(57)【要約】【課題】複数の温度領域における電気的特性に基づいて半導体装置の良品・不良品を選別する検査工程において効率化を図る。【解決手段】−５０℃に保持された低温チャンバ内で、半導体装置の温度が−４０℃になった時点で半導体装置の電気的特性を測定し、得られた低温測定データを一時保存する。引き続いて、半導体装置にヒータを接触させることにより半導体装置を加熱して、半導体装置の温度が２５℃になった時点で半導体装置の電気的特性を測定し、得られた常温測定データを一時保存する。低温測定データと常温測定データとの差（ドリフト量）を算出して、半導体装置の良品・不良品の判定を行い、良品と判定された半導体装置をＩＣ収納トレイに端から順に詰めて収納する。【選択図】図１３
2014081270.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する配線部材を準備する工程；
（ｂ）前記配線部材の前記第１面に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの主面に形成された電極パッドと前記配線部材の外部端子とを電気的に接続する工程；
（ｄ）前記半導体チップを封止樹脂により封止し、封止体を形成する工程；
（ｅ）前記（ａ）工程から前記（ｄ）工程を経て完成した前記半導体装置の電気的特性を測定する第１テスト工程、
さらに、前記（ｅ）工程は、以下の工程を含む：
（ｅ１）第１試験槽内において、前記第１試験槽内の温度を第１環境温度に保持し、前記半導体装置を第１試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第１電気特性を測定する工程；
（ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記第１試験槽内の温度を前記第１環境温度に保持した状態で、前記半導体装置を加熱し、前記第１試験温度よりも高い温度の第２試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第２電気特性を測定する工程；
（ｅ３）前記（ｅ２）工程の後、前記第１電気特性と前記第２電気特性とを比較して、前記半導体装置の良否判定を行う工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ２）工程では、前記第１環境温度よりも高い温度の第２環境温度に設定されたヒータを前記半導体装置に接触させることにより、前記半導体装置を前記第２試験温度に設定する。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ヒータは、前記（ｅ１）工程では、前記半導体装置と接触しないように前記半導体装置の上方で待機している。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記ヒータは、前記（ｅ２）工程では、前記半導体装置の前記封止体に接触する。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１環境温度は、前記第１試験温度よりも低い。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２環境温度は、前記第２試験温度よりも高い。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１電気特性は、前記半導体装置が前記第１試験温度の時の前記半導体チップのダイオード特性であり、
前記第２電気特性は、前記半導体装置が前記第２試験温度の時の前記半導体チップのダイオード特性である。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
さらに、前記（ｅ）工程の前、または前記（ｅ）工程の後に、以下の工程を含む：
（ｆ）前記半導体装置の電気特性を測定する第２テスト工程、
さらに、前記（ｆ）工程は、以下の工程を含む：
（ｆ１）前記第１試験槽とは異なる第２試験槽内において、前記第２試験槽内の温度を第３環境温度に保持し、前記半導体装置を第３試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第３電気特性を測定する工程；
（ｆ２）前記（ｆ１）工程の後、前記第２試験槽内の温度を前記第３環境温度に保持した状態で、前記半導体装置を冷却し、前記第３試験温度よりも低い温度の第４試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第４電気特性を測定する工程；
（ｆ３）前記（ｆ２）工程の後、前記第３電気特性と前記第４電気特性とを比較して、前記半導体装置の良否判定を行う工程。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ２）工程では、前記第３環境温度よりも低い温度の第４環境温度に設定された気体を前記半導体装置に噴射することにより、前記半導体装置を前記第４試験温度に設定する。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２試験槽内に前記気体を噴射するためのノズルが設けられており、前記（ｆ１）工程では、前記気体は前記ノズルから噴射されない。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２試験槽内に前記気体を噴射するためのノズルが設けられており、前記（ｆ２）工程では、前記気体は前記ノズルから前記半導体装置の前記封止体に噴射される。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記気体は、ドライエアである。
【請求項１３】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程が前記（ｅ）工程の前に行われる場合、前記（ｅ）工程は、前記（ｆ３）工程で良品と判定された前記半導体装置に対して行われ、
前記（ｆ）工程が前記（ｅ）工程の後に行われる場合、前記（ｆ）工程は、前記（ｅ３）工程で良品と判定された前記半導体装置に対して行われる。
【請求項１４】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２試験温度と前記第４試験温度とは同じである。
