(57)【要約】【課題】ホットスポット現象による不具合が解消される薄膜太陽電池およびその製造方法、を提供する。【解決手段】薄膜太陽電池１０は、所定方向（矢印１０１に示す方向）に並び、互いに直列に接続される複数の太陽電池セル３１からなる。薄膜太陽電池１０は、透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に設けられる透明電極層と、透明電極層上に設けられる半導体光電変換層と、半導体光電変換層上に設けられる裏面電極層１５とを備える。互いに隣り合う太陽電池セル３１間には、少なくとも裏面電極層１５を分離し、所定方向に直交する方向（矢印１０２に示す方向）に延びる分離溝２３が形成される。裏面電極層１５は、所定方向（矢印１０１に示す方向）に相対的に小さく、所定方向に直交する方向（矢印１０２に示す方向）に相対的に大きい電気抵抗を有する。【選択図】図４
2014135358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に並び、互いに直列に接続される複数の太陽電池セルからなる薄膜太陽電池であって、
透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に設けられる透明電極層と、
前記透明電極層上に設けられる半導体光電変換層と、
前記半導体光電変換層上に設けられる裏面電極層とを備え、
互いに隣り合う前記太陽電池セル間には、少なくとも前記裏面電極層を分離し、前記所定方向に直交する方向に延びる分離溝が形成され、
前記裏面電極層は、前記所定方向に相対的に小さく、前記所定方向に直交する方向に相対的に大きい電気抵抗を有する、薄膜太陽電池。
【請求項２】
前記裏面電極層は、前記半導体光電変換層上に設けられる高抵抗層と、前記高抵抗層上に設けられ、前記高抵抗層よりも小さい抵抗を有する低抵抗層とを有し、
前記低抵抗層は、前記所定方向に直交する方向において複数に分離されて設けられる、請求項１に記載の薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記高抵抗層は、透明誘電層であり、
前記低抵抗層は、金属層である、請求項２に記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
前記高抵抗層上で前記低抵抗層を覆うように設けられる白色封止層をさらに備える、請求項３に記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法であって、
前記透明絶縁基板上に、前記透明電極層を設ける工程と、
前記透明電極層上に、前記半導体光電変換層を設ける工程と、
前記半導体光電変換層上に、前記高抵抗層を設ける工程と、
前記所定方向に直交する方向に間隔を隔てた前記高抵抗層上の位置に選択的に前記低抵抗層を設ける工程と、
少なくとも前記裏面電極層を分離する前記分離溝を形成する工程とを備える、薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の薄膜太陽電池に関して、たとえば、特開２００９−２１５１３号公報には、セルやコンタクトラインの損傷を抑制することを目的とした、薄膜太陽電池モジュールが開示されている（特許文献１）。特許文献１に開示された薄膜太陽電池モジュールは、複数のセルストリングを備える。複数のセルストリングは、並列分割ラインにより互いに分離され、かつ共通電極を通じて互いに並列に電気的に接続されている。各セルストリングは、コンタクトラインを通じて互いに直列接続された複数のセルを備える。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２１５１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光電変換素子の表裏に配置される電極のうち、光入射側とは反対側の電極（裏面電極層）に金属膜を用いることによって、電極を低抵抗かつ異方性の無いものとした薄膜太陽電池が知られている。このような構成において、ホットスポット試験により１セルを影で覆うと、その下に形成されるホットスポットに電流が全て集中してしまう（ホットスポット現象）。このため、たとえば２０Ｗを超える大出力の太陽電池モジュールを作成すると、ホットスポットでの発熱が非常に大きくなり、ガラス割れ等の不具合を起こし易くなる。
【０００５】
そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、ホットスポット現象による不具合が解消される薄膜太陽電池およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に従った薄膜太陽電池は、所定方向に並び、互いに直列に接続される複数の太陽電池セルからなる。薄膜太陽電池は、透明絶縁基板と、透明絶縁基板上に設けられる透明電極層と、透明電極層上に設けられる半導体光電変換層と、半導体光電変換層上に設けられる裏面電極層とを備える。互いに隣り合う太陽電池セル間には、少なくとも裏面電極層を分離し、所定方向に直交する方向に延びる分離溝が形成される。裏面電極層は、所定方向に相対的に小さく、所定方向に直交する方向に相対的に大きい電気抵抗を有する。
