(57)【要約】【課題】信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とに生じる寄生容量を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、薄膜トランジスタのチャネル領域Ｎｔｆｔが１つのシングルゲートトランジスタである。そして、薄膜トランジスタの半導体層は、基板の表面に垂直な方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置され、チャネル領域Ｎｔｆｔは、屈曲することで、コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが信号線２５と重なり合う位置にあり、コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。【選択図】図４
2014149322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第２コンタクト部で接続され信号線となる複数の第２金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が１つのシングルゲートトランジスタであって、
前記半導体層が前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置され、
前記チャネル領域が屈曲することで、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にあり、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にない、液晶表示パネル。
【請求項２】
前記チャネル領域の一部は、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する位置にある、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部をさらに備え、
前記延設部の一部は、前記第２金属配線と重なり合い、かつ前記延設部における前記第２金属配線と重なり合わない縁部が前記第１方向と異なる、請求項１又は２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合うとともに、前記第２金属配線から前記第１コンタクト部寄りにはみ出す幅を有している、請求項３に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第１チャネル端ラインと、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第２チャネル端ラインとは、非平行である、請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記第１チャネル端ラインと、前記第２チャネル端ラインとがなす角度は、９０度を含まない、請求項５に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記延設部は、前記走査線と同電位である、請求項３から６のいずれか１項に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルを有する電子機器であって、
前記液晶表示パネルの前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第２コンタクト部で接続され信号線となる複数の第２金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が１つのシングルゲートトランジスタであって、
前記半導体層が前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置され、
前記チャネル領域が屈曲することで、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にあり、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にない、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶を備える液晶表示パネルに関する。また、本開示は、液晶を備える液晶表示パネルを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や電子ペーパーなどのモバイル機器向けの表示装置の需要が高くなっている。このような表示装置は、画素がマトリクス状に配置されている表示エリア部と、表示エリア部の各画素を行単位で選択する垂直駆動回路と、垂直駆動回路によって選択された行の各画素に対して画像信号を供給する水平駆動回路とを備えている。
【０００３】
表示装置は、垂直駆動回路や水平駆動回路と接続する配線が表示エリア部に配置されている。表示装置は、これらの配線と画素との間に作用する寄生容量が生じる。表示エリア部の高精細化が進むと画素の面積が小さくなり、配線と画素との間に作用する寄生容量が大きくなる。
【０００４】
また、特許文献１に記載の技術では、透明基板上に、薄膜トランジスタに接続され、列又は行方向に直線状に連続する所定数を１ピッチとする画素電極が、相隣接する列又は行で半ピッチずれて配置される液晶表示素子において、薄膜トランジスタに接続されるドレインラインとゲートラインとの一方が、所定列又は行内の隣接する画素電極間に、行又は列方向に沿った直線部と、相隣接する直線部を斜めに結ぶ斜め直線部とを有し、薄膜トランジスタのチャネル長方向が列又は行方向と異なる液晶表示素子が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−０２２０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、デルタ配列に関わらず、信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とが多重に発生する可能性があり、寄生容量が大きい。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信号線と走査線との交差した部分における容量と、トランジスタのチャネルにおける容量とに生じる寄生容量を抑制する液晶表示パネル及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示による液晶表示パネルは、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、前記第１基板は、マトリクス状に配置された複数の画素電極と、前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第２コンタクト部で接続され信号線となる複数の第２金属配線と、を含み、前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が１つのシングルゲートトランジスタであって、前記半導体層が前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置され、前記チャネル領域が屈曲することで、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にあり、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にない。
【０００９】
本開示の電子機器は、上記液晶表示パネルを備えるものである。
【発明の効果】
【００１０】
本開示による液晶表示パネル及び電子機器によれば、寄生容量を抑制液晶表示パネル及び電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルの構成の一例を表す説明図である。
【図２】図２は、図１の液晶表示パネルのシステム構成例を表すブロック図である。
【図３】図３は、画素を駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。
【図４】図４は、実施形態１に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図５】図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図６は、薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面の模式図である。
