｍと、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐとを重ね合わせたときに、エリアＳｐがエリアＳｍに完全に覆われ（包摂され）、かつエリアＳｍの面積（一方の面１０ａ側から見たときの面積）が、エリアＳｐの面積（一方の面２２ａ側から見たときの面積）よりも大きい関係を意味する。
【００６７】
図７に示すように、マスターモールド１０に形成された凹凸構造１４の領域全体が凸構造１３となっている、いわゆるメサ構造である場合、マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形で規定されるエリアＳｍとは、メサ構造である凸構造１３の外形（図示例の場合、寸法βの矩形）で規定されるエリアではなく、マスターモールド１０の最外部の外形（図示例の場合、寸法αの円形）で規定されるエリアを意味する。メサ構造が複数段である場合も同様であって、エリアＳｍとは、最外部の外形（図示例の場合、寸法αの円形）で規定されるエリアを意味する。なお、図７（Ａ）は、マスターモールド１０と第１基板２２との関係を模式的に示す断面図であり、図７（Ｂ）は、図６に相当する図面であって、マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形（図示例の場合、寸法αの円形）で規定されるエリアＳｍと、第１基板２２の一方の面２２ａの外形（図示例の場合、寸法γの矩形）で規定されるエリアＳｐとの関係において、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にあることを説明する平面図である。
【００６８】
マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形と第１基板２２の一方の面２２ａの外形とは、例えば相互に円形状（○形状）のような相似形であってもよいし、円形状（○形状）と矩形状（□形状）のような全く異なる外形であってもよい。特に好ましくは、ウェハにより構成されるマスターモールド１０の一方の面１０ａの外形が円形状（○形状）であり、第１基板２２の一方の面２２ａの外形が矩形状（□形状）である。すなわち、ウェハにより構成されるマスターモールド１０の一方の面１０ａに形成された凹凸構造１４が、矩形状の第１基板２２の一方の面２２ａに転写されるのが好ましい。
【００６９】
第１基板２２が矩形状（□形状）であることで、第１基板２２により構成されるコピーモールド２０をインプリント処理に用いるとき、第１基板２２の側壁２２ｂ（図１０（Ｅ）参照）を加圧して保持することができ、それによりコピーモールド２０と他の基板（インプリント処理によりコピーモールド２０の第１凹凸構造２４が転写される基板）との位置合わせ精度を確保することができる。なお、矩形状とは、四辺が実質的に直線により構成された図形であって、頂点がラウンド形状になっている形状等も包含する。好適な外形を備える第１基板２２としては、いわゆる「６０２５基板」を挙げることができる。「６０２５」基板とは、６インチ角で厚さが０．２５インチの規格に沿って作製された基板である。
【００７０】
このように、第１の実施形態においては、ウェハ１２に形成された凹凸構造１４を、一般的なインプリント装置でモールドとして用いられる矩形状の基板（第１基板２２）に転写することで、扱う基板の寸法及び外形を変換することができる。
【００７１】
第１基板２２にマスターモールド１０の凹凸構造１４を転写してパターンを形成するに際しては、光インプリント法、熱インプリント法のいずれかを採用することができる。光インプリント法を採用する場合、マスターモールド１０を構成するウェハ１２として汎用の半導体ウェハが用いられている場合には光（紫外線）を透過することができないため、第１基板２２として、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等のガラスや、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂等、又はこれらの任意の積層材からなる透明基板を用いるのが好ましい。
【００７２】
一方、熱インプリント法を採用する場合には、第１基板２２は必ずしも透明基板である必要はなく、例えば、ニッケル、チタン、アルミニウム等の金属基板、シリコン、窒化ガリウム等の半導体基板等を用いてもよい。
【００７３】
第１基板２２の一方の面２２ａ上には、図示しないハードマスク層が形成されていてもよい。ハードマスク層を構成する材料としては、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ等の金属材料、シリコン酸化物等を例示することができる。ハードマスク層は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて形成され得る。
【００７４】
また、第１基板２２は、その一方の面２２ａ上に、マスターモールド１０に形成された凹凸構造１４に対向する凸構造２７、いわゆるメサ構造を有するものであってもよい（図８参照）。このように、第１基板２２の一方の面２２ａ上に、マスターモールド１０の凹凸構造１４に対向する凸構造２７が形成されていることで、後述する第１転写層形成工程（図１０（Ｂ）参照）において、第１基板２２が、被転写材料１００を介してマスターモールド１０の凹凸構造１４のみに接触され得る。なお、メサ構造（凸構造２７）の段差の数は、１段に限定されるものではなく、複数段であってもよい。
【００７５】
第１基板２２がいわゆるメサ構造である凸構造２７を有する場合、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐは、メサ構造である凸構造２７の外形で規定されるエリアではなく、第１基板２２の最外部の外形（図８における寸法γの矩形）で規定されるエリアである。メサ構造（凸構造２７）が複数段であっても同様である。