【０００７】
このように構成された薄膜太陽電池によれば、裏面電極層の電気抵抗を、太陽電池セルの直列接続方向に比べ、太陽電池セルの直列接続方向に直交する方向において高くすることによって、その直交方向からの電流集中を抑制する。これにより、ホットスポットに集中する電力を低減させ、太陽電池セルの局所的な温度上昇を防止できる。結果、ホットスポット現象による不具合を解消することができる。
【０００８】
また好ましくは、裏面電極層は、半導体光電変換層上に設けられる高抵抗層と、高抵抗層上に設けられ、高抵抗層よりも小さい抵抗を有する低抵抗層とを有する。低抵抗層は、所定方向に直交する方向において複数に分離されて設けられる。
【０００９】
このように構成された薄膜太陽電池によれば、太陽電池セルの直列接続方向に相対的に小さく、太陽電池セルの直列接続方向に直交する方向に相対的に大きい電気抵抗を有する裏面電極層を、構成することができる。
【００１０】
さらに好ましくは、高抵抗層は、透明誘電層であり、低抵抗層は、金属層である。このように構成された薄膜太陽電池によれば、太陽電池セルの直列接続方向に相対的に小さく、太陽電池セルの直列接続方向に直交する方向に相対的に大きい電気抵抗を有する裏面電極層を、構成することができる。
【００１１】
さらに好ましくは、薄膜太陽電池は、高抵抗層上で低抵抗層を覆うように設けられる白色封止層をさらに備える。このように構成された薄膜太陽電池によれば、金属層である低抵抗層が分離して設けられる形態においても、白色封止層により裏面電極層における反射率の低下を抑制することができる。
【００１２】
この発明に従った薄膜太陽電池の製造方法は、上述のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法である。薄膜太陽電池の製造方法は、透明絶縁基板上に、透明電極層を設ける工程と、透明電極層上に、半導体光電変換層を設ける工程と、半導体光電変換層上に、高抵抗層を設ける工程と、所定方向に直交する方向に間隔を隔てた高抵抗層上の位置に選択的に低抵抗層を設ける工程と、少なくとも裏面電極層を分離する分離溝を形成する工程とを備える。
【００１３】
このように構成された薄膜太陽電池の製造方法によれば、ホットスポット現象による不具合が解消される薄膜太陽電池を製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上に説明したように、この発明に従えば、ホットスポット現象による不具合が解消される薄膜太陽電池およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施の形態における薄膜太陽電池を示す平面図である。
【図２】図１中のＩＩ−ＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池を示す断面図である。
【図３】図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池を示す断面図である。
【図４】本実施の形態における薄膜太陽電池において、ホットスポット現象時の電流流れを示す平面図である。
【図５】裏面電極の直列接続方向に直交する方向のシート抵抗と、ホットスポットに集中する電極の最大値との関係を示すグラフである。
【図６】図２中の薄膜太陽電池の第１変形例を示す断面図である。
【図７】図２中の薄膜太陽電池の第２変形例を示す断面図である。
【図８】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第１工程を示す断面図である。
【図９】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第２工程を示す断面図である。
【図１０】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第３工程を示す断面図である。
【図１１】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第４工程を示す断面図である。
【図１２】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第５工程を示す断面図である。
【図１３】本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の第６工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、以下で参照する図面では、同一またはそれに相当する部材には、同じ番号が付されている。