【図８】図８は、実施形態１の第１変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図９】図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線断面の要部を示す模式図である。
【図１０】図１０は、実施形態１の第２変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１１】図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線断面の要部を示す模式図である。
【図１２】図１２は、本実施形態の第３変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１３】図１３は、本実施形態の第４変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面の要部を示す模式図である。
【図１５】図１５は、本実施形態の第５変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図１６】図１６は、評価例の評価結果を説明するための説明図である。
【図１７】図１７は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図１９】図１９は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２１】図２１は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２２】図２２は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２３】図２３は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２４】図２４は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２５】図２５は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２６】図２６は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２７】図２７は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２８】図２８は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２９】図２９は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、説明は以下の順序で行う。
１．本実施形態（液晶表示パネル）
２．評価例
３．適用例（電子機器）
上記実施形態に係る液晶表示パネルが電子機器に適用されている例
４．本開示の構成
【００１３】
＜１．実施形態（液晶表示パネル）＞
図１は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルの構成の一例を表す説明図である。図２は、図１の液晶表示パネルのシステム構成例を表すブロック図である。図１は模式的に表したものであり、実際の寸法、形状と同一とは限らない。なお、表示装置１が本開示の「液晶表示パネル」の一具体例に相当する。
【００１４】
表示装置１は、透過型、又は半透過型の表示装置であり、液晶表示パネル２と、ドライバＩＣ３と、バックライト６と、を備えている。表示装置１は、バックライト６を備えない、反射型の表示装置であってもよい。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ（Flexible  Printed  Circuits））は、ドライバＩＣ３への外部信号又はドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。液晶表示パネル２は、透明絶縁基板、例えばガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１と、水平ドライバ（水平駆動回路）２３と、垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２Ａ、２２Ｂと、を備えている。垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２Ａ、２２Ｂは、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂとして、表示エリア部２１を挟むように配置されている。ガラス基板１１は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第１基板と、この第１の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第２基板とを含む。そして、ガラス基板１１は、第１基板、第２基板の間に液晶が封入される液晶層を有する。
【００１５】
液晶表示パネル２の額縁１１ｇｒ、１１ｇｌは、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１がない、非表示領域である。垂直ドライバ２２Ａ、２２Ｂは、額縁１１ｇｒ、１１ｇｌに配置されている。
【００１６】
バックライト６は、液晶表示パネル２の裏面側（画像を表示する面とは反対側の面）に配置されている。バックライト６は、液晶表示パネル２に向けて光を照射し、表示エリア部２１の全面に光を入射させる。バックライト６は、例えば光源と、光源から出力された光を導いて、液晶表示パネル２の裏面に向けて出射させる導光版と、を含む。
【００１７】
（表示装置のシステム構成例）
液晶表示パネル２は、ガラス基板１１上に、表示エリア部２１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバＩＣ３と、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３とを備えている。
【００１８】
表示エリア部２１は、液晶層を含む画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがｍ行×ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるｎ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行が配列される方向と直交する方向に配列されるｍ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ｍとｎとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部２１は、画素Ｖｐｉｘのｍ行ｎ列の配列に対して行毎に走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍが配線され、列毎に信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎが配線されている。以後、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍを代表して走査線２４又は走査線２４ｍのように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎを代表して信号線２５又は信号線２５ｎのように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４ｍを代表して走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・のように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５ｎを代表して信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３・・・のように表記することもある。表示エリア部２１は、正面に直交する方向から見た場合、走査線２４と信号線２５がカラーフィルタのブラックマトリクスと重なる領域に配置されている。また、表示エリア部２１は、ブラックマトリクスが配置されていない領域が開口部となる。