【００７６】
第１基板２２の厚みは、特に制限されるものではなく、基板の強度、取扱適性等を考慮して設定され得るものであって、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定され得る。
【００７７】
さらに、第１基板２２は、その一方の面２２ａに対向する他方の面２２ｃ側に凹構造２８が形成されてなる、いわゆるザグリ構造を有するものであってもよい（図９（Ａ）参照）。この場合において、凹構造２８の平面視における大きさは、第１基板２２の一方の面２２ａ上における第１凹凸構造が形成されるべき領域ＡＲ1を他方の面２２ｃ側に投影した投影領域ＰＡ1が凹構造２８の外形で規定される領域に物理的に包含される大きさであるのが好ましい（図９（Ｂ）参照）。さらにまた、第１基板２２は、その一方の面２２ａに凸構造２７が形成され、他方の面２２ｃに凹構造２８が形成されてなるものであってもよい（図９（Ｃ）参照）。この場合において、凹構造２８の平面視における大きさは、第１基板２２の一方の面２２ａに形成されている凸構造２７の外形で規定される領域が凹構造２８の外形で規定される領域に物理的に包含される大きさであるのが好ましい（図９（Ｄ）参照）。このように、第１基板２２として、いわゆるザグリ構造を有する基板を用いることで、第１基板２２により構成されるコピーモールド（第１モールド）２０を、インプリント処理時における取扱性に優れたものとすることができる。
【００７８】
第１基板２２が凹構造２８を有する場合において、凹構造２８の形成されている部分における第１基板２２の厚みＴｈ1は、基板の強度や剛性等を考慮して、５００〜１５００μｍの範囲で適宜設定され得る。
【００７９】
なお、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、インプリント処理として光インプリントを例に挙げて説明するが、熱インプリントを採用してもよいことは上述したとおりである。
【００８０】
（被転写材料配設工程）
続いて、図１０（Ａ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａ上に被転写材料１００を配設する。被転写材料１００としては、例えば、紫外線硬化性樹脂を用いることができる。なお、図１０（Ａ）においては、被転写材料１００をインクジェット法により配設した例を示しているが、スピンコート法等の周知の塗布方法により被転写材料を配設してもよい。また、被転写材料１００は、第１基板２２側ではなくマスターモールド１０の一方の面１０ａ上に配設されてもよい。
【００８１】
（第１転写層形成工程）
次に、図１０（Ｂ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａ上の被転写材料１００にマスターモールド１０の一方の面１０ａを接触させる。被転写材料１００の粘度にもよるが、毛管現象の働きによりマスターモールド１０の凹凸構造１４内に被転写材料１００が充填される。なお、必要に応じて、マスターモールド１０又は第１基板２２を他方の面２２ａ，１０ａ側に押圧して、凹凸構造１４内への被転写材料１００の充填をアシストしてもよい。
【００８２】
このようにしてマスターモールド１０と第１基板２２との間に被転写材料１００を介在させた状態で、第１基板２２側から紫外線を照射して被転写材料１００を硬化させ、凹凸構造１４が転写された第１凹凸構造パターン１９を有する第１転写層１１０を形成する。
【００８３】
上述したように、第１基板２２は、その一方の面２２ａ上に凸構造（いわゆるメサ構造）２７を有するものであってもよい。この場合において、凸構造２７がマスターモールド１０の凹凸構造１４に対向するようにして、マスターモールド１０及び第１基板２２が配置され、第１基板２２は、マスターモールド１０における転写されるべき構造としての凹凸構造１４のみに被転写材料１００を介して接触することになる（図８参照）。なお、第１基板２２が凸構造２７を有するメサ構造の基板として構成される場合、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐは、メサ構造としての凸構造２７の外形で規定されるエリアではなく、第１基板２２の最外部の外形（図８における寸法γの矩形）で規定されるエリアである。メサ構造が複数段の場合も同様である。
【００８４】
（第１剥離工程）
次いで、図１０（Ｃ）に示すように、被転写材料１００を硬化させた後、マスターモールド１０と第１転写層１１０とを引き離す。かかる引き離し操作の際、マスターモールド１０側及び第１基板２２側のいずれか一方から引き離しのための力を加えてもよいし、両方から引き離しのための力を加えてもよい。
【００８５】
マスターモールド１０側に引き離しのための力を加える場合、第１転写層１１０に均一に力が伝わるようにしてもよいが、より引き離しを容易にするために第１転写層１１０に不均一に力が伝わるようにするのが好ましい。第１転写層１１０に不均一に力が伝わることで、マスターモールド１０（第１転写層１１０）の剥離の開始点を作ることができ、それを起点としてスムーズな剥離操作を行うことができる。第１転写層１１０に不均一に力が伝わるような剥離方法として、以下の方法を好適に採用することができる。
【００８６】
（ａ）マスターモールド１０側に引き離しのための力を加える力点の位置を調整する。
平面視において第１転写層１１０の最外周からの距離が異なる位置であって、マスターモールド側の位置に複数の力点を設定し、当該複数の力点に対して一律に引き離しのための力を加えることで、第１転写層１１０の最外周から最も離れた力点と第１転写層１１０の平面視における重心とを結ぶ線分上に剥離の起点が発生する。この剥離の起点から徐々にマスターモールド１０と第１転写層１１０との剥離が進行する。
【００８７】
（ｂ）マスターモールド１０と第１基板２２との合せ位置を調整する。
