(57)【要約】【課題】発光効率が向上され、長寿命化された有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現する有機エレクトロルミネッセンス材料を提供する。【解決手段】一般式（１）で表されるアミン誘導体。【化１】2014131986.tif 000085［一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換され、Ｌは、結合基、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。］【選択図】図２
2014131986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（１）で表されるアミン誘導体。
【化１】
2014131986.tif 000083
［一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換され、Ｌは、結合基、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。］
【請求項２】
前記一般式（１）中、Ａｒ１はシリル基で置換された以下の構造式（２）で表わされるアリール基であり、Ａｒ２は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基であり、Ａｒ３は以下の構造式（３）で表わされるアリール基であり、Ｌは以下の構造式（４）で表わされるアリーレン基であり、
【化２】
2014131986.tif 000084
前記構造式（２）において、ｏは０≦ｏ≦２を満たす整数であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立的に炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基であり、
前記構造式（３）において、Ｒ１はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基であり、ｍは０≦ｍ≦５を満たす整数であり、
前記構造式（４）において、Ｒ２はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基であり、ｌは０≦ｍ≦４であり、ｎは２≦ｎ≦５を満たす整数であることを特徴とする請求項１に記載のアミン誘導体。
【請求項３】
前記Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれフェニル基であることを特徴とする請求項２に記載のアミン誘導体。
【請求項４】
前記ｏは、０または１であることを特徴とする請求項３に記載のアミン誘導体。
【請求項５】
前記ｎが２であることを特徴とする請求項４に記載のアミン誘導体。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のアミン誘導体を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子用材料。
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を発光層と陽極との間に配置された積層膜の何れか一つに含むことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光材料、特に、正孔輸送材料等の有機発光材料として好適に使用される新規なアミン誘導体と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光材料を表示部の発光素子に用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（Organic Electroluminescence Display：有機ＥＬ表示装置）の開発が盛んになってきている。有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、陽極及び陰極から注入された正孔及び電子を発光層において再結合させることにより、発光層における有機化合物を含む発光材料を発光させて表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、近年、発光層と前記発光層にキャリア（正孔、電子）を輸送する層など、特性の異なる複数の層で構成されたものが提案されている。
【０００４】
有機エレクトロルミネッセンス素子の発光特性の向上及び長寿命化のために、正孔輸送層は、優れた正孔輸送能力とキャリア耐性が要求される。このような観点から、種々の正孔輸送材料が提案されている。
【０００５】
有機エレクトロルミネッセンス素子の各層に用いられる材料としては、芳香族アミン系化合物等の様々な化合物などが知られている。例えば、特許文献１では、カルバゾール誘導体が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されている。また、特許文献２では、ターフェニル基を有するアミン化合物が正孔輸送材料及び発光層中のホスト材料として提案されている。特許文献３では、フルオレニル基を有するアミン化合物が正孔輸送材料又は正孔注入材料として提案されている。特許文献４では、トリアリールアミン誘導体が発光層材料、または正孔注入輸送材料として提案されている。特許文献５では、トリ（p−ターフェニル−4−イル）アミン化合物が正孔輸送材料として提案されている。特許文献６では、ジアミン化合物が正孔輸送材料として提案されている。特許文献７及び特許文献８では、シリル基を有するアミン化合物が発光層材料として提案されている。特許文献９では、シリル基を有するアミン化合物が電子阻止層材料、または発光層材料として提案されている。しかしながら、これらの材料を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子も充分な発光寿命を有しているとは言い難く、現在では一層、高効率で低電圧駆動が可能であり、発光寿命の長い有機エレクトロルミネッセンス素子が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０２３１５０３号明細書
【特許文献２】国際公開第２０１２／０９１４７１号
【特許文献３】国際公開第２０１０／１１０５５３号
【特許文献４】特許第３２７８２５２号公報
【特許文献５】国際公開第２００８／０１５９６３号
【特許文献６】欧州特許出願公開第０２０４２４８１号明細書
【特許文献７】特開２００７−２３０９５１号公報
【特許文献８】米国特許出願公開第２００７／２０７３４６号明細書
【特許文献９】国際公開第２０１０／０５２９３２号
【０００７】
前記したように、有機エレクトロルミネッセンス素子を表示装置に応用するにあたり、有機発光材料には長寿命化が求められている。しかしながら、これまで提案されている化合物を正孔注入層又は正孔輸送層に用いた素子は、電子耐性が十分で無かったため、素子寿命の向上が求められていた。
【０００８】
有機エレクトロルミネッセンス素子の素子寿命の前記問題点は、発光層と正孔輸送層との界面近傍での正孔と電子とが再結合して発光する際、再結合できなかった電子が正孔輸送層に侵入して電子が正孔輸送材料に損傷を与え、素子を劣化させることに起因している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上述の課題を鑑み、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる素子の劣化機構を抑制することによって、素子寿命が向上された有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現する有機発光材料を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、以下の一般式（１）で表されるアミン誘導体である。
【化１】
2014131986.tif 000003
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換され、Ｌは、結合基、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
【００１１】