【００１９】
液晶表示パネル２には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換（昇圧）し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂ及び水平ドライバ２３に与える。ドライバＩＣ３は、画素Ｖｐｉｘ毎の画素電極に対して各画素共通に与えるコモン電位（対向電極電位）Ｖｃｏｍを生成して表示エリア部２１に与える。
【００２０】
第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、後述するシフトレジスタを含み、さらにラッチ回路等を含む。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路が、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、ラッチ回路においてラッチされた１ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部２１の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・に与えることによって画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の延在方向に走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・を挟むように配置されている。第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、例えば、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向から、表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３・・・の表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向から、表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。
【００２１】
水平ドライバ２３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のデジタル映像データＶｓｉｇが与えられる。水平ドライバ２３は、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂによる垂直走査によって選択された行の各画素Ｖｐｉｘに対して、画素毎に、もしくは複数画素毎に、あるいは全画素一斉に、信号線２５を介して表示データを書き込む。
【００２２】
（液晶表示パネルの駆動方式）
図３は、画素を駆動する駆動回路の一例を示す回路図である。表示エリア部２１には、図３に示す各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３、各薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３等の配線が形成されている。このように、信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３は、上述したガラス基板１１の表面と平行な平面に延在し、画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Ｖｐｉｘは、薄膜トランジスタＴｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。薄膜トランジスタＴｒは、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。薄膜トランジスタＴｒのソース及びドレインのうち一方は信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３に接続され、ゲートは走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３に接続され、ソース及びドレインのうち他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端が薄膜トランジスタＴｒに接続され、他端が共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍに接続されている。
【００２３】
画素Ｖｐｉｘは、走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３により、表示エリア部２１の同じ行に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３のうち奇数の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋３は、第１垂直ドライバ２２Ａと接続され、第１垂直ドライバ２２Ａから後述する走査信号の垂直走査パルスＶｇａｔｅが供給される。走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３のうち偶数の走査線２４ｍ＋２、２４ｍ＋４は、第２垂直ドライバ２２Ｂと接続され、第２垂直ドライバ２２Ｂから、後述する走査信号の垂直走査パルスＶｇａｔｅが供給される。このように、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、走査方向の走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３に交互に垂直走査パルスＶｇａｔｅを印加する。また、画素Ｖｐｉｘは、信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３により、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３は、水平ドライバ２３と接続され、水平ドライバ２３より画素信号が供給される。共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍは、不図示の駆動電極ドライバと接続され、駆動電極ドライバより電圧が供給される。さらに、画素Ｖｐｉｘは、共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍにより、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。
【００２４】
図１及び図２に示す第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂは、垂直走査パルスＶｇａｔｅを、図３に示す走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３を介して、画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタＴｒのゲートに印加することにより、表示エリア部２１にマトリクス状に形成されている画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図１及び図２に示す水平ドライバ２３は、画素信号を、図３に示す信号線２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、２５ｎ＋３を介して、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂにより順次選択される１水平ラインを含む各画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。
【００２５】
上述したように、表示装置１は、第１垂直ドライバ２２Ａ、第２垂直ドライバ２２Ｂが走査線２４ｍ＋１、２４ｍ＋２、２４ｍ＋３を順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する画素Ｖｐｉｘに対して、水平ドライバ２３が画素信号を供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバは、その１水平ラインに対応する共通電極ＣＯＭＬのコモン電位Ｖｃｏｍを印加するようになっている。
【００２６】