図１０（Ｂ）〜（Ｃ）においては、マスターモールド１０の中央部（平面視における中央部）に凹凸構造１４が形成され、この凹凸構造１４が第１基板２２の中央部（平面視における中央部）に転写されるように、マスターモールド１０と第１基板２２とが配置されている。すなわち、第１転写層形成工程（図１０（Ｂ）参照）において、マスターモールド１０と第１基板２２との互いの中央部が平面視にて実質的に一致している。これに対し、第１転写層形成工程（図１０（Ｂ）参照）において、マスターモールド１０と第１基板２２との互いの中央部を平面視にてずらすようにする。例えば、凹凸構造１４をマスターモールド１０の中央部から少しずれた位置に形成し、この中央部からずれた凹凸構造１４が第１基板の中央部に転写されるように第１基板２２を配置する。そして、マスターモールド１０の外周部に複数の力点を設定すると、第１転写層１１０の最外周から最も離れた力点と第１転写層１１０の平面視における重心とを結ぶ線分上に剥離の起点が発生する。この剥離の起点から徐々にマスターモールド１０と第１転写層１１０との剥離が進行する。
【００８８】
（残膜除去工程）
マスターモールド１０と第１転写層１１０とを引き離した後、第１転写層１１０の残膜部分をエッチングにより除去する。これにより、図１０（Ｄ）に示すように、被転写材料の硬化物により構成されるマスク１２０が第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成される。
【００８９】
（第１凹凸構造形成工程）
マスク１２０をエッチングマスクとして、第１基板２２の一方の面２２ａ上をエッチングする。所定のエッチングが終了した後、マスク１２０を除去することで、図１０（Ｅ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａに第１凹凸構造２４が形成されたコピーモールド（第１モールド）２０を製造することができる。
【００９０】
第１モールド２０の第１凹凸構造２４と、マスターモールド１０の凹凸構造１４は、凹と凸、凸と凹がそれぞれ反転した関係にある。
【００９１】
なお、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、使用する被転写材料１００によっては、上記の残膜除去工程（図１０（Ｄ）参照）、第１凹凸構造形成工程（図１０（Ｅ）参照）を必須の工程としなくてもよい。被転写材料１００として、主鎖がケイ素原子のみからなる高分子、溶媒、高分子と溶媒とを相溶させるシリコーン化合物、高分子化合物のＳｉ−Ｓｉ結合間に効率よく酸素を挿入可能な増感剤、金属等の硬度調整材料を含むものを使用し、第１転写層１１０と第１基板２２とを合わせて第１モールド２０とすることもできる。
【００９２】
第１の実施形態におけるインプリントモールド（コピーモールド２０）の製造方法によれば、マスターモールド１０が石英基板よりも加工精度の優れたウェハ１２により構成されることで高精度の凹凸構造１４を有するため、コピーモールド２０の製造工程における製造誤差の影響を抑えることができる。よって、高精度の第１凹凸構造２４を有するコピーモールド（第１モールド）２０を製造することができる。
【００９３】
第１の実施形態においては、図１１に示すように、上述のようにして得られる第１モールド２０を用い、第１モールド２０の第１凹凸構造２４をさらに反転させた第２凹凸構造３４（マスターモールド１０の凹凸構造１４に対応する凹凸構造）を第２基板３２上に形成してなるコピーモールド（第２モールド）３０を製造してもよい。当該コピーモールド（第２モールド）３０の製造方法を、以下に説明する。
【００９４】
（第１モールド・第２基板準備工程）
図１１（Ａ）に示すように、第１モールド２０の第１凹凸構造２４が第２基板３２の一方の面３２ａに対向するように、第１モールド２０を配置する。なお、第２基板３２は、第１モールド２０の凹凸構造２４を反転させた第２凹凸構造３４が形成されてなるコピーモールド３０（図１１（Ｆ）参照）を構成する基板である。
【００９５】
第２基板３２の外形は、第１モールド２０のベースとなる第１基板２２の外形と一致するものであってもよいし、異なるものであっていてもよい。また、第２基板３２を構成する材料、その厚さ等に関しては、第１基板２２のそれらと略同様のものを例示することができる。
【００９６】
第２基板３２の一方の面３２ａ側には、図示しないハードマスク層が形成されていてもよい。ハードマスク層を構成する材料としては、Ｃｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ａｌ等の金属材料、シリコン酸化物等が挙げられる。ハードマスク層は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等を用いて形成され得る。
【００９７】
第２基板３２は、第２凹凸構造３４が形成される領域が凸構造となっている、いわゆるメサ構造を有する基板であってもよい。この場合において、１段の凸構造を有するものに限らず、複数段の凸構造を有するものであってもよい。
【００９８】
（被転写材料配設工程）
続いて、図１１（Ｂ）に示すように、第２基板３２の一方の面３２ａ上に被転写材料２００を配設する。被転写材料２００としては、例えば、紫外線硬化性樹脂を用いることができる。なお、図１１（Ｂ）においては、被転写材料２００をインクジェット法により配設した例を示しているが、スピンコート法等の周知の塗布方法により被転写材料を配設してもよい。また、被転写材料２００は、第２基板３２側ではなく、第１モールド２０における第１凹凸構造２４の形成されている面（第１基板２２における一方の面２２ａ）上に配設されてもよい。
【００９９】
（第２転写層形成工程）