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、電子に対して安定であり、正孔輸送層材料として用いることにより、正孔輸送層の電子耐性を向上させることができ、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる正孔輸送材料の劣化を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することができる。
【００１２】
一般式（１）中、Ａｒ１はシリル基で置換された以下の構造式（２）で表わされるアリール基であり、Ａｒ２は環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基であり、Ａｒ３は以下の構造式（３）で表わされるアリール基であり、Ｌは以下の構造式（４）で表わされるアリーレン基であり、
【化２】
2014131986.tif 000004
構造式（２）において、ｏは０≦ｏ≦２を満たす整数であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立的に炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基であり、構造式（３）において、Ｒ１はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基であり、ｍは０≦ｍ≦５を満たす整数であり、構造式（４）において、Ｒ２はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基であり、ｌは０≦ｍ≦４であり、ｎは２≦ｎ≦５を満たす整数であってもよい。
【００１３】
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、一般式（１）におけるＡｒ１が強電子耐性を示すシリル基で置換されたアリール基であるため、電子耐性が向上し、さらに、構造式（４）中でｎが２以上であるアリーレン基を有することにより、π電子が広がり、良好な正孔輸送性を示す。そのため、本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。また、本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、構造式（４）中でｎが２以上であるアリーレン基を有することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）が上昇し、製膜性が向上する。アミン誘導体のガラス転移温度は１２０℃以上あることが、製造上好ましい。
【００１４】
構造式（２）において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、それぞれフェニル基であってもよい。
【００１５】
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、一般式（２）におけるＲ１１、Ｒ１２、Ｒ１３がフェニル基であることにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）が上昇し、製膜性が向上する。
【００１６】
構造式（２）において、ｏは、０または１であってもよい。
【００１７】
本発明の一実施形態によるアミン誘導体は、一般式（２）におけるｏが、０または１であることにより、電子の正孔輸送層への侵入を阻止する能力が高くなり、正孔輸送材料の劣化を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することができる。
【００１８】
構造式（４）において、ｎは、２であってもよい。
【００１９】
本発明の一実施形態によると、構造式（４）におけるｎが２であることにより、アミン誘導体の電子耐性をさらに向上させることができる。
【００２０】
本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子用材料は、前記いずれかに記載のアミン誘導体を含む。
【００２１】
本発明の一実施形態によると、強電子耐性を有し、良好な正孔輸送性を示す有機エレクトロルミネッセンス素子用材料が提供される。
【００２２】
本発明の一実施形態意による有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を発光層と陽極との間に配置された積層膜の何れか一つに含む。
【００２３】
本発明の一実施形態によると、発光効率が向上され、長寿命化が実現された有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、発光効率が向上され、素子寿命が向上された有機エレクトロルミネッセンス素子、及びそれを実現可能にする有機エレクトロルミネッセンス素子用材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構造の一実施形態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の有機エレクトロルミネッセンス材料を使用して作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本願発明者は、上述の課題を検討した結果、有機エレクトロルミネッセンス素子における正孔輸送層の材料として、シリル基を有するアミン誘導体を用いることに想到し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を達成できることを確認した。以下、本願発明者が想到したシリル基を有するアミン誘導体について説明する。但し、本発明の有機エレクトロルミネッセンス材料及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス材料は、以下の一般式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体である。
【化３】
2014131986.tif 000005
一般式（１）中、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基であり、前記Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち少なくとも１つは置換若しくは無置換のシリル基で置換されていることを特徴とする。Ｌは、結合基、置換若しくは無置換のアリーレン基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基を表す。
【００２８】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ビフェニレン基、ピレニル基、ベンゾチアゾリル基、チオフェニル基、チエノチオフェニル基、チエノチエノチオフェニル基、ベンゾチオフェニル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−アリールカルバゾリル基、Ｎ−ヘテロアリールカルバゾリル基、Ｎ−アルキルカルバゾリル基、フェノキサジル基、フェノチアジル基、ピリジル基、ピリミジル基、トリアジル基、キノリニル基、キノキサリル基が挙げられ、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、ターフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−フェニルカルバゾリル基が好ましく、特に、フェニル基、ビフェニル基、フルオレニル基、トリフェニレン基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基、Ｎ−フェニルカルバゾリル基が好ましい。ここで、上述したように、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基及びヘテロアリール基のうち、少なくとも１つはシリル基で置換されている。また、シリル基は、Ａｒ１及びＡｒ２の少なくとも１つに１つずつ置換されることが好ましく、特に、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに１つずつ置換されることがさらに好ましい。
