(57)【要約】【課題】より小型化することの可能な赤外線センサを得る。【解決手段】赤外線センサ１は、赤外線を受光するセンサチップ（センサ素子）５と、センサチップ（センサ素子）５の出力信号を処理するＩＣチップ（回路素子）６と、センサチップ５およびＩＣチップ６を収容するとともに、赤外線をセンサチップ５に入射させる光導入部３０が形成されたパッケージ２０と、を備える。そして、センサチップ５をＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層するとともに、センサチップの下面（一面側）５ｂに、赤外線の受光部５２と、ＩＣチップ６またはパッケージ２０にフリップチップ実装される接合バンプ（実装部）７と、を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤外線を受光するセンサ素子と、
前記センサ素子の出力信号を処理する回路素子と、
前記センサ素子および回路素子を収容するとともに、前記赤外線を前記センサ素子に入射させる光導入部が形成されたパッケージと、を備え、
前記センサ素子を前記回路素子の厚さ方向に積層するとともに、前記センサ素子の一面側に、前記赤外線の受光部と、前記回路素子または前記パッケージにフリップチップ実装される実装部と、を形成したことを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
前記受光部および実装部が、前記センサ素子の前記光導入部と面する側とは反対側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
【請求項３】
前記受光部および実装部が、前記センサ素子の前記光導入部と面する側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
【請求項４】
前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、
前記センサ素子が前記回路素子にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記基板にフリップチップ実装されることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項５】
前記回路素子の一面側に前記基板への実装部が形成されているとともに、前記回路素子の他面側に前記ケースが接合される接合部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の赤外線センサ。
【請求項６】
前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、
前記センサ素子が前記回路素子にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記ケースにフリップチップ実装されることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項７】
前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、
前記センサ素子が前記基板にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記基板にフリップチップ実装されることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項８】
前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、
前記センサ素子が前記ケースにフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記ケースにフリップチップ実装されることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項９】
前記回路素子の前記ケースへの実装部が、前記回路素子の前記光導入部と面する側に設けられていることを特徴とする請求項６または請求項８に記載の赤外線センサ。
【請求項１０】
前記回路素子が、前記センサ素子に対して前記光導入部側に配置されているとともに、前記回路素子には、前記赤外線を透過させる透過部が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項１１】
前記センサ素子および前記回路素子が矩形状に形成されており、平面視で何れか一方の素子の中心が他方の素子の中心に対して素子の対角方向に偏心して配置されていることを特徴とする請求項７〜１０のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【請求項１２】
前記センサ素子および前記回路素子が矩形状に形成されており、平面視で何れか一方素子の角部が他方の素子に対して重ならないように配置されていることを特徴とする請求項７〜１０のうち何れか１項に記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサは、赤外線を受光するセンサ素子と、センサ素子の出力信号を処理する回路素子と、センサ素子および回路素子を収容するとともに、赤外線をセンサ素子に入射させる光導入部が形成されたパッケージと、を備えている。そして、センサ素子と回路素子とをパッケージの基板上に並設するのが一般的であるが、センサ素子を回路素子の厚さ方向に積層することにより小型化を図るようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１０３７４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来技術にあっては、センサ素子と回路素子とを積層させたことでそれらの素子の長さ方向である幅方向にパッケージを小型化することはできるものの、素子の積層方向である高さ方向にパッケージを小型化（低背化）することはできなかった。