【請求項１５】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３電気特性は、前記半導体装置が前記第３試験温度の時の前記半導体チップのダイオード特性であり、
前記第４電気特性は、前記半導体装置が前記第４試験温度の時の前記半導体チップのダイオード特性である。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線部材は、リードフレームである。
【請求項１７】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する配線部材を準備する工程；
（ｂ）前記配線部材の前記第１面に半導体チップを搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの主面に形成された電極パッドと前記配線部材の外部端子とを電気的に接続する工程；
（ｄ）前記半導体チップを封止樹脂により封止し、封止体を形成する工程；
（ｅ）前記（ａ）工程から前記（ｄ）工程を経て完成した前記半導体装置の電気的特性を測定するテスト工程、
さらに、前記（ｅ）工程は、以下の工程を含む：
（ｅ１）第２試験槽内において、前記第２試験槽内の温度を第３環境温度に保持し、前記半導体装置を第３試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第３電気特性を測定する工程；
（ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記第２試験槽内の温度を前記第３環境温度に保持した状態で、前記半導体装置を冷却し、前記第３試験温度よりも低い温度の第４試験温度に設定した状態で前記半導体装置の第４電気特性を測定する工程；
（ｅ３）前記（ｅ２）工程の後、前記第３電気特性と前記第４電気特性とを比較して、前記半導体装置の良否判定を行う工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造技術に関し、例えば半導体装置の良品・不良品を選別する検査工程に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の電気的特性を低温（例えば−５５℃〜０℃）、常温（例えば２５℃）、および高温（例えば５０℃〜１３５℃）の各温度領域において測定し、その測定結果に基づいて半導体装置の良品・不良品を選別している。
【０００３】
例えば特開平５−３４４０５号公報（特許文献１）には、高温から低温までの全ての温度領域において、ＩＣ（Integrated Circuit）デバイスが所定の温度状態となるように正確に制御することのできるＩＣハンドラの温度制御方式が開示されている。
【０００４】
また、特開２００８−２２４４５５号公報（特許文献２）には、加熱手段と冷却手段と常温空気供給手段とを雰囲気切替手段によって所定のタイミングで切り替えることにより、連続的に試験を実施することのできる半導体デバイスのテスト用チャンバが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３４４０５号公報
【特許文献２】特開２００８−２２４４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば車載用の半導体装置の検査工程においては、低温（例えば−５５℃〜０℃）、常温（例えば２５℃）、および高温（例えば５０℃〜１３５℃）の各温度領域における半導体装置の電気的特性を測定している。しかし、各温度領域において得られたデータの処理が煩雑である、またはデータに基づいて良品と判定された半導体装置のみを出荷用トレイに詰替える作業が必要であるため、半導体装置の検査工程において多大な時間を要していた。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態によれば、まず、−５０℃に保持された低温チャンバ内で、半導体装置の温度が−４０℃になった時点で半導体装置の電気的特性を測定し、得られた低温測定データを一時保存する。引き続いて、半導体装置にヒータを接触させることにより半導体装置を加熱して、半導体装置の温度が２５℃になった時点で半導体装置の電気的特性を測定し、得られた常温測定データを一時保存する。そして、低温測定データと常温測定データとの差（ドリフト量）を算出して、半導体装置の良品・不良品の判定を行い、良品と判定された半導体装置をＩＣ収納トレイに端から順に詰めて収納する。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態によれば、複数の温度領域における電気的特性に基づいて半導体装置の良品・不良品を選別する検査工程において効率化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態による半導体装置の製造方法の工程図である。
【図２】実施の形態によるリードフレームの外形の一例を示す要部平面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態によるダイボンディング工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態によるワイヤボンディング工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態によるモールド工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態によるめっき工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態によるリード切断工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図８】（ａ）および（ｂ）はそれぞれ実施の形態による成形工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。
【図９】実施の形態によるテスト内容の一例をまとめた図である。
【図１０】実施の形態による半導体装置の電気的特性の特定項目の測定値と測定温度との関係の一例を示すグラフ図である。
【図１１】実施の形態によるテストハンドラの構造の一例を示す概略図である。
【図１２】実施の形態によるＩＣ収納トレイの平面図である。
【図１３】実施の形態による第１テスト工程における半導体装置のテスト方法の手順を説明する工程図である。