【００２９】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のうち、少なくとも１つが置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることが好ましく、さらに好ましくは、置換若しくは無置換のカルバゾリル基、ジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフリル基などのジベンゾヘテロール基である。限定されるわけではないが、Ａｒ３が置換もしくは無置換のヘテロアリール基であることが好ましく、Ａｒ３がジベンゾヘテロール基であることが特に好ましい。Ａｒ３が置換もしくは無置換のヘテロアリール基であるとき、Ａｒ１及びＡｒ２は置換若しくは無置換のアリール基であることが好ましく、特に好ましくは、Ａｒ３がジベンゾヘテロール基であり、Ａｒ１及びＡｒ２は、環形成炭素数６〜１８のアリール基である。
【００３０】
Ｌの「置換若しくは無置換のアリーレン基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」としては、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３で挙げられた「置換若しくは無置換のアリール基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリール基」のアリール基及びヘテロアリール基と同様のものが挙げられる。Ｌの「置換若しくは無置換のアリーレン基」又は「置換若しくは無置換のヘテロアリーレン基」のアリーレン基及びヘテロアリーレン基としては、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、チエノチオフェニレン基、及びピリジレン基が好ましい。特に環形成炭素数６〜１４のアリーレン基が好ましく、フェニレン基及びビフェニリレン基がより好ましい。また、Ｌが「結合基」であるということは、本発明の構造式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体において、アミン部位の窒素原子（Ｎ）とＡｒ３とが直接結合している状態を表す。
【００３１】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。アリール基及びヘテロアリール基の例示される具体例は、上記のＡｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基及びヘテロアリール基と同じである。
【００３２】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基のアルキル基は特に限定されないが、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、シクロブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等を例示することができる。
【００３３】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基の置換基のアルコキシ基は特に限定されないが、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基等を例示することができる。
【００３４】
Ｌのアリーレン基又はヘテロアリーレン基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。例示される具体例は、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基として述べたアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基と同じである。
【００３５】
Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに置換されるシリル基の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基が挙げられる。例示される具体例は、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３のアリール基又はヘテロアリール基に置換される置換基として述べたアルキル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロアリール基と同じであり、アルキル基及びアリール基が好ましく、特に、メチル基及びフェニル基が好ましい。また、Ａｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の少なくとも１つに置換されるシリル基は、該シリル基に置換されるアルキル基の炭素数がそれぞれ１以上６以下のトリアルキルシリル基又は該シリル基に置換されるアリール基の環形成炭素数がそれぞれ６以上１８以下のトリアリールシリル基であることが好ましい。
【００３６】
式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００３７】
【化４】
2014131986.tif 000006
【化５】
2014131986.tif 000007
【化６】
2014131986.tif 000008
【化７】
2014131986.tif 000009
【化８】
2014131986.tif 000010
【化９】
2014131986.tif 000011
【化１０】
2014131986.tif 000012
【化１１】
2014131986.tif 000013
【化１２】
2014131986.tif 000014
【化１３】
2014131986.tif 000015
【化１４】
2014131986.tif 000016
【化１５】
2014131986.tif 000017
【化１６】
2014131986.tif 000018
【化１７】
2014131986.tif 000019
【化１８】
2014131986.tif 000020
【化１９】
2014131986.tif 000021
【化２０】
2014131986.tif 000022
【化２１】
2014131986.tif 000023
【化２２】
2014131986.tif 000024
【化２３】
2014131986.tif 000025
【化２４】
2014131986.tif 000026
【化２５】
2014131986.tif 000027
【化２６】
2014131986.tif 000028
【化２７】
2014131986.tif 000029
【化２８】
2014131986.tif 000030
【化２９】
2014131986.tif 000031
【化３０】
2014131986.tif 000032
【化３１】
2014131986.tif 000033
【化３２】
2014131986.tif 000034
【化３３】
2014131986.tif 000035
【化３４】
2014131986.tif 000036
【化３５】
2014131986.tif 000037
【化３６】
2014131986.tif 000038
【化３７】
2014131986.tif 000039
【化３８】
2014131986.tif 000040
【化３９】
2014131986.tif 000041
【化４０】
2014131986.tif 000042
【化４１】
2014131986.tif 000043
【化４２】
2014131986.tif 000044
【化４３】
2014131986.tif 000045
【化４４】
2014131986.tif 000046
【化４５】
2014131986.tif 000047
【化４６】
2014131986.tif 000048
【化４７】
2014131986.tif 000049
【化４８】
2014131986.tif 000050
【化４９】
2014131986.tif 000051
【００３８】