【００１７】
図１は、この発明の実施の形態における薄膜太陽電池を示す平面図である。図２は、図１中のＩＩ−ＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池を示す断面図である。図３は、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池を示す断面図である。
【００１８】
図１から図３を参照して、本実施の形態における薄膜太陽電池１０は、複数の太陽電池セル３１からなる。複数の太陽電池セル３１は、図１中の矢印１０１に示す方向に並んで配置されている。複数の太陽電池セル３１は、互いに電気的に直列に接続されている。
【００１９】
薄膜太陽電池１０は、略矩形の平面視を有する。各太陽電池セル３１は、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する矢印１０２に示す方向に沿って帯状に延びている。各太陽電池セル３１は、太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）を短手方向とし、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）を長手方向とする略矩形の平面視を有する。
【００２０】
薄膜太陽電池１０は、透明絶縁基板１２、透明（表面）電極層１３、半導体光電変換層１４および裏面電極層１５を有する。
【００２１】
透明絶縁基板１２上には、透明電極層１３が設けられている。透明絶縁基板１２としては、たとえば、ガラス基板が用いられている。透明電極層１３としては、たとえば、ＳｎＯ2（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる層が用いられている。
【００２２】
透明電極層１３には、分離溝２１が形成されている。分離溝２１は、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に直線状に延びている。複数の分離溝２１が、太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）に間隔を設けて形成されている。透明電極層１３は、分離溝２１により複数に分離されている。
【００２３】
透明電極層１３上には、半導体光電変換層１４が設けられている。半導体光電変換層１４は、分離溝２１を充填するように設けられている。
【００２４】
半導体光電変換層１４としては、たとえば、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造とを組み合わせたタンデム構造、またはアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造との間にＺｎＯ等からなる中間層が挿入された構造などが用いられる。アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層およびｉ層と微結晶シリコン薄膜からなるｎ層とを組み合わせた構造のように、ｐ層、ｉ層およびｎ層のうち少なくとも１層をアモルファスシリコン薄膜から構成し、残りの層を微結晶シリコン薄膜から構成して、ｐ層、ｉ層およびｎ層にアモルファスシリコン薄膜からなる層と微結晶シリコン薄膜からなる層とを混在させてもよい。
【００２５】
また、上記において、アモルファスシリコン薄膜としては、シリコンの未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端された水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる薄膜が用いられる。微結晶シリコン薄膜としては、シリコンの未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端された水素化微結晶シリコン系半導体（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）からなる薄膜が用いられる。
【００２６】
また、上記において、半導体光電変換層１４の厚みは、たとえば、２００ｎｍ以上５μｍ以下である。
【００２７】
半導体光電変換層１４には、コンタクトライン２２が形成されている。コンタクトライン２２は、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に直線状に延びている。コンタクトライン２２は、分離溝２１により複数に分離された透明電極層１３にそれぞれ達するように形成されている。コンタクトライン２２は、導電層（後述する裏面電極層１５の高抵抗層１６）により充填されている。コンタクトライン２２を充填する導電層により、太陽電池セル３１と、図１中の矢印１０１に示す方向に隣接する別の太陽電池セル３１とが、互いに電気的に接続されている。