【図１４】実施の形態による第１テスト工程の低温テストにおける半導体装置およびヒータの態様を説明する概略図である。
【図１５】実施の形態による第１テスト工程の低温テストにおける半導体装置およびヒータの態様を説明する概略図である。
【図１６】実施の形態による第１テスト工程における半導体装置の試験温度と試験時間との関係を示すグラフ図である。
【図１７】実施の形態による第１テスト工程の常温テストにおける半導体装置およびヒータの態様を説明する概略図である。
【図１８】実施の形態による第２テスト工程における半導体装置のテスト方法の手順を説明する工程図である。
【図１９】実施の形態による第２テスト工程の高温テストにおける半導体装置および空冷機構の態様を説明する概略図である。
【図２０】実施の形態による第２テスト工程の高温テストにおける半導体装置および空冷機構の態様を説明する概略図である。
【図２１】実施の形態による第２テスト工程の常温テストにおける半導体装置および空冷機構の態様を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下の実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１２】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１３】
また、以下の実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００１４】
また、以下の実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
（課題の詳細）
例えば車載用の半導体装置のテスト工程においては、ハンドラを使用して低温（例えば−５５℃〜０℃）、常温（例えば２５℃）、および高温（例えば５０℃〜１３５℃）の各温度領域における半導体装置の電気的特性を測定し、その測定結果に基づいて半導体装置の良品・不良品を選別している。
【００１６】
以下に、本発明者らがこれまでに検討した半導体装置の検査工程で行う第１のテスト方法および第２のテスト方法、ならびにこれらの課題について説明する。
【００１７】
１．第１のテスト方法
まず、複数の半導体装置に対して順に常温テストを行い、常温テストにより良品と判定された半導体装置を第１良品収納トレイに端から順に詰めて収納し、不良品と判定された半導体装置を第１不良品収納トレイに端から順に詰めて収納する。
【００１８】
続いて、常温テストにおいて良品と判定され、第１良品収納トレイに収納された複数の半導体装置に対して順に高温テストを行い、高温テストにより良品と判定された半導体装置を第２良品収納トレイに端から順に詰めて収納し、不良品と判定された半導体装置を第２不良品収納トレイに端から順に詰めて収納する。
【００１９】
続いて、高温テストにおいて良品と判定され、第２良品収納トレイに収納された複数の半導体装置に対して順に低温テストを行い、低温テストにより良品と判定された半導体装置を第３良品収納トレイに端から順に詰めて収納し、不良品と判定された半導体装置を第３不良品収納トレイに端から順に詰めて収納する。そして、第３良品収納トレイに収納された複数の半導体装置を最終的に出荷する。
【００２０】
しかし、常温テスト、高温テスト、および低温テストを行うたびに、良品と判定された半導体装置を第１良品収納トレイ、第２良品収納トレイ、および第３良品収納トレイに並び替えているため、常温テスト、高温テスト、および低温テストにおいて採取したデータと半導体装置との対比がとりにくく、また、データの処理が非常に煩雑となる。
【００２１】
２．第２のテスト方法
まず、複数の半導体装置に対して順に常温テストを行い、常温テストにより良品と判定された半導体装置を第１良品収納トレイに収納し、不良品と判定された半導体装置を第１不良品収納トレイに収納する。この際、第１良品収納トレイに収納される半導体装置は、常温テスト前に収納されていた収納トレイの位置と同じ位置に収納される。従って、第１良品収納トレイには不良品と判定された半導体装置が収納されていない空きスペースがあり、いわゆる歯抜けの状態で、第１良品収納トレイには複数の半導体装置が収納されている。
【００２２】
続いて、常温テストにおいて良品と判定された複数の半導体装置に対して順に高温テストを行い、高温テストにより良品と判定された半導体装置を第２良品収納トレイに収納し、不良品と判定された半導体装置を第２不良品収納トレイに収納する。ここでも常温テストと同様に、第２良品収納トレイに収納される半導体装置は、高温テスト前に収納されていた収納トレイ（第１良品収納トレイ）の位置と同じ位置に収納される。従って、第２良品収納トレイには歯抜けの状態で複数の半導体装置が収納されている。
【００２３】
続いて、高温テストにおいて良品と判定された複数の半導体装置に対して順に低温テストを行い、低温テストにより良品と判定された半導体装置を第３良品収納トレイに収納し、不良品と判定された半導体装置を第３不良品収納トレイに収納する。ここでも常温テストと同様に、第３良品収納トレイに収納される半導体装置は、低温テスト前に収納されていた収納トレイ（第１または第２良品収納トレイ）の位置と同じ位置に収納される。従って、第３良品収納トレイには歯抜けの状態で複数の半導体装置が収納されている。
【００２４】
続いて、第３良品収納トレイに歯抜けの状態で収納された複数の半導体装置を出荷用トレイに詰替えて、出荷用トレイの端から順に詰めた状態として、最終的に出荷する。
【００２５】
第２のテスト方法であれば、常温テスト、高温テスト、および低温テストにおいて採取したデータと半導体装置との対比をとることが容易となる。しかし、テスト工程で使用するハンドラの改造が必要となる。また、歯抜けの状態で第３良品収納トレイに収納された複数の半導体装置を出荷用トレイに詰替える必要があり、このときに半導体装置を電気的、機械的に破壊したり、詰替え作業に多大な時間を要したりするなどの課題が発生する。
【００２６】
（実施の形態）
