(57)【要約】【課題】パターン形成工程を減少させ、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供する。【解決手段】基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域を形成する工程と、前記第１導電型領域の一部を除去する工程と、前記第１導電型領域が除去された部分の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域を形成する工程と、を有する裏面電極型太陽電池の製造方法。【選択図】図１
2014112600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域を形成する工程と、
前記第１導電型領域の一部を除去する工程と、
前記第１導電型領域が除去された部分の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域を形成する工程と、
を有する裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記第１導電型領域の一部を除去する工程において、レーザ光照射により前記第１導電型領域を除去する、請求項１に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記第１導電型領域を形成する工程は、第２導電型の前記基板に前記第１導電型領域を形成する工程である、請求項１または２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記第１導電型領域の一部を除去する工程において、前記基板の厚み方向の除去量は、前記基板の厚さの１０％未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法により製造された裏面電極型太陽電池であって、
前記基板に前記レーザ光の照射跡を有する、裏面電極型太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギーを電気エネルギーに直接変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から次世代のエネルギー源としての期待が高まっている。太陽電池としては、化合物半導体を使ったもの、および有機材料を使ったものなど、様々な種類があるが、近年の主流は、シリコン結晶を用いたものである。
【０００３】
その中で、一般的な太陽電池は、太陽光を受ける受光面側には電極が設けられ、裏面には逆極性用の電極が設けられている構造を有するものである。このような構造を有する太陽電池においては、受光面側に設けられた電極は電流の取り出しのために必要である。しかしながら、受光面側の電極の下方の部分には太陽光が遮光されてしまうため、当該下方の部分では発電しない。したがって、電極面積が大きい場合には、太陽電池の変換効率が低下することになる。このような、太陽電池の受光面側の電極による損失は、シャドウロスと呼ばれている。この電極による損失を低減するために電極パターンを微細にする開発が行われている。
【０００４】
これに対し、受光面に電極がなく、Ｐ型領域用の電極およびＮ型領域用の電極の両方を裏面に形成した太陽電池も存在しており、裏面電極型太陽電池と呼ばれている。裏面電極型太陽電池においては、受光面に電極がないために、電極によるシャドウロスがなく、入射してくる太陽光のほぼ全てを基板内に取り込むことができるため、原理的には高効率が実現可能である。しかしながら、裏面電極型太陽電池は、両極の電極と拡散領域をパターニングして裏面に形成する必要があるため、製造プロセスが、従来の太陽電池よりも複雑化してしまう。製造プロセスの複雑化は、必然的に製造コストを増加させると共に、量産性を低下させるため、商業用として大量生産することが難しくなる。またＮ型基板を用いた場合は、Ｐ型領域を広く、基板よりＮ型不純物濃度が高い領域を狭くするほうが太陽電池の変換効率を向上し得ることが知られており、微細パターンの形成が必要となる。微細加工はさらに製造プロセスの複雑さをきたすこととなる。
【０００５】
そこで、たとえば特許文献１では、エッチングペーストなどを使用した製造方法が開発されている。
【０００６】
しかしながら、エッチングペーストなどを印刷によりパターニングする方法では、特に細線化が求められるＮ型領域を２５０μｍ以下にパターニングすることは線幅精度が±３０μｍ程度は存在するため困難である。またＰ型領域、Ｎ型領域、電極等の複数の工程に対し適用する必要があるため、変換効率や歩留まりを低下させる要因となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−１８６９２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のように、裏面電極型太陽電池において裏面側に微細なパターニングを実施することは太陽電池の変換効率を向上させるために重要であるが、従来、微細なパターニングを実施するためには、Ｐ型領域、Ｎ型領域、電極のパターニングを独立に実施したり、複雑な熱酸化・エッチング工程が必要であった。