式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体としては、好ましくは、上記の化合物１、２、３、４、５、６、８、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７，２８、２９、３０、３１、３２、３７、３８、４０、４２、４４、４５、４６、４９、５０、５３、５４、５５、５６、５７、５９、６０、６１、６２、６３、６４、７４、７７、７９、８５、８７、８８、８９、９２、９６、９８、１０１、１０２、１０７、及び１１０が挙げられ、さらに好ましくは、化合物１、２、３、４、６、１５、１６、１７、１８、１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０、３１、３２、３７、４０、４４、４５、４６、４９、５３、５４、５５、５６、５７、５９、６０、６１、６２、６３、７７、８５、８７、８８、８９、９６、１０１、１０２、１０７、及び１１０が挙げられる。
【００３９】
本発明の前記シリル基を有するアミン誘導体は、いずれも有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として利用することができる。一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、アミンの窒素原子（N）又はリンカー（L）に結合したＡｒ１、Ａｒ２、及びＡｒ３の置換若しくは無置換のアリール基、又は置換若しくは無置換のヘテロアリール基のうち少なくとも１つが電子強耐性を示す置換若しくは無置換のシリル基で置換されている。そのため、本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子に対して安定であり、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、特に、発光層に隣接する正孔輸送層材料として好ましく使用されることができる。本発明のシリル基を有するアミン誘導体を正孔輸送層材料として用いることにより、正孔輸送層の電子耐性を向上させることができ、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる正孔輸送材料の劣化を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
【００４０】
また、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではない。例えば、正孔注入層の材料にも好ましく用いることが可能である。シリル基を有するアミン誘導体を正孔注入層の材料として用いる場合も、電子が原因となる正孔注入層の劣化を抑制することができるため、正孔輸送層の材料として使用した場合と同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
【００４１】
［有機エレクトロルミネッセンス素子］
有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば、図１に示すような構造を有していてもよいが、これに限定されるわけではない。
【００４２】
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、本発明のアミン誘導体が有機エレクトロルミネッセンス素子用材料として利用される一実施形態の概略断面図であって、ガラス基板１０２、ガラス基板１０２上に配置された陽極１０４、陽極１０４上に配置された正孔注入層１０６、正孔注入層１０６上に配置された正孔輸送層１０８、正孔輸送層１０８上に配置された発光層１１０、発光層１１０上に配置された電子輸送層１１２、及び電子輸送層１１２上に配置された陰極１１４を含んでもよい。ここで、電子輸送層１１２は、電子注入層としても機能するものとする。
【００４３】
陽極１０４は、酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等を用いて形成されてもよい。
【００４４】
正孔注入層１０６は、4,4',4"-Tris (N-1-naphtyl-N-phenylamino) triphenylamine (1-TNATA)、または4,4',4''-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenylamino)-triphenylamine (2-TNATA)、4,4 -Bis(N,N -di(3-tolyl)amino)-3,3-dimethylbiphenyl (HMTPD)等を含んでもよく、例えば、以下に示す化合物を含んでもよい。
【化５０】
2014131986.tif 000052
【００４５】
正孔輸送層１０８には、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いて形成することができる。
【００４６】
発光層１１０には、ホスト材料として、例えば以下に示す化合物を含んでもよい。
【化５１】
2014131986.tif 000053
但し、発光層１１０にホスト材料として含まれる化合物は、上述の化合物に限定されず、公知の材料をホスト材料として使用してもよい。
【００４７】
また、発光層１１０には、ドーパントとして、例えば以下に示す化合物を含んでもよい。
【化５２】
2014131986.tif 000054
但し、発光層１１０にドーパントとしてドープされる化合物は、上述の化合物に限定されず、所望の色領域に応じて公知の材料をドーパントとして使用してもよい。ドーパントは、発光層１１０を構成する材料に０．１％〜５０％ドープされることが好ましい。
【００４８】
電子輸送層１１２は、例えば、Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium（Alq3）などを含んでもよい。また、以下に示す化合物を含んでもよい。
【化５３】
2014131986.tif 000055
【００４９】
陰極１１４は、Ａｌ、Ａｇ、Ｃａなどの金属や酸化インジウムスズ（ITO）やインジウム亜鉛酸化物（IZO）等の透明材料により形成される。
【００５０】
図１に示す有機エレクトロルミネッセンス素子１００では、記載を省略したが、有機エレクトロルミネッセンス素子１００は、陰極１１４と電子輸送１１２との間に電子注入層含んでもよい。電子注入層は、例えば、フッ化リチウム（LiF）、リチウム8-キノリナート等を含んでもよい。
【００５１】
上述したように、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料として用いることができる。しかしながら、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の用途は、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではなく、正孔注入材料として正孔注入層に含まれてもよい。
【００５２】
前記正孔注入層１０６及び正孔輸送層１０８等、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する正孔注入層材料及び正孔輸送層材料のうち、少なくともいずれかの材料に本発明のアミン誘導体を用いることによって、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を達成することができる。
【００５３】
上述したように、本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子耐性を有するため、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層材料又は正孔注入層材料として好ましいが、これらに限定されるわけではない。例えば、発光層内のホスト材料として用いてもよい。
【００５４】
［実施例Ｉ］
一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体について、前記化合物１、３、６１、６３の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
【００５５】
（化合物１の合成）
以下の化学反応式は、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体である化合物１の合成プロセスを図示したものである。
【化５４】
2014131986.tif 000056
【００５６】
本発明の化合物１は、以下のようにして合成を実施した。
【００５７】