実施の形態による半導体装置の製造方法を図１〜図２１を用いて工程順に説明する。図１は半導体装置の製造方法の工程図である。図２はリードフレームの外形の一例を示す要部平面図である。図３（ａ）および（ｂ）はそれぞれダイボンディング工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図４（ａ）および（ｂ）はそれぞれワイヤボンディング工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図５（ａ）および（ｂ）はそれぞれモールド工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図６（ａ）および（ｂ）はそれぞれめっき工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図７（ａ）および（ｂ）はそれぞれリード切断工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図８（ａ）および（ｂ）はそれぞれ成形工程における製品状態を説明する要部上面図および要部断面図である。図９〜図２１は検査工程におけるテスト方法を説明する図である。
【００２７】
本実施の形態においては、半導体装置の検査工程におけるテスト方法が主要な特徴となっており、その詳細および効果等について以降の説明で明らかにする。
【００２８】
≪半導体チップ準備工程≫
半導体ウエハの回路形成面に集積回路を形成する。集積回路は前工程または拡散工程と呼ばれる製造工程において、所定の製造プロセスに従って半導体ウエハにチップ単位で形成される。続いて、半導体ウエハに形成された各半導体チップの良・不良を判定した後、半導体ウエハをダイシングして、各半導体チップに個片化する。
【００２９】
≪リードフレーム準備工程≫
第１面（表面、上面）と第１面とは反対側の第２面（裏面、下面）とを有し、例えば銅（Ｃｕ）を主材料とした金属製の枠組みであるリードフレーム（配線部材、配線板、基板）を準備する。
【００３０】
図２にリードフレームの一例を示す。リードフレームＬＦは、例えばリードフレームＬＦの長手方向（ｘ軸方向）を列とし、この列の直交する方向（ｙ軸方向）を行とすると、半導体製品１つ分に該当する単位フレームＳＦが４行２列、いわゆるマトリックス状に配置された構成となっている。リードフレームＬＦの第１面に存在する各単位フレームＳＦの中央部には、半導体チップを搭載するダイパッド（タブ、チップ搭載部）ＤＰが設けられ、ダイパッドＤＰから離間してダイパッドＤＰを囲むように複数のリード（外部端子）ＬＥが設けられている。また、リードフレームＬＦの周辺には、リードフレームＬＦの位置決めのための複数の孔ＬＨが設けられている。
【００３１】
なお、半導体装置の製造方法の一例の説明に用いる図３〜図６では、１つの単位フレームＳＦに該当する領域のみを記載している。
【００３２】
≪ダイボンディング工程≫
次に、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、各単位フレームＳＦのダイパッドＤＰの上面（リードフレームＬＦの第１面）に良と判定された半導体チップＳＣを搭載する。このとき、ダイパッドＤＰの上面と半導体チップＳＣの裏面とをダイボンド材、例えばペースト状の接着剤（例えば銀（Ａｇ）ペースト）を用いて接合する。なお、ダイパッドＤＰと半導体チップＳＣとの接合は、ペースト状の接着剤に限定されるものではなく、例えば金−錫（Ａｕ−Ｓｎ）共晶を用いた接合などでもよい。
【００３３】
≪ワイヤボンディング工程≫
次に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング（ボールボンディング）法により、半導体チップＳＣの主面（表面）に形成された複数の電極パッド（図示は省略）と複数のリードＬＥとを複数の導電性ワイヤＣＷを介してそれぞれ電気的に接続する。具体的には、導電性ワイヤＣＷの先端をアーク放電により溶融して表面張力でボールを形成し、それをキャピラリ（円筒状の接続治具）により電極パッドおよびリードＬＥの上面（表面）に、例えば１２０ｋＨｚの超音波振動を加えながら熱圧着する。
【００３４】
導電性ワイヤＣＷの材料としては、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、およびアルミニウム（Ａｌ）などの金属材料を挙げることができる。金（Ａｕ）の場合、例えば１５μｍφ〜２０μｍφの金線を用いる場合が多い。
【００３５】
また、主として、正ボンディング方式（半導体チップＳＣの電極パッドと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、リードＬＥと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いるが、逆ボンディング方式（リードＬＥと導電性ワイヤＣＷの一部を接続した後に、半導体チップＳＣの電極パッドと導電性ワイヤＣＷの他部を接続する方式）を用いても良い。
【００３６】
≪モールド工程≫
次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、リードフレームＬＦに搭載された各半導体チップＳＣを樹脂封止体（封止体、パッケージ）ＭＯにより樹脂封止する。
【００３７】
まず、複数の半導体チップＳＣが搭載されたリードフレームＬＦを金型成型機にセットする。続いて、温度を上げて液状化した樹脂を金型成型機に圧送して流し込み、リードフレームＬＦの半導体チップＳＣ等が搭載された第１面側と第２面側とを樹脂で封入して、１つの樹脂封止体ＭＯを形成する。樹脂封止体ＭＯは、低応力化を図ることを目的として、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴム、および多数のフィラー（例えばシリカ）などが添加されたエポキシ系の熱硬化性絶縁樹脂からなる。
【００３８】
≪モールド後ベーク工程≫
次に、樹脂封止体ＭＯの更なる硬化促進を行い、リードフレームＬＦへの密着性向上等のために、半導体チップＳＣおよびリードフレームＬＦの一部が樹脂封止された樹脂封止体ＭＯに対してアニール処理（ベーク処理）を施す。アニール処理は、例えば温度１６０℃〜１９０℃程度の温度で約７時間程度行う。これにより、半導体チップＳＣ、ダイパッドＤＰ、複数のリードＬＥのそれぞれの一部、および複数の導電性ワイヤＣＷが樹脂封止体ＭＯによって封止される。
【００３９】
≪めっき工程≫
次に、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、リードフレームＬＦにめっき処理を施す。これにより、樹脂封止体ＭＯから突出した複数のリードＬＥのそれぞれの上面（表面）、下面（裏面）、および側面に、例えば厚さ１０μｍ以下の錫（Ｓｎ）、錫−銀（Ｓｎ−Ａｇ）系合金、錫−銅（Ｓｎ−Ｃｕ）系合金、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）系合金、または錫−鉛（Ｓｎ−Ｐｂ）系合金からなるめっき層（めっき膜）ＰＦを形成する。