【００２８】
半導体光電変換層１４上には、裏面電極層１５が設けられている。互いに隣り合う太陽電池セル３１間には、少なくとも裏面電極層１５を分離するように分離溝２３が形成されている。本実施の形態では、分離溝２３が、半導体光電変換層１４および裏面電極層１５を分離するように形成されている。分離溝２３は、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に直線状に延びている。分離溝２３は、分離溝２１により複数に分離された透明電極層１５にそれぞれ達するように形成されている。
【００２９】
本実施の形態における薄膜太陽電池１０においては、裏面電極層１５が、太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）に相対的に小さく、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に相対的に大きい電気抵抗を有する。
【００３０】
裏面電極層１５の具体的な構造について説明すると、裏面電極層１５は、互いに異なる電気抵抗を有する複数の層を積み重ねた積層構造を有する。裏面電極層１５は、半導体光電変換層１４上に設けられる高抵抗層１６と、高抵抗層１６上に設けられ、高抵抗層１６よりも小さい電気抵抗を有する低抵抗層１７とから構成されている。低抵抗層１７は、高抵抗層１６上で、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（矢印１０２に示す方向）において複数に分離されている。
【００３１】
高抵抗層１６は、たとえば、ＺｎＯまたはＩＴＯから形成される透明誘電層である。低抵抗層１７は、たとえば、Ａｇ、ＡｌまたはＣｕから形成される金属層である。
【００３２】
本実施の形態では、高抵抗層１６が薄膜状に設けられている。低抵抗層１７は、太陽電池セル３１の直列接続方向（矢印１０１に示す方向）に延びる分離溝２４によって、複数に分離されている。分離溝２４は、幅狭のスリット状に形成されている。
【００３３】
裏面電極層１５上には、集電電極（バスバー）１１が設けられている。集電電極１１は、太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）に距離を隔てた両端に設けられている。集電電極１１は、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に帯状に延びている。
【００３４】
図示されていないが、裏面電極層１５上には、たとえばＥＶＡシートおよび保護フィルムが順に設けられている。
【００３５】
なお、本実施の形態では、裏面電極層１５の電気抵抗に異方性を持たせる構造について説明したが、裏面電極層１５に加えて透明電極層１３の電気抵抗にも同様の異方性を持たせてもよい。
【００３６】
図４は、本実施の形態における薄膜太陽電池において、ホットスポット現象時の電流流れを示す平面図である。図４を参照して、図中では、２点鎖線１０６で囲まれた領域が影で覆われることによって、ホットスポット現象の起こり得る状態が示されている。このような状態において、太陽電池セル３１の直列接続方向（矢印１０１に示す方向）に流れる電流が、高抵抗となった２点鎖線１０６で囲まれた領域で停滞し、ホットスポット１１１に集中してしまうと、その位置で異常発熱が生じてしまう。
【００３７】
これに対して、本実施の形態では、裏面電極層１５の電気抵抗に異方性を持たせているため、２点鎖線１０６で囲まれた領域において、電流が太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）に流れることを抑制できる。これにより、ホットスポット１１１に電流が集中しずらくなり、発熱を効果的に抑えることができる。
【００３８】
なお、ホットスポット対策として、太陽電池セル３１の直列接続方向に延びる分割ラインを設け、かかる分割ラインにより分割された太陽電池セル３１間を集電電極１１によって並列接続する構造も考えられるが、この構造では、分割ラインの形成によって発電ロスが生じる懸念がある。これに対して、本実施の形態では、裏面電極層１５の電気抵抗に異方性を持たせる構造であるため、このような懸念を解消できる。
【００３９】
図５は、裏面電極の直列接続方向に直交する方向のシート抵抗と、ホットスポットに集中する電極の最大値との関係を示すグラフである。
【００４０】
図５を参照して、裏面電極層１５のシート抵抗を太陽電池セル３１の直列接続方向に比べその直交方向において高くした場合において、ホットスポットに集中する電力の最大値をシミュレーションにより求めた。本シミュレーションにおける条件は、以下のとおりである。