反応容器に化合物（ｉ）（１．５７ｇ, ４．３３ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（１．５０ｇ, ３．６１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣl３（０．３７ｇ, ０．３６ｍｍｏｌ）、トルエン（３６ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９３ｍＬ， １．４４ｍｍｏｌ、 １．５６Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（１．０４ｇ, １０．８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後８０℃で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物１である白色粉末状固体を２．２６ｇ、収率９０％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ５１Ｈ４１ＮＳｉ，測定値６９５）。
【００５８】
（化合物３の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物３の合成プロセスを図示したものである。
【化５５】
2014131986.tif 000057
【００５９】
本発明の化合物３は、以下のようにして合成を実施した。
【００６０】
反応容器に化合物（ｉｉｉ）（１．５２ｇ, ４．３３ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（１．５０ｇ, ３．６１ｍｍｏｌ）、Ｐｄ２（ｄｂａ）３・ＣＨＣl３（０．３７ｇ, ０．３６ｍｍｏｌ）、トルエン（３６ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９３ｍＬ， １．４４ｍｍｏｌ、 １．５６Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（１．０４ｇ, １０．８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後８０℃で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をトルエン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物３である白色粉末状固体を１．００ｇ、収率４０％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ４８Ｈ３５ＮＳＳｉ，測定値６８５）。
【００６１】
（化合物６１の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６１の合成プロセスを図示したものである。
【化５６】
2014131986.tif 000058
【００６２】
本発明の化合物６１は、以下のようにして合成を実施した。
【００６３】
反応容器に化合物（ｉｖ）（０．７０ｇ, １．４４ｍｍｏｌ）、化合物（ｖ）（０．７１ｇ, １．４４ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）２（０．０４ｇ, ０．０７ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．１４ｍＬ， ０．２８ｍｍｏｌ、２．００Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．２１ｇ, ２．１６ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で６時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をジクロロメタン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物６１である白色粉末状固体を１．１５ｇ、収率８９％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ６６Ｈ４８Ｎ２Ｓｉ，測定値８９７）。
【００６４】
（化合物６３の合成）
以下の化学反応式は、本発明のアミン誘導体である化合物６３の合成プロセスを図示したものである。
【化５７】
2014131986.tif 000059
【００６５】
本発明の化合物６３は、以下のようにして合成した。
【００６６】
反応容器に化合物（ｉｖ）（１．００ｇ, ２．０６ｍｍｏｌ）、化合物（ｉｉ）（０．８５ｇ, ２．０６ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ｄｂａ）２（０．０６ｇ, ０．１０ｍｍｏｌ）、トルエン（１０ｍＬ）加えた。次に、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．０３ｍＬ， ０．０６ｍｍｏｌ、２．００Ｍ）、ナトリウムｔ−ブトキシド（０．３０ｇ, ３．０８ｍｍｏｌ）を加え、容器内を窒素置換し、その後還流下で４時間撹拌した。放冷後、反応溶液に水を加えて有機層の抽出を行った。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ過後に、ろ液をロータリーエバポレーターで濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン）により精製し、得られた固体をジクロロメタン／ヘキサンで再結晶したところ、目的物である化合物６３である白色粉末状固体を１．５９ｇ、収率９４％で得た（ＦＡＢ−ＭＳ：Ｃ６０Ｈ４４Ｎ２Ｓｉ，測定値８２１）。
【００６７】
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料として、上述した化合物１を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の実施例１について説明する。
【００６８】
本発明の実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製は真空蒸着により行い、次のような手順で行った。先ず、あらかじめパターニングして洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、オゾンによる表面処理を行った。尚、前記ＩＴＯ膜の膜厚は、１５０ｎｍである。オゾン処理後すぐに、正孔注入材料として４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ，膜厚６０ｎｍ）を前記ＩＴＯ膜上に成膜した。
【００６９】
次に、正孔輸送材料として本発明の化合物１を成膜し（３０ｎｍ）、次に、発光材料として２，５，８，１１−テトラ−t−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）を、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に対して３％の割合でドープした膜を共蒸着によって成膜した（２５ｎｍ）。
【００７０】
さらに、次に、電子輸送材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を成膜し（２５ｎｍ）、次に、電子注入材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）（１．０ｎｍ）及び陰極としてアルミニウム（１００ｎｍ）を順次積層し、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子２００を作製した。
【００７１】
実施例２として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物３を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【００７２】
実施例３として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物６１を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【００７３】
実施例４として、実施例１で用いた化合物１の代わりに化合物６３を用いた以外は、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【００７４】