【００４０】
≪リード切断工程≫
次に、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、切断装置を用いてリードＬＥを切断し、個々の半導体装置（半導体製品）ＳＤに切り分ける。このとき、切断装置に備わるダイ（金型の受け台）上に置かれたリードフレームＬＥに対し、例えばリードフレームＬＥの第２面側から第１面側に向かって切断装置に備わる切断パンチ（切り歯）を進行させることにより、リードフレームＬＥの本体から各半導体装置ＳＤが切り離される。
【００４１】
≪成形工程≫
次に、図８（ａ）および（ｂ）に示すように、成形金型により樹脂封止体ＭＯから露出している複数のリードＬＥを所定の形状に成形する。
【００４２】
上記説明では、めっき工程、リード切断工程、成形工程の順に半導体装置ＳＤの製造を行っているが、リード切断工程の後に、めっき工程および成形工程を順に行ってもよい。
【００４３】
≪検査工程≫
次に、半導体装置ＳＤは検査工程を経て良品と不良品とに選別される。検査工程では、個々の半導体装置ＳＤに対して、製品規格に応じた電気的検査や外観検査といった種々の検査が行われる。ここでは、種々の検査のうち、所定の温度領域における半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目を測定し、その測定結果に基づいて半導体装置ＳＤの良品・不良品を選別するテスト方法について説明する。
【００４４】
以下、実施の形態による半導体装置のテスト方法を図９〜図２１を用いて詳細に説明する。図９はテスト内容の一例をまとめた図である。図１０は半導体装置の電気的特性の特定項目の測定値と測定温度との関係の一例を示すグラフ図である。図１１はテストハンドラの構造の一例を示す概略図である。図１２はＩＣ収納トレイの平面図である。図１３〜図１７は第１テスト工程における半導体装置のテスト方法を説明する図である。図１８〜図２１は第２テスト工程における半導体装置のテスト方法を説明する図である。
【００４５】
図９に示すように、実施の形態によるテスト方法では、第１テスト工程と第２テスト工程とを行う。第１テスト工程では、低温ハンドラを用いて半導体装置の電気的特性の特定項目の低温テスト（例えば−４０℃）を行い、引き続いて常温テスト（例えば２５℃）を行い、それぞれの電気的特性の特定項目の測定結果を比較して、半導体装置の良・不良の判定を行う。第２テスト工程では、常高温ハンドラを用いて、第１テスト工程で良品と判定された半導体装置の電気的特性の特定項目の高温テスト（例えば１２５℃）を行い、引き続いて常温テスト（例えば２５℃）を行い、それぞれの電気的特性の特定項目の測定結果を比較して、半導体装置の良・不良の判定を行う。
【００４６】
半導体装置の良・不良の判定の一例を図１０を用いて説明する。半導体装置の良・不良の判定に用いる電気的特性の特定項目とは、例えば半導体チップのダイオード特性である。
【００４７】
半導体装置の電気的特性は温度によって変化しないのが理想であるが、実際には、半導体装置の電気的特性は温度によって変化する。そこで、第１テスト工程では、低温テストで得られたデータと常温テストで得られたデータとを比較し、両データの差（ドリフト量）が目標値（例えば±２０ｍＶ）以下であれば良品と判定し、目標値よりも大きければ不良品と判定する。同様に、第２テスト工程では、高温テストで得られたデータと常温テストで得られたデータとを比較し、両データの差（ドリフト量）が目標値（例えば±２０ｍＶ）以下であれば良品と判定し、目標値よりも大きければ不良品と判定する。
【００４８】
図１１に、第１テスト工程および第２テスト工程において使用するテストハンドラの構造の概略図を示す。図１１に点線で示す矢印は半導体装置の流れを示している。第１テスト工程において使用する低温ハンドラと第２テスト工程において使用する常高温ハンドラの基本的な構造は同じである。
【００４９】
テストハンドラとは、半導体装置を試験する装置の一種であり、試験用の空間を提供するテスト用チャンバ内において半導体装置をテストヘッド（コンタクトピン）に電気的に接触させ、テスト用チャンバ外に設置された試験装置本体に試験を行わせ、試験後に半導体装置をテスト用チャンバから搬出し、試験結果に基づいて良品、不良品に仕分けを行う装置である。
【００５０】
図１１に示すように、テストハンドラＨＤには、未測定の複数の半導体装置を収納する未測定ＩＣ格納（第１格納）ＳＴ１、半導体装置の電気的特性の特定項目の測定を行い、良品と判定された複数の半導体装置を収納する良品ＩＣ格納（第２格納）ＳＴ２、半導体装置の電気的特性の特定項目の測定を行い、不良品と判定された複数の半導体装置を収納する不良品ＩＣ格納（第３格納）ＳＴ３が備わっている。さらに、テストハンドラＨＤには、半導体装置の電気的特性の特定項目を試験装置によって測定する測定部ＭＰが備わっている。
【００５１】
未測定ＩＣ格納ＳＴ１では、例えば図１２に示すＩＣ収納トレイＴＲに複数の半導体装置が収納されている。１つの半導体装置が未測定ＩＣ格納ＳＴ１から取り出され、測定部ＭＰに搬送される。この測定部ＭＰには低温チャンバ（第１試験槽）または常高温チャンバ（第２試験槽）が備わっており、ここで後述する第１テスト工程または第２テスト工程に従って半導体装置の電気的特性の特定項目が測定され、データが処理され、良品・不良品の判定が行われる。その後、良品と判定された半導体装置は、良品ＩＣ格納ＳＴ２へ搬送され、例えば図１２に示す良品用のＩＣ収納トレイＴＲに端から詰めて収納される。また、不良品と判定された半導体装置は、不良品ＩＣ格納ＳＴ３へ搬送され、例えば図１２に示す不良品用のＩＣ収納トレイＴＲに端から詰めて収納される。
【００５２】
＜第１テスト工程＞
次に、第１テスト工程について図１３〜図１７を用いて説明する。図１３は第１テスト工程における半導体装置のテスト方法の手順を説明する工程図である。図１４および図１５は低温テストにおける半導体装置およびヒータの態様を説明する概略図である。図１６は半導体装置の試験温度と試験時間との関係を示すグラフ図である。図１７は常温テストにおける半導体装置およびヒータの態様を説明する概略図である。
【００５３】