【０００９】
上記の事情に鑑みて、本発明の目的は、パターン形成工程を減少させ、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域を形成する工程と、前記第１導電型領域の一部を除去する工程と、前記第１導電型領域が除去された部分の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域を形成する工程と、を有する裏面電極型太陽電池の製造方法である。
【００１１】
また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域の一部を除去する工程にて、レーザ光照射により前記第１導電型領域を除去することができる。
【００１２】
また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域を形成する工程は、第２導電型の前記基板に前記第１導電型領域を形成する工程であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法において、前記第１導電型領域の一部を除去する工程にて、前記基板の厚み方向の除去量は、前記基板の厚さの１０％未満であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、上記に記載の裏面電極型太陽電池の製造方法により製造された裏面電極型太陽電池であって、前記基板に前記レーザ光の照射跡を有する、裏面電極型太陽電池である。
【００１５】
ここで、導電型はＰ型とＮ型があり、第１導電型がＰ型である場合には、第２導電型がＮ型となり、第１導電型がＮ型である場合には、第２導電型がＰ型となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明において、基板の裏面に第１導電型領域を形成して、その一部を除去して、第２導電型領域を形成することにより、第１導電型領域を形成する前にパターンを形成する必要がなく、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は、本発明の裏面電極型太陽電池の製造工程の一例を図解する模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について具体的に説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１９】
＜本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法＞
以下、図１に基づいて本発明の裏面電極型太陽電池の製造方法を説明する。
【００２０】
（保護層を形成する工程）
まず、基板１を準備する。基板１は受光面にテクスチャ構造が形成されていてもよい。ここで、基板１のテクスチャエッチングは、たとえば、数％の水酸化ナトリウム若しくは水酸化カリウム溶液に数％のイソプロピルアルコールを含有したアルカリ溶液を７０〜８０℃に加熱した溶液を用いて、基板１の受光面をエッチングすることなどにより行なうことができる。
【００２１】
次に、図１（ａ）に示すように、基板１の受光面に保護層３を形成する。保護層３の形成方法は、特に限定されていないが、たとえば、ＡＰＣＶＤ（Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition）による方法、あるいは、水蒸気雰囲気中で熱酸化処理する方法、あるいは、マスク材料を含む溶液を塗布後乾燥して焼成を行う方法などを用いることができる。
【００２２】
上記基板１としては、Ｐ型、Ｎ型のどちらでもよく、種類に限定されるものではないが、便宜上、Ｎ型のシリコン基板を用いて説明する。基板１としてＮ型のシリコン基板を用いる場合には、所望の厚さにスライスされたシリコンウエハのスライスダメージを除去するため、片面につき１０〜２０μｍ程度の厚さをフッ酸と硝酸の混酸若しくは水酸化ナトリウムなどのアルカリ溶液でエッチングしたものを用いることができる。基板１の大きさおよび形状は、特に限定されていないが、厚さを１００〜３００μｍとし、外形を１辺１００〜１５０ｍｍの擬似四角形の表面を有するものとすることができる。また、基板１におけるＮ型不純物濃度は、たとえば、１×１０15個／ｃｍ3以上１×１０16個／ｃｍ3以下とすることができる。
【００２３】