次に、図１１（Ｃ）に示すように、第２基板３２の一方の面３２ａ上の被転写材料２００に第１モールド２０を接触させる。被転写材料２００の粘度にもよるが、毛管現象の働きにより第１モールド２０の第１凹凸構造２４内に被転写材料２００が充填される。なお、必要に応じて、第１モールド２０又は第２基板３２を他方の面側に押圧して、第１凹凸構造２４内への被転写材料３００の充填をアシストしてもよい。
【０１００】
特に、第１モールド２０（第１基板２２）がいわゆるザグリ構造を有する（他方の面２２ｃに凹構造２８を備える）場合（図９参照）、第２基板３２の一方の面３２ａ上の被転写材料２００に第１モールド２０を接触させる際に、第１モールド２０（第１基板２２）の一方の面２２ａ側が凸になるように第１モールド２０を湾曲させた状態で第２基板３２の一方の面３２ａ上の被転写材料２００に接触させることができる（図１２参照）。これにより、第１モールド２０の接触により第２基板３２の一方の面３２ａ上に塗れ広がる被転写材料２００内に気泡が取り込まれること等による転写欠陥の発生を抑制することができる。
【０１０１】
このようにして第１モールド２０と第２基板３２との間に被転写材料２００を介在させた状態で、第１モールド２０側又は第２基板３２側から紫外線を照射して被転写材料２００を硬化させ、第１凹凸構造２４が転写された第２凹凸構造パターン２９を有する第２転写層２１０を形成する。
【０１０２】
（第２剥離工程）
次いで、被転写材料２００を硬化させた後、図１１（Ｄ）に示すように、第１モールド２０と第２転写層２１０とを引き離す。かかる引き離し操作の際、第１モールド２０側及び第２基板３２側のいずれか一方から引き離しのための力を加えてもよいし、両方から引き離しのための力を加えてもよい。
【０１０３】
第１モールド２０側に引き離しのための力を加える場合、第２転写層２１０に均一に力が伝わるようにしてもよいが、より引き離しを容易にするために第２転写層２１０に不均一に力が伝わるようにするのが好ましい。第２転写層２１０に不均一に力が伝わることで、第１モールド２０（第２転写層２１０）の剥離の開始点を作ることができ、それを起点としてスムーズな剥離操作を行うことができる。
【０１０４】
特に、第１モールド２０（第１基板２２）がいわゆるザグリ構造を有する（他方の面２２ｃに凹構造２８を備える）場合（図９参照）、第１モールド２０と第２転写層２１０とを引き離す際に、第１モールド２０（第１基板２２）の一方の面２２ａ側が凸になるように第１モールド２０を湾曲させながら第１モールド２０と第２転写層２１０とを引き離すことができる。これにより、第１モールド２０（第２転写層２１０）の剥離の開始点を作ることができ、それを起点としたスムーズな剥離操作が可能となる。
【０１０５】
（残膜除去工程）
第１モールド２０と第２転写層２１０とを引き離した後、第２転写層２１０の残膜部分をエッチングにより除去する。これにより、図１１（Ｅ）に示すように、被転写材料の硬化物により構成されるマスク２２０が第２基板３２の一方の面３２ａ上に形成される。
【０１０６】
（第２凹凸構造形成工程）
マスク２２０をエッチングマスクとして、第２基板３２の一方の面３２ａ上をエッチングする。所定のエッチングが終了した後、マスク２２０を除去することで、図１１（Ｆ）に示すように、第２基板３２の一方の面３２ａに第２凹凸構造３４が形成されたコピーモールド（第２モールド）３０を製造することができる。
【０１０７】
第２モールド３０の第２凹凸構造３４と、マスターモールド１０の凹凸構造１４は、凹と凹、凸と凸がそれぞれ対応した関係にある。
【０１０８】
なお、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、使用する被転写材料２００によっては、上記の残膜除去工程（図１１（Ｅ）参照）、第２凹凸構造形成工程（図１１（Ｆ）参照）を必須の工程としなくてもよい。被転写材料２００として、主鎖がケイ素原子のみからなる高分子、溶媒、高分子と溶媒とを相溶させるシリコーン化合物、高分子化合物のＳｉ−Ｓｉ結合間に効率よく酸素を挿入可能な増感剤、金属等の硬度調整材料を含むものを使用し、第２転写層２１０と第２基板３２とを合わせて第２モールド３０とすることもできる。
【０１０９】
上述したように、第１の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法によれば、マスターモールド１０が石英基板よりも加工精度の優れたウェハ１２により構成されることで高精度の凹凸構造１４を有するため、第１モールド２０及び第２モールド３０の製造工程における製造誤差の影響を抑えることができる。よって、高精度の第１凹凸構造２４又は第２凹凸構造３４を有する第１モールド２０又は第２モールド３０を製造することができる。また、製造された第１モールド２０及び第２モールド３０は、一般的なインプリント装置で使用可能であるため、インプリントの生産性向上が期待できる。さらに、ウェハにより構成されるマスターモールド１０は、切断されることなくそのまま、第１モールド２０を製造するためのインプリントモールドとして使用されるため、ウェハが有する平坦性を維持した状態で第１転写層形成工程（図１０（Ｂ）参照）を実施することができ、より高精度なパターン形成が可能となる。
【０１１０】
＜第２の実施形態＞
次に、図１３を参照して、第２の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法について説明する。
【０１１１】
第２の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法は、使用されるマスターモールド１０’の凹凸構造１４’は実質的に電子線リソグラフィ法のみによって形成され、当該凹凸構造１４’を反転させて第１基板２２の一方の面２２ａに転写する過程において、側壁法及び／又は自己組織化法を利用する点において第１の実施形態と異なるが、それ以外は第１の実施形態と略同様である。そのため、第１の実施形態におけるマスターモールド１０、第１モールド２０（第１基板２２）及び第２モールド３０（第２基板３２）と同様の構成については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１１２】