【０００５】
そこで、本発明は、より小型化することの可能な赤外線センサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は、赤外線を受光するセンサ素子と、前記センサ素子の出力信号を処理する回路素子と、前記センサ素子および回路素子を収容するとともに、前記赤外線を前記センサ素子に入射させる光導入部が形成されたパッケージと、を備え、前記センサ素子を前記回路素子の厚さ方向に積層するとともに、前記センサ素子の一面側に、前記赤外線の受光部と、前記回路素子または前記パッケージにフリップチップ実装される実装部と、を形成したことを要旨とする。
【０００７】
本発明の第２の特徴は、前記受光部および実装部が、前記センサ素子の前記光導入部と面する側とは反対側に形成されていることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第３の特徴は、前記受光部および実装部が、前記センサ素子の前記光導入部と面する側に形成されていることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第４の特徴は、前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、前記センサ素子が前記回路素子にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記基板にフリップチップ実装されることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第５の特徴は、前記回路素子の一面側に前記基板への実装部が形成されているとともに、前記回路素子の他面側に前記ケースが接合される接合部が設けられていることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第６の特徴は、前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、前記センサ素子が前記回路素子にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記ケースにフリップチップ実装されることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第７の特徴は、前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、前記センサ素子が前記基板にフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記基板にフリップチップ実装されることを要旨とする。
【００１３】
本発明の第８の特徴は、前記パッケージは、基板と前記基板に取り付けられるケースとから成り、前記センサ素子が前記ケースにフリップチップ実装されるとともに、前記回路素子が前記ケースにフリップチップ実装されることを要旨とする。
【００１４】
本発明の第９の特徴は、前記回路素子の前記ケースへの実装部が、前記回路素子の前記光導入部と面する側に設けられていることを要旨とする。
【００１５】
本発明の第１０の特徴は、前記回路素子が、前記センサ素子に対して前記光導入部側に配置されているとともに、前記回路素子には、前記赤外線を透過させる透過部が形成されていることを要旨とする。
【００１６】
本発明の第１１の特徴は、前記センサ素子および前記回路素子が矩形状に形成されており、平面視で何れか一方の素子の中心が他方の素子の中心に対して素子の対角方向に偏心して配置されていることを要旨とする。
【００１７】
本発明の第１２の特徴は、前記センサ素子および前記回路素子が矩形状に形成されており、平面視で何れか一方素子の角部が他方の素子に対して重ならないように配置されていることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、センサ素子を回路素子の厚さ方向に積層するとともに、センサ素子の一面側に、赤外線の受光部と、回路素子またはパッケージにフリップチップ実装される実装部と、を形成している。そのため、素子の積層方向である高さ方向にパッケージを小型化（低背化）することができるようになり、赤外線センサをより小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図４】本発明の第４実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図５】本発明の第５実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図６】本発明の第６実施形態にかかる赤外線センサの断面図である。
【図７】本発明の第７実施形態にかかる赤外線センサの要部を示した平面図である。
【図８】本発明の第８実施形態にかかる赤外線センサの要部を示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００２１】
［第１実施形態］
図１は、本発明にかかる赤外線センサの第１実施形態を示した図である。図１に示すように、本実施形態の赤外線センサ１は、赤外線を受光するセンサチップ（センサ素子）５と、センサチップ５の出力信号を信号処理するＩＣチップ（回路素子）６と、を備えている。また、赤外線センサ１は、センサチップ５およびＩＣチップ６を収容するとともに、赤外線をセンサチップ５に入射させる光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。