表示装置１は、液晶素子ＬＣに同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化する可能性がある。表示装置１は、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を防ぐため、駆動信号のコモン電位Ｖｃｏｍを基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。
【００２７】
この液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転、ライン反転、ドット反転、フレーム反転などの駆動方式が知られている。カラム反転は、１カラム（１画素列）に相当する１Ｖ（Ｖは垂直期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ライン反転は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。
【００２８】
次に、表示エリア部２１の構成を詳細に説明する。図４は、本実施形態に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線断面図の模式図である。表示エリア部２１は、図５に示すように、画素基板７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａは、液晶層７０Ｃとは反対側の面に、バックライト６が配置されている。
【００２９】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、ＦＦＳ（フリンジフィールドスイッチング）又はＩＰＳ（インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。液晶層７０Ｃは、例えば、ＴＮ（Twisted  Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical  Alignment：垂直配向）、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence：電界制御複屈折）等の各種モードの液晶であってもよい。なお、図５に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００３０】
対向基板７０Ｂは、ガラス基板７５と、このガラス基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６を含む。カラーフィルタ７６は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。カラーフィルタ７６は、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を周期的に配列して、図３に示す各画素ＶｐｉｘにＲ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として画素Ｐｉｘとして対応付けられている。カラーフィルタ７６は、ＴＦＴ基板７１と垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。なお、カラーフィルタ７６は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ７６は、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。なお、ブラックマトリクス７６ａが図３に示す画素Ｖｐｉｘの外周を覆うように形成されていてもよい。このブラックマトリクス７６ａは、二次元配置された画素Ｖｐｉｘと画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクス７６ａは、光の吸収率が高い材料で形成される。
【００３１】
画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透明導電材料（透明導電酸化物）で形成される透明電極である。
【００３２】
ＴＦＴ基板７１には、上述した各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタＴｒが形成された半導体層９２、各画素電極７２に画素信号を供給する信号線２５、薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線２４等の配線が絶縁層７４を介して積層されている。絶縁層７４は、例えば、走査線２４と半導体層９２との間の絶縁膜７４１と、半導体層９２と信号線２５との間の絶縁膜７４２と、信号線２５と共通電極ＣＯＭＬとの間の絶縁膜７４３と、共通電極ＣＯＭＬと画素電極７２との間の絶縁膜７４４とが積層されている。絶縁膜７４１、７４２、７４３、７４４は、同じ絶縁材料であってもよく、いずれかが異なる絶縁材料であってもよい。例えば、絶縁膜７４３は、ポリイミド樹脂などの有機系絶縁材料で形成されており、他の絶縁膜（絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４４）は、ＳｉＮ、ＳｉＯ２等の無機系絶縁材料で形成されている。
【００３３】
信号線２５は、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面に延在し、画素に画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層９２は、例えば、低温ポリシリコン、アモルファスシリコンなどで形成されている。半導体層９２は、一部が信号線２５と接し、他の一部が信号線２５と同一の層に形成された台座配線９０と接している。本開示において、走査線２４は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）等の金属の配線である第１金属配線であり、信号線２５は、アルミニウム等の金属の配線である第２金属配線であり、台座配線９０は、アルミニウム等の金属の配線である第３金属配線である。絶縁層７４は、走査線２４と、第２金属配線と、半導体層９２とを、配線が接触する部分である第２コンタクト部２５ａ、第１コンタクト部９０ａ（コンタクトホール）を除いて絶縁する。
【００３４】
半導体層９２と、信号線２５と、走査線２４とは、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向（Ｚ方向）の異なる層に形成されている。信号線２５と、台座配線９０とは、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向（Ｚ方向）の同じ層に形成されている。走査線２４は、半導体層９２の一部と立体交差して、薄膜トランジスタＴｒのゲートとして作用する。本開示において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲している。この構造により、チャネルＮｔｆｔの一部は、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置にあり、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネル２は、クロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
【００３５】
近年、表示装置は、高精細化が要望されている。表示装置は、高精細化すると、画素が増加するため、配線が増加し、配線を配置するためのスペースが増える。このため、液晶表示パネル上における配線の占有率が増え、光を透過する範囲である開口の割合、つまり開口率が小さくなっていく。表示装置は、開口率が小さくなると、光源から出射される光の量に対して、液晶表示パネルを通過できる光の量が少なくなる。本実施形態の液晶表示パネルは、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差したチャネルＮｔｆｔと、信号線２５と走査線２４とが立体交差している領域が重なり合うことにより、遮光する領域が少なくなり、開口率が向上する。
【００３６】