上記保護層３としては、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえばＳｉＯ２層などの酸化物層を用いることができる。また、窒化物層としては、たとえばＳｉＮなどの窒化物層を用いることができる。したがって、保護層３としては、たとえば、ＳｉＯ２層の単層、ＳｉＮ層の単層、またはＳｉＯ２層とＳｉＮ層との積層体などを用いることができる。保護層３の厚さは、特に限定されていないが、たとえば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００２４】
（第１導電型領域を形成する工程）
図１（ｂ）に示すように、基板１の裏面に第１導電型の不純物を拡散させて第１導電型領域６を形成する。第１導電型の不純物はＰ型、Ｎ型のどちらでもよいが、好ましくは基板１の導電型と異なる導電型である。ここでは、便宜上、Ｐ型を用いて説明する。基板１の裏面は図１（ｂ）では全面としたが、面方向の一部としてよい。Ｐ型領域６の形成方法は、たとえば、ホウ素拡散源であるＰＢＦを非受光にスピンコーティングで塗布する塗布拡散方法により行なうことができるが、これに限定されるものではなく、ＢＢｒ３を用いた気相拡散方法等により行なうこともできる。
【００２５】
なお、塗布拡散方法によりＰ型領域を形成する場合には、たとえば１００℃〜２００℃の温度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜１０００℃の温度で熱拡散処理を行うことにより、Ｐ型不純物を拡散することが好ましい。第１導電型領域６におけるＰ型不純物濃度は１×１０19個／ｃｍ3以上１×１０21個／ｃｍ3以下が好ましい。
【００２６】
また、第１導電型領域６の厚さは５０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。
（拡散防止マスク層を形成する工程）
図１（ｃ）に示すように、基板１の第１導電型領域６の上に拡散防止マスク層２を形成する。拡散防止マスク層２の形成方法は、特に限定されていないが、たとえば、ＡＰＣＶＤによる方法、あるいは、水蒸気雰囲気中で熱酸化処理する方法、あるいは、マスク材料を含む溶液を塗布後乾燥して焼成を行う方法などを用いることができる。
【００２７】
拡散防止マスク層２としては、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえばＳｉＯ２層などの酸化物層を用いることができる。また、窒化物層としては、たとえばＳｉＮなどの窒化物層を用いることができる。したがって、拡散防止マスク層２としては、たとえば、ＳｉＯ２層の単層、ＳｉＮ層の単層、またはＳｉＯ２層とＳｉＮ層との積層体などを用いることができる。拡散防止マスク層２の厚さは、特に限定されていないが、たとえば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の厚さとすることができる。
【００２８】
（第１導電型領域の一部を除去する工程）
図１（ｄ）に示すように、まず拡散防止マスク層２の一部を除去し、その後拡散防止マスク層２を除去した領域の基板の一部を除去して除去部４を形成する。拡散防止マスク層２の除去方法は、特に限定されていないが、拡散防止マスク層２の除去された領域に第２導電型領域が形成され、拡散防止マスク層２が残っている領域が最終的には第１導電型領域となるので、拡散防止マスク層２の除去精度が第１導電型領域６及び第２導電型領域５のパターニング精度となり、高い加工精度を安価に形成する観点からは、レーザ光を照射して除去する方法が好ましい。
【００２９】
ここで、レーザ光の照射箇所は、除去部４に相当する。レーザ光の照射により拡散防止マスク層２の一部とともに第１導電型領域６の一部を除去する観点からはパルス幅が１〜１００ｎｓのナノ秒パルスレーザ光を用いることが好ましい。また、レーザ光の照射箇所における基板１の熱による溶融変形を抑制する観点からは、拡散防止マスク層１の除去にパルス幅が１００ｐｓ以下のピコ秒パルスレーザ光を用いることが好ましい。さらに、拡散防止マスク層２のパターニングをより高精度に、かつより高効率で行ない、基板１の熱による溶融変形をより効果的に抑える観点からは、パルスレーザ光の波長が１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
拡散防止マスク層２をレーザ光の照射によりパターニングする場合には、フォトリソグラフィを用いて拡散防止マスク層２をパターニングする場合と比較して、フォトレジスト塗布、パターン露光、現像およびフォトレジスト剥離などの工程が不要となるため、製造工程を簡略化することができる。さらに、エッチングペーストおよびフォトレジストなどの材料が不要となるため、太陽電池セルの製造コストも低減することができる。
【００３１】
また、上記の方法により拡散防止マスク層２を除去する場合、拡散防止マスク層２はその除去部４に対応する部分を厚さ方向で完全に除去する必要があるが、第１導電型領域６は、完全に除去しても一部残ってもよい。第１導電型領域６が一部残った場合には、ＨＦ等にてエッチングすることにより、第１導電型領域６の残渣と加工ダメージを除去することができる。
【００３２】