【００２２】
赤外線センサ１は、赤外線を受光して、例えば温度分布や熱源の有無などを検出するものである。本実施形態では、赤外線センサ１のセンサチップ５として焦電効果により赤外線を検知する焦電型赤外線センサを用いている。
【００２３】
具体的には、図１に示すように、本実施形態では、センサチップ５の下面（一面側）５ｂに２個の受光部５２が形成されたデュアルタイプの焦電型赤外線センサを用いている。このデュアルタイプの焦電型赤外線センサは、２個の受光部５２が逆極性で並列に接続されることで、２個の受光部５２に同時に入力される外部雑音（周囲環境の温度変化など）が打ち消されるように構成されたものである。このように、デュアルタイプの焦電型赤外線センサによれば、対象物体の赤外線が受光部５２へ入射されていない状態においても、周囲環境（使用環境）の温度変化などによって誤動作が発生するのを抑制することができる。
【００２４】
パッケージ２０は、本実施形態では、センサチップ５およびＩＣチップ６が実装される基板２と、基板２に接合されるケース３とから成る。
【００２５】
本実施形態では、センサチップ５およびＩＣチップ６は略矩形板状をしており、ＩＣチップ６が接合バンプ８を介して基板２の上面２ａにフリップチップ実装されている。一方、センサチップ５は、基板２の上面２ａにＩＣチップ６と並設して配置されるのではなく、ＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層して配置されるようになっている。
【００２６】
具体的には、図１に示すように、本実施形態では、センサチップ５が接合バンプ（実装部）７を介してＩＣチップ６の上面６ａにフリップチップ実装されており、ＩＣチップ６に設けられる図示せぬ貫通配線と電気的に接続されている。なお、接合バンプ７、８としては、Ａｕなどの導電性の金属材料を用いることができる。また、本実施形態では、センサチップ５の下面５ｂおよびＩＣチップ６の下面６ｂの四隅にそれぞれ接合バンプ７、８を設けるのが好適である。
【００２７】
この方法（フリップチップ実装）を用いると、接合バンプ７、８による機械的な接続と電気的な接続とを一度に行うことができるため、赤外線センサ１の生産性を高めることができるという利点がある。
【００２８】
また、本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ８の周囲には、応力緩衝部９が形成されている。この応力緩衝部９は、ＩＣチップ６の下面６ｂと基板２の上面２ａとの対向部分の隙間に溶融した状態のアンダーフィル剤を流し込み、そのアンダーフィル剤を硬化させることで形成されている。
【００２９】
このように、本実施形態では、接合バンプ８の周囲に応力緩衝部９を設けたので、接合バンプ８にかかる応力を抑制することができ、接合バンプ８による接合部分の強度が低下してしまうのを抑制することができる。
【００３０】
基板２は、略矩形の平板形状をなしている。そして、基板２の上面２ａや内層には図示せぬ配線（グランドパターンや電気回路配線）が形成されている。グランドパターンはベタグランドパターンであり、基板２内を通って図示せぬ外部端子によってグランドに接続されている。
【００３１】
ケース３は、矩形状の天壁３ａと周壁３ｂとによって底面部分が開放された直方体状に形成されている。そして、周壁３ｂの開放側端部３ｄが基板２に接合されることで、センサチップ５の周囲が密閉されシールドされる。
【００３２】
また、ケース３の天壁３ａには、測定しようとする対象物体の赤外線をセンサチップ５に入射させる開口部３ｃが形成されている。そして、開口部３ｃの上方には、開口部３ｃを覆うようにしてレンズ４が取り付けられている。すなわち、本実施形態では、上述した開口部３ｃとレンズ４とによって外部からの赤外線をセンサチップ（センサ素子）５に入射させる光導入部３０が構成されている。
【００３３】
なお、レンズ４は、センサチップ５の受光部５２との間に所定間隔をおいて天壁３ａに接合されており、開口部３ｃを通過する赤外線をセンサチップ５に結像させるようにしている。また、レンズ４は、センサチップ５と対向するようにセンサチップ５の上方に配置されている。
【００３４】
また、レンズ４は矩形状に形成されており、片面（下面）が平坦面、他面（上面）が凸面となる凸レンズとして形成されている。なお、レンズ４は、両面が凸面となるように形成されていてもよく、また、片面が凹面で他面がその凹面よりも曲率の大きな凸面で形成されていてもよい。すなわち、レンズ４はセンサチップ５に集光させる機能を有していればよい。また、凸面や凹面が放物面であってもよい。さらにまた、レンズ４をＧｅやポリエチレンなどで形成することも可能である。
【００３５】
ここで、本実施形態では、上述したように、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層されているとともに、センサチップ５の下面（一面側）５ｂに、赤外線の受光部５２と、接合バンプ（実装部）７とが形成されている。
【００３６】
すなわち、図１に示すように、本実施形態では、受光部５２および接合バンプ（実装部）７が、センサチップ５の光導入部３０と面する側（上面５ａ）とは反対側となる下面５ｂに形成されていることになる。
【００３７】
受光部５２は、本実施形態では、センサチップ５の下面（一面側）５ｂに形成された薄膜部５１に設けられており、薄膜部５１の上面と下面に設けられる図示せぬ一対の電極と、薄膜部５１の一対の電極で挟まれた部分とで構成されている。