信号線２５に接続される第２コンタクト部２５ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極となっている。また、半導体層９２の第１コンタクト部９０ａは、台座配線９０を介して画素電極７２と接続されている。台座配線９０に接続される第１コンタクト部９０ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのソース電極になっている。例えば、第２コンタクト部２５ａが、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのソース電極となっている場合、第１コンタクト部９０ａは、半導体層９２における、例えば、薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極になっている。図３に示すように、走査線２４は、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのゲートになる。
【００３７】
ここで、上述したように、走査線２４と信号線２５とは、線状の金属配線であり、互いに略直交する向きで立体交差するように配置されている。図４に示すように、台座配線９０は、Ｚ方向において、走査線２４に沿った第１方向（Ｘ方向）と信号線２５に沿った第２方向（Ｙ方向）とに囲まれる領域の縁部に配置されている。
【００３８】
図５に示す、本実施形態に係る表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１、走査線２４、半導体層９２、信号線２５、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。本実施形態に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。走査線２４の延設部２４Ａは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部２４Ａは、走査線２４の導電性の金属の一部がＹ方向に延びる。このため、延設部２４Ａは、走査線２４と電気的に接続されて、走査線２４と同じ電位になっている。これにより、延設部２４Ａは、電界遮蔽と薄膜トランジスタＴｒのゲート電極とを兼ねることができる。延設部２４Ａは、信号線２５と重なり合い、かつ第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳと重なり合う面積を有している。そして、延設部２４Ａは、一部が信号線２５と重なり合う。信号線２５と重なり合わない延設部２４Ａの一部の縁部の境界線２４ａが、Ｘ方向及びＹ方向と異なる方向に延びている。また、上述したように半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲している。半導体層９２は、屈曲後に第１コンタクト部９０ａに向かって延在する。半導体層９２は、屈曲後に第１コンタクト部９０ａに向かって延在する半導体層９２の延在方向と、延設部２４Ａの一部の縁部の線２４ａを含むＺ方向に平行な平面とのなす角度が約９０度になるように屈曲している。このため、チャネル領域端部ＰＳの線分長さが最小となる。その結果、半導体層９２に生じるリーク電流の可能性が抑制される。ここで約９０度とは、８５度以上９５度以下の製造誤差を含む。
【００３９】
図４に示すように、Ｚ方向において台座配線９０と信号線２５との間には、隙間Ｓｐがある。そして、隙間Ｓｐは、台座配線９０のＸ方向両側にある。図４に示す、隣り合う信号線２５の間で台座配線９０のない領域は、開口領域Ｏｐである。仮に、長さ２４ｙが走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超える場合、延設部２４Ａが開口領域Ｏｐに重なり合う。このため、延設部２４Ａが開口領域Ｏｐを遮光することになり、延設部２４Ａが開口率を低下させる可能性がある。本実施形態に係る延設部２４Ａは、走査線２４から突出する長さ２４ｙが、走査線２４よりも遠い側の台座配線９０の端部９０ｔを超えない長さである。これにより、本実施形態に係る延設部２４Ａは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることができる。また、延設部２４Ａは、Ｚ方向において信号線２５と重なり合うとともに隙間Ｓｐにはみ出す幅２４ｘを有している。つまり、信号線２５のＸ方向の幅２５ｘよりも、延設部２４ＡのＸ方向の幅２４ｘが広い。このように、延設部２４Ａは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合う。本実施形態に係る延設部２４Ａは、Ｚ方向において開口領域Ｏｐに重なり合うことを避けることで、開口率の低下を抑制することができる。このように、延設部２４Ａは、Ｚ方向において隙間Ｓｐに一部が重なり合うが、開口領域Ｏｐに重なり合わない。
【００４０】
本実施形態の延設部２４Ａは、台座配線９０及び信号線２５の２つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。このため、本実施形態に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さく（以下、狭ピッチ対応ともいう。）し、高精細にすることができる。
【００４１】
図４及び図５に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、屈曲することで、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にある。また、図４及び図５に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。これにより、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向において、チャネル領域端部ＰＤの縁を延長した仮想線、第２チャネル端ラインＰＤＬと、チャネル領域端部ＰＳの縁を延長した仮想線、第１チャネル端ラインＰＳＬと、が平行でない位置関係になる。つまり、第１チャネル端ラインＰＳＬと、第２チャネル端ラインＰＤＬとがなす角は角度θを有し、非平行である。薄膜トランジスタＴｒは、シングルゲートトランジスタであり、かつボトムゲート構造の場合、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳは、同一の電位である信号線２５に覆われてしまうと、ゲート電圧を制御してチャネル領域Ｎｔｆｔを非導通状態にしても、半導体層９２の裏面側を通ってチャネル領域Ｎｔｆｔにリーク電流が流れてしまうという、バックチャネルリークと呼ばれる現象が生じる可能性がある。本実施形態のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち一方は、信号線２５に覆われるが、他方は、信号線２５に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
【００４２】
低温ポリシリコンで形成した半導体層９２は、アモルファスシリコンでも形成された半導体層９２と比較して、オン抵抗が十分小さく、オフ時のリーク電流を抑制することが好ましい。このため、低温ポリシリコンで形成した半導体層９２は、アモルファスシリコンでも形成された半導体層９２と比較して、チャネル領域端部ＰＳ及びチャネル領域端部ＰＤの線分長さを小さくできる。例えば、アモルファスシリコンで形成した半導体層９２は、チャネル領域端部ＰＳ及びチャネル領域端部ＰＤの線分長さが大きいと、第１チャネル端ラインＰＳＬと、第２チャネル端ラインＰＤＬとが平行にした方が製造しやすい。逆に、低温ポリシリコンで形成した半導体層９２は、アモルファスシリコンで形成した半導体層９２と比較して、第１チャネル端ラインＰＳＬと、第２チャネル端ラインＰＤＬとが非平行になるようにすることが容易である。
【００４３】
図６は、薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面を示す模式図である。図６に示す表示エリア部２１は、本実施形態に係る表示エリア部２１のような延設部２４Ａを備えていない。また、図６に示す走査線２４は、半導体層９２の一部と立体交差して、薄膜トランジスタＴｒのゲートとして作用する。図６及び図７に示すように、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は２カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルである第１のチャネルＮｔｆｔ１と、ｎチャネルである第２のチャネルＮｔｆｔ２とを備えるダブルゲートトランジスタである。また、半導体層９２は、Ｙ方向に平行に延びる２本の細線の端部を半導体層９２自体が屈曲して一体に形成されている。そして、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２とが平行かつＹ方向に延在して、直列に接続されている。薄膜トランジスタＴｒは、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２との間の半導体層９２が開口率を低下させる可能性がある。本実施形態に係る表示エリア部２１は、シングルゲートであるので、第１のチャネルＮｔｆｔ１と、第２のチャネルＮｔｆｔ２との間の半導体層９２が不要である。本実施形態に係る表示エリア部２１は、図４に示す表示エリア２１よりも開口率を高めることができる。