ここで、第１導電型領域６の除去による基板１の厚み方向の除去量は、基板１の厚さの１０％未満であることが好ましい。基板の厚み方向の除去量が基板の厚さの１０％以上であると、エッチング深さが大きくなってウエハの強度を低下させる恐れがあり、好ましくない。
【００３３】
（第２導電型領域を形成する工程）
図１（ｅ）に示すように、第１導電型領域６が除去された部分（図１（ｅ）では除去部４）の少なくとも一部に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型領域５を形成する。ここでは、第２導電型の不純物として、Ｎ型を用いて説明する。Ｎ型領域５の形成は、たとえば、ＰＯＣｌ３雰囲気で熱拡散処理することにより行なうことができるが、これに限定されるものではなく、拡散材料を含む材料をスピンコート法や印刷法により塗布した後、１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより行なうこともできる。第２導電型領域５におけるＮ型不純物濃度は基板１におけるＮ型不純物濃度より高くなるようにし、さらに１×１０19個／ｃｍ3以上１×１０21個／ｃｍ3以下であることが好ましい。
【００３４】
また、第２導電型領域５の厚さは５０ｎｍ〜３００ｎｍであることが好ましい。
（パッシベーション層を形成する工程）
まず、保護層３と拡散防止マスク層２を除去し、その後図１（ｆ）に示すように、基板１の裏面側および受光面側のそれぞれにパッシベーション層７および８を形成する。
【００３５】
パッシベーション層７および８としては、それぞれ、たとえば、酸化物層および窒化物層の少なくとも一方を用いることができる。酸化物層としては、たとえば酸化シリコン層などを用いることができる。また、窒化物層としては、たとえば窒化シリコン層などを用いることができる。したがって、パッシベーション層７および８としては、たとえば、酸化シリコン層の単層、窒化シリコン層の単層、または酸化シリコン層と窒化シリコン層との積層体などを用いることができる。
【００３６】
ここで、酸化シリコン層としては、たとえば、スチーム酸化法、ＡＰＣＶＤ法、ＳＯＧの塗布・焼成により形成された厚さ３００ｎｍ以上８００ｎｍ以下のものを用いることができる。また、窒化シリコン層としては、たとえば、プラズマＣＶＤ法またはＡＰＣＶＤ法で形成された厚さ６０ｎｍ以上１００ｎｍのものを用いることができる。
【００３７】
（コンタクトホールを形成する工程）
図１（ｇ）に示すように、パッシベーション層７にコンタクトホール９、１０を形成して、コンタクトホール９から第１導電型領域６の表面を露出させ、コンタクトホール１０から第２導電型領域５の表面を露出させる。コンタクトホール９、１０の形成方法は、特に限定されないが、上述の短パルスレーザ光の照射によって形成することが好ましい。この場合には、上述したように、太陽電池セルの製造工程を簡略化することができるとともに、製造コストを低減することができ、さらには高い変換効率が実現可能な太陽電池セルを作製することができる。
【００３８】
（電極を形成する工程）
図１（ｈ）に示すように、パッシベージョン層７に、コンタクトホール９を通じて第１導電型領域６の表面に接触する第１電極１１を形成し、コンタクトホール１０を通じて第２導電型領域５の表面に接触する第２電極１２を形成する。第１電極１１および第２電極１２の形成は、たとえば、銀ペーストを塗布した後に、５００℃以上６００℃以下の温度で焼成することなどにより行なうことができる。
【００３９】
＜本発明の裏面電極型太陽電池＞
以上のようにして、受光面の反対側である裏面にＰＮ接合が形成された裏面電極型太陽電池が得られる。本発明の裏面電極型太陽電池は、レーザ光によって拡散防止マスク層２と第１導電型領域６が一工程で除去される形態も含まれており、この場合、基板１にレーザ光の照射跡を有することがある。
【実施例】
【００４０】
＜実施例１＞
以下、図１に基づいて、本実施例を説明する。
【００４１】
受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。
【００４２】
次に、ＰＢＦを非受光全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理を行なった。この拡散処理により厚さ約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。
【００４３】
上記Ｐ型領域６が形成された基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板１の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。
【００４４】
次に、パルス幅４ｎｓ、波長５３２ｎｍのナノ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２とＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。シリコン基板１の露出部にはレーザ照射跡が残った。