【００４１】
モジュールサイズ：１４００×５００ｍｍ
モジュール出力：６５Ｗ
集積段数（直列接続方向における太陽電池セル３１の数）：４５段（直列接続方向に直交する方向における太陽電池セル３１の分離はなし）
単位セル形状：１０ｍｍ×１３７６ｍｍ
透明電極層１３：ＴＣＯ（シート抵抗１５Ω／□）
裏面電極層１５：高抵抗層１６（ＺｎＯ）＋低抵抗層１７の積層電極
１ｋＷ／ｍ２の照度下で、ＩＥＣ６１６４６に規定されるホットスポット試験を実施し、１つのスポット点にモジュールの全出力が集中する場合をワーストケースとした。この際、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向の裏面電極層１５のシート抵抗値を変化させながら、電力の最大値を求めた。
【００４２】
本シミュレーションにおけるモジュールは、ホットスポットに集中する電力が１５Ｗ以下に抑制されれば、ホットスポット現象による不具合が発生しないことが分かっている。このため、図５中に示すシミュレーション結果から、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向の裏面電極層１５のシート抵抗値を７Ω／□以上とすれば、ホットスポット現象による不具合が解消されることが確認できた。
【００４３】
このようにホットスポット現象による不具合が解消される裏面電極層１５は、一例として、高抵抗層１６（ＺｎＯ）の厚みが５０ｎｍで、シート抵抗値が５ｋΩ／□である場合に、１０ｍｍ幅の低抵抗層１７（Ａｇ）が２０μｍの間隔（分離溝２４の幅）で設けられることによって実現される。
【００４４】
図６は、図２中の薄膜太陽電池の第１変形例を示す断面図である。図中には、図１中のＩＩ−ＩＩ線上に沿った位置に対応する断面が示されている。
【００４５】
図６を参照して、本変形例では、図２中に示す裏面電極層１５の形態と比較して、高抵抗層１６が厚膜状に設けられている。このような構成においては、たとえば、高抵抗層１６（ＺｎＯ）の厚みが５００ｎｍで、シート抵抗値が５０Ωである場合に、０．３ｍｍ幅の低抵抗層１７（Ａｇ）が２ｍｍの間隔（分離溝２４の幅）で設けられることによって、ホットスポット現象による不具合が発生しないモジュールが実現される。
【００４６】
図７は、図２中の薄膜太陽電池の第２変形例を示す断面図である。図中には、図１中のＩＩ−ＩＩ線上に沿った位置に対応する断面が示されている。
【００４７】
図７を参照して、本変形例では、図６中に示す第１変形例の構成に加えて、白色封止層４１が設けられている。白色封止層４１は、高抵抗層１６上で低抵抗層１７を覆うように設けられている。
【００４８】
金属層である低抵抗層１７が幅狭で設けられる場合、透明絶縁基板１２側から入射した太陽光が裏面電極層１５側で十分に反射されず、発電効率が低くなる懸念がある。これに対して、本変形例では、分離された低抵抗層１７の間を塞ぐように高反射率の白色封止層４１が設けられるため、そのような懸念を解消することができる。
【００４９】
以上のように、裏面電極層１５を、高抵抗層１６と、分離された低抵抗層１７とからなる積層構造とすることによって、裏面電極層１５の電気抵抗に異方性を持たせることができる。この際、図２中に示すように、高抵抗層１６上に、スリット状の分離溝２４によって分離された低抵抗層１７を設けてもよいし、図６および図７中に示すように、高抵抗層１６上に、低抵抗なグリッドを設けて低抵抗層１７としてもよい。
【００５０】
続いて、図１から図３中の薄膜太陽電池１０の製造方法について説明する。図８から図１３は、本実施の形態における薄膜太陽電池の製造方法の工程を示す断面図である。図８（Ａ）が、図１中のＩＩ−ＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池の断面に対応し、図８（Ｂ）が、図１中のＩＩＩ−ＩＩＩ線上に沿った薄膜太陽電池の断面に対応する。図９から図１３の断面位置についても、図８と同様である。
【００５１】
図８を参照して、まず、透明絶縁基板１２上に透明電極層１３を積層する。図９を参照して、次に、透明絶縁基板１２側から太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）にレーザ光を走査してレーザ光を照射する。これにより、図９（Ｂ）に示すように、透明電極層１３の一部をストライプ状に除去し、透明電極層１３を分離する分離溝２１を形成する。
【００５２】
図１０を参照して、次に、分離溝２１により分離された透明電極層１３を覆うように、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層とからなる積層体を、たとえばプラズマＣＶＤ法により積層する。これにより、透明電極層１３上に半導体光電変換層１４を積層する。このとき、半導体光電変換層１４は、透明電極層１３に形成された分離溝２１を充填する。