【００４４】
（本実施形態の第１変形例）
図８は、本実施形態の第１変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図９は、図８のＩＸ−ＩＸ線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００４５】
本実施形態の第１変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第１変形例において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲している。これにより、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向において、チャネル領域端部ＰＤの縁を示す第２チャネル端ラインＰＤＬと、チャネル領域端部ＰＳの縁を示す第１チャネル端ラインＰＳＬと、が平行でない位置関係になる。この構造により、チャネルＮｔｆｔの一部は、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置にあり、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
【００４６】
図８に示すように、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向において、チャネル領域端部ＰＤの縁を延長した仮想線、第２チャネル端ラインＰＤＬと、チャネル領域端部ＰＳの縁を延長した仮想線、第１チャネル端ラインＰＳＬとがなす角θは、約９０度である。ここで約９０度とは、８５度以上９５度以下の製造誤差を含む。このように、チャネル領域端部ＰＤの縁と、チャネル領域端部ＰＳの縁とが非平行である。図４に示す表示エリア部２１と、図８に示す表示エリア部２１とを比較する場合、上述した図４に示す表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆに垂直な方向において、チャネル領域端部ＰＤの縁を示す第２チャネル端ラインＰＤＬと、チャネル領域端部ＰＳの縁を示す第１チャネル端ラインＰＳＬとがなす角度θは、約９０度を含まない。このため、図４に示す半導体層９２の長さは、図８に示す半導体層９２の長さより短くなり、チャネル領域Ｎｔｆｔの容量が小さくなることから、寄生容量を低減することができる。
【００４７】
図９に示す、本実施形態の第１変形例に係る表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１、走査線２４、半導体層９２、信号線２５、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。走査線２４の延設部２４Ｂは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部２４Ｂは、走査線２４の導電性の金属の一部がＹ方向に延びる。このため、延設部２４Ｂは、走査線２４と電気的に接続されて、走査線２４と同じ電位になっている。これにより、延設部２４Ｂは、電界遮蔽と薄膜トランジスタＴｒのゲート電極とを兼ねることができる。
【００４８】
本実施形態の延設部２４Ｂは、台座配線９０及び信号線２５の２つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。このため、本実施形態に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さく（以下、狭ピッチ対応ともいう。）し、高精細にすることができる。
【００４９】
図８及び図９に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、屈曲することで、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にある。また、図８及び図９に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。本実施形態の第１変形例のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち一方は、信号線２５に覆われるが、他方は、信号線２５に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
【００５０】
（本実施形態の第２変形例）
図１０は、本実施形態の第２変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００５１】
本実施形態の第２変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第２変形例において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。
【００５２】
図１０に示す、本実施形態の第２変形例に係る表示エリア部２１は、ＴＦＴ基板７１、走査線２４、半導体層９２、信号線２５、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。走査線２４の延設部２４Ｃは、走査線２４がＸ方向に延在する、ＴＦＴ基板７１の表面７１ｆと平行な平面と同じ平面に設けられている金属の配線である。延設部２４Ｃは、走査線２４の導電性の金属の一部がＹ方向に延びる。このため、延設部２４Ｃは、走査線２４と電気的に接続されて、走査線２４と同じ電位になっている。これにより、延設部２４Ｃは、電界遮蔽と薄膜トランジスタＴｒのゲート電極とを兼ねることができる。また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲しているが、チャネルＮｔｆｔが、延設部２４Ｃにのみあり、信号線２５と重なる範囲に存在しない。この構造により、チャネルＮｔｆｔは、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置になく、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量Ｃｑと、チャネルＮｔｆｔの容量とが異なる領域で作用する。
【００５３】
本実施形態の延設部２４Ｃは、台座配線９０及び信号線２５の２つの間隔のうち一方に必要であるが、他方に必要はない。しかしながら、本実施形態に係る表示エリア部２１は、チャネル領域ＮｔｆｔがＸ方向に伸びる配置である。このため、チャネル領域ＮｔｆｔがＸ方向の長さを決定する、半導体層９２、走査線２４の延設部２４Ｃ、信号線２５及び台座配線９０の製造プロセス上の製造誤差が重畳する。これにより、半導体層９２、走査線２４の延設部２４Ｃ、信号線２５及び台座配線９０の配置マージンを大きくとっておく必要があるので信号線２５間を狭くする間隔に制約がある。その結果、本実施形態の第２変形例に係る表示エリア部２１は、狭ピッチ対応に制約がある。
【００５４】
図１０及び図１１に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にない。また、図１０及び図１１に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。本実施形態の第２変形例のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち両方が信号線２５に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
【００５５】
（本実施形態の第３変形例）
図１２は、本実施形態の第３変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図１２に示すＸＩ−ＸＩ線断面の模式図は、図１１に示す線断面の模式図と同様となる。
【００５６】