【００４５】
さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。
【００４６】
保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。
【００４７】
裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。
【００４８】
＜実施例２＞
受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。
【００４９】
次に、ＰＢＦを非受光面全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理工程を行なった。この拡散処理により約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。
【００５０】
得られた基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板１の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。
【００５１】
次に、パルス幅１５ｐｓ、波長３５５ｎｍのピコ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２を除去した。その後、ＨＦエッチングにより、拡散防止マスク層が除去された部分のＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。
【００５２】
さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。
【００５３】
保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。
【００５４】
裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。
【００５５】
＜実施例３＞
受光面側にランダムテクスチャが形成された１５０μｍ厚のＮ型単結晶シリコン基板１の受光面側に、ＡＰＣＶＤ法により１５０ｎｍの保護層３を形成した。
【００５６】
次に、ＰＢＦを非受光面全面にスピンコーティングで塗布した。１５０℃〜２００℃程度で乾燥処理を行い、その後、８００℃〜９００℃程度に設定したチューブ炉で熱拡散処理を行うことにより拡散処理工程を行なった。この拡散処理により約１００ｎｍのＰ型領域６が形成された。
【００５７】
得られた基板１を水蒸気雰囲気下で約９００℃にて熱酸化処理を行い、基板の裏面に約２００ｎｍの拡散防止マスク層２を形成した。この段階では特にパターニングをせず、基板１の裏面にＰ型領域６と拡散防止マスク層２が形成されるようにした。
【００５８】
次に、パルス幅１５ｐｓ、波長３５５ｎｍのピコ秒パルスレーザ光を基板１の上から基板１の面方向の一部に照射し、レーザ光照射部の拡散防止マスク層２を除去した。その後、パルス幅４ｎｓ、波長５３２ｎｍのナノ秒パルスレーザ光の照射を行ない、拡散防止マスク層が除去された部分のＰ型領域６を除去した。これにより、レーザ光照射部にのみＰ型不純物が拡散されていないシリコン基板１が露出された。
【００５９】
さらに、得られた基板１をチューブ炉に入れ、ＰＯＣｌ３の雰囲気下で８００℃〜９００℃で熱拡散を行うことにより、レーザ光で形成した開口部にのみリンを拡散させてＮ型領域５を形成した。
【００６０】
保護層３、拡散防止マスク層２をＨＦ処理にて除去したのち、裏面にＳｉＯ２膜をＡＰＣＶＤ法によりパッシベーション層７として形成した。受光面側はプラズマＣＶＤにてＳｉＮ膜をパッシベーション層８として形成した。
【００６１】
裏面のパッシベーション層７の一部をレーザ光照射によるパターニングにて除去し、この上にスクリーン印刷でＡｇ電極１１、１２を形成することで裏面電極型太陽電池セルを製造した。
【００６２】
上記のように、実施の形態の裏面電極型太陽電池の製造方法によれば、第１導電型領域を形成する工程においてパターンを形成する必要がなく、量産性の高い裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池を提供することができる。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、裏面電極型太陽電池の製造方法および裏面電極型太陽電池に好適に利用することができる。
【符号の説明】
【００６５】
１  基板、２  拡散防止マスク層、３  保護層、４  除去部、５  第２導電型領域（Ｎ型領域）、６  第１導電型領域（Ｐ型領域）、７，８  パッシベーション層、９，１０  コンタクトホール、１１  第１電極、１２  第２電極。
【図１】
2014112600.tif 000003