まず、マスターモールド１０’は、第１の実施形態とは異なり、ウェハ１２の一方の面１０ａ上に形成されたレジスト膜に、電子線描画装置を用いてパターン潜像を形成し、現像をしてレジストパターンＲｐを形成した後（図３（Ａ）参照）、当該レジストパターンＲｐをマスクとして用いてウェハ１２をドライエッチング法により選択的にエッチングし、凹凸構造１４’を形成することで得られる。
【０１１３】
上述のようにして得られるマスターモールド１０’を用いて第１モールド２０を製造する方法を説明する。図１３は、第２の実施形態に係るインプリントモールド（コピーモールド，第１モールド２０）を製造する工程を断面図にて示す工程フロー図である。
【０１１４】
（マスターモールド・第１基板準備工程）
まず、マスターモールド１０’の一方の面１０ａに形成された凹凸構造１４’が第１基板２２の一方の面２２ａに対向するように、マスターモールド１０’を配置する（図５参照）。なお、第１の実施形態と同様に、マスターモールド１０’と第１基板２２とは、マスターモールド１０’の一方の面１０ａの外形で規定されるエリアＳｍと、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐとを対比したときに、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にある（図６、図７参照）。また、第１基板２２としては、第１の実施形態において説明したものと同様のものを使用することができる。
【０１１５】
（被転写材料配設工程）
続いて、第１基板２２の一方の面２２ａ上に被転写材料１００を配設する（図１０（Ａ）参照）。
【０１１６】
（第１転写層形成工程）
次に、図１３（Ａ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａ上の被転写材料１００にマスターモールド１０’の一方の面１０ａを接触させる。このようにしてマスターモールド１０’と第１基板２２との間に被転写材料１００を介在させた状態で、第１基板２２側から紫外線を照射して被転写材料１００を硬化させ、凹凸構造１４’が転写された第１凹凸構造パターン１９’を有する第１転写層１１０’を形成する。
【０１１７】
（第１剥離工程）
次いで、図１３（Ｂ）に示すように、被転写材料１００を硬化させた後、マスターモールド１０’と第１転写層１１０’とを引き離す。
【０１１８】
（残膜除去工程）
マスターモールド１０’と第１転写層１１０’とを引き離した後、第１転写層１１０’の残膜部分をエッチングにより除去する。これにより、図１３（Ｃ）に示すように、被転写材料１００の硬化物により構成されるパターン１３０が第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成される。
【０１１９】
続いて、以下のようにして側壁法を利用することで、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’の寸法を縮小化してなる第１凹凸構造２４を第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成する。
【０１２０】
図１３（Ｄ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成したパターン１３０に対しスリミング処理を施して、当該パターン１３０を細らせた芯材Ｃ’を形成する。パターン１３０のスリミング処理は、例えば、ウェットエッチング法、ドライエッチング法、それらの組み合わせ等により実施することができる。
【０１２１】
パターン１３０のスリミング量は、特に限定されるものではないが、通常、芯材Ｃ’の寸法がパターン１３０の約半分となるように、スリミング量が設定される。
【０１２２】
なお、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’が、図１３（Ｄ）に示す芯材Ｃ’の凹部（溝部）に対応するように形成されていれば、上述のスリミング処理（図１３（Ｄ）に示す工程）を省略することができる。
【０１２３】
続いて、図１３（Ｅ）に示すように、芯材Ｃ’を含む第１基板２２の一方の面２２ａ上に、側壁パターンＷｐを構成する側壁材料膜Ｗｍを形成し、図１３（Ｆ）に示すように、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等の異方性エッチングによりエッチバックして、芯材Ｃ’の側壁に側壁パターン（縮小凹凸構造）Ｗｐを形成する。
【０１２４】
側壁材料膜Ｗｍは、シリコン系材料（シリコン酸化物等）の側壁材料をＡＬＤ法（Atomic layer deposition）、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の従来公知の成膜法により堆積させることで形成され得る。第１の実施形態のように、芯材Ｃ’の構成材料としてレジスト材料を用いる場合、より低温で成膜可能であり、かつ原子層レベルで膜厚コントロールが可能なＡＬＤ法により側壁材料膜Ｗｍを形成するのが望ましい。
【０１２５】
第１モールド２０における第１凹凸構造２４の寸法は、この側壁材料膜Ｗｍの成膜厚さに依存するため、側壁材料膜Ｗｍの成膜厚さは、第１凹凸構造２４の設計寸法に応じて設定され得る。
【０１２６】
エッチバックにより形成される側壁パターンＷｐは、第１基板２２のエッチングマスクとして用いられるものであるため、側壁パターンＷｐの高さＴWP（第１基板２２の厚さ方向に平行な方向の長さ）は、第１基板２２の構成材料に対応したエッチング選択比等を考慮して適宜設定される。
【０１２７】