比較例１及び比較例２として、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料を構成する化合物として以下に示す構造式の比較化合物１及び比較化合物２を用いて、実施例１と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。尚、比較例１及び比較例２で用いた化合物は、シリル基を備えない構造を有する点において、本発明のアミン誘導体と異なる。
【化５８】
2014131986.tif 000060
【００７５】
作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００の実施例１乃至実施例４、比較例１、及び比較例２の概略図を図２に示す。作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００は、陽極２０４、陽極２０４上に配置された正孔注入層２０６、正孔注入層２０６上に配置された正孔輸送層２０８、正孔輸送層２０８上に配置された発光層２１０、発光層２１０上に配置された電子輸送層２１２及び電子注入層２１４、電子注入層２１４上に配置された陰極２１６を含む。
【００７６】
作製した実施例１乃至実施例４、比較例１及び比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子２００の素子性能を以下の表１に示す。
【表１】
2014131986.tif 000061
【００７７】
尚、作製した有機エレクトロルミネッセンス素子２００の電界発光特性の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。
【００７８】
表１によれば、本発明の実施例１乃至実施例４の有機エレクトロルミネッセンス素子は、比較例１及び比較例２の有機エレクトロルミネッセンス素子に比して、長寿命化していることが分かる。
【００７９】
一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子耐性を有するシリル基を備えており、電子に対して安定な正孔輸送を行うことができる材料である。そのため、本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いることにより、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる素子の劣化を抑制することができ、素子の長寿命化を実現することができる。
【００８０】
前述した実施例１〜４においては、一般式（１）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に利用した例を説明したが、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の利用は有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されず、その他の発光素子又は発光装置に利用されてもよい。また、図１及び図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子は、パッシブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されるが、アクティブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用することもできる。
【００８１】
本願発明者らは、一般式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体のうち、特に、以下に述べる構造を有するアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス材料として発光層と陽極との間に配置することにより、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率と寿命に著しい改善が得られることを確認した。
【００８２】
一般式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体の好ましい構造は、以下の一般式（５）で表される。
【化５９】
2014131986.tif 000062
【００８３】
即ち、上述の一般式（１）で表されるアミン誘導体において、Ａｒ１はシリル基で置換された以下の構造式（６）で表わされるアリール基である。
【化６０】
2014131986.tif 000063
構造式（６）において、ｏは０≦ｏ≦２を満たす整数であり、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ独立的に炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基、または環形成炭素数１以上３０以下のヘテロアリール基である。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３は、互いに連結して環を形成してもよい。
【００８４】
構造式（６）において、ｏは０または１であることが好ましい。ｏが、０または１であることにより、本発明のアミン誘導体の電子の正孔輸送層への侵入を阻止する能力が高くなり、劣化が抑制され、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することができる。また、構造式（６）において、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３はそれぞれ、メチル基、炭素数が６以下のノルマルアルキル基、フェニル基、ビフェニリル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基、ナフチル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラン基であることが好ましい。特に、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３がそれぞれフェニル基であるとき、ガラス転移温度（Ｔｇ）が上昇し、製膜性が向上する。
【００８５】
また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有する好ましいアミン誘導体は、上述の一般式（１）で表されるにおいてアミン誘導体におけるＡｒ２が環形成炭素数６以上３０以下の置換若しくは無置換のアリール基である。尚、上述の一般式（１）で表されるにおいてアミン誘導体におけるＡｒ２は、一般式（５）で表されるアミン誘導体においてもＡｒ２で示している。
【００８６】
Ａｒ２のアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ビフェニル基、ターフェニル基、クアテルフェニル基などがあげられる。
【００８７】
また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有する好ましいアミン誘導体は、上述の一般式（１）で表されるにおいてアミン誘導体におけるＡｒ３が以下の構造式（７）で表わされるアリール基である。
【化６１】
2014131986.tif 000064
構造式（７）において、Ｒ１はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基であり、ｍは０≦ｍ≦５を満たす整数である。
【００８８】
さらに、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有する好ましいアミン誘導体は、上述の一般式（１）で表されるにおいてアミン誘導体におけるＬが以下の構造式（８）で表わされるアリーレン基である。
【化６２】
2014131986.tif 000065
構造式（８）において、Ｒ２はそれぞれ独立的に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上１５以下のアルキル基、置換若しくは無置換の環形成炭素数６以上３０以下のアリール基である。ｌは０≦ｍ≦４であり、ｎは２≦ｎ≦５を満たす整数である。ここで、構造式（８）で表されるアリーレン基に置換するＲ２の種類とその個数ｌは、アリーレン基ごとに異なっていてもよい。構造式（８）において、ｎは２または３であることが好ましい。ｎが２または３であることにより、アミン誘導体の電子耐性をさらに向上させることができる。また、分子量の増大により、高いガラス転移温度を得ることが容易になる。