【００３８】
センサチップ５には、薄膜部５１が形成されたことでセンサチップ５の上面５ａから薄膜部５１に至る開口部５０が形成されており、レンズ４に入射された赤外線はその開口部５０を通過してセンサチップ５の受光部５２に入射されることになる。
【００３９】
次に、本実施形態の赤外線センサ１の作用について説明する。
【００４０】
先ず、対象物体から放射される赤外線が開口部３ｃのレンズ４を介して赤外線センサ１内に入射され、センサチップ（センサ素子）５にて結像する。そして、センサチップ（センサ素子）５が入射した赤外線に応じた電圧を出力し、その出力信号をＩＣチップ（回路素子）６が処理することで、対象物体の温度が検知される。
【００４１】
以上、説明したように、本実施形態の赤外線センサ１によれば、センサチップ（センサ素子）５をＩＣチップ（回路素子）６の厚さ方向（上下方向）に積層している。そして、センサチップ（センサ素子）５の下面（一面側）５ｂに、赤外線の受光部５２と、ＩＣチップ（回路素子）６またはパッケージ２０にフリップチップ実装される接合バンプ（実装部）７と、を形成している。そのため、素子（センサチップ５およびＩＣチップ６）の積層方向である高さ方向（上下方向）にパッケージ２０を小型化（低背化）することができるようになり、赤外線センサ１をより小型化することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、受光部５２および接合バンプ（実装部）７が、センサチップ５の光導入部３０と面する側（上面５ａ）とは反対側となる下面５ｂに形成されている。そのため、受光部５２がセンサチップ５の光導入部３０と面する側（上面５ａ）に形成された場合と比べて、センサチップ５の厚さ分、パッケージ２０（ケース３）を低背化することができるようになる。その一方で、レンズ４からセンサチップ５の受光部５２までの距離は維持することができるため、従来と同じタイプ（形状）のレンズ４を用いることができ、コストを抑えることができる。すなわち、本実施形態によれば、レンズ４からセンサチップ５の受光部５２までの距離を不変としつつ、パッケージ２０（ケース３）を低背化することができるという利点がある。
【００４３】
さらに、本実施形態では、パッケージ２０が基板２と基板２に取り付けられるケース３とから成り、センサチップ５がＩＣチップ６にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６が基板２にフリップチップ実装されている。そのため、ワイヤーボンディングによって基板２とＩＣチップ６とが電気的に接続される構成と比べて配線距離を短くすることができるため、耐ノイズ性を高めることができる。
【００４４】
さらにまた、本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ８の周囲に応力緩衝部９を設けたので、接合バンプ８にかかる応力を抑制することができ、接合バンプ８による接合部分の強度が低下してしまうのを抑制することができる。そして、接合部分の強度が低下してしまうのを抑制することで、電気的接続抵抗が増加してしまうのを抑制でき、センサチップ５による測定精度の低下を抑えることができる。
【００４５】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態について図面を参照して説明する。図２は、本実施形態にかかる赤外線センサ１Ａを示した図である。
【００４６】
本実施形態の赤外線センサ１Ａは、上記第１実施形態の赤外線センサ１と略同様の構成を有している。
【００４７】
すなわち、図２に示すように、本実施形態の赤外線センサ１Ａは、センサチップ（センサ素子）５、ＩＣチップ（回路素子）６および光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。そして、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層されているとともに、センサチップ５の下面（一面側）５ｂに、赤外線の受光部５２と、接合バンプ（実装部）７とが形成されている。
【００４８】
ここで、本実施形態の赤外線センサ１Ａが上記第１実施形態と主に異なる点は、ＩＣチップ６の下面（一面側）６ｂに基板２への接合バンプ（実装部）１０が形成されているとともに、上面（他面側）６ａにケース３が接合される接合部６ｃが設けられたことにある。
【００４９】
つまり、本実施形態では、上記第１実施形態のように、ケース３が基板２に直接接合されて取り付けられるのではなく、ケース３がＩＣチップ６の接合バンプ（実装部）１０を介して基板２（図１参照）に取り付けられるようになっている。
【００５０】
本実施形態にあっても、センサチップ５が接合バンプ（実装部）７を介してＩＣチップ６の上面６ａにフリップチップ実装されており、ＩＣチップ６に設けられる図示せぬ貫通配線と電気的に接続されている。そして、ＩＣチップ６が接合バンプ（実装部）１０を介して基板２（図１参照）の上面２ａにフリップチップ実装されるようになっている。
【００５１】
ＩＣチップ６の接合部６ｃには、ケース３の周壁３ｂの開放側端部３ｄが接合され、これによりセンサチップ５の周囲が密閉されてシールドされる。