その後、図１３（Ｇ）に示すように、側壁に側壁パターンＷｐが形成された芯材Ｃ’をアッシング（酸素含有ガスを用いたプラズマアッシング等）により除去する。これにより、芯材Ｃ’のみが除去され、第１基板２２の一方の面２２ａ上に側壁パターンＷｐを残存させることができる。
【０１２８】
（第１凹凸構造形成工程）
最後に、図１３（Ｈ）に示すように、側壁パターンＷｐをマスクとして用いて第１基板２２をドライエッチング法により選択的にエッチングし、第１凹凸構造２４を形成する。これにより、第１基板２２の一方の面２２ａに第１凹凸構造２４が形成されたコピーモールド（第１モールド）２０を製造することができる。
【０１２９】
上述したように、フォトリソグラフィ法により凹凸構造１４’が形成されたマスターモールド１０’を用いて第１モールド２０を製造する過程において側壁法を利用することで、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’よりも寸法が縮小されてなる第１凹凸構造２４を形成することができる。
【０１３０】
なお、第２の実施形態においては、以下のようにして自己組織化法を利用することで、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’の寸法を縮小化してなる第１凹凸構造２４を第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成してもよい。
【０１３１】
図１３（Ｄ）に示すような、被転写材料の硬化物により構成されるパターン１３０を第１基板２２の一方の面２２ａ上に形成した後、図１４（Ａ）に示すように、第１基板２２の一方の面２２ａ上のパターン１３０，１３０間に、異なる２成分を含む自己組織化材料を塗布し、所定の温度でベークすることにより、自己組織化材料の相分離を引き起こす。自己組織化材料の相分離の際にパターン１３０がガイドパターンとしての役割を果たすため、自己組織化材料は、ガイドパターンであるパターン１３０に対して親和性の高い一方の成分からなるパターンＳＡ1と、他方の成分からなるパターンＳＡ2とに相分離され、各パターンＳＡ1，ＳＡ2がパターン１３０に沿って交互に整列する。
【０１３２】
自己組織化材料としては、相互に溶解し難い構造を有する異なる２種類のポリマーからなるブロック共重合体を用いることができ、例えば、ポリスチレン−ポリメチルメタクリレート（ＰＳ−ＰＭＭＡ）、ポリスチレン−ポリジメチルシロキサン（ＰＳ−ＰＤＭＳ）等のブロック共重合体等を用いることができる。なお、ブロック共重合体を構成する２種類のポリマーは、エッチング耐性の異なるもの（特定のエッチャントに対するエッチング耐性の高いものと低いもの）であるのが好ましい。
【０１３３】
自己組織化材料の相分離により形成されるパターンＳＡ1，ＳＡ2の寸法は、自己組織化材料としてのブロック共重合体の分子量により決定される。そのため、第１モールド２０の第１凹凸構造２４の寸法に応じて、自己組織化材料として用いるブロック共重合体の分子量は適宜設定され得る。
【０１３４】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、パターン１３０及び他方の成分からなるパターンＳＡ2をエッチングにより除去し、一方の成分からなるパターンＳＡ1のみを第１基板２２の一方の面２２ａ上に残存させる。
【０１３５】
最後に、パターン１３０をマスクとして用いて第１基板２２をドライエッチング法により選択的にエッチングし、第１凹凸構造２４を形成する（図１３（Ｈ）参照）。これにより、第１基板２２の一方の面２２ａに第１凹凸構造２４が形成されたコピーモールド（第１モールド）２０を製造することができる。
【０１３６】
上述のようにして得られる第１モールド２０の第１凹凸構造２４は、凸状パターンであって、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’よりも寸法が縮小されている。
【０１３７】
なお、第２の実施形態において、上述のようにして得られる第１モールド２０を用い、第１モールド２０の第１凹凸構造２４を反転させた第２凹凸構造３４を第２基板３２上に形成してなるコピーモールド（第２モールド）３０を製造してもよい。当該コピーモールド（第２モールド）３０の製造方法は、第１の実施形態と同様であるので、詳細な説明を省略する（図１１参照）。
【０１３８】
上述のように、第２の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法によれば、マスターモールド１０’用基板として石英基板よりも加工精度（エッチング精度）の優れたウェハ１２を用いるため、従来に比して製造誤差の影響を抑え、高精度の凹凸構造１４’を有するマスターモールド１０’を作製することができる。また、一連の製造工程において電子線リソグラフィ法と側壁法又は自己組織化法とが組み合わせて利用されるため、電子線リソグラフィ法により形成困難又は形成不可能な寸法の第１凹凸構造２４を有する第１モールド２０の生産性向上に資する。さらに、製造された第１モールド２０及び第２モールド３０は、一般的なインプリント装置で使用可能であるため、インプリントの生産性向上が期待できる。さらにまた、ウェハにより構成されるマスターモールド１０’は、切断されることなくそのまま、第１モールド２０を製造するためのインプリントモールドとして使用されるため、ウェハが有する平坦性を維持した状態で第１転写層形成工程（図１３（Ａ）参照）を実施することができ、より高精度なパターン形成が可能となる。
【０１３９】
＜第３の実施形態＞
次に、図１５を参照して、第３の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法について説明する。
【０１４０】