【００８９】
一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体としては、以下に例示する化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。尚、以下に例示する化合物において、Ｐｈはフェニル基を表し、Ｍｅはメチル基を表す。
【００９０】
【化６３】
2014131986.tif 000066
【００９１】
【化６４】
2014131986.tif 000067
【００９２】
【化６５】
2014131986.tif 000068
【００９３】
【化６６】
2014131986.tif 000069
【００９４】
【化６７】
2014131986.tif 000070
【００９５】
【化６８】
2014131986.tif 000071
【００９６】
一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、一般式（１）で表される本発明のアミン誘導体におけるＡｒ１が電子強耐性を示すシリル基で置換されたアリール基である。そのため、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子に対して安定であり、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、特に、発光層に隣接する正孔輸送層材料として使用すると、正孔輸送層の電子耐性を向上させることができ、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる正孔輸送材料の劣化を抑制し、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
【００９７】
また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、構造式（８）で表されるアリーレン基を２個以上有することにより、π電子が広がり、正孔輸送性が向上し、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、構造式（８）で表されるアリーレン基を２個以上有することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）が上昇し、製膜性が向上する。
【００９８】
さらに、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体において、構造式（８）中でｎが２であるアリーレン基の場合、構造式（７）で表わされるアリール基を含めて、アミンのＮ原子に少なくとも１つのターフェニル基が結合されていることになる。ターフェニルアミン骨格を有する化合物は、非常に高い正孔耐性及び電子耐性を有する。そのため、構造式（８）におけるｎが２であるとき、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、特に、発光層に隣接する正孔輸送層材料として使用されることにより、発光層から正孔輸送層側に流入する電子に対する耐性がさらに向上し、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、有機エレクトロルミネッセンス素子の寿命をさらに長寿命化させることができる。
【００９９】
一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、上述したような図１で表された有機エレクトロルミネッセンス素子１００の正孔輸送層の材料として用いることができる。尚、図１に示された有機エレクトロルミネッセンス素子１００の構成は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態であり、これに限定されるわけではなく種々の変更が可能である。
【０１００】
また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体の用途は、一般式（１）で表されるシリル基を有するアミン誘導体と同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に限定されるわけではなく、正孔注入層の材料としても用いることが可能である。一般式（５）で表されるシリル基を有するアミン誘導体を正孔注入層の材料として用いる場合も、正孔輸送層の材料として使用した場合と同様に、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を向上させ、有機エレクトロルミネッセンス素子の長寿命化を実現することが可能となる。
【０１０１】
［実施例ＩＩ］
一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体について、前記化合物Ａ−８の合成法の例を以下に述べる。但し、以下に述べる合成法は一例であって、本発明を限定するものでは無い。
【０１０２】
（化合物Ａ−８の合成）
本発明の化合物Ａ−８は、以下のようにして合成を実施した。
【０１０３】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、４−アミノターフェニル３ｇと４−ブロモテトラフェニルシラン５．０８ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．３４ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド２．３４ｇg、トルエン１２０ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．５ｍｌを加えて、室温で２４時間攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の前駆体Ａ−８ａを５．０ｇ得た（収率７３％）。
【化６９】
2014131986.tif 000072
【０１０４】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、前駆体Ａ−８ａを５．０ｇと４−ブロモビフェニル２．０ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．２３ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１．６５ｇ、トルエン１００ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．３５ｍｌを加えて、８０で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の化合物Ａ−８を２．５ｇ得た（収率７３％）（ＦＡＢ−ＭＳ測定値；７３１．３）。
【化７０】
2014131986.tif 000073
【０１０５】
（化合物Ａ−９の合成）
本発明の化合物Ａ−９は、以下のようにして合成を実施した。
【０１０６】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、上述した前駆体Ａ−８ａを５．０ｇと１−ブロモ−４−フェニルアントラセン２．４ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．２３ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１．６５ｇ、トルエン１００ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．３５ｍｌを加えて、８０℃で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の化合物Ａ−９を４．４ｇ得た（収率６０％）（ＦＡＢ−ＭＳ測定値；７８１．３）。
【化７１】
2014131986.tif 000074
【０１０７】
（化合物Ａ−１３の合成）
本発明の化合物Ａ−１３は、以下のようにして合成を実施した。