（１）．図１３の工程Ｐ１０１
第１テスト工程では、低温用のテストハンドラ（以下、低温ハンドラと記す）を用いる。その構造は、前述の図１１に示したテストハンドラＨＤの構造と同じである。
【００５４】
まず、低温ハンドラに備わる低温チャンバ（第１試験槽）ＣＨＬ内の雰囲気の温度を試験槽内温度（第１環境温度）に設定し、保持する。試験槽内温度は、例えば−５０℃である。
【００５５】
（２）．図１３の工程Ｐ１０２
次に、低温ハンドラの未測定ＩＣ格納ＳＴ１から試験槽内温度（−５０℃）に保持された低温チャンバＣＨＬ内へ半導体装置を搬送する（前述の図１１参照）。半導体装置を低温チャンバＣＨＬ内へ入れることにより、半導体装置の温度は試験槽内温度（−５０℃）に近い温度、例えば−４５℃程度まで下がる。
【００５６】
（３）．図１３の工程Ｐ１０３
次に、図１４に示すように、低温チャンバＣＨＬ内のソケットＳＫ１に半導体装置ＳＤを挿入する。ソケットＳＫ１には台座ＰＬおよび複数のコンタクトピン（電極）ＣＰが備わっており、台座ＰＬ上に半導体装置ＳＤの樹脂封止体ＭＯを乗せ、複数のコンタクトピンＣＰの一方の端部上に半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥを乗せる。複数のコンタクトピンＣＰの他方の端部は、低温チャンバＣＨＬ外に設置された試験装置に繋がっており、複数のコンタクトピンＣＰを介して試験装置によって半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目、例えば半導体チップのダイオード特性が測定される。
【００５７】
低温チャンバＣＨＬ内のソケットＳＫ１に半導体装置ＳＤを挿入する際には、ソケットＳＫ１の上方にコンタクトブロックＣＢ１、リード押さえＬＢ１、およびヒータブロック（ヒータＨＢ、ヒータ板ＨＰ、およびカートリッジヒータＣＨ）等が待機している。
【００５８】
次に、図１５に示すように、ソケットＳＫ１の上方に待機していたコンタクトブロックＣＢ１、リード押さえＬＢ１、およびヒータブロック（ヒータＨＢ、ヒータ板ＨＰ、およびカートリッジヒータＣＨ）等を一体として下降させる。そして、リード押さえＬＢ１で半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥを押さえる。これにより、リード押さえＬＢ１と複数のコンタクトピンＣＰとによって半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥが挟まれて、リードＬＥとコンタクトピンＣＰとの良好な電気的接続が得られる。
【００５９】
ヒータブロック（ヒータＨＢ、ヒータ板ＨＰ、およびカートリッジヒータＣＨ）は、半導体装置ＳＤと接触しないように、半導体装置ＳＤと間隔を空けて待機している。
【００６０】
（４）．図１３の工程Ｐ１０４
次に、図１６に示すように、半導体装置ＳＤの温度が第１試験温度になった時点で、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目（第１電気特性）を測定する（低温測定）。第１試験温度は、例えば−４０℃である。得られた低温測定データは一時保存される。半導体装置ＳＤの温度は、例えば半導体チップに形成された内部回路によってモニタすることができる。
【００６１】
ヒータブロック（ヒータＨＢ、ヒータ板ＨＰ、およびカートリッジヒータＣＨ）は、半導体装置ＳＤと接触しないように、半導体装置ＳＤと間隔を空けて待機している。
【００６２】
（５）．図１３の工程Ｐ１０５
次に、図１７に示すように、下降加圧部によってヒータブロック（ヒータＨＢ、ヒータ板ＨＰ、およびカートリッジヒータＣＨ）を下降させて、ヒータＨＢを半導体装置ＳＤの樹脂封止体ＭＯに接触させる。ヒータＨＢの温度は、ヒータ板ＨＰに装着したカートリッジヒータＣＨによって制御され、試験槽内温度（−５０℃）よりも高いヒータ温度（第２環境温度）に設定されている。
【００６３】
ヒータＨＢを半導体装置ＳＤの樹脂封止体ＭＯに接触させることにより、半導体装置ＳＤの温度が上昇する。この際、低温チャンバＣＨＬ内の雰囲気の温度は、上記試験槽内温度（−５０℃）に保持されている。
【００６４】
（６）．図１３の工程Ｐ１０６
次に、半導体装置ＳＤの温度を第２試験温度へ上昇させる。第２試験温度は、例えば２５℃である。
【００６５】
（７）．図１３の工程Ｐ１０７
次に、前述の図１６に示すように、半導体装置ＳＤの温度が第２試験温度になった時点で、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目（第２電気特性）を測定する（常温測定）。第２試験温度は、例えば２５℃である。得られた常温測定データは一時保存される。半導体装置ＳＤの温度は、例えば半導体チップに形成された内部回路によってモニタすることができる。
【００６６】
（８）．図１３の工程Ｐ１０８
前記工程Ｐ１０４で得られた低温測定データと前記工程Ｐ１０７で得られた常温測定データとの差（ドリフト量）を算出し、その差を規格値と比較して、半導体装置ＳＤの良品・不良品の選別（半導体装置ＳＤの良否判定）をする。
【００６７】
第１テスト工程は、個々の半導体装置ＳＤに対して順次行われ、良品と判定された半導体装置ＳＤは、良品ＩＣ格納ＳＴ２（前述の図１１参照）へ搬送され、ＩＣ収納トレイに端から順に詰めて収納される。ＩＣ収納トレイに端詰めしても、個々の半導体装置ＳＤの特性は明らかであるので、個々の半導体装置ＳＤの収納位置と対応してデータは保存される。よって、データ処理が煩雑になることはない。
【００６８】
不良品と判定された半導体装置ＳＤは、不良品ＩＣ格納ＳＴ３（前述の図１１参照）へ搬送されてＩＣ収納トレイに収納され、排除される。
【００６９】
＜第２テスト工程＞
次に、第２テスト工程について図１８〜図２１を用いて説明する。図１８は第２テスト工程における半導体装置のテスト方法の手順を説明する工程図である。図１９および図２０は高温テストにおける半導体装置および空冷機構の態様を説明する概略図である。図２１は常温テストにおける半導体装置および空冷機構の態様を説明する概略図である。
【００７０】
第２テスト工程では、前述の第１テスト工程において良品と判定された半導体装置の電気的特性の特定項目を測定する。
【００７１】
（１）．図１８の工程Ｐ２０１