【００５２】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。すなわち、素子（センサチップ５およびＩＣチップ６）の積層方向である高さ方向（上下方向）にパッケージ２０を小型化（低背化）することができるようになり、赤外線センサ１Ａをより小型化することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、ＩＣチップ（回路素子）６の下面（一面側）６ｂに基板２への接合バンプ（実装部）１０が形成されているとともに、ＩＣチップ（回路素子）６の上面（他面側）６ａにケース３が接合される接合部６ｃが設けられている。そのため、ＩＣチップ（回路素子）６のサイズが実装面積となって基板２に対してケース３を幅方向（左右方向）に小型化（縮径）することができるため、赤外線センサ１Ａの更なる小型化が可能となる。
【００５４】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態について図面を参照して説明する。図３は、本実施形態にかかる赤外線センサ１Ｂを示した図である。
【００５５】
本実施形態の赤外線センサ１Ｂは、上記第１および第２実施形態の赤外線センサ１、１Ａと略同様の構成を有している。
【００５６】
すなわち、図３に示すように、本実施形態の赤外線センサ１Ｂは、センサチップ（センサ素子）５、ＩＣチップ（回路素子）６および光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。
【００５７】
ここで、本実施形態の赤外線センサ１Ｂが上記第１および第２実施形態と主に異なる点は、センサチップ５がＩＣチップ６にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６がケース３にフリップチップ実装されたことにある。
【００５８】
つまり、本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ（実装部）８が、ＩＣチップ６の光導入部３０と面する側の上面（他面側）６ａに設けられている。そして、その接合バンプ８が、ケース３の周壁３ｂから幅方向（左右方向）内側に向けて突設された内壁３ｅの下面３ｆにフリップチップ実装されている。
【００５９】
本実施形態にあっても、ＩＣチップ６の接合バンプ８の周囲には応力緩衝部９が形成されるようになっており、これにより接合バンプ８による接合部分の強度の低下を抑えるとともに、ＩＣチップ６の保護性を高めることができるようにしている。
【００６０】
また、本実施形態では、ケース３における周壁３ｂの開放側端部３ｄが、基板２に接合されるランド（実装面）となっている。
【００６１】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第１および第２実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００６２】
また、本実施形態では、センサチップ（センサ素子）５がＩＣチップ（回路素子）６にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ（回路素子）６がケース３にフリップチップ実装されている。そのため、ＩＣチップ６が基板２にフリップチップ実装される構成と比べて、ケース３を幅方向（左右方向）に小型化し易くすることができるという利点がある。
【００６３】
さらに、本実施形態では、ＩＣチップ６のケース３への接合バンプ（実装部）８が、ＩＣチップ６の光導入部３０と面する側の上面（他面側）６ａに設けられている。そのため、接合バンプ８がＩＣチップ６の側面に設けられる構成と比べて、ケース３ひいてはパッケージ２０を高さ方向（上下方向）に小型化（低背化）し易くすることができるという利点がある。
【００６４】
［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態について図面を参照して説明する。図４は、本実施形態にかかる赤外線センサ１Ｃを示した図である。
【００６５】
本実施形態の赤外線センサ１Ｃは、上記第１〜第３実施形態の赤外線センサ１、１Ａ、１Ｂと略同様の構成を有している。
【００６６】
すなわち、図４に示すように、本実施形態の赤外線センサ１Ｃは、センサチップ（センサ素子）５、ＩＣチップ（回路素子）６および光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。
【００６７】
ここで、本実施形態の赤外線センサ１Ｃが上記第１〜第３実施形態と主に異なる点は、センサチップ５が基板２にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６が同じく基板２にフリップチップ実装されたことにある。
【００６８】
本実施形態では、図４に示すように、断面視でＩＣチップ６に対してセンサチップ５がパッケージ２０の幅方向（左右方向）に長くなっている。そして、基板２には、ＩＣチップ６を収容する凹部２ｂが形成されており、センサチップ５の接合バンプ７が一段高い基板２の上面２ａにフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６の接合バンプ８が凹部２ｂの凹面２ｃにフリップチップ実装されている。
【００６９】
また、ＩＣチップ６の接合バンプ８の周囲には、応力緩衝部９が形成されている。
【００７０】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第１〜第３実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００７１】
また、本実施形態では、センサチップ（センサ素子）５が基板２にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ（回路素子）６が基板２にフリップチップ実装されている。このように、本実施形態では、基板２と素子（センサチップ５およびＩＣチップ）の導通を各素子毎に行うようにしたので、ＩＣチップ６に貫通配線を設ける必要がなくコストを抑えることができる。また、センサチップ５の接合バンプ７がＩＣチップ６にフリップチップ実装されなくなる分、ＩＣチップ６にかかる応力を低減することができる。