【０１０８】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、４−アミノターフェニル２.５ｇと４−ブロモビフェニル２．３ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム（０）（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．３４ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド２．３４ｇ、トルエン１２０ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．５ｍｌを加えて、室温で２４時間攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の前駆体Ａ−１３ａを３．０ｇ得た（収率７６％）。
【化７２】
2014131986.tif 000075
【０１０９】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、前駆体Ａ−１３ａを３．０ｇと４−ブロモ（４’−トリメチルシリル）ビフェニル２．３ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．２３ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１．６５ｇ、トルエン１００ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．３５ｍｌを加えて、８０℃で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の化合物Ａ−１３を４．３ｇ得た（収率９１％）（ＦＡＢ−ＭＳ測定値；６２１．３）。
【化７３】
2014131986.tif 000076
【０１１０】
（化合物Ａ−１８の合成）
本発明の化合物Ａ−１８は、以下のようにして合成を実施した。
【０１１１】
アルゴン雰囲気下、３００ｍＬの三つ口フラスコに、前駆体Ａ−１３ａを３．０ｇと４−ブロモ（４’−トリフェニルシリル）ビフェニル３．７ｇ、トリス(ジベンジリデンアセトン)ジパラジウム(０)（Ｐｄ２（ｄｂａ３））０．２３ｇ、ナトリウムｔ−ブトキシド１．６５ｇ、トルエン１００ｍｌを加えた後、トリ(ｔ−ブチル)ホスフィンの２Ｍトルエン溶液０．３５ｍｌを加えて、８０℃で１２時間加熱攪拌した。空冷後、水を加えて有機層を分取し溶媒留去した。得られた固体をカラムクロマトグラフィーで精製し、以下に示す白色固体の化合物Ａ−１８を６．１ｇ得た（収率９０％）（ＦＡＢ−ＭＳ測定値；８０７．３）。
【化７４】
2014131986.tif 000077
【０１１２】
以下、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子材料として、上述した化合物Ａ−８を正孔輸送層に用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の実施例５について説明する。
【０１１３】
本発明の実施例５の有機エレクトロルミネッセンス素子の作製は、上述した実施例１の有機エレクトロルミネッセンス素子と同様に真空蒸着により行い、次のような手順で行った。先ず、あらかじめパターニングして洗浄処理を施したＩＴＯ−ガラス基板に、オゾンによる表面処理を行った。尚、前記ＩＴＯ膜の膜厚は、１５０ｎｍである。オゾン処理後すぐに、正孔注入材料として４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ，膜厚６０ｎｍ）を前記ＩＴＯ膜上に成膜した。
【０１１４】
次に、正孔輸送材料として本発明の化合物Ａ−８を成膜し（３０ｎｍ）、次に、発光材料として２，５，８，１１−テトラ−t−ブチル−ペリレン（ＴＢＰ）を、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に対して３％の割合でドープした膜を共蒸着によって成膜した（２５ｎｍ）。
【０１１５】
次に、電子輸送材料としてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を成膜し（２５ｎｍ）、次に、電子注入材料としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）（１．０ｎｍ）及び陰極としてアルミニウム（１００ｎｍ）を順次積層し、図２に示す有機エレクトロルミネッセンス素子２００を作製した。
【０１１６】
実施例６として、実施例５で用いた化合物Ａ−８の代わりに化合物Ａ−９を用いたこと以外は、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【化７５】
2014131986.tif 000078
【０１１７】
実施例７として、実施例５で用いた化合物Ａ−８の代わりに化合物Ａ−１３を用いたこと以外は、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【化７６】
2014131986.tif 000079
【０１１８】
実施例８として、実施例５で用いた化合物Ａ−８の代わりに化合物Ａ−１８を用いたこと以外は、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【化７７】
2014131986.tif 000080
【０１１９】
比較例３、比較例４及び比較例５として、有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層の材料を構成する化合物として以下に示す構造式の比較例化合物３、比較例化合物４、比較例化合物５を用いて、実施例５と同様に有機エレクトロルミネッセンス素子を作製した。
【化７８】
2014131986.tif 000081
【０１２０】
実施例５〜比較例３で作成した有機エレクトロルミネッセンス素子２００について、駆動電圧、発光効率、半減寿命、ガラス転移温度（Ｔｇ）を評価した。なお、発光効率は１０ｍＡ／ｃｍ２における値を示し、半減寿命は初期輝度１，０００ｃｄ／ｍ２からの輝度半減時間を示す。評価結果を表２に示す。
【表２】
2014131986.tif 000082
【０１２１】
表２によれば、本発明の実施例５乃至実施例８の有機エレクトロルミネッセンス素子は、比較例３、比較例４及び比較例５の有機エレクトロルミネッセンス素子に比して、発光効率が向上し、長寿命化していることが分かる。
【０１２２】
一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体は、電子耐性を有するシリル基を備えていることにより強電子耐性を有し、さらに、構造式（８）においてｎが２以上であるアリーレン基を有することにより電子耐性が向上されるとともに正孔輸送性が向上されており、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いることにより、正孔輸送層に侵入した電子が原因となる素子の劣化を抑制しつつ、正孔輸送性を向上させることができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上及び長寿命化を実現することができる。
【０１２３】
前述した実施例５〜８においては、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送材料に利用した例を説明したが、本発明のシリル基を有するアミン誘導体の利用は有機エレクトロルミネッセンス素子に限定されず、その他の発光素子又は発光装置に利用されてもよい。また、一般式（５）で表される本発明のシリル基を有するアミン誘導体を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子は、パッシブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されてもよく、アクティブ・マトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイに利用されてもよい。
【符号の説明】
【０１２４】
１００  有機エレクトロルミネッセンス素子
１０２  ガラス基板
１０４  陽極
１０６  正孔注入層
１０８  正孔輸送層
１１０  発光層
１１２  電子輸送層
１１４  陰極
２００  有機エレクトロルミネッセンス素子
２０４  陽極
２０６  正孔注入層
２０８  正孔輸送層
２１０  発光層
２１２  電子輸送層
２１４  電子注入層
２１６  陰極
【図１】
2014131986.tif 000086
【図２】
2014131986.tif 000087