本実施形態の第３変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第３変形例において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。
【００５７】
本実施形態の第３変形例に係る表示エリア部２１は、上述した延設部２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃがない。このため、本実施形態に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さく（以下、狭ピッチ対応ともいう。）し、高精細にすることができる。
【００５８】
また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲からはずれ、開口領域ＯｐにおいてＸ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中でＹ方向に屈曲している。この構造により、半導体層９２が、開口率を低下させる要因となる可能性がある。また、チャネルＮｔｆｔの一部は、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置になく、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量Ｃｑと、チャネルＮｔｆｔの容量とが異なる領域で作用する。
【００５９】
図１２に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にない。また、図１２に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。本実施形態の第３変形例のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち両方が信号線２５に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
【００６０】
（本実施形態の第４変形例）
図１３は、本実施形態の第４変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線断面の要部を示す模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００６１】
本実施形態の第４変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第４変形例において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。
【００６２】
本実施形態の第４変形例に係る表示エリア部２１は、上述した延設部２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃがない。このため、本実施形態に係る表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くして、画素ピッチを小さく（以下、狭ピッチ対応ともいう。）し、高精細にすることができる。
【００６３】
また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲しているが、チャネルＮｔｆｔが、信号線２５に重なる範囲にのみ存在する。この構造により、チャネルＮｔｆｔは、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置にあり、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の第４変形例に係る液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。しかしながら、図１３及び図１４に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にある。また、図１３及び図１４に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にある。その結果、本実施形態の第４変形例のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち両方が信号線２５に覆われており、バックチャネルリークが生じる可能性がある。
【００６４】
（本実施形態の第５変形例）
図１５は、本実施形態の第５変形例に係る液晶表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。上述した本実施形態で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。図１５に示すＩＸ−ＩＸ線断面の模式図は、図９に示す線断面の模式図と同様となる。
【００６５】
本実施形態の第５変形例に係る表示エリア部２１は、半導体層９２がＺ方向において走査線２４と信号線２５との間の平面に配置されているボトムゲート構造である。本実施形態の第５変形例において、走査線２４と半導体層９２の一部とが立体交差した箇所は１カ所であり、薄膜トランジスタＴｒは、ｎチャネルであるチャネルＮｔｆｔを備えるシングルゲートトランジスタである。
【００６６】
本実施形態の第５変形例に係る表示エリア部２１は、上述した延設部２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃがない。しかしながら、走査線２４は、信号線２５と走査線２４とが立体交差しているＹ方向の位置と、信号線２５間にＸ方向に延在するＹ方向の位置とが異なるように、屈曲して蛇行している。このため、上述した延設部２４Ａ、２４Ｂ及び２４Ｃの代わりに、信号線２４の蛇行部分が、台座配線９０及び信号線２５の２つの間隔のうち両方の間隔を通過してしまう。このため、図１５に示す表示エリア部２１は、信号線２５間を狭くする間隔に制約がある。
【００６７】
また、半導体層９２は、信号線２５と重なる範囲でＹ方向に平行に延びる半導体層９２自体が途中で屈曲している。この構造により、チャネルＮｔｆｔの一部は、信号線２５と走査線２４とが立体交差している位置にあり、信号線２５と走査線２４との間に作用するクロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが同じ領域で作用する。このため、本実施形態の液晶表示パネルは、クロス容量と、チャネルＮｔｆｔの容量とが別々に作用するよりも寄生容量を抑制することができる。
【００６８】
図１５に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、屈曲することで、信号線２５側であって第２コンタクト部２５ａ寄りのチャネル領域端部ＰＤが、信号線２５と重なり合う位置にある。また、図１５に示すように、チャネル領域Ｎｔｆｔは、画素電極７２側であって第１コンタクト部９０ａ寄りのチャネル領域端部ＰＳが信号線２５と重なり合う位置にない。本実施形態の第５変形例のチャネル領域Ｎｔｆｔは、チャネル領域端部ＰＤ及びチャネル領域端部ＰＳのうち一方は、信号線２５に覆われるが、他方は、信号線２５に覆われておらず、バックチャネルリークが生じる可能性を抑制することができる。
【００６９】
＜２．評価例＞
図１６は、評価例の評価結果を説明するための説明図である。上述した本実施形態及び変形例の作用効果を検討するため、製造装置は、評価例１から評価例６を製造した。製造装置は、上述した図４に示す本実施形態に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例１とした。製造装置は、上述した図８に示す本実施形態の第１変形例に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例２とした。製造装置は、上述した図１０に示す本実施形態の第２変形例に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例３とした。製造装置は、上述した図１２に示す本実施形態の第３変形例に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例４とした。製造装置は、上述した図１３に示す本実施形態の第４変形例に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例５とした。製造装置は、上述した図１５に示す本実施形態の第５変形例に係る表示エリア部２１を有する液晶表示パネルを製造し、評価例６とした。評価結果は、これら評価例１から評価例６の狭ピッチ対応、開口率、寄生容量、バックチャネルリークを評価した結果であり、図１６に記載されている。