【００５３】
図１１を参照して、次に、透明絶縁基板１２側から太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）にレーザ光を走査してレーザ光を照射する。これにより、図１１（Ｂ）に示すように、半導体光電変換層１４の一部をストライプ状に除去し、透明電極層１３の頂面に達するコンタクトライン２２を形成する。
【００５４】
図１２を参照して、次に、半導体光電変換層１４を覆うように裏面電極層１５を積層する。本実施の形態では、まず、半導体光電変換層１４上に、高抵抗層１６を設ける。このとき、高抵抗層１６は、半導体光電変換層１４に形成されたコンタクトライン２２を充填する。次に、高抵抗層１６上に低抵抗層１７を設ける。
【００５５】
図１２（Ａ）中に示すように、幅狭のスリット状の分離溝２４によって分離された低抵抗層１７を設ける場合、低抵抗層１７のスパッタリング時にワイヤー状のマスクを用いることによって、分離溝２４を形成してもよい。また、低抵抗層１７を一面に形成した後、レーザースクライブにより分離溝２４を形成してもよい。図６中に示すように、幅狭の低抵抗層１７を設ける場合、低抵抗層１７を印刷やインクジェットにより必要な箇所にだけ設ければよい。
【００５６】
このように、高抵抗層１６上の所定領域に選択的に低抵抗層１７を設ける方法としては、成膜時のマスク使用や、成膜後のエッチング、スクリーン印刷やインクジェットによる成膜などが挙げられる。
【００５７】
図１３を参照して、次に、透明絶縁基板１２側から太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）にレーザ光を走査してレーザ光を照射する。これにより、図１３（Ｂ）に示すように、半導体光電変換層１４および裏面電極層１５をストライプ状に除去し、透明電極層１３の頂面に達する分離溝２３を形成する。
【００５８】
図２および図３を参照して、次に、太陽電池セル３１の直列接続方向に直交する方向（図１中の矢印１０２に示す方向）の両端の裏面電極層１５の表面上に、太陽電池セル３１の直列接続方向（図１中の矢印１０１に示す方向）に延びる電流取り出し用の集電電極１１をそれぞれ形成する。
【００５９】
次に、裏面電極層１５の表面上に、たとえば、ＥＶＡシートを設置し、ＥＶＡシート上にＰＥＴ（ポリエステル）／Ａｌ（アルミニウム）／ＰＥＴの３層積層フィルムからなる保護フィルムを設置する。その後、これらを加熱圧着することによって、本実施の形態における薄膜太陽電池１０が完成する。
【００６０】
なお、裏面電極層１５上に図７に示す白色封止層４１が設けられている場合、白色封止層４１そのものがＥＶＡとして機能し、白色封止層４１上に保護フィルムが設けられてもよい。また、白色封止層４１として、白色ハイミランや白色シリコーンが用いられる場合、裏面電極層１５上に白色封止層４１のみが設けられてもよい。
【００６１】
以上に説明した、この発明の実施の形態における薄膜太陽電池１０の構造についてまとめて説明すると、本実施の形態における薄膜太陽電池１０は、所定方向（矢印１０１に示す方向）に並び、互いに直列に接続される複数の太陽電池セル３１からなる。薄膜太陽電池１０は、透明絶縁基板１２と、透明絶縁基板１２上に設けられる透明電極層１３と、透明電極層１３上に設けられる半導体光電変換層１４と、半導体光電変換層１４上に設けられる裏面電極層１５とを備える。互いに隣り合う太陽電池セル３１間には、少なくとも裏面電極層１５を分離し、所定方向に直交する方向（矢印１０２に示す方向）に延びる分離溝２３が形成される。裏面電極層１５は、所定方向（矢印１０１に示す方向）に相対的に小さく、所定方向に直交する方向（矢印１０２に示す方向）に相対的に大きい電気抵抗を有する。
【００６２】
このように構成された、この発明の実施の形態における薄膜太陽電池１０およびその製造方法によれば、裏面電極層１５の電気抵抗に異方性を持たせることによって、ホットスポットにおける発熱を効果的に抑えることができる。これにより、ホットスポット現象によるガラス割れ等の不具合の発生を防ぐことができる。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
この発明は、主に、薄膜太陽電池に利用される。
【符号の説明】
【００６５】
１０  薄膜太陽電池、１１  集電電極、１２  透明絶縁基板、１３  透明電極層、１４  半導体光電変換層、１５  裏面電極層、１６  高抵抗層、１７  低抵抗層、２１，２３，２４  分離溝、２２  コンタクトライン、３１  太陽電池セル、４１  白色封止層、１１１  ホットスポット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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