【００７２】
［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態について図面を参照して説明する。図５は、本実施形態にかかる赤外線センサ１Ｄを示した図である。
【００７３】
本実施形態の赤外線センサ１Ｄは、上記第１〜第４実施形態の赤外線センサ１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃと略同様の構成を有している。
【００７４】
すなわち、図５に示すように、本実施形態の赤外線センサ１Ｄは、センサチップ（センサ素子）５、ＩＣチップ（回路素子）６および光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。そして、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層されている。
【００７５】
ここで、本実施形態の赤外線センサ１Ｄが上記第１〜第３実施形態と主に異なる点は、赤外線の受光部５２および接合バンプ（実装部）７が、センサチップ５の光導入部３０と面する側の上面（他面側：一面側）５ａに形成されたことにある。
【００７６】
また、本実施形態では、センサチップ５がケース３にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６が同じくケース３にフリップチップ実装されている点も上記第１〜第３実施形態と異なっている。
【００７７】
本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ（実装部）８が、ＩＣチップ６の光導入部３０と面する側の上面（他面側）６ａに設けられている。そして、その接合バンプ８が、ケース３の周壁３ｂから幅方向（左右方向）内側に向けて突設された内壁３ｅの下面３ｆにフリップチップ実装されている。一方、センサチップ５の接合バンプ（実装部）７は、内壁３ｅからさらに幅方向（左右方向）内側に向けて突設された三角壁３ｇの下面３ｈにフリップチップ実装されている。
【００７８】
また、本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ８の周囲に応力緩衝部９が形成されている一方で、センサチップ５の接合バンプ７の周囲にも応力緩衝部１１が形成されている。
【００７９】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第１〜第４実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００８０】
また、本実施形態では、受光部５２および接合バンプ（実装部）７が、センサチップ５の光導入部３０と面する側の上面５ａに形成されている。そのため、レンズ４から受光部５２までの距離を近づけて配置するにつれてレンズ４のタイプ（形状）を変更する必要はあるものの、高さ方向（上下方向）にパッケージ２０を小型化（低背化）することができる。
【００８１】
また、本実施形態では、センサチップ５がケース３にフリップチップ実装されるとともに、ＩＣチップ６がケース３にフリップチップ実装されている。そのため、ＩＣチップ６が基板２にフリップチップ実装される構成と比べて、ケース３を幅方向（左右方向）に小型化し易くすることができるという利点がある。
【００８２】
さらに、本実施形態では、ＩＣチップ６のケース３への接合バンプ（実装部）８が、ＩＣチップ６の光導入部３０と面する側の上面（他面側）６ａに設けられている。そのため、接合バンプ８がＩＣチップ６の側面に設けられる構成と比べて、ケース３ひいてはパッケージ２０を高さ方向（上下方向）に小型化（低背化）し易くすることができるという利点がある。
【００８３】
また、本実施形態では、センサチップ５の接合バンプ（実装部）７が、レンズ４に向けて拡開する傾斜面を有した三角壁３ｇの下面３ｈにフリップチップ実装されている。そのため、ケース３の壁（三角壁３ｇ）によって赤外線が入射される受光部５２の視野角が狭められるのを抑制することができる。
【００８４】
［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態について図面を参照して説明する。図６は、本実施形態にかかる赤外線センサ１Ｅを示した図である。
【００８５】
本実施形態の赤外線センサ１Ｅは、上記第５実施形態の赤外線センサ１Ｄと略同様の構成を有している。
【００８６】
すなわち、図６に示すように、本実施形態の赤外線センサ１Ｅは、センサチップ（センサ素子）５、ＩＣチップ（回路素子）６および光導入部３０が形成されたパッケージ２０を備えている。そして、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（上下方向）に積層されているとともに、センサチップ５の上面５ａに、赤外線の受光部５２と、接合バンプ（実装部）７とが形成されている。
【００８７】
ここで、本実施形態の赤外線センサ１Ｅが上記第５実施形態と主に異なる点は、ＩＣチップ６が、センサチップ５に対して光導入部３０側に配置されているとともに、ＩＣチップ６には、赤外線を透過させる透過部６０が形成されたことにある。
【００８８】
透過部６０は、例えばＩＣチップ６の一部を赤外線が透過する材料で形成したり、開口部を設けたりすることで形成することができる。
【００８９】
本実施形態では、ＩＣチップ６の接合バンプ（実装部）８が、ケース３の三角壁３ｇの下面３ｈにフリップチップ実装されている。一方、センサチップ５の接合バンプ（実装部）７は、ケース３の内壁３ｅの下面３ｆにフリップチップ実装されている。