第２テスト工程では、常高温用のテストハンドラ（以下、常高温ハンドラと記す）を用いる。その構造は、前述の図１１に示したテストハンドラＨＤの構造と同じであるが、低温用ハンドラとは、測定部ＭＰの構造が相違する。
【００７２】
まず、常高温ハンドラに備わる常高温チャンバ（第２試験槽）ＣＨＲ内の雰囲気の温度を試験槽内温度（第３環境温度）に設定し、保持する。試験槽内温度は、例えば１２５℃である。
【００７３】
（２）．図１８の工程Ｐ２０２
次に、常高温ハンドラの未測定ＩＣ格納ＳＴ１から試験槽内温度（１２５℃）に保持された常高温チャンバＣＨＲ内へ半導体装置を搬送する（前述の図１１参照）。未測定ＩＣ格納ＳＴ１には、前述の第１テスト工程において良品と判定された半導体装置が収納されたＩＣ収納トレイが格納されている。半導体装置を常高温チャンバＣＨＲ内へ入れることにより、半導体装置の温度は試験槽内温度（１２５℃）にまで上がる。
【００７４】
（３）．図１８の工程Ｐ２０３
次に、図１９に示すように、常高温チャンバＣＨＲ内のソケットＳＫ２に半導体装置ＳＤを挿入する。ソケットＳＫ２には台座ＰＬおよび複数のコンタクトピン（電極）ＣＰが備わっており、台座ＰＬ上に半導体装置ＳＤの樹脂封止体ＭＯを乗せ、複数のコンタクトピンＣＰの一方の端部上に半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥを乗せる。複数のコンタクトピンＣＰの他方の端部は、常高温チャンバＣＨＲ外に設置された試験装置に繋がっており、複数のコンタクトピンＣＰを介して試験装置によって半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目、例えば半導体チップのダイオード特性が測定される。
【００７５】
ソケットＳＫ２の近くには、電磁弁ＣＶの開閉により半導体装置ＳＤに気体、例えば乾燥空気（ドライエア）を噴射することのできるノズルＮＯが設けられている。
【００７６】
次に、図２０に示すように、ソケットＳＫ２の上方に待機していたコンタクトブロックＣＢ２およびリード押さえＬＢ２を下降させて、リード押さえＬＢ２で半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥを押さえる。これにより、リード押さえＬＢ２と複数のコンタクトピンＣＰとによって半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥが挟まれて、リードＬＥとコンタクトピンＣＰとの良好な電気的接続が得られる。
【００７７】
（４）．図１８の工程Ｐ２０４
次に、半導体装置ＳＤの温度が第３試験温度になった時点で、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目（第３電気特性）を測定する（高温測定）。第３試験温度は、例えば１２５℃である。得られた高温測定データは一時保存される。半導体装置ＳＤの温度は、例えば半導体チップに形成された内部回路によってモニタすることができる。
【００７８】
（５）．図１８の工程Ｐ２０５
次に、図２１に示すように、半導体装置ＳＤに向けて気体をノズルＮＯから噴射して、半導体装置ＳＤの温度を下げる。気体は、常高温チャンバＣＨＲ外に設置された電磁弁ＣＶをプログラム制御によって開けることにより噴射される。気体の温度は、試験槽内温度（１２５℃）よりも低い温度（第４環境温度）に設定されている。
【００７９】
気体を半導体装置ＳＤに噴射することにより、半導体装置ＳＤの温度が下がる。この際、常高温チャンバＣＨＲ内の雰囲気の温度は、上記試験槽内温度（１２５℃）に保持されている。
【００８０】
（６）．図１８の工程Ｐ２０６
次に、半導体装置ＳＤの温度を第４試験温度へ下げる。第４試験温度は、例えば２５℃である。
【００８１】
（７）．図１８の工程Ｐ２０７
次に、半導体装置ＳＤの温度が第４試験温度になった時点で、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目（第４電気特性）を測定する（常温測定）。第４試験温度は、例えば２５℃である。得られた常温測定データは一時保存される。半導体装置ＳＤの温度は、例えば半導体チップに形成された内部回路によってモニタすることができる。
【００８２】
（８）．図１８の工程Ｐ２０８
前記工程Ｐ２０４で得られた高温測定データと前記工程Ｐ２０７で得られた常温測定データとの差（ドリフト量）を算出し、その差を規格値と比較して、半導体装置ＳＤの良品・不良品の選別（半導体装置ＳＤの良否判定）をする。
【００８３】
第２テスト工程は、前述の第１テスト工程と同様に、個々の半導体装置ＳＤに対して順次行われ、良品と判定された半導体装置ＳＤは、良品ＩＣ格納ＳＴ２（前述の図１１参照）へ搬送され、ＩＣ収納トレイに端から順に詰めて収納される。ＩＣ収納トレイに端詰めしても、個々の半導体装置ＳＤの特性は明らかであるので、個々の半導体装置ＳＤの収納位置と対応してデータは保存される。よって、データ処理が煩雑になることはない。
【００８４】
不良品と判定された半導体装置ＳＤは、不良品ＩＣ格納ＳＴ３（前述の図１１参照）へ搬送されてＩＣ収納トレイに収納され、排除される。
【００８５】
このように、第１テスト工程および第２テスト工程を終えて、良品と判定された複数の半導体装置ＳＤは、ＩＣ収納トレイに端詰めの状態で収納されているので、並べ替えることなく、このままでの状態で出荷することができる。また、個々の半導体装置ＳＤの特性が明らかであるので、個々の半導体装置ＳＤにデータを付して出荷することができる。
【００８６】
ところで、半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥをリード押さえＬＢ１，ＬＢ２と複数のコンタクトピンＣＰとによって挟むため、リードＬＥの下面とコンタクトピンＣＰとの接触により、リードＬＥの下面に形成されためっき層ＰＦが剥がれることがある。めっき層ＰＦの剥がれは、導電性の異物となってリードＬＥ間のショートの原因となる、またはコンタクトピンＣＰの表面に付着してリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触不良の原因となり、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目の測定に不具合が生じる。
【００８７】