第３の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法において、マスターモールド１０，１０’と第１基板２５とは、ともにシリコン単結晶基板により構成されている。そして、図１５に示すように、マスターモールド１０，１０’の一方の面１０ａに形成された凹凸構造１４，１４’が、第１基板２５の一方の面２５ａに対向するように、マスターモールド１０，１０’及び第１基板２５が配置される。なお、図１５において、実線矢印は劈開が起こる結晶方向を示している。
【０１４１】
また、第１基板２５上に描かれている点線Ｌは、マスターモールド１０，１０’を構成する基板の劈開が起こる結晶方向に沿った仮想線分を、第１基板２５に投影して示したものである。なお、劈開が起こる結晶方向に沿った仮想線分とは、基板の主面と劈開面とが交わって形成される線分のことを意味する。
【０１４２】
第３の実施形態においては、マスターモールド１０，１０’と第１基板２５とが互いに口径の異なる半導体ウェハであり、第１基板２５は、マスターモールド１０，１０’との間で、マスターモールド１０，１０’の所定のエリアＳｍが第１基板２５の所定のエリアＳｐを物理的に包含する関係にある。さらに、第３の実施形態においては、互いに口径の異なる半導体ウェハの各主面の結晶面方位に対する劈開が起こる結晶方向に沿った仮想線分を平面視上互いに異ならせた状態で第１モールド２０の作製工程が実施される。劈開が起こる結晶方向に沿った仮想線分を平面視上互いに異ならせることで、第１転写層形成工程（図１０（Ｂ），図１３（Ａ）参照）における押付け（マスターモールド１０，１０’の第１基板２５に対する押付け）や、第１剥離工程（図１０（Ｃ），図１３（Ｂ）参照）における引き離し力の印加時に、マスターモールド１０，１０’及び／又は第１基板２５が破損するのを防止することができる。
【０１４３】
例えば、各種面が結晶方位｛１００｝のシリコン単結晶である場合には、結晶方向＜１１０＞に沿った仮想線分を互いに異ならせてマスターモールド１０，１０’と第１基板２５とを対向させるのが好ましい。結晶面方位は｛１００｝のように表され、これは（１００）に代表され、結晶構造の対称性により（１００）と等価となる面方位を表す。結晶方向は＜１００＞のように表され、これは［１００］に代表され、結晶構造の対称性により［１００］と等価となる方向を表す。
【０１４４】
＜第４の実施形態＞
次に、図１６〜１８を参照して、第４の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法について説明する。図１６は、第４の実施形態におけるマスターモールドを示す斜視図であり、図１７は、第４の実施形態におけるマスターモールドの構成を示す、図１６におけるＢ−Ｂ線断面図である。
【０１４５】
第４の実施形態に係るインプリントモールドの製造方法においては、マスターモールド１０，１０’の所定のエリアＳｍが第１基板２２の所定のエリアＳｐを物理的に包含する関係であることに加え、マスターモールド１０，１０’の凹凸構造１４，１４’の周囲に、被転写材料がマスターモールド１０，１０’の表面に沿って展開されやすい領域が設定されている。
【０１４６】
図１６及び図１７に示すように、マスターモールド１０，１０’を構成するウェハ１２の一方の面１０ａには、被転写材料にその形状を転写するための構造である凹凸構造１４，１４’を内側に含む第１領域１６と、第１領域１６の周囲に存在する第２領域１８とが設定されている。第２領域１８は、第１領域１６に比べて被転写材料がマスターモールド１０，１０’の表面に沿って展開されやすい領域である。
【０１４７】
第１領域１６と第２領域１８とは互いに離隔して配置されていてもよいし、両者が隣接していてもよい。このような双方の領域１６，１８の配置は、マスターモールド１０，１０’に対向させる第１基板２２の外形や口径に応じて適宜設定されればよい。
【０１４８】
第２領域１８を被転写材料が展開されやすい領域とするために、第２領域１８を、表面の濡れ性が第１領域１６のそれよりも良好な領域とすることができる。例えば、第２領域１８の表面を親水化処理することにより、第２領域１８の表面の濡れ性を良好にすることができる。具体的には、ウェハ１２の表面のうち少なくとも第２領域１８に光触媒層が備えられ、当該光触媒層に光照射を行うことで、第２領域１８の表面の水接触角を低下させることができる。また、第１領域１６の表面に、選択的に疎水化処理を施してもよい。具体的には、第１領域１６の表面に選択的に離型剤層を形成することで、第１領域１６の表面を選択的に疎水化処理することができる。
【０１４９】
また、第２領域１８を被転写材料が展開されやすい領域とするために、第２領域１８に流路が備えられていてもよい。流路による毛管現象を利用して、被転写材料がマスターモールド１０，１０’の表面に沿って展開されやすいものとすることができる。例えば、ダミーパターンのように被転写材料を内部に取り込むことのできる構造も、第４の実施形態における流路に含まれるものとする。このようなダミーパターンについて、図１８を参照しつつ説明する。図１８（Ａ）は、マスターモールド１０，１０’の斜視図であり、図１８（Ｂ）は、図１８（Ａ）のマスターモールド１０，１０’の一方の面１０ａに形成された凹凸構造１４，１４’が第１基板２２の一方の面２２ａに対向するようにマスターモールド１０，１０’及び第１基板２２を配置した後における、図１８（Ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【０１５０】
図１８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第４の実施形態におけるマスターモールド１０，１０’は、一方の面１０ａに形成された、被転写材料に転写されるべき構造としての凹凸構造１４，１４’の周囲に、凹凸構造１４，１４’と同様のパターンからなるダミーパターン１４’’が複数形成されている。このようなダミーパターン１４’’は、マスターモールド１０，１０’を作製する過程において、凹凸構造１４，１４’を形成するためのマスクパターン（側壁パターンＷｐ，パターンＳＡ1等）と同時にダミーパターン１４’’を形成するためのマスクパターン（側壁パターンＷｐ，パターンＳＡ1等）を形成し、エッチングにより凹凸構造１４，１４’とともに形成され得る。このエッチング時に、凹凸構造１４，１４’とともにダミーパターン１４’’も形成されることにより、凹凸構造１４，１４’のエッチング精度を向上させることができる。また、形成されたダミーパターン１４’’は、被転写材料を内部に取り込む流路としても活用され得る。