【００９０】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第１〜第５実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００９１】
また、本実施形態では、ＩＣチップ６が、センサチップ５に対して光導入部３０側に配置されているとともに、ＩＣチップ６には、赤外線を透過させる透過部６０が形成されている。そのため、上記第１実施形態と同様に、レンズ４とセンサチップ５の受光部５２との間の距離を維持しつつ、高さ方向（上下方向）にパッケージ２０を小型化（低背化）することができるという利点がある。
【００９２】
［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態について図面を参照して説明する。図７は、本実施形態にかかる赤外線センサの要部を示した平面図である。
【００９３】
本実施形態の赤外線センサは、上記第４〜第６実施形態の赤外線センサ１Ｃ、１Ｄ、１Ｅと略同様の構成を有している。
【００９４】
すなわち、本実施形態の赤外線センサは、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（高さ方向）に積層されているとともに、基板２と素子（センサチップ５およびＩＣチップ６）の導通を各素子毎に行うようにしている。そして、センサチップ５およびＩＣチップ６は、平面視で正方形状（矩形状）に形成され略同じ大きさとなっている。
【００９５】
ここで、本実施形態の赤外線センサが上記第４〜第６実施形態と主に異なる点は、平面視でセンサチップ（一方の素子）５の中心ａがＩＣチップ（他方の素子）６の中心ｂに対して素子の対角方向ｃに偏心して配置されたことにある。
【００９６】
このように、本実施形態では、センサチップ５をＩＣチップ６に対して対角方向ｃにずらして配置することで、センサチップ５の角部に設けられる３つの接合バンプ７がＩＣチップ６に対して重ならないようにしたものである。
【００９７】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第４〜第６実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００９８】
また、本実施形態では、平面視でセンサチップ（一方の素子）５の中心ａがＩＣチップ（他方の素子）６の中心ｂに対して素子の対角方向ｃに偏心して配置されている。そのため、基板２と素子（センサチップ５およびＩＣチップ）の導通を各素子毎に行うようにして、ＩＣチップ６にかかる応力の低減やコストを抑えることができつつ、パッケージ２０が幅方向（左右方向）に大型化してしまうのを抑制することができる。
【００９９】
［第８実施形態］
次に、本発明の第８実施形態について図面を参照して説明する。図８は、本実施形態にかかる赤外線センサの要部を示した平面図である。
【０１００】
本実施形態の赤外線センサは、上記第４〜第７実施形態の赤外線センサ１Ｃ、１Ｄ、１Ｅと略同様の構成を有している。
【０１０１】
すなわち、本実施形態の赤外線センサは、センサチップ５がＩＣチップ６の厚さ方向（高さ方向）に積層されているとともに、基板２と素子（センサチップ５およびＩＣチップ６）の導通を各素子毎に行うようにしている。そして、センサチップ５およびＩＣチップ６は、平面視で正方形状（矩形状）に形成され略同じ大きさとなっている。
【０１０２】
ここで、本実施形態の赤外線センサが上記第７実施形態と主に異なる点は、平面視でセンサチップ（一方の素子）５の角部ｄがＩＣチップ（他方の素子）６対して重ならないように配置されていることにある。
【０１０３】
このように、本実施形態では、センサチップ５をＩＣチップ６に対して回転させることで、センサチップ５の角部ｄに設けられる４つの接合バンプ７がＩＣチップ６に対して重ならないようにしたものである。
【０１０４】
以上の構成の本実施形態にあっても、上記第４〜第７実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【０１０５】
また、本実施形態では、平面視でセンサチップ（一方の素子）５の角部ｄがＩＣチップ（他方の素子）６対して重ならないように配置されている。そのため、基板２と素子（センサチップ５およびＩＣチップ）の導通を各素子毎に行うようにして、ＩＣチップ６にかかる応力の低減やコストを抑えることができつつ、パッケージ２０が幅方向（左右方向）に大型化してしまうのを抑制することができる。
【０１０６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【０１０７】
例えば、上記実施形態では、センサチップ５として焦電型の赤外線センサを用いるようにしたが、焦電型に限らず、サーモパイル型の赤外線センサなど他の赤外線センサを用いることも可能である。
【０１０８】
また、基板２やケース３、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１    赤外線センサ
２    基板
３    ケース
３ｃ  開口部
４    レンズ
５    センサチップ（センサ素子）
５ｂ  下面（一面側）
６    ＩＣチップ（回路素子）
７    接合バンプ（実装部）
２０  パッケージ
３０  光導入部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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