【００７０】
図１６に示す狭ピッチ対応は、例えば図６に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンと比較し、同等のものを○とし、同等未満のものを×と評価した。図１６に示すように、評価例１、評価例２、評価例４及び評価例５は、○の評価であった。また、評価例３及び評価例６は、×の評価であった。
【００７１】
図１６に示す開口率は、例えば図６に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンの開口率よりも、５％向上したものを○、２％向上したものを△とし、同等以下のものを×と評価した。図１６に示すように、評価例１、評価例２、評価例３及び評価例５は、○の評価であった。また、評価例６は、△の評価であった。評価例４は、×の評価であった。
【００７２】
図１６に示す寄生容量は、例えば図６に示す薄膜トランジスタがダブルゲートトランジスタである場合の液晶表示パネルの回路パターンの寄生容量が同等より大きいものを△とし、同等以下なものを○と評価した。図１６に示すように、評価例１及び評価例５は、○の評価であった。また、評価例２、評価例３、評価例４及び評価例６は、△の評価であった。
【００７３】
図１６に示すバックチャネルリークは、評価例のうちバックチャネルリークが生じているものを×と、バックチャネルリークが生じていないものを○と評価した。図１６に示すように、評価例１、評価例２、評価例３、評価例４及び評価例６は、○の評価であった。また、評価例５は、×の評価であった。
【００７４】
＜３．適用例＞
次に、図１７〜図２９を参照して、実施形態で説明した表示装置１の適用例について説明する。図１７〜図２９は、本実施形態、及び変形例に係る液晶表示パネルを適用する電子機器の一例を示す図である。本実施形態に係る表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、本実施形態に係る表示装置１は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、液晶表示パネルに映像信号を供給し、液晶表示パネルの動作を制御する制御装置を備える。
【００７５】
（適用例１）
図１７に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるテレビジョン装置である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、本実施形態、及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７６】
（適用例２）
図１８及び図１９に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるデジタルカメラである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７７】
（適用例３）
図２０に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５３１、この本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７８】
（適用例４）
図２１に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有しており、表示部５４３は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００７９】
（適用例５）
図２２〜図２８に示す電子機器は、本実施形態に係る表示装置１が適用される携帯電話機である。この携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。そのディスプレイ５５４又はサブディスプレイ５５５は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。
【００８０】
（適用例６）
図２９に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。この表示部５６２は、本実施形態及び変形例に係る液晶表示パネルである。表示部５６２には、液晶表示パネルに近接する物体を検出するいわゆるタッチパネルが備えられている。
【００８１】
＜４．本開示の構成＞
また、本開示は、以下の構成をとることもできる。
【００８２】
（１）第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置される液晶層と、を備える液晶表示パネルであって、
前記第１基板は、
マトリクス状に配置された複数の画素電極と、
前記画素電極に第１コンタクト部で接続する薄膜トランジスタと、
前記第１基板の表面に垂直な方向において前記薄膜トランジスタの半導体層と異なる層にあり、かつ前記半導体層の一部をチャネル領域とするために立体交差して走査線となる複数の第１金属配線と、
前記第１金属配線が延在する第１方向とは異なる、第２方向に延在することで前記第１金属配線と立体交差し、かつ前記半導体層と第２コンタクト部で接続され信号線となる複数の第２金属配線と、を含み、
前記薄膜トランジスタは、前記チャネル領域が１つのシングルゲートトランジスタである、液晶表示パネル。
【００８３】
（２）前記半導体層が前記第１金属配線と前記第２金属配線との間の平面に配置され、前記チャネル領域が屈曲することで、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にあり、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部が前記第２金属配線と重なり合う位置にない、前記（１）に記載の液晶表示パネル。
【００８４】
（３）前記チャネル領域の一部は、前記第１金属配線と前記第２金属配線とが立体交差する位置にある、前記（２）に記載の液晶表示パネル。
【００８５】
（４）前記第１金属配線の金属の一部が前記第２方向に突出して延びる延設部をさらに備え、前記延設部の一部は、前記第２金属配線と重なり合い、かつ前記延設部における前記第２金属配線と重なり合わない縁部が前記第１方向と異なる、前記（１）から（３）のいずれか１つに記載の液晶表示パネル。
【００８６】
（５）前記延設部は、前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第２金属配線と重なり合うとともに、前記第２金属配線から前記第１コンタクト部寄りにはみ出す幅を有している、前記（４）に記載の液晶表示パネル。
【００８７】
（６）前記第１基板の表面に垂直な方向において、前記第１コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第１チャネル端ラインと、前記第２コンタクト部寄りの前記チャネル領域の端部の縁を示す第２チャネル端ラインとは、非平行である、前記（１）から前記（５）のいずれか１つに記載の液晶表示パネル。
【００８８】
（７）前記第１チャネル端ラインと、前記第２チャネル端ラインとがなす角度は、９０度を含まない、前記（６）に記載の液晶表示パネル。
【００８９】
（８）前記延設部は、前記走査線と同電位である、前記（４）から前記（７）のいずれか１つに記載の液晶表示パネル。
【００９０】
（９）前記（１）から前記（８）のいずれか１つに記載の液晶表示パネルを備える電子機器。
【符号の説明】
【００９１】
１  表示装置
２  液晶表示パネル
６  バックライト
１１  ガラス基板
１１ｇｒ、１１ｇｌ  額縁
２１  表示エリア部
２２Ａ  第１垂直ドライバ
２２Ｂ  第２垂直ドライバ
２４  走査線
２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃ  延設部
２５  信号線
７１  ＴＦＴ基板
７２  画素電極
７５  ガラス基板
７６  カラーフィルタ
９０  台座配線
９２  半導体層
ＬＣ  液晶素子
Ｔｒ  薄膜トランジスタ
ＣＯＭＬ  共通電極
Ｖｐｉｘ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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