しかし、第１テスト工程では、１度のリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触により低温テストと常温テストを行っており、第２テスト工程では、１度のリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触により高温テストと常温テストを行っている。従って、実施の形態によるテスト方法では、リードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触回数は２回であり、本発明者らが検討した前述の第１または第２のテスト方法よりもリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触回数を１回減らすことができる。これにより、リードＬＥの下面に形成されためっき層ＰＦの剥がれを低減することができるので、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目の測定において不具合の発生を低減することができる。
【００８８】
≪出荷工程≫
次に、良品と判定された半導体装置ＳＤは、第２テスト工程においてＩＣ収納トレイに収納された状態で出荷される。
【００８９】
前述した実施の形態では、低温ハンドラを用いた低温テスト→常温テストのテストフローを有する第１テスト工程の後に、常高温ハンドラを用いた高温テスト→常温テストのテストフローを有する第２テスト工程を行うテスト方法について説明したが、これに限定されるものではなく、第２テスト工程の後に第１テスト工程を行ってもよい。あるいは、第１テスト工程のみ、または第２テスト工程のみを行ってもよい。
【００９０】
なお、前述した実施の形態では、低温ハンドラを用いた低温テスト→常温テストのテストフローを有する第１テスト工程と、常高温ハンドラを用いた高温テスト→常温テストのテストフローを有する第２テスト工程を行ったが、その他のテストフローを有するテスト工程も考えられる。例えば常温テスト→低温テストのテストフロー、常温テスト→高温テストのテストフロー、または低温テスト→高温テストのテストフローが考えられる。
【００９１】
しかし、本発明者らが検討したところ、常温テスト→低温テストのテストフローでは、半導体装置の温度を−４０℃とするために相当の冷気が必要となり、また、霜や結露が発生するという問題がある。また、常温テスト→高温テストのテストフローおよび低温テスト→高温テストのテストフローでは、急速に高温まで温度を上昇させることができないため、測定に多大の時間を要する。
【００９２】
このように、実施の形態によれば、半導体装置ＳＤの検査工程において、第１テスト工程および第２テスト工程を終えて良品と判定された複数の半導体装置ＳＤは、ＩＣ収納トレイに端詰めの状態で納められる。従って、出荷用トレイに詰替える作業またはＩＣ収納トレイ内で並べ替える作業を行うことなく、テストハンドラＨＤから搬出されたＩＣ収納トレイのままで出荷することができる。これにより、作業効率が向上し、また、半導体装置ＳＤの詰替作業または並べ替え作業を行う必要がないので、これらの作業における半導体装置ＳＤの破壊を回避することができる。
【００９３】
また、ＩＣ収納トレイに納められた個々の半導体装置ＳＤの特性は明らかであるので、半導体装置ＳＤとデータとの対応が容易にとれて、煩雑なデータ処理が不要となる。
【００９４】
また、低温テストと常温テストを１回のテスト工程（第１テスト工程）で行い、常温テストと高温テストを１回のテスト工程（第２テスト工程）で行うことにより、半導体装置ＳＤのリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触を２回とすることができる。これにより、実施の形態では、低温テスト、常温テスト、および高温テストの３回のテストを行う場合よりも、半導体装置ＳＤのリードＬＥとコンタクトピンＣＰとの接触回数を１回減らすことができる。従って、半導体装置ＳＤの複数のリードＬＥの下面に形成されためっき層ＰＦの剥がれを低減することができるので、半導体装置ＳＤの電気的特性の特定項目の測定において不具合の発生を低減することができる。
【００９５】
以上、本発明者らによってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００９６】
ＣＢ１，ＣＢ２  コンタクトブロック
ＣＨ  カートリッジヒータ
ＣＨＬ  低温チャンバ（第１試験槽）
ＣＨＲ  常高温チャンバ（第２試験槽）
ＣＰ  コンタクトピン（電極）
ＣＶ  電磁弁
ＣＷ  導電性ワイヤ
ＤＰ  ダイパッド（タブ、チップ搭載部）
ＨＢ  ヒータ
ＨＤ  テストハンドラ
ＨＰ  ヒータ板
ＬＢ１，ＬＢ２  リード押さえ
ＬＥ  リード（外部端子）
ＬＦ  リードフレーム（配線部材、配線板、基板）
ＬＨ  孔
ＭＯ  樹脂封止体（封止体、パッケージ）
ＭＰ  測定部
ＮＯ  ノズル
ＰＦ  めっき層（めっき膜）
ＰＬ  台座
ＳＣ  半導体チップ
ＳＤ  半導体装置（半導体製品）
ＳＦ  単位フレーム
ＳＫ１，ＳＫ２  ソケット
ＳＴ１  未測定ＩＣ格納（第１格納）
ＳＴ２  良品ＩＣ格納（第２格納）
ＳＴ３  不良品ＩＣ格納（第３格納）
ＴＲ  ＩＣ収納トレイ
【図１】
2014081270.tif 000003
【図２】
2014081270.tif 000004
【図３】
2014081270.tif 000005
【図４】
2014081270.tif 000006
【図５】
2014081270.tif 000007
【図６】
2014081270.tif 000008
【図７】
2014081270.tif 000009
【図８】
2014081270.tif 000010
【図９】
2014081270.tif 000011
【図１０】
2014081270.tif 000012
【図１１】
2014081270.tif 000013
【図１２】
2014081270.tif 000014
【図１３】
2014081270.tif 000015
【図１４】
2014081270.tif 000016
【図１５】
2014081270.tif 000017
【図１６】
2014081270.tif 000018
【図１７】
2014081270.tif 000019
【図１８】
2014081270.tif 000020
【図１９】
2014081270.tif 000021
【図２０】
2014081270.tif 000022
【図２１】
2014081270.tif 000023