【０１５１】
なお、図１８（Ａ）においては、凹凸構造１４，１４’の周囲に、４個のダミーパターン１４’’を略均等に配置した構造を示しているが、ダミーパターン１４’’の個数や配置形態に関し、このような態様に限定されるものではなく、種々の個数や配置形態を採択することができる。また、凹凸構造１４，１４’とダミーパターン１４’’とのパターン形状は相互に同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【０１５２】
さらに、図１８（Ｂ）において、第１基板２２は、好ましい態様として、マスターモールド１０，１０’に形成された凹凸構造１４，１４’に対向させ得る凸構造１３を有する基板（メサ構造の基板）として構成されている。そのため、第１転写層形成工程（図１０（Ｂ），図１３（Ａ）参照）において、第１基板２２は、転写されるべき構造としての凹凸構造１４，１４’のみに被転写材料１００を介して接触することになる。
【０１５３】
以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【０１５４】
上記実施形態において、マスターモールド１０の凹凸構造１４又は第１モールド２０の第１凹凸構造２４を、電子線リソグラフィ法と、側壁法又は自己組織化法との組み合わせにより形成する例を示したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、電子線リソグラフィ法と、側壁法と、自己組織化法とを組み合わせて凹凸構造１４又は第１凹凸構造２４を形成してもよい。
【０１５５】
また、側壁法又は自己組織化法を２回以上繰り返して行い、凹凸構造１４又は第１凹凸構造２４を形成してもよい。この場合において、マスターモールド１０及び第１モールド２０の作製工程のいずれかにおいて、側壁法又は自己組織化法を２回以上繰り返し行ってもよいし、マスターモールド１０及び第１モールド２０の作製工程のそれぞれにおいて、側壁法又は自己組織化法を１回以上行ってもよい。特に、電子線リソグラフィ法により作製される凹凸構造１４から、第１モールド２０における第１凹凸構造２４の目的寸法を得るために複数回の側壁法を実施する必要がある場合、マスターモールド１０及び第１モールド２０の作製工程のそれぞれに側壁法の必要回数を分散させることで、側壁パターンＷｐを構成する側壁材料の選択の幅を広げることも可能である。
【０１５６】
上記第２の実施形態において、第１モールド２０の第１凹凸構造２４を、電子線リソグラフィ法と、側壁法又は自己組織化法との組み合わせにより、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’の寸法を縮小化する方法を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、第１モールド２０の第１凹凸構造２４は、マスターモールド１０’の凹凸構造１４’と略同寸法のものとして形成され、第１モールド２０を用いて第２モールド３０を製造する際に、側壁法及び／又は自己組織化法を利用して、寸法を縮小させた第２凹凸構造３４を形成してもよい。
【０１５７】
上記実施形態において、マスターモールド１０と第１基板２２とが、マスターモールド１０の一方の面１０ａの外形で規定されるエリアＳｍと、第１基板２２の一方の面２２ａの外形で規定されるエリアＳｐとを対比したときに、エリアＳｍがエリアＳｐを物理的に包含する関係にある態様を例に挙げて説明したが、本発明はこのような態様に限定されるものではなく、マスターモールド１０のエリアＳｍと第１基板２２のエリアＳｐとが実質的に同一であってもよいし、エリアＳｐがエリアＳｍを物理的に包含する態様であってもよい。
【０１５８】
上記実施形態においては、マスターモールド１０，１０’がウェハ１２により構成されている態様を例に挙げて説明したが、本発明は少なくともマスターモールド１０，１０’がウェハ１２により構成されている限りこのような態様に限定されるものではなく、第１基板２２，２５もウェハ１２により構成されていてもよい。このような態様であれば、第１モールド２０における製造誤差の影響をも抑えることができ、例えば石英基板により構成される第２モールド３０における第２凹凸構造３４の寸法のバラツキ等の製造誤差の影響を抑え、高精度の第２凹凸構造３４を有する第２モールド３０を製造することができる。
【０１５９】
上記実施形態において、マスターモールド１０が、いわゆるザグリ構造を有するウェハにより構成されていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明は、種々の微細加工を要する技術分野において有用である。
【符号の説明】
【０１６１】
１０，１０’…マスターモールド
１２…ウェハ
１３，２７…凸構造（メサ構造，凸部）
１４，１４’…凹凸構造
１９，１９’…第１凹凸構造パターン（第１反転凹凸構造）
２９…第２凹凸構造パターン（第２反転凹凸構造）
２０…第１基板
２４…第１凹凸構造
３０…第２基板
３４…第２凹凸構造
１００，２００…被転写材料
１１０，１１０’…第１転写層
２１０…第２転写層
【図１】
2014135313.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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